(57)【要約】【課題】フラットパネルディスプレイ分野に好適に用いられる、低温での熱フローが可能で、かつ剥離残の問題のない感放射線性樹脂組成物、及び前記樹脂組成物を用いる感放射線性樹脂パターンの形成方法を提供する。【解決手段】（Ａ）アルカリ可溶性樹脂と、（Ｂ）キノンジアジド基含有化合物と、（Ｃ）アリル基を有する特定構造のフェノール化合物を含む感放射線性樹脂組成物、及び（ａ）前記樹脂組成物を基板に塗布し、（ｂ）この基板をプリベイクしてレジスト膜を形成した後、（ｃ）レジスト膜に活性放射線を照射してパターンの潜像を形成し、次いで（ｄ）アルカリ現像液で現像処理した後、（ｅ）ポストベイクして感放射線性樹脂パターンを形成するに際し、前記（ｅ）ポストベイクが、１００〜１４０℃の雰囲気下で行われる感放射線性樹脂パターンの形成方法である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）アルカリ可溶性樹脂と、（Ｂ）キノンジアジド基含有化合物と、（Ｃ）フェノール化合物とを含有する感放射線性樹脂組成物であって、前記（Ｃ）成分のフェノール化合物が、一般式（Ｉ）
【化１】
2006133585.tif 000008
（式中、Ｒ1〜Ｒ3は、それぞれ水素原子、炭素数１〜３のアルキル基又は炭素数１〜３のアルコキシル基である。）
で表されるフェノール化合物及び一般式（II）
【化２】
2006133585.tif 000009
（式中、Ｒ4及びＲ5は、それぞれ水素原子、炭素数１〜３のアルキル基、炭素数１〜３のアルコキシル基又はアリル基である。）
で表されるフェノール化合物からなる混合フェノール化合物と、アルデヒド化合物又はケトン化合物との縮合反応により得られるものであることを特徴とする感放射線性樹脂組成物。
【請求項２】
混合フェノール化合物における一般式（Ｉ）で表されるフェノール化合物と一般式（II）で表されるフェノール化合物との割合が、モル比で１：５〜５：１である請求項１に記載の感放射線性樹脂組成物。
【請求項３】
（Ｃ）成分のフェノール化合物が、２５℃で液体状態のものである請求項１又は２に記載の感放射線性樹脂組成物。
【請求項４】
一般式（II）で表されるフェノール化合物が、２位にアリル基を有するアリルフェノール化合物又は２位にアルコキシル基を有するアリルフェノール化合物である請求項１、２又は３に記載の感放射線性樹脂組成物。
【請求項５】
一般式（Ｉ）で表されるフェノール化合物が、フェノールである請求項４に記載の感放射線性樹脂組成物。
【請求項６】
（ａ）請求項１〜５のいずれかに記載の感放射線性樹脂組成物を基板に塗布し、（ｂ）この基板をプリベイクしてレジスト膜を形成した後、（ｃ）レジスト膜に活性放射線を照射してパターンの潜像を形成し、次いで（ｄ）アルカリ現像液で現像処理した後、（ｅ）ポストベイクして感放射線性樹脂パターンを形成するに際し、前記（ｅ）ポストベイクが、１００〜１４０℃の雰囲気下で行われることを特徴とする感放射線性樹脂パターンの形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、感放射線性樹脂組成物及び感放射線性樹脂パターンの形成方法に関する。さらに詳しくは、本発明は、液晶ディスプレイや有機エレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬと略記する。）ディスプレイなどのフラットパネルディスプレイ分野に好適に用いられる、低温での熱フローが可能で、かつ剥離残の問題のない感放射線性樹脂組成物、及び該樹脂組成物を用いる感放射線性樹脂パターンの形成方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子ディスプレイデバイスとして、液晶表示装置や有機ＥＬ素子などの平面表示装置が脚光を浴びている。液晶表示装置は、ＣＲＴ（陰極線管）表示装置に比べて、小型でコンパクトであることから、該液晶表示装置を備えた様々な機器が普及してきている。例えばパーソナルコンピュータあるいはビデオカメラ等民生用機器を始めとして各種機器の小型化に対する市場ニーズは高く、具体的には、ラップトップ型コンピュータあるいは液晶モニタ付カメラと呼ばれる小型化された携帯可能な機器が広く普及してきた。これらの機器において、液晶表示装置を具備することは必須となっており、あわせてカラー表示化、高輝度化など高機能高性能化への要求は強い。この液晶表示装置は自己発光型でないため、バックライトやフロントライトなどの光源を必要とする。
一方、電界発光を利用したＥＬ素子は、自己発光型であるため視認性が高く、かつ完全固体素子であって、耐衝撃性に優れるなどの特徴を有することから、各種表示装置における発光素子としての利用が図られている。
このＥＬ素子には、発光材料に無機化合物を用いてなる無機ＥＬ素子と有機化合物を用いてなる有機ＥＬ素子とがある。このうち、有機ＥＬ素子は、印加電圧を大幅に低くしうる上、小型化が容易であって、消費電力が小さく、面発光が可能であり、かつ三原色発光も容易であることから、次世代の発光素子としてその実用化研究が積極的になされている。
【０００３】
これらの表示装置においては、駆動方式として、種々の方式があるが、ＴＦＴ素子を用いたアクティブマトリクス方式を採用することが多い。
図１は、ＴＦＴ素子を用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置に使用されるＴＦＴアレイ基板の１例の構成を示す断面図である。
透明絶縁性基板１上に、Ｍｏ／Ａｌ／Ｎｄなどで構成されるゲート電極２が設けられ、その上にＳｉＮｘなどから構成されるゲート絶縁膜３を介して、アクティブ層（アモルファスシリコンやポリシリコンなどから構成される半導体スイッチ層）４が設けられている。このアクティブ層４に接してＳ／Ｄ層（Ｍｏなどで構成される画素電極に電圧をかける配線層）５が設けられ、その上にＰＡＳ層（ＳｉＮｘなどから構成される絶縁層）６が設けられている。
このＰＡＳ層６には、ホール８が形成され、その上からＩＴＯ（錫ドープ酸化インジウム）をスパッタリングすることにより、Ｓ／Ｄ層５と導通してなるＰｉｘｅｌ層（液晶分子を制御する画素電極層）７が設けられている。
前記ＰＡＳ層にホールを形成し、ＩＴＯをスパッタリングしてＳ／Ｄ層と導通してなるＰｉｘｅｌ層を設ける場合、一般に以下に示す方法が用いられている。
【０００４】
まず、ＰＡＳ層上にレジスト層を設け、選択露光、現像処理により、レジスト層にホールパターンを形成したのち、ポストベイクにより、パターンを熱フローさせる。次いでドライエッチング処理することにより、ＰＡＳ層にホールを形成したのち、レジスト層を剥離する。次に、ＩＴＯをスパッタリングして、Ｐｉｘｅｌ層を形成する。
