(57)【要約】【課題】誘電率が高く、かつ緻密性の高い焼成体を低温焼成で得られるようにする。【解決手段】モル％表示で、ＳｉＯ２  １５〜４０％、Ｂ２Ｏ３  ５〜３７％、Ａｌ２Ｏ３  ２〜１５％、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ  １〜２５％、ＭｇＯ  ０〜７％、ＢａＯ  ５〜２５％、ＺｎＯ  ０〜３５％、ＴｉＯ２  ３〜１５％、ＺｒＯ２＋ＳｎＯ２  ０〜１０％、ＳｉＯ２＋Ａｌ２Ｏ３  ２５〜５０％、Ｂ２Ｏ３＋ＺｎＯ  １５〜４５％である無鉛無アルカリガラス。質量％で、前記ガラスの粉末３０〜７０％と、ＢａとＴｉを含有しモル比（Ｔｉ／Ｂａ）が３．０〜５．７であるＢａ−Ｔｉ化合物の粉末３０〜７０％とからなるガラスセラミックス組成物。前記ガラスセラミックス組成物を焼成して得られる誘電体。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記酸化物基準のモル％表示で、ＳｉＯ２  １５〜４０％、Ｂ２Ｏ３  ５〜３７％、Ａｌ２Ｏ３  ２〜１５％、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ  １〜２５％、ＭｇＯ  ０〜７％、ＢａＯ  ５〜２５％、ＺｎＯ  ０〜３５％、ＴｉＯ２  ３〜１５％、ＺｒＯ２＋ＳｎＯ２  ０〜１０％、から本質的になり、ＳｉＯ２＋Ａｌ２Ｏ３が２５〜５０モル％、Ｂ２Ｏ３＋ＺｎＯが１５〜４５モル％であり、鉛およびアルカリ金属のいずれも含有しないガラス。
【請求項２】
軟化点が７７０℃以下である請求項１に記載のガラス。
【請求項３】
質量百分率表示で、請求項１または２に記載のガラスの粉末３０〜７０％と、ＢａとＴｉを含有しモル比（Ｔｉ／Ｂａ）が３．０〜５．７であるＢａ−Ｔｉ化合物の粉末３０〜７０％とから本質的になるガラスセラミックス組成物。
【請求項４】
請求項３に記載のガラスセラミックス組成物を焼成して得られる誘電体。
【請求項５】
１ＧＨｚ〜２５ＧＨｚのいずれかの周波数における比誘電率が１６〜３０である請求項４に記載の誘電体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板、アンテナ基板等に好適な誘電体、およびそのような誘電体を低温焼成によって製造するのに好適なガラスセラミックス組成物およびガラスに関する。
【背景技術】
【０００２】
高周波領域で使用されるアンテナ、共振フィルタ等の基板には誘電体が用いられるが、そのような誘電体には誘電率が高いことが求められ従来多くのガラスが誘電体材料として提案されている。
このような誘電率が高い誘電体はたとえば、誘電率が低い誘電体と積層して回路基板として使用される。
【０００３】
近年、このような誘電体材料には、低温焼成（たとえば９００℃以下で焼成）が可能であること、鉛を含有しないこと、さらに電気絶縁性向上のためにアルカリ金属酸化物含有量が低いこと、が求められており、そのような要求を満たすガラスも提案されている（特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１１３２７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明者は特許文献１で提案されているガラスの粉末を誘電率が高い誘電体の材料として用い、高誘電率層と低誘電率層が積層され高誘電率層と低誘電率層の間の一部に銀層が形成されているフィルタ用積層誘電体を作製したところ、高誘電率層の銀層と接する部分の誘電率が銀層と接していない部分の誘電率よりも高くなり所望のフィルタ機能が得られなくなることがあった。
