(57)【要約】【課題】  大型の被成膜基板に対してもマスクの反りや撓みが少ないマスク保持構造を提供する。【解決手段】  本発明のマスク保持構造は、定盤４の下面に被成膜基板５を挟んでマスク１を保持する構造である。マスク１は、開口部２０を有するベース基板２と、ベース基板２の開口部２０に位置決めされる開口パターン３０を有するチップ３とを含み、定盤４に磁石７が配設されるとともに、その磁石７に磁気吸引されるプラグ８がベース基板２に配設されることを特徴とする。【選択図】    図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
定盤の下面に被成膜基板を挟んでマスクを保持する構造であって、
前記マスクは、開口部を有するベース基板と、該ベース基板の開口部に位置決めされる開口パターンを有するチップとを含み、
前記定盤に磁石が配設されるとともに、該磁石に磁気吸引されるプラグが前記ベース基板に配設されることを特徴とするマスク保持構造。
【請求項２】
前記磁石と前記プラグとの間の磁気吸引力が前記マスクにおける複数の箇所で生じることを特徴とする請求項１に記載のマスク保持構造。
【請求項３】
前記プラグは、前記磁石に対向配置される突起部を有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のマスク保持構造。
【請求項４】
前記プラグは、前記ベース基板の下面に当接される当接面が形成された基部と、該基部の当接面から突出して形成されかつ前記ベース基板に挿入される突起部とを有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のマスク保持構造。
【請求項５】
前記プラグの突起部は、前記ベース基板における複数の箇所に配されることを特徴とする請求項３または請求項４に記載のマスク保持構造。
【請求項６】
前記磁石は、前記プラグとの対向方向に延びる柱状形状からなることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載のマスク保持構造。
【請求項７】
前記磁石に比べて、前記プラグの突起部の径が小さいことを特徴とする請求項６に記載のマスク保持構造。
【請求項８】
前記磁石が、希土類磁石であることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれかに記載のマスク保持構造。
【請求項９】
前記プラグが、軟磁性材料からなることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれかに記載のマスク保持構造。
【請求項１０】
請求項１から請求項９のいずれかに記載のマスク保持構造を用いて被成膜基板に薄膜パターンを形成することを特徴とする成膜方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の成膜方法を用いて電気光学装置の構成層をなす薄膜パターンを形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の製造方法で製造された電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスク保持構造、成膜方法、電気光学装置の製造方法、並びに電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置の一つである有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）パネルは、薄膜を積層した構造を有する自発光型の表示素子を有しており、その製造過程において、表示素子の構成層をなす薄膜パターンを基板上に形成する成膜工程を含む。
【０００３】
こうした成膜方法としては、従来より、メタルマスクを用いた蒸着法が知られている。ところが、大型の被成膜基板に対して高精度なメタルマスクを作る事が難しく、また、有機ＥＬパネル用のガラス基板に比べてメタルマスクの熱膨張率が非常に大きいことから、パターンズレが生じやすい。
【０００４】
