(57)【要約】【課題】平面磁気素子の小型化を損なうことなしに、許容電流の向上を図る。【解決手段】平面コイルを上、下磁性層で挟んだ構造になる平面磁気素子の該上、下磁性層の外表面にそれぞれ永久磁石薄板を配置する。【選択図】図１
2006332454.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面コイルを磁性層で挟んだ構造になる平面磁気素子において、上記磁性層の外表面にそれぞれ永久磁石薄板を配置したことを特徴とする小型磁気素子。
【請求項２】
請求項１において、前記永久磁石薄板の磁化方向が、当該薄板面内において、平面コイルの電流方向と交差する方向であることを特徴とする小型磁気素子。
【請求項３】
請求項１または２において、前記永久磁石薄板が、添加したTiの一部または全てが固溶したＲ−Ｂ−Fe−Co−Ni−Ti合金
但し、Ｒ（Ｙを含むランタノイドのうちから選んだ少なくとも一種）：10at％以上、              25at％以下、
Ｂ：２at％以上、20at％以下、
Fe：10at％以上、73at％未満、
Co：７at％以上、50at％以下、
Ni：５at％以上、30at％以下、
（Fe＋Co＋Ni）：55at％以上、88at％未満、
Ti：0.5at％以上、３at％以下
を用いて製造した希土類磁石であって、TiＢ2相が分散析出したＲ2(Fe，Co，Ni)14Ｂ相およびＲ(Fe，Co，Ni)4Ｂ相を有し、該Ｒ(Fe，Co，Ni)4Ｂ相における原子数比Fe/(Fe＋Co＋Ni)が0.5以下であることを特徴とする小型磁気素子。
【請求項４】
請求項１または２において、前記永久磁石薄板が、添加したTiの一部または全てが固溶したＲ−Ｂ−Fe−Co−Ni−Ti−Ga合金
但し、Ｒ（Ｙを含むランタノイドのうちから選んだ少なくとも一種）：10at％以上、              25at％以下、
Ｂ：２at％以上、20at％以下、
Fe：10at％以上、73at％未満、
Co：７at％以上、50at％以下、
Ni：５at％以上、30at％以下、
（Fe＋Co＋Ni）：55at％以上、88at％未満、
Ti：0.5at％以上、３at％以下、
Ga：３at％以下
を用いて製造した希土類磁石であって、TiＢ2相が分散析出したＲ2(Fe，Co，Ni，Ga)14Ｂ相およびＲ(Fe，Co，Ni，Ga)4Ｂ相を有し、該Ｒ(Fe，Co，Ni，Ga)4Ｂ相における原子数比Fe/(Fe＋Co＋Ni)が0.5以下であることを特徴とする小型磁気素子。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかにおいて、前記永久磁石薄板の厚みが50〜300μmであることを特徴とする小型磁気素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、小型磁気素子に関し、特に許容電流の有利な向上を図ろうとするものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯機器やノート型パソコン等のような、電池で駆動される携帯機器の利用が進んでいる。
このような携帯機器に対しては、従来から、より一層の小型・軽量化が望まれており、最近ではこれらに加えて、マルチメディア化への対応、すなわち通信機能や表示機能の充実、あるいは画像データを含む大量情報の高速処理などの高機能化が求められている。
【０００３】
これに伴い、電池からの単一電圧を、ＣＰＵやＬＣＤモジュール、通信用パワーアンプなど様々な搭載デバイスが必要とする各々の電圧レベルに的確に変換できる小型電源の需要が増大してきた。
そこで、電子機器の小型・軽量化と高機能化を両立させるために、電源に搭載されるトランスやインダクタ等の磁気素子についても、その小型・軽量化を進めることが重要な課題となっている。
【０００４】
このような状況下で、従来、上記電源には、焼結フェライトコアにコイルを巻いたトランスやインダクタが搭載されてきたが、これらはいずれも薄型化が困難で、電源の薄型化を阻害してきた。
