(57)【要約】【課題】  本発明は、基材に形成された貫通孔に貫通ビアを設けた基板の製造方法に関し、給電層除去工程において、貫通ビアがエッチングされることを防止することのできる基板の製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】  貫通孔３４が形成されたシリコンからなる基材３１に絶縁層３２を設け、基材３１の面３１Ｂに接続パッドを設けるための開口部４１Ａを有したフィルム状レジスト４１を設け、フィルム状レジスト４１にＣｕめっき膜４９及びＮｉめっき膜からなる給電用めっき層４８を備えたフィルム状部材４５を貼り付けて、電解めっき法により接続パッド及び貫通ビアとなるめっき膜５１を形成後、エッチングにより給電用めっき層４８の除去を行う。【選択図】  図１６
2006054307.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材を貫通する貫通孔に貫通ビアを備えた基板の製造方法において
前記基材に前記貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記基材の一方の面に、フィルム状樹脂基材上に給電層を備えたフィルム状部材を、前記給電層が前記貫通孔に対向するよう接着するフィルム状部材接着工程と、
前記給電層から給電して、電解めっき法によりめっき膜を析出成長させ、前記貫通ビアを形成する貫通ビア形成工程と、
前記フィルム状樹脂基材を剥離するフィルム状樹脂基材剥離工程と、
前記給電層をエッチングにより除去する給電層除去工程とを含むことを特徴とする基板の製造方法。
【請求項２】
前記給電層は、前記フィルム状樹脂基材上に無電解めっきにより形成されたＮｉめっき膜と、
該Ｎｉめっき膜上に電解めっき法により形成されたＣｕめっき膜とから構成したことを特徴とする請求項１に記載の基板の製造方法。
【請求項３】
前記フィルム状樹脂基材と前記給電層との間には、Ｐｄを含んだ樹脂層が設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の基板の製造方法。
【請求項４】
基材を貫通する貫通孔に設けられた貫通ビアと、該貫通ビアの一方の端部に設けられた電極パッドとを備えた基板の製造方法において、
前記基材に前記貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記基材の一方の面に、前記電極パッドの形状に対応すると共に、前記基材を露出させる開口部を有したレジスト層を、前記開口部が前記貫通孔に対向するよう形成するレジスト層形成工程と、
前記レジスト層に、フィルム状樹脂基材上に形成された給電層を備えたフィルム状部材を接着するフィルム状部材接着工程と、
前記給電層から給電して、電解めっき法によりめっき膜を析出成長させ、前記接続パッド及び貫通ビアを形成する接続パッド及び貫通ビア形成工程と、
前記フィルム状樹脂基材を剥離するフィルム状樹脂基材剥離工程と、
前記給電層をエッチングにより除去する給電層除去工程とを含むことを特徴とする基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の製造方法に係り、特に基材に形成された貫通孔に貫通ビアを設けた基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体微細加工技術を用いたＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）と呼ばれるマイクロマシン用パッケージや、半導体素子が実装されるインターポーザ等のような基板には、基板の両側に設けられた配線間を電気的に接続する貫通ビアが備えられている。貫通ビアは、基材を貫通する貫通孔に設けられており、このような貫通ビアを形成する際には、電解めっき法が適用されている。
【０００３】
