(57)【要約】【課題】より簡易でかつ普遍性のある方法をもって、メサ構造に起因する反りの発生を抑制することのできる半導体素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】平坦な頂上の両側方に急な崖を有する外形構造である１乃至複数のメサ構造を半導体基板１１の上面１１ｂおよび下面１１ａの両面に形成する。半導体基板１１の下面１１ａに形成されたメサ構造（第１のメサ構造）１３は活性層１２が発光部となる、いわば素子機能を有するメサ構造であり、半導体基板１１の上面１１ｂに形成されたメサ構造（第２のメサ構造）２３は、活性層をもたないダミーのメサ構造である。第２のメサ構造２３は、第１のメサ構造１３の配設に起因する半導体基板１１の反りを解消、緩和する態様で設けられる。【選択図】      図１
2006332364.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平坦な頂上の両側方に急な崖を有する外形構造である１乃至複数のメサ構造が半導体基板の上面および下面の両面に形成されてなる半導体素子。
【請求項２】
前記半導体基板の一方面に形成された第１のメサ構造は活性層を備える素子機能を有するメサ構造であり、同半導体基板の他方面に形成された第２のメサ構造は、活性層をもたないダミーのメサ構造である
請求項１に記載の半導体素子。
【請求項３】
前記第１のメサ構造と前記第２のメサ構造とは前記半導体基板を挟んで対称に形成されてなる
請求項２に記載の半導体素子。
【請求項４】
前記第１のメサ構造と前記第２のメサ構造とはそれらメサ構造としての幅の同一のものが前記半導体基板を挟んで互い違いに形成されてなる
請求項２に記載の半導体素子。
【請求項５】
前記第１のメサ構造と前記第２のメサ構造とはメサ構造としての幅および配設間隔の少なくとも一方が互いに異なる態様で形成されてなる
請求項２に記載の半導体素子。
【請求項６】
前記第２のメサ構造は、その幅が前記第１のメサ構造の幅よりも広く形成されてなる
請求項５に記載の半導体素子。
【請求項７】
前記第２のメサ構造は、その幅が前記第１のメサ構造の幅よりも狭く形成されてなる
請求項５に記載の半導体素子。
【請求項８】
前記第１のメサ構造と前記第２のメサ構造とは前記半導体基板を挟んで各々頂上の中心が一致する態様で形成されてなる
請求項６または７に記載の半導体素子。
【請求項９】
前記第１のメサ構造と前記第２のメサ構造とは前記半導体基板を挟んで互い違いに形成されてなる
請求項６または７に記載の半導体素子。
【請求項１０】
前記第１のメサ構造と前記第２のメサ構造とは異なる数にて形成されてなる
請求項５に記載の半導体素子。
【請求項１１】
前記第２のメサ構造は、前記第１のメサ構造よりも少ない数にて形成されてなる
請求項１０に記載の半導体素子。
【請求項１２】
前記第２のメサ構造は、前記第１のメサ構造よりも多い数にて形成されてなる
請求項１０に記載の半導体素子。
【請求項１３】
前記第２のメサ構造は、前記半導体基板の中央部から端部にかけて同メサ構造としての幅が部分的に異なる態様にて形成されてなる
請求項５に記載の半導体素子。
【請求項１４】
前記第２のメサ構造は、前記半導体基板の中央部から端部にかけて同メサ構造としての幅が順次広がる態様にて形成されてなる
請求項５に記載の半導体素子。
【請求項１５】
前記第２のメサ構造は、前記半導体基板の中央部から端部にかけて同メサ構造としての幅が順次狭まる態様にて形成されてなる
請求項５に記載の半導体素子。
【請求項１６】
前記第２のメサ構造は、前記半導体基板の中央部から端部にかけてその配設間隔が部分的に異なる態様にて形成されてなる
請求項５に記載の半導体素子。
【請求項１７】
前記第２のメサ構造は、前記半導体基板の中央部から端部にかけてその配設間隔が順次広がる態様にて形成されてなる
請求項５に記載の半導体素子。
【請求項１８】
前記第２のメサ構造は、前記半導体基板の中央部から端部にかけてその配設間隔が順次狭まる態様にて形成されてなる
請求項５に記載の半導体素子。
【請求項１９】
前記第１のメサ構造および前記第２のメサ構造は、共にその頂上の高さが数十ｎｍ〜数μｍの範囲で形成されてなる
請求項２〜１８のいずれか一項に記載の半導体素子。
【請求項２０】
前記第１のメサ構造は、クラッド層にて挟まれた前記活性層が発光部となる半導体レーザを形成し、当該半導体素子は、前記半導体基板上に前記半導体レーザがアレイ配列されたレーザバーである
請求項２〜１９のいずれか一項に記載の半導体素子。
【請求項２１】
半導体基板の一方面に平坦な頂上の両側方に急な崖を有する外形構造である１乃至複数のメサ構造が形成される半導体素子を製造する方法であって、
前記半導体基板への前記メサ構造の形成に際し、同半導体基板の他方面にも前記メサ構造を併せて形成し、該他方面へのメサ構造の形成態様の調整を通じて前記半導体基板の反りを吸収する
ことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項２２】
前記半導体基板の一方面に形成するメサ構造は活性層を備える素子機能を有するメサ構造であり、同半導体基板の他方面に形成する調整用のメサ構造は、活性層をもたないダミーのメサ構造である
請求項２１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項２３】
前記活性層を備えるメサ構造を、同活性層がクラッド層により挟まれて発光部となる半導体レーザとして形成し、当該半導体素子を、前記半導体基板上に前記半導体レーザがアレイ配列されたレーザバーとする
請求項２２に記載の半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体素子およびその製造方法に関し、特に平坦な頂上の両側方に急な崖を有する外形構造であるメサ構造を有する半導体レーザ等に採用して有益な素子構造およびその製造方法の改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体レーザは、位相が揃った波長光を出射する光源として光記録媒体との間での情報の読み書きや、自動車間の距離測定等のさまざまな用途に用いられており、さらに近年は、光通信における情報通信媒体などとしても利用されている。図１６に、こうした半導体レーザとして従来一般に採用されている素子構造についてその断面構造を示す。
【０００３】
