(57)【要約】【課題】  圧電体と制御素子とを接続する金属配線の断線を防止する液滴吐出ヘッド、インクジェットプリントヘッド及びインクジェットプリンタを得る。【解決手段】  該配設部１０２に振動板４８の変位に寄与しない圧電体９８を延設し、該圧電体９８上に金属配線８６を配設することで、金属配線８６の配線高さが圧電体９８の肉厚分嵩上げされる。つまり、金属配線８６の引き回しによって生じる段差を該圧電体９８の肉厚分減らすことができ、該段差を小さくすることができる。このため、金属配線８６の断線を防止することができる。【選択図】          図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液滴を吐出するノズルと、
前記ノズルと連通し、液滴が充填される圧力室と、
前記圧力室の一部を構成する振動板と、
前記圧力室へ液滴流路を介して供給する液滴をプールする液滴プール室と、
前記振動板に取付けられ振動板を変位させるための圧電体と、
前記振動板と前記圧電体の下面の間に形成され、圧電体の一方の極性となる下部電極と、
前記圧電体の上面に設けられ、他方の極性となる上部電極と、
を備え、
前記上部電極に電圧を印加する上部引き出し配線が配設される領域に、前記振動板の変位に寄与しない圧電体が延びていることを特徴とする液滴吐出ヘッド。
【請求項２】
前記振動板の変位に寄与しない圧電体は、分極処理が施されていない圧電体であることを特徴とする請求項１に記載の液滴吐出ヘッド。
【請求項３】
前記振動板の変位に寄与しない圧電体は、前記上部電極及び前記下部電極のうちのいずれか一方、又はいずれも配設されていない圧電体であることを特徴とする請求項１に記載の液滴吐出ヘッド。
【請求項４】
前記振動板の変位に寄与しない圧電体と前記上部引き出し配線の間に絶縁層が設けられたことを特徴とする請求項１に記載の液滴吐出ヘッド。
【請求項５】
前記上部電極を形成するときに上部電極の材料で前記上部引き出し配線を形成したことを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の液滴吐出ヘッド。
【請求項６】
前記上部引き出し配線と前記上部電極は異なる材料で形成されていることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の液滴吐出ヘッド。
【請求項７】
前記上部電極を被覆する絶縁層に開口部が設けられ、前記開口部を通じて上部電極と前記上部引き出し配線とが接続していることを特徴とする請求項６に記載の液滴吐出ヘッド。
【請求項８】
前記上部引き出し配線と前記上部電極を重ね合わせて接続していることを特徴とする請求項６に記載の液滴吐出ヘッド。
【請求項９】
前記振動板の変位に寄与する圧電体と振動板の変位に寄与しない圧電体を区分けし、前記上部引き出し線が配設される配設部のみ連結させたことを特徴とする請求項１〜８の何れか１項に記載の液滴吐出ヘッド。
【請求項１０】
前記絶縁層が、ＣＶＤ法で形成されたシリコン酸化膜であることを特徴とする請求項４又は７に記載の液滴吐出ヘッド。
【請求項１１】
前記絶縁層が、スパッタリング法で形成されたシリコン酸化膜であることを特徴とする請求項４又は７に記載の液滴吐出ヘッド。
【請求項１２】
前記絶縁層材料が、スピン・オン・グラスであることを特徴とする請求項４又は７に記載の液滴吐出ヘッド。
【請求項１３】
前記圧電体の肉厚が、３〜５０μｍであることを特徴とする請求項１〜１２の何れか１項に記載の液滴吐出ヘッド。
【請求項１４】
複数列のノズルからインク滴が吐出するインクジェットプリントヘッドにおいて、
請求項１〜１３の何れか１項に記載の液滴吐出ヘッドが適用されたことを特徴とするインクジェットプリントヘッド。
【請求項１５】
請求項１４に記載のインクジェットプリントヘッドを備えたことを特徴とするインクジェットプリンタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インク滴等を吐出する液滴吐出ヘッド、インクジェットプリントヘッド及びインクジェットプリンタに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、主走査方向に往復移動するインクジェット記録ヘッド（以下、単に「記録ヘッド」という場合がある）の複数のノズルから選択的にインク滴を吐出し、副走査方向に搬送されて来る記録紙等の記録媒体に文字や画像等を印刷するインクジェット記録装置は知られている。
【０００３】
このような構成のインクジェット記録ヘッドにおいて、次世代インクジェットヘッドとして１２００ｄｐｉ、さらには２４００ｄｐｉの高解像度の実現が望まれている。ピエゾタイプのインクジェットヘッドを高解像で得るためには、複数列のノズル配列が必要である（特許文献１又は２）。また、圧電素子（ＰＺＴ素子等）への配線は個別配線を行い、各圧電素子から引き回し、制御素子（いわゆるＳｗ−ＩＣ）と接続させる。
【０００４】
これらの工程はＬＳＩ工程をベースに構築されているが、この中で、圧電素子を構成する圧電体は５〜２０μｍ程度の厚さが狙いであり、通常のＬＳＩ工程においては、図２３に示すように、上部電極２００の上面と下部電極２０２の上面との間には、圧電体２０４の肉厚分の高低差が生じる。このため、金属配線２０６の引き回しにおいて、段差が生じることとなり、局所的な配線幅の減少（細り）が発生する。そして、顕著な場合は金属配線２０６の断線が生じる可能性がある。
【特許文献１】特開２００２−１８７２７１号公報
【特許文献２】特開２００４−１６０９６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は上記事実を考慮し、本発明は、圧電体と制御素子とを接続する金属配線の断線を防止する液滴吐出ヘッド、インクジェットプリントヘッド及びインクジェットプリンタを得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１に記載の発明は、液滴を吐出するノズルと、前記ノズルと連通し、液滴が充填される圧力室と、前記圧力室の一部を構成する振動板と、前記圧力室へ液滴流路を介して供給する液滴をプールする液滴プール室と、前記振動板に取付けられ振動板を変位させるための圧電体と、前記振動板と前記圧電体の下面の間に形成され、圧電体の一方の極性となる下部電極と、前記圧電体の上面に設けられ、他方の極性となる上部電極と、を備え、前記上部電極に電圧を印加する上部引き出し配線が配設される領域に、前記振動板の変位に寄与しない圧電体が延びていることを特徴とする液滴吐出ヘッド。
