(57)【要約】【課題】  絶縁特性に優れたシリカ質膜の製造法とそれに用いられるコーティング組成物の提供。【解決手段】  数平均分子量が１００〜５０，０００の、パーヒドロポリシラザンまたは変性パーヒドロポリシラザンと、ケイ素原子に対するアルミニウム原子のモル比で１０ｐｐｂ以上１００ｐｐｍ以下のアルミニウム化合物とを含むコーティング組成物と、それをを基板に塗布し、水蒸気、酸素、またはそれらの混合ガスを含む雰囲気中で焼成することを特徴とするシリカ質膜の製造法。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
数平均分子量が１００〜５０，０００の、パーヒドロポリシラザンおよび変性パーヒドロポリシラザンからなる群から選択される１つ以上のポリシラザン化合物と、アルミニウム化合物と、溶媒とを含み、アルミニウム含有量が前記ポリシラザン化合物に含まれるケイ素原子に対するアルミニウム原子のモル比で１０ｐｐｂ以上１００ｐｐｍ以下であることを特徴とするコーティング組成物。
【請求項２】
変性パーヒドロポリシラザンが、パーヒドロポリシラザンをシラザン化合物、アルコールまたはアミンにより変性させたものである、請求項１に記載のコーティング組成物。
【請求項３】
前記塗布液のアルミニウム含有量が前記ポリシラザン化合物に含まれるケイ素原子に対するアルミニウム原子のモル比で１００ｐｐｂ以上１０ｐｐｍ以下である、請求項１または２に記載のコーティング組成物。
【請求項４】
数平均分子量が１００〜５０，０００の、パーヒドロポリシラザンおよび変性パーヒドロポリシラザンからなる群から選択される１つ以上のポリシラザン化合物と、アルミニウム化合物と、溶媒とを含み、アルミニウム含有量が前記ポリシラザン化合物に含まれるケイ素原子に対するアルミニウム原子のモル比で１０ｐｐｂ以上１００ｐｐｍ以下である塗布液を基板に塗布し、水蒸気、酸素、またはそれらの混合ガスを含む雰囲気中で焼成することを特徴とするシリカ質膜の製造法。
【請求項５】
酸素、または酸素と水蒸気の混合ガスを含む雰囲気下で焼成を行う、請求項４に記載のシリカ質膜の製造法。
【請求項６】
請求項４または５に記載の方法により製造されたシリカ質膜。
【請求項７】
ポリシラザン化合物とアルミニウム化合物とを含んでなる塗布液を基板に塗布し、酸化雰囲気下で焼成することによって得られたシリカ質膜であって、アルミニウム含有量がケイ素原子に対するアルミニウム原子のモル比で１０ｐｐｂ以上１００ｐｐｍ以下であることを特徴とするシリカ質膜。
【請求項８】
請求項４または５に記載の方法により製造されたシリカ質膜を基板表面の少なくとも一方に具備してなる、シリカ質膜付き基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリカ質膜の製造法に関するものである。より詳しくは、フラットバンドシフト値の小さい、絶縁特性に優れたシリカ質膜の製造法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体装置の様な電子デバイスにおいては、半導体素子、例えばトランジスタ、抵抗、およびその他、が基板上に配置されているが、これらは電気的に絶縁されている必要がある。したがって、これら素子の間には、素子を分離するための領域が必要であり、これをアイソレーション領域と呼ぶ。このようなアイソレーション領域を形成させるための材料としてシリカ質膜が一般的に使用されている。
【０００３】
シリカ質膜を製造するための方法は、種々検討されている。これらのうち、ポリシラザン薄膜を焼成することによってシリカ質膜を製造する技術が検討されている（例えば特許文献１または２）。
【０００４】
しかしながら、これらの方法で製造されたシリカ質膜は、原料のポリシラザンや溶剤に起因すると考えられる窒素、炭素、水素の残存によって、ＣＶカーブのフラットバンドシフトが高密度プラズマＣＶＤ法により形成されたシリカ質膜に比べて高く、絶縁特性に改良の余地があった。ここで、特に適用する基板の耐熱性、耐酸化性の制限により加熱温度を低く抑える必要がある場合、窒素、炭素、または水素の残存が増加する傾向にあった。
【０００５】
