(57)【要約】【課題】環境に対する負荷を低減しつつ、比較的簡単に、基板に付着したパーティクルや金属不純物等の異物を安定的に除去して、キャビティ基板の製造時における歩留まりの安定化を図ることができるキャビティ基板の製造方法、キャビティ基板、液滴吐出ヘッド、および液滴吐出装置を提供すること。【解決手段】本発明のキャビティ基板の製造方法は、基板３３を機能水により洗浄する洗浄工程と、基板３３に対して熱処理および／または成膜処理を施す処理工程と、基板３３の一方の面側から、液体を収容するための凹部３４２を形成して、凹部３４２の形成により肉薄化された部分を振動板３１とする工程とを有する。前記機能水としては、オゾンおよび水素のうちの少なくとも１種を用いるのが好ましい。【選択図】図５
2006088508.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を機能水により洗浄する洗浄工程と、
前記基板に対して熱処理および／または成膜処理を施す処理工程と、
前記基板の一方の面側から、液体を収容するための凹部を形成して、前記凹部の形成により肉薄化された部分を振動板とする工程とを有することを特徴とするキャビティ基板の製造方法。
【請求項２】
前記熱処理において、前記基板の表面近傍に酸化膜を形成する請求項１に記載のキャビティ基板の製造方法。
【請求項３】
前記熱処理において、前記基板の表面近傍に不純物をドープする請求項１に記載のキャビティ基板の製造方法。
【請求項４】
前記熱処理は、８００〜１５００℃の雰囲気温度のもとで行う請求項１ないし３のいずれかに記載のキャビティ基板の製造方法。
【請求項５】
前記成膜処理において、前記基板の表面にエッチングマスクを形成する請求項４に記載のキャビティ基板の製造方法。
【請求項６】
前記機能水は、オゾンおよび水素のうちの少なくとも１種を溶存させた水である請求項１ないし５のいずれかに記載のキャビティ基板の製造方法。
【請求項７】
前記洗浄工程の後、主としてフッ化水素を含有する水によって、前記基板を洗浄する後洗浄工程を有する請求項１ないし６のいずれかに記載のキャビティ基板の製造方法。
【請求項８】
前記洗浄工程において、スピン洗浄方式を用いて、前記基板を前記機能水により洗浄する請求項１ないし７のいずれかに記載のキャビティ基板の製造方法。
【請求項９】
前記洗浄工程において、前記基板を超音波振動させつつ前記機能水により洗浄する請求項１ないし８のいずれかに記載のキャビティ基板の製造方法。
【請求項１０】
前記基板に対する前記超音波振動の付与は、前記機能水に超音波振動を付与することにより行う請求項９に記載のキャビティ基板の製造方法。
【請求項１１】
前記基板は、シリコンを主材料とするものである請求項１ないし１０のいずれかに記載のキャビティ基板の製造方法。
【請求項１２】
前記基板中に含有される酸素の濃度が１５×１０１７ａｔｍｓ／ｃｍ３以下である請求項１ないし１１のいずれかに記載のキャビティ基板の製造方法。
【請求項１３】
請求項１ないし１２のいずれかに記載の製造方法によって製造されたことを特徴とするキャビティ基板。
【請求項１４】
請求項１３に記載のキャビティ基板を備えることを特徴とする液滴吐出ヘッド。
【請求項１５】
請求項１４に記載の液滴吐出ヘッドを備えることを特徴とする液滴吐出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、キャビティ基板の製造方法、キャビティ基板、液滴吐出ヘッド、および液滴吐出装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液滴吐出ヘッドとしては、ノズルと、ノズルに連通し、液体を収容する収容室と、この収容室の一部を区画形成する振動板と、この振動板に微小空隙を隔てて対向する電極とを備えるもの（静電駆動方式）が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
このような液滴吐出ヘッドでは、前記振動板と前記電極との間に電圧が印加されることにより、これらの間に静電引力が生じる。この静電引力により、前記振動板が前記電極に引き付けられて変形して、前記収容室の容積が拡大する。そして、前記電圧の印加が解除されることにより、前記振動板が元の状態に復元して、収容室の容積が縮小して、ノズルから液滴が吐出される。
【０００３】
このような静電駆動方式の液滴吐出ヘッドでは、一般に、前記振動板は、シリコン基板等の基板の一方の面側から、前記収容室を形成するための凹部を形成して肉薄化された部分により形成されている。
ところで、このような液滴吐出ヘッドでは、精細な印刷像を得るために、複数のノズル孔を高密度に配することが行われている。複数のノズル孔を高密度化が進むにつれ、振動板の厚さも薄厚化する必要がある。
【０００４】
シリコン基板を加工して振動板を形成するに際しては、シリコン基板に対し、エッチングマスク、酸化膜等の形成等、熱処理や成膜を施す工程が行われる。このような工程に際して、シリコン基板の表面にパーティクルが付着していたり、金属汚染が生じていたりすると、これが原因となって、シリコン基板の表面に結晶欠陥等の微小欠陥が発生する。この微小欠陥が、振動板に生じ、その厚みを超えてしまうと、振動板に貫通孔が形成されてしまう。
【０００５】
そこで、特許文献１にあっては、シリコン基板を前記工程に供する前に、シリコン基板に付着したパーティクルや金属不純物を洗浄することが行われている。
具体的には、シリコン基板の洗浄として、ウェット洗浄法の代表であるＲＣＡ洗浄が用いられている。ＲＣＡ洗浄は、過酸化水素をベースとした、アルカリ洗浄と酸洗浄とからなる洗浄法である。一般的なＲＣＡ洗浄では、アンモニアと過酸化水素とからなる溶液を用いた、いわゆるＳＣ−１（ＲＣＡ  ｓｔａｎｄａｒｄ  Ｃｌｅａｎ−１）洗浄、塩酸と過酸化水素とからなる溶液を用いた、いわゆるＳＣ−２（ＲＣＡ  ｓｔａｎｄａｒｄ  Ｃｌｅａｎ−２）洗浄および希フッ酸洗浄が採用されている。ＳＣ−１洗浄は、パーティクルの除去に効果があり、ＳＣ−２洗浄は金属不純物の除去に効果がある。希フッ酸洗浄は、ＳＣ−１洗浄およびＳＣ−２洗浄で基板表面に形成された自然酸化膜の除去と金属不純物との除去とに効果がある。
【０００６】
