(57)【要約】【課題】  発光素子を載置した際に、発光素子の発した光に対する高い誘導性を備えるとともに、誘導性の長期信頼性にも優れた発光素子実装用基板を提供する。また本発明は、この発光素子実装用基板を用いてなる、優れた指向性を有する発光装置を提供する。【解決手段】  本発明に係る発光素子実装用基板１１Ａは、一面に少なくとも２つの第一導電部２２ａ、２２ｂが配され、該第一導電部の一方又は前記一面には発光素子を載置するための領域３３が設けられている配線基板（基板１０）と、前記領域を取り囲むように、または前記領域を他の領域と区切るように、前記配線基板の一面から凸状をなす絶縁体３０と、を備えており、さらに、前記領域から見える、前記絶縁体の少なくとも一部を覆うように反射体１６が設けられている。【選択図】      図１１
2006332351.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面に少なくとも２つの第一導電部が配され、該第一導電部の一方又は前記一面には発光素子を載置するための領域が設けられている配線基板と、
前記領域を取り囲むように、または前記領域を他の領域と区切るように、前記配線基板の一面から凸状をなす絶縁体と、
を備えており、
さらに、前記領域から見える、前記絶縁体の少なくとも一部を覆うように反射体が設けられていることを特徴とする発光素子実装用基板。
【請求項２】
前記絶縁体が前記領域を個別に取り囲むように設けられた場合には、
前記領域は前記絶縁体からなる矩形状の凹部内に位置する
ことを特徴とする請求項１に記載の発光素子実装用基板。
【請求項３】
前記絶縁体が前記領域を他の領域と区切るように設けられた場合には、
前記領域は前記絶縁体間のライン状の凹部内に位置する
ことを特徴とする請求項１に記載の発光素子実装用基板。
【請求項４】
前記凸状をなす絶縁体は、前記配線基板の一部にのみ設けられている
ことを特徴とする請求項１に記載の発光素子実装用基板。
【請求項５】
前記反射体は、前記領域から見える、前記絶縁体の全域に設けられている
ことを特徴とする請求項１に記載の発光素子実装用基板。
【請求項６】
前記凸状をなす絶縁体の上部に一端が配され、前記第一導電部の他方に他端が電気的に接続される第二導電部が設けられている
ことを特徴とする請求項１に記載の発光素子実装用基板。
【請求項７】
前記第二導電部が前記反射体と同一部材である
ことを特徴とする請求項６に記載の発光素子実装用基板。
【請求項８】
前記請求項１乃至７のいずれか１項に記載の発光素子実装用基板を構成する前記領域に発光素子が設けられている
ことを特徴とする発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子を載置する発光素子実装用基板と、この発光素子実装用基板の上にＬＥＤ等の発光素子からなる光学部品を実装した発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、基板上に、たとえばＬＥＤ等の光学部品を直接実装する方法が開発されている。この方法では、絶縁樹脂層と電解銅メッキからなる配線層の形成、ＬＥＤ等の光学部品の搭載、およびそれぞれの端子からワイヤーボンドで外部への接続端子の取り出し、によるウェハレベルパッケージ加工によって、基板上に土台と配線を形成する。
また、光の指向性に優れた発光装置の一例として、絶縁金属基板に凹部を設け、この凹部底面に発光素子を配置し、この凹部の側壁面が光を反射するように工夫した構成が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
さらに、基板の凹部または凸部に配した発光素子の周りに、発光素子が発する光を反射する金属製の放熱体を配置した照明装置も提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００３】
しかしながら、上記構成からなる発光装置または照明装置とするためには、発光素子を載置するベースとして機能する基板自体をエッチング処理したり、あるいはプレス成形する等の加工を施す必要があるので、これら加工に起因したそりやゆがみ等が基板自体に発生し易く、あるいは基板内に残存した加工歪みが長期に渡り基板自体が変形したり、変動する要因となる。その結果、これに起因して基板上に設けた発光素子から出射される光の進行方向が変化したり、この光を反射させるために基板に設けた反射体と発光素子との相対位置関係が変化することにより、発光素子から出射される光の光路が定まらず、長期的に不安定となる虞があった。ゆえに、発光特性の長期安定性に優れた発光装置や照明装置を量産することは極めて困難であった。
【特許文献１】特開平５−１１７１８号公報
