(57)【要約】 【課題】  セルサイズを大きくすることなく、電界集中を回避することができ、安全動作領域を大きくできるうえ、従来のバラスタ抵抗配置方式よりも、コレクタ、エミッタ間の飽和電圧を下げることが可能となるトランジスタ構造および電子機器を提供する。【解決手段】  第１ベース配線６と第２ベース配線８とは、導電性材料で接続されずにベース層３だけで接続され、これら第１および第２ベース配線６，８を接続するベース層３がバラスタ抵抗１５になっているので、セルサイズを大きくすることなく電界集中を回避することができ、安全動作領域を大きくでき、また従来のバラスタ抵抗配置方式よりも、コレクタエミッタ間の飽和電圧を下げ得る。【選択図】      図１
2006332117.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プレーナ型半導体のチップ表面のコレクタ層内に、ベース層が形成されるトランジスタの構造であって、
ベース層内にエミッタ層が形成され、ベース層に第１ベースコンタクト開口部が形成され、
ベース層は、第１ベースコンタクト開口部に充填される導電性材料を介して電気的に接続され、
前記導電性材料を第１ベース配線およびベース電極とし、
第１ベースコンタクト開口部とエミッタ層との間のベース層内であって、エミッタ層内またはエミッタ層間に形成されたベース層に第２ベースコンタクト開口部が形成され、
ベース層は、第２ベースコンタクト開口部に充填される導電性材料を介して電気的に接続され、
前記導電性材料を第２ベース配線とし、
第１ベース配線と第２ベース配線とが導電性材料により接続されず、ベース層で接続されていることを特徴とするトランジスタ構造。
【請求項２】
第１ベース配線と第２ベース配線とを接続するベース層に、エミッタ層と同極の拡散層が形成されることを特徴とする請求項１に記載のトランジスタ構造。
【請求項３】
第１ベース配線と第２ベース配線とを接続するベース層に、エミッタ層と同極の複数の島状拡散層が形成されることを特徴とする請求項１に記載のトランジスタ構造。
【請求項４】
第１ベース配線と第２ベース配線とを接続するベース層が、メッシュ状に形成されることを特徴とする請求項１に記載のトランジスタ構造。
【請求項５】
第１ベースコンタクト開口部がメッシュ状に形成されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載のトランジスタ構造。
【請求項６】
連続配置された第１ベースコンタクト開口部の終端部分の長さは、第２ベースコンタクト開口部の中心から、第１ベースコンタクト開口部の延在方向に平行な方向のセル長さの半分であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載のトランジスタ構造。
【請求項７】
第１ベースコンタクト開口部は、その延在方向が第２ベース配線と交差するように配設されることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載のトランジスタ構造。
【請求項８】
トランジスタは、メッシュエミッタトランジスタまたはマルチエミッタトランジスタであることを特徴とする請求項１に記載のトランジスタ構造。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１つに記載のトランジスタ構造を含む電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、トランジスタ構造および電子機器に関し、特に大電流および中電流のトランジスタに有効に適用され、たとえばレギュレータなどの半導体デバイス、インバータ，モータードライブ，ランプドライブ，ＤＣ−ＤＣコンバータなどの電子機器に用いられる技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１２は、従来のメッシュエミッタＰＮＰトランジスタを示し、図１２（ａ）は要部の平面図、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のＫ−Ｋ線断面図である。コレクタ層を成すＰ型半導体基板１の表面部には、Ｐ型エピタキシャル層２が形成されている。Ｐ型エピタキシャル層２内の表面部にＮ型のベース層３が形成され、該ベース層内の表面部にＰ型のメッシュエミッタ層４が形成されている。
【０００３】
