(57)【要約】【課題】  光学的異方性（Ｒｅ、Ｒｔｈ）が小さく実質的に光学的等方性であり、さらには光学的異方性（Ｒｅ、Ｒｔｈ）の波長分散が小さいセルロースアシレートフイルムを提供すること。さらに、視野角特性に優れる偏光板、およびこれらを用いた液晶表示装置を提供すること。さらにそれらを用いた液晶表示装置を提供すること。【解決手段】    Ｒｅ(λ)およびＲｔｈ(λ)が、０≦Ｒｅ(630)≦１０かつ｜Ｒｔｈ(630)｜≦２５並びに｜Ｒｅ(400)−Ｒｅ(700)｜≦１０かつ｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜≦３５を満たすセルロースアシレートフィルムの製造方法において、流延後支持体から剥離するまでのドープ膜の温度Ta（℃）及び支持体から剥離した後の乾燥中の膜面温度Tb（℃）が、溶剤を含む膜を密閉パンに封入した膜のTg（℃）に対してTg≦Ta≦Tg+30および/またはTg-20≦Tb≦Tg+30であるセルロースアシレートフィルムの製造方法。【選択図】    なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
セルロースアシレートと添加剤を溶解してドープ液を調製する工程、得られたドープ液を流延する工程、形成されたフィルムを剥離する工程、さらに乾燥させる工程により、Ｒｅ(λ)およびＲｔｈ(λ)が、下記式（I）かつ（II）を満たすセルロースアシレートフィルムを製造する方法において、流延後支持体から剥離するまでのドープ膜の温度Ta（℃）及び支持体から剥離した後の乾燥中の膜面温度Tb（℃）が、膜のTg（℃）に対して下記式（III）および/または（IV）を満たすように加熱、乾燥することを特徴とするセルロースアシレートフィルムの製造方法。
（I） ０≦Ｒｅ(630)≦１０かつ｜Ｒｔｈ(630)｜≦２５
（II） ｜Ｒｅ(400)−Ｒｅ(700)｜≦１０かつ｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜≦３５
（III）Tg≦Ta≦Tg+30 
（IV） Tg-20≦Tb≦Tg+30 
［式中、Ｒｅ(λ)は波長λｎｍにおける正面レターデーション測定値（単位：ｎｍ）、Ｒｔｈ(λ)は波長λｎｍにおける膜厚方向のレターデーション測定値（単位：ｎｍ）である。］
【請求項２】
前記ドープ液の固形分濃度が１５〜３５質量％であることを特徴とする請求項１に記載のセルロースアシレートの製造方法。
【請求項３】
前記ドープ液が、３０℃〜２００℃に加温溶解する方法により調整されたものであることを特徴とする請求項１又は２に記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。
【請求項４】
前記ドープ液と、添加剤溶液及びマット剤分散液の何れか一方又は両方とを、実質的に流延の直前で合流させて混合ドープを形成し、無限移行する無端の金属支持体上に流延することを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。
【請求項５】
残留溶媒量が１０質量％以上において前記支持体から剥離することを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。
【請求項６】
流延から剥離までの時間を３０秒〜１２０秒とすることを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。
【請求項７】
流延から剥取りまでの間、支持体上のドープ膜の残留溶媒量が２００質量％から１２０質量％の範囲内にあるとき残留溶媒量減少速度が４〜１５質量％／秒となるように乾燥を行うことを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。
【請求項８】
流延から剥取りまでの間、平均温度が２０〜５０℃に設定された雰囲気内で支持体上のドープ膜を乾燥させる低温乾燥工程の後、前記低温乾燥工程の平均温度よりも＋５℃〜７０℃に設定された雰囲気内で更に支持体上で乾燥する高温乾燥工程で乾燥を行い、かつ流延後３０〜１２０秒で剥離することを特徴とする請求項１〜７の何れかに記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。
【請求項９】
前記支持体上での高温乾燥工程が４１℃〜１００℃に設定された雰囲気内で行われることを特徴とする請求項１〜８の何れかに記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。
【請求項１０】
前記高温乾燥工程及び低温乾燥工程の加熱温度をドープ膜の表面に与える温度としてそれぞれをＴｈ（℃）及びＴｌ（℃）とし、ドープ中の主たる有機溶媒の沸点をＢＰ（℃）とした時、高温乾燥ゾーンにおいては、ＢＰ＜Ｔｈ≦（ＢＰ＋６０℃）とし、低温乾燥ゾーンにおいては、１０℃≦Ｔｌ≦ＢＰとし、且つ高温乾燥ゾーンと低温乾燥ゾーンの加熱温度差を５℃以上とすることを特徴とする請求項１〜９の何れかに記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。
【請求項１１】
剥取り後、テンター装置へ送るウェブ（乾燥されたドープ膜）の残留溶媒量を１０〜５０質量％以下とすることを特徴とする請求項１〜１０の何れかに記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。
【請求項１２】
テンター出口のウェブの残留溶媒量を５質量％以下とすることを特徴とする請求項１〜１１の何れかに記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。
【請求項１３】
テンター装置における伸縮率を-３〜３％にしておくことを特徴とする請求項１〜１２の何れかに記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。
【請求項１４】
前記金属支持体の搬送速度をＡ（ｍ／ｍｉｎ）、巻き取り部での搬送速度をＢ（ｍ／ｍｉｎ）としたとき、Ｂ／Ａが０．９０〜１．１０であることを特徴とする請求項１〜１３の何れかに記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。
【請求項１５】
下記式（V）、（VI）をみたすＲｔｈ低減剤を少なくとも一種含有することを特徴とする請求項１〜１４のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。
（V）（Ｒｔｈ（Ａ）−Ｒｔｈ（０））／Ａ≦−１．０
（VI）０．１≦Ａ≦３０
［式中、Ｒｔｈ（Ａ）はＲｔｈ低減剤をＡ％含有したフィルムのＲｔｈ（ｎｍ）、Ｒｔｈ（０）はＲｔｈ低減剤を含有しないフィルムのＲｔｈ（ｎｍ）、Ａはフィルム原料ポリマーの質量を１００としたときのＲｔｈ低減剤の質量（％）、Ｒｅ(λ)は波長λｎｍにおける正面レターデーション測定値（ｎｍ）を表す。］
【請求項１６】
フイルムの｜Ｒｅ(400)−Ｒｅ(700)｜および｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜を低下させ、かつ波長２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持つ化合物の少なくとも１種、をセルロースアシレート固形分に対して０．０１〜３０質量％含むことを特徴とする請求項１〜１５の何れかに記載のセルロースアシレートフイルムの製造方法。
【請求項１７】
請求項１〜１６の何れかに記載の製造方法により製造されたことを特徴とするセルロースアシレートフィルム。
【請求項１８】
請求項１７に記載のセルロースアシレートフイルムの少なくとも１枚を偏光子の保護フイルムとしたことを特徴とする偏光板。
【請求項１９】
表面にハードコート層、防眩層及び反射防止層の少なくとも一層を偏光子の保護フイルムとして設けたことを特徴とする請求項１８に記載の偏光板。
【請求項２０】
表面に光学補償層を少なくとも一層設けたことを特徴とする請求項１８、１９の何れかに記載の偏光板。
【請求項２１】
請求項１７に記載のセルロースアシレートフイルム及び請求項１８〜２０に記載の偏光板の少なくとも何れか一つを用いたことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２２】
ＶＡまたはＩＰＳ液晶表示装置であることを特徴とする請求項２１に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に有用なセルロースアシレートフイルムおよびその製造方法に関し、さらにそれを用いた偏光板などの光学材料および液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
セルロースアシレートフィルム、特にその代表であるセルローストリアセテートフィルムは、力学特性と透明性および現像による巻き癖解消性の特徴などからハロゲン化銀写真感光材料用の支持体として長年利用されている。また、近年になって、その光学的等方性から、液晶表示装置にも用いられ市場が拡大している。液晶表示装置における具体的な用途としては、偏光板の保護フイルムが代表的であり、その光学異方性が小さいことを利用した電子材料用途への展開が著しく増大している。例えば、最近になり全世界的に急激に社会変化をもたらしているＩＴ革命に対し、その核心機能を担うパソコンなどに用いる液晶表示装置の保護膜としてセルローストリアセテートフィルムは急激に利用されている。さらにまた単なる保護膜ではなく、富士写真フイルム株式会社から発売されているＷＶフイルム（ワイドビューフイルム：視野角拡大を可能としたフイルム）のように光学補償機能を付与して利用されるものもある。ＷＶフィルムは液晶表示装置の見易さを格段に高め市場に急速に導入されている。また近年では、セルローストリアシレートに適度な光学補償機能を付与することで、偏光板保護膜と兼用したＶＡ型、ＩＰＳ型液晶表示装置の光学補償フイルムとしても応用されている。さらに、ブラウン管タイプのＣＲＴに代わり、省エネルギー，軽量でかつ場所をとらないことが特徴であることから、現在急速に市場に導入されている液晶テレビの反射防止膜（例えば富士写真フイルム株式会社製ＣＶフイルム）へも応用されている。
【０００３】
セルロースアシレートフイルムは、一般に溶液製膜法または溶融製膜法により製造される。溶液製膜法では、セルロースアセテートを溶媒中に溶解した溶液（ドープ）を金属支持体上に流延し、溶媒を蒸発させてフイルムを形成される。溶融製膜法では、セルロースアセテートを加熱により溶融したものを支持体上に流延し、冷却してフイルムを形成される。溶液製膜法の方が、溶融製膜法よりも均一性、平面性の高い良好なフイルムを製造することができる。このため、実用的には、溶液製膜方法の方が普通に採用されている。溶液製膜法については、多くの文献に記載がある。最近の溶液製膜法では、ドープを支持体上へ流延してから、支持体上の成形フイルムを剥離するまでに要する時間を短縮して、製膜工程の生産性を向上させることが課題になっている。例えば、特許文献１には、高濃度ドープを冷却ドラム上に流延することにより、流延後剥ぎ取りまでの時間を短縮することが提案されている。
【０００４】
しかし、近年の液晶表示装置の高精細化・大画面化の進歩は著しく、溶液製膜方法で製造されるセルローストリアセテートへの要求品質も急速に厳しいものとなってきている。例えば、輝点欠陥となる異物、搬送中の擦り傷、厚み変動等の外観欠点などに関しては、数年前に比べ数段の品質基準が要求されている。それらの品質改善手段としては、例えば、特に流延方向の厚み変動は、流延ダイの構造・配置、ダイリップから吐出するビードの減圧吸引、セルローストリアセテート溶液の粘度等の物性、支持体面での乾燥方法、支持体からの剥ぎ取り方法、延伸条件での緩和等、個々の改良策が提案されてきている。
【０００５】
最近の液晶表示装置においては、視野角特性の改善がより強く要求されるようになっており、偏光子の保護フイルムや光学補償フイルムの支持体などの光学的に透明なフイルムは、より光学的に等方性であることが求められている。光学的に等方性であるとは、光学フイルムの複屈折と厚みの積で表されるレターデーション値が小さいことが重要である。とりわけ、斜め方向からの表示性能の改善のためには、正面方向のレターデーション（Ｒｅ）だけでなく、膜厚方向のレターデーション（Ｒｔｈ）を小さくする必要がある。具体的には光学透明フイルムの光学特性を評価した際に、フイルム正面から測定したＲｅが小さく、角度を変えて測定してもそのＲｅが変化しないことが要求される。
【０００６】
これまでに、正面から測定したＲｅを小さくしたセルロースアシレートフイルムはあったが、角度によるＲｅ変化が小さい、すなわちＲｔｈが小さいセルロースアシレートフイルムは作製が難しかった。そこで固有複屈折の小さな熱可塑性シクロオレフィンフイルム等を用いて、Ｒｅの角度変化の小さい光学透明フイルムの提案がされている（例えば、特許文献１，２，製品としてはＺＥＯＮＯＲ（日本ゼオン社製）や、ＡＲＴＯＮ（ＪＳＲ社製）など）。しかし、これらの光学透明フイルムは、偏光子の保護フイルムとして使用する場合、フイルムが疎水的なためにＰＶＡとの貼合性に問題がある。またフイルム面内全体の光学特性が不均一である問題も残っている。
【０００７】
この解決法として、ＰＶＡへの貼合適正に優れるセルロースアシレートフイルムを、より光学的異方性を低下させて改良することが強く望まれている。具体的には、セルロースアシレートフイルムの正面のＲｅをほぼゼロとし、またレターデーションの角度変化も小さい、すなわちＲｔｈもほぼゼロとした、光学的に等方性である光学透明フイルムである。
【０００８】
これに対して、特許文献２及び３にはある種のホ゜リマーや低分子化合物をセルロースアシレートフィルム中に添加することにより、レターデーションを低下させる方法が開示されているが、これらの方法では改良効果が不十分であり、かつ偏光板加工時に保護フィルムの表面が白濁する等の問題を有していた。
【０００９】
また、最近の液晶表示装置においては、表示色味の改善も要求されるようになっている。そのため偏光子の保護フイルムや光学補償フイルムの支持体などの光学透明フイルムは、波長４００〜８００ｎｍの可視領域でＲｅやＲｔｈを小さくするだけでなく、波長によるＲｅやＲｔｈの変化、すなわち波長分散を小さくする必要がある。
【００１０】
この発明に関連する前記の先行技術には、次ぎの文献がある。
【特許文献１】特公平５−１７８４４号公報
【特許文献２】特開2002-22956号
【特許文献３】特開2001-163995号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の第１の目的は、光学的異方性（Ｒｅ、Ｒｔｈ）が小さく実質的に光学的等方性であり、さらには光学的異方性（Ｒｅ、Ｒｔｈ）の波長分散が小さいセルロースアシレートフイルムを提供することにある。
本発明の第２の目的は、視野角特性に優れる偏光板、およびこれらを用いた液晶表示装置を提供することにある。
上記第１の目的の光学的異方性が小さく、波長分散が小さいセルロースアシレートフイルムを偏光板の保護フイルムに用いることによって、偏光板の光学特性を良化される。また上記フィルムを光学補償フイルムの支持体として用いることによって、光学補償フイルムそのものの光学性能を引き出すことができる。したがって、これらの偏光板や光学補償フイルムを液晶表示装置に用いることによって表示画像のコントラストが良化され、色味が改良された液晶表示装置を提供することが第２の目的である。
本発明の第３の、かつ基本的な目的は、上記諸目的を適える光学的異方性が小さく、波長分散が小さいセルロースアシレートフイルムの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の目的は、下記の態様により達成された。      
（1）セルロースアシレートと添加剤を溶解してドープ液を調製する工程、得られたドープ液を流延する工程、形成されたフィルムを剥離する工程、さらに乾燥させる工程により、Ｒｅ(λ)及びＲｔｈ(λ)が、下記式（I）かつ（II）を満たすセルロースアシレートフィルムを製造する方法において、流延後支持体から剥離するまでのドープ膜の温度Ta（℃）及び支持体から剥離した後の乾燥中の膜面温度Tb（℃）が、溶剤を含む膜を密閉パンに封入した膜のTg（℃）に対して下記式（III）および/または（IV）を満たすように加熱、乾燥することを特徴とするセルロースアシレートフィルムの製造方法。
（I）  ０≦Ｒｅ(630)≦１０かつ｜Ｒｔｈ(630)｜≦２５
（II） ｜Ｒｅ(400)−Ｒｅ(700)｜≦１０かつ｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜≦３５
（III）Tg≦Ta≦Tg+30 
（IV） Tg-20≦Tb≦Tg+30 
［式中、Ｒｅ(λ)は波長λｎｍにおける正面レターデーション測定値（単位：ｎｍ）、Ｒｔｈ(λ)は波長λｎｍにおける膜厚方向のレターデーション測定値（単位：ｎｍ）である。］
（2）前記ドープ液の固形分濃度が１５〜３５質量％であることを特徴とする上記（1）に記載のセルロースアシレートの製造方法。
（3）前記ドープ液が、３０℃〜２００℃に加温溶解する方法により調整されたものであることを特徴とする上記（1）又は（2）に記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。
（4）前記ドープ液と、添加剤溶液及びマット剤分散液の何れか一方または両方とを、実質的に流延の直前で合流させて混合ドープを形成し、無限移行する無端の金属支持体上に流延することを特徴とする上記（1）〜（3）の何れかに記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。
（5）残留溶媒量が１０質量％以上において前記支持体から剥離することを特徴とする上記（1）〜（4）の何れかに記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。（6）流延から剥離までの時間を３０秒〜１２０秒とすることを特徴とする上記（1）〜（5）の何れかに記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。
（7）流延から剥取りまでの間、支持体上のドープ膜の残留溶媒量が２００質量％から１２０質量％の範囲内にあるとき残留溶媒量減少速度が４〜１５質量％／秒となるように乾燥を行うことを特徴とする上記（1）〜（6）の何れかに記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。
（8）流延から剥取りまでの間、平均温度が２０〜５０℃に設定された雰囲気内で支持体上のドープ膜を乾燥させる低温乾燥工程の後、前記低温乾燥工程の平均温度よりも＋５℃〜７０℃に設定された雰囲気内で更に支持体上で乾燥する高温乾燥工程で乾燥を行い、かつ流延後３０〜１２０秒で剥離することを特徴とする上記（1）〜（7）の何れかに記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。
（9）前記支持体上での高温乾燥工程が４１℃〜１００℃に設定された雰囲気内で行われることを特徴とする上記（1）〜（8）の何れかに記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。
（10）前記高温乾燥工程及び低温乾燥工程の加熱温度をドープ膜の表面に与える温度としてそれぞれをＴｈ（℃）及びＴｌ（℃）とし、ドープ中の主たる有機溶媒の沸点をＢＰ（℃）とした時、高温乾燥ゾーンにおいては、ＢＰ＜Ｔｈ≦（ＢＰ＋６０℃）とし、低温乾燥ゾーンにおいては、１０℃≦Ｔｌ≦ＢＰとし、且つ高温乾燥ゾーンと低温乾燥ゾーンの加熱温度差を５℃以上とすることを特徴とする上記（1）〜（9）の何れかに記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。
（11）剥取り後、テンター装置へ送るウェブ（乾燥されたドープ膜）の残留溶媒量を１０〜５０質量％以下とすることを特徴とする上記（1）〜（10）の何れかに記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。
（12）テンター出口のウェブの残留溶媒良を５質量％以下とすることを特徴とする上記（1）〜（11）の何れかに記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。
（13）テンター装置における伸縮率を-３〜３％にしておくことを特徴とする上記（1）〜（12）の何れかに記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。
（14）前記金属支持体の搬送速度をＡ（ｍ／ｍｉｎ）、巻き取り部での搬送速度をＢ（ｍ／ｍｉｎ）としたとき、Ｂ／Ａが０．９０〜１．１０であることを特徴とする（1）〜（13）の何れかに記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。
（15）下記式（V）、（VI）をみたすＲｔｈ低減剤を少なくとも一種含有することを特徴とする上記（1）〜（14）のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。
（V）（Ｒｔｈ（Ａ）−Ｒｔｈ（０））／Ａ≦−１．０
（IV）０．１≦Ａ≦３０
［式中、Ｒｔｈ（Ａ）はＲｔｈ低減剤をＡ％含有したフィルムのＲｔｈ（ｎｍ）、Ｒｔｈ（０）はＲｔｈ低減剤を含有しないフィルムのＲｔｈ（ｎｍ）、Ａはフィルム原料ポリマーの質量を１００としたときのＲｔｈ低減剤の質量（％）、Ｒｅ(λ)は波長λｎｍにおける正面レターデーション測定値（ｎｍ）を表す。］
（16）フイルムの｜Ｒｅ(400)−Ｒｅ(700)｜および｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜を低下させ、波長２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持つ化合物を少なくとも１種、セルロースアシレート固形分に対して０．０１〜３０質量％含むことを特徴とする上記（1）〜（15）の何れかに記載のセルロースアシレートフイルムの製造方法。
（17）上記（1）〜（16）の何れかに記載の製造方法により製造されたことを特徴とするセルロースアシレートフィルム。
（18）上記（17）に記載のセルロースアシレートフイルムの少なくとも１枚を、偏光子の保護フイルムとしたことを特徴とする偏光板。
（19）表面にハードコート層、防眩層、反射防止層を少なくとも一層設けたことを特徴とする上記（18）に記載の偏光板。
（20）表面に光学補償層を少なくとも一層設けたことを特徴とする上記（18）又は（19）の何れかに記載の偏光板。
（21）上記（17）に記載のセルロースアシレートフイルム及び（18）〜（20）のいずれかに記載の偏光板の少なくとも何れか一つを用いたことを特徴とする液晶表示装置。
（22）ＶＡまたはＩＰＳ液晶表示装置であることを特徴とする上記（２１）に記載の液晶表示装置。
【発明の効果】
【００１３】
流延、乾燥工程における膜温度を見かけのＴｇ近辺とすることを特徴とする本発明のセルロースアシレートフィルムの製造方法により、セルロースアシレートフィルムの膜厚方向のレタデーションＲｔｈを低下させることができ、光学的異方性が小さくかつ光学的に等方性でしかも光学的異方性の波長分散がが小さいセルロースアシレートフィルムを得ることができる。又そのフィルムを用いて偏光板保護フィルムや光学補償フィルムの光学特性を向上させることもできる。さらにその偏光板保護フィルムを用いることにより、表示品位、視角特性に優れた液晶表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
[原料・素材・溶剤]
（セルロースアシレート）
本発明に用いるセルロースアシレートの原料は、綿花リンター及び／または木材パルプであることが好ましい。また、木材パルプは針葉樹が精製されたセルロース原料であることが更に好ましい。さらに綿花リンター及び／又は木材パルプが、α−セルロースを８０％以上含有することが好ましい。また、綿花リンター及び／又は前記木材パルプが、マンノース／キシロース＝０．３５／１〜３．０／１（モル比）であり、その総含有量が０．０１〜５モル％であることが好ましい。
【００１５】
前記セルロースアシレートが、セルロースのアルキルカルボニルエステル、アルケニルカルボニルエステル、芳香族カルボニルエステルあるいは芳香族アルキルカルボニルエステルであることが好ましい。また、前記セルロースアシレートが、セルロースアセテート、セルロースアセテートプロピオネート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートステアレート、セルロースアセテートベンゾエートであることが好ましい。
【００１６】
前記セルロースアシレートが、活性化工程（前処理工程）、アシル化工程（アセチルの場合は酢化工程）、熟成工程、沈殿工程、精製工程、乾燥工程、粉砕工程の中の組み合わせによって製造されていることが好ましい。
【００１７】
前記セルロースアシレートが、残存酢酸量及び炭素数３〜２２の脂肪酸含量がそれぞれ０．５質量％以下であることが好ましい。また、セルロースアシレートが、アルカリ金属及び／又はアルカリ土類金属の少なくとも一種を１ｐｐｂ〜１００００ｐｐｍ含有していることが好ましい。さらに、前記セルロースアシレートが、アルミニウム、ビスマス、ケイ素、重金属（クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、砒素、銀、カドミウム、スズ、アンチモン、金、白金、水銀、鉛など）の少なくとも一種を、１ｐｐｂ〜１０００ｐｐｍ含有していることが好ましい。
【００１８】
前記セルロースアシレートの２５℃でのアセトン抽出量が１５質量％以下であることが好ましい。また、前記セルロースアシレートの６位のアシル基の置換度が全体のアシル基の３２％以上であることが好ましい。さらに、前記セルロースアシレートの６位のアシル基の置換度が０．８８以上であることが好ましい。また、前記セルロースアシレートが、セルロースアセテートであることが好ましい。さらには、前記セルロースアシレートがセルローストリアセテートであることが好ましい。
【００１９】
前記セルロースアシレートの粘度平均重合度が２００〜７００であることが好ましい。また、前記セルロースアシレートの質量平均分子量と数平均分子量の比が１．０〜５．０、好ましくは、１．０〜４．０更に好ましくは、１．５〜３．０であることが好ましい。さらに、前記セルロースアシレートが酸解離指数１．９３〜４．５の酸または、部分エステル化物、またはその塩を含有することが好ましい。
【００２０】
前記セルロースアシレートの含水率が２質量％以下であることが好ましい。また、前記セルロースアシレートのイエローネスインデックスが０．１〜１０であることが好ましい。さらに、前記セルロースアシレートのヘイズが０．０５〜５％であることが好ましい。
【００２１】
前記セルロースアシレートの透明度が８５％以上であることが好ましい。また、前記セルロースアシレートのＴｇが８０〜２００℃であることが好ましい。さらに、前記セルロースアシレートの結晶化発熱量が２〜２０Ｊ／ｇであることが好ましい。
【００２２】
セルロースアシレートを溶解する有機溶剤としては、炭化水素（例：ベンゼン、トルエン）、ハロゲン化炭化水素（例：メチレンクロライド、クロロベンゼン）、アルコール（例：メタノール、エタノール、ジエチレングリコール）、ケトン（例：アセトン）、エステル（例：酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル）及びエーテル（例：テトラヒドロフラン、メチルセロソルブ）などがあげられる。
【００２３】
炭素原子数１〜７のハロゲン化炭化水素が好ましく用いられ、メチレンクロライドが最も好ましく用いられる。セルロースアシレートの溶解性、支持体からの剥ぎ取り性、フィルムの機械強度等、光学特性等の物性の観点から、メチレンクロライドの他に炭素原子数１〜５のアルコールを一種、ないし数種類混合することが好ましい。アルコールの含有量は、溶剤全体に対し２〜２５質量％が好ましく、５〜２０質量％がより好ましい。アルコールの具体例としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール等があげられるが、メタノール、エタノール、ｎ−ブタノール、あるいはこれらの混合物が好ましく用いられる。
【００２４】