図１乃至図６を参照して、従来の基板に貫通ビアを形成する際の製造方法について説明する。図１乃至図６は、従来の貫通ビアを備えた基板の製造工程を示した図である。始めに、図１に示すように、シリコン基材１に貫通ビア１０を配設するための貫通孔２を形成する。次に、図２に示すように、貫通孔２の内壁及びシリコン基材１の両面に絶縁膜３を形成する。この絶縁膜３は、貫通ビア１０とシリコン基材１との間を絶縁するための膜である。
【０００４】
続いて、図３に示すように、シリコン基材１の裏面側に接着フィルム４を介して金属箔５を接着する。金属箔５は、電解めっきを行う際の給電層である。金属箔５には、例えば、銅箔を用いることができ、金属箔５の厚さは、２０〜３０μｍ程度とされている。次に、図４に示すように、エッチングにより貫通孔２に対向する部分の接着フィルム４に、金属箔５を露出する開口部７を形成する。
【０００５】
続いて、図５に示すように、図４に示した構造体をめっき液中に浸漬させ、金属箔５を給電層として、電解めっき法により貫通孔２内にめっき膜９を析出成長させ、貫通孔２をめっき膜９で充填する。次に、図６に示すように、金属箔５及び接着フィルム４の除去を行う。金属箔５の除去は、エッチングにより行われる。その後、シリコン基材１の上面１Ａから突出しためっき膜９の研磨を行うことで、貫通ビア１０が形成される（例えば、特許文献１参照。）。
【０００６】
他の技術としては、貫通ビアと貫通ビアの端部に形成される接続パッドを同時に形成する基板の製造方法がある。図７及び図８は、貫通ビア及び接続パッドを同時に形成する場合の基板の製造工程を示した図である。なお、図８において、めっき膜８８Ａは、貫通ビアに対応する部分のめっき膜を示しており、めっき膜８８Ｂは接続パッドに対応する部分のめっき膜を示している。
【０００７】
図７に示すように、貫通孔８２を有したシリコン基材８１に絶縁層８３を形成し、接続パッドの形状に対応した開口部８５Ａを有したフィルム状レジスト８５をシリコン基材８１の裏面８１Ａ側に設けて、フィルム状レジスト８５に給電層となる金属箔８７を貼り付ける。
【０００８】
続いて、図８に示すように、金属箔８７を給電層として、電解めっき法により貫通孔８２及び開口部８５Ａにめっき膜８８を析出成長させる。その後、金属箔８７及びフィルム状レジスト８５の除去、及びシリコン基材８１の表面８１Ａから突出しためっき膜８８Ａの研磨加工を行うことで、貫通ビア及び接続パッドが形成される。
【特許文献１】特開２００４−２２９９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
図９は、図６に示した給電層除去工程後の基板の拡大図である。また、図１０は、貫通ビア及び接続パッドを同時に形成する場合の基板の製造工程（給電層除去工程）を示した図である。なお、図９において、端面９Ａは、貫通ビア１０に対応しためっき膜９がエッチングされていない状態の端面を示しており、端面９Ｂは、貫通ビア１０に対応しためっき膜９がエッチングされた場合の端面を示している。
【００１０】
しかしながら、金属箔５の厚さは２０〜３０μｍ程度と厚いため、給電層除去工程では、金属箔５を除去するために長時間のエッチングを行う必要がある。そのため、シリコン基材１の面内におけるエッチング量のばらつきが大きくなり、エッチング量の多い領域のシリコン基材１では、図９に示すように、貫通ビア１０（貫通ビア１０に対応しためっき膜９）がエッチングされてしまうという問題があった。また、給電層除去工程では、確実に金属箔５を除去できるようオーバーエッチングを行うため、このオーバーエッチングによりエッチング量のばらつきがさらに大きくなり、貫通ビア１０（貫通ビア１０に対応しためっき膜９）がエッチングされてしまうという問題があった。
【００１１】
また、図１０に示すように、貫通ビア及び接続パッドを同時に形成する場合も同様に、長いエッチング時間に起因するエッチング量のばらつきにより、接続パッドに対応した部分のめっき膜８８Ｂや、貫通ビアに対応した部分のめっき膜８８Ａがエッチングされてしまうという問題があった。
【００１２】
