(57)【要約】【課題】  駆動用ＩＣ等といった半導体要素を基板上に実装する際に、その半導体要素の圧着ずれを確実に防止することができる電気光学装置を提供する。【解決手段】  複数の端子４８を備えた第１透光性基板１１ａと、端子４８に導電接続する複数のバンプ４９を備えると共にその第１透光性基板１１ａに実装される駆動用ＩＣ３と、第１透光性基板１１ａに設けられバンプ４９を端子４８へ向けてガイドするように突出するガイド部材４７とを有する液晶表示装置１である。ガイド部材４７は、複数の端子４８のうちの四隅にある端子４８のそれぞれの外側に設けられ、複数の端子４８を囲むＬ字形状に形成される。ガイド部材４７は駆動用ＩＣ３を第１透光性基板１１ａの実装領域Ｑに圧着する際にバンプ４９を端子４８に導くことができるので、圧着ずれを生じることなく駆動用ＩＣ３を第１透光性基板１１ａ上の実装領域Ｑに正確に実装できる。【選択図】        図６
2006133259.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の基板側端子を備えた基板と、
前記基板側端子に導電接続する複数の要素側端子を備えると共に前記基板に実装される半導体要素と、
前記基板に設けられ前記要素側端子を前記基板側端子へ向けてガイドするように突出するガイド部材と
を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１記載の電気光学装置において、前記ガイド部材は前記基板側端子の高さより高いことを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の電気光学装置において、前記ガイド部材は前記要素側端子の幅の５０％以上の幅を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１つに記載の電気光学装置において、前記ガイド部材は、前記複数の基板側端子の外側に設けられることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１つに記載の電気光学装置において、前記複数の基板側端子は複数列にわたって設けられ、それら複数の基板側端子のうちの四隅にあるもののそれぞれの外側に前記ガイド部材が設けられることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか１つに記載の電気光学装置において、前記ガイド部材は前記複数の基板側端子を囲むＬ字形に形成されることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか１つに記載の電気光学装置において、前記ガイド部材は前記複数の基板側端子が並ぶ方向に関して前記要素側端子をガイドすることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項１から請求項４のいずれか１つに記載の電気光学装置において、前記ガイド部材は前記複数の基板側端子を囲む無端の枠形状に設けられることを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれか１つに記載の電気光学装置において、前記基板上に設けられたスイッチング素子と、該スイッチング素子を覆うように前記基板上に設けられた絶縁層と、該絶縁層上に設けられ前記スイッチング素子に導電接続する電極とをさらに有し、前記ガイド部材は前記絶縁層と同じ材料によって形成されることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
請求項１から請求項８のいずれか１つに記載の電気光学装置において、前記基板は、特定の波長の光を通過させる着色要素と、該着色要素の上に設けられるオーバーコート材とを有し、前記ガイド部材は前記オーバーコート材と同じ材料によって形成されることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
複数の基板側端子を備えた基板と、
前記基板側端子に導電接続する複数の要素側端子を備えると共に前記基板に実装される半導体要素と、
前記基板に設けられ当該基板に対する前記要素側端子の位置を規制するガイド部材と
を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項１２】
複数の基板側端子を備えた基板と、
前記基板側端子に導電接続する複数の要素側端子を備えると共に前記基板に実装される半導体要素と、
前記基板に設けられ前記要素側端子を前記基板側端子へ向けてガイドするように突出するガイド部材と
を有することを特徴とする実装構造体。
【請求項１３】
基板の半導体要素実装領域に基板側端子を形成する基板側端子形成工程と、
前記半導体要素実装領域に対応させてガイド部材を形成するガイド部材形成工程と、
前記半導体実装領域の上に異方性導電膜を置く異方性導電膜載置工程と、
前記半導体要素実装領域に前記半導体要素を仮圧着する仮圧着工程と、
該仮圧着工程の後に前記半導体要素実装領域に前記半導体要素を本圧着する本圧着工程とを有し、
前記本圧着工程において前記ガイド部材は前記要素側端子を前記基板側端子へ向けてガイドする
ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の電気光学装置の製造方法において、前記基板上にスイッチング素子を形成するスイッチング素子形成工程と、該スイッチング素子形成工程の後に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、該絶縁層形成工程の後に電極を形成する電極形成工程とをさらに有し、前記ガイド部材形成工程は前記絶縁層形成工程と同じ工程であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１３または請求項１４記載の電気光学装置の製造方法において、前記基板上に着色要素を形成する着色要素形成工程を有し、該着色要素形成工程の後にオーバーコート材を形成するオーバーコート形成工程をさらに有し、前記ガイド部材形成工程は、前記オーバーコート形成工程と同じ工程であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１から請求項１１のいずれか１つに記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＣ等といった半導体要素を基板上に実装して成る実装構造体に関する。また、本発明は、液晶表示装置等といった電気光学装置に関する。また、本発明は、その電気光学装置を製造するための製造方法に関する。また、本発明は、その電気光学装置を用いて構成される電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、携帯電話機、携帯情報端末機等といった各種の電子機器において、液晶表示装置、ＥＬ装置等といった電気光学装置が広く用いられている。例えば、電子機器に関する各種の情報を視覚的に表示するための表示部として電気光学装置が用いられている。この電気光学装置において、電気光学物質として液晶を用いた装置、すなわち液晶表示装置が知られている。
【０００３】
上記の液晶表示装置は電気光学パネルとしての液晶パネルを有し、この液晶パネルは、例えば、それぞれが電極を備えた一対の基板の間に液晶層を介在させた構造を有する。この液晶表示装置では、液晶層に光を供給すると共に該液晶層に印加される電圧を画素ごとに制御することにより、液晶層内の液晶分子の配向を画素ごとに制御する。液晶層へ供給された光は、液晶分子の配向状態に従って変調され、この変調された光を偏光板の液晶側表面に供給することにより、その偏光板の観察側表面に文字、数字、図形等といった像が表示される。
【０００４】
この液晶表示装置においては、一対の基板の一方または両方に複数の配線が形成される。また、いずれか一方の基板上に半導体要素である駆動用ＩＣが実装される。これらの配線は、その一端が駆動用ＩＣに接続し、その他端が液晶層の内部へ延びて電極に接続する。そしてこれらの配線は、駆動用ＩＣから出力された信号を各電極に伝送する。基板上において駆動用ＩＣが実装される領域には、複数の配線の端子部分が配置される。これらの端子は、駆動用ＩＣを基板上に実装した際に駆動用ＩＣの出力端子、例えば出力バンプに接続する位置に形成される。駆動用ＩＣを、例えばＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）を用いて基板上に実装する場合には、基板上の端子と駆動用ＩＣのバンプとが、ＡＣＦに含まれる導電粒子によって互いに接続される。
【０００５】
上記のような液晶表示装置として、従来、ボンディングツールを用いて基板上に駆動用ＩＣを圧着して実装する実装技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。この実装技術では、基板の裏側に配線パターンが形成され、この配線パターンによって段差が生じている。この段差は上記の圧着の際に駆動用ＩＣに一定の圧力を付与することに関して悪影響を及ぼすおそれがあった。このことを解消するため、この従来の液晶表示装置では、配線のパターンと同じ面に段差を補償するための段差補償用パターン、すなわち突出する部材を設けている。
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−３２３８１８号公報（第４〜５頁、図５）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に開示された液晶表示装置においては、突出する部材を基板上に設けているものの、駆動用ＩＣを基板に圧着する際にその駆動用ＩＣが基板に対して位置ずれすることを防止することに関しては考慮されていなかった。そのため、駆動用ＩＣのバンプが基板上の端子からずれた状態で圧着されるおそれがあった。
【０００８】
また、従来、駆動用ＩＣを基板に圧着する際、駆動用ＩＣと基板とのそれぞれに設けた位置決め用のマークを利用することがある。例えば、駆動用ＩＣのマークを基準にして駆動用ＩＣの位置を確認し、基板側のマークを基準にして基板の位置を確認し、確認したそれらの位置に基づいて基板と駆動用ＩＣの位置合わせを行っている。このような場合においても、位置決め精度のバラツキ等によって駆動用ＩＣの位置ずれが生じるおそれがあった。
【０００９】
