(57)【要約】【課題】  半導体ウェーハの外周部が面取りされていない状態（若しくは粗面取りがされている状態）で両面研削を行うに際して、ウェーハ外周部での欠けやチッピングを防止しつつ、面取り形状の悪化、ウェーハ周方向での面取り形状のバラツキをなくす。【解決手段】  シリコンウェーハ１の外周部１Ｒを保護部材としてのキャリア１３によって保護した状態で両面研削を行う。シリコンウェーハ１の一方の面１ａに水を供給することによりシリコンウェーハ１の一方の面１ａをパッド１１から浮かせつつ、シリコンウェーハ１の他方の面１ｂを把持することによりキャリア１３からシリコンウェーハ１を取り出す。両面研削工程後に（ウェーハ取り出し後に）面取り工程を実施する。【選択図】  図１
2006332281.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体インゴットを切断して半導体ウェーハを取得する切断工程と、
切断工程後に、半導体ウェーハの外周部を保護部材で保護した状態で保護部材を回転駆動させることにより、半導体ウェーハを回転させて、半導体ウェーハの両面を、研削用砥石を用いて両面研削する両面研削工程と、
両面研削工程後に、半導体ウェーハの外周部を面取りする面取り工程と
を含むことを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。
【請求項２】
半導体インゴットを切断して半導体ウェーハを取得する切断工程と、
切断工程後に、鉛直方向に立てた姿勢の半導体ウェーハを両パッド間に位置させるとともに半導体ウェーハの外周部を保護部材で保護した状態で保護部材を回転駆動させることにより、半導体ウェーハを回転させて、半導体ウェーハの両面を、研削用砥石を用いて両面研削する両面研削工程と、
両面研削工程後に、半導体ウェーハの一方の面に流体を供給することにより半導体ウェーハの一方の面をパッドから浮かせつつ、半導体ウェーハの他方の面を把持することにより保護部材から半導体ウェーハを取り出す半導体ウェーハ取り出し工程と、
半導体ウェーハ取り出し工程後に、半導体ウェーハの外周部を面取りする面取り工程と
を含むことを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。
【請求項３】
前記両面研削工程は、半導体ウェーハの両面を粗研削する工程であり、
前記面取り工程後に、半導体ウェーハの両面をさらに研削する工程を実施することを特徴とする請求項１または２記載の半導体ウェーハの製造方法。
【請求項４】
前記両面研削工程の前に、半導体ウェーハの外周部を粗面取りする工程を実施すること
を特徴とする含む請求項１または２記載の半導体ウェーハの製造方法。
【請求項５】
鉛直方向に立てた姿勢の半導体ウェーハを両パッド間に位置させるとともに半導体ウェーハの外周部を保護部材で保護した状態で保護部材を回転駆動させることにより、半導体ウェーハを回転させて、半導体ウェーハの両面を、研削用砥石を用いて両面研削する両面研削工程と、
両面研削工程後に、半導体ウェーハの一方の面に流体を供給することにより半導体ウェーハの一方の面をパッドから浮かせつつ、半導体ウェーハの他方の面を把持することにより保護部材から半導体ウェーハを取り出す半導体ウェーハ取り出し工程と、
を含むことを特徴とする半導体ウェーハの両面研削方法。
【請求項６】
半導体ウェーハの両面を研削する半導体ウェーハの両面研削装置であって、
鉛直方向に立てた姿勢の半導体ウェーハの両面に設けられたパッドと、
半導体ウェーハの外周部を保護する保護部材と、
保護部材を回転駆動させることにより、半導体ウェーハを回転させる回転駆動手段と、
半導体ウェーハの両面を挟んで、半導体ウェーハの両面を研削する研削用砥石と、
半導体ウェーハの面に流体を供給する流体供給手段と、
半導体ウェーハの面を把持することにより保護部材から半導体ウェーハを取り出す取り出し手段と、
前記流体供給手段と前記取り出し手段とを制御して、半導体ウェーハの両面研削後に、半導体ウェーハの一方の面に流体を供給することにより半導体ウェーハの一方の面をパッドから浮かせつつ、半導体ウェーハの他方の面を把持することにより保護部材から半導体ウェーハを取り出す制御手段と
