(57)【要約】【課題】  低コストで多層両面配線基板２０を形成することが可能な、配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】  仮基板１３の表面に、仮基板１３側に第１接続端子１６ｂを備え仮基板１３の反対側に第２接続端子１６ｔを備えた多層配線構造体１０を形成する工程と、仮基板１３を除去して、多層配線構造体１０の裏面に第１接続端子１６ｂを露出させる工程と、を有する構成とした。なお多層配線構造体１０は液滴吐出法を使用して形成し、第２接続端子１６ｔおよび第１接続端子１６ｂはＡｕ材料で構成することが望ましい。【選択図】        図３
2006318964.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液滴吐出法を用いて、第１材料を含む仮基体の表面に、第１の接続端子、導通部材、絶縁層および第２の接続層を形成し、前記仮基体を除去することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記絶縁層と前記第２の接続層との間に、配線、第２の導通部材および第２の絶縁層を形成する工程を備えることを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
第１材料を含む仮基体の表面に、前記仮基体の反対側に第２の接続端子を備えた多層配線構造体を形成する工程と、
前記仮基体を除去して、前記多層配線構造体の前記仮基体側に第１の接続端子を形成する工程と、
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項４】
第１材料を含む仮基体の表面に、前記仮基体側に第１の接続端子を備え前記仮基体の反対側に第２の接続端子を備えた多層配線構造体を形成する工程と、
前記仮基体を除去して、前記第１接続端子を露出させる工程と、
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記第１接続端子の形成は、導電性材料からなる前記仮基体の表面にマスク材をパターニングし、電解メッキ法によって行うことを特徴とする請求項３または請求項４に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記第１接続端子および前記第２接続端子は、金を主成分とする材料で構成することを特徴とする請求項３ないし請求項５のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記多層配線構造体の形成は、液滴吐出法を使用して行うことを特徴とする請求項３ないし請求項６のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記仮基体は、第２材料からなる基体の表面に前記第１材料からなる分離層が形成されてなることを特徴とする請求項３ないし請求項７のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記多層配線構造体の形成工程では、前記仮基体の表面に複数の前記多層配線構造体を離間配設し、
前記仮基体を除去して、複数の配線基板を得ることを特徴とする請求項３ないし請求項８のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記仮基体を除去する工程は、前記接続端子の構成材料に対するエッチングレートより前記第１材料に対するエッチングレートが大きいエッチャントを用いて、前記仮基体をエッチングすることによって行うことを特徴とする請求項３ないし請求項９のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１１】
前記第１材料は銅を主成分とし、前記接続端子は金を主成分とし、前記エッチャントは塩化第２鉄を主成分とすることを特徴とする請求項１０に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１２】
請求項３ないし請求項１１のいずれかに記載の配線基板の製造方法を使用して製造したことを特徴とする配線基板。
【請求項１３】
