(57)【要約】【課題】  本発明は、優れた低誘電性を示す電子部品として新規なナフタレン誘導体およびこれから得られる新規なポリナフチレン樹脂組成物を提供することである。【解決手段】  下記一般式（１）【化1】2006063236.tif 000016（式中、Ｒ１およびＲ１’は、ナフタレン環に結合する、ハロゲン原子、または炭素数1〜8の炭化水素基を示し、複数ある場合には各々同一でも異なっていてもよく、Ｒ２およびＲ２’は、ベンゼン環に結合するハロゲン原子、または炭素数１〜８の炭化水素基を示し、複数ある場合には各々同一でも異なっていてもよく、ｘ１およびｘ１’は、独立に０から６の整数であり、ｙ２およびｙ２’は、独立に０から３の整数である）および一般式（２）【化２】2006063236.tif 000017（式中、Ｒ２、Ｒ２’、ｙ２、ｙ２’は、前記と同じ意味を示す。）で表される繰り返し単位を有するポリナフチレン樹脂組成物。【選択図】      なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）
【化１】
2006063236.tif 000011
（式中、Ｒ１およびＲ１’は、ナフタレン環に結合する、ハロゲン原子、または炭素数1〜8の炭化水素基を示し、複数ある場合には各々同一でも異なっていてもよく、Ｒ２およびＲ２’は、ベンゼン環に結合するハロゲン原子、または炭素数１〜８の炭化水素基を示し、複数ある場合には各々同一でも異なっていてもよく、ｘ１およびｘ１’は、独立に０から６の整数であり、ｙ２およびｙ２’は、独立に０から３の整数である）で示されるナフタレン誘導体。
【請求項２】
下記一般式（３）
【化２】
2006063236.tif 000012
（式中、Ｒ１、ｘ１は前記と同じ意味を示し、Ａはハロゲン原子を示す。）で表される1−ハロゲン化ナフタレン化合物と下記一般式（４）
【化３】
2006063236.tif 000013
（式中、Ｒ２、Ｒ２’、ｙ２、ｙ２’は、前記と同じ意味を示す。）で表されるスピロビインダン骨格を有するビスフェノール誘導体とを銅粉末触媒の存在下反応させることを特徴とする請求項1記載のナフタレン誘導体の製造方法。
【請求項３】
下記一般式（２）
【化４】
2006063236.tif 000014
（式中、Ｒ１、Ｒ１’、Ｒ２、Ｒ２’、ｘ１、ｘ１’、ｙ２、ｙ２’は、前記と同じ意味を示し、nは少なくとも２０以上である。）で表される繰り返し単位構造を有することを特徴とするポリナフチレン樹脂組成物。
【請求項４】
下記一般式（１）
【化５】
2006063236.tif 000015
（式中、Ｒ１、Ｒ１’、Ｒ２、Ｒ２’、ｘ１、ｘ１’、ｙ２、ｙ２’は、前記と同じ意味を示す。）で示されるナフタレン誘導体を酸化剤存在下重合させることを特徴とする請求項3記載のポリナフチレン樹脂組成物の製造方法。
【請求項５】
請求項3に記載のポリナフチレン樹脂組成物から得られた樹脂層を絶縁層として有することを特徴とする高周波回路用積層板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は新規なナフタレン誘導体、およびこれを重合することによって得られる樹脂組成物、及びその用途に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、プリント配線基板用途には主にエポキシ樹脂やフェノール樹脂が用いられてきた。しかしこれらの樹脂は高周波領域における誘電特性が悪く、伝送ロスが大きいなどの理由で高周波プリント配線基板に用いることができない。これに対し、セラミック・アルミナなどの無機系基板材料は一般に誘電正接が低いことが知られているが、取扱い性、入手性、コストなどの観点から、有機系材料への置き換えが進みつつある。このことから、高周波での利用が可能な基板材料として、低誘電率・低誘電正接で耐熱性に優れた樹脂材料の開発が待ち望まれている。
