(57)【要約】【課題】  パワーモジュールのパッケージ構造の提供。【解決手段】  制御回路を回路板上に形成し、直接基板上に形成せず、占用する基板面積を縮小して製造コストを節約し、並びにパワー素子を高い熱伝導性を具えた材料上に設置し、パワー素子の発生する熱を急速に伝播発散させ、これによりパワーモジュールの信頼度を高めた。【選択図】        図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パワーモジュールのパッケージ構造において、
第１表面と該第１表面の反対側の第２表面を具えると共に、少なくとも一つのピンを具えたリードフレームと、
該リードフレームの一部と接続されて積層構造を形成する回路板（ｃｉｒｃｕｉｔ  ｐｌａｔｅ）と、
正面と背面を具え、該リードフレームの一部の該第２表面が該正面上に設置された基板と、
該基板上に設置された少なくとも一つのパワー素子と、
該回路板上に設置された少なくとも一つの制御素子と、
該回路板と該リードフレーム、該リードフレームと該パワー素子、該パワー素子と該リードフレームを接続する複数の導線と、
を包含したことを特徴とする、パワーモジュールのパッケージ構造。
【請求項２】
請求項１記載のパワーモジュールのパッケージ構造において、基板は絶縁材質とされ、並びに該絶縁材質は片面に金属を包含する複合システム及び両面に金属を包含する複合システムより選択され、並びに回路板はグラスファイバーエポキシ或いはセラミックで組成された群中の絶縁材料より選択されることを特徴とする、パワーモジュールのパッケージ構造。
【請求項３】
請求項１記載のパワーモジュールのパッケージ構造において、回路板がリードフレームの第１表面の一部と接続されてその上に設置されて積層構造を形成するか、或いはリードフレームの第２表面と接続されてその上に設置されて積層構造を形成することを特徴とする、パワーモジュールのパッケージ構造。
【請求項４】
請求項１記載のパワーモジュールのパッケージ構造において、積層構造が基板の正面上に設置され、基板の背面に金属板が設置されたことを特徴とする、パワーモジュールのパッケージ構造。
【請求項５】
請求項１記載のパワーモジュールのパッケージ構造において、少なくとも一つの金属塊を包含するか、或いはリードフレームの一部がパワー素子と基板の間に介装されたことを特徴とする、パワーモジュールのパッケージ構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一種のパワーモジュールのパッケージ構造に係り、特に、高い放熱性、高密度の特徴を具えたパワーモジュールのパッケージ構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
体積が縮小され設計がますます複雑化するのが、各種電子製品の共通の傾向であり、これにより電子装置の体積が縮小され、有限な空間内に如何に多くの装置と導線を詰め込むかが半導体パッケージの重要な課題である。しかし、パッケージ構造の装置と導線の密度が高くなるほど、このパッケージ構造の高密度装置の駆動は大量の熱を発生する。特にパワーモジュールでは、この大量の熱が電子製品の寿命と運転に影響を与える。このため如何にこの高密度パッケージ構造の放熱問題を解決するかも重要な課題である。
【０００３】
図１は周知のパワーモジュール（ｐｏｗｅｒ  ｍｏｄｕｌｅ）パッケージ構造の断面図である。それは、高分子絶縁層と金属アルミ箔層を利用して構成された高い放熱性を具えた基板１００を包含し、並びにこのパワーモジュールの回路（図示せず）は完全にこの基板１００上に形成される。パワーモジュールのパワー素子１１０ａ、制御素子１１０ｂ、及びその他の素子１１０ｃはいずれも該基板上に設置され、このほか基板１００上方にリードフレーム１２１、１２２があり、並びにワイヤボンディングの方式を利用し、複数の導線１１１、１１２、１１３により、パワー素子１１０ａ、制御素子１１０ｂ、及びその他の素子１１０ｃ、リードフレーム１２１、１２２及び基板１００上の表面回路が接続されている。並びに封止樹脂が注入されるかモールディング方法により、基板１００上の素子と回路、及びこのパワーモジュールのリードフレーム１２１、１２２が密封され、リードフレーム１２１、１２２のピンのみが露出させられる。このパワーモジュールパッケージ構造はその構造が簡単で、製造が容易な長所を有する。