(57)【要約】【課題】  チャンバ内で材料ガスを均一に供給すること。【解決手段】  表面波励起プラズマ処理装置１００には、チャンバ内へ材料ガスを導入するためのシャワープレート１０が設けられている。シャワープレート１０は、全体として平板状であり、上下２段の中空構造を形成する第１室１１および第２室１２を有する。材料ガスは、ガス導入ポート１４から第１室１１へ導かれ、分散板１１ａに穿設されている複数のガス噴出孔１１ｂを通って第２室１２へ移送され、分散板１２ａに穿設されている複数のガス噴出孔１２ｂを通ってチャンバ１内へ放出される。このとき、ガス噴出孔１１ｂ，１２ｂを多段に設けることにより、被処理基板Ｓに対して材料ガスを均一に供給することができる。したがって、プラズマ処理の均一性も向上する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面波励起プラズマ処理装置のチャンバ内へ処理用ガスを噴出させる中空平板状のシャワープレートであって、
各段の室がそれぞれ面状に広がる複数段の中空室と、
前記各段の中空室をそれぞれ貫通する複数の貫通孔と、
前記処理用ガスを初段の中空室へ導入するガス導入口と、
前記導入された処理用ガスを最終段の中空室から噴出する複数のガス噴出孔と、
隣接する中空室を隔てる壁に設けられ、前記処理用ガスを上流から下流の中空室へ流入させる複数の連通孔とを備え、
前記ガス噴出孔と前記連通孔とは前記複数の貫通孔の周りに設けられていることを特徴とするシャワープレート。
【請求項２】
請求項１に記載のシャワープレートにおいて、
最終段の中空室に面して設けられるガス流入孔としての前記連通孔と前記ガス噴出孔、もしくは中間段の中空室に面して設けられるガス流入孔としての前記連通孔とガス流出孔としての前記連通孔とは互いに対向しないように配設されていることを特徴とするシャワープレート。
【請求項３】
請求項１または２に記載のシャワープレートにおいて、
前記最終段の中空室の前記ガス噴出孔が形成される下面には、前記ガス噴出孔を除いた領域を覆う防着板が配設されることを特徴とするシャワープレート。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載のシャワープレートにおいて、
前記初段の中空室には、前記ガス導入口が２つ以上配設されることを特徴とするシャワープレート。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載のシャワープレートにおいて、
前記複数の中空室には、それぞれ互いに独立した排気ポートが１つ以上設けられることを特徴とするシャワープレート。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載のシャワープレートにおいて、
前記処理用ガスの温度を調節するための調温手段が設けられることを特徴とするシャワープレート。
【請求項７】
チャンバ内の上部空間で表面波励起プラズマを励起させてプロセスガスからラジカル種を生成し、請求項１乃至請求項６項のいずれか一項に記載のシャワープレートにより下部空間へ処理用ガスを導入し、前記貫通孔を通過して前記下部空間へダウンフローする前記ラジカル種により前記処理用ガスを解離、反応させて各種プラズマ処理を行うことを特徴とする表面波励起プラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面波励起プラズマ処理室に対して各種ガスを供給するシャワープレートおよびこのシャワープレートを用いる表面波励起プラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
表面波励起プラズマを利用したプラズマ処理装置では、導波管内を伝搬するマイクロ波を誘電体窓を通してチャンバ内に導入し、誘電体窓の表面に生じた表面波によってチャンバ内の触媒ガスを励起し、表面波励起プラズマを生成する。被処理物を処理する反応性のメインガスは、チャンバの側面に設けられた１つのガス導入口からチャンバ内に導入されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−３４８８９８号公報（第４頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記の特許文献１の装置では、チャンバ側方の１つのガス導入口からガスを噴出させるので、チャンバ内の被処理物に対してガスの供給が不均一になるという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
