(57)【要約】【課題】多孔質膜の孔部内に選択的に導電性物質を充填しやすい工程を備えた異方性導電膜の製造方法を提供すること。【解決手段】膜厚方向に多数の孔部を有し、高分子よりなる多孔質膜を形成する工程と、多孔質膜の孔部内に導電性物質を充填する工程と、多孔質膜の両面に接着層を被覆する工程とを含み、導電性物質の充填には、第１の基板上に多孔質膜を固定するとともに、当該多孔質膜と一定距離離間させて第２の基板を配置し、当該多孔質膜と第２の基板との隙間に、導電性物質を溶媒に分散させた分散溶液を導入し、導電性物質の膜表面に対する吸着力を打ち消す方向に導電性物質に対して磁力を加えつつ、少なくとも一方の基板を膜面方向に移動させる手法を用いる。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
膜厚方向に多数の孔部を有し、高分子よりなる多孔質膜を形成する工程と、
前記多孔質膜の孔部内に導電性物質を充填する工程と、
前記多孔質膜の両面に接着層を被覆する工程とを含み、
前記導電性物質の充填は、第１の基板上に前記多孔質膜を固定するとともに、当該多孔質膜と一定距離離間させて第２の基板を配置し、当該多孔質膜と前記第２の基板との隙間に、前記導電性物質を溶媒に分散させた分散溶液を導入し、前記導電性物質の膜表面に対する吸着力を打ち消す方向に前記導電性物質に対して磁力を加えつつ、少なくとも一方の基板を膜面方向に移動させることによることを特徴とする異方性導電膜の製造方法。
【請求項２】
前記多孔質膜は、前記孔部がハニカム状に配列されるとともに、前記孔部の内壁面が外側方向に湾曲されていることを特徴とする請求項１に記載の異方性導電膜の製造方法。
【請求項３】
前記溶媒は水であり、前記多孔質膜は、孔部内に導電性物質を充填する前に予め親水処理が施されていることを特徴とする請求項１または２に記載の異方性導電膜の製造方法。
【請求項４】
前記導電性物質は、導電性粒子の群よりなることを特徴とする請求項１から３の何れかに記載の異方性導電膜の製造方法。
【請求項５】
前記導電性粒子は、金属粒子であることを特徴とする請求項４に記載の異方性導電膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、異方性導電膜の製造方法に関し、さらに詳しくは、狭ピッチに配列された複数の導体間を電気的、機械的に接続するのに好適な異方性導電膜の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高機能化、小型化などに伴い、狭ピッチに配列された複数の導体間を電気的、機械的に接続する必要性が増大している。このような必要性が生ずる場合としては、例えば、液晶ディスプレイ（Liquid Crystal Display：ＬＣＤ）の分野において、ＴＣＰ（Tape Carrier Package）に駆動用ＩＣを搭載したＴＡＢ（Tape Automated Bonding）の電極と液晶パネルの電極とを接続する場合や、液晶パネルのガラス基板上に駆動用ＩＣを直接接続する（Chip On Glass:ＣＯＧ）場合などが挙げられる。
【０００３】
上記接続においては、一般に、膜厚方向に導電性を示し、かつ、膜面方向に絶縁性を示す異方性導電膜（Anisotropic Conductive Film：ＡＣＦ）が多用されている。
【０００４】
この種の異方性導電膜の製造方法としては、例えば、特許文献１には、絶縁膜の貫通孔内に、磁力により磁性体粒子を引き込んで充填した後、膜表面に残った余分な磁性体粒子をスキージにより除去する手法を用いた異方性導電膜の製造方法が開示されている。
【０００５】
一方、特許文献２には、異方性導電膜の製造方法ではないが、２つの基板を接するように互いに密着させ、高分子などのパターン形成材料を含んだ溶液を、両基板の間隙に満たし、基板を移動させながら気液界面を生じさせ、当該溶液から溶媒を蒸発させることにより、ドット状、ストライプ状、格子状の微細パターンを製造する方法が開示されている。
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−７１２５８号
【特許文献２】特開２００３−１５１７６６号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来知られる異方性導電膜の製造方法を用いた場合、以下のような問題があった。
【０００８】
すなわち、特許文献１に記載の製造方法では、膜表面に残った余分な粒子を十分に除去することがそもそも難しい。加えて、膜の孔部が小さくなるほど、粒径の小さい粒子を用いる必要があるが、粒径が小さくなるにつれて、粒子は膜に吸着しやすくなるので、膜表面上の粒子を一層除去し難くなる。さらに、孔部内に粒子を充填するにあたり、磁力により粒子を引き込んでいるため、ますます膜表面上に粒子付着が発生しやすくなる。
【０００９】
したがって、特許文献１に記載の製造方法では、膜の孔部内に選択的に粒子を充填し難く、その結果、異方性導電膜の基本性能である、膜面方向の絶縁信頼性が低下するおそれがあった。
【００１０】
一方、特許文献２には、ドット状、ストライプ状、格子状からなる微細パターンの製造方法が記載されているが、異方性導電膜の製造方法、特に多孔質膜の孔部内に導電性粒子などの導電性物質を充填する手法などについては、全く開示も示唆もなされていない。
【００１１】
そこで、本発明が解決しようとする課題は、多孔質膜の孔部内に選択的に導電性物質を充填しやすい工程を備えた異方性導電膜の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するため、本発明に係る異方性導電膜の製造方法は、膜厚方向に多数の孔部を有し、高分子よりなる多孔質膜を形成する工程と、多孔質膜の孔部内に導電性物質を充填する工程と、多孔質膜の両面に接着層を被覆する工程とを含み、上記導電性物質の充填は、第１の基板上に多孔質膜を固定するとともに、当該多孔質膜と一定距離離間させて第２の基板を配置し、当該多孔質膜と第２の基板との隙間に、導電性物質を溶媒に分散させた分散溶液を導入し、導電性物質の膜表面に対する吸着力を打ち消す方向に導電性物質に対して磁力を加えつつ、少なくとも一方の基板を膜面方向に移動させることによることを要旨とする。
【００１３】
この際、上記多孔質膜は、孔部がハニカム状に配列されるとともに、孔部の内壁面が外側方向に湾曲されていることが好ましい。
【００１４】
また、導電性物質の充填時に使用する分散溶液は、その溶媒が水であることが好ましい。また、溶媒として水を用いる場合には、孔部内に導電性物質を充填する前に、予め多孔質膜に対して親水処理が施されていることが好ましい。
【００１５】
また、上記導電性物質は、導電性粒子の群よりなることが好ましい。導電性粒子としては、金属粒子などを好適に用いることができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係る異方性導電膜の製造方法では、形成した多孔質膜の孔部内に導電性物質を充填するにあたり、第１の基板上に多孔質膜を固定するとともに、当該多孔質膜と一定距離離間させて第２の基板を配置し、当該多孔質膜と第２の基板との隙間に、導電性物質を溶媒に分散させた分散溶液を導入し、導電性物質の膜表面に対する吸着力を打ち消す方向に導電性物質に対して磁力を加えつつ、少なくとも一方の基板を膜面方向に移動させる手法を用いている。
【００１７】