しかし、このＲＣＡ洗浄では、アンモニアや塩酸といった薬液を大量に使用することから、コストがかかる、環境に対する影響が大きい等の問題がある。また、特に、ＳＣ−１洗浄では、シリコン基板から除去され、洗浄槽内に蓄積した汚染物が、シリコン基板を再汚染するといった不都合も生じる。さらに、ＳＣ−１洗浄では、汚染物の除去効果を安定させるため、アンモニア濃度を一定に保つ等、厳しい薬液管理を行わなければならないという問題がある。
【０００７】
【特許文献１】特開平５−１１６３０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、環境に対する負荷を低減しつつ、比較的簡単に、基板に付着したパーティクルや金属不純物等の異物を安定的に除去して、キャビティ基板の製造時における歩留まりの安定化を図ることができるキャビティ基板の製造方法、キャビティ基板、液滴吐出ヘッド、および液滴吐出装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明のキャビティ基板の製造方法は、基板を機能水により洗浄する洗浄工程と、
前記基板に対して熱処理および／または成膜処理を施す処理工程と、
前記基板の一方の面側から、液体を収容するための凹部を形成して、前記凹部の形成により肉薄化された部分を振動板とする工程とを有することを特徴とする。
これにより、環境に対する負荷を低減しつつ、比較的簡単に、基板に付着したパーティクルや金属不純物等の異物を安定的に除去して、キャビティ基板の製造時における歩留まりの安定化を図ることができる。
【００１０】
本発明のキャビティ基板の製造方法では、前記熱処理において、前記基板の表面近傍に酸化膜を形成することが好ましい。
これにより、酸化膜を形成する際に生じる微小欠陥の発生を防止して、均一化された膜厚の酸化膜を基板の表面近傍に形成することができる。この酸化膜は、エッチングマスク、振動板、エッチング停止層等に利用することができる。
【００１１】
本発明のキャビティ基板の製造方法では、前記熱処理において、前記基板の表面近傍に不純物をドープすることが好ましい。
これにより、不純物のドープ層を形成する際に生じる微小欠陥の発生を防止して、均一化された膜厚のドープ層を基板の表面近傍に形成することができる。このドープ層は、マスク、振動板、エッチング停止層等に利用することができる。
【００１２】
本発明のキャビティ基板の製造方法では、前記熱処理は、８００〜１５００℃の雰囲気温度のもとで行うことが好ましい。
これにより、基板を熱処理するに際して、酸素欠陥の成長速度が速く進行する温度領域（６００〜８００℃）を迅速に通過することができ、酸素欠陥の発生を抑えることができる。
【００１３】
本発明のキャビティ基板の製造方法では、前記成膜処理において、前記基板の表面にエッチングマスクを形成することが好ましい。
これにより、エッチングマスクを形成する際に生じる微小欠陥の発生を防止して、均一化された膜厚のエッチングマスクを基板の表面近傍に形成することができる。その結果、基板を精度よくエッチングすることができる。
【００１４】
本発明のキャビティ基板の製造方法では、前記機能水は、オゾンおよび水素のうちの少なくとも１種を溶存させた水であることが好ましい。
これらのものは、比較的簡単に入手でき、その取り扱いも比較的容易であり、基板に付着したパーティクルや金属不純物等の異物を、安定的に除去することができる。
本発明のキャビティ基板の製造方法では、前記洗浄工程の後、主としてフッ化水素を含有する水によって、前記基板を洗浄する後洗浄工程を有することが好ましい。
これにより、基板に付着したパーティクルや金属不純物等の異物を、より確実に除去することができる。また、酸化剤を含有する機能水を使用した場合に形成される酸化物層を、効率よくエッチング除去することができる。
【００１５】
本発明のキャビティ基板の製造方法では、前記洗浄工程において、スピン洗浄方式を用いて、前記基板を前記機能水により洗浄することが好ましい。
これにより、機能水の使用量を削減することができる。また、機能水による異物除去能力が向上する。さらに、除去された異物が基板に再付着するのを防止することができる。
本発明のキャビティ基板の製造方法では、前記洗浄工程において、前記基板を超音波振動させつつ前記機能水により洗浄することが好ましい。
これにより、機能水による異物除去能力が向上する。
【００１６】
本発明のキャビティ基板の製造方法では、前記基板に対する前記超音波振動の付与は、前記機能水に超音波振動を付与することにより行うことが好ましい。
これにより、基板の損傷を防止しつつ、機能水による異物除去能力を向上させることができる。
本発明のキャビティ基板の製造方法では、前記基板は、シリコンを主材料とするものであることが好ましい。
これにより、振動板の振動特性をより優れたものとすることができる。
【００１７】
本発明のキャビティ基板の製造方法では、前記基板中に含有される酸素の濃度が１５×１０１７ａｔｍｓ／ｃｍ３以下であることが好ましい。
これにより、基板の熱処理時に生じる溶存酸素に起因した結晶欠陥を抑えることができる。
本発明のキャビティ基板は、本発明の製造方法によって製造されたことを特徴とする。
これにより、微小欠陥によって振動板に貫通孔が形成されるのを防止して、キャビティ基板の製造時における歩留まりを向上させることができる。
【００１８】
本発明の液滴吐出ヘッドは、本発明のキャビティ基板を備えることを特徴とする。
これにより、微小欠陥によって振動板に貫通孔が形成されるのを防止して、液滴吐出ヘッドの製造時における歩留まりを向上させることができる。
本発明の液滴吐出装置は、本発明の液滴吐出ヘッドを備えることを特徴とする。
これにより、微小欠陥によって振動板に貫通孔が形成されるのを防止して、液滴吐出装置の製造時における歩留まりを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明のキャビティ基板の製造方法を、好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜液滴吐出ヘッド＞
まず、本発明の製造方法によって製造されるキャビティ基板を備える液滴吐出ヘッドの一例について説明する。
【００２０】
図１は、液滴吐出ヘッドを示す分解斜視図（一部断面図）であり、図２は、図１に示す液滴吐出ヘッドの縦断面図である。以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
