(57)【要約】【課題】  配線の狭ピッチ化が可能な配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】  （ａ）導電性材料からなる仮基板１３の表面にレジスト１４をパターニングして、（ｂ）電解メッキ法により配線１６を形成する工程と、（ｃ）仮基板１３の表面からレジストを除去し、（ｄ）配線１６を覆うように樹脂層２３を形成する工程と、（ｅ）仮基板をウエットエッチングにより除去して、配線基板２０を形成する工程と、を有する構成とした。【選択図】        図１
2006318963.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１材料を含む仮基体の表面に配線を形成する工程と、
前記配線を覆うように、前記仮基体の表面に樹脂層を形成する工程と、
前記仮基体を除去する工程と、
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記配線の形成は、導電性材料からなる前記仮基体の表面にマスク材をパターニングして、電解メッキ法により行うことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記樹脂層の形成は、スプレー塗布によって行うことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記仮基体は、第２材料からなる基体の表面に前記第１材料からなる分離層が形成されてなることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記樹脂層の形成工程では、前記仮基体の表面に複数の前記樹脂層を離間配設し、
前記仮基体を除去して、複数の配線基板を得ることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記樹脂層の形成工程では、一対の前記仮基体の表面間に前記樹脂層を配設することを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記一対の仮基体の表面間に前記樹脂層を配設する工程は、一対の前記仮基体のうち第１の前記仮基体の表面に樹脂シートを圧着し、前記樹脂シートの表面に一対の前記仮基体のうち第２の前記仮基体を圧着することによって行うことを特徴とする請求項６に記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記仮基体を除去する工程は、前記配線の構成材料に対するエッチングレートより前記第１材料に対するエッチングレートが大きいエッチャントを用いて、前記仮基体をエッチングすることによって行うことを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記第１材料は銅を主成分とし、前記配線は金を主成分とし、前記エッチャントは塩化第２鉄を主成分とすることを特徴とする請求項８に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の配線基板の製造方法を使用して製造したことを特徴とする配線基板。
【請求項１１】
請求項１０に記載の配線基板を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造方法、配線基板および電気光学装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
各種の電子機器において、配線基板が利用されている。配線基板は、エポキシ等の樹脂層の表面に、Ａｕ等の導電性材料からなる複数の配線を所定パターンに形成したものである。その配線形成方法として、サブトラクティブ法が利用されている。サブトラクティブ法とは、樹脂層の表面にスパッタ形成した導電層を、フォトリソグラフィによりパターニングする方法である。
【特許文献１】特開２００１−２４４６０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
近時では、電子機器の小型化に伴って、配線基板の小型化が要求されている。配線基板を小型化するためには、配線を狭ピッチ化する必要がある。ところが、上述したサブトラクティブ法による配線ピッチは４０μｍ程度が限界であり、更なる狭ピッチ化が要求されている。
【０００４】
そこで特許文献１には、樹脂の射出成型により配線用の溝を有する基板を形成し、その溝に導電ペーストを充填し、最後に精密研磨して表面のコンタミ層（残存する導電ペースト）を除去する方法が提案されている。この方法によれば、２５μｍレベルの細線パターンが可能とされている。しかしながらこの方法では、コンタミ層を除去するための研磨工程が必要であり工程が煩雑化する。また樹脂に金属粉を添加した導電ペーストの抵抗値（１０−４Ωｃｍのオーダー）は、金属の抵抗値（１０−６Ωｃｍのオーダー）よりも高くなる。