一方、ポリシラザン化合物に対してアルミニウム化合物を添加したり、ポリシラザン化合物の構造中にアルミニウムを組み込む技術も知られている（特許文献３および４）。しかし、これらはそれにより形成されるシリカ質膜のフラットバンドシフトについて検討されていない。
【特許文献１】特許第３５１１０２４号
【特許文献２】特許第３１７８４１２号
【特許文献３】特開平８−５９６３号明細書
【特許文献４】特開平１１−１０５１８５号明細書
【特許文献５】特開平４−６３８３３号明細書
【特許文献６】特開平９−３１３３３号明細書
【特許文献７】特開平８−１７６５１１号明細書
【特許文献８】特開平８−１７６５１２号明細書
【特許文献９】特開平５−３４５８２６号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、このような問題を解決し、フラットバンドシフト値を小さい、すなわち絶縁特性などの電気特性に優れたシリカ質膜の製造法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によるコーティング組成物は、数平均分子量が１００〜５０，０００の、パーヒドロポリシラザンおよび変性パーヒドロポリシラザンからなる群から選択される１つ以上のポリシラザン化合物と、アルミニウム化合物と、溶媒とを含み、アルミニウム含有量が前記ポリシラザン化合物に含まれるケイ素原子に対するアルミニウム原子のモル比で１０ｐｐｂ以上１００ｐｐｍ以下であること、を特徴とするものである。
【０００８】
また、本発明によるシリカ質膜の製造法は、数平均分子量が１００〜５０，０００の、パーヒドロポリシラザンおよび変性パーヒドロポリシラザンからなる群から選択される１つ以上のポリシラザン化合物と、アルミニウム化合物と、溶媒とを含み、アルミニウム含有量が前記ポリシラザン化合物に含まれるケイ素原子に対するアルミニウム原子のモル比で１０ｐｐｂ以上１００ｐｐｍ以下である塗布液を基板に塗布し、水蒸気、酸素、またはそれらの混合ガスを含む雰囲気中で焼成すること、を特徴とするものである。
【０００９】
また、本発明によるシリカ質膜は、ポリシラザン化合物とアルミニウム化合物とを含んでなる塗布液を基板に塗布し、酸化雰囲気下で焼成することによって得られたシリカ質膜であって、アルミニウム含有量がケイ素原子に対するアルミニウム原子のモル比で１０ｐｐｂ以上１００ｐｐｍ以下であること、を特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、フラットバンドシフト値の小さいシリカ質膜を製造することが可能となり、これにより電気特性に優れた半導体素子、例えば絶縁特性に優れた素子分離膜やゲート絶縁膜、を形成させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
コーティング組成物
本発明によるコーティング組成物において、パーヒドロポリシラザンまたは変性パーヒドロポリシラザンからなる群から選択される１つ以上のポリシラザン化合物は必要に応じて任意のものを用いることができる。本発明において、パーヒドロポリシラザンは以下の一般式（Ｉ）で表されるものである。
Ｈ−（ＳｉＨ２−ＮＨ）ｎ−Ｈ        （Ｉ）
ここでｎは重合度を表す数である。
【００１２】
本発明によるコーティング組成物においては、前記一般式（Ｉ）のパーヒドロポリシラザンをシラザン化合物、アルコール、またはアミンにより変性させた変性パーヒドロポリシラザンを用いることができる。本発明においては、コーティング組成物を用いて得られるシリカ質膜のフラットバンドシフトを低減させるために、パーヒドロポリシラザンを用いることが好ましい。これは水素以外の有機基を主鎖に含むような、有機基を比較的多く含むポリシラザン化合物を用いた場合には、その有機基に由来する炭素等の原子がシリカ質膜中に残存し、本発明の効果を低減させることがあるためである。
【００１３】
一方、製造時における塗布液の塗布性、保存時の安定性等の観点から、パーヒドロポリシラザンの一部を変性させた変性パーヒドロポリシラザンを用いることが好ましい場合もある。このようにパーヒドロポリシラザンを変性させる化合物としては、ヘキサメチルジシラザン、メチルアルコール、エチルアルコール、エチレンジアミンなどの化合物が挙げられる。これらを用いてパーヒドロポリシラザンの水素の一部、特に末端水素を置換させることで変性パーヒドロポリシラザンが得られる。このような変性パーヒドロポリシラザンについては、特許文献５〜９に記載されている。
