(57)【要約】【課題】発光素子チップの各電極と実装基板との距離をほぼ等しくすることにより、電極の形成を容易にした発光装置を提供することにある。【解決手段】発光素子チップ２は、第１の半導体層２２に電気的に接続された電極２５と第２の半導体層２４に電気的に接続された電極２６とを一面に備える。発光素子チップ２はバンプ３を介してセラミックの実装基板１にフェイスダウン実装される。発光素子チップ２には、周部に配置した電極２５と中央部に配置した電極２６との間に段差２７を有し、実装基板１のうち発光素子チップ２との対向面は周部よりも中央部が凹んだ凹曲面に形成される。発光素子チップ２を実装基板１に実装する際に実装基板１との対向面と各電極２５，２６との距離が等しくなるように段差２７の深さおよび位置と対向面の形状との関係が設定される。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数個の電極を一面に備える発光素子チップと、発光素子チップがバンプを介してフェイスダウン実装される実装基板とを備え、発光素子チップの上記一面において一部の電極と残りの電極との間には段差が形成されており、実装基板のうち発光素子チップとの対向面は実装基板の厚み方向における位置が中央部と周部とで異なる非平面であって、発光素子チップを実装基板に実装する際に実装基板の前記対向面と各電極との距離が等しくなるように段差の深さおよび位置と前記対向面の形状との関係が設定されていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記発光素子チップは発光ダイオードチップであって、第１導電型である第１の半導体層と第２導電型である第２の半導体層とが積層されるとともに、前記電極のうち第１の半導体層に接続される電極が第２の半導体層の中央部と周部との一方を除去して第１の半導体層を露出させた形で形成され、第２の半導体層に電気的に接続される電極が第２の半導体層の表面に形成されていることを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項３】
前記実装基板のうち前記発光素子チップとの前記対向面のうち発光素子チップを実装基板に実装するバンプの間に対応する部位には、発光素子チップと実装基板との間の隙間を封止する封止樹脂を導入するための樹脂導入溝が形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子チップをバンプを介して実装基板にフェイスダウン実装した発光装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、発光ダイオードや有機ＥＬのような発光素子チップをバンプを介して実装基板にフェイスダウン実装した発光装置が提供されている。この種の発光装置に用いる発光素子チップとして、青色系発光ダイオードの構造を例示する。青色系発光ダイオードは、たとえば、サファイアからなる絶縁基板上にｎ型のＧａＮをエピタキシャル成長させたｎ型半導体層と、ＩｎＧａＮ系化合物半導体からなる活性層と、ｐ型のＧａＮからなるｐ型半導体層とを順に積層した構造を有する。ｐ型半導体層の表面にはＮｉ−Ａｕのような金属電流拡散層を介してｐ型半導体層に電気的に接続された電極が設けられる。また、ｐ型半導体層および活性層の一部をエッチングすることにより除去してて露出させたｎ型半導体層の表面には、ｎ型半導体層と電気的に接続された電極が設けられる。つまり、発光素子チップの厚み方向の一面に、ｐ型半導体層とｎ型半導体層とにそれぞれ電気的に接続された２種類の電極が配置され、しかも、両種類の電極の間には、少なくともｐ型半導体層と活性層との厚み寸法を加算した段差が形成される。
【０００３】