この場合、レジスト層に形成されたホールパターンの熱フロー性が悪く、ホール側壁が垂直であると、ドライエッチング処理により形成されたＰＡＳ層のホールも、その側壁形状が垂直になる。該ホールの側壁形状が垂直である場合、スパッタリングにおいて、該側壁に連続したＩＴＯ層が形成されにくく、ＰＡＳ層の上面とホールの底との間でＩＴＯ層の断線が生じるおそれがある。
したがって、ＰＡＳ層に形成されるホールの側壁形状を垂直ではなく、なめらかな順テーパー形状にすることが必要であり、そのためには、レジスト層に設けられるホールパターンを、なめらかな順テーパー形状にすることが必要となる。それには、使用するレジストが熱フロー性を有することが望ましい。
しかしながら、従来のレジストでは、十分に熱フローさせるために、１４０℃を超える高温でのポストベイク工程を経る必要があったが、この場合、感光剤の熱架橋によるレジスト層の剥離性の低下で、歩留まりが悪化するという問題があった。また、高温でのポストベイクは、昇華物の発生による歩留まり低下が問題となることがあった。
【０００５】
ところで、アルカリ可溶性樹脂とキノンジアジド基含有化合物とを含んでなる感放射線性樹脂組成物には、感度向上を目的として、フェノール化合物を添加することが検討されている。例えば、特許文献１では、このようなフェノール化合物として、次式
【化１】
2006133585.tif 000002
（Ｒ1〜Ｒ6：同一又は異なって、水素、ハロゲン、アルキル基又はアルコキシ基
Ｒ7、Ｒ8：同一又は異なって、水素、アルキル基又はヒドロキシアルキル基
ｎ＝１、２、３又は４）
で表されるフェノール化合物が提案されている。
【特許文献１】特開平３−２００２５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、このような事情のもとで、液晶ディスプレイや有機ＥＬ素子などのフラットパネルディスプレイ分野に好適に用いられる、低温での熱フローが可能で、かつ剥離残の問題のない感放射線性樹脂組成物、及びＰＡＳ層になめらかな順テーパー形状のホールを歩留まりよく形成するための前記樹脂組成物を用いる感放射線性樹脂パターンの形成方法を提供することを目的としてなされたものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、アルカリ可溶性樹脂とキノンジアジド基含有化合物と特定の構造のフェノール化合物を含む樹脂組成物が、感放射線性樹脂組成物としてその目的に適合し得ることを見出した。
また、前記樹脂組成物を用い、塗布、プリベイク、活性放射線照射によるパターン露光、アルカリ現像液による現像及びポストベイクの順で処理して感放射線性樹脂パターンを形成するに際し、前記ポストベイクでの処理温度を１００〜１４０℃の低温で行うことにより、樹脂層になめらかな順テーパー形状のホールパターンが形成され、その結果ＰＡＳ層になめらかな順テーパー形状のホールを歩留まりよく形成し得ることを見出した。
本発明は、かかる知見に基づいて完成したものである。
【０００８】
すなわち、本発明は、
（１）（Ａ）アルカリ可溶性樹脂と、（Ｂ）キノンジアジド基含有化合物と、（Ｃ）フェノール化合物とを含有する感放射線性樹脂組成物であって、前記（Ｃ）成分のフェノール化合物が、一般式（Ｉ）
【化２】
2006133585.tif 000003
（式中、Ｒ1〜Ｒ3は、それぞれ水素原子、炭素数１〜３のアルキル基又は炭素数１〜３のアルコキシル基である。）
で表されるフェノール化合物及び一般式（II）
【０００９】
【化３】
2006133585.tif 000004
（式中、Ｒ4及びＲ5は、それぞれ水素原子、炭素数１〜３のアルキル基、炭素数１〜３のアルコキシル基又はアリル基である。）
で表されるフェノール化合物からなる混合フェノール化合物と、アルデヒド化合物又はケトン化合物との縮合反応により得られるものであることを特徴とする感放射線性樹脂組成物、
（２）混合フェノール化合物における一般式（Ｉ）で表されるフェノール化合物と一般式（II）で表されるフェノール化合物との割合が、モル比で１：５〜５：１である上記(１)項に記載の感放射線性樹脂組成物、
（３）（Ｃ）成分のフェノール化合物が、２５℃で液体状態のものである上記(１)又は(２)項に記載の感放射線性樹脂組成物、
（４）一般式（II）で表されるフェノール化合物が、２位にアリル基を有するアリルフェノール化合物又は２位にアルコキシル基を有するアリルフェノール化合物である上記(１)、(２)又は(３)項に記載の感放射線性樹脂組成物、
（５）一般式（Ｉ）で表されるフェノール化合物が、フェノールである上記(４)項に記載の感放射線性樹脂組成物、及び
（６）（ａ）上記(１)〜(５)項のいずれかに記載の感放射線性樹脂組成物を基板に塗布し、（ｂ）この基板をプリベイクしてレジスト膜を形成した後、（ｃ）レジスト膜に活性放射線を照射してパターンの潜像を形成し、次いで（ｄ）アルカリ現像液で現像処理した後、（ｅ）ポストベイクして感放射線性樹脂パターンを形成するに際し、前記（ｅ）ポストベイクが、１００〜１４０℃の雰囲気下で行われることを特徴とする感放射線性樹脂パターンの形成方法、
を提供するものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、液晶ディスプレイや有機ＥＬ素子などのフラットパネルディスプレイ分野に好適に用いられる、低温での熱フローが可能で、かつ剥離残の問題のない感放射線性樹脂組成物を提供することができる。
また、本発明によれば、ＰＡＳ層になめらかな順テーパー形状のホールを歩留まりよく形成するための前記樹脂組成物を用いる感放射線性樹脂パターンの形成方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
まず、本発明の感放射線性樹脂組成物について説明する。
本発明の感放射線性樹脂組成物は、（Ａ）アルカリ可溶性樹脂と、（Ｂ）キノンジアジド基含有化合物と、（Ｃ）特定構造のフェノール化合物を含む樹脂組成物である。
