(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体チップ上の複数のチップ電極との接続を容易に、かつ高い信頼性で実現することができる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、ケース１２と、前記ケース１２内に配設された絶縁基板１４と、前記絶縁基板１４上に実装され、制御電流が流れる第１のチップ電極２６を有する複数の半導体チップ２０と、本体部および該本体部から延びる複数のリード部３６を有するフレキシブル基板３４とを備え、第１のチップ電極２６のそれぞれが対応するリード部３６に電気的に接続されたことを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ケースと、
前記ケース内に配設された絶縁基板と、
前記絶縁基板上に実装され、制御電流が流れる第１のチップ電極を有する複数の半導体チップと、
本体部および該本体部から延びる複数のリード部を有するフレキシブル基板とを備え、
前記第１のチップ電極のそれぞれが対応する前記リード部に電気的に接続されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体チップの前記第１のチップ電極および前記フレキシブル基板の前記リード部は、半田を介して電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体チップの前記第１のチップ電極および前記フレキシブル基板の前記リード部のいずれか一方に導電性バンプが形成されることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体チップの前記第１のチップ電極および前記フレキシブル基板の前記リード部は、前記リード部を前記第１のチップ電極に対して圧接することにより、電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記フレキシブル基板の前記リード部は、該リード部を前記第１のチップ電極に向かって付勢する付勢部材を含むことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記フレキシブル基板の前記リード部を前記第１のチップ電極に向かって押圧するための押圧部材が前記ケースに固定されたことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記フレキシブル基板の前記本体部は、４辺からなる任意の矩形平面形状を有し、
前記リード部は、前記フレキシブル基板の前記本体部の任意の辺から延びることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記フレキシブル基板の裏面が前記第１のチップ電極の表面と実質的に同一の平面上に配置されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記フレキシブル基板の前記本体部は、前記第１のチップ電極に制御電流を供給するための制御回路部を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記半導体チップは、前記第１のチップ電極に流れる制御電流により制御される被制御電流が流れる第２のチップ電極を有し、
半導体装置は、前記第２のチップ電極のそれぞれに電気的に接続され、ケースの外側に延びる複数のリードフレームをさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記リードフレームは、突出部を有し、該突出部および半田を介して、前記半導体チップの前記第２のチップ電極に電気的に接続されることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記半導体チップは、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタであり、
前記絶縁ゲート型バイポーラトランジスタのそれぞれと逆並列に接続されるように前記制御基板上に搭載された複数のフリーホイールダイオードをさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関し、とりわけ内蔵される半導体チップと制御回路の間の電気的接続を容易に実現できる電力用半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
