(57)【要約】【解決手段】  レジストを用いたリソグラフィー工程において用いるリンス液であって、水溶性ポリマーを含有するリンス液、及びこれを用いたレジストパターン形成方法。【効果】  本発明によれば、各種放射線（紫外線、遠紫外線、真空紫外線、電子線、Ｘ線、エキシマレーザー等の各種レーザー光）に感光するレジスト材料を用いたリソグラフィー工程においてレジスト不溶性成分の発生、付着を防止できると共に、レジスト不溶性成分が付着してしまった場合にあっても効果的に除去することができ、これにより、半導体ＬＳＩ等の半導体集積回路製造におけるレジストを用いたリソグラフィー工程において、レジスト上や基板上で起こり得るレジスト不溶性成分に起因する欠陥による歩留まり低下を可及的に防止することができる。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
レジストを用いたリソグラフィー工程において用いるリンス液であって、水溶性ポリマーを含有することを特徴とするリンス液。
【請求項２】
上記水溶性ポリマーが、Ｎ−ビニルピロリドン単独重合体、Ｎ−ビニルピロリドンとＮ−ビニルピロリドン以外のビニル系モノマーとの共重合体、ポリビニルアルコール、ビニルアルコールとビニルアルコール以外のビニル系モノマーとの共重合体、ポリ（メタ）アクリル酸又は多糖類であることを特徴とする請求項１記載のリンス液。
【請求項３】
更に、界面活性剤を含有することを特徴とする請求項１又は２記載のリンス液。
【請求項４】
上記界面活性剤がフルオロアルカンスルホン酸誘導体又はアルカンスルホン酸誘導体であることを特徴とする請求項３記載のリンス液。
【請求項５】
（ａ）基板上にレジスト材料を塗布してレジスト膜を形成する工程と、
（ｂ）上記レジスト膜をプリベークする工程と、
（ｃ）プリベークされた上記レジスト膜に対してパターン露光を行う工程と、
（ｄ）パターン露光された上記レジスト膜をポストエクスポージャーベークする工程と、
（ｅ）ポストエクスポージャーベークされた上記レジスト膜をアルカリ水溶液で現像する工程と、
（ｆ）現像された上記レジスト膜を、請求項１乃至４のいずれか１項記載のリンス液を用いてリンスし、更に、純水でリンスする工程
とを有することを特徴とするレジストパターン形成方法。
【請求項６】
（ａ）基板上にレジスト材料を塗布してレジスト膜を形成する工程と、
（ｂ）上記レジスト膜をプリベークする工程と、
（ｃ）プリベークされた上記レジスト膜に対してパターン露光を行う工程と、
（ｄ）パターン露光された上記レジスト膜をポストエクスポージャーベークする工程と、
（ｅ）ポストエクスポージャーベークされた上記レジスト膜をアルカリ水溶液で現像する工程と、
（ｇ）現像された上記レジスト膜を純水リンス後、請求項１乃至４のいずれか１項記載のリンス液を用いてリンスし、更に、純水でリンスする工程
とを有することを特徴とするレジストパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種放射線（紫外線、遠紫外線、真空紫外線、電子線、Ｘ線、エキシマレーザー等の各種レーザー光）に感光するレジスト材料を用いたリソグラフィー工程において発生するレジスト不溶性成分を効果的に除去することができるリンス液、及びこれを使用してレジストパターンを形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路は集積化が進んで大規模集積回路（ＬＳＩ）や超大規模集積回路（ＶＬＳＩ）が実用化されており、また、これと共に、集積回路の最少パターンはサブミクロン領域に及び、今後更に微細化する傾向にある。微細パターンの形成には、薄膜を形成した被処理基板上をレジストで被覆し、選択露光を行って所望パターンの潜像を形成した後に、現像してレジストパターンを作り、これをマスクとしてドライエッチングを行い、その後にレジストを除去することにより所望のパターンを得るリソグラフィー技術の使用が必須である。