このような構造の発光素子チップを平面である実装基板にフェイスダウン実装すると、ｐ型半導体層とｎ型半導体層とにそれぞれ電気的に接続された電極と実装基板との距離が電極によって異なることになる。したがって、フェイスダウン実装を行う際に、電極に応じてバンプの高さが変化し、電極に応じて実装基板との接合状態にばらつきを生じることがある。この種の問題を解決する構成としては、ｎ型半導体層に電気的に接続される電極の厚み寸法を大きくし、各電極と実装基板との距離差を低減することが考えられている（たとえば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平１０−２２３９３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載の技術は、ｎ型半導体層を露出させる際にｐ型半導体層と活性層との一部を残存させておき、残存部位にｎ型半導体層と電気的に接続される電極を形成する構成を採用しているものであるから、当該電極に段差が形成されており、接続の信頼性を確保するにはｐ型半導体層に電気的に接続される電極よりも膜厚を大きくする必要があり、結果的に電極を形成する工程に時間を要し、生産性が低いという問題を有している。また、当該電極において実装基板に接続される部位とｎ型半導体層に接続される部位との距離が比較的大きいから電気抵抗が増加してエネルギの利用効率が低下するおそれを有している。
【０００５】
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、発光素子チップの各電極と実装基板との距離をほぼ等しくすることにより、電極を容易に形成することができ、しかも電極における電気抵抗の増加によるエネルギの利用効率の低下を防止した発光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１の発明は、複数個の電極を一面に備える発光素子チップと、発光素子チップがバンプを介してフェイスダウン実装される実装基板とを備え、発光素子チップの上記一面において一部の電極と残りの電極との間には段差が形成されており、実装基板のうち発光素子チップとの対向面は実装基板の厚み方向における位置が中央部と周部とで異なる非平面であって、発光素子チップを実装基板に実装する際に実装基板の前記対向面と各電極との距離が等しくなるように段差の深さおよび位置と前記対向面の形状との関係が設定されていることを特徴とする。
【０００７】
この構成によれば、発光素子チップに設けた各電極と実装基板との距離をほぼ一定にすることができるから、電極と実装基板との接合の信頼性が高いのはもちろんのこと、発光素子チップに設けた複数の電極の間に段差があっても、実装基板において発光素子チップとの対向面が非平面であって、しかも実装基板の前記対向面と各電極との距離が等しくなるように段差の深さおよび位置と前記対向面の形状との関係が設定されているから、電極は位置に応じて厚み寸法を変える必要がなく、電極を容易に形成することができる。さらに、各電極の厚み寸法を比較的小さくすることができるから、電気抵抗の増加によるエネルギの利用効率の低下を防止することができる。ここに、電極の位置関係に応じて前記対向面の形状が設定され、前記対向面が凸面になるか凹面になるかは、電極の配置により決定される。
【０００８】
請求項２の発明では、請求項１の発明において、前記発光素子チップは発光ダイオードチップであって、第１導電型である第１の半導体層と第２導電型である第２の半導体層とが積層されるとともに、前記電極のうち第１の半導体層に接続される電極が第２の半導体層の中央部と周部との一方を除去して第１の半導体層を露出させた形で形成され、第２の半導体層に電気的に接続される電極が第２の半導体層の表面に形成されていることを特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、第１の半導体層と第２の半導体層とに設けた電極は、前記一面において一方が中央部に配置され他方が周部に配置されることになり、中央部が周部より凹没した形かまたは中央部が周部より凸出した形になる。したがって、実装基板における発光素子チップとの対向面は、単純な凸面または凹面とすることができ、実装基板の加工が容易である。
【００１０】
