(57)【要約】【課題】  本発明は、小型化でき、電子部品及び回路基板の端子ピッチの微細化に対応することのできる接続用基板、半導体装置、及び接続基板の製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】  貫通孔１５が形成された基板本体１３と、基板本体１３に配設される接続ピン１７とを有し、接続ピンは、貫通孔１５に配設され、基板本体１３の面方向と直交する方向に延在する貫通部分１８と、貫通部分１８の両端に設けられると共に、貫通部分１８に対する角度が略直角となるように折り曲げられた接続部分１９Ａ，１９Ｂとを備えた構成とする。【選択図】  図３
2006332114.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品と回路基板との間を接続ピンによって電気的に接続する接続用基板であって、
貫通孔が形成された基板本体を有し、
前記接続ピンは、前記貫通孔に配設され、前記基板本体の面方向と直交する方向に延在する貫通部分と、該貫通部分の両端に設けられると共に、該貫通部分に対する角度が略直角となるように折り曲げられた接続部分とを有することを特徴とする接続用基板。
【請求項２】
前記貫通孔が形成された基板本体の表面を覆うと共に、グラウンド電位とされた金属層をさらに備え、
前記接続部分と金属層との間に隙間を形成すると共に、該金属層と貫通部分との間を絶縁する第１の絶縁材を設けたことを特徴とする請求項１に記載の接続用基板。
【請求項３】
前記接続部分と対向する金属層と該接続部分との間に、第２の絶縁材を設けたことを特徴とする請求項１または２に記載の接続用基板。
【請求項４】
前記第２の絶縁材は、前記接続部分を露出させた状態で、前記基板本体の両面に設けられた金属層を覆うことを特徴とする請求項３に記載の接続用基板。
【請求項５】
前記接続ピンは、板状とされた導電部材を折り曲げた構成とされていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の接続用基板。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の接続用基板と、
前記接続用基板に設けられた一方の接続部分に、はんだを介して電気的に接続された半導体素子とを備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
導電性を有すると共に、貫通孔が形成された基板本体と、
前記貫通孔に配設され、前記基板本体の面方向と直交する方向に延在する貫通部分と、該貫通部分の両端に設けられると共に、該貫通部分に対する角度が略直角となるように折り曲げられた接続部分とを有する接続ピンと、
前記導電性を有する基板本体と貫通部分との間を絶縁する第１の絶縁材とを備え、
電子部品と回路基板との間を前記接続ピンにより電気的に接続する接続用基板の製造方法であって、
前記基板本体を準備する基板本体準備工程と、
前記接続部分が前記基板本体の両面から突出するように、前記接続部分が折り曲げられていない接続ピンを前記貫通孔に配設する接続ピン配設工程と、
前記貫通部分と基板本体との間に前記第１の絶縁材を形成する第１の絶縁材形成工程と、
前記接続部分と基板本体との間に隙間が形成されるよう、該接続部分を折り曲げる接続部分折曲工程と設けたことを特徴とする接続用基板の製造方法。
【請求項８】
前記接続ピン配設工程と接続部分折曲工程との間に、前記接続部分を露出させた状態で、前記導電性を有する基板本体の両面を覆うよう第２の絶縁材を形成する第２の絶縁材形成工程をさらに設けたことを特徴とする請求項７に記載の接続用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接続用基板、半導体装置、及び接続基板の製造方法に係り、特に電子部品と回路基板との間を電気的に接続する接続用基板、半導体装置、及び接続基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子部品とマザーボード等の回路基板との間を電気的に接続するものとして、図１に示すようなコネクタがある。
【０００３】