チップ表面はシリコン酸化膜などの絶縁体５で覆われている。チップ表面には、導電性材料によって第１ベース配線６およびベース電極が設けられている。メッシュエミッタ層周辺のベース層内およびメッシュエミッタ層内には、島状ベース層が形成されている。この島状ベース層にベースコンタクト開口部７が設けられている。前記ベース層は、ベースコンタクト開口部７により導電性材料を介して第２ベース配線８に電気的に接続されている。第１および第２ベース配線６，８は、導電性材料によって電気的に接続されている。
【０００４】
メッシュエミッタ層４内には、エミッタコンタクト開口部９が設けられている。前記メッシュエミッタ層４は、エミッタコンタクト開口部９により導電性材料を介して図示外のエミッタ配線およびエミッタ電極と電気的に接続されている。さらにコレクタ層を成すＰ型半導体基板１の裏面部にコレクタ電極１０が設けられ、ＰＮＰトランジスタを構成している。
【０００５】
図１３は、従来の、バラスタ抵抗を備えたメッシュエミッタＰＮＰトランジスタを示し、図１３（ａ）は要部の平面図、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）のＭ−Ｍ線断面図である。このトランジスタ構造では、エミッタ層４周辺のベース層およびエミッタ層４内に、島状ベース層３が形成されている。該島状ベース層３内に、エミッタ拡散層と同極の拡散層１１が形成されている（たとえば特許文献１参照）。これによってベース電極からエミッタ拡散層への電流経路が狭まり、その間の抵抗値が増加する。前記のような抵抗は一般にバラスタ抵抗１２と呼ばれる。このバラスタ抵抗１２によって、ベース電流を制限することができ、安全動作領域を広げうる。
【０００６】
【特許文献１】特開昭６４−５９８５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
咋今の半導体素子は価格低減のため、チップ面積の縮小化が進んでいる。しかしチップ面積を縮小化すると、トランジスタのコレクタ、エミッタ間の飽和電圧が上昇する問題が発生する。
【０００８】
図１４は、メッシュエミッタ構造のトランジスタのセルを概略示す平面図である。前記「セル」とは、前記従来のメッシュエミッタ構造のトランジスタの場合、メッシュエミッタ内に形成された一つの島状ベース領域と、その島状ベース領域を囲むエミッタ領域とで構成されている単一のトランジスタである。前記の問題を回避するために、単純にセルサイズを縮小し、エミッタ周囲長を確保してコレクタ、エミッタ間飽和電圧を下げる技術がある。しかし、この場合、コレクタ、エミッタ間電圧が高い領域でトランジスタを動作させると、トランジスタの局部に電界集中が起こり、安全動作領域が狭くなる問題がある。
【０００９】
特許文献１に記載の技術では、バラスタ抵抗を配置しているので、安全動作領域が大きくなる利点があるが、次のような問題がある。（１）コレクタ、エミッタ間飽和電圧が大きくなる。（２）セルサイズの縮小が困難となり、チップ価格の低減が困難となる。
【００１０】
本発明の目的は、セルサイズを大きくすることなく、電界集中を回避することができ、安全動作領域を大きくできるうえ、従来のバラスタ抵抗配置方式よりも、コレクタ、エミッタ間の飽和電圧を下げることが可能となるトランジスタ構造および電子機器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、プレーナ型半導体のチップ表面のコレクタ層内に、ベース層が形成されるトランジスタの構造であって、
ベース層内にエミッタ層が形成され、ベース層に第１ベースコンタクト開口部が形成され、
ベース層は、第１ベースコンタクト開口部に充填される導電性材料を介して電気的に接続され、
前記導電性材料を第１ベース配線およびベース電極とし、
第１ベースコンタクト開口部とエミッタ層との間のベース層内であって、エミッタ層内またはエミッタ層間に形成されたベース層に第２ベースコンタクト開口部が形成され、
ベース層は、第２ベースコンタクト開口部に充填される導電性材料を介して電気的に接続され、
前記導電性材料を第２ベース配線とし、
第１ベース配線と第２ベース配線とが導電性材料により接続されず、ベース層で接続されていることを特徴とするトランジスタ構造である。
【００１２】
また本発明は、第１ベース配線と第２ベース配線とを接続するベース層に、エミッタ層と同極の拡散層が形成されることを特徴とする。
【００１３】
また本発明は、第１ベース配線と第２ベース配線とを接続するベース層に、エミッタ層と同極の複数の島状拡散層が形成されることを特徴とする。
【００１４】
また本発明は、第１ベース配線と第２ベース配線とを接続するベース層が、メッシュ状に形成されることを特徴とする。
