(57)【要約】      （修正有）【課題】エポキシ樹脂に有用な硬化促進剤、硬化性、流動性および保存性が良好なエポキシ樹脂組成物ならびに耐半田クラック性や耐湿信頼性に優れる半導体装置の提供。【解決手段】一般式（１）で表されるエポキシ樹脂用硬化促進剤。2006348283.tif 000023［Ａは窒素又は燐原子を、Ｒ1〜Ｒ4は芳香環又は複素環を有する有機基あるいは脂肪族基を、Ｘ1、Ｘ2は有機基である。Ｙ1〜Ｙ4とはプロトン供与性置換基がプロトンを放出してなる基であり、珪素原子と結合してキレート構造を形成する。Ｚ1は芳香族基を表す。］及び該硬化促進剤を含むエポキシ樹脂組成物。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表されるエポキシ樹脂用硬化促進剤。
【化１】
2006348283.tif 000020
［式中、Ａは窒素原子又は燐原子を表す。式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ、置換もしくは無置換の芳香環又は複素環を有する有機基、あるいは置換もしくは無置換の脂肪族基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。式中Ｘ1は、置換基Ｙ1及びＹ2と結合する有機基である。式中Ｘ2は、置換基Ｙ3及びＹ4と結合する有機基である。Ｙ1及びＹ2はプロトン供与性置換基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の置換基Ｙ1及びＹ2が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｙ3及びＹ4はプロトン供与性置換基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の置換基Ｙ3及びＹ4が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｘ1及びＸ2は互いに同一でも異なっていてもよく、Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3及びＹ4は互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｚ1は置換もしくは無置換の芳香族基を表す。］
【請求項２】
前記硬化促進剤は、一般式（１）におけるＲ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4として、置換もしくは無置換の芳香環を有する有機基を有するものである、請求項１に記載のエポキシ樹脂用硬化促進剤。
【請求項３】
前記硬化促進剤は、下記一般式（２）で表されるものである、請求項１又は２に記載のエポキシ樹脂用硬化促進剤。
【化２】
2006348283.tif 000021
［式中、Ｒ5、Ｒ6及びＲ7は、それぞれ、置換もしくは無置換の芳香環又は複素環を有する有機基、あるいは置換もしくは無置換の脂肪族基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ａｒは置換もしくは無置換の芳香族基を表す。式中Ｘ3は、置換基Ｙ5及びＹ6と結合する有機基である。式中Ｘ4は、置換基Ｙ7及びＹ8と結合する有機基である。Ｙ5及びＹ6はプロトン供与性置換基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の置換基Ｙ5及びＹ6が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｙ7及びＹ8はプロトン供与性置換基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の置換基Ｙ7及びＹ8が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｘ3及びＸ4は互いに同一でも異なっていてもよく、Ｙ5、Ｙ6、Ｙ7及びＹ8は互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｚ2は置換もしくは無置換の芳香族基を表す。］
【請求項４】
前記硬化促進剤は、下記一般式（３）で表されるものである請求項３に記載のエポキシ樹脂用硬化促進剤。
【化３】
2006348283.tif 000022
［式中、Ｒ8、Ｒ9及びＲ10は、それぞれ、水素原子、メチル基、メトキシ基及び水酸基から選択される１種を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。式中Ｘ5は、置換基Ｙ9及びＹ10と結合する有機基である。Ｙ9及びＹ10はプロトン供与性置換基がプロトンを放出してなる基であり、それらは互いに同一であっても異なっていてもよく、同一分子内の置換基Ｙ9及びＹ10が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｚ3は置換もしくは無置換の芳香族基を表す。］
【請求項５】
前記硬化促進剤は、前記一般式（１）から（３）におけるＺ1、Ｚ2及びＺ3として、置換もしくは無置換の多核芳香族基を有するものである請求項１から４のいずれかに記載のエポキシ樹脂用硬化促進剤。
【請求項６】
１分子内にエポキシ基を２個以上有する化合物と、１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物と、請求項１から５のいずれかに記載のエポキシ樹脂用硬化促進剤とを含むことを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
【請求項７】
無機充填材を含む請求項６に記載のエポキシ樹脂組成物。
【請求項８】
前記無機充填材の含有量は、前記１分子内にエポキシ基を２個以上有する化合物と、前記１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物との合計量１００重量部あたり、２００〜２４００重量部である請求項７に記載のエポキシ樹脂組成物。
【請求項９】
請求項８に記載のエポキシ樹脂組成物の硬化物により電子部品を封止してなることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エポキシ樹脂用硬化促進剤、エポキシ樹脂組成物及び半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子を封止して半導体装置を得る方法としては、エポキシ樹脂組成物のトランスファー成形が、低コスト及び大量生産に適しているという点で、広く用いられている。また、エポキシ樹脂や、硬化剤であるフェノール樹脂の改良により、半導体装置の特性及び信頼性の向上が図られている。
【０００３】
しかしながら、昨今の電子機器の小型化、軽量化、高性能化の市場動向において、半導体の高集積化も年々進んでおり、また、半導体装置の表面実装化も促進されている。これに伴い、半導体素子の封止に用いられるエポキシ樹脂組成物への要求は、益々厳しいものとなってきている。このため、従来からのエポキシ樹脂組成物では、解決できない（対応できない）問題も生じている。
【０００４】
近年、半導体素子の封止に用いられる材料には、生産効率の向上を目的とした速硬化性の向上と、半導体を封止した際の、耐熱性や信頼性の向上のため、無機質の充填材を高充填しても損なわれることのない、高流動性が求められるようになってきている。
【０００５】
電気・電子材料分野向けのエポキシ樹脂組成物には、硬化時における樹脂の硬化反応を促進する目的で、速硬化性に優れる第三ホスフィンとキノン類との付加反応物が、硬化促進剤として添加される（例えば、特許文献1参照。）。
【０００６】
ところで、かかる硬化促進剤は、硬化促進効果を示す温度領域が、比較的低温にまで及ぶため、硬化反応の初期において、その反応がわずかずつであるが促進してしまい、この反応が原因となって、樹脂組成物が高分子量化する。かかる高分子量化は、樹脂粘度の向上を引き起こし、結果として、信頼性向上のために充填材を高充填した樹脂組成物においては、流動性の不足により成型不良などの問題を引き起こす。