【０００７】
上部電極に電圧を印加する上部引き出し配線は、上部電極と制御素子（いわゆるＳｗ−ＩＣ）とを接続するが、上部電極の上面と、制御素子が配設された基板との間には、少なくとも下部電極、圧電体及び上部電極の肉厚分の高低差が生じることとなり、上部引き出し配線の引き回しにおいて段差が生じることとなる。
【０００８】
しかし、請求項１に記載の発明では、上部電極に電圧を印加する上部引き出し配線が配設される領域に、振動板の変位に寄与しない圧電体を延設し、該圧電体上に上部引き出し配線を配設することで、上部引き出し配線の配線高さが圧電体の肉厚分嵩上げされる。つまり、上部引き出し配線の段差を該圧電体の肉厚分減らすことができ、上部引き出し配線の引き回しで生じる段差を小さくすることができる。このため、上部引き出し配線の断線を防止することができる。
【０００９】
また、圧電体は振動板の変位に寄与しないため、振動板の変位に寄与する圧電体の静電容量が増加することもなく、液滴吐出ヘッドの小型化を図ることができる。さらに、振動板の変位に寄与しない圧電体まで下部電極を延設させることで接地が強化される。
【００１０】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の液滴吐出ヘッドにおいて、前記振動板の変位に寄与しない圧電体は、分極処理が施されていない圧電体であることを特徴とする。
【００１１】
請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の液滴吐出ヘッドにおいて、前記振動板の変位に寄与しない圧電体は、前記上部電極及び前記下部電極のうちのいずれか一方、又はいずれも配設されていない圧電体であることを特徴とする。
【００１２】
請求項４に記載の発明は、請求項１に記載の液滴吐出ヘッドにおいて、前記振動板の変位に寄与しない圧電体と前記上部引き出し配線の間に絶縁層が設けられたことを特徴とする。
【００１３】
請求項４に記載の発明では、請求項１の効果に加え、振動板の変位に寄与しない圧電体と上部引き出し配線の間に絶縁膜（誘電体膜）を形成することで、該圧電体と上部引き出し配線間に生じる寄生容量を大幅に軽減することができる。
【００１４】
これにより、電力のロス、発熱等を大幅に低減することができ、安定した駆動が可能となる。また、液滴吐出ヘッドの小型化を図ることができる。さらに、振動板の変位に寄与しない圧電体上に絶縁膜を設けることで、下部電極を該圧電体まで延設することが可能となり、接地が強化される。
【００１５】
請求項５に記載の発明は、請求項１〜４の何れか１項に記載の液滴吐出ヘッドにおいて前記上部電極を形成するときに上部電極の材料で前記上部引き出し配線を形成したことを特徴とする。
【００１６】
請求項５に記載の発明では、上部電極を形成するときに上部電極の材料で上部引き出し配線を形成することで、上部引き出し配線を別途形成する必要がなく、また、上部電極と上部引き出し配線とを接続するためのコンタクトホールを別途形成する必要がないため、工程を大幅に削減することができる。
【００１７】
請求項６に記載の発明は、請求項１〜４の何れか１項に記載の液滴吐出ヘッドにおいて、前記上部引き出し配線と前記上部電極は異なる材料で形成されていることを特徴とする。
【００１８】
請求項６に記載の発明では、例えば、上部引き出し配線をＡｌ等の金属で形成し、上部電極と異なる材料とすることで、電極材料であるＩｒ等を直接引き出すよりも上部引き出し配線の形成が容易であり、上部引き出し配線の特性が安定する。
【００１９】
請求項７に記載の発明は、請求項６に記載の液滴吐出ヘッドにおいて、前記上部電極を被覆する絶縁層に開口部が設けられ、前記開口部を通じて上部電極と前記上部引き出し配線とが接続していることを特徴とする。
【００２０】
請求項８に記載の発明は、請求項６に記載の液滴吐出ヘッドにおいて、前記上部引き出し配線と前記上部電極を重ね合わせて接続していることを特徴とする。
【００２１】
請求項８に記載の発明では、上部引き出し配線と上部電極を重ね合わせて接続することで、上部電極と上部引き出し配線とを接続するためのコンタクトホールを別途形成する必要がないため、工程を省くことができる。また、上部引き出し配線をＡｌ等の金属で形成することで、電極材料であるＩｒ等を直接引き出すよりも上部引き出し配線の形成が容易であり、上部引き出し配線の特性が安定する。
【００２２】
請求項９に記載の発明は、請求項１〜８の何れか１項に記載の液滴吐出ヘッドにおいて、前記振動板の変位に寄与する圧電体と振動板の変位に寄与しない圧電体を区分けし、前記上部引き出し線が配設される配設部のみ連結させたことを特徴とする。
【００２３】
振動板の変位に寄与する圧電体周りに、振動板の変位に寄与しない圧電体がある場合、振動板の変位に寄与する圧電体が拘束され、該圧電体の変位量が小さくなってしまう。このため、請求項９に記載の発明では、振動板の変位に寄与する圧電体と振動板の変位に寄与しない圧電体を区分けし、上部引き出し線が配設される配設部のみ連結することで、振動板の変位に寄与しない圧電体による振動板の変位に寄与する圧電体への拘束力を最大限抑制することができる。
【００２４】
請求項１０に記載の発明は、請求項４又は７に記載の液滴吐出ヘッドにおいて、前記絶縁層が、ＣＶＤ法で形成されたシリコン酸化膜であることを特徴とする。
【００２５】
ＣＶＤ法とは、気相の分子を加熱した基板上に流し、熱分解反応などによる生成物を基板上に蒸着させる方法であり、これによりシリコン酸化膜を形成する。この他にも、エアロゾルデポジション（ＡＤ）法やソルゲル法でシリコン酸化膜を形成しても良い。エアロゾルデポジション（ＡＤ）法とは、音速の加速微粒子を基板に衝突させ、粒子の運動エネルギーを粒子と基板及び粒子間の接合エネルギーに変換する成膜方法のことであり、ソルゲル法とは、液体中に固体微粒子が均一に分散したゾル状態から微粒子間に引力相互作用が働き３次元網目構造へ発展したゲル状態を経て成膜する方法である。
【００２６】
請求項１１に記載の発明は、請求項４又は７に記載の液滴吐出ヘッドにおいて、前記絶縁層が、スパッタリング法で形成されたシリコン酸化膜であることを特徴とする。
【００２７】
スパッタリング法とは、イオン衝撃によって被膜生成源（陰極）の表面から被膜材料（ターゲット）を構成する原子、分子が飛び出し、周囲の物体が被膜する結果となることで、これを利用して物体表面に薄膜を形成させる方法である。