請求項１２に記載の配線基板を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造方法、配線基板および電気光学装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
各種の電子機器において、配線基板が利用されている。電子機器の小型化に伴って、配線基板には小型化が要求されている。配線基板を小型化するためには、配線の高精細化とともに多層化が重要になる。配線を多層化するには、層間絶縁膜を介して配線を積層配置し、上下層の配線を導通ポストで導通接続する。
【０００３】
加えて、電子機器を小型化するには、配線基板に対する電子部品の実装自由度および電気光学装置等に対する配線基板の実装自由度を増加させて、省スペース化を実現する必要がある。実装自由度を増加させるには、多層配線基板の両面に実装用端子を設けることが望ましい。
【０００４】
そこで特許文献１には、両面に電極を有する多層基板の製造方法が提案されている。この方法では、樹脂フィルムの一方面に導体パターンを形成し、樹脂フィルムの他方面からレーザを照射して導体パターンを底面とする有底ビアホールを形成し、そのビアホール内に導電ペーストを充填して、片面導体パターンフィルムを形成する。そして複数の片面導体パターンフィルム等を積層することにより、両面に電極を有する多層基板を製造する。
【特許文献１】特開２００３−８６９４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このように特許文献１の多層両面配線基板の製造方法では、レーザによるビアホール穿設加工（レーザビア加工）を行う必要がある。しかもレーザビア加工の回数は配線積層数および接続端子数の両方に比例して増加するので、製造プロセスが煩雑化するとともに、多大な製造コストを要することになる。またレーザビア加工では直径５０μｍ以下のビアホールを穿設することが困難であり、配線の狭ピッチ化を阻害するとともに、穴位置精度や後工程の位置合わせ精度にも課題が残る。
【０００６】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、低コストで多層両面配線基板を形成することが可能な、配線基板の製造方法の提供を目的とする。また小型化が可能な配線基板および電気光学装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明に係る配線基板の製造方法は、液滴吐出法を用いて、第１材料を含む仮基体の表面に、第１の接続端子、導通部材、絶縁層および第２の接続層を形成し、前記仮基体を除去することを特徴とする。
また、前記絶縁層と前記第２の接続層との間に、配線、第２の導通部材および第２の絶縁層を形成する工程を備えていてもよい。
この構成によれば、レーザによるビアホール穿設加工を必要としない。したがって、低コストで多層両面配線基板を形成することができる。
【０００８】
また、本発明に係る他の配線基板の製造方法は、第１材料を含む仮基体の表面に、前記仮基体の反対側に第２の接続端子を備えた多層配線構造体を形成する工程と、前記仮基体を除去して、前記多層配線構造体の他方面に第１の接続端子を形成する工程と、を有することを特徴とする。
この構成によれば、仮基体を除去して第１接続端子を形成するので、レーザによるビアホール穿設加工を必要としない。したがって、低コストで多層両面配線基板を形成することができる。
また硬質の仮基板の表面に多層配線構造体および接続端子を形成することができるので、樹脂層等の表面に多層配線構造体および接続端子を形成する場合と比べて、配線および接続端子のパターニング精度を向上させることが可能になる。したがって、配線および接続端子を狭ピッチ化することができる。
【０００９】
また、本発明に係る他の配線基板の製造方法は、第１材料を含む仮基体の表面に、前記仮基体側に第１の接続端子を備え前記仮基体の反対側に第２の接続端子を備えた多層配線構造体を形成する工程と、前記仮基体を除去して、前記第１接続端子を露出させる工程と、を有することを特徴とする。
この構成によれば、特に低コストで多層両面配線基板を形成することができる。
【００１０】
また前記第１接続端子の形成は、導電性材料からなる前記仮基体の表面にマスク材をパターニングし、電解メッキ法によって行うことが望ましい。