これに対して、熱膨張率がガラスと近いシリコン基板を用いてマスクを製造する手法が提案されている。この手法ではフォトリソグラフィ技術およびドライエッチング技術などの半導体製造技術を用いて、成膜パターンに対応した開口パターンをシリコン基板に形成する。
【特許文献１】特開２００１−２３７０７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
シリコン基板に開口パターンを形成する技術では、開口パターンが形成されたシリコン基板（シリコンチップ）を支持枠に貼り付けたものがマスクとして用いられる。しかしながら、大型の被成膜基板に対応しようとすると、そのマスクが大サイズ化することから、マスクの反りや撓みが生じてパターン精度が低下する場合がある。
【０００６】
本発明は、大型の被成膜基板に対してもマスクの反りや撓みが少ないマスク保持構造を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のマスク保持構造は、定盤の下面に被成膜基板を挟んでマスクを保持する構造であって、前記マスクは、開口部を有するベース基板と、該ベース基板の開口部に位置決めされる開口パターンを有するチップとを含み、前記定盤に磁石が配設されるとともに、該磁石に磁気吸引されるプラグが前記ベース基板に配設されることを特徴とする。
【０００８】
このマスク保持構造では、磁石とプラグとの間の磁気吸引力により、定盤の下面に被成膜基板を挟んでマスクが保持される。磁気吸引力を用いることにより、例えばマスクの中央部を定盤に近接させることが可能となり、大型の被成膜基板に対してもマスクの反りや撓みが防止される。
【０００９】
本発明のマスク保持構造において、前記磁石と前記プラグとの間の磁気吸引力が前記マスクにおける複数の箇所で生じるのが望ましい。
この構成により、大型の被成膜基板に対してもマスクの反りや撓みが確実に防止される。
【００１０】
本発明のマスク保持構造において、前記プラグは、前記磁石に対向配置される突起部を有する構成とするのが望ましい。
この構成により、磁石からの磁束がプラグに導かれやすく、磁石とプラグとの間の磁気吸引力が向上する。
【００１１】
具体的に、前記プラグは、前記ベース基板の下面に当接される当接面が形成された基部と、該基部の当接面から突出して形成されかつ前記ベース基板に挿入される突起部とを有する構成とすることができる。
この構成によれば、磁気吸引力がプラグの当接面を介してベース基板に作用することで、ベース基板（マスク）が定盤の下面に向けて押接される。すなわち、プラグの基部は、前述した磁石からの磁束をプラグに導きやすくする機能に加え、磁気吸引力をマスクに伝達する機能を有する。
【００１２】
この場合、前記プラグの突起部は、前記ベース基板における複数の箇所に配されることが望ましい。
この構成により、磁石とプラグとの間の磁気吸引力がマスクにおける複数の箇所で生じ、大型の被成膜基板であってもマスクの反りや撓みが確実に防止される。
【００１３】
また、前記磁石は、前記プラグとの対向方向に延びる柱状形状からなる構成とすることができる。
この構成によれば、柱状の磁石によってプラグの突起部に導かれやすい磁束が形成され、磁石とプラグとの間の磁気吸引力が向上する。
【００１４】
この場合において、前記磁石に比べて、前記プラグの突起部の径が小さい構成とすることができる。
この構成によれば、磁石からの磁束がプラグにより導かれやすく、磁石とプラグとの間の磁気吸引力が向上する。
【００１５】
本発明のマスク保持構造において、前記磁石が、希土類磁石である構成とすることができる。
強磁場を形成可能な希土類磁石（サマリウムコバルト磁石、ネオジウム磁石など）を用いることにより、磁石及びプラグの小サイズ化が図られる。
【００１６】
また、本発明のマスク保持構造において、前記プラグが、軟磁性材料からなる構成とすることができる。
保磁力が小さい軟磁性材料（パーマロイ、珪素鋼板など）を用いることにより、磁性を有する異物がプラグに付着することが防止される。
【００１７】
本発明の成膜方法は、先に記載の本発明のマスク保持構造を用いて被成膜基板に薄膜パターンを形成することを特徴とする。
この成膜方法によれば、大型の被成膜基板に対しても高精度に薄膜パターンを形成することができる。
