(57)【要約】    【課題】  大きさの制限を受けることなく基板レスフィルタを製造することができる基板レスフィルタの製造方法を提供する。    【解決手段】  フラーレンからなる剥離層２０をガラス基板１０上に形成する。次に、剥離層２０の上にスパッタリングによって多層膜３０を形成する。その後、剥離層２０を介して多層膜３０が形成されたガラス基板１０を真空中で４００℃で２時間加熱する。その結果、剥離層２０を形成するフラーレンが昇華し、多層膜３０が基板１０から分離される。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にフラーレン膜を形成するフラーレン膜形成工程と、
この工程の後、前記フラーレン膜上に多層膜を形成する多層膜形成工程と、
この工程の後、前記フラーレン膜を加熱する加熱工程と
を含むことを特徴とする基板レスフィルタの製造方法。
【請求項２】
前記基板がガラス基板であることを特徴とする請求項１記載の基板レスフィルタの製造方法。
【請求項３】
カーボン基板上に多層膜を形成する多層膜形成工程と、
この工程の後、前記カーボン基板をアッシング又は加熱する基板除去工程と
を含むことを特徴とする基板レスフィルタの製造方法。
【請求項４】
前記基板除去工程では、前記アッシングを酸素プラズマ環境下で行うことを特徴とする請求項３記載の基板レスフィルタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は基板レスフィルタの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板上に可溶性担体からなる剥離層を介して多層膜を形成し、その後基板を溶媒に浸けて剥離層を溶解させ、基板から多層膜を剥離して、多層膜だけで構成された基板レスフィルタを製造する方法は知られている（下記特許文献参照）。
【特許文献１】特開平３−１９６００１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、特開平３−１９６００１号の方法では基板を溶媒に浸けたとき、剥離層の周囲から剥離層を徐々に溶解し、基板から多層膜が分離するため、多層膜が大きいとその分離に長時間を要する。長時間に亘って多層膜を溶媒に浸けたとき、多層膜自体が溶媒によって損傷するため、製造できる多層膜の大きさが制限されるという問題がある。
【０００４】
この発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、その課題は大きさの制限を受けることなく基板レスフィルタを製造することができる基板レスフィルタの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するため請求項１記載の発明は、基板上にフラーレン膜を形成するフラーレン膜形成工程と、この工程の後、前記フラーレン膜上に多層膜を形成する多層膜形成工程と、この工程の後、前記フラーレン膜を加熱する加熱工程とを含むことを特徴とする。
【０００６】
請求項２に記載の発明は、請求項１記載の基板レスフィルタの製造方法において、前記基板がガラス基板であることを特徴とする。
【０００７】
請求項３に記載の発明は、カーボン基板上に多層膜を形成する多層膜形成工程と、この工程の後、前記カーボン基板をアッシング又は加熱する基板除去工程とを含むことを特徴とする。
【０００８】
請求項４に記載の発明は、請求項３記載の基板レスフィルタの製造方法において、前記基板除去工程では、前記アッシングを酸素プラズマ環境下で行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
この発明の基板レスフィルタの製造方法によれば、大きさの制限を受けることなく基板レスフィルタを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、この発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００１１】
図１はこの発明の第１実施形態に係る基板レスフィルタの製造方法を説明する図、図２はアニール装置の断面を示す概念図である。
【００１２】
図１において、（Ａ）及び（Ｂ）はそれぞれ加熱前及び加熱後の工程を示している。
【００１３】
多層膜３０は高屈折率物質（例えばＮｂ2Ｏ5）と低屈折率物質（例えばＳｉＯ2 ）とをガラス基板（基板）１０上の剥離層（フラーレン膜）２０の上に交互に積層して形成された。
【００１４】
