(57)【要約】【課題】  良好な導電性を有し、しかも、半田による変質がないまたは少ない耐半田性金組成物およびその応用を提供する。【解決手段】  本発明の耐半田性金組成物は、金またはその合金中に、ケイ素および／またはゲルマニウムが含有されてなり、金とケイ素およびゲルマニウムの合計との割合が、原子数比で９７：３〜７０：３０である。本発明の導電性粒子は、磁性を示す芯粒子の表面に、上記の耐半田性金組成物よりなる導電性被膜が形成されてなる。本発明の異方導電性シートは、それぞれ厚み方向に伸びる複数の導電路形成部が絶縁部によって相互に絶縁されてなる異方導電性シートにおいて、前記導電路形成部の各々は、弾性高分子物質中に、上記の導電性粒子が厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有されてなる。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金またはその合金中に、ケイ素および／またはゲルマニウムが含有されてなり、金とケイ素およびゲルマニウムの合計との割合が、原子数比で９７：３〜７０：３０であることを特徴とする耐半田性金組成物。
【請求項２】
請求項１に記載の耐半田性金組成物よりなることを特徴とする導電性被膜。
【請求項３】
磁性を示す芯粒子の表面に、請求項１に記載の耐半田性金組成物よりなる導電性被膜が形成されてなることを特徴とする導電性粒子。
【請求項４】
硬化されて弾性高分子物質となる液状の高分子物質形成材料中に、請求項３に記載の導電性粒子が含有されてなることを特徴とする導電性ペースト組成物。
【請求項５】
それぞれ厚み方向に伸びる複数の導電路形成部が絶縁部によって相互に絶縁されてなる異方導電性シートにおいて、
前記導電路形成部の各々は、弾性高分子物質中に、請求項３に記載の導電性粒子が厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有されてなることを特徴とする異方導電性シート。
【請求項６】
弾性高分子物質中に、請求項３に記載の導電性粒子が厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有されてなることを特徴とする異方導電性シート。
【請求項７】
それぞれ厚み方向に伸びる複数の導電路形成部が絶縁部によって相互に絶縁されてなる異方導電性シートにおいて、
前記導電路形成部の各々の一面には、請求項１に記載の耐半田性金組成物よりなる被膜が形成されていることを特徴とする異方導電性シート。
【請求項８】
表面に請求項１に記載の耐半田性金組成物よりなる導電性被膜を有することを特徴とする電極。
【請求項９】
請求項１に記載の耐半田性金組成物よりなることを特徴とする電極。
【請求項１０】
絶縁性シート体と、この絶縁性シート体の表面に露出する表面電極および当該絶縁性シート体の裏面に露出する裏面電極が当該絶縁性シート体をその厚み方向に貫通して伸びる短絡部によって互いに連結されてなる複数の複合電極体とを具えてなるシート状プローブにおいて、
前記複合電極体における表面電極は、その表面に請求項１に記載の耐半田性金組成物よりなる導電性被膜を有することを特徴とするシート状プローブ。
【請求項１１】
表面に複数の検査電極が形成されてなる検査用回路基板と、この検査用回路基板上に配置された、請求項５乃至請求項７のいずれか一に記載の異方導電性シートとを具えてなることを特徴とするプローブカード。
【請求項１２】
表面に複数の検査電極が形成されてなる検査用回路基板と、この検査用回路基板の表面上に配置された異方導電性シートと、この異方導電性シート上に配置された、請求項１０に記載のシート状プローブとを具えてなることを特徴とするプローブカード。
【請求項１３】
請求項１１または請求項１２に記載のプローブカードを具えてなることを特徴とする回路装置の検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、耐半田性金組成物およびその応用に関し、更に詳しくは、ＰｂやＳｎを含む半田に対して耐性を有する耐半田性金組成物、この耐半田性金組成物よりなる導電性被膜およびその他の応用に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体素子等の電子部品や、多数の集積回路が形成されたウエハなどの回路装置の電気的検査においては、検査対象である回路装置の被検査電極のパターンに対応するパターンに従って配置された多数の検査電極を有するプローブカードが用いられている。かかるプローブカードとしては、従来、ピンまたはブレードよりなる接触子が配列されてなるものが使用されている。
然るに、検査対象である回路装置が多数の被検査電極を有するものである場合において、当該回路装置を検査するためのプローブカードを作製する場合には、多数の検査電極を配列することが必要となるので、当該プローブカードは極めて高価なものとなる。また、検査対象である回路装置が小さいピッチで配置された多数の被検査電極を有するものである場合には、プローブカードを作製すること自体が困難となる。更に、検査対象である回路装置が例えば多数の集積回路が形成されたウエハである場合には、当該ウエハには、一般に反りが生じており、その反りの状態も製品（ウエハ）毎に異なるため、当該ウエハにおける多数の被検査電極に対して、プローブカードの検査電極の各々を安定にかつ確実に接触させることは実際上困難である。
以上のような理由から、近年、多数の被検査電極が形成された回路装置を検査するためのプローブカードとして、表面に被検査電極のパターンに対応するパターンに従って複数の検査電極が形成された検査用回路基板と、この検査用回路基板の表面上に配置された異方導電性シートとからなるプローブカード（例えば特許文献１参照。）や、検査用回路基板と、この検査用回路基板の表面上に配置された異方導電性シートと、この異方導電性シート上に配置された、柔軟な絶縁膜にその厚み方向に貫通して伸びる複数の複合電極体が配列されてなるシート状プローブとからなるプローブカード（例えば特許文献２参照。）が提案されている。前者のプローブカードにおいては、異方導電性シートが被検査電極に接触する接触子とされ、後者のプローブカードにおいては、シート状プローブが被検査電極に接触する接触子とされている。
【０００３】
これらのプローブカードにおける異方導電性シートとしては、厚み方向にのみ導電性を示すもの、または厚み方向に加圧されたときに厚み方向にのみ導電性を示す加圧導電性導電部を有するものであり、かかる異方導電性シートとしては、種々の構造のものが知られており、例えば特許文献３等には、磁性を示す導電性粒子をエラストマー中に均一に分散して得られる異方導電性シート（以下、これを「分散型異方導電性シート」という。）が開示され、また、特許文献４等には、磁性を示す導電性粒子をエラストマー中に不均一に分布させることにより、厚み方向に伸びる多数の導電路形成部と、これらを相互に絶縁する絶縁部とが形成されてなる異方導電性シート（以下、これを「偏在型異方導電性シート」という。）が開示され、更に、特許文献５等には、導電路形成部の表面と絶縁部との間に段差が形成された偏在型異方導電性シートが開示されている。
これらの異方導電性シートにおいては、導電性粒子として、酸化による変質が少なく、高い導電性が得られる点で、強磁性体よりなる芯粒子の表面に金よりなる被膜が形成されてなるものが好ましく用いられている。
また、シート状プローブとしては、酸化による変質が少なく、高い導電性が得られる点で、複合電極体における表面電極の表面に金よりなる被膜を有するものが好ましく用いられている。
【０００４】
一方、検査対象である回路装置においては、半田よりなる半球状の電極が形成されてなるものが知られている。
しかしながら、このような半田よりなる被検査電極を有する回路装置の電気的検査において、上記のプローブカードを用いる場合には、以下のような問題がある。
接触子として異方導電性シートを具えたプローブカードにおいては、半田よりなる被検査電極を有する回路装置のプローブ試験に多数回にわたって繰り返し使用した場合、或いは、当該回路装置のバーンイン試験に繰り返して使用した場合には、被検査電極を構成する半田物質例えばＰｂやＳｎが、異方導電性シートの表面に付着し、更には、導電性粒子における被膜中に移行することによって当該被膜が変質する結果、所要の導電性を維持することが困難となる。
また、接触子としてシート状プローブを具えたプローブカードにおいては、半田よりなる被検査電極を有する回路装置のプローブ試験に多数回にわたって繰り返し使用した場合や、バーンイン試験に繰り返して使用した場合には、被検査電極を構成する半田物質例えばＰｂやＳｎが、表面電極に付着し、更には、当該表面電極における被膜中に移行することによって当該被膜が変質する結果、被膜の導電性が著しく低下して所要の導電性を維持することが困難となる。
このように被膜の導電性が著しく低下するのは、半田を構成するＰｂおよびＳｎは、被膜を形成する金と合金化しやすいものである反面、偏晶しやすいものであるためと考えられる。
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−２０３８７９号公報
【特許文献２】特開平７−２３１０１９号公報
【特許文献３】特開昭５１−９３３９３号公報
【特許文献４】特開昭５３−１４７７７２号公報
【特許文献５】特開昭６１−２５０９０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、その第１の目的は、良好な導電性を有し、しかも、半田による変質がないまたは少ない耐半田性金組成物を提供することにある。
本発明の第２の目的は、良好な導電性を有し、しかも、半田による変質がないまたは少ない導電性被膜を提供することにある。
本発明の第３の目的は、良好な導電性を有し、しかも、半田による変質がないまたは少ない導電性粒子を提供することにある。
本発明の第４の目的は、良好な導電性を有し、しかも、半田による変質がないまたは少ない導電性材料が得られる導電性ペースト組成物を提供することにある。
本発明の第５の目的は、良好な導電性を有し、しかも、半田よりなる電極を長時間圧接してもまたは多数回圧接しても、良好な導電性が安定に維持される異方導電性シートを提供することにある。
本発明の第６の目的は、良好な導電性を有し、しかも、半田よりなる電極を長時間圧接してもまたは多数回圧接しても、良好な導電性が安定に維持される電極を提供することにある。
本発明の第７の目的は、良好な導電性を有し、しかも、半田よりなる被検査電極を長時間圧接してもまたは多数回圧接しても、良好な導電性が安定に維持されるシート状プローブを提供することにある。
本発明の第８の目的は、良好な導電性を有し、しかも、半田よりなる被検査電極を長時間圧接してもまたは多数回圧接しても、良好な導電性が安定に維持されるプローブカードを提供することにある。
本発明の第９の目的は、半田よりなる被検査電極を有する回路装置に対しても、信頼性の高い電気的検査を長期間にわたって実行することができる回路装置の検査装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の耐半田性金組成物は、金またはその合金中に、ケイ素および／またはゲルマニウムが含有されてなり、金とケイ素およびゲルマニウムの合計との割合が、原子数比で９７：３〜７０：３０であることを特徴とする。
【０００８】
本発明の導電性被膜は、上記の耐半田性金組成物よりなることを特徴とする。
【０００９】
本発明の導電性粒子は、磁性を示す芯粒子の表面に、上記の耐半田性金組成物よりなる導電性被膜が形成されてなることを特徴とする。
【００１０】
本発明の導電性ペースト組成物は、硬化されて弾性高分子物質となる液状の高分子物質形成材料中に、上記の導電性粒子が含有されてなることを特徴とする。
【００１１】
本発明の異方導電性シートは、それぞれ厚み方向に伸びる複数の導電路形成部が絶縁部によって相互に絶縁されてなる異方導電性シートにおいて、
前記導電路形成部の各々は、弾性高分子物質中に、上記の導電性粒子が厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有されてなることを特徴とする。
【００１２】
本発明の異方導電性シートにおいては、弾性高分子物質中に、上記の導電性粒子が厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有されてなることが好ましい。
【００１３】
また、本発明の異方導電性シートは、それぞれ厚み方向に伸びる複数の導電路形成部が絶縁部によって相互に絶縁されてなる異方導電性シートにおいて、
前記導電路形成部の各々の一面には、上記の耐半田性金組成物よりなる被膜が形成されていることを特徴とする。
【００１４】
本発明の電極は、表面に上記の耐半田性金組成物よりなる導電性被膜を有することを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の電極は、上記の耐半田性金組成物よりなることを特徴とする。
【００１６】
本発明のシート状プローブは、絶縁性シート体と、この絶縁性シート体の表面に露出する表面電極および当該絶縁性シート体の裏面に露出する裏面電極が当該絶縁性シート体をその厚み方向に貫通して伸びる短絡部によって互いに連結されてなる複数の複合電極体とを具えてなるシート状プローブにおいて、
前記複合電極体における表面電極は、その表面に上記の耐半田性金組成物よりなる導電性被膜を有することを特徴とする。
【００１７】
本発明のプローブカードは、表面に複数の検査電極が形成されてなる検査用回路基板と、この検査用回路基板上に配置された、上記の異方導電性シートとを具えてなることを特徴とする。
【００１８】
また、本発明のプローブカードは、表面に複数の検査電極が形成されてなる検査用回路基板と、この検査用回路基板の表面上に配置された異方導電性シートと、この異方導電性シート上に配置された、上記のシート状プローブとを具えてなることを特徴とする。
【００１９】
本発明の回路装置の検査装置は、上記のプローブカードを具えてなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
請求項１に係る発明によれば、金またはその合金中に、金に対して親和性が極めて高くて偏晶しにくいケイ素および／またはゲルマニウムが特定の割合で含有されていることにより、金それ自体が有する高い導電性が損なわれることがないため、良好な導電性を有すると共に、半田と接触しても当該半田を構成するＰｂまたはＳｎが組成物中に移行することが抑制されるため、半田による変質がないまたは少ない耐半田金組成物を提供することができる。
請求項２に係る発明によれば、上記の耐半田性金組成物よりなることにより、良好な導電性を有し、しかも、半田による変質がないまたは少ない導電性被膜を提供することができる。
請求項３に係る発明によれば、磁性を示す芯粒子の表面に、上記の耐半田性金組成物よりなる導電性被膜が形成されていることにより、良好な導電性を有し、しかも、半田による変質がないまたは少ない導電性粒子を提供することができる。
請求項４に係る発明によれば、上記の導電性粒子が含有されていることにより、良好な導電性を有し、しかも、半田による変質がないまたは少ない導電性材料が得られる導電性ペースト組成物を提供することができる。
【００２１】
請求項５および請求項６に係る発明によれば、弾性高分子物質中に上記の導電性粒子が含有されてなることにより、良好な導電性を有し、しかも、半田よりなる電極を長時間圧接してもまたは多数回圧接しても、導電性粒子の変質がないまたは少ないため、良好な導電性が安定に維持される異方導電性シートを提供することができる。
請求項７に係る発明によれば、導電路形成部の一面に上記の耐半田性金組成物よりなる導電性被膜が形成されていることにより、良好な導電性を有し、しかも、半田よりなる電極を長時間圧接してもまたは多数回圧接しても、良好な導電性が安定に維持される異方導電性シートを提供することができる。
【００２２】
請求項８に係る発明によれば、表面に上記の耐半田性金組成物よりなる導電性被膜を有することにより、良好な導電性を有し、しかも、半田よりなる電極を長時間圧接してもまたは多数回圧接しても、良好な導電性が安定に維持される電極を提供することができる。  請求項９に係る発明によれば、上記の耐半田性金組成物よりなることにより、良好な導電性を有し、しかも、半田よりなる電極を長時間圧接してもまたは多数回圧接しても、良好な導電性が安定に維持される電極を提供することができる。
