(57)【要約】【課題】容易に層構造を作成することができ、効率等の素子性能に優れた有機ＥＬ素子を与えることができる有機ＥＬ用高分子組成物を提供する。【解決手段】電荷輸送材料又は発光体としての高分子材料、及び架橋剤を含有する有機エレクトロルミネッセンス用高分子組成物であって、該架橋剤は芳香環を含まないことを特徴とする上記組成物。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
電荷輸送材料又は発光体としての高分子材料、及び架橋剤を含有する有機エレクトロルミネッセンス用高分子組成物であって、該架橋剤は芳香環を含まないことを特徴とする上記組成物。
【請求項２】
前記架橋剤の架橋基が、ビニル基、アセチレン基、ブテニル基、アクリル基、アクリレート基、アクリルアミド基、メタクリル基、メタクリレート基、メタクリルアミド基、ビニルエーテル基、ビニルアミノ基、シラノール基、シクロプロピル基、シクロブチル基、エポキシ基、オキセタン基、ジケテン基、エピスルフィド基、ラクトン基、及びラクタム基からなる群から選ばれる少なくとも１種である請求項１に記載の高分子組成物。
【請求項３】
前記架橋剤が５官能以上である請求項１又は２に記載の高分子組成物。
【請求項４】
前記架橋剤が（メタ）アクリレートである請求項１〜３のいずれか一項に記載の高分子組成物。
【請求項５】
前記架橋剤が脂肪族アルコールの（メタ）アクリレートである請求項１に記載の高分子組成物。
【請求項６】
前記架橋剤が２官能以上の（メタ）アクリレートである請求項１に記載の高分子組成物。
【請求項７】
前記架橋剤が５官能以上の（メタ）アクリレートである請求項１に記載の高分子組成物。
【請求項８】
前記架橋剤が、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、又はトリペンタエリスリトールオクタ（メタ）アクリレートである請求項１に記載の高分子組成物。
【請求項９】
前記架橋剤がジペンタエリスリトールペンタ又はヘキサアクリレートである請求項１に記載の高分子組成物。
【請求項１０】
前記架橋剤がジペンタエリスリトールヘキサアクリレート又はトリペンタエリスリトールオクタアクリレートである請求項１に記載の高分子組成物。
【請求項１１】
前記高分子材料が共役系高分子化合物である、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の高分子組成物。
【請求項１２】
前記高分子材料が芳香族アミンから誘導される繰返し単位を有する請求項１〜１１のいずれか一項に記載の高分子組成物。
【請求項１３】
更に溶媒を含有し、溶液の状態である請求項１〜１２のいずれか一項に記載の高分子組成物。
【請求項１４】
電荷輸送層又は発光層が、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の高分子組成物から形成される有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１５】
正孔輸送層が、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の高分子組成物から形成される有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１６】
該正孔輸送層が、陽極と接する構造であることを特徴とする請求項１５に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１７】
請求項１４〜１６のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いたことを特徴とする面状光源。
【請求項１８】
請求項１４〜１６のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いたことを特徴とするセグメント表示装置。
【請求項１９】
請求項１４〜１６のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子をバックライトとすることを特徴とするドットマトリックス表示装置。
【請求項２０】
請求項１２〜１６のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子をバックライトとすることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス用高分子組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）は、発光層の発光材料や電荷輸送材料として有機化合物を用いた素子の総称である。有機ＥＬ素子の製造において、高分子材料の溶液を湿式塗布する方法は、低分子を蒸着する方法に比べて生産性に優れている。
しかしながら湿式塗布により積層構造を作る場合、先に塗布した層が後から塗布する層に含まれる溶媒に溶解してしまい、積層構造を作成できなくなるという問題がある。そのため、層を架橋させることによって溶媒不溶にする方法が提案されている。
この方法の一つとして、発光性、電荷輸送性を持った高分子化合物自体に架橋基を合成的に付けるものがある（特許文献１〜３参照）。しかしながら、これら先行文献におけるように、発光性、電荷輸送性を持った高分子化合物自体に架橋基を合成的に付けるためには合成過程が煩雑である。
また、特許文献４及び５においては、発光性、電荷輸送性を持った低分子化合物と、架橋基を持った高分子化合物を混合させたり、発光性、電荷輸送性を持った高分子化合物と、架橋基を持った高分子化合物又は芳香族ビスアジドに代表される架橋基を持った低分子化合物を架橋剤として混合させている。しかし、架橋基を持った架橋剤が芳香環を有していると、発光材料、電荷輸送材料が本来持っている発光性、電荷輸送性が悪影響を与える恐れがある。
また、架橋以外のその他の方法として、隣り合った層に異なる極性の溶液を用いる方法がある。たとえば、高分子有機ＥＬにおいては正孔注入層に水溶性のPEDOT：PSSを用いて、上層に油溶性の発光層を塗布しても溶解しないようにする方法が一般的に用いられている。しかしながら、得られる素子の性能は十分なものではなかった。
【０００３】
【特許文献１】US6107452
【特許文献２】US2002/106529(特開2002-170667)
【特許文献３】WO96/20253(特表平10-511718)
【特許文献４】WO2002/10129(特表2004-505169）
【特許文献５】WO2004/100282
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、容易に層構造を作成することができ、効率等の素子性能に優れた有機ＥＬ素子を与えることができる有機ＥＬ用高分子組成物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
すなわち本発明は、電荷輸送材料又は発光体としての高分子材料、及び架橋剤を含有する有機エレクトロルミネッセンス用高分子組成物であって、該架橋剤は芳香環を含まないことを特徴とする上記高分子組成物を提供するものである。
また、本発明は、上記高分子組成物を用いて作成した有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の高分子組成物は、容易に層構造を形成でき、素子性能に優れた有機ＥＬ素子を与えることができる。また、それを使用して作成した有機ＥＬ素子は、液晶ディスプレイのバックライト又は照明用としての曲面状や平面状の光源、セグメントタイプの表示素子、ドットマトリックスのフラットパネルディスプレイ等の装置に好ましく使用できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
本発明の高分子組成物は、電荷輸送材料又は発光体としての高分子材料（以下、それぞれ、高分子電荷輸送材料又は高分子発光体とも言う）を含み、さらに芳香環を持たない架橋剤を含むことを特徴とする。
【０００８】
架橋剤は、熱、光、及び熱重合開始剤又は光重合開始剤の作用で重合可能な置換基を有するモノマー化合物を指す。重合可能な置換基（架橋基）とは、重合反応を起こすことにより２分子以上の分子間で結合を形成し、化合物を生成することができる置換基を表す。本発明に用いられる架橋剤は、芳香環を持たないため、架橋基にも芳香環を有しない。
このような架橋基としては、たとえば、ビニル基、アセチレン基、ブテニル基、アクリル基、アクリレート基、アクリルアミド基、メタクリル基、メタクリレート基、メタクリルアミド基、ビニルエーテル基、ビニルアミノ基、シラノール基、小員環（たとえばシクロプロピル基、シクロブチル基、エポキシ基、オキセタン基、ジケテン基、エピスルフィド基等）を有する基、ラクトン基、ラクタム基、又はシロキサン誘導体の構造を含有する基等がある。
