(57)【要約】【課題】光路空間に満たされる液体を所望状態にして、露光処理及び計測処理を良好に行うことができる露光方法を提供する。【解決手段】光学系ＰＬ内における露光光ＥＬの所定の光路空間に液体ＬＱを満たす、またはその光路空間に満たされている液体ＬＱを交換する第１ステップと、光路空間に満たされた、または交換された液体ＬＱを介して所定数の基板Ｐを順次露光する第２ステップと、第２ステップ後、第１ステップからの経過時間に応じて、光路空間に満たされている液体ＬＱを交換するか否かを判断する第３ステップとを有する露光方法によって基板Ｐを露光する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と対向するように配置された第１光学素子と第２光学素子とを有する光学系を介して基板に露光光を照射して前記基板を露光する露光方法において、
前記光学系内における前記露光光の所定の光路空間に液体を満たす、あるいは前記所定の光路空間に満たされている液体を交換する第１ステップと、
前記第１ステップ後、前記光路空間に満たされた液体を介して所定数の基板を順次露光する第２ステップと、
前記第２ステップ後、前記第１ステップからの経過時間に応じて、前記光路空間に満たされている液体を交換するか否かを判断する第３ステップとを有する露光方法。
【請求項２】
前記経過時間が許容値以下である場合、前記第３ステップにおいて前記液体を交換しない請求項１記載の露光方法。
【請求項３】
前記第３ステップの後、前記光路空間に満たされた液体を介して前記基板を露光する請求項１又は２記載の露光方法。
【請求項４】
前記第３ステップの後に予定されている所定数の基板の露光に要する処理時間を考慮して、前記第３ステップにおいて液体を交換するか否かを判断する請求項１記載の露光方法。
【請求項５】
前記液体の交換後、前記基板を露光する前に、前記液体を介して露光処理に関する計測を行う請求項１〜４のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項６】
前記計測は、前記第１光学素子及び第２光学素子を含む投影光学系及び液体を介した結像特性の計測を含む請求項５記載の露光方法。
【請求項７】
前記計測結果に基づいて前記投影光学系及び液体を介した結像特性を調整する請求項６記載の露光方法。
【請求項８】
前記計測と前記露光が異なる場所で行われる請求項５〜７のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項９】
第１ステップにおいて、前記光路空間に液体の初期満たしを行い、
第３ステップで液体を交換すると判断された場合に、前記光路空間に満たされている液体を交換する第４ステップと、第４ステップ後に前記光路空間に満たされた液体を介して所定数の基板を順次露光する第５ステップと、第５ステップ後に第４ステップからの経過時間に応じて前記光路空間に満たされている液体を交換するか否かを判断する第６ステップとをさらに有する請求項１〜８のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項１０】
前記所定の光路空間は、前記第1光学素子と前記第２光学素子との間の光路空間を含む請求項１〜９のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項１１】
前記第１光学素子と前記基板との間も液体で満たされている請求項１０記載の露光方法。
【請求項１２】
前記所定の光路空間は、前記第１光学素子の光射出側の光路空間を含み、前記第１ステップが、前記基板と異なる物体と前記第１光学素子とが対向した状態で実行される請求項１〜９のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項１３】
基板と対向するように配置された第１光学素子と第２光学素子とを有する光学系を介して基板に露光光を照射して前記基板を露光する露光方法において、
前記光学系内における前記露光光の所定の光路空間に満たされている液体を所定時間間隔で交換する液体交換ステップと、
前記液体の所定時間間隔での交換後に、前記液体で満たされた前記所定の光路空間を介して露光光を照射して基板を露光する露光ステップとを含む露光方法。
【請求項１４】
前記所定の光路空間は、前記第1光学素子と前記第２光学素子との間の光路空間を含む請求項１３記載の露光方法。
【請求項１５】
前記第１光学素子と前記基板との間も液体で満たされている請求項１４記載の露光方法。
【請求項１６】
前記所定の光路空間は、前記第１光学素子の光射出側の光路空間を含み、前記液体交換ステップが、前記基板と異なる物体と前記第１光学素子とが対向した状態で実行される請求項１３記載の露光方法。
【請求項１７】
前記液体の交換は、前記光路空間に液体が満たされている状態において、前記光路空間に対する液体の供給動作と前記光路空間の液体の回収動作とを並行して行う動作を含む請求項１〜１６のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項１８】
請求項１〜請求項１７のいずれか一項記載の露光方法を用いるデバイス製造方法。
【請求項１９】
基板と対向するように配置された第１光学素子と第２光学素子とを有する光学系を介して基板に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置において、
前記光学系内における前記露光光の所定の光路空間を液体で満たすとともに前記光路空間に満たされている液体を交換する第１液浸機構と、
前記第１液浸機構を制御する制御装置とを備え、
前記制御装置は、第１液浸機構を制御して、第１の時点で、前記光路空間に液体を満たすか、あるいは前記光路空間に満たされている液体を交換した後、前記光路空間に満たされた、あるいは交換された液体を介して所定数の基板を順次露光する露光処理を実行し、
前記制御装置は、前記所定枚の基板の露光終了後、前記第１の時点からの経過時間に応じて、前記第１液浸機構を用いて前記光路空間の液体を交換するか否かを判断する露光装置。
【請求項２０】
前記第１光学素子の光射出面側に設けられ、露光処理に関する計測を行う計測器を備え、前記制御装置は、前記液体の交換後、前記基板を露光する前に、前記計測器を用いた計測を行う請求項１９記載の露光装置。
【請求項２１】
さらに、前記計測器が設けられた計測ステージと、前記基板の露光が行われる基板ステージを備える請求項２０に記載の露光装置。
【請求項２２】
前記所定の光路空間は、前記第1光学素子と前記第２光学素子との間の光路空間を含む請求項１９〜２１のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２３】
前記第１光学素子と前記基板との間の光路空間を液体で満たす第２液浸機構をさらに備える請求項２２記載の露光装置。
【請求項２４】
前記所定の光路空間は、前記第１光学素子の光射出側の光路空間を含み、前記液体の交換は、前記基板と異なる物体と前記第１光学素子とが対向した状態で実行される請求項１９〜２１のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項２５】
基板と対向するように配置された第１光学素子と第２光学素子とを有する光学系を介して基板上に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置において、
前記光学系内における前記露光光の所定の光路空間を液体で満たすとともに前記光路空間に満たされている液体を所定のタイミングで交換する第１液浸機構と、
前記露光光を照射していないときに、前記光路空間に満たされている液体を所定時間間隔で交換するように第１液浸機構を制御する制御装置とを備えた露光装置。
【請求項２６】
前記所定の光路空間は、前記第１光学素子と前記第２光学素子との間の光路空間を含む請求項２５記載の露光装置。
【請求項２７】
前記第１光学素子と前記基板との間の前記露光光の光路空間を液体で満たすための第２液浸機構を更に備えた請求項２５記載の露光装置。
【請求項２８】
前記所定の光路空間は、前記第１光学素子の光射出側の光路空間を含み、前記液体の交換は、前記基板と異なる物体と前記第１光学素子とが対向した状態で実行される請求項２５記載の露光装置。
【請求項２９】
第１光学素子と第２光学素子とを有する光学系を介して基板上に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置において、
前記光学系は、第１光学素子と第２光学素子とを有し、
前記第１光学素子と前記第２光学素子との間の露光光の光路空間を液体で満たすとともに、前記光路空間に満たされている液体を交換する第１液浸機構と、
前記第１光学素子の光射出面側に配置され、前記第１光学素子と前記第２光学素子との間の液体を介して前記露光光を受光して、露光処理に関する所定の計測を行う計測器と、
前記第１液浸機構を制御して、液体の交換動作を実行させるとともに、該液体の交換動作後、次の基板の露光開始前に、前記計測器を制御して計測を実行させる制御装置とを備えた露光装置。
【請求項３０】
前記第１液浸機構は、前記露光光の照射の停止中にのみ液体を交換する請求項２９記載の露光装置。
【請求項３１】
さらに、前記計測器が設けられた計測ステージと、前記基板の露光が行われる基板ステージを備える請求項２９又は３０に記載の露光装置。
【請求項３２】
前記第１光学素子と前記基板との間の前記露光光の光路空間を液体で満たすための第２液浸機構を更に備えた請求項２９〜３１のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項３３】
液体を介して基板上に露光光を照射して前記基板を露光する露光方法であって、
前記液体を交換することと、
前記交換した液体を介して露光処理に関する計測を行うことと、
前記計測後に、前記交換した液体を介して基板上に露光光を照射して前記基板を露光することを含む露光方法。
【請求項３４】
前記光学系及び前記液体を介して前記露光光により基板が照射され、前記光学系の像面側空間に満たされた液体が交換される請求項３３記載の露光方法。
【請求項３５】
第１及び第２光学素子並びにそれらの光学素子の間の光路空間に満たされた液体を介して前記露光光により基板が照射され、前記第１及び第２光学素子の間に光路空間に満たされた液体が交換される請求項３３記載の露光方法。
【請求項３６】
前記液体の交換が、液体の提供または交換から所定時間経過後に行われる請求項３３〜３５のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項３７】
露光光が照射されていないときに前記液体の交換が行われる請求項３３〜３５のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項３８】
液体を介して基板上に露光光を照射して前記基板を露光する露光装置であって、
前記液体を交換する液浸機構と、
前記液体の交換後に、前記液体を介して前記露光光を受光して、露光処理に関する計測を行う計測器とを備える露光装置。
【請求項３９】
さらに露光光が照射される光学系を備え、該光学系及び前記液体を介して前記露光光により基板が照射され、前記液浸機構が前記光学系の像面側空間に満たされた液体を交換する請求項３８記載の露光装置。
【請求項４０】
さらに第１及び第２光学素子を有する光学系を備え、該第１及び第２光学素子の間の光路空間に満たされた液体を介して前記露光光により基板が照射され、前記液浸機構が第１及び第２光学素子の間に光路空間に満たされた液体を交換する請求項３８記載の露光装置。
【請求項４１】
さらに、前記計測器を備える計測ステージと、計前記露光処理が行われ且つ計測ステージとは異なるステージを備える請求項３８〜４０のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項４２】
請求項１９〜請求項４１のいずれか一項記載の露光装置を用いるデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液体を介して基板を露光する露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスや液晶表示デバイス等のマイクロデバイスの製造工程の一つであるフォトリソグラフィ工程では、マスク上に形成されたパターンを感光性の基板上に投影露光する露光装置が用いられる。この露光装置は、マスクを保持して移動可能なマスクステージと、基板を保持して移動可能な基板ステージとを有し、マスクステージ及び基板ステージを逐次移動しながらマスクのパターンを投影光学系を介して基板に投影露光するものである。マイクロデバイスの製造においては、デバイスの高密度化のために、基板上に形成されるパターンの微細化が要求されている。この要求に応えるために露光装置の更なる高解像度化が望まれている。その高解像度化を実現するための手段の一つとして、下記特許文献１に開示されているような、露光光の光路空間を液体で満たし、その液体を介して基板を露光する液浸露光装置が案出されている。
【特許文献１】国際公開第９９／４９５０４号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
液浸露光装置においては、光路空間に満たされる液体を所望状態にすることが重要である。例えば液体が所望の温度を有していない場合、液体を通過する露光光の光路の状態が変動したり、あるいは液体に接触する部材が熱変形し、露光精度及び計測精度が劣化する可能性がある。また、液体が汚染した場合でも、液体を通過した露光光の基板上での光量が低下したり、あるいは液体に接触する部材が汚染し、露光精度及び計測精度が劣化する可能性がある。
【０００４】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、光路空間に満たされる液体を所望状態にして、露光処理及び計測処理を良好に行うことができる露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す各図に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。
【０００６】
本発明の第１の態様に従えば、基板と対向するように配置された第１光学素子（ＬＳ１）と第２光学素子（ＬＳ２）とを有する光学系（ＰＬ）を介して基板（Ｐ）上に露光光（ＥＬ）を照射して基板（Ｐ）を露光する露光方法において、光学系（ＰＬ）内における露光光（ＥＬ）の所定の光路空間（例えば、Ｋ１）に液体（ＬＱ）を満たす、あるいは前記光路空間（例えば、Ｋ１）に満たされている液体（ＬＱ）を交換する第１ステップと、第１ステップ後、光路空間（例えば、Ｋ１）に満たされた液体（ＬＱ）を介して所定数の基板（Ｐ）を順次露光する第２ステップと、第２ステップ後、第１ステップからの経過時間に応じて、光路空間（Ｋ１）に満たされている液体（ＬＱ）を交換するか否かを判断する第３ステップとを有する露光方法が提供される。
【０００７】
本発明の第１の態様によれば、光路空間を液体で満たしてから、あるいはｓの光路空間に満たされている液体を交換してからの経過時間に応じて、その液体を交換するか否かを判断するようにしたので、液体を所望状態にすることができ、露光処理及び計測処理を良好に行うことができる。
【０００８】
本発明の第２の態様に従えば、基板（Ｐ）と対向するように配置された第１光学素子（ＬＳ１）と第２光学素子（ＬＳ２）とを有する光学系（ＰＬ）を介して基板（Ｐ）に露光光（ＥＬ）を照射して基板（Ｐ）を露光する露光方法において、露光光（ＥＬ）を照射していないときに、光学系（ＰＬ）内における露光光（ＥＬ）の所定の光路空間（例えば、Ｋ１）に満たされている液体（ＬＱ）を所定時間間隔で交換する液体交換ステップと、前記液体の所定時間間隔での交換後に、前記液体で満たされた所定の光路空間（例えば、Ｋ１）を介して露光光（ＥＬ）を照射して基板（Ｐ）を露光する露光ステップとを含む露光方法が提供される。
【０００９】
本発明の第２の態様によれば、露光光の照射を照射していないときでも、光路空間に満たされている液体を所定時間間隔で交換することにより、液体を所望状態にすることができ、露光処理及び計測処理を良好に行うことができる。
【００１０】
本発明の第３の態様に従えば、液体（ＬＱ）を介して基板（Ｐ）に露光光（ＥＬ）を照射して前記基板（Ｐ）を露光する露光方法であって、前記液体（ＬＱ）を交換することと、前記交換した液体を介して露光処理に関する計測を行うことと、前記計測後に、前記交換した液体（ＬＱ）を介して基板（Ｐ）に露光光を照射して前記基板を露光することを含む露光方法が提供される。
【００１１】
本発明の第３の態様によれば、液体を交換し、次いで計測を行うことにより液体を所望状態にすることができるとともに、その計測の結果に基づいて基板の露光処理を実行することで、液体の交換後も基板の露光処理を高精度に実行することができる。
【００１２】
本発明の第４の態様に従えば、上記第１〜３のいずれかの態様の露光方法を用いるデバイス製造方法が提供される。
【００１３】
本発明の第４の態様によれば、基板を精度良く露光できる露光方法を用いて、所望の性能を有するデバイスを製造することができる。
【００１４】
本発明の第５の態様に従えば、基板と対向するように配置された第１光学素子（ＬＳ１）と第２光学素子（ＬＳ２）とを有する光学系（ＰＬ）を介して基板（Ｐ）に露光光（ＥＬ）を照射して基板（Ｐ）を露光する露光装置において、光学系（ＰＬ）内における露光光（ＥＬ）の所定の光路空間（例えば、Ｋ１）を液体（ＬＱ）で満たすとともに光路空間（Ｋ１）に満たされている液体（ＬＱ）を所定のタイミングで交換する第１液浸機構（例えば、１）と、前記第１液浸機構（１）を制御する制御装置（ＣＯＮＴ）とを備え、制御装置（ＣＯＮＴ）が、第１液浸機構（例えば、１）を制御して、第１の時点で、光路空間（例えば、Ｋ１）に液体（ＬＱ）を満たすか、あるいは光路空間（例えば、Ｋ１）に満たされている液体（ＬＱ）を交換した後、光路空間（例えば、Ｋ１）に満たされたまたは交換された液体（ＬＱ）を介して所定数の基板（Ｐ）を順次露光する露光処理を実行し、前記制御装置（ＣＯＮＴ）が、所定枚の基板（Ｐ）の露光終了後、第１の時点からの経過時間に応じて、第１液浸機構（１）を用いて光路空間（Ｋ１）の液体（ＬＱ）を交換するか否かを判断する露光装置（ＥＸ）が提供される。
【００１５】
本発明の第５の態様によれば、光路空間に液体を満たすか、あるいはその光路空間に満たされている液体を交換した第１の時点からの経過時間に応じて、その液体を交換するか否かを判断するようにしたので、液体を所望状態にすることができ、露光処理及び計測処理を良好に行うことができる
【００１６】
本発明の第６の態様に従えば、基板と対向するように配置された第１光学素子（ＬＳ１）と第２光学素子（ＬＳ２）とを有する光学系（ＰＬ）を介して基板（Ｐ）に露光光（ＥＬ）を照射して基板（Ｐ）を露光する露光装置において、光学系（ＰＬ）内における露光光（ＥＬ）の所定の光路空間（例えば、Ｋ１）を液体（ＬＱ）で満たすとともに光路空間（例えば、Ｋ１）に満たされている液体（ＬＱ）を所定のタイミングで交換する第１液浸機構（例えば、１）と、露光光（ＥＬ）を照射していないときに、光路空間（例えば、Ｋ１）に満たされている液体（ＬＱ）を所定時間間隔で交換するように第１液浸機構（例えば、１）を制御する制御装置（ＣＯＮＴ）とを備えた露光装置（ＥＸ）が提供される。
【００１７】
本発明の第６の態様によれば、露光光を照射していないときでも、光路空間に満たされている液体を所定時間間隔で交換することにより、液体を所望状態にすることができ、露光処理及び計測処理を良好に行うことができる。
