(57)【要約】【課題】  良好な素子特性を有する非線形素子を備え、もって高画質表示を可能にした電気光学装置を歩留まりよく製造する方法を提供する。【解決手段】  基板上に、第１導電層と絶縁層と第２導電層とを積層してなる非線形素子と、該非線形素子から延出されたコンタクト部と、前記非線形素子およびコンタクト部を覆う層間絶縁膜と、前記コンタクト部と電気的に接続された画素電極とを具備した電気光学装置の製造方法であって、本線部１０６ｂとコンタクト部３６を迂回する支線部１０６ａとを有する金属膜１０６をパターン形成する工程と、前記金属膜１０６を陽極酸化処理することにより前記金属膜１０６上に酸化膜からなる絶縁層を形成する工程と、前記支線部１０６ａの先端部を残して前記金属膜１０６を除去し、前記第１導電層および導電層を形成する工程と、前記絶縁層上に前記第２導電層およびコンタクト部３６を形成する工程とを含む製造方法とした。【選択図】        図７
2006003776.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、第１導電層と絶縁層と第２導電層とを積層してなる非線形素子と、前記非線形素子から延出してなるコンタクト部と、前記非線形素子及び前記コンタクト部を覆う層間絶縁膜と、前記コンタクト部と電気的に接続してなる画素電極と、を具備した電気光学装置の製造方法であって、
前記基板上に、本線部と、前記コンタクト部の形成領域を迂回する支線部とを有する金属膜をパターン形成する工程と、
前記金属膜を陽極酸化処理することにより前記金属膜上に酸化膜からなる前記絶縁層を形成する工程と、
前記金属膜を、前記支線部の先端部を残して除去し、前記第１導電層及び前記絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上に前記第２導電層及び前記第２導電層から延出してなる前記コンタクト部を形成する工程と、
前記層間絶縁膜を形成する工程と、
前記画素電極を形成する工程とを含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記基板上に、前記非線形素子と接続する信号配線を形成する工程を含み、
前記金属膜の本線部を、前記信号配線に沿って形成することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記金属膜をパターン形成するに際して、
前記金属膜の支線部を、前記コンタクト部を迂回する平面視略鈎状に形成することを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記平面視略鈎状の支線部の先端部を、前記信号配線と前記コンタクト部との間に配し、前記信号配線の延在方向と略平行に形成することを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記金属膜をパターン形成するに際して、
前記コンタクト部の形成領域内に、前記金属膜と同一材質の島状部材を形成することを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
基板上に、第１導電層と絶縁層と第２導電層とを積層してなる非線形素子と、前記非線形素子から延出してなるコンタクト部と、前記非線形素子及び前記コンタクト部を覆う層間絶縁膜と、前記コンタクト部と電気的に接続してなる画素電極と、を具備した電気光学装置の製造方法であって、
前記基板上に、前記コンタクト部と平面的に重なる領域において拡幅された拡幅部を具える本線部と、該本線部から分岐された支線部とを有する金属膜をパターン形成する工程と、
前記金属膜を陽極酸化処理することにより前記金属膜上に酸化膜からなる前記絶縁層を形成する工程と、
前記金属膜を、前記支線部の先端部及び前記拡幅部を残して除去し、前記視線部の先端部を前記第１導電層及び前記絶縁層とする工程と、
前記絶縁層上に前記第２導電層及び前記第２導電層から延出してなる前記コンタクト部を形成する工程と、
前記層間絶縁膜を形成する工程と、
前記画素電極を形成する工程と
を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記信号配線と前記画素電極とが平面的に重なるように前記信号配線及び画素電極を配置することを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
基板上に、第１導電層と絶縁層と第２導電層とを積層してなる非線形素子を具備した電気光学装置の製造方法であって、
基板上に前記非線形素子を形成する工程と、
該非線形素子を覆う層間絶縁膜を形成する工程と、
該層間絶縁膜に貫設されたコンタクトホールを介して前記非線形素子と電気的に接続される画素電極を形成する工程とを含み、
前記非線形素子を形成する工程は、
前記基板上に、本線部と該本線部から分岐された支線部とを有する金属膜をパターン形成する工程と、
前記金属膜を陽極酸化処理することにより前記金属膜上に酸化膜からなる前記絶縁層を形成する工程と、
前記金属膜を前記支線部の先端部を残して除去し、前記第１導電層及び前記絶縁層を形成する工程と、
を含む工程であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１から８のいずれか１項に記載の製造方法により製造されたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
基板上に、
第１導電層と絶縁層と第２導電層とを積層してなる非線形素子と、
前記非線形素子から延出してなるコンタクト部と、
前記非線形素子及び前記コンタクト部を覆う層間絶縁膜と、
前記コンタクト部と電気的に接続してなる画素電極と、
を具備し、
前記コンタクト部と平面的に重なる領域に、前記第１導電層及び前記絶縁層と同じ材料からなる部材が配置されてなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
請求項９または１０に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、液晶装置等の電気光学装置に用いるスイッチング素子として二端子型非線形素子が知られており、例えば下記の特許文献１に開示された構成のものが知られている。
【特許文献１】特開２００２−４３５８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上記特許文献１に記載の二端子型非線形素子は、第１電極と、第１電極表面に陽極酸化により形成した絶縁膜と、この絶縁膜を介して第１電極と対向する第２電極とを具備したＭＩＭ（Metal-Insulator-Metal）型の非線形素子であり、同文献に係る製造方法は、基板上に金属膜を成膜した後に直線状の配線形状にパターニングし、この金属膜を陽極酸化して金属膜表面に絶縁膜を形成するものである（特許文献１、図４参照）。しかし、本願発明者が、非線形素子を具備した電気光学装置の製造方法についてさらに検討を重ねたところ、このように直線状に形成した金属膜を用いて絶縁膜により被覆された第１電極を形成すると、良好な素子特性が得られない場合があることが判明した。
【０００４】
