(57)【要約】    【課題】  液化した原料を効率よく捕集できる原料回収手段を具備した基板処理装置を提供する。    【解決手段】  基板４３を処理する処理室１と、該処理室から排気ガスを排気する排気ラインと、該排気ラインに接続され排気ガスを冷却して排気ガス中の原料を相変化させ回収する原料回収手段８とを具備し、該原料回収手段内で相変化した原料が付着する面を鏡面とした。    【選択図】          図１
2006002174.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、該基板処理室から排気ガスを排気する排気ラインと、該排気ラインに接続され排気ガスを冷却して排気ガス中の原料を相変化させ回収する原料回収手段とを具備し、該原料回収手段内で相変化した原料が付着する面を鏡面としたことを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はシリコンウェーハ、ガラス基板等の基板に薄膜の生成等を行う基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
先ず、図５に於いて基板処理装置の概要について説明する。図５は基板処理装置の、特に液体原料を使用し、基板を一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置を示している。
【０００３】
図５中、１は基板を処理する処理室、該処理室１には原料供給ライン２及び排気ライン３が接続され、前記原料供給ライン２には液体原料を収納する液体原料収納部４、該液体原料収納部４から送出された液体原料を気化する気化部５が上流側から設けられている。又、前記処理室１はガス導入部６を具備し、前記原料供給ライン２は前記ガス導入部６に連通している。
【０００４】
前記排気ライン３には前記処理室１から下流に向って排気ポンプ７、原料回収手段８、除害装置９が設けられ、前記原料回収手段８は、排気ガスを冷却して原料ガスと排気ガスとを分離するトラップ１１、冷媒を冷却し、冷媒の温度を制御する冷媒循環器１２、液化した排気ガス中の原料を貯溜する回収タンク１３を具備している。
【０００５】
前記液体原料収納部４から送出された液体原料は、前記気化部５で気化し、原料ガスとして前記ガス導入部６に供給される。該ガス導入部６により分散均一化された原料ガスは前記処理室１に導入され、該処理室１内で基板が加熱されて所要の膜が基板上に成膜される。
【０００６】
基板の成膜に寄与しない原料ガスは排気ガス内に含まれ前記排気ライン３を介して前記排気ポンプ７により排気される。原料ガスは高価であり、又環境への負担を軽減する為、前記原料回収手段８により回収される。
【０００７】
排気ガスが前記原料回収手段８を通過する過程で、排気ガスが冷却され、排気ガス中の原料ガスは冷却により液体に相変化し、前記回収タンク１３に貯溜される。前記冷媒循環器１２は、原料ガスが確実に液化する様に冷媒の温度を制御する。液体原料が回収された排気ガスは前記除害装置９により排出される。
【０００８】
従来、原料回収手段としては特許文献１に示されるものがあり、図６は従来の原料回収手段８の要部であるトラップ１１を示している。
【０００９】
トラップ外容器１５は円筒の外胴部１６、上流側端板１７、下流側端板１８により構成され、前記上流側端板１７には上流側フランジ１９が貫通して固着され、前記下流側端板１８の下面には下流側フランジ２１が固着され、前記上流側フランジ１９は前記排気ライン３を介して前記排気ポンプ７に接続され、前記下流側フランジ２１は前記回収タンク１３に接続されている。
【００１０】
前記下流側フランジ２１と前記トラップ外容器１５の内部とは前記下流側フランジ２１の内径より小径の捕集口２２により連通し、該捕集口２２の下流側には前記捕集口２２と同心に切頭円錐環状の液切りリング２３が設けられている。
【００１１】
前記トラップ外容器１５の内部にトラップ内容器２４が前記トラップ外容器１５と同心に設けられている。前記トラップ内容器２４は円筒の内胴部２５、上流側端板２６、下流側端板２７により構成され、前記上流側端板２６は前記内胴部２５より大径となっており、前記外胴部１６に気密に固着され、前記上流側端板２６は前記外胴部１６内の上部にガス溜め２８を形成する仕切板となっている。該ガス溜め２８より下側に排気フランジ２９が前記トラップ外容器１５に連通する様気密に設けられている。
