(57)【要約】【課題】  被処理基板の破損、パーティクルの発生の虞がなく、所要の膜形成を行うことができる半導体製造装置及び基板処理方法を提供する。【解決手段】  処理室３内に半導体ウェハ２を保持するステージ４と、このステージ４に設けられ半導体ウェハ２を加熱するランプ加熱機構１６と、ステージ４に設けられ半導体ウェハ２を該ステージ４に固定保持して加熱するチャック加熱機構１３とを備えると共に、ランプ加熱機構１６とチャック加熱機構１３とがそれぞれ独立に温度制御可能であって、半導体ウェハ２をランプ加熱機構１６により所定温度にまで加熱昇温した後、チャック加熱機構１３によりステージ４に固定保持し、所定温度を維持するようにして所要の処理を実行する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理室内に被処理基板を保持するステージと、このステージに設けられ前記被処理基板を加熱するランプ加熱機構と、前記ステージに設けられ前記被処理基板を該ステージに固定保持して加熱するチャック加熱機構とを備えると共に、前記ランプ加熱機構と前記チャック加熱機構とがそれぞれ独立に温度制御可能であることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
前記被処理基板を、前記ランプ加熱機構により所定温度にまで加熱昇温した後、前記チャック加熱機構により前記ステージに固定保持し所定温度を維持することを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置。
【請求項３】
前記チャック加熱機構が、独立して温度制御可能な複数の加熱ユニットによりなることを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置。
【請求項４】
処理室内のステージに保持された被処理基板を、所定温度にまで加熱昇温した後、前記ステージに固定保持し、所定温度を維持するようにしながら処理することを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被処理基板、例えば半導体ウェハを所定温度として所要の処理を行う半導体製造装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知の通り、例えば半導体ウェハ等の被処理基板面にＡｌ、Ｔｉ、ＴｉＮなどの薄膜を形成する場合、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：物理気相成長）法が用いられている。このＰＶＤ法によって基板の成膜を行う半導体製造装置は、真空ポンプにより減圧されＡｒ等のイオンガスが導入された処理室と、処理室内に蒸発源とこれに対向して配置された被処理基板を静電チャックによって固定保持するステージを備えて構成されており、さらに被処理基板を成膜に際して所定温度に加熱する加熱機構と、蒸発源と被処理基板の間に電圧を印加する電源を備えたものとなっている。
【０００３】
また、被処理基板を所定温度に加熱する加熱機構としては、ハロゲンランプを加熱源に用いたランプ加熱機構、あるいは静電チャックプレート内に加熱源の抵抗ヒータを埋め込んだチャック加熱機構などが用いられている。そして、ランプ加熱機構によって被処理基板を加熱するものでは、所定温度にまで加熱、昇温し、その温度を加熱と冷却によって維持する際、冷却を効率的に行うことができず、例えばプラズマによりガスイオンを生成して成膜するものでは、成膜中にプラズマエネルギによって被処理基板の温度が上昇してしまい、適正な温度を維持することができず、所要の膜形成ができない虞があった。
【０００４】
一方、チャック加熱機構によって被処理基板を加熱するものでは、冷却機構によって冷却を効率的に行うことができるものの、ステージに設けられた静電チャックプレートに被処理基板を静電チャックによって固定保持し、所定温度にまで加熱、昇温する際、被処理基板は温度上昇に伴い膨張しようとするが、静電チャックがクーロン力やジョンセン・ラーベック力で密着しているため、自由に膨張できない。そのため、被処理基板に無理な力が働き、被処理基板が破損してしまったり、静電チャックプレートと接触する個所では膨張による擦れでパーティクルが発生したりする虞があった。さらに、チャック加熱機構では、静電チャックプレートに温度分布が生じ、それによって被処理基板の面内温度が均一でない状態となってしまう虞があった。