(57)【要約】【課題】  パッケージ内に収容される素子の特性に影響を与えることなく、確実な気密封止を実現する。【解決手段】  この発明に係るハーメチックシール用のカバー５０は、いわゆるシーム溶接タイプのものであり、その内側面７０に、錫を主成分とする錫系合金層７２と、ニッケルを主成分とする無電解ニッケルメッキ層７４と、から成るろう材６０が、設けられている。このうち、無電解ニッケルメッキ層７４が、ベースとの接合を実現するための接合剤として作用し、錫系合金層７２は、当該ベースとの密着性を向上させるための密着性増強剤として作用する。このように、ろう材６０には、水分を引き寄せ易いとされる銀が含まれないので、当該水分によるパッケージ内の素子への影響を排除できる。また、錫系合金層７２の存在によって、より確実な気密封止を実現することができる。【選択図】        図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ろう材を介してパッケージの基体に接合されるハーメチックシール用蓋体において、
上記ろう材は、上記基体との接合面に形成され錫を主成分とする錫系金属層と、上記錫系金属層を覆うように形成されニッケルを主成分とするニッケル系金属層と、を具備することを特徴とする、ハーメチックシール用蓋体。
【請求項２】
上記錫系金属層は印刷処理によって形成された、請求項１に記載のハーメチックシール用蓋体。
【請求項３】
上記ニッケル系金属層はメッキ処理によって形成された、請求項１または２に記載のハーメチックシール用蓋体。
【請求項４】
上記錫系金属層は上記接合面以外の部分に非形成とされた、請求項１ないし３のいずれかに記載のハーメチックシール用蓋体。
【請求項５】
上記ろう材は上記ニッケル系金属層を覆うように形成され金を主成分とする金系金属層をさらに備える、請求項１ないし４のいずれかに記載のハーメチックシール用蓋体。
【請求項６】
上記金系金属層はメッキ処理によって形成された、請求項５に記載のハーメチックシール用蓋体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ハーメチックシール用蓋体に関し、特に例えば、ろう材を介してパッケージの基体に接合されるハーメチックシール用蓋体に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の蓋体として、従来、例えば特許文献１に開示されたものがある。この従来技術によれば、蓋体の本体となる基材層の一方の表面に、中間金属層が圧接かつ拡散接合され、この中間金属層の上に、ろう材が圧接かつ拡散接合される。なお、中間金属層は、耐力が比較的に小さい低耐力金属、例えば銅（Ｃｕ）を主成分とする銅基合金によって、形成される。そして、ろう材は、銀（Ａｇ）を主成分とする銀ろう合金によって、形成される。このように基材層とろう材との間に低耐力の中間金属層が存在するので、ケース（基体）とのろう接の際に、基材層とケースとの熱膨張率の差に起因して当該ケースに発生する熱応力が中間金属層の塑性変形によって抑制され、ひいては当該熱応力によるケースの割れを防止することができる、とされている。
【０００３】
【特許文献１】特開平２００３−２０９１９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上述の従来技術では、ろう材としての銀ろう合金に含まれている銀が水分を引き寄せ易いという性質を有するため、ろう接の際に、当該水分がパッケージ内に浸入する恐れがある。このようにパッケージ内に水分が浸入すると、当該パッケージ内に収容される素子の特性が変化し、所期の（設計通りの）特性が得られなくなる、という問題がある。例えば、当該素子が水晶発振子である場合、浸入した水分（水素（Ｈ）および酸素（Ｏ））によって水晶発振子の発振動作が妨げられ、所期の振動周波数が得られなくなる（振動周波数が低下する）。
【０００５】
また、従来技術におけるろう材（銀ろう合金）は、シート状の素材で供給され、このシート状素材は、例えば冷間圧延法によって形成される。ところが、冷間圧延法においては、空気中の水分が加工品、つまりここで言うシート状素材に混入するため、この素材の形成段階で混入した水分もまた、上述の問題を引き起こす原因となる。
【０００６】