前記（Ａ）成分であるアルカリ可溶性樹脂については特に制限はなく、従来、キノンジアジド基含有化合物を感光剤とする感放射線性樹脂組成物に慣用されているアルカリ可溶性樹脂の中から、任意のものを適宜選択して用いることができる。このアルカリ可溶性樹脂の具体例としては、フェノール類とアルデヒド類又はケトン類との縮合反応生成物（ノボラック樹脂）、ビニルフェノール系重合体、イソプロペニルフェノール系重合体、これらのフェノール樹脂の水素添加反応生成物などを挙げることができる。上記樹脂の中で、フェノール類とアルデヒド類又はケトン類との縮合反応生成物において、原料として用いられるフェノール類の例としては、フェノール、ｏ−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｍ−クレゾール、３,５−キシレノール、２,５−キシレノール、２,３−キシレノール、３,４−キシレノール、２,３,５−トリメチルフェノール、２,３−ジメトキシフェノール、２,５−ジメトキシフェノール、３,５−ジメトキシフェノール、２−エチルフェノール、３−エチルフェノール、４−エチルフェノール、２−プロピルフェノール、３−プロピルフェノール、４−プロピルフェノール、２,３,５−トリエチルフェノール、３,５−ジエチルフェノール、２,５−ジエチルフェノール、２−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、３−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、４−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール、２−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチルフェノール、２−フェニルフェノール、３−フェニルフェノール、４−フェニルフェノールなどの一価フェノール；レゾルシノール、２−メチルレゾルシノール、４−メチルレゾルシノール、５−メチルレゾルシノール、カテコール、４−ｔｅｒｔ−ブチルカテコール、３−メトキシカテコール、２−メトキシレゾルシノール、４−メトキシレゾルシノール、ビスフェノールＡ、フロログリシノールなどの多価フェノールなどが挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００１２】
また、アルデヒド類の例としては、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド、ブチルアルデヒド、イソブチルアルデヒド、トリメチルアセトアルデヒド、ヘキサナール、アクロレイン、クロトンアルデヒド、シクロヘキサンアルデヒド、シクロペンタンアルデヒド、フルフラール、フリルアクロレインなどの脂肪族または脂環式アルデヒド類；ベンズアルデヒド、ｏ−トルアルデヒド、ｍ−トルアルデヒド、ｐ−トルアルデヒド、ｐ−エチルベンズアルデヒド、２,４−ジメチルベンズアルデヒド、２,５−ジメチルベンズアルデヒド、３,４−または３,５−ジメチルベンズアルデヒド、フェニルアセトアルデヒド、ｏ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｍ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｐ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ケイ皮アルデヒド、ｏ−アニスアルデヒド、ｍ−アニスアルデヒド、ｐ−アニスアルデヒドなどの芳香族アルデヒド類が挙げられる。ケトン類の例としては、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、ジフェニルケトンなどが挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
これらの縮合反応生成物は、常法、例えばフェノール類とアルデヒド類又はケトン類とを酸性触媒存在下で反応させることにより得ることができる。
【００１３】
一方、ビニルフェノール系重合体やイソプロペニルフェノール系重合体は、ビニルフェノールやイソプロペニルフェノールの単独重合体及びビニルフェノールやイソプロペニルフェノールと共重合可能な成分との共重合体の中から選択される。共重合可能な成分の具体例としては、アクリル酸、メタクリル酸、スチレン、無水マレイン酸、マレイン酸イミド、酢酸ビニル、アクリロニトリルやこれらの誘導体などが例示される。該共重合体は周知の方法により得ることができる。
さらに、フェノール樹脂の水素添加反応生成物は、任意の公知の方法、例えば上記のフェノール樹脂を有機溶剤に溶解させ、均一系又は不均一系触媒の存在下、水素添加を行うことにより得ることができるものである。
【００１４】
これらのアルカリ可溶性樹脂は、さらに公知の手段により分子量や分子量分布を制御したものとして用いることもできる。分子量や分子量分布を制御する方法としては、樹脂を破砕し、適当な溶解度をもつ有機溶剤で固−液抽出するか、樹脂を良溶剤に溶解させ、貧溶剤中に滴下するか、あるいは貧溶剤を滴下して固−液又は液−液抽出するなどの方法、さらには低分子量成分を遠心分離により除去する方法、薄膜蒸留法等を挙げることができる。
この（Ａ）成分のアルカリ可溶性樹脂は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。また、本発明においては、上記アルカリ可溶性樹脂の中でも、特にフェノール類とアルデヒド類とを、酸触媒の存在下で重縮合させることによって得られるアルカリ可溶性フェノール系ノボラック型樹脂が好ましい。さらに、フェノール類として、ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールとの混合クレゾールを使用したアルカリ可溶性クレゾールノボラック型樹脂が好適である。
【００１５】
本発明の感放射線性樹脂組成物において、（Ｂ）成分として用いられるキノンジアジド基含有化合物については特に制限はなく、従来キノンジアジド−ノボラック系レジストで用いられている公知の感光剤を用いることができる。当該キノンジアジド基含有化合物は、一般にナフトキノンジアジドスルホン酸クロライドやベンゾキノンジアジドスルホン酸クロライドなどの酸ハライドと、これと縮合反応可能な官能基を有する低分子化合物または高分子化合物とを反応させることによって得られる化合物が好ましいものである。ここで酸ハライドと縮合可能な官能基としては水酸基、アミノ基等が挙げられ、水酸基が好適である。
【００１６】
