(57)【要約】【課題】  金型内の封止樹脂が外部リードの付け根部およびダムバーから外部へ漏出するのを抑制する効果が大幅に向上する樹脂封止装置を提供する。【解決手段】  上下一対の金型３２，３３にそれぞれ、封止樹脂６を充填するキャビティと、外部リード７の付け根部とダムバー８とを上下方向から型締めするクランプ部３５ａ，３５ｂとが形成され、クランプ部３５ａ，３５ｂの先端面３６ａ，３６ｂに、外部リード７の幅方向に交差する溝３７ａ，３７ｂが形成され、クランプ部３５ａ，３５ｂの先端面３６ａ，３６ｂと溝３７ａ，３７ｂとで形成される第１〜第４の角部４０ａ，４０ｂ，４１ａ，４１ｂの位置がダムバー８と外部リード７の付け根部とに対向している。【選択図】  図３
2006332212.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の外部リードの付け根部間がダムバーで結合され、上記外部リードに電気的に接続された半導体素子を樹脂封止する樹脂封止装置であって、
一対の金型にそれぞれ、封止樹脂を充填するキャビティと、外部リードの付け根部とダムバーとを型締めするクランプ部とが形成され、
両方の金型のうちの少なくとも一方の金型のクランプ部の先端面に、外部リードの幅方向に交差する溝が形成され、
上記少なくとも一方の金型のクランプ部の先端面と溝とで形成される複数の角部の位置がダムバーと外部リードの付け根部とに対向するように設定されていることを特徴とする樹脂封止装置。
【請求項２】
溝は両方の金型のクランプ部の先端面にそれぞれ形成され、
一方の金型のクランプ部の先端面と溝とで形成される複数の角部の位置がダムバーと外部リードの付け根部との表面に対向するように設定され、
他方の金型のクランプ部の先端面と溝とで形成される複数の角部の位置がダムバーと外部リードの付け根部との裏面に対向するように設定されていることを特徴とする請求項１記載の樹脂封止装置。
【請求項３】
一方の金型の溝の位置と他方の金型の溝の位置とは型開閉方向において相対向するように設定されていることを特徴とする請求項２記載の樹脂封止装置。
【請求項４】
溝は、幅方向において相対向する一対の側面と両側面の底部間に形成された底面との少なくとも三面で構成されており、
角部はクランプ部の先端面と溝の側面とで形成されていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の樹脂封止装置。
【請求項５】
上記請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の樹脂封止装置によって樹脂封止された半導体装置であって、
半導体素子がダイパッドに固着され、
複数の内部リードが金属細線を介して電気的に半導体素子に接続され、
ダイパッドと半導体素子と金属細線と内部リードとが封止樹脂で樹脂封止され、
各内部リードと個々に連続してなる外部リードが封止樹脂の外側に設けられ、
各外部リードの付け根部間にダムバーが結合され、
上記樹脂封止装置のクランプ部で上記外部リードの付け根部とダムバーとが型締めされることにより、ダムバーと外部リードの付け根部との少なくとも表裏一方の面に、陥没した潰し段差部が外部リードの長さ方向において複数形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
上記請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の樹脂封止装置を用いた半導体装置の樹脂封止方法であって、
一対の金型を閉じて、外部リードの付け根部とダムバーとをクランプ部で型締めすることにより、クランプ部の先端面を外部リードの付け根部とダムバーとに圧接させ、陥没した潰し段差部を、ダムバーと外部リードの付け根部との少なくとも表裏一方の面に、外部リードの長さ方向において複数形成し、
一対の金型のキャビティに封止樹脂を充填することを特徴とする樹脂封止方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードフレームを用いた樹脂封止型の半導体装置を製造する際に用いられる樹脂封止装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の多機能化、小型・薄型化に伴い、半導体装置においては、拡散プロセスの微細化が進み、半導体素子の小型化に対応した封止成形技術の向上が要求されてきている。
