(57)【要約】【課題】 本発明は、レーザー転写用ドナー基板及びこれを用いた有機電界発光素子の製造方法に関する。【解決手段】  レーザー熱転写用転写層で５００ないし７０，０００の分子量を持つ有機物質で形成することによって、均一な有機膜パターンを持つ有機電界発光素子の製造方法を提供する。また、大面積の画素領域を確保することができ、有機電界発光素子の生産性を向上させることができる有機電界発光素子の製造方法を提供する。【選択図】  図３Ｃ
2006062343.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材層と、
前記基材層上に形成された光-熱変換層と、
前記光-熱変換層上に形成された転写層と、を含み、
前記転写層は、５００ないし７０，０００の分子量を持つ有機物質からなることを特徴とする、レーザー転写用ドナー基板。
【請求項２】
前記転写層は、５００ないし４０，０００の分子量を持つ有機物質からなることを特徴とする、請求項１に記載のレーザー転写用ドナー基板。
【請求項３】
前記転写層は、ポリ[(9、9-ジオクチルプロレン-2、7-ジル)]、ポリ[(9、9-ジヘキシルプロレン-2、7-ジル)-co-(アントラセン-9、10-ジル)]、ポリ[(9、9-ジヘキシルプロレン-2、7-ジル)-co-(9、9-ジ-(5-フェニル)-N、N'-ジフェニル-4、4'-ジル-1、4-ジアミノベンゼン)]及びポリ[(9、9-ジヘキシルプロレン-2、7-ジル)-co-(9-エチルカバゾル-2、7-ジル)からなる群から選択される一つの物質からなることを特徴とする、請求項１に記載のレーザー転写用ドナー基板。
【請求項４】
前記基材層は、ポリエステル、ポリアクリル、ポリエポキシ、ポリエチレン、ポリプロフィレン及びポリスチレンからなる群から選択される1種の透明性高分子、又はガラス基板で形成されることを特徴とする、 請求項１に記載のレーザー転写用ドナー基板。
【請求項５】
前記光-熱変換層は、光吸収物質を含む有機膜、金属、前記金属の酸化物又は硫化物及びこれらの合金からなる群から選択される一つの物質からなることを特徴とする、請求項１に記載のレーザー転写用ドナー基板。
【請求項６】
前記レーザー転写用ドナー基板は、前記光-熱変換層上に中間層をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載のレーザー転写用ドナー基板。
【請求項７】
前記中間層は、ガス生成層、バッファー層及び金属薄膜層からなる群から一つ以上で形成されることを特徴とする、請求項６に記載のレーザー転写用ドナー基板。
【請求項８】
基材層が提供されているステップと、
前記基材層上に光-熱変換層を形成するステップと、
前記光-熱変換層上に転写層を形成するステップと、を含み、
前記転写層は、５００ないし７０，０００の分子量を持つ有機物質からなることを特徴とするレーザー転写用ドナー基板の製造方法。
【請求項９】
前記転写層は、５００ないし４０，０００以下の分子量を持つ有機物質からなることを特徴とする、請求項８に記載のレーザー転写用ドナー基板の製造方法。
【請求項１０】
前記有機物質は、溶媒に溶解され、又は分散されることを特徴とする、請求項８に記載のレーザー転写用ドナー基板の製造方法。
【請求項１１】
前記転写層は、ポリ[(9、9-ジオクチルプロレン-2、7-ジル)]、ポリ[(9、9-ジヘキシルプロレン-2、7-ジル)-co-(アントラセン-9、10-ジル)]、ポリ[(9、9-ジヘキシルプロレン-2、7-ジル)-co-(9、9-ジ-(5-フェニル)-N、N'-ジフェニル-4、4'-ジル-1、4-ジアミノベンゼン)]及びポリ[(9、9-ジヘキシルプロレン-2、7-ジル)-co-(9-エチルカバゾル-2、7-ジル)からなる群から選択される一つの物質からなることを特徴とする、 請求項８に記載のレーザー転写用ドナー基板の製造方法。
【請求項１２】
前記転写層は、スプレーコーティング方式、ディップコーティング方式、グラビアコーティング方式、ロールコーティング方式及びスピンコーティング方式の中、いずれかの方法を選択して形成することを特徴とする、 請求項８に記載のレーザー転写用ドナー基板の製造方法。
【請求項１３】
