(57)【要約】      （修正有）【課題】鮮鋭性の向上した放射線画像変換パネル、その製造方法及び製造装置を提供する。【解決手段】輝尽性蛍光体または輝尽性蛍光体原料を含む蒸発源３を蒸着装置１内で加熱して発生する物質を支持体１１上に蒸着させることにより輝尽性蛍光体層を形成する放射線画像変換パネルの製造方法において、蒸発源ボート容積に対する蒸発源の充填率が４０〜１００％であることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
輝尽性蛍光体または輝尽性蛍光体原料を含む蒸発源を蒸着装置内で加熱して発生する物質を支持体上に蒸着させることにより輝尽性蛍光体層を形成する放射線画像変換パネルの製造方法において、蒸発源ボート容積に対する蒸発源の充填率が４０〜１００％であることを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
【請求項２】
前記充填率が５０〜９０％であることを特徴とする請求項１に記載の放射線画像変換パネルの製造方法。
【請求項３】
前記輝尽性蛍光体または輝尽性蛍光体原料が下記一般式（１）で表される化合物であることを特徴とする請求項１または２に記載の放射線画像変換パネルの製造方法。
一般式（１）
Ｍ1Ｘ・ａＭ2Ｘ′2・ｂＭ3Ｘ″3：ｅＡ
（式中、Ｍ1はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属であり、Ｍ2はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉの各原子から選ばれる少なくとも１種の２価金属であり、Ｍ3はＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎの各原子から選ばれる少なくとも１種の３価金属であり、Ｘ、Ｘ′及びＸ″はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩの各原子から選ばれる少なくとも１種のハロゲンであり、ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇの各原子から選ばれる少なくとも１種の金属であり、また、ａ、ｂ、ｅはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｅ＜１．０の範囲の数値を表す。）
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネルの製造方法に用いられることを特徴とする放射線画像変換パネルの製造装置。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネルの製造方法で得られることを特徴とする放射線画像変換パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線画像変換パネル、その製造方法及び製造装置に関し、詳しくは鮮鋭性の向上した放射線画像変換パネル、その製造方法及び製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、Ｘ線等の放射線が照射されると、放射線エネルギーの一部を吸収蓄積し、その後可視光線や赤外線等の電磁波（励起光）の照射を受けると、蓄積した放射線エネルギーに応じて発光を示す性質を有する輝尽性蛍光体（蓄積性蛍光体）を利用した放射線画像記録再生方法が広く実用に供されている。
【０００３】
具体的には、輝尽性蛍光体を含有するシート状の放射線画像変換パネルに、被検体を透過したあるいは被検体から発せられた放射線を照射して、被検体の放射線画像情報を一旦蓄積記録した後、パネルにレーザ光等の励起光を走査して順次発光光として放出させ、この発光光を光電的に読み取って画像信号を得ることにより最終画像を形成する。読み取りを終えたパネルは、次の撮影のために備えて残存する放射線エネルギーの消去が行われ、繰り返し使用される。
【０００４】
放射線画像記録再生方法に用いられる放射線画像変換パネルは、基本構造として、支持体（基体）とその上に設けられた蛍光体層とからなるものである（蛍光体層が自己支持性である場合には支持体を必要としない）。また、蛍光体層の上面（支持体に面していない側の面）には通常、保護層が設けられていて、蛍光体層を化学的な変質あるいは物理的な衝撃から保護している。