【００１８】
本発明の第７の態様に従えば、第１光学素子（ＬＳ１）と第２光学素子（ＬＳ２）とを有する光学系（ＰＬ）を介して基板（Ｐ）に露光光（ＥＬ）を照射して基板（Ｐ）を露光する露光装置において、光学系（ＰＬ）は、第１光学素子（ＬＳ１）と第２光学素子（ＬＳ２）とを有し、第１光学素子（ＬＳ１）と第２光学素子（ＬＳ２）との間の露光光（ＥＬ）の光路空間（Ｋ１）を液体（ＬＱ）で満たすとともに、光路空間（Ｋ１）に満たされている液体（ＬＱ）を交換する第１液浸機構（１）と、第１光学素子（ＬＳ１）の光射出面側に配置され、第１光学素子（ＬＳ１）と第２光学素子（ＬＳ２）との間の液体（ＬＱ）を介して露光光（ＥＬ）を受光して、露光処理に関する所定の計測を行う計測器（例えば１６０など）と、第１液浸機構（１）を制御して液体（ＬＱ）の交換動作を実行させるともに、該液体（ＬＱ）の交換動作後、次の基板（Ｐ）の露光開始前に、計測器（例えば１６０）を制御して計測を実行させる制御装置（ＣＯＮＴ）とを備えた露光装置（ＥＸ）が提供される。
【００１９】
本発明の第７の態様によれば、第１液浸機構により第１光学素子と第２光学素子との間の液体の交換を実行しても、交換後の液体を通過した露光光の状態を把握することができる。また、計測器の計測結果に基づいて、その後に行われる基板の露光処理を高精度に実行することができる。
【００２０】
本発明の第８の態様に従えば、液体（ＬＱ）を介して基板（Ｐ）に露光光（ＥＬ）を照射して前記基板（Ｐ）を露光する露光装置であって、前記液体（ＬＱ）を交換する液浸機構（１または２）と、前記液体の交換後に、前記液体（ＬＱ）を介して前記露光光（ＥＬ）を受光して、露光処理に関する計測を行う計測器（例えば１６０）とを備える露光装置（ＥＸ）が提供される。
【００２１】
本発明の第８の態様によれば、液浸機構により液体を交換し、次いで計測器により計測を行うことにより液体を所望状態にすることができる。また、その計測結果に基づいて、その後に行われる基板の露光処理を高精度に実行することができる。
【００２２】
本発明の第９の態様に従えば、上記第５〜８のいずれかの態様の露光装置（ＥＸ）を用いるデバイス製造方法が提供される。
【００２３】
本発明の第９の態様によれば、基板を精度良く露光できる露光装置を用いて、所望の性能を有するデバイスを製造することができる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、光路空間に満たされる液体を所望状態にして露光処理及び計測処理を良好に行うことができる。また、所望の性能を有するデバイスを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。
【００２６】
＜第１実施形態＞
図１は露光装置ＥＸの一実施形態を示す概略構成図、図２は図１の要部を拡大した図である。図１及び図２において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージＭＳＴと、基板Ｐを保持する基板ホルダＰＨと、基板Ｐを保持した基板ホルダＰＨを移動可能な基板ステージＳＴ１と、露光処理に関する計測を行う計測器を搭載して移動可能な計測ステージＳＴ２と、マスクステージＭＳＴ上のマスクＭを露光光ＥＬで照明する照明光学系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターン像を基板ステージＳＴ１上の基板Ｐに投影露光する投影光学系ＰＬと、露光装置ＥＸ全体の動作を統括制御する制御装置ＣＯＮＴとを備えている。制御装置ＣＯＮＴには、露光処理に関する情報を表示する表示装置ＤＹと、時間の計測を行うタイマーＴＭとが接続されている。基板ステージＳＴ１及び計測ステージＳＴ２のそれぞれは、投影光学系ＰＬの像面側で、ベース部材ＢＰ上において互いに独立して移動可能となっている。また、露光装置ＥＸは、基板ホルダＰＨに対して基板Ｐを搬送する搬送装置Ｈを備えている。
【００２７】
本実施形態の露光装置ＥＸは、露光波長を実質的に短くして解像度を向上するとともに焦点深度を実質的に広くするために液浸法を適用した液浸露光装置であって、投影光学系ＰＬを構成する複数の光学素子ＬＳ１〜ＬＳ７のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い第１光学素子ＬＳ１と、第１光学素子ＬＳ１に次いで投影光学系ＰＬの像面に近い第２光学素子ＬＳ２との間の露光光ＥＬの光路空間Ｋ１を液体ＬＱで満たすための第１液浸機構１と、第１光学素子ＬＳ１とその像面側に配置された物体（基板Ｐ、基板ステージＳＴ１、及び計測ステージＳＴ２の少なくとも一部）との間の露光光ＥＬの光路空間Ｋ２を液体ＬＱで満たすための第２液浸機構２とを備えている。第２光学素子ＬＳ２は第１光学素子ＬＳ１の上方（＋Ｚ側）に配置されており、第１光学素子ＬＳ１の上面は、第２光学素子ＬＳ２の下面と対向するように配置されている。第１液浸機構１及び第２液浸機構２の動作は制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
【００２８】
ここで、以下の説明においては、第１光学素子ＬＳ１に対して投影光学系ＰＬの物体面側の光路空間であって、第１光学素子ＬＳ１と第２光学素子ＬＳ２との間の光路空間Ｋ１を適宜、「物体面側空間Ｋ１」と称し、第１光学素子ＬＳ１に対して投影光学系ＰＬの像面側の光路空間であって、第１光学素子ＬＳ１とその像面側に配置された物体（基板Ｐ、基板ステージＳＴ１、及び計測ステージＳＴ２の少なくとも一部）との間の光路空間Ｋ２を適宜、「像面側空間Ｋ２」と称する。本実施形態においては、物体面側空間Ｋ１と像面側空間Ｋ２とは独立した空間であって、物体面側空間Ｋ１及び像面側空間Ｋ２の一方から他方への液体ＬＱの出入りは生じないようになっている。
【００２９】
そして、露光装置ＥＸは、投影光学系ＰＬ、物体面側空間Ｋ１を満たす液体ＬＱ、及び像面側空間Ｋ２を満たす液体ＬＱを介して、マスクＭを通過した露光光ＥＬを基板Ｐに照射することによってマスクＭのパターンを基板Ｐに投影露光する。
【００３０】
第１液浸機構１は、物体面側空間Ｋ１近傍に設けられ、液体ＬＱを供給する供給口１２を有する供給部材１５と、供給管１３、供給流路１４、及び供給部材１５に設けられた供給口１２を介して物体面側空間Ｋ１に液体ＬＱを供給する第１液体供給装置１１と、物体面側空間Ｋ１近傍に設けられ、液体ＬＱを回収する回収口２２を有する回収部材２５と、回収部材２５に設けられた回収口２２、回収流路２４、及び回収管２３を介して物体面側空間Ｋ１の液体ＬＱを回収する第１液体回収装置２１とを備えている。
【００３１】
第２液浸機構２は、像面側空間Ｋ２近傍に設けられ、液体ＬＱを供給する供給口３２及び液体ＬＱを回収する回収口４２を有するノズル部材７０と、供給管３３、及びノズル部材７０に設けられた供給口３２を介して像面側空間Ｋ２に液体ＬＱを供給する第２液体供給装置３１と、ノズル部材７０に設けられた回収口４２、及び回収管４３を介して像面側空間Ｋ２の液体ＬＱを回収する第２液体回収装置４１とを備えている。ノズル部材７０は、投影光学系ＰＬの像面側近傍を囲むように環状に形成されている。
【００３２】
露光装置ＥＸは、少なくともマスクＭのパターン像を基板Ｐ上に転写している間、第１液浸機構１を使って、物体面側空間Ｋ１を液体ＬＱで満たして液浸領域ＬＲ１を形成するとともに、第２液浸機構２を使って、像面側空間Ｋ２を液体ＬＱで満たして液浸領域ＬＲ２を形成する。以下の説明においては、第１光学素子ＬＳ１と第２光学素子ＬＳ２との間の物体面側空間Ｋ１に満たされた液体ＬＱによって形成される液浸領域ＬＲ１を適宜、「物体面側液浸領域ＬＲ１」と称し、第１光学素子ＬＳ１とその像面側に配置された物体（基板Ｐ、基板ステージＳＴ１、及び計測ステージＳＴ２の少なくとも一部）との間の像面側空間Ｋ２に満たされた液体ＬＱによって形成される液浸領域ＬＲ２を適宜、「像面側液浸領域ＬＲ２」と称する。
【００３３】
なお、以下の説明においては、像面側液浸領域ＬＲ２は、基板Ｐ上の一部に形成されるものとして説明する場合があるが、上述のように、像面側液浸領域ＬＲ２は、投影光学系ＰＬの像面側において、第１光学素子ＬＳ１と対向する位置に配置された物体上、すなわち、基板Ｐ、基板ステージＳＴ１の上面Ｆ１、及び計測ステージＳＴ２の上面Ｆ２の少なくとも一部に形成される。
【００３４】
本実施形態においては、露光装置ＥＸは、第２液浸機構２を使って、投影光学系ＰＬの投影領域ＡＲ２を含む基板Ｐ上の一部に、投影領域ＡＲ２よりも大きく且つ基板Ｐよりも小さい像面側液浸領域ＬＲ２を局所的に形成する局所液浸方式を採用している。また、本実施形態においては、露光装置ＥＸは、第１液浸機構１を使って、第１光学素子ＬＳ１の上面のうち露光光ＥＬが通過する所定領域ＡＲ１を含む一部の領域のみに物体面側液浸領域ＬＲ１を局所的に形成する。
【００３５】
本実施形態では、露光装置ＥＸとしてマスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつマスクＭに形成されたパターンを基板Ｐに露光する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）を使用する場合を例にして説明する。以下の説明において、水平面内においてマスクＭと基板Ｐとの同期移動方向（走査方向）をＹ軸方向、水平面内においてＹ軸方向と直交する方向（非走査方向）をＸ軸方向、Ｘ軸及びＹ軸方向に垂直で投影光学系ＰＬの光軸ＡＸと一致する方向をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。なお、本実施形態において、用語「基板」は半導体ウエハ上に感光材（レジスト）を塗布したもの、あるいは感光材の上に、反射防止膜、或いは保護膜などの各種膜を塗布したものを含み、用語「マスク」は基板上に縮小投影されるデバイスパターンを形成されたレチクルを含む。
【００３６】
照明光学系ＩＬは、露光光ＥＬを射出する露光用光源、露光用光源から射出された露光光ＥＬの照度を均一化するオプティカルインテグレータ、オプティカルインテグレータからの露光光ＥＬを集光するコンデンサレンズ、リレーレンズ系、及び露光光ＥＬによるマスクＭ上の照明領域を設定する視野絞り等を有している。マスクＭ上の所定の照明領域は照明光学系ＩＬにより均一な照度分布の露光光ＥＬで照明される。露光用光源から射出される露光光ＥＬとしては、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）や、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＦ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）などが用いられる。本実施形態においてはＡｒＦエキシマレーザ光が用いられる。
【００３７】
本実施形態においては、第１液体供給装置１１及び第２液体供給装置３１のそれぞれから供給される液体ＬＱとして純水が用いられる。すなわち、本実施形態においては、物体面側空間Ｋ１を満たす液体ＬＱと像面側空間Ｋ２を満たす液体ＬＱとは同一の液体である。純水はＡｒＦエキシマレーザ光のみならず、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）も透過可能である。
【００３８】
マスクステージＭＳＴは、マスクＭを保持して移動可能である。マスクステージＭＳＴは、例えば真空吸着によりマスクＭを保持する。マスクステージＭＳＴは、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに垂直な平面内、すなわちＸＹ平面内で２次元移動可能及びθＺ方向に微小回転可能である。マスクステージＭＳＴはリニアモータ等を含んで構成されるマスクステージ駆動装置ＭＤにより駆動される。マスクステージ駆動装置ＭＤは制御装置ＣＯＮＴにより制御される。マスクステージＭＳＴ上には移動鏡５１が設けられている。また、移動鏡５１に対向する位置にはレーザ干渉計５２が設けられている。マスクステージＭＳＴ上のマスクＭの２次元方向の位置、及びθＺ方向の回転角（場合によってはθＸ、θＹ方向の回転角も含む）はレーザ干渉計５２によりリアルタイムで計測される。レーザ干渉計５２の計測結果は制御装置ＣＯＮＴに出力される。制御装置ＣＯＮＴはレーザ干渉計５２の計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置ＭＤを駆動することでマスクステージＭＳＴに保持されているマスクＭの位置制御を行う。
【００３９】
投影光学系ＰＬは、マスクＭのパターンを所定の投影倍率βで基板Ｐに投影露光するものであって、複数の光学素子ＬＳ１〜ＬＳ７で構成されており、これら複数の光学素子ＬＳ１〜ＬＳ７は鏡筒ＰＫで支持されている。本実施形態において、投影光学系ＰＬは、投影倍率βが例えば１／４、１／５、あるいは１／８の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。また投影光学系ＰＬは、反射素子と屈折素子を含む反射屈折系であってもよいし、反射素子を含まない屈折系であってもよい。照明光学系ＩＬより射出された露光光ＥＬは、投影光学系ＰＬに物体面側より入射し、複数の光学素子ＬＳ７〜ＬＳ１を通過した後、投影光学系ＰＬの像面側より射出され、基板Ｐ上に到達する。具体的には、露光光ＥＬは、複数の光学素子ＬＳ７〜ＬＳ３のそれぞれを通過した後、第２光学素子ＬＳ２の上面の所定領域を通過し、第２光学素子ＬＳ２の下面の所定領域を通過した後、物体面側空間Ｋ１に満たされている液体ＬＱに入射する。物体面側空間Ｋ１の液体ＬＱを通過した露光光ＥＬは、第１光学素子ＬＳ１の上面の所定領域ＡＲ１を通過した後、第１光学素子ＬＳ１の下面の所定領域を通過し、像面側空間Ｋ２に満たされている液体ＬＱに入射した後、基板Ｐ上に到達する。
【００４０】
第１光学素子ＬＳ１及び第２光学素子ＬＳ２は、鏡筒ＰＫによって、露光光ＥＬの光路に対してほぼ静止した状態で保持されている。また、本実施形態においては、第１光学素子ＬＳ１は、基板Ｐと対向するように、鏡筒ＰＫに対して容易に取り付け・外し可能に保持されている。すなわち、第１光学素子ＬＳ１は交換可能に設けられている。したがって、第１光学素子ＬＳ１が汚染された場合には、清浄な第１光学素子ＬＳ１と交換することで、第１光学素子ＬＳ１の汚染に起因して第１光学素子ＬＳ１を介して行われる露光や計測の精度の劣化を防止できる。
【００４１】
本実施形態においては、第１光学素子ＬＳ１は露光光ＥＬを透過可能な無屈折力の平行平面板であって、第１光学素子ＬＳ１の下面と上面とはほぼ平行である。一方、第２光学素子ＬＳ２は屈折力（レンズ作用）を有している。第２光学素子ＬＳ２の上面は、物体面側（マスクＭ側）に向かって凸状に形成されており、正の屈折率を有している。これにより、第２光学素子ＬＳ２の上面に入射する光（露光光ＥＬ）の反射損失が低減されており、ひいては大きい像側開口数が確保されている。また、屈折率（レンズ作用）を有する第２光学素子ＬＳ２は、良好に位置決めされた状態で鏡筒ＰＫに保持されている。第２光学素子ＬＳ２の下面は平面状に形成されており、鏡筒ＰＫに保持された第２光学素子ＬＳ２の下面と、鏡筒ＰＫに保持された第１光学素子ＬＳ１の上面とはほぼ平行となっている。なお、第１光学素子ＬＳ１が屈折力を有していてもよい。
【００４２】
投影光学系ＰＬには、例えば特開昭６０−７８４５４号公報、特開平１１−１９５６０２号公報、国際公開第０３／６５４２８号パンフレット等に開示されているような、投影光学系ＰＬの結像特性を調整可能な結像特性調整装置ＬＣが設けられている。結像特性調整装置ＬＣは、投影光学系ＰＬを構成する複数の光学素子の一部を移動可能な光学素子駆動機構を含んで構成されている。光学素子駆動機構は、投影光学系ＰＬを構成する複数の光学素子のうち特定の光学素子を光軸ＡＸ方向（Ｚ軸方向）に移動したり、光軸ＡＸに対して傾斜させることができる。結像特性調整装置ＬＣは、投影光学系ＰＬを構成する複数の光学素子のうち特定の光学素子を駆動することで、投影光学系ＰＬの各種収差（投影倍率、ディストーション、球面収差等）及び像面位置（焦点位置）等を含む結像特性を調整することができる。また、結像特性調整装置ＬＣとして、鏡筒ＰＫの内部に保持されている一部の光学素子どうしの間の空間の気体の圧力を調整する圧力調整機構を含んで構成されていてもよい。結像特性調整装置ＬＣは、制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
【００４３】
基板ステージＳＴ１は、基板Ｐを保持する基板ホルダＰＨを投影光学系ＰＬの像面側において移動可能である。基板ステージＳＴ１は、基板ホルダＰＨを支持した状態で、ベース部材ＢＰ上に移動可能に設けられている。基板ステージＳＴ１は基板ステージ駆動装置ＳＤ１により駆動される。基板ステージ駆動装置ＳＤ１は制御装置ＣＯＮＴにより制御される。基板ステージ駆動装置ＳＤ１は、例えばリニアモータ等を含んで構成され、基板ステージＳＴ１をＸ軸方向、Ｙ軸方向、及びθＺ方向に移動するＸＹ駆動装置と、例えばボイスコイルモータ等を含んで構成され、基板ステージＳＴ１をＺ軸方向、θＸ方向、及びθＹ方向に移動するＺ駆動装置とを備えている。基板ステージＳＴ１の駆動により、基板ホルダＰＨに保持された基板Ｐの表面は、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６自由度の方向に移動可能である。基板ホルダＰＨの側面には移動鏡５３が設けられている。また、移動鏡５３に対向する位置にはレーザ干渉計５４が設けられている。基板ホルダＰＨ上の基板Ｐの２次元方向の位置、及び回転角はレーザ干渉計５４によりリアルタイムで計測される。また、露光装置ＥＸは、基板ホルダＰＨに支持されている基板Ｐの表面の面位置情報を検出する斜入射方式のフォーカス・レベリング検出系（不図示）を備えている。フォーカス・レベリング検出系は、基板ホルダＰＨに保持された基板Ｐの表面に検出光を照射する投射部と、検出光に対して所定の位置関係で配置され、基板Ｐの表面で反射した検出光の反射光を受光する受光部とを有し、受光部の検出結果に基づいて、基板Ｐの表面の面位置情報（Ｚ軸方向の位置情報、及びθＸ及びθＹ方向の傾斜情報）を検出する。レーザ干渉計５４の計測結果は制御装置ＣＯＮＴに出力される。フォーカス・レベリング検出系の検出結果も制御装置ＣＯＮＴに出力される。制御装置ＣＯＮＴは、フォーカス・レベリング検出系の検出結果に基づいて、基板ステージ駆動装置ＳＤ１を駆動し、基板Ｐのフォーカス位置（Ｚ位置）及び傾斜角（θＸ、θＹ）を制御して基板Ｐの表面と投影光学系ＰＬの像面との位置関係を制御するとともに、レーザ干渉計５３の計測結果に基づいて、基板ＰのＸ軸方向、Ｙ軸方向、及びθＺ方向における位置制御を行う。
【００４４】
計測ステージＳＴ２は、露光処理に関する計測を行う各種計測器（計測部材を含む）を搭載しており、投影光学系ＰＬの像面側において、ベース部材ＢＰ上で移動可能に設けられている。計測ステージＳＴ２上の計測器（計測部材を含む）は、投影光学系ＰＬと計測ステージＳＴ２とを対向させたとき、第１光学素子ＬＳ１の光射出面側（像面側）に配置される。計測ステージＳＴ２は計測ステージ駆動装置ＳＤ２により駆動される。計測ステージ駆動装置ＳＤ２は制御装置ＣＯＮＴにより制御される。計測ステージ駆動装置ＳＤ２は基板ステージ駆動装置ＳＤ１と同等の構成を有し、計測ステージＳＴ２は、計測ステージ駆動装置ＳＤ２によって、基板ステージＳＴ１と同様に、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸方向、θＸ、θＹ、及びθＺ方向のそれぞれに移動可能である。また、計測ステージＳＴ２の側面には移動鏡５５が設けられており、移動鏡５５に対向する位置にはレーザ干渉計５６が設けられている。計測ステージＳＴ２の２次元方向の位置、及び回転角はレーザ干渉計５６によりリアルタイムで計測され、制御装置ＣＯＮＴはレーザ干渉計５６の計測結果に基づいて、計測ステージＳＴ２の位置を制御する。