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、良好な素子特性を有する非線形素子を備え、もって高画質表示を可能にした電気光学装置を歩留まりよく製造する方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上記課題を解決するために、基板上に、第１導電層と絶縁層と第２導電層とを積層してなる非線形素子と、前記非線形素子から延出してなるコンタクト部と、前記非線形素子及び前記コンタクト部を覆う層間絶縁膜と、前記コンタクト部と電気的に接続してなる画素電極と、を具備した電気光学装置の製造方法であって、前記基板上に、本線部と、前記コンタクト部の形成領域を迂回する支線部とを有する金属膜をパターン形成する工程と、前記金属膜を陽極酸化処理することにより前記金属膜上に酸化膜からなる前記絶縁層を形成する工程と、前記金属膜を、前記支線部の先端部を残して除去し、前記第１導電層及び前記絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に前記第２導電層及び前記第２導電層から延出してなる前記コンタクト部を形成する工程と、前記層間絶縁膜を形成する工程と、前記画素電極を形成する工程とを含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法を提供する。
【０００６】
この製造方法によれば、金属膜の表面を陽極酸化処理して非線形素子を構成する絶縁膜を形成する場合に、金属膜のうち非線形素子を構成する部位を、外部の電源と接続するための本線部から分岐した支線部とし、かつ支線部の先端部としたことで、陽極酸化処理後に不要な範囲の金属膜を除去する際に、非線形素子の導電層として残す部分は、その一端側のみを切断されることとなる。このような製造方法とすることで、良好な素子特性を具備した非線形素子を作製できるようになる。また、前記支線部は、画素電極と非線型素子との間に介挿されたコンタクト部を迂回して形成されているので、コンタクト部を支線部とが交差する場合のようにコンタクト部に段差が形成されることが無く、したがってコンタクト部と画素電極との導電接続構造における信頼性を向上させることができる。
【０００７】
本発明の電気光学装置の製造方法では、前記基板上に、前記非線形素子と接続する信号配線を形成する工程を含み、前記金属膜の本線部を、前記信号配線に沿って形成することが好ましい。この製造方法によれば、信号配線と金属膜とを交差させることがないため、配線の積層構造による不要な段差や短絡等の不良が生じるのを効果的に防止でき、また配線設計の自由度も高くなるため、集積度の向上や画素の高精細化に有利である。
【０００８】
本発明の電気光学装置の製造方法では、前記金属膜をパターン形成するに際して、前記金属膜の支線部を、前記コンタクト部を迂回する平面視略鈎状に形成することが好ましい。この製造方法によれば、金属膜とコンタクト部とが平面的に重ならないようにできるため、コンタクト部の層間絶縁膜にコンタクトホールを開口した際に、コンタクトホール内部に段差が形成されず、画素電極と非線型素子との接続信頼性を良好なものとすることができる。
【０００９】
本発明の電気光学装置の製造方法では、前記平面視略鈎状の支線部の先端部を、前記信号配線とコンタクト部との間に配し、前記信号配線の延在方向と略平行に形成することもできる。この製造方法によれば、非線形素子を構成する第１導電層が、信号配線と略平行に延在する配置となり、また信号配線とコンタクト部との間に第１導電層が配されることとなるので、信号配線と非線形素子、さらに非線形素子とコンタクト部に設けられる画素電極との接続構造を高密度に配置することができ、高精細化に有利な電気光学装置を製造できる。
【００１０】
本発明の電気光学装置の製造方法では、前記金属膜をパターン形成するに際して、前記金属膜の本線部を、前記コンタクト部の形成領域を迂回させて形成することもできる。この製造方法によれば、高精細化に伴い画素領域が狭小化した場合にも、コンタクト部の形成領域を比較的大きく確保できるようになり、画素電極と非線型素子との導電接続構造の信頼性を良好に確保することができる。
【００１１】
本発明の電気光学装置の製造方法では、前記金属膜をパターン形成するに際して、前記コンタクト部の形成領域内に、前記金属膜と同一材質の島状部材を形成することが好ましい。この構成によれば、コンタクト部の形成領域における層間絶縁膜の層厚を前記島状部材の厚さの分だけ他の領域より薄くすることができるので、層間絶縁膜に対するコンタクトホールの開口を容易かつ正確に行えるようになるとともに、コンタクトホール内部の膜の付き回りも良好なものとなり、非線形素子と画素電極との接続信頼性に優れた電気光学装置を製造することができる。
【００１２】
また本発明は、基板上に、第１導電層と絶縁層と第２導電層とを積層してなる非線形素子と、前記非線形素子から延出してなるコンタクト部と、前記非線形素子及び前記コンタクト部を覆う層間絶縁膜と、前記コンタクト部と電気的に接続してなる画素電極と、を具備した電気光学装置の製造方法であって、前記基板上に、前記コンタクト部と平面的に重なる領域において拡幅された拡幅部を具える本線部と、該本線部から分岐された支線部とを有する金属膜をパターン形成する工程と、前記金属膜を陽極酸化処理することにより前記金属膜上に酸化膜からなる前記絶縁層を形成する工程と、前記金属膜を、前記支線部の先端部及び前記拡幅部を残して除去し、前記視線部の先端部を前記第１導電層及び前記絶縁層とする工程と、前記絶縁層上に前記第２導電層及び前記第２導電層から延出してなる前記コンタクト部を形成する工程と、前記層間絶縁膜を形成する工程と、前記画素電極を形成する工程とを含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法を提供する。
【００１３】
この製造方法によれば、金属膜の表面を陽極酸化処理して非線形素子を構成する絶縁膜を形成する場合に、金属膜のうち非線形素子を構成する部位を、外部の電源と接続するための本線部から分岐した支線部とし、かつ支線部の先端部としたことで、陽極酸化処理後に不要な範囲の金属膜を除去する際に、非線形素子の導電層として残す部分は、その一端側のみを切断されることとなる。このような製造方法とすることで、良好な素子特性を具備した非線形素子を作製できるようになる。
また、金属膜の形成と同時にコンタクト部に配される拡幅部を形成することができ、これによりコンタクト部上に配される層間絶縁膜の層厚を低減可能な構造を容易かつ効率的に形成することができる。したがって、コンタクトホールの開口を容易かつ正確に行えるようになるとともに、コンタクトホール内部の膜の付き回りも良好なものとなり、非線形素子と画素電極との接続信頼性に優れた電気光学装置を製造することができる。
【００１４】
さらに本発明は、上記課題を解決するために、基板上に、第１導電層と絶縁層と第２導電層とを積層してなる非線形素子を具備した電気光学装置の製造方法であって、基板上に、前記非線形素子を形成する工程と、該非線形素子を覆う層間絶縁膜を形成する工程と、該層間絶縁膜に貫設されたコンタクトホールを介して前記非線形素子と接続される画素電極を形成する工程とを含み、前記非線形素子を形成する工程が、前記基板上に、本線部と該本線部から分岐された支線部とを有する金属膜をパターン形成する工程と、前記金属膜を陽極酸化処理することにより前記金属膜上に酸化膜からなる前記絶縁層を形成する工程と、前記金属膜を部分的に除去して前記支線部の先端部に前記第１導電層及び前記絶縁層を形成する工程と、を含む工程であることを特徴とする電気光学装置の製造方法を提供する。
