(57)【要約】      （修正有）【課題】接着信頼性に十分優れ、且つ、脱落の虞のある樹脂粉又は繊維の発生が十分抑制されている複合体、これを用いたプリプレグ、金属箔張積層板を提供すること。【解決手段】上記課題を解決する複合体は、繊維シート１０１に硬化性樹脂組成物１０２を含浸させてなる複合体１００であって、硬化性樹脂組成物の硬化物の２０℃における貯蔵弾性率が、１００〜２０００ＭＰａである。該硬化性樹脂組成物は、重量平均分子量が３００００以上であり、重合成分として２〜２０質量％のグリシジルアクリレートを含むアクリル重合体を含み、エポキシ価が２〜３６である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
繊維シートに硬化性樹脂組成物を含浸させてなる複合体であって、
前記硬化性樹脂組成物の硬化物の２０℃における貯蔵弾性率が、１００〜２０００ＭＰａである複合体。
【請求項２】
前記繊維シートの体積Ｖｂに対する前記硬化性樹脂組成物の体積Ｖａの比Ｖａ／Ｖｂが、０．３〜０．９である、請求項１に記載の複合体。
【請求項３】
前記硬化性樹脂組成物が粘弾性樹脂を含有する、請求項１又は２に記載の複合体。
【請求項４】
前記硬化性樹脂組成物は、重量平均分子量が３００００以上であるアクリル重合体を含有し、該アクリル重合体はグリシジルアクリレートを重合成分として２〜２０質量％含み且つエポキシ価が２〜３６である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の複合体。
【請求項５】
前記繊維シートが、１０〜２００μｍの厚みを有するガラス布である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の複合体。
【請求項６】
複合体の総厚さが１００μｍ以下である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の複合体。
【請求項７】
貫通孔を有する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の複合体。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の複合体において、前記硬化性樹脂組成物が半硬化されてなる、プリプレグ。
【請求項９】
貫通孔を有する、請求項８記載のプリプレグ。
【請求項１０】
請求項７に記載の複合体において、前記貫通孔に導電体を充填し、前記複合体の少なくとも一面上に金属箔を配したものを、加熱加圧して得られる、金属箔張積層板。
【請求項１１】
請求項９に記載のプリプレグにおいて、前記貫通孔に導電体を充填し、前記プリプレグの少なくとも一面上に金属箔を配したものを、加熱加圧して得られる、金属箔張積層板。
【請求項１２】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の複合体からなる絶縁基板に、その厚さ方向に貫通する第１の貫通孔が形成され、前記第１の貫通孔内には、導電性粒子を含有する第１の樹脂組成物からなる導電部が前記第１の貫通孔全体を埋めるように形成され、前記導電部により前記絶縁基板の厚さ方向の電気的接続がなされている回路基板であって、
前記絶縁基板には、その厚さ方向に貫通する第２の貫通孔が更に形成されており、前記第２の貫通孔内には、該第２の貫通孔の両端の開口部を除く部分に充填された、導電性粒子を含有する第２の樹脂組成物と、前記開口部に配置された絶縁性樹脂層とからなる放熱部が形成されている、回路基板。
【請求項１３】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の複合体からなる絶縁基板に、その厚さ方向に貫通する第１の貫通孔が形成され、前記第１の貫通孔内には、導電性粒子を含有する第１の樹脂組成物からなる導電部が前記第１の貫通孔全体を埋めるように形成され、前記導電部により前記絶縁基板の厚さ方向の電気的接続がなされている回路基板であって、
前記絶縁基板には、その厚さ方向に貫通する第２の貫通孔が更に形成されており、前記第２の貫通孔内には、絶縁性粒子を含有する絶縁性の第３の樹脂組成物からなる放熱部が前記第２の貫通孔全体を埋めるように形成されている、回路基板。
【請求項１４】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の複合体からなる絶縁基板に、その厚さ方向に貫通する第１の貫通孔が形成され、前記第１の貫通孔内には、導電性粒子を含有する第１の樹脂組成物からなる導電部が前記第１の貫通孔全体を埋めるように形成され、前記導電部により前記絶縁基板の厚さ方向の電気的接続がなされている回路基板であって、
前記絶縁基板には、その厚さ方向に貫通する第２の貫通孔が更に形成されており、前記第２の貫通孔内には、該第２の貫通孔の両端の開口部を除く部分に充填された、導電性粒子を含有する第２の樹脂組成物と、前記開口部に配置された絶縁性樹脂層とからなる第１の放熱部が形成されており、且つ、
前記絶縁基板には、その厚さ方向に貫通する第３の貫通孔が更に形成されており、前記第３の貫通孔内には、絶縁性粒子を含有する第３の樹脂組成物からなる第２の放熱部が前記第３の貫通孔全体を埋めるように形成されている、回路基板。
【請求項１５】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の複合体からなる基体の両表面にカバーフィルムを貼り合わせる工程と、
前記基体及び前記カバーフィルムに、前記基体の厚さ方向に貫通する第１の貫通孔及び第２の貫通孔を形成する工程と、
前記第１の貫通孔及び第２の貫通孔に、導電性粒子と樹脂成分とを少なくとも含む導電性ペーストを充填する工程と、
前記基体から前記カバーフィルムを除去する工程と、
前記基体の両面に金属箔を配置した状態で加圧加熱処理を施し、前記基体中の硬化性樹脂組成物及び前記導電性ペースト中の前記樹脂成分を硬化させる工程と、
前記金属箔に、少なくとも前記第２の貫通孔の開口を塞いでいる部分が除去されるようにエッチングを施し、前記金属箔を所定の回路パターンにパターニングするとともに、前記第２の貫通孔内の開口部に存在する前記導電性粒子を溶解除去し、前記開口部に前記樹脂成分からなる絶縁性の絶縁性樹脂層を形成する工程と、
を有する、回路基板の製造方法。
【請求項１６】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の複合体からなる基体の両表面にカバーフィルムを貼り合わせる工程と、
前記基体及び前記カバーフィルムに、前記基体の厚さ方向に貫通する第１の貫通孔及び第２の貫通孔を形成する工程と、
前記第１の貫通孔に、導電性粒子と樹脂成分とを少なくとも含む導電性ペーストを充填する工程と、
前記第２の貫通孔に、絶縁性粒子と前記樹脂成分とを少なくとも含む絶縁性ペーストを充填する工程と、
前記基体から前記カバーフィルムを除去する工程と、
前記基体の両面に金属箔を配置した状態で加圧加熱処理を施し、前記基体中の硬化性樹脂組成物、並びに前記導電性ペースト中及び前記絶縁性ペースト中の前記樹脂成分を硬化させる工程と、
前記金属箔に、少なくとも前記第２の貫通孔の開口を塞いでいる部分が除去されるようにエッチングを施し、前記金属箔を所定の回路パターンにパターニングする工程と、
を有する、回路基板の製造方法。
【請求項１７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の複合体からなる基体の両表面にカバーフィルムを貼り合わせる工程と、
前記基体及び前記カバーフィルムに、前記基体の厚さ方向に貫通する第１の貫通孔、第２の貫通孔及び第３の貫通孔を形成する工程と、
