(57)【要約】【課題】接続孔の側面に形成される角部の曲率半径を大きくすることができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】  酸化シリコン膜８上にマスク膜５０を形成する工程と、マスク膜５０をマスクとして酸化シリコン膜８を、フッ化水素とフッ化アンモニウムを含有するエッチング液を用いてウェットエッチングすることにより、酸化シリコン膜８に接続孔の上部９ａ，１０ａを形成する工程と、マスク膜５０をマスクとして酸化シリコン膜８をドライエッチングすることにより、酸化シリコン膜８に接続孔の残りの部分９ｂ，１０ｂを形成する工程と、マスク膜５０を除去する工程とを具備する。エッチング液中に含まれるフッ化アンモニウムの濃度が１５重量％以上２５重量％以下である。【選択図】      図１
2006332315.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化シリコン膜上にマスク膜を形成する工程と、
前記マスク膜をマスクとして前記酸化シリコン膜を、フッ化水素とフッ化アンモニウムを含有するエッチング液を用いてウェットエッチングすることにより、前記酸化シリコン膜に接続孔の上部を形成する工程と、
前記マスク膜をマスクとして前記酸化シリコン膜をドライエッチングすることにより、前記酸化シリコン膜に前記接続孔の残りの部分を形成する工程と、
前記マスク膜を除去する工程と、
を具備し、前記エッチング液中に含まれるフッ化アンモニウムの濃度が１５重量％以上２５重量％以下である半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記接続孔は、ウェットエッチングにより形成された部分の上端部の径と、ドライエッチングにより形成された部分の径との差が０．４μｍ以上０．８μｍ以下である請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記酸化シリコン膜は、ＣＶＤ法により形成された第１の層と、ＳＯＧ膜である第２の層と、ＣＶＤ法により形成された第３の層を、この順に積層した構造である請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
酸化シリコン膜上にマスク膜を形成する工程と、
前記マスク膜をマスクとして前記酸化シリコン膜を、フッ化水素とフッ化アンモニウムを含有するエッチング液を用いてウェットエッチングすることにより、前記酸化シリコン膜に接続孔を形成する工程と、
前記マスク膜を除去する工程と、
を具備し、前記エッチング液中に含まれるフッ化アンモニウムの濃度が１５重量％以上２５重量％以下である半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記エッチング液に含まれるフッ化水素の濃度は、２．５重量％以上７．５重量％以下である請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記マスク膜を除去する工程の後に、
前記接続孔中及び前記酸化シリコン膜上に、導電膜を形成する工程と、
前記導電膜をパターニングすることにより、一部が前記接続孔に埋め込まれた導電体パターンを形成する工程と、
を具備する請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
酸化シリコン膜と、
前記酸化シリコン膜に形成された接続孔と、
を具備し、前記接続孔の側壁は、少なくとも上部が傾斜しており、該傾斜面が凹んでいない半導体装置。
【請求項８】
酸化シリコン膜と、
前記酸化シリコン膜に形成された接続孔と、
を具備し、前記接続孔は、
前記酸化シリコン膜上にマスク膜を形成する工程と、
前記マスク膜をマスクとして前記酸化シリコン膜を、フッ化水素とフッ化アンモニウムを含有するエッチング液を用いてウェットエッチングすることにより、前記酸化シリコン膜に前記接続孔の上部を形成する工程と、
