(57)【要約】【課題】  コストアップ及び生産性の低下を招くことなく、薄型化・高密度化を実現する。【解決手段】  基板５に電子部品４０〜４２が搭載される。基板５に電子部品４０〜４２を埋め込む工程と、導電性材料を含む液滴を吐出して、基板５に埋め込まれた電子部品４０〜４２の外部接続電極４０ａ〜４２ａに接続される配線パターン２３を形成する工程とを有する。【選択図】      図３
2006332094.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に電子部品が搭載された電子基板の製造方法であって、
前記基板に前記電子部品を埋め込む工程と、
導電性材料を含む液滴を吐出して、前記基板に埋め込まれた前記電子部品の外部接続電極に接続される配線パターンを形成する工程とを有することを特徴とする電子基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の電子基板の製造方法において、
前記電子部品を加熱する工程と、
加熱した前記電子部品を前記基板に当接させて該基板を軟化させる工程とを有することを特徴とする電子基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の電子基板の製造方法において、
前記基板は、半硬化状態の樹脂シート材で形成されることを特徴とする電子基板の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の電子基板の製造方法において、
半硬化状態の前記樹脂シート材に前記配線パターンを形成した後に、前記樹脂シート材及び前記配線パターンを硬化させる工程を有することを特徴とする電子基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の電子基板の製造方法において、
絶縁性材料を含む液滴を吐出して、絶縁層を形成する工程を有することを特徴とする電子基板の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の電子基板の製造方法において、
半硬化状態の前記基板に前記絶縁層を形成した後に、前記基板及び前記絶縁層を硬化させる工程を有することを特徴とする電子基板の製造方法。
【請求項７】
請求項５または６記載の電子基板の製造方法において、
前記絶縁層を貫通し、前記外部接続電極と前記配線パターンとに接続される導電ポストを前記液滴の吐出により形成する工程を有することを特徴とする電子基板の製造方法。
【請求項８】
請求項５から７のいずれかに記載の電子基板の製造方法において、
前記配線パターン及び前記絶縁層の形成工程を繰り返して行うことを特徴とする電子基板の製造方法。
【請求項９】
請求項８記載の電子基板の製造方法において、
電子素子形成材料を含む液滴を吐出して、電子素子を形成する工程を有することを特徴とする電子基板の製造方法。
【請求項１０】
基板に半導体素子が搭載された半導体装置の製造方法であって、
請求項１から９のいずれかに記載の電子基板の製造方法により、前記半導体素子が前記基板に搭載されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の半導体装置の製造方法において、
導電性材料を含む液滴を吐出して、前記半導体素子に接続される外部接続端子を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の半導体装置の製造方法において、
前記外部接続端子は、前記基板を貫通する貫通電極を介して前記半導体素子に接続されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
半導体装置を有する電子機器の製造方法であって、
前記半導体装置が請求項１０から１２のいずれかに記載の半導体装置の製造方法で製造されたことを特徴とする電子機器の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の電子機器の製造方法において、
