(57)【要約】【課題】  １００ｎｍよりも小さなサイズの散乱体をプローブ尖端部に固定することができる散乱型近接場光プローブの製造方法を提供する。【解決手段】  プローブ尖端部１１を含むプローブ本体１２に第一の金属材料からなる金属薄膜１３を形成し、第二の金属材料で形成された対向電極４１をプローブ尖端部１１に対向するように配置し、第一の金属材料については溶解せず第二の金属材料については溶解する金属溶解液Ｌをプローブ尖端部１１と対向電極４１との双方に接触し、プローブ本体１２の金属薄膜１３と対向電極４１との間に電圧を印加することにより、対向電極４１から第二の金属材料を溶解させるとともに、プローブ尖端部１１に第二の金属材料からなる散乱体を析出させる【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プローブ尖端部に固定された散乱体に励起光を照射することにより近接場光を発生する散乱型近接場光プローブの製造方法であって、
（ａ）プローブ尖端部を含むプローブ本体に第一の金属材料からなる金属薄膜を形成し、
（ｂ）散乱体に用いられる第二の金属材料で形成された対向電極をプローブ尖端部に対向するように配置し、
（ｃ）第一の金属材料については溶解せず第二の金属材料については溶解する金属溶解液をプローブ尖端部と対向電極との双方に接触し、
（ｄ）プローブ本体の金属薄膜と対向電極との間に電圧を印加することにより、対向電極から第二の金属材料を溶解させるとともに、プローブ尖端部に第二の金属材料からなる散乱体を析出させることを特徴とする散乱型近接場光プローブの製造方法。
【請求項２】
（ｄ）において、プローブ本体の金属薄膜と対向電極との間には、直流バイアス電圧とともに高周波電圧を印加することを特徴とする請求項１に記載の散乱型近接場光プローブの製造方法。
【請求項３】
（ｃ）において、金属溶解液には界面活性剤が含まれることを特徴とする請求項１に記載の散乱型近接場光プローブの製造方法。
【請求項４】
（ｄ）の後に、析出した散乱体の表面を含むプローブ尖端部を誘電体材料からなる固定化膜で被覆することを特徴とする請求項１に記載の散乱型近接場光プローブの製造方法。
【請求項５】
固定化膜の一部を剥離して散乱体の先端側を露出させることを特徴とする請求項４に記載の散乱型近接場光プローブの製造方法。
【請求項６】
プローブ尖端部に固定された散乱体に励起光を照射することにより近接場光を発生する散乱型近接場光プローブの製造装置であって、
プローブ尖端部を含むプローブ本体に第一の金属材料からなる金属薄膜を形成する金属薄膜形成部と、プローブ尖端部に第二の金属材料からなる金属散乱体を析出する金属散乱体成長部とからなり、
金属散乱体成長部は、第二の金属材料で形成されプローブ尖端部に対向するように配置した対向電極と、第一の金属材料については溶解せず第二の金属材料については溶解する金属溶解液をプローブ尖端部と対向電極との双方に接触するように供給する金属溶解液供給部と、プローブ本体の金属薄膜と対向電極との間に電圧を印加する電圧印加部とを備え、対向電極から第二の金属材料を溶解させて、プローブ尖端部に第二の金属材料からなる金属散乱体を析出させることを特徴とする散乱型近接場光プローブの製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プローブ尖端部に固定された散乱体に励起光を照射することにより、局所プラズモン共鳴による近接場光を発生する散乱型近接場光プローブの製造方法および製造装置に関する。散乱型近接場光プローブは、例えば、近接場光顕微鏡、近接場光ラマン分光装置等の測定プローブとして利用される。
【背景技術】
【０００２】
近年、分子生物学や材料解析など広範な分野において、非破壊かつ高分解能な顕微鏡による測定の重要性が高まっている。
一般的な光学顕微鏡は被測定物に対して、非破壊で試料の形状・構造・成分などを比較的短時間で分析することができるという面では優れているが、光の波動性による回折限界のため光の波長以下のサイズでの測定ができず、空間分解能に限界があった。
この問題を解決する手法として、近接場光を用いて回折限界による分解能よりも高い分解能を得ることができる近接場光プローブを利用した近接場光学顕微鏡が開発され、その応用が期待されている。