前記第１の貫通孔及び第２の貫通孔に、導電性粒子と樹脂成分とを少なくとも含む導電性ペーストを充填する工程と、
前記第３の貫通孔に、絶縁性粒子と前記樹脂成分とを少なくとも含む絶縁性ペーストを充填する工程と、
前記基体から前記カバーフィルムを除去する工程と、
前記基体の両面に金属箔を配置した状態で加圧加熱処理を施し、前記基体中の硬化性樹脂組成物、並びに前記導電性ペースト中及び前記絶縁性ペースト中の前記樹脂成分を硬化させる工程と、
前記金属箔に、少なくとも前記第２の貫通孔の開口及び前記第３の貫通孔の開口を塞いでいる部分が除去されるようにエッチングを施し、前記金属箔を所定の回路パターンにパターニングするとともに、前記第２の貫通孔内の開口部に存在する前記導電性粒子を溶解除去し、前記開口部に前記樹脂成分からなる絶縁性の絶縁性樹脂層を形成する工程と、
を有する、回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複合体、これを用いたプリプレグ、金属箔張積層板及び回路基板並びに回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高性能化、小型化に伴い、回路基板には高多層化、高密度化が求められている。回路基板の高密度化を図るために、基板の層間の接続方式として、ＩＣ間や部品間を最短距離で結合できるインナービアホール（ＩＶＨ）接続が広く用いられている。ＩＶＨ接続では、必要な各層間のみの接続が可能であり、基板最上層にも貫通孔がなく実装性も優れている。
【０００３】
このＩＶＨ接続を用いた回路基板として、例えば、シート状の有機質の不織布に熱硬化性樹脂を含浸させてなるシート基板材に、レーザー加工により貫通孔を形成し、この貫通孔に導電性ペーストを充填し、シート基板材を加熱加圧することで、ＩＶＨ構造を形成せしめた回路基板が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平６−２６８３４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記ＩＶＨ構造を有する回路基板は、その製造の際に基板上に打痕が発生したり、配線の断線が発生したりすることがあり、十分な信頼性を有していないものがあった。特に、高密度化を図るために各層の層厚を薄くする場合に、上記の不良が多発する傾向にあった。
【０００５】
そこで、本発明者らは、上記不良の原因について詳細に検討した結果、上記のように絶縁基板として繊維シートに樹脂を含浸したシート基板材を用いた場合、絶縁基板から脱落する樹脂粉又は繊維が上記不良の大きな原因であることを見出した。また、脱落する樹脂粉又は繊維は、特にビアホールを有する絶縁基板を形成する際に多く発生することが分かった。
【０００６】
ここで、絶縁基板の材料として樹脂粉又繊維の脱落を抑制することのみ考慮したものを選択しても、回路基板に用いる絶縁基板が必要な接着信頼性を十分に有していなければ、結果として十分な信頼性を有する回路基板が得られない。
【０００７】
本発明は、上記の課題を解決するものであり、接着信頼性に十分優れ、且つ、脱落の虞のある樹脂粉又は繊維の発生が十分抑制されている複合体を提供することを目的とする。また、本発明は、かかる複合体を用いたプリプレグ、金属箔張積層板、回路基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の複合体は、繊維シートに硬化性樹脂組成物を含浸させてなる複合体であって、硬化性樹脂組成物の硬化物の２０℃における貯蔵弾性率が、１００〜２０００ＭＰａであることを特徴とする。
【０００９】
本発明の複合体は、硬化物の貯蔵弾性率が上記の範囲となる硬化性樹脂組成物が繊維シートに含浸されていることにより、脱落の虞のある樹脂粉又は繊維の発生が十分に抑制され、且つ、十分に優れた接着信頼性を有するものとなっている。したがって、本発明の複合体を絶縁基板の材料として用いることにより、信頼性に優れる回路基板を製造することができる。
【００１０】
硬化性樹脂組成物の硬化物の２０℃における貯蔵弾性率が、１００ＭＰａ未満であると、取扱い性及び寸法安定性が低下して、十分な接着信頼性を得ることができず、一方、２０００ＭＰａを越えると、硬化した樹脂が脆くなるために脱落の虞のある樹脂粉又は繊維の発生を十分に抑制することができない。
【００１１】
また、本発明の複合体において、上記繊維シートの体積Ｖｂに対する上記硬化性樹脂組成物の体積Ｖａの比Ｖａ／Ｖｂが、０．３〜０．９であることが好ましい。
【００１２】
上記のＶａ／Ｖｂが、０．３未満であると、金属箔と一体化する場合に樹脂成分が不足し、高速で一体化させると気泡やかすれが生じたり、一体化した金属箔表面に繊維シートの凹凸が反映されて表面平滑性が低下したりする傾向にある。これにより、十分な接着信頼性を得ることが困難となる傾向にある。一方、Ｖａ／Ｖｂが、０．９を超えると、高温放置等の耐熱性試験において基材に歪みが発生するなどの寸法安定性が低下する傾向にある。
【００１３】
更に、本発明の複合体において、上記硬化性樹脂組成物が粘弾性樹脂を含有することが好ましい。このような複合体は、脱落の虞のある樹脂粉又は繊維の発生がより確実に抑制され、且つ、十分優れた接着信頼性を有するものとなっている。
【００１４】
また、本発明の複合体において、上記硬化性樹脂組成物は、重量平均分子量が３００００以上であるアクリル重合体を含有し、このアクリル重合体はグリシジルアクリレートを重合成分として２〜２０質量％含み、エポキシ価が２〜３６であることが好ましい。なお、エポキシ価は、ＨＬＣ測定法により求めた値を採用する。
【００１５】
アクリル重合体の重量平均分子量が３００００未満であると、柔軟性が低下して脆くなる傾向にある。また、アクリル重合体に重合成分として含まれるグリシジルアクリレートが、２質量％未満であると、硬化物のガラス転移温度Ｔｇが低下して耐熱性が不十分となる傾向にあり、一方、１０質量％を超えると、硬化物の貯蔵弾性率が上昇して樹脂粉又は繊維の発生を十分に抑制できなくなる傾向にある。さらに、アクリル重合体のエポキシ価が、２未満であると、硬化物のガラス転移温度Ｔｇが低下して耐熱性が不十分となる傾向にあり、一方、１８を超えると、硬化物の貯蔵弾性率が上昇して樹脂粉又は繊維の発生を十分に抑制できなくなる傾向にある。
【００１６】
更に、本発明の複合体において、上記繊維シートは、１０〜２００μｍの厚みを有するガラス布であることが好ましい。かかる複合体によれば、十分な機械的強度を有するとともに寸法安定性が向上し、回路基板の高密度化を図ることがより容易となる絶縁基板を得ることができる。
【００１７】
また、本発明の複合体において、複合体の総厚さが１００μｍ以下であることが好ましい。複合体の総厚さが、１００μｍ以下であることにより、回路基板を構成する絶縁基板として用いる場合に、高密度化を図ることがより容易となる。
【００１８】
更に、本発明の複合体において、複合体が貫通孔を有することが好ましい。かかる複合体によれば、予め所定位置に貫通孔が設けられていることで貫通孔を形成する工程を省略でき、このような複合体を用いることで信頼性に優れるＩＶＨ構造の回路基板を歩留まりよく製造することができる。
【００１９】
また、本発明のプリプレグは、上記本発明の複合体において、硬化性樹脂組成物が半硬化されてなることを特徴とする。
【００２０】
本発明のプリプレグは、上述の硬化性樹脂組成物を用いることにより、脱落の虞のある樹脂粉又は繊維の発生が十分に抑制され、且つ、十分に優れた接着信頼性を有するものとなっている。したがって、本発明のプリプレグを用いてＩＶＨ構造を有する回路基板を製造する場合、信頼性に優れる回路基板を得ることができる。