これまで半導体装置はさまざまな技術分野で応用され、中でも高出力のモータに大電流を制御・供給するパワーモジュールは、近未来産業における重要なキーデバイスとしてよりいっそうの注目を浴びている。
【０００３】
こうしたパワーモジュールは、ここでは図示しないが、概略、ケースと、ケース内に配設された絶縁基板と、絶縁基板上に実装されたパワーデバイスチップ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）チップおよびフリーホイールダイオード（ＦＷＤ）チップなど）と、パワーデバイスチップに制御信号（制御電流）を供給する制御回路を含む制御基板と、制御信号に応じてパワーデバイスチップから出力される被制御電流をモータなどの外部負荷に導出するためのリードフレームとを備える。
【０００４】
従来式のパワーモジュールによれば、制御基板は、一般に、エポキシ樹脂などを用いて形成された板状の堅いプリント配線基板からなる。またプリント配線基板上には、少なくとも１つの制御回路および複数の接続用端子が形成されており、複数の導電性ワイヤ（金属細線）を介して、例えばＩＧＢＴチップ上のゲート電極が接続用端子に電気的に接続されている。こうして、制御回路からＩＧＢＴチップのゲート電極にゲート信号が供給され、このゲート信号に基づいてＩＧＢＴチップは高速スイッチング動作を行う。
【０００５】
一方、従来式のパワーモジュールにおいて、ＩＧＢＴチップと逆並列に接続されたＦＷＤチップのアノード電極およびＩＧＢＴチップのエミッタ電極は、同様に複数の導電性ワイヤ（金属細線）を介して、リードフレームに電気的に接続される。すなわち、詳細図示しないが、４本の導電性ワイヤを用いて、各ＩＧＢＴチップのエミッタ電極およびＦＷＤチップのアノード電極をリードフレームに電気的に接続し、同様に、４本の導電性ワイヤを用いて、各ＩＧＢＴチップの制御電極（ゲート電極、電流センシング電極および温度センシング電極）を制御基板の電極用端子に電気的に接続する場合、合計８本の導電性ワイヤが必要である。また、パワーモジュール全体で６組（３相分のレグ）のＩＧＢＴチップおよびＦＷＤチップを有する場合、少なくとも４８本の導電性ワイヤが必要となる。
【０００６】
ところが、このように数多くの導電性ワイヤを従来式の超音波ワイヤボンディング手法を用いて接続することは、あまりにも多くの時間を要するため、製造コストが嵩み、パワーモジュールを安価に製造できないという問題があった。
【０００７】
そこで、複数の端子間における電気的接続を容易にかつ一括して行うための技術が模索されていた。例えば、特許文献１によれば、絶縁基板４と、絶縁基板４上に形成された銅配線８ｂを含む一対の樹脂基板８と、一対の樹脂基板８の間で絶縁基板４上に配設されたヒートシンク３と、ヒートシンク３上に実装された半導体チップ（ＩＧＢＴチップ）１と、半田を用いて一対の樹脂基板８の銅配線８ｂに固定された銅配線５ｂを含むフレキシブル基板５とを備え、半導体チップ１のチップ電極が半田ボール２および半田層を介してフレキシブル基板５の銅配線５ｂに接続されるパワーモジュールが開示されている。すなわち、フレキシブル基板５は、その両端部に設けられた端子が樹脂基板８に接続され、その中央部に設けられた一対の端子（ゲート電極用およびエミッタ電極用）が、半田を用いて、ＩＧＢＴチップ１のチップ電極（ゲート電極およびエミッタ電極）に接続される。
【特許文献１】特開２００４−１１１６１９公報（図１〜図３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、フレキシブル基板５のゲート電極用およびエミッタ電極用の端子を、ＩＧＢＴチップ１上の互いに隣接するゲート電極およびエミッタ電極のそれぞれに接続しようとする場合、これらが互いに正確に位置合わせされなければ、ゲート電極用（あるいはエミッタ電極用）の端子がゲート電極およびエミッタ電極をブリッジ（短絡）することがある。ところが、フレキシブル基板５の基材５ａは樹脂からなり、周囲温度の影響を受けやすく、とりわけ半田接続するときに（高温状態に曝されるとき）、フレキシブル基板５をＩＧＢＴチップ１に対して正確に位置合わせすることは困難である。換言すると、フレキシブル基板５をＩＧＢＴチップ１に対して正確に位置合わせされなければ、短絡不良が生じて、歩留まりが低下し、正確に位置合わせようとすると、アセンブリ作業性が低いので、生産コストは上がる。
