(57)【要約】【課題】本発明は半導体ウェーハやＬＣＤ用硝子基板などの基板を薬液やリンス液等の洗浄液に沈積して洗浄した後、乾燥する洗浄乾燥装置及び方法に関する。【解決手段】本発明の洗浄乾燥装置は洗浄液を貯蔵すると同時に洗浄液を下部から排出する洗浄室と、洗浄室の上部に配置される乾燥室を含むプロセスチャンバを有する。このプロセスチャンバの内部には乾燥室の内部に提供される気体を強制排気する排気部を具備することができる。排気部は洗浄室と乾燥室との間に配置され、乾燥室内の気流が上から下へ流れるように気体を強制排気する。このような構成の基板洗浄乾燥装置は、乾燥室の上部から乾燥ガスを供給して、基板の下部からそのガスを強制排気することで、乾燥室の内部に垂直な気流形成によって、基板の表面にわたって均一な層流を形成するようになるだけでなく、迅速な排気が可能して乾燥効率を高めることができるという利点がある。【選択図】図３Ｂ
2006332642.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
洗浄乾燥装置において、
洗浄液を貯蔵すると同時に洗浄液を下部から排出する洗浄室と、
前記洗浄室の上部に配置されている乾燥室と、
前記洗浄室と前記乾燥室との間に基板を移送する移送手段と、
前記乾燥室内に配置されて、前記乾燥室に移動された基板を乾燥させるための気体を提供する気体供給部と、
前記洗浄室と前記乾燥室との間に配置されて、前記乾燥室内の気流が上から下へ流れるように気体を強制排気する排気部とを含むことを特徴をする洗浄乾燥装置。
【請求項２】
前記排気部は、
上面に複数の吸入口を有し、内部には前記吸入口と連結される内部通路を有する排気ブロックを含むことを特徴とする請求項１に記載の洗浄乾燥装置。
【請求項３】
上面と底面に複数の吸入口を有し、内部には前記吸入口と連結される内部通路を有する排気ブロックを含むことを特徴とする請求項１に記載の洗浄乾燥装置。
【請求項４】
前記排気部は、
左右対称形であり、相互分離可能な第１排気ブロックと第２排気ブロックからなり、
前記第１排気ブロックと第２排気ブロックのそれぞれは上面に複数の吸入口を有し、内部には前記吸入口と連結される内部通路を有することを特徴とする請求項１に記載の洗浄乾燥装置。
【請求項５】
前記第１排気ブロックと第２排気ブロックの各々は前記内部通路と連結される複数の吸入口の底面または側面に形成されることを特徴とする請求項４に記載の洗浄乾燥装置。
【請求項６】
前記排気部は、
前記気体供給部から提供される気体が前記乾燥室の内部に垂直方向に気流が生じるように乾燥室の内部の気体を強制排気する排気位置と、前記洗浄室と前記乾燥室間の基板移動が可能になるように待機する待機位置に前記第１、２排気ブロックを移動させる移動部材とをさらに含むことを特徴とする請求項４に記載の洗浄乾燥装置。
【請求項７】
前記移動部材は前記第１、２排気ブロックを互いに反対される水平方向にスライド移動させるための直線移動部を含み、
前記乾燥室は下端の両側に前記直線移動部によってスライド移動された前記第１排気ブロックと前記第２排気ブロックが待機することができる空間を提供する待機部をさらに含むことを特徴とする請求項６に記載の洗浄乾燥装置。
【請求項８】
前記移動部材は、
前記乾燥室の側面と隣接した前記第１、２排気ブロックの一端を昇降させるための昇降部と、前記第１、２排気ブロックの一端が昇降される時、前記第１、２排気ブロックの他端が水平移動するようにガイドするガイド部とを含み、前記乾燥室の狭い空間で前記第１、２排気ブロックを水平状態から前記乾燥室の側面に垂直に近い状態に転換（変更）できることを特徴とする請求項６に記載の洗浄乾燥装置。
【請求項９】
前記第１排気ブロックと第２排気ブロックは前記移動部材によって一端を軸にして回転移動されることを特徴とする請求項６に記載の洗浄乾燥装置。
【請求項１０】
前記洗浄室と前記乾燥室の内部圧力が同一に維持されるように前記第１排気ブロックと前記第２排気ブロックの排気位置は互いに離隔されて配置されていることを特徴とする請求項６に記載の洗浄乾燥装置。
【請求項１１】
前記排気部は、
