(57)【要約】【課題】  ガラス系材料の非金属基板上に積層構造のシード層を有する磁気記録媒体において、高い磁気異方性を得るための、磁気記録媒体を構成するガラス基板、シード層、磁性層を提案する。【解決手段】  表面に円周方向のテクスチャ加工が施された円盤状の非金属基板１上にシード層２が配置される。シード層２は、夫々所定膜厚の第１シード層２１および第２シード層２２を有する。シード層２上に非磁性下地層３および磁性層４が配置される。磁性層４の円周方向の残留磁化を半径方向の残留磁化で除した値の、第１シード層２１および第２シード層２２の膜厚の逆数に対する変化率は６ｎｍ以下である。【選択図】  図１
2006318614.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に円周方向のテクスチャ加工が施された円盤状の非金属基板上に積層構造のシード層が配置され、該シード層上に非磁性下地層が配置されてなる磁気記録媒体であって、
前記シード層は、夫々所定膜厚の少なくとも第１シード層および第２シード層を有し、
前記非磁性下地層上に磁性層が配置されており、
該磁性層の円周方向の残留磁化を半径方向の残留磁化で除した値の、前記第１シード層および前記第２シード層の膜厚の逆数に対する変化率が６ｎｍ以下である、
ことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記テクスチャ加工は、１μｍ平方あたり２５本以上かつ６０本以下の略同心円状の溝を含む、請求項１の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記溝は、３ｎｍ以上かつ５ｎｍ以下の深さを有する、請求項２の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記シード層は、前記第２シード層上にさらに第３シード層および第４シード層を有し、
前記第１シード層の膜厚が２〜４ｎｍ、前記第２シード層の膜厚が８〜１５ｎｍ、前記第３シード層の膜厚が１〜３ｎｍ、前記第４シード層の膜厚が５〜１０ｎｍである、
請求項１乃至３のいずれかの磁気記録媒体。
【請求項５】
円盤状の非金属基板の表面に円周方向のテクスチャ加工を施す第１工程と、該非金属基板上に積層構造のシード層を成膜する第２工程と、該シード層上に非磁性下地層を成膜する第３工程とを有する磁気記録媒体の製造方法であって、
前記第２工程において、前記非金属基板上に少なくとも第１シード層および第２シード層を夫々所定膜厚に順次形成して前記シード層を成膜し、
さらに、前記非磁性下地層上に磁性層を成膜する工程であって、該磁性層の円周方向の残留磁化を半径方向の残留磁化で除した値の、前記第１シード層および前記第２シード層の膜厚の逆数に対する変化率を６ｎｍ以下にする第４工程を有する、
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
前記第１工程における前記テクスチャ加工により、１μｍ平方あたり２５本以上かつ６０本以下の略同心円状の溝を形成する、請求項５の製造方法。
【請求項７】
前記第１工程における前記テクスチャ加工により、前記溝を、３ｎｍ以上かつ５ｎｍ以下の深さに形成する、請求項６の製造方法。
【請求項８】
前記第２工程において、前記非金属基板上に前記第１シード層を膜厚２〜４ｎｍに形成し、該第１シード層上に前記第２シード層を膜厚８〜１５ｎｍに形成し、さらに、該第２シード層上に第３シード層を膜厚１〜３ｎｍに形成し、該第３シード層上に第４シード層を膜厚５〜１０ｎｍに形成する、
請求項５乃至７のいずれかの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は磁気記録媒体およびその製造方法に関する。特に詳細には、本発明は、ガラス系材料の非金属基板を用い、コンピュータや情報端末の記録装置に用いて好適な異方性磁気記録媒体およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録媒体は、円盤状の基板上に、強磁性の記録磁性層が薄膜として成膜され、磁気ヘッドを浮上走査し、磁気ヘッドから発する磁界によって、磁性層を磁化することで記録を行う。上記、記録磁化の方向が、基板面に対して平行である磁気記録媒体を、一般に長手磁気記録媒体と称する。長手記録媒体では、磁性層の磁化容易軸を、記録を行う円周方向に配向させて用いることが一般的である。円周方向の残留磁化（Ｍｒｃ）と半径方向の残留磁化（Ｍｒｒ）が異なる磁気記録媒体は異方性磁気記録媒体と呼ばれる。一般的に、両者の比である磁気異方性Ｍｒｃ／Ｍｒｒが大きくなるほど磁気記録媒体の性能は向上する。以下、磁気異方性Ｍｒｃ／ＭｒｒをＯＲ−Ｍｒｔと表記する。