を備えたことを特徴とする半導体ウェーハの両面研削装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェーハの両面を研削する工程を含む方法または半導体ウェーハの両面を研削する装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコン単結晶のインゴットは、ワイヤソー等の切断装置によって切断されて、シリコンウェーハが採取される。
【０００３】
シリコンウェーハの表面、裏面の両面を平坦化する方法の一つに、ラッピング装置を用いてシリコンウェーハの両面にラッピング加工を施して平坦化を図るという方法がある。このようなラッピング装置を用いたラッピング加工では、シリコンウェーハがキャリアの孔に挿入された状態でキャリアが回転するため、ラッピング加工中、シリコンウェーハの外周部がキャリアの孔の内周面に衝突する。このためシリコンウェーハの外周部への負荷が大きく、シリコンウェーハの外周部で欠けやチッピングが生じやすい。
【０００４】
そこで、シリコンウェーハの外周部での欠けやチッピングを防止するために、ラッピング工程の前に、シリコンウェーハの外周部を面取りする面取り工程を実施することが不可欠となる。
【０００５】
すなわち、従来にあっては、切断工程から、面取り工程、ラッピング工程を経て（更に、エッチング工程、ポリッシング工程等の各工程を経て）、シリコンウェーハが製造される。
【０００６】
ところが近年、シリコンウェーハが大口径化しており、直径３００ｍｍ（１２インチ）以上のシリコンウェーハの両面を高平坦化する必要が生じてきている。
【０００７】
しかしながら、大口径のシリコンウェーハの両面を平坦化するには、ラッピング装置を用いたラッピング加工では、ウェーハの平坦度に限界がある。
【０００８】
そこで、ラッピング加工の代わりに両面研削加工を行うことで、大口径シリコンウェーハの平坦度を高めるようにしている。両面研削加工は、シリコンウェーハの両面を両面研削装置（両頭研削装置）を用いて同時に両面研削するというものである。
【０００９】
しかし、従来と同様に、面取り工程後に、平坦化工程としての両面研削工程を実施すると、面取り工程時の加工基準面となるウェーハ面取り中心面と、両面研削工程時の加工基準面となる厚み基準面とがずれるため、シリコンウェーハの外周部の面取り部分の一部が研削されてしまい、面取り形状が悪化するとともに面取り形状がウェーハ周方向でばらつくという問題が露呈するに至った。
【００１０】
一方で、両面研削装置は、ラッピング装置と異なり、平坦化加工中にウェーハ外周部にかかる負荷が小さく、シリコンウェーハの外周部での欠けやチッピングという問題は発生しにくいと考えられる。
【００１１】
そこで、本出願人は、このような知見に鑑み、後掲する特許文献１に示される特許出願を行い、平坦化加工後に面取り加工を行うことで、シリコンウェーハの外周部での欠けやチッピングを防止しつつ、面取り形状の悪化、ウェーハ周方向での面取り形状のバラツキといった問題を解決せんとしている。
【００１２】
一方で、後掲する特許文献２には、両面研削装置に関する発明が記載されている。この特許文献２では、鉛直方向に立てた姿勢のシリコンウェーハを両パッド間に位置させるとともにシリコンウェーハをローラによって回転駆動させることにより、シリコンウェーハを回転させて、シリコンウェーハの両面を、両パッドの切欠き部に位置する研削用砥石を用いて両面同時に研削するようにしている。
【特許文献１】特開平１１−１５４６５５号公報
【特許文献２】特開２０００−２８０１５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかし、本発明者らは、上記特許文献１に記載した発明を実際に実施すると、シリコンウェーハの外周部で欠けやチッピングが発生するおそれがあることがわかった。すなわち、両面研削加工後に、両面研削装置からシリコンウェーハを取り出すときに、シリコンウェーハの姿勢が傾きウェーハ外周部が他の部材に接触して割れが生じることがある。
