(57)【要約】     【課題】金属酸化物からなる保護膜の耐汚染性を向上させることにより、二次電子放出特性を容易に安定化させることが可能な技術を提供する。    【解決手段】本発明の保護膜安定化装置２０は、真空排気される前面板処理室４内において、前面板１０上に形成したＭｇＯ保護膜１０ａに対し、加熱下で、汚染物除去を行い、かつ、水素系ガスを含有するプロセスガスと反応させるように構成されている。水素系ガスとしては、水素（Ｈ2）、重水素（Ｄ）のいずれか一方又は両方を含むガスを用いる。本発明による処理の際には、前面板１０を３００℃以上６３０℃以下に加熱することが好ましい。プロセスガスには、酸素ガス（Ｏ2）を含ませることもできる。【選択図】  図２
2006318740.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空処理槽を備え、
前記真空処理槽内において、基材上に形成した金属酸化物からなる保護膜に対し、加熱下で、汚染物除去を行い、かつ、水素系ガスを含有するプロセスガスと反応させるように構成された保護膜安定化装置。
【請求項２】
請求項１記載の発明において、前記基材を３００℃以上６３０℃以下に加熱する加熱手段を有する保護膜安定化装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の発明において、前記プロセスガスの反応時の全圧力が１×１０-5Ｐａ以上５×１０5Ｐａ以下となるように制御する保護膜安定化装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項記載の発明において、前記プロセスガス中に酸素ガスが含まれている保護膜安定化装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項記載の発明において、前記プロセスガス中に含まれる水素系ガスの合計圧力が１×１０-6Ｐａ以上５×１０4Ｐａ以下となるように制御する保護膜安定化装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項記載の発明において、前記プロセスガスを電離状態にするための放電手段を有する保護膜安定化装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項記載の発明において、前記プロセスガスを熱分解するための加熱手段を有する保護膜安定化装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項記載の発明において、前記保護膜が酸化マグネシウム（ＭｇＯ）である保護膜安定化装置。
【請求項９】
真空雰囲気中で基材を搬送して当該基材上に保護膜を形成し且つパネル封着を行うＰＤＰ製造装置であって、
請求項１乃至８のいずれか１項記載の保護膜安定化装置を有するＰＤＰ製造装置。
【請求項１０】
請求項９記載の発明において、前記保護膜安定化装置が、保護膜形成部の直近後段に配置されているＰＤＰ製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属酸化物からなる保護膜を安定化させる技術に関し、特に、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の前面板の保護膜を安定化させる技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＰＤＰの保護膜として使用されている金属酸化物薄膜は、放電ガス中のイオン衝撃あるいは電極に印加される電圧が形成する電場及び表面に帯電した電荷が形成する自己電場の効果によって二次電子をその表面から放出する。
【０００３】
ＰＤＰの放電特性を向上させ安定化するためには、保護膜として、二次電子放出効率（γ値）が大きく、駆動による特性変動の少ない材料が求められている。
保護膜に用いられる金属酸化物薄膜のγ値は、薄膜表面への汚染物質の吸着により変動又は低下されるものと考えられているが、従来、その抜本的な対策は講じられていない。
【０００４】
金属酸化物結晶は、本来、金属原子、酸素原子が規則的に配列しているものであるが、原子の存在していない格子欠陥と呼ばれるサイトも存在する。また、金属酸化物結晶の最表面においても、原子配列面上に、金属原子又は酸素原子が欠損している格子欠陥が点在するが、熱力学的な考察によれば、その大部分は、酸素欠陥である。