そこで本発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであり、給電層除去工程において、貫通ビアがエッチングされることを防止することのできる基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するために本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。
【００１４】
請求項１記載の発明では、基材を貫通する貫通孔に貫通ビアを備えた基板の製造方法において前記基材に前記貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記基材の一方の面に、フィルム状樹脂基材上に給電層を備えたフィルム状部材を、前記給電層が前記貫通孔に対向するよう接着するフィルム状部材接着工程と、前記給電層から給電して、電解めっき法によりめっき膜を析出成長させ、前記貫通ビアを形成する貫通ビア形成工程と、前記フィルム状樹脂基材を剥離するフィルム状樹脂基材剥離工程と、前記給電層をエッチングにより除去する給電層除去工程とを含むことを特徴とする基板の製造方法により、解決できる。
【００１５】
上記発明によれば、貫通ビアを形成する際、給電層を、例えば、めっき法、スパッタ法、蒸着法のいずれかの方法で形成することにより、従来の金属箔を給電層に用いた場合よりも給電層の厚さを薄くして、給電層除去工程における給電用めっき層のエッチング時間を短くして、貫通ビアがエッチングされることを防止することができる。
【００１６】
請求項２記載の発明では、前記給電層は、前記フィルム状樹脂基材上に無電解めっきにより形成されたＮｉめっき膜と、該Ｎｉめっき膜上に電解めっき法により形成されたＣｕめっき膜とから構成したことを特徴とする請求項１に記載の基板の製造方法により、解決できる。
【００１７】
上記発明によれば、フィルム状樹脂基材に無電解めっきによりＮｉめっき膜を形成後、電解めっき法によりＣｕめっき膜を形成し、貫通ビア形成工程において、Ｎｉめっき膜及びＣｕめっき膜を給電層として用いることにより、良質なめっき膜を形成することができる。
【００１８】
請求項３記載の発明では、前記フィルム状樹脂基材と前記給電層との間には、Ｐｄを含んだ樹脂層が設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の基板の製造方法により、解決できる。
【００１９】
上記発明によれば、フィルム状樹脂基材と給電層との間にＰｄを含んだ樹脂層を設けることにより、フィルム状樹脂基材と給電層との間の密着性を低くして、フィルム状樹脂基材剥離工程において、給電層からフィルム状樹脂部材を容易に剥離させることができる。
【００２０】
請求項４記載の発明では、基材を貫通する貫通孔に設けられた貫通ビアと、該貫通ビアの一方の端部に設けられた電極パッドとを備えた基板の製造方法において、前記基材に前記貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記基材の一方の面に、前記電極パッドの形状に対応すると共に、前記基材を露出させる開口部を有したレジスト層を、前記開口部が前記貫通孔に対向するよう形成するレジスト層形成工程と、前記レジスト層に、フィルム状樹脂基材上に形成された給電層を備えたフィルム状部材を接着するフィルム状部材接着工程と、前記給電層から給電して、電解めっき法によりめっき膜を析出成長させ、前記接続パッド及び貫通ビアを形成する接続パッド及び貫通ビア形成工程と、前記フィルム状樹脂基材を剥離するフィルム状樹脂基材剥離工程と、前記給電層をエッチングにより除去する給電層除去工程とを含むことを特徴とする基板の製造方法により、解決できる。
【００２１】
上記発明によれば、給電層を、例えば、めっき法、スパッタ法、蒸着法のいずれかの方法により形成することにより、従来の金属箔を給電層に用いた場合よりも給電層の厚さを薄くして、給電層除去工程における給電層のエッチング時間を短くして、接続パッド及び貫通ビアがエッチングされることを防止することができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、給電層除去工程において、貫通ビアがエッチングされることを防止できる基板の製造方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