前記マスク膜をマスクとして前記酸化シリコン膜をドライエッチングすることにより、前記酸化シリコン膜に前記接続孔の残りの部分を形成する工程と、
前記マスク膜を除去する工程と、
によって形成され、前記エッチング液中に含まれるフッ化アンモニウムの濃度が１５重量％以上２５重量％以下である半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。特に本発明は、接続孔の側面に形成された角部の曲率半径を大きくすることができる半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図５の各図は、従来の半導体装置の製造方法を説明する為の断面図である。まず、図５（Ａ）に示すようにシリコン基板１０１にトランジスタを形成する。トランジスタは、ソース及びドレインとなる不純物領域１０７ａ，１０７ｂを有している。
【０００３】
次いで、トランジスタ上に酸化シリコン膜１０８ａをＣＶＤ法により形成する。酸化シリコン膜１０８ａの表面は、トランジスタの凹凸に起因して、凹凸が形成されている。次いで、酸化シリコン膜１０８ａ上にＳＯＧ膜１０８ｂを形成し、ＳＯＧ膜１０８ｂをエッチバックする。これにより、酸化シリコン膜１０８ａ表面の凹部には、ＳＯＧ膜１０８ｂが埋め込まれ、酸化シリコン膜の表面の平坦性が増加する。次いで、酸化シリコン膜１０８ａ上及びＳＯＧ膜１０８ｂ上に、酸化シリコン膜１０８ｃをＣＶＤ法により形成する。このようにして、酸化シリコン膜１０８ａ、ＳＯＧ膜１０８ｂ、及び酸化シリコン膜１０８ｃを積層した層間絶縁膜１０８が形成される。
【０００４】
次いで、層間絶縁膜１０８上にレジストパターン（図示せず）を形成し、このレジストパターンをマスクとして層間絶縁膜１０８をウェットエッチングする。エッチング液には、フッ化水素（以下ＨＦと記載）が７．３重量％、フッ化アンモニウム（以下ＮＨ４Ｆと記載）が３４．４重量％含まれている。このエッチングにより、層間絶縁膜１０８には接続孔１０９，１１０の上部１０９ａ，１１０ａが形成される。接続孔１０９，１１０は、それぞれ不純物領域１０７ａ，１０７ｂ上に位置している。上部１０９ａ，１１０ａそれぞれの上面は、椀の内面に近い形状をしている。
【０００５】
次いで、上記したレジストパターンをマスクとして層間絶縁膜１０８をドライエッチングする。これにより、層間絶縁膜１０８には、接続孔１０９，１１０の残りの部分である下部１０９ｂ，１１０ｂが形成される。その後、レジストパターンを除去する。
【０００６】
次いで、図５（Ｂ）に示すように、層間絶縁膜１０８上及び接続孔１０９，１１０それぞれの中に、Ａｌ合金膜をスパッタリング法により形成し、このＡｌ合金膜をパターニングする。これにより、層間絶縁膜１０８上にはＡｌ合金配線１１１ａ，１１１ｂが形成される。Ａｌ合金配線１１１ａ，１１１ｂは、それぞれ一部が接続孔１０９，１１０内に埋め込まれている。
上記した半導体装置の製造方法のうち、接続孔１０９，１１０の形成方法に関連した技術が、特許文献１に記載されている。
【特許文献１】特開２００３−２７３２１４号公報（図６及び図７）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記した技術において、接続孔の上部の側面は椀の内面に近い形状であり、層間絶縁膜の表面との境界部分、及び接続孔の下部との境界部分それぞれに、角部が生じる。この角部の曲率半径が小さいとＡｌ合金膜の被覆性が低下する。角部の曲率半径を大きくするためには、接続孔の上部を形成するときのウェットエッチング量を増加させることが有効である。
【０００８】
しかし、接続孔相互間の間隔が狭い場合にウェットエッチング量を増加させると、隣接する接続孔の上部が互いに繋がってしまい、この繋がった部分でレジストパターンが浮くことがある。この場合、接続孔の下部を形成するときのドライエッチングにおいて、レジストパターンの浮いた部分では熱が蓄積してしまい、レジストが変質してパターン形状が変化する、という課題があった。