【００１２】
前記上流側端板２６を貫通すると共に前記下流側端板２７を貫通する細管３１が、複数本前記上流側端板２６と前記下流側端板２７とに掛渡って気密に設けられ、前記内胴部２５は気密構造となっている。
【００１３】
前記トラップ外容器１５を気密に貫通し、前記内胴部２５の下端部に冷媒流入管（図示せず）が連通され、前記トラップ外容器１５を気密に貫通し、前記内胴部２５の上端部には前記外胴部１６を気密に貫通する冷媒出側管（図示せず）が連通され、該冷媒出側管、前記冷媒流入管には前記冷媒循環器１２が接続されている。尚、前記冷媒流入管は前記内胴部２５の上端部に、又前記冷媒出側管は前記内胴部２５の下端部に連通されてもよい。
【００１４】
而して、前記内胴部２５の内部には前記細管３１の周囲を流れる冷媒流路３２が形成され、該冷媒流路３２は前記冷媒流入管（図示せず）、冷媒出側管（図示せず）を介して前記冷媒循環器１２に連通している。又、前記内胴部２５の下方から周囲に掛渡って排気ガス流路３３が形成され、該排気ガス流路３３は前記細管３１を介して前記ガス溜め２８に連通している。前記排気ガス流路３３は排気ガスの冷却流路を構成し、前記内胴部２５、前記細管３１、前記冷媒流路３２は前記トラップ１１の冷却部を形成する。
【００１５】
前記冷媒循環器１２は冷媒、例えば冷却水を前記冷媒流入管（図示せず）から前記冷媒流路３２に流入させる。冷却水は、該冷媒流路３２を上昇して前記細管３１及び前記内胴部２５を冷却し、前記冷媒出側管（図示せず）を経て前記冷媒循環器１２に戻り、該冷媒循環器１２で冷却水が冷却され、再び前記冷媒流入管（図示せず）より前記冷媒流路３２へ流入される。
【００１６】
前記排気ライン３より排気ガスが前記トラップ１１に流入すると、前記上流側フランジ１９より前記ガス溜め２８に排気ガスが流入し、排気ガスは該ガス溜め２８で一旦滞留した後、前記細管３１により分流され、該細管３１を通って下端より流出し、更に前記下流側端板２７の下方で反転して上昇し、前記排気ガス流路３３を上昇して前記排気フランジ２９より排出される。
【００１７】
排気ガスは前記細管３１を流下する過程で、更に前記排気ガス流路３３を上昇する過程で、前記細管３１を介して又前記内胴部２５を介してそれぞれ冷却され、排気ガス中の液化した原料ガスは前記細管３１内面、前記内胴部２５外面に付着して重力により前記下流側端板１８に落下し、前記捕集口２２より前記回収タンク１３に捕集される。更に、前記液切りリング２３により前記捕集口２２に付着した液状の原料は滴状に溜ることなく、迅速に前記回収タンク１３に落下して捕集される。
【００１８】
上記した様に、液化した原料は壁面に沿って重力で流下するので、壁面の性状に大きく左右されるが、従来細管３１の内面、外胴部１６の内面、下流側端板１８の内面、内胴部２５の外面等について、微量な液体が円滑に流動することについては特に考慮されてなく、液化した原料が充分に回収されているとは言えなかった。
【００１９】
【特許文献１】特願２００２−３６８５６７
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
本発明は斯かる実情に鑑み、液化した原料を効率よく捕集できる原料回収手段を具備した基板処理装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明は、基板を処理する処理室と、該処理室から排気ガスを排気する排気ラインと、該排気ラインに接続され排気ガスを冷却して排気ガス中の原料を相変化させ回収する原料回収手段とを具備し、該原料回収手段内で相変化した原料が付着する面を鏡面とした基板処理装置に係るものである。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、基板を処理する処理室と、該処理室から排気ガスを排気する排気ラインと、該排気ラインに接続され排気ガスを冷却して排気ガス中の原料を相変化させ回収する原料回収手段とを具備し、該原料回収手段内で相変化した原料が付着する面を鏡面としたので、液化して付着した原料が円滑に流下して原料の回収率が向上するという優れた効果を発揮する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。