この図１６に示されるように、この半導体レーザは、例えばｎ型ＧａＡｓ（ガリウム、砒素）からなる基板（半導体基板）１１上に、複数の層からなるエピタキシャル膜１２が結晶成長により積層形成されて構成されている。このエピタキシャル膜１２を構成する層は、例えばｎ型ＡｌＧａＡｓ（アルミニウム、ガリウム、砒素）クラッド層１２ａ、ｎ型ＧａＡｓ（ガリウム、砒素）活性層１２ｂ、そしてｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１２ｃといった各層からなる。すなわち、このエピタキシャル膜１２は、活性層１２ｂがクラッド層１２ａおよび１２ｃによって挟み込まれるかたちで積層形成されており、これによって上記活性層１２ｂがｐｎ接合層（領域）となって反転分布条件が満たされ、このｐｎ接合からなる活性層１２ｂでの誘導放出によってレーザ発振を促す光の増幅作用が行われる。
【０００４】
また、上記クラッド層１２ａ、活性層１２ｂおよびクラッド層１２ｃからなるエピタキシャル膜１２は、同図１６からも明らかなように、平坦な頂上の周囲に急な崖状の部分を有する、いわゆるメサ構造１３を有するかたちで形成されている。そして、このメサ構造１３を含む基板１１の下面１１ａには、上記メサ構造１３に対応する位置にウィンドウ（開口部）１５を有する態様で、例えばＳｉＯ２（酸化珪素）からなる絶縁膜１４が形成されている。そして、さらにその表面には、上記ウィンドウ１５部分で上記エピタキシャル膜１２とコンタクトをとる態様で、例えばＣｒ／Ｐｔ／Ａｕ／Ｐｔ／ＡｕあるいはＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ／Ｔｉ／Ａｕ等の多層膜からなる下部電極１６が形成されている。また一方、上記基板１１の上面１１ｂには、例えばＡｕ−Ｇｅ合金／Ｎｉ／Ａｕ／Ｐｔ／Ａｕ等の多層膜からなる上部電極２６が形成されている。すなわちこの半導体レーザでは、これら下部電極１６および上部電極２６を介して、上記基板１１に電流が供給されることとなる。なお、上記メサ構造１３が形成された部分には、上記下部電極１６に代えて、上記レーザバーとなる基板１１を適宜の台座に電気的かつ機械的に接合するためのはんだ層が形成されることもある。またさらには、必要に応じて、同基板１１に電流を流す領域と流さない領域とを分離するための絶縁膜を別途形成する場合もある。
【０００５】
いずれにせよ、半導体レーザではこのように、その一方面（図１６の例では下面１１ａ）にメサ構造１３を有しており、このメサ構造１３が形成された部分に対応して、半導体レーザとしての発光部が形成されるようになる。そして、こうしたメサ構造１３は通常、同一幅かつ等間隔に形成されるため、当該半導体レーザとしての発光部（発光ポイント）も、これに応じて等間隔に配列されるようになる。
【０００６】
また、半導体レーザをこのようなメサ構造１３を有する構造とすることで、各メサ構造１３の両側に形成される崖状の部分を通じて電流の狭窄性が高められるようになるとともに、同メサ構造１３を通じて上記はんだ層が形成される場合には、上記基板１１との接触面積も拡大され、ひいては該基板１１と上記台座との密着性も高められるようになる。
【０００７】
次に、図１７および図１８を参照して、こうしたメサ構造を有する半導体レーザの製造方法の一例についてその概要を説明する。
こうした半導体レーザの製造に際しては、まず、図１７（a）に示されるように、上記ｎ型ＧａＡｓからなる基板１１の下面１１ａに、例えばｎ型ＡｌＧａＡｓからなるクラッド層１２ａ、ｎ型ＧａＡｓからなる活性層１２ｂ、およびｐ型ＡｌＧａＡｓからなるクラッド層１２ｃを結晶成長により積層形成する。次いで、図１７（ｂ）に示される態様で、これらクラッド層１２a、活性層１２ｂおよびクラッド層１２ｃからなるエピタキシャル膜１２を、例えばエッチングにより部分的に除去することにより、メサ構造１３を形成する。その後、図１７（ｃ）に示されるように、このメサ構造１３を含む基板１１の下面１１aに絶縁膜１４を形成し、さらにこの絶縁膜１４には、例えばフォトリソグラフィやエッチング等により、上記メサ構造１３の頂上部分に対応したウィンドウ（開口部）１５を形成する。そしてこの絶縁膜１４の表面には、図１８（ａ）に示されるように、このウィンドウ１５を介して上記エピタキシャル膜１２とのコンタクトをとる態様で、例えばＣｒ／Ｐｔ／Ａｕ／Ｐｔ／ＡｕあるいはＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ／Ｔｉ／Ａｕ等の多層膜からなる下部電極１６を形成する。一方、図１８（ｂ）に示されるように、上記基板１１の上面１１ｂには、例えばＡｕ−Ｇｅ合金／Ｎｉ／Ａｕ／Ｐｔ／Ａｕの多層膜からなる上部電極２６を形成する。そして、この半導体レーザを例えば半導体レーザアレイとして使用する場合には、図１８（ｃ）に示すように、上記各メサ構造１３の延設方向と直交する態様で所定の幅をもつ棒状に、すなわちレーザバーとして基板１１をへき開し、該へき開面１１ｃとなる端面に適宜のコーティング処理が施される。
【特許文献１】特開平１１−１６３２６７号公報
【特許文献２】特開２００３−２７３４６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述のように、メサ構造を有する半導体レーザでは、同メサ構造を通じて、電流の狭窄が高められる、あるいははんだ層が形成される場合の接触面積が的確に確保される、等々の優れた特性が得られるようになる。ただし、このような半導体レーザの場合、逆にこのメサ構造に起因する次のような不都合も無視できないものとなっている。
【０００９】
すなわち、メサ構造が形成される上記エピタキシャル膜１２において、そのクラッド層１２ａ、活性層１２ｂおよびクラッド層１２ｃは通常、高温（例えば８００℃）雰囲気中において各層間の格子整合がとられるように積層される。このため、同エピタキシャル膜１２が常温に冷却される過程で、上記レーザバーとなる基板１１に、該エピタキシャル膜１２の層間における、あるいは同エピタキシャル膜１２と基板１１と間における熱膨張率差に起因する歪みが生じてしまうことがある。しかもこうした半導体レーザは、メサ構造はもとより、上記各電極も含めて、その上面１１ｂ側と下面１１ａ側とで膜組成あるいは膜厚の異なる上下非対称な構造となっており、特に上記メサ構造が形成される部分では、メサになる部分とそうではない部分との段差によって、通常よりも大きな膜応力が生じる構造ともなっている。このため結局は、図１９に模式的に縮小して示す態様で、上記レーザバーに反りが生じ、この半導体レーザが特に上記半導体レーザアレイとして形成される場合などには、歩留まりの低下も避けられない。
【００１０】