図１は、コネクタの斜視図であり、図２は、弾性コンタクトの斜視図である。図１に示すように、コネクタ１００は、電子部品と回路基板との間を接続するコンタクトモジュール１０１と、コンタクトモジュール１０１を配設するための開口部１０４を有したホルダ１０２とを備えた構成とされている。
【０００４】
コンタクトモジュール１０１は、ホルダ１０２の開口部１０４に直接装着されるモジュールボディ１０６と、モジュールボディ１０６内に収容される弾性コンタクト１０８とを有する。
【０００５】
弾性コンタクト１０８は、弾性を有した部材により構成されており、図２に示すような湾曲した形状とされている。また、弾性コンタクト１０８は、その両端にコンタクト部１０９を有しており、コンタクト部１０９には、電子部品及び回路基板のいずれか一方がそれぞれ接続される（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開平６−３２５８１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来のコネクタ１００では、弾性コンタクト１０８が湾曲した形状とされているため、コンタクトモジュール１０１のサイズが大きくなってしまい、コンタクトモジュール１０１の小型化を図ることが困難であるという問題があった。
【０００７】
そのため、コンタクトモジュール１０１の配設ピッチを狭くすることが困難であり、電子部品及び回路基板の端子ピッチの微細化に対応できないという問題があった。
【０００８】
そこで本発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであり、小型化でき、電子部品及び回路基板の端子ピッチの微細化に対応することのできる接続用基板、半導体装置、及び接続基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一観点によれば、電子部品と回路基板との間を接続ピンによって電気的に接続する接続用基板であって、貫通孔が形成された基板本体を有し、前記接続ピンは、前記貫通孔に配設され、前記基板本体の面方向と直交する方向に延在する貫通部分と、該貫通部分の両端に設けられると共に、該貫通部分に対する角度が略直角となるように折り曲げられた接続部分とを有することを特徴とする接続用基板が提供される。
【００１０】
本発明によれば、電子部品と回路基板との間を接続する接続ピンを、基板本体の面方向と直交する方向に延在する貫通部分と、貫通部分の両端に設けられると共に、貫通部分に対して略直角となるように折り曲げられた接続部分とを有した構成とすることにより、接続ピンを小型化することが可能となる。また、接続ピンを小型化することにより、接続ピンの配設ピッチを狭くすることが可能となり、電子部品及び回路基板の端子ピッチの微細化に対応させることができる。
【００１１】
また、前記貫通孔が形成された基板本体の表面を覆うと共に、グラウンド電位とされた金属層をさらに備え、前記接続部分と金属層との間に隙間を形成すると共に、該金属層と貫通部分との間を絶縁する第１の絶縁材を設けてもよい。これにより、金属層が設けられた基板本体と接続ピンとの間を絶縁することができる。
【００１２】
さらに、前記第２の絶縁材は、前記接続部分を露出させた状態で、前記基板本体の両面に設けられた金属層を覆うように設けてもよい。このように、第２の絶縁材を設けることにより、接続部分と金属層との接触を防いで、接続部分と金属層との間におけるショートを防止できる。
【００１３】
本発明の他の観点によれば、導電性を有すると共に、貫通孔が形成された基板本体と、前記貫通孔に配設され、前記基板本体の面方向と直交する方向に延在する貫通部分と、該貫通部分の両端に設けられると共に、該貫通部分に対する角度が略直角となるように折り曲げられた接続部分とを有する接続ピンと、前記導電性を有する基板本体と貫通部分との間を絶縁する第１の絶縁材とを備え、電子部品と回路基板との間を前記接続ピンにより電気的に接続する接続用基板の製造方法であって、前記基板本体を準備する基板本体準備工程と、前記接続部分が前記基板本体の両面から突出するように、前記接続部分が折り曲げられていない接続ピンを前記貫通孔に配設する接続ピン配設工程と、前記貫通部分と基板本体との間に前記第１の絶縁材を形成する第１の絶縁材形成工程と、前記接続部分と基板本体との間に隙間が形成されるよう、該接続部分を折り曲げる接続部分折曲工程と設けたことを特徴とする接続用基板の製造方法が提供される。
