(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体チップを内蔵する樹脂パッケージの配置の自由度の向上，部品点数の低減，部品汎用化の促進，小型化および量産化を図る。【解決手段】ホール素子等の半導体チップ１６と、半導体チップ１６を埋設するとともに相互に直交する２つの隣接する面部ｅ，ｆを有する樹脂パッケージ本体５と、樹脂パッケージ本体５における上記２つの面部ｅ，ｆの外表面にこれら２つの面部ｅ，ｆに亘って装着されるとともに半導体チップ１６と樹脂パッケージ本体５内において電気的に接続されたリードフレーム６とをそなえて構成する。【選択図】図１
2006054319.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、
該半導体チップを埋設するとともに、相互に交叉する少なくとも２つの隣接する面部を有する樹脂パッケージ本体と、
該樹脂パッケージ本体における上記２つの面部の外表面に、これら２つの面部に亘って装着されるとともに、該半導体チップと該樹脂パッケージ本体内において電気的に接続されたリードフレームとをそなえて構成されたことを特徴とする、半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージ。
【請求項２】
該樹脂パッケージ本体における上記の相互に交叉する少なくとも２つの隣接する面部が、相互に直交する少なくとも２つの隣接する面部として構成されていることを特徴とする、請求項１に記載の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージ。
【請求項３】
該半導体チップがホール素子として構成されるとともに、
該樹脂パッケージ本体が磁界透過性樹脂パッケージ本体として構成されていることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージ。
【請求項４】
該半導体チップが赤外線センサ素子として構成されるとともに、
該樹脂パッケージ本体が赤外線透過性樹脂パッケージ本体として構成されていることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージ。
【請求項５】
該半導体チップが発光ダイオード素子として構成されるとともに、
該樹脂パッケージ本体が光透過性樹脂パッケージ本体として構成されていることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載の半導体チップ内臓樹脂パッケージ。
【請求項６】
導体板の一片に形成されたｎ（ｎは自然数を表す。）本のリード端子の先端部分を折り曲げる工程と、
該リード端子に、半導体チップを装着する工程と、
該リード端子と該半導体チップとを電気的に接続する工程と、
該折り曲げられたリード端子および該リード端子に電気的に接続された該半導体チップに対し、該半導体チップについてはこれが樹脂成形体内に埋設され、該リード端子については該リード端子の外表面が該樹脂成形体における相互に交叉する少なくとも２つの隣接面部に亘って露出するように、樹脂成形を施すことにより、該樹脂成形体を製作する工程と、
該樹脂成形体を該導体板から切断する工程とをそなえて構成されたことを特徴とする、半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージの製造方法。
【請求項７】
一片に、ｎ（ｎは自然数を表す。）本のリード端子を一組とするｍ（ｍは自然数を表す。）組の合計ｎ×ｍ本のリード端子を形成された導体板における、上記のｎ×ｍ本のリード端子の先端部分を折り曲げる工程と、
上記の各組のリード端子に、それぞれ半導体チップを装着する工程と、
上記の各組のリード端子と対応する該半導体チップとをそれぞれ電気的に接続する工程と、
該折り曲げられたリード端子および該リード端子に電気的に接続された上記の各半導体チップに対し、該半導体チップについてはこれが樹脂成形体内に埋設され、該リード端子については上記ｎ本のリード端子の外表面が該樹脂成形体における相互に交叉する少なくとも２つの隣接面部に亘って露出するように、樹脂成形を施すことにより、該樹脂成形体を複数製作する工程と、
これらの該樹脂成形体を該導体板から切断する工程とをそなえて構成されたことを特徴とする、半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージの製造方法。
【請求項８】
該リード端子に、該半導体チップを装着するに際し、上記の折り曲げられたリード端子の先端部分よりも基部側のリード端子基部側部分に、該半導体チップを装着することを特徴とする、請求項６または請求項７に記載の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージの製造方法。
【請求項９】
該樹脂成形体を製作するに際し、
該リード端子の外表面側にマスキング部材を貼設した後に、樹脂成形を施すことを特徴とする、請求項６ないし請求項８のいずれか一項に記載の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージの製造方法。
【請求項１０】
該リード端子の先端部分を折り曲げる工程に先立って、該リード端子と交叉するように、該リード端子に曲げ用ノッチを形成することを特徴とする、請求項６ないし請求項９のいずれか一項に記載の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージの製造方法。
【請求項１１】
該樹脂成形体を該導体板から切断する工程に先立って、該リード端子と交叉するように、該リード端子に切断用ノッチを形成することを特徴とする、請求項６ないし請求項１０のいずれか一項に記載の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージの製造方法。
【請求項１２】
基板と、
該基板上に配置され、ホール素子と、該ホ−ル素子を埋設するとともに、相互に直交する少なくとも２つの隣接する面部を有する樹脂パッケージ本体と、該樹脂パッケージ本体における上記２つの面部の外表面に、これら２つの面部に亘って装着されるとともに、該ホール素子と該樹脂パッケージ本体内において電気的に接続されたリードフレームとをそなえて構成された第１の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージと、
該第１の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージにおける該ホール素子の駆動および制御を行なう制御部とをそなえて構成されたことを特徴とする、半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージを用いた磁気センサ。
【請求項１３】
該基板上に、該第１の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージとは別に、該第１の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージと同じ構造を有する第２の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージが該第１の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージに対し９０度回転移動させた状態で配置されていることを特徴とする、請求項１２に記載の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージを用いた磁気センサ。
【請求項１４】
該基板上に、上記の第１の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージおよび第２の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージとは別に、３次元空間を構成する３軸のうちの上記の第１の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージおよび第２の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージによって検出される軸方向とは異なる軸方向に沿う磁気を検出しうる磁気感知部材が配置されていることを特徴とする、請求項１３に記載の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージを用いた磁気センサ。
【請求項１５】
該磁気感知部材が、上記の第１の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージと同じ構造を有する第３の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージとして構成され、
該第３の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージが上記の第１の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージおよび第２の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージに対しそれぞれ９０度回転移動させた状態で配置されていることを特徴とする、請求項１４に記載の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージを用いた磁気センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば磁気センサ，方位センサ，ＬＥＤ（Light Emitting Diode:発光ダイオード素子）および赤外線センサ素子に用いて好適な、半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージおよび半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージの製造方法に関し、さらには半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージを用いた磁気センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ＧＰＳ（Global Positioning System）受信機を設けたカーナビゲーション装置およびナビゲーション機能を有する携帯電話機（携帯端末）には、主に地磁気を検出（検知，センシング，感磁，感知）する小型の磁気センサ又は方位センサが組み込まれている。ここで、磁気とは、特に断らない限り、磁界（又は磁場）Ｈと磁束密度Ｂ（透磁率μ×磁界Ｈ）とを意味する。そして、磁気センサは、１〜３次元における磁界の検出，磁界の強さの計測（測定），検出磁界の電圧変換，電圧出力等を行なうものであり、また、方位センサは、地磁気の検出に特化したものであり、１〜３次元の地磁気の強さ，地磁気の方向を検出しこれらの強さ，方向を表すデータを出力する。これらの２種類のセンサ（磁気センサおよび方位センサ）は、いずれも、制御用のＩＣ（Integrated Circuit）又はＬＳＩ（Large Scale Integration）等と一体的にモジュール化されており、多くの種類のものが販売されている。なお、以下、特に断らない限り、２種類のセンサのうちの磁気センサについて説明し、方位センサについての重複説明を省略する。
