(57)【要約】【課題】  いわゆる外部磁場耐性が良好で、記録媒体に記録済みの情報が意図せずに消去されることを可能な限り防止することができ、しかもつコイルの発熱や外部温度変化によるＰＴＰ(Pole Tip Protrusion)現象を抑制することができる薄膜磁気ヘッド構造を提供する。【解決手段】  ライトシールド層のエアベアリング面の幅方向の両端部の厚さを厚くする。すなわち、ライトシールド層は、記録媒体に対向する対向面であるエアベアリング面に実質的に存在する幅方向における全長をＷとし、その全長Ｗを３等分した場合、その両端にそれぞれ位置する幅方向１／３Ｗ寸法の範囲内における最大厚さＨ1/3sideが、エアベアリング面から後方に至るまでのライトシールド層全体の全体平均厚さＨmよりも大きく設定されてなる（Ｈ1/3side＞Ｈm）。【選択図】  図９
2006318579.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に対して磁気情報を記録する記録ヘッド部を有する薄膜磁気ヘッドであって、
前記記録ヘッド部は、
磁束を発生させる薄膜コイルと、
媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在し、前記薄膜コイルにおいて発生した磁束に基づいて前記記録媒体をその表面と直交する方向に磁化させるための磁界を発生させる磁極層と、
その磁極層の前記媒体進行方向側に配設され、前記記録媒体対向面から後方に向かって延在することにより、その記録媒体対向面に近い側においてギャップ層により前記磁極層から隔てられるとともに、遠い側においてバックギャップを通じて前記磁性層に連結されたライトシールド層と、を有し、
前記ライトシールド層は、記録媒体に対向する対向面であるエアベアリング面に実質的に存在する幅方向における全長をＷとし、その全長Ｗを３等分した場合、その両端にそれぞれ位置する幅方向１／３Ｗ寸法の範囲内における最大厚さＨ1/3sideが、エアベアリング面から後方に至るまでのライトシールド層全体の全体平均厚さＨmよりも大きく設定されてなること（Ｈ1/3side＞Ｈm）を特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記磁極層は、媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在し、前記薄膜コイルにおいて発生した磁束に基づいて前記記録媒体をその表面と直交する方向に磁化させるための磁界を発生させる主磁極層と、前記進行方向側において前記記録媒体対向面よりも後退した第１の位置から後方に向かって延在する補助磁極層が積層された積層構造を有してなる請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記ライトシールド層は、前記ギャップ層に隣接しながら前記記録媒体対向面から前記第１の位置よりも前方の第２の位置まで延在する第１の磁気遮蔽部分と、当該第１の磁気遮蔽部分に部分的に乗り上げながら前記記録媒体対向面から少なくともその前記バックギャップまで延在する第２の磁気遮蔽層部分とを、含んでなる請求項１または請求項２に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
記録媒体に対して記録された磁気情報を再生する再生ヘッド部を有する薄膜磁気ヘッドであって、
前記再生ヘッド部は、
磁気抵抗効果素子と、この素子を周辺から磁気的に遮蔽するために上下に配置された、上部リードシールド層および下部リードシールド層を有し、
前記上部リードシールド層および下部リードシールド層は、媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在し、
前記上部リードシールド層は、記録媒体に対向する対向面であるエアベアリング面に実質的に存在する幅方向における全長をＷupとし、その全長Ｗupを３等分した場合、その両端にそれぞれ位置する幅方向１／３Ｗup寸法の範囲内における平均厚さＨup1/3sideが、エアベアリング面から後方に至るまでの上部リードシールド層全体の全体平均厚さＨupmよりも大きく設定されてなること（Ｈup1/3side＞Ｈupm）を特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
記録媒体に対して記録された磁気情報を再生する再生ヘッド部を有する薄膜磁気ヘッドであって、
前記再生ヘッド部は、
磁気抵抗効果素子と、この素子を周辺から磁気的に遮蔽するために上下に配置された、上部リードシールド層および下部リードシールド層を有し、
前記上部リードシールド層および下部リードシールド層は、媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在し、
前記下部リードシールド層は、記録媒体に対向する対向面であるエアベアリング面に実質的に存在する幅方向における全長をＷdnとし、その全長Ｗdnを３等分した場合、その両端にそれぞれ位置する幅方向１／３Ｗdn寸法の範囲内における平均厚さＨdn1/3sideが、エアベアリング面から後方に至るまでの下部リードシールド層全体の全体平均厚さＨdnmよりも大きく設定されてなること（Ｈdn1/3side＞Ｈdnm）を特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
記録媒体に対して記録された磁気情報を再生する再生ヘッド部を有する薄膜磁気ヘッドであって、
前記再生ヘッド部は、
磁気抵抗効果素子と、この素子を周辺から磁気的に遮蔽するために上下に配置された、上部リードシールド層および下部リードシールド層を有し、
前記上部リードシールド層および下部リードシールド層は、媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在し、
前記上部リードシールド層は、記録媒体に対向する対向面であるエアベアリング面に実質的に存在する幅方向における全長をＷupとし、その全長Ｗupを３等分した場合、その両端にそれぞれ位置する幅方向１／３Ｗup寸法の範囲内における平均厚さＨup1/3sideが、エアベアリング面から後方に至るまでの上部リードシールド層全体の全体平均厚さＨupmよりも大きく設定されており（Ｈup1/3side＞Ｈupm）、
前記下部リードシールド層は、記録媒体に対向する対向面であるエアベアリング面に実質的に存在する幅方向における全長をＷdnとし、その全長Ｗdnを３等分した場合、その両端にそれぞれ位置する幅方向１／３Ｗdn寸法の範囲内における平均厚さＨdn1/3sideが、エアベアリング面から後方に至るまでの下部リードシールド層全体の全体平均厚さＨdnmよりも大きく設定されてなること（Ｈdn1/3side＞Ｈdnm）を特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
該方法は、
ライトシールド層のエアベアリング面近傍の両端部を持ち上げるように、予め底上げ層を形成してなることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項８】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
該方法は、
磁束を発生させる薄膜コイルを形成する際に、後に形成されるライトシールド層のエアベアリング面近傍の両端部を持ち上げることが可能なように、予め、底上げ層片を薄膜コイルと同じ材料でスポット的に形成しておき、しかる後、絶縁膜を形成し、その絶縁膜の上にライトシールド層を形成してなることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項９】
前記底上げ層片の上に、前記絶縁膜および前記ライトシールド層が順次形成されてなる請求項７に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
前記底上げ層片の上に、直接、前記ライトシールド層が形成されてなる請求項８に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
該方法は、
磁束を発生させる薄膜コイルを形成した後、当該薄膜コイルを覆うように絶縁膜を形成する際に、後に形成されるライトシールド層のエアベアリング面近傍の両端部を持ち上げることが可能なように、予め、底上げ層として機能する絶縁膜片を絶縁膜と同じ材料でスポット的に形成しておき、しかる後、この絶縁膜の上にライトシールド層を形成してなることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１２】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
該方法は、
磁束を発生させる薄膜コイルを形成した後、当該薄膜コイルを覆うように絶縁膜を形成する際に、後に形成されるライトシールド層のエアベアリング面近傍の両端部を持ち上げることが可能なように、絶縁膜の形態および配置を定め、しかる後、この絶縁膜の上にライトシールド層を形成してなることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１３】
ライトシールド層を形成した後に、そのライトシールド層の上部の平坦化処理を行なう請求項１１に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１４】
請求項１ないし請求項６のいずれかに記載された薄膜磁気ヘッドを含み、記録媒体に対向するように配置されるスライダと、
前記スライダを弾性的に支持するサスペンションと、
を備えてなることを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項１５】
請求項１ないし請求項６のいずれかに記載された薄膜磁気ヘッドを含み、回転駆動される円盤状の記録媒体に対向するように配置されるスライダと、
前記スライダを支持するとともに前記記録媒体に対して位置決めする位置決め装置と、