前記半導体装置を支持する筺体に半硬化状態の樹脂シート材で形成された基板を接着する工程と、前記基板に半導体素子を埋め込む工程と、前記基板に埋め込まれた前記半導体素子の外部接続電極に接続される配線パターンを形成する工程とを有することを特徴とする電子機器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子基板の製造方法及び半導体装置の製造方法並びに電子機器の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高性能化・小型化が進むのに伴って、電子部品を搭載した電子基板においても高密度・高機能化が一層求められている。この種の技術としては、例えば特許文献１には、基板材に形成された銅配線上に電子部品を搭載し、その上から樹脂で一括して被覆して電子部品埋め込み層を形成し、こうして得られた電子部品埋め込み層を接着剤により積層することで電子基板を製造している。
【０００３】
また、特許文献２には、電気絶縁体シートに電子部品を押し込み、この電子部品の外部接続電極と当接される導体ペーストを有する電気絶縁体シートを加熱加圧により一体化することにより、電子基板の薄型化を実現する技術が開示されている。
【特許文献１】特開平３−６９１９１号公報
【特許文献２】特開２００４−５５９６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述したような従来技術には、以下のような問題が存在する。
特許文献１の技術では、銅配線を有する基板材に電子部品を搭載するため、薄型化・高密度化が困難であった。
また、特許文献２の技術では、電子部品の外部接続電極と対応する位置に導体ペーストが形成された電気絶縁体シートを別途用意する必要があり、コストアップ及び生産性の低下を招く虞がある。
【０００５】
本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、コストアップ及び生産性の低下を招くことなく、薄型化・高密度化が実現可能な電子基板の製造方法及び半導体装置の製造方法並びに電子機器の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するために本発明は、以下の構成を採用している。
本発明の電子基板の製造方法は、基板に電子部品が搭載された電子基板の製造方法であって、前記基板に前記電子部品を埋め込む工程と、導電性材料を含む液滴を吐出して、前記基板に埋め込まれた前記電子部品の外部接続電極に接続される配線パターンを形成する工程とを有することを特徴とするものである。
【０００７】
従って、本発明の電子基板の製造方法では、電子部品が基板に埋め込まれるため、埋め込んだ深さ分、薄い電子基板を製造することが可能となり、薄型化・高密度化を実現することができる。また、本発明では、基板に埋め込まれた電子部品の外部接続電極に接続するための配線パターンを液滴吐出方式で形成するため、材料消費を抑え、また配線パターン形状に応じてヘッドを移動させることにより、任意の形状を容易、且つ簡単に形成することができ、コストアップ及び生産性の低下を招くことなく電子基板を製造することができる。
【０００８】
基板に前記電子部品を埋め込む工程としては、前記電子部品を加熱する工程と、加熱した前記電子部品を前記基板に当接させて該基板を軟化させる工程とを採用することにより、軟化した基板に電子部品を容易に埋め込むことができる。
また、半硬化状態の樹脂シート材で形成された基板を用いることにより、基板に電子部品を容易に埋め込むことができる。
【０００９】
半硬化状態の樹脂シート材で形成された基板を用いる場合には、前記樹脂シート材に前記配線パターンを形成した後に、前記樹脂シート材及び前記配線パターンを硬化させる工程を設けることが好ましい。
これにより、本発明では、基板に対する配線パターンの密着性を向上させることが可能になる。
【００１０】
また、本発明では、絶縁性材料を含む液滴を吐出して、絶縁層を形成する工程を有する手順も好適に採用できる。これにより、容易、且つ簡単に絶縁層を形成することができる。この場合、半硬化状態の前記基板に前記絶縁層を形成した後に、前記基板及び前記絶縁層を硬化させる工程を設けることが好ましい。
これにより、本発明では、基板に対する絶縁層の密着性を向上させることが可能になる。
【００１１】
また、絶縁層を形成する場合には、前記絶縁層を貫通し、前記外部接続電極と前記配線パターンとに接続される導電ポストを前記液滴の吐出により形成する工程を設けることが好ましい。これにより、絶縁層上に形成された配線パターンと電子部品の外部接続電極とを容易に電気的に接続させることが可能になる。
【００１２】
さらに、前記配線パターン及び前記絶縁層の形成工程を繰り返して行う手順も好適に採用可能である。
これにより、本発明では、高密度で薄型の多層基板を低コストで容易に製造することが可能になる。
また、多層基板を形成する場合には、電子素子形成材料を含む液滴を吐出して、電子素子を形成する工程を設けることも好適である。