そこで、磁気素子の小型・軽量化を図るために、平面コイルの上下をフェライト磁性層で挟み、かつコイルパターン間の隙間をフェライトで埋めた構造になる平面磁気素子が提案された（例えば、特許文献１、特許文献２）。
【特許文献１】特開2001−244123号公報
【特許文献２】特開2001−244124号公報
【０００５】
しかしながら、磁気素子が小型になると、磁性体の体積が小さくなるため、小さなバイアス電流で磁気飽和が起こり、許容電流が大きくとれないという問題があった。
【０００６】
上記の問題を解決する手段として、磁気回路に永久磁石を挿入して逆バイアスをかける方法が提案された（特許文献３）。
【特許文献３】特開2002−83722号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、永久磁石を磁気回路内に挿入する上記特許文献３に記載の方法では、永久磁石が減磁されることの他、永久磁石がギャップとなるなどの問題がある。
また、この方法は、構造的に薄型の小型磁気素子への適用は難しいという問題がある。
【０００８】
本発明は、上記の問題を有利に解決するものである。
すなわち、本発明の第１の目的は、永久磁石で逆バイアスをかけるのに適した磁気素子構造を提案するところにある。
また、本発明の第２の目的は、上記した小型磁気素子用永久磁石薄板として好適な希土類磁石薄板を提案するところにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
すなわち、本発明の要旨構成は次のとおりである。
（１）平面コイルを磁性層で挟んだ構造になる平面磁気素子において、上記磁性層の外表面にそれぞれ永久磁石薄板を配置したことを特徴とする小型磁気素子。
【００１０】
（２）上記（１）において、前記永久磁石薄板の磁化方向が、当該薄板面内において、平面コイルと交差する方向であることを特徴とする小型磁気素子。
【００１１】
（３）上記（１）または（２）において、前記永久磁石薄板が、添加したTiの一部または全てが固溶したＲ−Ｂ−Fe−Co−Ni−Ti合金
但し、Ｒ（Ｙを含むランタノイドのうちから選んだ少なくとも一種）：10at％以上、              25at％以下、
Ｂ：２at％以上、20at％以下、
Fe：10at％以上、73at％未満、
Co：７at％以上、50at％以下、
Ni：５at％以上、30at％以下、
（Fe＋Co＋Ni）：55at％以上、88at％未満、
Ti：0.5at％以上、３at％以下
を用いて製造した希土類磁石であって、TiＢ2相が分散析出したＲ2(Fe，Co，Ni)14Ｂ相およびＲ(Fe，Co，Ni)4Ｂ相を有し、該Ｒ(Fe，Co，Ni)4Ｂ相における原子数比Fe/(Fe＋Co＋Ni)が0.5以下であることを特徴とする小型磁気素子。
【００１２】
（４）上記（１）または（２）において、前記永久磁石薄板が、添加したTiの一部または全てが固溶したＲ−Ｂ−Fe−Co−Ni−Ti−Ga合金
但し、Ｒ（Ｙを含むランタノイドのうちから選んだ少なくとも一種）：10at％以上、              25at％以下、
Ｂ：２at％以上、20at％以下、
Fe：10at％以上、73at％未満、
Co：７at％以上、50at％以下、
Ni：５at％以上、30at％以下、
（Fe＋Co＋Ni）：55at％以上、88at％未満、
Ti：0.5at％以上、３at％以下、
Ga：３at％以下
を用いて製造した希土類磁石であって、TiＢ2相が分散析出したＲ2(Fe，Co，Ni，Ga)14Ｂ相およびＲ(Fe，Co，Ni，Ga)4Ｂ相を有し、該Ｒ(Fe，Co，Ni，Ga)4Ｂ相における原子数比Fe/(Fe＋Co＋Ni)が0.5以下であることを特徴とする小型磁気素子。
【００１３】
（５）上記（１）〜（４）のいずれかにおいて、前記永久磁石薄板の厚みが50〜300μmであることを特徴とする小型磁気素子。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、平面磁気素子の磁気回路に永久磁石によって効果的に逆バイアスをかけることができるので、かかる磁気素子の許容電流を格段に向上させることができる。