前記第１、２排気ブロックの側面のそれぞれの内部通路と連結される排気ラインと、前記排気ライン上に設置される真空ポンプと、前記乾燥室または洗浄室の圧力制御のために前記真空ポンプを制御する制御部とをさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の洗浄乾燥装置。
【請求項１２】
前記吸入口は前記乾燥室の中央部から端に行くほど、そのサイズが漸進的に小さくなることを特徴とする請求項５に記載の洗浄乾燥装置。
【請求項１３】
基板乾燥方法において、
基板を乾燥室に供給する段階と、
前記乾燥室に供給された基板を前記乾燥室の下部に配置されている洗浄室に移送する段階と、
前記洗浄室で基板を洗浄する段階と、
前記洗浄室で洗浄を終えた基板を前記乾燥室に移送する段階と、
前記乾燥室で基板乾燥のための気体を供給して基板を乾燥する段階とを含み、
前記乾燥段階は、
基板の乾燥のための気体を供給する前に前記基板の下に第１、２排気ブロックを位置させる段階と、
前記乾燥室の上部では基板の乾燥のための気体が下に流れるように供給しながら前記乾燥室の下部では前記第１、２排気ブロックを通じて強制排気がなされる段階とを含むことを特徴とする洗浄乾燥方法。
【請求項１４】
前記乾燥段階において、
気体は前記乾燥室の上部に配置されている噴射ノズルを通じて基板に向いて供給され、供給された気体は前記噴射ノズルと向き合うように前記基板の下に配置されている前記第１、２排気ブロックの上面吸入口を通じて排気されることを特徴とする請求項１３に記載の洗浄乾燥方法。
【請求項１５】
前記乾燥段階は、
前記第１、２排気ブロックを通じた強制排気により大気圧以下で乾燥が行われることを特徴とする請求項１４に記載の洗浄乾燥方法。
【請求項１６】
前記乾燥段階で前記洗浄室と前記乾燥室の内部圧力が同一に維持されるように前記第１排気ブロックと前記第２排気ブロックとの間は隙間を有する特徴とする請求項１４に記載の洗浄乾燥方法。
【請求項１７】
前記乾燥段階では
前記乾燥室の内部圧力を制御し、
前記圧力制御は前記乾燥室の圧力を測定して、その測定された圧力値によって前記第１、２排気ブロックに連結されている真空ポンプの制御を通じて行われることを特徴とする請求項１４に記載の洗浄乾燥方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板洗浄乾燥装置に係り、より具体的には半導体ウェーハやＬＣＤ用硝子基板などの基板を薬液やリンス液等の洗浄液に沈積して洗浄した後、乾燥する洗浄乾燥装置及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に半導体製造装置の製造工程では、半導体ウェーハやＬＣＤ用硝子基板などの被処理体（以下、基板という）を薬液やリンス液（洗浄液）などの処理液が貯蔵されている処理槽に順次沈積して洗浄を行う洗浄処理方法が広く採用されている。
【０００３】
また、このような洗浄処理装置において、洗浄の後のウェーハなどの表面に例えばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）などの揮発性を有する有機溶剤の蒸気から出る乾燥ガスを接触させて、乾燥ガスの蒸気を凝縮または吸着させて、ウェーハなどの水気除去及び乾燥を行う乾燥処理装置が広く知られている。
【０００４】
このような洗浄乾燥装置中には洗浄工程が進行される洗浄室と、洗浄室の上部に乾燥工程が進行される乾燥室を一体化して洗浄と乾燥が一つのチャンバ内で行われるように構成された装置が特許文献１に提案されたことがある。
【０００５】
しかし、このような洗浄乾燥装置は、乾燥室内の不活性ガスと有機成分が排気される排気口が乾燥室の下端の左右側に固定されている構造である。このような構造は乾燥室の下端部分で気流が、排気口が位置している両側面に広がりながら、相対的に中央には気流の流れが弱くなるなどの気流不均衡が発生する。このような現象のため、乾燥室の内部の気流の流れが非直進性及び非均一であって、不活性ガスと有機成分とを迅速に除去するのに多量の時間を要し、乾燥効率の低下をもたらすという問題点がある。また、乾燥室の耐圧が洗浄室の圧力より高い方式（乾燥室と洗浄室の圧力が異なっている）であるため、基板表面への直進性が弱くなって気流誘導が難解になるという問題点がある。
