(57)【要約】【課題】  配線基板上の配線を少なくすることができ、ＴＦＴチップを小型化することができ、ＴＦＴチップと画素電極との電気抵抗を低く抑えることができる半導体素子、基板接合体、基板接合体の製造方法、電気光学装置及び電子機器を提供すること。【解決手段】  チップ本体１６の面１６ａ及び面１６ｂの両面にそれぞれ有機ＥＬ側電極１７及び配線側電極１８を有している。両面に電極を形成すると、表裏のいずれか一面に電極を形成する場合と比べて、電極間のスペースに余裕ができる。従って、余裕ができた分、本実施形態のようにＴＦＴチップ４を小型化することができる。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子本体と、
前記半導体素子本体の一面に設けられた一面側電極と、
前記半導体素子本体の他面に設けられた他面側電極と
を具備し、
前記一面側電極と前記他面側電極とが、前記半導体素子本体を介して電気的に導通していることを特徴とする半導体素子。
【請求項２】
表面に第１電極を有する第１基板と表面に第２電極を有する第２基板とを、請求項１に記載の半導体素子を挟むように、かつ、前記第１電極及び前記第２電極が対向するように接合する基板接合体であって、
前記半導体素子の一面側電極に前記第１電極が電気的に接続されるように前記一面側電極と前記第１電極とが接合され、前記半導体素子の他面側電極に第２電極が電気的に接続されるように前記他面側電極と第２電極とが接合されていることを特徴とする基板接合体。
【請求項３】
前記第１電極と前記一面側電極との接合及び前記第２電極と前記他面側電極との接合が、導電性を有する樹脂又は導電粒子が混入された樹脂を介して行われること特徴とする請求項２に記載の基板接合体。
【請求項４】
前記一面側電極の全部が、前記第１電極へ電気信号を出力する出力電極であることを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の基板接合体。
【請求項５】
前記一面側電極が、前記第１電極の位置と対応する位置に配置されることを特徴とする請求項２乃至請求項４のうちいずれか一項に記載の基板接合体。
【請求項６】
前記第１基板が有機ＥＬ基板であり、前記第１電極が画素電極であり、前記第２基板が配線基板であることを特徴とする請求項２乃至請求項５のうちいずれか一項に記載の基板接合体。
【請求項７】
表面に第１電極を有する第１基板と表面に第２電極を有する第２基板とが、請求項１に記載の半導体素子を挟むように、かつ、前記第１電極及び前記第２電極が対向するように接合された基板接合体の製造方法であって、
（ａ）素子基板上に前記半導体素子の他面が接合されて配置された一面側電極と前記第１電極とを、前記第１電極が前記一面側電極に電気的に接続されるように接合する工程と、
（ｂ）前記素子基板を前記半導体素子から剥離する工程と、
（ｃ）前記素子基板が剥離された半導体素子の他面側電極と前記第２電極とを、前記第２電極が前記他面側電極に電気的に接続されるように接合する工程と
を具備することを特徴とする基板接合体の製造方法。
【請求項８】
前記工程（ａ）が、導電性を有する樹脂又は導電粒子が混入された樹脂を介して前記一面側電極と前記第１電極とを接着する工程を有し、
前記工程（ｃ）が、導電性を有する樹脂又は導電粒子が混入された樹脂を介して前記他面側電極と前記第２電極とを接着する工程を有することを特徴とする請求項７に記載の基板接合体の製造方法。
【請求項９】
