(57)【要約】    【課題】  半導体素子の性能を十分に引き出すことができる半導体装置を提供する。    【解決手段】  周囲がＩＧＢＴセル１００１で囲われるように、圧接用ヒートスプレッダ３０４で圧接される領域の略中央にセンサダイオード３０２を配設した。圧接用ヒートスプレッダ３０４がセンサダイオード３０２および温度センサハーネス３０３を押圧しないように、ＩＧＢＴ１０１のエミッタ電極１００７に接触する圧接用ヒートスプレッダ３０４の下面側には溝部３０５が設けられている。これにより、活性領域３０１の発熱によるＩＧＢＴ１０１の温度変化に対して、センサダイオード３０２で検出される温度の応答性を向上できるので、センサダイオード３０２で検出される温度に基づいてＩＧＢＴ１０１の温度上昇保護を行う際に、従来の半導体装置のように不必要なマージンをとる必要がなく、ＩＧＢＴ１０１の性能を十分に引き出すことができる。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップを圧接して保持する圧接型の半導体装置において、
前記半導体チップの圧接方向から見て前記半導体チップのセルで囲われた領域に前記半導体チップの温度を検出するダイオードを設けることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体チップを圧接して保持する圧接型の半導体装置において、
前記半導体チップのセルが設けられる領域の一部に、前記セルに代えて前記半導体チップの温度を検出するダイオードを設けることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の半導体装置において、
前記ダイオードのアノードおよびカソードに接続されたハーネスを前記セルが設けられる領域の外側へ向けて配設するために必要な領域を除いて、前記ダイオードが前記セルで囲われていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載の半導体装置において、
前記セルで囲われて閉じられた領域に前記ダイオードを設けることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１または請求項２に記載の半導体装置において、
前記ダイオードの形状を略方形であると仮定したときに、前記方形形状の少なくとも３方に前記セルが設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記ダイオードは、圧接される領域内に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体装置において、
前記ダイオードは、圧接される領域外に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップを圧接して保持する圧接型の半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
インバータなど電力制御に用いられる半導体装置が知られている。この半導体装置では、半導体素子の温度上昇を検出するため、温度検出素子を半導体素子の近傍に設けている（特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１２４６１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、この半導体装置では、半導体素子と温度検出素子とが離れているため、温度上昇の検出に遅れが生じてしまう。したがって、温度検出素子での検出温度に基づいて、上述した検出遅れを加味した上で半導体素子の温度上昇保護を行う必要があり、半導体素子の能力が必要以上に抑制されてしまう。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
（１）  請求項１の発明による半導体装置は、半導体チップを圧接して保持する圧接型の半導体装置において、半導体チップの圧接方向から見て半導体チップのセルで囲われた領域に半導体チップの温度を検出するダイオードを設けることを特徴とする。