【０００９】
また、ウェットエッチング量が多すぎる場合、層間絶縁膜の中間層であるＳＯＧ膜が露出してしまい、ＳＯＧ膜からの脱ガスによってＡｌ合金配線の形状に異常が生じることがあった。
【００１０】
このため、ウェットエッチング量を増加させずに接続孔の側面に角部の曲率半径を大きくできる技術の開発が望まれている。
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、接続孔の側面に形成された角部の曲率半径を大きくすることができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するため、本発明に係る半導体装置の製造方法は、酸化シリコン膜上にマスク膜を形成する工程と、
前記マスク膜をマスクとして前記酸化シリコン膜を、フッ化水素とフッ化アンモニウムを含有するエッチング液を用いてウェットエッチングすることにより、前記酸化シリコン膜に接続孔の上部を形成する工程と、
前記マスク膜をマスクとして前記酸化シリコン膜をドライエッチングすることにより、前記酸化シリコン膜に前記接続孔の残りの部分を形成する工程と、
前記マスク膜を除去する工程と、
を具備し、前記エッチング液中に含まれるフッ化アンモニウムの濃度が１５重量％以上２５重量％以下である。
【００１２】
本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、酸化シリコン膜上にマスク膜を形成する工程と、
前記マスク膜をマスクとして前記酸化シリコン膜を、フッ化水素とフッ化アンモニウムを含有するエッチング液を用いてウェットエッチングすることにより、前記酸化シリコン膜に接続孔を形成する工程と、
前記マスク膜を除去する工程とを具備し、前記エッチング液中に含まれるフッ化アンモニウムの濃度が１５重量％以上２５重量％以下である。
【００１３】
これらの半導体装置の製造方法によれば、前記エッチング液中に含まれるフッ化アンモニウムの濃度が１５重量％以上２５重量％以下であるため、接続孔のうちウェットエッチングで形成される部分の側面は、傾斜し、且つこの傾斜面は凹まない。従って、接続孔と酸化シリコン膜の境界部分、及び接続孔の側面において角部の曲率半径を大きくすることができる。
【００１４】
このため、ウェットエッチングによって接続孔の上部を形成する場合、ウェットエッチング時間を短くして接続孔の上端部の径を、従来と比べて小さくすることができる。例えば、ウェットエッチングにより形成された部分の上端部の径と、ドライエッチングにより形成された部分の径との差を０．４μｍ以上０．８μｍ以下にすることができる。
【００１５】
前記酸化シリコン膜は、ＣＶＤ法により形成された第１の層と、ＳＯＧ膜である第２の層と、ＣＶＤ法により形成された第３の層を、この順に積層した構造であってもよい。この場合でも、ウェットエッチングの時間を短くすることができるため、ＳＯＧ膜がウェットエッチング時に露出することを抑制できる。
【００１６】
前記エッチング液に含まれるフッ化水素の濃度は、２．５重量％以上７．５重量％以下であるのが好ましい。
前記マスク膜を除去する工程の後に、前記接続孔中及び前記酸化シリコン膜上に、導電膜を形成する工程と、前記導電膜をパターニングすることにより、一部が前記接続孔に埋め込まれた導電体パターンを形成する工程とを具備してもよい。
【００１７】
本発明に係る半導体装置は、酸化シリコン膜と、
前記酸化シリコン膜に形成された接続孔と、
を具備し、前記接続孔の側壁は、少なくとも上部が傾斜しており、該傾斜面が凹んでいない。
【００１８】
本発明に係る他の半導体装置は、酸化シリコン膜と、
前記酸化シリコン膜に形成された接続孔と、
を具備し、前記接続孔は、
前記酸化シリコン膜上にマスク膜を形成する工程と、
前記マスク膜をマスクとして前記酸化シリコン膜を、フッ化水素とフッ化アンモニウムを含有するエッチング液を用いてウェットエッチングすることにより、前記酸化シリコン膜に前記接続孔の上部を形成する工程と、
