(57)【要約】      （修正有）【課題】画素毎の発光特性のバラツキを検出し、画面の表示ムラを効果的に抑制する自発光型表示装置を提供する。【解決手段】発光特性補正部１２の出力信号に基づき、データ電圧供給部１０は画素にデータ電圧を供給し、発光量検出部１３が各画素の発光量を検出する。発光特性補正部は、メモリ２０に保持された発光特性に基づき表示信号データに補正を施す表示信号処理部２１と、各画素にテスト電圧を印加するためのテスト信号を生成するテスト信号供給部２２と、表示信号処理部の出力またはテスト信号をデータ電圧供給部に出力するモード制御部２３と、発光量検出値およびテスト信号に基づき各画素の発光特性を検出する発光特性検出部２４とを有する。モード制御部は、表示モードでは、表示信号処理部の出力をデータ電圧供給部に供給し、発光特性検出モードでは、テスト信号をデータ電圧供給部に供給し、発光特性検出部の出力をメモリに供給するように制御する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子を含む複数個の画素が配列された表示パネルと、前記複数の画素に、表示信号データに応じたデータ電圧をそれぞれ供給する駆動回路とを備えた自発光型表示装置において、
前記駆動回路は、外部から供給される前記表示信号データに前記各画素の発光特性に応じて補正を施した信号を出力する発光特性補正部と、前記発光特性補正部の出力信号に基づき前記各画素に対して前記データ電圧を供給するデータ電圧供給部と、前記各画素の発光輝度に対応する発光量検出値を出力する発光量検出部とを備え、
前記発光特性補正部は、前記各画素の発光特性を保持する発光特性メモリと、前記発光特性メモリから供給される発光特性に基づき前記表示信号データに対して補正を施して出力する表示信号処理部と、前記各画素に対して所定の低電圧から上昇するテスト電圧を前記データ電圧供給部から印加させるテスト信号を生成するテスト信号供給部と、前記表示信号処理部の出力および前記テスト信号が入力され、前記データ電圧供給部にいずれか一方の出力を選択的に出力するモード制御部と、前記発光量検出値および前記テスト信号に基づき、前記各画素の発光特性を検出する発光特性検出部と、前記発光特性検出部の検出出力を前記モード制御部からの制御に応じて前記発光特性メモリに供給する選択部とを有し、
前記モード制御部は、表示モードと発光特性検出モードとを切換える機能を有し、前記表示モードにおいては、前記表示信号処理部の出力を前記データ電圧供給部に供給し、前記発光特性検出モードにおいては、前記テスト信号を前記データ電圧供給部に供給するとともに、前記発光特性検出部の検出出力を前記発光特性メモリに供給するように前記選択部を制御することを特徴とする自発光型表示装置。
【請求項２】
前記発光特性メモリは、第１発光特性データを保持する第１メモリを有し、
前記表示信号処理部は、前記第１メモリから供給される前記各画素の第１発光特性データに基づき、前記各画素に印加される前記データ電圧のオフセット値を調整するように前記表示信号データに補正を施すオフセット調整部を有し、
前記発光特性検出部は、前記発光特性検出モードにおいて前記発光量検出部の出力値が、前記発光素子の閾値に対応させて設定された第１基準値に達したときの、前記各画素に対応する前記テスト信号の値を前記第１発光特性データとして出力する請求項１に記載の自発光型表示装置。
【請求項３】
前記発光特性メモリは、第２発光特性データを保持する第２メモリを更に有し、
前記表示信号処理部は、前記各画素のガンマ特性を調整するように前記表示信号データに補正を施すガンマ特性調整部を更に有して、前記ガンマ特性調整部およびオフセット調整部による調整を合成した補正を前記表示信号データに対して施して出力し、
前記発光特性検出モードは、前記テスト信号を前記データ電圧供給部に供給して発光特性を検出するための第１検出モードおよび第２検出モードを含み、
前記発光特性検出部は、前記第１検出モードにおいて前記第１発光特性データを出力し、前記第２検出モードにおいては、前記発光量検出部の出力値が第２基準値に達したときの、前記各画素に対応する前記テスト信号の値を前記第２発光特性データとして出力し、