【０００３】
アルミニウム系材料を基板として用いた磁気記録媒体では、基板表面にテクスチャと呼ばれる円周方向の溝を形成して異方性を得ている。一般的には、アルミニウム基板上にＮｉＰメッキを施し、その表面にテクスチャ加工を行うことにより、円周状の溝を形成し、その溝により磁性層の円周方向と半径方向の残留磁化の差を発生させている。テクスチャ加工による磁気異方性ＯＲ−Ｍｒｔの発現機構は完全には明らかになっておらず、テクスチャによる磁性層の磁化容易軸の角度分散や、テクスチャ形状に起因する応力による磁性層の磁歪効果などが提案されている。磁気異方性ＯＲ−Ｍｒｔにテクスチャによる応力の異方性が関係していることは、例えば非特許文献１で示されるように疑いがない。
【０００４】
なお、上記テクスチャ加工は、磁気記録媒体上を磁気ヘッドが浮上走査する時に、磁気記録媒体と磁気ヘッドの接触面積を低減させ、浮上を安定化させる役割も併せ持つ。
一方、従来のガラス系材料の基板を用いた磁気記録媒体では、基板材料そのものの硬度が高く、熱膨張が小さいため、テクスチャ加工を行っても、円周方向と半径方向の残留磁化の差を得ることが困難であったため、いわゆる等方性磁気記録媒体が一般的であった。
【０００５】
しかし、近年、磁気記録媒体の高密度化が進み、磁気記録媒体に書き込まれるデータの最小単位であるビットサイズはますます小さくなってきており、ガラス系基板を用いた等方性媒体では、異方性磁気記録媒体と比較し、記録信号の分解能が低く、高記録密度において、十分な信号対雑音比（ＳＮＲ）が得られないという状況が顕著になってきている。これは、等方性磁気記録媒体において、異方性磁気記録媒体と同等な記録特性を得ようとすると、円周方向の残留磁化と膜厚の積（Ｍｒ・ｔ）を高くする必要があり、磁性層が厚くなる結果、磁性層に起因するノイズが増大するためである。
【０００６】
このため、ガラス基板を用いた磁気記録媒体においても、磁性層の磁気異方性を高めるため、ガラス基板に適当なテクスチャ加工を施した上で、シード層、下地層、磁性層、保護層を、順次成膜することで、高い磁気異方性を有する、異方性磁気記録媒体を実現する方法が検討されている。
【０００７】
特許文献１においては、テクスチャ加工を施したガラス基板に、Ｃｒからなる第１シード層、ＮｉＮｂ合金からなる第２シード層、Ｃｒからなる第３シード層、および、ＮｉＮｂ合金からなる第４シード層を積層することにより、高い磁気異方性を実現している。第２シードと第３シード層の間には、上層の成膜においてバイアス電圧を印加するために、大気中に取り出し、基板を持ち替える工程が入っている。
【０００８】
また、特許文献２には、ヴィラリ効果による滋歪により誘導される磁気異方性を１．３以上とすることが開示されている（同文献、段落０００９、００３１、００３２、図１および図２参照）。特許文献３には、磁性粒子に伝播する圧縮応力が基板表面と磁性層の距離に反比例して減少することが開示されている（同文献、段落００３０参照。「比例」は「反比例」の誤記）。特許文献４には、磁気異方性とシード層の膜厚の関係が開示されている（同文献、図１２および図１６参照）。
【０００９】
【特許文献１】特願２００４−３２９１０９号明細書
【特許文献２】特開２００４−２４７０１０号公報
【特許文献３】特開２００３−３１７２２７号公報
【特許文献４】特許第３４７３８４７号公報
【非特許文献１】村尾他、日本応用磁気学会誌、Vol. 25, No. 4-2, pp. 615-618 (2001)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
このようにガラス基板にテクスチャ加工を行って、磁気異方性を発現させる方法においては、シード層の材料、成膜条件を調整することが必須である。シード層は、下地層、磁性層の粒径を小さくする役割を持たせるために、非晶質状態とすることが一般的であり、従来の結晶質材料で広く行われる、結晶学的な特性評価が行えない。そのため、シード層材料、成膜条件を検討する際には、考え得るすべての材料、成膜条件で、実際の媒体成膜を行った上で磁気異方性（ＯＲ−Ｍｒｔ）を評価するという方法しかなく、開発が容易に進まず、シード層の検討は十分に為されていないのが現状である。
