(57)【要約】      （修正有）【課題】  半導体プロセスを使用して形成された微小な共振器素子を高周波フィルタに適用する場合、インピーダンスを適正に小さくするために複数の共振器を２次元的に配列させることにより集合構造体を構築する必要があり、各共振器素子間に生じる相互干渉の影響を抑制することにより周波数特性を確保する。【解決手段】  入力電極、出力電極及び所定の方向に延在する振動板を有し、所定の周波数の信号を通過させる複数の共振器素子が基体上に複数列に渡って配列されている。複数の共振器素子Ｆのうち、列Ｎ１に配列された複数の共振器素子が位相Ｐ１を有する一方で、列Ｎ２に配列された複数の共振器素子が位相Ｐ１に対して逆位相となる位相Ｐ２を有している。これにより各共振器素子Ｆ間に生じる相互干渉の影響が抑制されるため、周波数特性が劣化しにくくなる。【選択図】    図２
2006109229.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力電極、出力電極および所定の方向に延在する振動板を有すると共に所定の周波数の信号を通過させる複数の共振器素子が基体上に複数列に渡って配列された微小共振器であって、
前記複数の共振器素子が、
前記複数列のうち、１列おきに繰り返して位置する第１の列に配列され、第１の位相を有する複数の第１の共振器素子と、
前記複数列のうち、前記第１の列を除いて１列おきに繰り返して位置する第２の列に配列され、前記第１の位相に対して逆位相となる第２の位相を有する複数の第２の共振器素子と、を含んでいる
ことを特徴とする微小共振器。
【請求項２】
前記入力電極および前記出力電極が、各共振器素子ごとに、前記振動板の延在方向と交差する方向に延在するように並列して配置されており、
それらの入力電極および出力電極の並列な配置関係が、前記第１の列と前記第２の列との間で逆になっている
ことを特徴とする請求項１記載の微小共振器。
【請求項３】
前記複数の第１の共振器素子と前記複数の第２の共振器素子とが、前記振動板の延在方向において互いにずれるように配列されている
ことを特徴とする請求項１記載の微小共振器。
【請求項４】
前記複数の第１の共振器素子と前記複数の第２の共振器素子とが、千鳥配列されている
ことを特徴とする請求項３記載の微小共振器。
【請求項５】
前記複数の第１の共振器素子と前記複数の第２の共振器素子とが、前記振動板の延在方向において互いに隣り合うように配列されている
ことを特徴とする請求項１記載の微小共振器。
【請求項６】
入力電極、出力電極および所定の方向に延在する振動板を有すると共に所定の周波数の信号を通過させる複数の共振器素子が基体上に複数列に渡って配列された微小共振器の製造方法であって、
前記複数の共振器素子を形成する工程が、
前記複数列のうち、１列おきに繰り返して位置する第１の列に、第１の位相を有して配列されるように、前記複数の共振器素子のうちの一部を構成する複数の第１の共振器素子を形成する工程と、
前記複数列のうち、前記第１の列を除いて１列おきに繰り返して位置する第２の列に、前記第１の位相に対して逆位相となる第２の位相を有して配列されるように、前記複数の共振器素子のうちの他の一部を構成する複数の第２の共振器素子を形成する工程と、を含む
ことを特徴とする微小共振器の製造方法。
【請求項７】
各共振器素子ごとに、前記振動板の延在方向と交差する方向に延在して並列に配置されるように、前記入力電極および前記出力電極を形成し、
それらの入力電極および出力電極の並列な配置関係が、前記第１の列と前記第２の列との間で逆になるようにする
ことを特徴とする請求項６記載の微小共振器の製造方法。
【請求項８】
前記振動板の延在方向において互いにずれて配列されるように、前記複数の第１の共振器素子と前記複数の第２の共振器素子とを形成する
ことを特徴とする請求項６記載の微小共振器の製造方法。
【請求項９】
前記複数の第１の共振器素子と前記複数の第２の共振器素子とを千鳥配列させる
ことを特徴とする請求項８記載の微小共振器の製造方法。
【請求項１０】
前記振動板の延在方向において互いに隣り合って配列されるように、前記複数の第１の共振器素子と前記複数の第２の共振器素子とを形成する
ことを特徴とする請求項６記載の微小共振器の製造方法。
【請求項１１】
前記共振器素子を形成する工程が、
前記基体上に、前記入力電極および前記出力電極を形成する第１の工程と、
前記入力電極および前記出力電極を覆うように、犠牲膜を形成する第２の工程と、
前記犠牲膜上に、前記振動板を形成する第３の工程と、
前記犠牲膜を選択的に除去することにより、前記入力電極、前記出力電極および前記振動板を有するように前記共振器素子を形成する第４の工程と、を含む
ことを特徴とする請求項６記載の微小共振器の製造方法。
【請求項１２】
入力電極、出力電極および所定の延在方向に延在する振動板を有すると共に所定の周波数の信号を通過させる複数の共振器素子が基体上に複数列に渡って配列された微小共振器、を備えた電子機器であって、
前記微小共振器のうちの前記複数の共振器素子が、
前記複数列のうち、１列おきに繰り返して位置する第１の列に配列され、第１の位相を有する複数の第１の共振器素子と、
前記複数列のうち、前記第１の列を除いて１列おきに繰り返して位置する第２の列に配列され、前記第１の位相に対して逆位相となる第２の位相を有する複数の第２の共振器素子と、を含んでいる
ことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば高周波フィルタなどに適用される微小共振器およびその製造方法、ならびに微小共振器を搭載した例えば携帯電話機などの通信装置に代表される電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体プロセスを使用して形成された微小な共振器素子が知られている（例えば、非特許文献１参照。）。この共振器素子は、例えば、占有面積が小さいこと、高いＱ値を実現可能なこと、他の半導体デバイス等と集積可能なこと、の３つの特徴に基づき、例えば無線通信分野の携帯電話機などの電子機器に搭載される高周波フィルタへの適用が検討されている。なお、「Ｑ値」とは、共振回路の性能を表す数値である。
【非特許文献１】ジェイ．アール．クラーク（J.R.Clark ），ダブリュー．−ティー．スウ（W.-T.Hsu），シー．ティー．−シー．グエン（C.T.-C.Nguyen ），”ハイ−ＱＶＨＦ  マイクロメカニカル  コンター−モード  ディスク  レゾネイター，”テクニカル  ダイジェスト，電気電子技術者協会  インターナショナル  エレクトロン  デバイス  ミーティング，サンフランシスコ，カリフォルニア，２０００年１２月１１日−１３日，ｐｐ３９９−４０２（"High-QVHF micromechanical contour-mode disk resonators,"Technical Digest,IEEE Int.Electron Devices Meeting,San Francisco,California,Dec.11-13,2000,pp.399-402.）
【０００３】
この共振器素子を高周波フィルタに適用する場合には、例えば、単体のままではインピーダンスが大きすぎて実用レベルに達しないため、そのインピーダンスを適正に小さくするために、複数の共振器素子を２次元的に配列させることにより集合構造体（微小共振器）を構築する必要がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、微小共振器を高周波フィルタに適用する場合には、例えば、その微小共振器の周波数特性（すなわち共振特性）を確保するために、各共振器素子間に生じる相互干渉の影響を抑制する必要がある。しかしながら、従来の微小共振器では、その構造的要因に起因して各共振器素子間に生じる相互干渉の影響を十分に抑制し得ないため、周波数特性を確保することが困難であるという問題があった。その理由は、以下の通りである。
【０００５】
すなわち、共振器素子を形成するためには高い形成精度が必要であることから、その共振器素子の形成寸法はばらつきやすいため、微小共振器では各共振器素子間において中心周波数がばらつきやすい傾向にある。この点に関して、中心周波数のばらつきを抑制するためには、例えば、共振器素子の形成寸法をばらつきにくくするために、その共振器素子のうちの主要部分（振動部分）の形成長さを大きくすることにより、共振器素子の形成精度に余裕をもたせればよい。しかしながら、共振器素子のうちの振動部分の形成長さを大きくした場合には、中心周波数を高くするために振動部分の形成厚さを大きくしなければならない。この場合には、振動部分の形成厚さが約１μｍ以上になると、各共振器素子間に生じる相互干渉の影響が大きくなるため、周波数特性が劣化しやすくなるのである。したがって、高周波フィルタに適用される微小共振器の周波数特性を確保するためには、各共振器素子間に生じる相互干渉の影響を抑制することが可能な技術を確立する必要がある。この場合には、特に、微小共振器の量産性を考慮して、その微小共振器を容易に製造することが可能な技術を確立することも重要である。
【０００６】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、各共振器素子間に生じる相互干渉の影響を抑制することにより周波数特性を確保することが可能な微小共振器を提供することにある。
【０００７】
