(57)【要約】【課題】光洗浄では除去しきれない有機物汚染の除去を、効果的に短時間で効率的に行うことができ、洗浄に伴う光学部品の温度上昇も殆どない光学部品の洗浄方法、洗浄装置を提供すること。【解決手段】この洗浄方法は、容器内を減圧するステップと、減圧された容器内にプラズマを生成可能な所定のガスを供給するステップと、容器内に備えられた電極に電力を印加するステップとを有し、電力印加により容器内に生成されたプラズマを用いて、容器内に配置された洗浄対象を洗浄する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
容器内を減圧するステップと、
減圧された該容器内にプラズマを生成可能な所定のガスを供給するステップと、
前記容器内に備えられた電極に電力を印加するステップとを有し、
該電力印加により該容器内に生成されたプラズマを用いて、該容器内に配置された洗浄対象を洗浄することを特徴とする洗浄方法。
【請求項２】
前記所定のガスが、酸素ガス又は酸素ガスと不活性ガスとの混合ガスであることを特徴とする請求項１に記載の洗浄方法。
【請求項３】
前記不活性ガスが、アルゴンガス、クリプトンガス、キセノンガス、ラドンガス、ネオンガス、窒素ガスのうち少なくともいずれか１つを含むことを特徴とする請求項２に記載の洗浄方法。
【請求項４】
前記洗浄対象が、光学素子又は光学素子と該光学素子を保持する保持具とが一体とされた光学部品であることを特徴とする請求項１に記載の洗浄方法。
【請求項５】
前記光学素子が、２５０ｎｍ以下の紫外波長領域に使用可能な光学ガラス又は該光学ガラス上に反射防止膜若しくは増反射膜が形成されたものであることを特徴とする請求項４に記載の洗浄方法。
【請求項６】
内部が減圧可能な減圧容器と、
該減圧容器内にプラズマを生成可能な所定のガスを供給するガス供給手段と、
前記減圧容器内に備えられた電極と、
該電極に電力を印加する高周波電源と、
前記減圧容器内を大気圧に開放する大気圧解放手段と、
前記減圧容器内に前記プラズマにより洗浄する洗浄対象を保持する保持手段とを有することを特徴とする洗浄装置。
【請求項７】
前記減圧容器内であって、前記電極と前記保持手段に保持された前記洗浄対象との間に複数の孔が形成された仕切り板が配置されていることを特徴とする請求項６に記載の洗浄装置。
【請求項８】
露光光源からの露光光をレチクルに導く照明光学系と、
該レチクルを駆動するレチクル駆動系と、
前記レチクル上のパターンを基板上へ投影する投影光学系と、
該基板を駆動する基板駆動系とを有する露光装置であって、前記照明光学系又は前記投影光学系のうち少なくともいずれかに請求項６又は請求項７に記載の洗浄装置によって洗浄された光学素子が用いられていることを特徴とする露光装置。
【請求項９】
請求項８に記載の露光装置によって前記基板にパターンを投影露光する工程と、
投影露光された前記基板に所定のプロセスを行う工程とを有するデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学素子と該光学素子を保持するための保持具、特に半導体露光装置に用いられる部品の表面処理に適したプラズマ処理装置を用いた光学部品の洗浄方法、洗浄装置に関し、特に紫外波長領域で使用される光学ガラスレンズ及びこれら光学ガラスレンズに反射防止膜や増反射膜を施した光学素子、該光学素子を保持する保持具、並びに光学素子と保持具とが一体化した半導体露光装置用部品の洗浄方法、洗浄装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体露光装置に用いられるレンズやミラー等の光学素子の洗浄や光学素子を保持するための保持具の洗浄は、中性洗剤、アルカリ性洗剤、有機溶剤等を洗浄液とした超音波洗浄や、酸洗浄を併用したウェット洗浄が主流であった。
【０００３】
これらの洗浄は、レンズ等の光学素子を研磨する際に付着する研磨砥粒等の無機物汚染、および保護膜として使用されるワックス等の有機物汚染、また、光学素子を保持する金属製保持具については、機械加工を行う際の加工粉や潤滑用油脂成分による汚染を、洗浄液に超音波振動を与えることによって除去するものである。
【０００４】