前記光-熱変換層は、金属膜である場合において、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法及びスパッタリング方法の中、いずれかの方法を使用し、又は有機膜である場合において、ロールコーティング、グラビア、圧出、スピン及びナイフコーティング方法の中、いずれかの方法で形成することを特徴とする、請求項８に記載のレーザー転写用ドナー基板の製造方法。
【請求項１４】
基板が提供されているステップと、
前記基板に第１電極を形成するステップと、
前記第１電極上にレーザー熱転写法により少なくとも発光層を含む有機膜層を形成するステップと、
前記有機膜層上に第２電極を形成するステップと、を含み、
前記有機膜層は、５００ないし７０，０００である分子量を持つ有機物質からなることを特徴とする、有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１５】
前記第１電極は、アノード電極、又はカソード電極であることを特徴とする、請求項１４に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１６】
前記有機膜層は、正孔注入層、正孔輸送層、正孔抑制層、電子輸送層及び電子注入層のうち、一つ以上をさらに含むことを特徴とする、 請求項１４に記載の有機電界発光素子の製造方法
【請求項１７】
前記発光層は、５００ないし４０，０００である分子量を持つ有機発光物質からなることを特徴とする、 請求項１４に記載の有機電界発光素子の製造方法。
【請求項１８】
第１電極を備えた基板と、
前記基板上に形成された少なくとも発光層を含む有機膜層と、
前記有機膜層上に形成された第２電極と、を含み、
前記有機膜層は、３μm以下のエッジ粗さを持つことを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項１９】
前記有機膜層は、５００ないし７０，０００以下の分子量を持つ有機物質からなることを特徴とする、 請求項１８に記載の有機電界発光素子。
【請求項２０】
前記有機膜層は、５００ないし４０，０００以下の分子量を持つ有機物質からなることを特徴とする、請求項１９に記載の有機電界発光素子。
【請求項２１】
前記第１電極は、アノード電極、又はカソード電極であることを特徴とする、 請求項１８に記載の有機電界発光素子。
【請求項２２】
前記有機膜層は、正孔注入層、正孔輸送層、正孔抑制層、電子輸送層及び電子注入層のうち、一つ以上をさらに含むことを特徴とする、 請求項１８に記載の有機電界発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザー転写用ドナー基板及びこれを用いた有機電界発光素子の製造方法に関し、より詳しくは、有機膜のパターン特性が向上し、製作が容易なレーザー転写用ドナー基板及びこれを用いた有機電界発光素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
今日、高度の情報化時代が到来するにつれて迅速で、且つ正確な情報を手中で得ようとする消費者の多くの要求があり、軽くて薄いため携帯するのに便利で、且つ情報処理速度が速いディスプレー装置についての開発が急速になされている。その中で有機電界発光素子は、有機発光層を含む有機膜に電圧を印加することによって、電子と正孔が有機発光層内で再結合して光を発生する自体発光型としてＬＣＤのようなバックライトが必要ないため、軽量薄型が可能なだけでなく工程を単純化させることができ、応答速度もまたＣＲＴと同じ水準であり、低電圧駆動、高い発光効率、広い視野各によって次世代ディスプレーとして急上昇している。
【０００３】
ここで、前記有機膜、特に有機発光層の材料によって低分子型有機電界発光素子と高分子型有機電界発光素子とに分けられる。
【０００４】
前記低分子型有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔抑制層、電子注入層等の機能が各々異なる多層の有機膜で形成されていて電荷等の蓄積が発生しないようにドーピングをしたり、適切なエネルギー準位を持つ物質に代わることによって調節が可能である。ここで、このような低分子型有機膜は、主に、真空蒸着により形成されるため、大型化されたディスプレーを具現するのに困難であった。
【０００５】