【０００３】
図１２は半導体装置１の構成を示す図であり、半導体素子２がダイパッド３に固着され、複数の内部リード４が金属細線５を介して電気的に半導体素子２に接続され、ダイパッド３と半導体素子２と金属細線５と内部リード４とが封止樹脂６で樹脂封止され、各内部リード４と個々に連続してなる外部リード７が封止樹脂６の外側に設けられ、各外部リード７の付け根部間にダムバー８が結合されている。
【０００４】
上記ダイパッド３と内部リード４とはそれぞれＣｕ合金からなる。また、封止樹脂６は四辺形の平板状に形成されている。また、上記外部リード７はガルウイング状に屈曲形成されている。
【０００５】
次に、上記のような半導体装置１を製造する際の樹脂封止工程において用いられる樹脂封止装置を、図１０，図１１に基いて説明する（下記特許文献１参照）。
上記樹脂封止装置１１は上部の封止金型１２ａ（上型）と下部の封止金型１２ｂ（下型）とを有している。両封止金型１２ａ，１２ｂにはそれぞれ、封止樹脂６を充填するキャビティ１３ａ，１３ｂと、外部リード７の付け根部とダムバー８とを型締めするクランプ部１４ａ，１４ｂと、逃がし部１５ａ，１５ｂとが形成されている。
【０００６】
上記クランプ部１４ａ，１４ｂはそれぞれキャビティ１３ａ，１３ｂの開口部の周縁に形成されており、逃がし部１５ａ，１５ｂはそれぞれクランプ部１４ａ，１４ｂの外側周縁部に形成されている。上部の封止金型１２ａのクランプ部１４ａの先端面１６ａは、逃がし部１５ａよりも、下部の封止金型１２ｂに向かって突出している。同様に、下部の封止金型１２ｂのクランプ部１４ｂの先端面１６ｂは、逃がし部１５ｂよりも、上部の封止金型１２ａに向かって突出している。尚、上記両クランプ部１４ａ，１４ｂの先端面１６ａ，１６ｂは、平坦な面であり、ダムバー８と外部リード７の付け根部とに対向する位置に設定されている。
【０００７】
これによると、両封止金型１２ａ，１２ｂを所定の型締力で閉じ、キャビティ１３ａ，１３ｂに封止樹脂６を充填することにより、半導体素子２とダイパッド３と金属細線５と内部リード４とを樹脂封止する。この際、各外部リード７の付け根部とダムバー８とは両クランプ部１４ａ，１４ｂで型締めされており、両クランプ部１４ａ，１４ｂの先端面１６ａ，１６ｂが外部リード７の付け根部の表裏両面とダムバー８の表裏両面とに圧接する。これにより、型締圧力が外部リード７の付け根部とダムバー８とに集中し、外部リード６の付け根部とダムバー８とが押し潰されて、外部リード７の付け根部と封止金型１２ａ，１２ｂとの密着性およびダムバー８と封止金型１２ａ，１２ｂとの密着性がそれぞれ向上し、封止金型１２ａ，１２ｂ内の封止樹脂６が外部リード７の付け根部およびダムバー８から外部へ漏出して薄バリが発生することを抑制している。
【０００８】
しかしながら上記の従来形式では、リードフレーム素材が圧延加工によって形成されているため、外部リード７やダムバー８の表面や裏面には、圧延による微小な凹凸が筋状に形成されている。このため、クランプ部１４ａ，１４ｂによって外部リード７の付け根部とダムバー８とを型締めした際、平坦な先端面１６ａ，１６ｂでは上記凹凸を十分に潰しきれず、先端面１６ａ，１６ｂと外部リード７の付け根部との間および先端面１６ａ，１６ｂとダムバー８との間に微小な隙間が発生した。この隙間の発生により、封止金型１１ａ，１１ｂ内の封止樹脂６が外部リード７の付け根部およびダムバー８から外部へ漏出することを抑制する効果が不十分になるという問題が生じた。尚、このように封止樹脂６が漏出すると、外部リード６やダムバー８の表面や裏面に封止樹脂６の薄いバリが発生し、バリ取り作業を行う必要があった。
【０００９】
また、近年、拡散プロセスの微細化が進むと共に、半導体素子２のボンディングパッドサイズやピッチの縮小を図り、半導体素子２の小型化による低コスト化が進んでいる。これにより、半導体素子２と内部リード４とを接続する金属細線５の間隔がより狭くなるため、金属細線５を変形させない低粘度の封止樹脂６を用いた封止成形技術の向上が要求されてきている。このように低粘度の封止樹脂６を用いた場合、封止樹脂６の外部リード７の付け根部からの漏出およびダムバー８からの漏出が促進されるという問題があった。