また、本発明に示した希土類磁石を適用することにより、磁気素子の薄型化を達成できる。
さらに、この希土類磁石は、耐食性に優れるので、その表面に保護被膜を被覆する必要がないという利点もある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明を具体的に説明する。
図１に、本発明に従う平面磁気素子の好適例を断面で示す。
図中、番号１および２は磁性層であり、以下、番号１は下部磁性層、２は上部磁性層と呼ぶ。３は平面コイルであり、上下部磁性層１，２に挟まれた構造になっている。４は平面コイル３のコイル線間の空隙に充填した絶縁層、そして５が上下部磁性層１，２それぞれの外表面に配置した永久磁石薄板である。
【００１６】
ここに、永久磁石から発生する磁界の方向は、コイルから発生する磁界の方向に対して対向する方向とするとよい。従って、永久磁石の磁化方向は、平面コイルの電流方向（コイル方向）に対し交差する方向とするとよい。
このような磁化条件で永久磁石薄板を配置すると、永久磁石から発生する表面磁界は、図１に示すように、透磁率の大きな上下磁性層にそれぞれ吸い込まれて、逆バイアスが効果的に上下磁性層にかかるわけである。
【００１７】
ここに、上記した交差する方向とは、平面コイルの電流方向に直交する方向を軸として、好ましくは±45°の範囲、より好ましくは±30°の範囲である。言うまでもなく、永久磁石の磁化方向は、平面コイルの電流方向に直交する方向が最適である。
また、このような磁石配置では、永久磁石はコイルから発生する磁界が作る磁気回路から外れているので、永久磁石に減磁界がかかることも無い。
【００１８】
永久磁石の磁化方向を、コイルから発生する磁界の方向に対して直交方向とする場合、永久磁石の配置としては、例えば図２や図３に示す構造が考えられる。
両者の中では、図３の構造の方がより好ましい。というのは、コイルのコーナー部分は磁界の方向が電流に対し直交方向から乱れるためである。かような乱れによって、コーナー部分の磁界は、それ以外の部分（平行部分）に比べて小さく、従って逆バイアスの効果も小さい。また、製造容易性の観点からも図３の方が優れている。
さらに、コイルが円形の場合には、図４に示すように、永久磁石の磁化方向はラジアル方向とするのが好適である。
【００１９】
永久磁石としては、磁化容易軸が無配向のものを、図２〜図４に示す方向に着磁してもよいが、着磁方向に磁化容易軸を配向させておくと、小さな体積でより大きな磁界を発生させることができるので一層好適である。
【００２０】
ここに、磁気素子の磁性層としては、フェライト、中でもNi−Zn系フェライトがより好適であるが、これらに限定されるものではない。
また、平面コイルの形状としては、スパイラル形状やミアンダ形状等を適用できるが、スパイラル形状の方がインダクタンスを大きくできるのでより有利である。
さらに、コイル導体間には絶縁体を充填するが、このとき磁性体が含まれていると、インダクタンスの増加や損失の低減効果があってより好適である。
【００２１】
ところで、図１に示した構造の場合、バイアス磁界を発生する永久磁石が厚いと磁気素子の薄型化を阻害するため、使用する永久磁石は薄板とする必要がある。
そこで、以下、薄板磁石とするのに好適な磁石組成について、前記の範囲に限定した理由について説明する。
【００２２】
Ｒ（Ｙを含むランタノイドのうちから選んだ少なくとも一種）：10at％以上、25at％以下
Ｒは、Ｒ2(Fe，Co，Ni)14Ｂ相においては大きな結晶磁気異方性を持つ点で、また粒界においては逆磁区の発生を抑制して保磁力を大きくする点で、有用な成分である。しかしながら、含有量が10at％に満たないと、Fe，Co，Niリッチ相が析出して保磁力が低下し、一方25at％を超えると相対的にFe，Co，Ni濃度が低下して飽和磁化が低下する。従って、Ｒは10at％以上、25at％以下の範囲とすることが好ましい。
【００２３】
Ｂ：２at％以上、20at％以下
