(57)【要約】【課題】  複数のフォトダイオードを組み合わせて所望の分光感度特性を実現可能な受光装置を提供する。【解決手段】  受光装置１００において、複数のフォトダイオード１０は、同一の半導体基板３０上に平面的に配置され、分光感度特性が異なるように設計される。フォトダイオード１０は、それぞれ異なる濃度、深さのプロファイルを有する拡散層を用いて形成される。フォトダイオード１０は、異なる位置に平面的に配置され、アノード電極５０およびカソード電極５２は、独立に設けられている。各フォトダイオード１０に流れる光電流Ｉｐは、合成回路により合成される。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一の半導体基板上に平面的に配置された分光感度特性が異なる複数のフォトダイオードと、
前記複数のフォトダイオードに流れる電流を合成する合成回路と、
を備えることを特徴とする受光装置。
【請求項２】
前記複数のフォトダイオードの上面に配線層を備え、当該配線層の配線パターンを各フォトダイオードの受光面積を調節可能に形成したことを特徴とする請求項１に記載の受光装置。
【請求項３】
前記複数のフォトダイオードは、それぞれ異なる深さに形成されるＰＮ接合を有することを特徴とする請求項１または２に記載の受光装置。
【請求項４】
前記複数のフォトダイオードは、それぞれ異なる濃度プロファイルのＰＮ接合を有することを特徴とする請求項１または２に記載の受光装置。
【請求項５】
前記複数のフォトダイオードは、アノード同士およびカソード同士が互いに接続された２つのフォトダイオードを含み、アノードを所定の電源に接続するとともに、カソードから前記２つのフォトダイオードに流れる電流の和電流を取り出すことを特徴とする請求項１または２に記載の受光装置。
【請求項６】
前記複数のフォトダイオードは、アノード同士およびカソード同士が互いに接続された２つのフォトダイオードを含み、カソードを接地するとともに、アノードから前記２つのフォトダイオードに流れる電流の和電流を取り出すことを特徴とする請求項１または２に記載の受光装置。
【請求項７】
前記複数のフォトダイオードは、所定の電源と接地間に直列に接続された２つのフォトダイオードを含み、前記２つのフォトダイオードの接続点から、２つのフォトダイオードに流れる電流の差電流を取り出すことを特徴とする請求項１または２に記載の受光装置。
【請求項８】
前記合成回路は、ひとつのフォトダイオードに流れる電流を複製するカレントミラー回路を含み、当該カレントミラー回路の出力電流と、他のフォトダイオードに流れる電流を合成することを特徴とする請求項１または２に記載の受光装置。
【請求項９】
前記合成回路は、前記半導体基板上に集積化されることを特徴とする請求項１または２に記載の受光装置。
【請求項１０】
請求項１または２に記載の受光装置と、
液晶パネルと、
を備え、前記受光装置は、受光量に応じて前記液晶パネルのバックライトの輝度を制御することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトダイオードに入射する光を検出して電気信号として出力する受光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話やＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｃｅ）などの小型情報端末やカメラなどさまざまな電子機器において、その電子機器の周囲の照度を計測する受光装置が用いられている。たとえば、ノートパソコンや携帯電話などにおいては、受光装置によって周囲の照度を測定し、その照度に応じて液晶のバックライトの明るさを調節するなどの用途が考えられる。
【０００３】
このような受光装置においては、フォトダイオードやフォトトランジスタなどの受光素子に受光した光量に応じて流れる光電流を検出し、デジタル、あるいはアナログ信号として検出する。ここで、受光装置を照度センサとして用いる場合、フォトダイオードの分光感度特性が問題となる。一般に、半導体基板上に形成されるフォトダイオードの分光感度特性は、濃度プロファイルやＰＮ接合の深さなどのデバイス構造に依存し、かならずしも受光装置に必要とされる分光感度特性を有しているわけではない。すなわち、フォトダイオードは可視領域から近赤外にわたり広い感度特性を有するため、フォトダイオードにより検出した光強度が、かならずしも人間の目で知覚される明るさと対応しないという問題がある。
