(57)【要約】  【課題】半導体基板の一表面上の絶縁層上における各触媒金属部の近傍に電界発生用の金属電極を設けることなしに半導体基板の一表面に平行な面内で所望の方向にカーボンナノチューブを成長可能なカーボンナノチューブの製造方法を提供する。  【解決手段】半導体基板１の一表面上の絶縁層２上において互いに離間して形成した対となる触媒金属部４，４間にカーボンナノチューブ５を成長させるにあたり、対となる触媒金属部４，４の形成前に、半導体基板１の一表面側に対となる触媒金属部４，４間への電界発生用であり対となる高濃度不純物拡散層３ａ，３ｂを形成しておき、対となる触媒金属部４，４の形成後に、対となる高濃度不純物拡散層３ａ，３ｂ間に電圧を印加することで対となる触媒金属部４，４間に電界を発生させ且つ絶縁層２の表面側に炭素を含む原料ガスを供給して対となる触媒金属部４，４間にカーボンナノチューブ５を成長させる。【選択図】      図１
2006062900.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の一表面上の絶縁層上において互いに離間して形成された対となる触媒金属部間にカーボンナノチューブを成長させるにあたって、対となる触媒金属部の形成前に、半導体基板の前記一表面側に対となる触媒金属部間への電界発生用であり対となる高濃度不純物拡散層を形成しておき、対となる触媒金属部の形成後に、対となる高濃度不純物拡散層間に電圧を印加することで対となる触媒金属部間に電界を発生させ且つ絶縁層の表面側に炭素を含む原料ガスを供給して対となる触媒金属部間にカーボンナノチューブを成長させることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。
【請求項２】
対となる高濃度不純物拡散層それぞれの導電形を半導体基板の導電形とは異ならせることを特徴とする請求項１記載のカーボンナノチューブの製造方法。
【請求項３】
対となる高濃度不純物拡散層における一方の高濃度不純物拡散層の導電形を半導体基板の導電形と同じ導電形とするとともに他方の高濃度不純物拡散層の導電形を半導体基板の導電形と異なる導電形とし、且つ、対となる触媒金属部の形成前に、半導体基板において対となる高濃度不純物拡散層間の部位に前記他方の高濃度不純物拡散層と同じ導電形で半導体基板の表面の電界集中を緩和する低濃度の電界緩和領域を形成しておくことを特徴とする請求項１記載のカーボンナノチューブの製造方法。
【請求項４】
電界緩和領域の形成にあたっては、半導体基板において対となる高濃度不純物拡散層間の部位に電界緩和領域を複数形成することを特徴とする請求項３記載のカーボンナノチューブの製造方法。
【請求項５】
電界緩和領域の形成にあたっては、前記他方の高濃度不純物拡散層側から前記一方の高濃度不純物拡散層側に向かって不純物濃度が低くなる電界緩和領域を形成することを特徴とする請求項３記載のカーボンナノチューブの製造方法。
【請求項６】
半導体基板の一表面上の絶縁層上において互いに離間して形成された対となる触媒金属部間にカーボンナノチューブを成長させるにあたって、対となる触媒金属部の形成前に、半導体基板の前記一表面側であって且つ絶縁層の表面よりも半導体基板側に対となる触媒金属部間への電界発生用の抵抗部を形成しておき、対となる触媒金属部の形成後に、抵抗部の両端間に電圧を印加することで対となる触媒金属部間に電界を発生させ且つ絶縁層の表面側に炭素を含む原料ガスを供給して対となる触媒金属部間にカーボンナノチューブを成長させることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。
【請求項７】
抵抗部を形成するにあたっては、絶縁層中に埋設されるポリシリコン層からなる抵抗部を形成することを特徴とする請求項６記載のカーボンナノチューブの製造方法。
【請求項８】
抵抗部を形成するにあたっては、拡散抵抗層からなる抵抗部を形成することを特徴とする請求項６記載のカーボンナノチューブの製造方法。
【請求項９】
半導体基板の一表面上の絶縁層上において互いに離間して形成された対となる触媒金属部間にカーボンナノチューブを成長させるにあたって、対となる触媒金属部の形成前に、絶縁層中に対となる触媒金属部間への電界発生用の容量素子を形成しておき、対となる触媒金属部の形成後に、容量素子の両端間に電圧を印加することで対となる触媒金属部間に電界を発生させ且つ絶縁層の表面側に炭素を含む原料ガスを供給して対となる触媒金属部間にカーボンナノチューブを成長させることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。
【請求項１０】
対となる触媒金属部間に発生させる電界の所望の強度に応じて絶縁層の材料を、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ｔａ２Ｏ５、ＺｎＯ２の群から選択することを特徴とする請求項１ないし請求項９のいずれかに記載のカーボンナノチューブの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、カーボンナノチューブの製造方法に関し、特に、半導体基板の一表面に平行な面内で所望の方向にカーボンナノチューブを成長可能なカーボンナノチューブの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、所謂ナノテクノロジーの分野において注目されているカーボンナノチューブを用いた種々のカーボンナノチューブ応用デバイス（例えば、電子放出素子、ディスプレイ、電界効果型トランジスタ、メモリ、半導体圧力センサ、半導体加速度センサなど）や、カーボンナノチューブの製造方法が各所で研究開発されている。
【０００３】
ここにおいて、カーボンナノチューブの成長方向を制御可能なカーボンナノチューブの製造方法としては、半導体基板の一表面に直交する方向にカーボンナノチューブを成長可能なカーボンナノチューブの製造方法（例えば、特許文献１参照）や、半導体基板の一表面に平行な面内で所望の方向にカーボンナノチューブを成長可能なカーボンナノチューブの製造方法（例えば、特許文献２参照）が提案されている。
【０００４】