【００２１】
更に、本発明のプリプレグにおいて、貫通孔を有することが好ましい。かかるプリプレグによれば、予め所定位置に貫通孔が設けられていることで貫通孔を形成する工程を省略でき、このようなプリプレグを用いることで信頼性に優れるＩＶＨ構造の回路基板をより容易に製造することができる。
【００２２】
また、本発明の第１の金属箔張積層板は、貫通孔を有する本発明の複合体において、貫通孔に導電体を充填し、複合体の少なくとも一面上に金属箔を配したものを、加熱加圧して得られることを特徴とする。
【００２３】
かかる金属箔張積層板は、上記本発明の複合体を用いることにより、金属箔張積層板からの樹脂粉又は繊維の脱落が十分に抑制されているとともに、十分に優れた接着信頼性を有している。したがって、本発明の金属箔張積層板を用いてＩＶＨ構造を有する回路基板を製造する場合、信頼性に優れる回路基板を歩留まりよく得ることができる。
【００２４】
また、本発明の第２の金属箔張積層板は、貫通孔を有する本発明のプリプレグにおいて、貫通孔に導電体を充填し、プリプレグの少なくとも一面上に金属箔を配したものを、加熱加圧して得られることを特徴とする。
【００２５】
かかる金属箔張積層板は、上記本発明のプリプレグを用いることにより、金属箔張積層板からの樹脂粉又は繊維の脱落が十分に抑制されているとともに、十分に優れた接着信頼性を有している。したがって、本発明の金属箔張積層板を用いてＩＶＨ構造を有する回路基板を製造する場合、信頼性に優れる回路基板を歩留まりよく得ることができる。
【００２６】
また、本発明の第１の回路基板は、上記本発明の複合体からなる絶縁基板に、その厚さ方向に貫通する第１の貫通孔が形成され、上記第１の貫通孔内には、導電性粒子を含有する第１の樹脂組成物からなる導電部が上記第１の貫通孔全体を埋めるように形成され、上記導電部により上記絶縁基板の厚さ方向の電気的接続がなされている回路基板であって、上記絶縁基板には、その厚さ方向に貫通する第２の貫通孔が更に形成されており、上記第２の貫通孔内には、該第２の貫通孔の両端の開口部を除く部分に充填された、導電性粒子を含有する第２の樹脂組成物と、上記開口部に配置された絶縁性樹脂層とからなる放熱部が形成されていることを特徴とする。
【００２７】
また、本発明の第２の回路基板は、上記本発明の複合体からなる絶縁基板に、その厚さ方向に貫通する第１の貫通孔が形成され、上記第１の貫通孔内には、導電性粒子を含有する第１の樹脂組成物からなる導電部が上記第１の貫通孔全体を埋めるように形成され、上記導電部により上記絶縁基板の厚さ方向の電気的接続がなされている回路基板であって、上記絶縁基板には、その厚さ方向に貫通する第２の貫通孔が更に形成されており、上記第２の貫通孔内には、絶縁性粒子を含有する絶縁性の第３の樹脂組成物からなる放熱部が上記第２の貫通孔全体を埋めるように形成されていることを特徴とする。
【００２８】
更に、本発明の第３の回路基板は、上記本発明の複合体からなる絶縁基板に、その厚さ方向に貫通する第１の貫通孔が形成され、上記第１の貫通孔内には、導電性粒子を含有する第１の樹脂組成物からなる導電部が上記第１の貫通孔全体を埋めるように形成され、上記導電部により上記絶縁基板の厚さ方向の電気的接続がなされている回路基板であって、上記絶縁基板には、その厚さ方向に貫通する第２の貫通孔が更に形成されており、上記第２の貫通孔内には、該第２の貫通孔の両端の開口部を除く部分に充填された、導電性粒子を含有する第２の樹脂組成物と、上記開口部に配置された絶縁性樹脂層とからなる第１の放熱部が形成されており、且つ、上記絶縁基板には、その厚さ方向に貫通する第３の貫通孔が更に形成されており、上記第３の貫通孔内には、絶縁性粒子を含有する第３の樹脂組成物からなる第２の放熱部が上記第３の貫通孔全体を埋めるように形成されていることを特徴とする。
【００２９】
先に説明したような従来のＩＶＨ構造を有する回路基板では、放熱性が十分ではなく、かかる点が半導体チップの実装基板として使用する場合の問題点になっている。また、基板最上層の電極のランドが、基板最上層における配線（例えば、半導体チップとの電気的接続をおこなうための配線）を形成する領域を制限しており、配線を高密度に形成することができないという問題点があった。
【００３０】
これに対し、上記本発明の第１〜第３の回路基板では、絶縁基板が上述の接着信頼性に優れ且つ樹脂粉や繊維の脱落が十分に抑制されている本発明の複合体で構成されているとともに、絶縁基板に上述した導電部と放熱部とが形成されている。かかる構成を有する回路基板においては、導電部による放熱だけでなく、放熱部によって十分な放熱がなされるとともに、放熱部周辺には電極のランドが形成されないため、その放熱部周辺の基板領域に配線を配することが可能となる。したがって、かかる回路基板によれば、十分な放熱性が得られ、高密度な配線形成を行えるとともに、優れた信頼性を得ることができる。なお、上記本発明の第１〜第３の回路基板は、上述した導電部及び放熱部以外に、更に別の導電部及び放熱部を有していてもよい。
【００３１】
ここで、上記第１〜第３の回路基板において、上記絶縁性樹脂層及び上記樹脂組成物の構成樹脂が硬化樹脂であることが好ましい。これにより、優れた耐熱性が得られるとともに、ハンダ及びハンダリフロー処理における耐久性が向上する。また、上記絶縁性樹脂層及び上記樹脂組成物の構成樹脂は、エポキシ樹脂であることが好ましい。これにより、導電部及び放熱部と絶縁基板との接着信頼性が向上する。
【００３２】
また、上記第１〜第３の回路基板において、上記絶縁基板の上下面の少なくとも一方にその一部が上記導電部に接合する金属箔パターンが形成されていることが好ましい。これにより、金属箔パターンを電気回路とする回路基板を構成することができる。
【００３３】
更に、上記第１〜第３の回路基板において、上記導電性粒子が、金、銀、銅、アルミニウム、パラジウム、ニッケル及びこれらの合金の粒子から選ばれる少なくとも１つであることが好ましい。これにより、十分な電気伝導性を有する導電部を形成することができる。
【００３４】
また、上記第１〜第３の回路基板において、上記絶縁性粒子がアルミナ粒子、シリカ粒子及びマグネシア粒子から選ばれる少なくとも１つであることが好ましい。これにより、十分な電気絶縁性を有する放熱部を形成することができる。
【００３５】
本発明の回路基板の第１の製造方法は、上記本発明の複合体からなる基体の両表面にカバーフィルムを貼り合わせる工程と、上記基体及び上記カバーフィルムに、上記基体の厚さ方向に貫通する第１の貫通孔及び第２の貫通孔を形成する工程と、上記第１の貫通孔及び第２の貫通孔に、導電性粒子と樹脂成分とを少なくとも含む導電性ペーストを充填する工程と、上記基体から上記カバーフィルムを除去する工程と、上記基体の両面に金属箔を配置した状態で加圧加熱処理を施し、上記基体中の硬化性樹脂組成物及び上記導電性ペースト中の上記樹脂成分を硬化させる工程と、上記金属箔に、少なくとも上記第２の貫通孔の開口を塞いでいる部分が除去されるようにエッチングを施し、上記金属箔を所定の回路パターンにパターニングするとともに、上記第２の貫通孔内の開口部に存在する上記導電性粒子を溶解除去し、上記開口部に上記樹脂成分からなる絶縁性の絶縁性樹脂層を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００３６】
