(57)【要約】【課題】位相差型露光マスクに形成される凹凸の段差を最適な値とすることにより、０次光の値を低くし、回折光学素子を作製するため製造マージンを広げる。【手段】回折光学素子を露光装置による一括露光とドライエッチングにより作製するプロセスであって、露光装置に用いられる透明基板の所定の領域に段差による位相格子を形成した露光マスクにおいて、前記露光マスクを使用する際の露光光の波長をλとすると、露光マスクに形成される段差Ｐが、（１/２）＊λ/（ｎ−１）＜Ｐ＜（１１/２０）＊λ/（ｎ−１）であることを特徴とする露光マスクを用いて回折光学素子を作製することにより、様々な回折光学素子を作製することができる。【選択図】  図６
2006003762.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板の所定の領域に段差による位相格子を形成した露光装置に用いられる露光マスクにおいて、
前記露光マスクを使用する際の露光光の波長をλ、基板を構成する材料の屈折率をｎとすると、露光マスクに形成される段差Ｐが、
（１/２）＊λ/（ｎ-１）＜Ｐ＜（１１/２０）＊λ／（ｎ−１）
であることを特徴とする露光マスク。
【請求項２】
請求項１に記載された露光マスクにおいて、
露光光のうちＴＭ波のみを使用することを特徴とする露光マスク。
【請求項３】
透明基板の所定の領域に段差による位相格子を形成した露光装置に用いられる露光マスクにおいて、
前記露光マスクを使用する際の露光光の波長をλ、基板を構成する材料の屈折率をｎとすると、露光マスクに形成される段差Ｐが、
（１/２）＊λ/（ｎ−１）＜Ｐであって、
かつ、露光光のうちＴＭ波のみを使用することを特徴とする露光マスク。
【請求項４】
透明基板の所定の領域に段差による位相格子を形成した露光装置に用いられる露光マスクにおいて、
前記露光マスクを使用する際の露光光の波長をλ、基板を構成する材料の屈折率をｎとすると、露光マスクに形成される段差Ｐが、
（１/２）＊λ/（ｎ−１）＞Ｐであって、
かつ、露光光のうちＴＥ波のみを使用することを特徴とする露光マスク。
【請求項５】
基板上にフォトレジストを塗布する工程と、
露光装置により照射光を請求項１から４に記載されたいずれかの露光マスクに照射することによりフォトレジストの塗布された前記基板を露光する工程と、
前記基板を現像しレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンの形成された基板をエッチングする工程と、
レジストを剥離する工程により作製することを特徴とする光学素子の作製方法。
【請求項６】
基板上にフォトレジストを塗布する工程と、
露光装置により照射光を請求項２から４に記載されたいずれかの露光マスクに照射することによりフォトレジストの塗布された前記基板を露光する工程と、
前記基板を現像しレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンの形成された基板をエッチングする工程と、
レジストを剥離する工程により作製する光学素子の作製方法において、
ＴＭ波またはＴＥ波を選別するための偏光素子を前記露光マスク近傍に配置し、
前記露光マスクに照射された照射光のうち、ＴＭ波またはＴＥ波を選別し、露光用に用いることを特徴とする光学素子の作製方法。
【請求項７】
基板上にフォトレジストを塗布する工程と、
露光装置により照射光を請求項１から４に記載されたいずれかの露光マスクに照射することによりフォトレジストの塗布された前記基板を露光する工程と、
前記基板を現像しレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンの形成された基板をエッチングする工程と、
レジストを剥離する工程により作製したことを特徴とする光学素子。
【請求項８】
基板上にフォトレジストを塗布する工程と、
露光装置により照射光を請求項２から４に記載されたいずれかの露光マスクに照射することによりフォトレジストの塗布された前記基板を露光する工程と、
前記基板を現像しレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンの形成された基板をエッチングする工程と、
レジストを剥離する工程により作製する光学素子において、
ＴＭ波またはＴＥ波を選別するための偏光素子を前記露光マスク近傍に配置し、
前記露光マスクに照射された照射光のうち、ＴＭ波またはＴＥ波を選別し、露光用に用いることを特徴とする作製した光学素子。
【請求項９】
請求項７または８に記載されたいずれかの光学素子と光源とを備えたことを特徴とする照明光学装置。
【請求項１０】
マスク上に設けられたパターンの像を感光性基板上へ転写する露光装置であって、
光源と、
前記マスクのパターンの像を前記感光性基板上に形成するための投影光学系と、