【０００７】
また、流動性を向上させるべく、硬化性を抑制する成分を用いて、反応性の基質を保護する試みも、さまざまなものが取り組まれてきた。例えば、硬化促進剤の活性点をイオン対により保護することで、潜伏性を発現する研究がなされており、種々の有機酸とホスホニウムイオンとの塩構造を有する潜伏性触媒が知られている（例えば、特許文献２〜３参照。）。しかし、このような通常の塩類では、硬化反応の初期から終期まで、常に抑制成分が存在するために、流動性を得ることができる反面、硬化性は十分に得られない、両立ができないものであった。
【特許文献１】特開平１０−２５３３５号公報（第２頁）
【特許文献２】特開２００１−９８０５３号公報（第５頁）
【特許文献３】米国特許第４１７１４２０号明細書（第２−４頁）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、エポキシ樹脂に有用な硬化促進剤、硬化性、流動性及び保存性が良好なエポキシ樹脂組成物ならびに耐半田クラック性や耐湿信頼性に優れる半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
このような目的は、下記（１）〜（９）の本発明により達成される。
（１）下記一般式（１）で表されるエポキシ樹脂用硬化促進剤。
【００１０】
【化１】
2006348283.tif 000002
［式中、Ａは窒素原子又は燐原子を表す。式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ、置換もしくは無置換の芳香環又は複素環を有する有機基、あるいは置換もしくは無置換の脂肪族基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。式中Ｘ1は、置換基Ｙ1及びＹ2と結合する有機基である。式中Ｘ2は、置換基Ｙ3及びＹ4と結合する有機基である。Ｙ1及びＹ2はプロトン供与性置換基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の置換基Ｙ1及びＹ2が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｙ3及びＹ4はプロトン供与性置換基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の置換基Ｙ3及びＹ4が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｘ1及びＸ2は互いに同一でも異なっていてもよく、Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3及びＹ4は互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｚ1は置換もしくは無置換の芳香族基を表す。］
【００１１】
（２）前記硬化促進剤は、一般式（１）におけるＲ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4として、置換もしくは無置換の芳香環を有する有機基を有するものである、上記（１）に記載のエポキシ樹脂用硬化促進剤。
（３）前記硬化促進剤は、下記一般式（２）で表されるものである、上記（１）又は（２）に記載のエポキシ樹脂用硬化促進剤。
【００１２】
【化２】
2006348283.tif 000003
［式中、Ｒ5、Ｒ6及びＲ7は、それぞれ、置換もしくは無置換の芳香環又は複素環を有する有機基、あるいは置換もしくは無置換の脂肪族基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ａｒは置換もしくは無置換の芳香族基を表す。式中Ｘ3は、置換基Ｙ5及びＹ6と結合する有機基である。式中Ｘ4は、置換基Ｙ7及びＹ8と結合する有機基である。Ｙ5及びＹ6はプロトン供与性置換基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の置換基Ｙ5及びＹ6が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｙ7及びＹ8はプロトン供与性置換基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の置換基Ｙ7及びＹ8が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｘ3及びＸ4は互いに同一でも異なっていてもよく、Ｙ5、Ｙ6、Ｙ7及びＹ8は互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｚ2は置換もしくは無置換の芳香族基を表す。］
【００１３】
（４）前記硬化促進剤は、下記一般式（３）で表されるものである上記（３）に記載の硬化促進剤。
【００１４】
【化３】
2006348283.tif 000004
［式中、Ｒ8、Ｒ9及びＲ10は、それぞれ、水素原子、メチル基、メトキシ基及び水酸基から選択される１種を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。式中Ｘ5は、置換基Ｙ9及びＹ10と結合する有機基である。Ｙ9及びＹ10はプロトン供与性置換基がプロトンを放出してなる基であり、それらは互いに同一であっても異なっていてもよく、同一分子内の置換基Ｙ9及びＹ10が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｚ3は置換もしくは無置換の芳香族基を表す。］
【００１５】
（５）前記硬化促進剤は、前記一般式（１）から（３）におけるＺ1、Ｚ2及びＺ3として、置換もしくは無置換の多核芳香族基を有するものである上記（１）から（４）のいずれかに記載のエポキシ樹脂用硬化促進剤。
（６）１分子内にエポキシ基を２個以上有する化合物と、１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物と、上記（１）から（５）のいずれかに記載のエポキシ樹脂用硬化促進剤とを含むことを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
（７）無機充填材を含む上記（６）に記載のエポキシ樹脂組成物。
（８）前記無機充填材の含有量は、前記１分子内にエポキシ基を２個以上有する化合物と、前記１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物との合計量１００重量部あたり、２００〜２４００重量部である上記（７）に記載のエポキシ樹脂組成物。
（９）上記（８）に記載のエポキシ樹脂組成物の硬化物により電子部品を封止してなることを特徴とする半導体装置。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の硬化促進剤によれば、エポキシ樹脂の硬化促進に極めて有用であり、エポキシ樹脂組成物に混合した場合、優れた流動性と硬化性の両立したエポキシ樹脂組成物を得ることができる。
また、本発明の半導体装置は、高温に曝された場合であっても、クラックや剥離等の欠陥が生じ難く、また、吸湿に伴う経時劣化も発生し難い。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明のエポキシ樹脂用硬化促進剤、エポキシ樹脂組成物及び半導体装置の好適実施形態について説明する。
【００１８】
［本発明の硬化促進剤］
本発明における硬化促進剤は、前記一般式（１）で表される構造を有する化合物からなるものである。
ここで、前記一般式（１）において、Ａは窒素原子又は燐原子を表す。式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ、置換もしくは無置換の芳香環又は複素環を有する有機基、あるいは置換もしくは無置換の脂肪族基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。