請求項３の発明では、請求項１または請求項２の発明において、前記実装基板のうち前記発光素子チップとの前記対向面のうち発光素子チップを実装基板に実装するバンプの間に対応する部位には、発光素子チップと実装基板との間の隙間を封止する封止樹脂を導入するための樹脂導入溝が形成されていることを特徴とする。
【００１１】
この構成によれば、実装基板においてバンプの間に樹脂導入溝を形成していることにより、発光素子チップと実装基板と間の間隙に封止樹脂を均一に流し込むことができ、実装基板に対する発光素子チップの接合強度を高めることができる。また、発光素子チップと実装基板との対向面のうち発光素子チップの中央付近は放熱効率が低いから高温になりやすいが、封止樹脂を流し込むことにより空気層が形成されている場合に比較すると熱伝導の効率が高くなり、発光素子チップの放熱性を高めることができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の構成によれば、発光素子チップに設けた各電極と実装基板との距離がほぼ一定になるから、フェイスダウン実装に用いるバンプの高さをほぼ一定にすることができ、結果的に接合の信頼性が高くなる上に、従来構成のように電極の位置に応じて電極の厚み寸法を変える必要がなく、電極を形成するのが容易になるという利点がある。しかも、各電極の厚み寸法はフェイスダウン実装に必要な厚み寸法でよく薄肉にすることができるから、電気抵抗の増加によるエネルギの利用効率の低下を防止することができるという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
（実施形態１）
本実施形態は、図１（ａ）に示すように、収納凹所１１を有する形状に形成したセラミック基板である実装基板１を用い、収納凹所１１の底面に発光素子チップ２を実装した構造を有する。発光素子チップ２は青色系発光ダイオードを用いており、収納凹所１１の開口面を閉塞するように配置した蛍光体シート１２により発光素子チップ２から放射された光の色を蛍光物質を用いて変換し、白色系の光を取り出すことができるようにしてある。蛍光体シート１２は、たとえばシリコン樹脂のシート中に黄色系の蛍光物質を分散させたものを用いる。また、実装基板１において発光素子チップ２を配置した収納凹所１１の底部には透明樹脂からなる封止樹脂４を充填してあり、さらに発光素子チップ２から光を取り出す向きの前方には配光を制御するための光学要素であるレンズ１３が配置される。つまり、発光素子チップ２から放射された光は、レンズ１３を通して拡散し蛍光体シート１２で光色が変換された後に外部に取り出される。ただし、蛍光体シート１２やレンズ１３は目的に応じて省略可能である。
【００１４】
発光素子チップ２は、図１（ｂ）に示すように、従来から知られている青色系発光ダイオードと同様の構造であって、サファイア基板からなる絶縁基板２１にｎ型の第１の半導体層２２と活性層２３とｐ型の第２の半導体層２４とを順に成長させた構造を有している。半導体層２２，２４および活性層２３はＩｎＧａＮ系であって４６５ｎｍ付近にピークを有する光を取り出すことができる。ここに、第１の半導体層２２の周部は活性層２３および第２の半導体層２４とは重複せずに露出しており、第１の半導体層２２の露出部位には第１の半導体層２２に電気的に接続された電極２５が設けられる。また、第２の半導体層２４の表面（図１（ｂ）の下面）の全面には第２の半導体層２４に電気的に接続された電極２６が設けられる。したがって、絶縁基板２１の表面から電極２６までの距離は電極２５までの距離よりも小さく、発光素子チップ２の中央部が周部よりも突出した形になり、両電極２５，２６の間には段差２７が形成される。段差２７の寸法はたとえば１μｍに設定される。この寸法に設定するために、図示例では段差２７の一部は第１の半導体層２２の厚み寸法の一部を含んでいる。
【００１５】
上述した形状の発光素子チップ２を形成するために、第１の半導体層２２の全面に亘って活性層２３および第２の半導体層２４を形成した後、第１の半導体層２２の周部が露出するようにエッチングを施して第２の半導体層２４および活性層２３の周部を除去する。本実施形態では、第１の半導体層２２の一部も除去される。したがって、発光素子チップ２の周部には第１の半導体層２２が露出し、発光素子チップ２の中央部と周部との間に段差２７が形成される。段差２７の形成後には第１の半導体層２２と第２の半導体層２４との表面に電極２５，２６が形成される。両電極２５，２６は平行な平面に形成されるから形成するのが容易であり、また同じ膜厚に形成すればよいから容易に成膜することができる。