前記選択部は、前記第１検出モードにおいては前記第１発光特性データを前記第１メモリに供給し、前記第２検出モードにおいては前記第２発光特性データを前記第２メモリに供給するように制御され、
前記ガンマ特性調整部は、前記第１および第２メモリからそれぞれ供給される前記第１および第２発光特性データに基づき検出される前記各画素の電圧−輝度特性に基づき、前記表示信号データに対して補正を施す請求項２に記載の自発光型表示装置。
【請求項４】
前記発光量検出部は、前記データ電圧により前記各画素に流れる電流を検出する電流検出器により構成された請求項１に記載の自発光型表示装置。
【請求項５】
前記表示パネルは無機ＥＬ表示パネルであって、複数本の走査電極と、前記走査電極に交差する複数本のデータ電極と、誘電体層及び蛍光体層を含み前記走査電極と前記データ電極の間に配置された無機ＥＬ発光層と、各々の前記走査電極に走査電圧を順次供給する走査側駆動回路と、各々の前記データ電極に表示信号データに応じてデータ電圧をそれぞれ供給するデータ側駆動回路と、外部からの入力信号に応じて前記走査側駆動回路及び前記データ側駆動回路を制御する駆動制御回路とを備え、
前記画素は、前記走査電極と前記データ電極の各交差部に位置する前記無機ＥＬ発光層により形成され、
前記データ側駆動回路は、前記発光特性補正部と、前記データ電圧供給部とを含み、前記発光特性補正部には前記駆動制御回路から前記表示信号データが供給される請求項１に記載の自発光型表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、無機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を発光素子とする画素を配列して表示パネルを構成し、各画素を選択駆動して画像の表示を行う無機ＥＬ表示装置のような、自発光型表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
無機ＥＬ素子は、蛍光体層及び誘電体層を含む発光層を一対の電極間に挟んだ構造を有し、一対の電極間に電圧パルスを印加することにより発光する。無機ＥＬ表示装置の表示パネルは、このような無機ＥＬ素子をマトリクス状に配列して構成される。すなわち、ガラス等の基板上に、複数本のストライプ状電極を互いに平行に例えば列方向に配列してデータ電極とし、データ電極に直交する行方向に複数本のストライプ状電極を互いに平行に配列して走査電極とする。データ電極と走査電極の間に発光層を介在させ、両電極の交差部において、発光層をデータ電極と両電極で挟んだ構造により無機ＥＬ素子を形成することにより、多数の表示画素が２次元配列されたパッシブマトリクス型の表示パネルが構成される。
【０００３】
ところで、ＥＬ素子は液晶と異なり自発光であるから、発光層の特性のバラツキや、経時変化に起因して、同一の駆動電圧を印加しても画素毎に発光量のバラツキが発生する場合がある。そのために発生する画面の表示むらを解消すべく、特許文献１には、画素毎の発光量のバラツキを解消する駆動方法を用いた表示装置が記載されている。すなわち、所定電圧のデータ信号を駆動素子に供給したときに発光素子を流れる電流量または発光量を検出し、その値が所定基準値に近づくように、データ信号の電圧を調整する。
【特許文献１】国際特許公開ＷＯ９８／４０８７１号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１には、発光素子の特性を検出するための所定基準値の設定の仕方について明確な記載がない。発光素子は、例えば図３および図４に示すような発光特性のバラツキを有する。図３は、閾値特性のバラツキを示し、図４は、電圧−輝度特性の傾きのバラツキを示す。
【０００５】
図３に示す２つの画素Ｃ１、Ｃ２の発光素子は、発光開始点である閾値が、発光層の特性やＩＴＯ電極等の抵抗値のバラツキによって、互いに異なっている例である。すなわち、画素Ｃ１の発光素子の閾値はＶｔ１、画素Ｃ２の発光素子の閾値はＶｔ２である。この場合、電圧変調等により同一のデータ電圧Ｖｄを印加して同じ輝度で発光させようとしても、異なった輝度Ｉｔ１、Ｉｔ２となってしまう。
【０００６】