この構成によれば、硬質の仮基体の表面にマスク材をパターニングするので、樹脂層等の表面にマスク材をパターニングする場合と比べて、パターニング精度を向上させることができる。しかもメッキ法により第１接続端子を形成するので、従来のサブトラクティブ法（エッチング法）と比べて第１接続端子を狭ピッチ化することができる。さらに仮基体を導電性材料で構成して電解メッキ法により第１接続端子を形成するので、無電解メッキ法と比べて短時間で簡単に第１接続端子を形成することができる。
【００１１】
また前記第１接続端子および前記第２接続端子は、金を主成分とする材料で構成することが望ましい。
この構成によれば、外部に露出する接続端子が安定な金材料で構成されるので、マイグレーションの発生を防止することができる。
【００１２】
また前記多層配線構造体の形成は、液滴吐出法を使用して行うことが望ましい。
この構成によれば、フォトリソグラフィが削減されて製造工程を簡略化することができる。また材料使用効率が高くなるので、低コストで多層両面配線基板を形成することができる。さらに配線および導通ポストを所定位置に精度良く形成することができる。
【００１３】
また前記仮基体は、第２材料からなる基体の表面に前記第１材料からなる分離層が形成されてなることが望ましい。
この構成によれば、第１材料の消費量を低減することが可能になり、また仮基体の除去時間を短縮することが可能になり、さらに基体を再利用することが可能になる。したがって、低コストで多層両面配線基板を形成することができる。
【００１４】
また前記多層配線構造体の形成工程では、前記仮基体の表面に複数の前記多層配線構造体を離間配設し、前記仮基体を除去して、複数の配線基板を得ることが望ましい。
この構成によれば、複数の多層両面配線基板を同時に形成することができる。
【００１５】
また前記仮基体を除去する工程は、前記接続端子の構成材料に対するエッチングレートより前記第１材料に対するエッチングレートが大きいエッチャントを用いて、前記仮基体をエッチングすることによって行うことが望ましい。
この構成によれば、接続端子を残しつつ仮基体のみを除去することが可能になる。したがって、低コストで多層両面配線基板を形成することができる。
【００１６】
また前記第１材料は銅を主成分とし、前記接続端子は金を主成分とし、前記エッチャントは塩化第２鉄を主成分とすることが望ましい。
塩化第２鉄をエッチャントとするエッチングでは、金に対するエッチングレートより、銅に対するエッチングレートが大きくなる。したがって、接続端子を残しつつ仮基体のみを除去することが可能になり、低コストで多層両面配線基板を形成することができる。
【００１７】
一方、本発明に係る配線基板は、上述した配線基板の製造方法を使用して製造したことを特徴とする。
この構成によれば、低コストの多層両面配線基板を提供することができる。
【００１８】
一方、本発明に係る電気光学装置は、上述した配線基板を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、低コストの多層両面配線基板を備えた低コストの電気光学装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態につき、図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００２０】
［配線基板］
最初に、本発明の第１実施形態に係る多層両面配線基板につき、図３（ｂ）の側面断面図を用いて説明する。なお、以下に説明する多層配線パターンはほんの一例に過ぎず、これ以外の多層配線パターンを採用することも可能である。第１実施形態に係る多層両面配線基板２０は、複数の配線層１２（１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ）を積層して構成されている。各配線層１２は、配線１６、導通ポスト１７および層間絶縁膜１８を備えている。
【００２１】