請求項７または８に記載されたいずれかの光学素子を備えたことを特徴とする露光装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載された露光装置において、前記光学素子が、前記光源からの光束の波面計測用、或いは、前記光源からの光束を拡散するために用いられていることを特徴とする露光装置。
【請求項１２】
請求項１０または１１に記載されたいずれかの露光装置を用いて、前記マスクのパターンを前記感光性基板上に露光する露光工程と、前記露光工程により露光された前記感光性基板を現像する現像工程とを含むことを特徴とするマイクロデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学素子の製造に用いる露光マスク、この光学素子の製造方法、この露光マスクにより製造された光学素子、この光学素子を備えた照明光学装置及び露光装置、この露光装置により製造された半導体デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路の高集積化はとどまるところを知らず、露光装置とりわけ投影光学系に要求される性能は益々高レベルとなっている。露光装置の解像度は投影光学系の開口数（ＮＡ）を大きくすることによって高めることができるが、ＮＡを大きくすることによって焦点深度は浅くなる。従って、ある程度以上ＮＡを大きくすることはできず、解像度を高めるためには露光波長を短波長化することが要求されている。
【０００３】
一方、従来から露光装置内の光学系に回折光学素子を利用することが考えられており、具体的には照明光学系で照野を均一にするために用いられている。この回折光学素子は表面に形成されたブレーズド状(鋸歯波状)のグレーティングや凹凸のグレーティングにより回折効果を生じさせるものである。従来の赤外光や可視光に対応した回折光学素子製造方法としては、ホットプレス法や射出成型によって直接高分子材料を加工する方法や、電子線（ＥＢ）描画や露光装置による一括露光とドライエッチングを組合せてガラスを加工する方法等が知られている。
【０００４】
又、光学素子の微細化、高性能化については露光装置以外にも要求が高く、用途としては光の拡散だけに留まらず、その拡散形状の高精度な制御が要求されている。具体的な光学素子としては、屈折光学素子として、レンズ、プリズムの他、マイクロレンズアレー、マイクロプリズムアレー、回折光学素子として、コンピュータジェネレイテッドホログラムによる光拡散制御板、グレースケールマスク、フレネルレンズ、偏光光学素子として、すだれ構造を持った偏光板などがある。これらの光学素子は、光通信等における主要部品に使われており、微細な構造のものを正確に多数作ることが要求されており、マイクロレンズアレー、マイクロプリズムアレーとして使う場合にはその複製容易性が重要になる。
【０００５】
しかしながら、特に露光装置に用いられる回折光学素子の場合、ホットプレス法や射出成形によって直接高分子材料を加工する方法により得られた回折光学素子では、部材が高分子材料からなるものであることから、紫外光の領域では光吸収を生じてしまい露光装置用の回折光学素子としては用いることはできない。近年ナノインプリントに代表されるように、高分子材料以外の材料を加工する技術も報告されているが、加工可能な材料も限定的であり、特性も十分とはいえない場合が多い。
【０００６】
また、電子線（ＥＢ）描画とドライエッチングを組合せてガラスを加工する方法では、電子線（ＥＢ）描画によるパターンを露光するには、膨大な時間が必要であり、回折光学素子作製コストがアップし、高価なものとなってしまうというデメリットがあった。このようなことから一般的に回折光学素子は、露光マスクを作製し、露光装置による一括露光とドライエッチングを組合せて作製されている。
【０００７】
この場合、露光マスクとしては必要に応じ遮光領域を設けたマスクが一般的に用いられているが、このマスクでは遮光部分において光が遮られることから光量ロスが生じ、露光に長時間を要し回折光学素子作製の製造スループットが悪くなるといった欠点を有していた。
【０００８】
一方、この欠点を回避した露光マスクとして、露光マスク面上に凹凸を設け、位相差によりパターン形成を行う、位相差型露光マスクがある。このマスクは、遮光部分が存在しないため遮光領域を設けたマスクと比べて光量ロスが少ないといった利点を有している。このような位相差型露光マスクには、一般に二値からなる凹凸が設けられ、露光装置に使用される波長がλであり、露光マスクを構成する材料の屈折率をｎとした場合、通常、位相差をπとするためには、この凹凸の段差は（１/２）＊λ/（ｎ-１）が最も良いと考えられており、殆どの位相差型露光マスクにおいて凹凸の段差は（１/２）＊λ/（ｎ-１）で形成されている。
【０００９】
このことは、露光装置以外に用いられる光学素子についても同様である。