【００１１】
そこで、本発明の目的は、ガラス系材料の非金属基板上に積層構造のシード層を有する磁気記録媒体において、高い磁気異方性を得るための、磁気記録媒体を構成するガラス基板、シード層、磁性層を提案することである。特に、磁気異方性（ＯＲ−Ｍｒｔ）に密接に関係する指標を提案し、その指標に基づいて成膜条件を決定し、その条件にしたがって磁気記録媒体を製造すること、および、その条件にしたがって製造された磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一態様は、表面に円周方向のテクスチャ加工が施された円盤状の非金属基板上に積層構造のシード層が配置され、該シード層上に非磁性下地層が配置されてなる磁気記録媒体であって、前記シード層は、夫々所定膜厚の少なくとも第１シード層および第２シード層を有し、前記非磁性下地層上に磁性層が配置されており、該磁性層の円周方向の残留磁化を半径方向の残留磁化で除した値の、前記第１シード層および前記第２シード層の膜厚の逆数に対する変化率が６ｎｍ以下である、ことを特徴とする。
【００１３】
本発明の他の態様は、円盤状の非金属基板の表面に円周方向のテクスチャ加工を施す第１工程と、該非金属基板上に積層構造のシード層を成膜する第２工程と、該シード層上に非磁性下地層を成膜する第３工程とを有する磁気記録媒体の製造方法であって、前記第２工程において、前記非金属基板上に少なくとも第１シード層および第２シード層を夫々所定膜厚に順次形成して前記シード層を成膜し、さらに、前記非磁性下地層上に磁性層を成膜する工程であって、該磁性層の円周方向の残留磁化を半径方向の残留磁化で除した値の、前記第１シード層および前記第２シード層の膜厚の逆数に対する変化率を６ｎｍ以下にする第４工程を有する、ことを特徴とする。
【００１４】
他の態様として、さらに、前記テクスチャ加工は、１μｍ平方あたり２５本以上かつ６０本以下の略同心円状の溝を含むものであって良い。
【００１５】
他の態様として、さらに、前記溝は、３ｎｍ以上かつ５ｎｍ以下の深さを有しても良い。
【００１６】
他の態様として、さらに、前記シード層は、前記第２シード層上にさらに第３シード層および第４シード層を有し、前記第１シード層の膜厚が２〜４ｎｍ、前記第２シード層の膜厚が８〜１５ｎｍ、前記第３シード層の膜厚が１〜３ｎｍ、前記第４シード層の膜厚が５〜１０ｎｍであって良い。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
【００１８】
図１は、本発明の磁気記録媒体の構成例を説明するための図で、磁気記録媒体は、ガラス基板１上に、シード層２、下地層３、磁性層４および保護層５が順次積層され、更に、保護層５の上には潤滑層６が形成されて構成されている。シード層２は第１シード層２１、第２シード層２２、第３シード層２３、第４シード層２４を積層して構成されている。
【００１９】
ガラス基板１に用いる材料は、化学強化ガラス、結晶化ガラス等、磁気記録媒体用に用いられる通常のガラス系材料を用いることができる。中心部に円形孔を有する円板状が好ましく、中心部の円形孔の径、基板１の外径および基板１の板厚等は、所望の用途に応じて適宜設定される。
【００２０】
ガラス基板１には、テクスチャ加工を施す。テクスチャ加工に先立ち、ガラス基板１に通常の方法でポリッシュ加工を施して表面を平滑化しておくことが望ましい。ポリッシュ加工後のＲａ（中心線平均粗さ）は好ましくは０．２〜０．５ｎｍである。表面を平滑化した基板１に対してテクスチャ加工を施して、円周方向に略同心円状の溝を形成する。テクスチャ加工法としては遊離砥粒法が望ましい。具体的には、研磨砥粒を含まない加工布（ウレタン、ポリエステル、ナイロン等）を基板表面に押圧し、加工布に研磨用スラリー（ダイヤモンド、酸化アルミニウム、酸化セリウム、コロイダルシリカ、シリコンカーバイト等）を含ませて基板１を回転させながら実施する。
【００２１】