（１）請求項１の発明は、表面波励起プラズマ処理装置のチャンバ内へ処理用ガスを噴出させる中空平板状のシャワープレートに適用される。そして、このシャワープレートは、各段の室がそれぞれ面状に広がる複数段の中空室と、各段の中空室をそれぞれ貫通する複数の貫通孔と、処理用ガスを初段の中空室へ導入するガス導入口と、導入された処理用ガスを最終段の中空室から噴出する複数のガス噴出孔と、隣接する中空室を隔てる壁に設けられ、処理用ガスを上流から下流の中空室へ流入させる複数の連通孔とを備え、ガス噴出孔と連通孔とは複数の貫通孔の周りに設けられていることを特徴とする。
（２）請求項２の発明は、請求項１に記載のシャワープレートにおいて、最終段の中空室に面して設けられるガス流入孔としての連通孔とガス噴出孔、もしくは中間段の中空室に面して設けられるガス流入孔としての連通孔とガス流出孔としての連通孔とは互いに対向しないように配設されていることを特徴とする。
（３）請求項３の発明は、請求項１または２に記載のシャワープレートにおいて、最終段の中空室のガス噴出孔が形成される下面には、ガス噴出孔を除いた領域を覆う防着板が配設されることを特徴とする。
（４）請求項４の発明は、請求項１〜３のいずれか一項に記載のシャワープレートにおいて、初段の中空室には、ガス導入口が２つ以上配設されることを特徴とする。
（５）請求項５の発明は、請求項１〜４のいずれか一項に記載のシャワープレートにおいて、複数の中空室には、それぞれ互いに独立した排気ポートが１つ以上設けられることを特徴とする。
（６）請求項６の発明は、請求項１〜５のいずれか一項に記載のシャワープレートにおいて、処理用ガスの温度を調節するための調温手段が設けられることを特徴とする。
（７）請求項７の発明による表面波励起プラズマ処理装置は、チャンバ内の上部空間で表面波励起プラズマを励起させてプロセスガスからラジカル種を生成し、請求項１乃至請求項６項のいずれか一項に記載のシャワープレートにより下部空間へ処理用ガスを導入し、貫通孔を通過して下部空間へダウンフローするラジカル種により処理用ガスを解離、反応させて各種プラズマ処理を行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、初段の中空室へ導入した処理用ガスを、連通孔を介して連通する次段の中空室へ導いた後にガス噴出孔からチャンバ内へ噴出するようにしたので、各段の各連通孔および各ガス噴出孔から噴出するガス量がそれぞれ一様になり、チャンバ内の被処理物に対して処理用ガスを均一に供給することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、本発明の実施の形態によるシャワープレートを用いた表面波励起プラズマ（ＳＷＰ：Surface Wave Plasma）処理装置（以下、ＳＷＰ処理装置と略す）について、図１〜４を参照しながら説明する。
【０００８】
図１は、本発明の実施の形態によるＳＷＰ処理装置の構成を模式的に示す縦断面図である。ＳＷＰ処理装置１００は、チャンバ１と、マイクロ波導波管２と、誘電体板３と、表面波励起プラズマを生成させるプロセスガスを導入する複数のプロセスガス導入部４と、表面波励起プラズマによって分解される材料ガス（この明細書では処理用ガスとも呼ぶ）を導入する複数のシャワープレート１０とを備える。チャンバ１は、チャンバ本体１ａと蓋体１ｂとを有する密閉容器であり、その内部空間に生成するプラズマを利用して被処理基板Ｓに対してエッチングや成膜などのプラズマ処理を施す。チャンバ本体１ａには、被処理基板Ｓを保持する基板ホルダー５と、不図示の真空ポンプに配管接続され、チャンバ１内の排気をするための真空排気口６とが設けられている。基板ホルダー５は、図中、上下方向の移動や回転が可能であり、また、ヒータ５ａが組み込まれている。
【０００９】