次に、図面に基づいて本発明の実施例を説明する。
（第１実施例）
始めに、図１１を参照して、本実施例の基板３０と半導体素子２５とを備えた半導体装置２０について説明する。図１１は、本実施例の基板と半導体素子とを備えた半導体装置の断面図である。なお、図１１において、Ｍ１は、電極パッド３６の厚さ（以下、厚さＭ１とする）を示している。
【００２４】
半導体装置２０は、大略すると半導体素子２５と、基板３０とを有しており、基板３０に設けられた貫通ビア３５に半導体素子２５のはんだバンプ２６がフリップチップ接続された構成とされている。半導体素子２５は、複数の配線及び絶縁層（図示せず）からなる多層配線構造とされている。半導体素子２５は、例えば、ＬＳＩチップ等である。
【００２５】
基板３０は、大略すると基材３１と、絶縁層３２と、貫通ビア３５と、接続パッド３６と、はんだボール３７とを有した構成とされている。基板３１は、インターポーザであり、はんだボール３７を介して図示していないマザーボードと接続される。基板３１は、半導体素子２５とマザーボード（図示せず）との間を電気的に接続するためのものである。
【００２６】
基材３１は、シリコンから構成されている。基材３１には、基材３１を上下方向に貫通する複数の貫通孔３４が形成されている。絶縁層３２は、貫通孔３４に対応した基材３１の面及び基材３１の面３１Ａ，３１Ｂに設けられている。貫通ビア３５は、絶縁層３２が設けられた貫通孔３４に配設されており、Ｃｕめっき膜により構成されている。
【００２７】
シリコンからなる基材３１と貫通ビア３５との間は、絶縁層３２により絶縁されている。貫通ビア３５の一方の端部３５Ａには、半導体素子２５に設けられたはんだバンプ２６が接続されており、他方の端部には、Ｃｕめっき膜からなる接続パッド３６が貫通ビア３５と一体的に形成されている。はんだボール３７は、接続パッド３６に配設されている。はんだボール３７は、図示していないマザーボードと電気的に接続されるものである。
【００２８】
なお、接続パッド３６の表面、及び貫通ビア３５の表面（端面）には、図示していない拡散防止膜がそれぞれ設けられている。拡散防止膜は、はんだのぬれ性向上や、貫通ビア３５及び接続パッド３６に含まれるＣｕがはんだバンプ２６及びはんだボール３７に拡散することを防止するためのものである。拡散防止膜には、例えば、Ｎｉ層／Ａｕ層の２層構造の積層膜を用いることができる。
【００２９】
次に、図１２乃至図２０を参照して、本実施例の貫通ビア及び接続パッドを備えた基板３０の製造方法について説明する。図１２乃至図２０は、本実施例の貫通ビア及び接続パッドを備えた基板の製造工程を示した図である。図２１は、接続パッドにはんだボールが接続される基板の製造工程を示した図である。なお、図１２において、３４Ａは貫通孔３４に露出された基材３１の面（以下、面３４Ａとする）、Ｒ１は貫通孔３４の開口径（以下、開口径Ｒ１とする）、３１Ａは半導体素子２５が実装される側の基材３１の面（以下、面３１Ａとする）、３１Ｂはマザーボードに接続される側の基材３１の面（以下、面３１Ｂとする）をそれぞれ示している。
【００３０】
始めに、図１２に示すように、基材３１を貫通する開口径Ｒ１の貫通孔３４を複数形成する（貫通孔形成工程）。開口径Ｒ１は、例えば、３０〜６０μｍ程度の範囲内で適宜選択することができる。貫通孔３４は、例えば、ドリルを用いたドリル加工、レーザ加工、異方性エッチングのいずれかの方法により形成することができる。
【００３１】
次に、図１３に示すように、基材３１の面３１Ａ，３１Ｂ、３４Ａに絶縁層３２を形成する。絶縁層３２には、例えば、ＣＶＤ法により形成された酸化膜や、酸化炉により形成された熱酸化膜等を用いることができる。
【００３２】