【００１５】
また本発明は、第１ベースコンタクト開口部がメッシュ状に形成されることを特徴とする。
【００１６】
また本発明は、連続配置された第１ベースコンタクト開口部の終端部分の長さは、第２ベースコンタクト開口部の中心から、第１ベースコンタクト開口部の延在方向に平行な方向のセル長さの半分であることを特徴とする。
【００１７】
また本発明は、第１ベースコンタクト開口部は、その延在方向が第２ベース配線と交差するように配設されることを特徴とする。
【００１８】
また本発明は、トランジスタは、メッシュエミッタトランジスタまたはマルチエミッタトランジスタであることを特徴とする。
また本発明は、前記トランジスタ構造を含む電子機器である。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、第１ベース配線と第２ベース配線とが導電性材料により接続されず、ベース層で接続されているので、次のような効果を奏する。セルサイズを大きくすることなく電界集中を回避することができ、安全動作領域を大きくできる。また従来のバラスタ抵抗配置方式よりも、コレクタ、エミッタ間の飽和電圧を下げることが可能となる。
【００２０】
また本発明によれば、第１ベース配線と第２ベース配線とを接続するベース層に、エミッタ層と同極の拡散層が形成されるので、ベース電極から前記拡散層への電流経路が狭まり、その間の抵抗値が増加する。したがって安全動作領域をより大きくすることができる。
【００２１】
また本発明によれば、ベース層に、エミッタ層と同極の複数の島状拡散層が形成されるので、これら島状拡散層によってバラスタ抵抗を実現できる。エミッタ層および拡散層を直列的に付加するような従来構造に比べて、セルサイズの小形化を図ることが可能となる。
【００２２】
また本発明によれば、メッシュ状に形成されるベース層によって、セルサイズを大きくすることなく電界集中を回避することができ、安全動作領域を大きくできるうえ、従来のバラスタ抵抗配置方式よりも、コレクタ、エミッタ間の飽和電圧を下げることが可能となる。
【００２３】
また本発明によれば、第１ベースコンタクト開口部がメッシュ状に形成されるので、第１ベースコンタクトの電流経路が狭まり、その間の抵抗値が増加する。したがって安全動作領域をより大きくすることができる。
【００２４】
また本発明によれば、第１ベースコンタクト開口部の終端部分の長さは、第２ベースコンタクト開口部の中心から、第１ベースコンタクト開口部の延在方向に平行な方向のセル長さの半分であるので、第２ベース配線から流れるベース電流を均一化することが可能となる。
【００２５】
また本発明によれば、第１ベースコンタクト開口部は、その延在方向が第２ベース配線と交差するように配設される。このような第１ベースコンタクト構造および配置により、複数の第２ベース配線から流れるベース電流を均一化できる。
【００２６】
また本発明によれば、セルサイズを大きくすることなく電界集中を回避することができ、安全動作領域を大きくできコレクタ、エミッタ間の飽和電圧を下げることが可能となるメッシュエミッタトランジスタまたはマルチエミッタトランジスタを実現できる。
また本発明によれば、このようなトランジスタ構造を含む電子機器を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、図面を参照しながら本発明を実施するための形態を、複数の形態について説明する。各形態で先行する形態で説明している事項に対応している部分には同一の参照符を付し、重複する説明を略する場合がある。構成の一部のみを説明している場合、構成の他の部分は、先行して説明している形態と同様とする。実施の各形態で具体的に説明している部分の組合せばかりではなく、特に組合せに支障が生じなければ、実施の形態同士を部分的に組合せることも可能である。
【００２８】
図１は、本発明の第１実施形態に係るメッシュエミッタＰＮＰトランジスタを示し、図１（ａ）は要部の平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。本実施形態に係るトランジスタ構造は、たとえばレギュレータなどの半導体デバイス、インバータ，モータードライブ，ランプドライブ，ＤＣ−ＤＣコンバータなどの電子機器に適用される。ただしこれらの電子機器だけに限定されるものではない。第１実施形態に係るメッシュエミッタＰＮＰトランジスタ（第１トランジスタと称す）においては、コレクタ層を成すＰ型半導体基板１の表面部に、Ｐ型エピタキシャル層２が形成されている。Ｐ型エピタキシャル層２内の表面部にＮ型のベース層３が形成され、該ベース層内の表面部にＰ型のメッシュエミッタ層４が形成されている。
