(57)【要約】【課題】  被加工物の外周部が沿っている場合であっても好適に吸着保持して搬送可能な被加工物搬送装置を提供すること。【解決手段】  テーブル３２に載置された被加工物５０の外周部を下側から支持する被加工物保持部２２と；テーブル３２に載置された被加工物の外周部に対して，上側からエアを噴射するエア噴射手段４２，４４と；被加工物保持部２２に設けられ，被加工物の外周部を吸着保持する吸着パッド２４と；吸着パッド２４により被加工物を吸着保持した被加工物保持部２２を移動させる移動手段と；を備えることを特徴とする。かかる構成により，エアの噴射によって被加工物５０の外周部の反りを矯正して，被加工物保持部２２に密着させることができる。このため，被加工物５０の外周部と被加工物保持部２２との間で空気漏れが生じないので，吸着パッド２４によって被加工物５０を好適に吸着保持できる。【選択図】  図５
2006054388.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テーブルに載置された被加工物を搬送する被加工物搬送装置であって；
前記テーブルに載置された前記被加工物の外周部を下側から支持する被加工物保持部と；
前記テーブルに載置された前記被加工物の外周部に対して，上側からエアを噴射するエア噴射手段と；
前記被加工物保持部に設けられ，前記被加工物の外周部を吸着保持する吸着パッドと；
前記吸着パッドにより前記被加工物を吸着保持した前記被加工物保持部を移動させる移動手段と；
を備えることを特徴とする，被加工物搬送装置。
【請求項２】
前記エア噴射手段は，
前記被加工物の外周部に沿って略等間隔に配設された複数のエア噴射ノズルと；
前記複数のエア噴射ノズルを支持するノズル支持部と；
前記ノズル支持部を昇降させる昇降手段と；
を備えることを特徴とする，請求項１に記載の被加工物搬送装置。
【請求項３】
前記被加工物保持部は，対向する一対の弧状部を有する略Ｃ字型平板状に形成され，前記一対の弧状部を連結する基部が前記移動手段と連結されており，
前記吸着パッドは，前記弧状部の各々に，間隔を空けて少なくとも２つずつ，前記一対の弧状部の中間および前記基部を通る軸線を中心として略対称な位置に配設されることを特徴とする，請求項１または２のいずれかに記載の被加工物搬送装置。
【請求項４】
前記テーブルは，
前記被加工物の中央部を吸着保持する吸着保持面を有するメインテーブルと；
前記被加工物の外周部を支持する支持面を有するサポートテーブルと；
前記サポートテーブルの支持面を，前記メインテーブルの吸着保持面に対して略面一または僅かに低い作用位置と，前記作用位置から下方に退避した非作用位置とに選択的に位置付けるサポートテーブル位置付け手段と；
を備え，
前記被加工物保持部は，前記サポートテーブルの支持面が前記非作用位置にあるときに，前記メインテーブルに載置された前記被加工物の外周部を下側から支持することを特徴とする，請求項１，２または３のいずれかに記載の被加工物搬送装置。
【請求項５】
請求項１，２，３または４のいずれかに記載の被加工物搬送装置を備えることを特徴とする，スピンナー洗浄装置。
【請求項６】
請求項５に記載のスピンナー洗浄装置を備えることを特徴とする，研削装置。
【請求項７】
テーブルに載置された被加工物を搬送する被加工物搬送方法であって；
被加工物保持部によって，前記テーブルに載置された前記被加工物の外周部を下側から支持する支持工程と；
前記テーブルに載置された前記被加工物の外周部に対して上側からエアを噴射して，前記被加工物の外周部を前記被加工物保持部に密着させるエア噴射工程と；
前記被加工物保持部に密着させた前記被加工物の外周部を，前記被加工物保持部に設けられた吸着パッドによって吸着保持する吸着保持工程と；
前記被加工物を吸着保持した前記被加工物保持部を移動させて，前記被加工物を搬送する搬送工程と；
を含むことを特徴とする，被加工物搬送方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，被加工物搬送装置，スピンナー洗浄装置，研削装置，被加工物搬送方法に関し，特に，外周部が反り返った半導体ウェハ等の被加工物を好適に保持して搬送するための被加工物搬送装置，スピンナー洗浄装置，研削装置，被加工物搬送方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年，半導体チップを用いた電子機器類の小型化を実現するために，半導体チップの薄型化が要求されている。このため，半導体ウェハをダイシングして個々の半導体チップに分割する前に，半導体ウェハの裏面を研削装置（グラインダー）によって研削加工して，半導体ウェハを所定の厚さ（例えば５０〜１００μｍ）以下に薄型化している。
【０００３】
このように，半導体ウェハの裏面を研削する研削装置は，研削された加工面に付着したコンタミネーションを洗浄する洗浄装置を具備している。この洗浄装置としては，例えば，スピンナー洗浄装置が一般的に用いられている。このスピンナー洗浄装置は，加工面（裏面）を上向きにして載置された半導体ウェハを吸着保持して回転させるスピンナーテーブルと，このスピンナーテーブル上に保持された半導体ウェハの加工面に洗浄液を供給する洗浄液供給手段とを備える（特許文献１参照）。
【０００４】
このようなスピンナー洗浄装置によって洗浄された半導体ウェハを，スピンナーテーブルから，収納用のカセットに搬送するために，搬送手段（ロボットピック等）が用いられる。この搬送手段は，例えば，吸着パッドが配設されたＣ字型またはＵ字型等のウェハ保持部を備えており，このウェハ保持部によって，スピンナーテーブル上に載置された半導体ウェハの下面（グラインディングテープが貼り付けられた回路面側）の外周部を吸着保持してピックアップし，搬送する構成である。
【０００５】
しかしながら，半導体ウェハを裏面研削した後には，その仕上げ厚みやテープの種類に応じて，半導体ウェハの外周部に反りが生じる場合がある。特に，半導体ウェハを極薄に研削した場合には，反りの発生は顕著である。このような半導体ウェハを上記搬送手段によって搬送する場合，半導体ウェハの外周部が反っているために，ウェハ保持部と半導体ウェハとが密着せず，双方の間に隙間が空いてしまう。このため，ウェハ保持部と半導体ウェハとの間で空気漏れ（エアーリーク）が生じて，半導体ウェハをうまく吸着保持できないという問題があった。
【０００６】