【０００３】
これまで、ポリナフチレン樹脂としては、特開２００３−１８３３６２号公報（特許文献１）や特開２００３−１８３３５８号公報（特許文献２）等に開示されており、その感光性を利用した半導体装置や多層配線板等の電子部品等が記載されている。しかしながら、これらの樹脂は、低誘電率の被膜が可能と記載されているものの、実際に誘電率、誘電正接の測定が行われておらず、実際、誘電性から考えた場合実用レベルとしてはまだまだである。
【０００４】
また、一方スピロビインダン骨格を有する樹脂としては、特開平１１−７１３１６号公報（特許文献３）やＷＯ９９／２１９１０（特許文献４）等が知られているが、これらは有機光学部品用途に関するものである。その中で特開平１１−７１３１６号では、このスピロビインダン骨格含有のポリイミド樹脂の誘電率について述べているが、その値は優れたものでも２．８８であり、高周波回路用積層板として使用するにあたり十分満足する値とは言いがたい。
【特許文献１】特開２００３−１８３３６２号公報
【特許文献２】特開２００３−１８３３５８号公報
【特許文献３】特開平１１−７１３１６号公報
【特許文献４】ＷＯ９９／２１９１０
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の課題は、樹脂原料、樹脂添加剤として用いる際に、耐熱性や特に低誘電性に対して特徴的な物性を与える新規なナフタレン誘導体を提供することである。また、本発明の他の課題は耐熱性に優れ、優れた誘電特性を与える新規なポリナフチレン樹脂組成物を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、前記問題点を解決すべく鋭意検討した結果、ナフタレン環とスピロビインダン骨格を組み合わせることで、新規なナフタレン誘導体を見出し、これを高分子量化することによって耐熱性に優れ、優れた誘電特性を与える新規なポリナフチレン樹脂組成物が得られることを見出し、本発明を完成するに至ったものである。
【０００７】
すなわち、本発明は一般式（１）
【０００８】
【化１】
2006063236.tif 000002
【０００９】
（式中、Ｒ１およびＲ１’は、ナフタレン環に結合する、ハロゲン原子、または炭素数1〜8の炭化水素基を示し、複数ある場合には各々同一でも異なっていてもよく、Ｒ２およびＲ２’は、ベンゼン環に結合するハロゲン原子、または炭素数１〜８の炭化水素基を示し、複数ある場合には各々同一でも異なっていてもよく、ｘ１およびｘ１’は、独立に０から６の整数であり、ｙ２およびｙ２’は、独立に０から３の整数である。）で表されるインダン骨格を有するナフタレン誘導体とその製造方法、および下記一般式（２）
【００１０】
【化２】
2006063236.tif 000003
【００１１】
（式中、Ｒ１、Ｒ１’、Ｒ２、Ｒ２’、ｘ１、ｘ１’、ｙ２、ｙ２’は、前記と同じ意味を示し、nは少なくとも２０以上である。）で表されるポリナフチレン樹脂組成物及びとその製造方法、並びに該樹脂組成物から得られる樹脂層を絶縁層として有する高周波回路用積層板に関するものである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明により、位置選択的に重合が進行する酸化カップリング重合可能なモノマー樹脂原料として用いる際に、従来の低誘電材料に比べ、耐熱性や低誘電特性、力学的性質、電気的性質、化学的安定性、低吸湿性、などの特徴的な物性を与える新規なナフタレン誘導体を提供することができる。
【００１３】
また、本発明のナフタレン誘導体の特徴は、工業的に安価な方法で高分子量化が可能であり、これによって耐熱性を保持しながら優れた低誘電性を有するポリナフチレン樹脂組成物を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明は、第一に下記一般式（１）