【０００３】
携帯電話機は、高い場所および多様な傾斜角度で使用されるので、携帯電話機内部に搭載される磁気センサは、３次元方向からの磁気成分に対応するものでなければならない。通常、磁気センサは、微弱な地磁気の検出能力を必要とする半面、マイク，スピーカ等の磁石によって地磁気以外の不要な磁気をも検出するので、不要な磁気を遮蔽する機能が設けられている。
【０００４】
このため、小型でかつ磁界Ｈを比較的一定の感度で検出できるデバイスとして、ホール素子が用いられる。このホール素子は、特定方向の磁界Ｈを感知する感知の指向性（感磁方向）を有し、感磁方向の磁界Ｈの強さに応じた大きさの微弱電圧を出力する特性を有する。そして、携帯電話機内の水平な基板上に、２個のホール素子の磁気検出軸どうしが相互に直交するように配置されると、２次元方向の磁界Ｈを検出でき、また、３個のホール素子を設けることにより、３次元方向の磁界Ｈを検出でき、３次元空間を構成するＸ，Ｙ，Ｚの各方向の磁界成分を計測できる。
【０００５】
さらに、計測された各方向の磁界成分は、磁気センサに設けられたコントローラＩＣにおいて、３方向の磁界成分から磁界Ｈの強さが計算される。ここで、コントローラＩＣは、ホール素子への駆動電流の印加と、ホール効果により生じる微弱電圧の検出と、その微弱電圧の増幅との各処理のために高い精度が要請されている。さらに、３個のホール素子およびコントローラＩＣ等を近接させて低消費電力化と精度維持とのために、ホール素子とコントローラＩＣとが１チップ化（パッケージ化又はモジュール化）されるようになっている。
【０００６】
この１チップ化により、例えば携帯電話機に衝撃が加えられたときにおいても、ホール素子の位置ずれが防止され、電圧ロスが生じない状態における微弱電圧の検出が可能となり、さらに、安定した検出精度を維持でき、磁気センサの性能品質の向上および均一化が図れる。また、携帯電話機内部の各部品の高密度実装が可能となり、携帯電話機を小型化でき、コストの低減を促進できる。
【０００７】
さらに、磁気センサの用途および製造方法等に応じて、チップは種々の形状をとることができる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、従来のパッケージ形状は直方体であって、パッケージのリードフレーム（ホール素子とコントローラＩＣとの間を接続する導電部材）は、直方体型のパッケージの１面にだけ露出している。従って、パッケージを、回路パターンを有する基板上に実装する場合と、パッケージをコントローラＩＣと一体化させてモールド化（合成樹脂を注入して成型すること）する場合とのいずれの場合においても、パッケージのサイズとパッケージを固定する場所とのそれぞれについて設計の自由度がないという課題がある。具体的には、携帯電話機に実装するパッケージのサイズは、約４ｍｍ四方以下にし、また、パッケージの高さが制限される。
【０００９】
さらに、従来の磁気センサによる地磁気検出方向はＺ方向だけなので、やはり、パッケージを用いた磁気センサを小型化できないという課題がある。
そして、３次元空間における磁気検出は、３組の一次元の磁気センサを組み合わせて得られるものなので、物理的に小型化が困難であり、また、量産化にも適していないという課題がある。
【００１０】
一方、ここ数年来、小型で量産に適した３次元磁気センサの需要は高まっている。特に、電子コンパスやＧＰＳ機能を内蔵した携帯型情報処理装置では、地磁気を高精度で検出して方位を認識する機能が不可欠であり、小型の３次元磁気センサの開発が望まれている。また、バーチャルリアリティの環境を提供するために用いられるヘッドマウントディスプレイにも、地磁気を検出するための小型の３次元磁気センサが必要とされている。最近では、携帯電話機やＰＤＡ（Personal Digital Assistants）機器等、汎用の小型携帯機器にも、電子コンパスやＧＰＳ機能をそなえたものが実用化されており、３次元磁気センサの小型化および量産化が急務となってきている。
【００１１】
なお、小型かつ量産に適した形状のものは、３次元磁気センサのほかに、例えば発光ペン等に組み込むためのＬＥＤや、赤外線を検知するための赤外線センサ等がある。
上述の３次元磁気センサ，ＬＥＤおよび赤外線センサ等の半導体チップのうちの超小型のものを安価で提供されることがきわめて望ましく、３次元磁気センサについては高精度のものが要請されている。
【００１２】
本発明は、このような課題に鑑み創案されたもので、半導体チップを内蔵する樹脂パッケージであって、樹脂パッケージと外部回路との間の導通を維持した状態で、樹脂パッケージの配置の自由度の向上と、部品点数の低減と、部品の汎用化の促進と、小型化および量産化を図ることとが可能な、半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージおよび半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージの製造方法並びに半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージを用いた磁気センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
このため、本発明の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージは、半導体チップと、半導体チップを埋設するとともに、相互に交叉する少なくとも２つの隣接する面部を有する樹脂パッケージ本体と、樹脂パッケージ本体における上記２つの面部の外表面に、これら２つの面部に亘って装着されるとともに、半導体チップと樹脂パッケージ本体内において電気的に接続されたリードフレームとをそなえて構成されたことを特徴としている（請求項１）。
【００１４】
ここで、樹脂パッケージ本体における上記の相互に交叉する少なくとも２つの隣接する面部が、相互に直交する少なくとも２つの隣接する面部として構成されてもよい（請求項２）。
これらの半導体チップおよび樹脂パッケージ本体は、次の（ｉ）〜（ｉｉｉ）として構
成することができる。
【００１５】
（ｉ）半導体チップがホール素子として構成されるとともに、樹脂パッケージ本体が磁
界透過性樹脂パッケージ本体として構成される（請求項３）。
（ｉｉ）半導体チップが赤外線センサ素子として構成されるとともに、樹脂パッケージ本体が赤外線透過性樹脂パッケージ本体として構成される（請求項４）。
【００１６】
（ｉｉｉ）半導体チップが発光ダイオード素子として構成されるとともに、樹脂パッケージ本体が光透過性樹脂パッケージ本体として構成される（請求項５）。
また、本発明の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージの製造方法は、１個の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージの製造方法（請求項６）と、複数の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージの製造方法（請求項７）とがある。
【００１７】
本発明の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージの製造方法は、導体板の一片に形成されたｎ（以下の説明において、ｎは自然数を表す。）本のリード端子の先端部分を折り曲げる工程と、リード端子に、半導体チップを装着する工程と、リード端子と半導体チップとを電気的に接続する工程と、折り曲げられたリード端子およびリード端子に電気的に接続された半導体チップに対し、半導体チップについてはこれが樹脂成形体内に埋設され、リード端子についてはリード端子の外表面が樹脂成形体における相互に交叉する少なくとも２つの隣接面部に亘って露出するように、樹脂成形を施すことにより、樹脂成形体を製作する工程と、樹脂成形体を導体板から切断する工程とをそなえて構成されたことを特徴としている（請求項６）。
【００１８】
そして、本発明のチップ埋蔵型樹脂パッケージの製造方法は、一片に、ｎ本のリード端子を一組とするｍ（以下の説明において、ｍは自然数を表す。）組の合計ｎ×ｍ本のリード端子を形成された導体板における、上記のｎ×ｍ本のリード端子の先端部分を折り曲げる工程と、上記の各組のリード端子に、それぞれ半導体チップを装着する工程と、上記の各組のリード端子と対応する半導体チップとをそれぞれ電気的に接続する工程と、折り曲げられたリード端子およびリード端子に電気的に接続された上記の各半導体チップに対し、半導体チップについてはこれが樹脂成形体内に埋設され、リード端子については上記ｎ本のリード端子の外表面が樹脂成形体における相互に交叉する少なくとも２つの隣接面部に亘って露出するように、樹脂成形を施すことにより、樹脂成形体を複数製作する工程と、これらの樹脂成形体を導体板から切断する工程とをそなえて構成されたことを特徴としている（請求項７）。
【００１９】
ここで、請求項６および請求項７に係る本発明の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージの製造方法は、いずれも、次の（ｉｖ）〜（ｖｉｉ）に示すようにもできる。
（ｉｖ）請求項６または請求項７において、リード端子に、半導体チップを装着するに際し、上記の折り曲げられたリード端子の先端部分よりも基部側のリード端子基部側部分に、半導体チップを装着する（請求項８）。
【００２０】
（ｖ）請求項６ないし請求項８において、樹脂成形体を製作するに際し、リード端子の外表面側にマスキング部材を貼設した後に、樹脂成形を施す（請求項９）。
（ｖｉ）請求項６ないし請求項９において、リード端子の先端部分を折り曲げる工程に先立って、リード端子と交叉するように、リード端子に曲げ用ノッチを形成する（請求項１０）。
【００２１】
（ｖｉｉ）請求項６ないし請求項１０において、樹脂成形体を導体板から切断する工程に先立って、リード端子と交叉するように、リード端子に切断用ノッチを形成する（請求項１１）。
そして、本発明の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージを用いた磁気センサは、基板と、基板上に配置され、ホール素子と、ホ−ル素子を埋設するとともに、相互に直交する少なくとも２つの隣接する面部を有する樹脂パッケージ本体と、樹脂パッケージ本体における上記２つの面部の外表面に、これら２つの面部に亘って装着されるとともに、ホール素子と樹脂パッケージ本体内において電気的に接続されたリードフレームとをそなえて構成された第１の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージと、この第１の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージにおけるホール素子の駆動および制御を行なう制御部とをそなえて構成されたことを特徴としている（請求項１２）。