【０００５】
このような金属酸化物結晶の表面は、反応性が高く、大気中の水分、炭酸ガス、炭化水素系ガスなどと反応して、表面の化学組成や結晶性が大きく乱れ、その結果、γ値が大きく低下することが知られている。
【０００６】
このため、従来のＰＤＰ製造工程においては、大気中で保管してγ値が低下した保護膜形成済の前面板に対し、γ値を回復させるため、パネル封着時に真空雰囲気下で長時間高温熱処理し、保護膜表面汚染を取り除く処理（エージング）を行うようにしているが、この処理の長時間化が課題となっている。
【０００７】
また、従来技術においては、パネル封着時にフリット硝子、蛍光体、誘電体から発生する汚染ガスの影響によって、さらなるエージングの長時間化や放電特性の変動が生ずるという課題もあり、その改善が望まれている。
【特許文献１】特開２００１−３１９５７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、このような従来の技術の課題を解決するためになされたもので、金属酸化物からなる保護膜の耐汚染性を向上させることにより、二次電子放出特性を容易に安定化させることが可能な技術を提供することを目的とする。
【０００９】
また、本発明は、放電特性の良好なプラズマディスプレイパネルを短時間で製造可能なＰＤＰ製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
かかる目的を達成するためになされた本発明は、請求項１に記載されているように、真空処理槽を備え、前記真空処理槽内において、基材上に形成した金属酸化物からなる保護膜に対し、加熱下で、汚染物除去を行い、かつ、水素系ガスを含有するプロセスガスと反応させるように構成された保護膜安定化装置である。
請求項２記載の発明は、請求項１において、前記基材を３００℃以上６３０℃以下に加熱する加熱手段を有するものである。
請求項３記載の発明は、請求項１又は２のいずれか１項記載の発明において、前記プロセスガスの反応時の全圧力が１×１０-5Ｐａ以上５×１０5Ｐａ以下となるように制御するものである。
請求項４記載の発明は、請求項１乃至３のいずれか１項記載の発明において、前記プロセスガス中に酸素ガスが含まれているものである。
請求項５記載の発明は、請求項１乃至４のいずれか１項記載の発明において、前記プロセスガス中に含まれる水素系ガスの合計圧力が１×１０-6Ｐａ以上５×１０4Ｐａ以下となるように制御するものである。
請求項６記載の発明は、請求項１乃至５のいずれか１項記載の発明において、前記プロセスガスを電離状態にするための放電手段を有するものである。
請求項７記載の発明は、請求項１乃至６のいずれか１項記載の発明において、前記プロセスガスを熱分解するための加熱手段を有するものである。
請求項８記載の発明は、請求項１乃至７のいずれか１項記載の発明において、前記保護膜が酸化マグネシウム（ＭｇＯ）であるものである。
請求項９記載の発明は、真空雰囲気中で基材を搬送して当該基材上に保護膜を形成し且つパネル封着を行うＰＤＰ製造装置であって、請求項１乃至８のいずれか１項記載の保護膜安定化装置を有するものである。
請求項１０記載の発明は、請求項９において、前記保護膜安定化装置が、保護膜形成部の直近後段に配置されているものである。
【００１１】
本発明は、以下の知見に基づいてなされたものである。
すなわち、一般に、水素又は重水素原子は、金属酸化物結晶表面の酸素原子に化学吸着するが、その他、格子欠陥サイト、原子テラス面の端部にも化学吸着し、これにより結晶表面において未結合ボンドを終端して、表面エネルギーを安定化させる働きがあることが知られている。
このような水素や重水素と酸素原子の結合は非常に安定しており、真空雰囲気下で６５０℃程度という高温度まで分解しない。
【００１２】
したがって、本発明のように、金属酸化物結晶表面が清浄化されている状態で水素又は重水素と反応させれば、酸素サイト、欠陥サイトを化学的に安定な状態で表面を保護することができ、その結果、保護膜の二次電子放出特性の変動を抑制することが可能になる。
【００１３】
その一方、水素や重水素が化学吸着しているサイトには未結合ボンドは存在しないので、大気中の水分等の不純物ガスは結合の弱い物理吸着しかできない。
