(57)【要約】【課題】本発明は、共通電源供給Ｖｄｄラインの配線構造及び有機膜である平坦化膜の構造を変更することによって、無機絶縁膜とコンタクトする封止剤領域を確保して封止剤の接着力を向上させて、有機発光素子の損傷を減少させることができる有機電界発光表示素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明は有機電界発光表示素子及びその製造方法に係り、共通電源供給Ｖｄｄラインの配線構造及び有機膜である平坦化膜の構造を変更することによって、無機絶縁膜とコンタクトする封止剤領域を確保して封止剤の接着力を向上させて、有機発光素子の損傷を減少させることができる有機電界発光表示素子及びその製造方法を提供する。【選択図】図４
2006332060.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素領域と非画素領域を有する基板と；
前記基板上部に形成される無機絶縁膜と；
前記非画素領域上の無機絶縁膜上部に形成されて前記無機絶縁膜の表面一部を露出させる開口部を含む有機膜；及び
前記有機膜の開口部を介して無機絶縁膜とコンタクトする封止剤を含むことを特徴とする有機電界発光表示素子。
【請求項２】
前記無機絶縁膜はシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）またはこれらの二重層で形成されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示素子。
【請求項３】
画素領域と非画素領域を有する基板と；
前記基板上部の全面にかけて形成されているゲート絶縁膜と；
前記非画素領域上のゲート絶縁膜上部にパターニングされて形成されている共通電源供給Ｖｄｄラインと；
前記共通電源供給Ｖｄｄラインを含んだ基板全面に形成されている無機絶縁膜と；
前記非画素領域上の無機絶縁膜上部に形成されて前記共通電源供給Ｖｄｄラインと一定間隔離隔されて前記無機絶縁膜の表面一部を露出させる開口部を含む平坦化膜；及び
前記平坦化膜の開口部を介して無機絶縁膜とコンタクトする封止剤を含むことを特徴とする有機電界発光表示素子。
【請求項４】
前記無機絶縁膜はシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）またはこれらの二重層で形成されることを特徴とする請求項３に記載の有機電界発光表示素子。
【請求項５】
前記無機絶縁膜はシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）／シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）の二重層で形成されることを特徴とする請求項４に記載の有機電界発光表示素子。
【請求項６】
前記封止剤は光硬化性または熱硬化性エポキシ樹脂であることを特徴とする請求項３に記載の有機電界発光表示素子。
【請求項７】
前記有機電界発光素子は共通電源供給Ｖｄｄラインの垂直上部面の無機絶縁膜上部に第２電極電源供給ラインをさらに含むことを特徴とする請求項３に記載の有機電界発光表示素子。
【請求項８】
画素領域と非画素領域を有する基板と；
前記基板上部の全面にかけて形成されているゲート絶縁膜と；
前記非画素領域上のゲート絶縁膜上部にパターニングされて形成されている共通電源供給Ｖｄｄラインと；
前記共通電源供給Ｖｄｄラインを含んだ基板全面に形成されている無機絶縁膜と；
前記非画素領域上の共通電源供給Ｖｄｄラインと対応する無機絶縁膜上部に形成されて前記無機絶縁膜の表面一部を露出させる開口部を含む平坦化膜；及び
前記平坦化膜の開口部を介して無機絶縁膜とコンタクトする封止剤を含むことを特徴とする有機電界発光表示素子。
【請求項９】
前記無機絶縁膜はシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）またはこれらの二重層で形成されることを特徴とする請求項８に記載の有機電界発光表示素子。
【請求項１０】
前記無機絶縁膜はシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）／シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）の二重層で形成されることを特徴とする請求項９に記載の有機電界発光表示素子。
【請求項１１】
前記封止剤は光硬化性または熱硬化性エポキシ樹脂であることを特徴とする請求項８に記載の有機電界発光表示素子。
【請求項１２】
画素領域と非画素領域を有する基板を提供して；
前記基板上部の全面にかけてゲート絶縁膜を形成して；
前記非画素領域上のゲート絶縁膜上部に、画素領域上のゲート電極形成と同時に、共通電源供給Ｖｄｄラインをパターニングして形成して；
