(57)【要約】【課題】 １つのトリミングインダクタを使用することによって小型化が実現できるフィルタを提供するここにある。【解決手段】フィルタは、外部端子と電気的に接続可能な第１ポート、第２ポート、および接地ポートが上部表面に形成された基板と、基板において第１ポートおよび第２ポートを直接接続する第１および第２直列共振器と、基板上で第１ポートおよび第１直列共振器の間に形成されるノードに接続される第１並列共振器と、基板上で第１および第２直列共振器の間に形成されるノードに接続される第２並列共振器と、一方が第１および第２並列共振器とそれぞれ接続され、他方が接地ポートと接続されるトリミングダクトとを含む。【選択図】   図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部端子と電気的に接続可能な第１ポート、第２ポートおよび接地ポートが上部表面に形成された基板と、
前記基板において前記第１ポートおよび前記第２ポートを直接接続する第１および第２直列共振器と、
前記基板上で前記第１ポートおよび前記第１直列共振器の間に形成されるノードに接続される第１並列共振器と、
前記基板上で前記第１および第２直列共振器の間に形成されるノードに接続される第２並列共振器と、
一方が前記第１および第２並列共振器とそれぞれ接続され、他方が前記接地ポートと接続されるトリミングダクトと、
を含むことを特徴とするフィルタ。
【請求項２】
前記基板上において、一方が前記第２ポートに接続され、他方が前記接地ポートに接続される第３並列共振器を更に含むことを特徴とする請求項１に記載のフィルタ。
【請求項３】
前記第１および第２直列共振器、前記第１並列共振器および前記第２並列共振器の少なくとも１つは、
前記基板の上部表面に製造された空洞部と、
前記空洞部内の底面から所定の距離離間した位置で、第１電極、圧電膜、および第２電極が順次積層された構造で製造された共振部と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載のフィルタ。
【請求項４】
前記第１および第２直列共振器のうち少なくとも１つは、直列に接続された２つ以上のＦＢＡＲを含むことを特徴とする請求項１に記載のフィルタ。
【請求項５】
前記第１並列共振器は前記第１直列共振器より大きいコンデンサー値を有することを特徴とする請求項１に記載のフィルタ。
【請求項６】
前記第２並列共振器は前記第２直列共振器より大きいコンデンサー値を有することを特徴とする請求項１に記載のフィルタ。
【請求項７】
前記第１並列共振器は前記第１直列共振器の面積より大きい面積で製造され、前記第１直列共振器より大きいコンデンサー値を有することを特徴とする請求項１に記載のフィルタ。
【請求項８】
前記第２並列共振器は前記第２直列共振器の面積より大きい面積で製造され、前記第２直列共振器より大きいコンデンサー値を有することを特徴とする請求項１に記載のフィルタ。
【請求項９】
直列に接続された複数の直列共振器と、
前記複数の直列共振器のうち１つの共振器の一方に形成される第１ノードに接続された第１並列共振器と、
前記複数の直列共振器のうち１つの共振器の一方に形成される第２ノードに接続された第２並列共振器と、
一方が前記第１および第２並列共振器とそれぞれ共通して接続されるトリミングインダクタと、
を含むことを特徴とするフィルタ。
【請求項１０】
前記複数の直列共振器、前記第１並列共振器、前記第２並列共振器のうち少なくとも１つは、
基板と、
前記基板の上部表面の所定領域に形成された空洞部と、
前記空洞部内の底面から所定の距離離間した位置で、第１電極、圧電膜、および第２電極が順次積層された構造で製造された共振部と、
を含むことを特徴とする請求項９に記載のフィルタ。
【請求項１１】
前記複数の直列共振器のうち１つの共振器の一方に形成される第３ノードに接続される第３並列共振器を更に含むことを特徴とする請求項９に記載のフィルタ。
【請求項１２】
前記複数の直列共振器、前記第１並列共振器、前記第２並列共振器および前記トリミングインダクタは単一基板上に製造されることを特徴とする請求項９に記載のフィルタ。
【請求項１３】
前記第１並列共振器は前記第１直列共振器より大きいコンデンサー値を有することを特徴とする請求項９に記載のフィルタ。
【請求項１４】
