(57)【要約】【課題】  吐出面が１平面で、２段の断面形状のノズル孔を有するインクジェットヘッドのノズルプレートを簡単に形成可能な製造方法を提供する。【解決手段】  吐出面が１平面で、２段の断面形状のノズル孔を有するインクジェットヘッドのノズルプレートにおいて、第２のノズル孔とインク供給口を異方性ドライエッチング加工する工程と、前記異方性ドライエッチング加工をした面に酸化膜を形成する工程と、前記異方性ドライエッチング加工をした面とは反対の面から、第１のノズル孔を異方性ドライエッチング加工し第２のノズル孔と第１のノズル孔とを開孔させる工程と、を有することを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。【選択図】  図１
2006213002.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のシリコン基板と第２のシリコン基板とを接合して構成され、第１のノズル孔と前記第１のノズル孔に連通しかつ第１のノズル孔より断面積の大きい第２のノズル孔とからなるインクノズルと、圧力変動によって対応するインクノズルからインク液滴を吐出させる複数の圧力室と、各圧力室にインクを供給するインクリザーバと、各圧力室とインクリザーバとを連通するインク供給口と、を有するインクジェットヘッドの製造方法にあって、
第１のシリコン基板の一面に前記第２のノズル孔とインク供給口とを異方性ドライエッチング加工により形成する工程と、前記異方性ドライエッチング加工した面に酸化膜を形成する工程と、前記異方性ドライエッチング加工した面とは反対の面に第１のノズル孔を異方性ドライエッチング加工により形成する工程と、第２のシリコン基板に圧力室及びインクリザーバをエッチング加工により形成する工程と、第１のシリコン基板と第２のシリコン基板とを接合する工程と、からなることを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項２】
第１のシリコン基板と第２のシリコン基板とを接合して構成され、第１のノズル孔と前記第１のノズル孔に連通しかつ第１のノズル孔より断面積の大きい第２のノズル孔とからなるインクノズルと、圧力変動によって対応するインクノズルからインク液滴を吐出させる複数の圧力室と、各圧力室にインクを供給するインクリザーバと、各圧力室とインクリザーバとを連通するインク供給口と、前記インクリザーバの圧力変動を緩衝させるための圧力変動緩衝部と、を有するインクジェットヘッドの製造方法にあって、
第１のシリコン基板の一面に前記第２のノズル孔とインク供給口と圧力変動緩衝部とを異方性ドライエッチング加工により形成する工程と、前記異方性ドライエッチング加工した面に酸化膜を形成する工程と、前記異方性ドライエッチング加工した面とは反対の面に第１のノズル孔を異方性ドライエッチング加工により形成する工程と、第２のシリコン基板に圧力室及びインクリザーバをエッチング加工により形成する工程と、第１のシリコン基板と第２のシリコン基板とを接合する工程と、からなることを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記酸化膜が、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）−ＣＶＤ成膜法により形成された酸化膜であることを特徴とする、請求項１又は２に記載のインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記異方性ドライエッチング加工が、ＩＣＰ放電による異方性ドライエッチングであることを特徴とする、請求項１１又は２に記載のインクジェットヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記請求項１〜４のいずれか一項に記載の製造方法により製造された、インクジェットヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記録を必要とする時にのみインク液滴を吐出し、被記録面にインクを付着させるインクジェット記録装置の主要部であるインクジェットヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インクジェット記録装置は、記録時の騒音が極めて小さいこと、高速印字が可能であること、インクの自由度が高く安価な普通紙が使用できることなど多くの利点を有する。