【００１６】
一方、実装基板１は、たとえば３２個を単位として射出成形によりシート状に形成された基台１５を有し、基台１５は成形後に焼成され、さらにＭＩＤ（Molded Interconnection Device）の技術を用いて基台１５の要所に配線パターン１６が形成される。基台１５には厚み方向の一面に開口した収納凹所１１が形成される。収納凹所１１の開口は、円形状または矩形状であって、収納凹所１１の内側面は底面から開口面に向かって昇り傾斜する傾斜面になっている。このような傾斜面を設けることにより発光素子チップ２から放射された光の発散を抑制して前方に取り出すように配光を制御することができる。また、本実施形態における収納凹所１１の底面は周部よりも中央部が凹んだ凹曲面になっている。ここに、基台１５を焼成する際に、焼成の条件を制御することによって、収納凹所１１の底面を凹曲面としたり凸曲面としたりすることが可能である。実装基板１の大きさにもよるが、たとえば１ｍｍ×１ｍｍの範囲内で１μｍ程度の高低差を付与した凹曲面あるいは凸曲面を形成することが可能である。
【００１７】
図１（ｂ）のように、実装基板１に設けた収納凹所１１の底面を凹曲面となるように形成し、収納凹所１１の底面に上述した発光素子チップ２をバンプ３を介してフェイスダウン実装すれば、収納凹所１１の底面に形成した配線パターン１６と各電極２５，２６との距離がほぼ等しくなり、結果的に各電極２５，２６を配線パターン１６に接続するためのバンプ３の高さをほぼ等しくすることができる。つまり、収納凹所１１の底面には１ｍｍ×１ｍｍの範囲内で１μｍ程度の高低差を付与し、また発光素子チップ２は１ｍｍ×１ｍｍのサイズであるから１μｍ程度の段差２７を形成しておくことにより、各電極２５，２６に対応するバンプ３の高さをほぼ等しくすることができるのである。ここに、バンプ３は各電極２５，２６に複数個ずつ対応させてあり、いわゆるマルチバンプになっている。
【００１８】
上述の構成により、同じ高さのバンプ３を用いて発光素子チップ２を実装基板１に実装することができる。発光素子チップ２を実装基板１に実装した後には、透明なエポキシ樹脂や透明なシリコン樹脂からなる封止樹脂４を収納凹所１１の底部に流し込み、実装基板１に対する発光素子チップ２の接合強度を高めるとともに、発光素子チップ２を保護する。また、上述したようにレンズ１３および蛍光体シート１２が配置される。
【００１９】
実装基板の他の構成
上述した実施形態では、実装基板１の基台１５を連続一体に形成しているが、図２に示すように、平板状の台板１ａの一面に囲み枠１ｂを接合することにより一体化した構造の基台１５を用いてもよい。この構成では、台板１ａの上面中央部が収納凹所１１の底面になり、囲み枠１ｂの内周面が収納凹所１１の内側面になる。
【００２０】
実装基板１における収納凹所１１の底面は非平面であればよく、必ずしも曲面とする必要はない。したがって、図３（ａ）のように、収納凹所１１の底面における発光素子チップ２との対向面のうち電極２６との対向部位に凹部１１ａを形成する形状を採用することもできる。また、図３（ｂ）のように、収納凹所１１の底面における発光素子チップ２との対向面をテーパ状に凹ませた凹部１１ｂを形成してもよい。図３（ｂ）の形状を採用する場合には、各電極２５，２６を配線パターン１６に接続するバンプ３が、それぞれ凹部１１ｂの同じ深さ位置に配置されるようにするのが望ましい。
【００２１】
さらに、図４に示すように、実装基板１における発光素子チップ２との対向面において配線パターン１６の厚み寸法を調節し、発光素子チップ２の電極２６に対向する部位１６ｂの厚み寸法よりも、発光素子チップ２の電極２５に対向する部位１６ａの厚み寸法のほうが大きくなるように形成することで、実装基板１における発光素子チップ２との対向面が非平面となるようにしてもよい。