【００１８】
本発明の電気光学装置の製造方法は、先に記載の本発明の成膜方法を用いて電気光学装置の構成層をなす薄膜パターンを形成することを特徴とする。
この製造方法によれば、高精度な薄膜パターンが形成されることから、高品質な電気光学装置を製造することができる。
【００１９】
本発明の電子機器は、先に記載の本発明の製造方法で製造された電気光学装置を備えることを特徴とする。
この電子機器は、高品質な電気光学装置を備えることから、表示品質の向上が図られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明について図面を参照して説明する。
図１は、本発明のマスク保持構造に用いられるマスクの一例を示す斜視図、図２は、本発明のマスク保持構造の一例を示す部分断面図、図３は、本発明のマスク保持構造の一例を示す部分斜視断面図である。
【００２１】
（マスク）
まず、本発明のマスク保持構造に用いられる蒸着用のマスクについて説明する。
図１に示すように、マスク１は、開口部２０が形成されたベース基板２と、成膜パターンに対応した開口パターン３０が形成された板状のチップ３とが貼り合わされた構成を有してなる。
【００２２】
本例では、ベース基板２に複数の開口部２０が並列に形成されるとともに、複数の開口部２０のそれぞれにチップ３が配設されている。図１では、１つの開口部２０に１つのチップ３が配設されているが、１つの開口部２０に複数のチップ３が配設される構成であってもよい。
【００２３】
より具体的には、ベース基板２には、長方形の貫通穴からなる複数の開口部２０が平行かつ一定間隔で設けられている。また、各チップ３には、複数のスリットがその幅方向に一定間隔で並ぶ開口パターン３０が設けられている。そして、ベース基板２の開口部２０を塞ぐように、さらに、ベース基板２の開口部２０内に開口パターン３０が収まるように、ベース基板２の開口部２０に対してチップ３が精密に位置決めされている。
【００２４】
このように、本例のマスク１は、開口パターン３０を有するチップ３がベース基板２に貼り付けられた構成であることから、チップ３に不具合が生じた場合にも、チップ３の交換等によりその補修が容易である。さらに本例のマスク１は、ベース基板２に対して複数のチップ３が配設されている構成であることから、チップ３に不具合が生じたい場合、その不具合（破損、損傷など）が生じた一部のチップ３を新たなものと交換すればよく、ベース基板２に比べてチップ３のサイズが非常に小さくて済むから、大型の被成膜基板（例えば２０インチサイズ以上の基板）に対して好ましく適用される。
【００２５】
ここで、ベース基板２及びチップ３の形成材料としては、被成膜基板（後述する被蒸着基板５）と同程度の熱膨張率を有するものが好ましく用いられる。本例では、被成膜基板がガラスからなり、ベース基板２がガラスからなり、チップ３が単結晶シリコンからなるものとする。単結晶シリコンの熱膨張率は３０×１０Ｅ-7/℃である。これに対し、コーニング社製のパイレックスガラス（登録商標）の熱膨張率は３０×１０Ｅ-7/℃でありほぼ同じである。無アルカリガラスである日本電気ガラス社製のＯＡ−１０の熱膨張率は３８×１０Ｅ-7/℃である。また、ガラスと同程度の熱膨張率を有する材料として、金属材料である４２アロイ（熱膨張率：５０×１０Ｅ-7/℃）、インバー材（熱膨張率：１２×１０Ｅ-7/℃）などがある。ベース基板２とチップ３とが互いに同程度の熱膨張率を有することにより、ベース基板２とチップ３との熱膨張率の差に基づく歪みや撓みの発生が防止される。また、ベース基板２及びチップ３と、被成膜基板とが互いに同程度の熱膨張率を有することにより、熱膨張率の差に基づく成膜パターンの位置ズレが防止される。
【００２６】
シリコンからなるチップ３の開口パターン３０は、異方性エッチングを用いて形成することができる。例えば、チップ３が面方位（１１０）又は面方位（１００）を有し、チップ３における開口パターン３０の各スリットの長手方向の側壁面が面方位（１１１）を有していることにより、結晶異方性エッチングにより容易に開口スリット（開口パターン３０）を形成することができる。
【００２７】