マイクロ波導波管２は、アルミニウム合金や銅合金などで作製され、紙面に垂直に延在する直管状を呈し、チャンバ１の蓋体１ｂに取り付けられている。マイクロ波導波管２の底板２ａには、管の軸方向に沿って複数のスロットアンテナ２ｂが所定間隔で配設されている。スロットアンテナ２ｂは、底板２ａを貫通して形成される長矩形状の開口である。底板２ａの内面は磁界面（Ｈ面）と呼ばれる。
【００１０】
誘電体板３は、石英、アルミナ、ジルコニア等の誘電性材料を平板状に加工したものであり、また、その板厚方向にプロセスガスを導入するための貫通孔３ａが穿設されている。誘電体板３は、その上面がマイクロ波導波管２の底板２ａに接して配設されているとともに、Ｏリング１ｃを介して蓋体１ｂに取り付けられているので、チャンバ１内の気密を保持できる。
【００１１】
プロセスガス導入部４は、チャンバ１の蓋体１ｂに固設されており、不図示のガス供給系からのプロセスガスを蓋体１ｂの貫通孔１ｄへ導く。プロセスガスは誘電体板３の貫通孔３ａを通してチャンバ１内へ導入される。プロセスガスは、Ｎ２ガス、Ｏ２ガス、Ｈ２ガス等の反応性のガスおよびＡｒガス、Ｈｅガス、Ｎｅガス、Ｋｒガス、Ｘｅガス等の希ガスである。
【００１２】
図２も参照して、シャワープレート１０について詳細に説明する。図２は、シャワープレート１０を模式的に示す図であり、図２（ａ）は断面図、図２（ｂ）は部分底面図である。図２（ｂ）のＩ−Ｉ線で切断した断面が図２（ａ）の領域Ａに対応する。なお、シャワープレート１０は、後述する図３に示すように、３枚構成であり、チャンバ１内を上下２室に分けるように水平方向に配設されている。
【００１３】
これら各々のシャワープレート１０は、全体として中空平板状であり、上下２段の中空構造を形成する第１室１１および第２室１２と、その２段の中空構造の板厚方向（図２（ａ）中、上下方向）に穿設された複数の貫通孔１３と、不図示のガス供給系からの材料ガスを第１室１１へ導くガス導入ポート１４と、防着板１５とを備える。ここで、第１室１１が初段の中空室であり、第２室１２が最終段の中空室である。第１室１１および第２室１２には、貫通孔１３との間に円筒状の側壁１０ａが設けられているので、第１室１１および第２室１２と貫通孔１３とは隔離された構造となっている。上段の第１室１１と下段の第２室１２との仕切り板、つまり第１室１１の底板が分散板１１ａであり、分散板１１ａには開口径がほぼ等しい複数のガス噴出孔１１ｂが穿設されている。このガス噴出孔１１ｂは、第１室１１と第２室１２とを互いに連通する連通孔である。下段の第２室１２の底板が分散板１２ａであり、分散板１２ａには開口径がほぼ等しい複数のガス噴出孔１２ｂが穿設されている。また、防着板１５には、分散板１２ａのガス噴出孔１２ｂの配置、開口径に合わせて小孔１５ａが穿設されている。すなわち、防着板１５は、ガス噴出孔１２ｂと貫通孔１３とを除いた領域をカバーするように配設されている。
【００１４】
図２（ｂ）に示されるように、ガス噴出孔１１ｂ，１２ｂおよび貫通孔１３は、いずれも規則正しく配置されている。但し、ガス噴出孔１１ｂと１２ｂとは、図２（ａ）の上下方向（図２（ｂ）の紙面に垂直方向）で一列に並ばないように、つまり、ガス噴出孔１１ｂと１２ｂとが対向しないようにずらして配置されている。また、ガス噴出孔１１ｂ，１２ｂは、貫通孔１３あるいはガス導入ポート１４の開口に比べて遥かに小さい断面積の孔として形成されている。
【００１５】
図３は、実施の形態によるＳＷＰ処理装置の概略構成を示す平面図であり、３枚のシャワープレート１０への材料ガスの供給経路を示すものである。各シャワープレート１０には、ガス供給系７によりガスＧ１が、ガス供給系８によりガスＧ１とは別種のガスＧ２が供給される。ガス供給系７は、不図示のガス供給源に接続される配管７ａが３本に分岐され、３本の配管のそれぞれにマスフローコントローラ７ｂ，７ｃ，７ｄが配設されている。同様に、ガス供給系８では、３本の分岐配管のそれぞれにマスフローコントローラ８ｂ，８ｃ，８ｄが配設されている。マスフローコントローラ７ｂ，７ｃ，７ｄの出口側とマスフローコントローラ８ｂ，８ｃ，８ｄの出口側とがそれぞれ接続されているので、ガスＧ１，Ｇ２が混合され、材料ガスとして各シャワープレート１０に供給される。材料ガスは、例えばＳｉＨ４ガス、Ｓｉ２Ｈ６ガス、ＮＨ３ガス等のシリコン薄膜或いはシリコン化合物薄膜の成分を含むガスである。
【００１６】