上記特許文献２に開示されたカーボンナノチューブの製造方法では、図９に示すように、絶縁層２上に触媒金属部４，４の対を形成し、絶縁層２上で対となる触媒金属部４，４よりも外側に配置された一対の電界発生用の金属電極１３，１３間に電圧を印加することで金属電極１３，１３間に電界を発生させた状態でＣＶＤ法により触媒金属部４，４間にカーボンナノチューブ５を成長させる。
【０００５】
また、半導体基板の一表面に平行な面内で所望の方向にカーボンナノチューブを成長可能なカーボンナノチューブの製造方法としては、図１０（ａ），（ｂ）に示すように、シリコン基板からなる半導体基板１上の絶縁層２上に対となる電界発生用の金属電極１３，１３を形成してから、各金属電極１３，１３上に触媒金属部４，４を形成した後、対となる金属電極１３，１３間に直流電源Ｅから電圧を印加することで金属電極１３，１３間に電界を発生させた状態でＣＶＤ法により触媒金属部４，４間にカーボンナノチューブ５を成長させる方法が考えられる。
【０００６】
ところで、カーボンナノチューブ応用デバイスの一例として挙がっている半導体圧力センサや半導体加速度センサなどの半導体物理量センサでは４つのゲージ抵抗素子をブリッジ接続して感度を高めることが一般的に行われているが、この種の半導体物理量センサのゲージ抵抗素子としてカーボンナノチューブを採用する場合、上述の図９や図１０を参照しながら説明したカーボンナノチューブの製造方法を適用することが考えられる。なお、ゲージ抵抗素子としてカーボンナノチューブを採用した半導体物理量センサの製造プロセスに関しては、カーボンナノチューブの製造後に、絶縁層２の表面側に絶縁膜を形成してから、カーボンナノチューブ５に電気的に接続されブリッジ回路などの回路パターンを構成する金属配線１５，１５（図９参照）を形成するプロセスが考えられる。
【特許文献１】特表２００２−５３０８０５号公報（段落〔００１７〕，〔００２１〕，〔００２４〕，〔００３０〕および図１，３，４）
【特許文献２】特表２００３−５０４８５７号公報（段落〔００４６〕，〔００４９〕および図３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述の図９や図１０を参照しながら説明したカーボンナノチューブの製造方法を適用して製造するカーボンナノチューブ応用デバイスの構成要素のパターン設計にあたっては、上述の電界発生用の金属電極１３，１３が回路パターンを構成する金属配線１５，１５に影響を与えない（例えば、金属電極１３，１３と回路パターンを構成する金属配線１５，１５と短絡しない）ように金属電極１３，１３のパターン設計を行う必要があり、金属電極１３，１３のパターン設計の制約が多いので、１枚のウェハに多数のカーボンナノチューブ応用デバイスを製造するような場合には上述のカーボンナノチューブの製造方法を適用することが難しいという不具合があった。なお、カーボンナノチューブ５の製造後に金属電極１３，１３をエッチングにより除去することも考えられるが、金属電極１３，１３のエッチングの際にカーボンナノチューブ５がエッチングダメージを受けて劣化してしまう恐れがあるので、このようなプロセスの採用は難しい。
【０００８】
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、半導体基板の一表面上の絶縁層上における各触媒金属部の近傍に電界発生用の金属電極を設けることなしに半導体基板の一表面に平行な面内で所望の方向にカーボンナノチューブを成長可能なカーボンナノチューブの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１の発明は、半導体基板の一表面上の絶縁層上において互いに離間して形成された対となる触媒金属部間にカーボンナノチューブを成長させるにあたって、対となる触媒金属部の形成前に、半導体基板の前記一表面側に対となる触媒金属部間への電界発生用であり対となる高濃度不純物拡散層を形成しておき、対となる触媒金属部の形成後に、対となる高濃度不純物拡散層間に電圧を印加することで対となる触媒金属部間に電界を発生させ且つ絶縁層の表面側に炭素を含む原料ガスを供給して対となる触媒金属部間にカーボンナノチューブを成長させることを特徴とする。
【００１０】
この発明によれば、カーボンナノチューブを成長させる際、対となる高濃度不純物拡散層間に電圧を印加することにより対となる触媒金属部間に電界を発生させることができ、対となる触媒金属部間に対となる触媒金属部の並設方向を長手方向とするカーボンナノチューブを成長させることができるので、半導体基板の一表面上の絶縁層上における各触媒金属部の近傍に電界発生用の金属電極を設けることなしに半導体基板の一表面に平行な面内で所望の方向にカーボンナノチューブを成長させることが可能となる。したがって、高濃度不純物拡散層および各高濃度不純物拡散層それぞれと電気的に接続される通電用の配線のパターンを適宜設計することにより、１枚のウェハに多数のカーボンナノチューブ応用デバイスを製造するような場合のカーボンナノチューブの製造方法として適用可能となる。
【００１１】
請求項２の発明は、請求項１の発明において、対となる高濃度不純物拡散層それぞれの導電形を半導体基板の導電形とは異ならせることを特徴とする。
【００１２】
この発明によれば、対となる高濃度不純物拡散層を同時に形成することができ、対となる高濃度不純物拡散層間の距離の精度を高めることができるので、対となる触媒金属部間に発生する電界の強度や分布の再現性を高めることができる。
【００１３】
請求項３の発明は、請求項１の発明において、対となる高濃度不純物拡散層における一方の高濃度不純物拡散層の導電形を半導体基板の導電形と同じ導電形とするとともに他方の高濃度不純物拡散層の導電形を半導体基板の導電形と異なる導電形とし、且つ、対となる触媒金属部の形成前に、半導体基板において対となる高濃度不純物拡散層間の部位に前記他方の高濃度不純物拡散層と同じ導電形で半導体基板の表面の電界集中を緩和する低濃度の電界緩和領域を形成しておくことを特徴とする。
【００１４】
