(57)【要約】【課題】  透磁率等の磁気特性を損なうことなく抗応力特性を向上したＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料を提供する。【解決手段】  主成分の組成が、Ｆｅ2Ｏ3：４５〜４９．８ｍｏｌ％、ＣｕＯ：０．５〜５ｍｏｌ％（ただし、５ｍｏｌ％を含まず）、ＺｎＯ：１０〜４０ｍｏｌ％、ＮｉＯ：残部である焼結体からなり、この焼結体は、副成分として主成分に対して０．２〜４．５ｗｔ％のＳｎＯ2を含み、かつ５．１Ｍｇ／ｍ3以上の密度を有するＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト材料。主成分のＣｕＯは１〜４．９ｍｏｌ％であること、副成分のＳｎＯ2は０．５〜３．５ｗｔ％であることが好ましい。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
主成分の組成が、Ｆｅ2Ｏ3：４５〜４９．８ｍｏｌ％、ＣｕＯ：０．５〜５ｍｏｌ％（ただし、５ｍｏｌ％を含まず）、ＺｎＯ：１０〜４０ｍｏｌ％、ＮｉＯ：残部である焼結体からなり、
前記焼結体は、
副成分として前記主成分に対して０．２〜４．５ｗｔ％のＳｎＯ2を含み、
かつ５．１Ｍｇ／ｍ3以上の密度を有することを特徴とするＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料。
【請求項２】
前記主成分のＣｕＯが、１〜４．９ｍｏｌ％であることを特徴とする請求項１に記載のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料。
【請求項３】
前記副成分のＳｎＯ2が、０．５〜３．５ｗｔ％であることを特徴とする請求項１又は２に記載のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料。
【請求項４】
前記焼結体の密度が５．２Ｍｇ／ｍ3以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料。
【請求項５】
下記で定義されるインダクタンス変化率ΔＬの絶対値が５％以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料。
ΔＬ＝（Ｌ1−Ｌ0）／Ｌ0×１００（％）
Ｌ1：一軸圧縮力（１ｔ／ｃｍ2）印加時のインダクタンス値
Ｌ0：一軸圧縮力（１ｔ／ｃｍ2）印加なしのインダクタンス値
【請求項６】
Ｆｅ2Ｏ3：４５〜４９．８ｍｏｌ％、ＣｕＯ：０．５〜５ｍｏｌ％（ただし、５ｍｏｌ％を含まず）、ＺｎＯ：１０〜４０ｍｏｌ％、ＮｉＯ：残部の組成を有する主成分に対して０．２〜４．５ｗｔ％のＳｎＯ2が含まれる原料粉末からなる成形体を作製し、
前記成形体を１０１０〜１２４０℃の範囲で焼成することを特徴とするＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料の製造方法。                                                                             
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料に関し、特に外部応力に対するインダクタンスＬの変化の小さいＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料は、インダクタ・トランス・ノイズ除去のコアとして使用され、携帯電話やノート型パソコン等の携帯機器に広く使用されている。しかしながら、フェライト材料は、圧縮応力等の応力が加わると、インダクタンスＬ又は透磁率μが変化して、磁気特性が悪化する傾向がある。そのため、フェライト材料を用いた製品に応力が加わると、磁気特性に変化が生じ、製品の特性が変動するという問題点を抱えている。従って、外部応力が負荷されても、インダクタンスＬ（又は透磁率μ）の変化が少ないＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料を得る必要がある。このように外部応力に対して式特性が安定な特性を、抗応力特性ということがある。
【０００３】
この問題点に関し、特許文献１（特開２００３−２７２９１２公報）は、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料の主成分組成を、Ｆｅ2Ｏ3：４５〜５０ｍｏｌ％、ＺｎＯ：１〜３２ｍｏｌ％、ＣｕＯ：５〜１５ｍｏｌ％、ＮｉＯ：残部、とし、且つ主成分組成の組成比総和に対し、ＳｎＯ2を０．２〜３ｗｔ％添加することにより、４０ＭＰａの圧縮応力が負荷された場合でも初透磁率の変化率を±１０％以内に抑制し、且つ良好な直流重畳特性が得られることを開示している。