この中でも記録が必要な時にのみインク液滴を吐出する、所謂インク・オン・デマンド方式は記録に不要なインク液滴の回収を必要としないため、現在の主流となっている。
【０００３】
このインク・オン・デマンド方式のインクジェット記録装置には、インクを吐出させる方法として、駆動手段に静電気力を利用したインクジェット記録装置があり、この方式は小型高密度・高印字品質及び長寿命であるという利点を有している。
【０００４】
インクジェットヘッドのインクノズル先端部からインク液滴を吐出させるエッジイジェクトタイプ及びフェイスイジェクトタイプの何れのインクジェットヘッドにおいても、ノズル孔部での流路抵抗を調整し、最適なノズル長さ、ノズル形状になることが望ましい。このようなインクジェットヘッドのノズルプレートをシリコン基板で作製する場合、ノズルプレートの接合面側からＩＣＰ放電による異方性ドライエッチング加工により、内径の異なる第１のノズル孔と第２のノズル孔を２段に形成した後、接合面とは反対のインク液滴吐出面側より、一部分を異方性ウェットエッチング加工で掘り下げ、第１ノズル孔の開孔、及びノズルの長さ調整する方法が採用されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
更に、前述した異方性ドライエッチング加工と異方性ウェットエッチング加工の組み合わせによるノズルプレートの製造方法において、パターニングマスクを変更し、第１のノズル、第２のノズルと併せて、インク供給口や圧力変動緩衝部を形成する方法も採用されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−２８８２０号公報
【特許文献２】特開平１１−１１５１７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
前述したノズルプレートの製造方法では、更に小型化を図った場合、第１のノズル孔が開孔するインク液滴吐出面がノズルプレート表面から一段下がった面となり、インク液滴の飛行曲がりや第１のノズル孔が目詰まりする原因となる吐出面に付着した紙粉及びインク等を、ゴム片或いはフェルト片で払拭するワイピング作業が難しくなるといった課題があった。
【０００８】
また、吐出面と紙面を最適な距離に調整した際、ノズルプレート表面と紙面との距離が狭くなり、紙面がノズルプレートに擦れて印刷物が汚れたり、紙がノズルプレートに引っかかったり、吐出面を傷つけやすくなるといった課題があった。
【０００９】
また、前述したノズルプレート製造工程では、酸化膜パターンにあわせて垂直に加工できる特徴を持つＩＣＰ（誘導結合プラズマ）放電による異方性ドライエッチング加工が用いられている。ＩＣＰ放電を含めた一般的な異方性ドライエッチング加工において、高真空チャンバー内での加工する基板の固定方法として、静電気力を利用した静電チャックによる固定方法が取られている。静電チャックは安定したドライエッチング加工形状と高速なエッチングレートを実現させるため、加工基板裏面側に冷却されたＨｅ等を供給している。このため、異方性ドライエッチング加工中にノズル孔を貫通（開孔）させる加工方法にした場合、開孔したノズル孔から静電チャック自体をエッチングしてしまうといった課題、及び基板裏面側に供給されているＨｅが開孔したノズル孔からチャンバー内にリークしてしまうことでチャンバー内及び加工中の基板周辺のプラズマ雰囲気に影響を与え、エッチング形状を損なう等の課題があった。よって、前述した特許文献１、２のように、ノズルプレート接合面側に異方性ドライエッチングで第１のノズル孔、第２のノズル孔を加工後、一旦酸化膜を除去し、再度酸化膜を形成し、吐出面側のパターニングを経て、異方性ウェットエッチングで第１のノズル孔を開孔させるといった製造方法を取らざるを得なかった。従って、複雑で時間のかかる製造工程が必要であり、安価で簡単に作製することが困難であった。