この発明によれば、対となる高濃度不純物拡散層間に電圧を印加したときに半導体基板の表面電界が緩和されて、対となる触媒金属部それぞれの近傍の電界集中が緩和されるので、対となる触媒金属部間に所望の方向のカーボンナノチューブを安定して成長させることができる。
【００１５】
請求項４の発明は、請求項３の発明において、電界緩和領域の形成にあたっては、半導体基板において対となる高濃度不純物拡散層間の部位に電界緩和領域を複数形成することを特徴とする。
【００１６】
この発明によれば、半導体基板の表面電界をより効果的に緩和でき、対となる触媒金属部間の電界をより効果的に緩和することができる。
【００１７】
請求項５の発明は、請求項３の発明において、電界緩和領域の形成にあたっては、前記他方の高濃度不純物拡散層側から前記一方の高濃度不純物拡散層側に向かって不純物濃度が低くなる電界緩和領域を形成することを特徴とする。
【００１８】
この発明によれば、半導体基板の表面電界をより効果的に緩和でき、対となる触媒金属部間の電界をより効果的に緩和することができる。
【００１９】
請求項６の発明は、半導体基板の一表面上の絶縁層上において互いに離間して形成された対となる触媒金属部間にカーボンナノチューブを成長させるにあたって、対となる触媒金属部の形成前に、半導体基板の前記一表面側であって且つ絶縁層の表面よりも半導体基板側に対となる触媒金属部間への電界発生用の抵抗部を形成しておき、対となる触媒金属部の形成後に、抵抗部の両端間に電圧を印加することで対となる触媒金属部間に電界を発生させ且つ絶縁層の表面側に炭素を含む原料ガスを供給して対となる触媒金属部間にカーボンナノチューブを成長させることを特徴とする。
【００２０】
この発明によれば、カーボンナノチューブを成長させる際、抵抗部の両端間に電圧を印加することにより対となる触媒金属部間に電界を発生させることができ、対となる触媒金属部間に対となる触媒金属部の並設方向を長手方向とするカーボンナノチューブを成長させることができるので、半導体基板の一表面上の絶縁層上における各触媒金属部の近傍に電界発生用の金属電極を設けることなしに半導体基板の一表面に平行な面内で所望の方向にカーボンナノチューブを成長させることが可能となる。したがって、抵抗部および抵抗部の両端部それぞれと電気的に接続される通電用の配線のパターンを適宜設計することにより、１枚のウェハに多数のカーボンナノチューブ応用デバイスを製造するような場合のカーボンナノチューブの製造方法として適用可能となる。
【００２１】
請求項７の発明は、請求項６の発明において、抵抗部を形成するにあたっては、絶縁層中に埋設されるポリシリコン層からなる抵抗部を形成することを特徴とする。
【００２２】
この発明によれば、抵抗部を一般的な半導体製造プロセスにより簡単に形成することができる。
【００２３】
請求項８の発明は、請求項６の発明において、抵抗部を形成するにあたっては、拡散抵抗層からなる抵抗部を形成することを特徴とする。
【００２４】
この発明によれば、抵抗部を一般的な半導体製造プロセスにより簡単に形成することができる。
【００２５】
請求項９の発明は、半導体基板の一表面上の絶縁層上において互いに離間して形成された対となる触媒金属部間にカーボンナノチューブを成長させるにあたって、対となる触媒金属部の形成前に、絶縁層中に対となる触媒金属部間への電界発生用の容量素子を形成しておき、対となる触媒金属部の形成後に、容量素子の両端間に電圧を印加することで対となる触媒金属部間に電界を発生させ且つ絶縁層の表面側に炭素を含む原料ガスを供給して対となる触媒金属部間にカーボンナノチューブを成長させることを特徴とする。
【００２６】
この発明によれば、カーボンナノチューブを成長させる際、容量素子の両端間に電圧を印加することにより対となる触媒金属部間に電界を発生させることができ、対となる触媒金属部間に対となる触媒金属部の並設方向を長手方向とするカーボンナノチューブを成長させることができるので、半導体基板の一表面上の絶縁層上における各触媒金属部の近傍に電界発生用の金属電極を設けることなしに半導体基板の一表面に平行な面内で所望の方向にカーボンナノチューブを成長させることが可能となる。したがって、容量素子および容量素子それぞれと電気的に接続される通電用の配線のパターンを適宜設計することにより、１枚のウェハに多数のカーボンナノチューブ応用デバイスを製造するような場合のカーボンナノチューブの製造方法として適用可能となる。
【００２７】
請求項１０の発明は、請求項１ないし請求項９の発明において、対となる触媒金属部間に発生させる電界の所望の強度に応じて絶縁層の材料を、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ｔａ２Ｏ５、ＺｎＯ２の群から選択することを特徴とする。
ことを特徴とする。
【００２８】
この発明によれば、絶縁層の材料を、それぞれ誘電率が異なるＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ｔａ２Ｏ５、ＺｎＯ２の群から選択することにより、対となる触媒金属部間に発生させる電界の強度や分布を制御することができる。
【発明の効果】
【００２９】
請求項１ないし請求項１０の発明では、半導体基板の一表面上の絶縁層上における各触媒金属部の近傍に電界発生用の金属電極を設けることなしに半導体基板の一表面に平行な面内で所望の方向にカーボンナノチューブを成長させることが可能となるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
（実施形態１）
以下、本実施形態のカーボンナノチューブの製造方法について図１（ａ），（ｂ）を参照しながら説明する。
【００３１】
