(57)【要約】【課題】安定した放電を維持し、付着力の高い良質のダイヤモンドライクカーボン膜を形成する。【解決手段】排気系を備えた真空槽の中に、不活性ガスによってプラズマ放電を起こすようになされているイオン源２０と、成膜ガス導入機構２とを具備してなり、この成膜ガス導入機構２は、イオン源２０を基準として支持体１の走行方向の、下流側に設けられているものとした成膜装置１０を提供する。【選択図】図１
2006131965.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体を走行させながら、プラズマＣＶＤ法によって膜形成を行う成膜装置であって、
排気系を備えた真空槽の中に、不活性ガスによってプラズマ放電を起こすようになされているイオン源と、成膜ガス導入機構とを具備してなり、
前記成膜ガス導入機構は、前記イオン源を基準とし、前記支持体の走行方向の、下流側に設けられていることを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
前記イオン源によるプラズマ形成と同時に、当該イオン源を基準として前記支持体の走行方向の下流側に設けられた前記成膜ガス導入機構から、原料ガスが供給されるようになされていることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記不活性ガスは、Ｈｅ、Ａｒ、Ｋｒの、少なくともいずれかよりなるものであることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項４】
前記イオン源のイオン励起方式として、グリッド型イオンソース、エンドホール型イオンソース、冷陰極型イオンソースホローカソード型イオンソースのいずれかを用いることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項５】
前記成膜ガス導入機構より炭化水素ガスが供給され、前記支持体上に、炭素膜、あるいは水素含有炭素膜が形成されるようになされていることを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項６】
支持体上に、磁性層及び保護層が形成された磁気記録媒体であって、
前記保護層は、
排気系を備えた真空槽の中に、不活性ガスによってプラズマ放電を起こすようになされているイオン源と、成膜ガス導入機構とを具備し、前記成膜ガス導入機構は、前記イオン源を基準として、支持体の走行方向の下流側に設けられている成膜装置を用いて、
前記成膜ガス導入機構から前記成膜ガスを供給して、プラズマＣＶＤ法により形成されたものであることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項７】
前記支持体が長尺形状を有してなり、前記真空槽中において、連続的に搬送させることによって前記保護層の形成がなされたことを特徴とする請求項６に記載の磁気記録媒体。
【請求項８】
前記磁性層は、真空蒸着により形成されてなる金属磁性薄膜であって、
磁気抵抗効果型ヘッド、もしくは巨大磁気抵抗効果型ヘッドにより、記録信号の再生がなされることを特徴とする請求項６に記載の磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜ガスをプラズマ励起し、支持体上に析出させる成膜装置、及びこれを用いて保護層を形成した磁気記録媒体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、各種磁気記録媒体においては、大容量のデータを取り扱うために、高密度記録化への要求が益々高まってきている。
高密度記録型の磁気記録媒体においては、体積当たりの記録密度を向上させるため、薄層型化が進められているが、かかる薄層型の磁気記録媒体においては、耐摩耗性や走行耐久性の向上を図るために、通常、磁性層上には、カーボン保護層が形成される。
【０００３】
カーボン保護層の形成方法としては、従来、スパッタ法、プラズマＣＶＤ法等が知られているが、最終的に得られる磁気記録媒体の走行耐久性の向上効果、及び高い生産性を鑑みて、プラズマＣＶＤ法が多く利用されている。
【０００４】
例えば、金属磁性薄膜よりなる磁性層を有する蒸着テープの保護層を形成する際に、プラズマＣＶＤ法を適用する場合、所定の排気手段を備えた真空槽内に、成膜用の炭化水素系原料ガスを導入し、蒸着テープと電極の間に高電圧を印加してプラズマを励起し、プラズマにより原料ガスを分解してカーボン保護層を蒸着テープ表面に形成する。
