(57)【要約】【課題】開口部の円形度に優れ、信頼性の高いビアホールを簡便に形成することが可能な可撓性プリント回路基板用基材のビアホール形成方法を提供する。【解決手段】本発明の可撓性プリント回路基板用基材のビアホール形成方法は、可撓性プリント回路基板用基材１０の一方の表面１５に、金属又は合金を含む厚さ２μｍ未満の第一層薄膜１１を成膜して第一層薄膜付き基材１７を得、第一層薄膜１１を覆うように第二層薄膜１２を配設して第二層薄膜付き基材１８を得、第二層薄膜１２のビアホール２が形成される領域に相当する部位を選択的に除去するとともに、第一層薄膜１１をエッチングして、可撓性プリント回路基板用基材１０に第一及び第二レジストマスク１３，１４が配設されたレジストマスク付き基材１９を得、レジストマスク付き基材１９の可撓性プリント回路基板用基材１０をケミカルミーリングしてビアホール２を形成する。【選択図】図２（ｆ）
2006332312.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリマーを含むシート状の可撓性プリント回路基板用基材に、前記可撓性プリント回路基板用基材の厚さ方向に連通するビアホールを形成する可撓性プリント回路基板用基材のビアホール形成方法であって、
前記可撓性プリント回路基板用基材の一方の表面に、金属又は合金を含む厚さ２μｍ未満の第一層薄膜を成膜して第一層薄膜付き基材を得、得られた前記第一層薄膜付き基材の前記第一層薄膜を覆うように、光硬化性又は熱硬化性樹脂を含む第二層薄膜を配設して第二層薄膜付き基材を得、得られた前記第二層薄膜付き基材において、前記第二層薄膜の前記ビアホールが形成される領域に相当する部位を選択的に除去して、前記第二層薄膜を第二レジストマスクとするとともに、前記第二レジストマスクにより前記第一層薄膜をエッチングして、前記第一層薄膜を第一レジストマスクとして、前記可撓性プリント回路基板用基材に第一及び第二レジストマスクが配設されたレジストマスク付き基材を得、得られた前記レジストマスク付き基材の前記可撓性プリント回路基板用基材をケミカルミーリングして、前記可撓性プリント回路基板用基材の厚さ方向に連通するビアホールを形成する可撓性プリント回路基板用基材のビアホール形成方法。
【請求項２】
前記可撓性プリント回路基板用基材の前記他方の表面に、導電性材料から構成された回路を形成する請求項１に記載の可撓性プリント回路基板用基材のビアホール形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、可撓性プリント回路基板用基材のビアホール形成方法に関する。さらに詳しくは、開口部の円形度に優れ、信頼性の高いビアホールを簡便に形成することが可能な可撓性プリント回路基板用基材のビアホール形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子部品の高密度実装を可能とする回路基板として、二層以上から構成されたプリント回路を有する可撓性プリント回路基板（ＦＰＣ：Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）が用いられている（例えば、特許文献１）。この可撓性プリント回路基板は、ポリマーを含むシート状の可撓性プリント回路基板用基材上にプリント回路が配設されたものである。
【０００３】
このような可撓性プリント回路基板用基材には、一般に、その一方の表面から他方の表面に連通するビアホールが形成されており、このビアホールの内部に、一般に、半田等の導電性物質を充填することにより二層以上のプリント回路相互間における電気的な接続を行っている。
【０００４】
従来、このようなビアホールを可撓性プリント回路基板用基材に形成する可撓性プリント回路基板用基材のビアホール形成方法としては、例えば、まず、可撓性プリント回路基板用基材の一方の表面に銅箔等の金属箔を配設し、次に、この金属箔におけるビアホールが形成される領域に相当する部位をエッチングして除去しレジストマスクとする。金属箔をエッチングする際には、金属箔の表面に感光性ドライフィルム等の樹脂性薄膜を配設し、この樹脂性薄膜の所定の領域を露光及び現像してマスクとした後に、塩化第二銅溶液等の公知のエッチング剤に浸漬する方法を挙げることができる。なお、レジストマスクを形成するための金属箔については、通常、厚さが８〜１８μｍの銅箔が用いられている。このようにしてレジストマスクを形成した後に、例えば、ＵＶレーザ、電子線等のレーザを照射して、レジストマスクが配設されている以外の領域、即ち、ビアホールが形成される領域をエッチングすることにより、シート状の可撓性プリント回路基板用基材の厚さ方向に連通するビアホールを形成することができる。