【特許文献１】韓国特許第１９９９−７０１８号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は上述の問題点を解決するためであり、その目的は、乾燥室の内部の有機成分を迅速に除去して乾燥効率を向上させることができる新しい形態の洗浄乾燥装置及び方法を提供することにある。本発明の他の目的は、乾燥室の内部の気流の流れが上から下へ直進性を持って流れるように乾燥効率を向上させることができる新しい形態の洗浄乾燥装置及び方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述の目的を解決するために本発明の一特徴によれば、本発明の洗浄乾燥装置は洗浄液を貯蔵すると同時に洗浄液を下部から排出する洗浄室と、前記洗浄室の上部に配置される乾燥室と、前記洗浄室と前記乾燥室との間に基板を移送する移送手段と、前記乾燥室内に配置されて前記乾燥室に移動された基板を乾燥させるための気体を提供する気体供給部と、前記洗浄室と前記乾燥室との間に配置されて前記乾燥室内の気流が上から下へ流れるように前記乾燥室の内部に提供される気体を強制排気する排気部とを具備することができる。
【０００８】
この特徴の望ましい実施形態において、前記排気部は上面に複数の吸入口を有し、内部には前記吸入口と連結される内部通路を有する排気ブロックとを具備することができる。
【０００９】
この特徴の望ましい実施形態において、前記排気部は左右対称形であり、相互分離可能な第１排気ブロックと第２排気ブロックからなり、前記第１排気ブロックと第２排気ブロックのそれぞれは上面に複数の吸入口を有し、内部には前記吸入口と連結される内部通路を具備することができる。
【００１０】
この特徴の望ましい実施形態において、前記排気部は前記気体供給部から提供される気体が前記乾燥室の内部に垂直方向に気流が生じるように乾燥室内部の気体を強制排気する排気位置と、前記洗浄室と前記乾燥室間の基板移動が可能になるように待機する待機位置に、前記第１、２排気ブロックを移動させる移動部材とをさらに具備することができる。
【００１１】
この特徴の望ましい実施形態において、前記移動部材は前記第１、２排気ブロックを互いに反対される水平方向にスライド移動させるための直線移動部を含み、前記乾燥室は下端両側に前記直線移動部によってスライド移動された前記第１排気ブロックと前記第２排気ブロックが待機することができる空間を提供する待機部とをさらに具備することができる。
【００１２】
この特徴の望ましい実施形態において、前記移動部材は前記乾燥室の側面と隣接した前記第１、２排気ブロックの一端を昇降させるための昇降部と、前記第１、２排気ブロックの一端が昇降される時、前記第１、２排気ブロックの他端が水平移動するようにガイドするガイド部とを含み、前記乾燥室の狭い空間で前記第１、２排気ブロックを水平状態から前記乾燥室の側面に垂直に近い状態に転換（変更）できる。
【００１３】
この特徴の望ましい実施形態において、前記第１排気ブロックと第２排気ブロックは前記移動部材によって一端を軸にして回転移動することができる。
【００１４】
この特徴の望ましい実施形態において、前記洗浄室と前記乾燥室の内部圧力が同一に維持されるように前記第１排気ブロックと前記第２排気ブロックの排気位置は互いに離隔されて配置されることができる。
【００１５】
この特徴の望ましい実施形態において、前記排気部は前記第１、２排気ブロックの側面のそれぞれの内部通路と連結される排気ラインと、前記排気ライン上に設置される真空ポンプと、前記乾燥室または洗浄室の圧力制御のために前記真空ポンプを制御する制御部とをさらに具備することができる。
【００１６】
上述の目的を解決するために本発明の一特徴によれば、基板乾燥方法は洗浄室で洗浄を終えた基板を乾燥室に移送する段階と、前記乾燥室で基板乾燥のための気体を供給して基板を乾燥する段階とを含み、前記乾燥段階は基板の乾燥のための気体を供給する前に前記基板の下に第１、２排気ブロックを位置させる段階と、前記乾燥室の上部では基板の乾燥のための気体が下へ流れるように供給しながら前記乾燥室の下部では前記第１、２排気ブロックを通じて強制排気が行われる段階とを具備することができる。