また、本発明の第２の目的は、周波数特性が確保された微小共振器を容易に製造することが可能な微小共振器の製造方法を提供することにある。
【０００８】
さらに、本発明の第３の目的は、微小共振器を搭載し、周波数特性を確保することが可能な電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る微小共振器は、入力電極、出力電極および所定の方向に延在する振動板を有すると共に所定の周波数の信号を通過させる複数の共振器素子が基体上に複数列に渡って配列されたものであり、複数の共振器素子が、複数列のうち、１列おきに繰り返して位置する第１の列に配列され、第１の位相を有する複数の第１の共振器素子と、複数列のうち、第１の列を除いて１列おきに繰り返して位置する第２の列に配列され、第１の位相に対して逆位相となる第２の位相を有する複数の第２の共振器素子とを含んでいるものである。
【００１０】
本発明に係る微小共振器では、複数の共振器素子のうち、第１の列に配列された複数の第１の共振器素子が第１の位相を有する一方で、第２の列に配列された複数の第２の共振器素子が第１の位相に対して逆位相となる第２の位相を有している。これにより、各共振器素子間に生じる相互干渉の影響が抑制されるため、その相互干渉の影響に起因して周波数特性が劣化しにくくなる。
【００１１】
本発明に係る微小共振器の製造方法は、入力電極、出力電極および所定の方向に延在する振動板を有すると共に所定の周波数の信号を通過させる複数の共振器素子が基体上に複数列に渡って配列された微小共振器を製造する方法であり、複数の共振器素子を形成する工程が、複数列のうち、１列おきに繰り返して位置する第１の列に、第１の位相を有して配列されるように、複数の共振器素子のうちの一部を構成する複数の第１の共振器素子を形成する工程と、複数列のうち、第１の列を除いて１列おきに繰り返して位置する第２の列に、第１の位相に対して逆位相となる第２の位相を有して配列されるように、複数の共振器素子のうちの他の一部を構成する複数の第２の共振器素子を形成する工程とを含むものである。
【００１２】
本発明に係る微小共振器の製造方法では、複数の共振器素子のうち、第１の列に配列された複数の第１の共振器素子が第１の位相を有する一方で、第２の列に配列された複数の第２の共振器素子が第１の位相に対して逆位相となる第２の位相を有する微小共振器を製造するために、既存の薄膜プロセスのみを使用し、新規かつ煩雑な製造プロセスを使用しない。
【００１３】
本発明に係る電子機器は、入力電極、出力電極および所定の延在方向に延在する振動板を有すると共に所定の周波数の信号を通過させる複数の共振器素子が基体上に複数列に渡って配列された微小共振器を備えたものであり、微小共振器のうちの複数の共振器素子が、複数列のうち、１列おきに繰り返して位置する第１の列に配列され、第１の位相を有する複数の第１の共振器素子と、複数列のうち、第１の列を除いて１列おきに繰り返して位置する第２の列に配列され、第１の位相に対して逆位相となる第２の位相を有する複数の第２の共振器素子とを含んでいるものである。
【００１４】
本発明に係る電子機器では、上記した構造的特徴を有する微小共振器を搭載しているため、各共振器素子間に生じる相互干渉の影響に起因して微小共振器の周波数特性が劣化しにくくなる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係る微小共振器によれば、複数の共振器素子のうち、第１の列に配列された複数の第１の共振器素子が第１の位相を有する一方で、第２の列に配列された複数の第２の共振器素子が第１の位相に対して逆位相となる第２の位相を有している構造的特徴に基づき、各共振器素子間に生じる相互干渉の影響に起因して周波数特性が劣化しにくくなるため、周波数特性を確保することができる。
【００１６】
本発明に係る微小共振器の製造方法によれば、複数の共振器素子のうち、第１の列に配列された複数の第１の共振器素子が第１の位相を有する一方で、第２の列に配列された複数の第２の共振器素子が第１の位相に対して逆位相となる第２の位相を有する微小共振器を製造するために、既存の薄膜プロセスのみを使用する製法的特徴に基づき、新規かつ煩雑な製造プロセスを使用しないため、既存の薄膜プロセスのみを使用して周波数特性が確保された微小共振器を容易に製造することができる。
【００１７】
本発明に係る電子機器によれば、上記した構造的特徴を有する微小共振器を搭載している構造的特徴に基づき、各共振器素子間に生じる相互干渉の影響に起因して微小共振器の周波数特性が劣化しにくくなるため、微小共振器を搭載して周波数特性を確保することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１９】
［第１の実施の形態］
まず、図１を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る微小共振器の構成について説明する。図１は、微小共振器の平面構成（ＸＹ面に沿った平面構成）を表している。
【００２０】
本実施の形態に係る微小共振器は、例えば、周波数の制御用途などに使用される微小構造物（いわゆるマイクロマシン）であり、具体的には周波数の制御機構を有する高周波フィルタとして無線通信分野の携帯電話器などの通信装置に代表される電子機器に適用されるものである。この微小共振器は、例えば、図１に示したように、共振動作を担う主要部である共振回路１０１と、この共振回路１０１に設けられた３つの電極、すなわち直流電圧印加用のＤＣ印加電極１０２、信号入力用の入力電極１０３および信号出力用の出力電極１０４とを備えている。これらの入力電極１０３および出力電極１０４は、例えば、いずれも共振回路１０１に近い側において複数に分岐されており、共振回路１０１から遠い側において集束されている。なお、図１では、共振回路１０１を模式的に表している。
【００２１】
次に、図１〜図４を参照して、微小共振器の詳細な構成について説明する。図２〜図４は共振回路１０１の構成を拡大して表しており、図２は平面構成（ＸＹ面に沿った平面構成）を示し、図３は図２に示したＡ−Ａ線に沿った断面構成（ＹＺ面に沿った断面構成）を示し、図４は図２に示したＢ−Ｂ線に沿った断面構成（ＸＺ面に沿った断面構成）を示している。
【００２２】
共振回路１０１は、例えば、図２〜図４に示したように、基板１上に、絶縁層２，３と、微小共振器構造体１０とがこの順に積層された構成を有している。
【００２３】
基板１は、主に微小共振器構造体１０を支持するものであり、例えば、シリコン（Ｓｉ）などにより構成されている。絶縁層２，３は、いずれも微小共振器構造体１０を基板１から電気的に分離するものであり、例えば、絶縁層２は酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）などの絶縁性材料により構成され、絶縁層３は窒化ケイ素（ＳｉＮ）などの絶縁性材料により構成されている。
【００２４】
微小共振器構造体１０は、図２〜図４に示したように、半導体プロセスを使用して形成された複数の微小な共振器素子Ｆを含み、その複数の共振器素子Ｆが電気的に共振可能となるように２次元的に配列されることにより構成された集合構造体である。この微小共振器構造体１０は、複数の共振器素子Ｆを繰り返し構成しながらＹ軸方向に延在する複数の電極部分１１を備え、その複数の電極部分１１がＹ軸方向と交差するＸ軸方向において複数列Ｎに渡って配列された構成を有している。すなわち、共振器素子Ｆは、上記した入力電極１０３および出力電極１０４と、所定の方向（Ｙ軸方向）に延在して電気的に振動可能な振動板とを有しており、所定の周波数の信号を通過させるものである。この「振動板」の詳細に関しては、後述する。なお、微小共振器構造体１０には、上記した入力電極１０３および出力電極１０４が組み込まれており、すなわち微小共振器構造体１０は、上記したＤＣ印加電極１０２と共に２種類の信号電極（入力電極１０３，出力電極１０４）を備えた構造（いわゆる３ポート型構造）を有している。
【００２５】
特に、微小共振器構造体１０のうちの複数の共振器素子Ｆは、図２に示したように、上記した複数列Ｎのうち、１列おきに繰り返して位置する列Ｎ１（第１の列）に配列され、位相Ｐ１（第１の位相）を有する複数の共振器素子Ｆ１（第１の共振器素子）と、複数列Ｎのうち、列Ｎ１を除いて１列おきに繰り返して位置する列Ｎ２（第２の列）に配列され、位相Ｐ１に対して逆位相となる位相Ｐ２（第２の位相）を有する複数の共振器素子Ｆ２（第２の共振器素子）とを含んでいる。具体的には、微小共振器構造体１０では、入力電極１０３および出力電極１０４が、各共振器素子Ｆごとに、上記した振動板の延在方向（Ｙ軸方向）と交差する方向（Ｘ軸方向）に延在するように並列して配置されており、それらの入力電極１０３および出力電極１０４の並列な配置関係が、列Ｎ１と列Ｎ２との間で逆になっている。この「入力電極１０３および出力電極１０４の並列な配置関係が、列Ｎ１と列Ｎ２との間で逆になっている」とは、詳細には、図２に示したように、入力電極１０３と出力電極１０４との間でＹ軸方向における配置関係を比較した場合に、列Ｎ１に配列されている各共振器素子Ｆ１では、入力電極１０３が下方に配置されていると共に出力電極１０４が上方に配置されているのに対して、列Ｎ２に配列されている各共振器素子Ｆ２では、入力電極１０３が上方に配置されていると共に出力電極１０４が下方に配置されていることを意味している。
【００２６】