請求項１０に係る発明によれば、複合電極体における表面電極がその表面に上記の耐半田性金組成物よりなる導電性被膜を有することにより、良好な導電性を有し、しかも、半田よりなる電極を長時間圧接してもまたは多数回圧接しても、良好な導電性が安定に維持されるシート状プローブを提供することができる。
【００２３】
請求項１１に係る発明によれば、被検査電極に接触する接触子として上記の異方導電性シートを具えてなることにより、良好な導電性を有し、しかも、半田よりなる被検査電極を長時間圧接してもまたは多数回圧接しても、良好な導電性が安定に維持されるプローブカードを提供することができる。
請求項１２に係る発明によれば、被検査電極に接触する接触子として上記のシート状プローブを具えてなることにより、良好な導電性を有し、しかも、半田よりなる被検査電極を長時間圧接してもまたは多数回圧接しても、良好な導電性が安定に維持されるプローブカードを提供することができる。
請求項１３に係る発明によれば、上記のプローブカードを具えてなることにより、半田よりなる被検査電極を有する回路装置に対しても、信頼性の高い電気的検査を長期間にわたって実行することができる回路装置の検査装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
〔耐半田性金組成物〕
本発明の耐半田性金組成物は、金またはその合金中に、ケイ素およびゲルマニウムのいずれか一方または両方が含有されてなるものである。
ここで、金合金としては、金の割合が好ましくは７０質量％以上のもの、より好ましくは８０質量％以上のものが用いられる。金合金の具体例としては、Ａｕ−Ｎｉ、Ａｕ−Ｐｔ、Ａｕ−Ｃｕ、Ａｕ−Ａｇ、Ａｕ−Ｔｂ、Ａｕ−Ｙなどが挙げられる。
【００２５】
本発明の耐半田性金組成物において、金とケイ素およびゲルマニウムの合計との割合は、原子数比で９７：３〜７０：３０とされ、好ましくは９５：５〜８０：２０とされる。  また、ゲルマニウムを含有しない場合には、金とケイ素との割合は、原子数比で９５：５〜８０：２０であることが好ましく、より好ましくは９０：１０〜８０：２０である。一方、ケイ素を含有しない場合には、金とゲルマニウムとの割合は、原子数比で９７：３〜７３：２７であることが好ましく、より好ましくは８３：１７〜７８：２２である。
金の割合が過小である場合には、金の有する導電性が阻害されるため、当該組成物は、電気抵抗の高いものとなる。一方、金の割合が過大である場合には、当該組成物は、偏晶が起きやすく、また、半田を構成するＰｂやＳｎが移行しやすいため、半田に対して変質しやすいものとなる。
【００２６】
本発明の耐半田性金組成物は、金に対して親和性が極めて高くて偏晶しにくいケイ素およびゲルマニウムのいずれか一方または両方が、金またはその合金中に特定の割合で含有されていることにより、金それ自体の導電性が損なわれることがないため、良好な導電性を有すると共に、半田と接触しても当該半田を構成するＰｂまたはＳｎが組成物中に移行することが抑制されるため、半田による変質がないまたは少ないものである。
【００２７】
〔導電性被膜〕
本発明の導電性被膜は、上記の耐半田性金組成物よりなる導電性被膜（以下、「特定の導電性被膜」という。）である。
この特定の導電性被膜の厚みは、目的に応じて適宜設定されるが、例えば０．１〜５μｍである。
このような特定の導電性被膜を形成する方法としては、当該特定の導電性被膜が形成される基体の材質、形状および寸法などに応じて適宜選択されるが、例えば真空蒸着法、スパッタ法、プラズマＣＶＤ法などの乾式法、無電解メッキ法、電気メッキ法などの湿式法などを利用することができ、更には、予め耐半田性金組成物よりなる箔を製造し、この箔を基体に溶着する方法を利用することもできる。
【００２８】
例えばスパッタ法によって、特定の導電性被膜を形成する場合には、金または金合金、並びにケイ素および／またはゲルマニウムが含有されてなる単一のターゲットを用いて行うことができるが、金または金合金よりなるターゲット、並びにケイ素よりなるターゲットおよび／またはゲルマニウムからなるターゲットなどの互いに異なる複数のターゲットを用いて行うこともできる。
単一のターゲットを用いる場合には、当該ターゲットを構成する各成分の割合は、形成すべき特定の導電性被膜を構成する各成分の割合に応じて設定される。
また、互いに異なる複数のターゲットを用いる場合には、特定の導電性被膜が形成される基体に対して、各ターゲットを相対的に回転させ、各ターゲットによる被膜を交互に形成すればよい。
【００２９】
また、無電解メッキ法または電解メッキ法によって、特定の導電性被膜を形成する場合には、金と、ケイ素および／またはゲルマニウムとを含有してなるメッキ液が用いられる。
ここで、メッキ液としては、強酸性のものまたは強アルカリ性のもの、具体的にはｐＨが３以下のものまたは１２以上のものを用いることが好ましい。中性、弱酸性または弱アルカリ性のメッキ液では、ケイ素および／またはゲルマニウムが、水酸基と結合しやすくなるため、ゲル状となって沈殿するおそれがある。
また、メッキ液に含有される各成分の割合は、形成すべき特定の導電性被膜を構成する各成分の割合に応じて設定される。
【００３０】
本発明の特定の導電性被膜は、上記の耐半田性金組成物よりなることにより、良好な導電性を有し、しかも、半田と接触しても当該半田を構成するＰｂまたはＳｎが特定の導電性被膜中に移行することが抑制されるため、半田による変質がないまたは少ないものである。
【００３１】
〔導電性粒子〕
本発明の導電性粒子は、磁性を示す芯粒子に上記の特定の導電性被膜が形成されてなる導電性粒子（以下、「特定の導電性粒子」という。）である。
特定の導電性粒子の粒子径は、当該特定の導電性粒子の具体的な用途に応じて適宜選定されるが、後述する異方導電性シートに用いる場合には、数平均粒子径が３〜３０μｍであることが好ましく、より好ましくは５〜１５μｍである。ここで、数平均粒子径は、レーザー回折散乱法によって測定されたものをいう。
このような数平均粒子径を有する特定の導電性粒子であれば、加圧変形が容易で、電気抵抗値が低くて接続信頼性の高い異方導電性シートが得られやすい。
また、特定の導電性粒子は、その粒子径の変動係数が５０％以下のものであることが好ましく、より好ましくは４０％以下、更に好ましくは３０％以下、特に好ましくは２０％以下のものである。ここで、粒子径の変動係数は、式：（σ／Ｄｎ）×１００（但し、σは、粒子径の標準偏差の値を示し、Ｄｎは、粒子の数平均粒子径を示す。）によって求められるものである。
上記粒子径の変動係数が５０％以下であれば、粒子径の均一性が大きいため、導電性のバラツキの小さい異方導電性シートが得られる。
【００３２】
特定の導電性粒子を構成する芯粒子としては、磁性を示すものであれば種々のものを用いることができ、その具体例としては、鉄、ニッケル、コバルト若しくはこれらの合金よりなる粒子、或いはこれらの金属を、銅などの非磁性金属や樹脂などによってコーティングした粒子などを用いことができる。
芯粒子の粒子径は、目的とする特定の導電性粒子の粒子径、形成すべき導電性被膜の厚みなどを考慮して適宜選定されるが、数平均で３〜３０μｍであることが好ましく、より好ましくは５〜１５μｍである。
また、磁性芯粒子は、そのＢＥＴ比表面積が１０〜５００ｍ2 ／ｋｇであることが好ましく、より好ましくは２０〜５００ｍ2 ／ｋｇ、特に好ましくは５０〜４００ｍ2 ／ｋｇである。
このＢＥＴ比表面積が１０ｍ2 ／ｋｇ以上であれば、当該芯粒子は導電性被膜を形成することが可能な領域が十分に大きいものであるため、当該芯粒子に十分な量の導電性被膜を確実に形成することができ、従って、導電性の大きい特定の導電性粒子を得ることができると共に、当該特定の導電性粒子間において、接触面積が十分に大きいため、安定で高い導電性が得られる。一方、このＢＥＴ比表面積が５００ｍ2 ／ｋｇ以下であれば、当該芯粒子が脆弱なものとならず、物理的な応力が加わった際に破壊することが少なく、安定で高い導電性が保持される。
【００３３】
芯粒子の表面に形成される導電性被膜の厚みは、１００ｎｍ以上であることが好ましく、より好ましくは２００〜５００ｎｍである。
この導電性被膜の厚みが１００ｎｍ以上であれば、当該特定の導電性粒子はその導電性が十分に高いものとなる。ここで、導電性粒子の導電性被膜の厚みは、下記式（Ｉ）によって算出されるものをいう。
【００３４】
式（Ｉ）：ｔ＝〔１／（Ｓｗ・ρ）〕×〔Ｎ／（１−Ｎ）〕
〔但し、ｔは導電性被膜の厚み（ｍ）、Ｓｗは芯粒子のＢＥＴ比表面積（ｍ2 ／ｋｇ）、ρは導電性被膜を形成する物質の比重（ｋｇ／ｍ3 ）、Ｎは導電性被膜による被覆率（導電性被膜の質量／導電性粒子の質量）を示す。〕
【００３５】
上記の式（Ｉ）は、次のようにして導かれたものである。
（ａ）芯粒子の質量をＭｐ（ｋｇ）とすると、芯粒子の表面積Ｓ（ｍ2 ）は、
Ｓ＝Ｓｗ・Ｍｐ  ………式（１）
によって求められる。
（ｂ）導電性被膜の質量をｍ（ｋｇ）とすると、当該導電性被膜の体積Ｖ（ｍ3 ）は、
Ｖ＝ｍ／ρ  ………式（２）
によって求められる。
（ｃ）ここで、導電性被膜の厚みが導電性粒子の表面全体にわたって均一なものであると仮定すると、ｔ＝Ｖ／Ｓであり、これに上記式（１）および式（２）を代入すると、導電性被膜の厚みｔは、
ｔ＝（ｍ／ρ）／（Ｓｗ・Ｍｐ）＝ｍ／（Ｓｗ・ρ・Ｍｐ）  ………式（３）
によって求められる。
（ｄ）また、導電性被膜による被覆率Ｎは、導電性粒子の質量に対する導電性被膜の質量の比であるから、この被覆率Ｎは、
Ｎ＝ｍ／（Ｍｐ＋ｍ）  ………式（４）
によって求められる。
（ｅ）この式（４）の右辺における分子・分母をＭｐで割ると、
Ｎ＝（ｍ／Ｍｐ）／（１＋ｍ／Ｍｐ）となり、両辺に（１＋ｍ／Ｍｐ）をかけると、
Ｎ（１＋ｍ／Ｍｐ）＝ｍ／Ｍｐ、更には、
Ｎ＋Ｎ（ｍ／Ｍｐ）＝ｍ／Ｍｐとなり、Ｎ（ｍ／Ｍｐ）を右辺に移行すると、
Ｎ＝ｍ／Ｍｐ−Ｎ（ｍ／Ｍｐ）＝（ｍ／Ｍｐ）（１−Ｎ）となり、両辺を（１−Ｎ）で割ると、
Ｎ／（１−Ｎ）＝ｍ／Ｍｐとなり、
従って、芯粒子の質量Ｍｐは、
Ｍｐ＝ｍ／〔Ｎ／（１−Ｎ）〕＝ｍ（１−Ｎ）／Ｎ  ………式（５）
によって求められる。
（ｆ）そして、式（３）に式（５）を代入すると、
ｔ＝１／〔Ｓｗ・ρ・（１−Ｎ）／Ｎ〕
＝〔１／（Ｓｗ・ρ）〕×〔Ｎ／（１−Ｎ）〕
が導かれる。
【００３６】
このような特定の導電性粒子は、例えば以下の方法によって得ることができる。
例えば強磁性体材料を常法により粒子化し或いは市販の強磁性体粒子を用意し、この粒子に対して分級処理を行うことにより、所要の粒子径を有する芯粒子を調製する。
ここで、粒子の分級処理は、例えば空気分級装置、音波ふるい装置などの分級装置によって行うことができる。
また、分級処理の具体的な条件は、目的とする芯粒子の数平均粒子径、分級装置の種類などに応じて適宜設定される。
次いで、芯粒子の表面を酸によって処理し、更に、例えば純水によって洗浄することにより、芯粒子の表面に存在する汚れ、異物、酸化膜などの不純物を除去し、その後、当該芯粒子の表面に前述の耐半田性金組成物よりなる導電性被膜を形成することによって、特定の導電性粒子が得られる。
ここで、芯粒子の表面を処理するために用いられる酸としては、塩酸などを挙げることができる。
導電性被膜を形成する方法としては、前述の方法、すなわち真空蒸着法、スパッタ法、プラズマＣＶＤ法などの乾式法、無電解メッキ法、電解メッキ法などの湿式法などを利用することができる。
【００３７】
無電解メッキ法を利用する場合について説明すると、先ず、メッキ液中に、酸処理および洗浄処理された芯粒子を添加してスラリーを調製し、このスラリーを攪拌しながら当該芯粒子の無電解メッキを行う。次いで、スラリー中の粒子をメッキ液から分離し、その後、当該粒子を例えば純水によって洗浄処理することにより、芯粒子の表面に導電性被膜が形成されてなる特定の導電性粒子が得られる。
また、芯粒子の表面に下地メッキを行って下地メッキ層を形成した後、当該下地メッキ層の表面に導電性被膜を形成してもよい。
また、芯粒子の表面に導電性被膜を形成する際に、粒子が凝集することにより、粒子径の大きい導電性粒子が発生することがあるため、必要に応じて、導電性粒子の分級処理を行うことが好ましく、これにより、所期の粒子径の導電性粒子が確実に得られる。
導電性粒子の分級処理を行うための分級装置としては、前述の芯粒子を調製するための分級処理に用いられる分級装置として例示したものを挙げることができる。
【００３８】
本発明の特定の導電性粒子は、磁性を示す芯粒子の表面に、上記の耐半田性金組成物よりなる導電性被膜が形成されていることにより、良好な導電性を有し、しかも、半田と接触しても当該半田を構成するＰｂまたはＳｎが特定の導電性粒子中に移行することが抑制されるため、半田による変質がないまたは少ないものである。
【００３９】
〔導電性ペースト組成物〕
本発明の導電性ペースト組成物は、硬化されて弾性高分子物質となる液状の高分子物質形成材料中に、上記の特定の導電性粒子が含有されてなるものである。
液状の高分子物質形成材料としては、種々のものを用いることができるが、液状シリコーンゴムが好ましい。
液状シリコーンゴムは、付加型のものであっても縮合型のものであってもよいが、付加型液状シリコーンゴムが好ましい。この付加型液状シリコーンゴムは、ビニル基とＳｉ−Ｈ結合との反応によって硬化するものであって、ビニル基およびＳｉ−Ｈ結合の両方を含有するポリシロキサンからなる一液型（一成分型）のものと、ビニル基を含有するポリシロキサンおよびＳｉ−Ｈ結合を含有するポリシロキサンからなる二液型（二成分型）のものがあるが、本発明においては、二液型の付加型液状シリコーンゴムを用いることが好ましい。
【００４０】
液状シリコーンゴムは、その２３℃における粘度が１００〜１２５０Ｐａ・ｓのものを用いることが好ましく、より好ましくは１５０〜８００Ｐａ・ｓ、特に好ましくは２５０〜５００Ｐａ・ｓである。この粘度が過小である場合には、液状シリコーンゴム中における導電性粒子が沈降しやすく、保存安定性が良好な導電性ペースト組成物を得ることが困難となることがある。一方、この粘度が過大である場合には、得られる導電性ペースト組成物は粘度が高いものとなって、加工性が低いものとなることがある。特に、この導電性ペースト組成物によって、後述する異方導電性シートを製造する場合には、当該導電性ペースト組成物よりなる成形材料層を形成しにくく、また、成形材料層にその厚み方向に磁場を作用させても、導電性粒子が十分に移動せず、そのため、導電性粒子を厚み方向に配向させることが困難となることがある。
【００４１】
本発明の導電性ペースト組成物によって、後述する異方導電性シートを製造する場合には、当該導電性ペースト組成物を構成する液状シリコーンゴムとしては、その硬化物の１５０℃における圧縮永久歪みが１０％以下であることが好ましく、より好ましくは８％以下、さらに好ましくは６％以下である。この圧縮永久歪みが１０％を超える場合には、得られる異方導電性シートを多数回にわたって繰り返し使用したとき或いは高温環境下において繰り返し使用したときには、導電路形成部に永久歪みが発生しやすく、これにより、導電路形成部における導電性粒子の連鎖に乱れが生じる結果、所要の導電性を維持することが困難となる。
ここで、液状シリコーンゴムの硬化物の圧縮永久歪みは、ＪＩＳ  Ｋ  ６２４９に準拠した方法によって測定することができる。
【００４２】
また、液状シリコーンゴムとしては、その硬化物の２３℃におけるデュロメーターＡ硬度が１０〜６０のものであることが好ましく、さらに好ましくは１５〜５５、特に好ましくは２０〜５０のものである。
このデュロメーターＡ硬度が１０未満である場合には、加圧されたときに、導電路形成部を相互に絶縁する絶縁部が過度に歪みやすく、導電路形成部間の所要の絶縁性を維持することが困難となることがある。一方、このデュロメーターＡ硬度が６０を超える場合には、導電路形成部に適正な歪みを与えるために相当に大きい荷重による加圧力が必要となるため、接続対象体例えば被検査回路装置に大きな変形や破壊が生じやすくなる。
また、液状シリコーンゴムとして、その硬化物のデュロメーターＡ硬度が上記の範囲外のものを用いる場合には、得られる異方導電性シートを多数回にわたって繰り返し使用したときには、導電路形成部に永久歪みが発生しやすく、これにより、導電路形成部における導電性粒子の連鎖に乱れが生じる結果、所要の導電性を維持することが困難となる。
【００４３】