【０００５】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、配線の狭ピッチ化が可能な配線基板の製造方法の提供を目的とする。また小型化が可能な配線基板および電気光学装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明に係る配線基板の製造方法は、第１材料を含む仮基体の表面に配線を形成する工程と、前記配線を覆うように、前記仮基体の表面に樹脂層を形成する工程と、前記仮基体を除去する工程と、を有することを特徴とする。
この構成によれば、硬質の仮基体の表面に配線を形成することができるので、樹脂層の表面に配線を形成する場合と比べて、配線のパターニング精度を向上させることが可能になる。したがって、配線を狭ピッチ化することができる。
【０００７】
また前記配線の形成は、導電性材料からなる前記仮基体の表面にマスク材をパターニングして、電解メッキ法により行うことが望ましい。
この構成によれば、硬質の仮基体の表面にマスク材をパターニングするので、樹脂層の表面にマスク材をパターニングする場合と比べて、パターニング精度を向上させることができる。しかもメッキ法により配線を形成するので、従来のサブトラクティブ法と比べて配線を狭ピッチ化することができる。さらに仮基体を導電性材料で構成して電解メッキ法により配線を形成するので、無電解メッキ法と比べて短時間で簡単に配線を形成することができる。
【０００８】
また前記樹脂層の形成は、スプレー塗布によって行うことが望ましい。
この構成によれば、所望の厚さを有する平坦な樹脂層を簡単に形成することができる。
【０００９】
また前記仮基体は、第２材料からなる基体の表面に前記第１材料からなる分離層が形成されてなることが望ましい。
この構成によれば、第１材料の消費量を低減することが可能になり、また仮基体の除去時間を短縮することが可能になり、さらに基体を再利用することが可能になる。したがって、配線基板を効率的かつ低コストに製造することができる。
【００１０】
また前記樹脂層の形成工程では、前記仮基体の表面に複数の前記樹脂層を離間配設し、前記仮基体を除去して、複数の配線基板を得ることが望ましい。
この構成によれば、１個の配線基板を形成する場合と比べて実質的に工程数を増加させることなく、複数の配線基板を形成することができる。
【００１１】
また前記樹脂層の形成工程では、一対の前記仮基体の表面間に前記樹脂層を配設することが望ましい。
この構成によれば、片面配線基板を形成する場合と比べて実質的に工程数を増加させることなく、両面配線基板を形成することができる。
【００１２】
また前記一対の仮基体の表面間に前記樹脂層を配設する工程は、一対の前記仮基体のうち第１の前記仮基体の表面に樹脂シートを圧着し、前記樹脂層の表面に一対の前記仮基体のうち第２の前記仮基体を圧着することによって行うことが望ましい。
この構成によれば、簡単なプロセスで両面配線基板を形成することができる。
【００１３】
また前記仮基体を除去する工程は、前記配線の構成材料に対するエッチングレートより前記第１材料に対するエッチングレートが大きいエッチャントを用いて、前記仮基体をエッチングすることによって行うことが望ましい。
この構成によれば、配線を残しつつ仮基体のみを除去することが可能になる。したがって、配線基板を効率的に製造することができる。
【００１４】
また前記第１材料は銅を主成分とし、前記配線は金を主成分とし、前記エッチャントは塩化第２鉄を主成分とすることが望ましい。
塩化第２鉄をエッチャントとするエッチングでは、金に対するエッチングレートより、銅に対するエッチングレートが大きくなる。したがって、配線を残しつつ仮基体のみを除去することが可能になり、配線基板を効率的に製造することができる。
【００１５】
一方、本発明に係る配線基板は、上述した配線基板の製造方法を使用して製造したことを特徴とする。
この構成によれば、狭ピッチの配線を備えた小型の配線基板を提供することができる。
【００１６】
一方、本発明に係る電気光学装置は、上述した配線基板を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、狭ピッチの配線を備えた小型の電気光学装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態につき、図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００１８】
［第１実施形態］
最初に、本発明の第１実施形態について説明する。