また、上記の基の他に、エステル結合やアミド結合を形成可能な基の組み合わせなども利用できる。例えばエステル基とアミノ基、エステル基とヒドロキシル基などの組み合わせである。
架橋剤としては、なかでも、２官能以上（架橋基を２個以上有するもの）、好ましくは５官能以上（架橋基を５個以上有するもの）の多官能モノマーが硬化性に優れ、好ましく用いられる。
架橋剤としては、とりわけ架橋基として（メタ）アクリレート基を有するモノマー（即ち、（メタ）アクリレート。なお、（メタ）アクリレートは、アクリレートとメタアクリレートの総称である。）が好ましく、脂肪族アルコールの（メタ）アクリレートであることがより好ましい。
（メタ）アクリレート基を有する単官能モノマーの具体例としては、２−エチルヘキシルカルビトールアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレートなどが挙げられる。また（メタ）アクリレート基を有する２官能モノマーの具体例としては、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、トリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、３−メチルペンタンジオールジ（メタ）アクリレートなどが挙げられる。その他の（メタ）アクリレート基を有する多官能モノマーの具体例としては、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート等の３官能の（メタ）アクリレート；ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート等の４官能の（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート等の５官能の（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、トリスペンタエリスリトールオクタ（メタ）アクリレート等の６官能以上の（メタ）アクリレートなどが挙げられる。なかでも、２官能以上、好ましくは５官能以上の（メタ）アクリレートが、より好ましくはジペンタエリスリトールペンタ若しくはヘキサアクリレート、又はトリペンタエリスリトールオクタアクリレートが、更に好ましくはジペンタエリスリトールヘキサクリレート又はトリペンタエリスリトールオクタアクリレートが、硬化性に優れ、好ましく用いられる。なお、架橋剤については、例えば、フォトポリマーハンドブック（工業調査会、１９８９年）の第１７〜５６頁に記載されている。
【０００９】
架橋剤は、高分子電荷輸送材料又は高分子発光体の合計１００質量部に対して、通常通常１〜９９質量部、好ましくは１〜６０質量部、より好ましくは５〜５０質量部の範囲で含有される。架橋剤の含有量が、前記の基準で１〜６０質量部の範囲であると、塗布膜の平滑性が良好になる傾向があり、好ましい。
これらの架橋剤はそれぞれ単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００１０】
本発明の高分子組成物は、光重合開始剤を含有していてもよい。光重合開始剤としては、光が照射されることによって活性ラジカルを発生する活性ラジカル発生剤、酸を発生する酸発生剤などが挙げられる。例えば活性ラジカル発生剤としては、アセトフェノン系光重合開始剤、ベンゾイン系光重合開始剤、ベンゾフェノン系光重合開始剤、チオキサントン系光重合開始剤、トリアジン系光重合開始剤などが挙げられる。
【００１１】
なお、高分子電荷輸送材料又は高分子発光体自体が、光によりラジカルを発生し光重合開始剤として働く場合がある。そのような場合は、光重合開始剤を添加しなくてもよい。
【００１２】
アセトフェノン系光重合開始剤としては、例えばジエトキシアセトフェノン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、ベンジルジメチルケタール、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−〔４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル〕プロパン−１−オン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−メチル−２−モルホリノ−１−（４−メチルチオフェニル）プロパン−１−オン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）ブタン−１−オン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−〔４−（１−メチルビニル）フェニル〕プロパン−１−オンのオリゴマーなどが挙げられる。
【００１３】
ベンゾイン系光重合開始剤としては、例えばベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテルなどが挙げられる。ベンゾフェノン系光重合開始剤としては、例えばベンゾフェノン、ｏ−ベンゾイル安息香酸メチル、４−フェニルベンゾフェノン、４−ベンゾイル−４’−メチルジフェニルスルフィド、３，３’，４，４’−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシカルボニル）ベンゾフェノン、２，４，６−トリメチルベンゾフェノンなどが挙げられる。
【００１４】
チオキサントン系光重合開始剤としては、例えば２−イソプロピルチオキサントン、４−イソプロピルチオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、２，４−ジクロロチオキサントン、１−クロロ−４−プロポキシチオキサントンなどが挙げられる。
【００１５】
トリアジン系光重合開始剤としては、例えば２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−（４−メトキシフェニル）−１，３，５−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−（４−メトキシナフチル）−１，３，５−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−ピペロニル−１，３，５−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−（４−メトキシスチリル）−１，３，５−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−〔２−（５−メチルフラン−２−イル）エテニル〕−１，３，５−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−〔２−（フラン−２−イル）エテニル〕−１，３，５−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−〔２−（４−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル）エテニル〕−１，３，５−トリアジン、２，４−ビス（トリクロロメチル）−６−〔２−（３，４−ジメトキシフェニル）エテニル〕−１，３，５−トリアジンなどが挙げられる。
【００１６】
活性ラジカル発生剤として、例えば２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド、２，２’−ビス（ｏ−クロロフェニル）−４，４’，５，５’−テトラフェニル−１，２’−ビイミダゾール、１０−ブチル−２−クロロアクリドン、２−エチルアントラキノン、ベンジル、９，１０−フェナンスレンキノン、カンファーキノン、フェニルグリオキシル酸メチル、チタノセン化合物などを用いることもできる。活性ラジカル発生剤として、市販のものを用いることもできる。市販の光重合開始剤としては、例えば商品名「Ｉｒｇａｃｕｒｅ−９０７」（アセトフェノン系光重合開始剤、ＣＩＢＡ−ＧＥＩＧＹ社製）などが挙げられる。
【００１７】
酸発生剤としては、例えば４−ヒドロキシフェニルジメチルスルホニウムｐ−トルエンスルホナート、４−ヒドロキシフェニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、４−アセトキシフェニルジメチルスルホニウムｐ−トルエンスルホナート、４−アセトキシフェニル・メチル・ベンジルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルスルホニウムｐ−トルエンスルホナート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニルヨードニウムｐ−トルエンスルホナート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネートなどのオニウム塩類や、ニトロベンジルトシレート類、ベンゾイントシレート類などを挙げることができる。