最近、環境に対する影響を最小限に抑えるため、メチレンクロライドを用いない溶媒組成も提案されている。この目的に対しては、炭素原子数が３〜１２のエーテル、炭素原子数が３〜１２のケトン、炭素原子数が３〜１２のエステルが好ましく、これらを適宜混合して用いる。これらのエーテル、ケトン及びエステルは、環状構造を有していてもよい。エーテル、ケトン及びエステルの官能基（すなわち、−Ｏ−、−ＣＯ−及び−ＣＯＯ−）のいずれかを二つ以上有する化合物も、有機溶剤として用いることができる。有機溶剤は、アルコール性水酸基のような他の官能基を有していてもよい。二種類以上の官能基を有する有機溶剤の場合、その炭素原子数は、いずれかの官能基を有する化合物の規定範囲内であればよい。
【００２５】
（非塩素系有機溶媒）
前記炭素原子数の３〜１２のエーテル類が、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシメタン、ジメトキシエタン、１，４−ジオキサン、１，３−ジオキサン、１，３−ジオキソラン、テトラヒドロフラン、アニソールおよびフェネトールから選ばれた有機溶媒であっても良い。
【００２６】
前記炭素原子数が３〜１２のケトン類が、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノンおよびメチルシクロヘキサノンから選ばれた有機溶媒であっても良い。
【００２７】
前記炭素原子数が３〜１２のエステル類が、エチルホルメート、プロピルホルメート、ペンチルホルメート、メチルアセテート、エチルアセテート、プロピルアセテートおよびペンチルアセテートから選ばれた有機溶媒で有っても良い。
【００２８】
前記非塩素系有機溶媒が、酸素質量分率０．６〜０．１５の溶媒であることが好ましい。また、非塩素系有機溶媒が、双極子モーメントが０．２〜３．３の溶媒であることが好ましい。さらに、前記非塩素系有機溶媒が、分子量が１５０以下の溶媒であることが好ましい。さらには、前記非塩素系有機溶媒が、Ｉ／Ｏ値が３〜０．２の有機溶媒で有っても良い。
【００２９】
前記非塩素系有機溶媒が、互いに異なる３種類以上の混合溶媒であって、第１の溶媒が酢酸メチル、酢酸エチル、蟻酸メチル、蟻酸エチル、アセトン、ジオキソラン、ジオキサンから選ばれる少なくとも一種あるいはそれらの混合液であり、第２の溶媒が炭素原子数が４〜７のケトン類またはアセト酢酸エステルから選ばれ、第３の溶媒として炭素数が１〜１０のアルコールまたは炭化水素から選ばれ、より好ましくは炭素数１〜８のアルコールで有っても良い。この場合、第１の溶媒が２種以上の溶媒混合液の場合は第２の溶媒がなくてもよい。
【００３０】
前記非塩素系有機溶媒が混合溶媒である場合において、前記第１の溶媒が酢酸メチル、アセトン、蟻酸メチル、蟻酸エチルあるいはこれらの混合物であり、前記第２の溶媒がメチルエチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、アセト酢酸メチルあるいはこれらの混合液であることが好ましい。また、前記第３の溶媒が、メタノール、エタノール、１−プロパノール、２−プロパノール、１−ブタノール、２−ブタノール、シクロヘキサノール、シクロヘキサンおよびヘキサンから選ばれても良い。
【００３１】
前記第１の溶媒が２０〜９０質量％、前記第２の溶媒が５〜６０質量％さらに前記第３の溶媒が５〜３０質量％の比率で含まれる溶媒混合液であっても良い。
【００３２】
前記混合溶媒の組成が、酢酸メチル／アセトン／メタノール／エタノールであることが好ましい。また、前記混合溶媒の組成が、酢酸メチル／アセトン／メタノール／エタノール／ブタノールであっても良い。前記混合溶媒の組成が、酢酸メチル／メチルエチルケトン／ジオキソラン／エタノール／ブタノールで有っても良い。
【００３３】
（可塑剤）
前記セルロースアシレート溶液中に可塑剤をセルロースアシレート固形分に対して２〜３０質量％含有することが好ましい。また、前記可塑剤の沸点が２００〜４００℃の液体であるか、または融点が１０〜２５０℃の固体であることが好ましい。
【００３４】
前記可塑剤が、リン酸エステル、カルボン酸エステルであることが好ましい。また、前記可塑剤が、トリフェニルフォスフェート（ＴＰＰ）、トリクレジルホスフェート（ＴＣＰ）、クレジルジフェニルホスフェート、オクチルジフェニルホスフェート、ジフェニルビフェニルホスフェート、トリオクチルホスフェート、トリブチルホスフェート、ジメチルフタレート（ＤＭＰ）、ジエチルフタレート（ＤＥＰ）、ジブチルフタレート（ＤＢＰ）、ジオクチルフタレート（ＤＯＰ）、ジフェニルフタレート（ＤＰＰ）、ジエチルヘキシルフタレート（ＤＥＨＰ）、Ｏ−アセチルクエン酸トリエチル（ＯＡＣＴＥ）、Ｏ−アセチルクエン酸トリブチル（ＯＡＣＴＢ）、クエン酸アセチルトリエチル、クエン酸アセチルトリブチル、オレイン酸ブチル、リシノール酸メチルアセチル、セバシン酸ジブチル、トリアセチン、トリブチリン、ブチルフタリルブチルグリコレート、エチルフタリルエチルグリコレート、メチルフタリルエチルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレートから選ばれたものであることがより好ましい。さらに、前記可塑剤が、（ジ）ペンタエリスリトールエステル類、グリセロールエステル類、ジグリセロールエステル類であることが好ましい。
【００３５】
（添加剤）
前記セルロースアシレート溶液中に、劣化防止剤（例、酸化防止剤、過酸化物分解剤、ラジカル禁止剤、金属不活性化剤、酸捕獲剤、アミン）や紫外線防止剤を０．０１〜１質量％含有することが好ましい。前記劣化防止剤の沸点が２００〜４００℃の液体であるか、または融点が１０〜２５０℃の固体１０〜２００℃であることが好ましい。
【００３６】
前記セルロースアシレートフイルムが、微粒子マット剤を含有したフイルムであることが好ましい。前記微粒子マット剤のモース硬度２〜１０であることが好ましい。また、前記微粒子マット剤の平均粒子径が、０．００１〜２０μｍであることが好ましい。
【００３７】
前記セルロースアシレート溶液が、剥離剤を含有した溶液であることが好ましい。前記剥離剤が、リン酸系エステル、スルフォン酸及び酸解離指数ｐＫａ１．９３〜４．５０の酸またはその塩から選ばれることが好ましい。さらに、前記剥離剤が、グルコール酸、乳酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、それらの部分エステル化物及びそれらの塩から選ばれることが好ましい。
【００３８】
前記いずれかの剥離剤を含有した前記セルロースアシレート溶液を流延した後に残留溶媒が１０〜２００質量％で金属支持体から剥ぎ取られることが好ましい。
【００３９】
前記セルロースアシレートフイルムが、ポリウレタンあるいはポリオールを２０質量％以下含有することが好ましい。また、前記セルロースアシレートフイルムが、帯電防止剤を含有したセルロースアシレートであることも好ましい。
【００４０】
[仕込み・濾過]
前記セルロースアシレート溶液において、セルロースアシレートが５〜４０質量％の濃度であることが好ましい。また、前記セルロースアシレート溶液の作製の際に、−１０〜５５℃で膨潤する工程、その混合物を３０〜２００℃、より好ましくは５０〜１２０℃に加温して溶媒中にセルロースアシレートを溶解する工程からなるセルロースアシレート溶液の調製方法であることが好ましい。
【００４１】
前記セルロースアシレートと前記非塩素系有機溶媒とを混合する際に、前記セルロースアシレートの９０質量％以上が０．１〜４ｍｍの粒子を使用することが好ましい。
【００４２】
本発明のセルロースアシレートフイルムの製造方法において、前記セルロースアシレート溶液を濃縮する工程を含むことが好ましい。また、前記セルロースアシレート溶液をろ過する工程を含みセルロースアシレート溶液の温度が０〜２００℃であることが好ましい。
【００４３】
前記溶液をろ過する工程において、ろ過フィルターの平均孔径が１００μｍ以下であることが好ましい。なお、ろ過流量が５０リットル／ｈｒ以上であることが好ましい。
【００４４】
本発明のセルロースアシレートフイルムの製造方法において、前記セルロースアシレート溶液を金属支持体上に流延する工程、剥ぎ取る工程、および溶媒を蒸発させてフイルムを形成する乾燥工程さらに作製されたセルロースアシレートフイルムを巻き取る工程を備えていることが好ましい。
【００４５】
前記セルロースアシレート溶液が、４０℃での粘度が１０〜３０００Ｐａ・ｓであることが好ましい。
【００４６】
[流延]
前記セルロースアシレート溶液を流延する工程に際し、その溶液温度が−１０〜５７℃であることが好ましい。また、前記セルロースアシレート溶液を流延するに際し、その工程の温度が−１０〜５７℃で保温されていることが好ましい。さらに、前記セルロースアシレート溶液を流延する金属支持体が、−２０〜４０℃の表面温度を有しているバンド状またはドラム状の金属支持体であることが好ましい。
【００４７】
本発明のセルロースアシレートフイルムの製造方法において、前記セルロースアシレート溶液を流延する際に、同時に２層以上のセルロースアシレート溶液を同時積層共流延されるか、あるいは離れた位置で逐次積層共流延されることが好ましい。また、同時に２層以上のセルロースアシレート溶液から積層共流延されて得られるセルロースアシレートフイルムにおいて、空気面側の厚さ及び／又は金属支持体側の厚さが全体の０．５〜３０％であることが好ましい。さらに、同時に２層以上のセルロースアシレート溶液を同時積層共流延する際に、ダイスリットから流延面に押し出す際に高粘度溶液を低粘度溶液で包み込まれることが好ましい。また、同時に２層以上のセルロースアシレート溶液を同時積層共流延する際に、ダイスリットから流延面に押し出す際に内部の溶液よりもアルコールが多く含まれる外部の溶液で包み込まれることが好ましい。
【００４８】
前記剥ぎ取る工程において、剥ぎ取り時の乾燥風の温度が、２０〜２５０℃であることが好ましい。また、乾燥時の未乾燥のセルロースアシレートフイルムが、テンターで保持されることが好ましい。
【００４９】
前記セルロースアシレートフイルムが、流延時の速度が１０〜２００ｍ／分であることが好ましい。
【００５０】
前記フイルムを巻き取る工程において、フイルムの巻き取り姿が、長手方向に少なくとも１００ｍ以上であり、かつ幅方向が６０ｃｍ以上であることが好ましい。
【００５１】
前記流延工程から前記フイルムを巻き取る工程までのいずれかで、前記セルロースアシレートフイルムの両端がスリットされることが好ましい。また、スリットされた両端がナーリングされることが好ましい。この場合、ナーリングされた個所の凹凸が、１〜２００μｍであることが好ましい。
【００５２】
[性能]
（透明度・ヘイズ・Re・Rth）
前記セルロースアシレートフイルムの透明度が、８０〜９９．５％であることが好ましい。また、前記セルロースアシレートフイルムのヘイズが、０．００５〜５％であることが好ましい。さらに、前記セルロースアシレートフイルムのＲｅが、０〜１０ｎｍであることが好ましい。又、｜Rth｜が０〜２５ｎｍであることが好ましい。
可視波長領域４００〜７００ｎｍすべてにおいて低Ｒｅ、低Ｒｔｈであることが好ましく、具体的には｜Ｒｅ(400)−Ｒｅ(700)｜≦１０かつ｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜≦３５であることが好ましい。
【００５３】
また、前記Ｒｅ及びRthのフィルム測定部位間のバラツキが、±３％以内であることが好ましい。
【００５４】
（配向軸・透過率・残留溶媒量）
前記セルロースアシレートフイルムの分子配向軸が、−５°〜５°であることが好ましい。また、前記セルロースアシレートフイルムの３８０ｎｍにおける透過率が、２０％以下であることが好ましい。さらに、前記セルロースアシレートフイルムの残留溶媒量が、１質量％以下であることが好ましい。
【００５５】
[機能層]
（帯電防止・硬化層・反射防止・易接着・防眩）
前記セルロースアシレートフイルムの少なくとも一方の面が下塗り、親水化処理されていてもよい。
【００５６】
本発明のセルロースアシレートフイルムは、該フイルムを支持体として、他の機能性層を付与した機能性材料として用いることが好ましい。前記機能性層が帯電防止層、硬化樹脂層、反射防止層、易接着層、防眩層及び光学補償層から選択される少なくとも１層を設けることが好ましい。
【００５７】
前記機能性層が、少なくとも一種の界面活性剤を０．１〜１０００ｍｇ／ｍ2 含有することが好ましい。また、前記機能性層が、少なくとも一種の滑り剤を０．１〜１０００ｍｇ／ｍ2含有することが好ましい。さらに、前記機能性層が、少なくとも一種のマット剤を０．１〜１０００ｍｇ／ｍ2 含有することが好ましい。さらには、前記機能性層が、少なくとも一種の帯電防止剤を１〜１０００ｍｇ／ｍ2含有することが好ましい。
【００５８】
（光学補償シート）
前記機能性材料を光学用途に用いることが好ましい。前記光学用途が液晶表示装置としての用途であることが好ましい。前記液晶表示装置が、二枚の電極基板の間に液晶を担持してなる液晶セル、その両側に配置された二枚の偏光素子、および該液晶セルと該偏光素子との間に少なくとも一枚の光学補償シートを配置した構成であることが好ましい。
【００５９】
（用途）
前記偏光素子の偏光膜が、ヨウ素系偏光膜、二色性染料を用いる染料系偏光膜やポリエン系偏光膜であることが好ましい。前記偏光膜がポリビニルアルコール系フイルムを用いて製造されていることが好ましい。
【００６０】
前記セルロースアシレートフイルムを偏光子の両側に貼り合わせた偏光フイルムであることが好ましい。
【００６１】
[性能測定法]
以下、本発明を詳細に記述するが、セルロースアシレート、セルロースアシレート溶液あるいは、セルロースアシレートフイルムの評価に当たって、以下の方法で測定を実施した。
【００６２】
（分光特性）
試料１３ｍｍ×４０ｍｍを、２５℃，６０％ＲＨで分光光度計（Ｕ−３２１０、（株）日立製作所）にて、波長３００〜４５０ｎｍにおける透過率を測定した。傾斜幅は７２％の波長−５％の波長で求めた。限界波長は（傾斜幅／２）＋５％の波長で表した。吸収端は、透過率０．４％の波長で表す。さらに、３８０ｎｍの透過率を評価した。
【００６３】
本明細書において、Ｒｅ(λ)、Ｒｔｈ(λ)は各々、波長λにおける面内のリターデーションおよび厚さ方向のリターデーションを表す。Ｒｅ(λ)はKOBRA  21ADH（王子計測機器（株）製）において波長λｎｍの光をフィルム法線方向に入射させて測定される。Ｒｔｈ(λ)は前記Ｒｅ(λ)、面内の遅相軸（KOBRA  21ADHにより判断される）を傾斜軸（回転軸）としてフィルム法線方向に対して＋４０°傾斜した方向から波長λnｍの光を入射させて測定したレターデーション値、および面内の遅相軸を傾斜軸（回転軸）としてフィルム法線方向に対して−４０°傾斜した方向から波長λnｍの光を入射させて測定したレターデーション値の計３つの方向で測定したレターデーション値を基にKOBRA  21ADHが算出する。
【００６４】
ここで平均屈折率の仮定値は  ポリマーハンドブック（JOHN  WILEY＆SONS，INC）、各種光学フィルムのカタログの値を使用することができる。平均屈折率の値が既知でないものについてはアッベ屈折計で測定することができる。主な光学フィルムの平均屈折率の値を以下に例示する：  セルロースアシレート（１．４８）、シクロオレフィンポリマー（１．５２）、ポリカーボネート（１．５９）、ポリメチルメタクリレート（１．４９）、ポリスチレン（１．５９）である。これら平均屈折率の仮定値と膜厚を入力することで、KOBRA  21ADHはｎｘ、ｎｙ、ｎｚを算出する。この算出されたnx,ny,nzよりNz=（nx-nz）/(nx-ny)が更に算出される。
【００６５】
（分子配向軸）
試料７０ｍｍ×１００ｍｍを、２５℃、６５％ＲＨで２時間調湿し、自動複屈折計（ＫＯＢＲＡ２１ＤＨ、  王子計測（株））にて、垂直入射における入射角を変化させた時の位相差より分子配向軸を算出した。
【００６６】
（キシミ）
試料１００ｍｍ×２００ｍｍおよび７５ｍｍ×１００ｍｍの試料を、２３℃、６５％ＲＨ、２時間調湿し、テンシロン引張試験機（ＲＴＡ−１００，オリエンテック（株））にて、大きいフイルムを台の上に固定し、２００ｇのおもりをつけた小さいフイルムを載せた。おもりを水平方向に引っ張り、動きだした時の力、動いているときの力を測定し、静摩擦係数、動摩擦係数をそれぞれ次式に従い算出した。
Ｆ＝μ×Ｗ
（ここで、Ｆは動きだした時の力（Ｎ）又は動いているときの力（Ｎ）であり、Ｗは対応するおもりの質量（ｋｇ）である。）
【００６７】
（残留溶剤量）
試料７ｍｍ×３５ｍｍをガスクロマトグラフィー（ＧＣ−１８Ａ、島津製作所（株））にて、ベース残留溶剤量を測定した。
【００６８】
（ベースの平面性）
試料として全幅×１．５ｍを反射光、透過光にて角度を変えて検査し、平面性を評価した。表面形状に関しては暗室にてスライドスコープでフイルムを検査すると共に、ベース面状投影機でも評価した。
【００６９】
［セルロースアシレートの原料］
本発明に用いられるセルロースアシレートについて、以下に記す。本発明に用いられるセルロースアシレート原料のセルロースとしては、綿花リンタや木材パルプ（広葉樹パルプ，針葉樹パルプ）などがあり、何れの原料セルロースから得られるセルロースアシレートでも使用でき、場合により混合して使用してもよい。これらの原料セルロースについての詳細な記載は、例えばプラスチック材料講座（１７）繊維素系樹脂（丸澤、宇田著、日刊工業新聞社、１９７０年発行）に見られる。
【００７０】
それによると、セルロースの分子量は広範囲であり例えば天然セルロースは６０万〜１５０万（重合度概算３５００〜１万）であり、精製リンタは１万〜５０万（重合度概算２００〜３０００）であり、木材パルプは１万〜１３４万（重合度概算２００〜２１００）である。ここで分子量は、セルロースあるいはその誘導体の強度的性質は大きく影響し、分子量が小さくなるとある重合度から急にその力学的強度が低下する。
【００７１】
本発明においてはセルロースからエステル化してセルロースアシレートを作製するが、特に好ましい前述のセルロースがそのまま利用できる訳ではなく、リンタやパルプを精製して精製リンタと精製高級木材パルプとして用いられる。リンタは綿実に綿繊維の中で繊維長が短い短繊維でありα−セルロース含量（例えば８８〜９２質量％）が多く純度が高く、不純物も少ない。この粗リンタはゴミ取り、アルカリ蒸煮、漂白、酸処理、脱水および乾燥によって精製リンタを得ることができる。これらの詳細はプラスチック材料講座（１７）繊維素系樹脂（丸澤、宇田著、日刊工業新聞社、１９７０年発行）の２５〜２８頁に記述され、表２・３にその特性が記載されており、本発明で好ましい精製リンタが得られる。
【００７２】
さらに、精製パルプについても同著の２８〜３２頁に記述されており、表２・４に特性も記載されており、該手法などで精製されたパルプもセルロースアシレート原料として好ましい。ここで、精製された綿花リンタと木材パルプを混合して用いることも好ましく、その割合は特に限定されないが好ましくは０／１００〜９５／５でる。混合することによって溶解性を向上させて、セルロースアシレートフイルムの面状、力学特性や光学特性を改良することができる。
【００７３】
なお、特開2002-371143号には、加工の際に切断粉を発生させず、また、層間剥離等を発生させないために、フイルムの片方又は両方の表面から少なくとも０．５μｍの部分を、綿花リンターと木材パルプとの質量比（綿花リンター／木材パルプ）が４０／６０〜１００／０で、綿花リンターの含有量がその他の部分に用いるドープにおける綿花リンターの含有量より５質量％以上多く、かつ溶媒における炭素数１〜１０のアルコール及び炭化水素の含有量が２０質量％以下であるドープを用いる発明が記載されている。
【００７４】
また、特開2002-371142号には、偏光板のコーナー部の縁に発生する光学的なムラを抑制するために、製造されたフイルムの片方又は両方の表面から少なくとも０．５μｍの部分を、綿花リンターと木材パルプとの質量比（綿花リンター／木材パルプ）が５／９５〜０／１００で、かつ溶媒における炭素数１〜１０のアルコール及び炭化水素の含有量が１５質量％以上であるドープを用いる発明が記載されている。
【００７５】
以上記載したこれらのセルロースアシレートに関する発明は、本発明においても適用できるものである。
【００７６】
ここで、本発明でも利用されるセルロースはその分析については種々行われており、ＡＳＴＭ  ｓｔａｎｄａｒｄ  Ｐａｒｔ  １５、  ＴＡＰＰＩ  Ｓｔａｎｄａｒｄ  （Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ  Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ｐｕｌｐ  ａｎｄ  Ｐａｐｅｒ  Ｉｎｄｕｓｔｒｙ）やＪＩＳ  Ｐ  ８１０１などに詳細に掲げられている。測定項目としては、灰分、酸化カルシウムと酸化マグネシウムの含量、α−セルロース、β−セルロース、銅価などである。
【００７７】
この中で、パルプの純度の指標となるα−セルロース含有量は、例えば８０〜１００質量％程度の範囲から選択でき、木材パルプでは、通常８５〜９８％程度である。本発明では低純度パルプ、例えばα−セルロース含有量８０〜９６％（特に９２〜９６％）程度のパルプも使用できる。これらのパルプのうち、通常木材パルプが使用される。なお、広葉樹パルプを原料とするセルロースアシレートは、流延法によるフイルムの剥離性が不足気味であり、針葉樹パルプは透明性などの光学的特性で若干悪化気味であるが、特に光学用途や写真フイルムへの応用に対しては問題なく使用できる。
【００７８】
さらに本発明においては、特開平１１−１３０３０１号公報に記載のように、パルプあるいは綿花中の中性構成糖成分には、グルコースが主成分であるがマンノースとキシロースとを含んでいてもよい。その比率は特に限定されないが、マンノース／キシロース（モル比）＝０．３５／１〜３．０／１、好ましくは０．３５／１〜２．５／１、さらに好ましくは０．３５／１〜２／１である。その場合に作製されたセルローストリアセテートにおいて、マンノースおよびキシロースの総含有量は、０．０１〜５モル％、好ましくは０．１〜４モル％である。なお、「マンノース」「キシロース」は、パルプ中に含まれるヘミセルロース（キシラン，グルコマンナンなど）の主たる構成糖である。これらの原料パルプおよび得られたセルロースアシレート（セルローストリアセテートについて）の構成糖成分は、具体的には特開平１１−１３０３０１号に記載の方法で分析できる。
【００７９】
一方、セルロースの構造を評価する手段として、Ｘ線解析もまた用いられる。それによるとセルロース分子は繊維軸方向に平行に配列し水素結合によって引き合い、５個のセルロース分子のセルビオース単位によって１個の単位胞を形成していることが記載されている。また、Ｘ線解析法によればその結晶化度は天然セルロースで約７０％であることが示されており、これらのセルロースも本発明のセルロースアシレート作製に対して使用できる。
【００８０】
以上記述したセルロースアシレートについては、特開平１０−４５８０３、特開平１１−２６９３０４、特開平８−２３１７６１、特開平１０−６０１７０、特開平９−４０７９２、特開平１１−５８５１、特開平１１−２６９３０４、特開平９−９０１０１、特開昭５７−１８２７３７、特開平４−２７７５３０、特開平１１−２９２９８９、特開平１２−１３１５２４、特開平１２−１３７１１５号などに記載のセルロースアシレートを利用することも好ましい。これらの素材も、非塩素系有機溶媒を用いて作製されるセルロースアシレートフイルムに対しては特に限定されるものではない。
【００８１】
［セルロースアシレート溶液（ドープ）の調製及びフイルムの作製］
次に上述のセルロースを原料から製造される本発明のセルロースアシレートについて記載する。本発明のセルロースアシレートは、セルロースの水酸基への置換度が下記式（I)〜（III)の全てを満足するものが好ましい。
（I）      ２．５≦Ａ＋Ｂ≦３．０
（II）     １．５≦Ａ≦３．０
（III）    ０≦Ｂ≦１．２
ここで、式中Ａ及びＢはセルロースの水酸基に置換されているアシル基の置換基を表し、Ａはアセチル基の置換度、またＢは炭素原子数３〜２２のアシル基の置換度である。セルロースには１グルコース単位に３個の水酸基があり、上記の数字はその水酸基３．０に対する置換度を表すもので、最大の置換度が３．０である。セルローストリアセテートは一般にＡの置換度が２．６〜３．０であり（この場合、置換されなかった水酸基が最大０．４である）、Ｂ＝０の場合がセルローストリアセテートである。本発明のセルロースアシレートは、アシル基が全部アセチル基のセルローストリアセテート、及びアセチル基が２．０以上で、炭素原子数が３〜２２のアシル基が０．８以下、置換されなかった水酸基が０．４以下のものが好ましい。炭素原子数３〜２２のアシル基の場合、０．３以下が物性の点から特に好ましい。なお、置換度は、セルロースの水酸基に置換する酢酸または及び炭素原子数３〜２２の脂肪酸の結合度を測定し、計算によって得られる。測定方法としては、ＡＳＴＭのＤ−８１７−９１に準じて行なうことが出来る。
【００８２】
なお、アシル基がすべてアセチル基の場合は、その水酸基の置換度を酢化度であらわすことが通常おこなわれている。すなわち、セルロースアセテートにおいて平均酢化度は、用途や特性に応じて５８％〜６２．５％（アセチル基の平均置換度２．６４〜３．０）程度の範囲が好ましい。さらに好ましくは５９〜６２％（例えば、６０〜６１％）程度である。ここで酢化度は、結合酢酸量を意味し、セルロース単位質量当たりの結合酢酸の質量百分率をいい、ＡＳＴＭ：Ｄ−８１７−９１（セルロースアセテートなどの試験方法）のアセチル化度の測定法に準じて測定できる。具体的には、乾燥したセルロースアセテート１．９ｇを精秤して、アセトンとジメチルスルホキシドとの混合溶媒（容量比４：１）１５０ｍｌに溶解した後、１Ｎ水酸化ナトリウム水溶液３０ｍｌを添加し、２５℃で２時間ケン化する。フェノールフタレインを指示薬として添加し、１Ｎ硫酸（濃度ファクター：Ｆ）で過剰の水酸化ナトリウムを滴定する。また、上記と同様の方法でブランク試験を行い、下記式に従って酢化度を算出することで求められる。
酢化度（％）＝［６．５×（Ｖ−Ｖ0）×Ｆ］／Ｗ
（式中、Ｖ0は試料での１Ｎ硫酸の滴定量（ｍｌ）、Ｖはブランク試験での１Ｎ硫酸の滴定量（ｍｌ）、Ｆは１Ｎ硫酸の濃度ファクター、Ｗは試料の質量を示す）。
【００８３】
また、本発明ではセルロースアシレートの６位水酸基の置換度が、２，３位に比べて多いほうが好ましい。一般には、２，３，６の水酸基は全体の置換度の１／３づつに均等に分配されるわけではなく、６位水酸基の置換度が小さくなる傾向がある。したがって、全体の置換度に対して６位の水酸基が３２％以上アシル基で置換されていることが好ましく、更には３３％以上が好ましく、特には３４％以上であることが好ましい。各位置の置換度の測定は、ＮＭＲによって求める事ができる。更に６位水酸基は、アセチル基以外に炭素数４以上のアシル基であることが好ましく、プロピオニル基、ブチロイル基、バレロイル基、ベンゾイル基、アクリロイル基などを用いることができる。
【００８４】
なお、セルロースアシレートの６位水酸基の置換度に関しては、特開2003-105129に、面状、耐湿性(含水率)、フィルム強度を良化させるために、セルロースアシレートの混合物について、全アシル置換度が2.70〜2.90であり、炭素原子数3〜22のアシル基の置換度が0.40〜2.50、6位のアシル置換度が0.90未満のセルロースアシレートＡと、全アシル置換度が2.75〜2.90、炭素原子数3〜22のアシル置換度が0.00〜0.40、6位アシル置換度0.90以上のセルロースアシレートＢを含むセルロースアシレートフィルムの記載があり、この発明は本発明にも適応できる。
【００８５】
本発明のセルロースアシレートのアシル基としては、脂肪族基でもアリル基でもよく特に限定されない。それらは、例えばセルロースのアルキルカルボニルエステル、アルケニルカルボニルエステルあるいは芳香族カルボニルエステル、芳香族アルキルカルボニルエステルなどであり、それぞれさらに置換された基を有していてもよく、総炭素数が２２以下のエステル基が好ましい。これらの好ましいセルロースアシレートとしては、エステル部の総炭素数が２２以下のアシル基（例えば、アセチル、プロピオニル、ブチロイル、バレル、ヘプタノイル、オクタノイル、デカノイル、ドデカノイル、トリデカノイル、ヘキサデカノイル、オクタデカノイルなどの各基）、アリールカルボニル基（アクリル基、メタクリル基など）、アリルカルボニルキ（ベンゾイル基、ナフタロイル基など）、シンナモイル基を挙げることが出来る。これらの中でも、セルロースアセテート、セルロースアセテートプロピオネート、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートステアレート、セルロースアセテートベンゾエートなどであり、混合エステルの場合はその比率は特に限定されないが、好ましくはアセテートが総エステルの３０モル％以上であることが好ましい。