またさらに、各装置毎にチャック加熱機構に加熱状態に個体差が生じ、装置毎に補正しなければならない状況にあった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のような状況に鑑みて本発明はなされたもので、その目的とするところは、被処理基板を破損させてしまったり、パーティクルが発生したりする虞が少なく、また所定の温度を適正に維持することができることで、所要の膜形成を行うことができる半導体製造装置及び基板処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の半導体製造装置及び基板処理方法は、処理室内に被処理基板を保持するステージと、このステージに設けられ前記被処理基板を加熱するランプ加熱機構と、前記ステージに設けられ前記被処理基板を該ステージに固定保持して加熱するチャック加熱機構とを備えると共に、前記ランプ加熱機構と前記チャック加熱機構とがそれぞれ独立に温度制御可能であることを特徴とするものであり、
さらに、前記被処理基板を、前記ランプ加熱機構により所定温度にまで加熱昇温した後、前記チャック加熱機構により前記ステージに固定保持し所定温度を維持することを特徴とするものであり、
さらに、前記チャック加熱機構が、独立して温度制御可能な複数の加熱ユニットによりなることを特徴とするものであり、
また、処理室内のステージに保持された被処理基板を、所定温度にまで加熱昇温した後、前記ステージに固定保持し、所定温度を維持するようにしながら処理することを特徴とする方法である。
【発明の効果】
【０００７】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、被処理基板を破損させてしまったり、パーティクルが発生したりする虞がなく、所定の温度を適正に維持することができ、所要の膜形成を行うことができる等の効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。
【０００９】
先ず第１の実施形態を図１及び図２により説明する。図１は半導体製造装置の概略構成を示す縦断面図であり、図２は要部の平面図である。
【００１０】
図１及び図２において、１は、例えばＰＶＤ法によって被処理基板である半導体ウェハ２の表面に所要の成膜を行う半導体製造装置であり、これは、半導体ウェハ２を収納してその表面に成膜処理を行う処理室３と、この処理室３内に収納した半導体ウェハ２を載置して、さらに固定保持するステージ４と、ステージ４に保持された半導体ウェハ２の成膜面に対向して配置された膜形成材料でなる蒸発源５とを備えて構成されている。さらに、半導体製造装置１には、処理室３内を成膜処理にあたって所定の減圧状態にする排気口６に接続された図示しない真空ポンプ、減圧した処理室３内にＡｒ等の不活性ガスの雰囲気ガスを導入するための図示しないガス源、蒸発源５とステージ４上の半導体ウェハ２の間に電圧を印加する図示しない電源等が備えられ、さらに要すればステージ４と蒸発源５との間にシャッタが備えられている。
【００１１】
また、ステージ４には、成膜に際して半導体ウェハ２を所定温度にするための加熱冷却部７が設けられている。加熱冷却部７は、ステージ４の円形状ステージ本体８の上面側に削設された円形凹所９に嵌め込まれた円板形状をなす冷却機構１０と、半導体ウェハ２をステージ４上に固定するための静電チャックを有する静電チャックプレート１１内に、加熱源の抵抗ヒータ１２を埋め込むようにして冷却機構１０の上側に設けられたチャック加熱機構１３と、静電チャックプレート１１に互いに離間するよう形成された上方に開口する複数の開口部位１４に、それぞれ加熱源のハロゲンランプ１５を収納するように設けて形成されたランプ加熱機構１６とを備えたものとなっている。
【００１２】
さらに、加熱冷却部７には、半導体ウェハ２の温度を測定するウェハ温度センサ１７と、静電チャックプレート１１に先端部を埋め込むようにしてチャック加熱機構１３の温度を測定するチャック温度センサ１８が設けられている。そして、ウェハ温度センサ１７の測定結果は、制御部１９に設けられたランプ加熱制御ユニット２０とチャック制御ユニット２１に出力され、またチャック温度センサ１８の測定結果は、チャック制御ユニット２１に出力される。
【００１３】