シリコン基板からなる半導体基板１の一表面（図１（ｂ）における上面）上のＳｉＯ２膜からなる絶縁層２上において互いに離間して形成された対となる触媒金属部４，４間にカーボンナノチューブ５を成長させるにあたって、まず、対となる触媒金属部４，４の形成前に、半導体基板１の上記一表面側に対となる触媒金属部４，４間への電界発生用であり対となる高濃度不純物拡散層３ａ，３ｂを形成する。ここにおいて、本実施形態では、半導体基板１として導電形がｎ形（ｎ−）のシリコン基板を用いており、対となる高濃度不純物拡散層３ａ，３ｂの導電形をｐ形（ｐ＋）として半導体基板１の導電形とは異ならせてあるが、半導体基板１として導電形がｐ形（ｐ−）のシリコン基板を用いてもよく、この場合は、対となる高濃度不純物拡散層３ａ，３ｂの導電形をｎ形（ｎ＋）として半導体基板１の導電形と異ならせればよい。また、対となる高濃度不純物拡散層３ａ，３ｂ間の距離は、後で形成する対となる触媒金属部４，４間の距離よりも大きく且つ対となる触媒金属部４，４の互いの対向面とは反対側の側面間（図１（ａ），（ｂ）における左側の触媒金属部４の左側面と右側の触媒金属部４の右側面との間）の距離よりも小さく設定してある。なお、高濃度不純物拡散層３ａ，３ｂは、例えば、半導体基板１の上記一表面上にイオン注入用のマスク層を形成してから、ｐ形不純物（例えば、ボロンなど）のイオン注入を高ドーズ量の条件で行い、熱拡散させることにより形成すればよい。
【００３２】
高濃度不純物拡散層３ａ，３ｂの対の形成後、半導体基板１の一表面側にＳｉＯ２膜からなる絶縁層２を例えば熱酸化法やＣＶＤ法などによって形成する。
【００３３】
続いて、絶縁層２上に対となる触媒金属部４，４を所定距離（後で成長させるカーボンナノチューブの所望の長さ寸法）だけ離間して互いの対向面が平行となる形状で形成する。ここにおいて、対となる触媒金属部４，４と対となる高濃度不純物拡散層３ａ，３ｂとの相対的な位置関係は、半導体基板１の厚み方向（図１（ｂ）における上下方向）において触媒金属部４，４の一部と高濃度不純物拡散層３ａ，３ｂの一部とが重なる位置関係となっている。また、触媒金属部４，４の対の形成にあたっては、絶縁層２上にカーボンナノチューブを成長させるための触媒金属材料（例えば、鉄、ニッケル、コバルトなど）からなる触媒金属薄膜を成膜し、リソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して触媒金属薄膜をパターニングすることによってそれぞれ触媒金属薄膜の一部からなる触媒金属部４，４を形成する。なお、触媒金属部４，４の平面形状は図１０（ａ）に示した従来例と同じ細長の長方形状の形状として、触媒金属部４，４の長手方向を絶縁層２の上記一表面に平行な面内で触媒金属部４，４の並設方向（図１（ａ）における左右方向）と直交する方向に一致させてある。
【００３４】
対となる触媒金属部４，４の形成後に、各高濃度不純物拡散層３ａ，３ｂそれぞれに電気的に接続される通電用の配線１４，１４（図１（ｂ）参照）を形成してから、配線１４，１４を介して対となる高濃度不純物拡散層３ａ，３ｂ間に所定の電圧（直流電圧）を印加することで対となる高濃度不純物拡散層３ａ，３ｂ間および対となる触媒金属部４，４間に電界を発生させ且つ絶縁層２の表面側に炭素を含む原料ガス（例えば、炭化水素を含むＣ２Ｈ２ガス、Ｃ２Ｈ４ガス、ＣＨ４ガスなど）を供給して例えばＣＶＤ法によって対となる触媒金属部４，４間にカーボンナノチューブ５を成長させる（対となる触媒金属部４，４の一方の触媒金属部４から他方の触媒金属部４へ向かってカーボンナノチューブ５を成長させる）。ここにおいて、対となる高濃度不純物拡散層３ａ，３ｂ間に電圧を印加することによって、絶縁層２を介して、対となる触媒金属部４，４間には均一な電界分布が生じる。なお、ＣＶＤ法によってカーボンナノチューブを成長させる際の基板温度は、原料ガスおよび触媒金属材料の種類に応じて例えば５００℃〜１０００℃の範囲で適宜設定すればよい。
【００３５】
なお、カーボンナノチューブ応用デバイスとして例えば半導体圧力センサや半導体加速度センサなどの半導体物理量センサを想定し、当該半導体物理量センサの製造プロセスを考えた場合には、マイクロマシンニング技術などによって半導体基板１を所定形状の構造体（半導体圧力センサであれば、ダイヤフラム部を有する構造体、半導体加速度センサであれば、支持部に撓み部を介して支持された重り部を有する構造体）に加工した後、上述のカーボンナノチューブの製造方法を採用してカーボンナノチューブ５を製造し、その後、絶縁層２の表面側に絶縁膜を形成してから、カーボンナノチューブ５に電気的に接続されブリッジ回路などの回路パターンを構成する金属配線１５，１５を形成すればよい。
【００３６】
以上説明したカーボンナノチューブの製造方法によれば、カーボンナノチューブ５を成長させる際、対となる高濃度不純物拡散層３ａ，３ｂ間に所定の電圧を印加することにより対となる触媒金属部４，４間に均一な電界分布を発生させることができ、対となる触媒金属部４，４間に対となる触媒金属部４，４の並設方向を長手方向とするカーボンナノチューブ５を成長させることができるので、半導体基板１の上記一表面上の絶縁層２上における各触媒金属部４，４の近傍に電界発生用の金属電極１３，１３（図９および図１０参照）を設けることなしに半導体基板１の上記一表面に平行な面内で所望の方向にカーボンナノチューブを成長させることが可能となる（図１（ａ）の左右方向を長手方向とするカーボンナノチューブ５を成長させることが可能となる）。したがって、高濃度不純物拡散層３ａ，３ｂおよび各高濃度不純物拡散層３ａ，３ｂそれぞれと電気的に接続される通電用の配線１４，１４のパターンを適宜設計することにより、カーボンナノチューブの製造に際して必要な構成要素がカーボンナノチューブ応用デバイスの回路パターンを形成する金属配線１５，１５へ影響を与えるのを防止することができるとともに、１枚のウェハに多数のカーボンナノチューブ応用デバイスを製造するような場合のカーボンナノチューブの製造方法として適用可能となる。
【００３７】
また、対となる高濃度不純物拡散層３ａ，３ｂの導電形および不純物濃度を同じとしてあるので、対となる高濃度不純物拡散層３ａ，３ｂを同時に形成することができるから、対となる高濃度不純物拡散層３ａ，３ｂ間の距離の精度を高めることができ、対となる触媒金属部４，４間に発生する電界の強度や分布の再現性を高めることができる。
【００３８】
なお、図９や図１０を参照しながら説明した従来のカーボンナノチューブの製造方法では、対となる金属電極１３，１３の形状と対となる金属電極１３，１３間に印加する電圧の電圧値とで対となる触媒金属部４，４間の電界分布や電位勾配が決定されるが、本実施形態のカーボンナノチューブの製造方法では、各高濃度不純物拡散層３ａ，３ｂの不純物濃度やサイズを適宜変更することにより、対となる触媒金属部４，４間に発生する電界分布や電位勾配などのより細かな制御が可能となる。