【００２２】
図５に示す構成は、図２に示した構成と図４に示した構成とを組合せ、さらに囲み枠１ｂを多層化した構成であって、実装基板１の基台１５をいわゆる積層セラミック基板により形成したものである。もちろん台板１ａを多層化することも可能である。図示例では囲み枠１ｂが下層枠１ｄと上層枠１ｅとの２層に形成され、また配線パターン１６のうち電極２５との対向部位の厚み寸法を電極２６との対向部位よりも大きくしてある。積層セラミック基板を用いることにより、配線パターン１６を台板１ａと下層枠１ｄとの間で配線することが可能になる。
【００２３】
上述した実施形態では、１個の収納凹所１１に１個の発光素子チップ２を収納しているが、図６に示す構成のように、１個の収納凹所１１に複数個の発光素子チップ２を収納してもよい。この構成の場合には、収納凹所１１の底面のうち各発光素子チップ２との対向面をそれぞれ非平面となるように形成する。
【００２４】
実装基板１において発光素子チップ２との対向面を非平面とするには、図７のように、実装基板１において収納凹所１１に対応する部位にスルーホールあるいはビアホールのような貫通孔１７を形成し、貫通孔１７に高熱伝導材料からなる導電部１８を形成するようにしてもよい。導電部１８はメッキにより形成すればよく、貫通孔１７に導入する高熱伝導材料の量に応じて、貫通孔１７の開口面に対して凹没させたり凸出させたりすることが可能である。図示例では貫通孔１７を電極２６と対向する部位に形成し、導電部１８を収納凹所１１の底面よりも凹ませることにより、実装基板１における発光素子チップ２との対向面を非平面としている。
【００２５】
図８に示す構成は、実装基板１の基台１５を主基台１５ａとサブマウント基板１５ｂとを積層して構成したものであり、サブマウント基板１５ｂには発光素子チップ２の各電極２５，２６に対向する配線パターン１６ｃ，１６ｄがそれぞれ形成される。配線パターン１６ｃ，１６ｄのうち電極２５に対向する部位１６ｃの厚み寸法は電極２６に対向する部位１６ｄよりも大きく、図４に示した構成と同様に、配線パターン１６ｃ，１６ｄの厚み寸法により発光素子チップ２との対向面を非平面に形成している。サブマウント基板１５ｂは主基台１５ａに形成した収納凹所１１の底面に配置され、主基台１５ａに形成した配線パターン１６とサブマウント基板１５ｂに形成した配線パターン１６ｃ，１６ｄとは、ボンディングワイヤ１９により接続される。
【００２６】
発光素子チップの他の構成
発光素子チップ２は、上述した実施形態では、電極２５，２６の厚み寸法を等しくしているが、図９に示すように、電極２５の厚み寸法を段差２７と電極２６との厚み寸法を加算した大きさとしてもよい。この場合、電極２５，２６の先端面は一つの平面上に揃うが、電極２５，２６を形成する材料がアルミニウムなどであって半導体材料よりも柔らかい場合には、バンプ３を用いて実装基板１に実装するときに、電極２５の先端面が電極２６の先端面よりも後退し、結果的に電極２５と電極２６との先端面が一つの平面上に位置しなくなることがある。したがって、各電極２５，２６の先端面の位置関係は、実質的に実施形態１と同様になるから、実装基板１において発光素子チップ２との対向面を非平面とすることによってバンプ３の高さ寸法を一致させることが可能になる。
【００２７】
さらにまた、発光素子チップ２としては、図１０に示すように、第２の半導体層２４の適宜箇所において第１の半導体層２２に達する深さの電極溝２８を形成し、電極溝２８の底部に電極２５を延長して形成したものがある。この構造は、発光素子チップ２の内部での電流密度がほぼ均一にするために採用されている。このような構造であっても、図９に示した構成と同様に、発光素子チップ２における周部において電極２５の厚み寸法を電極２６の厚み寸法よりも大きくする。
【００２８】