また、本発明の回路基板の第２の製造方法は、上記本発明の複合体からなる基体の両表面にカバーフィルムを貼り合わせる工程と、上記基体及び上記カバーフィルムに、上記基体の厚さ方向に貫通する第１の貫通孔及び第２の貫通孔を形成する工程と、上記第１の貫通孔に、導電性粒子と樹脂成分とを少なくとも含む導電性ペーストを充填する工程と、上記第２の貫通孔に、絶縁性粒子と上記樹脂成分とを少なくとも含む絶縁性ペーストを充填する工程と、上記基体から上記カバーフィルムを除去する工程と、上記基体の両面に金属箔を配置した状態で加圧加熱処理を施し、上記基体中の硬化性樹脂組成物、並びに上記導電性ペースト中及び上記絶縁性ペースト中の上記樹脂成分を硬化させる工程と、上記金属箔に、少なくとも上記第２の貫通孔の開口を塞いでいる部分が除去されるようにエッチングを施し、上記金属箔を所定の回路パターンにパターニングする工程と、を有することを特徴とする。
【００３７】
更に、本発明の回路基板の第３の製造方法は、上記本発明の複合体からなる基体の両表面にカバーフィルムを貼り合わせる工程と、上記基体及び上記カバーフィルムに、上記基体の厚さ方向に貫通する第１の貫通孔、第２の貫通孔及び第３の貫通孔を形成する工程と、上記第１の貫通孔及び第２の貫通孔に、導電性粒子と樹脂成分とを少なくとも含む導電性ペーストを充填する工程と、上記第３の貫通孔に、絶縁性粒子と上記樹脂成分とを少なくとも含む絶縁性ペーストを充填する工程と、上記基体から上記カバーフィルムを除去する工程と、上記基体の両面に金属箔を配置した状態で加圧加熱処理を施し、上記基体中の硬化性樹脂組成物、並びに上記導電性ペースト中及び上記絶縁性ペースト中の上記樹脂成分を硬化させる工程と、上記金属箔に、少なくとも上記第２の貫通孔の開口及び上記第３の貫通孔の開口を塞いでいる部分が除去されるようにエッチングを施し、上記金属箔を所定の回路パターンにパターニングするとともに、上記第２の貫通孔内の開口部に存在する上記導電性粒子を溶解除去し、上記開口部に上記樹脂成分からなる絶縁性の絶縁性樹脂層を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００３８】
上記本発明の第１〜第３の回路基板の製造方法では、絶縁基板として上述の接着信頼性に優れ且つ樹脂粉や繊維の脱落が十分に抑制されている本発明の複合体で構成されたものを用いているとともに、絶縁基板に導電部と放熱部とを形成している。かかる製造方法により得られる回路基板は、導電部による放熱だけでなく、放熱部によって十分な放熱がなされるとともに、放熱部周辺には電極のランドが形成されないため、その放熱部周辺の基板領域に配線を配することが可能となる。したがって、かかる製造方法によれば、十分な放熱性を有し、高密度な配線形成を行えるとともに、優れた信頼性を有する回路基板を製造することができる。なお、上記本発明の第１〜第３の回路基板の製造方法では、上述した導電部及び放熱部以外に、更に別の導電部及び放熱部を形成してもよい。
【発明の効果】
【００３９】
本発明によれば、接着信頼性に十分優れ、且つ、脱落の虞のある樹脂粉又は繊維の発生が十分抑制されている複合体を提供することができる。また、本発明によれば、かかる複合体を用いたプリプレグ、金属箔付きシートを提供することができる。更に、本発明によれば、十分な放熱性を有し、高密度な配線形成を行えるとともに、優れた信頼性を有する回路基板、及びその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００４１】
先ず、本発明の複合体の実施形態について説明する。図１は、本発明の複合体の一実施形態を示す模式断面図である。図１の複合体１００は、繊維シート１０１に硬化性樹脂組成物１０２を含浸してなるものである。また、複合体１００は、貫通孔１０３を備えている。
【００４２】
繊維シート１０１としては、例えば、紙、ガラス繊維織布及びガラス繊維不織布等のガラス布、アラミド不織布等の耐熱性合成繊維が挙げられる。これらのうち、ガラス繊維織布及びガラス繊維不織布が好ましく、ガラス繊維織布が特に好ましい。ガラスの材質としては、Ｅガラス、Ｓガラス、Ｄガラス等が挙げられる。また、繊維シートとして織布を用いる場合の繊維の織り方については、例えば、平織、朱子織、綾織等が挙げられる。
【００４３】
繊維シートの厚みについては、繊維シートが十分な強度を有するのであれば薄い方が好ましい。具体的には、例えば、１０〜２００μｍであることが好ましく、２０〜８０μｍであることがより好ましい。また、繊維シートは、線膨張率がより小さいものが好ましい。
【００４４】
硬化性樹脂組成物１０２としては、その硬化物の２０℃における貯蔵弾性率が１００〜２０００ＭＰａとなるものであればよく、例えば、硬化性樹脂とこの硬化性樹脂を硬化させる硬化剤とを含有するものが挙げられる。硬化性樹脂の樹脂成分としては、粘弾性樹脂を用いることが好ましく、例えば、エポキシ樹脂、ゴム変性エポキシ樹脂、ＳＢＲ、ＮＢＲ、ＣＴＢＮ、アクリル樹脂、ポリアミド、ポリアミドイミド、シリコーン変性ポリアミドイミド等が挙げられる。また、硬化剤としては、ジシアンジアミド、フェノール樹脂、イミダゾール、アミン化合物、酸無水物等が挙げられる。
【００４５】
また、硬化性樹脂組成物１０２は、繊維シートに含浸させる目的で、所定の溶媒を含有したワニスとして使用することができる。溶媒としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒；テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒；メチルセロソルブ、ジエチレングリコール等のグリコールエーテル系溶媒；メチルセロソルブアセテート等のエステル系溶媒；エチレングリコールジメチルエーテル等のジアルキルグリコール系溶媒；Ｎ−メチルピロリドン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ’−ジメチルアセトアミド等のアミド系溶媒；メタノール、ブタノール、イソプロパノール等のアルコール系溶媒；２−メトキシエタノール、２−ブトキシエタノール等のエーテルアルコール系溶媒等を用いることができ、これらの１種又は２種以上を用いることができる。
【００４６】
本実施形態においては、硬化性樹脂組成物として、硬化性のアクリル重合体と、このアクリル重合体を硬化させる硬化剤とを組み合わせたものを用いることが好ましい。この場合、アクリル重合体１００質量部に対して、硬化剤を６０〜３５０質量部の割合で用いることが好ましい。硬化剤が、アクリル樹脂１００質量部に対して６０質量部未満であると、硬化物の貯蔵弾性率が３００ＭＰａを下回る傾向にあり、取扱い性が低下するとともに、硬化物のＴｇが低下して高温放置時の劣化による寸法収縮、半田耐熱性の低下等の問題が生じやすくなる傾向にある。一方、硬化剤の割合が３５０質量部を越えると、硬化物の貯蔵弾性率が２０００ＭＰａを上回る傾向にあり、この場合、硬化物が脆くなるので樹脂粉又は繊維が脱落しやすくなる傾向にある。
【００４７】
また、上記アクリル重合体は、重量平均分子量（Ｍｗ）が、３００００以上であることが好ましく、更にこのアクリル重合体は、重合体中に重合成分として２〜２０質量％のグリシジルアクリレートを有し、エポキシ価が２〜３６であることが好ましい。
【００４８】
複合体１００の製造方法としては、例えば、硬化性樹脂組成物を繊維シートに含浸させて乾燥した後、所定の位置に貫通孔を形成する方法が挙げられる。硬化性樹脂組成物を繊維シートに含浸させる方法としては、例えば、ウェット方式やドライ方式等の樹脂組成物溶液に繊維シートを浸漬させる方法や、繊維シートに硬化性樹脂組成物を塗工する方法等が挙げられる。
【００４９】
繊維シートに含浸させる硬化性樹脂組成物の量は、繊維シートの体積Ｖｂに対する硬化性樹脂組成物の体積Ｖａの比Ｖａ／Ｖｂが、０．３〜０．９となるように調節することが好ましい。ここで、体積比は、複合体に含まれる繊維シート及び硬化性樹脂組成物の重量とそれぞれの比重から求めることができる。