【０００３】
このリソグラフィー技術において使用される露光光源として、パターンの微細化に伴い、より波長の短い遠紫外線光、真空紫外線光、電子線（ＥＢ）、Ｘ線などが光源として使用されるようになってきている。特に最近では、エキシマレーザー（波長２４８ｎｍのＫｒＦレーザー、波長１９３ｎｍのＡｒＦレーザー）又は波長１５７ｎｍのＦ2レーザーが露光光源として注目されており、微細パターンの形成に有効であると期待されている。
【０００４】
このような点から近年開発された酸を触媒とした化学増幅型レジスト材料（特公平２−２７６６０号公報（特許文献１）、特開昭６３−２７８２９号公報（特許文献２）、米国特許第４，４９１，６２８号明細書（特許文献３）、同第５，３１０，６１９号明細書（特許文献４）参照）は、感度、解像性、ドライエッチング耐性が高く、優れた特徴を有した遠紫外線リソグラフィーに特に有望なレジスト材料である。
【０００５】
より短波長である真空紫外領域の露光光を用いてサブミクロンパターンを形成するレジスト材料に用いられる重合体又は共重合体としては、例えば、エステル部にアダマンタン骨格及び酸により脱離する保護基を有するアクリル酸エステル又はα置換アクリル酸エステルの重合体又は共重合体（特開平４−３９６６５号公報（特許文献５）参照）、エステル部にノルボルナン骨格及び酸により脱離する保護基を有するアクリル酸エステル又はα置換アクリル酸エステルの重合体又は共重合体（特開平５−２５７２８１号公報（特許文献６）参照）等数多くの重合体及び共重合体が提案されている。
【０００６】
しかしながら、パターンが微細化するにつれ、アルカリ水溶液現像−純水リンス後のレジスト不溶性成分起因の残渣によって生ずる、所謂欠陥による歩留まり低下が問題視され、この問題を解決する手法として、不溶性成分の発生が少ないレジスト材の開発はもちろんのこと、発生してしまったレジスト不溶性成分をリソグラフィー工程で効率よく除去するための有効な手法が求められている。
【特許文献１】特公平２−２７６６０号公報
【特許文献２】特開昭６３−２７８２９号公報
【特許文献３】米国特許第４，４９１，６２８号明細書
【特許文献４】米国特許第５，３１０，６１９号明細書
【特許文献５】特開平４−３９６６５号公報
【特許文献６】特開平５−２５７２８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、各種放射線に感光するレジスト材料を用いたリソグラフィー工程において発生するレジスト不溶性成分を効果的に除去することができるリンス液、及びこれを使用してレジストパターンを形成する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、アルカリ水溶液現像によって溶解されたレジスト材料（ポジ型の場合は露光部分のレジスト膜、ネガ型の場合は未露光部分のレジスト膜）が、純水リンス時に不溶化し、凝集して、形成されたレジストパターン（ポジ型の場合は未露光部分のレジスト膜、ネガ型の場合は露光部分のレジスト膜）への上面、側壁に、更には基板部分に付着して異物となり、この異物が所謂欠陥となって歩留まりの低下を引き起こしていることを見出した。
【０００９】
そして、更に検討を重ねた結果、水溶性ポリマーを含有するリンス液、特に、この水溶性ポリマーとしてＮ−ビニルピロリドン単独重合体、Ｎ−ビニルピロリドンとＮ−ビニルピロリドン以外のビニル系モノマーとの共重合体、ポリビニルアルコール、ビニルアルコールとビニルアルコール以外のビニル系モノマーとの共重合体、ポリ（メタ）アクリル酸又は多糖類を含むリンス液を、従来、リンスに用いられていた純水に代えて用いることによって、レジスト材料の不溶化、凝集を抑えると共に、レジスト不溶性成分が生成してしまった場合でも、その付着を抑制すること、更には、付着してしまったレジスト不溶性成分をも効果的に剥離することができ、欠陥による歩留まり低下を可及的に防止できることを見出し、本発明をなすに至った。