【００１０】
そこで、本発明はかかる課題を解決するためになされたもので、インクジェットヘッドの製造方法において、インク液滴吐出面が１平面で、２段の断面形状となるノズル孔、及びインク供給口を有するノズルプレートを簡単な工程で作製できる製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
また、前記形状のノズルプレートにおいて、ノズル間の圧力変動を緩衝させる圧力変動緩衝部も備えたノズルプレートを簡単な工程で作製できる製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
（１）第１のシリコン基板と第２のシリコン基板とを接合して構成され、第１のノズル孔と前記第１のノズル孔に連通しかつ第１のノズル孔より断面積の大きい第２のノズル孔とからなるインクノズルと、圧力変動によって対応するインクノズルからインク液滴を吐出させる複数の圧力室と、各圧力室にインクを供給するインクリザーバと、各圧力室とインクリザーバとを連通するインク供給口と、を有するインクジェットヘッドの製造方法にあって、第１のシリコン基板の一面に前記第２のノズル孔とインク供給口とを異方性ドライエッチング加工により形成する工程と、前記異方性ドライエッチング加工した面に酸化膜を形成する工程と、前記異方性ドライエッチング加工した面とは反対の面に第１のノズル孔を異方性ドライエッチング加工により形成する工程と、第２のシリコン基板に圧力室及びインクリザーバをエッチング加工により形成する工程と、第１のシリコン基板と第２のシリコン基板とを接合する工程と、からなることを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。
【００１３】
（２）第１のシリコン基板と第２のシリコン基板とを接合して構成され、第１のノズル孔と前記第１のノズル孔に連通しかつ第１のノズル孔より断面積の大きい第２のノズル孔とからなるインクノズルと、圧力変動によって対応するインクノズルからインク液滴を吐出させる複数の圧力室と、各圧力室にインクを供給するインクリザーバと、各圧力室とインクリザーバとを連通するインク供給口と、前記インクリザーバの圧力変動を緩衝させるための圧力変動緩衝部と、を有するインクジェットヘッドの製造方法にあって、第１のシリコン基板の一面に前記第２のノズル孔とインク供給口と圧力変動緩衝部とを異方性ドライエッチング加工により形成する工程と、前記異方性ドライエッチング加工した面に酸化膜を形成する工程と、前記異方性ドライエッチング加工した面とは反対の面に第１のノズル孔を異方性ドライエッチング加工により形成する工程と、第２のシリコン基板に圧力室及びインクリザーバをエッチング加工により形成する工程と、第１のシリコン基板と第２のシリコン基板とを接合する工程と、からなることを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。
【００１４】
（３）前記（１）及び（２）記載の酸化膜がＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）−ＣＶＤ成膜法による酸化膜であることを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。
【００１５】
（４）前記（１）及び（２）記載の異方性ドライエッチング加工が、ＩＣＰ放電による異方性ドライエッチングであることを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。