ここでは、例えば、図２に示したように、複数の共振器素子Ｆ１と複数の共振器素子Ｆ２とが、上記した振動板の延在方向（Ｙ軸方向）において互いにずれるように配列されている。具体的には、微小共振器構造体１０では、複数の電極部分１１が、互いに隣り合う電極部分１１間における各共振器素子Ｆ（Ｆ１，Ｆ２）の構成位置がＹ軸方向において互いにずれるように、隙間Ｇを隔てて並列に配列されている。ここでは、例えば、Ｘ軸方向に配列された複数の電極部分１１は、各共振器素子Ｆ１の配置位置に関して互いに同一の構造を有すると共に、各共振器素子Ｆ２の配置位置に関して互いに同一の構造を有しており、すなわち複数の電極部分１１は、複数の共振器素子Ｆ１と複数の共振器素子Ｆ２とが千鳥状に配置されるように配列されている。
【００２７】
電極部分１１は、所定の間隔Ｓを隔ててＹ軸方向に繰り返し配置された複数の電極パターン１１Ａと、その間隔Ｓを確保したまま各電極パターン１１Ａ間を連結しながらＹ軸方向に繰り返し配置されることにより、その電極パターン１１Ａと共に複数の共振器素子Ｆを構成する複数の電極パターン１１Ｂとを含んで構成されている。この電極部分１１を構成する電極パターン１１Ａ，１１Ｂは、例えば、いずれもリン（Ｐ）が含有されたポリシリコン（Ｐｏｌｙ−Ｓｉ）などの半導体材料により構成されている。電極パターン１１Ａは、例えば、図２に示したように、矩形型の平面構造を有していると共に、図３および図４に示したように、矩形型の断面構造を有している。電極パターン１１Ｂは、例えば、図２に示したように、矩形型の平面構造を有していると共に、図３に示したように、ビーム型（梁型）の断面構造を有しており、具体的には一端側において互いに隣り合う２つの電極パターン１１Ａのうちの一方の電極パターン１１Ａに連結されると共に他端側において他方の電極パターン１１Ａに連結された鳥居型の断面構造を有している。なお、上記した共振器素子Ｆのうちの「振動板」とは、例えば、図３に示したように、電極パターン１１Ｂが、所定の方向（Ｙ軸方向）に延在する振動部分１１ＢＸと、その振動部分１１ＢＸを支持する２つの支持柱部分１１ＢＹとを含んで構成されており、すなわち振動部分１１ＢＸがその一端側および他端側に設けられた２つの支持柱部分１１ＢＹにより振動可能に支持されている場合に、その振動部分１１ＢＸである。
【００２８】
ここで、図２を参照して確認までに説明しておくと、「電極部分１１」とは、複数の電極パターン１１Ａと複数のパターン１１Ｂとが互いに連結されることにより共振器素子Ｆを構成しながらＹ軸方向に沿って延設された連結構造体をいう。また、「複数の電極部分１１が、複数の共振器素子Ｆ１と複数の共振器素子Ｆ２とが千鳥状に配置されるように配列されている」とは、各共振器素子Ｆ１と各共振器素子Ｆ２との間において、それらの各共振器素子Ｆ１と各共振器素子Ｆ２との間のＹ軸方向におけるずれ距離が最大となる配列関係をいう。
【００２９】
入力電極１０３および出力電極１０４は、例えば、図２に示したように、間隔Ｓと共に隙間Ｇを経由しながら電極パターン１１Ａに沿って延設され、具体的には各電極パターン１１Ａを両側から迂回するように配置されている。これらの入力電極１０３および出力電極１０４は、例えば、電極部分１１（電極パターン１１Ａ，１１Ｂ）の構成材料と同様の材料により構成されている。
【００３０】
なお、図１〜図４に示した微小共振器は、上記した一連の構成要素、すなわち電極部分１１（電極パターン１１Ａ，１１Ｂ）、入力電極１０３および出力電極１０４と共に、図示しない他の構成要素も併せて備えている。この「他の構成要素」としては、例えば、ＤＣ印加電極１０２に電圧を印加するための電源などが挙げられる。
【００３１】
この微小共振器では、図１〜図４に示したように、ＤＣ印加電極１０２を通じて一連の電極部分１１に電圧が印加されると、その電圧印加に応じて静電力が発生するため、一連の共振器素子Ｆが静電力に基づいて振動することにより共振する。具体的には、電極パターン１１Ｂのうちの振動部分１１ＢＸが、２つの支持柱部分１１ＢＹにより支持された状態において、緊張して水平に維持された位置と撓んで落ち込んだ位置との間で反復的に変位するため、一連の共振器素子Ｆが共振する。そして、入力電極１０３および出力電極１０４を通じて信号が入出力されることにより、所定の周波数の信号が取り出される。
【００３２】
次に、図１〜図８を参照して、図１〜図４に示した微小共振器の製造方法について説明する。図５〜図８は微小共振器の製造工程を説明するためのものであり、いずれも図３に対応する断面構成を示している。以下では、主に、図３および図５〜図８を参照して、微小共振器のうちの図３に示した断面構成の製造工程について言及する。なお、微小共振器を構成する各構成要素の構造的特徴に関しては既に詳しく説明したので、以下ではそれらの説明を随時省略する。
【００３３】
微小共振器を製造する際には、まず、図５に示したように、シリコン製の基板１上に、例えば、減圧ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法を使用して酸化ケイ素などの絶縁性材料を成膜することにより絶縁層２を形成したのち、同様に減圧ＣＶＤ法を使用して窒化珪素などの絶縁性材料を成膜することにより絶縁層３を形成し、これらの絶縁層２，３を積層させる。
【００３４】
続いて、図５〜図８に示したように、絶縁層３上に、複数の共振器素子Ｆを繰り返し構成しながらＹ軸方向に延在すると共にＸ軸方向において複数列Ｎに渡って配列されるように複数の電極部分１１を形成する。特に、複数の電極部分１１を形成する際には、上記した複数列Ｎのうち、１列おきに繰り返して位置する列Ｎ１に、位相Ｐ１を有して配列されるように、複数の共振器素子Ｆのうちの一部を構成する複数の共振器素子Ｆ１を形成すると共に、複数列Ｎのうち、列Ｎ１を除いて１列おきに繰り返して位置する列Ｎ２に、位相Ｐ１に対して逆位相となる位相Ｐ２を有して配列されるように、複数の共振器素子Ｆのうちの他の一部を構成する複数の共振器素子Ｆ２を形成する。この場合には、例えば、互いに隣り合う電極部分１１間における各共振器素子Ｆの構成位置がＹ軸方向において互いにずれるように、すなわち最終的に図２および図３に示したように、振動部分１１ＢＸの延在方向（Ｙ軸方向）と交差する方向（Ｘ軸方向）において互いにずれて配列されるように、複数の共振器素子Ｆ１と複数の共振器素子Ｆ２とを形成する。
【００３５】
電極部分１１、入力電極１０３および出力電極１０４の形成手順は、例えば、以下の通りである。
【００３６】
すなわち、まず、例えば、減圧ＣＶＤ法を使用して絶縁層３を覆うように、リンが含有されたポリシリコンなどの半導体材料膜を形成したのち、フォトリソグラフィ処理およびドライエッチング処理を使用して半導体材料膜をパターニングすることにより、図５に示したように、所定の間隔Ｓを隔ててＹ軸方向に繰り返し配置されるように、電極部分１１のうちの一部を構成する複数の電極パターン１１Ａを形成する。この場合には、図２に示したように、複数の電極パターン１１ＡがＸ軸方向において隙間Ｇを隔てて並列に配列されるようにする。より具体的には、最終的に複数の電極部分１１を形成した際に、複数の共振器素子Ｆ１と複数の共振器素子Ｆ２とがＹ軸方向において互いにずれるように各電極パターン１１Ａを配置し、特に、各共振器素子Ｆが千鳥状に配列されるように各電極パターン１１Ａを配置する。なお、以下では、上記したフォトリソグラフィ処理およびドライエッチング処理を使用したパターニング処理を、単に「パターニング」と呼称する。
【００３７】
特に、電極パターン１１Ａを形成する際には、例えば、その電極パターン１１Ａの形成工程と同一工程において半導体材料膜をパターニングすることにより、図５に示したように、入力電極１０３および出力電極１０４を併せてパターン形成する。この場合には、例えば、図２に示したように、入力電極１０３および出力電極１０４が、間隔Ｓと共に隙間Ｇを経由しながら電極パターン１１Ａに沿ってＸ軸方向に延在して並列に配置されるようにし、特に、それらの入力電極１０３および出力電極１０４の並列な配置関係が、列Ｎ１と列Ｎ２との間で逆になるようにする。
【００３８】
続いて、例えば、減圧ＣＶＤ法を使用して間隔Ｓを埋め込むように酸化ケイ素などの絶縁性材料膜を形成したのち、その絶縁性材料膜をパターニングすることにより、図６に示したように、その間隔Ｓを埋め込むように犠牲膜１２を形成する。この場合には、例えば、後工程においてビーム型（梁型）の断面構造を有するように電極パターン１１Ｂ（図７参照）を形成可能とするために、間隔Ｓを埋め込むと共に電極パターン１１Ａを部分的に覆うように犠牲膜１２を形成することにより、その電極パターン１１Ａを部分的に露出させる。
【００３９】
続いて、例えば、減圧ＣＶＤ法を使用して電極パターン１１Ａの露出面および犠牲膜１２を覆うように、リンが含有されたポリシリコンなどの半導体材料膜を形成したのち、その半導体材料膜をパターニングすることにより、図７に示したように、電極パターン１１Ａおよび犠牲膜１２上に、その犠牲膜１２上を経由して各電極パターン１１Ａ間を連結しながらＹ軸方向に繰り返し配置されるように、電極部分１１のうちの他の一部を構成する複数の電極パターン１１Ｂを形成する。この電極パターン１１Ｂは、電気的に共振可能な振動部分１１ＢＸと、その振動部分１１ＢＸの一端側および他端側に設けられ、振動部分１１ＢＸを支持する２つの支持柱部分１１ＢＹとを含み、これらの振動部分１１ＢＸと２つの支持柱部分１１ＢＹとが一体化されたものである。
【００４０】