【０００３】
近接場光学顕微鏡の基本原理は、被測定物の表面に近接場光プローブの尖端部分を近づけ、レーザー光を照射し、プローブ尖端部近傍に局在する近接場光を検出するものであり、これによって光の波長以下のサイズでの高分解能な測定を可能としている。
近接場光学顕微鏡に用いる近接場光プローブには、いくつかの種類があるが、高分解能を得ることができる近接場光プローブとして、プローブ尖端部に散乱体を固定した散乱型近接場光プローブが注目されており、その製造方法が検討されている。
【０００４】
特許文献１（特開２００２−１４８１７４号公報）には、ＳｉＮ製カンチレバーに散乱体形成薄膜を成膜し、カンチレバー先端にレーザー光を集光することにより、集光した部分で化学的に金属を凝集させて、散乱体を形成する散乱型近接場プローブの製造方法が開示されている
また、特許文献２（特開２００１−８３０６９号公報）には、プローブにＴｉＯ２薄膜を蒸着し、プローブ先端に塩化金酸を含んだ溶液を満たし、下部にプリズムを配置してプローブ先端近傍に近接場光を発生させ、その近接場光とＴｉＯ２の光触媒効果とにより塩化金酸を還元してプローブ先端に金属微粒子を析出する方法が開示されている。この方法によれば、レーザー照射強度、レーザー照射時間、エバネッセント光が浸み出したプリズムとＴｉＯ２薄膜を形成されたプローブ本体までの距離、プローブ先端の先鋭度、プリズムへのレーザー入射角、プリズムの屈折率などを制御することにより、析出される金属（金）微粒子の大きさをナノメートルオーダーとすることができる。具体的には１００ｎｍから３００ｎｍサイズの散乱体が作製できるものと考えられる（Journal of Microscopy,  Volume202 Issue 1 Page 100 -April 2001，Photocatalytic deposition of a gold nanoparticle onto the top of a SiN cantilever tip, T.Okamoto & I.Yamaguchi）。
【特許文献１】特開２００２−１４８１７４号公報
【特許文献２】特開２００１−８３０６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述した特許文献１に開示された近接場光プローブでは、レーザー光を集光した部分に金属の散乱体が形成されるため、散乱体のサイズは光の回折限界を下限とした程度の集光径と同等の大きさになる。そのため、ナノメーターサイズの散乱体の作製は困難である。
また、プローブ先端近傍に近接場光学顕微鏡の検出光を集光すると、検出光が散乱体形成薄膜にも照射されることで散乱体が再成長してサイズが大きくなり、散乱体のサイズ維持が困難である。
【０００６】
一方、上述した特許文献２に開示された近接場光プローブでは、散乱体の深さ方向に指数関数的に減衰する近接場光を照射して散乱体を成長させるため、散乱体の深さ方向には制御性があるが、深さ方向と垂直に交わる横方向の散乱体サイズはプローブ先端径に依存し、制御が困難である。
また、深さ方向に波長の半分程度まで近接場光が浸透するため、ナノメートルオーダーの金属微粒子が作製できるというものの１００ｎｍより微小な散乱体形成が困難であると考えられる。
また、プローブ先端付近で近接場光を利用してプローブに直接、金属を析出させることにより散乱体を形成するものであるために、析出条件についての設定可能な範囲が狭く、特異な散乱体形状を形成することが困難である。
【０００７】
そこで、本発明は１００ｎｍよりも小さなサイズの散乱体をプローブの尖った先端（尖端）に固定することができる散乱型近接場光プローブの製造方法を提供することを目的とする。
また、プローブ尖端部に形成される金属微粒子が再成長することなく安定したサイズの散乱体とすることができる散乱型近接場光プローブの製造方法を提供することを目的とする。