【特許文献１】特開平１−３９７４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、金型内の封止樹脂が外部リードの付け根部およびダムバーから外部へ漏出するのを抑制する効果が大幅に向上する樹脂封止装置および樹脂封止装置によって樹脂封止された半導体装置および樹脂封止装置を用いた半導体装置の樹脂封止方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために本第１発明における樹脂封止装置は、複数の外部リードの付け根部間がダムバーで結合され、上記外部リードに電気的に接続された半導体素子を樹脂封止する樹脂封止装置であって、一対の金型にそれぞれ、封止樹脂を充填するキャビティと、外部リードの付け根部とダムバーとを型締めするクランプ部とが形成され、両方の金型のうちの少なくとも一方の金型のクランプ部の先端面に、外部リードの幅方向に交差する溝が形成され、上記少なくとも一方の金型のクランプ部の先端面と溝とで形成される複数の角部の位置がダムバーと外部リードの付け根部とに対向するように設定されているものである。
【００１２】
これによると、一対の金型を閉じて、各外部リードの付け根部とダムバーとを両クランプ部で型締めする。これにより、両クランプ部の先端面が外部リードの付け根部とダムバーとに圧接するため、型締圧力が外部リードの付け根部とダムバーとに集中し、外部リードの付け根部とダムバーとが押し潰されて、陥没した潰し段差部が外部リードの付け根部とダムバーとに形成され、外部リードの付け根部と金型との密着性およびダムバーと金型との密着性がそれぞれ向上する。
【００１３】
さらに、クランプ部の先端面と溝とで形成される複数の角部が外部リードの付け根部およびダムバーに食い込むため、上記角部の箇所において、外部リードの付け根部と金型との密着性およびダムバーと金型との密着性がより一段と増大する。これにより、キャビティに封止樹脂を充填して半導体素子を樹脂封止する際、一対の金型内の封止樹脂が外部リードの付け根部やダムバーから外部へ漏出するのをクランプ部で抑制する効果が大幅に向上し、外部リードやダムバーに薄いバリが発生するのを確実に防止することができる。
【００１４】
また、上記のように封止樹脂の漏出を抑制する効果が大幅に向上するため、低粘度の封止樹脂を使用することができ、これにより、半導体素子のボンディングパッドサイズやピッチの縮小を図って、半導体素子の小型化を促進することができる。
【００１５】
本第２発明における樹脂封止装置は、溝は両方の金型のクランプ部の先端面にそれぞれ形成され、一方の金型のクランプ部の先端面と溝とで形成される複数の角部の位置がダムバーと外部リードの付け根部との表面に対向するように設定され、他方の金型のクランプ部の先端面と溝とで形成される複数の角部の位置がダムバーと外部リードの付け根部との裏面に対向するように設定されているものである。
【００１６】
これによると、一方の金型のクランプ部の先端面と溝とで形成される複数の角部が外部リードの付け根部およびダムバーの表面に食い込むため、上記角部の箇所において、外部リードの付け根部の表面と一方の金型との密着性およびダムバーの表面と一方の金型との密着性がより一段と増大する。同様に、他方の金型のクランプ部の先端面と溝とで形成される複数の角部が外部リードの付け根部およびダムバーの裏面に食い込むため、上記角部の箇所において、外部リードの付け根部の裏面と他方の金型との密着性およびダムバーの裏面と他方の金型との密着性がより一段と増大する。
【００１７】
本第３発明における樹脂封止装置は、一方の金型の溝の位置と他方の金型の溝の位置とは型開閉方向において相対向するように設定されているものである。
これによると、潰し段差部が外部リードの付け根部およびダムバーの表裏両面で対向する位置に形成されるため、型締圧力の集中効果が得られ、外部リードの付け根部と金型との密着性およびダムバーと金型との密着性がさらに向上し、封止樹脂の漏出を抑制する効果がさらに向上する。