これらの置換基Ｒ1〜Ｒ4としては、例えば、フェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ナフチル基、ヒドロキシナフチル基及びベンジル基などの置換もしくは無置換の芳香環を有する有機基、フリル基、チエニル基、テニル基、テノイル基、ピロリル基、ピリジル基、ピペリジノ基、モルフォリノ基及びキノリル基などの置換もしくは無置換の複素環を有する有機基、メチル基、エチル基、ｎ−ブチル基、ｎ−オクチル基及びシクロヘキシル基などの置換もしくは無置換の脂肪族基が挙げられ、反応活性や安定性の点から、フェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基及びヒドロキシナフチル基などの置換もしくは無置換の芳香族基がより好ましい。なお、前記芳香環を有する有機基、前記複素環を有する有機基及び前記脂肪族基における置換基としては、メチル基、エチル基、メトキシ基及び水酸基などが挙げられる。
【００１９】
また、前記一般式（１）において、置換基Ｘ1は、置換基Ｙ1及びＹ2と結合する有機基である。同様に、置換基Ｘ2は、置換基Ｙ3及びＹ4と結合する有機基である。置換基Ｘ1及びＸ2は、互いに同一でも異なっていてもよい。置換基Ｙ1及びＹ2は、プロトン供与性置換基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の置換基Ｙ1及びＹ2が、珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。同様に置換基Ｙ3及びＹ4は、プロトン供与性置換基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の置換基Ｙ3及びＹ4が、珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。置換基Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3及びＹ4は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
このような一般式（１）中のＹ1Ｘ1Ｙ2及びＹ3Ｘ2Ｙ4で示される基は、２価以上のプロトン供与体が、プロトンを２個放出してなる基で構成されるものであり、２価以上のプロトン供与体としては、例えば、カテコール、ピロガロール、１，２−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレン、２，２’−ビフェノール、２，２’−ビナフトール、サリチル酸、１−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、クロラニル酸、タンニン酸、２−ヒドロキシベンジルアルコール、１，２−シクロヘキサンジオール、１，２−プロパンジオール及びグリセリン等を挙げられるが、これらの中でも、カテコール、１，２−ジヒドロキシナフタレン及び２，３−ジヒドロキシナフタレンが、保存安定性や耐湿信頼性の面から、より好ましい。
【００２０】
また、一般式（１）中のＺ1は、置換もしくは無置換の芳香族基を表し、これらの具体的な例としては、フェニル基、ベンジル基、ナフチル基、ビフェニル基及びアントラセニル基等が挙げられるが、これらの中でも、多核芳香族基が好ましく、ナフチル基及びアントラセニル基が、熱安定性の面から、より好ましい。なお、前記芳香族基における置換基としては、メチル基、エチル基及び水酸基などが挙げられる。
【００２１】
このようなオニウムシリケート、すなわち、本発明に用いる好ましい硬化促進剤は、従来の硬化促進剤と比較し、硬化促進剤としての特性、特に硬化性、流動性及び保存性が極めて優れるものである。
【００２２】
また、これらのオニウムシリケートのうち、より好ましい硬化促進剤としては、前記一般式（２）で表される、ホスホニウムカチオンを有するものを挙げることができる。
【００２３】
ここで、前記一般式（２）において、燐原子に結合する置換基Ｒ5、Ｒ6及びＲ7は、それぞれ、置換もしくは無置換の芳香環又は複素環を有する有機基、あるいは置換もしくは無置換の脂肪族基を示し、これらは、互いに同一でも異なっていてもよい。
これらの置換基Ｒ5〜Ｒ7としては、例えば、フェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ナフチル基、ヒドロキシナフチル基及びベンジル基などの置換もしくは無置換の芳香環を有する有機基、フリル基、チエニル基、テニル基、テノイル基、ピロリル基、ピリジル基、ピペリジノ基、モルフォリノ基及びキノリル基などの置換もしくは無置換の複素環を有する有機基、メチル基、エチル基、ｎ−ブチル基、ｎ−オクチル基及びシクロヘキシル基などの置換もしくは無置換の脂肪族基が挙げられ、反応活性や安定性の点から、フェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基及びヒドロキシナフチル基などの置換もしくは無置換の芳香族基がより好ましい。なお、前記芳香環を有する有機基、前記複素環を有する有機基及び前記脂肪族基における置換基としては、メチル基、エチル基、メトキシ基及び水酸基などが挙げられる。
【００２４】
また、前記一般式（２）において、置換基Ａｒは、置換もしくは無置換の芳香族基を示す。置換基Ａｒとしては、例えば、フェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ナフチル基及びヒドロキシナフチル基等が挙げられ、反応活性や安定性の点から、フェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基及びヒドロキシナフチル基などの置換もしくは無置換の芳香族基がより好ましい。なお、前記芳香族基における置換基としては、メチル基、エチル基及び水酸基などが挙げられる。
【００２５】
また、前記一般式（２）において、置換基Ｘ3は、置換基Ｙ5及びＹ6と結合する有機基である。同様に、置換基Ｘ4は、置換基Ｙ7及びＹ8と結合する有機基である。置換基Ｘ3及びＸ4は、互いに同一でも異なっていてもよい。置換基Ｙ5及びＹ6は、プロトン供与性置換基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の置換基Ｙ5及びＹ6が、珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。同様に置換基Ｙ7及びＹ8は、プロトン供与性置換基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の置換基Ｙ7及びＹ8が、珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。置換基Ｙ5、Ｙ6、Ｙ7及びＹ8は、互いに同一であっても異なっていてもよい。
このような一般式（２）中のＹ5Ｘ3Ｙ6及びＹ7Ｘ4Ｙ8で示される基は、２価以上のプロトン供与体が、プロトンを２個放出してなる基で構成されるものであり、２価以上のプロトン供与体としては、例えば、カテコール、ピロガロール、１，２−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレン、２，２’−ビフェノール、２，２’−ビナフトール、サリチル酸、１−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、クロラニル酸、タンニン酸、２−ヒドロキシベンジルアルコール、１，２−シクロヘキサンジオール、１，２−プロパンジオール及びグリセリン等を挙げられるが、これらの中でも、カテコール、１，２−ジヒドロキシナフタレン及び２，３−ジヒドロキシナフタレンが、保存安定性や耐湿信頼性の面から、より好ましい。
【００２６】
