(57)【要約】【課題】  基板を処理液に浸漬させた後、基板を処理液から引き上げて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、基板の乾燥不良が発生するのを防止する。【解決手段】  第１ノズル４１と排気部４３とは処理液の上方に露出する基板Ｗを挟んで水平方向において互いに対向配置されている。処理液の液面近傍で第１ノズル４１から排気部４３に向けてほぼ水平に乾燥気体が基板Ｗに送風される。第１ノズル４１の直上に配置された第２ノズル４２からは第１ノズル４１から吹き付けられる乾燥気体が基板保持ガイド３５の上方に回り込む領域Ｒ１に向けて斜め上方から乾燥気体が基板Ｗに送風される。これにより、第１ノズル４１からの気流のみでは基板保持ガイド３５の陰となる遮蔽領域ＢＲにも乾燥気体が十分に供給される。【選択図】  図４
2006332244.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理液に浸漬させた後、前記基板を前記処理液から引き上げて乾燥させる基板処理装置において、
処理液を貯留する貯留手段と、
基板の主面が鉛直方向とほぼ平行となるように該基板を保持する保持手段と、
前記保持手段を昇降させることで前記保持手段によって保持された基板を前記貯留手段に貯留される処理液中と該処理液の上方との間で昇降させる昇降手段と、
前記処理液の液面近傍で、前記昇降手段により上昇され前記処理液の上方に露出した基板の主面に対してほぼ水平な第１の方向から前記基板主面に沿って気体を吹き付ける第１送風手段と、
前記第１送風手段よりも前記処理液の液面から上方に離れた位置に設けられ、前記処理液の上方に露出した前記基板主面に対して斜め上方から前記基板主面に沿って気体を吹き付ける第２送風手段と、
前記第１および第２送風手段に気体を供給する気体供給手段と、
前記気体供給手段を制御して、前記保持手段によって保持されながら前記処理液の上方に露出する前記基板の高さ位置に応じて、前記第１送風手段から前記基板への気体の吹き付け、および前記第２送風手段から前記基板への気体の吹き付けを調整する制御手段と
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記昇降手段により上昇される前記保持手段が前記処理液の上方に露出するまでは前記第１送風手段から気体を吹き付ける一方で、前記保持手段が前記処理液の上方に露出した後は少なくとも前記第２送風手段から気体を吹き付けるように制御する請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記保持手段が前記処理液の上方に露出した際に前記第２送風手段とともに前記第１送風手段から気体を吹き付けるように制御する請求項２記載の基板処理装置であって、
前記第２送風手段は前記第１送風手段の直上に配設された送風部を有し、前記第１送風手段から吹き付けられる気体が前記保持手段によって遮られ前記保持手段の上方に回り込む領域に向けて前記送風部は斜め上方から気体を吹き付ける
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
前記第１送風手段は、前記処理液の上方に露出した基板を挟んで前記第１の方向において対向配置された送風専用部および排気専用部を有し、前記制御手段からの制御指令に応じて前記送風専用部から前記排気専用部に向けて気体を送風する請求項１ないし３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記制御手段は、前記保持手段が前記処理液の上方に露出した際に前記第２送風手段のみから気体を吹き付けるように制御する請求項２記載の基板処理装置であって、
前記第２送風手段は、前記処理液の上方に露出した基板を挟んで前記基板の両側に配設された一対の送風部を有し、前記処理液の上方に露出した前記保持手段の上方領域に向けて各送風部は斜め上方から気体を吹き付けることによって互いに吹き付けられた気体を衝突させて前記上方領域から前記保持手段に向かう気流を形成する
ことを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
前記第１送風手段は、前記処理液の上方に露出した基板を挟んで前記第１の方向において対向配置された送排気部および排気専用部を有し、前記送排気部は前記排気専用部に気体を送風する送風状態と前記処理液の液面近傍から気体を排気する排気状態とに選択的に切換可能となっており、
前記制御手段は、前記保持手段が前記処理液の上方に露出した際に、前記送排気部を前記排気状態に設定する請求項５記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記貯留手段に貯留される処理液は温純水である請求項１ないし６のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記貯留手段に貯留される処理液は酸性の水溶液である請求項１ないし６のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項９】
基板を処理液に浸漬させた後、前記基板を前記処理液から引き上げて乾燥させる基板処理方法において、
処理液に浸漬させた基板をその主面が鉛直方向とほぼ平行となるように保持手段によって保持しつつ前記処理液の上方に引き上げる引き上げ工程と、
前記引き上げ工程と並行して、前記処理液の上方に露出した前記基板主面に対して気体を該基板主面に沿って吹き付ける送風工程と
を備え、
前記送風工程は、
前記保持手段が前記処理液の上方に露出するまで前記処理液の液面近傍で前記基板主面に対してほぼ水平な第１の方向から気体を吹き付ける工程と、
前記保持手段が処理液の上方に露出してから前記基板主面に対して前記第１の方向から気体を吹き付けるとともに、前記第１の方向から吹き付けられる気体が前記保持手段によって遮られ前記保持手段の上方を回り込む領域に向けて前記第１の方向に対して斜め上方から気体を吹き付ける工程と
を有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項１０】
基板を処理液に浸漬させた後、前記基板を前記処理液から引き上げて乾燥させる基板処理方法において、
処理液に浸漬させた基板をその主面が鉛直方向とほぼ平行となるように保持手段によって保持しつつ前記処理液の上方に引き上げる引き上げ工程と、
前記引き上げ工程と並行して、前記処理液の上方に露出した前記基板主面に対して気体を該基板主面に沿って吹き付ける送風工程と
を備え、
前記送風工程は、
前記保持手段が処理液の上方に露出するまで前記処理液の液面近傍で前記基板主面に対してほぼ水平な第１の方向から気体を吹き付ける工程と、
前記保持手段が処理液の上方に露出してから前記第１の方向からの送風を停止するとともに、前記処理液の上方に露出した基板を挟んで前記基板の両側からそれぞれ前記処理液の上方に露出した前記保持手段の上方領域に向けて斜め上方から気体を吹き付けることによって互いに吹き付けられた気体を衝突させて前記上方領域から前記保持手段に向かう気流を形成する工程と