【００１４】
本発明によるコーティング組成物において用いられる前記のパーヒドロポリシラザンまたは変性パーヒドロポリシラザンの重量平均分子量は、コーティング組成物の塗布性、特にスピンコーティング法により塗布をする際の塗布性の観点から１００〜５０，０００、好ましくは５００〜２０，０００、である。
【００１５】
本発明によるコーティング組成物においては、これらのポリシラザン化合物は溶媒に溶解される。このとき用いられる溶媒は活性水素を有しない不活性有機溶媒を用いることが好ましい。このような有機溶媒として、ベンセン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、トリメチルベンゼン、トリエチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、シクロヘキセン、デカヒドロナフタレン、エチルシクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｐ−メンタン、ジペンテン（リモネン）、ピネン等の脂環族炭化水素系溶媒；ｎ−ペンタン、ｉ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｉ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｉ−ヘプタン、ｎ−オクタン、ｉ−オクタン、ｎ−ノナン、ｉ−ノナン、ｎ−デカン、ｉ−デカン等の飽和炭化水素化合物、ジプロピルエーテル、ジブチエルエーテル等のエーテル系溶媒；メチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒；プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のエステル系溶媒等が挙げられる。これらのうち、後述するアルミニウム化合物を十分溶解させることのできるものが特に好ましい。
【００１６】
本発明において用いることのできるアルミニウム化合物は特に限定されないが、ポリシラザン溶液中に溶存していることが好ましい。従って、コーティング組成物に用いられる溶媒に応じて適宜選択することができる。
【００１７】
本発明に用いることができるアルミニウム化合物は、例えば下記一般式で表すことができる。
Ａｌ（Ｚ１）（Ｚ２）（Ｚ３）          （Ａ）
ここで、Ｚ１、Ｚ２、およびＺ３はそれぞれ独立に、水素、水酸基、ハロゲン原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルコキシ基、アセチルアセトネート基から選ばれる基であり、Ｚ１、Ｚ２、およびＺ３のうち２つまたは３つが環状構造を形成していてもよい。また、Ｚ１、Ｚ２、およびＺ３がケイ素を含む有機基であってもよい。
【００１８】
本発明においてアルミニウム化合物はこれらのうち、下記一般式（Ａ−１）〜（Ａ−３）で表されるものが好ましい。
Ａｌ（ＯＲ１）（ＯＲ２）（ＯＲ３）    （Ａ−１）
Ａｌ（Ｒ１）（Ｒ２）（Ｒ３）          （Ａ−２）
Ａｌ（Ｘ１）（Ｘ２）（Ｘ３）          （Ａ−３）
ここでＲ１、Ｒ２、およびＲ３はそれぞれ独立に、水素、炭素数１〜２０のアルキル基、シクロアルキル基、またはアリール基であり、Ｘ１、Ｘ２、およびＸ３はそれぞれ独立に、フッ素、塩素、またはヨウ素である。
【００１９】
より具体的には、本発明において用いられるアルミニウム化合物としては、トリメトキシアルミニウム、トリエトキシアルミニウム、トリイソプロポキシアルミニウム、トリｎ−プロポキシアルミニウム、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリイソプロピルアルミニウム、トリｎ−プロピルアルミニウム、フッ化アルミニウム、塩化アルミニウム、ヨウ化アルミニウム、トリアセチルアセトナートアルミニウム、トリエチルアセトアセテートアルミニウム、およびその他が挙げられる。また、ケイ素を含むアルミニウム化合物、例えばジ−ｓ−ブトキシアルミノキシ−トリエトキシシランなどを用いることもできる。