前記第２並列共振器は前記第２直列共振器より大きいコンデンサー値を有することを特徴とする請求項９に記載のフィルタ。
【請求項１５】
前記第１並列共振器は前記第１直列共振器の面積より大きい面積で製造され、前記第１直列共振器より大きいコンデンサー値を有することを特徴とする請求項９に記載のフィルタ。
【請求項１６】
前記第２並列共振器は前記第２直列共振器の面積より大きい面積で製造され、前記第２直列共振器より大きいコンデンサー値を有することを特徴とする請求項９に記載のフィルタ。
【請求項１７】
所定の領域に空洞部が形成された基板と、
前記空洞部が形成された基板領域および周辺基板領域上に位置する下部電極と、
前記下部電極上に積層された圧電層と、
前記圧電層上に積層され、所定形態でパターニングされることにより前記下部電極の上側に位置する上部電極およびインダクタを形成するメタル層と、
を含むことを特徴とする集積回路。
【請求項１８】
前記インダクタは前記メタル層が前記圧電層上において螺旋状にパターニングされ、前記インダクタの一方は前記上部電極および前記下部電極のいずれか１つと接続されることを特徴とする請求項１７に記載の集積回路。
【請求項１９】
前記下部電極および前記基板の間に位置する絶縁膜を更に含むことを特徴とする請求項１７に記載の集積回路。
【請求項２０】
前記基板の一方から前記空洞部までを連結する少なくとも１つのビアホールと、
前記基板の一方に接合し前記少なくとも１つのビアホールを閉鎖するパッケージング基板と、
を更に含むことを特徴とする請求項１７に記載の集積回路。
【請求項２１】
前記インダクタは１ｎＨ以下のインダクタンス値を有することを特徴とする請求項１７に記載の集積回路。
【請求項２２】
前記下部電極は複数の領域上に独立に配置され、前記圧電層および前記上部電極は前記複数の領域に製造された下部電極に対応する位置に配置し、前記下部電極、前記圧電層、および前記上部電極は複数の共振器を構成することを特徴とする請求項１７に記載の集積回路。
【請求項２３】
前記複数の共振器のうち少なくとも２つの共振器の面積は、残りの共振器より大きく製造され、前記少なくとも２つの共振器が前記残りの共振器より大きいコンデンサー値を有することを特徴とする請求項２２に記載の集積回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の共振器を備えたフィルタに関し、詳細には、単一の基板上に製造され、１つのトリミングインダクタを用いて減殺特性を調節することのできるフィルタに関する。
【背景技術】
【０００２】
最近の発表によると、韓国の携帯電話機の普及率はほぼ６９％と調査された。携帯電話機を使用できない年齢層を除けば、実質的な普及率は９３％に達する。これにより、携帯電話機の各製造者はだんだん多様な機能を備えた超小型携帯電話機を開発している。係る状況のなかで、携帯電話機の内部部品の性能およびサイズを向上させる試みとして、半導体工程技術を用いて微細構造物を製造するＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｍａｃｈｉｎａｒｙ  Ｓｙｓｔｅｍ）技術を導入し携帯電話機の必須部品であるフィルタなどを製造する試みが進行している。
【０００３】
図１は従来のフィルタの構造を示す模式図である。同図によると、フィルタは複数の直列共振器１１〜１４、および並列共振器２１，２２、およびトリミングインダクタ３１，３２を含む。各直列共振器１１〜１４は、フィルタの入力端（図示せず）および出力端（図示せず）との間に直列接続される。一方、各並列共振器２１，２２は各直列共振器１１〜１４との間に形成される連結ノードおよびグラウンドとの間に接続される。
【０００４】
トリミングインダクタ３１，３２はフィルタの減殺特性を向上させるために追加される。即ち、図１に示したように、複数のトリミングインダクタ３１，３２が各並列共振器２１，２２に直接接続されると、フィルタを通過する周波数帯域より高帯域での周波数を減殺してノイズを低減することができる。
一方、従来のフィルタは、直列共振器１１〜１４および並列共振器２１，２２を別の素子として製造した後、トリミングインダクタ３１，３２を内蔵するＰＣＢ（Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ  Ｂｏａｒｄ）上に集積する方式により製造される。これによると、各共振器が別の素子で製造された後で結合されることから、全体フィルタのサイズが増大してしまう問題を抱えている。