また、金属散乱体のサイズが制御可能で、特に、高分解能を得ることができる形状の散乱体をプローブ尖端部に固定することができる散乱型近接場光プローブの製造方法およびその方法により製造された散乱型近接場光プローブを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するためになされた本発明の散乱型近接場光プローブ製造方法は、プローブ尖端部に固定された散乱体に励起光を照射することにより近接場光を発生する散乱型近接場光プローブの製造方法であって、（ａ）プローブ尖端部を含むプローブ本体に第一の金属材料からなる金属薄膜を形成し、（ｂ）散乱体に用いられる第二の金属材料で形成された対向電極をプローブ尖端部に対向するように配置し、（ｃ）第一の金属材料については溶解せず第二の金属材料については溶解する金属溶解液をプローブ尖端部と対向電極との双方に接触し、（ｄ）プローブ本体の金属薄膜と対向電極との間に電圧を印加することにより、対向電極から第二の金属材料を溶解させるとともに、プローブ尖端部に第二の金属材料からなる散乱体を析出させるようにしている。
【０００９】
本発明の製造方法によれば、プローブ本体に第一の金属材料からなる金属薄膜を形成する。この金属薄膜は、プローブ尖端部を含むように形成してあり、これによりプローブ尖端部を電極にする。プローブ尖端部に対向する位置には第二の金属材料からなる対向電極を配置する。第二の金属材料は、散乱体に用いられる金属材料であり、第一の金属材料と異なる金属が用いられる。金属薄膜が形成されたプローブ尖端部と対向電極との双方に、第一の金属材料については溶解せず第二の金属材料については溶解する金属溶解液を接触させる。この状態でプローブ尖端部と対向電極との間に電圧を印加する。これにより、対向電極を構成する第二金属材料は溶解し、溶解した第二金属材料は電界が集中するプローブ尖端部に引き寄せられ、プローブ尖端部で還元され、細長く析出し、散乱体として成長するようになる。
【００１０】
ここで、プローブ本体には、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）用プローブ、ＳＴＭ（走査型トンネル顕微鏡）用プローブを利用することができる。例えば、Ｓｉ製やＳｉＮ製のＡＦＭ用プローブが好適である。第一の金属材料からなる金属薄膜は、蒸着、スパッタリングなどの一般的な薄膜形成技術により形成することができる。
【００１１】
また、第一の金属材料と第二の金属材料と金属溶解液との関係では、上述したように、金属溶解液が第一金属材料は溶解せず、第二金属材料を溶解することが必要であり、しかも、第二金属材料が散乱体を形成する材料となることから、散乱体に使用する金属材料に応じて、第一金属材料および金属溶解液を選択する必要がある。
具体的には、例えば、近接場光を発生する散乱体としてＡｕ（金）を析出する場合は、第二金属材料としてＡｕ、第一金属材料としてＰｔ（白金）、金属溶解液としてＨＣｌ（塩酸）水溶液、ＣＮ（シアン）水溶液を用いることができる。
散乱体としては、Ａｕ以外に、Ａｇ、Ａｌ等が好適であり、それぞれ適切な第一金属材料（例えばＰｔ）、金属溶解液（例えばＨＣｌ水溶液）を選択することにより、プローブ尖端部に散乱体を形成することができる。
【００１２】
なお、プローブ尖端部に形成する金属薄膜は、多層膜でもよい。多層膜構造にすることで下地層を緩衝膜として利用でき、表面層のプローブへの付着力を高めることができる。その場合は、少なくとも最表面層が金属溶解液に溶解しない第一金属材料であることが必要になる。多層構造膜の場合の下地層についても金属溶解液に溶解しない材料であることが望ましいが、最表面層が溶解しないことにより下地金属層も溶解しない限りは支障がない。したがって、プローブ尖端部を含むプローブ本体に形成する金属薄膜としては、少なくとも最表面層が第一金属材料であればよい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、プローブ尖端部に、対向電極に用いた（第二金属材料である）金属を析出させながら成長することができ、１００ｎｍよりも小さなナノサイズの析出金属をプローブ尖端部に固定することができる。また、固定される散乱体金属は、最初から溶液中に溶かしてある比較的大きな粒径の金属粒子が付着するのではなく、金属溶解液に溶け出した金属（主として金属錯体イオン）が析出して成長するので、電気力線の集中する部位に沿って細長く成長させることが容易であり、サイズの制御も印加電圧の制御により容易となる。
【００１４】
（その他の課題を解決するための手段および効果）