【特許文献１】特表２００４−５２８７２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述した従来の可撓性プリント回路基板用基材のビアホール形成方法によってビアホールを形成した場合、開口部の形状が楕円形になってしまうという問題があった。ビアホールの開口部の形状が楕円形であると、回路に細密化に伴うビアホールの狭ピッチ及び微小径化が困難であるとともに、半田ボールのボールピッチがずれたり、それぞれのビアホールに配設した半田ボールを溶解させた際に、隣接する半田ボール同士が接触して不良を生じてしまう。
【０００６】
本発明は、上述の問題を解決するためになされたものであり、開口部の円形度に優れ、信頼性の高いビアホールを簡便に形成することが可能な可撓性プリント回路基板用基材のビアホール形成方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によれば、以下の可撓性プリント回路基板用基材のビアホール形成方法が提供される。
【０００８】
［１］ポリマーを含むシート状の可撓性プリント回路基板用基材に、前記可撓性プリント回路基板用基材の厚さ方向に連通するビアホールを形成する可撓性プリント回路基板用基材のビアホール形成方法であって、前記可撓性プリント回路基板用基材の一方の表面に、金属又は合金を含む厚さ２μｍ未満の第一層薄膜を成膜して第一層薄膜付き基材を得、得られた前記第一層薄膜付き基材の前記第一層薄膜を覆うように、光硬化性又は熱硬化性樹脂を含む第二層薄膜を配設して第二層薄膜付き基材を得、得られた前記第二層薄膜付き基材において、前記第二層薄膜の前記ビアホールが形成される領域に相当する部位を選択的に除去して、前記第二層薄膜を第二レジストマスクとするとともに、前記第二レジストマスクにより前記第一層薄膜をエッチングして、前記第一層薄膜を第一レジストマスクとして、前記可撓性プリント回路基板用基材に第一及び第二レジストマスクが配設されたレジストマスク付き基材を得、得られた前記レジストマスク付き基材の前記可撓性プリント回路基板用基材をケミカルミーリングして、前記可撓性プリント回路基板用基材の厚さ方向に連通するビアホールを形成する可撓性プリント回路基板用基材のビアホール形成方法。
【０００９】
［２］前記可撓性プリント回路基板用基材の前記他方の表面に、導電性材料から構成された回路を形成する前記［１］に記載の可撓性プリント回路基板用基材のビアホール形成方法。
【００１０】
本発明において、エッチングとは、金属又は合金を酸やアルカリ溶液を用いて所望の部分を除去することをいう。また、ケミカルミーリング（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｍｉｌｌｉｎｇ）とは、可撓性プリント回路基板用基材を薬液で加水分解し、所望の部分を除去することをいう。薬液とは、例えば、アルカリ溶液、ヒドラジン溶液である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の可撓性プリント回路基板用基材のビアホール形成方法によれば、開口部の円形度に優れ、信頼性の高いビアホールを簡便に形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
次に本発明の実施の形態を図面を参照しながら詳細に説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、当業者の通常の知識に基づいて、適宜設計の変更、改良等が加えられることが理解されるべきである。
【００１３】