【００２４】
基板処理装置の全体の構成は図５で示したものと同等であるので以下説明を省略する。
【００２５】
図１は、本発明が実施される処理室を示している。
【００２６】
図中、３５は上端が開放された気密容器本体３５であり、該気密容器本体３５の上端には該気密容器本体３５を気密に閉塞する上蓋３６が設けられている。
【００２７】
前記気密容器本体３５の底部を中空の支柱３７が貫通し、該支柱３７は図示しない昇降機構により昇降可能になっており、前記支柱３７の底部貫通部はベローズ３８により気密にシールされている。
【００２８】
前記支柱３７の上端に基板載置台を兼ねるヒータユニット３９が設けられ、該ヒータユニット３９は前記支柱３７を介して昇降し、上昇状態では前記上蓋３６と対向して設けられたカバープレート４１に当接する様になっている。該カバープレート４１は中央に孔４２が穿設され、前記ヒータユニット３９が前記カバープレート４１に当接した状態で、前記孔４２を通し、前記ヒータユニット３９に載置された基板４３が露出する様になっている。
【００２９】
前記気密容器本体３５の一側壁には基板投入口４４が穿設され、該基板投入口４４はゲート弁４５により開閉される様になっている。前記基板投入口４４は前記ヒータユニット３９が降下した状態で、該ヒータユニット３９の上方に位置する様になっている。
【００３０】
又、前記気密容器本体３５の他側壁には排気口４６が穿設され、該排気口４６には排気ラインを構成する排気管４７が接続され、該排気管４７には処理室１側より排気ポンプ７、原料回収手段８が設けられている。尚、該原料回収手段８は排気ポンプの吸引側（処理室１側）に設けられる場合もある。
【００３１】
前記上蓋３６は前記カバープレート４１に対向する多数の分散孔４８が設けられたシャワープレート４９を有し、該シャワープレート４９と平行で複数の孔が穿設された中間プレート５０と、前記シャワープレート４９、前記中間プレート５０を気密に覆う上蓋カバー５１を有している。該上蓋カバー５１と前記中間プレート５０間にはガス溜め５２が形成され、前記中間プレート５０と前記シャワープレート４９間には間隙５３が形成される。前記シャワープレート４９、前記中間プレート５０、前記上蓋カバー５１等はガス導入部６を構成する。
【００３２】
前記ガス溜め５２には原料供給ライン２を介して原料ガス供給源５４が接続されている。該原料ガス供給源５４は前述した様に、液体原料収納部４、気化部５等によって構成される。
【００３３】
上記基板処理装置に於ける基板処理について説明する。
【００３４】
前記ヒータユニット３９の降下状態で、前記ゲート弁４５が開かれ、前記基板投入口４４より前記基板４３が図示しない基板搬入ロボットにより前記ヒータユニット３９上に搬入、載置される。基板搬入後前記基板投入口４４が前記ゲート弁４５により閉じられ、前記ヒータユニット３９が上昇して前記カバープレート４１に当接する。前記上蓋３６と前記カバープレート４１、前記ヒータユニット３９間に反応室５５が形成される。前記排気口４６、前記排気管４７を介して排気され、前記原料供給ライン２を介して原料ガスが前記原料ガス供給源５４より供給される。
【００３５】
上記基板処理装置に於いて、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法による基板処理（成膜処理）では、前記原料ガス供給源５４は常温常圧下で液体又は固体の状態の有機金属化合物原料を気化し、希釈ガスと共に前記原料供給ライン２を介して前記ガス溜め５２に供給する。
【００３６】
原料ガスは基板処理の種類に応じて選択され、例えばＲｕ膜を生成するＭＯＣＶＤではＲｕ（ＥｔＣｐ）2 等が原料として使用される。又、処理条件としては温度２５０℃〜３５０℃、処理圧力０．１〜５０Ｔｏｒｒ（１３．３〜６６５０Ｐａ）、原料流量０．０３〜０．２ｇ／ｍｉｎ、キャリア流量０．１〜２ｓｌｍである。
【００３７】
前記ガス溜め５２に導入された原料ガスは前記中間プレート５０、前記間隙５３を経て均圧化され、前記分散孔４８より均等に分散されて前記反応室５５に導入される。原料ガスは前記ヒータユニット３９により加熱され気相反応（熱分解反応）により、反応種が生成し前記基板４３上に結晶し、Ｒｕ膜が生成される。