図１、２に示す液滴吐出ヘッド１は、ノズル基板２の上面に設けられたノズル孔２１からインク液滴６を吐出する、いわゆるフェイス型のインクジェットヘッドである。この液滴吐出ヘッド１は、左右にほぼ対称な構成となっているので、以下の説明では、図２に示すように、液滴吐出ヘッド１の右側部分のみを代表して説明する。
【００２１】
この液滴吐出ヘッド１は、ノズル基板２と、キャビティ基板３と、電極基板４とを有しており、キャビティ基板３を挟むようにしてノズル基板２と電極基板４が配置されている。
ノズル基板２とキャビティ基板３とには、それぞれ複数の凹部または溝が設けられ、これにより、これらノズル基板２とキャビティ基板３との間に空隙５が画成（形成）されている。
【００２２】
この空隙５は、各々区切られた複数の吐出室５１と、吐出室５１に連通するオリフィス５２と、オリフィス５２に連通し、各吐出室５１にインクを供給するためのインクを収容する共通のリザーバ５３とを有しており、リザーバ５３の後部には、インク取込口５４が設けられている。
また、ノズル基板２には、吐出室５１に連通するノズル孔２１が形成されている。このノズル孔２１は、大径部２１１と、大径部２１１よりも縮径された小径部２１２とを有しており、大径部２１１側で吐出室５１に連通し、小径部２１２側で外部と連通するように形成されている。このようにノズル孔２１が２段構造となっていることにより、インク液の流れが整流化され、ノズル孔２１から吐出されるインク液滴６の直進性が向上する。
【００２３】
キャビティ基板３の吐出室５１の底部に対応する部分は、薄肉化されていて、吐出室５１の圧力を変動させるための振動板３１として機能する。
また、キャビティ基板３のリザーバ５３よりも後方側には、共通電極３２が形成され、発信回路１０に接続されている。
ノズル基板２の構成材料としては、例えば、シリコン、ガラス、ステンレス、樹脂等が挙げられる。
【００２４】
キャビティ基板３の構成材料としては、振動板３１に必要な振動特性を得ることができるものであれば、特に限定されないが、例えば、シリコン、金属材料（Ｎｉなど）等が挙げられる。
また、このうちキャビティ基板３の表面には、ＴＥＯＳ（Tetraethoxysilane）膜等の絶縁膜１４が形成されているのが好ましい。これにより、液滴吐出ヘッド１を駆動させた時の絶縁破壊、短絡を防止することができる。
【００２５】
電極基板４は、キャビティ基板３のノズル基板２側とは反対側に面に接合されている。
電極基板４は、振動板３１と対向する部分に凹部が形成されており、振動板３１との間に振動室８が形成されている。この振動室８の底面には、振動板３１に対向する各々の位置に電極９１（個別電極）が形成されており、電極９１が振動板３１と微小間隔を隔てて対向している。電極９１は、それぞれ、リード部９２および端子部９３を介して、前述した発振回路１０に接続されている。
【００２６】
振動板３１の構成材料としては、例えば、Ｓｉ、金属材料、導電性酸化物等が挙げられる。
また、電極９１の構成材料としては、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等の金属材料、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）、ＦＴＯ、ＡＴＯ、ＳｎＯ２等の導電性酸化物等が挙げられる。さらに、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００２７】
このような液滴吐出ヘッド１にあっては、発信回路（駆動ドライバ）１０により、振動板３１と電極９１との間に０Ｖから３０Ｖのパルス電圧を印加すると、電極９１の表面がプラスに帯電し、それに対応する振動板３１の下面がマイナス電位に帯電する。これによって発生する静電気の吸引作用によって、振動板３１は下方へ撓む。次に、パルス電圧をＯＦＦすると、電極９１および振動板３１に蓄えられた電荷を急激に放電し、振動板３１自体の弾性力で振動板３１は、ほぼ元の形状に復元する。このとき、吐出室５１内の圧力が急激に上昇し、ノズル孔２１より記録用紙１１に向けてインク液滴６が吐出される。そして、振動板３１が再び下方へ撓むことにより、インク液がリザーバ５３よりオリフィス５２を通じて吐出室５１内に補給される。
【００２８】
＜キャビティ基板の製造方法＞
次に、本発明のキャビティ基板の製造方法について、図１、２に示す液滴吐出ヘッドに備えられたキャビティ基板３を製造する場合を例にして説明する。
図３〜図５は、本発明のキャビティ基板の製造方法を説明するための図（縦断面図）であり、図６は、洗浄液によって洗浄を行う際に使用されるスピン洗浄装置を示す模式図である。なお、以下の説明では、図３〜図５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００２９】
このキャビティ基板の製造方法は、［１］第１の洗浄工程、［２］酸化膜形成工程、［３］第２の洗浄工程、［４］ボロンドープ層形成工程、［５］ボロン化合物ＳｉＢ６のエッチング工程、[６]第３の洗浄工程、［７］エッチング保護膜形成工程、［８］凹部形成工程、［９］第４の洗浄工程、［１０］絶縁膜形成工程とを有している。以下、各工程について、順次説明する。
【００３０】
［１］  第１の洗浄工程
まず、図３（ａ）に示すように、キャビティ基板３となる基板３３を用意する。
この基板３３としては、シリコンを主材料とするもの、金属を主材料とするもの等を用いることができる。
中でも、基板３３は、シリコンを主材料とするものであるのが好ましい。これにより、振動板３１の振動特性をより優れたものとすることができる。
【００３１】
また、基板３３中に含有される酸素濃度が１５×１０１７ａｔｍｓ／ｃｍ３以下であるのが好ましい。これにより、加熱時に生じる溶存酸素に起因した結晶欠陥を抑えることができる。なお、以下の説明では、基板３３として、溶存酸素量が１５×１０１７ａｔｍｓ／ｃｍ３以下であり、（１１０）面を面方位とするシリコン基板を使用した場合を例にして説明する。
この基板３３を、その両面を鏡面研磨することによって薄厚化する。
鏡面研磨後の基板３３の厚さは、ハンドリング（搬送）の観点から、厚さは１００μｍ以上であることが好ましい。
【００３２】
次に、基板３３の両面を洗浄する（洗浄工程）。
この製造方法では、基板３３の洗浄を、機能水を使用して行う。
