(57)【要約】【課題】ａ分域の発生を抑制しつつ、内面にホールが形成されることなく、平坦性に優れた強誘電体薄膜を得ることができる強誘電体薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】ペロブスカイト型強誘電体生成用の前駆化合物及び水を含む反応液に、ミスカット表面を持つ基板を浸漬した後、ペロブスカイト型強誘電体の相転移温度より低い温度で反応液を水熱合成することにより、基板のミスカット表面上にペロブスカイト型強誘電体層が形成される。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ミスカット表面を持つ基板上に、
水熱合成によりペロブスカイト型強誘電体を形成する工程を含む強誘電体薄膜の製造方法。
【請求項２】
前記水熱合成は、
前記ペロブスカイト型強誘電体生成用の前駆化合物及び水を含む反応液に前記ミスカット表面を持つ基板を浸漬した後、前記ペロブスカイト型強誘電体の相転移温度より低い温度で反応させてなされることを特徴とする請求項１に記載の強誘電体薄膜の製造方法。
【請求項３】
前記反応液は、鉱化剤をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の強誘電体薄膜の製造方法。
【請求項４】
前記ミスカット表面と、
前記ミスカット表面上に請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の製造方法により形成されたペロブスカイト型強誘電体薄膜と、
を備えることを特徴とする基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、強誘電体薄膜の製造方法に係り、より詳細には、ペロブスカイト系列の強誘電体の薄膜を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
強誘電体（ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃｓ）とは、自発的電気分極現象を表す物質を意味する。すなわち、強誘電体は、電場によって分極を起こした後、電場を除去してもその分極状態を維持する。このような性質を持つ強誘電体の代表的な例としては、ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９（ＳＢＴ）系列、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３（ＰＺＴ）系列などのような、ペロブスカイト型化合物がある。また、強誘電体は、一般的に非常に高い誘電率を持つ。
【０００３】
したがって、強誘電体は、高誘電率及び／又は自発分極を要求する多様な素子に適用できる。例えば、強誘電体は、キャパシタ、圧電気（ピエゾ電気）、焦電気（ピロ電気）、電気光学素子、メモリ素子、センサー、アクチュエータなどに有効に適用できる。
【０００４】
このような素子において、強誘電体は主に薄膜の形態で使われる。強誘電体を使用するメモリ素子の具体的な例としては、ＦｅＲＡＭ（ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｒａｎｄｏｍ  ａｃｃｅｓｓ  ｍｅｍｏｒｙ）がある。ＦｅＲＡＭは、大体１Ｔ／１Ｃ（ｏｎｅ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ／ｏｎｅ  ｃａｐａｃｉｔｏｒ）型とＦＥＴ型とに区分される。１Ｔ／１Ｃ型ＦｅＲＡＭにおいては、強誘電体はキャパシタの誘電体として使われる。ＦＥＴ型ＦｅＲＡＭにおいては、強誘電体はゲート絶縁体として使われる。ＦＥＴ型ＦｅＲＡＭにおいては、強誘電体は絶縁体としての役割だけでなく、自発分極により半導体表面に電荷を維持させる役割を兼ねる。ＦｅＲＡＭは、強誘電体の自発分極現象によって不揮発性を示す。注目すべき点は、ＦｅＲＡＭのキャパシタ絶縁層またはゲート絶縁層は、薄膜の形態で具現されるということである。
【０００５】