これにより、本発明では、高機能な電子基板を形成することができる。
【００１３】
一方、本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板に半導体素子が搭載された半導体装置の製造方法であって、先に記載の電子基板の製造方法により、前記半導体素子が前記基板に搭載されることを特徴とするものである。
従って、本発明の半導体装置の製造方法では、コストアップ及び生産性の低下を招くことなく小型・薄型の半導体装置を製造することができる。
【００１４】
また、本発明では、導電性材料を含む液滴を吐出して、前記半導体素子に接続される外部接続端子を形成する工程を設けることが好ましい。
これにより、本発明では、材料消費を抑え、また外部接続端子を任意の位置に容易、且つ簡単に形成することができる。
この場合、前記外部接続端子としては、前記基板を貫通する貫通電極を介して前記半導体素子に接続させることもできる。これにより、基板の半導体素子を埋め込んだ側と逆側に外部接続端子を設けることが可能になる。
【００１５】
そして、本発明に係る電子機器の製造方法は、半導体装置を有する電子機器の製造方法であって、前記半導体装置が先に記載の半導体装置の製造方法で製造されたことを特徴とするものである。
従って、本発明では、コストアップ及び生産性の低下を招くことなく小型・薄型の電子機器を製造することが可能になる。
【００１６】
また、本発明では、前記半導体装置を支持する筺体に半硬化状態の樹脂シート材で形成された基板を接着する工程と、前記基板に半導体素子を埋め込む工程と、前記基板に埋め込まれた前記半導体素子の外部接続電極に接続される配線パターンを形成する工程とを設けることが好ましい。
従って、本発明では、筺体に直接基板を接着するため、より小型・薄型で高機能の電子機器を製造することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の電子基板の製造方法及び半導体装置の製造方法並びに電子機器の製造方法の実施の形態を、図１ないし図８を参照して説明する。
（液滴吐出装置）
まず、電子基板、半導体装置、及び電子機器の製造に用いられる液滴吐出装置について図１及び図２を参照して説明する。
【００１８】
図１に示す液滴吐出装置１００は、基本的にはインクジェット装置である。より具体的には、液滴吐出装置１００は、液状材料１１１を保持するタンク１０１と、チューブ１１０と、グランドステージＧＳと、吐出ヘッド部１０３と、ステージ１０６と、第１位置制御装置１０４と、第２位置制御装置１０８と、制御部１１２と、光照射装置１４０と、支持部１０４ａと、を備えている。
【００１９】
吐出ヘッド部１０３は、ヘッド１１４（図２参照）を保持している。このヘッド１１４は、制御部１１２からの信号に応じて、液状材料１１１の液滴を吐出する。なお、吐出ヘッド部１０３におけるヘッド１１４は、チューブ１１０によってタンク１０１に連結されており、このため、タンク１０１からヘッド１１４に液状材料１１１が供給される。
ステージ１０６は基板（後述する樹脂基板５）を固定するための平面を提供している。さらにステージ１０６は、吸引力を用いて基板の位置を固定する機能も有する。
【００２０】
第１位置制御装置１０４は、支持部１０４ａによって、グランドステージＧＳから所定の高さの位置に固定されている。この第１位置制御装置１０４は、制御部１１２からの信号に応じて、吐出ヘッド部１０３をＸ軸方向と、Ｘ軸方向に直交するＺ軸方向と、に沿って移動させる機能を有する。さらに、第１位置制御装置１０４は、Ｚ軸に平行な軸の回りで吐出ヘッド部１０３を回転させる機能も有する。ここで、本実施例では、Ｚ軸方向は、鉛直方向（つまり重力加速度の方向）に平行な方向である。
【００２１】
第２位置制御装置１０８は、制御部１１２からの信号に応じて、ステージ１０６をグランドステージＧＳ上でＹ軸方向に移動させる。ここで、Ｙ軸方向は、Ｘ軸方向およびＺ軸方向の双方と直交する方向である。
【００２２】
上記のような機能を有する第１位置制御装置１０４の構成と第２位置制御装置１０８の構成とは、リニアモータやサーボモータを利用した公知のＸＹロボットを用いて実現できる。このため、ここでは、それらの詳細な構成の説明を省略する。なお、本明細書では、第１位置制御装置１０４および第２位置制御装置１０８を、「ロボット」または「走査部」とも表記する。
【００２３】