続いて、図１４に示すように、開口部４１Ａを有したフィルム状レジスト４１を、開口部４１Ａが貫通孔３４と対向するよう基材３１の面３１Ｂに貼り付ける（レジスト層形成工程）。開口部４１Ａの開口径Ｒ２は、貫通孔３４の開口径Ｒ１よりも大きく形成されている（Ｒ２＞Ｒ１）。開口部４１Ａは、接続パッド３６の形状に対応すると共に、基材３１の面３１Ｂに形成された絶縁層３２を露出させる開口部である。レジスト層であるフィルム状レジスト４１の厚さＭ２は、接続パッド３６の厚さＭ１と略等しくなるよう設定されている（Ｍ１＝Ｍ２）。また、後述するフィルム状部材４５と基材３１との間にフィルム状レジスト４１を設けることで、フィルム状部材４５と基材３１との間の密着性を向上させることができる。
【００３３】
次に、図１５に示すように、フィルム状部材４５をフィルム状レジスト４１に貼り付ける（フィルム状部材接着工程）。ここで、フィルム状部材４５の構成について説明する。フィルム状部材４５は、大略するとフィルム状樹脂基材４６と、Ｐｄ含有樹脂層４７と、給電層である給電用めっき層４８とを有した構成とされている。また、給電用めっき層４８は、Ｎｉめっき膜４９とＣｕめっき膜５０とにより構成されている。フィルム状部材４５は、フィルム状樹脂基材４６上に、Ｐｄ含有樹脂層４７、Ｎｉめっき膜４９、Ｃｕめっき膜５０が順次積層された構成とされている。
【００３４】
フィルム状樹脂基材４６は、Ｎｉめっき膜４９及びＣｕめっき膜５０を形成するための基材である。フィルム状樹脂基材４６には、例えば、ポリイミドフィルムを用いることができる。なお、フィルム状樹脂基材４６には、エポキシ系樹脂等のポリイミド系樹脂以外の樹脂を用いても良い。フィルム状樹脂基材４６としてポリイミド系樹脂を用いた場合には、めっき膜、スパッタ膜、蒸着膜等との密着性が低いため、給電層となる金属膜から容易にフィルム状樹脂基材４６を剥離させることができる。
【００３５】
Ｐｄ含有樹脂層４７は、例えば、ポリイミド等の樹脂層にＰｄを含有させたものであり、フィルム状樹脂基材４６上に塗布されている。Ｐｄ含有樹脂層４７の厚さＭ３は、例えば、２μｍ程度とすることができる。フィルム状樹脂基材４６とＮｉめっき膜４９との間にＰｄ含有樹脂層４７を設けることにより、フィルム状樹脂基材４６とＮｉめっき膜４９との間の密着性を弱くして、Ｎｉめっき膜４９からフィルム状樹脂基材４６を剥がし易くすることができる。
【００３６】
Ｎｉめっき膜４９は、無電解めっき法によりＰｄ含有樹脂層４７上に形成されている。Ｎｉめっき膜４９は、電解めっき法によりＣｕめっき膜５０を形成する際の給電層である。Ｎｉめっき膜４９の厚さＭ４は、例えば、０．１μｍ程度とすることができる。
【００３７】
Ｃｕめっき膜５０は、電解めっき法によりＮｉめっき膜４９上に形成されている。Ｃｕめっき膜５０は、貫通孔３４及び開口部４１ＡにＣｕめっき膜５１（図１６参照）を形成する際の給電層である。Ｃｕめっき膜４９の厚さＭ５は、例えば、０．１〜０．５μｍの範囲で適宜選択することができる。
【００３８】
なお、フィルム状部材４５の代わりに、上記フィルム状部材４５の構成からＰｄ含有樹脂層４７を除いた構成（フィルム状樹脂基材４６上に給電用めっき層４８が設けられた構成）とされたフィルム状部材を用いても良い。また、給電用めっき層４８の代わりに、スパッタ法または蒸着法により形成された金属膜を給電層として用いても良い。スパッタ法または蒸着法により給電層を形成する場合には、例えば、金属膜としてＣｕ膜を用いることができ、その厚さは、０．１〜０．５μｍ程度とすることができる。スパッタ法または蒸着法により形成されたＣｕ膜を給電層として用いる場合には、スパッタ法または蒸着法により形成された金属膜（例えば、Ｃｕ膜）とフィルム状樹脂基材４６との間の密着性は低いため、Ｃｕ膜から容易にフィルム状樹脂基材４６を剥離させることができる。したがって、スパッタ法または蒸着法により形成された金属膜を給電層として用いる場合には、フィルム状樹脂基材４６と給電層との間にＰｄ含有樹脂層４７を設ける必要はない。
【００３９】
次に、図１５に示した構造体を、めっき液に浸漬させ、給電用めっき層４８を給電層として、図１６に示すように、貫通孔３４及び開口部４１ＡにＣｕめっき膜５１を析出成長させる（接続パッド及び貫通ビア形成工程）。このように、無電解めっき法により形成されたＮｉめっき膜４９と、電解めっき法により形成されたＣｕめっき膜５０とからなる給電用めっき層４８を給電層とすることにより、給電層の比抵抗値を小さくして、良質なＣｕめっき膜５１を形成することができる。なお、Ｃｕめっき膜５１には、基材３１の面３１Ａから突出した突出部５１Ａが存在する。