請求項２乃至請求項６のうちいずれか一項に記載の基板接合構造又は請求項７若しくは請求項８に記載の基板接合体の製造方法により製造される基板接合体を具備することを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の電気光学装置が搭載されたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子、基板接合体、基板接合体の製造方法、当該基板接合体若しくは当該基板接合体の製造方法により製造される基板接合体を具備する電気光学装置及び当該電気光学装置を搭載した電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば有機ＥＬ（Electro Luminescence）装置等の電気光学装置は、画素電極が形成された基板（例えば、有機ＥＬ基板）と、配線やＴＦＴチップが実装された配線基板とを貼り合わせることで形成される。このＴＦＴチップは、配線に接続される入出力電極を一の面に有しており、例えばＳＵＦＴＬＡ（Surface-Free Technology by Laser Annealing）（登録商標）と呼ばれる方法により、当該電極が形成された一の面が配線基板に実装される（例えば、特許文献１参照。）。ＴＦＴチップの出力電極に接続される配線上には例えば銀ペースト等が形成される。上記の基板同士を貼り合わせるときに、当該銀ペーストと画素電極とを接触させることでＴＦＴチップと画素電極とを電気的に接続している。  
【特許文献１】特開平１０−１２５９２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記のような構成では、ＴＦＴチップの入力電極に接続される配線とＴＦＴチップの出力電極に接続される配線とが必要となるため、配線基板上の配線が多くなり、引き回しが複雑になる。また、電極が形成されるＴＦＴチップの一の面は、大部分がこの電極で占められるので、ＴＦＴチップ自体を小型化することが困難である。当該一の面に形成される電極を小さくしても、ＴＦＴチップと配線基板との接合が困難となるため得策ではない。更に、ＴＦＴチップの出力電極から配線及び銀ペーストを介して画素電極と接続するのでは、電気抵抗が大きくなってしまう。
【０００４】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、配線基板上の配線を少なくすることができ、ＴＦＴチップを小型化することができ、ＴＦＴチップと画素電極との電気抵抗を低く抑えることができる半導体素子、基板接合体、基板接合体の製造方法、当該基板接合体若しくは当該基板接合体の製造方法により製造される基板接合体を具備する電気光学装置及び当該電気光学装置を搭載した電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するため、本発明に係る半導体素子は、半導体素子本体と、前記半導体素子本体の一面に設けられた一面側電極と、前記半導体素子本体の他面に設けられた他面側電極とを具備し、前記一面側電極と前記他面側電極とが、前記半導体素子本体を介して電気的に導通していることを特徴とする。
【０００６】
本発明では、半導体素子本体の一面だけではなく両面に電極が設けられている（一面側電極及び他面側電極）ので、電極間のスペースに余裕ができ、その分半導体素子を小型化することができる。また、この一面側電極と他面側電極とが半導体素子本体を介して電気的に導通しているので、当該一面側電極及び他面側電極のそれぞれに外部電極や外部端子等を電気的に接続することにより、当該外部電極や外部端子同士を電気的に接続することができる。この場合、出力側の外部電極や外部端子と半導体素子上の電極との電気的接続が、配線や銀ペースト等の接続部材を介しての接続ではなく、電極同士を対向させ接続面を近接させて行うものであるため、外部電極に接続する配線を少なくすることができると共に、配線抵抗を低く抑えることができる。
【０００７】