【０００５】
蛍光体層としては、輝尽性蛍光体とこれを分散状態で含有支持する結合剤とからなるもの、蒸着法や焼結法によって形成される結合剤を含まないで輝尽性蛍光体の凝集体のみから構成されるもの、及び輝尽性蛍光体の凝集体の間隙に高分子物質が含浸されているもの等が知られている。
【０００６】
また、上記放射線画像記録再生方法の中には、放射線吸収機能とエネルギー蓄積機能とを分離して、放射線を吸収して紫外ないし可視領域に発光を示す蛍光体（放射線吸収用蛍光体）を含有する蛍光スクリーンと輝尽性蛍光体（エネルギー蓄積用蛍光体）を含有する放射線画像変換パネルとの組合せを用いる放射線画像形成方法がある。この方法は、被検体を透過した放射線をまず、スクリーンまたはパネルの放射線吸収用蛍光体により紫外ないし可視領域の光に変換した後、その光をエネルギー蓄積用蛍光体にて放射線画像情報として蓄積記録する。次いで、このパネルに励起光を走査して発光光を放出させ、この発光光を光電的に読み取って画像信号を得るものである。
【０００７】
放射線画像記録再生方法（及び放射線画像形成方法）は、確かに数々の優れた利点を有する方法であるが、この方法において要となる放射線画像変換パネルは、できる限り高感度であって、かつ画質（鮮鋭度、粒状性等）の良好な画像を与えるものである必要がある。
【０００８】
感度及び画質を高める目的のため、例えば特公平６−７７０７９号公報に記載されているように、蛍光体層を気相堆積法により形成する放射線画像変換パネルの製造方法が提案されている。気相堆積法には蒸着法やスパッタ法等があり、例えば蒸着法は、蛍光体またはその原料からなる蒸発源を抵抗加熱器や電子線の照射により加熱して蒸発源を蒸発、飛散させ、金属シート等の基板表面にその蒸発物を堆積させることにより、蛍光体の柱状結晶からなる蛍光体層を形成するものである。
【０００９】
気相堆積法により形成された蛍光体層は、結合剤を含有せず、蛍光体のみからなり、蛍光体の柱状結晶と柱状結晶の間には空隙（クラック）が存在する。このため、励起光の進入効率や発光光の取出し効率を上げることができるので高感度であり、また励起光の平面方向への散乱を防ぐことができるので高鮮鋭度の画像を与えることができる。
【００１０】
特許文献１には、ユーロピウム賦活ハロゲン化セシウム（ＣｓＸ：Ｅｕ）輝尽性蛍光体を基板上に蒸着（一元蒸着）させることからなる放射線画像変換パネルの製造方法が開示されている。しかしながら、得られた蒸着膜中に賦活剤Ｅｕの濃度分布が生じることについても、さらにはＥｕ濃度分布を解消するための手段についても、全く記載されていない。また、特許文献２には、成膜材料をルツボに供給する材料供給手段については記載されているものの、ＥｕとＣｓが別々の２源蒸着であり、材料の充填量についても記載されていない。
【特許文献１】国際公開第０１／０３１５６号パンフレット
【特許文献２】特開２００３−１８３８１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、その目的は、鮮鋭性の向上した放射線画像変換パネル、その製造方法及び製造装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の上記課題は、以下の構成により達成される。
【００１３】
（請求項１）
輝尽性蛍光体または輝尽性蛍光体原料を含む蒸発源を蒸着装置内で加熱して発生する物質を支持体上に蒸着させることにより輝尽性蛍光体層を形成する放射線画像変換パネルの製造方法において、蒸発源ボート容積に対する蒸発源の充填率が４０〜１００％であることを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
【００１４】
（請求項２）
前記充填率が５０〜９０％であることを特徴とする請求項１に記載の放射線画像変換パネルの製造方法。
【００１５】
（請求項３）
前記輝尽性蛍光体または輝尽性蛍光体原料が下記一般式（１）で表される化合物であることを特徴とする請求項１または２に記載の放射線画像変換パネルの製造方法。
【００１６】
一般式（１）
Ｍ1Ｘ・ａＭ2Ｘ′2・ｂＭ3Ｘ″3：ｅＡ