【特許文献２】特開平１１−１６３４１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、発光素子を載置した際に、発光素子の発した光に対する高い誘導性を備えるとともに、誘導性の長期信頼性にも優れた発光素子実装用基板を提供することを第一の目的とする。また本発明は、この発光素子実装用基板を用いてなる、優れた指向性を有する発光装置を提供することを第二の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の請求項１に係る発光素子実装用基板は、一面に少なくとも２つの第一導電部が配され、該第一導電部の一方又は前記一面には発光素子を載置するための領域が設けられている配線基板と、前記領域を取り囲むように、または前記領域を他の領域と区切るように、前記配線基板の一面から凸状をなす絶縁体と、を備えており、さらに、前記領域から見える、前記絶縁体の少なくとも一部を覆うように反射体が設けられていることを特徴とする。
【０００６】
本発明の請求項２に係る発光素子実装用基板は、請求項１において、前記絶縁体が前記領域を個別に取り囲むように設けられた場合には、前記領域は前記絶縁体からなる矩形状の凹部内に位置することを特徴とする。
【０００７】
本発明の請求項３に係る発光素子実装用基板は、請求項１において、前記絶縁体が前記領域を他の領域と区切るように設けられた場合には、前記領域は前記絶縁体間のライン状の凹部内に位置することを特徴とする。
【０００８】
本発明の請求項４に係る発光素子実装用基板は、請求項１において、前記凸状をなす絶縁体は、前記配線基板の一部にのみ設けられていることを特徴とする。
【０００９】
本発明の請求項５に係る発光素子実装用基板は、請求項１において、前記反射体は、前記領域から見える、前記絶縁体の全域に設けられていることを特徴とする。
【００１０】
本発明の請求項６に係る発光素子実装用基板は、請求項１において、前記凸状をなす絶縁体の上部に一端が配され、前記第一導電部の他方に他端が電気的に接続される第二導電部が設けられていることを特徴とする。
【００１１】
本発明の請求項７に係る発光素子実装用基板は、請求項６において、前記第二導電部が前記反射体と同一部材であることを特徴とする。
【００１２】
本発明の請求項８に係る発光装置は、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の発光素子実装用基板を構成する前記領域に発光素子が設けられていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、発光素子を載置するための領域が設けられている配線基板上に、前記領域を取り囲むように、または前記領域を他の領域と区切りように、前記配線基板の一面から凸状をなす絶縁体を備えると共に、前記領域から見える、前記絶縁体の少なくとも一部を覆うように反射体が設けられているので、配線基板自体に対してエッチング処理やプレス成形等の加工を施すことなく、配線基板上に反射体を配置することができる。ゆえに、このような加工の影響を発光素子と反射体との相対的な位置関係が変動しないので、配線基板上の前記領域に発光素子を載置するだけで、発光素子の発した光を外部に安定した光路に沿って誘導できる発光素子実装用基板が得られる。
【００１４】
本発明に係る発光装置は、上述した発光素子実装用基板を構成する前記領域に発光素子が設けられているので、発光素子の発した光を外部に誘導する優れた指向性を備えた発光装置が得られる。特に、この構成を採用した発光素子実装用基板は、反射体を設けるにあたり基板自体に加工を施していないので、加工に起因したそりやゆがみ等が発生せず、また基板内に残存した加工歪みが長期に渡る変動要因となる虞もないので、本発明は長期安定性や長期信頼性に優れた発光装置の提供に寄与する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、最良の形態に基づき、図面を参照して本発明を説明する。
図１および図２は、本発明による第一例の発光素子実装用基板を用いた発光装置を示す図面であり、図１は概略平面図、図２は図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【００１６】
以下に述べる第一例の実施形態は、発光素子を個別に取り囲むように絶縁体を設け、発光素子を載置するための領域として平面矩形状をした凹部を基板上の一部に形成し、発光素子から見える絶縁体の部分を反射体で覆うようにした例である。
【００１７】
すなわち、第一例の実施形態における発光装置１Ａは、たとえば一面に２つの第一導電部２２ａ、２２ｂが配され、発光素子２３を載置するための領域３３が一方の第一導電部２２ａ上に設けられている配線基板１０Ａと、前記領域３３を取り囲むように配線基板１０Ａの一面から凸状をなして設けられた絶縁体３０と、絶縁体３０の上部に一端が配され、他方の第一導電部２２ｂに他端が電気的に接続される第二導電部３２と、さらに、前記領域３３から見える、前記絶縁体３０の少なくとも一部を覆うように設けられた反射体１６と、を備えている。したがって、この発光装置１Ａに用いられている発光素子実装用基板１１Ａは、上記領域３３内に発光素子２３が載置されていない状態の基板をいう。
【００１８】
本発明において、配線基板１０Ａは、発光素子２３を実装する基材である。この配線基板１０Ａの一面に配された２つの第一導電部２２ａ，２２ｂは、発光素子２３と接続される再配線層である。この第一導電部２２ａ，２２ｂの材料としては、例えばＣｕ等が用いられ、その厚さは例えば０．１〜１０μｍである。これにより充分な導電性が得られる。第一導電部２２ａ，２２ｂは、例えば、電解銅メッキ法等のメッキ法、スパッタリング法、蒸着法、または２つ以上の方法の組み合わせにより形成することができる。
