(57)【要約】【課題】  コンタクトを狭ピッチで配列でき、半田上がりを防止すること。【解決手段】  コンタクト２１は接触部２３と、端子部２５と、該接触部２３及び該端子部２５を連結する中間部２７とを有し、前記中間部２７は本体部２７ａと、該本体部２７ａから前記コンタクト２１の幅方向に突出する一対の突出部２７ｂとを有し、前記突出部２７ｂは４面のそれぞれが突出方向に向けてテーパ面２８ａ，２８ｂ、２８ｃ，２８ｄが形成されており、前記本体部２７ａの両面の前記突出部２８ｂ、２８ｃと前記突出部２８ｂ、２８ｃ間とにはレーザーを照射することによって低濡れ性領域２９が形成されている。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
接続対象基板へ半田によって半田付けされる導電性のコンタクトと、該コンタクトを保持しているインシュレータとを含むコネクタにおいて、
前記コンタクトは、接触部と、前記インシュレータの外へ延びている端子部と、該接触部及び該端子部を連結する中間部とを有し、
前記中間部は、本体部と、該本体部から前記コンタクトの幅方向に突出している一対の突出部とを有し、
前記突出部のそれぞれには、突出方向に向けて先細りになる４つのテーパ面が形成されており、
前記本体部の両面における一対の前記突出部間及び前記本体部の両面のそれぞれから引き続き延びている一対の前記突出部の前記テーパ面には、前記接続対象基板へ半田付けされる前記端子部からの半田上りを防止する低濡れ性領域が形成されていることを特徴とするコネクタ。
【請求項２】
請求項１記載のコネクタにおいて、前記コンタクトの少なくとも前記両面には、
前記半田に対して低濡れ性の下地メッキ層と、該下地メッキ層上を被覆している導電性の被覆メッキ層とが設けられており、前記低濡れ性領域は前記被覆メッキ層を
レーザーを照射することによって前記下地メッキ層を露出させた部分であることを特徴とするコネクタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接続対象基板へ半田付けされる導電性のコンタクトを含むコネクタに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のコネクタとしては、導電性のコンタクトと、コンタクトを保持しているインシュレータとを備えている。コンタクトは、相手コネクタの相手コンタクトに接触させる接触部と、接触部の一側からインシュレータの外へ延びている端子部とを有している。端子部は、インシュレータをプリント回路基板のような接続対象基板に実装したときに、接続対象基板の表面に配設されている導電部に半田によって接続される。
【０００３】
このようなコネクタでは、コンタクトの表面及び裏面にニッケル（Ｎｉ）メッキ層を形成した後、ニッケルメッキ層上に金メッキ層を設けている。ニッケル（Ｎｉ）メッキ層は、半田に対して金メッキ層よりも低い濡れ性を有する。端子部を接続対象基板の導電部に半田によって接続する前段階では、端子部の表面及び裏面の２面の一部にレーザーを照射して表面の金メッキ層を蒸発させ、ニッケルメッキ層を露出させることが行われている。
【０００４】
端子部には、レーザーを照射することによってニッケルメッキ層が露出されると接触部側への半田上りを防止するための低濡れ性領域（レーザーＮｉバリア）が形成される（例えば、特許文献１、特許文献２を参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−４５５３０号公報
【特許文献２】特開平９−２４５８６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
解決しようとする問題点は、端子部間のピッチが狭くなると、端子部も小さくなるので、低濡れ性領域も狭くなり、半田付けの際の半田上りが多くなってしまうという点である。
【０００７】
即ち、従来のコネクタでは、低濡れ性領域を形成するためにレーザーを照射する範囲が２面に限定されることがある。即ち、コンタクトにおいては、断面が角柱形状である複数の端子部のレーザー照射面に対して垂直な２面にレーザーを照射しようとすると、レーザーの照射方向の位置を変えなくてはならない。
【０００８】
したがって、端子部がキャリアに複数の端子部のそれぞれが狭ピッチで接続された状態においては、端子部間のピッチが狭くなり端子部も小さくなるので、垂直な２面にレーザーを照射して低濡れ性領域を形成することが大変困難となる。
【０００９】