再び図１および図２を参照しながら、上記のように構成されたＳＷＰ処理装置１００によるプラズマ処理について説明する。プロセスガス導入部４によりプロセスガスを、シャワープレート１０により材料ガスをチャンバ１内へ導入しながら、真空排気口６を介して排気を行うことによって、チャンバ１内は所定の圧力に保持される。
【００１７】
図２に示されるように、材料ガスは、ガス導入ポート１４から第１室１１へ導かれ、複数のガス噴出孔１１ｂを通って第２室１２へ移送され、複数のガス噴出孔１２ｂ、小孔１５ａを通ってシャワープレート１０の外部、すなわちチャンバ１内へ放出される。ガス噴出孔１１ｂの開口断面積は非常に小さいので、第１室１１へ導入された材料ガスは、ガス噴出孔１１ｂ，１２ｂの多段配置により、複数のガス噴出孔１２ｂから均一に噴出される。すなわち、シャワープレート１０によりチャンバ１内の被処理基板Ｓへ向けて材料ガスが均等に供給される。
【００１８】
不図示のマイクロ波発生装置からマイクロ波をマイクロ波導波管２へ導入し、スロットアンテナ２ｂを通して誘電体板３へ放射させ、誘電体板３を介してチャンバ１内に導入する。このマイクロ波のエネルギーによりチャンバ１内のプロセスガスが電離、解離してプラズマが生成する。プラズマの電子密度が表面波発生の臨界密度を越えると、マイクロ波は表面波となってプラズマと誘電体板３との境界面に沿って伝搬し、誘電体板３の全域に拡がる。その結果、誘電体板３の面積に対応する領域に高密度プラズマ、すなわち表面波励起プラズマが生成する。この表面波励起プラズマにより材料ガスが分解、反応を起こし、プラズマの近傍に配置された被処理基板Ｓに対してＣＶＤ成膜、エッチング、アッシングなどのプラズマ処理が行われる。
【００１９】
図４を参照しながら、表面波励起プラズマを用いて被処理基板ＳにＣＶＤ成膜するプロセスを説明する。
図４は、実施の形態によるＳＷＰ処理装置におけるチャンバ内部の反応過程を示す模式図である。具体的には、シリコン窒化膜の成膜過程であり、プロセスガスとしてＮ２ガス、Ｈ２ガス、Ａｒガスを用い、材料ガスとしてＳｉＨ４ガス、ＮＨ３ガスを用い、チャンバ１内の圧力を１〜１００Ｐａの範囲の所定圧力に設定する。ガスの導入比率やチャンバ１内の圧力などは適宜選択する。
【００２０】
誘電体板３から被処理基板Ｓまでの空間領域を５つに分けて説明すると、領域１は、表面波励起プラズマが生成され、活性な窒素ラジカルが多数生成される。ラジカルの他にもイオンや電子が生成される。
領域２は、生成された窒素ラジカルの拡散領域である。生成されたラジカル種は、被処理基板Ｓの方向、つまり図４中、下方向に拡散し、シャワープレート１０に到達するまでに十分均一に分布している。窒素ラジカルは、シャワープレート１０の複数の均一に配置されている貫通孔１３を通過し、さらに下方向に拡散していく。この領域に、シャワープレート１０からＳｉＨ４ガスとＮＨ３ガスを上述したように均一に放出する。
【００２１】
領域３では、窒素ラジカルによるＳｉＨ４ガス、ＮＨ３ガスの解離反応が促進され、窒化シリコンの前駆体が領域内の各地点で均一に生成され、下方向に拡散していく。
領域４は、シリコン窒化膜の形成可能領域である。
領域５では、被処理基板Ｓまで到達した窒化シリコン分子が基板表面に堆積する。窒化シリコン分子は、基板ホルダー５に組み込まれたヒータ５ａにより加熱された被処理基板Ｓの表面温度により、マイグレーションを起こし、最終的に薄膜の膜質（結晶性、屈折率、内部応力など）が決定される。
【００２２】
以上説明した表面波励起プラズマ処理装置では、次のようにして基板Ｓに対して各種のプラズマ処理を行う。すなわち、チャンバ１内の上部空間で表面波励起プラズマを励起させてプロセスガスからラジカル種を生成し、シャワープレート１０により下部空間へ材料ガスを導入し、貫通孔１３を通過して下部空間へダウンフローするラジカル種により材料ガスを解離、反応させる。
【００２３】
上述した本実施の形態のシャワープレート１０およびＳＷＰ処理装置１００は、次のような作用効果を奏する。
（１）シャワープレート１０の第１室１１および第２室１２の順に材料ガスを送出するとき、ガス噴出孔１１ｂ，１２ｂの多段配置により、材料ガスを複数のガス噴出孔１２ｂから均一に噴出させ、被処理基板Ｓに対して均一に供給することができる。