Ｂは、Ｒ2(Fe，Co，Ni)14Ｂ相を形成するのに有用な成分である。しかしながら、含有量が２at％に満たないと、やはりFe，Co，Niリッチ相が析出して保磁力が低下し、一方20at％を超えると相対的にFe，Co，Ni濃度が低下して飽和磁化が低下する。従って、Ｂは２at％以上、20at％以下の範囲とすることが好ましい。
【００２４】
Fe：10at％以上、73at％未満
Feは、大きな飽和磁化を得るのに有効に寄与するが、含有量が10at％未満ではその添加効果に乏しく、一方73at％以上になるとα−Feの析出を伴い、保磁力低下の不利を招く。従って、Feは10at％以上、73at％未満の範囲とすることが好ましい。
【００２５】
Ni：５at％以上、30at％以下
Niは、耐食性を向上させるに有効な元素であるが、含有量が５at％未満ではその添加効果に乏しく、一方30at％を超えると保磁力や飽和磁化の急激な低下を招く。従って、Niは５at％以上、30at％以下の範囲とすることが好ましい。
【００２６】
Co：７at％以上、50at％以下
Coは、Ni添加による耐食性の向上効果を損なうことなしに、磁気特性、特に保磁力を効果的に向上させ得るだけでなく、キュリー温度の向上にも有効な元素である。しかしながら、含有量が７％未満ではその添加効果に乏しく、一方50％を超えるとむしろ保磁力や飽和磁化の低下を招く。従って、Coは７at％以上、50at％以下の範囲とすることが好ましい。
【００２７】
（Fe＋Co＋Ni）：55at％以上、88at％未満
上記した（Fe＋Co＋Ni）の合計量が55at％に満たないと飽和磁化が低下し、一方88at％以上になるとＲやＢが少なくなり保磁力が低下する。従って、（Fe＋Co＋Ni）量は55at％以上、88at％未満の範囲とすることが好ましい。
【００２８】
Ti：0.5at％以上、３at％以下
本発明の希土類磁石は、溶解・鋳造したＲ−Ｂ−Fe−Co−Ni−Ti合金またはＲ−Ｂ−Fe−Co−Ni−Ti−Ga合金から製造されるが、溶解・鋳造段階では、添加したTiの一部または全部が合金中に固溶していることが肝要である。
すなわち、本発明の希土類磁石リングにおいて、添加したTiは、焼結後には、全てTiB2として析出するのであるが、溶解・鋳造段階では、少なくとも一部は合金中に固溶させており、残りの部分はTiB2として析出させる。そして、固溶させたTiは焼結時にＲ2(Fe，Co，Ni)14Ｂ相中に析出させる。
【００２９】
これらの析出相は、以下に示す２つの効果がある。
第１の効果は、機械強度の向上であり、この効果は、析出相がクラック伝播を抑制する効果と結晶粒の微細化効果からなる。前者はＲ2(Fe，Co，Ni)14Ｂ相中に析出したTiB2、一方後者は、溶解・鋳造時に析出し粒界に偏析したTiB2が効果の主たる役割を担っている。
従って、溶解・鋳造時には、全てのTiを固溶させていてもよいが、一部を析出させておいた方がより効果的である。好適な固溶量は添加Ti量の15〜45％程度である。
【００３０】
第２の効果は、Ｒ（Fe，Co，Ni）4Ｂ相量のコントロールである。
Ｒ(Fe，Co，Ni)4Ｂ相は、Nd−Fe−Ｂ合金における非磁性の Nd1.1Fe4B4に対応する。Nd1.1Fe4B4と違って 強磁性相で飽和磁化の増大に寄与するが、磁化容易軸が面内に向いているため、その析出の形態によっては保磁力が低下する。この点、Tiを添加するとTiB2の析出と共に合金中のＢ濃度が低下してＲ(Fe，Co，Ni)4Ｂ相量が減少する。また、先に述べたように結晶粒の微細化も起こる。このような状態でのＲ(Fe，Co，Ni)4Ｂ相は、飽和磁化の増大に寄与し、保磁力低下の原因とはならない。
【００３１】
上記のメカニズムについては、まだ明確に解明されたわけではないが、おそらく保磁力を発現するNd2(Fe，Co，Ni)14Ｂ相との磁気的な交換結合に起因しているものと推定している。
ここに、Tiの添加量が0.5at％未満では、上記の効果が小さく、一方３at％超えではＢ濃度が低くなりすぎる等の理由で保磁力の低下を招く。従って、Tiは0.5at％以上、３at％以下の範囲とすることが好ましい。