【００２２】
また、請求項１２記載の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージを用いた磁気センサは、基板上に、第１の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージとは別に、第１の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージと同じ構造を有する第２の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージが第１の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージに対し９０度（９０°）回転移動させた状態で配置されてもよい（請求項１３）。
【００２３】
さらに、請求項１３記載の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージを用いた磁気センサは、基板上に、上記の第１の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージおよび第２の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージとは別に、３次元空間を構成する３軸のうちの上記の第１の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージおよび第２の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージによって検出される軸方向とは異なる軸方向に沿う磁気を検出しうる磁気感知部材が配置されてもよい（請求項１４）。
【００２４】
そして、請求項１４記載の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージを用いた磁気センサは、磁気感知部材が、上記の第１の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージと同じ構造を有する第３の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージとして構成され、第３の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージが上記の第１の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージおよび第２の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージに対しそれぞれ９０度回転移動させた状態で配置されてもよい（請求項１５）。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージによれば、配置について自由度が高い設計が可能になるとともに、部品点数が減少するので部品の汎用化を促進できる。
さらに、本発明の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージの製造方法によれば、既存の製造工程を変更せずに使用できるので、製造コストのほかに実装コストを低減でき、また、大量生産する場合において低コストで効率よく製造できる。
【００２６】
加えて、本発明の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージの製造方法によれば、１個の樹脂パッケージと、複数個の樹脂パッケージとを、ほぼ同一工程で製造でき、また、同一の製造ラインを用いて製造できるので、製造効率の向上に寄与する。そのうえ、製造ラインの組み替え又は変更をともなわずに、１個の樹脂パッケージおよび複数個の樹脂パッケージとを製造できるようになり、作業効率が大幅に改善され、生産効率が一層向上する。
【００２７】
そして、本発明の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージを用いた磁気センサによれば、磁気センサの小型化を図れ、携帯電話機等の小型化に寄与する。さらに、例えばナビゲーション機能をもつ携帯電話機を小型化できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
（Ａ）本発明の第１実施形態の説明
図１（ａ）は本発明が適用される半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージ（以下、特に断らない限り、樹脂パッケージと呼ぶ。）を模式的に表した斜視図である。この図１（ａ）に示す樹脂パッケージ１は、極めて小型の磁気センサ（半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージを用いた磁気センサ：３次元磁気センサ）および方位センサ等に用いられるものである。ここで、磁気センサは、後述する図５（ａ），図５（ｂ）等に示すように、Ｘ，Ｙ，Ｚからなる３次元空間を構成する３軸方向の地磁気を検出し、その検出した地磁気の強さを微弱電圧に変換するとともに、その検出した地磁気の方向データを取得して、微弱電圧と方向データとを出力する磁気検出機能を有する。そして、携帯電話機内の磁気センサと、ＧＰＳ測位モジュール（図示省略）等とが協働することにより、ユーザに対してナビゲーションサービスが提供されるようになっている。なお、以下、磁気センサは、特に断らない限り、３次元の各方向の磁気を検出する３次元磁気センサとして説明する。
【００２９】
図１（ａ）に示す樹脂パッケージ１は、３次元磁気センサの構成部品をなすものであって、半導体チップとしてのホール素子１６と、合成樹脂からなる樹脂パッケージ本体５と、制御用回路又は基板上の配線パターン等の外部回路と導通するためのリードフレーム６とをそなえて構成されている。ここで、ホール素子１６は磁気検出機能を有するものである。そして、樹脂パッケージ本体５は、ホール素子１６を埋設するとともに、相互に直交する２つの隣接する面部（面）ｅ，ｆを有し、後述する図１２（ａ），図１２（ｂ）に示すように、金型９０を用いて注入された合成樹脂で成型されたものである。以下に説明する第１実施形態においては、半導体チップがホール素子１６として構成されるとともに、樹脂パッケージ本体５が磁界透過性樹脂パッケージ本体として構成されている。
【００３０】
また、リードフレーム６は、樹脂パッケージ本体５における上記２つの面部ｅ，ｆの外表面（外部に露出した面部）に、これら２つの面部ｅ，ｆに亘って装着されるとともに、ホール素子１６と樹脂パッケージ本体５内において電気的に接続されている。後述するように、樹脂パッケージ本体５はモールド化（合成樹脂の注入による成形）され、リードフレーム６は、導通部材として薄厚の金属板を折り曲げ加工されて製造される。
【００３１】
樹脂パッケージ１の各部材について、さらに、図１（ｂ）〜図１（ｄ）を参照して詳述する。
図１（ｂ）はホール素子１６を模式的に表した斜視図である。この図１（ｂ）に示すホール素子１６は、磁界の強さに応じた大きさの微弱電圧を出力するものであって、特定方向（感磁方向）からの磁界を感知する。そして、感知精度を向上させるため、例えば図２に示すように、ホール素子１６の感磁部（感磁面）１８ａに、ヨーク（磁気収束ヨーク）１７が設けられている。このヨーク１７が、例えばＺ方向からの磁束密度Ｂの磁束を集束（収束）し、集束した磁束をホール素子１６の感磁部１８ａに導くのである。また、図１（ｃ）に示す状態から図１（ｄ）に示すように、ホール素子１６とヨーク１７とを９０度傾けることにより、水平方向のＸ方向又はＹ方向からの磁束を収束し感磁部１８ａに導くようになっている。
【００３２】
なお、このヨーク１７を設けずに、ホール素子１６が単独で磁界を感知するようにもできる。
そして、ホール素子１６には、駆動電流の入出力用に２個以上の電極が取り付けられており、各電極から駆動電流が加えられた状態において、磁束が感磁方向に加えられると、ホール素子１６内部の電子が駆動電流の方向と磁界方向との両方と直交する方向に力を受けて移動する。この移動により、電荷分布がホール素子１６の対向する１組の側面に両極化し、この両極化によって１組の側面間に微弱な起電力が発生し、この微弱電圧が増幅出力される。
【００３３】
また、モールド化された樹脂パッケージ１は、リードフレーム６を有する。リードフレーム６は、ホール素子１６と、樹脂パッケージ１の外部に設けられホール素子１６の駆動および制御を行なうコントローラＩＣ（制御部）１９との間を接続する導電部材として機能している。ホール素子１６とコントローラＩＣ１９との配線を樹脂パッケージ本体５内部に設けることはできないので、ホール素子１６の出力は、ボンディングワイヤ２２を介してリードフレーム６に導かれるようになっている。
【００３４】
次に、樹脂パッケージ本体５およびリードフレーム６等の形状および配置についてさらに詳述する。
樹脂パッケージ本体５は、ホール素子１６を埋設するとともに、相互に直交する２つの隣接する面部（以下に述べる面部ｅ，ｆ：図１（ａ）参照）を有する。樹脂パッケージ本体５は、概略直方体であり、合成樹脂が注入されその合成樹脂が冷却されて得られたものである。樹脂パッケージ本体５は、図１（ａ）に示すａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅ，ｆの６面の各面部を有する。
【００３５】
また、リードフレーム６は、樹脂パッケージ１の２つの面部ｅ，ｆの外表面に、これら２つの面部ｅ，ｆに亘って装着されるとともに、ホール素子１６と樹脂パッケージ本体５内において電気的に接続されたものである。そして、本実施形態においては、リードフレーム６が面部ｅ，ｆにそれぞれ装着されたｎ本（ｎは自然数を表し例えば４）のリード端子（リード電極）２１として構成されている。
【００３６】
すなわち、リード端子２１は、図１（ａ）に示す４枚の面部ｃ，ｄ，ｅ，ｆのうちの面部ｅと、この面部ｅに隣接する面部ｆとの外表面に形成されている。そして、ホール素子１６の底面は、４本のリード端子２１のそれぞれに、絶縁ペースト等により接着されており、この接着されたホール素子１６は、各リード端子２１と、ボンディングワイヤ２２を介してボンディングされている。これにより、面部ｅ，ｆに装着されたリードフレーム６（リード端子２１）が、ボンディングにより、樹脂パッケージ１の内部に設けられたホール素子１６と電気的に接続されることになる。また、リードフレーム６（リード端子２１）は、樹脂パッケージ１外部のコントローラＩＣ１９や回路等に接続されることにより、ホール素子１６は、各リード端子２１を介してコントローラＩＣ１９から電流を供給され、また、微弱電圧を出力できるのである。
【００３７】