【００１７】
この特徴の望ましい実施形態において、前記乾燥段階で気体は前記乾燥室の上部に配置されている噴射ノズルを通じて基板に向いて供給され、供給された気体は前記噴射ノズルと向き合うように前記基板下に配置されている前記第１、２排気ブロックの上面吸入口を通じて排気されることができる。前記乾燥段階は前記第１、２排気ブロックを通じた強制排気によって待機圧以下で乾燥が行われる。
【００１８】
この特徴の望ましい実施形態において、前記乾燥段階で前記洗浄室と前記乾燥室の内部圧力が同一に維持されるように前記第１排気ブロックと前記第２排気ブロックとの間は隙間を有する。
【００１９】
この特徴の望ましい実施形態において、前記乾燥段階では前記乾燥室の内部圧力を制御し、前記圧力制御は前記乾燥室の圧力を測定して、その測定された圧力値に応じて前記第１、２排気ブロックに連結された真空ポンプの制御を通じて行われる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の基板洗浄乾燥装置は乾燥室の上部から乾燥ガスを供給して、基板の下部からそのガスを強制排気することで、乾燥室の内部に垂直な気流を形成することにより基板表面にわたって均一な層流を形成するようになるだけでなく、迅速な排気が可能になって、乾燥効率を高めることができるという利点がある。また本発明は乾燥室の内部の気体を強制排気することで、大気圧以下で乾燥工程が進行され、大気圧以下で乾燥工程を処理するので、窒素ガス及び乾燥ガスの直進性が高くなり、対流作用も円滑になり、乾燥効果が増大することができる。また、乾燥室または洗浄室の圧力変化が非正常的に発生される場合、制御部でその圧力変化を感知して真空ポンプを制御することで、乾燥室または洗浄室の圧力を一定にまたは決められた圧力値に維持することができる格別の効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
例えば、本発明の実施形態は様々な形態に変形可能であり、本発明の範囲が上述する実施形態によって限定されると解釈されてはならない。本実施形態は当業界で平均的な知識を持った者に本発明をより完全に説明するために提供されたものである。よって、図面での要素の形状などはより明確な説明を強調するために誇張されたものである。
【００２２】
本発明の実施形態を添付の図１乃至図７に基づいて詳細に説明する。また、前記図面で同一の機能を実行する構成要素に対しては同一の参照番号を併記する。
【００２３】
図１は本発明の望ましい実施形態にかかる基板洗浄乾燥装置を概略的に説明するための構成図である。図２は図１に示したプロセスチャンバの断面斜視図である。図３Ａは基板が洗浄室で洗浄されることを示すプロセスチャンバの断面図である。図３Ｂは基板が乾燥室で乾燥することを示すプロセスチャンバの断面図である。
【００２４】
図１及び図２に示した基板洗浄乾燥装置１００は半導体基板の洗浄及び乾燥工程が実行されるプロセスチャンバ１１０を有する。このプロセスチャンバ１１０は基板の洗浄が行われる洗浄室１１２と、この洗浄室の上部に配置されて、基板の乾燥が行われる乾燥室と、洗浄室と乾燥室間の基板搬送のための移送手段と、排気部とを有する。
【００２５】
洗浄室１１２は基板を洗浄するための洗浄液が収容される内槽１１４と、内槽の外壁の上側部に位置し、洗浄工程中、内槽からあふれこぼれる可能性がある洗浄液を収容する外槽１１５とを有する。内槽１１４は上部が開放されており、内槽の床両側には洗浄液を供給するノズル１１６が設置されており、内槽の床中央には洗浄液が排出される排出口１１７が設置されている。
【００２６】
ここで、洗浄液ではＨＦまたはＨＦ／脱イオン水（ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ  ｗａｔｅｒ）の混合液、その他にアンモニア／過酸化水素／脱イオン水の混合液、塩酸／過酸化水素／脱イオン水の混合液またはこれらの混合液を洗浄液として使うことができる。
【００２７】