このとき、電極として蒸着テープの磁性層を用いるため、磁性層の構成（膜組成、膜厚）が変化すると、プラズマを励起する電圧も変動することになる。
励起電圧によりカーボン保護層の特性は大きく変化することから、異なる磁性層の構成に対し、同一の特性を有する保護層を形成することは困難となる。また、磁性層の組成の変動が保護層の変動につながることから、著しく生産性にばらつきが生じる。
【０００５】
さらに、近年の高記録密度化に伴い、磁性層の膜厚は薄層化が進んでおり、磁性層のシート抵抗は上昇する傾向にある。
磁性層のシート抵抗が増加すると、蒸着テープと電極の間に高電圧を印加することが一層困難となる。
このような問題に鑑み、磁性層の構成に影響されない保護層形成方法が求められてきた。
【０００６】
上記のような、磁性層の構成に影響されない保護層の成膜方法のひとつとして、イオンソースによる成膜方法が挙げられる。
これは原理的に、イオンソースによって、原料ガスである炭化水素ガスをプラズマ励起し支持体上に析出させる技術である。
この方法は、例えば、エンドホール型イオンソースを用いた例が知られている（例えば、非特許文献１、２参照。）。
【０００７】
しかしながら、これらに開示されている技術においては、いずれも成膜装置の構成上、必然的にイオンソースの電極付近に、原料ガスである炭化水素ガスが流入することになり、プラズマ化した炭化水素が、電極側に再付着してしまい、成膜速度の急激な低下を招来したりし、長時間の成膜に不適である。
【０００８】
例えば、エンドホール型では、陰極としてイオンソース前面にフィラメントが配置された構成を有しており、これに成膜ガスである炭化水素ガスが接触すると、ここで炭化水素の分解反応が起こり、フィラメント材のタングステンと反応し、炭化物を形成し、非常に脆くなり長時間の成膜を行うことができなくなってしまう。
【０００９】
また、冷陰極型のイオンソースにおいては、プラズマ密度を高めるべく、磁場を集中させるために、カソード側のプラズマの出口の幅が非常に狭く設計されている。このため、成膜途中において、上記プラズマの出口（ギャップ）付近において炭素膜が形成されてしまい、次第に放電状態が劣化していき、長時間成膜を行うことができない。
また、グリット式イオンソースを用いても成膜は可能であるが、この場合においてもメッシュ状の引出し電極上に炭化物が形成されてしまい、やはり長時間に亘って、安定した放電状態を維持することは困難である。
【００１０】
上述したような、従来技術における不都合を回避すべく、長時間、成膜効率の低下を回避する方法として、エンドホール型で、陰極の構成をフィラメントではなく、自己持続性陰極電子源（ホローカソード）とし、電磁石を用いてプラズマを特定領域に留め、なおかつ放電維持ガスとは別の位置から炭化水素ガスをイオンソース内にフローさせる方式が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
この場合、イオンソースの電極に、炭素膜、および炭化物が析出したとしても、比較的安定に放電を持続することができる。
【００１１】
しかしながら、ホローカソード型のイオンソースを用いた成膜方法においては、無バイアス状態で成膜が行われるため、膜の付着力が、従来公知の、磁性層を電極として用いたＣＶＤ法に比較して低くなってしまうという問題を有している。
【００１２】
特に、ロール間を走行させて成膜を行う際には、巻き取りにより成膜面が支持体の裏面に接することとなるので、通常、支持体の裏面には、巻き出し時の粘着を防止するために離型剤が塗布されるが、走行時には電荷が溜まり、微細な異物が裏面に付着しやすく、異物を起点として剥離が発生してしまうという問題があった。
【００１３】
このような問題に鑑みて、従来においては、成膜工程の直前に、支持体表面を清浄にし、異物の付着を防止する処理が行われている（例えば、特許文献２参照）。
表面処理方法としては、例えば、アルゴン雰囲気下で放電を行うボンバード処理が挙げられ、また、イオンソースでＡｒプラズマを発生させ、支持体に対して処理を行う方法もある。
【００１４】
表面を清浄化する方法として、上記ボンバード処理とイオンソースによるＡｒプラズマ処理とを比較すると、一般には、イオンソースを用いた表面処理の方が、イオンのエネルギーが高く、効率がよい。
【００１５】
【非特許文献１】IEEE TRANSACTIONS ON MAGNETICS, VOL. 39(2003),594
【非特許文献２】Advanced Energy社のWrite Paper：Industrial Ion Sources and Their Application for DLC Coating (1999)