【００２８】
請求項１２に記載の発明は、請求項４又は７に記載の液滴吐出ヘッドにおいて、前記絶縁層材料が、スピン・オン・グラスであることを特徴とする。
【００２９】
スピン・オン・グラスとは、ガラス成分の液体を塗布し、加熱、焼結させることにより、物体表面に薄膜を形成させる方法であり、ＣＶＤ法等で形成された酸化膜よりも弱い酸化膜ではあるが、物体表面に液体を塗布するため、カバレッジが非常に良い。
【００３０】
請求項１３に記載の発明は、請求項１〜１２の何れか１項に記載の液滴吐出ヘッドにおいて、前記圧電体の肉厚が、３〜５０μｍであることを特徴とする。
【００３１】
請求項１４に記載の発明は、複数列のノズルからインク滴が吐出するインクジェットプリントヘッドにおいて、請求項１〜１３の何れか１項に記載の液滴吐出ヘッドが適用されたことを特徴とするインクジェットプリントヘッド。
【００３２】
請求項１５に記載の発明は、請求項１４に記載のインクジェットプリントヘッドを備えたことを特徴とするインクジェットプリンタ。
【発明の効果】
【００３３】
本発明は上記構成としたので、上部電極に電圧を印加する上部引き出し配線が配設される領域に、振動板の変位に寄与しない圧電体を延設し、該圧電体上に上部引き出し配線を配設することで、上部引き出し配線の配線高さが圧電体の肉厚分嵩上げされ、上部引き出し配線の引き回しで生じる段差を小さくすることができる。このため、上部引き出し配線の断線を防止することができる。また、圧電体は振動板の変位に寄与しないため、振動板の変位に寄与する圧電体の静電容量が増加することもなく、液滴吐出ヘッドの小型化を図ることができる。さらに、振動板の変位に寄与しない圧電体まで下部電極を延設させることで接地が強化される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、本発明の実施の形態を図面に示す実施例を基に詳細に説明する。なお、記録媒体は記録紙Ｐとして説明をする。また、記録紙Ｐのインクジェット記録装置１０における搬送方向を副走査方向として矢印Ｓで表し、その搬送方向と直交する方向を主走査方向として矢印Ｍで表す。また、図において、矢印ＵＰ、矢印ＬＯが示されている場合は、それぞれ上方向、下方向を示すものとし、上下の表現をした場合は、上記各矢印に対応しているものとする。
【００３５】
まず、最初にインクジェット記録装置１０の概要を説明する。図１で示すように、インクジェット記録装置１０は、ブラック、イエロー、マゼンタ、シアンの各インクジェット記録ユニット３０（インクジェット記録ヘッド３２）を搭載するキャリッジ１２を備えている。このキャリッジ１２の記録紙Ｐの搬送方向上流側には一対のブラケット１４が突設されており、そのブラケット１４には円形状の開孔１４Ａ（図２参照）が穿設されている。そして、その開孔１４Ａに、主走査方向に架設されたシャフト２０が挿通されている。
【００３６】
また、主走査方向の両端側には、主走査機構１６を構成する駆動プーリー（図示省略）と従動プーリー（図示省略）が配設されており、その駆動プーリーと従動プーリーに巻回されて、主走査方向に走行するタイミングベルト２２の一部がキャリッジ１２に固定されている。したがって、キャリッジ１２は主走査方向に往復移動可能に支持される構成である。
【００３７】
また、このインクジェット記録装置１０には、画像印刷前の記録紙Ｐを束にして入れておく給紙トレイ２６が設けられており、その給紙トレイ２６の上方には、インクジェット記録ヘッド３２によって画像が印刷された記録紙Ｐが排出される排紙トレイ２８が設けられている。そして、給紙トレイ２６から１枚ずつ給紙された記録紙Ｐを所定のピッチで副走査方向へ搬送する搬送ローラー及び排出ローラーからなる副走査機構１８が設けられている。
【００３８】
その他、このインクジェット記録装置１０には、印刷時において各種設定を行うコントロールパネル２４と、メンテナンスステーション（図示省略）等が設けられている。メンテナンスステーションは、キャップ部材、吸引ポンプ、ダミージェット受け、クリーニング機構等を含んで構成されており、吸引回復動作、ダミージェット動作、クリーニング動作等のメンテナンス動作を行うようになっている。
【００３９】
また、各色のインクジェット記録ユニット３０は、図２で示すように、インクジェット記録ヘッド３２と、それにインクを供給するインクタンク３４とが一体に構成されたものであり、インクジェット記録ヘッド３２の下面中央のインク吐出面３２Ａに形成された複数のノズル５６（図３参照）が、記録紙Ｐと対向するようにキャリッジ１２上に搭載されている。したがって、インクジェット記録ヘッド３２が主走査機構１６によって主走査方向に移動しながら、記録紙Ｐに対してノズル５６から選択的にインク滴を吐出することにより、所定のバンド領域に対して画像データに基づく画像の一部が記録される。
【００４０】
そして、主走査方向への１回の移動が終了すると、記録紙Ｐは、副走査機構１８によって副走査方向に所定ピッチ搬送され、再びインクジェット記録ヘッド３２（インクジェット記録ユニット３０）が主走査方向（前述とは反対方向）に移動しながら、次のバンド領域に対して画像データに基づく画像の一部が記録されるようになっており、このような動作を複数回繰り返すことによって、記録紙Ｐに画像データに基づく全体画像がフルカラーで記録される。
【００４１】
以上のような構成のインクジェット記録装置１０において、次にインクジェット記録ヘッド３２について詳細に説明する。
（第１実施形態）
図３はインクジェット記録ヘッド３２の構成を示す概略平面図であり、図４は図３のＸ−Ｘ線概略断面図である。この図３、図４で示すように、インクジェット記録ヘッド３２には、インクタンク３４と連通するインク供給ポート３６が設けられており、そのインク供給ポート３６から注入されたインク１１０は、インクプール室３８に貯留される。
【００４２】
インクプール室３８は天板４０と隔壁４２とによって、その容積が規定されており、インク供給ポート３６は、天板４０の所定箇所に複数、列状に穿設されている。また、列をなすインク供給ポート３６の間で、天板４０よりも内側のインクプール室３８内には、圧力波を緩和する樹脂膜製エアダンパー４４が設けられている。
【００４３】
天板４０の材質は、例えばガラス、セラミックス、シリコン、樹脂等、インクジェット記録ヘッド３２の支持体になり得る強度を有する絶縁体であれば何でもよい。また、天板４０には、後述する駆動ＩＣ６０へ通電するための金属配線９０が設けられている。この金属配線９０は、樹脂膜９２で被覆保護されており、インク１１０による侵食が防止されるようになっている。