【０００９】
さらに、フレキシブル基板５上に形成された銅配線５ｂは、樹脂の上に設けられた導電性薄膜であるので、その配線抵抗を小さくするにも限界がある。したがって、ＩＧＢＴチップ１のコレクタ電極−エミッタ電極間に大電流が流れる場合、銅配線５ｂが過熱し、フレキシブル基板５が軟化・溶融することがあり、動作時の十分な信頼性を確保することができない。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
そこで本発明の１つの態様は、ケースと、前記ケース内に配設された絶縁基板と、前記絶縁基板上に実装され、制御電流が流れる第１のチップ電極を有する複数の半導体チップと、本体部および該本体部から延びる複数のリード部を有するフレキシブル基板とを備え、前記第１のチップ電極のそれぞれが対応する前記リード部に電気的に接続されたことを特徴とする半導体装置を提供することを目的とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の１つの態様による半導体装置によれば、半導体チップ上の複数のチップ電極との接続を容易に、かつ高い信頼性で実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、添付図面を参照して本発明にかかる電力用半導体装置（パワーモジュール）の実施の形態を説明する。各実施の形態の説明において、理解を容易にするために方向を表す用語（例えば、「上方」および「下方」など）を適宜用いるが、これは説明のためのものであって、これらの用語は本発明を限定するものでない。
【００１３】
図１および図２を参照しながら、本発明にかかる半導体装置（パワーモジュール）の実施の形態１について以下に説明する。実施の形態１のパワーモジュール１は、図１および図２に示すように、概略、良好な熱伝導性を有する銅などの金属板からなる金属ベース板１０と、金属ベース板１０上に固定された樹脂などの絶縁材料からなるケース１２とを備えている。
【００１４】
またパワーモジュール１は、ケース１２の内部において、半田などの導電性接着材（図示せず）を介して金属ベース板１０に固着された絶縁基板１４を有する。絶縁基板１４は、その一対の主面（表面および裏面）上に、パターニングされた金属薄板１６，１７を有する。さらに、表面側の金属薄板１４上には、同様に半田などの導電性接着材（図示せず）を介して、少なくとも１つの半導体素子（図１および図２では、例えば、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）２０およびフリーホイールダイオード（ＦＷＤ）２２）が実装されている。そしてＩＧＢＴ２０は上側主面に制御電極２６およびエミッタ電極２８を有し、ＦＷＤ２２は上側主面にアノード電極３０を有する。制御電極２６は、これに限定されないが、ゲート電極、電流センシング電極、および温度センシング電極を含む。
【００１５】
ケース１２は、図２において、ＩＧＢＴ２０およびＦＷＤ２２の上側主面とほぼ同じ高さ（水平位置）に配設された一対の平坦部３２，３３を有する。そして実施の形態１によるパワーモジュール１は、ＩＧＢＴ２０に近接する一方の平坦部３２に任意の接着手段を用いて固定されたフレキシブル基板３４と、ＦＷＤ２２に近接する他方の平坦部３３に支持され、ケース１２を貫通して外側に延びる複数のリードフレーム４２とを有する。すなわち、フレキシブル基板３４の裏面３７は、ＩＧＢＴ２０の制御電極２６およびエミッタ電極２８の表面と実質的に同一の平面上に配置される。
【００１６】
実施の形態１のフレキシブル基板３４は、ポリイミド樹脂などの可撓性絶縁膜上に銅パターンが積層されてなり、折り曲げ時などの機械的応力およびヒートサイクル時の熱応力が生じた場合でも、柔軟に変形し、これらの応力を緩和することができる。
また、図１に示すように、複数の（図１では６本の）細長いリード部３６と、ほぼ矩形の平面形状を有する本体部４０とを有し、各リード部３６の下面３７には、複数（例えば４本）の細長い銅パターン（図示せず）が積層されている。
さらに、ＩＧＢＴ２０の各制御電極２６は、リード部３６の各銅パターンの先端部３８を介して、フレキシブル基板３４上に実装された制御ＩＣチップ６６の各端子に電気的に接続されている。また、フレキシブル基板３４上にはコネクタ４４が配設され、制御ＩＣチップ６６の各端子は、フレキシブル基板３４上の銅パターンおよびコネクタ４４のピン４５を介して、外部の制御回路（図示せず）に電気的に接続されている。