【００３８】
反応後のガスは前記排気口４６、前記排気管４７、前記トラップ１１を介して排気される。
【００３９】
成膜処理後、前記ヒータユニット３９が降下し、前記ゲート弁４５が開かれ、前記基板投入口４４より図示しない基板搬入ロボットにより前記ヒータユニット３９から前記基板４３が搬出される。
【００４０】
上記処理工程に於いて、原料ガスは前記基板４３のみに堆積するわけではなく、前記反応室５５の壁面、或は前記排気管４７内面に付着し、更に排気ガスと共に装置外に排出される。
【００４１】
上記したＲｕ原料は高価であるので、前記基板４３への成膜に寄与しない分については、回収、再利用されることが好ましい。前記原料回収手段８は排気ガス中から原料ガスを相変化させ、液化、固化して回収する為に設けられている。
【００４２】
図２〜図４を参照して本発明に係る原料回収手段８について説明する。尚、図中、冷媒循環器は省略しており、図５、図６中で示したものと同等のものには同符号を付してある。
【００４３】
トラップ外容器１５は内壁面が鏡面仕上げされた円筒の外胴部１６、上流側端板１７、下流側端板１８により構成され、前記上流側端板１７には上流側フランジ１９が貫通して固着され、前記下流側端板１８の下面には下流側フランジ２１が固着され、前記上流側フランジ１９は排気ライン３を介して前記排気ポンプ７に接続され、前記下流側フランジ２１はタンク接続部５６を介して回収タンク１３に接続されている。
【００４４】
前記下流側フランジ２１と前記トラップ外容器１５の内部とは前記下流側フランジ２１の内径より小径の捕集口２２により連通し、該捕集口２２の下流側には該捕集口２２と同心に切頭円錐環状の液切りリング２３が設けられている。又該液切りリング２３と同心に案内管５７が下方に突出する様に設けられ、該案内管５７は前記液切りリング２３より大径で、前記下流側フランジ２１より小径となっており、下端は前記下流側フランジ２１の下端より若干後退している。又、前記案内管５７の内面は下方に向って先細る形状であり、下端はエッジ状となっている。
【００４５】
前記トラップ外容器１５の内部にトラップ内容器２４が前記トラップ外容器１５と同心に設けられている。
【００４６】
前記トラップ内容器２４は、円筒の内胴部２５、上流側端板２６、下流側端板２７、第１バッフル板５８、第２バッフル板５９、第３バッフル板６０により構成され、前記上流側端板２６は前記内胴部２５より大径となっており、前記内胴部２５の上端に気密に固着されると共に前記外胴部１６に気密に固着される。又、前記第３バッフル板６０は前記内胴部２５の下端に気密に固着され、前記内胴部２５と前記上流側端板２６、前記第３バッフル板６０とによって気密な容器が構成される。
【００４７】
前記上流側端板２６は前記外胴部１６内の上部にガス溜め２８を形成する仕切板となっており、該ガス溜め２８より下側に排気フランジ２９が前記トラップ外容器１５に気密に設けられ、前記排気フランジ２９は前記上流側端板２６で仕切られる下側の空間（排気ガス流路３３）に連通している。
【００４８】
前記上流側端板２６を貫通すると共に前記下流側端板２７を貫通する細管３１が、複数本前記上流側端板２６と前記下流側端板２７とに掛渡って気密に設けられている。前記細管３１の内面は、液化して付着した原料が流下し易い様に鏡面仕上げされている。
【００４９】
前記トラップ外容器１５を気密に貫通し、前記内胴部２５の上端部には前記外胴部１６を気密に貫通する冷媒流入管６２が連通され、前記内胴部２５の下部（前記下流側端板２７と第１バッフル板５８との間に）に前記トラップ外容器１５を気密に貫通する冷媒出側管６３が連通され、前記冷媒流入管６２、前記冷媒出側管６３には冷媒循環器１２（図５参照）が接続されている。尚、前記冷媒流入管６２は前記内胴部２５の下端部に、又前記冷媒出側管６３は前記内胴部２５の上端部に連通されてもよい。
【００５０】
而して、前記内胴部２５の内部には前記細管３１の周囲を流れる冷媒流路３２が形成され、該冷媒流路３２は前記冷媒流入管６２、前記冷媒出側管６３を介して前記冷媒循環器１２に連通している。又、前記下流側端板２７と前記第１バッフル板５８との間に第１下流ガス溜め部６４が形成され、前記第１バッフル板５８と前記第２バッフル板５９との間に第２下流ガス溜め部６５が形成され、前記第２バッフル板５９と前記第３バッフル板６０との間に第３下流ガス溜め部６６が形成される。