【００５０】
次に、本発明のプリプレグの好適な実施形態について説明する。
【００５１】
図２は、本発明のプリプレグの一実施形態を示す模式断面図である。図２に示すプリプレグ２００は、繊維シート２０１と、この繊維シート２０１に含浸した硬化性樹脂組成物を半硬化させた半硬化樹脂組成物層２０２とからなる。また、プリプレグ２００は、貫通孔２０３を備えている。
【００５２】
プリプレグ２００は、上述の複合体１００における硬化性樹脂組成物１０２を半硬化させることにより得ることができる。この場合、繊維シート２０１は繊維シート１０１と同様であり、半硬化樹脂組成物層２０２は硬化性樹脂組成物１０２を半硬化させてなるものである。また、別の方法として、プリプレグ２００は、上記の硬化性樹脂組成物を上記の繊維シートに含浸させて乾燥したものを用意し、次いで、硬化性樹脂組成物を半硬化させて半硬化樹脂組成物層２０２を形成した後、所定の位置に貫通孔２０３を形成することにより得ることもできる。
【００５３】
硬化性樹脂組成物を半硬化させる方法としては、加熱、紫外線照射、電子線照射等の方法が挙げられる。加熱により半硬化を行う場合の条件としては、例えば、１００〜２００℃、１〜３０分間の条件が挙げられる。
【００５４】
本実施形態のプリプレグにおいては、硬化性樹脂組成物の硬化率を１０〜７０％の範囲とすることが好ましい。硬化性樹脂組成物の硬化率が１０％未満であると、金属箔と一体化した場合、一体化した金属箔表面に繊維シートの凹凸が反映されて表面平滑性が低下する傾向にあり、また、絶縁基板の厚みの制御が困難となる傾向にある。一方、硬化性樹脂組成物の硬化率が７０％を越えると、金属箔と一体化する場合に樹脂成分が不足し、高速で一体化させると気泡やかすれが生じやすくなり、金属箔との接着力が不十分となる傾向にある。
【００５５】
次に、本発明の金属箔張積層板の実施形態について説明する。
【００５６】
図３は、本発明の金属箔張積層板の一実施形態を示す模式断面図である。図３に示される金属箔張積層板３００は、貫通孔３０３を有する絶縁基板３０１と、貫通孔３０３に充填された導電体３０４と、絶縁基板３０１上に積層された導電体層３０２とから構成されている。
【００５７】
導電体層３０２としては、例えば、銅箔、アルミニウム箔、ニッケル箔等の金属箔が挙げられる。本実施形態の金属箔張積層板においては、導電体層３０２が銅箔であることが好ましく、その厚さは１〜７０μｍであることが好ましい。また、銅箔は、電解銅箔、圧延銅箔等を用いることができる。なお、本実施形態の金属箔張積層板においては、導電体層３０２は導電性を有する膜であればよく、上記の金属箔以外に、例えば、金属、有機物及びこれらの複合物であってもよい。
【００５８】
導電体３０４としては、例えば、金、銀、ニッケル、銅、白金、パラジウム若しくは酸化ルテニウム等の金属若しくは金属酸化物又は有機金属化合物等を含む導電ペーストの加熱加圧されたものが挙げられる。
【００５９】
貫通孔３０３を有する絶縁基板３０１は、上述した複合体１００又はプリプレグ２００を用いて形成されている。
【００６０】
例えば、プリプレグ２００を用いて金属箔張積層板３００を得る場合、先ず、プリプレグ２００の貫通孔２０３に導電ペーストを充填する。次に、プリプレグ２００の表面上に導電体層としての金属箔を配し、金属箔とプリプレグとを一体化し金属箔張積層板３００を製造することができる。また、プリプレグ２００の代わりに複合体１００を用いても同様に金属箔張積層板３００を製造することができる。
【００６１】
金属箔と、プリプレグ又は複合体とを一体化する方法としては、例えば、メタライズ、プレス積層方法、熱ロール連続積層法等が挙げられる。本実施形態においては、効率よく導電体層３０２を形成する観点から、プレス積層法を用いることが好ましい。プレス積層法により、金属箔と、プリプレグ又は複合体とを一体化する際の加熱加圧条件としては、例えば、温度１２０〜２３０℃、圧力１０〜６０ｋｇ／ｃｍ2、加熱時間３０〜１２０分の範囲の条件が挙げられる。
【００６２】
また、金属箔と、プリプレグ又は複合体とを連続積層する前に、金属箔の表面にプリプレグ又は複合体に含まれているものと同様の感光性樹脂組成物を塗布し、かかる樹脂組成物からなる層を形成することが好ましい。これにより、プリプレグ又は複合体に含まれる繊維シートの表面の凹凸が導電体層の表面に反映されることを更に低減することができる。
【００６３】
次に、本発明の回路基板の好適な実施形態について説明する。
【００６４】
図４は、本発明の回路基板の第１実施形態を示す模式断面図である。図４に示すように、回路基板４００において、絶縁基板４０１には、その厚さ方向に貫通する第１の貫通孔４１０及び第２の貫通孔４２０が形成されている。第１の貫通孔４１０内には、第１の樹脂組成物からなる導電部４１１が第１の貫通孔４１０全体を埋めるように形成されており、絶縁基板４０１の両表面上には、配線パターン４１２ａ及び４１２ｂが導電部４１１に電気的に接触した状態で形成されている。すなわち、導電部４１１により、絶縁基板４０１の厚さ方向の電気的接続がなされている。また、第２の貫通孔４２０内には、この第２の貫通孔４２０の両端の開口部を除く部分に充填された第２の樹脂組成物４２１と、上記開口部に配置された絶縁性樹脂層４２２ａ及び４２２ｂとからなる放熱部４２３が形成されている。
【００６５】
ここで、絶縁基板４００は、上述した本発明の複合体１００又はプリプレグ２００を用いて形成されている。
【００６６】
上記導電部４１１を構成する第１の樹脂組成物は、導電性粒子を含有するものであり、例えば、金、銀、ニッケル、銅、白金、パラジウム若しくは酸化ルテニウム等の金属若しくは金属酸化物又は有機金属化合物等の導電性粒子と、エポキシ樹脂及びその硬化剤等の上述した硬化性樹脂組成物と、からなるものである。また、放熱部４２３を構成する第２の樹脂組成物４２１も、上記第１の樹脂組成物と同様の材料からなるものである。
【００６７】
更に、放熱部４２３を構成する絶縁性樹脂層４２２ａ及び４２２ｂは、上述したエポキシ樹脂及びその硬化剤等の絶縁性の硬化性樹脂組成物からなるものである。
【００６８】
また、配線パターン４１２ａ及び４１２ｂは、銅、アルミニウム、ニッケル等の金属で構成されている。
【００６９】
かかる構成を有する回路基板４００においては、導電部４１１による放熱だけでなく、放熱部４２３によって内部の熱が十分に放熱されることとなる。また、放熱部４２３周辺には電極のランドが形成されないため、その放熱部４２３周辺の基板領域に配線を配することが可能となる。したがって、かかる回路基板によれば、十分な放熱性が得られ、高密度な配線形成を行えるとともに、優れた信頼性を得ることができる。
【００７０】
図５は、本発明の回路基板の第２実施形態を示す模式断面図である。図５に示すように、回路基板５００において、絶縁基板５０１には、その厚さ方向に貫通する第１の貫通孔５１０及び第２の貫通孔５２０が形成されている。第１の貫通孔５１０内には、第１の樹脂組成物からなる導電部５１１が第１の貫通孔５１０全体を埋めるように形成されており、絶縁基板５０１の両表面上には、配線パターン５１２ａ及び５１２ｂが導電部５１１に電気的に接触した状態で形成されている。すなわち、導電部５１１により、絶縁基板５０１の厚さ方向の電気的接続がなされている。また、第２の貫通孔５２０内には、絶縁性粒子を含有する絶縁性の第３の樹脂組成物からなる放熱部５２３が第２の貫通孔５２０全体を埋めるように形成されている。
【００７１】
ここで、放熱部５２３を構成する第３の樹脂組成物は、絶縁性粒子を含有する絶縁性の樹脂組成物であり、例えば、アルミナ粒子、シリカ粒子及びマグネシア粒子等のセラミック粒子を絶縁性粒子とし、これをエポキシ樹脂及びその硬化剤等の上述した硬化性樹脂組成物に分散混合したものが挙げられる。