【００１５】
【化３】
2006063236.tif 000004
（式中、Ｒ１およびＲ１’は、ナフタレン環に結合する、ハロゲン原子、または炭素数1〜８の炭化水素基を示し、複数ある場合には各々同一でも異なっていてもよく、Ｒ２およびＲ２’は、ベンゼン環に結合するハロゲン原子、または炭素数１〜８の炭化水素基を示し、複数ある場合には各々同一でも異なっていてもよく、ｘ１およびｘ１’は、独立に０から６の整数であり、ｙ２およびｙ２’は、独立に０から３の整数である）。で示されるナフタレン誘導体を提供するものである。
【００１６】
一般式（１）中のハロゲン原子、または炭素数１〜８の炭化水素基の例として、フッ素原子等のハロゲン原子、メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜８の炭化水素基が挙げられる。ｘ１およびｘ１’は、独立に０から６の整数であり、ｙ２およびｙ２’は、独立に０から３の整数であり、好ましくはｘ１、ｘ１’、ｙ１、ｙ１’とも0の場合である。
【００１７】
一般式（１）で示されるナフタレン誘導体の製造方法について説明する。本発明のナフタレン誘導体は、一般式（３）で示される対応する１−ハロゲン化ナフタレン化合物と一般式（４）で表されるスピロビインダン骨格を有するビスフェノール誘導体とを、銅粉末触媒の存在下ウルマン反応させることによって製造することができる。
【００１８】
【化４】
2006063236.tif 000005
【００１９】
（式中、Ｒ１、ｘ１は前記と同じ意味を示し、Ａはハロゲン原子を示す。）
【００２０】
【化５】
2006063236.tif 000006
【００２１】
（式中、Ｒ２、Ｒ２’、ｙ２、ｙ２’は、前記と同じ意味を示す。）
式中、Ａはハロゲン原子であり、例として、塩素原子、臭素原子等が挙げられる。一般式（１）で表される化合物の製造条件は、特に限定はなく、ウルマン反応として知られている従来法に準じて実施することが可能であり、銅粉末触媒下で反応を行うことが好ましい。一般式（３）で表される1−ハロゲン化ナフタレン誘導体は、一般式（４）で表されるスピロビインダン誘導体に対して2mol当量以上用いることが好ましく、更に好ましくは、2.0 mol当量〜2.2 mol当量である。触媒の使用量は、特に限定は無いが、触媒金属成分の量が好ましくは一般式（４）で表される原料に対して0.01 mol当量〜0.5 mol当量であり、更に好ましくは、0.02mol当量〜0.1mol当量である。
【００２２】
反応溶媒は、必要に応じて使用することも可能である。使用可能な溶媒として特に限定は無いが、Ｎ，Ｎ’−ジメチルアセトアミド、ピリジン、キノリンなどの極性溶媒を挙げることができる。これらの溶媒は、単独または混合して用いてもよい。上記溶媒の他に、反応系内の水を除く目的で、共沸溶媒を必要に応じ用いることも可能である。共沸溶媒としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等が挙げられる。共沸溶媒を使用した脱水においては、水を共沸溶媒とともに留出させ、留出液は冷却器を用いて冷却され水と共沸溶媒は2層に分離することが好ましい。分離した共沸溶媒は再度反応系に還流させることができる。
【００２３】
本発明のナフタレン誘導体を製造するにあたり、スピロビインダン誘導体のアルカリ金属塩を形成するために塩基を共存させて行うこともできる。具体的には、水酸化カリウムや水酸化ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸水素ナトリウム等で代表されるアルカリ金属化合物等が挙げられる。これらの塩基は、単独又は２種以上混合して用いても差し支えない。塩基の使用量は、１価の場合で、スピロビインダン誘導体に対して好ましくは２００〜３００ｍｏｌ％、２価の場合で好ましくは１００〜１５０ｍｏｌ％である。