【０００４】
特許文献１には、フォトダイオードの上面に光学フィルタを形成することにより、所望の分光感度特性を実現する技術が開示される。また、特許文献２には、所望の分光感度特性を得るために、異なる深さに、オーバーラップする態様にて分光感度特性の異なるフォトダイオードを形成し、各フォトダイオードに流れる電流を合成することにより、所望の分光感度特性を実現する技術が開示されている。
【０００５】
【特許文献１】特開平６−７７５０７号公報
【特許文献２】特開２００４−１１９７１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載の技術では多層膜などを形成する必要があるため、通常の半導体製造プロセスに比べて製造コストが高くなってしまうという問題がある。また、特許文献２に記載の技術によれば、２つのフォトダイオードのカソード端子が構造上必ず接続されてしまうため、光電流の合成処理に制約が多いという問題がある。
【０００７】
本発明はこうした課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、複数のフォトダイオードを組み合わせて所望の分光感度特性を実現可能な受光装置の提供にある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のある態様は、受光装置に関する。この受光装置は、同一の半導体基板上に平面的に配置された分光感度特性が異なる複数のフォトダイオードと、複数のフォトダイオードに流れる電流を合成する合成回路と、を備える。
【０００９】
この態様によると、分光感度特性が異なるフォトダイオードを平面上に配置することにより、各フォトダイオードのアノード、カソードを独立に設けることができるため、合成回路により自由度の高い合成処理を行うことができる。また、各フォトダイオードの面積も独立に調節できるため、分光感度特性の微調節が可能となる。
【００１０】
受光装置は、複数のフォトダイオードの上面に配線層を備え、当該配線層のパターンを各フォトダイオードの受光面積を調節可能に形成してもよい。この場合、半導体製造工程の途中で、フォトダイオードの出来映えなどに応じて、配線層のマスクを変更し、あるいは露光の際のマスク位置をずらすことにより、より所望の分光感度特性に近い特性を得ることができる。
【００１１】
複数のフォトダイオードは、それぞれ異なる深さに形成されるＰＮ接合を有してもよい。また、複数のフォトダイオードは、それぞれ異なる濃度プロファイルのＰＮ接合を有してもよい。Ｐ層とＮ層の拡散層の濃度、深さを調節することにより、分光感度特性を制御することができる。
【００１２】
複数のフォトダイオードは、アノード同士およびカソード同士が互いに接続された２つのフォトダイオードを含み、アノードを所定の電源に接続するとともに、カソードから２つのフォトダイオードに流れる電流を合成した電流を取り出してもよい。また、互いに接続されたカソードを接地するとともに、アノードから２つのフォトダイオードに流れる電流の和電流を取り出してもよい。この場合、２つのフォトダイオードの分光感度特性を、各フォトダイオードの受光面積をパラメータとして足すことができる。
【００１３】
複数のフォトダイオードは、所定の電源と接地間に直列に接続された２つのフォトダイオードを含み、２つのフォトダイオードの接続点から、２つのフォトダイオードに流れる電流の差電流を取り出してもよい。この場合、２つのフォトダイオードの分光感度特性を、各フォトダイオードの受光面積をパラメータとして減算することができる。
【００１４】
合成回路は、ひとつのフォトダイオードに流れる電流を複製するカレントミラー回路を含み、当該カレントミラー回路の出力電流と、他のフォトダイオードに流れる電流を合成してもよい。この場合、フォトダイオードの受光面積に加えて、カレントミラー回路のミラー比をパラメータとして、分光感度特性を調節することができる。