但し、その全ての素子（パワー素子１１０ａ、制御素子１１０ｂ、及びその他の素子１１０ｃ）及び回路がいずれも基板１００上に設置されているため、このパワーモジュールの回路密度は高くすることができず、また面積が比較的大きい基板を必要とするため、その製造コストが高くなる。このパワーモジュール内のパワー素子１１０ａ、制御素子１１０ｂ、及びその他の素子１１０ｃの発生する熱量は、基板１００を通して基板１００外に接続されたヒートシンクに伝わるが、但し基板１００とヒートシンクの間は放熱ペーストで熱伝導されるため、基板１００が高放熱性材料であるとはいえ、瞬間的及び大量の良好な熱伝導機能を具備することはできない。
【０００４】
図２は別の周知のパワーモジュールパッケージ構造の断面図である。それに示されるパワーモジュールのパッケージ構造は図１と相似であり、同様に高分子絶縁層と金属アルミ箔層を利用して構成された、全ての回路と高い放熱性を具えた基板１００を包含し、その上にパワー素子１１０ａ、制御素子１１０ｂ、及びその他の素子１１０ｃが設置され、基板１００上方にリードフレーム１２１、１２２があり、並びにワイヤボンディングの方式を利用し、複数の導線１１１、１１２、１１３により、パワー素子１１０ａ、制御素子１１０ｂ、及びその他の素子１１０ｃ、リードフレーム１２１、１２２及び基板１００上の表面回路が接続されている。並びに封止樹脂が注入されるかモールディング方法により、基板１００上の素子と回路、及びこのパワーモジュールのリードフレーム１２１、１２２が密封され、リードフレーム１２１、１２２のピンのみが露出させられる。このパワーモジュールパッケージ構造と図１に示されるものとの違いは、基板１００の底部表面が金属板２００に接続されていることである。このパワーモジュールパッケージ構造はその構造が簡単で製造が容易な長所を有し、並びに金属板２００を具えているため、この金属板２００の高い熱伝導特性により、良好な瞬間的及び大量の熱伝導機能を提供できる。ただし全ての素子（パワー素子１１０ａ、制御素子１１０ｂ、及びその他の素子１１０ｃ）及び回路は図１のものと同様に基板１００上に設置されているため、このパワーモジュールパッケージ構造も回路密度を高くできず、製造コストが高いという欠点を有している。
【０００５】
図３は更に別の周知のパワーモジュールパッケージ構造の断面図である。それは高分子絶縁層と金属アルミ箔層を利用して構成された高い放熱性を具えた基板１００を包含し、このパッケージ構造と図１、図２に示されるものとの違いは、パワーモジュールのパワー素子１１０ａ、制御素子１１０ｂがいずれもリードフレーム１２１、１２２にハンダ付け或いはその他の方式で設置され、このリードフレーム１２１、１２２は基板１００上方にあり、リードフレーム１２１とリードフレーム１２２は接続されていないことにある。並びにワイヤボンディング方式を利用し、複数の導線１１１、１１２．．．により各素子（パワー素子１１０ａ、制御素子１１０ｂ）、リードフレーム１２１、１２２及びその上の表面回路が電気的に接続されている。並びに封止樹脂の注入或いはモールディングにより基板１００上の素子と回路が密封され、このパワーモジュールのリードフレーム１２１、１２２はリードフレームのピンのみが露出する。このパワーモジュールパッケージ構造はその構造が簡単で、製造が容易な長所を有する。但し、このパワーモジュールはリードフレームと全体回路レイアウトが一体に構成されているため、回路とパッケージ構造の密度と精度が制限される。このパワーモジュール内のパワー素子１１０ａの発生する熱はリードフレームよりパッケージ材質を介して基板１００に伝わるが、基板１００と放熱素子の間は放熱ペーストで熱伝導されるため、熱伝導効果は不良である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
これにより、如何にパッケージ構造の密度を高めて製造コストを節約するかが重要な課題であり、パッケージ構造の密度を高めると共に、如何に高密度パッケージ構造及びパワー素子の付帯する放熱問題を解決するかが、もう一つの重要な課題である。
【０００７】
上述の背景技術における、パッケージ構造回路密度と放熱効率不良の問題を鑑み、本発明は、回路を回路板上に形成し、並びにリードフレームと積み重ねた構造を形成すると共に、パワー素子が良好な熱伝導経路を具えるようにしたパッケージ構造を提示し、これにより背景技術中のパッケージ構造不良による放熱不良と回路密度の改善不能の問題を改善する。
