(57)【要約】【課題】従来のブラックマトリックスの問題、すなわち、不十分な遮光と過度の反射とを改善する要求を満たすカラーフィルタの構造を提供する。【解決手段】インジウム錫（スズ）酸化物層がガラス基板上に形成され、窒化シリコン層、アモルファスシリコン層、ｎ型シリコン層、金属層が前記インジウム錫酸化物層上に順次形成され、カラーフィルタとなる。上記の層の厚さと処理条件は、ブラックマトリックス、赤色反射式フィルタ、緑色反射式フィルタ、青色反射式フィルタのような様々なカラーフィルタを提供するように調整できる。【選択図】図２
2006003485.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶表示器に使用するカラーフィルタの構造であって、該カラーフィルタの構造は、
基板と、
前記基板上のインジウム錫酸化物層と、
前記インジウム錫酸化物層上の窒化シリコン層であって、該窒化シリコン層を成長させるために用いるＲＦパワーの値が第一のパワー値である窒化シリコン層と、
前記窒化シリコン層上のアモルファスシリコン層と、
前記アモルファスシリコン層上のｎ型シリコン層と、
前記ｎ型シリコン層上の金属層とを具備し、
光が前記基板から該カラーフィルタの中へ放射され、該光は、前記基板、前記インジウム錫酸化物層、前記窒化シリコン層、前記アモルファスシリコン層、前記ｎ型シリコン層を順に通過した後に、該カラーフィルタから出るために最初の経路に沿って伝わるように前記金属層により反射され、且つ前記光は前記インジウム錫酸化物層、前記窒化シリコン層、前記アモルファスシリコン層、前記ｎ型シリコン層により吸収されそして干渉を受け、前記光はフィルタを掛けられて該カラーフィルタから放射された後特定の色の光になることを特徴とするカラーフィルタの構造。
【請求項２】
液晶表示器に使用するカラーフィルタの構造であって、該カラーフィルタの構造は、
基板と、
前記基板上の窒化シリコン層であって、該窒化シリコン層を成長させるために用いるＲＦパワーの値が第一のパワー値である窒化シリコン層と、
前記窒化シリコン層上のアモルファスシリコン層と、
前記アモルファスシリコン層上のｎ型シリコン層と、
前記ｎ型シリコン層上の金属層とを具備し、
光が前記基板から該カラーフィルタの中へ放射され、該光は、前記基板、前記窒化シリコン層、前記アモルファスシリコン層、前記ｎ型シリコン層を順に通過した後に、該カラーフィルタから出るために最初の経路に沿って伝わるように前記金属層により反射され、且つ前記光は前記窒化シリコン層、前記アモルファスシリコン層、前記ｎ型シリコン層により吸収されそして干渉を受け、前記光はフィルタを掛けられて該カラーフィルタから放射された後特定の色の光になることを特徴とするカラーフィルタの構造。
【請求項３】
液晶表示器に使用するカラーフィルタの構造であって、該カラーフィルタの構造は、
基板と、
前記基板上の金属層と、
前記金属層上のｎ型シリコン層と、
前記ｎ型シリコン層上のアモルファスシリコン層と、
前記アモルファスシリコン層上の窒化シリコン層であって、該窒化シリコン層を成長させるために用いるＲＦパワーの値が第一のパワー値である窒化シリコン層と、
前記窒化シリコン層上のインジウム錫酸化物層とを具備し、
光が前記インジウム錫酸化物層から該カラーフィルタの中へ放射され、該光は、前記インジウム錫酸化物層、前記窒化シリコン層、前記アモルファスシリコン層、前記ｎ型シリコン層を順に通過した後に、該カラーフィルタから出るために最初の経路に沿って伝わるように前記金属層により反射され、且つ前記光は前記インジウム錫酸化物層、前記窒化シリコン層、前記アモルファスシリコン層、前記ｎ型シリコン層により吸収されそして干渉を受け、前記光はフィルタを掛けられて該カラーフィルタから放射された後特定の色の光になることを特徴とするカラーフィルタの構造。
【請求項４】