を備えてなることを特徴とするハードディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主として、記録用の誘導型磁気変換素子を備えた薄膜磁気ヘッドや磁気記録媒体等の磁界強度を信号として読み取るための磁気抵抗効果素子を備えた薄膜磁気ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、例えばハードディスクなどの磁気記録媒体（以下、単に「記録媒体」という）の面記録密度の向上に伴い、例えば、ハードディスクドライブなどの磁気記録装置に搭載さされる薄膜磁気ヘッドの性能の向上が求められている。
【０００３】
このような薄膜磁気ヘッドの記録方式として、例えば、信号磁界の向きを記録媒体の面内方向（長手方向）に設定する長手記録方式や、信号磁界の向きを磁気媒体の面と直交する方向に設定する垂直記録方式が知られている。
【０００４】
現在のところは長手記録方式が広く利用されているものの、記録媒体の面記録密度の向上に伴う市場動向を察すれば、今後は長手記録方式に代わり、垂直記録方式が有望視されるものと想定される。垂直記録方式では、高い記録密度を確保することが可能な上に、加えて、記録済みの記録媒体が熱揺らぎの影響を受けにくいという利点がある。
【０００５】
垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドは、例えば、記録用の磁束を発生させる薄膜コイルと、エアベアリング面から後方に向かって延在し、薄膜コイルにおいて発生した記録用の磁束に基づいて記録媒体を磁化させるための磁界（垂直磁界）を発生させる主磁極層とを備えて構成されている。このような垂直記録方式の薄膜ヘッドでは、主磁極層において発生した垂直磁界に基づいて記録媒体が磁化されるため、その記録媒体に情報が磁気的に記録される。
【０００６】
このような垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドとしては、例えば、エアベアリング面に対して直交する方向に延在するように配設された主磁極層を備えた薄膜磁気ヘッドが知られている。このようなタイプの垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドは、一般に、「単磁極型の薄膜磁気ヘッド」と呼ばれている。
【０００７】
この単磁極型の薄膜磁気ヘッドの具体的な構造としては、例えば、垂直磁界の強度を増加させることによりオーバーライト特性を向上させるために、主磁極層に対して補助的な磁束収容用の補助磁極層を連結させた構造が知られている（特許文献１、２、３、４等）。しかしながら、単磁極型の薄膜磁気ヘッドでは、上記したようにオーバーライト特性を向上させるという観点からみれば限界があると言われている。
【０００８】
そこで、最近の垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドとしては、例えば、記録トラック幅が拡大することを抑制することにより記録媒体の記録密度を高めるために、上述ごとくエアベアリング面に対して直交する方向に延在する主磁極層とともに、その主磁極層から放出された磁束の広がりを抑制させるライトシールド層を併せて備えた薄膜磁気ヘッドが提案されている。
【０００９】
このようなタイプの垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドは、一般に、「シールド型の薄膜磁気ヘッド」と呼ばれている。ライトシールド層は、主磁極から０．２μｍ以下のギャップ(gap)を隔てて設けられ、エアベアリング面から後方に向かって延在することにより、そのエアベアリング面に近い側において、ギャップ層により主磁極層から隔てられているとともにエアベアリング面から遠い側においてバックギャップを通じて主磁極層に連結されている。
【００１０】
このようなライトシールド層を備えたシールド型の薄膜磁気ヘッドでは、主磁極層から放出された磁束の広がりが抑制されることに基づいて垂直磁界の勾配が急峻化するため、記録媒体の記録密度が向上する。
【００１１】
【特許文献１】特開平０２−０６６７１０号公報
【特許文献２】特開２００２−１９７６１５号公報
【特許文献３】特開２００１−２５０２０４号公報
【特許文献４】欧州特許出願公開第０３６０９７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
ところで、垂直磁気記録方式の薄膜磁気ヘッドの信頼性を高めるためには、いわゆるシールドを備える薄膜磁気ヘッド（シールド型の薄膜磁気ヘッド）や補助磁極を備える薄膜磁気ヘッドを区別することなく、いずれのタイプの薄膜磁気ヘッドにおいても磁気動作特性を安定に確保する必要がある。しかしながら、従来の薄膜磁気ヘッドでは、例えば、ボイスコイルモータなどの外部磁場発生源から不要な磁場（浮遊外部磁場）が生じると、その浮遊外部磁場の影響によっては非記録時、すなわち、薄膜コイルに記録用の電流が供給されていない状態において、意図しない書き込み（上書き）が行われ、記録媒体に記録されていた情報が意図せずに消去されるおそれがあるという問題があった。垂直磁気記録方式の薄膜磁気ヘッドの磁気動作特性を安定に確保するためには、上記の非記録時の意図しない情報の消去を可能な限り抑制する技術の確立が早急に望まれる。
【００１３】
また、さらに、従来のシールド型の薄膜磁気ヘッドでは、シールド部材そのものが大きな磁性体となっているがために、コイルの発熱や外部温度変化によるＰＴＰ(Pole Tip Protrusion)現象、すなわちＡＢＳ面におけるPole近傍が突出する現象が生じたりする。シールド部材そのものを薄くして膜厚を減らすことがＰＴＰ対策としては有効であるが、膜厚を薄くすることにより、こんどは逆に上記の外部磁場耐性が劣化する傾向が生じてしまい、両者はトレードオフの関係にあるといえる。
【００１４】
本発明はこのような実状のものに創案されたものであって、その目的は、いわゆる外部磁場耐性が良好で、記録媒体に記録済みの情報が意図せずに消去されることを可能な限り防止することができ、しかもつコイルの発熱や外部温度変化によるＰＴＰ(Pole Tip Protrusion)現象を抑制することができる薄膜磁気ヘッド構造を提供することにある。
【００１５】
なお、読み取り専用の磁気抵抗効果素子に対する磁気シールド作用を発現させるために素子の上下に挟持するように配置された上部および下部の磁気シールド層についても、上記書き込み専用の薄膜磁気ヘッドと同様な問題が起こる場合があり、同様な対処が要望されている。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
このような課題を解決するために、本発明の薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対して磁気情報を記録する記録ヘッド部を有する薄膜磁気ヘッドであって、前記記録ヘッド部は、磁束を発生させる薄膜コイルと、媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在し、前記薄膜コイルにおいて発生した磁束に基づいて前記記録媒体をその表面と直交する方向に磁化させるための磁界を発生させる磁極層と、その磁極層の前記媒体進行方向側に配設され、前記記録媒体対向面から後方に向かって延在することにより、その記録媒体対向面に近い側においてギャップ層により前記磁極層から隔てられるとともに、遠い側においてバックギャップを通じて前記磁性層に連結されたライトシールド層と、を有し、前記ライトシールド層は、記録媒体に対向する対向面であるエアベアリング面に実質的に存在する幅方向における全長をＷとし、その全長Ｗを３等分した場合、その両端にそれぞれ位置する幅方向１／３Ｗ寸法の範囲内における最大厚さＨ1/3sideが、エアベアリング面から後方に至るまでのライトシールド層全体の全体平均厚さＨmよりも大きく設定されてなるように（Ｈ1/3side＞Ｈm）構成される。
【００１７】
また、本発明における好ましい態様として、前記磁極層は、媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在し、前記薄膜コイルにおいて発生した磁束に基づいて前記記録媒体をその表面と直交する方向に磁化させるための磁界を発生させる主磁極層と、前記進行方向側において前記記録媒体対向面よりも後退した第１の位置から後方に向かって延在する補助磁極層が積層された積層構造を有してなるように構成される。
【００１８】
また、本発明における好ましい態様として、前記ライトシールド層は、前記ギャップ層に隣接しながら前記記録媒体対向面から前記第１の位置よりも前方の第２の位置まで延在する第１の磁気遮蔽部分と、当該第１の磁気遮蔽部分に部分的に乗り上げながら前記記録媒体対向面から少なくともその前記バックギャップまで延在する第２の磁気遮蔽層部分とを、含んでなるように構成される。
【００１９】
また、本発明は、記録媒体に対して記録された磁気情報を再生する再生ヘッド部を有する薄膜磁気ヘッドであって、前記再生ヘッド部は、磁気抵抗効果素子と、この素子を周辺から磁気的に遮蔽するために上下に配置された、上部リードシールド層および下部リードシールド層を有し、前記上部リードシールド層および下部リードシールド層は、媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在し、前記上部リードシールド層は、記録媒体に対向する対向面であるエアベアリング面に実質的に存在する幅方向における全長をＷupとし、その全長Ｗupを３等分した場合、その両端にそれぞれ位置する幅方向１／３Ｗup寸法の範囲内における平均厚さＨup1/3sideが、エアベアリング面から後方に至るまでの上部リードシールド層全体の全体平均厚さＨupmよりも大きく設定されてなるように（Ｈup1/3side＞Ｈupm）構成される。
【００２０】