配線１６は、Ａｇ等の導電性材料により、所定のパターンに形成されている。配線１６のライン×スペースは、後述する液滴吐出方式を採用することにより、例えば３０μｍ×３０μｍ程度に微細化されている。その配線１６を覆うように、層間絶縁膜１８が形成されている。この層間絶縁膜１８は、アクリル等の紫外線硬化性樹脂と、エポキシ等の熱硬化性樹脂とを混合した、電気絶縁性材料によって構成されている。その層間絶縁膜１８を貫通するように、導通ポスト（導通部材）１７が立設されている。この導通ポスト１７は、配線１６と同じＡｇ等の導電性材料により円柱形状等に形成され、配線１６に接続されている。一例を挙げれば、配線１６の厚さは２μｍ程度であり、導通ポスト１７の高さは８μｍ程度に形成されている。
【００２２】
上述した配線１６、導通ポスト１７および層間絶縁膜１８により、配線層１２が構成されている。なお配線１６に電子部品（不図示）を実装し、その配線１６および電子部品を覆うように層間絶縁膜１８を形成して、配線層１２を構成することも可能である。そして、複数の配線層１２が積層配置されて、多層配線構造体１０が形成されている。各配線層１２の配線１６は、導通ポスト１７を介して導通接続されている。なお図３（ｂ）では４層の配線層１２（１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ）が積層されているが、これ以外の積層数であってもよい。
【００２３】
そして、下端の第１配線層１２ａの配線が外部に露出して、多層配線構造体１０の裏面に第１接続端子１６ｂが構成されている。また上端の第４配線層１２ｄの導通ポストに接続された状態で、多層配線構造体１０の表面に第２接続端子（第２接続層）１６ｔが形成されている。このように、本実施形態の多層両面配線基板２０は、両面に接続端子１６ｂ，１６ｔを備えている。なお外部に露出した第１接続端子１６ｂおよび第２接続端子１６ｔは、Ａｕ材料で構成されていることが望ましい。中間の第２配線層１２ｂおよび第３配線層１２ｃにおける配線１６と同様に接続端子１６ｂ，１６ｔをＡｇ材料で構成すると、水分の付着によりマイグレーションが発生するからである。なお下端の第１配線層１２ａにおける配線をＡｇ材料等で構成し、その表面にＡｕメッキ等を施して、第１接続端子１６ｂを形成してもよい。
【００２４】
［配線基板の製造方法］
次に、第１実施形態に係る配線基板の製造方法につき、図１ないし図３を用いて説明する。図１ないし図３は、第１実施形態に係る配線基板の製造方法の工程図である。本実施形態に係る多層両面配線基板２０の製造方法は、仮基板（仮基体）１３の表面に、仮基板１３側に第１接続端子１６ｂを備え仮基板１３の反対側に第２接続端子１６ｔを備えた多層配線構造体１０を形成する工程と、仮基板１３を除去して、多層配線構造体１０の裏面に第１接続端子１６ｂを露出させる工程と、を有するものである。
【００２５】
まず図１（ａ）に示すように、仮基板（仮基体）１３を準備する。なお仮基板１３の材質については後述する。次に仮基板１３の表面にレジスト（マスク材）１４を塗布し、フォトリソグラフィにより第１接続端子の形成位置に開口部１６ｐをパターニングする。
次に図１（ｂ）に示すように、仮基板１３の表面に第１接続端子１６ｂを形成する。具体的には、導電性材料からなる仮基板１３を電極として電解メッキを施すことにより、レジスト１４の開口部１６ｐに所定パターンの第１接続端子１６ｂを形成する。
次に図１（ｃ）に示すように、仮基板１３の表面からレジストを除去する。なお第１接続端子１６ｂの形成方法として、上述した電解メッキ法に代えて、液滴吐出法を採用してもよい。
【００２６】
次に図２（ａ）に示すように、導通ポスト１７を形成する。導通ポスト１７の形成は、液滴吐出装置を用いた液滴吐出方式によって行う。そのため、まず導通ポスト１７の形成材料である導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液を作製する。その導電性微粒子として、銀が好適に用いられる。その他にも、金、銅、パラジウム、ニッケルの何れかを含有する金属微粒子の他、導電性ポリマーや超電導体の微粒子などを用いることができる。また分散媒としては、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出方式への適用のし易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、特に好ましい分散媒として水および炭化水素系化合物を挙げることができる。これらの分散媒は、単独で使用してもよく、２種以上を混合して使用してもよい。