【００４５】
そして、制御装置ＣＯＮＴは、ステージ駆動装置ＳＤ１、ＳＤ２のそれぞれを介して、基板ステージＳＴ１及び計測ステージＳＴ２のそれぞれをベース部材ＢＰ上で互いに独立して移動可能である。
【００４６】
マスクステージＭＳＴの近傍には、投影光学系ＰＬを介してマスクＭ上のアライメントマークと、計測ステージＳＴ２上に設けられた基準マーク板上の基準マーク（第１基準マーク）とを同時に観察するための露光波長の光を用いたＴＴＲ方式のアライメント系からなるマスクアライメント系ＲＡが設けられている。マスクアライメント系ＲＡは、マスクＭ上のアライメントマークと、それに対応する基準マーク板上の第１基準マークとを同時に観察する。本実施形態のマスクアライメント系ＲＡでは、例えば特開平７−１７６４６８号公報に開示されているような、マークに対して光を照射し、ＣＣＤカメラ等で撮像したマークの画像データを画像処理してマーク位置を検出するＶＲＡ（ビジュアル・レチクル・アライメント）方式が採用されている。本実施形態においては、マスクアライメント系ＲＡは、投影光学系ＰＬ及び液体ＬＱを介して、基板マーク板上の基準マーク（第１基準マーク）を検出する。
【００４７】
投影光学系ＰＬの先端近傍には、基板Ｐ上のアライメントマークや、計測ステージＳＴ２上に設けられた基準マーク板上の基準マーク（第２基準マーク）などを検出するオフアクシス方式のアライメント系ＡＬＧが設けられている。本実施形態のアライメント系ＡＬＧでは、例えば特開平４−６５６０３号公報に開示されているように、基板Ｐ上の感光材を感光させないブロードバンドな検出光を対象マークに照射し、その対象マークからの反射光により受光面に結像された対象マークの像と不図示の指標（アライメント系ＡＬＧ内に設けられた指標板上の指標パターン）の像とを撮像素子（ＣＣＤ等）を用いて撮像し、それらの撮像信号を画像処理することでマークの位置を計測するＦＩＡ（フィールド・イメージ・アライメント）方式が採用されている。本実施形態においては、アライメント系ＡＬＧは、液体ＬＱを介さずに、基板Ｐ上のアライメントマークや基準マーク板上の基準マーク（第２基準マーク）を検出することができる。
【００４８】
次に、第１液浸機構１について図２及び図３を参照しながら説明する。図３は第１光学素子ＬＳ１を上面側から見た図である。
【００４９】
第１液浸機構１の第１液体供給装置１１は、第１光学素子ＬＳ１と第２光学素子ＬＳ２との間の物体面側空間Ｋ１を液体ＬＱで満たすために液体ＬＱを供給するものであって、液体ＬＱを収容するタンク、加圧ポンプ、供給する液体ＬＱの温度を調整する温度調整装置、供給する液体ＬＱ中の気体成分を低減するための脱気装置、及び液体ＬＱ中の異物を取り除くフィルタユニット等を備えている。図２には一例として脱気装置１８が示されている。第１液体供給装置１１には供給管１３の一端部が接続されており、供給管１３の他端部は供給流路１４を介して供給部材１５に接続されている。第１液体供給装置１１の液体供給動作は制御装置ＣＯＮＴにより制御される。なお、第１液体供給装置１１のタンク、加圧ポンプ、温度調整装置、脱気装置、フィルタユニット等は、その全てを露光装置ＥＸが備えている必要はなく、露光装置ＥＸが設置される工場等の設備を代用してもよい。
【００５０】
第１液浸機構１の第１液体回収装置２１は、物体面側空間Ｋ１に満たされている液体ＬＱを回収するためのものであって、真空ポンプ等の真空系（吸引装置）、回収された液体ＬＱと気体とを分離する気液分離器、及び回収した液体ＬＱを収容するタンク等を備えている。第１液体回収装置２１には回収管２３の一端部が接続されており、回収管２３の他端部は回収流路２４を介して回収部材２５に接続されている。第１液体回収装置２１の液体回収動作は制御装置ＣＯＮＴにより制御される。なお、第１液体回収装置２１の真空系、気液分離器、タンク等は、その全てを露光装置ＥＸが備えている必要はなく、露光装置ＥＸが設置される工場等の設備を代用してもよい。
【００５１】
供給管１３の他端部は、鏡筒ＰＫの内部に形成された供給流路１４の一端部に接続されている。一方、鏡筒ＰＫの供給流路１４の他端部は、鏡筒ＰＫの内側（内部空間）に配置された供給部材１５に接続されている。鏡筒ＰＫの内側に配置された供給部材１５は、物体面側空間Ｋ１に対して液体ＬＱを供給する供給口１２を有している。供給部材１５の内部には、液体ＬＱが流れる供給流路１６が形成されている。
【００５２】
なお、供給流路１４は、必ずしも鏡筒ＰＫの内部に形成する必要はなく、鏡筒ＰＫの内部空間と外部空間とに連通した孔部を鏡筒ＰＫに設け、供給流路１４を成す管部材を鏡筒ＰＫの孔部に配置して、供給管１３と供給部材１５とに接続してもよい。
【００５３】
また、回収管２３の他端部は、鏡筒ＰＫの内部に形成された回収流路２４の一端部に接続されている。一方、鏡筒ＰＫの回収流路２４の他端部は、鏡筒ＰＫの内側（内部空間）に配置された回収部材２５に接続されている。鏡筒ＰＫの内側に配置された回収部材２５は、物体面側空間Ｋ１の液体ＬＱを回収する回収口２２を有している。回収部材２５の内部には、液体ＬＱが流れる回収流路２６が形成されている。
【００５４】
なお、回収流路２４は、必ずしも鏡筒ＰＫの内部に形成する必要はなく、鏡筒ＰＫの内部空間と外部空間とに連通した孔部を鏡筒ＰＫに設け、回収流路２４を成す管部材を鏡筒ＰＫの孔部に配置して、回収管２３と回収部材２５とに接続してもよい。
【００５５】
供給部材１５は水平方向に直線的に延びる管状部材によって構成されている。本実施形態においては、供給部材１５は、物体面側空間Ｋ１の＋Ｘ側に配置され、Ｘ軸方向に沿って延びるように設けられている。そして、供給部材１５の内部に形成されている供給流路１６の一端部が鏡筒ＰＫの内部に形成されている供給流路１４の他端部に接続されており、供給流路１６の他端部が供給口１２に接続されている。供給口１２は−Ｘ側に向くように形成されており、液体ＬＱを第１光学素子ＬＳ１の上面と略平行すなわちＸＹ平面と略平行に（横方向に）供給する。
【００５６】
供給部材１５の一部は、第１光学素子ＬＳ１の上面と第２光学素子ＬＳ２の下面との間に設けられている。第１光学素子ＬＳ１の上面と第２光学素子ＬＳ２の下面との間には１〜５ｍｍ（本実施形態では１ｍｍ）の間隙が形成されており、供給部材１５の一部は、第１光学素子ＬＳ１及び第２光学素子ＬＳ２のそれぞれに対して非接触状態となるように、鏡筒ＰＫあるいは所定の支持機構に支持されている。供給部材１５を、第１光学素子ＬＳ１、第２光学素子ＬＳ２のそれぞれに対して非接触状態にすることで、第１光学素子ＬＳ１及び第２光学素子ＬＳ２の形状変化を抑制することができ、投影光学系ＰＬの高い結像性能を維持することが可能となる。また、供給部材１５は、露光光ＥＬの照射を妨げない位置、すなわち露光光ＥＬが通過する所定領域ＡＲ１の外側に設けられている。
【００５７】
回収部材２５は、直線部２５Ａと、その直線部２５Ａに接続する環状部２５Ｂとを備えている。直線部２５Ａは水平方向に延びるように設けられ、本実施形態においては、物体面側空間Ｋ１に関して−Ｘ側に配置され、Ｘ軸方向に沿って延びるように設けられている。環状部２５Ｂは、第１光学素子ＬＳ１の上面のエッジ部よりも小さく形成されており、その−Ｘ側の一部が直線部２５Ａと接続されている。一方、環状部２５Ｂの＋Ｘ側の一部は開口しており、その開口部２５Ｋに供給部材１５が配置されている。
【００５８】
回収部材２５の内部には、回収部材２５の形状に応じた回収流路２６が形成されている。回収部材２５のうち直線部２５Ａの内部に形成された回収流路２６の一端部が、鏡筒ＰＫの内部に形成されている回収流路２４の他端部に接続されている。また、回収部材２５の環状部２５Ｂの内部には、物体面側空間Ｋ１を囲むように環状の回収流路２６が形成されている。そして、直線部２５Ａの内部に形成された回収流路２６の他端部が、環状部２５Ｂの内部に形成された環状の回収流路２６の一部に接続されている。
【００５９】
回収口２２は、環状部２５Ｂのうち物体面側空間Ｋ１を向く内側面に形成されている。回収口２２は、物体面側空間Ｋ１の液体ＬＱを回収するためのものであって、第１光学素子ＬＳ１の上面に形成される物体面側液浸領域ＬＲ１を囲むように、環状部２５Ｂの内側面に複数設けられている。環状部２５Ｂの内側面に設けられている複数の回収口２２のそれぞれは、環状部２５Ｂの内部に形成された回収流路２６に接続されている。
【００６０】
また、回収部材２５（環状部２５Ｂ）は、露光光ＥＬの照射を妨げない位置、すなわち露光光ＥＬが通過する所定領域ＡＲ１を囲むように設けられている。
【００６１】
回収部材２５の一部は、第１光学素子ＬＳ１の上面と第２光学素子ＬＳ２の下面との間に設けられている。すなわち、回収部材２５は、第１光学素子ＬＳ１及び第２光学素子ＬＳ２のそれぞれに対して非接触状態となるように、鏡筒ＰＫあるいは所定の支持機構に支持されている。これにより、第１光学素子ＬＳ１及び第２光学素子ＬＳ２の形状変化を抑制することができ、投影光学系ＰＬの高い結像性能を維持することが可能となる。
【００６２】
物体面側液浸領域ＬＲ１を形成するために、物体面側空間Ｋ１に液体ＬＱを供給する際、制御装置ＣＯＮＴは、第１液体供給装置１１を駆動する。制御装置ＣＯＮＴの制御のもとで第１液体供給装置１１から液体ＬＱが送出されると、その第１液体供給装置１１から送出された液体ＬＱは、供給管１３、鏡筒ＰＫの内部に形成された供給流路１４、供給部材１５、及び供給口１２を介して物体面側空間Ｋ１に供給される。供給口１２より供給された液体ＬＱは、第１光学素子ＬＳ１の上面のうち、露光光ＥＬが通過する所定領域ＡＲ１よりも大きく、且つその上面よりも小さい一部の領域に、物体面側液浸領域ＬＲ１を局所的に形成する。第１光学素子ＬＳ１と第２光学素子ＬＳ２との間に供給された液体ＬＱは、表面張力によって、第１光学素子ＬＳ１の上面と第２光学素子ＬＳ２の下面との間に保持される。物体面側空間Ｋ１に満たされた液体ＬＱは、第１光学素子ＬＳ１の上面の一部の領域に接触するとともに、第２光学素子ＬＳ２の下面のほぼ全域に接触する。本実施形態においては、第２光学素子ＬＳ２の下面の外径は、第１光学素子ＬＳ１の上面の外径よりも小さいので、第１光学素子ＬＳ１と第２光学素子ＬＳ２との間に満たされた液体ＬＱは、第１光学素子ＬＳ１の上面よりも小さい物体面側液浸領域ＬＲ１を、第２光学素子ＬＳ２の下面の下に形成することができる。
【００６３】
物体面側空間Ｋ１の液体ＬＱを回収するとき、制御装置ＣＯＮＴは、第１液浸機構１の第１液体回収装置２１を駆動する。真空系を有する第１液体回収装置２１の駆動により、物体面側空間Ｋ１の液体ＬＱは、回収口２２を介して回収部材２５のうち環状部２５Ｂの内部に形成された回収流路２６に流入する。回収口２２は物体面側空間Ｋ１を囲むように配置されているため、物体面側空間Ｋ１の液体ＬＱは、その周囲より回収口２２を介して回収される。そして、環状部２５Ｂの内部に形成された回収流路２６に流入した液体ＬＱは、直線部２５Ａの内部に形成された回収流路２６で集合した後、鏡筒ＰＫの内部に形成された回収流路２４に流入する。回収流路２４を流れた液体ＬＱは、回収管２３を介して第２液体回収装置２１に吸引回収される。
【００６４】
次に、第２液浸機構２について説明する。第２液浸機構２の第２液体供給装置３１は、第１光学素子ＬＳ１の光射出側の像面側空間Ｋ２を液体ＬＱで満たすために液体ＬＱを供給するものであって、第１液体供給装置１１とほぼ同等の構成を有している。すなわち、第２液体供給装置３１は、液体ＬＱを収容するタンク、加圧ポンプ、供給する液体ＬＱの温度を調整する温度調整装置、供給する液体ＬＱ中の気体成分を低減するための脱気装置、及び液体ＬＱ中の異物を取り除くフィルタユニット等を備えている。図２には一例として脱気装置３８が示されている。第２液体供給装置３１には供給管３３の一端部が接続されており、供給管３３の他端部はノズル部材７０に接続されている。第２液体供給装置３１の液体供給動作は制御装置ＣＯＮＴにより制御される。なお、第２液体供給装置３１のタンク、加圧ポンプ、温度調整装置、脱気装置、フィルタユニット等は、その全てを露光装置ＥＸが備えている必要はなく、露光装置ＥＸが設置される工場等の設備を代用してもよい。
【００６５】
第２液浸機構２の第２液体回収装置４１は、像面側空間Ｋ２に満たされている液体ＬＱを回収するためのものであって、第１液体回収装置２１とほぼ同等の構成を有している。すなわち、第２液体回収装置４１は、真空ポンプ等の真空系、回収された液体ＬＱと気体とを分離する気液分離器、及び回収した液体ＬＱを収容するタンク等を備えている。第２液体回収装置４１には回収管４３の一端部が接続されており、回収管４３の他端部はノズル部材７０に接続されている。第２液体回収装置４１の液体回収動作は制御装置ＣＯＮＴにより制御される。なお、第２液体回収装置４１の真空系、気液分離器、タンク等は、その全てを露光装置ＥＸが備えている必要はなく、露光装置ＥＸが設置される工場等の設備を代用してもよい。
【００６６】
像面側空間Ｋ２に液体ＬＱを供給する供給口３２、及び像面側空間Ｋ２の液体ＬＱを回収する回収口４２はノズル部材７０の下面に形成されている。ノズル部材７０の下面は、基板Ｐの表面、基板ステージＳＴ１の上面Ｆ１、及び計測ステージＳＴ２の上面Ｆ２の少なくとも一部と対向する位置に設けられている。ノズル部材７０は、投影光学系ＰＬの像面側近傍の鏡筒ＰＫの側面を囲むように設けられた環状部材であって、供給口３２は、ノズル部材７０の下面において、像面側空間Ｋ２を囲むように複数設けられている。また、回収口４２は、ノズル部材７０の下面において、像面側空間Ｋ２に対して供給口３２よりも外側に設けられており、像面側空間Ｋ２及び供給口３２を囲むように環状に設けられている。また、本実施形態の回収口４２には多孔部材が設けられている。多孔部材は、例えばセラミックス製の多孔体やチタン製の板状メッシュによって構成されている。
【００６７】
そして、制御装置ＣＯＮＴは、第２液浸機構２の第２液体供給装置３１より液体ＬＱを所定量供給するとともに、第２液浸機構２の第２液体回収装置４１を使って液体ＬＱを所定量回収することで、像面側空間Ｋ２を液体ＬＱで満たし、投影光学系ＰＬと対向する位置に配置された物体上、すなわち、基板Ｐ、基板ステージＳＴ１、計測ステージＳＴ２の少なくとも一部の上面に、液体ＬＱの像面側液浸領域ＬＲ２を局所的に形成する。像面側液浸領域ＬＲ２を形成する際、制御装置ＣＯＮＴは、第２液浸機構２の第２液体供給装置３１及び第２液体回収装置４１のそれぞれを駆動する。制御装置ＣＯＮＴの制御のもとで第２液体供給装置３１から液体ＬＱが送出されると、その第２液体供給装置３１から送出された液体ＬＱは、供給管３３を流れた後、ノズル部材７０の内部に形成された供給流路を介して、供給口３２より像面側空間Ｋ２に供給される。また、制御装置ＣＯＮＴのもとで第２液体回収装置４１が駆動されると、像面側空間Ｋ２の液体ＬＱは回収口４２を介してノズル部材７０の内部に形成された回収流路に流入し、回収管４３を流れた後、第２液体回収装置４１に回収される。
【００６８】
そして、第１液浸機構１及び第２液浸機構２を使って、物体面側空間Ｋ１及び像面側空間Ｋ２のそれぞれを液体ＬＱで満たすことで、第２光学素子ＬＳ２の下面や第１光学素子ＬＳ１の上面での反射損失が低減され、大きな像側開口数を確保した状態で、基板Ｐを良好に露光することができる。
【００６９】
なお、第１液体供給装置１１の脱気装置１８は、例えば国際公開第２００４／０５３９５０号パンフレットに開示されているように、中空糸膜を用いた脱気装置などを用いることができる。本実施形態においては、第１液体供給装置１１は、脱気装置１８を使って、物体面側空間Ｋ１に供給する液体ＬＱの溶存気体濃度（例えば、溶存酸素濃度）を５ｐｐｍ以下にする。
【００７０】
第２液体供給装置３１に設けられている脱気装置３８も第１液体供給装置１１の脱気装置１８とほぼ同等の構成を有しており、第２液体供給装置３１も、脱気装置３８を使って、像面側空間Ｋ２に供給する液体ＬＱの溶存気体濃度（例えば、溶存酸素濃度）を５ｐｐｍ以下にする。
【００７１】
次に、図４及び図５を参照しながら基板ホルダＰＨについて説明する。図４は基板ホルダＰＨの側断面図、図５は基板ホルダＰＨ（基板ステージＳＴ１）及び計測ステージＳＴ２を上方から見た平面図である。
【００７２】
図４において、基板ホルダＰＨは、基材ＰＨＢと、基材ＰＨＢに形成され、基板Ｐを脱着可能に吸着保持する第１保持部ＰＨ１と、基材ＰＨＢに形成され、第１保持部ＰＨ１に保持された基板Ｐの周囲にプレート部材Ｔを吸着保持する第２保持部ＰＨ２とを備えている。プレート部材Ｔは、基材ＰＨＢとは別の部材であって、基板ホルダＰＨの基材ＰＨＢに対して脱着（交換）可能に設けられている。また、図５に示すように、プレート部材Ｔの中央部には、基板Ｐを配置可能な略円形状の穴部ＴＨが形成されている。そして、第２保持部ＰＨ２に保持されたプレート部材Ｔは、第１保持部ＰＨ１に保持された基板Ｐの周囲を囲むように配置される。第１保持部ＰＨ１に保持された基板Ｐの外側のエッジ（側面）Ｐｃと、その基板Ｐの外側に配置され、第２保持部ＰＨ２に保持されたプレート部材Ｔの内側（穴部ＴＨ側）のエッジ（内側面）Ｔｃとの間には、０．１〜１．０ｍｍ程度のギャップＡが形成される。また、プレート部材Ｔの外形は平面視矩形状に形成されており、本実施形態においては、基材ＰＨＢの外形とほぼ同じ大きさに形成されている。
【００７３】
図６には、第１、第２保持部ＰＨ１、ＰＨ２のそれぞれより基板Ｐ及びプレート部材Ｔを外した状態が示されている。
【００７４】
プレート部材Ｔは、液体ＬＱに対して撥液性を有している。具体的には、プレート部材Ｔの上面Ｔａに液体ＬＱを配置した場合の液体ＬＱの接触角は、９０°以上である。プレート部材Ｔは、例えばポリ四フッ化エチレン（テフロン（登録商標））等のフッ素系樹脂やアクリル系樹脂等の撥液性を有する材料によって形成されている。なお、プレート部材Ｔを金属等で形成し、その表面にフッ素系樹脂などの撥液性材料を被覆するようにしてもよい。
【００７５】
図４において、プレート部材Ｔの上面Ｔａ及び下面Ｔｂのそれぞれはほぼ平坦面（平坦部）となっている。そして、第２保持部ＰＨ２に保持されたプレート部材Ｔの上面Ｔａと、第１保持部ＰＨ１に保持された基板Ｐの上面Ｐａとはほぼ面一となる。これにより、第２液浸機構２による液体ＬＱの供給及び回収を行いつつ投影光学系ＰＬに対して基板ホルダＰＨ（基板ステージＳＴ１）をＸＹ方向に移動することで、投影光学系ＰＬの像面側空間Ｋ２を液体ＬＱで満たしつつ、基板Ｐの上面Ｐａとプレート部材Ｔの上面Ｔａとの間で像面側液浸領域ＬＲ２を円滑に移動することができる。なお、投影光学系ＰＬの像面側空間Ｋ２を液体ＬＱで満たし続けることができるならば、第１保持部ＰＨ１に保持された基板Ｐの上面Ｐａと第２保持部ＰＨ２に保持されたプレート部材Ｔの上面Ｔａとの間に段差があっても構わない。
【００７６】
図４、図５、及び図６において、基板ホルダＰＨの第１保持部ＰＨ１は、基材ＰＨＢ上に形成された複数の第１凸部８０と、複数の第１凸部８０の周囲を囲むように基材ＰＨＢ上に形成された環状の第１周壁部８１とを備えている。第１凸部８０は、基板Ｐの下面Ｐｂを支持する。第１周壁部８１は基板Ｐの形状に応じて平面視略円環状に形成されており、その第１周壁部８１の上面８１Ａは基板Ｐの下面Ｐｂの周縁領域（エッジ領域）に対向するように形成されている。第１保持部ＰＨ１に保持された基板Ｐの下面Ｐｂ側には、基材ＰＨＢと第１周壁部８１と基板Ｐの下面Ｐｂとで囲まれた第１空間Ｖ１が形成される。