ベース基板２に対するチップ３の位置決めは、例えば、ベース基板２及びチップ３のそれぞれにアライメントマークを形成しておき、そのマークの観察結果に基づいて行われる。なお、フォトリソグラフィ技術又はブラスト技術を用いることにより、ガラスからなるベース基板２にアライメントマークを形成することができる。また、フォトリソグラフィ技術又は結晶異方性エッチングを用いることにより、シリコンからなるチップ３にアライメントマークを形成することができる。
【００２８】
ベース基板２に対するチップ３の貼り合わせには、例えば、接着剤が用いられる。この場合、接着剤としては、公知の様々なものが適用可能である。なお、接着剤として、水溶性接着剤（アクリル系接着剤など）を用いる場合、不具合が生じたチップ３の接着剤を水で溶かすことで、そのチップ３をベース基板２から容易に取り外すことができる。また、接着剤として、一面にＵＶ剥離接着剤（例えばウレタンアクレート系オリゴマー含有剤）が塗布され、その裏面にＵＶ非剥離接着剤（例えばアクリル系共重合体剤）が塗布された接着テープを用いる場合、不具合が生じたチップ３の接着テープにＵＶ照射することにより、そのチップ３をベース基板２から容易に取り外すことができる。また、接着剤として、熱可塑性の接着剤を用いる場合、不具合が生じたチップ３の接着剤を加熱する（例えばレーザ照射する）ことにより、そのチップ３をベース基板２から容易に取り外すことができる。
【００２９】
なお、図１に示す符号２１は、このマスク１の支持ベースである定盤に保持するために用いられるプラグが挿入されるプラグ孔である。このプラグ孔２１は、ベース基板２における開口部２０同士の間の領域あるいは開口部２０の周辺領域（非開口部）に、互いに離間して複数設けられている。
【００３０】
（マスクの保持構造）
次に、本発明のマスク保持構造の一例について説明する。
図２及び図３に示すように、マスク１は、定盤４の下面に被蒸着基板５を間に挟んで密着保持される。すなわち、定盤４の下面に被蒸着面を下に向けて被蒸着基板５が配され、被蒸着基板５の下面（被蒸着面）にチップ３の配設面を上に向けてマスク１が配されている。そして、定盤４に磁石７が配設されるとともに、その磁石７に磁気吸引されるプラグ８がマスク１に配設されており、磁石７とプラグ８との間の磁気吸引力により定盤４に対して被蒸着基板５及びマスク１が保持されている。
【００３１】
具体的には、マスク１は、前述したように、開口部２０を有するベース基板２と、ベース基板２の開口部２０に位置決めされる開口パターン３０を有するチップ３とを含み、ベース基板２には、プラグ８が挿入されるプラグ孔２１が複数の箇所に形成されている。
【００３２】
定盤４には、プラグ孔２１に対向する位置に磁石７を配置するための磁石孔４１が複数の箇所に形成されている。なお、定盤４の少なくとも下面（被蒸着基板５の配置面）は、高い面精度（例えば、平坦度１０μｍ〜１００μｍ）を有している。
【００３３】
図３に示すように、磁石７は、円柱形状からなる。磁石７の一方の端面には、係止体９が接合されている。磁石７と係止体９との接合には例えば接着剤が用いられる。係止体９は、磁石７と同じ径の円柱部９１と、円柱部９１よりも大径の係合部９２とを有しており、円柱部９１の端面に磁石７が接合されている。
【００３４】
定盤４に形成された磁石孔４１に、磁石７及び係止体９の円柱部９１が上側から挿入されるとともに、係止体９における係合部９２の端面が定盤４の上面に当接されることにより、定盤４に対して磁石７が位置決めされる。この位置決めにより、定盤４の下面に対して磁石７の下面がほぼ同一面上もしくはわずかに内側に配される。なお、係止体９の係合部９２の周面を把持することにより、定盤４の磁石孔４１に対する磁石７の挿脱を、容易に行うことができる。
【００３５】
磁石７としては、公知の様々なものが適用可能であり、強磁場を形成可能なものが好ましく用いられる。強磁場を形成可能な磁石としては、サマリウムコバルト磁石、ネオジウム磁石などの希土類磁石があげられる。このうち、ネオジウム磁石は、機械的な強度が大きく、欠けにくいことから、発塵抑制に効果的である。強磁場を形成可能な磁石を用いることにより、磁石７及びプラグ８の小サイズ化が図られる。
【００３６】