液晶表示器に使用するカラーフィルタの構造であって、該カラーフィルタの構造は、
基板と、
前記基板上の金属層と、
前記金属層上のｎ型シリコン層と、
前記ｎ型シリコン層上のアモルファスシリコン層と、
前記アモルファスシリコン層上の窒化シリコン層であって、該窒化シリコン層を成長させるために用いるＲＦパワーの値が第一のパワー値である窒化シリコン層とを具備し、
光が前記窒化シリコン層から該カラーフィルタの中へ放射され、該光は、前記窒化シリコン層、前記アモルファスシリコン層、前記ｎ型シリコン層を順に通過した後に、該カラーフィルタから出るために最初の経路に沿って伝わるように前記金属層により反射され、且つ前記光は前記窒化シリコン層、前記アモルファスシリコン層、前記ｎ型シリコン層により吸収されそして干渉を受け、前記光はフィルタを掛けられて該カラーフィルタから放射された後特定の色の光になることを特徴とするカラーフィルタの構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示器の装置に関するものであり、特にカラーフィルタの構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶は結晶と液体の間の性質をもつ物質である。液晶分子の配列は、印加電圧により発生する電場のような外部の刺激に応じて変化する。それゆえ、液晶分子の特性は表示装置を創るために利用することができる（特許文献１参照）。
【０００３】
カラー薄膜トランジスタ液晶表示器（ＴＦＴ−ＬＣＤ）は、現行の技術では薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）アレイ基板とカラーフィルタ基板とを別々に作製し、そしてそれらを組み立てて一緒にすることにより製造される。カラーフィルタ基板には、赤、緑、青の三つのカラーフィルタと、ブラックマトリックスが含まれる。ブラックマトリックスは、薄膜トランジスタ、インジウム錫（スズ）酸化物（ＩＴＯ）上の配線、そして表示領域のうちの電極に隣接する幾つかの部分を遮蔽する。一般に、電極に隣接する部分は、不均一な電場分布や面内電場により光漏れの問題に直面する。さらに、ブラックマトリックスの主たる機能は、表示のコントラストを増すことと光が薄膜トランジスタを損傷することを防止することであるから、ブラックマトリックスは低反射率と高光学密度という光学特性を持つものでなければならない。
【０００４】
図１は、従来の液晶表示パネルの構造の概略図である。薄膜トランジスタ１０６は薄膜トランジスタ基板１０２上に位置し、そして薄膜トランジスタ１０６は液晶１０８の配列方向を制御するための電圧を変化させる役割を持つ。ブラックマトリックス１１８は薄膜トランジスタ１０６の下にあり、そしてブラックマトリックス１１８は金属１１２と酸化物１１４とにより通常形成される。現在、クロムと酸化クロムがブラックマトリックス１１８を形成するために通常用いられる。カラーフィルタ１２０ａはブラックマトリックス１１８の間に位置し、光源１１０からの光にフィルタを掛けて、それぞれ異なる領域において赤、緑、青の光にする。さらに、前述のブラックマトリックス１１８とカラーフィルタ１２０ａとは全て基板１０４の上に位置する。
【０００５】
一般に、従来の金属／酸化物構造のブラックマトリックスは外部光を必要以上に反射し、遮光が不十分になるという問題に直面する。薄膜トランジスタは光に非常に敏感であり、わずかの光によってその動作に影響を及ぼすような光電流を容易に生じる。さらに、光がより多ければ薄膜トランジスタを損傷するかもしれない。遮光が不十分であれば薄膜トランジスタに対する良好な遮光は提供されないし、表示パネルのベースの色が視覚上のコントラストを向上させることができる黒色ではなく、紺青色としてのみ見える。外部光の必要以上の反射は液晶表示器の視認性を低下させ、それを使う際に不都合が生じる。