【００４４】
隔壁４２は樹脂で成形され、インクプール室３８を矩形状に仕切っている。また、インクプール室３８は、圧電素子４６と、その圧電素子４６によって上下方向に撓み変形させられる振動板４８を介して、圧力室５０と上下に分離されている。つまり、圧電素子４６及び振動板４８が、インクプール室３８と圧力室５０との間に配置される構成とされ、インクプール室３８と圧力室５０とが同一水平面上に存在しないように構成されている。
【００４５】
したがって、圧力室５０を互いに接近させた状態に配置することが可能であり、ノズル５６をマトリックス状に高密度に配設することが可能となっている。また、このような構成にしたことにより、キャリッジ１２の主走査方向への１回の移動で、広いバンド領域に画像を形成することができるので、その走査時間が短くて済む。すなわち、少ないキャリッジ１２の移動回数及び時間で記録紙Ｐの全面に亘って画像形成を行う高速印刷が実現可能となっている。
【００４６】
圧電素子４６は、圧力室５０毎に振動板４８の上面に設けられており、ＰＺＴ膜で形成された圧電体９４で構成され、圧電体９４の下面には一方の極性となる下部電極５２が設けられ、圧電体９４の上面には他方の極性となる上部電極５４が設けられている。
【００４７】
つまり、図８及び図９（なお、図８は図３の要部拡大平面図であり、図９は図８のＡ−Ａ線概略断面図である）に示すように、圧電素子４６は、圧電体９４の上面に上部電極５４が設けられ、圧電体９４の下面に下部電極５２が設けられて、上部電極５４及び下部電極５２に電圧が印加されることによって圧電体９４が上下方向に撓み変形する（変位する）。このように、圧電体９４が変位する領域を以下、圧電体能動領域９６という。
【００４８】
この圧電体９４からは、下部電極５２と共に駆動ＩＣ６０（図４参照）の下部まで延びる圧電体９８が設けられており、圧電体９８の上面には上部電極５４は設けられていない。このため、圧電体９８は変形しない。このように、圧電体９４が変形しない領域を以下、圧電体非能動領域１００という。
【００４９】
この圧電体９８及び圧電素子４６は、低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０で被覆保護されている。圧電体９８及び圧電素子４６を被覆保護している低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０は、水分透過性が低くなる条件で着膜するため、水分が圧電素子４６の内部に侵入して信頼性不良となること（圧電体９４内の酸素を還元することにより生ずる圧電特性の劣化）を防止できる。
【００５０】
なお、下部電極５２と接触する金属（ＳＵＳ等）製の振動板４８は、低抵抗なＧＮＤ配線としても機能するようになっている。この振動板４８は、ＳＵＳ等の金属で成形され、少なくとも上下方向に弾性を有し、圧電体９４の変形によって、上下方向に撓み変形する（変位する）構成になっている。なお、振動板４８は、ガラス等の絶縁性材料であっても差し支えはない。
【００５１】
更に、圧電体９８及び圧電素子４６は、その低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０の上面が、樹脂膜８２で被覆保護されている。これにより、圧電体９８及び圧電素子４６において、インク１１０による侵食の耐性が確保されるようになっている。
【００５２】
また、樹脂膜８２及び低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０には開口８４が形成されており、上部電極５４が露出可能となっている。この開口８４を通じて、金属配線８６が上部電極５４と接続される（後述する）。そして、金属配線８６及び樹脂膜８２の上面は、図４に示すように、樹脂保護膜８８（例えば、富士フイルムアーチ社製の感光性ポリイミド  Ｄｕｒｉｍｉｄｅ７３２０）で被覆されている。この樹脂保護膜８８は、樹脂膜８２と同種の樹脂材料で構成される。
【００５３】
圧電素子４６の上部電極５４から引き出す金属配線８６が樹脂保護膜８８で被覆されると、その樹脂保護膜８８は、金属配線８６が積層される樹脂膜８２と同種の樹脂材料で構成されているため、金属配線８６を被覆するそれらの接合力が強固になり、界面からのインク１１０の侵入による金属配線８６の腐食を防止することができる。
【００５４】
一方、図３及び図４に示すように、この樹脂保護膜８８は、隔壁４２とも同種の樹脂材料となっており、この隔壁４２に対する接合力も強固になっている。したがって、その界面からのインク１１０の侵入がより一層防止される構成である。また、このように、同種の樹脂材料で構成されると、それらの熱膨張率が略等しくなるので、熱応力の発生が少なくて済む利点もある。
【００５５】
圧電素子４６の上方は、樹脂膜８２で被覆保護され樹脂保護膜８８が被覆されない構成になっている。樹脂膜８２は、柔軟性がある樹脂層であるため、このような構成により、圧電素子４６（振動板４８）の変位阻害が防止されるようになっている（上下方向に好適に撓み変形可能とされている）。つまり、圧電素子４６上方の樹脂層は、薄い方がより変位阻害の抑制効果が高くなるので、樹脂保護膜８８を被覆しないようにしている。
【００５６】
駆動ＩＣ６０は、隔壁４２で規定されたインクプール室３８の外側で、かつ天板４０と振動板４８との間に配置されており、振動板４８や天板４０から露出しない（突出しない）構成とされている。したがって、インクジェット記録ヘッド３２の小型化が実現可能となっている。
【００５７】
また、駆動ＩＣ６０の周囲は樹脂材５８で封止されている。この駆動ＩＣ６０を封止する樹脂材５８の注入口４０Ｂは、図５で示すように、製造段階における天板４０において、各インクジェット記録ヘッド３２を仕切るように格子状に複数個穿設されており、後述する圧電素子基板７０と流路基板７２とを結合（接合）後、樹脂材５８によって封止された（閉塞された）注入口４０Ｂに沿って天板４０を切断することにより、マトリックス状のノズル５６（図３参照）を有するインクジェット記録ヘッド３２が１度に複数個製造される構成になっている。
【００５８】