【００１４】
本発明によれば、小型化が可能な接続ピンを形成できると共に、接続ピンを狭い配設ピッチで基板本体に設けて、電子部品及び回路基板の端子ピッチの微細化に対応させることができる。
【００１５】
また、前記接続ピン配設工程と接続部分折曲工程との間に、前記接続部分を露出させた状態で、前記導電性を有する基板本体の両面を覆うよう第２の絶縁材を形成する第２の絶縁材形成工程をさらに設けてもよい。
【００１６】
このような第２の絶縁材形成工程を設けることにより、導電性を有する基板本体と接続部分との接触を防いで、接続部分と金属層との間におけるショートを防止することができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、小型化でき、電子部品及び回路基板の端子ピッチの微細化に対応することのできる接続用基板、半導体装置、及び接続基板の製造方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
次に、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。
（第１の実施の形態）
図３は、本発明の第１の実施の形態による半導体装置の断面図である。図３において、Ｘ，Ｘ方向は基板本体１３の面方向、Ｙ，Ｙ方向はＸ，Ｘ方向と直交する方向をそれぞれ示している。
【００１９】
図３に示すように、半導体装置１０は、接続用基板１１と、電子部品である半導体素子１２とを有しており、半導体素子１２がはんだバンプ２５を介して接続用基板１１と電気的に接続された構成とされている。
【００２０】
接続用基板１１は、基板本体１３と、接続ピン１７と、第１の絶縁材２１とを有する。基板本体１３は、複数の貫通孔１５が形成された基材１４と、金属層１６とを有する。基材１４は、板状とされている。基材１４の材料としては、例えば、エポキシ系樹脂を用いることができる。また、基材１４の厚さＭ１は、例えば、２ｍｍ〜３ｍｍとすることができる。
【００２１】
図４は、接続ピンが設けられた部分の接続用基板を拡大した平面図である。図４において、説明の便宜上、金属層１６の図示を省略する。
【００２２】
図４に示すように、貫通孔１５は、四角形状とされており、基材１４を貫通するように形成されている。貫通孔１５は、接続ピン１７を配設するためのものである。貫通孔１５の幅Ｗ１，Ｗ２は、例えば、それぞれ０．７ｍｍとすることができる。また、貫通孔１５の配設ピッチは、例えば、１ｍｍとすることができる。
【００２３】
金属層１６は、複数の貫通孔１５が形成された基材１４の表面を覆うように設けられている。金属層１６は、グラウンド電位とされている。金属層１６は、例えば、めっき法により形成することができる。
【００２４】
図５は、接続ピンの斜視図である。次に、図３及び図５を参照して、接続ピン１７について説明する。
【００２５】
接続ピン１７は、貫通部分１８と、貫通部分１８の端部に設けられると共に、貫通部分１８に対する角度θ１，θ２が略直角となるように所定の方向（本実施の形態の場合、図３の右側）へ折り曲げられた接続部分１９Ａ，１９Ｂとを有する。接続ピン１７は、例えば、薄い板状の導電部材の両端を折り曲げることで形成することができる。接続ピン１７の材料としては、例えば、ＣｕやＣｕ合金等の金属を用いることができる。接続ピン１７の厚さＭ２は、例えば、０，１２５ｍｍとすることができる。また、接続ピン１７の幅Ｗ３は、例えば、０．３５ｍｍとすることができる。
【００２６】
貫通部分１８は、絶縁材２１を介して貫通孔１５に配設されており、基板本体１３の面方向（Ｘ，Ｘ方向）と直交する方向に延在している。貫通部分１８は、接続部分１９Ａと接続部分１９Ｂとの間を電気的に接続するためのものである。
【００２７】
接続部分１９Ａは、基材１４の上面１４Ａ側に位置する貫通部分１８の端部に設けられている。また、接続部分１９Ａと金属層１６との間には、隙間Ｅ１が形成されている。接続部分１９Ａは、半導体素子１２を実装するためのものである。接続部分１９Ａと金属層１６と間の隙間Ｅ１の大きさは、例えば、０．１ｍｍとすることができる。また、接続部分１９Ａの長さＬ１は、例えば、０．５ｍｍとすることができる。
【００２８】