本発明は、一面側電極及び他面側電極にそれぞれ対向して設けられた電極同士を電気的に接続する際に特に有効である。また、例えば、一面側電極をドレイン電極とし、他面側電極をソース電極及びゲート電極等とすることで、当該半導体素子をスイッチング素子や駆動素子として機能させることもできる。一面側電極がソース電極及びゲート電極、他面側電極がドレイン電極とした場合も同様である。
【０００８】
本発明の別の観点に係る基板接合体は、表面に第１電極を有する第１基板と表面に第２電極を有する第２基板とを、請求項１に記載の半導体素子を挟むように、かつ、前記第１電極及び前記第２電極が対向するように接合する基板接合体であって、前記半導体素子の一面側電極に前記第１電極が電気的に接続されるように前記一面側電極と前記第１電極とが接合され、前記半導体素子の他面側電極に第２電極が電気的に接続されるように前記他面側電極と第２電極とが接合されていることを特徴とする。
【０００９】
本発明では、第１電極と一面側電極との間及び第２電極と他面側電極との間の電気的接続が、配線や銀ペースト等の接続部材を介しての接続ではなく、対向する各電極の接続面を近接させて行うものとなるので、第１基板又は第２基板上に配線や銀ペースト等の接続部材を形成する必要が無い。これにより、必要な配線を少なくすることができると共に、接続するときの電気抵抗を低く抑えることができる。
【００１０】
また、本発明の一の形態として、前記第１電極と前記一面側電極との接合及び前記第２電極と前記他面側電極との接合が、導電性を有する樹脂又は導電粒子が混入された樹脂を介して行われることが好ましい。本発明では、当該樹脂により電極間の接合と電気的接続とを同時に行うことができるため、配線や銀ペースト等の接続部材を形成する必要が無く、基板同士を接合する部材を他に用意する必要も無い。
【００１１】
また、本発明の一の形態として、前記一面側電極の全部が、前記第１電極へ電気信号を出力する出力電極であることが好ましい。一面側電極の全部を出力電極とすることで、電気信号の伝達方向が定まるため、基板接合体の設計、特に第１電極及び第２電極や配線の設計が容易になる。この場合、他面側電極については、例えば全部を半導体素子に対する入力電極とすることで、電気信号の伝達方向が一層明確になるが、各電極により機能が異なるようにしても勿論構わない。
【００１２】
また、本発明の一の形態として、前記一面側電極が、前記第１電極の位置と対応する位置に配置されることが好ましい。例えば、一面側電極を、第１電極の位置と重なる位置に配置することができる。これにより、一面側電極と第１電極との接合面積が広くなり、一面側電極と第１電極とが確実に接続されるので、電極間の電気抵抗を低く抑えることができ、当該一面側電極から第１電極へ無駄なく電気信号を伝えることができる。また、第１電極との位置を対応させるほか、第１電極の大きさと一面側電極の大きさとを対応させるようにしてもよい。他面側電極の位置又は大きさについても、第２電極の位置又は大きさと対応させるようにするとより好ましい。
【００１３】
また、本発明の一の形態として、前記第１基板が有機ＥＬ基板であり、前記第１電極が画素電極であり、前記第２基板が配線基板であることが好ましい。本発明では、上記の半導体素子の一面側電極及び他面側電極と、画素電極及び配線基板上の第２電極（例えば、配線に接続された電極等）とをそれぞれ近接させて電気的に接続することができるので、配線基板上に画素電極と接続するための配線や銀ペースト等の接続部材を形成する必要が無く、配線電極上の必要な配線を少なくすることができる。また、半導体素子と画素電極との電気抵抗を低く抑えることもできる。
【００１４】
本発明の別の観点に係る基板接合体の製造方法は、表面に第１電極を有する第１基板と表面に第２電極を有する第２基板とが、上記の半導体素子を挟むように、かつ、前記第１電極及び前記第２電極が対向するように接合された基板接合体の製造方法であって、（ａ）素子基板上に前記半導体素子の他面が接合されて配置された一面側電極と前記第１電極とを、前記第１電極が前記一面側電極に電気的に接続されるように接合する工程と、（ｂ）前記素子基板を前記半導体素子から剥離する工程と、（ｃ）前記素子基板が剥離された半導体素子の他面側電極と前記第２電極とを、前記第２電極が前記他面側電極に電気的に接続されるように接合する工程とを具備することを特徴とする。