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−２２８０７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
それゆえ、本発明の目的は、従来のブラックマトリックスの問題、すなわち、不十分な遮光と過度の反射とを改善する要求を満たすカラーフィルタの構造を提供することである。
本発明のもう一つの目的は、良好な品質と簡単な構造とを有する反射式カラーフィルタの構造を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の前述の目的、及びその他の目的に従い、カラーフィルタの構造が記述される。該カラーフィルタは、基板と、インジウム錫酸化物層と、窒化シリコン層と、アモルファスシリコン層と、ｎ型シリコン層と、金属層とから形成される。
【０００９】
すなわち、本発明は、液晶表示器に使用するカラーフィルタの構造であって、該カラーフィルタの構造は、基板と、前記基板上のインジウム錫酸化物層と、前記インジウム錫酸化物層上の窒化シリコン層であって、該窒化シリコン層を成長させるために用いるＲＦパワーの値が第一のパワー値である窒化シリコン層と、前記窒化シリコン層上のアモルファスシリコン層と、前記アモルファスシリコン層上のｎ型シリコン層と、前記ｎ型シリコン層上の金属層とを具備し、光が前記基板から該カラーフィルタの中へ放射され、該光は、前記基板、前記インジウム錫酸化物層、前記窒化シリコン層、前記アモルファスシリコン層、前記ｎ型シリコン層を順に通過した後に、該カラーフィルタから出るために最初の経路に沿って伝わるように前記金属層により反射され、且つ前記光は前記インジウム錫酸化物層、前記窒化シリコン層、前記アモルファスシリコン層、前記ｎ型シリコン層により吸収され及び干渉を受け、前記光はフィルタを掛けられて該カラーフィルタから放射された後特定の色の光になることを特徴とするカラーフィルタの構造を提供する（請求項１）。
【００１０】
また、本発明は、液晶表示器に使用するカラーフィルタの構造であって、該カラーフィルタの構造は、基板と、前記基板上の金属層と、前記金属層上のｎ型シリコン層と、前記ｎ型シリコン層上のアモルファスシリコン層と、前記アモルファスシリコン層上の窒化シリコン層であって、該窒化シリコン層を成長させるために用いるＲＦパワーの値が第一のパワー値である窒化シリコン層と、前記窒化シリコン層上のインジウム錫酸化物層とを具備し、光が前記インジウム錫酸化物層から該カラーフィルタの中へ放射され、該光は、前記インジウム錫酸化物層、前記窒化シリコン層、前記アモルファスシリコン層、前記ｎ型シリコン層を順に通過した後に、該カラーフィルタから出るために最初の経路に沿って伝わるように前記金属層により反射され、且つ前記光は前記インジウム錫酸化物層、前記窒化シリコン層、前記アモルファスシリコン層、前記ｎ型シリコン層により吸収され及び干渉を受け、前記光はフィルタを掛けられて該カラーフィルタから放射された後特定の色の光になることを特徴とするカラーフィルタの構造を提供する（請求項３）。
【００１１】
本発明の好ましい実施形態の一つにおいて、ブラックマトリックスのインジウム錫酸化物層、窒化シリコン層、アモルファスシリコン層、ｎ型シリコン層、金属層の厚さは、それぞれ約４２０Å、５００Å、５００Å、５００Å、７８０Åである。窒化シリコン層を成長させるための化学蒸着処理の高周波（ｒａｄｉｏ  ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ、ＲＦ）のパワーは１．６キロワット（ＫＷ）であり、金属層の材質はクロムである。
【００１２】
また、反射式青色フィルタのインジウム錫酸化物層、窒化シリコン層、アモルファスシリコン層、ｎ型シリコン層、金属層の厚さは、それぞれ約４２０Å、５００Å、５００Å、５００Å、７８０Åである。窒化シリコン層を成長させるための化学蒸着処理の高周波（ＲＦ）のパワーは２．１ＫＷであり、金属層の材質はクロムである。