上記発明の（ｄ）において、プローブ本体の金属薄膜と対向電極との間には、直流バイアス電圧とともに、高周波電圧を印加するのが好ましい。
本発明によれば、直流バイアスによる電解作用によって、第二の金属材料を金属溶解液に溶解させ、さらにプローブ尖端部に析出させることができるが、直流バイアスと同時に高周波電圧を印加することにより、溶解および析出の反応を緩和させることができ、析出成長のサイズや形状の制御性を高めることができる。また、高周波電圧の電圧値や周波数を制御することにより、横方向の散乱体サイズを制御することができ、プローブ尖端部に析出する金属散乱体を１本のロッド状にすることもできる。これにより近接場光を１箇所に集中させることもできる。
【００１５】
上記発明の（ｃ）において、金属溶解液には界面活性剤が含まれるようにしてもよい。
Ａｕ等の金属材料は、金属溶解液中では金属錯体イオンとして溶解することができるが、界面活性剤を含ませることにより、電荷を持ったミセルが生成されやすくなる。このミセル構造を増やすことにより、溶液内で安定化し、析出成長のサイズや形状の制御性を向上させることができる。
界面活性剤は、カチオン系活性剤であれば特に限定されない。例えば、Ａｕの場合に、金属溶解液に塩酸を使用し、界面活性剤にＣＴＡＢ（Cetyl trimethyl ammonium bromide）を使用することで、析出の制御性を向上することができる。
【００１６】
上記発明の（ｄ）の後に、析出した散乱体の表面を含むプローブ尖端部を誘電体材料からなる固定化膜で被覆するようにしてもよい。誘電体材料としては、具体的にはＳｉＯ２、ＳｉＮ等が好ましい。
本発明によれば、金属散乱体がプローブ尖端部に析出した状態で、固定化膜が形成されることにより、金属散乱体をプローブ尖端部に安定的に固定させることができる。固定化膜は、固定化剤として、例えばＡＰＳ（aminopropyl trimethoxy silane）やＴＥＯＳ（Tetraethoxysilane）等のシランカップリング剤を、金属溶解液（界面活性剤を含有してもよい）に含有させておくことにより形成することができる。あるいは、スパッタリングなどによりＳｉＯ２膜等を形成してもよい。
【００１７】
固定化膜で被覆した場合に、さらに、固定化膜の一部を剥離して散乱体の先端側を露出させることが望ましい。
これによれば、固定化膜の一部を剥離して金属散乱体の先端を露出することにより、入射光が直接、金属散乱体に照射できるので、効率的に近接場光を散乱させることができる。
剥離は、機械的に剥離させてもよいし、ドライエッチングやウェットエッチング処理を行ってもよい。ドライエッチングとしては、イオンビームエッチング、スパッタリングなど、また、ウェットエッチングでは、バッファフッ酸溶液への浸漬など種々の方法を用いることができる。
【００１８】
また、別の観点からなされた本発明の散乱型近接場光プローブ製造装置は、プローブ尖端部に固定された散乱体に励起光を照射することにより近接場光を発生する散乱型近接場光プローブの製造装置であって、プローブ尖端部を含むプローブ本体に第一の金属材料からなる金属薄膜を形成する金属薄膜形成部と、プローブ尖端部に第二の金属材料からなる金属散乱体を析出する金属散乱体成長部とからなり、金属散乱体成長部は、第二の金属材料で形成されプローブ尖端部に対向するように配置した対向電極と、第一の金属材料については溶解せず第二の金属材料については溶解する金属溶解液をプローブ尖端部と対向電極との双方に接触するように供給する金属溶解液供給部と、プローブ本体の金属薄膜と対向電極との間に電圧を印加する電圧印加部とを備え、対向電極から第二の金属材料を溶解させて、プローブ尖端部に第二の金属材料からなる金属散乱体を析出させるようにしている。