また，例えば，特許文献２に記載のように，外周部に吸着パッドが環状に配設され，半導体ウェハと略同径の「しゃもじ型」のウェハ保持部によって，スピンナーテーブルに載置された半導体ウェハを上面（研削された加工面）側から吸着保持する方法が提案されている。この方法によれば，環状に配置された吸着パッドの内側にも負圧が発生し，ウェハ保持部全体で半導体ウェハを吸着保持できるので，外周部が反っている半導体ウェハであっても，保持して搬送することが可能である。
【０００７】
ところが，この方法であると，ウェハ保持部を半導体ウェハの加工面に接触させて保持するため，当該加工面を傷つけてしまうという問題がある。
【０００８】
また，スピンナーテーブル上に加工面（裏面）を上向きにして載置されている半導体ウェハを搬送して，カセットのスロットに挿入するときには，半導体ウェハのグラインディングテープが貼り付けられた側の回路面（表面）を上向きにして収納する場合が多い。このように半導体ウェハをカセットのスロットに収納するためには，半導体ウェハの上下を反転させる必要がある。しかし，上記方法により半導体ウェハの加工面側を吸着保持したウェハ保持部を反転させると，半導体ウェハの下側にウェハ保持部が位置することになる。一方，カセットのスロットは，半導体ウェハを下側から支持するようになっている。このため，上記のように下側にウェハ保持部があると，半導体ウェハをスロットに挿入して載置することが非常に困難であるという問題があった。
【０００９】
【特許文献１】特開２００３−２７３０５５号公報
【特許文献２】特開２００３−３０３８４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
そこで，本発明は，上記問題に鑑みてなされたものであり，本発明の目的とするところは，テーブル上に載置された被加工物の外周部が沿っている場合であっても，その下面（例えば研削面とは反対側の面）を好適に吸着保持して搬送し，カセットに容易に収納することが可能な，新規かつ改良された被加工物搬送装置，スピンナー洗浄装置，研削装置，および被加工物搬送方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，テーブルに載置された被加工物を搬送する被加工物搬送装置が提供される。この被加工物搬送装置は，テーブルに載置された被加工物の外周部を下側から支持する被加工物保持部と；テーブルに載置された被加工物の外周部に対して，上側からエアを噴射するエア噴射手段と；被加工物保持部に設けられ，被加工物の外周部を吸着保持する吸着パッドと；吸着パッドにより被加工物を吸着保持した被加工物保持部を移動させる移動手段と；を備えることを特徴とする。
【００１２】
かかる構成により，エアの噴射によって被加工物の外周部の反りを矯正して，被加工物の外周部を被加工物保持部に密着させることができる。このため，被加工物の外周部と被加工物保持部との間で空気漏れが生じないので，吸着パッドによって被加工物の外周部を好適に吸着保持できる。
【００１３】
また，上記エア噴射手段は，被加工物の外周部に沿って略等間隔に配設された複数のエア噴射ノズルと；複数のエア噴射ノズルを支持するノズル支持部と；ノズル支持部を昇降させる昇降手段と；を備えるように構成してもよい。これにより，被加工物保持部によって被加工物を吸着保持するときにのみ，昇降手段によってノズル支持部を降下させて，噴射ノズルを被加工物の外周部の上方に位置付けることができる。
【００１４】
また，上記被加工物保持部は，対向する一対の弧状部を有する略Ｃ字型平板状に形成され，一対の弧状部を連結する基部が移動手段と連結されており，上記吸着パッドは，弧状部の各々に，間隔を空けて少なくとも２つずつ，一対の弧状部の中間および基部を通る軸線を中心として略対称な位置に配設されるように構成してもよい。これにより，被加工物保持部に複数の吸着パッドをバランス良く配置して，被加工物を安定して保持できる。
【００１５】
また，上記テーブルは，被加工物の中央部を吸着保持する吸着保持面を有するメインテーブルと；被加工物の外周部を支持する支持面を有するサポートテーブルと；サポートテーブルの支持面を，メインテーブルの吸着保持面に対して略面一または僅かに低い作用位置と，作用位置から下方に退避した非作用位置とに選択的に位置付けるサポートテーブル位置付け手段と；を備え，上記被加工物保持部は，サポートテーブルの支持面が非作用位置にあるときに，メインテーブルに載置された被加工物の外周部を下側から支持するように構成してもよい。これにより，被加工物より面積が小さいメインテーブルに載置された被加工物を，その下面側を吸着保持した状態で，好適にピックアップして搬送できる。
【００１６】
また，上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，上記被加工物搬送装置を備えることを特徴とするスピンナー洗浄装置が提供される。
【００１７】
また，上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，上記スピンナー洗浄装置を備えることを特徴とする研削装置が提供される。
【００１８】
また，上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，テーブルに載置された被加工物を搬送する被加工物搬送方法が提供される。この被加工物搬送方法は，（１）被加工物保持部によって，テーブルに載置された被加工物の外周部を下側から支持する支持工程と；（２）テーブルに載置された被加工物の外周部に対して上側からエアを噴射して，被加工物の外周部を被加工物保持部に密着させるエア噴射工程と；（３）被加工物保持部に密着させた被加工物の外周部を，被加工物保持部に設けられた吸着パッドによって吸着保持する吸着保持工程と；（４）被加工物を吸着保持した被加工物保持部を移動させて，被加工物を搬送する搬送工程と；を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
以上説明したように，本発明によれば，被加工物の外周部が反っている場合であっても，エア噴射手段によって被加工物の外周部の反りを平坦化して，被加工物保持部に密着させることができる。このため，被加工物保持部の吸着パッドによって被加工物を好適に吸着保持して搬送することができる。
【００２０】