【００２７】
次に、上記分散液の液滴を液滴吐出ヘッドから吐出して、導通ポストを形成すべき場所に滴下する。なお導通ポストを相当高さに形成するため、多数の液滴を吐出して堆積させる必要があるが、一度に多数の液滴を吐出しても液滴が濡れ広がってしまう。そこで、液滴の吐出および仮乾燥を繰り返し行って液滴を堆積させる。この仮乾燥は、少なくとも吐出された液滴の表面が乾燥するように行う。その具体的な方法として、ドライエアの吹き付けや赤外線の照射等を採用することが望ましい。そして、最後に本焼成を行うことにより、導通ポスト１７を形成する。この本焼成は、例えば２００℃のホットプレートに仮基板１３を載置して、堆積させた液滴を１時間程度加熱することによって行う。
【００２８】
次に図２（ｂ）に示すように、第１接続端子１６ｂを覆うように層間絶縁膜１８を形成する。層間絶縁膜１８の形成も、液滴吐出装置を用いた液滴吐出方式によって行う。具体的には、まず層間絶縁膜１８の形成材料である樹脂材料を液滴吐出ヘッドから吐出する。その際、導通ポスト１７の上端面を露出させつつ、導通ポスト１７の側面および第１接続端子の表面を覆うように樹脂材料を吐出する。そして、吐出された樹脂材料にＵＶを照射して硬化させることにより、層間絶縁膜１８を形成する。以上により、第１配線層１２ａが形成される。
【００２９】
次に図２（ｃ）に示すように、第１配線層１２ａの表面に、第２配線層１２ｂの配線１６を形成する。この配線１６の形成も、液滴吐出装置を用いた液滴吐出方式によって行う。ここでは配線の形成材料である導電性微粒子を分散媒に分散させて液滴吐出ヘッドから吐出するが、具体的には導通ポストの形成に用いる分散液と同じものを吐出することが可能である。そして、導通ポストを形成する場合と同様に本焼成を行うことにより、配線１６を形成する。さらに、第１配線層１２ａと同様に導通ポストおよび層間絶縁膜を形成すれば、第２配線層１２ｂが積層形成される。同様に、第３配線層１２ｃおよび第４配線層１２ｄを順に積層形成する。これにより、仮基板１３の表面に多層配線構造体１０が形成される。
【００３０】
なお本実施形態では導通ポスト１７を先に形成し、その周囲に層間絶縁膜１８を形成したが、導通ポスト１７の形成位置に開口部を有する層間絶縁膜１８を先に形成し、その開口部を埋めるように導通ポスト１７を形成してもよい。この場合にも、液滴吐出方式により層間絶縁膜および導通ポストを形成することが望ましい。また本実施形態では配線、導通ポストおよび層間絶縁膜を順に本焼成したが、それぞれを仮乾燥した状態で積層形成しておき、最後に全体を本焼成してもよい。
なお、本実施形態では液滴吐出法を用いて配線、導通ポストおよび層間絶縁膜を形成したが、これらの全部または一部を液滴吐出方式以外の方法で形成してもよい。
【００３１】
次に図３（ａ）に示すように、多層配線構造体１０の表面に第２接続端子１６ｔを形成する。具体的には、図１（ａ）と同様に第４配線層の表面にレジストを塗布し、フォトリソグラフィにより第２接続端子の形成位置に開口部をパターニングする。次に図１（ｂ）と同様に、電解メッキまたは無電解メッキを行って、レジストの開口部に所定パターンの第２接続端子を形成する。最後にレジストを除去すれば、図３（ａ）に示すように、第４配線層１２ｄの表面に第２接続端子１６ｔが形成された状態となる。
【００３２】
次に仮基板１３を除去する。仮基板１３の除去は、ウエットエッチングによって行う。ウエットエッチングは、多層配線構造体１０が成形された仮基板１３の全体を、エッチャント液中に浸漬することによって行う。本実施形態では、第２接続端子１６ｔおよび第１接続端子１６ｂを残しつつ、仮基板１３のみをエッチングする必要がある。そこで、接続端子１６ｂ，１６ｔに対するエッチングレートより仮基板１３に対するエッチングレートが大きいエッチャントを用いてエッチングを行う。
【００３３】
なお接続端子１６ｂ，１６ｔの構成材料としては、抵抗値が低く安定したＡｕが望ましい。そこで、仮基板１３の構成材料（第１材料）としてＣｕを選択し、エッチャントとして塩化第２鉄（ＦｅＣｌ３）を含む溶剤を選択する。塩化第２鉄はＣｕをエッチングするがＡｕをエッチングしない。すなわち、塩化第２鉄をエッチャントとするエッチングでは、Ａｕに対するエッチングレートより、Ｃｕに対するエッチングレートが大きくなる。これにより、接続端子１６ｂ，１６ｔを残しつつ、仮基板１３のみをエッチングすることができる。