本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、駆動用ＩＣ等といった半導体要素を基板上に実装する際に、その半導体要素の圧着ずれを確実に防止することができる実装構造体、電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る第１の電気光学装置は、複数の基板側端子を備えた基板と、前記基板側端子に導電接続する複数の要素側端子を備えると共に前記基板に実装される半導体要素と、前記基板に設けられ前記要素側端子を前記基板側端子へ向けてガイドするように突出するガイド部材とを有することを特徴とする
【００１１】
上記の電気光学装置によれば、ガイド部材を基板上に設けたので、半導体要素を基板に圧着する際にガイド部材によって要素側端子を基板側端子に導くことができる。これにより、要素側端子を常に正確に基板側端子に対する所定位置に位置ずれすることなく置くことができる。この結果、圧着ずれを生じることなく半導体要素を基板上の実装領域に正確に実装できる。
【００１２】
次に、本発明に係る電気光学装置において、前記ガイド部材は前記基板側端子の高さより高いことが望ましい。こうすれば、半導体要素を基板に圧着する際、要素側端子は半導体要素が基板上の実装領域に置かれるより前にガイド部材によって基板側端子へ向けてガイドされる。従って、ガイド部材はその機能を確実に果たすことができる。
【００１３】
次に、本発明に係る電気光学装置において、前記ガイド部材は前記要素側端子の幅の５０％以上の幅を有することが望ましい。ここで言うガイド部材の幅と要素側端子の幅とは、それらの部材のうちの同じ方向の幅のことである。半導体要素を基板に圧着する際、仮に半導体要素の位置が基板上の実装位置に対してずれていても、そのずれ量は要素側端子の幅の５０％以上になることはないと考えられる。このため、ガイド部材が要素側端子の幅の５０％以上の幅を有していれば、ガイド部材は要素側端子を確実にガイドすることができる。
【００１４】
次に、本発明に係る電気光学装置において、前記ガイド部材は、前記複数の基板側端子の外側に設けられることが望ましい。前記複数の基板側端子は１列に並べられることも有るし、複数列に並べられることもある。前記ガイド部材を前記複数の基板側端子の外側に設ければ、半導体要素の全体をガイド部材によって確実にガイドできる。
【００１５】
次に、本発明に係る電気光学装置において、前記複数の基板側端子は前記基板上で複数列にわたって設けることができる。この場合には、半導体要素に設けられる複数の要素側端子も基板側端子の列に対応して複数列にわたって半導体要素上に設けられることになる。この場合には、半導体要素の平面的な形状が１列の場合に比べて大きくなると考えられる。上記のように複数の基板側端子が基板上で複数列にわたって設けられる場合、本発明のガイド部材は、それら複数の基板側端子のうちの四隅にあるもののそれぞれの外側に設けられることが望ましい。こうすれば、平面形状の大きな半導体要素の全体をガイド部材によって確実にガイドできる。
【００１６】
次に、本発明に係る電気光学装置において、前記ガイド部材は前記複数の基板側端子を囲むＬ字形状に形成されることが望ましい。複数の基板側端子は１列のこともあるし、複数列のこともある。このようにガイド部材をＬ字形状に形成すれば、ガイド部材は要素側端子を基板側端子の横方向および基板側端子の縦方向の両方向に関して同時にガイドを行うことができる。
【００１７】
以上のことを分かり易く説明するために、図面を用いて簡単に説明する。なお、本発明が図９の実施態様に限定されないことは、もちろんである。図９は半導体要素１０３を基板１１２上に実装する場合を示している。基板１１２上には複数の基板側端子１０２が２列にわたって設けられるものとする。これに対応して半導体要素１０３に設けられる要素側端子１０４も２列にわたって設けられている。基板１１２と半導体要素１０３とは、要素側端子１０４と基板側端子１０２との位置が合うように、互いに位置合わせされる。基板１１２と半導体要素１０３とがこのように構成される場合、ガイド部材１０１は複数の基板側端子１０２の外側に設けられることが望ましい。また、ガイド部材１０１は、２列にわたって設けられた複数の基板側端子１０２のうちの四隅にあるもののそれぞれの外側に配置されることが望ましい。また、ガイド部材１０１は、複数の基板側端子１０１を囲むようなＬ字形状に形成することが望ましい。
【００１８】
今、図９において、基板側端子１０２の横方向をＸとし、基板側端子１０２の縦方向をＹとする。ガイド部材１０２をＬ字形状でなく１本の線分形状に形成する場合であって、その線分形状のガイド部材１０２をＹ方向へ延びるように形成すれば、ガイド部材１０１は半導体要素１０３をＸ方向へ位置ずれしないようにガイドできる。また、線分形状のガイド部材１０２をＸ方向へ延びるように形成すれば、ガイド部材１０１は半導体要素１０３をＹ方向へ位置ずれしないようにガイドできる。
【００１９】
なお、線分形状のガイド部材１０１を複数の基板側端子１０２の四隅部分の外側に１つずつ、合計で４個設けるのであれば、それらの線分形状ガイド部材１０１がＸ方向へ延びる場合でも、あるいはＹ方向へ延びる場合でも、半導体要素１０３がθ方向へ回転してずれることを防止できる。また、ガイド部材１０１をＬ字形状に形成すれば、Ｘ方向、Ｙ方向、およびθ方向の全ての位置ずれを防止できる。
【００２０】
次に、本発明に係る電気光学装置において、前記ガイド部材は前記基板側端子の横方向、すなわち複数の基板側端子が並ぶ方向に関して前記要素側端子をガイドすることが望ましい。ここで、基板側端子の横方向とは、例えば図９のＸ方向である。基板側端子１０２はＸ方向における端子間の間隔が狭いので、半導体要素１０３の実装位置がＸ方向にずれた場合に導通不良や端子間の短絡が発生し易い。他方、縦方向、すなわちＹ方向においては、端子間の距離が長く、基板側端子１０２を長く形成することができるので、位置ずれに対して誤差の許容範囲を広くできる。従って、位置決め作業においてＹ方向にずれが生じても半導体要素１０３を基板１１２に実装する上で問題が生じることが少ないと考えられる。これらの理由から、図９のＸ方向に関してガイド部材によって要素側端子をガイドすることが望ましい。
【００２１】
次に、本発明に係る電気光学装置において、前記ガイド部材は前記複数の基板側端子を囲む無端の枠形状に設けることが望ましい。線分形状のガイド部材を複数の基板側端子の外側の四隅部分に設けるようにすれば、上記の通り、これらのガイド部材によって半導体要素を、基板側端子の横方向（例えば図９のＸ方向）、基板側端子の縦方向（例えば図９のＹ方向）、および回転方向（例えば図９のθ方向）の各方向に関してガイドできる。しかしながら、このような構成に代えて、ガイド部材を複数の基板側端子を囲む無端の枠形状に形成することにすれば、基板側端子の横方向、基板側端子の縦方向、および回転方向の各方向に関して半導体要素をガイド部材によってガイドする機能を、より一層有効に発揮できる。
【００２２】
また、ガイド部材を複数の基板側端子を囲む無端の枠形状に形成すれば、基板側端子から延びる配線をその枠形状のガイド部材によって部分的に覆うことができる。このようにガイド部材によって覆われる部分の配線に関しては、腐蝕が発生したり異物が付着することを防止できる。
【００２３】
次に、本発明に係る電気光学装置は、前記基板上に設けられたスイッチング素子と、該スイッチング素子を覆うように前記基板上に設けられた絶縁層と、該絶縁層上に設けられ前記スイッチング素子に導電接続する電極とをさらに有することができる。そしてこの場合、前記ガイド部材は前記絶縁層と同じ材料によって形成されることが望ましい。こうすれば、基板上に絶縁層を形成する際に、ガイド部材を同時に形成することができる。このように、ガイド部材と絶縁層とを同時に形成すれば、新たに製造工程を増やすことなくガイド部材を設けることができる。
【００２４】
次に、本発明に係る電気光学装置は、前記基板は特定の波長の光を通過させる着色要素と、該着色要素の上に設けられるオーバーコート材とを有し、前記ガイド部材は前記オーバーコート材と同じ材料によって形成されることが望ましい。こうすれば、基板上にオーバーコート材を形成する際に、ガイド部材を同時に形成することができる。このように、ガイド部材とオーバーコート材とを同時に形成すれば、新たに製造工程を増やすことなくガイド部材を設けることができる。
【００２５】
次に、本発明に係る第２の電気光学装置は、複数の基板側端子を備えた基板と、前記基板側端子に導電接続する複数の要素側端子を備えると共に前記基板に実装される半導体要素と、前記基板に設けられ当該基板に対する前記要素側端子の位置を規制するガイド部材とを有することを特徴とする。上記第１の電気光学装置において、ガイド部材は半導体要素を基板上に実装する際に、要素側端子を基板側端子へ向けてガイドする構成であった。これに対し第２の電気光学装置において、ガイド部材は、基板上における半導体要素の位置を規制するようになっている。
【００２６】
次に、本発明に係る実装構造体は、複数の基板側端子を備えた基板と、前記基板側端子に導電接続する複数の要素側端子を備えると共に前記基板に実装される半導体要素と、前記基板に設けられ前記要素側端子を前記基板側端子へ向けてガイドするように突出するガイド部材とを有することを特徴とする。
【００２７】
上記の実装構造体によれば、ガイド部材を基板上に設けたので、半導体要素を基板に圧着する際にガイド部材によって要素側端子を基板側端子に導くことができる。これにより、要素側端子を常に正確に基板側端子に対する所定位置に位置ずれすることなく置くことができる。この結果、圧着ずれを生じることなく半導体要素を基板上の実装領域に正確に実装できる。
【００２８】
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、基板の半導体要素実装領域に基板側端子を形成する基板側端子形成工程と、前記半導体要素実装領域に対応させてガイド部材を形成するガイド部材形成工程と、前記半導体実装領域の上に異方性導電膜を置く異方性導電膜載置工程と、前記半導体要素実装領域に前記半導体要素を仮圧着する仮圧着工程と、該仮圧着工程の後に前記半導体要素実装領域に前記半導体要素を本圧着する本圧着工程とを有する。前記本圧着工程において、前記ガイド部材は前記要素側端子を前記基板側端子へ向けてガイドすることを特徴とする。
【００２９】
上記の仮圧着工程は、半導体要素を基板上に確実に固定する前の段階であり、半導体要素を位置決めした後に、例えば本圧着より弱い圧力、且つ低い温度で圧着が行われる工程である。また、本圧着工程は、半導体要素を基板上にしっかりと固定するために、例えば必要な圧力と温度で圧着が行われる工程である。
【００３０】