ランプ加熱制御ユニット２０においては、ランプ加熱機構１６の加熱制御が行われる。一方、チャック制御ユニット２１においては、ウェハ温度センサ１７とチャック温度センサ１８の測定結果に基づき、抵抗ヒータ１２の通電時間が制御され、チャック加熱機構１３の加熱制御が行われる。なお、２２は、図示しない駆動機構によって上方に向けて進退し、ステージ４の上面側に出没するように３本設けられたリフトピンで、ステージ４上に載置した半導体ウェハ２をステージ４上から搬出したりする際、それら動作に合わせて進退し、出没することで半導体ウェハ２の載置、搬出を容易に行えるようにしている。
【００１４】
そして、このように構成された装置での成膜は、次のように行われる。すなわち、先ず所定膜形成材料の蒸発源５が配置された処理室３内に半導体ウェハ２を導入し、ステージ４上に膜形成面が蒸発源５に対向するよう載置する。続いて、排気口６に接続した真空ポンプを作動させて処理室３内を所定の減圧状態にすると共に、減圧した処理室３内に図示しない導入口を介してガス源からＡｒ等の雰囲気ガスを導入し、処理室３内を所定のガス雰囲気とする。また加熱冷却部７については、先ずハロゲンランプ１５の通電を開始し、ランプ加熱制御ユニット２０の制御のもとにランプ加熱機構１６による半導体ウェハ２の加熱を行う。この時、静電チャックは動作させず、半導体ウェハ２はステージ４上に固定せず、載置したままとする。
【００１５】
その後、ステージ４上の半導体ウェハ２の温度が所定の膜形成温度に達した時点で、チャック制御ユニット２１の制御のもとに静電チャックプレート１１の静電チャックを動作させて、半導体ウェハ２をステージ４上に固定する。その後、半導体ウェハ２の加熱をランプ加熱機構１６からチャック加熱機構１３に切替え、ハロゲンランプ１５の通電を停止する。そして、チャック加熱機構１３による加熱と、冷却機構１０による冷却を繰り返す等することで、半導体ウェハ２の温度が所定の膜形成温度を維持するようにする。そして、所定時間経過させることで半導体ウェハ２の表面に蒸発した膜形成材料を堆積させ、所定の厚さを有する膜を形成する。
【００１６】
その後、シャッタを閉じ、チャック加熱機構１３を停止すると共に、静電チャックプレート１１の静電チャックの動作を停止し、ステージ４上への半導体ウェハ２の固定を解除する。さらに、半導体ウェハ２をステージ４上に載置したままの状態で除電し、続いてリフトピン２２を上方に進出させ、図示しない搬出装置等により処理室３内から取り出し、成膜を終了する。
【００１７】
以上のように、上記構成の装置により半導体ウェハ２の表面に成膜を行うことで、半導体ウェハ２の温度を所定の成膜温度にまで速やかに上昇させることができ、また温度を上昇させる際、あるいは加工させる際に、半導体ウェハ２に無理な力が加わることがないため、破損や接触個所での擦れによるパーティクルの発生を防止することができる。また、例えばプラズマによりガスイオンを生成して成膜する際においても、加熱と冷却が円滑に行え、所定の成膜温度を適正に維持することができ、所要とする膜形成を行うことができる。
【００１８】
次に、第２の実施形態を図３及び図４により説明する。図３は半導体製造装置の要部の平面図であり、図４は変形形態の要部の平面図である。なお、加熱冷却部以外の構成は第１の実施形態と概略同一構成であるため、図面及び説明を省略し、第１の実施形態と同一部分には同一符号を付し、第１の実施形態と異なる本発明の構成について説明する。
【００１９】
図３において、３１は、成膜に際してステージ４上に保持された半導体ウェハ２を所定温度とするためのステージ４に設けられた加熱冷却部で、この加熱冷却部３１は、ステージ本体８の上面側の円形凹所９に嵌め込まれた冷却機構１０と、この冷却機構１０上に複数のチャック加熱ユニット、例えば小円形のチャック加熱ユニット３２ａの周囲に、略台形状をなす８個のチャック加熱ユニット３２ｂ，３２ｃ，…，…，３２ｈ，３２ｉを円環状に組み合せ、全体として円形となるように設けてなるチャック加熱機構３３と、各チャック加熱ユニット３２ａ，３２ｂ，…，…，３２ｈ，３２ｉに形成された上方に開口する各開口部位１４内に、加熱源のハロゲンランプ１５をそれぞれ収納するように設けてなるランプ加熱機構１６とを備えて構成されている。
【００２０】