樹脂パッケージ１のサイズは例えば数１０マイクロメートルであり、また、リードフレーム６の金属板の厚さは例えば０．１ｍｍ程度（０．１〜０．１２ｍｍ）である。そして、金属板が折り曲げられることにより、リードフレーム６が成型されるのである。
次に、以下の説明に必要な樹脂パッケージ１の置き方を表す「縦型」，「横型」について図１（ｃ），図１（ｄ）を参照して説明する。なお、置き方とは、樹脂パッケージ１の４枚の側面のうちのどの側面を底面にするかという点と、樹脂パッケージ１の長手方向の磁気検出軸をどの方向に向けるかという点とを考慮した配置の仕方を意味する。
【００３８】
図１（ｃ）および図１（ｄ）はともに本発明の第１実施形態に係る樹脂パッケージ１の模式的な断面図であり、図１（ａ）に示す樹脂パッケージ１の面ａと平行な断面が表示されている。ここで、縦型とは、図１（ｃ）に示すホール素子１６（およびヨーク１７）の感磁方向がＺ方向になるように、樹脂パッケージ１が回路パターンを有する基板９１上に設けられた置き方であり、また、横型とは、図１（ｄ）に示すホール素子１６の感磁方向がＸ方向又はＹ方向になるように、樹脂パッケージ１が基板９１上に設けられた置き方である。縦型の場合、樹脂パッケージ１の面部ｅは基板９１に接触し、横型の場合、樹脂パッケージ１の面部ｆが基板９１に接触する。
【００３９】
さらに詳細には、リード端子面（リード端子２１が形成された面）は隣接する２面ｅ，ｆの外表面に形成されるので、樹脂パッケージ１の面部ｅが底面になっているときは面部ｆに装着された各リード端子２１が、コントローラＩＣ１９等の外部回路と電気的接続され、また、ｆ面が底面のときはｅ面に装着された各リード端子２１がコントローラＩＣ１９等の外部回路と電気的接続される。具体的には、図１（ｃ）に示すように、ホール素子１６を面部ｅに装着することにより、ホール素子１６の磁気検出方向がｅ面−ｃの各々に直交した面方向になる。一方、図１（ｄ）に示すように、縦型の樹脂パッケージ１を、図１（ｃ）に示す状態から９０度回転させると、磁気検出方向は、ｄ面−ｆ面の各々に直交した方向になる。
【００４０】
従って、本樹脂パッケージ１は、樹脂パッケージ１自身の置き方に応じて磁気検出方向を変更できるので、いずれの面が磁気検出方向に向くように置いても、ホール素子１６と外部回路とをリード端子２１を介して常時接続することができ、配置の自由度が向上し、小型化，量産化に寄与する。また、縦型，横型のいずれの置き方であっても、外部のコントローラＩＣ等と導通できるので、１種類の樹脂パッケージ１を用いて、少なくとも２方向（実際は３方向）の磁気検出機能が得られ、磁気センサを構成する部品点数が減少し、部品の汎用化が促進される。
【００４１】
これにより、図１（ｃ）に示す樹脂パッケージ１内のホール素子１６は、Ｚ方向からの磁界Ｈｚを検出し、ホール素子１６を介して、磁界Ｈｚを電圧に変換し、リードフレーム６の下側の回路パターンを介して微弱電圧を出力する。また、Ｘ方向からの磁界（磁界の強さＨのｘ成分）Ｈｘを検出する場合は、図１（ｄ）に示す樹脂パッケージ１内のホール素子１６が、磁界Ｈｘを検出して微弱電圧を外部回路に出力する。さらに、Ｙ方向からの磁界Ｈｙを検出する場合は、図１（ｄ）に示す樹脂パッケージ１の軸方向を、Ｚ方向とＸ方向との両方に直交するようにホール素子１６を基板９１上に配置する。これにより、３軸方向の磁界Ｈｘ，Ｈｙ，Ｈｚが得られる。
【００４２】
このように、本樹脂パッケージ１は、縦型および横型を変更することにより、Ｚ方向およびＸ又はＹ方向の２種類の磁気検出機能を発揮させることができる。
次に、図３（ａ），図３（ｂ）を参照して、樹脂パッケージ１を使用した磁気センサの一例について詳述する。
図３（ａ）は本発明の第１実施形態に係る磁気センサの模式的な斜視図である。この図３（ａ）に示す磁気センサ１０は、基板としての台座（モールド部）１８と、２個の本樹脂パッケージ１（各樹脂パッケージ１は図１（ａ）に示す構造を有するものでその構成については前述した。）と、Ｚ方向用磁気検出パッケージ（磁気感知部材に相当する。以下、Ｚ方向用パッケージと呼ぶ。磁気検出パッケージとも称される。）３０と、制御部としてのコントローラＩＣ１９とをそなえて構成されている。ここで、２個の樹脂パッケージ１は、それぞれ、台座１８の上面に固定され地磁気ＨのＸ又はＹの各方向の成分（Ｈｘ，Ｈｙ）に応じた電圧を出力するものであり、Ｘ方向用の樹脂パッケージ（第１の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージ）１と、Ｙ方向用の樹脂パッケージ（第２の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージ）１とを有する。Ｚ方向用パッケージ３０はＺ方向の成分Ｈｚに応じた電圧を出力するものである。また、ホール素子１６の動作を制御するコントローラＩＣ１９は、２個の樹脂パッケージ１およびＺ方向用パッケージ３０に電気的に接続されている。
【００４３】
換言すれば、本磁気センサ１０は、Ｘ方向用の樹脂パッケージ（第１の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージ）１およびＹ方向用の樹脂パッケージ（第２の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージ）１を有し、各樹脂パッケージ１は、基板（台座１８）上に配置され、ホール素子１６と、ホ−ル素子１６を埋設するとともに、相互に直交する２つの隣接する面部ｅ，ｆを有する樹脂パッケージ本体５と、樹脂パッケージ本体５における上記２つの面部ｅ，ｆの外表面に、これら２つの面部ｅ，ｆに亘って装着されるとともに、ホール素子１６と樹脂パッケージ本体５内において電気的に接続されたリードフレーム６とをそなえるとともに、各樹脂パッケージ１におけるホール素子１６の駆動および制御を行なうコントローラＩＣ１９とをそなえて構成されている。これにより、磁気センサ１０の部品点数を低減させることができ、部品の汎用性を向上させることができる。
【００４４】
なお、各部品間の接続については、台座１８上の各樹脂パッケージ１およびＺ方向用パッケージ３０等が、いずれも、例えばＡｕのボンディングワイヤ２２によりコントローラＩＣ１９に接続されている。また、コントローラＩＣ１９と外部回路（図示省略）との間が、図示を省略するボンディングワイヤ２２により結線され、磁気センサ１０が電気的に動作できるようになっている。
【００４５】
また、配置および磁気検出については、Ｘ又はＹ方向用の各樹脂パッケージ１とＺ方向用パッケージ３０との検出軸が相互に直交するように、各樹脂パッケージ１が配置されている。換言すれば、本磁気センサ１０は、基板（台座１８）上に、Ｘ方向用の樹脂パッケージ１とは別に、Ｘ方向用の樹脂パッケージ１と同じ構造を有するＹ方向用の樹脂パッケージ１がＸ方向用の樹脂パッケージ１に対し９０度回転移動させた状態で配置されている。
【００４６】
これにより、Ｘ方向からの磁気検出とＹ方向からの磁気検出との各機能が、１種類の樹脂パッケージ１によって実現され、部品点数を少なくできる。この結果、磁気センサ１０の小型化を図れ、例えば携帯電話機等の小型化に寄与する。
さらに、基板（台座１８）上には、上記のＸ方向用の樹脂パッケージ１およびＹ方向用の樹脂パッケージ１とは別に、３次元空間を構成する３軸のうちの上記のＸ方向用の樹脂パッケージ１およびＹ方向用の樹脂パッケージ１によって検出される軸方向とは異なる軸方向に沿う磁気を検出しうるＺ方向用パッケージ（磁気感知部材）３０が配置されていることになる。
【００４７】
また、Ｚ方向からの磁気検出のために本樹脂パッケージ１を設け、Ｘ，Ｙ，Ｚの全方向について本樹脂パッケージ１を実装することもできる。すなわち、Ｚ方向用パッケージ３０が、上記のＸ方向用の樹脂パッケージ１と同じ構造を有する樹脂パッケージ（第３の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージ）１として構成され、この樹脂パッケージ１が上記のＸ方向用の樹脂パッケージ１およびＹ方向用の樹脂パッケージ１に対しそれぞれ９０度回転移動させた状態で配置されてもよい。
【００４８】
なお、上記の配置は、Ｘ，Ｙ，Ｚの３方向のうちのＺ方向についてＺ方向用パッケージ３０を用いているが、Ｘ方向について磁気検出パッケージ３０を用いるとともに、ＹおよびＺの各方向について本樹脂パッケージ１（この樹脂パッケージ１も図１（ａ）に示す構造を有する。）を用いるようにもできる。これと同様に、Ｙ方向に磁気検出パッケージ３０を用いるとともに、ＸおよびＺの各方向について本樹脂パッケージ１を用いることもできる。
【００４９】
このようにして、３個の各パッケージ（２個の樹脂パッケージ１およびＺ方向用パッケージ３０）においてＸ，Ｙ，Ｚの各方向の磁界成分が検出され、検出された各１次元方向の磁界成分を合成することにより、３次元方向の磁気検出が実現されるのである。
また、このように構成することにより、１種類の樹脂パッケージ１で、Ｘ又はＹの２方向の磁気検出に使用可能になる。すなわち、Ｘ又はＹの２方向の磁気検出にあたり、１種類の樹脂パッケージ１を、方向を変えて２個配置することにより、Ｘ方向の磁気検出とＹ方向の磁気検出とが可能になるのである。従って、各パッケージを台座１８上に、「どの位置にどの方向に向けて置くか」等、設計時における配置パターンの自由度が拡大する。
【００５０】
なお、台座１８の厚さ，一片の長さは、それぞれ、例えば１ミリメートル以下，約５０マイクロメートルであり、本樹脂パッケージ１の製造にあたり、極めて微細な加工技術を要する。従って、同一の樹脂パッケージ１をＸ又はＹ方向の検出用として共用できることにより、部品点数が減少し、部品の汎用化が促進され、製造効率および低コスト化を促進できる。
【００５１】
さらに、各パッケージのモールド化は、各種のＩＣ，部品および台座１８等が一体化された状態で合成樹脂が注入されて行なわれるので、３個の各パッケージの空間的位置が固定され、検出精度の経年劣化が生じにくくなる。
なお、本磁気センサ１０のＺ方向用パッケージ３０は、種々のものに変更してもよい。
図３（ｂ）〜図３（ｄ）はそれぞれ本発明の第１実施形態に係るＺ方向用パッケージの一例を示す図である。この図３（ｂ）に示すＺ方向用パッケージ３０ａは、ボンディングしやすい比較的大きなリード端子を有するものであり、図３（ｃ）に示すＺ方向用パッケージ３０ｃは台座１８の上面において各部品がボンディング接続されたものである。また、これらのＺ方向用パッケージ３０ａおよび３０ｃは、それぞれ、ホール素子を磁気検出方向（Ｚ方向）と平行になるように内蔵しており（図示省略）、従来から販売等されている製品を使用することができる。また、図３（ｄ）に示すホール素子１６を、パッケージ化せずに、直接、台座１８上に配置することも可能である。なお、図３（ｃ），図３（ｄ）に示すＺ方向用パッケージ３０ｃおよびホール素子１６は、いずれも、半田付け端子を有するソケット（図示省略）に嵌合させてもよい。さらに、図３（ａ）に示すＺ方向用パッケージ３０の代わりに、前述したように本樹脂パッケージ１自身を台座１８上に実装してもよく、このようにすれば、部品の汎用化を更に促進でき、安定した部品調達，磁気センサ１０の例えば平均故障間隔の拡大を期待でき、磁気センサ１０の歩留まりの向上に間接的に寄与する。
