(57)【要約】【課題】  薄膜太陽電池の周縁部におけるリーク電流を低減することができる薄膜太陽電池の製造方法および薄膜太陽電池を提供する。【解決手段】  透明絶縁基板上に順次積層された透明電極層と半導体光電変換層と裏面電極層と、を含む薄膜太陽電池を製造する方法であって、透明絶縁基板側から第１レーザ光を照射することによって第１レーザ光の照射領域の半導体光電変換層および裏面電極層を除去する工程と透明絶縁基板側から第２レーザ光を照射することによって第１レーザ光の照射領域よりも外側の領域の透明電極層、半導体光電変換層および裏面電極層を除去する工程とを含む薄膜太陽電池の製造方法である。透明絶縁基板上に順次積層された透明電極層と半導体光電変換層と裏面電極層とを含み、周縁部において半導体光電変換層および裏面電極層よりも透明電極層が外側に突出している薄膜太陽電池である。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明絶縁基板上に順次積層された透明電極層と、半導体光電変換層と、裏面電極層と、を含む薄膜太陽電池を製造する方法であって、
透明絶縁基板側から第１レーザ光を照射することによって第１レーザ光の照射領域の半導体光電変換層および裏面電極層を除去する工程と、
透明絶縁基板側から第２レーザ光を照射することによって第１レーザ光の照射領域よりも外側の領域の透明電極層、半導体光電変換層および裏面電極層を除去する工程と、
を含む、薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項２】
第１レーザ光はＹＡＧレーザ光の第２高調波であることを特徴とする、請求項１に記載の薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項３】
第２レーザ光はＹＡＧレーザ光の基本波であることを特徴とする、請求項１または２に記載の薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項４】
透明絶縁基板上に順次積層された透明電極層と、半導体光電変換層と、裏面電極層と、を含む薄膜太陽電池であって、
周縁部において、半導体光電変換層および裏面電極層よりも透明電極層が外側に突出していることを特徴とする、薄膜太陽電池。
【請求項５】
透明電極層の突出長さが１００μｍ以上１０００μｍ以下であることを特徴とする、請求項４に記載の薄膜太陽電池。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は薄膜太陽電池の製造方法および薄膜太陽電池に関し、特に薄膜太陽電池の周縁部におけるリーク電流を低減することができる薄膜太陽電池の製造方法および薄膜太陽電池に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽光のエネルギを直接電気エネルギに変換する太陽電池の種類としては、各種のものが実用化されている。なかでも、非晶質シリコン薄膜を用いた薄膜太陽電池は、低温プロセスおよび大面積化が容易という特徴から低コストで製造可能であるため、開発が進められている。
【０００３】
図２に、従来の薄膜太陽電池の一部の模式的な断面図を示す。図２において、薄膜太陽電池１は、透明絶縁基板２上に、透明電極層３、非晶質シリコン薄膜からなる半導体光電変換層４および裏面電極層５が順次積層された構造を有している。ここで、透明電極層３は半導体光電変換層４で埋められた第１分離溝６によって分離されており、半導体光電変換層４および裏面電極層５は第２分離溝８によって分離されている。そして、レーザ光などによるパターンニングによって半導体光電変換層４が除去された部分であるコンタクトライン７を介して隣り合うセルが電気的に直列に接続されている。
【０００４】