そこで、この発明は、パッケージ内に収容される素子の特性に影響を与えることなく確実に気密封止することができるハーメチックシール用蓋体を提供することを、目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
かかる目的を達成するために、この発明は、ろう材を介してパッケージの基体に接合されるハーメチックシール用蓋体において、当該ろう材が、基体との接合面に形成され錫（Ｓｎ）を主成分とする錫系金属層と、この錫系金属層を覆うように形成されニッケル（Ｎｉ）を主成分とするニッケル系金属層と、を具備することを特徴とするものである。
【０００８】
即ち、この発明では、基体との接合面に、錫を主成分とする錫系金属層が、形成されている。そして、この錫系金属層を覆うように、ニッケルを主成分とするニッケル系金属膜が、形成されている。なお、ニッケル系金属膜は、錫形金属層を含む蓋体全体の表面を覆うように形成されてもよい。かかる構成の蓋体は、例えばシーム溶接や電子ビーム溶接等の局部加熱法によって基体と接合される言わばシーム溶接タイプ或いは電子ビーム溶接タイプに、適用される。かかるシーム溶接タイプ或いは電子ビーム溶接タイプに適用される場合、基体との接合時に、当該基体との接合面を含む接合部分のみが、局部的に加熱される。そして、この加熱によって、ろう材を構成するニッケル系金属層および錫系金属層が、共に溶融される。このうち、ニッケル系金属層が、基体との接合を実現するための接合剤（言わば実質的なろう材）として作用する。一方、錫系金属層は、基体表面の状態（微小な凹凸形状）に応じて塑性変形することで当該基体表面との密着性を向上させる言わば密着性強化剤として作用する。
【０００９】
なお、この発明における錫系金属層は、例えば印刷処理によって形成するのが、望ましい。このように印刷処理により銀系金属層を形成することで、上述した従来技術における冷間圧延法とは異なり、当該銀形金属層に水分が混入されるのを抑制することができる。
【００１０】
そして、ニッケル系金属層は、例えばメッキ処理によって形成するのが、望ましい。このようにメッキ処理という比較的に簡単かつ安価な表面処理法でニッケル系金属層を形成することによって、当該ニッケル系金属層を含む蓋体全体の低コスト化を実現することができる。
【００１１】
さらに、錫系金属層は、基体との接合面以外の部分には非形成とする、つまり当該接合面（基体との接合に寄与する部分）にのみ形成するのが、望ましい。このようにすれば、当該錫系金属層を含む蓋体全体を、より低コスト化することができる。
【００１２】
そしてさらに、ニッケル系金属層を覆うように金（Ａｕ）を主成分とする金系金属層を、さらに形成してもよい。このようにすれば、例えば加熱炉によって蓋体を含むパッケージ全体を加熱することで基体との接合を実現する言わば溶融タイプの蓋体を、形成することができる。
【００１３】
具体的には、例えば、上述したニッケル系金属層がメッキ処理によって形成されており、このニッケル系金属層の厚さ寸法が数［μｍ］程度である、とする。そして、この薄いニッケル系金属層の上に、金系金属層が形成される、とする。ここで、当該ニッケル系金属層を含め厚さ寸法が数［μｍ］以下のメッキ層においては、必然的にスルーホールが形成されることが、知られている。また、ニッケル系金属層に含まれるニッケルは、錫系金属層に含まれる錫に比べて、融点が低い。従って、かかる錫系金属層，ニッケル系金属層および金系金属層がこの順番で形成された蓋体を含むパッケージ全体が、加熱炉等によって全体的に加熱される、具体的には錫（厳密には後述する金錫合金）の融点よりも高くかつニッケルの融点よりも低い温度に加熱されると、まず、錫が溶融される。そして、この溶融された錫は、ニッケル系金属層のスルーホールを介して金系金属層側に流れ込み、当該金系金属層の金と混合する。これによって、純金よりも融点の低い（またニッケルよりも融点の低い）金錫合金（Ａｕ−Ｓｎ合金）が形成され、この金錫合金が、基体との接合を実現するための接合剤として作用する。つまり、上述したシーム溶接タイプ或いは電子ビーム溶接タイプの蓋体に対し、金系金属層を形成するだけで、溶融タイプの蓋体を形成することができる。
【００１４】
なお、溶融タイプでは、上述の如く加熱炉等によって全体的に加熱されるため、当該溶融タイプにおいて接合剤を構成する錫系金属層は、上述したように基体との接合面以外の部分には非形成とするのが、望ましい。なぜなら、当該基体との接合面以外の部分、換言すれば基体との接合に寄与しない言わば不必要な部分にまで、錫系金属層が形成されているとすると、この不必要な部分に形成された錫形金属層が溶融されてパッケージ内に流れ込み、ひいては素子に接触する等の不都合を生じる恐れがあるからである。