図３に示すように、プラグ８は、凸形状からなり、ベース基板２の下面に当接される当接面８１が形成された基部８２と、基部８２の当接面８１から突出して形成されかつベース基板２に挿入される突起部８３とを有する。突起部８３は円柱形状からなる。突起部８３の径（例えば直径３ｍｍ）は、磁石７の径（例えば直径１０ｍｍ）に比べて小さい。
【００３７】
また、プラグ８の基部８２も円柱形状からなる。基部８２の径（例えば直径５〜７ｍｍ）は、突起部８３の径に比べて大きく、磁石７の径に比べて小さい。プラグ８の形状は、磁石７の磁束線がプラグ８に導かれやすくなるように、さらにプラグ８の基部８２が蒸着の影とならないように定められている。
【００３８】
ベース基板２（マスク１）に形成されたプラグ孔２１にプラグ８の突起部８３が下側から挿入されることにより、磁石７の端面とプラグ８の端面とが近接する。磁石７の磁場内にプラグ８が配されることにより、磁石７とプラグ８との間に磁気吸引力が生じる。そして、その磁気吸引力がプラグ８の当接面８１を介してベース基板２に作用し、ベース基板２（マスク１）が定盤４の下面に向けて上向きに押接される。
【００３９】
プラグ８の形成材料としては、磁石７に磁気吸引される材質であればよく、Ｃｒ、Ｎｉメッキ等で防錆処理した炭素鋼など、公知の様々なものが適用可能である。プラグ８の形成材料として、パーマロイや珪素鋼板等の、保磁力が小さい軟磁性材料を用いることにより、磁性を有する異物がプラグ８に付着することが防止される。これは、プラグ８の汚れや、異物の衝突によるマスク１の破損を防止する上で効果的である。また、ＳＵＳ４１０、ＳＵＳ４０４Ｃ等の、マルテンサイト系の材料を用いることにより、プラグ８の腐食が効果的に防止される。
【００４０】
このように、本例のマスク保持構造では、プラグ８がベース基板２における複数の箇所に配され、それに応じて磁石７も定盤４における複数の箇所に配されていることから、磁石７とプラグ８との間の磁気吸引力がマスク１における複数の箇所で生じ、その結果、定盤４の下面に被蒸着基板５を挟んでマスク１が保持される。
【００４１】
すなわち、このマスク保持構造では、磁石７とプラグ８との間の磁気吸引力がマスク１における複数の箇所で生じるから、個々の箇所での磁気吸引力が比較的小さくても、マスク１の中央部及び周辺部を含むマスク１の全体が定盤４に押圧されて定盤４に近接され、その結果、マスク１の反りや撓みが防止される。そして、このマスク保持構造では、被蒸着基板５がサイズに応じて、磁石７とプラグ８の配設箇所を増減させればよく、大型の被蒸着基板５に対して好ましく適用される。
【００４２】
さらに、本例のマスク保持構造では、磁石７に磁気吸引されるプラグ８の形状が、磁石７に対向する突起部８３を有する凸形状からなることにより、磁石７からの磁束がプラグ８に導かれやすく、磁石７とプラグ８との間の磁気吸引力の向上が図られている。
【００４３】
図４は、プラグの形状に基づく磁束線の変化を比較説明するための図である。
図４に示すように、突起部を有しない円柱状のプラグでは、プラグを通る磁束が少なく、大半の磁束がプラグと無関係に磁石に対してループを描いている。プラグを通る磁束を増やそうとすると、プラグの全体を大きくする必要がある。プラグの全体を大きくすると、それに応じてプラグが挿入されるマスク（ベース基板）のプラグ孔を大きくする必要があり、これは、マスクにおけるパターンレイアウトや、マスク強度の観点から不利である。
【００４４】
これに比べて、本例のプラグでは、凸形状であることから、磁石から離れるに従って磁束間隔が広がるのと同様に、磁石から離れるに従ってプラグも大きくなっており、磁石からの磁束がプラグに導かれやすく、比較的多くの磁束がプラグを通る。そのため、本例の凸型のプラグでは、質量が同じ円柱型のプラグに比べて、磁石とプラグとの間の磁気吸引力が大幅に向上する。
【００４５】
図５は、プラグの形状に基づく磁気吸引力を解析した結果を示すグラフ図である。
図５において、（ａ）、（ｂ）は凸型のプラグであり、（ｃ）は円柱型のプラグである。また、（ａ）に比べて（ｂ）は、突起部の形状は同じであるものの、基部が大きい。図５に示すように、凸型のプラグ（ａ、ｂ）では、円柱型のプラグ（ｃ）に比べて、磁気吸引力が明らかに大きいことがわかる。なお、上記各形状のプラグについて、磁気吸引力を実測したところ、解析結果と同様の結果が得られた。