【００４０】
続いて、図１７に示すように、基材３１に貼り付けられたフィルム状部材４５から、Ｐｄ含有樹脂層４７と共にフィルム状樹脂基材４６を剥がす（フィルム状樹脂基材剥離工程）。この際、貫通孔３４に設けられたＣｕめっき膜５１と給電用めっき層４８との密着力は、Ｐｄ含有樹脂層４７が設けられたフィルム状樹脂基材４６と給電用めっき層４８との密着力よりも大きいため、給電用めっき層４８から容易にＰｄ含有樹脂層４７が設けられたフィルム状樹脂基材４６を剥離させることができる。
【００４１】
次に、図１８に示すように、エッチングを用いて、給電用めっき層４８の除去処理を行う（給電層除去工程）。
【００４２】
本実施例の給電層である給電用めっき層４８の厚さは、０．２〜０．６μｍ程度であり、従来の給電層である金属箔５の厚さ２０〜３０μｍと比較して、かなり薄く形成されている。そのため、給電層除去工程において、給電用めっき層４８をエッチングにより除去する際のエッチング時間を、従来の１／１００〜１／５０程度まで短くして、貫通ビア３５及び電極パッド３６を構成するＣｕめっき膜５１がエッチングされることを防止することができる。なお、エッチングには、例えば、ウエットエッチングを用いることができる。
【００４３】
次に、図１９に示すように、フィルム状レジスト４１をレジスト剥離液により除去する。これにより、基材３１の面３１Ｂ側に、厚さＭ１の接続パッド３６が形成される。続いて、図２０に示すように、研磨処理により基材３１の面３１Ａ側に突出した突出部５１Ａを研磨することで、貫通ビア３５が形成される。研磨により平坦化された面３５Ａには、半導体素子２５のはんだバンプ２６が接続される。その後、図２１に示すように、接続パッド３６にはんだボール３７が配設されて基板３０となる。
【００４４】
上記説明したように、電解めっき法により貫通ビア３５及び接続パッド３６を構成するめっき膜５１を析出成長させる際、Ｎｉめっき膜４９及びＣｕめっき膜５０からなる０．２〜０．６μｍ程度の厚さの給電用めっき層４８を給電層とすることにより、給電層除去工程において、エッチングによる給電層（Ｎｉめっき膜４９及びＣｕめっき膜５０）の除去処理を、従来の給電層として金属箔５を用いた場合よりも短時間で行って、貫通ビア３５及び接続パッド３６に対応しためっき膜５１がエッチングされることを防止することができる。これにより、貫通ビア３５及び接続パッド３６の基材３１の面内における形状のばらつきが抑制され、精度の良い貫通ビア３５及び接続パッド３６を形成することができる。
【００４５】
図２２及び図２３は、本実施例に適用可能な他のフィルム状部材を示した図である。なお、図２２及び図２３において、図１５に示したフィルム状部材４５と同一構成部分には同一の符号を付す。
【００４６】
なお、本実施例では、Ｎｉめっき膜４９及びＣｕめっき膜５０からなる給電用めっき層４８を給電層として使用したが、図２２に示すフィルム状部材５５のように、無電解めっき法により形成されたＮｉめっき膜５６（膜厚０．１μｍ程度）のみを給電層として使用しても良い。この場合、貫通ビア３５及び接続パッド３６を構成するＣｕめっき膜５１と給電層であるＮｉめっき膜とは金属の種類が異なるため、給電層（Ｎｉめっき膜）を除去する際、Ｃｕめっき膜５１を溶解しないエッチング液を用いることで、貫通ビア３５及び接続パッド３６がエッチング液に溶解されることを防止できる。
【００４７】
また、図２３に示すフィルム状部材６０のように、無電解めっき法により形成されたＣｕめっき膜６１（膜厚０．１〜０．５μｍ程度）のみを給電層として使用しても良い。上記実施例においては、基材３１がシリコンの場合について説明を行ったが、基材３１がガラス基材やセラミック基材の場合にも適用可能である。また、半導体素子が形成されたシリコン基材（シリコンウエハ）に対しても本実施例は適用可能である。
【００４８】