なお従来、こうしたレーザバーの反りを抑制する方法として、例えば特許文献１に記載の方法、あるいは特許文献２に記載の方法等も講じられてはいるが、実用上はなお改善の余地を残すものとなっている。ちなみに、特許文献１に記載の方法では、こうしたレーザバーの上面および下面にヒートシンクを加熱接合する際、該ヒートシンクとして熱膨張率の異なる材料を使用してレーザバーの反りを矯正するようにしている。しかしこの方法では、レーザバーの反りそのものが解消されるわけではないため、こうした反りに起因する半導体結晶へのダメージを阻止することはできない。一方、特許文献２に記載の方法では、レーザバーとなる基板とこれに積層されるエピタキシャル膜とをそれぞれ構成する材料の格子定数を調整し、意図的に格子不整合を生じさせることで層間の歪みを制御するようにしている。しかしこの方法の場合、こうした格子不整合を生じさせることのできる材料の組み合わせが制限されるため、レーザバーを形成する全ての材料系に適用できる方法ではない。
【００１１】
また、上記半導体レーザに限らず、メサ構造を有する半導体素子にとっては、そのメサ構造に起因する上記実情も概ね共通したものとなっている。
この発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、より簡易でかつ普遍性のある方法をもって、メサ構造に起因する反りの発生を抑制することのできる半導体素子およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
こうした目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、半導体素子の素子構造として、平坦な頂上の両側方に急な崖を有する外形構造である１乃至複数のメサ構造が半導体基板の上面および下面の両面に形成される構造を採用することとした。
【００１３】
半導体素子としてのこのような構造によれば、上記半導体基板の上面および下面の両面に形成されたメサ構造を通じて、上記半導体素子の上面および下面にかかる応力のバランスをとることができるようになる。これにより、半導体素子中の歪みの発生を抑制することができ、ひいては半導体素子の反りの発生を抑制することができるようになる。
【００１４】
そしてこの場合、上記半導体基板の上面および下面に形成されるメサ構造について、特に請求項２に記載の発明によるように、前記半導体基板の一方面に形成される第１のメサ構造についてはこれを活性層を備える素子機能を有するメサ構造とし、同半導体基板の他方面に形成される第２のメサ構造についてはこれを活性層をもたないダミーのメサ構造とすることができる。
【００１５】
前述のように、こうした半導体素子に活性層を備える素子機能を有するメサ構造を形成する場合には、半導体基板の上面側と下面側とで、その膜組成あるいは膜厚の異なる上下非対称な構造となり、また上記半導体基板と素子機能を形成する材料層間とで熱膨張率差が生じることから、これらに起因する歪みが半導体素子に生じることがある。この点、同半導体素子に上記構造を採用することで、こうした歪みが緩和されるかたちで半導体素子の上面および下面にかかる応力のバランスがとられるようになるため、半導体素子の反りの発生を好適に抑制することができるようになる。また、上記第２のメサ構造をダミーのメサ構造とすることで、同素子構造をとる割には、製造にかかる自由度も高く維持されるようになる。
【００１６】
また、上記構造の半導体素子としては、例えば請求項３に記載の発明によるように、
・前記第１のメサ構造と前記第２のメサ構造とが前記半導体基板を挟んで対称に形成される構造。  
あるいは請求項４に記載の発明によるように、
・前記第１のメサ構造および前記第２のメサ構造としてそれらメサ構造としての幅の同一のものが前記半導体基板を挟んで互い違いに形成される構造。  
あるいは請求項５に記載の発明によるように、
・前記第１のメサ構造および前記第２のメサ構造としてそれらメサ構造としての幅および配設間隔の少なくとも一方が互いに異なる態様で形成される構造。  
等々、上記素子機能を有する第１のメサ構造と、ダミーの第２のメサ構造との配設態様を適宜調整することも有効である。これにより、対象となる半導体素子の構造や膜特性等に応じて同半導体素子の上面および下面にかかる応力のバランスをとることができるようになるため、より好適に半導体素子の反りの抑制が図られるようにもなる。
【００１７】
なお、上記請求項５に記載の構造について、具体的には、請求項６に記載の発明によるように、
・前記第２のメサ構造の幅が前記第１のメサ構造の幅よりも広く形成される構造。  
あるいは請求項７に記載の発明によるように、
・前記第２のメサ構造の幅が前記第１のメサ構造の幅よりも狭く形成される構造。  
等々が採用可能である。そして、これら請求項６あるいは請求項７に記載の構造についてはさらに、例えば請求項８に記載の発明によるように、
・前記第１のメサ構造と前記第２のメサ構造とが前記半導体基板を挟んで各々頂上の中心が一致する態様で形成される構造。  
あるいは請求項９に記載の発明によるように、
・前記第１のメサ構造と前記第２のメサ構造とが前記半導体基板を挟んで互い違いに形成される構造。  
等々を採用することができる。
【００１８】
他方、上記請求項５に記載の構造については、他にも例えば、請求項１０に記載の発明によるように、
・前記第１のメサ構造と前記第２のメサ構造とが異なる数にて形成される構造。  
を採用することもでき、特にこの場合には、請求項１１に記載の発明によるように、
・前記第２のメサ構造が前記第１のメサ構造よりも少ない数にて形成される構造。  
あるいは請求項１２に記載の発明によるように、
・前記第２のメサ構造が前記第１のメサ構造よりも多い数にて形成される構造。  
等々の構造を採用することができる。
【００１９】
また、同じく上記請求項５に記載の構造については、さらに次のような構造、すなわち請求項１３に記載の発明によるように、
・前記第２のメサ構造が前記半導体基板の中央部から端部にかけて同メサ構造としての幅が部分的に異なる態様にて形成される構造。  
あるいは請求項１４に記載の発明によるように、
・前記第２のメサ構造が前記半導体基板の中央部から端部にかけて同メサ構造としての幅が順次広がる態様にて形成される構造。  
あるいは請求項１５に記載の発明によるように、
・前記第２のメサ構造が前記半導体基板の中央部から端部にかけて同メサ構造としての幅が順次狭まる態様にて形成される構造。  
あるいは請求項１６に記載の発明によるように、
・前記第２のメサ構造が前記半導体基板の中央部から端部にかけてその配設間隔が部分的に異なる態様にて形成される構造。  
あるいは請求項１７に記載の発明によるように、
・前記第２のメサ構造が前記半導体基板の中央部から端部にかけてその配設間隔が順次広がる態様にて形成される構造。  
あるいは請求項１８に記載の発明によるように、