従来の強誘電体薄膜の製造方法は、真空蒸着、スパッタリング、ＣＶＤなどの乾式法と、化学的エッチング法、熱的バンチング法（ｔｈｅｒｍａｌ  ｂｕｎｃｈｉｎｇ）、水熱合成法、ゾルゲル法、スプレーコーティングなどの湿式法とが知られている。
【０００６】
このうち、乾式法は、膜生成時に結晶化のために高温で熱処理を行うために膜が損傷を受けやすく（非特許文献１参照）、基板の選択に制限があり、加熱時に膜の剥離及び亀裂が発生するという短所がある（非特許文献２参照）。
【０００７】
また、強誘電体は、相転移温度（キュリー温度）Ｔｃ以上の温度で強誘電性を失って常誘電性を有するようになり、逆に、相転移温度Ｔｃ以上の温度を持つ強誘電体を相転移温度Ｔｃ以下に冷却することにより、常誘電性を失って再び強誘電性を有する。そのように、常誘電性から強誘電性に変化することを相転移という。
【０００８】
このような相転移温度Ｔｃ以上の温度で、基板上に強誘電体材料からなる薄膜を形成させる方法は、この薄膜を相転移温度Ｔｃ以下の温度に冷却することによって、薄膜は強誘電性を有するが、このような相転移過程を経て形成された強誘電体薄膜には、ａ分域とｃ分域とが共存する。ａ分域では、強誘電体結晶格子がａ軸方向に配向されている。ｃ分域では、強誘電体結晶格子がｃ軸方向に配向されている。ａ分域は、高誘電率の具現に有利であり、ｃ分域は自発分極の形成に有利である。したがって、強誘電体の高誘電率のみを追求する素子、または強誘電体の自発分極現象のみを追求する素子において、ａ分域とｃ分域の共存は望ましくない（非特許文献３参照）。
【０００９】
また、相転移過程を経て形成された強誘電体薄膜内にホールがあると、上下部電極の電気短絡現象（ｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｓｈｏｒｔ  ｐｈｅｎｏｍｅｎｏｎ）を招き、それによって電気的特性評価が不可能な場合もある。
【００１０】
これに対し、湿式法の水熱合成法は、超臨界または亜臨界状態の水溶液を利用して、反応温度、反応圧力、溶質の濃度、溶媒の濃度及びその他の添加剤の濃度と熱力学的変数、添加量の調節が容易で反応の制御が可能なだけでなく、か焼や焼結過程が必要なく、比較的低温での合成でａ分域の生成を抑制することができるため、残留分極特性に優れ、かつ、結晶性が向上した膜を得ることができるという長所がある。
【００１１】
他の湿式法として、ゾルゲル法は、選択的組成を持つ多成分系溶液を基板上にコーティングして乾燥した後、最終的な反応を経て所望の助成及び特性の薄膜を製造する化学的方法である。この方法は、簡単に組成を調節できて薄膜の均一性を向上させることができ、低温で合成が可能であり低コストであるだけでなく、それ以外の多くの分野で製造工程が易しいという長所がある。
【００１２】
このように湿式法のうちでも水熱合成法及びゾルゲル法は多くの長所がある一方、水熱合成法の場合には結晶核の生成及び成長は優秀であるが、膜表面が粗いという短所があり、ゾルゲル法の場合、膜の亀裂及び剥離現象が伴うという問題がある。
【非特許文献１】Ｌ．Ｄ．Ｍａｄｓｅｎ及びＥ．Ｍ．Ｇｒｉｗｏｌｄ，Ｄｏｍａｉｎ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ  ｉｎ  Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３ ａｎｄ  ＰｂＴｉＯ３  ｔｈｉｎ  ｆｉｌｍｓ，Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｒ，１２（１０），２６１２（１９９７）
【非特許文献２】Ｍ．Ｙｏｓｈｉｍｕｒａ，Ｓ．Ｅ．Ｙｏｏ，Ｍ．Ｈａｙａｓｈｉ及びＮ．Ｉｓｈｉｚａｗａ，Ｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎ  ｏｆ  ＢａＴｉＯ３  Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  ｂｙ  Ｈｙｄｒｏｔｈｅｒｍａｌ  Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｔｈｏｄ，Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ，２８（１１），Ｌ２００７（１９８９）