接続部分１９Ｂは、基材１４の下面１４Ｂ側に位置する貫通部分１８の端部に設けられている。また、接続部分１９Ｂと金属層１６との間には、隙間Ｅ２が形成されている。接続部分１９Ｂには、図示していないマザーボード等の回路基板が接続される。接続部分１９Ｂと基板本体１３と間の隙間Ｅ２の大きさは、例えば、０．１ｍｍとすることができる。また、接続部分１９Ｂの長さＬ２は、例えば、０．５ｍｍとすることができる。
【００２９】
基板本体１３への接続ピン１７の装着は、例えば、貫通部分１８に対応する基板本体１３に係合用の溝部を設けると共に、係合用の突起を備えた第１の絶縁材２１を貫通部分１８に設け、第１の絶縁材２１が設けられた接続ピン１７を挿入して、基板本体１３の溝部と第１の絶縁材２１の突起とを係合させることにより行なうことができる。
【００３０】
上記説明したように、接続ピン１７は、薄い板状の導電部材の両端を折り曲げた、非常に簡単な構成とされており、貫通部１８は湾曲された形状ではないため、接続ピン１７の小型化が可能である。これにより、基板本体１３に狭い配設ピッチで接続ピン１７を設けることが可能となり、接続用基板１１を電子部品及び回路基板の端子ピッチの微細化に対応させることができる。
【００３１】
第１の絶縁材２１は、接続ピン１７と基板本体１３との間を絶縁するためのものであり、貫通孔１５に対応する基板本体１３と貫通部分１８との間に設けられている。第１の絶縁材２１としては、例えば、エポキシ系樹脂を用いることができる。
【００３２】
半導体素子１２は、接続用基板１１と電気的に接続される接続パッド２３（端子）を有する。接続パッド２３は、はんだバンプ２５により接続部分１９Ａと接続されている。はんだバンプ２５の材料としては、例えば、Ｓｎ−Ｐｂはんだ、Ｚｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだ等を用いることができる。
【００３３】
本実施の形態によれば、接続ピン１７を薄い板状の導電部材の両端を折り曲げた非常に簡単な構成とすることにより、接続ピン１７の小型化を図ることができる。また、接続ピン１７を小型化することにより、基板本体１３に狭い配設ピッチで接続ピン１７を設けることが可能となり、接続用基板１１を電子部品及び回路基板の端子ピッチの微細化に対応させることができる。
【００３４】
なお、本実施の形態では、基板本体１３にグラウンド電位とされた金属層１６を設けた場合を例に挙げて説明したが、基板本体１３自体をＣｕやＣｕ合金等の金属板として、グラウンド電極としてもよい。また、本発明は、金属層１６を有していない基板本体にも適用可能である。この場合、第１の絶縁材２１は不要となる。
【００３５】
図６〜図１０は、本実施の形態の接続用基板の製造工程を示した図である。なお、図６〜図１０において、図３で説明した接続用基板１１と同一構成部分には同一符号を付す。
【００３６】
図６〜図１０を参照して、本実施の形態の接続用基板１１の製造方法について説明する。始めに、図６に示すように、基材１４に複数の貫通孔１５を形成する。貫通孔１５は、例えば、レーザや、ドリル等により形成することができる。また、例えば、貫通孔１５が形成された基材１４の形状に対応した金型を用いた射出成型により、金型内に樹脂を導入して、貫通孔１５が形成された基材１４を形成してもよい。貫通孔１５の形状は、例えば、四角形状とすることができる。また、貫通孔１５の配設ピッチは、例えば、１ｍｍとすることができる。
【００３７】
次に、図７に示すように、貫通孔１５が形成された基材１４の表面を覆うように金属層１６を形成する。金属層１６は、貫通孔１５の内壁も覆うように形成する。これにより、接続ピン１７が配設される基板本体１３が製造される（基板本体準備工程）。金属層１６としては、例えば、無電解めっき法により形成したＣｕめっき膜を用いることができる。
【００３８】
次に、図８に示すように、接続ピン１７の貫通部分１８のみを覆うように第１の絶縁材２１を形成する（第１の絶縁材形成工程）。接続ピン１７としては、例えば、薄い板状の金属からなる導電性部材を用いることができる。このように、接続ピン１７を板状とすることにより、後述する接続部分折曲工程において、接続ピン１７を容易に折り曲げることができる。また、はんだバンプ２５を接続部分１９Ａに配設し易くすることができる。第１の絶縁材２１としては、例えば、エポキシ系樹脂を用いることができる。
【００３９】