上記テクスチャ加工を施した基板１には１μｍ平方あたり２５〜６０本の、円周方向に向いた、同心円状の溝が形成されることが望ましい。２５本以下では所望の残留磁化異方性を得られない。基板表面粗さが低Ｒａに留まっているのであれば、テクスチャ溝は多いほうが望ましいが、一般的には凹凸の大きさに反比例してＲａは増大してしまうので、テクスチャ溝はあまり多くはできない。６０本までが妥当である。
【００２２】
基板１に形成される溝は３〜５ｎｍの深さが望ましい。３ｎｍ未満の場合は所望の残留磁化異方性が得られず、溝の深さが５ｎｍより深くなる場合は、磁気記録媒体の浮上性能に悪影響を及ぼし、信号品質を劣化させ、実用に耐えなくなる。
【００２３】
上記のように、テクスチャ加工されたガラス基板１を洗浄し、表面に残存する異物、加工砥粒を取り除いたのち、成膜を行う。
【００２４】
シード層２は第１シード層２１、第２シード層２２、第３シード層２３、第４シード層２４を積層して構成され、その上に形成される層の結晶配向および結晶粒径等を制御して磁気記録媒体の所望の特性を得るために設ける層である。本実施例においては、第１シード層２１としてＣｒを用い、第２シード層２２として、後述する複数の合金を試用し、検討を行い、第３シード層２３に再びＣｒを用い、第４シード層２４に第２シード層２２と同じ合金を用いた。これらのシード層２１〜２４は、スパッタ法にて成膜することが望ましい。第１シード層２１は２〜４ｎｍの厚さ、第２シード層２２は８〜１５ｎｍの厚さ、第３シード層２３は１〜３ｎｍの厚さ、第４シード層２４は５〜１０ｎｍの厚さとすることが望ましい。後述するように、本実施例では、第２シード層２２の厚さを上記範囲から外れるものも製作し、検討を行っている。
【００２５】
磁性層４、保護層５の成膜でバイアス電圧を印加して、成膜を行うため、第１シード層２１および第２シード層２２成膜後、大気中に取り出し、基板１を持ち替える。ガラス基板１は絶縁性であるため、バイアス電圧を印加するためには、伝導体である第２シード層２２にバイアス電圧を印加する電極（バイアス電極）を接触させる必要がある。基板１を保持する基板ホルダがバイアス電極を兼ね、第２シード層２２成膜後に基板１の保持位置を変更することにより、第２シード層２２と基板ホルダの接触が得られ、これにより、以降の各層の成膜で、バイアス印加が可能となる。成膜途上の磁気記録媒体を大気中に取り出す場合、通常は磁気記録媒体の磁気特性、及び、記録特性を劣化させることとなるが、大気中への取り出しは、第２シード層２２と第３シード層２３の間で行うのが、最も磁気特性や記録特性の劣化が少ないことが特許文献１により明らかになっており、本実施例でも踏襲している。
【００２６】
ここで、各シード層２１〜２４の役割を説明する。第１シード層２１および第２シード層２２は、上層の結晶成長の基礎となる層であるとともに、バイアス電圧を印加するための導電膜という役割も併せ持つ。そのため、膜厚はある程度必要であり、上述の膜厚は、十分に導電が取れる膜厚を選択している。一方、第３シード層２３および第４シード層２４は、第２シード層２２で大気中に曝露した影響を排除する効果を有するとともに、下地層３の結晶成長の核となる層である。そのため、第３シード層２３および第４シード層２４は、下地層３の結晶粒径をもっとも微細化するように、材料や成膜条件、膜厚を選択する。
【００２７】
下地層３は、その上に形成される磁性層４の結晶配向および結晶粒径を制御して、所望の特性を有する磁気記録媒体を得るために用いられる。下地層３の材料としてはＣｒ、ＣｒＭｏ系合金を用いることができる。下地層３もスパッタ法により成膜することが好ましく、その厚さは１０ｎｍ以下が望ましい。
【００２８】
また、下地層３は二層以上の複層の構成にすることができる。この場合、たとえば第１の下地層をＣｒ、第２の下地層をＣｒＭｏ等とすると磁気異方性（ＯＲ−Ｍｒｔ）を大きくし、さらに下地層３上に形成される磁性層４をエピタキシャル成長させやすくするという効果がある。下地層３を複層とする場合の膜厚は、下地層３全体の膜厚を１０ｎｍ以下とすることが望ましい。
【００２９】
磁性層４は、Ｃｏを主とする磁性材料により形成される。例えば、ＣｏＣｒ合金、ＣｏＣｒＴａ合金、ＣｏＣｒＰｔ合金、ＣｏＣｒＴａＢ合金、ＣｏＣｒＴａＢＣｕ合金等を用いることができる。磁性層４の成膜方法は、スパッタ法が好ましく、その膜厚は５〜２０ｎｍが望ましい。
【００３０】