【００３９】
ところで、対となる触媒金属部４，４の平面形状が上述のような細長の長方形状の形状となって且つ対となる触媒金属部４，４の互いの対向面が平面となっている場合、対となる触媒金属部４，４間には多数のカーボンナノチューブ５が成長するが、上述のように触媒金属部４，４間の電界分布の均一性が高い状態で各カーボンナノチューブを成長させるので、各カーボンナノチューブ５の成長初期から成長終了まで各カーボンナノチューブ５の成長方向を安定して制御することができ、成長途中のカーボンナノチューブ５同士が干渉して絡み合うのを防止することができる。
【００４０】
（実施形態２）
本実施形態のカーボンナノチューブの製造方法は基本的には実施形態１の製造方法と同じであり、対となる触媒金属部４，４の形成前に対となる高濃度不純物拡散層３ａ，３ｂを形成するにあたって、図２（ａ），（ｂ）に示すように、対となる高濃度不純物拡散層３ａ，３ｂにおける一方の高濃度不純物拡散層３ａの導電形をｎ形（ｎ＋）として半導体基板１と同じ導電形とするとともに他方の高濃度不純物拡散層３ｂの導電形をｐ形（ｐ＋）として半導体基板１の導電形と異なる導電形としている点が相違する。また、対となる触媒金属部４，４の形成前に、半導体基板１において対となる高濃度不純物拡散層３ａ，３ｂ間の部位に上記他方の高濃度不純物拡散層３ｂと同じ導電形で半導体基板１の表面の電界集中を緩和する低濃度の電界緩和領域６を形成している点が相違するが、他の工程は実施形態１と同じである。なお、本実施形態では、半導体基板１の導電形をｎ形（ｎ−）とし、上記一方の高濃度不純物拡散層３ａの導電形をｎ形（ｎ＋）、上記他方の高濃度不純物拡散層３ｂの導電形をｐ形（ｐ＋）としてあるので、電界緩和領域６の導電形をｐ形（ｐ−）としてあるが、半導体基板１の導電形をｐ形（ｐ−）とし、上記一方の高濃度不純物拡散層３ａの導電形をｐ形（ｐ＋）、上記他方の高濃度不純物拡散層３ｂの導電形をｎ形（ｎ＋）として、電界緩和領域６の導電形をｎ形（ｎ−）としてもよい。
【００４１】
しかして、本実施形態のカーボンナノチューブの製造方法によれば、実施形態１と同様に、半導体基板１の上記一表面上の絶縁層２上における各触媒金属部４，４の近傍に電界発生用の金属電極１３，１３（図９および図１０参照）を設けることなしに半導体基板１の上記一表面に平行な面内で所望の方向にカーボンナノチューブを成長させることが可能となる。また、通電用の配線１４，１４を介して対となる高濃度不純物拡散層３ａ，３ｂ間に電圧を印加したときに高濃度不純物拡散層３ａ，３ｂ間に空乏層が形成されるが、電界緩和領域６を設けてあることにより、半導体基板１において高濃度不純物拡散層３ａ，３ｂ近傍で電界が集中せずに高濃度不純物拡散層３ａ，３ｂ間に広がり（つまり、半導体基板１の表面電界が緩和されて）、対となる触媒金属部４，４それぞれの近傍の電界集中が緩和されるので、電界集中が緩和された電界分布の状態で対となる触媒金属部４，４間にカーボンナノチューブ５を成長させることとなり、対となる触媒金属部４，４間に所望の方向のカーボンナノチューブ５を安定して成長させることができる（カーボンナノチューブ５の成長方向の制御性が向上する）。
【００４２】
（実施形態３）
本実施形態のカーボンナノチューブの製造方法は基本的には実施形態２の製造方法と同じであり、図３（ａ），（ｂ）に示すように、電界緩和領域６の形成にあたっては、半導体基板１において対となる高濃度不純物拡散層３ａ，３ｂ間の部位に電界緩和領域６を複数形成する点が相違するだけであり、他の工程は実施形態２と同じである。すなわち、本実施形態では、対となる高濃度不純物拡散層３ａ，３ｂの離間方向（図３（ａ），（ｂ）における左右方向であって、電界のかかる方向）における電界緩和領域６の幅を実施形態２よりも小さくし、対となる高濃度不純物拡散層３ａ，３ｂの間に、複数の電界緩和領域６を上記離間方向に所定間隔ずつ離して形成している点が実施形態２と相違するだけである。
【００４３】
しかして、本実施形態のカーボンナノチューブの製造方法によれば、実施形態１と同様に、半導体基板１の上記一表面上の絶縁層２上における各触媒金属部４，４の近傍に電界発生用の金属電極１３，１３（図９および図１０参照）を設けることなしに半導体基板１の上記一表面に平行な面内で所望の方向にカーボンナノチューブを成長させることが可能となる。また、実施形態２の製造方法に比べて、半導体基板１の表面電界をより効果的に緩和でき、対となる触媒金属部４，４間の電界をより効果的に緩和することができ、カーボンナノチューブ５の成長方向の制御性がより向上する。
【００４４】
（実施形態４）
本実施形態のカーボンナノチューブの製造方法は基本的には実施形態２の製造方法と同じであり、図４（ａ），（ｂ）に示すように、電界緩和領域６の形成にあたって、上記他方の高濃度不純物拡散層３ｂ側から上記一方の高濃度不純物拡散層３ａ側に向かって不純物濃度が低くなる電界緩和領域６を形成する点が相違するだけであり、他の工程は実施形態２と同じである。ここにおいて、本実施形態では、不純物濃度を段階的に変化させた２つの低濃度不純物領域６ａ，６ｂにより電界緩和領域６を構成しており、上記他方の高濃度不純物拡散層３ｂに近い側の低濃度不純物領域６ａの不純物濃度よりも上記一方の高濃度不純物拡散層３ａに近い側の低濃度不純物領域６ｂの不純物濃度の方が低くなっている。なお、本実施形態では、電界緩和領域６を２つの低濃度不純物領域６ａ，６ｂにより構成しているが、不純物濃度を段階的に変化させた３つ以上の低濃度不純物領域により構成してもよい。
【００４５】
しかして、本実施形態のカーボンナノチューブの製造方法によれば、実施形態１と同様に、半導体基板１の上記一表面上の絶縁層２上における各触媒金属部４，４の近傍に電界発生用の金属電極１３，１３（図９および図１０参照）を設けることなしに半導体基板１の上記一表面に平行な面内で所望の方向にカーボンナノチューブを成長させることが可能となる。また、実施形態２の製造方法に比べて、半導体基板１の表面電界をより効果的に緩和でき、対となる触媒金属部４，４間の電界をより効果的に緩和することができ、カーボンナノチューブ５の成長方向の制御性がより向上する。