また図４に示す２つの画素Ｃ３、Ｃ４の発光素子は、発光開始点（閾値）Ｖｔ３、Ｖｔ４が同じであっても、画素毎に電圧−輝度特性の傾きが異なっている例を示す。この場合も、電圧変調等により同一のデータ電圧Ｖｄを印加して同じ輝度で発光させようとしても、異なった輝度Ｉｔ３、Ｉｔ４となってしまう。特にガンマを持った入力信号に対し、異なるガンマ特性を持った輝度となってしまう。
【０００７】
特許文献１に記載の駆動方法は、以上のような発光特性のバラツキに対して、具体的な検出方法を与えるものではなかった。
【０００８】
本発明は、画素毎の発光素子の特性のバラツキを適切に検出して、画面の表示ムラを効果的に抑制する機能を有する自発光型表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の自発光型表示装置は、発光素子を含む複数個の画素が配列された表示パネルと、前記複数の画素に、表示信号データに応じたデータ電圧をそれぞれ供給する駆動回路とを備え、前記駆動回路は、外部から供給される前記表示信号データに前記各画素の発光特性に応じて補正を施した信号を出力する発光特性補正部と、前記発光特性補正部の出力信号に基づき前記各画素に対して前記データ電圧を供給するデータ電圧供給部と、前記各画素の発光輝度に対応する発光量検出値を出力する発光量検出部とを備える。前記発光特性補正部は、前記各画素の発光特性を保持する発光特性メモリと、前記発光特性メモリから供給される発光特性に基づき前記表示信号データに対して補正を施して出力する表示信号処理部と、前記各画素に対して所定の低電圧から上昇するテスト電圧を前記データ電圧供給部から印加させるテスト信号を生成するテスト信号供給部と、前記表示信号処理部の出力および前記テスト信号が入力され、前記データ電圧供給部にいずれか一方の出力を選択的に出力するモード制御部と、前記発光量検出値および前記テスト信号に基づき、前記各画素の発光特性を検出する発光特性検出部と、前記発光特性検出部の検出出力を前記モード制御部からの制御に応じて前記発光特性メモリに供給する選択部とを有する。前記モード制御部は、表示モードと発光特性検出モードとを切換える機能を有し、前記表示モードにおいては、前記表示信号処理部の出力を前記データ電圧供給部に供給し、前記発光特性検出モードにおいては、前記テスト信号を前記データ電圧供給部に供給するとともに、前記発光特性検出部の検出出力を前記発光特性メモリに供給するように前記選択部を制御する。
【発明の効果】
【００１０】
上記構成の自発光型表示装置によれば、テスト信号供給部から供給されるテスト信号に基づく各画素の発光量を検出し、その検出値およびテスト信号に基づいて、各画素の発光特性を検出することにより、画素毎の発光素子の特性のバラツキを適切に検出して、画面の表示ムラを効果的に抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
上記構成の本発明の自発光型表示装置において、前記発光特性メモリは、第１発光特性データを保持する第１メモリを有し、前記表示信号処理部は、前記第１メモリから供給される前記各画素の第１発光特性データに基づき、前記各画素に印加される前記データ電圧のオフセット値を調整するように前記表示信号データに補正を施すオフセット調整部を有し、前記発光特性検出部は、前記発光特性検出モードにおいて前記発光量検出部の出力値が、前記発光素子の閾値に対応させて設定された第１基準値に達したときの、前記各画素に対応する前記テスト信号の値を前記第１発光特性データとして出力する構成とすることができる。
【００１２】
この構成において、前記発光特性メモリは、第２発光特性データを保持する第２メモリを更に有し、前記表示信号処理部は、前記各画素のガンマ特性を調整するように前記表示信号データに補正を施すガンマ特性調整部を更に有して、前記ガンマ特性調整部およびオフセット調整部による調整を合成した補正を前記表示信号データに対して施して出力し、前記発光特性検出モードは、前記テスト信号を前記データ電圧供給部に供給して発光特性を検出するための第１検出モードおよび第２検出モードを含み、前記発光特性検出部は、前記第１検出モードにおいて前記第１発光特性データを出力し、前記第２検出モードにおいては、前記発光量検出部の出力値が第２基準値に達したときの、前記各画素に対応する前記テスト信号の値を前記第２発光特性データとして出力し、前記選択部は、前記第１検出モードにおいては前記第１発光特性データを前記第１メモリに供給し、前記第２検出モードにおいては前記第２発光特性データを前記第２メモリに供給するように制御され、前記ガンマ特性調整部は、前記第１および第２メモリからそれぞれ供給される前記第１および第２発光特性データに基づき検出される前記各画素の電圧−輝度特性に基づき、前記表示信号データに対して補正を施す構成とすることができる。