また、光学ガラスレンズに対するウェット洗浄後成膜までの保管中に汚染される有機物汚染等を除去するために、紫外光とオゾンや活性酸素種を併用したＵＶ・Ｏ３洗浄（例えば、ｍ特許文献１〜３を参照。）等に代表されるドライ洗浄が多用されるようになっている。特に、光学ガラスレンズに反射防止膜や増反射膜等を施す成膜加工後の膜に付着した有機物汚染の除去に対しては、ウェット洗浄処理を行うと光学特性に悪影響を及ぼす可能性があるため、この点でドライ洗浄は極めて有効な洗浄方法であるといえる。
【特許文献１】特開平２０００−６６００３号公報
【特許文献２】特開平１１−１６９８０６号公報
【特許文献３】特開平１１−２２１５３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、ウェット洗浄やドライ洗浄においては、光学ガラスレンズ部品を洗浄する際と光学ガラス部品の保持具を洗浄する際とで洗浄条件が異なる。また、光学ガラスレンズ部品と保持具とを固定する組立て工程の際に接着剤等を用いる場合もあり、両者を同時に洗浄できないという問題がある。
【０００６】
また、光学ガラスレンズ部品と保持具との組立て工程では、工程作業の間にかなりの有機物汚染が付着する可能性があるため、組立て後に同時に洗浄処理を行うことが作業効率の面でも、露光装置性能への影響の面でも有利である。しかしながら、ウェット洗浄は前述したように光学特性への悪影響や組立て工程で用いる接着剤の劣化などの問題があるため適用できない。また、ＵＶ・Ｏ３洗浄等の光洗浄を施しても、組立て工程間で付着した有機物汚染の中には短時間では簡単には除去しきれないものがある。特に１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザや１５７ｎｍのＦ２レーザ波長領域では著しい光学吸収損失の原因となり、光学素子の透過率やレーザ耐久性をも低下させてしまうという問題がある。
【０００７】
さらに、保持具に関しては、機械的な加工によってネジ穴等の洗浄しきれない複雑な形状が存在するため、このような汚染が残存して露光装置内の光学素子などに付着すると露光装置システムの性能を著しく低下させる要因となる。
【０００８】
また、プラズマを用いて光学部品の表面処理を行った場合、運動エネルギを有する荷電粒子がガラス表面に衝突し、光学吸収損失の原因となるダメージが入ってしまうことが指摘されている。特に、紫外波長領域で用いられる蛍石等の結晶性光学ガラスは表面の化学結合が切断されることによって化学的未結合手（ダングリングボンド）によるカラーセンターが発生してしまう。これによって紫外領域における光学吸収損失が増大し、半導体露光装置に用いられる光学ガラスレンズなどの光学部品の透過率が劣化してしまうというが問題があった。
【０００９】
本発明は上記の事情に鑑みて為されたもので、光洗浄では除去しきれない有機物汚染の除去を、効果的に短時間で効率的に行うことができ、洗浄に伴う光学部品の温度上昇も殆どない光学部品の洗浄方法、洗浄装置を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的を達成するために、本発明の例示的側面としての洗浄方法は、容器内を減圧するステップと、減圧された容器内にプラズマを生成可能な所定のガスを供給するステップと、容器内に備えられた電極に電力を印加するステップとを有し、電力印加により容器内に生成されたプラズマを用いて、容器内に配置された洗浄対象を洗浄することを特徴とする。
【００１１】
その所定のガスが、酸素ガス又は酸素ガスと不活性ガスとの混合ガスであってもよい。不活性ガスが、アルゴンガス、クリプトンガス、キセノンガス、ラドンガス、ネオンガス、窒素ガスのうち少なくともいずれか１つを含んでもよい。洗浄対象が、光学素子又は光学素子と光学素子を保持する保持具とが一体とされた光学部品であってもよい。光学素子が、２５０ｎｍ以下の紫外波長領域に使用可能な光学ガラスレンズ又は光学ガラスレンズ上に反射防止膜若しくは増反射膜が形成されたものであってもよい。
【００１２】
本発明の他の例示的側面としての洗浄装置は、内部が減圧可能な減圧容器と、減圧容器内にプラズマを生成可能な所定のガスを供給するガス供給手段と、減圧容器内に備えられた電極と、電極に電力を印加する高周波電源と、減圧容器内を大気圧に開放する大気圧解放手段と、減圧容器内にプラズマにより洗浄する洗浄対象を保持する保持手段とを有することを特徴とする。
