(57)【要約】【課題】微細な構造体の変位を可能とする微細な空間を備えた微細な構造体を、空間内が清浄な状態で形成できるようにする。【解決手段】レジストパターンにより第２開口部１０９がふさがれた状態とし、第１開口部１０８を介したドライエッチングにより、接点電極１０６周辺の犠牲層１０５を除去し、下部電極１０３上の一部に空間１１０が形成された状態とする。ついで、基板が所定の洗浄液中に浸漬された状態とし、洗浄液が空間１１０の内部に作用する状態とする。洗浄液としては、例えばフッ化水素水溶液を用いることができる。この洗浄処理により、空間１１０内に露出している各電極の表面に付着した重合膜や微粒子状の残渣が除去できる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の上の所定箇所に支持部材が固定され、かつこの支持部材の間の可動空間内において前記支持部材より所定距離離間して第１電極が固定されて形成された状態とする第１工程と、
前記可動空間内を充填して前記第１電極を覆うように前記半導体基板上に犠牲層が形成された状態とする第２工程と、
前記第１電極の上部にあたる前記犠牲層の上に第２電極が形成された状態とする第３工程と、
前記可動空間の領域内に複数の開口部を備えた板状の上部構造体が前記支持部材の上に形成された状態とする第４工程と、
前記前記第１電極の形成領域と第２電極の形成領域とが重なる領域を含み、前記支持部材より所定距離離間した第１領域内に配置された前記開口部を介して一部の前記犠牲層を除去し、一部の前記第１電極及び一部の前記第２電極が露出した空間が形成され、この空間と前記支持部材との間に一部の前記犠牲層が残る状態とする第５工程と、
前記第１領域内に配置された前記開口部を介して前記空間内に所定の洗浄液を供給し、前記洗浄液により前記空間内に露出する部分を洗浄処理する第６工程と、
前記洗浄液を乾燥した後、ドライエッチングにより、前記開口部を介して残っている前記犠牲層を除去する第７工程と
を少なくとも備えることを特徴とする微細構造の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の微細構造の製造方法において、
前記犠牲層は、有機樹脂から構成されたものである
ことを特徴とする微細構造の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の微細構造の製造方法において、
前記犠牲層の除去は、オゾンを用いたドライエッチングにより行う
ことを特徴とする微細構造の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の微細構造の製造方法において、
前記第５工程では、
前記上部構造体の上に前記第１領域にあたる箇所に開口部を備えたマスクパターンを形成し、前記第１領域内に配置された前記開口部を介して一部の前記犠牲層を除去する
ことを特徴とする微細構造の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロマシン技術により半導体基板の上に形成される微細構造の製造方法に関するものであり、特に、２つの電極構造体の間に空間を有する微細構造の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
マイクロマシン加工技術により、シリコンなどの半導体基板上やガラスなどの絶縁体基板上などに、微細な構造を作製するＭＥＭＳ（MicroElectro Mechanical System）技術が開発されている。このＭＥＭＳは、各種センサー分野、医療分野、無線通信分野など、様々な分野で利用されるようになりつつある。中でも特に、マイクロマシン技術により作製された微細スイッチ構造は、ＭＥＭＳスイッチと呼ばれ、高周波スイッチとして優れた特性を有している（非特許文献１参照）。
【０００３】
上述したＭＥＭＳスイッチには、容量型スイッチと接点型スイッチの２種類がある。容量型スイッチは、基板上に作成された固定電極と、この上部に空間的に離して形成された可動電極とを備え、可動電極を静電力により変位させて固定電極との間隔を可変することで、固定電極と可動電極との間の静電容量を変化させ、スイッチ動作を実現させるものである。このスイッチ構造の場合、固定電極と可動電極は電気的に接触しないので、各電極の表面が金属面である必要はなく、絶縁膜で覆われていてもよい。
【０００４】
一方、接点型スイッチは、容量型スイッチと同様に固定電極と可動電極を備え、例えば静電力により可動電極を駆動（変位）させ、可動電極に固定された接点電極と固定電極が電気的に接触することで、スイッチ動作を実現させるものである。接点型スイッチの場合、接触する部分には良好な接点であることが必要となり、固定電極と接点電極の表面は金属面で、なおかつ接触抵抗が小さいことが要求される。