【００１６】
（５）前記（１）〜（４）のいずれかに記載した製造方法によって製造されたインクジェットヘッド。
【発明の効果】
【００１７】
本発明のインクジェットヘッドのノズルプレート製造方法において、インク流路となるキャビティプレートとの接合面側の第２のノズル孔、インク供給口、インクリザーバを異方性ドライエッチングで加工後、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）−ＣＶＤ成膜法による酸化膜（以後、ＴＥＯＳ酸化膜）で保護することで、吐出面側から異方性ドライエッチングで第１のノズル孔を開孔させることが可能となる。つまり、吐出面側からの第１のノズル孔を開孔させる異方性ウェットエッチングは不要となり、前記異方性ウェットエッチングに関するパターニング工程及びエッチング工程を短縮でき、且つウェットエッチング装置の設備も不要となり、安価で量産に適したノズルプレートの製造が可能となる。
【００１８】
また、従来は接合面側からの異方性ドライエッチングにおけるノズル部の終点（最奥部）が第１のノズル孔の開孔部となっていたが、本発明では吐出面側から第１のノズル孔の酸化膜パターンを形成するため、異方性ドライエッチングにおけるノズル部の始点が第１のノズル孔の開孔部となる。よって、精度の良いノズル孔の開孔部が実現できるといった効果も有する。
【００１９】
また、ノズルプレート吐出面を段差のない１平面で構成でき、インクジェットヘッドの吐出面クリーニング即ちワイピングが容易になり、吐出面に付着する紙粉やインク液滴によるノズル孔の閉塞からの復旧し易くなる。更に、吐出面の段差がないことで紙面とノズルプレートの距離が広くなり、紙擦れによる印刷物の汚れも減少することで印刷結果の信頼性と印字品位の高いインクジェット記録装置が提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下に、図面を参照して本発明の製造方法により得られるインクジェットヘッドについて説明する。
【００２１】
図１は、本発明の製造方法を適用可能な静電駆動方式によるフェイスイジェクトタイプのインクジェットヘッドの概略断面図である。尚、本発明の製造方法は、図１に示すインクジェットヘッド以外のインクジェットヘッド、及びインクジェット以外の吐出装置に段状断面のノズルを形成する場合にも適用できることは勿論である。
【００２２】
図１を参照して説明すると、本例のインクジェットヘッド１００は静電駆動方式のインクジェットヘッドであり、シリコン単結晶基板からなるノズルプレート（第１のシリコン基板）１と、同じくシリコン単結晶基板からなるキャビティプレート（第２のシリコン基板）２と、シリコンと熱膨張率が近いホウ珪酸ガラス製のガラス基板３がこの順序で相互に接合された積層構造をしている。
【００２３】
キャビティプレート２は、底壁が振動板２２として機能する圧力室６を構成することとなる複数の凹部と、後述するノズルプレート１に形成されるインク供給口７を介して各々の圧力室６にインクを供給するための共通のインクリザーバ１０を構成することとなる凹部とが、エッチングによって形成されている。
【００２４】
ノズルプレート１は、各々の圧力室６に連通した第２のノズル孔５、及び第１のノズル孔４と、各々の圧力室６と共通のインクリザーバ１０に連通するインク供給口７が形成されている。また、ノズルプレート１とキャビティプレート２によって区画形成されているインクリザーバ１０のノズルプレート１側のインクリザーバ部をインク供給口７より深くエッチングすることで、凹部の底壁がノズル間の相互の圧力緩衝を抑制させる機能を持つ圧力変動緩衝部８を形成されている場合もある。
【００２５】
ガラス基板３は、インクリザーバ１０の底面に対応する部分に、インクリサーバ１０に連通するインク取り入れ口３３が形成されている。このインク取り入れ口３３は、接続パイプを介してインクカートリッジ等の外部からのインク供給源に接続されている。また、各々の振動板２２に対峙する部分には、振動室３２を構成することとなる凹部が形成され、その底面には個別電極３１が配置されている。