（式中、Ｍ1はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属であり、Ｍ2はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉの各原子から選ばれる少なくとも１種の２価金属であり、Ｍ3はＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎの各原子から選ばれる少なくとも１種の３価金属であり、Ｘ、Ｘ′及びＸ″はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩの各原子から選ばれる少なくとも１種のハロゲンであり、ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇの各原子から選ばれる少なくとも１種の金属であり、また、ａ、ｂ、ｅはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｅ＜１．０の範囲の数値を表す。）
（請求項４）
請求項１〜３のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネルの製造方法に用いられることを特徴とする放射線画像変換パネルの製造装置。
【００１７】
（請求項５）
請求項１〜３のいずれか１項に記載の放射線画像変換パネルの製造方法で得られることを特徴とする放射線画像変換パネル。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、鮮鋭性の向上した放射線画像変換パネル、その製造方法及び製造装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明者は鋭意研究の結果、輝尽性蛍光体または輝尽性蛍光体原料を含む蒸発源を蒸着装置内で加熱して発生する物質を支持体上に蒸着させることにより輝尽性蛍光体層を形成する放射線画像変換パネルの製造方法において、蒸発源ボート容積に対する蒸発源の充填率を４０〜１００％とすることにより、鮮鋭性の向上した放射線画像変換パネルの製造方法が得られることを見出した。
【００２０】
放射線画像変換パネルの製造方法の詳細については後述するが、融点の異なる２成分、例えばＣｓＢｒとＥｕを蒸発源として同時に蒸着する時に、蒸発源ボート容積に対する蒸発源（輝尽性蛍光体原料）の充填率が低いと、加熱溶融時に蒸発源ボート内の温度が不均一になりやすく、蒸着膜中の賦活剤、この場合Ｅｕの濃度が不均一になり、鮮鋭性が低下するものと推定される。本発明では充填率を高めることによりボート内の温度の不均一が解消され、蒸着膜中の賦活剤濃度が均一になり、鮮鋭性が向上するものと推定している。
【００２１】
なお、蒸着の進行に伴い蒸発源は消費され当初の充填率から低下するが、蒸着開始前の充填率が４０〜１００％、好ましくは５０〜１００％であれば鮮鋭性の向上した放射線画像変換パネルが得られることを本発明者は確認している。
【００２２】
以下、本発明について詳細に説明する。
【００２３】
本発明の放射線画像変換パネルは、支持体と、該支持体上に気相堆積法により輝尽性蛍光体の柱状結晶により形成された輝尽性蛍光体層を備え、必要に応じて該輝尽性蛍光体層を保護する保護層が設けられている。
【００２４】
〔支持体〕
本発明に係る支持体は従来の放射線画像変換パネルの支持体として公知の材料から任意に選ぶことができるが、気相堆積法により蛍光体層を形成する際の支持体となる場合には、石英ガラスシート、アルミニウム、鉄、スズ、クロム等からなる金属シート及び炭素繊維強化樹脂シートが好ましい。
【００２５】
支持体には、その表面を平滑な面とするために樹脂層を有してもよい。樹脂層は、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、パラフィン、グラファイト等の化合物を含有することが好ましく、その膜厚は５〜５０μｍであることが好ましい。この樹脂層は、支持体の表面に設けても裏面に設けても両面に設けてもよい。
【００２６】
また、支持体上に樹脂層を設ける手段としては、貼合法、塗設法等の手段が挙げられる。貼合法は加熱、加圧ローラを用いて行い、加熱条件としては８０〜１５０℃が好ましく、加圧条件としては４．９０×１０〜２．９４×１０2Ｎ／ｃｍ、搬送速度は０．１〜２．０ｍ／秒が好ましい。
【００２７】
〔輝尽性蛍光体〕
本発明に係る輝尽性蛍光体は、気相堆積法により形成される柱状結晶であれば特に制限はないが、本発明では前記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体が好ましい。