また、チャック加熱ユニット３２ａ，３２ｂ，…，…，３２ｈ，３２ｉは、それぞれ半導体ウェハ２をステージ４上に固定するための静電チャックを有する静電チャックプレート３４ａ，３４ｂ，…，…，３４ｈ，３４ｉ内に、図示しない抵抗ヒータを加熱源として埋め込んだものとなっている。さらにチャック加熱ユニット３２ａ，３２ｂ，…，…，３２ｈ，３２ｉには、それぞれの温度が測定できるように各静電チャックプレート３４ａ，３４ｂ，…，…，３４ｈ，３４ｉに先端部を埋め込むようにしてチャック温度センサ３５ａ，３５ｂ，…，…，３５ｈ，３５ｉが設けられている。
【００２１】
そして、チャック温度センサ３５ａ，３５ｂ，…，…，３５ｈ，３５ｉの測定結果は、制御部に各チャック加熱ユニット３２ａ，３２ｂ，…，…，３２ｈ，３２ｉに対応して設けられた図示しないチャック制御ユニットに出力される。なお、各チャック加熱ユニット３２ａ，３２ｂ，…，…，３２ｈ，３２ｉに対応するチャック制御ユニットには、ウェハ温度センサ１７の測定結果もそれぞれ入力されるようになっており、またウェハ温度センサ１７の測定結果はランプ加熱制御ユニット２０にも入力される。
【００２２】
これにより、ランプ加熱制御ユニット２０においては、ウェハ温度センサ１７の測定結果に基づき、ハロゲンランプ１５の通電時間が制御され、ランプ加熱機構１６の加熱制御が行われる。一方、各チャック制御ユニットにおいては、ウェハ温度センサ１７と対応する各チャック温度センサ３５ａ，３５ｂ，…，…，３５ｈ，３５ｉの測定結果に基づき、各チャック加熱ユニット３２ａ，３２ｂ，…，…，３２ｈ，３２ｉの抵抗ヒータの通電時間が制御され、各チャック加熱ユニット３２ａ，３２ｂ，…，…，３２ｈ，３２ｉの加熱制御が行われ、チャック加熱機構３３の加熱制御が行われると共に、成膜処理に先立って設定された所定温度に半導体ウェハ２の温度が到達すると、各静電チャックプレート３４ａ，３４ｂ，…，…，３４ｈ，３４ｉを制御し静電チャックを動作させるようになっている。
【００２３】
そして、このように構成された装置での成膜は、次のように行われる。すなわち、先ず所定膜形成材料の蒸発源５が配置された処理室３内に半導体ウェハ２を導入し、ステージ４上に膜形成面が蒸発源５に対向するよう載置する。続いて、排気口６に接続した真空ポンプを作動させて処理室３内を所定の減圧状態にすると共に、減圧した処理室３内に図示しない導入口を介してガス源からＡｒ等の雰囲気ガスを導入し、処理室３内を所定のガス雰囲気とする。また加熱冷却部３１については、先ずハロゲンランプ１５の通電を開始し、ランプ加熱制御ユニット２０の制御のもとにランプ加熱機構１６による半導体ウェハ２の加熱を行う。この時、各静電チャックプレート３４ａ，３４ｂ，…，…，３４ｈ，３４ｉは動作させず、半導体ウェハ２はステージ４上に固定せず、載置したままとする。
【００２４】
その後、ステージ４上の半導体ウェハ２の温度が所定の膜形成温度に達した時点で、各チャック制御ユニットの制御のもとに各静電チャックプレート３４ａ，３４ｂ，…，…，３４ｈ，３４ｉの静電チャックを動作させて、半導体ウェハ２をステージ４上に固定し、抵抗ヒータの通電を開始する。この抵抗ヒータへの通電の開始によって、半導体ウェハ２の加熱をランプ加熱機構１６からチャック加熱機構３３に切替え、ハロゲンランプ１５の通電を停止する。そして、チャック加熱機構３３の各チャック加熱ユニット３２ａ，３２ｂ，…，…，３２ｈ，３２ｉによる対応する各部分毎の制御された加熱と、冷却機構１０による冷却を繰り返す等することで、半導体ウェハ２の温度が所定の膜形成温度を維持するようにする。
【００２５】
また、蒸発源５とステージ４上の半導体ウェハ２の間に所定の電圧を電源により印加し、これにより処理室３内にＡｒ等の雰囲気ガスによるグロー放電を生起しておき、半導体ウェハ２の温度が所定の膜形成温度に達したところで蒸発源５とステージ４の間のシャッタを開き、グロー放電でイオン化した雰囲気ガスイオンによって蒸発源５から膜形成材料を蒸発させる。そして、所定時間経過させることで半導体ウェハ２の表面に蒸発した膜形成材料を堆積させ、所定の厚さを有する膜を形成する。
【００２６】
その後、シャッタを閉じ、チャック加熱機構３３の各チャック加熱ユニット３２ａ，３２ｂ，…，…，３２ｈ，３２ｉの抵抗ヒータの通電を停止すると共に、各静電チャックプレート３４ａ，３４ｂ，…，…，３４ｈ，３４ｉの静電チャックの動作を停止し、ステージ４上への半導体ウェハ２の固定を解除する。さらに、半導体ウェハ２をステージ４上に載置したままの状態で自然放冷等させて常温にまで冷却させ、続いてリフトピン２２を上方に進出させ、図示しない搬出装置等により処理室３内から取り出し、成膜を終了する。