前記共通電源供給Ｖｄｄラインを含んだ基板全面に無機絶縁膜を形成して；
前記非画素領域上の無機絶縁膜上部に前記共通電源供給Ｖｄｄラインと一定間隔離隔されて前記無機絶縁膜の表面一部を露出させる開口部を含む平坦化膜を形成して；及び
前記平坦化膜の開口部を介して無機絶縁膜とコンタクトするように封止剤を形成することを含むことを特徴とする有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１３】
前記無機絶縁膜はシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）またはこれらの二重層で形成されることを特徴とする請求項１２に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項１４】
前記無機絶縁膜はシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）／シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）の二重層で形成されることを特徴とする請求項１３に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項１５】
前記封止剤は光硬化性または熱硬化性エポキシ樹脂であることを特徴とする請求項１２に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項１６】
前記有機電界発光素子は共通電源供給Ｖｄｄラインの垂直上部面の前記無機絶縁膜上部に画素領域のソース／ドレイン電極形成時第２電極電源供給ラインをさらに形成することを特徴とする請求項１２に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項１７】
画素領域と非画素領域を有する基板を提供して；
前記基板上部の全面にかけてゲート絶縁膜を形成して；
前記非画素領域上のゲート絶縁膜上部に、画素領域のゲート電極形成と同時に、共通電源供給Ｖｄｄラインをパターニングして形成して；
前記共通電源供給Ｖｄｄラインを含んだ基板全面に無機絶縁膜を形成して；
前記非画素領域上の共通電源供給Ｖｄｄラインと対応する無機絶縁膜上部に前記無機絶縁膜の表面一部を露出させる開口部を含む平坦化膜を形成して；及び
前記平坦化膜の開口部を介して無機絶縁膜とコンタクトするように封止剤を形成することを含むことを特徴とする有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項１８】
前記無機絶縁膜はシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）またはこれらの二重層で形成されることを特徴とする請求項１７に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項１９】
前記無機絶縁膜はシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）／シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）の二重層で形成されることを特徴とする請求項１８に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【請求項２０】
前記封止剤は光硬化性または熱硬化性エポキシ樹脂であることを特徴とする請求項１７に記載の有機電界発光表示素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機電界発光表示素子及びその製造方法に係り、さらに詳細には共通電源供給Ｖｄｄライン配線構造及び有機膜である平坦化膜の構造を変更することによって、無機絶縁膜とコンタクトする封止剤領域を確保して封止剤の接着力を向上させて、有機発光素子の損傷を減少させることができる有機電界発光表示素子及びその製造方法を提供する。
【背景技術】
【０００２】
図１は従来技術による有機電界発光表示素子の非画素領域に封止剤、共通電源供給Ｖｄｄライン及び第２電極電源供給ラインが形成されていることを示す平面図である。
【０００３】
図１を参照すると、従来の有機電界発光表示素子５０は複数の画素を具備した画素領域６０と前記画素領域６０の上側と左、右側に配列されて電源電圧を印加するための共通電源供給Ｖｄｄライン１３０と、このような画素領域６０を駆動するためにデータ信号を出力するデータドライバ（図示せず）と選択信号を出力するスキャンドライバ（図示せず）を装着する駆動ＩＣ  ７０で構成される。前記有機電界発光表示素子５０は画素領域６０の一側に形成される第２電極電源供給ライン１３５をさらに含む。前記第２電極電源供給ライン１３５は上部に形成される第２電極（図示せず）と連結して、外部端子から前記第２電源供給ライン１３５に提供される第２電極電圧がコンタクトホール（図示せず）を介して前記第２電極（図示せず）に提供される。