【００１４】
本発明はこうした実状に鑑みてなされたものであり、半導体ウェーハの外周部が面取りされていない状態（若しくは粗面取りがされている状態）で両面研削を行うに際して、ウェーハ外周部での欠けやチッピングを防止しつつ、面取り形状の悪化、ウェーハ周方向での面取り形状のバラツキをなくすことを解決課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
第１発明は、
半導体インゴットを切断して半導体ウェーハを取得する切断工程と、
切断工程後に、半導体ウェーハの外周部を保護部材で保護した状態で保護部材を回転駆動させることにより、半導体ウェーハを回転させて、半導体ウェーハの両面を、研削用砥石を用いて両面研削する両面研削工程と、
両面研削工程後に、半導体ウェーハの外周部を面取りする面取り工程と
を含む半導体ウェーハの製造方法であることを特徴とする。
【００１６】
第２発明は、
半導体インゴットを切断して半導体ウェーハを取得する切断工程と、
切断工程後に、鉛直方向に立てた姿勢の半導体ウェーハを両パッド間に位置させるとともに半導体ウェーハの外周部を保護部材で保護した状態で保護部材を回転駆動させることにより、半導体ウェーハを回転させて、半導体ウェーハの両面を、研削用砥石を用いて両面研削する両面研削工程と、
両面研削工程後に、半導体ウェーハの一方の面に流体を供給することにより半導体ウェーハの一方の面をパッドから浮かせつつ、半導体ウェーハの他方の面を把持することにより保護部材から半導体ウェーハを取り出す半導体ウェーハ取り出し工程と、
半導体ウェーハ取り出し工程後に、半導体ウェーハの外周部を面取りする面取り工程と
を含む半導体ウェーハの製造方法であることを特徴とする。
【００１７】
第３発明は、第１発明または第２発明において、
前記両面研削工程は、半導体ウェーハの両面を粗研削する工程であり、
前記面取り工程後に、半導体ウェーハの両面をさらに研削する工程を実施することを特徴とする。
【００１８】
第４発明は、第１発明または第２発明において、
前記両面研削工程の前に、半導体ウェーハの外周部を粗面取りする工程を実施すること
を特徴とする含む。
【００１９】
第５発明は、
鉛直方向に立てた姿勢の半導体ウェーハを両パッド間に位置させるとともに半導体ウェーハの外周部を保護部材で保護した状態で保護部材を回転駆動させることにより、半導体ウェーハを回転させて、半導体ウェーハの両面を、研削用砥石を用いて両面研削する両面研削工程と、
両面研削工程後に、半導体ウェーハの一方の面に流体を供給することにより半導体ウェーハの一方の面をパッドから浮かせつつ、半導体ウェーハの他方の面を把持することにより保護部材から半導体ウェーハを取り出す半導体ウェーハ取り出し工程と、
を含む半導体ウェーハの両面研削方法であることを特徴とする。
【００２０】
第６発明は、
半導体ウェーハの両面を研削する半導体ウェーハの両面研削装置であって、
鉛直方向に立てた姿勢の半導体ウェーハの両面に設けられたパッドと、
半導体ウェーハの外周部を保護する保護部材と、
保護部材を回転駆動させることにより、半導体ウェーハを回転させる回転駆動手段と、
半導体ウェーハの両面を挟んで、半導体ウェーハの両面を研削する研削用砥石と、
半導体ウェーハの面に流体を供給する流体供給手段と、
半導体ウェーハの面を把持することにより保護部材から半導体ウェーハを取り出す取り出し手段と、
前記流体供給手段と前記取り出し手段とを制御して、半導体ウェーハの両面研削後に、半導体ウェーハの一方の面に流体を供給することにより半導体ウェーハの一方の面をパッドから浮かせつつ、半導体ウェーハの他方の面を把持することにより保護部材から半導体ウェーハを取り出す制御手段と
を備えたことを特徴とする。
【００２１】
第１発明、第２発明、第５発明、第６発明によれば、シリコンウェーハ１の外周部１Ｒを保護部材としてのキャリア１３によって保護した状態で両面研削を行うようにしたため、両面研削加工を行うことで、シリコンウェーハ１の外周部１Ｒで欠けやチッピングが生じるようなことがない。しかも、第１発明、第２発明、第５発明、第６発明によれば、両面研削工程後に面取り工程を実施しているため、ウェーハ外周部１Ｒでの面取り形状の悪化、ウェーハ周方向での面取り形状のバラツキをなくすことができる。