【０００４】
また、特許文献２（特許第３１４７４９６号公報）は、Ｆｅ2Ｏ3，ＣｕＯ，ＺｎＯ，及びＮｉＯを、Ｆｅ2Ｏ3：４６．５〜４９．５ｍｏｌ％、ＣｕＯ：５．０〜１２．０ｍｏｌ％、ＺｎＯ：２．０〜３０．０ｍｏｌ％、ＮｉＯ：残部の割合で含有するＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライト材料に対して、Ｃｏ3Ｏ4，Ｂｉ2Ｏ3，ＳｉＯ2，及びＳｎＯ2を、その含有率が、Ｃｏ3Ｏ4：０．０５〜０．６０重量％、Ｂｉ2Ｏ3：０．５０〜２．００重量％、ＳｉＯ2とＳｎＯ2の合計量： ０．１０〜２．００重量％（但し、ＳｉＯ2、ＳｎＯ2のどちらか一方が０重量％である場合を除く）となるような割合で配合したＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料は、樹脂モールド処理時の収縮等の応力によるインダクタンスＬの変化を小さくできることを開示している。
【０００５】
さらに、特許文献３（特開２００２−１２４４０８号公報）は、所定のモル比のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトに、ＳｎＯ2を０．４〜３.０ｗｔ％単独か、それに併せてＬｉ2ＣＯ3を０．３〜０．５ｗｔ％添加することにより、外部応力に対して特性の変動の少ない積層インダクタ等が得られることを開示している。
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−２７２９１２公報
【特許文献２】特許第３１４７４９６号公報
【特許文献３】特開２００２−１２４４０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
以上の特許文献１〜３は、抗応力特性の向上を図っているものの、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料として要求される透磁率μあるいは飽和磁束密度Ｂｓが低いことが本発明者等の検討により明らかとなった。そこで本発明は、透磁率等の磁気特性を損なうことなく抗応力特性を向上したＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料を提供することを目的とする。また、本発明はそのようなＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料を好適に製造する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料の主成分組成として、ＣｕＯの量が重要であることを本発明者等は知見した。つまり、ＣｕＯは、前述した特許文献１〜３よりも少ない５ｍｏｌ％以下の範囲とすることが、対応力特性のみならず、磁気特性にとっても好ましいのである。そして、磁気特性を損なうことなく、抗応力特性を向上するためには、主成分組成をＣｕＯが５ｍｏｌ％以下の範囲とし、副成分として所定量のＳｎＯ2を含有せしめることが有効である。
一方で、本発明のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料は、焼結体として用いられることを前提としており、所定の磁気特性を得るためには、十分な焼結体の密度が得られることが必要である。そのためには、特許文献１〜３が志向する積層型部品に採用されている程度の温度での焼結では足りない。
【０００９】
すなわち本発明のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料は、主成分の組成が、Ｆｅ2Ｏ3：４５〜４９．８ｍｏｌ％、ＣｕＯ：０．５〜５ｍｏｌ％（ただし、５ｍｏｌ％を含まず）、ＺｎＯ：１０〜４０ｍｏｌ％、ＮｉＯ：残部である焼結体からなり、焼結体は、副成分として主成分に対して０．２〜４．５ｗｔ％のＳｎＯ2を含み、かつ５．１Ｍｇ／ｍ3以上の密度を有することを特徴とする。
【００１０】
本発明のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料において、主成分のＣｕＯは、１〜４．９ｍｏｌ％であることが好ましい。また、本発明のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料において、副成分のＳｎＯ2が、０．５〜３．５ｗｔ％であることが好ましい。さらに本発明のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料において、焼結体の密度が５．２Ｍｇ／ｍ3以上であることが好ましい。