図１は、ビアホールが形成された可撓性プリント回路基板用基材を示す平面図である。また、図２（ａ）〜図２（ｇ）は、本発明の可撓性プリント回路基板用基材のビアホール形成方法の一の実施の形態の一部を模式的に示す説明図である。本実施の形態の可撓性プリント回路基板用基材のビアホール形成方法は、図１に示すように、ポリマーを含むシート状の可撓性プリント回路基板用基材１０に、この可撓性プリント回路基板用基材１０の厚さ方向に連通するビアホール２を形成する可撓性プリント回路基板用基材のビアホール形成方法である。ここで、ポリマーは、ポリイミド、ポリエステル等があり、好ましくはポリイミドである。具体的には、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、可撓性プリント回路基板用基材１０の一方の表面１５に、金属又は合金を含む厚さ２μｍ未満の第一層薄膜１１を成膜して第一層薄膜付き基材１７を得、図２（ｃ）に示すように、得られた第一層薄膜付き基材１７の第一層薄膜１１を覆うように、光硬化性又は熱硬化性樹脂を含む第二層薄膜１２を配設して第二層薄膜付き基材１８を得、図２（ｄ）に示すように、得られた第二層薄膜付き基材１８において、第二層薄膜１２のビアホール２（図１参照）が形成される領域に相当する部位を選択的に除去して、第二層薄膜１２を第二レジストマスク１４とするとともに、図２（ｅ）に示すように、第二レジストマスク１４により第一層薄膜１１をエッチングして、第一層薄膜１１を第一レジストマスク１３として、可撓性プリント回路基板用基材１０に第一及び第二レジストマスク１３，１４が配設されたレジストマスク付き基材１９を得、図２（ｆ）及び図２（ｇ）に示すように、得られたレジストマスク付き基材１９の可撓性プリント回路基板用基材１０をケミカルミーリングして、可撓性プリント回路基板用基材１０の厚さ方向に連通するビアホール２を形成する可撓性プリント回路基板用基材のビアホール形成方法である。なお、図２（ｇ）は、第一及び第二レジストマスク１３，１４を取り除いた状態の可撓性プリント回路基板用基材１０を示している。
【００１４】
従来、可撓性プリント回路基板用基材にビアホールを形成する際には、厚さ約８μｍ以上の銅薄膜を使用してレジストマスクを形成していたが、本実施の形態の可撓性プリント回路基板用基材のビアホール形成方法においては、図２（ａ）〜図２（ｇ）に示すように、可撓性プリント回路基板用基材１０の一方の表面１５に成膜した金属又は合金を含む厚さ２μｍ未満の第一層薄膜１１と、この第一層薄膜１１を覆うようにして配設した第二層薄膜１２とを用いて第一及び第二レジストマスク１３，１４を形成して、可撓性プリント回路基板用基材１０のケミカルミーリングを行うものである。
【００１５】
従来の可撓性プリント回路基板用基材のビアホール形成方法においては、上述したように厚さが８〜１８μｍ程度の銅箔から形成したレジストマスクを使用するために、ビアホールの開口部の形状が楕円形になってしまうという問題があった。本実施の形態の可撓性プリント回路基板用基材のビアホール形成方法によれば、開口部の円形度に優れ、信頼性の高いビアホールを簡便に形成することができる。
【００１６】
従来の可撓性プリント回路基板用基材のビアホール形成方法においては、可撓性プリント回路基板用基材をケミカルミーリングする際に、レジストマスクの剛性が高く、レジストマスクから侵入する薬液の流動が良好に行われないために、ビアホールの開口部の形状が楕円形になると推測される。本実施の形態の可撓性プリント回路基板用基材のビアホール形成方法においては、厚さが２μｍ未満の第一層薄膜１１を第一レジストマスク１３とするため、図２（ｆ）及び図２（ｇ）に示すように、可撓性プリント回路基板用基材１０をケミカルミーリングする場合に、第一レジストマスク１３の剛性が低いため、第一レジストマスク１３から侵入する薬液の流動が良好に行われ、ビアホール２の開口部の円形度が優れたものになる。
【００１７】
なお、「円形度」とは、対象となる形状が、真円からどの程度ズレているのかを示す指標であり、その形状の直径の最大値（最大直径）と最小値（最小直径）との差が小さいほど真円により近いことを示す。具体的には、円形度（％）＝（最大直径−最小直径）÷（平均直径）×１００である。真円の場合、最大直径と最小直径とが等しいので０％である。本実施の形態の可撓性プリント回路基板用基材のビアホール形成方法において形成することのできるビアホール形状の円形度は、６％以下であることが好ましい。
【００１８】