（２）  請求項２の発明による半導体装置は、半導体チップを圧接して保持する圧接型の半導体装置において、半導体チップのセルが設けられる領域の一部に、セルに代えて半導体チップの温度を検出するダイオードを設けることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、半導体チップの圧接方向から見て半導体チップのセルで囲われた領域に半導体チップの温度を検出するダイオードを設けたり、セルに代えてダイオードを設けるように構成した。これにより、半導体素子の温度変化に対してダイオードで検出される温度の応答性を向上できる。したがって、ダイオードで検出される温度に基づいて半導体素子の温度上昇保護を行う際のマージンを減らすことができるので、半導体素子の性能を十分に引き出すことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
−−−第１の実施の形態−−−
図１〜７を参照して、本発明による半導体装置の第１の実施の形態を説明する。図１は、第１の実施の形態に係る半導体装置を示す図であり、とくに電気自動車に搭載される三相インバータの回路図を示している。なお、図１では、ＩＧＢＴ１０１〜１０６とフリーホイールダイオード（ＦＷＤ）１１１〜１１６を用いて直流Ｐ，Ｎを交流Ｕ，Ｖ，Ｗに変換している。
【０００８】
ＩＧＢＴ１０１〜１０３のコレクタ（ドレイン）はそれぞれＰ極用ブスバー６ｃに接続され、ＩＧＢＴ１０４〜１０６のエミッタ（ソース）はそれぞれＮ極用ブスバー６ｅに接続されている。ＩＧＢＴ１０１のエミッタおよびＩＧＢＴ１０４のコレクタはそれぞれインバータ出力用（Ｕ相）のブスバー６ｅｃに接続され、ＩＧＢＴ１０２のエミッタおよびＩＧＢＴ１０５のコレクタはそれぞれＶ相用のブスバー６ｅｃに接続され、ＩＧＢＴ１０３のエミッタおよびＩＧＢＴ１０６のコレクタはそれぞれＷ相用のブスバー６ｅｃに接続されている。なお、ＩＧＢＴ１０１〜１０６のゲートは、不図示の信号入出力用の端子に接続されている。各ＩＧＢＴ１０１〜１０６にはそれぞれＦＷＤ１１１〜１１６が並列に接続されている。
【０００９】
図２は、ＩＧＢＴ１０１およびＦＷＤ１１１についての平面図であり、図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ矢視図であり、図４は、ＩＧＢＴ１０１のセル構造を模式的に表した図である。なお、ＩＧＢＴ１０２〜１０６およびＦＷＤ１１２〜１１６についてもＩＧＢＴ１０１およびＦＷＤ１１１と同様であるので、以下の説明ではＩＧＢＴ１０１およびＦＷＤ１１１について説明し、ＩＧＢＴ１０２〜１０６およびＦＷＤ１１２〜１１６についての説明を省略する。
【００１０】
図４に示すように、ＩＧＢＴ１０１は、半導体の基板上に多数のＩＧＢＴセル１００１が設けられた半導体チップであり、裏面側にコレクタ電極１００８が設けられ、表面側にエミッタ電極１００７およびゲート電極１００３が設けられている。なお、１００４は絶縁膜である。図２に示すように、ＩＧＢＴセル１００１が設けられている領域の略中央には、ＩＧＢＴ１０１の温度を検出するセンサダイオード３０２が設けられている（図２，４）。センサダイオード３０２の検出信号はアノード電極１００５とカソード電極１００６から取り出される。ＦＷＤ１１１は、半導体の基板上に多数のダイオードセルが設けられた半導体チップであり、裏面側にカソード電極（不図示）が設けられ、表面側にアノード電極（不図示）が設けられている。
【００１１】
ＩＧＢＴ１０１のコレクタ電極１００８およびＦＷＤ１１１のカソード電極は、それぞれＰ極用ブスバー６ｃの上にハンダ６０２によってボンディングされている。ＩＧＢＴ１０１のエミッタ電極１００７およびＦＷＤ１１１のアノード電極は、それぞれ圧接用ヒートスプレッダ３０４，２１４の下面で押圧されている。圧接用ヒートスプレッダ３０４，２１４の上面にはＵ相用のブスバー６ｅｃが接続されている。圧接用ヒートスプレッダ３０４，２１４は、たとえば、銅やモリブデンなどからなる板状部材であり、上述のようにＩＧＢＴ１０１のエミッタ電極１００７およびＦＷＤ１１１のアノード電極とＵ相用のブスバー６ｅｃとを電気的および熱的に接続する。圧接用ヒートスプレッダ３０４がＩＧＢＴ１０１のエミッタ電極１００７を押圧してもセンサダイオード３０２および後述する温度センサハーネス３０３を押圧しないように、ＩＧＢＴ１０１のエミッタ電極１００７に接触する圧接用ヒートスプレッダ３０４の下面側には溝部３０５が設けられている。