この手法では、分散溶液中の導電性物質に対して、導電性物質の膜表面に対する吸着力を打ち消す方向に磁力が加えられている。そのため、導電性物質は、膜表面に吸着し難く、分散溶液中において安定して分散された状態となる。そしてこの状態を維持したまま、少なくとも一方の基板を膜面方向に移動させると、溶媒の表面張力により、ほとんどの導電性物質が運ばれる。そのため、膜表面上に導電性物質が残っていくのを有効に防止することができる。
【００１８】
そして、孔部上を分散溶液の界面が通り越すときに、毛管現象による孔部内への分散溶液の浸透と、孔部内での溶媒の蒸発とが繰り返し行われ、孔部内に導電性物質が選択的に密に充填されていく。
【００１９】
このように、本発明に係る異方性導電膜の製造方法では、吸着力の比較的大きな導電性物質を孔部内に充填する場合であっても、膜表面に導電性物質が残りにくく、さらに孔部内には選択的に導電性物質が充填される。したがって、本発明に係る異方性導電膜の製造方法によれば、隣接する孔部内に充填された導電性物質同士の独立性に優れ、膜面方向の絶縁信頼性に極めて優れた異方性導電膜が得られる。
【００２０】
この際、孔部がハニカム状に配列されるとともに、孔部の内壁面が外側方向に湾曲されている多孔質膜を用いる場合、この種の多孔質膜は、高分子溶液をキャストした支持基板を高湿度雰囲気下に存在させるなどの手法により、簡単かつ安価に形成することができる。そのため、異方性導電膜の製造コストを低廉にすることができる。
【００２１】
また、導電性物質の充填時に使用する分散溶液の溶媒が水であり、孔部内に導電性物質を充填する前に、予め多孔質膜に対して親水処理が施されている場合には、表面張力の大きな水により導電性物質を膜面上で移動させやすく、また、多孔質膜と溶媒との濡れ性の向上により孔部内に分散溶液が浸透されやすくなるので、孔部内に導電性物質が均一に充填されやすくなるなどといった利点がある。
【００２２】
また、導電性物質として、金属粒子などの導電性粒子の群を用いた場合には、上記作用効果に優れる。また、より小さい粒径を有する導電性粒子を積極的に使用できるので、例えば、孔部内に充填された導電性粒子を熱融着する場合に、より低い温度で熱融着させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
本実施形態に係る異方性導電膜の製造方法（以下、「本製造方法」ということがある。）は、多孔質膜を形成する工程と、多孔質膜の孔部内に導電性物質を充填する工程と、多孔質膜の両面に接着層を被覆する工程とを少なくとも含んでいる（以下、順に「膜形成工程」、「導電性物質充填工程」、「接着層被覆工程」ということがある。）。
【００２４】
＜第１実施形態＞
１．本製造方法
１．１  膜形成工程
本製造方法において、膜形成工程は、膜厚方向に貫通した多数の孔部を有し、高分子よりなる多孔質膜を形成する工程である。
【００２５】
上記多孔質膜を形成する高分子としては、具体的には、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンサルファイド、ポリイミド、ポリアミドイミド、シロキサン変性ポリイミド、シロキサン変性ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエステル、ポリアミド、ポリテトラフルオロエチレンなどのフッ素樹脂などを例示することができる。これらは１種または２種以上混合されていても良い。
【００２６】
この内、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンサルファイド、ポリイミド、ポリアミドイミド、シロキサン変性ポリイミド、シロキサン変性ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトンなどは、耐熱性に優れるため好適に用いることができる。
【００２７】
上記多孔質膜において、その孔部の径および間隔は、被接続物（例えば、ＩＣチップ、フレキシブルプリント配線板：ＦＰＣなど）が有する複数の導体（例えば、突起電極、配線パターンなど）の幅や間隔などを考慮して決定すれば良く、特に限定されるものではない。
【００２８】
もっとも、高い接続信頼性を得るなどの観点から、孔部の径は、被接続物が有する複数の導体の間隔のうち、最も狭いものよりも小さく、かつ、孔部の間隔は、被接続物が有する複数の導体の幅のうち、最も狭いものよりも小さいことが望ましい。
【００２９】
好ましくは、孔部の径は、被接続物が有する複数の導体の間隔のうち、最も狭いものの１／２以下、かつ、孔部の間隔は、被接続物が有する複数の導体の幅のうち、最も狭いものの１／２以下とするのが良い。
【００３０】
なお、図１（ｂ）に例示するように、孔部の径とは、膜表面または裏面に表れる孔部の開口部分の直径Ｒを測定して平均した値をいい、孔部の間隔とは、膜表面または裏面に表れた孔部同士の間の距離Ｌを測定して平均した値をいう。また、上記直径Ｒおよび距離Ｌは、多孔質膜表面の電子顕微鏡写真、光学顕微鏡写真などにより測定することができる。
【００３１】
また、上記多孔質膜の厚さは、製造する異方性導電膜の機械的強度、耐電圧性などを考慮して決定すれば良い。一般的には、好ましい上限値として１００μｍ、５０μｍなどを例示することができ、これら好ましい上限値と組み合わせ可能な好ましい下限値としては、１μｍ、５μｍなどを例示することができる。
【００３２】
ここで、上記多孔質膜の形成手法としては、例えば、（１）上述した高分子の膜に対して、パンチング、ドリリング、レーザ、化学的・物理的エッチングなどの加工手段を用いて貫通孔を後形成する手法や、（２）貫通孔を転写可能な鋳型に上記高分子融液を流し込んだ後、その膜を剥離することにより、膜表面に貫通孔を転写する手法や、（３）水と混ざらず、揮発する有機溶媒中に高分子を溶かし、この高分子溶液をキャストした支持基板を、高湿度雰囲気下に存在させる手法などを例示することができる。
【００３３】
好ましくは、多数の貫通孔を有する多孔質膜を簡易かつ安価に得ることができるなどの観点から、（３）の手法を好適に用いることができる。以下、この手法について詳細に説明する。
【００３４】
この手法を用いた場合、概ね以下の原理によって多孔質膜が自発的に形成される。
【００３５】
すなわち、支持基板上に、所定濃度、所定塗布厚でキャストされた高分子溶液は、有機溶媒が蒸発する際に潜熱を奪われる。そのため、温度が下がった高分子溶液の表面には、雰囲気中の水蒸気が凝結して形成された微小な水滴群が付着する。付着した水滴群は、潜熱によって高分子溶液内に生じた対流やキャピラリーフォースなどにより輸送、集積され、最終的には最密充填される。その後、水滴群が蒸発すると、水滴群を鋳型として、図１（ａ）に示すように、膜厚方向に貫通した多数の孔部１０を有する多孔質膜１２が形成される。
【００３６】
ここで、図１（ｂ）に示すように、この多孔質膜１２の孔部１０は、ハニカム状に配列されており、隣接する各孔部１０同士は、隔壁１４により離間されている。また、これら孔部１０の内壁面１６は、水滴を鋳型としていることから、外側方向に向かって略球面状に湾曲された状態になっている。そのため、隔壁１４は、隣接する各孔部１０の内壁面１６が最も近接する付近に、膜表面付近よりも肉厚の薄いくびれ部１４ａを有している（以下、このような構造を総括して「特定の立体構造」ということがある。）。
【００３７】