ここで、機能水とは、化学的処理または物理的処理により、活性化した水をいい、具体的には、少量の電解質を含有する水を電気分解したものや、水にオゾン等の活性気体を溶存させたもの等が挙げられる。
【００３３】
より具体的には、機能水としては、例えば、二酸化炭素を溶存させた水（以下、炭酸水ともいう）、オゾンを溶存させた水（以下、オゾン水ともいう）、水素を溶存させた水（以下、水素水ともいう）、および窒素を溶存させた水（以下、窒素含有水ともいう）等が挙げられる。これら機能水は、１種類を単独で使用してもよく、２種類以上を組み合わせて使用してもよい。
【００３４】
中でも、前記機能水は、オゾンおよび水素のうちの少なくとも１種を溶存させた水であるのが好ましい。これらのものは、比較的簡単に入手でき、その取り扱いも比較的容易であり、基板に付着したパーティクルや金属不純物等の異物を、安定的に除去することができる。
機能水によって基板３３を洗浄することにより、基板３３の表面に存在するパーティクルおよび金属不純物を溶解除去することができる。また、このうち炭酸水、オゾン水等の酸化剤を含む溶液を使用した場合には、処理した表面に酸化膜が形成され、この酸化膜に金属不純物が取込まれる。この酸化膜形成により、金属不純物が基板３３の表面から分離される。
【００３５】
機能水として炭酸水を用いる場合、炭酸水の二酸化炭素濃度は、１００〜１０００ｐｐｍであるのが好ましい。
また、機能水としてオゾン水を用いる場合、オゾン水のオゾン濃度は、１５〜１００ｐｐｍであるのが好ましい。
また、機能水として水素水を用いる場合、水素水の水素濃度は、１００〜１０００ｐｐｍであるのが好ましい。
【００３６】
また、機能水として窒素含有水を用いる場合、窒素含有水の窒素濃度は、１００〜１０００ｐｐｍであるのが好ましい。
各機能水の濃度が前記下限未満であると、機能水の温度、洗浄方法などによっては、十分な洗浄効果が得られない場合がある。一方、各機能水の濃度が前記上限値を超えると、基板に対して洗浄の処理ムラが生じやすくなる。
【００３７】
また、洗浄に際する機能水の温度は、１０〜５０℃であるのが好ましく、２０〜４０℃であるのがより好ましい。機能水の温度が、前記範囲より低い場合には、機能水の濃度等によっては、十分な洗浄効率が得られない場合がある。また、機能水の温度が前記範囲より高い場合には、機能水に溶存している成分が失われ、十分な洗浄効率が得られない可能性があり、また、濃度管理が難しくなる。
【００３８】
この洗浄工程においては、基板３３を超音波振動させつつ機能水により洗浄するのが好ましい。これにより、機能水による異物除去能力が向上する。
さらに、基板３３に対する前記超音波振動の付与は、前記機能水に超音波振動を付与することにより行うのが好ましい。これにより、基板３３の損傷を防止しつつ、機能水による異物除去能力を向上させることができる。
機能水に付与する超音波の出力は、１〜５０Ｗであるのが好ましい。超音波の出力が前記下限値未満であると、超音波による効果が十分に得られない可能性がある。また、超音波の出力が前記上限値を超えると、それ以上の効果は見込めず、また、基板の材質や厚さなどによっては、基板を損傷するおそれがある。
【００３９】
また、この機能水による洗浄方法としては、特に限定されないが、例えば、スピン洗浄方式、ディッピング方式、シャワー洗浄方式等が挙げられ、これらのうち１つまたは２つ以上を組み合わせて用いることができる。
この中でも、機能水の洗浄方法としては、スピン洗浄方式が好ましい。
図６に示すように、スピン洗浄方式は、基板３３を回転させながら、基板３３に対してノズル２１０から機能水２２０を吐出させて洗浄を行うものである。このスピン洗浄方式を用いることにより、機能水２２０の使用量を抑えながら、基板３３を効率よく均一に洗浄することができる。さらに、除去された異物が基板３３に再付着するのを防止することができる。特に、機能水は、廃液処理が簡単であるため、スピン洗浄方式に適している。
【００４０】
このスピン洗浄方式によって、機能水による洗浄を行うには、基板３３を、例えば洗浄する面を上面にしてスピン洗浄装置２０にセットし、基板３３を回転させながら、上部のノズル２１０から機能水２２０を吐出させる。吐出された機能水２２０は、基板３３の上面に吹き付けられ、洗浄が行われる。次に、基板３３を、スピン洗浄装置２０から一旦取り外し、上面と下面を交換して、再びスピン洗浄装置２０にセットする。そして、同様にして機能水２２０による洗浄を行う。
【００４１】
この洗浄時間は、１０秒〜１０分であるのが好ましい。
また、この機能水２２０による洗浄に際しては、下部のノズル２３０から超純水２４０を吐出させ、基板３３の下面に超純水によるリンスを行うのが好ましい。これにより、基板の下面に対して、機能水が接触したり、除去されたパーティクルおよび金属不純物が再付着するのが防止される。
【００４２】
なお、この機能水による洗浄は、スピン洗浄方式に限らず、バッチ式のバス式洗浄によって行うようにしてもよい。
この機能水による洗浄では、アンモニアや塩酸を含有する洗浄液を使用する場合に比べて、薬液使用量および排水量が少なく、環境に対する影響が小さく抑えられる。また、機能水は、アンモニアに比べて濃度を一定に保ち易く、薬液管理を容易に行うことができる。
【００４３】
次に、機能水によって洗浄を行った基板３３を、フッ化水素水溶液によって洗浄する。
フッ化水素水溶液による洗浄を行うことにより、基板３３の表面に残存するパーティクルおよび金属不純物が取り除かれる。また、酸化剤を含有する機能水によって酸化膜が形成されている場合には、フッ化水素水溶液のエッチング作用により、この酸化膜がエッチング除去され、同時に酸化膜中の存在するパーティクルおよび金属不純物も取り除かれる。
【００４４】
この後、基板３３に、超純水を使用してリンスを行い、フッ化水素水溶液を洗い流す。その後、基板３３を乾燥する。
このフッ化水素水溶液による洗浄および超純水によるリンスは、スピン洗浄方式、バッチ式のいずれで行ってもよいが、スピン洗浄方式で行うのが好ましい。スピン洗浄方式を用いることにより、洗浄液の使用量を抑えながら、基板を効率よく洗浄またはリンスすることができる。また、フッ化水素水溶液による洗浄では、処理を行う面と反対側の面に、超純水によるリンス処理を行うのが好ましい。これにより、フッ化水素水溶液が基板の下面に付着するのを防止できる。
