(57)【要約】【課題】  光学素子の傾きを抑制できる幅精度の高いフィルタ挿入溝を形成する方法及びその製造方法で製造された安価な光導波路モジュール並びに光通信用装置を提供すること。【解決手段】  シリコン基板１６にＤＲＩＥによりエッチング溝１１１ａを形成する。エッチング溝１１１ａが形成された基板１０２上に光導波路１０３を接着する。エッチング溝１１１ａと連通するように光導波路１０３に貫通溝１１１ｂを形成し、エッチング溝１１１ａと貫通溝１１１ｂによってフィルタ挿入溝１１１が完成する。フィルタ挿入溝１１１にフィルタ１１０を挿入して接着剤１１２を充填硬化して固定する。【選択図】      図４
2006133569.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された光導波路と、前記光導波路から前記基板に至る深さの素子挿入溝とを備えた光導波路モジュールにおいて、
前記基板にエッチングで溝を形成する工程と、
前記溝を形成した後に、前記基板上に前記光導波路を形成する工程と、
前記溝と連通するように前記光導波路に貫通孔を形成する工程と、
前記溝及び前記貫通孔によって構成された前記素子挿入溝に光学素子を挿入する工程と、
を備えることを特徴とする光導波路モジュールの製造方法。
【請求項２】
前記基板上に光導波路を形成する前に、前記溝に充填材を埋め込む工程と、
前記光導波路に前記貫通孔を形成する工程の後に、前記溝から前記充填材を除去する工程と、
を備えることを特徴とする、請求項１に記載の光導波路モジュールの製造方法。
【請求項３】
前記基板上に光導波路を形成する前に、前記溝に前記充填材を埋め込む工程と、
前記光導波路に前記貫通孔を形成すると共に前記溝から前記充填材を除去する工程と、
を備えることを特徴とする、請求項１に記載の光導波路モジュールの製造方法。
【請求項４】
前記充填材が水溶性樹脂であることを特徴とする、請求項２又は３に記載の光導波路モジュールの製造方法。
【請求項５】
前記貫通孔の幅を前記溝の幅よりも広く加工することを特徴とする、請求項１に記載の光導波路モジュールの製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５に記載の光導波路モジュールの製造方法により製造されたことを特徴とする光導波路モジュール。
【請求項７】
請求項６に記載の光導波路モジュールを用いたことを特徴とする光通信用装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光導波路モジュール及びその製造方法並びに光通信用装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ブロードバンド化の波が押し寄せてきて日本でもＡＤＳＬサービスが開始され、急激に利用者が増えてきている。また、更なる高速化の要望に対応可能な光ファイバを用いたＦｉｂｅｒ−Ｔｏ−Ｔｈｅ−Ｈｏｍｅ（ＦＴＴＨ）サービスも２００１年から一部の地域で開始されている。現在のブロードバンドサービスの中心はＡＤＳＬであるが、今後ブロードバンド化が進むと、ＦＴＴＨ化が急激に進むと考えられている。ＦＴＴＨサービスを普及させるためには、光損失が少なく、高性能かつ低価格の光導波路モジュールの開発が必要である。
【０００３】
光導波路モジュールには、その目的に応じて光合分波器や光トランシーバなどさまざまな種類がある。例えば、光合分波器や光トランシーバには、その内部を伝搬する複数波長の光の中で特定波長の光を透過又は反射させて複数波長の光を分波するフィルタなどの光学素子が挿入されている。しかし、このフィルタの挿入状態が悪いとフィルタを透過又は反射する光の損失が大きくなってしまうという不具合が生じる。光損失を少なくするためには、フィルタを光導波路モジュールに対してできるだけ垂直に挿入しなければならない。よって、フィルタを挿入する為の溝幅を精度良く形成することが非常に重要となってくる。