また、一般式（２）中のＺ2は、置換もしくは無置換の芳香族基を表し、これらの具体的な例としては、フェニル基、ベンジル基、ナフチル基、ビフェニル基及びアントラセニル基等が挙げられるが、これらの中でも、多核芳香族基が好ましく、ナフチル基及びアントラセニル基が熱安定性の面から、より好ましい。なお、前記芳香族基における置換基としては、メチル基、エチル基、水酸基などが挙げられる。
【００２７】
また、これらのオニウムシリケートのうち、さらにより好ましい硬化促進剤としては、前記一般式（３）で表される、燐原子に結合する有機基が、置換もしくは無置換のフェニル基であるホスホニウムカチオンを有するものを挙げることができる。
【００２８】
ここで、前記一般式（３）において、フェニル基上の置換基Ｒ8、Ｒ9、及びＲ10は、それぞれ、水素原子、メチル基、メトキシ基及び水酸基から選択される１種を示し、これらは、互いに同一でも異なっていてもよい。
【００２９】
また、前記一般式（３）において、置換基Ｘ5は、置換基Ｙ9及びＹ10と結合する有機基である。置換基Ｙ9及びＹ10はプロトン供与性置換基がプロトンを放出してなる基であり、それらは互いに同一であっても異なっていてもよく、同一分子内の置換基Ｙ9、及びＹ10が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。
このような一般式（３）中のＹ9Ｘ5Ｙ10で示される基は、２価以上のプロトン供与体が、プロトンを２個放出してなる基で構成されるものであり、２価以上のプロトン供与体としては、例えば、カテコール、ピロガロール、１，２−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレン、２，２’−ビフェノール、２，２’−ビナフトール、サリチル酸、１−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、クロラニル酸、タンニン酸、２−ヒドロキシベンジルアルコール、１，２−シクロヘキサンジオール、１，２−プロパンジオール及びグリセリン等を挙げられるが、これらの中でも、カテコール、１，２−ジヒドロキシナフタレン及び２，３−ジヒドロキシナフタレンが、保存安定性や耐湿信頼性の面から、より好ましい。
【００３０】
また、一般式（３）中のＺ3は、置換もしくは無置換の芳香族基を表し、これらの具体的な例としては、フェニル基、ベンジル基、ナフチル基、ビフェニル基及びアントラセニル基等が挙げられるが、これらの中でも、多核芳香族基が好ましく、ナフチル基及びアントラセニル基が熱安定性の面から、より好ましい。なお、前記芳香族基における置換基としては、メチル基、エチル基及び水酸基などが挙げられる。
【００３１】
このような、一般式（３）で示されるホスホニウムシリケートは、キレートを構成する２つのプロトン供与性置換基が同一であるため、特に合成においてその合成簡便度が優れるという特徴を有するため、好ましい。
【００３２】
ここで、本発明に用いる硬化促進剤の内、オニウムシリケートとして、前記一般式（１）で表される硬化促進剤の合成方法について説明するが、これらに何ら限定されるものではない。
【００３３】
本発明に用いる該硬化促進剤の合成方法としては、例えば、オニウムハライド化合物と、シリケートのアルカリ金属塩とを接触させる合成ルートによる方法を挙げることがでる。前記シリケートのアルカリ金属塩は、トリアルコキシシラン類及び珪素原子とキレート結合を形成可能な前記プロトン供与体を、水酸化ナトリウム等のアルカリ水酸化物で中和して得ることができるものである。これらの合成工程は、下記反応式のように表される。かかる合成法により、容易かつ高収率で合成することが可能である。
【００３４】
ここで、前記トリアルコキシシラン類としては、例えば、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ビフェニルトリメトキシシラン、ナフチルトリメトキシシラン、アントラセニルトリメトキシシラン及びベンジルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【００３５】
前記オニウムハライド化合物としては、置換を有していても良い芳香環又は複素環を有する有機基あるいは脂肪族基を有するオニウムハライド化合物が挙げられ、例えば、置換基を有していても良いメチルトリオクチルアンモニウムブロミド、テトラフェニルアンモニウムブロミド、テトラブチルホスホニウムブロミド、テトラフェニルホスホニウムブロミド、トリフェニル（２−ヒドロキシフェニル）ホスホニウムブロミド、トリフェニル（３−ヒドロキシフェニル）ホスホニウムブロミド、トリフェニル（６−ヒドロキシ−２−ナフタレン）ホスホニウムブロミド、トリス（４−メチルフェニル）（２−ヒドロキシフェニル）ホスホニウムブロミド及びトリス（４−メトキシフェニル）（２−ヒドロキシフェニル）ホスホニウムブロミドなどが挙げられる。
【００３６】
【化４】
2006348283.tif 000005
［式中、Ａは、燐原子又は窒素原子を表す。Ｒは、置換もしくは無置換の芳香環又は複素環を有する有機基、あるいは置換もしくは無置換の脂肪族基を表す。Ｘは１価の陰イオンを表す。Ｒ’は脂肪族基を表し、Ｙ及びＺはプロトン供与性置換基がプロトンを１個放出してなる基を表す。Ｒ’’はプロトン供与性置換基であるＹＨ及びＺＨと結合する有機基を表す。Ｒ’’’は置換もしくは無置換の芳香族基を表す。］
【００３７】
上記の反応では、オニウムハライド化合物の溶液を、トリアルコキシシラン類とプロトン供与体の溶液とを水酸化ナトリウム等のアルカリで中和して生成するシリケートの溶液中に、室温で滴下することにより、オニウムシリケートを容易に得ることができる。
ここで用いる溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール及びプロパノール等のアルコール系溶媒が好ましく、収率を向上させる目的で、適宜、水等の再沈殿溶媒と混合させることもできる。
【００３８】
［本発明のエポキシ樹脂組成物］
本発明のエポキシ樹脂組成物は、１分子内にエポキシ基を２個以上有する化合物（Ａ）と、１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｂ）と、本発明の硬化促進剤（Ｃ）と、任意に、無機充填材（Ｄ）と、を含むものである。かかるエポキシ樹脂組成物は、硬化性、流動性及び保存性に優れたものである。
以下、本発明のエポキシ樹脂組成物に用いる各成分について、順次説明する。
【００３９】
［１分子内にエポキシ基を２個以上有する化合物（Ａ）］
本発明に用いる１分子内にエポキシ基を２個以上有する化合物（Ａ）としては、１分子内にエポキシ基を２個以上有するものであれば、何ら制限はない。
前記化合物（Ａ）としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂及び臭素化ビスフェノール型エポキシ樹脂等のビスフェノール型エポキシ樹脂；、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ジヒドロキシベンゼン型エポキシ樹脂など；、さらには、フェノール類やフェノール樹脂やナフトール類などの水酸基にエピクロロヒドリンを反応させて製造するエポキシ化合物、オレフィンを過酸により酸化させエポキシ化したエポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂及びグリシジルアミン型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４０】
［１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｂ）］
本発明に用いる１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｂ）は、１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有するものであり、前記化合物（Ａ）の硬化剤として作用（機能）するものである。