【００１５】
合成回路は、半導体基板上に集積化されてもよい。フォトダイオードと合成回路を一体集積化することにより、小型化を図ることができる。
【００１６】
本発明の別の態様は、電子機器である。この電子機器は、上述の受光装置と、液晶パネルと、を備える。受光装置は、受光量に応じて液晶パネルのバックライトの輝度を制御する。
【００１７】
この態様によると、電子機器が使用される周囲の照度に応じて液晶パネルのバックライトの輝度を制御することにより、液晶パネルの視認性を高め、あるいは消費電力を低減することができる。
【００１８】
なお、以上の構成要素の任意の組合せや本発明の構成要素や表現を方法、装置、システムなどの間で相互に置換したものもまた、本発明の態様として有効である。
【発明の効果】
【００１９】
本発明に係る受光装置によれば、複数のフォトダイオードを組み合わせて所望の分光感度特性を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
図１は、本実施の形態に係る受光装置１００が形成される半導体基板の断面図である。図２は、この受光装置１００を搭載した電子機器２００の構成を示すブロック図である。図２の電子機器２００は、たとえば携帯電話端末やデジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラなどである。この電子機器２００は、液晶パネル９０、ＬＥＤ９２、定電流回路９４、電源９６、制御回路９８、受光装置１００、を備える。液晶パネル９０は図示しない液晶ドライバによって駆動され、画像情報を表示する。ＬＥＤ９２は液晶パネル９０の背面に設置され、バックライトとして動作する。電源９６は、電池電圧、あるいは電池電圧を昇降圧して得られる電圧を電子機器２００の各ブロックに供給する。電源９６の出力電圧のひとつは、ＬＥＤ９２のアノードに供給される。定電流回路９４は、ＬＥＤ９２のカソードと接地間に設けられ、ＬＥＤ９２に流れる電流を制御して、その発光輝度を調節する。定電流回路９４により生成される定電流は、制御回路９８により制御される。
【００２１】
受光装置１００は、電子機器２００の周囲の照度を検出し、制御回路９８に出力する。受光装置１００は、フォトダイオード１０と総称される複数の第１フォトダイオード１０ａ〜第３フォトダイオード１０ｃ、合成回路２０、ＩＶ変換回路２２を含む。第１フォトダイオード１０ａ〜第３フォトダイオード１０ｃは、電子機器２００の外部から入射する光が受光可能に配置されており、それぞれに受光量に応じた光電流Ｉｐ１〜Ｉｐ３が流れる。合成回路２０は、第１フォトダイオード１０ａ〜第３フォトダイオード１０ｃに流れる光電流Ｉｐ１〜Ｉｐ３を加算、減算する合成処理を行い、検出電流Ｉｏｕｔを生成する。この検出電流Ｉｏｕｔは、ＩＶ変換回路２２へと出力される。
【００２２】
ＩＶ変換回路２２は検出電流Ｉｏｕｔを電流電圧変換し、検出電圧Ｖｏｕｔを出力する。制御回路９８は、検出電圧Ｖｏｕｔをアナログデジタル変換し、検出電圧Ｖｏｕｔの大きさに応じて、ＬＥＤ９２の発光輝度を調節するために、定電流回路９４に必要な定電流値を指示する。
【００２３】
本実施の形態に係る電子機器２００において、制御回路９８は、検出電流Ｉｏｕｔ（検出電圧Ｖｏｕｔ）にもとづくＬＥＤ９２の発光輝度の制御としては、以下の制御を行う。すなわち、電子機器２００において、周囲が明るい場合、すなわち検出電流Ｉｏｕｔが大きい場合にはＬＥＤ９２の発光輝度を高く設定し、液晶パネル９０に表示される画像がより鮮明になるようにする。逆に、周囲が暗い場合、すなわち検出電流Ｉｏｕｔが小さい場合には、その発光輝度を低く設定し消費電力を下げる制御を行う。
【００２４】
ここで、フォトダイオード１０に流れる光電流と人間の視覚で感じる明るさの関係について説明する。人間の目は、可視領域の光に対して感度を有しており、紫外あるいは赤外光に対する感度はほとんどない。一方、フォトダイオード１０の分光感度特性は、半導体製造プロセスやデバイス構造に依存するが、近紫外から近赤外にわたりはばひろいスペクトルを有する。フォトダイオード１０に入射する太陽光や蛍光灯の光は、可視光以外の波長の光も含んでいるため、これらの入射光のすべての波長について検出を行うと、人間の視覚で感じる明るさと差が生じてしまう。そこで、フォトダイオード１０の分光感度特性を、いわゆる視感度特性に近似させる必要がある。