【特許文献１】特表２００２−５４１６０４号公報
【特許文献２】特開昭６３−１２１６５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかしながら、イオンソース自体、一般的に高価なものであり、電源ラインや冷却水等の各種ユーティリティを装置に組み込むことが必要であること等、装置全体として構成がかなり複雑なものである。
さらに真空槽内に、上述したような、前処理用の装置を設置するスペースを確保しなければならないものとすると、成膜装置全体は大型化し、排気能力も高くしなければならないので、生産コスト高を招来してしまうという問題があった。
【００１７】
そこで本発明においては、上述したような、成膜工程直前、あるいは成膜工程時における表面の清浄化処理を行う専用の装置を設けることなく、簡易な構成をもって極めて付着力の強い良質な膜を形成可能な成膜装置、及びこれを用いて作製した磁気記録媒体を提供することとした。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明の成膜装置は、支持体を走行させながら、プラズマＣＶＤ法によって膜形成を行う成膜装置であり、排気系を備えた真空槽の中に、不活性ガスによってプラズマ放電を起こすようになされているイオン源と、成膜ガス導入機構とを具備し、この成膜ガス導入機構は、イオン源を基準として支持体の走行方向の下流側に設けられている構成を有しているものとする。
【００１９】
また、本発明の磁気記録媒体は、支持体上に、磁性層及び保護層が形成された構成を有し、この保護層は、排気系を備えた真空槽の中に、不活性ガスによってプラズマ放電を起こすようになされているイオン源と、成膜ガス導入機構とを具備し、成膜ガス導入機構は、イオン源を基準として、支持体の走行方向の下流側に設けられている成膜装置を用いて、プラズマＣＶＤ法により形成されたものとする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の成膜装置によれば、成膜工程と別個に表面の清浄化処理を行ったり、あるいは、従来のように、膜清浄化処理用の専用の装置（機構）を設けたりすることなく、単一のイオン源を具備する装置で成膜工程と同時に膜清浄化処理が行われることができるようになった。
また、本発明によれば、極めて付着力の高い良質な膜を、低コストで形成することができ、かつ長時間に亘って優れた成膜効率を維持可能となった。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明の具体的な実施形態について図を参照して説明するが、本発明は以下の例に限定されるものではない。
図１に、本発明の成膜装置１０の一例の要部の概略構成図を示す。
成膜装置１０は、排気系を備えた真空槽（図示せず）の中に、イオン源２０と、成膜ガス導入機構２とを具備してなり、特に成膜ガス導入機構２は、イオン源２０を基準として、被成膜体である支持体１の走行方向（図中矢印Ｘ）の、下流側に設けられているものとする。
【００２２】
先ずイオン源２０について説明する。図１中のイオン源２０は、冷陰極型のイオン源である。
イオン源２０は、成膜対象である支持体１の対向面２０ａにギャップ２２が形成された筐体２１内に、電極（陽極）２３、電磁石２４を具備している。
筐体２１は電気的に陰極となっており、さらに高透磁率の材料により構成され、磁気回路を形成している。
筐体２１に形成されたギャップ２２は漏れ磁束を発生するようになされており、陽極２３は筐体２１と電気的に絶縁されて設置されている。
磁気回路の一部には、電磁石２４が配置され磁場をかけることができるようになっている。
筐体２１にはプラズマ形成用ガス導入口２５が設けられており、プラズマ形成用ガスを流入させた状態で、陽極２３と筐体２１との間に電圧を印加するとプラズマが形成され、さらに電磁石２４の磁場により高密度のプラズマがギャップ２２から放出されるようになされている。
【００２３】
この成膜装置１０を用いた成膜工程について以下に説明する。
イオン源２０のプラズマ形成用ガス導入口２５から、Ｈｅ、Ａｒ、Ｋｒのいずれかよりなる不活性ガスを導入しながら、電極に高電圧を印加して放電させ、イオン源２０のギャップ２２の表面近傍にプラズマＰを形成する。このとき、電磁石２４を励磁させることにより、プラズマＰの密度が高められる。
【００２４】
本発明の成膜装置１０は、成膜ガス導入機構が、支持体１の走行方向（図中矢印Ｘ）の、下流側に設けられていることにより、単一のイオン源２０で、支持体１の成膜面の前処理と、成膜とを行うことができるようになる。