【００４６】
（実施形態５）
以下、本実施形態のカーボンナノチューブの製造方法について図５（ａ），（ｂ）を参照しながら説明するが、実施形態１と同様の工程については説明を適宜省略する。
【００４７】
シリコン基板からなる半導体基板１の一表面（図５（ｂ）における上面）上のＳｉＯ２膜からなる絶縁層２上において互いに離間して形成された対となる触媒金属部４，４間にカーボンナノチューブ５を成長させるにあたって、まず、対となる触媒金属部４，４の形成前に、半導体基板１の上記一表面側であって且つ絶縁層２の表面よりも半導体基板１側に対となる触媒金属部４，４間への電界発生用の抵抗部７を形成する。ここにおいて、本実施形態では、抵抗部７をポリシリコン層により構成しており、絶縁層２中に抵抗部７を埋設している。具体的には、絶縁層２の一部を構成するＳｉＯ２膜からなる第１の絶縁膜２ａを半導体基板１の上記一表面上に例えばＣＶＤ法などによって形成した後、ポリシリコン層をＣＶＤ法などによって形成し、当該ポリシリコン層をリソグラフィ技術およびエッチング技術によってパターニングすることで抵抗部７を形成してから、第１の絶縁膜２ａおよび抵抗部７の露出部位を覆うようにＳｉＯ２膜からなる第２の絶縁膜２ｂを例えばＣＶＤ法などによって形成することで、第１の絶縁膜２ａと第２の絶縁膜２ｂとで構成される絶縁層２中に抵抗部７を埋設すればよい。なお、後で形成する対となる触媒金属部４，４の並設方向における抵抗部７の長さ寸法は触媒金属部４，４間の距離よりも大きく、対となる触媒金属部４，４の互いの対向面とは反対側の側面間（図５（ａ），（ｂ）における左側の触媒金属部４の左側面と右側の触媒金属部４の右側面との間）の距離よりも大きく設定してある。
【００４８】
続いて、絶縁層２上に対となる触媒金属部４，４を所定距離（後で成長させるカーボンナノチューブの所望の長さ寸法）だけ離間して互いの対向面が平行となる形状で形成する。
【００４９】
対となる触媒金属部４，４の形成後に、抵抗部７の両端部（図５（ａ）における左右両端部）それぞれに電気的に接続される通電用の配線１４，１４を形成してから、配線１４，１４を介して抵抗部７の両端間に所定の電圧（直流電圧）を印加することで対となる触媒金属部４，４間に電界を発生させ且つ絶縁層２の表面側に炭素を含む原料ガス（例えば、炭化水素を含むＣ２Ｈ２ガス、Ｃ２Ｈ４ガス、ＣＨ４ガスなど）を供給して例えばＣＶＤ法によって対となる触媒金属部４，４間にカーボンナノチューブ５を成長させる（対となる触媒金属部４，４の一方の触媒金属部４から他方の触媒金属部４へ向かってカーボンナノチューブ５を成長させる）。ここにおいて、抵抗部７の両端間に電圧を印加することによって、第２の絶縁膜２ｂを介して、対となる触媒金属部４，４間には均一な電界分布が生じる。
【００５０】
なお、カーボンナノチューブ応用デバイスとして例えば半導体圧力センサや半導体加速度センサなどの半導体物理量センサを想定し、当該半導体物理量センサの製造プロセスを考えた場合には、マイクロマシンニング技術などによって半導体基板１を所定形状の構造体（半導体圧力センサであれば、ダイヤフラム部を有する構造体、半導体加速度センサであれば、支持部に撓み部を介して支持された重り部を有する構造体）に加工した後、上述のカーボンナノチューブの製造方法を採用してカーボンナノチューブ５を製造し、その後、絶縁層２の表面側に絶縁膜を形成してから、カーボンナノチューブ５に電気的に接続されブリッジ回路などの回路パターンを構成する金属配線１５，１５を形成すればよい。
【００５１】
以上説明したカーボンナノチューブの製造方法によれば、カーボンナノチューブ５を成長させる際、半導体基板１の上記一表面側であって且つ絶縁層２の表面よりも半導体基板１側に設けた抵抗部７の両端間に所定の電圧を印加することにより対となる触媒金属部４，４間に均一な電界分布を発生させることができ、対となる触媒金属部４，４間に対となる触媒金属部４，４の並設方向を長手方向とするカーボンナノチューブ５を成長させることができるので、半導体基板１の上記一表面上の絶縁層２上における各触媒金属部４，４の近傍に電界発生用の金属電極１３，１３（図９および図１０参照）を設けることなしに半導体基板１の上記一表面に平行な面内で所望の方向にカーボンナノチューブを成長させることが可能となる（図５（ａ）の左右方向を長手方向とするカーボンナノチューブ５を成長させることが可能となる）。したがって、抵抗部７および抵抗部７の両端部それぞれと電気的に接続される通電用の配線のパターンを適宜設計することにより、カーボンナノチューブの製造に際して必要な構成要素がカーボンナノチューブ応用デバイスの回路パターンを形成する金属配線へ影響を与えるのを防止することができるとともに、１枚のウェハに多数のカーボンナノチューブ応用デバイスを製造するような場合のカーボンナノチューブの製造方法として適用可能となる。
【００５２】
また、抵抗部７を形成するにあたっては、絶縁層２中に埋設されるポリシリコン層からなる抵抗部７を形成するようにしているので、抵抗部７を一般的な半導体製造プロセスにより簡単に形成することができる。また、図９や図１０を参照しながら説明した従来のカーボンナノチューブの製造方法では、対となる金属電極１３，１３の形状と対となる金属電極１３，１３間に印加する電圧の電圧値とで対となる触媒金属部４，４間の電界分布や電位勾配が決定されるが、本実施形態のカーボンナノチューブの製造方法では、抵抗部７の不純物濃度やサイズを適宜変更することにより、対となる触媒金属部４，４間に発生する電界分布や電位勾配などのより細かな制御が可能となる。ここに、抵抗部７の不純物濃度を変更するには、ポリシリコン層の成膜時の条件を変更してもよいし、ポリシリコン層の成膜後にイオン注入を行うようにしてドーズ量を変更するようにしてもよい。
【００５３】
なお、本実施形態では、半導体基板１として導電形がｎ形（ｎ−）のシリコン基板を用いているが、半導体基板１として導電形がｐ形（ｐ−）のシリコン基板を用いてもよい。
【００５４】
（実施形態６）