【０００５】
上述したような電極構造の間に空間を有する微細構造の従来の作製方法では、まず２つの電極構造の間に犠牲層を挟んだプレーナー構造を作製し、この後、犠牲層を除去することで電極間に空間を形成する方法が多用されている。
ここで、犠牲層を除去する方法には、第１にドライエッチングにより犠牲層を除去する方法（非特許文献２参照）、第２にドライエッチングで犠牲層を除去した後にウエット処理により洗浄する方法、第３にドライエッチングで犠牲層を除去した後に特殊な処理により洗浄する方法などがある。
【０００６】
第１のドライエッチングにより犠牲層を除去する方法では、酸素プラズマによるドライエッチングにより犠牲層を除去し、微細構造を作製する方法が説明されている。しかしながらこの方法では、接点電極の表面にプラズマと犠牲層が反応して生成された重合膜や微粒子が残渣となり、良好なコンタクト特性が得られないという問題がある。
【０００７】
また、犠牲層を加熱するとともにオゾン雰囲気に曝すことで犠牲層を除去し、微細構造を作製する方法が提案されている（特許文献１参照）。この方法によれば、前述した酸素プラズマを用いる方法と比べ重合膜の生成が抑制されるが、犠牲層の材質やオゾン処理のプロセス条件によっては電極表面に重合膜が形成され、コンタクト特性が劣化するという問題がある。
【０００８】
第２のドライエッチングで犠牲層を除去した後にウエット処理により洗浄する方法は、ウエット処理により電極表面を洗浄することで良好なコンタクト特性が得られるようになる。しかしながらこの方法では、電極構造が微細な寸法の場合、ウエット処理に用いる溶液の表面張力により、ウエット処理後の乾燥工程などで電極同士が張り付く、また破壊されるなどの問題が発生する（非特許文献３参照）。
【０００９】
ここで、ウエット洗浄により電極同士が張り付くという問題について、図６（ａ），図６（ｂ）を参照しながら説明する。２つの電極構造体の間に空間を有する微細構造を作製するには、例えば、図６（ａ）に示すように、半導体基板３０１の上に絶縁層３０２が形成された状態とし、第１電極３０３及び支持部材３０４が形成された状態とし、この上に犠牲層３０５が形成された状態とした後、犠牲層３０５の表面において支持部材３０４の上面が露出した状態とする。
【００１０】
ついで、犠牲層３０５の上に、複数の開口部が形成された第２電極３０６が形成された状態とする。この後、第２電極３０６の開口部を介し、ドライエッチングにより犠牲層３０５を除去することで、第２電極３０６と第１電極３０３の間に空間を有する微細構造が得られる。この状態では、第２電極３０６と第１電極３０３の表面に、重合膜や微粒子状の残渣がある。従って、これら残渣を除去するために洗浄処理が必要となる。
【００１１】
洗浄方法としてウエット処理を利用すると、効果的に残渣を除去することができる。ウエット処理により洗浄して電極表面の重合膜を除去する方法は、半導体製造技術における幅広い技術蓄積があり、洗浄方法として汎用的に利用されている。
しかしながら、電極間に空間を有する微細構造を洗浄する場合、処理溶液の表面張力に起因する応力が微細構造の曲げ強度を上回り、ウエット処理後の乾燥工程において、図６（ｂ）に示すように、第２電極３０６と第１電極３０３が張り付いた状態となる。この状態では、第２電極３０６の変位によるスイッチ動作が得られない。
【００１２】
このような、液処理における表面張力の問題を解消する技術として、例えば、固体エアロゾルによる洗浄方法と超臨界流体による洗浄方法が提案されている（非特許文献３参照）。しかしながら、固体エアロゾルによる洗浄方法では、洗浄機構が固体粒子が基板に衝突する際の衝撃力であるために、微細パターンの破壊という問題が発生する。
【００１３】
一方、超臨界流体による洗浄方法では、微細パターンを破壊せずに液処理を行うことが可能となる。しかしながら、超臨界流体を用いる処理では、高い圧力に耐えられる専用の特殊な洗浄装置が必要であり、また、加圧，加熱，減圧，置換などの処理を複数回繰り返す必要があることから、洗浄処理の多くの時間を必要とし、製造プロセスの低コスト化や大量生産への対応が容易ではない（特許文献２参照）。
【００１４】
なお、出願人は、本明細書に記載した先行技術文献情報で特定される先行技術文献以外には、本発明に関連する先行技術文献を出願時までに発見するには至らなかった。
【特許文献１】特開２００２−２１９６９５号公報
【特許文献２】特開２００１−１７６８３７号公報
【非特許文献１】G.M.Rebeiz and J.B.Muldavin, “RF MEMS switches and switch circuits", IEEE Microwave Magazine, Vol.2, No.4, pp.59-70, Dec.2001.