【００８６】
これらの中でも、セルロースアシレートが好ましく、特に写真用グレードのものが好ましく、市販の写真用グレードのものは粘度平均重合度、置換度等の品質を満足して入手することができる。写真用グレードのセルローストリアセテートのメーカーとしては、ダイセル化学工業（株）（例えばＬＴ−２０，３０，４０，５０，７０，３５，５５，１０５など）、イーストマンコダック社（例えば、ＣＡＢ−５５１−０．０１、ＣＡＢ−５５１−０．０２、ＣＡＢ−５００−５、ＣＡＢ−３８１−０．５、ＣＡＢ−３８１−０２、ＣＡＢ−３８１−２０、ＣＡＢ−３２１−０．２、ＣＡＰ−５０４−０．２、ＣＡＰ−４８２−２０、ＣＡ−３９８−３など）、ヘキストセラニーズ社等があり、何れも写真用グレードのセルロースアシレートを使用できる。
【００８７】
[セルロースアシレートの製造方法]
本発明で用いられるセルロースアシレートの製法について記す。本発明の好ましいセルロースアシレートの中でも、より好ましいセルロースアセテートについて記述するが、他のエステルについてもその製造については同様に実施できる。なお、セルロースアシレートの代表であるセルロースアセテートについての一般的な記載は前述のプラスチック材料講座（１７）繊維素系樹脂（丸澤、宇田著、日刊工業新聞社、１９７０年発行）の５４〜１０７頁に記述されており、これらのセルロースアセテート類も好ましく用いられる。
【００８８】
すなわち、セルロースアセテートの製法は特に限定されないが、例えば硫酸触媒法、酢酸法、メチレンクロライド法などの方法で製造できる。セルロースアセテートは、リンタやパルプのセルロース原料を酢酸などで処理した後（活性化工程）、酢化工程では酸触媒である硫酸などを用いて無水酢酸によりアセチル化しトリアセテートを作製する。しかる後に、所定の酢化度になるように加水分解・熟成、沈殿工程、精製工程さらに乾燥工程の処理によりセルロースアセテートとして製造される。活性化工程は、例えば酢酸や含水酢酸の噴霧、酢酸や含水酢酸への浸漬などで、パルプ（セルロース）を処理することにより行うことができる。酢酸は、パルプ（セルロース）１００質量部に対して１０〜１００質量部、好ましくは２０〜８０質量部、さらに好ましくは３０〜６０質量部が利用される。アセチル化工程における無水酢酸量は、パルプ（セルロース）１００質量部に対して２３０〜３００質量部、好ましくは２４０〜２９０質量部、さらに好ましくは２５０〜２８０質量部である。アセチル化工程において、通常溶媒として酢酸が使用されその使用量は、例えばパルプ（セルロース）１００質量部に対して２００〜７００質量部、好ましくは３００〜６００質量部、さらに好ましくは３５０〜５００質量部程度である。アセチル化又は熟成触媒としては、好ましくは硫酸が使用され、その使用量は、セルロース１００質量部に対して、１〜１５質量部、好ましくは５〜１５質量部、特に５〜１０質量部である。
【００８９】
セルロースアセテートの光学的特性をさらに改善するためには、セルロースアセテートの製造工程のうち適当な段階、例えば、酢化やケン化終了後、生成したセルロースアセテートを酸化剤で処理するのが有用である。なお、酸化剤による処理は、前記酢化工程における酢酸量の多少の如何に拘らず有効であるが、酢化工程での酢酸溶媒量を多くしてアセチル化したセルロースアセテートに適用すると、さらに光学的特性を向上できる。酸化剤としては、例えば、過酸化水素；過ギ酸，過酢酸，過安息香酸，過酸化ラウロイル，過酸化ベンゾイルなどの過酸；過酸化ジアセチルなどの有機過酸化物などが例示できる。これらの酸化剤は単独で又は二種以上使用できる。好ましい酸化剤には、セルロースアセテートからの除去が容易であり、かつ残留性が小さな酸化剤、例えば、過酸化水素、過ギ酸、過酢酸が挙げられ、過酸化水素や過酢酸が特に好ましい。酸化剤の使用量は、所望する光学的特性のレベルに応じて選択でき、例えは、セルロースアセテート１００質量部に対して、０．０１〜５質量部、好ましくは０．１〜２．５質量部、特に０．１〜１質量部程度である。酸化剤による処理は、酸化剤の種類に応じて、例えば、２０〜１００℃、好ましくは３０〜７０℃で行うことができる。また、ケン化・熟成は、特にその温度は限定されないが４０〜９０℃、より好ましくは５０〜８０℃である。
【００９０】
次に沈殿工程は、一般にセルロースアシレートの貧溶媒を反応溶液に添加することで達成できる。この時使用される貧溶媒は、水，アルコール（メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなど）、アセトンなどである。得られた沈殿セルロースアシレート固形物は、更に前述の溶媒で洗浄することが好ましく、精製工程が一般的に実施される。洗浄が十分であるかどうかは、洗浄液のＰＨを測定することで判断できる。すなわち洗浄が不十分である場合は、洗浄液が酸性を示すことで判断できる。さらに洗浄に当たっては、沈殿したセルロースアシレートを細分化して洗浄することが好ましく、例えばセルロースアシレートの塊が１０ｍｍ以下であることが好ましく、破砕攪拌機などで実施できる。なお、アシル基が長鎖アルキルなどの場合は、ヘキサンなどでもよい。
【００９１】
特開２００１−２６６０１号公報記載によると、ろ過性のよいセルロースアシレート溶液を得ることができ、本発明においても好ましく実施できる。すなわち、アセチル化反応が終了した後、中和工程において中和処理は、セルロースアセテート溶液中の不溶成分を減少させ、濾過性を高めるため、中和処理中の反応系の水濃度を０．１質量％以上１８質量％未満、好ましくは０．４〜１２質量％、より好ましくは０．４〜８質量％、さらに好ましくは０．４〜５質量％になるように調整する。また、同様の目的で、中和処理を開始してから未反応の無水酢酸が分解した後に、水濃度が好ましくは０．１質量％以上以上１８質量％未満、より好ましくは０．４〜１２質量％、さらに好ましくは０．４〜８質量％、特に好ましくは０．４〜５質量％になるように調整することが好ましい。中和処理は、中和剤を水溶液や水懸濁液として加える方法、あるいは最初に反応系中に水を加えた後、中和剤を粉末状または水溶液又は水懸濁液として加える方法を適用できるが、作業性の点から水溶液法が好ましい。水溶液法の場合は中和剤の濃度は好ましくは１０〜４５質量％、より好ましくは１０〜２５質量％である。中和剤としては、アルカリ金属又はアルカリ土類金属の水酸化物、アルカリ金属又はアルカリ土類金属塩等から選択できるが、カルシウムやマグネシウム等のアルカリ土類金属塩が好ましい。
【００９２】
なお、中和処理法として粉末状中和剤を添加する場合は、水溶液又は水懸濁液を加えた時点が中和処理の開始となる。中和処理は３５〜８０℃、好ましくは４５〜７５℃で行うことが望ましい。
【００９３】
次に沈殿工程は、一般にセルロースアシレートの貧溶媒を反応溶液に添加することで達成できる。この時使用される貧溶媒は、水，アルコール（メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなど）、アセトンなどである。得られた沈殿セルロースアシレート固形物は、更に前述の溶媒で洗浄することが好ましく、精製工程が一般的に実施される。洗浄が十分であるかどうかは、洗浄液のＰＨを測定することで判断できる。すなわち洗浄が不十分である場合は、洗浄液が酸性を示すことで判断できる。さらに洗浄に当たっては、沈殿したセルロースアシレートを細分化して洗浄することが好ましく、例えばセルロースアシレートの塊が１０ｍｍ以下であることが好ましく、破砕攪拌機などで実施できる。なお、アシル基が長鎖アルキルなどの場合は、ヘキサンなどでもよい。
【００９４】
次に乾燥工程は、セルロースアシレートに必須である。その乾燥については特に限定されず、常圧でも減圧下でもよく、乾燥温度は３０〜２５０℃が任意に選ばれる。ここで、セルロースアシレート固形物の温度が３０〜２５０℃であれば、その方法は高温度の風を送ることでもよく、搬送ロールの温度を高温にすることでセルロースアシレートを加熱してもよい。さらには、超音波などの電子線照射をあたえることで実施し乾燥してもよい。乾燥時間は生産性を考えると短いほど好ましく、０．１〜１０００時間が好ましい。更には１〜１００時間が特に好ましい。また減圧で乾燥される場合は１００〜５万Ｐａがこのましく、より好ましくは１０００〜３万Ｐａが好ましい。減圧を達成するためには水流ポンプを用いてもよく、また機械的に減圧してもよい。
【００９５】
さらに、セルロースアシレートの安定性を向上させるため、生成したセルロースアシレートには、耐熱安定剤、例えば、アルカリ金属塩（カリウムやナトリウム塩など）やアルカリ土類金属塩（カルシウム，マグネシウム，ストロンチウム，バリウムなど）を添加してもよい。その含有量は特に限定されないが、セルロースアシレートに対してアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属の金属が１ｐｐｂ〜１００００ｐｐｍの範囲であればよく、さらには１０ｐｐｂ〜１０００ｐｐｍであり、特には５０ｐｐｂ〜５００ｐｐｍが好ましい。また鉄化合物として存在する鉄原子の含有量も好ましくは１０００ｐｐｍであり、より好ましくは１００ｐｐｍ、更には２０ｐｐｍであり、特には１ｐｐｍ以下が好ましい。その他の金属類（例えば亜鉛、スズ、鉛、ニッケル、銅などの重金属）も本発明に支障のない限り特にその含有されることに対して問題ないが、好ましくは１０００ｐｐｍ以下であり、さらには１００ｐｐｍ以下である。
【００９６】
[セルロースアシレートの好ましい特性]
（重合度）
本発明で好ましく用いられるセルロースアシレートの重合度は、粘度平均重合度２００〜７００、好ましくは２５０〜５５０、より好ましくは２００〜４００、更に好ましくは２５０〜４００であり、特に好ましくは粘度平均重合度２５０〜３５０である。平均重合度は、宇田らの極限粘度法（宇田和夫、斉藤秀夫、繊維学会誌、第１８巻第１号、１０５〜１２０頁、１９６２年）により測定できる。更に特開平９−９５５３８に詳細に記載されている。粘度平均重合度は、オストワルド粘度計にて測定したセルロースアセテートの固有粘度［η］から、下記の式により求める。
（ａ１）    ＤＰ＝［η］／Ｋｍ
式中、［η］は、セルロースアセテートの固有粘度であり、Ｋｍは、定数６×１０-4である。
粘度平均重合度（ＤＰ）が２９０以上である場合、粘度平均重合度と落球式粘度法による濃厚溶液粘度（η）とが下記式（ａ２）の関係を満足することが好ましい。
（ａ２）２．８１４×ｌｎ（ＤＰ）−１１．７５３≦ｌｎ（η）≦６．２９×ｌｎ（ＤＰ）−３１．４６９
式中、ＤＰは２９０以上の粘度平均重合度の値であり、ηは落球式粘度法における標線間の通過時間（ｓｅｃ）である。
上記式（ａ２）は、粘度平均重合度と濃厚溶液粘度をプロットし、その結果から算出したものである。粘度平均重合度が２９０以上のセルロースアセテートにおいては、一般に重合度が高くなると濃厚溶液の粘度が指数的に増加する。これに対して、上記式を満足するセルロースアセテートでは、粘度平均重合度に対する濃厚溶液粘度の増加が直線的である。
【００９７】
（分子量分布他の性能）
また、本発明に使用するセルロースアシレートは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによるＭｗ／Ｍｎ（Ｍｗは質量平均分子量、Ｍｎは数平均分子量）の分子量分布が狭いことが好ましい。具体的なＭｗ／Ｍｎの値としては１.０〜５．０、好ましくは
１．０〜４．０、更に好ましくは１．５〜３．５である。
【００９８】
さらに低分子成分が少ないセルロースアシレートは、粘度平均重合度（ＤＰ）と濃厚溶液粘度（η）の関係、Ｍｗ／Ｍｎの分子量分布あるいは結晶化発熱量の範囲が小さくなり均一性を満足することができる。低分子成分が除去されると、平均分子量（重合度）が高くなるが、粘度は通常のセルロースアシレートよりも低くなるため有用である。低分子成分の少ないセルロースアシレートは、通常の方法で合成したセルロースアシレートから低分子成分を除去することにより得ることができる。
【００９９】
低分子成分の除去は、セルロースアシレートを適当な有機溶媒で洗浄することにより行なう。有機溶媒の例としては、ケトン類（例、アセトン）、酢酸エステル類（例、メチルアセテート）およびセロソルブ類（例、メチルセロソルブ）が含まれる。本発明においては、ケトン類、特にアセトンを用いることが好ましい。通常の方法により得られるセルロースアシレートを有機溶媒で一回洗浄すると、原料質量に対して５〜１５質量％程度の低分子セルロースアセテートが得られる。ここで最終のセルロースアシレートのアセトン抽出分は、５質量％以下であることがさらに好ましい。低分子成分の除去の効率を高めるために、洗浄前に、セルロースアセテートの粒子を粉砕あるいは篩にかけることで、粒子サイズを調節することが好ましい。具体的には、２０メッシュを通過する粒子が７０％以上となるように調節することが好ましい。洗浄方法としては、ソックスレー抽出法のような溶剤循環方式を採用することができる。また、通常の攪拌槽にて溶媒と共に攪拌し、溶媒と分離することにより洗浄を行なうこともできる。
【０１００】
なお、低分子成分の少ないセルロースアセテートを製造する場合、酢化反応における硫酸触媒量を、セルロース１００質量に対して１０乃至１５質量部に調整することが好ましい。硫酸触媒の量を上記範囲（比較的多量）にすると、分子量部分布の点でも好ましい（分子量分布の均一な）セルロースアシレートを合成することができる。
【０１０１】
本発明のセルロースアシレートは、水溶液中での酸解離指数ｐＫａが１．９３〜４．５０である少なくとも一種の酸、又は部分エステル化物、酸のアルカリ金属塩および前記酸のアルカリ土類金属塩から選択された少なくとも一種を含んでもよい。その場合、セルロースアシレート１ｇ中のアルカリ金属およびアルカリ土類金属の総含有量が、１×１０-8〜５．５×１０-6当量（イオン当量換算）以下であるセルロースアセテートであることが好ましい。この場合セルロースアシレート及び／又はヘミセルロースアシレートに統合したカルボキシル基のうち少なくとも一部が酸型で存在するセルロースアシレートとして存在する。
【０１０２】
（含水率）
本発明のセルロースアシレートの含水率は２質量％以下であることが好ましく、さらに好ましくは１質量％以下であり、特には０．７質量％以下の含水率を有するセルロースアシレートである。一般に、セルロースアシレートは、水を含有しており２．５〜５質量％が知られている。本発明でこのセルロースアシレートの含水率にするためには、乾燥することが必要であり、その方法は目的とする含水率になれば特に限定されない。例えば、乾燥機中で高温にしたり、高温の風を送って乾燥したりしてもよく、さらには減圧状態で低温での乾燥でもよい。好ましい乾燥温度は、５０〜１５０℃であり、さらには７０〜１２０℃である。減圧状態を実施する場合は、１Ｐａ〜０．０５ＭＰａであり更には１０Ｐａ〜０．０２ＭＰａであり、特には５０Ｐａ〜０．０１ＭＰａである。また、乾燥剤を用いて乾燥剤に水分を吸収させることで、セルロースアシレートの水分を低下させ、本発明の含水率を有するセルロースアシレートを得てもよい。なお、乾燥時間は特に限定されず本発明のセルロースアシレートの含水率となるように実施される。これらのセルロースアシレートの含水量は、一定量のセルロースアシレートを採取してカールフィッシャーで測定することで求めることが出来る。
【０１０３】
なお、含水率に関しては、特開2003-119296に、光学補償フィルムに用いるセルロースエステルフィルムのレターデーションのバラツキを小さくするため、ドープ中の含水率を0.01〜2質量%、流延後の乾燥時の残留溶媒量を0.1〜480質量%で、及びフィルムの含水率を5質量%以下とするセルロースエステルフィルムが記載されており、この発明は本発明にも適応できる。
【０１０４】
[溶剤]
本発明のセルロースアシレートは、耐湿性及び寸法安定性が高いとともに、酢化度が高いにも拘らず、前記のような結晶化発熱量を有しているため、溶媒に対する溶解性が高いとともに、溶液粘度が低く、高速での成形加工性が高い。本発明のセルロースアシレートは本質的に結晶性が低いので、フイルム成形などに際して特殊な処理を施すことなく、高い成形性を維持しつつ、効率よく成形品を得ることができる。セルロースアシレートは、成形法の種類に応じた種々の形態（例えば、粉末状、ペレット状など）で成形に供してもよいが、通常、セルロースアシレート溶液（ドープ）として使用する場合が多い。
【０１０５】
その他、非塩素系有機溶媒で用いて作製されるセルロースアシレート溶液及びフイルムについての溶媒は、その溶解方法も含め以下の特許に開示されており、好ましい態様である。それらは、例えば、特開２０００−９５８７６、特開平１２−９５８７７、特開平１０−３２４７７４、特開平８−１５２５１４、特開平１０−３３０５３８、特開平９−９５５３８、特開平９−９５５５７、特開平１０−２３５６６４、特開平１２−６３５３４、特開平１１−２１３７９、特開平１０−１８２８５３、特開平１０−２７８０５６、特開平１０−２７９７０２、特開平１０−３２３８５３、特開平１０−２３７１８６、特開平１１−６０８０７、特開平１１−１５２３４２、特開平１１−２９２９８８、特開平１１−６０７５２、特開平１１−６０７５２などに記載されている。これらの記載によると本発明の非塩素系有機溶媒を用いて作製されるセルロースアシレートに好ましい溶媒だけでなく、その溶液物性や共存させる共存物質についても記載があり、本発明においても好ましい態様である。
【０１０６】
例えば、特開2002-086467には、液経時安定性、フィルムの機械特性、及び光学特性等を良化させるために、非塩素系溶剤の室温における誘電率が2.0〜35.0の範囲とするセルロースアシレートフィルムの製法が記載されている。
【０１０７】
さらに、特開2002-086468には、ドープ液経時安定性、製膜後のフィルムの光学特性、機械強度、寸法安定性等を良化させるために、非塩素系溶剤主溶剤とアルコールとの混合溶剤に溶解、製膜法で、主溶剤が炭素、水素、および酸素で構成され、酸素質量分率が0.60〜0.10の範囲にあるセルロースアシレートフィルムの製法が開示されている。              
【０１０８】
また、特開2002-086469には、液経時安定性改善、製膜後のフィルムの光学特性、機械強度、寸法安定性等を良化させるために、非塩素系溶剤の双極子モーメントが0.2〜3.3の範囲にあるセルロースアシレートフィルムの製法が記載されている。
【０１０９】
さらに、特開2002-086470には、溶解後の液経時安定性を改善し、製膜フィルムの光学特性、機械強度、寸法安定性等を良化させるために、非塩素系溶剤とアルコール混合溶剤で、主溶剤が単一/2種以上混合溶剤で5質量%以上が環状構造溶剤で構成されるセルロースアシレートフィルムの製法が記載されている。
【０１１０】
また、特開2002-088166には、液経時安定性、製膜後のフィルムの光学特性、機械強度、寸法安定性を良化させるために、主溶剤が分子量150以下のエーテル類、ケトン類、エステル類のいずれかとするセルロースアシレートフィルムの製法が記載されている。
【０１１１】
さらに、特開2002-122734には、レターデーションのバラツキを小さくするため、塩化メチレンを主成分とする溶媒ドープ中の含水率が0.3〜1質量%とする偏光板用保護フィルムが記載されている。
【０１１２】
さらに、特開2003-055466には、セルロースアシレート溶液の白濁を防止し、あつフィルム面状を改良するために、塩素系有機溶剤とセルロースアシレートの混合物を、-100〜-10℃の温度に曝して溶解するセルロースアシレート溶液の製法について記載されている。
【０１１３】
また、特開2003-033931には、 製膜されたフィルムの熱収縮を起こりにくくするために、ケトン類，エステル類のうちの少なくとも1つを主溶剤として製膜したセルロースアシレートフィルムにおいて、溶剤乾燥後の溶剤合計残留量が0.1ないし0.6質量%であるセルロースアシレートフィルムについて記載がある。
【０１１４】
以上記載したこれらのセルロースアシレートに関する発明は、本発明においても適用できるものである。
【０１１５】
[添加剤]
本発明のセルロースアシレート溶液には、各調製工程において用途に応じた種々の添加剤（例えば、剥離促進剤、可塑剤、紫外線防止剤、劣化防止剤、微粒子、光学特性調整剤など）を加えることができる。またその添加する時期はドープ作製工程において何れでも添加しても良いが、ドープ調製工程の最後の調製工程に添加剤を添加し調製する工程を加えて行ってもよい。
【０１１６】
[セルロースアシレートへの添加剤]
本発明のセルロースアシレート溶液には、各調製工程において用途に応じた種々の添加剤（例えば、光学的異方性を低下する化合物、波長分散調整剤、紫外線防止剤、可塑剤、劣化防止剤、微粒子、光学特性調整剤など）を加えることができ、これらについて以下に説明する。またその添加する時期はドープ作製工程において何れでも添加しても良いが、ドープ調製工程の最後の調製工程に添加剤を添加し調製する工程を加えて行ってもよい。
【０１１７】
[セルロースアシレートフイルムの光学的異方性を低下させる化合物の構造的特徴]
まず最初にセルロースアシレートフイルムの光学的異方性を低下させる化合物について説明する。本発明の発明者らは、鋭意検討した結果、フイルム中のセルロースアシレートが面内および膜厚方向に配向するのを抑制する化合物を用いて光学的異方性を十分に低下させ、ＲｅがゼロかつＲｔｈがゼロに近くなるようにした。このためには光学的異方性を低下させる化合物はセルロースアシレートに十分に相溶し、化合物自身が棒状の構造や平面性の構造を持たないことが有利である。具体的には芳香族基のような平面性の官能基を複数持っている場合、それらの官能基を同一平面ではなく、非平面に持つような構造が有利である。
【０１１８】
（LogP値）
本発明のセルロースアシレートフイルムを作製するにあたっては、上述のようにフイルム中のセルロースアシレートが面内および膜厚方向に配向するのを抑制して光学異方性を低下させる化合物のうち、オクタノール−水分配係数（ｌｏｇＰ値）が０ないし７である化合物が好ましい。ｌｏｇＰ値が７を超える化合物は、セルロースアシレートとの相溶性に乏しく、フイルムの白濁や粉吹きを生じやすい。また、ｌｏｇＰ値が０よりも小さな化合物は親水性が高いために、セルロースアシレートフイルムの耐水性を悪化させる場合がある。ｌｏｇＰ値としてさらに好ましい範囲は１ないし６であり、特に好ましい範囲は１．５ないし５である。
オクタノール−水分配係数（ｌｏｇＰ値）の測定は、ＪＩＳ日本工業規格Ｚ７２６０−１０７（２０００）に記載のフラスコ浸とう法により実施することができる。また、オクタノール−水分配係数（ｌｏｇＰ値）は実測に代わって、計算化学的手法あるいは経験的方法により見積もることも可能である。計算方法としては、Crippen's fragmentation法（ J.Chem.Inf.Comput.Sci.,27,21(1987).）、Viswanadhan's fragmentation法（J.Chem.Inf.Comput.Sci.,29,163(1989).）、Broto's fragmentation法（Eur.J.Med.Chem.- Chim.Theor.,19,71(1984).）などが好ましく用いられるが、Crippen's fragmentation法（J.Chem.Inf.Comput.Sci.,27,21(1987).）がより好ましい。ある化合物のｌｏｇＰの値が測定方法あるいは計算方法により異なる場合に、該化合物が本発明の範囲内であるかどうかは、Crippen's fragmentation法により判断することが好ましい。
【０１１９】
[光学的異方性を低下する化合物の物性]
光学異方性を低下させる化合物は、芳香族基を含有しても良いし、含有しなくても良い。また光学異方性を低下させる化合物は、分子量が１５０以上３０００以下であることが好ましく、１７０以上２０００以下であることが好ましく、２００以上１０００以下であることが特に好ましい。これらの分子量の範囲であれば、特定のモノマー構造であっても良いし、そのモノマーユニットが複数結合したオリゴマー構造、ポリマー構造でも良い。
光学異方性を低下させる化合物は、好ましくは、２５℃で液体であるか、融点が２５〜２５０℃の固体であり、さらに好ましくは、２５℃で液体であるか、融点が２５〜２００℃の固体である。また光学異方性を低下させる化合物は、セルロースアシレートフイルム作製のドープ流延、乾燥の過程で揮散しないことが好ましい。
光学異方性を低下させる化合物の添加量は、セルロースアシレートの０．０１ないし３０質量％であることが好ましく、１ないし２５質量％であることがより好ましく、５ないし２０質量％であることが特に好ましい。
光学異方性を低下させる化合物は、単独で用いても、２種以上化合物を任意の比で混合して用いてもよい。
光学異方性を低下させる化合物を添加する時期はドープ作製工程中の何れであってもよく、ドープ調製工程の最後に行ってもよい。
【０１２０】
光学異方性を低下させる化合物は、少なくとも一方の側の表面から全膜厚の１０％までの部分における該化合物の平均含有率が、該セルロースアシレートフイルムの中央部における該化合物の平均含有率の８０−９９％である。本発明の化合物の存在量は、例えば、特開平８−５７８７９号公報に記載の赤外吸収スペクトルを用いる方法などにより表面および中心部の化合物量を測定して求めることができる。
【０１２１】
以下に本発明で好ましく用いられる、セルロースアシレートフイルムの光学異方性を低下させる化合物の具体例を示すが、本発明はこれら化合物に限定されない。
一般式（１）の化合物について説明する。
【０１２２】
【化１】
2006063266.tif 000002
【０１２３】
一般式（１）において、Ｒ11−Ｒ13はそれぞれ独立に、炭素数が１ないし２０の脂肪族基を表す。Ｒ11−Ｒ13は互いに連結して環を形成してもよい。
Ｒ11−Ｒ13について詳しく説明する。Ｒ11−Ｒ13は好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２である脂肪族基である。ここで、脂肪族基とは、好ましくは脂肪族炭化水素基であり、さらに好ましくは、アルキル基（鎖状、分岐状および環状のアルキル基を含む。）、アルケニル基またはアルキニル基である。例として、アルキル基としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｔ−アミル、ｎ−ヘキシル、ｎ−オクチル、デシル、ドデシル、エイコシル、２−エチルヘキシル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、２，６−ジメチルシクロヘキシル、４−ｔ−ブチルシクロヘキシル、シクロペンチル、１−アダマンチル、２−アダマンチル、ビシクロ［２.２.２］オクタン−３−イルなどの各基が挙げられ、アルケニル基としては、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イルなどの各基が挙げられ、アルキニル基としては、例えば、エチニル、プロパルギルなどの各基が挙げられる。
【０１２４】