【０００４】
従来の光導波路モジュールのフィルタ挿入溝の形成方法としては、ダイシングブレードを用いる方法と、エッチングによる方法が提案されている。
【０００５】
特許第３１７５８１４号には、ダイシングブレードを用いてフィルタ挿入溝を形成する方法が開示されている。一般的にダイシングでは、細い（幅の狭い）溝の加工が困難であるとされている。これは、ダイシングソーを用いて細い溝を深く加工しようとすると、薄いダイシングブレードが必要になるので、加工時の負荷にブレードが耐えられないからである。その結果、フィルタ挿入溝の幅が広がったり、溝そのものが傾いて形成されてしまう。そこで、特許第３１７５８１４号では、フィルタの厚みよりも厚いダイシングブレードを用いて幅の広いフィルタ挿入溝を形成し、そこに特殊な加工を施して反りをつけたフィルタを挿入することにより、比較的幅の広い溝でもフィルタを垂直に挿入することを可能にしている。
【０００６】
しかしながら、加工対象が石英系ガラス基板やシリコン基板などである場合、加工によりダイシングブレードが著しく摩耗するので、量産品のフィルタ挿入溝の幅精度を維持することは非常に困難である。また、ブレードを頻繁に交換してフィルタ挿入溝の幅精度を確保することも可能であるが、非常に不経済である。
【０００７】
一方、特開２００３−１４００５８号には、ダイシングブレードを使用せずにエッチングによりフィルタ挿入溝を形成する方法が開示されている。この方法は、ドライエッチングによりフィルタ挿入溝を形成する方法であり、ダイシングブレードを用いる方法に比べて、非常に精度良くフィルタ挿入溝を形成することができる。
【０００８】
しかしながら、この形成方法は、光導波路材料による選択性がある。例えば、石英系ガラス基板あるいはシリコン基板上に樹脂系の材料からなる光導波路が形成された光導波路モジュールの場合、基板をエッチングする時に光導波路も水平方向にエッチングされてしまい、光導波路部分のフィルタ挿入溝の幅がかなり広がってしまう。その結果、光導波路内を伝搬する光の損失が大きくなってしまうという問題がある。
【０００９】
光導波路自身が石英系ガラスで形成されている場合は、水平方向にエッチングされることはないのでこのフィルタ挿入溝の形成方法は有効である。しかし、石英系ガラスで形成された光導波路は樹脂系と比べて、溝形成に必要なエッチング時間が非常に長くなるため、生産効率が低い。また、材料コストも高く不経済である。
【００１０】
【特許文献１】特許第３１７５８１４号公報
【特許文献２】特開２００３−１４００５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は上記のような技術的課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、光学素子の傾きを抑制できる幅精度の高い溝を形成する方法及びその製造方法で製造された安価な光導波路モジュール並びに光通信用装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明にかかる光導波路モジュールの製造方法は、基板上に形成された光導波路と、前記光導波路から前記基板に至る深さの素子挿入溝とを備えた光導波路モジュールにおいて、前記基板にエッチングで溝を形成する工程と、前記溝を形成した後に、前記基板上に前記光導波路を形成する工程と、前記溝と連通するように前記光導波路に貫通孔を形成する工程と、前記溝及び前記貫通孔によって構成された前記素子挿入溝に光学素子を挿入する工程と、を備えることを特徴としている。
【００１３】