【００１８】
また、活性ラジカル発生剤として上記した化合物の中には、活性ラジカルと同時に酸を発生する化合物もあり、例えばトリアジン系光重合開始剤は、酸発生剤としても使用される。
【００１９】
これらの光重合開始剤はそれぞれ単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００２０】
本発明の高分子組成物は、光重合開始助剤を含有していてもよい。光重合開始助剤は、光重合開始剤と組み合わせて、光重合開始剤によって開始した架橋剤の重合を促進するために用いられる化合物である。光重合開始助剤としては、例えばアミン系光重合開始助剤、アルコキシアントラセン系光重合開始助剤などが挙げられる。
【００２１】
アミン系光重合開始助剤としては、例えばトリエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン、４−ジメチルアミノ安息香酸メチル、４−ジメチルアミノ安息香酸エチル、４−ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、安息香酸２−ジメチルアミノエチル、４−ジメチルアミノ安息香酸２−エチルヘキシル、Ｎ，Ｎ−ジメチルパラトルイジン、４，４’−ビス（ジメチルアミノ）ベンゾフェノン（通称ミヒラーズケトン）、４，４’−ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、４，４’−ビス（エチルメチルアミノ）ベンゾフェノンなどが挙げられる。
【００２２】
アルコキシアントラセン系光重合開始助剤としては、例えば９，１０−ジメトキシアントラセン、２−エチル−９，１０−ジメトキシアントラセン、９，１０−ジエトキシアントラセン、２−エチル−９，１０−ジエトキシアントラセンなどが挙げられる。光重合開始助剤として市販のものを用いることもでき、市販の光重合開始助剤としては、例えば商品名「ＥＡＢ−Ｆ」（保土谷化学工業(株)製）などが挙げられる。
【００２３】
かかる光重合開始助剤を用いる場合、その含有量は、光重合開始剤１モルあたり通常１０モル以下、好ましくは０．０１モル以上５モル以下である。光重合開始剤及び光重合開始助剤はその合計量が架橋剤の合計量１００質量部に対して通常３質量部以上３０質量部以下、好ましくは５質量部以上２５質量部以下である。
【００２４】
本発明の高分子組成物は、更に連鎖移動剤を含有していてもよい。連鎖移動剤としては、２，４−ジフェニル−４−メチル−１−ペンテン、ｎ−ドデシルメルカプタン、ｔ−ドデシルメルカプタン、ｎ−オクチルメルカプタン、リモネンなどが挙げられる。かかる連鎖移動剤の含有量は、本発明の組成物の全固形分に対して重量分率で通常０．５％以上５％以下である。
【００２５】
本発明の高分子組成物は、熱重合開始剤を含有していてもよい。熱重合開始剤としては、一般的にラジカル重合開始剤として知られているものが使用でき、例えば２，２’−アゾビスイソブチロニトリル、２，２’−アゾビス−（２，４−ジメチルバレロニトリル）、２，２’−アゾビス−（４−メトキシ−２，４−ジメチルバレロニトリル）などのアゾ化合物；ベンゾイルペルオキシド、ラウロイルペルオキシド、ｔ−ブチルペルオキシピバレート、１，１’−ビス−（ｔ−ブチルペルオキシ）シクロヘキサンなどの有機過酸化物；及び過酸化水素が挙げられる。ラジカル重合開始剤として過酸化物を用いる場合には、過酸化物を還元剤とともに用いてレドックス型開始剤としてもよい。
【００２６】
次に、本発明に用いる高分子発光体について説明する。
本発明に用いる高分子発光体は、ポリスチレン換算の数平均分子量が通常１０3〜１０8である。高分子発光体のなかでも、共役系高分子化合物が好ましい。ここに、共役系高分子化合物とは、高分子化合物の主鎖骨格に沿って非局在π電子対が存在している高分子化合物を意味する。この非局在電子としては、２重結合の代わりに不対電子又は孤立電子対が共鳴に加わる場合もある。
【００２７】
本発明に用いられる高分子発光体は、単独重合体であっても共重合体でもよく、例えば、ポリフルオレン〔例えば、ジャパニーズ・ジャーナル・オブ・アプライド・フィジックス（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．）第３０巻、Ｌ１９４１頁（１９９１年）参照〕、ポリパラフェニレン〔例えば、アドバンスト・マテリアルズ（Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．）第４巻、３６頁（１９９２年）参照〕、ポリピロール、ポリピリジン、ポリアニリン、ポリチオフェン等のポリアリーレン系高分子；ポリパラフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン等のポリアリーレンビニレン系高分子（例えば、ＷＯ９８／２７１３６号公開明細書参照）；ポリフェニレンスルフィド；ポリカルバゾール等が挙げられる［総説としては、例えば「Advanced Materials Vol.12 1737-1750 (2000)」や、「有機ELディスプレイ技術  月刊ディスプレイ  12月号増刊  P68〜73」参照］。
【００２８】
中でも、ポリアリーレン系の高分子発光体が好ましい。
ポリアリーレン系の高分子発光体が含む繰り返し単位としては、アリーレン基、２価の複素環基が挙げられ、これらの繰り返し単位を２０〜１００モル％含むものが好ましく、５０〜９９モル％を含むものがさらに好ましい。
ここに、アリーレン基の環を構成する炭素数は通常６〜６０程度であり、その具体例として、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フェナントレンジイル基、ペンタレンジイル基、インデンジイル基、ヘプタレンジイル基、インダセンジイル基、トリフェニレンジイル基、ビナフチルジイル基、フェニルナフチレンジイル基、スチルベンジイル基、フルオレンジイル基（例えば、下式（１）で、Ａ＝−Ｃ（Ｒ’）（Ｒ’）−である場合）等が挙げられる。
また、２価の複素環基の環を構成する炭素数は通常３〜６０程度であり、その具体例としては、ピリジンージイル基、ジアザフェニレン基、キノリンジイル基、キノキサリンジイル基、アクリジンジイル基、ビピリジルジイル基、フェナントロリンジイル基、下式（１）で、Ａ＝−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｅ−、−ＮＲ’’−、−Ｃ（Ｒ’）（Ｒ’）−、又は−Ｓｉ（Ｒ’）（Ｒ’）−である場合が挙げられる。
【００２９】
更に好ましくは、ポリアリーレン系の高分子発光体は、下記式（１）で示される繰返し単位を含む。
【化１】
2006348274.tif 000002
（式中、Ａは、式中の２個のベンゼン環上の４個の炭素原子と一緒になって５員環又は６員環を完成させるための原子又は原子群を表し、Ｒ1a、Ｒ1b、Ｒ1c、Ｒ2a、Ｒ2b及びＲ2cは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールアルキルオキシカルボニル基、ヘテロアリールオキシカルボニル基又はカルボキシル基を表し、Ｒ1bとＲ1c、及びＲ2bとＲ2cは、それぞれ一緒になって環を形成していてもよい。）
【００３０】
Ａは、式（１）中の２個のベンゼン環上の４個の炭素原子と一緒になって５員環又は６員環を完成させるための原子又は原子群を表し、具体例としては、下記に示すが、これらに限定されるものではない。
【００３１】
【化２】
2006348274.tif 000003
式中、Ｒ、Ｒ’、Ｒ’’はそれぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アシルオキシ基、置換アミノ基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、シアノ基又は１価の複素環基を表す。Ｒ’はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、シアノ基、ニトロ基又は１価の複素環基を表す。Ｒ’’はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アシル基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基又は１価の複素環基を表す。
【００３２】
Ｒ、Ｒ’、Ｒ’’におけるハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、置換アミノ基、アミド基、酸イミド基、アシル基、アシルオキシ基、及び１価の複素環基の定義、具体例は、上記Ｒ1a、Ｒ1b、Ｒ1c、Ｒ2a、Ｒ2b及びＲ2cに記載と同様である。