【００２６】
ガラス基板３に形成した個別電極３１に印加すると、キャビティプレート２に形成した振動板２２が共通電極として機能し、振動板２２が静電気力によって個別電極３１側に吸引されて撓み、印加をオフにすると振動板２２は元に戻る。この復帰動作により、圧力室６の内圧が急激に上昇して第１のノズル孔４からインク液滴が吐出される。そして、振動板２２が下方に撓むことにより、インクがインクリザーバ１０からインク供給口７経由して圧力室６に補給される。
【実施例１】
【００２７】
以下、本実施形態１として、上述したインクジェットヘッドのノズルプレートが形成されるまでの製造工程を図２に基づいて具体的に説明する。
【００２８】
図２は、本発明の実施形態１に係わるノズルプレートの製造方法を示すプロセス断面図である。
【００２９】
（Ａ）第１のシリコン基板であるノズルプレート１を熱酸化炉にセットして、酸素及び水蒸気雰囲気中にし、摂氏１１００度の温度で熱酸化処理し、ノズルプレート１表面に１．２μｍ以上の熱酸化膜５０を形成する。
【００３０】
（Ｂ）ノズルプレート１の両面にレジスト（図示せず）をスピンコーティングし、インク吐出面となる吐出面１０１には第１のノズル孔４を作り込むためのレジストパターニングと、接合面１０２には第２のノズル孔５及びインク供給口７を作り込むためのレジストパターニングを両面一括露光機により施し、レジストを現像後、例えば、緩衝フッ酸水溶液（フッ酸水溶液：フッ化アンモニウム水溶液＝１：６）で熱酸化膜５０をシリコン表面が露出するフルエッチングを行い、第１のノズル孔部の酸化膜開口パターン１４２、第２のノズル孔部の酸化膜開口パターン１５２、インク供給口部の酸化膜開口パターン１７２を同時に形成する。その後、ノズルプレート１両面のレジストを剥離する。
【００３１】
（Ｃ）ノズルプレート１の接合面１０２にフルエッチングされた第２のノズル孔部の酸化膜開口パターン１５２とインク供給口部の酸化膜開口パターン１７２をＩＣＰ放電によるドライエッチング装置で所定の深さまで異方性ドライエッチングし、第２のノズル孔５とインク供給口７を形成する。
【００３２】
（Ｄ）第２のノズル孔５とインク供給口７が形成されたノズルプレート１の接合面１０２にのみ、ＴＥＯＳ−ＣＶＤ装置で４μｍ以上のＴＥＯＳ酸化膜６０を成膜する。つまり、第２のノズル孔５とインク供給口７はＴＥＯＳ酸化膜６０で覆われ、その他の部分は熱酸化膜５０上を更にＴＥＯＳ酸化膜６０が覆う形となる。
【００３３】
（Ｅ）前記工程（Ｂ）でノズルプレート１の吐出面１０１に形成した第１のノズル孔部酸化膜開口パターン１４２をＩＣＰ放電によるドライエッチング装置で異方性ドライエッチングする。第１のノズル孔４は前記工程（Ｄ）で第２のノズル孔表面に成膜したＴＥＯＳ酸化膜６０まで異方性ドライエッチングされるが、シリコンに比べＴＥＯＳ酸化膜６０のエッチングレートは極端に遅いため、第１のノズル孔４と第２のノズル孔５は開孔することなく、両者の間にＴＥＯＳ酸化膜６０が残る形となる。
【００３４】
（Ｆ）ノズルプレート１両面の熱酸化膜５０及びＴＥＯＳ酸化膜６０をフッ酸水溶液ですべて除去して、第１のノズル孔４と第２のノズル孔５を開孔させる。最後に、図示しないがノズルプレート１の耐インク性と吐出面１０１に形成する撥インク膜の密着性を確保するため、再度、熱酸化炉にセットして熱酸化膜を形成する。
【００３５】
本発明により、酸化膜パターニング工程は１工程で、且つウェットエッチング工程を必要としない簡単な工程で、吐出面１０１が１平面のノズルプレート１が製造できる。
【実施例２】
【００３６】
以下、本実施形態２として、上述したインクジェットヘッドのノズルプレートが形成されるまでの製造工程を図２に基づいて具体的に説明する。
【００３７】
図２は、本発明の実施形態２に係わるノズルプレートの製造方法を示すプロセス断面図である。
【００３８】