【非特許文献３】Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  ａｎｄ  Ｔｈｅｉｒ  Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ，Ｙｕｈｕａｎ  Ｘｕ，１９９１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明の第１の技術的課題は、ａ分域の発生を抑制しつつ、薄膜内にホールが形成されることのない、薄膜表面の平坦性に非常に優れた強誘電体薄膜の製造方法を提供することである。
【００１４】
本発明の第２の技術的課題は、強誘電体薄膜を備える基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
第１の技術的課題を解決するために、本発明に係る強誘電体薄膜の製造方法は、ミスカット表面（ｍｉｓｃｕｔ  ｓｕｒｆａｃｅ）を持つ基板上に水熱合成によりペロブスカイト型強誘電体を形成する工程を含むことを特徴とする。
【００１６】
水熱合成は、ペロブスカイト型強誘電体生成用の前駆化合物及び水を含む反応液に前記ミスカット表面を持つ基板を浸漬した後、ペロブスカイト型強誘電体の相転移温度より低い温度で反応させることにより行われることが望ましい。
【００１７】
また、反応液は、鉱化剤をさらに含むことが望ましい。
【００１８】
第２の技術的課題を解決するために、本発明に係る基板は、前記ミスカット表面と、前記ミスカット表面上に請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の製造方法により製造されたペロブスカイト型強誘電体薄膜と、を備えることを特徴とする。
【００１９】
本発明に係る強誘電体薄膜の製造方法においては、ペロブスカイト型強誘電体層が基板のミスカット表面上に形成されるので、強誘電体の形成にはラテラル成長が関与する。したがって、本発明に係る製造方法によれば、薄膜表面の平坦性に優れ、薄膜内にホールが形成されることのない強誘電体薄膜を得ることができる。
【００２０】
また、本発明に係る強誘電体薄膜の製造方法は、ペロブスカイト型強誘電体層の生成が水熱合成を通じてなされるために、生成されるペロブスカイト型強誘電体層の温度がその相転移温度以上に上昇しない。したがって、本発明に係る強誘電体薄膜の製造方法によって製造されるペロブスカイト型強誘電体薄膜は相転移過程を経ないので、ａ分域を発生させないか、もしくは、ａ分域の発生を抑えることができる。
【００２１】
さらに、本発明に係る強誘電体薄膜の製造方法は、ペロブスカイト型強誘電体層がヘテロエピタキシャル成長を通じて形成され、それにより、結晶が単方向に配向されている強誘電体層を得ることができる。
【００２２】
また、本発明に係る強誘電体薄膜の製造方法は、強誘電体層の形成が相転移温度より低い低温でなされるので、生成された強誘電体層の熱応力が最小化するだけでなく酸素空孔の形成を最小化できる。さらに、鉛のような揮発性の大きい成分が関与する場合には、その成分が揮発することを防止することができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、ペロブスカイト型強誘電体層が基板のミスカット表面上に形成され、強誘電体層の形成にはラテラル成長が関与するので、強誘電体薄膜表面の平坦性に非常に優れ、かつ、水熱合成法によりａ分域の発生が抑制された強誘電体薄膜を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明に係る強誘電体薄膜の製造方法を添付した図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２５】
本発明に係る強誘電体薄膜の製造方法は、ペロブスカイト型強誘電体生成用の前駆化合物及び水を含む反応液にミスカット表面を持つ基板を浸漬した後、ペロブスカイト型強誘電体の相転移温度より低い温度で反応液を水熱合成する工程であり、それにより、基板のミスカット表面にペロブスカイト型強誘電体層が形成される工程を含む。