Ａの中では、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｅ−、−ＮＲ’’−、−ＣＲ’Ｒ’−又は−ＳｉＲ’Ｒ’−が好ましく、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＲ’Ｒ’−がより好ましい。
Ｒ1a、Ｒ1b、Ｒ1c、Ｒ2a、Ｒ2b及びＲ2cにおけるハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールアルキルオキシカルボニル基、及びヘテロアリールオキシカルボニル基は前記と同様である。
【００３３】
上記式（１）で示される繰返し単位としては、下記の構造が例示される。
【化３】
2006348274.tif 000004
【００３４】
【化４】
2006348274.tif 000005
式中、ベンゼン環上の水素原子は、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、シアノ基、ニトロ基又は１価の複素環基に置換されていてもよい。ベンゼン環の隣接位に２つの置換基が存在する場合、それらが互いに結合して環を形成してもよい。
【００３５】
本発明に用いる高分子発光体は、アリーレン基、２価の複素環基の他に、例えば、芳香族アミンから誘導される繰り返し単位を含んでいてもよい。この場合、高分子発光体に、正孔注入性、輸送性を付与することができる。
この場合、アリーレン基、２価の複素環基からなる繰り返し単位と芳香族アミンから誘導される繰り返しのモル比率は、通常９９：１〜２０：８０の範囲である。
【００３６】
芳香族アミンから誘導される繰返し単位としては、下記式（２）で表される繰返し単位が好ましい。
【００３７】
【化５】
2006348274.tif 000006
【００３８】
式中、Ａｒ4、Ａｒ5、Ａｒ6及びＡｒ7は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表す。Ａｒ8、Ａｒ9及びＡｒ10は、それぞれ独立に、アリール基又は１価の複素環基を表す。ｏ及びｐはそれぞれ独立に、０又は１を表し、０≦ｏ＋ｐ≦２である。
【００３９】
ここで、アリーレン基、２価の複素環基の定義、及び具体例は、上記に記載のものと同様である。アリール基及び１価の複素環基の定義、及び具体例は、上記Ｒ1a、Ｒ1b、Ｒ1c、Ｒ2a、Ｒ2b及びＲ2cに記載のものと同様である。
【００４０】
上記式（２）で示される繰り返し単位の具体例としては、下記の構造が例示される。
【化６】
2006348274.tif 000007
【００４１】
式中、芳香環上の水素原子はハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールアルキルオキシカルボニル基、ヘテロアリールオキシカルボニル基及びカルボキシル基から選ばれる置換基で置換されていてもよい。
【００４２】
上記式（２）で表される繰返し単位の中で、下式（３）で表される繰り返し単位が特に好ましい。
【００４３】
【化７】
2006348274.tif 000008
【００４４】
式中、Ｒ7、Ｒ8及びＲ9は、それぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、シアノ基、ニトロ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールアルキルオキシカルボニル基、ヘテロアリールオキシカルボニル基又はカルボキシル基を表す。ｘ及びｙはそれぞれ独立に０〜４の整数を示す。ｚは０〜２の整数を示す。ｗは０〜５の整数を示す。
【００４５】
本発明に用いられる高分子発光体は、ランダム、ブロック又はグラフト共重合体であってもよいし、それらの中間的な構造を有する高分子、例えばブロック性を帯びたランダム共重合体であってもよい。発光の量子収率の高い高分子発光体を得る観点からは完全なランダム共重合体よりブロック性を帯びたランダム共重合体やブロック又はグラフト共重合体が好ましい。主鎖に枝分かれがあり、末端部が３つ以上ある場合やデンドリマーも含まれる。
【００４６】
本発明に用いられる高分子発光体の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、素子にしたときの発光特性や寿命が低下する可能性があるので、安定な基で保護されていてもよい。主鎖の共役構造と連続した共役結合を有しているものが好ましく、例えば、炭素―炭素結合を介してアリール基又は複素環基と結合している構造が例示される。具体的には、特開平９−４５４７８号公報の化１０に記載の置換基等が例示される。
【００４７】
本発明に用いられる高分子発光体は、数平均分子量がポリスチレン換算で１０3〜１０8程度であることが好ましく、中でも、数平均分子量がポリスチレン換算で１０4〜１０6程度である場合、更に好ましい。
【００４８】
また、薄膜からの発光を利用するので高分子発光体としては、固体状態で発光を有するものが好適に用いられる。
【００４９】
本発明に用いる高分子発光体の合成法としては、例えば該当するモノマーを、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、Ｎｉ（０）触媒により重合する方法、ＦｅＣｌ3等の酸化剤により重合する方法、電気化学的に酸化重合する方法、あるいは適当な脱離基を有する中間体高分子の分解による方法などが例示される。これらのうち、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、Ｎｉ（０）触媒により重合する方法が、反応制御が容易であり、好ましい。
高分子発光体を有機ＥＬ素子の発光材料として用いる場合、その純度が発光特性に影響を与えるため、重合前のモノマーを、蒸留、昇華精製、再結晶等の方法で精製した後に重合することが好ましく、また合成後、再沈精製、クロマトグラフィーによる分別等の純化処理をすることが好ましい。
【００５０】
溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、デカリン、ｎ−ブチルベンゼンなどが例示される。高分子発光体の構造や分子量にもよるが、通常はこれらの溶媒に、高分子発光体を０．１重量％以上溶解させることができる。
【００５１】
溶媒の量は、高分子発光体１００重量部に対して、通常１０００〜１０００００重量部程度である。
【００５２】
本発明の高分子組成物は、高分子発光体の他に、必要に応じ、低分子又はオリゴマー、デンドリマーの発光色素、及び電荷輸送材料等を混合して含有していてもよい。
【００５３】
本発明に用いる高分子電荷輸送材料としては、高分子正孔輸送材料と、高分子電子輸送材料が挙げられる。
このうち、高分子正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）若しくはその誘導体、又はポリ（２，５−チエニレンビニレン）若しくはその誘導体などが例示される。
【００５４】
具体的には、該正孔輸送材料として、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示される。
【００５５】
ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体は、例えばビニルモノマーからカチオン重合又はラジカル重合によって得られる。
【００５６】
ポリシラン若しくはその誘導体としては、ケミカル・レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．）第８９巻、１３５９頁（１９８９年）、英国特許ＧＢ２３００１９６号公開明細書に記載の化合物等が例示される。合成方法もこれらに記載の方法を用いることができるが、特にキッピング法が好適に用いられる。
【００５７】
ポリシロキサン若しくはその誘導体は、シロキサン骨格構造には正孔輸送性がほとんどないので、側鎖又は主鎖に上記低分子正孔輸送材料の構造を有するものが好適に用いられる。特に正孔輸送性の芳香族アミンを側鎖又は主鎖に有するものが例示される。
【００５８】
高分子正孔輸送材料のうち、芳香族アミンから誘導される繰返し単位からなる高分子化合物が特に好ましい。芳香族アミンから誘導される繰返し単位については、前記式（２）で表されるものが好ましく、前記式（３）で表されるものがさらに好ましい。
【００５９】
高分子電荷輸送材料のうち、高分子電子輸送材料としては、公知のものが使用でき、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体等が例示される。
【００６０】
本発明に用いる高分子材料を有機ＥＬ素子に用いる場合、その純度が発光特性等の素子の性能に影響を与えるため、重合前のモノマーを蒸留、昇華精製、再結晶、カラムクロマトグラフィー等の方法で精製した後に重合することが好ましい。また重合後、酸洗浄、アルカリ洗浄、中和、水洗浄、有機溶媒洗浄、再沈殿、遠心分離、抽出、カラムクロマトグラフィー、透析などの慣用の分離操作、精製操作、乾燥その他の操作による純化処理をすることが好ましい。