すなわち、支持体１が、図中の矢印Ｘ方向に従い、上流から下流へと搬送される。このとき、成膜ガスの濃度は、上流側で低くなり、下流側で高くなる。上流側ではプラズマによるイオン衝撃が生じ、これによって支持体１の成膜面がクリーニングされる。
一方、下流側、すなわち成膜ガス導入機構２においては、これより供給される炭化水素ガス等の原料ガスの分解が行われ、支持体１上に析出反応が起こる。
なお、イオン源２０を基準として上流側と下流側との中間領域においては、支持体１表面のクリーニングと、析出とが下流側に向かうに従い、比率が変化していくようになる。
このような構成とすることにより、クリーニングされた成膜面に随時原料ガスが析出していき、極めて付着力の高い良質な膜形成が行われる。
【００２５】
発明の成膜装置１０によれば、成膜ガス導入機構２を、イオン源２０を基準として、被成膜体である支持体１の走行方向（図中矢印Ｘ）の、下流側に設けたことにより、極めて付着力の高い良質な膜を、低コストで形成することができ、かつ長時間に亘って優れた成膜効率を維持可能となる。
【００２６】
なお、支持体１の形状については何ら限定されるものではなく、ディスク状、カード状、テープ状等、従来公知のいずれの形状であってもよいが、本発明の趣旨として、成膜工程において、イオン源を基準として上流側から下流側に走行するものであることが必要である。
【００２７】
次に、本発明の磁気記録媒体について図２を参照して説明する。
磁気記録媒体３０は、磁気テープ媒体であるものとし、長尺形状の非磁性支持体３１の一主面上に磁性層３２、保護層３３、潤滑剤層３４が形成されてなり、磁性層形成面側とは反対側の主面にバックコート層３５が形成された構成を有している。
【００２８】
非磁性支持体３１は、従来磁気テープ用の長尺形状のベースフィルムとして公知のものを適用することができ、例えばポリアミド、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のプラスチックフィルムが挙げられる。なお、非磁性支持体１の表面性（粗度）については、最終的に目的とする磁気記録媒体における所望の表面性に従い、選定するようにしてもよい。
【００２９】
磁性層３２は、強磁性金属材料、あるいはこの合金を被着することにより形成されたものとする。
磁性材料としては、通常の蒸着テープに使用されるものであればいずれも適用でき、例えば、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の強磁性金属、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｕ 、Ｃｏ−Ｃｕ、Ｃｏ−Ａｕ、Ｃｏ−Ｐｔ、Ｍｎ−Ｂｉ、Ｍｎ−Ａｌ、Ｆｅ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｎｉ−Ｃｒ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等の強磁性合金が挙げられ、これらの単層膜であってもよいし多層膜であってもよい。
【００３０】
非磁性支持体３１と磁性層３２間、あるいは多層膜の場合には各層間の付着力向上、並びに抗磁力の制御等のため、所定の下地層や中間層を設けてもよい。また、磁性層表面近傍が耐蝕性改善等のために酸化物となっていてもよい。
上記磁性層３２の形成方法としては、真空下で強磁性材料を加熱蒸発させ非磁性支持体上に沈着させる真空蒸着法や、強磁性金属材料の蒸発を放電中で行うイオンプレーティング法、アルゴンを主成分とする雰囲気中でグロー放電を起こして生じたアルゴンイオンでターゲット表面の原子をたたき出すスパッタ法等の、いわゆるＰＶＤ技術によればよい。
【００３１】
次に、保護層３３について説明する。
保護層３３は、図１に示した構成の成膜装置１０を用いて形成されてなるダイヤモンドライクカーボン膜であるものとする。
図３は、図１の成膜装置１０を具備するＣＶＤ装置の模式的構成図である。
なお、図３においては、後述する〔実施例〕において適用する比較用の成膜ガス導入機構を、イオン源２０を基準として上流側にも設置した構成を示したが、本発明においては、かかる箇所から成膜ガスを導入しないものとする。
【００３２】
ＣＶＤ装置４０は、真空排気系４１によって内部が高真空状態となされた真空室４２内に、定速度で回転する送りロール４３と巻き取りロール４４とが設けられ、これら送りロール４３から巻き取りロール４４に、非磁性支持体３１上に磁性層３２が成膜された被処理体４５が順次走行するようになされている。
【００３３】