【０００８】
即ち、本発明の目的は、回路板（ｃｉｒｃｕｉｔ  ｐｌａｔｅ）上に、従来基板上に設置されていた回路を設置し、並びにこの回路板を一部リードフレーム上に積み重ねて積層構造を形成し、これにより基板上の回路レイアウト或いは回路板を無くし、その回路密度を高め、パッケージ構造を縮減することにある。これにより、必要な基板面積を減らし、製造コストも下げることができる。
【０００９】
本発明の別の目的は、パワー素子を基板上の高放熱材料上に設置するか或いは高い放熱特性を具えた基板上に直接設置し、パワー素子運転時に発生する大量の熱を、この高放熱材料により急速に基板に伝導して外界に発散させられるようにし、熱伝導性不良のパッケージ材料を経由する必要を無くし、その熱伝導効率を極めて良好とすることにある。その熱伝導効率が良好であり、瞬間大電流通過により発生する高熱に耐えることができるため、この高熱が急速に伝導発散されないことによるパワーモジュールの損壊を防止できる。
【００１０】
上述の目的を達成するため、本発明は高密度と高い放熱特性を具えたパワーモジュールのパッケージ構造を提供する。それは、高い放熱特性を具えた基板を具え、この基板の正面にリードフレームが設置される。このパワーモジュールの回路レイアウトを具えた回路板（ｃｉｒｃｕｉｔ  ｐｌａｔｅ）が一部リードフレームに設置されて積層構造を形成する。並びに複数（或いは一つ）の制御素子が回路板上に設置され、複数のパワー素子が基板上の高放熱材料、例えばリードフレーム或いは金属塊上に設置されるか、或いはこの高い放熱特性を具えた基板上に直接設置されて良好な熱伝導経路を形成する。及び、複数の導線が該回路板と該リードフレーム、該回路板と該パワー素子、該パワー素子と該リードフレームを接続する。封止樹脂が一部の基板、基板上の各素子、リードフレーム、回路板を密封する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
請求項１の発明は、パワーモジュールのパッケージ構造において、
第１表面と該第１表面の反対側の第２表面を具えると共に、少なくとも一つのピンを具えたリードフレームと、
該リードフレームの一部と接続されて積層構造を形成する回路板（ｃｉｒｃｕｉｔ  ｐｌａｔｅ）と、
正面と背面を具え、該リードフレームの一部の該第２表面が該正面上に設置された基板と、
該基板上に設置された少なくとも一つのパワー素子と、
該回路板上に設置された少なくとも一つの制御素子と、
該回路板と該リードフレーム、該リードフレームと該パワー素子、該パワー素子と該リードフレームを接続する複数の導線と、
を包含したことを特徴とする、パワーモジュールのパッケージ構造としている。
請求項２の発明は、請求項１記載のパワーモジュールのパッケージ構造において、基板は絶縁材質とされ、並びに該絶縁材質は片面に金属を包含する複合システム及び両面に金属を包含する複合システムより選択され、並びに回路板はグラスファイバーエポキシ或いはセラミックで組成された群中の絶縁材料より選択されることを特徴とする、パワーモジュールのパッケージ構造としている。
請求項３の発明は、請求項１記載のパワーモジュールのパッケージ構造において、回路板がリードフレームの第１表面の一部と接続されてその上に設置されて積層構造を形成するか、或いはリードフレームの第２表面と接続されてその上に設置されて積層構造を形成することを特徴とする、パワーモジュールのパッケージ構造としている。
請求項４の発明は、請求項１記載のパワーモジュールのパッケージ構造において、積層構造が基板の正面上に設置され、基板の背面に金属板が設置されたことを特徴とする、パワーモジュールのパッケージ構造としている。
請求項５の発明は、請求項１記載のパワーモジュールのパッケージ構造において、少なくとも一つの金属塊を包含するか、或いはリードフレームの一部がパワー素子と基板の間に介装されたことを特徴とする、パワーモジュールのパッケージ構造としている。
【発明の効果】
【００１２】
本発明は、回路が回路板上に設置されて、基板上に直接設置されず、並びにリードフレームと基板が積層構造を成すため、占用が必要な基板面積が減らされ、ゆえに有効にパッケージ体積を縮減できる。並びに、パワー素子が高放熱性基板或いは基板上の高放熱材料上に設置されて、良好な熱伝導経路を形成し、有効且つ急速にパワー素子作業時に発生する大量の熱を外界或いはヒートシンクに伝導できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