【００６１】
本発明の高分子組成物は、高分子電荷輸送材料又は高分子発光体と架橋剤を含む。本発明の組成物はさらに溶媒を含んでいてもよい。また、それ以外に電荷輸送材料、発光材料、界面活性剤、安定剤などの添加剤を含んでいてもよい。本組成物中における高分子電荷輸送材料又は高分子発光体の割合は、溶媒を除いた組成物の全重量に対して２０ｗｔ％〜１００ｗｔ％であり、好ましくは４０ｗｔ％〜１００ｗｔ％である。
また本組成物中の溶媒の割合は、組成物の全重量に対して通常１ｗｔ％〜９９．９ｗｔ％であり、好ましくは６０ｗｔ％〜９９．５ｗｔ％であり、さらに好ましく８０ｗｔ％〜９９．０ｗｔ％である。
【００６２】
本発明の高分子組成物の成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。パターン形成や多色の塗分けが容易であるという点で、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法が好ましい。
【００６３】
本発明の高分子組成物の粘度は、印刷法によって異なるが、インクジェットプリント法などのようにインク組成物として吐出装置を経由する場合には、吐出時の目づまりや飛行曲がりを防止するために、２５℃において１〜２０ｍＰａ・ｓの範囲であることが好ましい。
【００６４】
本発明の高分子組成物に用いる溶媒としては特に制限はないが、該組成物中の溶媒以外の材料を、溶解又は均一に分散できるものが好ましい。該組成物を構成する材料が非極性溶媒に可溶なものである場合に、該溶媒としてクロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン、テトラリン、アニソール、ｎ−ヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、モノクロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、デカリン、ビジクロヘキシル等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、２−ヘプタノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等のエステル系溶媒が例示される。
【００６５】
本発明の高分子組成物を用いて製膜された層は、例えば、熱又は光の作用で硬化させることによって、上層を湿式塗布する場合の溶解を抑えることができる。湿式塗布する上層の上にさらに上の層を湿式塗布する場合には、本発明の高分子組成物を上層にも用いて硬化させることが好ましい。湿式塗布する上層の上に湿式塗布を行わない場合には溶解の恐れが無いので、上層には架橋剤を含まない組成物でもよい。
【００６６】
本発明の高分子組成物を用いて作られる有機ＥＬ素子において、電荷輸送層又は発光層の膜厚は、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、例えば１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【００６７】
また、本発明の高分子組成物を用いて作られる有機ＥＬ素子は、陽極及び陰極からなる電極間に、電荷輸送層又は発光層を有し、該電荷輸送層又は発光層が本発明の組成物を用いて形成されることを特徴とする。
電荷輸送層としては、電子輸送層（通常は陰極と発光層との間にある）と正孔輸送層（通常は、陽極と発光層の間にある）とが挙げられる。
電荷輸送層が正孔輸送層である場合、陽極と発光層の間にその電荷輸送層が一層しかない場合は、その層を正孔注入層、正孔輸送層、又は正孔注入・輸送層いずれの名称で表現しても構わない。
【００６８】
正孔輸送層のうち、陽極と接するものを正孔注入層と言う。本発明の高分子組成物は、正孔注入層として用いた場合に優れた性能を示すという特徴がある。
正孔輸送層が本発明の高分子組成物から形成される素子の中で、該正孔輸送層が、陽極と接する構造であること（正孔輸送層が正孔注入層である場合）が、素子が優れた性能を示す点で好ましい。
【００６９】
本発明の有機ＥＬ素子を形成する基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に変化しないものであればよく、例えばガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン基板などが例示される。不透明な基板の場合には、反対の電極が透明又は半透明であることが好ましい。
【００７０】
本発明の高分子組成物を用いて作られる有機ＥＬ素子において、通常は、陽極及び陰極からなる電極の少なくとも一方が透明又は半透明であり、陽極側が透明又は半透明であることが好ましい。陽極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性ガラスを用いて作成された膜（ＮＥＳＡなど）や、金、白金、銀、銅等が用いられ、ＩＴＯ、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、該陽極として、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。
【００７１】
陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して、適宜選択することができるが、例えば１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【００７２】
また、陽極上に、電荷注入を容易にするために、フタロシアニン誘導体、導電性高分子、カーボンなどからなる層、又は金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層を設けてもよい。
【００７３】
本発明の高分子組成物を用いて作られる有機ＥＬ素子で用いる陰極の材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましい。例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、又はそれらのうち２つ以上の合金、又はそれらのうち１つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１つ以上との合金、又はグラファイト若しくはグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などが挙げられる。陰極を２層以上の積層構造としてもよい。
【００７４】
陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して、適宜選択することができるが、例えば１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【００７５】
陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が用いられる。また、陰極と有機物層との間に、導電性高分子からなる層、又は金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層を設けてもよく、陰極作製後、該有機ＥＬ素子を保護する保護層を装着していてもよい。該有機ＥＬ素子を長期安定的に用いるためには、素子を外部から保護するために、保護層及び／又は保護カバーを装着することが好ましい。
【００７６】
該保護層としては、高分子化合物、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物などを用いることができる。また、保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板などを用いることができ、該カバーを熱効果樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。スペーサーを用いて空間を維持すれば、素子が傷付くのを防ぐことが容易である。該空間に窒素やアルゴンのような不活性なガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができ、さらに酸化バリウム等の乾燥剤を該空間内に設置することにより製造工程で吸着した水分が素子にダメージを与えるのを抑制することが容易となる。これらのうち、いずれか１つ以上の方策をとることが好ましい。
【００７７】
本発明の高分子組成物を用いて作られる有機ＥＬ素子は面状光源、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置、液晶表示装置のバックライト等として用いることができる。
【００７８】