（２）シャワープレート１０のガス噴出孔１１ｂと１２ｂとを図２（ａ）の上下方向で一列に並ばないようにずらして配置することにより、第２室１２のガス圧力分布の均一性が更に向上し、被処理基板Ｓへの材料ガスの供給の均一化が一層向上する。
（３）シャワープレート１０に複数の貫通孔１３を配置したので、表面波励起プラズマにより生成されるラジカル種が貫通孔１３を通って下部空間へダウンフローして拡散するので、材料ガスの分解が空間的に均一に行われる。
（４）分散板１２ａの下面に防着板１５を配設することにより、分散板１２ａのメンテナンス頻度を低減できる。つまり、防着板１５の交換だけで済み、分散板１２ａのクリーニングや交換の回数が減る。
（５）上記（１）〜（３）の効果により、ＳＷＰ処理装置１００は、均一なＣＶＤ成膜が可能となり、膜厚、膜質が均一な薄膜が得られる。
（６）複数枚のシャワープレート１０を並設するとともに、シャワープレート１０毎にマスフローコントローラを設けてガス供給量やガスＧ１，Ｇ２の混合比率を細かく制御するようにした。その結果、チャンバ１内の被処理基板Ｓ近傍でのガス濃度分布の均一性が向上するので、基板の大型化にも対応できる。
【００２４】
以上では、ＳＷＰ処理装置１００により基板Ｓに成膜する場合について説明したが、本発明によるＳＷＰ処理装置はエッチング処理やアッシング処理を行うこともできる。この場合、プラズマ発生に寄与するプロセスガス（ガス種１）をチャンバの上部空間に噴出させ、エッチング処理やアッシング処理に寄与する処理用ガス（ガス種２）を、上述したシャワープレート１０からチャンバ下方空間に噴出させればよい。
【００２５】
次に、上記実施形態のシャワープレート１０の変形例について説明する。
図５は、シャワープレート１０の第１の変形例を模式的に示す図であり、この第１の変形例のシャワープレートが配置されたＳＷＰ処理装置の概略平面図である。図示されるように、チャンバ１内には４枚のシャワープレート２０Ａ〜２０Ｄが並設されている。これらのシャワープレート２０Ａ〜２０Ｄは、実施の形態のシャワープレート１０と基本的に同型であるが、シャワープレート２０Ａ〜２０Ｄには、ガス導入ポートが２つづつ配設されている点が異なる。例えば、シャワープレート２０Ａには２つのガス導入ポート２１ａ，２２ａがほぼ対角線上に配設されている。
【００２６】
ガス供給ユニット７０に接続されたガスラインＬ１は分岐部２１で２つに分岐し、一方はガス導入ポート２１ａ，２１ｂへ、他方はガス導入ポート２１ｃ，２１ｄへ配管されている。同様に、ガスラインＬ２は分岐部２２で２つに分岐し、一方はガス導入ポート２２ａ，２２ｃへ、他方はガス導入ポート２２ｂ，２２ｄへ配管されている。このように、シャワープレート２０Ａ〜２０Ｄの第１段の室は、対角線上の２箇所からガス導入が可能な構造としたので、第１段の室のガス圧力分布はより均一となり、最終段の室のガス圧力分布の均一性が向上し、被処理基板Ｓへの材料ガス供給の均一化を図ることができる。
【００２７】
図６は、シャワープレート１０の第２の変形例を模式的に示す図であり、（ａ）はガス導入時の状態を示す断面図、（ｂ）は排気時の状態を示す断面図、（ｃ）は平面図である。この第２の変形例のシャワープレート３０は、上述したシャワープレート１０と基本的に同型であり、１０番台の符号を３０番台の符号に置換して示している。相違点としては、２つのガス導入ポート３４，３５が配設され、第２室３２に排気ポート３６，３７が付加されている点である。図６（ｃ）に示されるように、ガス導入ポート３４，３５がシャワープレート３０のほぼ対角線上に配設され、排気ポート３６，３７もほぼ対角線上に配設されている。
【００２８】
図６（ａ）に示すガス導入時には、排気ポート３６，３７を閉鎖し、第１室３１に導入した材料ガスを第２室へ移送し、複数のガス噴出孔３２ｂを通してチャンバ内へ放出する。図６（ｂ）に示す排気時には、ガス導入ポート３４，３５と排気ポート３６，３７を使ってそれぞれ第１室３１、第２室３２の真空排気を行う。このように排気ポート３６，３７を設け、且つ、ガス導入ポート３４，３５を排気に転用することによって、第１室３１、第２室３２の残留ガスを迅速に除去できるので、例えば、ガス種を変更してプロセスを連続的に行いたい場合に、時間短縮を図ることができる。
【００２９】