最後に、例えば希フッ化水素（ＤＨＦ；Diluted Hydrogen Fluoride ）溶液などの溶解液を使用して犠牲膜１２を溶解させることにより、その犠牲膜１２を選択的に除去する。これにより、図３に示したように、犠牲膜１２が設けられていた箇所に電極パターン１１Ａ，１１Ｂにより間隔Ｓが構成され、その間隔Ｓと共に隙間Ｇを経由するように入力電極１０３および出力電極１０４が配置される結果、それらの電極パターン１１Ａ，１１Ｂ、入力電極１０３および出力電極１０４により複数の共振器素子Ｆ（複数の共振器素子Ｆ１，Ｆ２）が構成されるように複数の電極部分１１が形成され、特に、複数の共振器素子Ｆ１と複数の共振器素子Ｆ２とがＹ軸方向において互いにずれるように複数の電極部分１１が配列される。したがって、複数の電極部分１１（電極パターン１１Ａ，１１Ｂ）と共に入力電極１０３および出力電極１０４を併せて備えるように微小共振器構造体１０が形成されるため、基板１上に絶縁層２，３および微小共振器構造体１０がこの順に積層された構成を有するように微小共振器が完成する。
【００４１】
なお、上記した製造工程を経て微小共振器構造体１０が形成される場合には、例えば、図８に示したように、図５〜図７を参照して説明した一連の工程を経て電極パターン１１Ｂが形成されたのち、最外端に位置する電極パターン１１Ａに部分的に乗り上げるように配線電極１３が形成される場合がある。この配線電極１３は、例えば、スパッタリングを使用してアルミニウム銅合金（ＡｌＣｕ）やアルミニウムケイ素合金（ＡｌＳｉ）などの導電性膜を形成したのち、その導電性膜をパターニングすることにより形成可能である。
【００４２】
本実施の形態に係る微小共振器では、入力電極１０３および出力電極１０４の並列な配置関係が列Ｎ１と列Ｎ２との間で逆になっている構造的特徴に基づき、複数の共振器素子Ｆのうち、列Ｎ１に配列された複数の共振器素子Ｆ１が位相Ｐ１を有する一方で、列Ｎ２に配列された複数の共振器素子Ｆ２が位相Ｐ１に対して逆位相となる位相Ｐ２を有するようにしたので、以下の理由により、各共振器素子Ｆ間に生じる相互干渉の影響を抑制することにより周波数特性を確保することができる。
【００４３】
図９〜図１１は、本実施の形態に係る微小共振器に対する第１の比較例としての微小共振器の構成を表しており、それぞれ図２〜図４に対応している。また、図１２〜図１４は、本実施の形態に係る微小共振器に対する第２の比較例としての微小共振器の構成を表しており、それぞれ図２〜図４に対応している。図９〜図１１に示した第１の比較例の微小共振器は、微小共振器構造体１０に対応する微小共振器構造体１１０、すなわち電極部分１１（電極パターン１１Ａ，１１Ｂ（振動部分１１ＢＸ，支持柱部分１１ＢＹ））、入力電極１０３および出力電極１０４に対応する電極部分１１１（電極パターン１１１Ａ，１１１Ｂ（振動部分１１１ＢＸ，支持柱部分１１１ＢＹ））、入力電極１１３および出力電極１１４を備えた３ポート型構造を有している点を除き、本実施の形態に係る微小共振器と同様の構成を有している。この第１の比較例の微小共振器では、複数の共振器素子Ｆのうち、列Ｎ１に配列された複数の共振器素子Ｆ１と列Ｎ２に配列された複数の共振器素子Ｆ２とが振動板１１ＢＸの延在方向（Ｙ軸方向）において互いにずれるように配列されていると共に、入力電極１０３および出力電極１０４の並列な配置関係が列Ｎ１と列Ｎ２との間で逆になっている本実施の形態に係る微小共振器とは異なり、複数の共振器素子Ｆのうち、列Ｎ１に配列された複数の共振器素子Ｆ１と列Ｎ２に配列された複数の共振器素子Ｆ３とが振動板１１１ＢＸの延在方向（Ｙ軸方向）において互いに隣り合うように配列されていると共に、入力電極１１３および出力電極１１４の並列な配置関係が列Ｎ１と列Ｎ２との間で一致している。これにより、第１の比較例の微小共振器では、複数の共振器素子Ｆ１が位相Ｐ１を有すると共に、複数の共振器素子Ｆ３も同様に位相Ｐ１を有している。また、図１２〜図１４に示した第２の比較例の微小共振器は、微小共振器構造体１０に対応する微小共振器構造体２１０、すなわち電極部分１１（電極パターン１１Ａ，１１Ｂ（振動部分１１ＢＸ，支持柱部分１１ＢＹ））および入力電極１０３、ならびに出力電極１０４に対応する電極部分２１１（電極パターン２１１Ａ，２１１Ｂ（振動部分２１１ＢＸ，２１１ＢＹ））、ならびに出力電極２１４を備えた２ポート型構造を有している点を除き、本実施の形態に係る微小共振器と同様の構成を有している。この第２の比較例の微小共振器では、上記した第１の比較例の微小共振器と同様に、複数の共振器素子Ｆのうち、列Ｎ１に配列された複数の共振器素子Ｆ１と列Ｎ２に配列された複数の共振器素子Ｆ４とが振動板２１１ＢＸの延在方向（Ｙ軸方向）において互いに隣り合うように配列されている。これにより、第２の比較例の微小共振器では、複数の共振器素子Ｆ１が位相Ｐ１を有すると共に、列Ｎ２に配列された複数の共振器素子Ｆ４も同様に位相Ｐ１を有している。
【００４４】
第１の比較例の微小共振器（図９〜図１１）では、複数の共振器素子Ｆ１が位相Ｐ１を有すると共に、複数の共振器素子Ｆ３も同様に位相Ｐ１を有している構造的要因に起因して、各共振器素子Ｆ間に生じる相互干渉の影響が大きくなる。これにより、各共振器素子Ｆ間に生じる相互干渉の影響に起因して、周波数特性が劣化しやすくなる。この周波数特性の劣化傾向は、特に、各共振器素子Ｆ間において振動部分１１１ＢＸの形成長さＬ（図９参照）がばらつくほど顕著になる。なお、上記した第１の比較例の微小共振器に関する問題は、その第１の比較例の微小共振器と同様の構造的要因を有する第２の比較例の微小共振器（図１２〜図１４）、すなわち複数の共振器素子Ｆ１が位相Ｐ１を有すると共に、複数の共振器素子Ｆ３も同様に位相Ｐ１を有している場合においても同様に生じる。
【００４５】
これに対して、本実施の形態に係る微小共振器（図２〜図４）では、複数の共振器素子Ｆ１が位相Ｐ１を有する一方で、複数の共振器素子Ｆ２が位相Ｐ１に対して逆位相となる位相Ｐ２を有している構造的特徴に基づき、複数の共振器素子Ｆ１，Ｆ３，Ｆ４のいずれもが互いに同一の位相Ｐ１を有している第１よび第２の比較例の微小共振器と比較して、各共振器素子Ｆ間に生じる相互干渉の影響が抑制される。これにより、各共振器素子Ｆ間に生じる相互干渉の影響に起因して、周波数特性が劣化しにくくなる。しかも、この場合には、各共振器素子Ｆ間において振動部分１１ＢＸの形成長さＬ（図２参照）がばらついたとしても、その振動部分１１ＢＸの形成長さＬのばらつきの影響は、第１よび第２の比較例の微小共振器と比較して小さくなる。したがって、本実施の形態では、各共振器素子Ｆ間に生じる相互干渉の影響を抑制することが可能なため、周波数特性を確保することができるのである。
【００４６】
この場合には、特に、複数の共振器素子Ｆ１と複数の共振器素子Ｆ２とがＹ軸方向において互いにずれるように配列されているので、以下の理由により、各共振器素子Ｆ間に生じる相互干渉の影響をより抑制することができる。すなわち、第１の比較例の微小共振器では、複数の共振器素子Ｆ１と複数の共振器素子Ｆ３とが振動板１１１ＢＸの延在方向（Ｙ軸方向）において互いに隣り合うように配列されている構造的要因に起因して、各共振器素子Ｆ間が近接されるため、各共振器素子Ｆ間に生じる相互干渉の影響が大きくなる結果、その相互干渉の影響に起因して周波数特性が劣化しやすくなる。もちろん、上記した第１の比較例の微小共振器に関する問題は、その第１の比較例の微小共振器と同様の構造的要因を有する第２の比較例の微小共振器（図１２〜図１４）、すなわち複数の共振器素子Ｆ１と複数の共振器素子Ｆ４とが振動板２１１ＢＸの延在方向（Ｙ軸方向）において互いに隣り合うように配列されている場合においても同様に生じる。これに対して、本実施の形態に係る微小共振器（図２〜図４）では、複数の共振器素子Ｆ１と複数の共振器素子Ｆ２とが振動板１１ＢＸの延在方向（Ｙ軸方向）において互いにずれるように配列されている構造的特徴に基づき、各共振器素子Ｆ間が近接される第１よび第２の比較例の微小共振器とは異なり、各共振器素子Ｆ間が十分に離間されるため、各共振器素子Ｆ間に生じる相互干渉の影響が抑制される結果、その相互干渉の影響に起因して周波数特性が劣化しにくくなる。したがって、本実施の形態では、各共振器素子Ｆ間に生じる相互干渉の影響をより抑制することができるのである。
【００４７】
さらに、本実施の形態では、複数の共振器素子Ｆ１と複数の共振器素子Ｆ２とが千鳥配列されているため、各共振器素子Ｆ間の離間距離が最大となる。したがって、各共振器素子Ｆ間に生じる相互干渉の影響が可能な限り抑制されるため、周波数特性を著しく向上させることができる。
【００４８】
また、本実施の形態では、上記したように、各共振器素子Ｆ間において振動部分１１ＢＸの形成長さＬがばらついた場合においても周波数特性を確保可能なため、その振動部分１１ＢＸの形成長さＬのばらつきに起因する周波数特性の劣化を防止するために、微小共振器を意図せずに大型化する必要がない。具体的には、例えば、複数の共振器素子Ｆを有する微小共振器構造体１０に、振動部分１１ＢＸの形成長さＬにばらつきを有する一部の共振器素子Ｆを未使用の（実質的に共振器素子Ｆとして使用しない）ダミーパターンとして付設する必要がない。したがって、ダミーパターンの付設に起因する微小共振器の大型化が防止されるため、その微小共振器の小型化を実現することができる。
【００４９】