・前記第２のメサ構造が前記半導体基板の中央部から端部にかけてその配設間隔が順次狭まる態様にて形成される構造。  
等々も適宜採用することができる。
【００２０】
これらいずれの構造によっても、上記第２のメサ構造が形成される半導体素子の上面にかかる応力をより高い自由度をもって調整することができるようになる。すなわち、上述した歪みに起因して生じる半導体素子の上面および下面の応力差が、例えば半導体素子の面内で異なる場合であれ、上記第２のメサ構造の形成態様あるいは配設態様を適宜調整することで、同半導体素子の上面および下面にかかる応力のバランスについてその微調整を図ることができるようになる。
【００２１】
また、上記請求項２〜１８のいずれか一項に記載の半導体素子に関しては、請求項１９に記載の発明によるように、前記第１のメサ構造および前記第２のメサ構造が共に、その頂上の高さが数十ｎｍ〜数μｍの範囲で形成される構造とすることが特に有効である。
【００２２】
こうした構造とすることで、これら第１のメサ構造および第２のメサ構造を通じた電流の狭窄が好適に高められるようになる。また、これらメサ構造に対して前述した台座等と電気的かつ機械的に接合するためのはんだ層等を形成する場合にも、該はんだ層との接触面積が拡大されてその密着性が高められるようになる。さらに、同構造によれば、これらメサ構造を例えば周知のエッチング等により容易に形成することができるため、上記請求項２〜１８のいずれかに記載の構造を容易に実現することができるようにもなる。
【００２３】
そして、これら請求項２〜１９のいずれかに記載の半導体素子は、請求項２０に記載の発明によるように、前記第１のメサ構造が、クラッド層にて挟まれた前記活性層が発光部となる半導体レーザを形成して、前記半導体基板上にこうした半導体レーザがアレイ配列されるレーザバーに適用して特に有効である。
【００２４】
なお、こうしたレーザバーが特に上記請求項１９に記載の構造をもって実現される場合には、同レーザバーの「横幅：奥行き」のアスペクト比を「１０：１」〜「１０：３」に設定することが望ましい。また、レーザバーは通常、その横幅が約１０ｍｍ、発光ポイントは１９〜４９ポイント程度となる。したがって、レーザバーの横幅が例えば「１０ｍｍ」であるときに、発光ポイントを例えば「１９」ポイントに設定すれば、上記第１のメサ構造の横幅は「２００μｍ」程度、その配設間隔（ピッチ）は「５００μｍ」程度となる。また、このようなレーザバーにあっては、上記第１および第２のメサ構造の形成態様に応じて、自ずとその上面と下面での電極構造も異なるようになる。このように各電極も含めて、レーザバーの上面側と下面側とで上下非対称な構造となる場合であれ、上記各構造を採用することで、その上面および下面にかかる応力のバランスの微調整が図られるようになり、レーザバーの反りが抑制されるようになる。そして、こうしてレーザバーの反りが抑制されることで、上記発光部の配列も適正に制御され、ひいては半導体レーザとしての集光特性の向上が期待できるようになる。
【００２５】
一方、請求項２１に記載の発明では、半導体基板の一方面に平坦な頂上の両側方に急な崖を有する外形構造である１乃至複数のメサ構造が形成される半導体素子を製造する方法として、前記半導体基板への前記メサ構造の形成に際し、同半導体基板の他方面にも前記メサ構造を併せて形成し、該他方面へのメサ構造の形成態様の調整を通じて前記半導体基板の反りを吸収することとしている。
【００２６】
このような製造方法によれば、上記半導体素子を形成する材料組成等に制限されることなく、しかも上記メサ構造の形成態様の調整を通じて上記半導体基板の反りが吸収されることから、製造過程において半導体結晶がダメージを受けることもない。すなわち、上記メサ構造を有する半導体素子を安定して製造することができるようになる。
【００２７】
また、この請求項２１に記載の半導体素子の製造方法において、請求項２２の記載の発明によるように、前記半導体基板の一方面に形成するメサ構造についてはこれを活性層を備える素子機能を有するメサ構造とし、同半導体基板の他方面に形成する調整用のメサ構造についてはこれを活性層をもたないダミーのメサ構造とすることで、同部分には任意の材料を使用することができ、上記素子構造をとる割には、製造方法としての自由度も高く維持されるようになる。
【００２８】
そして、この請求項２２に記載の半導体素子の製造方法についても、請求項２３に記載の発明によるように、前記活性層を備えるメサ構造が、同活性層がクラッド層により挟まれて発光部となる半導体レーザとして形成されて、前記半導体基板上にこの半導体レーザがアレイ配列されるレーザバーの製造方法に適用することで、上述のごとく反りの抑制されたレーザバーを歩留まりよく生産することができるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
（第１の実施の形態）
以下、この発明にかかる半導体素子およびその製造方法を半導体レーザ（レーザバー）およびその製造方法に適用した第１の実施の形態について、図１〜図４を参照して説明する。
【００３０】
図１は、この実施の形態にかかる半導体レーザの素子構造を示したものである。
すなわち、この半導体レーザも、その発光部としての基本的な構造は先の図１５に例示した半導体レーザの構造と同様であり、例えばｎ型ＧａＡｓ（ガリウム、砒素）からなる基板（半導体基板）１１上に、複数の層からなるエピタキシャル膜１２が結晶成長により積層形成された構造となっている。このエピタキシャル膜１２を構成する層は、例えばｎ型ＡｌＧａＡｓ（アルミニウム、ガリウム、砒素）クラッド層１２ａ、ｎ型ＧａＡｓ（ガリウム、砒素）活性層１２ｂ、およびｐ型ＡｌＧａＡｓ（アルミニウム、ガリウム、砒素）クラッド層１２ｃといった各層からなる。すなわちここでも、前記発光部（発光ポイント）となる活性層１２ｂがクラッド層１２ａおよび１２ｃにより挟み込まれるかたちで積層形成されている。
【００３１】
また、上記クラッド層１２ａ、活性層１２ｂ、およびクラッド層１２ｃからなるエピタキシャル膜１２は、これも先の図１５に例示した半導体レーザと同様、平坦な頂上の周囲に急な崖状の部分を有する、いわゆるメサ構造（第１のメサ構造）１３として形成されている。そして、これらメサ構造１３を含む基板１１の下面（一方面）１１ａには、同メサ構造１３に対応する位置にウィンドウ（開口部）１５を有する態様で、例えばＳｉＯ２（酸化珪素）からなる絶縁膜１４が形成されている。そして、さらにその表面には、上記ウィンドウ１５部分で上記エピタキシャル膜１２とコンタクトをとる態様で、例えばＣｒ／Ｐｔ／Ａｕ／Ｐｔ／ＡｕあるいはＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ／Ｔｉ／Ａｕ等の多層膜からなる下部電極１６が形成されている。