【００１３】
また、本発明の自発光型表示装置において、前記発光量検出部は、前記データ電圧により前記各画素に流れる電流を検出する電流検出器により構成することができる。
【００１４】
また、本発明の自発光型表示装置において、前記表示パネルは無機ＥＬ表示パネルであって、複数本の走査電極と、前記走査電極に交差する複数本のデータ電極と、誘電体層及び蛍光体層を含み前記走査電極と前記データ電極の間に配置された無機ＥＬ発光層と、各々の前記走査電極に走査電圧を順次供給する走査側駆動回路と、各々の前記データ電極に表示信号データに応じてデータ電圧をそれぞれ供給するデータ側駆動回路と、外部からの入力信号に応じて前記走査側駆動回路及び前記データ側駆動回路を制御する駆動制御回路とを備え、前記画素は、前記走査電極と前記データ電極の各交差部に位置する前記無機ＥＬ発光層により形成され、前記データ側駆動回路は、前記発光特性補正部と、前記データ電圧供給部とを含み、前記発光特性補正部には前記駆動制御回路から前記表示信号データが供給される構成とすることができる。
【００１５】
以下、本発明の実施の形態における自発光型表示装置について、図面を参照して具体的に説明する。以下の実施の形態では、無機ＥＬ表示装置を例として説明するが、他の自発光型表示装置についても、本実施の形態の構成を同様に適用可能である。まず、本実施の形態における無機ＥＬ表示装置の基本的構造について、図１を参照して説明する。
【００１６】
図１は、本実施の形態における無機ＥＬ表示装置の概略構成を示すブロック図である。この無機ＥＬ表示装置は、表示領域を形成する無機ＥＬパネル１と、無機ＥＬパネル１を駆動するための、走査側駆動回路２及びデータ側駆動回路３を有する。
【００１７】
無機ＥＬパネル１は、絶縁性基板（図示せず）上に無機ＥＬ発光層４を挟んで形成された、線状の複数本の走査電極５と、走査電極５と交差する複数本のデータ電極６を有する。無機ＥＬ発光層４は周知の構造を有し、図示しないが例えば、蛍光体層と、その少なくとも一方の面に形成された誘電体膜とから形成される。各走査電極５とデータ電極６の交差部が各画素を構成し、複数の画素が２次元配列されたパッシブマトリクス型の表示パネルである。但し、本発明は、パッシブマトリクス型に限らず、他のタイプの表示パネルにも適用可能である。
【００１８】
走査側駆動回路２は、各走査電極５に走査電圧を順次印加する。走査側駆動回路２は、走査電圧を供給する走査電圧供給部７と、各走査電極５に対して走査電圧供給部７の出力を選択的に供給するためのスイッチ部８を有する。スイッチ部８は、走査駆動部９により切り替えが制御されて順次オンとなり、それにより走査電圧供給部７から各走査電極５に対して順次、走査電圧が印加される。
【００１９】
データ側駆動回路３は、表示信号データに応じてデータ電圧供給部１０が発生するデータ電圧を、電圧印加制御部１１により制御されるタイミングで各データ電極６に供給する。データ側駆動回路３は、発光特性補正部１２をさらに有し、表示信号データは発光特性補正部１２を介してデータ電圧供給部１０に入力される。発光特性補正部１２は、表示信号データに各画素の発光特性に応じた補正を施して、データ電圧供給部１０に供給する。データ電圧供給部１０は、発光特性補正部１２の出力信号に基づき各画素に対してデータ電圧を供給する。無機ＥＬパネル１の各画素にデータ電圧に基づいて流れる電流を検出するために、電流検出器１３が設けられている。検出される電流は、各画素の発光輝度に対応するので、電流検出器１３は、各画素の発光輝度を表す発光量検出値を得るための発光量検出部として機能する。発光輝度を検出するためには、電流検出器１３に代えて位相検出器を用いることもできる。
【００２０】