【００１４】
したがって、本発明によって処理された保護膜では、物理吸着している保護膜上の不純物を短時間の加熱処理により容易に除去することができるので、低下した保護膜の二次電子放出特性を迅速に回復させることが可能になる。
【００１５】
なお、本発明の場合、金属酸化物結晶内部又は最表面に化学吸着している水素、重水素、水酸基は、二次電子放出特性を低下させることはない。
その理由は、金属保護膜中の置換型ドーパントが二次電子放出特性を低下させないのと同じで、バンドギャップ内に掲載される水素又は重水素による不純物準位が二次電子放出特性を低下させないからである。
【００１６】
また、金属酸化物結晶に吸着している水素、重水素は、一原子層以下の極微量であるので、例えばＰＤＰパネルの放電特性や蛍光体特性を低下させることはない。そして、金属酸化物結晶とプロセスガスとの反応を長時間継続しても、１原子層、１分子層以上に化学吸着反応が進行することはない。
このように、本発明によれば、保護膜の二次電子放出特性を維持しつつ、耐汚染性を向上させることが可能になる。
【００１７】
本発明において、基材を３００℃以上６３０℃以下に加熱するようにすれば、金属酸化物から水及び炭酸ガスが脱離するとともに、水素系ガスによる表面エッチング反応が促進されるので、一層の表面清浄化が促進される。
【００１８】
本発明において、プロセスガスの反応時の全圧力が１×１０-5Ｐａ以上５×１０5Ｐａ以下となるように制御すれば、高圧タンク仕様でない通常の真空槽での反応処理が可能になるので、装置製造コストを低減できるという利点がある。
【００１９】
本発明において、プロセスガス中に酸素ガスが含まれていれば、酸素欠陥サイトに化学吸着して金属酸化物結晶配列を修復させる効果や、水素、重水素と反応して水酸基を形成し、金属酸化物結晶表面の金属原子に化学吸着する効果が期待できるので、保護膜の二次電子放出特性をより安定化させることが可能になる。
【００２０】
本発明において、プロセスガス中に含まれる水素系ガスの合計圧力が１×１０-6Ｐａ以上５×１０4Ｐａ以下となるように制御すれば、反応処理時間を短く（例えば１００秒以内に）できるので、前面板一枚当りの保護膜形成時間と同等になり、前面板の搬送が滞らないという効果がある。
【００２１】
本発明において、プロセスガスを電離状態にするための放電手段、又はプロセスガスを熱分解するための加熱手段を有していれば、より低い温度で表面の汚染物除去を行うことが可能になる。
【００２２】
一方、上述した保護膜安定化装置を有する本発明のＰＤＰ製造装置によれば、保護膜形成後、大気に曝すことなく短時間で保護膜の安定化処理を行うことができ、また５００℃程度の温度で行われるパネル封着時にフリット硝子、蛍光体、誘電体から発生する汚染ガスの影響も抑制できるので、パネル完成後のエージング時間の短縮や放電特性の変動を抑制することができる。
【００２３】
特に、上述した保護膜安定化装置が、保護膜形成部の直近後段に配置されている場合には、保護膜において汚染が進行する前に安定化処理を行うことができ、また、成膜時に加熱された基材の温度低下を最小限にして、安定化処理の際における昇温時間の短縮化を図ることができる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、金属酸化物からなる保護膜の耐汚染性を向上させることにより、二次電子放出特性を容易に安定化させることができる。
また、本発明によれば、放電特性の良好なプラズマディスプレイパネルを短時間で製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して詳細に説明する。  
図１は、本発明の保護膜安定化装置を有するＰＤＰ前面板製造装置の例を示す概略構成図、図３は、同保護膜安定化装置の実施の形態の内部構成図、図３は、同保護膜安定化装置を有する真空一貫ＰＤＰ製造装置の例を示す概略構成図である。
【００２６】
図１に示すように、本実施の形態のＰＤＰ前面板製造装置１は、図示しない真空排気系に接続されたＭｇＯ成膜室２、成膜出口室３、前面板処理室（真空処理槽）４、前面板出口室５を備えており、これら各室は、後述するＰＤＰの前面板（基材）１０を順次搬送して所定の処理を行うように構成されている。
【００２７】