【特許文献１】特開２００３−１７７５０７
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、露光装置は一般に微細パターンを形成する装置であるが、この微細パターンの形成には所望の照明条件が得られるか否かが非常に重要となる。即ち、露光装置ではマスクの所望の領域を均一に照明等するため回折光学素子を用いているが、この回折光学素子の出来不出来により所望の照明をすることができるか否かが異なってくる。よって、所望の特性のものとして回折光学素子が出来上がっていれば問題はないが、そうでない場合には結像性能に悪影響を与え、露光装置のように仕様の厳しい装置の場合には特に問題となる。
【００１１】
このような回折光学素子を一括露光により作製する場合、露光マスクを用いていることから、回折光学素子はこの露光マスクの特性に大きく依存する。
ここで、発明者らは露光装置による一括露光のプロセスにより回折光学素子を作製する場合の作製過程について鋭意検討を行ったところ、回折光学素子を作製する際の露光プロセスに使用する位相差型露光マスクにおいて、深さが（１/２）＊λ/（ｎ−１）である場合が、０次光が必ずしも最小となるとは限らないことが解った。
【００１２】
即ち、０次回折光が最も低くなる深さが（１/２）＊λ/（ｎ−１）よりも若干深いところにあることを見出し、この場合においては、（１/２）＊λ/（ｎ-１）の場合よりも、０次光が最も低くなる深さで形成した方が製造マージンは広くなり、また、製造マージンが広くなった分多種多様な光学素子を作製することができることを見出したことに基づくものである。
【００１３】
図６には、溝の形成された露光マスクの段差の深さ（μｍ）とその露光マスクによる０次光の回折効率（１００％の場合が１）との関係を示す。この図から解るように、λが３６５ｎｍ（０．３６５μｍ）である場合、（１/２）＊λ/（ｎ-１）の値は３８４ｎｍとなる。しかし、電磁場等を考慮した実際の状態では、４０２ｎｍ近傍で最も０次光の値が低くなり、これはλ/２よりも若干深い値である。λ/２よりも０次光の値が低くなるのは、深さが（１/２）＊λ/（ｎ−１）から（１１/２０）＊λ/（ｎ−１）の範囲内であり、この範囲内では（１/２）＊λ/（ｎ−１）の段差を形成した場合よりも広い製造マージン等をとることができる。尚、この場合、格子は一次元のみならず、二次元の場合も同様である。
【００１４】
更に、図６に示すように、（１/２）＊λ/（ｎ−１）である３８４ｎｍよりも深い場合は、同じ深さであってもＴＭ波の方が０次光の値がＴＥ波よりも低くなり、また、（１/２）＊/（ｎ−１）である３８４ｎｍよりも浅い場合は、同じ深さであっても０次光の値がＴＥ波の方が、ＴＭ波よりも低くなることを見出した。このことを利用することにより、凹凸の段差によってＴＭ波、ＴＥ波の選択をすることにより、０次光をより低くすることができる。尚、図６では、光である電磁波に含まれる成分のうち、ＴＥ波は電場の振動方向が格子の段差により形成される溝方向に一致している電磁波を表し、ＴＭ波は磁場の振動方向が格子の段差により形成される溝方向に一致している電磁波を表している。従って、ＴＭ波、ＴＥ波を選択して使用する場合は、一次元の格子であることが前提となる。
【００１５】
このように０次光が低くければ低いほど、明るさのマージン(ダイナミックレンジ)を広く取ることができ様々な光学素子の作製が可能となる。よって、０次光の低くなる段差で形成することは、光学素子の作製範囲を広げることができる。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明は上記課題を解決するためになされたものである。
第１の発明は、透明基板の所定の領域に段差による位相格子を形成した露光装置に用いられる露光マスクにおいて、前記露光マスクを使用する際の露光光の波長をλ、基板を構成する材料の屈折率をｎとすると、露光マスクに形成される段差Ｐが、
（１/２）＊λ/（ｎ-１）＜Ｐ＜（１１/２０）＊λ／（ｎ−１）
であることを特徴とする露光マスクである。
【００１７】
第２の発明は、第１の発明の露光マスクにおいて、露光光のうちＴＭ波のみを使用することを特徴とする露光マスクである。
第３の発明は、透明基板の所定の領域に段差による位相格子を形成した露光装置に用いられる露光マスクにおいて、前記露光マスクを使用する際の露光光の波長をλ、基板を構成する材料の屈折率をｎとすると、露光マスクに形成される段差Ｐが、
（１/２）＊λ/（ｎ−１）＜Ｐであって、
かつ、露光光のうちＴＭ波のみを使用することを特徴とする露光マスクである。
【００１８】
第４の発明は、透明基板の所定の領域に段差による位相格子を形成した露光装置に用いられる露光マスクにおいて、前記露光マスクを使用する際の露光光の波長をλ、基板を構成する材料の屈折率をｎとすると、露光マスクに形成される段差Ｐが、
