(57)【要約】【課題】  半導体チップ積層型の半導体装置において、モールド樹脂内に含まれるフィラーが接着剤層の端部に押し込まれ、半導体チップを損傷させることを防止することを目的とする。【解決手段】  半導体装置は、少なくとも２つの半導体チップ１６，２０が接着剤層１８を介して積層され、フィラー２４入りのモールド樹脂２２によって封止されている半導体装置において、モールド樹脂２２に含まれるフィラー２４の大きさは接着剤層１８の厚さよりも大きい構成とする。また、接着剤層の面積は上側の半導体チップの下面の面積より大きい構成とする。【選択図】      図１
2006054359.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２つの半導体チップが接着剤層を介して積層され、フィラー入りのモールド樹脂によって封止されている半導体装置において、モールド樹脂に含まれるフィラーの大きさは接着剤層の厚さよりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
少なくとも２つの半導体チップが接着剤層を介して積層され、フィラー入りのモールド樹脂によって封止されている半導体装置において、接着剤層の面積は上側の半導体チップの下面の面積より大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の半導体装置において、前記接着剤層はフィルムタイプの接着剤からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体装置において、前記モールド樹脂に含まれるフィラーの大きさは３０〜７５μｍであり、前記接着剤層の厚さは２５μｍであることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置に関し、特に複数の半導体チップを積層した積層型の半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話は、通話機能に加えて、写真や動画撮影、インターネット、音楽や動画配信などさまざまな機能が付加されており、一般的にそういった情報のやりとりにはデータ格納用のＲＯＭと一時保存用のＲＡＭが使用されている。携帯電話のような小型の装置内の回路基板においては、半導体装置の実装面積が制限されるため、ＲＯＭとＲＡＭを積層して１つの半導体装置とされるものもある（例えば、特許文献１参照。）。
このような、積層型半導体装置においては、半導体チップは接着剤層を介して積層され、モールド樹脂で封止されている。最近はその情報量の多さよりメモリ容量の増大のため、３つ以上の半導体チップを積層してモールド樹脂で封止した半導体装置も開発されている。
【０００３】
図３は従来の半導体チップ積層型の半導体装置の一例を示している。２つの半導体チップ１，２が接着剤層３を介して積層され、フィラー４入りのモールド樹脂５によって封止されている。半導体チップ積層に用いる接着剤層３は、フィルムタイプで弾性の低いものを使用している。モールド樹脂５で封止を行うときに、モールド圧力が矢印で示すように多くの方向から半導体チップにかかり、丸印Ａで示される接着剤層３の端部の領域において、モールド樹脂５内に含まれるフィラー４が接着剤層３の端部に押し込まれ、それが半導体チップ１と半導体チップ２の間に挟まることがある。このため、互いに向かって押圧されている半導体チップ１，２がフィラー４によって損傷する恐れがある。
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−２２３２９７号公報（第８−９頁、第１６図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、半導体チップ積層型の半導体装置において、モールド樹脂内に含まれるフィラーが接着剤層の端部に押し込まれ、半導体チップを損傷させることを防止するようにした半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明による半導体装置は、少なくとも２つの半導体チップが接着剤層を介して積層され、フィラー入りのモールド樹脂によって封止されている半導体装置において、モールド樹脂に含まれるフィラーの大きさは接着剤層の厚さよりも大きいことを特徴とするものである。
【０００７】
この構成によれば、モールド樹脂に含まれるフィラーの大きさが接着剤層の厚さよりも大きいため、フィラーがモールド樹脂の封止圧力で接着剤層の端部に入り込むことはなく、半導体チップを損傷させることがない。
【０００８】
さらに、本発明による半導体装置は、少なくとも２つの半導体チップが接着剤層を介して積層され、フィラー入りのモールド樹脂によって封止されている半導体装置において、接着剤層の面積は上側の半導体チップの下面の面積よりも大きいことを特徴とするものである。
【０００９】
この構成によれば、接着剤層の面積が上側の半導体チップの下面の面積よりも大きいため、フィラーが接着剤層の端部に押し込まれたとしても、それは上側の半導体チップの外側の領域で止められ、フィラーがさらに下側の半導体チップと上側の半導体チップの間に挟まることはなく、半導体チップを損傷させることがない。
【発明の効果】
【００１０】