本実施形態のカーボンナノチューブの製造方法は実施形態５と略同じであり、実施形態５では、抵抗部７をポリシリコン層により構成して絶縁層２中に埋設していたのに対して、本実施形態では、図６（ａ），（ｂ）に示すように、抵抗部７を拡散抵抗層により構成し半導体基板１内に形成している点に特徴がある。
【００５５】
すなわち、本実施形態のカーボンナノチューブの製造方法では、対となる触媒金属部４，４の形成前に、半導体基板１の上記一表面側に半導体基板１とは異なる導電形の抵抗拡散層からなる抵抗部７を形成してから、半導体基板１の上記一表面上に抵抗部７の両端部それぞれと電気的に接続されるコンタクト電極１８，１８を形成し、その後、半導体基板１の上記一表面側にＳｉＯ２膜からなる絶縁層２を例えばＣＶＤ法などによって形成する。絶縁層２を形成した後の工程は実施形態５と同様である。
【００５６】
しかして、本実施形態のカーボンナノチューブの製造方法によれば、カーボンナノチューブ５を成長させる際、半導体基板１の上記一表面側であって且つ絶縁層２の表面よりも半導体基板１側に設けた抵抗部７の両端間にコンタクト電極１８，１８を介して所定の電圧を印加することにより対となる触媒金属部４，４間に均一な電界分布を発生させることができ、対となる触媒金属部４，４間に対となる触媒金属部４，４の並設方向を長手方向とするカーボンナノチューブ５を成長させることができるので、半導体基板１の上記一表面上の絶縁層２上における各触媒金属部４，４の近傍に電界発生用の金属電極１３，１３（図９および図１０参照）を設けることなしに半導体基板１の上記一表面に平行な面内で所望の方向にカーボンナノチューブを成長させることが可能となる。したがって、抵抗部７およびコンタクト電極１８，１８それぞれと電気的に接続される通電用の配線（図示せず）のパターンを適宜設計することにより、カーボンナノチューブの製造に際して必要な構成要素がカーボンナノチューブ応用デバイスの回路パターンを形成する金属配線１５，１５へ影響を与えるのを防止することができるとともに、１枚のウェハに多数のカーボンナノチューブ応用デバイスを製造するような場合のカーボンナノチューブの製造方法として適用可能となる。また、抵抗部７を形成するにあたっては、拡散抵抗層からなる抵抗部７を形成するようにしているので、抵抗部７を一般的な半導体製造プロセスにより簡単に形成することができる。また、図９や図１０を参照しながら説明した従来のカーボンナノチューブの製造方法では、対となる金属電極１３，１３の形状と対となる金属電極１３，１３間に印加する電圧の電圧値とで対となる触媒金属部４，４間の電界分布や電位勾配が決定されるが、本実施形態のカーボンナノチューブの製造方法では、イオン注入を利用して形成する抵抗部７の不純物濃度やサイズを適宜変更することにより、対となる触媒金属部４，４間に発生する電界分布や電位勾配などのより細かな制御が可能となる。
【００５７】
なお、本実施形態では、半導体基板１の導電形をｎ形（ｎ−）とし、抵抗部７を構成する拡散抵抗層の導電形をｐ形（ｐ−）としてあるが、半導体基板１の導電形をｐ形（ｐ−）とし、拡散抵抗層の導電形をｎ形（ｎ−）としてもよい。
【００５８】
（実施形態７）
以下、本実施形態のカーボンナノチューブの製造方法について図７（ａ），（ｂ）を参照しながら説明するが、実施形態１と同様の工程については説明を適宜省略する。
【００５９】
ｎ形（ｎ−）のシリコン基板からなる半導体基板１の一表面（図７（ｂ）における上面）上のＳｉＯ２膜からなる絶縁層２上において互いに離間して形成された対となる触媒金属部４，４間にカーボンナノチューブ５を成長させるにあたって、まず、対となる触媒金属部４，４の形成前に、絶縁層２中に対となる触媒金属部４，４間への電界発生用の容量素子８を形成する。ここにおいて、本実施形態では、容量素子８を、絶縁層２中に埋設された対となる電極８ａ，８ａと絶縁層２のうち対となる電極８ａ，８ａ間に介在する部分とで構成される容量要素（コンデンサ）の直列回路により構成しており、具体的には、絶縁層２の一部を構成するＳｉＯ２膜からなる第１の絶縁膜２ａを半導体基板１の上記一表面上に例えばＣＶＤ法などによって形成した後、ポリシリコン層をＣＶＤ法などによって形成し、当該ポリシリコン層をリソグラフィ技術およびエッチング技術によってパターニングすることで多数の電極８ａを形成してから、第１の絶縁膜２ａおよび各電極８ａの露出部位を覆うようにＳｉＯ２膜からなる第２の絶縁膜２ｂを例えばＣＶＤ法などによって形成することで、第１の絶縁膜２ａと第２の絶縁膜２ｂとで構成される絶縁層２中に容量素子８を埋設すればよい。
【００６０】
続いて、絶縁層２上に対となる触媒金属部４，４を所定距離（後で成長させるカーボンナノチューブの所望の長さ寸法）だけ離間して互いの対向面が平行となる形状で形成する。
【００６１】
対となる触媒金属部４，４の形成後に、容量素子８の両端部（図７（ａ），（ｂ）における左右両端の電極８ａ，８ａ）それぞれに電気的に接続される通電用の配線１４，１４を形成してから、配線１４，１４を介して容量素子８の両端間に所定の電圧（直流電圧）を印加することで対となる触媒金属部４，４間に電界を発生させ且つ絶縁層２の表面側に炭素を含む原料ガス（例えば、炭化水素を含むＣ２Ｈ２ガス、Ｃ２Ｈ４ガス、ＣＨ４ガスなど）を供給して例えばＣＶＤ法によって対となる触媒金属部４，４間にカーボンナノチューブ５を成長させる（対となる触媒金属部４，４の一方の触媒金属部４から他方の触媒金属部４へ向かってカーボンナノチューブ５を成長させる）。ここにおいて、容量素子８の両端間に電圧を印加することによって、第２の絶縁膜２ｂを介して、対となる触媒金属部４，４間には均一な電界分布が生じる。
【００６２】
なお、カーボンナノチューブ応用デバイスとして例えば半導体圧力センサや半導体加速度センサなどの半導体物理量センサを想定し、当該半導体物理量センサの製造プロセスを考えた場合には、マイクロマシンニング技術などによって半導体基板１を所定形状の構造体（半導体圧力センサであれば、ダイヤフラム部を有する構造体、半導体加速度センサであれば、支持部に撓み部を介して支持された重り部を有する構造体）に加工した後、上述のカーボンナノチューブの製造方法を採用してカーボンナノチューブ５を製造し、その後、絶縁層２の表面側に絶縁膜を形成してから、カーボンナノチューブ５に電気的に接続されブリッジ回路などの回路パターンを構成する金属配線１５，１５を形成すればよい。