上記の電気光学装置の製造方法によれば、ガイド部材形成工程においてガイド部材を形成したので、本圧着工程において半導体要素が押圧されたときに、要素側端子を基板側端子に導くことができる。これにより、要素側端子を常に正確に基板側端子に対する所定位置に位置ずれすることなく置くことができる。この結果、圧着ずれを生じることなく半導体要素を基板上の実装領域に正確に実装できる。
【００３１】
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記基板上にスイッチング素子を形成するスイッチング素子形成工程と、該スイッチング素子形成工程の後に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、該絶縁層形成工程の後に電極を形成する電極形成工程とをさらに有し、前記ガイド部材形成工程は前記絶縁層形成工程と同じ工程であることが望ましい。こうすれば、新たに工程を増やすことなくガイド部材を設けることができる。
【００３２】
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法において、前記基板上に着色要素を形成する着色要素形成工程を有し、該着色要素形成工程の後にオーバーコート材を形成するオーバーコート形成工程をさらに有し、前記ガイド部材形成工程は、前記オーバーコート形成工程と同じ工程であることが望ましい。こうすれば、新たに工程を増やすことなくガイド部材を設けることができる。
【００３３】
次に、本発明に係る電子機器は、以上に記載した構成の電気光学装置を有することを特徴とする。本発明に係る電気光学装置は、半導体要素の要素側端子をガイドするガイド部材を基板上に設けることにより、圧着ずれを生じることなく基板上の実装領域に半導体要素を正確に実装できるので、端子間における接触不良や短絡を防止できる。従って、本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器においても端子間における接触不良や短絡がない安定した表示を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
（実装構造体、電気光学装置及びその製造方法の第１実施形態）
以下、本発明を電気光学装置の一例である液晶表示装置に適用した場合を例に挙げて説明する。なお、これ以降に説明する実施形態は本発明の一例であって、本発明を限定するものではない。また、これからの説明では必要に応じて図面を参照するが、この図面では、複数の構成要素から成る構造のうち重要な構成要素をわかり易く示すため、各要素を実際とは異なった相対的な寸法で示している。
【００３５】
図１は、本発明に係る電気光学装置の一実施形態である液晶表示装置を示している。また、図２は、図１における１つの表示ドット近傍を拡大して示している。ここに挙げられた液晶表示装置は、２端子型のスイッチング素子であるＴＦＤ（Thin Film Diode）素子を用いたアクティブマトリクス方式であって、半透過反射型の液晶表示装置である。
【００３６】
図１において、本実施形態の液晶表示装置１は、液晶パネル２と、この液晶パネル２に実装された半導体要素としての駆動用ＩＣ３と、照明装置４とを有する。照明装置４は、矢印Ａが描かれている観察側から見て液晶パネル２の背面側に配設されてバックライトとして機能する。照明装置４は、液晶パネル２の観察側に配設してフロントライトとして機能させても良い。
【００３７】
照明装置４は、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等といった点状光源や、冷陰極管等といった線状光源等によって構成された光源６と、透光性の樹脂によって形成された導光体７とを有する。観察側から見て導光体７の背面側には、必要に応じて、光反射層８が設けられる。また、導光体７の観察側には、必要に応じて、光拡散層９が設けられる。導光体７の光入射面７ａは図１の紙面垂直方向に延びており、光源６から発生した光はこの光入射面７ａを通して導光体７の内部へ導入される。
【００３８】
液晶パネル２は、素子基板１１とカラーフィルタ基板１２とをシール材１３で貼り合わせることによって形成される。シール材１３は、矢印Ａ方向から見て正方形又は長方形、すなわち方形の環状に形成されている。素子基板１１とカラーフィルタ基板１２との間に形成されたセルギャップＧ（図２参照）内には電気光学物質としての液晶、例えばＴＮ液晶が封入されて液晶層１４が形成されている。
【００３９】
図１において、素子基板１１は第１の透光性の基板１１ａを有する。この第１透光性基板１１ａは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成されており、その１辺がカラーフィルタ基板１２の外側へ張り出して張出し部１７を形成している。この張出し部１７上には、駆動用ＩＣ３がＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）５を用いて実装される。
【００４０】
第１透光性基板１１ａの外側表面には、位相差板１５ａ及び偏光板１６ａが貼着等によって装着される。他方、第１透光性基板１１ａの内側表面には、図２に示すように、ライン配線１８が形成される。このライン配線１８は図２の左右方向に延びている。そして、スイッチング素子として機能する非線形抵抗素子である複数のＴＦＤ素子１９がそのライン配線１８に接続して形成される。さらに、それらのＴＦＤ素子１９およびライン配線１８を覆うように絶縁層としてのオーバーレイヤ２１が形成され、このオーバーレイヤ２１上に複数のドット電極２８ａが形成される。ドット電極２８ａは、例えばＩＴＯ等といった金属酸化物によって形成される。
【００４１】
各ドット電極２８ａの間には複数のフォトスペーサ２０が形成される。このフォトスペーサ２０は、例えば、感光性樹脂をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることによって形成する。フォトスペーサ２０は、立った状態の円柱形状に形成されており、セルギャップＧが均一な寸法を維持するように機能する。また、フォトスペーサ２０はギャップ材と呼ばれることがある。
【００４２】
フォトスペーサ２０およびドット電極２８ａの上には配向膜２９ａが形成される。この配向膜２９ａは、例えばポリイミド等によって形成される。配向膜２９ａには配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、素子基板１１の近傍における液晶分子の初期配向が決められる。
【００４３】
図３に示すように、オーバーレイヤ２１は、例えばアクリル樹脂等の透光性を有した絶縁材料によってライン配線１８およびＴＦＤ素子１９を覆うように形成される。このオーバーレイヤ２１上にはドット電極２８ａが形成されている。このオーバーレイヤ２１には、ドット電極２８ａとＴＦＤ素子１９とを電気的に接続するためのコンタクトホール２２が形成される。このコンタクトホール２２は、ＴＦＤ素子１９とは重ならない位置であって、ドット電極２８ａと平面的に重なる位置に形成する。また、ＴＦＤ素子１９は、２つのＴＦＤ要素である第１ＴＦＤ要素１９ａと第２ＴＦＤ要素１９ｂとを直列に接続することによって、いわゆるバック・ツー・バック（Back-to-Back）構造として形成されている。
【００４４】
ＴＦＤ素子１９は、例えば次のようにして形成される。すなわち、まず、Ｔａ（タンタル）またはＴａ合金によってライン配線１８の第１層３１及びＴＦＤ素子１９の第１電極３４を形成する。次に、陽極酸化処理によってライン配線１８の第２層３２及びＴＦＤ素子１９の絶縁膜３５を形成する。次に、例えばＣｒによってライン配線１８の第３層３３及びＴＦＤ素子１９の第２電極３６を形成する。そして、このように形成したＴＦＤ素子１９を覆うようにオーバーレイヤ２１を形成する。
【００４５】
第１ＴＦＤ要素１９ａの第２電極３６はライン配線１８の第３層３３から延びている。
オーバーレイヤ２１を、例えばフォトリソグラフィ処理によって形成する際、コンタクトホール２２を第２ＴＦＤ要素１９ｂの第２電極３６の先端の直上に形成する。そして、オーバーレイヤ２１を挟んでＴＦＤ素子１９の反対側にドット電極２８ａが形成され、コンタクトホール２２を通してドット電極２８ａと第２電極３６とが導通する。
【００４６】
上記のように、ドット電極２８ａの下にオーバーレイヤ２１を設けることにより、ドット電極２８ａの層とＴＦＤ素子１９の層とを別の層に分けている。この構造は、ドット電極２８ａとＴＦＤ素子１９とを同じ層に形成する構造に比べて、図１の素子基板１１上の表面を有効に活用できる。例えば、ドット電極２８ａの面積、すなわち画素面積を大きくすることができるので、液晶表示装置１において表示を見やすくできる。
【００４７】
なお、図３の第１電極３４等が第１透光性基板１１ａから剥れることを防止したり、第１透光性基板１１ａから第１電極３４等へ不純物が拡散しないようにする等のために、ＴＦＤ素子１９と第１透光性基板１１ａとの間及びライン配線１８と第１透光性基板１１ａとの間に下地層３７を設けることもできる。
【００４８】
図１において、素子基板１１に対向するカラーフィルタ基板１２は、観察側から見て長方形又は正方形の第２の透光性の基板１２ａを有する。この第２透光性基板１２ａは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。また、この第２透光性基板１２ａの外側表面には、位相差板１５ｂ及び偏光板１６ｂが、それぞれ、貼着等によって装着される。
【００４９】
図２において、第２透光性基板１２ａの内側表面には、樹脂層２３が形成され、その上に反射層２４が形成され、その上に複数の着色要素２５およびそれらを取り囲む遮光部材２６が形成され、その上にオーバーコート層２７が形成され、その上に紙面垂直方向へ直線的に延びる複数の帯状電極２８ｂが形成され、さらにその上に配向膜２９ｂが形成される。配向膜２９ｂには配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、カラーフィルタ基板１２の近傍における液晶分子の初期配向が決められる。
【００５０】
上記の樹脂層２３の表面には凹凸形状が形成されている。このため、その樹脂層２３上に積層された反射層２４は同じ凹凸形状を有する。この凹凸形状により、反射層２４で反射する光は拡散する。この反射層２４は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｌ合金等によって形成される。なお、樹脂層２３の表面に形成する凹凸形状を滑らかにしたい場合には、樹脂層２３を第１層及び第２層の２層構造によって形成し、第１層の表面に粗い凹凸形状を形成し、そしてその上に第２層を積層して凹凸形状を滑らかにするという方法を用いることもできる。