【００１５】
本発明では、出力側の外部電極や外部端子と半導体素子とを接続するための配線や銀ペースト等の接続部材を形成する必要が無いため、基板接合体の製造工程を短縮することができる。
【００１６】
また、本発明の一の形態として、前記工程（ａ）が、導電性を有する樹脂又は導電粒子が混入された樹脂を介して前記一面側電極と前記第１電極とを接着する工程を有し、前記工程（ｃ）が、導電性を有する樹脂又は導電粒子が混入された樹脂を介して前記他面側電極と前記第２電極とを接着する工程を有することが好ましい。本発明では、ひとつの工程で電極間の接合と電気的接続とを同時に行うことができるため、基板接合体の製造工程を短縮することができる。
【００１７】
本発明の別の観点に係る電気光学装置は、上記の基板接合構造又は上記の基板接合体の製造方法により製造される基板接合体を具備することを特徴とする。  
本発明によれば、配線電極上の必要な配線を少なくすることができ、半導体素子を小型化することができ、半導体素子と第１電極及び第２電極との電気抵抗を低く抑えることができる基板接合体を具備するので、製造・小型化が容易であり消費電力が少ない電気光学装置を得ることができる。
【００１８】
本発明の別の観点に係る電子機器は、上記の電気光学装置が搭載されたことを特徴とする。  
本発明によれば、製造・小型化が容易であり消費電力が少ない電気光学装置が搭載されているので、需要者のニーズに適合した良質の電子機器を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。以下の図では、各部材を認識可能な大きさとするため、縮尺を適宜変更している。  
図１は、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１の全体構成を概略的に示した斜視図である。  
有機ＥＬ装置１は、例えば表示領域Ｑに画像や動画等を表示することが可能な電気光学装置であり、配線基板２及び有機ＥＬ基板３がＴＦＴチップ４を挟んで接合された基板接合体としてのパネル５と、このパネル５の周りに設けられた封止部材６と、パネル５の電源を制御する電源駆動部７とを有する。封止部材６は、例えばエポキシ系の樹脂等からなり、配線基板２及び有機ＥＬ基板３の間を封止する。電源駆動部７は、配線基板２に接続されたフレキシブル基板７ａと、当該フレキシブル基板７ａ上に搭載された駆動ドライバ７ｂを有する。フレキシブル基板７ａ上には、駆動ドライバ７ｂに接続された回路（図示せず）が形成される。
【００２０】
図２は、本実施形態に係るパネル５の断面（図１におけるＡ−Ａ断面）の一部の構成を示す図である。  
配線基板２は、例えばガラスや石英、セラミック等から形成され、有機ＥＬ装置１を駆動するための回路や配線等が形成されている。例えば、有機ＥＬ基板３と対向する面２ａには、非表示領域Ｐに走査駆動回路やデータ駆動回路等が形成され、表示領域Ｑに電気信号配線８、配線電極９等が形成される。走査駆動回路は、シフトレジスタ等のメモリや信号レベルを変換するレベルシフタ等の回路を有する。データ駆動回路は、このシフトレジスタ、レベルシフタの他、ビデオラインやアナログシフタ等の回路を有する。走査駆動回路及びデータ駆動回路は、例えば電源駆動部７に接続され、電源駆動部７の制御により電気信号を出力する。
【００２１】
電気信号配線８は、表示領域Ｑにマトリックス状に形成されており、例えばアルミニウム、銅及び金の３層構造からなり、その表面は絶縁層１０で被覆されている。電気信号配線８は、例えば走査駆動回路やデータ駆動回路からの電気信号を伝送する。