【００２４】
反応温度は、１５０℃〜２５０℃が好ましく、より好ましくは1８０℃〜２３０℃であり、さらに好ましくは１９０℃〜２００℃である。反応時間は、反応の速度によって異なり、例えば０．０１から７２時間程度で十分であるが、好ましくは６〜４８時間、さらに好ましくは１２〜２４時間である。本発明化合物は、反応後、反応混合物から触媒をろ去した後、貧溶媒を使用して目的物を析出させて、ろ取する方法、溶媒留去により得る方法、有機溶媒で抽出した後、溶媒を留去する方法、あるいはこれらを組み合わせた方法などにより可能である。さらに、精製を必要とする場合は、常法としてよく知られている方法が使用できる。例えば、再結晶によって純度を上げることができる。再結晶に用いる溶媒としては特に限定されないが、クロロホルム、塩化メチレンなどのハロゲン化炭化水素類や酢酸メチル、酢酸エチルなどのエステル類などを挙げることができる。これらの溶媒は、単独または混合して用いてもよい。また、その他の精製法としては、再結晶溶媒として使用可能な溶媒によるスラッジやカラムクロマトグラフィーなどを挙げることができる。
【００２５】
本発明の好ましい反応態様の一例としては、まず、一般式（４）で表されるスピロビインダン誘導体をキノリン、トルエン混合溶媒に溶解させ、塩基として炭酸カリウムを添加し、共沸させることによって一般式（４）で表されるスピロビインダン誘導体のカリウム塩を形成する。その後、触媒である銅粉末および一般式（３）で表される１−ハロゲン化ナフタレン誘導体を添加し、所定の時間反応させることである。
【００２６】
次に本発明の下記一般式（２）で表される繰り返し単位構造を有することを特徴とするポリナフチレン樹脂組成物について説明する。
【００２７】
【化６】
2006063236.tif 000007
【００２８】
（式中、Ｒ１、Ｒ１’、Ｒ２、Ｒ２’、ｘ１、ｘ１’、ｙ２、ｙ２’は、前記と同じ意味を示し、nは少なくとも２０以上である。）
本発明のポリナフチレン樹脂組成物は、新規な樹脂組成物であり、低誘電性を必要とされる電子部品の樹脂として使用することができる。本発明のポリナフチレン樹脂組成物の製造方法では、前述の一般式（１）で示されるナフタレン誘導体を原料として使用する。一般式（１）中のＲ１、Ｒ２は、反応が進行するのであれば前述の定義の範囲内であれば特に制限されないが、Ｒ１、Ｒ２が水素原子のものを使用することが原料の入手しやすさ、得られる樹脂の耐熱性の観点から好ましい。式中、ｎは少なくとも２０以上であり、好ましくは、３０〜６０であり、上記一般式（２）で表される繰り返し構造単位のみを有するホモポリマーをフィルムとして使用する場合は、４０〜５０程度であることが好ましい。
【００２９】
本発明の樹脂組成物の製造条件は、特に限定はなく、R. G. Feaseyらによって報告されている方法（Polymer, 1973, 14, 241）に準じて実施することが可能で、酸化剤の存在下重合することが好ましい。使用可能な酸化剤としては、無水塩化第二鉄、塩化第二鉄六水和物、硝酸ニアンモニウムセリウム等を例として挙げることができる。これら酸化剤の使用量は、一般式（１）で表されるナフタレン誘導体１モルに対して好ましくは２．０〜３．０当量であり、より好ましくは、２．１〜２．６当量、更に好ましくは、２．２〜２．４当量である。
【００３０】