送りロール２３から巻き取りロール２４に被処理体４５が走行する途中部には、冷却キャン４６が設けられている。冷却キャン４６は、被処理体４５を図中下方に引き出すように設けられ、図中の矢印Ａ方向に定速度で回転する構成となされている。
なお、冷却キャン４６の内部には冷却機構（図示せず）が設けられ、被処理体４５の温度上昇による変形等を抑制している。従って被処理体４５は、送りロール４３から順次送り出され、冷却キャン４６の周面を通過し、巻き取りロール４４に巻き取られるようになされる。
送りロール４３と冷却キャン４６との間、及び冷却キャン４６と巻き取りロールとの間には、それぞれガイドロール４７が設けられ、被処理体４５に所定のテンションをかけ円滑に走行するようになされている。
【００３４】
真空室４２内には、図中冷却キャン４６の下方に、図１に示した冷陰極型のイオン源２０が設けられている。
イオン源２０の、開口部制限板４８により囲まれた領域において、上流側ではプラズマによるイオン衝撃が生じ、被処理体４５の成膜面のクリーニング処理が行われる。
一方、下流側、すなわち成膜ガス導入機構２においては、炭化水素ガス等の原料ガスの供給がなされ、これがプラズマにより分解し、イオン化が行われ、ＤＬＣ膜の形成がなされる。
【００３５】
非磁性支持体１の磁性層形成面とは反対側の面にバックコート層３５を設ける。バックコート層３５は、例えばカーボンブラック、ポリウレタン樹脂、及び所定の溶剤をボールミルに投入して分散、混合し、架橋剤を添加して塗料を調整し、これを塗布することにより形成することができる。
バックコート層３５を形成することにより、表面の電気抵抗が低下し、帯電により走行不良を防止し、耐久性が向上し、また、テープ間の摩擦を低減化する等の効果が得られる。
【００３６】
潤滑剤層３４は、例えば従来公知のパーフルオロポリエーテル系の潤滑剤を塗布することにより形成される。潤滑剤層３４は、磁気ヘッドやガイドロールとの摺動を滑らかにし、耐久性、走行性を向上させる重要な役割を果たす。
【００３７】
上述したように、成膜装置１０を適用して保護層を形成することとしたことにより、磁性層の膜厚に依存しない膜形成が可能となり、しかも、単一のイオン源をもって、成膜工程直前、あるいは成膜工程時に、膜形成面の清浄化処理と成膜との両方を行うことができ、かつ極めて付着力の高い膜を形成することができるようになった。
本発明の成膜装置は、特に、薄層の金属磁性薄膜を有する、磁気抵抗効果型ヘッドや巨大磁気抵抗効果型ヘッドにより記録信号の再生を行う高感度の磁気記録媒体の保護層を形成するものとして好適である。
【実施例】
【００３８】
〔実施例１〕
本発明の具体的な実施例について実験結果に基づいて説明する。
先ず、支持体１として、膜厚８μｍで、幅１５０ｍｍの長尺形状のＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレートフィルム）を用意した。
次に、下記の条件により、従来公知の蒸着装置を用いて支持体１上に磁性層を形成した。
〔磁性層の蒸着条件〕
磁性材料：Ｃｏ  １００ｗｔ％
入射角：４５〜９０°
導入ガス：酸素ガス
酸素導入量：４．４×１０-6ｍ3／ｓｅｃ
蒸着時真空度：２×１０-2Ｐａ
磁性層の膜厚：４５ｎｍ
【００３９】
磁性層を成膜した後、図１の成膜装置１０を組み込んだ図３のＣＶＤ装置４０を用いて、下記の条件により、保護層の形成を行った。
なお、成膜レートを調節し、保護層の膜厚が８ｎｍとなるようにした。
〔保護層の成膜条件〕
比較用の成膜ガス導入機構（上流側）のガス流量：０ｓｃｃｍ
成膜ガス導入機構（下流側）のガス流量：４０ｓｃｃｍ
プラズマガス（Ａｒ）の流量：３０ｓｃｃｍ
電流値：２Ａ
成膜レート１２０ｎｍ／ｍｉｎ
【００４０】
次に、以下の組成に従い、材料をボールミルに投入して２４時間分散、混合処理した後、架橋剤を添加してバックコート塗料を調整し、磁性層形成側とは反対側の面に塗布し、膜厚０．６μｎのバックコート層を形成した。
〔バックコート層形成用塗料の組成〕
カーボンブラック： ５０ｗｔ％
ポリウレタン樹脂： ５０ｗｔ％
【００４１】
上述したようにして、磁性層、保護層及びバックコート層が形成されたテープ原反を６．３５ｍｍ幅に裁断し、サンプル磁気テープを作製した。
【００４２】
〔実施例２、３〕、〔比較例１〜６〕
保護層の成膜条件について、下記表１に示すように制御して、その他の条件は上記実施例１と同様とし、サンプル磁気テープを作製した。
【００４３】
上述のようにして作製した実施例１〜３、及び比較例１〜６のサンプル磁気テープについて、それぞれ、走行耐久性についての評価を行った。
なお、耐久性評価は、ソニー社製ＤＶＣカムコーダー、ＤＣＲ−ＶＸ２１００を改造した評価機を用いた。