電極２５と電極２６とは、種々の配置を選択することができ、たとえば、図１１（ａ）のように、実装基板１との対向面のうち一辺の両端部にそれぞれ電極２５を配置し、残りの領域に電極２６を設けた構成や、図１１（ｂ）のように、実装基板１との対向面の四隅にそれぞれ電極２５を設け、残りの領域に電極２６を設けた構成を採用してもよい。その他、図１１（ｃ）のように、実装基板１との対向面において、一辺に沿って電極２５を形成したり、図１１（ｄ）のように、実装基板１の対向面において１つの角部に電極２５を形成したり、図１１（ｅ）のように、実施基板１の対向面において一辺の中央部に電極２５を形成した構成を採用してもよい。図１１（ｃ）〜（ｅ）においても電極２５を除く領域に電極２６が形成される。
【００２９】
（実施形態２）
実施形態１の構成では、発光素子チップ２における実装基板１との対向面の周部に中央部よりも後退する段差２７を形成した構成を示したが、本実施形態では、図１２（ｂ）のように、発光素子チップ２における実装基板１との対向面の周部において電極２６が設けられ、対向面の中央部において電極２５が設けられている場合を例示する。すなわち、発光素子チップ２において実装基板１との対向面の面内における電極２５，２６の位置関係が実施形態１とは逆になっている。
【００３０】
この構成の発光素子チップ２を用いる場合には、図１２（ａ）のように、収納凹所１１の底面を凸曲面とする。凸曲面の形状は発光素子チップ２の電極２５，２６の位置に応じて設定される。この構成も実施形態１と同様に、収納凹所１１の底面と各電極２５，２６との距離をほぼ等しくすることができるから、バンプ３の高さをほぼ等しくすることができる。他の構成は実施形態１と同様である。
【００３１】
実装基板の他の構成
本実施形態に用いる実装基板としては、実施形態１において説明した図２〜図８と同様の構成のものを用いることができる。実施形態１と本実施形態とでは凹凸の関係が逆になる点を除けば同様の構成になるから詳述しない。
【００３２】
発光素子チップの他の構成
本実施形態で用いる発光素子チップ２における電極２５，２６の配置としては、実施形態１における図１１（ａ）（ｂ）において電極２５，２６を入れ換えた配置を採用することはできない。そのような配置を採用すると、第２の半導体層２４の面積が小さくなり、発光領域が狭くなるからである。ただし、図１１（ｃ）〜（ｅ）において電極２５，２６を入れ換えた配置は採用可能である。
【００３３】
また、本実施形態の構成では、発光素子チップ２における実装基板１との対向面のうち中央部において第１の半導体層２２に接続された電極２５と実装基板１の配線パターン１６とを接続し、周部において第２の半導体層２４に接続された電極２６と実装基板１の配線パターン１６とを接続すればよいだけであるから、図１３に示すように、発光素子チップ２における実装基板１との対向面の周部に設けた電極２５の一部が、対向面の中央部において電極２６の内側に入り込む形状としてもよい。
【００３４】
（実施形態３）
本実施形態は、図１４に示すように、実装基板１における発光素子チップ２との対向面に封止樹脂４を導入するための樹脂導入溝２０を形成したものである。樹脂導入溝２０はバンプ３の間に対応する部位に形成する。樹脂導入溝２０の一部は発光素子チップ２に重複しない部位まで延長されており、発光素子チップ２を実装基板１に実装した後に、収納凹所１１に封止樹脂４を注入すると、実装基板１と発光素子チップ２との間に封止樹脂４が導入されるようにしてある。ここに、樹脂導入溝２０がなくとも実装基板１と発光素子チップ２との間に封止樹脂４をある程度は導入できるが、実装基板１と発光素子チップ２との間の間隙は狭いから、封止樹脂４を奧まで（つまり、対向面の中央部付近）まで導入するのは困難である。これに対して、封止樹脂４に低粘度のものを用いることが考えられるが、封止樹脂４の粘度を下げると硬化に時間がかかる上に硬化後の体積変化が大きくなるという問題を生じる。
【００３５】