【００２２】
配線電極９は、電気信号配線８からの電気信号をＴＦＴチップ４へ出力する電極であり、例えば銅やニッケル等のメッキにより絶縁層１０上に凸状に複数個形成されている。配線電極９は、絶縁層１０を貫通するように電気信号配線８に接続される。また、各配線電極９は、Ｘ方向の長さが約３０μｍ、Ｙ方向の長さが約３０μｍの大きさで形成される。
【００２３】
有機ＥＬ基板３は、例えばガラスやポリイミド等の透明な材料から形成される。配線基板２と対向する面３ａには、陽極１１、当該陽極１１から正孔が注入される正孔注入／輸送層１２、有機ＥＬ層１３及び陰極１４が積層されている。
【００２４】
陽極１１は、正孔注入／輸送層１２に正孔を注入する透明な電極であり、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等から形成される。正孔注入／輸送層１２は、陽極１１から注入された正孔を有機ＥＬ層１３に輸送する。陰極１４は、配線基板２からの電気信号に応じて有機ＥＬ層１３に電子を注入する層であり、例えばアルミニウム等の金属により形成される。この陰極１４の表面には電極１５が設けられ、ＴＦＴチップ４からの電気信号を陰極１４に伝える。各電極１５は、Ｘ方向の長さが約６０μｍ、Ｙ方向の長さが約１００μｍであり、Ｘ方向に６〜７μｍ程度の間隔をあけて配置される。図２に示されるように、電極１５が設けられる部位では、各電極１５が配置される間隔に合わせて、例えば陽極１１、正孔注入／輸送層１２、有機ＥＬ層１３及び陰極１４のＸ方向の幅が狭くなるように形成する。
【００２５】
有機ＥＬ層１３では、正孔注入／輸送層１２からの正孔と陰極１４からの電子とが結合して光を発する。この有機ＥＬ層１３には、赤色光を発する層（１３Ｒ）、赤色光を発する層（１３Ｇ）、青色光を発する層（１３Ｂ）の３種類がある。各有機ＥＬ層１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂからの光が陽極１１、正孔注入／輸送層１２及び有機ＥＬ基板３を透過することで、有機ＥＬ基板３の表示領域Ｑに画像や動画等が表示される。
【００２６】
ＴＦＴチップ４は、チップ本体１６、当該チップ本体１６が有機ＥＬ基板３と対向する面１６ａに形成される有機ＥＬ側電極１７、チップ本体１６が配線基板２と対向する面１６ｂに形成される配線側電極１８から構成される。  
チップ本体１６は、例えばシリコン等の半導体に、例えばＦＥＴトランジスタ等を含む回路が形成されてなる。このＦＥＴトランジスタの例えばドレイン側が有機ＥＬ側電極１７に接続され、ソース側及びゲート側が配線側電極１８に接続される。
【００２７】
チップ本体１６は、Ｘ方向の長さが約２００μｍ、Ｙ方向の長さが約１００μｍの大きさである。各有機ＥＬ側電極１７は、有機ＥＬ基板３の電極１５へ電気信号を出力し、各配線側電極１８は、配線基板２上の電極９からの電気信号をチップ本体１６へ入力する。有機ＥＬ側電極１７及び配線側電極１８は、それぞれ有機ＥＬ基板３の電極９及び配線基板２の電極１５と対応する位置、大きさとなるように面１６ａに形成される。従って、有機ＥＬ側電極１７は、電極９と同様にＸ方向の長さが約６０μｍ、Ｙ方向の長さが約１００μｍの大きさで、Ｘ方向に６〜７μｍ程度の間隔をあけて配置される。配線側電極１８は、Ｘ方向の長さが約３０μｍ、Ｙ方向の長さが約３０μｍの大きさで、電極１５と対向する位置に配置される。
【００２８】