また、バーンイン試験に用いられる異方導電性シートを製造する場合には、液状シリコーンゴムは、その硬化物の２３℃におけるデュロメーターＡ硬度が２５〜４０のものであることが好ましい。
液状シリコーンゴムとして、その硬化物のデュロメーターＡ硬度が上記の範囲外のものを用いる場合には、得られる異方導電性シートをバーンイン試験を繰り返し使用したときに、導電路形成部に永久歪みが発生しやすく、これにより、導電路形成部における導電性粒子の連鎖に乱れが生じる結果、所要の導電性を維持することが困難となる。
ここで、液状シリコーンゴムの硬化物のデュロメーターＡ硬度は、ＪＩＳ  Ｋ  ６２４９に準拠した方法によって測定することができる。
【００４４】
また、液状シリコーンゴムとしては、その硬化物の２３℃における引き裂き強度が８ｋＮ／ｍ以上のものであることが好ましく、さらに好ましくは１０ｋＮ／ｍ以上、より好ましくは１５ｋＮ／ｍ以上、特に好ましくは２０ｋＮ／ｍ以上のものである。この引き裂き強度が８ｋＮ／ｍ未満である場合には、得られる異方導電性シートに過度の歪みが与えられたときに、耐久性の低下を起こしやすい。
ここで、液状シリコーンゴムの硬化物の引き裂き強度は、ＪＩＳ  Ｋ  ６２４９に準拠した方法によって測定することができる。
【００４５】
本発明の導電性ペースト組成物においては、液状シリコーンゴムを硬化させるために適宜の硬化触媒を含有させることができる。このような硬化触媒としては、白金系のものを用いることができ、その具体例としては、塩化白金酸およびその塩、白金−不飽和基含有シロキサンコンプレックス、ビニルシロキサンと白金とのコンプレックス、白金と１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサンとのコンプレックス、トリオルガノホスフィンあるいはホスファイトと白金とのコンプレックス、アセチルアセテート白金キレート、環状ジエンと白金とのコンプレックスなどの公知のものが挙げられる。
硬化触媒の使用量は、硬化触媒の種類、その他の硬化処理条件を考慮して適宜選択されるが、通常、液状シリコーンゴム１００質量部に対して３〜１５質量部である。
また、本発明の導電性ペースト組成物には、当該組成物のチクソトロピー性の向上、粘度調整、導電性粒子の分散安定性の向上、或いは高い強度を有する硬化物を得ることなどを目的として、必要に応じて、通常のシリカ粉、コロイダルシリカ、エアロゲルシリカ、アルミナなどの無機充填材を含有させることができる。
【００４６】
本発明の導電性ペースト組成物において、特定の導電性粒子の割合は、組成物全体の２０〜１００質量％であることが好ましく、より好ましくは３０〜９５質量％である。
特定の導電性粒子の割合が過小である場合には、良好な導電性を有する導電性材料を得ることが困難となることがある。一方、特定の導電性粒子の割合が過小である場合には、当該導電性ペースト組成物の粘度が増大して加工性が低下すると共に、得られる導電性材料は脆いものとなることがある。
【００４７】
上記の導電性ペースト組成物によれば、上記の特定の導電性粒子が含有されていることにより、良好な導電性を有し、しかも、半田による変質がないまたは少ない導電性材料が得られる。
【００４８】
〔異方導電性シート〕
図１は、本発明に係る異方導電性シートの一例における要部の構成を示す説明用断面図である。
この異方導電性シート１０は、互いに面方向に離間して配置された、それぞれ厚み方向に伸びる複数の導電路形成部１１と、これらの導電路形成部１１の間に形成され、当該導電路形成部１１の各々を相互に電気的に絶縁する絶縁部１２とにより構成されている。図示の例の異方導電性シート１０においては、その一面（図１において上面）が平坦面とされており、一方、その他面においては、導電路形成部１１が絶縁部１２の表面から突出する突出部１１Ａが形成されている。
導電路形成部１１は、絶縁性の弾性高分子物質中に導電性粒子Ｐが厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有されている。この導電路形成部１１を構成する導電性粒子Ｐとしては、前述の特定の導電性粒子が用いられる。一方、絶縁部１２は、絶縁性の弾性高分子物質よりなり、導電性粒子が全く或いは殆ど含有されていないものである。
導電路形成部１１および絶縁部１２を形成する弾性高分子物質は、架橋構造を有する耐熱性の高分子物質が好ましい。かかる架橋高分子物質を得るために用いることができる硬化性の高分子物質形成材料としては、前述の導電性ペースト組成物を調製するための高分子物質形成材料として例示したものを用いることができる。
導電路形成部１１における導電性粒子Ｐの割合は、体積分率で１０〜６０％であることが好ましく、より好ましくは１５〜５０％である。この割合が過小である場合には、電気抵抗値が十分に小さい導電路形成部１１を得ることが困難となることがある。一方、この割合が過大である場合には、得られる導電路形成部１１は脆弱なものとなりやすく、導電路形成部１１として必要な弾性が得られないことがある。
【００４９】
異方導電性シート１０の厚みは、当該異方導電性シート１０の具体的な用途によって適宜設定されるが、導電路形成部１１の厚みは、５０〜２０００μｍであることが好ましく、より好ましくは７０〜１０００μｍ、特に好ましくは８０〜５００μｍである。この厚みが５０μｍ以上であれば、当該異方導電性シート１０には十分な強度が得られる。一方、この厚みが２０００μｍ以下であれば、所要の導電性特性を有する導電路形成部１１が確実に得られる。
また、絶縁部１２の厚みは、３０〜１５００μｍであることが好ましく、より好ましくは４０〜５００μｍである。
また、導電路形成部１１における突出部１１Ａの突出高さは、当該導電路形成部１１の１０％以上であることが好ましく、より好ましくは１５％以上である。このような突出高さを有する突出部１１Ａを形成することにより、小さい加圧力で導電路形成部１１が十分に圧縮されるため、良好な導電性が確実に得られる。
また、突出部１１Ａの突出高さは、当該突出部１１Ａの最短幅または直径の１００％以下であることが好ましく、より好ましくは７０％以下である。このような突出高さを有する突出部１１Ａを形成することにより、当該突出部１１Ａが加圧されたときに座屈することがないため、所期の導電性が確実に得られる。
【００５０】
このような異方導電性シート１０は、例えば以下の方法によって製造することができる。
この方法においては、図２に示すような異方導電性シート製造用金型（以下、単に「金型」という。）６０が用いられる。この金型６０は、上型６１およびこれと対となる下型６５が互いに対向するよう配置されて構成されている。
【００５１】
上型６１においては、図３に拡大して示すように、基板６２の下面に、製造すべき異方導電性シート１０の導電路形成部１１のパターンに対掌なパターンに従って強磁性体層６３が形成され、この強磁性体層６３以外の個所には、当該強磁性体層６３の厚みと同等の厚みを有する非磁性体層６４が形成されており、これらの強磁性体層６３および非磁性体層６４によって成形面が形成されている。
一方、下型６５においては、基板６６の上面に、製造すべき異方導電性シート１０の導電路形成部１１のパターンと同一のパターンに従って強磁性体層６７が形成され、この強磁性体層６７以外の個所には、非磁性体層６８が形成されており、これらの強磁性体層６７および非磁性体層６８によって成形面が形成されている。また、下型６５における非磁性体層６８は、強磁性体層６７の厚みより大きい厚みを有し、これにより、当該下型６５の成形面には、製造すべき異方導電性シートの突出部に対応する凹所６８ａが形成されている。
【００５２】
上型６１および下型６５の各々における基板６２，６６は、強磁性体により構成されていることが好ましく、このような強磁性体の具体例としては、鉄、鉄−ニッケル合金、鉄−コバルト合金、ニッケル、コバルトなどの強磁性金属が挙げられる。この基板６２，６６は、その厚みが０．１〜５０ｍｍであることが好ましく、表面が平滑で、化学的に脱脂処理され、また、機械的に研磨処理されたものであることが好ましい。
また、上型６１および下型６５の各々における強磁性体層６３，６７を構成する材料としては、鉄、鉄−ニッケル合金、鉄−コバルト合金、ニッケル、コバルトなどの強磁性金属を用いることができる。この強磁性体層６３，６７は、その厚みが１０μｍ以上であることが好ましい。この厚みが１０μｍ以上であれば、後述する成形材料層に対して、十分な強度分布を有する磁場を作用させることができ、この結果、当該成形材料層における導電路形成部１１となる部分に導電性粒子を高密度に集合させることができ、良好な導電性を有する導電路形成部１１が得られる。
また、上型６１および下型６５の各々における非磁性体層６４，６８を構成する材料としては、銅などの非磁性金属、耐熱性を有する高分子物質などを用いることができるが、フォトリソグラフィーの手法により容易に非磁性体層６４，６８を形成することができる点で、電磁波によって硬化された高分子物質を好ましく用いることができ、その材料としては、例えばアクリル系のドライフィルムレジスト、エポキシ系の液状レジスト、ポリイミド系の液状レジストなどのフォトレジストを用いることができる。
【００５３】
そして、このような金型６０を用い、以下のようにして異方導電性シート１０が製造される。
先ず、前述の導電性ペースト組成物、すなわち液状の高分子物質形成材料中に上記の特定の導電性粒子が含有されてなる導電性ペースト組成物を調製し、この導電性ペースト組成物を、金型６０における上型６１の成形面および下型６５の成形面のいずれか一方または両方に塗布し、その後、上型６１および下型６５をスペーサーを介して重ね合わせることにより、図４に示すように、上型６１および下型６５の間に成形材料層１０Ａを形成する。この成形材料層１０Ａにおいては、導電性粒子Ｐは成形材料層１０Ａ全体に分散された状態で含有されている。
その後、上型６１における基板６２の上面および下型６５における基板６６の下面に例えば一対の電磁石を配置してこれを作動させることにより、上型６１および下型６５の強磁性体層６３，６７が磁極として機能するため、上型６１の強磁性体層６３とこれに対応する下型６５の強磁性体層６７との間においてその周辺領域より大きい強度を有する磁場が形成される。その結果、成形材料層１０Ａにおいては、当該成形材料層１０Ａ中に分散されていた導電性粒子Ｐが、図５に示すように、上型６１の強磁性体層６３とこれに対応する下型６５の強磁性体層６７との間に位置する導電路形成部１１となる部分に集合して厚み方向に並ぶよう配向する。
そして、この状態において、成形材料層１０Ａを硬化処理することにより、弾性高分子物質中に導電性粒子Ｐが厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有されてなる複数の導電路形成部１１が、導電性粒子Ｐが全く或いは殆ど存在しない高分子弾性物質よりなる絶縁部１２によって相互に絶縁された状態で形成されてなる異方導電性シート１０が製造される。
【００５４】
以上において、成形材料層１０Ａにおける導電路形成部１１となる部分に作用させる磁場の強度は、平均で０．１〜２．５Ｔとなる大きさが好ましい。
成形材料層１０Ａの硬化処理は、使用される材料によって適宜選定されるが、通常、加熱処理によって行われる。加熱により成形材料層１０Ａの硬化処理を行う場合には、電磁石にヒーターを設ければよい。具体的な加熱温度および加熱時間は、成形材料層１０Ａを構成する高分子物質形成材料などの種類、導電性粒子Ｐの移動に要する時間などを考慮して適宜選定される。
【００５５】
上記の異方導電性シート１０によれば、導電路形成部１１が弾性高分子物質中に上記の特定の導電性粒子が含有されてなることにより、当該導電路形成部１１は、良好な導電性を有し、しかも、半田よりなる電極を長時間圧接してもまたは多数回圧接しても、半田を構成するＰｂまたはＳｎが導電性粒子中に移行することが抑制されるため、導電性粒子の変質がなくまたは少なく、従って、良好な導電性を安定に維持することができる。
【００５６】
図６は、本発明に係る異方導電性シートの他の例における要部の構成を示す説明用断面図である。
この異方導電性シート１４においては、絶縁性の弾性高分子物質中に、磁性を示す多数の導電性粒子Ｐが、当該異方導電性シート１４の厚み方向に並ぶよう配向して連鎖Ｃを形成した状態で、かつ、当該導電性粒子Ｐによる連鎖Ｃが当該異方導電性シート１４の面方向に分散した状態で、含有されている。この導電性粒子Ｐとしては、前述の特定の導電性粒子が用いられる。
異方導電性シート１４の厚みは、２０〜５００μｍであることが好ましく、より好ましくは５０〜２００μｍである。この厚みが２０μｍ未満である場合には、当該異方導電性シート１４は厚み方向の弾性変形量が小さくて応力吸収能が低いものとなりやすく、接続対象体に損傷を与えやすくなる。一方、この厚みが５００μｍを超える場合には、厚み方向の電気抵抗が大きいものとなりやすく、また、高い分解能が得られないことがある。
【００５７】
異方導電性シート１４には、導電性粒子Ｐが体積分率で５〜３０％、好ましくは７〜２７％、特に好ましくは１０〜２５％となる割合で含有されていることが好ましい。この割合が５％以上であれば、厚み方向に十分に電気抵抗値の小さい導電路が形成されるので好ましい。一方、この割合が３０％以下であれば、得られる異方導電性シート１４は必要な弾性を有するものとなるので好ましい。
【００５８】
本発明の異方導電性シート１４は、例えば以下のようにして製造することができる。
先ず、図７に示すように、それぞれシート状の一面側成形部材５０および他面側成形部材５１と、目的とする異方導電性シート１４の平面形状に適合する形状の開口５２Ｋを有すると共に当該異方導電性シート１４の厚みに対応する厚みを有する枠状のスペーサー５２とを用意すると共に、前述の導電性ペースト組成物、すなわち液状の高分子物質形成材料中に上記の特定の導電性粒子が含有されてなる導電性ペースト組成物を調製する。
そして、図８に示すように、他面側成形部材５１の成形面（図８において上面）上にスペーサー５２を配置し、他面側成形部材５１の成形面上におけるスペーサー５２の開口５２Ｋ内に、調製した導電性ペースト組成物１４Ｂを塗布し、その後、この導電性ペースト組成物１４Ｂ上に一面側成形部材５０をその成形面（図８において下面）が導電性ペースト組成物１４Ｂに接するよう配置する。
以上において、一面側成形部材５０および他面側成形部材５１としては、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、アクリル樹脂などよりなる樹脂シートを用いることができる。
また、一面側成形部材５０および他面側成形部材５１を構成する樹脂シートの厚みは、５０〜５００μｍであることが好ましく、より好ましくは７５〜３００μｍである。この厚みが５０μｍ未満である場合には、成形部材として必要な強度が得られないことがある。一方、この厚みが５００μｍを超える場合には、後述する成形材料層に所要の強度の磁場を作用させることが困難となることがある。
【００５９】
次いで、図９に示すように、加圧ロール５３および支持ロール５４よりなる加圧ロール装置５５を用い、一面側成形部材５０および他面側成形部材５１によって導電性ペースト組成物を挟圧することにより、当該一面側成形部材５０と当該他面側成形部材５１との間に、導電性ペースト組成物よりなる所要の厚みの成形材料層１４Ａを形成する。この成形材料層１４Ａにおいては、図１０に拡大して示すように、導電性粒子Ｐが均一に分散した状態で含有されている。
その後、一面側成形部材５０の裏面および他面側成形部材５１の裏面に、例えば一対の電磁石を配置し、当該電磁石を作動させることにより、成形材料層１４Ａの厚み方向に平行磁場を作用させる。その結果、成形材料層１４Ａにおいては、当該成形材料層１４Ａ中に分散されている導電性粒子Ｐが、図１１に示すように、面方向に分散された状態を維持しながら厚み方向に並ぶよう配向し、これにより、それぞれ厚み方向に伸びる複数の導電性粒子Ｐによる連鎖Ｃが、面方向に分散した状態で形成される。
そして、この状態において、成形材料層１４Ａを硬化処理することにより、弾性高分子物質中に、導電性粒子Ｐが厚み方向に並ぶよう配向し、かつ、当該導電性粒子Ｐによる連鎖が面方向に分散された状態で含有されてなる異方導電性シート１４が製造される。
【００６０】
以上において、成形材料層１４Ａの硬化処理は、平行磁場を作用させたままの状態で行うこともできるが、平行磁場の作用を停止させた後に行うこともできる。