【００２２】
さらに、第２発明、第５発明、第６発明によれば、シリコンウェーハ１の一方の面１ａに水を供給することによりシリコンウェーハ１の一方の面１ａをパッド１１から浮かせつつ、シリコンウェーハ１の他方の面１ｂを把持することによりキャリア１３からシリコンウェーハ１を取り出すようにしたので、搬出を行うことで、ウェーハ外周部１Ｒで欠けやチッピングが生じるようなことがない。
【００２３】
第３発明によれば、両面研削工程を、シリコンウェーハ１の両面を粗研削する工程（第１次平面研削）として実施し、面取り工程後に、更にシリコンウェーハ１の両面を仕上げ研削する工程（第２次平面研削）を行うようにしたので、粗研削によってシリコンウェーハ１の大まかな凹凸がすでに除去された状態で面取りが行われため、面取り工程後にさらに仕上げ研削をしたとしてもウェーハ外周部１Ｒの面取り形状が損なわれることはない。
【００２４】
第４発明によれば、面取り工程を、ウェーハ外周部１Ｒを本面取りする工程として実施し、両面研削工程の前に、シリコンウェーハ１の外周部１Ｒを粗面取りする工程を行うようにしたので、粗面取りによって、シリコンウェーハ１の外周部１Ｒが大まかに面取りされるため、その後のウェーハ搬送時などにおいてウェーハ外周部１Ｒで欠けやチッピングが生じる可能性がきわめて低くなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
【００２６】
図１（ａ）は、実施形態に使用される両面研削装置１０の構成を示す側面図で、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【００２７】
同図１に示すように、両面研削装置１０は、鉛直方向に立てた姿勢のシリコンウェーハ１の両面１ａ、１ｂそれぞれに設けられたパッド１１、１２と、シリコンウェーハ１の外周部１Ｒを保護する保護部材としてのキャリア１３と、キャリア１３を回転駆動させることにより、シリコンウェーハ１を回転させる回転駆動手段としての回転ローラ１４と、両パッド１１、１２の切欠き部１１ａ、１２ａに位置され、シリコンウェーハの両面１ａ、１ｂを挟んで、シリコンウェーハ１の両面１ａ、１ｂを研削する研削用砥石１５、１６と、両パッド１１、１２に形成された孔からシリコンウェーハ１の両面１ａ、１ｂに水を供給する流体供給手段１７と、シリコンウェーハ１の一方の面１ｂを把持してキャリア１３にシリコンウェーハ１を装填する（搬入する）とともに、シリコンウェーハ１の一方の面１ｂを把持してキャリア１３から取り出すハンド１８と、流体供給手段１７とハンド１８とを制御して、シリコンウェーハ１の両面研削後に、シリコンウェーハ１の一方の面１ａに水を供給することによりシリコンウェーハ１の一方の面１ａをパッド１１から浮かせつつ、シリコンウェーハ１の他方の面１ｂを把持することによりキャリア１３からシリコンウェーハ１を取り出す制御を行う制御手段としてのコントローラ１９とからなる。
【００２８】
パッド１２は、図示しないシリンダによって図１（ａ）の図中左右方向に移動自在である。パッド１２を図１（ａ）の右方向の退避位置に移動させると、ハンド１８をパッド１１、１２間に挿入させることができる。パッド１２を図１（ａ）の左方向の研削位置に移動させると、砥石１５、１６をそれぞれシリコンウェーハ１の両面１ａ、１ｂに接触させることができる。研削位置では、パッド１１からシリコンウェーハ１の一方の面１ａまでの距離、パッド１２からシリコンウェーハ１の他方の面１ｂまでの距離は、後述する静圧を一定に保つための所定の距離に保持される。
【００２９】
キャリア１３は、シリコンウェーハ１が装填されるリング状の部材であり、シリコンウェーハ１の外周部１Ｒを保護するために樹脂製で構成されている。キャリア１３は、シリコンウェーハ１のノッチ１Ｎに応じた形状の突起部１３ａを内周面に備えている。キャリア１３の突起部１３ａをシリコンウェーハ１のノッチ１Ｎに嵌合させることにより、キャリア１３に対してシリコンウェーハ１を位置決めして、保持することができる。キャリア１３の厚さは、シリコンウェーハ１の厚さよりも薄く形成されている。