また、本実施の形態に係る微小共振器の製造方法では、入力電極１０３および出力電極１０４の並列な配置関係が列Ｎ１と列Ｎ２との間で逆になっている構造的特徴に基づき、複数の共振器素子Ｆのうち、列Ｎ１に配列された複数の共振器素子Ｆ１が位相Ｐ１を有する一方で、列Ｎ２に配列された複数の共振器素子Ｆ２が位相Ｐ１に対して逆位相となる位相Ｐ２を有する微小共振器を製造するために、減圧ＣＶＤ法に代表される成膜技術、フォトリソグラフィ処理およびドライエッチング処理に代表されるパターニング技術、ならびに犠牲膜１２の溶解処理を利用した部分的除去技術を含む既存の薄膜プロセスのみを使用し、新規かつ煩雑な製造プロセスを使用しない。したがって、本実施の形態では、既存の薄膜プロセスのみを使用して、周波数特性が確保された微小共振器を容易に製造することができる。
【００５０】
［第２の実施の形態］
次に、本発明に係る第２の実施の形態について説明する。
【００５１】
まず、図１５〜図１７を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る微小共振器の構成について説明する。図１５〜図１７は図１に示した共振回路１０１の構成を拡大して表しており、図１５は平面構成（ＸＹ面に沿った平面構成）を示し、図１６は図１５に示したＡ−Ａ線に沿った断面構成（ＹＺ面に沿った断面構成）を示し、図１７は図１５に示したＢ−Ｂ線に沿った断面構成（ＸＺ面に沿った断面構成）を示している。
【００５２】
本実施の形態に係る微小共振器は、微小共振器構造体１０に代えて微小共振器構造体２０を備え、その微小共振器構造体２０が入力電極１０３および出力電極１０４に代えて入力電極２０３および出力電極２０４を含んで構成されている点を除き、上記第１の実施の形態において説明した微小共振器（図１〜図４参照）とほぼ同様の構成を有している。
【００５３】
微小共振器構造体２０は、図１５〜図１７に示したように、複数の電極部分１１（電極パターン１１Ａ，１１Ｂ）により構成された複数の共振器素子Ｆが複数列Ｎに渡って配列された構成を有しており、すなわち列Ｎ１に配列され、位相Ｐ１を有する複数の共振器素子Ｆ１と、列Ｎ２に配列され、位相Ｐ１に対して逆位相となる位相Ｐ２を有する複数の共振器素子Ｆ２とを含んで構成されている。具体的には、微小共振器構造体２０では、入力電極２０３および出力電極２０４が、各共振器素子Ｆごとに、振動板１１ＢＸの延在方向（Ｙ軸方向）と交差する方向（Ｘ軸方向）に延在するように並列して配置されており、それらの入力電極２０３および出力電極２０４の並列な配置関係が、列Ｎ１と列Ｎ２との間で逆になっている。ここでは、例えば、図１５に示したように、複数の共振器素子Ｆ１と複数の共振器素子Ｆ２とが、振動板１１ＢＸの延在方向（Ｙ軸方向）において互いに隣り合うように配列されている。具体的には、微小共振器構造体２０では、複数の電極部分１１が、互いに隣り合う電極部分１１間における各共振器素子Ｆ（Ｆ１，Ｆ２）の構成位置がＹ軸方向において互いに隣り合うように配列されている。
【００５４】
絶縁層２には、例えば、図１５および図１７に示したように、各入力電極２０３を互いに接続させるための複数の接続電極４が埋設されている。絶縁層２，３のうち、各接続電極４の一端部および他端部に対応する箇所には、例えば、電気的接続用の複数の接続孔２３Ｋ１が設けられている。なお、絶縁層２には、例えば、図１５に示したように、各出力電極２０４を互いに接続させるための複数の接続電極５も埋設されており、絶縁層２，３のうち、各接続電極５の一端部および他端部に対応する箇所には、接続孔２３Ｋ１に対応する図示しない複数の接続孔も設けられている。
【００５５】
入力電極２０３および出力電極２０４は、例えば、図１５に示したように、間隔Ｓと共に隙間Ｇを経由しながら延在し、具体的には互いに隣り合う２つの共振器素子Ｆ（共振器素子Ｆ１，Ｆ２）の間を経由するように配置されている。これらの入力電極２０３および出力電極２０４は、例えば、いずれもクランク型の平面構造を有している。各入力電極２０３の一端部および他端部は、いずれも絶縁層２，３に設けられた接続孔２３Ｋ１を通じて下方に延設されており、各接続電極４に連結されている。これにより、複数の入力電極２０３は、複数の接続電極４を介して電気的に接続されている。なお、各出力電極２０４の一端部および他端部も同様に、いずれも絶縁層２，３に設けられた図示しない接続孔を通じて下方に延設されており、複数の接続電極５を介して電気的に接続されている。これらの入力電極２０３、出力電極２０４および接続電極４，５は、例えば、上記第１の実施の形態において説明した入力電極１０３および出力電極１０４と同様の材質を有している。
【００５６】
次に、図１５〜図２１を参照して、図１５〜図１７に示した微小共振器の製造方法について説明する。図１８〜図２１は微小共振器の製造工程を説明するためのものであり、いずれも図１７に対応する断面構成を示している。以下では、主に、図１７〜図２１を参照して、微小共振器のうちの図１７に示した断面構成の製造工程について言及する。なお、微小共振器を構成する各構成要素の構造的特徴および製法的特徴に関しては上記第１の実施の形態において既に詳しく説明したので、以下ではそれらの説明を随時省略する。
【００５７】
微小共振器を製造する際には、まず、図１８に示したように、上記第１の実施の形態において図５を参照して説明した手順を経ることにより、基板１上に絶縁層２，３を形成して積層させる。特に、絶縁層２を形成する際には、部分的に複数の接続電極４が埋設されるようにする。この絶縁層２中に接続電極４を埋設させる手順としては、例えば、絶縁層２のうちの下層部分を形成し、その下層部分上に複数の接続電極４を形成したのち、各接続電極４およびその周辺の下層部分を覆うように絶縁層２のうちの上層部分を形成することにより、下層部分と上層部分とが積層された積層構造を有する絶縁層２中に複数の接続電極４を埋設させる手順が挙げられる。なお、絶縁層２を形成する際には、上記した接続電極４の形成手順と同様の手順を経ることにより、図１５に示したように、絶縁層２中に、複数の接続電極４と共に複数の接続電極５を併せて埋設させる。
【００５８】
続いて、ドライエッチング処理を使用して、絶縁層２，３のうち、各接続電極４の一端部および他端部に対応する箇所を部分的にエッチングして除去することにより、図１９に示したように、絶縁層２，３に複数の接続孔２３Ｋ１を形成する。この接続孔２３Ｋ１を形成する際には、接続電極４の一端部および他端部が露出するまで絶縁層２，３をエッチングする。なお、絶縁層２，３に複数の接続孔２３Ｋ１を形成する際には、上記した接続孔２３Ｋ１の形成手順と同様の手順を経ることにより、絶縁層２，３のうち、各接続電極５の一端部および他端部に対応する箇所にも複数の接続孔を形成する。
【００５９】
続いて、図１５に示したように、電極部分１１のうちの一部を構成する複数の電極パターン１１Ａを形成すると共に、図１５および図２０に示したように、電極パターン１１Ａの形成工程と同一の工程において入力電極２０３および出力電極２０４を併せてパターン形成する。この場合には、例えば、図１５に示したように、入力電極２０３および出力電極２０４が、間隔Ｓと共に隙間Ｇを経由しながらＸ軸方向に延在して並列に配置されたクランク型の平面構造を有し、特に、それらの入力電極２０３および出力電極２０４の並列な配置関係が、列Ｎ１と列Ｎ２との間で逆になるようにする。また、例えば、図１５および図２０に示したように、絶縁層２，３に設けられた接続孔２３Ｋ１を通じて、各入力電極２０３の一端部および他端部を下方に延設させることにより、複数の入力電極２０３が複数の接続電極４を介して電気的に接続されるようにする。なお、複数の入力電極２０３を複数の接続電極４を介して電気的に接続させる際には、例えば、上記した入力電極２０３の接続手順と同様の手順を経ることにより、複数の出力電極２０４も複数の接続電極５を介して電気的に接続させる。
【００６０】
続いて、例えば、上記第１の実施の形態において説明した犠牲膜１２の形成手順と同様の手順を経ることにより、図１５および図２０に示したように、間隔Ｓを埋め込むと共に入力電極２０３、出力電極２０４およびその周辺を覆うように犠牲膜１４を形成する。この場合には、例えば、後工程において電極パターン１１Ｂ（図２１参照）を形成可能とするために、間隔Ｓを埋め込むと共に電極パターン１１Ａを部分的に覆うように犠牲膜１４を形成することにより、その電極パターン１１Ａを部分的に露出させる。
【００６１】
続いて、図１５および図２１に示したように、電極パターン１１Ａおよび犠牲膜１４上に、電極部分１１のうちの他の一部を構成する複数の電極パターン１１Ｂを形成する。
【００６２】
最後に、例えば希フッ化水素（ＤＨＦ）溶液などの溶解液を使用して犠牲膜１４を溶解させることにより、その犠牲膜１４を選択的に除去する。これにより、図１５〜図１７に示したように、犠牲膜１４が設けられていた箇所に電極パターン１１Ａ，１１Ｂにより間隔Ｓが構成され、その間隔Ｓと共に隙間Ｇを経由するように入力電極２０３および出力電極２０４が配置される結果、それらの電極パターン１１Ａ，１１Ｂ、入力電極２０３および出力電極２０４により複数の共振器素子Ｆ（複数の共振器素子Ｆ１，Ｆ２）が構成されるように複数の電極部分１１が形成され、特に、複数の共振器素子Ｆ１と複数の共振器素子Ｆ２とがＹ軸方向において互いに隣り合うように複数の電極部分１１が配列される。したがって、複数の電極部分１１（電極パターン１１Ａ，１１Ｂ）と共に入力電極２０３および出力電極２０４を併せて備えるように微小共振器構造体２０が形成されるため、基板１上に絶縁層２，３および微小共振器構造体２０がこの順に積層された構成を有するように微小共振器が完成する。