半導体チップ積層型の半導体装置において、モールド樹脂内に含まれるフィラーが接着剤層の端部に押し込まれ、その上下にある半導体チップを損傷させることを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下本発明の実施例について図面を参照して説明する。図１は本発明の第１実施例による半導体チップ積層型の半導体装置を示す図である。図１において、半導体装置１０は、基板１２と、基板１２に接着剤層１４により固定された下側半導体チップ１６と、下側半導体チップ１６に接着剤層１８により固定された上側半導体チップ２０と、下側半導体チップ１６及び上側半導体チップ２０を封止するモールド樹脂２２とからなる。上側半導体チップ２０は下側半導体チップ１６よりも小さい。接着剤層１４の面積は下側半導体チップ１６の下面の面積と同じであり、接着剤層１８の面積は上側半導体チップ２０の下面の面積と同じである。
【００１２】
下側半導体チップ１６及び上側半導体チップ２０はそれぞれワイヤボンディング等の適切な手段により基板１２に電気的に接続される。基板１２は外部接続端子としての金属バンプ２６を有し、基板１２を金属バンプ２６により他の配線基板に搭載することができるようになっている。
【００１３】
モールド樹脂２２はエポキシ樹脂からなり、フィラー２４を含む。フィラー２４はシリカ等の粒子からなり、例えば、モールド樹脂２２内に８０〜９０重量％含まれる。接着剤層１４，１８は例えばイミド系の樹脂からなる比較的に弾性の低いフィルムタイプの接着剤からなる。接着剤層１４，１８の厚さは例えば２５μｍとするとこの場合には、モールド樹脂２２に含まれるフィラー２４の大きさ（粒子の大きさ）は直径３０〜７５μｍにする必要がある。
【００１４】
このように、モールド樹脂２２に含まれるフィラー２４の大きさが下側半導体チップ１６と上側半導体チップ２０の間の接着剤層１８の厚さよりも大きいため、モールド樹脂封止を行うときに、矢印で示すように多くの方向から樹脂封止圧力がかかっても、モールド樹脂２２内に含まれるフィラー２４は上側半導体チップ２０と下側半導体チップ１６との間の接着剤層１８の端部に押し込まれることはなく、上側半導体チップ２０と下側半導体チップ１６の間に挟まれることはないので、両半導体チップ１６，２０を損傷させることがない。
【００１５】
図２は本発明の第２実施例による半導体チップ積層型の半導体装置を示す図である。図２において、半導体装置１０は、基板１２と、基板１２に接着剤層１４により固定された下側半導体チップ１６と、下側半導体チップ１６に接着剤層１８により固定された上側半導体チップ２０と、下側半導体チップ１６及び上側半導体チップ２０を封止するモールド樹脂２２とからなる。上側半導体チップ２０は下側半導体チップ１６よりも小さい。接着剤層１４の面積は下側半導体チップ１６の下面の面積と同じであり、接着剤層１８の面積は下側半導体チップ１６の上面の面積よりも小さく、上側半導体チップ２０の下面の面積よりも大きい。
【００１６】
下側半導体チップ１６及び上側半導体チップ２０はそれぞれワイヤボンディング等の適切な手段により基板１２に電気的に接続される。基板１２は外部接続端子としての金属バンプ２６を有し、基板１２を金属バンプ２６により他の配線基板に搭載することができるようになっている。
【００１７】
モールド樹脂２２はエポキシ樹脂からなり、フィラー２４を含む。フィラー２４はシリカ等の粒子からなり、例えば、モールド樹脂２２内に８０〜９０重量％含まれる。接着剤層１４，１８は例えばイミド系の樹脂からなる比較的に弾性の低いフィルムタイプの接着剤からなる。本実施例の場合には、モールド樹脂２２に含まれるフィラー２４の大きさ（粒子の大きさ）は接着剤層１８の厚さに制限されない。
【００１８】
このように、下側半導体チップ１６と上側半導体チップ２０の間の接着剤層１８の面積が上側半導体チップ２０の下面の面積よりも大きいため、フィラー２４が接着剤層１８の端部に押し込まれたとしても、それは上側の半導体チップ２０の外側の領域くい止められ、フィラー２４がさらに接着剤層１８の内部を移動して下側半導体チップ１６と上側半導体チップ２０の間に挟まることはなく、両半導体チップ１６，２０を損傷させることがない。
【００１９】
以上は２つの半導体チップが積層された場合を例として説明したが、本発明は２つの半導体チップが積層された場合に限定されるものではなく、３つ以上の半導体チップが積層された場合にも同様に適用されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１は本発明の第１実施例による半導体チップ積層型の半導体装置の断面を示す図である。
【図２】図２は本発明の第２実施例による半導体チップ積層型の半導体装置の断面を示す図である。
【図３】図３は従来の半導体チップ積層型の半導体装置の断面を示す図である。
【符号の説明】
【００２１】
１０    半導体装置
１２    基板
１４    接着剤層
１６    下側半導体チップ
１８    接着剤層
２０    上側半導体チップ
２２    モールド樹脂
２４    フィラー
２６    金属バンプ
【図１】
2006054359.tif 000003
【図２】
2006054359.tif 000004
【図３】
2006054359.tif 000005