【００４５】
［２］  酸化膜形成工程
次に、基板３３の両面に酸化膜１２を形成する。
まず、基板３３を熱酸化炉に導入する。
そして、基板３３に熱酸化処理を施す。これにより、図３（ｂ）に示すように、基板３３の両面に、酸化膜１２（ＳｉＯ２膜）が形成される。その後、基板３３を熱酸化炉から取り出す。
【００４６】
このとき、第１の洗浄工程によって、基板３３の表面からパーティクルおよび金属不純物等の異物が除去されているので、高温下、これら異物に起因して生じる微小欠陥の発生が防止される。
熱酸化処理の方法としては、特に限定されず、スチーム酸化、ウェット酸化、ドライ酸化、高圧酸化、希釈酸素酸化等のうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。例えば、スチーム酸化の場合には、水蒸気を含有する酸素存在雰囲気下で行う。
【００４７】
このとき、処理時間及び温度を変えて熱酸化処理を行うことにより、適正な厚さの酸化膜１２を形成することができる。
また、基板３３の熱酸化炉への導入および取り出しは、熱酸化炉内の温度が８００℃以上のときに行うのが好ましい。これにより、基板３３において、酸素欠陥の成長速度が速く進行する温度領域（６００〜８００℃）を迅速に通過することができ、酸素欠陥の発生を抑えることができる。
また、基板３３を取り出した後は、放置、空冷、水冷等、何らかの手段により、基板３３が８００〜６００℃となる時間をできるだけ短くするのが好ましい。これにより、基板３３において、酸素欠陥の成長速度が速く進行する温度領域（６００〜８００℃）を迅速に通過することができ、酸素欠陥の発生を抑えることができる。
【００４８】
次に、基板３３の一方の面に形成された酸化膜１２を、吐出室５１およびリザーバ５３に対する反対パターンでパターニングする。
まず、基板３３の一方の面に、吐出室５１およびリザーバ５３の平面形状に対する反対パターンで、レジストマスクを形成する。また、基板３３の他方の面には、レジストマスクを全面形成する。
【００４９】
そして、酸化膜１２のエッチングを行う。その後、レジストマスクを剥離し、除去する。
これにより、図３（ｃ）に示すように、基板３３の一方の面に形成された酸化膜１２１が、吐出室５１およびリザーバ７の平面形状に対する反対パターンでパターニングされる。一方、基板３３の他方の面に形成された酸化膜１２２は、そのまま残存する。
【００５０】
ここで、エッチング液としては、バッファードフッ酸等のフッ酸系エッチングが用いられる。
続いて、基板３３の一方の面に、パターニングされた酸化膜１２１を覆うようにレジストマスクを形成する。そして、フッ酸系エッチング液等を使用して、他方の面に形成された酸化膜１２２のエッチングを行い、この酸化膜１２２を除去する。その後、基板３３の一方の面に形成したレジストマスクを、剥離し、除去する。その結果、図３（ｄ）に示すように、パターニングされた酸化膜１２１のみが、基板３３表面に残存する。
【００５１】
［３］第２の洗浄工程
次に、基板３３の、パターニングされた酸化膜１２１が形成された側の面とは反対側の面を洗浄する。
この第２の洗浄工程では、第１の洗浄工程と同様にして、機能水による洗浄、希フッ酸溶液による洗浄、超純水によるリンスを順次行う。
【００５２】
これにより、前工程［２］において、基板の表面およびパターニングされた酸化膜表面に付着したパーティクルおよび金属不純物が除去される。特に、ここで金属不純物を確実に除去しておくことにより、後工程［４］で行うボロンをドープするための熱処理に際して、金属不純物が基板３３に取込まれ、微小欠陥を生じるのが防止される。これにより、微小欠陥によって振動板３１に穴が開いてしまうのが防止される。
【００５３】
なお、この洗浄は、少なくとも酸化膜１２１が形成された側の面に行えばよく、この面のみに行ってもよく、この面と他方の面の両面に行っても構わない。
この場合も、洗浄液として機能水を使用していることにより、アンモニアや塩酸を含有する洗浄液を使用する場合に比べて、薬液使用量および排水量が少なく、環境に対する影響が小さく抑えられる。また、機能水は、アンモニアに比べて濃度を一定に保ち易く、薬液管理を容易に行うことができる。
【００５４】
［４］ボロンドープ層形成工程
次に、基板３３の一方の面にボロンドープ層１３を形成する。このボロンドープ層１３は、製造された液滴吐出ヘッド１において、振動板３１となる部分である。
まず、基板３３を、その他方の面がＢ２Ｏ３を主成分とする固体の拡散源に対向するように、石英ボートにセットする。そして、縦型炉にその石英ボートをセットし、炉内を窒素雰囲気にした状態で、温度を一定温度まで上昇させ、その温度で一定時間保持する。
【００５５】
これにより、図４（ｅ）に示すように、ボロンが基板３３中に拡散し、基板３の表面に、ボロンドープ層１３が形成される。例えば、基板３３としてシリコン基板を使用した場合には、ボロンドープ層１３が形成され、表面付近において、ボロン化合物ＳｉＢ６が形成される。このボロンドープ層１３は、アルカリエッチング液に対するエッチングレートが小さく、後工程［８］で行うアルカリ異方性エッチングにおいてエッチングストップ層として機能する。
【００５６】
このとき、第２の洗浄工程によって、基板３３の表面からパーティクルおよび金属不純物等の異物が除去されているので、高温下、これら異物に起因して生じる微小欠陥の発生が防止される。
この工程において、縦型炉内の温度及びこの温度で保持する時間をコントロールすることにより、ボロンドープ層の厚みを変えることができる。
形成するボロンドープ層１３のボロンの濃度は、１×１０１９〜１×１０２１ａｔｍｓ／ｃｍ３であるのが好ましい。これにより、後工程［８］において、このボロンドープ層１３で確実にエッチングを停止させることができる。
【００５７】
また、この場合も、基板３３の縦型炉への搬入および搬出は、縦型炉内の温度が８００℃以上のときに行うのが好ましい。これにより、基板３３において、酸素欠陥の成長速度が速く進行する温度領域（６００〜８００℃）を迅速に通過することができ、酸素欠陥の発生を抑えることができる。
また、基板３３を搬出した後は、放置、空冷、水冷等、何らかの手段により、基板が８００〜６００℃となる時間をできるだけ短くするのが好ましい。これにより、基板３３において、酸素欠陥の成長速度が速く進行する温度領域（６００〜８００℃）を迅速に通過することができ、酸素欠陥の発生を抑えることができる。