【０００５】
また、ワイヤボンディングを用いて各素子を連結するので、ワイヤを介する寄生成分が増加しフィルタ効率が落ちる問題もある。また、トリミングインダクタを２つ以上使用しなければならないので、全体フィルタのサイズも増大し、製造工程が複雑になると同時に、製造コストも増加する問題がある。従って、従来のフィルタは超小型、高性能フィルタを要求する最近の流れに不適である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は前述した問題点を解決するために案出されたもので、本発明の目的は、１つのトリミングインダクタのみを用いて単一基板上に製造されることによってサイズの最小化が図れると同時に、向上したフィルタ特性を有するフィルタを提供することにある。
また、本発明の他の目的は、別の並列共振器を更に備え、低帯域での減殺特性を向上することのできるフィルタを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前述した目的を達成するために、本発明の一実施の形態に係るフィルタは、外部端子と電気的に接続可能な第１ポート、第２ポートおよび接地ポートが上部表面に形成された基板と、前記基板で前記第１ポートおよび前記第２ポートを直接接続する第１および第２直列共振器と、前記基板上で前記第１ポートおよび前記第１直列共振器の間に形成されるノードに接続される第１並列共振器と、前記基板上で前記第１および第２直列共振器の間に形成されるノードに接続される第２並列共振器と、一方が前記第１および第２並列共振器とそれぞれ接続され、他方が前記接地ポートと接続されるトリミングダクトとを含む。
【０００８】
好ましくは、前記基板上において、一方が前記第２ポートに接続され、他方が前記接地ポートに接続される第３並列共振器を更に含む構成とすることができる。
好ましくは、前記第１および第２直列共振器、前記第１並列共振器、および前記第２並列共振器の少なくとも１つは、前記基板の上部表面に製造された空洞部と、前記空洞部内の底面から所定の距離離間した位置で、第１電極、圧電膜、および第２電極が順次積層された構造で製造された共振部とを含む。
【０００９】
より好ましくは、前記第１および第２直列共振器のうち少なくとも１つは、直列に接続された２つ以上のＦＢＡＲを含む構成とすることができる。
なお、前記第１並列共振器は前記第１直列共振器より大きいコンデンサー値を有するよう設計でき、前記第２並列共振器は前記第２直列共振器より大きいコンデンサー値を有するよう設計できる。
【００１０】
より好ましくは、前記第１並列共振器は前記第１直列共振器の面積より大きい面積で製造され、前記第２並列共振器は前記第２直列共振器の面積より大きい面積で製造され、それぞれが第１および第２直列共振器より大きいコンデンサー値を有する。
一方、本発明の他の実施形態に係るフィルタは、直列に接続された複数の直列共振器と、前記複数の直列共振器のうち１つの共振器の一方に形成される第１ノードに接続された第１並列共振器と、前記複数の直列共振器のうち１つの共振器の一方に形成される第２ノードに接続された第２並列共振器と、一方が前記第１および第２並列共振器とそれぞれ共通に接続されるトリミングインダクタとを含む。
【００１１】
この場合、前記複数の直列共振器、前記第１並列共振器、前記第２並列共振器のうち少なくとも１つは、基板と、前記基板の上部表面の所定領域に形成された空洞部と、前記空洞部内の底面から所定の距離離間された位置で、第１電極、圧電膜、および第２電極が順次積層された構造で製造された共振部とを含むことが好ましい。
より好ましくは、前記複数の直列共振器のうち１つの共振器の一方に形成される第３ノードに接続される第３並列共振器を更に含むことができる。
【００１２】
さらに好ましくは、前記複数の直列共振器、前記第１並列共振器、前記第２並列共振器、および前記トリミングインダクタは単一基板上に製造されることができる。
また、前記第１並列共振器は前記第１直列共振器より大きいコンデンサー値を有するよう設計され、前記第２並列共振器は前記第２直列共振器より大きいコンデンサー値を有するよう設計されることが好ましい。