その反面、前記高分子型有機電界発光素子は、陽極と陰極との間に有機発光層からなる単層構造、又は正孔輸送層を含む二重構造からなることができるため、厚さが薄い層の有機電界発光素子を製造できる。また前記有機膜は、湿式コーティングにより形成されるため、常圧下でも製作することができ、生産工程の費用を節減することができるだけでなく、大面積化をなすのに容易である。
【０００６】
ここで、単色素子を製作する場合において、高分子を用いた有機電界発光素子は、スピンコーティング工程を用いて簡単に素子を製作できるが、低分子有機電界発光素子より効率と寿命とが落ちるという短所がある。また、フルカラー素子の場合、前記有機電界発光素子にＲ、Ｇ及びＢの三原色を表す発光層をパターニングすることによりフルカラーを具現できる。ここで、低分子型有機電界発光素子の有機膜パターニングは、シャドウマスクを用いた蒸着によりパターニングすることができ、高分子型有機電界発光素子の有機膜パターニングは、インクジェットプリンティング、又はレーザー熱転写法(Laser  Induced  Thermal  Imaging:LITI)によりなされることができる。この中でレーザー熱転写法は、スピンコーティング特性をそのままに利用することができるため、大面積化をなす際、ピクセル内部均一度が優れる。また、レーザー熱転写法は、湿式工程でなく乾燥式工程であるため、溶媒による寿命が低下される問題点を解決することができ、また前記有機膜を微細にパターニングすることができる。
【０００７】
前記レーザー熱転写法を適用するためには、基本的に光源、有機電界発光素子基板(以下、基板とする)及びドナー基板を必要とし、前記ドナー基板は、基材層、光-熱変換層及び転写層からなる。前記レーザー熱転写法は、光源で光が出てきてドナー基板の光-熱変換層へ吸収されて光が熱エネルギーに転換され、その転換された熱エネルギーにより転写層に形成された有機物質が基板へ転写されて形成される。
【０００８】
図１は、一般に、レーザーを用いて有機電界発光素子に使用される有機膜を転写パターニングする際の転写メカニズムを説明するための断面図である。
【０００９】
図１のように、一般のレーザーを用いて有機電界発光素子に使用される有機膜を転写パターニングする際の転写メカニズムは、基板Ｓ１に付いていた有機膜Ｓ２（１３）がレーザーの作用でＳ１から離れて出て基板Ｓ３に転写されてレーザーを受けない部分と分離されなければならない。
【００１０】
転写特性は、基板Ｓ１とフィルムＳ２との第１接着力Ｗ１２とフィルム間での粘着力Ｗ２２、そしてフィルムＳ２と基板Ｓ３との第２接着力Ｗ２３によって決まる。
【００１１】
このような第１、第２接着力と粘着力とを各層の表面張力γ1、γ2、γ3と界面張力γ12、γ23で表すと、下記式のように表される。
【００１２】
W12=γ1+γ2-γ12
W22=2γ2
W23=γ2+γ3-γ23
【００１３】
レーザー転写特性を向上させるためには、フィルム間での粘着力が各基板とフィルム間の接着力より小さくなければならない。
【００１４】
ここで、前記有機膜が低分子物質からなる場合には、前記第１及び第２接着力が粘着力より大きいため、ドナー基板１４から低分子物質が基板２０に容易に転写されるが、第１接着力が小さくてレーザーが照射出来ない部分が基板２０に転写される不良を起こすことができる。また、前記有機膜が高分子物質からなる場合において、高分子物質間の粘着力が大きいため、均一なパターンを形成するのに困難であった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明が解決ようとする技術的課題は、前記問題点を解決するために、有機膜パターン特性が向上することができる有機物質からなるレーザー熱転写用ドナー基板及びこれを用いた有機電界発光素子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
前記のような目的を達成するための本発明の構成は、
基材層と、
前記基材層上に形成された光-熱変換層と、
前記光-熱変換層上に形成された転写層と、を含み、
前記転写層は、５００ないし７０，０００の分子量を持つ有機物質からなることを特徴とするドナー基板を提供する。
【００１７】
また、本発明は、
基材層が提供されているステップと、
前記基材層上に光-熱変換層を形成するステップと、
前記光-熱変換層上に転写層を形成するステップと、を含み、