【００２０】
これらのアルミニウム化合物の添加量は本発明の効果を損なわない範囲であれば、特に限定されない。しかしながら、本発明の効果をより顕著に発現させるためには、ポリシラザン化合物に含まれるケイ素原子に対するアルミニウム原子のモル比で１０ｐｐｂ以上であることが好ましく、１００ｐｐｂ以上であることがより好ましい。また、耐電圧特性を良好に保つという観点から、ポリシラザン化合物に含まれるケイ素原子に対するアルミニウム原子のモル比で１００ｐｐｍ以下であることが好ましく、１０ｐｐｍ以下であることがより好ましい。なお、このようなアルミニウム化合物の添加量は、特許文献３または４に記載されているものよりも遙かに少ないものであり、そのようなごく少量のアルミニウム化合物によって、得られるシリカ質膜の特性が劇的に改良されることは驚くべきことであった。
【００２１】
本発明によるコーティング組成物において、アルミニウム化合物は任意の方法でコーティング組成物に添加することができる。具体的にはコーティング組成物に固体状のアルミニウム化合物を添加して溶解させたり、アルミニウム化合物を溶媒に溶解させてからコーティング組成物に混合することができる。アルミニウム化合物を溶媒に溶解させる場合には、前記のポリシラザン化合物を溶解する際に使用することができる溶媒を用いることができる。このとき、ポリシラザン化合物の溶解に用いる溶媒と、アルミニウム化合物の溶液を調製する際に用いる溶媒とが異なっていてもよい。アルミニウム化合物を添加するときの温度や圧力には特に制限はないが、一般に０〜２００℃、常圧〜１０ｋｇ／ｃｍ２Ｇにて添加する。
【００２２】
シリカ質膜の製造法
本発明によるシリカ質膜の製造法は、前記したコーティング組成物を基板に塗布し、焼成することによりシリカ質膜を形成させるものである。
【００２３】
用いられる基板の表面材質は特に限定されないが、例えばベアシリコン、必要に応じて熱酸化膜や窒化珪素膜を成膜したシリコンウェハー、などが挙げられる。必要に応じて、基板上にトレンチアイソレーション溝などの構造が形成されていてもよい。
【００２４】
基板表面に対するコーティング組成物の塗布方法としては、従来公知の方法、例えば、スピンコート法、ディップ法、スプレー法、転写法等が挙げられる。
【００２５】
基板表面に形成された塗布膜を、必要に応じて過剰の有機溶媒を除去（乾燥）したあと、水蒸気、酸素、またはその混合ガスを含む雰囲気中、すなわち酸化雰囲気中で焼成する。ここで、本発明の効果を損なわない範囲で、雰囲気中に窒素やヘリウムなどの不活性ガスが混在していてもよい。
【００２６】
本発明の方法においては、焼成条件はシリカ質膜中に残存する不純物元素、例えば炭素、水素、窒素などをできるだけ少なくするために、比較的強い酸化条件で行うことが好ましい。本発明においては、特に焼成を酸素を含む雰囲気下で焼成することが好ましい。ここで、酸素の含有率は体積を基準として１％以上であることが好ましく、１０％以上であることがより好ましい。
【００２７】
また、本発明の方法において、水蒸気を含む雰囲気下で焼成を行う場合には、体積を基準として０．１％以上であることが好ましく、１％以上であることがより好ましい。本発明においては、特に酸素と水蒸気とを含む混合ガス雰囲気下で焼成を行うことが好ましい。
【００２８】
焼成温度は、ポリシラザン化合物がシリカ質膜に添加し得る温度で行うことが必要である。一般的には１００〜１，２００℃、好ましくは３００〜１，０００℃、で焼成を行う。ここで、焼成温度が低いほど、従来の製造法に比べてフラットバンドシフト改良効果が顕著となる傾向がある。また、焼成温度が高いほど、フラットバンドシフトが小さい、優れた電気特性を有するシリカ質膜が得られる傾向がある。
【００２９】
焼成時間は焼成温度に応じて適切に選択することができるが、一般に５分〜１０時間である。ここで、製造における生産効率の観点から１時間以下であることが好ましい。
【００３０】
本発明による製造法によって製造されたシリカ質膜は、フラットバンドシフト値が小さい。このような特性は、形成されたシリカ質膜中にアルミニウム化合物に由来する酸化アルミニウムが均質に分散しているためと推察される。このため、本発明によるシリカ質膜は電気特性、例えば絶縁特性に優れている。