走査電圧供給部７、走査制御部９、電圧印加制御部１１、及び電力調整部１２は、駆動制御回路１４から供給を受ける信号により動作する。駆動制御回路１４には、外部から垂直同期信号Ｖｓ、水平同期信号Ｈｓ、データ転送クロック信号ＣＬＫ、表示信号データＤ等が入力される。駆動制御回路１４は、それらの信号に基づき、それぞれ必要な信号を生成して、走査側駆動回路２、及びデータ側駆動回路３に供給する。走査電圧供給部７、走査制御部９、電圧印加制御部１１は、基本的には周知の回路と同様に構成することができるので、具体的な説明は省略する。
【００２１】
以下に、発光特性補正部１２の構成および動作について、図面を参照して説明する。図２は、発光特性補正部１２の構成を示すブロック図である。
【００２２】
発光特性補正部１２は、発光特性メモリ２０、表示信号処理部２１、テスト信号供給部２２、モード制御部２３、発光特性検出部２４、および選択部２５を有する。発光特性メモリ２０は、各画素の発光特性データを保持する。表示信号処理部２１は、発光特性メモリ２０から供給される発光特性に基づき、表示信号データに補正を施して出力する。テスト信号供給部２２は、各画素に対して所定の低電圧から上昇するテスト電圧をデータ電圧供給部１０から印加させるためのテスト信号を生成する。モード制御部２３は、表示信号処理部２１の出力およびテスト信号供給部２２の出力であるテスト信号が入力され、データ電圧供給部１０にいずれか一方を選択的に出力する。発光特性検出部２４は、電流検出器１３が出力する各画素の発光輝度に対応する発光量検出値およびテスト信号に基づき、各画素の発光特性を検出する。具体的な検出方法については後述する。選択部２５は、発光特性検出部２４の検出出力を、モード制御部２３からの制御に応じて発光特性メモリ２０に供給する。
【００２３】
モード制御部２３は、表示モードと発光特性検出モードとを切換える機能を有する。表示モードにおいては表示信号処理部２１の出力を、発光特性検出モードにおいてはテスト信号供給部２２の出力を、それぞれ選択的にデータ電圧供給部１０に供給する。発光特性検出モードにおいては、また、モード制御部２３は、発光特性検出部２４からの発光特性データを発光特性メモリ２０に供給するように選択部２５を制御する。
【００２４】
発光特性メモリ２０は、第１発光特性データを保持する第１発光特性フィールドメモリ２０ａと、第２発光特性データを保持する第２発光特性フィールドメモリ２０ｂを有する。第１および第２発光特性データについては、後述する。なお、駆動方法に応じて、フィールドメモリではなくフレームメモリを用いる場合もある。
【００２５】
表示信号処理部２１は、オフセット調整部２６と、ガンマ特性調整部２７を有する。オフセット調整部２６は、第１発光特性フィールドメモリ２０ａから供給される各画素の第１発光特性データに基づき、各画素に印加されるデータ電圧のオフセット値を調整するように、表示信号データに対して補正を施す。ガンマ特性調整部２７は、第１および第２発光特性フィールドメモリ２０ａ、２０ｂからそれぞれ供給される第１および第２発光特性データに基づき各画素のガンマ特性を検出し、そのガンマ特性に基づき、表示信号データに対してガンマ補正を施す。表示信号処理部２１は、ガンマ特性調整部２７およびオフセット調整部２６による調整を合成した補正を表示信号データに対して施して出力することになる。
【００２６】
発光特性検出部２４には、電圧変換部２８により、電流検出器１３の出力を電圧に変換した発光量検出値が入力される。発光特性検出部２４にはさらに、モード制御部２３を介したテスト信号供給部２２からのテスト信号が供給される。発光特性検出部２４は、発光量検出値とテスト信号に基づいて、後述するように各画素の発光特性を検出する。
【００２７】
発光特性検出モードは、それぞれテスト信号供給部２２の出力をデータ電圧供給部１０に供給して各画素の発光特性を検出するための、順次実行される第１検出モードおよび第２検出モードを含む。すなわち第１、および第２検出モードでは、テスト信号供給部２２からデータ電圧供給部１０に供給されるテスト信号により、データ電圧供給部１０から各画素に対して所定の低電圧から上昇するテスト電圧が印加される。従って、各画素は、テスト電圧が閾値電圧を超えると発光し始めて、テスト電圧の上昇に伴い電圧−輝度特性に従って発光輝度が高くなる。
【００２８】