【００３４】
なお仮基板１３の構成材料としてＣｕを選択し、エッチャントとしてＣｕＣｌ２を含む溶剤を選択してもよい。また仮基板１３の構成材料としてＡｌを選択し、エッチャントとして水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）を含む溶剤を選択してもよい。さらに仮基板１３の構成材料としてステンレスを選択し、エッチャントとして塩化第２鉄（ＦｅＣｌ３）を含む溶剤を選択してもよい。いずれの場合でも、接続端子１６ｂ，１６ｔの構成材料として、ＡｕやＡｇ、Ｐｔ，Ｐｄ等の貴金属を選択することが可能である。
なお、仮基板１３を裏面から研磨することにより、第１接続端子１６ｂを残しつつ仮基板１３のみを除去することも可能である。
【００３５】
以上により、図３（ｂ）に示すように、両面に接続端子１６ｂ，１６ｔを備えた多層両面配線基板２０が形成される。
【００３６】
以上に詳述したように、第１実施形態に係る配線基板の製造方法は、仮基板側に第１接続端子を備え仮基板の反対側に第２接続端子を備えた多層配線構造体を形成する工程と、仮基板を除去して、多層配線構造体の裏面に形成された第１接続端子を露出させる工程とを有する構成とした。この構成によれば、仮基板を除去して第１接続端子を露出させるので、レーザによるビアホール穿設加工（レーザビア加工）を必要としない。したがって、低コストで多層両面配線基板を形成することができる。
また多層配線構造体の形成は液滴吐出法を用いて行うので、フォトリソグラフィが削減されて製造工程を簡略化することができる。また材料使用効率が高くなるので、低コストで多層両面配線基板を形成することができる。さらに配線および導通ポストを所定位置に精度良く形成することができる。
【００３７】
また硬質の仮基板の表面に多層配線構造体および接続端子を形成するので、樹脂層等の表面に多層配線構造体および接続端子を形成する場合と比べて、配線および接続端子のパターニング精度を向上させることが可能になる。したがって、配線および接続端子を狭ピッチ化することができる。
また第１接続端子の形成は、導電性材料からなる仮基板の表面にレジストをパターニングし電解メッキ法によって行う構成とした。この構成によれば、硬質の仮基板の表面にレジストをパターニングするので、樹脂層等の表面にレジストをパターニングする場合と比べて、パターニング精度を向上させることが可能になる。しかもメッキ法により配線を形成するので、従来のサブトラクティブ法（エッチング法）と比べて配線を狭ピッチ化することができる。さらに仮基板を導電性材料で構成して電解メッキ法により配線を形成するので、無電解メッキ法と比べて短時間で簡単に配線を形成することができる。
【００３８】
［第２実施形態］
次に、第２実施形態に係る配線基板の製造方法につき、図４を用いて説明する。
図４は、第２実施形態に係る配線基板の製造方法の工程図である。第２実施形態に係る配線基板の製造方法は、第２材料からなる再利用基板（基体）３２の表面に第１材料からなる分離層３４が形成された仮基板３０を使用する点で、第１材料のみからなる仮基板を使用する第１実施形態とは異なっている。なお第１実施形態と同様の構成となる部分については、その詳細な説明を省略する。
【００３９】
まず図４（ａ）に示すように、再利用基板３２の表面に分離層３４を形成した仮基板３０を形成する。再利用基板３２はガラス材料等からなり、その裏面から分離層３４との界面にかけて複数の貫通孔３３が形成されている。また分離層３４は金属材料等からなり、スパッタ法等により０．５μｍ程度の厚さに形成されている。
次に図４（ｂ）に示すように、仮基板３０における分離層３４の表面に多層配線構造体１０を形成するとともに、多層配線構造体１０の表面に第２接続端子１６ｔを形成する。その具体的な形成方法は第１実施形態と同様である。
【００４０】