有機ＥＬ側電極１７及び配線側電極１８は、異方性導電樹脂（Anisotropic Conductive Past:ＡＣＰ）１９により、それぞれ電極９及び電極１５に接合されると同時に電気的にも接続される。ＡＣＰ１９は、樹脂２０と、当該樹脂２０に含まれる導電性粒子２１とからなる。樹脂２０は、例えば熱硬化性樹脂等からなり、有機ＥＬ基板３側では有機ＥＬ側電極１７と電極９とを接合し、配線基板２側では配線側電極１８と電極１５とを接合する。導電性粒子２１は、例えば銀、金、銅、ニッケル等の金属や炭素等、導電性を有する物質から形成され、有機ＥＬ側電極１７と電極９との間、配線側電極１８と電極１５との間に挟まれることで、当該導電性粒子２１を介して各電極が電気的に接続される。
【００２９】
このように、配線基板２及び有機ＥＬ基板３がそれぞれ樹脂２０を介してＴＦＴチップ４に接合され、電極９及び電極１５がそれぞれ有機ＥＬ側電極１７及び配線側電極１８に電気的に接合されることで、パネル５が当該配線基板２と有機ＥＬ基板３との接合体として構成される。
【００３０】
なお、上記の説明では、１個のＴＦＴチップ４が３種類の有機ＥＬ層１３Ｒ、１３Ｇ及び１３Ｂに接続される構成としたが、１個のＴＦＴチップ４が各有機ＥＬ層１３Ｒ、１３Ｇ及び１３Ｂに１対１で接続する構成としても勿論構わない。
【００３１】
次に、本実施形態に係るパネル５の製造方法について説明する。  
図３は、パネル５の製造工程を示すフローチャートである。  
パネル５は、ＳＵＦＴＬＡと呼ばれる方法により配線基板２にＴＦＴチップ４を転写し、当該配線基板２と有機ＥＬ基板３とを貼り合わせることで形成される。
【００３２】
具体的には、配線基板２、有機ＥＬ基板３及びＴＦＴチップ４の転写用の基板を形成する工程（工程１）、配線基板にＡＣＰ１９を塗布する工程（工程２）、ＴＦＴチップ４を配線基板に転写する工程（工程３）、転写用の基板をＴＦＴチップ４から剥離する工程（工程４）、ＡＣＰ１９をＴＦＴチップ４に塗布する工程（工程５）、有機ＥＬ基板３をＴＦＴチップ４に接合する工程（工程６）が順に行われる。各工程について、図４から図１１を参照しながら説明する。
【００３３】
工程１では、配線基板２上への電気信号配線８並びに電極９の形成、有機ＥＬ基板３上への電極層等の形成及び転送用の基板上へのＴＦＴチップ４の形成がメインである。  
図４（ａ）に示すように、配線基板２の表面に例えばＣＶＤ（化学的気相成長）等の方法により酸化シリコン膜（ＳｉＯ２）を形成し、酸化シリコン膜上に所定の配線パターンからなる電気信号配線８を形成する。この電気信号配線８の表面を絶縁層１０で覆うと同時に、配線電極９を形成する箇所では絶縁層１０の一部を除去することにより、電気信号配線８の一部を露出状態にする。電気信号配線８の露出部分には、無電解メッキ処理法を用いて配線電極９を形成する。
【００３４】
また、図４（ｂ）に示すように、陽極１１、正孔注入／輸送層１２、有機ＥＬ層１３及び陰極１４を積層することで、有機ＥＬ基板３を形成する。
【００３５】
また、図４（ｃ）に示すように、基礎基板２５に剥離層２６を形成し、剥離層２６上にＴＦＴチップ４を形成することで、転写用の素子基板２７を形成する。なお、ＴＦＴチップ４の裏面４ｂが配線基板２に転写されるように、表面４ａを剥離層２６に接合する。この素子基板２７は、有機ＥＬ装置１の構成要素ではなく、主に転写工程に用いられる部材である。
【００３６】
基礎基板２５としては、透明であり、かつ、１０００℃程度の熱に対しても変形することの無い例えば石英ガラス等を用いる。基礎基板２５の厚さは、０．１ｍｍ〜１．５ｍｍ程度であることが好ましく、０．５ｍｍ〜１．５ｍｍ程度であることがより好ましい。基礎基板２５の厚さが薄すぎると強度の低下を招き、逆に厚すぎると基台の透過率が低い場合に照射光の減衰を招くからである。
【００３７】