水酸基を含む酸ハライドと縮合可能な化合物としては、例えば２,３,４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２,４,４'−トリヒドロキシベンゾフェノン、２,３,４,４'−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２,４,２',４'−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２,３,４,２',４'−ペンタヒドロキシベンゾフェノン等のポリヒドロキシベンゾフェノン類；没食子酸メチル、没食子酸エチル、没食子酸プロピル等の没食子酸エステル類；２,２−ビス(４−ヒドロキシフェニル)プロパン、２,２−ビス(２,４−ジヒドロキシフェニル)プロパン等のポリヒドロキシビスフェニルアルカン類；トリス(４−ヒドロキシフェニル)メタン、１,１,１−トリス(４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル)エタン、１,１,１−トリス(４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル)エタン、１,１,１−トリス(４−ヒドロキシフェニル)エタン、１,１−ビス(４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル)−１−(４−ヒドロキシフェニル)エタン、ビス(４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル)−２−ヒドロキシ−４−メトキシフェニルメタン等のポリヒドロキシトリスフェニルアルカン類；１,１,２,２−テトラキス(４−ヒドロキシフェニル)エタン、１,１,２,２−テトラキス(３−メチル−４−ヒドロキシフェニル)エタン、１,１,３,３−テトラキス(４−ヒドロキシフェニル)プロパン等のポリヒドロキシテトラキスフェニルアルカン類；α,α,α',α'−テトラキス(４−ヒドロキシフェニル)−３−キシレン、α,α,α',α'−テトラキス(４−ヒドロキシフェニル)−４−キシレン、α,α,α',α'−テトラキス(３−メチル−４−ヒドロキシフェニル)−３−キシレン等のポリヒドロキシテトラキスフェニルキシレン類；２,６−ビス(２,４−ジヒドロキシベンジル)−ｐ−クレゾール、２,６−ビス(２,４−ジヒドロキシ−３−メチルベンジル)−ｐ−クレゾール、４,６−ビス(４−ヒドロキシベンジル)レゾルシン、４,６−ビス(４−ヒドロキシ−３−メチルベンジル)レゾルシン、４,６−ビス(４−ヒドロキシベンジル)−２−メチルレゾルシン、４,６−ビス(４−ヒドロキシ−３−メチルベンジル)−２−メチルレゾルシン等のフェノール類とホルマリンとのトリマー、フェノール類とホルマリンとのテトラマー、さらにノボラック樹脂などのポリフェノール類が挙げられる。これらは、単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
ポリフェノール類として、特にトリ又はテトラヒドロキシベンゾフェノン類を用いて得られたキノンジアジドスルホン酸エステルは、良好な感度と解像性を与えるので好適である。
【００１７】
また、酸ハライドとしては、例えば、１,２−ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロライド、１,２−ナフトキノンジアジド−４−スルホニルクロライドなどが好ましいものとして挙げられる。
これらのキノンジアジドスルホン酸ハライドと前記ポリフェノール類から得られるエステルの製造方法は特に制限されないが、常法に従ってキノンジアジドスルホン酸ハライド（好ましくはキノンジアジドスルホン酸クロライド）を、アセトン、ジオキサン、テトラヒドロフラン等の溶媒中で炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、水酸化ナトリウムや水酸化カリウム等の無機塩基、又は、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、トリブチルアミン、ピロリジン、ピペリジン、ピペラジン、モルホリン、ピリジン、ジシクロヘキシルアミン等の有機塩基の存在下、ポリフェノール類と反応させることにより得ることができる。
本発明で用いられるエステルにおいて、これらのポリフェノール類の水酸基のキノンジアジドスルホン酸エステル化された水酸基の割合（平均エステル化率）は、反応時に用いるポリフェノール類の水酸基の当量数とキノンジアジドスルホン酸ハライドのモル数から算出される値であり、通常６０％以上、好ましくは６５％以上であって、上限は通常１００％、好ましくは９０％である。この平均エステル化率が６０％以上であれば、パターン形状や解像性を向上させることができる。
本発明の感放射線性樹脂組成物においては、この（Ｂ）成分のキノンジアジド基含有化合物の含有量は、前記（Ａ）成分のアルカリ可溶性樹脂１００重量部当たり、通常５〜５０重量部、好ましくは１０〜４０重量部の範囲で選定される。該（Ｂ）成分の含有量が上記範囲内であれば、実効感度と残膜率、解像性などのレジスト特性のバランスに優れる感放射線性樹脂組成物が得られる。
【００１８】
本発明の感放射線性樹脂組成物においては、（Ｃ）成分のフェノール化合物として、一般式（Ｉ）
【００１９】
【化４】
2006133585.tif 000005
（式中、Ｒ1〜Ｒ3は、それぞれ水素原子、炭素数１〜３のアルキル基又は炭素数１〜３のアルコキシル基である。）
で表されるフェノール化合物及び一般式（II）
【００２０】
【化５】
2006133585.tif 000006
（式中、Ｒ4及びＲ5は、それぞれ水素原子、炭素数１〜３のアルキル基、炭素数１〜３のアルコキシル基又はアリル基である。）
で表されるフェノール化合物からなる混合フェノール化合物と、アルデヒド化合物又はケトン化合物との縮合反応により得られるものが用いられる。
前記一般式（Ｉ）及び一般式（II）において、Ｒ1〜Ｒ3のうちの炭素数１〜３のアルキル基、Ｒ4及びＲ5のうちの炭素数１〜３のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基及びイソプロピル基が挙げられる。また、Ｒ1〜Ｒ3のうちの炭素数１〜３のアルコキシル基、Ｒ4及びＲ5のうちの炭素数１〜３のアルコキシル基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基及びイソプロポキシ基が挙げられる。前記Ｒ1〜Ｒ3はたがいに同一でも異なっていてもよく、Ｒ4及びＲ5はたがいに同一でも異なっていてもよい。
【００２１】
前記一般式（Ｉ）で表されるフェノール化合物及び前記一般式（II）で表されるフェノール化合物からなる混合フェノール化合物と、アルデヒド化合物又はケトン化合物との縮合反応は、通常酸触媒の存在下に、所定の反応率まで反応させた後、未反応成分を除去することにより、目的のフェノール化合物を得ることができる。