【００１９】
また、配線基板１０Ａは、セラミックやガラス、ポリイミド等の絶縁性基板の他に、シリコンウェハ等の半導体ウェハでもよく、半導体ウェハをチップ寸法に切断（ダイシング）した半導体チップであってもよい。半導体基板が半導体チップである場合は、まず、半導体ウェハの上に、各種半導体素子やＩＣ、誘導素子等を複数組、形成した後、チップ寸法に切断することで複数の半導体チップを得ることができる。
【００２０】
絶縁体３０は、発光素子２３を個別に取り囲むように配線基板１０Ａの上方に突出して設けられ、平面矩形状をした凹部を形成する。この凹部が、発光素子２３を載置するための領域３３を構成する。絶縁体３０は、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂等からなり、その厚さは例えば４００〜５００μｍとすると良い。この絶縁体３０は、たとえばフォトリソグラフィ法などにより形成することができる。この凹部の深さは、発光素子２３の高さと同等か、それより深くすると、横方向に漏れる光を効率的に指向させることができるので望ましい。
【００２１】
第二導電部３２は、絶縁体３０の上面と配線基板１０Ａとを電気的に接続するものであり、材料としては、例えばＣｕやＡｌ等が用いられ、その厚さは例えば０．１〜１０μｍである。これにより充分な導電性が得られる。第二導電部３２は、例えば電解銅メッキ法等のメッキ法、スパッタリング法、蒸着法、または２つ以上の方法の組み合わせにより形成することができる。
【００２２】
反射体１６は、発光素子２３から発散する光を反射し、効率良く利用するように形成されている。反射体１６は、例えばＡｌ等からなり、その厚さは例えば０．１〜１０μｍとすると良い。この反射体１６は、例えば電解銅メッキ法等のメッキ法、スパッタリング法、蒸着法、または２つ以上の方法の組み合わせにより形成することができる。また、反射体１６は、第二導電部３２と同一部材とし、同一工程で配線２２とともに形成するようにしても良い。これにより、工程の簡略化が行われる。
【００２３】
発光素子２３は、電流を流すことによって発光する光半導体であり、本実施形態では、表面実装型の発光ダイオード（ＬＥＤ）が用いられる。発光素子２３は、例えばボンディングワイヤ２４などによってその上面側で第二導電部３２と適宜接続され、配線基板１０Ａに電気的に接続される。また、発光素子２３と第二導電部３２は、上面側で接続されるものに限らず、発光素子２３の下面側で適宜第二導電部３２と接続されるようにしても良い。これにより、ボンディングワイヤ用のパッドを省略することができる。
【００２４】
次に、図１および図２に示す発光装置１Ａの製造方法について説明する。
図３〜図１１は、上記発光装置の製造方法の一例を工程順に示す模式的断面図である。図３〜図１１の断面図は、図１のＡ−Ａ線に沿う位置の断面を示す。
【００２５】
まず、発光素子２３を実装する基材としての基板１０を用意する。この基板１０は、例えばセラミックやガラス、ポリイミド等の絶縁性基板等からなり、その厚さは例えば１００〜１０００μｍとすると良い。
【００２６】
次いで、図３に示すように、基板１０の上に、電解めっき用の薄いシード層２０を形成する。シード層２０は、基板１０上の全面または必要な領域に形成する。このシード層２０は、例えばスパッタ法により形成されたＣｕ層及びＣｒ層からなる積層体、またはＣｕ層及びＴｉ層からなる積層体である。また、無電解Ｃｕメッキ層でもよいし、蒸着法、塗布法または化学気相成長法（ＣＶＤ）等により形成された金属薄膜層であってもよいし、上記の金属層形成方法を組み合わせてもよい。
【００２７】
次いで、図４に示すように、シード層２０の上に、電解メッキ用のレジスト膜２１を形成する。このレジスト膜２１には、２つの第一導電部２２ａ，２２ｂの形成すべき領域に開口部を設け、該開口部において前記シード層２０を露出させておく。レジスト膜２１は、例えばフィルムレジストをラミネートする方法、液体レジストを回転塗布する方法等により形成することができる。
【００２８】
次に、図５に示すように、前記レジスト膜２１をマスクとして露出したシード層２０上に、電解めっき法等によりＣｕ等から構成された第一導電部２２ａ，２２ｂを形成する。
そして、所望の領域に第一導電部２２ａ，２２ｂが形成された後、図６に示すように、不要なレジスト膜２１及びシード層２０をエッチングにより除去し、第一導電部２２ａ，２２ｂが形成された領域以外の部分では基板１０が露出されるように回路形成を行なう。
【００２９】
次いで、図７に示すように、基板１０の上に、均一厚となるように絶縁体３０層を形成する。この絶縁体３０層は、例えばポリイミドやエポキシ等の感光性樹脂よりなり、その厚さは例えば４００〜５００μｍとすると良い。このような絶縁体３０層は、例えば回転塗布法やラミネート法、印刷法等により基板１０上の全面に成膜することができる。また、絶縁体３０層は、ポリイミドやエポキシ等の絶縁フィルムを基板１０の上に貼り合わせることで形成するようにしてもよい。
【００３０】