このような特定の立体構造を有する多孔質膜を形成する具体的な手法としては、例えば、疎水性および揮発性を有する有機溶媒と、この有機溶媒に可溶な高分子と、両親媒性物質とを少なくとも含む高分子溶液をキャストした支持基板を相対湿度５０％以上の大気下に存在させる手法などを好適に用いることができる。この手法を用いた場合には、上記特定の立体構造を有する多孔質膜を簡単に形成することができるので、異方性導電膜を安価に製造することができる利点がある。
【００３８】
この手法を用いる場合、上記疎水性および揮発性を有する有機溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレンなどのハロゲン化物、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素、酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトンなどのケトン類などを例示することができる。これらは１種または２種以上混合されていても良い。
【００３９】
また、上記有機溶媒に可溶な高分子としては、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンサルファイド、シロキサン変性ポリイミド、シロキサン変性ポリアミドイミドなどを例示することができる。これらは１種または２種以上混合されていても良い。なお、ポリイミド、ポリアミドイミドを用いる場合、シロキサンにより変性するのは、上記有機溶媒への溶解性を向上させるためである。
【００４０】
また、上記両親媒性物質とは、いわゆる、界面活性剤のことであり、疎水的な部位と親水的な部位とを合わせ持った化合物をいう。この両親媒性物質は、主として、高分子溶液の表面上に付着する水滴群を安定化させるなどの目的で添加される。
【００４１】
このような両親媒性物質としては、具体的には、親水性のアクリルアミドポリマーを主鎖骨格とし、疎水性側鎖としてドデシル基、親水性側鎖としてラクトース基もしくはカルボキシル基を併せもつポリマー、または、ヘパリンやデキストラン硫酸などのアニオン性多糖と４級の長鎖アルキルアンモニウム塩とのポリイオン性錯体などを例示することができる。これらは１種または２種以上混合されていても良い。
【００４２】
この際、上記高分子溶液に含まれる高分子の濃度としては、好ましい上限値として５０重量％、１０重量％などを例示することができ、これら好ましい上限値と組み合わせ可能な好ましい下限値としては、０．０５重量％、０．１重量％などを例示することができる。
【００４３】
また、上記高分子溶液に含まれる両親媒性物質の割合としては、上記高分子に対し、好ましい上限値として２０重量％、１０重量％などを例示することができ、これら好ましい上限値と組み合わせ可能な好ましい下限値として０．０１重量％、０．０５重量％などを例示することができる。
【００４４】
他にも、上記（３）の手法において、上述した高分子溶液に代えて、疎水性および揮発性を有する有機溶媒と、両親媒性高分子とを少なくとも含む高分子溶液を用いても、上記特定の立体構造を有する多孔質膜を簡単に形成することができる。
【００４５】
ここで、両親媒性高分子とは、疎水的な部位と親水的な部位とを合わせ持った高分子をいう。
【００４６】
このような両親媒性高分子としては、具体的には、主鎖および／または側鎖に−ＳＯ３Ｈ基、−ＣＯＯＨ基などの親水性基を導入したポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミドなどの高分子とカチオン性脂質とのポリイオン性錯体、ポリアミック酸とカチオン性脂質とのポリイオン性錯体などを例示することができる。これらは１種または２種以上混合されていても良い。
【００４７】
上記において、ポリアミック酸とは、テトラカルボン酸二無水物とジアミン化合物とを極性溶媒中で重合させて得られる樹脂組成物である。
【００４８】
上記ポリアミック酸としては、３，３’４、４’−ビフェニルテトラカルボン酸、３，３’４，４’−ビフェニルエ−テルテトラカルボン酸、３、３’４、４’−ビフェニルスルホンテトラカルボン酸、３、３’４、４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、２、２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン、１、１、１、３、３、３−ヘキサフルオロ−２、２−ビス（３、４ジカルボキシフェニル）プロパン、ビス（３、４ジアルボキシフェニル）テトラメチルジシロキサンなどのビフェニル構造を有するテトラカルボン酸およびこれらの二無水物、シクロブタンテトラカルボン酸、１、２、３、４−シクロペンタンテトラカルボン酸、２、３、４、５−テトラヒドロフランテトラカルボン酸、１、２、４、５−シクロヘキサンテトラカルボン酸、３、４−ジカルボキシ−１−シクロヘキシルコハク酸、３、４−ジカルボキシ−１、２、３、４−テトラヒドロ−１−ナフタレンコハク酸などの脂環式テトラカルボン酸およびこれらの二無水物、ピロメリット酸、２、３、６、７−ナフタレンテトラカルボン酸、１、２、５、６−ナフタレンテトラカルボン酸、１、４、５、８−ナフタレンテトラカルボン酸、２、３、６、７−アントラセンテトラカルボン酸、１、２、５、６−アントラセンテトラカルボン酸、２、３、４、５、−ピリジンテトラカルボン酸、２、６−ビス（３、４−ジカルボキシフェニル）ピリジンなどの芳香族テトラカルボン酸およびこれらの二無水物、ピロメサート酸、トリメリート酸などを例示することができる。これらは１種または２種以上混合されていても良い。
【００４９】
また、上記ジアミン化合物としては、ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、２、５−ジアミノトルエン、２、６−ジアミノトルエン、４、４−ジアミノビフェニル、３、３’−ジメチル−４、４’−ジアミノビフェニル、３、３’−ジメトキシ−４、４’−ジアミノビフェニル、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニルエ−テル、２、２’−ジアミノジフェニルプロパン、ビス（３、５−ジエチル４−アミノフェニル）メタン、ジアミノジフェニルスルホン、ジアミノベンゾフェノン、ジアミノナフタレン、１、４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１、４−ビス（４−アミノフェニル）ベンゼン、９、１０−ビス（４−アミノフェニル）アントラセン、１、３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、４、４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ジフェニルスルホン、２、２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２、２’−トリフルオロメチル−４、４’−ジアミノビフェニル、４、４’−ビス（４−ジアミノフェノキシ）オクタフルオロビフェニルなどの芳香族ジアミン、ビス（４−アミノシクロヘキシル）メタン、ビス（４−アミノ−３−メチルシクロヘキシル）メタンなどの脂環式ジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミンなどの脂肪族ジアミン、ジアミノシロキサンなどを例示することができる。これらは１種または２種以上混合されていても良い。
【００５０】
また、カチオン性脂質としては、炭素数４以上の脂肪族アンモニウム塩化合物、脂環式アンモニウム塩化合物などを例示することができる。
【００５１】