【００２９】
前記ベース層３に第１ベースコンタクト開口部１３が設けられている。ベース層３は、この第１ベースコンタクト開口部１３に充填される導電性材料を介して電気的に接続されている。前記導電性材料を第１ベース配線６およびベース電極としている。メッシュエミッタ層間のベース層３内であって、メッシュエミッタ層内に形成された島状ベース層３内には、第２ベースコンタクト開口部１４が設けられている。前記ベース層３は、第２ベースコンタクト開口部１４に充填される導電性材料を介して電気的に接続されている。前記導電性材料を第２ベース配線８としている。前記第１ベース配線６と第２ベース配線８とは、導電性材料で接続されずにベース層３だけで接続されている。これら第１および第２ベース配線６，８を接続するベース層が、バラスタ抵抗１５になっている。
【００３０】
以上説明した第１トランジスタによれば、特に第１ベース配線６と第２ベース配線８とが導電性材料により接続されず、ベース層３だけで接続されているので、次のような効果を奏する。セルサイズ（たとえば一辺が８５μm、他辺が６０μmの矩形状のセルサイズ）を大きくすることなく電界集中を回避することができ、安全動作領域を大きくできる。また従来のバラスタ抵抗配置方式よりも、コレクタ、エミッタ間の飽和電圧を下げることが可能となる。具体的に表１に、本トランジスタ（今回発明構造）および従来品（従来構造）の、コレクタエミッタ間電圧２０Ｖにおける安全動作領域、コレクタエミッタ間飽和電圧などを表記する。
【００３１】
【表１】
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【００３２】
図２は、本発明の第２実施形態に係るマルチエミッタＰＮＰトランジスタを示し、図２（ａ）は要部の平面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。第２実施形態に係るマルチエミッタＰＮＰトランジスタ（第２トランジスタと称す）においては、コレクタ層を成すＰ型半導体基板１の表面部に、Ｐ型エピタキシャル層２が形成されている。Ｐ型エピタキシャル層２内の表面部にＮ型のベース層３が形成されている。
【００３３】
ベース層３に第１ベースコンタクト開口部１３が設けられている。ベース層３は、この第１ベースコンタクト開口部１３に充填される導電性材料を介して電気的に接続されている。前記導電性材料を第１ベース配線６およびベース電極としている。島状エミッタ層間のベース層内であって、複数の島状エミッタ層の間に形成されたベース層３には、第２ベースコンタクト開口部１４が設けられている。前記ベース層３は、第２ベースコンタクト開口部１４に充填される導電性材料を介して電気的に接続されている。前記導電性材料を第２ベース配線８としている。前記第１ベース配線６と第２ベース配線８とは、導電性材料で接続されずにベース層だけで接続されている。これら第１および第２ベース配線６，８を接続するベース層がバラスタ抵抗１５になったものである。
【００３４】
以上説明した第２トランジスタによれば、第１ベース配線６と第２ベース配線８とが導電性材料により接続されず、ベース層だけで接続されているので、第１トランジスタと同様の効果を奏する。つまりマルチエミッタＰＮＰトランジスタにおいても、セルサイズを大きくすることなく電界集中を回避することができ、安全動作領域を大きくできる。また従来のバラスタ抵抗配置方式よりも、コレクタ、エミッタ間の飽和電圧を下げることが可能となる。
【００３５】
図３は、本発明の第３実施形態に係るメッシュエミッタＰＮＰトランジスタを示し、図３（ａ）は要部の平面図、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＣ−Ｃ線断面図である。第３実施形態に係るメッシュエミッタＰＮＰトランジスタ（第３トランジスタと称す）においては、第１ベース配線６と第２ベース配線８とを接続するベース層に、Ｐ型エミッタ拡散層と同極の拡散層１６が形成されたものであって、第１ベース配線６と第２ベース配線８とを接続するベース層がバラスタ抵抗１５になったものである。その他第１トランジスタと同様の構成となっている。
【００３６】
以上説明した第３トランジスタによれば、第１ベース配線６と第２ベース配線８とを接続するベース層に、エミッタ層と同極の拡散層１６が形成されるので、ベース電極から前記拡散層１６への電流経路が狭まり、その間の抵抗値が増加する。したがって安全動作領域をより大きくすることができる。その他第１トランジスタと同様の効果を奏する。