さて上述のように、第１位置制御装置１０４によって、吐出ヘッド部１０３はＸ軸方向に移動する。そして、第２位置制御装置１０８によって、基板はステージ１０６と共にＹ軸方向に移動する。これらの結果、基板に対するヘッド１１４の相対位置が変わる。より具体的には、これらの動作によって、吐出ヘッド部１０３、ヘッド１１４、またはノズル１１８（図２参照）は、基板に対して、Ｚ軸方向に所定の距離を保ちながら、Ｘ軸方向およびＹ軸方向に相対的に移動、すなわち相対的に走査する。「相対移動」または「相対走査」とは、液状材料１１１を吐出する側と、そこからの吐出物が着弾する側（被吐出部）の少なくとも一方を他方に対して相対移動することを意味する。
【００２４】
制御部１１２は、液状材料１１１の液滴を吐出すべき相対位置を表す吐出データを外部情報処理装置から受け取るように構成されている。制御部１１２は、受け取った吐出データを内部の記憶装置に格納するとともに、格納された吐出データに応じて、第１位置制御装置１０４と、第２位置制御装置１０８と、ヘッド１１４と、を制御する。なお、吐出データとは、基板上に、液状材料１１１を所定パターンで付与するためのデータである。本実施例では、吐出データはビットマップデータの形態を有している。
【００２５】
上記構成を有する液滴吐出装置１００は、吐出データに応じて、ヘッド１１４のノズル１１８（図２参照）を基板に対して相対移動させるとともに、被吐出部に向けてノズル１１８から液状材料１１１を吐出する。なお、液滴吐出装置１００によるヘッド１１４の相対移動と、ヘッド１１４からの液状材料１１１の吐出と、をまとめて「塗布走査」または「吐出走査」と表記することもある。
光照射装置１４０は、基板に付与された液状材料１１１に紫外光を照射する装置である。光照射装置１４０の紫外光の照射のＯＮ・ＯＦＦは制御部１１２によって制御される。
【００２６】
図２（ａ）および（ｂ）に示すように、液滴吐出装置１００におけるヘッド１１４は、複数のノズル１１８を有するインクジェットヘッドである。具体的には、ヘッド１１４は、振動板１２６と、複数のノズル１１８と、複数のノズル１１８のそれぞれの開口を規定するノズルプレート１２８と、液たまり１２９と、複数の隔壁１２２と、複数のキャビティ１２０と、複数の振動子１２４と、を備えている。
【００２７】
液たまり１２９は、振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、の間に位置しており、この液たまり１２９には、図示しない外部タンクから孔１３１を介して供給される液状材料１１１が常に充填される。また、複数の隔壁１２２は、振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、の間に位置している。
キャビティ１２０は、振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、一対の隔壁１２２と、によって囲まれた部分である。キャビティ１２０はノズル１１８に対応して設けられているため、キャビティ１２０の数とノズル１１８の数とは同じである。キャビティ１２０には、一対の隔壁１２２間に位置する供給口１３０を介して、液たまり１２９から液状材料１１１が供給される。なお、本実施例では、ノズル１１８の直径は、約２７μｍである。
【００２８】
さて、複数の振動子１２４のそれぞれは、それぞれのキャビティ１２０に対応するように振動板１２６上に位置する。複数の振動子１２４のそれぞれは、ピエゾ素子１２４Ｃと、ピエゾ素子１２４Ｃを挟む一対の電極１２４Ａ，１２４Ｂと、を含む。制御部１１２が、この一対の電極１２４Ａ，１２４Ｂの間に駆動電圧を与えることで、対応するノズル１１８から液状材料１１１の液滴Ｄが吐出される。ここで、ノズル１１８から吐出される材料の体積は、０ｐｌ以上４２ｐｌ（ピコリットル）以下の間で可変である。なお、ノズル１１８からＺ軸方向に液状材料１１１の液滴が吐出されるように、ノズル１１８の形状が調整されている。
なお、吐出部１２７は、ピエゾ素子の代わりに電気熱変換素子を有してもよい。つまり、吐出部１２７は、電気熱変換素子による材料の熱膨張を利用して材料を吐出する構成を有していてもよい。
【００２９】
（電子基板の製造方法）
次に、上記の液滴吐出装置１００を用いて電子基板を製造する手順を説明する。
図３は、電子基板の製造方法を示す工程図である。
図３において、符号５は樹脂シートで形成された基板、符号４０は半導体素子（電子部品）、符号４１、４２はチップ部品（電子部品）である。
【００３０】
樹脂基板５としては、ポリイミドやエポキシ系の樹脂が半硬化状態で用いられる。なお、本発明における半硬化状態とは、加熱やＵＶ等の光照射によるエネルギ付与で硬化する樹脂に対してエネルギを付与する前の状態を示している。