【００１３】
その減圧容器内であって、電極と保持手段に保持された洗浄対象との間に複数の孔が形成された仕切り板が配置されていてもよい。
【００１４】
本発明のさらに他の例示的側面としての露光装置は、露光光源からの露光光をレチクルに導く照明光学系と、レチクルを駆動するレチクル駆動系と、レチクル上のパターンを基板上へ投影する投影光学系と、基板を駆動する基板駆動系とを有する露光装置であって、照明光学系又は投影光学系のうち少なくともいずれかに上記の洗浄装置によって洗浄された光学素子が用いられていることを特徴とする。
【００１５】
本発明のさらに他の例示的側面としてのデバイス製造方法は、上記の露光装置によって基板にパターンを投影露光する工程と、投影露光された基板に所定のプロセスを行う工程とを有することを特徴とする。
【００１６】
本発明の他の目的及び更なる特徴は、以下、添付図面を参照して説明される実施形態により明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００１７】
本発明に係る洗浄方法を実現する洗浄装置は、光学部品の表面処理を施すプラズマ処理装置において、その高周波電極と洗浄対象である光学部品との間に複数の孔を有する仕切り板を設け、高周波電極と仕切り板との間にのみプラズマを生成させてこの空間にプラズマを閉じ込める機構を備えている。それにより、ダメージの原因となるイオンエネルギ及び電子温度をそれぞれ、１０ｅＶ以下及び２ｅＶ以下程度の極めて低い値に抑えることができる。また、プラズマによって生成した活性酸素種によって、光学部品、特にエネルギ粒子によるダメージに敏感な蛍石レンズ及びフッ化物光学薄膜に対してダメージを与えることなく表面の有機物汚染を効果的に除去できる。さらに、本発明によれば、洗浄雰囲気が減圧下におかれているため、光学部品を保持するための保持具が複雑な機械加工形状を有しており、減圧雰囲気と活性酸素種によって、付着した有機物が蒸気圧の低い物質であっても、汚染を効果的に短時間で洗浄することができ、除去された汚染は速やかに排気される。再付着による汚染もない。また、本発明を半導体露光装置用部品の洗浄方法に適用した場合は、光学ガラスレンズと光学ガラスレンズを保持する保持具とが一体化されていても、プラズマによる光学ガラスレンズへのダメージがなく、かつ、減圧下の活性酸素種の存在によって、効率良くかつ効果的に洗浄することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
［実施の形態１］
以下、本発明の実施の形態１に係る洗浄方法について図面を用いて説明する。図１はこの洗浄方法を実現するための洗浄装置としてのプラズマ処理装置Ｑの概略構成を示すブロック図である。図中符号１は減圧可能な容器で、排気ポンプ２により排気配管３を通して容器１内の空気を排気しつつ圧力調整弁４によって減圧状態にすることができる。符号Ｗは光学素子であるレンズで、符号５はレンズＷを保持するための保持具である。このレンズは半導体露光装置に用いられる光学素子である。符号６はレンズＷが保持具５に取り付けられて一体化したもの（以下、これを洗浄対象という。）を減圧容器１内の中心近傍に設置するための部品保持具（保持手段）である。符号７は高周波電源であり、高周波電極８ａ，８ｂ及び仕切り板９ａ，９ｂが、洗浄対象の上面と下面とにそれぞれ図に示すように配置されて減圧容器１内にプラズマを生成する。
【００１９】
符号１０はガス供給ユニット（ガス供給手段）で、ガス供給配管１１ａ，１１ｂを通して、所定のガスとしてのプラズマ化するガス（以下、プラズマ生成ガスという。）を減圧容器１内に導入するためのものである。符号１２は窒素（Ｎ２）ガス供給配管（大気圧解放手段）でこれを通して導入される窒素ガスによって減圧容器１は減圧状態から大気圧に開放されるようになっている。
【００２０】
大気圧に開放された減圧容器１の中に洗浄対象（レンズＷ及びレンズ保持具５）を部品保持具６によって設置固定する。レンズＷは、例えばウェット洗浄後のガラスレンズやガラスレンズに反射防止膜や増反射膜が施された後の光学素子である。レンズ保持具５もウェット洗浄が施されている。
