(57)【要約】      （修正有）【課題】  確実に高密度転位部を除去することができるIII−Ｖ族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】  高密度転位部２２が低転位領域と交互に繰り返し配置されたIII−Ｖ族窒化物系化合物半導体基板上に、ストライプ状の発光領域が前記高密度転位部２２の延在方向と平行方向になるように低転位領域に発光素子領域２１を形成し、次いで、素子領域２１が形成された面２４とは反対側の面２５に前記高密度転位部２２を挟むように２本のスクライブライン２３を入れた後にブレイクする。【選択図】  図２
2006332240.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高密度転位部が低転位領域と交互に繰り返し配置されたIII−Ｖ族窒化物系化合物半導体基板上の前記低転位領域に、ストライプ状の発光領域が前記高密度転位部の延在方向と平行になるようにIII−Ｖ族窒化物系化合物半導体発光素子領域を形成し、次いで、前記発光素子領域を形成した面とは反対側の面に、前記高密度転位部を挟むように、２本のスクライブラインを入れた後にブレイクすることにより、チップ分割と前記高密度転位部の除去を行うことを特徴とするIII−Ｖ族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。
【請求項２】
前記チップ分割と高密度転位部の除去を行うブレイク面は、前記発光素子領域を形成した側の面であることを特徴とする請求項１に記載のIII−Ｖ族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。
【請求項３】
前記２本のスクライブラインは、その中間が前記高密度転位部の中心に位置することを特徴とする請求項１に記載のIII−Ｖ族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。
【請求項４】
前記２本のスクライブラインは、そのピッチが前記高密度転位部の幅よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載のIII−Ｖ族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。
【請求項５】
前記２本のスクライブラインのピッチは、１００μｍ以上であることを特徴とする請求項４に記載のIII−Ｖ族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。
【請求項６】
前記チップ分割の際のブレイク刃の受け台の間隔は前記スクライブラインのピッチ未満であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のIII−Ｖ族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化ガリウムＧａＮ系の化合物半導体発光ダイオード（ＬＥＤ）、化合物半導体レーザ素子等の窒化物半導体発光素子の製造方法に関し、特に青紫色の短波長の光を発することができる高密度転位部が除去されたジャンクションダウン実装ないしフリップチップ実装が可能なＧａＮ系窒化物半導体発光素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、青色ＬＥＤや青紫色半導体レーザには、III−Ｖ族窒化物系化合物半導体が主として用いられている。このIII−Ｖ族窒化物系化合物半導体は、欠陥の少ないＧａＮ基板等のIII−Ｖ族窒化物系化合物半導体基板を得ることが困難であるため、通常サファイア基板又はＳｉＣ基板の上に、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition；有機金属気相成長）法、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy；分子線エピタキシャル成長）法、または、ＨＶＰＥ（Hydride Vapor Phase Epitaxy）法などの結晶成長法を用いて成長させている。
【０００３】