続いて、図９に示すように、第１の絶縁材２１が設けられた接続ピン１７を貫通孔１５に挿入して、接続ピン１７を基板本体１３に装着させる（接続ピン配設工程）。このとき、接続部分１９Ａ，１９Ｂを基板本体１３から突出させる。
【００４０】
次に、図１０に示すように、貫通部分１８に対する角度θ１，θ２が略直角となるように所定の方向（本実施の形態の場合、図１０の右側）へ接続部分１９Ａ，１９Ｂを折り曲げることにより、接続用基板１１が製造される（接続部分折曲工程）。
【００４１】
このとき、金属層１６と接続部分１９Ａとが接触してショートしないように、基材１４の上面１４Ａに形成された金属層１６と接続部分１９Ａとの間に隙間Ｅ１を形成する。また、同様な理由により、基材１４の下面１４Ｂに形成された金属層１６と接続部分１９Ｂとの間に隙間Ｅ２を形成する。接続部分１９Ａ，１９Ｂと金属層１６と間に形成される隙間Ｅ１，Ｅ２の大きさは、例えば、０．１ｍｍとすることができる。
【００４２】
本実施の形態の接続用基板の製造方法によれば、小型化が可能な接続ピン１７を形成できると共に、接続ピン１７を狭い配設ピッチで基板本体１３に設けて、接続用基板１１を電子部品及び回路基板の端子ピッチの微細化に対応させることができる。
【００４３】
（第２の実施の形態）
図１１は、第２の実施の形態の半導体装置の断面図である。図１１において、第１の実施の形態で説明した半導体装置１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００４４】
図１１に示すように、半導体装置３０は、接続用基板３１と、半導体素子１２とを有しており、はんだバンプ２５を介して半導体素子１２が接続用基板３１と電気的に接続された構成とされている。
【００４５】
接続用基板３１は、基板本体１３と、接続ピン１７と、第１の絶縁材２１と、第２の絶縁材３３，３４とを有する。つまり、接続用基板３１は、第１の実施の形態で説明した接続用基板１１の構成に、さらに第２の絶縁材３３，３４を設けた構成とされている。
【００４６】
第２の絶縁材３３は、接続部分１９Ａを露出させた状態で、基材１４の上面１４Ａに形成された金属層１６を覆うように設けられている。第２の絶縁材３３としては、例えば、四フッ化エチレン樹脂（ＰＴＦＥ）をシート状に加工した絶縁シートを用いることができる。また、上記ＰＴＦＥを用いた絶縁シートとしては、加熱処理されていないものが望ましい。このように、加熱処理されていない絶縁シート（母材：ＰＴＦＥ）を用いることにより、絶縁シートを基板本体１３の上面に配設した後、絶縁シートを加熱して、絶縁シートと基板本体１３との間の密着性を向上させることができる。第２の絶縁材３３の厚さＭ３は、例えば、４０μｍとすることができる。
【００４７】
このように、接続部分１９Ａを露出させた状態で、基材１４の上面１４Ａに形成された金属層１６を覆うように第２の絶縁材３３を設けることにより、接続部分１９Ａに配設されたはんだバンプ２５により接続部分１９Ａと金属層１６との間が電気的に接続されることを防いで、接続部分１９Ａと金属層１６との間のショートを防止することができる。
【００４８】
第２の絶縁材３４は、接続部分１９Ｂを露出させた状態で、基材１４の下面１４Ｂに形成された金属層１６を覆うように設けられている。第２の絶縁材３４としては、第２の絶縁材３３と同様な絶縁材を用いることができる。第２の絶縁材３４の厚さＭ４は、例えば、４０μｍとすることができる。
【００４９】
このように、基材１４の下面１４Ｂに形成された金属層１６を覆うと共に、接続部分１９Ｂを露出させる第２の絶縁材３４を設けることにより、接続部分１９Ｂにはんだが配設された際、はんだにより接続部分１９Ｂと金属層１６とが電気的に接続されることを防いで、接続部分１９Ｂと金属層１６との間におけるショートを防止することができる。
【００５０】
本実施の形態によれば、接続部分１９Ａ，１９Ｂを露出させた状態で、基材１４の両面１４Ａ，１４Ｂに形成された金属層１６を覆うように第２の絶縁材３３，３４を設けることにより、接続部分１９Ａ，１９Ｂと金属層１６とがショートすることを防止できる。なお、第２の絶縁材３３，３４は、接続部分１９Ａ，１９Ｂと対向する金属層１６と接続部分１９Ａ，１９Ｂとの間にのみ設けてもよい。
【００５１】