成形材料１４Ａに作用される平行磁場の強度は、平均で０．０２〜２．５テスラとなる大きさが好ましい。
成形材料層１４Ａの硬化処理は、使用される材料によって適宜選定されるが、通常、加熱処理によって行われる。具体的な加熱温度および加熱時間は、成形材料層１４Ａを構成する高分子物質用材料などの種類、導電性粒子Ｐの移動に要する時間などを考慮して適宜選定される。
【００６１】
上記の異方導電性シート１４によれば、弾性高分子物質中に上記の特定の導電性粒子が含有されてなることにより、良好な導電性を有し、しかも、半田よりなる電極を長時間圧接してもまたは多数回圧接しても、半田を構成するＰｂまたはＳｎが導電性粒子中に移行することが抑制されるため、導電性粒子の変質がなくまたは少なく、従って、良好な導電性を安定に維持することができる。
【００６２】
図１２は、本発明の異方導電性シートの更に他の例における要部の構成を示す説明用断面図である。
この異方導電性シート１５は、互いに離間して配置された、それぞれ厚み方向に伸びる複数の導電路形成部１７を有する異方導電性シート本体１６と、この異方導電性シート本体１６における導電路形成部１７の各々の一面（図１２において上面）に形成された、上記の耐半田性金組成物よりなる導電性被膜１９とにより構成されている。
異方導電性シート本体１６においては、導電路形成部１７の各々の間に、これらの相互に電気的に絶縁する絶縁部１８が形成されている。図示の例の異方導電性シート本体１６においては、その一面が平坦面とされており、一方、その他面においては、導電路形成部１７が絶縁部１８の表面から突出する突出部１７Ａが形成されている。
導電路形成部１７は、絶縁性の弾性高分子物質中に導電性粒子Ｐが厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有されている。一方、絶縁部１８は、絶縁性の弾性高分子物質よりなり、導電性粒子が全く或いは殆ど含有されていないものである。
導電路形成部１７および絶縁部１８を形成する弾性高分子物質は、架橋構造を有する耐熱性の高分子物質が好ましい。かかる架橋高分子物質を得るために用いることができる硬化性の高分子物質形成材料としては、前述の導電性ペースト組成物を調製するための高分子物質形成材料として例示したものを用いることができる。
【００６３】
導電性粒子Ｐとしては、磁性を示す芯粒子の表面に、高導電性金属よりなる導電性被膜が形成されてなるものを用いることが好ましい。ここで、「高導電性金属」とは、０℃における導電率が５×１０6 Ω-1ｍ-1以上のものをいう。
芯粒子を構成する材料としては、前述の特定の導電性粒子における芯粒子を形成する材料として例示したものを用いることができる。                                        また、導電性被膜を構成する高導電性金属としては、金、銀、ロジウム、白金、クロムなどを用いることができ、これらの中では、化学的に安定でかつ高い導電率を有する点で金を用いることが好ましい。
芯粒子の表面に形成される導電性被膜の厚みは、５０ｎｍ以上であることが好ましく、より好ましくは１００〜２００ｎｍである。
この導電性被膜の厚みが５０ｎｍ以上であれば、当該特定の導電性粒子はその導電性が十分に高いものとなる。ここで、導電性粒子の導電性被膜の厚みは、上記式（Ｉ）によって算出されるものをいう。
導電路形成部１７における導電性粒子Ｐの割合は、体積分率で１０〜６０％であることが好ましく、より好ましくは１５〜５０％である。この割合が過小である場合には、電気抵抗値が十分に小さい導電路形成部１７を得ることが困難となることがある。一方、この割合が過大である場合には、得られる導電路形成部１７は脆弱なものとなりやすく、導電路形成部１７として必要な弾性が得られないことがある。
【００６４】
異方導電性シート本体１６の厚みは、当該異方導電性シート１５の具体的な用途によって適宜設定されるが、導電路形成部１７の厚みは、５０〜２０００μｍであることが好ましく、より好ましくは７０〜１０００μｍ、特に好ましくは８０〜５００μｍである。この厚みが５０μｍ以上であれば、当該異方導電性シート本体１６には十分な強度が得られる。一方、この厚みが２０００μｍ以下であれば、所要の導電性特性を有する導電路形成部１７が確実に得られる。
また、絶縁部１８の厚みは、３０〜１５００μｍであることが好ましく、より好ましくは４０〜５００μｍである。
また、導電路形成部１７における突出部１７Ａの突出高さは、当該導電路形成部１７の１０％以上であることが好ましく、より好ましくは１５％以上である。このような突出高さを有する突出部１７Ａを形成することにより、小さい加圧力で導電路形成部１７が十分に圧縮されるため、良好な導電性が確実に得られる。
また、突出部１７Ａの突出高さは、当該突出部１７Ａの最短幅または直径の１００％以下であることが好ましく、より好ましくは７０％以下である。このような突出高さを有する突出部１７Ａを形成することにより、当該突出部１７Ａが加圧されたときに座屈することがないため、所期の導電性が確実に得られる。
【００６５】
導電性被膜１９の厚みは、０．０５〜１００μｍであることが好ましく、より好ましくは０．１〜１０μｍである。
この厚みが過小である場合には、半田物質が導電性被膜１９を通過して導電路形成部１７に含有される導電性粒子中に移行しやすくなるため、当該導電路形成部１７における良好な導電性を維持することが困難となることがある。一方、この厚みが過大である場合には、当該導電性被膜１９の剥離が生じやすくなり、また、導電路形成部１７を含む導電路全体の長さが過大となって電気抵抗の高いものとなることがある。
【００６６】
このような異方導電性シート１５は、例えば以下の方法によって製造することができる。
先ず、図２に示すような金型を用い、異方導電性シート本体１６を製造する。
具体的には、液状の高分子物質形成材料中に導電性粒子が含有されてなる導電性ペースト組成物を調製し、この導電性ペースト組成物を、金型６０における上型６１の成形面および下型６５の成形面のいずれか一方または両方に塗布し、その後、上型６１および下型６５をスペーサーを介して重ね合わせることにより、図１３に示すように、上型６１および下型６５の間に成形材料層１５Ａを形成する。この成形材料層１５Ａにおいては、導電性粒子Ｐは成形材料層１５Ａ全体に分散された状態で含有されている。
その後、上型６１における基板６２の上面および下型６５における基板６６の下面に例えば一対の電磁石を配置してこれを作動させることにより、上型６１および下型６５の強磁性体層６３，６７が磁極として機能するため、上型６１の強磁性体層６３とこれに対応する下型６５の強磁性体層６７との間においてその周辺領域より大きい強度を有する磁場が形成される。その結果、成形材料層１５Ａにおいては、当該成形材料層１５Ａ中に分散されていた導電性粒子Ｐが、図１４に示すように、上型６１の強磁性体層６３とこれに対応する下型６５の強磁性体層６７との間に位置する導電路形成部１７となる部分に集合して厚み方向に並ぶよう配向する。
そして、この状態において、成形材料層１５Ａを硬化処理することにより、弾性高分子物質中に導電性粒子Ｐが厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有されてなる複数の導電路形成部１７が、導電性粒子Ｐが全く或いは殆ど存在しない高分子弾性物質よりなる絶縁部１８によって相互に絶縁された状態で形成されてなる異方導電性シート本体１６が製造される。
【００６７】
以上において、成形材料層１５Ａにおける導電路形成部１７となる部分に作用させる磁場の強度は、平均で０．１〜２．５Ｔとなる大きさが好ましい。
成形材料層１５Ａの硬化処理は、使用される材料によって適宜選定されるが、通常、加熱処理によって行われる。加熱により成形材料層１５Ａの硬化処理を行う場合には、電磁石にヒーターを設ければよい。具体的な加熱温度および加熱時間は、成形材料層１５Ａを構成する高分子物質形成材料などの種類、導電性粒子Ｐの移動に要する時間などを考慮して適宜選定される。
【００６８】
このようにして得られた異方導電性シート本体１６に対して、その導電路形成部１７の一面上に、前述の耐半田性金組成物よりなる導電性被膜１９を形成することにより、図１２に示す異方導電性シート１５が製造される。
以上において、導電性被膜１９を形成する方法としては、前述の方法、すなわち真空蒸着法、スパッタ法、プラズマＣＶＤ法などの乾式法、無電解メッキ法、電解メッキ法などの湿式法、予め耐半田性金組成物よりなる箔を製造し、この箔を基体に溶着する方法などを利用することができる。
【００６９】
上記の異方導電性シート１５によれば、導電路形成部の一面に上記の耐半田性金組成物よりなる導電性被膜が形成されていることにより、良好な導電性を有し、しかも、半田よりなる電極を長時間圧接してもまたは多数回圧接しても、当該電極が導電性粒子に直接接触することが回避されるため、導電性粒子が変質することがなく、更に、導電性被膜中に半田を構成するＰｂまたはＳｎが移行することが抑制されるため、導電性被膜の変質がなくまたは少なく、従って、良好な導電性を安定に維持することができる。
【００７０】
〔シート状プローブ〕
図１５は、本発明のシート状プローブの一例における構成を示す説明用断面図である。このシート状プローブ２０は、柔軟な絶縁性シート２１を有し、この絶縁性シート２１には、当該絶縁性シート２１の厚み方向に伸びる複数の金属よりなる複合電極体２２が、検査対象である回路装置の被検査電極のパターンに対応するパターンに従って、当該絶縁性シート２１の面方向に互いに離間して配置されている。
複合電極体２２の各々は、絶縁性シート２１の表面（図において下面）に露出する突起状の表面電極２３と、絶縁性シート２１の裏面に露出する板状の裏面電極２４とが、絶縁性シート２１の厚み方向に貫通して伸びる短絡部２５によって互いに一体に連結されて構成されている。電極複合体２２の各々における表面電極２３は、図１６に拡大して示すように、短絡部２５に連結された表面電極基体２３Ａの表面に、前述の耐半田性金組成物よりなる導電性被膜２６が形成されて構成されている。
【００７１】
絶縁性シート２１としては、絶縁性を有する柔軟なものであれば特に限定されるものではなく、例えばポリイミド樹脂、液晶ポリマー、ポリエステル、フッ素系樹脂などよりなる樹脂シート、繊維を編んだクロスに上記の樹脂を含浸したシートなどを用いることができる。
また、絶縁性シート２１の厚みは、当該絶縁性シート２１が柔軟なものであれば特に限定されないが、１０〜５０μｍであることが好ましく、より好ましくは１０〜２５μｍである。
【００７２】
複合電極体２２における表面電極基体２３Ａ、短絡部２５および裏面電極２４を構成する金属としては、ニッケル、銅、金、銀、パラジウム、鉄などを用いることができ、全体が単一の金属よりなるものであっても、２種以上の金属の合金よりなるものまたは２種以上の金属が積層されてなるものであってもよい。
また、複合電極体２２における裏面電極２４は、当該裏面電極２４の酸化が防止されると共に、接触抵抗の小さい裏面電極２４が得られる点で、裏面電極基体の表面に金、銀、パラジウムなどの化学的に安定で高導電性を有する金属被膜が形成されて構成されていてもよい。
【００７３】
複合電極体２２における表面電極２３の突出高さは、検査対象である回路装置の被検査電極に対して安定な電気的接続を達成することができる点で、１５〜５０μｍであることが好ましく、より好ましくは１５〜３０μｍである。また、表面電極２３の径は、検査対象である回路装置の被検査電極の寸法およびピッチに応じて設定されるが、例えば３０〜８０μｍであり、好ましくは３０〜５０μｍである。
複合電極体２２における裏面電極２４の径は、短絡部２５の径より大きく、かつ、複合電極体２２の配置ピッチより小さいものであればよいが、可能な限り大きいものであることが好ましく、これにより、後述するプローブカードにおいて、異方導電性シートに対する安定な電気的接続を確実に達成することができる。また、裏面電極２４の厚みは、強度が十分に高くて優れた繰り返し耐久性が得られる点で、２０〜５０μｍであることが好ましく、より好ましくは３５〜５０μｍである。
複合電極体２２における短絡部２５の径は、十分に高い強度が得られる点で、３０〜８０μｍであることが好ましく、より好ましくは３０〜５０μｍである。
【００７４】
表面電極２３における導電性被膜２６の厚みは、０．０５〜１００μｍであることが好ましく、より好ましくは０．１〜１０μｍである。
この厚みが過小である場合には、半田物質が導電性被膜２６を通過して表面電極基体２３Ａ中に移行しやすくなるため、良好な導電性を維持することが困難となることがある。一方、この厚みが過大である場合には、導電性被膜２６の剥離が生じやすくなることがある。
【００７５】
このようなシート状プローブ２０は、例えば以下の方法によって製造することができる。
先ず、図１７に示すように、絶縁性シート２１上に金属層２４Ａが積層されてなる積層体２０Ａを用意し、図１８に示すように、積層体２０Ａにおける絶縁性シート２１に対して、当該絶縁性シート２１の厚み方向に貫通する複数の貫通孔２５Ｈを、形成すべき複合電極体２２のパターンに対応するパターンに従って形成する。
ここで、絶縁性シート２１に貫通孔２５Ｈを形成する方法としては、レーザ加工法、ウエットエッチング法、ドライエッチング法などを利用することができる。
次いで、図１９に示すように、積層体２０Ａにおける金属層２４Ａ上にレジスト膜２７を形成したうえで、金属層２４Ａを共通電極として電解メッキ処理を施すことにより、それぞれ絶縁性シート２１の貫通孔２５Ｈの内部に金属の堆積体が充填されてなる、金属層２４Ａに一体に連結された複数の短絡部２５が形成されると共に、当該絶縁性シート２１の表面に、それぞれ短絡部２５に一体に連結された複数の突起状の表面電極基体２３Ａが形成される。
その後、金属層２４Ａからレジスト膜２７を除去し、更に、図２０に示すように、表面電極基体２３Ａを含む絶縁性シート２１の表面全面にレジスト膜２８を形成すると共に、金属層２４Ａ上に、形成すべき裏面電極のパターンに対応するパターンに従ってパターニングされたレジスト膜２９を形成する。そして、金属層２４Ａに対してエッチング処理を施することにより、図２１に示すように、金属層２４Ａにおける露出する部分が除去される結果、それぞれ短絡部２５に一体に連結された複数の裏面電極２４が形成される。
次いで、表面電極基体２３Ａを含む絶縁性シート２１の表面に形成されたレジスト膜２８を除去すると共に、裏面電極２４上に形成されたレジスト膜２９を除去し、その後、表面電極基体２３Ａの表面に、前述の耐半田性金組成物よりなる導電性被膜を形成することにより、表面電極２３が形成され、以て、図１５に示すシート状プローブ２０が製造される。
以上において、導電性被膜２６を形成する方法としては、前述の方法、すなわち真空蒸着法、スパッタ法、プラズマＣＶＤ法などの乾式法、無電解メッキ法、電解メッキ法などの湿式法、予め耐半田性金組成物よりなる箔を製造し、この箔を基体に溶着する方法などを利用することができる。
【００７６】
上記のシート状プローブ２０によれば、複合電極体２２における表面電極２３がその表面に上記の耐半田性金組成物よりなる導電性被膜２６を有することにより、良好な導電性を有し、しかも、半田よりなる電極を長時間圧接してもまたは多数回圧接しても、半田を構成するＰｂまたはＳｎが複合電極体２２中に移行することが抑制されるため、複合電極体２２の変質がなくまたは少なく、従って、良好な導電性を安定に維持することができる。
【００７７】
〔プローブカードおよび回路装置の検査装置〕
図２２は、本発明の回路装置の検査装置の一例における構成を示す説明図であり、この回路装置の検査装置は、ウエハに形成された複数の集積回路の各々について、当該集積回路の電気的検査をウエハの状態で行うためのウエハ検査装置である。
この検査装置は、被検査回路装置であるウエハ１に形成された半田よりなる突起状の被検査電極２の各々とテスターとの電気的接続を行うプローブカード３０を有する。このプローブカード３０の裏面（図において上面）には、当該プローブカード３０を下方に加圧する加圧板３が設けられ、プローブカード３０の下方には、ウエハ１が載置されるウエハ載置台４が設けられており、加圧板３およびウエハ載置台４の各々には、加熱器５が接続されている。
【００７８】