図４は本発明の実施例のパワーモジュールのパッケージ構造の断面図である。このパッケージ構造は、高い放熱性と絶縁特性を具えた基板４００を包含し、並びにこの基板４００は正面４００ａとこの正面の反対側に位置する背面４００ｂを具えている。複数のピン４２１、４２２、．．．（その他は図示せず）を具えたリードフレーム４２０が、その第２表面４２０ｂで基板４００の正面４００ａと接続されて、この基板４００上に設置される。回路板（ｃｉｒｃｕｉｔ  ｐｌａｔｅ）４２５が、その両端でリードフレーム４２０の第１表面４２０ａに接続されてその上に設置され、基板４００上で積層構造を形成し、ゆえに占用が必要な基板面積が減らされ、パッケージ構造の体積が減らされている。このほか、制御素子４１０ｂ（その他の実施例では複数個とされうる）と複数のパワー素子４１０ａがそれぞれ回路板４２５上とリードフレーム４２０の第１表面４２０ａ上に設置され、並びにワイヤボンディング方式で、複数の導線４１１、４１２、４１３、４１４、４１５、４１６、．．．により各素子（制御素子４１０ｂ、パワー素子４１０ａ、回路板４２５上の回路（図示せず））、リードフレーム４２０が電気的に接続されている。並びに封止樹脂で一部の基板、基板上の各素子、リードフレーム（ピン除外）、回路板が密封されている。
【００１４】
上述のパッケージ構造中、従来の基板４００上の設置に代わり、全ての回路が回路板４２５上に配置、接続されて、積層構造が形成され、ゆえに占用が必要な基板面積が減らされ、パッケージ構造の体積が減らされる。本発明の基板４００は絶縁材料、例えばセラミック材料とされるか、金属複合材料とされるか、片面或いは両面に金属の複合材料を包含するものとされる。更に本発明の回路板材料も絶縁材料とされ、例えばグラスファイバーエポキシ（ｇｌａｓｓ  ｆｉｂｅｒ  ｅｐｏｘｙ）材料或いはセラミック材料とされる。
【００１５】
このほか、本実施例では、ペースト４１７、例えば銀ペーストが、回路板４２５とリードフレーム４２０と基板４００を接続して積層構造を形成するのに用いられる。但し本発明のその他の実施例では、直接ハンダ付けにより接続可能である。
【００１６】
本発明のパワー素子はパワーモジュール作動時に高い熱量を発生しうる素子を指す。このようなパワー素子４１０ａがリードフレーム４２０上に設置されて良好な熱伝導経路を形成し、リードフレーム４２０により急速に熱を基板４００と外界のヒートシンクに伝導して放熱する。このほか、図５に示されるように、基板４００の背面４００ｂに更に金属板４３０を設置することで、放熱効率を増すことができる。制御素子４１０ｂはパワー素子作動を制御する素子を指す。この制御素子４１０ｂが回路板４２５上に設置され、ワイヤボンディング方式で導線により回路板４２５上の回路と電気的に接続され、更に導線によりパワー素子４１０ａと電気的に接続されて、パワー素子４１０ａの作動制御を達成する。
【００１７】
このほか、リードフレーム４２０は本実施例のパッケージ構造においては、その両辺がいずれも上向きとされる。しかし、本発明のリードフレーム構造はこの構造に限定される訳ではなく、同一平面、或いは異なる平面上にあるものとされうる。以下の実施例は本発明の各種の異なるリードフレーム構造を提示するものであるが、本発明のリードフレーム構造を制限するものではない。この技術を熟知するものであれば変化を加えることができるが、それも本発明の範囲より逸脱しないものとする。
【００１８】
図６に示されるパッケージ構造は上述の実施例（図４）とほぼ同じである。その異なるところは、そのリードフレーム４２３ａが同一平面上にあるが、リードフレームが図４のリードフレームのように両側部分が上向きに隆起せず、図７の実施例ではリードフレーム４２３ｂの両側が下向きに傾斜する構造とされ、また図８の実施例ではリードフレーム４２３ｃが異なる平面上に位置し、その両側部分は一辺が上向きに隆起し、もう一辺が下向きに傾斜する構造とされている。
【００１９】