前記化合物（Ｂ）としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノール樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル樹脂、トリスフェノール樹脂、キシリレン変性ノボラック樹脂、テルペン変性ノボラック樹脂及びジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂などが挙げられ、これらのうちの１種又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４１】
［硬化促進剤（Ｃ）］
本発明のエポキシ樹脂組成物に用いる硬化促進剤（Ｃ）としては、上記で得られる硬化促進剤が挙げられるが、中でもオニウムシリケートが好ましく、例えば、アンモニウムシリケート、ピリジニウムシリケート及びホスホニウムシリケートなどが挙げられ、これらのうちの１種又は２種以上組み合わせて用いることができる。
【００４２】
［無機充填材（Ｄ）］
無機充填材（Ｄ）としては、得られる半導体装置の耐半田性向上を目的として、エポキシ樹脂組成物中に配合（混合）されるものであり、その種類については、特に制限はなく、一般に封止材料に用いられているものを使用することができる。
この無機充填材（Ｄ）としては、例えば、溶融破砕シリカ、溶融シリカ、結晶シリカ、２次凝集シリカ、アルミナ、チタンホワイト、水酸化アルミニウム、タルク、クレー及びガラス繊維等が挙げられ、これらのうちの１種又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４３】
本発明のエポキシ樹脂組成物において、前記１分子内にエポキシ基を２個以上有する化合物（Ａ）と、前記１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｂ）との配合比率も、特に限定されないが、前記１分子内にエポキシ基を２個以上有する化合物（Ａ）のエポキシ基１モルに対し、前記１分子内にフェノール性水酸基を２個以上有する化合物（Ｂ）のフェノール性水酸基が０．５〜２モル程度となるように用いるのが好ましく、０．７〜１．５モル程度となるように用いるのが、より好ましい。これにより、エポキシ樹脂組成物の諸特性のバランスを好適なものに維持しつつ、諸特性が、より向上する。
また、硬化促進剤（Ｃ）の含有量（配合量）は、特に限定されないが、樹脂成分に対して０．０１〜１０重量％程度であるのが好ましく、０．１〜５重量％程度であるのが、より好ましい。これにより、エポキシ樹脂組成物の硬化性、流動性、保存性、及び硬化物特性がバランスよく発現する。
【００４４】
また、無機充填材（Ｄ）の含有量（配合量）は、特に限定されないが、前記化合物（Ａ）と前記化合物（Ｂ）との合計量１００重量部あたり、２００〜２４００重量部程度であるのが好ましく、４００〜１４００重量部程度であるのが、より好ましい。前記範囲外でも用いることができるが、無機充填材（Ｄ）の含有量が前記下限値未満の場合、無機充填材（Ｄ）による補強効果が充分に発現しないおそれがあり、一方、無機充填材（Ｄ）の含有量が前記上限値を超えた場合、エポキシ樹脂組成物の流動性が低下し、エポキシ樹脂組成物の成形時（例えば半導体装置の製造時等）に、充填不良等が生じるおそれがある。
なお、無機充填材（Ｄ）の含有量（配合量）が、前記化合物（Ａ）と前記化合物（Ｂ）との合計量１００重量部あたり、４００〜１４００重量部であれば、エポキシ樹脂組成物の硬化物の吸湿率が低くなり、半田クラックの発生を防止することができる。かかるエポキシ樹脂組成物は、加熱溶融時の流動性も良好であるため、半導体装置内部の金線変形を引き起こすことが好適に防止される。
また、無機充填材（Ｄ）の含有量（配合量）は、前記化合物（Ａ）、前記化合物（Ｂ）や無機充填材（Ｄ）自体の比重を、それぞれ考慮し、重量部を体積％に換算して取り扱うようにしてもよい。
【００４５】
また、本発明のエポキシ樹脂組成物中には、前記（Ａ）〜（Ｄ）の化合物（成分）の他に、必要に応じて、例えば、エポキシシラン、メルカプトシラン、アミノシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン及びビニルシラン等のシランカップリング剤や、チタネートカップリング剤、アルミニウムカップリング剤、アルミニウム／ジルコニウムカップリング剤等のカップリング剤、カーボンブラック及びベンガラ等の着色剤、カルナバワックス等の天然ワックス、ポリエチレンワックス等の合成ワックス、ステアリン酸やステアリン酸亜鉛等の高級脂肪酸及びその金属塩類若しくはパラフィン等の離型剤、シリコーンオイル及びシリコーンゴム等の低応力化成分、臭素化エポキシ樹脂や三酸化アンチモン、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、硼酸亜鉛、モリブデン酸亜鉛及びフォスファゼン等の難燃剤、酸化ビスマス水和物等の無機イオン交換体等、種々の添加剤を適宜配合しても差し支えない。
また、本発明において硬化促進剤として機能する硬化促進剤（Ｃ）の特性を損なわない範囲で、エポキシ樹脂組成物中には、例えば、トリフェニルホスフィン、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−７−ウンデセン、２−メチルイミダゾール等の他の公知の触媒を配合（混合）するようにしても、何ら問題はない。
【００４６】
本発明のエポキシ樹脂組成物は、前記（Ａ）〜（Ｃ）の化合物（成分）と、任意に（Ｄ）成分、及び、必要に応じて、その他の添加剤等を、ミキサーを用いて常温混合し、熱ロール、加熱ニーダー等を用いて加熱混練し、冷却、粉砕することにより得られる。
【００４７】
得られたエポキシ樹脂組成物をモールド樹脂として用いて、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の成形方法で硬化成形することにより、半導体素子等の電子部品を封止する。これにより、本発明の半導体装置が得られる。
【００４８】
本発明の半導体装置の形態としては、特に限定されないが、例えば、ＳＩＰ（Single Inline Package）、ＨＳＩＰ（SIP with Heatsink）、ＺＩＰ（Zig-zag Inline Package）、ＤＩＰ（Dual Inline Package）、ＳＤＩＰ（Shrink Dual Inline Package）、ＳＯＰ（Small Outline Package）、ＳＳＯＰ（Shrink Small Outline Package）、ＴＳＯＰ（Thin Small Outline Package）、ＳＯＪ（Small Outline J-leaded Package）、ＱＦＰ（Quad Flat Package）、ＱＦＰ(ＦＰ）（QFP Fine Pitch）、ＴＱＦＰ（Thin Quad Flat Package）、ＱＦＪ（ＰＬＣＣ）（Quad Flat J-leaded Package）、ＢＧＡ（Ball Grid Array）等が挙げられる。
このようにして得られた本発明の半導体装置は、耐半田クラック性及び耐湿信頼性に優れる。
【００４９】
また、本実施形態では、本発明のエポキシ樹脂組成物を、半導体装置の封止材料として用いる場合について説明したが、本発明のエポキシ樹脂組成物の用途としては、これに限定されるものではない。また、エポキシ樹脂組成物の用途等に応じて、本発明のエポキシ樹脂組成物では、無機充填材の混合（配合）を省略することもできる。
以上、本発明のエポキシ樹脂用硬化促進剤、エポキシ樹脂組成物及び半導体装置の好適実施形態について説明したが、本発明は、これに限定されるものではない。
【実施例】
【００５０】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
まず、硬化促進剤として使用する化合物Ｃ１〜Ｃ６及びトリフェニルホスフィンを用意した。
【００５１】
（化合物Ｃ１の合成）