を有することを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板を処理液に浸漬させた後、基板を処理液から引き上げて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法に関するものである。なお、乾燥処理対象となる基板には、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、光ディスク用基板などの各種基板が含まれる。
【背景技術】
【０００２】
従来より半導体ウエハ等の基板を処理液中に浸漬させた後、基板を処理液から引き上げて乾燥させる装置がある。例えば特許文献１に記載された装置は、処理液を貯留する処理槽と、その主面が鉛直方向と平行となるように互いに平行に配列された複数の基板を保持する３本の基板ガイドを有するリフタと、リフタを昇降させ基板ガイドに保持された基板を処理槽に貯留された処理液に浸漬させるとともに処理液から引き上げるリフタ駆動部と、リフタ駆動部により処理液の上方に露出させた基板の主面に沿ってほぼ水平方向に窒素ガスを噴射させ該基板主面に吹き付ける窒素ガス噴射部とを備えている。
【０００３】
この装置によれば、処理液に浸漬させた基板を、その主面が鉛直方向とほぼ平行になるように保持しつつ処理液の上方に引き上げている。そして、処理液の上方に露出した基板の主面に沿ってほぼ水平方向に乾燥気体として窒素ガスを該基板主面に吹き付けているので、基板に付着した処理液が基板から除去され、基板を乾燥させることができる。
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−３５４４８８号公報（図５）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、処理液の上方に引き上げられる基板に対して窒素ガスを水平方向から吹き付けるのでは、次に示すような問題が生じることがあった。すなわち、基板を保持する基板ガイドが処理液の上方に露出したときに、基板ガイドによって窒素ガスが遮蔽されるために基板ガイドに対して窒素ガスが噴射されてくる方向の反対側の領域（遮蔽領域）には十分に窒素ガスを供給することができなかった。その結果、遮蔽領域においてウォーターマークなどの欠陥が生じてしまい基板の乾燥不良が発生していた。
【０００６】
この発明は上記課題に鑑みなされたものであり、基板を処理液に浸漬させた後、基板を処理液から引き上げて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、基板の乾燥不良が発生するのを防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明は、基板を処理液に浸漬させた後、基板を処理液から引き上げて乾燥させる基板処理装置であって、上記目的を達成するため、処理液を貯留する貯留手段と、基板の主面が鉛直方向とほぼ平行となるように該基板を保持する保持手段と、保持手段を昇降させることで保持手段によって保持された基板を貯留手段に貯留される処理液中と該処理液の上方との間で昇降させる昇降手段と、処理液の液面近傍で、昇降手段により上昇され処理液の上方に露出した基板の主面に対してほぼ水平な第１の方向から基板主面に沿って気体を吹き付ける第１送風手段と、第１送風手段よりも処理液の液面から上方に離れた位置に設けられ、処理液の上方に露出した基板主面に対して斜め上方から基板主面に沿って気体を吹き付ける第２送風手段と、第１および第２送風手段に気体を供給する気体供給手段と、気体供給手段を制御して、保持手段によって保持されながら処理液の上方に露出する基板の高さ位置に応じて、第１送風手段から基板への気体の吹き付け、および第２送風手段から基板への気体の吹き付けを調整する制御手段とを備えている。
【０００８】
このように構成された発明では、処理液の液面近傍で、昇降手段により上昇され処理液の上方に露出する基板の主面に対して、ほぼ水平な方向（第１の方向）と斜め上方とから気体を基板主面に沿って供給することができる。そして、保持手段によって保持されながら処理液の上方に露出する基板の高さ位置に応じて第１の方向および斜め上方とから選択的に、あるいは両方向から同時に気体を基板主面に吹き付けることで、基板主面全体にムラなく気体を供給することができる。すなわち、保持手段が処理液の上方に露出する際にも、第１の方向のみからでは保持手段によって遮蔽されて乾燥不良が生じていた領域（以下「遮蔽領域」という）に対して斜め上方から気体が供給されることで遮蔽領域についても十分な気体が供給され、基板主面が確実に乾燥される。その結果、基板の乾燥不良が発生するのを防止できる。
【０００９】
ここで、昇降手段により上昇される保持手段が処理液の上方に露出するまでは第１送風手段から気体を吹き付ける一方で、保持手段が処理液の上方に露出した後は少なくとも第２送風手段から気体を吹き付けるようにするのが好ましい。この構成によれば、保持手段が処理液の上方に露出するまでは、処理液の液面にほぼ平行な第１の方向からの気体により処理液の液面が乱されることなく処理液の上方に露出した基板が直ちに乾燥させられる一方で、保持手段が処理液の上方に露出した後は、ほぼ水平な方向（第１の方向）とともに斜め上方から、あるいは斜め上方のみから気体が処理液の上方に露出した基板に供給されることで遮蔽領域についても確実に乾燥させることができる。
【００１０】
また、この発明にかかる基板処理方法の一態様は、基板を処理液に浸漬させた後、基板を処理液から引き上げて乾燥させる基板処理方法であって、上記目的を達成するため、処理液に浸漬させた基板をその主面が鉛直方向とほぼ平行となるように保持手段によって保持しつつ処理液の上方に引き上げる引き上げ工程と、引き上げ工程と並行して、処理液の上方に露出した基板主面に対して気体を該基板主面に沿って吹き付ける送風工程とを備え、送風工程は、保持手段が処理液の上方に露出するまで処理液の液面近傍で基板主面に対してほぼ水平な第１の方向から気体を吹き付ける工程と、保持手段が処理液の上方に露出してから基板主面に対して第１の方向から気体を吹き付けるとともに、第１の方向から吹き付けられる気体が保持手段によって遮られ保持手段の上方を回り込む領域に向けて第１の方向に対して斜め上方から気体を吹き付ける工程とを有している。
【００１１】
また、この発明にかかる基板処理装置の一態様は、保持手段が処理液の上方に露出した際に、制御手段が第２送風手段とともに第１送風手段から気体を吹き付けるように制御する基板処理装置において、第２送風手段は第１送風手段の直上に配設された送風部を有し、第１送風手段から吹き付けられる気体が保持手段によって遮られ保持手段の上方に回り込む領域に向けて送風部は斜め上方から気体を吹き付けている。
【００１２】