ところで、たとえばサファイア基板上にＧａＮ系化合物半導体層が形成されてなる窒化物系半導体素子においては、サファイア基板とＧａＮ系半導体層との間の格子定数の差が大きい。このため、サファイア基板上に形成されたＧａＮ系半導体層は多くの転位を含んでおり結晶性が劣化している。したがって、サファイア基板等を用いたIII−Ｖ族窒化物系化合物半導体素子においては、良好な素子特性を実現することが困難である。そのため、III−Ｖ族窒化物系化合物半導体素子を製造するためには結晶欠陥の少ないＧａＮ基板と同質の基板が要求されている。
【０００４】
このような問題点を解決したIII−Ｖ族窒化物系化合物半導体基板として、下記特許文献１には、気相成長の成長面を三次元的なファセット構造を持つようにし、ファセット構造を埋め込まないように成長させることにより転位を低減した単結晶ＧａＮ基板の製造方法が開示されている。このＧａＮ基板の製造方法は、貫通転位を成長層のある領域に集中させることにより他の領域の貫通転位を減少させるものであるため、単結晶ＧａＮ基板には低転位領域と高密度転位部とが混在しており、特に高密度転位部は、その発生する位置を制御できず、ランダムに発生するため、高密度転位部が発光領域に形成されてしまうことを避けることができないので、窒化物半導体発光素子の発光特性や信頼性の低下を招いてしまうという問題点が存在していた。
【０００５】
一方、この特許文献１に開示されているIII−Ｖ族窒化物系化合物半導体基板の製造方法の発明の問題点を解決したものとして、下記特許文献２には、低転位領域中に発生する高密度転位部の位置を制御し、低転位領域中に高密度転位部を規則的、例えば周期的に配列した基板を得ることができ、さらには高密度転位部の配列パターンも自由自在に変えることができるIII−Ｖ族窒化物系化合物半導体基板の製造方法の発明が開示されている。この下記特許文献２に開示されているIII−Ｖ族窒化物系化合物半導体基板の製造方法は、下記特許文献１に開示された発明と同様に、ファセット面からなる斜面を有して成長させ、そのファセット面からなる斜面を維持して成長させることで転位を伝播させ、所定の位置に集合させるものである。
【０００６】
この特許文献２に開示されているIII−Ｖ族窒化物系化合物半導体基板としてのＧａＮ基板５０の具体的な製造方法は次のとおりである。まず、サファイア基板、ＧａＮ基板等からなる下地基板を用い、この下地基板上に例えばＳｉＯ2膜からなる種を形成する。この種は、形状を例えばドット状として図５ないし図６に示すようなドット状の高密度転位部Ｂの配置に対応した配置、又は、ストライプ状として図７に示す高密度転位部Ｂの配置に対応した配置で形成する。その後、例えばハイドライド気相エピタキシー（ＨＶＰＥ）により、ＧａＮを厚膜成長させる。成長後、ＧａＮの厚膜層の表面には、種のパターン形状に応じたファセット面が形成される。種がドット状のパターンの場合は、図５ないし図６に示したようなファセット面からなるピットが規則正しく形成される。一方、種がストライプ状のパターンの場合は図７に示したようなプリズム状のファセット面が形成される。その後、下地基板を除去し、さらにＧａＮの厚膜層を研削加工、研磨加工し、表面を平坦化する。これによって、ＧａＮ基板５０を製造することができる。
【０００７】
このようにして製造されたＧａＮ基板５０は、Ｃ面が主面であり、その中に、所定のサイズのドット状あるいはストライプ状の高密度転位部Ｂが規則正しく形成された基板となっており、高密度転位部Ｂ以外の単結晶領域、すなわち領域Ａは、高密度転位部Ｂに比べて低転位密度となっている。そこで、このＧａＮ基板５０を用いて、
（１）素子のサイズを高密度転位部Ｂの存在する周期に合わせて設計する；
（２）素子領域が実質的に高密度転位部Ｂの上に形成されることがないように、その基板上における素子領域の配置を決定する；
（３）素子内部の活性領域が高密度転位部Ｂの上に形成されることがないように、素子における活性領域の位置を設計する；
ことにより、欠陥の多い高密度転位部Ｂの影響を意図的に避けるような配置に各素子領域を配置することが可能となる。
【０００８】
これに加えて、特に半導体レーザ素子の場合には、発光領域の共振器端面が高密度転位部Ｂの上に形成されることがないように素子領域や素子構造の設計を行う。例えば、図７に示したようなストライプ状の高密度転位部Ｂが形成されている場合には、例えば図８（ａ）〜図８（ｄ）に示したような形状および配置で素子領域５２（太い実線で囲まれた一区画）を画定し、その中央付近にレーザストライプ５３を画定する。
【０００９】