【００１８】
本第４発明における樹脂封止装置は、溝は、幅方向において相対向する一対の側面と両側面の底部間に形成された底面との少なくとも三面で構成されており、角部はクランプ部の先端面と溝の側面とで形成されているものである。
【００１９】
本第５発明における半導体装置は、上記第１発明から第４発明のいずれかに記載の樹脂封止装置によって樹脂封止された半導体装置であって、半導体素子がダイパッドに固着され、複数の内部リードが金属細線を介して電気的に半導体素子に接続され、ダイパッドと半導体素子と金属細線と内部リードとが封止樹脂で樹脂封止され、各内部リードと個々に連続してなる外部リードが封止樹脂の外側に設けられ、各外部リードの付け根部間にダムバーが結合され、上記樹脂封止装置のクランプ部で上記外部リードの付け根部とダムバーとが型締めされることにより、ダムバーと外部リードの付け根部との少なくとも表裏一方の面に、陥没した潰し段差部が外部リードの長さ方向において複数形成されているものである。
【００２０】
本第６発明における樹脂封止方法は、上記第１発明から第４発明のいずれかに記載の樹脂封止装置を用いた半導体装置の樹脂封止方法であって、一対の金型を閉じて、外部リードの付け根部とダムバーとをクランプ部で型締めすることにより、クランプ部の先端面を外部リードの付け根部とダムバーとに圧接させ、陥没した潰し段差部を、ダムバーと外部リードの付け根部との少なくとも表裏一方の面に、外部リードの長さ方向において複数形成し、一対の金型のキャビティに封止樹脂を充填するものである。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によると、さらに、クランプ部の先端面と溝とで形成される複数の角部が外部リードの付け根部およびダムバーに食い込むため、密着性がより一段と増大し、これにより、封止樹脂の漏出をクランプ部で抑制する効果が大幅に向上し、外部リードやダムバーに薄いバリが発生するのを確実に防止することができる。また、上記のように封止樹脂の漏出を抑制する効果が大幅に向上するため、低粘度の封止樹脂を使用することができ、これにより、半導体素子の小型化を促進することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明における実施の形態を図面に基いて説明する。尚、従来のものと同じ構成の部材については同一の符号を付記して説明を省略する。
（第１の実施形態）
図１に示すように、３１は半導体装置１を樹脂封止する樹脂封止装置であり、シリンダ装置（ 図示せず）によって型締めされる開閉自在な一対の封止金型３２，３３を具備している。上記両封止金型３２，３３にはそれぞれ、封止樹脂６を充填するキャビティ３４ａ，３４ｂと、外部リード７の付け根部およびダムバー８を型締めするクランプ部３５ａ，３５ｂと、逃がし部４３ａ，４３ｂとが形成されている。尚、上記下部の封止金型３３の合わせ面にはポット（図示せず）が開設されており、ポット（図示せず）にはシリンダ装置（ 図示しない）により進退されるプランジャー（図示せず）が成形材料としての封止樹脂６を送給し得るように挿入されている。
【００２３】
図２に示すように、上部の封止金型３２（上型）のクランプ部３５ａはキャビティ３４ａの開口部の周縁に形成されており、上記逃がし部４３ａはクランプ部３５ａの外側周縁部に形成されている。上記クランプ部３５ａの先端面３６ａは、逃がし部４３ａよりも、下部の封止金型３３（下型）に向かって突出している。上記クランプ部３５ａの先端面３６ａには、外部リード７の幅方向に交差する溝３７ａが形成されている。この溝３７ａは、２つの傾斜面３８ａ，３９ａによって、断面がＶ形状に形成されている。上記クランプ部３５ａには、先端面３６ａと溝３７ａの一方の傾斜面３８ａとによって第１の角部４０ａが形成されているとともに、先端面３６ａと溝３７ａの他方の傾斜面３９ａとによって第２の角部４１ａが形成されている。尚、第１の角部４０ａの角度（すなわち先端面３６ａと一方の傾斜面３８ａとの角度）および第２の角部４１ａの角度（すなわち先端面３６ａと他方の傾斜面３９ａとの角度）はそれぞれ鈍角である。