【０００４】
また、前記画素領域６０を取り囲んで前記共通電源供給Ｖｄｄとオーバーラップして上、下部基板を合着するための封止剤１６０が形成されている。
【０００５】
前記したような構成を有する従来の有機電界発光表示素子５０は駆動ＩＣ  ７０のスキャンドライバ（図示せず）から選択信号、データドライバ（図示せず）からデータ信号が画素領域６０に印加されて、前記共通電源供給Ｖｄｄライン１３０から電源電圧と第２電極電源供給ライン１３５から第２電極（図示せず）に第２電極電圧が印加されると、前記画素領域６０に配列された各画素を構成するスイッチングトランジスタ（図示せず）及び駆動トランジスタ（図示せず）が駆動されて有機ＥＬ素子（図示せず）が発光するようになる。
【０００６】
図２は図１のＩ−Ｉ線に沿って切断された断面図で、従来技術による有機電界発光表示素子に封止剤が形成されていることを示す断面図である。
【０００７】
図２を参照すると、従来の有機電界発光表示素子は画素領域６０と非画素領域ｂを有する基板１００があり、前記基板１００上部の全面にかけてゲート絶縁膜１１０が形成されている。
【０００８】
続いて、前記ゲート絶縁膜１１０上部の基板全面にかけて層間絶縁膜１２０が形成されている。前記層間絶縁膜１２０はシリコン酸化膜、シリコン窒化膜またはこれらの二重層で形成することができる。前記層間絶縁膜１２０は１、２次に分離して積層されて形成され、一次層間絶縁膜１２０ａはシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）積層後４３０℃で４時間アニーリング（ａｎｎｅａｌｉｎｇ）して形成されて、２次層間絶縁膜１２０ｂはシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）積層後３８０℃で水素化処理して形成される。
【０００９】
続いて、前記非画素領域ｂの層間絶縁膜１２０上部に共通電源供給Ｖｄｄライン１３０がパターニングされて形成されている。前記共通電源供給Ｖｄｄライン１３０は有機電界発光表示素子のソース／ドレイン電極（図示せず）物質と同じ物質で形成され、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、タングステンモリブデン（ＭｏＷ）、タングステンシリサイド（ＷＳｉ２）、モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ２）及びアルミニウム（Ａｌ）で構成された群から選択される１種で形成される。
【００１０】
続いて、前記共通電源供給Ｖｄｄライン１３０上部に有機膜で構成された平坦化膜１４０が形成されている。前記平坦化膜１４０は通常的に有機物質で形成されて前記有機物質ではポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ；ＰＩ）、ポリアミド（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ；ＰＡ）、アクリル樹脂（ＡｃｒｙｌＲｅｓｉｎ）、ベンゾシクロブテン（Ｂｅｎｚｏ  Ｃｙｃｌｏ  Ｂｕｔｅｎｅ；ＢＣＢ）及びフェノール樹脂で構成された群から選択される１種で形成される。
【００１１】
これとは別途に上部封止基板（図示せず）に封止物質を形成することができるように封止部を具備してこの封止部に封止物質すなわち、封止剤（Ｓｅａｌａｎｔ）１６０を形成する。
【００１２】
前記平坦化膜１４０上部の封止剤１６０が形成された領域の一側には空いた空間（Ｖａｃａｎｃｙ）が形成されている。前記空いた空間には充填剤（Ｆｉｌｌｅｒ）がさらに含まれることができる。
【００１３】
通常的に封止剤１６０では大部分がＵＶ波長の光または熱によって硬化する特性を有する物質を用いる。
【００１４】
このように具備された上、下部絶縁基板を相互に付着して封止することによって下部基板上に形成されている画素領域６０を外部の水分及びガスの浸透による損傷を防止する。この時、前記封止剤１６０は共通電源供給Ｖｄｄライン１３０と対応する平坦化膜１４０上部に付着される。
【００１５】
しかし、このような場合前記封止剤１６０は有機ポリマーで液状または塑性を有するので外部の圧力により押される時横に広がる可能性が多い。すなわち、上、下部基板を接触する時物理的な力が加えられるので前記基板に形成されている封止剤１６０が画素領域６０に形成されている素子（図示せず）内部に浸透されることができる。このような場合浸透された封止剤１６０によって画素領域６０内部の素子が損傷を受けるようになるという問題点がある。
【００１６】