【００２６】
本発明において、ペロブスカイト型強誘電体とは、ペロブスカイト結晶構造を持つ物質を意味する。ペロブスカイト結晶構造はＡＢＯ３とも呼ばれる。図１は、Ｔｃ以上の温度でのペロブスカイト結晶構造を表した図である。図１に示すように、８箇所のコーナーにそれぞれ１／８ずつ１個の陰イオンＡ、面心に一つの他の陰イオンＢ、そして６箇所の体心にそれぞれ１／２ずつ３個の陽イオンＯ３が配置されている。ここで、Ｂ位置の金属イオンとそれを取り囲む酸素イオンが正八面体をなし、このような正八面体が立方構造で配列される。
【００２７】
図２に示すように、Ｔｃ以下の温度では、陰イオンＢが結晶の中心から外れて上方または下方に偏るようになり、それにより、分極が発生する。このような分極状態では、ペロブスカイト結晶構造は正方晶系または斜方六面体の形態を持つ。ここで、分極ベクトルはｃ軸方向に形成される。なお、本明細書では、添付する図１および図２において、奥行き方向をａ軸、左右方向をｂ軸、上下方向をｃ軸とする。
【００２８】
陰イオンＡは、例えば、Ｂａ、Ｐｂ、Ｋ、Ｎａである。陰イオンＢは、例えば、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔａである。
【００２９】
ペロブスカイト型強誘電体は、例えば、ＢａＴｉＯ３、ＰｂＴｉＯ３、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３、（Ｐｂ，Ｌａ）（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３、ＫＮｂＯ３である。
【００３０】
本発明において、ペロブスカイト型強誘電体生成用の前駆化合物とは、水熱合成過程を経てペロブスカイト型強誘電体の化合物に転換できる任意の化合物またはこの化合物を含む組成物を意味する。
【００３１】
例えば、ＰｂＴｉＯ３薄膜を得ようとする場合には、Ｐｂ含有化合物とＴｉ含有化合物との混合物をペロブスカイト型強誘電体生成用の前駆化合物として用いることができる。Ｐｂ含有化合物は、例えば、Ｐｂ（ＮＯ３）２、Ｐｂ（ＣＨ３ＣＯＯ）２、Ｐｂ（ＯＨ）２、ＰｂＯである。Ｔｉ含有化合物は、例えば、ＴｉＯ２、Ｔｉ［Ｏ（ＣＨ２）３ＣＨ３］４である。
【００３２】
さらに他の例として、ＢａＴｉＯ３薄膜を得ようとする場合には、Ｂａ含有化合物とＴｉ含有化合物との混合物を、ペロブスカイト型強誘電体生成用の前駆化合物として用いることができる。Ｂａ含有化合物は、例えば、Ｂａ（ＮＯ３）２、ＢａＯ、Ｂａ（ＯＨ）２などがある。Ｔｉ含有化合物の例としては、ＴｉＯ２、Ｔｉ［Ｏ（ＣＨ２）３ＣＨ３］４である。
【００３３】
さらに他の例として、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３薄膜を得ようとする場合には、Ｐｂ含有化合物、Ｚｒ含有化合物及びＴｉ含有化合物の混合物を、ペロブスカイト型強誘電体生成用の前駆化合物として用いることができる。Ｐｂ含有化合物は、例えば、Ｐｂ（ＮＯ３）２、Ｐｂ（ＣＨ３ＣＯＯ）２、Ｐｂ（ＯＨ）２、ＰｂＯである。Ｚｒ含有化合物は、例えば、ＺｒＯ２、ＺｒＯＣｌ２である。Ｔｉ含有化合物は、例えば、ＴｉＯ２、Ｔｉ［Ｏ（ＣＨ２）３ＣＨ３］４である。
【００３４】
これ以外にも、多様な化合物またはこの化合物を含む組成物が、ペロブスカイト型強誘電体生成用の前駆化合物として使われ、得ようとする強誘電体の成分によって適切に選択される。
【００３５】
本発明において、反応液は、ペロブスカイト型強誘電体生成用の前駆化合物及び水を含む。反応液は、溶液、エマルジョン、または懸濁液の形態を持つことができる。ここで、水は、水熱合成反応のための反応媒質の役割及び／又は酸素の源泉の役割を担う。
【００３６】
反応液の組成は、特別に制限されるものではない。ただし、反応液中の水の含有量が少な過ぎると、溶解度が低く、均一な混合状態を得ることができない一方、多過ぎると、イオン濃度が低くなり、基板にイオンを吸着させることができない。このような点を鑑みて、反応液中の強誘電体生成用の前駆化合物は、０．２〜０．５Ｍ濃度で含まれることが望ましい。
【００３７】