【００１３】
また、反射式緑色フィルタのインジウム錫酸化物層、窒化シリコン層、アモルファスシリコン層、ｎ型シリコン層、金属層の厚さは、それぞれ約１６８Å、３００Å、５００Å、５００Å、７８０Åである。窒化シリコン層を成長させるための化学蒸着処理の高周波のパワーは１．６ＫＷであり、金属層の材質はクロムである。
【００１４】
また、反射式赤色フィルタのインジウム錫酸化物層、窒化シリコン層、アモルファスシリコン層、ｎ型シリコン層、金属層の厚さは、それぞれ約４２０Å、４００Å、４００Å、４００Å、７８０Åである。窒化シリコン層を成長させるための化学蒸着処理の高周波のパワーは２．１ＫＷであり、金属層の材質はクロムである。
【００１５】
別の反射式赤色フィルタのインジウム錫酸化物層、窒化シリコン層、アモルファスシリコン層、ｎ型シリコン層、金属層の厚さは、それぞれ約１６８Å、４００Å、４００Å、４００Å、７８０Åである。窒化シリコン層を成長させるための化学蒸着処理の高周波のパワーは１．６ＫＷであり、金属層の材質はクロムである。
【００１６】
本発明のもう一つの目的に従い、高輝度の反射式カラーフィルタの構造が記述される。該カラーフィルタは、基板と、窒化シリコン層と、アモルファスシリコン層と、ｎ型シリコン層と、金属層とから形成される。
【００１７】
すなわち、本発明は、液晶表示器に使用するカラーフィルタの構造であって、該カラーフィルタの構造は、基板と、前記基板上の窒化シリコン層であって、該窒化シリコン層を成長させるために用いるＲＦパワーの値が第一のパワー値である窒化シリコン層と、前記窒化シリコン層上のアモルファスシリコン層と、前記アモルファスシリコン層上のｎ型シリコン層と、前記ｎ型シリコン層上の金属層とを具備し、光が前記基板から該カラーフィルタの中へ放射され、該光は、前記基板、前記窒化シリコン層、前記アモルファスシリコン層、前記ｎ型シリコン層を順に通過した後に、該カラーフィルタから出るために最初の経路に沿って伝わるように前記金属層により反射され、且つ前記光は前記窒化シリコン層、前記アモルファスシリコン層、前記ｎ型シリコン層により吸収され及び干渉を受け、前記光はフィルタを掛けられて該カラーフィルタから放射された後特定の色の光になることを特徴とするカラーフィルタの構造を提供する（請求項２）。
【００１８】
また、本発明は、液晶表示器に使用するカラーフィルタの構造であって、該カラーフィルタの構造は、基板と、前記基板上の金属層と、前記金属層上のｎ型シリコン層と、前記ｎ型シリコン層上のアモルファスシリコン層と、前記アモルファスシリコン層上の窒化シリコン層であって、該窒化シリコン層を成長させるために用いるＲＦパワーの値が第一のパワー値である窒化シリコン層とを具備し、光が前記窒化シリコン層から該カラーフィルタの中へ放射され、該光は、前記窒化シリコン層、前記アモルファスシリコン層、前記ｎ型シリコン層を順に通過した後に、該カラーフィルタから出るために最初の経路に沿って伝わるように前記金属層により反射され、且つ前記光は前記窒化シリコン層、前記アモルファスシリコン層、前記ｎ型シリコン層により吸収され及び干渉を受け、前記光はフィルタを掛けられて該カラーフィルタから放射された後特定の色の光になることを特徴とするカラーフィルタの構造を提供する（請求項４）。
【００１９】
本発明の好ましい実施形態の一つにおいて、高輝度赤色フィルタの窒化シリコン層、アモルファスシリコン層、ｎ型シリコン層、金属層の厚さは、それぞれ約５００Å、４００Å、４００Å、７８０Åである。窒化シリコン層を成長させるための化学蒸着処理の高周波のパワーは１．６キロワット（ＫＷ）であり、金属層の材質はクロムである。
【００２０】