具体的には、オクチルアミン、デシルアミン、テトラデシルアミン、ヘキサデシルアミン、ステアリルアミン、ドコシルアミン、シクロヘキシルアミンなどの第一アミン類の塩、ジペンチルアミン、ジヘキシルアミン、ジオクチルアミン、ジデシルアミン、ジテトラデシルアミン、ジヘキサデシルアミン、ジステアリルアミン、ジドコシルアミン、Ｎ−メチルオクチルアミン、Ｎ−メチル−ｎ−デシルアミン、Ｎ−メチル−ｎ−テトラデシルアミン、Ｎ−メチル−ｎ−ヘキサデシルアミン、Ｎ−メチル−ｎ−オクタデシルアミン、Ｎ−メチル−ｎ−エイコシルアミン、Ｎ−メチル−ｎ−ドコシルアミン、Ｎ−メチル−ｎ−シクロヘキシルアミンなどの第２アミン類の塩、Ｎ，Ｎ−ジメチルオクチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−デシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−テトラデシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−ヘキサデシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−オクタデシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−エイコシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−ドコシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−シクロヘキシルアミンなどの第３アミン類の塩、ジメチルジオクチルアミン、ジメチルジデシルアミン、ジメチルジテトラデシルアミン、ジメチルジヘキサデシルアミン、ジメチルジオクタデシルアミン、ジメチルジエイコシルアミン、ジメチルジドコシルアミン、ジメチルジシクロヘキシルアミンなどの第４アミン類の塩などを例示することができる。これらは１種または２種以上混合されていても良い。
【００５２】
上記ポリアミック酸とカチオン性脂質とのポリイオン性錯体は、ポリアミック酸を塩基により中和したものを含む溶液にカチオン性脂質、または、上記アミック酸の重合に用いることができる有機溶媒に溶解させたカチオン性脂質の溶液を配合することなどにより得れば良い。
【００５３】
また、ポリアミック酸とカチオン性脂質とのポリイオン性錯体を用いた場合には、膜形成後、その形成された膜を、既知の手法によりイミド化するのが好ましい。ポリアミック酸を閉環してポリイミドからなる多孔質膜とするためである。
【００５４】
この際、上記高分子溶液に含まれる両親媒性高分子の濃度は、好ましい上限値として５０重量％、１０重量％などを例示することができ、これら好ましい上限値と組み合わせ可能な好ましい下限値として０．０５重量％、０．１重量％などを例示することができる。
【００５５】
なお、疎水性および揮発性を有する有機溶媒については、上述したものと同様であるので説明は省略する。
【００５６】
上記（３）の手法を用いる場合、上述した高分子溶液をキャストする支持基板の材料としては、ガラス、金属、シリコンウェハーなどの無機材料、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリエーテルケトン、フッ素樹脂などの高分子材料、水、流動パラフィンなどを用いることができる。
【００５７】
また、上述した高分子溶液を支持基板上にキャストする際の塗布厚としては、好ましい上限値として３５００μｍ、２０００μｍなどを例示することができ、これら好ましい上限値と組み合わせ可能な好ましい下限値として５０μｍ、１５０μｍなどを例示することができる。
【００５８】
また、高分子溶液をキャストした支持基板は、相対湿度５０％〜９５％の大気下に存在させることが望ましい。相対湿度が５０％未満では、結露が不十分となる傾向が見られ、９５％を越えると、環境の制御が難しくなる傾向が見られるからである。
【００５９】
なお、上記（３）の手法では、相対湿度５０％〜９５％の大気下中で高分子溶液を支持基板上にキャストしても良いし、予め高分子溶液をキャストした支持基板を相対湿度５０％〜９５％の大気下に置いても良い。また、相対湿度５０％〜９５％の大気は、高分子溶液に吹きかけても良い。また、上記雰囲気中には、空気以外にも、アルゴンガスなどの不活性ガスなどが含まれていても良い。
【００６０】
また、有機溶媒の蒸発や、水滴群の蒸発を促進させるため、多孔質膜の形成に影響を及ぼさない程度で加熱、乾燥などを行っても良い。
【００６１】
ここで、上記（３）の手法、すなわち、上述した原理を用いて多孔質膜を形成した場合、膜形成後、孔部に導電性物質を充填する前に、膜を形成する高分子のガラス転移温度近傍まで多孔質膜を任意で加熱しても良い。
【００６２】
上述した原理によれば、多孔質膜において、隣接する各孔部同士の間に位置する隔壁は、隣接する水滴同士の隙間に入り込んだ高分子溶液により形成される。
【００６３】
そのため、水滴と水滴とが最も近接するくびれ部付近では、特に、隔壁が薄くなる傾向がある。場合によっては、隣接する孔部同士が部分的に連通してしまうこともある。
【００６４】
したがって、上記手法により形成した多孔質膜をそのまま用い、次工程においてその孔部内に導電性物質を充填した場合には、くびれ部に存在することがある膜面方向の連通孔を介して、隣接する孔部内の導電性物質同士が導通し、異方性導電膜の膜面方向の絶縁性が低下することも考えられる。
【００６５】
ところが、膜形成後、その膜を形成する高分子のガラス転移温度近傍までさらに加熱した場合には、多孔質膜の隔壁のうち、肉厚の薄いくびれ部がいち早く軟化・溶融し、くびれ部に存在することがある連通孔が潰される。そのため、隣接する各孔部間の独立性が増大する。その後、この多孔質膜の孔部内に導電性物質を充填すれば、得られる異方性導電膜における膜面方向の絶縁性を一層向上させることができる。
【００６６】
この際、上記において「ガラス転移温度近傍」と規定しているのは、多孔質膜の隔壁のうち、くびれ部が軟化・溶融されることにより、くびれ部に存在することがある膜面方向の連通孔を潰すことができる温度範囲に多孔質膜が加熱されれば良いという趣旨である。
【００６７】
したがって、上記趣旨が損なわれない範囲で、膜を形成する高分子のガラス転移温度を中心にして、その前後の温度範囲まで多孔質膜を加熱することが可能である。
【００６８】
もっとも、多孔質膜を形成する高分子のガラス転移温度より過度に高温であると、多孔質膜自体が溶けてしまうなど、膜の立体構造がくずれてしまう場合がある。一方、多孔質膜を形成する高分子のガラス転移温度より過度に低温であると、くびれ部に存在することがある膜面方向の連通孔が十分に潰されない場合がある。したがって、多孔質膜を加熱する場合には、これらに留意すると良い。
【００６９】
また、多孔質膜を加熱する時間は、上記温度範囲などとの兼ね合いで、適宜調節することが可能である。加熱時間が過度に長すぎると、膜の立体構造がくずれてしまう場合がある。一方、加熱時間が過度に短すぎると、くびれ部に存在することがある膜面方向の連通孔が十分に潰されない場合がある。したがって、多孔質膜を加熱する場合には、これらに留意すると良い。
【００７０】
なお、上記連通孔は、可能な限り、閉塞状態となるまで潰されていることが、膜面方向の絶縁信頼性上好ましいが、孔部内に充填される導電性物質が連通孔に侵入できない程度まで潰されておれば、膜を加熱する目的は達せられる。
【００７１】