また，被加工物保持部は，被加工物保持部は被加工物の下面（例えば研削面とは反対側の面）を保持して搬送できる。このため，被加工物保持部は被加工物の加工面に接触しないので当該加工面を傷つけることがない。さらに，搬送した被加工物をカセットに収納する際に，被加工物を反転させて回路面を上向きにした状態で容易に収納できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２２】
（第１の実施形態）
まず，図１に基づいて，本発明の第１の実施形態にかかる被加工物搬送装置を備えた研削装置１の全体構成について説明する。なお，図１は，本実施形態にかかる研削装置１の全体構成を示す斜視図である。
【００２３】
研削装置１は，被加工物の一例である半導体ウェハ５０の裏面を研削加工する装置として構成されている。半導体ウェハ５０は，例えば，８，１２インチ等の略円板状のシリコンウェハなどである。半導体ウェハ５０の表面（半導体素子が形成された回路面）には，表面保護用の粘着テープであるグライディングテープ（以下，単に「テープ」という）が貼り付けられている。研削装置１は，この半導体ウェハ５０の裏面（回路面とは反対側の面）を研削加工して，例えば５０〜１００μｍの厚さにまで薄型化する。
【００２４】
かかる研削装置１の各構成要素について具体的に説明する。図１に示すように，研削装置１は，例えば，ハウジング２と，粗研削ユニット３と，仕上げ研削ユニット４と，ターンテーブル５上に設置された例えば３つのチャックテーブル６と，カセット１１，１２と，仮置きテーブル１３と，搬送アーム１６，１７と，搬送手段２０と，スピンナー洗浄装置３０と，エア噴射手段４０とを主に備える。
【００２５】
粗研削ユニット３は，スピンドル３ａの下端に装着された研削ホイール３ｂを回転させながら，チャックテーブル６に保持された半導体ウェハ５０の裏面に押圧することによって，半導体ウェハ５０の裏面を粗研削加工する。また，同様に，仕上げ研削ユニット４は，スピンドル４ａに装着された研削ホイール４ｂを回転させながら，上記粗研削された後の半導体ウェハ５０の裏面に押圧することによって，当該半導体ウェハ５０の裏面を高精度で仕上げ研削加工する。このように，本実施形態にかかる研削装置１は，２つ研削ユニット３，４を具備するが，かかる例に限定されず，研削装置は，研削ユニットを１つのみ，或いは３つ以上，具備するように構成することもできる。
【００２６】
ターンテーブル５は，ハウジング２の上面に設けられた比較的大径の円盤状のテーブルであり，水平方向に回転可能である。このターンテーブル５上には，例えば，３つのチャックテーブル６が例えば１２０度の位相角で等間隔に配設されている。このチャックテーブル６は，その上面に真空チャックを備えており，載置された半導体ウェハ５０を真空吸着して保持する。このチャックテーブル６は，研削加工時には，図示しない回転駆動機構によって水平方向に回転可能である。かかる構成の各チャックテーブル６は，ターンテーブル５の回転によって，搬入・搬出領域Ａ，粗研削加工領域Ｂ，仕上げ研削加工領域Ｃ，搬入・搬出領域Ａに，順次，移動させられる。
【００２７】
カセット１１，１２は，複数のスロットを有する半導体ウェハ用の収容器であり，各スロットに半導体ウェハ５０を１枚ずつ水平に収容する。カセット１１は，研削加工前の半導体ウェハ５０を収容し，一方，カセット１２は，研削加工後の半導体ウェハ５０を収容する。研削加工後の半導体ウェハ５０をカセット１２内に収容する場合には，例えば，テープが貼り付けられた回路面側を上向き（研削された加工面を下向き）にして収容される。
【００２８】
仮置きテーブル１３は，カセット１１から取り出された半導体ウェハ５０が仮置きされるテーブルである。この仮置きテーブル１３は，例えば６本のピンがテーブルの中心に向かって同時に縮径運動することによって，半導体ウェハ５０の中心位置を合わせる中心位置合わせ機構を備える。
【００２９】
搬送アーム１６，１７は，半導体ウェハ５０を上方より吸着する吸着部と，吸着部を支持するアーム部と，アーム部を水平方向に回動させる回転駆動部とを備える。搬送アーム１６は，仮置きテーブル１３に載置された研削加工前の半導体ウェハ５０を搬送して，搬入・搬出領域Ａに位置するチャックテーブル６に載置する。また，搬送アーム１６は，搬入・搬出領域Ａに位置するチャックテーブル６に載置された研削加工後の半導体ウェハ５０を搬送して，スピンナー洗浄装置３０のスピンナーテーブル３２に載置する。
【００３０】
搬送手段２０は，吸着パッド（図示せず。）が設けられた被加工物保持部２２（例えばＣ字型ハンド）を備えた搬送装置（ロボットピック）である。この搬送手段２０は，被加工物保持部２２によって半導体ウェハ５０を吸着保持して搬送する。具体的には，搬送手段２０は，カセット１１内の半導体ウェハ５０を取り出して，仮置きテーブル１３に搬送する。また，搬送手段２０は，スピンナー洗浄装置３０のスピンナーテーブル３２に載置された半導体ウェハ５０をピックアップして搬送し，カセット１２内に収納する。かかる搬送手段２０の詳細については後述する。
【００３１】
スピンナー洗浄装置３０は，研削加工後の半導体ウェハ５０を洗浄して，研削された加工面に付着している研削屑や汚物等のコンタミネーションを除去する。かかるスピンナー洗浄装置３０の詳細については後述する。
【００３２】
エア噴射手段４０は，スピンナー洗浄装置３０の上部に昇降可能に設けられ，ハウジング２上に設けられた支持台１８に設置される。このエア噴射手段４０は，スピンナーテーブル３２に載置された半導体ウェハ５０の外周部に対して，上方からエア（空気）を噴射して，当該半導体ウェハＷの外周部の反りを矯正する。かかるエア噴射手段４０の詳細については後述する。なお，本実施形態にかかる搬送手段２０およびエア噴射手段４０は，被加工物搬送装置を構成している。
【００３３】
次に，上記構成の研削装置１の動作について説明する。カセット１１には，研削加工前の半導体ウェハ５０が，例えば，テープが貼り付けられた回路面（表面）を下向き（即ち，研削される裏面を上向き）にして載置されている。そこで，まず，搬送手段２０は，カセット１１内の半導体ウェハ５０を１枚取り出して搬送し，仮置きテーブル１３に載置する。次いで，仮置きテーブル１３は，載置された半導体ウェハ５０の中心位置合わせを行う。さらに，搬送アーム１６は，中心位置合わせされた半導体ウェハ５０をピックアップして搬送し，搬入・搬出領域Ａに配置されたチャックテーブル６上に載置する。チャックテーブル６は，載置された半導体ウェハ５０を真空吸着して保持する。