【００６３】
本実施の形態に係る微小共振器では、入力電極２０３および出力電極２０４の並列な配置関係が列Ｎ１と列Ｎ２との間で逆になっている構造的特徴に基づき、複数の共振器素子Ｆ１が位相Ｐ１を有する一方で、複数の共振器素子Ｆ２が位相Ｐ１に対して逆位相となる位相Ｐ２を有するようにしたので、上記第１の実施の形態と同様の作用により、各共振器素子Ｆ間に生じる相互干渉の影響を抑制することにより周波数特性を確保することができる。
【００６４】
また、本実施の形態に係る微小共振器の製造方法では、入力電極２０３および出力電極２０４の並列な配置関係が列Ｎ１と列Ｎ２との間で逆になっている構造的特徴に基づき、複数の共振器素子Ｆ１が位相Ｐ１を有する一方で、複数の共振器素子Ｆ２が位相Ｐ１に対して逆位相となる位相Ｐ２を有する微小共振器を製造するために、既存の薄膜プロセスのみを使用し、新規かつ煩雑な製造プロセスを使用しない。したがって、本実施の形態では、上記第１の実施の形態と同様の作用により、既存の薄膜プロセスのみを使用して、周波数特性が確保された微小共振器を容易に製造することができる。
【００６５】
なお、本実施の形態では、図１５および図１７に示したように、絶縁層２中に複数の接続電極４を埋設させると共に、絶縁層２，３に形成された複数の接続孔２３Ｋ１を通じて各入力電極２０３を接続電極４に連結させることにより、複数の入力電極２０３を複数の接続電極４を介して電気的に接続させるようにしたが、必ずしもこれに限られるものではない。具体的には、例えば、図１５および図１７に対応する図２２および図２３に示したように、電極パターン１１Ｂと同一階層に、一端部および他端部が下方に向かって延設されることにより互いに隣り合う２つの入力電極２０３に連結された複数の接続電極４０を設け、複数の入力電極２０３が複数の接続電極４０を介して電気的に接続されるようにしてもよい。この接続電極４０の形成手順としては、例えば、図２０に示したように犠牲膜１４を形成する際に、その犠牲膜１４に電気的接続用の接続孔を設けておき、電極パターン１１Ｂを形成する際に、その電極パターン１１Ｂの形成工程と同一の工程において接続電極４０を形成することにより、上記した接続孔を通じて接続電極４０を下方に向かって延設させることにより互いに隣り合う２つの入力電極２０３に連結させる手順が挙げられる。もちろん、上記した接続電極２０を介した複数の入力電極２０３の接続構成は、例えば、複数の出力電極２０４の接続構成に適用することも可能であり、すなわち図２２に示したように、複数の出力電極２０４が複数の接続電極５０を介して電気的に接続されるようにしてもよい。この場合においても、入力電極２０３および出力電極２０４の並列な配置関係が列Ｎ１と列Ｎ２との間で逆になる結果、複数の共振器素子Ｆ１が位相Ｐ１を有する一方で、複数の共振器素子Ｆ２が位相Ｐ１に対して逆位相となる位相Ｐ２を有することとなるため、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００６６】
なお、本実施の形態に係る微小共振器およびその製造方法に関する上記以外の構成、動作、手順、作用、効果および変形例は、上記第１の実施の形態と同様である。
【００６７】
［第３の実施の形態］
次に、本発明に係る第３の実施の形態について説明する。
【００６８】
まず、図２４〜図２６を参照して、本発明の第３の実施の形態に係る微小共振器の構成について説明する。図２４〜図２６は図１に示した共振回路１０１の構成を拡大して表しており、図２４は平面構成（ＸＹ面に沿った平面構成）を示し、図２５は図２４に示したＡ−Ａ線に沿った断面構成（ＸＺ面に沿った断面構成）を示し、図２６は図２４に示したＢ−Ｂ線に沿った断面構成（ＹＺ面に沿った断面構成）を示している。
【００６９】
本実施の形態に係る微小共振器は、微小共振器構造体１０に代えて微小共振器構造体３０を備え、その微小共振器構造体３０が入力電極１０３および出力電極１０４に代えて入力電極３０３および出力電極３０４を含んで構成されている点を除き、上記第１の実施の形態において説明した微小共振器（図１〜図４参照）とほぼ同様の構成を有している。
【００７０】
微小共振器構造体３０は、図２４〜図２６に示したように、複数の電極部分１１（電極パターン１１Ａ，１１Ｂ）により構成された複数の共振器素子Ｆが複数列Ｎに渡って配列された構成を有しており、すなわち列Ｎ１に配列され、位相Ｐ１を有する複数の共振器素子Ｆ１と、列Ｎ２に配列され、位相Ｐ１に対して逆位相となる位相Ｐ２を有する複数の共振器素子Ｆ２とを含んで構成されている。具体的には、微小共振器構造体３０では、入力電極３０３および出力電極３０４が、各共振器素子Ｆごとに、振動板１１ＢＸの延在方向（Ｙ軸方向）と交差する方向（Ｘ軸方向）に延在するように並列して配置されており、それらの入力電極３０３および出力電極３０４の並列な配置関係が、列Ｎ１と列Ｎ２との間で逆になっている。すなわち、例えば、図２４に示したように、複数の共振器素子Ｆ１と複数の共振器素子Ｆ２とが、振動板１１ＢＸの延在方向（Ｙ軸方向）において互いに隣り合うように配列されている。
【００７１】
絶縁層２には、例えば、図２４および図２５に示したように、各電極部分１１（各電極部分１１のうちの端部に位置する電極パターン１１Ａ）を互いに接続させるための補助電極６が埋設されている。絶縁層２，３のうち、各電極部分１１と補助電極６とが互いに交差する箇所には、例えば、電気的接続用の複数の接続孔２３Ｋ２が設けられている。各電極部分１１の一端部は、絶縁層２，３に設けられた接続孔２３Ｋ２を通じて下方に延設されており、補助電極６に連結されている。これにより、複数の電極部分１１は、補助電極６を介して電気的に接続されている。
【００７２】
入力電極３０３および出力電極３０４は、例えば、図２４に示したように、間隔Ｓと共に隙間Ｇを経由しながら延在し、具体的には互いに隣り合う２つの共振器素子Ｆ（共振器素子Ｆ１，Ｆ２）の間において左右に枝分かれするように配置されている。これらの入力電極３０３および出力電極３０４は、例えば、図２４に示したように、いずれも左右に分岐した複数の枝部を有する枝型の平面構造を有している。
【００７３】
次に、図２４〜図３０を参照して、図２４〜図２６に示した微小共振器の製造方法について説明する。図２７〜図３０は微小共振器の製造工程を説明するためのものであり、いずれも図２５に対応する断面構成を示している。以下では、主に、図２５および図２７〜図３０を参照して、微小共振器のうちの図２５に示した断面構成の製造工程について言及する。なお、微小共振器を構成する各構成要素の構造的特徴および製法的特徴に関しては上記第１の実施の形態において既に詳しく説明したので、以下ではそれらの説明を随時省略する。
【００７４】
微小共振器を製造する際には、まず、図２７に示したように、上記第１の実施の形態において図５を参照して説明した手順を経ることにより、基板１上に絶縁層２，３を形成して積層させる。特に、絶縁層２を形成する際には、部分的に補助電極６が埋設されるようにする。この絶縁層２中に接続電極６を埋設させる手順としては、例えば、上記第２の実施の形態において絶縁層２中に接続電極４を埋設させた手順と同様の手順が挙げられる。
【００７５】
続いて、ドライエッチング処理を使用して、絶縁層２，３のうち、後工程において形成される複数の電極部分１１と補助電極６とが互いに交差する箇所を部分的にエッチングして除去することにより、図２８に示したように、絶縁層２，３に複数の接続孔２３Ｋ２を形成する。この接続孔２３Ｋ２を形成する際には、補助電極６が露出するまで絶縁層２，３をエッチングする。
【００７６】
続いて、図２９に示したように、電極部分１１のうちの一部を構成する複数の電極パターン１１Ａを形成すると共に、その電極パターン１１Ａの形成工程と同一の工程において入力電極３０３および出力電極３０４を併せてパターン形成する。この場合には、例えば、絶縁層２，３に設けられた接続孔２３Ｋ２を通じて、各電極パターン１１Ａの一端部を下方に延設させることにより、複数の電極パターン１１Ａが補助電極６に接続されるようにする。また、例えば、図２４に示したように、入力電極３０３および出力電極３０４が、間隔Ｓと共に隙間Ｇを経由しながらＸ軸方向に延在して並列に配置された枝型の平面構造を有し、特に、それらの入力電極３０３および出力電極３０４の並列な配置関係が、列Ｎ１と列Ｎ２との間で逆になるようにする。
【００７７】
続いて、例えば、上記第１の実施の形態において説明した犠牲膜１２の形成手順と同様の手順を経ることにより、図２９に示したように、間隔Ｓを埋め込むと共に入力電極３０３、出力電極３０４およびその周辺を覆うように犠牲膜１５を形成する。この場合には、例えば、後工程において電極パターン１１Ｂ（図３０参照）を形成可能とするために、間隔Ｓを埋め込むと共に電極パターン１１Ａを部分的に覆うように犠牲膜１５を形成することにより、その電極パターン１１Ａを部分的に露出させる。
【００７８】
続いて、図３０に示したように、電極パターン１１Ａおよび犠牲膜１５上に、電極部分１１のうちの他の一部を構成する複数の電極パターン１１Ｂを形成する。
【００７９】