Ｒ11−Ｒ13で表される脂肪族基は置換されていてもよく、置換基の例としては、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、またはヨウ素原子）、アルキル基（直鎖、分岐、環状のアルキル基で、ビシクロアルキル基、活性メチン基を含む）、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基（置換する位置は問わない）、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、ヘテロ環オキシカルボニル基、カルバモイル基、Ｎ−アシルカルバモイル基、Ｎ−スルホニルカルバモイル基、Ｎ−カルバモイルカルバモイル基、Ｎ−スルファモイルカルバモイル基、カルバゾイル基、カルボキシ基またはその塩、オキサリル基、オキサモイル基、シアノ基、カルボンイミドイル基（Carbonimidoyl基）、ホルミル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基（エチレンオキシ基もしくはプロピレンオキシ基単位を繰り返し含む基を含む）、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、（アルコキシもしくはアリールオキシ）カルボニルオキシ基、カルバモイルオキシ基、スルホニルオキシ基、アミノ基、（アルキル、アリールまたはヘテロ環）アミノ基、アシルアミノ基、スルホンアミド基、ウレイド基、チオウレイド基、イミド基、（アルコキシもしくはアリールオキシ）カルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、セミカルバジド基、アンモニオ基、オキサモイルアミノ基、Ｎ−（アルキルもしくはアリール）スルホニルウレイド基、Ｎ−アシルウレイド基、Ｎ−アシルスルファモイルアミノ基、４級化された窒素原子を含むヘテロ環基（例えばピリジニオ基、イミダゾリオ基、キノリニオ基、イソキノリニオ基）、イソシアノ基、イミノ基、（アルキルまたはアリール）スルホニル基、（アルキルまたはアリール）スルフィニル基、スルホ基またはその塩、スルファモイル基、Ｎ−アシルスルファモイル基、Ｎ−スルホニルスルファモイル基またはその塩、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基等が挙げられる。
これらの基はさらに組み合わされて複合置換基を形成してもよく、このような置換基の例としては、エトキシエトキシエチル基、ヒドロキシエトキシエチル基、エトキシカルボニルエチル基などを挙げることができる。また、Ｒ１１−１３は置換基としてリン酸エステル基を含有することもでき、一般式（１）の化合物は同一分子中に複数のリン酸エステル基を有することも可能である。
【０１２５】
一般式（２）および（３）の化合物について説明する。
【０１２６】
【化２】
2006063266.tif 000003
【０１２７】
一般式（２）および（３）において、Ｚは炭素原子、酸素原子、硫黄原子、−ＮＲ25−を表し、Ｒ25は水素原子またはアルキル基を表す。Ｚを含んで構成される５または６員環は置換基を有していても良く、複数の置換基が互いに結合して環を形成していてもよい。Ｚを含んで構成される５または６員環の例としては、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、テトラヒドロチオフェン、チアン、ピロリジン、ピペリジン、インドリン、イソインドリン、クロマン、イソクロマン、テトラヒドロ−２−フラノン、テトラヒドロ−２−ピロン、４−ブタンラクタム、６−ヘキサノラクタムなどの各環を挙げることができる。
また、Ｚを含んで構成される５または６員環は、ラクトン構造またはラクタム構造、すなわち、Ｚの隣接炭素にオキソ基を有する環状エステルまたは環状アミド構造を含む。このような環状エステルまたは環状アミド構造の例としては、２−ピロリドン、２−ピペリドン、５−ペンタノリド、６−ヘキサノリドを挙げることができる。
【０１２８】
Ｒ25は水素原子または、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２であるアルキル基（鎖状、分岐状および環状のアルキル基を含む。）を表す。Ｒ25で表されるアルキル基としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｔ−アミル、ｎ−ヘキシル、ｎ−オクチル、デシル、ドデシル、エイコシル、２−エチルヘキシル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、２，６−ジメチルシクロヘキシル、４−ｔ−ブチルシクロヘキシル、シクロペンチル、１−アダマンチル、２−アダマンチル、ビシクロ［２．２．２］オクタン−３−イルなどの各基を挙げることができる。Ｒ25で表されるアルキル基はさらに置換基を有していてもよく、置換基の例としては前記のＲ11−Ｒ13に置換していても良い基を挙げることができる。
【０１２９】
Ｙ21及びＹ22はそれぞれ独立に、エステル基、アルコキシカルボニル基、アミド基またはカルバモイル基を表す。
エステル基としては、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２であり、例えば、アセトキシ、エチルカルボニルオキシ、プロピルカルボニルオキシ、ｎ−ブチルカルボニルオキシ、ｉｓｏ−ブチルカルボニルオキシ、ｔ−ブチルカルボニルオキシ、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ、ｎ−ペンチルカルボニルオキシ、ｔ−アミルカルボニルオキシ、ｎ−ヘキシルカルボニルオキシ、シクロヘキシルカルボニルオキシ、１−エチルペンチルカルボニルオキシ、ｎ−ヘプチルカルボニルオキシ、ｎ−ノニルカルボニルオキシ、ｎ−ウンデシルカルボニルオキシ、ベンジルカルボニルオキシ、１−ナフタレンカルボニルオキシ、２−ナフタレンカルボニルオキシ、１−アダマンタンカルボニルオキシなどの各基が例示できる。
【０１３０】
アルコキシカルボニル基としては、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２の基であり、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｎ−プロピルオキシカルボニル、イソプロピルオキシカルボニル、ｎ−ブトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｉｓｏ−ブチルオキシカルボニル、ｓｅｃ−ブチルオキシカルボニル、ｎ−ペンチルオキシカルボニル、ｔ−アミルオキシカルボニル、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル、シクロヘキシルオキシカルボニル、２−エチルヘキシルオキシカルボニル、１−エチルプロピルオキシカルボニル、ｎ−オクチルオキシカルボニル、３，７−ジメチル−３−オクチルオキシカルボニル、３，５，５−トリメチルヘキシルオキシカルボニル、４−ｔ−ブチルシクロヘキシルオキシカルボニル、２，４−ジメチルペンチル−３−オキシカルボニル、１−アダマンタンオキシカルボニル、２−アダマンタンオキシカルボニル、ジシクロペンタジエニルオキシカルボニル、ｎ−デシルオキシカルボニル、ｎ−ドデシルオキシカルボニル、ｎ−テトラデシルオキシカルボニル、ｎ−ヘキサデシルオキシカルボニルなどの各基が例示できる。
【０１３１】
アミド基としては、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２の基であり、例えば、アセタミド、エチルカルボキサミド、ｎ−プロピルカルボキサミド、イソプロピルカルボキサミド、ｎ−ブチルカルボキサミド、ｔ−ブチルカルボキサミド、ｉｓｏ−ブチルカルボキサミド、ｓｅｃ−ブチルカルボキサミド、ｎ−ペンチルカルボキサミド、ｔ−アミルカルボキサミド、ｎ−ヘキシルカルボキサミド、シクロヘキシルカルボキサミド、１−エチルペンチルカルボキサミド、１−エチルプロピルカルボキサミド、ｎ−ヘプチルカルボキサミド、ｎ−オクチルカルボキサミド、１−アダマンタンカルボキサミド、２−アダマンタンカルボキサミド、ｎ−ノニルカルボキサミド、ｎ−ドデシルカルボキサミド、ｎ−ペンタカルボキサミド、ｎ−ヘキサデシルカルボキサミドなどの各基が例示できる。
カルバモイル基としては、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２の基であり、例えば、メチルカルバモイル、ジメチルカルバモイル、エチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、ｎ−プロピルカルバモイル、イソプロピルカルバモイル、ｎ−ブチルカルバモイル、ｔ−ブチルカルバモイル、ｉｓｏ−ブチルカルバモイル、ｓｅｃ−ブチルカルバモイル、ｎ−ペンチルカルバモイル、ｔ−アミルカルバモイル、ｎ−ヘキシルカルバモイル、シクロヘキシルカルバモイル、２−エチルヘキシルカルバモイル、２−エチルブチルカルバモイル、ｔ−オクチルカルバモイル、ｎ−ヘプチルカルバモイル、ｎ−オクチルカルバモイル、１−アダマンタンカルバモイル、２−アダマンタンカルバモイル、ｎ−デシルカルバモイル、ｎ−ドデシルカルバモイル、ｎ−テトラデシルカルバモイル、ｎ−ヘキサデシルカルバモイルなどの各基が例示できる。Ｙ21−Ｙ22は互いに連結して環を形成してもよい。Ｙ21−Ｙ22はさらに置換基を有していてもよく、例としては前記のＲ11−Ｒ13に置換していても良い基を挙げることができる。
【０１３２】
一般式（４）〜（１２）の化合物について説明する。
【０１３３】
【化３】
2006063266.tif 000004
【０１３４】
一般式（４）〜（１２）において、Ｙ31−Ｙ70はそれぞれ独立に、エステル基、アルコキシカルボニル基、アミド基、カルバモイル基またはヒドロキシ基を表す。
エステル基としては、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２であり、例えば、アセトキシ、エチルカルボニルオキシ、プロピルカルボニルオキシ、ｎ−ブチルカルボニルオキシ、ｉｓｏ−ブチルカルボニルオキシ、ｔ−ブチルカルボニルオキシ、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ、ｎ−ペンチルカルボニルオキシ、ｔ−アミルカルボニルオキシ、ｎ−ヘキシルカルボニルオキシ、シクロヘキシルカルボニルオキシ、１−エチルペンチルカルボニルオキシ、ｎ−ヘプチルカルボニルオキシ、ｎ−ノニルカルボニルオキシ、ｎ−ウンデシルカルボニルオキシ、ベンジルカルボニルオキシ、１−ナフタレンカルボニルオキシ、２−ナフタレンカルボニルオキシ、１−アダマンタンカルボニルオキシなどの各基が挙げられる。
【０１３５】
アルコキシカルボニル基としては、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２であり、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｎ−プロピルオキシカルボニル、イソプロピルオキシカルボニル、ｎ−ブトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｉｓｏ−ブチルオキシカルボニル、ｓｅｃ−ブチルオキシカルボニル、ｎ−ペンチルオキシカルボニル、ｔ−アミルオキシカルボニル、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル、シクロヘキシルオキシカルボニル、２−エチルヘキシルオキシカルボニルなど、１−エチルプロピルオキシカルボニル、ｎ−オクチルオキシカルボニル、３，７−ジメチル−３−オクチルオキシカルボニル、３，５，５−トリメチルヘキシルオキシカルボニル、４−ｔ−ブチルシクロヘキシルオキシカルボニル、２，４−ジメチルペンチル−３−オキシカルボニル、１−アダマンタンオキシカルボニル、２−アダマンタンオキシカルボニル、ジシクロペンタジエニルオキシカルボニル、ｎ−デシルオキシカルボニル、ｎ−ドデシルオキシカルボニル、ｎ−テトラデシルオキシカルボニル、ｎ−ヘキサデシルオキシカルボニルなどの各基が挙げられる。
【０１３６】
アミド基としては、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２であり、例えば、アセタミド、エチルカルボキサミド、ｎ−プロピルカルボキサミド、イソプロピルカルボキサミド、ｎ−ブチルカルボキサミド、ｔ−ブチルカルボキサミド、ｉｓｏ−ブチルカルボキサミド、ｓｅｃ−ブチルカルボキサミド、ｎ−ペンチルカルボキサミド、ｔ−アミルカルボキサミド、ｎ−ヘキシルカルボキサミド、シクロヘキシルカルボキサミド、１−エチルペンチルカルボキサミド、１−エチルプロピルカルボキサミド、ｎ−ヘプチルカルボキサミド、ｎ−オクチルカルボキサミド、１−アダマンタンカルボキサミド、２−アダマンタンカルボキサミド、ｎ−ノニルカルボキサミド、ｎ−ドデシルカルボキサミド、ｎ−ペンタカルボキサミド、ｎ−ヘキサデシルカルボキサミドなどの各基が挙げられる。
【０１３７】
カルバモイル基としては、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２であり、例えば、メチルカルバモイル、ジメチルカルバモイル、エチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、ｎ−プロピルカルバモイル、イソプロピルカルバモイル、ｎ−ブチルカルバモイル、ｔ−ブチルカルバモイル、ｉｓｏ−ブチルカルバモイル、ｓｅｃ−ブチルカルバモイル、ｎ−ペンチルカルバモイル、ｔ−アミルカルバモイル、ｎ−ヘキシルカルバモイル、シクロヘキシルカルバモイル、２−エチルヘキシルカルバモイル、２−エチルブチルカルバモイル、ｔ−オクチルカルバモイル、ｎ−ヘプチルカルバモイル、ｎ−オクチルカルバモイル、１−アダマンタンカルバモイル、２−アダマンタンカルバモイル、ｎ−デシルカルバモイル、ｎ−ドデシルカルバモイル、ｎ−テトラデシルカルバモイル、ｎ−ヘキサデシルカルバモイルなどの各基が挙げられる。
Ｙ31−Ｙ70はさらに置換基を有していてもよく、例としては前記のＲ11−Ｒ13に置換していても良い基を挙げることができる。
【０１３８】
Ｖ31−Ｖ43はそれぞれ独立に水素原子または、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２である脂肪族基を表す。ここで、脂肪族基とは、好ましくは脂肪族炭化水素基であり、さらに好ましくは、アルキル基（鎖状、分岐状および環状のアルキル基を含む。）、アルケニル基またはアルキニル基である。
【０１３９】
アルキル基としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブ  チル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｔ−アミル、ｎ−ヘキシル、ｎ−オクチル、デシル、ドデシル、エイコシル、２−エチルヘキシル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、２，６−ジメ  チルシクロヘキシル、４−ｔ−ブチルシクロヘキシル、シクロペンチル、１−アダマンチル、２−アダマンチル、ビシクロ［２．２．２］オクタン−３−イルなどの各基が挙げられ、アルケニル基としては、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロ  ヘキセン−１−イルなどの各基が挙げられ、アルキニル基としては、例えば、エチニル基、プロパルギル基などを挙げることができる。
Ｖ31−Ｖ43はさらに置換基を有していてもよく、例としては前記のＲ11−Ｒ  13に置換していても良い基を挙げることができる。
【０１４０】
Ｌ31−Ｌ80はそれぞれ独立に、原子数０ないし４０かつ、炭素数０ないし２０の２価の飽和の連結基を表す。ここで、Ｌ31−Ｌ80の原子数が０であるということは、連結基の両端にある基が直接に単結合を形成していることを意味する。Ｌ31−Ｌ80の好ましい例としては、アルキレン基（例えば、メチレン、エチレン、プロピレン、トリメチレン、テトラメチレン、ペンタメチレン、ヘキサメチレン、メチルエチレン、エチルエチレンなど）、環式の２価の基（例えば、ｃｉｓ−１，４−シクロヘキシレン、ｔｒａｎｓ−１，４−シクロヘキシレン、１，３−シクロペンチリデンなど）、エーテル、チオエーテル、エステル、アミド、スルホン、スルホキシド、スルフィド、スルホンアミド、ウレイレン、チオウレイレンなどの各基を挙げることができる。これらの２価の基は  互いに結合して二価の複合基を形成してもよく、複合置換基の例としては、−（ＣＨ2）2Ｏ（ＣＨ2）2−、−（ＣＨ2）2Ｏ（ＣＨ2）2Ｏ（ＣＨ2）−、−（ＣＨ2）2Ｓ（ＣＨ2）2−、−（ＣＨ2）2Ｏ2Ｃ（ＣＨ2）2−などを挙げることができる。Ｌ31−Ｌ80は、さらに置換基を有していてもよく、置換基の例としては、前記のＲ11−Ｒ13に置換していても良い基を挙げることができる。
【０１４１】
一般式（４）〜（１２）においてＹ31−Ｙ70、Ｖ31−Ｖ43およびＬ31−Ｌ80組み合わせにより形成される化合物の好ましい例としては、クエン酸エステル（例えば、ｏ−アセチルクエン酸トリエチル、ｏ−アセチルクエン酸トリブチル、クエン酸アセチルトリエチル、クエン酸アセチルトリブチル、ｏ−アセチ  ルクエン酸トリ（エチルオキシカルボニルメチレン）エステルなど）、オレイン酸エステル（例えば、オレイン酸エチル、オレイン酸ブチル、オレイン酸２−エチルヘキシル、オレイン酸フェニル、オレイン酸シクロヘキシル、オレイン酸オクチルなど）、リシノール酸エステル（例えばリシノール酸メチルアセチルなど）、セバシン酸エステル（例えばセバシン酸ジブチルなど）、グリセリンのカルボン酸エステル（例えば、トリアセチン、トリブチリンなど）、グリコール酸エステル（例えば、ブチルフタリルブチルグリコレート、エチルフタリルエチルグリコレート、メチルフタリルエチルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート、メチルフタリルメチルグリコレート、プロピルフタリルプロピルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート、オクチルフタリルオクチルグリコレートなど）、ペンタエリスリトールのカルボン酸エステル（例えば、ペンタエリスリトールテトラアセテート、ペンタエリスリトールテトラブチレートなど）、ジペンタエリスリトールのカルボン酸エステル（例えば、ジペンタエリスリトールヘキサアセテート、ジペンタエリスリトールヘキサブチレート、ジペンタエリスリトールテトラアセテートなど）、トリメチロールプロパンのカルボン酸エステル類（トリメチロールプロパントリアセ  テート、トリメチロールプロパンジアセテートモノプロピオネート、トリメチロールプロパントリプロピオネート、トリメチロールプロパントリブチレート、トリメチロールプロパントリピバロエート、トリメチロールプロパントリ（ｔ−ブチルアセテート）、トリメチロールプロパンジ２−エチルヘキサネート、トリメチロールプロパンテトラ２−エチルヘキサネート、トリメチロールプロパンジアセテートモノオクタネート、トリメチロールプロパントリオクタネート、トリメチロールプロパントリ（シクロヘキサンカルボキシレート）など）、特開平１１−２４６７０４公報に記載のグリセロールエステル類、特開２０００−６３５６０号公報に記載のジグリセロールエステル類、特開平１１−９２５７４号公報に記載のクエン酸エステル類、ピロリドンカルボン酸エステ  ル類（２−ピロリドン−５−カルボン酸メチル、２−ピロリドン−５−カルボ  ン酸エチル、２−ピロリドン−５−カルボン酸ブチル、２−ピロリドン−５−  カルボン酸２−エチルヘキシル）、シクロヘキサンジカルボン酸エステル（ｃｉｓ−１，２−シクロヘキサンジカルボン酸ジブチル、ｔｒａｎｓ−１，２−シクロヘキサンジカルボン酸ジブチル、ｃｉｓ−１，４−シクロヘキサンジカルボン酸ジブチル、ｔｒａｎｓ−１，４−シクロヘキサンジカルボン酸ジブチ  ルなど）、キシリトールカルボン酸エステル（キシリトールペンタアセテート、キシリトールテトラアセテート、キシリトールペンタプロピオネートなど）などが挙げられる。
【０１４２】
以下に本発明の一般式（１）ないし（１２）で表される化合物の例を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、一般式（１）については化４〜８に化合物（C-1〜C-76）を例示し、一般式（２）〜（１２）につい  ては化９〜１３に化合物（C-201〜C-203、C-401〜C-448）を例示した。表に記載あるいは括弧内に記載のｌｏｇＰの値は、Crippen's fragmentation法（J.Chem.Inf.Comput.Sci.,27,21(1987).）により求めたものである。
【０１４３】
【化４】
2006063266.tif 000005
【０１４４】
（式中、Ｒ１−３は前記一般式（１）のＲ11−Ｒ13と同義であり、下記のC-1  〜C-76で具体例を例示する。）
【０１４５】
【化５】
2006063266.tif 000006
【０１４６】
【化６】
2006063266.tif 000007
【０１４７】
【化７】
2006063266.tif 000008
【０１４８】
【化８】
2006063266.tif 000009
【０１４９】
【化９】
2006063266.tif 000010
【０１５０】
【化１０】
2006063266.tif 000011
【０１５１】
【化１１】
2006063266.tif 000012
【０１５２】
【化１２】
2006063266.tif 000013
【０１５３】
【化１３】
2006063266.tif 000014
【０１５４】
一般式（１３）および（１４）の化合物について説明する。
【０１５５】
【化１４】
2006063266.tif 000015
【０１５６】
【化１５】
2006063266.tif 000016
【０１５７】
上記一般式（１３）において、Ｒ1はアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ2およびＲ3は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。また、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3の炭素原子数の総和が１０以上であることが特に好ましい。
また、一般式（１４）中、Ｒ4およびＲ5は、それぞれ独立に、アルキル基またはアリール基を表す。また、Ｒ4およびＲ5の炭素原子数の総和は１０以上であり、各々、アルキル基およびアリール基は置換基を有していてもよい。置換基としてはフッ素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、スルホン基およびスルホンアミド基が好ましく、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、スルホン基およびスルホンアミド基が特に好ましい。また、アルキル基は直鎖であっても、分岐であっても、環状であってもよく、炭素原子数１乃至２５のものが好ましく、６乃至２５のものがより好ましく、６乃至２０のもの（例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、t-ブチル、アミル、イソアミル、t-アミル、ヘキシル、シクロヘキシル、ヘプチル、オクチル、ビシクロオクチル、ノニル、アダマンチル、デシル、t-オクチル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシル、ジデシルなどの各基）が特に好ましい。アリール基としては炭素原子数が６乃至３０のものが好ましく、６乃至２４のもの（例えば、フェニル、ビフェニル、テルフェニル、ナフチル、ビナフチル、トリフェニルフェニルなどの各基）が特に好ましい。一般式（１３）または一般式（１４）で表される化合物の好ましい例を下記に示すが、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。
【０１５８】
【化１６】
2006063266.tif 000017
【０１５９】
【化１７】
2006063266.tif 000018
【０１６０】
【化１８】
2006063266.tif 000019
【０１６１】
【化１９】
2006063266.tif 000020
【０１６２】
【化２０】
2006063266.tif 000021
【０１６３】
一般式（１５）の化合物について説明する。
【０１６４】
【化２１】
2006063266.tif 000022
【０１６５】
上記一般式（１５）において、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3は、それぞれ独立に、水素原子または炭素原子数が１乃至５のアルキル基（例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、アミル、イソアミルなどの各基）であることが好ましく、Ｒ1、Ｒ2およびＲ3の少なくとも１つ以上が炭素原子数１乃至３のアルキル基（例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピルなどの各基）であることが特に好ましい。Ｘは、単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、アルキレン基（好ましくは炭素原子数１〜６、より好ましくは１〜３のもの、例えばメチレン基、エチレン基、プロピレン基）またはアリーレン基（好ましくは炭素原子数６〜２４、より好ましくは６〜１２のもの。例えば、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基）から選ばれる１種以上の基から形成される２価の連結基であることが好ましく、−Ｏ−、アルキレン基またはアリーレン基から選ばれる１種以上の基から形成される２価の連結基であることが特に好ましい。Ｙは、水素原子、アルキル基（好ましくは炭素原子数２〜２５、より好ましくは２〜２０のもの。例えば、エチル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ヘキシル、２−エチルヘキシル、ｔ−オクチル、ドデシル、シクロヘキシル、ジシクロヘキシル、アダマンチルなどの各基）、アリール基（好ましくは炭素原子数６〜２４、より好ましくは６〜１８のもの。例えば、フェニル、ビフェニル、テルフェニル、ナフチルなどの各基）またはアラルキル基（好ましくは炭素原子数７〜３０、より好ましくは７〜２０のもの。例えば、ベンジル、クレジル、t-ブチルフェニル、ジフェニルメチル、トリフェニルメチルなどの各基）であることが好ましく、アルキル基、アリール基またはアラルキル基であることが特に好ましい。−Ｘ−Ｙの組み合わせとしては、−Ｘ−Ｙの総炭素数が０乃至４０であることが好ましく、１乃至３０であることがさらに好ましく、１乃至２５であることが最も好ましい。これら一般式（１５）で表される化合物の好ましい例を下記に示すが、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。
【０１６６】
【化２２】
2006063266.tif 000023
【０１６７】
【化２３】
2006063266.tif 000024
【０１６８】
一般式（１６）の化合物について説明する。
【０１６９】
【化２４】
2006063266.tif 000025
【０１７０】
一般式（１６）において、Q1、Q2およびQ3はそれぞれ独立に5ないし6員環を表し、炭化水素環でもへテロ環でもよく、また、これらは単環であってもよいし、更に他の環と縮合環を形成してもよい。炭化水素環として好ましくは、置換または無置換のシクロヘキサン環、置換または無置換のシクロペンタン環、芳香族炭化水素環であり、より好ましくは芳香族炭化水素環である。へテロ環として好ましくは5ないし6員環の酸素原子、窒素原子あるいは硫黄原子のうち少なくとも１つを含む環である。へテロ環としてより好ましくは酸素原子、窒素原子あるいは硫黄原子のうち少なくとも１つを含む芳香族ヘテロ環である。
Q1、Q2およびQ3として好ましくは芳香族炭化水素環または芳香族へテロ環である。芳香族炭化水素環として好ましくは（好ましくは炭素数６〜３０の単環または二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環、更に好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環である。）更に好ましくはベンゼン環である。
【０１７１】
芳香族ヘテロ環として好ましくは酸素原子、窒素原子あるいは硫黄原子を含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、フラン、ピロール、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデンなどの各環基が挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン環、トリアジン環、キノリン環である。Q1、Q2およびQ3としてより好ましくは好ましくは芳香族炭化水素環であり、より好ましくはベンゼン環である。またQ1、Q2およびQ3は置換基を有してもよく、置換基としては後述の置換基Tが挙げられる。
【０１７２】