【００５８】
［５］ボロン化合物ＳｉＢ６のエッチング工程
次に、酸素および水蒸気雰囲気中で、基板３３に加熱処理を施す。これにより、ボロンドープ層の表面付近において、ボロン化合物ＳｉＢ６が、Ｂ２Ｏ３＋ＳｉＯ２に化学変化する。このＢ２Ｏ３＋ＳｉＯ２は、フッ酸系エッチング液によってエッチングが可能であり、次工程でエッチング除去される。
【００５９】
ここで、ボロン化合物ＳｉＢ６を、Ｂ２Ｏ３＋ＳｉＯ２に化学変化させる際の加熱処理の温度は、６００℃であるのが好ましく、処理時間は、３０分〜２時間であるのが好ましい。このような条件で熱処理を行うことにより、ボロン化合物をＢ２Ｏ３＋ＳｉＯ２に確実に化学変化させることができる。
次に、ボロンドープ層を形成した側とは反対側の面に、レジストマスクを形成する。そして、バッファードフッ酸等のフッ酸系エッチング液等を使用して、Ｂ２Ｏ３＋ＳｉＯ２を、エッチングして除去する。この後、レジストマスクを剥離する。
【００６０】
［６］第３の洗浄工程
次に、基板３３のボロンドープ層１３を形成した面を洗浄する。
この第３の洗浄工程では、基板３３のボロンドープ層１３を形成した面の洗浄を、超音波を印加した水素水を使用して行う。その後、このボロンドープ層１３を形成した面を、超純水を使用してリンスする。
【００６１】
水素水の濃度、超音波出力の適正範囲および洗浄に際する条件は、第１の洗浄工程と同様である。
水素水は単独では特別な洗浄力を示すことはないが、超音波の印加を併用することで、優れた微粒子除去効果を発揮する。これは超音波印加によって分解した水分子由来のＯＨラジカルとＨラジカルのうち、ＯＨラジカルが溶存水素と反応するために生じる、余剰Ｈラジカルによるものである。再結合すべきＯＨラジカルを失ったＨラジカルは、効果的に基板や微粒子の表面に作用し脱離を促す。これにより、前工程［４］、［５］において、基板３３のボロンドープ層１３の表面に付着したパーティクルが除去される。
【００６２】
また、この場合も、機能水による洗浄および超純水によるリンスは、スピン洗浄方式で行うのが好ましい。これにより、洗浄液の使用量を抑えながら、基板３３を効率よく洗浄することができる。
さらに、水素水による洗浄に際しては、他方の面に超純水によるリンスを行うのが好ましい。これにより、水素水が、基板の他方の面に接触するのが防止される。
【００６３】
なお、この機能水による洗浄は、スピン洗浄方式に限らず、バッチ式のバス式洗浄によって行うようにしてもよい。
また、この洗浄は、少なくとも基板３３のボロンドープ層１３を形成した面に行えばよく、この面のみに行ってもよく、この面と他方の面の両面に行っても構わない。
この水素水による洗浄では、アンモニアや塩酸を含有する洗浄液を使用する場合に比べて、薬液使用量および排水量が少なく、環境に対する影響が小さく抑えられる。また、機能水は、アンモニアに比べて濃度を一定に保ち易く、薬液管理を容易に行うことができる。
【００６４】
［７］エッチング保護膜の形成工程
次に、図４（ｆ）に示すように、基板３３のボロンドープ層１３の表面に、エッチング保護膜を形成する。
エッチング保護膜としては、ＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌ  Ｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｔｅｔｒａｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ：テトラエトキシシラン、珪酸エチル）膜、ＳｉＮ膜等が挙げられる。
【００６５】
例えば、ＴＥＯＳ膜は、ＴＥＯＳガスを反応ガスとして使用するプラズマＣＶＤによって成膜することができる。
プラズマＣＶＤによる成膜に際して、処理温度は、２５０〜４００℃であるのが好ましく、高周波出力は、５００〜１０００Ｗであるのが好ましく、圧力は、１０〜５０Ｐａであるのが好ましい。また、ガス流量は、ＴＥＯＳ液量が１０〜２００ｃｍ３／ｍｉｎ、酸素流量が５００〜２０００ｃｍ３／ｍｉｎであるのが好ましい。
また、成膜するＴＥＯＳ膜の厚さは、１μｍ以上であるのが好ましい。ＴＥＯＳ膜の膜厚が前記範囲より小さい場合には、保護膜としての効果が十分に得られず、エッチング中に欠陥が発生する可能性がある。
【００６６】
［８］凹部形成工程
次に、基板３３にエッチングを行い、吐出室５１およびリザーバ５３に対応する凹部３４１、３４２を形成する。
まず、基板３３を、３５重量％の水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液に浸漬する。これにより、基板３３の酸化膜１２１およびエッチング保護膜に覆われていない部分が、厚さ方向にエッチング（異方性エッチング）される。そして、図４（ｇ）に示すように、酸化膜１２１および絶縁膜１４によって覆われていない部分の厚さが約１０μｍとなったところでエッチングを停止する。
【００６７】
次に、基板３３を、３重量％の水酸化カリウム水溶液に浸漬する。これにより、基板３３の酸化膜１２１に覆われていない部分がさらにエッチングされ、ボロンドープ層１３が露出する。この時点で、エッチングレートが極端に低下するので、ほとんどエッチングが進行しなくなったところで、エッチングを停止する。これにより、図４（ｈ）に示すように、基板３３に、吐出室５１およびリザーバ５３に対応する凹部３４１、３４２が形成され、吐出室５１の底部に対応する部分が振動板３１となる。
【００６８】
このように、吐出室５１およびリザーバ５３の形成に際して、濃度の異なる２種類の水酸化カリウム水溶液を用いることによって、振動板３１の面荒れが抑制される。これにより、製造される液滴吐出ヘッド１の吐出性能を安定化することができる。
その後、基板３３をフッ化水素水溶液に浸漬し、図５（ｉ）に示すように、基板３３から、酸化膜１２１およびエッチング保護膜をエッチングし、除去する。
【００６９】
［９］第４の洗浄工程
次に、基板３３の両面を洗浄する。
この第４の洗浄工程では、第３の洗浄工程と同様にして、基板３３の両面の洗浄を、超音波を印加した機能水を使用して行い、その後、この両面を超純水を使用してリンスする。
【００７０】
これにより、前工程［７］、［８］において、基板３の表面に付着したパーティクルおよび金属不純物が除去される。