このような光導波路モジュールの製造方法によれば、幅精度の高い素子挿入溝を形成することができるので、光学素子の傾きを抑制でき光損失を少なくできるという効果が得られる。また、基板側にはすでにエッチングで溝が形成されているので、ダイシングで光導波路に貫通孔を形成するとしても光導波路（厚み５０μｍ程度）のみを加工すればよい。従来のように基板（溝の深さ１５０μｍ程度）と光導波路をダイシングで加工することに比べるとダイシングブレードが摩耗しにくくなる。また、エッチングで基板に形成した溝によりフィルタを垂直に挿入することができるので、ダイシングブレードはフィルタの厚みよりも厚いものを用いることができる。さらに、ダイシングブレードがが多少摩耗しても基板に形成した溝よりも狭くならない限り問題にならない。さらに、通常の光学素子が使用できるため、特殊な形状に加工した光学素子も不要となる。
【００１４】
本発明にかかる光導波路モジュールの製造方法の実施態様によれば、前記基板上に光導波路を形成する前に、前記溝に充填材を埋め込む工程と、前記光導波路に前記貫通孔を形成する工程の後に、前記溝から前記充填材を除去する工程と、を備えることを特徴としている。また、本発明にかかる光導波路モジュールの製造方法の実施態様によれば、前記基板上に光導波路を形成する前に、前記溝に前記充填材を埋め込む工程と、前記光導波路に前記貫通孔を形成すると共に前記溝から前記充填材を除去する工程と、を備えることを特徴としている。また、本発明にかかる光導波路モジュールの製造方法の実施態様によれば、前記充填材が水溶性樹脂であることを特徴としている。
【００１５】
したがって、このような光導波路モジュールの製造方法によれば、溝に充填材が埋め込まれているので、基板上に光導波路を接着剤などで接着する工程において、基板に形成した溝に接着剤が流れ込まない。また、溝に埋め込む充填材が水溶性であれば、特別な工法を用いることなく水洗により容易に充填材を除去することができる。また、前記貫通孔の形成方法に水を使用する方法を用いれば、貫通孔の形成と同時に溝に埋め込んだ充填材を除去することができ、工程を簡略化できる。
【００１６】
本発明にかかる光導波路モジュールの製造方法の実施態様は、除去する光導波路の幅が前記溝の幅よりも広く加工することを特徴としている。
【００１７】
このような光導波路モジュールの製造方法によれば、溝及び貫通孔に光学素子を挿入して固定する工程において、光学素子が挿入しやすくなると共に、光学素子と溝及び貫通孔の間に接着剤などを流し込んで固定する場合に接着剤を流し込み易くなる。
【００１８】
なお、本発明の以上説明した構成要素は、可能な限り任意に組み合わせることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施例を図面に従って詳細に説明する。ただし、本発明は以下に説明する実施例に限定されるものでないことは勿論である。
【実施例１】
【００２０】
図１は、本発明の実施例１による光導波路モジュール１０１の外観斜視図である。また、図２は、図１のＸ矢視図である。図３は、上クラッド層１０５を除いた状態で示す光導波路モジュール１０１の平面図である。
【００２１】
この光導波路モジュール１０１は、平板状をした光導波路１０３がシリコン基板やガラス基板などの基板１０２上に形成されている。光導波路１０３は、基板１０２に接着されている下クラッド層１０４と、下クラッド層１０４上に積層された上クラッド層１０５と、下クラッド層１０４の上クラッド層１０５と接する面側に凹設されたコア溝１０９と、コア溝１０９内に形成された３本のコア１０６、１０７、１０８で構成されている。コア１０６（第１のコア）及びコア１０７（第２のコア）は、湾曲したメインコアを構成している。メインコアの両端（コア１０６、１０７の外側の端部）は下クラッド層１０４の両端面に達し、下クラッド層１０４の両端部ではコア１０６、１０７の端部は下クラッド層１０４の長手方向と平行な直線状に形成されている。また、メインコアの中央部はＳ字状に湾曲しており、湾曲部分において上クラッド層１０５の上面から基板１０２にかけて切り込まれたフィルタ挿入溝１１１によって、メインコアはコア１０６とコア１０７に分離されている。フィルタ挿入溝１１１内には、誘電体多層膜などからなるフィルタ１１０が挿入されており、コア１０６とコア１０７の端面はフィルタ挿入溝１１１内に露出し、フィルタ１１０を挟んで互いに光学的に結合するように対向している。フィルタ１１０は、フィルタ挿入溝１１１のフィルタ１１０が挿入された残りの隙間に接着剤１１２を充填硬化して固定されている。このフィルタ１１０は、例えば波長λ１（＝１．３１μｍ）の波長域の光を透過させ、波長λ２（＝１．５５μｍ）の波長域の光を反射させる特性を有するものである。