【００５１】
着色要素２５は、例えば、１つ１つが矢印Ａ方向から見て長方形のドット状に形成され、１つの着色要素２５は、Ｂ（青）、Ｇ（緑）、Ｒ（赤）の３原色のいずれか１つの光を通す材料によって形成されている。これら各色の着色要素２５は、矢印Ａ方向から見てストライプ配列、デルタ配列、モザイク配列、その他適宜の配列となるように並べられている。なお、着色要素２５は、Ｃ(シアン)、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ(イエロー)の３原色によって形成することもできる。
【００５２】
遮光部材２６は、例えばＣｒ（クロム）等といった遮光性の材料によって、複数の着色要素２５の間を埋める状態に形成される。この遮光部材２６は、ブラックマスクとして機能して着色要素２５を透過した光によって表示される像のコントラストを向上させる。なお、遮光部材２６は、Ｃｒ等といった特定の材料によって形成されることに限られず、例えば、着色要素２５を構成するＢ，Ｇ，Ｒの各着色要素を重ねること、すなわち積層することによっても形成することができる。
【００５３】
オーバーコート層２７は、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等といった感光性の樹脂によって形成される。図２の紙面垂直方向に帯状に延びる複数の電極２８ｂは、例えばＩＴＯ等といった金属酸化物によって形成される。また、その上に形成された配向膜２９ｂは、例えばポリイミド等によって形成される。
【００５４】
図４は、図１の液晶表示装置１を矢印Ａ方向から見た場合であって、第１透光性基板１１ａの図示を省略した状態の液晶表示装置１の平面構造を示している。なお、図４は、主に電極及び配線を示しており、それ以外の要素は図示を省略している。
【００５５】
図４に示すように、素子基板１１に設けられる複数の直線状のライン配線１８は全体としてストライプ状に設けられている。また、複数のＴＦＤ素子１９は個々のライン配線１８に適宜の間隔をおいて接続され、それらのＴＦＤ素子１９にドット電極２８ａが接続されている。図４では、ライン配線１８を少ない本数で模式的に描いてあるが、実際には多数本、例えば２４０本程度が形成される。
【００５６】
また、ＴＦＤ素子１９及びドット電極２８ａはシール材１３の四隅部分に対応するものだけを部分的に示してあるが、実際には、シール材１３によって囲まれる領域内の全域に設けられる。また、ＴＦＤ素子１９及びドット電極２８ａは、模式的に大きく描かれているため、数が少ないように描かれているが、実際には図４の縦方向、すなわち上下方向の１列に、それぞれ、例えば３２０個程度形成されている。つまり、ドット電極２８ａは、例えば、縦×横＝３２０×２４０個の数だけ設けられている。
【００５７】
図１において素子基板１１に対向するカラーフィルタ基板１２に設けられる複数の帯状電極２８ｂは、図４に示すように、全体としてストライプ状に形成されている。これらの帯状電極２８ｂは、カラーフィルタ基板１２と素子基板１１とをシール材１３によって貼り合わせたとき、ライン配線１８に対して直角の方向に延び、さらに、横列を成す複数のドット電極２８ａに平面的に重なり合う。このように、帯状電極２８ｂとドット電極２８ａとが重なり合う領域が、表示の最小単位である表示ドット領域を構成する。この表示ドット領域は図１および図２において符号Ｄで示す領域である。複数の表示ドット領域Ｄが縦方向及び横方向に複数個、マトリクス状に並べられた領域が表示領域Ｖである。この表示領域Ｖに文字、数字、図形等といった像が表示される。
【００５８】
図２において、反射層２４には個々の表示ドット領域Ｄに対応して開口３８が設けられる。これらの開口３８は、観察側から平面的に見て長方形状に形成されている。個々の表示ドット領域Ｄの中で反射層２４が設けられた部分Ｒが反射部であり、開口３８が形成された部分Ｔが透過部である。観察側から入射した外部光、すなわち素子基板１１側から入射した外部光Ｌｏは、反射部Ｒで反射する。一方、図１の照明装置４の導光体７から出射した光Ｌｓは、透過部Ｔを透過する。
【００５９】
また、本実施形態のように、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色から成る着色要素２５を用いてカラー表示を行う場合は、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色に対応する３つの着色要素２５に対応する３つの表示ドット領域Ｄによって１つの画素が形成される。他方、白黒又は任意の１色でモノカラー表示を行う場合は、１つの表示ドット領域Ｄによって１つの画素が形成される。
【００６０】
図４において、素子基板１１を構成する第１透光性基板１１ａの張出し部１７上に実装される駆動用ＩＣ３は、走査信号を出力する駆動用ＩＣ３と、データ信号を出力する駆動用ＩＣ３とによって構成されている。第１透光性基板１１ａの第１辺１１ｃすなわち入力側の辺には外部接続用端子３９が形成され、これらの端子３９は駆動用ＩＣ３及び３ｂの入力用端子につながる。
【００６１】
外部接続用端子３９には、図示しない配線基板、例えば可撓性配線基板が、ハンダ付け、ＡＣＦ、ヒートシール等といった導電接続手法によって接続される。この配線基板を介して、電子機器、例えば携帯電話機、携帯情報端末機から液晶表示装置１へ信号、電力等が供給される。
【００６２】
また、この第１辺１１ｃに隣接する２つの辺１１ｄ及び１１ｅの近傍に、それらの辺に沿って複数の配線４５が形成されている。これらの配線４５は、駆動用ＩＣ３に備えられた要素側端子としての出力用端子から出てシール材１３を横切り、さらに、第１辺１１ｃに対向する第２辺１１ｆへ向かって延びている連続した配線である。これらの配線４５は、シール材１３の中に含まれる導通材４６を介してカラーフィルタ基板１２の帯状電極２８ｂに接続している。また、素子基板１１上に形成されたライン配線１８は、シール材１３を横切って駆動用ＩＣ３の実装領域Ｑまで延びている。
【００６３】
図５は、図４の液晶表示装置１の電気的な等価回路を示している。図５において、複数本の走査線４１が行方向Ｘに延びるように形成され、さらに、複数本のデータ線４２が列方向Ｙに延びるように形成されている。走査線４１は図４の帯状電極２８ｂによって実現され、データ線４２は図４のライン配線１８によって実現される。表示用ドット領域Ｄは走査線４１とデータ線４２との各交差部分に形成される。各表示用ドット領域Ｄにおいては、液晶層１４と、ＴＦＤ素子１９とが直列に接続されている。
【００６４】
本実施形態では、液晶層１４が走査線４１の側に接続され、ＴＦＤ素子１９がデータ線４２の側に接続されている。各走査線４１は、走査線駆動回路４３によって駆動される。一方、各データ線４２は、データ線駆動回路４４によって駆動される。走査線駆動回路４３およびデータ線駆動回路４４は、図４の駆動用ＩＣ３によって構成される。本実施形態では、図４に示すように、駆動用ＩＣ３を３個設置している。そして、３個の駆動用ＩＣ３のうちの１個を図５のデータ線駆動回路４４に割り当て、他の２個を走査線駆動回路４３に割り当てている。これに代えて、１個の駆動用ＩＣによって走査線駆動回路４３およびデータ線駆動回路４４の両駆動回路を賄うこともできる。
【００６５】
以上のように構成された液晶表示装置１によれば、図１において、液晶表示装置１が明るい室外や明るい室内に置かれる場合は、太陽光や室内光等といった外部光を用いて反射型の表示が行われる。一方、液晶表示装置１が暗い室外や暗い室内に置かれる場合は、照明装置４をバックライトとして用いて透過型の表示が行われる。
【００６６】
反射型表示を行う場合、図２において、観察側である矢印Ａの方向から素子基板１１を通して液晶パネル２内へ入射した外部光Ｌｏは、液晶層１４を通過してカラーフィルタ基板１２内へ入った後、反射部Ｒにおいて反射層２４で反射して再び液晶層１４へ供給される。他方、透過型表示を行う場合、図１の照明装置４の光源６が点灯し、それからの光が導光体７の光入射面７ａから導光体７へ導入され、さらに、光出射面７ｂから面状の光として出射する。この出射光は、図２の符号Ｌｓで示すように透過部Ｔにおいて開口３８を通って液晶層１４へ供給される。
【００６７】
以上のようにして液晶層１４へ光が供給される間、素子基板１１側のドット電極２８ａとカラーフィルタ基板１２側の帯状電極２８ｂとの間には、走査信号およびデータ信号によって特定される所定の電圧が印加され、これにより、液晶層１４内の液晶分子の配向がＴＮ構造と垂直配向との間で表示用ドット領域Ｄごとに制御され、この結果、液晶層１４に供給された光が表示用ドット領域Ｄごとに変調される。この変調された光が、素子基板１１側の偏光板１６ａ（図１参照）を通過するとき、その偏光板１６ａの偏光特性に従って表示用ドット領域Ｄごとに通過を許容または通過を阻止され、これにより、素子基板１１の表面に文字、数字、図形等といった像が表示され、これが、矢印Ａ方向から視認される。
【００６８】
以下、本実施形態における液晶表示装置で用いる実装構造体について詳しく説明する。図６は、図４に示す第１透光性基板１１ａの張出し部１７上における駆動用ＩＣ３の実装領域Ｑの近傍を示している。図６（ａ）は図１の観察側の反対側から平面的に見た図である。なお、図６（ａ）は、主に第１透光性基板１１ａの張出し部１７上に形成された配線および端子を示しており、ＡＣＦ５を破線で示し、駆動用ＩＣ３を鎖線で示している。また、図６（ｂ）は、実装構造部分を図４の辺１１ｃ側から見た側面図である。また、駆動用ＩＣ３の実装構造をわかり易く示すためにＡＣＦ５を破線で示している。ここで、図６（ａ）および図６（ｂ）では、張出し部１７上に実装された１つの駆動用ＩＣ３についての実装領域Ｑの構造を例示している。また、図７は、図６（ａ）に示すガイド部材４７のうちの１つの近傍を示している。
【００６９】
図６（ａ）に示すように、それぞれの外部接続用端子３９から駆動用ＩＣ３の実装領域Ｑの中へ延びた先端部分には、基板側端子としての端子４８が形成される。また、それぞれの配線４５の先端部分にも基板側端子としての端子４８が形成される。そして駆動用ＩＣ３は、要素側端子としての複数のバンプ４９を有する。図６（ｂ）に示すように、駆動用ＩＣ３を張出し部１７上に実装する場合、端子４８とバンプ４９とが、ＡＣＦ５に含まれる導電粒子５ａによって互いに接続される。
【００７０】
図６（ａ）において、張出し部１７上には複数、本実施形態では４つのガイド部材４７が設けられている。これらのガイド部材４７は、位置的にみて、駆動用ＩＣ３が実装された状態のときにその駆動用ＩＣ３の四隅に対応して設けられている。また、これらのガイド部材４７は、実装領域Ｑ内に２列にわたって設けられた複数の端子４８のうちの四隅に位置する４つの端子４８のそれぞれの外側に位置するように設けられている。また、これらのガイド部材４７は、それぞれが、複数の端子４８を囲むようなＬ字形状に形成されている。