【００３７】
図４は、第３実施形態の変更形態に係るマルチエミッタＰＮＰトランジスタを示し、図４（ａ）は要部の平面図、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＤ−Ｄ線断面図である。前記変更形態に係るマルチエミッタＰＮＰトランジスタにおいては、マルチエミッタＰＮＰトランジスタの第１ベース配線６と第２ベース配線８とを接続するベース層３に、Ｐ型エミッタ拡散層と同極の拡散層１６が形成されたもので、第１ベース配線６と第２ベース配線８とを接続するベース層が、バラスタ抵抗１５になったものである。その他第２実施形態に係るマルチエミッタＰＮＰトランジスタと同様の構成となっている。
【００３８】
以上説明した変更形態に係るマルチエミッタＰＮＰトランジスタによれば、第１ベース配線６と第２ベース配線８とを接続するベース層３に、Ｐ型エミッタ拡散層と同極の拡散層１６が形成されるので、ベース電極から前記拡散層１６への電流経路が狭まり、その間の抵抗値が増加する。したがって安全動作領域をより大きくすることができる。その他第２トランジスタと同様の効果を奏する。
【００３９】
図５は、本発明の第４実施形態に係るメッシュエミッタＰＮＰトランジスタを示し、図５（ａ）は要部の平面図、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＥ−Ｅ線断面図である。第４実施形態に係るメッシュエミッタＰＮＰトランジスタ（第４トランジスタと称す）においては、第１ベース配線６と第２ベース配線８とを接続するベース層３に、Ｐ型エミッタ拡散層と同極の複数の島状拡散層１７が形成されたもので、第１ベース配線６と第２ベース配線８とを接続するベース層がバラスタ抵抗１５になったものである。その他第１トランジスタと同様の構成となっている。
【００４０】
以上説明した第４トランジスタによれば、ベース層３に、Ｐ型エミッタ拡散層と同極の複数の島状拡散層１７が形成されるので、これら島状拡散層１７によってバラスタ抵抗１５を実現できる。エミッタ層および拡散層を直列的に付加するような従来構造に比べて、セルサイズの小形化を図ることが可能となる。その他第１トランジスタと同様の効果を奏する。
【００４１】
図６は、第４実施形態の変更形態に係るマルチエミッタＰＮＰトランジスタを示し、図６（ａ）は要部の平面図、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＦ−Ｆ線断面図である。前記変更形態に係るマルチエミッタＰＮＰトランジスタにおいては、第１ベース配線６と第２ベース配線８とを接続するベース層３に、Ｐ型エミッタ拡散層と同極の複数の島状拡散層１７が形成されたもので、第１ベース配線６と第２ベース配線８とを接続するベース層がバラスタ抵抗１５になったものである。その他第２トランジスタと同様の構成となっている。
【００４２】
以上説明した前記変更形態に係るマルチエミッタＰＮＰトランジスタによれば、第１ベース配線６と第２ベース配線８とを接続するベース層３に、Ｐ型エミッタ拡散層と同極の複数の島状拡散層１７が形成されるので、これら島状拡散層１７によってバラスタ抵抗１５を実現できる。エミッタ層および拡散層を直列的に付加するような従来構造に比べて、セルサイズの小形化を図ることが可能となる。その他第２トランジスタと同様の効果を奏する。
【００４３】
図７は、本発明の第５実施形態に係るメッシュエミッタＰＮＰトランジスタを示し、図７（ａ）は要部の平面図、図７（ｂ）は、図７（ａ）のＧ−Ｇ線断面図である。第５実施形態に係るメッシュエミッタＰＮＰトランジスタ（第５トランジスタと称す）においては、第１ベース配線６と第２ベース配線８とを接続するベース層３がメッシュ状に形成されたもので、第１ベース配線６と第２ベース配線８とを接続するベース層３がバラスタ抵抗１５になったものである。その他第１トランジスタと同様の構成となっている。
【００４４】
以上説明した第５トランジスタによれば、第１ベース配線６と第２ベース配線８とを接続するベース層３がメッシュ状に形成される。このメッシュ状に形成されるベース層３によって、セルサイズを大きくすることなく電界集中を回避することができ、安全動作領域を大きくできるうえ、従来のバラスタ抵抗配置方式よりも、コレクタ、エミッタ間の飽和電圧を下げることが可能となる。
【００４５】