【００１５】
この製造方法によれば、金属膜の表面を陽極酸化処理して非線形素子を構成する絶縁膜を形成する場合に、金属膜のうち非線形素子を構成する部位を、外部の電源と接続するための本線部から分岐した支線部とし、かつ支線部の先端部としたことで、陽極酸化処理後に不要な範囲の金属膜を除去する際に、非線形素子の導電層として残す部分は、その一端側のみを切断されることとなる。このような製造方法とすることで、良好な素子特性を具備した非線形素子を作製できるようになる。
【００１６】
また、非線形素子と画素電極とが層間絶縁膜を介して離間され、同層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して導電接続されるようになっているため、非線形素子に接続される信号配線と画素電極との容量カップリングを良好に防止でき、高画質の表示を得ることができる電気光学装置を製造する方法が提供される。
【００１７】
本発明の電気光学装置の製造方法では、前記信号配線と前記画素電極とが平面的に重なるように前記信号配線及び画素電極を配置することが好ましい。この製造方法によれば、電気光学装置の画素開口率を高めることができ、高精細表示に容易に対応可能な電気光学装置を製造することができる。
【００１８】
本発明の電気光学装置は、基板上に、第１導電層と絶縁層と第２導電層とを積層してなる非線形素子と、前記非線形素子から延出してなるコンタクト部と、前記非線形素子及び前記コンタクト部を覆う層間絶縁膜と、前記コンタクト部と電気的に接続してなる画素電極と、を具備し、前記コンタクト部と平面的に重なる領域に、前記第１導電層及び前記絶縁層と同じ材料からなる部材が配置されてなることを特徴とする。
この構成によれば、前記コンタクト部と平面的に重なる領域に設けられた部材によって、当該領域の層間絶縁膜の層厚が低減され、したがって、同領域に貫設されたコンタクトホールの深さが浅くなっており、その内部に埋設されて前記コンタクト部と接続される画素電極の膜の付き回りが良好なものとなり、もって画素電極とコンタクト部との接続信頼性が向上された電気光学装置を提供することができる。
【００１９】
次に、本発明の電気光学装置は、先に記載の本発明の製造方法により製造されたことを特徴としている。本発明の電子機器は、先に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
すなわち本発明によれば、良好な素子特性を具備した非線形素子によりスイッチングされ、高画質の表示が得られる電気光学装置、及び高画質表示が可能な表示部を具備した電子機器が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
（第１実施形態）
以下、本発明に係る第１実施形態について図面を参照しつつ説明する。なお、各図において、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００２１】
＜電気光学装置＞
図１（ａ）は、本発明の電気光学装置の一実施形態である液晶表示装置について、各構成要素とともに示す対向基板側から見た平面図であり、図１（ｂ）は、その要部の断面図である。図３は液晶表示装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。ここで、本実施形態の電気光学装置は、図示しないバックライトからの光を用いる透過型液晶表示装置であって、スイッチング素子として二端子型非線形素子、ここではＴＦＤ（Thin Film Diode）素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である。
【００２２】
図１の（ａ）図及び（ｂ）図に示すように、本実施の形態の液晶表示装置１００は、対をなす素子基板１１０と対向基板１２０とが紫外線硬化性のシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域内に液晶５０が封入、保持されている。シール材５２は、基板面内において閉ざされた環状（枠状）に形成されており、液晶注入口を備えていない構成となっている。つまり、液晶注入口を封止する封止材を備えておらず、環状全体が同一の材料にて連続的に構成されている。なお、液晶注入口を備え、これを封止材により封止した構成のシール材を用いることもできる。
【００２３】
矩形環状のシール材５２のうち、図１（ａ）に示す素子基板１１０の右辺、左辺（対向した２つの辺）に沿う部分には、素子基板１１０と対向基板１２０との間で電気的に導通するための導電性粒子（基板間導通部）２０６が含有されている。なお、この導電性粒子２０６は異方性導電粒子にて構成されている。
【００２４】
素子基板１１０の内面側には複数の画素電極９がマトリクス状に形成される一方、対向基板１２０の内面側には短冊状のストライプ電極２３が形成されており、各電極９，２３の内面側には更に配向膜（図示略）が形成されている。なお、画素電極９にはスイッチング素子としてＴＦＤ素子４（薄膜ダイオード素子、図４参照）が接続されている。
【００２５】
本実施の形態では、対向基板１２０よりも素子基板１１０の外形寸法の方が大きく、対向基板１２０と素子基板１１０の３辺（図１における上辺、右辺、左辺）ではほぼ縁（基板の端面）が揃っているが、対向基板１２０の残りの１辺（図１における下辺）からは素子基板１１０の周縁部が張り出すように配置され、張出領域９０を形成している。
張出領域９０には、素子基板１１０側に形成された画素電極９を駆動するための第１駆動回路２０１と、対向基板１２０側に形成されたストライプ電極２３を駆動するための第２駆動回路２０２とが実装されている。なお、各駆動回路２０１，２０２には図示しない外部接続端子が形成され、当該液晶表示装置１００とは異なる外部機器から表示制御信号等を受信可能な構成となっている。
【００２６】
第１駆動回路２０１及び第２駆動回路２０２は、ともに素子基板１１０上に配設され、しかも矩形状の素子基板１１０の同一の張出領域９０に形成されている。第１駆動回路２０１は、素子基板１１０側に形成された信号線を介してＴＦＤ素子４（図４参照）、ひいては画素電極９に信号を送信するためのＩＣであって、該素子基板１１０に形成された配線２０５を介して信号供給が行われている。
【００２７】
第２駆動回路２０２は素子基板１１０に形成される一方、対向基板１２０に形成されたストライプ電極２３に信号を送信するためのＩＣであるため、素子基板１１０に形成された引き廻し配線２０７を介し、さらにシール材５２に形成された導通性粒子２０６を介してストライプ電極２３に信号が供給されるものとなっている。ここで、引き廻し配線２０７は、図１（ａ）に示したシール材５２の下辺部を跨いで、該シール材５２の環状内側から導通性粒子２０６に接続されている。
【００２８】
前記両基板間の電気的導通は、以下のように行われている。