（１/２）＊λ/（ｎ−１）＞Ｐであって、
かつ、露光光のうちＴＥ波のみを使用することを特徴とする露光マスクである。
【００１９】
第５の発明は、基板上にフォトレジストを塗布する工程と、露光装置により照射光を第１から４の発明のいずれかの露光マスクに照射することによりフォトレジストの塗布された前記基板を露光する工程と、前記基板を現像しレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンの形成された基板をエッチングする工程と、レジストを剥離する工程により作製することを特徴とする光学素子の作製方法である。
【００２０】
第６の発明は、基板上にフォトレジストを塗布する工程と、露光装置により照射光を第２から４の発明のいずれかの露光マスクに照射することによりフォトレジストの塗布された前記基板を露光する工程と、前記基板を現像しレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンの形成された基板をエッチングする工程と、レジストを剥離する工程により作製する光学素子の作製方法において、
ＴＭ波またはＴＥ波を選別するための偏光素子を前記露光マスク近傍に配置し、前記露光マスクに照射された照射光のうち、ＴＭ波またはＴＥ波を選別し、露光用に用いることを特徴とする光学素子の作製方法である。
【００２１】
第７の発明は、基板上にフォトレジストを塗布する工程と、露光装置により照射光を第１から４の発明のいずれかの露光マスクに照射することによりフォトレジストの塗布された前記基板を露光する工程と、前記基板を現像しレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンの形成された基板をエッチングする工程と、レジストを剥離する工程により作製したことを特徴とする光学素子である。
【００２２】
第８の発明は、基板上にフォトレジストを塗布する工程と、露光装置により照射光を第２から４の発明のいずれかの露光マスクに照射することによりフォトレジストの塗布された前記基板を露光する工程と、前記基板を現像しレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンの形成された基板をエッチングする工程と、レジストを剥離する工程により作製する光学素子において、
ＴＭ波またはＴＥ波を選別するための偏光素子を前記露光マスク近傍に配置し、
前記露光マスクに照射された照射光のうち、ＴＭ波またはＴＥ波を選別し、露光用に用いることを特徴とする作製した光学素子である。
【００２３】
第９の発明は、第７または第８のいずれかの発明の光学素子と光源とを備えたことを特徴とする照明光学装置である。
第１０の発明は、マスク上に設けられたパターンの像を感光性基板上へ転写する露光装置であって、光源と、前記マスクのパターンの像を前記感光性基板上に形成するための投影光学系と、第７または第８のいずれかの発明の光学素子を備えたことを特徴とする露光装置である。
【００２４】
第１１の発明は、第１０の発明の露光装置において、前記光学素子が、前記光源からの光束の波面計測用、或いは、前記光源からの光束を拡散するために用いられていることを特徴とする露光装置である。
【００２５】
第１２の発明は、第１０または第１１のいずれかの発明の露光装置を用いて、前記マスクのパターンを前記感光性基板上に露光する露光工程と、前記露光工程により露光された前記感光性基板を現像する現像工程とを含むことを特徴とするマイクロデバイスの製造方法である。
【発明の効果】
【００２６】
本発明における光学素子を作製するための露光マスクによれば、製造マージンが広がるため様々な光学素子を作製することができる効果がある。露光の際、感光基板上に光が照射されない領域を形成することができるため、従来にはない光学素子を作成することが可能となる。
【００２７】
又、本発明では、このように作製された光学素子を投影光学系並びに露光装置に用いることにより、極めて微細なパターンを形成することが可能な露光装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
図１に基づき本発明に係る露光マスクを作製する方法について説明する。
【実施例１】
【００２９】
本実施例では、マスク基板として溶融石英基板（屈折率ｎ：１．４７５）を用いた。まず、溶融石英基板の両面を研磨し洗浄する。この後基板の片面(加工する面)にフォトレジストを塗布しプリベーク処理を実施する(ステップ１)。この基板をＩ線(波長３６５ｎｍ)を光源とする露光装置により、所望のパターンを露光する（ステップ２）。この後、ベーク処理を経て現像処理を行い所望のレジストパターンを得る(ステップ３)。このレジストパターンの形成された基板をドライエッチング、具体的には反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によりエッチング処理を行う(ステップ４)。この際、（１/２）＊λ/（ｎ-１）の値は３８４ｎｍであるが、０次光の最も低くなる段差は４０２ｎｍであるため、４０２ｎｍエッチングを行う。