本発明の製造装置によれば、まず、金属薄膜形成部によりプローブ本体に第一の金属材料からなる金属薄膜が形成される。金属薄膜は、プローブ尖端部を含むように形成してあり、これによりプローブ尖端部が電極となる。続いて、金属薄膜が形成されたプローブ本体は、金属散乱体成長部で処理される。金属散乱体成長部では、プローブ尖端部に対向する位置に第二の金属材料からなる対向電極が配置されており、金属溶解液供給部が、第一の金属材料については溶解せず第二の金属材料については溶解する金属溶解液を供給して、プローブ尖端部と対向電極との双方に接触させる。この状態で、電圧印加部はプローブ尖端部と対向電極との間に電圧を印加する。これにより、対向電極を構成する第二金属材料は溶解し、溶解した第二金属材料は、電界が集中するプローブ尖端部に析出し、散乱体を形成するようになる。このようにして１００ｎｍよりも小さなサイズの析出金属を、金属散乱体としてプローブ尖端部に固定したプローブを形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明する。なお、本発明は、以下に説明するような実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の態様が含まれることはいうまでもない。
【００２０】
図１は、本発明の一実施形態である散乱型の近接場光プローブの構成を示す図である。近接場光プローブ１０は、先鋭なプローブ尖端部１１を有するＳｉＮ製のＡＦＭ用カンチレバーをプローブ本体１２として用いている。
プローブ尖端部１１を含むプローブ本体１２の表面には、Ｐｔ（白金）の金属薄膜１３が形成してある。この金属薄膜１３は、本発明のプローブを作製する際にプローブ尖端部１１を電極として機能させるために形成されるものである。
【００２１】
プローブ尖端部１１の最先端部分には、Ａｕ（金）の金属散乱体１４が固定化膜１５により固定してある。なお、Ａｕに代えて、Ａｇ、Ａｌ等を金属散乱体１４としてもよい。金属散乱体１４は、用途に応じてサイズや形状を選択することができるが、最大径が１０〜９０ｎｍ程度であるナノサイズの１本のロッド形状としてある。１本のロッド状とすることにより、近接場光を１箇所に集中させることができるので、高分解能の近接場光プローブとする場合に好ましい。
金属散乱体１４を固定する固定化膜１５には、ＳｉＯ２膜を用いている。固定化膜１５はシランカップリング剤であるＡＰＳまたはＴＥＯＳにより形成される。
【００２２】
次に、近接場光プローブ１０の製造方法について説明する。図２はこの近接場光プローブ１０の製造工程を説明する図である。図３は製造工程を実施するために好適な製造装置の構成を示す図である。
まず、図３により製造装置について説明する。製造装置２０は、薄膜形成室２１（金属薄膜形成部）と、散乱体形成室２２（金属散乱体成長部）とからなる。
薄膜形成室２１と散乱体形成室２２との間は、開閉可能な仕切壁３１で仕切られており、仕切壁３１が開いた状態のときに、プローブ本体１２を支持した状態で、両室間を移動することができる搬送機構３２が取り付けてある。薄膜形成室２１には、バルブ３３を介して高真空ポンプ３４が接続してあり、仕切壁３１を閉じてバルブ３３を開くことにより、室内を真空状態に維持することができる。薄膜形成室２１には蒸着物質であるＰｔ（白金）３５をセットした蒸着装置３６が設けてあり、室内を真空状態にすることにより、プローブ本体１２にＰｔの金薄薄膜を蒸着することができるようにしてある。
なお、薄膜形成室を増設して２室構造の薄膜形成室２１とし、第１室で下地金属層としてプローブ本体１２との密着性がよいＴｉを蒸着し、第２室で表面金属としてＰｔを蒸着するようにしてもよい。
【００２３】
散乱体形成室２２は、プローブ本体１２の表面に金薄薄膜１３が形成された後に、プローブ本体１２を支持した搬送機構３２が移動してくるようにしてある。そして搬送機構３２が定位置に停止したときに、対向電極４１がプローブ本体１２の尖端部１１と対向する位置にくるように取り付けてある。対向電極４１は、少なくともプローブ尖端部と対抗する領域がＡｕ（金）の金属板で形成されている。また、散乱体形成室２２には金属薄膜１３と対向電極４１との間に電圧を印加する信号発生器４２（電圧源）が設けられている。信号発生器４２は交流電圧値０〜２０Ｖｐ−ｐ、周波数幅０〜１００ＭＨｚ、直流バイアス電圧−１０Ｖ〜＋１０Ｖの電圧信号を印加することができるようにしてある。対向電極４１の上には、プローブ尖端部１１と対向電極４１との間の空間（空間の間隙は１０μｍ〜１ｍｍで調整可能にしてある）に金属溶解液Ｌを供給する金属溶解液供給管４３が設けてあり、ここから界面活性剤であるＣＴＡＢ、および、固定化剤であるＡＰＳを含んだ金属溶解液Ｌが供給されるようにしてある。本実施例では金属溶解液Ｌとして、Ａｕを溶解するが、Ｐｔは溶解しない塩酸水溶液が供給される。