図８は、第５実施形態の変更形態に係るマルチエミッタＰＮＰトランジスタを示し、図８（ａ）は要部の平面図、図８（ｂ）は、図８（ａ）のＨ−Ｈ線断面図である。前記変更形態に係るマルチエミッタＰＮＰトランジスタにおいては、第１ベース配線６と第２ベース配線８とを接続するベース層３がメッシュ状に形成されたもので、第１ベース配線６と第２ベース配線８とを接続するベース層３がバラスタ抵抗１５になったものである。その他第２トランジスタと同様の構成となっている。
【００４６】
以上説明した前記変更形態に係るマルチエミッタＰＮＰトランジスタによれば、メッシュ状に形成されるベース層３によって、セルサイズを大きくすることなく電界集中を回避することができ、安全動作領域を大きくできるうえ、従来のバラスタ抵抗配置方式よりも、コレクタ、エミッタ間の飽和電圧を下げることが可能となる。その他第２トランジスタと同様の効果を奏する。
【００４７】
図９は、本発明の第６実施形態に係るメッシュエミッタＰＮＰトランジスタを示し、図９（ａ）は要部の平面図、図９（ｂ）は、図９（ａ）のｉ−ｉ線断面図である。第６実施形態に係るメッシュエミッタＰＮＰトランジスタ（第６トランジスタと称す）においては、ベース層３と第１ベース配線６とを電気的に接続するための第１ベースコンタクト開口部１３がメッシュ状に形成されている。その他第１トランジスタと同様の構成となっている。本実施形態では、第１トランジスタを基準にして、第１ベースコンタクト開口部１３をメッシュ状に形成しているが、第３〜第５トランジスタのいずれか１つを基準にして、第１ベースコンタクト開口部１３をメッシュ状に形成することも可能である。
【００４８】
以上説明した第６トランジスタによれば、第１ベース配線６と第２ベース配線８とを接続するベース層３がバラスタ抵抗１５になり、さらに第１ベースコンタクト開口部１３がメッシュ状に形成されるので、第１ベースコンタクトの電流経路が狭まり、その間の抵抗値が増加する。したがって安全動作領域をより大きくすることができる。
【００４９】
図１０は、第６実施形態の変更形態に係るマルチエミッタＰＮＰトランジスタを示し、図１０（ａ）は要部の平面図、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＪ−Ｊ線断面図である。前記変更形態に係るマルチエミッタＰＮＰトランジスタにおいては、ベース層３と第１ベース配線６とを電気的に接続するための第１ベースコンタクト開口部１３がメッシュ状に形成されている。その他第２トランジスタと同様の構成となっている。本実施形態では、第２トランジスタを基準にして、第１ベースコンタクト開口部１３をメッシュ状に形成しているが、第３〜第５トランジスタを基準にして、第１ベースコンタクト開口部１３をメッシュ状に形成することも可能である。
【００５０】
以上説明した変更形態に係るマルチエミッタＰＮＰトランジスタによれば、第１ベース配線６と第２ベース配線８とを接続するベース層３がバラスタ抵抗になり、さらに第１ベースコンタクト開口部１３がメッシュ状に形成されるので、第１ベースコンタクトの電流経路が狭まり、その間の抵抗値が増加する。したがって安全動作領域をより大きくすることができる。その他第２トランジスタと同様の効果を奏する。
【００５１】
図１１は、本発明の第７実施形態に係るメッシュエミッタＰＮＰトランジスタを概略示す平面図である。第７実施形態に係るメッシュエミッタＰＮＰトランジスタ（第７トランジスタと称す）においては、連続配置された第１ベースコンタクト開口部１３の終端部分の長さは、第２ベースコンタクト開口部１４の中心から、第１ベースコンタクト開口部１３の延在方向に平行な方向のセル長さ（Ｌ）の半分の長さ（Ｌ／２）に形成されている。第１ベースコンタクト開口部１３はその延在方向が第２ベース配線８の延在方向と平行とならないように配設されている。つまり第１ベースコンタクト開口部１３は、その延在方向が第２ベース配線８と交差するように配設される。その他第１トランジスタと同様の構成となっている。
【００５２】
以上説明した第７トランジスタによれば、第１ベースコンタクト開口部１３の終端部分の長さは、第２ベースコンタクト開口部１４の中心から、第１ベースコンタクト開口部１３の延在方向に平行な方向のセル長さＬの半分（Ｌ／２）であるので、第２ベース配線８から流れるベース電流を均一化することが可能となる。第１ベースコンタクト開口部１３は、その延在方向が第２ベース配線８と交差するように配設される。このような第１ベースコンタクト構造および配置により、複数の第２ベース配線８から流れるベース電流を均一化できる。
【００５３】