【００３４】
次いで，ターンテーブル５を回転させて，半導体ウェハ５０を保持したチャックテーブル６を粗研削加工領域Ｂに移動させ，粗研削ユニット３の下方に位置付ける。この状態で，粗研削ユニット３によって当該半導体ウェハ５０の裏面を粗研削加工する。さらに，ターンテーブル５を回転させて，上記粗研削加工された半導体ウェハ５０を保持したチャックテーブル６を仕上げ研削加工領域Ｃに移動させ，仕上げ研削ユニット４の下方に位置付ける。この状態で，仕上げ研削ユニット４によって当該半導体ウェハ５０の裏面を仕上げ研削加工する。この仕上げ研削加工と同時に，後続の別の半導体ウェハ５０を粗研削ユニット３粗研削加工することによって，研削加工を効率化できる。
【００３５】
次いで，ターンテーブル５をさらに回転させて，上記仕上げ研削加工された半導体ウェハ５０を保持したチャックテーブル６を搬入・搬出領域Ａに移動させる。次いで，搬送アーム１７によって，仕上げ研削加工された半導体ウェハ５０をピックアップして搬送し，スピンナー洗浄装置３０のスピンナーテーブル３２上に載置する。スピンナー洗浄装置３０は，スピンナーテーブル３２によって吸着保持した半導体ウェハ５０を回転させながら，当該半導体ウェハ５０の裏面（研削された加工面）に洗浄液を噴射して，付着しているコンタミネーションを洗浄・除去して，さらに乾燥させる。
【００３６】
その後，搬送手段２０は，洗浄・乾燥された半導体ウェハ５０の下面（回路面）側を，被加工物保持部２２（Ｃ字型ハンド）によって吸着保持してピックアップする。さらに，搬送手段２０は，吸着保持した半導体ウェハ５０を搬送し，当該半導体ウェハ５０の上下を反転させた上で，カセット１２内に収容する。
【００３７】
以上のように，研削装置１では，半導体ウェハ５０の裏面を研削した後に，半導体ウェハ５０を洗浄するためにスピンナー洗浄装置３０に移動させる。このとき，半導体ウェハ５０の回路面にはテープが貼り付けてあり，回路面が保護されている。半導体ウェハ５０は，この回路面を下側に（即ち，加工面を上側に）した状態で，スピンナーテーブル３２上に載置される。スピンナー洗浄装置３０で半導体ウェハ５０を洗浄した後に，搬送手段２０によって半導体ウェハ５０をスピンナー洗浄装置３０からカセット１２に搬送する。この際，上述したように，半導体ウェハ５０の外周部に反りが生じていると，被加工物保持部２２によって半導体ウェハ５０を好適に吸着保持できないという問題があった。
【００３８】
より詳細には，近年の半導体ウェハ５０の大型化と薄型化に伴い，半導体ウェハ５０の裏面研削を行うと，その種類にもよるが，半導体ウェハ５０の外周部が加工面側に反ってしまう現象が生じる。この場合，上記被加工物保持部２２の吸着パッドで半導体ウェハ５０を下側から真空吸着して保持する際に，半導体ウェハ５０の外周部と被加工物保持部２２とが密着していないため，エアが漏れてしまい，好適に吸着することができなかった。
【００３９】
かかる問題に対処するため，本実施形態にかかる研削装置１は，上記搬送手段２０およびエア噴射手段４０を具備する被加工物搬送装置を具備することを特徴とする。つまり，このエア噴射手段４０によって上方から半導体ウェハ５０の外周部にエアを噴射することによって，噴射圧により半導体ウェハ５０の外周部を平坦化して被加工物保持部２２に密着させ，被加工物保持部２２によって当該半導体ウェハ５０の回路面側を下側から好適に吸着保持できるようにする点に特徴がある。
【００４０】
以下に，被加工物搬送装置のかかる特徴について詳細に説明する。上述したように，本実施形態にかかる被加工物搬送装置は，搬送手段２０と，エア噴射手段４０とから構成される。
【００４１】
そこで，まず，図２に基づいて，本実施形態にかかる搬送手段２０（ロボットピック）について詳細に説明する。なお，図２は，本実施形態にかかる搬送手段２０を示す斜視図である。
【００４２】
図２に示すように，搬送手段２０は，半導体ウェハ５０を保持する被加工物保持部２２と，被加工物保持部２２に設けられた複数の吸着パッド２４と，被加工物保持部２２を垂直方向及び水平方向に移動させる移動手段２８と，被加工物保持部２２と移動手段２８とを連結する連結軸２６とを備えている。
【００４３】
被加工物保持部２２は，例えば，略Ｃ字型の平板形状を有するＣ型ハンドで構成される。この被加工物保持部２２は，対向する一対の弧状部２２２ａ，２２２ｂと，この一対の弧状部２２２ａ，２２２ｂを連結する基部２２４とからなる。
【００４４】
弧状部２２２ａ，２２２ｂ（以下，「弧状部２２２」と総称する場合もある。）は，保持対象である被加工物（半導体ウェハ５０）の外周部に沿った曲率半径および形状を有する平板状の部材である。弧状部２２２ａと弧状部２２２ｂは，軸線２２３を中心として線対称な形状および配置で設けられている。なお，この軸線２２３は，一対の弧状部２２２の中間および基部２２４を通る仮想の直線であり，保持した半導体ウェハ５０を反転させるときの被加工物保持部２２２の回転軸でもある。
【００４５】
また，双方の弧状部２２２の先端部は，所定の隙間を開けて離隔しており，かかる隙間から，スピンナーテーブル３２の支持部を２つの弧状部２２２の間に挿入できる。この弧状部２２２の保持面（図２では上面）は略平坦であり，この保持面で半導体ウェハ５０の外周部を下側より支持する。
【００４６】
さらに，この被加工物保持部２２の弧状部２２２の保持面には，例えば６つの吸着パッド２４が設けられている。この吸着パッド２４は，被加工物保持部２２の内部に設けられた排気路（図示せず。）を介して外部の真空ポンプ（図示せず。）と連通しており，真空ポンプによって発生された負圧によって，半導体ウェハ５０を真空吸着して保持する。これら６つの吸着パッド２４は，例えば，上記弧状部２２２ａ，２２２ｂの各々に，間隔を空けて例えば３つずつ，上記軸線２２３を中心として対称な位置に配設されている。これにより，複数の吸着パッド２４によって半導体ウェハ５０をバランス良く保持できる。
【００４７】
なお，吸着パッド２４は，各弧状部２２２ａ，２２２ｂに同数（少なくとも２つずつ）が，軸線２２３を中心として対称な位置に設けられればよく，その設置数，配置は図２の例に限定されない。
【００４８】
移動手段２８は，例えば，アームや回転軸，電動モータ等から構成されている。この移動手段２８は，被加工物保持部２２を垂直方向（Ｚ方向），水平方向（Ｘ，Ｙ方向）に移動させたり，上記軸線２２３を回転軸として被加工物保持部２２を回転させたりすることができる。