【００２４】
図３に示すように、上記第１および第２の角部４０ａ，４１ａの位置はダムバー８の表面と外部リード７の付け根部表面とに対向するように設定されている。
同様に、図２に示すように、下部の封止金型３３のクランプ部３５ｂはキャビティ３４ｂの開口部の周縁に形成されており、上記逃がし部４３ｂはクランプ部３５ｂの外側周縁部に形成されている。上記クランプ部３５ｂの先端面３６ｂは、逃がし部４３ｂよりも、上部の封止金型３２に向かって突出している。上記クランプ部３５ｂの先端面３６ｂには、外部リード７の幅方向に交差する溝３７ｂが形成されている。この溝３７ｂは、２つの傾斜面３８ｂ，３９ｂによって、断面がＶ形状に形成されている。上記クランプ部３５ｂには、先端面３６ｂと溝３７ｂの一方の傾斜面３８ｂとによって第３の角部４０ｂが形成されているとともに、先端面３６ｂと溝３７ｂの他方の傾斜面３９ｂとによって第４の角部４１ｂが形成されている。尚、第３の角部４０ｂの角度（すなわち先端面３６ｂと一方の傾斜面３８ｂとの角度）および第４の角部４１ｂの角度（すなわち先端面３６ｂと他方の傾斜面３９ｂとの角度）はそれぞれ鈍角である。
【００２５】
図３に示すように、上記第３および第４の角部４０ｂ，４１ｂの位置はダムバー８の裏面と外部リード７の付け根部裏面とに対向するように設定されている。また、上記両溝３７ａ，３７ｂの位置は上下方向Ａ（型開閉方向に相当）において相対向するように設定されている。
【００２６】
さらに、上記両クランプ部３５ａ，３５ｂは、封止樹脂６を注入するランナー部５１（図５参照）と、封止金型３２，３３内の空気を排出するエアーベント５２（図５参照）とを形成する。
【００２７】
次に、図４を参照して、半導体装置１を製造する工程を説明する。
先ず、図４（ａ）に示すように、リードフレーム素材５５として、例えば０．１５ｍｍ程度の厚みで、比較的熱伝導が良好で強度の高いＣｕ合金の薄板を準備する。
【００２８】
次に、図４（ｂ）に示すように、ダイパッド３や内部リード４、外部リード７、支持リード（図示せず）、ダムバー８、ガイド孔（図示せず）を打ち抜き加工により一体形成する。リードフレームの形成方法は、エッチング加工によるものでも良い。
【００２９】
次に、少なくとも内部リード４の金属細線５が接続される領域にＡｇめっき、あるいはＰｄめっきを施す。Ｐｄめっきの場合は、下地にＮｉめっきを施してバリアメタルを形成することで、ＰｄめっきへのＣｕの拡散を防止することが出来る。また、最外装にＡｕめっきを施すことで、プリント基板実装時の半田濡れ性を良好にすることが出来る。
【００３０】
次に、図４（ｃ）に示すように、支持リード（図示せず）を屈曲し、ダイパッド３をダウンセットする。ダウンセットする量は、樹脂封止後における半導体素子２よりも上側の封止樹脂６の厚みとダイパッド３よりも下側の封止樹脂６の厚みとが均等になるようにする。一例としてダウンセット量は、０．１〜０．２ｍｍ程度である。
【００３１】
以上のようにして、半導体装置１に用いるリードフレームを完成することができる。
次に、図４（ｄ）に示すように、ダイパッド３の上にディスペンサ（図示せず）などを用いて接着剤５６を塗布する。接着剤５６は、一例として熱硬化性のエポキシ樹脂にＡｇ粉を混合させた銀ペーストからなる。
【００３２】
次に、図４（ｅ）に示すように、接着剤５６を塗布したダイパッド３上に、コレット（図示せず）を用いて半導体素子２を搭載した後、ヒートステージ（図示せず）上で加熱し、接着剤５６を硬化させる。一例として、半導体素子２は０．２〜０．４ｍｍ程度の厚みのシリコン単結晶である。また、加熱条件は２００〜２５０℃、３０〜６０秒程度である。
【００３３】
次に、図４（ｆ）に示すように、ダイパッド３上に固着された半導体素子２のボンディングパッド（図示せず）と内部リード４とを金属細線５を用いて電気的に接続する。ワイヤーボンド装置のヒートステージ（図示せず）には、真空孔（図示せず）が開いており、ダイパッド３を吸引固定する。また、リードフレームのボンディングエリア外周部を固定治具（図示せず）により固定した状態で、ワイヤーボンディングを実施し、これにより、リードフレーム重合体５７を形成する。尚、一例として、金属細線５としては、直径２０〜３５μｍのＡｕワイヤーを用いる。