また、磁性層４は二層以上の複層の構成にすることができる。例えば第１の磁性層をＣｏＣｒＴａ合金、第２の磁性層をＣｏＣｒＰｔＢ合金、第３の磁性層をＣｏＣｒＰｔＢＣｕ合金等とすると記録密度の向上に効果がある。磁性層４を複層とする場合の膜厚は、磁性層４全体の膜厚を２５ｎｍ以下にすることが望ましい。
【００３１】
保護層５は、磁性層４以下の層を磁気ヘッドとの接触による破壊から防止するために形成される。従って硬度が高い材料を使用することが好ましく、Ｃ、ＣＮ（窒化炭素）、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）等を用いることができる。保護層５はスパッタ法またはＣＶＤ法等により形成される。保護層５は磁気記録媒体の特性を向上させるためには薄いほうが好ましく、２〜５ｎｍの厚さが望ましい。
【００３２】
以上の下地層３、磁性層４、保護層５の成膜においては、基板１に対して直流またはＲＦのバイアスを印加することが望ましい。
【００３３】
潤滑層６は、磁気記録媒体と磁気ヘッドが接触した場合の摩擦の低減等を目的として形成されるもので、通常の磁気記録媒体で使用されるパーフロロポリエーテル等の液体潤滑剤を用いることができる。潤滑層は液体潤滑剤をスピンコート、浸漬塗布等の方法で形成することができ、その厚さは１〜２ｎｍが望ましい。
【実施例１】
【００３４】
ガラス基板１として、直径６５ｍｍ、板厚０．６３５ｍｍのガラス基板を用い、これにポリッシュ加工を施して表面粗さＲａ＝０．３ｎｍとした。引続き、不織布、ダイヤモンドスラリーを用いて、浮遊砥粒法によりテクスチャ加工を施し、１μｍ平方あたり平均６０本の円周方向の略同心円状の溝を形成した。溝の深さは平均３ｎｍであった。
【００３５】
引続き、ガラス基板１を良く洗浄した後、成膜装置に導入した。始めに、ガラス基板１上に第１シード層２１であるＣｒ膜をＤＣマグネトロンスパッタ法により形成した。Ｃｒのスパッタターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスを用い、ガス圧力は１Ｐａにて、膜厚２．５ｎｍの第１シード層２１を形成した。続いて、第２シード層２２であるＮｉＮｂ膜をＤＣマグネトロンスパッタ法により形成した。Ｎｉ５０Ｎｂのスパッタターゲットを用い、スパッタガスはＡｒガスを用いて、ガス圧力は１Ｐａにて、膜厚１０ｎｍの第２シード層２２を形成した。
【００３６】
第２シード層２２成膜後に大気中に基板１を取り出し、基板ホルダから一度はずし、基板１を保持している位置を変更して再度基板ホルダに取り付け、基板１と基板ホルダの間に導電性を確保して、以降の成膜においてバイアス印加可能とした。
【００３７】
再び成膜装置に基板１を投入し、第２シード層２２上に第３シード層２３であるＣｒ膜をＤＣマグネトロンスパッタ法により形成した。Ｃｒのスパッタターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガス、ガス圧力は１Ｐａにて、膜厚２ｎｍの第３シード層２３を形成した。続いて、第４シード層２４であるＮｉＮｂ膜をＤＣマグネトロンスパッタ法により形成した。Ｎｉ５０Ｎｂのスパッタターゲットを用い、スパッタガスはＡｒガスを用いて、ガス圧力は１Ｐａにて、膜厚８ｎｍの第４シード層２４を形成した。
【００３８】
このように四層積層されたシード層２を成膜した基板１は、下地層３を成膜する前に１Ｐａのガス圧下で３０％のＯ２を混入したガスに暴露し、第４シード層２４であるＮｉＮｂの表面に酸素を吸着させる工程を行った。次にヒータにより約２７０℃に基板１を加熱し、下地層３を成膜した。下地層３は三層構成とし、Ｃｒ膜、ＣｒＭｏＢ膜、ＣｒＭｏ膜の順に形成した。各膜のいずれもスパッタガスとしてＡｒガスを用い、ガス圧力は１Ｐａにて、ＤＣマグネトロンスパッタ法を用いて形成した。Ｃｒ膜はＣｒからなるスパッタターゲットを用いて膜厚３ｎｍにて形成した。ＣｒＭｏＢ膜はＣｒ１５Ｍｏ７Ｂのターゲットを用いて、膜厚１ｎｍにて形成した。ＣｒＭｏ膜はＣｒ３０Ｍｏのターゲットを用いて、膜厚２ｎｍにて形成した。
【００３９】