最後に、例えば希フッ化水素（ＤＨＦ）溶液などの溶解液を使用して犠牲膜１５を溶解させることにより、その犠牲膜１５を選択的に除去する。これにより、図２５に示したように、犠牲膜１５が設けられていた箇所に電極パターン１１Ａ，１１Ｂにより間隔Ｓが構成され、その間隔Ｓと共に隙間Ｇを経由するように入力電極３０３および出力電極３０４が配置される結果、それらの電極パターン１１Ａ，１１Ｂ、入力電極３０３および出力電極３０４により複数の共振器素子Ｆ（複数の共振器素子Ｆ１，Ｆ２）が構成されるように複数の電極部分１１が形成され、特に、複数の共振器素子Ｆ１と複数の共振器素子Ｆ２とがＹ軸方向において互いに隣り合うように複数の電極部分１１が配列される。したがって、複数の電極部分１１（電極パターン１１Ａ，１１Ｂ）と共に入力電極３０３および出力電極３０４を併せて備えるように微小共振器構造体３０が形成されるため、基板１上に絶縁層２，３および微小共振器構造体３０がこの順に積層された構成を有するように微小共振器が完成する。
【００８０】
本実施の形態に係る微小共振器では、入力電極３０３および出力電極３０４の並列な配置関係が列Ｎ１と列Ｎ２との間で逆になっている構造的特徴に基づき、複数の共振器素子Ｆ１が位相Ｐ１を有する一方で、複数の共振器素子Ｆ２が位相Ｐ１に対して逆位相となる位相Ｐ２を有するようにしたので、上記第１の実施の形態と同様の作用により、各共振器素子Ｆ間に生じる相互干渉の影響を抑制することにより周波数特性を確保することができる。
【００８１】
また、本実施の形態に係る微小共振器の製造方法では、入力電極３０３および出力電極３０４の並列な配置関係が列Ｎ１と列Ｎ２との間で逆になっている構造的特徴に基づき、複数の共振器素子Ｆ１が位相Ｐ１を有する一方で、複数の共振器素子Ｆ２が位相Ｐ１に対して逆位相となる位相Ｐ２を有する微小共振器を製造するために、既存の薄膜プロセスのみを使用し、新規かつ煩雑な製造プロセスを使用しない。したがって、本実施の形態では、上記第１の実施の形態と同様の作用により、既存の薄膜プロセスのみを使用して周波数特性が確保された微小共振器を容易に製造することができる。
【００８２】
なお、本実施の形態では、図２４および図２５に示したように、絶縁層２中に補助電極６を埋設させると共に、絶縁層２，３中に形成された接続孔２３Ｋ２を通じて各電極部分１１を補助電極６に連結させることにより、複数の電極部分１１を補助電極６と電気的に接続させるようにしたが、必ずしもこれに限られるものではない。具体的には、例えば、図２４および図２５に対応する図３１および図３２に示したように、電極パターン１１Ｂと同一階層に、下方に向かって延設されることにより複数の電極部分１１に連結された補助電極６０を設けることにより、複数の電極部分１１が補助電極６０を介して電気的に接続されるようにしてもよい。この接続電極６０の形成手順としては、例えば、図２９に示したように犠牲膜１５を形成する際に、その犠牲膜１５に電気的接続用の接続孔を設けておき、電極パターン１１Ｂを形成する際に、その電極パターン１１Ｂの形成工程と同一の工程において接続電極６０を形成することにより、上記した接続孔を通じて接続電極６０を下方に延設させることにより各電極パターン１１Ａに連結させる手順が挙げられる。この場合においても、入力電極３０３および出力電極３０４の並列な配置関係が列Ｎ１と列Ｎ２との間で逆になる結果、複数の共振器素子Ｆ１が位相Ｐ１を有する一方で、複数の共振器素子Ｆ２が位相Ｐ１に対して逆位相となる位相Ｐ２を有することとなるため、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００８３】
なお、本実施の形態に係る微小共振器およびその製造方法に関する上記以外の構成、動作、手順、作用、効果および変形例は、上記第１の実施の形態と同様である。
【００８４】
以上をもって、本発明のいくつかの実施の形態に係る微小共振器およびおよびその製造方法についての説明を終了する。
【００８５】
次に、図３３を参照して、本発明の微小共振器を搭載した電子機器の構成について説明する。図３３は、電子機器としての通信装置のブロック構成を表している。
【００８６】
図３３に示した通信装置は、上記各実施の形態において説明した微小共振器を高周波フィルタとして搭載したものであり、例えば、携帯電話器、無線ＬＡＮ機器、無線トランシーバ、テレビチューナまたはラジオチューナなどである。この通信装置は、例えば、図３３に示したように、送信系回路３００Ａと、受信系回路３００Ｂと、送受信経路を切り替える送受信切換器３０１と、上記各実施の形態において説明した微小共振器により構成された高周波フィルタ３０２と、送受信用のアンテナ３０３とを備えている。
【００８７】
送信系回路３００Ａは、Ｉチャンネルの送信データおよびＱチャンネルの送信データに対応した２つのデジタル／アナログ変換器（ＤＡＣ；Digital/Analogue Converter）３１１Ｉ，３１１Ｑおよび２つのバンドパスフィルタ３１２Ｉ，３１２Ｑと、変調器３２０および送信用ＰＬＬ（Phase-Locked Loop ）回路３１３と、電力増幅器３１４とを備えている。この変調器３２０は、上記した２つのバンドパスフィルタ３１２Ｉ，３１２Ｑに対応した２つのバッファアンプ３２１Ｉ，３２１Ｑおよび２つのミキサ３２２Ｉ，３２２Ｑと、移相器３２３と、加算器３２４と、バッファアンプ３２５とを含んで構成されている。
【００８８】
受信系回路３００Ｂは、高周波部３３０、バンドパスフィルタ３４１およびチャンネル選択用ＰＬＬ回路３４２と、中間周波回路３５０およびバンドパスフィルタ３４３と、復調器３６０および中間周波用ＰＬＬ回路３４４と、Ｉチャンネルの受信データおよびＱチャンネルの受信データに対応した２つのバンドパスフィルタ３４５Ｉ，３４５Ｑおよび２つのアナログ／デジタル変換器（ＡＤＣ；Analogue/Digital Converter）３４６Ｉ，３４６Ｑとを備えている。高周波部３３０は、低ノイズアンプ３３１と、バッファアンプ３３２，３３４と、ミキサ３３３とを含んで構成されており、中間周波回路３５０は、バッファアンプ３５１，３５３と、自動ゲイン調整（ＡＧＣ；Auto Gain Controller）回路３５２とを含んで構成されている。復調器３６０は、バッファアンプ３６１と、上記した２つのバンドパスフィルタ３４５Ｉ，３４５Ｑに対応した２つのミキサ３６２Ｉ，３６２Ｑおよび２つのバッファアンプ３６３Ｉ，３６３Ｑと、移相器３６４とを含んで構成されている。
【００８９】
この通信装置では、送信系回路３００ＡにＩチャンネルの送信データおよびＱチャンネルの送信データが入力されると、それぞれの送信データを以下の手順で処理する。すなわち、まず、ＤＡＣ３１１Ｉ、３１１Ｑにおいてアナログ信号に変換し、引き続きバンドパスフィルタ３１２Ｉ，３１２Ｑにおいて送信信号の帯域以外の信号成分を除去したのち、変調器３２０に供給する。続いて、変調器３２０において、バッファアンプ３２１Ｉ，３２１Ｑを介してミキサ３２２Ｉ，３２２Ｑに供給し、引き続き送信用ＰＬＬ回路３１３から供給される送信周波数に対応した周波数信号を混合して変調したのち、両混合信号を加算器３２４において加算することにより１系統の送信信号とする。この際、ミキサ３２２Ｉに供給する周波数信号に関しては、移相器３２３において信号移相を９０°シフトさせることにより、Ｉチャンネルの信号とＱチャンネルの信号とが互いに直交変調されるようにする。最後に、バッファアンプ３２５を介して電力増幅器３１４に供給することにより、所定の送信電力となるように増幅する。この電力増幅器３１４において増幅された信号は、送受信切換器３０１および高周波フィルタ３０２を介してアンテナ３０３に供給されることにより、そのアンテナ３０３を介して無線送信される。この高周波フィルタ３０２は、通信装置において送信または受信する信号のうちの周波数帯域以外の信号成分を除去するバンドパスフィルタとして機能する。
【００９０】
一方、アンテナ３０３から高周波フィルタ３０２および送受信切換器３０１を介して受信系回路３００Ｂに信号が受信されると、その信号を以下の手順で処理する。すなわち、まず、高周波部３３０において、受信信号を低ノイズアンプ３３１で増幅し、引き続きバンドパスフィルタ３４１で受信周波数帯域以外の信号成分を除去したのち、バッファアンプ３３２を介してミキサ３３３に供給する。続いて、チャンネル選択用ＰＰＬ回路３４２から供給される周波数信号を混合し、所定の送信チャンネルの信号を中間周波信号とすることにより、バッファアンプ３３４を介して中間周波回路３５０に供給する。続いて、中間周波回路３５０において、バッファアンプ３５１を介してバンドパスフィルタ３４３に供給することにより中間周波信号の帯域以外の信号成分を除去し、引き続きＡＧＣ回路３５２でほぼ一定のゲイン信号としたのち、バッファアンプ３５３を介して復調器３６０に供給する。続いて、復調器３６０において、バッファアンプ３６１を介してミキサ３６２Ｉ，３６２Ｑに供給したのち、中間周波用ＰＰＬ回路３４４から供給される周波数信号を混合し、Ｉチャンネルの信号成分とＱチャンネルの信号成分とを復調する。この際、ミキサ３６２Ｉに供給する周波数信号に関しては、移相器３６４において信号移相を９０°シフトさせることにより、互いに直交変調されたＩチャンネルの信号成分とＱチャンネルの信号成分とを復調する。最後に、Ｉチャンネルの信号およびＱチャンネルの信号をそれぞれバンドパスフィルタ３４５Ｉ，３４５Ｑに供給することによりＩチャンネルの信号およびＱチャンネルの信号以外の信号成分を除去したのち、ＡＤＣ３４６Ｉ，３４６Ｑに供給してデジタルデータとする。これにより、Ｉチャンネルの受信データおよびＱチャンネルの受信データが得られる。
【００９１】