このような構成によれば、保持手段が処理液の上方に露出するまでは、第１の方向から吹き付けられる気体によって処理液の液面を乱すことなく処理液の上方に露出した基板主面が乾燥される。そして、保持手段が処理液の上方に露出した後は、第１の方向から吹き付けられる気体が保持手段によって遮られ保持手段の上方を回り込む領域に向けて第１の方向に対して斜め上方から気体が吹き付けられる。そのため、第１の方向から吹き付けられる気体が保持手段によって遮られ上方に散乱していくのが抑制される。つまり、保持手段によって乱された第１の方向からの気流が本来の（保持手段がないときの）気流に近づくようにコントロールされ、遮蔽領域まで気体を十分に行き渡らせることができる。しかも、処理液の液面とほぼ平行な第１の方向からの気流の乱れを第１の方向に対して斜め上方からの気流によって補正しているに過ぎないことから処理液の液面が乱れるのが抑制される。その結果、基板の乾燥不良が発生するのを防止することができる。
【００１３】
ここで、第１送風手段は、処理液の上方に露出した基板を挟んで第１の方向において対向配置された送風専用部および排気専用部を有し、制御手段からの制御指令に応じて送風専用部から排気専用部に向けて気体を送風するのが好ましい。この構成によれば、送風専用部から送風された気体が排気専用部から排気されることで、処理液の液面近傍で該液面にほぼ平行する気流を良好に形成することができ、処理液の液面を乱れさせることなく効果的に基板を乾燥させることができる。
【００１４】
また、この発明にかかる基板処理方法の他の態様は、基板を処理液に浸漬させた後、基板を処理液から引き上げて乾燥させる基板処理方法であって、上記目的を達成するため、処理液に浸漬させた基板をその主面が鉛直方向とほぼ平行となるように保持手段によって保持しつつ処理液の上方に引き上げる引き上げ工程と、引き上げ工程と並行して、処理液の上方に露出した基板主面に対して気体を該基板主面に沿って吹き付ける送風工程とを備え、送風工程は、保持手段が処理液の上方に露出するまで処理液の液面近傍で基板主面に対してほぼ水平な第１の方向から気体を吹き付ける工程と、保持手段が処理液の上方に露出してから第１の方向からの送風を停止するとともに、処理液の上方に露出した基板を挟んで基板の両側からそれぞれ処理液の上方に露出した保持手段の上方領域に向けて斜め上方から気体を吹き付けることによって互いに吹き付けられた気体を衝突させて上方領域から保持手段に向かう気流を形成する工程とを有している。
【００１５】
また、この発明にかかる基板処理装置の他の態様は、保持手段が処理液の上方に露出した際に、制御手段が第２送風手段のみから気体を吹き付けるように制御する基板処理装置において、第２送風手段は、処理液の上方に露出した基板を挟んで基板の両側に配設された一対の送風部を有し、処理液の上方に露出した保持手段の上方領域に向けて各送風部は斜め上方から気体を吹き付けることによって互いに吹き付けられた気体を衝突させて上方領域から保持手段に向かう気流を形成している。
【００１６】
このような構成によれば、保持手段が処理液の上方に露出するまでは、第１の方向から吹き付けられる気体によって処理液の液面を乱すことなく処理液の上方に露出した基板主面が乾燥させられる。そして、保持手段が処理液の上方に露出した後は、基板の両側からそれぞれ保持手段の上方領域に向けて気体が斜め上方から吹き付けられ、互いに衝突して該上方領域から保持手段に向かう気流を形成している。つまり、基板の両側からそれぞれ吹き付けられた気体は水平方向における基板のほぼ中央位置にて衝突して保持手段の上方領域から保持手段の基板中央位置を臨む側面に向けて気体が供給されていく。そのため、第１の方向からの気流では保持手段の陰となる領域（遮蔽領域）についても十分に気体を供給することができる。しかも、衝突後の保持手段に向かう気流は水平方向における基板の中央位置を中心として基板の両サイドに向けて広がっていくことから処理液の液面が乱れるのが抑制される。その結果、基板の乾燥不良が発生するのを防止することができる。
【００１７】
ここで、第１送風手段は、処理液の上方に露出した基板を挟んで第１の方向において対向配置された送排気部および排気専用部を有し、送排気部は排気専用部に気体を送風する送風状態と処理液の液面近傍から気体を排気する排気状態とに選択的に切換可能となっており、制御手段は、保持手段が処理液の上方に露出した際に、送排気部を排気状態に設定するのが好ましい。この構成によれば、保持手段が処理液の上方に露出した際に、送排気部が送風状態から排気状態に切換えられることにより、第１の方向において基板を挟んで対向配置された送排気部と排気専用部とにより、処理液の液面近傍で基板の両側から気体が排気される。したがって、基板の両側に配設された一対の送風部から吹き付けられ、保持手段の上方領域にて互いに衝突した気体を基板の両サイドに確実に導くことができる。その結果、各送風部から吹き付けられた気体を効率良く遮蔽領域に供給することができ、効果的に基板を乾燥させることができる。
【００１８】
また、貯留手段に貯留される処理液として温純水を用いると、基板の乾燥速度を高めて基板の乾燥処理に要する処理時間を短縮することができる。
【００１９】
また、貯留手段に貯留される処理液として酸性の水溶液を用いると、基板からの被酸化物質の溶出を抑制することができ、ウォーターマークの発生をさらに効果的に防止することができる。
【発明の効果】
【００２０】
この発明によれば、保持手段によって保持されながら処理液の上方に露出する基板の高さ位置に応じてほぼ水平な方向（第１の方向）および斜め上方とから選択的に、あるいは両方向から同時に気体を基板主面に吹き付けている。そのため、保持手段が処理液の上方に露出する際にも、遮蔽領域に対して十分な気体を供給することができ、基板主面全体がムラなく乾燥される。その結果、基板の乾燥不良が発生するのを防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
＜第１実施形態＞
図１は、この発明にかかる基板処理装置の第１実施形態を示す正面図である。また、図２は、図１の基板処理装置の部分側面図である。この基板処理装置はフッ酸（ＨＦ）等の薬液または純水（以下「処理液」という）に基板Ｗを浸漬させて該基板Ｗに対して薬液処理または洗浄処理を行った後、処理液から基板Ｗを引き上げながら乾燥処理を行う装置である。この基板処理装置は、主として、外槽１０と、処理槽２０と、昇降機構３０と、送風機構４０と、処理槽２０内に配置された処理液供給ノズル５０とを備えている。
【００２２】
処理槽２０（貯留手段）は、処理液を貯留して基板Ｗに対して順次表面処理を行う槽であり、外槽１０の内部に収容されている。処理液供給ノズル５０は、処理槽２０の底部近傍に互いに平行に２本、処理槽２０の長手方向（Ｙ方向）に延びるように配置されている。各処理液供給ノズル５０には、処理液を吐出する複数個の吐出孔５１がそれぞれ形成されている。各処理液供給ノズル５０は、処理液供給管５２にそれぞれ流路接続されるとともに、処理液供給管５２がそれぞれ純水供給部５３、薬液供給部５４に接続されている。したがって、処理液供給管５２を介して各処理液供給ノズル５０から純水または薬液が処理槽２０に供給される。
【００２３】
各処理液供給ノズル５０からそれぞれ吐出された処理液は、左右両側から噴出した処理液が槽中央部で上昇流を形成しつつ上昇し、槽上部の開口部からオーバーフローするようになっている。このオーバーフローされる処理液によって基板Ｗから脱離したパーティクル等の汚染粒子を処理液とともにオーバーフロー槽２１で受け、槽外に排出させるようになっている。
【００２４】