【００３２】
一方、この実施の形態にかかる半導体レーザでは、その素子構造として、上記基板１１の上面（他方面）１１ｂにも、上記メサ構造１３と同様、平坦な頂上の周囲に急な崖状の部分を有するメサ構造（第２のメサ構造）２３が形成されている。このメサ構造２３は、活性層をもたないダミーのメサ構造である。そしてここでは、このメサ構造２３が基板１１を挟んで上記メサ構造１３とそれぞれ上下対称となる位置に、しかも等幅かつ等間隔に配設されている。このため、これらメサ構造１３およびメサ構造２３を形成する部分においては、互いにメサになる部分とそうではない部分との段差によって、基板１１の下面１１ａおよび上面１１ｂに大きな膜応力が生じることとなり、同基板１１の下面１１ａおよび上面１１ｂにかかる応力のバランスがとられるようになる。そしてこの実施の形態の半導体レーザにおいては、上記メサ構造２３を覆うかたちで、基板１１の上面１１ｂに、例えばＡｕ−Ｇｅ合金／Ｎｉ／Ａｕ／Ｐｔ／Ａｕ等の多層膜からなる上部電極２６が形成されており、上記下部電極１６とこの上部電極２６とを介して、上記基板１１に電流が供給されることとなる。
【００３３】
このように、この実施の形態においては、基板１１の下面１１ａおよび上面１１ｂにそれぞれ形成されたメサ構造１３および２３を通じて同基板１１にかかる応力のバランスがとられるようになる。このため、例えば基板１１とこれに積層形成されるエピタキシャル膜１２との熱膨張率差に起因する歪み、あるいは同基板１１の上面１１ｂ側と下面１１ａ側との各電極構造を含めて、膜組成や膜厚が非対称であることに起因する歪み等も自ずと緩和されるようになる。このため、この半導体レーザが前述したレーザバーとして形成される場合であれ、結局は、先の図１９に対応する図として図２に模式的に示す態様でこのレーザバーとしての反りが解消され、ひいてはレーザバーを生産するうえでの歩留まりの向上が図られるようになる。
【００３４】
なお、ここで例示するレーザバーは、図２に示す横幅Ｌが約１０ｍｍ、またその奥行き（図示略）が約１〜３ｍｍとなる棒状に形成され、そのアスペクト比、すなわち「横幅：奥行き」の比は「１０：１」〜「１０：３」となっている。そして、このようなレーザバーの横幅方向に、上記メサ構造１３を通じて、発光ポイントが通常は１９〜４９ポイント程度作り込まれる。したがって、横幅Ｌが「１０ｍｍ」であるレーザバーに「１９」ポイントの発光ポイントを形成することとすれば、図１に示した上記メサ構造１３の横幅（メサ幅）ｄは「２００μｍ」程度、またその配設間隔（ピッチ）ｔは「５００μｍ」程度となる。そしてこの場合には、上記メサ構造１３および２３として、その頂上の高さを共に「数１０ｎｍ〜数μｍ」の範囲に設定することで、上述した基板１１の両面にかかる応力のバランスがとられ、レーザバーとしての反りも好適に抑制されることが発明者らによって確認されている。
【００３５】
次に、こうした素子構造を有する半導体レーザ（レーザバー）の製造方法について、図３および図４を参照して説明する。
この製造に際してはまず、図３（ａ）に示されるように、上記ｎ型ＧａＡｓからなる基板１１の下面１１ａに、例えばｎ型ＡｌＧａＡｓからなるクラッド層１２ａ、ｎ型ＧａＡｓからなる活性層１２ｂ、およびｐ型ＡｌＧａＡｓからなるクラッド層１２ｃを結晶成長により順次積層形成する。
【００３６】
次いで、上記基板１１の下面１１ａに形成したクラッド層１２ａ、活性層１２ｂ、およびクラッド層１２ｃからなるエピタキシャル膜１２と、同基板１１の上面１１ｂを、例えば異方性エッチングにより部分的に除去することにより、図３（ｂ）に示される態様で、それぞれメサ構造１３および２３を形成する。ここで、上記異方性エッチングのエッチャントとしては、例えばＨ３ＰＯ４(燐酸)、Ｈ２Ｏ２（過酸化水素）、および（ＣＨ２ＯＨ）２（ジメチルエーテル）を「１：１：２」の比率で混合した混合液が用いられる。そして、これらメサ構造１３および２３を形成するに際してのエッチングの深さ、すなわちメサエッチングの深さは、共に「数１０ｎｍ〜数μｍ」の範囲とする。なお、メサ構造２３の形成に際しては、このように基板１１の上面１１ｂを直接エッチングするようにしてもよいし、あるいは適宜の膜材を堆積形成してこれをエッチングするようにしてもよい。
【００３７】
その後、図４（ａ）に示されるように、上記メサ構造１３を含む基板１１の下面１１ａに例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）からなる絶縁膜１４を形成するとともに、この形成した絶縁膜１４の上記メサ構造１３の頂上部分に対応する部分に、例えばフォトリソグラフィやエッチング等によってウィンドウ（開口部）１５を形成する。そして、絶縁膜１４の表面には、図４（ｂ）に示されるように、このウィンドウ１５を介して上記エピタキシャル膜１２とのコンタクトをとる態様で、例えばＣｒ／Ｐｔ／Ａｕ／Ｐｔ／ＡｕあるいはＴｉ／Ｐｔ／Ａｕ／Ｔｉ／Ａｕ等の多層膜からなる下部電極１６を形成する。
【００３８】
一方、図４（ｃ）に示されるように、上記メサ構造２３を含む基板１１の上面１１ｂには、例えばＡｕ−Ｇｅ合金／Ｎｉ／Ａｕ／Ｐｔ／Ａｕ等の多層膜からなる上部電極２６を形成する。そしてその後、この半導体レーザを半導体レーザアレイ（レーザバー）として使用すべく、図４（ｄ）に示すように、上記各メサ構造１３および２３の延設方向と直交する態様で約１〜３ｍｍの奥行きをもつ棒状に基板１１をへき開し、該へき開面１１ｃとなる端面に適宜のコーティング処理を施して、図１に例示したレーザバーを得る。
【００３９】
以上説明したように、この実施の形態にかかる半導体レーザ(レーザバー)およびその製造方法によれば、以下に列記するような効果が得られるようになる。
（１）半導体基板１１の下面１１ａおよび上面１１ｂの両面に、平坦な頂上の両側方に急な崖を有する外形構造である複数のメサ構造１３および２３を形成する構造とした。これにより、半導体基板１１の両面において応力バランスがとられるようになり、またこうして応力バランスがとられることで、レーザバーとしての反りの発生も好適に抑制されるようになる。そして、このように反りの発生が抑制されることで、上記発光部（発光ポイント）の配列も適正に制御され、半導体レーザあるいは半導体レーザアレイとしての集光特性の向上が期待できるとともに、レーザバーの生産にかかる歩留まりも大幅に向上されるようになる。
【００４０】
（２）また、レーザバーとしての反りそのものが抑制される構造であることから、製造過程において半導体結晶がダメージを受けることもない。
（３）しかも上記構造は、素子構造そのものが簡素であるとともに、レーザバーを形成する全ての材料系において有効であるため、高い普遍性をもってレーザバーの製造に適用することもできる。