引き続いて磁性層４を形成した。磁性層４は四層積層構成とし、ＣｏＣｒＴａ膜、Ｒｕ膜、ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ膜、これとは組成の異なるＣｏＣｒＰｔＢＣｕ膜の順に形成した。各膜のいずれもスパッタガスとしてＡｒガスを用い、ガス圧力は１Ｐａにて、ＤＣマグネトロンスパッタ法を用いて形成した。ＣｏＣｒＴａ膜はＣｏ１７Ｃｒ５Ｔａのスパッタターゲットを用いて、膜厚３ｎｍにて形成した。Ｒｕ膜は、Ｒｕのスパッタターゲットを用いて、膜厚０．８ｎｍにて形成した。次に、ヒータにより基板１を２７０℃に再度加熱した後、ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ膜を形成した。Ｃｏ２４Ｃｒ１４Ｐｔ８Ｂ４Ｃｕ膜のターゲットを用いて、基板１にＤＣバイアスを−３００Ｖ印加しながら、膜厚１１ｎｍにて形成した。続いて、もう一つのＣｏＣｒＰｔＢＣｕ膜を形成した。Ｃｏ１３Ｃｒ１１Ｐｔ１０Ｂ４Ｃｕ膜のターゲットを用いて基板１にＤＣバイアスを−３００Ｖ印加しながら、膜厚８ｎｍにて形成した。
【００４０】
引き続いてカーボンからなる保護層５をＲＦ−ＣＶＤ法で形成した。Ｃ２Ｈ４ガスを導入し−２００ＶのＲＦバイアスを基板１に印加しながら、３ｎｍの膜厚にて形成した。
引続き、パーフロロポリエーテルからなる潤滑剤を１．６ｎｍ塗布して潤滑層６を形成して磁気記録媒体を得、実施例１とした。
【実施例２】
【００４１】
実施例１における、第２シード層２２の厚さを１５ｎｍにしたこと以外は、実施例１と同一条件で磁気記録媒体を作製し、実施例２とした。
【実施例３】
【００４２】
実施例１における、第２シード層２２の厚さを２０ｎｍにしたこと以外は、実施例１と同一条件で磁気記録媒体を作製し、実施例３とした。
【実施例４】
【００４３】
実施例１における、第２シード層２２をＣｏＴｉ膜とし、Ｃｏ５０Ｔｉのスパッタターゲットを用いたこと以外は、実施例１と同一条件で磁気記録媒体を作製し、実施例４とした。
【実施例５】
【００４４】
実施例４における、第２シード層２２の厚さを１５ｎｍにしたこと以外は、実施例４と同一条件で磁気記録媒体を作製し、実施例５とした。
【実施例６】
【００４５】
実施例４における、第２シード層２２の厚さを２０ｎｍにしたこと以外は、実施例４と同一条件で磁気記録媒体を作製し、実施例６とした。
【００４６】
・その他比較実施例
【００４７】
（比較実施例１）
実施例１における、第２シード層２２をＣｒＭｏ膜とし、Ｃｒ３０Ｍｏのスパッタターゲットを用いたこと以外は、実施例１と同一条件で磁気記録媒体を作製し、比較実施例１とした。
【００４８】
（比較実施例２）
比較実施例１における、第２シード層２２の厚さを１５ｎｍにしたこと以外は、実施例１と同一条件で磁気記録媒体を作製し、比較実施例２とした。
【００４９】
（比較実施例３）
比較実施例１における、第２シード層２２の厚さを２０ｎｍにしたこと以外は、実施例１と同一条件で磁気記録媒体を作製し、比較実施例３とした。
【００５０】
（比較実施例４）
実施例１における、第２シード層２２をＲｕ膜とし、Ｒｕのスパッタターゲットを用いたこと以外は、実施例１と同一条件で磁気記録媒体を作製し、比較実施例４とした。
【００５１】
（比較実施例５）
比較実施例４における、第２シード層２２の厚さを１５ｎｍにしたこと以外は、比較実施例４と同一条件で磁気記録媒体を作製し、比較実施例５とした。
【００５２】
（比較実施例６）
比較実施例４における、第２シード層２２の厚さを２０ｎｍにしたこと以外は、比較実施例４と同一条件で磁気記録媒体を作製し、比較実施例６とした。
【００５３】
（比較実施例７）
実施例１における、第２シード層２２をＣｒＴｉ膜とし、Ｃｒ５０Ｔｉのスパッタターゲットを用いたこと以外は、実施例１と同一条件で磁気記録媒体を作製し、比較実施例７とした。
【００５４】
（比較実施例８）
比較実施例７における、第２シード層２２の厚さを１５ｎｍにしたこと以外は、比較実施例７と同一条件で磁気記録媒体を作製し、比較実施例８とした。
【００５５】
（比較実施例９）
比較実施例７における、第２シード層２２の厚さを２０ｎｍにしたこと以外は、比較実施例７と同一条件で磁気記録媒体を作製し、比較実施例９とした。
【００５６】
（比較実施例１０）
実施例１における、第２シード層２２をＴｉＳｉ膜とし、Ｔｉ３７Ｓｉのスパッタターゲットを用いたこと以外は、実施例１と同一条件で磁気記録媒体を作製し、比較実施例１０とした。
【００５７】
（比較実施例１１）