多孔質膜を加熱する方法は、接触式、非接触式の何れの加熱方法であっても良く、特に限定されるものではない。
【００７２】
具体的な加熱方法としては、例えば、多孔質膜を形成する高分子が、そのガラス転移温度近傍の温度となるように調温された加熱源と、多孔質膜とを一定時間当接させる方法などを例示することができる。より具体的には、所定温度に調温されたホットプレートなどの加熱源上に、一定時間多孔質膜を載置する方法などを例示することができる。
【００７３】
また例えば、当該加熱源と多孔質膜とを近接させる方法や、多孔質膜をマイクロ波により加熱する方法や、多孔質膜のくびれ部周辺をレーザなどで加熱する方法などを例示することができる。
【００７４】
また、上述したように膜形成後、多孔質膜を任意で加熱する場合、さらに、膜厚方向に多孔質膜を任意で加圧しても良い。
【００７５】
上述した原理によれば、高分子溶液の表面上に結露した水滴は、浮島状に密集する。そして、この浮島状に密集した水滴群が輸送、集積されると、水滴群同士がぶつかり合った境界近辺に、膜厚方向の段差ないし凹凸が生じやすい。
【００７６】
したがって、上記手法により形成した多孔質膜をそのまま用い、次工程において孔部内に導電性物質を充填した場合には、孔部内に導電性物質が均一に充填され難い場合がある。
【００７７】
ところが、膜形成後、多孔質膜を加熱・加圧した場合には、多孔質膜表面に生じた段差ないし凹凸が均一化される。その後、この多孔質膜の孔部内に導電性物質を充填すれば、孔部内に導電性物質が均一に充填されやすく、得られる異方性導電膜の膜厚方向の導通性を向上させることができる。また、くびれ部に存在することがある膜面方向の連通孔も潰されやすくなるので、隣接する各孔部間も独立化されやすく、得られる異方性導電膜の膜面方向の絶縁性を一層向上させることができる。
【００７８】
多孔質膜を加圧する方法としては、平坦面を有する板状部材により多孔質膜を挟持し、この状態を保持したまま、公知の加圧装置により直接あるいは介在物を介して間接的に加圧する方法などを例示することができる。
【００７９】
また、多孔質膜を加圧する圧力は、その膜を形成する高分子の硬さ、くびれ部の肉厚、膜の加熱時間などを考慮して種々調節すれば良い。すなわち、膜形成過程において生じた段差を平坦にすることができる圧力であれば良い。多孔質膜を過度に加圧すると、膜の立体構造がくずれてしまう場合がある。一方、多孔質膜に対する加圧力が過度に少ないと、段差を平坦にし難い。したがって、多孔質膜を加圧する場合には、これらに留意すると良い。
【００８０】
また、多孔質膜を加圧する場合、この加圧は、多孔質膜の加熱とほぼ同時に行っても良いし、加圧した多孔質膜を加熱しても、加熱した多孔質膜を加圧しても良い。すなわち、多孔質膜に対して少なくとも所望の熱および圧力が掛かった状態が得られれば、何れのタイミングで加圧しても良い。
【００８１】
１．２  導電性物質充填工程
本製造方法において、導電性物質充填工程は、多孔質膜の孔部内に導電性物質を充填する工程である。
【００８２】
本製造方法では、孔部内に導電性物質を充填するに当たり、以下の手法を用いる。図２に、本製造方法で用いる導電性物質の充填法を模式的に示す。
【００８３】
本製造方法で用いる導電性物質の充填法は、概ね図２（ａ）〜（ｄ）の手順を含んでいる。すなわち、図２（ａ）に示すように、第１の基板１８ａ上に多孔質膜１２を固定する。次いで、図２（ｂ）に示すように、この多孔質膜１２と一定距離離間させて第２の基板１８ｂを配置する。次いで、多孔質膜１２と第２の基板１８ｂとの隙間２０に、図２（ｃ）に示すように、導電性物質２２を溶媒に分散させた分散溶液２４を導入する。次いで、図２（ｄ）に示すように、第２の基板１８ｂ上に磁力発生手段２６を設け、導電性物質２２の膜表面に対する吸着力を打ち消す方向に導電性物質２２に対して磁力を加えつつ、少なくとも一方の基板（図では基板１８ｂ）を膜面方向に移動させる。
【００８４】
ここで、導電性物質２２の膜表面に対する吸着力を打ち消す方向に導電性物質２２に対して磁力を加えることなく、基板１８ｂを膜面方向に移動させた場合、導電性物質２２が小さくなればなるほどその表面積が大きくなるので、図３（ａ）（ｂ）に模式的に示すように、導電性物質２２が膜表面に吸着しようとする力Ｆａが溶媒の表面張力Ｆｓよりも大きくなり、溶媒の表面張力Ｆｓによって導電性物質２２を運び難くなる。そのため、膜表面に導電性物質２２が少なからず付着してしまう。
【００８５】
これに対して、図４（ａ）（ｂ）に模式的に示すように、磁力発生手段２６により、導電性物質２２が膜表面に吸着しようとする力Ｆａを打ち消す方向に導電性物質２２に対して磁力Ｆｍを加えると、導電性物質２２は、分散溶液２４中において安定して分散された状態となる。そしてこの状態を維持したまま、基板１８ｂを膜面方向に移動させた場合、溶媒の表面張力Ｆｓにより、ほとんどの導電性物質２２が運ばれる。そのため、膜表面上に導電性物質２２が残っていくのを有効に防止できる。
【００８６】
そして、孔部１０上を分散溶液２４の界面が通り越すときに、毛管現象による孔部１０内への分散溶液２４の浸透と、孔部１０内での溶媒の蒸発とが繰り返し行われ、孔部１０内に徐々に導電性物質２２が充填されていく。これにより、多数の微小な孔部１０を有する多孔質膜１２の孔部１０内に選択的に導電性物質２２が充填されることになる。
【００８７】
このような充填法において、磁力発生手段としては、永久磁石、電磁石などを例示することができる。
【００８８】
また、導電性物質に加える磁力の大きさは、磁力発生手段と分散溶液との距離、用いる導電性物質の表面積、質量、浮力などによっても異なるが、分散溶液中において導電性物質の沈降を抑制可能な範囲内となるように適宜調整すれば良い。
【００８９】
この充填法において、第１の基板および第２の基板は、平坦で平滑な面を有するものであることが好ましい。また、第１の基板および第２の基板の材質は、同一であっても良いし、異なっていても良い。
【００９０】
第１の基板の具体的な材質としては、ガラス、セラミックス、金属などの無機材料、ポリマーなどの有機材料、あるいは、これらを複合した複合材料などを例示することができる。
【００９１】
また、第２の基板の具体的な材質としては、磁力発生手段による磁場の形成を妨げにくい材料が望ましい。具体的には、例えば、ガラス、セラミックスなどの無機材料、ポリマーなどの有機材料、あるいは、これらを複合した複合材料などを例示することができる。
【００９２】
もっとも、反磁性材料など、分散溶液中における磁場の形成を妨げやすい材料であっても、通常、磁場は回り込みをするため、第２の基板で完全に覆ってしまわなければ、上記充填法の目的は達成することができる。
【００９３】
また、第１の基板へ多孔質膜を固定するには、静電気力などにより基板に多孔質膜が吸着する現象を利用するなどすれば良い。なお、これ以外にも、通常知られる物理的・化学的な固定方法を種々利用することができ、多孔質膜の位置がずれないように固定できる方法であれば、特に限定されるものではない。
【００９４】
また、多孔質膜の表面と第２の基板との間の距離は、隙間に導入される分散溶液の溶媒の表面張力により、分散溶液を保持できる範囲内にあれば良い。
【００９５】
一般的には、両者の距離が過度に近すぎると、隙間に導入できる分散溶液の量が少なくなるので、孔部に充填される導電性物質の量が少なくなる傾向が見られる。一方、両者の距離が過度に遠すぎると、多孔質膜の表面と第２の基板との間に分散溶液を保持できなくなり、基板をスライド移動させる構成自体が採用し難くなる傾向が見られる。