チップ部品４１、４２としては、チップインダクタ、チップ抵抗器、チップサーミスタ、ダイオード、バリスタ、ＬＳＩベアチップ、ＬＳＩパッケージ等を用いることができる。各チップ部品４１、４２は、外部接続電極である電極４１ａ、４２ａをそれぞれ有している。
【００３１】
同様に、半導体素子４０は、外部接続電極である電極４０ａを有している。
この電極４０ａは、Ａｌ電極部４０ｂに対して無電解Ｎｉ／Ａｕメッキなどで形成された金属バンプとして設けられている。
【００３２】
上記の半導体素子４０、チップ部品４１、４２を樹脂基板５に搭載する際には、まず、図３（ａ）に示すように、マウンタ等を用いて半導体素子４０、チップ部品４１、４２を樹脂基板５の上方の所定位置に配置する。このとき、半導体素子４０、チップ部品４１、４２は電極４０ａ〜４２ａが上側を向くように配置される。また、樹脂基板５は、半硬化状態のものがセットされており、半導体素子４０、チップ部品４１、４２は予め樹脂基板５の硬化温度以下に加熱される。
本実施形態では、約１６０℃で硬化が始まる樹脂基板５に対して、半導体素子４０、チップ部品４１、４２を約１００℃に加熱している。
【００３３】
次に、加熱した半導体素子４０、チップ部品４１、４２を樹脂基板５の上面に当接させる。これにより、樹脂基板５は硬化することなく軟化する。そして、半導体素子４０、チップ部品４１、４２を押し込むことにより、図３（ｂ）に示すように、樹脂基板５に埋め込む。このとき、電極４０ａ〜４２ａが樹脂基板５の上面から突出する深さで半導体素子４０、チップ部品４１、４２をそれぞれ埋め込む。
【００３４】
続いて、上記の液滴吐出装置１００を用いて、図３（ｃ）に示すように、導電性材料を含む液滴を電極４０ａ〜４２ａ上にそれぞれ吐出する。そして、これらの液滴を乾燥・焼成することにより、それぞれ導電ポスト４０Ｐ〜４２Ｐを形成する。このとき、頂部の高さが略同一となるように導電ポスト４０Ｐ〜４２Ｐを形成する。
本実施形態の導電性材料としては、平均粒径が１０ｎｍ程度の銀粒子と、分散媒と、を含む。そして導電性材料において、銀粒子は分散媒中に安定して分散されている。なお、銀粒子はコーティング剤で被覆されていてもよい。ここで、コーティング剤は、銀原子に配位可能な化合物である。
【００３５】
なお、平均粒径が１ｎｍ程度から数１００ｎｍまでの粒子は、「ナノ粒子」とも表記される。この表記によれば、導電性材料は銀のナノ粒子を含んでいる。
分散媒（または溶媒）としては、銀粒子などの導電性微粒子を分散できるもので凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、導電性微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。
【００３６】
次に、液滴吐出装置１００を用いて、図３（ｄ）に示すように、導電ポスト４０Ｐ〜４２Ｐの頂部が露出するように絶縁層形成材料を含む液滴を樹脂基板５上に吐出して、絶縁層１０を形成する。
絶縁層形成工程により絶縁層１０を形成する際には、得られる絶縁層１０の表面がほぼ平坦になるとともに、絶縁層１０が電極４０ａ〜４２ａの側面を囲むように、樹脂基板５へ吐出する液滴の総数と、液滴を着弾させる位置と、液滴を着弾させる位置の間隔とを調整する。さらに、本実施形態では、絶縁層１０の厚さが、電極４０ａ〜４２ａの厚さを超えないように、吐出する液滴の総数または液滴を着弾させる位置の間隔を調整する。
なお、本実施形態の絶縁層形成材料としては、例えば感光性の樹脂材料を含んでいる。具体的には、絶縁層形成材料は、光重合開始剤と、アクリル酸のモノマーおよび／またはオリゴマ−とを含んでいる。
【００３７】
続いて、液滴吐出装置１００を用いて、絶縁層１０上の所定位置に導電性材料を含む液滴を吐出して、図３（ｅ）に示すように、導電ポスト４０Ｐ〜４２Ｐに接続される配線パターン２３を形成する。配線パターン２３を形成するための導電性材料としては、導電ポスト４０Ｐ〜４２Ｐと同様のものを用いることができる。
【００３８】
なお、導電性材料を含む液滴を吐出して配線パターン２３を形成する前に、絶縁層１０の表面に撥液性を付与する工程を設けてもよい。
具体的には、原料化合物（例えばＦＡＳ）の溶液と絶縁層１０を有する樹脂基板５とを同一の密閉容器中に入れておき、室温で２〜３日程度の間放置する。そうすると、表面上に有機分子膜からなる自己組織化膜（つまりＦＡＳ膜）が形成される。このように、絶縁層１０に撥液性を付与することにより、絶縁層１０に吐出した液滴の濡れ広がる度合いが小さくなるため、微細線幅の配線パターン２３を形成することができる。