比較実施例１０における、第２シード層２２の厚さを１５ｎｍにしたこと以外は、比較実施例１０と同一条件で磁気記録媒体を作製し、比較実施例１１とした。
【００５８】
（比較実施例１２）
比較実施例１０における、第２シード層２２の厚さを２０ｎｍにしたこと以外は、比較実施例１０と同一条件で磁気記録媒体を作製し、比較実施例１２とした。
【００５９】
（比較実施例１３）
実施例１における、第２シード層２２をＮｉＴａＢ膜とし、Ｎｉ３７Ｔａ５Ｂのスパッタターゲットを用いたこと以外は、実施例１と同一条件で磁気記録媒体を作製し、比較実施例１３とした。
【００６０】
（比較実施例１４）
比較実施例１３における、第２シード層２２の厚さを１５ｎｍにしたこと以外は、比較実施例１３と同一条件で磁気記録媒体を作製し、比較実施例１４とした。
【００６１】
（比較実施例１５）
比較実施例１３における、第２シード層２２の厚さを２０ｎｍにしたこと以外は、比較実施例１３と同一条件で磁気記録媒体を作製し、比較実施例１５とした。
【００６２】
・各実施例の評価
以上の実施例１〜６、及び、比較実施例１〜１５にて作成した磁気記録媒体の円周方向の残留磁化Ｍｒｃ、及び、半径方向の残留磁化Ｍｒｒを静磁気特性測定装置にて測定し、磁気異方性（ＯＲ−Ｍｒｔ）を評価した。図２に測定結果一覧を示す。
【００６３】
第２シード層２２として、ＮｉＮｂ膜を採用した磁気記録媒体、及び、ＣｏＴｉ膜を採用した磁気記録媒体は磁気異方性（ＯＲ−Ｍｒｔ）が１．３以上であり、高い磁気異方性が得られている。一方、比較として作成した、第２シード層２２が、それぞれＣｒＭｏ膜、Ｒｕ膜、ＣｒＴｉ膜、ＴｉＳｉ膜、ＮｉＴａＢ膜である磁気記録媒体の磁気異方性（ＯＲ−Ｍｒｔ）は低くなっている。
【００６４】
さて、一般に強磁性体の磁化Ｍは、応力印加による格子歪みに起因する逆磁歪効果（ヴィラリ効果）にしたがって変化する。応力σに対する磁化Ｍの変化率をＫとおくことにする。より具体的には、印加応力がない場合の磁化をＭ０と書けば、以下の式のようになる。
(M-M0)/M0=Kσ・・・・・・・・・・・・・・(1)
磁気記録媒体のテクスチャによる、円周方向および半径方向の応力を、それぞれσｃおよびσｒとすれば、
(Mrc-M0)/M0=Kσc、(Mrr-M0)/M0=Kσr・・・・(2)
である。したがって、磁気異方性（ＯＲ−Ｍｒｔ）は、
OR-Mrt=Mrc/Mrr
=(1+(Mrc-M0)/M0)/(1+(Mrr-M0)/M0)
≒(1+(Mrc-M0)/M0)(1-(Mrr-M0)/M0)
≒1+(Mrc-M0)/M0-(Mrr-M0)/M0
=1+ K(σc-σr)・・・・・・・・・・・・・・(3)
と求められる。上記の式変形での近似部分は、半径方向の逆磁歪効果は小さいと仮定し、高次項を無視したものである。この式から、磁気異方性（ＯＲ−Ｍｒｔ）は円周方向と半径方向の応力差に比例することがわかる。以下、この応力差σｃ−σｒをΔσとおく。
さて、ここで、薄膜の応力について考察する。積層した薄膜にかかる応力を、結晶歪み、形状などによる内部応力と、上下の層との界面で発生する界面応力に分けて考えることにする。内部応力は、格子の歪みによって発生するものである。一方、界面応力は、上下の層との弾性係数（主にヤング率）の違いによって生じるものである。界面で与えられる弾性エネルギと、薄膜の界面応力と膜厚の積（力積）は等しいと考えてよいから、界面応力の大きさは、膜厚に反比例する。すなわち、薄膜にかかる応力は、
σ=σb+(t0/t)σs・・・・・・・・・・・・・(4)
となる。ここで、ｔは膜厚、σｂ、σｓはそれぞれ内部応力、及び、基準膜厚ｔ０に対する界面応力である。
（４）式を、それぞれ円周方向と半径方向に適用し、その差をとれば、
Δσ=Δσb+(t0/t)Δσs・・・・・・・・・・(5)
ここで、Δσｂ、Δσｓはそれぞれ、内部応力と界面応力の、円周方向と半径方向の応力差である。
【００６５】
上記考察を、本発明の磁気記録媒体の各層に当てはめて考えてみる。下地層３、磁性層４の場合、これらはともに結晶質であって、結晶格子不整合による格子歪みが応力の主たる原因と考えられる。すなわち、（５）式中、右辺第一項が支配的と考えられる。一方、非晶質たるシード層２では、ガラス基板１のテクスチャ加工によって、基板１の弾性に異方性が生じることによって、（５）式中、右辺第二項も有意な大きさを持つと考えられる。そこで、以下、シード層２に着目して議論を進める。