まず、対向基板１２０に形成されたストライプ電極２３は、その一端若しくは両端がシール材５２の内部に食い込む形にて延在しており、シール材５２内部で導電性粒子２０６に電気的に接続されている。
一方、素子基板１１０側には、上述した第２駆動回路２０２（図１（ａ）参照）と接続する引き廻し配線２０７が形成されており、引き廻し配線２０７は、図１（ａ）に示すように、素子基板１１０の下辺側の張出領域９０に実装された第２駆動回路２０２から、素子基板１１０の左右辺方向に延びるように屈曲して形成されており、素子基板１１０の下辺部においてシール材５２を跨いで、該シール材５２の内側領域を素子基板１１０の左右辺に沿って縦方向に延びている。そして、所定のストライプ電極２３と接続する位置にてシール材５２の内部に導通し、導電性粒子２０６に電気的に接続されている。
【００２９】
ここで、導電性粒子２０６は、異方性導電粒子を用いて構成されており、上下方向の接続が確実なものとなるように、上下に弾性変形した形にて配設されている。該粒子２０６は、基板貼り合わせ前において、液晶層厚を規定するスペーサー（図示略）の直径よりも０．１μｍ〜１．０μｍ程度大きな直径を有したものを用いるのがよく、これを上下に１％〜１０％程度圧縮させて用いるのがよい。
【００３０】
なお、液晶表示装置１００においては、液晶５０はＴＮ（Twisted Nematic）モードのものを採用しているが、垂直配向モード（ＶＡＮモード）のものを採用することもできる。
【００３１】
このような構成を有する液晶表示装置１００の画像表示領域においては、図２に示すように、複数の画素１５がマトリクス状に構成されている。また、液晶表示装置１００は第１駆動回路２０１及び第２駆動回路２０２を含んでおり、複数の走査線１４（対向電極２３に相当）と、該走査線１４と交差する複数のデータ線１３とが設けられ、データ線１３は第１駆動回路２０１からの信号を、走査線１４は第２駆動回路２０２からの信号を各画素１５に供給する。そして、各画素１５において、データ線１３と走査線１４との間にＴＦＤ素子４と液晶表示要素１６（液晶層）とが直列に接続されている。なお、図２では、ＴＦＤ素子４がデータ線１３側に接続され、液晶表示要素１６が走査線１４側に接続されているが、これとは逆にＴＦＤ素子４を走査線１４側に、液晶表示要素１６をデータ線１３側に設ける構成としても良い。
【００３２】
以上のような回路構成により、ＴＦＤ素子４のスイッチング特性に基づいて液晶表示要素１６が駆動制御されるとともに、その液晶表示要素１６の駆動に基づいて画素１５毎に明暗表示がなされ、液晶表示装置１００の表示領域において画像表示が行われるものとされている。
【００３３】
次に、画素構成について説明する。図３は１画素当りの平面構成を示す図であって、図４は１画素当りの断面構成を示す図（図３のＡ−Ａ'断面に相当）である。本実施形態の液晶表示装置１００に用いたＴＦＤ素子４は、いわゆるBack to Back構造を有してなり、データ線１３と画素電極９とがＴＦＤ素子４を介して接続されている。なお、データ線１３は、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すようにシール材５２の外側領域（非表示領域）において実装端子（外部接続端子）１８に接続され、各種データの入出力が可能な構成となっている。これらＴＦＤ素子４、データ線１３は、図４に示すように素子基板１１０上に形成されている。
【００３４】
素子基板１１０は、絶縁性及び透明性を有するガラス基板或いはプラスチック基板等からなり、該素子基板１１０上には、下地絶縁膜３を介してデータ線１３、ＴＦＤ素子４等が形成されている。データ線１３は、クロムによって形成されてなり、画素電極９の非形成領域に配設されており、同じく画素電極９の非形成領域に配設されたＴＦＤ素子４と電気的に接続されている。
【００３５】
データ線１３と接続されてなるＴＦＤ素子４は、ＴａＷ及びＣｒによって絶縁膜を狭持した構成を有している。ＴＦＤ素子４は、素子基板１１０上に下地絶縁膜３を介して形成されており、ＴａＷにて構成された第１導電膜（第１導電層）６と、該第１導電膜６の表面を酸化してなる酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）にて構成された絶縁膜（絶縁層）７と、該絶縁膜７上に配設されクロムにて構成された第２導電膜（第２導電層）８とを素子基板１１０側から積層して備えるものである。そして、第２導電膜８の一部がデータ線１３と接続され、異なる一部が画素電極９と電気的に繋がる金属配線３５と接続されている。
【００３６】
データ線１３、ＴＦＤ素子４及び金属配線３５を含む素子基板１１０には、これらを覆う形にて層間絶縁膜３４（絶縁層）が形成されている。層間絶縁膜３４はシリコン酸化膜或いはアクリル樹脂等の透光性絶縁膜にて構成されている。そして、この層間絶縁膜３４上にＩＴＯ等の透明導電材料からなる画素電極９が形成されている。なお、層間絶縁膜３４には、画素電極９とＴＦＤ素子４とを電気的に接続するためのコンタクトホール３２が、ＴＦＤ素子４とは重ならない位置（つまりＴＦＤ素子４の直上以外の領域）であって、画素電極９と平面的に重なる位置に配設されている。
【００３７】
上述の通り、画素電極９はコンタクトホール３２を介してＴＦＤ素子４と電気的に接続されているわけであるが、ＴＦＤ素子４の第２導電膜８から上記コンタクトホール３２までは、金属配線３５が素子基板１１０（詳しくは下地絶縁膜３）上に設けられており、該金属配線３５によって電気的接続が図られている。また、図３に示すように、金属配線３５はコンタクトホール３２との接続部において平面視拡径のコンタクト部３６を有しており、該コンタクト部３６においてコンタクトホール３２内の画素電極９と接続されている。つまり、ＴＦＤ素子４からの信号は、金属配線３５を介して画素電極９に供給されるようになっている。ここで、金属配線３５はＣｒにより形成されている。
素子基板１１０上、画素電極９を覆う領域には、ポリイミド等の配向膜１８が形成されている。
【００３８】
一方、対向基板１２０には、図４に示すように赤色（Ｒ），緑色（Ｇ），青色（Ｂ）からなる各着色層（本実施の形態では１色のみ示されている）が、図示略のブラックマトリクス（ＢＭ）にて区画された態様で形成されてなるカラーフィルタＣＦが配設されている。また、カラーフィルタＣＦの内面側（液晶５０側）には、ストライプ状の対向電極２３が形成され、対向電極２３を覆って、ポリイミド等の配向膜１９が設けられている。カラーフィルタＣＦと対向電極２３との間には、必要に応じて絶縁材料からなる平坦化膜２４が形成される。
【００３９】
なお、図示は省略したが、素子基板１１０及び対向基板１２０の外面側には、通常、偏光板や位相差板などの光学素子が設けられている。
【００４０】
＜電気光学装置の製造方法＞
以下、上記構成を具備した液晶表示装置（電気光学装置）の製造方法を、図５から図７を参照して説明する。図５及び図６は、液晶表示装置１００を構成する素子基板１１０の製造工程を示す断面工程図である。図７は、図５及び図６に示す工程のうち、陽極酸化処理工程を説明するための平面構成図である。
なお、図５及び図６に示す断面工程図は、図４のＡ−Ａ’線に沿う断面構造に相当するものである。
【００４１】