【００７１】
図７に示すように、Ｌ字形に形成されたガイド部材４７において、配線４５が延びる方向にある１辺部分４７ａの幅をＷ０とする。また、バンプ４９において、配線４５が延びる方向の幅をＷ１とする。本実施形態において、配線４５が延びる方向にあるガイド部材４７の１辺部分４７ａの幅Ｗ０は、バンプ４９の幅Ｗ１の５０％以上の幅に形成されている。
【００７２】
また、ガイド部材４７は図６（ｂ）に示すように、張出し部１７上の端子４８の高さより高く形成されている。そしてさらに、ガイド部材４７は、端子４８とバンプ４９とがＡＣＦ５の導通粒子５ａを挟んで接触している状態でバンプ４９まで届く高さ以上に形成されることが望ましい。このガイド部材４７は、例えばアクリル樹脂等の絶縁材料によって形成できる。
【００７３】
上記のように、ＡＣＦ５を用いて駆動用ＩＣ３を張出し部１７上に実装する場合には、例えばボンディングツールを含んだ圧着機械を用いて熱圧着が行われる。具体的には、張出し部１７上に予めＡＣＦ５を貼り付けておき、そして、圧着機械によって、張出し部１７上のＩＣ実装領域Ｑに合わせて駆動用ＩＣ３を載置する。その後、圧着機械はＡＣＦ５を加熱しながら駆動用ＩＣ３所定の圧力で張出し部１７に押圧する。
【００７４】
ところで、駆動用ＩＣ３を第１透光性基板１１ａ上の実装領域Ｑに載置する場合には、
駆動用ＩＣ３と第１透光性基板１１ａとのそれぞれに設けた位置決め用のマークを利用することがある。例えば、駆動用ＩＣ３のマークを基準にして駆動用ＩＣ３の位置を確認し、第１透光性基板１１ａ側のマークを基準にして第１透光性基板１１ａの位置を確認し、確認したそれらの位置に基づいて第１透光性基板１１ａと駆動用ＩＣ３の位置合わせを行っている。このような場合には、位置決め精度のバラツキ等によって駆動用ＩＣ３の位置ずれが生じるおそれがあった。
【００７５】
このことに関し、本実施形態では、図６（ａ）および図６（ｂ）に示したように、張出し部１７のＩＣ実装領域Ｑにガイド部材４７を設けた。これらのガイド部材４７は、駆動用ＩＣ３を第１透光性基板１１ａに圧着する際、駆動用ＩＣ３が圧着機械によって押圧されたときに、駆動用ＩＣ３のバンプ４９を第１透光性基板１１ａの端子４８に導くことができる。これにより、バンプ４９は端子４８に対する所定位置に位置ずれすることなく配置される。こうして、圧着ずれを生じることなく駆動用ＩＣ３を第１透光性基板１１ａ上の実装領域に正確に実装できる。
【００７６】
また、図６（ｂ）に示すように、ガイド部材４７の高さは端子４８の高さより高くなっている。こうすれば、駆動用ＩＣ３を第１透光性基板１１ａに圧着する際、バンプ４９は端子４８に接触するより前にガイド部材４７によって端子４８へ向けてガイドされる。従って、ガイド部材４７はその機能を確実に果たすことができる。
【００７７】
また、図７に示すように、ガイド部材４７の配線４５と平行の方向の線状の一辺部分４７ａの幅Ｗ０はバンプ４９の縦方向の幅Ｗ１の５０％以上に形成した。駆動用ＩＣ３を第１透光性基板１１ａに圧着する際、仮に駆動用ＩＣ３の位置が第１透光性基板１１ａの実装領域に対してずれる場合であっても、実装工程における許容寸法誤差を考慮すれば、そのずれ量はバンプ４９の幅Ｗ１の５０％以上になることはないと考えられる。このため、ガイド部材４７の幅Ｗ０がバンプ４９の幅Ｗ１に対して５０％以上であれば、ガイド部材４７はバンプ４９を確実にガイドすることができる。
【００７８】
また、ガイド部材４７は、図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように、複数の端子４８のうちの四隅にある端子４８のそれぞれの外側に複数の端子４８を囲むＬ字形状に形成されている。これにより、駆動用ＩＣ３を第１透光性基板１１ａ上に実装する際、駆動用ＩＣ３の一辺部分と平行の方向、例えば図６（ａ）のＸ方向に関して駆動用ＩＣ３をガイドできる。また、前記一辺部分に直交する方向、例えば図６（ａ）のＹ方向に関しても駆動用ＩＣ３をガイドできる。また、駆動用ＩＣ３が回転する方向、例えば図６（ａ）のθ方向に関しても駆動用ＩＣ３をガイドできる。これにより、バンプ４９は、端子４８に対して位置がずれることなく配置され、導電粒子５ａを介して確実に端子４８に接触できる。つまり、圧着ずれを生じることなく第１透光性基板１１ａ上の実装領域Ｑに駆動用ＩＣ３を正確に実装できる。
【００７９】
また、ガイド部材４７は、例えばアクリル樹脂等の絶縁材料で形成される。特に、本実施形態では、このアクリル樹脂は、図３のオーバーレイヤ２１を形成する材料と同じである。つまり、素子基板１１上にオーバーレイヤ２１を形成する際に、図６のガイド部材４７を同時に形成することができる。このように、ガイド部材４７とオーバーレイヤ２１とを同時に形成すれば、新たに製造工程を増やすことなくガイド部材４７を設けることができる。
【００８０】
次に、図１０を用いて、図１の液晶表示装置１を製造するための製造方法について説明する。図１０の工程Ｐ１〜工程Ｐ７に至る工程は図１の素子基板１１を形成する工程である。また、工程Ｐ１１〜工程Ｐ１８に至る工程は図１のカラーフィルタ基板１２を形成する工程である。また、工程Ｐ２１〜工程Ｐ２９に至る工程はそれらの基板を貼り合わせて製品である液晶表示装置を形成する工程である。
【００８１】
なお、本実施形態では、図１に示す素子基板１１およびカラーフィルタ基板１２を１つずつ形成するのではなく、素子基板１１に関しては、複数の素子基板１１を形成できる大きさの面積を有する素子側マザー透光性基板の上に素子基板１１の複数個分の要素を同時に形成するものとする。また、カラーフィルタ基板１２に関しては、複数のカラーフィルタ基板１２を形成できる大きさの面積を有するカラーフィルタ側マザー透光性基板の上にカラーフィルタ基板１２の複数個分の要素を同時に形成するものとする。素子側マザー透光性基板およびカラーフィルタ側マザー透光性基板は、例えば、透光性ガラス、透光性プラスチック等によって形成される。
【００８２】
まず、図１０の工程Ｐ１において、素子側マザー透光性基板の表面にスイッチング素子である図３のＴＦＤ素子１９、図４の配線１８、配線４５、および図６の端子４８を同時に形成する。なお、配線１８および配線４５の第１層３１は、ＴＦＤ素子１９の第１電極３４と同時に、例えばＴａによって形成する。また、配線１８および配線４５の第２層３２は、陽極酸化処理によってＴＦＤ素子１９の絶縁膜３５と同時に形成する。また、配線１８および配線４５の第３層３３は、ＴＦＤ素子１９の第２電極３６と同時に、例えばＣｒによって形成する。
【００８３】
次に、工程Ｐ２において、絶縁層である図３のオーバーレイヤ２１を、ポジ型感光性樹脂材料によって第１透光性基板１１ａ上に形成し、同時に、図６のガイド部材４７を同じ材料によって形成する。このとき、図３のオーバーレイヤ２１の適所にコンタクトホール２２も形成される。次に、工程Ｐ３において、図３のドット電極２８ａをＩＴＯを材料としてフォトエッチング処理、すなわち、フォトリソグラフィ処理とエッチング処理との組み合せから成る処理によって形成する。このとき、コンタクトホール２２においてドット電極２８ａとＴＦＤ素子１９の第２電極３６との導通がとられる。
【００８４】
次に、工程Ｐ４において、図２のフォトスペーサ２０が、例えば、ネガ型感光性樹脂材料を材料としてフォトリソグラフィ処理によって形成され、さらに工程Ｐ５において図２の配向膜２９ａが、例えばポリイミドを印刷することによって形成される。次に、工程Ｐ６において、配向膜２９ａにラビング処理が施され、さらに工程Ｐ７において、図１のシール材１３が、例えばエポキシ系樹脂を印刷することによって形成される。以上により、素子側マザー透光性基板の上に素子基板１１の複数個分の要素が形成されて大面積の素子側マザー基板が形成される。
【００８５】
次に図１０の工程Ｐ１１において、カラーフィルタ側マザー透光性基板の表面上に図２の樹脂層２３を、例えば感光性レジスト材料を材料としてフォトリソグラフィ処理によって形成する。この処理の際に、平面内でランダムに分布する多数の窪みまたは突起によって形成される凹凸パターンが樹脂層２３の表面に形成される。
【００８６】
次に、図１０の工程Ｐ１２において、図２の反射層２４を、例えばＡｌやＡｌ合金等を材料としてフォトエッチング処理によって形成する。このとき、表示用ドット領域Ｄごとに開口３８を形成することにより、光反射部Ｒと透光部Ｔを形成する。樹脂層２３の表面には凹凸パターンが形成されているので、その上に積層された反射層２にも同じ凹凸パターンが形成され、その反射層２４に光が当たって反射する場合には、その反射光は散乱光となる。
【００８７】
次に、工程Ｐ１３において、図２の遮光部材２６を、例えばＣｒを材料としてフォトエッチング処理によって所定のパターン（例えば、複数の表示用ドット領域Ｄの周りを埋めるような格子状パターン）に形成する。次に、工程Ｐ１４において、図２の着色要素２５を形成する。着色要素２５については、Ｂ，Ｇ，Ｒの各色ごとに順々に形成する。例えば、各色の顔料や染料を感光性樹脂に分散させて成る着色材料をフォトリソグラフィ処理によって所定の配列に形成する。次に、工程Ｐ１５において、図２のオーバーコート層２７を、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等といった感光性樹脂を材料としてフォトリソグラフィ処理によって形成する。
【００８８】
次に、図１０の工程Ｐ１６において、図２の帯状電極２８ｂをＩＴＯを材料としてフォトエッチング処理によって形成し、さらに工程Ｐ１７において図２の配向膜２９ｂを形成し、さらに工程Ｐ１８において、配向処理としてのラビング処理を行う。以上により、カラーフィルタ側マザー透光性基板の上にカラーフィルタ基板１２の複数個分の要素が形成されて大面積のカラーフィルタ側マザー基板が形成される。
【００８９】
その後、図１０の工程Ｐ２１において、素子側マザー基板とカラーフィルタ側マザー基板とを貼り合わせる。これにより、素子側マザー基板とカラーフィルタ側マザー基板とが個々の液晶表示装置の領域において図１のシール材１３を挟んで貼り合わされた構造の大面積のパネル構造体が形成される。
【００９０】
次に、以上のようにして形成された大面積のパネル構造体に含まれるシール材１３を、工程Ｐ２２において熱硬化または紫外線硬化によって硬化させて両マザー基板を接着して大面積のパネル構造体を形成する。次に、工程Ｐ２３において、そのパネル構造体を１次切断、すなわち１次ブレイクして、図１の液晶パネル２の複数が１列に並んだ状態で含まれる中面積のパネル構造体、いわゆる短冊状のパネル構造体を複数形成する。シール材１３には予め適所に開口が形成されており、上記の１次ブレイクによって短冊状のパネル構造体が形成されると、そのシール材１３の開口が外部に露出する。