【００３０】
キャリア１３の外周面には、回転ローラ１４、支持ローラ２０が接触している。これにより両面研削装置１０内でキャリア１３が位置決めされる。
【００３１】
回転ローラ１４、支持ローラ２０は、シリコンウェーハ１の外周部１Ｒを保護するために樹脂製で構成されている。
【００３２】
砥石１５、１６はそれぞれ回転軸１５ａ、１５ｂを備えており、互いに反対方向に回転する。なお、砥石１５、１６を同じ方向に回転させるように構成してもよい。
【００３３】
砥石１５、１６は、キャリア１３内のシリコンウェーハ１の中心１ｃ以下の下方の部位が研削されるように、切欠部１１ａ、１２ａに位置されている。すなわち、回転ローラ１が駆動されてキャリア１３とともにシリコンウェーハ１が回転すると、シリコンウェーハ１の面１ａ、１ｂが全面にわたり砥石１５、１６によって平面研削できるような位置に、砥石１５、１６が取り付けられている。
【００３４】
図２（ａ）は、ハンド１８の構成図である。ハンド１８は、シリコンウェーハ１の一方の面１ｂを吸着する吸着パッド１８ａを備えている。ハンド１８の吸着パッド１８ａは、シリコンウェーハ１を保護するために樹脂製で構成されている。
【００３５】
以下、図１の両面研削装置２０を用いたシリコンウェーハ１の製造方法について説明する。
【００３６】
（第１実施例）
まず、ＣＺ法によって、シリコンインゴットが引上げ成長される。
【００３７】
（切断工程）
シリコンインゴットは、ワイヤソー装置によって切断されて、シリコンウェーハ１が取得される。
【００３８】
両面研削装置１０のパッド１２は、図１（ａ）の右方向の退避位置に移動される。シリコンウェーハ１を把持したハンド１８が、パッド１１、１２間に挿入され、キャリア１３にシリコンウェーハ１が装填される（搬入される）。この際に、キャリア１３の突起部１３ａがシリコンウェーハ１のノッチ１Ｎに嵌合されて、キャリア１３に対してシリコンウェーハ１が位置決め、保持される。
【００３９】
シリコンウェーハ１の搬入が終わると、パッド１２は、図１（ａ）の左方向の研削位置に移動されて、砥石１５、１６がそれぞれ、シリコンウェーハ１の両面１ａ、１ｂに接触される。
【００４０】
（両面研削工程）
砥石１５、１６が、互いに反対方向に回転するとともに、回転ローラ１４が回転する。これによりシリコンウェーハ１の面１ａ、１ｂが全面にわたり砥石１５、１６によって平面研削される。平面研削中、流体供給手段１７は、両パッド１１、１２に形成された孔からシリコンウェーハ１の両面１ａ、１ｂに水を供給して、両パッド１１、１２間の静圧を所定の値に維持して、シリコンウェーハ１を非接触状態で支持し、鉛直方向に立てた姿勢に保持する。
【００４１】
（ウェーハ取り出し工程（搬出工程））
両面研削加工が終了すると、コントローラ１９は、以下のように、流体供給手段１７とハンド１８とを制御して、シリコンウェーハ１を平面研削装置１０から取り出す（搬出する）。
【００４２】
すなわち、シリコンウェーハ１の両面研削が終了すると、回転ローラ１４の回転が停止する。これによりシリコンウェーハ１は、一旦、重力によって下に落ちた状態で回転が停止する。その後、両面研削装置１０のパッド１２は、図１（ａ）の右方向の退避位置に移動される。ハンド１８が、パッド１１、１２間に挿入され、シリコンウェーハ１の一方の面１ｂが、ハンド１８の吸着パッド１８ａによって吸着される。
【００４３】
図２（ｃ）に示すように、ハンド１８の吸着パッド１８ａがシリコンウェーハ１の一方の面１ｂを吸着した状態になると同時に、パッド１１の孔からシリコンウェーハ１の一方の面１ａに水が供給される。これによりシリコンウェーハ１の一方の面１ａがパッド１１から浮いた状態となり、この状態でシリコンウェーハ１の他方の面１ｂをハンド１８が把持する。ハンド１８によってキャリア１３からシリコンウェーハ１を取り出され、平面研削装置１の上方へとシリコンウェーハ１が搬出される。
【００４４】