【００１１】
以上の本発明によるＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料は、下記で定義されるインダクタンス変化率ΔＬの絶対値を５％以下の抗応力特性を得ることができる。しかもこの抗応力特性は、３５０以上の初透磁率μｉ、４００ｍＴ以上の飽和磁束密度Ｂｓ、１×１０7Ω・ｍ以上の比抵抗を備えている場合であっても得ることができる。
ΔＬ＝（Ｌ1−Ｌ0）／Ｌ0×１００（％）
Ｌ1：一軸圧縮力（１ｔ／ｃｍ2）印加時のインダクタンス値
Ｌ0：一軸圧縮力（１ｔ／ｃｍ2）印加なしのインダクタンス値
【００１２】
以上の本発明によるＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料は、Ｆｅ2Ｏ3：４５〜４９．８ｍｏｌ％、ＣｕＯ：０．５〜５ｍｏｌ％（ただし、５ｍｏｌ％を含まず）、ＺｎＯ：１０〜４０ｍｏｌ％、ＮｉＯ：残部の組成を有する主成分に対して０．２〜４．５ｗｔ％のＳｎＯ2が含まれる原料粉末からなる成形体を作製し、この成形体を１０１０〜１２４０℃の範囲で焼成するＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料の製造方法により得ることができる。
【発明の効果】
【００１３】
以上説明したように、本発明によれば、磁気特性を損なうことなく、抗応力特性を向上したＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料を提供することができる。具体的には、３５０以上の初透磁率μｉ、４００ｍＴ以上の飽和磁束密度Ｂｓ、１×１０7Ω・ｍ以上の比抵抗を備え、かつ下記で定義されるインダクタンス変化率ΔＬの絶対値を５％以下の抗応力特性を得ることができる。
ΔＬ＝（Ｌ1−Ｌ0）／Ｌ0×１００（％）
Ｌ1：一軸圧縮力（１ｔ／ｃｍ2）印加時のインダクタンス値
Ｌ0：一軸圧縮力（１ｔ／ｃｍ2）印加なしのインダクタンス値
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明によるＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料の組成限定理由について説明する。
本発明のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料の主成分を構成するＦｅ2Ｏ3の含有量が４５ｍｏｌ％未満だと、初透磁率μｉ及び飽和磁束密度Ｂｓが低くなる。一方、Ｆｅ2Ｏ3の含有量が４９．８ｍｏｌ％を超えると抗応力特性が劣化するとともに、比抵抗が小さくなり、機械的品質係数Ｑｍが低下して製品の信頼性が低下する。したがって、本発明ではＦｅ2Ｏ3の含有量を４５〜４９．８ｍｏｌ％とする。好ましいＦｅ2Ｏ3の含有量は４６〜４９．５ｍｏｌ％、さらに好ましいＦｅ2Ｏ3の含有量は４７〜４９ｍｏｌ％である。
【００１５】
本発明のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料は、主成分を構成するＣｕＯの含有量を０．５〜５ｍｏｌ％（ただし、５ｍｏｌ％を含まず）とする。前述したように、ＣｕＯの含有量は、抗応力特性は勿論、磁気特性にも影響を及ぼす。ＣｕＯの含有量が０．５ｍｏｌ％未満では初透磁率μｉが低くなり、本発明の目的を達成することができない。また、ＣｕＯ含有量が５ｍｏｌ％を超えるとやはり初透磁率μｉが低くなるとともに、抗応力特性の向上を期待することができない。好ましいＣｕＯの含有量は１〜４．９ｍｏｌ％、さらに好ましいＣｕＯの含有量は１．５〜４．８ｍｏｌ％である。
【００１６】
本発明のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料の主成分を構成するＺｎＯの含有量は、１０〜４０ｍｏｌ％である。ＺｎＯの含有量が１０ｍｏｌ％未満だと、初透磁率μｉが低くなる。一方、ＺｎＯの含有量が４０ｍｏｌ％を超えると、初透磁率μｉは高くなるが、飽和磁束密度Ｂｓが低くなる。したがって、本発明ではＺｎＯの含有量を１０〜４０ｍｏｌ％とする。好ましいＺｎＯの含有量は１５〜３５ｍｏｌ％、さらに好ましいＺｎＯの含有量は２０〜３０ｍｏｌ％である。
【００１７】