【００７２】
また、第２実施形態の回路基板において、放熱部５２３以外の構成は、第１実施形態の回路基板における構成と同様である。
【００７３】
かかる構成を有する回路基板５００においては、導電部５１１による放熱だけでなく、放熱部５２３によって内部の熱が十分に放熱されることとなる。また、放熱部５２３周辺には電極のランドが形成されないため、その放熱部５２３周辺の基板領域に配線を配することが可能となる。したがって、かかる回路基板によれば、十分な放熱性が得られ、高密度な配線形成を行えるとともに、優れた信頼性を得ることができる。
【００７４】
図６は、本発明の回路基板の第３実施形態を示す模式断面図である。図６に示すように、回路基板６００において、絶縁基板６０１には、その厚さ方向に貫通する第１の貫通孔６１０、第２の貫通孔６２０及び第３の貫通孔６３０が形成されている。第１の貫通孔６１０内には、第１の樹脂組成物からなる導電部６１１が第１の貫通孔６１０全体を埋めるように形成されており、絶縁基板６０１の両表面上には、配線パターン６１２ａ及び６１２ｂが導電部６１１に電気的に接触した状態で形成されている。すなわち、導電部６１１により、絶縁基板６０１の厚さ方向の電気的接続がなされている。また、第２の貫通孔６２０内には、この第２の貫通孔６２０の両端の開口部を除く部分に充填された第２の樹脂組成物６２１と、上記開口部に配置された絶縁性樹脂層６２２ａ及び６２２ｂとからなる第１の放熱部６２３が形成されている。更に、第３の貫通孔６３０内には、絶縁性粒子を含有する絶縁性の第３の樹脂組成物からなる第２の放熱部６３３が第３の貫通孔６３０全体を埋めるように形成されている。
【００７５】
第３実施形態の回路基板において、導電部６１１は、第１実施形態における導電部４１１と同様の構成を有しており、第１の放熱部６２３は、第１実施形態における放熱部４２３と同様の構成を有しており、第２の放熱部６３３は、第２実施形態における放熱部５２３と同様の構成を有している。更に、絶縁基板６０１、並びに配線パターン６１２ａ及び６１２ｂは、第１実施形態における絶縁基板４０１、並びに配線パターン４１２ａ及び４１２ｂと同様の構成を有している。
【００７６】
かかる構成を有する回路基板６００においては、導電部６１１による放熱だけでなく、第１の放熱部６２３及び第２の放熱部６３３によって内部の熱が十分に放熱されることとなる。また、第１の放熱部６２３及び第２の放熱部６３３の周辺には電極のランドが形成されないため、第１の放熱部６２３及び第２の放熱部６３３周辺の基板領域に配線を配することが可能となる。したがって、かかる回路基板によれば、十分な放熱性が得られ、高密度な配線形成を行えるとともに、優れた信頼性を得ることができる。
【００７７】
以上、本発明の回路基板の好適な実施形態について説明したが、本発明の回路基板は上記の実施形成に限定されるものではない。
【００７８】
例えば、上記第１〜第３実施形態における回路基板では、導電部が１つ設けられているが、同様の構成の導電部が複数設けられていてもよい。同様に、放熱部についても、第３実施形態で示した第１の放熱部６２３や第２の放熱部６３３と同様の構成の放熱部が複数設けられていてもよい。
【００７９】
更に、上記第１〜第３実施形態における回路基板は一層のみであるが、この回路基板の上下面に更に回路基板を積層し、多層配線基板としてもよい。この場合、更に積層する回路基板は、本発明の回路基板の構成を有するものであってもよく、本発明の回路基板の構成とは異なる構成を有するものであってもよい。
【００８０】
次に、本発明の回路基板の製造方法の好適な実施形態について説明する。
【００８１】
図７（ａ）〜（ｄ）は、本発明の回路基板の製造方法の第１実施形態を示す一連の工程図である。まず、図７（ａ）に示すように、本発明の複合体からなるプリプレグ２１０を基体とし、その両表面にポリエチレンテレフタレートフィルム等の樹脂フィルム１２０ａ及び１２０ｂをカバーフィルムとして貼り付け、全体の厚さ方向に貫通する第１の貫通孔４１０及び第２の貫通孔４２０を形成する。
【００８２】
第１の貫通孔４１０及び第２の貫通孔４２０の形成には、一般にドリル、レーザビームが使用される。レーザビームで穴あけ加工をすると、微細なピッチで穴あけでき、しかも削り屑が出ないため好ましい。
【００８３】
そして、このようにして形成した第１及び第２の貫通孔（ビアホール）４１０，４２０のそれぞれに、導電性ペースト１３０を充填する。導電性ペースト１３０の充填方法は、グラビア印刷、ロールによる押し込み、減圧充填等各種の方法が採用できる。
【００８４】
ここで使用する導電性ペースト１３０は、導電性粒子と樹脂成分とを少なくとも含有してなるものである。導電性粒子としては、例えば、金、銀、ニッケル、銅、白金、パラジウム若しくは酸化ルテニウム等の金属若しくは金属酸化物又は有機金属化合物等の導電性粒子が用いられる。また、樹脂成分としては、例えば、エポキシ樹脂及びその硬化剤等の上述した硬化性樹脂組成物が用いられる。
【００８５】
次に、図７（ｂ）に示すように、プリプレグ２１０の両表面から樹脂フィルム１２０ａ及び１２０ｂを除去した後、プリプレグ２１０を挟むように金属箔１４０ａ及び１４０ｂを配置する。この状態で、矢印Ａ及びＢの方向に加圧しながら加熱することで、全体に加圧加熱処理を施す。
【００８６】
図７（ｃ）は、加圧加熱処理を施した後の状態を示しており、プリプレグ２１０は圧縮されて厚みが薄くなっているとともに、プリプレグ中の硬化性樹脂組成物が硬化して、絶縁基板４０１が形成されている。また、第１の貫通孔４１０及び第２の貫通孔４２０に充填された導電性ペースト１３０も圧縮されているとともに、導電性ペースト１３０中の樹脂成分も硬化して、導電部４１１及び導電部（第２の樹脂組成物）４２１がそれぞれ形成されている。
【００８７】
その後、金属箔１４０ａ及び１４０ｂをエッチングして所望の配線パターンを形成する。このとき、少なくとも第２の貫通孔４２０の両端の開口を塞いでいる金属箔が除去されるようにエッチングを施し、更にエッチングを継続して行うことにより、第２の貫通孔４２０内の開口部に存在する導電部４２１中の導電性粒子を溶解除去する。これにより、図７（ｄ）に示すように、第２の貫通孔４２０内の開口部に、導電性粒子が除去された後の樹脂成分からなる絶縁性の絶縁性樹脂層４２２ａ及び４２２ｂを形成する。そして、この絶縁性樹脂層４２２ａ及び４２２ｂと導電部４２１とにより放熱部４２３が形成される。以上により、回路基板４００の製造が完了する。
【００８８】
ここでのエッチングは、例えば、塩化第二鉄をエッチング液として用いたウェットエッチングにより行うことができる。
【００８９】
回路基板４００においては、導電部４１１が形成されており、且つ、この導電部に電気的に接触した状態となるように配線パターン４１２ａ及び４１２ｂが形成されている。これにより、ＩＶＨ構造による電極層間の電気的接続が行われる。また、絶縁基板４０１の導電部４１１が存在していない部分にも配線パターンを形成してもよく、回路基板４００においては、このような配線パターン４３２ａ及び４３２ｂが形成されている。このような配線パターン４３２ａ及び４３２ｂは、多層配線基板を製造する場合に有効である。
【００９０】
以上の構成を有する回路基板４００は、放熱部４２３によって内部の熱が十分に放熱されることとなる。また、放熱部４２３周辺には電極のランドが形成されないため、その放熱部４２３周辺の基板領域に配線を配することが可能となる。したがって、かかる回路基板によれば、十分な放熱性が得られ、高密度な配線形成を行えるとともに、優れた信頼性を得ることができる。
【００９１】