図２（ｂ）は、図２（ｃ）と対比するための比較例であり、流体供給手段１７から水を供給しない状態で、シリコンウェーハ１の面１ｂをハンド１８によって把持してキャリア１３からシリコンウェーハ１を取り出す場合を示している。
【００４５】
図２（ｂ）の比較例の場合には、ハンド１８の吸着パッド１８ａによってシリコンウェーハ１の面１ｂがパッド１１に押し付けられる一方で、シリコンウェーハ１の反対側の面１ａには水が供給されないため、シリコンウェーハ１の上部がパッド１１に押し付けられ、シリコンウェーハ１の下部が切欠部１１ａに倒れ込む姿勢となる。このためシリコンウェーハ１の下部がキャリア１３に食い込んでしまうことがある。このようにシリコンウェーハ下部がキャリア１３に食い込んだ状態のまま、吸着パッド１８ａによる吸着力がシリコンウェーハ１に作用すると、シリコンウェーハ下部のキャリア１３に食い込んだ外周部１Ｒで、割れが発生するおそれがある。
【００４６】
これに対して図２（ｃ）の場合には、シリコンウェーハ１の一方の面１ａがパッド１１から浮いた状態であるためシリコンウェーハ下部がキャリア１３に食い込むことはない。このため、ウェーハ搬出時に、シリコンウェーハ外周部１Ｒで、欠けやチッピングが発生するおそれはない。
【００４７】
また、シリコンウェーハ１の外周部１Ｒに直接接触する部材、つまりキャリア１３、ハンド１８をシリコンウェーハ１の外周部１Ｒを保護する材料（たとえば樹脂製）で構成したので、シリコンウェーハ１の外周部１Ｒで欠けやチッピングが発生するおそれがない。なお、シリコンウェーハ１の外周部１Ｒに直接接触する部材（キャリア１３、ハンド１８）は、シリコンウェーハ１の硬度以下の柔らかい材料であれば、樹脂製以外の任意の材料を使用することができる。
【００４８】
（面取り工程）
以上のように両面研削装置１からシリコンウェーハ１が搬出されると、つぎにシリコンウェーハ１の外周部１Ｒが面取りされる。
【００４９】
図３は、本発明の方法を実施したときのシリコンウェーハ１の断面を模式的に示したものである。
【００５０】
図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ、本実施例の切断工程直後、両面研削工程直後、面取り工程直後のシリコンウェーハ１の断面の形状を示し、図３（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）はそれぞれ、本実施例の切断工程直後、両面研削工程直後、面取り工程直後のシリコンウェーハ１の断面のワープ状態を示している。
【００５１】
これに対して図４は、本実施例に対する比較例であり、面取り工程後に、両面研削工程を実施したときのシリコンウェーハ１の断面を模式的に示したものである。
【００５２】
図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ、切断工程直後、面取り工程直後、両面研削工程直後のシリコンウェーハ１の断面の形状を示し、図４（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）はそれぞれ、切断工程直後、面取り工程直後、両面研削工程直後のシリコンウェーハ１の断面のワープ状態を示している。
【００５３】
図４の比較例の場合には、切断工程後のシリコンウェーハ１の反りやうねりが除去されていない状態で面取りが行われるため、面取り後は、シリコンウェーハ１の反りやうねりが残ったままとなる（図４（ｂ）、（ｅ））。この状態で両面研削が実施されと、外周部１Ｒが不均一に研削されてしまい両面研削工程後のシリコンウェーハ１の外周部１Ｒの面取り形状が悪化し、ウェーハ周方向での面取り形状がばらつく（図４（ｃ））。
【００５４】
一方、図３の本実施例の場合には、両面研削工程によって、シリコンウェーハ１の反りやうねりが除去されるとともに、ウェーハ面が平坦化されている状態（図３（ｂ）、（ｅ））で、面取りが実施されるため、面取り工程後のシリコンウェーハ１の外周部１Ｒの面取り形状は良好なものとなり、ウェーハ周方向での面取り形状は均一でバラツキがないものとなる（図３（ｃ））。
【００５５】