【００９６】
多孔質膜の表面と第２の基板との間の距離は、後述する分散溶液の溶媒の種類、導電性物質の濃度などに合わせて適宜最適な距離に調節すれば良い。
【００９７】
また、上記充填法において、分散溶液は、導電性物質を適当な溶媒に分散させたものである。
【００９８】
ここで、導電性物質としては、微小な孔部内へ均一に充填され易く、膜厚方向の導通に優れるなどの観点から、導電性粒子の群を用いることが好ましい。この際、導電性粒子の粒径は、基本的には、多孔質膜の孔径などに応じて決定すれば良い。もっとも、上記充填法の原理からして、導電性粒子の粒径は、少なくとも多孔質膜の孔径より小さい必要がある。例えば、１μｍ以下などを例示できる。なお、本願では、ナノオーダーの粒径を有する導電性粒子であっても、膜表面に粒子付着をほとんど発生させることなく、孔部内に選択的に粒子を充填することが可能である。
【００９９】
上記導電性粒子としては、具体的には、金属粒子、樹脂めっき粒子、カーボン粒子などが挙げられ、これらは、１種または２種以上混合して用いても良い。
【０１００】
これら導電性粒子の内では、金属粒子を好適に用いることができる。磁力を作用させやすいからである。また、電気抵抗が小さく、粒子の小径化により、金属の融点が下がるので、低温で熱融着されやすいからである。
【０１０１】
この際、金属粒子としては、具体的には、Ａｇ粒子、Ａｕ粒子、Ｐｔ粒子、Ｎｉ粒子、Ｃｕ粒子、Ｐｄ粒子などを用いることができ、これらは１種または２種以上混合して用いても良い。これらの金属粒子は、電気導電性に優れるので、膜厚方向の導通を得やすい利点がある。これら金属粒子の内、好ましくはＡｇ粒子を好適に用いることができる。
【０１０２】
一方、上記導電性物質を分散させる溶媒としては、膜を形成している高分子が不溶な溶媒を好適に用いることができる。
【０１０３】
具体的な溶媒としては、例えば、水、エタノールなどのアルコール系溶媒、エステル系溶媒、アミド系溶媒、炭化水素系溶媒、ケトン系溶媒、エーテル系溶媒などが挙げられる。好ましくは、水を好適に用いることができる。表面張力が大きく、導電性物質を多孔質膜表面で移動させやすいなどの利点があるからである。この際、水など、親水性の溶媒を用いる場合には、疎水性を示す多孔質膜に対して、予めＵＶ照射、コロナ処理、プラズマ処理などの親水処理を施しておくことが好ましい。多孔質膜と溶媒との濡れ性が改善され、孔部内に分散溶液が浸透されやすくなるので、孔部内に導電性物質が均一に充填されやすくなるからである。
【０１０４】
なお、上記親水処理は、第１の基板上に多孔質膜を固定する前に行っても良いし、第１の基板上に多孔質膜を固定した後に行っても良く、特に限定されるものではない。
【０１０５】
また、上記分散溶液において、分散溶液中の導電性物質の含有量は、基本的には、後述する基板の移動速度や多孔質膜の孔径などにより、種々調節すれば良い。分散溶液中の導電性物質の含有量としては、好ましい上限値として３０重量％、２０重量％、１０重量％、５重量％などを例示することができ、これら好ましい上限値と組み合わせ可能な好ましい下限値として０．１重量％、０．５重量％、１重量％などを例示することができる。
【０１０６】
また、上記充填法では、第１の基板または第２の基板の何れか一方を移動させても良いし、双方の基板を移動させても良い。好ましくは、多孔質膜が固定されている第１の基板を固定し、第２の基板を移動させるのが好適である。
【０１０７】
ここで、基板の移動は、孔部内に導電性物質をより均一に充填するなどの観点から、等速であることが好ましい。基本的には、分散溶液の溶媒の種類、溶媒の表面張力、分散溶液の濃度などを考慮し、孔部内への分散溶液の浸透と孔部内での溶媒の蒸発とがバランス良く生じるように適宜最適な速度を選択すれば良い。例えば、基板を移動させる速度としては、１〜１５μｍ／ｓｅｃなどを例示することができる。
【０１０８】
この際、基板を移動させる速度が過度に速くなると、孔部に充填される導電性物質の量が少なくなったり、導電性物質が不均一に充填される傾向が見られる。一方、基板を移動させる速度が過度に遅くなると、分散溶液中の溶媒が蒸発し、分散溶液の濃度が高くなりすぎて、導電性物質を移動させにくくなる傾向が見られる。したがって、基板を移動させる速度は、これらに留意して選択すると良い。
【０１０９】
また、上記充填法では、孔部に充填される導電性物質の量などに影響がない範囲で、環境雰囲気の温度を高温にしたり、基板や多孔質膜を加熱したりするなどして、孔部内へ浸透した分散溶液の溶媒の蒸発を促進させても良い。この場合には、孔部への導電性物質の充填が促進されるので、基板をスライド移動させる速度を速くすることができる。そのため、異方性導電膜の生産能力などを種々調節することが可能となる。
【０１１０】
なお、本製造方法における導電性物質充填工程では、上記多孔質膜が有する全ての孔部に導電性物質が充填されていても良いし、孔部の一部に導電性物質が充填されていない箇所が部分的に存在していても良い。
【０１１１】
また、導電性粒子として、金属粒子や樹脂めっき粒子など、少なくとも粒子表面が金属からなる粒子を用いた場合には、これら粒子の群を孔部内に充填した後、熱融着してこれら粒子の群を一体化すると良い。粒子間の隙間が少なくなるとともに接触抵抗が小さくなり、膜厚方向の電気抵抗を小さくすることができるからである。また、熱融着により、粒子間に存在する有機物質などが取り除かれるので、これによっても膜厚方向の電気抵抗を小さくすることができるからである。
【０１１２】
１．３  接着層被覆工程
本製造方法において、接着層被覆工程は、孔部内に導電性物質が充填された多孔質膜の両面に接着層を被覆する工程である。
【０１１３】
ここで、接着層材料としては、被接続物との接着性、絶縁性を有するものであれば、何れのものでも使用することができる。具体的には、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、シアネート樹脂などの熱硬化性樹脂を半硬化状態としたプリプレグなどが好適な一例として挙げられる。接着層がプリプレグである場合には、被接続物が有する導体間の隙間部分に接着層が流動排除され易く、また、被接続部と密着性も高まり、高い接続信頼性を確保することができる。
【０１１４】
上記熱硬化性樹脂としては、被接続部との密着性に優れるなどの観点から、エポキシ系樹脂を好適に用いることができる。
【０１１５】
また、接着層の厚さは、被接続物が有する導体の高さ、導体の間隔などを考慮して決定すれば良い。接着層の厚さとしては、好ましい上限値として１００μｍ、５０μｍなどを例示することができ、これら好ましい上限値と組み合わせ可能な好ましい下限値として０．１μｍ、１μｍなどを例示することができる。
【０１１６】
接着層を被覆する具体的な方法としては、コーターなど公知の塗布手段を用いて接着層材料を塗布する方法や、予め作製しておいた膜状の接着層をラミネートする方法などが挙げられる。
【０１１７】
２．本製造方法により得られた異方性導電膜の使用方法
次に、本製造方法により得られた異方性導電膜の使用方法を図５（ａ）（ｂ）を用いて説明する。図５（ａ）（ｂ）に示すように、本製造方法により得られた異方性導電膜２８は、多孔質膜１２と、導電性物質２２と、接着層３０とを基本的構成として備えている。
【０１１８】