次に、本発明の回路基板の製造方法の第２実施形態について説明する。図８（ａ）〜（ｄ）は、本発明の回路基板の製造方法の第２実施形態を示す一連の工程図である。まず、図８（ａ）に示すように、本発明の複合体からなるプリプレグ２１０を基体とし、その両表面に先に説明した樹脂フィルム１２０ａ及び１２０ｂをカバーフィルムとして貼り付け、全体の厚さ方向に貫通する第１の貫通孔５１０及び第２の貫通孔５２０を形成する。
【００９２】
次いで、第１の貫通孔５１０に、先に説明した導電性ペースト１３０を充填する。一方、第２の貫通孔５２０に、絶縁性粒子と樹脂成分とを少なくとも含む絶縁性ペースト１５０を充填する。導電性ペースト１３０及び絶縁性ペースト１５０の充填方法は、グラビア印刷、ロールによる押し込み、減圧充填等各種の方法が採用できる。
【００９３】
ここで使用する絶縁性ペースト１５０は、絶縁性粒子と樹脂成分とを少なくとも含有してなるものである。絶縁性粒子としては、例えば、アルミナ粒子、シリカ粒子及びマグネシア粒子等のセラミック粒子が用いられる。また、樹脂成分としては、例えば、エポキシ樹脂及びその硬化剤等の上述した硬化性樹脂組成物が用いられる。
【００９４】
次に、図８（ｂ）に示すように、プリプレグ２１０の両表面から樹脂フィルム１２０ａ及び１２０ｂを除去した後、プリプレグ２１０を挟むように金属箔１４０ａ及び１４０ｂを配置する。この状態で、矢印Ａ及びＢの方向に加圧しながら加熱することで、全体に加圧加熱処理を施す。
【００９５】
図８（ｃ）は、加圧加熱処理を施した後の状態を示しており、プリプレグ２１０は圧縮されて厚みが薄くなっているとともに、プリプレグ中の硬化性樹脂組成物が硬化して、絶縁基板５０１が形成されている。また、第１の貫通孔５１０に充填された導電性ペースト１３０、及び、第２の貫通孔５２０に充填された絶縁性ペースト１５０もそれぞれ圧縮されている。そして、導電性ペースト１３０中の樹脂成分が硬化して導電部５１１が形成されており、絶縁性ペースト１５０中の樹脂成分が硬化して放熱部５２３が形成されている。
【００９６】
その後、金属箔１４０ａ及び１４０ｂをエッチングして所望の配線パターンを形成する。このとき、少なくとも第２の貫通孔５２０の両端の開口を塞いでいる金属箔が除去されるようにエッチングを施す。これにより、図８（ｄ）に示す構造を有する回路基板５００の製造を完了する。
【００９７】
回路基板５００においては、導電部５１１及びこれに電気的に接触した状態で配線パターン５１２ａ及び５１２ｂが形成されており、これにより、ＩＶＨ構造による電極層間の電気的接続が行われる。また、絶縁基板５０１の導電部５１１が存在していない部分に配線パターン５３２ａ及び５３２ｂが形成されている。
【００９８】
以上の構成を有する回路基板５００は、放熱部５２３によって内部の熱が十分に放熱されることとなる。また、放熱部５２３周辺には電極のランドが形成されないため、その放熱部５２３周辺の基板領域に配線を配することが可能となる。したがって、かかる回路基板によれば、十分な放熱性が得られ、高密度な配線形成を行えるとともに、優れた信頼性を得ることができる。
【００９９】
次に、本発明の回路基板の製造方法の第３実施形態について説明する。図９（ａ）〜（ｄ）は、本発明の回路基板の製造方法の第３実施形態を示す一連の工程図である。まず、図９（ａ）に示すように、本発明の複合体からなるプリプレグ２１０を基体とし、その両表面に先に説明した樹脂フィルム１２０ａ及び１２０ｂをカバーフィルムとして貼り付け、全体の厚さ方向に貫通する第１の貫通孔６１０、第２の貫通孔６２０及び第３の貫通孔６３０を形成する。
【０１００】
次いで、第１の貫通孔６１０及び第２の貫通孔６２０のそれぞれに、先に説明した導電性ペースト１３０を充填する。一方、第３の貫通孔６３０に、先に説明した絶縁性ペースト１５０を充填する。導電性ペースト１３０及び絶縁性ペースト１５０の充填方法は、グラビア印刷、ロールによる押し込み、減圧充填等各種の方法が採用できる。
【０１０１】
次に、図９（ｂ）に示すように、プリプレグ２１０の両表面から樹脂フィルム１２０ａ及び１２０ｂを除去した後、プリプレグ２１０を挟むように金属箔１４０ａ及び１４０ｂを配置する。この状態で、矢印Ａ及びＢの方向に加圧しながら加熱することで、全体に加圧加熱処理を施す。
【０１０２】
図９（ｃ）は、加圧加熱処理を施した後の状態を示しており、プリプレグ２１０は圧縮されて厚みが薄くなっているとともに、プリプレグ中の硬化性樹脂組成物が硬化して、絶縁基板６０１が形成されている。また、第１の貫通孔６１０及び第２の貫通孔６２０に充填された導電性ペースト１３０、並びに、第３の貫通孔６３０に充填された絶縁性ペースト１５０もそれぞれ圧縮されている。そして、導電性ペースト１３０中の樹脂成分が硬化して導電部６１１及び導電部６２１が形成されており、絶縁性ペースト１５０中の樹脂成分が硬化して第２の放熱部６３３が形成されている。
【０１０３】
その後、金属箔１４０ａ及び１４０ｂをエッチングして所望の配線パターンを形成する。このとき、少なくとも第２の貫通孔６２０及び第３の貫通孔６３０の両端の開口を塞いでいる金属箔が除去されるようにエッチングを施す。ここで、更にエッチングを継続して行うことにより、第２の貫通孔６２０内の開口部に存在する導電部６２１中の導電性粒子を溶解除去する。これにより、図９（ｄ）に示すように、第２の貫通孔６２０内の開口部に、導電性粒子が除去された後の樹脂成分からなる絶縁性の絶縁性樹脂層６２２ａ及び６２２ｂを形成する。そして、この絶縁性樹脂層６２２ａ及び６２２ｂと導電部６２１とにより第１の放熱部６２３が形成される。以上により、回路基板６００の製造を完了する。
【０１０４】
回路基板５００においては、導電部６１１及びこれに電気的に接触した状態で配線パターン６１２ａ及び６１２ｂが形成されており、これにより、ＩＶＨ構造による電極層間の電気的接続が行われる。また、絶縁基板６０１の導電部６１１が存在していない部分に配線パターン６３２ａ及び６３２ｂが形成されている。
【０１０５】
以上の構成を有する回路基板６００は、第１の放熱部６２３及び第２の放熱部６３３によって内部の熱が十分に放熱されることとなる。また、第１及び第２の放熱部６２３，６３３周辺には電極のランドが形成されないため、これらの周辺の基板領域に配線を配することが可能となる。したがって、かかる回路基板によれば、十分な放熱性が得られ、高密度な配線形成を行えるとともに、優れた信頼性を得ることができる。
【０１０６】
次に、本発明の回路基板の製造方法の第４実施形態について説明する。図１０（ａ）〜（ｂ）は、本発明の回路基板の製造方法の第４実施形態を示す一連の工程図である。第４実施形態に係る回路基板の製造方法は、第１実施形態に係る回路基板の製造方法を繰り返し行うことで、多層配線基板を形成する方法である。まず、絶縁基板７０１に第１の貫通孔７１０、第２の貫通孔７２０及び第３の貫通孔７３０が形成され、第１の貫通孔７１０内及び第３の貫通孔７３０内に導電部７１１及び導電部７３１がそれぞれ形成され、第２の貫通孔７２０内に導電部７２１、絶縁性樹脂層７２２ａ及び７２２ｂからなる放熱部７２３が形成された構成を有する回路基板７５０を準備する。この回路基板７５０の両表面には、導電部７１１に電気的に接続した回路パターン７１２ａ及び７１２ｂ、並びに、導電部７３１に電気的に接続した回路パターン７３２ａ及び７３２ｂが形成されている。
【０１０７】
そして、図１０（ａ）に示すように、回路基板７５０の両側（上下面）に、本発明の複合材からなるプリプレグ７６１ａ及び７６１ｂに貫通孔を形成してその貫通孔へ先に説明した導電性ペースト７６２ａ，７６２ｂ，７６３ａ及び７６３ｂを充填したものを配置し、更にこれらの外側に金属箔７７０ａ及び７７０ｂを配置した。この状態で、矢印Ａ及びＢの方向に加圧しながら加熱することで全体に加圧加熱処理を施し、更に金属箔７７０ａ及び７７０ｂを所望の配線パターンに加工することにより、図１０（ｂ）に示す積層型の回路基板（多層配線基板）７００が得られる。