発光特性検出部２４は、第１検出モードにおいて、電圧変換部２８から出力される発光量検出値が第１基準値に達したときの、各画素に対応するテスト信号の値を、第１発光特性データとして出力する。第１基準値は、各画素の発光素子の閾値に対応させて設定される。例えば、発光を開始して所定の輝度が得られたときの、発光素子に印加されるデータ電圧を、閾値に対応した第１基準値とする。所定の輝度が得られたときを基準とするのは、発光開始時のデータ電圧を検出するよりも、所定の輝度が得られた時のデータ電圧の方が検出が容易だからである。従って、検出が容易であれば、正確に閾値電圧を検出するように第１基準値を設定してもよい。また、発光特性検出部２４は、第２検出モードにおいて、電圧変換部２８から出力される発光量検出値が第２基準値に達したときの、各画素に対応するテスト信号の値を、第２発光特性データとして出力する。第２基準値は、第１基準値よりも高い電圧に設定される。
【００２９】
選択部２５は、第１検出モードにおいては第１発光特性データを第１発光特性フィールドメモリ２０ａに供給し、第２検出モードにおいては第２発光特性データを第２発光特性フィールドメモリ２０ｂに供給するように制御される。
【００３０】
ガンマ特性調整部２７は、第１および第２発光特性フィールドメモリ２０ａ、２０ｂからそれぞれ供給される第１および第２発光特性データ、すなわち、各画素の異なる発光輝度と対応する印加電圧の関係に基づき、各画素のガンマ特性を検出する。すなわち、第１および第２発光特性データは、各基準値の発光輝度が得られたときの発光素子に対する印加電圧に相当するので、第１基準値と第２基準値の差を第１および第２発光特性データの差で除算すれば、電圧−輝度特性の傾きを求めることができる。
【００３１】
以上の発光特性検出モードは、例えば、表示装置の起動時に実行され、第１および第２発光特性フィールドメモリ２０ａ、２０ｂに保持された発光特性に基づいて、以後の表示モードにおける表示信号データの補正が行われる。
【００３２】
発光特性補正部１２は、汎用ＩＣで構成するか、ＦＰＧＡ、ＡＳＩＣを使いプログラム構成する。表示信号データとしては、ＲＧＢデジタル信号（例えば８ｂｉｔシリアルデータ）、あるいはコンポーネント信号［Ｙ、Ｐｂ．Ｐｒ］（例えば８ｂｉｔシリアルデータ）を用いることができる。これらの信号は、パラレルデータで用いることも可能である。
【００３３】
第１および第２発光特性フィールドメモリ２０ａ、２０ｂをＲＯＭに変え、工場での調整時だけ発光特性データをそのＲＯＭに書き込み、その後そのＲＯＭデータを発光特性の固定値として使うこともできる。本実施の形態のようにすれば、表示装置の起動時に毎回発光特性を検出し、第１および第２発光特性フィールドメモリ２０ａ、２０ｂのデータを更新することができる。
【産業上の利用可能性】
【００３４】
本発明の自発光型表示装置は、画素毎の発光素子の特性のバラツキを適切に検出して、画面の表示ムラを効果的に抑制しすることができ、無機ＥＬ表示装置等に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の実施の形態における無機ＥＬ表示装置の概略構成を示すブロック図
【図２】同無機ＥＬ表示装置を構成する発光特性補正部の構成を示すブロック図
【図３】自発光型表示装置における画素間の閾値特性のバラツキの例を示す図
【図４】自発光型表示装置における画素間の電圧−輝度特性の傾きのバラツキの例を示す図
【符号の説明】
【００３６】
１  無機ＥＬパネル
２  走査側駆動回路
３  データ側駆動回路
４  無機ＥＬ発光層
５  走査電極
６  データ電極
７  走査電圧供給部
８  スイッチ部
９  走査駆動部
１０  データ電圧供給部
１１  電圧印加制御部
１２  発光特性補正部
１３  電流検出器
１４  駆動制御回路
２０  発光特性メモリ
２０ａ  第１発光特性フィールドメモリ
２０ｂ  第２発光特性フィールドメモリ
２１  表示信号処理部
２２  テスト信号供給部
２３  モード制御部
２４  発光特性検出部
２５  選択部
２６  オフセット調整部
２７  ガンマ特性調整部
２８  電圧変換部
【図１】
2006133307.tif 000003
【図２】
2006133307.tif 000004
【図３】
2006133307.tif 000005
【図４】
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