前記一般式（Ｉ）で表されるフェノール化合物としては、フェノール、ｏ−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｍ−クレゾール、３,５−キシレノール、２,５−キシレノール、２,３−キシレノール、３,４−キシレノール、２,３,５−トリメチルフェノール、２,３−ジメトキシフェノール、２,５−ジメトキシフェノール、３,５−ジメトキシフェノール、２−エチルフェノール、３−エチルフェノール、４−エチルフェノール、２−プロピルフェノール、３−プロピルフェノール、４−プロピルフェノール、２,３,５−トリエチルフェノール、３,５−ジエチルフェノール、２,５−ジエチルフェノールなどが挙げられ、特に、組成物の粘度調整の観点から、置換基の少ないものが好ましく、置換基としても炭素数の少ないもの、例えば、フェノール、ｏ−クレゾール、ｐ−クレゾール及びｍ−クレゾールが好ましく、特にフェノールが好ましい。これらのフェノール化合物は１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００２２】
前記一般式（II）で表されるフェノール化合物としては、２−アリルフェノール、３−アリルフェノール、４−アリルフェノール、２−アリル−３−メチルフェノール、２−アリル−４−メチルフェノール、２−アリル−５−メチルフェノール、２−アリル−６−メチルフェノール、３−アリル−２−メチルフェノール、３−アリル−４−メチルフェノール、３−アリル−５−メチルフェノール、３−アリル−６−メチルフェノール、４−アリル−２−メチルフェノール、４−アリル−３−メチルフェノール、２−アリル−４−エチルフェノール、２−アリル−５−エチルフェノール、２−アリル−４−プロピルフェノール、２−アリル−６−プロピルフェノール、２−アリル−３−メトキシフェノール、２−アリル−４−メトキシフェノール、２−アリル−５−メトキシフェノール、２−アリル−６−メトキシフェノール、３−アリル−２−メトキシフェノール、３−アリル−４−メトキシフェノール、３−アリル−５−メトキシフェノール、３−アリル−６−メトキシフェノール、４−アリル−２−メトキシフェノール、４−アリル−３−メトキシフェノール、２−アリル−４−エトキシフェノール、２−アリル−６−エトキシフェノール、２−アリル−４−プロポキシフェノール、２−アリル−６−プロポキシフェノール、４−アリル−２−エトキシフェノール、４−アリル−３−エトキシフェノール、４−アリル−２−プロポキシフェノール、４−アリル−３−プロポキシフェノール、２−アリル−３,４−ジメチルフェノール、２−アリル−３,５−ジメチルフェノール、２−アリル−３,６−ジメチルフェノール、２−アリル−４,５−ジメチルフェノール、２−アリル−４,６−ジメチルフェノール、２−アリル−５,６−ジメチルフェノール、３−アリル−２,４−ジメチルフェノール、３−アリル−２,５−ジメチルフェノール、３−アリル−２,６−ジメチルフェノール、３−アリル−４,５−ジメチルフェノール、３−アリル−４,６−ジメチルフェノール、３−アリル−５,６−ジメチルフェノール、４−アリル−２,３−ジメチルフェノール、４−アリル−２,５−ジメチルフェノール、４−アリル−２,６−ジメチルフェノール、４−アリル−３,５−ジメチルフェノール、２,３−ジアリルフェノール、２,４−ジアリルフェノール、２,５−ジアリルフェノール、２,６−ジアリルフェノール、３,４−ジアリルフェノール、３,５−ジアリルフェノール、２,３,５−トリアリルフェノール、などが挙げられる。
中でも、２−アリルフェノール、２−アリル−６−メトキシフェノールなどの２位にアリル基を有するアリルフェノール化合物や、４−アリル−２−メトキシフェノールのような２位にアルコキシル基を有するアリルフェノール化合物が反応性と入手容易性の観点から好ましい。これらのフェノール化合物は１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００２３】
（Ｃ）成分のフェノール化合物を得るために用いる混合フェノール化合物中、一般式（Ｉ）で表されるフェノール化合物と一般式（II）で表されるフェノール化合物との割合は、モル比で通常１：５〜５：１、好ましくは１：３〜３：１であるものが、良好な低温熱フロー性の観点から好ましい。
アルデヒド化合物又はケトン化合物としては、前述の（Ａ）成分のアルカリ可溶性樹脂の説明において、アルデヒド類又はケトン類として例示した化合物と同じものが挙げられる。
この反応においては、フェノール化合物は、アルデヒド化合物又はケトン化合物に対して、通常３倍モル以上、好ましくは５〜１０倍モルの範囲で行われる。
酸触媒としては、例えばシュウ酸、ｐ−トルエンスルホン酸、ジメチル硫酸などの有機酸、塩酸、硫酸などの無機酸を用いることができる。この酸触媒の使用量は、フェノール化合物に対し、通常０.０１〜１重量％の範囲で選定される。触媒の使用量が上記の範囲にあれば、適度の反応速度を有し、反応の制御が容易である。
【００２４】
反応温度は、原料のフェノール化合物やアルデヒド化合物、ケトン化合物の種類などに応じて異なるが、通常５０〜２００℃、好ましくは７０〜１８０℃、より好ましくは８０〜１８０℃である。あまりに低いと重合が進まず、余りに高いと反応の制御が難しくなり、目的のフェノール化合物を得ることが困難となる。
反応時間は、反応温度に影響されるが、通常は１０時間以内である。反応は、通常常圧下で行われるが、若干の加圧ないし減圧下でも行うことができる。反応後、未反応フェノール化合物等は、通常、減圧下で除去することにより目的物であるフェノール化合物を得ることができる。
本発明の（Ｃ）成分であるフェノール化合物は、２５℃で液体状態を呈するものが好ましい。粘度としては、２５℃において、好ましくは５０Ｐａ・ｓ以下、より好ましくは４０Ｐａ・ｓ以下、さらに好ましくは３５Ｐａ・ｓ以下である。
本発明に用いる（Ｃ）成分のフェノール化合物の分子中の平均ベンゼン環数は、上述の粘度を考慮すると、通常２〜８、好ましくは２〜６、より好ましくは２〜５である。
本発明の感放射線性樹脂組成物においては、この（Ｃ）成分のフェノール化合物は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。その含有量は、前記（Ａ）成分のアルカリ可溶性樹脂１００重量部当たり、通常１〜２０重量部、好ましくは３〜１５重量部の範囲で選定される。該フェノール化合物の含有量が上記範囲にあれば、低温での熱フロー性が良好で、剥離残の問題のない感放射線性樹脂組成物を得ることができる。
【００２５】
本発明の感放射線性樹脂組成物には、感度を高める目的で、所望により前記ポリヒドロキシベンゾフェノン類、１−[１−(４−ヒドロキシフェニル)イソプロピル]−４−[１,１−ビス(４−ヒドロキシフェニル)エチル]ベンゼン、トリス(ヒドロキシフェニル)メタン類及びそのメチル置換体などのフェノール化合物、あるいはメルカプトオキサゾール、メルカプトベンゾキサゾール、メルカプトオキサゾリン、メルカプトベンゾチアゾール、ベンゾオキサゾリン、ベンゾチアゾロン、メルカプトベンゾイミダゾール、ウラゾール、チオウラシル、メルカプトピリミジン、イミダゾロン及びこれらの誘導体などの複素環化合物を含有させることができる。