高輝度緑色フィルタの窒化シリコン層、アモルファスシリコン層、ｎ型シリコン層、金属層の厚さは、それぞれ約５００Å、５００Å、５００Å、７８０Åである。窒化シリコン層を成長させるための化学蒸着処理の高周波のパワーは１．６ＫＷであり、金属層の材質はクロムである。
【発明の効果】
【００２１】
本発明のブラックマトリックスの構造は良好な遮光と低反射率を提供する。その反射率は長波長領域（６５０ｎｍと７９０ｎｍの間の領域）において５％未満であり、それゆえ、長波長領域において反射が強く不十分な反射特性を有する従来のブラックマトリックスの問題を改善する。
【００２２】
本発明の窒化シリコン層、アモルファスシリコン層、ｎ型シリコン層は全て化学蒸着処理によって成長させるが、金属／酸化物からなる従来のブラックマトリックスは物理蒸着処理により形成される。光干渉が膜の中で生じる場合は、膜の均一性と厚さが非常に重要である。パターン面上に膜を形成するときに膜の均一性と厚さを制御するためには物理蒸着より化学蒸着のほうがよい。それゆえ本発明は従来技術よりも優れた膜の品質と光干渉効果とを提供する。
なお、前述の概略的な記載と以下の詳細な記載は例示であり、請求に係る発明のさらなる説明を提供するように意図されたものであることが理解されるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
本発明の様々な特徴、態様、利点は、以下の記載、添付の請求の範囲、そして添付の図面を考慮してよりよく理解されることになるだろう。
本発明の好ましい実施形態を詳しく参照するが、実施態様の例示は添付の図面に図示されている。可能な限り、図面及び記載中では同一又は同様の部分を参照するために同じ符号が用いられる。
【００２４】
本発明では、最初にガラス基板上にインジウム錫酸化物層を形成し、次に窒化シリコン層、アモルファスシリコン層、ｎ型シリコン層、金属層がインジウム錫酸化物層の上に順次形成される。外部光がガラス基板から本発明のカラーフィルタの中へ放射されると、まずアモルファスシリコン層とｎ型シリコン層が光を吸収し、次に金属層が光を遮蔽し反射する。入射光と反射光はインジウム錫酸化物層と窒化シリコン層の中で弱め合う干渉を発生させる。さらに、入射光は金属層で反射されるので、アモルファスシリコン層とｎ型シリコン層は再び光を吸収する。
【００２５】
図２は本発明の好ましい実施形態の断面図である。最初にインジウム錫酸化物層２０４をガラス基板２０２の上に物理蒸着（ＰＶＤ）処理により成長させる。次に窒化シリコン層２０６、アモルファスシリコン層２０８、ｎ型シリコン層２１０を順次成長させるために化学蒸着処理が施される。最後に、金属層２１２が物理蒸着処理により形成され、カラーフィルタの構造が完成する。
【００２６】
本発明のブラックマトリックスの好ましい実施形態に従えば、インジウム錫酸化物層２０４、窒化シリコン層２０６、アモルファスシリコン層２０８、ｎ型シリコン層２１０、金属層２１２の厚さは、それぞれ約４２０Å、５００Å、５００Å、５００Å、７８０Åである。窒化シリコン層２０６を成長させるための化学蒸着処理の高周波のパワーは１．６キロワット（ＫＷ）であり、金属層２１２の材質はクロム（Ｃｒ）であり、ｎ型シリコン層２１０にリン（Ｐ）が添加される、そして、良好な遮光と低い反射率を有するブラックマトリックスの構造が完成する。
【００２７】
図３は本発明の好ましい実施形態の反射率のスペクトルであり、測定波長領域は約３９０ｎｍから７８０ｎｍまでである。スペクトル線３１０はクロム／酸化クロムからなる従来のブラックマトリックスの反射率を表し、もう一つのスペクトル線３２０は本発明のブラックマトリックスの反射率を表す。図３に示されるように、本発明のブラックマトリックスの反射率は約３９０ｎｍと６５０ｎｍの間で約２％であり、従来のブラックマトリックスの反射率である約４％より低い。６５０ｎｍと７９０ｎｍの間、すなわち赤や赤外の光の領域では、従来のブラックマトリックスの反射率は波長に従って約２５％に上昇するが、本発明のブラックマトリックスの反射率は依然として約５％未満である。本発明のブラックマトリックスはこのように長波長領域において低反射率を維持でき、光反射の発生を減らすことができる。