このような現象が起こる原因を知るべく種々の調査をしたところ、銀層と接していない高誘電率層の緻密性が低い場合にこのような現象が起こりやすいという知見が得られた。このような場合においては高誘電率層の銀層と接する部分は銀層と接していない部分よりも緻密性が高くなり、そのために前記現象が起こると考えられる。
本発明は、銀層形成材料と接していなくとも焼成して緻密性の高い高誘電率層が得られるガラスセラミックス組成物、そのようなガラスセラミックス組成物の成分であるガラス粉末に好適なガラス、およびそのようなガラスセラミックス組成物を焼成して得られる誘電体の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、下記酸化物基準のモル％表示で、ＳｉＯ２  １５〜４０％、Ｂ２Ｏ３  ５〜３７％、Ａｌ２Ｏ３  ２〜１５％、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ  １〜２５％、ＭｇＯ  ０〜７％、ＢａＯ  ５〜２５％、ＺｎＯ  ０〜３５％、ＴｉＯ２  ３〜１５％、ＺｒＯ２＋ＳｎＯ２  ０〜１０％、から本質的になり、ＳｉＯ２＋Ａｌ２Ｏ３が２５〜５０モル％、Ｂ２Ｏ３＋ＺｎＯが１５〜４５モル％であり、鉛およびアルカリ金属のいずれも含有しないガラスを提供する。
また、質量百分率表示で、前記ガラスの粉末３０〜７０％と、ＢａとＴｉを含有しモル比（Ｔｉ／Ｂａ）が３．０〜５．７であるＢａ−Ｔｉ化合物の粉末（以下、この粉末をＢＴ粉末という。）３０〜７０％とから本質的になるガラスセラミックス組成物を提供する。
また、前記ガラスセラミックス組成物を焼成して得られる誘電体を提供する。
【０００７】
本発明者は、特許文献１で提案されている高誘電率誘電体製造用ガラスセラミックス組成物のガラス粉末のＴｉＯ２含有量が３モル％未満では緻密性が低いが、同含有量が３モル％以上では緻密性が高くなることを見出し、本発明に至った。
【発明の効果】
【０００８】
ガラスセラミックス組成物を銀層形成材料と接することがないようにして焼成しても緻密性の高い高誘電率誘電体が得られる。その結果、ガラスセラミックス組成物を銀層形成材料と接するようにして焼成しても、接することがないようにして焼成しても同程度に緻密性の高い高誘電率誘電体が得られ、高誘電率誘電体の銀層と接している部分の誘電率が銀層と接していない部分の誘電率よりも高くなる問題が解決される可能性が高くなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明のガラスセラミックス組成物は、１ＧＨｚ〜２５ＧＨｚのいずれかの周波数における比誘電率（以下、この比誘電率をεという。）が１６〜３０である誘電体の製造に好適である。典型的にはεは室温たとえば２０℃で測定され、またその測定周波数は５〜７ＧＨｚの範囲のものとされる。
【００１０】
本発明のガラスセラミックス組成物は９００℃以下の温度で焼成しても緻密な焼成体が得られるものであることが好ましい。このようなものであると、銀ペースト等の低温焼成電極用材料や低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）基板用材料と９００℃以下の温度で同時焼成できる。
焼成は通常、８００〜９００℃に５〜１２０分間保持して行われる。より典型的な焼成温度は８５０〜８８０℃である。
なお、銀ペースト等と同時に焼成して銀または銀含有導体を焼成体の表面または内部に形成する場合、焼成温度は８８０℃以下であることが好ましい。８８０℃超では焼成時に銀または銀含有導体が軟化し配線パターンの形状が保持できなくなるおそれがある。より好ましくは８７０℃以下である。
【００１１】
本発明のガラスセラミックス組成物を焼成して得られる焼成体（誘電体）のεは典型的には１６〜３０であり、そのような焼成体は本発明の誘電体である。