この異方性導電膜２８を、例えば、基板３２と基板３４の間に置き、接着層３０が流動する温度で短時間熱プレスすると、接着層３０が流動排除されるとともに、基板３２の電極３６と基板３４の電極３８との間に導電性物質２２が挟み込まれる。そしてこの状態を保持したまま樹脂が硬化すると、導電性物質２２を介して両電極３６、３８間は電気的に接続される。一方、隣接する電極３６（３８）同士は接着層３０により電気的に絶縁される。また、接着層３０の硬化により、基板３２と基板３４とは機械的に接続される。
【０１１９】
＜第２実施形態＞
上記第１実施形態では、多数の貫通孔を有する多孔質膜を用いた場合について説明したが、本製造方法では、多数の貫通孔を有する多孔質膜に代えて、図６に示すように、多数の非貫通孔３９を有する多孔質膜４０を用いても良い。
【０１２０】
もっとも、非貫通孔３９を有する多孔質膜４０を用いる場合には、非貫通孔３９の形成面側から膜厚方向に一定範囲（例えば、非貫通孔３９の最深部程度まで）にわたって、紫外線、赤外線、電子線などのエネルギー線により部分的に架橋部位４２を形成するとともに、膜の裏面側には、非架橋部位（例えば、非貫通孔３９の下部に形成される孔部のない高分子層４４部分）を存在させておく必要がある。また、非架橋部位は、熱圧着時の熱により流動可能となり、圧着力により流動する必要がある。
【０１２１】
この多孔質膜では、非貫通孔の形成面側は耐熱性が向上しているが、非貫通孔の形成面と反対側の面は相対的に耐熱性が低いままである。したがって、この多孔質膜を用いて製造された異方性導電膜が熱圧着されると、その架橋部位により、隣接する導電性物質同士の接触は妨げられ、膜面方向の絶縁性が確保される。一方、膜裏面側の非架橋部位（高分子層部分）は、熱により流動可能な状態になり、圧着力により接着層と一緒に流動排除され、膜厚方向の導通が確保される。
【０１２２】
このように、多数の非貫通孔を有する多孔質膜を用いた場合であっても、異方導電性という基本的な機能が損なわれることはほとんどない。また、貫通孔を有する多孔質膜と同様に、上記充填法により、非貫通孔内に導電性物質を充填することが可能である。
【０１２３】
非貫通孔を有する多孔質膜を用いた場合には、非貫通孔内に導電性物質を充填した後、基板から膜を剥離する際に、導電性物質が一緒に剥離したり、脱落したりし難い。また、非貫通孔を有する多孔質膜は、貫通孔を有する多孔質膜に比較して膜厚を厚く形成することができるので、取扱い性に優れる。したがって、各工程において、膜の損傷などによる不良が減少し、生産性も向上する。
【０１２４】
上記非貫通孔を有する多孔質膜を形成するには、第１実施形態における膜形成工程にて説明した（３）の手法に用いる高分子溶液中の高分子として、例えば、二重結合を有するポリマーおよび／またはオリゴマーなどの架橋性高分子を用いれば良い。
【０１２５】
上記二重結合を有するポリマー、オリゴマーとしては、具体的には、例えば、アクリロイル基、メタクリロイル基などの（メタ）アクリロイル基、シンナモイル基、ビニル基、アリル基などの二重結合を主鎖、末端またはペンダント基として有する、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリブタジエン樹脂、マレイン化油樹脂などを例示することができる。これらは１種または２種以上混合されていても良い。
【０１２６】
また、非貫通孔を形成するには、高分子溶液の塗布厚（キャスト量）を厚くする（多くする）、高分子溶液に含まれる架橋性高分子の濃度を高くする、相対湿度を低くするなど、膜形成条件を適宜調整することにより行うことができる。このうち、高分子溶液の塗布厚を厚くするのが最も効果的である。なお、その他については、上記第１実施形態と同様であるので、その説明は省略する。
【０１２７】
以上、本実施形態に係る異方性導電膜の製造方法について説明したが、本発明は上記実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の改変が可能である。
【実施例】
【０１２８】
以下、実施例を用いて本発明を詳細に説明する。
【０１２９】
１．実施例および比較例に係る異方性導電膜の作製
（実施例１）
クロロホルムにポリスルホン（アルドリッチ製、分子量Ｍｗ＝５６，０００）を０．１［ｗｔ％］の濃度で溶解した液に、両親媒性物質として、ドデシルアクリルアミドとカプロン酸の共重合体をポリスルホンに対して１０［ｗｔ％］添加し、高分子溶液を調製した。
【０１３０】
次いで、この高分子溶液を、相対湿度５０％の空気を連続的に吹き付けているシャーレ（φ９０［ｍｍ］）に塗布膜厚７８０［μｍ］でキャストし、クロロホルムを揮発させた。その結果、膜厚方向に貫通した多数の孔部を有し、孔部はハニカム状に配列されるとともに孔部の内壁面は外側方向に湾曲されている、ポリスルホンよりなる多孔質膜が得られた。なお、多孔質膜の貫通孔の孔径は、５μｍであった。
【０１３１】
次いで、ガラス基板上に吸着により固定した多孔質膜を、多孔質膜が２５０℃の温度となるように調温されたホットプレート上に２分間載置し、多孔質膜を加熱した。
【０１３２】
次に、導電性物質を充填する前処理として、上記ガラス基板上に固定された多孔質膜に２５４ｎｍのＵＶ光を１０分間照射し、多孔質膜の表面に親水処理を施した。
【０１３３】
次いで、上記ガラス基板上に固定された多孔質膜と一定距離隔てて他のガラス基板（厚さ１ｍｍ）を配置し、多孔質膜と他の基板との隙間に、濃度３［ｗｔ％］のＡｇ水分散溶液（日本ペイント製、「ファインスフィアＳＶＷ１０２」、平均粒径５０ｎｍ）を注入し、多孔質膜と他のガラス基板との隙間にＡｇ水分散溶液を表面張力により保持させた。
【０１３４】
次いで、他のガラス基板の下面から１．５ｍｍ上方の位置に永久磁石（（株）西興産業製、フェライト磁石、１０００ガウス）を配置し、膜表面に対する吸着力を打ち消す方向にＡｇ粒子に磁力を加え、この状態のまま、他のガラス基板を一定速度（１０μｍ／ｓｅｃ）でスライド移動させ、ガラス基板同士を引き離した。その結果、図７に示すように、貫通孔内にＡｇ粒子が充填された多孔質膜が得られた。なお、貫通孔内に充填したＡｇ粒子は、１５０℃で３分間加熱することにより、熱融着させた。
【０１３５】
次に、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン製、「エピコート１００１」）と、ＮＢＲ（日本ゼオン製、「ニポール１０７２Ｊ」）と、イミダゾール硬化剤（四国化成製、「キュアゾールＣ１１Ｚ」）とを、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂：ＮＢＲ：イミダゾール硬化剤＝４０：５０：５の重量割合で、固形分が３０[ｗｔ％]となるようにＭＥＫ／ＴＨＦ＝５０／５０の混合溶媒に溶解し、この液を６０℃で１０分間乾燥させて接着層を作製した。
【０１３６】
次いで、この接着層を、孔部内にＡｇ粒子が充填された多孔質膜の両面にラミネートし、実施例１に係る異方性導電膜を作製した。
【０１３７】
（実施例２）
クロロホルムにポリブタジエンゴム（ＪＳＲ製、「ＲＢ８２０」）を０．５［ｗｔ％］の濃度で溶解した液に、両親媒性物質として、ドデシルアクリルアミドとカプロン酸の共重合体をポリブタジエンゴムに対して１０［ｗｔ％］添加し、高分子溶液を調製した。
【０１３８】
次いで、この高分子溶液を、相対湿度５０％の空気を連続的に吹き付けているシャーレ（φ９０［ｍｍ］）に塗布膜厚１５６０［μｍ］でキャストし、クロロホルムを揮発させた。その結果、多数の非貫通孔を有し、非貫通孔がハニカム状に配列されるとともに非貫通孔の内壁面が外側方向に湾曲されている、ポリブタジエンゴムよりなる前駆体膜が得られた。なお、前駆体膜の非貫通孔の孔径は、５μｍであった。また、この前駆体膜の裏面は平滑であり、貫通孔は全く確認されなかった。