【００１３】
好ましくは、前記第１並列共振器は前記第１直列共振器の面積より大きい面積で製造され、前記第２並列共振器は前記第２直列共振器の面積より大きい面積で製造され、それぞれが第１および第２直列共振器より大きいコンデンサー値を有する構成とすることができる。
一方、本発明の一実施の形態に係る集積回路は、所定の領域に空洞部が形成された基板と、前記空洞部が形成された基板領域および周辺基板領域上に位置する下部電極と、前記下部電極上に積層された圧電層と、前記圧電層上に積層され、所定形態でパターニングされることにより前記下部電極の上側に位置する上部電極およびインダクタを構成するメタル層とを含む。
【００１４】
好ましくは、前記インダクタは前記メタル層が前記圧電層上において螺旋状にパターニングされ、前記インダクタの一方は前記上部電極および前記下部電極のいずれか１つと接続される構成とすることができる。
より好ましくは、前記下部電極および前記基板の間に位置する絶縁膜を更に含み、前記基板の一方から前記空洞部まで連結させる少なくとも１つのビアホールと、前記基板の一方に接合し前記少なくとも１つのビアホールを閉鎖するパッケージング基板とを更に含むことができる。
【００１５】
一方、前記インダクタは１ｎＨ以下のインダクタンス値を有することを特徴とする。
本回路において、前記下部電極は複数の領域上に独立に配置され、前記圧電層および前記上部電極は前記複数の領域に製造された下部電極に対応する位置に配置し、前記下部電極、前記圧電層および前記上部電極は複数の共振器を構成することができる。
この場合、前記複数の共振器のうち少なくとも２つの共振器の面積は、残り共振器より大きく製造され、前記少なくとも２つの共振器が前記残り共振器より大きいコンデンサー値を有するべく具現することも好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によると、１つのトリミングインダクタを使用するフィルタが提供される。１つのトリミングインダクタを用いることによってフィルタの全体サイズが小さくなり、製造工程も単純化されると同時にその製造コストも減少する。一方、所定の第３並列共振器を更に加えることによってフィルタの周波数通過帯域より低帯域信号について減殺することができるようにし、フィルタの選択度を更に向上することができる。また、本発明によると、単一基板上でフィルタを製造するため、ワイヤボンディングによる寄生成分が減少することによりフィルタ効率が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、添付の図面に基づいて本発明の好適な実施形態を詳述する。
【実施例】
【００１８】
図２は本発明の一実施の形態に係るフィルタの構造を示す模式図である。同図によると、本フィルタは、第１直列共振器２１０、第２直列共振器２２０、第１並列共振器３１０、第２並列共振器３２０、およびトリミングインダクタ（ｔｒｉｍｍｉｎｇ  ｉｎｄｕｃｔｏｒ）４００を含む。
第１および第２直列共振器２１０、２２０は所定の第１ポート１１０および第２ポート１２０との間を直列に連結する。第１および第２ポート１１０、１２０は、それぞれ入力端または出力端になる。図２における第１および第２直列共振器２１０、２２０がそれぞれ１つの共振器から構成されているが、フィルタ特性の調節のために２つ以上の共振器を直列に接続詞第１および第２直列共振器２１０，２２０をそれぞれ具現することができる。
【００１９】
一方、第１並列共振器３１０の一方は、第１ポート１１０、第１および第２直列共振器２１０，２２０との間に形成される第１ノードに接続され、他方はトリミングインダクタ４００の一方に接続される。また、第２並列共振器３２０の一方は、第１及び第２直列共振器２１０，２２０との間に形成される第２ノードに接続され、他方はトリミングインダクタ４００の一方に接続される。
【００２０】