本発明の実施の他の形態として、第１トランジスタを連続配置し、その一部を第３トランジスタのようなＰ型エミッタ拡散層と同極の複数の拡散層を形成したものにしてもよい。この場合、連続配置した第１ベース配線に複数配置する第２ベース配線の長さが異なるとき、ベース電流の均一化を行う有効な手段となる。各実施形態ではＰＮＰトランジスタが適用されているが、ＮＰＮトランジスタを適用することも可能である。ＮＰＮトランジスタであっても、各実施形態と同様の効果を奏する。その他、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を付加した形態で実施することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の第１実施形態に係るメッシュエミッタＰＮＰトランジスタを示し、図１（ａ）は要部の平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【図２】本発明の第２実施形態に係るマルチエミッタＰＮＰトランジスタを示し、図２（ａ）は要部の平面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【図３】本発明の第３実施形態に係るメッシュエミッタＰＮＰトランジスタを示し、図３（ａ）は要部の平面図、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＣ−Ｃ線断面図である。
【図４】第３実施形態の変更形態に係るマルチエミッタＰＮＰトランジスタを示し、図４（ａ）は要部の平面図、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＤ−Ｄ線断面図である。
【図５】本発明の第４実施形態に係るメッシュエミッタＰＮＰトランジスタを示し、図５（ａ）は要部の平面図、図５（ｂ）は、図５（ａ）のＥ−Ｅ線断面図である。
【図６】第４実施形態の変更形態に係るマルチエミッタＰＮＰトランジスタを示し、図６（ａ）は要部の平面図、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＦ−Ｆ線断面図である。
【図７】本発明の第５実施形態に係るメッシュエミッタＰＮＰトランジスタを示し、図７（ａ）は要部の平面図、図７（ｂ）は、図７（ａ）のＧ−Ｇ線断面図である。
【図８】第５実施形態の変更形態に係るマルチエミッタＰＮＰトランジスタを示し、図８（ａ）は要部の平面図、図８（ｂ）は、図８（ａ）のＨ−Ｈ線断面図である。
【図９】本発明の第６実施形態に係るメッシュエミッタＰＮＰトランジスタを示し、図９（ａ）は要部の平面図、図９（ｂ）は、図９（ａ）のｉ−ｉ線断面図である。
【図１０】第６実施形態の変更形態に係るマルチエミッタＰＮＰトランジスタを示し、図１０（ａ）は要部の平面図、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＪ−Ｊ線断面図である。
【図１１】本発明の第７実施形態に係るメッシュエミッタＰＮＰトランジスタを概略示す平面図である。
【図１２】従来のメッシュエミッタＰＮＰトランジスタを示し、図１２（ａ）は要部の平面図、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のＫ−Ｋ線断面図である。
【図１３】従来の、バラスタ抵抗を備えたメッシュエミッタＰＮＰトランジスタを示し、図１３（ａ）は要部の平面図、図１３（ｂ）は、図１３（ａ）のＭ−Ｍ線断面図である。
【図１４】メッシュエミッタ構造のトランジスタのセルを概略示す平面図である。
【符号の説明】
【００５５】
３  ベース層
６  第１ベース配線
８  第２ベース配線
１３  第１ベースコンタクト開口部
１４  第２ベースコンタクト開口部
１５  バラスタ抵抗
１６  拡散層
１７  島状拡散層
【図１】
2006332117.tif 000004
【図２】
2006332117.tif 000005
【図３】
2006332117.tif 000006
【図４】
2006332117.tif 000007
【図５】
2006332117.tif 000008
【図６】
2006332117.tif 000009
【図７】
2006332117.tif 000010
【図８】
2006332117.tif 000011
【図９】
2006332117.tif 000012
【図１０】
2006332117.tif 000013
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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