【００２５】
以下、フォトダイオード１０の分光感度特性を視感度特性に近づけるための受光装置１００の構成について説明する。図１に戻る。図１に示すように、第１フォトダイオード１０ａ〜第３フォトダイオード１０ｃは、同一の半導体基板３０上に形成されている。第１フォトダイオード１０ａ〜第３フォトダイオード１０ｃは、それぞれが異なる分光感度特性を有するように形成され、半導体基板３０上に、平面的に配置される。
【００２６】
図３は、フォトダイオード１０の分光感度特性を示す図である。図３の横軸は波長、縦軸は相対的な受光感度を示している。実線で示される３つの曲線は、それぞれ図１の第１フォトダイオード１０ａ〜第３フォトダイオード１０ｃの分光感度特性を表す。また、図３に破線で示すのは、上述の視感度特性である。
図１に戻る。フォトダイオード１０の分光感度特性は、半導体基板３０の材料、各拡散層の不純物濃度、厚み、ＰＮ接合面の深さなどをパラメータとして決定される。本実施の形態に係る受光装置１００において、半導体基板３０はＰ型のシリコン基板である。第１フォトダイオード１０ａは、半導体基板３０にＮ層３２を拡散し、その上面にＰ層３４を拡散することにより、ＰＮ接合を形成している。各拡散層の濃度、拡散深さは図３の１０ａで示す分光感度特性を有するように設計する。Ｐ層３４およびＮ層３２からは、それぞれアノード電極５０ａ、カソード電極５２ａが引き出される。半導体基板３０の上面には、絶縁膜５４が形成される。
【００２７】
第２フォトダイオード１０ｂは、半導体基板３０に対してやや高い不純物濃度でＰ層３６を形成し、その上方にＮ層３８を形成している。第２フォトダイオード１０ｂのＰＮ接合面は、他のフォトダイオード１０に対して浅い位置に形成される。一般に、フォトダイオード１０の分光感度特性は、半導体基板の表面からの深さが浅い位置に形成するほど紫外光側のスペクトルを有し、表面から深い位置に形成するほど赤外側のスペクトルを有することになる。したがって、第２フォトダイオード１０ｂの分光感度特性は、短波長側をピークに持つことになる。Ｐ層３６およびＮ層３８からは、それぞれアノード電極５０ｂ、カソード電極５２ｂが引き出される。
【００２８】
第３フォトダイオード１０ｃは、半導体基板３０の深い位置にＮ層４０を形成し、Ｐ型の半導体基板３０との間でＰＮ接合を形成する。Ｎ層４０、半導体基板３０のＰ層からはそれぞれカソード電極５２ｃ、アノード電極５０ｃが引き出されている。第３フォトダイオード１０ｃは、第１フォトダイオード１０ａ、第２フォトダイオード１０ｂよりも深い領域までＮ層４０が形成されているため、図３に示すように長波長側にピークを有する。
【００２９】
図３において、１０ａ〜１０ｃで示される３つの分光感度特性を用いて、ＲＥＦで示される視感度特性を得るためには、次のような演算処理を行えばよい。各分光感度特性を、波長の関数としてそれぞれ、ｆａ（λ）、ｆｂ（λ）、ｆｃ（λ）、ｆｒｅｆ（λ）と書くと、ｆｒｅｆ（λ）＝Ｃ１×ｆａ（λ）＋Ｃ２×ｆｂ（λ）＋Ｃ３×ｆｃ（λ）で近似することができる。ここで、Ｃ１〜Ｃ３は、正または負の値をとる変数である（以下、この変数を合成係数とも呼ぶ）。本実施の形態においては、Ｃ１を正、Ｃ２、Ｃ３を負にとり、もっとも広いスペクトルを有するｆａ（λ）から、赤外および紫外領域のスペクトル成分を除去することで、視感度特性に近い特性を得ることができる。
【００３０】