トリミングインダクタ４００は、前述したように、一方が第１並列共振器３１０および第２並列共振器３２０に共通に接続されており、他方が接地ポート１３０に接続されている。これにより、１つのトリミングインダクタ４００のみを用いてフィルタの減殺特性を調節できる。これによると、複数の並列共振器３１０、３２０それぞれに１つずつ接続される時より低いインダクタンス値を有するトリミングインダクタ４００を使用することができる。詳細には、２つの並列共振器３１０，３２０それぞれに２ｎＨのインダクタを１つずつ接続することによって２つのインダクタを使用する代わりに、相対的に低い１ｎＨのインダクタを共有的に接続することによって１つのインダクタのみを使用することになる。これによりフィルタの全体サイズを著しく軽減できる。
【００２１】
さらに、第１並列共振器３１０のコンデンサー値を第１直列共振器２１０のコンデンサー値より大きく設計し、第２並列共振器３２０のコンデンサー値を第２直列共振器２２０のコンデンサー値より大きく設計する。これによって、相対的に低いインダクタンスを有するインダクタに接続して使用することができる。
具体的には、第１および第２並列共振器３１０、３２０の面積を前記第１および第２直列共振器２１０、２２０の面積より大きく製造することによって、さらに大きいコンデンサー値を有するべく具現することができる。
【００２２】
図３は図２のフィルタの周波数応答曲線を示すグラフである。同図によると、図２のフィルタ周波数ｆ１ないしｆ３との間の信号を通過するバンドパスフィルタとして動作する。同図によると、トリミングインダクタ４００を使用して周波数ｆ３を超える高帯域での信号がほぼ−３６ｄＢ程度に減殺され、フィルタ特性を向上できる。
図４は図２の構造を有するフィルタを単一基板上に製造した場合において、そのフィルタ構造の一部、即ち、第１並列共振器３１０とトリミングインダクタ４００の構造を示す垂直断面図である。同図によると、本フィルタは単一基板１００上に製造される。
【００２３】
基板上の所定領域は、エッチングされて空洞部３１６が形成され、空洞部３１６上には絶縁膜３１１、下部電極３１２、圧電膜３１３、上部電極３１４が順次積層された共振部５００が製造されることによって、エアギャップ型第１並列共振器３１０が具現される。
一方、単一基板１００上において圧電膜３１３上でメタル層３１５を所定のコイル形態に積層することによって、トリミングインダクタ４００を形成する。この場合、メタル層３１５は第１並列共振器３１０の下部電極と接続される。これによりトリミングインダクタ４００は、第１並列共振器３１０と直列形態に接続される。なお、図４には図示していないが、第１並列共振器３１０の下部電極３１２、圧電膜３１３、上部電極３１４などは第１直列共振器２１０、第２直列共振器２２０、第２並列共振器３２０などに含まれる下部電極、圧電膜、上部電極などと同一の物質で同一工程を介して製造することができる。また、トリミングインダクタ４００のメタル層３１５は上部電極３１４と同一物質として、同一工程を介して製造できる。係る方式で全体フィルタを単一基板１００上に製造できる。
【００２４】
一方、基板１００上で、各共振器２１０、２２０、３１０、３２０の下部に位置する空洞部３１６は基板１００の下部をエッチングしてビアホール３１７を製造してから、それを通じてエッチング液またはガスを投入して製造する。この方式で空洞部３１６を製造した後、基板１００の下部に下部パッケージング基板３１８をボンディングして異物が空洞部３１６内に流入することを防止する。
【００２５】
図５Ａ〜図５Ｅは、図２のフィルタを単一基板１００上に製造する工程を示す垂直断面図である。本フィルタは複数の直列共振器２１０、２２０、複数の並列共振器３１０、３２０、およびトリミングインダクタ４００を全て含み、垂直断面図上で全体フィルタの構成を図示することは限界がともなう。従って、図５Ａ〜図５Ｅにおいては、図４のように第１並列共振器３１０、トリミングインダクタ４００部分のみを図示し、全体フィルタの製造工程について説明する。
【００２６】
まず、図５Ａにて、基板１００の上部表面に全面的に絶縁膜３１１を蒸着する。絶縁膜３１１とは、基板１００上に製造される素子を基板１００から電気的に隔離するための部分である。絶縁膜３１１を形成する絶縁物質としては、二酸化珪素（ＳｉＯ2）や酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）などを使用できる。一方、絶縁膜３１１を基板１００上に蒸着するための蒸着方法としては、ＲＦマグネトロンスパッタリング（ＲＦ  Ｍａｇｎｅｔｒｏｎ  Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）法や蒸発法（Ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）などがある。