【００４９】
具体的には，移動手段２８は，例えば，被加工物保持部２２を垂直方向（Ｚ方向）に上下動させる上下動手段２８２と，上下動手段２２に取り付けられた旋回軸２８３と，旋回軸２８３の上端部に取り付けられ，水平面（ＸＹ平面）上を旋回自在に移動する第１アーム２８４と，第１アーム２８４の端部に取り付けられ，水平面（ＸＹ平面）上を旋回自在に移動する第２アーム２８５と，第２アーム２８５の先端部に設けられ，連結軸２６に連結される支持回転部２８６とを備える。支持回転部２８６は，連結軸２６を介して被加工物保持部２２を支持する。さらに，支持回転部２８６は，支持した被加工物保持部２２を連結軸２６（軸線２２３）を回転軸として回転させる。これにより，被加工物保持部２２によって吸着保持された半導体ウェハ５０を反転させることができる。
【００５０】
以上のような構成の搬送手段２０は，被加工物保持部２２の吸着パッド２４によって半導体ウェハ５０の一面の外周部を吸着することで，当該半導体ウェハＷを保持できる。さらに，搬送手段２０は，移動手段２８によって被加工物保持部２２を移動させることで，保持した半導体ウェハ５０を搬送することができる。ただし，外周部が上方に反った半導体ウェハ５０を下側から吸着保持する場合（例えば，スピンナーテーブル３２等に載置された反りのある半導体ウェハ５０を吸着保持する場合）には，後述するエア噴射手段４０によって半導体ウェハ５０の反りを矯正した上で，被加工物保持手段２２によって吸着保持する必要がある。
【００５１】
次に，図３，４に基づいて，本実施形態にかかるスピンナー洗浄装置３０およびエア噴射手段４０について詳細に説明する。なお，図３は，本実施形態にかかるスピンナー洗浄装置３０およびエア噴射手段４０を示す斜視図である。図４は，本実施形態にかかるエア噴射手段４０を示す平面図である。
【００５２】
まず，スピンナー洗浄装置３０の構成について説明する。図３に示すように，スピンナー洗浄装置３０は，テーブルハウジング３１と，スピンナーテーブル３２と，サポートテーブル３４と，サポートテーブル位置決め手段（図示せず。）と，側面スピンナーカバー３７と，上部スピンナーカバー３８と，洗浄液供給手段（図示せず。）と，高圧エア供給手段（図示せず。）とを備える。
【００５３】
スピンナーテーブル３２は，上面が平坦な略円盤状のテーブルであって，半導体ウェハ５０の中央部を吸着保持するメインテーブルとして機能する。このスピンナーテーブル３２は，上面にポーラスセラミック盤からなる真空チャック３２２を備えており，半導体ウェハ５０の下面の中央部を真空吸着して保持する。このスピンナーテーブル３２の上面は，円形の平坦な吸着保持面３２１をなす。また，このスピンナーテーブル３２の外径は，半導体ウェハ５０の外径より小さい。このため，スピンナーテーブル３２上に半導体ウェハ５０を相互に中心位置を合わせて載置した場合には，半導体ウェハ５０の外周部が，スピンナーテーブル３２の外縁部から張り出し，半導体ウェハ５０の下面の外周部が露出することになる。
【００５４】
また，このスピンナーテーブル３２を支持する支持部３２４は，テーブルハウジング３１内に配設された図示しない回転駆動機構に連結されている。これにより，洗浄中には，半導体ウェハ５０を吸着保持したスピンナーテーブル３２を，水平方向に回転させることができる。
【００５５】
サポートテーブル３４は，上記スピンナーテーブル３２に吸着保持された半導体ウェハ５０の下面の外周部を支持する。このサポートテーブル３４は，アルミニウム合金等の金属材を用いて環状に形成され，中央部に上記スピンナーテーブル３２を挿通可能な貫通孔３４２を有する。このサポートテーブル３４の上面は，環状の平坦な支持面３４１を成す。サポートテーブル３４は，この支持面３４１によって上記スピンナーテーブル３２に吸着保持された半導体ウェハ５０の下面の外周部を支持する。
【００５６】
サポートテーブル位置決め手段（図示せず。）は，上記サポートテーブル３４を垂直方向に昇降させて，サポートテーブル３４の支持面３４１を，上記スピンナーテーブル３２の吸着保持面３２１に対して面一または僅かに低い作用位置と，この作用位置から下方に退避した非作用位置とに選択的に位置付ける。
【００５７】
より詳細には，サポートテーブル位置決め手段は，サポートテーブル３４の下方に設けられたエアシリンダ等の駆動機構などで構成されている。このサポートテーブル位置決め手段は，洗浄時には，当該エアシリンダの動作によりサポートテーブル３４を上昇させて，支持面３４１を上記作用位置に位置付け，一方，半導体ウェハ５０の搬送時には，当該エアシリンダの動作によりサポートテーブル３４を降下させて，支持面３４１を上記非作用位置に位置付ける。
【００５８】
なお，サポートテーブル３４は，上記作用位置に位置付けられると，支持面３４１がスピンナーテーブル３２の吸着保持面３２１より僅かに（例えば１〜３ｍｍ）低い位置になるように設定されている。また，サポートテーブル３４の非作用位置は，半導体ウェハ５０の下側に上記被加工物保持部２２を挿入するときに障害にならないように，十分に低い位置に設定されている。
【００５９】
側面スピンナーカバー３７は，スピンナー洗浄装置３０の洗浄領域の側方を覆う可動式のカバーである。また，上部スピンナーカバー３８は，スピンナー洗浄装置３０の洗浄領域の上方を覆う平板状のカバーである。側面スピンナーカバー３７には，例えば，ハウジング３１に固設されたエアシリンダ３７１のピストンロッド３７２が連結されている。洗浄時には，側面スピンナーカバー３７は，このエアシリンダ３７１の駆動力によって上昇され，上部スピンナーカバー３８に当接する。これにより，側面および上面スピンナーカバー３７，３８によって，スピンナー洗浄装置３０の洗浄領域を覆って，洗浄液の飛散を防止できる。一方，半導体ウェハ５０の搬入・搬出時には，側面スピンナーカバー３７を下降させて洗浄領域を開放し，搬送手段２０がスピンナーテーブル３４にアクセス可能な状態にできる。
【００６０】
洗浄液供給手段は，例えば，スピンナーテーブル３２の上方に配設された洗浄水噴射ノズルと，タンクおよびポンプ等からなる洗浄液送出手段と（いずれも図示せず。）を備える。この洗浄液供給手段は，スピンナーテーブル３２に保持された半導体ウェハ５０に対し，洗浄水等の洗浄液を供給する。
【００６１】