【００７７】
第１周壁部８１の内側の基材ＰＨＢ上には第１吸引口８３が形成されている。第１吸引口８３は基板Ｐを吸着保持するためのものであって、第１周壁部８１の内側において基材ＰＨＢの上面のうち第１凸部８０以外の複数の所定位置にそれぞれ設けられている。第１吸引口８３のそれぞれは、不図示の第１真空系に接続されている。制御装置ＣＯＮＴは、第１真空系を駆動し、基材ＰＨＢと第１周壁部８１と基板Ｐとで囲まれた第１空間Ｖ１内部のガス（空気）を吸引してこの第１空間Ｖ１を負圧にすることによって、第１凸部８０に基板Ｐを吸着保持し、第１真空系の吸引動作を解除することで、第１保持部ＰＨ１から基板Ｐを外すことができる。本実施形態における第１保持部ＰＨ１は所謂ピンチャック機構を構成している。
【００７８】
第１周壁部８１の外側には、第２周壁部８４が設けられている。本実施形態における第２周壁部８４の上面８４Ａの幅は大きく（幅広に）形成されている。また、第２周壁部８４の周方向における複数の所定位置のそれぞれにはスリット部８５が設けられている。
【００７９】
基板ホルダＰＨの第２保持部ＰＨ２は、第２周壁部８４を囲むように基材ＰＨＢ上に形成された略円環状の第３周壁部８６と、第３周壁部８６の外側に設けられ、第３周壁部８６を囲むように基材ＰＨＢ上に形成された環状（枠状）の第４周壁部８７と、第３周壁部８６と第４周壁部８７との間の基材ＰＨＢ上に形成された複数の第２凸部８８とを備えている。第２凸部８８は、プレート部材Ｔの下面Ｔｂを支持する。第３周壁部８６は、プレート部材Ｔの穴部ＴＨの形状に応じて平面視略円環状に形成されている。第４周壁部８７は、プレート部材Ｔの外形に応じて、平面視略矩形環状に形成されている。第３周壁部８６の上面８６Ａは、プレート部材Ｔの下面Ｔｂのうち、穴部ＴＨ近傍の内縁領域（内側のエッジ領域）に対向するように形成されている。第４周壁部８７の上面８７Ａは、プレート部材Ｔの下面Ｔｂのうち、外縁領域（外側のエッジ領域）に対向するように形成されている。第２保持部ＰＨ２に保持されたプレート部材Ｔの下面Ｔｂ側には、基材ＰＨＢと第３、第４周壁部８６、８７とプレート部材Ｔの下面Ｔｂとで囲まれた第２空間Ｖ２が形成される。
【００８０】
第３周壁部８６と第４周壁部８７との間における基材ＰＨＢ上には第２吸引口８９が形成されている。第２吸引口８９はプレート部材Ｔを吸着保持するためのものであって、第３周壁部８６と第４周壁部８７との間において基材ＰＨＢの上面のうち第２凸部８８以外の複数の所定位置にそれぞれ設けられている。第２吸引口８９のそれぞれは、不図示の第２真空系に接続されている。制御装置ＣＯＮＴは、第２真空系を駆動し、基材ＰＨＢと第３、第４周壁部８６、８７とプレート部材Ｔとで囲まれた第２空間Ｖ２内部のガス（空気）を吸引してこの第２空間Ｖ２を負圧にすることによって、第２凸部８８にプレート部材Ｔを吸着保持し、第２真空系の吸引動作を解除することで、第２保持部ＰＨ２からプレート部材Ｔを外すことができる。本実施形態においては、第２保持部ＰＨ２も所謂ピンチャック機構を構成している。
【００８１】
図７はギャップＡ近傍を示す図である。本実施形態においては、ギャップＡは０．１〜１．０ｍｍ程度に設定されており、ギャップＡを介して基板ホルダＰＨの内部に液体ＬＱが浸入することを抑制しているが、図７に示すように、ギャップＡ上に像面側液浸領域ＬＲ２が形成された場合などにおいて、ギャップＡを介して基板ホルダＰＨの内部に液体ＬＱが浸入する可能性がある。本実施形態においては、露光装置ＥＸは、ギャップＡを介して浸入した液体ＬＱを回収する液体回収機構９０を備えている。
【００８２】
液体回収機構９０は、第１周壁部８１と第２周壁部８４との間に設けられた第１回収口９１と、第１回収口９１に流路９３を介して接続された真空系を含む第１吸引装置９２と、第２周壁部８４と第３周壁部８６との間に設けられた第２回収口９４と、第２回収口９４に流路９６を介して接続された真空系を含む第２吸引装置９５とを備えている。第１回収口９１は、第１周壁部８１の外側面と第２周壁部８４の内側面との間における基材ＰＨＢの上面に設けられている。第２回収口９４は、第２周壁部８４の外側面と第３周壁部８６の内側面との間における基材ＰＨＢの上面に設けられている。
【００８３】
第１吸引装置９２と、第１空間Ｖ１を負圧にするための第１真空系とは互いに独立しているとともに、第２吸引装置９５と、第２空間Ｖ２を負圧にするための第２真空系とは互いに独立している。制御装置ＣＯＮＴは、第１、第２吸引装置９２、９５、及び第１、第２真空系それぞれの動作を個別に制御可能であり、第１、第２吸引装置９２、９５による吸引動作と、第１、第２真空系による吸引動作とをそれぞれ独立して行うことができる。
【００８４】
図７に示すように、第１保持部ＰＨ１に保持された基板Ｐの下面Ｐｂと第２周壁部８４の上面８４Ａの一部の領域とが対向するとともに、第２保持部ＰＨ２に保持されたプレート部材Ｔの下面Ｔｂと第２周壁部８４の上面８４Ａの他の領域とが対向するようになっている。すなわち、基板Ｐとプレート部材Ｔとの間に形成されるギャップＡの直下に、第２周壁部８４の上面８４Ａが配置される。また、基板Ｐの下面Ｐｂと第２周壁部８４の上面８４Ａとの間には所定のギャップＣが形成されるとともに、プレート部材Ｔの下面Ｔｂと第２周壁部８４の上面８４Ａとの間には所定のギャップＧが形成される。
【００８５】
ギャップＣは、基材ＰＨＢと第１周壁部８１と第２周壁部８４と基板Ｐの下面Ｐｂとによって形成された第３空間９７と、その第３空間９７の外側の空間とを流通する流路を形成している。
【００８６】
ギャップＧは、基材ＰＨＢと第２周壁部８４と第３周壁部８６とプレート部材Ｔの下面Ｔｂとによって形成された第４空間９８と、その第４空間９８の外側の空間とを流通する流路を形成している。
【００８７】
図６に示すように、第１回収口９１は、第１周壁部８１の外側であって、第１周壁部８１に沿った複数の所定位置のそれぞれに設けられている。本実施形態においては、第１回収口８１のそれぞれは平面視ほぼ円形状であり、基材ＰＨＢの上面において、第１周壁部８１の周方向に沿って６箇所に所定間隔で設けられている。そして、第２周壁部８４のスリット部８５のそれぞれが、互いに隣り合う第１回収口９１どうしの間に設けられている。
【００８８】
第２回収口９４は、第２周壁部８４の外側であって、第２周壁部８４に沿った複数の所定位置のそれぞれに設けられている。本実施形態においては、第２回収口９４のそれぞれは平面視ほぼ円形状であり、基材ＰＨＢの上面において、第２周壁部８４の周方向に沿って６箇所に所定間隔で設けられている。そして、第２回収口９４のそれぞれは、互いに隣り合う第２周壁部８４のスリット部８５どうしの間に設けられている。
【００８９】
ギャップＡを介して第３空間９７及び第４空間９８の少なくとも一方に浸入した液体ＬＱは、第１吸引装置９２及び第２吸引装置９５の少なくとも一方を駆動することによって回収することができる。
【００９０】
例えば、第１吸引装置９２が駆動されることにより、第１回収口９１の近傍（第３空間９７）には、第１、第２周壁部８１、８４に沿って第１回収口９１に向かう気体の流れが生成されるので、この気体の流れによって、第３空間９７に浸入した液体ＬＱを、第１回収口９１まで移動し、第１回収口９１を介して回収することができる。
【００９１】
また、ギャップＣにも第３空間９７の外側から内側に向かう気体の流れが生成されるので、ギャップＣに留まっている液体ＬＱは、その気体の流れによって、第３空間９７に引き込まれ、第１回収口９１まで円滑に移動して回収される。
【００９２】
また、第２吸引装置９５が駆動されることにより、第２回収口９４の近傍（第４空間９８）には、第２、第３周壁部８４、８６に沿って第２回収口９４に向かう気体の流れが生成されるので、この気体の流れによって、第４空間９８に浸入した液体ＬＱを、第２回収口９４まで移動し、第２回収口９４を介して回収することができる。
【００９３】
また、ギャップＧにも第３空間９８の外側から内側に向かう気体の流れが生成されるので、ギャップＧに留まっている液体ＬＱは、その気体の流れによって、第４空間９８に引き込まれ、第２回収口９４まで円滑に移動して回収される。
【００９４】
また、第１周壁部８１と第２周壁部８４とのギャップＢを、例えば０．５〜１．５ｍｍ程度に設定しておくことにより、溝状の第３空間９７において、第１回収口９１に向かう気体の流れの流速を高めることができる。同様に、第２周壁部８４と第３周壁部８６とのギャップＪを、例えば０．５〜１．５ｍｍ程度に設定しておくことにより、溝状の第４空間９８において、第２回収口９４に向かう気体の流れを高めることができる。
【００９５】
本実施形態においては、第１回収口９１及び第２回収口９４を使った液体ＬＱの回収動作は、基板Ｐの露光中には停止され、基板Ｐの露光を行っていないときに実行される。制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｐの露光終了後、ギャップＡから浸入した液体ＬＱを回収するとき、第１吸引装置９２及び第２吸引装置９５のそれぞれを駆動し、第１回収口９１を用いた液体ＬＱの回収動作と、第２回収口９４を用いた液体ＬＱの回収動作とを並行して行うことができる。
【００９６】
なお、本実施形態においては、ギャップＧへの液体ＬＱの吸引力が、ギャップＣへの液体ＬＱの吸引力よりも大きくなるようにギャップＣ、ギャップＧ、第１回収口９１を介した吸引力、及び第２回収口９４を介した吸引力が設定されている。したがって、ギャップＡから浸入した液体ＬＱをプレート部材Ｔの下面Ｔｂ側に円滑に引き込むことができるので、ギャップＡから浸入した液体ＬＱが基板Ｐの下面Ｐｂ側に回り込む不都合を防止することができる。
【００９７】
また、液体回収機構９０はギャップＡに浸入した液体ＬＱを回収するのみならず、例えば像面側液浸領域ＬＲ２の液体ＬＱを全て回収するときに、ギャップＡ上に形成されている像面側液浸領域ＬＲ２の液体ＬＱを、ギャップＡを介して積極的に回収することもできる。また、像面側液浸領域ＬＲ２の液体ＬＱを全て回収したいときには、制御装置ＣＯＮＴは、第２液浸機構２の第２液体回収装置４１を用いた回収動作と、液体回収機構９０を用いた回収動作とを併用することができる。
【００９８】
次に、計測ステージＳＴ２について図５及び図８を参照しながら説明する。図８は計測ステージＳＴ２の一部を模式的に示した断面図である。上述のように、計測ステージＳＴ２には、露光処理に関する計測を行うための各種計測器（計測部材を含む）が搭載されている。計測ステージＳＴ２に搭載されている計測器としては、例えば特開平５−２１３１４号公報などに開示されているような、複数の基準マークが形成された基準マーク板、例えば特開昭５７−１１７２３８号公報に開示されているように照度ムラを計測したり、特開２００１−２６７２３９号公報に開示されているように投影光学系ＰＬの露光光ＥＬの透過率の変動量を計測するためのムラセンサ、特開２００２−１４００５号公報や特開２００２−１９８３０３号公報に開示されているような空間像計測センサ、及び特開平１１−１６８１６号公報に開示されているような照射量センサ（照度センサ）が挙げられる。あるいは、計測ステージＳＴ２に搭載される計測器としては、国際公開第９９／６０３６１号パンフレット（対応ＵＳ出願第０９／７１４，１８３号）、特開２００２−７１５１４号、ＵＳ特許第６６５０３９９号などに開示されている波面収差計測器や、特開昭６２−１８３５２２号公報などに開示されている反射部等も挙げられる。このように、計測ステージＳＴ２は露光処理に関する計測処理を行うための専用のステージであって、基板Ｐを保持しない構成となっており、基板ステージＳＴ１は、露光処理に関する計測を行う計測器を搭載されていない構成となっている。なお、このような計測ステージを備えた露光装置については、例えば特開平１１−１３５４００号公報や特開２０００−１６４５０４号公報等により詳細に開示されている。
【００９９】
また、計測ステージＳＴ２には、上述の計測器を全て搭載する必要はなく、必要に応じて一部の計測器を搭載するようにしてもよい。更に、露光装置ＥＸに必要な計測器の一部を計測ステージＳＴ２に搭載し、残りの一部を基板ステージＳＴ１に搭載するようにしてもよい
【０１００】
また、本実施形態において、計測ステージＳＴ２には、物体面側液浸領域ＬＲ１及び像面側液浸領域ＬＲ２のそれぞれの状態を観察可能な観察装置１００が設けられている。観察装置１００は計測ステージＳＴ２の内部に設けられている。
【０１０１】
図８に示すように、計測ステージＳＴ２上には開口部１０４Ｋが形成されており、その開口部１０４Ｋには、透明部材１０４が配置されている。透明部材１０４は例えばガラス板によって構成されている。透明部材１０４の上面は平坦面である。
【０１０２】
計測ステージＳＴ２には、開口部１０４Ｋに接続する内部空間１０６が形成されている。そして、計測ステージＳＴ２の内部空間１０６に観察装置１００が配置されている。観察装置１００は、透明部材１０４の下側に配置された光学系１０１と、ＣＣＤ等によって構成されている撮像素子１０３とを備えている。撮像素子１０３は、第１液浸領域ＬＲ１及び第２液浸領域ＬＲ２を形成する液体ＬＱの光学像（画像）を透明部材１０４及び光学系１０１を介して取得可能である。撮像素子１０３は取得した画像を電気信号に変換し、その信号（画像情報）を制御装置ＣＯＮＴに出力する。また、観察装置１００は、光学系１０１の焦点位置を調整可能な調整機構１０２を有している。また、観察装置１００は、物体面側液浸領域ＬＲ１及び像面側液浸領域ＬＲ２の全体を観察可能な視野を有している。
【０１０３】
なお観察装置１００の全部が計測ステージＳＴ２の内部に配置されていてもよいが、例えば光学系１０１を構成する複数の光学素子のうち一部の光学素子や撮像素子１０３等が計測ステージＳＴ２の外側に配置されていてもよい。また、調整機構１０２が省略された構成であってもよい。
【０１０４】
また、図５に示すように、計測ステージＳＴ２上には、上述の基準マーク板ＦＭが配置されている。基準マーク板ＦＭには、アライメント系ＲＡで検出される基準マーク（第１基準マーク）ＦＭ１とアライメント系ＡＬＧで検出される基準マーク（第２基準マーク）ＦＭ２とが所定の位置関係で形成されている。基準マーク板ＦＭは、投影光学系ＰＬを介して形成されるマスクＭのパターン像に対する基板Ｐのアライメント位置を規定するとともに、パターン像の投影位置とアライメント系ＡＬＧの検出基準とのＸＹ平面内での位置関係（ベースライン量）を計測するために用いられる。
【０１０５】
上述のように、マスクアライメント系ＲＡは基準マーク板ＦＭ上の第１基準マークＦＭ１を投影光学系ＰＬ及び液体ＬＱを介して計測するようになっており、基準マーク板ＦＭを用いた計測を行う場合には、制御装置ＣＯＮＴは、計測ステージＳＴ２と投影光学系ＰＬ（第１光学素子ＬＳ１）とを対向させているときに、第１光学素子ＬＳ１と基準マーク板ＦＭ（第１基準マークＦＭ１）との間を液体ＬＱで満たした状態でマスクアライメント系ＲＡによって第１基準マークＦＭ１を観測する。。
【０１０６】
また、計測ステージＳＴ２上には、空間像計測センサ１６０の一部を構成する上板１６５が設けられている。
【０１０７】
空間像計測センサ１６０は、物体面側空間Ｋ１と像面側空間Ｋ２とを液体ＬＱで満たした状態で、第１光学素子ＬＳ１及び第２光学素子ＬＳ２を含む投影光学系ＰＬの結像特性（光学特性）を計測するのに用いられるものであって、計測ステージＳＴ２上に配置された上板１６５と、光電変換素子からなる不図示の受光素子（光センサ）や、上板１６５を通過した光を受光素子に導く不図示の光学系等を備えている。
【０１０８】
計測ステージＳＴ２上には開口部１５９Ｋが形成されており、上板１６５は開口部１５９Ｋに嵌め込まれている。また、計測ステージＳＴ２の内部には、開口部１５９Ｋに接続する内部空間が形成されており、空間像計測センサ１６０を構成する光学系や受光素子はその内部空間に配置されている。
【０１０９】
図５に示すように、上板１６５は、平面視長方形状のガラス板部材の上面中央部に設けられたクロム等からなる遮光膜１６２と、その遮光膜１６２の周囲、すなわちガラス板部材の上面のうち遮光膜１６２以外の部分に設けられたアルミニウム等からなる反射膜１６３と、遮光膜１６２の一部に形成された開口パターンであるスリット部１６１とを備えている。スリット部１６１においては透明部材であるガラス板部材が露出しており、光はスリット部１６１を透過可能である。すなわち、スリット部１６１は上板１６５に形成された光透過部として機能している。
【０１１０】
空間像計測センサ１６０を用いて投影光学系ＰＬの結像特性を計測する際、マスクステージＭＳＴには、空間像計測用パターンが形成された計測用マスクが保持される。そして、制御装置ＣＯＮＴは、第１液浸機構１を使って、物体面側空間Ｋ１を液体ＬＱで満たすとともに、投影光学系ＰＬと計測ステージＳＴ２とを対向させた状態で、第２液浸機構２を使って、投影光学系ＰＬと上板１６５との間の像面側空間Ｋ２を液体ＬＱで満たす。第２液浸機構２は、スリット部１６１が液体ＬＱで覆われるように上板１６５上に像面側液浸領域ＬＲ２を形成する。
【０１１１】
そして、制御装置ＣＯＮＴは、照明光学系ＩＬより露光光ＥＬを射出する。露光光ＥＬは、計測用マスク、投影光学系ＰＬ、及び物体面側液浸領域ＬＲ１、像面側液浸領域ＬＲ２の液体ＬＱを通過した後、上板１６５に照射される。上板１６５のスリット部１６１を通過した光は、不図示の光学系を介して不図示の受光素子に導かれる。受光素子は、受光量に応じた光電変換信号（光量信号）を信号処理装置を介して制御装置ＣＯＮＴに出力する。制御装置ＣＯＮＴは、受光素子の受光結果に基づいて所定の演算処理を行い、投影光学系ＰＬ及び液体ＬＱを介した結像特性を求める。
【０１１２】
なお、空間像計測センサ１６０の全部が計測ステージＳＴ２の内部に配置されていてもよいし、例えば光学系の一部や受光素子等が計測ステージＳＴ２の外側に配置されていてもよい。また、計測用マスクの替わりに、マスクステージＭＳＴに設けられた計測用パターンを用いてもよい。
【０１１３】
また、上述のムラセンサを用いて所定の計測を行う際にも、制御装置ＣＯＮＴは、第１液浸機構１を使って、物体面側空間Ｋ１を液体ＬＱで満たすとともに、第２液浸機構２を使って、第１光学素子ＬＳ１と計測ステージＳＴ２に配置されたムラセンサの上板３０１との間の像面側空間Ｋ２を液体ＬＱで満たし、その液体ＬＱと上板３０１に形成された光透過部とを介して露光光ＥＬを受光する。なお、図５においては、説明を簡単にするために省略されているが、上述の他の計測器（照射量センサ、波面収差計測器など）を用いて所定の計測を行う際にも、制御装置ＣＯＮＴは、第１液浸機構１を使って、物体面側空間Ｋ１を液体ＬＱで満たすとともに、第２液浸機構２を使って、第１光学素子ＬＳ１と計測ステージＳＴ２に配置された計測器の一部を構成する上板との間を液体ＬＱで満たし、その液体ＬＱと上板に形成された光透過部とを介して露光光ＥＬを受光する。
【０１１４】
上述の透明部材１０４の上面、基準マーク板ＦＭの上面、空間像計測センサ１６０の上板１６５の上面、及びムラセンサの上板３０１の上面などは、計測ステージＳＴ２の上面とほぼ面一になっている。すなわち、計測ステージＳＴ２の上面と、各計測部材の上面とはほぼ同じ高さ（面一）になるように設けられており、計測ステージＳＴ２の上面は、各計測部材の上面を含んだ構成となっている。以下の説明においては、これら各計測部材の上面を含む計測ステージＳＴ２の上面を適宜、「上面Ｆ２」と称する。なお、計測ステージＳＴ２の上面Ｆ２は液体ＬＱに対して撥液性であることが望ましい。