また、コンタクトの小型化によりコンタクトの断面形状が正方形に近い形状になった場合には、低濡れ性領域が形成されていない面の間隔が近くなると、その間隔に半田付け時における半田が流れ込んでしまい、半田上りを抑える効果を期待できないという問題がある。
【００１０】
さらに、低濡れ性領域が形成されていない面を減少させるためには、コンタクトに面打ち加工を施す方法があるが、正方形に近い断面をもつコンタクトの場合、面打ち加工によって端子部の整列性が悪くなるので半田付け不良の原因となるという問題がある。
【００１１】
それ故に、本発明の課題は、コンタクトを狭ピッチで配列でき、しかも半田付けの際の半田上りを防止できるコネクタを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、接続対象基板へ半田によって半田付けされる導電性のコンタクトと、該コンタクトを保持しているインシュレータとを含むコネクタにおいて、前記コンタクトは、接触部と、前記インシュレータの外へ延びている端子部と、該接触部及び該端子部を連結する中間部とを有し、前記中間部は、本体部と、該本体部から前記コンタクトの幅方向に突出している一対の突出部とを有し、前記突出部のそれぞれには、突出方向に向けて先細りになる４つのテーパ面が形成されており、前記本体部の両面における一対の前記突出部間及び前記本体部の両面のそれぞれから引き続き延びている一対の前記突出部の前記テーパ面には、前記接続対象基板へ半田付けされる前記端子部からの半田上りを防止する低濡れ性領域が形成されていることを特徴とするコネクタであることを最も主要な特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のコネクタによれば、コンタクトの突出部にテーパ面を形成し、コンタクトの本体部の両面の突出部と突出部間とにレーザーを照射することによって低濡れ性領域を形成したので、低濡れ性領域の適用面を広くすることができ、コンタクトの下地メッキ層による低濡れ性領域を大きく取れることから、端子部の半田接続時における接触部側への半田上りを確実に防止できるという利点がある。
【００１４】
また、キャリアにコンタクトの一端が接続された状態において、コンタクトの突出部を隣接するコンタクトの突出部と長手方向で交互になるように位置すると、コンタクト間のピッチに対してコンタクト同士の間隔を狭ピッチに配列することが可能となるので、コンタクトの材料採りの効率が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明に係るコネクタは、接続対象基板へ半田によって半田付けされる導電性のコンタクトと、該コンタクトを保持しているインシュレータとを含むコネクタにおいて、前記コンタクトは、接触部と、前記インシュレータの外へ延びている端子部と、該接触部及び該端子部を連結する中間部とを有し、前記中間部は、本体部と、該本体部から前記コンタクトの幅方向に突出している一対の突出部とを有し、前記突出部のそれぞれには、突出方向に向けて先細りになる４つのテーパ面が形成されており、前記本体部の両面における一対の前記突出部間及び前記本体部の両面のそれぞれから引き続き延びている一対の前記突出部の前記テーパ面には、前記接続対象基板へ半田付けされる前記端子部からの半田上りを防止する低濡れ性領域が形成されていることにより実現した。
【実施例１】
【００１６】
図1は、本発明に係るコネクタの実施例１を示している。図２は、図１に示したコネクタを嵌合部側から見た状態を示している。
【００１７】
図１及び図２を参照して、コネクタ１１は、インシュレータ１３と、複数本が並列に所定ピッチの間隔をもってインシュレータ１３に配列されている導電性のコンタクト２１とを有している。
【００１８】
インシュレータ１３は、長板形状の底壁部１５ａと、底壁部１５ａ周囲端から一側へ延びている複数の側壁部１５ｂ，１５ｃ，１５ｄとを有している。底壁部１５ａ及び側壁部１５ｂ，１５ｃ，１５ｄによって囲まれた部分は、図示しない相手コネクタの相手嵌合部が嵌合する大きな溝形状の嵌合部１７となっている。インシュレータ１３は、後述するプリント回路基板のような接続対象基板に実装される。
【００１９】
コンタクト２１は、図３及び図４にも示すように、インシュレータ１３の嵌合部１７に位置している接触部２３と、嵌合部１５の底壁部１５ａを貫通して底壁部１５ａの外へ延びている端子部２５と、インシュレータ１３の外で接触部２３及び端子部２５を連設している中間部２７とを有している。
【００２０】