プローブカード３０は、図２３にも拡大して示すように、ウエハ１に形成された全ての集積回路における被検査電極２のパターンに対応するパターンに従って複数の検査電極３２が表面（図において下面）に形成された検査用回路基板３１と、この検査用回路基板３１の表面上に配置された異方導電性コネクター３５とにより構成されている。
異方導電性コネクター３５は、図２４に示すように、ウエハ１に形成された全ての集積回路における被検査電極２が配置された電極領域に対応して複数の開口３７が形成されたフレーム板３６を有し、このフレーム板３６には、図１に示す構成の複数の異方導電性シート１０が、それぞれ一の開口３７を塞ぐよう配置されて当該フレーム板３６の開口縁部に固定されて支持されており、この異方導電性シート１０の各々がウエハ１に形成された被検査電極２に接触する接触子とされている。そして、異方導電性コネクター３５は、検査用回路基板３１の表面上に、各異方導電性シート１０における導電路形成部１１の各々が検査電極３２上に位置するよう配置されている。
【００７９】
検査用回路基板３１を構成する基板材料としては、従来公知の種々の基板材料を用いることができ、その具体例としては、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂、ガラス繊維補強型フェノール樹脂、ガラス繊維補強型ポリイミド樹脂、ガラス繊維補強型ビスマレイミドトリアジン樹脂等の複合樹脂材料、ガラス、二酸化珪素、アルミナ等のセラミックス材料などが挙げられる。
また、ＷＬＢＩ試験を行うための検査装置を構成する場合には、線熱膨張係数が３×１０-5／Ｋ以下のものを用いることが好ましく、より好ましくは１×１０-7〜１×１０-5／Ｋ、特に好ましくは１×１０-6〜６×１０-6／Ｋである。
このような基板材料の具体例としては、パイレックス（登録商標）ガラス、石英ガラス、アルミナ、ベリリア、炭化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素などのセラミックス材料が挙げられる。
【００８０】
異方導電性コネクター３５におけるフレーム板３６を構成する材料としては、当該フレーム板３６が容易に変形せず、その形状が安定に維持される程度の剛性を有するものであれば特に限定されず、例えば、金属材料、セラミックス材料、樹脂材料などの種々の材料を用いることができ、フレーム板３６を例えば金属材料により構成する場合には、当該フレーム板３６の表面に絶縁性被膜が形成されていてもよい。
フレーム板３６を構成する金属材料の具体例としては、鉄、銅、ニッケル、クロム、コバルト、マグネシウム、マンガン、モリブデン、インジウム、鉛、パラジウム、チタン、タングステン、アルミニウム、金、白金、銀などの金属またはこれらを２種以上組み合わせた合金若しくは合金鋼などが挙げられる。
フレーム板３６を構成する樹脂材料の具体例としては、液晶ポリマー、ポリイミド樹脂などが挙げられる。
また、この検査装置がＷＬＢＩ（Ｗａｆｅｒ  Ｌｅｂｅｌ  Ｂｕｒｎ−ｉｎ）試験を行うためのものである場合には、フレーム板３６を構成する材料としては、線熱膨張係数が３×１０-5／Ｋ以下のものを用いることが好ましく、より好ましくは−１×１０-7〜１×１０-5／Ｋ、特に好ましくは１×１０-6〜８×１０-6／Ｋである。
このような材料の具体例としては、インバーなどのインバー型合金、エリンバーなどのエリンバー型合金、スーパーインバー、コバール、４２アロイなどの磁性金属の合金または合金鋼などが挙げられる。
フレーム板３６の厚みは、その形状が維持されると共に、異方導電性シート１０を支持することが可能であれば、特に限定されるものではなく、具体的な厚みは材質によって異なるが、例えば２５〜６００μｍであることが好ましく、より好ましくは４０〜４００μｍである。
【００８１】
このような検査装置においては、ウエハ載置台４上に検査対象であるウエハ１が載置され、次いで、加圧板３によってプローブカード３０が下方に加圧されることにより、その異方導電性コネクター３５の異方導電性シート１０における導電路形成部１１の各々が、ウエハ１の被検査電極２の各々に接触し、更に、当該被検査電極２の各々によって加圧される。この状態においては、異方導電性コネクター３５の異方導電性シート１０における導電路形成部１１の各々は、検査用回路基板３１の検査電極３２とウエハ１の被検査電極２とによって挟圧されて厚み方向に圧縮されており、これにより、当該導電路形成部１１にはその厚み方向に導電路が形成され、その結果、ウエハ１の被検査電極２と検査用回路基板３１の検査電極３２との電気的接続が達成される。その後、加熱器５によって、ウエハ載置台４および加圧板３を介してウエハ１が所定の温度に加熱され、この状態で、当該ウエハ１における複数の集積回路の各々について所要の電気的検査が実行される。
【００８２】
上記の検査装置によれば、被検査電極２に接触する接触子として図１に示す構成の異方導電性シート１０を有するプローブカード３０を具えてなることにより、半田よりなる被検査電極２を有するウエハ１に対しても、信頼性の高い電気的検査を長期間にわたって実行することができる。
【００８３】
図２５は、本発明の回路装置の検査装置の他の例における構成を示す説明図であり、この回路装置の検査装置は、ウエハに形成された複数の集積回路の各々について、当該集積回路の電気的検査をウエハの状態で行うためのウエハ検査装置である。
この検査装置は、被検査回路装置であるウエハ１に形成された半田よりなる突起状の被検査電極２の各々とテスターとの電気的接続を行うプローブカード３０を有する。このプローブカード３０の裏面（図において上面）には、当該プローブカード３０を下方に加圧する加圧板３が設けられ、プローブカード３０の下方には、ウエハ１が載置されるウエハ載置台４が設けられており、加圧板３およびウエハ載置台４の各々には、加熱器５が接続されている。
【００８４】
プローブカード３０は、図２６にも拡大して示すように、ウエハ１に形成された全ての集積回路における被検査電極２のパターンに対応するパターンに従って複数の検査電極３２が表面（図において下面）に形成された検査用回路基板３１と、この検査用回路基板３１の表面上に配置された異方導電性コネクター３５とにより構成されている。
異方導電性コネクター３５は、図２４に示すように、ウエハ１に形成された全ての集積回路における被検査電極２が配置された電極領域に対応して複数の開口３７が形成されたフレーム板３６を有し、このフレーム板３６には、それぞれ図１２に示す構成の複数の異方導電性シート１５が、それぞれ一の開口３７を塞ぐよう配置されて当該フレーム板３６の開口縁部に固定されて支持されており、この異方導電性シート１５の各々がウエハ１に形成された被検査電極２に接触する接触子とされている。そして、異方導電性コネクター３５は、検査用回路基板３１の表面上に、各異方導電性シート１５における各導電路形成部１７上に形成された導電性被膜１９の各々が検査電極３２上に位置するよう配置されている。
検査用回路基板３１を構成する基板材料並びに異方導電性コネクター３５におけるフレーム板３６を構成する材料および寸法は、図２２に示す検査装置におけるプローブカード３０と同様である。
【００８５】
このような検査装置においては、ウエハ載置台４上に検査対象であるウエハ１が載置され、次いで、加圧板３によってプローブカード３０が下方に加圧されることにより、その異方導電性コネクター３５の異方導電性シート１５における導電路形成部１７の各々の表面に形成された導電性被膜１９が、ウエハ１の被検査電極２の各々に接触し、更に、当該被検査電極２の各々によって加圧される。この状態においては、異方導電性コネクター３５の異方導電性シート１５における導電路形成部１７の各々は、検査用回路基板３１の検査電極３２とウエハ１の被検査電極２とによって挟圧されて厚み方向に圧縮されており、これにより、当該導電路形成部１７にはその厚み方向に導電路が形成され、その結果、ウエハ１の被検査電極２と検査用回路基板３１の検査電極３２との電気的接続が達成される。その後、加熱器５によって、ウエハ載置台４および加圧板３を介してウエハ１が所定の温度に加熱され、この状態で、当該ウエハ１における複数の集積回路の各々について所要の電気的検査が実行される。
【００８６】
上記の検査装置によれば、被検査電極２に接触する接触子として図１２に示す構成の異方導電性シート１５を有するプローブカード３０を具えてなることにより、半田よりなる被検査電極２を有するウエハ１に対しても、信頼性の高い電気的検査を長期間にわたって実行することができる。
【００８７】
図２７は、本発明の回路装置の検査装置の更に他の例における構成を示す説明図であり、この回路装置の検査装置は、ウエハに形成された複数の集積回路の各々について、当該集積回路の電気的検査をウエハの状態で行うためのウエハ検査装置である。
この検査装置は、被検査回路装置であるウエハ１に形成された半田よりなる突起状の被検査電極２の各々とテスターとの電気的接続を行うプローブカード３０を有する。このプローブカード３０の裏面（図において上面）には、当該プローブカード３０を下方に加圧する加圧板３が設けられ、プローブカード３０の下方には、ウエハ１が載置されるウエハ載置台４が設けられており、加圧板３およびウエハ載置台４の各々には、加熱器５が接続されている。
【００８８】
プローブカード３０は、図２８にも拡大して示すように、ウエハ１に形成された全ての集積回路における被検査電極２のパターンに対応するパターンに従って複数の検査電極３２が表面（図において下面）に形成された検査用回路基板３１と、この検査用回路基板３１の表面上に配置された異方導電性コネクター３５と、この異方導電性コネクター３５の表面（図において下面）上に配置された、図１５に示す構成のシート状プローブ２０とにより構成されており、このシート状プローブ２０がウエハ１に形成された被検査電極２に接触する接触子とされている。
異方導電性コネクター３５は、図２４に示すように、ウエハ１に形成された全ての集積回路における被検査電極２が配置された電極領域に対応して複数の開口３７が形成されたフレーム板３６を有し、このフレーム板３６には、複数の異方導電性シート４０が、それぞれ一の開口３７を塞ぐよう配置されて当該フレーム板３６の開口縁部に固定されて支持されている。
異方導電性シート４０の各々は、弾性高分子物質によって形成されており、被検査回路装置であるウエハ１に形成された一の電極領域の被検査電極２のパターンに対応するパターンに従って形成された、それぞれ厚み方向に伸びる複数の導電路形成部４１と、これらの導電路形成部４１の各々を相互に電気的に絶縁する絶縁部４２とにより構成されている。また、図示の例では、異方導電性シート４０の両面には、導電路形成部４１が位置する個所に、それ以外の表面から突出する突出部４１Ａ，４１Ｂが形成されている。異方導電性シート４０における導電路形成部４１の各々には、磁性を示す導電性粒子Ｐが厚み方向に並ぶよう配向した状態で密に含有されている。これに対して、絶縁部４２は、導電性粒子Ｐが全く或いは殆ど含有されていないものである。
そして、異方導電性コネクター３５は、検査用回路基板３１の表面上に、各異方導電性シート４０における導電路形成部４１の各々が検査電極３２上に位置するよう配置され、シート状プローブ２０は、異方導電性コネクター３５の表面上に、複合電極体２２の裏面電極２４の各々が導電路形成部４１上に位置するよう配置されている。
【００８９】
検査用回路基板３１を構成する基板材料並びに異方導電性コネクター３５におけるフレーム板３６を構成する材料および寸法は、図２２に示す検査装置におけるプローブカード３０と同様である。
また、異方導電性シート４０における導電路形成部４１および絶縁部４２を形成する弾性高分子物質並びに導電路形成部４１を構成する導電性粒子Ｐとしては、図１２に示す異方導電性シート１５における導電路形成部１７および絶縁部１８を形成する弾性高分子物質および導電路形成部１７を構成する導電性粒子Ｐと同様のものを用いることができる。  また、異方導電性シート４０における導電路形成部４１の厚みは、５０〜２０００μｍであることが好ましく、より好ましくは７０〜１０００μｍ、特に好ましくは８０〜５００μｍである。この厚みが５０μｍ以上であれば、当該異方導電性シート４０には十分な強度が得られる。一方、この厚みが２０００μｍ以下であれば、所要の導電性特性を有する導電路形成部４１が確実に得られる。
突出部４１Ａ，４１Ｂの突出高さは、その合計が導電路形成部４１の厚みの１０％以上であることが好ましく、より好ましくは１５％以上である。このような突出高さを有する突出部４１Ａ，４１Ｂを形成することにより、小さい加圧力で導電路形成部４１が十分に圧縮されるため、良好な導電性が確実に得られる。
また、突出部４１Ａ，４１Ｂの突出高さは、当該突出部４１Ａ，４１Ｂの最短幅または直径の１００％以下であることが好ましく、より好ましくは７０％以下である。このような突出高さを有する突出部４１Ａ，４１Ｂを形成することにより、当該突出部４１Ａ，４１Ｂが加圧されたときに座屈することがないため、所期の導電性が確実に得られる。
導電路形成部４１における導電性粒子Ｐの含有割合は、体積分率で１０〜６０％、好ましくは１５〜５０％となる割合で用いられることが好ましい。この割合が１０％未満の場合には、十分に電気抵抗値の小さい導電路形成部４１が得られないことがある。一方、この割合が６０％を超える場合には、得られる導電路形成部４１は脆弱なものとなりやすく、導電路形成部４１として必要な弾性が得られないことがある。
以上のような異方導電性コネクターは、例えば特開２００２−３２４６００号公報に記載された方法によって製造することができる。
【００９０】
このような検査装置においては、ウエハ載置台４上に検査対象であるウエハ１が載置され、次いで、加圧板３によってプローブカード３０が下方に加圧されることにより、そのシート状プローブ２０の複合電極体２２における表面電極２３の各々が、ウエハ１の被検査電極２の各々に接触し、更に、当該表面電極２３の各々によって、ウエハ１の被検査電極２の各々が加圧される。この状態においては、異方導電性コネクター３５の異方導電性シート４０における導電路形成部４１の各々は、検査用回路基板３１の検査電極３２とシート状プローブ２０の複合電極体２２の裏面電極２４とによって挟圧されて厚み方向に圧縮されており、これにより、当該導電路形成部４１にはその厚み方向に導電路が形成され、その結果、ウエハ１の被検査電極２と検査用回路基板３１の検査電極３２との電気的接続が達成される。その後、加熱器５によって、ウエハ載置台４および加圧板３を介してウエハ１が所定の温度に加熱され、この状態で、当該ウエハ１における複数の集積回路の各々について所要の電気的検査が実行される。
【００９１】
上記の検査装置によれば、被検査電極２に接触する接触子として図１５に示す構成のシート状プローブ２０を有するプローブカード３０を具えてなることにより、半田よりなる被検査電極２を有するウエハ１に対しても、信頼性の高い電気的検査を長期間にわたって実行することができる。
【００９２】
〔その他の実施の形態〕
本発明においては、上記の上記の実施の形態に限定されず、例えば以下のように種々の変更を加えることが可能である。
（１）本発明の耐半田性金組成物、導電性被膜および導電性粒子は、導電性および耐半田性が要求される種々の用途に利用することができる。
（２）本発明の異方導電性シートは、両面が平坦面とされたものであっても、両面に突出部が形成されたものであってもよい。
（３）図１２に示す異方導電性シートにおいて、導電性被膜１９としては、扁平なものに限られず、例えば扁平な基膜とこの基膜から突出する突出部とからなるものであってもよい。
（４）本発明の電極は、シート状プローブにおける電極に限定されず、ピンまたはブレードよりなるプローブに適用することができる。
（５）また、本発明の電極は、電極全体が耐半田性金組成物よりなるものであってもよい。
（６）本発明のシート状プローブにおける複合電極体は、図１５に示す形状のものに限定されず、例えば特開平１１−３２６３７８号公報、特開２００２−１９６０１８号公報などに記載のシート状プローブのように、基端から先端に向かって小径となるテーパ状の表面電極を有するものであっても、国際公開第２００４／０３８４３３号パンフレットなどに記載のシート状プローブのように、表面電極の基端に保持部が形成されてなるものであってもよい。
（７）本発明のプローブカードおよび検査装置は、ウエハに形成された集積回路を検査するためのものに限定されず、例えば半導体チップや、ＢＧＡ、ＣＳＰなどのパッケージＬＳＩ、ＭＣＭなどの半導体集積回路装置などに形成された回路を検査するためのプローブカードおよび検査装置として構成することができる。