【００１７】
このように、フレキシブル基板３４の本体部４０は、絶縁基板１４に対向する辺を有し、図１に示すリード部３６は、フレキシブル基板３４の本体部４０に対向する１辺から延びている。ただし、図示しないが、リード部３６は、４辺からなるほぼ矩形の平面形状を有する本体部４０の任意の１辺またはそれ以上の辺から延びていてもよい。
【００１８】
一方、各リードフレーム４２は、アルミニウムなどからなる導電性ワイヤ（金属細線）４６を介して、各ＦＷＤ２２のアノード電極３０と、各ＩＧＢＴ２０のエミッタ電極２８に接続されている。このように、各ＩＧＢＴ２０とＦＷＤ２２は、互いに逆並列に接続されている。
【００１９】
一般に、パワーモジュール１は、絶縁基板１４、半導体素子（ＩＧＢＴ２０およびＦＷＤ２２）、フレキシブル基板３４、および導電性ワイヤ４６の上方に、これらの構成部品を保護するためにケース１２内に充填されたシリコーンゲルと、その上方を封止するために配設されたエポキシ樹脂と、さらにその上方を覆う蓋とを有するが、図面においては、分かりやすくするために、これらのシリコーンゲル、エポキシ樹脂、および蓋を省略した。
【００２０】
このように構成されたパワーモジュール１において、リード部３６の銅パターンの各先端部３８は、後に詳述するが、半田などの任意の導電性接着剤または接続手段を用いて、ＩＧＢＴ２０の制御電極２６に容易に一括して接続することができる。こうして、外部の制御回路は、コネクタ４４のピン４５、制御ＩＣチップ６６、およびフレキシブル基板４０のリード部３６（およびその先端部３８）を介してＩＧＢＴ２０とデータ信号の送受信（通信）を実現することができる。
その結果、ＩＧＢＴ２０は、制御電極２６に印加された制御信号に基づいてスイッチング動作を行い、エミッタ電極２８、導電性ワイヤ４６およびリードフレーム４２を介して外部負荷に大電流（被制御電流）が供給される。すなわち、本発明の実施の形態１によれば、大電流である被制御電流は、上述の先行技術のフレキシブル基板上の銅配線より配線抵抗の小さい導電性ワイヤ４６を介して流れるので、導電性ワイヤ４６が過熱することはなく、信頼性の高いパワーモジュールを実現することができる。
【００２１】
また、上述のように、フレキシブル基板３４の裏面３７と、ＩＧＢＴ２０の制御電極２６およびエミッタ電極２８の表面が実質的に同一の平面上に配置されるので、リード部３６に生じる応力を極力小さくすることができ、高い信頼性のパワーモジュールを得ることができる。さらに、リード部３６の長さを合理的に短くすることができるので、製造コストを削減することができる。
【００２２】
実施の形態２．
図３〜図７を参照しながら、本発明にかかる電力用半導体装置の実施の形態２について以下に説明する。実施の形態２のパワーモジュール２は、各ＩＧＢＴ２０のエミッタ電極２８、各ＦＷＤ２２のアノード電極３０、およびリードフレーム４２を電気的に接続するために、導電性ワイヤ４６の代わりに、延伸させたリードフレームを用いる点を除いて、実施の形態１と同様の構成を有するので、重複する部分に関する詳細な説明を省略する。また、実施の形態１と同様の構成部品については、同様の符号を用いて説明する。
【００２３】
上述のように、実施の形態２のリードフレーム５０は、図４に示すように、ケース１２に支持され、各ＦＷＤ２２のアノード電極３０および各ＩＧＢＴ２０のエミッタ電極２８の上方まで延び、アノード電極３０およびエミッタ電極２８に向かって折り曲げられた折曲部（突出部）５２，５４を有する。図５および図６の拡大図に示すように、各リードフレーム５０の折曲部５２，５４は、各ＦＷＤ２２のアノード電極３０および各ＩＧＢＴ２０のエミッタ電極２８に向かって突出しており、半田５６などの導電性接着剤を用いてアノード電極３０およびエミッタ電極２８に電気的に接続される。
【００２４】
また、フレキシブル基板３４のリード部３６の先端部３８には導電性バンプ５８が形成され、同様に、半田６０などの導電性接着剤を用いて各ＩＧＢＴ２０の制御電極２６に電気的に接続されている。こうして、リード部３６と制御電極２６の間を確実に接続することができる。なお、導電性接着剤は、半田５６，６０の他、任意の導電性ペーストであってもよい。
【００２５】