この通信装置では、上記各実施の形態において説明した微小共振器を高周波フィルタ３０２として搭載しているため、上記各実施の形態において説明した作用により、各共振器素子Ｆ間に生じる相互干渉の影響に起因して微小共振器の周波数特性が劣化しにくくなる。したがって、微小共振器を搭載して周波数特性を確保することができる。
【００９２】
なお、図３３に示した通信装置では、上記各実施の形態において説明した微小共振器を高周波フィルタ３０２に適用する場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、微小共振器を高周波フィルタ３０２に代えてバンドパスフィルタ３１２Ｉ，３１２Ｑに代表される一連のバンドパスフィルタに適用してもよい。この場合においても、やはり周波数特性を確保することができる。
【００９３】
以上、いくつかの実施の形態を挙げて本発明の微小共振器およびその製造方法を説明したが、本発明は上記各実施の形態に限定されず、本発明の微小共振器の構成やその微小共振器の製造方法に関する手順などは、上記各実施の形態と同様の効果を得ることが可能な限りにおいて自由に変形可能である。
【００９４】
また、上記各実施の形態では、本発明の微小共振器およびその製造方法を高周波フィルタに適用する場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、本発明の微小共振器およびその製造方法を高周波フィルタ以外の他の電子デバイスに適用することも可能である。もちろん、上記各実施の形態では、本発明の微小共振器およびその製造方法を携帯電話機などの通信装置に代表される電子機器に適用する場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、本発明の微小共振器およびその製造方法を通信装置以外の他の電子機器に適用することも可能である。これらのいずれの場合においても、上記各実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００９５】
本発明に係る微小共振器およびその製造方法は、例えば高周波フィルタとして携帯電話機などの通信装置に代表される電子機器に適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９６】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る微小共振器の平面構成（ＸＹ面に沿った平面構成）を表す平面図である。
【図２】共振回路の平面構成（ＸＹ面に沿った平面構成）を拡大して表す平面図である。
【図３】図２に示したＡ−Ａ線に沿った共振回路の断面構成（ＹＺ面に沿った断面構成）を表す断面図である。
【図４】図２に示したＢ−Ｂ線に沿った共振回路の断面構成（ＸＺ面に沿った断面構成）を表す断面図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係る微小共振器の製造工程を説明するための断面図である。
【図６】図５に続く工程を説明するための断面図である。
【図７】図６に続く工程を説明するための断面図である。
【図８】図７に続く工程を説明するための断面図である。
【図９】本発明の第１の実施の形態に係る微小共振器に対する第１の比較例の微小共振器の平面構成（ＸＹ面に沿った平面構成）を表す平面図である。
【図１０】図９に示したＡ−Ａ線に沿った共振回路の断面構成（ＹＺ面に沿った断面構成）を表す断面図である。
【図１１】図９に示したＢ−Ｂ線に沿った共振回路の断面構成（ＸＺ面に沿った断面構成）を表す断面図である。
【図１２】本発明の第１の実施の形態に係る微小共振器に対する第２の比較例の微小共振器の平面構成（ＸＹ面に沿った平面構成）を表す平面図である。
【図１３】図１２に示したＡ−Ａ線に沿った共振回路の断面構成（ＹＺ面に沿った断面構成）を表す断面図である。
【図１４】図１２に示したＢ−Ｂ線に沿った共振回路の断面構成（ＸＺ面に沿った断面構成）を表す断面図である。
【図１５】本発明の第２の実施の形態に係る微小共振器のうちの共振回路の平面構成（ＸＹ面に沿った平面構成）を拡大して表す平面図である。
【図１６】図１５に示したＡ−Ａ線に沿った共振回路の断面構成（ＹＺ面に沿った断面構成）を表す断面図である。
【図１７】図１５に示したＢ−Ｂ線に沿った共振回路の断面構成（ＸＺ面に沿った断面構成）を表す断面図である。
【図１８】本発明の第２の実施の形態に係る微小共振器の製造工程を説明するための断面図である。
【図１９】図１８に続く工程を説明するための断面図である。
【図２０】図１９に続く工程を説明するための断面図である。
【図２１】図２０に続く工程を説明するための断面図である。
【図２２】本発明の第２の実施の形態に係る微小共振器のうちの共振回路の平面構成（ＸＹ面に沿った平面構成）に関する変形例を表す平面図である。
【図２３】図２２に示したＢ−Ｂ線に沿った共振回路の断面構成（ＹＺ面に沿った断面構成）を表す断面図である。
【図２４】本発明の第３の実施の形態に係る微小共振器のうちの共振回路の平面構成（ＸＹ面に沿った平面構成）を拡大して表す平面図である。
【図２５】図２４に示したＡ−Ａ線に沿った共振回路の断面構成（ＸＺ面に沿った断面構成）を表す断面図である。
【図２６】図２４に示したＢ−Ｂ線に沿った共振回路の断面構成（ＹＺ面に沿った断面構成）を表す断面図である。
【図２７】本発明の第３の実施の形態に係る微小共振器の製造工程を説明するための断面図である。
【図２８】図２７に続く工程を説明するための断面図である。
【図２９】図２８に続く工程を説明するための断面図である。
【図３０】図２９に続く工程を説明するための断面図である。
【図３１】本発明の第３の実施の形態に係る微小共振器のうちの共振回路の平面構成（ＸＹ面に沿った平面構成）に関する変形例を表す平面図である。
【図３２】図３１に示したＢ−Ｂ線に沿った共振回路の断面構成（ＸＺ面に沿った断面構成）を表す断面図である。
【図３３】本発明に係る微小共振器を搭載した電子機器（通信装置）のブロック構成を表すブロック図である。
【符号の説明】
【００９７】
１…基板、２，３…絶縁層、４，５，４０，５０…接続電極、６，６０…補助電極、１０，２０，３０…微小共振器構造体、１１…電極部分、１１Ａ，１１Ｂ…電極パターン、１１ＢＸ…振動部分、１１ＢＹ…支持柱部分、１２，１４，１５…犠牲膜、１３…配線電極、２３Ｋ１，２３Ｋ２…接続孔、１０１…共振回路、１０２…ＤＣ印加回路、１０３，２０３，３０３…入力電極、１０４，２０４，３０４…出力電極、３００Ａ…送信系回路、３００Ｂ…受信系回路、３０１…送受信切換器、３０２…高周波フィルタ、３０３…アンテナ、３１１Ｉ，３１１Ｑ…ＤＡＣ、３１２Ｉ，３１２Ｑ，３４１，３４３，３４５Ｉ，３４５Ｑ…バンドパスフィルタ、３１３…送信用ＰＬＬ回路、３１４…電力増幅器、３２０…変調器、３２１Ｉ，３２１Ｑ，３２５，３３２，３３４，３５１，３５３，３６１，３６３Ｉ，３６３Ｑ…バッファアンプ、３２２Ｉ，３２２Ｑ，３３３，３６２Ｉ，３６２Ｑ…ミキサ、３２３，３６４…移相器、３２４…加算器、３３０…高周波部、３３１…低ノイズアンプ、３４２…チャンネル選択用ＰＬＬ回路、３５０…中間周波回路、３５２…ＡＧＣ回路、３６０…復調器、３４６Ｉ，３４６Ｑ…ＡＤＣ、Ｆ（Ｆ１，Ｆ２）…共振器素子、Ｇ…隙間、Ｌ…形成長さ、Ｎ（Ｎ１，Ｎ２）…列、Ｓ…間隔。
【図１】
2006109229.tif 000003
【図２】
2006109229.tif 000004
【図３】
2006109229.tif 000005
【図４】
2006109229.tif 000006
【図５】
2006109229.tif 000007
【図６】
2006109229.tif 000008
【図７】
2006109229.tif 000009
【図８】
2006109229.tif 000010
【図９】
2006109229.tif 000011
【図１０】
2006109229.tif 000012
【図１１】
2006109229.tif 000013
【図１２】
2006109229.tif 000014
【図１３】
2006109229.tif 000015
【図１４】
2006109229.tif 000016
【図１５】
2006109229.tif 000017
【図１６】
2006109229.tif 000018
【図１７】
2006109229.tif 000019
【図１８】
2006109229.tif 000020
【図１９】
2006109229.tif 000021
【図２０】
2006109229.tif 000022
【図２１】
2006109229.tif 000023
【図２２】
2006109229.tif 000024
【図２３】
2006109229.tif 000025
【図２４】
2006109229.tif 000026
【図２５】
2006109229.tif 000027
【図２６】
2006109229.tif 000028
【図２７】
2006109229.tif 000029
【図２８】
2006109229.tif 000030
【図２９】
2006109229.tif 000031
【図３０】
2006109229.tif 000032
【図３１】
2006109229.tif 000033
【図３２】
2006109229.tif 000034
【図３３】
2006109229.tif 000035