【００２７】
次に、図５Ｂに示すように、絶縁膜３１１の上部表面に下部電極３１２を蒸着してからパターニングし所定部分の絶縁膜３１１を露出させる。下部電極３１２は金属のような通常の導電物質を用いて形成する。詳細に、アルミニウム（Ａｌ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、プラチナ（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、パラジウム（Ｐｄ）、モリブデン（Ｍｏ）などが使用できる。
【００２８】
次に、図５Ｃに示すように、露出された絶縁膜３１１および下部電極３１２の上部表面に全面的に圧電膜３１３を蒸着する。圧電膜３１３とは、電気的なエネルギーを弾性波状態の機械的なエネルギーに変換する圧電効果を引き起こす部分である。圧電膜３１３を形成する圧電物質としては、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などが使用できる。
【００２９】
次に、図５Ｄに図示されたように、圧電膜３１３の上部にメタル膜を積層してからパターニングし上部電極３１４およびメタル層３１５を製造する。即ち、上部電極３１４は下部電極３１２および圧電膜３１３と共に共振部５００を形成する。一方、共振部５００を形成する部分以外の圧電膜３１３上ではメタル層３１５を円形または矩形にパターニングすることによってトリミングインダクタ４００を具現することができる。この場合、下部電極３１２は共振部５００およびトリミングインダクタ４００を電気的に接続する連結ラインの役割を行う。
【００３０】
次に、図５Ｅに図示されたように、共振部５００下部の基板１００をエッチングし空洞部３１６を製造することにより、エアギャップ型ＦＢＡＲ（Ｆｉｌｍ  Ｂｕｌｋ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）を製造する。係る方式に基づいて製造されたエアギャップ型ＦＢＡＲが第１並列共振器３１０として動作する。一方、空洞部３１６の製造のため基板１００の下部をエッチングしビアホール３１７を製造する。基板１００下部にビアホール３１７を製造する場合にはビアホール３１７を介して流入される異物を抑えるため別の下部パッケージング基板３１８を接合する。接合方法は、接着剤利用方法または共融（Ｅｕｔｅｃｔｉｃ）ボンディング法などが使用される。一方、前述したように、第１および第２直列共振器２１０、２２０、第２並列共振器３２０も第１並列共振器３１０と同時に製造され得る。
【００３１】
一方、図６は本発明の他の実施形態に係るフィルタ構造を示す模式図である。同図によると、基板（図示せず）上に第１ポート６１０、第２ポート６２０、接地ポート６３０、複数の直列共振器６４１，６４２，６４３，６４４、第１並列共振器６５１、第２並列共振器６５２、トリミングインダクタ６６０、および第３並列共振器６７０が製造される。
第１ポート６１０および第２ポート６２０との間に複数の直列共振器６４１，６４２，６４３，６４４が直列接続されている。この場合、複数の直列共振器６４１，６４２，６４３，６４４のうち左側の２つの共振器６４１，６４２は図２の第１直列共振器２１０と同様に動作し、右側の２つの共振器６４３、６４４は図２の第２直列共振器２２０と同様に動作する。
【００３２】
一方、第１並列共振器６５１および第２並列共振器６５２は複数の直列共振器６４１、６４２のいずれかの一方に形成されるノードにそれぞれ接続される。つまり、第１並列共振器６５１は第１ポート６１０と１番目直列共振器６４１との間に形成されるノードに連結される。次に、第２並列共振器６５２は２番目直列共振器６４２および３番目直列共振器６４３の間に形成されるノードに接続される。
【００３３】
この場合、前述した第１並列共振器６５１のコンデンサー値を１番目および２番目直列共振器６４１、６４２の全体コンデンサー値より大きく設計し、第２並列共振器６５２のコンデンサー値を３番目および４番目直列共振器６４３，６４４のコンデンサー値より大きく設計する。これにより、相対的に低いインダクタンスを有するインダクタと接続して使用できる。