図３Ａのように、複数の基板Ｗは移送手段１２０の基板ボート１２２に搭載されて洗浄室の内槽１１２に位置するようになる。基板ボート１２２には２５または５０枚の基板が垂直で立てられた状態で支持されており、この基板ボート１２２はプロセスチャンバ１１０の外に設置されている昇降装置（図示しない）によって昇降するようになる。洗浄液供給ライン１０２から提供される洗浄液はノズル１１６を通じて内槽１１２に供給される。内槽からオーバーフローされる洗浄液は外槽１１５で収集して外部に排水される。一方、排出ライン１１９は内槽１１２から洗浄工程が終わった洗浄液をマランゴニ効果を利用するためにはやくまたは徐々に内槽内の洗浄液を排水する。図示しないが、内槽１１４の排出口１１７と連結された排出ライン１１９には速い排水ライン及び遅い排水ラインが具備されることができる。
【００２８】
乾燥室１３０は上部に開閉可能なカバー１３２を有する。気体供給部１８０は乾燥室１３０に窒素ガス及び乾燥ガスを提供するためのものであり、洗浄室１１０で洗浄処理されて移送された基板に対して窒素ガス及び乾燥ガスを下に向いて噴射する噴射ノズル１８２と、この噴射ノズル１８２と連結される窒素ガス供給源１８４と乾燥ガス供給源１８６とを含む。ここで乾燥ガスには不活性ガスとイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）蒸気が混合した混合ガスが使われることができる。
【００２９】
図１及び図２に示したように、排気部１４０は乾燥室１３０の下方（洗浄室の上部）に配置される。排気部１４０は乾燥室１３０内の気流が上から下へ均一に流れるように窒素ガス及び乾燥ガスを強制排気するためのものである。このように、本発明では乾燥室１３０の内部の気体を強制排気することで、大気圧以下で乾燥工程が進行され、大気圧以下で乾燥工程を処理するため、窒素ガス及び乾燥ガスの直進性が高くなり、対流作用も円滑になって、乾燥効果を増大させることができる。
【００３０】
図２及び図４Ａを参照すると、排気部１４０は第１排気ブロック１４２ａ、第２排気ブロック１４２ｂ、及びこれらをそれぞれ移動させるための移動部材１５２を具備する。第１排気ブロック１４２ａと第２排気ブロック１４２ｂは左右対称形であり、相互分離可能に、そして水平方向にスライド移動可能に設置されており、これらはボックス形態として上面には複数の吸入口１４４が形成されており、その内部にはこれら吸入口と連結される内部通路１４６を有する。この内部通路１４６は外部の排気ライン（図１に図示）１４８と連結され、この排気ライン１４８には制御部１５０によって制御される真空ポンプ１４９が設置されている。ここで、吸入口１４４は乾燥室の中央部（基板の中心部分）から端に行くほどそのサイズが漸進的に小さくなるように配列されている。この吸入口はスロット形態で形成されているが、吸入口の形状は多様に変更可能である。
【００３１】
また、第１排気ブロック１４２ａと第２排気ブロック１４２ｂは底面と側面に吸入口１４４’が形成される。この吸入口１４４’は乾燥室１３０と洗浄室１１２との圧力を同一に維持させるためものである。例えば、第１排気ブロック１４２ａと第２排気ブロック１４２ｂの上面に形成されている吸入口１４４のみを通じて乾燥室の内部を強制排気する場合、洗浄室の空気が乾燥室に逆流することができる。したがって、第１排気ブロック１４２ａと第２排気ブロック１４２ｂの底面及び側面に吸入口１４４’を追加することによって、乾燥室１３０と洗浄室１１２との境界地点での瞬間的な圧力変化による逆流などを防止することができる。
【００３２】
本発明では乾燥室１３０または洗浄室１１２の圧力変化が非正常に発生する場合、制御部１５０でその圧力変化を感知して真空ポンプ１４９を制御することで、乾燥室または洗浄室の圧力を一定に、または決められた圧力値に維持することができる格別の効果を有する。
【００３３】
排気部１４０の移動部材１５２は乾燥室１３０の外に設置されている。移動部材は第１、２排気ブロックを直線移動させるための油圧シリンダ駆動方式が使われることができるが、この方式の外にモータ、リードスクリューを利用した駆動方式のような多様な直線移動装置が適用されることができる。
【００３４】