【００１５】
ここで言う金系金属層もまた、ニッケル系金属層と同様に、メッキ処理によって形成するのが、望ましい。
【発明の効果】
【００１６】
この発明によれば、錫系金属層およびニッケル系金属層がこの順番で形成されたろう材が使用され、つまり銀を含まないろう材が使用される。従って、このろう材が原因でパッケージ内に水分が浸入することはなく、当該水分によるパッケージ内の素子への影響を排除することができる。また、シーム溶接や電子ビーム溶接等の局部加熱法によって接合されるときは、ニッケル系金属層が接合剤となり、錫系金属層は基体表面との密着性を向上させるための密着性強化剤として作用する。このように密着性強化剤としての錫系金属層が存在することで、基体に蓋体を強固に密着させることができる。つまり、この発明によれば、パッケージ内に収容される素子の特性に影響を与えることなく、密着性の高い確実な気密封止を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
この発明が適用された水晶発振器の第１実施形態について、図１〜図６を参照して説明する。
【００１８】
図１に示すように、この第１実施形態の水晶発振器１０は、外観的には概略直方体の形状をしており、その長さ寸法Ｌは２．３５［ｍｍ］、幅寸法Ｗは１．８５［ｍｍ］、高さ寸法Ｈは０．５［ｍｍ］とされている。そして、この水晶発振器１０は、図２に示すように、素子としての水晶振動子２０が固定される基体としてのベース３０と、このベース３０と共にパッケージ４０を構成する蓋体としてのカバー５０と、を備えている。なお、後述するように、ベース３０とカバー５０とは、ろう材６０を介して互いに接合される。
【００１９】
ベース３０は、セラミック製であり、図３に示すように、概略長方形の底板部３２と、この底板部３２の周縁に沿って当該底板部３２の上面３４から上方に向かって垂直に突出した壁部３６と、を備えている。そして、底板部３２の上面３４には、互いに距離を隔てて２つの内部端子３８および４２が設けられている。また、さらに、当該上面３４のうち、各内部端子３８および４２と、その周辺部分（図３（ａ）において２つの円で囲まれた部分）と、を除く部分を覆うように、内部接地（ＧＮＤ）端子４４が設けられている。これらの端子３８，４２および４４は、いずれもコバル合金製であり、当該各端子３８，４２および４４の上に、水晶振動子２０が、例えば半田付け（バンプ）によって固定される。このため、図には示さないが、水晶振動子２０は、各端子３８，４２および４４に対応する複数（３つ）の接続端子を備えている。
【００２０】
そして、底板部３２の下面４６には、５つのコバル合金製の外部端子４８，５２，５４，５６および５８が設けられている。このうち、当該下面４６の両長辺の略中央に設けられた２つの外部端子４８および５２の一方、例えば外部端子４８は、図には詳しく示さないが、底板部３２内において上述の内部端子３８および４２の一方、例えば内部端子３８と接続されている。そして、他方の外部端子５２は、図には詳しく示さないが、底板部３２内において他方の内部端子４２と接続されている。そして、これ以外の３つの外部端子５４，５６および５８は、いずれも接地端子であり、底板部３２内において上述の内部接地端子４４と接続されている。
【００２１】
なお、壁部３６の高さ寸法Ｈａは、水晶振動子２０の高さ寸法Ｈｂよりも若干、例えば０．０５［ｍｍ］ほど大きく、底板部３２の周縁に沿う方向（水平方向）において一定とされている。そして、壁部３６の厚さ寸法Ｔａは、例えば０．３［ｍｍ］とされており、その上面６２には、後述する図４に示すように、下地層としての金メッキ層６４が、形成されている。ただし、この金メッキ層６４は、セラミックである壁部３６の上面６２には直接形成されないので、これら金メッキ層６４と壁部３６の上面６２との間に、言わば中間層としてのタングステン（Ｗ）メタライズ層６６および無電解ニッケルメッキ層６８が、形成されている。具体的には、壁部３６の上面６２に、厚さ寸法が１５［μｍ］〜３０［μｍ］のメタライズ層６６が形成され、このメタライズ層６６の上に、厚さ寸法が４［μｍ］〜６［μｍ］の無電解ニッケルメッキ層６８が形成されている。そして、この無電解ニッケルメッキ層６８の上に、厚さ寸法が約０．４［μｍ］の金メッキ層６４が形成されている。なお、金メッキ層６４および無電解ニッケルメッキ層６８は、上述した各端子３８，４２，４４，４８，５２，５４，５６および５８の表面にも、この順番で形成されている。