【０１１５】
また、図９に示すように、制御装置ＣＯＮＴは、基板ステージＳＴ１と計測ステージＳＴ２とを接触又は接近させることができ、基板ステージＳＴ１の上面Ｆ１と計測ステージＳＴ２の上面Ｆ２とを、ほぼ同じ高さ位置となるように調整することができる。
【０１１６】
また、図９に示すように、投影光学系ＰＬの第１光学素子ＬＳ１の光射出側に第２液浸機構２によって形成された像面側液浸領域ＬＲ２は、基板ステージＳＴ１上と計測ステージＳＴ２上との間で移動可能となっている。像面側液浸領域ＬＲ２を移動する際には、制御装置ＣＯＮＴは、ステージ駆動装置ＳＤ１、ＳＤ２を使って、基板ステージＳＴ１の上面Ｆ１と計測ステージＳＴ２の上面Ｆ２とを接触又は接近させた状態で、基板ステージＳＴ１と計測ステージＳＴ２とをＸＹ方向に一緒に移動し、第２液浸機構２によって形成された像面側液浸領域ＬＲ２を基板ステージＳＴ１の上面Ｆ１と計測ステージＳＴ２の上面Ｆ２との間で移動する。こうすることにより、基板ステージＳＴ１と計測ステージＳＴ２との隙間（ギャップ）からの液体ＬＱの流出を抑えつつ、投影光学系ＰＬの像面側空間Ｋ２を液体ＬＱで満たした状態で、基板ステージＳＴ１上と計測ステージＳＴ２上との間で像面側液浸領域ＬＲ２を移動することができる。
【０１１７】
次に、上述の構成を有する露光装置ＥＸを用いて基板Ｐを露光する方法について図１０〜図２１を参照しながら説明する。図１０及び図１１は観察装置１００を使って液浸領域を観察している状態を説明するための模式図、図１２〜図１６は基板ステージＳＴ１及び計測ステージＳＴ２の動作を説明するための基板ステージＳＴ１及び計測ステージＳＴ２を上方から見た図、図１７〜図２１は露光方法の手順を説明するためのフローチャート図である。
【０１１８】
図１７は本実施形態に係る露光方法の基本手順を示すフローチャート図である。まず、制御装置ＣＯＮＴは、第１液浸機構１を使って、物体面側空間Ｋ１に対して液体ＬＱを供給することによって、その物体面側空間Ｋ１を液体ＬＱで満たす。露光に関する所定の動作を行う前の露光装置ＥＸの初期状態においては、光路空間（Ｋ１、Ｋ２）には液体ＬＱは存在していない。制御装置ＣＯＮＴは、第１液浸機構１を使って、液体ＬＱが存在していない物体面側空間Ｋ１に対して液体ＬＱを供給する。
【０１１９】
以下の説明においては、液体ＬＱが存在していない初期状態における露光光ＥＬの光路空間（Ｋ１、Ｋ２）を液体ＬＱで満たすために、その光路空間（Ｋ１、Ｋ２）に対して液体ＬＱを供給する動作を適宜、「初期満たし動作」と称する。すなわち、初期満たし動作とは、液体ＬＱが無い状態（空の状態）の光路空間（Ｋ１、Ｋ２）に対して液体ＬＱを供給することによって、その光路空間（Ｋ１、Ｋ２）を液体ＬＱで満たす動作を言う。
【０１２０】
制御装置ＣＯＮＴは、第１液浸機構１を使って、液体ＬＱが存在していない物体面側空間Ｋ１に対して液体ＬＱを供給することによって、物体面側空間Ｋ１に対する初期満たし動作を行う（ステップＳ１０）。
【０１２１】
図１８は、ステップＳ１０の具体的な手順を示すフローチャート図である。物体面側空間Ｋ１を初期満たしするステップＳ１０において、物体面側空間Ｋ１を初期満たしする旨の指令が発せられると（ステップＳ１１）、図１０に示すように、制御装置ＣＯＮＴは、投影光学系ＰＬと計測ステージＳＴ２上の透明部材１０４とを対向させた状態で、第１液浸機構１を駆動し、物体面側空間Ｋ１を液体ＬＱで満たす。制御装置ＣＯＮＴは、観察装置１００を使って、物体面側空間Ｋ１を満たす液体ＬＱによって形成される物体面側液浸領域ＬＲ１を観察しつつ、物体面側空間Ｋ１の初期満たし動作を行う（ステップＳ１２）。物体面側空間Ｋ１を初期満たしする際には、制御装置ＣＯＮＴは、第１液浸機構１の第１液体供給装置１１による液体供給動作と、第１液体回収装置２１による液体回収動作とを所定時間並行して行う。
【０１２２】
観察装置１００は、物体面側液浸領域ＬＲ１の状態を、透明部材１０４及び第１光学素子ＬＳ１を介して観察する。なお、観察装置１００が物体面側液浸領域ＬＲ１の状態を観察しているときには、計測ステージＳＴ２はほぼ静止している。透明部材１０４の下側の内部空間には観察装置１００の光学系１０１が配置されており、撮像素子１０３は、物体面側液浸領域ＬＲ１を形成する液体ＬＱの画像を、第１光学素子ＬＳ１、透明部材１０４、及び光学系１０１を介して取得する。観察装置１００を使って物体面側液浸領域ＬＲ１の状態を観察するとき、制御装置ＣＯＮＴは、調整機構１０２を使って光学系１０１の焦点位置を物体面側液浸領域ＬＲ１のＺ軸方向の位置に合わせる。したがって、撮像素子１０３は物体面側液浸領域ＬＲ１を形成している液体ＬＱの画像を良好に取得可能である。また、観察装置１００は、物体面側液浸領域ＬＲ１よりも大きい視野を有しているため、物体面側液浸領域ＬＲ１を形成する液体ＬＱの画像を一括して取得可能である。
【０１２３】
撮像素子１０３で取得された物体面側液浸領域ＬＲ１に関する画像情報は制御装置ＣＯＮＴに出力される。制御装置ＣＯＮＴは、撮像素子１０３から出力された信号（画像情報）に基づいて、物体面側液浸領域ＬＲ１を形成している液体ＬＱの画像を表示装置ＤＹで表示する。
【０１２４】
また、制御装置ＣＯＮＴは、撮像素子１０３から出力された信号を演算処理（画像処理）し、その処理結果に基づいて、物体面側空間Ｋ１を満たす液体ＬＱが所望状態であるか否かを判別する。具体的には、制御装置ＣＯＮＴは、液体ＬＱに気泡があるか否かを判別する（ステップＳ１３）。なお、気泡のみならず、気塊を含む気体部分、あるいはパーティクル（異物）があるか否かを判別することも可能である。
【０１２５】
例えば、初期満たし動作においては、液体ＬＱ中に気泡が混入したり、あるいは物体面側液浸領域ＬＲ１が露光光ＥＬが通過する所定領域ＡＲ１を十分に覆っていない状態（液切れ状態）が生じる等の不具合が発生する可能性がある。そのような不具合が発生している状態の物体面側液浸領域ＬＲ１を介して露光処理や計測処理を行った場合、良好な露光精度や計測精度を得ることができなくなる。本実施形態においては、観察装置１００を使って物体面側液浸領域ＬＲ１の状態を観察することで、物体面側液浸領域ＬＲ１に不具合が生じているか否かを把握することができる。また、観察装置１００は、例えば径が０．１ｍｍ以上の気泡を観察（検出）できる。
【０１２６】
ステップＳ１３において、物体面側空間Ｋ１を満たす液体ＬＱ中に気泡が無く、その液体ＬＱが所望状態であると判断された場合、物体面側空間Ｋ１の初期満たし動作が終了する（ステップＳ１５）。すなわち、第１液体供給装置１１による液体供給動作と、第１液体回収装置２１による液体回収動作とを停止する。なお、物体面側空間Ｋ１を満たす液体ＬＱの状態（液質など）を安定させるために、液体ＬＱ中に気泡が無いと判断された後に、第１液体供給装置１１による液体供給動作と第１液体回収装置２１による液体回収動作とを所定時間だけ継続してもよい。
【０１２７】
一方、ステップＳ１３において、物体面側空間Ｋ１を満たす液体ＬＱ中に気泡があると判断した場合、制御装置ＣＯＮＴは、その気泡を低減又は消失させるために、脱気された液体ＬＱを所定時間供給する（ステップＳ１４）。すなわち、制御装置ＣＯＮＴは、計測ステージＳＴ２に搭載された観察装置１００の観察結果に基づいて、物体面側空間Ｋ１を満たす液体ＬＱ中に気泡（気体部分）があると判断したとき、脱気された液体ＬＱを第１光学素子ＬＳ１と第２光学素子ＬＳ２との間の物体面側空間Ｋ１に所定時間供給するとともに、脱気された液体ＬＱの供給量に応じて、物体面側空間Ｋ１から所定量の液体ＬＱを回収するように、第１液浸機構１を制御する。上述のように、第１液浸機構１の第１液体供給装置１１は、液体ＬＱ中の気体成分を低減するための脱気装置１８を備えているため、制御装置ＣＯＮＴは、第１液体供給装置１１に設けられた脱気装置１８を使って液体ＬＱを十分に脱気した後、第１液浸機構１を制御して、脱気された液体ＬＱを第１光学素子ＬＳ１と第２光学素子ＬＳ２との間の物体面側空間Ｋ１に供給することができる。そして、十分に脱気された液体ＬＱを物体面側空間Ｋ１に対して所定時間供給することにより、物体面側液浸領域ＬＲ１を形成する液体ＬＱ中の気泡（気体部分）を流し去ったり、液体ＬＱ中に溶かし込んで低減又は消失させたりすることができる。
【０１２８】
ここで、気泡を低減又は消失させるために物体面側空間Ｋ１に対して液体ＬＱを供給するときの単位時間当たりの液体供給量と、物体面側空間Ｋ１を初期満たしするときの単位時間当たりの液体供給量とはほぼ同じであってもよいし、気泡を低減又は消失させるために物体面側空間Ｋ１に対して液体ＬＱを供給するときの単位時間当たりの液体供給量が、物体面側空間Ｋ１を初期満たしするときの単位時間当たりの液体供給量よりも多くてもよい。
【０１２９】
そして、脱気された液体ＬＱを所定時間供給した後、観察装置１００の観察結果に基づいて、物体面側液浸領域ＬＲ１を形成する液体ＬＱ中の気泡の大きさ又は量が所定レベル以下になったことが確認された後、物体面側空間Ｋ１の初期満たしが終了する（ステップＳ１５）。すなわち、第１液体供給装置１１による液体供給動作と、第１液体回収装置２１による液体回収動作とを停止する。
【０１３０】
なお、物体面側空間Ｋ１を満たす液体ＬＱの状態（液質など）を安定させるために、液体ＬＱ中に気泡が無いと判断された後に、第１液体供給装置１１による液体供給動作と第１液体回収装置２１による液体回収動作とを所定時間だけ継続してもよい。
【０１３１】
なお、表示装置ＤＹに表示されている物体面側液浸領域ＬＲ１の画像に基づいて、例えば作業者が、物体面側液浸領域ＬＲ１が所望状態であるか否かを判断するようにしてもよい。この場合は、作業者などが次の動作を制御装置ＣＯＮＴへ指令する。
【０１３２】
また、ステップＳ１３において、物体面側空間Ｋ１を満たす液体ＬＱに不具合があると判断した場合、制御装置ＣＯＮＴは、物体面側空間Ｋ１への液体ＬＱの供給を停止するとともに、物体面側空間Ｋ１の液体ＬＱをすべて排出し、その排出後にステップＳ１１に戻って、物体面側空間Ｋ１に対する初期満たし動作を再度実行してもよい。
【０１３３】
図１７に戻って、物体面側空間Ｋ１の初期満たし動作が終了した後、像面側空間Ｋ２に対する初期満たし動作が行われる（ステップＳ２０）。制御装置ＣＯＮＴは、第２液浸機構２を使って、液体ＬＱが存在していない像面側空間Ｋ２に対する液体ＬＱの供給及び回収動作を行うことによって、像面側空間Ｋ２に対する初期満たし動作を行う。
【０１３４】
図１９は、ステップＳ２０の具体的な手順を示すフローチャート図である。像面側空間Ｋ２を初期満たしするステップＳ２０において、像面側空間Ｋ２を初期満たしする旨の指令が発せられると（ステップＳ２１）、図１１に示すように、制御装置ＣＯＮＴは、投影光学系ＰＬと計測ステージＳＴ２上の透明部材１０４とを対向させた状態で、第２液浸機構２を駆動し、像面側空間Ｋ２を液体ＬＱで満たす。制御装置ＣＯＮＴは、観察装置１００を使って、像面側空間Ｋ２を満たす液体ＬＱによって形成される像面側液浸領域ＬＲ２を観察しつつ、像面側空間Ｋ２の初期満たしを行う（ステップＳ２２）。
【０１３５】
制御装置ＣＯＮＴは、観察装置１００を使って、像面側空間Ｋ２を満たす液体ＬＱによって形成される像面側液浸領域ＬＲ２の状態を観察する。観察装置１００は、像面側液浸領域ＬＲ２の状態を、透明部材１０４を介して観察する。観察装置１００が像面側液浸領域ＬＲ２の状態を観察しているときには、計測ステージＳＴ２はほぼ静止している。撮像素子１０３は、像面側液浸領域ＬＲ２を形成する液体ＬＱの画像を、透明部材１０４、及び光学系１０１を介して取得する。
【０１３６】
像面側液浸領域ＬＲ２の状態を観察装置１００を使って観察するとき、制御装置ＣＯＮＴは、調整機構１０２を使って光学系１０１の焦点位置を像面側液浸領域ＬＲ２のＺ軸方向の位置に合わせる。したがって、撮像素子１０３は像面側液浸領域ＬＲ２を形成している液体ＬＱの画像を良好に取得可能である。また、観察装置１００は、像面側液浸領域ＬＲ２よりも大きい視野を有しているため、像面側液浸領域ＬＲ２を形成する液体ＬＱの画像を一括して取得可能である。
【０１３７】
撮像素子１０３で取得された像面側液浸領域ＬＲ２に関する画像情報は制御装置ＣＯＮＴに出力される。制御装置ＣＯＮＴは、撮像素子１０３から出力された信号（画像情報）に基づいて、像面側液浸領域ＬＲ２を形成している液体ＬＱの画像を表示装置ＤＹで表示する。
【０１３８】
また、制御装置ＣＯＮＴは、撮像素子１０３から出力された信号を演算処理（画像処理）し、その処理結果に基づいて、像面側空間Ｋ２を満たす液体ＬＱが所望状態であるか否かを判別する。具体的には、制御装置ＣＯＮＴは、液体ＬＱに気泡があるか否かを判別する（ステップＳ２３）。なお、気泡のみならず、気塊を含む気体部分、あるいはパーティクル（異物）があるか否かを判別することも可能である。
【０１３９】
観察装置１００を使って像面側液浸領域ＬＲ２の状態を観察することで、像面側液浸領域ＬＲ２に不具合が生じているか否かを把握することができる。また、観察装置１００は、例えば径が０．１ｍｍ以上の気泡を観察（検出）できる。
【０１４０】
ステップＳ２３において、像面側空間Ｋ２を満たす液体ＬＱ中に気泡が無く、その液体ＬＱが所望状態であると判断された場合、像面側空間Ｋ２の初期満たし動作が終了する（ステップＳ２５）。
【０１４１】
一方、ステップＳ２３において、像面側空間Ｋ２を満たす液体ＬＱ中に気泡があると判断した場合、制御装置ＣＯＮＴは、その気泡を低減又は消失させるために、脱気された液体ＬＱを所定時間供給する（ステップＳ２４）。すなわち、制御装置ＣＯＮＴは、計測ステージＳＴ２に搭載された観察装置１００の観察結果に基づいて、像面側空間Ｋ２を満たす液体ＬＱ中に気泡（気体部分）があると判断したとき、脱気された液体ＬＱを第１光学素子ＬＳ１と透明部材１０４との間の像面側空間Ｋ２に所定時間供給するとともに、脱気された液体ＬＱの供給量に応じて、像面側空間Ｋ２から所定量の液体ＬＱを回収するように、第２液浸機構２を制御する。上述のように、第２液浸機構２の第２液体供給装置３１は、液体ＬＱ中の気体成分を低減するための脱気装置３８を備えているため、制御装置ＣＯＮＴは、第２液体供給装置３１に設けられた脱気装置３８を使って液体ＬＱを十分に脱気した後、第２液浸機構２を制御して、脱気された液体ＬＱを第１光学素子ＬＳ１と透明部材１０４との間の像面側空間Ｋ２に供給することができる。そして、十分に脱気された液体ＬＱを像面側空間Ｋ２に対して所定時間供給することにより、像面側液浸領域ＬＲ２を形成する液体ＬＱ中の気泡（気体部分）を流し去ったり、低減又は消失させたりすることができる。なお、ステップＳ２４の動作を、計測ステージＳＴ２を移動しながら実行してもよい。例えば、計測ステージＳＴ２を所定方向に、所定のストロークで往復動作させることによって、液体ＬＱ中の気泡（気体部分）をより速やかに流し去ることができる。
【０１４２】
そして、脱気された液体ＬＱを所定時間供給した後、観察装置１００の観察結果に基づいて、像面側液浸領域ＬＲ２を形成する液体ＬＱ中の気泡の大きさ又は量が所定レベル以下になったことが確認された後、像面側空間Ｋ２の初期満たしが終了する（ステップＳ２５）。なお、本実施形態においては、像面側空間Ｋ２を満たす液体ＬＱの初期満たし動作が完了した後も、第２液体供給装置３１による液体供給動作と、第２液体回収装置４１による液体回収動作とが継続され、像面側空間Ｋ２を満たす液体の入れ替え（交換）が行われる。
【０１４３】
なお、表示装置ＤＹに表示されている像面側液浸領域ＬＲ２の画像に基づいて、例えば作業者が、像面側液浸領域ＬＲ２が所望状態であるか否かを判断するようにしてもよい。この場合は、作業者などが次の動作を制御装置ＣＯＮＴへ指令する。
【０１４４】
また、ステップＳ２３において、像面側空間Ｋ２を満たす液体ＬＱに不具合があると判断した場合、制御装置ＣＯＮＴは像面側空間Ｋ２への液体ＬＱの供給を停止するとともに、像面側空間Ｋ２の液体ＬＱをすべて排出し、その排出後にステップＳ２１に戻って、像面側空間Ｋ２に対する初期満たし動作を再度実行してもよい。
【０１４５】
図１２には、観察装置１００を使って、物体面側液浸領域ＬＲ１または像面側液浸領域ＬＲ２を観察しつつ、物体面側空間Ｋ１または像面側空間Ｋ２の初期満たし動作を行っている状態が図示されている。このとき、基板ステージＳＴ１は、図１２に示すように基板交換位置ＲＰで待機している。
【０１４６】
本実施形態においては、物体面側空間Ｋ１の初期満たし終了後、所定数の基板Ｐからなる１つのロットの露光中においては、第１光学素子ＬＳ１と第２光学素子ＬＳ２との間の物体面側空間Ｋ１に液体ＬＱが満たされるものの、第１液浸機構１は液体ＬＱの供給動作及び回収動作を行わないものとする。こうすることにより、基板Ｐの露光中において、第１液浸機構１による液体供給動作及び回収動作に起因する振動の発生を防止することができる。また、第１液浸機構１は、物体面側空間Ｋ１を液体ＬＱで満たすとともに、物体面側空間Ｋ１に満たされている液体ＬＱを所定のタイミングで交換するものとする。一方、第２液浸機構２は、像面側空間Ｋ２の初期満たし終了後、像面側空間Ｋ２に対する液体ＬＱの供給動作と像面側空間Ｋ２の液体ＬＱの回収動作とを並行して継続し、像面側空間Ｋ２を液体ＬＱで常に満たし続けるものとする。
【０１４７】
ここで、物体面側空間Ｋ１の液体ＬＱの交換動作においては、物体面側空間Ｋ１に液体ＬＱが満たされている状態において、第１液浸機構１による物体面側空間Ｋ１に対する液体ＬＱの供給動作と物体面側空間Ｋ１の液体ＬＱの回収動作とを並行して開始し、先に物体面側空間Ｋ１に満たされていた液体ＬＱが物体面側空間Ｋ１より回収されるとともに、所定温度に調整された清浄な新たな液体ＬＱが物体面側空間Ｋ１に供給される。
【０１４８】
すなわち、物体面側液浸領域ＬＲ１の液体ＬＱを交換するときには、物体面側空間Ｋ１から液体ＬＱを完全に除去することなく、常に物体面側空間Ｋ１に液体ＬＱが満たされているように、先に物体面側空間Ｋ１に満たされている液体ＬＱと新たな液体ＬＱとを徐々に入れ換える。こうすることにより、物体面側液浸領域ＬＲ１の液体ＬＱの交換に伴って、物体面側液浸領域ＬＲ１の液体ＬＱ中に気泡（気体部分）が生成されてしまうことを抑制することができる。
【０１４９】
もちろん、物体面側空間Ｋ１の液体ＬＱを完全に回収（排出）して、物体面側空間Ｋ１を気体で満たされた空間にした後に、初期満たし動作と同様にして、所定温度に調整された清浄な新たな液体ＬＱを物体面側空間Ｋ１に供給して物体面側液浸領域ＬＲ１を形成するようにしてもよい。
【０１５０】
物体面側空間Ｋ１に満たされた液体ＬＱには露光光ＥＬが照射されるため、その露光光ＥＬの照射熱によって物体面側空間Ｋ１に満たされた液体ＬＱが温度上昇する可能性がある。また、物体面側空間Ｋ１に長時間液体ＬＱを留まらせておくことにより、その液体ＬＱが汚染され、第１光学素子ＬＳ１や第２光学素子ＬＳ２等、その液体ＬＱに接触する部材に影響を及ぼす可能性がある。したがって、本実施形態のように、物体面側空間Ｋ１の液体ＬＱの常時入れ替えを行わない場合には、物体面側空間Ｋ１の液体ＬＱを所定のタイミングで交換することによって、物体面側空間Ｋ１に満たされた液体ＬＱの温度上昇や汚染等の不都合を抑え、物体面側空間Ｋ１を所望状態（所望の温度、所望の清浄度）の液体ＬＱで満たすことができる。
【０１５１】
図１７に戻って、初期満たし動作が終了した後、制御装置ＣＯＮＴは、計測ステージＳＴ２上の計測器（計測部材）を使った所定の計測処理を実行する（ステップＳ３０）。
【０１５２】