【００２１】
減圧容器１を排気ポンプ２によって、約１Ｐａ以下の圧力に至るまで減圧する。減圧することによって蒸気圧の高い有機物による汚染がないよう、減圧容器１やそれに内蔵される各部品の洗浄は十分行われており、排気ポンプ２も油脂分の減圧容器（洗浄容器）１内への逆拡散がないように工夫がなされている。
【００２２】
減圧された減圧容器１内に酸素（Ｏ２）ガス及び不活性（Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｒｎ、Ｎｅ、Ｈｅ、Ｎ２等）ガスからなる混合ガス（プラズマ生成ガス）がガス供給配管１１ａ及び１１ｂを通して、洗浄対象の上面及び下面のプラズマ空間Ｐにそれぞれ所定流量にて導入される。このときのプラズマ生成ガスに含まれる酸素ガス濃度はガス供給ユニット１０にて調整され、その濃度は５〜２０％が適量である。酸素濃度が２０％を超えてもよいが、２０％以下の場合と比較した場合、両者の洗浄効果には顕著な差異はみられない。逆に酸素ガスが多いと負イオンが大量に発生し、プラズマの電子密度を低下させ、ひいては洗浄能力をも低下させる可能性がある。
【００２３】
不活性ガスに用いられるガス種としては一般的にＡｒが用いられるが、ダメージ等が懸念される蛍石に代表される結晶性フッ化物やフッ化物光学薄膜が施された光学素子に対しては、ＫｒやＸｅがより適切である。また、酸素活性種をより効率よく生成するにはＫｒが望ましい。
【００２４】
導入された混合ガスは排気ポンプ２によって排気されつつ、排気配管３に接続された圧力調整弁４によって圧力制御が行われ、減圧容器１内はプラズマが生成可能な減圧雰囲気となる。このときの圧力は１〜１００Ｐａ程度が適当である。この圧力範囲であれば、プラズマを安定に生成することができる。
【００２５】
さらに、この圧力範囲であればイオンエネルギ及び電子温度等の荷電粒子の持つエネルギを低く抑えるのに適当であり、圧力が１Ｐａよりも低くなると荷電粒子の持つエネルギが高くなり光学素子にダメージを与える可能性がある。また、このような低い圧力下では、有機物汚染を除去する活性酸素種の密度も相対的に低くなり、洗浄効果が低下することになる。圧力が１００Ｐａを超えると高周波放電が安定しなくなり、異常放電等によって光学素子にダメージを与えることとなる。
【００２６】
その後、高周波電源７から高周波給電棒を介して高周波電極８ａ，８ｂに所定の出力で高周波電力が印加される。高周波電源の周波数は１３．５６ＭＨｚが一般的であるが、さらに１００ＭＨｚ、２００ＭＨｚ等の高い周波数を用いてもかまわない。出力としては８００〜１５００Ｗ程度以下が適当である。
【００２７】
高周波電極８ａ，８ｂと洗浄対象との間には、複数の孔を有する仕切り板（以下、多孔板という。）９ａ，９ｂが設けられている。この多孔板９ａ，９ｂは、減圧容器１と同様に電気的に接地されており、高周波電極８ａ，８ｂとの隙間（プラズマ空間）Ｐの間隔を任意に制御できるようになっている。また、多孔板９ａ，９ｂの孔の直径や開口率も任意に制御可能である。本実施の形態１では高周波電極８ａ，８ｂと多孔板９ａ，９ｂとの間隔を３０ｍｍとし、孔の直径を５ｍｍ、開口率を５０％とした。
【００２８】
このような多孔板９ａ，９ｂの各パラメータは洗浄対象に対する洗浄効果やダメージの程度を確認しつつ決定される。多孔板の孔の直径や開口率が大き過ぎる場合はダメージが発生しやすくなる。ダメージに余り敏感でない光学ガラス、例えば合成石英等の場合は、必ずしも多孔板を設置する必要はない。
【００２９】
高周波電極８ａ，８ｂに印加された高周波電力によって、減圧容器１内のプラズマ空間Ｐに導入されたプラズマ生成ガスが励起され、高周波電極８ａ，８ｂと多孔板９ａ，９ｂとの間にプラズマが生成される。
【００３０】
このように生成されたプラズマから多孔板９ａ，９ｂの孔を通して活性酸素種や低エネルギ粒子が拡散し、洗浄対象の上面及び下面に到達して、洗浄対象の表面や加工穴等に付着している有機物汚染の洗浄処理が効果的にかつ短時間で行われる。このとき洗浄対象表面に到達する荷電粒子のエネルギ（イオンエネルギ、電子温度）は極めて低く、イオンエネルギは１０ｅＶ以下、電子温度も２ｅＶ以下程度である。このような低イオンエネルギ・低電子温度においては、対象となる光学レンズガラスや光学薄膜等の光学素子にダメージを与ることがないので、その点においてこの洗浄方法は非常に有効である。