図１２及び図１３は、第２の実施の形態の接続用基板の製造工程を示した図である。図１２及び図１３において、本実施の形態の接続用基板３１と同一構成部分には同一符号を付す。
【００５２】
次に、図１２及び図１３を参照して、第２の実施の形態の接続用基板３０の製造方法について説明する。
【００５３】
始めに、先の第１の実施の形態で説明した図６〜図９の工程（基板準備工程、接続ピン配設工程、及び第１の絶縁材形成工程）を行なって、第１の絶縁材２１を介して貫通孔１５に接続ピン１７を配設する。
【００５４】
次に、図１２に示すように、シート状とされた第２の絶縁材３３，３４を用意する。シート状とされた第２の絶縁層３３，３４としては、例えば、加熱処理されていない絶縁シート（母材：ＰＴＦＥ）を用いることができる。
【００５５】
続いて、図１３に示すように、シート状とされた第２の絶縁材３３に接続部分１９Ａを貫通させて、第２の絶縁材３３を基板本体１３の上面に配設すると共に、シート状とされた第２の絶縁材３４に接続部分１９Ｂを貫通させて、第２の絶縁材３４を基板本体１３の下面に配設する（第２の絶縁材形成工程）。
【００５６】
第２の絶縁層３３，３４として、加熱処理されていない絶縁シート（母材：ＰＴＦＥ）を用いた場合、基板本体１３に配設された第２の絶縁層３３，３４を加熱処理するとよい。このように、第２の絶縁材３３，３４を加熱することにより、第２の絶縁材３３，３４と基板本体１３との間の密着性を向上させることができる。
【００５７】
その後、第１の実施の形態で説明した図１０と同様な工程（接続部分折曲工程）を行うことにより、接続用基板３１が製造される。
【００５８】
本実施の形態の接続用基板の製造方法によれば、接続ピン１７を狭い配設ピッチで基板本体１３に設けて、電子部品及び回路基板の端子ピッチの微細化に対応させることができると共に、接続部分１９Ａ，１９Ｂと金属層１６との間を絶縁させて、接続部分１９Ａ，１９Ｂと金属層１６とがショートすることを防止できる。
【００５９】
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。なお、本発明は、基板本体１３の内部に絶縁層と配線パターンとを順次積層させた多層配線構造を備えた接続用基板にも適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
本発明によれば、小型化でき、電子部品及び回路基板のピッチの微細化に対応することのできる接続用基板、半導体装置、及び接続基板の製造方法に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】コネクタの斜視図である。
【図２】弾性コンタクトの斜視図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態による半導体装置の断面図である。
【図４】接続ピンが設けられた部分の接続用基板を拡大した平面図である。
【図５】接続ピンの斜視図である。
【図６】本実施の形態の接続用基板の製造工程を示した図（その１）である。
【図７】本実施の形態の接続用基板の製造工程を示した図（その２）である。
【図８】本実施の形態の接続用基板の製造工程を示した図（その３）である。
【図９】本実施の形態の接続用基板の製造工程を示した図（その４）である。
【図１０】本実施の形態の接続用基板の製造工程を示した図（その５）である。
【図１１】第２の実施の形態の半導体装置の断面図である。
【図１２】本実施の形態の接続用基板の製造工程を示した図（その１）である。
【図１３】本実施の形態の接続用基板の製造工程を示した図（その２）である。
【符号の説明】
【００６２】
１０，３０  半導体装置
１１，３１  接続用基板
１２  半導体素子
１３  基板本体
１４  基材
１４Ａ  上面
１４Ｂ  下面
１５  貫通孔
１６  金属層
１７  接続ピン
１８  貫通部
１９Ａ，１９Ｂ  接続部分
２１  第１の絶縁材
２３  接続パッド
２５  はんだバンプ
３３，３４  第２の絶縁材
Ｅ１，Ｅ２  隙間
Ｌ１，Ｌ２  長さ
θ１，θ２  角度
Ｍ１〜Ｍ４  厚さ
Ｗ１〜Ｗ３  幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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