【００９１】
次に、図１０の工程Ｐ２４において、上記のシール材１３の開口を通して各液晶パネル部分の内部へ液晶を注入し、その注入の完了後、その開口を樹脂によって封止する。次に工程Ｐ２５において、２回目の切断、すなわち２次ブレイクを行い、短冊状のパネル構造体から図１に示す個々の液晶パネル２を切り出す。
【００９２】
次に、図１０の工程２６において、図１の駆動用ＩＣ３を実装するための仮圧着を行う。この仮圧着は、駆動用ＩＣ３を基板上に確実に固定する前の段階である。ここでは、アライメント装置で駆動用ＩＣ３の基板に対する位置決めを行った後に、次の工程で行う本圧着に比べて弱い圧着力および低い温度で圧着を行う。次に、図１０の工程Ｐ２７において、図１の駆動用ＩＣ３を実装するための本圧着を行う。この本圧着は、駆動用ＩＣ３を基板上に最終的に固定するために必要な圧着力と温度で圧着を行う。
【００９３】
本実施形態において、仮圧着は、温度４０度〜５０度、押圧時間２秒〜３秒、押圧力１００ｇｆ〜４５０ｇｆの条件で行われる。また、本圧着は、温度２５０度〜２７０度、押圧時間１０秒、押圧力６ｋｇｆ〜９ｋｇｆの条件で行われる。なお、本圧着における押圧力は、圧着する駆動用ＩＣ３の大きさ、または圧着する駆動用ＩＣ３のバンプ４９の大きさによって異なる。これにより、駆動用ＩＣ３が備える複数のバンプ４９の１個あたりの押圧力を等しくすることができる。
【００９４】
次に、工程Ｐ２８において、図１の液晶パネル２に位相差板１５ａ，１５ｂおよび偏光板１６ａ，１６ｂを貼着によって装着する。さらに工程Ｐ２９において、図１の照明装置４を液晶パネル２に取付ける。これにより、液晶表示装置１が完成する。
【００９５】
以上のように、本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法においては、図１０の工程Ｐ２において図６のガイド部材４７を形成した。これにより、図１０の工程Ｐ２７のＩＣを本圧着する工程において、図６の駆動用ＩＣ３が第１透光性基板１１ａに押圧されたときに、バンプ４９を端子４８に導くことができる。その結果、バンプ４９は、端子４８に対して位置がずれることなく所定の位置に常に正確に配置され、導電粒子５ａを介して確実に端子４８に接触できる。つまり、圧着ずれを生じることなく第１透光性基板１１ａ上の実装領域Ｑに駆動用ＩＣ３を正確に実装できる。
【００９６】
また、図１０の工程Ｐ２において、図６のガイド部材４７と図２のオーバーレイヤ２１とを同時に形成した。これにより、新たに工程を増やすことなく図６のガイド部材４７を設けることができる。
【００９７】
（実装構造体、電気光学装置及びその製造方法の第２実施形態）
以下、本発明に係る電気光学装置及びその製造方法を、スイッチング素子としてアモルファスシリコンＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子を用いるアクティブマトリクス方式であって、透過型であって、さらにカラー表示が可能である液晶表示装置に適用した場合を例に挙げて説明する。なお、本発明がその実施形態に限定されるものでないことは、もちろんである。また、図１に示した液晶表示装置１で用いられる要素と同じ要素については、説明の重複を避けるために詳しい説明を省略する。
【００９８】
図１１において、本実施形態の液晶表示装置５１は、液晶パネル５２と、この液晶パネル５２に実装された半導体要素としての駆動用ＩＣ５３と、照明装置５４とを有する。照明装置５４は、矢印Ａが描かれている観察側から見て液晶パネル５２の背面側に配設されてバックライトとして機能する。
【００９９】
照明装置５４は、ＬＥＤ等といった点状光源や、冷陰極管等といった線状光源等によって構成された光源５６と、透光性の樹脂によって形成された導光体５７とを有する。観察側から見て導光体５７の背面側には、必要に応じて、反射層５８が設けられる。また、導光体５７の観察側には、必要に応じて、拡散層５９が設けられる。導光体５７の光入射面５７ａは図１１の紙面垂直方向に延びており、光源５６から発生した光はこの光入射面５７ａを通して導光体５７の内部へ導入される。照明装置５４は、矢印Ａが描かれている観察側から見て液晶パネル５２の背面側に配設されてバックライトとして機能する。
【０１００】
液晶パネル５２は、素子基板６１とカラーフィルタ基板６２とをシール材６３で貼り合わせることによって形成される。シール材６３は、矢印Ａ方向から見て正方形又は長方形、すなわち方形の環状に形成されている。素子基板６１とカラーフィルタ基板６２との間に形成されたセルギャップ内には電気光学物質としての液晶、例えばＴＮ液晶が封入されて液晶層６４が形成されている。セルギャップは、例えば円柱形状を有したフォトスペーサ７０によって一定の間隔に保持される。
【０１０１】
素子基板６１は観察側から見て長方形または正方形の第１の透光性の基板６１ａを有する。この第１透光性基板６１ａは、例えば透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。また、この第１透光性基板６１ａの外側表面には、位相差板６５ａおよび偏光板６６ａが、それぞれ、貼着等によって装着される。
【０１０２】
第１透光性基板６１ａの内側表面には、アクティブ素子又はスイッチング素子又は非線形抵抗素子としてのＴＦＴ素子６９が複数個設けられ、さらに、個々のＴＦＴ素子６９にドット電極７３ａが付設される。複数のドット電極７３ａは、例えばＩＴＯを材料としてフォトエッチング処理によって形成され、観察側から見てドットマトリクス状に並ぶ。
【０１０３】
ＴＦＴ素子６９及びドット電極７３ａの上には配向膜７９ａが形成される。そして、この配向膜７９ａに配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、その配向膜７９ａの近傍の液晶分子の初期配向が決められる。配向膜７９ａは、例えば、ポリイミド溶液を塗布及び焼成して形成したり、オフセット印刷によって形成したりする。
【０１０４】
本実施形態で用いるＴＦＴ素子６９はアモルファスシリコンＴＦＴであり、このＴＦＴ素子６９は、図１２に示すように、ゲート電極８６、ゲート絶縁膜８７、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）等によって形成された半導体層８８、ソース電極８９、そしてドレイン電極８５を有する。ドレイン電極８５は、その一端が半導体層８８に接続し、その他端がドット電極７３ａに接続する。ソース電極８９は図１２の紙面垂直方向に延びるソース電極線８９’の一部として形成されている。また、ゲート電極８６は、ソース電極線８９’と直角の方向すなわち図１２の左右方向に延びるゲート電極線８６’から延びている。
【０１０５】
図１１に戻って、素子基板６１に対向するカラーフィルタ基板６２は、観察側から見て長方形または正方形の第２の透光性の基板６２ａを有する。この第２透光性基板６２ａは、例えば透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。また、この第２透光性基板６２ａの外側表面には、位相差板６５ｂおよび偏光板６６ｂが、それぞれ、貼着等によって装着される。
【０１０６】
第２透光性基板６２ａの内側表面には、遮光部材７６が矢印Ａ方向から見て格子状に設けられる。そして、この遮光部材７６によって囲まれる複数の空間内に着色要素７５が設けられる。複数の着色要素７５はＢ，Ｇ，Ｒ又はＣ，Ｍ，Ｙのいずれかに着色され、それらの着色要素７５は矢印Ａ方向から見て所定の配列、例えばストライプ配列、モザイク配列、デルタ配列に配列されている。
【０１０７】
遮光部材７６及び着色要素７５の上にはオーバーコート層７７が設けられ、その上に共通電極７３ｂが設けられ、さらにその上に配向膜７９ｂが設けられる。共通電極７３ｂは、例えば、ＩＴＯを材料としてフォトエッチング処理によって形成される。この共通電極７３ｂは第２透光性基板６２ａ上に一様な厚さで形成された面状電極である。上記の配向膜７９ｂには配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、その配向膜７９ｂの近傍の液晶分子の初期配向が決められる。
【０１０８】
オーバーコート層７７は、例えば、エポキシ系又はアクリル系の樹脂材料を塗布及び焼成して形成したり、あるいは、必要に応じて、エポキシ系又はアクリル系の樹脂材料にフォトリソグラフィー処理を施すことによって形成される。また、配向膜７９ｂは、例えば、ポリイミド溶液を塗布及び焼成して形成したり、オフセット印刷によって形成したりする。
【０１０９】
次に、図１１において、素子基板６１上に形成された複数のドット電極７３ａは矢印Ａ方向から見てドットマトリクス状に配列する。これらのドット電極７３ａは矢印Ａ方向から見て共通電極７３ｂと重なっている。このようにドット電極７３ａと共通電極７３ｂとが重なる領域は表示のための最小領域である表示用ドット領域Ｄを構成する。カラーフィルタ基板６２上の個々の着色要素７５は表示用ドット領域Ｄに対応して設けられている。着色要素７５を用いない白黒表示の場合は１つの表示用ドット領域Ｄによって１つの画素が形成されるが、本実施形態のように３色の着色要素６９を用いてカラー表示を行う構造の場合には、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色の着色要素７５の集まりによって１つの画素が形成される。
【０１１０】
図１１において、素子基板６１はカラーフィルタ基板６２の外側へ張り出して、張出し部６７を構成している。液晶駆動用ＩＣ５３はこの張出し部６７の表面に実装されている。この実装は、例えば、ＡＣＦ５５を用いたＣＯＧ技術を用いて行うことができる。張出し部６７の表面には、複数の配線６８及び複数の外部接続端子８１がフォトエッチング処理によって形成される。複数の配線６８の一部は、素子基板６１上のソース電極線８９’（図１２参照）及びゲート電極線８６’に直接につながっている。また、複数の配線６８の残りの一部は、シール材６３の内部に分散されている導通材９６を介してカラーフィルタ基板６２側の共通電極７３ｂにつながっている。
【０１１１】