図３Ｂのように、第１排気ブロック１４２ａと第２排気ブロック１４２ｂは乾燥室１３０の内部に垂直下方に気流が生じるように乾燥室の上部から提供される気体を乾燥室の下部で強制排気する排気位置に移動されるか、または図３Ａのように、第１排気ブロック１４２ａと第２排気ブロック１４２ｂは洗浄室と乾燥室間の基板移動が可能になるように待機する位置に移動されることができる。乾燥室１３０は下端の両側に移動部材によってスライド移動された第１排気ブロックと第２排気ブロックが待機することができる空間を提供する待機部１３１を有している。
【００３５】
第１排気ブロック１４２ａと第２排気ブロック１４２ｂの排気位置は図４Ａのように第１排気ブロック１４２ａと第２排気ブロック１４２ｂが互いに離隔するように位置していることが望ましい。このように第１排気ブロック１４２ａと第２排気ブロック１４２ｂが互いに離隔している状態で乾燥工程を進行することで、乾燥室１３０と洗浄室１１２は同一の内部圧力を維持するようになる。勿論、第１排気ブロック１４２ａと第２排気ブロック１４２ｂは図４Ｂのように、互いに密着して位置されて、乾燥室１３０と洗浄室１１２を断絶させることもできる。
【００３６】
このように、本発明の基板洗浄乾燥装置１００は乾燥室１３０の上部で窒素ガス及び乾燥ガスを供給し、乾燥室１３０の下部でそのガスを強制排気することで、乾燥室の内部に垂直な気流形成により基板の表面にわたって均一な層流を形成するようになるだけでなく、迅速な排気が可能になって乾燥効率を高めることができる。
【００３７】
図５及び図６は変形された排気部が適用されたプロセスチャンバを示す図である。
【００３８】
図５及び図６に示したように、排気部１４０'は第１排気ブロック１４２ａ、第２排気ブロック１４２ｂ、及びこれらをそれぞれ移動させるための移動部材１７０を具備する。ここで、第１、２排気ブロック１４２ａ、１４２ｂは上述と同一の機能と構造を有するので、それに対する説明は略する。ここで重要なことは、第１排気ブロック１４２ａと第２排気ブロック１４２ｂの移動方向を変更して、プロセスチャンバ１１０の大きさを上述のプロセスチャンバより小さく実現することができるということにその特徴がある。
【００３９】
図５及び図６を参照すれば、移動部材１７０は、第１、２排気ブロック１４２ａ、１４２ｂを水平状態から、乾燥室１３０の側面に対して垂直に近い状態に、またはその逆に移動する。すなわち、移動部材１７０は乾燥室１３０の側面と隣接した第１、２排気ブロック１４２ａ、１４２ｂの一端を昇降させるための油圧シリンダで構成される昇降部１７２と、第１、２排気ブロック１４２ａ、１４２ｂの一端が昇降される時、第１、２排気ブロックの他端が水平移動されるようにガイドする水平ガイド部１７６を具備する。水平ガイド部１７６は第１、２排気ブロックの側面に形成されるガイドピン１７６ａと、このガイドピン１７６ａが水平移動されるガイドレール１７６ｂとを具備している。このガイドレール１７６ｂは乾燥室１３０の下端の後面（または前面）に形成される。第１、２排気ブロック１４２ａ、１４２ｂの一端は、油圧シリンダのロッド１７２ａが上昇されれば、持ち上げられ、第１、２排気ブロックの一端がガイドレール１７６ｂに沿って移動し、最終的に第１、２排気ブロックは乾燥室１３０の側面に垂直に近い状態で立てられる。反対に、油圧シリンダのロッド１７２ａが下降されれば、第１、２排気ブロックの他端が下がり、これによって第１、２排気ブロックの一端はガイドレール１７６ｂに沿って移動しながら水平に近い状態で横たえられる。
【００４０】
このような移動部材１７０によって、第１、２排気ブロック１２ａ、１４２ｂは乾燥室１３０の狭い空間で水平状態と乾燥室の側面に垂直に近い状態またはその逆に変更されるため、乾燥室の側面から突き出されるように形成された待機部を除去することができるので、プロセスチャンバの大きさを減らすことができる。
【００４１】
一方、本発明は前記の構成からなる基板洗浄乾燥装置において、多様に変形されることができ、さまざまな形態を取ることができる。しかし、本発明は前記の詳細な説明で言及される特別な形態に限定されないと解釈されるべく、むしろ請求範囲によって定義される本発明の精神と範囲内にあるすべての変形物と均等物及び代替物を含むと理解されるべきである。