【００２２】
また、コア１０８（第３のコア）は、直線状に伸びており、フィルタ挿入溝１１１に関してコア１０６と同じ側に配置されている。また、コア１０８は、コア１０６の湾曲部分が凸となっている側に配置されている。コア１０８の内側の端面は、コア１０６の側面に接触あるいは３〜１５μｍの隙間（ギャップ）をあけて隣接しており、コア１０６の端部とコア１０８の端部とはフィルタ１１０を介して光学的に結合している。コア１０８の一部はフィルタ挿入溝１１１内に露出している。また、コア１０８の外側の端部は、下クラッド層１０４の側面に達している。
【００２３】
また、下クラッド層１０４及び上クラッド層１０５は、石英系ガラス又は透光性樹脂によって形成されており、コア１０６〜１０８は、上下クラッド層１０５、１０４よりも屈折率の大きな石英系ガラス又は透光性樹脂によって形成されている。特に上下クラッド層１０５，１０４やコア１０６〜１０８を樹脂で形成した樹脂導波路は、複製によって量産することができるので、ローコストな光導波路モジュールを得ることが可能となる。また、接着剤１１２には、コア１０６〜１０８と同じ屈折率の材料或いは上下クラッド層１０５、１０４よりも屈折率の大きな材料を用いている。
【００２４】
図２は、フィルタ挿入溝１１１にフィルタ１１０を挿入した部分を拡大して模式的に示す図１のＸ矢視図であって、フィルタ１１０の長手方向と平行な方向から見た図である。まず、フィルタ挿入溝１１１の光導波路領域の幅をＡ、フィルタの厚みをＢ、フィルタ挿入溝１１１の基板領域の幅をＣと定義すると、フィルタ挿入溝１１１は、フィルタ挿入溝１１１の基板領域の幅Ｃよりもフィルタ挿入溝１１１の光導波路領域の幅Ａの方が大きく形成されている。なお、フィルタ挿入溝１１１の光導波路領域の幅Ａは基板領域の幅Ｃより１〜２０μｍ大きくても良い。ただし、大きすぎると光損失が大きくなるので１〜１０μｍ大きいのが望ましい。また、フィルタ挿入溝１１１の基板領域の幅Ｃは、フィルタの厚みＢよりも１μｍ程度大きく形成されている。
【００２５】
しかして、この光導波路モジュール１０１においては、例えば図３に示すように、光ファイバからコア１０６に波長λ１の光と波長λ２の光を入射させてコア１０６を伝搬させると、コア１０６の端面からフィルタ１１０に向けて出射した光のうち波長λ１の光は、フィルタ１１０を透過してコア１０７に入射し、コア１０７を伝搬してコア１０７の端面から出射する。また、コア１０６の端面からフィルタ１１０に向けて出射した光のうち波長λ２の光は、フィルタ１１０で反射してコア１０８内に入射し、コア１０８内を伝搬してコア１０８の端面から出射する。すなわち、分波動作を行う。一方、コア１０７に波長λ１の光を入射させた場合には、この光はフィルタ１１０を透過してコア１０６に入射し、コア１０６を伝搬してコア１０６の端面から出射される。また、説明は省略するが、分波動作の反対の動作として合波動作させることもできる。
【００２６】