【００１０】
従って、本発明は、下記のリンス液及びレジストパターン形成方法を提供する。
請求項１：
レジストを用いたリソグラフィー工程において用いるリンス液であって、水溶性ポリマーを含有することを特徴とするリンス液。
請求項２：
上記水溶性ポリマーが、Ｎ−ビニルピロリドン単独重合体、Ｎ−ビニルピロリドンとＮ−ビニルピロリドン以外のビニル系モノマーとの共重合体、ポリビニルアルコール、ビニルアルコールとビニルアルコール以外のビニル系モノマーとの共重合体、ポリ（メタ）アクリル酸又は多糖類であることを特徴とする請求項１記載のリンス液。
請求項３：
更に、界面活性剤を含有することを特徴とする請求項１又は２記載のリンス液。
請求項４：
上記界面活性剤がフルオロアルカンスルホン酸誘導体又はアルカンスルホン酸誘導体であることを特徴とする請求項３記載のリンス液。
請求項５：
（ａ）基板上にレジスト材料を塗布してレジスト膜を形成する工程と、
（ｂ）上記レジスト膜をプリベークする工程と、
（ｃ）プリベークされた上記レジスト膜に対してパターン露光を行う工程と、
（ｄ）パターン露光された上記レジスト膜をポストエクスポージャーベークする工程と、
（ｅ）ポストエクスポージャーベークされた上記レジスト膜をアルカリ水溶液で現像する工程と、
（ｆ）現像された上記レジスト膜を、請求項１乃至４のいずれか１項記載のリンス液を用いてリンスし、更に、純水でリンスする工程
とを有することを特徴とするレジストパターン形成方法。
請求項６：
（ａ）基板上にレジスト材料を塗布してレジスト膜を形成する工程と、
（ｂ）上記レジスト膜をプリベークする工程と、
（ｃ）プリベークされた上記レジスト膜に対してパターン露光を行う工程と、
（ｄ）パターン露光された上記レジスト膜をポストエクスポージャーベークする工程と、
（ｅ）ポストエクスポージャーベークされた上記レジスト膜をアルカリ水溶液で現像する工程と、
（ｇ）現像された上記レジスト膜を純水リンス後、請求項１乃至４のいずれか１項記載のリンス液を用いてリンスし、更に、純水でリンスする工程
とを有することを特徴とするレジストパターン形成方法。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、各種放射線（紫外線、遠紫外線、真空紫外線、電子線、Ｘ線、エキシマレーザー等の各種レーザー光）に感光するレジスト材料を用いたリソグラフィー工程においてレジスト不溶性成分の発生、付着を防止できると共に、レジスト不溶性成分が付着してしまった場合にあっても効果的に除去することができ、これにより、半導体ＬＳＩ等の半導体集積回路製造におけるレジストを用いたリソグラフィー工程において、レジスト上や基板上で起こり得るレジスト不溶性成分に起因する欠陥による歩留まり低下を可及的に防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明につき更に詳しく説明する。
本発明のリンス液は、レジストを用いたリソグラフィー工程において用いるリンス液であって、水溶性ポリマーを含有するものである。この水溶性ポリマーとしては、Ｎ−ビニルピロリドン単独重合体、Ｎ−ビニルピロリドンとＮ−ビニルピロリドン以外のビニル系モノマーとの共重合体、ポリビニルアルコール、ビニルアルコールとビニルアルコール以外のビニル系モノマーとの共重合体、ポリ（メタ）アクリル酸又は多糖類などが好適である。特に、Ｎ−ビニルピロリドン単独重合体又はＮ−ビニルピロリドンとＮ−ビニルピロリドン以外のビニル系モノマーとの共重合体が好ましい。
【００１３】