【００４６】
図６は、定盤４に対してマスク１をセットする様子を説明するための図である。
図６に示すように、まず、定盤４に被蒸着基板５が吸着保持される。この吸着保持は、真空吸着あるいは静電吸着により行われる。この際、被蒸着基板５に形成されたアライメントマークが、定盤４に形成された観察孔４２の中心に位置するように、定盤４に対して被蒸着基板５が位置決めされる。その後、定盤４に形成された磁石孔４１に上側から磁石７を挿入する。この磁石７の挿入時、必要に応じて、磁石７と接合された係止体９の周面が把持される。
【００４７】
次に、マスク１を一時的に保持するためのマスク搭載板６上に、マスク１を搭載する。マスク搭載板６は、マスク１を真空あるいは静電気により吸着保持する。また、このマスク１の搭載に先立って、マスク搭載板６に形成されたプラグ溝孔６１にプラグ８が配置される。このとき、プラグ８は突起部を上向きにしてかつマスク搭載板６の上面から突起部が突出した状態に配される。そして、マスク１の搭載の際、ベース基板２に形成されたプラグ孔２１にプラグ８の突起部が挿入されるように、マスク搭載板６に対してマスク１が位置決めされる。
【００４８】
次に、定盤４とマスク搭載板６とを互いに徐々に近づける。このとき、被蒸着基板５に形成されたアライメントマークと、マスク１（ベース基板２）に形成されたアライメントマークとを、ＣＣＤカメラ等の観察系４５，４６で観察しながら、両アライメントマークが一致するように、被蒸着基板５に対してマスク１を位置決めする。そして、被蒸着基板５とマスク１とが近接あるいは密着すると、磁石７とプラグ８との間に磁気吸引力が働く。
【００４９】
なお、この被蒸着基板５に対するマスク１の位置決めの際に、磁石７の中心とプラグ８の中心とがわずかにずれていても、磁石７に比べてプラグ８の突起部の径が小さい構成であることから、その位置で磁石７とプラグ８との間に磁気吸引力が働く。つまり、アライメントマークで位置決めした状態が磁気の影響でずれることが回避される。
【００５０】
次に、被蒸着基板５とマスク１とが密着した後に、マスク１に対するマスク搭載板６の吸着力を解除し、マスク１からマスク搭載板６を相対的に引き離す。マスク１は、磁石７とプラグ８との間の磁気吸引力により、定盤４の下面に被蒸着基板５を間に挟んで保持されている。そして、必要に応じて、被蒸着基板５に対する定盤４の吸着力を解除する。
【００５１】
その後、定盤４、被蒸着基板５、及びマスク１の一体物を、蒸着用の不図示のチャンバー内に搬入する。チャンバー内での蒸着は、被蒸着基板５の下方に蒸着ソースを配置するとともに、そのソースからの粒子を上方に向かって放出させることにより行われる。ソースからの粒子は、マスク１の開口パターンを通過して被蒸着基板５に入射する。その結果、マスク１の開口パターンに応じた成膜パターンが被蒸着基板５に形成される。
【００５２】
図７は、図１のマスク１で成膜されるパターンを示している。
図７に示すように、マスク１の開口パターン３０を通過した蒸着ソースからの粒子により、被蒸着基板５の一面に開口パターン３０とほぼ同一形状の成膜パターン１１が形成される。マスク１によって形成される成膜パターン１１は、複数の線状パターンが、その線状パターンの短手方向（Ｙ方向）に等間隔で並んだ複数の列（線状パターン列）を含む。そして、それらの複数の線状パターン列は、線状パターンの長手方向（Ｘ方向）に、一定間隔で互いに離間して配されている。
【００５３】
本例では、１つの被蒸着基板５に対して同じマスク１を用いて少なくとも２回の蒸着を行う。すなわち、被蒸着基板５に対して１回目の成膜パターン１１の蒸着後、被蒸着基板５に対するマスク１の相対位置をずらし、その被蒸着基板５に対して２回目の成膜パターン１１の蒸着を行う。この際、１回目に形成された成膜パターン１１における複数の線状パターン列同士の間の領域に、２回目の成膜パターン１１を形成する。これにより、被蒸着基板５の全面に成膜パターン１１が形成される。なお、後述するように、有機ＥＬパネルの製造においては、上記の２回の成膜を、Ｒ、Ｇ、Ｂのそれぞれに対して行う。