図１（ｅ）は第１実施形態に係る配線基板の側面断面図である。第１実施形態に係る配線基板２０は、樹脂層２３の表面に複数の配線１６を所定パターンに形成したものである。この樹脂層２３は、液晶ポリマーやポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンスルフィド等の熱可塑性樹脂、またはポリイミド樹脂やエポキシ樹脂、ＢＴレジン等の熱硬化性樹脂により、厚さ１００μｍ程度の平板状に形成されている。また配線１６は、ＡｕやＡｇ、Ｐｔ、Ｐｄ等の貴金属材料により、厚さ３〜５μｍ程度に形成されている。なお配線１６の側面にも樹脂層２３が密着しているので、配線１６が樹脂層２３から剥離しにくい構造となっている。
【００１９】
［配線基板の製造方法］
次に、第１実施形態に係る配線基板の製造方法につき、図１を用いて説明する。
図１は、第１実施形態に係る配線基板の製造方法の工程図である。
【００２０】
まず図１（ａ）に示すように、仮基板（仮基体）１３を準備する。なお仮基板１３の材質については後述する。次に仮基板１３の表面にレジスト（マスク材）１４を塗布し、フォトリソグラフィにより配線の形成位置に開口部１６ｐをパターニングする。
次に図１（ｂ）に示すように、仮基板１３の表面に配線１６を形成する。具体的には、仮基板１３を電極として電解メッキを施すことにより、レジスト１４の開口部１６ｐに所定パターンの配線１６を形成する。これにより、配線１６を短時間で簡単に形成することができる。なお配線１６の材質については後述する。
次に図１（ｃ）に示すように、仮基板１３の表面からレジストを除去する。
【００２１】
次に図１（ｄ）に示すように、仮基板１３の表面に樹脂層２３を形成する。樹脂層２３の形成には、射出成型法やシート圧着法、スプレーコート法、スピンコート法、インクジェット法、印刷法などを採用することが可能である。射出成型法は、配線１６が形成された仮基板１３をモールド内に配置し、そのモールド内にゲル状の樹脂を射出して、樹脂層２３を成形するものである。またシート圧着法は、ゲル状の樹脂シートを仮基板１３の表面に加圧接着して樹脂層２３を形成するものである。またスプレーコート法、スピンコート法、インクジェット法および印刷法は、樹脂材料を溶剤に溶解した液状体を仮基板１３の表面に塗布し、溶剤を乾燥させて樹脂層２３を形成するものである。
【００２２】
上述した樹脂層２３形成方法のうち、スプレーコート法またはシート圧着法を採用すれば、所望の厚さを有する平坦な樹脂層２３を簡単に形成することができる。特に、配線基板として厚さ１０〜１００μｍ程度のフレキシブル配線基板（Flexible Printed Circuit；ＦＰＣ）を形成する場合には、スプレーコート法が好適である。なお２０μｍ以下の薄い配線基板を形成する場合には、スピンコート法を採用することが望ましい。また１００μｍ以上の厚い配線基板を形成する場合には、射出成型法を採用することが望ましい。
【００２３】
なお樹脂材料として熱可塑性樹脂を採用した場合には、まず樹脂層２３を加熱溶融させることにより配線１６に密着させ、次に樹脂層２３を冷却して硬化させる。また樹脂材料として熱硬化性樹脂を採用した場合には、ゲル状の樹脂層２３を加熱することによって硬化させる。これにより、平板状の樹脂層２３が形成される。
【００２４】
次に仮基板１３を除去する。仮基板１３の除去は、ウエットエッチングによって行う。ウエットエッチングは、樹脂層２３が成形された仮基板１３の全体を、エッチャント液中に浸漬することによって行う。本実施形態では、配線１６を残しつつ仮基板１３のみをエッチングする必要がある。そこで、配線１６に対するエッチングレートより仮基板１３に対するエッチングレートが大きいエッチャントを用いてエッチングを行う。
【００２５】
ところで、配線１６の構成材料としては、抵抗値が低く安定したＡｕが望ましい。そこで、仮基板１３の構成材料（第１材料）としてＣｕを選択し、エッチャントとして塩化第２鉄（ＦｅＣｌ３）を含む溶剤を選択する。塩化第２鉄はＣｕをエッチングするがＡｕをエッチングしない。すなわち、塩化第２鉄をエッチャントとするエッチングでは、Ａｕに対するエッチングレートより、Ｃｕに対するエッチングレートが大きくなる。これにより、配線１６を残しつつ、仮基板１３のみをエッチングすることができる。
【００２６】
なお仮基板１３の構成材料としてＣｕを選択し、エッチャントとしてＣｕＣｌ２を含む溶剤を選択してもよい。また仮基板１３の構成材料としてＡｌを選択し、エッチャントとして水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）を含む溶剤を選択してもよい。さらに仮基板１３の構成材料としてステンレスを選択し、エッチャントとして塩化第２鉄（ＦｅＣｌ３）を含む溶剤を選択してもよい。いずれの場合でも、配線１６の構成材料として、ＡｕやＡｇ、Ｐｔ，Ｐｄ等の貴金属を選択することが可能である。