上記Ｎ−ビニルピロリドンとＮ−ビニルピロリドン以外のビニル系モノマーとの共重合体として具体的には、Ｎ−ビニルピロリドン／酢酸ビニル共重合体、Ｎ−ビニルピロリドン／ビニルアルコール共重合体、Ｎ−ビニルピロリドン／アクリル酸共重合体、Ｎ−ビニルピロリドン／アクリル酸メチル共重合体、Ｎ−ビニルピロリドン／メタクリル酸共重合体、Ｎ−ビニルピロリドン／メタクリル酸メチル共重合体、Ｎ−ビニルピロリドン／マレイン酸共重合体、Ｎ−ビニルピロリドン／マレイン酸ジメチル共重合体、Ｎ−ビニルピロリドン／無水マレイン酸共重合体、Ｎ−ビニルピロリドン／イタコン酸共重合体、Ｎ−ビニルピロリドン／イタコン酸メチル共重合体、Ｎ−ビニルピロリドン／無水イタコン酸共重合体などが挙げられるが、特に、Ｎ−ビニルピロリドン／酢酸ビニル共重合体が好ましい。
【００１４】
また、ビニルアルコールとビニルアルコール以外のビニル系モノマーとの共重合体としては、ビニルアルコール／アクリル酸共重合体、ビニルアルコール／アクリル酸メチル共重合体、ビニルアルコール／メタクリル酸共重合体、ビニルアルコール／メタクリル酸メチル共重合体、ビニルアルコール／マレイン酸共重合体、ビニルアルコール／マレイン酸ジメチル共重合体、ビニルアルコール／無水マレイン酸共重合体、ビニルアルコール／イタコン酸共重合体、ビニルアルコール／イタコン酸メチル共重合体、ビニルアルコール／無水イタコン酸共重合体、ビニルアルコール／酢酸ビニル共重合体（即ち、酢酸ビニルの部分けん化物）など、多糖類としては、メチルセルロース、メチルセルロースヒドロキシプロピルメチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース等のセルロースエーテル類、プルランなどが好ましく例示される。水溶性ポリマーは１種単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００１５】
本発明のリンス液には、更に、界面活性剤を加えてもよい。この界面活性剤として好ましくは、フルオロアルカンスルホン酸誘導体又はアルカンスルホン酸誘導体が挙げられ、これらは、フルオロアルカンスルホン酸、アルカンスルホン酸そのものでも、これらが窒素化合物と塩を形成したものでもよい。
【００１６】
特に、本発明のリンス液材料は前記水溶性ポリマーとの相溶性に優れる炭素数４以上１０以下のフルオロアルカンスルホン酸を含むものが好ましい。フルオロアルカンスルホン酸としては、フルオロアルキル基が直鎖状、分岐状、環状のいずれであってもよく、フルオロアルキル基を構成する炭素原子に結合する水素原子の少なくとも１つがフッ素原子で置換されていればよいが、好ましくは全ての水素原子がフッ素原子で置換されているか又は１つだけ水素原子が残っているものが好ましい。フルオロアルカンスルホン酸は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。このようなフルオロアルカンスルホン酸として具体的には、例えば、パーフルオロオクタンスルホン酸［（株）ジェムコ社製］が好ましく使用できる。
【００１７】
本発明のリンス液においては、水溶性ポリマーを固形分として（界面活性剤を添加する場合は水溶性ポリマー及び界面活性剤を固形分として）、リンス液中固形分濃度が０．５〜３０質量％、特に１〜１５質量％であることが望ましい。これは、０．５質量％に満たないとレジスト残渣を十分に除去できなくなる場合があり、３０質量％を超えると粘度が高くなって本発明のリンス液の吐出工程の際の負荷が大きくなる場合があるからである。
【００１８】
また、界面活性剤は、この場合、水溶性ポリマー及び界面活性剤からなる固形分中の水溶性ポリマーと界面活性剤とが、水溶性ポリマーを２０質量％以上、特に３０〜６０質量％、界面活性剤を８０質量％以下、特に４０〜７０質量％となるように配合すること、即ち、水溶性ポリマーと界面活性剤との質量比が２０：８０、好ましくは３０：７０から、１００：０、好ましくは６０：４０の範囲内となるように配合することが好ましい。水溶性ポリマーの配合量が２０質量％に満たないと相溶性が悪くなる場合がある。
【００１９】