【００４１】
（４）また、上記メサ構造１３および２３のうち、特にメサ構造２３については活性層をもたない、すなわち素子機能を有しないダミーのメサ構造としたことで、この部分には任意の材料を使用することができ、上記素子構造をとる割には、製造方法としての自由度も高く維持されるようになる。
【００４２】
（５）さらには、上記メサ構造２３自体、メサ構造１３と同様、例えば周知のエッチング等により形成することができるため、その実現も容易である。
（第２の実施の形態）
次に、この発明にかかる半導体素子を同じく半導体レーザ（レーザバー）に適用した第２の実施の形態について、図５を参照しつつ、主に第１の実施の形態との相違点を中心に説明する。なお、この第２の実施の形態にかかる半導体レーザも、基本的には図１に例示した第１の実施の形態の半導体レーザに準じたかたちで絶縁膜や電極等が施されることとなるが、図５では便宜上、その製造過程における先の図３（ｂ）に対応する図として、同第２の実施の形態の半導体レーザの素子構造を図示している。
【００４３】
この図５に示されるように、この第２の実施の形態にかかる半導体レーザ素子にあっても、基板（半導体基板）１１の下面１１ａに形成された素子機能を有するメサ構造（第１のメサ構造）１３に加え、同基板１１の上面１１ｂに、ダミーとしてのメサ構造（第２のメサ構造）３３が形成されている。
【００４４】
ただしこの実施の形態においては、同図５からも明らかなように、基板１１の下面１１ａに形成されるメサ構造１３に対し、基板１１の上面１１ｂに形成されるメサ構造３３が、同基板１１を挟んで互い違いに形成されている。もっとも、同実施の形態においても、それらメサ構造１３および３３としての幅（メサ幅）、ならびに配設間隔（ピッチ）は互いに同じに設定されている。基板１１の材料やダミーとなるメサ構造３３部分の材料、さらにはエピタキシャル膜（メサ構造１３）としての膜特性等によっては、むしろこのような素子構造によって、基板１１の下面１１ａおよび上面１１ｂにかかる応力のバランスをとることができるようになり、ひいてはレーザバーとしての反りの抑制が図られるようになる。
【００４５】
以上説明したように、この第２の実施の形態にかかる半導体レーザ（レーザバー）によっても、先の第１の実施の形態による前記（１）〜（５）の効果と同等、もしくはそれに準じた効果が得られるようになる。
【００４６】
なお、こうした半導体レーザ（レーザバー）に使用される材料、あるいは加工（製造）方法によっては、上記第１あるいは第２の実施の形態を適宜に変形した、例えば以下に列記する態様での実施も可能である。
【００４７】
（第１変形例）
第１の実施の形態では、図１に例示したように基板１１の下面１１ａおよび上面１１ｂに、基板１１を挟んで上下対称となる態様で、メサ構造１３および２３を形成することとし、これらメサ構造１３および２３はその横幅（ｄ）が同じ長さからなることとしたが、これに代えて図６に例示するような構造とすることもできる。この図６も便宜上、その製造過程における先の図３（ｂ）に対応する図として図示したものである。
【００４８】
同図６に示されるように、この変形例にかかる半導体レーザ（レーザバー）も、その基本的な構造は先の第１の実施の形態と同様である。すなわち、上記基板１１の下面１１aおよび上面１１ｂには、メサ構造１３および２３ａが基板１１を挟んで上下同一の位置に形成されている。ただし、この変形例では、基板１１の上面１１ｂに形成されるメサ構造２３ａについてはその横幅を、下面１１ａに形成されるメサ構造１３の横幅（ｄ）よりも広く形成するようにしている。具体的には、下面１１ａに形成されるメサ構造１３の横幅（ｄ）が「２００μｍ」程度であるのに対して、上面１１ｂに形成されるメサ構造２３ａの横幅は例えば「２０１〜４５０μｍ」程度、より好ましくは「２５０〜３００μｍ」程度の範囲に設定される。基板１１の材料やダミーとなるメサ構造２３ａ部分の材料、さらにはエピタキシャル膜（メサ構造１３）としての膜特性等によっては、このような素子構造とすることによって、基板１１の下面１１ａおよび上面１１ｂにかかる応力のバランスをとることができるようになり、ひいてはレーザバーとしての反りの抑制が図られるようになる。
【００４９】
（第２変形例）
先の第１の実施の形態については、上記第１変形例とは逆の構造、すなわち図７に例示する構造とすることもできる。この図７も便宜上、その製造過程における先の図３（ｂ）に対応する図として図示したものである。
【００５０】
同図７に示されるように、この変形例にかかる半導体レーザ（レーザバー）も、その基本的な構造は先の第１の実施の形態と同様である。すなわち、上記基板１１の下面１１aおよび上面１１ｂには、メサ構造１３および２３ｂが基板１１を挟んで上下同一の位置に形成されている。ただし、この変形例では、基板１１の上面１１ｂに形成されるメサ構造２３ｂについてはその横幅を、下面１１ａに形成されるメサ構造１３の横幅（ｄ）よりも狭く形成するようにしている。具体的には、下面１１ａに形成されるメサ構造１３の横幅（ｄ）が「２００μｍ」程度であるのに対して、上面１１ｂに形成されるメサ構造２３ｂの横幅は例えば「１０〜１９９μｍ」程度、より好ましくは「１００〜１５０μｍ」程度の範囲に設定される。基板１１の材料やダミーとなるメサ構造２３ｂ部分の材料、さらにはエピタキシャル膜（メサ構造１３）としての膜特性等によっては、このような素子構造とすることによって、基板１１の下面１１ａおよび上面１１ｂにかかる応力のバランスをとることができるようになり、ひいてはレーザバーとしての反りの抑制が図られるようになる。
【００５１】
（第３変形例）
一方、第２の実施の形態では、図５に例示したように基板１１の下面１１aおよび上面１１ｂに、基板１１を挟んで互い違いとなる態様で、メサ構造１３および３３を形成することとし、これらメサ構造１３および３３はその横幅が同じ長さからなることとしたが、これに代えて図８に例示するような構造とすることもできる。この図８も便宜上、その製造過程における先の図３（ｂ）に対応する図として図示したものである。
【００５２】
同図８に示されるように、この変形例にかかる半導体レーザ（レーザバー）も、その基本的な構造は先の第２の実施の形態と同様である。すなわち、上記基板１１の下面１１aおよび上面１１ｂには、メサ構造１３および３３ａが基板１１を挟んで互い違いの位置に形成されている。ただし、この変形例では、基板１１の上面１１ｂに形成されるメサ構造３３ａについてはその横幅を、下面１１ａに形成されるメサ構造１３の横幅（ｄ）よりも広く形成するようにしている。具体的には、下面１１ａに形成されるメサ構造１３の横幅（ｄ）が「２００μｍ」程度であるのに対して、上面１１ｂに形成されるメサ構造３３ａの横幅は例えば「２０１〜４５０μｍ」程度、より好ましくは「２５０〜３００μｍ」程度の範囲に設定される。基板１１の材料やダミーとなるメサ構造３３ａ部分の材料、さらにはエピタキシャル膜（メサ構造１３）としての膜特性等によっては、このような素子構造とすることによって、基板１１の下面１１ａおよび上面１１ｂにかかる応力のバランスをとることができるようになり、ひいてはレーザバーとしての反りの抑制が図られるようになる。