図７は、シャワープレート１０の第３の変形例を模式的に示す断面図である。この第３の変形例のシャワープレート３０Ａは、第２の変形例のシャワープレート３０と基本的に同型であるが、第１室３１の上側に調温プレート３８が付加されている点が異なる。
【００３０】
調温プレート３８の内部には、流体媒体を流すための流路３８ａが形成されており、流体媒体の温度制御を行うことでシャワープレート３０Ａの温度調整を行う。流体媒体は、液体でも気体でもよく、例えば、水、オイル、エチレングリコール、空気、窒素ガス、ヘリウムガス等を用いることができる。調温プレート３８により材料ガスの温度制御を行うことで、常温では気化しにくい物質、例えばＴＥＯＳを１３０℃程度に加熱することにより、シャワープレート３０Ａの表面および内部での凝着を防ぐことができる。
【００３１】
図８は、シャワープレート１０の第４の変形例を模式的に示す図である。図８（ａ）は断面図、図８（ｂ）は部分底面図であり、図８（ｂ）のＩＩ−ＩＩ線で切断した断面が図８（ａ）の領域Ｂに対応する。複数の貫通孔４３は蜂の巣状に配置され、貫通孔４３の配列方向（図中、Ｘ方向）のピッチをＰとすると、配列方向に直交する方向（Ｙ方向）の間隔はＰ√３である。この配置は、シャワープレート内の貫通孔４３の開口面積比率を大きくすることができるので、ラジカル種の減少を最小限にするためには有効であり、同時に、処理速度の増大と処理の一層の均一化を図ることができる。
【００３２】
本発明は、その特徴を損なわない限り、以上説明した実施の形態に何ら限定されない。例えば、シャワープレートの中空構造は、２段に限らず３段以上の多段としてもよい。３段以上の中空室を設ける場合、中間に位置する中空室のガス流入孔とガス流出孔との位置関係も、対向させずにずらすようにするのが好ましい。また、シャワープレートの貫通孔の寸法、形状、配置などに関しては様々な変形が考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の実施の形態に係るＳＷＰ処理装置の構成を模式的に示す縦断面図である。
【図２】実施の形態によるシャワープレートの構造を模式的に示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は部分底面図である。
【図３】３枚のシャワープレートへの材料ガスの供給経路を模式的に示す平面図である。
【図４】実施の形態によるＳＷＰ処理装置におけるチャンバ内部の反応過程を示す模式図である。
【図５】第１の変形例のシャワープレートを模式的に示す図である。
【図６】第２の変形例のシャワープレートを模式的に示す図であり、（ａ）はガス導入時の状態を示す断面図、（ｂ）は排気時の状態を示す断面図、（ｃ）は底面図である。
【図７】第３の変形例のシャワープレートを模式的に示す断面図である。
【図８】第４の変形例のシャワープレートの構造を模式的に示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は部分底面図である。
【符号の説明】
【００３４】
１：チャンバ                          ２：マイクロ波導波管
３：誘電体板                          ４：プロセスガス導入部
１０，２０Ａ〜２０Ｄ，３０，３０Ａ：シャワープレート
１１，３１：第１室                    １１ａ，３１ａ：分散板
１１ｂ，３１ｂ：ガス噴出孔            １２，３２：第２室
１２ａ，３２ａ：分散板                １２ｂ，３２ｂ：ガス噴出孔
１３，１３Ａ、３３：貫通孔            １４，３４，３５：ガス導入ポート
１５：防着板                          ３６，３７：排気ポート
３８：調温プレート                    １００：ＳＷＰ処理装置
Ｓ：被処理基板
【図１】
2006322050.tif 000003
【図２】
2006322050.tif 000004
【図３】
2006322050.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
2006322050.tif 000008
【図７】
2006322050.tif 000009
【図８】
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