【００５１】
又、前記第３バッフル板６０と前記下流側端板１８との間には第４下流ガス溜め部６７が形成され、該第４下流ガス溜め部６７は前記内胴部２５の下方から周囲に掛渡って形成される前記排気ガス流路３３の一部となっており、該排気ガス流路３３は前記第３下流ガス溜め部６６、前記第２下流ガス溜め部６５、前記第１下流ガス溜め部６４、前記細管３１を介して前記ガス溜め２８に連通している。
【００５２】
前記第１バッフル板５８の中央には第１ガス排出口６８が設けられ、該第１ガス排出口６８の周囲に所要間隔（同心多重円周上、所定角度間隔）でガス抜き孔６９，７０が穿設され、前記第１ガス排出口６８の下面にはエッジ状の円環突条である液切りリング７１が形成されている。又、前記第１バッフル板５８の少なくとも上面は鏡面仕上げされ、前記第１ガス排出口６８に向って下り傾斜した擂鉢状となっている。
【００５３】
前記第２バッフル板５９の中央には第２ガス排出口７２が設けられ、該第２ガス排出口７２の下面にはエッジ状の円環突条である液切りリング７３が形成されている。又、前記第２バッフル板５９の少なくとも上面は鏡面仕上げされ、前記第２ガス排出口７２に向って下り傾斜した擂鉢状となっている。
【００５４】
前記第３バッフル板６０の中央には第３ガス排出口７４が設けられ、該第３ガス排出口７４の周囲には所要の分布でガス抜き孔７５が穿設され、前記第３ガス排出口７４の下面にはエッジ状の円環突条である液切りリング７６が形成されている。又、前記第３バッフル板６０の少なくとも上面は鏡面仕上げされ、前記第３ガス排出口７４に向って下り傾斜した擂鉢状となっている。
【００５５】
前記下流側端板１８の少なくとも上面は鏡面仕上げされ、前記捕集口２２に向って下り傾斜した擂鉢状となっている。
【００５６】
前記第１ガス排出口６８、前記第２ガス排出口７２、前記第３ガス排出口７４、前記捕集口２２は同一線上に位置し、下方に向って漸次開口径が大きくなっており、上方の液切りリング、例えば前記液切りリング７１から落下した原料が下方の前記第２バッフル板５９に接触することなく前記回収タンク１３に落下する様になっている。
【００５７】
前記タンク接続部５６は、着脱可能な第１弁ユニット７７、第２弁ユニット７８によって構成され、例えば、前記第１弁ユニット７７、前記第２弁ユニット７８を閉とし、前記第１弁ユニット７７と前記第２弁ユニット７８間を切離すことで前記処理室１での基板処理を停止することなく、前記回収タンク１３に溜った原料を回収することが出来る。尚、前記案内管５７は原料が前記下流側フランジ２１の内面、前記第１弁ユニット７７の内面に付着することを防止する。
【００５８】
前記排気管４７より排気ガスが前記トラップ１１に流入すると、前記上流側フランジ１９より前記ガス溜め２８に排気ガスが流入し、排気ガスは該ガス溜め２８で一旦滞留した後、前記細管３１により分流され、該細管３１を通って該細管３１の下端より前記第１下流ガス溜め部６４に流出し、更に前記第１ガス排出口６８、前記ガス抜き孔６９，７０を通過して前記第２下流ガス溜め部６５に流出し、又前記第２ガス排出口７２を通って前記第３下流ガス溜め部６６に流出し、更に前記第３ガス排出口７４、前記ガス抜き孔７５を通って前記第４下流ガス溜め部６７に流出する。該第４下流ガス溜め部６７に流出した排気ガスは、反転して前記排気ガス流路３３を上昇して前記排気フランジ２９より排出される。前記第１バッフル板５８、前記第２バッフル板５９、第３バッフル板６０が設けられたことで、冷却された排気ガスが接触する面積が大幅に増大する。
【００５９】
排気ガスは前記細管３１を流下する過程で、更に前記排気ガス流路３３を上昇する過程で、前記細管３１を介して又前記内胴部２５を介してそれぞれ冷却され、排気ガス中の原料は相変化する状態とされる。
【００６０】
排気ガスは前記細管３１の内面に接触しつつ流下し、更に前記第１バッフル板５８に衝突し、又前記ガス抜き孔６９，７０を通過した排気ガスは前記第２バッフル板５９に衝突し、又前記第２ガス排出口７２で絞られ増速された後、前記第３下流ガス溜め部６６で減速され、更に前記第３ガス排出口７４、前記ガス抜き孔７５を通って前記第４下流ガス溜め部６７に流出し、前記下流側端板１８に衝突した後、反転して前記排気ガス流路３３を前記内胴部２５と前記外胴部１６に接触しながら上昇する。