次に、実施例１による光導波路モジュール１０１の製造方法を図４を用いて説明する。ここでは、基板１０２としてシリコン基板を用いる場合について説明する。まず、シリコン基板１６を準備し｛図４（ａ）｝、準備したシリコン基板１６上に溝１１１に対応した箇所のレジストが開口したパターンのレジスト層１０を形成する｛図４（ｂ）｝。レジスト層１０は、スピンコートなどでシリコン基板１６の全面にレジストを塗布した後、エッチング溝１１１ａに対応するパターンを有するフォトマスクを介して紫外線で露光し、現像液に浸漬して、エッチングすることにより得られる。この時、同時にエッチング溝１１１ａに対応した開口パターン１１ａが形成される。次に、ＤＲＩＥにより、レジスト層１０の開口パターン１１ａを通してシリコン基板１６を上方からエッチングし、レジスト層１０の開口パターン１１ａを転写した任意の深さ（例えば、１５０μｍ程度の深さ）のエッチング溝１１１ａを形成する｛図４（ｃ）｝。その後、レジスト層１０を除去してエッチング溝１１１ａが形成された基板１０２を得る｛図４（ｄ）｝。次に、基板１０２のエッチング溝１１１ａが形成された面側に光導波路１０３の下クラッド層１０４側を接着剤などで接着する｛図４（ｅ）｝。次に、光導波路１０３の上クラッド層１０５上に、光導波路１０３のエッチングに耐性のあるレジストを用いて、エッチング溝１１１ａに対応した箇所のレジストが開口したパターンのレジスト層１２を形成する｛図４（ｆ）｝。レジスト層１２は、スピンコートなどで上クラッド層１０５の全面にレジストを塗布した後、フィルタ挿入溝１１１に対応するパターンを有するフォトマスクを介して紫外線で露光し、現像液に浸漬してエッチングすることにより得られる。この時、同時にフィルタ挿入溝１１１に対応した開口パターン１１ｂが形成される。次に、レジスト層１２の開口パターン１１ｂを通してエッチング溝１１１ａの上に位置する光導波路１０３をエッチングにより除去して光導波路１０３に貫通孔１１１ｂを形成する。この貫通孔１１１ｂとエッチング溝１１１ａによって、フィルタ挿入溝１１１が形成される。その後、レジスト層１２を除去する｛図４（ｇ）、（ｈ）｝。基板１０２と光導波路１０３を接着したときの接着剤がエッチング溝１１１ａ内に流れ込んでいる時には、接着剤の除去も行う。次に、フィルタ挿入溝１１１にフィルタ１１０を挿入する｛図４（ｉ）｝。最後にフィルタ挿入溝１１１に接着剤１１２を充填し、硬化させてフィルタ１１０を固定すれば、光導波路モジュール１０１が完成する｛図４（ｊ）｝。
【００２７】
シリコン基板１６をエッチングしてエッチング溝１１１ａを形成する工程｛図４（ｃ）｝におけるＤＲＩＥ（Ｄｅｅｐ  Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）とは、異方性深掘りエッチングのことであり、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）を利用して深く（アスペクト比の大きい）エッチングする技術のことである。エッチングガスはレジスト層１０を侵さないガスであればさまざまな種類のものが使用できる。例えばエッチングガスにＳＦ６などを用いれば、約２μｍ／ｍｉｎ程度のエッチング速度でシリコン基板１６のエッチングが可能である。
【００２８】
光導波路１０３のエッチング工程｛図４（ｆ）〜（ｈ）｝のエッチング方法は、ドライエッチング或いはウェットエッチングなどから最も適した方法を用いることができる。例えば、樹脂製光導波路に、酸素ガスを用いたドライエッチングを適用すると約０．５μｍ／ｍｉｎのエッチング速度でエッチングできる。また、レジスト層１２についても、それぞれのエッチング方法に対して、耐性のあるレジスト材料の中から適切なものを用いればよい。また、光導波路１０３のエッチング工程の代りに、ダイシングブレードを用いて光導波路１１３のエッチング溝１１１ａに対応する箇所を除去してもよい。
【００２９】
さらに、光導波路１０３がガラス系の材料で形成されている場合、基板１０２と光導波路１０３の接着工程｛図４（ｅ）｝に陽極接合法を用いることができる。この場合、接着剤を用いないので接着剤の除去工程が必要なくなる。
【００３０】