さらに、各リードフレーム５０の折曲部５２，５４は、図６に示す形状の他、図７に示すようにアノード電極３０およびエミッタ電極２８に向かって突出する突出部５２，５４であってもよく、同様に、導電性バンプ５８をフレキシブル基板３４の先端部３８に設ける代わりに、制御電極２６上に形成してもよい。
【００２６】
同様に、１つのレグを構成する１組のＩＧＢＴ２０およびＦＷＤ２２のうち、低電位側のＩＧＢＴ２０のエミッタ電極２８およびＦＷＤ２２のアノード電極３０を接続するリードフレーム５０は、高電位側のＩＧＢＴ２０およびＦＷＤ２２を搭載した絶縁基板１４の金属薄板１６に電気的に接続するための折曲部（図３の点線で示す）６８を有している。なお折曲部６８と絶縁基板１４の金属薄板１６は、半田などの任意の導電性接着剤を介して電気的に接続することができる。
【００２７】
このように構成されたパワーモジュール２において、各ＩＧＢＴ２０のエミッタ電極２８および各ＦＷＤ２２のアノード電極３０は、制御電極２６と同様、リードフレーム５０を介して容易に一括して接続することができる。
また、ＩＧＢＴ２０が制御電極２６に印加された制御信号に基づいてスイッチング動作を行うと、エミッタ電極２８およびリードフレーム５０を介して、大電流である被制御電流を外部負荷に供給することができる。すなわち、本発明の実施の形態２によれば、大電流である被制御電流が、配線抵抗のより小さいリードフレーム５０を介して流れるので、パワーモジュール２の一部の電流路が過熱して、断線することなく、信頼性の高いパワーモジュールを実現することができる。
【００２８】
実施の形態３．
図８〜図１１を参照しながら、本発明にかかる電力用半導体装置の実施の形態３について以下に説明する。実施の形態３のパワーモジュール３は、フレキシブル基板３４のリード部３６が弾性部材を含み、ケース１２の一方の平坦部３２がＩＧＢＴ２０およびＦＷＤ２２の上側主面より高い位置に配設された点を除いて、実施の形態２と同様の構成を有するので、重複する部分に関する詳細な説明を省略する。また、実施の形態２と同様の構成部品については、同様の符号を用いて説明する。
【００２９】
上述の通り、パワーモジュール３のフレキシブル基板３４の本体部４０は、図８に示すように、ＩＧＢＴ２０およびＦＷＤ２２の上側主面より高い位置に配設され、リード部３６は、図９（ａ）および（ｂ）に示すように、長手方向に沿って延びる付勢部材６２を含む。図９（ａ）および（ｂ）は、フレキシブル基板３４の本体部４０が、ケース１２の一方の平坦部３２に固定され、リード部３６の先端部３８がＩＧＢＴ２０の制御電極２６上に接続される前後の状態をそれぞれ示す断面図であるが、付勢部材６２は、本体部４０が固定され、リード部３６の先端部３８が制御電極２６上に接続されると、先端部３８に設けられた導電性バンプ５８が制御電極２６の方へ押しつけられる（付勢される）ように構成される。すなわち、付勢部材６２は、組み立てられた状態で、制御電極２６に向かって付勢するものならば、任意の形状を有することができ、例えば、金属薄板であってもよい。また、付勢部材６２は、図９（ａ）および（ｂ）ではリード部３６に内在するように図示したが、リード部３６の上面３９に貼り付けてもよい。
【００３０】
したがって、パワーモジュール３によれば、付勢部材６２が先端部３８に設けられた導電性バンプ５８を制御電極２６に付勢するので、半田などの導電性接着剤を用いることなく、各リード部３６と対応する制御電極２６を容易にかつ一括して接続することができる。このように、半田接続時の熱処理工程を省略することができるので、フレキシブル基板３４は、必ずしも高い耐熱性を有する部材を使用する必要はなく、より安価なフレキシブル基板を用いることができる。さらに、パワーモジュール３内のＩＧＢＴチップ２０が不具合品であった場合でも、制御電極２６は半田を用いて接続されていないので、リード部３６を制御電極２６から容易に取り外すことができる。
ただし、導電性バンプ５８と制御電極２６の間の電気的接続をさらに強固なものとするために、導電性バンプ５８を制御電極２６に付勢した後、半田付け工程を追加してもよい。
【００３１】
さらに、図１０および図１１に示すように、フレキシブル基板３４のリード部３６をＩＧＢＴチップ２０に向かって押圧するための押圧部材６４をケース１２に取り付けてもよい。また、図１０および図１１では、押圧部材６４は、フレキシブル基板３４の本体部４０に近い位置でケース１２に固定されているが、フレキシブル基板３４の先端部３８に近い位置または導電性バンプ５８の直上に配置してもよい。こうして、導電性バンプ５８を制御電極２６に接続することができ、実施の形態３と同様の効果を実現することができる。