高圧エア供給手段は，エアコンプレッサやエアータンク等からなるエア送出手段と，スピンナーテーブル３２の上方に配設されたエアーノズルと（いずれも図示せず。）を備える。この高圧エア供給手段は，エアの噴射により，洗浄後の半導体ウェハ５０を乾燥させる。
【００６２】
以上のような構成のスピンナー洗浄装置３０は，研削加工後の半導体ウェハ５０を回転させながら，当該半導体ウェハＷに洗浄水を噴射して洗浄し，コンタミネーションを除去するとともに，洗浄した半導体ウェハ５０を乾燥させる。このように洗浄・乾燥された半導体ウェハ５０は，上記搬送手段２０の被加工物保持部２２２によって下側から吸着保持され，スピンナーテーブル３２からピックアップされるが，この吸着保持時に，エア噴射手段４０は，半導体ウェハ５０の外周部に対して上側からエアを噴射して，反りを矯正する。
【００６３】
ここで，図３及び図４に示すエア噴射手段４０について，図５を参照しながら詳細に説明する。なお，図５は，本実施形態にかかるエア噴射手段４０および搬送手段２０の動作を説明するための断面図である。
【００６４】
エア噴射手段４０は，上述したように，上記搬送手段２０とともに本実施形態にかかる被加工物搬送装置を構成し，上記搬送手段２０の被加工物保持部２２によって半導体ウェハ５０を好適に吸着保持できるように支援する。
【００６５】
図３に示すように，エア噴射手段４０は，例えば，スピンナー洗浄装置３０の一部として，スピンナーテーブル３２の上部に配設されている。このエア噴射手段４０は，図３及び図４に示すように，半導体ウェハ５０の外周部に沿って略等間隔に配設された複数（例えば８つ）のエア噴射ノズル４２と，これら複数のエア噴射ノズル４２を支持するノズル支持部４４と，このノズル支持部４４を昇降させる昇降手段４６と，エアコンプレッサやエアータンク等からなり上記エア噴射ノズル４２に高圧エアを供給するエア送出手段４８と，を備える。
【００６６】
エア噴射ノズル４２（以下では，単に「ノズル４２」という。）は，ノズル支持部４４の外周部に，例えば８箇所配設されている。各ノズル４２は，噴射口を垂直方向下向きにしてノズル支持部４４に取り付けられている。かかるノズル４２は，例えば，エア送出手段４８からエア供給用配管４５，４３を介して供給された高圧エアを，下方に向けて噴射する。このノズル４２によるエアの噴射圧は，流量で例えば２００Ｌ／ｓ（エア送出手段４８のポンプ部で例えば０．５ＭＰａ程度）であり，かかる噴射圧は各ノズル４２で略同一の大きさとなるように調整されている。また，ノズル４２によるエアの噴射時間は，例えば２〜３秒程度であるが，かかる例に限定されない。
【００６７】
このようなノズル４２によって，図５に示すように，スピンナーテーブル３２に載置された半導体ウェハ５０の外周部に対して，上方からエアを噴射することにより，上方に向けて反り返った半導体ウェハ５０の外周部を矯正して，平坦化することができる。
【００６８】
また，この８つのノズル４２は，図４に示すように，半導体ウェハ５０外周部に沿って，ノズル支持部４４の周方向に所定間隔で配設されている。これにより，スピンナーテーブル３２に載置された半導体ウェハ５０上面の外周部に対して，８つのノズル４２によって均等にエアを噴射して，半導体ウェハ５０の反りを均等に矯正することができる。しかし，ノズル４２の設置数および配置は図示の例に限定されない。例えば，ノズル４２の設置間隔を狭くして，ノズル４２の設置数を増加させてもよい。この方が，上記半導体ウェハ５０の反りを矯正するという観点では効果的と考えられるが，必ずしも，コスト面等では効率的とは限らないので，一概に良いとは言えない。また，ノズル４２の配置としては，上記のように，ノズル支持部４４の外周部に周方向に所定間隔で対称的に設けることが好ましいが，かかる例に限定されない。
【００６９】
ノズル支持部４４は，半導体ウェハ５０と略同一径を有する円板状の支持板４４１と，各ノズル４２を支持板４４１に形成されたＵ字型の切り欠き４４１ａに取り付けて固定するための複数のノズル取付部材４２と，からなる。支持板４４１の外径は，上部スピンナーカバー３８に形成された円形の貫通孔３８ａの径より若干小さい。このため，ノズル支持部４４は，上部スピンナーカバー３８の貫通孔３８ａを通過して，上下動可能である。
【００７０】
昇降手段４６は，ノズル支持部４４を，上部スピンナーカバー３８の貫通孔３８ａ付近に位置する退避位置と，スピンナーテーブル３２直上付近に位置する噴射位置との間で昇降させる。この昇降手段４６は，例えば，エアシリンダ４６１と，エアシリンダ４６１から下方に向けて延びるピストンロッド４６２と，エアシリンダ４６１を支持し，上記支持台１８に固設される支持部材４６３とを備える。ピストンロッド４６２の先端は，上記ノズル支持部４４の支持板４４１の中央部に連結されている。
【００７１】
かかる構成の昇降手段４６は，図５に示すように，通常時には，エアシリンダ４６１の動作によりノズル支持部４４を上昇させて，スピンナーテーブル３２周辺から退避させた退避位置に位置付ける。これにより，例えばスピンナー洗浄時において，ノズル支持部４４が洗浄作業の邪魔にならないように退避させることができるとともに，ノズル４２がスピンナー洗浄による飛沫等により汚染されることを防止できる。
【００７２】
一方，上記搬送手段２０の被加工物保持部２２によって半導体ウェハ５０を吸着保持しようとする時には，昇降手段４６は，図５に示すように，エアシリンダ４６１の動作によりノズル支持部４４を降下させて，スピンナーテーブル３２上に載置された半導体ウェハ５０の直上の噴射位置に位置付ける。なお，上部スピンナーカバー３８の貫通孔３８ａの中心，ノズル支持部４４の支持板４４１の中心，および昇降手段４６のピストンロッド４６２の中心は，スピンナーテーブル３２の回転軸上にある。このため，ノズル支持部４４を上記噴射位置に位置付けることにより，スピンナーテーブル３２に載置された半導体ウェハ５０の外周部の直上に，各ノズル４２を正確に配置できる。
【００７３】
このように，昇降手段４６は，半導体ウェハ５０をスピンナーテーブル３２からピックアップするときにだけ，ノズル支持部４４を降下させて噴射位置に配置し，それ以外の時には，当該ノズル支持部４４を上方の退避位置に待避させる。
【００７４】