まず、図５（ａ）に示すように、ガラス基板を用意し、このガラス基板の全面に下地絶縁膜３を形成する。下地絶縁膜３は、例えば酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）からなり、高周波スパッタリング法等により形成することができる。次いで、下地絶縁膜３上に、例えばタンタル（Ｔａ）からなる金属膜１０６を、１００ｎｍ〜５００ｎｍ程度の膜厚にて形成する。
【００４２】
次に、図５（ｂ）に示すように、公知のフォトリソグラフィ技術を用いて、金属膜１０６をパターニングし、本線部１０６ｂ及び支線部１０６ａを形成する。このとき、金属膜１０６の平面構成は、図７に示すように、後段の工程で形成されるデータ線（信号配線）１３と略平行に本線部１０６ｂが延びて形成されており、この本線部１０６ｂの中途から平面視略鈎状の支線部１０６ａが分岐されたものとなっている。また、平面視略鈎状の支線部１０６ａは、後段の工程で形成されるコンタクトホール３２の平面領域を迂回してデータ線１３側へ延びるように形成される。
【００４３】
次に、図７に示すように、金属膜１０６の本線部１０６ｂに対して電源Ｅを接続し、電解液中で金属膜１０６に対して電圧を印加することで金属膜１０６を陽極酸化処理し、金属膜１０６表面に陽極酸化膜（タンタル酸化物）からなる絶縁膜７を形成する。絶縁膜７は、図５（ｃ）に示すように、本線部１０６ｂ及び支線部１０６ａの表面にほぼ均一な膜厚で形成される。
この絶縁膜７の膜厚は、画素の精細度（液晶容量）及びそれに伴うＴＦＤ素子の要求特性に応じて適宜選択されるが、例えば１０ｎｍ〜３５ｎｍ程度である。陽極酸化処理に供する電解液としては、例えば０．０１〜０．１重量％程度のクエン酸水溶液が適用できる。
次いで、絶縁膜７のピンホール除去や膜質の安定化を目的として熱処理を施す。熱処理条件は、例えば２５０℃、３０分間とすればよい。
【００４４】
次に、図５（ｄ）に示すように、下地絶縁膜３上、金属膜１０６及び絶縁膜７を含む領域に、例えばクロム（Ｃｒ）からなる第２の金属膜１０８を、６０ｎｍ〜３００ｎｍ程度の膜厚にて形成する。この第２の金属膜１０８は、図３に示したデータ線１３及び金属配線３５を構成するものである。
次いで、図５（ｅ）に示すように、公知のフォトリソグラフィ技術を用いて第２の金属膜１０８をパターニングし、データ線１３及び第２導電膜８、並びに金属配線３５をパターン形成する。またこのとき金属配線３５の一端が拡径されることでコンタクト部３６も形成される（図３参照。）。
【００４５】
次に、図５（ｆ）に示すように、公知のフォトリソグラフィ技術を用いて金属膜１０６を部分的に除去し、残部により第１導電膜６を構成する。このとき、金属膜１０６のうち本線部１０６ｂは全て除去され、支線部１０６ａは、その先端部を除く部分が除去される（図４及び図７参照。）。すなわち、ＴＦＤ素子４を構成する第１導電膜６は、金属膜１０６の支線部１０６ａの先端部に形成されることとなる。本実施形態では、このように支線部１０６の基端部側のみを切断して先端側を残すようにすることで、良好な素子特性を具備したＴＦＤ素子４を作製することができる。
【００４６】
先の特許文献１に記載の如く直線状に形成した金属膜の両側を切断してＴＦＤ素子の第１導電膜を形成する場合、表示不良を生じるという問題があったが、本実施形態のように第１導電膜６が片側のみを切断されて形成されるようにすれば、係る問題が生じることはなく、良好な素子特性を得ることができる。具体的には、第１導電膜の両側を切断する場合、第１導電膜の両端で酸化膜に覆われない金属膜が露出することとなるため、その後のエッチング工程において第１導電膜の両端の電位差に起因する電流が生じることがあり、この電流が第２金属膜側に流れることで素子が破損し、表示不良を生じる場合がある。これに対して、本実施形態のように第１導電膜６が片側のみを切断されて形成される場合、上記のような電流が流れることはないので、素子が破損されることはなく、良好な素子特性を具備したＴＦＤ素子を高歩留まりに製造することが可能になる。
【００４７】
次に、図６（ａ）に示すように、下地絶縁膜３上、ＴＦＤ素子４、データ線１３、金属配線３５等を含む領域に、層間絶縁膜３４を形成する。この層間絶縁膜３４は、例えば、透光性を有するポジ型の感光性アクリル樹脂を用いて、膜厚１．５〜３．０μｍ程度にて形成することができる。樹脂材料の塗布にはスピンコート法等を用いることができる。
ここで、感光性樹脂材料を用いるのは、後段の工程でコンタクトホールを開口する工程を簡素化するためであり、層間絶縁膜３４の構成材料は係る樹脂材料に限定されず、透光性のアクリル樹脂、酸化シリコン（ＳｉＯ２）等により形成することもできる。
【００４８】
次に、図６（ｂ）に示すように、層間絶縁膜３４を露光、現像することで、コンタクトホール３２を層間絶縁膜３４に開口する。コンタクトホール３２は、画素ピッチが４０μｍ程度であれば、開口径が６μｍ〜１２μｍ程度とされ、下層側に配された金属配線３５のコンタクト部３６に対応する平面領域に形成する。なお、層間絶縁膜３４を上記以外の樹脂材料や無機材料により形成した場合には、レジストマスクを介してパターニングを行い、コンタクトホール３２を開口すればよい。
【００４９】
次に、図６（ｃ）に示すように、層間絶縁膜３４上、コンタクトホール３２を含む領域に、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透光性導電材料を用いて画素電極９をパターン形成する。このＩＴＯの成膜温度は、層間絶縁膜３４を構成するアクリル樹脂の最終焼成温度（例えば２１０℃程度）以下とする。
画素電極９の一部はコンタクトホール３２内に形成されてコンタクト部３６と当接し、ＴＦＤ素子４と画素電極９との導電接続構造を形成する。
【００５０】
次に、図６（ｄ）に示すように、画素電極９上を含む層間絶縁膜３４上に、スピンコート法等により配向膜１８を形成し、素子基板１１０を得る。
【００５１】
上記素子基板１１０の作製とは別の工程にて、対向基板１２０を作製する。対向基板１２０の作製手順を図４を参照して説明する。
対向基板１２０を作製するには、ガラス基板を用意し、このガラス基板上にブラックマトリクスを含むカラーフィルタＣＦを形成する。次いで、カラーフィルタＣＦ上に直接又は平坦化膜（図示略）を介してストライプ状の対向電極２３を形成し、さらに配向膜１９により対向電極２３を被覆する。
【００５２】
以上の工程により素子基板１１０及び対向基板１２０を用意したならば、対向基板１２０上に、紫外線硬化性のシール材５２を、例えば印刷法を用いて、図１に示したような閉ざされた環状（枠状）に形成する。一方、素子基板１１０上であって、これを対向基板１２０と貼り合わせた際に上記シール材５２の内側となる領域に、液晶５０をディスペンサ等により配置する。
そして、素子基板１１０の液晶配置面（素子形成面）と、対向基板１２０のシール材形成面（電極形成面）とを貼り合わせることで、本実施形態の液晶表示装置１００を得ることができる。
【００５３】
以上のような製造方法では、ＴＦＤ素子４を構成する第１導電膜６及び絶縁膜７を形成するに際して、本線部１０６ｂとそれから分岐した支線部１０６ａとを有する金属膜１０６に対して陽極酸化処理を行い、陽極酸化膜からなる絶縁膜７を形成するとともに、金属膜１０６の一部除去により支線部１０６ａの先端部に第１導電膜６を形成するようにしたことで、良好な素子特性を具備したＴＦＤ素子４を形成することができる。