前記マスク膜をマスクとして前記酸化シリコン膜をドライエッチングすることにより、前記酸化シリコン膜に前記接続孔の残りの部分を形成する工程と、
前記マスク膜を除去する工程と、
によって形成され、前記エッチング液中に含まれるフッ化アンモニウムの濃度が１５重量％以上２５重量％以下である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図１及び図２の各図は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の断面図である。本実施形態によって製造される半導体装置は、トランジスタ及び多層配線を有する。
【００２０】
まず、図１（Ａ）に示すように、シリコン基板１に素子分離膜２を形成し、トランジスタが形成される素子領域を、他の領域から分離する。素子分離膜２は、例えばＬＯＣＯＳ酸化法により形成されるが、トレンチアイソレーション法によりシリコン基板１に埋め込まれてもよい。
【００２１】
次いで、シリコン基板１を熱酸化する。これにより、素子領域に位置するシリコン基板１にはゲート酸化膜３が形成される。次いで、ゲート酸化膜３上を含む全面上にポリシリコン膜を形成し、このポリシリコン膜をパターニングする。これにより、ゲート酸化膜３上に位置するゲート電極４、及びゲート電極４から延伸するゲート配線（図示せず）が形成される。次いで、ゲート電極４及び素子分離膜２をマスクとして、シリコン基板１に不純物を注入する。これにより、シリコン基板１には、トランジスタの低濃度不純物領域６ａ，６ｂが形成される。
【００２２】
次いで、ゲート電極４を含む全面上に、酸化シリコン膜を形成し、この酸化シリコン膜をエッチバックする。これにより、ゲート電極４の側壁はサイドウォール５で覆われる。次いで、ゲート電極４、サイドウォール５、及び素子分離膜２をマスクとして、シリコン基板１に不純物を注入する。これにより、シリコン基板１には、トランジスタのソース及びドレインとなる不純物領域７ａ，７ｂが形成される。
このようにして、シリコン基板１の素子領域にはトランジスタが形成される。
【００２３】
次いで、トランジスタ及びゲート配線を含む全面上に酸化シリコン膜８ａを、ＴＥＯＳを原料としたＣＶＤ法により形成する。酸化シリコン膜８ａの表面は、トランジスタの凹凸に起因して、凹凸が形成されている。次いで、酸化シリコン膜８ａ上にＳＯＧ膜８ｂをスピンコート法により塗布して加熱処理した後、ＳＯＧ膜８ｂをエッチバックする。これにより、酸化シリコン膜８ａ表面の凹部には、ＳＯＧ膜８ｂが埋め込まれる。これにより、酸化シリコン膜の表面の平坦性が増加する。次いで、酸化シリコン膜８ａ上及びＳＯＧ膜８ｂ上に、酸化シリコン膜８ｃを、ＴＥＯＳを原料としたＣＶＤ法により形成する。このようにして、トランジスタ上には、酸化シリコン膜８ａ、ＳＯＧ膜８ｂ、及び酸化シリコン膜８ｃを積層した層間絶縁膜８が形成される。
【００２４】
次いで、層間絶縁膜８上にフォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像する。これにより、層間絶縁膜８上にはレジストパターン５０が形成される。レジストパターン５０は、不純物領域７ａ，７ｂそれぞれの上方に、開口部５０ａ，５０ｂを有する。また、レジストパターン５０は、ゲート電極４から延伸するゲート配線上に開口部（図示せず）を有する。
【００２５】
次いで、図１（Ｂ）に示すように、レジストパターン５０をマスクとして層間絶縁膜８をウェットエッチングする。エッチング液には、ＨＦとＮＨ４Ｆが含まれる。ＮＨ４Ｆの含有量は、１５重量％以上２５重量％以下である。ＨＦの含有量は、２．５重量％以上７．５重量％以下であるのが好ましい。
【００２６】