【００５４】
先の図２に示した本例のマスク保持構造では、プラグ８形状の最適化や、強磁場を形成可能な磁石７の使用により、マスク１に配設されるプラグ８の小型化が図られるから、マスク１における非開口部の領域は狭くてよい。すなわち、本例のマスク保持構造では、磁気吸引力を利用するためのプラグ８をマスク１に配設するものの、それに伴うマスク１の開口率の減少が抑制あるは回避される。そのため、本例のマスク保持構造では、高効率なパターンレイアウトの使用が可能である。
【００５５】
なお、本例のマスク保持構造では、被蒸着基板５側の定盤４に磁石７を配設し、マスク１にプラグ８を配設しているが、これは、マスク１に磁石を配設すると、その磁石に磁気吸引された物体によってマスク１が破損するおそれがあるからである。
【００５６】
また、マスク１の説明において、ベース基板２からチップ３を剥離可能として新たなチップを接合する方法について説明したが、例えば、ベース基板２に接合しているチップ３の角部を破断あるいは切断等により分離して取り外し可能とし、残留した破片が干渉しない形状の新たなチップをベース基板２に接合することにより、チップの交換を行うようにしても良い。
【００５７】
また、本発明のマスク保持構造を蒸着法に用いる場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、本発明のマスク保持構造は、スパッター法又はＣＶＤ法などの他の成膜方法にも適用可能である。
【００５８】
また、マスク１、磁石７、プラグ８などの各構成要素の形状かその数については適宜変更可能であり、上記の説明に限定されない。
【００５９】
図８（Ａ）〜（Ｄ）は、プラグ８の変形例を示す図である。
図８（Ａ）のプラグ８は、図３の例に比べて、基部８２の径が、軸方向外方に向かって大きくなっている。図８（Ａ）の基部８２の形状は、例えば、磁石からの磁束がより基部８２の内部により導かれるように定められたものである。
【００６０】
図８（Ｂ）のプラグ８は、基部８２の平面形状が、長円（楕円あるいは長方形でもよい）に形成されている。少なくとも可能な方向に基部８２を拡大することにより、磁石からの磁束をプラグ８内に多く通すことが可能となる。
【００６１】
図８（Ｃ）のプラグ８は、１つの基部８２に対して複数（３つ）の突起部８３が形成されており、また基部８２の平面形状が、長方形（長円あるいは楕円でもよい）に形成されている。この構成により、磁石からの多くの磁束がプラグ８を通り、磁石とプラグ８との間の磁気吸引力の向上が図られる。
【００６２】
図８（Ｄ）のプラグ８は、突起部８３の平面形状が長円（あるいは長方形でよい）に形成され、また基部８２の平面形状が、長方形（長円あるいは楕円でもよい）に形成されている。この構成によっても、磁石からの多くの磁束がプラグ８を通り、磁石とプラグ８との間の磁気吸引力の向上が図られる。
【００６３】
（電気光学装置の製造方法）
次に、本発明の電気光学装置の製造方法の一例として、有機ＥＬ装置の製造方法につちえ説明する。
図９は、本発明の電気光学装置の製造方法の一例を示す模式断面図である。
【００６４】
本例では、マスク１を使用して被蒸着基板５に発光材料を成膜する。発光材料は、例えば有機材料であり、低分子の有機材料としてアルミキノリノール錯体（Ａｌｑ3）があり、高分子の有機材料としてポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）がある。発光材料の成膜は、蒸着によって行うことができる。基板５は、複数の有機ＥＬ装置（有機ＥＬ素子）を形成するためのもので、ガラス基板等の透明基板である。基板５には、図９（Ａ）に示すように、電極（例えばＩＴＯ等からなる透明電極）５０１および正孔輸送層５０２が形成されている。なお、電子輸送層を形成してもよい。
【００６５】
まず、図９（Ａ）に示すように、マスク１を介して赤色の発光材料を成膜し、赤色発光層５０３を形成する。続いて、図９（Ｂ）に示すように、マスク１をずらして、緑色の発光材料を成膜し、緑色発光層５０４を形成する。さらに続いて、図９（Ｃ）に示すように、マスク１を再びずらして、青色の発光材料を成膜し、青色発光層５０５を形成する。