一方、図３に示すように、本実施の形態の真空一貫ＰＤＰ製造装置１Ａは、上記ＰＤＰ前面板製造装置１の前面板処理室４の後段に搬送室６が設けられるとともに、この搬送室６の周囲に、アライメント封着室７、プリベーク室８、封着室９が設けられ、さらに封着室９の後段には、ガス導入・封じ切り室１１が設けられている。
【００２８】
この真空一貫ＰＤＰ製造装置１Ａは、前面板１０へのＭｇＯ保護膜成膜工程、本発明による保護膜安定化処理工程、前面板１０と背面板（図示せず）の封着工程を、それぞれ真空中で行う機能を有するものである。
【００２９】
図２に示すように、本実施の形態の保護膜安定化装置２０は、上述した前面板処理室４を備えて構成されている。
前面板処理室４は、図示しないガス供給源に接続され、前面板処理室４内にプロセスガスを導入するように構成されている。
【００３０】
本発明においては、プロセスガスとして、水素系ガスを用いる。
ここで、水素系ガスとは、水素（Ｈ2）、重水素（Ｄ）のいずれか一方又は両方を含むガスである。
【００３１】
一方、前面板処理室４内には、ステージ２１が設けられ、このステージ２１上に、ＭｇＯ保護膜１０ａが形成された前面板１０が載置されるようになっている。
ステージ２１内には、加熱用のヒーター２２が設けられ、このヒーター２２は、温度制御手段２３によってその温度を調整するように構成されている。
【００３２】
このような構成を有する本実施の形態において前面板１０のＭｇＯ保護膜１０ａの処理を行う場合には、保護膜成膜室２において例えば高周波スパッタリングによってＭｇＯ膜の成膜を行った後に、前面板１０を前面板処理室４内に搬入してステージ２１上に載置する。
【００３３】
そして、前面板１０を加熱するとともに、真空排気を行う。所定の温度での加熱後、前面板処理室４内にプロセスガスを導入して前面板処理室４内の圧力を所定の値に制御する。
【００３４】
本発明の場合、前面板処理室４内の圧力は特に限定されることはないが、装置コスト低減の観点からは、通常の真空槽での反応処理が可能である１×１０-5Ｐａ以上５×１０5Ｐａ以下となるように制御することが好ましい。
【００３５】
そして、前面板１０を所定温度で所定時間加熱し続けることにより、ＭｇＯ保護膜１０ａ表面の汚染物を除去し、さらにＭｇＯ保護膜１０ａをプロセスガスと反応させる。
【００３６】
本発明においては、前面板処理室４に導入するプロセスガスに、酸素ガス（Ｏ2）を含ませることもできる。
プロセスガス中に酸素ガスが含まれていれば、酸素欠陥サイトに化学吸着して金属酸化物結晶配列を修復させるという効果や、水素、重水素と酸素ガスが反応して水酸基を形成し、金属酸化物結晶表面の金属原子に化学吸着するという効果が期待できる。
【００３７】
また、本発明においては、ＭｇＯ保護膜１０ａをＰＤＰ放電になじませるという観点から、プロセスガス中に、例えば、Ｎｅ、Ｘｅ等の不活性ガスを含ませることもできる。
【００３８】
そして、本発明の場合、成膜室での前面板一枚あたりに必要な成膜時間が１００秒程度であることを考慮して、プロセスガス中に含まれる水素系ガスの合計圧力が１×１０-6Ｐａ以上となるように制御することが好ましい。
【００３９】
一方、本発明の場合、前面板１０の加熱温度は特に限定されることはないが、水及び炭酸ガスを脱離させて表面清浄化を促進する観点からは、３００℃以上６３０℃以下となるように制御することが好ましい。
【００４０】
この温度領域では、水素、重水素ガス、あるいは酸素ガスによるＭｇＯ膜の表面エッチング反応が促進されるので、熱的クリーニング効果との併用により一層の表面清浄化が促進される。
【００４１】
以上述べたように本実施の形態によれば、真空中において、加熱下で、ＭｇＯ結晶表面が清浄化されている状態で水素又は重水素と反応させることにより、酸素サイト、欠陥サイトを化学的に安定な状態で表面を保護することが可能になるため、ＭｇＯ保護膜１０ａの二次電子放出特性の変動を抑制することができる。
【００４２】
また、物理吸着しているＭｇＯ保護膜１０ａ上の不純物は短時間の加熱処理により容易に除去することができるので、低下したＭｇＯ保護膜１０ａの二次電子放出特性を迅速に回復させることができる。
【００４３】
特に、基材を３００℃以上６３０℃以下に加熱するようにすれば、ＭｇＯから水及び炭酸ガスが脱離するとともに、水素系ガスによる表面エッチング反応が促進されるので、ＭｇＯ保護膜１０ａの一層の表面清浄化が促進される。