【００５２】
以上、主に、樹脂パッケージ１自体の形状および台座１８における樹脂パッケージ１の配置について説明した。
次に、磁気センサ１０のパッケージ形状（外観形状）についてさらに詳述し、磁気センサ１０の小型化のために、各種部品等を空間的に効率的に配置する方法について説明する。
【００５３】
上記の図３（ａ）に示す磁気センサ１０のパッケージ形状はＬＧＡ（Land Grid Array）型と呼ばれるものである。磁気センサ１０は、Ｘ，Ｙ，Ｚの各パッケージと、コントローラＩＣ１９とを一体化させた磁気センサモジュールとして製造される。このため、磁気センサモジュールの形状は、ＩＣ，ＬＳＩ，メモリ等の複数の機能モジュールを一体化するパッケージ製造方法に起因して異なる。磁気センサモジュールの形状は多様であるが、以下の説明において、小型化および動作の安定化のために、ＬＧＡ型と、ＢＧＡ（Ball Grid Array）型との２種類のＩＣ形状を説明する。
【００５４】
以下、検出動作について図４を参照し、ＬＧＡ型の磁気センサの外観形状について図５（ａ），図５（ｂ），図７（ｆ）を参照し、ＢＧＡ型の磁気センサの外観形状について図６（ａ）〜図６（ｃ）を参照してそれぞれ詳述する。
図４はホール素子１６を用いた磁気検出回路の一例を示す電気回路図である。この図４に示すホール素子１６は、コントローラＩＣ１９から駆動電流を供給されており、磁束密度Ｂの磁束がホール素子１６に加えられると、ホール素子１６に生じた微弱電圧が、コントローラＩＣ１９にて検出されるようになっている。ここで、コントローラＩＣ１９は、ホール素子１６に駆動電流を供給するための駆動電流供給部１９ａと、ホール素子１６にて発生した微弱電圧を増幅するアンプ１９ｂと、微弱電圧についてアンプ１９ｂの適切な増幅率を保持しホール素子１６からの微弱電圧値に基づいてアンプ１９ｂのバイアスを調整する可変抵抗器ＶＲ（Valuable Register）の抵抗値を変化させてアンプ１９ｂの増幅率を制御する増幅率制御部１９ｃとをそなえて構成されている。
【００５５】
なお、磁気センサ１０およびコントローラＩＣ１９は、ともに、この図４に示す磁気検出回路に限定されるものではない。
これにより、Ｘ，Ｙ，Ｚの各方向の樹脂パッケージ１が出力する微弱電圧は、いずれも、アンプ１９ｂにて増幅され、増幅された電圧が検出電圧として出力され、検出電圧に相当する地磁気の強さが得られる。
【００５６】
さらに、図５（ａ）は本発明の第１実施形態に係る磁気センサ１０の上面図であり、ＬＧＡ型パッケージを用いたものである。この図５（ａ）に示す磁気センサ１０は、例えば合成樹脂を材料とする台座１８上の実装範囲９３に、コントローラＩＣ１９，２個の本樹脂パッケージ１およびＺ方向用パッケージ３０が配置され、コントローラＩＣ１９と２個の樹脂パッケージ１およびＺ方向用パッケージ３０との３個のパッケージがいずれもボンディングワイヤ２２によって接続されている。そして、台座１８の縁部には、コントローラＩＣ１９と回路パターン（図示省略）を介して電気的に接続された電極２３ｂ，足部２３ａが取り付けられ、微弱電圧が外部に出力されるとともに、外部からの駆動電流および制御信号等がコントローラＩＣ１９に入力される。
【００５７】
ここで、Ｘ方向およびＹ方向の磁気検出用の２個の樹脂パッケージ１は、互いに直交するように設けられ、いずれも、図７（ｆ）に示すように、ホール素子１６が横型に装着されており、また、図７（ｆ）に示す天井面に位置する面ｆ上のリード端子２１と、コントローラＩＣ１９（ＩＣと表記したもの）とが、ボンディングワイヤ２２によって接続されている。
【００５８】
なお、図５（ａ），図７（ｆ）および以下の図５（ｂ）に示すもので上述したものと同一符号を有するものは同一のものを表す。
また、図５（ｂ）は図５（ａ）に示す磁気センサ１０の断面図であって、図５（ａ）に示すコントローラＩＣ１９についてのＡ−Ａ′間についての断面を表したものである。そして、この図５（ｂ）に示す上キャップ１８ｂ，下キャップ１８ｃによって、コントローラＩＣ１９および台座１８等が覆われており、足部２３ａが基板９１の回路パターン（図示省略）に半田付けされている。
【００５９】
そして、Ｘ方向用の樹脂パッケージ１のホール素子１６はＸ方向に横型配置され（図７（ｆ）参照）、Ｙ方向用の樹脂パッケージ１のホール素子１６はＹ方向に横型配置される一方、磁気検出パッケージ３０のホール素子はＺ方向に縦型配置されている。これらの配置において、３個のパッケージは、それぞれ、Ｘ，Ｙ，Ｚの各方向の磁気を検出し電圧を出力し、コントローラＩＣ１９が、これらの３種類の電圧に基づいて、３軸方向の各磁界Ｈｘ，Ｈｙ，Ｈｚを合成し、磁気又は地磁気の方向と強さとを計算する。
【００６０】
また、磁気検出パッケージ３０の代わりに、本樹脂パッケージ１を設けるようにもできる。
なお、上記のように２個の樹脂パッケージ１と１組の磁気検出パッケージ３０とをそなえる代わりに、２個の樹脂パッケージ１を設け、これらの樹脂パッケージ１の各磁気検出軸が直交するように配置すると、２次元方向の磁気センサ１０が得られ、また、１個の樹脂パッケージ１を設け、この樹脂パッケージ１を用いて１次元方向の磁気を検出することもできる。
【００６１】
また、図示を省略するが、携帯電話機の製造時において、磁気センサ１０は、ＧＰＳモジュール，傾斜センサ等とともに携帯電話機に組み込まれる。携帯電話機は、ＧＰＳモジュールが受信した緯度，経度，高度と、傾斜センサが計測した携帯電話機の傾斜角度と、磁気センサ１０が計測した地磁気との各データを用いて携帯電話機の現在位置を取得し、これにより、ユーザは、ナビゲーションサービスを利用できる。
【００６２】
次に、ＢＧＡ型パッケージの磁気センサについて、それぞれ図６（ａ）〜図６（ｃ）を参照して詳述する。
図６（ａ）は本発明の第１実施形態に係るＢＧＡ型パッケージの磁気センサの上面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）に示す磁気センサの底面図である。これらの図６（ａ），図６（ｂ）に示す符号で上述した符号と同一のものは上述したものと同一のものである。
【００６３】
これらの図６（ａ），図６（ｂ）にそれぞれ示す磁気センサ２０は、３次元の各方向の磁気を検出するＢＧＡ型であって、台座１８の上部に、２個の樹脂パッケージ１と、Ｚ方向用パッケージ３０と、コントローラＩＣ１９とが設けられ、これらのうちの必要なものどうしがボンディングワイヤ２２により接続されており、また、多数のボンディングワイヤ２２のうちの一部が、半田ボール１００に電気的に接続されるようになっている。
【００６４】
ここで、図６（ｃ）は図６（ａ），図６（ｂ）にそれぞれ示す磁気センサ２０の断面図であり、図６（ａ）に示すＢ−Ｂ′についての断面を表示している。図６（ａ）に示すコントローラＩＣ１９，３個の樹脂パッケージ１の各端子は、台座１８の上面に黒い丸で表した部分にボンディング接続され、各黒い丸で表された部分は、図６（ｃ）に示す台座１８内部に形成された配線（点線で表したもの。）を介して半田ボール１００に接続されている。半田ボール１００は、いずれも、台座１８の底面（又は裏面）に形成された半球状のものであり、例えば数１０〜１００個の多数のものが、高密度に形成されている。これらの半田ボール１００は、基板９１上に形成された回路パターン（図示省略）に半田付けされ、これにより、ＩＣ内部のコントローラＩＣ１９，３個の樹脂パッケージ１，コントローラＩＣ１９は、それぞれ、外部回路（図示省略）から制御される。
【００６５】
次に、図７（ａ）〜図７（ｆ）を参照して、樹脂パッケージ１を基板９１に実装したときの面と、図１（ａ）に示す樹脂パッケージ１の６枚の面ａ〜ｆとの対応を説明し、また、縦型および横型の各装着例を説明する。なお、これらの図７（ａ）〜図７（ｆ）にそれぞれ示すもので、上記と同一符号を付したものはそれらと同一のものを表す。
図７（ａ）は本発明の第１実施形態に係る樹脂パッケージ１の前方斜視図であって、この図７（ａ）に示す樹脂パッケージ１の面ｅ，ｆは、それぞれ、図１（ａ）に示す面ｅ，ｆに対応する。また、図７（ｂ）は図７（ａ）に示す同樹脂パッケージ１の背面斜視図であって、樹脂パッケージ１の面ｅ，ｆの背中側の面ｃ，ｄを表示しており、図１（ａ）に示す面ｃ，ｄに対応する。
【００６６】
また、樹脂パッケージ１を回路パターンに装着する場合の置き方の違いを図７（ｃ）〜図７（ｆ）にそれぞれ示す。なお、ＨＥ（Hole Element）はホール素子１６を表す。
図７（ｃ）〜図７（ｆ）にそれぞれ示す縦型および横型の配置は、基板９１の表面実装用のものであって、樹脂パッケージ１のリード端子２１が回路パターン側に直接、対向している。一方、図７（ｄ）および図７（ｆ）にそれぞれ示す縦型および横型の配置は、樹脂パッケージ１のリード端子２１が回路パターン側に向いておらず、樹脂パッケージ１の天井面とコントローラＩＣ（ＩＣと表記したもの）１９とが、ボンディングワイヤ２２によって接続されている。
【００６７】
さらに、図７（ｃ）〜図７（ｆ）のそれぞれに示す４通りの配置と、磁気検出方向との対応について詳述する。
図７（ｃ）および図７（ｅ）に示す４通りの配置は、それぞれ、Ｚ方向の磁気およびＸ又はＹ方向の磁気を検出するためのものである（パターン面がＺ方向（垂直）又はＸ又はＹ方向（水平）である）。
【００６８】
このように、樹脂パッケージ本体５における上記の相互に交叉する２つの隣接する面部ｅ，ｆが、相互に直交する２つの隣接する面部ｅ，ｆとして構成されている。なお、本樹脂パッケージ１は、面部ｅ，ｆが相互に厳密に９０度で直交せずに、交差角度は所定角度の余裕をもたせることもできる。
なお、ボンディング接続する場合のリード端子２１の本数は、４本のみならず、３本以下および５本以上にしてもよい。また、リードレイアウトについては、デバイスの下面および対向面である。
【００６９】
このように、本樹脂パッケージ１は、縦型および横型に配置した状態で、モールド又は基板実装が可能である。
次に、樹脂パッケージ１を１チップ化する場合の樹脂パッケージ１の配置例について図７（ｇ）〜図７（ｉ）を参照して説明する。
図７（ｇ）〜図７（ｉ）はそれぞれ本実施形態に係る樹脂パッケージ１を実装した磁気センサチップの配置例を説明するための図であり、これらの図７（ｇ）〜図７（ｉ）に示すＸ，Ｙ，Ｚはそれぞれ磁界の方向を表す。ここで、図７（ｇ）に示す磁気センサ１０は、コントローラＩＣ１９を各樹脂パッケージ１と一緒に実装されたものである。一方、図７（ｈ）に示す磁気センサ１１は、コントローラＩＣ１９を外付けした配置であり、コントローラＩＣ１９と各樹脂パッケージ１とが直接ボンディングされている。また、図示を省略するが、配線パターンが内部に形成されたモールドと、モールドの底面に半田付けされ配線パターンが形成された基板と、外付けのためのＢＧＡ型のコントローラＩＣとを設け、コントローラＩＣおよび各樹脂パッケージ１間を、表面実装方式により電気的接続するようにもできる。
【００７０】
さらに、図７（ｉ）に示す磁気センサ１２は、樹脂パッケージ１，コントローラＩＣ１９等が基板に直接半田付けにより実装されたものであり、外部回路（図示省略）と接続するためのコネクタ９４を設けている。