また、本実施の形態の可撓性プリント回路基板用基材のビアホール形成方法においては、ビアホールを構成する側面と、ビアホールの傾斜角度、具体的には、図２（ｇ）における可撓性プリント回路基板用基材１０の一方の表面１６と、のなす角度（以下、「スロープ角度Ａ」という）が、３５〜４０度のビアホール２を形成することができる。例えば、金属又は合金を含む薄膜をレジストマスクとせずに、樹脂等の薄膜のみから形成したレジストマスクを用いた場合には、形成したビアホールの開口部の円形度を向上させることが可能であるが、このビアホールのスロープ角度が３２度程度まで低下して、ビアホールの開口部が広がってしまう。ビアホールは複数配設して形成するものであるため、このように開口部が広がったビアホールに半田ボールを搭載して、これらの半田ボールを溶融した場合には、隣接する半田ボール同士が接触して配線不良が発生する。また、半田ボールのボールピッチを小さくすると接続面積を確保できず、接続困難となる。
【００１９】
ここで、本実施の形態の可撓性プリント回路基板用基材のビアホール形成方法について、図２（ａ）〜図２（ｇ）に示すそれぞれの工程毎に、さらに具体的に説明する。
【００２０】
まず、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、可撓性プリント回路基板用基材１０の一方の表面１５に、金属又は合金を含む厚さ２μｍ未満の第一層薄膜１１を成膜して第一層薄膜付き基材１７を得る。可撓性プリント回路基板用基材１０は、ポリマーを含むシート状の基材であり、従来公知の可撓性プリント回路基板用基材と使用されているものを好適に用いることができる。特に、本実施の形態の可撓性プリント回路基板用基材のビアホール形成方法に好適に用いることが可能な可撓性プリント回路基板用基材としては、ケミカルミーリング（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｍｉｌｌｉｎｇ）可能な基材、例えば、ピロメリット酸無水物（ＰＭＤＡ）とオキシジアニリン（ＯＤＡ）とから合成されたポリマーから構成されたものを挙げることができる。具体的には、デュポン社製のカプトンTM  ポリイミドフィルムや、カネカ社製のアピカルTM  ポリイミドフィルムを挙げることができる。
【００２１】
なお、特に限定されることはないが、本実施の形態の可撓性プリント回路基板用基材のビアホール形成方法においては、可撓性プリント回路基板用基材１０の一方の表面１５に成膜する金属又は合金を含む第一層薄膜１１の厚さは、１．５μｍ以下であることが好ましく、１．０μｍ以下であることがさらに好ましい。このように構成することによって、より開口部の円形度に優れ、信頼性の高いビアホールを形成することができる。
【００２２】
また、可撓性プリント回路基板用基材１０の厚さについても特に制限はないが、一般的に使用されている可撓性プリント回路基板用基材の厚さは、通常、７〜２００μｍである。
【００２３】
本実施の形態の可撓性プリント回路基板用基材のビアホール形成方法において、第一層薄膜１１を成膜する可撓性プリント回路基板用基材１０の一方の表面１５は、可撓性プリント回路基板１（図１参照）に回路が形成される表面（他方の表面１６）とは反対側の表面とする。
【００２４】
第一層薄膜１１を成膜する方法については、厚さ２μｍ未満の薄膜を成膜することが可能な方法であれば特に制限はないが、例えば、メッキ、化学蒸着、印刷、スパッター等の方法を好適例として挙げることができる。このような方法は、均一な膜厚の薄膜を成膜が可能であるとともに、膜厚の制御を高精度に行うことができる。
【００２５】
本実施の形態の可撓性プリント回路基板用基材のビアホール形成方法において、可撓性プリント回路基板用基材１０の一方の表面１５に成膜して配設する第一層薄膜１１は、金属又は合金を含む厚さ２μｍ未満の薄膜であれば、その材料等については特に制限はないが、例えば、第一層薄膜１１に金属が含まれる場合には、この第一層薄膜１１に含まれる金属が、銅、アルミニウム、ニッケル、クロム、スズ、及び亜鉛からなる群から選択される少なくとも一種の金属であることが好ましい。また、第一層薄膜１１に合金が含まれる場合には、この第一層薄膜１１に含まれる合金が、銅、アルミニウム、ニッケル、クロム、スズ、及び亜鉛からなる群から選択される少なくとも一種の金属を主成分とする合金であることが好ましい。このような金属又は合金は、安価かつ入手が容易であるとともに、成膜を簡便に行うことができる。