【実施例】
【００９３】
以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００９４】
〈導電性粒子の調製〉
《調製例１》
市販のニッケル粒子を用い、以下のようにして芯粒子を調製した。
日清エンジニアリング株式会社製の空気分級機「ターボクラシファイア  ＴＣ−１５Ｎ」によって、ニッケル粒子を、比重が８．９、風量が２．５ｍ3 ／ｍｉｎ、ローター回転数が１６００ｒｐｍ、分級点が２５μｍ、ニッケル粒子の供給速度が１６ｇ／ｍｉｎの条件で分級処理し、粒子径が２６μｍ以下のニッケル粒子を捕集し、更に、このニッケル粒子を、比重が８．９、風量が３．０ｍ3 ／ｍｉｎ、ローター回転数が３０００ｒｐｍ、分級点が１０μｍ、ニッケル粒子の供給速度が１４ｇ／ｍｉｎの条件で分級処理することにより、ニッケルよりなる芯粒子を調製した。
得られた芯粒子は、数平均粒子径が１０μｍ、粒子径の変動係数が１０％、ＢＥＴ比表面積が０．２×１０3 ｍ2 ／ｋｇであった。この芯粒子を「芯粒子（Ａ）」とする。
【００９５】
スパッタリング装置の真空チャンバー内に、試料を攪拌するための回転ドラムを配置すると共に、Ａｕターゲット（純度：３Ｎ以上のもの）およびＳｉターゲット（純度：５Ｎ以上）を配置した。２つのターゲットを互いに独立の直流高圧電源に接続し、両者の電力制御が互いに独立して行えるよう構成した。
次いで、回転ドラム内に調製した芯粒子（Ａ）２ｋｇを投入し、この芯粒子（Ａ）を攪拌しながら、Ａｕターゲットによるスパッタレートが４ｎｍ／ｍｉｎ、Ｓｉターゲットによるスパッタレートが１ｎｍ／ｍｉｎ、２つのターゲットについて０．５分間毎に交互にスパッタさせる条件で、芯粒子（Ａ）に対して５時間スパッタ処理を行うことにより、芯粒子（Ａ）の表面に導電性被膜を形成して導電性粒子を調製した。得られた導電性粒子をＸ線分析したところ、導電性被膜における金とケイ素との割合は、原子数比で８２．５：１７．５であった。また、導電性粒子の数平均粒子径は１１μｍ、粒子径の変動係数は１２％、導電性被膜の厚みは０．３８μｍであった。この導電性粒子を「導電性粒子（ａ）」とする。
【００９６】
《調製例２》
市販のニッケル粒子を用い、以下のようにして芯粒子を調製した。
日清エンジニアリング株式会社製の空気分級機「ターボクラシファイア  ＴＣ−１５Ｎ」によって、ニッケル粒子を、比重が８．９、風量が２．５ｍ3 ／ｍｉｎ、ローター回転数が１８００ｒｐｍ、分級点が２０μｍ、ニッケル粒子の供給速度が１５ｇ／ｍｉｎの条件で分級処理し、粒子径が２２μｍ以下のニッケル粒子を捕集し、更に、このニッケル粒子を、比重が８．９、風量が２．８ｍ3 ／ｍｉｎ、ローター回転数が２７５０ｒｐｍ、分級点が１２μｍ、ニッケル粒子の供給速度が１２ｇ／ｍｉｎの条件で分級処理することにより、ニッケルよりなる芯粒子を調製した。
得られた芯粒子は、数平均粒子径が１０μｍ、粒子径の変動係数が３０％、ＢＥＴ比表面積が０．１×１０3 ｍ2 ／ｋｇであった。この芯粒子を「芯粒子（Ｂ）」とする。
【００９７】
スパッタリング装置の真空チャンバー内に、試料を攪拌するための回転ドラムを配置すると共に、Ａｕターゲット（純度：３Ｎ以上のもの）およびＧｅターゲット（純度：４．５Ｎ以上）を配置した。２つのターゲットを互いに独立の直流高圧電源に接続し、両者の電力制御が互いに独立して行えるよう構成した。
次いで、回転ドラム内に調製した芯粒子（Ｂ）２ｋｇを投入し、この芯粒子（Ｂ）を攪拌しながら、Ａｕターゲットによるスパッタレートが３ｎｍ／ｍｉｎ、Ｇｅターゲットによるスパッタレートが１ｎｍ／ｍｉｎ、２つのターゲットについて１．０分間毎に交互にスパッタさせる条件で、芯粒子（Ｂ）に対して６時間スパッタ処理を行うことにより、芯粒子（Ｂ）の表面に導電性被膜を形成して導電性粒子を調製した。得られた導電性粒子をＸ線分析したところ、導電性被膜における金とゲルマニウムとの割合は、原子数比で８１：１９であった。また、導電性粒子の数平均粒子径は１３μｍ、粒子径の変動係数は１４％、導電性被膜の厚みは０．３５μｍであった。この導電性粒子を「導電性粒子（ｂ）」とする。
【００９８】
《調製例３》
市販のニッケル粒子を用い、以下のようにして芯粒子を調製した。
日清エンジニアリング株式会社製の空気分級機「ターボクラシファイア  ＴＣ−１５Ｎ」によって、ニッケル粒子を、比重が８．９、風量が２．８ｍ3 ／ｍｉｎ、ローター回転数が１９００ｒｐｍ、分級点が１８μｍ、ニッケル粒子の供給速度が１２ｇ／ｍｉｎの条件で分級処理し、粒子径が２０μｍ以下のニッケル粒子を捕集し、更に、このニッケル粒子を、比重が８．９、風量が３．０ｍ3 ／ｍｉｎ、ローター回転数が３０００ｒｐｍ、分級点が１０μｍ、ニッケル粒子の供給速度が１０ｇ／ｍｉｎの条件で分級処理することにより、ニッケルよりなる芯粒子を調製した。
得られた芯粒子は、数平均粒子径が１２μｍ、粒子径の変動係数が２５％、ＢＥＴ比表面積が０．３×１０3 ｍ2 ／ｋｇであった。この芯粒子を「芯粒子（Ｃ）」とする。
【００９９】
スパッタリング装置の真空チャンバー内に、試料を攪拌するための回転ドラムを配置すると共に、Ａｕ−Ｓｉ合金ターゲット（金とケイ素との割合が原子数比で８３：１７のもの）を配置し、直流高圧電源に接続した。
次いで、回転ドラム内に調製した芯粒子（Ｃ）２ｋｇを投入し、この芯粒子（Ｃ）を攪拌しながら、スパッタレートが２．５ｎｍ／ｍｉｎの条件で、芯粒子（Ｃ）に対して６時間スパッタ処理を行うことにより、芯粒子（Ｃ）の表面に導電性被膜を形成して導電性粒子を調製した。得られた導電性粒子をＸ線分析したところ、導電性被膜における金とケイ素との割合は、原子数比で８５：１５であった。また、導電性粒子の数平均粒子径は１５μｍ、粒子径の変動係数は２２％、導電性被膜の厚みは０．４１μｍであった。この導電性粒子を「導電性粒子（ｃ）」とする。
【０１００】
《調製例４》
市販のニッケル粒子を用い、以下のようにして芯粒子を調製した。
日清エンジニアリング株式会社製の空気分級機「ターボクラシファイア  ＴＣ−１５Ｎ」によって、ニッケル粒子を、比重が８．９、風量が２．９ｍ3 ／ｍｉｎ、ローター回転数が１９５０ｒｐｍ、分級点が１６μｍ、ニッケル粒子の供給速度が１１ｇ／ｍｉｎの条件で分級処理し、粒子径が１８μｍ以下のニッケル粒子を捕集し、更に、このニッケル粒子を、比重が８．９、風量が３．２ｍ3 ／ｍｉｎ、ローター回転数が２８５０ｒｐｍ、分級点が８μｍ、ニッケル粒子の供給速度が１０ｇ／ｍｉｎの条件で分級処理することにより、ニッケルよりなる芯粒子を調製した。
得られた芯粒子は、数平均粒子径が１０μｍ、粒子径の変動係数が２５％、ＢＥＴ比表面積が０．０５×１０3 ｍ2 ／ｋｇであった。この芯粒子を「芯粒子（Ｄ）」とする。
【０１０１】
ＫＡｕ（ＣＮ）2 （Ａｕの濃度が２．５ｇ／Ｌ）、ＫＣＮおよびＮａＯＨが溶解されてなる、ｐＨが１３．７〜１４の水溶液に、シリコン（純度が５Ｎのもの）を溶解させることにより、金およびケイ素が原子数比で９５：５となる割合で含有されてなるメッキ液を調製した。
次いで、芯粒子（Ｄ）を酸処理およひアルカリ処理した後、当該芯粒子（Ｄ）２ｋｇを、調製したメッキ液中に入れ、メッキ液を攪拌しながら、７５℃、１．５時間の条件で無電解メッキ処理を行うことにより、芯粒子（Ｄ）の表面に導電性被膜を形成して導電性粒子を調製した。得られた導電性粒子をＸ線分析したところ、導電性被膜における金とケイ素との割合は、原子数比で９４．５：５．５であった。また、導電性粒子の数平均粒子径は８．５μｍ、粒子径の変動係数は２７％、導電性被膜の厚みは０．２５μｍであった。この導電性粒子を「導電性粒子（ｄ）」とする。
【０１０２】
《調製例５》
市販のコバルト粒子を用い、以下のようにして芯粒子を調製した。
日清エンジニアリング株式会社製の空気分級機「ターボクラシファイア  ＴＣ−１５Ｎ」によって、コバルト粒子を、比重が８．８５、風量が２．５ｍ3 ／ｍｉｎ、ローター回転数が１７５０ｒｐｍ、分級点が１８μｍ、コバルト粒子の供給速度が１４ｇ／ｍｉｎの条件で分級処理し、粒子径が２０μｍ以下のコバルト粒子を捕集し、更に、このコバルト粒子を、比重が８．８５、風量が２．８ｍ3 ／ｍｉｎ、ローター回転数が２５００ｒｐｍ、分級点が１５μｍ、コバルト粒子の供給速度が１２ｇ／ｍｉｎの条件で分級処理することにより、コバルトよりなる芯粒子を調製した。
得られた芯粒子は、数平均粒子径が１０μｍ、粒子径の変動係数が３０％、ＢＥＴ比表面積が０．５×１０3 ｍ2 ／ｋｇであった。この芯粒子を「芯粒子（Ｅ）」とする。
【０１０３】
ＫＡｕ（ＣＮ）4 （Ａｕの濃度が４．２ｇ／Ｌ）、エチレンジアミン、次亜リン酸ナトリウム、チオジグリコール酸および塩酸が溶解されてなる、ｐＨが０．５〜２．５の水溶液に、アモルファスＧａＯ2 （純度が４Ｎのもの）を溶解させることにより、金およびゲルマニウムが原子数比で９３：７となる割合で含有されてなるメッキ液を調製した。
次いで、芯粒子（Ｅ）を酸処理およひアルカリ処理した後、当該芯粒子（Ｅ）２ｋｇを、調製したメッキ液中に入れ、メッキ液を攪拌しながら、５０℃、２時間の条件で無電解メッキ処理を行うことにより、芯粒子（Ｅ）の表面に導電性被膜を形成して導電性粒子を調製した。得られた導電性粒子をＸ線分析したところ、導電性被膜における金とゲルマニウムとの割合は、原子数比で９３．５：６．５であった。また、導電性粒子の数平均粒子径は１６μｍ、粒子径の変動係数は３１％、導電性被膜の厚みは０．２８μｍであった。この導電性粒子を「導電性粒子（ｅ）」とする。
【０１０４】
〈異方導電性コネクターの製造〉
《製造例１−１》
（１）フレーム板の作製：
図２４の構成に従い、下記の仕様のフレーム板を作製した。
このフレーム板（３６）は、直径が８インチの円板状で、その材質はコバール（飽和磁化１．４Ｗｂ／ｍ2 ，線熱膨張係数５×１０-6／Ｋ）で、その厚みは５０μｍである。このフレーム板（３６）には、横方向の寸法が４ｍｍで縦方向の寸法が０．４ｍｍの矩形の開口（３７）が合計で６５０個形成されている。
【０１０５】
（２）スペーサーの作製：
下記の仕様の異方導電性シート製造用スペーサーを２枚作製した。
これらのスペーサーは、厚みが２０μｍで、その材質はステンレス（ＳＵＳ３０４）である。このスペーサーには、横方向の寸法が４．１ｍｍで縦方向の寸法が０．４１ｍｍの矩形の開口が合計で６５０個形成されている。
【０１０６】
（３）金型の作製：
図３に示す構成に従い、下記の仕様の異方導電性製造用金型を作製した。
この金型における上型および下型は、それぞれ厚みが６ｍｍの鉄よりなる基板を有し、この基板上には、１６２５０個の矩形の強磁性体層が形成されている。具体的には、強磁性体層の各々は、横方向の寸法が１００μｍ、縦方向の寸法が３００μｍ、厚みが５０μｍであり、この強磁性体層の２５個が横方向に１６０μｍのピッチで配置された組が、合計で６５０組形成されている。
また、上型の基板上における強磁性体層が形成された個所以外の個所には、厚みが３８μｍの非磁性体層が形成され、下型の基板上における強磁性体層が形成された個所以外の個所には、厚みが８８μｍの非磁性体層が形成されている。これらの非磁性体層は、ドライフィルムレジストが硬化処理されてなるものである。
【０１０７】
（４）導電性ペースト組成物の調製：
付加型液状シリコーンゴム１００質量部に、導電性粒子（ａ）３０質量部を添加して混合し、その後、減圧による脱泡処理を施すことにより、導電性ペースト組成物を調製した。
以上において、付加型液状シリコーンゴムとしては、Ａ液の粘度が２５０Ｐａ・ｓで、Ｂ液の粘度が２５０Ｐａ・ｓである二液型のものであって、硬化物の１５０℃における永久圧縮歪みが５％、硬化物のデュロメーターＡ硬度が３２、硬化物の引裂強度が２５ｋＮ／ｍのものを用いた。
また、上記の付加型液状シリコーンゴムおよびその硬化物の特性は、次のようにして測定した。
（ｉ）付加型液状シリコーンゴムの粘度：
Ｂ型粘度計により、２３±２℃における粘度を測定した。
（ii）シリコーンゴム硬化物の圧縮永久歪み：
二液型の付加型液状シリコーンゴムにおけるＡ液とＢ液とを等量となる割合で攪拌混合した。次いで、この混合物を金型に流し込み、当該混合物に対して減圧による脱泡処理を行った後、１２０℃、３０分間の条件で硬化処理を行うことにより、厚みが１２．７ｍｍ、直径が２９ｍｍのシリコーンゴム硬化物よりなる円柱体を作製し、この円柱体に対して、２００℃、４時間の条件でポストキュアを行った。このようにして得られた円柱体を試験片として用い、ＪＩＳ  Ｋ  ６２４９に準拠して１５０±２℃における圧縮永久歪みを測定した。
（iii)シリコーンゴム硬化物の引裂強度：
上記（ii）と同様の条件で付加型液状シリコーンゴムの硬化処理およびポストキュアを行うことにより、厚みが２．５ｍｍのシートを作製した。このシートから打ち抜きによってクレセント形の試験片を作製し、ＪＩＳ  Ｋ  ６２４９に準拠して２３±２℃における引裂強度を測定した。
（iv）デュロメーターＡ硬度：
上記（iii)と同様にして作製されたシートを５枚重ね合わせ、得られた積重体を試験片として用い、ＪＩＳ  Ｋ  ６２４９に準拠して２３±２℃におけるデュロメーターＡ硬度を測定した。
【０１０８】
（５）異方導電性シートの形成：
上記の金型の上型および下型の各々の成形面に、スクリーン印刷によって、調製した導電性ペースト組成物を形成すべき異方導電性シートのパターンに従って塗布し、下型の成形面上に、一方のスペーサーを介してフレーム板を位置合わせして重ね、更に、このフレーム板上に、他方のスペーサーを介して上型を位置合わせして重ねることにより、上型および下型の間に、合計で６５０個の成形材料層を形成した。次いで、上型の裏面および下型の裏面に電磁石を配置して、各成形材料層に対し、上型の強磁性体層と下型の強磁性体層との間に位置する部分に、厚み方向に２Ｔの磁場を作用させながら、１００℃、１時間の条件で硬化処理を施すことにより、フレーム板に合計で６５０個の異方導電性シートを形成し、以て、本発明に係る異方導電性シートを有する異方導電性コネクターを製造した。
【０１０９】
得られた異方導電性コネクターにおける各異方導電性シートについて具体的に説明すると、これらの異方導電性シートの各々は、横方向の寸法が４．１ｍｍ、縦方向の寸法が０．４１ｍｍであり、２５個の導電路形成部が１６０μｍのピッチで横方向に一列に配列されており、異方導電性コネクター全体では、１６２５０個の導電路形成部が形成されている。また、これらの異方導電性シートの一面は平坦面であり、他面には、導電路形成部が位置する個所に突出部が形成されており、その突出高さは３８μｍである。導電路形成部の各々は、厚みが１２８μｍ、横方向の寸法が１００μｍ、縦方向の寸法が３００μｍであり、絶縁部の厚みが９０μｍである。また、導電路形成部における導電性粒子の割合は体積分率で２２．５％である。この異方導電性コネクターを「異方導電性コネクター（１−１）」とする。
【０１１０】
《製造例１−２》
導電性粒子（ａ）の代わりに導電性粒子（ｂ）を用いたこと以外は、製造例１−１と同様にして本発明の異方導電性シートを有する異方導電性コネクターを製造した。
得られた異方導電性コネクターにおける各異方導電性シートについて具体的に説明すると、これらの異方導電性シートの各々は、横方向の寸法が４．１ｍｍ、縦方向の寸法が０．４１ｍｍであり、２５個の導電路形成部が１６０μｍのピッチで横方向に一列に配列されており、異方導電性コネクター全体では、１６２５０個の導電路形成部が形成されている。また、これらの異方導電性シートの一面は平坦面であり、他面には、導電路形成部が位置する個所に突出部が形成されており、その突出高さは３８μｍである。導電路形成部の各々は、厚みが１２８μｍ、横方向の寸法が１００μｍ、縦方向の寸法が３００μｍであり、絶縁部の厚みが９０μｍである。また、導電路形成部における導電性粒子の割合は体積分率で２２．５％である。この異方導電性コネクターを「異方導電性コネクター（１−２）」とする。
【０１１１】
《製造例１−３》
導電性粒子（ａ）の代わりに導電性粒子（ｃ）を用いたこと以外は、製造例１−１と同様にして本発明の異方導電性シートを有する異方導電性コネクターを製造した。