これにより、図７（ｇ）〜図７（ｉ）に示すものに、ボンディングワイヤ２２を接続することによりＬＧＡ型が得られ、また、半田ボール１００（図６（ａ）等）を設けた基板に半田付けすることによりＢＧＡ型が得られる。なお、図示を省略するが、ＬＧＡ型，ＢＧＡ型以外のＩＣパッケージ形状に製造することもできる。
【００７１】
さらに、パッケージ形状について詳述すると、図７（ｇ），図７（ｈ）に示す磁気センサ１１は、いずれも、リードフレーム型，リード・ワイヤ・パッケージ型，ＢＧＡ型およびＬＧＡ型およびリード・半田・パッケージ型等の各種の形状を用いることができる。なお、図７（ｉ）に示す磁気センサ１２は、基板実装型，パターン・半田・パッケージ型を用いることができる。
【００７２】
このように、本樹脂パッケージ１は、チップ形状にかかわらず種々の機能を実現できる。
以下、本樹脂パッケージ１の製造方法について詳述する。
図８は本発明の第１実施形態に係る折り曲げ加工前の金属板の上面図である。この図８に示す金属板５は、一片に、４本のリード端子２１（「Ｌ」と付された４本の短冊状のリード端子２１）を一組とする５０組の合計２００本（ガード用の端子を含めると約２５０本）のリード端子２１が形成されている。なお、４本のリード端子２１の外側には、２本のガード用の端子（ガード端子：図１３（ｂ）参照）９２が形成され、切断時における樹脂パッケージ１への受傷が回避できる。すなわち、４本のリード端子２１が、１個の樹脂パッケージ１を製造するために使用される。そして、以下に詳述するように、４本のリード端子２１のうちの内側の２本の間に、ヨーク１７を付けたホール素子１６がボンディングにより固定され、最終工程において、５０個の樹脂パッケージ１が切り離されて、同一構造の５０個の樹脂パッケージ１が製造されるようになっている。
【００７３】
また、５０個の樹脂パッケージ１に必要な特質は、熱膨張比率が比較的低く、また、放熱効率に優れ折り曲げに対する強度が大きいものであり、この特質を有する材料として、一例としてＣｕ系が用いられる。なお、金属板５に形成された円形の穴部５ａおよび四角形の穴部５ｂは、いずれも、加工時における金属板５の固定および金属板５の移動等に用いられる案内穴である。また、１組のリード端子数，樹脂パッケージ１の製造個数，歩留まりおよびガード端子数は、種々の値に変更可能である。
【００７４】
さらに、図９（ａ），図９（ｂ）はともに本発明の第１実施形態に係るリード端子２１（リードフレーム６）の形状パターンの一例を示す図であって、これらの図９（ａ），図９（ｂ）にそれぞれ示す斜線がない部分が金属板５を表している。ここで、図９（ａ）および図９（ｂ）に示す形状パターンは、リードフレーム６を、それぞれ、面ｅおよび面ｆ（図１（ａ）参照）の方向から表したものである。また、図９（ａ），図９（ｂ）の各々において点線で表示した符号１６は、ホール素子を表す。
【００７５】
図１０（ａ）〜図１０（ｆ）はいずれも本発明の第１実施形態に係る樹脂パッケージ１の製造方法を説明するための図である。
第１の工程は、図１０（ａ），図１０（ｂ）の各々に示すように、リード端子２１の先端部分に、リード端子２１と交叉するように、ホール素子１６の底面のサイズに応じた幅の２本のＶノッチ（Ｖ型ノッチ）Ｖ1，Ｖ2を形成する。ここで、Ｖ1はこの金属板５を容易に折り曲げるための曲げ用Ｖノッチであり、Ｖ2は切断用Ｖノッチである。なお、切断用ＶノッチＶ2は、樹脂パッケージ１が作られてから切断される前における他の工程において形成するようにもできる。また、Ｖノッチの本数，深さ，Ｖノッチ間の幅等は種々の値を設定できる。
【００７６】
第２の工程は、図１０（ｃ），図１０（ｄ）に示す先端部分の折り曲げ面の反対側の面（以下、裏面と呼ぶ。）に、マスキング部材としてのテフロン（登録商標）テープ９５が、例えばマップモールド法等を用いて貼られる（貼設される）。なお、テフロンテープ９５の材質は、例えばポリミド系の耐高温の特性を有し、剥がれにくいものが用いられる。
【００７７】
第３の工程は、図１０（ｅ），図１０（ｆ）に示す先端部分を直角（９０度）に折り曲げる。また、樹脂パッケージ１の下面および背面に露出したリードフレーム６の折り曲げ角度は、約４５度〜約９０度の間の角度にすることもでき、このようにすれば、折り曲げ工程を円滑に進めることができる。なお、金属板５の折り曲げ操作が２回あるので、１回目の折り曲げ角度は必ずしも厳密に９０度になることまでは要求されず、９０度よりもやや大きい又はやや小さい角度でもよい。これにより、感磁角度を調整又は選択できる。
【００７８】
続いて、第４の工程は、折り曲げられたリード端子２１の先端部分よりも基部側のリード端子基部側部分に、ホール素子１６を装着する。
図１１（ａ）〜図１１（ｃ）はそれぞれ本発明の第１実施形態に係るホール素子１６の装着方法を説明するための図である。この図１１（ａ）に示す先端部分のＶノッチＶ1，Ｖ2間に、５０個のホール素子１６がペースト接着によりダイボンド接続される。すなわち、各ホール素子１６が、リード端子２１（リードフレーム６）に固定される。
【００７９】
さらに、第５の工程は、図１１（ｃ）に黒い円で示すホール素子１６の４個の電極１６ａ〜１６ｄが、それぞれ、図１１（ｃ）に示す４本のリード端子２１にボンディングされる。なお、ボンディングされる電極はＡｕ等のほかに種々のものが選択される。
そして、第６の工程は、図１１（ａ）〜図１１（ｃ）にて得られたボンディングされた樹脂パッケージ１をモールド化する。
【００８０】
図１２（ａ）〜図１２（ｃ）はそれぞれ本発明の第１実施形態に係る樹脂パッケージ１のモールド化を説明するための図である。この図１２（ａ）に示す金型９０が、折り曲げられた金属板５に装着され、この金型９０により囲われたリードフレーム領域に合成樹脂が注入される。そして、樹脂成形（モールドプレス又はポッティング）が行なわれた後、バリが除去され、樹脂パッケージ１が多数従属配置された樹脂成形体２４が得られる（以下に述べる図１３（ａ）参照）。
【００８１】
また、図１２（ｃ）は本発明の第１実施形態に係る樹脂成形体２４の外表面を拡大した図であり、この図１２（ｂ）に示す外表面（Ｃと付した部分）にテフロンテープ９５を貼ることにより、リード端子２１が装着された部分とリード端子２１が装着されていない部分との間の段差が平坦化されている。
続いて、第７の工程は、リードフレーム６に貼られたテフロンテープ９５を剥ぎ取る。
【００８２】
図１３（ａ）は本発明の第１実施形態に係るテフロンテープ９５の除去方法を説明するための図である。この図１３（ａ）に示すボンディングされた４本のリード端子２１の裏面からテフロンテープ９５が剥ぎ取られると、リード端子２１が装着された部分と、リード端子２１が装着されていない部分との間が平坦な状態で露出する。
そして、第８の工程は、樹脂成形体２４を切断して５０個の樹脂パッケージ１を得る。
【００８３】
図１３（ｂ），図１３（ｃ）はともに本発明の第１実施形態に係る樹脂成形体２４の切断方法を説明するための図である。製造装置が、図１３（ａ）に示す樹脂成形体２４を、図１３（ｃ）に示すカッター９６を用いて、図１３（ｂ）に示すように、略等間隔に切断すると、ガード端子９２が切断され、各樹脂パッケージ１が分離し、図１（ｃ），図１（ｄ）に示すものと同一構造を有する樹脂パッケージ１が５０個製造される。これにより、効率的な製造計画を立てられる。
【００８４】
以上の各工程について、１個の樹脂パッケージ１と、５０個の樹脂パッケージ１との各製造方法を説明する。
樹脂パッケージ１の製造装置は、リード端子２１の先端部分を折り曲げる工程に先立って、リード端子２１と交叉するように、リード端子２１の曲げ用ＶノッチＶ1を形成し、また、樹脂成形体２４を金属板（導体板）５から切断する工程（図１３（ａ）等）に先立って、リード端子２１と交叉するように、リード端子２１に切断用ＶノッチＶ2を形成する（第１の工程）。なお、両ＶノッチＶ1，Ｖ2をリード端子２１の先端部分を折り曲げる工程に先立って形成する場合は、切断用ＶノッチＶ2の形成と、曲げ用ＶノッチＶ1の形成とはどちらが先でもよい。また、製造装置は、裏面にテフロンテープ９５等のマスキング部材を貼る（第２の工程）。
【００８５】
次に、製造装置は、金属板５の一片に形成された４本のリード端子２１の先端部分を折り曲げて（第３の工程）、その後、リード端子２１に、ホール素子１６を装着する（第４の工程）。この第４の工程において、リード端子２１に、ホール素子１６を装着するに際し、製造装置は、上記の折り曲げられたリード端子２１の先端部分よりも基部側のリード端子基部側部分に、ホール素子１６を装着するようにしている。そして、製造装置は、リード端子２１とホール素子１６とを例えばボンディングを用いて電気的に接続する（第５の工程）。
【００８６】
さらに、折り曲げられたリード端子２１およびリード端子２１に電気的に接続されたホール素子１６に対し、ホール素子１６についてはこれが樹脂成形体内に埋設され、リード端子２１についてはリード端子２１の外表面が樹脂成形体における相互に交叉する２つの隣接面部（例えば図１（ａ）に示す面ｅ，ｆ）に亘って露出するように、樹脂成形を施すことにより、樹脂成形体２４を製作（製造）する（第６の工程）。製造装置は、この樹脂成形体２４を製作するに際し、リード端子２１の外表面側にテフロンテープ９５等のマスキング部材を貼設した後に、樹脂成形を施す。そして、製造装置は、樹脂成形体２４を金属板５から切断する（第８の工程）。
【００８７】
このように、縦型および横型の各樹脂パッケージ１が、同一工程により製造できる。
一方、５０個の樹脂パッケージ１についても、リード端子２１の先端部分を折り曲げる工程に先立って、リード端子２１と交叉するように、曲げ用ＶノッチＶ1を形成し、また、樹脂成形体２４を金属板５から切断する工程に先立って、リード端子２１と交叉するように、リード端子２１の先端部分に切断用ＶノッチＶ2を形成し（第１の工程）、裏面にテフロンテープ９５を貼る（第２の工程）。なお、曲げ用ＶノッチＶ1，切断用ＶノッチＶ2の形成工程は、ともに、テフロンテープ９５を貼設した後に行なうこともでき、また、切断用ＶノッチＶ2の形成工程は、曲げ用ＶノッチＶ1の形成後に行なうようにもできる。なお、両ＶノッチＶ1，Ｖ2をリード端子２１の先端部分を折り曲げる工程に先立って形成する場合は、切断用ＶノッチＶ2の形成と、曲げ用ＶノッチＶ1の形成とはどちらが先でもよい。
【００８８】
次に、製造装置は、一片に、４本のリード端子２１を一組とする５０組の合計２００本（ガード端子９２を含めると約２５０本）のリード端子２１を形成された金属板５における、上記の２００本のリード端子２１の先端部分を折り曲げて（第３の工程）、上記の各組のリード端子２１に、それぞれホール素子１６を装着する（第４の工程）。
また、１個の樹脂パッケージ１の製造工程と同様に、製造装置は、上記の折り曲げられたリード端子２１の先端部分よりも基部側のリード端子基部側部分に、ホール素子１６を装着する。なお、切断用ＶノッチＶ2の形成工程は、基部側のリード端子基部側部分に、ホール素子１６を装着する工程の後に行なうことができる。そして、製造装置は、上記の各組のリード端子２１と対応するホール素子１６とをそれぞれ電気的に接続する（第５の工程）。