図２の合成回路２０は、ｆｒｅｆ（λ）＝Ｃ１×ｆａ（λ）＋Ｃ２×ｆｂ（λ）＋Ｃ３×ｆｃ（λ）に対応する合成処理を行う。合成処理は、各フォトダイオード１０に流れる光電流Ｉｐを加算、減算することにより実現でき、合成係数が正の場合、電流を加算し、合成係数が負の場合、電流を減算する。図４（ａ）〜（ｄ）は、合成回路２０の回路構成例を示す。図４（ａ）は、フォトダイオードＰＤ１とフォトダイオードＰＤ２の光電流を加算する合成回路２０の構成を示している。フォトダイオードＰＤ１、ＰＤ２は、アノード同士およびカソード同士が互いに接続され、アノードを所定の電源Ｖｃｃに接続するとともに、カソードは、出力端子６０に接続される。出力端子６０からは、２つのフォトダイオードＰＤ１、ＰＤ２に流れる電流の和電流Ｉｏｕｔ＝Ｉｐ１＋Ｉｐ２を取り出すことができる。ここで、各フォトダイオードＰＤ１、ＰＤ２に流れる光電流Ｉｐの電流値は、受光面積Ｓ１、Ｓ２に比例する。したがって、受光面積を調節することにより、フォトダイオードＰＤ１、ＰＤ２の分光感度特性を、受光面積に比例した合成係数Ｃ１、Ｃ２を乗じて加算することができる。また、図４（ａ）とは逆に、フォトダイオードＰＤ１、ＰＤ２のアノードを接地し、カソードから和電流Ｉｏｕｔ＝Ｉｐ１＋Ｉｐ２を取り出してもよい。
【００３１】
図４（ｂ）は、フォトダイオードＰＤ１とフォトダイオードＰＤ２の光電流を減算する合成回路２０の構成を示している。フォトダイオードＰＤ１、ＰＤ２は、所定の電源Ｖｃｃと接地間に直列に接続される。２つのフォトダイオードの接続点は、出力端子６０に接続される。出力端子６０からは、２つのフォトダイオードＰＤ１、ＰＤ２に流れる光電流Ｉｐ１、Ｉｐ２の差電流Ｉｏｕｔ＝Ｉｐ１−Ｉｐ２を取り出すことができる。図４（ａ）と同様に、各フォトダイオードＰＤ１、ＰＤ２の面積比を調節することにより、分光感度特性に合成係数を乗じて減算することができる。
【００３２】
図４（ｃ）は、フォトダイオードＰＤ１とフォトダイオードＰＤ２の光電流を加算する合成回路２０の構成を示している。この合成回路は、トランジスタＱ１、Ｑ２で構成されるカレントミラー回路を含む。トランジスタＱ１にはフォトダイオードＰＤ１が接続され、光電流Ｉｐ１が流れる。トランジスタＱ２には、光電流Ｉｐ１にミラー比ＭＲＲを乗じた電流Ｉｐ１’＝ＭＲＲ×Ｉｐ１が流れる。トランジスタＱ２のコレクタと、フォトダイオードＰＤ２のアノードは出力端子６０に接続される。出力端子６０からは電流Ｉｐ１’と光電流Ｉｐ２の和電流Ｉｏｕｔ＝ＭＲＲ×Ｉｐ１＋Ｉｐ２が出力される。このように図４（ｃ）の合成回路２０によれば、各フォトダイオードＰＤ１、ＰＤ２の面積比に加えて、カレントミラー回路のミラー比をパラメータとして、加算処理を行うことができる。
【００３３】
図４（ｄ）は、フォトダイオードＰＤ１とフォトダイオードＰＤ２の光電流を減算する合成回路２０の構成を示している。この合成回路２０は、トランジスタＱ３、Ｑ４で構成されるカレントミラー回路を含む。トランジスタＱ３にはフォトダイオードＰＤ１が接続され、光電流Ｉｐ１が流れる。トランジスタＱ４には、光電流Ｉｐ１にミラー比ＭＲＲを乗じた電流Ｉｐ１’＝ＭＲＲ×Ｉｐ１が流れる。トランジスタＱ４のコレクタと、フォトダイオードＰＤ２のアノードは出力端子６０に接続される。出力端子６０からは電流Ｉｐ１’と光電流Ｉｐ２の差電流Ｉｏｕｔ＝Ｉｐ２−ＭＲＲ×Ｉｐ１が出力される。このように、図４（ｄ）の合成回路２０によれば、各フォトダイオードＰＤ１、ＰＤ２の面積比に加えて、カレントミラー回路のミラー比をパラメータとして、減算処理を行うことができる。
【００３４】
合成回路２０は、図４（ａ）〜（ｄ）に示す回路構成を基本ブロックとして、図１の第１フォトダイオード１０ａ〜第３フォトダイオード１０ｃの光電流の合成処理を行う。合成回路２０を構成する配線、トランジスタは、フォトダイオード１０が形成される半導体基板３０上に一体に形成することができる。
【００３５】
本実施の形態に係る受光装置１００によれば、平面上に複数配置された分光感度特性の異なるフォトダイオードの光電流を合成することにより、視感度特性に近い分光感度特性を得ることができる。
本実施の形態の受光装置１００は、図１に示すように各フォトダイオードのアノード端子、カソード端子を独立に形成することが可能であるため、図４（ａ）〜（ｄ）に例示したように、さまざまな接続形態が可能となり、合成処理の自由度を高く設定することができる。各フォトダイオード１０の分光感度特性に係数を乗じて合成する際に、フォトダイオード１０の面積を調節することにより係数を微調節することができる。また、カレントミラー回路を用いて合成する場合、係数の比を大きく設定することができるという利点を有する。これらの合成回路を組み合わせることにより、視感度特性により近い分光感度特性を得ることができる。