得られた異方導電性コネクターにおける各異方導電性シートについて具体的に説明すると、これらの異方導電性シートの各々は、横方向の寸法が４．１ｍｍ、縦方向の寸法が０．４１ｍｍであり、２５個の導電路形成部が１６０μｍのピッチで横方向に一列に配列されており、異方導電性コネクター全体では、１６２５０個の導電路形成部が形成されている。また、これらの異方導電性シートの一面は平坦面であり、他面には、導電路形成部が位置する個所に突出部が形成されており、その突出高さは３８μｍである。導電路形成部の各々は、厚みが１２８μｍ、横方向の寸法が１００μｍ、縦方向の寸法が３００μｍであり、絶縁部の厚みが９０μｍである。また、導電路形成部における導電性粒子の割合は体積分率で２２．５％である。この異方導電性コネクターを「異方導電性コネクター（１−３）」とする。
【０１１２】
《製造例１−４》
導電性粒子（ａ）の代わりに導電性粒子（ｄ）を用いたこと以外は、製造例１−１と同様にして本発明の異方導電性シートを有する異方導電性コネクターを製造した。
得られた異方導電性コネクターにおける各異方導電性シートについて具体的に説明すると、これらの異方導電性シートの各々は、横方向の寸法が４．１ｍｍ、縦方向の寸法が０．４１ｍｍであり、２５個の導電路形成部が１６０μｍのピッチで横方向に一列に配列されており、異方導電性コネクター全体では、１６２５０個の導電路形成部が形成されている。また、これらの異方導電性シートの一面は平坦面であり、他面には、導電路形成部が位置する個所に突出部が形成されており、その突出高さは３８μｍである。導電路形成部の各々は、厚みが１２８μｍ、横方向の寸法が１００μｍ、縦方向の寸法が３００μｍであり、絶縁部の厚みが９０μｍである。また、導電路形成部における導電性粒子の割合は体積分率で２２．５％である。この異方導電性コネクターを「異方導電性コネクター（１−４）」とする。
【０１１３】
《製造例１−５》
導電性粒子（ａ）の代わりに導電性粒子（ｅ）を用いたこと以外は、製造例１−１と同様にして本発明の異方導電性シートを有する異方導電性コネクターを製造した。
得られた異方導電性コネクターにおける各異方導電性シートについて具体的に説明すると、これらの異方導電性シートの各々は、横方向の寸法が４．１ｍｍ、縦方向の寸法が０．４１ｍｍであり、２５個の導電路形成部が１６０μｍのピッチで横方向に一列に配列されており、異方導電性コネクター全体では、１６２５０個の導電路形成部が形成されている。また、これらの異方導電性シートの一面は平坦面であり、他面には、導電路形成部が位置する個所に突出部が形成されており、その突出高さは３８μｍである。導電路形成部の各々は、厚みが１２８μｍ、横方向の寸法が１００μｍ、縦方向の寸法が３００μｍであり、絶縁部の厚みが９０μｍである。また、導電路形成部における導電性粒子の割合は体積分率で２２．５％である。この異方導電性コネクターを「異方導電性コネクター（１−５）」とする。
【０１１４】
《製造例２−１》
（１）フレーム板の作製：
図２４の構成に従い、下記の仕様のフレーム板を作製した。
このフレーム板（３６）は、直径が８インチの円板状で、その材質はコバール（飽和磁化１．４Ｗｂ／ｍ2 ，線熱膨張係数５×１０-6／Ｋ）で、その厚みは５０μｍである。このフレーム板（３６）には、横方向の寸法が３３ｍｍで縦方向の寸法が０．４ｍｍの矩形の開口（３７）が合計で２５個形成されている。
【０１１５】
（２）スペーサーの作製：
下記の仕様の異方導電性シート製造用スペーサーを２枚作製した。
これらのスペーサーは、厚みが２０μｍで、その材質はステンレス（ＳＵＳ３０４）である。このスペーサーには、横方向の寸法が３５ｍｍで縦方向の寸法が０．５ｍｍの矩形の開口が合計で２５個形成されている。
【０１１６】
（３）金型の作製：
図３に示す構成に従い、下記の仕様の異方導電性製造用金型を作製した。
この金型における上型および下型は、それぞれ厚みが６ｍｍの鉄よりなる基板を有し、この基板上には、３２５０個の矩形の強磁性体層が形成されている。具体的には、強磁性体層の各々は、横方向の寸法が１２５μｍ、縦方向の寸法が２２５μｍ、厚みが５０μｍであり、この強磁性体層の１３０個が横方向に２５０μｍのピッチで配置された組が、合計で２５組形成されている。
また、上型の基板上における強磁性体層が形成された個所以外の個所には、厚みが５０μｍの非磁性体層が形成され、下型の基板上における強磁性体層が形成された個所以外の個所には、厚みが８５μｍの非磁性体層が形成されている。これらの非磁性体層は、ドライフィルムレジストが硬化処理されてなるものである。
【０１１７】
（４）導電性ペースト組成物の調製：
付加型液状シリコーンゴム１００質量部に、導電性粒子３０質量部を添加して混合し、その後、減圧による脱泡処理を施すことにより、導電性ペースト組成物を調製した。
以上において、導電性粒子としては、ニッケルよりなる芯粒子の表面に金よりなる導電性被膜が形成されてなるものであって、数平均粒子径が１３μｍ、粒子径の変動係数が２２％、導電性被膜の厚みが０．２５μｍのものを用いた。
また、付加型液状シリコーンゴムとしては、Ａ液の粘度が２５０Ｐａ・ｓで、Ｂ液の粘度が２５０Ｐａ・ｓである二液型のものであって、硬化物の１５０℃における永久圧縮歪みが５％、硬化物のデュロメーターＡ硬度が３２、硬化物の引裂強度が２５ｋＮ／ｍのものを用いた。
【０１１８】
（５）異方導電性シート本体の形成：
上記の金型の上型および下型の各々の成形面に、スクリーン印刷によって、調製した導電性ペースト組成物を形成すべき異方導電性シート本体のパターンに従って塗布し、下型の成形面上に、一方のスペーサーを介してフレーム板を位置合わせして重ね、更に、このフレーム板上に、他方のスペーサーを介して上型を位置合わせして重ねることにより、上型および下型の間に、合計で２５個の成形材料層を形成した。次いで、上型の裏面および下型の裏面に電磁石を配置して、各成形材料層に対し、上型の強磁性体層と下型の強磁性体層との間に位置する部分に、厚み方向に２Ｔの磁場を作用させながら、１００℃、１時間の条件で硬化処理を施すことにより、フレーム板に合計で２５個の異方導電性シート本体を形成した。
【０１１９】
得られた各異方導電性シート本体について具体的に説明すると、これらの異方導電性シート本体の各々は、横方向の寸法が３５ｍｍ、縦方向の寸法が０．５ｍｍであり、１３０個の導電路形成部が２５０μｍのピッチで横方向に一列に配列されており、全ての異方導電性シート本体の合計では、３２５０個の導電路形成部が形成されている。また、これらの異方導電性シート本体の一面は平坦面であり、他面には、導電路形成部が位置する個所に突出部が形成されており、その突出高さは３５μｍである。導電路形成部の各々は、厚みが１２５μｍ、横方向の寸法が１２５μｍ、縦方向の寸法が２２５μｍであり、絶縁部の厚みが９０μｍである。また、導電路形成部における導電性粒子の割合は体積分率で２８％である。
【０１２０】
（６）導電性被膜の形成：
縦横の寸法が２３０ｍｍ×２３０ｍｍで厚みが４０μｍのＡｕ−Ｓｉ合金（金とケイ素との割合が原子数比で８５：１５のもの）よりなる箔（以下、「Ａｕ−Ｓｉ箔」という。）を、フレーム板に形成された各異方導電性シート本体の一面に接するよう配置し、このＡｕ−Ｓｉ箔上に、縦横の寸法が２３０ｍｍ×２３０ｍｍで厚みが厚みが１０ｍｍの無水石英ガラス板（質量が約１．１５ｋｇ）を配置し、この無水石英ガラス板の周縁部上に、１４ｋｇの重りを配置した。ここで、異方導電性シートに加わる荷重は、導電路形成部１個当たり６．１５ｇである。
次いで、ＹＡＧレーザー加工機を用い、レーザー光を無水石英ガラス板を介してＡｕ−Ｓｉ箔に照射することにより、異方導電性シート本体における導電路形成部の一面にＡｕ−Ｓｉ箔を溶着させ、当該Ａｕ−Ｓｉ箔における溶着された部分以外の部分を除去することにより、当該導電路形成部の一面に、寸法が１２５μｍ×２２５μｍ×４０μｍの導電性被膜を形成し、以て、本発明の異方導電性シートを有する異方導電性コネクターを製造した。以上において、レーザー光の照射は、ビーム径が２５μｍで、レーザー光の照射によってＡｕ−Ｓｉ箔の温度が４００℃となる条件で行った。この異方導電性コネクターを「異方導電性コネクター（２−１）」とする。
【０１２１】
《製造例２−２》
製造例２−１と同様にしてフレーム板に２５個の異方導電性シートを形成し、これらの異方導電性シートにおける導電路形成部の一面にＡｕ−Ｓｉ箔を溶着させ、当該Ａｕ−Ｓｉ箔における溶着された部分以外の部分を除去することにより、導電路形成部の一面に基膜を形成した。その後、縦横の寸法が２３０ｍｍ×２３０ｍｍで厚みが２０μｍのＡｕ−Ｓｉ箔を、導電路形成部に形成された基膜に接するよう配置し、このＡｕ−Ｓｉ箔上に、縦横の寸法が２３０ｍｍ×２３０ｍｍで厚みが厚みが１０ｍｍの無水石英ガラス板（質量が約１．１５ｋｇ）を配置し、この無水石英ガラス板の周縁部上に、１４ｋｇの重りを配置した。
次いで、ＹＡＧレーザー加工機を用い、レーザー光を無水石英ガラス板を介してＡｕ−Ｓｉ箔に照射することにより、当該Ａｕ−Ｓｉ箔を導電路形成部の一面に形成された基膜に溶着させ、当該Ａｕ−Ｓｉ箔における溶着された部分以外の部分を除去することにより、寸法が１２５μｍ×２２５μｍ×４０μｍの基膜上に、寸法が８２μｍ×１６２μｍ×１８μｍの突出部が形成されてなる導電性被膜を形成し、以て、本発明の異方導電性シートを有する異方導電性コネクターを製造した。この異方導電性コネクターを「異方導電性コネクター（２−２）」とする。
【０１２２】
《製造例２−３》
（１）フレーム板の作製：
図２４の構成に従い、下記の仕様のフレーム板を作製した。
このフレーム板（３６）は、直径が８インチの円板状で、その材質はコバール（飽和磁化１．４Ｗｂ／ｍ2 ，線熱膨張係数５×１０-6／Ｋ）で、その厚みは５０μｍである。このフレーム板（３６）には、横方向の寸法が３．５ｍｍで縦方向の寸法が０．４ｍｍの矩形の開口（３７）が合計で２５６個形成されている。
【０１２３】
（２）スペーサーの作製：
下記の仕様の異方導電性シート製造用スペーサーを２枚作製した。
これらのスペーサーは、厚みが２５μｍで、その材質はステンレス（ＳＵＳ３０４）である。このスペーサーには、横方向の寸法が４ｍｍで縦方向の寸法が０．５ｍｍの矩形の開口が合計で２５６個形成されている。
【０１２４】
（３）金型の作製：
図３に示す構成に従い、下記の仕様の異方導電性製造用金型を作製した。
この金型における上型および下型は、それぞれ厚みが６ｍｍの鉄よりなる基板を有し、この基板上には、５６３２個の矩形の強磁性体層が形成されている。具体的には、強磁性体層の各々は、横方向の寸法が１６０μｍ、縦方向の寸法が２５０μｍ、厚みが５０μｍであり、この強磁性体層の２２個が横方向に２００μｍのピッチで配置された組が、合計で２５６組形成されている。
また、上型の基板上における強磁性体層が形成された個所以外の個所には、厚みが５０μｍの非磁性体層が形成され、下型の基板上における強磁性体層が形成された個所以外の個所には、厚みが７５μｍの非磁性体層が形成されている。これらの非磁性体層は、ドライフィルムレジストが硬化処理されてなるものである。
【０１２５】
（４）導電性ペースト組成物の調製：
付加型液状シリコーンゴム１００質量部に、導電性粒子３０質量部を添加して混合し、その後、減圧による脱泡処理を施すことにより、導電性ペースト組成物を調製した。
以上において、導電性粒子としては、ニッケルよりなる芯粒子の表面に金よりなる導電性被膜が形成されてなるものであって、数平均粒子径が１１μｍ、粒子径の変動係数が２８％、導電性被膜の厚みが０．２０μｍのものを用いた。
また、付加型液状シリコーンゴムとしては、Ａ液の粘度が１５０Ｐａ・ｓで、Ｂ液の粘度が１５０Ｐａ・ｓである二液型のものであって、硬化物の１５０℃における永久圧縮歪みが５％、硬化物のデュロメーターＡ硬度が３２、硬化物の引裂強度が２５ｋＮ／ｍのものを用いた。
【０１２６】
（５）異方導電性シート本体の形成：
上記の金型の上型および下型の各々の成形面に、スクリーン印刷によって、調製した導電性ペースト組成物を形成すべき異方導電性シート本体のパターンに従って塗布し、下型の成形面上に、一方のスペーサーを介してフレーム板を位置合わせして重ね、更に、このフレーム板上に、他方のスペーサーを介して上型を位置合わせして重ねることにより、上型および下型の間に、合計で２５６個の成形材料層を形成した。次いで、上型の裏面および下型の裏面に電磁石を配置して、各成形材料層に対し、上型の強磁性体層と下型の強磁性体層との間に位置する部分に、厚み方向に２Ｔの磁場を作用させながら、１００℃、１時間の条件で硬化処理を施すことにより、フレーム板に合計で２５６個の異方導電性シート本体を形成した。
【０１２７】
得られた各異方導電性シート本体について具体的に説明すると、これらの異方導電性シート本体の各々は、横方向の寸法が４ｍｍ、縦方向の寸法が０．５ｍｍであり、２２個の導電路形成部が２００μｍのピッチで横方向に一列に配列されており、全ての異方導電性シート本体の合計では、５６３２個の導電路形成部が形成されている。また、これらの異方導電性シート本体の一面は平坦面であり、他面には、導電路形成部が位置する個所に突出部が形成されており、その突出高さは２５μｍである。導電路形成部の各々は、厚みが１２５μｍ、横方向の寸法が１６０μｍ、縦方向の寸法が２５０μｍであり、絶縁部の厚みが１００μｍである。また、導電路形成部における導電性粒子の割合は体積分率で２６％である。
【０１２８】
（６）導電性被膜の形成：
縦横の寸法が２３０ｍｍ×２３０ｍｍで厚みが３０μｍのＡｕ−Ｇｅ合金（金とゲルマニウムとの割合が原子数比で８０：２０のもの）よりなる箔（以下、「Ａｕ−Ｇｅ箔」という。）を、フレーム板に形成された各異方導電性シート本体の一面に接するよう配置し、更に真空吸引装置によって、Ａｕ−Ｇｅ箔を異方導電性シートの一面に吸着させた。このとき、異方導電性シートの導電路形成部１個当たりに加わる力が５．５ｇｆとなるよう、真空吸引装置の吸引力を調整した。
次いで、ＹＡＧレーザー加工機を用い、レーザー光を無水石英ガラス板を介してＡｕ−Ｇｅ箔に照射することにより、異方導電性シート本体における導電路形成部の一面にＡｕ−Ｇｅ箔を溶着させ、当該Ａｕ−Ｇｅ箔における溶着された部分以外の部分を除去することにより、当該導電路形成部の一面に、寸法が１６０μｍ×２５０μｍ×３０μｍの導電性被膜を形成し、以て、本発明の異方導電性シートを有する異方導電性コネクターを製造した。以上において、レーザー光の照射は、ビーム径が１５μｍで、レーザー光の照射によってＡｕ−Ｇｅ箔の温度が３７０℃となる条件で行った。この異方導電性コネクターを「異方導電性コネクター（２−３）」とする。
【０１２９】
《比較製造例１》
導電性粒子（ａ）の代わりに、ニッケルよりなる芯粒子の表面に金よりなる導電性被膜が形成されてなる導電性粒子（数平均粒子径：１３μｍ，粒子径の変動係数：２０％，導電性被膜の厚み：０．２５μｍ）を用いたこと以外は、製造例１−１と同様にして比較用の異方導電性シートを有する異方導電性コネクターを製造した。
得られた異方導電性コネクターにおける各異方導電性シートについて具体的に説明すると、これらの異方導電性シートは、横方向の寸法が４．１ｍｍ、縦方向の寸法が０．４１ｍｍであり、２５個の導電路形成部が１６０μｍのピッチで横方向に一列に配列されている。また、これらの異方導電性シートの一面は平坦面であり、他面には、導電路形成部が位置する個所に突出部が形成されており、その突出高さは３８μｍである。導電路形成部の各々は、厚みが１２８μｍ、横方向の寸法が１００μｍ、縦方向の寸法が３００μｍであり、絶縁部の厚みが９０μｍである。また、導電路形成部における導電性粒子の割合は体積分率で２７％である。この異方導電性コネクターを「異方導電性コネクター（１−１１）」とする。
【０１３０】
《比較製造例２》
導電性被膜を形成しなかったこと以外は、製造例２−１と同様にして比較用の異方導電性シートを有する異方導電性コネクターを製造した。
得られた異方導電性コネクターにおける各異方導電性シートについて具体的に説明すると、これらの異方導電性シートは、横方向の寸法が３５ｍｍ、縦方向の寸法が０．５ｍｍであり、１３０個の導電路形成部が２５０μｍのピッチで横方向に一列に配列されている。また、これらの異方導電性シートの一面は平坦面であり、他面には、導電路形成部が位置する個所に突出部が形成されており、その突出高さは３５μｍである。導電路形成部の各々は、厚みが１２５μｍ、横方向の寸法が１２５μｍ、縦方向の寸法が２２５μｍであり、絶縁部の厚みが９０μｍである。また、導電路形成部における導電性粒子の割合は体積分率で２４％である。この異方導電性コネクターを「異方導電性コネクター（２−１１）」とする。
【０１３１】
《比較製造例３》
導電性被膜を形成しなかったこと以外は、製造例２−３と同様にして比較用の異方導電性シートを有する異方導電性コネクターを製造した。