本発明の高分子組成物を用いて作られる有機ＥＬ素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。また、パターン状の発光を得るためには、前記面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部の有機物層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極又は陰極のいずれか一方又は両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯＮ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号などを表示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。更に、ドットマトリックス素子とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子発光体を塗り分ける方法や、カラーフィルター又は発光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス素子は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴなどと組み合わせてアクティブ駆動してもよい。これらの表示素子は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダーなどの表示装置として用いることができる。
【実施例】
【００７９】
以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
ポリスチレン換算の数平均分子量はＳＥＣにより求めた。
カラム：TOSOH TSKgel SuperHM-H（２本）＋TSKgel SuperH2000(4.6mm I.d.×15cm)、検出器：RI(SHIMADZU RID-10A)を使用。移動相としてはテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を用いた。
【００８０】
合成例１
＜高分子化合物１の合成＞
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ブチルフェニル）−１，４−フェニレンジアミン（３．３ｇ、４．８ｍｍｏｌ）及び２，２’−ビピリジル（１．９ｇ、１２ｍｍｏｌ）を脱水したテトラヒドロフラン１３２ｍＬに溶解した後、窒素でバブリングして系内を窒素置換した。窒素雰囲気下において、この溶液に、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ｎｉ（ＣＯＤ）2｝（３．３ｇ、１２ｍｍｏｌ）加え、６０℃まで昇温し、攪拌しながら３．５時間反応させた。反応後、この反応液を室温（約２５℃）まで冷却し、２５％アンモニア水３０ｍＬ／メタノール４８０ｍＬ／イオン交換水１６０ｍＬ混合溶液中に滴下して１時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥し、トルエン１５０ｍＬに溶解させた。その後、１Ｎ塩酸１２０ｇを加えて３時間攪拌し、水層を除去し、有機層に２５％アンモニア水１４０ｍＬを加え、３時間攪拌した後に水層を除去した。有機層を水６００ｍｌで２回洗浄した。有機層を二分割して、それぞれメタノール６００ｍＬに滴下し、１時間攪拌し、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥した。得られた重合体（以後、高分子化合物１と呼ぶ）の収量は３．２６ｇであった。ポリスチレン換算の平均分子量及び重量平均分子量は、それぞれＭｎ＝１．６×１０4、Ｍｗ＝１．２×１０5であった。
【００８１】
合成例２
（化合物Ａの合成）
【化８】
2006348274.tif 000009
不活性雰囲気下、３００ｍｌ三つ口フラスコに１‐ナフタレンボロン酸５．００ｇ（２９ｍｍｏｌ）、２−ブロモベンズアルデヒド６．４６ｇ（３５ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム１０.０ｇ（７３ｍｍｏｌ）、トルエン３６ｍｌ、イオン交換水３６ｍｌを入れ、室温で撹拌しつつ２０分間アルゴンバブリングした。続いてテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム１６．８ｍｇ（０.１５ｍｍｏｌ）を入れ、さらに室温で撹拌しつつ１０分間アルゴンバブリングした。１００℃に昇温し、２５時間反応させた。室温まで冷却後、トルエンで有機層を抽出、硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を留去した。トルエン：シクロヘキサン＝１：２混合溶媒を展開溶媒としたシリカゲルカラムで生成することにより、化合物Ａ５.１８ｇ（収率８６％）を白色結晶として得た。
1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ3）：
δ７．３９〜７．６２（ｍ、５Ｈ）、７．７０（ｍ、２Ｈ）、７．９４（ｄ、２Ｈ）、８．１２（ｄｄ、２Ｈ）、９．６３（ｓ、１Ｈ）
ＭＳ（ＡＰＣＩ（＋））：（Ｍ＋Ｈ）+  ２３３
【００８２】
合成例３
（化合物Ｂの合成）
【化９】
2006348274.tif 000010
不活性雰囲気下で３００ｍｌの三つ口フラスコに化合物Ａ８．００ｇ（３４.４ｍｍｏｌ）と脱水したテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）４６ｍｌを入れ、−７８℃まで冷却した。
続いてｎ−オクチルマグネシウムブロミド（１.０ｍｏｌ／ｌＴＨＦ溶液）５２ｍｌを３０分かけて滴下した。滴下終了後０℃まで昇温し、１時間撹拌後、室温まで昇温して４５分間撹拌した。氷浴して１Ｎ塩酸２０ｍｌを加えて反応を終了させ、酢酸エチルで有機層を抽出、硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒を留去した後トルエン：ヘキサン＝１０：１混合溶媒を展開溶媒とするシリカゲルカラムで精製することにより、化合物Ｂ７．６４ｇ（収率６４％）を淡黄色のオイルとして得た。ＨＰＬＣ測定では２本のピークが見られたが、ＬＣ−ＭＳ測定では同一の質量数であることから、異性体の混合物であると判断した。
【００８３】
合成例４
（化合物Ｃの合成）
【化１０】
2006348274.tif 000011
不活性雰囲気下、５００ｍｌ三つ口フラスコに化合物Ｂ（異性体の混合物）５.００ｇ（１４.４ｍｍｏｌ）と脱水ジクロロメタン７４ｍｌを入れ、室温で撹拌、溶解させた。
続いて、三フッ化ホウ素のエーテラート錯体を室温で１時間かけて滴下し、滴下終了後室温で４時間撹拌した。撹拌しながらエタノール１２５ｍｌをゆっくりと加え、発熱がおさまったらクロロホルムで有機層を抽出、２回水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去後、ヘキサンを展開溶媒とするシリカゲルカラムで精製することにより、化合物Ｃの３．２２ｇ（収率６８％）を無色のオイルとして得た。
1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ3）：
δ０．９０（ｔ、３Ｈ）、１．０３〜１．２６（ｍ、１４Ｈ）、２．１３（ｍ、２Ｈ）、４．０５（ｔ、１Ｈ）、７．３５（ｄｄ、１Ｈ）、７．４６〜７．５０（ｍ、２Ｈ）、７．５９〜７．６５（ｍ、３Ｈ）、７．８２（ｄ、１Ｈ）、７．９４（ｄ、１Ｈ）、８．３５（ｄ、１Ｈ）、８．７５（ｄ、１Ｈ）
ＭＳ（ＡＰＣＩ（＋））：（Ｍ＋Ｈ）+  ３２９
【００８４】
合成例５
（化合物Ｄの合成）
【化１１】
2006348274.tif 000012
不活性雰囲気下２００ｍｌ三つ口フラスコにイオン交換水２０ｍｌをいれ、撹拌しながら水酸化ナトリウム１８．９ｇ（０.４７ｍｏｌ）を少量ずつ加え、溶解させた。水溶液が室温まで冷却した後、トルエン２０ｍｌ、化合物Ｃ５.１７ｇ（１５.７ｍｍｏｌ）、臭化トリブチルアンモニウム１．５２ｇ（４.７２ｍｍｏｌ）を加え、５０℃に昇温した。
臭化ｎ−オクチルを滴下し、滴下終了後５０℃で９時間反応させた。反応終了後トルエンで有機層を抽出し、２回水洗し、硫酸ナトリウムで乾燥した。ヘキサンを展開溶媒とするシリカゲルカラムで精製することにより、化合物Ｄの５．１３ｇ（収率７４％）を黄色のオイルとして得た。
1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ3）：
δ０．５２（ｍ、２Ｈ）、０．７９（ｔ、６Ｈ）、１．００〜１．２０（ｍ、２２Ｈ）、２．０５（ｔ、４Ｈ）、７．３４（ｄ、１Ｈ）、７．４０〜７．５３（ｍ、２Ｈ）、７．６３（ｍ、３Ｈ）、７．８３（ｄ、１Ｈ）、７．９４（ｄ、１Ｈ）、８．３１（ｄ、１Ｈ）、８．７５（ｄ、１Ｈ）
ＭＳ（ＡＰＣＩ（＋））：（Ｍ＋Ｈ）+  ４４１
【００８５】
合成例６
（化合物Ｅの合成）
【化１２】
2006348274.tif 000013