【００３１】
レンズＷの上面及び下面に対向する多孔板９ａ，９ｂとレンズＷとの距離は、任意に制御可能であるが、本実施の形態１では、レンズ面からの距離が５０ｍｍ以上離れても洗浄効果は十分高く、２０ｍｍ程度に近づけてもレンズ面にダメージは入らなかった。したがって、厚みの異なる様々な形状のレンズにも対応可能である。レンズＷ及び保持具５の洗浄処理時間は約１０分以内で、この間のレンズＷの温度上昇は殆どみられない。
【００３２】
所定の洗浄時間（プラズマ励起時間）の経過後、高周波電源７の出力を停止し、プラズマを消失させる。その後、プラズマ生成ガスの供給を停止し、圧力調整弁４を閉じた後、窒素供給配管１２より窒素ガスを導入し、減圧容器１内の圧力を大気圧に開放して、洗浄されたレンズ部品Ｗ及び保持具５を取り出すことにより洗浄処理が完了する。
【００３３】
本発明に係るプラズマを用いた表面処理による洗浄効果は、ガラスレンズ素子に対しては有機物を効果的に分解する活性酸素種による洗浄効果の他に、光学ガラス素子にダメージを与えない程度の低エネルギ粒子による運動エネルギの付与が相乗効果として作用していると考えられる。複雑な加工形状を有するレンズの保持具の洗浄に関しては、投影光学系に用いられるレンズを固定した直径５００ｍｍ以上の大口径部品でも、照明光学系に用いられる多種多様な部品形状に対しても、減圧下における酸素活性種の存在によって効果的に洗浄処理を行うことができる。
【００３４】
上述した本発明の実施の形態１では、光学素子としての光学ガラスや光学ガラス上に反射防止膜及び増反射膜が施された光学ガラスレンズ基板はもちろんのこと、このようなレンズ基板が保持具に接着材等で固定され一体化した部品にも適用できるので、露光装置に組み込まれる直前のレンズ部品の洗浄を効率良く、かつ効果的に行うことができる。特に半導体露光装置内に用いられる様々な機械部品の洗浄にも適用可能である。なお、一般的な光学装置・機器の部品にももちろん適用可能で、この他に半導体製造に用いられる種々の基板や半導体製造装置用の部品にも適用可能である。
【００３５】
以下、上記実施の形態１で説明した洗浄装置としてのプラズマ処理装置Ｑによって、実際に半導体露光装置用部品の洗浄（プラズマ洗浄）を試みた実施例について説明する。
【００３６】
［実施例１］
図２は、蛍石基板のプラズマ洗浄前・後での分光透過率測定結果を示すグラフである。プラズマ洗浄は、図１に示したプラズマ処理装置Ｑを用いて、２０％Ｏ２／Ａｒの混合ガスプラズマによって行った。洗浄中の減圧容器１内圧力は５０Ｐａ、洗浄処理時間は１０分間である。
【００３７】
蛍石ガラスレンズ基板の、１４０ｎｍ〜２００ｎｍの紫外波長領域における洗浄前の透過率とプラズマ洗浄後の透過率とを比較すると、図２からわかるようにプラズマ洗浄後に透過率の明らかな向上がみられる。１９３ｎｍのＡｒＦレーザ波長領域のみならず、１５７ｎｍＦ２レーザ波長領域においても効果がみられる。特にプラズマ洗浄後の１５７ｎｍにおける透過率の値は、基板の内部吸収を考慮すると略理論透過率に近い値となっており、荷電エネルギ粒子に起因するダメージもみられない。
【００３８】
［実施例２］
図３は、実施例１においてプラズマ洗浄を行った後の蛍石基板上にフッ化物光学薄膜からなる１５７ｎｍ用反射防止膜を成膜加工した直後のもの、及びその成膜加工後にさらにプラズマ洗浄処理を行ったものの分光透過率測定結果を示すグラフである。成膜加工後のプラズマ洗浄も、図１に示したプラズマ処理装置Ｑを用いて、２０％Ｏ２／Ａｒの混合ガスプラズマによって行った。洗浄中の減圧容器１内圧力は５０Ｐａ、処理時間は１０分間である。
【００３９】
蛍石基板の、１４０ｎｍ〜２００ｎｍの紫外波長領域における成膜直後の透過率と成膜及びプラズマ洗浄後の透過率とを比較すると、図３からわかるように透過率の変化は殆どみられなかった。このことから、本発明に係るプラズマ洗浄が蛍石基板上に成膜されたフッ化物光学薄膜に対してもエネルギ粒子等に起因するダメージを与えないことがわかる。
【００４０】
［実施例３］