次に、図８に示すように、基板１０上に、上方へ突出した凸状の絶縁体３０を形成する。凸状の絶縁体３０は、フォトリソグラフィ技術を利用してパターニングにより形成できる。たとえば基板１０上に塗布された感光性樹脂よりなる絶縁体３０上にフォトレジストを塗布してフォトレジスト膜を成膜し、このレジスト膜上にマスクを被せて露光し、露光された部分を薬液で溶かしてレジストマスクを形成する。続いて、このレジストマスクを介して感光性樹脂層をエッチングすることで形成する。そして、この突部の上面に残存するレジストマスクを除去して、その後焼成することで樹脂製凸部を完成する。
【００３１】
次に、図９に示すように、第一導電部２２ａ，２２ｂおよび突出した凸状の絶縁体３０上に、例えばスパッタ法により電解めっき用の薄いシード層（図示せず）を形成し、このシード層の上に、電解メッキ用のレジスト膜３１を形成する。このレジスト膜３１は、反射体１６および第二導電部３２を形成すべき領域に開口部を設け、該開口部において前記シード層を露出させておく。この実施形態では、凸状の絶縁体３０により形成された平面矩形状をした凹部、すなわち発光素子２３を載置するための領域３３内の側面に反射体１６が形成されるものとなる。なお、この場合、平面円形状をした凹部としても良いが、発光素子を近接して密に設計することができないので、平面矩形状をした凹部とする方が全体的に小型化でき望ましい。
【００３２】
引き続き、図１０に示すように、前記レジスト膜３１をマスクとして露出した第一導電部２２ａ上における発光素子搭載箇所に反射体１６を形成するとともに、電解めっき法等によりＣｕ等から構成された第二導電部３２を所定箇所に形成する。また、第二導電部３２は、Ａｕ等によって形成しても良い。第二導電部３２は、電解めっき法の他、たとえばスパッタリング法、蒸着法、または２つ以上の方法の組み合わせにより形成することができる。
【００３３】
次いで、図１１に示すように、所望の領域に反射体１６および第二導電部３２が形成された後、不要なレジスト膜３１及びシード層（図示せず）はエッチングにより除去することで、この発光装置１Ａに用いられる発光素子実装用基板１１Ａとする。
その後、反射体１６が形成された発光素子２３を載置するための領域３３内に発光素子２３を搭載し、発光素子２３と第二導電部３２とをボンディングワイヤ２４によって電気的に接続することにより、図１および図２に示す発光装置１Ａが製造される。
【００３４】
なお、上記第一例の実施形態においては、発光素子を載置するための領域が第一導電部の一方にある形態について詳述したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば図１２および図１３に示すように、発光素子を載置するための領域が基板１０Ａの一面にある形態としても構わない。ここで、図１２および図１３は、本発明に係る発光装置の第一例に関連する変形例を示す図面であり、図１２は概略平面図、図１３は図１２のＡ’−Ａ’線に沿う断面図である。この場合、第一導電部の一方２２ａは第一導電部の他方２２ｂと同様に基板１０Ａの一面に配され、第二導電部３２ｂと同様に、第一導電部の一方２２ａの上面と絶縁体３０の上面とを結ぶように第二導電部３２ａを設け、さらに発光素子２３と第二導電部３２ａ、３２ｂとの間をそれぞれボンディングワイヤ２４ａ、２４ｂによって電気的に接続することにより、図１２および図１３に示す発光装置１Ａ’が製造される。
【００３５】
以上のように構成された発光装置１Ａ、１Ａ’は、配線基板自身を加工する必要がないので基板自身にそりが発生する恐れが低減されるとともに、発光素子を載置するための領域を取り囲むように前記配線基板の一面から凸状をなす絶縁体を備え、この絶縁体の少なくとも一部を覆うように反射体を有するので、発光素子から発散する光がこの反射体によって効率良く反射され、指向性が向上した安定した高性能を有する発光装置とすることができる。これに加えて、発光素子を載置するための領域として平面矩形状をした凹部を基板上の一部に形成することにより、それ以外の部分の基板の厚みを薄くし、軽量化を図ることもできる。
【００３６】
なお、上記第一例の実施形態を説明する図では、基板１０上に発光素子２３が１個だけ設けられたものとなっているが、本発明はこれに限らず、基板１０上に発光素子２３が２個以上設けられたものであっても良い。
【００３７】
また、上記第一例の実施形態においては、感光性樹脂により絶縁体３０を形成したが、これに限らず非感光性樹脂を用いて絶縁体３０を形成することもできる。以下、その製造方法の相違部分について説明する。図１４および図１５は、非感光性樹脂を用いて絶縁体３０を形成した場合の上記発光装置１Ａの製造方法の一例を工程順に示す模式的断面図である。図１４および図１５の断面図も同様に、図１のＡ−Ａ線に沿う位置の断面を示す。
【００３８】
まず、上記第一例の感光性樹脂により絶縁体を形成した場合と同様に、発光素子を実装する基材としての基板１０を用意し、基板１０の上に、電解めっき用の薄いシード層を形成する（図３参照）。次いで、シード層の上に、電解メッキ用のレジスト膜を形成し（図４参照）、このレジスト膜をマスクとして露出したシード層上に、第一導電部２２ａ，２２ｂを形成する（図５参照）。次に、所望の領域に第一導電部２２ａ，２２ｂが形成された後、不要なレジスト膜及びシード層はエッチングにより除去する（図６参照）。