【００３４】
次に、図４（ｇ）に示すように、樹脂封止装置３１を用いて、以下の方法で樹脂封止する。
１８０℃程度に加熱された封止金型３２，３３にリードフレーム重合体５７を装着し、一対の封止金型３２，３３を閉じて、各外部リード７の付け根部とダムバー８とを両クランプ部３５ａ，３５ｂで上下方向から型締めし、図３に示すように、上部のクランプ部３５ａの先端面３６ａを外部リード７の付け根部表面とダムバー８の表面とに圧接させるとともに、下部のクランプ部３５ｂの先端面３６ｂを外部リード７の付け根部裏面とダムバー８の裏面とに圧接させる。
【００３５】
これにより、型締圧力が外部リード７の付け根部の表裏両面とダムバー８の表裏両面とに集中して、外部リード７の付け根部の表裏両面とダムバー８の表裏両面とが押し潰されて陥没し、外部リード７の付け根部と封止金型３２，３３との密着性およびダムバー８と封止金型３２，３３との密着性がそれぞれ向上する。この際、図６に示すように、外部リード７の付け根部表面とダムバー８の表面とには、第１および第２の潰し段差部４７ａ，４８ａが外部リード７の長さ方向において複数形成され、外部リード７の付け根部裏面とダムバー８の裏面とには、第３および第４の潰し段差部４７ｂ，４８ｂが外部リード７の長さ方向において形成される。
【００３６】
さらに、図３に示すように、第１および第２の角部４０ａ，４１ａが外部リード７の付け根部表面とダムバー８の表面とに食い込むとともに、第３および第４の角部４０ｂ，４１ｂが外部リード７の付け根部裏面とダムバー８の裏面とに食い込むため、外部リード７の表裏両面の微小な筋状の凹凸が第１〜第４の角部４０ａ，４１ａ，４０ｂ，４１ｂによって確実に潰される。これにより、第１〜第４の角部４０ａ，４１ａ，４０ｂ，４１ｂの箇所において、外部リード７の付け根部と封止金型３２，３３との密着性およびダムバー８と封止金型３２，３３との密着性がそれぞれより一段と向上する。
【００３７】
次に、円錐形に打錠された封止樹脂６をポット（図示せず）に挿入し、プランジャー（図示せず）により封止樹脂６がランナー部５１（図５参照）およびゲートを通じて各キャビティー３４ａ，３４ｂに圧入され充填されるとともに、封止金型３２，３３内の空気がエアーベント５３（図５参照）から外部へ排出される。
【００３８】
この際、上記のように第１〜第４の角部４０ａ，４１ａ，４０ｂ，４１ｂの箇所において、外部リード７の付け根部と封止金型３２，３３との密着性およびダムバー８と封止金型３２，３３との密着性がそれぞれより一段と向上しているため、キャビティ３４ａ，３４ｂ内の封止樹脂６が外部リード７の付け根部やダムバー８から外部へ漏出するのをクランプ部３５ａ，３５ｂで抑制する効果が大幅に向上し、外部リード７やダムバー８の表面や裏面に薄いバリが発生するのを確実に防止することができる。
【００３９】
尚、図３に示すように、封止樹脂６の外部への漏出は、主に、キャビティ３４ａ，３４ｂに近い方の角部すなわち第１および第３の角部４０ａ，４０ｂによって阻止され、第１および第３の角部４０ａ，４０ｂによって十分に阻止できなかった場合、第２および第４の角部４１ａ，４１ｂによって阻止される。したがって、第２および第４の角部４１ａ，４１ｂにかかる封止樹脂６の圧力は第１および第３の角部４０ａ，４０ｂにかかる封止樹脂６の圧力以下になり、第２および第４の角部４１ａ，４１ｂによって封止樹脂６の漏出が確実に阻止される。
【００４０】
また、上記のように封止樹脂６の漏出を抑制する効果が大幅に向上するため、低粘度の封止樹脂６を使用することができ、これにより、金属細線５の変形を抑制して金属細線５同士間の接触を防止することができる。したがって、半導体素子２のボンディングパッドサイズやピッチの縮小を図って、半導体素子２の小型化を促進することができ、コストを低減することが可能となる。
【００４１】
また、図３に示すように両溝３７ａ，３７ｂの位置が上下方向において相対向しているため、図６に示すように、第１および第３の潰し段差部４７ａ，４７ｂが表裏両面で対向する位置に形成され、第２および第４の潰し段差部４８ａ，４８ｂが表裏両面で対向する位置に形成される。これにより、型締圧力の集中効果が得られ、外部リード７の付け根部と封止金型３２，３３との密着性およびダムバー８と封止金型３２，３３との密着性がさらに向上し、封止樹脂６の漏出を抑制する効果がより一段と向上する。