【非特許文献２】D.Hah, E.Yoon, and S.Hong, "A low-voltage actuated micromachined microwave switch using torsion springs and leverge", IEEE Trans. Microwave Theory and Techniques, Vol.48, No.12 , pp.2540-2545, Dec.2000.
【非特許文献３】嵯峨，国安，服部，「高アスペクト比微細構造におけるウエット洗浄の限界とパターン破壊フリー洗浄技術」，信学技報，ＳＤＭ２００３−１７２，ｐｐ．１５−２０，２００３年１０月．
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
以上に説明したように、従来では、ＭＥＭＳなどの可動部を有する微細な構造体を作製する場合、可動部が配置される微細な空間内を清浄な状態で製造しようとすると、大がかりな装置が必要となるなど、容易ではなかった。
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、微細な構造体の変位を可能とする微細な空間を備えた微細な構造体を、空間内が清浄な状態で形成できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明に係る微細構造の製造方法は、半導体基板の上の所定箇所に支持部材が固定され、かつこの支持部材の間の可動空間内において支持部材より所定距離離間して第１電極が固定されて形成された状態とする第１工程と、可動空間内を充填して第１電極を覆うように半導体基板上に犠牲層が形成された状態とする第２工程と、第１電極の上部にあたる犠牲層の上に第２電極が形成された状態とする第３工程と、可動空間の領域内に複数の開口部を備えた板状の上部構造体が支持部材の上に形成された状態とする第４工程と、第１電極の形成領域と第２電極の形成領域とが重なる領域を含み、支持部材より所定距離離間した第１領域内に配置された開口部を介して一部の犠牲層を除去し、一部の第１電極及び一部の第２電極が露出した空間が形成され、この空間と支持部材との間に一部の犠牲層が残る状態とする第５工程と、第１領域内に配置された開口部を介して空間内に所定の洗浄液を供給し、洗浄液により空間内に露出する部分を洗浄処理する第６工程と、洗浄液を乾燥した後、ドライエッチングにより、開口部を介して残っている犠牲層を除去する第７工程とを少なくとも備えるようにしたものである。
この製造方法によれば、洗浄液は、犠牲層に設けられた空間内に露出する部分に接触し、洗浄液が乾燥するときの表面張力も、犠牲層に設けられた空間内に露出する部分に作用する。
【００１７】
上記微細構造の製造方法において、犠牲層は、有機樹脂から構成すれば、犠牲層の除去は、オゾンを用いたドライエッチングにより行うことができる。
また、上記微細構造の製造方法において、第５工程では、上部構造体の上に第１領域にあたる箇所に開口部を備えたマスクパターンを形成し、第１領域内に配置された開口部を介して一部の犠牲層を除去すればよい。
【発明の効果】
【００１８】
以上説明したように、本発明によれば、犠牲層に設けられた空間内に露出する部分に洗浄液が接触する状態とし、洗浄液が乾燥するときの表面張力が、犠牲層に設けられた空間内に露出する部分に作用するようにし、微細な構造体を変形させることなく洗浄液による洗浄を可能としたので、微細な構造体の変位を可能とする微細な空間を備えた微細な構造体を、空間内が清浄な状態で形成できるようになるという優れた効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。
図１は、本発明の実施の形態における微細構造の製造方法について説明する工程図である。まず、図１（ａ）に示すように、半導体基板１０１上に層間絶縁層１０２が形成され、下部電極（第１電極）１０３及び支持部材１０４が形成され、層間絶縁層１０２の上に支持部材１０４の上面が露出した犠牲層１０５が形成され、下部電極１０３の上部にあたる犠牲層１０５の上に接点電極（第２電極）１０６が形成された状態とする。