【００１２】
ＩＧＢＴ１０１の表面の周縁近傍には、エミッタセンスパッド２０４と、エミッタパッド２０５と、ゲートパッド２０６と、温度センスアノードパッド２０７と、温度センスカソードバッド２１０とが設けられている。温度センスアノードパッド２０７はセンサダイオード３０２のアノード電極１００５に、温度センスカソードバッド２１０はセンサダイオード３０２のカソード電極１００６にそれぞれ温度センサハーネス３０３で接続されている。温度センサハーネス３０３はアルミなどの導電材料による配線パターンであるため、ＩＧＢＴ１０１の表面の温度センサハーネス３０３が配設される部分にはＩＧＢＴセル１００１は設けられていない。
【００１３】
ＩＧＢＴ１０１が動作する際、ＯＮ損失やスイッチング損失によってＩＧＢＴ１０１が発熱するが、ＯＮ損失やスイッチング損失はＩＧＢＴ１０１の表面のエミッタ電極１００７電極の付近で多く発生する。以下の説明では、エミッタ電極１００７が設けられていて発熱が大きい領域を活性領域と呼ぶ。したがって、活性領域はＩＧＢＴセル１００１が設けられた領域と一致し、図２において、太線で囲んだ領域３０１となる。
【００１４】
上述のように、ＩＧＢＴ１０１の温度変化はセンサダイオード３０２によって検出される。具体的には、センサダイオード３０２の順方向に定電流を流した際の電圧降下が温度に依存するという性質を利用してＩＧＢＴ１０１の温度変化を検出する。図２に示すように、本実施の形態の半導体装置では、活性領域３０１の中央近傍、換言すると圧接用ヒートスプレッダ３０４の略中央直下にセンサダイオード３０２が設けられている。すなわち、センサダイオード３０２は、その周囲が、少なくともその周囲の３方がＩＧＢＴセル１００１で囲われた状態となっている。
【００１５】
なお、上述のように、温度センサハーネス３０３が配設されるため、温度センサハーネス３０３が接続されるセンサダイオード３０２の近傍の周囲にはＩＧＢＴセル１００１が設けられていないが、ＩＧＢＴ１０１の温度変化を感度よく検出するためには、センサダイオード３０２の周囲でＩＧＢＴセル１００１が設けられていない部分は少ない方が望ましい。たとえば、本実施の形態の半導体装置では、図２に示すように、センサダイオード３０２が設けられた略方形の領域の３方がＩＧＢＴセル１００１で囲われた状態となっている。
【００１６】
このように、本実施の形態の半導体装置では、センサダイオード３０２が周囲をＩＧＢＴセル１００１で囲われた状態となっているので、ＩＧＢＴ１０１の温度変化を感度よく検出できる。図５は、ＩＧＢＴ１０１の活性領域３０１に所定の損失を与えた場合のＩＧＢＴ１０１内の最大温度とセンサダイオード３０２で検出される温度の応答を熱解析シミュレーションにより求めたグラフである。
【００１７】
また、図６は、図７に示すようにセンサダイオード２０８を活性領域２０３の外に設けた従来の半導体装置について、活性領域２０３に所定の損失を与えた場合のＩＧＢＴ２０２の中央部の温度とセンサダイオード２０８で検出される温度の応答を熱解析シミュレーションにより求めたグラフである。通常、ＩＧＢＴ２０２において最大温度となる箇所は、熱干渉の影響により、活性領域２０３の中央部となる。なお、図７において、２１３は圧接用ヒートスプレッダである。従来のＩＧＢＴ２０２では、センサダイオード２０８の一辺だけが活性領域２０３に面しているだけであり、また、他の方向にはパッド２０７，２１０が設けられているので、ＩＧＢＴ２０２の発熱に対する応答性が悪い。
【００１８】
したがって、従来の半導体装置では、図６に示すように、時間経過につれて活性領域２０３の中央部の温度（最大温度）とセンサダイオード２０８で検出される温度との乖離が著しくなる。これに対して、本実施の形態の半導体装置では、図５に示すように、時間が経過しても、ＩＧＢＴ１０１内の最大温度とセンサダイオード３０２で検出される温度との乖離が少ない。すなわち、センサダイオード３０２で検出される温度は、ＩＧＢＴ１０１の温度変化に対する応答性がよい。また、センサダイオード３０２を活性領域３０１の中央近傍に設けているので、最大温度とセンサダイオード３０２で検出される温度は、ＩＧＢＴ１０１内の最大温度により近づく。