【００４２】
次に、上述のように構成された基板洗浄乾燥装置の動作関係を説明する。
【００４３】
図３Ａ、図３Ｂ、及び図７を参照すれば、本実施形態に係る基板洗浄乾燥方法は大きく準備段階（Ｓ１１０）、洗浄段階（Ｓ１２０）、乾燥段階（Ｓ１３０）を含む。
【００４４】
準備段階（Ｓ１１０）は洗浄及び乾燥作業を実行するためであり、乾燥室１３０のカバー１３２開放、基板Ｗローディング、カバー１３２密閉、窒素ガス供給及び超純水供給などの手順を有する。準備段階を通じて準備が完了したら、直ちに洗浄段階（Ｓ１２０）に進行する。洗浄段階（Ｓ１２０）は洗浄液を続いて供給及び排出して、洗浄液の流れが基板と接するようにすることによって、基板表面の不純物等を除去する段階である（図３Ａ参照）。洗浄段階（Ｓ１２０）を通じた洗浄が完了すれば、基板を乾燥室１３０に移送した後、乾燥段階（Ｓ１３０）に進行する。乾燥段階（Ｓ１３０）では基板の乾燥のための気体を供給する前に基板の下の排気位置に第１、２排気ブロックを位置させる（１３２）。その後、基板の乾燥のための窒素ガスと乾燥ガスは乾燥室の上部に設置されている噴射ノズルを通じて基板に向いて下へ流れるように供給される（Ｓ１３４）。このように乾燥室の上部から下へ流れた窒素ガスと乾燥ガスは乾燥室の下部で第１、２排気ブロック１４２ａ、１４２ｂを通じて外部に強制排気される（Ｓ１３６）（図３Ｂ参照）。一方、乾燥段階（Ｓ１３０）では乾燥室の内部圧力を測定して、その測定された圧力値に応じて真空ポンプ１４９を制御することで、乾燥室１３０の圧力を制御するようになる。このように、乾燥段階（Ｓ１３０）は乾燥室１３０の内部に垂直な気流形成により基板表面にわたって均一な層流が形成されるだけでなく、迅速な排気が可能になる。以上の説明した洗浄及び乾燥過程は一例に過ぎず、これとは異なる乾燥洗浄過程も可能である。
【００４５】
以上では、本発明による基板洗浄乾燥装置の構成及び作用を上述の説明及び図面によて示したが、これは例をあげて説明したことに過ぎず、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で多様な変化及び変更が可能であることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の望ましい実施形態に係る基板洗浄乾燥装置を概略的に説明するための構成図である。
【図２】図１に示したプロセスチャンバの断面斜視図である。
【図３Ａ】基板が洗浄室で洗浄されることを示すプロセスチャンバの断面図である。
【図３Ｂ】基板が乾燥室で乾燥されることを示すプロセスチャンバの断面図である。
【図４Ａ】第１排気ブロックと第２排気ブロックの排気位置を示す図である。
【図４Ｂ】第１排気ブロックと第２排気ブロックの排気位置を示す図である。
【図５】変形された排気部が適用されたプロセスチャンバを示す図である。
【図６】変形された排気部が適用されたプロセスチャンバを示す図である。
【図７】本発明での基板洗浄乾燥過程を概略的に示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００４７】
１１０  プロセスチャンバ
１１２  洗浄室
１２０  移送手段
１３０  乾燥室
１４０  排気部
１４２ａ  第１排気ブロック
１４２ｂ  第２排気ブロック
１４４  吸入口
１７０  移動部材
【図１】
2006332642.tif 000003
【図２】
2006332642.tif 000004
【図３Ａ】
2006332642.tif 000005
【図３Ｂ】
2006332642.tif 000006
【図４Ａ】
2006332642.tif 000007
【図４Ｂ】
2006332642.tif 000008
【図５】
2006332642.tif 000009
【図６】
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【図７】
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