【００２０】
続いて、支持部材１０４，犠牲層１０５，接点電極１０６の上に平板状の上部構造体１０７が形成された状態とする。なお、支持部材１０４及び上部構造体１０７は、金属から構成されていてもよく、酸化シリコンや窒化シリコンなどの絶縁物から構成されていてもよい。
【００２１】
支持部材１０４は、一体に形成された枠状でもよく、また、各電極の周囲に離間して配置された複数の構造体から構成されていてもよい。支持部材１０４の間の領域を可動空間とした状態で、上部構造体１０７が支持部材１０４に支持され、可動空間内に各電極が配置されていればよい。
【００２２】
なお、半導体基板１０１は、複数のトランジスタ、抵抗、容量、配線などから構成された半導体集積回路を備えていてもよく、例えば、集積回路の配線と電気的に接続するためのコンタクトホールなどが、層間絶縁層１０２の所定の箇所に形成されていてもよい。
【００２３】
ここで、上部構造体１０７は、接点電極１０６の周囲に配置された複数の第１開口部１０８と、これらの周囲に配置された複数の第２開口部１０９とを備える。第１開口部１０８が形成される領域（第１領域）は、支持部材１０４より所定距離離間し、下部電極１０３とこれに対向配置されている接点電極１０６との一部が含まれていればよい。図１では、下部電極１０３より狭い領域に第１開口部１０８が配置されているようにしたが、これに限るものではない。例えば、下部電極１０３が、接点電極１０６とともに、支持部材１０４に囲われた領域（可動空間）に比較して充分に狭い領域に形成されている場合、下部電極１０３より広い領域に第１開口部１０８が形成されいてもよい。
【００２４】
次に、例えば、図示しないレジストパターンにより第２開口部１０９がふさがれた状態とし、第１開口部１０８を介したドライエッチングにより、図１（ｂ）に示すように、接点電極１０６周辺の犠牲層１０５を除去する。下部電極１０３上の一部に空間１１０が形成された状態とする。例えば、基板を所定温度に加熱して犠牲層１０５が加熱された状態でオゾン雰囲気中に晒すことで、上述したドライエッチングを行えばよい。
【００２５】
前述したように、第１開口部１０８は、支持部材１０４より所定距離離間した領域に配置されているので、空間１１０は、支持部材１０４より所定距離離間した領域に形成される。従って、支持部材１０４に囲われた上部構造体１０７下の可動空間において、空間１１０と支持部材１０４との間には犠牲層１０５が残り、上部構造体１０７は、支持部材１０４とともに残っている犠牲層１０５により、層間絶縁層１０２（半導体基板１０１）の上に支持される。
【００２６】
ついで、上記基板が所定の洗浄液中に浸漬された状態とし、洗浄液が空間１１０の内部に作用する状態とする。洗浄液としては、例えばフッ化水素水溶液を用いることができる。この洗浄処理により、空間１１０内に露出している各電極の表面に付着した重合膜や微粒子状の残渣が除去できる。
【００２７】
このとき、空間１１０は、支持部材１０４に囲われた範囲の可動空間に比較して、接点電極１０６の周囲の狭い範囲に形成され、上部構造体１０７の大部分が犠牲層１０５により支持されているので、乾燥時における洗浄液の表面張力により上部構造体１０７が変形することが抑制される。この結果、接点電極１０６と下部電極１０３とが張り付いてしまうなどの問題が生じない。
【００２８】
上述したような洗浄処理と乾燥処理とを行った後、第２開口部１０９を介して、ドライエッチングにより犠牲層１０５の残りを除去し、図１（ｃ）に示すように、接点電極１０６と下部電極１０３の間に空間を有する微細構造が形成される。この工程のドライエッチングにおいて、第２開口部１０９を介すると同時に第１開口部１０８を介していてもよい。
【００２９】
上述した微細構造の製造方法によれば、まず２つの電極構造の間に犠牲層を挟んだプレーナー構造を作製し、犠牲層を部分的に除去することで電極間に空間を形成し、形成した空間において露出した電極表面をウエット処理により洗浄するようにしたので、洗浄の後に乾燥をした場合であっても、電極同士の張り付きなどの問題は生じない。従って、２つの電極構造体により接点型スイッチを構成し、電極表面について十分な洗浄処理をすることができ、良好なコンタクト特性を得ることができる。