また、前記有機膜１４０と封止剤１６０との接着力がよくなくてこの時にも画素領域６０内部に浸透された封止剤１６０によって素子が（図示せず）損傷を受けるようになって製品信頼性に致命的な影響をもたらす。
【００１７】
このような問題点を解決するために、前記有機膜である平坦化膜の代わりに封止剤との接着力が優秀なメタルが封止工程に試みされたが封止剤とメタルコンタクト時メタルが酸化されてメタルが粉々に砕ける問題点があった。
【００１８】
また、上部基板に溝を形成して封止剤をその溝に形成したりまたは封止剤が素子の内部に浸透されないように基板上に隔壁を形成したりするが、このような場合にも封止剤が溝外に流出されたりまたは隔壁のアラインが正確でない場合にはその隔壁と基板上のすきま間に封止剤が流れ込んで内部素子に損傷を及ぼす問題点がある。
【特許文献１】韓国公開特許第２００３−８１９９１号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
本発明が解決しようとする技術的課題は前記従来技術の問題点を解決するためのことであって、共通電源供給Ｖｄｄラインの配線構造及び有機膜である平坦化膜の構造を変更することによって、無機絶縁膜とコンタクトする封止剤領域を確保して封止剤の接着力を向上させて、有機発光素子の損傷を減少させることができる有機電界発光表示素子及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
上述した技術的課題を形成するために、本発明は画素領域と非画素領域を有する基板、前記基板上部に形成される無機絶縁膜、
【００２１】
前記非画素領域上の無機絶縁膜上部に形成されて前記無機絶縁膜の表面一部を露出させる開口部を含む平坦化膜、及び
【００２２】
前記平坦化膜の開口部を介して無機絶縁膜とコンタクトする封止剤を含むことを特徴とする有機電界発光表示素子を提供する。
【００２３】
また、本発明は、画素領域と非画素領域を有する基板、前記基板上部の全面にかけて形成されているゲート絶縁膜、前記非画素領域上のゲート絶縁膜上部にパターニングされて形成されている共通電源供給Ｖｄｄライン、前記共通電源供給Ｖｄｄラインを含んだ基板全面に形成されている無機絶縁膜、前記非画素領域上の無機絶縁膜上部に形成されて前記共通電源供給Ｖｄｄラインと一定間隔離隔されて前記無機絶縁膜の表面一部を露出させる開口部を含む平坦化膜、及び前記平坦化膜の開口部を介して無機絶縁膜とコンタクトする封止剤を含むことを特徴とする有機電界発光表示素子を提供する。
【００２４】
また、本発明は、画素領域と非画素領域を有する基板、前記基板上部の全面にかけて形成されているゲート絶縁膜、前記非画素領域上のゲート絶縁膜上部にパターニングされて形成されている共通電源供給Ｖｄｄライン、前記共通電源供給Ｖｄｄラインを含んだ基板全面に形成されている無機絶縁膜、前記非画素領域上の共通電源供給Ｖｄｄラインと対応する無機絶縁膜上部に形成されて前記無機絶縁膜の表面一部を露出させる開口部を含む平坦化膜、及び前記平坦化膜の開口部を介して無機絶縁膜とコンタクトする封止剤を含むことを特徴とする有機電界発光表示素子を提供する。
【００２５】
また、本発明は、画素領域と非画素領域を有する基板を提供して、前記基板上部の全面にかけてゲート絶縁膜を形成して、前記非画素領域上のゲート絶縁膜上部に共通電源供給Ｖｄｄラインをパターニングして形成して、前記共通電源供給Ｖｄｄラインを含んだ基板全面に無機絶縁膜を形成して、前記非画素領域上の無機絶縁膜上部に前記共通電源供給Ｖｄｄラインと一定間隔離隔されて前記無機絶縁膜の表面一部を露出させる開口部を含む平坦化膜を形成して、及び前記平坦化膜の開口部を介して無機絶縁膜とコンタクトするように封止剤を含むことを特徴とする有機電界発光素子表示素子の製造方法を提供する。
【００２６】
また、本発明は、画素領域と非画素領域を有する基板を提供して、前記基板上部の全面にかけてゲート絶縁膜を形成して、前記非画素領域上のゲート絶縁膜上部に共通電源供給Ｖｄｄラインをパターニングして形成して、前記共通電源供給Ｖｄｄラインを含んだ基板全面に無機絶縁膜を形成して、前記非画素領域上の共通電源供給Ｖｄｄラインと対応する無機絶縁膜上部に前記無機絶縁膜の表面一部を露出させる開口部を含む平坦化膜を形成して、及び前記平坦化膜の開口部を介して無機絶縁膜とコンタクトするように封止剤を含むことを特徴とする有機電界発光表示素子の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００２７】
上述したところによれば本発明は有機電界発光表示素子の共通電源供給ライン（Ｖｄｄ）の配線構造及び平坦化膜の構造を変更することによって、無機絶縁膜とコンタクトする封止剤領域を確保して、封止剤の接着力を向上させて、有機発光素子の損傷を防止して製品信頼性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明を添付する図面を参照してさらに詳細に説明する。