冷却管及び撹拌装置付きのセパラブルフラスコ（容量：２００ｍＬ）に、フェニルトリメトキシシラン７．９２ｇ（０．０４０ｍｏｌ）、２，３−ジヒドロキシナフタレン１２．８ｇ（０．０８０ｍｏｌ）、予め水酸化ナトリウム１．６０ｇ（０．０４ｍｏｌ）を１０ｍＬのメタノールに溶解した水酸化ナトリウム溶液、及びメタノール５０ｍＬを仕込み攪拌し均一に溶解させた。トリフェニルホスホニウムブロミド１６．８ｇ（０．０４０ｍｏｌ）を予め５０ｍＬのメタノールで溶解した溶液を、フラスコ内に徐々に滴下すると結晶が析出した。析出した結晶を濾過、水洗、真空乾燥し、白色結晶２８．９ｇを得た。
この化合物をＣ１とした。化合物Ｃ１を、1Ｈ−ＮＭＲ、マススペクトル、元素分析で分析した結果、下記式（５）で表される目的のホスホニウムシリケートであることが確認された。得られた化合物Ｃ１の収率は、９５％であった。
【００５２】
【化５】
2006348283.tif 000006
【００５３】
（化合物Ｃ２の合成）
冷却管及び撹拌装置付きのセパラブルフラスコ（容量：２００ｍＬ）に、ナフチルトリメトキシシラン９．９２ｇ（０．０４０ｍｏｌ）、２，３−ジヒドロキシナフタレン１２．８ｇ（０．０８０ｍｏｌ）、予め水酸化ナトリウム１．６０ｇ（０．０４ｍｏｌ）を１０ｍＬのメタノールに溶解した水酸化ナトリウム溶液、及びメタノール５０ｍＬを仕込み攪拌し均一に溶解させた。トリフェニルホスホニウムブロミド１６．８ｇ（０．０４０ｍｏｌ）を予め５０ｍＬのメタノールで溶解した溶液を、フラスコ内に徐々に滴下すると結晶が析出した。析出した結晶を濾過、水洗、真空乾燥し、白色結晶２７．５ｇを得た。
この化合物をＣ２とした。化合物Ｃ２を、1Ｈ−ＮＭＲ、マススペクトル、元素分析で分析した結果、下記式（６）で表される目的のホスホニウムシリケートであることが確認された。得られた化合物Ｃ２の収率は、８５％であった。
【００５４】
【化６】
2006348283.tif 000007
【００５５】
（化合物Ｃ３の合成）
冷却管及び撹拌装置付きのセパラブルフラスコ（容量：２００ｍＬ）に、アントラセニルトリメトキシシラン１１．９２ｇ（０．０４０ｍｏｌ）、２，３−ジヒドロキシナフタレン１２．８ｇ（０．０８０ｍｏｌ）、予め水酸化ナトリウム１．６０ｇ（０．０４ｍｏｌ）を１０ｍＬのメタノールに溶解した水酸化ナトリウム溶液、及びメタノール５０ｍＬを仕込み攪拌し均一に溶解させた。トリメチルフェニルアンモニウムブロミド８．６５ｇ（０．０４０ｍｏｌ）を予め２５ｍＬのメタノールで溶解した溶液を、フラスコ内に徐々に滴下すると結晶が析出した。析出した結晶を濾過、水洗、真空乾燥し、茶色結晶２１．１ｇを得た。
この化合物をＣ３とした。化合物Ｃ３を、1Ｈ−ＮＭＲ、マススペクトル、元素分析で分析した結果、下記式（７）で表される目的のアンモニウムシリケートであることが確認された。得られた化合物Ｃ３の収率は、８０％であった。
【００５６】
【化７】
2006348283.tif 000008
【００５７】
（化合物Ｃ４の合成）
冷却管及び撹拌装置付きのセパラブルフラスコ（容量：２００ｍＬ）に、２−ブロモフェノール１０．４ｇ（０．０６０ｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン１７．３ｇ（０．０６６ｍｏｌ）、塩化ニッケル０．６５ｇ（５ｍｍｏｌ）、及びエチレングリコール４０ｍＬ仕込み、攪拌下１６０℃で加熱反応した。反応液を冷却後、純水４０ｍＬを滴下し、析出した結晶をトルエンで洗浄後、濾過・乾燥し、トリフェニル（２−ヒドロキシフェニル）ホスホニウムブロミドを得た。
次に、冷却管及び撹拌装置付きのセパラブルフラスコ（容量：２００ｍＬ）に、ビフェニルトリメトキシシラン１０．９６ｇ（０．０４０ｍｏｌ）、２，３−ジヒドロキシナフタレン１２．８０ｇ（０．０８０ｍｏｌ）、予め水酸化ナトリウム１．６０ｇ（０．０４０ｍｏｌ）を１０ｍＬのメタノールに溶解した水酸化ナトリウム溶液、及びメタノール５０ｍＬを仕込み攪拌し均一に溶解させた。上記で得たトリフェニル（２−ヒドロキシフェニル）ホスホニウムブロミド１７．４ｇ（０．０４０ｍｏｌ）を予め２５ｍＬのメタノールで溶解した溶液を、フラスコ内に徐々に滴下すると結晶が析出した。析出した結晶を濾過、水洗、真空乾燥し、淡黄白色結晶３３．２ｇを得た。
この化合物をＣ４とした。化合物Ｃ４を、1Ｈ−ＮＭＲ、マススペクトル、元素分析で分析した結果、下記式（８）で表される目的のホスホニウムシリケート分子化合物であることが確認された。得られた化合物Ｃ４の収率は、６５％であった。
【００５８】
【化８】
2006348283.tif 000009
【００５９】
（化合物Ｃ５の合成）
冷却管及び撹拌装置付きのセパラブルフラスコ（容量：２００ｍＬ）に、３−ブロモフェノール１０．４ｇ（０．０６０ｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン１７．３ｇ（０．０６６ｍｏｌ）、塩化ニッケル０．６５ｇ（５ｍｍｏｌ）、及びエチレングリコール４０ｍＬを仕込み、攪拌下１６０℃で加熱反応した。反応液を冷却後、純水４０ｍＬを滴下し、析出した結晶をトルエンで洗浄後、濾過・乾燥し、トリフェニル（３−ヒドロキシフェニル）ホスホニウムブロミドを得た。
次に、冷却管及び撹拌装置付きのセパラブルフラスコ（容量：２００ｍＬ）に、ナフチルトリメトキシシラン９．９２ｇ（０．０４０ｍｏｌ）、カテコール８．８０ｇ（０．０８０ｍｏｌ）、予め水酸化ナトリウム１．６０ｇ（０．０４ｍｏｌ）を１０ｍＬのメタノールに溶解した水酸化ナトリウム溶液、及びメタノール５０ｍＬを仕込み攪拌し均一に溶解させた。上記で得たトリフェニル（３−ヒドロキシフェニル）ホスホニウムブロミド１７．４ｇ（０．０４０ｍｏｌ）を予め２５ｍＬのメタノールで溶解した溶液を、フラスコ内に徐々に滴下すると結晶が析出した。析出した結晶を濾過、水洗、真空乾燥し、白色結晶２３．９ｇを得た。
この化合物をＣ５とした。化合物Ｃ５を、1Ｈ−ＮＭＲ、マススペクトル、元素分析で分析した結果、下記式（９）で表される目的のホスホニウムシリケートであることが確認された。得られた化合物Ｃ５の収率は、５５％であった。
【００６０】
【化９】
2006348283.tif 000010
【００６１】
（化合物Ｃ６の合成）
トリフェニルホスフィン１３．１ｇ（０．０５０ｍｏｌ）を３００ｍＬのビーカー中で、４０ｇのアセトンに室温で溶解させた。
次に、この溶液中に。ｐ−ベンゾキノン５．４ｇ（０．０２５ｍｏｌ）をアセトン３０ｇに溶解した溶液を、攪拌下ゆっくり滴下した。このとき、滴下を続けると、しだいに析出物が現われた。
その後、析出した結晶を濾過、乾燥し、トリフェニルホスフィン−ベンゾキノン付加物を得た。
次に、冷却管及び撹拌装置付きのセパラブルフラスコ（容量：２００ｍＬ）に、ナフチルトリメトキシシラン９．９２ｇ（０．０４０ｍｏｌ）、１，２−ジヒドロキシナフタレン１２．８ｇ（０．０８０ｍｏｌ）、及びメタノール５０ｍＬを仕込み攪拌し均一に溶解させた。上記で得たトリフェニルホスフィン−ベンゾキノン付加物１４．８ｇ（０．０４０ｍｏｌ）を予め２５ｍＬのメタノールで溶解した溶液を、フラスコ内に徐々に滴下すると結晶が析出した。析出した結晶を濾過、水洗、真空乾燥し、淡黄白色結晶２９．４ｇを得た。
この化合物をＣ６とした。化合物Ｃ６を、1Ｈ−ＮＭＲ、マススペクトル、元素分析で分析した結果、下記式（１０）で表される目的のホスホニウムシリケートであることが確認された。得られた化合物Ｃ６の収率は、７０％であった。
【００６２】
【化１０】
2006348283.tif 000011
【００６３】
［エポキシ樹脂組成物の調製及び半導体装置の製造］
以下のようにして、前記化合物Ｃ１〜Ｃ６及びトリフェニルホスフィンを、それぞれ含むエポキシ樹脂組成物を調製し、半導体装置を製造した。
【００６４】
（実施例１）
まず、化合物（Ａ）として下記式（１１）で表されるビフェニル型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン（株）製ＹＸ−４０００ＨＫ）、化合物（Ｂ）として下記式（１２）で表されるフェノールアラルキル樹脂（ただし、繰り返し単位数：３は、平均値を示す。三井化学（株）製ＸＬＣ−ＬＬ）、硬化促進剤（Ｃ）として化合物Ｃ１、無機充填材（Ｄ）として溶融球状シリカ（平均粒径１５μｍ）、その他の添加剤としてカーボンブラック、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂及びカルナバワックスを、それぞれ用意した。