また、本発明は、記録媒体に対して記録された磁気情報を再生する再生ヘッド部を有する薄膜磁気ヘッドであって、前記再生ヘッド部は、磁気抵抗効果素子と、この素子を周辺から磁気的に遮蔽するために上下に配置された、上部リードシールド層および下部リードシールド層を有し、前記上部リードシールド層および下部リードシールド層は、媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在し、前記下部リードシールド層は、記録媒体に対向する対向面であるエアベアリング面に実質的に存在する幅方向における全長をＷdnとし、その全長Ｗdnを３等分した場合、その両端にそれぞれ位置する幅方向１／３Ｗdn寸法の範囲内における平均厚さＨdn1/3sideが、エアベアリング面から後方に至るまでの下部リードシールド層全体の全体平均厚さＨdnmよりも大きく設定されてなるように（Ｈdn1/3side＞Ｈdnm）構成される。
【００２１】
また、本発明は、記録媒体に対して記録された磁気情報を再生する再生ヘッド部を有する薄膜磁気ヘッドであって、前記再生ヘッド部は、磁気抵抗効果素子と、この素子を周辺から磁気的に遮蔽するために上下に配置された、上部リードシールド層および下部リードシールド層を有し、前記上部リードシールド層および下部リードシールド層は、媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在し、前記上部リードシールド層は、記録媒体に対向する対向面であるエアベアリング面に実質的に存在する幅方向における全長をＷupとし、その全長Ｗupを３等分した場合、その両端にそれぞれ位置する幅方向１／３Ｗup寸法の範囲内における平均厚さＨup1/3sideが、エアベアリング面から後方に至るまでの上部リードシールド層全体の全体平均厚さＨupmよりも大きく設定されており（Ｈup1/3side＞Ｈupm）、前記下部リードシールド層は、記録媒体に対向する対向面であるエアベアリング面に実質的に存在する幅方向における全長をＷdnとし、その全長Ｗdnを３等分した場合、その両端にそれぞれ位置する幅方向１／３Ｗdn寸法の範囲内における平均厚さＨdn1/3sideが、エアベアリング面から後方に至るまでの下部リードシールド層全体の全体平均厚さＨdnmよりも大きく設定されてなるように（Ｈdn1/3side＞Ｈdnm）構成される。
【００２２】
また、本発明は、上記記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、該方法は、ライトシールド層のエアベアリング面近傍の両端部を持ち上げるように、予め底上げ層を形成してなるように構成される。
【００２３】
また、本発明は、上記記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、該方法は、磁束を発生させる薄膜コイルを形成する際に、後に形成されるライトシールド層のエアベアリング面近傍の両端部を持ち上げることが可能なように、予め、底上げ層片を薄膜コイルと同じ材料でスポット的に形成しておき、しかる後、絶縁膜を形成し、その絶縁膜の上にライトシールド層を形成してなるように構成される。
【００２４】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の好ましい態様として、前記底上げ層片の上に、前記絶縁膜および前記ライトシールド層が順次形成されてなるように構成される。
【００２５】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の好ましい態様として、前記底上げ層片の上に、直接、前記ライトシールド層が形成されてなるように構成される。
【００２６】
また、本発明は、上記記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、該方法は、磁束を発生させる薄膜コイルを形成した後、当該薄膜コイルを覆うように絶縁膜を形成する際に、後に形成されるライトシールド層のエアベアリング面近傍の両端部を持ち上げることが可能なように、予め、底上げ層として機能する絶縁膜片を絶縁膜と同じ材料でスポット的に形成しておき、しかる後、この絶縁膜の上にライトシールド層を形成してなるように構成される。
【００２７】
また、本発明は、上記記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、該方法は、磁束を発生させる薄膜コイルを形成した後、当該薄膜コイルを覆うように絶縁膜を形成する際に、後に形成されるライトシールド層のエアベアリング面近傍の両端部を持ち上げることが可能なように、絶縁膜の形態および配置を定め、しかる後、この絶縁膜の上にライトシールド層を形成してなるように構成される。
【００２８】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の好ましい態様として、ライトシールド層を形成した後に、そのライトシールド層の上部の平坦化処理を行なうように構成される。
【００２９】
また、本発明のヘッドジンバルアセンブリは、上記の薄膜磁気ヘッドを含み、記録媒体に対向するように配置されるスライダと、前記スライダを弾性的に支持するサスペンションと、を備えてなるように構成される。
【００３０】
また、本発明のハードディスク装置は、上記の薄膜磁気ヘッドを含み、回転駆動される円盤状の記録媒体に対向するように配置されるスライダと、前記スライダを支持するとともに前記記録媒体に対して位置決めする位置決め装置と、を備えてなるように構成される。
【発明の効果】
【００３１】
本発明の薄膜磁気ヘッドは、ライトシールド層のエアベアリング面の幅方向の両端部の厚さを厚くして、外部磁場の端部への集中を防止し、外部磁場耐性を向上させている。このような構造を採択することにより、エアベアリング面の近傍以外の他のライトシールド層の厚さを薄くすることができ、外部磁場の影響が受けにくくなり記録媒体に記録済みの情報が意図せずに消去されることを可能な限り防止することができる。さらには、コイルの発熱や外部温度変化によるＰＴＰ(Pole Tip Protrusion)現象を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
〔薄膜磁気ヘッド全体の構成の一例の説明〕 
まず、図１〜図３を参照しつつ、薄膜磁気ヘッド全体の構成の一例を説明する。
【００３３】
図１には薄膜ヘッド全体の断面構成図が示されており、図１（Ａ）はエアベアリング面に平行な断面構成図（ＸーＺ面に沿った断面）であり、図１（Ｂ）は、エアベアリング面に垂直な断面構成図（ＹーＺ面に沿った断面）である。図２は主要部の平面構成図（Ｚ軸方向からみた平面構成図）であり、図３は主要部の露出面を拡大した平面構成図（Ｙ軸方向からみた平面構成図）である。なお、図１に示される上向きの矢印Ｍは、薄膜磁気ヘッドに対して記録媒体（図示していない）が相対的に移動する方向（媒体進行方向）を示している。
【００３４】
以下の説明において、図１〜図３に示されるＸ軸方向の寸法を「幅」、Ｙ軸方向の寸法を「長さ」、Ｚ軸方向の寸法を「厚さ」とそれぞれ表記する。また、Ｙ軸方向のうちのエアベアリング面に近い側を「前方」、その反対側（奥域側）を「後方」と表記する。
【００３５】
薄膜磁気ヘッドは、媒体進行方向Ｍに移動する例えばハードディスクなどの記録媒体に磁気的な処理を施すために、例えばハードディスクドライブなどの磁気記録装置に搭載されて使用される。
【００３６】
例えば、図面に例示されている薄膜磁気ヘッドは、磁気的処理として記録処理および再生処理の双方を実行可能ないわゆる複合型ヘッドであり、その構造は、図１に示されるように、例えばアルティック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）などのセラミック材料より構成された基板１の上に、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3；以下単に「アルミナ」と称す）などの非磁性絶縁材料により構成された絶縁層２と、磁気抵抗（ＭＲ:Magneto-Resistive）効果を利用して記録された磁気情報の再生処理を行う再生ヘッド部１００Ａと、例えばアルミナなどの非磁性絶縁材料により構成された分離層９と、垂直記録方式の記録処理を実行するシールド型の記録ヘッド部１００Ｂと、例えばアルミナなどの非磁性絶縁材料により構成されたオーバーコート層２４とが、この順に積層された構成を有している。
【００３７】
再生ヘッド部１００Ａは、例えば、下部リードシールド層３と、シールドギャップ膜４と、上部リードシールド層３０とがこの順に積層された積層構造を有している。シールドギャップ膜４には、記録媒体に対向する記録媒体対向面（エアベアリング面）７０に一端面が露出するように、再生素子としての磁気抵抗効果素子（ＭＲ素）８が埋設されている。
【００３８】
下部リードシールド層３および上部リードシールド層３０は、いずれもＭＲ素子を周辺から磁気的に分離するものであり、エアベアリング面７０から後方に向かって延在するように形成されている。下部リードシールド層３は、例えば、ニッケル鉄合金であるパーマロイ（Ｎｉ（８０ｗｔ％）Ｆｅ（２０ｗｔ％））などの軟磁性材料から構成されている。その厚さは、１．０〜２．０μｍ程度とされる。
【００３９】
上部リードシールド層３０は、本実施形態の場合、２つの上部リードシールド部分５，７により、非磁性層６が挟まれた構造を有している。すなわち、シールドギャップ膜４に近い側から順に、上部リードシールド部分５と、非磁性層６と、上部リードシールド部分７とが順次積層された構造を有している。
【００４０】
上部リードシールド部分５は例えばパーマロイなどの磁性材料により構成されており、その厚さは例えば１．５μｍ程度とされる。上部リードシールド部分７も同様に例えばパーマロイなどの磁性材料により構成されており、その厚さは例えば１．１μｍ程度とされる。非磁性層６は、例えば、ルテニウム（Ｒｕ）やアルミナなどの非磁性材料により構成されており、その厚さは例えば０．２μｍ程度とされる。なお、上部リードシールド層３０は、本実施形態のように必ずしも積層構造を有している必要はなく、下部リードシールド層３のごとく単層構造であっても勿論よい。
【００４１】