【００３０】
なお、上述した製造方法は、微細な寸法の接点型スイッチを構成したときに特にその効果が顕著であるが、適用範囲は接点型スイッチに限定されるわけではない。例えば、静電容量式圧力センサー，加速度センサー，可変容量素子，可動ミラー構造，バイブレーター，メカニカルフィルターなどの、２つの電極構造体の間に空間を有する他の微細構造においても同様の効果が得られる。
【００３１】
以下、本発明の実施の形態における微細構造の製造方法について、より詳細に説明する。
図２（ａ）に示すように、まず、例えばシリコンからなる半導体基板１０１の上に、例えば酸化シリコンからなる層間絶縁層１０２が形成され、この上に、メッキ法で金属パターンを形成するために必要となるシード層２０３が形成された状態とする。シード層２０３は、スパッタ法や蒸着法などにより、例えば、チタンを堆積してこの上に金を堆積することで形成すれば良い。このときのチタンの膜厚は０．１μｍ程度、金の膜厚は０．１μｍ程度とすればよい。
【００３２】
次に、シード層２０３の上にレジスト材料を塗布してレジスト膜を形成し、所望のパターンを備えるマスクを用いて露光することにより、図２（ｂ）に示すように、所望箇所に開口部を備えたレジストパターン２０４が形成された状態とする。また、レジストパターン２０４の開口部に露出するシード層２０３の上に、メッキ法により第１金属パターン２０５が形成された状態とする。上記このときのレジスト膜の厚さは１μｍ程度とし、第１金属パターン２０５のメッキ厚は、０．３μｍ程度とすればよい。この後、レジストパターン２０４は除去する。
【００３３】
次に、第１金属パターン２０５の形成と同様の工程により、図３（ｃ）に示すように、レジストパターン２０６が形成され、この開口部に第２金属パターン２０７が形成された状態とする。ここで、メッキ工程で形成する金属パターンの膜厚を変えることで、第２金属パターン２０７は、第１金属パターン２０５より厚く形成された状態とする。このときのレジスト膜厚は１μｍ程度とし、第２金属パターン２０７のメッキ厚は０．６μｍ程度とすればよい。この後、レジストパターン２０６は除去する。
【００３４】
次に、第１金属パターン２０５及び第２金属パターン２０７をマスクとしてシード層２０３をエッチング除去することで、図３（ｄ）に示すように、第１金属パターン２０５及び第２金属パターン２０７が層間絶縁層１０２の上で分離した状態とする。例えば、シード層２０３の上層にある金は、ヨウ素，ヨウ化アンモニウム，水，エタノールからなるエッチング液を用いたウエットエッチングにより除去できる。また、シード層２０３の下層のチタンは、フッ化水素水溶液を用いたウエットエッチングにより除去できる。
【００３５】
次に、図３（ｅ）に示すように、第２金属パターン２０７の間が充填されて第１金属パターン２０５が覆われる状態に、犠牲層２０８が形成された状態とする。例えば、まず、ＰＢＯ（ポリベンザオキサゾール）により構成された感光性を有する有機樹脂を塗布して塗布膜を形成し、形成した塗布膜を公知のリソグラフィ技術によりパターニングすることで、第２金属パターン２０７上面が露出した状態に、犠牲層２０８を形成することができる。犠牲層２０８のパターニング処理では、前処理として、塗布膜に対して１２０℃のプリベーグ処理を４分程度行い、パターニング後には３１０℃程度の加熱処理を行う。上記有機樹脂としては、例えば、住友ベークライト社製のＣＲＣ８３００を用いればよい。
【００３６】
次に、図３（ｆ）に示すように、犠牲層２０８の上にクロムと金の２層からなるシード層２０９が形成され、この上に接点電極パターン２１０が形成された状態とする。シード層２０９は、スパッタ法や蒸着法などにより、例えば、まずクロムを堆積してこの上に金を堆積することで形成すれば良い。このときのクロムの膜厚は０．１μｍ程度、金の膜厚は０．１μｍ程度とすればよい。また、接点電極パターン２１０は、第１金属パターン２０５などと同様に、所定のレジストパターンを用いた選択的なメッキ法により形成すればよい。このときのレジストパターンの膜厚は１μｍ程度とし、接点電極パターン２１０のメッキ厚は０．３μｍ程度とすればよい。