【００３９】
この後、半硬化状態の樹脂基板５を絶縁層１０及び配線パターン２３とともに、硬化温度以上の温度に加熱することにより、樹脂基板５に半導体素子４０、チップ部品４１、４２が搭載された電子基板１１を製造することができる。
【００４０】
以上のように、本実施形態では、樹脂基板５に半導体素子４０、チップ部品４１、４２を埋め込むため、樹脂基板５上に半導体素子４０、チップ部品４１、４２を載せる場合に比べて薄型で高密度化が可能な電子基板１１を得ることができる。また、本実施形態では、配線パターン２３及び導電ポスト４０Ｐ〜４２Ｐを液滴吐出方式で形成しているので、材料消費に無駄が少なく、また任意のパターンをフォトリソグラフィーなどの手段を用いず容易、且つ高精度に描画できるため、コストダウン及び生産性の向上に寄与できる。
【００４１】
また、本実施形態では、半導体素子４０、チップ部品４１、４２を樹脂基板５の硬化温度よりも低い温度で加熱することで樹脂基板５を軟化させているため、半導体素子４０、チップ部品４１、４２の埋め込み作業が容易になり、より生産性の向上に寄与できる。さらに、本実施形態では、樹脂基板５及び絶縁層１０及び配線パターン２３を同時に加熱して硬化させているため、樹脂基板５と絶縁層１０、及び絶縁層１０と配線パターン２３との密着性を向上させることができ、高品質の電子基板１１を得ることができる。
【００４２】
なお、上記実施形態では、埋め込みを容易にするために、半導体素子４０、チップ部品４１、４２を加熱する工程を設けたが、これに限定されるものではなく、加熱しない状態で押し込んで埋め込む手順としてもよい。
また、上記実施形態では、導電ポスト４０Ｐ〜４２Ｐを形成した後に絶縁層１０を形成する手順としたが、逆の手順により絶縁層１０を形成した後に導電ポスト４０Ｐ〜４２Ｐを形成してもよい。
【００４３】
（多層構造基板）
続いて、上記の電子基板１１を有する多層構造基板について説明する。
本実施形態の多層構造基板は、図３に示した工程で製造された電子基板１１に対して、絶縁層形成、導電ポスト形成及び配線パターン形成等、上記実施形態と同様の工程を繰り返すことにより図４に示す構造の多層構造基板（半導体装置）１を製造する。
【００４４】
具体的には、図４の多層構造基板１において、絶縁層１０上には、絶縁層１２〜１６がこの順番で積層されている。そして、半導体素子４３が絶縁層１３、１４によって多層構造基板１に埋め込まれるとともに、最上部に半導体素子４４及びチップ部品４５が配置・搭載されている。各絶縁層１２〜１６においては、上述した第１実施形態と同様に配線パターンが形成されるとともに、各絶縁層を貫通するように導電ポストが所定位置に形成される。
【００４５】
この多層構造基板１においては、抵抗体形成材料を含む液滴（抵抗体インク）、高誘電体形成材料を含む液滴（高誘電体インク）等を用いて、抵抗、コンデンサ（キャパシタ）、インダクタ等の電子素子を形成することも可能である。
例えば、図４に示す絶縁層１２上に形成された配線パターンである電極２０Ａ上に液滴吐出方式により誘電体層ＤＩを形成する。そして、絶縁層１３を形成した後に、液滴吐出方式により、誘電体層ＤＩ上に配線パターンとしての電極２０Ｂを形成する。ここで、誘電体層ＤＩと、電極２０Ａ、２０Ｂとは、電子素子であるキャパシタ４２を構成することになる。
なお、液滴吐出工程で誘電体層ＤＩを形成するために吐出される液状材料は、基本的に絶縁層形成材料と同じである。
【００４６】
また、多層構造基板１においては、半導体素子４４等をハンダ接続する際には、液滴吐出方式を用いて形成した配線パターン２３Ａ上に、ハンダ付け可能な金属膜２２を形成することが好ましい。この場合の金属膜２２としては、無電解Ｎｉ／Ａｕメッキや、金属微粒子を含む液状体を液滴吐出方式で塗布する方法で形成することができる。
本実施形態では、上記の電子基板製造方法を用いているため、薄型で高密度化が可能な多層構造基板１を得ることができる。
【００４７】
（半導体装置）
続いて、半導体装置の製造方法について説明する。
本実施形態の半導体装置は図４に示した電子基板１１を有する多層構造基板１に対して、図５に示すように、絶縁層１５上に形成された配線パターン２３Ａ上に電極２４が設けられ、この電極２４上に外部接続端子２５がそれぞれ設けられた構成となっている。
【００４８】
この半導体装置を製造する方法としては、上述した液滴吐出方式で絶縁層１５上に導電性材料を含む液滴を吐出して配線パターン２３Ａを形成するとともに、無電解Ｎｉ／Ａｕメッキや、金属微粒子を含む液状体を液滴吐出方式で塗布する方法により配線パターン２３Ａ上に電極２４を形成する。