前記転写層は、５００ないし７０，０００の分子量を持つ有機物質からなることを特徴とするレーザー転写用ドナー基板の製造方法を提供する。
【００１８】
また、本発明は、
基板が提供されているステップと、
前記基板に第１電極を形成するステップと、
前記第１電極上にレーザー熱転写法により少なくとも発光層を含む有機膜層を形成するステップと、
前記有機膜層上に第２電極を形成するステップと、を含み、
前記有機膜層は、５００ないし７０，０００である分子量を持つ有機物質からなることを特徴とする有機電界発光素子の製造方法を提供する。
【００１９】
また本発明は、第１電極を備えた基板と、
前記基板上に形成された少なくとも発光層を含む有機膜層と、
前記有機膜層上に形成された第２電極を含み、
前記有機膜層は、３μm以下のエッジ粗さを持つことを特徴とする有機電界発光素子を提供する。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、５００ないし７０，０００の分子量を持つ有機物質をレーザー熱転写法により有機膜パターンを形成することによって、均一な有機膜パターンを形成することができ、大面積の画素領域を確保することができる有機電界発光素子を製造できる。
【００２１】
また、本発明は、均一な有機膜パターンを形成することによって、画質の品質を向上させることができ、さらに向上したフルカラーを支援できる有機電界発光素子を製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明をより一層詳細に説明する。
【００２３】
図２は、本発明の実施例に係るレーザー転写用ドナー基板の構造を示す断面図である。
【００２４】
図２のように、レーザー転写用ドナー基板３０は、基材層３１、光-熱変換層３２及び転写層３３が順次積層されている。
【００２５】
前記基材層３１上に照射されたレーザーが前記基材層を介して前記光-熱変換層３２に伝えられるため、前記基材層３１は、透明性の物質からなることが好ましい。例えば、前記基材層は、ポリエステル、ポリアクリル、ポリエポキシ、ポリエチレン及びポリスチレンからなる群から選択される一つ以上の高分子物質、又はガラス基板である。より好ましくは、前記基材層３１は、ポリエチレンテレフタルレートを用いることができる。
【００２６】
前記基材層３１上に形成される前記光-熱変換層３２は、赤外線-可視光線領域の光を吸収して前記光の一部分を熱に変換させる層であって、適当な光学密度(optical  density)を持つべきで、光を吸収するための光吸収性物質を含むことが好ましい。ここで、前記光-熱変換層３２は、Ａｌ、Ａg及びこれらの酸化物及び硫化物からなる金属膜、又はカーボンブラック、黒鉛又は赤外線染料を含む高分子からなる有機膜からなることができる。ここで、前記金属膜は、真空蒸着法、電子ビーム蒸着法又はスパッタリングを用いて形成することができ、前記有機膜は、一般的なフィルムコーティング方法として、ロールコーティング、グラビア、圧出、スピンコーティング及びナイフコーティング方法の中、いずれかの方法により形成されることができる。
【００２７】
前記光-熱変換層３２上に形成される前記転写層３３は、５００ないし７０，０００の分子量を持つ有機物質からなることが好ましい。ここで、前記転写層は、５００ないし４０，０００の分子量を持つ有機物質からなることがより好ましい。例えば、前記有機物質は、ポリ[(9、9-ジオクチルプロレン-2、7-ジル)]、ポリ[(9、9-ジヘキシルプロレン-2、7-ジル)-co-(アントラセン-9、10-ジル)]、ポリ[(9、9-ジヘキシルプロレン-2、7-ジル)-co-(9、9-ジ-(5-フェニル)-N、N'-ジフェニル-4、4'-ジル-1、4-ジアミノベンゼン)]及びポリ[(9、9-ジヘキシルプロレン-2、7-ジル)-co-(9-エチルカバゾル-2、7-ジル)からなる群から選択される一つの物質である。
【００２８】
前記有機物質は、溶媒に溶解性があり、または分散性を持つことが好ましい。これによって、前記転写層は、通常の湿式工程により形成することができる。ここで、前記湿式工程は、スプレーコーティング方式、ディップコーティング方式、グラビアコーティング方式、ロールコーティング方式及びスピンコーティング方式の中、いずれかの方法である。このとき、前記転写層を５００以下の分子量を持つ有機物質で形成すれば、湿式工程により転写層がよく形成されない。