そして、このＧａＮ基板５０上にレーザ構造を形成するＧａＮ系半導体層を成長させ、レーザストライプの形成、電極の形成などの必要なプロセスを実行してレーザ構造を形成した後、上述の素子領域５２の輪郭線に沿ってレーザ構造が形成されたＧａＮ基板５０のスクライビングを行うことにより、個々のＧａＮ系半導体レーザチップに分離する。この場合、高密度転位部Ｂがレーザストライプ５３上に形成されていないので、高密度転位部Ｂの影響が発光領域に及ぶことを避けることができる。したがって、発光特性が良く、信頼性が高いＧａＮ系半導体レーザ素子を得ることができるというものである。
【００１０】
さらに、下記特許文献３には、高密度転位部が低転位領域と交互に繰り返し配置されたIII−Ｖ族窒化物系化合物半導体基板上の前記低転位領域に、ストライプ状の発光領域が前記高密度転位部の延在方向と平行になるように発光素子領域を形成し、次いで、前記発光素子領域が形成された側の面に、隣接する素子間の中心線から約１０μｍの位置に、２本のスクライブラインを入れた後にブレイクすることによりチップ分割と前記高密度転位部の除去を行うIII−Ｖ族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法が開示されている。
【特許文献１】特開２００１−１０２３０７号公報
【特許文献２】特開２００３−１２４５７２号公報（特許請求の範囲、段落［０２３１］〜［０２５９］、［０２７４］〜［０２８９］、図６〜図８、図２３〜図３６）
【特許文献３】特開２００４−２６０１５２号公報（段落［００６５］〜［００７０］、図１３〜図１４）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
一方、このようなIII−Ｖ族窒化物系化合物半導体発光素子の長寿命化・高出力化のためには、放熱性の改善に注力する必要がある。この放熱性の改善は、一般的にIII−Ｖ族窒化物系化合物半導体発光素子の活性層を放熱用マウンタに近づくように実装する、ジャンクションダウン実装ないしフリップチップ実装を行うことで対応されている。しかしながら、基板と基板上に形成されたIII−Ｖ族窒化物系化合物半導体発光素子が高密度転位部を有する場合には、この高密度転位部から電流リークが発生するため、ジャンクションダウン実装やフリップチップ実装を行うことが困難である。このようなジャンクションダウン実装ないしフリップチップ実装を行うことができるようにするためには、この高密度転位部を、III−Ｖ族窒化物系化合物半導体発光素子を損傷することなく、且つ確実に除去することが必要とされる。
【００１２】
従来は、基板と基板上に形成されたIII−Ｖ族窒化物系化合物半導体発光素子に存在する高密度転位部を除去するために、高密度転位部領域にスクライブラインを入れ、ブレイクし、チップを分割する方法が採用されていた。しかし、この方法では、高密度転位部の除去が不確実であることや、III−Ｖ族窒化物系化合物半導体発光素子の外形に欠けを生じさせることが多いという問題点が存在している。
【００１３】
また、上記特許文献２には、高密度転位部が存在しない領域のみにIII−Ｖ族窒化物系化合物半導体発光素子のレーザストライプを形成すること（図８（ａ）〜図８（ｃ）参照）及び高密度転位部が存在しない領域のみにIII−Ｖ族窒化物系化合物半導体発光素子を形成すること（図８（ｄ）参照）が開示されているが、高密度転位部を効率的に除去する方法については何も開示されていない。
【００１４】
さらに、上記特許文献３に開示されているIII−Ｖ族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法によれば、効率よくチップ分割と前記高密度転位部の除去を行う際には、ブレイク受け台を発光素子領域側の面に当接し、ブレイク刃を発光素子領域側の面とは反対側の面に当てる必要があるため、発光素子領域が損傷しないようにすると素子分割及び高密度転位部の除去ができない場合が生じるとともに、高密度転位部の除去が不完全なものが多く生じるという問題点が存在していた。
【００１５】
そこで、本願の発明者は、上記特許文献２及び３に開示されたIII−Ｖ族窒化物系化合物半導体発光素子の構造について種々検討を重ねた結果、高密度転位部を挟んだスクライブラインの形成面及びそのピッチを最適化することによって、III−Ｖ族窒化物系化合物半導体発光素子の外形に欠け等を生じさせることなく、且つ確実に高密度転位部を除去することができることを見出し、本発明を完成するに至ったのである。
【００１６】