シールドギャップ膜４は、ＭＲ素子８を周辺から電気的に分離するものであり、例えばアルミナなどの非磁性材料により構成されている。
【００４２】
ＭＲ素子は、例えば、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ：Giant Magneto-Resistive）効果などを利用して再生処理を実行するように作用する。
【００４３】
記録ヘッド部１００Ｂは、例えば、絶縁層１１，１２，１３により周辺を埋設された１段目の薄膜コイル１０と、非磁性層１４と、絶縁層１６により部分的に周囲を埋設された磁極層４０と、ギャップ層１７と、磁気連結用の開口部（バックギャップ５０ＢＧ）を構成する絶縁層５０により埋設された２段目の薄膜コイル２２と、ライトシールド層６０とが順次積層された積層構造を有している。
【００４４】
なお、図２においては、主に、記録ヘッド部１００Ｂのうちの主要部（薄膜コイル１０，２２、磁極層４０、ライトシールド層６０）のみを抜粋して示している。
【００４５】
薄膜コイル１０は、主に、薄膜コイル２２において発生した記録用の磁束の漏洩を抑制するために漏洩抑制用の磁束を発生させるものである。この薄膜コイル１０は、例えば。銅などの高導電性材料により構成されており、その厚さは例えば２．０μｍ程度とされる。
特に、薄膜コイル１０は、例えば、図１および図２に示されるように、バックギャップ５０ＢＧを中心として巻回するスパイラル構造を有しており、薄膜コイル１０では、例えば、薄膜コイル２２において電流が流れる方向と逆の方向に電流が流れるように操作される。なお、図１および図２では、薄膜コイル１０の巻回数（ターン数）が５ターンである場合が示されているが、これはあくまで例示であり適宜変更することができる。薄膜コイル１０のターン数は、薄膜コイル２２のターン数と一致しているのが好ましく、例えば２〜７ターンが好適な範囲とされる。
【００４６】
絶縁層１１，１２，１３は、薄膜コイル１０を周囲から電気的に分離するように形成されている。絶縁層１１は、薄膜コイル１０の各巻線間を埋め込むように形成されるとともに、その薄膜コイル１０の周囲を被覆するように形成されている。この絶縁層１１は、例えば、加熱時に流動性を示すフォトレジストやスピンオングラス（ＳＯＧ; Spin On Glass）などの非磁性材料により構成されている。厚さは例えば２．０μｍ程度である。
【００４７】
本実施の形態において、絶縁層１１は、図１に示されるように薄膜コイル１０の側方のみを被覆し、その上方は被覆しないように形成されている。
【００４８】
絶縁層１２は、絶縁層１１の周囲を被覆するように形成されており、この絶縁層１２は、例えば、アルミナなどの非磁性材料により構成される。その厚さは、例えば２．０μｍ程度とされる。
【００４９】
絶縁層１３は、薄膜コイル１０とともに、絶縁層１１，１２をそれぞれ被覆するように配設されている。この絶縁層１３は、例えば、アルミナなどの非磁性材料により構成される。その厚さは、例えば０．２μｍ程度とされる。
【００５０】
非磁性材料１４は、例えば、アルミナなどの非磁性絶縁性材料やルテニウムなどの非磁性導電性材料により形成される。その厚さは、例えば１．０μｍ程度とされる。
【００５１】
磁極層４０は、主として薄膜コイル２２において発生した磁気記録用の磁束を収容し、その磁束を記録媒体に向けて放出することにより記録処理を行うように作用する。より具体的には、垂直記録方式の記録処理として記録用の磁束に基づいて記録媒体をその表面と直交する方向に磁化させるための磁界（垂直磁界）を発生させるものである。
【００５２】
このような磁極層４０は、薄膜コイルのリーディング側に配設されており、エアベアリング面７０から後方に向かって延在し、より具体的にはバックギャップ５０ＢＧまで延在している。この「リーディング側」とは、図１に示される媒体進行方向Ｍに向かって移動する記録媒体の移動状態を１つの流れと見た場合に、その流れの流入する側（媒体進行方向Ｍ側と反対側）をいい、ここでは厚さ方向（Ｚ軸方向）における下流側をいう。これに対して、流れの流出する側（媒体進行方向Ｍ側）は「トレーリング側」と呼ばれ、ここでは厚さ方向における上流側をいう。
【００５３】
本発明の実施形態における磁極層４０は、図１に示されるように、主磁極層１５および補助磁極層１９がこの順に積層されることにより互いに連結された構造を有している。すなわち、リーディング側に主磁極層１５が配設され、トレーリング側に補助磁極層１９が配設された積層構造（２層構造）を有している。
【００５４】
主磁極層１５は、主要な書き込み用の磁束の放出部分として機能するものである。この主磁極層１５は、リーディング側においてエアベアリング面７０から後方に向かって延在し、より具体的にはバックギャップ５０ＢＧまで延在している。その厚さは、例えば０．２５μｍ程度とされる。このような主磁極層１５は、例えば、補助磁極層１９を構成している磁性材料よりも高い飽和磁束密度を有する磁性材料により構成されており、具体的には鉄系合金などにより構成される。使用される鉄系合金としては、例えば、鉄（Ｆｅ）がリッチな鉄ニッケル合金（ＦｅＮｉ）、鉄コバルト合金（ＦｅＣｏ）または鉄コバルトニッケル合金（ＦｅＣｏＮｉ）などが挙げられる。
【００５５】
なお、上記の「連結」とは、単に物理的に接触して連結されているだけでなく、物理的に接触して連結された上で磁気的に導通可能に連結されていることを意味している。
【００５６】
主磁極層１５は、例えば、図２に示されるように全体として羽子板型の平面形状をなして構成されている。すなわち、主磁極層１５は例えば、エアベアリング面７０から順に、そのエアベアリング面７０から後方に向かって延在し、記録媒体の記録トラック幅を規定する一定幅Ｗ１を有する先端部１５Ａと、その先端部１５Ａの後方に連結され、幅Ｗ１よりも大きな幅Ｗ２（Ｗ２＞Ｗ１）を有する後端部１５Ｂとを含んで構成されている。この主磁極層１５の幅が先端部１５Ａ（幅Ｗ１）から後端部１５Ｂ（幅Ｗ２）へ拡がる位置は、薄膜ヘッドの記録性能を決定する重要な因子のうちの一つである「フレアポイントＦＰ」である。
【００５７】
先端部１５Ａは、主に、薄膜コイル２２において発生した記録用の磁束を記録媒体に向けて実質的に放出する部分であり、図２に示されるように、エアベアリング面７０に露出した露出面１５Ｍを有している。この露出面１５Ｍは、例えば、図３に示されるようにトレーリング側に位置する上端縁（一方の端縁）Ｅ１と、リーディング側に位置する下端縁（他方の端縁）Ｅ２と、２つの側端縁Ｅ３とにより規定された平面形状を有している。具体的には、露出面１５Ｍは、例えば、トレーリング側からリーデング側に向かって次第に幅が狭まる台形形状を有している（Ｗ１＞Ｗ４）。
【００５８】
先端部１５ＡのトレーリングエッジＴＥは、磁極層４０のうちの実質的な記録箇所である。なお、露出面１５Ｍの平面形状において、下端縁Ｅ２の延在方向と側端縁Ｅ３との間の角度θは、例えば、９０°未満の範囲内において自由に設定可能である。
【００５９】
図２に示される後端部１５Ｂは、補助磁極層１９に収容された磁束を収容して先端部１５Ａへ供給する部分である。この後端部１５Ｂの幅は、例えば後方において一定（幅Ｗ２）であり、前方において先端部１５Ａに近づくにつれ幅Ｗ２から幅Ｗ１に次第に狭まっている。
【００６０】
補助磁極層１９は、主要な磁束の収容部分として機能するものである。この補助磁極層１９は、例えば、エアベアリング面７０よりも後退した位置Ｐ１（第１の位置）から後方に向かって延在している。より具体的には、バックギャップ５０ＢＧにおいて、主磁極層１５よりも後方まで延在しており、その厚さは、例えば０．４５μｍ程度とされる。特に、補助磁極層１９は、例えば、主磁極層１５を構成している磁性材料よりも低い飽和磁束密度を有する磁性材料により構成されている。好適な具体例としては、鉄コバルトニッケル合金を例示することができる。
【００６１】
補助磁極層１９は、例えば、図２に示されるように幅Ｗ２を有する矩形の平面形状を有している。特に、補助磁極層１９は、例えば、図１に示されるように絶縁層５０のうちの後述する補助絶縁層２０およびライトシールド層６０のうちの後述するＴＨ規定層１８とともに平坦化されている。すなわち、補助磁極層１９のうちのトレーリング側の端面は、補助絶縁層２０のうちのトレーリング側の端面およびＴＨ規定層１８のうちのトレーリング側の端面とともに平坦面ＨＭを構成している。
【００６２】
絶縁層１６は、主磁極層１５を周囲から電気的に分離するものである。この絶縁層１６は、例えば、アルミナなどの非磁性絶縁材料により構成されており、その厚さは、例えば０．２５μｍ程度とされる。
【００６３】
ギャップ層１７は、磁極層４０とライトシールド層６０とを磁気的に分離するためのギャップを構成するように形成されている。ギャップ層１７は、例えば、図１に示されるように補助磁極層１９の配設領域を除いて、主磁極層１５に隣接しながらエアベアリング面７０から後方に向かって延在するように形成されている。特に、ギャップ層１７は、例えば、アルミナなどの非磁性絶縁材料やルテニウムなどの非磁性導電性材料により構成されており、その厚さは０．０３〜０．１程度に設定される。
【００６４】
絶縁層５０は、薄膜磁気ヘッドの記録特性を決定する重要な因子のうちの一つであるスロートハイトＴＨを規定するとともに、薄膜コイル２２を被覆することにより周囲から電気的に分離するように形成される。絶縁層５０は、図１に示されるように、スロートハイトＴＨを実質的に規定するように形成された補助絶縁層２０（第１の絶縁層部分）と、薄膜コイル２２を実質的に被覆するように形成された主絶縁層２１（第２の絶縁層部分）とがこの順に積層された構造をなしている。つまり、リーディング側に補助磁極層２０が配設され、トレーリング側に主絶縁層２１が配設された積層構造（２層構造）を有している。
【００６５】
補助絶縁層２０は、図１に示されるように、ギャップ層１７に隣接しながら、エアベアリング面７０よりも後退した位置、すなわち、エアベアリング面７０と位置Ｐ１との間の位置Ｐ２（第２の位置）から後方の位置Ｐ１まで延在している。そして、補助絶縁層２０は、位置Ｐ１において補助磁極層１９に隣接しているとともに、位置Ｐ２においてライトシールド層６０（後述するＴＨ規定層１８）に隣接するように形成されている。特に、本実施の形態において、補助磁極層２０は、補助磁極層１９およびＴＨ規定層１８とともに平坦面ＨＭを構成している。