【００３９】
そして、基板１０の上に、均一厚となるように絶縁体３０層を形成する（図７参照）。絶縁体３０層は、例えばポリイミドやエポキシ等の非感光性樹脂よりなり、例えば回転塗布法やラミネート法、印刷法等によって基板１０の上に形成することができる。
【００４０】
次いで、図１４に示すように、非感光性樹脂よりなる絶縁体３０層上における、凸状の絶縁体３０形成箇所に例えば塗布法によりレジスト膜４１を形成する。
【００４１】
次に、このレジスト膜４１を介して非感光性樹脂よりなる絶縁体３０層をエッチングし、図１５に示すように、基板１０の上に突出する凸状の絶縁体３０を形成する。そして、この突部の上面に残存するレジストマスクを除去して、その後焼成することで絶縁樹脂製凸部を完成する。
【００４２】
これにより、図８に示すような、基板１０上に突出する凸状の絶縁体３０が形成される。その後は、絶縁体３０として感光性樹脂を用いた上記第一例の場合と同様に行うことができる。なお、上述のように。絶縁体３０は感光性樹脂に限らず非感光性樹脂を用いても形成することができるが、感光性樹脂であると、露光条件によって凹部側面の傾斜角度や形状を調整でき、微細化が可能であるので望ましい。
【００４３】
また、上記第一例の実施形態は、発光素子を個別に取り囲むように絶縁体を設け、発光素子を載置するための領域として平面矩形状をした凹部を基板上の一部に形成し、発光素子から見える絶縁体の部分を反射体で覆うようにした例を説明したが、上記第一例の実施形態と同様に、発光素子を個別に取り囲むように絶縁体を設ける他の例として、この絶縁体を基板上に全体的に設け、発光素子を載置するための領域として平面矩形状をした凹部を基板上に形成し、発光素子から見える絶縁体の部分を反射体で覆うようにした本発明の発光装置の第二例を説明する。なお、後述する各実施形態の説明では、前述した実施形態と共通する部分は同じ符号を付し、その説明は省略する。
【００４４】
図１６および図１７は、本発明の発光装置の第二例を示す図面であり、図１６は概略平面図、図１７は図１６のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
【００４５】
以下に述べる第二例の実施形態は、前述した第一例と同様に、発光素子を個別に取り囲むように絶縁体を設け、発光素子を載置するための領域として平面矩形状をした凹部を基板上の一部に形成し、発光素子から見える絶縁体の部分を反射体で覆うようにした例である。第二例の実施形態が第一例と異なる点は、凹部を設けた基板の一面において凹部底面以外の領域が絶縁体により全て覆われている点である。
【００４６】
すなわち、第二例の実施形態における発光装置１Ｂは、第一例の実施形態における発光装置１Ａと同様に、たとえば一面に２つの第一導電部２２ａ，２２ｂが配され、発光素子２３を載置するための領域３３が一方の第一導電部２２ａ上に設けられている配線基板１０Ｂと、前記領域３３を取り囲むように配線基板の一面から全面的に凸状をなして設けられた絶縁体３０と、絶縁体３０の上部に一端が配され、他方の第一導電部２２ｂに他端が電気的に接続される第二導電部３２と、さらに、前記領域３３から見える、前記絶縁体３０の少なくとも一部を覆うように設けられた反射体１６と、を備えている。したがって、この発光装置１Ｂに用いられている発光素子実装用基板１１Ｂは、上記領域３３内に発光素子２３が載置されていない状態の基板をいう。
【００４７】
第一導電部２２ａ，２２ｂは、たとえば配線基板１０Ｂの一面に２つ設けられ、一方の第一導電部２２ａは配線基板１０Ｂ上に直接配され、他方の第一導電部２２ｂは配線基板１０Ｂ上に形成された絶縁体３０上に配されている。
【００４８】
次に、図１６および図１７に示す発光装置１Ｂの製造方法について説明する。
図１８〜図２８は、上記発光装置１Ｂの製造方法の一例を工程順に示す模式的断面図である。図１８〜図２８の断面図は、図１６のＢ−Ｂ線に沿う位置の断面を示す。
【００４９】
まず、上記第一例の実施形態と同様に、発光素子を実装する基材としての基板１０を用意し、基板１０の上に、電解めっき用の薄いシード層を形成する（図３参照）。
次に、図１８に示すように、シード層２０の上に、電解メッキ用のレジスト膜２１を形成する。このレジスト膜２１には、２つの第一導電部２２ａ，２２ｂのうち一方の第一導電部２２ａを形成すべき領域に開口部を設け、該開口部において前記シード層２０を露出させておく。
【００５０】
次いで、図１９に示すように、前記レジスト膜２１をマスクとして露出したシード層２０上に、電解めっき法等によりＣｕ等から構成された一方の第一導電部２２ａを形成する。
そして、所望の領域に第一導電部２２ａが形成された後、図２０に示すように、不要なレジスト膜２１及びシード層２０をエッチングにより除去し、一方の第一導電部２２ａが形成された領域以外の部分では基板１０が露出されるように回路形成を行なう。
【００５１】
次いで、基板１０の上に、均一厚となるように絶縁体３０層を形成した後（図７参照）、絶縁体３０層上にフォトレジストを塗布してフォトレジスト膜を成膜し、このレジスト膜上にマスクを被せて露光し、露光された部分を薬液で溶かしてレジストマスクを形成する。続いて、このレジストマスク介して感光性樹脂層をエッチングし、図２１に示すように、基板１０上に、発光素子２３を個別に取り囲むように下方に窪んで設けられ、平面矩形状をした凹部、すなわち発光素子２３を載置するための領域３３が形成された、上方へ突出した凸状の絶縁体３０を形成する。