【００１９】
上述した第１の実施の形態の半導体装置では、次の作用効果を奏する。
（１）  周囲がＩＧＢＴセル１００１で囲われるようにセンサダイオード３０２を配設するように構成したので、センサダイオード３０２で検出される温度に関して、活性領域３０１の発熱によるＩＧＢＴ１０１の温度変化に対する応答性を向上できる。これにより、センサダイオード３０２で検出される温度に基づいてＩＧＢＴ１０１の温度上昇保護を行う際に、従来の半導体装置のように不必要な熱的なマージンをとる必要がないので、ＩＧＢＴ１０１の性能を十分に引き出すことができる。
【００２０】
（２）  温度センサハーネス３０３が接続されるセンサダイオード３０２の近傍を除き、センサダイオード３０２の周囲にはＩＧＢＴセル１００１が設けられるように構成した。すなわち、センサダイオード３０２が、その周囲の少なくとも３方をＩＧＢＴセル１００１で囲まれるように構成した。これにより、センサダイオード３０２の周囲をできる限り活性領域３０１で囲うことができるので、活性領域３０１からの発熱を受け易くなるとともに、活性領域３０１ではない領域への熱伝達を少なくできるので、センサダイオード３０２で検出される温度がＩＧＢＴ１０１内の温度により近づくことになる。したがって、ＩＧＢＴ１０１を温度上昇から適切に保護できる。
【００２１】
（３）  圧接用ヒートスプレッダ３０４の下面側に溝部３０５を設け、センサダイオード３０２を圧接用ヒートスプレッダ３０４で押圧しないようにした上で、ＩＧＢＴ１０１が圧接用ヒートスプレッダ３０４で圧接される領域内にセンサダイオード３０２を設けるように構成した。これにより、センサダイオード３０２を活性領域３０１の中央近傍に設けることができるので、センサダイオード３０２で検出される温度がＩＧＢＴ１０１内の最大温度により近づくことになる。したがって、センサダイオード３０２で検出される温度に基づいてＩＧＢＴ１０１の温度上昇保護を行うことで、ＩＧＢＴ１０１の温度上昇保護に対する信頼性を向上できる。
【００２２】
−−−第２の実施の形態−−−
図８，９を参照して、本発明による半導体装置の第２の実施の形態を説明する。以下の説明では、第１の実施の形態と同じ構成要素には同じ符号を付して相違点を主に説明する。特に説明しない点については、第１の実施の形態と同じである。図８は、ＩＧＢＴ１２１およびＦＷＤ１１１についての平面図である。ＩＧＢＴ１２１ではセンサダイオード３０２は、圧接用ヒートスプレッダ３０４で圧接される領域外に設けられて、その周囲が活性領域４０１で囲われている。
【００２３】
センサダイオード３０２は、温度センスアノードパッド２０７および温度センスカソードバッド２１０が設けられた方向に面した一辺を除いて他の３辺が活性領域４０１に隣接するように設けられている。このため、センサダイオード３０２は、上述した第１の実施の形態と同様に、周囲の活性領域４０１からの発熱を受けやすく、各パッド２０７，２１０などとは隣接していないため、冷却されにくくなる。したがって、ＩＧＢＴ１２１の温度変化を感度よく検出できる。
【００２４】
図９は、ＩＧＢＴ１２１の活性領域４０１に所定の損失を与えた場合のＩＧＢＴ１２１の中央部の温度とセンサダイオード３０２で検出される温度の応答を熱解析シミュレーションにより求めたグラフである。上述した従来の半導体装置における熱解析シミュレーション結果のグラフ（図６）と比較すると、本実施の形態の半導体装置では、時間が経過しても、ＩＧＢＴ１２１の中央部の温度とセンサダイオード３０２で検出される温度との乖離が少ない。
【００２５】
特に、温度上昇開始直後の初期段階では、ＩＧＢＴ１２１の中央部の温度とセンサダイオード３０２とがよく一致する。これは、上述したようにセンサダイオード３０２が周囲の活性領域４０１からの発熱を受けやすく、かつ、冷却されにくくなっていることに加えて、センサダイオード３０２およびその周囲の活性領域４０１が圧接用ヒートスプレッダ２１３の熱容量による影響を受けにくくなっているからである。
【００２６】