【００６５】
【化１１】
2006348283.tif 000012
＜式（１１）で表される化合物の物性＞
融点                    ：１０５℃
エポキシ当量            ：１９３
１５０℃のＩＣＩ溶融粘度：０．１５ｐｏｉｓｅ
【００６６】
【化１２】
2006348283.tif 000013
＜式（１２）で表される化合物の物性＞
軟化点                  ：７７℃
水酸基当量              ：１７２
１５０℃のＩＣＩ溶融粘度：３．６ｐｏｉｓｅ
【００６７】
次に、前記ビフェニル型エポキシ樹脂：５２重量部、前記フェノールアラルキル樹脂：４８重量部、化合物Ｃ１：３．８１重量部、溶融球状シリカ：７３０重量部、カーボンブラック：２重量部、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂：２重量部、カルナバワックス：２重量部を、まず室温で混合し、次いで熱ロールを用いて９５℃で８分間混練した後、冷却粉砕して、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得た。
次に、このエポキシ樹脂組成物をモールド樹脂として用い、１００ピンＴＱＦＰのパッケージ（半導体装置）を８個、及び、１６ピンＤＩＰのパッケージ（半導体装置）を１５個、それぞれ製造した。
１００ピンＴＱＦＰは、金型温度１７５℃、注入圧力７．４ＭＰａ、硬化時間２分でトランスファーモールド成形し、１７５℃、８時間で後硬化させることにより製造した。
なお、この１００ピンＴＱＦＰのパッケージサイズは、１４×１４ｍｍ、厚み１．４ｍｍ、シリコンチップ（半導体素子）サイズは、８．０×８．０ｍｍ、リードフレームは、４２アロイ製とした。
また、１６ピンＤＩＰは、金型温度１７５℃、注入圧力６．８ＭＰａ、硬化時間２分でトランスファーモールド成形し、１７５℃、８時間で後硬化させることにより製造した。
なお、この１６ピンＤＩＰのパッケージサイズは、６．４×１９．８ｍｍ、厚み３．５ｍｍ、シリコンチップ（半導体素子）サイズは、３．５×３．５ｍｍ、リードフレームは、４２アロイ製とした。
【００６８】
（実施例２）
まず、化合物（Ａ）として下記式（１３）で表されるビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂（ただし、繰り返し単位数：３は、平均値を示す。日本化薬（株）製ＮＣ−３０００Ｐ）、化合物（Ｂ）として下記式（１４）で表されるビフェニルアラルキル型フェノール樹脂（ただし、繰り返し単位数：３は、平均値を示す。明和化成（株）製ＭＥＨ−７８５１ＳＳ）、硬化促進剤（Ｃ）として化合物Ｃ１、無機充填材（Ｄ）として溶融球状シリカ（平均粒径１５μｍ）、その他の添加剤としてカーボンブラック、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂及びカルナバワックスを、それぞれ用意した。
【００６９】
【化１３】
2006348283.tif 000014
＜式（１３）で表される化合物の物性＞
軟化点                  ：６０℃
エポキシ当量            ：２７２
１５０℃のＩＣＩ溶融粘度：１．３ｐｏｉｓｅ
【００７０】
【化１４】
2006348283.tif 000015
＜式（１４）で表される化合物の物性＞
軟化点                  ：６８℃
水酸基当量              ：１９９
１５０℃のＩＣＩ溶融粘度：０．９ｐｏｉｓｅ
【００７１】
次に、前記ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂：５７重量部、前記ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂：４３重量部、化合物Ｃ１：２．８２重量部、溶融球状シリカ：６５０重量部、カーボンブラック：２重量部、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂：２重量部、カルナバワックス：２重量部を、まず室温で混合し、次いで熱ロールを用いて１０５℃で８分間混練した後、冷却粉砕して、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得た。
次に、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【００７２】
（実施例３）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ２：４．０５重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【００７３】
（実施例４）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ２：４．０５重量部を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例２と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【００７４】
（実施例５）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ３：３．２９重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【００７５】
（実施例６）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ３：３．２９重量部を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例２と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【００７６】
（実施例７）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ４：４．２６重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【００７７】
（実施例８）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ４：４．２６重量部を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例２と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【００７８】
（実施例９）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ５：３．６３重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【００７９】
（実施例１０）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ５：３．６３重量部を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例２と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【００８０】
（実施例１１）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ６：４．２１重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【００８１】
（実施例１２）
化合物Ｃ１に代わり、化合物Ｃ６：４．２１重量部を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例２と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【００８２】