以上のような構成のエア噴射手段４０は，被加工物保持部２２によって，スピンナーテーブル３２に載置された半導体ウェハ５０を下側から吸着保持する時に，昇降手段４６いよってノズル支持部４４を図５に示す噴射位置に配置する。そして，ノズル支持部４４がこの噴射位置にあるときに，図５の部分拡大図に示すように，各ノズル４２によって，上側から半導体ウェハ５０の外周部に向けてエアを所定時間噴射する。これにより，当該半導体ウェハ５０の外周部の反りを矯正して，半導体ウェハ５０を下側から支持している被加工物保持部２２の上面に，当該半導体ウェハ５０の外周部下面を密着させることができる。このため，被加工物保持部２２の上面に配設された吸着パッド２４によって，半導体ウェハ５０の外周部を，空気漏れを起こすことなく好適に吸着保持できるようになる。
【００７５】
次に，図６に基づいて，以上説明したような構成の研削装置１の被加工物搬送装置（搬送手段２０およびエア噴射手段４０）を用いて，スピンナーテーブル３２上に載置された半導体ウェハ５０をカセット１２まで搬送する方法について，図５を適宜参照しながら説明する。なお，図６は，本実施形態にかかる研削装置１の被加工物搬送装置を用いた被加工物搬送方法を示すフローチャートである。
【００７６】
図６に示すように，まず，ステップＳ１２では，搬送手段２０の被加工物保持部２２によって，スピンナーテーブル３２に載置された半導体ウェハ５０の外周部を下側から支持する（ステップＳ１２；支持工程）。
【００７７】
具体的には，まず，スピンナー洗浄装置３０による半導体ウェハ５０の洗浄後に，サポートテーブル３４を降下させて上記非作用位置に位置付け，スピンナーテーブル３２の真空チャックによる真空吸着を解除する。なお，この状態では，洗浄された半導体ウェハ５０が，研削された加工面を上向きにした状態でスピンナーテーブル３２上に載置されている。次いで，搬送手段２０の被加工物保持部２２（Ｃ字型ハンド）を，スピンナーテーブル３２の支持部３２４の高さで水平移動させ，半導体ウェハ５０の下方に配置する（図５の二点差線で示す状態）。その後，被加工物保持部２２の上面が半導体ウェハ５０の下面に接触する高さまで，被加工物保持部２２を上昇させる。これにより，被加工物保持部２２によって，半導体ウェハ５０の外周部が下側から支持される（図５の実線で示す状態）。ただし，半導体ウェハ５０の外周部が上方に沿っているため，半導体ウェハ５０の外周部下面の一部若しくは全部は，被加工物保持部２２の上面に密着していない。
【００７８】
次いで，ステップＳ１４では，複数のノズル４２が取り付けられたノズル支持部４２が降下される（ステップＳ１４；ノズル降下工程）。具体的には，エア噴射手段４０の昇降手段４６によって，ノズル支持部材４２が，上部スピンナーカバー３８周辺の退避位置（図５の二点差線で示す位置）から降下され，半導体ウェハ５０の直上の噴射位置（図５の実線で示す位置）に位置付けられる。なお，本ステップＳ１４は，上記ステップＳ１２より先に行われてもよい。
【００７９】
さらに，ステップＳ１６では，ノズル４２から半導体ウェハ５０の外周部に対してエアを噴射する（ステップＳ１６；エア噴射工程）。かかるエアの噴射により，上方に反り返っている半導体ウェハ５０の外周部が，エアの圧力で押圧されて平坦化される。この結果，半導体ウェハ５０の外周部下面が，被加工物保持部２２の上面に密着される。かかるエアの噴射は，次のステップＳ１８での吸着パッド２４による吸着保持が完了するまで所定時間（例えば数秒間）継続される。
【００８０】
その後，ステップＳ１８では，被加工物保持部２２に密着させた半導体ウェハ５０の外周部を，被加工物保持部２２の吸着パッド２４によって吸着保持する（ステップＳ１８；吸着保持工程）。具体的には，被加工物保持部２２に設けられた複数の吸着パッド２４によって，負圧により半導体ウェハ５０外周部を吸引して，吸着保持する。このとき，上記ステップＳ１６で，半導体ウェハ５０の外周部下面が被加工物保持部２２の上面に密着されているので，空気漏れが生じることなく，半導体ウェハ５０の外周部を確実に吸着保持できる。さらに，被加工物保持部２２は，半導体ウェハ５０のテープが貼り付けられた回路面側を保持し，研削された加工面に接触しないので，当該加工面を傷つけてしまうことがない。なお，吸着パッド２４に対する真空引きは，上記ステップＳ１８でのエアの噴射よりも前から継続的になされていてもよいし，或いは，当該エアの噴射と同タイミングで開始されてもよい。
【００８１】
さらに，ステップＳ２０では，ノズル支持部４２が上昇される（ステップＳ１４；ノズル上昇工程）。具体的には，エア噴射手段４０の昇降手段４６によって，ノズル支持部材４２が，上記噴射位置から上昇され，上記退避位置に位置付けられる。これによって，ノズル支持部材４２を上方に退避させ，後続の半導体ウェハ５０のピックアップおよび搬送時工程において，ノズル支持部材４２が搬送の邪魔にならないようにできる。
【００８２】
次いで，ステップＳ２２では，半導体ウェハ５０を吸着保持した被加工物保持部２２によって，半導体ウェハ５０がピックアップされる（ステップＳ２２；ピックアップ工程）。具体的には，搬送手段２０の移動手段２８によって，半導体ウェハ５０を吸着保持した状態の被加工物保持部２２を上昇させる。これにより，被加工物保持部２２によって，吸着保持した半導体ウェハ５０をスピンナーテーブル３２からピックアップできる。
【００８３】
さらに，ステップＳ２４では，半導体ウェハ５０を吸着保持した被加工物保持部２２を移動させて，半導体ウェハ５０をカセット１２付近まで搬送する（ステップＳ２４；搬送工程）。具体的には，移動手段２８によって，半導体ウェハ５０を吸着保持した被加工物保持部２２を水平および垂直方向に移動させる。これにより，半導体ウェハ５０を，スピンナー洗浄装置３０からカセット１２付近まで搬送できる。
【００８４】
その後，ステップＳ２６では，移動手段２８の支持回転部２８６によって，連結軸２６を中心に被加工物保持部２２を反転させて，吸着保持した半導体ウェハ５０の上下を反転させる（ステップＳ２６；反転工程）。この結果，半導体ウェハ５０の上側に被加工物保持部２２が位置して，半導体ウェハ５０は，回路面が上向き（研削された加工面が下向き）の状態で保持される。
【００８５】
次いで，ステップＳ２８では，半導体ウェハ５０の回路面が上向きの状態で半導体ウェハ５０がカセット１２に収容される（ステップＳ２８；収容工程）。このとき，被加工物保持部２２は，その下側に半導体ウェハ５０を保持しているので，半導体ウェハ５０を回路面が上向きの状態でカセット１２のスロットに容易に載置できる。以上までのステップで，本実施形態にかかる被加工物搬送方法が終了する。
【００８６】