この機能水による洗浄では、アンモニアや塩酸を含有する洗浄液を使用する場合に比べて、薬液使用量および排水量が少なく、環境に対する影響が小さく抑えられる。また、機能水は、アンモニアに比べて濃度を一定に保ち易く、薬液管理を容易に行うことができる。
【００７１】
［１０］絶縁膜形成工程
次に、図５（ｊ）に示すように、基板３３の凹部３４１、３４２を形成した側の表面に、絶縁膜１５を形成する。
絶縁膜１５としては、ＴＥＯＳ（Ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌ  Ｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ  Ｔｅｔｒａｅｔｈｏｘｙｓｉｌａｎｅ：テトラエトキシシラン、珪酸エチル）膜、ＳｉＮ膜、Ａｌ２Ｏ３膜、ＳｉＯＮ膜等が挙げられる。
【００７２】
例えば、ＴＥＯＳ膜は、ＴＥＯＳガスを反応ガスとして使用するプラズマＣＶＤによって成膜することができる。
プラズマＣＶＤによる成膜に際して、処理温度は、３００〜５００℃であるのが好ましく、高周波出力は、１５０〜８００Ｗであるのが好ましく、圧力は、３０〜１００Ｐａであるのが好ましい。また、ガス流量は、ＴＥＯＳ液量が５０〜２００ｃｍ３／ｍｉｎ、酸素流量が５００〜２０００ｃｍ３／ｍｉｎであるのが好ましい。
また、成膜するＴＥＯＳ膜の厚さは、０．０５〜０．１μｍであるのが好ましい。ＴＥＯＳ膜の膜厚が前記範囲より小さい場合には、前述したような絶縁膜による効果が十分に得られない可能性がある。また、絶縁膜１５の膜厚を前記範囲より大きくすると、振動板を引き込むエネルギーが小さくなり、吐出性能が低下する。
【００７３】
続いて、形成されたＴＥＯＳ膜に、酸素プラズマ処理を施す。酸素プラズマ処理を施すことにより、表面がクリーニングされ、ＴＥＯＳ膜の絶縁耐性の均一性が向上する。
酸素プラズマ処理に際して、酸素流量は、５００〜２０００ｃｍ３／ｍｉｎであるのが好ましい。また、高周波出力は、１００〜７００Ｗであるのが好ましく、処理温度は、２００〜４００℃であるのが好ましく、処理時間は、０．５〜３分間であるのが好ましい。
以上のようにして、キャビティ基板３が得られる。
【００７４】
このようにして得られたキャビティ基板３を、予め作製しておいたノズル基板２および電極基板４と接合することにより、液滴吐出ヘッドを得ることができる。
具体的には、ノズル基板２を、基板３３の凹部３４１、３４２が形成された側の面に接着接合する。
また、電極基板４を、基板３３の振動板３１側の面に接合する。この接合は、電極基板４として硼珪酸ガラス等のガラス基板を使用した場合には陽極接合によって行い、また、電極基板４としてシリコン基板を使用した場合には直接接合によって行う。
以上の工程により液滴吐出ヘッド１が製造される。
【００７５】
以上説明したように、キャビティ基板３の製造方法では、第１の洗浄工程〜第４の洗浄工程を機能水により行っているので、アンモニアや塩酸を含有する洗浄液を使用する場合に比べて、薬液使用量および排水量が少なく、環境に対する影響が小さく抑えられる。また、機能水は、アンモニアに比べて濃度を一定に保ち易く、薬液管理を容易に行うことができる。
【００７６】
＜液滴吐出装置＞
前述したような液滴吐出ヘッドを備える液滴吐出装置を説明する。なお、以下の説明では、液滴吐出装置として、インクジェットプリンタを一例に説明する。
図７は、前述した液滴吐出ヘッドを備えるインクジェットプリンタ３００の実施形態を示す概略図である。なお、以下の説明では、図７中、上側を「上部」、下側を「下部」という。
【００７７】
図７に示すインクジェットプリンタ３００は、装置本体３０２を備えており、上部後方に記録用紙（記録媒体）Ｐを設置するトレイ３２１と、下部前方に記録用紙１１を排出する排紙口３２２と、上部面に操作パネル３０７とが設けられている。
操作パネル３０７は、例えば、有機ＥＬディスプレイ、液晶ディスプレイ、ＬＥＤランプ等で構成され、エラーメッセージ等を表示する表示部（図示せず）と、各種スイッチ等で構成される操作部（図示せず）とを備えている。
【００７８】
また、装置本体３０２の内部には、主に、往復動するヘッドユニット３０３を備える印刷装置（印刷手段）３０４と、記録用紙１１を１枚ずつ印刷装置３０４に送り込む給紙装置（給紙手段）３０５と、印刷装置３０４および給紙装置３０５を制御する制御部（制御手段）３０６と、各部に電力を供給する電源部（図示せず）とを有している。
制御部３０６の制御により、給紙装置３０５は、記録用紙１１を一枚ずつ間欠送りする。この記録用紙１１は、ヘッドユニット３０３の下部近傍を通過する。このとき、ヘッドユニット３０３が記録用紙Ｐの送り方向とほぼ直交する方向に往復移動して、記録用紙１１への印刷が行なわれる。すなわち、ヘッドユニット３０３の往復動と記録用紙１１の間欠送りとが、印刷における主走査および副走査となって、インクジェット方式の印刷が行なわれる。
【００７９】
印刷装置３０４は、ヘッドユニット３０３と、ヘッドユニット３０３の駆動源となるキャリッジモータ３０４Ａと、キャリッジモータ３０４Ａの回転を受けて、ヘッドユニット３０３を往復動させる往復動機構３０４Ｂとを備えている
ヘッドユニット３０３は、その下部に、本発明の液滴吐出ヘッド（インクジェットヘッド）１と、液滴吐出ヘッド１にインクを供給するインクカートリッジ３３１と、液滴吐出ヘッド１およびインクカートリッジ３３１を搭載したキャリッジ３３２とを有している。
【００８０】
なお、インクカートリッジ３３１として、イエロー、シアン、マゼンタ、ブラック（黒）の４色のインクを充填したものを用いることにより、フルカラー印刷が可能となる。この場合、ヘッドユニット３０３には、各色にそれぞれ対応した液滴吐出ヘッド１が設けられることになる。
往復動機構３０４Ｂは、その両端をフレーム（図示せず）に支持されたキャリッジガイド軸３０４Ｂ１と、キャリッジガイド軸３０４Ｂ１と平行に延在するタイミングベルト３０４Ｂ２とを有している。
【００８１】
キャリッジ３３２は、キャリッジガイド軸３０４Ｂ１に往復動自在に支持されるとともに、タイミングベルト３０４Ｂ２の一部に固定されている。
キャリッジモータ３０４Ａの動作により、プーリ（図示せず）を介してタイミングベルト３０４Ｂ２を正逆走行させると、キャリッジガイド軸３０４Ｂ１に案内されて、ヘッドユニット３０３が往復動する。そして、この往復動の際に、液滴吐出ヘッド１から適宜インクが吐出され、記録用紙１１への印刷が行われる。