さらに、解像性、残膜率を向上させるための補助剤として、イソシアヌレート系化合物を配合することもできる。このイソシアヌレート系化合物としては、例えば１,３,５−トリス(４−ｔｅｒｔ−ブチル−３−ヒドロキシ−２,６−ジメチルベンジル)イソシアヌレート、１,３,５−トリス(４−ｔｅｒｔ−ブチル−３−ヒドロキシ−２,６−ジエチルベンジル)イソシアヌレート、１,３,５−トリス(３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル)イソシアヌレートなどを挙げることができる。
【００２６】
本発明の感放射線性樹脂組成物には、通常有機溶剤が用いられ、さらに必要に応じて相溶性のある添加物、例えばレジスト膜の性能などを改良するための付加的樹脂、可塑剤、安定剤、界面活性剤などの慣用成分を添加することができる。
この感放射線性樹脂組成物において用いられる有機溶剤としては特に制限はなく、従来感放射線性樹脂組成物の溶剤として公知のもの、例えばアセトン、メチルエチルケトン、シクロペンタノン、２−ヘキサノン、３−ヘキサノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、２−オクタノン、３−オクタノン、４−オクタノンなどの直鎖のケトン類；ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、シクロヘキサノールなどのアルコール類；エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジオキサンなどのエーテル類；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルなどのアルコールエーテル類；ギ酸プロピル、ギ酸ブチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、酪酸メチル、酪酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチルなどのエステル類；セロソルブアセテート、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プロピルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテートなどのセロソルブエステル類；プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルなどのプロピレングリコール類；ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテルなどのジエチレングリコール類；γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、γ−カプロラクトン、γ−カプリロラクトンなどの飽和γ−ラクトン類；トリクロロエチレンなどのハロゲン化炭化水素類；トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素類；ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミドなどの極性溶媒などが挙げられる。これらの溶剤は、単独でも２種以上を組み合わせて用いてもよい。また、溶剤の使用量は、前記各成分を均一に溶解又は分散するのに十分な量であればよい。
【００２７】
次に、本発明の感放射線性樹脂パターン（以下、レジストパターンと称することがある。）の形成方法について説明する。
本発明のレジストパターンの形成方法においては、（ａ）前述の本発明の感放射線性樹脂組成物を基板に塗布し、（ｂ）この基板をプリベイクしてレジスト膜を形成した後、（ｃ）レジスト膜に活性放射線を照射してパターンの潜像を形成し、次いで（ｄ）アルカリ現像液で現像処理した後、（ｅ）ポストベイクして感放射線性樹脂パターンを形成する。
具体的には、基板又は支持体表面に、当該感放射線性樹脂組成物を、スプレー法、ロールコート法、回転塗布法などの各種の方法により塗布し、次いで、この塗膜をプリベイク（Ｐｒｅ−Ｂａｋｅ）して流動性のないレジスト膜を得る。上記プリベイクは、通常６０〜１２０℃で、１０〜６００秒間程度加熱処理することにより行われる。
次に、得られたレジスト膜に活性放射線によるパターン露光を施し、潜像パターンを形成する。活性放射線の種類は特に制限されず、例えば紫外線、遠紫外線、Ｘ線、電子線、プロトンビーム線などが挙げられ、特に紫外線が好ましい。照射する放射線量は、レジスト膜の種類や厚みにより任意に設定することができる。また、パターンの形成は、マスクを介して活性放射線を照射することによっても、電子線などで直接描画することによってもよい。
放射線照射後、基板又は支持体上の潜像パターンを有するレジスト膜とアルカリ現像液とを接触させることで、照射部を除去し、潜像パターンを顕在化（現像）する。なお、現像前に、必要に応じて加熱（ＰＥＢ処理：Ｐｏｓｔ  Ｅｘｐｏｓｕｒｅ  Ｂａｋｅ）を行うことができる。ＰＥＢ処理を行うことにより、現像液に溶解し除去されるべき不要なレジスト成分などの現像残渣を減らすことができる。
【００２８】
アルカリ現像液としては、通常アルカリ水溶液が用いられる。この水溶液に含まれるアルカリ化合物としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水などの無機アルカリ類；エチルアミン、ｎ−プロピルアミンなどの第一級アミン類；ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミンなどの第二級アミン類；トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、Ｎ−メチルピロリドンなどの第三級アミン類；ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミンなどのアルコールアミン類；テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、コリンなどの第四級アンモニウム塩；ピロール、ピペリジン、１,８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン、１,５−ジアザビシクロ［４．３．０］ノナ−５−エンなどの環状アミン類；などが挙げられる。これらのアルカリ化合物は１種含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。