【００３１】
シリカ質膜、およびシリカ質膜付き基板
本発明によるシリカ質膜およびシリカ質膜付き基板は、例えば前記した方法により製造することができる。通常、前記シリカ質膜の製造において、原料として用いられるアルミニウム化合物中のアルミニウム原子とポリシラザン化合物中に含まれるケイ素原子の比率は、最終的に得られるシリカ質膜においても変化しない。このため、製造時に用いるアルミニウム化合物をケイ素原子に対するアルミニウム原子の比率を１０ｐｐｂ以上１００ｐｐｍ以下としておくことで、本発明のシリカ質膜を製造することができる。また、前記した方法において、例えばアルミニウム含有量の少ないシリカ質膜を形成させ、そのシリカ質膜に別の手段、例えばイオン注入など、によってアルミニウム原子を膜中に導入し、最終的なアルミニウム含有量を１０ｐｐｂ以上１００ｐｐｍ以下としてもよい。
【００３２】
これらのシリカ質膜またはシリカ質膜付き基板は、電気特性に優れ、各種の半導体素子、例えば素子分離膜、プリメタルディエレクトリック膜やインターメタルディエレクトリック膜などの層間絶縁膜、液晶等表示デバイスのゲート絶縁膜に有用なものである。
【００３３】
参考合成例１  パーヒドロポリシラザンの合成
内容積２リットルの四つ口フラスコにガス吹き込み管、メカニカルスターラー、ジュワーコンデンサーを装着した反応器を用意した。この反応器内部を乾燥窒素で置換した後、四つ口フラスコに乾燥ピリジンを１５００ｍｌ導入し、これを氷冷した。次に、ピリジンにジクロロシラン１００ｇを加えると、白色固体状のアダクト（ＳｉＨ２Ｃｌ２・２Ｃ５Ｈ５Ｎ）が生成した。この反応混合物をさらに氷冷し、撹拌しながらアンモニア７０ｇを反応混合物中に吹き込んだ。引き続いて乾燥窒素を反応混合物中に３０分間吹き込み、余剰のアンモニアを除去した。
【００３４】
得られた反応混合物をブフナーロートを用いて乾燥窒素雰囲気下で減圧濾過し、濾液１２００ｍｌを得た。この濾液からエバポレーターによりピリジンを留去して４０ｇのパーヒドロポリシラザンを得た。
【００３５】
得られたパーヒドロポリシラザンをＣＤＣｌ３を展開液としたゲル浸透クロマトグラフィーにより測定したところ、ポリスチレン換算の数平均分子量は８００であった。また、このパーヒドロポリシラザンの赤外線吸収スペクトルを測定したところ、波数（ｃｍ−１）３３５０および１１８０のＮ−Ｈ結合に基づく吸収、２１７０のＳｉ−Ｈ結合に基づく吸収、１０２０〜８２０のＳｉ−Ｎ−Ｓｉ結合に基づく吸収が観測された。
【００３６】
比較例１
参考合成例１で調製したパーヒドロポリシラザン２０ｇをモレキュラーシーブで脱水したジブチルエーテル８０ｇに溶解させ、これを濾過精度０．１μｍのアドバンテック社製ＰＴＦＥシリンジフィルターで濾過した。
【００３７】
直径８インチのｐ型シリコンウェハー上に１０ｎｍの熱酸化膜を成膜した基板を準備し、その上に前記のポリシラザン溶液をスピンコーターを用いてメインスピン１０００ｒｐｍ／２０秒の条件で塗布した。塗布後、基板をホットプレート上で１５０℃／３分間加熱して乾燥させた。引き続きこの基板を加熱して、膜厚５００ｎｍのシリカ質膜を形成させた。加熱条件は以下の通りであった。
加熱条件１：  水蒸気濃度８０体積％、酸素濃度２０体積％の雰囲気下、４００℃で１５分間加熱。
加熱条件２：  水蒸気濃度８０体積％、酸素濃度２０体積％の雰囲気下、８００℃で１５分間加熱。
加熱条件３：  水蒸気濃度８０体積％、酸素濃度２０体積％の雰囲気下、４００℃で１５分間加熱した後、さらに乾燥窒素雰囲気下８００℃で３０分間加熱。
加熱条件４：  窒素雰囲気下、４００℃で３０分間加熱。
【００３８】
得られたそれぞれの基板について、フラットバンドシフトの測定を行った。まず、それぞれの基板をエリプソメーター（Ｊ．Ａ．Ｗｏｏｌａｍ社製Ｍｏｄｅｌ−Ｍ４４）にて膜厚が５００ｎｍであることを確認し、さらに自動水銀プローブＣＶ／ＩＶ測定装置（日本エス・エス・エム株式会社製ＳＳＭ４９５型）を用いてＣＶカーブおよびそれに基づくフラットバンドシフト値を測定した。ＣＶ測定の印加電圧は−１００〜＋１００Ｖの範囲とした。
【００３９】
比較例２