（Ａ）第１のシリコン基板であるノズルプレート１を熱酸化炉にセットして、酸素及び水蒸気雰囲気中にし、摂氏１１００度の温度で熱酸化処理し、ノズルプレート１表面に１．２μｍ以上の熱酸化膜５０を形成する。
【００３９】
（Ｂ）ノズルプレート１の両面にレジスト（図示せず）をスピンコーティングし、インク吐出面となる吐出面１０１には第１のノズル孔４を作り込むためのレジストパターニングと、接合面１０２には第２のノズル孔５、インク供給口７及び圧力変動緩衝部８を作り込むためのレジストパターニングを両面一括露光機により施し、レジストを現像後、例えば、緩衝フッ酸水溶液（フッ酸水溶液：フッ化アンモニウム水溶液＝１：６）で熱酸化膜５０をハーフエッチングし、第１のノズル孔部の酸化膜開口ハーフエッチングパターン１４１、第２のノズル孔部の酸化膜開口ハーフエッチングパターン１５１、インク供給口開口部の酸化膜ハーフエッチングパターン１７１、インクリザーバ部の酸化膜開口ハーフエッチングパターン１８１を同時に形成する。その後、ノズルプレート１両面のレジストを剥離する。
【００４０】
（Ｃ）再度、ノズルプレート１の両面にレジスト（図示せず）をスピンコーティングし、接合面１０２に圧力変動緩衝部８を作り込むためのレジストパターニングを、前記工程（Ｂ）で形成したインクリザーバ部の酸化膜開口ハーフエッチングパターン１８１の部分に両面一括露光機により施し、レジストを現像後、熱酸化膜５０をシリコン表面が露出するフルエッチングを行い、インクリザーバ部の酸化膜開口パターン１８２を形成する。この場合に使用するエッチング液も前記工程（Ｂ）と同様な緩衝フッ酸水溶液を使用できる。その後、ノズルプレート１両面のレジストを剥離する。
【００４１】
（Ｄ）ノズルプレート１の接合面１０２にフルエッチングされたインクリザーバ部の酸化膜開口パターン１８２をＩＣＰ放電によるドライエッチング装置で所定の深さまで異方性ドライエッチングし、ノズルプレート１側インクリザーバの約半分の深さとなる凹部２８１を形成する。
【００４２】
（Ｅ）前記工程（Ｂ）で熱酸化膜５０に形成した第１のノズル孔部の酸化膜開口ハーフエッチングパターン１４１、第２のノズル孔部の酸化膜開口ハーフエッチングパターン１５１、インク供給口部の酸化膜開口ハーフエッチングパターン１７１をフッ酸水溶液で除去し、第１のノズル孔部の酸化膜開口パターン１４２、第２のノズル孔部の酸化膜開口パターン１５２、インク供給口部の酸化膜開口パターン１７２部分のシリコン表面が露出した状態となる。
【００４３】
（Ｆ）再度、ノズルプレート１の接合面１０２にフルエッチングされた第２のノズル孔部の酸化膜開口パターン１５２とインク供給口部の酸化膜開口パターン１７２、インクリザーバの約半分の深さとなる凹部２８１を、ＩＣＰ放電によるドライエッチング装置で所定の深さまで異方性ドライエッチングし、第２のノズル孔５、インク供給口７、インクリザーバ１０となる凹部と圧力変動緩衝部８を形成する。この際、インク供給口部の酸化膜開口パターン１７２とインクリザーバの約半分の深さとなる凹部２８１はその断面形状が保った状態で厚さ方向に向けて垂直に異方性ドライエッチングされる。
【００４４】
（Ｇ）第２のノズル孔５とインク供給口７、インクリザーバ１０となる凹部が形成されたノズルプレート１の接合面１０２にのみ、ＴＥＯＳ−ＣＶＤ装置で４μｍ以上のＴＥＯＳ酸化膜６０を成膜する。つまり、第２のノズル孔５とインク供給口７、インクリザーバ１０となる凹部はＴＥＯＳ酸化膜６０で覆われ、その他の部分は熱酸化膜５０上を更にＴＥＯＳ酸化膜６０が覆う形となる。
【００４５】
（Ｈ）前記工程（Ｅ）でノズルプレート１の吐出面１０１に形成した第１のノズル孔部の酸化膜開口パターン１４２をＩＣＰ放電によるドライエッチング装置で異方性ドライエッチングする。第１のノズル孔４は前記工程（Ｇ）で第２のノズル孔５表面に形成したＴＥＯＳ酸化膜６０までエッチングされるが、シリコンに比べＴＥＯＳ酸化膜６０のエッチングレートは極端に遅いため、第１のノズル孔４と第２のノズル孔５は開孔することなく、両者の間にＴＥＯＳ酸化膜６０が残る形となる。