本発明のガラスセラミックス組成物を焼成して得られる焼成体および本発明の誘電体の１ＧＨｚ〜２５ＧＨｚのいずれかの周波数における誘電正接（以下、この誘電正接をｔａｎδという。）は典型的には０．００４０以下であり、ｔａｎδの逆数をＱ、共振周波数をｆＧＨｚとしてＱｆは１５００以上であることが好ましい。Ｑｆは、１５００未満では電子回路基板として使用することが困難になり、より好ましくは２０００以上である。なお、ｆは典型的には５〜７、たとえば６である。
また、当該焼成体および当該誘電体の５０ＭＨｚにおける比誘電率の−２５℃〜８５℃における平均温度変化率（以下、この平均温度変化率をτという。）は典型的には−１００〜＋３０ｐｐｍ／℃である。
【００１２】
電子機器の回路やアンテナなどの基板の構成要素として用いられる本発明の誘電体は通常、本発明のガラスセラミックス組成物をグリーンシート化したものを用いて製造される。すなわち、本発明のガラスセラミックス組成物に、ブチラール樹脂、アクリル樹脂等の樹脂と、トルエン、キシレン、ブタノール、酢酸ブチル等の溶剤と、さらに必要に応じてフタル酸ジブチル、トリエチレングリコール等の可塑剤や分散剤を添加して混合し、スラリーとする。次に、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等のフィルム上にドクターブレード法等の方法で前記スラリーを塗布してシート上に成形する。これを乾燥して、溶剤を除去してグリーンシートとする。グリーンシートは典型的には８５０〜８８０℃に５〜１２０分保持して焼成され、誘電体とされる。
【００１３】
本発明の誘電体からなる層を含む複数の誘電体層が積層された基板の製造は通常、複数のグリーンシートを積層したものを焼成して行う。また、これらグリーンシートには必要に応じて銀ペースト、銀導体等によって配線パターンやビアなどが形成される。
【００１４】
次に、本発明のガラスセラミックス組成物の成分について説明する。なお、各成分の含有量は質量百分率で表示する。
本発明のガラスの粉末は焼成体の緻密性を高めるための成分であり、必須である。３０％未満では緻密な焼成体が得にくくなる。好ましくは３５％以上である。７０％超ではεが小さくなる、またはｔａｎδが大きくなる。好ましくは６５％以下である。
【００１５】
本発明のガラスの粉末の体積基準５０％粒径（Ｄ５０）は０．５〜１０μｍであることが好ましい。０．５μｍ未満では粉末が凝集しにくくなって取り扱いにくくなる。より好ましくは１．０μｍ以上である。１０μｍ超では緻密で均質な焼成体が得にくくなる。より好ましくは５．０μｍ以下である。なお、Ｄ５０はたとえばレーザー回折式粒度分布測定装置を用いて測定される。
本発明のガラスの粉末のＢＥＴ比表面積は２．５〜４．０ｍ２／ｇであることが好ましい。典型的には３．０〜３．６ｍ２／ｇである。
【００１６】
本発明のガラスの粉末は本発明のガラスを粉砕して製造される。粉砕の方法は本発明の目的を損なわないものであれば限定されず、乾式粉砕でもよいし湿式粉砕でもよい。湿式粉砕の場合には、溶媒として水を用いることが好ましい。また粉砕にはロールミル、ボールミル、ジェットミル等の粉砕器を適宜用いることができる。ガラスは粉砕後、必要に応じて乾燥され、分級される。
【００１７】
ＢＴ粉末は焼成体のεを高くする成分であり、必須である。３０％未満ではεが小さくなる。好ましくは３５％以上、より好ましくは４５％以上、特に好ましくは５０％以上である。７０％超では緻密な焼成体が得にくくなる。より好ましくは６５％以下である。
【００１８】
ＢＴ粉末はＢａＴｉ４Ｏ９結晶を含有することが好ましい。