【００６１】
排気ガス中の原料は、前記細管３１に接触し冷却されることで一部が液化して析出し、又前記第１バッフル板５８、前記第２バッフル板５９、前記第３バッフル板６０、前記下流側端板１８に衝突することで液化析出し、又前記排気ガス流路３３の上昇過程で、前記内胴部２５と前記外胴部１６に接触することで液化析出する。
【００６２】
又、排気ガスは、前記第１下流ガス溜め部６４、前記第２下流ガス溜め部６５、前記第３下流ガス溜め部６６、前記第４下流ガス溜め部６７を通過する際に、蛇行、衝突、増減速が繰返されるので、原料の析出が促進される。又、原料が付着する面は鏡面仕上げされているので、流下が円滑に行われ、析出後の捕集が効果的に行われる。
【００６３】
尚、前記バッフル板は１段であっても原料の析出効果があり、バッフル板は１段以上あればよい。
【００６４】
（付記）
又、本発明は以下の実施の態様を含む。
【００６５】
（付記１）基板を処理する処理室と、該処理室から排気ガスを排気する排気ラインと、該排気ラインに接続され排気ガスを冷却して排気ガス中の原料を相変化させ回収する原料回収手段とを具備し、該原料回収手段は上下方向に延び排気ガスが流下する冷却流路、該冷却流路の下方に位置し、前記冷却流路を遮るバッフル板を具備し、該バッフル板は少なくとも中央部にガス排出口が設けられたことを特徴とする基板処理装置。
【００６６】
（付記２）基板を処理する処理室と、該処理室から排気ガスを排気する排気ラインと、該排気ラインに接続され排気ガスを冷却して排気ガス中の原料を相変化させ回収する原料回収手段とを具備し、該原料回収手段は、外胴部及び該外胴部内に形成された冷却部を具備し、該冷却部は上下に延びる冷却流路を有し、前記外胴部の下端に設けられた下流側端板が前記冷却流路に対向し、前記下流側端板の中央に捕集口が設けられ、該捕集口の下面側に該捕集口より大径の案内管を設けたことを特徴とする基板処理装置。
【００６７】
（付記３）前記バッフル板の上面は、前記ガス排出口に向って下り傾斜した付記１の基板処理装置。
【００６８】
（付記４）前記下流側端板の上面は、前記捕集口に向って下り傾斜した付記２の基板処理装置。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明が実施される基板処理装置の処理室の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る原料回収手段の要部を示す一部破断正面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る原料回収手段の要部を示す一部破断側面図である。
【図４】該原料回収手段の部分拡大図である。
【図５】基板処理装置の概略を示す説明図である。
【図６】従来の原料回収手段を示す断面図である。
【符号の説明】
【００７０】
１              処理室
２              原料供給ライン
３              排気ライン
７              排気ポンプ
８              原料回収手段
１１            トラップ
１３            回収タンク
１６            外胴部
２２            捕集口
２５            内胴部
３１            細管
３３            排気ガス流路
５７            案内管
５８            第１バッフル板
５９            第２バッフル板
６０            第３バッフル板
６４            第１下流ガス溜め部
６５            第２下流ガス溜め部
６６            第３下流ガス溜め部
６７            第４下流ガス溜め部
６９，７０      ガス抜き孔
７５            ガス抜き孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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