図１３は、図１１の液晶表示装置５１の電気的な等価回路を示している。図１３において、複数本の走査線８６’が行方向Ｘに延びるように形成される。また、複数本のデータ線８９’が列方向Ｙに延びるように形成されている。走査線８６’は図１２のゲート電極線８６’によって実現され、データ線８９’は図１２のソース電極線８９’によって実現される。表示用ドット領域Ｄは走査線８６’とデータ線８９’との各交差部分に形成される。各表示用ドット領域Ｄにおいては、ＴＦＴ素子６９とドット電極７３ａとが直列に接続されている。各走査線８６’は、走査線駆動回路５３ａによって駆動される。一方、各データ線８９’は、データ線駆動回路５３ｂによって駆動される。走査線駆動回路５３ａ及びデータ線駆動回路５３ｂは図１１の液晶駆動用ＩＣ５３によって構成される。液晶駆動用ＩＣ５３は、共通のＩＣによって両駆動回路５３ａ及び５３ｂを賄うものであっても良いし、あるいは、両駆動回路５３ａ及び５３ｂを個別のＩＣに割り当てても良い。
【０１１２】
走査信号はＴＦＴ素子６９のゲートへ送られ、データ信号はＴＦＴ素子６９のソースへ送られる。ＴＦＴ素子６９がＯＮ状態になると、対応するドット電極７３ａへの通電が成されて対応する表示用ドット領域Ｄ内の液晶への書き込みが行われる。また、引き続いてＴＦＴ素子６９がＯＦＦ状態になると、書き込まれた状態が保持される。この一連の書き込み動作及び保持動作により、液晶分子がＴＮ構造と垂直配向との間で制御される。
【０１１３】
以上のように構成された液晶表示装置５１によれば、図１１において、照明装置５４の光源５６が点灯すると、それからの光が導光体５７の光入射面５７ａから導光体５７へ導かれ、さらに、光出射面５７ｂから面状の光として出射する。そして、この出射光が素子基板６１を透過して液晶層６４へ供給される。
【０１１４】
こうして液晶層６４へ光が供給される間、素子基板６１側のドット電極７３ａとカラーフィルタ基板６２側の共通電極７３ｂとの間には、走査信号及びデータ信号によって規定される所定の電圧が表示用ドット領域Ｄごとに印加され、これにより、液晶層６４内の液晶分子の配向がＴＮ構造と垂直配向との間で表示用ドット領域Ｄごとに制御され、この結果、液晶層６４に供給された光が表示用ドット領域Ｄごとに変調される。この変調された光が、偏光板６６ｂを通過するとき、偏光板６６ｂの偏光特性に従って表示用ドット領域Ｄごとに通過を許容又は通過を阻止され、これにより、カラーフィルタ基板６２の表面に文字、数字、図形等といった像が表示され、これが、矢印Ａ方向から視認される。このとき、遮光部材７６は、表示ドット領域Ｄの間から光が漏れることを防止するためのブラックマスクとして機能する。
【０１１５】
以上に説明した液晶表示装置５１において、張出し部６７上の駆動用ＩＣ５３の実装領域は図６に示す図１の液晶表示装置１における駆動用ＩＣ３の実装領域と同じである。すなわち、図６（ａ）に示すように、それぞれの外部接続用端子８１から駆動用ＩＣ５３の実装領域内へ延びた先端部分およびそれぞれの配線４５の先端部分には、端子４８が形成される。そして駆動用ＩＣ５３は、複数のバンプ４９を有する。図６（ｂ）に示すように、駆動用ＩＣ５３を張出し部６７上に実装する場合には、端子４８とバンプ４９とが、ＡＣＦ５５に含まれる導電粒子５５ａによって互いに接続される。
【０１１６】
図６（ａ）において、張出し部６７上にはガイド部材４７が設けられている。このガイド部材４７は複数の端子４８のうちの四隅にある端子４８のそれぞれの外側に複数の端子４８を囲むＬ字形状に形成される。これにより、駆動用ＩＣ５３を第１透光性基板６１ａ上に実装する際、駆動用ＩＣ５３の一辺方向、例えば図６（ａ）のＸ方向に関して駆動用ＩＣ５３をガイドできる。また、前記一辺に直交する方向、例えば図６（ａ）のＹ方向に関して駆動用ＩＣ５３をガイドできる。また、駆動用ＩＣ５３が回転する方向、例えば図６（ａ）のθ方向に関して駆動用ＩＣ５３をガイドできる。これにより、バンプ４９は、端子４８に対して位置がずれることなく配置され、導電粒子５５ａを介して確実に端子４８に接触できる。つまり、圧着ずれを生じることなく第１透光性基板６１ａ上の実装領域Ｑに駆動用ＩＣ５３を正確に実装できる。
【０１１７】
次に、図１４を用いて、図１１の液晶表示装置５１を製造するための製造方法について説明する。図１４の工程Ｐ４１〜工程Ｐ４６に至る工程は図１１の素子基板６１を形成する工程である。また、工程Ｐ５１〜工程Ｐ５６に至る工程は図１１のカラーフィルタ基板６２を形成する工程である。また、工程Ｐ６１〜工程Ｐ６９に至る工程はそれらの基板を貼り合わせて製品である液晶表示装置を形成する工程である。この工程Ｐ６１〜Ｐ６９は、図１０の工程Ｐ２１〜Ｐ２９と同じ工程である。
【０１１８】
なお、本実施形態では、図１１に示す素子基板６１およびカラーフィルタ基板６２を１つずつ形成するのではなく、素子基板６１に関しては、複数の素子基板６１を形成できる大きさの面積を有する素子側マザー透光性基板の上に素子基板６１の複数個分の要素を同時に形成するものとする。また、カラーフィルタ基板６２に関しては、複数のカラーフィルタ基板６２を形成できる大きさの面積を有するカラーフィルタ側マザー透光性基板の上にカラーフィルタ基板６２の複数個分の要素を同時に形成するものとする。素子側マザー透光性基板およびカラーフィルタ側マザー透光性基板は、例えば、透光性ガラス、透光性プラスチック等によって形成される。
【０１１９】
まず、図１４の工程Ｐ４１において、図１２のＴＦＴ素子６９をフォトエッチング処理等を用いて所定の積層構造に形成する。このとき、ＴＦＴ素子６９のゲート絶縁膜８７を形成すると同時に、図６のガイド部材を形成する。次に、工程Ｐ４２において、図１２のＴＦＴ素子６９のドレイン電極８５に重なるようにドット電極７３ａをＩＴＯを材料としてフォトエッチング処理によって所定の形状に形成する。
【０１２０】
次に、図１４の工程Ｐ４３において、図１１のフォトスペーサ７０が、例えば、ネガ型感光性樹脂材料を材料としてフォトリソグラフィ処理によって形成され、工程Ｐ４４において、図１１の配向膜７９ａをポリイミド等といった感光性樹脂を材料としてフォトリソグラフィ処理によって形成する。次に、工程Ｐ４５において、図１１の配向膜７９ａにラビング処理を施して配向性を付与する。次に、工程Ｐ４６において、図１１のシール材６３をエポキシ系樹脂を料として印刷等によって形成する。以上により、大面積の素子基板用マザー透光性基板の上に素子基板６１の複数個分の膜要素が形成されて、素子基板６１側の大面積のマザー基板が形成される。
【０１２１】
他方、図１４の工程Ｐ５１において、大面積である図１１のカラーフィルタ側マザー透光性基板上に、図１１の遮光部材７６をＣｒを材料としてフォトエッチング処理によって所定のパターン、本実施形態の場合は表示用ドット領域Ｄの周りを埋めるような格子状パターン、に形成する。次に、工程Ｐ５２において、図１１の着色要素７５をＢ，Ｇ，Ｒの各色ごとに順々に形成する。例えば、各色の顔料や染料を感光性樹脂に分散させて成る着色材料をフォトリソグラフィ処理によって所定のドット配列に形成する。
【０１２２】
次に、工程Ｐ５３において、遮光部材７６及び着色要素７５の上にオーバーコート層７７をアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等といった感光性樹脂を材料としてフォトリソグラフィ処理によって形成する。次に、工程Ｐ５４において、図１１の共通電極７３ｂをＩＴＯを材料としてフォトエッチング処理によって形成する。次に、工程Ｐ５５において、配向膜７９ｂをポリイミド等といった感光性樹脂を材料としてフォトリソグラフィ処理によって形成し、さらに、工程Ｐ５６において配向処理としてのラビング処理を行う。以上により、大面積のカラーフィルタ基板側マザー透光性基板の上にカラーフィルタ基板６２の複数個分の膜要素が形成されて、カラーフィルタ基板６２側の大面積のマザー基板が形成される。
【０１２３】
その後、図１４の工程Ｐ６１において、素子側マザー基板とカラーフィルタ側マザー基板とを貼り合わせる。これにより、素子側マザー基板とカラーフィルタ側マザー基板とが個々の液晶表示装置の領域において図１１のシール材６３を挟んで貼り合わされた構造の大面積のパネル構造体が形成される。
【０１２４】
次に、以上のようにして形成された大面積のパネル構造体に含まれるシール材６３を、工程Ｐ６２において熱硬化または紫外線硬化によって硬化させて両マザー基板を接着して大面積のパネル構造体を形成する。次に、工程Ｐ６３において、そのパネル構造体を１次切断、すなわち１次ブレイクして、図１１の液晶パネル５２の複数が１列に並んだ状態で含まれる中面積のパネル構造体、いわゆる短冊状のパネル構造体を複数形成する。シール材６３には予め適所に開口が形成されており、上記の１次ブレイクによって短冊状のパネル構造体が形成されると、そのシール材６３の開口が外部に露出する。
【０１２５】
次に、図１４の工程Ｐ６４において、上記のシール材６３の開口を通して各液晶パネル部分の内部へ液晶を注入し、その注入の完了後、その開口を樹脂によって封止する。次に工程Ｐ６５において、２回目の切断、すなわち２次ブレイクを行い、短冊状のパネル構造体から図１１に示す個々の液晶パネル５２を切り出す。
【０１２６】
次に、図１４の工程６６において、図１１の駆動用ＩＣ５３を実装するための仮圧着を行う。さらに、図１４の工程６７において、図１１の駆動用Ｉｃ５３を実装するための本圧着を行う。
【０１２７】
次に、工程Ｐ６８において、図１１の液晶パネル５２に偏光板６６ａ，６６ｂを貼着によって装着する。さらに工程Ｐ６９において、図１１の照明装置５４を液晶パネル５２に取付ける。これにより、液晶表示装置５１が完成する。
【０１２８】
以上のように、本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法においては、図１４の工程Ｐ４２において図６のガイド部材４７を形成した。これにより、図１４の工程Ｐ６７のＩＣを本圧着する工程において、図６の駆動用ＩＣ５３が第１透光性基板６１ａに押圧されたときに、バンプ４９を端子４８に導くことができる。その結果、バンプ４９は、端子４８に対して位置がずれることなく配置され、導電粒子５５ａを介して確実に端子４８に接触できる。つまり、圧着ずれを生じることなく第１透光性基板６１ａ上の実装領域Ｑに駆動用ＩＣ５３を正確に実装できる。
【０１２９】
また、図１４の工程Ｐ４１において、図６のガイド部材４７と図１２のゲート絶縁膜８７とを同時に形成した。これにより、新たに工程を増やすことなく図６のガイド部材４７を設けることができる。
【０１３０】
（実装構造体、電気光学装置及びその製造方法に関するその他の実施形態）
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
【０１３１】