【００６６】
さて、（３）、（５）式から、
OR-Mrt=1+KΔσb-K(t0/t)Δσs・・・・・・・・(6)
なる関係式が得られるが、この表式から、磁気異方性（ＯＲ−Ｍｒｔ）が膜厚に反比例して減少していくことが推定される。
【００６７】
図３に、本実施例における磁気異方性（ＯＲ−Ｍｒｔ）の測定結果を、前述の考察に鑑み、四層のシード層２の総膜厚の逆数１／ｔに対して、磁気異方性（ＯＲ−Ｍｒｔ）をプロットした図を示す。磁気異方性（ＯＲ−Ｍｒｔ）が１／ｔに比例しており、前述の考察が正しいことを示している。また、この結果は、第２シード層２２では、シード層２の粒成長（ある程度の膜厚が求められる）よりも、応力緩和（膜厚が薄いほどよい）の影響が大きいことを示している。
【００６８】
さらに、この測定結果を直線近似し、第２シード層２２が０ｎｍである場合まで外挿すると、ほぼ同じ値（ＯＲ−Ｍｒｔ＝１．５〜１．６）になる。これは、本実施例がすべて第２シード層２２を除けば、作成条件が同じであり、シード層２にかかる界面応力以外のものによる磁気異方性は、磁性層４などの作成条件が同じであれば、ほぼ同じ値になることを示唆する。ただし、この推論については、他の条件でも調べる必要があり、ここで断定しない。
【００６９】
さて、第２シード層２２の膜厚は、前述の通り、８〜１５ｎｍとすることが望ましい。バイアス電圧を印加するために、第１シード層２１および第２シード層２２の膜厚はある程度の厚さを持つことが要求されるからである。そこで、シード層２膜厚に対する磁気異方性（ＯＲ−Ｍｒｔ）の減少率はできるだけ小さいことが望ましい。
【００７０】
一方、磁気異方性（ＯＲ−Ｍｒｔ）は１．３以上であることが望ましい。これまでの考察から、本実施例の構成では、例えば第２シード層２２の膜厚が１５ｎｍである場合に、磁気異方性（ＯＲ−Ｍｒｔ）が１．３以上になるためには、シード層２膜厚の逆数１／ｔに対する磁気異方性（ＯＲ−Ｍｒｔ）の減少率はおよそ４ｎｍ以下になっている必要があり、比較実施例とした、第２シード層２２がＣｒＭｏ膜、Ｒｕ膜、ＣｒＴｉ膜、ＴｉＳｉ膜、ＮｉＴａＢ膜である磁気記録媒体は、この条件を満たしていない。
【００７１】
一般に、シード層の膜厚に関わる磁気異方性（ＯＲ−Ｍｒｔ）の減少は、多くとも０．４以下であることが望ましい。シード層の膜厚が１５ｎｍである場合を考えると、シード層膜厚の逆数１／ｔに対する磁気異方性（ＯＲ−Ｍｒｔ）の減少率は６ｎｍ以下に収まっていることが望ましい。
【００７２】
上述のように、第１シード層２１および第２シード層２２は、バイアス電圧印加のため、十分ア導電性を有することが望ましい。今後の開発検討のためには、バイアス電圧の自由度が高いほうがよいので、できるだけ第１シード層２１および第２シード層２２が厚くできるほうがよい。そのため、検討を行った成膜条件での磁気異方性（ＯＲ−Ｍｒｔ）の値のみならず、シード層膜厚の逆数１／ｔに対する磁気異方性（ＯＲ−Ｍｒｔ）の減少率も考慮に入れて検討を行うことにより、将来性の高い磁気異方性媒体を製作することが可能になる。
【００７３】
上述した通り、ガラス基板を用いた四層のシード層を有する磁気記録媒体において、高い磁気異方性を有する異方性磁気記録媒体を作成することが可能になる。さらに、シード層の材料、および、成膜条件を検討する際に、シード層膜厚の逆数に対する磁気異方性の減少率に着目した検討を行うことによって、シード層の検討が容易になり、磁気記録媒体の開発が促進される効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本発明の実施例における、磁気記録媒体の膜構成を説明するための断面模式図である。
【図２】本発明の実施例における、測定結果一覧表を示す図である。
【図３】本発明の実施例における、磁気異方性を、四層のシード層の総膜厚の逆数に対してプロットした図である。
【符号の説明】
【００７５】
１  ガラス基板
２  シード層
３  下地層
４  磁性層
５  保護層
６  潤滑層
２１  第１シード層
２２  第２シード層
２３  第３シード層
２４  第４シード層
【図１】
2006318614.tif 000003
【図２】
2006318614.tif 000004
【図３】
2006318614.tif 000005