【００２８】
ブラックマトリックスだけでなく、本発明は、前記の層の厚さとその処理条件、例えば窒化シリコン層２０６を成長させるために化学蒸着処理の高周波パワーを変更するというようなもの、とを調整することにより、色と輝度が異なる他のカラーフィルタも提供する。以下の記載では、本発明の反射式カラーフィルタを説明し、色と輝度とが異なる幾つかの実施形態を提供する。
【００２９】
表１に赤、緑、青の反射式カラーフィルタの実施形態の厚さと処理条件とを記載する。表１は赤色フィルタに対する厚さと処理条件との二つの組合わせを示し、本発明では異なる厚さと処理条件との組み合わせで同じ色のカラーフィルタを得ることができることを示す。前述のインジウム錫酸化物層２０４、窒化シリコン層２０６、アモルファスシリコン層２０８、ｎ型シリコン層２１０、金属層２１２の厚さ、及び窒化シリコン層２０６を成長させるための化学蒸着処理の高周波数（ＲＦ）パワーが全て表１に記載される。さらに、表１の金属層２１２の材質はクロムであり、リンがｎ型シリコン層２１０に添加される。
【００３０】
【表１】
2006003485.tif 000003
【００３１】
本発明のもう一つの実施形態に従い、前記の反射式カラーフィルタの構造は変更され、高輝度の反射式カラーフィルタを得るためインジウム錫酸化物層２１４を成長させない。図４に示されるように、図４の構造にはインジウム錫酸化物層２０４が無く、その一方で残りは図２と同様である。表２には、赤と緑の高輝度反射式カラーフィルタの処理パラメータが記載されており、これらは窒化シリコン層２０６、アモルファスシリコン層２０８、ｎ型シリコン層２１０、金属層２１２の厚さと、窒化シリコン層２０６を成長させるための化学蒸着処理の高周波パワーとを含むものである。さらに、表２の金属層２１２の材質はクロムであり、リンがｎ型シリコン層２１０に添加される。
【００３２】
【表２】
2006003485.tif 000004
【００３３】
本発明では、前述の層を逆に成長させることもできる。最初に金属層が基板の上に形成され、ｎ型シリコン層、アモルファスシリコン層、窒化シリコン層、インジウム錫酸化物層を金属層の上に順次成長させる。外部光がインジウム錫酸化物層から本発明のカラーフィルタの中へ放射されると、まずアモルファスシリコン層とｎ型シリコン層が特定の波長を除いた光を幾らか吸収し、次に金属層が光を反射する。
【００３４】
インジウム錫酸化物層と窒化シリコン層との中において、入射光と反射光は特定の波長を除いた波長で弱め合う干渉を発生させる。さらに、入射光は金属層で反射されるので、アモルファスシリコン層とｎ型シリコン層は再び光を吸収するが、特定の波長の光は吸収しない。従って本発明のカラーフィルタは不要な光にフィルタを掛け、特定の波長の光のみを反射する。以下の記載では逆の順序で成長させたカラーフィルタとその用途を示すために本発明のもう一つの実施形態を用いる。
【００３５】
図５は反射式液晶表示パネルの構造の概略図である。薄膜トランジスタ１０６は薄膜トランジスタ基板１０２上に位置する。そして薄膜トランジスタ１０６は液晶１０８の配列方向を制御するための電圧を変化させる役割を持つ。ブラックマトリックス１１８は薄膜トランジスタ１０６の下にあり、基板１０４上に形成される。カラーフィルタ１２０ｂは薄膜トランジスタ基板１０２上に位置する。光源１１０からの光は基板１０４を通過しカラーフィルタ１２０ｂに達する。カラーフィルタ１２０ｂは光を反射し且つフィルタを掛け、異なる領域で赤、緑、青の光とし、それらを基板１０４を通して放出する。
【００３６】