外槽１０の上部は基板搬出入口となっており、シャッタ１１をスライド式開閉機構（図示せず）により駆動することで開閉可能とされている。外槽１０の上部を開放した状態において、その開放部分から後述する昇降機構３０により基板Ｗの搬出入を行う。一方、外槽１０の上部を閉鎖した状態で、外槽１０の内部を密閉空間にすることができる。
【００２５】
昇降機構３０は、処理槽２０に貯留されている処理液に複数枚（例えば５０枚）の基板Ｗを一組として浸漬させるとともに、処理液の上方に引き上げるための機構である。昇降機構３０は、リフタ３１と、モータ３２と、モータ駆動部３３を備えている。リフタ３１は鉛直方向（Ｚ方向）に昇降自在となっており、装置全体を制御する制御部８０（制御手段）からの動作指令にしたがってモータ駆動部３３がモータ３２を駆動すると、そのモータ駆動に応じてリフタ３１が昇降する。モータ３２の駆動によりリフタ３１を昇降させる機構としては、ボールネジを用いた送りネジ機構やプーリとベルトを用いたベルト機構など種々の機構を採用することができる。
【００２６】
リフタ３１には、複数枚の基板Ｗを保持するための３本の基板保持ガイド３５，３６，３７がリフタ３１に対して垂直方向に固設されている。３本の基板保持ガイド３５，３６，３７には、その長手方向（Ｙ方向）と基板Ｗの主面とが直交するように基板Ｗを保持するため、基板Ｗの外周縁部の一部と係合して基板Ｗを起立姿勢で保持する複数の保持溝３８が所定の間隔に配列して形成されている（図２）。それぞれの保持溝３８は、Ｘ方向に沿って形成された切欠状の溝である。このため、保持溝３８に基板Ｗの外周縁部がはめ込まれることにより、該基板Ｗの主面が鉛直方向（Ｚ方向）とほぼ平行となるように基板Ｗが３本の基板保持ガイド３５，３６，３７によって保持される。なお、基板Ｗの「主面」とは、基板Ｗの加工面を意味し、側面ではない面を意味する。このように、この実施形態では、基板保持ガイド３５，３６，３７が本発明の「保持手段」として機能している。
【００２７】
このような構成により、昇降機構３０は、３本の基板保持ガイド３５，３６，３７によってＹ方向に互いに平行に配列されて保持された複数の基板Ｗを基板処理位置Ｐ１（図１の実線位置）と基板受渡し位置Ｐ２（図１の破線位置）との間で昇降させることができる。ここで、基板処理位置Ｐ１は、処理槽２０に貯留される処理液に浸漬させて基板Ｗを処理する位置であり、基板受渡し位置Ｐ２は、基板Ｗを搬送する搬送ロボットなどの搬送機構（図示せず）と間で基板Ｗを受け渡しする位置である。なお、リフタ３１が基板処理位置Ｐ１まで降下された状態においては、外槽１０の上部がシャッタ１１によって閉鎖されている。一方、リフタ３１が基板受渡し位置Ｐ２まで上昇しているときは、シャッタ１１が開けられ、外槽１０の上部が開放されている。このように、この実施形態では、昇降機構３０が本発明の「昇降手段」として機能している。
【００２８】
また、外槽１０には基板Ｗの高さ位置を検出するセンサが設けられている。具体的には、基板Ｗが基板処理位置Ｐ１に位置することを検出する下位置センサ１２と、基板Ｗが基板受渡し位置Ｐ２に位置することを検出する上位置センサ１３とが外槽１０に取り付けられている。そして、制御部８０はリフタ３１に保持される基板Ｗの高さ位置を検出するセンサ１２，１３からの信号に基づいてリフタ３１の昇降動作を制御する。すなわち、制御部８０は、基板Ｗを基板処理位置Ｐ１まで下降させる場合には下位置センサ１２からの検出信号に基づいてリフタ３１の下降を停止させる一方で、基板Ｗを基板受渡し位置Ｐ２まで上昇させる場合には上位置センサ１３からの検出信号に基づいてリフタ３１の上昇を停止させる。
【００２９】
送風機構４０は、処理槽２０に貯留されている処理液の上方に引き上げられる基板Ｗに対してドライエアや窒素（Ｎ２）ガスなどの乾燥気体を送風するための機構である。この送風機構４０は、第１ノズル４１と、第２ノズル４２と、排気部４３と、気体供給部４４（気体供給手段）とを備えている。気体供給部４４は、第１ノズル４１および第２ノズル４２にそれぞれ接続されており、制御部８０からの制御指令に応じて気体供給部４４が作動することで各ノズル４１，４２に個別に乾燥気体を供給する。つまり、制御部８０が気体供給部４４を制御することにより、第１ノズル４１および第２ノズル４２から選択的に、あるいは両ノズル４１，４２から同時に乾燥気体を送風することが可能となっている。なお、ノズルへの乾燥気体や処理槽２０への純水の供給は、基板処理装置が設置される工場の共通設備（用力）から行うことも可能である。この場合、気体供給部４４は用力からノズルへ乾燥気体の供給・供給停止を制御する開閉弁および配管等として機能する。
【００３０】
第１ノズル４１と排気部４３とは、昇降機構３０により上昇され処理液の上方に露出されてくる基板Ｗを挟んで水平方向（Ｘ方向）において互いに対向配置されている。このうち第１ノズル４１は外槽１０の内部の一側面に、その送風口４１１が対向配置された排気部４３を臨みながら処理槽２０の上部の開口部からオーバーフローする状態の処理液の液面の近傍に位置するように、しかも送風口４１１の底部の高さ位置が処理液の液面の高さ位置とほぼ面一となるように取り付けられている。このように、第１ノズル４１の高さ位置を設定するのは、処理液の上方に引き上げられ露出する基板Ｗに対して処理液の液面から上方におよそ１ｃｍ以内の範囲で乾燥させる必要があるからである。これに反して、この範囲を超えて基板Ｗが乾燥されていない場合にはウォーターマークが発生するおそれがある。したがって、処理液の液面近傍で気流を発生させ、基板主面に十分な乾燥気体を供給することが重要となる。このように、この実施形態では、第１ノズル４１および排気部４３が本発明の「第１送風手段」として機能している。
【００３１】
一方、排気部４３はその排気口４３１が水平方向において送風口４１１と向かい合うように配置されている。排気部４３は開閉弁４５を介して装置外の排気ライン（基板処理装置に接続される工場に固有の設備）に接続され、排気部４３から排出された気体は排気ラインへ送られることとなる。
【００３２】
また、送風口４１１と排気口４３１とは、基板保持ガイド３５，３６，３７によって保持される全基板Ｗの主面の両側に対して乾燥気体を供給できるようにＹ方向に延びるスリットを形成している。なお、排気口４３１を複数の基板Ｗの配列間隔の間隙に対応するように複数個設けるようにしてもよい。
【００３３】
このような構成によれば、制御部８０の制御指令に応じて気体供給部４４から第１ノズル４１に乾燥気体が供給されると、処理液の液面の近傍で該液面にほぼ平行に乾燥気体が第１ノズル４１から排気部４３に向けて流れていく。これにより、処理液の液面近傍で水平方向（Ｘ方向）に向かう良好な気流が生成される。したがって、制御部８０の動作指令に応じて昇降機構３０により基板Ｗが処理液の上方に引き上げられると、基板Ｗの主面に対してほぼ水平な方向（第１の方向）Ｅ１から乾燥気体が該基板主面に沿って吹き付けられる。第１ノズルから排気部４３に送風される流量としては例えば３ｍ３／ｍｉｎに設定される。なお、乾燥気体はウォーターマーク等の欠陥を抑制する観点から露点温度がマイナス２０℃以下、好ましくはマイナス３０℃以下であることが好ましい。このように、この実施形態では、第１ノズル４１および排気部４３がそれぞれ、本発明の「送風専用部」および「排気専用部」としての機能を有している。