【００２９】
前記光-熱変換層３２と転写層３３との間に転写特性を向上させるために、中間層３４をさらに含むことができる。ここで、前記中間層３４は、ガス生成層、バッファー層及び金属反射膜のうち、一つ以上をさらに含むことができる。
【００３０】
前記ガス生成層は、光又は熱を吸収すれば、分解反応を起こして窒素ガスや水素ガス等を放出することによって、転写エネルギーを提供する役割をし、四硝酸ペンタエリトリット又はトリニトロトルエン等からなる。
【００３１】
前記バッファー層は、光-熱吸水性物質が後続工程で形成される転写層の汚染又は損傷させることを防止し、転写層との接着力を制御して転写パターン特性を向上させる役割をする。ここで、前記バッファー層は、金属酸化物、非金属無機化合物又は不活性高分子からなることができる。
【００３２】
前記金属反射膜は、ドナー基板の基材層に照射されたレーザーを反射させることによって光-熱変換層により多くのエネルギーが伝達されるようにする役割だけでなく、ガス生成層が導入される場合において、前記ガス生成層から発生されるガスが転写層に浸透することを防止する役割をする。
【００３３】
一方、図３ａ乃至図３ｃは、本発明の実施例に係る有機電界発光素子を製造する工程を説明するための断面図である。
【００３４】
図３ａのように、絶縁基板１０１を提供し、前記絶縁基板上に第１電極１０２をパターニングして形成する。
【００３５】
ここで、前記第１電極１０２は、アノード電極又はカソード電極である。前記第１電極１０２がアノードの場合、仕事関数が高い金属としてＩＴＯ又はＩＺＯからなる透明電極、又はＰｔ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ及びこれらの合金からなる群から選択された反射電極である。また、前記第１電極１０２がカソードの場合、仕事関数が低い金属としてＭg、Ｃa、Ａｌ、Ａg、Ｂａ及びこれらの合金からなる群から選択するが、薄い厚さを持つ透明電極、又は厚い反射電極である。
【００３６】
次に、Ｒ、Ｇ、Ｂ画素領域を定義する画素定義膜１０３を形成して基板１００を製造する。
【００３７】
ただ、図３ａは、有機電界発光素子の一つの負画素が示すもので、前記のような負画素がいくつか整列されていることができ、ここで、示されていないが、前記基板１００は、多数の薄膜トランジスターと絶縁膜を含むことができる。
【００３８】
一方、基材層３１上に光-熱変換層３２及び転写層３３を順次積層してドナー基板３０を製造する。ここで、前記転写層は、５００ないし７０，０００の分子量を持つ有機物質を用いて一般の湿式工程により形成できる。前記有機物質は、５００ないし４０，０００の分子量を持つことがより好ましい。
【００３９】
ここで、前記有機物質は、ポリ[(9、9-ジオクチルプロレン-2、7-ジル)]、ポリ[(9、9-ジヘキシルプロレン-2、7-ジル)-co-(アントラセン-9、10-ジル)]、ポリ[(9、9-ジヘキシルプロレン-2、7-ジル)-co-(9、9-ジ-(5-フェニル)-N、N'-ジフェニル-4、4'-ジル-1、4-ジアミノベンゼン)]及びポリ[(9、9-ジヘキシルプロレン-2、7-ジル)-co-(9-エチルカバゾル-2、7-ジル)からなる群から選択される一つの物質である。また、前記有機物質は、一般的な有機溶媒に可溶性、または分散できる物質であることが好ましい。
【００４０】
以後、前記基板１００の画素領域とドナー基板の転写層３３を互いに対向するようにアライン (align)した後に、前記ドナー基板の基材層面に転写しようとする領域にレーザーを照射する。
【００４１】
次に、図３bのように、前記基板の画素領域に転写層の所定部分、すなわち、レーザー照射領域の転写層３３’が転写される。以後、転写層が一部消滅された前記ドナー基板３０’を除去することによつて、有機電界発光素子の有機発光層パターン３３’を形成できる。
【００４２】
ここで、前記のような方法でそれぞれのＲ(red)、Ｇ(green)、Ｂ(blue)画素領域にそれぞれのＲ、Ｇ、Ｂ有機発光物質を持つドナー基板を用いてレーザーを照射してＲ、Ｇ、Ｂの有機発光層パターンを形成することによって、フルカラー有機電界発光素子を製造できる。
【００４３】