この計測としては、アライメント系ＡＬＧのベースライン計測が一例として挙げられる。具体的には、図１３に示すように、制御装置ＣＯＮＴは、投影光学系ＰＬの第１光学素子ＬＳ１と計測ステージＳＴ２とを対向させ、計測ステージＳＴ２上に設けられた基準マーク板ＦＭ上の第１基準マークとそれに対応するマスクＭ上のマスクアライメントマークとを上述のマスクアライメント系ＲＡを用いて検出し、第１基準マークとそれに対応するマスクアライメントマークとの位置関係を検出する。これと同時に、制御装置ＣＯＮＴは、基準マーク板ＦＭ上の第２基準マークをアライメント系ＡＬＧで検出することで、アライメント系ＡＬＧの検出基準位置と第２基準マークとの位置関係を検出する。上述のように、本実施形態においては、制御装置ＣＯＮＴは、第２液浸機構２を使って、投影光学系ＰＬと基準マーク板ＦＭ（第１基準マーク）との間を液体ＬＱで満たした状態で、マスクアライメント系ＲＡを用いた計測を行う。このように、マスクアライメント系ＲＡは、投影光学系ＰＬ及び液体ＬＱを介して計測を行う。そして、制御装置ＣＯＮＴは、第１基準マークとそれに対応するマスクアライメントマークとの位置関係と、アライメント系ＡＬＧの検出基準位置と第２基準マークとの位置関係と、既知の第１基準マークと第２基準マークとの位置関係とに基づいて、投影光学系ＰＬによるマスクパターンの投影中心とアライメント系ＡＬＧの検出基準位置との距離（位置関係）、すなわち、アライメント系ＡＬＧのベースライン情報を求める。図１３には、このときの状態が示されている。
【０１５３】
なお、ベースライン計測において、マスクアライメント系ＲＡによる第１基準マークの検出と、アライメント系ＡＬＧによる第２基準マークの検出は、同時に行わなくてもよく、マスクアライメント系ＲＡによる第１基準マークの検出及びアライメント系ＡＬＧによる第２基準マークの検出の一方を行った後に、レーザ干渉計５６でモニタしつつ計測ステージＳＴ２を移動した後に、他方を実行するようにしてもよい。
【０１５４】
計測ステージＳＴ２上の計測器（計測部材）を用いた計測動作を行っている間、制御装置ＣＯＮＴは、基板ステージＳＴ１を基板交換位置ＲＰにおいて、露光処理されるべき基板Ｐを搬送装置Ｈを使って基板ステージＳＴ１にロードする。基板ステージＳＴ１には、第１ロットの先頭の基板Ｐがロードされる。ここで、基板ステージＳＴ１上に露光済みの基板Ｐが保持されている場合には、制御装置ＣＯＮＴは、搬送装置Ｈを使って、露光済みの基板Ｐを基板ステージＳＴ１よりアンロードする。
【０１５５】
また、計測ステージＳＴ２を使った計測動作としては、ベースライン計測に限らず、空間像計測センサ１６０を使った計測動作も挙げられる。空間像計測センサ１６０を用いた計測動作を行う場合、制御装置ＣＯＮＴは、第２液浸機構２により形成された像面側液浸領域ＬＲ２を計測ステージＳＴ２の上板１６５上に形成する。そして、投影光学系ＰＬと上板１６５との間の液体ＬＱと、上板１６５に形成されたスリット部１６１とを介して露光光ＥＬを受光して、投影光学系ＰＬの結像特性の計測を行う。同様に、必要に応じて、ムラセンサや照射量センサ、波面収差計測器などを用いた計測処理が行われる。これらムラセンサや照射量センサ、波面収差計測器なども、投影光学系ＰＬ及び液体ＬＱを介して計測を行う。制御装置ＣＯＮＴは、その計測結果に基づいて、例えば投影光学系ＰＬのキャリブレーション処理を行う等、その後に行われる基板Ｐの露光に反映させる。具体的には、制御装置ＣＯＮＴは、計測ステージＳＴ２に搭載されている計測器による計測結果に基づいて、上述の結像特性調整装置ＬＣを使って、投影光学系ＰＬ及び液体ＬＱを介した結像特性を調整することができる。
【０１５６】
なお結像特性調整装置ＬＣは、投影光学系ＰＬを調整するものだけでなく、マスクＭを動かしたり、露光光ＥＬの波長を調整するものであってもよい。また、計測ステージＳＴ２に搭載されている計測器の計測結果に基づいて投影光学系ＰＬと露光対象の基板Ｐ表面との位置関係を調整するようにしてもよい。
【０１５７】
基板ステージＳＴ１に対する基板Ｐのロードが完了するとともに、計測ステージＳＴ２において計測器（計測部材）を用いた計測が終了した後、第１ロットの所定枚数の基板の露光処理が開始される（ステップＳ４０）。図２０は、ステップＳ４０の具体的な手順を示すフローチャート図である。第１ロットの基板の露光処理が開始されると（ステップＳ４１）、制御装置ＣＯＮＴは、ステージ駆動装置ＳＤ１、ＳＤ２を使って基板ステージＳＴ１及び計測ステージＳＴ２の少なくとも一方を移動し、図１４に示すように、基板ステージＳＴ１と計測ステージＳＴ２とを接触（又は接近）させ、その相対的な位置関係を維持した状態で、ＸＹ平面内で移動し、基板ステージＳＴ１にロード後の基板Ｐに対してアライメント処理を行う。この際、基板ステージＳＴ１と計測ステージＳＴ２とを移動することによって、投影光学系ＰＬの第１光学素子ＬＳ１と計測ステージＳＴ２の上面Ｆ２との間に形成されていた像面側液浸領域ＬＲ２は、図１４に示すように、基板ステージＳＴ１の上面Ｆ１へ移動する。アライメント処理では、具体的には、制御装置ＣＯＮＴは、アライメント系ＡＬＧによって、交換後の基板Ｐ上のアライメントマークの検出を行い、基板Ｐ上に設けられた複数のショット領域それぞれの位置座標（配列座標）を決定する。基板ステージＳＴ１と計測ステージＳＴ２とを接触（又は接近）させた状態でアライメント処理することにより、例えばアライメント処理中において像面側液浸領域ＬＲ２の一部が基板ステージＳＴ１の上面Ｆ１から外れる状況が生じても、投影光学系ＰＬと基板ステージＳＴ１の上面Ｆ１及び計測ステージＳＴ２の上面Ｆ２の少なくとも一部との間で液体ＬＱを保持することができる。
【０１５８】
なお、本実施形態においては、最後にアライメントマークが検出された基板上の位置（ショットエリア）が計測ステージＳＴ２により近い位置であるために、アライメント処理終了時に、像面側液浸領域ＬＲ２は計測ステージＳＴ上に形成されている。アライメント処理が終了すると、制御装置ＣＯＮＴは、基板ステージＳＴ１と計測ステージＳＴ２とのＸ軸方向における相対的な位置関係を維持しつつ、ステージ駆動装置ＳＤ１、ＳＤ２を使って、基板ステージＳＴ１と計測ステージＳＴ２とを−Ｘ方向に一緒に移動する。制御装置ＣＯＮＴは、基板ステージＳＴ１と計測ステージＳＴ２とを一緒に移動することによって、投影光学系ＰＬの第１光学素子ＬＳ１と計測ステージＳＴ２の上面Ｆ２との間に形成されている像面側液浸領域ＬＲ２を、計測ステージＳＴ２の上面Ｆ２から基板ステージＳＴ１の上面Ｆ１へ移動する（ステップＳ４２）。第２液浸機構２によって形成されている液体ＬＱの像面側液浸領域ＬＲ２が、計測ステージＳＴ２の上面Ｆ２から基板ステージＳＴ１の上面Ｆ１に移動する途中においては、図１５に示すように、計測ステージＳＴ２の上面Ｆ２と基板ステージＳＴ１の上面Ｆ１とに跨るようにして形成されるが、両ステージが接触又は接近しているので、両ステージの間からの液体ＬＱの漏れは防止できる。そして、図１５の状態から、更に基板ステージＳＴ１及び計測ステージＳＴ２が一緒に−Ｘ方向に所定距離移動すると、投影光学系ＰＬの第１光学素子ＬＳ１と基板ステージＳＴ１（基板Ｐ）との間に液体ＬＱが保持された状態となり、第２液浸機構２によって形成される液体ＬＱの像面側液浸領域ＬＲ２が、基板Ｐの表面を含む基板ステージＳＴ１の上面Ｆ１に配置される。
【０１５９】
像面側液浸領域ＬＲ２の基板ステージＳＴ１上への移動が完了すると、制御装置ＣＯＮＴは、図１６に示すように、基板ステージＳＴ１から計測ステージＳＴ２を離し、計測ステージＳＴ２を所定の退避位置ＰＪへ移動し、基板Ｐを露光する（ステップＳ４３）。
【０１６０】
ステップＳ４３において、制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｐ上の複数のショット領域のそれぞれにマスクＭのパターンを順次転写する。なお、基板Ｐ上の各ショット領域のマスクＭに対する位置合わせは、上述の基板Ｐ上のアライメントマークの検出の結果得られた基板Ｐ上の複数のショット領域の位置座標と、直前に計測したベースライン情報とに基づいて行われる。
【０１６１】
制御装置ＣＯＮＴは、基板ステージＳＴ１において基板Ｐに対する液浸露光を終了した後、ステージ駆動装置ＳＤ１、ＳＤ２を使って、基板ステージＳＴ１及び計測ステージＳＴ２の少なくとも一方を移動し、基板ステージＳＴ１の上面Ｆ１と計測ステージＳＴ２の上面Ｆ２とを接触（又は接近）させる。そして、制御装置ＣＯＮＴは、先ほどとは逆に、基板ステージＳＴ１と計測ステージＳＴ２とのＸ軸方向の相対的な位置関係を維持しつつ、両ステージＳＴ１、ＳＴ２を＋Ｘ方向に一緒に移動して、計測ステージＳＴ２を投影光学系ＰＬの下方に移動した後、基板ステージＳＴ１を基板交換位置ＲＰなどの所定位置に退避させる（図１３参照）。これにより、第２液浸機構２により形成される像面側液浸領域ＬＲ２が計測ステージＳＴ２の上面Ｆ２に移動する（ステップＳ４４）。制御装置ＣＯＮＴは、搬送装置Ｈを使って、基板交換位置ＲＰに移動した基板ステージＳＴ１上より露光済みの基板Ｐをアンロードするとともに、次に露光処理されるべき基板Ｐを基板ステージＳＴ１にロードするといった基板交換作業を行う。
【０１６２】
このように、制御装置ＣＯＮＴは、基板Ｐの交換などのために、基板ステージＳＴ１が投影光学系ＰＬから離れたときに、第１光学素子ＬＳ１の光射出側の像面側空間Ｋ２を液体ＬＱで満たし続けるために、第１光学素子ＬＳ１と対向する位置に計測ステージＳＴ２を配置している。そして、制御装置ＣＯＮＴは、計測ステージＳＴ２が第１光学素子ＬＳ１と対向しているときに、第２液浸機構２を使って、第１光学素子ＬＳ１と計測ステージＳＴ２との間を液体ＬＱで満たした状態で、必要に応じて、計測ステージＳＴ２に配置された各計測器を使った計測を行い、その結果が、その後の基板の露光に反映される。この場合、基板交換の度に、計測ステージＳＴ２上の少なくとも１つの計測器を必要に応じて選択し、その選択された計測器を用いた計測結果をその後の露光に反映させるので、それぞれの基板Ｐに対する露光を高精度に実行することができる。
【０１６３】
なお、基板交換動作中に、計測ステージＳＴ２に搭載された観察装置１００を用いて物体面側液浸領域ＬＲ１と像面側液浸領域ＬＲ２の少なくとも一方を観察するようにしてもよい。この場合、観察装置１００により例えば液体ＬＱに気体部分が発見された場合には、脱気された液体ＬＱを流し続けたり、液体ＬＱを入れ替える（交換する）などして、液体ＬＱ中の気泡を低減又は消失させた後に、次の基板Ｐの露光を開始すればよい。
【０１６４】
そして、上述同様、基板ステージＳＴ１にロード後の基板Ｐに対してアライメント処理が行われた後、その基板Ｐに対する露光処理が行われる。そして、上述のように、基板ステージＳＴ１上の基板Ｐを露光する動作、像面側液浸領域ＬＲ２を計測ステージＳＴ２上に移動する動作、基板Ｐを交換する動作、及び基板Ｐがロードされた基板ステージＳＴ１上に像面側液浸領域ＬＲ２を移動する動作などを繰り返すことによって、制御装置ＣＯＮＴは、第１ロットを構成する所定数の基板Ｐを順次露光する。
【０１６５】
そして、所定数の基板Ｐからなる第１ロットの基板Ｐの露光が終了したか否かが判断され（ステップＳ４５）、終了してない場合には、上述の動作が繰り返される。以上により、第１ロットを構成する所定数の基板Ｐの露光が終了する（ステップＳ４６）。
【０１６６】
なお、上述の実施形態においては、アライメント処理の開始から完了まで、基板ステージＳＴ１と計測ステージＳＴ２とを接触又は接近させた状態を維持しているが、アライメント処理中の一部の期間だけ、基板ステージＳＴ１と計測ステージＳＴ２とを接触又は接近させるようにしてもよい。この場合、アライメント処理中に、計測ステージＳＴ２から基板ステージＳＴ１への像面側液浸領域ＬＲ２の移動が完了した時点で、計測ステージＳＴ２を基板ステージＳＴ１から離すようにしてもよい。あるいは、基板ステージＳＴ１と計測ステージＳＴ２とを接触又は接近させて、計測ステージＳＴ２から基板ステージＳＴ１へ像面側液浸領域ＬＲ２を移動し、計測ステージＳＴ２を基板ステージＳＴ１から離した後に、アライメント処理を開始するようにしてもよい。あるいは、計測ステージＳＴ２上に像面側液浸領域ＬＲ２を形成したまま、基板ステージＳＴ１と計測ステージＳＴ２とを接触又は接近させずにアライメント処理を実行し、アライメント処理の完了後に基板ステージＳＴ１と計測ステージＳＴ２とを接触又は接近させて、計測ステージＳＴ２から基板ステージＳＴ１へ像面側液浸領域ＬＲ２を移動するようにしてもよい。
【０１６７】
また、基板ステージＳＴ１に保持された基板Ｐの露光中に、像面側液浸領域ＬＲ２が基板ステージＳＴ１からはみ出す虞がある場合には、基板Ｐの露光中の少なくとも一部の期間において、基板ステージＳＴ１と計測ステージＳＴ２とを接触又は接近させるようにしてもよい。
【０１６８】
図１７に戻って、第１ロットの基板Ｐの露光が終了した後、制御装置ＣＯＮＴは、マスクステージＭＳＴ上のマスクＭを別のマスクＭと交換するとともに、物体面側空間Ｋ１の初期満たしが完了した時点（すなわちステップＳ１０）からの経過時間に応じて、物体面側空間Ｋ１に満たされている液体ＬＱを交換するか否かを判断する。具体的には、制御装置ＣＯＮＴは、物体面側空間Ｋ１の初期満たしが完了した時点でタイマーＴＭを使って計時を開始しており、物体面側空間Ｋ１の初期満たしが完了した時点（すなわちステップＳ１０）からの経過時間が、予め設定されている許容値を超えたか否かを判別する（ステップＳ５０）。
【０１６９】
ここで、許容値とは、物体面側空間Ｋ１に満たされている液体ＬＱを所望状態に維持することができる時間の許容値である。経過時間が許容値以下であれば、物体面側空間Ｋ１を満たしている液体ＬＱの温度及び清浄度を含む状態は所望状態に維持されている。したがって、経過時間が許容値以下であれば、液体ＬＱの交換を行わなくても、所望温度を有する清浄な所望状態の液体ＬＱが物体面側空間Ｋ１に満たされていることとなる。一方、経過時間が許容値以上である場合、物体面側空間Ｋ１を満たしている液体ＬＱの温度や清浄度が所望状態でなくなり、その液体ＬＱを交換する必要が生じる。この許容値は、予め実験やシミュレーションによって求めておくことができ、制御装置ＣＯＮＴに記憶されている。
【０１７０】
ステップＳ５０において、物体面側空間Ｋ１の初期満たしが完了した時点からの経過時間が許容値以上であると判断した場合、制御装置ＣＯＮＴは、物体面側空間Ｋ１の液体ＬＱの交換を行う（ステップＳ６０）。
【０１７１】
制御装置ＣＯＮＴは、物体面側空間Ｋ１の液体ＬＱの交換を行うために、第１液浸機構１による物体面側空間Ｋ１に対する液体ＬＱの供給動作と物体面側空間Ｋ１の液体ＬＱの回収動作とを所定時間並行して行う。また、物体面側空間Ｋ１の液体ＬＱの交換を行うとき、制御装置ＣＯＮＴは、計測ステージＳＴ２を透明部材１０４と投影光学系ＰＬとが対向する位置に移動し、計測ステージＳＴ２に搭載された観察装置１００で物体面側空間Ｋ１の液体ＬＱを観察しつつ、液体ＬＱの交換を行う。
【０１７２】
図２１は、ステップＳ６０の具体的な手順を示すフローチャート図である。物体面側空間Ｋ１の液体ＬＱを交換するステップＳ６０において、物体面側空間Ｋ１の液体ＬＱを交換する旨の指令が発せられると（ステップＳ６１）、制御装置ＣＯＮＴは、投影光学系ＰＬと計測ステージＳＴ２上の透明部材１０４とを対向させた状態で、第１液浸機構１を使って、物体面側空間Ｋ１の液体ＬＱを交換する動作を行う。制御装置ＣＯＮＴは、観察装置１００を使って、物体面側空間Ｋ１を満たす液体ＬＱによって形成される物体面側液浸領域ＬＲ１を観察しつつ、物体面側空間Ｋ１の液体ＬＱを交換する（ステップＳ６２）。
なお、本実施形態においては、物体面側空間Ｋ１に対する液体ＬＱの供給動作と回収動作とを所定時間実行することによって、物体面側空間Ｋ１の液体ＬＱの交換が完了したと判断しているが、物体面側空間Ｋ１から回収された液体ＬＱの状態（温度、液質など）をチェックして、その結果に基づいて物体面側空間Ｋ１の液体ＬＱの交換が完了したと判断するようにしてもよい。
【０１７３】
制御装置ＣＯＮＴは、観察装置１００を使って、物体面側液浸領域ＬＲ１の状態を観察する。このとき、第２液浸機構２によって像面側液体空間Ｋ２に対する液体ＬＱの供給動作と回収動作とを継続して実行しているため、像面側空間Ｋ２は常時液体ＬＱで満たされており、観察装置１００は、物体面側液浸領域ＬＲ１の状態を、透明部材１０４、像面側液浸領域ＬＲ２、及び第１光学素子ＬＳ１を介して観察する。なお、観察装置１００が物体面側液浸領域ＬＲ１の状態を観察しているときには、計測ステージＳＴ２はほぼ静止している。観察装置１００を使って物体面側液浸領域ＬＲ１の状態を観察するとき、制御装置ＣＯＮＴは、調整機構１０２を使って光学系１０１の焦点位置を物体面側液浸領域ＬＲ１のＺ軸方向の位置に合わせる。したがって、撮像素子１０３は物体面側液浸領域ＬＲ１を形成している液体ＬＱの画像を良好に取得可能である。観察装置１００を使って物体面側液浸領域ＬＲ１の状態を観察するとき、第２液浸機構２による液体ＬＱの供給動作と回収動作とを停止してもよい。
【０１７４】
撮像素子１０３で取得された物体面側液浸領域ＬＲ１に関する画像情報は制御装置ＣＯＮＴに出力される。制御装置ＣＯＮＴは、撮像素子１０３から出力された信号（画像情報）に基づいて、物体面側液浸領域ＬＲ１を形成している液体ＬＱの画像を表示装置ＤＹで表示する。
【０１７５】
制御装置ＣＯＮＴは、撮像素子１０３から出力された信号を演算処理（画像処理）し、その処理結果に基づいて、物体面側空間Ｋ１を満たす液体ＬＱが所望状態であるか否かを判別する。具体的には、制御装置ＣＯＮＴは、液体ＬＱに気泡があるか否かを判別する（ステップＳ６３）。なお、気泡のみならず、気塊を含む気体部分、あるいはパーティクルがあるか否かを判別することも可能である。
【０１７６】
ステップＳ６３において、物体面側空間Ｋ１を満たす液体ＬＱ中に気泡が無く、その液体ＬＱが所望状態であると判断した場合、物体面側空間Ｋ１の液体ＬＱの交換動作が終了する（ステップＳ６５）。すなわち、第１液浸機構１の物体面側空間Ｋ１に対する液体ＬＱの供給動作と回収動作とを停止する。
【０１７７】
一方、ステップＳ６３において、例えば物体面側空間Ｋ１を満たす液体ＬＱ中に気泡があると判断した場合、制御装置ＣＯＮＴは、その気泡を低減又は消失させるために、脱気された液体ＬＱを所定時間供給する（ステップＳ６４）。すなわち、制御装置ＣＯＮＴは、計測ステージＳＴ２に搭載された観察装置１００の観察結果に基づいて、物体面側空間Ｋ１を満たす液体ＬＱ中に気泡（気体部分）があると判断したとき、脱気された液体ＬＱを第１光学素子ＬＳ１と第２光学素子ＬＳ２との間の物体面側空間Ｋ１に所定時間供給するとともに、脱気された液体ＬＱの供給量に応じて、物体面側空間Ｋ１から所定量の液体ＬＱを回収するように、第１液浸機構１を制御する。上述のように、第１液浸機構１の第１液体供給装置１１は、液体ＬＱ中の気体成分を低減するための脱気装置１８を備えているため、制御装置ＣＯＮＴは、第１液体供給装置１１に設けられた脱気装置１８を使って液体ＬＱを十分に脱気した後、第１液浸機構１を制御して、脱気された液体ＬＱを第１光学素子ＬＳ１と第２光学素子ＬＳ２との間の物体面側空間Ｋ１に供給することができる。そして、十分に脱気された液体ＬＱを物体面側空間Ｋ１に対して所定時間供給することにより、物体面側液浸領域ＬＲ１を形成する液体ＬＱ中の気泡（気体部分）を流し去ったり、液体ＬＱ中に溶かし込んで低減又は消失させたりすることができる。
【０１７８】