【００２９】
図３は本発明の第１実施形態による有機電界発光表示素子の非画素領域に封止剤、共通電源供給Ｖｄｄライン及び第２電極電源供給ラインが形成されていることを示す平面図である。
【００３０】
図３を参照すると、本発明の第１実施形態による有機電界発光表示素子２５０は素子を駆動するための薄膜トランジスタ（図示せず）と陽極及び陰極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などの多層で構成されている有機ＥＬ素子（図示せず）で構成された複数の画素を具備した画素領域２６０と前記画素領域２６０の上側と左、右側に配列されて電源電圧を印加するための共通電源供給Ｖｄｄライン３２０と、このような画素領域２６０を駆動するためにデータ信号を出力するデータドライバ（図示せず）と選択信号を出力するスキャンドライバ（図示せず）を装着する駆動ＩＣ  ２７０で構成される。
【００３１】
前記有機電界発光表示素子２５０は画素領域２６０の一側に形成されて前記共通電源供給Ｖｄｄライン３２０とオーバーラップする第２電極電源供給ライン３３５をさらに含む。前記第２電極電源供給ライン３３５は上部に形成される第２電極（図示せず）と連結され、外部端子から前記第２電源供給ライン３３５に提供される第２電極電圧がコンタクトホール（図示せず）を介して前記第２電極（図示せず）に提供される。これで、前記第２電極電源供給ライン３３５を介してＩＲドロップ（ｄｒｏｐ）を防止することができる。
【００３２】
また、前記画素領域２６０を取り囲んで上、下部基板を合着するために封止剤３６０が形成されている。
【００３３】
前記したような構成を有する有機電界発光表示素子２５０は駆動ＩＣ  ２７０に装着されているスキャンドライバ（図示せず）から選択信号とデータドライバ（図示せず）からデータ信号が画素領域２６０に印加されて、前記共通電源供給Ｖｄｄライン３２０から電源電圧と第２電極電源供給ライン３３５から第２電極（図示せず）に第２電極電圧が印加されると、前記画素領域２６０に配列された各画素を構成するスイッチングトランジスタ及び駆動トランジスタ（図示せず）が駆動されて有機ＥＬ素子（図示せず）が発光するようになる。
【００３４】
図４は図３のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断された断面図であって、本発明の第１実施形態による有機電界発光表示素子に封止剤が形成されていることを示す断面図である。
【００３５】
図４を参照すると、本発明による有機電界発光表示素子は画素領域２６０と非画素領域ｂを有する基板３００、前記非画素領域ｂ上の無機絶縁膜３３０上部に形成されて前記無機絶縁膜３３０の表面一部を露出させる開口部３４５を含む有機膜である平坦化膜３４０、及び前記平坦化膜３４０の開口部を介して無機絶縁膜３３０とコンタクトする封止剤３６０を含むことを特徴とする有機電界発光素子を提供する。
【００３６】
前記無機絶縁膜３３０はシリコン酸化膜、シリコン窒化膜またはこれらの二重層で形成される。望ましくは前記無機絶縁膜３３０はシリコン酸化膜／シリコン窒化膜の二重層で形成される。
【００３７】
まず、前記本発明の第１実施形態による有機電界発光素子は画素領域２６０と非画素領域ｂを有する基板３００を提供する。前記基板３００はガラス、石英またはプラスチックのような透明基板である。前記基板３００上部の全面にかけてシリコン窒化膜、シリコン酸化膜またはこれらの二重層でなったゲート絶縁膜３１０を形成する。前記ゲート絶縁膜３１０は化学気相蒸着法（ＣＶＤ；ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を利用したプラズマ化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ；Ｐｌａｓｍａ−Ｅｎｈａｎｃｅｄ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）または低圧化学気相蒸着法（ＬＰＣＶＤ；Ｌｏｗ−Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）を遂行して形成する。
【００３８】
続いて、前記非画素領域ｂ上のゲート絶縁膜３１０上部に共通電源供給Ｖｄｄライン３２０をパターニングして形成する。前記共通電源供給Ｖｄｄライン３２０はゲート電極物質と同じ物質を蒸着した後パターニングして形成する。望ましくは、前記共通電源Ｖｄｄライン３２０はゲート電極（図示せず）と同時に形成する。前記ゲート金属物質はモリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、タングステンモリブデン（ＭｏＷ）、タングステンシリサイド（ＷＳｉ２）、モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ２）及びアルミニウム（Ａｌ）で構成された群から選択される１種で形成する。