【００３０】
反応性イオンエッチングを行う手順は、基板を真空チャンバー内部に設置した後、真空チャンバーを真空ポンプにより排気する。チャンバー内部が２×１０-4Ｐａ以下に排気した後、チャンバー内にＣＦ4を導入しプラズマ放電することにより、基板のレジストのパターンが形成されていない領域がエッチングされる。所望の深さエッチングされた後、フォトレジストを剥離液により剥離する(ステップ５)。この作製プロセスにより露光マスクが作製される。
【００３１】
尚、エッチングの場合と逆のレジストパターンを形成した基板上にスパッタリングによりＳｉＯ2膜を成膜した後、リフトオフ等の手法でレジストを取り除くことにより、レジスト上に成膜されたＳｉＯ2膜が除去することが可能であり、この手法によっても同様の露光マスクを得ることができる。
【実施例２】
【００３２】
図２に基づき本発明に係る光学素子の作製方法の一例として、回折光学素子であるグレースケールマスクの作製方法について説明する。
本実施例では、回折光学素子であるグレースケールマスクを作製する基板として溶融石英基板を用いた。まず、溶融石英基板の両面を研磨し洗浄する。この後基板の片面(加工する面)にフォトレジストを塗布しプリベーク処理を実施する(ステップ１０１)。この基板をＩ線(波長３６５ｎｍ)を光源とする露光装置により、実施例１により作製した露光マスクを用いて所望のパターンを露光する（ステップ１０２）。この後、ベーク処理を経て現像処理を行い所望のレジストパターンを得る(ステップ１０３)。このレジストパターンの形成された基板をドライエッチング、具体的には反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によりエッチング処理を行う(ステップ１０４)。反応性イオンエッチングは、実施例１に記載した方法と同様の手法により行われ、基板のレジストのパターンが形成されていない領域がエッチングされる。所望の深さエッチングされた後、フォトレジストを剥離液により剥離する(ステップ１０５)。この作製プロセスにより回折光学素子であるグレースケールマスクが作製される。
【００３３】
作製された回折光学素子であるグレースケールマスクは、露光装置の照明装置の部品として、均一な照明分布を得るための拡散板として用いる。
尚、エッチングの場合と逆のレジストパターンを形成した基板上にスパッタリングによりＳｉＯ2膜を成膜した後、リフトオフ等の手法でレジストを取り除くことにより、レジスト上に成膜されたＳｉＯ2膜が除去することが可能であり、この手法により同様の回折光学素子であるグレースケールマスクを得ることができる。
【００３４】
尚、本実施例では、回折光学素子であるグレースケールマスクの作製方法について説明したが、他の光学素子についても同様に作製することができる。
【実施例３】
【００３５】
図３に基づき本発明に係る光学素子の作製方法として、回折光学素子であるグレースケールマスクの作製方法について説明する。
本実施例は、実施例２におけるステップ１０２において、露光装置における所望のパターンの露光を行う際に、露光マスクに隣接して偏光素子を設け、ＴＭ波のみ透過させて露光するものであり、他のプロセスは実施例２と同様である。
【００３６】
具体的な露光装置の構成を図４に示す。この露光装置において波長（λ）３６５ｎｍのＩ線光源１１から出力された露光光は、ビームエキスパンダ１２で適当な径の平行光束に調整された後、偏光素子２２、拡散板１３、ズームコンデンサーレンズ１４、フライアイインテグレータ１５、コンデンサーレンズ１６、ミラー１７からなるメイン照明系を介して露光マスク１８を均一に照明する。露光マスク１８を透過した露光光は、投影レンズ１９を透過してステージ上のウエハステージ２０に設置された屈折率ｎである材料により構成された溶融石英基板２１に照射され、露光マスク１８により形成されたパターンが溶融石英基板２１上に投影される。本実施例では、光源１１から出力された露光光は、偏光素子２２によりＴＭ波のみ透過させ露光マスク１８に照射されるため、露光マスク１８を通過した光束は０次回折光を最も低減することができる。
【００３７】
尚、本実施例では偏光素子２２のみを用いたが、偏光素子と波長板等を組合せた構成にしても良い。
この露光装置では、実施例２の場合よりも更に０次光の値を低くすることができ、制御の幅が広がるため、より様々な光学素子の作製が可能となる。
【００３８】
又、図６より作製された露光マスクの凹凸の段差が（１/２）＊λ/（ｎ−１）よりも大きい場合は、偏光素子によりＴＭ波のみ選択して用いるのが有利であり、作製された露光マスクの凹凸の段差が（１/２）＊λ/（ｎ−１）よりも小さい場合は、偏光素子によりＴＥ波のみ選択して用いるのが有利である。