ＢＴ粉末はたとえば次のようにして作製される。すなわち、炭酸バリウム粉末と酸化チタン粉末をＢａ／Ｔｉモル比が３．５〜４．５の範囲となるように調合して混合した粉末をボールミル等によって粉砕し粉砕混合粉末とする。この粉砕混合粉末を１０００〜１５００℃に保持して炭酸バリウム粉末と酸化チタン粉末を反応させる。前記保持する温度は好ましくは１０５０〜１２５０℃である。このようにして作製された粉末のＸ線回折パターンにＢａＴｉ４Ｏ９結晶の回折ピークパターンが認められるように作製条件を選択することが好ましい。
このようにして作製されたＢＴ粉末には通常ＢａＴｉ４Ｏ９結晶が存在するが、それ以外の結晶、たとえばＢａ２Ｔｉ９Ｏ２０結晶、ＢａＴｉ５Ｏ１１結晶、ＴｉＯ２結晶等の回折ピークパターンが認められることがある。
【００１９】
ＢＴ粉末のＤ５０は０．５〜１０μｍであることが好ましい。１０μｍ超では緻密な誘電体が得にくくなる。より好ましくは５μｍ以下、特に好ましくは３μｍ以下である。
また、ＢＴ粉末のＢＥＴ比表面積は２．５〜４．０ｍ２／ｇであることが好ましい。
【００２０】
本発明のガラスセラミックス組成物は本質的に上記成分からなるが、本発明の目的を損なわない範囲でその他の成分、たとえばＢＴ粉末以外のセラミックス粉末を含有してもよい。そのような成分を含有する場合の当該成分の含有量の合計は、好ましくは１０％以下、より好ましくは５％以下である。
前記その他のセラミックス粉末としては、ＴｉＯ２結晶、ＢａＴｉ４Ｏ９結晶、Ｂａ２Ｔｉ９Ｏ２０結晶、ＢａＮｄ２Ｔｉ５Ｏ１４結晶、ＢａＺｒＯ４結晶、ＺｒＴｉＯ３結晶、ＢａＷＯ４結晶、ＣａＴｉＯ３結晶、ＭｇＴｉＯ３結晶およびこれらの固溶体のようなεの大きなセラミックスの粉末、アルミナ粉末、ムライト粉末のような焼成体の強度を高くするためのセラミックス粉末いわゆる高強度フィラーが例示される。このようなセラミックス粉末を含有する場合、当該粉末はＴｉＯ２結晶粉末を含有するものであることが好ましい。
【００２１】
次に、本発明のガラスについて説明する。
本発明のガラスのガラス転移点（Ｔｇ）は好ましくは６６０℃以下、より好ましくは６４０℃以下である。
また、その軟化点（Ｔｓ）は好ましくは７７０℃以下、より好ましくは７５０℃以下であり、また、典型的には６８０℃以上である。
また、その結晶化ピーク温度（Ｔｃ）は好ましくは９００℃以下、より好ましくは８６０℃以下である。
本発明のガラスの粉末を焼成して得られる焼成体にはＢａＡｌ２Ｓｉ２Ｏ８結晶が析出していることが好ましい。
【００２２】
次に、本発明のガラスの組成について説明する。なお、以下ではガラスの各成分のモル％表示含有量を単に％で表す。
ＳｉＯ２はガラスのネットワークフォーマであり、必須である。１５％未満ではガラスが得られにくい。好ましくは２０％以上、より好ましくは２５％以上、特に好ましくは２８％以上である。４０％超であるとＴｇまたはＴｓが高くなりすぎる。好ましくは３５％以下である。
Ａｌ２Ｏ３はガラスの安定性を高める成分であり、必須である。２％未満ではガラスが不安定になる。好ましくは４％以上である。１５％超ではＴｓが高くなる。好ましくは８％以下である。
ＳｉＯ２およびＡｌ２Ｏ３の含有量の合計は２５〜５０％であるが、典型的には３０〜４５％である。
【００２３】
Ｂ２Ｏ３はＴｇまたはＴｓを低くする成分であり、必須である。好ましくは１０％以上である。３７％超では化学的耐久性が低下する、またはｔａｎδが大きくなる。好ましくは３０％以下、より好ましくは２５％以下、特に好ましくは２０％以下である。
ＺｎＯは必須ではないが、ＴｇまたはＴｓを低くするために３５％まで含有してもよい。３５％超では化学的耐久性、特に耐酸性が低下するおそれがある。好ましくは３０％以下、より好ましくは２５％以下、特に好ましくは２０％以下である。ＺｎＯを含有する場合その含有量は、好ましくは２％以上、より好ましくは７％以上、特に好ましくは１２％以上である。
Ｂ２Ｏ３およびＺｎＯの含有量の合計が１５％未満ではＴｇまたはＴｓが高くなる。４５％超では化学的耐久性が低下する、または焼成時にＢａＡｌ２Ｓｉ２Ｏ８等の結晶が析出しにくくなる。好ましくは４０％以下、より好ましくは３５％以下である。