【００３７】
次に、接点電極パターン２１０をマスクとしてシード層をエッチングにより除去する。シード層２０９の上層にある金は、ヨウ素，ヨウ化アンモニウム，水，エタノールからなるエッチング液を用いたウエットエッチングにより除去できる。また、シード層２０９の下層のクロムは、フェリシアン化カリウム，水酸化ナトリウム，水からなるエッチング液を用いたウエットエッチングにより除去できる。
【００３８】
この後、チタンを蒸着しまた金を蒸着することで、図３（ｇ）に示すように、チタンと金の２層からなるシード層２１１が形成された状態とする。続いて、レジスト塗布，パターン露光により所望のレジストパターンを形成し、レジストパターンの開口部に選択的にメッキ膜を形成し、この後、レジストパターンを除去することで、第２金属パターン２０７の上部にあたるシード層２１１の上に、第３金属パターン２１２が形成された状態とする。このときのレジストパターンの膜厚は１μｍ程度とし、第３金属パターン２１２のメッキ厚は０．３μｍ程度とすればよい。
【００３９】
続いて、不要なシード層２１１を選択的に除去し、図３（ｈ）に示すように、接点電極パターン２１０と第３金属パターン２１２が分離された状態とする。ここで、接点電極パターン２１０の下は犠牲層２０８で覆われており、第１金属パターン２０５は露出していない。一方、第３金属パターン２１２と第２金属パターン２０７は犠牲層２０８の開口部で接続されている。
【００４０】
次に、犠牲層２０８の形成と同様にすることで、図４（ｉ）に示すように、接点電極パターン２１０及び第３金属パターン２１２の間が充填され、接点電極パターン２１０及び第３金属パターン２１２の上面が露出した状態に、犠牲層２１３が形成された状態とする。
【００４１】
次に、犠牲層２１３の上にスパッタ法や蒸着法などによりチタンを堆積することで、図４（ｊ）に示すように、チタン層２１４が形成された状態とした後、接点電極パターン２１０の上部にあたるチタン層２１４上に無機絶縁パターン２１５が形成された状態とする。無機絶縁パターン２１５は、例えばスパッタ法により堆積した酸化シリコン膜を、公知のフォトリソグラフィ技術とエッチング技術とにより微細加工することで形成できる。チタン層２１４は、膜厚０．１μｍ程度に形成され、無機絶縁パターン２１５は、膜厚０．３μｍ程度に形成されていればよい。
【００４２】
次に、無機絶縁パターン２１５をマスクとすることなどによる選択的なエッチングにより、不要なチタン層２１４を除去する。例えば、フッ化水素水溶液を用いたウエットエッチングにより、チタン層２１４を選択的に除去すればよい。
次に、図４（ｋ）に示すように、シード層２１１の形成と同様にすることでシード層２１６が形成され、第３金属パターン２１２の形成と同様にすることで第４金属パターン２１７が形成された状態とする。このとき、第４金属パターン２１７のメッキ厚は０．３μｍ程度とすればよい。
【００４３】
引き続いて、不要なシード層２１６を選択的に除去した後、犠牲層２１３の形成と同様にすることで、図４（ｌ）に示すように、無機絶縁パターン２１５及び第４金属パターン２１７の間が充填され、無機絶縁パターン２１５及び第４金属パターン２１７の上面が露出した状態に、犠牲層２１８が形成された状態とする。
【００４４】
次に、犠牲層２１８の上に、シード層２１６の形成と同様の方法により、チタンと金の２層からなるシード層２１９が形成された状態とし、この上に第５金属パターン２２０が形成された状態とし、続いて、不要なシード層２１９を選択的に除去する（図４（ｍ））。第５金属パターン２２０は、接点電極パターン２１０の周囲にあたる領域に、複数の第１開口部２２１を備え、これらの周囲に、複数の第２開口部２２２を備えている。なお、第５金属パターン２２０のメッキ厚は、０．３μｍ程度とすればよい。