以上，本実施形態にかかる研削装置１の被加工物搬送装置およびこれを用いた被加工物搬送方法について説明した。上述のように，本実施形態にかかる被加工物搬送装置および被加工物搬送方法は，エア噴射手段４０によって，半導体ウェハ５０の外周部の反りを恒久的に完全に平坦化するのではなく，搬送手段２０（ロボットピック）の被加工物保持部２２（Ｃ字型ハンド）によって半導体ウェハ５０の外周部を下側から吸着保持するときにだけ，半導体ウェハ５０の外周部の反りを矯正して平坦化する。
【００８７】
換言すると，本実施形態では，被加工物保持部２２を半導体ウェハ５０の下側に挿入して半導体ウェハ５０の外周部を吸着する時までに，ノズル４２を半導体ウェハ５０の外周部に近接する位置まで移動させておき，被加工物保持部２２で半導体ウェハ５０の外周部を吸着するタイミングより少し前か，或いは同タイミングで，ノズル４２からエアを噴射する。このエア噴射によって，半導体ウェハ５０の外周部を平坦化して，被加工物保持部２２によって半導体ウェハ５０の外周部を好適に吸着保持できるようになる。
【００８８】
なお，被加工物保持部２２で半導体ウェハ５０の外周部を確実に吸着できたか否かを確認するため，研削装置１は，吸着パッド２４に作用する負圧を測定するセンサ（図示せず。）と，測定された負圧の絶対値が予め設定された所定の閾値より大きいか否かに基づいて，半導体ウェハ５０の吸着状態の適否を判断する吸着状態判断部（図示せず。）とを具備している。この吸着状態判断部は，測定した負圧の絶対値が閾値以上となった場合には，半導体ウェハ５０が正常に吸着されていると判断し，半導体ウェハ５０のピックアップおよび搬送を許可する。一方，負圧の絶対値が閾値未満である場合には，吸着状態判断部は，半導体ウェハ５０が正常に吸着されておらずエラーであると判断し，研削装置１のモニタにエラー表示を出力し，半導体ウェハ５０のピックアップおよび搬送を禁止する。
【００８９】
以上のように，本実施形態の被加工物搬送装置および被加工物搬送方法によれば，被加工物である半導体ウェハ５０の外周部が反っている場合であっても，エア噴射手段４０によって半導体ウェハ５０の外周部の反りを平坦化することができるので，被加工物保持部２２によって半導体ウェハ５０を確実に吸着保持できる。
【００９０】
さらに，被加工物保持部２２は，半導体ウェハ５０のテープが貼り付けられた回路面側を保持して搬送するので，研削加工された半導体ウェハ５０の加工面を傷つけることがない。加えて，被加工物保持部２２によって半導体ウェハ５０をカセット１２に収容するときに，半導体ウェハ５０の回路面を上向きにした状態でスロットに載置し易いという効果を奏する。
【００９１】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００９２】
例えば，上記実施形態では，被加工物の具体例として半導体ウェハ５０の例を挙げて説明したが，本発明は，かかる例に限定されない。被加工物は，例えば，各種の半導体基板，サファイア基板，ガラス材，セラミックス材，金属材，プラスチック等の合成樹脂材，或いは，磁気ヘッド，レーザダイオードヘッド等を形成するための電子材料基板，などであってもよい。また，被加工物の形状は，略円板状以外にも，略楕円板，略矩形板形状，など任意の形状であってよい。さらに，被加工物の形状に合わせて，被加工物保持部２２やエア噴射手段４０のノズル支持部４４，テーブル３２等の形状を変更することもできる。
【００９３】
また，上記実施形態では，研削装置１に設けられた被加工物搬送装置（搬送手段２０およびエア噴射手段４０）について説明したが，本発明はかかる例に限定されない。例えば，上記被加工物搬送装置は，研磨パッドと研磨液とによって被加工物を研磨加工（例えばＣＭＰ）する研磨装置に設けられてもよい。
【００９４】
また，上記実施形態では，被加工物搬送装置は，スピンナー洗浄装置３０のスピンナーテーブル３２上に載置された被加工物を搬送するために用いられたが，本発明はかかる例に限定されない。例えば，被加工物搬送装置は，研削装置，研磨装置，切削装置などにおいて，各種のテーブル上に載置された被加工物をピックアップして，他の場所に搬送する場合にも適用できる。
【００９５】
また，上記実施形態では，搬送手段２０の被加工物保持部２２は，Ｃ字型ハンドで構成されたが，かかる例に限定されない。被加工物保持部２２は，例えば，Ｕ字型，Ｖ字型，リング型など，搬送する被加工物の形状に応じた任意の形状であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００９６】
本発明は，外周部が反り返った半導体ウェハ等の被加工物を好適に保持して搬送可能な被加工物搬送装置，およびこれを備えた研削装置等に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９７】
【図１】本発明の第１の実施の形態にかかる研削装置の全体構成を示す斜視図である。
【図２】同実施形態にかかる搬送手段を示す斜視図である。
【図３】同実施形態にかかるスピンナー洗浄装置およびエア噴射手段を示す斜視図である。
【図４】同実施形態にかかるエア噴射手段を示す平面図である。
【図５】同実施形態にかかるエア噴射手段および搬送手段の動作を説明するための断面図である。
【図６】同実施形態にかかる研削装置の被加工物搬送装置を用いた被加工物搬送方法を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００９８】
１        研削装置
１２      カセット
２０      搬送手段（ロボットピック）
２２      被加工物保持部（Ｃ字型ハンド）
２４      吸着パッド
２８      移動手段
３０      スピンナー洗浄装置
３２      スピンナーテーブル
３４      サポートテーブル
４０      エア噴射手段
４２      エア噴射ノズル
４４      ノズル支持部材
４６      昇降手段
５０      半導体ウェハ
２２２    弧状部
【図１】
2006054388.tif 000003
【図２】
2006054388.tif 000004
【図３】
2006054388.tif 000005
【図４】
2006054388.tif 000006
【図５】
2006054388.tif 000007
【図６】
2006054388.tif 000008