【００８９】
さらに、折り曲げられたリード端子２１およびリード端子２１に電気的に接続された上記の各ホール素子１６に対し、ホール素子１６についてはこれが樹脂成形体２４内に埋設され、リード端子２１については上記４本のリード端子２１の外表面が樹脂成形体２４における相互に交叉する２つの隣接面部ｅ，ｆに亘って露出するように、樹脂成形を施すことにより、樹脂成形体２４を複数製作する（第６の工程）。
【００９０】
製造装置は、各樹脂成形体２４を製作するに際し、リード端子２１の外表面側にマスキング部材としてのテフロンテープ９５を貼設した後に、樹脂成形を施す。なお、テフロンテープ９５の貼設工程は、折り曲げられたリード端子２１の先端部分よりも基部側のリード端子基部側部分に、ホール素子１６を装着する工程の後に行なうことができる。そして、製造装置は、これらの樹脂成形体２４を金属板５から切断する（第８の工程）。
【００９１】
このように、本製造方法によれば、１個の樹脂パッケージ１と、複数個の樹脂パッケージ１とを、ほぼ同一工程で製造できる。さらに、同一の製造ラインを用いて、１個の樹脂パッケージ１と、複数個の樹脂パッケージ１とを製造できるので、製造効率の向上に寄与する。
また、製造ラインの組み替え又は変更をともなわずに、１個の樹脂パッケージ１と、複数個の樹脂パッケージ１とを製造できるようになり、作業効率が大幅に改善され、生産効率が一層向上する。
【００９２】
そして、図１４（ａ）は本発明の第１実施形態に係る磁気センサ１０（又は２０）の製造方法を説明するための図である。半田付けの前に、この図１４（ａ）に示す磁気センサ１０，２０の底面は、Ｐｄ又はＳｎのメッキ処理が行なわれる。また、基板９１上の半田付けされる位置に、リフロー用の半田（例えば粉状の半田）が付けられる。そして、磁気センサ１０又は２０は、基板９１上に正確に配置され、この基板９１が加熱炉に通されて半田付けされ（この半田付け処理はリフローと呼ばれる。）、表面実装型の磁気センサ（又は２０）が製造される。
【００９３】
一方、図１４（ｂ）は本発明の第１実施形態に係るボンディングを用いた製造方法を説明するための図である。この図１４（ｂ）に示すＺ方向およびＸ又はＹ方向用の各樹脂パッケージ１が、基板９１上に固定され、そして、各樹脂パッケージ１のリード端子２１と、例えばコントローラＩＣ１９とがボンディングされ、磁気センサ１０（又は２０）が製造される。
【００９４】
このようにして製造された磁気センサ１０（又は２０）は、高さの制限等の仕様に対応でき、携帯電話機の小型化を促進できる。また、ユーザは、ナビゲーションサービスを利用できる。
さらに、１チップ化およびモールドにより、衝撃に対して耐性を有し、ホール素子１６の位置ずれおよび電圧ロスを防止でき、安定した検出精度を維持できる。
【００９５】
また、このように、本製造方法によれば、約４ｍｍ四方の小型の磁気センサ１０（又は２０），方位センサを得られ、携帯電話機のサイズに関する仕様に適合（ミート）できる。さらに、縦型および横型の２種類の配置が可能となり、例えば磁気センサモジュールの高さ（Ｚ方向），面積（Ｘ又はＹ方向）等の要求仕様に対して柔軟に配設でき、設計上の自由度が向上する。
【００９６】
さらに、本製造方法および樹脂パッケージ１の製品形状および製造工程は、既存のＢＧＡ，ＬＧＡ型等の製品形状，モールド，ボンディング等の製造工程等を何ら変更せずに使用できるので、上記の設計の自由度等の付加価値をもつ磁気センサ等を低コストで供給可能になる。そして、方位センサについても、上記の磁気センサ１０，２０による利点とほぼ同一の利点を有する。
【００９７】
なお、樹脂パッケージ１の形状は種々変形できる。
図１５（ａ）は本発明の第１実施形態の変形例に係る樹脂パッケージの斜視図である。この図１５（ａ）に示す樹脂パッケージ３１は、７面の面（面部）３１ａ〜３１ｇを設けたものであり、面３１ａ〜３１ｇによって樹脂パッケージ本体１３が形成され、この樹脂パッケージ本体１３が囲む空間領域には、同様に、合成樹脂が注入されている。また、面３１ａ（上面）と面３１ｂ（前側面）との間に、面３１ｄ（傾斜面）が設けられている。そして、３１ｇ（左側面）と平行な断面Ｃ−Ｃ′の形状は五角形になっている。また、樹脂パッケージ３１の面３１ｃと面３１ｇとには、リード端子２１が例えば４本設けられ、これらのリードフレーム６は、金属板の折り曲げ加工により製造される。なお、図１５（ａ）において、ホール素子１６の図示は省略している。
【００９８】
なお、図１５（ａ）および次に述べる図１５（ｂ）に示すもので上述したものと同一符号を有するものは、それらと同一のものである。
図１５（ｂ）は本発明の第１実施形態の変形例に係るホール素子１６の装着例を示す図である。この図１５（ｂ）に示すホール素子１６は、面３１ｅにペースト接着によりダイボンドされて固定されている。なお、リード端子２１とホール素子１６との電気的接続は、電極９７を介しボンディングワイヤ２２を用いて行なわれる。ここで、電極９７は、面３１ｅの内側面に装着されており、面３１の内部に形成された内部配線を用いることにより、ホール素子１６は、リード端子２１を介して、外部回路と電気的に接続されるようになっている。
【００９９】
このように、本樹脂パッケージ３１は、半導体チップとしてのホール素子１６と、ホール素子１６を埋設するとともに、相互に直交する２つの隣接する面部３１ｃ，３１ｇを有する樹脂パッケージ本体１３と、樹脂パッケージ本体１３における上記２つの面部３１ｃ，３１の外表面に、これら２つの面部３１ｃ，３１に亘って装着されるとともに、ホール素子１６と樹脂パッケージ本体１３内において電気的に接続されたリードフレーム６とをそなえて構成されていることになる。
【０１００】
このようにして、樹脂パッケージ１の外観形状を変形した樹脂パッケージ３１を使用しても、磁気検出の精度の劣化を招かずに磁気センサ（又は２０）を製造できる。
また、図１６（ａ），図１６（ｂ）はともに本発明の第１実施形態の変形例に係る樹脂パッケージ３１の断面図であり、上記と同一符号を有するものはそれらと同一のものを表す。これらの図１６（ａ），図１６（ｂ）に示すように、台座１８の上に、縦型および横型のいずれの樹脂パッケージ３１を設けることができる。
【０１０１】
これにより、図１６（ａ）に示す縦型の樹脂パッケージ１３は、Ｚ方向からの磁気を検出し、図１６（ｂ）に示す横型の樹脂パッケージ１３は、Ｘ方向又はＹ方向からの磁気を検出するようになっている。
このように、樹脂パッケージは、種々の外観形状を取ることができ、各外観形状が異なった場合でも、内蔵したホール素子１６を縦型，横型の２種類の態様で、台座１８に配置でき、この状態でＺ方向およびＸ方向，Ｙ方向の各方向からの磁気検出が可能なので、上記の実施形態にて得られる利点と同一の利点を得ることができる。
【０１０２】
（Ｂ）本発明の第２実施形態の説明
第１実施形態におけるホール素子１６の大きさと同一オーダの大きさを有する半導体チップは、種々のものが知られている。第２実施形態においては、これらのうちの発光ダイオード素子（発光ダイオード：以下、ＬＥＤと略称する。）又は赤外線センサ素子を用いた態様について説明する。
【０１０３】
ＬＥＤを樹脂パッケージでモールド化した製品は、例えばペンライトであり、場内においてそのペンライトを振ることによって、きらびやかな雰囲気により癒される。第２実施形態においては、半導体チップがＬＥＤとして構成されるとともに、樹脂パッケージ本体が光透過性樹脂パッケージ本体として構成されている。第２実施形態におけるＬＥＤ内蔵型樹脂パッケージの構造は、第１実施形態における樹脂パッケージ１のホール素子１６を、ＬＥＤに置きかえたものである。
【０１０４】
ここで、ＬＥＤは、合成樹脂によりモールド化し、例えば発光ペンのように、モールド化された状態において発光させることができる。また、合成樹脂に含まれる顔料の色彩は、所望の色彩を用いることができ、例えば無色透明又は有色透明（グリーン透明，青透明等）の各種の色彩により、輝度の高い色の光を出力することができる。
また、赤外線センサ素子は、例えば人間，動物又は物体の放射エネルギ（熱源）を検知するものであって、具体的には、赤外線の強度を測定するためのものである。赤外線センサ素子の機能は、例えばポイント強度（所望の点における赤外線強度）測定，強度分布測定，温度測定，光情報伝達および三角測位法を用いた距離測位等である。そして、半導体チップが赤外線センサ素子として構成されるとともに、樹脂パッケージ本体１３が赤外線透過性樹脂パッケージ本体として構成されているのである。なお、赤外線センサ素子内蔵型樹脂パッケージの構造は、第１実施形態における樹脂パッケージ１のホール素子１６を、赤外線センサ素子に置きかえたものである。また、赤外線センサ素子の設置方向は、赤外線の検知部が樹脂パッケージ３１の外側を向くようにし、例えば図１５に示すように、赤外線センサ素子の底面が２本又は４本のリード端子２１のそれぞれに、絶縁ペースト等により接着されている。
【０１０５】
さらに、ＬＥＤおよび赤外線センサ素子の樹脂パッケージ１，３１における固定位置については、ＬＥＤおよび赤外線センサ素子を樹脂パッケージ３１の底面にペースト接着する場合に、「樹脂パッケージ３１のどの側面を底面にするか」と、「樹脂パッケージ１，３１の長手方向の軸をどの方向に向けるか」とのそれぞれが考慮されて設計される。そして、ＬＥＤおよび赤外線センサ素子を、樹脂パッケージ１，３１に実装する場合においては、それぞれ、光ビームの出力透過特性と赤外線の入力透過特性との高い材質が選択され、モールド化された樹脂パッケージ１，３１を用いても、光信号の発光および赤外線の検知についての精度が維持されるようになっている。
具体的には、ＬＥＤの発光軸と赤外線センサ素子の受光軸とは、いずれも、上記の磁気検出軸に一致するように、樹脂パッケージ３１内に固定されている。そして、磁気検出軸に一致するように固定されたＬＥＤ又は赤外線センサ素子を含む１〜３個の樹脂パッケージ３１は、基板９１又は台座１８上において、発光軸又は受光軸が相互に干渉しないように配置され、これにより、ＬＥＤからの光が外部に到達し、また、赤外線センサ素子には外部からの赤外線を効率よく受光できるようになっている。
【０１０６】
従って、本樹脂パッケージ３１は、ＬＥＤとして樹脂パッケージ３１内部にて発光させた光を樹脂パッケージ３１外部に出力するとともに、赤外線センサ素子として樹脂パッケージ３１外部から入力された光を樹脂パッケージ３１内部にて受光する。
また、本樹脂パッケージ３１は、ＬＥＤと赤外線センサ素子とを併せて実装することもできる。
【０１０７】
次に、本発明の第２実施形態に係る半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージ３１の製造方法について、１個の樹脂パッケージ３１と、５０個の樹脂パッケージ３１との各製造方法を説明するが、これらの各製造方法も、第１実施形態におけるホール素子１６をＬＥＤ又は赤外線センサ素子に置きかえたものである。