【００２６】
次に、図２（ｃ）に示すように、得られた第一層薄膜付き基材１７の第一層薄膜１１を覆うように、光硬化性又は熱硬化性樹脂を含む第二層薄膜１２を配設して第二層薄膜付き基材１８を得る。第二層薄膜１２は、第一層薄膜１１をエッチングするための第二レジストマスク１４（図２（ｄ）参照）を形成するためのものである。
【００２７】
第二層薄膜１２を配設する方法についても特に制限はなく、例えば、従来公知の感光性ドライフィルム等の薄膜を用いて、第一層薄膜１１を覆うように配設してもよいし、例えば、印刷や、感光性ドライフィルム又は感光性液状レジストを使用したフォトリソ法等の方法によって配設してもよい。
【００２８】
この第二層薄膜１２は、光硬化性又は熱硬化性樹脂を含む薄膜である。例えば、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等を好適に用いることができる。また、第二層薄膜１２の厚さについては特に制限はないが、例えば、１〜５０μｍである。
【００２９】
次に、図２（ｄ）に示すように、得られた第二層薄膜付き基材１８において、第二層薄膜１２のビアホール２（図１参照）が形成される領域に相当する部位を選択的に除去して、第二層薄膜１２を第二レジストマスク１４とするとともに、図２（ｅ）に示すように、第二レジストマスク１４により第一層薄膜１１をエッチングして、第一層薄膜１１を第一レジストマスク１３として、可撓性プリント回路基板用基材１０に第一及び第二レジストマスク１３，１４が配設されたレジストマスク付き基材１９を得る。
【００３０】
図２（ｄ）に示す、第二層薄膜１２を第二レジストマスク１４にする方法については、従来公知のフォトリソ法等によって実現することができる。又は、光硬化性を含む第二層薄膜１２の所定の部位（ビアホール２（図１参照）が形成される領域に相当する部位）にレーザを照射して露光する方法を挙げることができる。
【００３１】
また、図２（ｅ）に示すエッチングについても、従来公知のエッチングに準じて実現することができる。図２（ｅ）においては、金属又は合金を含む第一層薄膜１１をエッチングするため、エッチング液としては、塩化銅溶液、塩化鉄溶液、過酸化水素硫酸等の酸性のエッチング液を使用する。
【００３２】
次に、図２（ｆ）及び図２（ｇ）に示すように、得られたレジストマスク付き基材１９の可撓性プリント回路基板用基材１０をケミカルミーリングして、可撓性プリント回路基板用基材１０の厚さ方向に連通するビアホール２を形成する。この可撓性プリント回路基板用基材１０のケミカルミーリングについては、ポリマーを含む可撓性プリント回路基板用基材１０をケミカルミーリングするため、薬液としては、アルカリ溶液やヒドラジン溶液等の薬液を使用する。ケミカルミーリングを行う時間については、可撓性プリント回路基板用基材１０の厚さや、形成するビアホール２の大きさに応じて適宜設定することが可能である。なお、このようにしてビアホール２を形成した後には、第一及び第二レジストマスク１３，１４を除去する。
【００３３】
以上のようにして、本実施の形態の可撓性プリント回路基板用基材のビアホール形成方法によれば、開口部の円形度に優れ、信頼性の高いビアホールを簡便に形成することができる。
【００３４】
また、本実施の形態の可撓性プリント回路基板用基材のビアホール形成方法においては、ビアホールの形成と平行して、可撓性プリント回路基板用基材の他方の表面に、導電性材料から構成された回路を形成することが好ましい。例えば、可撓性プリント回路基板の回路は、薄膜状の導電性材料を可撓性プリント回路基板用基材の他方の表面に適用することができ、適用した薄膜状の導電性材料を所定の形状の回路となるようにエッチングして形成する。図２（ａ）〜図２（ｇ）において示した本実施の形態の可撓性プリント回路基板用基材のビアホール形成方法において、エッチング等の工程を回路の形成と同時に行うことが可能となり、工程の簡略化を実現することができる。
【００３５】
ここで、本実施の形態において、可撓性プリント回路基板用基材の他方の表面に可撓性プリント回路基板用の回路を形成しつつ、ビアホールを形成する方法について具体的に説明する。
【００３６】