この薄膜太陽電池１は、たとえば以下のようにして作製される。まず、透明絶縁基板２上に透明電極層３を形成した後にレーザスクライブ法によって透明電極層３の一部を除去して第１分離溝６を形成し、透明電極層３を分離する。次に、複数に分離された透明電極層３上に、プラズマＣＶＤ法を用いて、非晶質シリコン薄膜からなるｐ層、ｉ層およびｎ層を順次積層して半導体光電変換層４を形成する。次いで、レーザスクライブ法によって半導体光電変換層４の一部を除去してコンタクトライン７を形成し、半導体光電変換層４を分離する。続いて、コンタクトライン７を埋めかつ半導体光電変換層４を覆うようにして裏面電極層５を形成する。最後に、レーザスクライブ法によって、半導体光電変換層４および裏面電極層５を分離する第２分離溝８を形成して、図２に示す薄膜太陽電池１が作製される。
【０００５】
図３に、図２に示す薄膜太陽電池１を裏面電極層５側から見たときの模式的な平面図を示す。この薄膜太陽電池１の周縁部には補強のため一般的に金属フレームが設置される。そこで、この金属フレームと薄膜太陽電池１との間の絶縁性を担保するため、薄膜太陽電池１の周縁部における透明電極層、半導体光電変換層および裏面電極層を除去する必要がある。この周縁部における透明電極層、半導体光電変換層および裏面電極層を除去（以下、「トリミング」ということもある）する方法としては、力学的に研磨する方法、化学的にエッチングする方法、またはレーザスクライブ法による方法などがある。その中でも特にレーザスクライブ法による方法が一般的に用いられている。レーザスクライブ法による方法としては、ＹＡＧレーザ光の基本波（ＩＲ）を透明絶縁基板側から薄膜太陽電池の周縁部に照射し、その照射エネルギを透明電極層に吸収させて、その熱で透明電極層、半導体光電変換層および裏面電極層を同時に蒸散させる方法が一般的である。
【特許文献１】特開２００２−１６２６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、この従来のレーザスクライブ法によるトリミング方法を用いた場合には、ＹＡＧレーザ光の基本波の照射により蒸散させられた透明電極層の一部が半導体光電変換層の縦断面に再付着することによって、透明電極層と裏面電極層との間にリークパスが形成され、そのリークパスにリーク電流が流れることによって薄膜太陽電池の変換効率が低下するという問題があった。
【０００７】
そこで、本発明の目的は、薄膜太陽電池の周縁部におけるリーク電流を低減することができる薄膜太陽電池の製造方法および薄膜太陽電池を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、透明絶縁基板上に順次積層された透明電極層と、半導体光電変換層と、裏面電極層と、を含む薄膜太陽電池を製造する方法であって、透明絶縁基板側から第１レーザ光を照射することによって第１レーザ光の照射領域の半導体光電変換層および裏面電極層を除去する工程と、透明絶縁基板側から第２レーザ光を照射することによって第１レーザ光の照射領域よりも外側の領域の透明電極層、半導体光電変換層および裏面電極層を除去する工程と、を含む、薄膜太陽電池の製造方法である。
【０００９】
ここで、本発明の薄膜太陽電池の製造方法において、第１レーザ光としてはＹＡＧレーザ光の第２高調波を用いることができる。
【００１０】
また、本発明の薄膜太陽電池の製造方法において、第２レーザ光としてはＹＡＧレーザ光の基本波を用いることができる。
【００１１】
さらに、本発明は、透明絶縁基板上に順次積層された透明電極層と、半導体光電変換層と、裏面電極層と、を含む薄膜太陽電池であって、周縁部において、半導体光電変換層および裏面電極層よりも透明電極層が外側に突出していることを特徴とする薄膜太陽電池である。
【００１２】
ここで、本発明の薄膜太陽電池においては、透明電極層の突出長さが１００μｍ以上１０００μｍ以下であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、薄膜太陽電池の周縁部におけるリーク電流を低減することができる薄膜太陽電池の製造方法および薄膜太陽電池を提供することにある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。
【００１５】