【００６６】
ここで、図１に示したマスク１では、ベース基板２に複数の開口部２０が形成され、それぞれの開口部２０にチップ３が配設されている。こうしたマスク１を用いることにより、大画面に対応した有機ＥＬ装置を高精度に製造することができる。
【００６７】
また、上記のように、ベース基板２にチップ３を接着固定したマスク１を用いて有機発光層５０３，５０４，５０５の蒸着を行う場合、真空チャンバー内にて、マスク１と基板５との接触が複数回繰り返される。また、チップ３に付着した有機膜をＯ2プラズマなどで除去する作業等にて物理的にチップ３に物体が接触することもある。このようなことから、チップ３が破損、損傷することがある。一部のチップ３に破損、損傷が生じた場合は、チップ３の交換等によりその補修を行う。ベース基板２に対して複数のチップ３が配設されているマスク１を採用することにより、その不具合（破損、損傷など）が生じた一部のチップ３を新たなものと交換すればよく、製造コストの低減化が図られる。
【００６８】
図１０は、上述した製造方法にて製造された有機ＥＬ装置の概略構成を示す模式断面図である。有機ＥＬ装置は、基板５、電極５０１、正孔輸送層５０２、赤色発光層５０３、緑色発光層５０４、青色発光層５０５などを有する。発光層５０３，５０４，５０５上には、電極５０６が形成されている。電極５０６は、例えば陰極電極である。本例の有機ＥＬ装置は、表示装置（ディスプレイ）として好適であり、発光層５０３，５０４，５０５においてパターンずれが少なく膜厚分布が非常に均一化され、ムラの無い鮮やかな大画面の表示装置となる。
【００６９】
（電子機器）
図１１は、本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図である。
この図に示す携帯電話１３００は、上記の有機ＥＬ装置を小サイズの表示部１３０１として備え、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０４を備えて構成されている。
【００７０】
本発明の電気光学装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々、種々の電子機器に適用することができる。また、本発明の電気光学装置としては、有機ＥＬ装置に限らず、液晶装置、プラズマディスプレイ装置（ＰＤＰ）、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ）等にも好ましく適用される。
【００７１】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明のマスク保持構造に用いられるマスクの一例を示す斜視図。
【図２】本発明のマスク保持構造の一例を示す部分断面図。
【図３】本発明のマスク保持構造の一例を示す部分斜視断面図。
【図４】プラグの形状に基づく磁束線の変化を比較説明するための図。
【図５】プラグの形状に基づく磁気吸引力を解析した結果を示すグラフ図。
【図６】定盤に対してマスクをセットする様子を説明するための図。
【図７】図１のマスクで成膜されるパターンを示す図。
【図８】Ａ）〜（Ｄ）は、プラグの変形例を示す図。
【図９】本発明の電気光学装置の製造方法の一例を示す模式断面図。
【図１０】上述した製造方法にて製造された有機ＥＬ装置の概略構成を示す模式断面図。
【図１１】本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図。
【符号の説明】
【００７３】
１…マスク、２…ベース基板、３…チップ、４…定盤、５…被蒸着基板（被成膜基板）、６…マスク搭載板、７…磁石、８…プラグ、９…係止体、１１…成膜パターン、２０…開口部、２１…プラグ孔、３０…開口パターン、４１…磁石孔、４２…観察孔、４５，４６…観察系、６１…プラグ溝孔、８１…当接面、８２…基部、８３…突起部、９１…円柱部、９２…係合部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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