【００３４】
第２ノズル４２は、本発明の「送風部」として第１ノズル４１の直上に配置されており、その送風口４２１が処理液の液面を臨むように斜め下方に向けられている。詳しくは、送風口４２１が第１ノズル４１の送風口４１１に対して水平方向において同一面、好ましくは図１に示すように紙面右寄り（Ｘ方向側）に突き出すように、しかも処理液の上方に引き上げられてくる３本の基板保持ガイド３５，３６，３７で挟まれる基板主面の内方領域を臨むようにして斜め下方に向けられている。送風口４２１は基板保持ガイド３５，３６，３７によって保持される全基板Ｗの主面の両側に対して乾燥気体を供給できるようにＹ方向に沿ってスリット状に開口している。また、送風口４２１の開口高さとして例えば１ｍｍの間隔を有するものであればよい。このように、この実施形態では、第２ノズル４２が本発明の「第２送風手段」として機能している。
【００３５】
そして、制御部８０の制御指令に応じて気体供給部４４から第２ノズル４２に乾燥気体が供給されると、処理液の上方に露出される基板Ｗの主面に対して斜め上方の方向Ｅ２（以下「第２の方向」という）から乾燥気体が該基板主面に沿って吹き付けられる。第２ノズル４２から送風させる乾燥気体の流量として第１ノズル４１から送風させる流量に対しておよそ１０分の１以下に設定される。これは、第２ノズル４２から送風させる乾燥気体は、後述するように基板Ｗの乾燥それ自体が目的ではなく第１ノズル４１からの気流の乱れを調整するのが主目的であることによる。
【００３６】
図３は、図１の基板処理装置に装備された第１ノズルの構成の一例を示す断面斜視図である。第１ノズル４１はＹ方向からみて略Ｌ字状に形成されており、ノズル本体４１０の内部に気体流通空間４１２を有している。ノズル本体４１０は導入部４１０ａと胴部４１０ｂと先端部４１０ｃとから構成されている。気体流通空間４１２は導入部４１０ａと胴部４１０ｂとの結合部分において直角に屈曲している。導入部４１０ａの頂部には気体供給用ポート４１３が取り付けられている。気体供給用ポート４１３はノズル本体４１０内部の気体流通空間４１２を介して先端部４１０ｃに設けられた送風口４１１に連通しており、制御部８０からの制御指令に応じて気体供給部４４が作動することで気体供給部４４から乾燥気体が気体流通空間４１２に導入され送風口４１１から送風される。
【００３７】
また、胴部４１０ｂの内部空間（気体流通空間４１２）には３つの整流機構４１４，４１５，４１６が設けられている。詳しくは、胴部４１０ｂの内部空間に乾燥気体の流通方向の上流側から順に、２つの障壁板４１４，４１５および多孔板４１６が設けられている。これらはいずれもＸ方向に所定の厚みを有しながらＹ方向に延設された板状部材により形成されている。乾燥気体の流通方向（Ｘ方向）からみて障壁板４１４は流路下方を遮蔽して流路上方の一部空間を通してのみ乾燥気体を流通させる一方、障壁板４１５は流路上方を遮蔽して流路上方の一部空間を通してのみ乾燥気体を流通させる。ここで、障壁板４１４，４１５の高さ（Ｚ方向の長さ）をＡ、胴部４１０ｂの内部空間（気体流通空間４１２）の高さをＢとした場合の流路遮蔽率（Ａ／Ｂ）を次式の関係としている。
【００３８】
【数１】
2006332244.tif 000003
また、多孔板４１６は、Ｙ方向に延設された板状部材に対してＸ方向に貫通する多数のパンチング孔が形成されてなる部材である。多孔板４１６は、パンチング孔を介してのみ乾燥気体を流通させることにより流路を制限する。さらに多孔板４１６に対して乾燥気体の流通方向の下流側において胴部４１０ｂが先端部４１０ｃと結合されている。先端部４１０ｃは流路断面積がテーパ状に徐々に狭められた加速部と流路断面積が一定のまま送風口４１１に繋がる開口部から構成される。
【００３９】
このような構成によれば、気体供給ポート４３から鉛直方向下向きにノズル本体４１０に乾燥気体が導入されると、導入部４１０ａと胴部４１０ｂとの結合部分において乾燥気体は、その進行方向が鉛直方向下向きから水平方向（Ｘ方向）に変えられ、障壁板４１４，４１５によって上下に蛇行しながら多孔板４１６のパンチング孔を介して先端部４１０ｃに至る。そして、先端部４１０ｃにおいて乾燥気体は収束されながら開口面積が一定とされた開口部を経て送風口４１１より送風される。
【００４０】
このように、第１ノズル４１は胴部４１０ｂに障壁板４１４，４１５および多孔板４１６を備えることにより、ノズル本体４１０に導入された乾燥気体を３段階にわたって整流して送風させている。したがって、送風口４１１からＹ方向に配列された基板Ｗの列間に対して均等な風速が得られ、基板Ｗの列間の乾燥均一性が得られる。また、上記のように整流機構を３段に設けたノズルによれば、ノズル幅（ノズルのＸ方向の長さ）Ｃを２０ｃｍ以内でコンパクトに構成することも可能であり、装置へのユニット搭載も可能となる。
【００４１】
また、ここでは送風口４１１の開口高さＤを次のように設定している。ウォーターマーク等の欠陥を抑制するため、処理液の液面の波立ちを抑える必要があるが、そのためにノズルから処理液の液面上に送風される乾燥気体の速度を均等にすることが重要となる。この速度が均等な領域はノズルの開口高さ（吐出方向に直交する方向の開口長さ）Ｄに対して、開口から吐出方向に６×Ｄの距離だけ離れた範囲まで速度均等領域が存在することが認められている。そのため、例えば８インチの基板を処理する場合には、開口高さＤを４ｃｍに設定している。この場合は、次式により開口から吐出方向に２４ｃｍの速度均等領域が出現することとなり、８インチの基板Ｗを吐出方向において完全にカバーすることが可能となる。したがって、処理液の液面の乱れを抑えて基板Ｗへのウォーターマーク等の欠陥の発生を防止することができる。
【００４２】
【数２】
2006332244.tif 000004
【００４３】
図４は、図１の基板処理装置に装備された送風機構の送風方向を説明するための図である。具体的には、３本の基板保持ガイド３５，３６，３７のうち上方に位置する２本の基板保持ガイド３５，３７が処理液の上方に露出したときの乾燥気体の流れを表した図である。基板保持ガイド３５，３７が処理液の上方に露出すると、第１の方向Ｅ１からの乾燥気体は第１ノズル４１からの距離が最も近い基板保持ガイド３５によって第１の方向Ｅ１からの乾燥気体が遮られて第１ノズル４１から送風されてくる方向の反対側の領域、つまり遮蔽領域ＢＲに乾燥気体が十分に供給されない状態となる。その結果、特に遮蔽領域ＢＲのうち基板Ｗの中心線ＣＬに対して紙面左側の領域、つまり基板保持ガイド３５の近傍領域においてウォーターマーク等の欠陥が生じてしまい基板Ｗの乾燥不良が生じていた。
【００４４】
図４に示すように、第２ノズル４２に乾燥気体が供給されると、第１の方向Ｅ１から吹き付けられる乾燥気体が基板保持ガイド３５によって遮られ基板保持ガイド３５の上方に回り込む領域Ｒ１に向けて第１の方向Ｅ１に対して斜め上方の第２の方向Ｅ２から乾燥気体が吹き付けられる。これにより、第１の方向Ｅ１からの乾燥気体が基板保持ガイド３５によって遮られ上方に散乱していくのが抑制される。つまり、基板保持ガイド３５によって乱された第１の方向Ｅ１からの乾燥気体が本来の、基板保持ガイド３５がないとしたときの気流に近づくようにコントロールされ、遮蔽領域ＢＲまで乾燥気体を十分に行き渡らせることができる。しかも、第２ノズル４２から送風される乾燥気体の流量は、第１ノズル４１から送風される乾燥気体の流量からみて非常に小さい（およそ１０分の１以下）ことから、処理液の液面が乱れるのが抑制される。