【００２７】
なお、仮基板１３を裏面から研磨することにより、配線１６を残しつつ仮基板１３のみを除去することも可能である。
以上により、図１（ｅ）に示すように、樹脂層２３の表面に複数の配線１６を備えた配線基板２０が形成される。
【００２８】
以上に詳述したように、第１実施形態に係る配線基板の製造方法は、仮基板の表面に配線を形成する工程と、その配線を覆うように仮基板の表面に樹脂層を形成する工程と、仮基板を除去する工程と、を有する構成とした。この構成によれば、硬質の仮基板の表面に配線を形成することができるので、樹脂層の表面に配線を形成する場合と比べて、配線のパターニング精度を向上させることが可能になる。したがって、配線を狭ピッチ化することができる。
【００２９】
また配線の形成は、導電性材料からなる仮基板の表面にレジストをパターニングして電解メッキ法により行う構成とした。この構成によれば、硬質の仮基板の表面にレジストをパターニングするので、樹脂層の表面にレジストをパターニングする場合と比べて、パターニング精度を向上させることが可能になる。しかもメッキ法により配線を形成するので、従来のサブトラクティブ法と比べて配線を狭ピッチ化することができる。さらに仮基板を導電性材料で構成して電解メッキ法により配線を形成するので、無電解メッキ法と比べて短時間で簡単に配線を形成することができる。
【００３０】
［第２実施形態］
次に、第２実施形態に係る配線基板の製造方法につき、図２を用いて説明する。
図２は、第２実施形態に係る配線基板の製造方法の工程図である。第２実施形態に係る配線基板の製造方法は、第２材料からなる再利用基板（基体）３２の表面に第１材料からなる分離層３４が形成された仮基板３０を使用する点で、第１材料のみからなる仮基板を使用する第１実施形態とは異なっている。なお第１実施形態と同様の構成となる部分については、その詳細な説明を省略する。
【００３１】
まず図２（ａ）に示すように、再利用基板３２の表面に分離層３４を形成した仮基板３０を形成する。再利用基板３２はガラス材料等からなり、その裏面から分離層３４との界面にかけて複数の貫通孔３３が形成されている。また分離層３４は金属材料等からなり、スパッタ法等により０．５μｍ程度の厚さに形成されている。その分離層３４の表面に、配線１６を形成する。その具体的な形成方法は第１実施形態と同様である。
次に図２（ｂ）に示すように、仮基板３０の表面に樹脂層２３を形成する。その具体的な形成方法は第１実施形態と同様である。
【００３２】
次に仮基板３０を除去する。この工程は、仮基板３０の表面に形成された分離層３４をエッチングし、再利用基板３２を樹脂層２３から分離することによって行う。分離層３４のエッチングは、ウエットエッチングによって行う。このウエットエッチングでは、第１実施形態と同様に、配線１６を残しつつ分離層３４のみをエッチングする。加えて第２実施形態では、ガラス材料等からなる再利用基板３２にダメージを与えることなく、分離層３４のみをエッチングする。そこで、配線１６および再利用基板３２に対するエッチングレートより、分離層３４に対するエッチングレートが大きいエッチャントを用いてエッチングを行う。もっとも、再利用基板３２の構成材料（第２材料）としてガラスや石英、シリコン等を選択すれば、配線１６の構成材料、分離層３４の構成材料（第１材料）およびエッチャントの構成材料として、第１実施形態と同様の材料を選択することが可能である。
【００３３】
ウエットエッチングは、エッチャントをスプレー等で噴霧することにより簡単に行うことができる。第１実施形態では仮基板全体をエッチングするためディッピングを採用したが、第２実施形態では分離層３４のみをエッチングすれば足りるからである。
噴霧されたエッチャントにより、仮基板３０の側面から分離層３４がエッチングされる。これに加えて、第２実施形態では再利用基板３２の裏面から分離層３４との界面にかけて複数の貫通孔３３が形成されているので、この貫通孔３３からエッチャントが侵入して分離層３４の界面がエッチングされる。これにより、分離層３４を効率的にエッチングすることができる。
分離層３４が完全にエッチングされると、図２（ｃ）に示すように、再利用基板３２から樹脂層２３が分離される。これにより、第１実施形態と同様の配線基板２０が形成される。
【００３４】
以上に詳述したように、第２実施形態に係る配線基板の製造方法では、第２材料からなる再利用基板の表面に第１材料からなる分離層が形成された仮基板を使用し、分離層のみをエッチングする構成とした。この構成によれば、エッチングにより除去される第１材料の消費量を低減することが可能になり、また仮基板の除去時間を短縮することが可能になり、さらに再利用基板を再利用することが可能になる。したがって、配線基板を効率的かつ低コストに製造することができる。