XはB、C-R（Rは水素原子または置換基を表す。）、N、P、P=Oを表し、Xとして好ましくはB、C-R（Rとして好ましくはアリール基、置換又は未置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、カルボキシル基であり、より好ましくはアリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくはアルコキシ基、ヒドロキシ基であり、特に好ましくはヒドロキシ基である。）、Nであり、Xとしてより好ましくはC-R、Nであり、特に好ましくはC-Rである。
一般式（１６）として好ましくは下記一般式（１７）で表される化合物である。
【０１７３】
【化２５】
2006063266.tif 000026
【０１７４】
（式中、X2はB、C−R（Rは水素原子または置換基を表す。R11、R12、R13、R14、R15、R21、R22、R23、R24、R25、R31、R32、R33、R34ないしR35は水素原子または置換基を表す。）
【０１７５】
XはB、C-R（Rは水素原子または置換基を表す。）、N、P、P=Oを表しXとして好ましくはB、C-R（Rとして好ましくはアリール基、置換又は未置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、カルボキシル基であり、より好ましくはアリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくはアルコキシ基、ヒドロキシ基であり、特に好ましくはヒドロキシ基である。）、N、P=Oであり、更に好ましくはC-R、Nであり、特に好ましくはC-Rである。
【０１７６】
R11、R12、R13、R14、R15、R21、R22、R23、R24、R25、R31、R32、R33、R34ないしR35は水素原子または置換基を表し、置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。R11、R12、R13、R14、R15、R21、R22、R23、R24、R25、R31、R32、R33、R34ないしR35として好ましくはアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換又は未置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、カルバモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルホニル基、スルフィニル基、ウレイド基、リン酸アミド基、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリルなどの各環基）、シリル基であり、より好ましくはアルキル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基であり、更に好ましくはアルキル基、アリール基、アルコキシ基である。
これらの置換基は更に置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。
【０１７７】
以下に前述の置換基Ｔについて説明する。置換基Ｔとしては例えばアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどの各基が挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどの各基が挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル基、３−ペンチニル基などが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル基、ｐ−メチルフェニル基、ナフチル基などが挙げられる。）、置換又は未置換のアミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノなどの各基が挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシなどの各基が挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ基、２−ナフチルオキシ基などが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどの各基が挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基などが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニル基などが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ基、ベンゾイルオキシ基などが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基などが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノ基などが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノ基などが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ基、ベンゼンスルホニルアミノ基などが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどの各基が挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどの各基が挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ基、エチルチオ基などが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオ基などが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル基、トシル基などが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニ基、ベンゼンスルフィニル基などが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどの各基が挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド基、フェニルリン酸アミド基などが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリルなどの各環基が挙げられる。）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは、炭素数３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基などが挙げられる）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。
【０１７８】
以下に一般式（１６）で表される化合物に関して具体例をあげて詳細に説明するが、本発明は以下の具体例によって何ら限定されることはない。
【０１７９】
【化２６】
2006063266.tif 000027
【０１８０】
【化２７】
2006063266.tif 000028
【０１８１】
【化２８】
2006063266.tif 000029
【０１８２】
【化２９】
2006063266.tif 000030
【０１８３】
【化３０】
2006063266.tif 000031
【０１８４】
【化３１】
2006063266.tif 000032
【０１８５】
【化３２】
2006063266.tif 000033
【０１８６】
次に、一般式（１８）及び一般式（１９）で表される化合物について説明する。
【０１８７】
【化３３】
2006063266.tif 000034
【０１８８】
【化３４】
2006063266.tif 000035
【０１８９】
一般式（１８）において、Ｒ1はアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ2およびＲ3はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。また、アルキル基およびアリール基は置換基を有していてもよい。
また、一般式（１９）において、Ｒ4、Ｒ5およびＲ6はそれぞれ独立にアルキル基またはアリール基を表す。ここで、アルキル基は直鎖であっても、分岐であっても、環状であってもよく、炭素原子数が１乃至２０のものが好ましく、１乃至１５のものがさらに好ましく、１乃至１２のものが最も好ましい。環状のアルキル基としては、シクロヘキシル基が特に好ましい。アリール基は炭素原子数が６乃至３６のものが好ましく、６乃至２４のものがより好ましい。
【０１９０】
上記のアルキル基およびアリール基は置換基を有していてもよく、置換基としてはハロゲン原子（例えば、塩素、臭素、フッ素およびヨウ素）、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、スルホニルアミノ基、ヒドロキシ基、シアノ基、アミノ基およびアシルアミノ基が好ましく、より好ましくはハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、スルホニルアミノ基およびアシルアミノ基であり、特に好ましくはアルキル基、アリール基、スルホニルアミノ基およびアシルアミノ基である。
【０１９１】
以下に、一般式（１８）または一般式（１９）で表される化合物の好ましい例を下記に示すが、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。
【０１９２】
【化３５】
2006063266.tif 000036
【０１９３】
【化３６】
2006063266.tif 000037
【０１９４】
【化３７】
2006063266.tif 000038
【０１９５】
【化３８】
2006063266.tif 000039
【０１９６】
以下に、一般式（２０）または一般式（２１）で表される化合物の好ましい例を下記に示すが、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。
【０１９７】
【化３９】
2006063266.tif 000040
【０１９８】
【化４０】
2006063266.tif 000041
【０１９９】
【化４１】
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【０２００】
【化４２】
2006063266.tif 000043
【０２０１】
本発明の発明者らは、鋭意検討した結果、オクタノール−水分配係数（ＬｏｇＰ値）が０〜７である、多価アルコールエステル化合物、カルボン酸エステル化合物、多環カルボン酸化合物、ビスフェノール誘導体をセルロースアシレートに添加することによっても、光学的異方性を低下させることを見出した。
【０２０２】
オクタノール−水分配係数（ＬｏｇＰ値）が０〜７である、多価アルコールエステル化合物、カルボン酸エステル化合物、多環カルボン酸化合物、ビスフェノール誘導体の具体例を以下に示す。
【０２０３】
(多価アルコールエステル化合物)
本発明に用いる多価アルコールエステルは、２価以上の多価アルコールと１種以上のモノカルボン酸とのエステルである。多価アルコールエステル化合物としては以下のものが例としてあげられるが、本発明はこれらに限定されない。
【０２０４】
（多価アルコール）
好ましい多価アルコールの例としては、例えばアドニトール、アラビトール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、１，２−プロパンジオール、１，３−プロパンジオール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、１，２−ブタンジオール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、ジブチレングリコール、１，２，４−ブタントリオール、１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、ヘキサントリオール、ガラクチトール、マンニトール、３−メチルペンタン−１，３，５−トリオール、ピナコール、ソルビトール、トリメチロールプロパン、トリメチロールエタン、キシリトール等を挙げることができる。特に、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、ソルビトール、トリメチロールプロパン、キシリトールが好ましい。
【０２０５】
（モノカルボン酸）
本発明に用いる多価アルコールエステルにおけるモノカルボン酸としては、特に制限はなく公知の脂肪族モノカルボン酸、脂環族モノカルボン酸、芳香族モノカルボン酸等を用いることができる。脂環族モノカルボン酸、芳香族モノカルボン酸を用いるとセルロースアシレートフイルムの透湿度、含水率、保留性を向上させる点で好ましい。
【０２０６】
好ましいモノカルボン酸の例としては、以下のようなものを挙げることができるが、本発明はこれに限定されるものではない。
【０２０７】
脂肪族モノカルボン酸としては、炭素数１〜３２の直鎖または側鎖を有する脂肪酸を好ましく用いることができる。炭素数は１〜２０であることが更に好ましく、１〜１０であることが特に好ましい。酢酸を含有するとセルロースエステルとの相溶性が増すため好ましく、酢酸と他のモノカルボン酸を混合して用いることも好ましい。
【０２０８】
好ましい脂肪族モノカルボン酸としては、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、エナント酸、カプリル酸、ペラルゴン酸、カプリン酸、２−エチル−ヘキサンカルボン酸、ウンデシル酸、ラウリン酸、トリデシル酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチン酸、ヘプタデシル酸、ステアリン酸、ノナデカン酸、アラキン酸、ベヘン酸、リグノセリン酸、セロチン酸、ヘプタコサン酸、モンタン酸、メリシン酸、ラクセル酸等の飽和脂肪酸、ウンデシレン酸、オレイン酸、ソルビン酸、リノール酸、リノレン酸、アラキドン酸等の不飽和脂肪酸等を挙げることができる。これらは更に置換基を有しても良い。
【０２０９】
好ましい脂環族モノカルボン酸の例としては、シクロペンタンカルボン酸、シクロヘキサンカルボン酸、シクロオクタンカルボン酸、またはそれらの誘導体を挙げることができる。
【０２１０】
好ましい芳香族モノカルボン酸の例としては、安息香酸、トルイル酸等の安息香酸のベンゼン環にアルキル基を導入したもの、ビフェニルカルボン酸、ナフタリンカルボン酸、テトラリンカルボン酸等のベンゼン環を２個以上有する芳香族モノカルボン酸、またはそれらの誘導体を挙げることができる。特に安息香酸が好ましい。
【０２１１】
本発明の多価アルコールエステルにおけるカルボン酸は一種類でも、二種以上の混合でもよい。また、多価アルコール中のＯＨ基は全てエステル化してもよいし、一部をＯＨ基のままで残してもよい。好ましくは、分子内に芳香環もしくはシクロアルキル環を３つ以上有することが好ましい。
【０２１２】
多価アルコールエステル化合物としては、以下の化合物を例としてあげることができるが、本発明はこれらに限定されない。
【０２１３】
【化４３】
2006063266.tif 000044
【０２１４】
【化４４】
2006063266.tif 000045
【０２１５】
(カルボン酸エステル化合物)
カルボン酸エステル化合物としては、以下の化合物を例としてあげることができるが、本発明はこれらに限定されない。具体的には、フタル酸エステル及  びクエン酸エステル等、フタル酸エステルとしては、例えばジメチルフタレート、ジエチルフタレート、ジシクロヘキシルフタレート、ジオクチルフタレート及びジエチルヘキシルフタレート等、またクエン酸エステルとしてはクエン酸アセチルトリエチル及びクエン酸アセチルトリブチルを挙げることが出来る。またその他、オレイン酸ブチル、リシノール酸メチルアセチル、セバチン酸  ジブチル、トリアセチン、トリメチロールプロパントリベンゾエート等も挙げられる。アルキルフタリルアルキルグリコレートもこの目的で好ましく用いられる。アルキルフタリルアルキルグリコレートのアルキルは炭素原子数１〜８のアルキル基である。アルキルフタリルアルキルグリコレートとしてはメチルフタリルメチルグリコレート、エチルフタリルエチルグリコレート、プロピルフタリルプロピルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート、オクチルフタリルオクチルグリコレート、メチルフタリルエチルグリコレート、エチルフタリルメチルグリコレート、エチルフタリルプロピルグリコレート、プロピルフタリルエチルグリコレート、メチルフタリルプロピルグリコレート、メチルフタリルブチルグリコレート、エチルフタリルブチルグリコレート、ブチルフタリルメチルグリコレート、ブチルフタリルエチルグリコレート、プロピルフタリルブチルグリコレート、ブチルフタリルプロピルグリコレート、メチルフタリルオクチルグリコレート、エチルフタリルオクチルグリコレート、オクチルフタリルメチルグリコレート、オクチルフタリルエチルグリコレート等  を挙げることが出来、メチルフタリルメチルグリコレート、エチルフタリルエチルグリコレート、プロピルフタリルプロピルグリコレート、ブチルフタリル  ブチルグリコレート、オクチルフタリルオクチルグリコレートが好ましく、特  にエチルフタリルエチルグリコレートが好ましく用いられる。またこれらアルキルフタリルアルキルグリコレート等を２種以上混合して使用してもよい。
【０２１６】
カルボン酸エステル化合物としては、以下の化合物を例としてあげることができるが、本発明はこれらに限定されない。
【０２１７】
【化４５】
2006063266.tif 000046
【０２１８】
【化４６】
2006063266.tif 000047
【０２１９】
（多環カルボン酸化合物）
本発明において用いる多環カルボン酸化合物は分子量が３０００以下の化合物であることが好ましく、特に２５０〜２０００以下の化合物であることが好ましい。環状構造に関して、環の大きさについて特に制限はないが、３〜８個の原子から構成されていることが好ましく、特に６員環及び／又は５員環であることが好ましい。これらが炭素、酸素、窒素、珪素あるいは他の原子を含んでいてもよく、環の結合の一部が不飽和結合であってもよく、例えば６員環が  ベンゼン環、シクロヘキサン環でもよい。本発明の化合物は、このような環状構造が複数含まれているものであり、例えば、ベンゼン環とシクロヘキサン環  をどちらも分子内に有していたり、２個のシクロヘキサン環を有していたり、ナフタレンの誘導体あるいはアントラセン等の誘導体であってもよい。より好ましくはこのような環状構造を分子内に３個以上含んでいる化合物であることが好ましい。また、少なくとも環状構造の１つの結合が不飽和結合を含まないものであることが好ましい。具体的には、アビエチン酸、デヒドロアビエチン酸、パラストリン酸などのアビエチン酸誘導体が代表的であり、以下にこれら化合物の化学式を示すが、特にこれらに限定されるものではない。
【０２２０】
【化４７】
2006063266.tif 000048
【０２２１】
（ビスフェノール誘導体）
本発明において用いるビスフェノール誘導体は分子量が１００００以下であることが好ましく、この範囲であれば単量体でも良いし、オリゴマー、ポリマーでも良い。また他のポリマーとの共重合体でも良いし、末端に反応性置換基  が修飾されていても良い。以下にこれら化合物の化学式を示すが、特にこれら  に限定されるものではない。
【０２２２】
【化４８】
2006063266.tif 000049
【０２２３】
なお、ビスフェノール誘導体の上記具体例中で、Ｒ1〜Ｒ4は水素原子、または炭素数１〜１０のアルキル基を表す。ｌ、ｍ、ｎは繰り返し単位を表し、特に限定はしないが、１〜１００の整数が好ましく、１〜２０の整数がさらに  好ましい。
【０２２４】
[波長分散調整剤]
セルロースアシレートフイルムの波長分散を低下させる化合物について説明する。本発明の発明者らは、鋭意検討した結果、２００〜４００ｎｍの紫外領  域に吸収を持ち、フイルムの｜Ｒｅ(400)−Ｒｅ(700)｜および｜Ｒｔｈ(400 )−Ｒｔｈ(700)｜を低下させる化合物を少なくとも１種、セルロースアシレ  ート固形分に対して０．０１〜３０質量％含むことによってセルロースアシレ  ートフイルムのＲｅ、Ｒｔｈの波長分散を調整した。添加量としては０．１〜  ３０質量％含むことによってセルロースアシレートフイルムのＲｅ、Ｒｔｈの  波長分散を調整した。
【０２２５】
セルロースアシレートフイルムのＲｅ、Ｒｔｈの値は一般に短波長側よりも長波長側が大きい波長分散特性となる。したがって相対的に小さい短波長側のＲｅ、Ｒｔｈを大きくすることによって波長分散を平滑にすることが要求される。一方２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持つ化合物は短波長側よりも長波長側の吸光度が大きい波長分散特性をもつ。この化合物自身がセルロースアシレートフイルム内部で等方的に存在していれば、化合物自身の複屈折性、ひいてはＲｅ、Ｒｔｈの波長分散は吸光度の波長分散と同様に短波長側が大きいと想定される。
【０２２６】
したがって上述したような、２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持ち、化合物自身のＲｅ、Ｒｔｈの波長分散が短波長側が大きいと想定されるものを用いることによって、セルロースアシレートフイルムのＲｅ、Ｒｔｈの波長分散を調製することができる。このためには波長分散を調整する化合物はセルロースアシレートに十分均一に相溶することが要求される。このような化合物の紫外領域の吸収帯範囲は２００〜４００ｎｍが好ましいが、２２０〜３９５ｎｍがより好ましく、２４０〜３９０ｎｍがさらに好ましい。
【０２２７】
また、近年テレビやノートパソコン、モバイル型携帯端末などの液晶表示装置ではより少ない電力で輝度を高めるに、液晶表示装置に用いられる光学部材の透過率が優れたものが要求されている。その点においては、２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持ち、フイルムの｜Ｒｅ(400)−Ｒｅ(700)｜および｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜を低下させる化合物をセルロースアシレートフイルムに添加する場合、分光透過率が優れていて好都合である。本発明のセルロースアシレートフイルムにおいては、波長３８０ｎｍにおける分光透過率が４５％以上９５％以下であり、かつ波長３５０ｎｍにおける分光透過率が１０％以下であることが望ましい。
【０２２８】
上述のような、本発明で好ましく用いられる波長分散調整剤は揮散性の観点から分子量が２５０〜１０００であることが好ましい。より好ましくは２６０〜８００であり、更に好ましくは２７０〜８００であり、特に好ましくは３００〜８００である。これらの分子量の範囲であれば、特定のモノマー構造であっても良いし、そのモノマーユニットが複数結合したオリゴマー構造やポリマー構造でも良い。
【０２２９】
波長分散調整剤は、セルロースアシレートフイルム作製のドープ流延及び乾燥の過程で揮散しないことが好ましい。
【０２３０】
（波長分散調整剤の添加量）
上述した本発明で好ましく用いられる波長分散調整剤の添加量は、セルロースアシレートの０．０１ないし３０質量％であることが好ましく、０．１ないし２０質量％であることがより好ましく、０．２ないし１０質量％であることが特に好ましい。
【０２３１】
（波長分散調整剤添加の方法）
またこれら波長分散調整剤は、単独で用いても、２種以上化合物を任意の比で混合して用いてもよい。
またこれら波長分散調整剤を添加する時期はドープ作製工程中の何れであってもよく、ドープ調製工程の最後に行ってもよい。
【０２３２】
本発明に好ましく用いられる波長分散調整剤の具体例としては、例えばベンゾトリアゾール系化合物、ベンゾフェノン系化合物、シアノ基を含む化合物、オキシベンゾフェノン系化合物、サリチル酸エステル系化合物、ニッケル錯塩系化合物などが挙げられるが、本発明はこれら化合物だけに限定されるものではない。
【０２３３】
ベンゾトリアゾール系化合物としては一般式（１０１）で示されるものが本発明の波長分散調整剤として好ましく用いられる。
【０２３４】
一般式（１０１）  Ｑ1−Ｑ2−OH
【０２３５】
（式中、Ｑ1は含窒素芳香族ヘテロ環Ｑ2は芳香族環を表す。）
【０２３６】
Ｑ1は含窒素方向芳香族へテロ環をあらわし、好ましくは5乃至7員の含窒素芳香族ヘテロ環であり、より好ましくは５ないし６員の含窒素芳香族ヘテロ環であり、例えば、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、チアゾール、オキサゾール、セレナゾール、ベンゾトリアゾール、ベンゾチアゾール、ベンズオキサゾール、ベンゾセレナゾール、チアジアゾール、オキサジアゾール、ナフトチアゾール、ナフトオキサゾール、アザベンズイミダゾール、プリン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、トリアザインデン、テトラザインデン等の環基があげられ、更に好ましくは、５員の含窒素芳香族ヘテロ環基であり、具体的にはイミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、チアゾール、オキサゾール、ベンゾトリアゾール、ベンゾチアゾール、ベンズオキサゾール、チアジアゾール、オキサジアゾールの各環基が好ましく、特に好ましくは、ベンゾトリアゾール基である。
Ｑ1で表される含窒素芳香族ヘテロ環は更に置換基を有してもよく、置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。また、置換基が複数ある場合にはそれぞれが縮環して更に環を形成してもよい。
【０２３７】
Ｑ2で表される芳香族環は芳香族炭化水素環でも芳香族ヘテロ環でもよい。また、これらは単環であってもよいし、更に他の環と縮合環を形成してもよい。
芳香族炭化水素環として好ましくは（好ましくは炭素数６〜３０の単環または二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環、更に好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環である。）更に好ましくはベンゼン環である。
芳香族ヘテロ環として好ましくは窒素原子あるいは硫黄原子を含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデンなどの環基が挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン環、トリアジン環、キノリン環である。
【０２３８】
Ｑ2であらわされる芳香族環として好ましくは芳香族炭化水素環であり、より好ましくはナフタレン環、ベンゼン環であり、特に好ましくはベンゼン環である。Ｑ2は更に置換基を有してもよく、後述の置換基Ｔが好ましい。
【０２３９】
置換基Ｔとしては例えばアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどの各基が挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル基、３−ペンチニル基などが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル基、ｐ−メチルフェニル基、ナフチル基などが挙げられる。）、置換又は未置換のアミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノなどの各基が挙げられる。）、
【０２４０】
アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基などが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ基、２−ナフチルオキ基などが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル基、ベンゾイル基、ホルミル基、ピバロイル基などが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基などが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニル基などが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基などが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノ基などが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノ基などが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ基、ベンゼンスルホニルアミノ基などが挙げられる。）、
【０２４１】
スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイル基などが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル基、メチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基などが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ基、エチルチオ基などが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオ基などが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル基、トシル基などが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル基、ベンゼンスルフィニル基などが挙げられる。）、
【０２４２】
ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド基、メチルウレイド基、フェニルウレイド基などが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド基、フェニルリン酸アミド基などが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリルなどの各基が挙げられる。）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは、炭素数３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基などが挙げられる）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。
【０２４３】
一般式（１０１）として好ましくは下記一般式（１０１−Ａ）で表される化合物である。
一般式（１０１−Ａ）
【０２４４】
【化４９】
2006063266.tif 000050
【０２４５】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、およびＲ8はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。）
【０２４６】
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、およびＲ9はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、置換基ととしては前述の置換基Ｔが適用できる。またこれらの置換基は更に別の置換基によって置換されてもよく、置換基同士が縮環して環構造を形成してもよい。
Ｒ1およびＲ3として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、炭素１〜１２アルキル基であり、特に好ましくは炭素数１〜１２のアルキル基（好ましくは炭素数４〜１２）である。
【０２４７】
Ｒ2、およびＲ4として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、炭素１〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。
【０２４８】
Ｒ5およびＲ8として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、炭素１〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。
【０２４９】
Ｒ6およびＲ7として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、ハロゲン原子であり、特に好ましくは水素原子、塩素原子である。
【０２５０】
一般式（１０１）としてより好ましくは下記一般式（１０１−Ｂ）で表される化合物である。
一般式（１０１−Ｂ）
【０２５１】
【化５０】
2006063266.tif 000051
【０２５２】
（式中、Ｒ1、Ｒ3、Ｒ6およびＲ7は一般式（１０１−Ａ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。）
【０２５３】
以下に一般式（１０１）で表される化合物の具体例を挙げるが、本発明は下記具体例に何ら限定されるものではない。
【０２５４】
【化５１】
2006063266.tif 000052
【０２５５】
【化５２】
2006063266.tif 000053
【０２５６】
以上例にあげたベンゾトリアゾール系化合物の中でも、分子量が３２０以下のものを含まずに本発明のセルロースアシレートフイルムを作製した場合、保留性の点で有利であることが確認された。
【０２５７】
また本発明に用いられる波長分散調整剤のひとつであるベンゾフェノン系化合物としては一般式（１０２）で示されるものが好ましく用いられる。
一般式（１０２）
【０２５８】
【化５３】
2006063266.tif 000054
【０２５９】
（式中、Ｑ1およびＱ2はそれぞれ独立に芳香族環を表す。XはNR（Rは水素原子または置換基を表す。）、酸素原子または硫黄原子を表す。）
【０２６０】
Ｑ1およびＱ2で表される芳香族環は芳香族炭化水素環でも芳香族ヘテロ環でもよい。また、これらは単環であってもよいし、更に他の環と縮合環を形成してもよい。
Ｑ1およびＱ2で表される芳香族炭化水素環として好ましくは（好ましくは炭素数６〜３０の単環または二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環、更に好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環である。）更に好ましくはベンゼン環である。
Ｑ1およびＱ2で表される芳香族ヘテロ環として好ましくは酸素原子、窒素原子あるいは硫黄原子のどれかひとつを少なくとも１つ含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、フラン、ピロール、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデンなどが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン、トリアジン、キノリンである。
Ｑ1およびＱ2であらわされる芳香族環として好ましくは芳香族炭化水素環であり、より好ましくは炭素数６〜１０の芳香族炭化水素環であり、更に好ましくは置換または無置換のベンゼン環である。
Ｑ1およびＱ2は更に置換基を有してもよく、後述の置換基Ｔが好ましいが、置換基にカルボン酸やスルホン酸、4級アンモニウム塩を含むことはない。また、可能な場合には置換基同士が連結して環構造を形成してもよい。
【０２６１】
XはNR（Rは水素原子または置換基を表す。置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。）、酸素原子または硫黄原子を表し、Xとして好ましくは、NR（Rとして好ましくはアシル基、スルホニル基であり、これらの置換基は更に置換してもよい。）、またはOであり、特に好ましくはOである。
【０２６２】
置換基Ｔは、一般式（１０１）の置換基の説明で前記した置換基Ｔと同義である。
【０２６３】
一般式（１０２）として好ましくは下記一般式（１０２−Ａ）で表される化合物である。
一般式（１０２−Ａ）
【０２６４】
【化５４】
2006063266.tif 000055
【０２６５】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、およびＲ9はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。）
【０２６６】
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、およびＲ9はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、置換基ととしては前述の置換基Ｔが適用できる。またこれらの置換基は更に別の置換基によって置換されてもよく、置換基同士が縮環して環構造を形成してもよい。
【０２６７】
Ｒ1、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ8およびＲ9として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、炭素1〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。
【０２６８】
Ｒ2として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、より好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数０〜２０のアミノ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２アリールオキシ基、ヒドロキシ基であり、更に好ましくは炭素数１〜２０のアルコキシ基であり、特に好ましくは炭素数１〜１２のアルコキシ基である。
【０２６９】
Ｒ7として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、より好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数０〜２０のアミノ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２アリールオキシ基、ヒドロキシ基であり、更に好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくはメチル基）であり、特に好ましくはメチル基、水素原子である。
【０２７０】
一般式（１０２）としてより好ましくは下記一般式（１０２−Ｂ）で表される化合物である。
一般式（１０２−Ｂ）
【０２７１】
【化５５】
2006063266.tif 000056
【０２７２】
（式中、R10は水素原子、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアルケニル基、置換または無置換のアルキニル基、置換または無置換のアリール基を表す。）
【０２７３】
R10は水素原子、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアルケニル基、
置換または無置換のアルキニル基、置換または無置換のアリール基を表し、置換基としては前述の置換基Ｔが適用できる。
R10として好ましくは置換または無置換のアルキル基であり、より好ましくは炭素数５〜２０の置換または無置換のアルキル基であり、更に好ましくは炭素数５〜１２の置換または無置換のアルキル基（ｎ−ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、n−オクチル基、n−デシル基、n-ドデシル基、ベンジル基、などが挙げられる。）であり、特に好ましくは、炭素数６〜１２の置換または無置換のアルキル基（2−エチルヘキシル基、n−オクチル基、n−デシル基、n−ドデシル基、ベンジル基）である。
【０２７４】
一般式（１０２）であらわされる化合物は特開平１１−１２２１９号公報記載の公知の方法により合成できる。
以下に一般式（１０２）で表される化合物の具体例を挙げるが、本発明は下記具体例に何ら限定されるものではない。
【０２７５】
【化５６】
2006063266.tif 000057
【０２７６】
【化５７】
2006063266.tif 000058
【０２７７】
【化５８】
2006063266.tif 000059
【０２７８】
また本発明に用いられる波長分散調整剤のひとつであるシアノ基を含む化合物としては一般式（１０３）で示されるものが好ましく用いられる。
一般式（１０３）
【０２７９】
【化５９】
2006063266.tif 000060
【０２８０】
（式中、Ｑ1およびＱ2はそれぞれ独立に芳香族環を表す。X1およびX2は水素原子または置換基を表し、少なくともどちらか１つはシアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環を表す。）
Ｑ1およびＱ2であらわされる芳香族環は芳香族炭化水素環でも芳香族ヘテロ環でもよい。また、これらは単環であってもよいし、更に他の環と縮合環を形成してもよい。
【０２８１】
芳香族炭化水素環として好ましくは（好ましくは炭素数６〜３０の単環または二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環、更に好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環である。）更に好ましくはベンゼン環である。
【０２８２】
芳香族ヘテロ環として好ましくは窒素原子あるいは硫黄原子を含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデンなどの各環が挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン環、トリアジン環、キノリン環である。
【０２８３】
Ｑ1およびＱ2であらわされる芳香族環として好ましくは芳香族炭化水素環であり、より好ましくはベンゼン環である。
Ｑ1およびＱ2は更に置換基を有してもよく、その場合の置換基としては一般式（１０１）で前記した置換基Ｔが好ましい。
【０２８４】
X1およびX2は水素原子または置換基を表し、少なくともどちらか１つはシアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環を表す。X1およびX2で表される置換基は前述の置換基Tを適用することができる。また、X1およびX2はで表される置換基は更に他の置換基によって置換されてもよく、X1およびX2はそれぞれが縮環して環構造を形成してもよい。
【０２８５】
X1およびX2として好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、シアノ基、ニトロ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、より好ましくは、シアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、更に好ましくはシアノ基、カルボニル基であり、特に好ましくはシアノ基、アルコキシカルボニル基（-C(＝O)OR（Rは：炭素数１〜２０アルキル基、炭素数６〜１２のアリール基およびこれらを組み合せたもの）である。
【０２８６】
一般式（１０３）として好ましくは下記一般式（１０３-Ａ）で表される化合物である。
一般式（１０３-Ａ）
【０２８７】
【化６０】
2006063266.tif 000061
【０２８８】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9およびＲ10はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。X1およびX2は一般式（２０）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。）
【０２８９】
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9およびＲ10はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、置換基ととしては前述の置換基Ｔが適用できる。またこれらの置換基は更に別の置換基によって置換されてもよく、置換基同士が縮環して環構造を形成してもよい。
【０２９０】
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6、Ｒ7、Ｒ9、およびＲ10として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、炭素1〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。
【０２９１】
Ｒ3、およびＲ8として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、より好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数０〜２０のアミノ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２アリールオキシ基、ヒドロキシ基であり、更に好ましくは水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２アルコキシ基であり、特に好ましくは水素原子である。
【０２９２】
一般式（１０３）としてより好ましくは下記一般式（１０３-Ｂ）で表される化合物である。
一般式（１０３-Ｂ）
【０２９３】
【化６１】
2006063266.tif 000062
【０２９４】
（式中、R3およびR8は一般式（１０３-Ａ）におけるそれらと同義であり、また、好ましい範囲も同様である。X3は水素原子、または置換基を表す。）
【０２９５】
X3は水素原子、または置換基を表し、置換基としては前述の置換基Tが適用でき、また、可能な場合は更に他の置換基で置換されてもよい。X3として好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、シアノ基、ニトロ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、より好ましくは、シアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、更に好ましくはシアノ基、カルボニル基であり、特に好ましくはシアノ基、アルコキシカルボニル基（-C(＝O)OR（Rは：炭素数１〜２０アルキル基、炭素数６〜１２のアリール基およびこれらを組み合せたもの）である。
【０２９６】
一般式（１０３）として更に好ましくは一般式（１０３-Ｃ）で表される化合物である。
一般式（１０３-Ｃ）
【０２９７】
【化６２】
2006063266.tif 000063
【０２９８】
（式中、R3およびR8は一般式（１０３-Ａ）におけるそれらと同義であり、また、好ましい範囲も同様である。R21は炭素数１〜２０のアルキル基を表す。）
【０２９９】
R21として好ましくはR3およびR8が両方水素の場合には、炭素数２〜１２のアルキル基であり、より好ましくは炭素数４〜１２のアルキル基であり、更に好ましくは、炭素数６〜１２のアルキル基であり、特に好ましくは、ｎ−オクチル基、tert-オクチル基、２−エチルへキシル基、n-デシル基、、n-ドデシル基であり、最も好ましくは２−エチルへキシル基である。
【０３００】
R21として好ましくはR3およびR8が水素以外の場合には、一般式（１０３-Ｃ）で表される化合物の分子量が３００以上になり、かつ炭素数２０以下の炭素数のアルキル基が好ましい。
【０３０１】
本発明一般式（１０３）で表される化合物はJounal  of  American Chemical Society ６３巻  ３４５２頁（１９４１）記載の方法によって合成できる。
【０３０２】
以下に一般式（１０３）で表される化合物の具体例を挙げるが、本発明は下記具体例に何ら限定されるものではない。
【０３０３】
【化６３】
2006063266.tif 000064
【０３０４】
【化６４】
2006063266.tif 000065
【０３０５】
【化６５】
2006063266.tif 000066
【０３０６】
[マット剤微粒子]
本発明のセルロースアシレートフイルムには、マット剤として微粒子を加えることが好ましい。本発明に使用される微粒子としては、二酸化珪素、二酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、炭酸カルシウム、炭酸カルシウム、タルク、クレイ、焼成カオリン、焼成珪酸カルシウム、水和ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウム及びリン酸カルシウムを挙げることができる。微粒子はケイ素を含むものが濁度が低くなる点で好ましく、特に二酸化珪素が好ましい。二酸化珪素の微粒子は、１次平均粒子径が２０ｎｍ以下であり、かつ見かけ比重が７０ｇ／リットル以上であるものが好ましい。１次粒子の平均径が５〜１６ｎｍと小さいものがフイルムのヘイズを下げることができより好ましい。見かけ比重は９０〜２００ｇ／リットル以上が好ましく、１００〜２００ｇ／リットル以上がさらに好ましい。見かけ比重が大きい程、高濃度の分散液を作ることが可能になり、ヘイズ、凝集物が良化するため好ましい。
【０３０７】
これらの微粒子は、通常平均粒子径が０．１〜３．０μｍの２次粒子を形成し、これらの微粒子はフィルム中では、１次粒子の凝集体として存在し、フィルム表面に０．１〜３．０μｍの凹凸を形成させる。２次平均粒子径は０．２μｍ以上１．５μｍ以下が好ましく、０．４μｍ以上１．２μｍ以下がさらに好ましく、０．６μｍ以上１．１μｍ以下が最も好ましい。１次、２次粒子径はフィルム中の粒子を走査型電子顕微鏡で観察し、粒子に外接する円の直径をもって粒径とした。また、場所を変えて粒子２００個を観察し、その平均値をもって平均粒子径とした。
【０３０８】
二酸化珪素の微粒子は、例えば、アエロジルＲ９７２、Ｒ９７２Ｖ、Ｒ９７４、Ｒ８１２、２００、２００Ｖ、３００、Ｒ２０２、ＯＸ５０、ＴＴ６００（以上日本アエロジル（株）製）などの市販品を使用することができる。酸化ジルコニウムの微粒子は、例えば、アエロジルＲ９７６及びＲ８１１（以上日本アエロジル（株）製）の商品名で市販されており、使用することができる。
【０３０９】
これらの中でアエロジル２００Ｖ、アエロジルＲ９７２Ｖが１次平均粒子径が２０ｎｍ以下であり、かつ見かけ比重が７０ｇ／リットル以上である二酸化珪素の微粒子であり、光学フィルムの濁度を低く保ちながら、摩擦係数をさげる効果が大きいため特に好ましい。
【０３１０】
本発明において２次平均粒子径の小さな粒子を有するセルロースアシレートフイルムを得るために、微粒子の分散液を調製する際にいくつかの手法が考えられる。例えば、溶剤と微粒子を撹拌混合した微粒子分散液をあらかじめ作成し、この微粒子分散液を別途用意した少量のセルロースアシレート溶液に加えて撹拌溶解し、さらにメインのセルロースアシレートドープ液と混合する方法がある。この方法は二酸化珪素微粒子の分散性がよく、二酸化珪素微粒子が更に再凝集しにくい点で好ましい調製方法である。ほかにも、溶剤に少量のセルロースエステルを加え、撹拌溶解した後、これに微粒子を加えて分散機で分散を行いこれを微粒子添加液とし、この微粒子添加液をインラインミキサーでドープ液と十分混合する方法もある。本発明はこれらの方法に限定されないが、二酸化珪素微粒子を溶剤などと混合して分散するときの二酸化珪素の濃度は５〜３０質量％が好ましく、１０〜２５質量％が更に好ましく、１５〜２０質量％が最も好ましい。分散濃度が高い方が添加量に対する液濁度は低くなり、ヘイズ、凝集物が良化するため好ましい。最終的なセルロースアシレートのドープ溶液中でのマット剤の添加量は１ｍ2あたり０．０１〜１．０ｇが好ましく、０．０３〜０．３ｇが更に好ましく、０．０８〜０．１６ｇが最も好ましい。
【０３１１】
使用される溶剤は低級アルコール類としては、好ましくはメチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ブチルアルコール等が挙げられる。低級アルコール以外の溶媒としては特に限定されないが、セルロースエステルの製膜時に用いられる溶剤を用いることが好ましい。
【０３１２】
[可塑剤、劣化防止剤、剥離剤]
上記の光学的に異方性を低下する化合物、波長分散調整剤の他に、本発明のセルロースアシレートフイルムには、各調製工程において用途に応じた種々の添加剤（例えば、可塑剤、紫外線防止剤、劣化防止剤、剥離剤、赤外吸収剤、など）を加えることができ、それらは固体でもよく油状物でもよい。すなわち、その融点や沸点において特に限定されるものではない。例えば２０℃以下と２０℃以上の紫外線吸収材料の混合や、同様に可塑剤の混合などであり、例えば特開２００１−１５１９０１号などに記載されている。さらにまた、赤外吸収染料としては例えば特開２００１−１９４５２２号に記載されている。またその添加する時期はドープ作製工程において何れで添加しても良いが、ドープ調製工程の最後の調製工程に添加剤を添加し調製する工程を加えて行ってもよい。更にまた、各素材の添加量は機能が発現する限りにおいて特に限定されない。また、セルロースアシレートフイルムが多層から形成される場合、各層の添加物の種類や添加量が異なってもよい。例えば特開２００１−１５１９０２号などに記載されているが、これらは従来から知られている技術である。これらの詳細は、発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて１６頁〜２２頁に詳細に記載されている素材が好ましく用いられる。
【０３１３】
[化合物添加の比率]
本発明のセルロースアシレートフイルムにおいては、分子量が３０００以下の化合物の総量は、セルロースアシレート質量に対して５〜４５％であることがのぞましい。より好ましくは１０〜４０％であり、さらにのぞましくは１５〜３０％である。これらの化合物としては上述したように、光学異方性を低下する化合物、波長分散調整剤、紫外線防止剤、可塑剤、劣化防止剤、微粒子、剥離剤、赤外吸収剤などであり、分子量としては３０００以下がのぞましく、２０００以下がよりのぞましく、１０００以下がさらにのぞましい。これら化合物の総量が５％以下であると、セルロースアシレート単体の性質が出やすくなり、例えば、温度や湿度の変化に対して光学性能や物理的強度が変動しやすくなるなどの問題がある。またこれら化合物の総量が４５％以上であると、セルロースアシレートフイルム中に化合物が相溶する限界を超え、フイルム表面に析出してフイルムが白濁する(フイルムからの泣き出し)などの問題が生じやすくなる。
【０３１４】
[セルロースアシレート溶液の有機溶媒]
本発明では、ソルベントキャスト法によりセルロースアシレートフィルムを製造することが好ましく、セルロースアシレートを有機溶媒に溶解した溶液（ドープ）を用いてフィルムは製造される。本発明の主溶媒として好ましく用いられる有機溶媒は、炭素原子数が３〜１２のエステル、ケトン、エーテル、および炭素原子数が１〜７のハロゲン化炭化水素から選ばれる溶媒が好ましい。エステル、ケトンおよび、エーテルは、環状構造を有していてもよい。エステル、ケトンおよびエーテルの官能基（すなわち、−Ｏ−、−ＣＯ−および−ＣＯＯ−）のいずれかを二つ以上有する化合物も、主溶媒として用いることができ、たとえばアルコール性水酸基のような他の官能基を有していてもよい。二種類以上の官能基を有する主溶媒の場合、その炭素原子数はいずれかの官能基を有する化合物の規定範囲内であればよい。
【０３１５】
以上本発明のセルロースアシレートフィルムに対しては塩素系のハロゲン化炭化水素を主溶媒としても良いし、発明協会公開技報２００１−１７４５（１２頁〜１６頁）に記載されているように、非塩素系溶媒を主溶媒としても良く、本発明のセルロースアシレートフィルムに対しては特に限定されるものではない。
【０３１６】