図９は本発明の別の実施例の断面図であり、第１表面４２０ａと第２表面４２０ｂ、及び複数のピン４２１、４２２、．．．（その他は図示せず）を包含する。このパッケージ構造は、高い放熱特性を具え、正面４００ａとこの正面４００ａの反対側の背面４００ｂを具えた基板４００、及び回路板４２５を包含する。リードフレーム４２０の一部は第２表面４２０ｂで回路板４２５と接続され、その上に設置されて積層構造を形成し、別の部分は第２表面４２０ｂで基板４００の正面４００ａと接続されてその上に設置される。この回路板４２５とリードフレーム４２０の形成する積層構造は金属板４３０上に設置され、並びに基板４００が背面４００ｂでこの金属板４３０に接続され並びにその上に設置される。制御素子４１０ｂ（その他の実施例では複数個とされうる）と複数のパワー素子４１０ａがそれぞれ回路板４２５上とリードフレーム４２０の第１表面４２０ａ上に設置され、並びにワイヤボンディング方式で複数の導線４１１、４１２、４１３、４１４、４１５、４１６、．．．により各素子（制御素子４１０ｂ、パワー素子４１０ａ）、回路板４２５上の回路（図示せず）、リードフレーム４２０が接続される。並びに封止樹脂で一部の基板、基板上の各素子、リードフレーム（ピンは除外）、回路板が密封される。
【００２０】
この実施例でも、全ての回路は基板４００上に代わり回路板４２５上に設置され、並びにリードフレーム４２０と積層構造を形成し、ゆえに占用が必要な基板面積を減らし、パッケージ構造の体積を減らすことができる。パワー素子４１０ａがリードフレーム４２０上に設置されて、パワー素子４１０ａが発生する熱はリードフレーム４２０の良好な熱伝導特性により基板４００と金属板４３０に伝えられて外界或いはヒートシンクへと散逸される。当然、本発明のリードフレームは前述の実施例と同様に同一平面、或いは異なる平面上に設置可能である。
【００２１】
図１０は本発明のまた別の実施例のパワーモジュールのパッケージ構造の断面図である。このパワーモジュールのパッケージ構造はリードフレーム４２０を包含し、リードフレーム４２０は第１表面４２０ａと第２表面４２０ｂ、及び少なくとも一つのピン、例えばピン４２１、４２２を具えている。回路板４２５はリードフレーム４２０の第１表面４２０ａの一部が接続されて、その上に設置されて積層構造を形成し、その他の実施例中、この積層構造は回路板４２５とリードフレーム４２０の第２表面４２０ｂの一部が接続されて形成される。更に、高い放熱特性を具え、正面４００ａと該正面４００ａと反対側の背面４００ｂを具えた金属板４３０を包含し、リードフレーム４２０の第２表面４２０ｂの一部が基板４００の正面４００ａと接続されその上に設置される。制御素子４１０ｂ（その他の実施例では複数個とされうる）が回路板４２５上に設置され、複数のパワー素子４１０ａが直接基板４００の正面４００ａ上に設置され、並びにワイヤボンディング方式で、複数の導線４１１、４１２、４１３、４１４、４１５、４１６、．．．によりパワー素子４１０ａ、制御素子４１０ｂ、回路板４２５上の回路（図示せず）、リードフレーム４２０が接続される。並びに封止樹脂により一部の基板、基板上の各素子、リードフレーム（ピンは除外）、回路板が密封される。
【００２２】
この実施例も同様に、全ての回路が周知の基板４００上でなく回路板４２５上に配置され、並びにリードフレーム４２０及び基板４００と積層構造を形成し、ゆえに占用が必要な基板面積が減らされ、パッケージ構造の体積が減らされる。パワー素子４１０ａは直接基板４００上に設置されて基板４００の良好な熱伝導特性により、パワー素子４１０ａの発生する熱が基板４００を通し外界或いはヒートシンクへと散逸される。当然、本実施例のリードフレームは前述の実施例と同様に、同一平面、或いは異なる平面上に設置可能である。
【００２３】
図１１は本発明の別の実施例のパワーモジュールのパッケージ構造の断面図である。このパッケージ構造は、高い放熱特性を具え、正面４００ａとこの正面４００ａの反対側の背面４００ｂを具えた基板４００、複数のピン４２１、４２２、．．．（他は図示せず）を具え、第２表面４２０ｂが基板４００の正面４００ａと接続されてこの基板４００上に設置されたリードフレーム４２０を包含する。更に、高い放熱特性を具えた放熱材料ブロック４２４が基板４００の正面４００ａ上に設置される。回路板４２５は一端がリードフレーム４２０の第１表面４２０ａに接続されてその上に設置され、積層構造を形成し、もう一端は最も接近する放熱材料ブロック４２４に接続されその上に設置され、ゆえに占用が必要な基板面積が減らされ、パッケージ構造の体積が減らされる。このほか、複数の制御素子４１０ｂと複数のパワー素子４１０ａがそれぞれ回路板４２５上と放熱材料ブロック４２４上に設置され、並びにワイヤボンディング方式で複数の導線４１１、４１２、４１３、４１４、４１５、４１６、．．．によりパワー素子４１０ａ、回路板４２５上の回路（図示せず）、リードフレーム４２０が接続される。このほか、基板４００の背面４００ｂに金属板４３０が接続される（その他の実施例ではこの金属板を具備しないものとなしうる）。並びに封止樹脂で一部の金属板４３０、基板上の各素子、リードフレーム４２０（ピンは除外）、回路板４２５が密封される。