すなわち、本発明は、III−Ｖ族窒化物系化合物半導体発光素子の製造に際し、高密度転位部を挟むスクライブラインの形成面及びそのピッチを最適化することで、III−Ｖ族窒化物系化合物半導体発光素子の外形に欠け等を生じさせることなく、且つ確実に高密度転位部を除去することを可能とし、また、それによってジャンクションダウン実装やフリップチップ実装を行うことが可能なIII−Ｖ族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の上記目的は以下の方法により達成し得る。すなわち、請求項１のIII−Ｖ族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法の発明は、高密度転位部が低転位領域と交互に繰り返し配置されたIII−Ｖ族窒化物系化合物半導体基板上の前記低転位領域に、ストライプ状の発光領域が前記高密度転位部の延在方向と平行になるようにIII−Ｖ族窒化物系化合物半導体発光素子領域を形成し、次いで、前記発光素子領域を形成した面とは反対側の面に、前記高密度転位部を挟むように、２本のスクライブラインを入れた後にブレイクすることにより、チップ分割と前記高密度転位部の除去を行うことを特徴とする。
【００１８】
また、請求項２の発明は、請求項１に記載のIII−Ｖ族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法において、前記チップ分割と高密度転位部の除去を行うブレイク面は、前記発光素子領域を形成した側の面であることを特徴とする。
【００１９】
また、請求項３の発明は、請求項１に記載のIII−Ｖ族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法において、前記２本のスクライブラインは、その中間が前記高密度転位部の中心に位置することを特徴とする。
【００２０】
また、請求項４の発明は、請求項１に記載のIII−Ｖ族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法において、前記２本のスクライブラインは、そのピッチが前記高密度転位部の幅よりも大きいことを特徴とする。
【００２１】
また、請求項５の発明は、請求項４に記載のIII−Ｖ族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法において、前記２本のスクライブラインのピッチは、１００μｍ以上であることを特徴とする。
【００２２】
また、請求項６の発明は、請求項１〜５のいずれかに記載のIII−Ｖ族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法において、記チップ分割の際のブレイク刃の受け台の間隔は前記スクライブラインのピッチ未満であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２３】
本発明は上記のような製造方法を採用することにより以下に述べるような優れた効果を奏する。すなわち、請求項１の発明によれば、低転位領域にストライプ状の発光領域が前記高密度転位部の延在方向と平行になるように発光素子領域を形成したので、高密度転位部の影響が発光領域に与える影響がなくなるから、特性が良く信頼性が高いIII−Ｖ族窒化物系化合物半導体発光素子が得られる。また、得られるIII−Ｖ族窒化物系化合物半導体発光素子は、発光素子領域を設けた面とは反対側の面に、前記高密度転位部を挟むように、２本のスクライブラインを入れた後にブレイクするようにしたので、チップ分割及び高密度転位部の除去に際して欠けの発生が少なくなくなる。加えて、得られるIII−Ｖ族窒化物系化合物半導体発光素子は、高密度転位領域が除去されているから、電流リークが発生し難く、ジャンクションダウン実装ないしフリップチップ実装することができるため、放熱性が良好となり、長寿命化及び高出力化を達成することができる。
【００２４】
また、請求項２の発明によれば、チップ分割と高密度転位部の除去を行うブレイク面を発光素子領域を形成した側の面としたから、発光素子領域は、ブレイク刃及びブレイク受け台とも当接することがないため、損傷を受けることが少なくなる。
【００２５】
また、請求項３の発明によれば、高密度転位部の幅は２０〜３０μｍ程度の範囲でバラツキを持っているが、その幅は高密度転位部の中心から実質的に対称となっているから、III−Ｖ族窒化物系化合物半導体発光素子の製造効率及び高密度転位領域の除去効率が向上する。
【００２６】