現像液に、メタノール、エタノールなどの水溶性有機溶剤や界面活性剤を適当量添加することもできる。現像時間は、通常３０〜１８０秒間である。また現像液と潜像パターンを有するレジスト膜との接触方法は特に制限されず、例えば、パドル法、スプレー法、ディッピング法などによればよい。また、現像温度は、特に制限されないが、通常１５〜３５℃、好ましくは２０〜３０℃である。
【００２９】
このようにして基板又は支持体上に目的とするレジストパターンを形成した後、必要に応じて、基板又は支持体の上、裏面、端部に残る不要な現像残渣を除去するために、この基板又は支持体とリンス液とを常法により接触させることができる。リンス液と接触させた基板又は支持体は、通常、圧縮空気や圧縮窒素で乾燥させることによって、基板又は支持体上のリンス液が除去される。更に、必要に応じて、基板又は支持体のレジストパターンのある面に活性放射線を全面照射することもできる。
このようにして基板又は支持体上に形成されたレジストパターンは、ポストベイク処理される。ポストベイクの方法に格別な制限はなく、オーブンやホットプレートを用いるのが一般的であり、処理温度の均一性からホットプレートを用いるのが好ましい。更に、ホットプレートによる方法では、ホットプレートと基板との間に、任意のスペーサーを置き、ホットプレートと基板との距離を３〜５ｍｍに保ち基板を予備加熱した後、同距離を０.１〜０.５ｍｍに近接させ、基板を本加熱するのが好ましい。予備加熱を実施することにより、基板の反りを抑制することができる。また本加熱時にホットプレートと基板との間にスペーサーを介することにより、基板裏面への異物付着を抑制することができる。
本発明の感放射線性樹脂組成物の場合、熱フロー性が著しく改善されているため、ポストベイクの好適な温度範囲は１００〜１４０℃となり比較的低温の処理条件でも充分な熱フローパターンを得ることができる。また、ポストベイクの処理時間は、通常１００〜３５０秒であり、予備加熱を行う場合、予備加熱時間は通常５〜３０秒、本加熱時間は通常１００〜３００秒である。処理時間が短すぎると目的の効果を得ることができず、処理時間が長すぎると生産性上問題となる。
【００３０】
従来の感放射線性樹脂組成物では、このような熱フロー性を発揮させるには、１４０℃を超える高温でのポストベイク処理が必要であり、その結果、感光剤の熱架橋によるレジスト層の剥離性の低下で、歩留まりが悪化するという問題、あるいは高温でのポストベイクによる昇華物の発生に起因して歩留まりが低下する問題などがあった。
これに対し、本発明の感放射線性樹脂組成物を用いることにより、前記のように低温ポストベイクでも十分に熱フロー性が発揮されるので、前記のような問題が生じることがない。
図２は、本発明の感放射線性樹脂パターンの形成方法を用いて、ＰＡＳ層を加工するプロセスの１例を示す工程図であり、この工程図に従って、ＰＡＳ層にホールを形成し、ＩＴＯ膜を成膜する方法について説明する。
まず、下地層２１上に設けられたＰＡＳ層２２の上に、本発明の感放射線性樹脂組成物を用いてレジスト層２３を形成する［（ａ）工程］。次いで、活性放射線による選択露光、それに続く現像処理により、レジスト層２３にホールパターン２４を形成したのち［（ｂ）工程］、１００〜１４０℃でポストベイク処理し、ホールの側壁形状をなめらかにする［（ｃ）工程］。
次に、レジストパターンをマスクとしてドライエッチング処理して、レジスト層のホールパターンの側壁形状と類似の側壁形状を有するホール２５を、ＰＡＳ層２２に形成する［（ｄ）工程］。その後、レジストパターンを剥離したのち［（ｅ）工程］、上方からＩＴＯをスパッタリングすることにより、ＰＡＳ層２２の上面、ホール２５の底及びホール２５の側面全てに、断線なくＩＴＯ膜２６を形成することができる［（ｆ）工程］。
【実施例】
【００３１】
次に、本発明を実施例により、さらに詳細に説明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定されるものではない。
製造例１  ノボラック樹脂（ａ）の製造
冷却管と撹拌装置を装着したフラスコに、ｍ−クレゾール４９０ｇ、ｐ−クレゾール２１０ｇ、３７重量％ホルマリン３６０ｇ及びシュウ酸２水和物２.４９ｇを仕込み、９５〜１００℃に保ちながら２時間反応させた。この後、１００〜１０５℃で２時間かけて水を留出除去し、さらに１８０℃まで昇温しながら１.３〜４.０ｋＰａまで減圧し、未反応モノマー及び水を除去したのち、溶融樹脂を室温に戻して回収し、ノボラック樹脂（ａ）６３０ｇを得た。
このノボラック樹脂のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算の重量平均分子量は１１,０００であった。
【００３２】
製造例２  感光剤（ｂ−１）の製造
ポリヒドロキシ化合物として、２,３,４,４'−テトラヒドロキシベンゾフェノンと、このＯＨ基の７５モル％に相当する量の１,２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロライドをジオキサンに溶解して、１０重量％濃度の溶液とした。
次いで、この溶液に、２０〜２５℃に温度に制御しながら、１,２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロライドの１.２当量分のトリエチルアミンを３０分間かけて滴下し、さらに２時間保持して反応を完結させた。析出してきた固形分をろ過、イオン交換水洗浄、乾燥して感光剤（ｂ−１）を得た。
【００３３】
製造例３  感光剤（ｂ−２）の製造
製造例２において、ポリヒドロキシ化合物として、２,３,４−トリヒドロキシベンゾフェノンを用い、このＯＨ基に対する１,２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸クロライドの仕込みモル比を６７％にした以外は、製造例２と同様に実施して感光剤（ｂ−２）を得た。
【００３４】
製造例４  フェノール化合物（ｃ−１）の製造
特開２０００−１６９５３８号公報に記載されている製造方法に従い製造した。
フェノール９４０ｇ、２−アリルフェノール１３４０ｇ、３７重量％ホルマリン３２４ｇ及びシュウ酸２０ｇを三口フラスコに入れ、１００℃で５時間反応させた後、１６０℃まで昇温し、脱水した。引き続き、１６０℃、５.３ｋＰａの減圧下で未反応成分を除去し、フェノール化合物（ｃ−１）７８０ｇを得た。得られたフェノール化合物（ｃ−１）は液状であり、２５℃の粘度は９.５Ｐａ・ｓであった。
【００３５】
製造例５  フェノール化合物（ｃ−２）の製造
製造例４において、アルデヒド源としてｏ−ヒドロキシベンズアルデヒド１２２ｇと３７重量％ホルマリン２３４ｇを併用する以外は、製造例４と同様に実施してフェノール化合物（ｃ−２）６２０ｇを得た。得られたフェノール化合物（ｃ−２）は液状であり、２５℃での粘度は２５Ｐａ・ｓであった。