【００５４】
また、ＴＦＤ素子４やデータ線１３を覆う層間絶縁膜３４を形成し、層間絶縁膜３４上に画素電極９を形成しているので、データ線１３と画素電極９との容量カップリングを良好に防止でき、高画質の表示を得ることができる。特に、画素の高精細化により隣接する画素電極９の間隔が狭まった場合には、データ線１３と画素電極９との平面距離が一層狭くなり、容量カップリングを生じやすい状態となるが、本実施形態の如く層間絶縁膜３４を介した上下層にそれぞれデータ線１３と画素電極９とを形成すれば、画素の高精細化にも容易に対応することが可能になる。また、データ線１３や画素電極９の加工マージンを比較的大きくすることができるため、製造が容易になるという利点もある。
【００５５】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態を、図８を参照して説明する。図８（ａ）は、本実施形態に係る電気光学装置の製造方法を説明するための平面構成図であり、第１実施形態における図７に相当する図である。図８（ｂ）は、本実施形態の製造方法により得られる素子基板を示す断面構成図であって、（ａ）図のＢ−Ｂ’線に沿う断面構造を示す図である。
【００５６】
本実施形態の製造方法により製造される液晶表示装置（電気光学装置）は、図１から図４に示した第１実施形態の液晶表示装置１００と同様の基本構成を備えており、液晶表示装置１００と異なる点は、図８（ｂ）に示すように、画素電極９とＴＦＤ素子４とを導電接続するコンタクトホール３２の形成領域に、島状部材１１６ｃと、金属配線３５のコンタクト部３６とが積層されている点にある。しがって、以下の説明では適宜図１ないし図７を参照しつつ説明することとする。
【００５７】
本実施形態に係る製造方法により素子基板を形成する場合、ガラス基板上に下地絶縁膜３を形成した後、基板全面にＴａ膜を形成する工程までは先の第１実施形態と同様である。
その後の工程では、図８（ａ）と図７とを比較すると明らかなように、第１実施形態とは異なる形態の金属膜１１６を設け、係る金属膜１１６を陽極酸化処理することで絶縁膜７を形成するようになっている。金属膜１１６は、データ線１３と略平行に延びる本線部１１６ｂと、その中途から分岐して平面視略鈎状を成す支線部１１６ａとを有している。本線部１１６ｂはコンタクトホール形成領域３２ａを通過して配されており、コンタクトホール形成領域３２ａ及び、同領域に設けられるコンタクト部３６の平面形状に対応して部分的に拡幅された拡幅部１１６ｃを有している。
そして、上記金属膜１１６に電源Ｅを接続して電圧を印加することで、当該金属膜１１６の表面を陽極酸化処理し、その表面に絶縁膜７を形成する。
【００５８】
上記陽極酸化処理後は、図８（ａ）に示すようにデータ線１３及び金属配線３５（コンタクト部３６）をパターン形成する。そして、支線部１１６ａの先端部と本線部１１６ｂの拡幅部１１６ｃとを残して金属膜１１６を除去すると、支線部１１６ａの先端部にＴＦＤ素子４の第１導電膜６が形成され、コンタクトホール形成領域３２ａに島状部材１１６ｃが得られる。
【００５９】
その後の工程は、先の第１実施形態と同様であるので本実施形態では説明を省略する。
このようにして得られた素子基板１１０を、別途製造した対向基板１２０と液晶５０を挟持した状態で貼り合わせれば、先の第１実施形態と同様の基本構成を具備した液晶表示装置が得られる。
【００６０】
以上のような製造方法では、金属膜１１６の本線部１１６ｂがコンタクトホール形成領域３２ａを経由して配設されるので、画素の高精細化により隣接ドットのデータ線１３とコンタクトホール形成領域３２ａとの間隔が狭くなった場合にも、本線部１１６ｂの形成領域を確保でき、先の第１実施形態に比しても高精細化に有利な製造方法となっている。
【００６１】
また、コンタクトホール形成領域３２ａと平面的に重なる部位の本線部１１６ｂを拡幅してコンタクトホール形成領域３２ａの外側まで拡幅部１１６ｃを延設するようになっているため、図８（ｂ）に示すようにコンタクトホール３２底部の画素電極９とコンタクト部３６との当接部は平坦面を成しており、コンタクトホール３２開口時に少々の加工ずれが生じたとしても画素電極９とコンタクト部３６との接続信頼性を損なうことはない。
【００６２】
さらに、コンタクトホール形成領域３２ａに設けられた拡幅部１１６ｃは、金属膜１１６の部分除去を行った後にも残り、島状部材１１６ｃを成すので、コンタクトホール形成領域３２ａにおける層間絶縁膜３４の膜厚が他の領域よりも薄くなり、コンタクトホール３２の開口が容易になるという利点がある。
【００６３】
（第３の実施形態）
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法の第３の実施形態を、図９から図１１を参照して説明する。図９は、本実施形態に係る製造方法により得られる液晶表示装置（電気光学装置）の画素領域を示す平面構成図である。図１０は、図９のＤ−Ｄ’線に沿う断面構成図である。図１１は、図９及び図１０に示す液晶表示装置の製造工程を説明するための平面構成図である。
【００６４】
＜電気光学装置の構成＞
本実施形態の製造方法により得られる液晶表示装置は、画素スイッチング素子としてＴＦＤ素子を備えたアクティブマトリクス型の液晶表示装置である点で第１実施形態の液晶表示装置と共通しており、図１０に示すように、素子基板１３０と対向基板１４０との間に液晶８０が挟持されている。
本実施形態の場合、液晶５０は、垂直配向モード（ＶＡＮモード）の液晶であり、詳細は後述するが、液晶５０の配向制御を適切に行うための構造が画素内に設けられたものとなっている。
【００６５】
図９には、素子基板１３０の平面構造が示されている。同図に示すように、素子基板１３０上には複数の画素領域１５０が平面視マトリクス状に配列されており、各画素領域１５０は、画素電極５９と、ＴＦＤ素子５４とを備え、ＴＦＤ素子５４には、データ線（信号配線）５３が接続されている。本液晶表示装置の回路構成は図２に示した構成と同様である。
【００６６】
画素電極５９は、ＩＴＯ等の透光性導電材料により形成され、図示上下方向に並んで配置された平面視略八角形状の島状部５９ａ１、５９ａ２とそれらを電気的に接続する枝状の連結部５９ｂとを主体として構成されている。一方の島状部５９ａの下端部から平面視略Ｌ形の配線部５９ｃが延出され、配線部５９ｃの先端部に平面視拡径のコンタクト電極部５９ｄが設けられている。図９下側の島状部５９ａ２と平面的に重なって、同島状部５９ａ２と概略同一平面形状の光反射手段（例えばアルミニウムや銀などからなる反射膜）６９が配設されている。
すなわち、本実施形態に係る液晶表示装置は、画素領域１５０内に部分的に光反射手段が設けられ、当該光反射手段が設けられた領域により反射表示を行い、残る領域で透過表示を行う半透過反射型の液晶表示装置である。
【００６７】
画素電極５９の側縁に沿ってデータ線５３が延在しており、データ線５３の一部が分岐されて画素電極側に延び、平面視矩形状の第１導電膜（第１導電層）１５６と交差している。また、第１導電膜１５６には、それと略直交する金属配線５５が交差している。これらの第１導電膜１５６と他の配線との交差構造により、第１実施形態のＴＦＤ素子４（図３及び図４参照。）と同様のＴＦＤ素子５４が構成されている。