また、請求項４の発明によれば、スクライブラインのピッチが高密度転位部の幅よりも大きいから、確実に高密度転位部が除去されたIII−Ｖ族窒化物系化合物半導体発光素子が得られる。
【００２７】
また、請求項５の発明によれば、高密度転位部の幅は２０〜３０μｍ程度の範囲でバラツキを持っているため、この高密度転位部の除去の際のスクライブラインのピッチにはマージンが必要となるが、スクライブラインのピッチが１００μｍ以上であれば、高密度転位部の幅のバラツキを考慮しても、高密度転位部を実質的に１００％除去することができる。このスクライブラインのピッチの上限は、III−Ｖ族窒化物系化合物半導体発光素子のリッジ幅自体は１〜２μｍ程度であるため、実質的にチップサイズによって定まるものであるため、臨界的限度はない。
【００２８】
さらに、請求項６の発明によれば、チップ分割の際のブレイク刃の受け台の間隔は前記スクライブラインのピッチ未満とすることにより、効率的にチップ分割ないし高密度転位部の除去を行うことができ、しかも、チップ部に対する欠けの発生を少なくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明を実施するための最良の形態を実験例及び図面を用いて詳細に説明するが、以下に述べた実施例は、本発明の技術思想を具体化するためのIII−Ｖ族窒化物系化合物半導体発光素子の製造方法を例示するものであって、本発明をこの実施例に特定することを意図するものではなく、本発明は特許請求の範囲に示した技術思想を逸脱することなく種々の変更を行ったものにも均しく適用し得るものである。
【００３０】
なお、図１は実験例において製造したＧａＮ青紫色レーザダイオード素子の断面図であり、図２は実験例におけるＧａＮ青紫色レーザダイオード素子製造の際の素子分割及び高密度転位部除去前の基板の断面図（図２（ａ））及び平面図（図２（ｂ））であり、また、図３はチップ分割ないし高密度転位部の除去に際するスクライブラインとブレーク刃及びブレイク受け台の位置関係を示す図であり、さらに、図４は図２に示した基板のスクライビングピッチと高密度転位部の除去率の関係を示す図である。
［実験例］
まず、上記特許文献２に開示された方法に従って高密度転位部が線状に収束されたＧａＮ基板（図７参照）を用意した。このＧａＮ基板は、Ｃ面が主面であり、＜１１−２０＞方向に約４００μｍ間隔でストライプ状の高密度転位部Ｂが低転位密度領域Ａに対して規則正しく形成された基板となっている。
【００３１】
このＧａＮ基板１を用いて、図１に示したように、ＧａＮ青紫色レーザダイオード素子を作成した。まず、ＧａＮ基板１上に、ＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長法）法によりｎ型ＡｌＧａＮクラッド層２を１．０μｍ成長させた。その後、３周期構造ＭＱＷ活性層３のうちＩｎＧａＮ井戸層を０．００３μｍ成長させ、次に３周期構造ＭＱＷ活性層３のうちＧａＮ障壁層を０．０２μｍ成長させ、さらに、ＩｎＧａＮ光ガイド層４を０．１μｍ成長させた。
【００３２】
その後、ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層５を０．０２μｍ成長させ、次に、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層６を０．５μｍ成長させた。そして、最後に、ｐ型ＧａＮコンタクト層７を０．００５μｍ成長させた。次に、電極プロセスを以下の手順で行った。まず、Ｐｔ／Ｐｄからなるｐ側電極層８を形成し、その後、ドライエッチングにより、電流狭窄部分であるｐ型ＧａＮコンタクト層７とｐ側電極層８からなるリッジを形成し、次いでに、ＣＶＤ装置を用いてリッジ両側にＳｉＯ2膜１０を形成した。次に、Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｕからなるパッド電極９を形成し、基板の裏側を研磨してウエハを１１０μｍ程度の厚さにし、最後にＡｌ／Ｐｔ／Ａｕからなるｎ側電極１１を形成して、複数個のＧａＮ青紫色レーザダイオード素子が形成されたウエハを完成させた。
【００３３】
次に、このウエハからへき開することにより図２に示したような複数個のＧａＮ青紫色レーザダイオード素子が並列に形成されたバー状の基板２０を得た。次いで、ＧａＮ青紫色レーザダイオード素子２１を形成した面２４とは反対側の基板側の面２５に、ＧａＮ青紫色レーザダイオード素子２１間に存在する線状高密度転位部２２を挟むようにかつ高密度転位部の中心線２６に対して対称になるように、２本のスクライブライン２３を入れ、このスクライブライン２３のピッチＬが４０μｍ、６０μｍ、８０μｍ、１００μｍ、１２０μｍの５種類のサンプルを作製した。なお、スクライブライン２３を入れるときの荷重は５ｇ〜２５ｇと変えることによりスクライブライン２３のピッチＬを変更した。