また、光導波路１０３側に形成したフィルタ挿入溝１１１の幅Ａと基板１０２側に形成したフィルタ挿入溝１１１の幅Ｃは、同じ大きさでもかまわないが、光導波路１０３側に形成したフィルタ挿入溝１１１の幅Ａを基板１０２側に形成したフィルタ挿入溝１１１の幅Ｃよりも１〜２０μｍ程度大きく形成すれば、フィルタ１１０をフィルタ挿入溝１１１に挿入し易くなる。ただし、大きすぎると光損失が大きくなるので１〜１０μｍ大きいのが望ましい。さらに、接着剤１１２をフィルタ挿入溝１１１に充填硬化する工程において、接着剤１１２を流し込みやすくなるという効果もある。
【００３１】
したがって、本実施例１により説明した光導波路モジュールの製造方法を用いれば、シリコン基板１６および光導波路１０３は、それぞれ単独でエッチングすればよく、シリコン基板１６のエッチング時に光導波路１０３がエッチングされることはない。つまり、シリコン基板１６と光導波路１０３は、それぞれ最適な方法及び条件でエッチングされ、お互いのエッチングの影響をほとんど受けない。したがって、フィルタの傾きを抑制できる幅精度の高いフィルタ挿入溝１１１を形成することが可能となる。
【実施例２】
【００３２】
本発明の実施例１に示した光導波路モジュール１０１の製造方法においては、基板１０２と光導波路１０３を接着する工程｛図４（ｅ）｝において、接着剤がエッチング溝１１１ａに流れ込んでしまい、エッチング溝１１１ａ内に流れ込んだ接着剤を除去することが困難な場合がある。そこで、本発明の実施例２は、エッチング溝１１１ａへの接着剤が流れ込まないようにした光導波路モジュール１０１の製造方法を提案するものである。本発明の実施例２による光導波路モジュール１０１の製造方法を図５を用いて説明する。なお、実施例１と同じ工程は省略して説明し、実施例１と異なる箇所を中心に説明する。
【００３３】
まず、実施例１と同様にＤＲＩＥによりシリコン基板１６にエッチング溝１１１ａを形成する｛図５（ａ）〜（ｄ）｝。次に、エッチング溝１１１ａに水溶性樹脂１５を充填して硬化又は半硬化させ、表面が平らになるようにする｛図５（ｅ）｝。次に、光導波路１０３の下クラッド層１０４側に接着剤を塗布して、基板１０２のエッチング溝１１１ａが形成された面側に接着する｛図５（ｆ）｝。次に、光導波路１０３の上クラッド層１０５上に光導波路１０３のエッチングに耐性のあるレジストを用いて、エッチング溝１１１ａに対応した箇所のレジストが開口したパターンのレジスト層１２を形成する｛図５（ｇ）｝。続いて、エッチングにより光導波路１０３をエッチングして貫通孔１１ｂを形成する｛図５（ｈ）｝。さらに、レジスト層１２を除去した後、エッチング溝１１１ａに充填した水溶性樹脂１５を水洗などにより除去すれば、貫通孔１１１ｂとエッチング溝１１１ａによってフィルタ挿入溝１１１が完成する｛図５（ｉ）｝。次に、フィルタ挿入溝１１１内にフィルタ１１０を挿入し、接着剤１１２を充填硬化してフィルタ１１０を固定すれば、フィルタ挿入溝１１１を有する光導波路モジュール１０１が得られる｛図５（ｊ）、（ｋ）｝。
【００３４】
なお、光導波路１１３をエッチングして貫通孔１１１ｂを形成する工程｛図５（ｈ）｝において、ウェットエッチングや湿式のダイシングなどの水を使用する方法でエッチング溝１１１ａを形成する場合には、エッチング溝１１１ａに充填した水溶性樹脂１５を同時に除去できるので工程数を少なくできる。
【００３５】
このように、基板１０２に光導波路１０３を接着する前に、エッチング溝１１に水溶性樹脂１５を充填しておけば、基板１０２と光導波路１０３の接着時に接着剤がエッチング溝１１に流れ込むことがなく、水溶性樹脂１５は水洗などで容易に除去できるので生産効率が上がる。なお、エッチング溝１１に充填する水溶性樹脂１５は、硬化したときに固くなるものでも、ゼリー状のものでもよい。基板１０２と光導波路１０３を接着するための接着剤などと反応したりして後の工程に影響しないものであればよい。
【００３６】