ガラス基板１０の上面は所定の平面度を有する。ガラス基板１０にはＢＫ７（ｎ＝１．５１６）の平板が用いられる。ガラス基板１０の表面は洗浄されている。洗浄は例えば薬液を用いて行なわれる。なお、洗浄後、ガラス基板１０を乾燥させる。
【００１５】
（１）フラーレン膜形成工程
真空中でガラス基板１０上にフラーレンを真空蒸着させ、フラーレンからなる剥離層２０をガラス基板１０上に形成する。
【００１６】
フラーレンは６０個以上の炭素原子で構成された球状分子であり、加熱によって容易に昇華する特性を有する。
【００１７】
（２）多層膜形成工程
剥離層２０の上にスパッタリング（高エネルギーの粒子を固体（ターゲット）に照射したときに、ターゲット構成原子がターゲット表面から放出される現象）によって多層膜３０を形成する(図１（Ａ）参照)。
【００１８】
（３）加熱工程
アニール装置（図２参照）を用い、剥離層２０を介して多層膜３０が形成されたガラス基板１０を真空中で４００℃で２時間加熱する。
【００１９】
その結果、剥離層２０を形成するフラーレンが昇華し、多層膜３０が基板１０から分離し、基板レス多層膜（基板レスフィルタ）３０ａが得られる。
【００２０】
なお、アニール装置としては例えば図２の構成のものを用いることができる。
【００２１】
アニール装置は、減圧されたチャンバ５０内に被処理物５１（剥離層２０を介して多層膜３０が形成されたガラス基板１０）を載せるステージ５２と、被処理物５１を加熱するための温度制御用のヒータ５３とを備える。ヒータ５３としては例えば赤外線ランプが用いられる。
【００２２】
この実施形態によれば、多層膜３０を溶媒に浸けて基板１０から多層膜３０を剥離する場合に比べて多層膜３０の損傷を低減することができる。その結果、大きさの制限を受けることなく基板レスフィルタ３０ａを製造することができる。
【００２３】
図３はこの発明の第２実施形態に係る基板レスフィルタの製造方法を説明する図、図４はアッシング装置の断面を示す概念図であり、第１実施形態と共通する部分には同一符号を付してその説明を省略する。
【００２４】
図３において、（Ａ）及び（Ｂ）はそれぞれ加熱前及び加熱後の工程を示している。
【００２５】
カーボン基板７０の上面は所定の平面度を有する。カーボン基板７０の厚さは０．５ｍｍである。
【００２６】
（１）多層膜形成工程
カーボン基板７０の上にスパッタリングによって多層膜３０を形成する。
【００２７】
（２）基板除去工程
アッシング装置（図４参照）を用い、酸素プラズマ環境下で多層膜３０が形成されたカーボン基板７０を１０時間に亘ってアッシングした。
【００２８】
その結果、カーボン基板７０が酸化して２酸化炭素又は１酸化炭素になって消滅する。しかし、酸化物である多層膜３０は酸素プラズマの影響を受けない。その結果、多層膜３０が基板１０から分離し、基板レス多層膜（基板レスフィルタ）３０ａが得られた。
【００２９】
なお、アッシング装置としては例えば図４の構成のものを用いることができる。
【００３０】
アッシング装置の減圧されたチャンバ６０内に、上部プレート６１と、被処理物６２（多層膜３０ａが形成されたカーボン基板７０）を載せるホルダ６３とが平行に配置されている。上部プレート６１には導入管６４を介してチャンバ６０内に導入された酸素ガスをプラズマ化するための高周波電源６５が接続されている。また、チャンバ６０にはアッシング反応によって被処理物６２から離脱した２酸化炭素又は１酸化炭素を排気するための排気管６６が設けられている。
【００３１】
なお、基板除去工程ではアッシングに代えてカーボン基板７０を加熱することによっても基板レス多層膜３０ａを得ることができる。この方法では多層膜３０が形成されたカーボン基板７０を空気中で５００℃で３時間加熱する。
【００３２】
この実施形態によれば、第１実施形態と同様の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】図１はこの発明の第1実施形態に係る基板レスフィルタの製造方法を説明する図である。
【図２】図２はアニール装置の断面を示す概念図である。
【図３】図３はこの発明の第２実施形態に係る基板レスフィルタの製造方法を説明する図である。
【図４】図４はアッシング装置の断面を示す概念図である。
【符号の説明】
【００３４】
１０  ガラス基板（基板）  
２０  剥離層（フラーレン膜）
３０  多層膜
７０  カーボン基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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