【００６８】
金属配線５５の第１導電膜１５６と反対側の端部には、平面視拡径のコンタクト部５６が設けられている。このコンタクト部５６は、前記コンタクト電極部５９ｄと平面視略同一位置に配され、それらの中央部に設けられたコンタクトホール５２を介して互いに電気的に接続されている。このようにして、ＴＦＤ素子５４と画素電極５９とが電気的に接続されている。
また、コンタクト電極部５９ｄ及びコンタクト部５６と概略平面的に重なる位置に、平面視略八角形状の島状部材１５６ｃが設けられている。
【００６９】
次に、図１０に示す断面構造をみると、素子基板１３０の内面側（液晶８０側）には、酸化シリコン等からなる下地絶縁膜７３が形成され、下地絶縁膜７３上に島状部材１５６ｃ、金属配線５５等が形成され、島状部材１５６状にコンタクト部５６が積層されている。金属配線５５、コンタクト部５６を覆ってアクリル樹脂等からなる透光性の層間絶縁膜７４が形成されており、この層間絶縁膜７４を貫通してコンタクト部５６に達するコンタクトホール５２が設けられている。層間絶縁膜７４上には光反射手段６９が形成され、この光反射手段６９を覆う領域にＩＴＯ等の透光性導電材料からなる画素電極５９が形成されている。画素電極５９の一部（コンタクト電極部５９ｄ）はコンタクトホール５２に埋設されてコンタクト部５６と電気的に接続されている。
【００７０】
光反射手段６９は、図１０では層間絶縁膜７４の表面に埋設されたように示されているが、層間絶縁膜表面に成膜した薄膜であってもよく、層間絶縁膜７４中に形成されていてもよい。さらに、光散乱機能を具備した光反射手段であってもよい。光散乱手段としては、特に限定されず、光反射面に凹凸形状を付与した形態や、光散乱性樹脂層を用いた形態等をいずれのものも用いることができる。
【００７１】
一方、対向基板１２０の内面側（液晶８０側）には、赤色（Ｒ），緑色（Ｇ），青色（Ｂ）からなる各着色層が、図示略のブラックマトリクス（ＢＭ）にて区画された態様で形成されてなるカラーフィルタＣＦが配設されている。カラーフィルタＣＦ上に、アクリル樹脂等の透光性樹脂材料からなる液晶層厚調整層６２が形成されており、液晶層厚調整層６２上に、ＩＴＯ等からなる平面視ストライプ状の対向電極６３が形成されている。対向電極６３は、図９に示す平面構成においては、３つの画素電極５９に跨って図示左右方向に延在する帯状のものとなる。
対向電極６３上には、酸化シリコンや樹脂材料からなる誘電体突起６８が部分的に形成されており、これらの誘電体突起６８，６８の平面的な位置は、それぞれ図９の島状部５９ａ１、５９ａ２の中央部である。
【００７２】
なお、図示は省略しているが、画素電極５９を覆う素子基板１３０上、及び対向電極２３、誘電体突起６８を覆う対向基板１４０上には、ポリイミド等の垂直配向膜が形成されている。ただし、これらの垂直配向膜にはラビング処理等の配向処理は施されない。
【００７３】
液晶層厚調整層６２は、図１０に示すように、画素領域１５０内でその層厚が異なっており、画素電極５９の概略中央部に対応する部位に段差６２ａを有している。この段差６２ａは、素子基板１３０の光反射手段６９の縁端部と平面的に重なる位置（すなわち連結部５９ｂに対応する位置）に配されており、光反射手段の形成領域（反射表示領域Ｒ）と、他の領域（透過表示領域Ｔ）とで、液晶８０の層厚を異ならせるものとして機能する。したがって、本実施形態に係る液晶表示装置は、いわゆるマルチギャップ方式の半透過反射型液晶表示装置である。
【００７４】
マルチギャップ方式を採用したことで、本実施形態の液晶表示装置は、反射表示と透過表示の双方で高い表示特性を得られるようになっている。
反射表示と透過表示とでは、表示光が観察者に到達するまでに辿る経路が異なっているため、液晶８０の層厚が一様であると、反射表示の表示光が液晶８０を透過する長さが、透過表示の表示光に比して２倍の長さとなり、液晶８０により当該光に作用する光学作用もそれに応じて大きくなる。そのため、反射表示時と透過表示時とで電気光学特性が異なることとなり、十分なコントラストを得られなくなる。これに対して、本実施形態では、反射表示領域Ｒの液晶層厚が透過表示領域Ｔに比して小さく（例えば１／２）なっているので、反射表示と透過表示とで電気光学特性を揃えることができ、双方の表示モードで高い表示特性を実現できるようになっている。
【００７５】
上記構成を備えた本実施形態の液晶表示装置では、液晶８０としてＶＡＮモードのものを採用しているため、画素電極５９として、図９に示したように、略正八角形の平面形状を有する複数の島状部５９ａ１、５９ａ２と、これら島状部５９ａ１、５９ａ２を連結する枝状の連結部５９ｂとを含んで構成されたものを用いている。この場合、各島状部５９ａ１、５９ａ２内で垂直配向性の液晶分子が配向分割されることとなる。
【００７６】
ＶＡＮモードの液晶表示装置では、液晶８０が誘電異方性が負の液晶材料にて構成される。したがって、初期配向状態で液晶分子が基板面に対して垂直に立っているものを、電界印加により倒すわけであるから、何も工夫をしなければ（プレチルトが付与されていなければ）液晶分子の倒れる方向を制御できず、配向の乱れ（ディスクリネーション）が生じて光抜け等の表示不良が生じ、表示特性を落としてしまう。そのため、ＶＡＮモードの採用にあたっては、電界印加時の液晶分子の配向方向の制御が重要な要素となる。
【００７７】
そこで、本実施の形態では、画素電極５９を略八角形からなる島状部５９ａ１、５９ａ２を主体として構成し、各島状部５９ａ１、５９ａ２において液晶分子の配向方向を規制している。具体的には、画素電極５９を複数の八角形に切り欠いたことで、対向する電極６３との間で斜め電界を生じさせ、この斜め電界に応じた配向規制力を液晶分子に付与するものとしており、その結果、略八角形の島状部５９ａ１、５９ａ２の中心から外側に向かって、略同心円状に液晶分子が倒れるようになる。また、島状部５９ａ１、５９ａ２の中心部に対応する対向電極６３上に誘電体突起６８，６８が設けられており、誘電体突起６８近傍では、電圧印加時に液晶分子が誘電体突起６８を中心とする同心円状に倒れるため、画素電極５９の縁端と、誘電体突起６８とによる配向規制力により良好に液晶の配向状態を制御できるようになっている。このように電圧印加時に略同心円状に液晶分子を配向させるため、全方位に渡り均一な品質の表示が得られるようになっている。
なお、対向基板１４０側の誘電体突起６８は、画素領域１５０の平面寸法が小さい場合には設けなくてもよい。画素電極５９の縁端による配向規制力のみで十分に液晶分子の配向状態を制御できるからである。また本実施形態では、垂直配向液晶の配向制御手段として、島状部５９ａ１、５９ａ２の中心部に対応して誘電体突起６８，６８を設けた場合を挙げて説明したが、この誘電体突起６８，６８に代えて、あるいは誘電他突起６８，６８とともに、当該誘電体突起６８と同様の平面形状にて対向電極６３の一部を切り欠いたスリットを設けてもよい。
【００７８】