【００４２】
さらに、上記のような型締圧力の集中効果は、図６に示すように、第１の潰し段差部４７ａと第２の潰し段差部４８ａとの陥没深さを同じにするとともに、第３の潰し段差部４７ｂと第４の潰し段差部４８ｂとの陥没深さを同じにすることによっても、得ることができる。また、第１〜第４の潰し段差部４７ａ，４８ａ，４７ｂ，４８ｂの全ての陥没深さを同じにしてもよい。
【００４３】
その後、封止樹脂６が熱硬化されて固化することにより、半導体素子２とダイパッド３と内部リード４と金属細線５と接着剤５６とが封止樹脂６で樹脂封止される。
このような方法で樹脂封止した後、封止金型３２，３３を型開きするとともに、エジェクタ・ピン（図示しない）により上記封止樹脂６が離型され、図４（ｈ）に示すように、樹脂成形されたリードフレーム重合体５７が樹脂封止装置３１から脱装される。
【００４４】
次に、外部リード７を半田めっきなどで外装する（図示せず）。尚、Ｐｄめっきが施されている場合は、上記半田めっきは不要である。その後、切断装置（図示せず）を用いて、ダムバー８を切断し、個々の外部リード７を分離する。
【００４５】
次に、図４（ｉ）に示すように、リード成型装置（図示せず）によって、外部リード７の先端をリードフレームから切断した後、外部リード７をガルウイング形状に屈曲形成し、半導体装置１をリードフレーム（図示せず）から切り離す。これにより、図７に示す半導体装置１が製造される。
【００４６】
尚、各部材の大きさの一例を下記数値で示す。
両クランプ部３５ａ，３５ｂはそれぞれ０．４〜０．６ｍｍ程度の幅で形成されている。また、両溝３７ａ，３７ｂはそれぞれ、０．１〜０．３ｍｍ程度の幅、および、０．０１〜０．０５ｍｍ程度の深さで形成されている。また、第１〜第４の潰し段差部４７ａ，４８ａ，４７ｂ，４８ｂの陥没深さはそれぞれ０．００１〜０．００３ｍｍ程度である。
（第２の実施形態）
先に説明した第１の実施形態では図２に示すように溝３７ａ，３７ｂをＶ形状に形成したが、本第２の実施形態では、図８，図９に示すように、溝３７ａ，３７ｂを台形状に形成している。
【００４７】
すなわち、図８に示すように、上部のクランプ部３５ａに形成された溝３７ａは、幅方向において相対向する一対の側面６１ａ，６２ａと、両側面６１ａ，６２ａの底部間に形成された底面６３ａとで構成されて、下方が開放されている。
【００４８】
上記クランプ部３５ａには、先端面３６ａと溝３７ａの一方の側面６１ａとによって第１の角部６５ａが形成されているとともに、先端面３６ａと溝３７ａの他方の側面６２ａとによって第２の角部６６ａが形成されている。尚、第１の角部６５ａの角度（すなわち先端面３６ａと一方の側面６１ａとの角度）および第２の角部６６ａの角度（すなわち先端面３６ａと他方の側面６２ａとの角度）はそれぞれ、９０°より僅かに大きな鈍角であり、第１の実施形態における第１および第２の角部４０ａ，４１ａ（図２参照）の角度よりも小さい。
【００４９】
同様に、下部のクランプ部３５ｂに形成された溝３７ｂは、幅方向において相対向する一対の側面６１ｂ，６２ｂと、両側面６１ｂ，６２ｂの底部間に形成された底面６３ｂとで構成されて、上方が開放されている。
【００５０】
上記クランプ部３５ｂには、先端面３６ｂと溝３７ｂの一方の側面６１ｂとによって第３の角部６５ｂが形成されているとともに、先端面３６ｂと溝３７ｂの他方の側面６２ｂとによって第４の角部６６ｂが形成されている。尚、第３の角部６５ｂの角度（すなわち先端面３６ｂと一方の側面６１ｂとの角度）および第４の角部６６ｂの角度（すなわち先端面３６ｂと他方の側面６２ｂとの角度）はそれぞれ、９０°より僅かに大きな鈍角であり、第１の実施形態における第３および第４の角部４０ｂ，４１ｂ（図２参照）の角度よりも小さい。
【００５１】