次に仮基板３０を除去する。この工程は、仮基板３０の表面に形成された分離層３４をエッチングし、再利用基板３２を多層配線構造体１０から分離することによって行う。分離層３４のエッチングは、ウエットエッチングによって行う。このウエットエッチングでは、第１実施形態と同様に、第２接続端子１６ｔおよび第１接続端子１６ｂを残しつつ、分離層３４のみをエッチングする。加えて第２実施形態では、ガラス材料等からなる再利用基板３２にダメージを与えることなく、分離層３４のみをエッチングする。そこで、接続端子１６ｂ，１６ｔおよび再利用基板３２に対するエッチングレートより、分離層３４に対するエッチングレートが大きいエッチャントを用いてエッチングを行う。もっとも、再利用基板３２の構成材料（第２材料）としてガラスや石英、シリコン等を選択すれば、接続端子１６ｂ，１６ｔの構成材料、分離層３４の構成材料（第１材料）およびエッチャントの構成材料として、第１実施形態と同様の材料を選択することが可能である。
【００４１】
ウエットエッチングは、エッチャントをスプレー等で噴霧することにより簡単に行うことができる。第１実施形態では仮基板全体をエッチングするためディッピングを採用したが、第２実施形態では分離層３４のみをエッチングすれば足りるからである。
噴霧されたエッチャントにより、仮基板３０の側面から分離層３４がエッチングされる。これに加えて、第２実施形態では再利用基板３２の裏面から分離層３４との界面にかけて複数の貫通孔３３が形成されているので、この貫通孔３３からエッチャントが侵入して分離層３４の界面がエッチングされる。これにより、分離層３４を効率的にエッチングすることができる。
分離層３４が完全にエッチングされると、図４（ｃ）に示すように、再利用基板３２から多層配線構造体１０が分離される。これにより、第１実施形態と同様に、両面に接続端子１６ｂ，１６ｔを備えた多層両面配線基板２０が形成される。
【００４２】
以上に詳述したように、第２実施形態に係る配線基板の製造方法では、第２材料からなる再利用基板の表面に第１材料からなる分離層が形成された仮基板を使用し、分離層のみをエッチングする構成とした。この構成によれば、エッチングにより除去される第１材料の消費量を低減することが可能になり、また仮基板の除去時間を短縮することが可能になり、さらに再利用基板を再利用することが可能になる。したがって、低コストで多層両面配線基板を形成することができる。
【００４３】
［第３実施形態］
次に、第３実施形態に係る配線基板の製造方法につき、図５を用いて説明する。
図５は、第３実施形態に係る配線基板の製造方法の工程図である。第３実施形態に係る配線基板の製造方法は、仮基板１３の表面に複数の多層配線構造体１０ａ，１０ｂを離間配設して、複数の多層両面配線基板２０ａ，２０ｂを同時に形成する点で、１個の多層両面配線基板のみを形成する第１実施形態とは異なっている。なお第１実施形態と同様の構成となる部分については、その詳細な説明を省略する。
【００４４】
まず図５（ａ）に示すように、複数の配線基板を同時に成形しうる大きさの仮基板１３を準備する。
次に、その仮基板１３の表面に多層配線構造体１０ａ，１０ｂを離間配設し、それぞれの多層配線構造体１０ａ，１０ｂの表面に第２接続端子１６ｔを形成する。その具体的な形成方法は第１実施形態と同様である。
【００４５】
次に仮基板１３を除去する。その具体的な除去方法は第１実施形態と同様である。
以上により、図５（ｂ）に示すように、両面に接続端子１６ｂ，１６ｔを備えた複数の多層両面配線基板２０ａ，２０ｂが形成される。
【００４６】
以上に詳述したように、第３実施形態に係る配線基板の製造方法によれば、複数の配線基板を同時に形成することができる。
なお第３実施形態に係る配線基板の製造方法に代えて、上述した仮基板の表面全体に多層配線構造体を配設し、仮基板を除去した後にダイシング等を行って、複数の配線基板を分離形成してもよい。
【００４７】
［電気光学装置］
次に、上記実施形態に係る配線基板を備えた電気光学装置につき、図６を用いて説明する。図６は、電気光学装置の一例としての液晶表示装置の側面断面図である。
【００４８】
電気光学装置１００は液晶表示装置であり、電気光学パネル（液晶パネル）１１０を備えている。その電気光学パネル１１０には、上記実施形態に係る配線基板の製造方法を使用して形成されたフレキシブル配線基板（ＦＰＣ）２０が装着されている。このＦＰＣ２０は可撓性を有するので、任意の方向に折り曲げて使用することが可能であり、電気光学装置１００をコンパクト化することができる。
【００４９】