製造例６  フェノール化合物（ｃ−３）の製造
製造例４において、２−アリルフェノール１３４０ｇの替わりにｍ−クレゾール１０８０ｇを用いる以外は製造例４と同様にしてフェノール化合物（ｃ−３）６８０ｇを得た。得られたフェノール化合物（ｃ−３）は半固形であった。
【００３６】
実施例１
製造例１で得たノボラック樹脂（ａ）９５ｇ、製造例２で得た感光剤（ｂ−１）２４ｇ及び製造例４で得たフェノール化合物（ｃ−１）５ｇを、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート３７２ｇに溶解した。この溶液をポアサイズ０.１μｍのポリテトラフルオロエチレンフィルターにてろ過し、感放射線性樹脂組成物溶液（レジスト溶液）を得た。
次に、上記レジスト溶液をシリコンウエハ上にスピンコータで塗布したのち、１１０℃のホットプレートで１５０秒間プリベイク処理して、膜厚１.５μｍのレジスト膜を形成した。このレジスト膜が形成されたシリコンウエハを、ｇ線ステッパー「ＮＳＲ−１５０５  ｇ６Ｅ」［ニコン社製］を用いて、５μｍのライン＆スペースパターンを露光した。なお露光量は、レジスト寸法が５μｍとなる量とした。また、５μｍライン＆スペースパターンは５ｍｍ×５ｍｍの正方形のエリアを１ショットとして露光され、１枚のウエハ上に、この集団を５行５列で２５ショット露光した。
露光後のウエハは、２.３８重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で２３℃、８０秒間、パドル法により現像処理してレジストパターンを形成した。
現像処理後のウエハを、１２０℃、１３０℃及び１４０℃のホットプレート上で、ホットプレートと基板との距離を３ｍｍに保って、１０秒間加熱（予備加熱）した後、同距離を０.３ｍｍに変えて２００秒間加熱（本加熱）して、ポストベイクを完了した。
ライン＆スペースパターンの断面形状を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察し、熱フローの程度を、以下のようにして評価した。
【００３７】
図３（ａ）及び図３（ｂ）は、熱フロー指標に関する説明図であり、図３（ａ）は熱フロー前のレジストパターン断面形状を、図３（ｂ）熱フロー後のレジストパターンの断面形状を示す。
図３（ｂ）に示すように、膜厚１μｍの部分から外側に張り出した部分の長さＹを、熱フロー程度の指標とした。なお、熱フロー前のパターンについて同様の長さＸ［図３（ａ）］を測定したところ、０.１２μｍであった。
熱フロー指標Ｙと、形成されるパターンの関係については以下の通りである。
Ｙ＜０.２μｍ：ほとんど熱フローしておらず、側壁はほぼ垂直のままである［図４（ａ）］。
０.２μｍ≦Ｙ≦０.５μｍ：熱フローしているが不十分であり、側壁には角が残っている。［図４（ｂ）］。
Ｙ＞０.５μｍ：十分に熱フローしており、側壁に滑らかなテーパー形状が形成されている［図４（ｃ）］。
なお、図４（ａ）、図４（ｂ）及び図４（ｃ）は、熱フロー指標とパターン形状との関係を示すパターンのＳＥＭ写真に基づく模式図であって、図４（ａ）は、熱フロー指標Ｙ＝０.１５μｍの場合、図４（ｂ）は、熱フロー指標Ｙ＝０.２９μｍの場合、図４（ｃ）は熱フロー指標Ｙ＝０.６２μｍの場合である。
また、ポストベイク処理後の基板を別途作製し、４０℃のジメチルスルホキシドに６０秒間浸漬後、超純水でリンス処理し、レジストの剥離残を光学顕微鏡で観察した。２５ショットの内で剥離残の観察されたショット数を求めた。
レジスト溶液における組成、並びに各ポストベイク温度による熱フロー指標と剥離残の見られたショット数を第１表に示す。
【００３８】
実施例２〜４及び比較例１〜４
実施例１において、レジスト溶液の組成を第１表に示すように変更した以外は、実施例１と同様に実施した。なお、比較例４に記載のフェノール化合物（ｃ−４）は、トリスフェノール−ＰＡ［本州化学工業社製］である。
各ポストベイク温度による熱フロー指標と剥離残の見られるショット数を第１表に示す。
比較例１〜４は、ポストベイク温度を１４０℃としても熱フローは十分ではなかった。また、ポストベイク温度を１４０℃とすると、剥離残の発生が見られた。
【００３９】
【表１】
2006133585.tif 000007
【産業上の利用可能性】
【００４０】
本発明の感放射線性樹脂組成物は、低温での熱フローが可能で、かつ剥離残の問題がなく、例えば液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイなどのフラットパネルディスプレイ分野に好適に用いられる。
また、本発明の前記樹脂組成物を用いる感放射線性樹脂パターンの形成方法を適用することにより、ＰＡＳ層になめらかな順テーパー形状のホールを歩留まりよく形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】ＴＦＴ素子を用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置に使用されるＴＦＴアレイ基板の１例の構成を示す断面図である。
【図２】本発明の感放射線性樹脂パターンの形成方法を用いて、ＰＡＳ層を加工するプロセスの１例を示す工程図である。
【図３（ａ）】熱フロー指標に関する説明図で、熱フロー前のレジストパターン断面形状図である。
【図３（ｂ）】熱フロー指標に関する説明図で、熱フロー後のレジストパターン断面形状図である。
【図４（ａ）】熱フロー指標Ｙ＝０.１５μｍの場合のパターンのＳＥＭ写真に基づく模式図である。
【図４（ｂ）】熱フロー指標Ｙ＝０.２９μｍの場合のパターンのＳＥＭ写真に基づく模式図である。
【図４（ｃ）】熱フロー指標Ｙ＝０.６２μｍの場合のパターンのＳＥＭ写真に基づく模式図である。
【符号の説明】
【００４２】
１  透明絶縁性基板
２  ゲート電極
３  ゲート電極絶縁膜
４  アクティブ層
５  Ｓ／Ｄ層
６  ＰＡＳ層
７  Ｐｉｘｅｌ層
８  ホール
２１  下地層
２２  ＰＡＳ層
２３  レジスト層
２４  ホールパターン
２５  ＰＡＳ層に形成されたホール
２６  ＩＴＯ膜
【図１】
2006133585.tif 000010
【図２】
2006133585.tif 000011
【図３（ａ）】
2006133585.tif 000012
【図３（ｂ）】
2006133585.tif 000013
【図４（ａ）】
2006133585.tif 000014
【図４（ｂ）】
2006133585.tif 000015
【図４（ｃ）】
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