【００４５】
次に、上記のように構成された基板処理装置の動作について説明する。図５は、図１の基板処理装置の動作を模式的に示す図である。処理対象となる複数の基板Ｗは基板受渡し位置Ｐ２において搬送ロボット（図示せず）からリフタ３１に受け渡された後、モータ駆動部３３によってモータ３２が駆動されることでリフタ３１とともに基板処理位置Ｐ１へと下降され、処理槽２０に貯留される処理液中に浸漬させられる（図５（ａ））。これらの基板Ｗはリフタ３１に固設された基板保持ガイド３５，３６，３７に保持されて、その主面が鉛直方向（Ｚ方向）と平行になるように互いに平行して配列されている。なお、基板処理位置Ｐ１への基板Ｗの位置決めは下位置センサ１２によって位置検出されることでモータ３２の駆動が停止される。
【００４６】
基板Ｗを浸漬する処理液としては、各種の薬液および純水を用いることができ、これらの使用される処理液を変更することにより、各種の薬液処理および洗浄処理を基板Ｗに対して行うことができる。たとえば、フッ酸と水とを所定の割合で混合した処理液中に浸漬することにより、この処理液をエッチング処理液として機能させてエッチング処理を行うことが可能である。また、その後、処理液を順次に純水に置換することにより、純水による洗浄処理を行うことも可能である。なお、この際には、基板Ｗを雰囲気中に露出させることなく処理液中に浸漬したまま薬液処理から純水による洗浄処理へと移行して処理を続行することができるので、パーティクルの発生を防止できるなどの効果がある。
【００４７】
そして、これらの処理が終了した後、基板Ｗを処理液（純水）から引き上げることが必要となる。なお、基板Ｗを処理液から引き上げる前に制御部８０は気体供給部４４と開閉弁４５とを制御して第１ノズル４１から乾燥気体を送風させ、基板Ｗが引き上げられる雰囲気を乾燥状態としておくのが好ましい（図５（ｂ））。
【００４８】
続いて、モータ３２が駆動され基板Ｗが処理液の上方へ向けて上昇を開始する。これに伴い、基板Ｗは処理液の上方に徐々に露出していきながら、処理液の液面近傍で第１ノズル４１から排気部４３へ向けて送風される乾燥気体によって乾燥される。すなわち、基板主面に沿って処理液の液面にほぼ平行な第１の方向Ｅ１からの気流によって、乾燥気体が基板Ｗの主面に吹き付けられる。これにより、処理液の液面が乱れることなく、処理液の上方に露出した基板Ｗが速やかに乾燥されていく（図５（ｃ））。
【００４９】
そして、３本の基板保持ガイド３５，３６，３７のうち上方に位置する基板保持ガイド３５，３７が処理液の上方に露出すると、制御部８０は第１ノズル４１からの乾燥気体の送風を継続させたまま、気体供給部４４を作動させて第２ノズル４２から乾燥気体を送風させる（図５（ｄ））。なお、これら第１および第２ノズル４１，４２からの乾燥気体は排気部４３によって排気される。
【００５０】
このとき、図４に示すように第１ノズル４１から送風される第１の方向Ｅ１からの乾燥気体は基板保持ガイド３５によって遮蔽されて基板保持ガイド３５の上方の領域Ｒ１に回り込むが、当該領域Ｒ１に向けて第２の方向Ｅ２から乾燥気体が吹き付けられることで、基板保持ガイド３５による第１の方向Ｅ１からの気流の乱れが抑制される。その結果、第１の方向Ｅ１からの気流では基板保持ガイド３５の陰となっていた遮蔽領域ＢＲについても十分に乾燥気体が供給されることとなる。
【００５１】
こうして、３本の基板保持ガイド３５，３６，３７のうち下方に位置する基板保持ガイド３６が処理液の上方に完全に露出し終わるまで第１の方向Ｅ１と第２の方向Ｅ２との両方向から乾燥気体が基板Ｗの主面に吹き付けられる。そして、基板保持ガイド３６が処理液の上方に完全に露出し終わると、基板Ｗへの乾燥気体の供給が停止されるとともに、基板受渡し位置Ｐ２まで上昇される（図５（ｅ））。なお、基板受渡し位置Ｐ２への基板Ｗの位置決めは上位置センサ１３によって位置検出されることでモータ３２の駆動が停止される。
【００５２】
以上のように、この実施形態によれば、基板保持ガイド３５，３６，３７が処理液の上方に露出するまでは、ほぼ水平な第１の方向Ｅ１から基板Ｗの主面に対して乾燥気体を該基板主面に沿って吹き付けることで処理液の液面を乱すことなく基板Ｗが乾燥される。一方、基板保持ガイド３５，３６，３７が処理液の上方に露出した後は、第１の方向Ｅ１から吹き付けられる乾燥気体が基板保持ガイド３５の上方に回り込む領域Ｒ１に向けて第１の方向Ｅ１に対して斜め上方の第２の方向Ｅ２から乾燥気体が吹き付けられる。これにより、基板保持ガイド３５による第１の方向Ｅ１からの気流の乱れが、その乱れを補正するように第２の方向Ｅ２からの気流によってコントロールされる。そのため、第１の方向Ｅ１からの気流のみでは基板保持ガイド３５の陰となる遮蔽領域ＢＲについても乾燥気体を十分に行き渡らせることができる。しかも、基板保持ガイド３５による第１の方向Ｅ１からの気流の乱れを第２の方向Ｅ２からの気流によって補正しているに過ぎないことから処理液の液面が乱れるのが抑制される。その結果、基板Ｗの乾燥不良が発生するのが防止される。
【００５３】
また、この実施形態によれば、処理液の上方に露出した基板Ｗを挟んで第１ノズル４１に対向して排気部４３を配置して第１ノズル４１から送風させた乾燥気体を排気部４３から排気させている。このため、処理液の液面近傍で該液面にほぼ平行する気流を良好に形成することができ、処理液の液面を乱れさせることなく効果的に基板Ｗを乾燥させることができる。
【００５４】
＜第２実施形態＞
図６は、この発明にかかる基板処理装置の第２実施形態を示す図である。この実施形態が第１実施形態と大きく相違する点は、基板Ｗを引き上げる速度、つまり引き上げ速度を３段階に切換えている点であり、その他の構成および動作は第１実施形態と基本的に同一である。したがって、以下においては相違点を中心に説明する。
【００５５】
第１実施形態と同様にして、基板処理位置Ｐ１にて基板Ｗを浸漬させた後（同図（ａ））、制御部８０は基板Ｗを上昇させる際に引き上げ速度を比較的高速度のＶ１に設定し、この引き上げ速度Ｖ１で３本の基板保持ガイド３５，３６，３７のうち上方に位置する基板保持ガイド３５，３７が処理液の上方に露出するまでリフタ３１を上昇させる（同図（ｂ））。そして、基板保持ガイド３５，３７が処理液の上方に露出してくると、引き上げ速度を高速度Ｖ１からより低速度のＶ２に切換える（同図（ｃ））。また、基板保持ガイド３５，３７が処理液の上方に露出すると、第１の方向Ｅ１に加えて第２の方向Ｅ２から乾燥気体を基板主面に送風させる。なお、基板保持ガイド３５，３７の処理液上方への露出と基板保持ガイド３６が処理液の液面から離れるまでの高さ位置はモータ３２のパルス数をカウントすることにより検出される。
【００５６】