図５（ａ）は、シリコンウェーハ１の外周部１Ｒの面取り形状を規定する上面取り幅Ａ1、下面取り幅Ａ2を説明する図である。図５（ｂ）に示すように、シリコンウェーハ１の周方向の各位置で、上面取り幅Ａ1、下面取り幅Ａ2の値が均一でばらつきがなく、しかも上面取り幅Ａ1と下面取り幅Ａ2との差が小さく差が均一でばらつきがないウェーハが理想的である。
【００５６】
図６（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、図４に示す比較例の場合の面取り工程直後のシリコンウェーハ１の周方向各位置での上面取り幅Ａ1の値、同じく比較例の場合の面取り工程直後のシリコンウェーハ１の周方向各位置での下面取り幅Ａ2の値を、グラフで示している。
【００５７】
図６（ｃ）、（ｄ）はそれぞれ、図４に示す比較例の場合の両面研削工程直後のシリコンウェーハ１の周方向各位置での上面取り幅Ａ1の値、同じく比較例の場合の両面研削工程直後のシリコンウェーハ１の周方向各位置での下面取り幅Ａ2の値を、グラフで示している。
【００５８】
図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、複数のシリコンウェーハ１についての上面取り幅Ａ1、下面取り幅Ａ2の測定結果を示している。
【００５９】
図７（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、実施例の場合の面取り工程直後のシリコンウェーハ１の周方向各位置での上面取り幅Ａ1の値、同じく実施例の場合の面取り工程直後のシリコンウェーハ１の周方向各位置での下面取り幅Ａ2の値を、グラフで示している。図７（ａ）、（ｂ）は、複数のシリコンウェーハ１についての上面取り幅Ａ1、下面取り幅Ａ2の測定結果を示している。
【００６０】
図８は、比較例（図６（ｃ）、（ｄ））の場合の両面研削工程直後のシリコンウェーハ１の周方向各位置での上面取り幅Ａ1の上限値〜下限値の範囲（バラツキ）とその中心値、下面取り幅Ａ2の上限値〜下限値の範囲（バラツキ）とその中心値と、実施例の場合の面取り工程直後のシリコンウェーハ１の周方向各位置での上面取り幅Ａ1の上限値〜下限値の範囲（バラツキ）とその中心値、下面取り幅Ａ2の上限値〜下限値の範囲（バラツキ）とその中心値とを対比したグラフである。
【００６１】
図６（ａ）、（ｂ）からわかるように、比較例によれば、切断工程後のシリコンウェーハ１の反りやうねりが除去されていない状態で面取りが行われるため、面取り工程直後は、シリコンウェーハ１の周方向の各位置で、上面取り幅Ａ1、下面取り幅Ａ2の値がばらつくとともに、上面取り幅Ａ1と下面取り幅Ａ2との差が大きく差がばらつく。
【００６２】
また、図６（ｃ）、（ｄ）からわかるように、シリコンウェーハ１の外周部１Ｒが不均一に研削されるため、面取り工程直後は、シリコンウェーハ１の周方向の各位置で、上面取り幅Ａ1、下面取り幅Ａ2の値がばらつくとともに、上面取り幅Ａ1と下面取り幅Ａ2との差が大きく差がばらつく（図８の比較例Ａ１、Ａ２参照）。
【００６３】
これに対して図７（ａ）、（ｂ）に示すように、本実施例によれば、ウェーハ面が平坦化された状態で、面取りが実施されるため、面取り工程後は、シリコンウェーハ１の周方向の各位置で、上面取り幅Ａ1、下面取り幅Ａ2の値が均一なものとなり、上面取り幅Ａ1と下面取り幅Ａ2との差が小さく、その差が均一でばらつきが少ないものとなる（図８の実施例Ａ１、Ａ２参照）。
【００６４】
以上のように本実施例によれば、シリコンウェーハ１の外周部１Ｒを保護部材としてのキャリア１３によって保護した状態で両面研削を行うようにしたため、両面研削加工を行うことで、シリコンウェーハ１の外周部１Ｒで欠けやチッピングが生じるようなことがない。また、ウェーハ取り出し工程では、シリコンウェーハ１の一方の面１ａに水を供給することによりシリコンウェーハ１の一方の面１ａをパッド１１から浮かせつつ、シリコンウェーハ１の他方の面１ｂを把持することによりキャリア１３からシリコンウェーハ１を取り出すようにしたので、搬出動作が行われることで、ウェーハ外周部１Ｒで欠けやチッピングが生じるようなことがない。しかも、本実施例によれば、両面研削工程後に面取り工程を実施しているため、ウェーハ外周部１Ｒでの面取り形状の悪化、ウェーハ周方向での面取り形状のバラツキをなくすことができる。