【００６６】
上記の「位置Ｐ２」は、絶縁層５０の最前端位置（エアベアリング面７０に最も近い位置）に相当している。すなわち、スロートハイトＴＨを規定するための「スロートハイトゼロ位置ＴＰ」である。そのスロートハイトＴＨは、エアベアリング面７０とスロートハイトゼロ位置ＴＰとの間の距離である。この補助絶縁層２０は、例えば、アルミナ等の非磁性絶縁材料により構成されている。なお、図１および図２に示される実施形態では、スロートハイトゼロ位置ＴＰがフレアポイントＦＰに一致している場合が示されている。
【００６７】
主絶縁層２１は、図１に示されるように、補助絶縁層２０のうちの平坦面ＨＭに隣接しながら、位置Ｐ１と位置Ｐ２との間の位置Ｐ３（第３の位置）から後方に向かって延在している。より具体的にはバックギャップ５０ＢＧを塞がないように延在しており、主絶縁層２１は、補助磁極層２０よりも後退している。この主絶縁層２１は、例えば図１に示されるように補助絶縁層２０のうちの平坦面ＨＭ上に薄膜コイル２２の下地として配設された主絶縁層部分２１Ａと、薄膜コイル２２およびその周辺の主絶縁層部分２１Ａを被覆するように配設された主絶縁層部分２１Ｂと、を含んで構成されている。
【００６８】
主絶縁層部分２１Ａは、例えば、アルミナなどの非磁性材料により構成されており、その厚さは例えば０．２μｍ程度とされる。
【００６９】
主絶縁層部分２１Ｂは、例えば、加熱時に流動性を示すフォトレジストやスピンオングラス（ＳＯＧ）などの非磁性絶縁性材料から構成される。この主絶縁層部分２１Ｂの端縁近傍部分は、その端縁に向けて落ち込むように丸みを帯びた斜面を構成している。
【００７０】
薄膜コイル２２は、記録用の磁束を発生させるために形成されている。薄膜コイル２２は、例えば、前述した薄膜コイル１０において電流が流される方向と逆方向に電流が流れるように操作される。
【００７１】
ライトシールド層６０は、磁極層４０から放出された記録用の磁束の広がり成分を取り込むことにより、その磁束の広がりを抑制するように作用する。このライトシールド層６０は、磁極層４０および薄膜コイル２２のトレーリング側に配設されており、エアベアリング面７０から後方に向かって延在することにより、そのエアベアリング面７０に近い側においてギャップ膜１７により磁極層２０から隔てられるとともに、遠い側においてバックギャップ５０ＢＧを通じて磁性層４０に連結されている。
【００７２】
本実施形態におけるライトシールド層６０は、互いに別体をなすＴＨ規定層１８（第１の磁気遮蔽層部分）およびヨーク層２３（第２の磁気遮蔽部分）と含み、これらのＴＨ規定層１８およびヨーク層２３が互いに連結された構造を有している。なお、ライトシールド層６０は、図示のごとく連結構造に限定されることなく一体化物であってもよい。
【００７３】
ＴＨ規定層１８は、主要な磁束の取り込み口として機能するものである。このＴＨ規定層１８は、例えば、図１に示したようにギャップ層１７に隣接しながら、エアベアリング面７０から後方の位置、より具体的には位置Ｐ１よりも前方の位置Ｐ２まで延在しており、その位置Ｐ２において絶縁層５０のうちの補助絶縁層２０に隣接している。
【００７４】
ＴＨ規定層１８は、例えば、パーマロイまたは鉄系合金などの高飽和磁束密度を有する磁性材料により構成されており、図２に示されるように磁極層４０の幅Ｗ２よりも大きな幅Ｗ３（Ｗ３＞Ｗ２）を有する矩形状の平面形状をなしている。特に、ＴＨ規定層１８は、例えば、上記したように、補助磁極層１９および補助絶縁層２０とともに、平坦面ＨＭを構成している。すなわち、ＴＨ規定層１８のうちのトレーリング側の端面は、補助磁極層１９のうちのトレーリング側の端面および補助絶縁層２０のうちのトレーリング側の端面の双方のともに平坦面ＨＭを構成している。上述したように、ＴＨ規定層１８が位置Ｐ２において補助絶縁層２０に隣接していることから、そのＴＨ規定層１８は、絶縁層５０の最前端位置（スロートハイトゼロ位置ＴＨ）を規定することにより、実質的にスロートハイトＴＨを規定する役割を担っている。
【００７５】
ヨーク層２３は、ＴＨ規定層１８から取り込まれた磁束の流路として機能するように構成されている。ヨーク層２３は、例えば図１に示されるように、ＴＨ規定層１８に乗り上げながら、エアベアリング面７０から絶縁層５０上を経由して少なくともバックギャップ５０ＢＧまで延在している。すなわち、ヨーク層２３は、前方においてＴＨ規定層１８に乗り上げることにより連結されているとともに、後方においてはバックギャップ５０ＢＧを通じて、磁極層４０に隣接することによって連結されている。
【００７６】
本実施例においてヨーク層２３は、例えば、バックギャップ５０ＢＧにおいて磁極層４０に連結されつつ、そのバックギャップ５０ＢＧよりも後方まで延在している。このようなヨーク層２３は、例えば、ＴＨ規定層１８を構成している磁性材料と同様の磁性材料により構成されとともに、図２に示されるように、幅Ｗ３を有する矩形状の平面形状を有している。
【００７７】
上述してきたような薄膜磁気ヘッドでは、例えば、図１に示されるように、記録性能を確保するために、特定の構成要素に基づいて規定される一定の寸法を適正化することが望ましい。具体的には、エアベアリング面７０に対する補助磁極１９の後退距離、すなわちエアベアリング面７０と位置Ｐ１との間の距離Ｌ１は、０．８〜７．１μｍとすることが望ましい。また、エアベアリング面７０に対する主絶縁層２１の後退距離、すなわちエアベアリング面７０と位置Ｐ３との間の距離Ｌ３は、ＴＨ規定層１８の長さ、すなわちエアベアリング面７０と位置Ｐ２との間の距離Ｌ２よりも大きくなっている（Ｌ３＞Ｌ２）。この距離Ｌ３が距離Ｌ２よりも大きい構造的関係に基づき、ライトシールド層６０では、ヨーク層２３のうちのＴＨ規定層１８に隣接する部分の長さ（すなわち距離Ｌ３）が、ＴＨ規定層の長さ（すなわち距離Ｌ２）よりも大きくなっている。すなわち、ライトシールド層６０においてＴＨ規定層１８を経由してヨーク層２３へ磁束が取り込まれた際に、その磁束がライトシールド層６０内を流れる磁路が段階的に拡張されている。
【００７８】
上述してきた薄膜磁気ヘッドの好適な全体構造において、本発明が特に構造的に主張すべき発明要部について以下説明する。
【００７９】
〔本発明の要部であるライトシールド層６０の説明〕 
（１）本発明の第１の要部は、記録媒体に対して磁気情報を記録する記録ヘッド部を有する薄膜磁気ヘッドにおいて、磁極層４０と連結されて記録ヘッド部の要部を構成するライトシールド層６０の構造にある。すなわち、本発明においては、ライトシールド層６０のエアベアリング面の幅方向の両端部の厚さを厚くして、外部磁場の端部への集中を防止し、外部磁場耐性を向上させていることに大きな特徴がある。換言すれば、このような構造を採択することにより、エアベアリング面の近傍以外の他のライトシールド層の厚さを薄くすることができ、外部磁場の影響が受けにくくなり記録媒体に記録済みの情報が意図せずに消去されることを可能な限り防止することができるのである。さらには、コイルの発熱や外部温度変化によるＰＴＰ(Pole Tip Protrusion)現象を抑制することができるのである。
【００８０】
ライトシールド層６０の具体的な構造例を図４（Ａ），（Ｂ）〜図９（Ａ），（Ｂ）にそれぞれ示し、本発明の要部をさらに詳細に説明する。これらの図において、（Ａ）は、エアベアリング面（ＡＢＳ）が図面の左端に配置されたＹ−Ｚ断面を示す断面図であり、（Ｂ）は、エアベアリング面（ＡＢＳ）が図面の正面を向くＸ−Ｚ平面図である。また、これらの図面は特許図面として構造が容易に理解できるように、要部を強調しつつ、かつ全体構造をシンプルかつ模式的に描いたものである。従って、これらの図面をわずかにモディファイした変形例も勿論、本発明の範囲内に含まれる。
【００８１】
図４（Ａ），（Ｂ）は本発明を理解する上で、最も単純で理解しやすい構造である。
【００８２】
図４（Ａ），（Ｂ）に示されるライトシールド層６０は、エアベアリング面近傍で厚さが幅方向に均一な厚膜部分（符合６１部分）を構成しており、それ以降の後方側（図４（Ａ）のＹ方向）で均一な薄膜部分（符合６２部分）を後方側に長い距離（ライトシールド層６０のＹ方向の全長に対して例えば７０％程度を示す長さ）形成している。
【００８３】
このような構造からなるライトシールド層６０は、図４（Ｂ）に示されるごとくエアベアリング面に実質的に存在する幅方向の全長をＷとし、その全長Ｗを３等分した場合、その両端にそれぞれ位置する幅方向１／３Ｗ寸法の範囲内における最大厚さＨ1/3sideは、エアベアリング面から後方に至るまでのライトシールド層全体の全体平均厚さＨmよりも大きくなるように設定されている。すなわち、Ｈ1/3side＞Ｈmとなるように設定されている。図４（Ｂ）に示されるライトシールド層６０のエアベアリング面位置における形状は矩形形状であるから、１／３Ｗ寸法の範囲内における最大厚さＨ1/3sideは、エアベアリング面位置における厚さと同じ値となる。ライトシールド層全体の全体平均厚さＨmは、ライトシールド層全体が占める体積Ｖを算出して、ライトシールド層の下部面積Ａで除した値（Ｖ／Ａ）より算出すればよい。この実施形態の場合、Ｈmは、図４（Ａ）に示されるごとく厚膜部分（符合６１部分）の存在により、均一な薄膜部分（符合６２部分）よりもほんの僅かに厚くなるが、Ｈ1/3side＞Ｈmの関係は満たしている。さらに、好ましくは前記Ｈ1/3sideの値が、（１．２〜３．０）Ｈmの範囲内、さらには、１．５〜２．５Ｈmの範囲内とされる。本発明の範囲を外れてＨ1/3side≦Ｈmとなってしまうと、ライトシールド層の端部に磁場が集中しやすくなって、ライトシールド層全体の薄膜化を図ることができなくなってしまう。そのため、大型のライトシールド層は外部磁場の影響を受けやすくなり、しかもコイルの発熱や外部温度変化によるＰＴＰ(Pole Tip Protrusion)現象が生じやすくなったりするという不都合が生じる。
【００８４】