【００３９】
前記共通電源供給Ｖｄｄライン３２０を含んだ基板全面にかけてシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）３３０ａとシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）３３０ｂの二重層で構成された無機絶縁膜３３０を形成する。望ましくは、前記無機絶縁膜３３０はシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）３３０ａ、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）３３０ｂを連続蒸着して形成した後３８０℃で水素化処理して形成する。
【００４０】
続いて、前記非画素領域ｂ上の無機絶縁膜３３０上部に有機膜で構成された平坦化膜３４０を形成する。前記平坦化膜３４０は前記共通電源供給Ｖｄｄライン３２０と一定間隔離隔されて前記無機絶縁膜３３０の表面一部を露出させる開口部３４５を含んで形成する。
【００４１】
前記平坦化膜３４０を形成する物質では有機物質を用いて前記有機物質ではアクリル樹脂（Ａｃｒｙｌ  Ｒｅｓｉｎ）、ベンゾシクロブテン（Ｂｅｎｚｏ  Ｃｙｃｌｏ  Ｂｕｔｅｎｅ；ＢＣＢ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ；ＰＩ）、ポリアミド（ｐｏｌｙａｍｉｄｅ；ＰＡ）及びフェノール樹脂で構成された群から選択される１種で形成する。前記平坦化膜３４０は有機物質を積層後乾式エッチングまたは湿式エッチングを介して前記無機絶縁膜３３０の表面一部を露出させる開口部３４５を形成する。
【００４２】
これで、前記平坦化膜３４０を開口部３４５を有するようにエッチングすることによって、後続工程の封止工程時無機絶縁膜３３０とコンタクトする封止剤領域を確保することができる。
【００４３】
続いて、前記平坦化膜３４０上部に封止剤３６０を付着した封止基板（図示せず）を前記下部基板３００と合着する。この時、前記封止剤３６０は前記平坦化膜３４０の開口部３４５内の無機絶縁膜３３０とコンタクトするように形成する。
【００４４】
前記封止剤３６０を前記無機絶縁膜３３０であるシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）３３０ｂとコンタクトさせることによって、接着力が向上することができる。
【００４５】
また、封止時平坦化膜３４０の開口部３４５内に封止剤３６０が接着されることによって上、下部基板を接触する時物理的な力が加えられても前記基板に形成されている封止剤３６０が画素領域２６０の素子（図示せず）内部に浸透されることができる可能性が低くなり画素領域２６０内部の素子損傷を防止して製品信頼性を向上させることができる。
【００４６】
前記平坦化膜３４０上部の封止剤３６０が形成された領域の一側には空いた空間（Ｖａｃａｎｃｙ）が形成されている。前記空いた空間には充填剤（Ｆｉｌｌｅｒ）をさらに含んで形成することができる。
【００４７】
さらに詳細に、前記封止（Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎ）工程は外部の水分と酸素からの画素領域２６０内の有機発光素子（図示せず）を保護するために形成され、水分と酸素による劣化を防止するために窒素／ドライ（ｄｒｙ）の雰囲気でＵＶ硬化剤を用いて素子を封止する。前記上部基板の代わりに高分子フィルムやＳＵＳ薄膜などを封止用で用いたりする。
【００４８】
前記封止工程はさらに詳細にはシーリングカバー洗浄（Ｓｅａｌｉｎｇ  Ｃｏｖｅｒ  Ｃｌｅａｎｉｎｇ）、乾燥剤＆フィルム（Ｆｉｌｍ）付着工程、ＵＶ封止剤噴射（ｓｅａｌａｎｔ  ｄｉｓｐｅｎｓｉｎｇ）、成膜工程が終わった基板との合着、ＵＶ光硬化（ｌｉｇｈｔ  ｃｕｒｉｎｇ）の順序で行うようになる。シーリングカバー洗浄はパターニングされたガラス洗浄と同じ条件で行われるが超音波洗浄、ＵＶオゾン洗浄、プラズマ処理順序で行われる。前記シーリングカバー洗浄はシーリング後カバーにおけるガス発生を防止してパターニングされた基板との接着力を改善するためである。たいていの場合、ＵＶ封止剤は基板と基板間の接着強度は優秀であるがシーリングカバーと基板との接着力は不十分なためプラズマ処理を介してシーリングカバー表面特性の改善を介してこのような問題を一定水準解決する。
【００４９】
