(57)【要約】【課題】  半導体装置の製造方法に関し、半導体チップのカケ防止並びに塵埃の付着防止を行うことができるようにすることを目的とする。【解決手段】  半導体装置の製造方法は、半導体ウエハの背面に背面保護層を設け、、半導体ウエハを背面側から部分的にダイシングし、半導体ウエハを表面側からダイシングして半導体チップに個片化する構成とする。【選択図】      図２
2006054339.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハの背面に背面保護層を設け、
半導体ウェハを背面側から部分的にダイシングし、
半導体ウェハを表面側からダイシングして半導体チップに個片化する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
半導体ウェハの背面に背面保護層を設ける前に、半導体ウェハの表面に表面保護テープを貼りつけ、半導体ウェハの背面を研削することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
半導体ウェハを背面側からダイシングする場合に、半導体ウェハの表面の表面保護テープに重ねてダイシングテープを貼りつけることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の半導体チップの製造方法において、
半導体ウェハをダイシングする場合に、赤外線カメラを使用することを特徴とする請求項１に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項５】
請求項１記載の半導体チップの製造方法において、
半導体ウェハを背面側から部分的にダイシングする際に、背面保護層の切り口がＶ字型となる様にダイシングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に半導体ウェハをダイシングして半導体チップに個片化する半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置の製造においては、半導体ウェハの表面に表面保護テープを貼りつけ、半導体ウェハの背面を研削して半導体ウェハの厚さが所望の値になるように処理した後、ダイシングブレードを使用して半導体ウェハを表面保護テープと一緒にダイシングして半導体チップに個片化している（例えば、特許文献１参照）。ダイシングに際しては、半導体ウェハ裏面にダイシングテープに貼りつけ、個片化された半導体チップがバラバラにならないようにしながらダイシングする。
半導体ウェハをダイシングする場合に、個片化された半導体チップに欠けが発生したり、Ｓｉダストやダイシングテープの粘着異物などの塵埃が半導体チップの回路形成面に付着したりする問題がある。特に、半導体チップがカメラモジュール用撮像用素子として形成されたものである場合には、半導体チップ表面に受光面が形成されているため、半導体チップに欠けがあったり、塵埃が付着していると、撮像素子としての性能が悪化する。このため、半導体チップのカケ防止並びに塵埃の付着防止を行うことができるようにした半導体装置の製造方法が求められている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−４４１４４号公報（第３−４頁、第１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、半導体ウェハのダイシングによる半導体チップのカケ防止並びに塵埃の付着防止を行うことができるようにした半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明による半導体装置の製造方法は、半導体ウェハの背面に背面保護層を設け、半導体ウェハを背面側から部分的にダイシングし、次いで半導体ウェハを表面側からダイシングして半導体チップに個片化することを特徴とするものである。
【０００６】
この構成によれば、半導体ウェハの回路形成面とは反対側の背面に背面保護層を設けた状態で半導体ウェハを背面側から部分的にダイシングしておくことにより、半導体ウェハ表面からのダイシング量が少なくてすむため、Ｓｉダストの発生が少ない。また、半導体ウェハ表面に表面保護テープが貼られていない状態でダイシングするので、ダイシングテープの粘着異物などの塵埃が付着することがない。また、半導体ウェハ表面側からダイシング量が少ないため、ダイシングブレードによるチップの欠けも起こりにくい。