まず、可撓性プリント回路基板用基材の一方の表面に、金属又は合金を含む厚さ２μｍ未満の第一層薄膜を成膜するとともに、他方の表面に、可撓性プリント回路基板用基材の回路を形成するための、導電性を有する金属薄膜を配設することにより、成膜した第一層薄膜付き基材を得る。この金属薄膜は、例えば、銅等をメッキすることによって配設することができる。また、金属薄膜の厚さについては特に制限はないが、２〜５０μｍである。
【００３７】
次に、第一層薄膜を覆うように第二層薄膜を配設して、第二層薄膜付き基材を得る際に、他方の表面に配設した金属薄膜に、光硬化性又は熱硬化性樹脂を含む樹脂薄膜を配設することができる。この樹脂薄膜については、金属薄膜をエッチングして回路にするためのレジストマスクとなるものであり、第二層薄膜と同様の材料から構成されたものを好適に用いることができる。
【００３８】
次に、得られた第二層薄膜付き基材において、第二層薄膜のビアホールが形成される領域に相当する部位を選択的に除去して、第二層薄膜を第二レジストマスクとし、さらに、他方の表面に配設した樹脂薄膜の可撓性プリント回路基板における回路のパターンとなる領域に相当する部位を選択的に除去して、樹脂薄膜を回路用レジストマスクとする。なお、第二レジストマスクと回路用レジストマスクとは、どちらか一方を先に形成してもよいが、フォトリソ法等によって同時に形成することが工程の簡略化の観点から好ましい。
【００３９】
次に、アディティブプロセスでは、可撓性プリント回路基板の他方の表面側にメッキを行うのであるが、メッキを行う前に、第二レジストマスクの表面にはメッキがされないように、第二レジストマスクを覆うように保護膜を配設する。この保護膜は、回路を形成した後に容易に剥離することができるように、片側の表面に粘着剤が付与された微粘着シートを用いることが好ましい。
【００４０】
このようにして保護膜を配設した後、他方の表面側（回路用レジストマスク側）に回路のパターンに相当するメッキを行い、金属薄膜の表面に回路のパターンに相当するメッキ層を形成する。このメッキ層が形成された部位の金属薄膜が、最終的に回路となる。メッキ方法としては、従来、可撓性プリント回路基板用基材に回路を形成する際に行われている方法に準じて実現することができる。なお、メッキは、金属薄膜と同種類の金属により行うことが好ましく、例えば、金属薄膜に銅を用いた場合には、銅メッキを行うことが好ましい。
【００４１】
次に、メッキを行った他方の表面側（回路用レジストマスク側）に、第二レジストマスクを覆うように配設した保護膜と同様の材料から構成された保護膜を配設する。この保護膜は、次の工程において、一方の表面側の第一層薄膜をエッチングして第一レジストマスクにする際に、上記した回路を形成するためのメッキが剥離しないようにするための保護膜である。
【００４２】
次に、第二レジストマスク側の保護膜を剥がした後、第二レジストマスクにより第一層薄膜をエッチングして、第一層薄膜を第一レジストマスクとして、可撓性プリント回路基板用基材に第一及び第二レジストマスクが配設されたレジストマスク付き基材を得る。第一層薄膜をエッチングする方法については、図２（ｅ）に示した方法と同様の方法にて行うことができる。
【００４３】
次に、得られたレジストマスク付き基材の可撓性プリント回路基板用基材をケミカルミーリングして、可撓性プリント回路基板用基材の厚さ方向に連通するビアホールを形成する。可撓性プリント回路基板用基材をケミカルミーリングする方法については、図２（ｆ）に示した方法と同様の方法にて行うことができる。
【００４４】
次に、一方の表面側の第二レジストマスク、他方の表面側（回路用レジストマスク側）の保護膜、及び回路用レジストマスクを剥がす。次に、金属薄膜と、その表面のメッキ層とを、このメッキ層が形成された領域に相当する部位の金属薄膜が回路して残存するようにエッチングを行い、可撓性プリント回路基板用基材の他方の表面に回路を形成する。この際、金属又は合金から構成された第一レジストマスクもエッチングされて除去される。このように構成することにより、可撓性プリント回路基板用基材にビアホールを形成しつつ、所定の形状の回路を形成することができる。
【００４５】