これによると、図９に示すように、一対の封止金型３２，３３を閉じて、各外部リード７の付け根部とダムバー８とを両クランプ部３５ａ，３５ｂで上下方向から型締めした際、第１および第２の角部６５ａ，６６ａが外部リード７の付け根部表面とダムバー８の表面とに食い込むとともに、第３および第４の角部６５ｂ，６６ｂが外部リード７の付け根部裏面とダムバー８の裏面とに食い込むため、外部リード７の表裏両面の微小な筋状の凹凸が第１〜第４の角部６５ａ，６６ａ，６５ｂ，６６ｂによって確実に潰される。
【００５２】
この際、上記第１〜第４の角部６５ａ，６６ａ，６５ｂ，６６ｂの角度は第１の実施形態における第１〜第４の角部４０ａ，４１ａ，４０ｂ，４１ｂの角度よりも小さいため、外部リード７の付け根部とダムバー８とに食い込み易くなり、これにより、第１〜第４の角部６５ａ，６６ａ，６５ｂ，６６ｂの箇所において、外部リード７の付け根部と封止金型３２，３３との密着性およびダムバー８と封止金型３２，３３との密着性がそれぞれ第１の実施形態のものよりも一段と向上する。
【００５３】
上記各実施の形態では、両方の金型３２，３３のクランプ部３５ａ，３５ｂにそれぞれ溝３７ａ，３７ｂを形成しているが、いずれか一方の金型３２のクランプ部３５ａのみ又は他方の金型３３のクランプ部３５ｂのみに形成してもよい。
【００５４】
上記各実施の形態では、上部の金型３２のクランプ部３５ａに溝３７ａを１本形成しているが、複数本の溝３７ａを平行に並べて形成してもよい。同様に、下部の金型３３のクランプ部３５ｂに溝３７ｂを１本形成しているが、複数本の溝３７ｂを平行に並べて形成してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明にかかる樹脂封止装置は、金型のクランプ部の先端面に溝を形成することで、封止樹脂が外部リードの付け根部やダムバーから外部へ漏出するのをクランプ部で抑制する効果を大幅に向上させ、外部リードやダムバーに薄いバリが発生するのを確実に防止することができるため、安価で高性能・高品質な半導体装置を提供することが可能となり、情報通信機器や家電機器などに用いられる半導体装置の樹脂封止に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の第１の実施の形態における樹脂封止装置の断面図。
【図２】同、樹脂封止装置のクランプ部の拡大断面図。
【図３】同、樹脂封止装置のクランプ部で半導体装置の外部リードの付け根部とダムバーとを型締めした状態を示す拡大断面図。
【図４】同、樹脂封止装置を用いた半導体装置の製造工程を示す図。
【図５】上記図４の（ｈ）におけるＸ−Ｘ矢視図であり、樹脂封止後の半導体装置の平面図。
【図６】上記図４で示した製造工程によって製造された半導体装置の外部リードとダムバーの部分の拡大断面図。
【図７】上記図４で示した製造工程によって製造された半導体装置の断面図。
【図８】本発明の第２の実施の形態における樹脂封止装置のクランプ部の拡大断面図。
【図９】同、樹脂封止装置のクランプ部で半導体装置の外部リードの付け根部とダムバーとを型締めした状態を示す拡大断面図。
【図１０】従来の樹脂封止装置の断面図。
【図１１】同、樹脂封止装置のクランプ部で半導体装置の外部リードの付け根部とダムバーとを型締めした状態を示す拡大断面図。
【図１２】従来の樹脂封止装置を用いて製造された半導体装置の断面図。
【符号の説明】
【００５７】
１      半導体装置
２      半導体素子
３      ダイパッド
４      内部リード
５      金属細線
６      封止樹脂
７      外部リード
８      ダムバー
３１    樹脂封止装置
３２，３３  封止金型
３４ａ，３４ｂ  キャビティ
３５ａ，３５ｂ  クランプ部
３６ａ，３６ｂ  先端面
３７ａ，３７ｂ  溝
４０ａ，４０ｂ，４１ａ，４１ｂ  第１〜第４の角部
４７ａ，４７ｂ，４８ａ，４８ｂ  第１〜第４の潰し段差部
６１ａ，６１ｂ，６２ａ，６２ｂ  側面
６３ａ，６３ｂ  底面
６５ａ，６５ｂ，６６ａ，６６ｂ  第１〜第４の角部
Ａ      上下方向（型開閉方向）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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