反応溶媒は、必要に応じて使用することができる。重合が進行するのであれば、溶媒として特に限定はないが、モノマー、ポリマー及び酸化剤を溶解させるものが好ましく、例としてニトロベンゼン、クロロベンゼンなどの芳香族系、クロロホルム、ジクロロメタン、１，１，２−トリクロロエタン、１，１，２，２−テトラクロロエタンなどのハロゲン化炭化水素系などが挙げられる。これらの溶媒は、単独または混合して用いてもよい。反応溶媒の量は特に制限されないが、一般式（１）で表されるナフタレン誘導体１重量部に対して５〜１００重量部が好ましく、更に好ましくは７〜４０重量部、より好ましくは、１０〜２０重量部使用することである。反応温度は、１５℃から５０℃が好ましく、反応時間としては、１時間から６５時間程度であれば十分であり、好ましくは１２から３６時間、より好ましくは２０から２４時間である。以上の合成方法によれば、比較的高分子量のポリナフチレンを得ることができる。例えば、重量平均分子量１００００から２５００００程度のもの（ｎ＝２０〜４５程度）を容易に得ることができる。なお、本発明において分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法により測定し、標準ポリスチレン検量線を用いて求めることができる。
【００３１】
本発明の化合物を樹脂原料として用いた場合、従来報告されている低誘電性ポリマーと比べ、耐熱性や低誘電性に特徴的な物性を樹脂に与えることが可能となる。従って、本発明化合物は、電子材料用樹脂などの原料として使用することができる。特に、低誘電性に優れていることから高周波回路用積層板用の樹脂原料としての用途が有用である。
【００３２】
本発明のポリナフチレン樹脂組成物には、誘電特性、機械特性のためや増量の目的で、本発明の性質を損なわない範囲で、無機または有機の充填材を配合することができる。これらは特に誘電特性の調整に用いることが好ましい。高い誘電率の充填材としては、例えば酸化アルミニウム、二酸化珪素、二酸化チタン、チタン酸バリウム、チタン酸鉛などが挙げられ、低い誘電率の充填材としては、例としてガラスバブル、フッ素樹脂、全芳香族ポリアミド、ポリイミド、ポリスルホンなどが挙げられる。これらは粉末、繊維、フレーク、その他種々の形状のものでも使用できる。機械的強度向上の点からは、ガラス繊維が好ましい充填剤であるが、誘電特性制御用の充填剤も、繊維フレークなどの形状のものは機械的強度の向上のためにも使用することができる。配合量として好ましい範囲は、１０〜９０重量％、さらに好ましくは３０〜７０重量％、またさらに好ましくは４０〜６０重量％程度である。
【００３３】
また、本発明の樹脂組成物は、種々の樹脂組成物とブレンドして使用することも可能である。ブレンドする樹脂は特に制限されず、その割合も必要に応じて検討し、用いることができる。例えば誘電特性的に優れるが耐熱性に問題のあるポリオレフィン樹脂、例えばポリエチレン、ポリプロピレンなどとブレンドし、変性樹脂として用いることもできる。その他、公知のポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリエーテル樹脂等とブレンドして使用することも問題なく可能である。
【００３４】
本発明のポリナフチレン樹脂組成物は、該樹脂組成物から得られる樹脂を絶縁層として用い、高周波回路用積層板とすることができる。絶縁層として使用する際に、樹脂組成物には、所望に応じて難燃剤、熱安定剤、酸化安定剤、耐候安定剤、帯電防止剤、滑剤、可塑剤等の各種添加剤を、本発明の効果を損なわない範囲で配合して樹脂とすることができる。例えば、難燃剤としては、ハロゲン系、りん系、金属水酸化物系などが挙げられ、特に制限はないが、誘電特性の観点からハロゲン系もしくはりん系の難燃剤が好ましく、その配合量は、一般式（２）で表される樹脂組成物成分１００重量部に対して１０〜８０重量部が好ましい。
【００３５】