なお、図４（Ａ），（Ｂ）に示されるライトシールド層６０において、エアベアリング面の厚膜部分（符合６１部分）は上部に伸びる厚膜となっているが、勿論、下部に伸びる厚膜であってもよい。さらには、上下共に伸びる厚膜であってもよい。また、「エアベアリング面に実質的に存在する」とは、エアベアリング面に保護膜等が被覆形成されている場合をも考慮した表現である。
【００８５】
図５（Ａ），（Ｂ）に示されるライトシールド層６０は、図５（Ｂ）に示されるようにエアベアリング面近傍における厚さが幅方向に中央６１ａから端部６１ｂに向けて漸増する厚膜部分（符合６１部分）を構成しており、それ以降の後方側（図５（Ａ）のＹ方向）で均一な薄膜部分（符合６２部分）を後方側に長い距離（ライトシールド層６０のＹ方向の全長に対して例えば７０％程度を示す長さ）形成している。中央６１ａから端部６１ｂに向けて漸増する厚膜部分（符合６１部分）は、直線状であっても湾曲状であってもよい。
【００８６】
図５（Ａ），（Ｂ）に示される形態においても、Ｈ1/3sideとＨmとの関係は、上述のごとくＨ1/3side＞Ｈmとなるように設定されている。
【００８７】
なお、図５（Ａ），（Ｂ）に示されるライトシールド層６０において、エアベアリング面の厚膜部分（符合６１部分）は実質的に上部に伸びる厚膜となっているが、勿論、下部に伸びる厚膜であってもよい。さらには、上下共に伸びる厚膜であってもよい。
【００８８】
図６（Ａ），（Ｂ）に示されるライトシールド層６０は、図６（Ｂ）に示されるようにエアベアリング面近傍における厚さが幅方向に中央６１ａから端部６１ｂに向けて漸減する厚膜部分（符合６１部分）を構成しており、それ以降の後方側（図６（Ａ）のＹ方向）で均一な薄膜部分（符合６２部分）を後方側に長い距離（ライトシールド層６０のＹ方向の全長に対して例えば７０％程度を示す長さ）形成している。中央６１ａから端部６１ｂに向けて漸減する厚膜部分（符合６１部分）は、直線状であっても湾曲状であってもよい。
【００８９】
図６（Ａ），（Ｂ）に示される形態においても、Ｈ1/3sideとＨmとの関係は、上述のごとくＨ1/3side＞Ｈmとなるように設定されている。
【００９０】
なお、図６（Ａ），（Ｂ）に示されるライトシールド層６０において、エアベアリング面の厚膜部分（符合６１部分）は実質的に上部に伸びる厚膜となっているが、勿論、下部に伸びる厚膜であってもよい。さらには、上下共に伸びる厚膜であってもよい。
【００９１】
図７（Ａ），（Ｂ）に示されるライトシールド層６０は、図７（Ｂ）に示されるようにエアベアリング面近傍における厚さが、幅方向に中央６１ａから一旦漸減するとともに再度端部６１ｂに向けて漸増する厚膜部分（符合６１部分）を構成しており、それ以降の後方側（図７（Ａ）のＹ方向）で均一な薄膜部分（符合６２部分）を後方側に長い距離（ライトシールド層６０のＹ方向の全長に対して例えば７０％程度を示す長さ）形成している。中央６１ａから端部６１ｂに向けて漸減ー漸増する厚膜部分（符合６１部分）は、直線状であっても湾曲状であってもよい。
【００９２】
図７（Ａ），（Ｂ）に示される形態においても、Ｈ1/3sideとＨmとの関係は、上述のごとくＨ1/3side＞Ｈmとなるように設定されている。
【００９３】
なお、図７（Ａ），（Ｂ）に示されるライトシールド層６０において、エアベアリング面の厚膜部分（符合６１部分）は実質的に上部に伸びる厚膜となっているが、勿論、下部に伸びる厚膜であってもよい。さらには、上下共に伸びる厚膜であってもよい。
【００９４】
図８（Ａ），（Ｂ）に示されるライトシールド層６０は、図８（Ｂ）に示されるようにエアベアリング面近傍における厚さが、中央６１ａはほぼ平坦で、両端部６１ｂ近傍のみに湾曲した突起部分を備える厚膜部分（符合６１部分）を構成しており、それ以降の後方側（図８（Ａ）のＹ方向）で均一な薄膜部分（符合６２部分）を後方側に長い距離（ライトシールド層６０のＹ方向の全長に対して例えば７０％程度を示す長さ）形成している。
【００９５】
図８（Ａ），（Ｂ）に示される形態においても、Ｈ1/3sideとＨmとの関係は、上述のごとくＨ1/3side＞Ｈmとなるように設定されている。
【００９６】
なお、図８（Ａ），（Ｂ）に示されるライトシールド層６０において、エアベアリング面の厚膜部分（符合６１部分）は実質的に上部に伸びる厚膜となっているが、勿論、下部に伸びる厚膜であってもよい。さらには、上下共に伸びる厚膜であってもよい。
【００９７】
図９（Ａ），（Ｂ）に示されるライトシールド層６０は、図９（Ｂ）に示されるようにエアベアリング面近傍における厚さが、中央６１ａはほぼ平坦で、両端部６１ｂ近傍のみに矩形状の突起部分を備える厚膜部分（符合６１部分）を構成しており、それ以降の後方側（図９（Ａ）のＹ方向）で均一な薄膜部分（符合６２部分）を後方側に長い距離（ライトシールド層６０のＹ方向の全長に対して例えば７０％程度を示す長さ）形成している。
【００９８】
図９（Ａ），（Ｂ）に示される形態においても、Ｈ1/3sideとＨmとの関係は、上述のごとくＨ1/3side＞Ｈmとなるように設定されている。
【００９９】
なお、図９（Ａ），（Ｂ）に示されるライトシールド層６０において、エアベアリング面の厚膜部分（符合６１部分）は実質的に上部に伸びる厚膜となっているが、勿論、下部に伸びる厚膜であってもよい。さらには、上下共に伸びる厚膜であってもよい。
【０１００】
図１０および図１１には、それぞれ、さらに好適なライトシールド層６０におけるエアベアリング面（ＡＢＳ）の形態を表すＸ−Ｚ平面図が示される。図４（Ｂ）〜図９（Ｂ）に相当する図面である。図１０および図１１に示される形態においても、Ｈ1/3sideとＨmとの関係は、上述のごとくＨ1/3side＞Ｈmとなるように設定されている。
【０１０１】
上述してきたような本発明の要部構造は、積層手法を工夫したり、エアベアリング面までの追い込み研磨位置を想定した積層膜構造の工夫等により形成することができる。
【０１０２】
以下、図１２〜図１６に基づいて、好適な製造例１〜製造例５を説明する。
【０１０３】
製造例１ 
図１２（Ａ）は、ライトシールド層形成時のＹ−Ｘ平面図、図１２（Ｂ）は、ライトシールド層形成時のＹ−Ｚ断面図、図１２（Ｃ）は、ライトシールド層および磁極層を主体に現したエアベアリング面のＸ−Ｚ正面図である。
【０１０４】
これらの図面に示されるように、磁束を発生させる薄膜コイル２２（図１２（Ｂ）には当該コイルの記載は省略されている）を形成する際に、後に形成されるライトシールド層６０のエアベアリング面近傍の両端部を持ち上げることが可能なように、予め、底上げ層片２２Ａを薄膜コイル２２と同じ材料でスポット的に形成しておく。
【０１０５】
しかる後、絶縁膜２１Ｂを形成し、その絶縁膜２１Ｂの上にライトシールド層６０を形成する。すると、エアベアリング面までの追い込み研磨位置（図面のラインＡＢＳで表示）において、ライトシールド層６０の両端部には、例えば湾曲したこぶ状の厚膜部分６１が形成される。このような製造方法においては、薄膜コイル２２の形成時に併せて同じ材質からなる底上げ層片２２Ａを形成することができ、材料的な面およびプロセスの共通・簡略化という面から大きなメリットがある。
【０１０６】
製造例２ 
図１３（Ａ）は、ライトシールド層形成時のＹ−Ｘ平面図、図１３（Ｂ）は、ライトシールド層形成時のＹ−Ｚ断面図、図１３（Ｃ）は、ライトシールド層および磁極層を主体に現したエアベアリング面のＸ−Ｚ正面図である。
【０１０７】
これらの図面に示されるように、磁束を発生させる薄膜コイル２２（図１３（Ｂ）には当該コイルの記載は省略されている）を形成した後に、この薄膜コイル２２を覆うように絶縁膜２１Ｂを形成する。この絶縁膜２１Ｂを形成する際に、後に形成されるライトシールド層６０のエアベアリング面近傍の両端部に厚膜部分６１が形成できるように、予め絶縁膜２１Ｂの形態および配置を実験的に求めておく。
【０１０８】
そして当該目的に沿う絶縁膜２１Ｂを形成した後、この絶縁膜２１Ｂの上にライトシールド層６０を形成する。すると、エアベアリング面までの追い込み研磨位置（図面のラインＡＢＳで表示）において、ライトシールド層６０の両端部には、例えば湾曲したこぶ状の厚膜部分６１が形成される。このような製造方法においては、予め絶縁膜２１Ｂの形態および配置を実験的に求めておいて絶縁膜２１Ｂの仕様を定め、その仕様通りに絶縁膜２１Ｂを形成さえすれば、なんらプロセスを変更・追加することなく、本願所望のライトシールド層６０を形成することができる。
【０１０９】
製造例３ 
図１４（Ａ）は、ライトシールド層形成時のＹ−Ｘ平面図、図１４（Ｂ）は、ライトシールド層形成時のＹ−Ｚ断面図、図１４（Ｃ）は、ライトシールド層および磁極層を主体に現したエアベアリング面のＸ−Ｚ正面図である。
これらの図面に示されるように、磁束を発生させる薄膜コイル２２（図１４（Ｂ）には当該コイルの記載は省略されている）を形成した後、この薄膜コイル２２を覆うように絶縁膜２１Ｂを形成する際に、後に形成されるライトシールド層６０のエアベアリング面近傍の両端部を持ち上げることが可能なように、予め、底上げ層として機能する絶縁膜片２１Ｂ´を絶縁膜２１Ｂと同じ材料でスポット的に形成しておく。換言すれば、ＡＢＳ近傍でしかもライトシールド層６０の両端下部に絶縁膜片２１Ｂ´の一部（図示の例）または全部が敷設されるように形成される。しかる後、絶縁膜２１Ｂの上、および絶縁膜片２１Ｂ´の一部または全部が被さるようにライトシールド層６０を形成する。
【０１１０】
すると、エアベアリング面までの追い込み研磨位置（図面のラインＡＢＳで表示）において、ライトシールド層６０の両端部には、例えば湾曲したこぶ状の厚膜部分６１が形成される。このような製造方法においては、絶縁膜２１Ｂの形成時に併せて同じ材質からなる絶縁膜片２１Ｂ´（底上げ層として機能する）を形成することができ、材料的な面およびプロセスの共通・簡略化という面から大きなメリットがある。
【０１１１】
製造例４ 
図１５（Ａ）は、ライトシールド層形成時のＹ−Ｘ平面図、図１５（Ｂ）は、ライトシールド層形成時のＹ−Ｚ断面図、図１５（Ｃ）は、ライトシールド層および磁極層を主体に現したエアベアリング面のＸ−Ｚ正面図である。
【０１１２】