このウェットエッチングにより、層間絶縁膜８には、接続孔の上部９ａ，１０ａが形成される。接続孔の上部９ａ，１０ａは、それぞれ不純物領域７ａ，７ｂの上方に位置している。上部９ａ，１０ａの側面は傾斜しているが、該傾斜面は凹まないか、若しくは凹んだとしてもその深さが従来と比べて浅くなる。また、層間絶縁膜８には、ゲート配線上に位置する接続孔の上部も形成されるが、この接続孔の上部の形状は、上部９ａ，１０ａと同一の形状である。
【００２７】
従って、ウェットエッチング量を増加させなくても、接続孔と層間絶縁膜８の表面との境界部分で角部の曲率半径を大きくすることができる。このようにウェットエッチング量を増加させずに済むため、層間絶縁膜８のＳＯＧ膜８ｂが露出することを抑制できる。
【００２８】
次いで、図１（Ｃ）に示すように、レジストパターン５０をマスクとして、層間絶縁膜８をドライエッチングする。これにより、層間絶縁膜８には、接続孔の下部９ｂ，１０ｂ、及びゲート配線上に位置する接続孔の下部（図示せず）が形成される。
【００２９】
このようにして、層間絶縁膜８には上部９ａ及び下部９ｂからなる接続孔９、並びに上部１０ａ及び下部１０ｂからなる接続孔１０それぞれが形成される。接続孔９，１０それぞれは、トランジスタの不純物領域７ａ，７ｂ上に位置している。上記したように、接続孔９，１０それぞれの上部９ａ，１０ａの側面は傾斜しており、該傾斜面は凹まないか、若しくは凹んだとしてもその深さが従来と比べて浅くなる。また、層間絶縁膜８にはゲート配線上に位置する接続孔（図示せず）も形成されるが、この接続孔の形状は接続孔９，１０の形状と同一である。このため、接続孔において、上部と下部の境界部分に形成された角部の曲率半径を大きくすることができる。
【００３０】
その後、図２（Ａ）に示すようにレジストパターン５０を除去する。次いで、接続孔それぞれ内及び層間絶縁膜８上に、Ａｌ合金膜をスパッタリング法により形成する。上記したように、接続孔それぞれと層間絶縁膜８の境界部分、及び接続孔それぞれの上部と下部の境界部分では、角部の曲率半径が従来と比べて大きい。このため、接続孔それぞれと層間絶縁膜８の境界部分、及び接続孔それぞれの側面それぞれにおいて、Ａｌ合金膜の被覆性が向上する。
【００３１】
次いで、Ａｌ合金膜上にフォトレジスト膜（図示せず）を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像する。これにより、Ａｌ合金膜上にはレジストパターンが形成される。次いで、このレジストパターンをマスクとしてＡｌ合金膜をエッチングする。これにより、層間絶縁膜８上にはＡｌ合金配線１１ａ，１１ｂが形成される。Ａｌ合金配線１１ａ，１１ｂは、それぞれ一部が接続孔９，１０に埋め込まれることによりトランジスタの不純物領域７ａ，７ｂに接続する。また、層間絶縁膜８には図示しないＡｌ合金配線が形成されるが、このＡｌ合金配線は、一部がゲート配線上の接続孔に埋め込まれることにより、ゲート配線に接続する。
【００３２】
上記したように、接続孔それぞれと層間絶縁膜８の境界部分、及び接続孔それぞれの側面において、Ａｌ合金膜の被覆性が向上しているため、各Ａｌ合金配線において断線又は細線化が生じることを抑制できる。
【００３３】
次いで、図２（Ｂ）に示すように、層間絶縁膜８上及びＡｌ合金配線１１ａ，１１ｂ上それぞれに、層間絶縁膜１２を形成する。層間絶縁膜１２は、酸化シリコン膜１２ａ、ＳＯＧ膜１２ｂ、及び酸化シリコン膜１２ｃをこの順に積層した構造である。酸化シリコン膜１２ａ、ＳＯＧ膜１２ｂ、及び酸化シリコン膜１２ｃそれぞれの形成方法は、層間絶縁膜８の酸化シリコン膜８ａ、ＳＯＧ膜８ｂ、及び酸化シリコン膜８ｃそれぞれの形成方法と同一である。
【００３４】
次いで、層間絶縁膜１２に接続孔１３，１４を形成する。接続孔１３，１４の上部１３ａ，１４ａ及び下部１３ｂ，１４ｂの形成方法は、それぞれ接続孔９，１０の上部９ａ，１０ａ及び下部９ｂ，１０ｂの形成方法と同一である。このため、上部１３ａ，１４ａを形成するときのウェットエッチング量を増加させなくても、接続孔１３，１４と層間絶縁膜１２の境界部分、及び接続孔１３，１４それぞれの上部と下部の境界部分における、角部の曲率半径を大きくすることができる。