その他、本発明のセルロースアシレート溶液及びフィルムについての溶媒は、その溶解方法も含め以下の特許に開示されており、好ましい態様である。それらは、例えば、特開２０００−９５８７６、特開平１２−９５８７７、特開平１０−３２４７７４、特開平８−１５２５１４、特開平１０−３３０５３８、特開平９−９５５３８、特開平９−９５５５７、特開平１０−２３５６６４、特開平１２−６３５３４、特開平１１−２１３７９、特開平１０−１８２８５３、特開平１０−２７８０５６、特開平１０−２７９７０２、特開平１０−３２３８５３、特開平１０−２３７１８６、特開平１１−６０８０７、特開平１１−１５２３４２、特開平１１−２９２９８８、特開平１１−６０７５２、特開平１１−６０７５２などに記載されている。これらの特許によると本発明のセルロースアシレートに好ましい溶媒だけでなく、その溶液物性や共存させる共存物質についても記載があり、本発明においても好ましい態様である。
【０３１７】
次に本発明におけるセルロースエステルフィルムの製造方法について述べるが、本発明はこれらに特に限定される訳ではない。
【０３１８】
本発明に係わるドープを形成する工程について述べる。フレーク状のセルロースエステルと、上記記載の良溶媒を主とする有機溶媒に耐圧溶解装置中で該フレークを攪拌しながら溶解し、ドープを形成する。
【０３１９】
本発明では、ドープ中の固形分濃度は１５質量％以上として調製することが好ましく、特に平面性、膜厚の均一性等から、１７〜３５質量％が好ましい。ドープ中の固形分濃度が高すぎるとドープの粘度が高くなりすぎ、流延時にシャークスキンなどが生じてフィルム平面性が劣化する場合がある。なお、本発明でいうドープ中の固形分とは、本発明のセルロースエステルフィルムを製造する際、乾燥工程で除かれる低沸点溶媒成分を除くドープ中の成分を言うので、ドープ中の固形分濃度とは、これら乾燥工程後もフィルム中に残存する成分のドープ溶液全体に対する質量％をさす。
【０３２０】
ドープ粘度は５〜１００Ｐａ・ｓの範囲にあることが好ましく、１０〜５０Ｐａ・ｓの範囲に調製することが好ましい。
【０３２１】
溶解には、常圧で行う方法、上述のような好ましい有機溶媒（即ち、良溶媒）の沸点以下で行う方法、上述の良溶媒の沸点以上で加圧して行う高温溶解方法、その他、冷却溶解法、高圧溶解方法等種々の溶解方法等がある。高温溶解法では、有機溶媒の種類によるが、４０．４（℃）以上（最高で１２０℃）で０．１１〜１．５０ＭＰａに加圧して溶解し、発泡を抑え、且つ、短時間に行うことが出来る。
【０３２２】
冷却溶解方法としては、例えば特開平９−９５５３８号、同９−９５５４４号、同９−９５５５７号に記載の方法を使用することが出来る。また、特開平１１−２１３７９号に記載の高圧溶解方法も好ましく使用出来る。
【０３２３】
マット剤は、ドープ中に直接混合してもよいが、そのままでは分散性がよくなく、前もって強力な分散機を使用してマット剤微粒子分散液としてから混合した方がよい。分散機は通常の分散機が使用出来るが、本発明においては高圧分散装置が好ましい。高圧分散装置は、微粒子と溶媒を混合した組成物を、細管中に高速通過させることで、高剪断や高圧状態など特殊な条件を作りだす装置である。高圧分散装置で処理する場合、例えば、管径１〜２０００μｍの細管中で装置内部の最大圧力条件が９．８０７ＭＰａ以上であることが好ましい。更に好ましくは１９．６１３ＭＰａ以上である。またその際、最高到達速度が１００ｍ／秒以上に達するもの、伝熱速度が４２０ｋＪ／時間以上に達するものが好ましい。上記のような高圧分散装置にはＭｉｃｒｏｆｌｕｉｄｉｃｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ社製超高圧ホモジナイザ（商品名マイクロフルイダイザ）あるいはナノマイザ社製ナノマイザがあり、他にもマントンゴーリン型高圧分散装置、例えばイズミフードマシナリ製ホモジナイザ、三和機械（株）社製ＵＨＮ？０１等が挙げられる。
【０３２４】
上述のようなドープを用いて溶液流延製膜方法により本発明のセルロースエステルフィルムを製造する方法についてフィルム製造ラインに沿って説明する。
【０３２５】
本発明の溶液流延製膜によるセルロースエステルフィルムの製造方法に用いる製膜装置は、流延工程、有機溶媒蒸発工程、剥離工程、乾燥工程及び巻き取り工程から主に構成されている。これらの製造工程からなる製造ラインの典型例は、図１として後述する。
【０３２６】
《流延工程》
ドープは、濾過され、加圧型定量ギヤポンプで送液され（マット剤を別に混合する場合、別に調製されたマット剤微粒子分散液をダイの直前で静止型管内混合機で混合されてからでもよい）、加圧型定量ギヤポンプを通して、加圧ダイに送液し、鏡面となっているステンレスベルト（金属支持体）上に加圧ダイから乾燥膜厚が１０〜１２０μｍになるように、流延する。加圧ダイには、コートハンガーダイやＴダイ等があるが、何れも好ましく用いられる。製膜速度を上げるために加圧ダイを金属支持体上に２基以上設け、ドープ量を分割して重層してもよい。
また、加圧ダイが複数のスリットを有する共流延ダイを使用して、積層構造を有するセルロースエステルフィルムを製膜してもよい。
【０３２７】
《有機溶媒蒸発工程》
有機溶媒蒸発工程は、金属支持体上のウェブ（製造ライン上のセルロースアシレート膜をウエッブと記すこともある）を加熱し、ウェブ中の含有有機溶媒を蒸発させる工程である。
【０３２８】
本発明において、金属支持体上の薄手のウェブを加熱乾燥ゾーンに分けて、初め高温乾燥ゾーンで、その後で低温乾燥ゾーンで加熱することにより、本発明の所望の透湿性、面配向度またはレターデーションを有するセルロースエステルフィルムを得ることが出来る。
【０３２９】
本発明において、上記加熱乾燥ゾーンの加熱温度とは、金属支持体上のウェブの表面に与える温度であり、ドープ中の主たる有機溶媒（セルロースエステルを溶解する良溶媒に相当する）の沸点をＢＰ（℃）とした時、高温乾燥ゾーンの乾燥温度Ｔｈ（℃）は、ＢＰ＜Ｔｈ≦（ＢＰ＋６０℃）なる範囲の温度であり、また低温乾燥ゾーンの乾燥温度Ｔｌ（℃）は、１０℃≦Ｔｌ≦ＢＰであることが好ましい。そしてＴｈ−Ｔｌ≧５℃であることが好ましく、１０℃以上であることがより好ましい。金属支持体上のウェブの表面に与える温度とは、該ウェブ表面直上の近傍の温度で、更に詳述するとウェブから１ｃｍの高さの雰囲気での温度で、その温度を計測することによって知ることが出来る。
【０３３０】
上述の加熱乾燥方法は、本発明に係わる乾燥膜厚が１０〜６０μｍになる薄手のウェブの乾燥に適しており、薄いことによって、乾燥中のウェブの厚さ方向の有機溶媒等の分布がかなり均一で上記のような優れた性質を得ることが出来る。
【０３３１】
本発明における加熱乾燥の加熱手段としては、所定の温度を有する風を表面に吹き付ける方法、赤外線または遠赤外線を照射する方法が好ましい。風速は、有機溶媒を含有している柔らかいウェブ表面に変形を与えない程度の風が好ましく、１〜５０ｍ／秒程度が好ましい。また加熱乾燥風をウェブに吹き付ける角度は平行風とならないようにすることが好ましい。金属支持体に接しているウェブの面は有機溶媒の蒸発潜熱を金属支持体からも奪うので、金属支持体が冷えて乾燥効率を落とさない程度に金属支持体裏面から加熱することが好ましい。裏面を加熱する方法として、加熱風を当てる方法、温水を接触させる方法（裏面液体伝熱法）、輻射熱を与える方法などがあるが、金属支持体上のウェブの温度を、ウェブ中の主たる有機溶媒の沸点（ＢＰ）以下に保つことが好ましい。金属支持体上のウェブの温度を該沸点（ＢＰ）より高く加熱すると激しく蒸発が起こることとなり、発泡を引き起こし好ましくない。一方、ウェブ自身は有機溶媒の蒸発潜熱により冷却されるため、金属支持体の裏面より主たる有機溶媒の沸点（ＢＰ）以上の温度で加熱しても、ウェブ自身及びウェブが接触する金属支持体の最表面の温度を有機溶媒の沸点（ＢＰ）以下に維持することが出来る。特に本発明の高温乾燥ゾーンでは、金属支持体の裏面より有機溶媒の沸点（ＢＰ）以上の温風で加熱することが好ましい。金属支持体の温度を沸点（ＢＰ）以下の温度に保持し、乾燥を促進し、剥離までの時間を低減するには、裏面液体伝熱法が好ましい。
【０３３２】
流延後のウェブは、ドープの残留溶媒量という表し方でいうと、固形分に対して４００〜７００質量％の有機溶媒を多量に含有している。この大容量の有機溶媒を積極的に蒸発させるのに、通常、厚手で柔らかいウェブの品質を考え、前半を穏やかな乾燥条件で行い、後半温度を上げる方法が採られていたが、本発明においては、薄手のウェブであり、乾燥効率が良いことから前半高温乾燥ゾーンで加熱乾燥を行い、逆に後半低温乾燥ゾーンで低温乾燥を行うことにより、面配向度が所望の値になり、更に透湿性が改良される。
【０３３３】
本発明において、金属支持体上のウェブが流延から３０〜９０秒で剥離（剥ぎ取りともいう）することが好ましい。高温乾燥ゾーンは５〜４５秒また低温乾燥ゾーンは１５〜８５秒程度が好ましい。金属支持体上でのウェブが高温乾燥ゾーンを過ぎるころ、残留溶媒量２００質量％付近またはそれ以下になり、金属支持体上での乾燥を、主たる有機溶媒の沸点以下の雰囲気下で行う低温乾燥ゾーンで出来る限り時間を掛けて乾燥することが、透湿性を低減出来るため好ましく、また、面配向度及び漏光度も高くすることが出来る。
【０３３４】
以上のようにウェブを乾燥することによって、面配向度が０．０００８〜０．００２０となり、所望の面配向度を得ることが出来る。また、透湿性も向上し、偏光板や液晶表示装置に本発明の薄手のセルロースエステルフィルムを用いても高温高湿においても偏光板や液晶表示装置に使用した場合でも、耐久性に優れていることが認められた。
【０３３５】
剥離工程（剥ぎ取り工程）は、金属支持体上で有機溶媒を蒸発させて、金属支持体が一周する前にウェブを剥離する工程で、その後フィルムは乾燥工程に送られる。
金属支持体からウェブを剥離する位置のことを剥離点といい、また剥離を助けるロールを剥離ロールという。ウェブの厚さにもよるが、剥離点でのウェブの残留溶媒量（下記式）があまり大き過ぎると剥離し難かったり、逆に支持体上で充分に乾燥させてから剥離すると、途中でウェブの一部が剥がれたりすることがある。
【０３３６】
後述の方法で測定する残留溶媒量が１０〜１５０質量％でウェブの剥離が行われるのが好ましく、さらに好ましくは２０〜１５０質量％である。１０質量％未満の剥離を行うと、本発明のセルロースエステルフィルムの機械強度を高くする目的で搬送方向の張力を高くした際に、セルロースエステルフィルムに残留応力が発生し、寸法特性が劣化する。一方、１５０質量％を超えると剥離残りが発生し、セルロースエステルフィルムの表面欠陥の原因となり好ましくない。
【０３３７】
また、残留溶媒量ができるだけ多いうちに剥離することにより、製膜速度を上げることができる方法の１つとして、残留溶媒量が多くとも剥離できるゲル流延法（ゲルキャスティング）を挙げることができる。ゲル流延法には、ドープ中にセルロースエステルに対する貧溶媒を加えて、ドープ流延後にゲル化する方法、あるいは支持体の温度を低めてゲル化する方法等がある。また、ドープ中に金属塩を加える方法もある。支持体上でゲル化させ、ドープ膜を強くすることによって、剥離を早め製膜速度を上げることができる。残留溶媒量がより多い時点で剥離する場合、フィルムが柔らか過ぎると剥離時平面性を損なったり、剥離張力によるツレや縦スジが発生し易く、経済速度と品質との兼ね合いで残留溶媒量を決められる。
【０３３８】
ドープを剥離するときの該ドープの温度は０〜３０℃にすることが剥離時のベース強度を上げることができる上、剥離時のベース破断を防止できるため好ましく、５〜２０℃がより好ましい。
【０３３９】
本発明において、支持体上に形成されたフィルム中の残留溶媒量は次式で表される。
【０３４０】
残留溶媒量＝（残存揮発分質量／加熱処理後フィルム質量）×１００％
尚、残存揮発分質量はフィルムを１１５℃で１時間加熱処理したとき、加熱処理前のフィルム質量から加熱処理後のフィルム質量を引いた値である。
【０３４１】
前記フィルム保持乾燥工程ではフィルムを保持して乾燥する際の残留溶媒量が１０質量％以上が好ましく、更に好ましくは１５質量％以上、最も好ましくは２０質量％以上である。０．２〜１０μｍの１次粒子を含有しない場合は、特に残留溶媒量の規定はないが、５質量％以上が好ましい。
【０３４２】
前記フィルム保持乾燥工程では一般にロール懸垂方式、ピンテンター方式、又はクリップテンター方式でフィルム両端を保持し、搬送しながら乾燥する方式が採られる。
【０３４３】
液晶表示用部材として用いられる場合は、テンター方式で幅を保持しながら乾燥させることが寸法安定性を向上させるために好ましい。特に支持体より剥離した直後の残留溶媒量が少なくとも１０質量％以上のところで幅保持を行うことが、寸法安定性向上の効果をより発揮する上で好ましい。特に残留溶媒量が１０質量％以上５０質量％未満の領域内で幅手方向に延伸することが好ましく、延伸倍率は１．０１倍以上であることが好ましい。更に好ましくは残留溶媒量が１０〜３５質量％の領域で幅手方向に１．０１〜１．５０倍、特に１．０３〜１．２倍となるように延伸することが好ましい。
【０３４４】
又本発明者らは、上記の物性幅手分布と延伸屈曲角度が深く関わっていることも見出した。即ち、延伸率を増加しても屈曲角度が一定であれば、物性幅手分布は劣化しない。但し、延伸屈曲角度とはテンターでのフィルム両端把持延伸時において、フィルム中央部搬送方向とテンター把持部が為す角度である。
【０３４５】
テンター内での溶媒乾燥量が０＜Ｙ＜０．７（但し、Ｙ＝Ｙｅ／Ｙｓ、Ｙｅ；テンター把持開始時残留溶媒、Ｙｓ；テンター把持解放時残留溶媒、Ｙｅは３％以上、特に３％〜２００％の範囲が好ましい。３％未満であると収縮抑制による平面性矯正効果が弱く、２００％を超えるとペースが柔らかくなりテンタークリップ把持が困難になる。Ｙｅはより好ましくは１０％〜１００％である。）であり、延伸屈曲角度がー０．５〜２０度の範囲であれば物性幅手分布が良好な偏光板用保護フィルムが得られることが明らかとなった。このとき、延伸屈曲角度はテンター入り口ベース幅（Ｌ）、延伸スパン長（Ｓ）に関連されるが、好ましい範囲は０．５ｍ＜Ｌ＜３ｍ、０．１ｍ＜Ｓ＜１０ｍ、より好ましくは０．８ｍ＜Ｌ＜２ｍ、１ｍ＜Ｓ＜５ｍである。
【０３４６】
支持体上のウエブは、少なくともウェブに含まれる残留溶媒量が２００質量％未満まで４１〜１００℃の雰囲気下で支持体上で乾燥されることがより好ましく、同雰囲気下で乾燥させた後、一度４０℃未満の雰囲気下にして剥離することがフィルムの面内リターデーションを低く維持し、面品質も向上するため好ましい。
【０３４７】
支持体上の剥離位置における温度は、好ましくは１０〜４０℃であり、更に好ましくは１１〜３０℃である。得られるフィルムの面配向度及び／又は面内リターデーションＲ0を低く維持するため、該剥離位置におけるウェブの残留溶媒量は２０〜１２０質量％が好ましく、更に好ましくは４０〜１００質量％であり、特に７０〜１００質量であることが好ましい。
【０３４８】
剥離時の残留溶媒量を調整するには、流延後の流延用支持体の表面温度を制御し、ウェブからの有機溶媒の蒸発を効率的に行えるように、流延用支持体上の剥離位置における温度を上記記載の温度範囲に設定することが好ましい。支持体温度を制御するには、伝熱効率のよい伝熱方法を使用するのがよく、例えば、液体による裏面伝熱方法が好ましい。
【０３４９】
輻射熱や熱風等による伝熱方法は支持体温度のコントロールが難しいが、ベルト（支持体）マシンにおいて、移送するベルトが下側に来た所の温度制御には、緩やかな風でベルト温度を調節することが出来る。
【０３５０】
支持体の温度は、加熱手段を分割することによって、部分的に支持体温度を変えることが出来、流延用支持体の流延位置、乾燥部、剥離位置等異なる温度とすることが出来る。
【０３５１】
製膜速度を上げる方法（残留溶媒量が出来るだけ多いうちに剥離するため製膜速度を上げることが出来る）として、残留溶媒が多くとも剥離出来るゲル流延法（ゲルキャスティング）がある。
【０３５２】
それは、ドープ中にセルロースエステルに対する貧溶媒を加えて、ドープ流延後、ゲル化する方法、支持体の温度を低めてゲル化する方法等がある。
また、ドープ中に金属塩を加える方法もある。
【０３５３】
支持体上でゲル化させ膜を強くすることによって、剥離を早め製膜速度を上げることも出来る。
【０３５４】
残留溶媒量がより多い時点で剥離する場合、ウェブが柔らか過ぎると剥離時に平面性を損なったり、剥離張力によるツレや縦スジが発生し易く、経済速度と品質との兼ね合いで剥離残留溶媒量を決められる。支持体とフィルムを剥離する際の剥離張力は、通常１９６〜２４５Ｎ／ｍで剥離が行われるが、セルロースエステルの単位質量あたりの紫外線吸収剤の含有量が多く、且つ、従来よりも薄膜化されている本発明のセルロースエステルフィルムは、剥離の際にシワが入りやすいため、１９０Ｎ／ｍ以下で剥離することが好ましく、更には、剥離できる最低張力〜１６６．６Ｎ／ｍ、次いで、最低張力〜１３７．２Ｎ／ｍで剥離することが好ましいが、特に好ましくは、最低張力〜１００Ｎ／ｍで剥離することである。剥離張力が低いほど面内リターデーションＲ0が低く保てるため好ましいだけでなく、面配向度が低いフィルムを得るためにも好ましい。面内リターデーションＲ0は２０ｎｍ未満であることが好ましく、更には、１０ｎｍ未満、次いで、５ｎｍ未満であることが好ましいが、最も好ましくは０〜１ｎｍである。剥離張力及び搬送張力、後述するテンターによる幅手方向の収縮あるいは延伸倍率を調整することによって、Ｒ0を低く維持することができる。
【０３５５】
本発明において、面内リターデーションＲ0は自動複屈折率計ＫＯＢＲＡ−２１ＡＤＨ（王子計測機器（株）製）を用いて、５９０ｎｍの波長において、三次元屈折率測定を行い、得られた屈折率Ｎｘ、Ｎｙ、Ｎｚから算出することができる。
又、膜厚方向のリターデーション値Ｒｔｈは３０ｎｍ未満のものが得られ、更に２０ｎｍ未満、１０ｎｍ未満のものが好ましく得られ、特に０〜８ｎｍのセルロースエステルが好ましく得られる。
【０３５６】
本発明のセルロースエステルフィルムは、遅相軸方向と製膜方向とのなす角度θと面内方向のリターデーションＲｅが下記式（II）のＰが０．９９９９を満たす関係にあり、特に偏光板保護フィルム等の光学フィルムとして好ましく用いられる。特に、Ｐが０．９９９９５でＲｅとθが下記式（II）を満たすことである。
【０３５７】
式（II）
Ｐ≦１−ｓｉｎ2（２θ）ｓｉｎ2（πＲ0／λ）
Ｒ0＝（Ｎｘ−Ｎｙ）×ｄ
式中、Ｎｘはフィルム面内の遅相軸方向の屈折率、Ｎｙは遅相軸方向に対し直角な方向のフィルム面内の屈折率であり、ｄはフィルムの膜厚（ｎｍ）である。θはフィルム面内の遅相軸方向と製膜方向（フィルムの直尺方向）とのなす角度（ラジアン）、λは上記Ｎｘ、Ｎｙ、θを求める三次元屈折率測定の際の光の波長５９０ｎｍ、πは円周率である。
【０３５８】
フィルム乾燥工程においては、支持体より剥離したフィルムをさらに乾燥し、本発明では残留溶媒量を１質量％以下、より好ましくは０．５質量％以下にすることにより、寸法安定性が良好なフィルムを得る上で好ましい。フィルム乾燥工程では、一般に、ロール懸垂方式、ピンテンター方式、又はクリップテンター方式でフィルムを搬送しながら乾燥する方式が採られる。本発明では、テンター方式で幅手方向に３％以上の延伸率で延伸しながら乾燥させることが、寸法安定性を向上させるために好ましく、さらに好ましくは延伸率が３．０〜９．０％であり、より好ましくは３．０〜６．０％である。
【０３５９】
特に、本発明では、支持体より剥離した直後の残留溶媒量の多いところで幅保持もしくは延伸を行うことが、寸法安定性向上効果をより発揮するため好ましい。
【０３６０】
支持体から剥離した後の乾燥工程では、溶媒の蒸発によってフィルムは巾方向に収縮しようとする。更に、高温度で乾燥するほど収縮が大きくなる。
この収縮は、可能な限り抑制しながら乾燥することが、出来上がったフィルムの平面性、寸法安定性を良好にする上で好ましい。この点から、例えば、特開昭６２−４６６２５号公報に示されているような乾燥全工程あるいは一部の工程を巾方向にクリップでフィルムの巾両端を保持しつつ乾燥させる方法、いわゆるテンター方式を用いることが好ましい。
【０３６１】
本発明において、フィルムを乾燥させる手段としては、特に制限なく、例えば、熱風、赤外線、加熱ロール、マイクロ波等を用いて行うことができ、簡便さの観点からは熱風を用いて行う方法が好ましい。乾燥温度は４０〜１５０℃の範囲で３〜５段階の温度に分けて、乾燥温度を徐々に高くしていくことが好ましく、更には、８０〜１４０℃の範囲で行うことが、高い寸法安定性を実現する上で好ましい。
【０３６２】
上述した流延から後乾燥までの各工程は、空気雰囲気下であってもよいし、窒素ガスなどの不活性ガス雰囲気下であってもよい。また、乾燥雰囲気を溶媒の爆発限界濃度を考慮して実施することはもちろんのことである。
【０３６３】
本発明のセルロースエステルフィルムの製造に係る巻き取り機は、一般的に使用されているものでよく、例えば、定テンション法、定トルク法、テーパーテンション法、内部応力一定のプログラムテンションコントロール法などの巻き取り方法で巻き取ることができる。
【０３６４】
本発明では、剥離してからフィルムの残留溶媒含有量が１質量％以下まで乾燥し、巻き取られる間の工程で、幅手方向の伸縮率Ａと搬送方向の伸縮率Ｂとの比（Ａ／Ｂ）が、２．０〜１０．０であり、かつ該搬送方向の伸縮率Ｂが−０．５％以下であることが特徴である。
【０３６５】
幅手方向の伸縮率は、具体的には、金属支持体上に流延されたフィルムの幅を測定して求めることができる。次いで、テンター乾燥装置、ロール乾燥装置を経て、フィルムの残留溶媒量が１質量％以下になるまで乾燥させた後、巻取り部の巻取り機の直前で、試料をサンプリングし、その幅手方向の長さを測定することにより求めることができる。本発明においては、幅手方向の伸縮率Ａとしては、―２．０〜―１０．０％であることが好ましい。
【０３６６】
また、搬送方向の伸縮率Ｂは、具体的には、図１で示すフィルムを形成する金属支持体の搬送速度（ｍ／ｍｉｎ）と、巻取り部の巻取り機の搬送速度とにより求めることができる。
これは、塗膜形成から巻き取りまでの全製膜工程を通じて、一定の張力で搬送させる場合、残留溶媒量の多い領域である塗膜形成部、すなわち金属支持体の搬送速度は相対的に早くなり、逆に乾燥が終了し残留溶媒量が極めて低い巻取り部、すなわち巻取り機の搬送速度は相対的に遅くなり、この搬送速度比をもって搬送方向の伸縮率とすることができる。本発明においては、搬送方向の伸縮率Ｂは、−０．５％以下であることが好ましいが、より好ましくは−０．５〜−２．０％である。
【０３６７】
《乾燥工程》
この工程は、ウェブを千鳥状に配置したロールに交互に通して搬送する乾燥装置及び／またはクリップまたはピンでウェブの両端を保持して搬送するテンター装置を用いて巾保持しながら、ウェブを乾燥する工程である。乾燥工程における搬送張力も可能な範囲で低めに維持することがＲ0が低く維持できるため好ましく、１９０Ｎ／ｍ以下であることが好ましい。更に好ましくは１７０Ｎ／ｍ以下であることが好ましく、更に好ましくは１４０Ｎ／ｍ以下であることが好ましく１００〜１３０Ｎ／ｍであることが特に好ましい。特に、フィルム中の残留溶媒量が少なくとも５質量％以下となるまで上記搬送張力以下に維持することが効果的である。
【０３６８】
乾燥の手段はウェブの両面に熱風を吹かせるのが一般的であるが、風の代わりにマイクロウェーブを当てて加熱する手段もある。あまり急激な乾燥は出来上がりのフィルムの平面性を損ね易い。高温による乾燥は残留溶媒が８質量％以下くらいから行うのがよい。全体を通し、乾燥温度は概ね４０〜２５０℃で行われる。特に本発明では残留溶媒が８質量％以下まで乾燥されたフィルムを１１５〜２００℃で少なくとも５〜６０分間維持することが好ましく、これによって更に面配向度が低減されるのである。より好ましくは１２０〜１６０℃の範囲で５〜６０分間維持されることであり、これは乾燥工程の一部を兼ねてもよい。
加熱温度はフィルムのＴｇ付近であることが望ましい。
【０３６９】
流延用支持体面から剥離した後の乾燥工程では、溶媒の蒸発によってウェブは巾方向に収縮しようとする。特に高温度で急激に乾燥するほど収縮が大きくなる。この収縮を可能な限り抑制しながら乾燥することが、出来上がったフィルムの平面性を良好にする上では好ましい。一方で、剥離後の乾燥工程である程度収縮させるかあるいは延伸する場合は低い延伸倍率とすることが面配向を低く維持できるため好ましい。
【０３７０】
この観点から、例えば、特開昭６２−４６６２５号に示されているような乾燥全工程あるいは一部の工程を巾方向にクリップまたはピンでウェブの巾両端を巾保持しつつ乾燥させる方法（テンター方式と呼ばれる）、中でも、クリップを用いるテンター方式、ピンを用いるピンテンター方式が好ましく用いられる。
【０３７１】
尚、この様に幅把持しながら乾燥することで得られるフィルムの面内リターデーションを小さくできる。テンターを行う場合のウェブの残留溶媒量は、テンター開始時に１００質量％以下であるのが好ましく、且つ、ウェブの残留溶媒量が１０質量％以下になるまでテンターをかけながら乾燥を行う事が好ましく、更に好ましくは５質量％以下である。
【０３７２】
また、セルロースエステルフィルムの乾燥工程においては、支持体より剥離したフィルムを更に乾燥し、残留溶媒量を１質量％以下にすることが好ましく、更に好ましくは、０．５質量％以下である。
【０３７３】
フィルム乾燥工程では一般にロール懸垂方式か、上記記載のようなピンテンター方式でフィルムを搬送しながら乾燥する方式が採られる。液晶表示部材用としては、ピンテンター方式で幅を保持しながら乾燥させることが、寸法安定性を向上させるために好ましい。特に支持体より剥離した直後の残留溶剤量の多いところで幅保持を行うことが、寸法安定性向上効果をより発揮するため特に好ましい。フィルムを乾燥させる手段は特に制限なく、一般的に熱風、赤外線、加熱ロール、マイクロ波等で行う。簡便さの点で熱風で行うのが好ましい。
【０３７４】
本発明においては、Ａ／Ｂは２．０〜１０．０であることが特徴の１つであるが、好ましくは、フィルムの膜厚が２０〜６０μｍの場合には、Ａ／Ｂが２．５〜８．０である。
【０３７５】
本発明において、上記で規定するＡ／Ｂの範囲となるように各伸縮率を調整する方法として、特に制限はないが、各工程での乾燥条件、搬送張力条件、テンターによる延伸条件等を適宜調整することが最も有効である。
【０３７６】
上述の乾燥条件、搬送張力条件、テンターによる延伸条件と適切に設定することにより、配向角、レタデーションの調整が可能となる。
【０３７７】
本発明では、剥離してからフィルムの残留溶媒量が１質量％以下まで乾燥し、巻き取られる間の工程で、金属支持体の搬送速度をＶ1（ｍ／ｍｉｎ）、巻取り部での搬送速度をＶ2（ｍ／ｍｉｎ）としたとき、Ｖ2／Ｖ1が１．００５〜１．１００であることが特徴である。
【０３７８】
具体的には、図１で示すフィルムを形成する金属支持体の搬送速度（ｍ／ｍｉｎ）と、巻取り部の巻取り機の搬送速度とにより求めることができる。本発明においては、Ｖ2／Ｖ1が１．００５〜１．１００であることが特徴の１つであるが、好ましくは、１．００５〜１．０８０である。
【０３７９】
本発明において、上記で規定するＶ2／Ｖ1の範囲となるように金属支持体あるいは巻取り部の搬送装置を最適に調整する方法として、特に制限はないが、各工程での乾燥条件、搬送張力条件等を適宜調整することが最も有効である。
【０３８０】
《巻き取り工程》
ウェブ中の残留溶媒量が２質量％以下となってからセルロースエステルフィルムとして巻き取る工程であり、残留溶媒量を０．４質量％以下にすることにより寸法安定性の良好なフィルムを得ることが出来る。
【０３８１】
巻き取り方法は、一般に使用されているものを用いればよく、定トルク法、定テンション法、テーパーテンション法、内部応力一定のプログラムテンションコントロール法等があり、それらを使いわければよい。
【０３８２】
セルロースエステルフィルムの膜厚は、使用目的によって異なるが、仕上がりフィルムとして、通常５〜５００μｍの範囲にあり、更に１０〜２５０μｍの範囲が好ましく、特に液晶画像表示装置用フィルムとしては１０〜１２０μｍの範囲が用いられる。本発明では特に、１０〜６０μｍの膜厚の薄いフィルムであっても、光学的等方性に優れ、特に面配向度が低いフィルムを得ることができるのである。
【０３８３】
膜厚の調節には、所望の厚さになるように、ドープ濃度、ポンプの送液量、ダイの口金のスリット間隙、ダイの押し出し圧力、流延用支持体の速度等をコントロールするのがよい。
【０３８４】
また、膜厚を均一にする手段として、膜厚検出手段を用いて、プログラムされたフィードバック情報を上記各装置にフィードバックさせて調節するのが好ましい。溶液流延製膜法を通しての流延直後から乾燥までの工程において、乾燥装置内の雰囲気を、空気とするのもよいが、窒素ガスや炭酸ガス等の不活性ガス雰囲気で行ってもよい。