【０１３９】
次いで、四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン共重合体フィルム（以下、「ＦＥＰフィルム」という。）上に前駆体膜を載置し、これを一対のガラス基板により挟持した。次いで、これを、ホットプレート上に載置するとともに、ゴムシートを介してガラス基板上面を加圧装置により加圧した。この時の加熱・加圧条件は１００℃×１分間×６Ｐａとした。
【０１４０】
次いで、ガラス基板を取り外し、ＦＥＰフィルム上に載置された前駆体膜に対して、非貫通孔の形成面側から２５４ｎｍのＵＶ光を１０分間照射し、膜表面側のポリブタジエンゴムを部分的に架橋させた多孔質膜を得た。なお、ＵＶ光の照射により、多孔質膜の表面には親水処理が施されている。
【０１４１】
次に、上記ＦＥＰフィルム上に載置された多孔質膜と一定距離隔ててガラス基板を配置し、多孔質膜とガラス基板との隙間に、上記Ａｇ水分散溶液を注入し、多孔質膜とガラス基板との隙間にＡｇ水分散溶液を表面張力により保持させた。
【０１４２】
次いで、ガラス基板の下面から１．５ｍｍ上方の位置に上記と同じ永久磁石を配置し、膜表面に対する吸着力を打ち消す方向にＡｇ粒子に磁力を加え、この状態のまま、ガラス基板を一定速度（１０μｍ／ｓｅｃ）でスライド移動させ、ガラス基板を引き離した。その結果、非貫通孔内にＡｇ粒子が充填された多孔質膜が得られた。なお、非貫通孔内に充填したＡｇ粒子は、１５０℃で３分間加熱することにより、熱融着させた。
【０１４３】
以下、実施例１と同様にして、非貫通孔内にＡｇ粒子が充填された多孔質膜の両面に接着層をラミネートし、実施例２に係る異方性導電膜を作製した。
【０１４４】
（比較例１）
実施例１において、永久磁石を用いなかった以外は、同様にして、比較例１に係る異方性導電膜を作製した。図８に、比較例１に係る異方性導電膜の作製時に得られた、Ａｇ粒子充填後の多孔質膜の電子顕微鏡写真を示す。
【０１４５】
（比較例２）
実施例１において、多孔質膜を固定しているガラス基板の下側に、永久磁石を配置し、膜表面に対する吸着力と同方向にＡｇ粒子に磁力を加え、この状態のまま、ガラス基板を一定速度でスライド移動させた以外は、同様にして、比較例２に係る異方性導電膜を作製した。図９に、比較例２に係る異方性導電膜の作製時に得られた、Ａｇ粒子充填後の多孔質膜の電子顕微鏡写真を示す。
【０１４６】
２．異方導電性の評価
次に、上記作製した実施例および比較例に係る異方性導電膜につき、膜厚方向の導通性能および膜面方向の絶縁性能を評価することにより異方導電性の評価を行った。
【０１４７】
（１）膜厚方向の導通性能の評価
膜厚方向の導通性能の評価は、以下のように行った。すなわち、実施例１、２および比較例１、２に係る各異方性導電膜の一方面を、ピッチ＝３０μｍ、Ｌ／Ｓ（ライン／スペース）＝１５μｍのくし型電極（隣り合う電極が、絶縁基材により互いに絶縁されて配置されているくし状の電極）にそれぞれ仮圧着した。次いで、くし型電極を仮圧着した各異方性導電膜を、その他方面側が、ガラス板上に積層した銅板と接するようにそれぞれ載置した。次いで、この状態のまま、１７０℃×２０ｓｅｃで本圧着することにより試料Ａ１〜Ａ４を作製した。なお、試料Ａ１、Ａ２は実施例１、２にそれぞれ対応し、試料Ａ３、Ａ４は比較例１、２にそれぞれに対応している。
【０１４８】
次いで、得られた試料Ａ１〜Ａ４につき、テスター（ＡＮＤ社製、ＡＤ５５２２）で導通性能を評価した。なお、本評価では、サンプル数は、Ｎ＝１０［個］とした。
【０１４９】
本評価の結果、試料Ａ１〜Ａ４は、１０／１０［個］のサンプルにおいて、くし型電極間の抵抗値が０［Ω］となった。この結果から、実施例に係る異方性導電膜は、膜厚方向の導通が十分に確保されていることが確認できた。
【０１５０】
（２）膜面方向の絶縁性能の評価
膜面方向の絶縁性能の評価は、以下のように行った。すなわち、実施例１、２および比較例１、２に係る異方性導電膜の一方面を、上記と同様のくし型電極にそれぞれ仮圧着した。次いで、くし型電極を仮圧着した各異方性導電膜を、その他方面側が、ガラス板と接するようにそれぞれ載置した。次いで、この状態のまま、１７０℃×２０ｓｅｃで本圧着することにより試料Ｂ１〜Ｂ４を作製した。なお、試料Ｂ１、Ｂ２は実施例１、２にそれぞれ対応し、試料Ｂ３、Ｂ４は比較例１、２に対応している。
【０１５１】
次いで、得られた試料Ｂ１〜Ｂ４につき、１００Ｖの直流電圧を印加したときの電流値［Ａ］から膜面方向の抵抗を算出することにより絶縁性能を評価した。なお、本評価における、サンプル数とくし型電極のピッチなどは上記と同様とした。また、測定装置には、ＫＥＩＴＨＬＥＹ社製  ２３７  ＨＩＧＨ  ＶＯＬＴＡＧＥ  ＳＯＵＲＣＥ  ＭＥＡＳＵＲＥ  ＵＮＩＴを使用した。
【０１５２】
本評価の結果、試料Ｂ１およびＢ２は１０／１０［個］のサンプルにおいて、くし型電極間の抵抗値が１０９［Ω］以上となった。これに対して、試料Ｂ３は６／１０［個］のサンプルにおいて、くし型電極間の抵抗値が１０９［Ω］以上となった。また、試料Ｂ４は２／１０［個］のサンプルにおいて、くし型電極間の抵抗値が１０９［Ω］以上となった。
【０１５３】
以上の結果から、本製造方法によれば、導電性物質充填工程において、膜表面に対する吸着力の大きなナノオーダーの粒径を有する導電性粒子を用いた場合であっても、膜表面に導電性粒子が残りにくく、さらに孔部内に選択的に導電性物質を充填できることが分かる。これにより、隣接する孔部内に充填された導電性物質同士の独立性に優れ、膜面方向の絶縁信頼性に極めて優れた異方性導電膜が得られることが確認できた。
【図面の簡単な説明】
【０１５４】
【図１】本製造方法の膜形成工程において好適に形成する、貫通孔を有する多孔質膜の構成を模式的に示した図であり、（ａ）が多孔質膜の断面図、（ｂ）が多孔質膜の平面図である。
【図２】本製造方法の導電性物質充填工程で用いる導電性物質の充填法を模式的に説明するための図である。
【図３】磁力発生手段を用いなかった場合における導電性物質の挙動を模式的に示した図である。
【図４】磁力発生手段を用いた場合における導電性物質の挙動を模式的に示した図である。
【図５】本製造方法により得られた異方性導電膜の使用方法を模式的に示した図である。
【図６】本製造方法の膜形成工程において好適に形成する、非貫通孔を有する多孔質膜の構成を模式的に示した断面図である。
【図７】実施例１に係る異方性導電膜の作製時に得られた、孔部内にＡｇ粒子が充填された多孔質膜の電子顕微鏡像である。
【図８】比較例１に係る異方性導電膜の作製時に得られた、孔部内にＡｇ粒子が充填された多孔質膜の電子顕微鏡像である。
【図９】比較例２に係る異方性導電膜の作製時に得られた、孔部内にＡｇ粒子が充填された多孔質膜の電子顕微鏡像である。
【符号の説明】
【０１５５】
１０    孔部
１２    多孔質膜
１４    隔壁
１４ａ  くびれ部
１６    内壁面
１８ａ  第１の基板
１８ｂ  第２の基板
２０    隙間
２２    導電性物質
２４    分散溶液
２６    磁力発生手段
２８    異方性導電膜
３０    接着層
３９    非貫通孔
４０    多孔質膜
４２    架橋部位
４４    高分子層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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