また、前記第１電極がアノード電極である場合において、前記有機発光層パターンを形成する前に第１電極上に正孔注入層及び/又は正孔輸送層をさらに含むことができる。そして、前記有機発光層上に電子輸送層及び/又は電子注入層をさらに含むことができる。
【００４４】
これと違い、前記第１電極がカソード電極である場合において、前記有機発光層パターンを形成する前に第１電極上に電子注入層及び/又は電子輸送層をさらに含むことができる。そして前記有機発光層上に正孔抑制層及び/又は正孔注入層及び/又は正孔輸送層をさらに含むことができる。
【００４５】
ここで、前記正孔注入層は、アノード電極上に位置し、前記アノード電極と界面接着力が高くて、イオン化エネルギーが低い材料で正孔注入層を形成することによって正孔注入を容易にして素子の寿命を増加させることができる。前記正孔注入層は、アリルアミン系化合物、ポルフィリン系金属錯体及びスターバスト型アミン類などからなることができる。より詳細には、4、4'、4"-トリス(3-メチルフェニルアミノ)トリフェチルアミノ(m-MTDATA)、1、3、5-トリス[4-(3-メチルフェニルアミノ)フェニル]ベンゼン(m-MTDATB)及びプタロシアニン銅(CuPc）等からなることができる。
【００４６】
前記正孔輸送層は、正孔を容易に発光層に運搬させるだけでなく、前記第２電極から発生した電子を発光領域へ移動されることを抑制させることによって、発光効率を高めることができる役割をする。前記正孔輸送層は、アリルレンジアミン誘導体、スターバスト型化合物、スピロ基を持つノンフェニルジアミン誘導体及び梯形化合物等からなることができる。より詳細には、N、N-ジフェニル-N、N'-ビス(4-メチルフェニル)-1、1'-バイフェニル-4、4'-ジアミン(TPD)、又は4、4'-ビス[N-(1-ナフチル)-N-フェニルアミノ]ノンフェニル(NPB)である。
【００４７】
前記正孔抑制層は、有機発光層内で電子移動度より正孔移動度が大きくて三重項状態の寿命が長いために、発光層で形成される励起子が広い領域にかけて分布するために、発光効率が落ちることを防止する役割をする。前記正孔抑制層は、2-ノンフェニル-4-1-5-(4-t-ブチルフェニル)-1、3、4-オキシジアゾール(PBD)、spiro-PBD及び3-(4'-tert-ブチルフェニル)-4-フェニル-5-(4'-ノンフェニル)-1、2、4-トリアゾール(TAZ）からなる群から選択される一つの物質からなることができる。
【００４８】
前記電子輸送層は、前記有機発光層上に積層されて電子がよく受け入れることができる金属化合物からなり、カソード電極から供給された電子を安定に輸送できる特性が優れた8-ハイドロキノリンアルミニウム塩(Alq3）からなることができる。
【００４９】
ここで、前記のような有機発光層以外の有機膜は、スピンコーティングや蒸着法により形成されることができる。もう一つの方法では前記ドナー基板の転写層を有機発光層と前記有機膜のうち、一つ以上の層を積層してレーザー転写の際、有機発光層と同時に転写させることによって形成することができる。
【００５０】
以後、図３ｃのように、前記少なくとも有機発光層を含む有機膜上に第２電極１０４を形成する。ここで、第２電極は、アノード電極又はカソード電極である。
【００５１】
前記第２電極１０４がアノードである場合において、仕事関数が高い金属として、ＩＴＯ又はＩＺＯからなる透明電極やＰｔ、Ａｕ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｍｇ、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ及びこれらの合金からなる反射電極である。
【００５２】
前記第２電極１０４がカソードである場合において、前記有機膜２７０上に形成されて仕事関数が低い導電性の金属としてＭg、Ｃa、Ａｌ、Ａg及びこれらの合金からなる群から選択される一つの物質として薄い厚さを持つ透明電極、又は厚い厚さを持つ反射電極で形成される。
【００５３】
次に、上部メタルカンのような封止材で密封することによって、有機電界発光素子を製造することができる。
【００５４】
図４は、エッジ粗さ(edge  roughness）の定義を説明するために示すもので、レーザー熱転写法により形成された有機膜パターンを平面で見た図面である。
【００５５】