また、基板１０２への光導波路１０３の形成は、以下に述べるような方法であってもよい。すなわち、事前に剥離処理を施したガラス基板などの上に下クラッド層１０４、コア溝１０９及びコア１０６〜１０８を形成する。次に、硬化前の上クラッド層１０５を介して基板１０２と下クラッド層１０４とを対向させる。次に、上クラッド層１０５を硬化させて、基板１０２と下クラッド層１０４とを接着する。その後、ガラス基板を剥離して基板１０２上に光導波路１０３を形成する。この場合、特に図示しないが、光導波路１０３は、図１に示した光導波路モジュール１０１に対して、上下反転した形で基板１０２上に形成される。
【００３７】
また、上記実施例１および実施例２において、基板１０２をシリコン基板として説明したが、シリコン基板に限らず、例えばガラス基板や樹脂基板などを用いることもできる。
【００３８】
なお、上記実施例１および実施例２では、光学素子の例としてフィルタ挿入溝１１１にフィルタ１１０を挿入した光導波路モジュール１０１について説明した。しかし、フィルタ１１０に限らず、ミラーやフレネルレンズなど他の光学素子を用いた光導波路モジュールにも適用できることは勿論である。
【００３９】
さらに、実施例１及び実施例２に示した光導波路モジュール１０１と発光素子、受光素子及び光ファイバを組み合せて光通信用装置を作製することができる。例えば、図６に示した光送受信機（光トランシーバ）１２０を作製することができる。この光送受信機１２０にあっては、コア１０７の端面と対向する位置に波長λ１の光を出射する半導体レーザー素子等の発光素子１２１を設け、コア１０８の端面と対向する位置にフォトダイオードなどの受光素子１２２を設けている。また、コア１０６と対向する位置の基板１０２上に設けられたＶ溝状のアライメント溝１２３には、光ファイバ（図示せず）が接続される。しかして、発光素子１２１から出射された波長λ１の光は、コア１０７を伝搬し、フィルタ１１０を透過してコア１０６内に入り、光ファイバへと伝送される。逆に光ファイバから伝送されてきた波長λ２の光は、コア１０６を伝搬し、フィルタ１１０で反射されてコア１０８に入り、受光素子１２２で受光される。
【００４０】
以上、実施例により説明したように、本発明によれば、幅精度の高いフィルタ挿入溝を形成することができるので、フィルタの傾きを抑制でき、光損失の少ない光導波路モジュールを製造することができる。また、これらの光導波路モジュールを用いた光トランシーバなどにおいても光損失を少なくすることができる。さらに、石英系ガラス基板やシリコン基板にダイシングブレードで溝を形成する必要がなくなるので、ダイシングブレードの摩耗量を著しく減少することができる。また、フィルタなどの光学素子に特殊な加工が必要なく、通常の光学素子を使用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の実施例１による光導波路モジュールの外観斜視図である。
【図２】同上の光導波路モジュールのＸ矢視図である。
【図３】同上の光導波路モジュールの平面図である。
【図４】（ａ）〜（ｊ）は、同上の光導波路モジュールの製造方法を説明する図である。
【図５】（ａ）〜（ｋ）は、本発明の実施例２による光導波路モジュールの製造方法説明する図である。
【図６】本発明の光導波路モジュールを用いた光送受信機を示した図である。
【符号の説明】
【００４２】
１０１  光導波路モジュール
１０２  基板
１０３  光導波路
１０４  下クラッド層
１０５  上クラッド層
１０６〜１０８  コア
１１０  フィルタ
１１１  フィルタ挿入溝
１１１ａ  エッチング溝
１１１ｂ  貫通溝
１２０  光送受信機
【図１】
2006133569.tif 000003
【図２】
2006133569.tif 000004
【図３】
2006133569.tif 000005
【図４】
2006133569.tif 000006
【図５】
2006133569.tif 000007
【図６】
2006133569.tif 000008