【００６５】
（第２実施例）
上述した第１実施例の両面研削工程を、シリコンウェーハ１の両面を粗研削する工程（第１次平面研削）として実施し、面取り工程後に、更にシリコンウェーハ１の両面を仕上げ研削する工程（第２次平面研削）を行うという実施も可能である。
【００６６】
本実施例によれば、粗研削によってシリコンウェーハ１の大まかな凹凸がすでに除去された状態で面取りが行われるため、面取り後にさらに仕上げ研削を行ったとしても、ウェーハ外周部１Ｒの面取り形状が損なわれることはない。
【００６７】
（第３実施例）
また第１実施例の面取り工程を、ウェーハ外周部１Ｒを本面取りする工程として実施し、両面研削工程の前に、シリコンウェーハ１の外周部１Ｒを粗面取りする工程を行うという実施も可能である。
【００６８】
本実施例によれば、粗面取りによって、シリコンウェーハ１の外周部１Ｒが大まかに面取りされるため、その後のウェーハ搬送時などにおいてウェーハ外周部１Ｒで欠けやチッピングが生じる可能性がきわめて低くなる。
【００６９】
なお、上述した説明では、流体供給手段１７は、水を供給するものとして説明したが、水以外の液体、空気、各種ガスなどの気体を供給するものであってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００７０】
シリコンウェーハのみならず他のガリウム砒素などの各種半導体ウェーハに面取り加工や両面研削加工を施す場合に本発明を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】図１（ａ）は、実施形態に使用される両面研削装置の構成を示す側面図で、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図２】図２（ａ）は、ハンドの構成図であり、図２（ｂ）、（ｃ）がキャリアからシリコンウェーハを取り出す状態を対比して示す図である。
【図３】図３（ａ）〜（ｆ）は、本発明の方法を実施したときのシリコンウェーハの断面を模式的に示したものである。
【図４】図４（ａ）〜（ｆ）は、比較例の方法を実施したときのシリコンウェーハの断面を模式的に示したものである。
【図５】図５は、シリコンウェーハの外周部の面取り形状を規定する上面取り幅、下面取り幅を説明する図である。
【図６】図６（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、図４に示す比較例の場合の面取り工程直後のシリコンウェーハの周方向各位置での上面取り幅の値、同じく比較例の場合の面取り工程直後のシリコンウェーハの周方向各位置での下面取り幅の値を、グラフで示す図で、図６（ｃ）、（ｄ）はそれぞれ、図４に示す比較例の場合の両面研削工程直後のシリコンウェーハの周方向各位置での上面取り幅の値、同じく比較例の場合の両面研削工程直後のシリコンウェーハの周方向各位置での下面取り幅の値を、グラフで示す図である。
【図７】図７（ａ）、（ｂ）はそれぞれ、実施例の場合の面取り工程直後のシリコンウェーハの周方向各位置での上面取り幅の値、同じく実施例の場合の面取り工程直後のシリコンウェーハの周方向各位置での下面取り幅の値を、グラフで示す図である。
【図８】図８は、比較例の場合の両面研削工程直後のシリコンウェーハの周方向各位置での上面取り幅の値のバラツキと中心値、下面取り幅の値のバラツキと中心値と、実施例の場合の面取り工程直後のシリコンウェーハの周方向各位置での上面取り幅の値のバラツキと中心値、下面取り幅の値のバラツキと中心値とを対比したグラフである。
【符号の説明】
【００７２】
１  シリコンウェーハ  １０  両面研削装置  １３  キャリア  １７  流体供給手段  １８  ハンド  １９  コントローラ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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