すなわち、ＩＧＢＴ１２１における電力が変動する際、ＩＧＢＴ１２１内で最大温度となるＩＧＢＴ１２１の中央部近傍は、圧接用ヒートスプレッダ２１３の熱容量の影響で温度上昇が緩やかとなるが、センサダイオード３０２およびその周囲の活性領域４０１は、圧接用ヒートスプレッダ２１３の熱容量による影響を受けにくいため温度上昇し易い。このため、定常状態では温度差が生じてしまうが、過渡状態ではＩＧＢＴ１２１内で最大温度とセンサダイオード３０２による検出温度とがよい一致を示す。
【００２７】
上述した第２の実施の形態の半導体装置では、第１の実施の形態の作用効果に加えて次の作用効果を奏する。
（１）  センサダイオード３０２を圧接用ヒートスプレッダ３０４で圧接される領域外に設けるとともに、その周囲が活性領域４０１で囲われるように構成した。これにより、センサダイオード３０２が周囲の活性領域４０１からの発熱を受けやすく、かつ、冷却されにくくなっていることに加えて、センサダイオード３０２およびその周囲の活性領域４０１が圧接用ヒートスプレッダ２１３の熱容量による影響を受けにくくなるので、過渡状態におけるＩＧＢＴ１２１内で最大温度とセンサダイオード３０２による検出温度とがよく一致する。したがって、負荷変動の激しい用途におけるＩＧＢＴ１２１の温度上昇保護を適切に行うことができる。
【００２８】
−−−変形例−−−
（１）  第２の実施の形態では、図８に示したように、センサダイオード３０２が温度センスアノードパッド２０７および温度センスカソードバッド２１０が設けられた方向に面した一辺を除いて他の３辺が活性領域４０１に隣接するように設けられているが、本発明はこれに限定されない。たとえば、図１０〜１４に示すように、センサダイオード３０２が圧接用ヒートスプレッダ３０４で圧接される領域外に設けられて、センサダイオード３０２の周囲を活性領域で囲うように構成されていればよく、上述した作用効果と同様の作用効果を奏する。
【００２９】
すなわち、図１０，１１に示すように、活性領域５０１，６０１のうち、圧接用ヒートスプレッダ２１３で圧接されていない領域にセンサダイオード３０２を設けてセンサダイオード３０２の周囲３方が活性領域５０１，６０１で囲われるようにＩＧＢＴ１２２，１２３を構成する。そして、温度センサハーネス３０３を一旦温度センスアノードパッド２０７および温度センスカソードバッド２１０が設けられた方向とは異なる方向に引き出した後、各パッド２０７，２１０に向けて配設してもよい。
【００３０】
図１２に示すように、温度センスアノードパッド２０７および温度センスカソードバッド２１０の間であって、圧接用ヒートスプレッダ２１３で圧接されていない領域にも活性領域７０１を設け、その領域にセンサダイオード３０２を設けてセンサダイオード３０２の周囲３方が活性領域７０１で囲われるようにＩＧＢＴ１２４を構成してもよい。
【００３１】
図１３に示すように、温度センスアノードパッド２０７および温度センスカソードバッド２１０の近傍にセンサダイオード３０２を配設し、センサダイオード３０２の周囲３方が活性領域８０１で囲われるようにＩＧＢＴ１２５を構成してもよい。また、図１４に示すように、センサダイオード３０２と温度センスアノードパッド２０７および温度センスカソードバッド２１０とを活性領域９０１で囲うようにＩＧＢＴ１２６を構成してもよい。この場合、センサダイオード３０２の周囲３方が活性領域９０１で囲われるように構成されていればよい。
【００３２】
なお、上述した従来の半導体装置（図６）や、第２の実施の形態の半導体装置（図８）、上述の変形例の半導体装置（図１０〜１４）における各ＩＧＢＴ近傍の断面は、図１５に示すとおりとなる。ここで、圧接用ヒートスプレッダ２１３には、第１の実施の形態の圧接用ヒートスプレッダ３０４とは異なり、溝部３０５は設けられていない。  
【００３３】
（２）  上述の説明では、各ＩＧＢＴ１０１，１２１〜１２６は直接圧接用ヒートスプレッダ２１３，３０４によって圧接されているが、本発明はこれに限定されない。たとえば図１６に示すように、各ＩＧＢＴ１０１，１２１〜１２６と圧接用ヒートスプレッダ２１３，３０４との間に応力緩衝材３３１を設け、各ＩＧＢＴ１０１，１２１〜１２６が応力緩衝材３３１を介して圧接されるように構成してもよい。なお、ＩＧＢＴ１０１に接する応力緩衝材３３１の下面側には、センサダイオード３０２および温度センサハーネス３０３を押圧しないように、溝部を設けることが望ましい。