コンタクト２１は、略４角柱形状を呈している。コンタクト２１の中間部２７は、本体部２７ａと、本体部２７ａからコンタクト２１の幅方向に突出する一対の突出部２７ｂとを有している。一対の突出部２７ｂのそれぞれは、４面のそれぞれが突出方向に向けて先細りになるテーパ面２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２８ｄが形成されている。コンタクト２１の表面及び裏面には、下地メッキ層であるニッケル（Ｎｉ）メッキ層を設けた後、ニッケルメッキ層上に被覆メッキ層としての金メッキ層が設けられている。
【００２１】
コンタクト２１の一対の突出部２７ｂと一対の突出部２７ｂ間に位置している本体部２７ａの両面とには、図５に示すように、低濡れ性領域２９が形成されている。低濡れ性領域２９は、図３に図示した接続対象基板３１へ半田付けされる端子部２５からの半田上りを防止するように、レーザーを照射することによって帯状に形成されている。なお、レーザーを照射することによって形成された低濡れ性領域２９は、レーザーによって形成されたニッケル層によるバリアである。
【００２２】
コンタクト２１をインシュレータ１３に組み込む前の工程では、コンタクト２１が、図６に示すように、キャリア５１に複数のコンタクト２１の一端が接続された状態でプレスによって打ち抜き形成されている。コンタクト２１の突出部２７ｂは、キャリア５１に接続されている状態でコンタクト２１の長手方向を直交する方向で互いに対向するように位置している。
【００２３】
この状態でコンタクト２１は、メッキ処理が施される。そして、コンタクト２１の表面及び裏面の２面には、レーザーを照射することによって表面の金メッキを蒸発させ、レーザーを照射することによって下地層であるニッケル（Ｎｉ）メッキ層が露出されると低濡れ性領域２９が形成される。
【００２４】
なお、コンタクト２１には、本体部のみならず、テーパ面２８ｂ，２８ｃに低濡れ性領域３１が形成されるので、低濡れ性領域２９の幅方向の範囲が広く採れる。コンタクト２１は、低濡れ性領域２９を形成した後、インシュレータ１３に圧入されて図６の点線で示した切断部分Ａでキャリア５１から切り離されてコネクタとする。
【００２５】
端子部２５を接続対象基板３１に接続するときには、端子部２５を接続対象基板３１の導電部３２に半田によって接続する。この際、コンタクト２１には、低濡れ性領域２９が形成されているので、低濡れ性領域２９を形成していないテーパ面２８ａ，２８ｄを小さくできるので、接触部２３側への半田上りの通路を狭くできることから接触部２３側への半田上り防止することができる。
【００２６】
図７は、キャリア５１にコンタクト２１の一端が接続された状態で、コンタクト２１の突出部２７ｂが隣接するコンタクト２１間において突出部２７ｂとコンタクト２１の長手方向で交互になるように位置をずらせて配置している。コンタクト２１は、低濡れ性領域２９を形成した後、インシュレータ１３に圧入されて図６の点線で示した部分Ａでキャリア５１から切り離されてコネクタとする。
【００２７】
コンタクト２１に交互に突出部２７ｂを配置した場合には、図６に示したコンタクト間のピッチＰ１よりもコンタクト２１間の間隔を狭い間隔のピッチＰ２に配列が可能であり材料採りがよくなる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明にかかるコネクタの実施例１を示す平面図である。
【図２】図１に示したコネクタの正面図である。
【図３】図１に示したコネクタの右側面図である。
【図４】図１に示したコンタクトの一部を示す平面図である。
【図５】図１に示したコンタクトの端子部及び中間部を示す斜視図である。
【図６】図１に示したコンタクトをキャリアに接続した状態の一例を示す平面図である。
【図７】図１に示したコンタクトをキャリアに接続した状態の他の例を示す平面図である。
【符号の説明】
【００２９】
１１    コネクタ
１３    インシュレータ
２１    コンタクト
１７    嵌合部
２３    接触部
２５    端子部
２７    中間部
２７ａ    本体部
２７ｂ    突出部
２８ａ，２８ｂ，２８ｃ，２８ｄ    テーパ面
２９    低濡れ性領域
３１    接続対象基板
５１    キャリア
Ｐ１，Ｐ２    ピッチ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2006318833.tif 000006
【図５】
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【図６】
2006318833.tif 000008
【図７】
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