【００４４】
一方、上述した保護膜安定化装置を有する本実施の形態のＰＤＰ前面板製造装置１によれば、ＭｇＯ保護膜１０ａ形成後、大気に曝すことなく短時間でＭｇＯ保護膜１０ａの安定化処理を行うことができる。
【００４５】
また５００℃程度の温度で行われるパネル封着時にフリット硝子、蛍光体、誘電体から発生する汚染ガスの影響も抑制できるので、パネル完成後のエージング時間の短縮や放電特性の変動を抑制することができるという効果がある。
【００４６】
さらに、図３に示す真空一貫ＰＤＰ製造装置１Ａにおいては、５００℃程度の温度で行われるパネル封着時にフリット硝子、蛍光体、誘電体から発生する汚染ガスの影響も抑制できるので、パネル完成後のエージング時間の短縮や放電特性の変動を抑制することができる。また、保護膜安定化装置２０の前面板処理室４が、ＭｇＯ成膜室２の直近後段に配置されているので、ＭｇＯ保護膜１０ａにおいて汚染が進行する前に安定化処理を行うことができ、また、成膜時に加熱された基材の温度低下を最小限にして、安定化処理の際における昇温時間の短縮化を図ることができる。
【００４７】
なお、本発明は上述の実施の形態に限られることなく、種々の変更を行うことができる。
例えば、保護膜安定化装置に、プロセスガスを電離状態にするための放電手段または、プロセスガスを熱分解するための加熱手段を設けることもできる。プロセスガスを電離状態にするには、マイクロ波または高周波が入射している真空キャビティーと呼ばれる狭い空洞内にプロセスガスを導くことで、プロセスガスをプラズマ状態にすることで実現できる。また、プロセスガスを熱分解するには、タングステンコイルからなる熱線ヒーターに電流を流すことで１０００℃以上に加熱されているヒーター表面にプロセスガスを吹き付けることで実現できる。いずれの手段においても、前面板安定化処理のための真空槽に容易に取り付け可能である。
プロセスガスを放電により励起し、又はプロセスガスを熱分解により励起すれば、３００℃より低い温度で最表面の汚染物除去も期待できる。
ただし、膜内部に入り込んでいる汚染物除去のためには、できるだけ高い温度での熱処理を行うことが望ましい。
【００４８】
また、本発明では、表面清浄化のための加熱処理終了後に、温度の低下を待たずして直ちにプロセスガスと保護膜を反応させた方が表面安定化のために良いが、電離状態または熱分解状態にあるプロセスガスと反応させる場合には、反応させる温度には特に制限はない。
【００４９】
さらに、上述した実施の形態においては、基板上に保護膜を成膜した直後に本発明による処理を行うようにしたが、本発明はこれに限られず、基板の温度が室温付近にまで冷めてから再度加熱して処理を行うこともでき、また保護膜を形成した基板を大気中に放置した後に加熱処理を行うこともできる。
これらの場合であっても、上述した効果と同等の効果が得られる。
【００５０】
さらにまた、本発明の原理はすべての金属酸化物材料に有効であるが、特に現在のプラズマディスプレイパネルに広く使用されている酸化マグネシウム（ＭｇＯ）保護膜材料の特性向上に有効である。
【実施例】
【００５１】
以下、本発明の実施例を比較例とともに説明する。
【００５２】
＜実施例１＞
図１に示すＰＤＰ前面板製造装置を用いて、ＭｇＯ保護膜の作製、前面板の処理を行った。
まず、ＭｇＯ成膜室において、高周波スパッタリング法を用い、厚さ２ｍｍのモリブデン（Ｍｏ）製の基板上に、膜厚１００ｎｍのＭｇＯ保護膜を形成した。
【００５３】
この場合、ＭｇＯ結晶で形成されたスパッタリングターゲットを用い、印加する高周波電力は１００Ｗとした。また、ＭｇＯ成膜室内にアルゴンと酸素の混合ガスを導入して圧力を２×１０-1Ｐａとし、成膜時の基板（前面板）温度がおよそ２００℃となるように制御した。
そして、この前面板を前面板処理室内に搬入し、以下の処理を行った。
【００５４】
図４は、本発明におけるＭｇＯ保護膜の処理工程の一例を示すグラフである。
図４に示すように、まず、前面板を、１×１０-6Ｐａの圧力下で、室温から４００℃まで加熱昇温させた。
【００５５】
そして、前面板の温度を４００℃に保持しながら、ネオン（Ｎｅ）と水素の混合ガスを前面板処理室内に導入し、高周波放電により励起させた。このときの混合ガスの全圧力は５×１０-3Ｐａで、水素ガスの圧力は５×１０-4Ｐａであった。