【００５２】
次に、図２２に示すように、第一導電部２２ａおよび絶縁体３０の上に、電解めっき用の薄いシード層４０を形成する。
さらに、図２３に示すように、シード層４０の上に、電解メッキ用のレジスト膜４１を形成する。この第二例の実施形態では、２つの第一導電部２２ａ，２２ｂのうち他方の第一導電部２２−を形成すべき領域に開口部を設け、該開口部において前記シード層４０を露出させておく。
【００５３】
次いで、図２４に示すように、前記レジスト膜４１をマスクとして露出したシード層４０上に、電解めっき法等によりＣｕ等から構成された他方の第一導電部２２ｂを形成する。
そして、所望の領域に第一導電部２２ｂが形成された後、図２５に示すように、不要なレジスト膜４１及びシード層４０をエッチングにより除去し、他方の第一導電部２２ｂが形成された領域以外の部分では一方の第一導電部２２ａおよび絶縁体３０が露出されるように回路形成を行なう。
【００５４】
さらに、２つの第一導電部２２ａ，２２ｂおよび絶縁体３０の上に、電解めっき用の薄いシード層（図示せず）を形成した後、図２６に示すように、シード層の上に、電解メッキ用のレジスト膜４２を形成する。
引き続き、この第二例の実施形態では、図２７に示すように、絶縁体３０の上部に一端が配され、他端が他方の第一導電部２２ｂに電気的に接続されるように第二導電部３２を形成するとともに、絶縁体３０により形成された平面矩形状をした凹部３３内の側面に反射体１６を形成する。
【００５５】
そして、上記第一例の場合と同様、図２８に示すように、電解めっき法等によりＣｕ等から構成された第二導電部３２を所定箇所に形成するとともに、所望の領域に反射体１６が形成された後、不要なレジスト膜４２及びシード層（図示せず）はエッチングにより除去し、反射体１６、２つの第一導電部２２ａ，２２ｂおよび第二導電部３２が形成された領域以外の部分では絶縁体３０が露出されるようにする。
【００５６】
その後、反射体１６が形成された発光素子２３を載置するための領域３３内に発光素子２３を搭載し、発光素子２３と第二導電部３２とをボンディングワイヤ２４によって電気的に接続することにより、図１６および図１７に示す発光装置１Ｂが製造される。
【００５７】
また、上記第二例の実施形態においては、発光素子を載置するための領域が第一導電部の一方にある形態について詳述したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば図２９および図３０に示すように、発光素子を載置するための領域が基板１０Ｂの一面にある形態としても構わない。ここで、図２９および図３０は、本発明に係る発光装置の第二例に関連する変形例を示す図面であり、図２９は概略平面図、図３０は図２９のＢ’−Ｂ’線に沿う断面図である。この場合、第一導電部の一方２２ａは第一導電部の他方２２ｂと同様に絶縁体３０の上面に配され、第二導電部３２ｂと同様に、第一導電部の一方２２ａから領域３３向けて延びる第二導電部３２ａを設け、さらに発光素子２３と第二導電部３２ａ、３２ｂとの間をそれぞれボンディングワイヤ２４ａ、２４ｂによって電気的に接続することにより、図２９および図３０に示す発光装置１Ｂ’が製造される。
【００５８】
以上のように構成された発光装置１Ｂ、１Ｂ’もまた、配線基板自身を加工する必要がないので基板自身にそりが発生する恐れが低減されるとともに、発光素子を載置するための領域を取り囲むように前記配線基板の一面から凸状をなす絶縁体を備え、この絶縁体の少なくとも一部を覆うように反射体を有するので、発光素子から発散する光がこの反射体によって効率良く反射され、指向性が向上した、安定した高性能を有する発光装置とすることができる。
【００５９】
なお、上記第二例の実施形態においても、感光性樹脂により絶縁体３０を形成することもできるとともに、非感光性樹脂を用いて絶縁体３０を形成することができる。
また、上記第一例および第二例の実施形態は、発光素子を個別に取り囲むように絶縁体を設けた場合について説明したが、発光素子同士を区切るように絶縁体を設けることで、反射体によって発光素子から発散する光を反射するとともに、発散する光の指向性を高めるようにすることもできる。以下では、本発明の発光装置の第三例として、その場合について説明する。
【００６０】
図３１および図３２は、本発明の発光装置の第三例を示す図面であり、図３１は概略平面図、図３２は図３１のＣ−Ｃ線に沿う概略断面図である。
【００６１】
すなわち、第三例の実施形態における発光装置１Ｃは、一面に２つの第一導電部２２ａ，２２ｂが配され、発光素子２３を載置するための領域３５が一方の第一導電部２２ａ上に設けられている配線基板１０Ｃと、前記領域３５を他の領域と区切るように配線基板の一面から凸状をなして設けられた絶縁体３４と、絶縁体３４の上部に一端が配され、他方の第一導電部２２ｂに他端が電気的に接続される第二導電部３２と、さらに、前記領域３５から見える、前記絶縁体３４の少なくとも一部を覆うように設けられた反射体１６と、を備えている。したがって、この発光装置１Ｃに用いられている発光素子実装用基板１１Ｃは、上記領域３５内に発光素子２３が載置されていない状態の基板をいう。