そして、脱気された液体ＬＱを所定時間供給した後、観察装置１００の観察結果に基づいて、物体面側液浸領域ＬＲ１を形成する液体ＬＱ中の気泡の大きさ又は量が所定レベル以下になったことが確認された後、物体面側空間Ｋ１の液体ＬＱの交換が終了する（ステップＳ６５）。すなわち、第１液浸機構１の物体面側空間Ｋ１に対する液体ＬＱの供給動作と回収動作とを停止する。
【０１７９】
なお、表示装置ＤＹに表示されている物体面側液浸領域ＬＲ１の画像に基づいて、例えば作業者が、物体面側液浸領域ＬＲ１が所望状態であるか否かを判断するようにしてもよい。この場合は、作業者などが次の動作を制御装置ＣＯＮＴへ指令する。
【０１８０】
物体面側空間Ｋ１の液体ＬＱの交換が完了した後、第２ロットの所定数の基板Ｐを露光する前に、制御装置ＣＯＮＴは、投影光学系ＰＬと計測ステージＳＴ２とを対向させた状態で、上述のステップＳ３０と同様に、計測ステージＳＴ２に搭載された各種計測器を使った液体ＬＱを介した計測処理を実行する（ステップＳ７０）。そして、液体ＬＱを介して露光処理に関する計測処理を行った後、上述同様、像面側液浸領域ＬＲ２を基板ステージＳＴ１上に移動する。このとき、基板ステージＳＴ１には、第２ロットの先頭の基板Ｐが既にロードされている。そして、制御装置ＣＯＮＴは、この第２ロットの先頭の基板Ｐに対するアライメント処理を行った後、図２０などを参照して説明した手順と同様の手順で、物体面側空間Ｋ１を満たす液体ＬＱ、及び像面側空間Ｋ２を満たす液体ＬＱを介してその基板Ｐを液浸露光する。そして、第１ロットの基板Ｐを露光したときと同様の動作を繰り返すことによって、制御装置ＣＯＮＴは、第２ロットを構成する所定数の基板Ｐを順次露光する（ステップＳ８０）。
【０１８１】
一方、ステップＳ５０において、物体面側空間Ｋ１の初期満たしを完了した時点からの経過時間が許容値以下であると判断した場合、制御装置ＣＯＮＴは、物体面側空間Ｋ１の液体ＬＱを交換せず、物体面側空間Ｋ１に満たされている液体ＬＱを介して第２ロットの基板Ｐの露光処理を開始する。
【０１８２】
このように、所望状態の液体ＬＱを介して基板Ｐを露光するために、初期満たし完了時点からの経過時間に応じて、物体面側空間Ｋ１に満たされている液体ＬＱを交換するか否かを判断することにより、経過時間が許容値以上である場合には、液体ＬＱを交換することによって、物体面側空間Ｋ１には所望の温度及び清浄度を有する液体ＬＱが満たされ、一方、経過時間が許容値以下である場合には、物体面側空間Ｋ１に満たされている液体ＬＱが所望状態であるにもかかわらず、その液体ＬＱを交換してしまうといった動作を省くことができる。したがって、露光装置ＥＸの稼動率やスループットを向上することができる。
【０１８３】
第２ロットの基板Ｐの露光が終了した後、制御装置ＣＯＮＴは、マスクステージＭＳＴ上のマスクＭを別のマスクＭと交換するとともに、物体面側空間Ｋ１に満たされている液体ＬＱを交換した時点（すなわちステップＳ６０）からの経過時間に応じて、物体面側空間Ｋ１に満たされている液体ＬＱを交換するか否かを判断する。具体的には、制御装置ＣＯＮＴは、物体面側空間Ｋ１の液体交換が完了した時点からタイマーＴＭを使って計時を開始しており、物体面側空間Ｋ１の液体ＬＱの交換が完了した時点（すなわちステップＳ６０）からの経過時間が、予め設定されている許容値を超えたか否かを判別する（ステップＳ９０）。
【０１８４】
なお、第１ロット終了後に物体面側空間Ｋ１の液体交換を行わなかった場合には、ステップ９０において、制御装置ＣＯＮＴは、ステップＳ１０の初期満たし完了時点からの経過時間が所定の許容時間を超えたか否かを判断すればよい。
【０１８５】
ステップＳ９０において、物体面側空間Ｋ１の液体ＬＱを交換した時点（すなわちステップＳ６０の時点）からの経過時間が許容値以上であると判断した場合、制御装置ＣＯＮＴは、物体面側空間Ｋ１の液体ＬＱの交換を行う（ステップＳ１００）。
【０１８６】
具体的には、制御装置ＣＯＮＴは、図２１などを参照して説明した手順と同様の手順で液体ＬＱの交換を行う。
【０１８７】
物体面側空間Ｋ１の液体ＬＱの交換が完了した後、制御装置ＣＯＮＴは、投影光学系ＰＬと計測ステージＳＴ２とを対向させた状態で、計測ステージＳＴ２に搭載された各種計測器を使った液体ＬＱを介した計測処理を実行する（ステップＳ１１０）。そして、液体ＬＱを介して露光処理に関する計測処理を行った後、上述同様、像面側液浸領域ＬＲ２を基板ステージＳＴ１上に移動する。そして、制御装置ＣＯＮＴは、次の第３ロットを構成する所定数の基板Ｐを順次露光する。そして、制御装置ＣＯＮＴは、図２０などを参照して説明した手順と同様の手順で、第３ロットを構成する所定数の基板Ｐを順次露光する（ステップＳ１２０）。
【０１８８】
一方、ステップＳ９０において、物体面側空間Ｋ１の液体ＬＱを交換した時点からの経過時間が許容値以下であると判断した場合、制御装置ＣＯＮＴは、物体面側空間Ｋ１の液体ＬＱを交換せず、物体面側空間Ｋ１に満たされている液体ＬＱを介して第３ロットの基板Ｐを露光する。
【０１８９】
このように、所望状態の液体ＬＱを介して基板Ｐを露光するために、先に液体ＬＱを交換した時点からの経過時間に応じて、物体面側空間Ｋ１に満たされている液体ＬＱを交換するか否かを判断することにより、経過時間が許容値以上である場合には、液体ＬＱを交換することによって、物体面側空間Ｋ１には所望の温度及び清浄度を有する液体ＬＱが満たされ、一方、経過時間が許容値以下である場合には、物体面側空間Ｋ１に満たされている液体ＬＱが所望状態であるにもかかわらず、その液体ＬＱを交換してしまうといった動作を省くことができる。
【０１９０】
以下、同様に、制御装置ＣＯＮＴは、物体面側空間Ｋ１に満たされている液体ＬＱを交換してからの経過時間が、予め設定されている許容値を超えたか否かを判別する（ステップＳ１３０）。そして、物体面側空間Ｋ１の液体ＬＱを交換した時点（ステップＳ１００）からの経過時間が許容値以上であると判断した場合、制御装置ＣＯＮＴは、物体面側空間Ｋ１の液体ＬＱの交換を行い（ステップＳ１４０）、その後、計測ステージＳＴ２に搭載されている計測器を用いた計測処理を行い（ステップＳ１５０）、その後、第４ロットの基板Ｐの露光を行う（ステップＳ１６０）。一方、ステップＳＡ１３０において、物体面側空間Ｋ１の液体ＬＱを交換した時点（ステップＳ１００）からの経過時間が許容値以下であると判断した場合、制御装置ＣＯＮＴは、物体面側空間Ｋ１の液体ＬＱを交換せず、物体面側空間Ｋ１に満たされている液体ＬＱを介して第４ロットの基板Ｐの露光処理を開始する。
【０１９１】
以下、同様に、第５、第６、…、第Ｎロットの基板Ｐが順次露光される。
【０１９２】
なお、上述の実施形態においては、制御装置ＣＯＮＴは、初期満たし動作が完了した時点、または液体交換動作が完了した時点に計時を開始しているが、各動作を開始した時点など、計時開始時点は適宜決めることができる。
【０１９３】
以上説明したように、物体面側空間Ｋ１に対する初期満たし動作を完了してからの経過時間、又は物体面側空間Ｋ１に満たされている液体ＬＱを交換してからの経過時間に応じて、その液体ＬＱを交換するか否かを判断するようにしたので、液体ＬＱを所望状態にすることができる。すなわち、経過時間が許容値（例えば５分）以上である場合には、第１液浸機構１を使って液体ＬＱを交換することによって、物体面側空間Ｋ１には所望の温度を有する液体ＬＱが満たされるため、例えば液体ＬＱの温度変化に起因して、液体ＬＱを通過する露光光ＥＬの光路が変動したり、あるいは液体ＬＱに接触する第１、第２光学素子ＬＳ１、ＬＳ２等が熱変形し、液体ＬＱを介した露光精度及び計測精度が劣化するといった不都合を抑えることができる。また、液体ＬＱを交換することによって、物体面側空間Ｋ１には所望の清浄度を有する液体ＬＱが満たされるため、液体ＬＱの汚染に起因して、液体ＬＱを通過した露光光ＥＬの基板Ｐ上での光量が低下したり、あるいは液体ＬＱに接触する第１、第２光学素子ＬＳ１、ＬＳ２が汚染し、液体ＬＱを介した露光精度及び計測精度が劣化するといった不都合を抑えることができる。一方、経過時間が許容値以下である場合には、物体面側空間Ｋ１に満たされている液体ＬＱが所望状態であるにもかかわらず、その液体ＬＱを交換してしまうといった動作を省くことができる。したがって、露光装置ＥＸの稼動率やスループットを向上することができる。
【０１９４】
また、本実施形態においては、物体面側空間Ｋ１の液体交換を行った後に、計測ステージＳＴ２に搭載されている空間像計測センサ１６０を用いた結像特性（光学特性）の計測、及び／又は基準マーク板ＦＭを用いたベースライン計測を行うようにしているので、液体交換に伴う結像特性（光学特性）の変化を考慮して、その後の基板の露光を高精度に実行することができる。
【０１９５】
この場合も、物体面側空間Ｋ１の液体交換を行った後に、計測ステージＳＴ２に搭載されている基準マーク板ＦＭを用いたベースライン計測、及び／又は空間像計測センサ１６０を用いた結像特性（光学特性）の計測を行うようにして、液体交換に伴う結像特性（光学特性）などの変化を考慮して、その後の基板の露光を実行することが望ましい。
【０１９６】
なお本実施形態においては、物体面側空間Ｋ１及び像面側空間Ｋ２の初期満たし動作を行う際、先に物体面側空間Ｋ１の初期満たし動作を行って物体面側液浸領域ＬＲ１の状態を観察した後、像面側液浸領域ＬＲ２の状態を観察しているが、先に像面側空間Ｋ２の初期満たし動作を行って像面側液浸領域ＬＲ２の状態を観察した後、物体面側液浸領域ＬＲ１の状態を観察するようにしてもよい。また本実施形態においては、物体面側空間Ｋ１の初期満たし動作中の液体ＬＱの観察を観察装置１００を使って行う際、像面側空間Ｋ２には液体ＬＱは満たされていないが、像面側空間Ｋ２が液体ＬＱで満たされていてもよい。この場合、観察装置１００は、像面側液浸領域ＬＲ２の液体ＬＱを介して物体面側液浸領域ＬＲ１を観察する。一方、物体面側空間Ｋ１の初期満たし動作中の液体ＬＱの観察を行う際には、像面側空間Ｋ２を液体ＬＱで満たさないことにより、観察装置１００は物体面側空間Ｋ１を満たす液体ＬＱ中の気泡の有無をより高精度に観察することができる。
【０１９７】
なお本実施形態においては、物体面側空間Ｋ１に対する初期満たし動作を完了してからの経過時間、又は物体面側空間Ｋ１に満たされている液体ＬＱを交換してからの経過時間に応じて、その液体ＬＱを交換するか否かを判断し、判断結果に応じて第１液浸機構１を使って液体ＬＱを交換した。一方、像面側空間Ｋ２については、第２液浸機構２は、像面側空間Ｋ２の初期満たし終了後、像面側空間Ｋ２に対する液体ＬＱの供給動作と像面側空間Ｋ２の液体ＬＱの回収動作とを並行して継続することによって像面側空間Ｋ２を液体ＬＱで満たしていた。しかしながら、像面側空間Ｋ２の液体ＬＱの供給及び回収を継続的に行わずに、所定時間経過後または所定時間毎に交換してもよい。すなわち、物体面側空間Ｋ１の液体ＬＱと同様に、像面側空間Ｋ２に対する初期満たし動作を完了してからの経過時間、又は像面側空間Ｋ２に満たされている液体ＬＱを交換してからの経過時間に応じて、その液体ＬＱを交換するか否かを判断し、判断結果に応じて第２液浸機構２（及び液体回収機構９０）を使って液体ＬＱを交換（像面側空間Ｋ２の液体ＬＱの供給と回収動作を）してもよい。そして、像面側空間Ｋ２の初期満たし動作または液体交換を行った後に像面側液浸領域ＬＲ２の状態を観察装置１００を使って観察することができる（図２０及びステップＳ２０〜Ｓ２５参照）。この結果、像面側空間Ｋ２には所望の清浄度を有する液体ＬＱが満たされるため、液体ＬＱの汚染に起因して、液体ＬＱを通過した露光光ＥＬの基板Ｐ上での光量が低下したり、あるいは液体ＬＱに接触する第１光学素子ＬＳ１が汚染し、液体ＬＱを介した露光精度及び計測精度が劣化するといった不都合を抑えることができる。また、第２液浸機構２の液体供給及び回収動作を露光中に停止できるので、液体供給及び回収動作が露光動作に及ぼし得る影響を回避することができる。
【０１９８】
＜第２実施形態＞
上述の実施形態においては、物体面側空間Ｋ１に満たされている液体ＬＱを交換してからの経過時間に応じて、ロットの先頭において、物体面側空間Ｋ１に満たされている液体ＬＱを交換するか否かを判断しているが、例えばその判断するステップ（例えばステップＳ９０）の後に予定されているロット（例えば第３ロット）を構成する所定数の基板Ｐの露光に要する時間も考慮して、物体面側空間Ｋ１の液体ＬＱを交換するか否かを判断するようにしてもよい。
【０１９９】
例えば、上述の許容値が５分であり、第３ロットの露光処理を完了するまでに要する時間が２分である場合において、ステップＳ９０において、物体面側空間Ｋ１に満たされている液体ＬＱを交換するか否かを判断する場合、仮に、ステップＳ６０で物体面側空間Ｋ１の液体ＬＱの交換を行ってからの経過時間が２分である場合には、ステップＳ９０においては、物体面側空間Ｋ１に満たされている液体ＬＱの交換を行わないと判断される。すなわち、ステップＳ１００の動作は省略される。ところが、第３ロットの所定数の基板Ｐを露光するのに要する処理時間が、例えば４分である場合、第３ロットの基板Ｐの露光の途中において、上記許容値に達してしまう。そこで、制御装置ＣＯＮＴは、ステップ９０において、経過時間は許容値を超えていないけれども、第３ロットの露光処理が完了するまでに要する時間も考慮して、液体交換した方がよいと判断し、ステップＳ１００に進み、物体面側空間Ｋ１の液体ＬＱの交換を実行する。
【０２００】
このように、物体面側空間の液体ＬＱを交換するか否かを、先の液体交換からの経過時間だけでなく、次のロットの露光処理に要する時間も考慮して判断するので、所定枚数の基板を含む１つのロットの露光処理中での液体交換を回避することができる。
【０２０１】
なお、上述の第１、第２実施形態においては、物体面側空間Ｋ１の液体ＬＱの交換動作を、所定枚数の基板を含むロット毎に行っているが、所定時間経過毎、あるいは所定基板処理枚数毎に行うようにしてもよい。この場合も、物体面側空間Ｋ１の液体交換を行った後に、計測ステージＳＴ２に搭載されている基準マーク板ＦＭを用いたベースライン計測及び／又は空間像計測センサ１６０を用いた結像特性（光学特性）の計測を行うようにして、液体交換に伴う結像特性（光学特性）などを考慮して、その後の基板の露光を実行するのが望ましい。
【０２０２】
＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態として、像面側空間Ｋ２に満たされている液体ＬＱを全て回収する動作の一例について図２２のフローチャート図を参照しながら説明する。
【０２０３】
像面側空間Ｋ２を液体ＬＱで満たした状態で基板Ｐの露光処理など所定の処理を行った後、例えば装置のメンテナンスのために、像面側空間Ｋ２を満たしている液体ＬＱを全て回収する場合がある。以下の説明においては、像面側空間Ｋ２を満たしている液体ＬＱを全て回収する動作を適宜、「全回収動作」と称する。
【０２０４】
全回収動作を開始する旨の指令が発せられると（ステップＳ１８１）、制御装置ＣＯＮＴは、基板ステージＳＴ１を基板交換位置ＲＰまで移動し、搬送装置Ｈを用いて、基板ステージＳＴ１にダミー基板をロードする（ステップＳ１８２）。ダミー基板は、デバイスを製造するための基板Ｐとは異なる基板であるが、ダミー基板の外形はデバイスを製造するための基板Ｐとほぼ同じであり、基板ステージＳＴ１（基板ホルダＰＨ）はダミー基板を保持可能である。また、ダミー基板は、液体ＬＱに対して撥液性を有している。本実施形態においては、ダミー基板と液体ＬＱとの接触角は、基板ステージＳＴ１の上面Ｆ１（すなわちプレート部材Ｔの上面Ｔａ）と液体ＬＱとの接触角にほぼ等しい。なお、基板ステージＳＴ１が基板交換位置ＲＰに配置されている状態においては、上述の実施形態同様、投影光学系ＰＬと対向する位置に計測ステージＳＴ２が配置されており、像面側液浸領域ＬＲ２を形成する液体ＬＱは、投影光学系ＰＬと計測ステージＳＴ２との間に保持されている。
【０２０５】
次いで、図９等を参照して説明したように、制御装置ＣＯＮＴは、計測ステージＳＴ２の上面Ｆ２に対して、ダミー基板を保持した基板ステージＳＴ１の上面Ｆ１を接触（又は接近）させ、計測ステージＳＴ２と基板ステージＳＴ１とをＸＹ方向に一緒に移動して、投影光学系ＰＬの像面側に基板ステージＳＴ１を移動することによって、計測ステージＳＴ２の上面Ｆ２に形成されている像面側液浸領域ＬＲ２を、ダミー基板の表面を含む基板ステージＳＴ１の上面Ｆ１に移動する（ステップＳ１８３）。
【０２０６】
次いで、制御装置ＣＯＮＴは、第２液浸機構２の第２液体供給装置３１による液体供給動作を停止する。そして、制御装置ＣＯＮＴは、第２液体供給装置３１による液体供給動作を停止した後においても、第２液浸機構２の第２液体回収装置４１による液体回収動作を所定時間継続する。これにより、像面側空間Ｋ２に満たされている液体ＬＱが、第２液浸機構２のノズル部材７０の回収口４２を介して、第２液体回収装置４１に回収される。更に、制御装置ＣＯＮＴは、第２液浸機構２による液体回収動作と並行して、図７などを参照して説明した、基板ステージＳＴ１（基板ホルダＰＨ）に設けられている液体回収機構９０による液体回収動作を実行する。すなわち、制御装置ＣＯＮＴは、ダミー基板とプレート部材Ｔとの間に形成されているギャップＡ上に像面側液浸領域ＬＲ２を配置し、基板ステージＳＴ１に設けられている液体回収機構９０を使って液体ＬＱの回収を行う。これにより、液体ＬＱを全て良好に回収することができる。
【０２０７】
制御装置ＣＯＮＴは、タイマーＴＭをモニタしつつ、第２液浸機構２による液体回収動作と、基板ステージＳＴ１に設けられた液体回収機構９０による液体回収動作とを並行して行い、液体ＬＱの全回収動作を開始してからの経過時間、具体的には、第２液浸機構２の第２液体供給装置３１の液体供給動作を停止してからの経過時間が、予め定められている所定時間を経過したか否かを判断する（ステップＳ１８５）。
【０２０８】
なお、所定時間は、液体ＬＱを全回収するために必要な時間であって、予め実験又はシミュレーションによって求められている。
【０２０９】
ステップＳ１８５において、液体ＬＱの全回収動作を開始してからの経過時間が所定時間を経過したと判断した場合、制御装置ＣＯＮＴは、像面側空間Ｋ２の液体ＬＱの全回収動作を終了する。一方、ステップＳ１８５において、液体ＬＱの全回収動作を開始してからの経過時間が未だ所定時間を経過していないと判断した場合、制御装置ＣＯＮＴは、第２液浸機構２及び液体回収機構９０を使った液体ＬＱの全回収動作を継続する。
【０２１０】
なお、液体ＬＱの全回収動作が終了した後、制御装置ＣＯＮＴは、投影光学系ＰＬ（ノズル部材７０）と計測ステージＳＴ２とを対向させ、計測ステージＳＴ２に設けられている観察装置１００を使って、投影光学系ＰＬやノズル部材７０に液体ＬＱが残留しているか否かを確認するようにしてもよい。
【０２１１】
なおここでは、液体回収機構９０は基板ステージＳＴ１に設けられているが、計測ステージＳＴ２に設けられていてもよい。図２３は計測ステージＳＴ２に設けられた液体回収機構９０’の一例を示す図である。図２３において、基板ステージＳＴ１のプレート部材Ｔの周縁領域は第４周壁部８７よりも外側にオーバーハングしており、そのプレート部材Ｔの−Ｘ側のオーバーハングした部分によって、基板ステージＳＴ１には、計測ステージＳＴ２側に向かって突出する凸部９７が形成されている。また、計測ステージＳＴ２の＋Ｘ側には、凸部９７に対応する凹部９８が形成されている。そして、基板ステージＳＴ１の上面Ｆ１（Ｔａ）のうち凸部９７近傍の領域と、計測ステージＳＴ２の上面Ｆ２のうち凹部９８近傍の領域とが、互いに接触（又は接近）するようになっている。そして、液体ＬＱを回収するための回収口９１が、計測ステージＳＴ２の凹部９８の内側に設けられている。回収口９１には流路を介して吸引装置９２が接続されている。
【０２１２】