剥離層２６は、レーザ光等の照射光により当該層内や界面において剥離が生ずる材料、例えば水素（Ｈ）を含んだ非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）からなる。これらの材料は、一定の強度の光を照射することによりアブレーション（ablation）等が生じて脆くなる。剥離層２６の厚さとしては、１ｎｍ〜２０μｍ程度であるのが好ましい。剥離層２６の厚みが薄すぎると、形成された膜厚の均一性が失われて剥離にむらが生じるからであり、剥離層２６の厚みが厚すぎると、剥離に必要とされる照射光のパワー（光量）を大きくする必要があったり、剥離後に残された剥離層２６の残渣を除去するのに時間を要したりするからである。剥離層２６の具体的な形成方法は、均一な厚みで剥離層２６を形成可能な方法であればよく、剥離層２６の組成や厚み等の諸条件に応じて適宜選択することが可能である。例えば、ＣＶＤ（ＭＯＣＶＤ、低圧ＣＶＤ、ＥＣＲ−ＣＶＤ含む）法、蒸着、分子線蒸着（ＭＢ）、スパッタリング法、イオンドーピング法等を用いることができる。これらのうち２種以上の方法を組み合わせてもよい。
【００３８】
工程２では、図５に示すように、配線基板２上に例えば印刷法や液滴吐出法等の方法でＡＣＰ１９を塗布する。
【００３９】
工程３では、図６に示すように、ＡＣＰ１９が塗布された配線基板２にＴＦＴチップ４の裏面４ｂを向けるように素子基板２７を貼りつけ、加熱加圧によりＡＣＰ１９を硬化させてＴＦＴチップ４を配線基板２に接着固定する。なお、接着固定を行う前には、ずれの無いように配線基板２と素子基板２７との位置合わせを行う。
【００４０】
工程４では、図７に示すように、素子基板２７の表面側（ＴＦＴチップ４を形成しない面）からレーザ光を照射して剥離層２６にアブレーションを生じさせた上で、ＴＦＴチップ４から基礎基板２５を剥離する。剥離層２６にレーザ光を照射すると、例えば剥離層２６に含まれる水素が分子化する。分子化した水素は結晶の結合から分離され、剥離層２６の原子や分子の結合が弱まるので、ＴＦＴチップ４と基礎基板２５との結合力がほぼなくなる。このため、基礎基板２５の取り外しが容易となる。なお、工程４の後、例えば図８に示すように、ＴＦＴチップ４の有機ＥＬ側電極１７に検査プローブ２８のプローブピン２８ａを当接することで、容易に導通試験を行うことができる。
【００４１】
工程５では、図９に示すように、ＴＦＴチップ４上に例えば印刷法や液滴吐出法等の方法でＡＣＰ１９を塗布する。
【００４２】
工程６では、図１０に示すように、有機ＥＬ基板３をＴＦＴチップ４に貼りつけ、加熱加圧によりＡＣＰ１９を硬化させて有機ＥＬ基板３をＴＦＴチップ４に接着固定する。なお、接着固定を行う前には、ずれの無いように有機ＥＬ基板３とＴＦＴチップ４との位置合わせを行う。  
このように、本実施形態に係るパネル５が形成される。
【００４３】
本実施形態に係るＴＦＴチップ４は、チップ本体１６の面１６ａ及び面１６ｂの両面にそれぞれ有機ＥＬ側電極１７及び配線側電極１８を有している。両面に電極を形成すると、表裏のいずれか一面に電極を形成する場合と比べて、電極間のスペースに余裕ができる。従って、余裕ができた分、本実施形態のようにＴＦＴチップ４を小型化することができる。また、この有機ＥＬ側電極１７と配線側電極１８とがチップ本体１６に形成された回路を介して電気的に導通しているので、当該有機ＥＬ側電極１７及び配線側電極１８のそれぞれに例えば電極９及び電極１５を電気的に接続することで、当該電極９と電極１５とを電気的に接続することができる。この場合、出力側である有機ＥＬ側電極１７と電極９との電気的接続が、配線や銀ペースト等の接続部材を介しての接続ではなく、有機ＥＬ側電極１７と電極９とを対向させ、各接続面を近接させて行うものであるため、外部電極に接続する配線を少なくすることができると共に、配線抵抗を低く抑えることができる。
【００４４】
また、本実施形態に係るパネル５は、電極９と有機ＥＬ側電極１７との間及び電極１５と配線側電極１８との間の電気的接続が、配線や銀ペースト等の接続部材を介しての接続ではなく、対向する各電極の接続面を近接させて行うものとなるので、配線基板に配線や銀ペースト等の接続部材を形成する必要が無い。これにより、必要な配線を少なくすることができると共に、接続するときの電気抵抗を低く抑えることができる。