続いて、電極２４及び外部接続端子２５を形成する接続領域を除いて絶縁層形成材料を含む液滴を吐出して絶縁層１６を形成した後に、当該接続領域に金属微粒子を含む液滴を吐出して外部接続端子２５を形成する。
このように、電子基板１１を有する多層構造基板１を用いることで、薄型で高密度化が可能な半導体装置を得ることができる。
【００４９】
なお、上記の半導体装置においては、電極２４、絶縁層１６、外部接続端子２５を順次形成する手順としたが、これに限定されるものではなく、絶縁層１６を形成した後に電極２４及び外部接続端子２５を形成する手順や、電極２４及び外部接続端子２５を形成した後に絶縁層１６を形成する手順としてもよい。これらの手順の中、絶縁層１６を最後に形成する場合には、外部接続端子２５の下部にも絶縁性材料を含む液滴が濡れ拡がるように、配線パターン２３Ａを親液化することが好ましい。
【００５０】
また、図５に示した構成の他、図６に示すように、樹脂基板５を貫通する貫通電極５Ａを設けるとともに、樹脂基板５の絶縁層１０と逆側の面（裏面）に貫通電極５Ａと接続される配線パターン２３Ｂを形成し（図６では両端の配線パターン２３Ｂのみ貫通電極５Ａと接続される）、この配線パターン２３Ｂ上に上述した電極２４及び外部接続端子２５と同様に、電極２４Ａ及び外部接続端子２５Ａを設けた半導体装置を製造することもできる。
【００５１】
この半導体装置を製造する方法としては、樹脂基板５に形成した貫通孔に上述した液滴吐出方式で導電性材料を含む液滴を吐出して貫通電極５Ａを形成した後に、樹脂基板５の裏面上に導電性材料を含む液滴を吐出して配線パターン２３Ｂを貫通電極５Ａと接続するように形成するとともに、電極２４と同様の方法で電極２４Ａを形成する。
続いて、電極２４Ａ及び外部接続端子２５Ａを形成する接続領域を除いて絶縁層形成材料を含む液滴を吐出して絶縁層１７を形成した後に、当該接続領域に金属微粒子を含む液滴を吐出して外部接続端子２５Ａを形成する。
このように、多層構造基板１の裏面側に外部接続端子２５Ａが形成された薄型で高密度化が可能な半導体装置を得ることができる。
【００５２】
（電子機器）
続いて、電子機器の製造方法について説明する。
図７は、電子機器の筺体Ｋに、電子基板１１を有する多層構造基板１が樹脂基板５において接着固定された断面図である。
この電子機器を製造する際には、図４に示した多層構造基板１を製造した後に筺体Ｋに接着する工程を設けたり、図３（ａ）に二点鎖線で示すように、筺体Ｋに樹脂基板５を接着した後に、図３（ｂ）〜（ｅ）に示すように、半導体素子４０及びチップ部品４１、４２の埋め込み、導電ポスト、絶縁層、配線パターンの形成等の工程を設けてもよい。
【００５３】
図８は、上記多層構造基板１を有する本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図である。この図に示す携帯電話（電子機器）１３００は、液晶装置を小サイズの表示部１３０１として備え、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０４を備えて構成されており、筺体Ｋの内部に上述した多層構造基板１が接着して収容されている。
本実施形態の携帯電話１３００は、上記の電子機器の製造方法を用いて製造されるため、薄型で高密度化・高機能化が可能な電子機器を得ることができる。
【００５４】
上記実施の形態の電子機器としては、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等に適用することができ、いずれの電子機器に対しても薄型で高密度化・高機能化を実現することができる。
【００５５】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【００５６】
例えば、図３（ｅ）に示した配線パターン２３の形成時に、配線パターンに応じた凹凸を有する型を用いて絶縁層１０を型押しして、絶縁層１０に配線パターンに応じた溝部と、この溝部を囲む隔壁部（バンク）とを形成し、導電線材料を含む液滴を溝部に塗布する手順としてもよい。
この製造方法によれば、溝部の幅、深さに応じた幅、高さを有する配線パターンを形成することが可能になり、微細線幅のパターンを高精度に形成することができる。
【００５７】