図１（ａ）〜図１（ｈ）に、本発明の薄膜太陽電池の製造方法の好ましい一例を図解する模式的な断面図を示す。まず、図１（ａ）に示すように、透明絶縁基板２上に透明電極層３を形成する。ここで、透明絶縁基板２としては、たとえばガラス基板などを用いることができる。また、透明電極層３としては、たとえばＳｎＯ2（酸化スズ）、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）またはＺｎＯ（酸化亜鉛）からなる層などを用いることができる。透明電極層３の形成方法は特に限定されず、たとえば従来から公知のスパッタリング法、蒸着法またはイオンプレーティング法などを用いることができる。
【００１６】
次に、図１（ｂ）に示すように、たとえばレーザスクライブ法などによって透明電極層３の一部を除去して第１分離溝６を形成し、透明電極層３を複数に分離する。
【００１７】
次いで、図１（ｃ）に示すように、複数に分離された透明電極層３の表面上に半導体光電変換層４を形成する。このとき、第１分離溝６は半導体光電変換層４によって埋められる。ここで、半導体光電変換層４としては、たとえばアモルファスシリコン薄膜からなるｐ層、ｉ層およびｎ層が順次積層された構造、微結晶シリコン薄膜からなるｐ層、ｉ層およびｎ層が順次積層された構造、アモルファスシリコン薄膜からなるｐ層、ｉ層およびｎ層が順次積層された構造と微結晶シリコン薄膜からなるｐ層、ｉ層およびｎ層が順次積層された構造とを組み合わせたタンデム構造、またはアモルファスシリコン薄膜からなるｐ層、ｉ層およびｎ層が順次積層された構造と微結晶シリコン薄膜からなるｐ層、ｉ層およびｎ層が順次積層された構造との間にＺｎＯなどからなる中間層が挿入された構造などを用いることができる。また、アモルファスシリコン薄膜からなるｐ層およびｉ層と微結晶シリコン薄膜からなるｎ層とを組み合わせた構造のように、ｐ層、ｉ層およびｎ層のうち少なくとも１層をアモルファスシリコン薄膜から構成し、残りの層を微結晶シリコン薄膜から構成して、ｐ層、ｉ層およびｎ層にアモルファスシリコン薄膜からなる層と微結晶シリコン薄膜からなる層とを混在させてもよい。
【００１８】
ここで、アモルファスシリコン薄膜としては、シリコンの未結合手（ダングリングボンド）が水素で終端された水素化アモルファスシリコン系半導体（ａ−Ｓｉ：Ｈ）からなる薄膜を用いることができ、微結晶シリコン薄膜としてはシリコンの未結合手（ダングリングボンド）が水素で終端された水素化微結晶シリコン系半導体（μｃ−Ｓｉ：Ｈ）からなる薄膜を用いることができる。
【００１９】
また、半導体光電変換層４の厚みは、たとえば１００ｎｍ以上６００ｎｍ以下とすることができる。
【００２０】
また、本発明に用いられる半導体光電変換層４の形成方法は特に限定されず、たとえばプラズマＣＶＤ法などを用いることができる。
【００２１】
続いて、図１（ｄ）に示すように、たとえばレーザスクライブ法などによって半導体光電変換層４の一部を除去してコンタクトライン７を形成し、半導体光電変換層４を複数に分離する。
【００２２】
次いで、図１（ｅ）に示すように、半導体光電変換層４の表面上に裏面電極層５を形成する。このとき、コンタクトライン７は裏面電極層５によって埋められる。ここで、裏面電極層５としては、たとえば銀またはアルミニウムからなる金属薄膜とＺｎＯなどの透明導電膜との積層体など用いることができる。金属薄膜の厚みはたとえば３００ｎｍ以上１μｍ以下とすることができ、透明導電膜の厚みはたとえば５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下とすることができる。
【００２３】
なお、裏面電極層５としては金属薄膜の単層または複数層のみを用いてもよいが、単層または複数層の金属薄膜と半導体光電変換層４との間に透明導電膜を用いた場合には、金属薄膜から半導体光電変換層４に金属原子が拡散するのを防止することができ、さらに金属薄膜による太陽光の反射率が向上する傾向にある点で好ましい。また、裏面電極層５の形成方法は特に限定されず、たとえばスパッタリング法などを用いることができる。
【００２４】
そして、図１（ｆ）に示すように、たとえばレーザスクライブ法などによって半導体光電変換層４および裏面電極層５を分離する第２分離溝８を形成する。
【００２５】