第１の方向Ｅ１からの送風のみで基板主面を乾燥させる場合においては風速を高速に設定することが可能であるため、基板Ｗの乾燥の観点から引き上げ速度についても比較的高速（Ｖ１）にすることもできる。しかしながら、基板保持ガイド３５，３６，３７が処理液の上方に露出してからは斜め上方の第２の方向Ｅ２からの気流がほぼ水平な第１の方向Ｅ１からの気流と干渉することになる。ここでは、引き上げ速度を低速度Ｖ２に切換えることで第１の方向Ｅ１からの気流の風速自体を低速に設定しているため、第１の方向Ｅ１からの気流の基板保持ガイド３５による乱れを処理液の液面の乱れを抑えながら第２の方向Ｅ２からの気流によって容易にコントロールすることが可能となる。その結果、遮蔽領域ＢＲにも十分な乾燥気体を供給することができる。
【００５７】
また、基板保持ガイド３５，３６，３７は一般的に石英と耐薬品性を備えた樹脂から構成されるが、石英は極めて濡れ性が高く乾燥しづらいため、乾燥不良を防止する観点からも引き上げ速度を低速にする必要がある。
【００５８】
こうして、３本の基板保持ガイド３５，３６，３７のうち下方に位置する基板保持ガイド３６が処理液の上方に露出して乾燥し終えるまで引き上げ速度Ｖ２で基板Ｗが引き上げられる（同図（ｄ））。基板保持ガイド３５，３６，３７の乾燥が終了した後は、引き上げ速度がＶ２からより高速のＶ３に切換えられる（同図（ｅ））。ここでは、基板Ｗの乾燥不良について考慮する必要がないため、基板受渡し位置Ｐ２まで引き上げ速度として昇降機構３０が機構的に可能な最大速度Ｖ３で引き上げられる（同図（ｆ））。
【００５９】
以上のように、この実施形態によれば、基板保持ガイド３５，３６，３７が処理液の上方に露出するまでは比較的高速度Ｖ１で引き上げる一方で、基板保持ガイド３５，３６，３７が処理液の上方に露出してから低速度Ｖ２で引き上げているので、乾燥処理に要する時間を短縮して装置のスループットを向上させながらも基板Ｗの乾燥不良を確実に防止することができる。また、基板保持ガイド３６の乾燥後は基板Ｗの乾燥不良について考慮する必要がないため、昇降機構３０の最大速度Ｖ３で引き上げている。このように引き上げ速度を乾燥の進行状況に応じて多段階に調整しているので、基板Ｗの乾燥不良の発生を防止しつつスループットの向上を図ることができる。
【００６０】
＜第３実施形態＞
図７は、この発明にかかる基板処理装置の第３実施形態を示す図である。また、図８は図７の基板処理装置に装備された送風機構の送風方向を説明するための図である。この第３実施形態が第１実施形態と構成において大きく異なる点は、大きくは次の２点である。すなわち、本発明の「一対の送風部」として２つの第２ノズル４６を有している点と、第１ノズル４１に排気ラインが接続され、第１ノズル４１が乾燥気体を送風する送風状態と乾燥気体を排気する排気状態とに切換え可能となっている点である。また、このような構成の相違により、基板保持ガイド３５，３６，３７が処理液の上方に露出したときの装置の動作が第１実施形態と大きく相違している。なお、その他の構成および動作は第１実施形態と基本的に同一であり、以下においては相違点を中心に説明する。
【００６１】
図７に示すように、第１ノズル４１と排気部４３の上方にそれぞれ、処理液から上方に露出する基板Ｗを挟んで基板Ｗの両側に２つの第２ノズル４６が配設されている。これら２つの第２ノズル４６は、同一の構成を有しており、基板Ｗに対して対称位置に対向配置されている。各第２ノズル４６の送風口４６１は互いに水平方向から僅かに斜め下方に向けられている。このような第２ノズル４６としては、送風口４６１が基板保持ガイド３５，３６，３７によって保持される全基板Ｗの主面の両側に対して乾燥気体を供給できるように、Ｙ方向に沿ってスリット状に開口したスリットノズルを採用することができる。また、各第２ノズル４６は第１ノズル４１から送風させる流量（例えば３ｍ３／ｍｉｎ）のおよそ半分の流量の乾燥気体を送風させる能力を有する。このように、各第２ノズル４６の送風能力は第１実施形態における第２ノズル４２の送風能力と大きく異なっているが、これは各第２ノズル４６が第１ノズル４１と同様にしてノズルから送風させる乾燥気体によって基板Ｗを乾燥させることを目的としているためである。
【００６２】
また、第１ノズル４１は、開閉弁４７を介して装置外の排気ラインに接続され、第１ノズル４１から排出された気体は排気ラインへ送られることとなる。このため、制御部８０からの制御指令に応じて気体供給部４４および開閉弁４７が作動することで、第１ノズル４１から排気部４３に向けて乾燥気体を送風する送風状態と処理液の液面近傍から乾燥気体を排気する排気状態とに選択的に切換えられる。
【００６３】
制御部８０の制御指令に応じて気体供給部４４から各第２ノズル４６に乾燥気体が供給されると、処理液の上方に露出される基板Ｗの主面に対して斜め上方から基板保持ガイド３５，３６，３７の上方に乾燥気体が該基板主面に沿って吹き付けられる。各第２ノズル４６から斜め下方に送風された乾燥気体は互いに衝突して下降しながら基板Ｗの両側に広がっていく。そして、排気状態とされた第１ノズル４１および排気部４３から乾燥気体が排気される。
【００６４】
図８は、図７の基板処理装置に装備された第２ノズルからの送風方向を説明するための図である。具体的には、３本の基板保持ガイド３５，３６，３７のうち上方に位置する２本の基板保持ガイド３５，３７が処理液の上方に露出したときの乾燥気体の流れを表した図である。各第２ノズル４６に乾燥気体が供給されると、基板保持ガイド３５，３６，３７の上方領域Ｒ２に向けて斜め上方の方向Ｅ３（以下「第３の方向」という）から乾燥気体が吹き付けられる。ここで、各第２ノズル４６からは水平方向から僅かに傾斜した角度で乾燥気体が送風されることから上方領域Ｒ２は処理液の液面から離れた位置となる。このように各第２ノズル４６から吹き付けられた乾燥気体は上方領域Ｒ２にて互いに衝突して上方領域Ｒ２から両端に位置する基板保持ガイド３５，３７に向かう気流を形成する。
【００６５】
つまり、基板Ｗに対して水平方向において対称配置された各々の第２ノズル４６からほぼ同一流量で、しかも水平方向に対してほぼ同一角度をなして斜め下方に乾燥気体が吹き付けられる。そのため、各第２ノズル４６から吹き付けられた乾燥気体は基板中心線ＣＬを含む水平方向における基板Ｗの中央位置にて互いに衝突して上方領域Ｒ２から基板Ｗの両側に向けて回り込みながら下降していく。そして、両側に位置する基板保持ガイド３５，３７の基板中心位置を臨む側面に向けて乾燥気体が供給される。したがって、第１ノズル４１からの気流では基板保持ガイド３５によって遮蔽される遮蔽領域ＢＲについても十分に乾燥気体を供給することができる。
【００６６】
次に、上記のように構成された基板処理装置の動作について説明する。図９は、図７の基板処理装置の動作を模式的に示す図である。この第３実施形態においては、次のようにして処理液の上方に引き上げられてくる基板Ｗを乾燥させている。以下においては第１実施形態との相違点を中心に説明する。
【００６７】
この第３実施形態においては、基板保持ガイド３５，３６，３７が処理液の上方に露出するまでは、第１実施形態と同様に処理される。すなわち、基板処理位置Ｐ１にて基板Ｗは浸漬処理された後（図９（ａ））、基板Ｗが処理液の上方に引き上げられる前に乾燥気体が供給されることで処理液上方の雰囲気が乾燥状態とされる（図９（ｂ））。続いて、処理液の上方へ向けて基板Ｗは上昇を開始され、処理液の上方に徐々に露出していきながら、処理液の液面近傍で第１ノズル４１から排気部４３へ向けて送風される乾燥気体によって乾燥される（図９（ｃ））。