また、上記実施形態では、導電性材料には、銀のナノ粒子が含まれる構成としたが、銀のナノ粒子に代えて、他の金属のナノ粒子が用いられてもよい。ここで、他の金属として、例えば、金、白金、銅、パラジウム、ロジウム、オスミウム、ルテニウム、イリジウム、鉄、錫、亜鉛、コバルト、ニッケル、クロム、チタン、タンタル、タングステン、インジウムのいずれか１つが利用されてもよいし、または、いずれか２つ以上が組合せられた合金が利用されてもよい。ただし、銀であれば比較的低温で還元できるため、扱いが容易であり、この点で、液滴吐出装置を利用する場合には、銀のナノ粒子を含む導電性材料を利用することは好ましい。
【００５８】
また、導電性材料が、金属のナノ粒子に代えて、有機金属化合物を含んでいてもよい。ここでいう有機金属化合物は、加熱による分解によって金属が析出するような化合物である。このような有機金属化合物には、クロロトリエチルホスフィン金（Ｉ）、クロロトリメチルホスフィン金（Ｉ）、クロロトリフェニルフォスフィン金（Ｉ）、銀（Ｉ）２，４−ペンタンヂオナト錯体、トリメチルホスフィン（ヘキサフルオロアセチルアセトナート）銀（Ｉ）錯体、銅（Ｉ）ヘキサフルオロペンタンジオナトシクロオクタジエン錯体、などがある。
【００５９】
このように、液状の導電性材料に含まれる金属の形態は、ナノ粒子に代表される粒子の形態でもよいし、有機金属化合物のような化合物の形態でもよい。
さらに、導電性材料は、金属に代えて、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリフェニレンビニレンなどの高分子系の可溶性材料を含んでいてもよい。
【００６０】
また、導電性材料における銀のナノ粒子は、有機物などのコーティング剤で被覆されてもよい。このようなコーティング剤として、アミン、アルコール、チオールなどが知られている。より具体的には、コーティング剤として、２−メチルアミノエタノール、ジエタノールアミン、ジエチルメチルアミン、２−ジメチルアミノエタノール、メチルジエタノールアミンなどのアミン化合物、アルキルアミン類、エチレンジアミン、アルキルアルコール類、エチレングリコール、プロピレングリコール、アルキルチオール類、エタンジチオールなどがある。コーティング剤で被覆された銀のナノ粒子は、分散媒中でより安定して分散され得る。
【００６１】
さらに、上記実施形態では、絶縁材料が光重合開始剤と、アクリル酸のモノマーおよび／またはオリゴマ−と、を含む構成としたが、アクリル酸のモノマーおよび／またはオリゴマーに代えて、絶縁材料が、光重合開始剤と、ビニル基、エポキシ基等の重合性官能基を有するモノマーおよび／またはオリゴマ−と、を含んでいてもよい。
また、絶縁材料としては、光官能基を有するモノマーが溶解している有機溶液であってもよい。ここで、光官能基を有するのモノマーとして、光硬化性イミドモノマーが利用できる。
【００６２】
また、樹脂材料であるモノマー自体がノズル１１８からの吐出に適した流動性を有する場合には、モノマーが溶けた有機溶液を用いる代わりに、モノマーそれ自体（つまりモノマー液）を絶縁材料としてもよい。このような絶縁材料を用いる場合でも、絶縁層を形成できる。
さらに、絶縁材料は、樹脂であるポリマーが溶解した有機溶液であってもよい。この場合には、絶縁材料における溶媒としてトルエンが利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】電子基板の製造に用いる液滴吐出装置の模式図である。
【図２】（ａ）および（ｂ）は液滴吐出装置におけるヘッドの模式図である。
【図３】本発明に係る電子基板の製造方法を示す工程図である。
【図４】多層構造基板の断面図である。
【図５】外部接続端子が設けられた多層構造基板の断面図である。
【図６】外部接続端子が設けられた別形態の多層構造基板の断面図である。
【図７】電子機器の筺体に、多層構造基板が接着固定された断面図である。
【図８】電子機器の一例を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００６４】
１…多層構造基板（半導体装置）、  ５…基板、  １０…絶縁層、  ２３…配線パターン、  ２５、２５Ａ…外部接続端子、  ４０…半導体素子（電子部品）、  ４１、４２…チップ部品（電子部品）、  ４０ａ〜４２ａ…電極（外部接続電極）、  ４０Ｐ〜４２Ｐ…導電ポスト、  ４６…キャパシタ（電子素子）、  １３００…携帯電話（電子機器）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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