図２３（Ａ）は、基板ステージＳＴ１の上面Ｆ１と計測ステージＳＴ２の上面Ｆ２とが接触（又は接近）した状態を維持しつつ、基板ステージＳＴ１と計測ステージＳＴ２とが一緒に移動している状態を示す図である。基板ステージＳＴ１と計測ステージＳＴ２とが図２３（Ａ）に示す状態にあるときは、計測ステージＳＴ２の凹部９８上に基板ステージＳＴ１の凸部９７が配置される。これにより、図２３（Ａ）に示す状態においては、凹部９８の内側に設けられている回収口９１は、凸部９７で塞がれた状態となる。そして、基板ステージＳＴ１の上面Ｆ１と計測ステージＳＴ２の上面Ｆ２とを接触（又は接近）した状態のまま、基板ステージＳＴ１と計測ステージＳＴ２とを一緒に移動することにより、基板ステージＳＴ１の上面Ｆ１と計測ステージＳＴ２の上面Ｆ２との間で像面側液浸領域ＬＲ２を移動することができる。図２３（Ａ）に示す状態で像面側液浸領域ＬＲ２を移動するとき、基板ステージＳＴ１の上面Ｆ１と計測ステージＳＴ２の上面Ｆ２との間のギャップ９９Ａから液体ＬＱが漏出した場合においても、そのギャップ９９Ａの下側には凹部９８が設けられているため、漏出した液体ＬＱは凹部９８で捕集される。したがって、液体ＬＱがステージＳＴ１、ＳＴ２の外側やベース部材ＢＰ上に流出する不都合の発生を防止できる。また、凹部９８の内側には液体回収機構９０’の回収口９１が設けられているので、ギャップから漏出した液体ＬＱを、回収口９１を介して回収することができる。
【０２１３】
図２３（Ｂ）は、液体回収機構９０’の回収口９１を介して液体ＬＱを回収している状態を示す図である。像面側液浸領域ＬＲ２の液体ＬＱを全回収する場合には、制御装置ＣＯＮＴは、基板ステージＳＴ１と計測ステージＳＴ２との相対的な位置関係を、図２３（Ｂ）に示すような状態にする。すなわち、制御装置ＣＯＮＴは、ステージ駆動装置ＳＤ１、ＳＤ２の駆動を制御し、基板ステージＳＴ１の上面Ｆ１と計測ステージＳＴ２の上面Ｆ２との間にギャップ９９Ｂを形成し、凹部９８及びその内側に設けられている回収口９１を露出させる。そして、基板ステージＳＴ１の上面Ｆ１と計測ステージＳＴ２の上面Ｆ２との間にギャップ９９Ｂを形成して回収口９１を露出させた状態で、基板ステージＳＴ１と計測ステージＳＴ２とを一緒に移動しながら、計測ステージＳＴ２の回収口９１で、液体ＬＱの回収を行う。基板ステージＳＴ１及び計測ステージＳＴ２を移動し、投影光学系ＰＬの下方にギャップ９９Ｂを配置することにより、投影光学系ＰＬの下に保持されている液体ＬＱは、重力の作用により、ギャップ９９Ｂを介して凹部９８に流入し、回収口９１を介して回収される。
【０２１４】
またこの場合においても、制御装置ＣＯＮＴは、計測ステージＳＴ２に設けられた回収口９１による液体ＬＱの回収動作と、第２液浸機構２による回収動作とを並行して行うことができる。
【０２１５】
なお、第３実施形態において、第１光学素子ＬＳ１に対して基板ステージＳＴ１と計測ステージＳＴ２の少なくとも一方を動かしながら、像面側液浸領域ＬＲ２を形成している液体ＬＱを全回収するようにしてもよい。
【０２１６】
また、第３実施形態においては、液体回収機構９０（９０’）を使って、像面側空間Ｋ２の液体ＬＱを全回収するようにしているが、液体回収機構９０を使わずに、第２液浸機構２の液体回収動作で全回収を行うようにしてもよい。
【０２１７】
また、像面側液浸領域ＬＲ２を形成している液体ＬＱを全回収する際、第２液浸機構２の第２液体供給装置３１による液体供給動作を停止する前に、例えば清浄なダミー基板上で第２液浸機構２による液体供給動作と液体回収動作を所定時間継続するのが望ましい。これにより、物体面側液浸領域ＬＲ２を形成している液体ＬＱ中から基板Ｐ表面の膜材料からの溶出物（汚染物）が除去され、像面側液浸領域ＬＲ２を形成する液体ＬＱを全回収した後に、第１光学素子ＬＳ１の表面に残留（付着）していた液体ＬＱが乾燥しても、付着跡（ウォーターマークなど）の発生を抑制することができる。
【０２１８】
また、像面側液浸領域ＬＲ２を形成する液体ＬＱの全回収後、第１光学素子ＬＳ１の表面が液体ＬＱと接触しない状態が長く続く場合には、第１光学素子ＬＳ１の表面に液体ＬＱの付着跡（ウォーターマークなど）が発生しないように清浄な気体を第１光学素子ＬＳ１の表面に吹き付けたり、第１光学素子ＬＳ１の表面近傍の気体を吸引したりして、第１光学素子ＬＳ１の表面を乾燥させることが望ましい。
【０２１９】
また、像面側空間Ｋ２の液体ＬＱの全回収を行う場合に、物体面側空間Ｋ１は液体ＬＱで満たされたままであってもよいし、第１液浸機構１で液体回収動作だけを行うことにより、物体面側空間Ｋ１の液体ＬＱも全回収してもよい。
【０２２０】
＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態として、露光光ＥＬの照射されていないときの動作の一例について説明する。
【０２２１】
液体ＬＱを介した基板Ｐの露光処理など所定の処理を行った後、露光光ＥＬの照射を停止して、所定期間アイドリング状態を維持する場合がある。本実施形態においては、この露光光ＥＬの照射の停止中においても、第２液浸機構２による液体ＬＱの供給動作及び回収動作は連続的に継続して行われ、像面側空間Ｋ２を液体ＬＱで満たし続けている。
【０２２２】
また、本実施形態においては、露光光ＥＬの照射の停止中においても、物体面側空間Ｋ１は液体ＬＱで満たされている。ただし、第１液浸機構１による液体ＬＱの供給動作及び回収動作は停止している。すなわち、露光光ＥＬの照射の停止中において、物体面側空間Ｋ１には液体ＬＱが留まっている状態となっている。
【０２２３】
物体面側空間Ｋ１に液体ＬＱが留まっている状態を長時間放置しておくと、その液体ＬＱが汚染し、ひいてはその液体ＬＱに接触している第１、第２光学素子ＬＳ１、ＬＳ２が汚染する可能性がある。また、第１、第２光学素子ＬＳ１、ＬＳ２が汚染すると、物体面側空間Ｋ１に清浄な液体ＬＱを供給したとしても、供給された液体ＬＱが第１、第２光学素子ＬＳ１、ＬＳ２と接触することによって汚染してしまう不都合が生じる。そこで、制御装置ＣＯＮＴは、露光光ＥＬが照射されていないとき（この例では、照射の停止中）、第１光学素子ＬＳ１と第２光学素子ＬＳ２との間の物体面側空間Ｋ１に満たされている液体ＬＱを第１液浸機構１を使って所定時間間隔（例えば１５分に一回）で交換する。こうすることにより、液体ＬＱの汚染を抑え、物体面側空間Ｋ１に満たされる液体ＬＱを所望状態にすることができ、液体ＬＱが第１、第２光学素子ＬＳ１、ＬＳ２に及ぼす影響を抑えることができ、次のロットの露光処理を速やかに開始できる。
【０２２４】
なお、露光光ＥＬの照射の停止中に限らず、露光光ＥＬの照射されていないときに、第１光学素子ＬＳ１と第２光学素子ＬＳ２との間の物体面側空間Ｋ１に満たされている液体ＬＱを第１液浸機構１を使って所定時間間隔（例えば１５分に一回）で交換することができる。例えば、基板Ｐの露光処理が行われる前、あるいは何らかの原因で露光光の照射が遅れるかまたは行われないときにも、第１光学素子ＬＳ１と第２光学素子ＬＳ２との間の物体面側空間Ｋ１に満たされている液体ＬＱを第１液浸機構１を使って所定時間間隔で交換することができる。
【０２２５】
第４実施形態では、露光光ＥＬの照射されていないときに、第１光学素子ＬＳ１と第２光学素子ＬＳ２との間の物体面側空間Ｋ１に満たされている液体ＬＱを第１液浸機構１を使って交換する動作を説明した。しかしながら、これに限らず、露光光ＥＬの照射されているときに、第１光学素子ＬＳ１と第２光学素子ＬＳ２との間の物体面側空間Ｋ１に満たされている液体ＬＱを第１液浸機構１を使って交換してもよい。
【０２２６】
また、像面側空間Ｋ２の液体ＬＱの供給及び回収を継続的に行わずに、所定のタイミングで交換する場合には、露光光ＥＬの照射が行われていないときに、像面側空間Ｋ２の液体ＬＱの交換を行うようにしてもよい。
【０２２７】
なお、上述の第１〜第４実施形態において、物体面側液浸領域ＬＲ１は、第１光学素子ＬＳ１の上面の一部に局所的に形成されているが、第１光学素子ＬＳ１の上面のほぼ全域を覆うように形成されてもよい。この場合、物体面側空間Ｋ１を満たす液体ＬＱは、鏡筒ＰＫなど、第１、第２光学素子ＬＳ１、ＬＳ２以外の部材にも接触する可能性があるが、その液体ＬＱを交換することによって、液体ＬＱに起因して鏡筒ＰＫなど液体ＬＱと接触する部材が熱変形したり、汚染するといった不都合を防止できる。
【０２２８】
また、第１〜第４実施形態においては、観察装置１００は液浸領域ＬＲ１、ＬＲ２よりも大きい視野を有しているが、液浸領域ＬＲ１、ＬＲ２よりも小さい視野を有していてもよい。その場合、投影光学系ＰＬに対して、観察装置１００が搭載された計測ステージＳＴ２をＸＹ方向に動かしながら、すなわち、液浸領域ＬＲ１、ＬＲ２と観察装置１００の視野とを相対的に移動しながら観察することにより、液浸領域ＬＲ１、ＬＲ２それぞれの全域を良好に観察することができる。
【０２２９】
また、上述の実施形態においては、物体面側空間Ｋ１および像面側空間Ｋ２が液体ＬＱで満たされたか否かを観察装置１００を使って判断しているが、物体面側空間Ｋ１に気泡（気体）が混入しにくい場合には、観察装置１００を像面側空間Ｋ２のみに使用するようにしてもよい。
【０２３０】
また、上述の第１〜第４実施形態においては、第１液浸機構１と第２液浸機構２とは別々の脱気装置や温調装置を備えているが、脱気装置などの一部を共通化していもよい。
【０２３１】
また、上述の第１〜第４実施形態においては、第１液浸機構１と第２液浸機構２は共通の液体ＬＱ（純水）を供給しているが、それぞれ異なる液体を供給するようにしてもよい。この場合、第１液浸機構１と第２液浸機構２とがそれぞれ種類の異なる（例えば、屈折率の異なる）液体を供給するようにしてもよいし、同種の液体を温度などの一部の性質を異ならせて供給するようにしてもよい。
【０２３２】
また、上述の第１〜第４実施形態においては、基板Ｐに対向するように配置された第１光学素子ＬＳ１と、その第１光学素子ＬＳの光入射側に配置された第２光学素子ＬＳ２との間の光路空間（物体面側空間Ｋ１）、及び／又は第１光学素子ＬＳ１の光射出側の光路空間（像面側空間Ｋ２）の液体ＬＱの満たし動作及び交換動作について説明したが、光路空間はこれらに限られず、液体ＬＱで満たされる光路空間であれば、上記の満たし動作及び交換動作を適用することができる。
【０２３３】
上述したように、本実施形態における液体ＬＱは純水を用いた。純水は、半導体製造工場等で容易に大量に入手できるとともに、基板Ｐ上のフォトレジストや光学素子（レンズ）等に対する悪影響がない利点がある。また、純水は環境に対する悪影響がないとともに、不純物の含有量が極めて低いため、基板Ｐの表面、及び投影光学系ＰＬの先端面に設けられている光学素子の表面を洗浄する作用も期待できる。なお工場等から供給される純水の純度が低い場合には、露光装置が超純水製造器を持つようにしてもよい。
【０２３４】
そして、波長が１９３ｎｍ程度の露光光ＥＬに対する純水（水）の屈折率ｎはほぼ１．４４と言われており、露光光ＥＬの光源としてＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）を用いた場合、基板Ｐ上では１／ｎ、すなわち約１３４ｎｍに短波長化されて高い解像度が得られる。更に、焦点深度は空気中に比べて約ｎ倍、すなわち約１．４４倍に拡大されるため、空気中で使用する場合と同程度の焦点深度が確保できればよい場合には、投影光学系ＰＬの開口数をより増加させることができ、この点でも解像度が向上する。
【０２３５】
本実施形態では、投影光学系ＰＬの先端に光学素子ＬＳ１が取り付けられており、このレンズにより投影光学系ＰＬの光学特性、例えば収差（球面収差、コマ収差等）の調整を行うことができる。なお、投影光学系ＰＬの先端に取り付ける光学素子としては、投影光学系ＰＬの光学特性の調整に用いる光学プレートであってもよい。あるいは露光光ＥＬを透過可能な平行平面板であってもよい。
【０２３６】
なお、液体ＬＱの流れによって生じる投影光学系ＰＬの先端の光学素子と基板Ｐとの間の圧力が大きい場合には、その光学素子を交換可能とするのではなく、その圧力によって光学素子が動かないように堅固に固定してもよい。
【０２３７】
なお、本実施形態では、投影光学系ＰＬと基板Ｐ表面との間は液体ＬＱで満たされている構成であるが、例えば基板Ｐの表面に平行平面板からなるカバーガラスを取り付けた状態で液体ＬＱを満たす構成であってもよい。
【０２３８】
また、ノズル部材７０等の液浸機構１の構造は、上述の構造に限られず、例えば、欧州特許公開第１４２０２９８号公報、国際公開第２００４／０５５８０３号公報、国際公開第２００４／０５７５９０号公報、国際公開第２００５／０２９５５９号公報に記載されているものを用いることができる。
【０２３９】
なお、本実施形態の液体ＬＱは水であるが、水以外の液体であってもよい、例えば、露光光ＥＬの光源がＦ２レーザである場合、このＦ２レーザ光は水を透過しないので、液体ＬＱとしてはＦ２レーザ光を透過可能な例えば、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）やフッ素系オイル等のフッ素系流体であってもよい。この場合、液体ＬＱと接触する部分には、例えばフッ素を含む極性の小さい分子構造の物質で薄膜を形成することで親液化処理する。また、液体ＬＱとしては、その他にも、露光光ＥＬに対する透過性があってできるだけ屈折率が高く、投影光学系ＰＬや基板Ｐ表面に塗布されているフォトレジストに対して安定なもの（例えばセダー油）を用いることも可能である。
【０２４０】
また、液体ＬＱとしては、屈折率が１．６〜１．８程度のものを使用してもよい。更に、石英や蛍石よりも屈折率が高い（例えば１．６以上）材料で光学素子ＬＳ１を形成してもよい。
【０２４１】
なお、上記各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板や、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【０２４２】
露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。また、上記実施形態では投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、パターン像を投影しない光学系を用いる露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。このような露光装置及び露光方法においては、露光光はレンズなどの光学部材を介して基板に照射され、そのような光学部材と基板との間の所定空間に液浸領域が形成される。
【０２４３】
また、露光装置ＥＸとしては、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で第１パターンの縮小像を投影光学系（例えば１／８縮小倍率で反射素子を含まない屈折型投影光学系）を用いて基板Ｐ上に一括露光する方式の露光装置にも適用できる。この場合、更にその後に、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で第２パターンの縮小像をその投影光学系を用いて、第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光するスティッチ方式の一括露光装置にも適用できる。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【０２４４】
また、本発明は、特開平１０−１６３０９９号公報、特開平１０−２１４７８３号公報、特表２０００−５０５９５８号公報などに開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。
【０２４５】
露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【０２４６】
なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６，７７８，２５７号公報に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスクを用いてもよい。
【０２４７】
また、国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。
【０２４８】
以上のように、本願実施形態の露光装置ＥＸは、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【０２４９】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図２４に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、前述した実施形態の露光装置ＥＸによりマスクのパターンを基板に露光する露光処理を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
【図面の簡単な説明】
【０２５０】
【図１】露光装置の一実施形態を示す概略構成図である。
【図２】第１、第２液浸機構を説明するための図である。
【図３】第１液浸機構を説明するための図である。
【図４】基板ホルダを示す側断面図である。
【図５】基板ステージ及び計測ステージを示す平面図である。
【図６】基板ホルダの一部を示す平面図である。
【図７】基板ホルダに設けられた液体回収機構を示す側断面図である。
【図８】観察装置を示す図である。
【図９】基板ステージ上と計測ステージ上との間で像面側液浸領域が移動する様子を説明するための模式図である。
【図１０】観察装置が物体面側液浸領域を観察している様子を示す模式図である。
【図１１】観察装置が像面側液浸領域を観察している様子を示す模式図である。
【図１２】基板ステージ及び計測ステージの動作の一例を説明するための平面図である。
【図１３】基板ステージ及び計測ステージの動作の一例を説明するための平面図である。
【図１４】基板ステージ及び計測ステージの動作の一例を説明するための平面図である。
【図１５】基板ステージ及び計測ステージの動作の一例を説明するための平面図である。
【図１６】基板ステージ及び計測ステージの動作の一例を説明するための平面図である。
【図１７】露光方法の一実施形態を説明するためのフローチャート図である。
【図１８】物体面側空間の初期満たし動作の手順を示すフローチャート図である。
【図１９】像面側空間の初期満たし動作の手順を示すフローチャート図である。
【図２０】第１ロットの基板を露光する動作の手順を示すフローチャート図である。
【図２１】物体面側空間の液体を交換する動作の手順を示すフローチャート図である。
【図２２】像面側空間の液体を全回収動作の手順を示すフローチャート図である。
【図２３】液体回収機構の別の実施形態を示す図である。
【図２４】マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。
【符号の説明】
【０２５１】
１…第１液浸機構、２…第２液浸機構、１６０…空間像計測センサ（計測器）、ＣＯＮＴ…制御装置、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、Ｋ１…物体面側空間、Ｋ２…像面側空間、ＬＱ…液体、ＬＳ１…第１光学素子、ＬＳ２…第２光学素子、Ｐ…基板、ＰＬ…投影光学系
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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