４０℃、３０％ＲＨ環境下で、１分間の信号を１回記録した後、１００００回これを再生する。
このときの再生出力を測定し、出力が３ｄＢ低下したところまでのパス回数を記録した。
１００００回再生後の出力劣化が、３ｄＢ以内であれば、内蔵される信号増幅回路により画質に影響を与えないものと評価した。
各サンプル磁気テープの保護層成膜条件、及び耐久性試験の評価結果を下記表１に示す。
【００４４】
【表１】
2006131965.tif 000003
【００４５】
実施例１〜３においては、原料ガスを下流側の成膜ガス導入機構２からのみ供給し、上流側の成膜ガス導入機構１２からは供給しなかった。
この場合、上流側の成膜ガス導入機構１２付近では、成膜ガスの濃度が極めて低くなり、下流側で高くなる。このようにすると、上流側、すなわち成膜ガス導入機構１２においては、プラズマによるイオン衝撃が生じ、成膜面のクリーニングが行われる。
そして、下流側、すなわち成膜ガス導入機構２においては、原料ガスの分解が行われ、析出反応が起こる。すなわち、上流側で清浄化された成膜面に、下流側に走行するに従い、成膜が行われるようになり、極めて良質な膜が、単一のイオン源２０を備えた装置１０により行うことができる。
これら実施例１〜３においては、極めて良好な走行耐久性の評価が得られ、付着力の強い良質な膜が形成されていることが確かめられた。
【００４６】
比較例１〜３においては、原料ガスを上流側の成膜ガス導入機構１２からのみ供給し、下流側の成膜ガス導入機構２からは供給しなかった。
この場合、上流側の成膜ガス導入機構１２付近では、成膜ガスの濃度が極めて高くなり、下流側で低くなる。
このようにすると、上流側、すなわち成膜ガス導入機構１２において、原料ガスの分解が行われ、析出反応が起こる。すなわち、成膜面がプラズマにより清浄化されていない状態で膜形成が行われることになる。
比較例１〜３においては、形成された膜の付着力が弱く、実用上充分な走行耐久性の評価が得られなかった。
【００４７】
比較例４においては、原料ガスを、上流側と下流側の成膜ガス導入機構２、１２の双方から供給した。
この場合、上流側の成膜ガス導入機構１２付近と下流側の成膜ガス導入機構２付近とで、成膜ガスの濃度は同程度となる。
このようにすると、上流側と下流側の双方において原料ガスの分解が行われ、析出反応が起こる。すなわち、成膜面がプラズマにより清浄化されていない状態で膜形成が行われることになる。
比較例４においては、形成された膜の付着力が弱く、実用上充分な走行耐久性の評価が得られなかった。
【００４８】
比較例５、６においては、原料ガスを上流側の成膜ガス導入機構１２からのみ供給し、下流側の成膜ガス導入機構２からは供給しなかった。
また、比較例５においては電流値を他のサンプルよりも高くし、比較例６においては、電流値を他のサンプルよりも高くし、かつアルゴンの流量も他のサンプルよりも多くしたが、これらの場合においても、比較例１〜３と同様に、上流側の成膜ガス導入機構１２付近で成膜ガスの濃度が極めて高くなり、下流側で低くなる。従って上流側で原料ガスの分解が行われ析出反応が起こる。すなわち、成膜面がプラズマにより清浄化されていない状態で膜形成が行われることになる。
比較例５、６においては、アルゴンの流量や電流値を上昇させたことにより、比較例１〜３に比べると、走行耐久性の評価は改善されているが、やはり実用上充分に良好な評価は得られなかった。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の成膜装置の要部の概略構成図を示す。
【図２】本発明の成膜装置により保護層を形成した磁気記録媒体の概略断面図を示す。
【図３】本発明の成膜装置を適用したＣＶＤ装置の概略構成図を示す。
【符号の説明】
【００５０】
１……支持体、２……成膜ガス導入機構（下流側）、１０……成膜装置、１２……比較用成膜ガス導入機構(上流側)、２０……イオン源、２０ａ……対向面、２１……筐体、２２……ギャップ、２３……電極（陽極）、２４……電磁石、２５……プラズマ形成用ガス導入口、３０……磁気記録媒体、３１……非磁性支持体、３２……磁性層、３３……保護層、３４……潤滑剤層、３５……バックコート層、４０……ＣＶＤ装置、４１……真空排気系、４２……真空室、４３……送りロール、４４……巻き取りロール、４５……被処理体、４６……冷却キャン、４７……ガイドロール、４８……開口部制限板
【図１】
2006131965.tif 000004
【図２】
2006131965.tif 000005
【図３】
2006131965.tif 000006