また、この駆動ＩＣ６０の下面には、図４、図６で示すように、複数のバンプ６２がマトリックス状に所定高さ突設されており、振動板４８上に圧電素子４６が形成された圧電素子基板７０の金属配線８６にフリップチップ実装されるようになっている。したがって、圧電素子４６に対する高密度接続が容易に実現可能であり、駆動ＩＣ６０の高さの低減を図ることができる（薄くすることができる）。これによっても、インクジェット記録ヘッド３２の小型化が実現可能となっている。
【００５９】
また、図３において、駆動ＩＣ６０の外側には、バンプ６４が設けられている。このバンプ６４は、天板４０に設けられる金属配線９０と、圧電素子基板７０に設けられる金属配線８６とを接続しており、当然ながら、圧電素子基板７０に実装された駆動ＩＣ６０の高さよりも高くなるように設けられている。
【００６０】
したがって、図４、図７で示すように、インクジェット記録装置１０の本体側に設けられて、インクの吐出を制御するボード７４から天板４０の金属配線９０に通電され、その天板４０の金属配線９０からバンプ６４を経て金属配線８６に通電され、そこから駆動ＩＣ６０に通電される構成である。そして、その駆動ＩＣ６０により、所定のタイミングで圧電素子４６に電圧が印加され、振動板４８が上下方向に撓み変形することにより、圧力室５０内に充填されたインク１１０が加圧されて、ノズル５６からインク滴が吐出する構成である。
【００６１】
インク滴を吐出するノズル５６は、圧力室５０毎に１つずつ、その所定位置に設けられている。圧力室５０とインクプール室３８とは、圧電素子４６を回避するとともに、振動板４８に穿設された貫通孔４８Ａを通るインク流路６６と、圧力室５０から図４において水平方向へ向かって延設されたインク流路６８とが連通することによって接続されている。このインク流路６８は、インクジェット記録ヘッド３２の製造時に、インク流路６６とのアライメントが可能なように（確実に連通するように）、予め実際のインク流路６６との接続部分よりも少し長めに設けられている。
【００６２】
次に、本発明の実施の形態に係るインクジェット記録ヘッドの要旨について説明する。
【００６３】
図４、図８及び図９に示すように、上部電極５４に電圧を印加する金属配線８６は、上部電極５４と駆動ＩＣ６０とを接続するが、該金属配線８６が配設される配設部１０２に圧電体９８を延設し、該圧電体９８の上面に金属配線８６を配設している。この圧電体９８の上面には、上部電極５４が設けられておらず、該圧電体９８が変形しないようにしている。
【００６４】
このように、該配設部１０２に振動板４８の変位に寄与しない圧電体９８を延設し、該圧電体９８上に金属配線８６を配設することで、金属配線８６の配線高さが圧電体９８の肉厚分嵩上げされる。つまり、金属配線８６の引き回しによって生じる段差を該圧電体９８の肉厚分減らすことができ、該段差を小さくすることができる。このため、金属配線８６の断線を防止することができる。
【００６５】
また、圧電体９８は振動板４８の変位に寄与しないため、圧電素子４６の静電容量が増加することもなく、インクジェット記録ヘッド３２の小型化を図ることができる。さらに、振動板４８の変位に寄与しない圧電体９８まで下部電極５２を延設させることで接地が強化される。
【００６６】
ここで、上部電極５４と駆動ＩＣ６０を接続する金属配線８６の形成方法について説明する。
【００６７】
図１０（Ａ）で示すように、振動板４８の上面に、下部電極５２、圧電体（ＰＺＴ膜）９４、９８及び上部電極５４をスパッタ法で積層する。なお、ここでは、圧電体９８は圧電体９４が延設されたものであり、実質上、圧電体９８と圧電体９４は一体となっているが、説明の便宜上、圧電体能動領域９６（図９参照）の圧電体を圧電体９４とし、圧電体非能動領域１００（図９参照）の圧電体を圧電体９８とする。以下の説明でも同様である。
【００６８】
そして、図１０（Ｂ）で示すように、圧電体９４、９８及び上部電極５４をパターニングするため、上部電極５４の上面にレジスト１０４を形成する。ここで、下部電極５２及び上部電極５４の電極材料としては、例えば圧電体であるＰＺＴ材料との親和性が高く、耐熱性がある、Ａｕ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｐｔ等が挙げられる。
【００６９】
次に、図１０（Ｃ）に示すように、上部電極５４及び圧電体９４、９８をドライエッチングによりパターニングし、その後レジスト剥離を行う。そして、図１０（Ｄ）に示すように、上部電極５４のみをパターニングして、レジスト剥離を行う。
【００７０】
ここで、上部電極５４が設けられた領域が圧電体能動領域９６となり、上部電極５４が設けられていない領域が圧電体非能動領域１００となる。
【００７１】
次に、図１０（Ｅ）に示すように、表面に露出している圧電体９８、上部電極５４、圧電体９４の側面及び下部電極５２の上面に低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０を積層し、更に、その低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０の上面に、感光性と耐インク性を有する樹脂膜８２を積層して、ＳｉＯｘドライエッチングのためのマスクを兼ねる。
【００７２】
具体的には、Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（ＣＶＤ）法にてダングリングボンド密度が高い低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０を着膜する、感光性ポリイミド（例えば、富士フイルムアーチ社製の感光性ポリイミド  Ｄｕｒｉｍｉｄｅ７５２０）を塗布・露光・現像することでパターニングを行う、ＣＦ4系ガスを用いたＲｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ（ＲＩＥ）法で上記感光性ポリイミドをマスクとしてＳｉＯｘ膜をエッチングする、という加工を行う。なお、ここでは低透水性絶縁膜としてＳｉＯｘ膜を用いたが、ＳｉＮｘ膜、ＳｉＯｘＮｙ膜等であってもよい。
【００７３】
そして、図１０（Ｆ）に示すように、低透水性絶縁膜８０及び樹脂膜８２をパターニングすることで、圧電素子４６と金属配線８６を接続するための開口８４（コンタクト孔）が形成される。
【００７４】
次に、図１０（Ｇ）に示すように、開口８４内の上部電極５４と樹脂膜８２の上面に金属膜を積層し、金属配線８６をパターニングする。具体的には、スパッタ法にてＡｌ膜（厚さ１μｍ）を着膜し、ホトリソグラフィー法でレジストを形成して、塩素系のガスを用いたＲＩＥ法にてＡｌ膜をエッチングする。そして、酸素プラズマにてレジスト膜を剥離して、上部電極５４と金属配線８６（Ａｌ膜）とを接合する。