【００３５】
次いで、図２（Ｃ）に示すように、層間絶縁膜１２上にＡｌ合金配線１５ａ，１５ｂを形成する。Ａｌ合金配線１５ａ，１５ｂの形成方法はＡｌ合金配線１１ａ，１１ｂの形成方法と同一である。接続孔１３，１４と層間絶縁膜１２の境界部分、及び接続孔１３，１４の上部と下部の境界部分において、角部の曲率半径が従来と比べて大きいため、Ａｌ合金配線１５ａ，１５ｂを形成するためのＡｌ合金膜の被覆性が向上する。従って、Ａｌ合金配線１５ａ，１５ｂにおいて断線又は細線化が生じることを抑制できる。
【００３６】
次に、図３の各図を用いて、エッチング液に含まれるＨＦの濃度が変化することにより接続孔の上部の断面形状が変化することを説明する。
図３（Ａ）は、エッチング液に含まれるＨＦが２．５重量％の場合における接続孔９の上部９ａの形状を説明する為の断面図であり、図３（Ｂ）は、エッチング液に含まれるＨＦが７．５重量％の場合における接続孔９の上部９ａの形状を説明する為の断面図である。なお、双方において、エッチング液に含まれるＮＨ４Ｆの濃度は２０重量％である。両図を比較して分かるように、ＨＦの含有量が増加すると、接続孔９の上部９ａの側面は、傾斜が急になる。
【００３７】
このように、エッチング液のＨＦ含有量を変化させることにより、接続孔上部の側面の傾斜を変化させることができる。例えば接続孔９の上端部と下部９ｂとの径の差を小さくしたい（例えば０．４μｍ以上０．８μｍ以下）場合は、エッチング液のＨＦ含有量を増やし、接続孔９の上部９ａの側面を急にすればよい。
【００３８】
以上、本発明の第１の実施形態によれば、層間絶縁膜８，１２に接続孔の上部をウェットエッチング法により形成する際に、エッチング液に含まれるＮＨ４Ｆの含有量を、１５重量％以上２５重量％以下にしている。このため、接続孔上部の側面は傾斜し、かつ断面の形状が上に凸となる。このため、ウェットエッチング量を増加させなくても、接続孔と層間絶縁膜の表面との境界部分、及び接続孔の上部と下部の境界部分それぞれにおいて、角部の曲率半径を従来と比べて大きくすることができる。従って、層間絶縁膜の中間層であるＳＯＧ膜が接続孔の上部で露出することが抑制され、ＳＯＧ膜からの脱ガスに起因してＡｌ合金配線の形状に異常が発生することを抑制できる。
【００３９】
また、ウェットエッチング量増加に起因して隣接する接続孔の上部が互いに繋がることが抑制されるため、接続孔相互間でレジストパターン５０が浮くことが抑制される。従って、ドライエッチング時の放熱不良に起因したレジストパターン５０の変形が抑制され、接続孔の形状不良の発生が抑制される。
【００４０】
図４の各図は、第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の断面図である。本実施形態は、接続孔の形成方法を除いて第１の実施形態と同一である。以下、第１の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
【００４１】
まず、図４（Ａ）に示すように、シリコン基板１に素子分離膜２を形成する。次いで、ゲート酸化膜３、ゲート電極４及びゲート配線（図示せず）、サイドウォール５、低濃度不純物領域６ａ，６ｂ、不純物領域７ａ，７ｂ、層間絶縁膜８、及びレジストパターン５０を形成する。これらの形成方法は第１の実施形態と同一である。
【００４２】
次いで、レジストパターン５０をマスクとして、層間絶縁膜８をウェットエッチングする。ここで用いられるエッチング液は、ＮＨ４Ｆを、１５重量％以上２５重量％以下含んでいる。また、ＨＦを５重量％以上７．５重量％以下含んでいる。
【００４３】
これにより、層間絶縁膜８には接続孔９，１０、及びゲート配線上の接続孔（図示せず）が形成される。本実施形態においても、接続孔と層間絶縁膜１２との境界部分における角部の曲率半径を大きくすることができる。また、接続孔の全体をウェットエッチングによって形成するため、接続孔の側面に角部は発生しない。なお、エッチング液中のＨＦの濃度を高くして、接続孔の側面の傾斜を急にするのが好ましい。このようにすると、接続孔の上端部の径が小さくなる。