本発明のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料の主成分の残部が実質的にＮｉＯであるが、ＮｉＯの含有量は１０〜４０ｍｏｌ％とする。ＮｉＯの含有量が１０ｍｏｌ％未満だと、飽和磁束密度Ｂｓが低くなる。一方、ＮｉＯの含有量が４０ｍｏｌ％を超えると、初透磁率μｉが低くなり、抗応力特性が劣化する。したがって、本発明ではＮｉＯの含有量を１０〜４０ｍｏｌ％とする。好ましいＮｉＯの含有量は１５〜３５ｍｏｌ％、さらに好ましいＮｉＯの含有量は２０〜３０ｍｏｌ％である。
【００１８】
本発明のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料は、上記の主成分に対してＳｎＯ2を０．２〜４．５ｗｔ％の範囲で含有する。ＳｎＯ2は、磁気特性を損なうことなく、抗応力特性を向上できる効果を有する。つまり、ＳｎＯ2を含む本発明のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料は、応力無負荷時及び応力負荷時のインダクタンスＬの変化が小さい。ただし、前述したように、この効果はＣｕＯの含有量が１〜５ｍｏｌ％の範囲にあるときに顕著に発揮される。ＳｎＯ2の含有量が０．２ｗｔ％未満では、抗応力特性向上の効果を十分に発揮することができない。また、ＳｎＯ2の含有量が４．５ｗｔ％を超えると、抗応力特性が劣化するとともに、初透磁率μｉが低下する。また、比抵抗低くなる。したがって本発明では、主成分に対するＳｎＯ2の量を０．２〜４．５ｗｔ％とする。好ましいＳｎＯ2の量は０．４〜４ｗｔ％、さらに好ましいＳｎＯ2の量は０．５〜３．５ｗｔ％である。
【００１９】
本発明のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料において、原料由来の不純物、及び製造工程上不可避であるＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＭｇＯ、ＭｎＯ、ＣａＯ、Ｃｒ2Ｏ3、Ｙ2Ｏ3、ＺｒＯ2等の酸化物が含有されていても、磁気特性・抗応力特性に影響は見られない。
【００２０】
本発明のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料は抗応力特性の絶対値を５％以下にすることができる。ここで、抗応力特性とは、圧縮応力に対するＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料のインダクタンス値の変化の程度を言う。樹脂モールドタイプのインダクタンス素子ではＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料を樹脂モールドするが、樹脂硬化時にＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料に圧縮応力が加わる。Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料は圧縮応力の大きさに応じてインダクタンス値が変化するため、樹脂モールドタイプのインダクタンス素子では圧縮応力に対してインダクタンスの変化の少ない、抗応力に優れたＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料であることが望まれる。絶対値で５％以下の抗応力特性を有している本発明のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料は、この要請に応え樹脂モールドタイプのインダクタンス素子用Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料として用いることができる。本発明のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料は、抗応力特性の絶対値を４％以下、さらには３％以下とすることができる。抗応力特性の具体的な算出方法は以下の通りである。
【００２１】
本発明において抗応力特性は、具体的には以下のように求める。
後述する角柱の試料にワイヤを２０回巻線した後、これに一定速度で一軸圧縮力を印加し、このときのインダクタンス値を連続的に測定し、得られた測定値からインダクタンス変化率ΔＬを算出する。このときの一軸圧縮応力は１ｔ／ｃｍ2とし、インダクタンス変化率ΔＬは以下の式により求める。
ΔＬ＝（Ｌ1−Ｌ0）／Ｌ0×１００（％）
Ｌ1：一軸圧縮力印加時のインダクタンス値
Ｌ0：一軸圧縮力印加なしのインダクタンス値
【００２２】