また本実施形態では、島状部５９ａ１、５９ａ２の頂部を切り欠いたことにより生じる間隙を有効に利用するべく、コンタクトホール５２を、正方に隣接する４つの画素電極５９中央部に配している。また、係る構成に伴い、画素電極５９の長軸方向の辺端に沿って配置されたデータ線５３は、コンタクト部５６を迂回するように引き回されている。
上記構成により、各画素電極５９の頂部が切り欠かれることで生じた矩形状の間隙にコンタクトホール５２及びコンタクト電極部５９ｄ、コンタクト部５６を配置しているので、コンタクトホールの形成による画素の開口率低下を生じることがない。また比較的開口径の大きいコンタクトホール５２を形成できるため、画素電極５９とＴＦＤ素子５４との接続信頼性の向上にも寄与する。
【００７９】
＜電気光学装置の製造方法＞
次に、図１１を参照して本実施形態に係る電気光学装置の製造方法について説明する。
図１１は、本実施形態に係る電気光学装置の製造方法を説明するための平面構成図であり、第１実施形態における図７に相当する図である。また、以下の説明では適宜図１ないし図７を参照しつつ説明することとする。
【００８０】
本実施形態に係る製造方法により素子基板を形成する場合、ガラス基板上に下地絶縁膜３を形成した後、基板全面にＴａ膜を形成する工程までは先の第１実施形態と同様である。
その後の工程では、図１１と図７とを比較すると明らかなように、第１実施形態とは異なる形態の金属膜１６６を設け、係る金属膜１６６を陽極酸化処理することで、ＴＦＤ素子５４を構成する絶縁膜を形成するようになっている。
金属膜１６６は、図１１に示すようにデータ線５３と略平行に延びる本線部１５６ｂと、その中途から分岐して平面視略鈎状を成す支線部１５６ａとを有している。本線部１５６ｂはコンタクトホール形成領域５２ａを通過するように部分的に屈曲して延在しており、コンタクトホール形成領域５２ａ及び、同領域に設けられるコンタクト部５６の平面形状に対応して部分的に拡幅された拡幅部１５６ｃを有している。そして、上記金属膜１６６に電源Ｅを接続して電圧を印加することで、当該金属膜１６６の表面を陽極酸化処理し、その表面に陽極酸化膜からなる絶縁膜を形成する。
【００８１】
上記陽極酸化処理後は、図１１に示すようにデータ線５３及び金属配線５５（コンタクト部５６）を、Ｃｒ等により同層にパターン形成する。そして、支線部１５６ａの先端部と本線部１５６ｂの拡幅部１５６ｃとを残して金属膜１５６を除去すると、支線部１５６ａの先端部にＴＦＤ素子５４の第１導電膜１５６が形成され、コンタクトホール形成領域５２ａに島状部材１５６ｃが得られる。
次いで、上記工程で得られたＴＦＤ素子５４を覆うように、層間絶縁膜７４を形成し、コンタクトホール５２をコンタクト部５６に対応する位置に開口する（図１０参照。）。そして、層間絶縁膜７４上にアルミニウム等の光反射性金属膜をパターン形成して光反射手段６９を設け、さらに画素電極５９を形成することで、素子基板１３０が得られる。
【００８２】
対向基板１４０の製造手順は以下のようになる。まず、ガラス基板上にカラーフィルタＣＦを形成した後、感光性のアクリル樹脂をカラーフィルタＣＦ上に塗布し、得られた樹脂膜を露光、現像することで図９に示した段差６２ａを有する液晶層厚調整層６２を形成する。そして、液晶層厚調整層６２上にストライプ状の対向電極６３を形成した後、対向電極６３上に誘電体突起６８をパターン形成することで対向基板１４０を得られる。
このようにして得られた素子基板１３０及び対向基板１４０を、両基板間に液晶８０を挟持した状態で貼り合わせれば、本実施形態の液晶表示装置が得られる。
【００８３】
以上のような製造方法では、金属膜１６６の本線部１６６ｂがコンタクトホール形成領域５２ａを経由して配設されるので、画素の高精細化により隣接ドットのデータ線５３とコンタクトホール形成領域５２ａとの間隔が狭くなった場合にも、本線部１５６ｂの形成領域を確保でき、高精細化に有利な製造方法となっている。
【００８４】
また、コンタクトホール形成領域５２ａと平面的に重なる部位の本線部１５６ｂを拡幅してコンタクトホール形成領域５２ａの外側まで拡幅部１５６ｃを延設するようになっているため、図１０に示すようにコンタクトホール５２底部の画素電極５９とコンタクト部５６との当接部は平坦面を成しており、コンタクトホール５２開口時に少々の加工ずれが生じたとしても画素電極５９とコンタクト部５６との接続信頼性を損なうことはない。
【００８５】
さらに、コンタクトホール形成領域５２ａに設けられた拡幅部１５６ｃは、金属膜１６６の部分除去を行った後にも残り、島状部材１５６ｃを形成するので、コンタクトホール形成領域５２ａにおける層間絶縁膜７４の膜厚が他の領域よりも薄くなり、コンタクトホール５２の開口を容易かつ迅速に実行できるという利点がある。
【００８６】
（電子機器）
次に、本発明の製造方法により得られる液晶表示装置を備えた電子機器の具体例について説明する。
図１２は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１２において、符号１３００は携帯電話本体を示し、符号１３０１は上記液晶表示装置を用いた表示部を示している。符号１３０２は操作部、１３０３、１３０４はそれぞれ受話部及び送話部である。このような電子機器は、上記実施の形態の液晶表示装置を用いた表示部を備えているので、視認性に優れた、高画質の表示を実現可能な電子機器となる。
また、上記の電子機器は、携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの電子機器においても視認性に優れた表示が可能になっている。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】図１は、第１実施形態に係る液晶表示装置の平面構成図及び断面構成図。
【図２】図２は、同、回路構成図。
【図３】図３は、同、画素領域を示す平面構成図。
【図４】図４は、同、断面構成図。
【図５】図５は、第１実施形態の製造方法を説明するための断面工程図。
【図６】図６は、第１実施形態の製造方法を説明するための断面工程図。
【図７】図７は、第１実施形態の製造方法を説明するための平面構成図。
【図８】図８は、第２実施形態の製造方法を説明する平面構成図及び断面構成図。
【図９】図９は、第３実施形態に係る液晶表示装置の画素領域を示す平面構成図。
【図１０】図１０は、同、断面構成図。
【図１１】図１１は、同、製造方法を説明するための平面構成図。
【図１２】図１２は、電子機器の一例を示す斜視構成図。
【符号の説明】
【００８８】
１００  液晶表示装置（電気光学装置）、１１０，１３０  素子基板（基板）、１２０，１４０  対向基板、４  ＴＦＤ素子（非線形素子）、９，５９  画素電極、１３  データ線（信号配線）、１４  走査線（対向電極２３，６３）、１５，１５０  画素領域、７  絶縁膜、３２，５２  コンタクトホール、３２ａ，５２ａ  コンタクトホール形成領域、３４，７４  層間絶縁膜、５０，８０  液晶、１０６，１１６，１６６  金属膜、１０６ａ，１１６ａ，１５６ａ  支線部、１０６ｂ，１１６ｂ，１５６ｂ  本線部、１１６ｃ，１５６ｃ  拡径部（島状部材、拡幅部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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