【００６８】
そして、３本の基板保持ガイド３５，３６，３７のうち上方に位置する基板保持ガイド３５，３７が処理液の上方に露出すると、制御部８０は第１ノズル４１を送風状態から排気状態に切換える。すなわち、第１ノズル４１からの乾燥気体の送風を停止させるとともに、第１ノズル４１から処理液の液面近傍の乾燥気体を排気させるため開閉弁４７を開放する。また、気体供給部４４を作動させて第２ノズル４６から乾燥気体を送風させる（図９（ｄ））。
【００６９】
これにより、図８に示すように、各第２ノズル４６から送風される第３の方向Ｅ３からの乾燥気体は上方領域Ｒ２にて互いに衝突して下降しながら排気状態とされた第１ノズル４１と排気部４３とから排気される。すなわち、上方領域Ｒ２から基板保持ガイド３５，３７に向かう気流が形成されることで、第１の方向Ｅ１からの気流では基板保持ガイド３５の陰となっていた遮蔽領域ＢＲにも十分に乾燥気体が供給されることとなる。
【００７０】
こうして、３本の基板保持ガイド３５，３６，３７のうち下方に位置する基板保持ガイド３６が処理液の上方に完全に露出し終わるまで基板Ｗの両サイドの第３の方向Ｅ３からの乾燥気体が基板Ｗの主面に吹き付けられる。そして、基板保持ガイド３６が処理液の上方に完全に露出し終わると、基板Ｗへの乾燥気体の供給が停止されるとともに、基板受渡し位置Ｐ２まで上昇される（図９（ｅ））。
【００７１】
以上のように、この実施形態によれば、基板保持ガイド３５，３６，３７が処理液の上方に露出するまでは、ほぼ水平な第１の方向Ｅ１から基板Ｗの主面に対して乾燥気体を該基板主面に沿って吹き付けることで処理液の液面を乱すことなく基板Ｗが乾燥される。一方、基板保持ガイド３５，３６，３７が処理液の上方に露出した後は、基板Ｗの両側から処理液の上方に露出する基板保持ガイド３５，３６，３７の上方領域Ｒ２に向けてそれぞれ斜め上方の第３の方向Ｅ３から乾燥気体を吹き付けている。これにより、第３の方向Ｅ３からそれぞれ吹き付けられた乾燥気体が上方領域Ｒ２において互いに衝突して上方領域Ｒ２から基板保持ガイド３５，３７に向かう気流が形成される。そのため、第１の方向Ｅ１からの気流のみでは基板保持ガイド３５の陰となる遮蔽領域ＢＲについても乾燥気体を十分に行き渡らせることができる。しかも、処理液から上方に離れた位置で乾燥気体を衝突させるとともに、衝突後に上方領域Ｒ２から基板保持ガイド３５，３７に向かう気流は水平方向における基板Ｗの中央位置から基板Ｗの両側に向けて基板中央位置を中心として基板Ｗの両サイドに向けて広がっていくことから処理液の液面が乱れるのが抑制される。その結果、基板Ｗの乾燥不良が発生するのが防止される。
【００７２】
また、この実施形態によれば、処理液の上方に基板保持ガイド３５，３６，３７が露出した際に、第１ノズル４１を送風状態から排気状態に切換えて、排気部４３とともに処理液の液面近傍から乾燥気体を基板Ｗの両サイドに排気させている。そのため、各第２ノズル４６から吹き付けられ、上方領域Ｒ２にて互いに衝突させた乾燥気体を基板Ｗの両サイドに確実に導くことができる。その結果、上方領域Ｒ２から基板保持ガイド３５，３７に向かう気流が良好に形成され、乾燥気体を遮蔽領域ＢＲに効率良く供給することができる。
【００７３】
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば上記実施形態では、処理液として純水を用いて純水から基板Ｗの引き上げる場合を示したが、これに限定されない。例えば、酸性にｐＨ調整された水溶液から基板Ｗを引き上げて乾燥させるようにしてもよい。このように、処理液に酸性の水溶液を用いると、基板Ｗからの被酸化物質（シリコン基板ではシリコン）の溶出を抑制することができ、ウォーターマークの発生をさらに効果的に防止することができる。
【００７４】
また、処理液として温純水を用いてもよい。これにより、基板Ｗの乾燥速度を高めて乾燥処理に要する処理時間を短縮することができる。この場合、純水供給部５３と処理液供給ノズル５０との間に加熱ユニットを配設して、加熱ユニットにより純水供給部５３からの純水を加熱して温純水を生成すればよい。
【００７５】
また、上記実施形態では、第１ノズル４１および第２ノズル４２，４６に１つの開口部（送風口）を有するスリット状のノズルを用いているが、これに限定されず、複数の開口部を有するノズルを用いるようにしてもよい。この場合、乾燥気体を基板列間に効率良く供給させるために、複数の基板Ｗの配列間隔の間隙に対応して開口部を設けるのが好ましい。
【００７６】
また、上記実施形態では、シャッタ１１を閉じることにより外槽１０の内部を密閉空間とすることが可能であるが、基板Ｗに対する処理は、必ずしも密閉空間内で行われる必要がない。
【００７７】
また、上記実施形態では、１つの処理槽２０で薬液処理および純水による洗浄処理の双方を行う、いわゆるワンバス式の基板処理装置について説明しているが、これに限らず、薬液処理および純水洗浄処理を異なる槽で行ういわゆる多槽式の基板処理装置であっても適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【００７８】
この発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、光ディスク用基板などを含む基板全般の表面に対して乾燥処理を施す基板処理装置に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】この発明にかかる基板処理装置の第１実施形態を示す正面図である。
【図２】図１の基板処理装置の部分側面図である。
【図３】図１の基板処理装置に装備された第１ノズルの構成の一例を示す断面斜視図である。
【図４】図１の基板処理装置に装備された送風機構の送風方向を説明するための図である。
【図５】図１の基板処理装置の動作を模式的に示す図である。
【図６】この発明にかかる基板処理装置の第２実施形態を示す図である。
【図７】この発明にかかる基板処理装置の第３実施形態を示す図である。
【図８】図７の基板処理装置に装備された送風機構の送風方向を説明するための図である。
【図９】図７の基板処理装置の動作を模式的に示す図である。
【符号の説明】
【００８０】
２０…処理槽
３０…昇降機構（昇降手段）
３５，３６，３７…基板保持ガイド（保持手段）
４１…第１ノズル（送風専用部、送排気部）
４２，４６…第２ノズル（送風部）
４３…排気部（排気専用部）
４４…気体供給部（気体供給手段）
８０…制御部（制御手段）
Ｅ１…第１の方向
Ｅ２…第２の方向（斜め上方）
Ｅ３…第３の方向（斜め上方）
Ｒ１…基板保持ガイド３５の上方に回り込む領域（保持手段の上方に回り込む領域）
Ｒ２…基板保持ガイド３５，３６，３７の上方領域（保持手段の上方領域）
Ｗ…基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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