【０３８５】
ただ、乾燥雰囲気中の蒸発溶媒の爆発限界の危険性は常に考慮されなければならないことは勿論のことである。
【０３８６】
以上に述べたセルロースアシレートフィルムの製造方法の典型例として  図１に上記フィルムの製造工程ラインと製造装置の概略図を示す。
図１において、ドープ製造ライン３０により製造されたドープ１５は、攪拌機８１とモーター８０を装備したストックタンク６１に貯留され、必要に応じてポンプ８２によって送液されて濾過装置６２で濾過された後流延室８４に送られる。流延室８４は、送風口９０，９１、９３を有する温調設備８５、ドープ流延ダイ６３及び減圧チャンバ８８を備えたエンドレス金属支持体で作られた流延バンド６６、伝熱媒体循環装置８３、凝縮器（コンデンサー）８６から構成されている。
濾過された後流延室８４に送られたドープは、ドープ流延ダイ６３からエンドレス金属の流延バンド６６上にキャストされて流延膜８９を形成する。流延バンド６６は、鏡面処理を施された表面を有する金属製エンドレスベルトからなり、回転ロール６４及び６５によって支持体上に流延されたドープを加熱乾燥しながらする。加熱乾燥には回転ロール６４及び６５を含むエンドレスベルト体に伝熱媒体循環装置８３から熱が供給され、形成された流延膜８９（ウェブ）を乾燥する。流延膜８９は剥ぎ取りロール９５によって支持体から剥ぎとられて渡り部１００に搬送される。渡り部１００では送風機１０１によって乾燥風が送られてさらに含有溶剤が乾燥される。次いでテンター式乾燥機６７によってさらに乾燥と延伸が施される。テンター式乾燥機６７を経たウエッブは、耳きり装置７０で耳をカットした後乾燥室７１にてロール１１１によって搬送されて乾燥され、次いで冷却室７２を経て巻き取り室７３に送られて巻き取りロール１１５に巻き取られてフィルムロール２１として巻き取られる。
乾燥室７１の室内気は吸着回収装置１１２との間を循環して溶剤が回収される。
また、凝縮器（コンデンサー）８６で凝縮した溶剤も回収装置８７によって回収される。
また、支持体としては、金属製エンドレスベルトに代えて、金属製ドラムからなるものを用いてもよい。
【０３８７】
上記において、乾燥装置７１)の搬送ロール１１１は千鳥配置状に設けられているが、これに限られるものではなく、搬送ロール１１１の配置の仕方は適宜変更可能である。また、搬送ロール１１１に代えて、エアーロール、フローティングノズル等を用いてもよい。
【０３８８】
さらに、上記において、テンター式乾燥機６７としては、通常の一軸テンター装置や、幅方向および搬送方向に独立して伸縮量を設定可能なリニアモータを使用した二軸テンター装置を用いることが可能である。一軸テンター装置を使用した場合、テンター装置内での搬送方向の伸縮の制御を行うために、前後の張力を変化させる必要があるが、二軸テンター装置を使用した場合は、テンター装置内での搬送方向の伸縮の制御を簡単に行うことができる。
【０３８９】
上記構成の製造装置を用いてのセルロールエステルフィルムの製造方法は、さらに詳細には次の通りである。
【０３９０】
まず、セルロースエステルのドープを流延ダイ６３から流延バンド６６上に流延し、加熱乾燥されて残留溶媒量が７０〜１６０質量％となり、流延バンド６６上にウェブを形成する。ついで、流延バンド６６上に形成されたウェブを、剥離ロール９５により流延バンド６６から剥離し、熱風吹き込み口から吹き込まれる乾燥熱風により乾燥させて、残留溶媒量が１０〜５０質量％となるまで乾燥させる。ついで、このウェブをテンター式乾燥機６７を備えたテンター装置に送り、ここでウェブの幅方向両側縁部を把持して、ウェブの幅を一定に保持、またはウェブを幅方向に延伸するとともに、加熱乾燥させる。図１には、テンター式乾燥機６７の細部は示していないが、テンター式乾燥機６７が第１及び第２テンター装置を有していることが好ましい。テンター装置が２段構成の場合は、第１テンター装置での延伸率は０〜８％、第１テンター装置を通過したウェブの残留溶媒量は５〜２０質量％であることが好ましい。第２テンター装置で原料であるセルロースエステルのガラス転位温度の±５０℃の範囲内の温度で、延伸率０〜３％となるように延伸する。第２テンター装置で幅規制が行われたフィルムの残留溶媒量は２質量％以下となる。なお、第２テンター装置に送られるフィルムの残留溶媒量が２質量％を越えている場合であっても、第２テンター装置での延伸のさいの加熱により、残留溶媒量は２質量％以下となる。最後に、幅規制の行われたフィルムを巻取ロール１１５に巻き取る。こうして、セルロースエステルフィルム２１が製造される。
【０３９１】
上記実施形態の製造方法において、第１テンター装置を通過したウェブの面内レターデーションを、たとえば王子計測機器社製のオンライン複屈折率測定装置KOBLA-311シリーズにより測定し、この測定値に基づいて第１テンター装置での延伸率をフィードバック制御してもよい。
【０３９２】
さらに、上記実施形態の製造方法において、支持体から剥離されたウェブの搬送方向および幅方向の寸法、第１テンター装置の前後でのウェブの搬送方向および幅方向の寸法、ならびに第２テンター装置の前後でのフィルムの搬送方向および幅方向の寸法を測定し、支持体から剥離されたウェブの寸法を基準として、第１テンター装置の前後および第２テンター装置の前後における搬送方向および幅方向の寸法比を、それぞれ０．９〜１．１、好ましくは０．９５〜１．０５に設定するようにしてもよい。すなわち、上記支持体上に形成されたウェブに、インクジェットにより搬送方向に所定間隔をおいて２つのマークを付しておき、さらに剥離ロールの下流側、第１テンター装置の前後（上流側および下流側）、ならびに第２テンター装置の前後（上流側および下流側）に、それぞれウェブまたはフィルムが掛けられる図示しない測定ロールを設けておき、この測定ロールを通過する上記２つのマークをＣＣＤにより観察して通過時間を求め、さらに測定ロールの回転数に基づいてウェブまたはフィルムが測定ロールを通過する速度を求め、上記通過時間および通過速度から上記２つのマーク間の距離を求めて、これを搬送方向の寸法とし、支持体から剥離されたウェブの搬送方向の寸法を１とした場合の、第１テンター装置の前後および第２テンター装置の前後における搬送方向の寸法比を、それぞれ上記範囲に設定する。また、上述した測定ロールの部分において、ウェブまたはフィルムの幅方向の寸法をＣＣＤにより観察することによって求め、支持体から剥離されたウェブの寸法を基準として、第１テンター装置の前後および第２テンター装置の前後における幅方向の寸法比を上記範囲に設定する。
【実施例】
【０３９３】
以下に本発明の実施例、及び比較例を示すが、本発明はこれらに限定される訳ではない。
［実施例１］（セルロースアセテート溶液Ａの調製）
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、４０℃に加熱しながら攪拌して各成分を溶解し、セルロースアセテート溶液Ａを調製した。
【０３９４】
（セルロースアセテート溶液組成）
酢化度６０．８％のセルロースアセテート    １００．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒）            ４２２．０質量部
メタノール（第２溶媒）                      ６３．０質量部
【０３９５】
（マット剤溶液の調製）
平均粒径１６ｎｍのシリカ粒子（AEROSIL R972、日本アエロジル（株）製）を２０質量部、メタノール８０質量部を３０分間よく攪拌混合してシリカ粒子分散液とした。この分散液を下記の組成物とともに分散機に投入し、さらに３０分以上攪拌して各成分を溶解し、マット剤溶液を調製した。
【０３９６】
（マット剤溶液組成）
平均粒径１６ｎｍのシリカ粒子分散液        １０．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒）            ７７．１質量部
メタノール（第２溶媒）                      ３．９質量部
セルロースアセテート溶液Ａ                １０．９質量部
【０３９７】
（添加剤溶液Ａの調製）
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、４０℃に加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、セルロースアセテート溶液を調製した。光学的異方性を低下する化合物および波長分散調整剤については下記に示すものを用いた。
【０３９８】
（添加剤溶液組成Ａ）
光学的異方性を低下する化合物（Ａ−３５）    ６６．２質量部
波長分散調整剤（ＵＶ−２１）                  ６．６質量部
メチレンクロライド（第１溶媒）              ５８．８質量部
メタノール（第２溶媒）                        ８．４質量部
セルロースアセテート溶液                    １２．８質量部
【０３９９】
（本発明のセルロースアシレートフィルム１の作製）
上記セルロースアセテート溶液Ａ９４．６質量部、マット剤溶液を１．３質量部、添加剤溶液Ａ４．１質量部それぞれを濾過後に混合し、３０℃に温度調整された混合ドープを裏面から２９℃（Ｔ２）の温風で加熱したエンドレスステンレスベルト上に均一に流延した。上記組成で光学的異方性を低下する化合物および波長分散調整剤のセルロースアセテートに対する質量比はそれぞれ１２％、１．２％であった。
流延後、ただちにベルト上のドープ膜（ウエブ）に２０℃（Ｔ１）の温風をあてて乾燥させた後、流延から３５秒後にベルトの裏面から４５℃（Ｔ４）の温風で加熱すると共に、ウエブ表面に４５℃（Ｔ３）の温風をあてて乾燥させ、流延から９０秒後に、剥離張力１６０Ｎ／ｍで剥離し、多数のロールで搬送張力１１０Ｎ／ｍで搬送させながら乾燥させた。剥離部のエンドレスステンレスベルトの温度は１５℃とした。剥離時の残留溶媒量は２０質量％であった。又、支持体上で乾燥中のウエブは、流延後２２秒で見かけのＴｇが０℃、ベース温Ｔａが１５℃であった。剥離されたフィルムは、１００℃に設定された第１乾燥ゾーンにて１分間搬送させて揮発分５％まで乾燥した後、１３０℃に設定された第２乾燥ゾーンで２０分間搬送させて、揮発分０．３％まで乾燥を行った。第２乾燥ゾーンのフィルムのＴｇは１２７℃であった。又、第１乾燥ゾーン内ではテンターにて幅手方向に１．００倍に保持し延伸を行わなかった。乾燥後ロール状に巻き取って巻長６００ｍ、膜厚８０μｍの本発明のセルロースエステルフィルム１を得た。
【０４００】
［実施例２］
（添加剤溶液Ｂの調製）
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、４０℃に加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、セルロースアセテート溶液を調製した。
【０４０１】
（添加剤溶液組成Ｂ）
光学的異方性を低下する化合物（Ａ−１９）    ６６．２質量部
波長分散調整剤（ＵＶ−１０２）                ６．６質量部
メチレンクロライド（第１溶媒）              ５８．８質量部
メタノール（第２溶媒）                        ８．４質量部
セルロースアセテート溶液                    １２．８質量部
【０４０２】
（セルロースアシレートフイルム２の作製）
上記添加剤溶液Ｂ４．１質量部を用いたこと以外は実施例１と同様のセルロースアセテート溶液Ａ、マット剤溶液をそれぞれを濾過後に混合し、３０℃に温度調整された混合ドープを裏面から２９℃（Ｔ２）の温風で加熱したエンドレスステンレスベルト上に均一に流延した。流延後、ただちにベルト上のドープ膜（ウエブ）に２２℃（Ｔ１）の温風をあてて乾燥させた後、流延から３５秒後にベルトの裏面から４０℃（Ｔ４）の温風で加熱すると共に、ウエブ表面に４０℃（Ｔ３）の温風をあてて乾燥させ、流延から１００秒後に、剥離張力１４０Ｎ／ｍで剥離し、多数のロールで搬送張力１００Ｎ／ｍで搬送させながら乾燥させた。剥離部のエンドレスステンレスベルトの温度は１５℃とした。剥離時の残留溶媒量は２０質量％であった。又、支持体上で乾燥中のウエブは、流延後２２秒で見かけのＴｇが０℃、ベース温Ｔａが１５℃であった。剥離されたフィルムは、９０℃に設定された第１乾燥ゾーンにて１分間搬送させて揮発分４％まで乾燥した後、１３０℃に設定された第２乾燥ゾーンで１５分間搬送させて、揮発分０．４％まで乾燥を行った。第２乾燥ゾーン内のフィルムのＴｇは１３０℃で乾燥後、ロール状に巻き取って、巻長６００ｍ、膜厚７９μｍの本発明のセルロースエステルフィルム２を得た。
【０４０３】
［実施例３］
（添加剤溶液組成Ｃ）
光学的異方性を低下する化合物（Ｂ−３０）    ６６．２質量部
波長分散調整剤（ＵＶ−３）                    ６．６質量部
メチレンクロライド（第１溶媒）              ５８．８質量部
メタノール（第２溶媒）                        ８．４質量部
セルロースアセテート溶液                    １２．８質量部
【０４０４】
（セルロースアシレートフイルム３の作製）
上記添加剤溶液Ｃ４．１質量部を用いたこと以外は実施例１と同様のセルロースアセテート溶液、マット剤溶液をそれぞれを濾過後に混合し、３０℃に温度調整された混合ドープを裏面から２９℃（Ｔ２）の温風で加熱したエンドレスステンレスベルト上に均一に流延した。流延後、ただちにベルト上のドープ膜（ウエブ）に２２℃（Ｔ１）の温風をあてて乾燥させた後、流延から３５秒後にベルトの裏面から４５℃（Ｔ４）の温風で加熱すると共に、ウエブ表面に５０℃（Ｔ３）の温風をあてて乾燥させ、流延から１００秒後に、剥離張力１４０Ｎ／ｍで剥離し、多数のロールで搬送張力１００Ｎ／ｍで搬送させながら乾燥させた。剥離部のエンドレスステンレスベルトの温度は１５℃とした。剥離時の残留溶媒量は１５質量％であった。又、支持体上で乾燥中のウエブは、流延後２２秒で見かけのＴｇが０℃、ベース温Ｔａが１８℃であった。剥離されたフィルムは、９０℃に設定された第１乾燥ゾーンにて１分間搬送させて揮発分３％まで乾燥した後、１３０℃に設定された第２乾燥ゾーンで１５分間搬送させて、揮発分０．３％まで乾燥を行った。第２乾燥ゾーン内ではフィルムのＴｇは１２８℃であった。乾燥後ロール状に巻き取って、巻長６００ｍ、膜厚８２μｍの本発明のセルロースアシレートフィルム３を得た。
［実施例４］
（セルロースアセテート溶液Ｂの調製）
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、８０℃に加熱しながら攪拌して各成分を溶解し、セルロースアセテート溶液Ｂを調製した。
【０４０５】
（セルロースアセテート溶液組成）
酢化度６１．８％のセルロースアセテート    １００．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒）            ４２２．０質量部
メタノール（第２溶媒）                      ６３．０質量部
（セルロースアシレートフイルム４の作製）
上記セルロースアシレート溶液Ｂを用いたこと以外は実施例１と同様の添加剤溶液Ａ、マット剤溶液をそれぞれを濾過後に混合し、３０℃に温度調整された混合ドープを裏面から３０℃（Ｔ２）の温風で加熱したエンドレスステンレスベルト上に均一に流延した。流延後、ただちにベルト上のドープ膜（ウエブ）に２２℃（Ｔ１）の温風をあてて乾燥させた後、３０℃に温度調整されたドープＡを用いて、裏面から２５℃（Ｔ２）の温風で加熱したエンドレスステンレスベルト上に均一に流延した。流延後、ただちにベルト上のドープ膜（ウエブ）に２０℃（Ｔ１）の温風をあてて乾燥させた後、流延から３５秒後にベルトの裏面から４０℃（Ｔ４）の温風で加熱すると共に、ウエブ表面に４０℃（Ｔ３）の温風をあてて乾燥させ、流延から８０秒後に、剥離張力１３０Ｎ／ｍで剥離し、多数のロールで搬送張力１００Ｎ／ｍで搬送させながら乾燥させた。剥離部のエンドレスステンレスベルトの温度は１５℃とした。剥離時の残留溶媒量は５０質量％であった。又、支持体上で乾燥中のウエブは、流延後２０秒で剥離残溶量が２６０質量まで乾燥していた。剥離されたフィルムは、４５℃に設定された第１乾燥ゾーンを１分間搬送させた後、８０℃に設定された第２乾燥ゾーンを３０秒間搬送させ、さらに１３０℃に設定された第３乾燥ゾーンで１０分間搬送させて、乾燥を行った。第２乾燥ゾーン内ではテンターにて幅手方向に１．００倍に保持し延伸を行わなかった。乾燥後ロール状に巻き取って巻長６００ｍ、膜厚７８μｍの本発明のセルロースエステルフィルム３を得た。巻き取り時の残留溶媒量は０．４％であった。
【０４０６】
［実施例５］
（セルロースアシレートフイルム５の作製）
上記セルロースアシレート溶液Ｂを用いたこと以外は実施例２と同様の添加剤溶液Ｂ、マット剤溶液をそれぞれを濾過後に混合し、３０℃に温度調整された混合ドープを裏面から３０℃（Ｔ２）の温風で加熱したエンドレスステンレスベルト上に均一に流延した。流延後、ただちにベルト上のドープ膜（ウエブ）に２０℃（Ｔ１）の温風をあてて乾燥させた後、流延から３５秒後にベルトの裏面から４５℃（Ｔ４）の温風で加熱すると共に、ウエブ表面に４５℃（Ｔ３）の温風をあてて乾燥させ、流延から７５秒後に、剥離張力１７０Ｎ／ｍで剥離し、多数のロールで搬送張力１３０Ｎ／ｍで搬送させながら乾燥させた。剥離部のエンドレスステンレスベルトの温度は１２℃とした。剥離時の残留溶媒量は４０質量％であった。又、支持体上で乾燥中のウエブは、流延後１９秒で剥離残溶量が２００質量まで乾燥していた。剥離されたフィルムは、５０℃に設定された第１乾燥ゾーンに入るフィルムの残留溶媒量を４０％としつ、かつ１分間搬送させた後、９０℃に設定された第２乾燥ゾーンを３０秒間搬送させ、さらに１１５℃に設定された第３乾燥ゾーンで１０分間搬送させて、乾燥を行った。第２乾燥ゾーン内ではテンターにて幅手方向に１．００倍に保持し延伸を行わなかった。乾燥後、ロール状に巻き取って巻長４００ｍ、膜厚８０μｍの本発明のセルロースエステルフィルム５を得た。巻き取り時の残留溶媒量は０．２％であった。
【０４０７】
［実施例６］
（セルロースアシレートフイルム６の作製）
上記セルロースアシレート溶液Ｂを用いたこと以外は実施例３と同様の添加剤溶液Ｃ、マット剤溶液をそれぞれを濾過後に混合し、３０℃に温度調整された混合ドープを裏面から３０℃（Ｔ２）の温風で加熱したエンドレスステンレスベルト上に均一に流延した。流延後、ただちにベルト上のドープ膜（ウエブ）に２０℃（Ｔ１）の温風をあてて乾燥させた後、流延から３５秒後にベルトの裏面から４５℃（Ｔ４）の温風で加熱すると共に、ウエブ表面に４５℃（Ｔ３）の温風をあてて乾燥させ、流延から７５秒後に、剥離張力１６０Ｎ／ｍで剥離し、多数のロールで搬送張力１３０Ｎ／ｍで搬送させながら乾燥させた。剥離部のエンドレスステンレスベルトの温度は１０℃とした。剥離時の残留溶媒量は４２質量％であった。又、支持体上で乾燥中のウエブは、流延後２１秒で剥離残溶量が２１０質量まで乾燥していた。剥離されたフィルムは、５０℃に設定された第１乾燥ゾーンを１分間搬送させた後、９０℃に設定された第２乾燥ゾーンを３０秒間搬送させ、さらに１１５℃に設定された第３乾燥ゾーンで１０分間搬送させて、乾燥を行った。第２乾燥ゾーン内ではテンターにて幅手方向に１．０１倍に延伸した。乾燥後、ロール状に巻き取って巻長５００ｍ、膜厚８０μｍの本発明のセルロースエステルフィルム６を得た。巻き取り時の残留溶媒量は０．３％であった。
【０４０８】
［比較例１］
（比較のセルロースアシレートフイルム７の作製）
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、４０℃に加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、セルロースアシレート溶液Ｃを調製した。
【０４０９】
＜セルロースアシレート溶液組成＞
酢化度６０．８％のセルロースアセテート              １００質量部
トリフェニルホスフェート（可塑剤）                  ７．８質量部
ビフェニルジフェニルホスフェート（可塑剤）          ３．９質量部
メチレンクロライド（第１溶媒）                      ３００質量部
メタノール（第２溶媒）                                ５４質量部
１−ブタノール                                        １１質量部
【０４１０】
（マット剤溶液の調製）
平均粒径１６ｎｍのシリカ粒子（AEROSIL R972、日本アエロジル（株）製）を２０質量部、メタノール８０質量部を３０分間よく攪拌混合してシリカ粒子分散液とした。この分散液を下記の組成物とともに分散機に投入し、さらに３０分以上攪拌して各成分を溶解し、マット剤溶液を調製した。
【０４１１】
（マット剤溶液組成）
平均粒径１６ｎｍのシリカ粒子分散液        １０．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒）            ７７．１質量部
メタノール（第２溶媒）                      ３．９質量部
セルロースアセテート溶液Ａ                １０．９質量部
【０４１２】
（比較のセルロースアシレートフィルム７の作製）
上記セルロースアシレート溶液Ｃとマット剤溶液をそれぞれを濾過後に混合し、３０℃に温度調整された混合ドープを裏面から３０℃（Ｔ２）の温風で加熱したエンドレスステンレスベルト上に均一に流延した。流延後、ただちにベルト上のドープ膜（ウエブ）に２５℃（Ｔ１）の温風をあてて乾燥させた後、流延から３５秒後にベルトの裏面から５２℃（Ｔ４）の温風で加熱すると共に、ウエブ表面に４９℃（Ｔ３）の温風をあてて乾燥させ、流延から９０秒後に、剥離張力１９０Ｎ／ｍで剥離し、多数のロールで搬送張力１４０Ｎ／ｍで搬送させながら乾燥させた。剥離部のエンドレスステンレスベルトの温度は１５℃とした。剥離時の残留溶媒量は５質量％であった。又、支持体上で乾燥中のウエブは、流延後２２秒で剥離残溶量が１７０質量まで乾燥していた。剥離されたフィルムは、１００℃に設定された第１乾燥ゾーンを２分間搬送させた後、１４０℃に設定された第２乾燥ゾーンで２０分間搬送させて、乾燥を行った。第１乾燥ゾーン内ではテンターにて幅手方向に１．００倍に保持し延伸を行わなかった。乾燥後、ロール状に巻き取って巻長６００ｍ、膜厚７７μｍの本発明のセルロースエステルフィルム１３を得た。巻き取り時の残留溶媒量は０．２％であった。
【０４１３】
［比較例２］
（比較のセルロースアシレートフィルム８の作製）
上記セルロースアシレート溶液Ｃとマット剤溶液それぞれを濾過後に混合し、３０℃に温度調整された混合ドープを裏面から３０℃（Ｔ２）の温風で加熱したエンドレスステンレスベルト上に均一に流延した。流延後、ただちにベルト上のドープ膜（ウエブ）に２５℃（Ｔ１）の温風をあてて乾燥させた後、流延から３５秒後にベルトの裏面から５２℃（Ｔ４）の温風で加熱すると共に、ウエブ表面に４９℃（Ｔ３）の温風をあてて乾燥させ、流延から９０秒後に、剥離張力１９０Ｎ／ｍで剥離し、多数のロールで搬送張力１４０Ｎ／ｍで搬送させながら乾燥させた。剥離部のエンドレスステンレスベルトの温度は１５℃とした。剥離時の残留溶媒量は７質量％であった。又、支持体上で乾燥中のウエブは、流延後２２秒で見かけのＴｇが０℃、ベース温Ｔａが３２℃であった。剥離されたフィルムは、４５℃に設定された第１乾燥ゾーンを１分間搬送させた後、１３０℃に設定された第２乾燥ゾーンで１５分間搬送させて、乾燥を行った。第２乾燥ゾーン内ではテンターにて幅手方向に１．００倍に保持し延伸を行わなかった。乾燥後、ロール状に巻き取る事で、巻長６００ｍ、膜厚７８μｍの本発明のセルロースエステルフィルム８を得た。巻き取り時の残留溶媒量は０．３％であった。
【０４１４】
［比較例３］
（比較のセルロースアシレートフィルム９の作製）
上記セルロースアシレート溶液Ｂとマット剤溶液それぞれを濾過後に混合し、３０℃に温度調整された混合ドープを裏面から３０℃（Ｔ２）の温風で加熱したエンドレスステンレスベルト上に均一に流延した。流延後、ただちにベルト上のドープ膜（ウエブ）に２３℃（Ｔ１）の温風をあてて乾燥させた後、流延から３５秒後にベルトの裏面から４３℃（Ｔ４）の温風で加熱すると共に、ウエブ表面に４３℃（Ｔ３）の温風をあてて乾燥させ、流延から９０秒後に、剥離張力１８０Ｎ／ｍで剥離し、多数のロールで搬送張力１３０Ｎ／ｍで搬送させながら乾燥させた。剥離部のエンドレスステンレスベルトの温度は１５℃とした。剥離時の残留溶媒量は１０質量％であった。又、支持体上で乾燥中のウエブは、流延後２２秒で見かけのＴｇが０℃、ベース温Ｔａが３２℃であった。剥離されたフィルムは、４５℃に設定された第１乾燥ゾーンを１分間搬送させた後、１３０℃に設定された第２乾燥ゾーンで１５分間搬送させて、乾燥を行った。第２乾燥ゾーン内ではテンターにて幅手方向に１．００倍に保持し延伸を行わなかった。乾燥後、ロール状に巻き取って巻長６００ｍ、膜厚７８μｍの本発明のセルロースエステルフィルム９を得た。巻き取り時の残留溶媒量は０．３％であった。
【０４１５】
以下に、本発明で得られたセルロースエステルフィルムの光学性能、及び面状の解析方法を示す。
（寸法安定性）
寸法安定性は熱収縮率で表す。試料の縦方向及び横方向より３０ｍｍ幅×１２０ｍｍ長さの試験片を各３枚採取する。試験片の両端に６ｍｍφの穴をパンチで１００ｍｍ間隔に開ける。これを２３±３℃、相対温度６５±５％の室内で３時間以上調湿する。自動ピンゲージ（新東科学（株）製）を用いてパンチ間隔の原寸（Ｌ１）を最小目盛り／１０００ｍｍまで測定する。次に試験片を８０℃±１℃の恒温器に吊して３時間熱処理し、２３±３℃、相対湿度６５±５％の室内で３時間以上調湿した後、自動ピンゲージで熱処理後のパンチ間隔の寸法（Ｌ２）を測定する。そして以下の式により熱収縮率を算出する。
熱収縮率＝（Ｌ１−Ｌ２／Ｌ１）×１００
【０４１６】
（ベースの平面性）
試料として全幅×１．５ｍを反射光、透過光にて角度を変えて検査し、平面性を評価した。また平面性が悪いフィルムについては表面形状を目視で確認し、ソリ、バリ、凹凸に分類して判定を行った。
◎：平面性が良好
○：平面性があまり良くない
【０４１７】
（光モレ）
得られたセルロースアシレートフィルムを保護フィルムとして用いた偏光板を作成した。その後、該偏光板２枚をクロスニコルに配置して液晶表示装置に実装し、目視で光モレの程度を確認した。
◎：光モレが全くない
△：光モレがほとんど見られない
×：全面に光モレが発生した
【０４１８】
実施例、及び比較例により作製したセルロースエステルフィルムの光学性能、及び面状の評価をした結果を表１に示した。
【０４１９】
【表１】
2006063266.tif 000067
【０４２０】
実施例に示すとおり、ドープ濃度、流延条件、剥離時残留揮発分、乾燥工程温度、工程通過速度を本明細書中に規定した範囲内に設定した結果、それぞれに光学性能（Re、Rth）及び光モレ、寸度変化％に効果が見られた。また、実施例全般を通じて額縁・面状は良好であった。
一方で比較例においては、寸度変化％には効果が見られた水準も中にはあったが、光モレ、額縁・面状との両立が困難であった。
【０４２１】
以上の結果から、本発明に示す製造方法によって、光学等方性に優れたセルロースアシレートフィルムを簡便かつ安定的に得ることができ、それを用いて、光モレが少なく視角特性に優れた液晶表示装置が得られた。
【図面の簡単な説明】
【０４２２】
【図１】本発明に係るセルロースアシレートフィルムの製造工程ラインの一例の概略図である。
【符号の説明】
【０４２３】
１５  ドープ
２１  フィルムロール
３０  ドープ製造ライン
６１  ストックタンク
６２  濾過装置
６３  ドープ流延ダイ
６４、６５  回転ロール
６６  流延バンド
６７  テンター式乾燥機
７０  耳きり装置
７１  乾燥室
７２  冷却室
７３  巻取り室
８０  モータ
８１  攪拌機
８２  ポンプ
８３  伝熱媒体循環装置
８４  流延室
８５  温調設備
８６  凝縮装置（コンデンサー）
８６  回収装置
８８  減圧チャンバー
８９  流延膜
９０、９１、９２  送風口
９５  剥取りロール（剥離ロール）
１００  渡り部
１０１  送風機
１１１  ロール
１１５  巻取りロール
【図１】
2006063266.tif 000068