空気雰囲気下、５０ｍｌの三つ口フラスコに化合物Ｄ４．００ｇ（９．０８ｍｍｏｌ）と酢酸：ジクロロメタン＝１：１混合溶媒５７ｍｌを入れ、室温で撹拌、溶解させた。続いて三臭化ベンジルトリメチルアンモニウム７．７９ｇ（２０．０ｍｍｏｌ）を加えて撹拌しつつ、塩化亜鉛を三臭化ベンジルトリメチルアンモニウムが完溶するまで加えた。室温で２０時間撹拌後、５％亜硫酸水素ナトリウム水溶液１０ｍｌを加えて反応を停止し、クロロホルムで有機層を抽出、炭酸カリウム水溶液で２回洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。ヘキサンを展開溶媒とするフラッシュカラムで２回精製した後、エタノール：ヘキサン＝１：１、続いて１０：１混合溶媒で再結晶することにより、化合物Ｅの４．１３ｇ（収率７６％）を白色結晶として得た。
1Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ3）：
δ０．６０（ｍ、２Ｈ）、０．９１（ｔ、６Ｈ）、１．０１〜１．３８（ｍ、２２Ｈ）、２．０９（ｔ、４Ｈ）、７．６２〜７．７５（ｍ、３Ｈ）、７．８９（ｓ、１Ｈ）、８．２０（ｄ、１Ｈ）、８．４７（ｄ、１Ｈ）、８．７２（ｄ、１Ｈ）
ＭＳ（ＡＰＰＩ（＋））：（Ｍ＋Ｈ）+  ５９８
【００８６】
合成例７
＜高分子化合物２の合成＞
化合物Ｅ２２．５ｇと２，２’−ビピリジル１７．６ｇとを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これに、あらかじめアルゴンガスでバブリングして、脱気したテトラヒドロフラン（脱水溶媒）１５００ｇを加えた。次に、この混合溶液に、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）を３１ｇ加え、室温で１０分間攪拌した後、６０℃で３時間反応した。なお、反応は、窒素ガス雰囲気中で行った。
反応後、この反応溶液を冷却した後、この溶液に、２５％アンモニア水２００ｍｌ／メタノール９００ｍｌ／イオン交換水９００ｍｌ混合溶液をそそぎ込み、約１時間攪拌した。次に、生成した沈殿を濾過し、回収した。この沈殿を減圧乾燥した後、トルエンに溶解した。このトルエン溶液を濾過し、不溶物を除去した後、このトルエン溶液を、アルミナを充填したカラムを通過させることにより精製した。次に、このトルエン溶液を、１規定塩酸水溶液で洗浄し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収した。次に、このトルエン溶液を、約３％アンモニア水で洗浄し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収した。次に、このトルエン溶液をイオン交換水で洗浄し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収した。次に、このトルエン溶液を、メタノール中にそそぎ込み、再沈生成した。
次に、生成した沈殿を回収し、メタノールで洗浄した後、この沈殿を減圧乾燥して、重合体６．０ｇを得た。この重合体を高分子化合物２と呼ぶ。得られた高分子化合物２のポリスチレン換算重量平均分子量は、８．２ｘ１０5であり、数平均分子量は、１．０ｘ１０5であった。
【００８７】
合成例８
＜高分子化合物３の合成＞
窒素雰囲気下にて９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ビス(エチレンボロネート)（０．６４ｇ、１．２ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ブチルフェニル）１、４−フェニレンジアミン０．７５ｇ（１．１ｍｍｏｌ）をトルエン（８．５ｇ）に溶解させ、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（４ｍｇ、０．００３６ｍｍｏｌ）を加え、１０分間室温で攪拌した。その後、２０％テトラエチルアンモニウムヒドリド水溶液を４ｍＬ加え、１１０℃に昇温して攪拌しながら１８時間反応した。その後、ブロモベンゼン（０．２８ｇ、１．７８ｍｍｏｌ）をトルエン１ｍＬに溶解させて反応液中に加え、１１０℃で２時間攪拌した。その後、フェニルボロン酸（０．２２ｇ、１．４９ｍｍｏｌ）を反応液中に加え、１１０℃で２時間攪拌した。５０℃に冷却後有機層をメタノール／水（１／１）混合液２００ｍＬに滴下して１時間攪拌した。沈殿をろ過してメタノール及びイオン交換水を用いて洗浄し、減圧乾燥した。その後、トルエン５０ｍＬに溶解し、シリカカラム（シリカ量１５ｍＬ）を通して精製した。精製後の溶液をメタノール１５０ｍＬに滴下して１時間攪拌し、沈殿をろ過して減圧乾燥し、高分子化合物３を得た。得られた高分子化合物３の収量は０．７０ｇであった。高分子化合物３のポリスチレン換算の平均分子量は、Ｍｎ＝３．０×１０4、Ｍｗ＝６．１×１０4であった。
【００８８】
合成例９
＜高分子化合物４の合成＞
（化合物Ｆ、Ｇ、及びＪ、並びにＩの合成）
不活性雰囲気下、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ｎ−ブチルフェニル）１、４−フェニレンジアミン（１．９１１ｇ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブロモフェニル）フェニルアミン（０．４８４ｇ）、２，２’−ビピリジル（１．６８７ｇ）をあらかじめアルゴンでバブリングした、脱水テトラヒドロフラン１０９ｍＬに溶解した。この溶液を６０℃まで昇温後、ビス（１、５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ｎｉ（ＣＯＤ）2｝（２．９７１ｇ）を加え、攪拌し、５時間反応させた。この反応液を室温まで冷却し、２５％アンモニア水１４ｍＬ／メタノール１０９ｍＬ／イオン交換水１０９ｍＬ混合溶液中に滴下して１時間攪拌した後、析出した沈殿をろ過して減圧乾燥し、トルエン１２０ｍｌに溶解させた。溶解後、ラヂオライト０．４８ｇを加えて３０分攪拌し、不溶解物を濾過した。得られた濾液をアルミナカラムを通して精製を行った。次に４％アンモニア水２３６ｍＬを加え、２時間攪拌した後に水層を除去した。さらに有機層にイオン交換水約２３６ｍＬを加え1時間攪拌した後、水層を除去した。その後、有機層をメタノール３７６ｍｌに注加して０．５時間攪拌し、析出した沈殿をろ過して減圧乾燥した。得られた重合体（以後、高分子化合物４と呼ぶ）の収量は１．５４ｇであった。
また、ポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、それぞれＭｎ＝７．４ｘ１０3、Ｍｗ＝７．６ｘ１０4であった。
【００８９】
化合物Ｆ、Ｇ、及びＪは、ＷＯ２０００／０４６３２１に従って合成した。化合物ＩはＵＳ２００４１２７６６６に従って合成した。
【００９０】
合成例１０
（化合物Ｈの合成）
反応はグローブボックス中で行った。5Lの3つ口フラスコに炭酸カリウム345.53g、ヨウ化カリウム24.9g、18-Crown-6   39.65g、DMF ２．５L、2-Chloroethylethyl ether  162.86gを入れ、攪拌した。続いて９，９−ジ(４−ヒドロキシフェニル)−２，７−ジブロモフルオレン（US5447960） 254.1gを少しずつ加えた。116℃で終夜攪拌後冷却し、氷水2L中に注加し、攪拌後、一晩静置した。固体をろ過し、水で洗浄した。風乾後、３６５．０５gの粗生成物を得た。１−プロパノール ／n-オクタンから再結晶し、３１６．０２ｇの化合物Ｈを得た。
【００９１】
合成例１１
＜高分子化合物５の合成＞
５００ｍｌ４口フラスコにＡｌｉｑｕａｔ３３６  １．７２ｇ、化合物Ｆ  ６．２１７１ｇ、化合物Ｇ  ０．５０８５ｇ、化合物Ｈ  ６．２２２５ｇ、化合物Ｉ  ０．５４８７ｇを取り、窒素置換した。トルエン１００ｍｌを加え、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（II）  ７．６ｍｇ、炭酸ナトリウム水溶液２４ｍｌを加え、還流下で３時間攪拌した後、フェニルホウ酸０．４０ｇを加え、終夜攪拌した。ナトリウムＮ，Ｎ−ジエチルジチオカルバメート水溶液を加え、さらに還流下で３時間攪拌した。反応液を分液し、有機相を酢酸水溶液及び水で洗浄した後、メタノール中に滴下し、ポリマーを沈殿させた。ろ過、減圧乾燥後、トルエンに溶解させ、シリカゲル−アルミナカラムを通し、トルエンで洗浄した。得られたトルエン溶液をメタノール中に滴下し、ポリマーを沈殿させた。ろ過、減圧乾燥後、得られたポリマーをトルエンに溶解させ、メタノールに滴下し、ポリマーを沈殿させた。ろ過、減圧乾燥し、７．７２ｇの高分子化合物５を得た。Ｍｎ＝１．２×１０5、Ｍｗ＝２．９×１０5であった。
【化１３】
2006348274.tif 000014
【００９２】
合成例１２
＜高分子化合物６の合成＞