【００５３】
（第４変形例）
第２の実施の形態については、上記第３変形例とは逆の構造、すなわち図９に例示する構造とすることもできる。この図９も便宜上、その製造過程における先の図３（ｂ）に対応する図として図示したものである。
【００５４】
同図９に示されるように、この変形例にかかる半導体レーザ（レーザバー）も、その基本的な構造は先の第２の実施の形態と同様である。すなわち、上記基板１１の下面１１aおよび上面１１ｂには、メサ構造１３および３３ｂが基板１１を挟んで互い違いの位置に形成されている。ただし、この変形例では、基板１１の上面１１ｂに形成されるメサ構造３３ｂについてはその横幅を、下面１１ａに形成されるメサ構造１３の横幅（ｄ）よりも狭く形成するようにしている。具体的には、下面１１ａに形成されるメサ構造１３の横幅（ｄ）が「２００μｍ」程度であるのに対して、上面１１ｂに形成されるメサ構造３３ｂの横幅は例えば「１０〜１９９μｍ」程度、より好ましくは「１００〜１５０μｍ」程度の範囲に設定される。基板１１の材料やダミーとなるメサ構造３３ｂ部分の材料、さらにはエピタキシャル膜（メサ構造１３）としての膜特性等によっては、このような素子構造とすることによって、基板１１の下面１１ａおよび上面１１ｂにかかる応力のバランスをとることができるようになり、ひいてはレーザバーとしての反りの抑制が図られるようになる。
【００５５】
（第５変形例）
他方、上記第１の実施の形態であれ、あるいは上記第２の実施の形態であれ、基板１１の下面１１aおよび上面１１ｂに形成するメサ構造の数を異ならしめる構造とすることもできる。図１０にその一例を示す。なお、この図１０も便宜上、その製造過程における先の図３（ｂ）に対応する図として図示したものである。
【００５６】
同図１０に示されるように、この変形例では、基本的に先の第１あるいは第２の実施の形態にかかる素子構造をとりながら、基板１１の下面１１ａに形成されるメサ構造１３の数に対して同基板の上面１１ｂに形成されるメサ構造４３の数を減らした構造となっている。基板１１の材料やダミーとなるメサ構造４３部分の材料、さらにはエピタキシャル膜（メサ構造１３）としての膜特性等によっては、このような素子構造とすることによって、基板１１の下面１１ａおよび上面１１ｂにかかる応力のバランスをとることができるようになり、ひいてはレーザバーとしての反りの抑制が図られるようになる。
【００５７】
（第６変形例）
上記第５変形例（図１０）とは逆の素子構造を図１１に示す。この図１１も便宜上、その製造過程における先の図３（ｂ）に対応する図として図示したものである。
【００５８】
同図１１に示されるように、この変形例では、基本的に先の第１あるいは第２の実施の形態にかかる素子構造をとりながら、基板１１の下面１１ａに形成されるメサ構造１３の数に対して同基板の上面１１ｂに形成されるメサ構造５３の数を増やした構造となっている。基板１１の材料やダミーとなるメサ構造５３部分の材料、さらにはエピタキシャル膜（メサ構造１３）としての膜特性等によっては、このような素子構造とすることによって、基板１１の下面１１ａおよび上面１１ｂにかかる応力のバランスをとることができるようになり、ひいてはレーザバーとしての反りの抑制が図られるようになる。
【００５９】
（第７変形例）
また一方、基板１１の下面１１aおよび上面１１ｂに形成するメサ構造の数を異ならしめる場合、特に基板１１の上面１１ｂに形成するメサ構造については、その幅（メサ幅）や配設間隔を複数の態様に設定する素子構造も有効である。図１２にその一例を示す。なお、この図１２も便宜上、その製造過程における先の図３（ｂ）に対応する図として図示したものである。
【００６０】
同図１２に示されるように、この変形例では、基板１１の上面１１ｂに形成されるメサ構造として、幅（メサ幅）や配設間隔の異なるメサ構造６３ａおよびメサ構造６３ｂといった２種のメサ構造を採用するようにしている。基板１１の材料やダミーとなるメサ構造６３ａおよび６３ｂ部分の材料、さらにはエピタキシャル膜（メサ構造１３）としての膜特性等によっては、このような素子構造とすることによって、基板１１の下面１１ａおよび上面１１ｂにかかる応力のバランスをとることができるようになり、ひいてはレーザバーとしての反りの抑制が図られるようになる。
【００６１】
（第８変形例）
また、このように基板１１の上面１１ｂに形成されるメサ構造として、幅（メサ幅）や配設間隔の異なるメサ構造を採用する場合、例えば図１３に例示する構造も有効である。この図１３も便宜上、その製造過程における先の図３（ｂ）に対応する図として図示したものである。
【００６２】
同図１３に示されるように、この変形例では、基板１１の上面１１ｂに形成されるメサ構造として、中央部から両側方に順次その幅（メサ幅）および配設間隔が広がる態様の、あるいはその繰り返しパターンとなるメサ構造７３a、７３ｂおよび７３ｃが形成される素子構造を採用するようにしている。基板１１の材料やダミーとなるメサ構造７３a、７３ｂおよび７３ｃ部分の材料、さらにはエピタキシャル膜（メサ構造１３）としての膜特性等によっては、このような素子構造によって、基板１１の下面１１ａおよび上面１１ｂにかかる応力のバランスをとることができるようになり、ひいてはレーザバーとしての反りの抑制が図られるようになる。
【００６３】
（第９変形例）
上記第８変形例（図１３）とは逆の素子構造を図１４に示す。この図１４も便宜上、その製造過程における先の図３（ｂ）に対応する図として図示したものである。
【００６４】
同図１４に示されるように、この変形例では、基板１１の上面１１ｂに形成されるメサ構造として、中央部から両側方に順次その幅（メサ幅）および配設間隔が狭まる態様の、あるいはその繰り返しパターンとなるメサ構造８３a、８３ｂおよび８３ｃが形成される素子構造を採用するようにしている。基板１１の材料やダミーとなるメサ構造８３a、８３ｂおよび８３ｃ部分の材料、さらにはエピタキシャル膜（メサ構造１３）としての膜特性等によっては、このような素子構造によって、基板１１の下面１１ａおよび上面１１ｂにかかる応力のバランスをとることができるようになり、ひいてはレーザバーとしての反りの抑制が図られるようになる。