【００８２】
給紙装置３０５は、その駆動源となる給紙モータ３５１と、給紙モータ３５１の作動により回転する給紙ローラ３５２とを有している。
給紙ローラ３５２は、記録用紙１１の送り経路（記録用紙１１）を挟んで上下に対向する従動ローラ３５２ａと駆動ローラ３５２ｂとで構成され、駆動ローラ３５２ｂは給紙モータ３５１に連結されている。これにより、給紙ローラ３５２は、トレイ３２１に設置した多数枚の記録用紙１１を、印刷装置３０４に向かって１枚ずつ送り込めるようになっている。なお、トレイ３２１に代えて、記録用紙１１を収容する給紙カセットを着脱自在に装着し得るような構成であってもよい。
【００８３】
制御部３０６は、例えばパーソナルコンピュータやディジタルカメラ等のホストコンピュータから入力された印刷データに基づいて、印刷装置３０４や給紙装置３０５等を制御することにより印刷を行うものである。
制御部３０６は、いずれも図示しないが、主に、各部を制御する制御プログラム等を記憶するメモリ、圧電素子（振動源）を駆動して、インクの吐出タイミングを制御する圧電素子駆動回路、印刷装置３０４（キャリッジモータ３０４Ａ）を駆動する駆動回路、給紙装置３０５（給紙モータ３５１）を駆動する駆動回路、ホストコンピュータからの印刷データを入手する通信回路、および、印刷データを処理するデータ処理回路と、これらに電気的に接続され、各部での各種制御を行うＣＰＵとを備えている。
【００８４】
また、ＣＰＵには、例えば、液滴吐出ヘッド１の周囲の環境条件（例えば、温度、湿度等）、インクの吐出状況、記録用紙（記録媒体）１１上の印刷状況、記録用紙１１の供給状態、記録用紙１１の印刷部位付近の雰囲気のインク溶媒濃度等を検出可能な各種センサが、それぞれ電気的に接続されている。
このようなインクジェットプリンタ３００では、まず、ＣＰＵが、通信回路を介して、印刷データを入手してメモリに格納する。次いで、データ処理回路は、この印刷データを処理する。次いで、ＣＰＵは、この処理データおよび各種センサの検出データに基づいて、各駆動回路にそれぞれ駆動信号を出力する。この駆動信号により印刷装置３０４および給紙装置３０５は、それぞれ作動する。これにより、記録用紙１１に印刷が行われる。
【実施例】
【００８５】
次に、本発明のキャビティ基板の製造方法の具体的実施例について説明する。
(実施例１)
まず、酸素濃度が１５×１０１７ａｔｍｓ／ｃｍ３以下のシリコン単結晶基板を用意した。
そして、このシリコン基板を図６に示すようなスピン洗浄装置にセットし、オゾン濃度１５ｐｐｍのオゾン水（温度２５℃）を吹き付けることによって、シリコン基板の片側面を５分間洗浄した。また、このオゾン水による洗浄と同時に、オゾン水による処理面とは反対側の面に、超純水を吹き付けることによって、リンスを行った。
これにより、シリコン基板のオゾン水によって処理した面には、約１ｎｍのＳｉ酸化膜が形成され、処理面に付着していた微粒子及び金属不純物がこのＳｉ酸化膜から取り込まれた。
【００８６】
次に、１０％のフッ化水素水溶液（温度２５℃）を吹き付けることによって、シリコン基板の片側面を１分間洗浄した。また、このフッ化水素水溶液による洗浄と同時に、フッ化水素水溶液による処理面とは反対側の面に、超純水を吹き付けることによって、リンスを行った。これにより、Ｓｉ酸化膜はエッチングされ、同時に微粒子及び金属不純物も除去された。
続いて、超純水リンスを吹き付けることによって、シリコン基板の片側面を１分間リンスした。
以上の工程によりシリコン基板を洗浄した。
【００８７】
このシリコン基板について、マイクロラフネスの測定と、パーティクルおよび金属不純物の観察を行ったところ、パーティクルおよび金属不純物はほとんど認められず、マイクロラフネスも良好であることがわかった。
また、この基板を使用して、前記工程［１］〜［１０］に準じてキャビティ基板を１００個製造した。その結果、いずれのキャビティ基板も、振動板に穴開き等が生じておらず、高い歩留まりが得られた。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】本発明の液滴吐出ヘッドを示す分解斜視図（一部断面図）である。
【図２】図１に示す液滴吐出ヘッドの縦断面図である。
【図３】本発明のキャビティ基板の製造方法を説明するための図（縦断面図）である。
【図４】本発明のキャビティ基板の製造方法を説明するための図（縦断面図）である。
【図５】本発明のキャビティ基板の製造方法を説明するための図（縦断面図）である。
【図６】スピン洗浄装置を示す模式図である。
【図７】本発明の液滴吐出装置の概略構成を示す図である。
【符号の説明】
【００８９】
１‥‥液滴吐出ヘッド  ２‥‥ノズル基板  ２１‥‥ノズル孔  ２１１‥‥大径部  ２１２‥‥小径部  ３‥‥キャビティ基板  ３１‥‥振動板  ３２‥‥共通電極  ３３‥‥基板  ３４１、３４２‥‥凹部  ４‥‥電極基板  ５‥‥空隙  ６‥‥インク液滴  ７‥‥リザーバ  ５１‥‥吐出室  ５２‥‥オリフィス  ５３‥‥リザーバ  ５４‥‥インク取込口  １０‥‥発信回路  １１‥‥記録用紙  １２、１２１、１２２‥‥酸化膜  １３‥‥ボロンドープ層  １４、１５‥‥絶縁膜  ８‥‥振動室  ９１‥‥個別電極  ９２‥‥リード部  ９３‥‥端子部  ２０‥‥スピン洗浄装置  ２１０‥‥上部のノズル  ２２０‥‥機能水  ２３０‥‥下部のノズル  ２４０‥‥超純水  ３００‥‥インクジェットプリンタ  ３０２‥‥装置本体  ３０３‥‥ヘッドユニット  ３０４‥‥印刷装置  ３０４Ａ‥‥キャリッジモータ  ３０４Ｂ‥‥往復動機構  ３０４Ｂ１‥‥キャリッジガイド軸  ３０４Ｂ２‥‥タイミングベルト  ３０５‥‥給紙装置  ３０６‥‥制御部  ３０７‥‥操作パネル  ３２１‥‥トレイ  ３２２‥‥排紙口  ３３１‥‥インクカートリッジ  ３３２‥‥キャリッジ  ３５１‥‥給紙モータ  ３５２‥‥給紙ローラ  ３５２ａ‥‥従動ローラ  ３５２ｂ‥‥駆動ローラ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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