これらの図面に示されるように、磁束を発生させる薄膜コイル２２（図１５（Ｂ）には当該コイルの記載は省略されている）を形成する際に、後に形成されるライトシールド層６０のエアベアリング面近傍の両端部を持ち上げることが可能なように、予め、底上げ層片２２Ｂを薄膜コイル２２と同じ材料でスポット的に形成しておく。換言すれば、ＡＢＳ近傍でしかもライトシールド層６０の両端下部に底上げ層片２２Ｂの一部（図示の例）または全部が敷設されるように形成される。
【０１１３】
しかる後、絶縁膜２１Ｂの上、および底上げ層片２２Ｂの一部または全部が被さるようにライトシールド層６０を形成する。
【０１１４】
すると、エアベアリング面までの追い込み研磨位置（図面のラインＡＢＳで表示）において、ライトシールド層６０の両端部には、例えば湾曲したこぶ状の厚膜部分６１が形成される。このような製造方法においては、薄膜コイル２２の形成時に併せて同じ材質からなる底上げ層片２２Ｂを形成することができ、材料的な面およびプロセスの共通・簡略化という面から大きなメリットがある。
【０１１５】
なお、この製造例４における底上げ層片２２Ｂは、絶縁膜２１Ｂに覆われることなく、直接ライトシールド層６０に覆われている点で、上述の製造例１における底上げ層２２Ａと異なる。
【０１１６】
製造例５ 
図１６（Ａ）は、ライトシールド層形成時のＹ−Ｘ平面図、図１６（Ｂ）は、ライトシールド層形成時のＹ−Ｚ断面図、図１６（Ｃ）は、ライトシールド層および磁極層を主体に現したエアベアリング面のＸ−Ｚ正面図である。
【０１１７】
この製造例５は、上記の製造例２の変形例である。
【０１１８】
これらの図面に示されるように、磁束を発生させる薄膜コイル２２（図１６（Ｂ）には記載を省略）を形成した後、後に形成されるライトシールド層６０のエアベアリング面近傍の全体あるいは両端部が厚膜となるように、絶縁膜２１Ｂが形成される。すなわち、絶縁膜２１Ｂの一部がライトシールド層６０の好適な底上げ層として機能するように絶縁膜２１Ｂの形成に工夫を施す。
【０１１９】
つまり、塗布の方法、硬化させる方法、材料の選定等を適宜考慮して、底上げ層として機能するよう形態を作り出すのである。次いで、絶縁膜２１Ｂの上にライトシールド層６０を形成する。しかる後、図１６（Ｂ）のＣＭＰラインに示されるごとく、ＣＭＰによるライトシールド層６０の平坦化処理が行われる。すると、エアベアリング面までの追い込み研磨位置（図面のラインＡＢＳで表示）において、ライトシールド層６０のエアベアリング面には厚膜部分６１が形成される。
【０１２０】
その他の製造態様として、プロセス上は複雑になるが、ライトシールド層６０のエアベアリング面近傍の両端部を持ち上げることが可能なように、（１）予め、底上げ層として、エアベアリング面近傍の両端部の下部に電極膜を厚く形成しておいたり、（２）めっきのレートを調整して所定の位置に厚膜部分ができるようフレームメッキのフレーム形状を工夫する等してもよい。
【０１２１】
上述してきた本発明の第１の要部は、記録媒体に対して磁気情報を記録する記録ヘッド部を有する薄膜磁気ヘッドにおいて、磁極層４０と連結されて記録ヘッド部の要部を構成するライトシールド層６０の構造にあり、ライトシールド層６０のエアベアリング面の幅方向の両端部の厚さを厚くして、外部磁場の端部への集中を防止し、外部磁場耐性を向上させるようにしている。このような構造は、読み取り専用の磁気抵抗効果素子８に対する磁気シールド作用を発現させるために素子の上下に挟持するように配置された上部および下部の磁気シールド層（上部リードシールド層３０および下部リードシールド層３）についても、同様な対処を行うことが好ましい（上部リードシールド層３０および下部リードシールド層３は単層膜でも積層構造膜いずれであってもよい）。
【０１２２】
すなわち、記録媒体に対して記録された磁気情報を再生する再生ヘッド部１００Ａを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、再生ヘッド部１００Ａは、磁気抵抗効果素子８と、この素子８を周辺から磁気的に遮蔽するために上下に配置された、上部リードシールド層３０および下部リードシールド層３を有しており、上部リードシールド層３０および下部リードシールド層３は、媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在し、上部リードシールド層３０は、記録媒体に対向する対向面であるエアベアリング面に実質的に存在する幅方向における全長をＷupとし、その全長Ｗupを３等分した場合、その両端にそれぞれ位置する幅方向１／３Ｗup寸法の範囲内における平均厚さＨup1/3sideが、エアベアリング面から後方に至るまでの上部リードシールド層３０全体の全体平均厚さＨupmよりも大きく設定されており（Ｈup1/3side＞Ｈupm）、下部リードシールド層３は、記録媒体に対向する対向面であるエアベアリング面に実質的に存在する幅方向における全長をＷdnとし、その全長Ｗdnを３等分した場合、その両端にそれぞれ位置する幅方向１／３Ｗdn寸法の範囲内における平均厚さＨdn1/3sideが、エアベアリング面から後方に至るまでの下部リードシールド層３全体の全体平均厚さＨdnmよりも大きく設定される（Ｈdn1/3side＞Ｈdnm）。具体的態様は、図４〜図１１と同様であるのでこれらの図面を参照されたい。
【０１２３】
〔ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置についての説明〕 
以下、本実施の形態に係るヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置について説明する。
【０１２４】
まず、図１７を参照して、ヘッドジンバルアセンブリに含まれるスライダ２１０について説明する。ハードディスク装置において、スライダ２１０は、回転駆動される円盤状の記録媒体であるハードディスクに対向するように配置される。このスライダ２１０は、主に図１における基板１およびオーバーコート２４からなる基体２１１を備えている。
【０１２５】
基体２１１は、ほぼ六面体形状をなしている。基体２１１の六面のうちの一面（図１７おける上面）は、ハードディスクに対向するようになっている。この一面には、エアベアリング面７０が形成されている。
【０１２６】
ハードディスクが図１７におけるγ方向に回転すると、ハードディスクとスライダ２１０との間を通過する空気流によって、スライダ２１０に、図１７におけるβ方向の下方に揚力が生じる。スライダ２１０は、この揚力によってハードディスクの表面から浮上するようになっている。なお、図１７におけるα方向は、ハードディスクのトラック横断方向である。
【０１２７】
スライダ２１０の空気流出側の端部（図１７における左下の端部）の近傍には、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドが形成されている。
【０１２８】
次に、図１８を参照して、本実施の形態に係るヘッドジンバルアセンブリ２２０について説明する。ヘッドジンバルアセンブリ２２０は、スライダ２１０と、このスライダ２１０を弾性的に支持するサスペンション２２１とを備えている。サスペンション２２１は、例えばステンレス鋼によって形成された板ばね状のロードビーム２２２、このロードビーム２２２の一端部に設けられると共にスライダ２１０が接合され、スライダ２１０に適度な自由度を与えるフレクシャ２２３と、ロードビーム２２２の他端部に設けられたベースプレート２２４とを有している。
【０１２９】
ベースプレート２２４は、スライダ２１０をハードディスク２６２のトラック横断方向αに移動させるためのアクチュエータのアーム２３０に取り付けられるようになっている。アクチュエータは、アーム２３０と、このアーム２３０を駆動するボイスコイルモータとを有している。フレクシャ２２３において、スライダ２１０が取り付けられる部分には、スライダ２１０の姿勢を一定に保つためのジンバル部が設けられている。
【０１３０】
ヘッドジンバルアセンブリ２２０は、アクチュエータのアーム２３０に取り付けられる。１つのアーム２３０にヘッドジンバルアセンブリ２２０を取り付けたものはヘッドアームアセンブリと呼ばれる。また、複数のアームを有するキャリッジの各アームにヘッドジンバルアセンブリ２２０を取り付けたものはヘッドスタックアセンブリと呼ばれる。
【０１３１】
図１８は、ヘッドアームアセンブリの一例を示している。このヘッドアームアセンブリでは、アーム２３０の一端部にヘッドジンバルアセンブリ２２０が取り付けられている。アーム２３０の他端部には、ボイスコイルモータの一部となるコイル２３１が取り付けられている。アーム２３０の中間部には、アーム２３０を回動自在に支持するための軸２３４に取り付けられる軸受け部２３３が設けられている。
【０１３２】
次に図１９および図２０を参照して、ヘッドスタックアセンブリの一例と本実施の形態に係るハードディスク装置について説明する。
【０１３３】
図１９はハードディスク装置の要部を示す説明図、図２０はハードディスク装置の平面図である。
【０１３４】
ヘッドスタックアセンブリ２５０は、複数のアーム２５２を有するキャリッジ２５１を有している。複数のアーム２５２には、複数のヘッドジンバルアセンブリ２２０が、互いに間隔を開けて垂直方向に並ぶように取り付けられている。キャリッジ２５１においてアーム２５２とは反対側には、ボイスコイルモータの一部となるコイル２５３が取り付けられている。ヘッドスタックアセンブリ２５０は、ハードディスク装置に組み込まれる。
【０１３５】
ハードディスク装置は、スピンドルモータ２６１に取り付けられた複数枚のハードディスク２６２を有している。各ハードディスク２６２毎に、ハードディスク２６２を挟んで対向するように２つのスライダ２１０が配置される。また、ボイスコイルモータは、ヘッドスタックアセンブリ２５０のコイル２５３を挟んで対向する位置に配置された永久磁石２６３を有している。
【０１３６】
スライダ２１０を除くヘッドスタックアセンブリ２５０およびアクチュエータは、本発明における位置決め装置に対応しスライダ２１０を支持すると共にハードディスク２６２に対して位置決めする。