なお、上述したように回路を形成した場合には、この回路の酸化を防止するために、形成した回路にニッケル／金メッキを行うことが好ましい。なお、上述した本実施の形態の可撓性プリント回路基板用基材のビアホール形成方法おけるエッチングの工程については、従来の可撓性プリント回路基板用基材のビアホール形成方法において行われる方法と同様の方法にて行うことができる。
【実施例】
【００４６】
以下、本発明を実施例によってさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるものではない。
【００４７】
（実施例１）
厚さ７５μｍのポリイミドフィルム（商品名：アピカルTM  ＮＰＩフィルム（カネカ社製））を可撓性プリント回路基板用基材として、この可撓性プリント回路基板用基材にビアホールを形成した。
【００４８】
本実施例においては、まず、可撓性プリント回路基板用基材の一方の表面に、第一層薄膜として厚さ１μｍの銅薄膜をメッキし、他方の表面に、回路を形成するための金属薄膜として厚さ３μｍの銅薄膜をメッキした。次に、第一層薄膜を覆うように第二層薄膜として感光性ドライフィルムを配設し、また、金属薄膜を覆うように、回路用レジストマスクとするための樹脂薄膜として、第二層薄膜と同様の感光性ドライフィルムを配設した。
【００４９】
次に、フォトリソ法によって、第二層薄膜にビアホールの形状を形成して第二レジストマスクとし、樹脂薄膜に回路の形状を形成して回路用レジストマスクした。次に、第二レジストマスクに保護膜を配設した後に、他方の表面側に銅メッキを行い、金属薄膜の表面に回路のパターンに相当するメッキ層を形成した。次に、他方の表面側に保護膜を配設し、第二レジストマスク側の保護膜を剥がし、第二レジストマスクにより第一層薄膜をエッチングして、第一層薄膜を第一レジストマスクとした、次に、第一及び第二レジストマスクにより可撓性プリント回路基板用基材をケミカルミーリングして、可撓性プリント回路基板用基材の厚さ方向に連通するビアホールを形成した。最後に、一方の表面側の第二レジストマスク、他方の表面側（回路用レジストマスク側）の保護膜、及び回路用レジストマスクを剥がした後、金属薄膜と、その表面のメッキ層とを、金属薄膜のメッキ層が形成された領域に相当する部位が回路して残存するようにエッチングを行い、可撓性プリント回路基板用基材の他方の表面に回路を形成した。
【００５０】
本実施例によって形成されたビアホールは、開口部の円形度に優れ、信頼性の高いものであった。また、スロープ角度は４０度であり、半田ボールを溶融しても、隣接する半田ボール同士が接触することはなかった。
【００５１】
（比較例１）
第一層薄膜として厚さ２μｍの銅薄膜をメッキした以外は、実施例１と同様の方法によりビアホールを形成した。比較例１によって形成されたビアホールは、開口部の形状が楕円形であり、ビアホールとして使用不可能なものであった。
【００５２】
（比較例２）
第一層薄膜としての銅薄膜を成膜せずに、第二層薄膜のみを用いた第二レジストマスクによって可撓性プリント回路基板用基材をケミカルミーリングして、可撓性プリント回路基板用基材にビアホールを形成した。比較例２によって形成されたビアホールは、開口部の形状は比較的に円形に近く、ビアホールとして使用可能なものであったが、スロープ角度が３２度であり、半田ボールを溶融した場合に、形成した全てのビアホールの数に対して、約１％の割合で隣接する半田ボール同士が接触する配線不良が発生した。
【００５３】
（実施例２）
実施例１と同様な方法にて、厚さ１μｍの第一層薄膜を施してビアホールの形成を行った。本実施例においては、１０ｍｍ×１０ｍｍの大きさの可撓性プリント回路基板用基材上に２８９個のビアホールを形成した。互いに隣接する二つのビアホールの中心間の距離は約０．５ｍｍであった。ミツトヨ社製の三次元測定器（商品名：クイックビジョンＱＶ４０４）を用い、ビアホールを形成した可撓性プリント回路基板用基材の画像を非接触で取り込んだ。測定対象物であるビアホールのうち、無作為に１０個（ビアホール１〜１０）を選び、各１０個それぞれの平均直径、及び最大直径と最小直径との差が三次元測定器にて計算処理され、それに基づき円形度が算出された。ビアホール１０個についての各値を表１に示す。ビアホール各１０個は全て円形度が６％以下であった。
【００５４】
【表１】
2006332312.tif 000003
【００５５】
（比較例３）