図６は反射式液晶表示器に用いられる本発明の好ましい実施形態の断面図である。最初に金属層２１２が物理蒸着（ＰＶＤ）処理により基板４０２の上に形成される。次にｎ型シリコン層２１０、アモルファスシリコン層２０８、窒化シリコン層２０６を順次成長させるために化学蒸着処理が施される。最後に、インジウム錫酸化物層２０４を物理蒸着処理により成長させ、反射式カラーフィルタの構造が完成する。
【００３７】
前述の層の厚さとその処理条件を調整することで、色と輝度とが異なるカラーフィルタを提供することができる。同じ色のカラーフィルタに対して多くの異なる処理パラメータが可能であり、本発明は一つの特定の組み合わせに限られない。さらに、インジウム錫酸化物層２０４は高輝度の反射式カラーフィルタを製造するためには除くことができる。
【００３８】
結論として、本発明は次のような様々な利点を有する。
１．本発明のブラックマトリックスの構造は、良好な遮光と低反射率を提供し、その反射率は長波長領域（６５０ｎｍと７９０ｎｍの間の領域）において５％未満であり、それゆえ長波長領域において反射が強く不十分な反射特性を欠点とする従来のブラックマトリックスの問題を改善する。
【００３９】
２．本発明の窒化シリコン層、アモルファスシリコン層、ｎ型シリコン層は全て化学蒸着処理により成長させるが、金属／酸化物からなる従来のブラックマトリックスは物理蒸着処理により形成される。光干渉が膜の中で生じる場合は、膜の均一性と厚さが重要である。パターン面上に膜を形成するためには物理蒸着より化学蒸着のほうがよい。それゆえ本発明は従来技術よりも優れた膜の品質と光干渉効果とを提供する。
【００４０】
３．本発明に用いられる材料、すなわち窒化シリコン層、アモルファスシリコン層、ｎ型シリコン層のようなものは、全て既存のものであってＬＣＤの製造工程において容易に用意されるものである。さらに、これらの層は一つの化学蒸着チャンバの中で連続的に形成することができ、追加工程や時間を必要としない。その上、ブラックマトリックス、赤、緑、青のカラーフィルタを単に層の厚さと処理条件とを調整するだけで得ることができ、従って本発明は簡単で安価なカラーフィルタの構造を提供する。
【００４１】
なお、本発明の範囲や精神から外れることなしに様々な改良と変更が本発明の構造に対してされ得ることは当業者にとって明らかである。前記のことに鑑みれば、本発明は、その請求項及びそれと均等なものの範囲に属する本発明の改良や変更にも及ぶものであるということを意味する。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】従来の液晶表示パネルの構造の概略図である。
【図２】本発明の好ましい実施形態の断面図である。
【図３】本発明の好ましい実施形態の反射率のスペクトルである。
【図４】本発明のもう一つの好ましい実施形態の断面図である。
【図５】反射式液晶表示パネルの構造の概略図である。
【図６】本発明のもう一つの好ましい実施形態の断面図である。
【符号の説明】
【００４３】
Ｇ…緑、  Ｒ…赤、
１０２…薄膜トランジスタ基板、  １０４…基板、  １０６…薄膜トランジスタ、
１０８…液晶、  １１０…光源、  １１２…金属、  １１４…酸化物、
１１８…ブラックマトリックス、  １２０ａ、１２０ｂ…カラーフィルタ、
２０２…ガラス基板、  ２０４…インジウム錫酸化物層、
２０６…窒化シリコン層、  ２０８…アモルファスシリコン層、
２１０…ｎ型シリコン層、  ２１２…金属層、
３１０…従来のブラックマトリックスの反射率を表すスペクトル線、
３２０…本発明のブラックマトリックスの反射率を表すスペクトル線、
４０２…基板。
【図１】
2006003485.tif 000005
【図２】
2006003485.tif 000006
【図３】
2006003485.tif 000007
【図４】
2006003485.tif 000008
【図５】
2006003485.tif 000009
【図６】
2006003485.tif 000010