【００７５】
なお、ここでは、圧電体９８の上部に上部電極５４を設けないことで、圧電体９８を圧電体非能動領域１００としたが、例えば、圧電体９８の下部に下部電極５２を設けないことで、圧電体非能動領域１００としても良く、勿論、上部電極５４及び下部電極５２を設けないことで圧電体非能動領域１００としても良い。さらに、圧電体９８に分極処理を施こさないことで、圧電体非能動領域１００としても良い。
【００７６】
また、本形態では、図９及び図１２（Ｂ）に示すように、圧電体９８の上面に低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０を設け、該低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０の上面に樹脂膜８２を設けて、該樹脂膜８２の上面に金属配線８６を形成したが、該樹脂膜８２は必ずしも設ける必要はなく、図１１及び図１２（Ａ）に示すように、低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０の上面に直接金属配線８６を形成しても良い。
【００７７】
ここで、圧電体９８と金属配線８６の間に絶縁膜、ここでは低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０を設けることで、圧電体９８と金属配線８６の間に生じる寄生容量を大幅に軽減することができる。
【００７８】
これにより、電力のロス、発熱等を大幅に低減することができ、安定した駆動が可能となる。また、インクジェット記録ヘッド３２の小型化を図ることができる。さらに、振動板４８の変位に寄与しない圧電体９８上に絶縁膜を設けることで、下部電極５２を圧電体９８まで延設することが可能となり、これにより接地が強化される。
【００７９】
以下、圧電体（ＰＺＴ）の比誘電率をεＰＺＴ＝２０００、絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）の比誘電率を３．９として本形態による効果を具体的に説明する。
【００８０】
圧電体（ＰＺＴ）の膜厚を１０μｍとした場合、ｄＰＺＴ＝１０×１０-6（ｍ）である。この場合の配線層の単位面積あたりの容量Ｃ＝ＣＰＺＴは、
Ｃ＝ε0×εＰＺＴ／ｄＰＺＴ
＝ε0×２０００／１０×１０-6
＝ε0×２．０×１０-4
＝１．７７×１０-3［Ｆ］
ε0：真空の誘電率：８．８５×１０-12［Ｆ／ｍ］である。
【００８１】
一方、絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）の膜厚を１μｍとした場合、ｄＳｉＯｘ＝１×１０-6（ｍ）である。この場合の絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）の容量Ｃ＝ＳｉＯｘは、
Ｃ＝ε0×εＳｉＯｘ／ｄＳｉＯｘ
＝ε0×３．９／１×１０-6
＝３．４５×１０-5［Ｆ］
この場合の配線層の寄生容量Ｃは、
Ｃ＝（ＣＳｉＯｘ×ＣＰＺＴ）／（ＣＳｉＯｘ＋ＣＰＺＴ）
＝（３．４５×１．７７×１０-8）／（３．４５＋１７７）×１０-5
＝３．３８×１０-5［Ｆ］
つまり、絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）を挿入することで、寄生容量が大幅に軽減（上の例では約１／５２）されることがわかる。
【００８２】
一方、図１３には、絶縁層としてＳｉＯ2膜１μｍを挿入した場合のＣ（静電容量）の推移を示している。ここで、ＳｉＯ2膜を挿入した場合、ＰＺＴの膜厚によらず静電容量は低く抑制できることが分かる。一方、ＳｉＯ2膜がない場合は、ＰＺＴが薄いと、それだけで静電容量が増大する。つまり、ＳｉＯ2を挿入することで、Ｃ（静電容量）を大幅に低減できることが分かる。
【００８３】
また、図１４には、１０μｍ厚のＰＺＴ膜に対して、挿入するＳｉＯ2膜の膜厚を変えた場合のＣ（静電容量）の推移を示している。１０μｍ厚のＰＺＴ膜に対して、ＳｉＯ2膜を挿入すると、Ｃ（静電容量）は減少するが、その効果は、挿入する絶縁膜の膜厚に依存し、ＳｉＯ2では１μｍ以上の膜厚とすることで、大幅（１／５０以上）な寄生容量の緩和が可能になることが分かる。
【００８４】
ここで、寄生容量は、挿入する絶縁膜の種類に依存する比誘電率によってその緩和の程度が異なる。代表的な絶縁膜の比誘電率は、ＳｉＯ２：３．８〜４、ＳｉＮ：７、樹脂膜２．２〜２．８でその値が小さいほど、同じ膜厚での寄生容量の緩和の効果が大きい。
【００８５】
ところで、図８に示すように、振動板４８の変位に寄与する圧電体９４（圧電体能動領域９６）周りに、振動板４８の変位に寄与しない圧電体９８（圧電体非能動領域１００）がある場合、圧電体９４が拘束され、該圧電体９４の変位量が小さくなってしまう。
【００８６】
このため、図１５に示すように、振動板４８の変位に寄与する圧電体９４（圧電体能動領域９６）と振動板の変位に寄与しない圧電体９８（圧電体非能動領域１００）を区分けし、圧電体９４と圧電体９８の連結部においては、金属配線８６が配設される配設部１０２のみ連結させるようにすることで、圧電体９８による圧電体９４への拘束力を最大限抑制することができる。
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施の形態に係るインクジェット記録ヘッドについて説明する。なお、第１実施形態と略同一の内容については説明を省略する。
【００８７】
図１６及び図１７に示すように（なお、図１６は図３の要部拡大平面図であり、図１７は図１６のＡ−Ａ線概略断面図である）、上部電極５４と同じ材料（例えば、Ｉｒ）を用い、金属配線８６に変えて例えばＩｒ配線１０６を形成している。
【００８８】
ここで、上部電極５４と駆動ＩＣ６０（図４参照）を接続するＩｒ配線１０６の形成方法について説明する。
【００８９】
図１８（Ａ）で示すように、振動板４８の上面に、下部電極５２、圧電体（ＰＺＴ膜）９４、９８をスパッタ法で積層し、圧電体９８の上面に低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０をパターニングする。次に、図１８（Ｂ）に示すように、低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０の上面及び側面、圧電体９４の上面に上部電極５４をスパッタし、これらの表面に着膜する。