電気光学パネル１１０は、ガラスやプラスチックなどからなる一対の基板１１１，１１２をシール材１１３で貼り合わせて構成され、両基板１１１，１１２の間には液晶（電気光学物質）１１４が封入されている。基板１１１の内面上には、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）などの透光性導電材料で構成された複数の画素電極１１１ａが配列形成され、その上に配向膜１１１ｂが形成されている。また基板１１２の内面上には同様の透光性導電材料で構成された対向電極１１２ａが形成され、その上に配向膜１１２ｂが形成されている。また、基板１１１及び１１２の外面上には、偏光板１１５，１１６が配置されている。
【００５０】
またＦＰＣ２０には、層間絶縁膜３１８と配線３１６とが交互に積層配置されている。上下の配線３１６は、層間絶縁膜３１８を貫通する導通ポスト３１７によって接続されている。ＦＰＣ２０の表面には実装ランド３１３が形成され、その表面にＡｕメッキ３１４が施されて、第２接続端子３１６ｔが構成されている。またＦＰＣ２０の裏面には、Ａｕメッキ３１４が施されて、第１接続端子３１６ｂが構成されている。すなわちＦＰＣ２０は、両面に接続端子３１６ｂ，３１６ｔを備えた多層両面配線基板で構成されている。そして、その接続端子３１６ｂ，３１６ｔの表面には、はんだリフロー等により、電気光学装置１００の駆動信号の生成回路を内包する液晶駆動用ＩＣ等のチップ部品３０４，３０６が実装されている。
【００５１】
一方、ＦＰＣ２０の裏面の配線３１６は、異方性導電膜１１７を介して電気光学パネル１１０の配線１１１ｃに導電接続されている。この配線１１１ｃは、上記画素電極１１１ａ及び対向電極１１２ａを、基板１１１の張出部（基板１１２の外形よりも周囲に張り出した部分）に引き出したものである。
そして、チップ部品３０４，３０６から出力された駆動信号は、ＦＰＣ２０の配線３１６および導通ポスト３１７、並びに異方性導電膜１１７を介して、電気光学パネル１１０に伝達される。さらに駆動信号は、電気光学パネル１１０の配線１１１ｃを介して、画素電極１１１ａおよび対向電極１１２ａに伝達される。これにより、電気光学パネル１１０を駆動しうるようになっている。
【００５２】
そして上述したＦＰＣ２０は、上記実施形態に係る配線基板の製造方法を使用することにより、レーザによるビアホール穿設加工（レーザビア加工）を行うことなく、低コストで形成されている。したがって、このＦＰＣ２０を備えることにより、低コストの電気光学装置１００を提供することができる。
【００５３】
［電子機器］
図７は、電子機器の一例としての携帯電話の斜視図である。この図に示す携帯電話１３００は、上述した電気光学装置を小サイズの表示部１３０１として備え、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０４を備えて構成されている。
上述した電気光学装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの場合にも低コストの電子機器を提供することができる。
【００５４】
なお、本発明の技術範囲は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、各実施形態で挙げた具体的な材料や構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】第１実施形態に係る配線基板の製造方法の工程図である。
【図２】第１実施形態に係る配線基板の製造方法の工程図である。
【図３】第１実施形態に係る配線基板の製造方法の工程図である。
【図４】第２実施形態に係る配線基板の製造方法の工程図である。
【図５】第３実施形態に係る配線基板の製造方法の工程図である。
【図６】電気光学装置の一例としての液晶表示装置の側面断面図である。
【図７】電子機器の一例としての携帯電話の斜視図である。
【符号の説明】
【００５６】
１０‥多層配線構造体  １３‥仮基板  １６ｔ‥第２接続端子  １６ｂ‥第１接続端子  ２０‥多層両面配線基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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