【００６３】
以上説明したカーボンナノチューブの製造方法によれば、カーボンナノチューブ５を成長させる際、半導体基板１の上記一表面側であって且つ絶縁層２の表面よりも半導体基板１側に設けた容量素子８の両端間に所定の電圧を印加することにより対となる触媒金属部４，４間に均一な電界分布を発生させることができ、対となる触媒金属部４，４間に対となる触媒金属部４，４の並設方向を長手方向とするカーボンナノチューブ５を成長させることができるので、半導体基板１の上記一表面上の絶縁層２上における各触媒金属部４，４の近傍に電界発生用の金属電極１３，１３（図９および図１０参照）を設けることなしに半導体基板１の上記一表面に平行な面内で所望の方向にカーボンナノチューブを成長させることが可能となる。したがって、容量素子８および容量素子８の両端部それぞれと電気的に接続される通電用の配線１４，１４のパターンを適宜設計することにより、カーボンナノチューブの製造に際して必要な構成要素がカーボンナノチューブ応用デバイスの回路パターンを形成する金属配線１５，１５へ影響を与えるのを防止することができるとともに、１枚のウェハに多数のカーボンナノチューブ応用デバイスを製造するような場合のカーボンナノチューブの製造方法として適用可能となる。
【００６４】
また、図９や図１０を参照しながら説明した従来のカーボンナノチューブの製造方法では、対となる金属電極１３，１３の形状と対となる金属電極１３，１３間に印加する電圧の電圧値とで対となる触媒金属部４，４間の電界分布や電位勾配が決定されるが、本実施形態のカーボンナノチューブの製造方法では、容量素子８において対となる電極８ａ，８ａ間の間隔や対向面積、絶縁層２の材料（第２の絶縁膜２ｂの材料）を適宜変更することにより、容量素子８の容量値を変更することができて、対となる触媒金属部４，４間に発生する電界分布や電位勾配などのより細かな制御が可能となる。ここにおいて、図７（ａ），（ｂ）では、容量素子８において対となる電極８ａ，８ａを対となる触媒金属部４，４の並設方向に離間して形成しているが、図８（ａ），（ｂ）に示すように、絶縁層２中に複数（図示例では、９つ）の電極８ａを千鳥状に配列されるように形成し、互いの横方向ではなく斜め方向に位置する電極８ａ，８ａの対と、絶縁層２のうち対となる電極８ａ，８ａ間に介在する部分とで容量要素を構成するようにしてもよい。
【００６５】
ところで、上記各実施形態では、絶縁層２の材料をＳｉＯ２としてあるが、対となる触媒金属部４，４間に発生させる電界の所望の強度に応じて絶縁層２の材料を、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ｔａ２Ｏ５、ＺｎＯ２の群から選択するようにしてもよい。要するに、絶縁層２の材料を、それぞれ誘電率が異なるＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ｔａ２Ｏ５、ＺｎＯ２の群から選択することにより、対となる触媒金属部４，４間に発生させる電界の強度や分布を制御することができる。
【００６６】
なお、上記各実施形態で説明したカーボンナノチューブの製造方法は、上述の半導体物理量センサに限らず、絶縁層２の一表面に平行な面内で長手方向を所望の方向に一致させる必要のある種々のカーボンナノチューブ応用デバイスの製造方法に適用できる。また、上記各実施形態では、半導体基板１としてシリコン基板を用いているが、半導体基板１はカーボンナノチューブ応用デバイスの仕様に応じて適宜選定すればよく、シリコン基板以外の半導体基板（例えば、ＧａＡｓ基板、ＩｎＰ基板、ＳｉＣ基板、所謂ＳＯＩ基板など）を用いてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】実施形態１におけるカーボンナノチューブの製造方法の説明図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
【図２】実施形態２におけるカーボンナノチューブの製造方法の説明図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
【図３】実施形態３におけるカーボンナノチューブの製造方法の説明図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
【図４】実施形態４におけるカーボンナノチューブの製造方法の説明図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
【図５】実施形態５におけるカーボンナノチューブの製造方法の説明図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
【図６】実施形態６におけるカーボンナノチューブの製造方法の説明図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
【図７】実施形態７におけるカーボンナノチューブの製造方法の説明図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
【図８】同上における他のカーボンナノチューブの製造方法の説明図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’断面図である。
【図９】従来例におけるカーボンナノチューブの製造方法の説明図である。
【図１０】他の従来例におけるカーボンナノチューブの製造方法の説明図であって、（ａ）は主要工程平面図、（ｂ）は主要工程断面図である。
【符号の説明】
【００６８】
１  半導体基板
２  絶縁層
３ａ，３ｂ  高濃度不純物拡散層
４，４  触媒金属部
５  カーボンナノチューブ
１４，１４  配線
１５，１５  金属配線
【図１】
2006062900.tif 000003
【図２】
2006062900.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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