比較例１と同様な方法にて、厚さ２μｍの第一層薄膜を施してビアホールの形成を行った。本比較例においては、１０ｍｍ×１０ｍｍの大きさの可撓性プリント回路基板用基材上に２８９個のビアホールを形成した。互いに隣接する二つのビアホールの中心間の距離は約０．５ｍｍであった。実施例２にて用いた三次元測定器を用い、ビアホールを形成した可撓性プリント回路基板用基材の画像を非接触で取り込んだ。測定対象物であるビアホールのうち、無作為に１０個（ビアホール１〜１０）を選び、各１０個それぞれの平均直径、及び最大直径と最小直径との差が三次元測定器にて計算処理され、それに基づき円形度が算出された。ビアホール１０個についての各値を表２に示す。ビアホール各１０個は全て円形度が６％を超えた。
【００５６】
【表２】
2006332312.tif 000004
【００５７】
（比較例４）
比較例２と同様な方法にて、第一層薄膜を施さずにビアホールの形成を行った。本比較例においては、１０ｍｍ×１０ｍｍの大きさの可撓性プリント回路基板用基材上に２８９個のビアホールを形成した。互いに隣接する二つのビアホールの中心間の距離は約０．５ｍｍであった。実施例２にて用いた三次元測定器を用い、ビアホールを形成した可撓性プリント回路基板用基材の画像を非接触で取り込んだ。測定対象物であるビアホールのうち、無作為に１０個（ビアホール１〜１０）を選び、各１０個それぞれの平均直径、及び最大直径と最小直径との差が三次元測定器にて計算処理され、それに基づき円形度が算出された。ビアホール１０個についての各値を表３に示す。ビアホール各１０個は全て円形度が６％以下であった。
【００５８】
【表３】
2006332312.tif 000005
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明の可撓性プリント回路基板用基材のビアホール形成方法によれば、電子部品の高密度実装を可能とする可撓性プリント回路基板用基材に、開口部の円形度に優れ、信頼性の高いビアホールを簡便に形成することできる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の可撓性プリント回路基板用基材のビアホール形成方法の一の実施の形態によって形成されたビアホールを模式的示す平面図である。
【図２（ａ）】本発明の可撓性プリント回路基板用基材のビアホール形成方法の一の実施の形態の一部を模式的に示す説明図である。
【図２（ｂ）】本発明の可撓性プリント回路基板用基材のビアホール形成方法の一の実施の形態の一部を模式的に示す説明図である。
【図２（ｃ）】本発明の可撓性プリント回路基板用基材のビアホール形成方法の一の実施の形態の一部を模式的に示す説明図である。
【図２（ｄ）】本発明の可撓性プリント回路基板用基材のビアホール形成方法の一の実施の形態の一部を模式的に示す説明図である。
【図２（ｅ）】本発明の可撓性プリント回路基板用基材のビアホール形成方法の一の実施の形態の一部を模式的に示す説明図である。
【図２（ｆ）】本発明の可撓性プリント回路基板用基材のビアホール形成方法の一の実施の形態の一部を模式的に示す説明図である。
【図２（ｇ）】本発明の可撓性プリント回路基板用基材のビアホール形成方法の一の実施の形態の一部を模式的に示す説明図である。
【符号の説明】
【００６１】
１…可撓性プリント回路基板、２…ビアホール、１０…可撓性プリント回路基板用基材、１１…第一層薄膜、１２…第二層薄膜、１３…第一レジストマスク、１４…第二レジストマスク、１５…一方の表面、１６…他方の表面、１７…第一層薄膜付き基材、１８…第二層薄膜付き基材、１９…レジストマスク付き基材、Ａ…スロープ角度（ビアホールを構成する側面と可撓性プリント回路基板の回路が形成される表面とのなす角度）。
【図１】
2006332312.tif 000006
【図２（ａ）】
2006332312.tif 000007
【図２（ｂ）】
2006332312.tif 000008
【図２（ｃ）】
2006332312.tif 000009
【図２（ｄ）】
2006332312.tif 000010
【図２（ｅ）】
2006332312.tif 000011
【図２（ｆ）】
2006332312.tif 000012
【図２（ｇ）】
2006332312.tif 000013