２００ｍｌセパラブルフラスコにＡｌｉｑｕａｔ３３６  ０．９１ｇ、化合物Ｆ  ５．２３ｇ、化合物Ｊ  ４．５５ｇを取り、窒素置換した。トルエン７０ｍｌを加え、酢酸パラジウム  ２．０ｍｇ、トリス（o-トリル）ホスフィン  １５．１ｍｇを加え、還流させた。炭酸ナトリウム水溶液１９ｍｌを滴下後、還流下終夜攪拌した後、フェニルホウ酸０．１２ｇを加え、７時間攪拌した。３００ｍｌのトルエンを加え、反応液を分液し、有機相を酢酸水溶液、水で洗浄した後、ナトリウムＮ，Ｎ−ジエチルジチオカルバメート水溶液を加え、４時間攪拌した。分液後、シリカゲル−アルミナカラムを通し、トルエンで洗浄した。メタノールに滴下し、ポリマーを沈殿させた。ろ過、減圧乾燥後、得られたポリマーをトルエンに溶解させ、得られたトルエン溶液をメタノールに滴下し、ポリマーを沈殿させた。ろ過、減圧乾燥し、６．３３ｇの高分子化合物６を得た。Ｍｎ＝８．８×１０４、Ｍｗ＝３．２×１０5であった。
【化１４】
2006348274.tif 000015
【００９３】
実施例１−９及び比較例１−４
表１に示されるとおり高分子化合物をトルエンに１ｗｔ％、さらに添加物を表１に示される種類と添加量で混合し溶解させた。その後０．２ミクロン径のテフロン（登録商標）フィルターでろ過して塗布溶液を調製した。
得られた溶液をガラス基板に、スピンコートにより成膜した。光開始剤を含まないものはこれを窒素雰囲気下において300℃/20minのベーク条件でベークした。光開始剤を含むものは、ｉ線(365nm)で測定した照度が50W/cm2の高圧水銀ランプによるＵＶ露光を窒素雰囲気下で１分間行い、その後窒素雰囲気下において150℃/20minのベーク条件でベークした。その後、これらの基板をトルエンでリンスし、トルエンリンス前後の膜厚を触針式の膜厚計（KLAテンコール社製アルファステップ）で測定した。トルエンリンスはスピンコーターにてトルエンを基板上に表面張力で盛り上がった状態で載せた後に４０００ｒｐｍで回転し、基板上のトルエンを振り切るという方法で行った。結果を表１に示す。
【００９４】
【表１】
2006348274.tif 000016
ＤＰＨＡ：ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（日本化薬製KAYARAD DPHA）
ＴＰＥ−Ａ：トリスペンタエリスリトールオクタアクリレート（広栄化学製）
ブタンジオールジアクリレート：１，４−ブタンジオールジアクリレート（Ａｌｆａ  Ａｅｓａｒ社製）
ＨＭＭ：下記式で表されるヘキサメトキシメチルメラミン  架橋剤
【化１５】
2006348274.tif 000017
Ｉ３６９：イルガキュア３６９；チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製光開始剤
Ｉ９０７：イルガキュア９０７；チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製光開始剤
ＴＡＺＰＰ：トリアジンＰＰ；日本シイベルヘグナー社製光開始剤
【００９５】
実施例１０−１９及び比較例５−７
＜正孔注入層の作成＞
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、実施例１〜９、比較例４の溶液をスピンコートにより製膜し、表１と同様に、光開始剤を含まないものは窒素雰囲気下において３００℃／２０ｍｉｎのベーク条件でベークし、光開始剤を含むものは、ｉ線（３６５ｎｍ）で測定した照度が５０Ｗ／ｃｍ2の高圧水銀ランプによるＵＶ露光を窒素雰囲気下で１分間行い、その後窒素雰囲気下において１５０℃／２０ｍｉｎのベーク条件でベークした（実施例１０−１９及び比較例７）。
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、PEDOT：ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸の溶液（スタルクヴイテック社、Ｂａｙｔｒｏｎ）を用いてスピンコートにより成膜し、ホットプレート上で２００℃で１０分間乾燥して５０ｎｍの厚みで正孔注入層のPEDOT層を形成した（比較例５及び６）。
実施例１の架橋剤を多く含んだ溶液で作成した正孔注入層の膜には、ややヘイズが見られた。その他の正孔注入層では、ヘイズの無い平滑な膜が得られた。
【００９６】
＜発光層用溶液組成物の調製＞
表２に示されるとおり高分子化合物をトルエンに０．５ｗｔ％、さらに添加物を表２に示される種類と添加量で混合し溶解させた。その後０．２ミクロン径のテフロン（登録商標）フィルターでろ過して塗布溶液を調製した。
【００９７】
【表２】
2006348274.tif 000018
【化１６】
2006348274.tif 000019
【００９８】
＜素子の作成及び評価＞
作成した正孔注入層の上に、調製した高分子発光体塗布溶液を用いてスピンコートにより約７０ｎｍの厚みで成膜した。さらに、これを減圧下９０℃で１時間乾燥した後、陰極バッファー層として、フッ化リチウムを４ｎｍ、陰極として、カルシウムを５ｎｍ、次いでアルミニウムを１００ｎｍ蒸着して、有機ＥＬ素子を作製した。蒸着のときの真空度は、すべて１〜９×１０-5Ｔｏｒｒであった。得られた、発光部が２ｍｍ×２ｍｍ（面積４ｍｍ2）の素子に電圧を段階的に印加することにより、高分子発光体からのＥＬ発光の輝度を測定し、それより電流効率値を得た。得られた素子の電流効率の最大値、ＥＬ発光の中心波長を表２に示す。
【００９９】
表１に示されるように、実施例の高分子溶液組成物を塗布した膜は、熱、又は光の作用で硬化し、トルエンリンス後の膜の溶解が抑えられ、湿式塗布により層構造が形成できる。また、表２に示されるように、比較例のPEDOT層の正孔注入層を用いた高分子発光素子に比べて、実施例の高分子溶液組成物から作られた正孔注入層を用いた高分子発光素子は、著しい効率の改善が見られた。比較例４の、分子中に芳香環を有する架橋剤を用いた層は、表１に示されるようにトルエンリンス後の膜の溶解は抑えられるものの、表２のとおり効率が低かった。
【０１００】
実施例２０及び比較例８−９
表３に示されるとおり高分子化合物をトルエンに１ｗｔ％、さらに添加物を表３に示される種類と添加量で混合し溶解させた。その後０．２ミクロン径のテフロン（登録商標）フィルターでろ過して塗布溶液を調製した。
得られた溶液をガラス基板に、スピンコートにより成膜した。これを窒素雰囲気下において300℃/20minのベーク条件でベークした。その後、これらの基板をトルエンでリンスし、トルエンリンス前後の膜厚を触針式の膜厚計（ビーコ社製ＤＥＫＴＡＫ）で測定した。トルエンリンスはスピンコーターにてトルエンを基板上に表面張力で盛り上がった状態で載せた後に４０００ｒｐｍで回転し、基板上のトルエンを振り切るという方法で行った。結果を表３に示す。
【０１０１】
【表３】
2006348274.tif 000020
ＯＸＴ１２１：下記式で表される東亞合成製架橋剤
【化１７】
2006348274.tif 000021
ｎ＝１：８０〜８５％、ｎ＝２：１０〜１５％、ｎ＞３：＜５％
【０１０２】
実施例２３及び比較例１１−１２
＜正孔注入層の作成＞
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、実施例２０、比較例８、及び９の溶液をスピンコートにより製膜し、窒素雰囲気下において300℃/20minのベーク条件でベークした。
【０１０３】
＜発光層用溶液組成物の調製＞
高分子化合物５をトルエンに１ｗｔ％の量で溶解させた。その後０．２ミクロン径のテフロン（登録商標）フィルターでろ過して塗布溶液を調製した。
【０１０４】
＜素子の作成及び評価＞
作成した正孔注入層の上に、調製した高分子発光体塗布溶液を用いてスピンコートにより約７０ｎｍの厚みで成膜した。さらに、これを減圧下９０℃で１時間乾燥した後、陰極バッファー層として、フッ化リチウムを４ｎｍ、陰極として、カルシウムを５ｎｍ、次いでアルミニウムを１００ｎｍ蒸着して、有機ＥＬ素子を作製した。蒸着のときの真空度は、すべて１〜９×１０-5Ｔｏｒｒであった。得られた、発光部が２ｍｍ×２ｍｍ（面積４ｍｍ2）の素子に電圧を段階的に印加することにより、高分子発光体からのＥＬ発光の輝度を測定し、それより電流効率値を得た。得られた素子の電流効率の最大値、ＥＬ発光の中心波長を表４に示す。
【０１０５】
【表４】
2006348274.tif 000022
【０１０６】
表３に示されるように、実施例の高分子溶液組成物を塗布した膜は、熱又は光の作用で硬化し、トルエンリンス後の膜の溶解が抑えられ、湿式塗布により層構造が形成できる。また、表４に示されるように、比較例の正孔注入層を用いた高分子発光素子に比べて、実施例の高分子溶液組成物から作られた正孔注入層を用いた高分子発光素子は、著しい効率の改善が見られた。比較例９の、分子中に芳香環を有する架橋剤を用いた層は、表３に示されるようにトルエンリンス後の膜の溶解は抑えられるものの、表４のとおり効率が低かった。