【００２４】
上述のパッケージ構造（図１１）に使用される基板４００と回路板４２５は前述のその他の実施例と同じである。その回路板４２５とリードフレーム４２０は積層構造を形成して基板４００上に設置され、その相互の積層により占用が必要な基板面積を減らし、パッケージ構造の体積を減らす効果が達成される。
【００２５】
更に、パワー素子４１０ａが基板４００上の放熱材料ブロック４２４上に設置され、且つ基板４００の背面４００ｂと金属板４３０が接続され、これにより、パワー素子４１０ａの作動により発生する大量の熱が急速に放熱材料ブロック４２４より基板４００と金属板４３０に伝えられ、金属板４３０により熱が外界或いは外接されたヒートシンク（図示せず）に発散される。ゆえにこのパッケージ構造は更に瞬間的に通過する大電流により発生する大量の熱に耐えられる。この放熱材料ブロック４２４は通常は金属塊とされる。
【００２６】
その他の実施例にあって、制御素子４１０ｂはワイヤボンディング方式でなく直接回路板４２５と電気的に接続される。回路板４２５とリードフレーム４２０はペースト４１７で電気的に接続されて導線が排除され、このペースト４１７は通常導電材料、例えば銀ペーストとされる。このパッケージ構造のリードフレーム４２０は前述のその他の実施例と同様に、必要により同一平面、或いは異なる平面上に設置される。
【００２７】
以上は本発明の好ましい実施例の説明であって、本発明の範囲を限定するものではなく、本発明に基づきなしうる細部の修飾或いは改変は、いずれも本発明の特許請求の範囲に属するものとする。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】周知のパワーモジュールパッケージ構造の断面図である。
【図２】別の周知のパワーモジュールパッケージ構造の断面図である。
【図３】更に別の周知のパワーモジュールパッケージ構造の断面図である。
【図４】本発明の実施例のパワーモジュールのパッケージ構造の断面図であり、その回路板と各素子はいずれもリードフレーム上に設けられている。
【図５】本発明の実施例のパワーモジュールのパッケージ構造の断面図であり、その回路板と各素子はいずれもリードフレーム上に設けられている。
【図６】本発明のリードフレームが同一平面上に位置する実施例図である。
【図７】本発明のリードフレームが異なる平面上に位置する実施例図である。
【図８】本発明のリードフレームが異なる平面上に位置する別の実施例図である。
【図９】本発明の別の実施例図である。
【図１０】本発明の更にまた別の実施例の断面図であり、そのパワー素子は直接基板の正面上に設置されている。
【図１１】本発明の別の実施例の断面図であり、そのパワー素子は金属塊上に設置されて基板と接続されている。
【符号の説明】
【００２９】
４００  基板
４１０ａ  パワー素子
４１０ｂ  制御素子
４１１、４１２、４１３、４１４、４１５、４１６  導線
４１７  ペースト
４２０  リードフレーム
４２０ａ  第１表面
４２０ｂ  第２表面
４２１、４２２  ピン
４２３ａ  リードフレーム
４２３ｂ  リードフレーム
４２３ｃ  リードフレーム
４２４  放熱材料ブロック
４２５  回路板
４２６  封止樹脂
４３０  金属板
【図１】
2006332573.tif 000003
【図２】
2006332573.tif 000004
【図３】
2006332573.tif 000005
【図４】
2006332573.tif 000006
【図５】
2006332573.tif 000007
【図６】
2006332573.tif 000008
【図７】
2006332573.tif 000009
【図８】
2006332573.tif 000010
【図９】
2006332573.tif 000011
【図１０】
2006332573.tif 000012
【図１１】
2006332573.tif 000013