以上、本発明の好ましい実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。なお、上記実施例は、貫通ビアのみを電解めっき法により形成する基板に対しても適用可能である。また、基材の面にそれぞれビルドアップ層を設けた基板に対しても、本発明は適用可能であり、本実施例と同様な効果を得ることができる。さらに、本発明は、シリコン以外の材料により構成された基材に対しても適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明は、給電層除去工程において、貫通ビアがエッチングされることを防止することのできる基板の製造方法に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】従来の貫通ビアを備えた基板の製造工程を示した図（その１）である。
【図２】従来の貫通ビアを備えた基板の製造工程を示した図（その２）である。
【図３】従来の貫通ビアを備えた基板の製造工程を示した図（その３）である。
【図４】従来の貫通ビアを備えた基板の製造工程を示した図（その４）である。
【図５】従来の貫通ビアを備えた基板の製造工程を示した図（その５）である。
【図６】従来の貫通ビアを備えた基板の製造工程を示した図（その６）である。
【図７】貫通ビア及び接続パッドを同時に形成する場合の基板の製造工程を示した図（その１）である。
【図８】貫通ビア及び接続パッドを同時に形成する場合の基板の製造工程を示した図（その２）である。
【図９】給電層除去工程後の基板の拡大図である。
【図１０】貫通ビア及び接続パッドを同時に形成する場合の基板の製造工程（給電層除去工程）を示した図である。
【図１１】本実施例の基板と半導体素子とを備えた半導体装置の断面図である。
【図１２】本実施例の貫通ビア及び接続パッドを備えた基板の製造工程を示した図（その１）である。
【図１３】本実施例の貫通ビア及び接続パッドを備えた基板の製造工程を示した図（その２）である。
【図１４】本実施例の貫通ビア及び接続パッドを備えた基板の製造工程を示した図（その３）である。
【図１５】本実施例の貫通ビア及び接続パッドを備えた基板の製造工程を示した図（その４）である。
【図１６】本実施例の貫通ビア及び接続パッドを備えた基板の製造工程を示した図（その５）である。
【図１７】本実施例の貫通ビア及び接続パッドを備えた基板の製造工程を示した図（その６）である。
【図１８】本実施例の貫通ビア及び接続パッドを備えた基板の製造工程を示した図（その７）である。
【図１９】本実施例の貫通ビア及び接続パッドを備えた基板の製造工程を示した図（その８）である。
【図２０】本実施例の貫通ビア及び接続パッドを備えた基板の製造工程を示した図（その９）である。
【図２１】接続パッドにはんだボールが接続される基板の製造工程を示した図である。
【図２２】本実施例に適用可能な他のフィルム状部材を示した図（その１）である。
【図２３】本実施例に適用可能な他のフィルム状部材を示した図（その２）である。
【符号の説明】
【００５１】
１，８１  シリコン基材
１Ａ  上面
２，８２  貫通孔
３，８３  絶縁膜
４  接着フィルム
５，８７  金属箔
７，４１Ａ，８５Ａ  開口部
９，８８Ａ，８８Ｂ，８８  めっき膜
９Ａ，９Ｂ  端面
１０，３５  貫通ビア
２０  半導体装置
２５  半導体素子
２６  はんだバンプ
３０  基板
３１  基材
８１Ａ  表面
３１Ａ，３１Ｂ，３４Ａ  面
３２，８３  絶縁層
３４，８２  貫通孔
３５Ａ  端部
３６  接続パッド
３７  はんだボール
４１，８５  フィルム状レジスト
４５，５５，６０  フィルム状部材
４６  フィルム状樹脂基材
４７  Ｐｄ含有樹脂層
４８  給電用めっき層
４９，５６  Ｎｉめっき膜
５０，５１，６１  Ｃｕめっき膜
５１Ａ  突出部
Ｍ１〜Ｍ５  厚さ
Ｒ１，Ｒ２  開口径
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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