また、本発明において、基板は、ミスカット表面または段差表面を有している。ここで、基板の材料は特別に制限されない。基板は、例えば、Ｎｂ−ＳｒＴｉＯ３、Ｓｉ、ＬａＡｌＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＭｇＯ、Ｔｉ／Ｓｉから形成される。具体的な例を挙げれば、メモリ素子の製造またはキャパシタ製造工程に適用される場合には、基板は、例えば、Ｎｂ−ＳｒＴｉＯ３、Ｔｉ／Ｓｉにより形成される。
【００３８】
ミスカット表面とは、階段式表面をいう。図３に示すように、ミスカット表面の角度θは、「ｔａｎθ＝（階段の高さ）／（階段の幅）」と定義される。
【００３９】
このとき、ミスカット角度を通じて、階段の高さは、蒸着しようとする強誘電体薄膜単位胞のｃ格子定数の大きさと近似していなければならない。仮に、ヘテロエピタキシャル薄膜の製造において、基板より格子定数が大きいか、もしくは、小さい材料をエピタキシャル蒸着させる場合、両材料間の格子定数差によって薄膜層には整合弾性変形が生じ、薄膜の表面は屈曲することとなる。
【００４０】
例えば、強誘電体物質の単位胞のｃ格子定数が０．４ｎｍ程度であれば、基板を０．２°程度ミスカットして階段の高さを０．４ｎｍ程度にする必要がある。このような点を鑑みて、表面のミスカット角度は、望ましくは約０．２°ないし約０．５°、さらに望ましくは、約０．３°ないし約０．４°とする。このとき、ミスカット表面の階段の高さ及び幅を特別に限定する必要はない。
【００４１】
本発明において、反応液の水熱合成は、例えば、オートクレーブを利用して実行できる。オートクレーブ内に反応液及び基板を入れた後、反応液の水熱合成を進めることによって、基板のミスカット表面上に強誘電体薄膜層が形成される。
【００４２】
反応液の水熱合成は、得ようとするペロブスカイト型強誘電体の相転移温度より低い温度で進む。また、高圧形成及び前駆化合物のイオン化のために、反応液の水熱合成温度が考慮されなければならない。反応液の水熱合成温度が低過ぎると、前駆化合物をイオン化することができず、十分な高圧を得ることができないため、エピタキシャル薄膜を形成することができない一方、高すぎると、オートクレーブ内の圧力が上昇して薄膜に応力が加えられる可能性がある。このような点を考慮して、反応液の水熱合成温度は、通常的には約１５０ないし約２５０℃、望ましくは約１８０ないし約１９０℃とする。
【００４３】
ここで、反応液の水熱合成圧力は特別に制限されない。ただし、反応液の水熱合成圧力が低すぎると、良い結晶質の薄膜を得られず、かつ強誘電相が形成されず、高すぎると、薄膜に応力が加えられる可能性がある。このような点を考慮して、反応液の水熱合成圧力は通常的には約５ないし約１５ＭＰａ、望ましくは約９ないし約１３ＭＰａとする。
【００４４】
また、反応液の水熱合成時間は特別に制限されず、得ようとする強誘電体層の厚さを得るように適切に選択されるものである。
【００４５】
水熱合成過程においては、強誘電体の合成を促進させるために、反応液は鉱化剤をさらに含むことができる。鉱化剤を使用することによって、要求される水熱合成時間を短縮することができる。鉱化剤としては、例えば、ＫＯＨ、ＮａＯＨ、ＬｉＯＨ、ＲｂＯＨ、ＮＨ４ＯＨ、またはそれらの混合物が使われる。鉱化剤の添加量が少なすぎると、添加効果がほとんどなく、前駆化合物のイオン化が不十分となり、薄膜を形成することができない一方、多過ぎると、イオン化が急速に進んで多結晶質薄膜が形成されることがある。このような点を鑑みて、反応液中の鉱化剤の濃度は通常的に４Ｍないし１０Ｍ、望ましくは７Ｍないし８Ｍとする。
【実施例】
【００４６】
以下、実施例に基づいて本発明をさらに詳細に説明する。しかし、本発明の範囲が下記の実施例に制限されるものではない。
【００４７】
本実施例で使用した基板はシリコンウェハであり、材質は、Ｎｂ−ＳｒＴｉＯ３（００１）である。この基板は０．２゜のミスカット表面を有する。この基板のディメンションは（１ｃｍ×１ｃｍ×０．０５ｃｍ）である。Ｐｂ（ＮＯ３）２１ｇ、ＴｉＯ２粉末０．２ｇ、及び８ＭＫＯＨ水溶液２０ｍｌを混合して水熱合成用反応液を製造した。反応液とＮｂ−ＳｒＴｉＯ３基板とを耐圧型反応器に投入した。このとき、反応器内でＮｂ−ＳｒＴｉＯ３基板を反応液に浸漬させた。次いで、２００℃の温度及び１５ＭＰａの圧力下で１６時間反応液の水熱合成を行った。このような過程を経て、Ｎｂ−ＳｒＴｉＯ３基板のミスカット表面上にＰｂＴｉＯ３薄膜を形成させた。