【００６５】
（他の実施の形態）
その他、上記各実施の形態、ならびに上記各変形例に共通して変更可能な要素としては以下のようなものがある。
【００６６】
・特に基板１１の上面１１ｂに形成されるダミーのメサ構造については、上記第１および第２の実施の形態をはじめ、上記第１〜第９変形例を通じて、基本的には何らかの規則性をもったかたちでの配設態様を各種例示したが、必ずしもこれら態様に限定されることなく、その配設態様は非規則的であってもよい。要は、こうしたダミーのメサ構造の配設を通じて基板１１の下面１１ａおよび上面１１ｂにかかる応力のバランスをとることができ、ひいてはレーザバーとしての反りの抑制を図ることができればよい。
【００６７】
・上記各実施の形態では（上記各変形例もこれに準ずる）、半導体基板１１の下面側に形成される下部電極１６と同基板１１の上面側に形成される上部電極２６とが異なる組成の多層膜からなることとしたが、これら各電極は同一の組成からなる膜としてもよい。
【００６８】
・上記各実施の形態では（上記各変形例もこれに準ずる）、半導体基板１１の下面１１ａに形成するメサ構造（第１のメサ構造）１３を通じて、横幅Ｌ（図２）が約１０ｍｍのレーザバーに「１９」ポイントの発光ポイントをもつ半導体レーザアレイを形成する場合について例示したが、これら発光ポイントの数は任意である。横幅が約１０ｍｍのレーザバーにあっては通常、１９〜４９ポイントの発光ポイントが形成されることは前述の通りであり、その範囲であれば、任意の数の発光ポイントをもたせることができる。なおこの場合、発光ポイントの数が増えるに従って、図１に示したメサ構造１３の幅ｄおよびその配設間隔(ピッチ)ｔの値も自ずと小さくなる。また、レーザバーとしての横幅Ｌも上述した約１０ｍｍに限られることなく任意である。
【００６９】
・上記各実施の形態では（上記各変形例もこれに準ずる）、活性層をもつ、すなわち素子機能を有するメサ構造（第１のメサ構造）１３が発光部となる半導体レーザ(レーザバー)にこの発明にかかる半導体素子を適用する場合について説明したが、この発明の素子構造が適用可能である半導体素子は上記半導体レーザには限られない。すなわちこの発明は、メサ構造を有する半導体素子の全てに適用可能であり、この発明の適用によって、メサ構造の配設に起因する基板の反り等の解消、緩和を図ることができるようになる。
【００７０】
またこの場合、適用する半導体素子によっては、半導体基板の両面にそれぞれ形成されるメサ構造の双方が活性層を備えて素子機能を有していてもよいし、逆に、同基板の両面にそれぞれ形成されるメサ構造の双方が素子機能を有しないダミーのメサ構造であってもよい。要は、半導体基板の反り等が解消される態様で、同基板の両面にメサ構造が形成される構造であればよい。その意味では、例えば上記半導体レーザ（レーザバー）についても、例えば先の図１に対応する図として図１５に例示するように、メサエッチングの深さ、各層の膜厚によっては、エピタキシャル膜１２を除去せずに、例えばダミーのメサ構造２３と同様、あるいはそれに準じたかたちでメサ構造１３ａの形成を行うようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】この発明にかかる半導体素子を半導体レーザ（レーザバー）に適用した第１の実施の形態についてその一部を拡大して模式的に示す一部断面側面図。
【図２】同第１の実施の形態にかかる半導体レーザ（レーザバー）の全体を縮小して模式的に示す側面図。
【図３】（ａ）および（ｂ）は同第１の実施の形態にかかる半導体レーザ（レーザバー）の製造プロセスを模式的に示す断面図。
【図４】同第１の実施の形態にかかる半導体レーザ（レーザバー）について（ａ）〜（ｃ）はその製造プロセスを模式的に示す断面図、（ｄ）は最終的にへき開した側面構造を示す側面図。
【図５】この発明にかかる半導体素子を半導体レーザ（レーザバー）に適用した第２の実施の形態について、製造過程の図３（ｂ）に対応する図としてその断面構造を一部拡大して模式的に示す断面図。
【図６】上記各実施の形態の第１変形例について、製造過程の図３（ｂ）に対応する図としてその断面構造を一部拡大して模式的に示す断面図。
【図７】上記各実施の形態の第２変形例について、製造過程の図３（ｂ）に対応する図としてその断面構造を一部拡大して模式的に示す断面図。
【図８】上記各実施の形態の第３変形例について、製造過程の図３（ｂ）に対応する図としてその断面構造を一部拡大して模式的に示す断面図。
【図９】上記各実施の形態の第４変形例について、製造過程の図３（ｂ）に対応する図としてその断面構造を一部拡大して模式的に示す断面図。
【図１０】上記各実施の形態の第５変形例について、製造過程の図３（ｂ）に対応する図としてその断面構造を一部拡大して模式的に示す断面図。
【図１１】上記各実施の形態の第６変形例について、製造過程の図３（ｂ）に対応する図としてその断面構造を一部拡大して模式的に示す断面図。
【図１２】上記各実施の形態の第７変形例について、製造過程の図３（ｂ）に対応する図としてその断面構造を一部拡大して模式的に示す断面図。
【図１３】上記各実施の形態の第８変形例について、製造過程の図３（ｂ）に対応する図としてその断面構造を一部拡大して模式的に示す断面図。
【図１４】上記各実施の形態の第９変形例について、製造過程の図３（ｂ）に対応する図としてその断面構造を一部拡大して模式的に示す断面図。
【図１５】上記各実施の形態（各変形例も含む）のさらに他の実施の形態についてその一部を拡大して模式的に示す一部断面側面図。
【図１６】従来の半導体レーザ（レーザバー）についてその一部を拡大して模式的に示す一部断面側面図。
【図１７】（ａ）〜（ｃ）は従来の半導体レーザ（レーザバー）の製造プロセスを模式的に示す断面図。
【図１８】従来の半導体レーザ（レーザバー）について、（ａ）〜（ｂ）はその製造プロセスを模式的に示す断面図、（ｃ）は最終的にへき開した側面構造を示す側面図。
【図１９】従来の半導体レーザ（レーザバー）の全体を縮小して模式的に示す側面図。
【符号の説明】
【００７２】
１１…基板、１１a…下面、１１ｂ…上面、１１ｃ…へき開面、１２…エピタキシャル膜、１２a、１２ｃ…クラッド層、１２ｂ…活性層、１３…メサ構造（第１のメサ構造）、２３、２３ａ、２３ｂ、３３、３３ａ、３３ｂ、４３、５３、６３ａ、６３ｂ、７３ａ〜７３ｃ、８３ａ〜８３ｃ…メサ構造（第２のメサ構造）、１４…絶縁膜、１５…ウィンドウ（開口部）、１６…下部電極、２６…上部電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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