素子の封止のために前記封止剤は光硬化性または熱硬化性エポキシ樹脂であることが望ましい。前記ＵＶ封止剤は塗布時適正な形状維持及び脱泡性、低温での速い硬化性、低い収縮性及び透湿性の特性を有しなければならない。
【００５０】
前記ＵＶ封止剤は粘度及び形状維持能力がなければならないのに粘度があまり高い場合噴射しにくくて粘度があまり低ければ噴射後逆方向に流出される現象が発生するようになる。また、噴射後一定水準形状維持にならないと封止のための加圧時パネルの素子領域に損傷を与えることができる。
【００５１】
前記ＵＶ封止剤はスペーサー（ｓｐａｃｅｒ）を混合して脱泡作業をして注射器タイプの容器に入れて供給することができなければならない。前記ＵＶ封止剤噴射工程が終わった次に下部基板をカバー上に位置するようにしてＵＶ光をマスクを通じて照射して封止工程を完成する。
【００５２】
本発明で説明の便宜のために言及しなかったが、本発明の画素領域２６０には半導体層（図示せず）、ゲート電極（図示せず）及びソース／ドレイン電極（図示せず）で構成された薄膜トランジスタ（図示せず）が形成されている。
【００５３】
また、前記共通電源供給Ｖｄｄライン３２０上部の無機絶縁膜３３０上部に図３で言及した第２電極電源供給ライン３３５を形成して第２電極（図示せず）に所定の電圧を供給してＩＲドロップ（ｄｒｏｐ）を防止することができる。
【００５４】
だけでなく、前記第２電極電源供給ライン３３５を前記共通電源供給Ｖｄｄライン３２０上部の垂直な面に形成することによって、前記第２電極電源供給ライン３３５が形成される領域を減らすことができる。これで、デッドスペース（ｄｅａｄ  ｓｐａｃｅ）領域を減らして全体的にパネル大きさをコンパクト化することができる。前記第２電極電源供給ライン３３５は画素領域２６０のソース／ドレイン電極（図示せず）形成時形成される。
【００５５】
図５は本発明の第２実施形態による有機電界発光表示素子の非画素領域に封止剤、共通電源供給Ｖｄｄライン及び第２電極電源供給ラインが形成されていることを示す平面図である。
【００５６】
図５を参照すると、本発明の第２実施形態による有機電界発光表示素子４５０は複数の画素を具備した画素領域４６０と画素領域４６０の上側と左、右側に配列されて電源電圧を印加するための共通電源供給Ｖｄｄライン５２０と、データ信号を出力するデータドライバ（図示せず）と選択信号を出力するスキャンドライバ（図示せず）が装着されている駆動ＩＣ  ４７０で構成される。
【００５７】
前記有機電界発光表示素子４５０は画素領域４６０の一側に形成される第２電極電源供給ライン４３５をさらに含む。前記第２電極電源供給ライン４３５は上部に形成される第２電極（図示せず）と連結して、外部端子から前記第２電源供給ライン４３５に提供される第２電極電圧がコンタクトホール（図示せず）を介して前記第２電極（図示せず）に提供される。前記第２電極電源供給ライン４３５は画素領域４６０のソース／ドレイン電極（図示せず）形成時形成される。
【００５８】
また、前記画素領域４６０を取り囲んで上、下部基板を合着するために封止剤５６０が形成されている。
【００５９】
図６は図５のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿って切断された断面図であって、本発明の第２実施形態による有機電界発光表示素子に封止剤が形成されていることを示す断面図である。
【００６０】
図６を参照すると、本発明の第２実施形態による有機電界発光表示素子は画素領域４６０と非画素領域ｂを有する基板５００を提供する。前記基板５００はガラス、石英またはプラスチックのような透明基板である。前記基板５００上部の全面にかけてシリコン窒化膜、シリコン酸化膜またはこれらの二重層でなったゲート絶縁膜５１０を形成する。前記ゲート絶縁膜５１０はＰＥＣＶＤまたはＬＰＣＶＤを遂行して形成する。
【００６１】
続いて、前記非画素領域ｂ上のゲート絶縁膜５１０上部に共通電源供給Ｖｄｄライン５２０をパターニングして形成する。前記共通電源供給Ｖｄｄライン５２０はゲート電極物質と同じ物質を蒸着した後パターニングして形成する。望ましくは、前記共通電源Ｖｄｄライン５２０はゲート電極（図示せず）と同時に形成する。
【００６２】
前記共通電源供給Ｖｄｄライン５２０を含んだ基板全面にかけてシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）５３０ａとシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）５３０ｂの二重層で構成された無機絶縁膜５３０を形成する。望ましくは、前記無機絶縁膜５３０はシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）５３０ａ、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）５３０ｂを連続蒸着して形成した後３８０℃で水素化処理して形成する。