図４は、蛍石基板上にフッ化物光学薄膜からなる１５７ｎｍ用反射防止膜を成膜加工したレンズ素子をレンズ保持具に接着固定した半導体露光装置用部品のプラズマ洗浄前・後の分光透過率測定結果を示すグラフである。プラズマ洗浄は、図１に示したプラズマ処理装置Ｑを用いて、２０％Ｏ２／Ａｒの混合ガスプラズマを用いて行った。洗浄処理中の減圧容器１内圧力は５０Ｐａ、処理時間は１０分間である。
【００４１】
半導体露光装置用部品の、１４０ｎｍ〜２００ｎｍの紫外波長領域における洗浄前の透過率とプラズマ洗浄後の透過率とを比較すると、図４からわかるようにプラズマ洗浄後に透過率の明らかな向上がみられる。この実施例３において「洗浄前」とは、成膜加工後のレンズ素子を保持具に固定する間放置したものをいう。特に、１５７ｎｍＦ２レーザ波長領域において、プラズマ洗浄後のものの透過率の値は９９％を超えており、洗浄前のものの透過率、すなわち成膜後放置することによって９８．５％以下まで劣化した透過率が成膜直後の透過率にまで回復することが確認された。また、実施例２でも確認済みであるが、エネルギ粒子等に起因するダメージによる透過率劣化もみられないことがわかった。また、レンズと保持具とを同時に洗浄することによる透過率への影響もなく、汚染された部品を洗浄しても除去された汚染の再付着がみられないことがわかった。
【００４２】
これら、実施例１〜３の結果から、本発明に係るプラズマ洗浄が、ガラスレンズ素子や光学薄膜が施されたレンズ素子、さらに、レンズ素子と保持具が一体化した露光装置用部品にも適用可能であることが明らかとなった。
【００４３】
ここで、洗浄前の透過率の劣化は、主に有機物汚染に起因するものと考えられるが、従来のＵＶ・Ｏ３洗浄を試みても透過率の劣化は短時間では回復しなかった。さらに、本発明に係るプラズマ洗浄が１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザ波長のみならず、１５７ｎｍＦ２レーザ波長近傍の有機物汚染除去にも非常に有効であり、しかも短時間の処理で行えることがわかり、光学部品の光学特性のみならず露光装置の生産性向上にも有利であることが確認された。
【００４４】
［実施の形態２］
図５は、本発明の実施の形態２に係る露光装置を概略的に示した図である。この露光装置Ｓは、露光原版としてのレチクル５１上の回路パターンを被処理体としてのウエハ５２上に露光するためのものである。この露光装置Ｓは、例えば波長１９３ｎｍのレーザ光源５３からの光をレチクル５１上に導く照明光学系５４、レチクル５１上の回路パターン像をウエハ５２上に投影する投影光学系５５を有して構成される。
【００４５】
照明光学系５４は光学素子としてのレンズ５４ａを有している。投影光学系５５も光学素子としてのレンズ５５ａを有している。これらのレンズ５４ａ，５５ａは、上述の実施の形態１に係る洗浄方法によってプラズマ洗浄処理が行われている。したがって、レンズ５４ａ，５５ａは、紫外光領域においても良好な光学性能を発揮し、露光装置Ｓは高精度に露光を行うことができる。
【００４６】
［実施の形態３］
次に、図６及び図７を参照して、上述の露光装置Ｓを利用したデバイスの製造方法の実施の形態を説明する。図６は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造を例に説明する。ステップ１０１（回路設計）ではデバイスの回路設計を行う。ステップ１０２（レチクル製作）では、設計した回路パターンを形成したレチクルを製作する。ステップ１０３（ウエハ製造）ではシリコンなどの材料を用いてウエハ（基板）を製造する。ステップ１０４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、レチクルとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。ステップ１０５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ１０４によって作成されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ１０６（検査）では、ステップ１０５で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ１０７）される。
【００４７】