本発明のリンス液において、上述した界面活性剤を添加した場合には、更に、ｐＨ調整剤として塩基性化合物を添加することも可能である。この塩基性化合物としてはアミン誘導体が好ましく、特に炭素数１０以下のアルカノールアミンが好ましい。中でも、界面活性剤として炭素数４以上１０以下のフルオロアルカンスルホン酸を含むもの、及び界面活性剤として炭素数１０以下のアルカノールアミンを組み合わせて用いることが特に好適である。
【００２０】
アルカノールアミンとしては、例えばエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、３−クイヌクリジオール、トロピン、１−メチル−２−ピロリジンエタノール、１−メチル−３−ピロリジノール、１−（２−ヒドロキシエチル）−２−ピロリジン、３−ピペリジノ−１，２−プロパンジオール、３−ピロリジノ−１，２−プロパンジオール、２，２−ビス（ヒドロキシメチル）−２，２’，２”−ニトリロトリエタノールなどが挙げられる。特にエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、３−ピペリジノ−１，２−プロパンジオール、３−ピロリジノ−１，２−プロパンジオール、２，２−ビス（ヒドロキシメチル）−２，２’，２”−ニトリロトリエタノールが好ましく使用できる。アルカノールアミンは、１種単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００２１】
また、塩基性化合物を用いる場合、その配合量は上記界面活性剤に対して１５０ｍｏｌ％以下、特に２０〜１２０ｍｏｌ％添加することが好ましい。これは添加量が１５０ｍｏｌ％を超えるとレジスト残渣を除去できなくなる場合があるからである。更に、塩基性化合物として炭素数１０以下のアルカノールアミンを用いる場合、その配合量は界面活性剤に対して１０〜５０ｍｏｌ％が特に好適である。
【００２２】
本発明のリンス液には、更に、リンス液の表面張力を下げると共に、消泡性にも優れるアミド誘導体を添加することも好適である。このアミド誘導体としては、炭素数８以下のアミド誘導体が好ましい。これによりリンス液を、回転しているウエハー上に吐出するのに好適なものとすることができる。
【００２３】
アミド誘導体としては、ホルムアミド、アセトアミド、プロピオンアミド、イソブチルアミド、ヘキサンアミド、スクシンアミド、スクシンイミド、２−ピロリジノン、δ−バレロラクタム、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ−エチルアセトアミド、Ｎ−メチルサクシンイミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、１−メチル−２−ピロリジノン、１−メチル−２−ピペリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジメチル−２，４，６−（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）−ピリミジントリオン等が挙げられる。特に、２−ピロリジノン、Ｎ−メチルサクシンイミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、１−メチル−２−ピロリジノン、１−メチル−２−ピペリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノンが好ましく使用できる。アミド誘導体は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００２４】
アミド誘導体の配合量は上記水溶性ポリマーに対して好ましくは１０質量％以下、特に０．５〜５質量％とすることが好ましい。これは、アミド誘導体の配合量が１０質量％を超えるとレジストパターンの形状を変化させてしまうおそれがあるためである。
【００２５】