次いで、透明絶縁基板２側から第１レーザ光を照射し、図１（ｇ）に示すように、第１レーザ光の照射領域の半導体光電変換層４および裏面電極層５を蒸散させることによって除去する（除去部９が形成）。ここで、第１レーザ光としては、たとえばＹＡＧレーザ光の第２高調波（波長：５３２ｎｍ）を用いることができる。ＹＡＧレーザ光の第２高調波は透明絶縁基板２および透明電極層３を透過し、半導体光電変換層４に吸収される傾向にあるため、ＹＡＧレーザ光の第２高調波を第１レーザ光として用いた場合には、半導体光電変換層４を選択的に加熱することによって、その熱により半導体光電変換層４およびこれに接する裏面電極層５を蒸散させることが可能になる。なお、ＹＡＧレーザ光の第２高調波の強度は透明電極層３にダメージを与えない強度であることが好ましい。
【００２６】
なお、本発明において、ＹＡＧレーザとはＮｄ：ＹＡＧレーザのことであり、Ｎｄ：ＹＡＧレーザはネオジムイオン（Ｎｄ3+）を含むイットリウムアルミニウムガーネット（Ｙ3Ａｌ5Ｏ12）結晶からなる。そして、ＹＡＧレーザからはＹＡＧレーザ光の基本波（波長：１０６４ｎｍ）が発振するが、その波長を１／２に波長変換することによってＹＡＧレーザ光の第２高調波（波長：５３２ｎｍ）を得ることができる。
【００２７】
最後に、透明絶縁基板２側から第２レーザ光を第１レーザ光の照射領域よりも外側の領域に照射し、図１（ｈ）に示すように、第１レーザ光の照射領域よりも外側の領域の透明電極層３、半導体光電変換層４および裏面電極層５を蒸散させることによって除去する。ここで、第２レーザ光としては、ＹＡＧレーザ光の基本波（波長：１０６４ｎｍ）を用いることが好ましい。ＹＡＧレーザ光の基本波は透明絶縁基板２を透過し、透明電極層３に吸収される傾向にあるため、ＹＡＧレーザ光の基本波を第２レーザ光として用いた場合には、透明電極層３を選択的に加熱することによって、その熱により透明電極層３、半導体光電変換層４および裏面電極層５を蒸散させることが可能になる。
【００２８】
このように本発明によれば、第１レーザ光の照射領域において、透明電極層３を除去することなく半導体光電変換層４および裏面電極層５のみを除去することができる。これにより、図１（ｈ）に示すように、除去部９において半導体光電変換層４および裏面電極層５の縦断面が露出する。そして、第２レーザ光の照射によって第１レーザ光の照射領域よりも外側の領域の透明電極層３が蒸散した場合でも、露出した半導体光電変換層４の縦断面と蒸散する裏面電極層５との間には少なくとも第１レーザ光の照射領域（除去部９）の分だけ距離があることになる。したがって、本発明によれば、従来のように周縁部の透明電極層３、半導体光電変換層４および裏面電極層５を一度に蒸散させる方法と比べて、第１レーザ光の照射領域（除去部９）の分だけ、蒸散した透明電極層３が半導体光電変換層４の縦断面に再付着しにくくなることから、薄膜太陽電池の周縁部におけるリーク電流を低減することができるのである。なお、本発明において、図１（ｇ）および図１（ｈ）に示される操作は薄膜太陽電池の周縁部の一部についてのみ行なうこともできるが、薄膜太陽電池の周縁部すべてについて行なうことが好ましい。
【００２９】
このようにして製造された本発明の薄膜太陽電池は、透明絶縁基板２上に順次積層された透明電極層３と、半導体光電変換層４と、裏面電極層５と、を含み、周縁部において、半導体光電変換層４および裏面電極層５よりも透明電極層３が外側に突出している構成を有している。
【００３０】
ここで、図１（ｈ）に示される透明電極層３の突出長さＬ（突出している透明電極層３の周縁部側の端部から、半導体光電変換層４の周縁部側の縦断面までの最短の水平距離）は、１００μｍ以上１０００μｍ以下であることが好ましい。透明電極層３の突出長さＬが１００μｍ未満である場合には第２レーザ光で加工するときに機械的な加工精度が必要となって装置コストが高くなる傾向にある。また、この場合には、第２レーザ光より蒸散した透明電極層３が露出した半導体光電変換層４の縦断面に再付着しやすくなる傾向にある。また、透明電極層３の突出長さＬが１０００μｍよりも長い場合には太陽電池の有効発電領域が減少してしまうロスが大きくなる傾向にある。