【００３４】
最後に、それぞれのスクライブラインのピッチＬを持つバー状の基板２０を、図３に示したように、ブレイク刃２７の受け台２８、２９の間隔Ｗを６０μｍ一定としたへき開装置（図示せず）を基板側の面２５に配置し、ＧａＮ青紫色レーザダイオード素子２１を形成した面２４側からブレイク刃２７を当接することによりチップ分割と高密度転位部２２の除去を行い、チップを完成させた。２本のスクライブライン２３のピッチＬとチップ完成状態での高密度転位部２２の除去率の測定結果を図４に示す。
【００３５】
図４に示した結果によると、スクライブラインのピッチＬが４０μｍの場合が最も高密度転位部分の除去率が低く、スクライブラインのピッチＬが大きくなるにしたがって高密度転位部分の除去率が増加し、スクライブラインのピッチＬが１００μｍ以上では高密度転位部分の除去率は１００％となった。したがって、スクライブラインのピッチＬは１００μｍ以上であれば、高密度転位部２２の幅のバラツキを考慮しても、確実に高密度転位部２２を除去することができる。
【００３６】
なお、チップ分割の際のブレイク刃２７の受け台２８、２９の間隔Ｗが前記スクライブラインのピッチＬと同じかそれよりも大きくなる６０μｍないし４０μｍの場合は、チップ部に欠けが見られるとともに、チップ部の分割ないし高密度転位部２２の除去ができない場合が生じた。したがって、チップ分割ないしは高密度転位部の除去の際のブレイク刃２７の受け台２８、２９の間隔Ｗは、スクライブラインのピッチＬ未満とすることにより、効率的にチップ分割ないし密度転位部の除去を行うことができ、しかも、チップ部に対する欠けの発生を少なくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】実験例において製造したＧａＮ青紫色レーザダイオード素子の断面図である。
【図２】実験例におけるＧａＮ青紫色レーザダイオード素子製造の際の素子分割及び高密度転位部除去前の基板の断面図（図２（ａ））及び平面図（図２（ｂ））である。
【図３】チップ分割ないし高密度転位部の除去に際するスクライブラインとブレーク刃及びブレイク受け台の位置関係を示す図である。
【図４】図２に示した基板のスクライビングピッチＬと高密度転位部の除去率の関係を示す図である。
【図５】ドット状の高密度転位部Ｂが形成されている一例を示す図である。
【図６】ドット状の高密度転位部Ｂが形成されている別の例を示す図である。
【図７】ストライプ状の高密度転位部Ｂが形成されている例を示す図である。
【図８】図８（ａ）〜図８（ｄ）は、ストライプ状の高密度転位部Ｂが形成されている場合において、素子領域及びレーザストライプを画定する例を示す図である。
【符号の説明】
【００３８】
１    ＧａＮ基板
２    ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層
３    ３周期構造ＭＱＷ活性層
４    ＩｎＧａＮ光ガイド層
５    ｐ型ＡｌＧａＮキャップ層
６    ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層
７    ｐ型ＧａＮコンタクト層
８    ｐ側電極
９    パッド電極
１０    ＳｉＯ2膜
１１    ｎ側電極
２０    バー状の基板
２１    ＧａＮ青紫色レーザダイオード素子
２２    線状高密度転位部
２３    スクライブライン
２７    ブレイク刃
２８、２９    ブレイク受け台
Ａ    低転位密度領域
Ｂ    高密度転位部
Ｌ    スクライブラインのピッチ
Ｗ    ブレイク刃の受け台の間隔
【図１】
2006332240.tif 000003
【図２】
2006332240.tif 000004
【図３】
2006332240.tif 000005
【図４】
2006332240.tif 000006
【図５】
2006332240.tif 000007
【図６】
2006332240.tif 000008
【図７】
2006332240.tif 000009
【図８】
2006332240.tif 000010