【００３４】
また、図１７に示すように、各ＩＧＢＴ１０１，１２１〜１２６とＰ極用ブスバー６ｃとの間に応力緩衝材３３２を設けることで、ハンダ６０２を用いず応力緩衝材３３２を介して各ＩＧＢＴ１０１，１２１〜１２６とＰ極用ブスバー６ｃとが圧接されるように構成してもよい。
（３）  上述した各実施の形態および変形例は、それぞれ組み合わせてもよい。
【００３５】
以上の実施の形態および変形例において、たとえば、半導体チップはＩＧＢＴ１０１〜１０６，１２１〜１２６に、セルはＩＧＢＴセル１００１に、ダイオードはセンサダイオード３０２に、ハーネスは温度センサハーネス３０３にそれぞれ対応する。なお、以上の説明はあくまで一例であり、発明を解釈する際、上記の実施形態の記載事項と特許請求の範囲の記載事項の対応関係になんら限定も拘束もされない。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】第１の実施の形態に係る半導体装置を示す図である。
【図２】ＩＧＢＴ１０１およびＦＷＤ１１１についての平面図である。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ矢視図である。
【図４】ＩＧＢＴ１０１のセル構造を模式的に表した図である。
【図５】ＩＧＢＴ１０１内の最大温度とセンサダイオード３０２で検出される温度の応答を示すグラフである。
【図６】従来の半導体装置のＩＧＢＴ２０２の中央部の温度とセンサダイオード２０８で検出される温度の応答を示すグラフである。
【図７】従来の半導体装置のＩＧＢＴ２０２およびＦＷＤ１１１についての平面図である。
【図８】第２の実施の形態のＩＧＢＴ１２１およびＦＷＤ１１１についての平面図である。
【図９】ＩＧＢＴ１２１の中央部の温度とセンサダイオード３０２で検出される温度の応答を示すグラフである。
【図１０】変形例であるＩＧＢＴ１２２およびＦＷＤ１１１についての平面図である。
【図１１】変形例であるＩＧＢＴ１２３およびＦＷＤ１１１についての平面図である。
【図１２】変形例であるＩＧＢＴ１２４およびＦＷＤ１１１についての平面図である。
【図１３】変形例であるＩＧＢＴ１２５およびＦＷＤ１１１についての平面図である。
【図１４】変形例であるＩＧＢＴ１２６およびＦＷＤ１１１についての平面図である。
【図１５】ＩＧＢＴ２０２，１２１〜１２６の近傍の断面図である。
【図１６】変形例についての、ＩＧＢＴ１０１，１２１〜１２６の近傍の断面図である。
【図１７】変形例についての、ＩＧＢＴ１０１，１２１〜１２６の近傍の断面図である。
【符号の説明】
【００３７】
１０１〜１０６，１２１〜１２６  ＩＧＢＴ
１１１〜１１６  フリーホイールダイオード（ＦＷＤ）
２０３、３０１，４０１，５０１，６０１，７０１，８０１，９０１  活性領域
２１３，３０４  圧接用ヒートスプレッダ
３０２  センサダイオード
３０３  温度センサハーネス
３０５  溝部
１００１  ＩＧＢＴセル
【図１】
2006332176.tif 000003
【図２】
2006332176.tif 000004
【図３】
2006332176.tif 000005
【図４】
2006332176.tif 000006
【図５】
2006332176.tif 000007
【図６】
2006332176.tif 000008
【図７】
2006332176.tif 000009
【図８】
2006332176.tif 000010
【図９】
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【図１０】
2006332176.tif 000012
【図１１】
2006332176.tif 000013
【図１２】
2006332176.tif 000014
【図１３】
2006332176.tif 000015
【図１４】
2006332176.tif 000016
【図１５】
2006332176.tif 000017
【図１６】
2006332176.tif 000018
【図１７】
2006332176.tif 000019