また、本発明のポリナフチレン樹脂組成物より得られた絶縁層を有する高周波回路用積層板の製造方法としては、特に制限されず、公知の方法を用いて製造することが可能である。一例を示すと、本発明のポリナフチレン樹脂組成物よりシートまたはフィルムを作成し、該樹脂層に、銅、アルミニウム、ニッケル、ステンレス、金、銀及びこれらの合金等の金属を、シート、フィルム、箔等にして熱融着させる方法や接着剤を用いて張り合わせる方法、もしくは該金属類をスパッタ、蒸着、めっき等の方法で積層して形成する方法等を挙げることができる。この際、樹脂層の好ましい厚みとしては０.０１〜２mm、より好ましくは、０.０５〜１mm、さらに好ましくは、０.１〜０．８ｍｍである。
【００３６】
尚、本発明のポリナフチレン樹脂組成物からシートまたはフィルムを製造する方法としては、押し出し成形、射出成形、プレス、キャスティングなどの各種公知の方法が適用可能であり、特に制限されない。樹脂層と金属層の接着剤としてはエポキシ、ポリイミド等の公知の耐熱性接着剤を使用することができるが、絶縁層の誘電特性に影響を及ぼさない為に、本発明の樹脂の層厚／接着剤の層厚の比が２以上、特に３以上になるように形成するのが好ましい。回路の形成は種々の公知のリソグラフィー法、例えばエッチング法などで行うことができる。積層板の態様としては、片面板、両面板のいずれでも良く、積層数にも制限はないが、２層〜３０層程度に積層するのが好ましい。
【実施例】
【００３７】
以下、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれにより何等制限されるものではない。実施例中の各評価方法を以下に示す。
【００３８】
誘電率および誘電正接：空洞共振器法により、12GHzにおける誘電率および誘電正接を測定した。
【００３９】
ガラス転移温度（Ｔｇ）：ＤＳＣ（示差走査型熱量計、島津製作所製・ＤＳＣ−６０）により、２５℃から３５０℃まで昇温速度１０℃／分で測定した。
【００４０】
５%重量減少温度（Ｔｄ５％）：ＴＧＡ（熱重量測定装置、島津製作所製・ＴＧＡ−５０）により空気中にて２５℃から８００℃まで昇温速度１０℃／分で測定した。
【００４１】
ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）測定：重量平均分子量は、ポリスチレン換算で溶離液としてクロロホルムを用い日本分光社製のＪａｓｃｏ２０００ システムを用いたＧＰＣによって測定した。
【００４２】
１Ｈ−ＮＭＲスペクトル：日本分光社製のＪＥＯＬ  ＧＳＸ−２７０を用いて、重クロロホルム中にて測定を行った。
【００４３】
元素分析：Ｃ、Ｈは、ＣＨＮ元素分析装置（パーキンエルマー２４００II）にて定量を行った。Ｆｅは、ＩＣＰ発光分光分析装置(ＳＩＩ製ＶＩＳＴＡ−ＰＲＯ)にて定量を行った。Ｏは、有機元素分析装置（ヘラウスＣＨＮ−Ｏｒａｐｉｄ）にて定量を行った。
【００４４】
実施例1
ナフタレン誘導体（式（５）で示される化合物）の製造
６，６’−ジヒドロキシ−３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’−スピロビインダン５２．４ ｇ（０．１７ｍｏｌ）、炭酸カリウム５８．７ｇ（０．４３ ｍｏｌ）をキノリン、トルエン３００ｍｌに加え、3時間脱水反応を行った。その後、トルエンを留去した後、１−ブロモナフタレン７０.４ g（０．３４ ｍｏｌ）、銅粉末１．１ ｇ （０．０１７ ｍｏｌ）を加え、２００℃にて２４時間反応を行った。反応終了後、メタノールに加えることによって粗生成物を得た。この析出した白色固体を酢酸エチルから再結晶することにより、下記式（５）で表される目的物を３８ ｇ（収率４０％）得た。
【００４５】
融点：２１２−２１３℃