得られた異方導電性コネクターにおける各異方導電性シートについて具体的に説明すると、これらの異方導電性シートは、横方向の寸法が４ｍｍ、縦方向の寸法が０．５ｍｍであり、２２個の導電路形成部が２００μｍのピッチで横方向に一列に配列されている。また、これらの異方導電性シートの一面は平坦面であり、他面には、導電路形成部が位置する個所に突出部が形成されており、その突出高さは２５μｍである。導電路形成部の各々は、厚みが１２５μｍ、横方向の寸法が１６０μｍ、縦方向の寸法が２５０μｍであり、絶縁部の厚みが１００μｍである。また、導電路形成部における導電性粒子の割合は体積分率で２５％である。この異方導電性コネクターを「異方導電性コネクター（２−１２）」とする。
【０１３２】
〈異方導電性シートの評価》
（１）試験用ウエハの作製：
直径が８インチのシリコン（線熱膨張係数３．３×１０-6／Ｋ）製のウエハに、それぞれ寸法が５ｍｍ×５ｍｍの正方形の集積回路Ｌを合計で６５０個形成した。ウエハに形成された集積回路の各々には、鉛フリー半田よりなる直径が１００μｍの半球状の２５個の被検査電極が１６０μｍのピッチで横方向に一列に配列されている。このウエハ全体の被検査電極の総数は１６２５０個である。このウエハを「試験用ウエハＷ１」とする。
また、直径が８インチのシリコン（線熱膨張係数３．３×１０-6／Ｋ）製のウエハに、それぞれ寸法が５ｍｍ×５ｍｍの正方形の集積回路Ｌを合計で６５０個形成した。ウエハに形成された集積回路の各々には、共晶半田よりなる直径が１００μｍの半球状の２５個の被検査電極が１６０μｍのピッチで横方向に一列に配列されている。このウエハ全体の被検査電極の総数は１６２５０個である。このウエハを「試験用ウエハＷ２」とする。
また、直径が８インチのシリコン（線熱膨張係数３．３×１０-6／Ｋ）製のウエハに、それぞれ寸法が４０ｍｍ×２０ｍｍの正方形の集積回路Ｌを合計で２５個形成した。ウエハに形成された集積回路の各々には、鉛フリー半田よりなる直径が９０μｍの半球状の１３０個の被検査電極が２５０μｍのピッチで横方向に一列に配列されている。このウエハ全体の被検査電極の総数は３２５０個である。このウエハを「試験用ウエハＷ３」とする。
また、直径が８インチのシリコン（線熱膨張係数３．３×１０-6／Ｋ）製のウエハに、それぞれ寸法が４０ｍｍ×２０ｍｍの正方形の集積回路Ｌを合計で２５個形成した。ウエハに形成された集積回路の各々には、共晶半田よりなる直径が９０μｍの半球状の１３０個の被検査電極が２５０μｍのピッチで横方向に一列に配列されている。このウエハ全体の被検査電極の総数は３２５０個である。このウエハを「試験用ウエハＷ４」とする。
また、直径が８インチのシリコン（線熱膨張係数３．３×１０-6／Ｋ）製のウエハに、それぞれ寸法が８ｍｍ×８ｍｍの正方形の集積回路Ｌを合計で２５６個形成した。ウエハに形成された集積回路の各々には、共晶半田よりなる直径が１００μｍの半球状の２２個の被検査電極が２００μｍのピッチで横方向に一列に配列されている。このウエハ全体の被検査電極の総数は５６３２個である。このウエハを「試験用ウエハＷ５」とする。
【０１３３】
（２）検査用回路基板の作製：
基板材料としてアルミナセラミックス（線熱膨張係数４．８×１０-6／Ｋ）を用い、試験用ウエハＷ１における被検査電極のパターンに対応するパターンに従って検査電極が形成された検査用回路基板を作製した。この検査用回路基板は、全体の寸法が３０ｃｍ×３０ｃｍの矩形であり、その検査電極は、横方向の寸法が８０μｍで縦方向の寸法が２５０μｍである。以下、この検査用回路基板を「検査用回路基板Ｔ１」という。
また、基板材料としてアルミナセラミックス（線熱膨張係数４．８×１０-6／Ｋ）を用い、試験用ウエハＷ３における被検査電極のパターンに対応するパターンに従って検査電極が形成された検査用回路基板を作製した。この検査用回路基板は、全体の寸法が３０ｃｍ×３０ｃｍの矩形であり、その検査電極は、横方向の寸法が１００μｍで縦方向の寸法が２００μｍである。以下、この検査用回路基板を「検査用回路基板Ｔ２」という。
また、基板材料としてアルミナセラミックス（線熱膨張係数４．８×１０-6／Ｋ）を用い、試験用ウエハＷ５における被検査電極のパターンに対応するパターンに従って検査電極が形成された検査用回路基板を作製した。この検査用回路基板は、全体の寸法が３０ｃｍ×３０ｃｍの矩形であり、その検査電極は、横方向の寸法が１５０μｍで縦方向の寸法が２４０μｍである。以下、この検査用回路基板を「検査用回路基板Ｔ３」という。
【０１３４】
（３）バーンイン試験：
異方導電性コネクター（１−２）、異方導電性コネクター（１−３）、異方導電性コネクター（１−５）および異方導電性コネクター（１−１１）について、以下のようにしてバーンイン試験における耐久性を調べた。
試験用ウエハＷ１を、電熱ヒーターを具えた試験台に配置し、この試験用ウエハＷ１上に異方導電性コネクターをその導電路形成部の各々が当該試験用ウエハＷ１の被検査電極上に位置するよう位置合わせして配置し、この異方導電製コネクター上に、検査用回路基板Ｔ１をその検査電極の各々が当該異方導電性コネクターの導電路形成部上に位置するよう位置合わせして配置した。
次いで、検査用回路基板Ｔ１を下方に１０５ｋｇの荷重（導電路形成部１個当たりに加わる荷重が平均で約６．５ｇ）で加圧し、この状態で、試験台を１２５℃に加熱して４時間保持した後、試験用ウエハＷ１の被検査電極と検査用回路基板Ｔ１の検査電極との間の電気抵抗（以下、「導通抵抗」という。）を測定した。その後、試験台を室温まで冷却し、検査用回路基板Ｔ１に対する加圧を解除した。以上の操作を１サイクルとして繰り返し行い、導通抵抗が１Ω以上となるサイクル数を測定した。
また、異方導電性コネクター（２−１）、異方導電性コネクター（２−２）および異方導電性コネクター（２−１１）について、以下のようにしてバーンイン試験における耐久性を調べた。
試験用ウエハＷ３を、電熱ヒーターを具えた試験台に配置し、この試験用ウエハＷ３上に異方導電性コネクターをその導電路形成部の各々が当該試験用ウエハＷ３の被検査電極上に位置するよう位置合わせして配置し、この異方導電製コネクター上に、検査用回路基板Ｔ２をその検査電極の各々が当該異方導電性コネクターの導電路形成部上に位置するよう位置合わせして配置した。
次いで、検査用回路基板Ｔ２を下方に２４ｋｇの荷重（導電路形成部１個当たりに加わる荷重が平均で約７．５ｇ）で加圧し、この状態で、試験台を１２５℃に加熱して４時間保持した後、試験用ウエハＷ３の被検査電極と検査用回路基板Ｔ２の検査電極との間の電気抵抗（以下、「導通抵抗」という。）を測定した。その後、試験台を室温まで冷却し、検査用回路基板Ｔ２に対する加圧を解除した。以上の操作を１サイクルとして繰り返し行い、導通抵抗が１Ω以上となるサイクル数を測定した。
更に、試験用ウエハＷ３を試験用ウエハＷ４に変更したこと以外は上記と同様にして、異方導電性コネクター（２−１）、異方導電性コネクター（２−２）および異方導電性コネクター（２−１１）について、バーンイン試験における耐久性を調べた。
以上、結果を表１に示す。
【０１３５】
【表１】
2006063399.tif 000003
【０１３６】
表１の結果から明らかなように、本発明の異方導電性シートを有する異方導電性コネクター（１−２）、（１−３）、（１−５）、（２−１）および（２−２）によれば、良好な導電性を有すると共に、高温環境下ににおいて、半田よりなる被検査電極を長時間圧接しても、良好な導電性が安定に維持されることが確認された。
これに対し、比較用の異方導電性シートを有する異方導電性コネクター（１−１１）および（２−１１）においては、高温環境下ににおいて、半田よりなる被検査電極を圧接すると、早期に導電性が低下するものであった。
また、試験終了後に、異方導電性コネクターにおける異方導電性シートを、ＡＥＳ（Ａｕｇｅｒ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｏｓｃｏｐｙ）によって分析したところ、異方導電性コネクター（１−２）、（１−３）、（２−１）および（２−２）については、Ｓｎが全く検出されず、異方導電性コネクター（１−５）ついては、微量のＳｎが検出された。一方、異方導電性コネクター（１−１１）および（２−１１）については、多量のＳｎが検出され、導電性の低下の原因がＳｎの移行によるものであることが確認された。
【０１３７】
（４）プローブ試験：
異方導電性コネクター（１−１）、異方導電性コネクター（１−４）および異方導電性コネクター（１−１１）について、以下のようにしてプローブ試験における耐久性を調べた。
試験用ウエハＷ２を、電熱ヒーターを具えた試験台に配置し、この試験用ウエハＷ２上に異方導電性コネクターをその導電路形成部の各々が当該試験用ウエハＷ２の被検査電極上に位置するよう位置合わせして配置し、この異方導電製コネクター上に、検査用回路基板Ｔ１をその検査電極の各々が当該異方導電性コネクターの導電路形成部上に位置するよう位置合わせして配置した。
次いで、試験台を９０℃に加熱し、検査用回路基板Ｔ２を下方に５０ｋｇの荷重（導電路形成部１個当たりに加わる荷重が平均で約９ｇ）で加圧し、１分間保持した後、導通抵抗を測定した。その後、検査用回路基板Ｔ２に対する加圧を解除した。以上の操作を１サイクルとして繰り返し行い、導通抵抗が１Ω以上となるサイクル数を測定した。
また、異方導電性コネクター（２−３）および異方導電性コネクター（２−１２）について、以下のようにしてプローブ試験における耐久性を調べた。
試験用ウエハＷ５を、電熱ヒーターを具えた試験台に配置し、この試験用ウエハＷ５上に異方導電性コネクターをその導電路形成部の各々が当該試験用ウエハＷ５の被検査電極上に位置するよう位置合わせして配置し、この異方導電製コネクター上に、検査用回路基板Ｔ３をその検査電極の各々が当該異方導電性コネクターの導電路形成部上に位置するよう位置合わせして配置した。
次いで、試験台を９０℃に加熱し、検査用回路基板Ｔ３を下方に４５ｋｇの荷重（導電路形成部１個当たりに加わる荷重が平均で約８ｇ）で加圧し、１分間保持した後、導通抵抗を測定した。その後、検査用回路基板Ｔ３に対する加圧を解除した。以上の操作を１サイクルとして繰り返し行い、導通抵抗が１Ω以上となるサイクル数を測定した。
以上、結果を表２に示す。
【０１３８】
【表２】
2006063399.tif 000004
【０１３９】
表２の結果から明らかなように、本発明の異方導電性シートを有する異方導電性コネクター（１−１）、（１−４）および（２−３）によれば、良好な導電性を有すると共に、半田よりなる被検査電極を多数回にわたって圧接しても、良好な導電性が安定に維持されることが確認された。
これに対し、比較用の異方導電性シートを有する異方導電性コネクター（１−１１）および（２−１２）においては、半田よりなる被検査電極を繰り返して圧接すると、早期に導電性が低下するものであった。
また、試験終了後に、異方導電性コネクターにおける異方導電性シートを、ＡＥＳ（Ａｕｇｅｒ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｓｐｅｃｔｏｓｃｏｐｙ）によって分析したところ、異方導電性コネクター（１−１）および（２−３）については、ＰｂおよびＳｎが全く検出されず、異方導電性コネクター（１−４）ついては、微量のＰｂおよび微量のＳｎが検出された。一方、異方導電性コネクター（１−１１）および（２−１２）については、多量のＰｂおよび多量のＳｎが検出され、導電性の低下の原因がＰｂおよびＳｎの移行によるものであることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【０１４０】
【図１】本発明に係る異方導電性シートの一例における要部の構成を示す説明用断面図である。
【図２】異方導電性シート製造用金型の一例における構成を示す説明用断面図である。
【図３】図２に示す異方導電性シート製造用金型の一部を拡大してた示す説明用断面図である。
【図４】異方導電性シート製造用金型内に成形材料層が形成された状態を示す説明用断面図である。
【図５】図４に示す成形材料層に対してその厚み方向に磁場を作用させた状態を示す説明用断面図である。
【図６】本発明に係る異方導電性シートの他の例における要部の構成を示す説明用断面図である。
【図７】図６に示す異方導電性シートを製造するための一面側成形部材、他面側成形部材およひスペーサーを示す説明用断面図である。
【図８】他面側成形部材の表面に導電性ペースト組成物が塗布された状態を示す説明用断面図である。
【図９】一面側成形部材と他面側成形部材との間に成形材料層が形成された状態を示す説明用断面図である。
【図１０】図９に示す成形材料層を拡大して示す説明用断面図である。
【図１１】図９に示す成形材料層に対してその厚み方向に磁場を作用させた状態を示す説明用断面図である。
【図１２】本発明に係る異方導電性シートの更に他の例における要部の構成を示す説明用断面図である。
【図１３】異方導電性シート製造用金型内に成形材料層が形成された状態を示す説明用断面図である。
【図１４】図１３に示す成形材料層に対してその厚み方向に磁場を作用させた状態を示す説明用断面図である。
【図１５】本発明に係るシート状プローブの一例における構成を示す説明用断面図である。
【図１６】図１５に示すシート状プローブにおける表面電極を拡大して示す説明用断面図である。
【図１７】図１５に示すシート状プローブを製造するために用いられる積層体の構成を示す説明用断面図である。
【図１８】積層体における絶縁性シートに貫通孔が形成された状態を示す説明用断面図である。
【図１９】積層体に短絡部および表面電極基体が形成された状態を示す説明用断面図である。
【図２０】積層体における金属層上にパターニングされたレジスト膜が形成された状態を示す説明用断面図である。
【図２１】絶縁性シートの裏面に裏面電極が形成された状態を示す説明用断面図である。
【図２２】本発明に係る回路装置の検査装置の一例における構成を示す説明図である。
【図２３】図２２に示す本発明に係る回路装置の検査装置の要部の構成を拡大して示す説明図である。
【図２４】異方導電性コネクターにおけるフレーム板を示す平面図である。
【図２５】本発明に係る回路装置の検査装置の他の例における構成を示す説明図である。
【図２６】図２５に示す本発明に係る回路装置の検査装置の要部の構成を拡大して示す説明図である。
【図２７】本発明に係る回路装置の検査装置の更に他の例における構成を示す説明図である。
【図２８】図２７に示す本発明に係る回路装置の検査装置の要部の構成を拡大して示す説明図である。
【符号の説明】
【０１４１】
１  ウエハ
２  被検査電極
３  加圧板
４  ウエハ載置台
５  加熱器
１０  異方導電性シート
１０Ａ  成形材料層
１１  導電路形成部
１１Ａ  突出部
１２  絶縁部
１４  異方導電性シート
１４Ａ  成形材料層
１４Ｂ  導電性ペースト組成物
１５  異方導電性シート
１５Ａ  成形材料層
１６  異方導電性シート本体
１７  導電路形成部
１７Ａ  突出部
１８  絶縁部
１９  導電性被膜
２０  シート状プローブ
２０Ａ  積層体
２１  絶縁性シート
２２  複合電極体
２３  表面電極
２３Ａ  表面電極基体
２４  裏面電極
２４Ａ  金属層
２５  短絡部
２５Ｈ  貫通孔
２６  導電性被膜
２７，２８，２９  レジスト膜
３０  プローブカード
３１  検査用回路基板
３２  検査電極
３５  異方導電性コネクター
３６  フレーム板
３７  開口
４０  異方導電性シート
４１  導電路形成部
４１Ａ，４１Ｂ  突出部
４２  絶縁部
５０  一面側成形部材
５１  他面側成形部材
５２  スペーサー
５２Ｋ  開口
５３  加圧ロール
５４  支持ロール
５５  加圧ロール装置
６０  異方導電性シート製造用金型
６１  上型
６２  基板
６３  強磁性体層
６４  非磁性体層
６５  下型
６６  基板
６７  強磁性体層
６８  非磁性体層
６８ａ  凹所
Ｐ  導電性粒子
【図１】
2006063399.tif 000005
【図２】
2006063399.tif 000006
【図３】
2006063399.tif 000007
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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