図４のように、前記エッジ粗さｄは、均一なエッジを基準面１とし、基準面で最小の地点２から最大の地点３までの距離を意味する。ここで、エッジ粗さの値が小さいほど均一な有機膜パターンを形成する。
【００５６】
図５は、転写層材料の分子量による有機膜パターンのエッジ粗さ(edge  roughness)についての図面である。
【００５７】
図５のように、転写層材料の分子量が増加することによって、エッジ粗さの数値が増加することが分かる。ここで、転写層材料の分子量が７０，０００以下であるとき、エッジ粗さの数値が３μmでパターンが均一に形成されることが分かる。また、転写層材料の分子量が４０，０００以下であるとき、エッジ粗さの数値が２μm以下でパターンの均一性がより向上することが分かる。
【００５８】
図６a及び６ｂは、有機膜パターンのマイクロスコープ図である。
【００５９】
図６aのように、有機物質の分子量が１５０,０００であるとき、有機膜パターンのエッジ粗さが８.３μmであり、有機膜パターンのエッジ部分が不均一に形成されるのを確認することができる。また、図６ｂのように、有機物質の分子量が８０,０００であるとき 、有機膜パターンのエッジ粗さは、３.９μmであり、有機膜パターンのエッジ部分が１５０,０００の分子量を持つ有機物質より均一に形成されることが分かる。これによって、有機物質の分子量が７０，０００以上である場合において、分子量が増加することによってエッジ粗さが増加し、有機膜パターンが不均一に形成されることを確認することができた。
【００６０】
前述のように、転写層を形成する有機物質の分子量が大きくなれば、分子間の凝集エネルギー(cohesive  energy)が増加するようになり、これと共に分子間の粘着力が増加するようになるので、パターンが不均一に発生することができる。また、前記転写層を形成する有機物質の分子量があまり小さくなれば、転写層形成の際、湿式工程により製造することが困難なものだけでなく、レーザー転写工程の際、基板とドナー基板との転写層の接着力が小さいために、レーザーが照射出来ない部分がドナー基板と脱着されていないため、むしろ、基板に残る不良を起こすことができる。これによって、転写層を形成する有機物質の分子量は、５００ないし７０，０００であることが好ましく、前記転写層を形成する有機物質の分子量は、５００ないし４０，０００を持つことがより一層好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】一般に、レーザーを用いて有機電界発光素子に使用される有機膜を転写パターニングする際の転写メカニズムを説明するための断面図である。
【図２】本発明の実施例に係るレーザー転写用ドナー基板の構造を示す断面図である。
【図３Ａ】本発明の実施例に係る有機電界発光素子を製造する工程を説明するための断面図である。
【図３Ｂ】本発明の実施例に係る有機電界発光素子を製造する工程を説明するための断面図である。
【図３Ｃ】本発明の実施例に係る有機電界発光素子を製造する工程を説明するための断面図である。
【図４】エッジ粗さ(edge  roughness）の定義を説明するために示すもので、レーザー熱転写法により形成されたパターンを平面で見た図面である。
【図５】転写層材料の分子量による有機膜パターンのエッジ粗さ(edge  roughness)に対する図面である。
【図６Ａ】有機膜パターンのマイクロスコープ図である。
【図６Ｂ】有機膜パターンのマイクロスコープ図である。
【符号の説明】
【００６２】
３０    ドナー基板
３１    基材層
３２    光-熱変換層
３３    転写層
３３'   有機発光層パターン
１００  基板
１０１  絶縁基板
１０２  第１電極
３４'   有機発光層パターン
１０４  第２電極
【図１】
2006062343.tif 000003
【図２】
2006062343.tif 000004
【図３Ａ】
2006062343.tif 000005
【図３Ｂ】
2006062343.tif 000006
【図３Ｃ】
2006062343.tif 000007
【図４】
2006062343.tif 000008
【図５】
2006062343.tif 000009
【図６Ａ】
2006062343.tif 000010
【図６Ｂ】
2006062343.tif 000011