本発明におけるＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料は、焼結体として提供される。抗応力特性及び磁気特性を兼備するためには、この焼結体が高い密度を有している必要があり、本発明のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料は、５．１Ｍｇ／ｍ3以上の焼結密度を有している。焼結体密度は５．２Ｍｇ／ｍ3以上、さらには５．２５Ｍｇ／ｍ3以上であることが好ましい。本発明で規定する組成において、このような密度を得るためには、焼結温度を１１２０℃以上とすることが望まれる。この点については、後述する製造方法の説明にて言及する。
【００２３】
次に、本発明によるＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料の好適な製造方法を工程順に説明する。
主成分をなす原料粉末として、例えば、Ｆｅ2Ｏ3粉末、ＣｕＯ粉末、ＺｎＯ粉末およびＮｉＯ粉末を用意する。これらの主成分をなす粉末に加えて、副成分をなすＳｎＯ2粉末を用意する。
用意する各原料粉末の粒径は０．１〜１０μｍの範囲で適宜選択すればよい。また、用意された原料粉末は例えばボールミルを用いて湿式混合する。混合は、ボールミルの運転条件にも左右されるが、２０時間程度行なえば均一な混合状態を得ることができる。なお、副成分であるＳｎＯ2の添加は湿式混合時に限らず、後述する仮焼き体の粉砕時であっても同様の効果を得ることができる。
なお、本発明では、上述の主成分の原料に限らず、２種以上の金属を含む複合酸化物の粉末を主成分の原料としてもよい。例えば、塩化鉄、塩化Ｎｉを含有する水溶液を酸化培焼することによりＦｅ、Ｎｉを含む複合酸化物の粉末が得られる。この粉末とＺｎＯ粉末を混合して主成分原料としてもよい。このような場合には、後述する仮焼きは不要である。
【００２４】
原料粉末を混合した後、仮焼きを行なう。仮焼きは、保持温度を７００〜９５０℃の範囲とし、また、雰囲気を大気とすればよい。仮焼き後に、仮焼き粉は例えば平均粒径０．５〜２．０μｍ程度まで粉砕される。
【００２５】
主成分および副成分からなる粉砕粉末は、後の成形工程を円滑に実行するために顆粒に造粒することが好ましい。粉砕粉末に適当な結合材、例えばポリビニルアルコール（ＰＶＡ）を少量添加し、これをスプレードライヤで噴霧、乾燥することにより顆粒を得ることができる。得られる顆粒の粒径は６０〜２００μｍ程度とすることが好ましい。
【００２６】
得られた顆粒は、例えば所定形状の金型を有するプレスを用いて所望の形状に成形され、この成形体は焼成工程に供される。
焼成は、１０１０〜１２４０℃の範囲とすることが好ましい。１０１０℃未満では５．１Ｍｇ／ｍ3以上の焼結密度を得ることが困難であり、１２４０℃を超えると異常粒成長が起こり、初透磁率μｉが低下する。好ましい焼成温度は１０２０〜１２１０℃、さらに好ましい焼成温度は１０４０〜１１９０℃である。
【実施例１】
【００２７】
主成分をなす原料粉末として、Ｆｅ2Ｏ3粉末、ＺｎＯ粉末、ＮｉＯ粉末およびＣｕＯ粉末を表１に示す組成（ｍｏｌ％）に秤量し、この主成分組成に対して副成分をなすＳｎＯ2粉末をやはり表１に示す量を添加した。
次に、これらの原料を鋼鉄製のボールミルを用いて湿式混合し、得られた混合粉末を９００℃で２時間仮焼きした。この仮焼き粉を鋼鉄製のボールミルにて混合粉砕した。得られた粉砕粉末は、平均粒径が０．５μｍであった。
【００２８】
次いで、得られた各粉砕粉に、バインダとしてポリビニルアルコール水溶液を添加して造粒した。こうして得られた平均粒径７０μｍの顆粒を用いて、電磁気特性評価用のトロイダル形状試料（外径２０ｍｍ、内径１０ｍｍ、高さ５ｍｍ）をプレス成形により得た。また、抗応力特性評価用の角柱試料（幅５ｍｍ、厚さ５ｍｍ、長さ３０ｍｍ）をプレス成形により得た。なお、いずれも成形密度が３．２０Ｍｇ／ｍ3となるように成形した。成形体を大気中、１１５０℃で２時間焼成し、表１に示す試料Ｎｏ．１〜５のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料を得た。
【００２９】
得られたトロイダル形状試料及び角柱試料を用いて、焼結密度、初透磁率μｉ、飽和磁束密度Ｂｓ、抗応力特性ΔＬ及び比抵抗ρを測定した。測定条件は以下の通りである。
焼結密度：上記トロイダル形状の焼結体の重量を測定した。外径、内径、厚さの測定値より焼結体の体積を求め、この値と測定された重量より焼結密度を求めた。