【００３２】
実施の形態４．
図１２および図１３を参照しながら、本発明にかかる電力用半導体装置の実施の形態４について以下に説明する。実施の形態４のパワーモジュール４は、制御信号を制御電極２６に供給するための制御ＩＣチップがフレキシブル基板３４の本体部４０に実装されていない点を除いて、実施の形態２と同様の構成を有するので、重複する部分に関する詳細な説明を省略する。また、実施の形態２と同様の構成部品については、同様の符号を用いて説明する。
【００３３】
実施の形態２のパワーモジュール２によれば、制御信号を制御電極２６に供給するための複数の制御ＩＣチップ６６を有していたが、実施の形態４のパワーモジュール４は、制御ＩＣチップを有さず、制御信号は図示しない外部回路装置から直接、リード部３６の各先端部３８に供給される。
【００３４】
したがって、実施の形態４によれば、これまで説明した実施の形態のパワーモジュールと同様に、リード部３６の各先端部３８をＩＧＢＴ２０の制御電極２６に容易に一括して接続可能な高信頼性のパワーモジュール４を実現することができる。
【００３５】
また、実施の形態１で説明したように、リード部３６は、ほぼ矩形の平面形状を有する本体部の任意の辺から延びるように構成してもよく、例えば、図１２においては絶縁基板１４をフレキシブル基板３４の左側に配置したが、別の絶縁基板（図示せず）をフレキシブル基板３４の右側に配置して、それぞれの絶縁基板上のＩＧＢＴチップに供給するゲート信号を同一のフレキシブル基板３４に実装された複数の制御ＩＣチップ６６を用いて制御することができる。こうして、パワーモジュール４の設計の自由度を増大させることができる。
【００３６】
なお、上記の実施の形態において、ＦＷＤチップ（第２の半導体チップ）２２は、本発明の必須の構成部品ではなく、省略することができ、本発明の第１の半導体チップ２０は、ＩＧＢＴチップの他、バイポーラダーリントントランジスタ、ＭＯＳＦＥＴ、およびＳｉＣを基板材料に用いた任意の半導体チップであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明にかかる実施の形態１による半導体装置を示す平面図である。
【図２】図１のII−II線から見た断面図である。
【図３】実施の形態２による半導体装置を示す平面図である。
【図４】図３のIV−IV線から見た断面図である。
【図５】フレキシブル基板のリード部、リードフレーム、およびチップ電極を示す拡大平面図である。
【図６】図５のVI−VI線から見た断面図である。
【図７】実施の形態２の変形例を示す図６と同様の断面図である。
【図８】実施の形態３による半導体装置を示す図２と同様の断面図である。
【図９】フレキシブル基板のリード部をチップ電極に接続する前後の状態を示す拡大断面図である。
【図１０】実施の形態３の変形例を示す図３と同様の平面図である。
【図１１】図１０のXI−XI線から見た断面図である。
【図１２】実施の形態４による半導体装置を示す図３と同様の平面図である。
【図１３】実施の形態４による半導体装置を示す図４と同様の断面図である。
【符号の説明】
【００３８】
１〜４  パワーモジュール（電力用半導体装置）、１０  ベース板、１２  ケース、１４  絶縁基板、１６，１７  金属薄板、２０  絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）、２２  フリーホイールダイオード（ＦＷＤ）、２６  制御電極、２８  エミッタ電極、３０  アノード電極、３２，３３  平坦部、３４  フレキシブル基板、３６  リード部、３７  下面、３８  先端部、３９  上面、４０  本体部、４２  リードフレーム、４４  コネクタ、４５  ピン、４６  導電性ワイヤ（金属細線）、５０  リードフレーム、５２，５４  突出部、５６，６０  半田、５８  導電性バンプ、６２  付勢部材、６４  押圧部材、６６  制御ＩＣチップ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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