【００３６】
また、本実施の形態に係る受光装置１００では、各フォトダイオード１０を分光感度特性を、電流の加算、減算により行っている。したがって、各フォトダイオードごとに電流電圧変換を行い、電圧を演算増幅器などを用いて加算、もしくは減算したり、あるいはアナログデジタル変換した後にデジタル信号処理する場合に比べて、回路規模を小さくすることができる。
【００３７】
さらに、受光装置１００は、以下に説明する構成を追加することにより、より優れた分光感度特性を実現することができる。フォトダイオードの分光感度特性は、一般に、半導体製造プロセスのばらつきにより、波長ピークがシフトしたり、あるいはフォトダイオードごとの相対的な感度が変動してしまう場合がある。そこで、半導体製造プロセスの途中工程において、各フォトダイオード１０の分光感度特性を評価し、その分光感度特性にもとづいて、合成係数Ｃ１〜Ｃを調節することができれば、プロセスばらつきを抑えた分光感度特性を得ることができる。
【００３８】
このために、受光装置１００は、フォトダイオード１０の上面に、アルミ配線などの配線パターンを設け、各フォトダイオード１０の受光面積を調節できるようにしてもよい。すなわち、フォトダイオード１０の受光部を遮光可能に形成したアルミ配線のパターンを数種類用意しておき、半導体製造プロセスの途中工程において測定したフォトダイオードの分光感度特性にもとづき、アルミ配線のパターンマスクを選択することにより、プロセスばらつきを抑えた分光感度特性を得ることができ、歩留まりを改善することができる。また、アルミ配線の露光時に、マスクをずらすことにより各フォトダイオードの受光面積を調整できるように構成してもよい。
【００３９】
上記実施の形態は例示であり、それらの各構成要素や各処理プロセスの組合せにいろいろな変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。
【００４０】
実施の形態においては、３つのフォトダイオードを合成して視感度特性を再現する場合について説明したが、これには限定されず、より多くのフォトダイオードの分光感度特性を合成して視感度特性を再現してもよい。また、本実施の形態に係る受光装置１００によれば、視感度特性以外の分光感度特性も実現することができる。
【００４１】
また、電子機器２００として携帯電話端末などを例示したがこれに限定されるものではなく、機器の周囲の明るさに適応してその動作を変化させるさまざまな機器に使用することができる。
【００４２】
受光装置１００を構成する素子は、実施の形態で説明したように、すべて一体集積化されていてもよく、あるいは別の集積回路に分けて構成されていてもよい。さらにはその一部がディスクリート部品で構成されていてもよい。どの部分を集積化するかは、コストや占有面積、用途などに応じて決めればよい。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本実施の形態に係る受光装置が形成される半導体基板の断面図である。
【図２】図１の受光装置を搭載した電子機器の構成を示すブロック図である。
【図３】フォトダイオードの分光感度特性を示す図である。
【図４】図４（ａ）〜（ｄ）は、合成回路の構成例を示す回路図である。
【符号の説明】
【００４４】
１０  フォトダイオード、  １０ａ  第１フォトダイオード、  １０ｂ  第２フォトダイオード、  １０ｃ  第３フォトダイオード、  ＰＤ１  フォトダイオード、  ＰＤ２  フォトダイオード、  ２０  合成回路、  ２２  ＩＶ変換回路、  ３０  半導体基板、  ３２  Ｎ層、  ３４  Ｐ層、  ３６  Ｐ層、  ３８  Ｎ層、  ４０  Ｎ層、  ５０  アノード電極、  ５２  カソード電極、  ５４  絶縁膜、  １００  受光装置、  ２００  電子機器、  ９０  液晶パネル、  ９２  ＬＥＤ、  ９４  定電流回路、  ９６  電源、  ９８  制御回路。
【図１】
2006318947.tif 000003
【図２】
2006318947.tif 000004
【図３】
2006318947.tif 000005
【図４】
2006318947.tif 000006