そこで、本実施形態では、バンプ３の間に樹脂導入溝２０を形成している。樹脂導入溝２０が設けられていることにより、封止樹脂４は樹脂導入溝２０に沿って流動しやすくなるのであって、実装基板１と発光素子チップ２との対向面における周部から中央部付近まで樹脂導入溝２０を連続させておくことにより、封止樹脂４に特別に低粘度のものを用いなくとも所望部位まで封止樹脂４を導入することが可能になる。なお、実装基板１と発光素子チップ２との対向面の全面に均等に封止樹脂４を導入することができるように、樹脂導入溝２０は均等に配置するのが望ましい。また、樹脂導入溝２０は発光素子チップ２との対向面よりも外側まで延長され、かつ延長部位は１箇所ではなく多箇所（図示例では８箇所）に分散するように配置される。
【００３６】
上述の構成によって、実装基板１と発光素子チップ２との間に封止樹脂４を隙間なく導入することができるから、実装基板１に対する発光素子チップ２の結合強度が高くなり、結果的にバンプ３による電極２５，２６と配線パターン１６との接合の信頼性も高くなる。しかも、封止樹脂４を介して発光素子チップ２から実装基板１に熱を伝導させることができるから、発光素子チップ２と実装基板１との間に空気層が形成される場合に比較して放熱効率が高くなる。とくに、発光素子チップ２において発光に寄与している中央部では発熱量が多くなるから、この部位まで封止樹脂４を導入して放熱効率を高めることで、発光効率の向上にもつながる。
【００３７】
上述した構成例では、樹脂導入溝２０を基台１５に形成する場合を想定しているが、樹脂導入溝２０は、配線パターン１６により形成してもよい。他の構成および機能は上述した実施形態と同様である。
【００３８】
ところで、実施形態１では、レンズ１３を用いているから収納凹所１１の底部において発光素子チップ２が埋まる程度に封止樹脂４を導入し、収納凹所１１には封止樹脂４を充填しない部位を残していたが、図１５に示すように、レンズ１３を省略して収納凹所１１の全体に封止樹脂４を充填してもよい。とくに、粘度の高い封止樹脂４を用いる場合に、少量の封止樹脂４を用いる場合よりも実装基板１と発光素子チップ２との間に封止樹脂４を導入しやすくなる。また、実施形態１において蛍光体シート１２により光色を変換する例を示したが、蛍光体シート１２に代えて、封止樹脂４を用いて光色を変換するようにしてもよい。この場合には、蛍光物質を混入した封止樹脂を用いる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】（ａ）は実施形態１の断面図、（ｂ）は同上の要部拡大断面図である。
【図２】同上に用いる実装基板の他の構成例を示す概略断面図である。
【図３】同上に用いる実装基板の他の構成例を示す概略断面図である。
【図４】同上に用いる実装基板の他の構成例を示す概略断面図である。
【図５】同上に用いる実装基板の他の構成例を示す概略断面図である。
【図６】同上に用いる実装基板の他の構成例を示す概略断面図である。
【図７】同上に用いる実装基板の他の構成例を示す概略断面図である。
【図８】同上に用いる実装基板の他の構成例を示す概略断面図である。
【図９】同上に用いる発光素子チップの他の構成例を示す概略断面図である。
【図１０】同上に用いる発光素子チップの他の構成例を示す概略断面図である。
【図１１】同上に用いる発光素子チップの他の電極配置例を示す平面図である。
【図１２】（ａ）は実施形態２の断面図、（ｂ）は同上の要部拡大断面図である。
【図１３】同上に用いる発光素子チップの他の電極配置例を示す平面図である。
【図１４】（ａ）は実施形態３の断面図、（ｂ）は同上の要部平面図である。
【図１５】本発明の他の構成例を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００４０】
１  実装基板
２  発光素子チップ
３  バンプ
４  封止樹脂
２０  樹脂導入溝
２１  絶縁基板
２２  第１の半導体層
２３  活性層
２４  第２の半導体層
２５  電極
２６  電極
２７  段差
【図１】
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【図２】
2006332381.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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