【００２２】
一方、カバー５０は、コバル合金製であり、詳しくは質量比で１６［％］のコバルト（Ｃｏ）と４２［％］のニッケルとを含み、残りが鉄（Ｆｅ）とされた合金製である。そして、外観的には、図５に示すように、厚さ寸法Ｔｂが例えば０．１［ｍｍ］の概略長方形の板状体であり、ベース３０と接合される側の面、言わば内側面（底面）７０には、その周縁に沿って一定の幅Ｗａで閉ループを描くように上述したろう材６０が設けられている。このろう材６０は、錫を主成分とする錫系合金層７２と、質量比で１２［％］のリン（Ｐ）を含む無電解ニッケルメッキ層７４と、がこの順番で形成されたものである。
【００２３】
このうち、錫系合金層７２は、例えば印刷処理によって形成されており、その厚さ寸法Ｔｃは、例えば１５［μｍ］〜２０［μｍ］と比較的に大きい。そして、この錫系合金層７２には、質量比で０．７［％］の銅が含まれており、これによって、当該錫系合金層７２の溶融温度は、純錫の溶融温度（約２３０［℃］）よりも少し低い約２２７［℃］とされている。さらに、この錫系合金層７２には、不純物として微量のニッケルも混入されている。
【００２４】
無電解ニッケルメッキ層７４は、言うまでもなくメッキ処理によって形成されており、錫系合金層７２の上面のみならず、当該錫系合金層７２を含むカバー５０の表面全体を覆うように形成されている。そして、この無電解ニッケルメッキ層７４の厚さ寸法Ｔｄは、例えば１［μｍ］〜６［μｍ］、好ましくは２［μｍ］〜４［μｍ］とされており、この分野（ハーメチックパッケージ用）のメッキ層としては比較的に厚い。また、上述の如く１２［％］のリンを含有することで、当該無電解ニッケルメッキ層７４の溶融温度は、純ニッケルの溶融温度（約１２００［℃］）よりも低い約７００［℃］になる。
【００２５】
なお、ろう材６０（錫系合金層７２が形成されている部分）の幅寸法Ｗａは、ベース３０の壁部３６の厚さ寸法Ｔａと同等の０．３［ｍｍ］とされている。つまり、カバー５０の表面のうち、実際にベース３０と接合される部分にのみ、当該ろう材６０が設けられている。
【００２６】
かかるろう材６０が設けられたカバー５０は、シーム溶接によって基体３０に接合される。具体的には、図４に示すように、カバー５０は、ろう材６０が設けられている部分、言わば接合面を、ベース３０の壁部３６の上面６２（金メッキ層６４の上）に合わせた状態で、当該ベース３０上に載置される。そして、この状態で、シーム溶接によって両者の接合部分が局部的に加熱される。なお、このときの加熱温度は、約１０００度である。そして、この加熱によって、ろう材６０を構成する錫系合金層７２および無電解ニッケルメッキ層７４の両方が溶融され、このうちの無電解ニッケルメッキ層７４が、ベース３０側の金メッキ層６４と融着する、つまり接合剤として作用することで、カバー５０がベース３０に接合される。
【００２７】
一方、銀系合金層７２は、カバー５０とベース３０との密着性を向上させるための密着性強化剤として作用する。即ち、上述したようにベース３０はセラミック製であるため、図には示さないが、当該ベース３０の表面はミクロ的には粗く、従って、カバー５０との接合面となる上面６２もまた当然に粗く、多少の凹凸を有する。錫系合金層７２は、この上面６２の凹凸形状に応じて柔軟に塑性変形し、これによって、その上層にある無電解ニッケルメッキ層７４と当該上面６２との密着性が向上し、ひいてはカバー５０とベース３０との互いの密着力が増大する。
【００２８】
このように、この第１実施形態によれば、カバー５０側に形成された錫系合金層７２と無電解ニッケルメッキ層７４とから成るろう材６０によって、カバー５０とベース３０との接合が成される。つまり、上述した従来技術とは異なり、水分を引き寄せ易いとされる銀を含まないろう材６０が、用いられる。しかも、錫系合金層７２は印刷処理によって形成され、無電解ニッケルメッキ層７４はメッキ処理によって形成されるので、上述した冷間圧延法とは異なり、これら錫系合金層７２および無電解ニッケルメッキ層７４の形成工程においての水分の混入もない。従って、ろう材６０が原因でパッケージ４０内に水分が浸入することはなく、当該水分による水晶振動子２０への影響、例えば振動周波数の低下を、阻止することができる。