【発明の効果】
【０００７】
従って、本発明の半導体装置の製造方法によれば、半導体チップのカケ防止並びに塵埃の付着防止を達成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下本発明の実施例について図面を参照して説明する。図１は半導体装置（半導体チップ）を含むカメラモジュールを示す図である。カメラモジュール１０は、基板１２と、基板１２に実装されたプロセッサチップ１４と、プロセッサチップ１４を封止した樹脂からなる半導体パッケージ１６と、半導体パッケージ１６に実装された半導体チップ１８と、光学部材２０とを備える。光学部材２０はレンズ２０ａ及びフィルタ２０ｂと、これらを取り付けたホルダとからなる。
【０００９】
半導体チップ１８は、光学部材２０の光軸上に配置され、カメラモジュール用撮像用素子として形成されたものである。半導体チップ１８は、その背面が露出された状態でカメラモジュール１０に配置され、外部の背景や人物などを撮像し、信号をプロセッサチップ１４に伝達するようになっている。以下本発明をカメラモジュール用撮像用半導体素子（半導体チップ）１８を製造する場合を例として説明するが、本発明はカメラモジュール用撮像用半導体素子の製造方法に限定されるものではない。
【００１０】
図２は本発明による半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。図３及び図４は本発明による半導体装置の製造方法における工程の特徴を簡略化して示す図である。
【００１１】
図２のステップ３０において、半導体ウェハ４０に表面保護テープ４２を貼り付ける。図３（Ａ）に示されるように、半導体ウェハ４０の表面４０Ｕ側に半導体プロセスにより集積回路や電極端子等が形成されている。半導体ウェハ４０は表面４０Ｕと背面４０Ｌとを有し、図解的に記載されている電極端子４１が設けられた側を表面４０Ｕと呼ぶ。図３（Ｂ）は図２のステップ３０において半導体ウェハ４０に表面保護テープ４２を貼り付けるところを示す。
【００１２】
図２のステップ３１において、表面保護テープ４２を貼り付けた半導体ウェハ４０の背面４０Ｌの研削を行う。図３（Ｃ）は図２のステップ３１において半導体ウェハ４０の背面４０Ｌの研削を行うところを示す。背面４０Ｌの研削は回転研磨工具４４を用いて行う。あるいは、背面４０Ｌの研削はエッチングにより行うこともできる。これによって、半導体ウェハ４０の厚さが所望の値になるように処理される。
【００１３】
図２のステップ３２において、半導体ウェハ４０の背面４０Ｌに背面保護層４６を設ける。図３（Ｄ）は図２のステップ３２において半導体ウェハ４０の背面４０Ｌに背面保護層４６を設けたところを示す。背面保護層４６は絶縁性の透明な樹脂テープからなり、半導体ウェハ４０の背面４０Ｌに貼り付けられる。例えば、背面保護層４６は耐熱性及び絶縁性の優れた熱可塑性の絶縁性ポリイミドを使用するのが好ましい。
【００１４】
図２のステップ３３において、半導体ウェハ４０をマウントする。これは、図３（Ｅ）に示されるように、半導体ウェハ４０の表面４０Ｕ上の表面保護テープ４２の上にさらに表面ダイシングテープ４８を貼り付け、表面ダイシングテープ４８をダイシングフレーム（図示せず）に取り付ける
【００１５】
図２のステップ３４において、半導体ウェハ４０の背面４０Ｌをダイシングする。これは図４（Ａ）に示されるように、ダイシングブレード５０を使用して、半導体ウェハ４０を背面４０Ｌ側から部分的にダイシングする。この場合、半導体ウェハ４０の背面４０Ｌの背面保護層４６も一緒に切断される。
このときに、赤外線カメラ５２が使用される。赤外線カメラ５２が発生した赤外線は半導体ウェハ４０を透過して半導体ウェハ４０の表面４０Ｕに設けられた基準マークを読み取るのに適し、それによって、半導体ウェハ４０の背面４０Ｌを所定のダイシングラインに沿ってダイシングすることができる。図４（Ｂ）は、半導体ウェハ４０の背面４０Ｌのダイシングが終了した状態を示す。なお、切断された部分は誇張して大きく示されている。
【００１６】
図２のステップ３５において、図４（Ｃ）に示されるように、半導体ウェハ４０の背面４０Ｌに背面保護層４６に重ねて背面ダイシングテープ５４を貼り付け、背面ダイシングテープ５４をダイシングフレーム（図示せず）に取り付ける。次いで、図２のステップ３６において、半導体ウェハ４０の表面４０Ｕから表面ダイシングテープ４８及び表面保護テープ４２を剥離する。