【００２８】
前記一般式（１）において、Ｍ1は、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓからなる群から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属を表し、中でもＲｂ及びＣｓが好ましく、さらに好ましくはＣｓ原子である。
【００２９】
Ｍ2は、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉの各原子から選ばれる少なくとも１種の２価の金属原子を表し、中でも好ましく用いられるのは、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａである。
【００３０】
Ｍ3は、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎの各原子から選ばれる少なくとも１種の３価金属を表し、中でも好ましく用いられるのはＹ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ａｌ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｇａ及びＩｎである。
【００３１】
輝尽性蛍光体の輝尽発光輝度向上の観点から、Ｘ、Ｘ′及びＸ″はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩの各原子から選ばれる少なくとも１種のハロゲンを表すが、Ｆ、Ｃｌ及びＢｒが好ましく、Ｂｒがさらに好ましい。
【００３２】
Ａは、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇの各原子から選ばれる少なくとも１種の金属原子を表し、中でも好ましく用いられるのはＥｕである。
【００３３】
また、ｂ値は０≦ｂ＜０．５であるが、好ましくは０≦ｂ＜１０-2である。
【００３４】
〔輝尽性蛍光体の製造方法、製造装置〕
一般式（１）で表される輝尽性蛍光体は、例えば以下に述べる方法、製造装置により製造される。
【００３５】
蛍光体原料としては、
（ａ）ＮａＦ、ＮａＣｌ、ＮａＢｒ、ＮａＩ、ＫＦ、ＫＣｌ、ＫＢｒ、ＫＩ、ＲｂＦ、ＲｂＣｌ、ＲｂＢｒ、ＲｂＩ、ＣｓＦ、ＣｓＣｌ、ＣｓＢｒ及びＣｓＩから選ばれる少なくとも１種または２種以上の化合物が用いられる。
【００３６】
（ｂ）ＭｇＦ2、ＭｇＣｌ2、ＭｇＢｒ2、ＭｇＩ2、ＣａＦ2、ＣａＣｌ2、ＣａＢｒ2、ＣａＩ2、ＳｒＦ2、ＳｒＣｌ2、ＳｒＢｒ2、ＳｒＩ2、ＢａＦ2、ＢａＣｌ2、ＢａＢｒ2、ＢａＢｒ2・２Ｈ2Ｏ、ＢａＩ2、ＺｎＦ2、ＺｎＣｌ2、ＺｎＢｒ2、ＺｎＩ2、ＣｄＦ2、ＣｄＣｌ2、ＣｄＢｒ2、ＣｄＩ2、ＣｕＦ2、ＣｕＣｌ2、ＣｕＢｒ2、ＣｕＩ、ＮｉＦ2、ＮｉＣｌ2、ＮｉＢｒ2及びＮｉＩ2の化合物から選ばれる少なくとも１種または２種以上の化合物が用いられる。
【００３７】
（ｃ）Ｅｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｓ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇの各原子から選ばれる金属原子を有する化合物が用いられる。
【００３８】
上記の数値範囲の混合組成になるように前記（ａ）〜（ｃ）の蛍光体原料を秤量し、純水にて溶解する。
【００３９】
この際、乳鉢、ボールミル、ミキサーミル等を用いて充分に混合してもよい。
【００４０】
次に、得られた水溶液のｐＨ値Ｃを０＜Ｃ＜７になるように酸を加えた後、水分を蒸発気化させる。
【００４１】
次に、得られた原料混合物を石英ルツボまたはアルミナルツボ等の耐熱性容器に充填して電気炉中で焼成を行う。焼成温度は５００〜１０００℃が好ましい。焼成時間は原料混合物の充填量、焼成温度等によって異なるが、０．５〜６時間が好ましい。
【００４２】
焼成雰囲気としては少量の水素ガスを含む窒素ガス雰囲気、少量の一酸化炭素を含む炭酸ガス雰囲気等の弱還元性雰囲気、窒素ガス雰囲気、アルゴンガス雰囲気等の中性雰囲気あるいは少量の酸素ガスを含む弱酸化性雰囲気が好ましい。
【００４３】