【実施例】
【００３１】
（実施例１）
まず、図１（ａ）に示すように、ＳｎＯ2からなる透明導電層３が形成された幅５６０ｍｍ×長さ９２５ｍｍの矩形状の表面を有するガラス基板からなる透明絶縁基板２を用意した。
【００３２】
次に、ＹＡＧレーザ光の基本波を透明絶縁基板２側から照射することによって、透明導電層３の一部をレーザスクライブ法により短冊状に除去して、図１（ｂ）に示すように、１本当たり０．１ｍｍの幅の第１分離溝６を５０本、隣接する第１分離溝６間の距離が等間隔となるように透明絶縁基板２の長さ方向に沿って形成した。そして、透明絶縁基板２について、純水により超音波洗浄を行なった。
【００３３】
次いで、プラズマＣＶＤ法により、ボロンがドープされた水素化アモルファスシリコン系半導体（ａ−Ｓｉ：Ｈ）からなるｐ層、ノンドープの水素化アモルファスシリコン系半導体（ａ−Ｓｉ：Ｈ）からなるｉ層およびリンがドープされた水素化微結晶シリコン系半導体（μｃ−Ｓｉ：Ｈ）からなるｎ層をこの順序で形成して、図１（ｃ）に示すように半導体光電変換層４を形成した。
【００３４】
続いて、ＹＡＧレーザ光の第２高調波を透明電極層３にダメージを与えない強度で透明絶縁基板２側から照射することによって、半導体光電変換層４の一部をレーザスクライブ法により短冊状に除去して、図１（ｄ）に示すように、コンタクトライン７を隣接するコンタクトライン７間の距離が等間隔となるように透明絶縁基板２の長さ方向に沿って形成した。
【００３５】
次に、ＺｎＯからなる透明導電膜および銀からなる金属薄膜をスパッタリング法により順次形成することによって、図１（ｅ）に示すように、裏面電極層５を形成した。
【００３６】
次いで、ＹＡＧレーザ光の第２高調波を透明絶縁基板２側から照射することによって、半導体光電変換層４および裏面電極層５の一部をレーザスクライブ法により短冊状に除去して、図１（ｆ）に示すように、第２分離溝８を隣接する第２分離溝８間の距離が等間隔となるように透明絶縁基板２の長さ方向に沿って形成した。
【００３７】
そして、ＹＡＧレーザ光の第２高調波を透明絶縁基板２側から半導体光電変換層４および裏面電極層５の周縁部に照射することによって、半導体光電変換層４および裏面電極層５の一部をレーザスクライブ法により短冊状に除去して、図１（ｇ）に示すように、１０００μｍの幅の除去部９を形成した。
【００３８】
最後に、除去部９よりも外側の領域にＹＡＧレーザ光の基本波を透明絶縁基板２側から照射することによって、図１（ｈ）に示すように、その照射部分の透明電極層３、半導体光電変換層４および裏面電極層５をレーザスクライブ法により短冊状に外側から１１ｍｍの幅に除去して、実施例１の薄膜太陽電池を作製した。この実施例１の薄膜太陽電池の透明電極層の図１（ｈ）に示す突出長さＬを測定したところ５００μｍであった。
【００３９】
そして、実施例１の薄膜太陽電池の周縁部におけるリーク電流を各セル毎に逆バイアス電圧を印加することによって測定し、変換効率をソーラシミュレータによって測定した。その結果を表１に示す。表１に示すように、実施例１の薄膜太陽電池の周縁部におけるリーク電流は１２ｍＡであって、変換効率は１０．９％であった。
【００４０】
（比較例１）
図１（ｇ）および図１（ｈ）に示す操作を行なわず、ＹＡＧレーザ光の基本波を透明絶縁基板側から照射して図４（ｇ）に示すように透明電極層、半導体光電変換層および裏面電極層を一度に除去したこと以外は実施例１と同一の方法および同一の条件で比較例１の薄膜太陽電池を作製した。具体的には、図４（ａ）〜図４（ｇ）の模式的断面図に図解する方法によって比較例１の薄膜太陽電池を作製した。
【００４１】
すなわち、まず、図４（ａ）に示すように、ＳｎＯ2からなる透明導電層３が形成された幅５６０ｍｍ×長さ９２５ｍｍの矩形状の表面を有するガラス基板からなる透明絶縁基板２を用意した。
【００４２】
次に、ＹＡＧレーザ光の基本波を透明絶縁基板２側から照射することによって、透明導電層３の一部をレーザスクライブ法により短冊状に除去して、図４（ｂ）に示すように、１本当たり０．１ｍｍの幅の第１分離溝６を５０本、隣接する第１分離溝６間の距離が等間隔となるように透明絶縁基板２の長さ方向に沿って形成した。そして、透明絶縁基板２について、純水により超音波洗浄を行なった。