【００３５】
［第３実施形態］
次に、第３実施形態に係る配線基板の製造方法につき、図３を用いて説明する。
図３は、第３実施形態に係る配線基板の製造方法の工程図である。第３実施形態に係る配線基板の製造方法は、仮基板１３の表面に複数の樹脂層２３ａ，２３ｂを離間配設して複数の配線基板２０ａ，２０ｂを同時に形成する点で、１個の配線基板のみを形成する第１実施形態とは異なっている。なお第１実施形態と同様の構成となる部分については、その詳細な説明を省略する。
【００３６】
まず図３（ａ）に示すように、複数の配線基板を同時に成形しうる大きさの仮基板１３を準備する。次に仮基板１３の表面に配線１６ａ，１６ｂを形成する。その具体的な形成方法は第１実施形態と同様である。
次に図３（ｂ）に示すように、仮基板１３の表面に複数の樹脂層２３ａ，２３ｂを離間配設する。その具体的な形成方法として、射出成型法やシート圧着法、インクジェット法、印刷法等を採用すればよい。
【００３７】
次に仮基板１３を除去する。その具体的な除去方法は第１実施形態と同様である。
以上により、図３（ｃ）に示すように、複数の配線基板２０ａ，２０ｂが形成される。
【００３８】
以上に詳述したように、第３実施形態に係る配線基板の製造方法では、仮基板の表面に複数の樹脂層を離間配設して、複数の配線基板を同時に形成する構成とした。この構成によれば、第１実施形態のように１個の配線基板を形成する場合と比べて、実質的に工程数を増加させることなく、複数の配線基板を形成することができる。
なお第３実施形態に係る配線基板の製造方法に代えて、上述した仮基板の表面全体に樹脂層を配設し、仮基板を除去した後にダイシング等を行って、複数の配線基板を分離形成してもよい。
【００３９】
［第４実施形態］
次に、第４実施形態に係る配線基板の製造方法につき、図４を用いて説明する。
図４は、第４実施形態に係る配線基板の製造方法の工程図である。第４実施形態に係る配線基板の製造方法は、一対の仮基板１３，６３の表面間に樹脂層２３を配設して両面配線基板６０を形成する点で、片面配線基板を形成する第１実施形態とは異なっている。なお第１実施形態と同様の構成となる部分については、その詳細な説明を省略する。
【００４０】
まず図４（ａ）に示すように、第１仮基板（第１の仮基体）１３の表面に配線１６を形成する。その具体的な形成方法は第１実施形態と同様である。
次に図４（ｂ）に示すように、第１仮基板１３の表面に樹脂層２３を形成する。その具体的な形成方法は第１実施形態と同様であるが、第１仮基板１３の表面に樹脂シートを圧着するシート圧着法を採用することが望ましい。これにより、樹脂層２３の取り扱いが容易となって、製造プロセスを簡略化することができる。
【００４１】
上記各工程と並行して、図４（ｃ）に示す第２仮基板（第２の仮基体）６３の表面に配線６６を形成する。その具体的な形成方法は、第１実施形態において仮基板１３の表面に配線１６を形成する方法と同様である。さらに配線６６の表面に、配線６６と同様の導電性材料からなるポスト６２を形成する。ポスト６２の具体的な形成方法は、配線６６の形成方法と同様である。すなわち、まず第２仮基板６３の表面にレジスト（不図示）を塗布し、フォトリソグラフィによりポスト６２の形成位置に開口部をパターニングする。次に第２仮基板６３および／または配線６６を電極として電解メッキを施すことにより、レジストの開口部にポスト６２を形成する。
【００４２】
そして図４（ｃ）に示すように、一対の仮基板１３，６３の表面間に樹脂層２３を配設する。具体的には、第１仮基板１３の表面に圧着した樹脂シートの表面に、第２仮基板６３を圧着する。その第２仮基板６３の表面に形成した配線６６およびポスト６２は、樹脂層２３の内部に埋没させる。そのポスト６２の先端は、第１仮基板１３に形成された配線１６の表面に当接させる。その際、第２仮基板６３を加熱しつつ第１仮基板１３に向かって加圧し、さらに超音波振動を付与することにより、ポスト６２を配線１６に実装することができる。これにより、第２仮基板６３の配線６６と、第１仮基板１３の配線１６とが、ポスト６２を介して導通接続される。しかも、ポスト６２の実装時の加熱を利用して樹脂層２３を硬化させれば、工程数を増加させることがない。
【００４３】
次に一対の仮基板１３，６３をウエットエッチングによって除去する。ウエットエッチングを利用することにより、工程数を増加させることなく一対の仮基板１３，６３を除去することができる。
以上により、図４（ｄ）に示すように、樹脂層２３の両面に配線１６，６６を備えた両面配線基板６０が形成される。
【００４４】
以上に詳述したように、第４実施形態に係る配線基板の製造方法では、一対の仮基板の間に樹脂層を配設して、両面配線基板を形成する構成とした。この構成によれば、第１実施形態のように片面配線基板を形成する場合と比べて、実質的に工程数を増加させることなく、両面配線基板を形成することができる。