【００４６】
（Ｉ）ノズルプレート１両面の熱酸化膜５０及びＴＥＯＳ酸化膜６０をフッ酸水溶液ですべて除去して、第１のノズル孔４と第２のノズル孔５を開孔させる。最後に、図示しないがノズルプレート１の耐インク性と吐出面１０１に形成する撥インク膜の密着性を確保するため、再度、熱酸化炉にセットして熱酸化膜を形成する。
【００４７】
本発明により、酸化膜パターニング工程は２工程で、且つウェットエッチング工程を必要としない簡単な工程で、吐出面１０１が１平面で圧力変動緩衝部を備えたノズルプレート１が製造できる。
【００４８】
尚、上記の実施形態１及び実施形態２において、ＩＣＰ放電以外の異方性ドライエッチング方式として、ＥＣＲ（電子サイクロトロン共鳴）放電、ＨＷＰ（ヘリコン波プラズマ）放電、ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）などを用いても良い。
【００４９】
以下、表１において、本実施例１、２と比較例１（特開平１１−２８８２０）、比較例２（特開平１１−１１５１７９）におけるノズルプレートの製造工程及びその形成部分を示す。
【００５０】
【表１】
2006213002.tif 000003
【００５１】
上記表１からも明らかなように、本発明により、ノズルプレートの形成部分が同じであれば、ノズルプレートの製造工程を大幅に簡素化でき、安価なインクジェットヘッドが提供できる。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
インクジェットプリンタ用のインクジェットヘッドに限らず、微量な液体を吐出、噴射するためのノズルを備えた装置について、本発明のノズル製造方法を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明を適用可能な静電駆動方式によるフェイスイジェクトタイプのインクジェットヘッドの概略断面図である。
【図２】本発明の第１の実施例におけるインクジェットヘッドのノズルプレート製造方法を示すプロセス断面図である。（Ａ）熱酸化形成工程を示す。（Ｂ）酸化膜パターニング工程を示す。（Ｃ）第１の異方性ドライエッチング工程を示す。（Ｄ）ＴＥＯＳ酸化膜成膜工程を示す。（Ｅ）第２の異方性ドライエッチング工程を示す。（Ｆ）熱酸化膜、ＴＥＯＳ酸化膜を除去した後の状態を示す。
【図３】本発明の第２の実施例におけるインクジェットヘッドのノズルプレート製造方法を示すプロセス断面図である。（Ａ）熱酸化形成工程を示す。（Ｂ）第１の酸化膜パターニング工程を示す。（Ｃ）第２の酸化膜パターニング工程を示す。（Ｄ）第１の異方性ドライエッチング工程を示す。（Ｅ）ハーフエッチング部分を除去した状態を示す。（Ｆ）第２の異方性ドライエッチング工程を示す。（Ｇ）ＴＥＯＳ酸化膜成膜工程を示す。（Ｈ）第３の異方性ドライエッチング工程を示す。（Ｉ）熱酸化膜、ＴＥＯＳ酸化膜を除去した後の状態を示す。
【符号の説明】
【００５４】
１．ノズルプレート
２．キャビティプレート
３．ガラス基板
４．第１のノズル孔
５．第２のノズル孔
６．圧力室
７．インク供給口
８．圧力変動緩衝部
１０．インクリザーバ
５０．熱酸化膜
６０．ＴＥＯＳ酸化膜
１０１．吐出面
１０２．接合面
１４１．第１のノズル孔部の酸化膜開口ハーフエッチングパターン
１４２．第１のノズル孔部の酸化膜開口パターン
１５１．第２のノズル孔部の酸化膜開口ハーフエッチングパターン
１５２．第２のノズル孔部の酸化膜開口パターン
１７１．インク供給口部の酸化膜開口ハーフエッチングパターン
１７２．インク供給口部の酸化膜開口パターン
１８１．インクリザーバ部の酸化膜開口ハーフエッチングパターン
１８２．インクリザーバ部の酸化膜開口パターン
【図１】
2006213002.tif 000004
【図２】
2006213002.tif 000005
【図３】
2006213002.tif 000006