【００２４】
ＭｇＯ、ＣａＯおよびＳｒＯはガラスを安定化させる成分であり、いずれか一種以上を含有しなければならない。これら成分の含有量の合計が１％未満ではガラスが不安定になる。好ましくは２％以上、典型的には６％以上である。同合計が２５％超ではガラスがかえって不安定になる、またはεが小さくなる。好ましくは１５％以下、典型的には１３％以下である。
これら３成分の中ではＭｇＯまたはＣａＯを含有することが好ましい。
ＭｇＯを７％超含有するとＢＴ粉末が焼成時にガラス成分と反応しやすくなって焼成体中に残留しにくくなり、その結果焼成体のεが小さくなるおそれがある。ＭｇＯは好ましくは６％以下である。
ＣａＯを含有する場合、その典型的な含有量は５〜１０％である。
ＣａＯと同時にＳｒＯを含有する場合、ＳｒＯ含有量は典型的には１〜５％である。
【００２５】
ＢａＯは焼成体のεを高める、または焼成時にＢａＡｌ２Ｓｉ２Ｏ８結晶を析出させる効果を有し、必須である。５％未満では前記効果が不十分となる。好ましくは８％以上、より好ましくは１０％以上、特に好ましくは１２％以上である。２５％超であるとガラスが不安定になるおそれがある。好ましくは２０％以下、より好ましくは１８％以下である。
【００２６】
ＴｉＯ２は焼成体のεを高くし、または焼成時にＢａＡｌ２Ｓｉ２Ｏ８結晶を析出させる効果を有し、さらに、焼成体の緻密性を高める成分であり、必須である。３％未満では焼成体の緻密性が低下するおそれがある。好ましくは５％以上である。
ＺｒＯ２およびＳｎＯ２はいずれも必須ではないが、化学的耐久性を高める等の目的で、合計で１０％までの範囲で含有してもよい。
【００２７】
本発明のガラスは本質的に上記成分からなるが、本発明の目的を損なわない範囲でその他の成分を含有してもよい。その場合このような成分の含有量の合計は好ましくは１０％以下、より好ましくは５％以下である。
前記その他の成分としては、Ｙ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、ＣｅＯ２、Ｎｄ２Ｏ３、ＳｎＯ２、Ａｇ２Ｏ、ＣｏＯ、Ｎｂ２Ｏ５、Ｔａ２Ｏ５、ＭｏＯ３、ＷＯ３、Ｉｎ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ３、ＴｅＯ２、Ｐ２Ｏ５等が例示される。
なお、本発明のガラスは鉛およびアルカリ金属酸化物のいずれも含有しない。
【実施例】
【００２８】
表のＳｉＯ２からＴｉＯ２までの欄にモル％表示で示す組成となるように原料を調合、混合し、この混合された原料を白金ルツボに入れて１５５０〜１６００℃で６０分間溶融後、溶融ガラスを流し出し冷却した。例１、２は本発明のガラスであり実施例、例３、４は比較例である。
【００２９】
冷却したガラスをアルミナ製ボールミルで６時間乾式粉砕した後、水を溶媒として、さらに１０〜３０時間粉砕してガラス粉末とした。島津製作所製レーザー回折式粒度分布計ＳＡＬＤ２１００を用いて測定した各ガラス粉末のＤ５０（単位：μｍ）を表に示す。
また、各ガラス粉末を試料として各ガラスのＴｇ（単位：℃）、Ｔｓ（単位：℃）、Ｔｃ（単位：℃）を理学電機社製熱分析装置マクロ型ＤＴＡを用いて昇温速度１０℃／分の条件で１０００℃まで昇温して測定した。結果を表に示す。
また、各ガラス粉末を８７０℃に２時間保持（焼成）して得られた焼成体についてＸ線回折法により結晶析出の有無を調べたところ、例１、２、４についてはＢａＡｌ２Ｓｉ２Ｏ８結晶の析出、例３についてはエンスタタイト結晶の析出がそれぞれ認められた。
【００３０】