【００９０】
そして、図１８（Ｃ）で示すように、上部電極５４及び圧電体９４をドライエッチングによりパターニングし、その後レジスト剥離を行う。次に、図１８（Ｄ）に示すように、圧電体能動領域９６に位置する上部電極５４の上面及び側面、圧電体９４の側面、下部電極５４の上面に、低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０及び樹脂膜８２をパターニングするし、さらに、図１８（Ｅ）に示すように、圧電体非能動領域１００において、上部電極５４をパターニングする。これにより、上部電極５４と接続するＩｒ配線１０６が形成される。
【００９１】
このように、上部電極５４をそのままＩｒ配線１０６とすることで、図９に示すように、金属配線８６を別途形成する必要がなく、また、上部電極５４と金属配線８６とを接続するための開口８４を別途形成する必要がないため、工程を大幅に削減することができる。
【００９２】
なお、ここでは、図１７に示すように、圧電体９８とＩｒ配線１０６の間に低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０を設けたが、図１９に示すように、さらに、圧電体９８と下部電極５２の間にも低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０を設けても良い。
【００９３】
つまり、圧電体非能動領域１００の寄生容量を緩和するため、圧電体９８の上部に加え、圧電体９８の下部にも低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０を形成する。また、圧電体９８の上下を低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０で挟むことで、低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０の肉厚をそれぞれ薄くすることができ、低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０を形成することにより生じるＩｒ配線１０６の段差を軽減することができる。
【００９４】
ここで、上部電極５４と駆動ＩＣ６０を接続するＩｒ配線１０６の形成方法について説明する。
【００９５】
図２０（Ａ）で示すように、振動板４８の上面に、下部電極５２をスパッタ法で積層し、圧電体９８の下面に相当する位置に低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０をパターニングする。次に、図２０（Ｂ）に示すように、低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０及び下部電極５２の上面に、圧電体９４、９８をスパッタ法で積層し、圧電体９８の上面に低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０をパターニングする。
【００９６】
そして、図２０（Ｃ）で示すように、低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０上面及び側面、圧電体９４の上面に上部電極５４をスパッタし、表面を着膜して、図２０（Ｄ）に示すように、上部電極５４及び圧電体９４をドライエッチングによりパターニングし、その後レジスト剥離を行う。
【００９７】
次に、図２０（Ｅ）に示すように、圧電体能動領域９６に位置する上部電極５４の上面及び側面圧電体９４の側面に、低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０及び樹脂膜８２をパターニングし、さらに、圧電体非能動領域１００において、上部電極５４をパターニングする。これにより、上部電極５４と接続するＩｒ配線１０６が形成される。
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施の形態に係るインクジェット記録ヘッドについて説明する。なお、第１実施形態又は第２実施形態と略同一の内容については説明を省略する。
【００９８】
ここでは、第１実施例と同様、金属配線８６を上部電極５４とは異なる材料で形成すると共に、図２１に示すように、金属配線８６と上部電極５４を重ね合わせた状態で接続する。
【００９９】
これにより、図９に示すように、上部電極５４と金属配線８６とを接続するための開口８４を別途形成する必要がないため、工程を省くことができる。また、金属配線８６をＡｌ等の金属で形成することで、上部電極５４の材料であるＩｒ等を直接引き出すよりも金属配線８６の形成が容易であり、金属配線８６の特性が安定する。
【０１００】
ここで、上部電極５４と駆動ＩＣ６０（図４参照）を接続する金属配線８６の形成方法について説明する。
【０１０１】
図２２（Ａ）で示すように、振動板４８の上面に、下部電極５２をスパッタ法で積層し、圧電体９８の下面に相当する位置に低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０をパターニングした後、低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０及び下部電極５２の上面に、圧電体９４、９８をスパッタ法で積層し、圧電体９８の上面に低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０をパターニングする。
【０１０２】
そして、図２２（Ｂ）で示すように、低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０の上面及び側面、圧電体９４の上面に上部電極５４をスパッタし、表面を着膜し、図２２（Ｃ）に示すように、上部電極５４及び圧電体９４をドライエッチングによりパターニングし、その後レジスト剥離を行う。
【０１０３】
次に、図２２（Ｄ）に示すように、低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０及び上部電極５４の一部に金属膜を積層させ（重ね合わせる）、金属配線８６をパターニングする。そして、図２２（Ｅ）に示すように、圧電体能動領域９６に位置する、金属配線８６と上部電極５４が重なり合った領域、上部電極５４の上面及び側面、圧電体９４の側面に、低透水性絶縁膜（ＳｉＯｘ膜）８０及び樹脂膜８をパターニングする。