【００４４】
次いで、図４（Ｂ）に示すようにＡｌ合金配線１１ａ，１１ｂ、及びゲート配線に接続するＡｌ合金配線（図示せず）を形成する。これらＡｌ合金配線の形成方法は第１の実施形態と同一である。接続孔と層間絶縁膜との境界部分における角部の曲率半径は、従来と比べて大きくなる。また、接続孔の側面に角部が発生することを抑制できる。このため、上記したＡｌ合金配線を形成するためのＡｌ合金膜の被覆性が向上する。従って、Ａｌ合金配線において断線又は細線化が生じることを抑制できる。
【００４５】
次いで、図４（Ｃ）に示すように、層間絶縁膜１２、接続孔１３，１４、及びＡｌ合金配線１５ａ，１５ｂを形成する。接続孔１３，１４の形成方法は本実施形態における接続孔９，１０の形成方法と同一であり、層間絶縁膜１２及びＡｌ合金配線１５ａ，１５ｂの形成方法は第１の実施形態と同一である。本実施形態においても接続孔１３，１４と層間絶縁膜１２との境界部分、及び接続孔の側面それぞれにおける角部の曲率半径が大きくなるため、Ａｌ合金配線１５ａ，１５ｂを形成するためのＡｌ合金膜の被覆性が向上する。従って、Ａｌ合金配線１５ａ，１５ｂにおいて断線又は細線化が生じることを抑制できる。
【００４６】
以上、本実施形態においても、第１の実施形態と同一の効果を得ることができる。また、従来は、ウェットエッチングの時間を短くして接続孔の上端部の径を小さくするために、接続孔の下部をドライエッチングで形成していた。しかし、本実施形態においては、エッチング液中のＨＦの濃度を高くすることにより、接続孔９，１０の上端部の径を小さくすることができる。従って、ウェットエッチングのみで接続孔を形成することができる場合が増加する。
【００４７】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】（Ａ）は第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の断面図、（Ｂ）は（Ａ）の次の工程を説明する為の断面図、（Ｃ）は（Ｂ）の次の工程を説明する為の断面図。
【図２】（Ａ）は図１（Ｃ）の次の工程を説明する為の断面図、（Ｂ）は（Ａ）の次の工程を説明する為の断面図、（Ｃ）は（Ｂ）の次の工程を説明する為の断面図。
【図３】（Ａ）はエッチング液中のＨＦが２．５重量％の場合における接続孔上部の形状を説明する為の断面図、（Ｂ）はエッチング液中のＨＦが７．５重量％の場合における接続孔上部の形状を説明する為の断面図。
【図４】（Ａ）は第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の断面図、（Ｂ）は（Ａ）の次の工程を説明する為の断面図、（Ｃ）は（Ｂ）の次の工程を説明する為の断面図。
【図５】（Ａ）は従来の半導体装置の製造方法を説明する為の断面図、（Ｂ）は（Ａ）の次の工程を説明する為の断面図。
【符号の説明】
【００４９】
１，１０１…シリコン基板、２…素子分離膜、３…ゲート酸化膜、４…ゲート電極、５…サイドウォール、６ａ，６ｂ…低濃度不純物領域、７ａ，７ｂ，１０７ａ，１０７ｂ…不純物領域、８，１２，１０８…層間絶縁膜、８ａ，８ｃ，１２ａ，１２ｃ，１０８ａ，１０８ｃ…酸化シリコン膜、８ｂ，１２ｂ，１０８ｂ…ＳＯＧ膜、９，１０，１３，１４，１０９，１１０…接続孔、９ａ，１０ａ，１３ａ，１４ａ，１０９ａ，１１０ａ…接続孔の上部、９ｂ，１０ｂ，１３ｂ，１４ｂ，１０９ｂ，１１０ｂ…接続孔の下部、１１ａ，１１ｂ，１５ａ，１５ｂ，１１１ｂ…Ａｌ合金配線、５０…レジストパターン、５０ａ，５０ｂ…開口部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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