【００６２】
絶縁体３４は、発光素子２３同士を区切るように上方に突出して設けられた凸状体であり、ライン状をした凹部３５を形成する。絶縁体３４は、絶縁体３０と同様に、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂等からなり、その厚さは例えば４００〜５００μｍとすると良い。この絶縁体３４は、たとえばフォトリソグラフィ法などにより形成することができる。この凹部３５の深さ（すなわち、凸状体の高さ）は、発光素子２３の高さと同等か、それより深く（高く）すると、横方向に漏れる光を効率的に指向させることができるので望ましい。
【００６３】
反射体１６は、絶縁体３４間のライン状に形成された凹部３５内の側面を覆うように設けられる。反射体１６の形成方法は、上記第一例の実施形態と同じに行うことができる。そして、この凹部３５内に発光素子２３が搭載される。なお、この第三例の実施形態を説明する図では、凹部３５内に発光素子２３が１個だけ搭載されたものとなっているが、本発明はこれに限らず、凹部３５内に発光素子２３を２個以上の複数個搭載したものであっても良い。
【００６４】
そして、上記発光装置１Ｃの製造方法は、上記第一例の実施形態を参考に行うことができる。
まず、上記第一例の実施形態と同様に、発光素子を実装する基材としての基板１０を用意し、基板１０の上に、電解めっき用の薄いシード層を形成する（図３参照）。
次いで、シード層の上に、電解メッキ用のレジスト膜を形成する（図４参照）。このレジスト膜には、２つの第一導電部の形成すべき領域に開口部を設け、該開口部において前記シード層を露出させておく。
【００６５】
次に、前記レジスト膜をマスクとして露出したシード層上に、電解めっき法等によりＣｕ等から構成された２つの第一導電部を形成する（図５参照）。
そして、所望の領域に第一導電部が形成された後、不要なレジスト膜及びシード層をエッチングにより除去し、第一導電部が形成された領域以外の部分では基板が露出されるように回路形成を行なう（図６参照）。
【００６６】
次いで、基板の上に、均一厚となるように絶縁体層を形成する（図７参照）。
次に、基板上に、上方へ突出した凸状の絶縁体３４を形成する。凸状の絶縁体３４は、上記第一例の実施形態と同様に、フォトリソグラフィ技術を利用してパターニングにより形成できる。たとえば基板上に塗布された感光性樹脂よりなる絶縁体上にフォトレジストを塗布してフォトレジスト膜を成膜し、このレジスト膜上にマスクを被せて露光し、露光された部分を薬液で溶かしてレジストマスクを形成する。続いて、このレジストマスク介して感光性樹脂層をエッチングすることで形成する。そして、この突部の上面に残存するレジストマスクを除去して、その後焼成することで樹脂製凸部を完成する（図８参照）。
【００６７】
次に、第一導電部および突出した凸状の絶縁体３４上に、例えばスパッタ法により電解めっき用の薄いシード層（図示せず）を形成し、このシード層の上に、電解メッキ用のレジスト膜を形成する（図９参照）。
引き続き、前記レジスト膜をマスクとして露出した第一導電部上における発光素子搭載箇所に反射体を形成するとともに、電解めっき法等によりＣｕ等から構成された第二導電部を所定箇所に形成する（図１０参照）。
【００６８】
そして、図３３に示すように、所望の領域に反射体１６および第二導電部３２が形成された後、不要なレジスト膜及びシード層（図示せず）はエッチングにより除去することで、この発光装置１Ｃに用いられる発光素子実装用基板１１Ｃとする。
その後、反射体１６が形成された発光素子２３を載置するための領域３５内に発光素子２３を搭載し、発光素子２３と第二導電部３２とをボンディングワイヤ２４によって電気的に接続することにより、図３１および図３２に示す発光装置１Ｃが製造される。
【００６９】
なお、上記第三例の実施形態においては、発光素子を載置するための領域が第一導電部の一方にある形態について詳述したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば図３４および図３５に示すように、発光素子を載置するための領域が基板１０Ｃの一面にある形態としても構わない。ここで、図３４および図３５は、本発明に係る発光装置の第二例に関連する変形例を示す図面であり、図３４は概略平面図、図３５は図３４のＣ’−Ｃ’線に沿う断面図である。この場合、第一導電部の一方２２ａは第一導電部の他方２２ｂと同様に基板１０Ｃの一面に配され、第二導電部３２ｂと同様に、第一導電部の一方２２ａの上面と絶縁体３０の上面とを結ぶように第二導電部３２ａを設け、さらに発光素子２３と第二導電部３２ａ、３２ｂとの間をそれぞれボンディングワイヤ２４ａ、２４ｂによって電気的に接続することにより、図３４および図３５に示す発光装置１Ｃ’が製造される。
【００７０】
以上のように構成された発光装置１Ｃ、１Ｃ’もまた、配線基板自身を加工する必要がないので基板自身にそりが発生する恐れが低減されるとともに、発光素子を載置するための領域を他の領域と区切るように前記配線基板の一面から凸状をなす絶縁体を備え、凸状の絶縁体３４間のライン状に形成された凹部３５内の側面に形成された反射体１６によって、発光素子２３から発散する光が周囲に漏れて、光が混在しないように光の指向性を高めるようにすることもできる。