【０１０８】
図１０（ｂ）における回路基板７００においては、プリプレグ７６１ａ及び７６１ｂ中の硬化性樹脂組成物が硬化して、絶縁基板７８１ａ及び７８１ｂがそれぞれ形成され、導電性ペースト７６２ａ，７６２ｂ，７６３ａ及び７６３ｂ中の樹脂成分が硬化して、導電部７８２ａ，７８２ｂ，７８３ａ及び７８３ｂがそれぞれ形成されている。また、金属箔７７０ａ及び７７０ｂは、配線パターン７９０ａ及び７９０ｂに加工されている。
【０１０９】
以上の構成を有する回路基板７００は、放熱部７２３によって内部の熱が十分に放熱されることとなる。また、放熱部７２３周辺には電極のランドが形成されないため、これらの周辺の基板領域に配線が配されている。したがって、かかる回路基板７００によれば、十分な放熱性が得られ、高密度な配線形成を行えるとともに、優れた信頼性を得ることができる。
【０１１０】
次に、本発明の回路基板の製造方法の第５実施形態について説明する。図１１（ａ）〜（ｂ）は、本発明の回路基板の製造方法の第５実施形態を示す一連の工程図である。第５実施形態に係る回路基板の製造方法は、多層配線基板を作製するための、第４実施形態とは別の方法である。まず、絶縁基板８０１に第１の貫通孔８１０、第２の貫通孔８２０及び第３の貫通孔８３０が形成され、第１の貫通孔８１０内及び第２の貫通孔８２０内に導電部８１１及び導電部８２１がそれぞれ形成され、第３の貫通孔８３０内に導電部８３１、絶縁性樹脂層８３２ａ及び８３２ｂからなる放熱部８３３が形成された構成を有する回路基板８５０を準備する。この回路基板８５０の両表面には、導電部８１１に電気的に接続した回路パターン８１２ａ及び８１２ｂ、並びに、導電部８２１に電気的に接続した回路パターン８２２ａ及び８２２ｂが形成されている。また、絶縁基板８４１に２つの貫通孔が形成され、これらの貫通孔に導電部８４２及び８４３が形成された回路基板８４０を準備する。この回路基板８４０の両表面には、導電部８４２に電気的に接続した回路パターン８４４ａ及び８４４ｂ、並びに、導電部８４３に電気的に接続した回路パターン８４５ａ及び８４５ｂが形成されている。
【０１１１】
そして、図１１（ａ）に示すように、これらの回路基板８４０及び８５０の間に、本発明の複合材からなるプリプレグ８６１に貫通孔を形成してその貫通孔へ先に説明した導電性ペースト８６２及び８６３を充填したものを配置した。この状態で、矢印Ａ及びＢの方向に加圧しながら加熱することで全体に加圧加熱処理を施すことにより、図１０（ｂ）に示す積層型の回路基板（多層配線基板）８００が得られる。
【０１１２】
以上の構成を有する回路基板８００は、放熱部８３３によって内部の熱が十分に放熱されることとなる。また、放熱部８３３周辺には電極のランドが形成されないため、これらの周辺の基板領域に配線が配されている。したがって、かかる回路基板８００によれば、十分な放熱性が得られ、高密度な配線形成を行えるとともに、優れた信頼性を得ることができる。
【０１１３】
図１２（ａ）〜（ｂ）は、本発明の回路基板の製造方法により製造されたベアチップ実装用両面基板（多層基板）における半田面を示した図であり、絶縁基板９０１の表面に銅箔パターン９０２が多数存在している。また、図１２（ｂ）は、本発明の回路基板の製造方法により製造されたベアチップ実装用両面基板（多層基板）における半導体チップ（ＩＣ）実装面を示した図であり、絶縁基板９０１の表面に存在する銅箔パターン（銅ランド）９０２と、ビアＩＣ実装用のＩＣパット９０４とが配線９０６によって接続されている部分を示している。また、絶縁基板９０１上には、放熱部９０３が形成されており、この放熱部９０３が形成されている部分には、銅箔パターン（銅ランド）が形成されていないため、この放熱部９０３の周囲にスペースを広く取ることができる。したがって、この放熱部９０３の周囲の基板領域では、図１２（ｂ）に示すように、配線を高密度に形成できる。なお、ＩＣパット９０５にも実際には配線が設けられるが、説明の都合上省略している。
【０１１４】
以上、本発明の回路基板の製造方法の好適な実施形態について説明したが、本発明の回路基板の製造方法は上記の実施形成に限定されるものではない。
【０１１５】
例えば、上記第１〜第３実施形態における回路基板では、導電部を１つ形成しているが、同様の構成の導電部を同様の作製手順で複数形成してもよい。同様に、放熱部についても、第３実施形態で示した第１の放熱部６２３や第２の放熱部６３３と同様の構成の放熱部を同様の作製手順で複数形成してもよい。
【０１１６】
更に、上記第４〜第５実施形態における回路基板（多層配線基板）では、放熱部として第３実施形態で示した第１の放熱部６２３の構成を有するものを形成しているが、これに代えて第２の放熱部６３３の構成を有するものを形成してもよい。更に、これらの第１の放熱部６２３又は第２の放熱部６３３の構成を有する放熱部は複数形成してもよい。
【０１１７】
また更に、第３実施形態で示した第２の放熱部６３３の構成を有する放熱部は、その絶縁化の程度が極めて高いため、この放熱部上に直接配線パターンを形成することが可能となっている。したがって、第２〜第３実施形態において、放熱部上に配線パターンを形成してもよい。すなわち、図１２（ｂ）においても、放熱部９０３が上記第２の放熱部６３３の構成を有するものである場合には、この放熱部９０３上に配線パターンを形成してもよい。これにより、より高密度な配線を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１１８】
【図１】図１は、本発明の複合体の一実施形態を示す模式断面図である。
【図２】図２は、本発明のプリプレグの一実施形態を示す模式断面図である。
【図３】図３は、本発明の金属箔張積層板の一実施形態を示す模式断面図である。
【図４】本発明の回路基板の第１実施形態を示す模式断面図である。
【図５】本発明の回路基板の第２実施形態を示す模式断面図である。
【図６】本発明の回路基板の第３実施形態を示す模式断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の回路基板の製造方法の第１実施形態を示す一連の工程図である。
【図８】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の回路基板の製造方法の第２実施形態を示す一連の工程図である。
【図９】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の回路基板の製造方法の第３実施形態を示す一連の工程図である。
【図１０】（ａ）〜（ｂ）は、本発明の回路基板の製造方法の第４実施形態を示す一連の工程図である。
【図１１】（ａ）〜（ｂ）は、本発明の回路基板の製造方法の第５実施形態を示す一連の工程図である。
【図１２】（ａ）〜（ｂ）は、本発明の回路基板の製造方法により製造されたベアチップ実装用両面基板（多層基板）における半田面及び半導体チップ実装面を示す図である。
【符号の説明】
【０１１９】
１００…複合体、１０１…繊維シート、１０２…硬化性樹脂組成物、１０３，２０３，３０３…貫通孔、２００…プリプレグ、２０１…繊維シート、２０２…半硬化樹脂組成物層、３００…金属箔張積層板、３０１…絶縁基板、３０２…導電体層、３０４…導電部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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