【００４５】
また、有機ＥＬ側電極１７と電極９との接合・電気的接続の工程では、配線や銀ペースト等の接続部材を形成する工程を省略できるため、パネル５の製造工程を短縮することができる。有機ＥＬ側電極１７と電極９と間及び配線側電極１８と電極１５との間の接合・電気的接続にＡＣＰ１９を用いることにより、ひとつの工程で各電極間の接合と電気的接続とを同時に行うことができ、製造工程をさらに短縮できる。
【００４６】
（電子機器）
次に、上記有機ＥＬ装置１を備えた電子機器の例について説明する。  
図１１は、携帯電話３０００の斜視図である。有機ＥＬ装置１は、携帯電話３０００の筐体内部に配置されている。この携帯電話３０００からなる電子機器によれば、製造・小型化が容易であり消費電力が少ない有機ＥＬ装置１が搭載されているので、需要者のニーズに適合した良質の携帯電話が得られる。
【００４７】
なお、上記の方法で形成した有機ＥＬ装置は、携帯電話以外にも種々の電子機器に適用することができる。例えば、パーソナルコンピュータ用モニタ、ワードプロセッサ用モニタ、テレビ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置などの電子機器に適用することが可能である。
【００４８】
なお、本発明の技術範囲は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、実施形態で挙げた具体的な材料や構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。
【００４９】
上述の実施形態では、有機ＥＬ側電極１７及び配線側電極１８がＡＣＰ１９によりそれぞれ電極９及び電極１５に接合・電気的接続が行われていたが、これに限られるものではない。例えば、図１２に示すように、ＡＣＰ１９ではなく異方性導電膜（ＡＣＦ）２９により接合・電気的接続を行ってもよい。ＡＣＰ１９とは異なってＡＣＦ２９は固形であり、有機ＥＬ側電極１７上及び電極１５上に塗布する必要がなく、位置合わせをして配置するだけで良いので、ＡＣＰ１９を塗布する手間を省くことができる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の全体構成を示す斜視図である。
【図２】図１における有機ＥＬ装置のＡ−Ａ断面図である
【図３】本実施形態に係るパネルの製造工程を示すフローチャートである。
【図４】配線基板、有機ＥＬ基板及び素子基板を形成された様子を示す図である。
【図５】配線基板にＡＣＰが塗布された様子を示す図である。
【図６】ＴＦＴチップが転写される様子を示す図である。
【図７】素子基板がＴＦＴチップから剥離される様子を示す図である。
【図８】ＴＦＴチップが実装された状態で検査を行っている様子を示す図である。
【図９】ＴＦＴチップにＡＣＦが塗布された様子を示す図である。
【図１０】ＴＦＴチップに有機ＥＬ基板が実装される様子を示す図である。
【図１１】本発明の別の実施形態に係る携帯電話を示す斜視図である。
【図１２】有機ＥＬ装置の変形例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５１】
１…ＥＬ装置  ２…配線基板  ３…有機ＥＬ基板  ４…ＴＦＴチップ  ５…パネル  ９…電極  １５…電極  １６…チップ本体  １７…有機ＥＬ側電極  １８…配線側電極  １９…ＡＣＰ  ２７…素子基板  ３０００…携帯電話
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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