【００１７】
図２のステップ３７において、半導体ウェハ４０の表面４０Ｕをダイシングする。これは図４（Ｄ）に示されるように、ダイシングブレード５０を使用して、半導体ウェハ４０を表面４０Ｕ側からダイシングする。この場合、すでに完了した半導体ウェハ４０の背面４０Ｌのダイシングラインと一致するように半導体ウェハ４０の表面４０Ｕのダイシングラインを形成し、ダイシングブレード５０は背面ダイシングテープ５４まで達しなくても半導体ウェハ４０を完全に分離し、半導体チップ１８に個片化することができる。背面保護層４６はすでに切断されている。また、このときに、赤外線カメラ５２あるいはその他の位置検出手段が使用されることができる。また、半導体ウェハ４０の表面４０Ｕ側よりダイシングラインを形成する場合に、界面活性剤溶液を使用する。界面活性剤溶液は洗浄効果を有し、半導体ウェハ４０の表面４０Ｕに塵埃が付着するのを防止する。界面活性剤溶液はダイシング時の冷却液に混ぜて使用することができる。
【００１８】
図２のステップ３８，３９において、半導体ウェハ４０にＵＶ照射を行い、背面ダイシングテープ５４の接着力を低下させて、個片化された半導体チップ１８を背面ダイシングテープ５４から剥離させる。図４（Ｅ）はこの状態を示している。背面保護層４６は半導体チップ１８の背面４０Ｌに付着したままである。こうして、背面保護層４６が付着している半導体チップ１８が図１のカメラモジュール１０に配置される。
【００１９】
上記構成において、半導体ウェハ４０を背面４０Ｌ側から部分的にダイシングしてあるので、半導体ウェハ４０の表面４０Ｕのダイシング量が少なくて済むため、ダイシングブレードによる欠けが生ずることがない。また、ダイシング量も少ないため、Ｓｉダストの発生が少なく、表面保護テープも貼ってない状態でダイシングするため粘着異物などの塵埃が付着したりすることなく、ダイシングを行うことができる。
また、半導体ウェハ４０を表面４０Ｕ側からダイシングする場合に、半導体ウェハ４０の背面４０Ｌのダイシングラインと一致するように半導体ウェハ４０の表面４０Ｕのダイシングラインを形成し、ダイシングブレード５０は背面ダイシングテープ５４まで達しなくても半導体ウェハ４０を完全に分離することができる。
【００２０】
図５は図３及び図４の製造方法の変化例を示す図である。図５（Ａ）は図４（Ｂ）の工程に相当する。半導体ウェハ４０の背面４０Ｌをダイシングする際に、ダイシングラインの背面保護層４６への切り口がＶ字溝となるようなダイシングブレード５０を使用する。図５（Ｂ）は図４（Ｃ）の工程に相当し、図５（Ｃ）は図４（Ｄ）の工程に相当する。半導体ウェハ４０の背面４０ＬにＶ字溝からなるダイシングラインを形成した後、前の例と同様に、半導体ウェハ４０の表面４０Ｕ側からダイシングし、半導体チップ１８に分離し、背面ダイシングテープ５４を剥離する。この場合にも、背面保護層４６は半導体チップ１８の背面４０Ｌに付着した状態で残る。背面ダイシングテープ５４を背面保護層４６から剥離するときに、ダイシングラインの背面保護層４６への切り口がＶ字溝となっていると、背面ダイシングテープ５４を背面保護層４６から剥離しやすい。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１は半導体チップを含むカメラモジュールを示す図である。
【図２】図２は本発明による半導体装置の製造方法を示すフローチャート図である。
【図３】図３は本発明による半導体装置の製造方法における工程の特徴を簡略化して示す図である。
【図４】図４は図３に続く工程の特徴を示す図である。
【図５】図５は図３及び図４の製造方法の変化例を示す図である。
【符号の説明】
【００２２】
１０    カメラモジュール
１２    基板
１４    プロセッサチップ
１６    半導体パッケージ
１８    半導体チップ
２０    光学部材
４０    半導体ウェハ
４１    電極端子
４２    表面保護テープ
４４    回転研磨工具
４６    背面保護層
４８    表面ダイシングテープ
５０    ダイシングブレード
５２    赤外線カメラ
５４    背面ダイシングテープ
【図１】
2006054339.tif 000003
【図２】
2006054339.tif 000004
【図３】
2006054339.tif 000005
【図４】
2006054339.tif 000006
【図５】
2006054339.tif 000007