【００３２】
また、本発明において、TiＢ2相が分散析出したＲ2(Fe，Co，Ni)14Ｂ相の量は、体積率で0.3〜５％程度とすることが好ましい。というのは、Ｒ2(Fe，Co，Ni)14Ｂ相量が 0.3％に満たないと機械強度向上の効果が小さく、一方５％を超えると主相内の歪が大きくなって保磁力の低下を招くからである。
同様に、Ｒ(Fe，Co，Ni)4Ｂ相の量は、体積率で１〜20％程度とすることが好ましい。というのは、Ｒ(Fe，Co，Ni)4Ｂ相量が１％に満たないと（Fe，Co，Ni）リッチ相が析出して保磁力を低下させ、一方20％を超えると（Fe，Co，Ni）を消費して飽和磁化を下げてしまうからである。
【００３３】
Ｒ(Fe，Co，Ni)4Ｂ相における原子数比Fe／(Fe＋Co＋Ni)：0.5以下
Ｒ−遷移金属−Ｂ合金磁石には、Ｂリッチ相が必ず存在し、Nd−Fe−ＢではNd1.1Fe4B4相が析出する。このＢリッチ相はＲ(Fe，Co，Ni)4Ｂ相よりもＢが多い。本発明に従いTiを添加した場合には、Ｂを多量に消費することを考慮すると、Ｂの少ないＲ(Fe，Co，Ni)4Ｂ相を勘案して、Ｂ量をバランスすることが望ましい。ここに、（Fe＋Co＋Ni）合計量に対するFe量の原子数比すなわちFe／(Fe＋Co＋Ni)が0.5超になるとＲ(Fe，Co，Ni)4Ｂ相が存在できなくなり、αFeなど保磁力の低下する相が析出する。従って、Ｒ(Fe，Co，Ni)4Ｂ相における原子数比Fe／(Fe＋Co＋Ni)は0.5以下とすることが好ましい。
【００３４】
Ga：３at％以下
また、本発明では、磁気特性とくに保磁力の向上を目的として、さらにGaを含有させることもできる。このGaは、Ｒ2(Fe，Co，Ni)14Ｂ相およびＲ(Fe，Co，Ni)4Ｂ相に固溶してＲ2(Fe，Co，Ni，Ga)14Ｂ相およびＲ(Fe，Co，Ni，Ga)4Ｂ相を形成する。かかるＲ2(Fe，Co，Ni，Ga)14Ｂ相およびＲ(Fe，Co，Ni，Ga)4Ｂ相の作用・効果は、Ｒ2(Fe，Co，Ni)14Ｂ相およびＲ(Fe，Co，Ni)4Ｂ相の場合と同様であるが、特に保磁力の向上に有効に寄与する。しかしながら、含有量が３at％を超えるとかえって保磁力の低下を招くので、Gaは３at％以下の範囲で添加することが好ましい。なお、このGa添加量の好適下限値は0.5at％である。
そして、このGaは、Tiと同時に添加するとより効果的である。
【００３５】
なお、本発明では、上記した有効成分の他、Ｃ，Ｎ，Ｏ，Ｖ，Cr，Mn，Cu，Zn，Ge，In，Sn，Zr，Hf，Ta，Ｗなどの不純物成分が若干混入することがあるが、これらの不純物は合計量が２at％以下であれば特に問題はない。
【００３６】
上記の成分組成に調整した希土類磁石は、厚みを50〜300μm程度に薄くしても特性が劣化することがなく、従って平面型磁気素子の小型化を阻害することなしに、効果的に逆バイアスをかけることができる。
【００３７】
次に、磁気素子の好適製造方法について説明するが、本発明はこれだけに限定されるものではない。
下部磁性層となるフェライト基板上に、必要に応じてエポキシ樹脂またはポリイミド樹脂からなる平滑層を形成したのち、Cuシード層を無電解めっきにより 0.5μm 厚程度に成膜する。ついで、フォトレジストを塗布後、フォトリソグラフ技術でコイルを電気めっきするためのレジストフレームを作製する。引き続き、電気めっき、レジスト剥離、シード層エッチングにより平面コイルを完成する。平面コイル導体間は、フェライトを含むエポキシ樹脂をスクリーン印刷することで埋め、その上に上部磁性層としてフェライト板を貼り付ける。
最後に、別途用意した逆バイアス磁界発生のための希土類磁石薄板を貼り付けて、磁気素子を完成させる。
なお、希土類磁石薄板は、所定の組成となるように秤量し、高周波溶解後、水冷銅ハースに鋳込んだインゴットを２〜３μmに粉砕したのち、この粉末を磁界中成形後、真空焼結してバルク材料としたのち、スライス・研磨加工することにより、薄板磁石とすることができる。
【実施例１】
【００３８】