一方、ＢＴ粉末を次のようにして作製した。すなわち、ＢａＣＯ３粉末（堺化学工業社製炭酸バリウムＢＷ−ＫＴ）８８ｇとＴｉＯ２粉末（関東化学社製試薬ルチル型）１３０ｇとを水を溶媒としてボールミルで混合し、乾燥後１１５０℃に２時間保持した。その後ボールミルで６０時間粉砕してＤ５０が０．９μｍ、ＢＥＴ比表面積が３．４ｍ２／ｇである粉末を得た。この粉末についてＸ線回折測定を行ったところＢａＴｉ４Ｏ９結晶の強い回折ピークパターンが認められた。
【００３１】
表のガラスからチタン酸マグネシウムまでの欄に各粉末の質量百分率表示含有量を示すガラスセラミックス組成物を作製した。
酸化チタン粉末としては東邦チタニウム社製ＨＴ０２１０（Ｄ５０＝１．８μｍ）を、チタン酸マグネシウム粉末としては富士チタン工業社製ＭＴ（Ｄ５０＝０．８μｍ）をそれぞれ使用した。
【００３２】
例１〜４のガラスセラミックス組成物各５ｇを円柱状の金型を用いてプレス成形し、８７０℃に１．５時間保持する焼成を行って焼成体を得、これを研磨加工して直径約１４ｍｍ、厚さ約８ｍｍの円柱状サンプルを得た。このサンプルを用いて、ネットワークアナライザとキーコム社製平行導体共振法誘電率測定システムを使用して約２０℃でεとｔａｎδを測定した。共振周波数ｆ（単位：ＧＨｚ）とあわせて表に示す。
【００３３】
また、各ガラスセラミックス組成物を用いてグリーンシートを作製し、これを積層して焼成して焼成体を得た。すなわち、ガラスセラミックス組成物５０ｇに有機溶剤（トルエン、キシレン、２−プロパノール、２−ブタノールを質量比４：２：２：１で混合したもの）１５ｇ、可塑剤（フタル酸ジ−２−エチルヘキシル）２．５ｇ、樹脂（デンカ社製ポリビニルブチラールＰＶＢ＃３０００Ｋ）５ｇと分散剤（ＢＹＫ１８０）を混合してスラリーとした。このスラリーをＰＥＴフィルム上にドクターブレード法を利用して塗布し、乾燥して厚みが０．２ｍｍのグリーンシートを作製した。
得られたグリーンシート４ｃｍ×４ｃｍに切断し、６枚を積層してプレスしたものを５５０℃に５時間保持して、バインダーを除去した後、８７５℃に１．５時間保持して焼成し焼成体を得た。
【００３４】
得られた焼成体の寸法を測定して、焼成による収縮率（単位：％）を求めた。結果を表に示す。
また、これら焼成体について、ＪＩＳ  Ｒ１６３４「ファインセラミックスの焼結体密度・開気孔率の測定方法」に従ってかさ密度および開気孔率を測定した。かさ密度の測定結果を表のρ８７５の欄に示す。また、開気孔率はいずれの焼成体についても０％であった。
【００３５】
また、これら焼成体の断面を鏡面研磨し、走査型電子顕微鏡を用いて倍率１０００倍で撮影した断面の写真から、画像解析ソフトを使用して穴の面積の画面全体に占める割合を算出し、空隙率（単位：％）として表に示した。
【００３６】
かさ密度の測定は８６５℃に１．５時間保持して焼成した焼成体、および８８５℃に１．５時間保持して焼成した焼成体についても測定した。その結果を表のρ８６５、ρ８８５欄に示す。例３、例４は空隙が多く、焼成温度によるかさ密度の変動｜Δρ｜が大きい。このことは焼成条件によって焼成体の緻密性が変化しやすいことを示唆している。実際にこれらのガラスセラミックス組成物を用いてバンドパスフィルタを試作したところ、焼成体の緻密性が異なる場合があり、所定のフィルター特性が得られない場合があった。緻密性が変化することで、誘電率が異なることが原因と考えられる。
【００３７】
また、５０ＭＨｚにおいて８５℃から−２５℃での比誘電率を測定しτ（単位：ｐｐｍ／℃）を測定した。結果を表に示す。
また、Ｘ線回折法によりこれら焼成体に結晶が存在するか否かを調べたところ、例１〜４のいずれの焼成体にもＢａＡｌ２Ｓｉ２Ｏ８結晶、ルチル、ＢａＴｉ４Ｏ９結晶が認められた。
【００３８】
【表１】
2006298716.tif 000002
【産業上の利用可能性】
【００３９】
回路基板、アンテナ基板等の電子回路基板の製造に利用できる。