例えば、上記実施形態では、図６（ａ）に示すように、複数の端子４８のうちの四隅にある端子４８の外側にガイド部材４７をＬ字形状に形成した。これに代えて、ガイド部材４７は、図８に示すように、第１透光性基板１１ａ上に複数の端子４８を囲む無端の枠形状に形成することもできる。こうすれば、駆動用ＩＣ３を第１透光性基板１１ａ上に実装する際、駆動用ＩＣ３の一辺方向、例えば図６（ａ）のＸ方向に関して駆動用ＩＣ３をより一層正確にガイドできる。また、前記一辺に直交する方向、例えば図６（ａ）のＹ方向に関して駆動用ＩＣ３をより一層正確にガイドできる。また、駆動用ＩＣ３が回転する方向、例えば図６（ａ）のθ方向に関して駆動用ＩＣ３をより一層正確にガイドできる。
【０１３２】
また、ガイド部材４７は、そのガイド部材４７の一部が端子４８から延びる配線４５および外部接続用端子３９の上に形成される。そのガイド部材４７が形成された部分の配線４５および外部接続用端子３９に関しては、腐蝕が発生したり異物が付着することを防止できる。
【０１３３】
また、第１実施形態において、図６のガイド部材４７は、図２のオーバーレイヤ２１と同じ材料を用いて形成した。そしてさらに、これらガイド部材４７とオーバーレイヤ２１とを、図１０の工程Ｐ２において同時に形成した。また、第２実施形態において、図６のガイド部材４７は、図１２のゲート絶縁膜８７と同じ材料を用いて形成し、さらに、これらガイド部材４７とゲート絶縁膜８７とを図１４の工程４１において同時に形成した。
【０１３４】
これらに代えて、ガイド部材４７は、上記以外の材料を用いて形成することができる。例えば、ガイド部材４７は、図２のオーバーコート層２７と同じ材料を用いて、図１０の工程Ｐ１５においてそのオーバーコート層２７と同時に形成することもできる。この場合には、駆動用ＩＣ３は図１のカラーフィルタ基板１２上に実装される。また、図１２のオーバーコート層７７と同じ材料を用い、図１４の工程Ｐ５３においてそのオーバーコート層７７と同時に形成することもできる。この場合には、駆動用ＩＣ５３は図１１のカラーフィルタ基板６２上に実装される。
【０１３５】
さらに、第１透光性基板上および第２透光性基板上に形成される他の要素、例えば図１のフォトスペーサ２０および図１１のフォトスペーサ７０と同じ材料を用いることもできる。また、図２の着色要素２５および図１２の着色要素７５と同じ材料を積層して形成することもできる。しかしながら、これらの場合においても、ガイド部材４７を形成する材料は第１実施形態および第２実施形態と同様に絶縁材料であることが望ましい。
【０１３６】
また、第２実施形態では、図１２に示すように、スイッチング素子としてアモルファスシリコンＴＦＴ素子を例示したが、アモルファスシリコンに限らずポリシリコンを用いたＴＦＴ素子でも良い。
【０１３７】
また、上記実施形態では電気光学装置として液晶表示装置を例示したが、本発明は、有機ＥＬ装置、無機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、フィールドエミッションディスプレイ装置（すなわち、電界放出表示装置）等といった各種の電気光学装置にも適用できる。
【０１３８】
（電子機器の実施形態）
以下、本発明に係る電子機器を実施形態を挙げて説明する。なお、この実施形態は本発明の一例を示すものであり、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。
【０１３９】
図１５は、本発明に係る電子機器の一実施形態を示している。ここに示す電子機器は、液晶表示装置１２１と、これを制御する制御回路１２０とを有する。制御回路１２０は、表示情報出力源１２４、表示情報処理回路１２５、電源回路１２６及びタイミングジェネレータ１２７によって構成される。そして、液晶表示装置１２１は液晶パネル１２２及び駆動回路１２３を有する。
【０１４０】
表示情報出力源１２４は、ＲＡＭ(Random Access Memory)等といったメモリや、各種ディスク等といったストレージユニットや、ディジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ１２７により生成される各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路１２５に供給する。
【０１４１】
次に、表示情報処理回路１２５は、増幅・反転回路や、ローテーション回路や、ガンマ補正回路や、クランプ回路等といった周知の回路を多数備え、入力した表示情報の処理を実行して、画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路１２３へ供給する。ここで、駆動回路１２３は、走査線駆動回路やデータ線駆動回路と共に、検査回路等を総称したものである。また、電源回路１２６は、上記の各構成要素に所定の電源電圧を供給する。
【０１４２】
液晶表示装置１２１は、例えば、図１に示した液晶表示装置１や、図１１に示した液晶表示装置５１等を用いて構成できる。液晶表示装置１，５１等においては、駆動用ＩＣの端子をガイドするガイド部材を基板上に設けることにより、圧着ずれを生じることなく基板上の実装領域に半導体要素を正確に実装できるので、端子間における接触不良や短絡を防止できる。従って、この液晶表示装置を用いた電子機器においても端子間における接触不良や短絡がない安定した表示を行うことができる。
【０１４３】
図１６は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機１３０は、本体部１３１と、これに開閉可能に設けられた表示体部１３２とを有する。液晶表示装置等といった電気光学装置によって構成された表示装置１３３は、表示体部１３２の内部に配置され、電話通信に関する各種表示は、表示体部１３２において表示画面１３４によって視認できる。本体部１３１には操作ボタン１３６が配列されている。
【０１４４】
表示体部１３２の一端部にはアンテナ１３７が伸縮自在に取付けられている。表示体部１３２の上部に設けられた受話部１３８の内部には、図示しないスピーカが配置される。また、本体部１３１の下端部に設けられた送話部１３９の内部には図示しないマイクが内蔵されている。表示装置１３３の動作を制御するための制御部は、携帯電話機の全体の制御を司る制御部の一部として、又はその制御部とは別に、本体部１３１又は表示体部１３２の内部に格納される。
【０１４５】
表示装置１３３は、例えば、図１に示した液晶表示装置１や、図１１に示した液晶表示装置５１等を用いて構成できる。液晶表示装置１，５１等においては、駆動用ＩＣの端子をガイドするガイド部材を基板上に設けることにより、圧着ずれを生じることなく基板上の実装領域に半導体要素を正確に実装できるので、端子間における接触不良や短絡を防止できる。従って、この液晶表示装置を用いた図１６の携帯電話機１３０においても端子間における接触不良や短絡がない安定した表示を行うことができる。
【０１４６】
（変形例）
なお、電子機器としては、以上に説明した携帯電話機等の他にも、パーソナルコンピュータ、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話機、ＰＯＳ端末器等が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【０１４７】
【図１】本発明に係る電気光学装置の一実施形態を示す断面図である。
【図２】図１に示す電気光学装置の要部を示す断面図である。
【図３】図１の装置で用いられるスイッチング素子の一例を示す斜視図である。
【図４】図１の矢印Ａに従って液晶表示装置を示す平面図である。
【図５】図１に示す電気光学装置の等価回路を示す図である。
【図６】図４の実装領域Ｑの近傍の一実施形態を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。
【図７】図６（ａ）に示すガイド部材の近傍を示す図である。
【図８】図４の実施領域Ｑの近傍の他の実施形態を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。
【図９】半導体要素の実装構造を説明する図である。
【図１０】図１に示す電気光学装置の製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図１１】本発明に係る電気光学装置のさらに他の実施形態を示す断面図である。
【図１２】図１１に示す電気光学装置の要部を示す断面図である。
【図１３】図１１に示す電気光学装置の等価回路を示す図である。
【図１４】図１１に示す電気光学装置の製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図１５】本発明に係る電子機器の一実施形態を示すブロック図である。
【図１６】本発明に係る電子機器の他の実施形態を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１４８】
１，５１．液晶表示装置（電気光学装置）、  ２，５２．液晶パネル、  
３，５３．駆動用ＩＣ（半導体要素）、  ４，５４．照明装置、  ５，５５．ＡＣＦ、
１１，６１．素子基板、  １１ａ，６１ａ．第１透光性基板、  
１２，６２．カラーフィルタ基板、１２ａ，６２ａ．第２透光性基板、  
１４，６４．液晶層、  １５ａ，１５ｂ，６５ａ，６５ｂ．位相差板、  
１６ａ，１６ｂ，６６ａ，６６ｂ．偏光板、  １７，６７．張出し部、
１８．ライン配線、  １９．ＴＦＤ素子、  ２１．オーバーレイヤ、  ２３．樹脂層、
２４．反射層、  ２５，７５．着色要素、  ２６，７６．遮光部材、  
２７，７７．オーバーコート層、  ２８ａ，７３ａ．ドット電極、  
２８ｂ．帯状電極、  ４１．走査線、  ４２．データ線、  ４３．走査線駆動回路、  
４４．データ線駆動回路、  ４５．配線、  ４６．導通材、  
４７，１０１．ガイド部材、  ４８．端子、  ４９．バンプ、  ６８．配線、  
６９．ＴＦＴ素子、  ７３ｂ．共通電極、  ８４．ゲート電極、  
８５．ゲート絶縁膜、  ８６．半導体層、  ８７．ソース電極、  
８８．ドレイン電極、  ９１．走査線、  ９２．データ線、  １０３．半導体要素、  
１０４．要素側端子、  １２０．制御回路、  １２１．液晶表示装置、  
１２２．液晶パネル、  １２３．駆動回路、  １３０．携帯電話機（電子機器）、  
１３３．表示装置、  １３４．表示画面、  Ｌ０．外部光、  Ｌｓ．透過光、  
Ｒ．反射部、  Ｔ．透過部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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