【００４８】
このように製造されたＰｂＴｉＯ３薄膜のＸＲＤ分析結果を、図４に示した。図４のＸＲＤパターンには、ＰｂＴｉＯ３（００１）ピークとＰｂＴｉＯ３（００２）ピークとが強く現れており、ＳｒＴｉＯ３（００１）ピークとＳｒＴｉＯ３（００２）ピークとが弱く現れている。ＳｒＴｉＯ３ピークは基板から起因するものである。したがって、本実施例で製造された薄膜の成分がＰｂＴｉＯ３（及びペロブスカイト構造の強誘電体のＰＴＯ薄膜）ということが確認された。
【００４９】
図５は、本実施例で製造されたＰｂＴｉＯ３薄膜のＨＲＴＥＭ（Ｈｉｇｈ  Ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ  Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅｓ：高解像度透過電子顕微鏡）写真を示した。図５に示すように、本実施例で製造されたＰｂＴｉＯ３薄膜層にはａ分域が存在していない。それは、ａ分域が薄膜層に存在すれば、一般的に回折パターンに双晶による回折点が生成されるが、図５の回折パターンでは双晶による回折点が生成されていないことから分かる。
【００５０】
図６Ａ及び図６Ｂは、本実施例で製造されたＰｂＴｉＯ３薄膜のＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：走査電子顕微鏡）写真を示した図である。特に低倍率で観察された薄膜の表面ＳＥＭイメージ（図６Ｂ参照）を通じて、本実施例で製造されたＰｂＴｉＯ３薄膜層はホールがなく、薄膜表面の平坦性に非常に優れた強誘電体薄膜であるということを確認できた。
【比較例】
【００５１】
ミスカット表面を有する基板を使用していないことを除いては、実施例と同じ過程でＰｂＴｉＯ３薄膜層を形成させている。
【００５２】
図７は、比較例で得たＰｂＴｉＯ３薄膜層のＳＥＭ写真を示した図である。図７に示すように、比較例で製造されたＰｂＴｉＯ３薄膜層の薄膜カバー層は極めて不良であるが、ミスカット表面を有しないために、アイランド成長過程で成長薄膜に多くのホールが存在することが分かる。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明は、強誘電体薄膜の製造方法に係り、本発明により得られる強誘電体薄膜は、キャパシタ、圧電気（ピエゾ電気）、焦電気（ピロ電気）、電気光学素子、メモリ素子、センサー、アクチュエータなどに有効に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】Ｔｃ以上の温度でのペロブスカイト結晶構造を示す図面である。
【図２】Ｔｃ以下の温度でのペロブスカイト結晶構造を示す図面である。
【図３】基板のミスカット表面を概念的に示す図面である。
【図４】本発明の実施例で製造されたＰｂＴｉＯ３薄膜のＸＲＤ分析結果を示す図面である。
【図５】本発明の実施例で製造されたＰｂＴｉＯ３薄膜のＨＲＴＥＭ写真である。
【図６Ａ】本発明の実施例で製造されたＰｂＴｉＯ３薄膜の高倍率（５００倍）ＳＥＭ写真である。
【図６Ｂ】本発明の実施例で製造されたＰｂＴｉＯ３薄膜の低倍率（５０倍）ＳＥＭ写真である。
【図７】比較例で得たＰｂＴｉＯ３薄膜層のＳＥＭ写真である。
【符号の説明】
【００５５】
陰イオン      Ａ
陰イオン      Ｂ
陽イオン      Ｏ３
【図１】
2006131497.tif 000002
【図２】
2006131497.tif 000003
【図３】
2006131497.tif 000004
【図４】
2006131497.tif 000005
【図５】
2006131497.tif 000006
【図６Ａ】
2006131497.tif 000007
【図６Ｂ】
2006131497.tif 000008
【図７】
2006131497.tif 000009