【０１３７】
本実施の形態に係るハードディスク装置では、アクチュエータによって、スライダ２１０をハードディスク２６２のトラック横断方向に移動させて、スライダ２１０をハードディスク２６２に対して位置決めする。スライダ２１０に含まれる薄膜磁気ヘッドは、記録ヘッドによって、ハードディスク２６２に情報を記録し、再生ヘッドによって、ハードディスク２６２に記録されている情報を再生する。
【０１３８】
本実施の形態に係るヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置は、前述の本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドと同様の効果を奏する。
【０１３９】
また、実施の形態では、基本側に再生ヘッドを形成し、その上に、記録ヘッドを積層した構造の薄膜磁気ヘッドについて説明したが、この積層順序を逆にしてもよい。また、読み取り専用として用いる場合には、薄膜磁気ヘッドを、再生ヘッドだけを備えた構成としてもよい。
【実施例】
【０１４０】
以下、具体的実験例を示し、本発明の薄膜磁気ヘッドの構成およびその効果をさらに詳細に説明する。
【０１４１】
〔実験例Ｉ〕
上記に説明した薄膜磁気ヘッド（図１〜図３参照）において、ライトシールド層６０の構造を図９に示されるような形状のものとした（本発明）。ライトシールド層６０の具体的仕様は以下のとおり。
【０１４２】
（本発明のライトシールド層６０の仕様）
・材質：Ｎｉ80Ｆｅ20    ・Ｈ1/3side寸法：３．４μｍ
・Ｈm寸法：１．３μｍ
【０１４３】
（比較例のライトシールド層６０の仕様）
本発明との比較のため、比較例としてライトシールド層のエアベアリング面の両端部に厚膜部分６１を形成しない比較サンプルを作製した。すなわち、図９（Ａ）の均一な薄膜部分（符合６２部分）のみの板状形状の比較サンプルを作製した。具体的な仕様は以下のとおり。
・材質：Ｎｉ80Ｆｅ20    ・Ｈ1/3side寸法：１．３μｍ
・Ｈm寸法：１．３μｍ
【０１４４】
このような本発明サンプルおよび比較サンプルについて、図２２に示されるようなメディア２６０（ハードディスク２６０）との配置関係および、下記の条件設定の基にライトシールド層６０のエアベアリング面の両端部において、同じ磁化量で磁化されている領域の分布を求めた。すなわち、等磁化量曲線の分布を求めた。
【０１４５】
（条件設定）
外部磁場による消磁の原因となる磁場は、ＷｒｉｔｅｒとＲｅａｄｅｒは勿論、メディアのいわゆる裏打ち層２６２ｂ（垂直磁気記録層２６２ａの下に敷設されている軟磁性下地層２６２ｂ）までの距離や裏打ち層の膜厚や飽和磁束密度Ｂｓにも影響されています。なお、図２２中の図面の右方から左方に向けて流れる点線の流れ群は磁束の流れを模式的に示したものである。この図に示されるように、ライトシールド層６０のエアベアリング面およびリードシールド層３，３０のエアベアリング面には磁束が集中する。符号２６２ｃは基板を示している。
【０１４６】
今回の計算においては、メディア等の条件は以下のように設定した。
・外部磁場の方向：メディアに対して垂直方向
・外部磁場の強度：４０００〔Ａ／ｍ〕
・メディアの裏打ち層の飽和磁束密度Ｂｓ：１．０〔Ｔ〕
・メディアの裏打ち層の膜厚：１８０〔ｎｍ〕
・ヘッドとメディアの裏打ち層の距離：ＡＢＳから５０〔ｎｍ〕
・計算している位置：ＡＢＳからメディア側へ２０ｎｍの位置
【０１４７】
これらの条件下の基に、シュミレーションにより、ライトシールド層のエアベアリング面の両端部において、同じ磁化量で磁化されている領域の分布を求め、その結果を図２１（Ａ）、（Ｂ）にそれぞれ示した。
【０１４８】
図２１（Ａ）は、本発明サンプルにおけるライトシールド層のエアベアリング面の片端部における等磁化量曲線の分布を示すものであり、図面中の数値は、磁場の強度を表している。また、図２１（Ｂ）は、比較サンプルにおけるライトシールド層のエアベアリング面の片端部における等磁化量曲線の分布を示すものであり、図面中の数値は、磁場の強度を表している。
【０１４９】
上記の結果より本発明の効果は明らかである。すなわち、本発明においては、ライトシールド層６０のエアベアリング面の幅方向の両端部の厚さを厚くして、外部磁場の端部への集中を防止し、外部磁場耐性を向上させている。このような構造を採択することにより、エアベアリング面の近傍以外の他のライトシールド層の厚さを薄くすることができ、外部磁場の影響が受けにくくなり記録媒体に記録済みの情報が意図せずに消去されることを可能な限り防止することができる。さらには、コイルの発熱や外部温度変化によるＰＴＰ(Pole Tip Protrusion)現象を抑制することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１５０】
記録用の誘導型磁気変換素子、再生用の磁気抵抗効果素子を有する薄膜磁気ヘッドを備えるハードディスク装置の産業に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１５１】
【図１】図１は、本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの断面構成を表す断面図である。
【図２】図２は、図１に示した薄膜磁気ヘッドのうちの主要部の平面構成を表す平面図である。
【図３】図３は、図１に示した薄膜磁気ヘッドのうちの主要部の露出面の平面構成を拡大して表す平面図である。
【図４】図４は、ライトシールド層の具体的な構造例を示す図面であって、（Ａ）は、エアベアリング面（ＡＢＳ）が図面の左端に配置されたＹ−Ｚ断面を示す断面図であり、（Ｂ）は、エアベアリング面（ＡＢＳ）が図面の正面を向くＸ−Ｚ平面図である。
【図５】図５は、ライトシールド層の具体的な構造例を示す図面であって、（Ａ）は、エアベアリング面（ＡＢＳ）が図面の左端に配置されたＹ−Ｚ断面を示す断面図であり、（Ｂ）は、エアベアリング面（ＡＢＳ）が図面の正面を向くＸ−Ｚ平面図である。
【図６】図６は、ライトシールド層の具体的な構造例を示す図面であって、（Ａ）は、エアベアリング面（ＡＢＳ）が図面の左端に配置されたＹ−Ｚ断面を示す断面図であり、（Ｂ）は、エアベアリング面（ＡＢＳ）が図面の正面を向くＸ−Ｚ平面図である。
【図７】図７は、ライトシールド層の具体的な構造例を示す図面であって、（Ａ）は、エアベアリング面（ＡＢＳ）が図面の左端に配置されたＹ−Ｚ断面を示す断面図であり、（Ｂ）は、エアベアリング面（ＡＢＳ）が図面の正面を向くＸ−Ｚ平面図である。
【図８】図８は、ライトシールド層の具体的な構造例を示す図面であって、（Ａ）は、エアベアリング面（ＡＢＳ）が図面の左端に配置されたＹ−Ｚ断面を示す断面図であり、（Ｂ）は、エアベアリング面（ＡＢＳ）が図面の正面を向くＸ−Ｚ平面図である。
【図９】図９は、ライトシールド層の具体的な構造例を示す図面であって、（Ａ）は、エアベアリング面（ＡＢＳ）が図面の左端に配置されたＹ−Ｚ断面を示す断面図であり、（Ｂ）は、エアベアリング面（ＡＢＳ）が図面の正面を向くＸ−Ｚ平面図である。
【図１０】図１０は、ライトシールド層におけるエアベアリング面（ＡＢＳ）の形態を表すＸ−Ｚ平面図である。
【図１１】図１１は、ライトシールド層におけるエアベアリング面（ＡＢＳ）の形態を表すＸ−Ｚ平面図である。
【図１２】図１２（Ａ）は、ライトシールド層形成時のＹ−Ｘ平面図、図１２（Ｂ）は、ライトシールド層形成時のＹ−Ｚ断面図、図１２（Ｃ）は、ライトシールド層および磁極層を主体に現したエアベアリング面のＸ−Ｚ正面図である。
【図１３】図１３（Ａ）は、ライトシールド層形成時のＹ−Ｘ平面図、図１３（Ｂ）は、ライトシールド層形成時のＹ−Ｚ断面図、図１３（Ｃ）は、ライトシールド層および磁極層を主体に現したエアベアリング面のＸ−Ｚ正面図である。
【図１４】図１４（Ａ）は、ライトシールド層形成時のＹ−Ｘ平面図、図１４（Ｂ）は、ライトシールド層形成時のＹ−Ｚ断面図、図１４（Ｃ）は、ライトシールド層および磁極層を主体に現したエアベアリング面のＸ−Ｚ正面図である。
【図１５】図１５（Ａ）は、ライトシールド層形成時のＹ−Ｘ平面図、図１５（Ｂ）は、ライトシールド層形成時のＹ−Ｚ断面図、図１５（Ｃ）は、ライトシールド層および磁極層を主体に現したエアベアリング面のＸ−Ｚ正面図である。
【図１６】図１６（Ａ）は、ライトシールド層形成時のＹ−Ｘ平面図、図１６（Ｂ）は、ライトシールド層形成時のＹ−Ｚ断面図、図１６（Ｃ）は、ライトシールド層および磁極層を主体に現したエアベアリング面のＸ−Ｚ正面図である。
【図１７】図１７は、本発明の一実施の形態におけるヘッドジンバルアセンブリに含まれるスライダを示す斜視図である。
【図１８】図１８は、本発明の一実施の形態におけるヘッドジンバルアセンブリを含むヘッドアームアセンブリを示す斜視図である。
【図１９】図１９は、本発明の一実施の形態におけるハードディスク装置の要部を示す説明図である。
【図２０】図２０は、本発明の一実施の形態におけるハードディスク装置の平面図である。
【図２１】図２１（Ａ）は、本発明サンプルにおけるライトシールド層のエアベアリング面の片端部における等磁化量曲線の分布を示すものであり、図２１（Ｂ）は、比較サンプルにおけるライトシールド層のエアベアリング面の片端部における等磁化量曲線の分布を示すものである。
【図２２】図２２は、本発明の具体的実験例において、メディアと薄膜磁気ヘッドの配置関係を説明するための概略断面図である。
【符号の説明】
【０１５２】
１…基板
３…下部リードシールド層
８…磁気抵抗効果素子
１７…ギャップ層
２２…薄膜コイル
３０…上部リードシールド層
４０…磁極層
６０…ライトシールド層
６１…エアベアリング面の厚膜部分
６１ａ…エアベアリング面中央
６１ｂ…エアベアリング面両端部
６２…均一な薄膜部分
７０…エアベアリング面
１００Ａ…再生ヘッド部
１００Ｂ…記録ヘッド部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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