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，２５℃、ｐｐｍ） d = １．３７（ｓ，１２Ｈ）, ２．３６(m, 4H), ６．６８ (d, 2H), ６．７６ (d, 2H), ６．８６(d, 2H), ７．０８(d, 2H), ７．２５ (t, 2H), ７．４５−７．５３ (m, 6H), 7.81-7.85(m, 2H), ８．２４−８．２７(m, 2H)
元素分析(%)
計算値：C ８７．８, H ６．５, O ５．７
実測値：C ８８．３, H ６．１, O ６．３
【００４６】
【化７】
2006063236.tif 000008
【００４７】
実施例２
ポリナフチレンの樹脂組成物（式（６）で示される樹脂組成物）の製造
アルカリトラップ、窒素導入管を備えた１００ｍｌの３口反応容器に、実施例1で得られた化合物 １１．２１ｇ（２０mmol）、無水第二塩化鉄 ８．１１ｇ（５０mmol）を仕込み、クロロホルム９３ ｇ加え、窒素雰囲気下、２５℃で２４時間攪拌した。これを１０％の塩酸を１０重量％含むメタノール中へ沈殿させ、ろ過した後、ポリマーを再度クロロホルムに溶解させた。これをメタノール中へ析出させ、ポリマーを回収した。さらに、このポリマーをクロロホルムに溶解させ、イオン交換樹脂で処理することにより残留鉄成分の除去を行った。最後にこのクロロホルム溶液をメタノール中へ沈殿させることにより下記式（６）を繰り返し単位構造として有するポリマーを定量的に得た。
【００４８】
【化８】
2006063236.tif 000009
【００４９】
元素分析（％）
計算値：Ｃ ８８．１， Ｈ ６．１, Ｏ ５．７
実測値：Ｃ ８７．５， Ｈ ４．９, Ｏ ５．８, Ｆｅ １００ ｐｐｍ以下
重量平均分子量  ２５０００（ｎ＝４５）
ガラス転移温度：２６０℃
５％重量減少温度：５００℃
熱プレス機を用いて得られたポリマー粉１ｇを３００℃、１０ＭＰａで約７分間加熱圧縮した。得られたおよそ０．３ｍｍのプレスシートを用いて１２ＧＨｚにて誘電率および誘電正接を測定した。誘電率は２．５８、誘電正接は０．００２９であった。
【００５０】
比較例（ＷＯ９９／２１９１０記載の化合物）
撹拌機、窒素導入管、温度計を備えた5００ｍｌの３口反応容器に、６，６’−ジヒドロキシ−３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’−スピロビインダン３０．８ｇ（０．１ｍｏｌ）、ジフルオロベンゾフェノン２１．８ｇ（０．１ｍｏｌ）、炭酸カリウム１７．３ｇ（０．１２５ｍｏｌ）を仕込み、ＤＭＳＯ１２０ｍｌおよびトルエン２４０ ｍｌを加え、窒素雰囲気下３０分攪拌した。これを加熱し、１８０℃で１４時間反応させた。反応中に生成し、トルエンと共沸する水は、適宜抜き取りつつ反応を続けた。冷却後、ＮＭＰを６０ml加え、ろ過した後、ろ液を強撹拌したイオン交換水中に注ぎ込み、ポリマー粉を析出させ濾過後、さらに、メタノールで２回洗浄した。以上の方法により、下記一般式（７）で表される繰り返し単位を有する白色のポリマー粉を４３ｇ（収率８８％）得た（ηinh：０．２８  ｄｌ／ｇ）。
【００５１】
【化９】
2006063236.tif 000010
【００５２】
重量平均分子量：７４０００
ガラス転移温度：２００℃
５％重量減少温度：４９０℃
誘電率(１２ＧＨｚ)：２．８３
誘電正接：０．００５６
以上の説明から明らかなように、本発明の新規重合体は優れた耐熱性を有しながら誘電特性も優れていることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明のポリナフチレン樹脂は、各種配線基板用絶縁膜用途に有用で、特に高周波信号伝送に対応する配線基板用絶縁膜として極めて有用である。
【００５４】
ナフタレン誘導体は、ポリナフチレン樹脂のモノマーとして利用されており、ポリナフチレン樹脂は、優れた耐熱性、低誘電特性を与えることが可能であるため、高周波回路用積層板として使用される。