最初に、製造装置は、金属板５の一片に形成された４本のリード端子２１の先端部分を折り曲げて、リード端子２１に、ＬＥＤを装着し、リード端子２１とＬＥＤとを例えばボンディングを用いて電気的に接続する。さらに、折り曲げられたリード端子２１およびリード端子２１に電気的に接続されたＬＥＤに対し、ＬＥＤについてはこれが樹脂成形体２４（図１３（ａ）参照）内に埋設され、リード端子２１についてはリード端子２１の外表面が樹脂成形体における相互に交叉する２つの隣接面部に亘って露出するように、樹脂成形を施すことにより、樹脂成形体２４を製作する。そして、製造装置は、樹脂成形体２４を金属板５から切断する。
【０１０８】
このように、ＬＥＤが金属板５に装着された後に、金属板５が折り曲げられるので、縦型および横型の各樹脂パッケージ３１が、同一工程により製造できる。また、赤外線センサ素子についても、ＬＥＤの製造方法と同一工程により製造される。
一方、５０個の樹脂パッケージ３１についても、製造装置は、一片に、４本のリード端子２１を一組とする５０組の合計２００本（ガード端子９２を含めると約２５０本）のリード端子２１を形成された金属板５における、上記の２００本のリード端子２１の先端部分を折り曲げて、上記の各組のリード端子２１に、それぞれＬＥＤを装着する。そして、製造装置は、上記の各組のリード端子２１と対応するＬＥＤとをそれぞれ電気的に接続する。
【０１０９】
さらに、折り曲げられたリード端子２１およびリード端子２１に電気的に接続された上記の各ＬＥＤとに対し、ＬＥＤとについてはこれが樹脂成形体内に埋設され、リード端子２１については上記４本のリード端子２１の外表面が樹脂成形体における相互に交叉する２つの隣接面部ｅ，ｆに亘って露出するように、樹脂成形を施すことにより、樹脂成形体を５０組製作する。そして、製造装置は、これらの樹脂成形体を金属板から切断する。
【０１１０】
なお、ＬＥＤの代わりに、赤外線センサ素子を設けた半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージの製造方法についても、図１５（ａ），図１５（ｂ）の配置方法と同一の製造方法を明いて生成することができる。この赤外線センサ素子を設けた半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージの製造方法は、ＬＥＤの製造方法と同一なので重複説明を省略する。
このように、本製造方法によれば、略直方体形状の樹脂パッケージ３１により、２方向の磁気検出機能を実現でき、製造効率の向上に寄与する。
【０１１１】
なお、樹脂パッケージ３１は、面部ｅ，ｆが相互に直交しない場合でもよい。
また、これにより、ＬＥＤの発光方向が例えば上向きか横向きかをユーザが選択して使用する場合がある。このようなＬＥＤについても、低廉でかつ高輝度のものが実装された製品が望まれている。
さらに、これにより、ユーザは、赤外線センサ素子の受光方向を上向き又は横向きを選択できる。
【０１１２】
このようにして、ＬＥＤ又は赤外線センサ素子を埋蔵した樹脂パッケージ３１の配置方向を変更した状態においても樹脂パッケージ３１および外部間にて導通を保ちながら樹脂パッケージ３１の配置の自由度を向上でき、さらに、小型化および量産化を図れる。
（Ｃ）その他
上記の樹脂パッケージ１，３１の形状は種々のものを用いることができ、基板９１および合成樹脂等の材料も種々のものを用いることができる。例えばリードフレーム６は金属以外の導電性物質を用いることができる。
【０１１３】
さらに、本発明の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージ１，３１を用いた磁気センサ１０，２０は、船舶等に設けられた位置情報の取得機器、建築物検査および土木検査における傾斜角度の計測機器にも適用可能である。
また、本発明の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージ１，３１は、方位センサに適用可能であることは言うまでもない。方位センサは、磁気センサによって検出された１〜３次元の地磁気の強さ，地磁気の方向を表すデータと、予め保持した方位の基準となるデータとを用いて、方位情報を出力するものなので、やはり、携帯電話機等に搭載した場合は、携帯電話機の小型化に寄与する。
【０１１４】
さらに、リード端子２１の本数ｎは１〜３又は５以上にすることもでき、組み合わせ数Ｍも種々の値にすることができる。そして、上記第１実施形態，第２実施形態における種々の値はいずれも一例であって、これらの説明におけるものの数値を単に変更しただけのものに対して、本発明の優位性は何ら損なわれるものではない。
また、本半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージの製造方法は、単品のＬＥＤ，方位出力するホール素子１６，方位センサの出力およびコントローラＩＣ１９を設けたハイブリッド型のモジュールとしても実装可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１１５】
本発明の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージによれば、配置の自由度が向上し、本樹脂パッケージを搭載した機器の小型化が図れる。また、部品点数を低減でき部品の汎用性を向上させることができ、低コスト化が促進される。
そして、本発明の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージの製造方法によれば、ホール素子又はＬＥＤ並びに赤外線センサ素子等の半導体チップがモールド化されるので、衝撃等に対する耐性を向上させることができ、また、長期間の品質を維持できる。
【０１１６】
さらに、本発明の半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージを用いた磁気センサによれば、例えば、携帯電話機の小型化とともに、方位センサ，船舶，建設，計測等の各種の磁気又は地磁気の検出装置の小型化，低コスト化を図れる。さらに、磁気検出精度は、従来技術による精度と同等に維持できるので、通信事業者は、ナビゲーションサービスを拡大して展開できる。
【図面の簡単な説明】
【０１１７】
【図１】（ａ）は本発明が適用される樹脂パッケージを模式的に表した斜視図であり、（ｂ）はホール素子を模式的に表した斜視図であり、（ｃ）および（ｄ）はともに本発明の第１実施形態に係る樹脂パッケージの模式的な断面図である。
【図２】ヨークを説明するための図である。
【図３】（ａ）は本発明の第１実施形態に係る磁気センサの模式的な斜視図であり、（ｂ）〜（ｄ）はそれぞれ本発明の第１実施形態に係るＺ方向用パッケージの一例を示す図である。
【図４】ホール素子を用いた磁気検出回路の一例を示す電気回路図である。
【図５】（ａ）は本発明の第１実施形態に係る磁気センサの上面図であり、（ｂ）は同磁気センサの断面図である。
【図６】（ａ）は本発明の第１実施形態に係るＢＧＡ型パッケージの磁気センサの上面図であり、（ｂ）は同ＢＧＡ型パッケージの磁気センサの底面図であり、（ｃ）は同ＢＧＡ型パッケージの磁気センサの断面図である。
【図７】（ａ）は本発明の第１実施形態に係る樹脂パッケージの前方斜視図であり、（ｂ）は同樹脂パッケージの背面斜視図であり、（ｃ），（ｄ）はともに本発明の第１実施形態に係るＢＧＡ型の樹脂パッケージの配置例を示す図であり、（ｅ），（ｆ）はともに本発明の第１実施形態に係るＬＧＡ型の樹脂パッケージの配置例を示す図であり、（ｇ）〜（ｉ）はともに本発明の第１実施形態に係る樹脂パッケージを実装した磁気センサチップの配置例を説明するための図である。
【図８】本発明の第１実施形態に係る折り曲げ加工前の金属板の上面図である。
【図９】（ａ），（ｂ）はともに本発明の第１実施形態に係るリード端子の形状パターンの一例を示す図である。
【図１０】（ａ）〜（ｆ）はいずれも本発明の第１実施形態に係る樹脂パッケージの製造方法を説明するための図である。
【図１１】（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ本発明の第１実施形態に係る半導体チップの装着方法を説明するための図である。
【図１２】（ａ），（ｂ）はそれぞれ本発明の第１実施形態に係る樹脂パッケージのモールド化を説明するための図であり、（ｃ）は本発明の第１実施形態に係る樹脂成形体の外表面を拡大した図である。
【図１３】（ａ）は本発明の第１実施形態に係るテフロンテープの除去方法を説明するための図であり、（ｂ），（ｃ）はともに本発明の第１実施形態に係る樹脂成形体の切断方法を説明するための図である。
【図１４】（ａ）は本発明の第１実施形態に係る他の表面実装型磁気センサの製造方法を説明するための図であり、（ｂ）は本発明の第１実施形態に係るボンディングを用いた製造方法を説明するための図である。
【図１５】（ａ）は本発明の第１実施形態の変形例に係る樹脂パッケージの斜視図であり、（ｂ）は本発明の第１実施形態の変形例に係るホール素子の装着例を示す図である。
【図１６】（ａ），（ｂ）はともに本発明の第１実施形態の変形例に係る樹脂パッケージの断面図である。
【符号の説明】
【０１１８】
１，３１  樹脂パッケージ（半導体チップ埋蔵型樹脂パッケージ）
５，１３  樹脂パッケージ本体（金属板）
５ａ，５ｂ  穴部
６  リードフレーム
１０〜１２，２０  磁気センサ（３次元磁気センサ）
１６，３０ａ，３０ｃ  ホール素子
１７  ヨーク
１８  台座
１８ａ  感磁部（感磁面）
１８ｂ  上キャップ
１８ｃ  下キャップ
１９  コントローラＩＣ（制御部）
１９ａ  駆動電流供給部
１９ｂ  アンプ
１９ｃ  増幅率制御部
２１  リード端子
２２  ボンディングワイヤ
２３ａ  足部
２３ｂ  電極
２４  樹脂成形体
３０  Ｚ方向用磁気検出パッケージ（磁気感知部材）
３１ａ  上面
３１ｂ  前側面
３２  傾斜面
９０  金型
９１  基板
９２  ガード端子
９３  実装範囲
９４  コネクタ
９５  テフロンテープ
９６  カッター
９７  電極
１００  半田ボール
【図１】
2006054319.tif 000003
【図２】
2006054319.tif 000004
【図３】
2006054319.tif 000005
【図４】
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【図５】
2006054319.tif 000007
【図６】
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【図７】
2006054319.tif 000009
【図８】
2006054319.tif 000010
【図９】
2006054319.tif 000011
【図１０】
2006054319.tif 000012
【図１１】
2006054319.tif 000013
【図１２】
2006054319.tif 000014
【図１３】
2006054319.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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