なお、前記の焼成条件で一度焼成した後、焼成物を電気炉から取り出して粉砕し、しかる後、焼成物粉末を再び耐熱性容器に充填して電気炉に入れ、前記と同じ焼成条件で再焼成を行えば輝尽性蛍光体の発光輝度をさらに高めることができ、また、焼成物を焼成温度より室温に冷却する際、焼成物を電気炉から取り出して空気中で放冷することによっても所望の輝尽性蛍光体を得ることができるが、焼成時と同じ、弱還元性雰囲気または中性雰囲気のままで冷却してもよい。
【００４４】
また、焼成物を電気炉内で加熱部より冷却部へ移動させて、弱還元性雰囲気、中性雰囲気または弱酸化性雰囲気で急冷することにより、得られた輝尽性蛍光体の輝尽による発光輝度をより一層高めることができ好ましい。
【００４５】
また、本発明の輝尽性蛍光体層は気相堆積法によって形成される。
【００４６】
輝尽性蛍光体の気相堆積法としては、蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、その他を用いることができるが、本発明では特に蒸着法が好ましい。
【００４７】
以下、本発明に好適な蒸着法について説明する。なお、ここでは図１に示す蒸着装置を使用して支持体に輝尽性蛍光体を蒸着するので、蒸着装置とともに説明する。
【００４８】
図１に示すように、蒸着装置１は、真空容器２と、真空容器２内に設けられて支持体１１に蒸気を蒸着させる蒸発源３と、支持体１１を保持する支持体ホルダ４と、該支持体ホルダ４を蒸発源３に対して回転させることによって蒸発源３からの蒸気を蒸着させる支持体回転機構５と、真空容器２内の排気及び大気の導入を行う真空ポンプ６等を備えている。
【００４９】
蒸発源３は、輝尽性蛍光体を収容して抵抗加熱法で加熱するため、ヒータを巻いたアルミナ製のルツボから構成してもよいし、ボートや高融点金属からなるヒータから構成してもよい。また、輝尽性蛍光体を加熱する方法は、抵抗加熱法以外に電子ビームによる加熱や、高周波誘導による加熱等の方法でもよいが、本発明では、比較的簡単な構成で取り扱いが容易、安価、かつ、非常に多くの物質に適用可能である点から抵抗加熱法が好ましい。また、蒸発源３は分子源エピタキシャル法による分子線源でもよい。
【００５０】
支持体回転機構５は、例えば、支持体ホルダを支持するとともに支持体ホルダ４を回転させる回転軸５ａと、真空容器２外に配置されて回転軸５ａの駆動源となるモータ（図示しない）等から構成されている。
【００５１】
また、支持体ホルダ４には、支持体１１を加熱する加熱ヒータ（図示しない）を備えることが好ましい。支持体１１を加熱することによって、支持体１１表面の吸着物を離脱・除去し、支持体１１表面と輝尽性蛍光体との間に不純物層の発生を防いだり、密着性の強化や輝尽性蛍光体層の膜質調整を行うことができる。さらに、支持体１１と蒸発源３との間に、蒸発源３から支持体１１に至る空間を遮断するシャッタ７を備えている。シャッタによって輝尽性蛍光体の表面に付着した目的物以外の物質が蒸着の初期段階で蒸発し、支持体に付着するのを防ぐことができる。
【００５２】
このように構成された蒸着装置１を使用して、支持体１１に輝尽性蛍光体層を形成するには、まず、支持体ホルダ４に支持体１１を取り付ける。
【００５３】
次いで、真空容器２内を真空排気する。その後、支持体回転機構５により支持体ホルダ４を蒸発源３に対して回転させ、蒸着可能な真空度に真空容器２が達したら、加熱された蒸発源３から輝尽性蛍光体を蒸発させて、支持体１１表面に輝尽性蛍光体を所望の厚さに成長させる。この場合に、支持体１１と蒸発源３との間隔は１００〜１５００ｍｍに設置するのが好ましい。
【００５４】
また、前記蒸着工程では複数回に分けて輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。さらに、前記蒸着工程では複数の抵抗加熱器あるいはエレクトロンビームを用いて共蒸着し、支持体上で目的とする輝尽性蛍光体を合成すると同時に輝尽性蛍光体層を形成することも可能である。
【００５５】
また、蒸着法においては、蒸着時、必要に応じて被蒸着体（支持体、保護層または中間層）を冷却あるいは加熱してもよい。
【００５６】
さらに、蒸着終了後、輝尽性蛍光体層を加熱処理してもよい。また、蒸着法においては必要に応じてＯ2、Ｈ2等のガスを導入して蒸着する反応性蒸着を行ってもよい。
【００５７】
形成する輝尽性蛍光体層の膜厚は、放射線画像変換パネルの使用目的によって、また輝尽性蛍光体の種類により異なるが、本発明の効果を得る観点から５０〜２０００μｍであり、好ましくは５０〜１０００μｍであり、さらに好ましくは１００〜８００μｍである。