なお、本発明のリンス液は、レジストを用いたリソグラフィー工程において用いるものであるが、特に、酸を触媒としたポジ型又はネガ型の化学増幅型レジスト、例えば、エステル部にアダマンタン骨格及び酸により脱離する保護基を有するアクリル酸エステル又はα置換アクリル酸エステルの重合体又は共重合体、エステル部にノルボルナン骨格及び酸により脱離する保護基を有するアクリル酸エステル又はα置換アクリル酸エステルの重合体又は共重合体、シクロヘキシルマレイミドの重合体又は共重合体、セルロース骨格を主鎖に含み該主鎖が酸により開裂を起こす高分子化合物、ポリビニルアルコール又はポリビニルアルコールの誘導体などのレジストを用いたリソグラフィー工程において用いるリンス液、特に、アルカリ水溶液によるレジスト現像後にレジストをリンスしてレジストパターンを形成する工程におけるリンス液として好適である。
【００２６】
また、高エネルギー線の中でも２４８〜１９３ｎｍの遠紫外線若しくはエキシマレーザー又はＸ線或いは電子線による微細パターンニングに用いられるレジストにおいては、得られるレジストパターンがより低欠陥であることが求められることから、本発明は、この要求に応え得る特に優れたものである。
【００２７】
本発明のリンス液は、下記の工程によりレジストパターンを形成する方法において、そのリンス工程において好適に用いることができる。
【００２８】
即ち、（ａ）基板上にレジスト材料を塗布してレジスト膜を形成する工程と、
（ｂ）上記レジスト膜をプリベークする工程と、
（ｃ）プリベークされた上記レジスト膜に対してパターン露光を行う工程と、
（ｄ）パターン露光された上記レジスト膜をポストエクスポージャーベークする工程と、
（ｅ）ポストエクスポージャーベークされた上記レジスト膜をアルカリ水溶液で現像する工程と、
（ｆ）現像された上記レジスト膜を、リンス液を用いてリンスし、更に、純水でリンスする工程
とを有するレジストパターン形成方法、又は
上記（ａ）〜（ｅ）工程と、
（ｇ）現像された上記レジスト膜を純水リンス後、リンス液を用いてリンスし、更に、純水でリンスする工程
とを有するレジストパターン形成方法における上記（ｆ）工程又は（ｇ）工程で用いるリンス液として好適に用いることができる。
【００２９】
この場合、（ａ）〜（ｅ）工程は、公知のリソグラフィー技術を適用することができ、例えば、シリコンウエハー等の基板上に、レジストをスピンコーティング等の手法で膜厚が０．２〜２．０μｍとなるように塗布し、これをホットプレート上で６０〜１５０℃、１〜１０分間、好ましくは８０〜１３０℃、１〜５分間プリベーク（ＰＢ）する。
【００３０】
次いで、目的のパターンを形成するためのマスクを上記レジスト膜上にかざし、遠紫外線、エキシマレーザー、Ｘ線等の高エネルギー線又は電子線を、露光量１〜２００ｍＪ／ｃｍ2程度、好ましくは５〜１００ｍＪ／ｃｍ2程度となるように照射した後、ホットプレート上で６０〜１５０℃、１〜５分間、好ましくは８０〜１３０℃、１〜３分間ポストエクスポージャベーク（ＰＥＢ）する。
【００３１】
更に、０．１〜５％、好ましくは２〜３％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）等のアルカリ水溶液の現像液を用い、０．１〜３分間、好ましくは０．５〜２分間、浸漬（ｄｉｐ）法、パドル（ｐｕｄｄｌｅ）法、スプレー（ｓｐｒａｙ）法等の常法により現像することにより、基板上に目的のパターンが形成される状態ができる。
【００３２】
一方（ｆ）工程は、例えば以下の方法により可能である。即ち、現像後、現像液を振り切り、ウエハーを好ましくは回転数１００ｒｐｍ以上で回転させながら、本発明のリンス液を被リンス面に好ましくは５〜６０秒、より好ましくは１０〜３０秒間かけ流してリンスする方法である。リンス時間が５秒未満ではレジスト残渣を十分に除去できない場合があり、６０秒を超える場合はコストが高くなる場合がある。また、回転数が１００ｒｐｍ未満ではレジスト残渣を十分に除去できない場合がある。なお、回転数の上限は、装置上の制約から一般に３０００ｒｐｍ程度である。また、回転数は一定回転数としなくてもよく、リンス中に増減させることもできる。なお、純水によるリンスは、公知のリソグラフィー技術を適用できる。