図７は、ステップ１０４のウエハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ１１１（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１１２（ＣＶＤ）では、ウエハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１１３（電極形成）では、ウエハ上に電極を蒸着などによって形成する。ステップ１１４（イオン打ち込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１１５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ１１６（露光）では、露光装置Ｓによってレチクルの回路パターンをウエハに露光する。ステップ１１７（現像）では、露光したウエハを現像する。ステップ１１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。本実施の形態の製造方法によれば従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。
【００４８】
以上、本発明の好ましい実施の形態を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、その要旨の範囲内で様々な変形や変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明に係る洗浄方法は、光学ガラスレンズや光学薄膜を施した光学部品のドライ洗浄技術として、従来のＵＶ・Ｏ３洗浄に代表される光洗浄と比較して光学特性の向上及び生産性の向上に極めて効果的な洗浄方法である。実用化段階の１９３ｎｍＡｒＦエキシマレーザ露光装置はもちろん、開発が進む１５７ｎｍＦ２レーザ露光装置に用いる光学部品及び露光装置に用いられるあらゆる部品に対する有機物汚染除去のためのドライ洗浄技術として十分実用可能であり、露光装置システムの性能を飛躍的に向上させることが期待できる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の実施の形態１に係る洗浄方法を実現するためのプラズマ処理装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２】蛍石基板のプラズマ洗浄前・後での分光透過率測定結果を示す実施例１のグラフである。
【図３】実施例１においてプラズマ洗浄を行った後の蛍石基板上にフッ化物光学薄膜からなる１５７ｎｍ用反射防止膜を成膜加工した直後のもの、及びその成膜加工後にさらにプラズマ洗浄処理を行ったものの分光透過率測定結果を示す実施例２のグラフである。
【図４】蛍石基板上にフッ化物光学薄膜からなる１５７ｎｍ用反射防止膜を成膜加工したレンズ素子をレンズ保持具に接着固定した半導体露光装置用部品のプラズマ洗浄前・後の分光透過率測定結果を示す実施例３のグラフである。
【図５】本発明の実施の形態２に係る露光装置の概略構成を示すブロック図である。
【図６】図６に示す露光装置によるデバイス製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図７】図６に示すステップ１０４の詳細なフローチャートである。
【符号の説明】
【００５１】
Ｐ：プラズマ空間
Ｑ：プラズマ処理装置
Ｓ：露光装置
Ｗ：レンズ（光学素子、洗浄対象の一部）
１：減圧容器
２：排気ポンプ
３：排気配管
４：圧力調整弁
５：レンズ保持具（保持具、洗浄対象の一部）
６：部品保持具（保持手段）
７：高周波電源
８ａ，８ｂ：高周波電極（電極）
９ａ，９ｂ：多孔板（仕切り板）
１０：ガス供給ユニット（ガス供給手段）
１１ａ，１１ｂ：ガス供給配管
１２：窒素供給配管（大気圧解放手段）
５１：レチクル
５２：ウエハ（被処理体）
５３：レーザ光源
５４：照明光学系
５４ａ，５５ａ：レンズ
５５：投影光学系
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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