【００２９】
また、この第１実施形態では、接合剤としてのニッケルメッキ層７４の下層に、当該ニッケルメッキ層７４よりも融点の低い錫系合金層７２が形成されている。換言すれば、通常、接合剤として使用されることの多い錫系合金層７２の上に、ニッケルメッキ層７２というメッキ層が形成された、一種特異な構成とされている。そして、この錫系合金層７２が密着性強化剤として作用することで、ニッケルメッキ層７４によるベース３０への密着性の向上が図られている。従って、より確実な気密封止を実現することができる。
【００３０】
なお、この第１実施形態においては、水晶発振器１０にこの発明を適用する場合について説明したが、これに限らない。例えば、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave：表面弾性波）フィルタ等の他の電子部品にもこの発明を適用できることは、言うまでもない。
【００３１】
そして、ベース３０とカバー５０との接合方法（ろう材６０の溶融方法）として、シーム溶接を用いたが、電子ビーム溶接等の他の局部加熱法を用いてもよい。
【００３２】
さらに、錫系合金層７２として、０．７［％］の銅および微量のニッケルを含む合金（Ｓｎ−Ｃｕ−Ｎｉ合金）を採用したが、これに限らない。例えば、質量比で０．７［％］の銀を含む合金（Ｓｎ−Ａｇ合金）を採用してもよいし、当該銀や銅等の含有比率を変えてもよい。また、銀系合金層７２に代えて純錫層を形成してもよい。そして、印刷処理以外の方法によって当該錫系合金層７２を形成してもよい。
【００３３】
無電解ニッケルメッキ層７４についても、同様に、これに含有されるリンの量を変えたり、或いはリン以外の金属が含有されたメッキ層を採用したりしてもよい。そして、メッキ処理以外の方法によって、これと同様の層を形成してもよい。
【００３４】
そしてさらに、カバー５０もまた、コバル合金製に限らず、他の素材によって形成されたものでもよい。同様に、ベース３０も、セラミック製に限らない。
【００３５】
また、ここで説明した水晶発振器１０の長さ寸法Ｌやろう材６０の幅寸法Ｗａ等の各部位の寸法は、飽くまで一例であって、これに限定されるものではない。
【００３６】
さらに、カバー５０は、板状体（いわゆるリッド型と呼ばれるもの）に限らず、例えば図６に示すように、中央縦断面形状が概略凹状のいわゆるキャップ型のものであってもよい。この場合、開口部７６の周縁に沿って外側に突出するように設けられた概略鍔状のフランジ７８の底面（図６においては上方側の面）に、ろう材７０が設けられる。そして、図には示さないが、かかるキャップ型のカバー５０は、当該ろう材７０を介して、概略板状体のベース３０に接合される。なお、カバー５０の内側面８０には、敢えて無電解ニッケルメッキ層７４を形成する必要はないので、当該内側面８０に対しては、無電解ニッケルメッキ層７４を非形成としてもよい。このようにカバー５０の内側面８０に対し無電解ニッケルメッキ層７４を非形成とする処理は、例えば当該無電解ニッケルメッキ層７４の形成に先立って、カバー５０の内側面８０を酸化させることで、実現できる。
【００３７】
次に、この発明の第２実施形態について、図７および図８を参照して説明する。
【００３８】
この第２実施形態は、上述した第１実施形態におけるカバー５０に対し金メッキ処理を施したものであり、この金メッキ処理が施されることによって、図７に示すように、当該カバー５０の表面全体を覆うように、厚さ寸法Ｔｅが例えば０．０５［μｍ］〜０．１［μｍ］の金メッキ層９０が形成される。なお、これ以外の構成は、第１実施形態と同様である。
【００３９】
かかる金メッキ層９０が最表面に形成されたカバー５０は、加熱炉等による全体加熱法によって基体３０に接合される。具体的には、図８に示すように、カバー５０は、ろう材６０が設けられている部分、厳密には錫系合金層７２が設けられている部分を、ベース３０の壁部３６の上面６２（金メッキ層６４の上）に合わせた状態で、当該ベース３０上に載置される。そして、この状態で、これらベース３０およびカバー５０を含む水晶発振器１０（パッケージ４０）全体が、加熱炉によって加熱される。なお、このときの加熱温度は、錫系合金層７２の融点（約２２７［℃］）よりも高く、かつ無電解ニッケルメッキ層６８の融点（約７００［℃］）よりも低い温度に設定され、例えば２８０［℃］〜３２０［℃］の範囲内に設定される。このような加熱温度に設定されることによって、まず、錫系合金層７２が溶融される。