【００７１】
また、上述した発光装置の製造方法は何れも好適な一例であって、特に限定されるものではない。したがって、絶縁体は、側面が基板に対して垂直となっているものに限らず、図３６に示すように、側面が基板１０に対して斜めに形成されている絶縁体３０Ｂとしたり、図３７に示すように、側面が基板１０に対して弧状に形成されている絶縁体３０Ｃとしたりしても良い。これにより、絶縁体の側面に対して反射体や第二導電部が形成し易くなるとともに、発光素子から発散する光がこの反射体によって効率良く反射され、指向性が向上したものとなる。
【産業上の利用可能性】
【００７２】
本発明は、例えばパーソナルコンピュータや携帯電話機の液晶ディスプレイのバックライトに用いられる発光装置に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】本発明に係る発光装置の第一例を示す平面図である。
【図２】図１に示す発光装置のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図３】図１に示す発光装置が使用する発光素子実装用基板の製造方法の第一工程を示す断面図である。
【図４】図３の次工程（第二工程）を示す断面図である。
【図５】図４の次工程（第三工程）を示す断面図である。
【図６】図５の次工程（第四工程）を示す断面図である。
【図７】図６の次工程（第五工程）を示す断面図である。
【図８】図７の次工程（第六工程）を示す断面図である。
【図９】図８の次工程（第七工程）を示す断面図である。
【図１０】図９の次工程（第八工程）を示す断面図である。
【図１１】図１０の次工程（第九工程）を示す断面図であり、本発明に係る発光素子実装用基板の第一例を示す。
【図１２】本発明に係る発光装置の第一例の変形例を示す平面図である。
【図１３】図１２に示す発光装置のＡ’−Ａ’線に沿う断面図である。
【図１４】図１に示す発光装置が使用する発光素子実装用基板の他の製造方法の第六工程を示す断面図である。
【図１５】図１に示す発光装置が使用する発光素子実装用基板の他の製造方法の第七工程を示す断面図である。
【図１６】本発明に係る発光装置の第二例を示す平面図である。
【図１７】図１６に示す発光装置のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
【図１８】図１６に示す発光装置が使用する発光素子実装用基板の製造方法の第一工程を示す断面図である。
【図１９】図１８の次工程（第二工程）を示す断面図である。
【図２０】図１９の次工程（第三工程）を示す断面図である。
【図２１】図２０の次工程（第四工程）を示す断面図である。
【図２２】図２１の次工程（第五工程）を示す断面図である。
【図２３】図２２の次工程（第六工程）を示す断面図である。
【図２４】図２３の次工程（第七工程）を示す断面図である。
【図２５】図２４の次工程（第八工程）を示す断面図である。
【図２６】図２５の次工程（第九工程）を示す断面図である。
【図２７】図２６の次工程（第十工程）を示す断面図である。
【図２８】図２７の次工程（第十一工程）を示す断面図であり、本発明に係る発光素子実装用基板の第二例を示す。
【図２９】本発明に係る発光装置の第二例の変形例を示す平面図である。
【図３０】図２９に示す発光装置のＢ’−Ｂ’線に沿う断面図である。
【図３１】本発明に係る発光装置の第三例を示す概略平面図である。
【図３２】図３１に示す発光装置のＣ−Ｃ線に沿う断面図である。
【図３３】図３１に示す発光装置が使用する発光素子実装用基板の製造方法の第九工程を示す断面図であり、本発明に係る発光素子実装用基板の第三例を示す。
【図３４】本発明に係る発光装置の第三例の変形例を示す平面図である。
【図３５】図３４に示す発光装置のＣ’−Ｃ’線に沿う断面図である。
【図３６】本発明に係る発光素子実装用基板において凸状をなす絶縁体の形状の第二例を示す断面図である。
【図３７】本発明に係る発光素子実装用基板において凸状をなす絶縁体の形状の第三例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００７４】
１Ａ、１Ａ’、１Ｂ、１Ｂ’、１Ｃ、１Ｃ’  発光装置、１０（１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ）  基板（配線基板）、１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ  発光素子実装用基板、１６  反射体、２２ａ、２２ｂ  第一導電部、２３  発光素子、２４、２４ａ、２４ｂ  ボンディングワイヤ、３０、３４  絶縁体、３２  第二導電部、３３、３５  領域（凹部）。
【図１】
2006332351.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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