【００２４】
次に、図２および図３を用いて、近接場光プローブ１０の製造工程を説明する。
まず、プローブ本体１２として用いるＡＦＭ用カンチレバーを用意する（図２（ａ））。
続いて、これを薄膜形成室２１に入れて、Ｐｔからなる金属薄膜１３を蒸着する（図２（ｂ））。このとき、プローブ尖端部１１を覆うようにする。なお、プローブ尖端部１１への電圧印加を容易にするために、プローブ本体１２の尖端部１１から離れたプローブ根元側まで金属薄膜１３を蒸着し（プローブ本体１２の全面に蒸着してもよい）、プローブ根元側で電圧供給ラインと電気的に接続できるようにする。
【００２５】
続いて、Ｐｔ金薄薄膜１３が蒸着されたプローブ本体１２を、散乱体形成室２２に移動し、金属電極１３と、Ａｕからなる対向電極４１との間の空間を満たすように、金属溶解液供給管４３から金属溶解液Ｌを供給する（図２（ｃ））。
【００２６】
続いて、信号発生器４２（電圧源）から金属薄膜１３と対向電極４１との間に直流バイアス電圧と高周波電圧とを印加して、金属散乱体１４を形成する（図２（ｄ）。電解作用により金属溶解液Ｌ中に対向電極４１のＡｕを溶解させる。溶解したＡｕは、界面活性剤ＣＴＡＢによって電荷を有するミセル構造となり、これが電気力線の集中するプローブ尖端部１１に引き寄せられて還元され析出する。なお、直流バイアス電圧の他に、同時に高周波電圧が印加されているので、溶解および析出は緩和され、制御性よく成長させることができる。プローブ尖端部１１の最尖端部分を特に尖鋭にして、電気力線が集中するようにし、さらに高周波電圧により溶解反応および析出反応を制御することにより、プローブ尖端部１１に１本の金属散乱体１４が成長するように制御する。
【００２７】
金属溶解液Ｌは、固定化剤であるＡＰＳを含有させてあるので、極性分子であるＡＰＳも引き寄せられ、やがて金属散乱体１４およびプローブ尖端部１１に固定化膜１５（図1）としてＳｉＯ２膜が形成される。
以上の工程を終えると、プローブ本体１２は、散乱体形成室２２から取り出される。このとき固定膜１５であるＳｉＯ２膜は、金属散乱体１４の先端部分も覆っている。ＳｉＯ２膜が十分薄ければ支障はないが、ある程度厚くなると、入射光が金属散乱体に照射できなくなるので、近接場光を散乱させることが困難になる。
そこで、ＳｉＯ２膜が厚くなると、金属散乱体１４の先端部分を覆っているＳｉＯ２膜を剥離し、金属散乱体の先端を露出するようにして、入射光が直接、金属散乱体に照射できるようにして、効率的に近接場光を散乱させることができるようにする。剥離は、ドライエッチング、ウェットエッチングを行ってもよいが、先端部分をシリコンウェハ等の平滑な基板上に押し付けて、滑らせる機械的な剥離方法で、金属散乱体１４の先端部分のみを露出させるようにする。
以上の工程により、図１に示した散乱型近接場光プローブ１０を形成することができる。
【産業上の利用可能性】
【００２８】
本発明は、１００ｎｍよりも小さなナノサイズの金属散乱体をプローブ尖端部に固定させた散乱型近接場光プローブの製造方法に利用することができ、また、この製造方法を用いた製造装置に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の製造方法により製造された近接場光プローブの構成を示す図。
【図２】本発明の一実施形態である近接場光プローブの製造工程を説明する図。
【図３】本発明の一実施形態である近接場光プローブ製造装置の構成を示す図。
【符号の説明】
【００３０】
１０：  近接場光プローブ
１１：  近接場光プローブ尖端部
１２：  ＡＦＭ用プローブ（プローブ本体）
１３：  Ｐｔの金属薄膜（第一金属材料からなる金属薄膜）
１４：  Ａｕの金属散乱体（第二金属材料からなる散乱体）
１５：  ＳｉＯ２膜（固定化膜）
２１：  薄膜形成室（金属薄膜形成部）
２２：  散乱体形成室（金属散乱体成長部）
３２：  搬送機構
４１：  対向電極
４２：  信号発生器（電圧印加部）
４３：  金属溶解液供給管
【図１】
2006322830.tif 000003
【図２】
2006322830.tif 000004
【図３】
2006322830.tif 000005