【０１０４】
なお、上記実施例のインクジェット記録装置１０では、ブラック、イエロー、マゼンタ、シアンの各色のインクジェット記録ユニット３０がそれぞれキャリッジ１２に搭載され、それら各色のインクジェット記録ヘッド３２から画像データに基づいて選択的にインク滴が吐出されてフルカラーの画像が記録紙Ｐに記録されるようになっているが、本発明におけるインクジェット記録は、記録紙Ｐ上への文字や画像の記録に限定されるものではない。
【０１０５】
すなわち、記録媒体は紙に限定されるものでなく、また、吐出する液体もインクに限定されるものではない。例えば、高分子フィルムやガラス上にインクを吐出してディスプレイ用カラーフィルターを作成したり、溶接状態の半田を基板上に吐出して部品実装用のバンプを形成するなど、工業的に用いられる液滴噴射装置全般に対して、本発明に係るインクジェット記録ヘッド３２を適用することができる。
【０１０６】
また、上記実施例のインクジェット記録装置１０では、主走査機構１６と副走査機構１８を有するＰａｒｔｉａｌ  Ｗｉｄｔｈ  Ａｒｒａｙ（ＰＷＡ）の例で説明したが、本発明におけるインクジェット記録は、これに限定されず、紙幅対応のいわゆるＦｕｌｌ  Ｗｉｄｔｈ  Ａｒｒａｙ（ＦＷＡ）であってもよい。むしろ、本発明は、高密度ノズル配列を実現するのに有効なものであるため、１パス印字を必要とするＦＷＡには好適である。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１】本発明の実施の形態に係るインクジェット記録装置を示す概略斜視図である。
【図２】本発明の実施の形態に係るキャリッジに搭載されたインクジェット記録ユニットを示す概略斜視図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係るインクジェット記録ヘッドの構成を示す概略平面図である。
【図４】図３のＸ−Ｘ線概略断面図であり、本発明の第１実施形態に係るインクジェット記録ヘッドを示している。
【図５】本発明の第１実施形態に係るインクジェット記録ヘッドとして切断される前の天板を示す概略平面図である。
【図６】本発明の第１実施形態に係るインクジェット記録ヘッドに備えた駆動ＩＣのバンプを示す概略平面図である。
【図７】本発明の第１実施形態に係るインクジェット記録ヘッドの構成とボードを示す概略斜視図である。
【図８】図３の要部拡大平面図である。
【図９】図８のＡ−Ａ線概略断面図である。
【図１０−１】本発明の第１実施形態に係るインクジェット記録ヘッドの金属配線を形成する工程（Ａ）〜（Ｄ）を示す説明図である。
【図１０−２】本発明の第１実施形態に係るインクジェット記録ヘッドの金属配線を形成する工程（Ｅ）〜（Ｇ）を示す説明図である。
【図１１】本発明の第１実施形態に係るインクジェット記録ヘッドの変形例を示す、図８のＡ−Ａ線概略断面図である。
【図１２】（Ａ）は図１１の要部拡大図であり、（Ｂ）は図８の要部拡大図である。
【図１３】絶縁層としてＳｉＯ2膜を挿入した場合の静電容量の推移を示すグラフである。
【図１４】１０μｍ厚のＰＺＴ膜に対して、挿入するＳｉＯ2膜の膜厚を変えた場合の静電容量の推移を示すグラフである。
【図１５】本発明の第１実施形態に係るインクジェット記録ヘッドの変形例を示す、図３の要部拡大平面図である。
【図１６】本発明の第２実施形態に係るインクジェット記録ヘッドを示す、図３の要部拡大平面図である。
【図１７】図１６のＡ−Ａ線概略断面図である。
【図１８】本発明の第２実施形態に係るインクジェット記録ヘッドのＩｒ配線を形成する工程（Ａ）〜（Ｅ）を示す説明図である。
【図１９】本発明の第２実施形態に係るインクジェット記録ヘッドの変形例を示す、図１６のＡ−Ａ線概略断面図である。
【図２０】本発明の第２実施形態に係るインクジェット記録ヘッドの変形例を示す、Ｉｒ配線を形成する工程（Ａ）〜（Ｅ）の説明図である。
【図２１】本発明の第３実施形態に係るインクジェット記録ヘッドを示す、図１６のＡ−Ａ線概略断面図である。
【図２２】本発明の第３実施形態に係るインクジェット記録ヘッドを示す、金属配線を形成する工程（Ａ）〜（Ｅ）の説明図である。
【図２３】従来のインクジェット記録ヘッドの構造を示す概略断面図
【符号の説明】
【０１０８】
１０    インクジェット記録装置（インクジェットプリンタ）
３２    インクジェット記録ヘッド（インクジェットプリントヘッド、液滴吐出ヘッ    ド）
３８    インクプール室（液滴プール室）
４６    圧電素子
４８    振動板
５０    圧力室
５２    下部電極
５４    上部電極
５６    ノズル
８０    低透水性絶縁膜（絶縁層）
８４    開口
８６    金属配線（上部引き出し配線）
９４    圧電体（振動板の変位に寄与する圧電体）
９８    圧電体（振動板の変位に寄与しない圧電体）
１０２  配設部
１０６  Ｉｒ配線（金属配線）
【図１】
2006321059.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2006321059.tif 000010
【図９】
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【図１０−１】
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【図１０−２】
2006321059.tif 000013
【図１１】
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【図１２】
2006321059.tif 000015
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
2006321059.tif 000020
【図１８】
2006321059.tif 000021
【図１９】
2006321059.tif 000022
【図２０】
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【図２１】
2006321059.tif 000024
【図２２】
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【図２３】
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