この状態で６０分間放電を維持した後、前面板の温度を室温まで下げた。
【００５６】
図５に、前面板の最高加熱温度を５５０℃、４５０℃、３７０℃、３５０℃、２５０℃、１５０℃に変更した場合の試料のγ値を示す。
比較のために、室温において上記混合ガスの代わりに酸素ガスを導入した場合の試料のγ値も図５中に記載してある。
【００５７】
この場合、γ測定にはＮｅガスを用い、Ｎｅイオンの加速電圧は４００ｅＶとした。図５中、縦軸のγ向上率は室温で水素ガスと反応させた試料のγ値を基準とした各試料のγ比率である。
【００５８】
図５から、前面板の最高加熱温度が３７０℃以上では、ほぼ一定のγ値が得られることが明らかである。
図５に示す結果は、水素ガスを熱的に励起させても同じ結果が得られた。また、励起されていない水素ガスを用いた場合でも、ほぼ同様の結果が得られた。
【００５９】
次に、図３に示す真空一貫ＰＤＰ製造装置を用いてＰＤＰパネルを製作し、その放電電圧変動を測定した。
図６に、放電開始時の維持放電電圧の値を基準にした、本発明による処理ありと処理なしのＰＤＰパネルの維持放電電圧の時間変化を示す。
【００６０】
本発明による処理ありと処理なしのＰＤＰパネルでは、パネルのデバイス構造、保護膜、蛍光体材料などの組成、処理方法は全く同じであり、唯一の違いは、上記実施例において示した水素系ガスによる処理を施しているか否かである。
【００６１】
図６から理解されるように、本発明による処理なしのＰＤＰパネルでは、維持放電電圧はほとんど低下しないが、本発明による処理ありのＰＤＰパネルでは放電開始直後からに大きく電圧が低下している。
これは、ＭｇＯ保護膜表面が水素原子により保護されているので、パネル封着時に発生する汚染ガスなどの影響が速やかに除去されていることを示している。
【００６２】
＜実施例２＞
実施例１と同じ方法、同じ条件で作製したＭｇＯ保護膜を、最高加熱温度が３９０℃、混合プロセスガス（Ｎｅ＋重水素＋酸素）のプラズマ放電によって処理した。
【００６３】
この場合、混合ガスの圧力は２×１０-2Ｐａであった。また混合ガス中の重水素圧力は、３×１０-3Ｐａ、酸素圧力は、２×１０-4Ｐａであった。
この試料を大気中に１時間放置した後の真空容器内におけるγ値の時間変化（回復率）の測定結果を表１に示す。
ここでは、処理直後のγ値を基準（＝１．０）にしてある。γ測定にはＮｅガスを用い、Ｎｅイオンの加速電圧は２００ｅＶとした。
【００６４】
【表１】
2006318740.tif 000003
【００６５】
表１から明らかなように、本発明による処理を行った試料では、Ｎｅイオン照射に伴いγ値は３０％から少しずつ上昇し、１００分照射後には、処理直後におけるγ値の９０％まで回復した。
【００６６】
一方、本発明による処理を行わない試料では、何時間Ｎｅイオンを照射してもγはほとんど変動しなかった。
このことから、重水素と酸素の混合ガスで処理したＭｇＯ保護膜の表面は、大気中での汚染物の吸着によるγ低下から回復できる効果のあることが理解される。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の保護膜安定化装置を有するＰＤＰ前面板製造装置の例を示す概略構成図
【図２】同保護膜安定化装置の実施の形態の内部構成図
【図３】同保護膜安定化装置を有する真空一貫ＰＤＰ製造装置の例を示す概略構成図
【図４】本発明におけるＭｇＯ保護膜の処理工程の一例を示すグラフ
【図５】前面板の最高加熱温度を５５０℃、４５０℃、３７０℃、３５０℃、２５０℃、１５０℃に変更した場合の試料のγ値を示すグラフ
【図６】放電開始時の維持放電電圧の値を基準にした、本発明による処理ありと処理なしのＰＤＰパネルの維持放電電圧の時間変化を示すグラフ
【符号の説明】
【００６８】
１…ＰＤＰ前面板製造装置、１Ａ…真空一貫ＰＤＰ製造装置、２…ＭｇＯ成膜室、４…前面板処理室（真空処理槽）、１０…前面板（基材）、１０ａ…ＭｇＯ保護膜、２２…ヒーター（加熱手段）
【図１】
2006318740.tif 000004
【図２】
2006318740.tif 000005
【図３】
2006318740.tif 000006
【図４】
2006318740.tif 000007
【図５】
2006318740.tif 000008
【図６】
2006318740.tif 000009