【００６３】
続いて、前記非画素領域ｂ上の無機絶縁膜５３０上部に前記共通電源供給Ｖｄｄライン５２０と垂直な面に対応して前記無機絶縁膜５３０の表面一部を露出させる開口部５４５を含む有機膜である平坦化膜５４０を形成する。
【００６４】
前記ゲート絶縁膜５１０、共通電源供給Ｖｄｄライン５２０、無機絶縁膜５３０及び平坦化膜５４０の形成物質及び方法は本発明による第１実施形態と同じである。
【００６５】
これで、前記平坦化膜５４０を開口部５４５を有するようにエッチングすることによって、後続工程の封止工程時無機絶縁膜５３０とコンタクトする封止剤領域を確保することができる。
【００６６】
続いて、前記平坦化膜５４０上部に封止剤５６０を付着した封止基板（図示せず）を前記下部基板５００と合着する。
【００６７】
この時、前記封止剤は光硬化性または熱硬化性エポキシ樹脂であることが望ましく、前記封止剤５６０は前記平坦化膜５４０の開口部５４５内の無機絶縁膜５３０とコンタクトするように形成する。
【００６８】
前記封止剤５６０を前記無機絶縁膜５３０であるシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）とコンタクトさせることによって、接着力が向上することができる。
【００６９】
また、封止時平坦化膜５４０の開口部５４５内に封止剤５６０が接着されることによって上、下部基板を接触する時物理的な力が加えられても前記基板に形成されている封止剤５６０が画素領域４６０の素子（図示せず）内部に浸透されることができる可能性が低くなり画素領域４６０内部の素子損傷を防止して製品信頼性を向上させることができる。
【００７０】
前記平坦化膜５４０上部の封止剤５６０が形成された領域の一側には空いた空間（Ｖａｃａｎｃｙ）が形成されている。前記空いた空間には充填剤（Ｆｉｌｌｅｒ）をさらに含んで形成することができる。
【００７１】
本発明で説明の便宜のために言及しなかったが、本発明の画素領域４６０には半導体層（図示せず）、ゲート電極（図示せず）及びソース／ドレイン電極（図示せず）で構成された薄膜トランジスタ（図示せず）が形成されている。
【００７２】
前記では本発明の望ましい実施形態を参照しながら説明したが、該技術分野の熟練された当業者は特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域から外れない範囲内で本発明を多様に修正及び変更させることができることを理解することができることである。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】従来技術による有機電界発光表示素子の非画素領域に封止剤、共通電源供給Ｖｄｄライン及び第２電極電源供給ラインが形成されていることを示す平面図である。
【図２】図１のＩ−Ｉ線に沿って切断された断面図で、従来技術による有機電界発光表示素子に封止剤が形成されていることを示す断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態による有機電界発光表示素子の非画素領域に封止剤、共通電源供給Ｖｄｄライン及び第２電極電源供給ラインが形成されていることを示す平面図である。
【図４】図３のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断された断面図で、本発明の第１実施形態による有機電界発光表示素子に封止剤が形成されることを示す断面図である。
【図５】本発明の第２実施形態による有機電界発光表示素子の非画素領域に封止剤、共通電源供給Ｖｄｄライン及び第２電極電源供給ラインが形成されていることを示す平面図である。
【図６】図５のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿って切断された断面図で、本発明の第２実施形態による有機電界発光表示素子に封止剤が形成されることを示す断面図である。
【符号の説明】
【００７４】
１２０  層間絶縁膜
５０、２５０、４５０  有機電界発光表示素子
６０、２６０、４６０  画素領域
２７０、４７０  駆動ＩＣ
１００、３００、５００  基板
１１０、３１０、５１０  ゲート絶縁膜
１３０、３２０、５２０  共通電源供給Ｖｄｄライン
３３０、５３０  無機絶縁膜
３３０ａ、５３０ａ  シリコン酸化膜
３３０ｂ、５３０ｂ  シリコン窒化膜
３３５、４３５  第２電極電源供給ライン
１４０、３４０、５４０  平坦化膜
３４５、５４５  開口部
１６０、３６０、５６０  封止剤
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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