以下、本発明を実施例により詳細に説明する。但し、本発明は例示した実施例にのみに限定されるものではない。
実施例１
表１に示す成分組成になるように各元素を秤量して高周波溶解後、水冷銅ハースに鋳込んだ。得られたインゴットを、窒素気流中で粗粉砕後、ジェットミルで平均２〜３μmまで徴粉砕したのち、15 kOeの磁場中にて1.47 MPa（1.5 t/cm2）の圧力で成形し、ついで真空中、1000〜1100℃で熱処理して焼結体を得た。この焼結体は、引き続き、ダイヤモンドホイールにて切断後、＃400遊離砥粒研磨により表１に示す厚みとし、逆バイアス磁界発生用の永久磁石薄板とした。なお、各永久磁石薄板は、その磁化方向が平面コイルの電流方向に直交する方向（磁化方向：０°）となるように着磁した。
【００３９】
次に、磁気素子は以下の条件で作製した。
下部磁性層となるNi−Znフェライト基板上に、Cuシード層を0.5μm成膜した。ついで、フォトレジストを90μm塗布後、フォトリソグラフ技術で コイルを電気めっきするための、ライン幅／スペース＝70／20μmの10ターンの矩形スパイラルコイルのレジストフレームを作製し、引き続き85μm厚みの電気めっき、レジスト剥離、シード層エッチングにより平面コイルを完成した。ついで、平面コイル導体間をフェライトを含むエポキシ樹脂をスクリーン印刷を用いて埋め、その上に上部磁性層としてフェライト板を貼り付けた。
最後に、先に用意した逆バイアス磁界発生のための希土類磁石薄板を貼り付けて、磁気素子を完成させた。貼り付け条件は、図２または図３の構造とした。
【００４０】
かくして得られた小型磁気素子の許容電流および耐食性について調べた結果を、表１に併記する。
なお、許容電流は、コイルのバイアス電流：０ Aに対して、10％インダクタンスが低下した時のコイルのバイアス電流値とした。
また、耐食性は、温度：70℃、湿度：95％にて500時間腐食試験を行ったときの、発錆面積率で評価し、その値が20％未満の場合を耐食性良好（○）と判断した。
【００４１】
【表１】
2006332454.tif 000003
【００４２】
同表から明らかなように、本発明に従い得られた小型磁気素子はいずれも、永久磁石薄板を有さない従来の小型磁気素子に比べて、許容電流が大幅に向上しており、また耐食性も良好であった。
なお、永久磁石の素材として、Srフェライト磁石を使用した場合、高い許容電流値を得るためには、磁石厚みの増大を余儀なくされた。また、同素材として、一般的なネオジム磁石を使用した場合には、耐食性の面で劣っていた。
【００４３】
実施例２
表１中、No.10に示す組成になる希土類磁石薄板について、その磁化方向を種々に変化させた場合における逆バイアスの効果、すなわ磁気素子の許容電流の変化について調べた結果を、表２に示す。
なお、磁化方向は、平面コイルの電流方向に直交する方向を軸とする角度で表した。
【００４４】
【表２】
2006332454.tif 000004
【００４５】
同表に示したとおり、希土類磁石薄板の磁化方向が、平面コイルの電流方向に直交する方向を軸として±45°の範囲であれば、効果的に逆バイアスをかけることができ、その結果許容電流を大幅に向上させ得ることが分かる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明に従う平面磁気素子の基本構造を示す断面図である。
【図２】本発明における、矩形スパイラルコルとコイル全体を覆う永久磁石の配置を示す平面図である。
【図３】本発明における、矩形スパイラルコイルとコーナー部分を除いたコイルを覆う永久磁石の配置を示す平面図である。
【図４】本発明における、円形スパイラルコイルとコイル全体を覆うラジアル着磁された永久磁石の配置を示す平面図である。
【符号の説明】
【００４７】
１  下部磁性層
２  上部磁性層
３  平面コイル
４  絶縁層
５  永久磁石薄板
【図１】
2006332454.tif 000005
【図２】
2006332454.tif 000006
【図３】
2006332454.tif 000007
【図４】
2006332454.tif 000008