（比較例１）
化合物Ｃ１に代わり、トリフェニルホスフィン−ベンゾキノン付加物：１．６７重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【００８３】
（比較例２）
化合物Ｃ１に代わり、トリフェニルホスフィン−ベンゾキノン付加物：１．６７重量部を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例２と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【００８４】
（比較例３）
化合物Ｃ１に代わり、トリフェニルホスフィン：０．９０重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【００８５】
（比較例４）
化合物Ｃ１に代わり、トリフェニルホスフィン：０．９０重量部を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例２と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【００８６】
（比較例５）
化合物Ｃ１に代わり、下記式（１５）で表されるＣ７：２．２７重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【００８７】
【化１５】
2006348283.tif 000016
【００８８】
（比較例６）
化合物Ｃ１に代わり、Ｃ７：２．２７重量部を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例２と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【００８９】
（比較例７）
化合物Ｃ１に代わり、下記式（１６）で表されるＣ８：２．９６重量部を用いた以外は、前記実施例１と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例１と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【００９０】
【化１６】
2006348283.tif 000017
【００９１】
（比較例８）
化合物Ｃ１に代わり、Ｃ８：２．９６重量部を用いた以外は、前記実施例２と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、前記実施例２と同様にしてパッケージ（半導体装置）を製造した。
【００９２】
［特性評価］
各実施例及び各比較例で得られたエポキシ樹脂組成物の特性評価（１）〜（３）、及び、各実施例及び各比較例で得られた半導体装置の特性評価（４）及び（５）を、それぞれ、以下のようにして行った。
（１）：スパイラルフロー
ＥＭＭＩ−Ｉ−６６に準じたスパイラルフロー測定用の金型を用い、金型温度１７５℃、注入圧力６．８ＭＰａ、硬化時間２分で測定した。
このスパイラルフローは、流動性のパラメータであり、数値が大きい程、流動性が良好であることを示す。
（２）：硬化トルク
キュラストメーター（オリエンテック（株）製、ＪＳＲキュラストメーターＩＶ  ＰＳ型）を用い、１７５℃、４５秒後のトルクを測定した。
この硬化トルクは、数値が大きい程、硬化性が良好であることを示す。
（３）：フロー残存率
得られたエポキシ樹脂組成物を、大気中３０℃で１週間保存した後、前記（１）と同様にしてスパイラルフローを測定し、調製直後のスパイラルフローに対する百分率（％）を求めた。
このフロー残存率は、数値が大きい程、保存性が良好であることを示す。
（４）：耐半田クラック性
１００ピンＴＱＦＰを８５℃、相対湿度８５％の環境下で１６８時間放置し、その後、２６０℃の半田槽に１０秒間浸漬した。
その後、顕微鏡下に、外部クラックの発生の有無を観察し、クラック発生率＝（クラックが発生したパッケージ数）／（全パッケージ数）×１００として、百分率（％）で表示した。
また、シリコンチップとエポキシ樹脂組成物の硬化物との剥離面積の割合を、超音波探傷装置を用いて測定し、剥離率＝（剥離面積）／（シリコンチップの面積）×１００として、８個のパッケージの平均値を求め、百分率（％）で表示した。
これらのクラック発生率及び剥離率は、それぞれ、数値が小さい程、耐半田クラック性が良好であることを示す。
（５）：耐湿信頼性
１６ピンＤＩＰに、１２５℃、相対湿度１００％の水蒸気中で、２０Ｖの電圧を印加し、断線不良を調べた。１５個のパッケージのうち８個以上に不良が出るまでの時間を不良時間とした。
なお、測定時間は、最長で５００時間とし、その時点で不良パッケージ数が８個未満であったものは、不良時間を５００時間超（＞５００）と示す。
この不良時間は、数値が大きい程、耐湿信頼性に優れることを示す。
【００９３】
各特性評価（１）〜（５）の結果を、表１及び表２に示す。
【００９４】
【表１】
2006348283.tif 000018
【００９５】
【表２】
2006348283.tif 000019
【００９６】
表１及び表２に示すように、実施例１〜１２で得られたエポキシ樹脂組成物（本発明のエポキシ樹脂組成物）は、いずれも、硬化性及び流動性が良好であり、さらに、この硬化物で封止された各実施例のパッケージ（本発明の半導体装置）は、いずれも、耐半田クラック性、耐湿信頼性が良好なものであった。
これに対し、比較例１及び比較例２で得られたエポキシ樹脂組成物は、いずれも、流動性に劣り、これらの比較例で得られたパッケージは、いずれも、耐半田クラック性に劣るとともに、耐湿信頼性が極めて低いものであった。また、比較例３及び比較例４で得られたエポキシ樹脂組成物は、いずれも、流動性に劣る。また、比較例５、比較例６、比較例７及び比較例８で得られたエポキシ樹脂組成物は、いずれも、硬化性に劣り、また、耐クラック性や、信頼性も十分得られていない。
【００９７】
（実施例１３〜１８、比較例９〜１２）
化合物（Ａ）として、前記式（１１）で表されるビフェニル型エポキシ樹脂：２６重量部、前記式（１３）で表されるビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂：２８．５重量部、及び、化合物（Ｂ）として、前記式（１２）で表されるフェノールアラルキル樹脂：４５．５重量部を配合した以外は、それぞれ、前記実施例１、３、５、７、９、１１、比較例１、３、５及び７と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、パッケージ（半導体装置）を製造した。
各実施例１３〜１８、比較例９〜１２で得られたエポキシ樹脂組成物及びパッケージの特性評価を、前記と同様にして行ったところ、前記表１のそれぞれに対応する結果とほぼ同様の結果が得られた。
【００９８】
（実施例１９〜２４、比較例１３〜１６）
化合物（Ａ）として、前記前記式（１１）で表されるビフェニル型エポキシ樹脂：５４．５重量部、化合物（Ｂ）として、前記式（１２）で表されるフェノールアラルキル樹脂：２４重量部、及び、前記式（１４）で表されるビフェニルアラルキル型フェノール樹脂：２１．５重量部を配合した以外は、それぞれ、前記実施例１、３、５、７、９、１１、比較例１、３、５及び７と同様にして、エポキシ樹脂組成物（熱硬化性樹脂組成物）を得、このエポキシ樹脂組成物を用いて、パッケージ（半導体装置）を製造した。
各実施例１９〜２４、比較例１３〜１６で得られたエポキシ樹脂組成物及びパッケージの特性評価を、前記と同様にして行ったところ、前記表１のそれぞれに対応する結果とほぼ同様の結果が得られた。
【産業上の利用可能性】
【００９９】
本発明によれば、硬化性、流動性及び保存性が良好なエポキシ樹脂組成物を得ることができることから、エポキシ樹脂と同様にホスフィンやホスホニウム塩などを硬化促進剤とする熱硬化性樹脂組成物にも好適である。また、これらの樹脂組成物は、電気・電子材料分野に好適に使用することができる。