【実施例４】
【００３９】
以下、本発明に係る露光装置の実施例を図４に示す。この露光装置において、波長１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザ光源１１１から出力された露光光は、ビームエキスパンダ１１２で適当な径の平行光束に調整された後、拡散板１１３に入射する。この拡散板は実施例２に記載された作製方法により作製された回折光学素子である。この後、ズームコンデンサーレンズ１１４、フライアイインテグレータ１１５、コンデンサーレンズ１１６、ミラー１１７からなるメイン照明系を介してレチクル１１８を均一に照明する。レチクル１１８を透過した露光光は、投影レンズ１１９を透過してステージ上のウエハステージ１２０に設置されたウエハ１２１に照射され、レチクル１１８のパターンがウエハ１２１上に投影される。
【００４０】
この際、拡散板１１３により所望の分布の均一照明が可能となり、ウエハ１２１上に本発明に係る露光装置により微細なレジストパターンの形成が可能となる。
尚、本実施例では回折光学素子を拡散板１１３として露光時に用いたが、露光時以外であっても、露光装置の調整をする際の波面計測の際にも用いることが可能である。
【実施例５】
【００４１】
上述の実施例４に係る露光装置により、マイクロデバイスを露光する方法について説明する。照明光学装置によってマスク(またはレチクル)を照明し(照明工程)、投影光学系を用いてマスクに形成された転写用パターンを感光性基板に露光する(露光工程)により、マイクロデバイス(半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等)を製造することができる。以下、上述の実施例の露光装置を用いて感光性基板としてのウエハ等に所定の回路パターンを形成することによって、マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法の一例につき図５のフローチャートを参照して説明する。
【００４２】
先ず、図５のステップ２０１において、１ロットのウエハ上に金属膜が蒸着される、次のステップ２０２において、その１ロットのウエハ上の金属膜上にフォトレジストが塗布される。その後、ステップ２０３において、実施例４に係る露光装置を用いて、マスク上のパターンの像がその投影光学系(投影光学モジュール)を介して、その１ロットのウエハ上の各ショット領域に順次露光転写される。
【００４３】
その後、ステップ２０４において、その１ロットについてウエハ上のフォトレジストの現像が行われた後、ステップ２０５において、その１ロットのウエハ上でレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことによって、マスク上のパターンに対応する回路パターンが、各ウエハ上の各ショット領域に形成される。その後、更に上のレイヤに回路パターンの形成を行うことによって、半導体素子等のデバイスが製造される。上述の半導体デバイス製造方法によれば、極めて微細な回路パターンを有する半導体デバイスであっても露光することができる。
【００４４】
また、上述の実施形態の露光装置では、プレート(ガラス基板)上に所定のパターン(回路パターン、電極パターン等)を形成することによって、マイクロデバイスとしての液晶表示素子を得ることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明に係る露光マスクの作製方法の手順を示した図である。
【図２】本発明に係る光学素子の作製方法の手順を示した図である。
【図３】実施例３において用いられる露光装置の概念図である。
【図４】本発明に係る露光装置の概念図である。
【図５】本発明に係るデバイスの製造方法により、デバイスを作製するためのプロセスを示した図である。
【図６】露光マスクにおける凹凸の段差と０次光との関係を示した図である。
【符号の説明】
【００４６】
１１  光源
１２  ビームエキスパンダ
１３  拡散板
１４  ズームコンデンサーレンズ
１５  フライアイインテグレータ
１６  コンデンサーレンズ
１７  ミラー
１８  露光マスク
１９  投影レンズ
２０  ステージ
２１  溶融石英基板
２２  偏光素子
１１１  光源
１１２  ビームエキスパンダ
１１３  拡散板
１１４  ズームコンデンサーレンズ
１１５  フライアイインテグレータ
１１６  コンデンサーレンズ
１１７  ミラー
１１８  レチクル
１１９  投影レンズ
１２０  ウエハステージ
１２１  ウエハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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