初透磁率μｉ：上記トロイダル形状試料にワイヤを２０回巻線した後、ＬＣＲメータ（ヒューレットパッカード社製  ＨＰ４１９２）にて１００ｋＨｚにおける初透磁率μｉを測定した。
飽和磁束密度Ｂｓ：上記トロイダル形状試料にワイヤを４０回巻線した後に印加磁界４０００Ａ／ｍに設定し、飽和磁束密度Ｂｓを直流磁化特性試験装置（メトロン技研製  ＳＹ１１０）で測定した。
抗応力特性ΔＬ：上記角柱試料にワイヤを３０回巻線した後、ＬＣＲメータ（ヒューレットパッカード社製  ＨＰ４１９２）にて１００ｋＨｚでのインダクタンス値Ｌ0を測定した。角柱試料の長軸方向に圧縮応力（１ｔ／ｃｍ2）を負荷し、圧縮応力負荷時のインダクタンス値Ｌを測定し、インダクタンスの変化率ΔＬ（ΔＬ＝（Ｌ−Ｌ0）／Ｌ0）を算出した。
比抵抗ρ：直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍのディスク状の試料を用意し、測定電圧を５０Ｖに設定し、高抵抗計（アドバンテスト製  Ｒ８３４０）にて抵抗Ｒを測定し、比抵抗ρ（ρ＝Ｒ×試料の円形部分面積／試料厚さ）を算出した。
【００３０】
【表１】
2006232647.tif 000002
【００３１】
表１に示すように、ＳｎＯ2を添加することにより、抗応力特性（ΔＬ）が向上することがわかる。ただし、ＳｎＯ2の量が５ｗｔ％まで多くなると初透磁率μｉが低下するとともに、抗応力特性（ΔＬ）も低下する。また、ＳｎＯ2の量が５ｗｔ％まで多くなると比抵抗ρが低下する。以上より、ＳｎＯ2の量は０．２〜４ｗｔの範囲とすることが推奨される。
【実施例２】
【００３２】
表２に示す組成とする以外は実施例１と同様にＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料を作製し、やはり実施例１と同様に磁気特性μｉ、飽和磁束密度Ｂｓ、抗応力特性ΔＬ及び比抵抗ρを測定した。その結果を表２に示す。
【００３３】
【表２】
2006232647.tif 000003
【００３４】
表２に示すように、Ｆｅ2Ｏ3の量が少ないと初透磁率μｉ及び飽和磁束密度Ｂｓが低い。一方、Ｆｅ2Ｏ3の量が多くなると抗応力特性ΔＬが劣化するとともに、比抵抗ρが小さくなる。以上より本発明ではＦｅ2Ｏ3の量を４５〜４９．８ｍｏｌ％とする。
【実施例３】
【００３５】
表３に示す組成とする以外は実施例１と同様にＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料を作製し、やはり実施例１と同様に磁気特性μｉ、飽和磁束密度Ｂｓ、抗応力特性ΔＬ及び比抵抗ρを測定した。その結果を表３に示す。
【００３６】
【表３】
2006232647.tif 000004
【００３７】
表３に示すように、ＣｕＯの量が少ないと初透磁率μｉが低くい。逆にＣｕＯ含有量が多くなると初透磁率μｉが低くなるとともに、抗応力特性ΔＬが劣化する。以上より本発明では、ＣｕＯの量を１〜５ｍｏｌ％とする。
【実施例４】
【００３８】
表４に示す組成とし、焼成温度を調整した以外は実施例１と同様にＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料を作製し、やはり実施例１と同様に磁気特性μｉ、飽和磁束密度Ｂｓ、抗応力特性ΔＬ及び比抵抗ρを測定した。その結果を表４に示す。
なお、試料Ｎｏ.１５、１６及び１７の焼成温度は、１０９０℃、１０００℃、９１０℃である。
【００３９】
【表４】
2006232647.tif 000005
【００４０】
表４に示すように、焼成温度が低くなると焼結密度が低下する。そして、焼結密度の低下にしたがって初透磁率μｉも低下する。さらに、焼結密度が５．１Ｍｇ／ｍ3未満になると比抵抗ρも低下してしまう。このように、焼結密度は５．１Ｍｇ／ｍ3以上とすることが本発明にとって好ましい。
【実施例５】
【００４１】
表５に示す組成とする以外は実施例１と同様にＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料を作製し、やはり実施例１と同様に磁気特性μｉ、飽和磁束密度Ｂｓ、抗応力特性ΔＬ及び比抵抗ρを測定した。その結果を表５に示す。
【００４２】
【表５】
2006232647.tif 000006
【００４３】
実施例５は副成分の種類を代えてその効果を検証したものであるが、所望する初透磁率μｉが得られるＭｇＯ、ＳｉＯ2は抗応力特性向上に寄与せず、逆に抗応力特性の向上に効果のあるＢｉ2Ｏ3及びＰｂＯは初透磁率μｉが劣化し、また比抵抗も劣化させる。これに対して、ＳｎＯ2は、初透磁率μｉを低下させることなく抗応力特性を向上できる。