【００４３】
次いで、プラズマＣＶＤ法により、ボロンがドープされた水素化アモルファスシリコン系半導体（ａ−Ｓｉ：Ｈ）からなるｐ層、ノンドープの水素化アモルファスシリコン系半導体（ａ−Ｓｉ：Ｈ）からなるｉ層およびリンがドープされた水素化微結晶シリコン系半導体（μｃ−Ｓｉ：Ｈ）からなるｎ層をこの順序で形成して、図４（ｃ）に示すように半導体光電変換層４を形成した。
【００４４】
続いて、ＹＡＧレーザ光の第２高調波を透明電極層３にダメージを与えない強度で透明絶縁基板２側から照射することによって、半導体光電変換層４の一部をレーザスクライブ法により短冊状に除去して、図４（ｄ）に示すように、コンタクトライン７を隣接するコンタクトライン７間の距離が等間隔となるように透明絶縁基板２の長さ方向に沿って形成した。
【００４５】
次に、ＺｎＯからなる透明導電膜および銀からなる金属薄膜をスパッタリング法により順次形成することによって、図４（ｅ）に示すように、裏面電極層５を形成した。
【００４６】
次いで、ＹＡＧレーザ光の第２高調波を透明絶縁基板２側から照射することによって、半導体光電変換層４および裏面電極層５の一部をレーザスクライブ法により短冊状に除去して、図４（ｆ）に示すように、第２分離溝８を隣接する第２分離溝８間の距離が等間隔となるように透明絶縁基板２の長さ方向に沿って形成した。
【００４７】
最後に、ＹＡＧレーザ光の基本波を透明絶縁基板２側から、透明導電層３、半導体光電変換層４および裏面電極層５の周縁部に照射することによって、透明導電層３、半導体光電変換層４および裏面電極層５の周縁部をレーザスクライブ法により短冊状に一度に除去して、図４（ｇ）に示すように、１０００μｍの幅の除去部９を形成した。これにより、比較例１の薄膜太陽電池が完成した。
【００４８】
そして、比較例１の薄膜太陽電池の周縁部におけるリーク電流および変換効率を実施例１の薄膜太陽電池のときと同一の方法および同一の条件で測定した。その結果を表１に示す。表１に示すように、比較例１の薄膜太陽電池の周縁部におけるリーク電流は９８ｍＡであって、変換効率は１０．２％であった。
【００４９】
【表１】
2006332453.tif 000003
【００５０】
表１からもわかるように、実施例１の薄膜太陽電池は、比較例１の薄膜太陽電池と比べて周縁部におけるリーク電流が少なくなり、その結果として変換効率が上昇していた。
【００５１】
なお、上記の実施例１および比較例１の薄膜太陽電池の作製においては、周縁１辺についてのみ図１（ｇ）および図１（ｈ）に示す操作または図４（ｇ）に示す操作を行なったが、周縁４辺すべてについて行なった場合でも同様の結果が得られるものと考えられる。
【００５２】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明によれば、薄膜太陽電池の周縁部におけるリーク電流を低減することができる薄膜太陽電池の製造方法および薄膜太陽電池を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の薄膜太陽電池の製造方法の好ましい一例を図解する模式的な断面図である。
【図２】従来の薄膜太陽電池の一部の模式的な断面図である。
【図３】図２に示す薄膜太陽電池を裏面電極層側から見たときの模式的な平面図である。
【図４】比較例１の薄膜太陽電池を作製する方法を図解する模式的な断面図である。
【符号の説明】
【００５５】
１  薄膜太陽電池、２  透明絶縁基板、３  透明電極層、４  半導体光電変換層、５  裏面電極層、６  第１分離溝、７  コンタクトライン、８  第２分離溝、９  除去部。
【図１】
2006332453.tif 000004
【図２】
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【図３】
2006332453.tif 000006
【図４】
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