高密度プラズマＣＶＤ膜について、比較例１と同様にしてフラットバンド値を測定した。
【００４０】
実施例１
トリ（イソプロポキシ）アルミニウム１ｇを脱水したジブチルエーテル１００ｇに混合してトリ（イソプロポキシ）アルミニウム溶液を得た。
【００４１】
参考合成例１で調整したパーヒドロポリシラザン２０ｇをモレキュラーシーブで脱水したジブチルエーテル８０ｇに溶解させた。この溶液に前記のトリ（イソプロポキシ）アルミニウムを含むアルミニウム化合物溶液２７ｍｇを添加し、混合溶液を濾過精度０．１μｍのアドバンテック社製ＰＴＦＥシリンジフィルターで濾過した。
【００４２】
この混合溶液を用いて、比較例１と同様にフラットバンド値を測定した。
【００４３】
実施例２
トリ（イソプロポキシ）アルミニウムをトリ（アセチルアセトナート）アルミニウムに代え、アルミニウム化合物溶液の添加量を４３ｍｇに代えた他は、実施例１と同様にフラットバンド値を測定した。
【００４４】
実施例３
トリ（イソプロポキシ）アルミニウムを（エチルアセトアセテート）ジ（イソプロポキシ）アルミニウムに代え、アルミニウム化合物溶液の添加量を３４ｍｇに代えた他は、実施例１と同様にフラットバンド値を測定した。
【００４５】
実施例４
トリ（イソプロポキシ）アルミニウムをトリ（エチルアセトアセテート）アルミニウムに代え、アルミニウム化合物溶液の添加量を５６ｍｇに代えた他は、実施例１と同様にフラットバンド値を測定した。
【００４６】
実施例５
トリ（イソプロポキシ）アルミニウムを塩化アルミニウムに代え、アルミニウム化合物溶液の添加量を１８ｍｇに代えた他は、実施例１と同様にフラットバンド値を測定した。
【００４７】
実施例６
トリ（イソプロポキシ）アルミニウムをジ−ｓ−ブトキシアルミノキシ−トリエトキシシランに代え、アルミニウム化合物溶液の添加量を４７ｍｇに代えた他は、実施例１と同様にフラットバンド値を測定した。
【００４８】
比較例３
ジブチルエーテルに溶解させるトリ（イソプロポキシ）アルミニウムの量を０．００１ｇに代えた他は、実施例１と同様にフラットバンド値を測定した。
【００４９】
比較例４
ポリシラザン溶液に添加するトリ（イソプロポキシ）アルミニウム溶液の量を２．７ｇに代えた他は、実施例１と同様にフラットバンド値を測定した。
【００５０】
実施例７
メチルアルコール１０ｇを脱水したジブチルエーテル９０ｇに混合し、よく溶解させた。この溶液を１０ｇ採取し、比較例１で調製したパーヒドロポリシラザン溶液１００ｇを撹拌しながら徐々に添加した。この混合溶液を窒素雰囲気中８０℃で１時間加熱した後、放冷した。この反応によりエチルアルコールで変性された変性パーヒドロポリシラザン溶液を得た。
【００５１】
この変性パーヒドロポリシラザン溶液を用いてた他は実施例１と同様にフラットバンド値を測定した。
【００５２】
評価結果
比較例１〜２および実施例１〜６により得られた結果は下記の示すとおりであった。
【表１】
2006054353.tif 000002
【００５３】
なお、実施例１および４において、各焼成条件で得たシリカ質膜のアルミニウム含有量を二次イオン質量分析計（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ社製６６５０型）および触針式表面形状測定器（ＳＬＤＡＮ社製ＤＥＫＴＡＫ８０００型）により測定したところ、塗布液とほぼ一致するアルミニウム含有量が測定され、コーティング組成物のアルミニウム含有量は、そのコーティング組成物を用いて製造されたシリカ質膜におけるアルミニウム含有量と一致することがわかった。また、アルミニウム含有量はシリカ質膜の厚さ方向で一定であり、シリカ質膜中にアルミニウム原子が均一に分布していることが分かった。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明による製造法は、フラットバンドシフト値が小さいシリカ質膜、すなわち絶縁特性に優れたシリカ質膜を実現するものであり、この製造法により製造されたシリカ質膜は、半導体素子、例えば素子分離膜、プリメタルディエレクトリック膜やインターメタルディエレクトリック膜などの層間絶縁膜、液晶等表示デバイスのゲート絶縁膜などに利用可能なものである。