【００４５】
［電気光学装置］
次に、上記実施形態に係る配線基板を備えた電気光学装置につき、図５および図６を用いて説明する。
図５は本発明に係る電気光学装置の構成例の斜視図であり、図６は図５のＢ−Ｂ’線に沿う側面断面図である。
【００４６】
図５に示す電気光学装置１００は液晶表示装置であり、電気光学パネル（液晶パネル）１１０を備えている。その電気光学パネル１１０には、上記実施形態に係る配線基板の製造方法を使用して形成されたフレキシブル配線基板（ＦＰＣ）６０が装着されている。このＦＰＣ６０は可撓性を有するので、任意の方向に折り曲げて使用することが可能であり、電気光学装置１００をコンパクト化することができる。
【００４７】
図５および図６に示すように、電気光学パネル１１０は、ガラスやプラスチックなどからなる一対の基板１１１，１１２をシール材１１３で貼り合わせて構成され、両基板１１１，１１２の間には液晶（電気光学物質）１１４が封入されている。基板１１１の内面上には、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）などの透光性導電材料で構成された複数の画素電極１１１ａが配列形成され、その上に配向膜１１１ｂが形成されている。また基板１１２の内面上には同様の透光性導電材料で構成された対向電極１１２ａが形成され、その上に配向膜１１２ｂが形成されている。また、基板１１１及び１１２の外面上には、偏光板１１５，１１６が配置されている。
【００４８】
一方、ＦＰＣ６０は、樹脂層２３の両面に配線１６，６６を形成して構成されている。その配線１６，６６は、ポスト６２を介して相互に導電接続されている。ＦＰＣ６０の裏面の配線１６は、異方性導電膜１１７を介して電気光学パネル１１０の配線１１１ｃに導電接続されている。この配線１１１ｃは、上記画素電極１１１ａ及び対向電極１１２ａを、基板１１１の張出部（基板１１２の外形よりも周囲に張り出した部分）に引き出したものである。
【００４９】
またＦＰＣ６０の表面の配線６６には、電子部品１２０，１２７，１２８が実装されている。この電子部品１２０は、例えば電気光学装置１００の駆動信号の生成回路を内包する液晶駆動用ＩＣである。その駆動信号は、ＦＰＣ６０の表面配線６６、ポスト６２および裏面配線１６、並びに異方性導電膜１１７を介して、電気光学パネル１１０に伝達される。さらに駆動信号は、電気光学パネル１１０の配線１１１ｃを介して、画素電極１１１ａおよび対向電極１１２ａに伝達される。これにより、電気光学パネル１１０を駆動しうるようになっている。
【００５０】
そして上述した電気光学装置１００は、上記実施形態に係る配線基板の製造方法を使用して形成されたＦＰＣ６０を備えているので、配線１６，６６が狭ピッチ化されている。そのため小型のＦＰＣ６０を採用することが可能になり、電気光学装置１００を小型化することができる。
【００５１】
［電子機器］
図７は、本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図である。この図に示す携帯電話１３００は、上述した電気光学装置を小サイズの表示部１３０１として備え、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０４を備えて構成されている。
上述した電気光学装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの場合にも狭ピッチの配線を備えた小型の電子機器を提供することができる。
【００５２】
なお、本発明の技術範囲は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、各実施形態で挙げた具体的な材料や構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】第１実施形態に係る配線基板の製造方法の工程図である。
【図２】第２実施形態に係る配線基板の製造方法の工程図である。
【図３】第３実施形態に係る配線基板の製造方法の工程図である。
【図４】第４実施形態に係る配線基板の製造方法の工程図である。
【図５】電気光学装置の構成例の斜視図である。
【図６】図５のＢ−Ｂ’線に沿う側面断面図である。
【図７】電子機器の一例を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００５４】
１３‥仮基板  １４‥レジスト  １６‥配線  ２０‥配線基板  ２３‥樹脂層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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