【００３４】
詳細には、第１および第２並列共振器６５１，６５２の面積を直列共振器６４１，６４２、６４３、６４４それぞれの面積より大きく製造することにより、さらに大きいコンデンサー値を有するよう具現できる。
次に、トリミングインダクタ６６０の一方は、第１並列共振器６５１および第２並列共振器６５２それぞれ共通に接続され、他方は接地ポート６３０と接続される。これによりフィルタの周波数通過帯域より高帯域での減殺特性を向上させることができる。
【００３５】
一方、第２ポート６２０と４番目直列共振器６４４との間に形成されるノードには第３並列共振器６７０が接続されている。第３並列共振器６７０はフィルタの周波数通過帯域より低帯域での減殺特性を向上させるためのものである。つまり、図３のグラフにおいて、ｆ２未満の範囲で通過する信号を減殺する役割をする。第３並列共振器６７０も直列共振器６４１，６４２，６４３，６４４、第１および第２並列共振器６５１，６５２などと共に同一の材料で同じ工程を介して単一基板上に製造される。
【００３６】
図７は図６のフィルタ構造を詳細に説明するための水平断面図である。同図によると、基板７００上の所定領域上で第１ポート６１０、第２ポート６２０、接地ポート６３０が製造される。第１ポート６１０および第２ポート６２０の間には複数の直列共振器６４１ないし６４４が直列配置されている。一方、直列共振器６４１ないし６４４の間のノードには第１並列共振器６５１および第２並列共振器６５２がそれぞれ接続されている。また、第１および第２並列共振器６５１および６５２には共有的にトリミングインダクタ６６０が接続されており、第２ポート６２０および４番目の直列共振器６４４の間のノードには第３並列共振器６７０が接続されている。これによりフィルタの周波数通過帯域を基準にして高帯域および低帯域の周波数信号を減殺し、フィルタの選択度を向上することができる。
【００３７】
以上、図面に基づいて本発明の好適な実施形態を図示および説明してきたが本発明の保護範囲は、前述の実施形態に限定するものではなく、特許請求の範囲に記載された発明とその均等物にまで及ぶものである。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】従来フィルタの構造を示す模式図である。
【図２】本発明の一実施の形態に係るフィルタの構造を示す模式図である。
【図３】図２のフィルタに対する周波数応答曲線を示すグラフである。
【図４】図２のフィルタのうち１つのインダクタおよび共振器の構造を示す垂直断面図である。
【図５Ａ】図２に示す構造を製造する過程を示す垂直断面図である。
【図５Ｂ】図２に示す構造を製造する過程を示す垂直断面図である。
【図５Ｃ】図２に示す構造を製造する過程を示す垂直断面図である。
【図５Ｄ】図２に示す構造を製造する過程を示す垂直断面図である。
【図５Ｅ】図２に示す構造を製造する過程を示す垂直断面図である。
【図６】本発明の他の実施形態に係るフィルタの構造を示す模式図である。
【図７】図６のフィルタ構成を示す水平断面図である。
【符号の説明】
【００３９】
２１０，２２０      直列共振器
３１０、３２０      並列共振器
３１１      絶縁層
３１２      下部電極
３１３      圧電層
３１４      上部電極
３１５      コイル
３１６      エアギャップ
３１７      ビアホール
３１８      下部パッケージング基板
４００      トリミングインダクタ
６７０      第３並列共振器
【図１】
2006141029.tif 000003
【図２】
2006141029.tif 000004
【図３】
2006141029.tif 000005
【図４】
2006141029.tif 000006
【図５Ａ】
2006141029.tif 000007
【図５Ｂ】
2006141029.tif 000008
【図５Ｃ】
2006141029.tif 000009
【図５Ｄ】
2006141029.tif 000010
【図５Ｅ】
2006141029.tif 000011
【図６】
2006141029.tif 000012
【図７】
2006141029.tif 000013