【００５８】
上記の気相堆積法による輝尽性蛍光体層の形成にあたり、輝尽性蛍光体層が形成される支持体の温度は、室温〜３００℃に設定することが好ましく、さらに好ましくは５０〜２００℃である。
【００５９】
〔保護層〕
以上のようにして輝尽性蛍光体層を形成した後、必要に応じて輝尽性蛍光体層の支持体とは反対の側に保護層を設けることにより放射線画像変換パネルが得られる。保護層は、保護層用塗布液を輝尽性蛍光体層の表面に直接塗布して形成もよいし、また、予め別途形成した保護層を輝尽性蛍光体層に接着してもよい。
【００６０】
保護層の材料としては、酢酸セルロース、ニトロセルロース、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリ塩化ビニリデン、ナイロン、ポリ四フッ化エチレン、ポリ三フッ化−塩化エチレン、四フッ化エチレン−六フッ化プロピレン共重合体、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体等の通常の保護層用材料が用いられる。他に透明なガラス基板を保護層として用いることもできる。
【００６１】
また、この保護層は蒸着法、スパッタリング法等により、ＳｉＣ、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、Ａｌ2Ｏ3等の無機物質を積層して形成してもよい。これらの保護層の層厚は０．１〜２０００μｍが好ましい。
【実施例】
【００６２】
以下、実施例を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されない。なお、特に断りない限り、実施例中の「％」は「質量％」を表す。
【００６３】
実施例
〔放射線画像変換パネルの作製〕
アルミニウムからなる支持体の片面に輝尽性蛍光体（ＣｓＢｒ：０．０００５Ｅｕ）を、図１に示す蒸着装置１を使用し、下記のようにして蒸着させ輝尽性蛍光体層を形成した。
【００６４】
まず、上記蛍光体原料を蒸着材料として、表１に記載のように、ボート容量の異なる抵抗加熱ボート（ルツボ）に、蒸着材料の充填率を変えて充填し、回転する支持体ホルダ４に支持体１１を取り付け、支持体１１と蒸発源３との間隔を８００ｍｍに調節した。続いて蒸着装置１内を一旦排気し、Ａｒガスを導入して０．１Ｐａに真空度を調整した後、１０ｒｐｍの速度で支持体１１を回転しながら支持体１１の温度を１００℃に保持した。次いで、抵抗加熱ルツボを加熱して所定時間が経過したところでシャッターを開けて輝尽性蛍光体を蒸着し、輝尽性蛍光体層の膜厚が５００μｍとなったところでシャッターを閉じて蒸着を終了させた。
【００６５】
次いで、乾燥空気内で輝尽性蛍光体層を保護層袋に入れ、輝尽性蛍光体層が密封された構造の放射線画像変換パネルを得た。
【００６６】
〔放射線画像変換パネルの評価〕
得られた放射線画像変換パネルについて下記のような評価を行った。
【００６７】
（鮮鋭性）
放射線画像変換パネルにＣＴＦチャートを貼付けた後、管電圧８０ｋＶＰ−ＰのＸ線を１０ｍＲ（管球からパネルまでの距離：１．５ｍ）照射した後、半導体レーザ光（発振波長：７８０ｎｍ、ビーム径：１００μｍ）で走査して輝尽励起し、ＣＴＦチャート像を輝尽性蛍光体層から放射される輝尽発光として読取り、光検出器（光電子増倍管）で光電変換して画像信号を得た。この信号値により、画像の変調伝達関数（ＭＴＦ）を調べ、放射線画像変換パネル１の値を１００として相対値で示した。なお、ＭＴＦは、空間周波数が１サイクル／ｍｍの時の値である。
【００６８】
【表１】
2006152199.tif 000003
【００６９】
表より、本発明の放射線画像変換パネルは比較例に比べ鮮鋭性が優れていることが分かる。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】蒸着装置の概略構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【００７１】
１  蒸着装置
２  真空容器
３  蒸発源
５  支持体回転機構
７  シャッター
１１  支持体
【図１】
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