【００４５】
次に、図４（ｎ）に示すように、第１開口部２２１が形成されている領域に開口部を備えたレジストパターン２２３が、第５金属パターン２２０を含む犠牲層２１８の上に形成された状態とする。例えば、所定のレジスト材料を塗布してレジスト膜を形成し、所望のパターンを備えるマスクを用いて露光して現像処理することにより、レジストパターン２２３が形成できる。第２開口部２２２は、レジストパターン２２３で覆われている。なお、レジストパターン２２３は、膜厚２０μｍ程度に形成されていればよい。
【００４６】
次に、例えばオゾンアッシャー装置を用い、レジストパターン２２３の開口部に露出している第１開口部２２１から、オゾンを犠牲層２０８，犠牲層２１３，犠牲層２１８に作用させ、図５（ｏ）に示すように、第１金属パターン２０５の一部が露出する空間２２４が形成された状態とする。空間２２４により、接点電極パターン２１０（シード層２０９）の一部も露出した状態となる。
【００４７】
このオゾン処理では、接点電極パターン２１０（シード層２０９）を構成しているクロムもエッチングされ、接点電極パターン２１０の下面はシード層２０９を構成していた金層が露出する。また、露出した金層の表面に、重合膜が付着した状態となる。一方、第５金属パターン２２０（シード層２１９）を構成しているチタンはエッチングされず、第５金属パターン２２０の下面は、シード層２１９の下面のチタン表面に重合膜が付着した状態となる。
【００４８】
次に、例えば、フッ化水素水溶液を用いたウエットエッチングにより、空間２２４に露出している各パターンの表面に付着している重合膜を除去する。このエッチング（洗浄）処理の結果、チタンがエッチングされ、接点電極パターン２１０の下面は金が露出し、図５（ｐ）に示すように、空間２２４に露出している第５金属パターン２２０の下面は、金の表面が露出する。
【００４９】
次に、レジストパターン２２３を除去し、第１開口部２２１と第２開口部２２２の両者が開口部している状態で、残っている犠牲層２０８，犠牲層２１３，犠牲層２１８に、例えば、オゾンアッシャー装置によりオゾンを作用させ、図５（ｑ）に示すように、第５金属パターン２２０の下部の犠牲層が全て除去された状態とする。ここで、接点電極パターン２１０の下面及び第１金属パターン２０５の上面は、金が露出しているので、オゾンと犠牲層が反応して生成される重合膜は付着せず、オゾン処理によって表面が酸化されることも抑制される。
【００５０】
以上に説明した製造方法により、第５金属パターン２２０から構成された上部構造体１０７と、第１金属パターン２０５から構成された下部電極１０３との間に空間が形成され、かつ、下部電極１０３と接点電極パターン２１０から構成された接点電極１０６の表面は、重合膜などが除去された清浄な金属表面である微細構造が形成される。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の実施の形態における微細構造の製造方法について説明する工程図である。
【図２】本発明の実施の形態における微細構造の製造方法についてより詳細に説明する工程図である。
【図３】本発明の実施の形態における微細構造の製造方法についてより詳細に説明する工程図である。
【図４】本発明の実施の形態における微細構造の製造方法についてより詳細に説明する工程図である。
【図５】本発明の実施の形態における微細構造の製造方法についてより詳細に説明する工程図である。
【図６】従来よりある微細構造の製造方法について簡単に説明する工程図である。
【符号の説明】
【００５２】
１０１…半導体基板、１０２…層間絶縁層、１０３…下部電極（第１電極）、１０４…支持部材、１０５…犠牲層、１０６…接点電極（第２電極）、１０７…上部構造、１０８…第１開口部、１０９…第２開口部、１１０…空間。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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