【００２７】
以上のように、上記構成の装置により半導体ウェハ２の表面に成膜を行うことで、上記第１の実施形態と同様に、半導体ウェハ２の温度を所定の成膜温度にまで速やかに上昇させることができ、また温度を上昇させる際、あるいは加工させる際に、半導体ウェハ２に無理な力が加わることがないため、破損や接触個所での擦れによるパーティクルの発生を防止することができ、さらに、加熱と冷却が円滑に行えることになって所定の成膜温度を適正に維持することができ、所要とする膜形成を行うことができる。またさらに、複数、例えば９個に分割したチャック加熱機構３３の各チャック加熱ユニット３２ａ，３２ｂ，…，…，３２ｈ，３２ｉによって均等加熱を行うことができ、半導体ウェハ２の面内温度を均一なものとすることができる。また、各チャック加熱ユニット３２ａ，３２ｂ，…，…，３２ｈ，３２ｉを、対応する各チャック制御ユニットによりそれぞれ制御することができるため、各装置毎のチャック加熱機構３３における加熱状態の個体差を容易に調節、補正することができ、扱いやすいものとなる。
【００２８】
なお、本実施形態では、加熱冷却部３１の構成を、チャック加熱機構３３の各チャック加熱ユニット３２ａ，３２ｂ，…，…，３２ｈ，３２ｉに開口部位１４を設け、各開口部位１４内にハロゲンランプ１５をそれぞれ収納してランプ加熱機構１６を備えるようにしたが、例えば図４に要部を示す変形形態のように構成してもよい。
【００２９】
すなわち、図４において、４１は、成膜に際してステージ４２上に保持された半導体ウェハ２を所定温度とするためのステージ４２に設けられた加熱冷却部で、この加熱冷却部４１は、ステージ本体４３の上面側に均等に削設された同形の複数、例えば６つの略扇形の凹所４４にそれぞれ嵌め込まれた図示しない冷却機構と、各冷却機構上に同じく凹所４４に嵌め込まれた略扇形の複数、例えば６個のチャック加熱ユニット４５ａ，４５ｂ，…，…，４５ｆでなるチャック加熱機構４６と、ステージ本体４３の隣り合う凹所４４間に形成された堤状部４７ａと中心部分の円形部４７ｂに形成された上方に開口する各開口部位１４内に、加熱源のハロゲンランプ１５をそれぞれ収納するように設けてなるランプ加熱機構４８とを備えて構成されている。
【００３０】
また、チャック加熱ユニット４５ａ，４５ｂ，…，…，４５ｆは、それぞれ半導体ウェハ２をステージ４２上に固定するための静電チャックを有する静電チャックプレート４９ａ，４９ｂ，…，…，４９ｆ内に、図示しない抵抗ヒータを加熱源として埋め込んだものとなっている。さらにチャック加熱ユニット４５ａ，４５ｂ，…，…，４５ｆには、それぞれの温度が測定できるように各静電チャックプレート４９ａ，４９ｂ，…，…，４９ｆに先端部を埋め込むようにしてチャック温度センサ５０ａ，５０ｂ，…，…，５０ｆが設けられている。
【００３１】
そして、チャック温度センサ５０ａ，５０ｂ，…，…，５０ｆの測定結果は、制御部に各チャック加熱ユニット４５ａ，４５ｂ，…，…，４５ｆに対応して設けられた図示しないチャック制御ユニットに出力される。なお、各チャック加熱ユニット４５ａ，４５ｂ，…，…，４５ｆに対応するチャック制御ユニットには、ウェハ温度センサ１７の測定結果もそれぞれ入力されるようになっており、またウェハ温度センサ１７の測定結果はランプ加熱制御ユニット２０にも入力される。
【００３２】
これにより、ランプ加熱制御ユニット２０においては、ウェハ温度センサ１７の測定結果に基づき、ハロゲンランプ１５の通電時間が制御され、ランプ加熱機構４８の加熱制御が行われる。一方、各チャック制御ユニットにおいては、ウェハ温度センサ１７と対応する各チャック温度センサ５０ａ，５０ｂ，…，…，５０ｆの測定結果に基づき、各チャック加熱ユニット４５ａ，４５ｂ，…，…，４５ｆの抵抗ヒータの通電時間が制御され、各チャック加熱ユニット４５ａ，４５ｂ，…，…，４５ｆの加熱制御が行われ、チャック加熱機構４６の加熱制御が行われると共に、成膜処理に先立って設定された所定温度に半導体ウェハ２の温度が到達すると、各静電チャックプレート４９ａ，４９ｂ，…，…，４９ｆを制御し静電チャックを動作させるようになっている。
【００３３】