【００４０】
ここで、当該錫系合金層７２の上層である無電解ニッケルメッキ層７４の厚さ寸法は、上述したように１［μｍ］〜６［μｍ］、好ましくは２［μｍ］〜４［μｍ］である。かかる無電界ニッケルメッキ層７４のように厚さ寸法が数［μｍ］以下のメッキ層においては、必然的にスルーホールが形成されることが、知られている。従って、上述の如く溶融された錫系合金層７２の錫が、当該スルーホールを介して、金メッキ層９０に流れ込む。そして、この金メッキ層９０に流れ込んだ錫は、当該金メッキ層９０の金と混合し、これによって純金（融点：約１０００［℃］）よりも融点の低い金錫合金９２が形成される。さらに、この金錫合金９２は、ベース３０側の金メッキ層６４とも混合され、これによってカバー５０とベース３０とが接合される。つまり、この第２実施形態においては、金錫合金９２が、接合剤として作用する。
【００４１】
なお、金錫合金９２の融点は、約２７０［℃］〜２８０［℃］である。また、上述の接合時においては、図８（ｂ）に示すように、当該金錫合金９２が、カバー５０の表面（金メッキ層９０）を伝って流れ込む。そして、特に当該カバー５０の内側面７０（つまりベース３０の壁部３６と垂直を成す面）に流れ込んだ金錫合金９２は、同図に符号１００で示すように、フィレットを形成する。このように接合剤としての金錫合金９２がカバー５０の表面を伝って流れ込むと共に、特にフィレット１００を形成することで、カバー５０とベース３０との密着力が増大する。なお、ろう材６０（特に錫系合金層７２）の高さ寸法が大きいほど、フィレット１００が大きくなり、その分、カバー５０とベース３０との密着力も増大する。また、このように金錫合金９２はカバー５０の表面を伝って流れ込むものの、重力の影響により当該カバー５０の上面（同図において上方の面）までには流れ込まない。従って、このカバー５０を含む水晶発振器１０全体としての意匠性は、保たれる。
【００４２】
このように、第２実施形態によれば、第１実施形態におけるシーム溶接タイプのカバー５０に対し、金メッキ処理という比較的に簡単かつ安価な表面処理を施すだけで、当該カバー５０を溶融タイプに変換することができる。このことは、カバー５０の在庫管理を含む生産管理上、極めて有効である。また、溶融タイプは、シーム溶接タイプに比べて、小型化に対応できるので、この点でも、効果的である。
【００４３】
なお、この第２実施形態においても、上述した図６のキャップ型のカバー５０を採用することができる。そして、この場合、当該カバー５０の内側面８０に対しては、無電解ニッケルメッキ層７４および金メッキ層９０のいずれも非形成とするのが、望ましい。
【００４４】
また、この第２実施形態における金メッキ層９０と同様の層を、メッキ処理以外の方法で形成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】この発明の第１実施形態に係る水晶発振器の外観を示す斜視図である。
【図２】同水晶発振器の中央を長手方向に沿って垂直に切り出した縦端面図である。
【図３】同第１実施形態におけるベースの構造を示す図である。
【図４】同第１実施形態におけるカバーとベースとの接合部分を拡大して示す図解図である。
【図５】同第１実施形態におけるカバーの構造を示す図である。
【図６】同第１実施形態におけるカバーの別例を示す図である。
【図７】この発明の第２実施形態に係るカバーの周縁部分の断面を拡大して示す図である。
【図８】同第２実施形態におけるカバーとベースとの接合部分を拡大して示す図解図である。
【符号の説明】
【００４６】
１０  水晶発振器
３０  ベース
４０  パッケージ
５０  カバー
６０  ろう材
７２  錫系合金層
７４  無電解ニッケルメッキ層
【図１】
2006318949.tif 000003
【図２】
2006318949.tif 000004
【図３】
2006318949.tif 000005
【図４】
2006318949.tif 000006
【図５】
2006318949.tif 000007
【図６】
2006318949.tif 000008
【図７】
2006318949.tif 000009
【図８】
2006318949.tif 000010