【００３３】
また、現像後のリンスは、上記（ｆ）工程の現像液振り切り後、リンス液によるリンスを施す前に、純水リンスを実施してから、リンス液によるリンスを施す上記（ｇ）工程によっても可能である。（ｇ）工程のリンス液よるリンスは、上記（ｆ）工程の場合と同様である。また、純水によるリンスは、公知のリソグラフィー技術を適用できる。
【実施例】
【００３４】
以下、実施例を示して本発明を具体的に説明するが、本発明は下記実施例に制限されるものではない。
【００３５】
［実施例１〜１１］
表１に示される各成分を表１に示される量、半導体製造グレードの超純水に溶解してリンス液Ａ〜Ｋを得た。
【００３６】
次に、表２に示されるレジストをＳｉＯＮで被膜されたシリコンウエハー上へスピンコーティングし、０．４μｍの厚さに塗布し、次いで、このシリコンウエハーを、ホットプレートを用いて最適なパターンを得るための温度（表２に示される温度）で６０秒間プリベーク（ＰＢ）した。これをレジストに合わせて表２に示される光源（ＫｒＦ用レジストにはＫｒＦエキシマレーザースキャナー（ニコン社製、ＮＡ＝０．６８）、ＡｒＦ用レジストにはＡｒＦエキシマレーザースキャナー（ニコン社製、ＮＡ＝０．６８））を用いて露光し、最適なパターンを得るための温度（表２に示される温度）で６０秒間ポストエクスポージャーベーク（ＰＥＢ）を施し、２．３８％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液で現像を行った。
【００３７】
なお、レジストパターンとしては、表２に示されるように、ＫｒＦ用レジストでは１５０ｎｍラインアンドスペースパターンを、ＡｒＦ用レジストでは１００ｎｍラインアンドスペースパターン（１：１）又は１５０ｎｍコンタクトホールパターン（１：９）を形成した。
【００３８】
現像後、リンス液Ａ〜Ｋを用いて下記の２種類の方法を用いて現像されたレジスト膜をリンスした。
リンス方法（１）：現像されたレジスト膜を、表１に示されるリンス液を用いてリンスし、更に、純水でリンスする
リンス方法（２）：現像されたレジスト膜を純水リンス後、表１に示されるリンス液を用いてリンスし、更に、純水でリンスする
【００３９】
また、比較用として、現像されたレジスト膜を下記方法でリンスした。
リンス方法（３）：現像されたレジスト膜を、純水リンスする
【００４０】
上記３種類の方法でリンスして得られたレジストパターンについて、ウエハー外観検査装置：ＷＩＮ−ＷＩＮ５０／１２００Ｌ（（株）アクレーテク・マイクロテクノロジ社製）を用いて上記ラインアンドスペースパターン（Ｌ／Ｓ）又はコンタクトホールパターン（Ｃ／Ｈ）を観察し、その欠陥数を測定した。
【００４１】
【表１】
2006011054.tif 000002
【００４２】
ポリマーａ：ポリ（Ｎ−ビニルピロリドン）［Ｌｕｖｉｓｋｏｌ  Ｋ−９０（ＢＡＳＦジャパン（株）製）］
ポリマーｂ：（Ｎ−ビニルピロリドン６０／酢酸ビニル４０）共重合体［Ｌｕｖｉｓｋｏｌ  ＶＡ−６４（ＢＡＳＦジャパン（株）製）］
ポリマーｃ：（ビニルアルコール６０／酢酸ビニル４０）共重合体［ポバール  ＳＭＲ−８Ｍ（信越化学工業（株）製）］
ポリマーｄ：ポリアクリル酸［ジュリマー  ＡＣ−１０Ｐ（日本純薬（株）製）］
ポリマーｅ：プルラン［プルラン  ＰＩ−２０（（株）林原製）］
界面活性剤Ｘ：パーフルオロオクタンスルホン酸
界面活性剤Ｙ：パーフルオロオクタンスルホン酸テトラエチルアンモニウム塩
【００４３】
【表２】
2006011054.tif 000003
【００４４】
ＳＡＩＬ−Ｇ２８：信越化学工業（株）製  ＡｒＦ用化学増幅型ポジ型レジスト
ＳＡＩＬ−Ｘ１０８：信越化学工業（株）製  ＡｒＦ用化学増幅型ポジ型レジスト
ＳＥＰＲ−４０２：信越化学工業（株）製  ＫｒＦ用化学増幅型ポジ型レジスト