そして、このように構成された装置での成膜は、次のように行われる。すなわち、先ず所定膜形成材料の蒸発源５が配置された処理室３内に半導体ウェハ２を導入し、ステージ４２上に膜形成面が蒸発源５に対向するよう載置する。続いて、排気口６に接続した真空ポンプを作動させて処理室３内を所定の減圧状態にすると共に、減圧した処理室３内に図示しない導入口を介してガス源からＡｒ等の雰囲気ガスを導入し、処理室３内を所定のガス雰囲気とする。また加熱冷却部４１については、先ずハロゲンランプ１５の通電を開始し、ランプ加熱制御ユニット２０の制御のもとにランプ加熱機構４８による半導体ウェハ２の加熱を行う。この時、各静電チャックプレート４９ａ，４９ｂ，…，…，４９ｆは動作させず、半導体ウェハ２はステージ４２上に固定せず、載置したままとする。
【００３４】
その後、ステージ４２上の半導体ウェハ２の温度が所定の膜形成温度に達した時点で、各チャック制御ユニットの制御のもとに各静電チャックプレート４９ａ，４９ｂ，…，…，４９ｆの静電チャックを動作させて、半導体ウェハ２をステージ４２上に固定し、抵抗ヒータの通電を開始する。この抵抗ヒータへの通電の開始によって、半導体ウェハ２の加熱をランプ加熱機構４８からチャック加熱機構４６に切替え、ハロゲンランプ１５の通電を停止する。そして、チャック加熱機構４６の各チャック加熱ユニット４５ａ，４５ｂ，…，…，４５ｆによる対応する各部分毎の制御された加熱と、冷却機構による冷却を繰り返す等することで、半導体ウェハ２の温度が所定の膜形成温度を維持するようにする。
【００３５】
また、蒸発源５とステージ４２上の半導体ウェハ２の間に所定の電圧を電源により印加し、これにより処理室３内にＡｒ等の雰囲気ガスによるグロー放電を生起しておき、半導体ウェハ２の温度が所定の膜形成温度に達したところで蒸発源５とステージ４２の間のシャッタを開き、グロー放電でイオン化した雰囲気ガスイオンによって蒸発源５から膜形成材料を蒸発させる。そして、所定時間経過させることで半導体ウェハ２の表面に蒸発した膜形成材料を堆積させ、所定の厚さを有する膜を形成する。
【００３６】
その後、シャッタを閉じ、チャック加熱機構４６の各チャック加熱ユニット４５ａ，４５ｂ，…，…，４５ｆの抵抗ヒータの通電を停止すると共に、各静電チャックプレート４９ａ，４９ｂ，…，…，４９ｆの静電チャックの動作を停止し、ステージ４２上への半導体ウェハ２の固定を解除する。さらに、半導体ウェハ２をステージ４２上に載置したままの状態で自然放冷等させて常温にまで冷却させ、続いてリフトピン２２を上方に進出させ、図示しない搬出装置等により処理室３内から取り出し、成膜を終了する。
【００３７】
以上のように、上記構成の装置により半導体ウェハ２の表面に成膜を行うことで、上記第２の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００３８】
なお、上記の各実施形態においてはランプ加熱機構１６，４８の制御を１つのランプ加熱制御ユニット２０で一括して制御するようにしたが、ランプ加熱機構１６，４８の各ハロゲンランプ１５にそれぞれ対応するようにランプ加熱制御ユニットを設け、ハロゲンランプ１５を個々に制御するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体製造装置の概略構成を示す縦断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態における要部の平面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態に係る半導体製造装置の要部の平面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態における変形形態の要部の平面図である。
【符号の説明】
【００４０】
２：半導体ウェハ
３：処理室
４：ステージ
１３，３３，４６：チャック加熱機構
１１：静電チャックプレート
１６，４８：ランプ加熱機構
３２ａ，３２ｂ，…，…，３２ｈ，３２ｉ：チャック加熱ユニット
３４ａ，３４ｂ，…，…，３４ｈ，３４ｉ：静電チャックプレート
４５ａ，４５ｂ，…，…，４５ｆ：チャック加熱ユニット
４９ａ，４９ｂ，…，…，４９ｆ：静電チャックプレート
【図１】
2006063423.tif 000003
【図２】
2006063423.tif 000004
【図３】
2006063423.tif 000005
【図４】
2006063423.tif 000006