(57)【要約】【課題】半導体チップの裏面に導電性部材が貼付された半導体装置及びその製造方法に関する。【解決手段】  本発明は、半導体チップ（１１）の裏面に導電性部材（１３）が貼付される半導体装置において、半導体チップ（１１）の裏面側に設けられた第１の非導電性部材（１２）と、第１の非導電性部材（１２）上に設けられた第２の非導電性部材（１１１）とを有し、導電性部材（１３）は第１の非導電性部材（１２）と第２の非導電性部材（１１１）とを介して半導体チップ（１１）の裏面に貼付されることを特徴としており、例えば、第１の非導電性部材（１２）はレジストであり、第２の非導電性部材（１１１）はダイアタッチメントフィルムであることを特徴とする。【選択図】図１
2006332274.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップの裏面に導電性部材が貼付される半導体装置において、
前記半導体チップの裏面側に設けられた第１の非導電性部材と、
前記第１の非導電性部材上に設けられた第２の非導電性部材とを有し、
前記導電性部材は、前記第１の非導電性部材と前記第２の非導電性部材とを介して前記半導体チップの裏面に貼付されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１の非導電性部材は、レジストであり、
前記第２の非導電性部材は、ダイアタッチメントフィルムであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記導電性部材は、インナーリードであることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記導電性部材は、他の半導体チップであることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置。
【請求項５】
半導体チップの裏面に導電性部材が貼付される半導体装置の製造方法において、
前記半導体チップが形成されたウェハの裏面側に第１の非導電性部材を設ける工程と、
前記第１の非導電性部材上に第２の非導電性部材を設ける工程と、
前記ウェハから前記半導体チップを切り出す工程と、
前記第１の非導電性部材と前記第２の非導電性部材とを介して前記半導体チップの裏面に前記導電性部材を貼付する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置及びその製造方法に係り、特に、半導体チップの裏面に導電性部材が貼付された半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置のパッケージとして各種タイプのパッケージが開発されている。このうち、軽量、薄型、高密度化を実現するために、チップをインナーリード上に搭載するＰＫＧと呼ばれるタイプのパッケージが提案されている（特許文献１参照）。
【０００３】
図６は従来の一例の断面図を示す。
【０００４】
従来の半導体装置１は、半導体チップ１１、ダイアタッチメントフィルム１２、リードフレーム１３、ワイヤ１４から構成されている。
【０００５】
半導体チップ１１は、半導体基板上に半導体集積回路を形成した構成とされており、表面１１ａにパッド３１が形成されている。パッド３１は、半導体チップ１１に形成された半導体集積回路を外部と接続するための端子である。
【０００６】
半導体チップ１１の裏面１１ｂには、非導電性部材１２が貼付されている。非導電性部材１２は、例えば、ダイアタッチメントフィルムから構成されており、ダイシングの前に半導体ウェハの裏面側に貼付される。
【０００７】
リードフレーム１３は、タブ２１及びインナーリード２２から構成されており、半導体チップ１１のダイアタッチメントフィルム１２の下面に貼付される。ワイヤ１４は、半導体チップ１１の表面１１ａ側に設けられたパッド３１とリードフレーム１３との間に懸架される。
【特許文献１】特開昭６１−２１８１３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかるに、従来の半導体装置の構造では、半導体チップ１１をリードフレーム１３上に搭載した際にダイシング、ワイヤボンディング時に発生した導電性塵芥４１が図７に示すように半導体チップ１１の側面とリードフレーム１３との間に付着した場合、リードフレーム１３と半導体チップ１１との間に電流がリークし、半導体チップ１１上に形成された半導体集積回路が正常に動作しなくなるなどの問題点があった。
【０００９】
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、半導体チップとリードフレームとの電流リークを防止できる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、半導体チップ（１１）の裏面に導電性部材（１３）が貼付される半導体装置において、半導体チップ（１１）の裏面側に設けられた第１の非導電性部材（１２）と、第１の非導電性部材（１２）上に設けられた第２の非導電性部材（１１１）とを有し、導電性部材（１３）は第１の非導電性部材（１２）と第２の非導電性部材（１１１）とを介して半導体チップ（１１）の裏面に貼付されることを特徴とする。
【００１１】
第１の非導電性部材（１２）はレジストであり、第２の非導電性部材（１１１）はダイアタッチメントフィルムであることを特徴とする。
【００１２】
導電性部材（１３）は、少なくともインナーリード（２２）であることを特徴とする。導電性部材は、他の半導体チップ（１１−１）であることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明は、半導体チップ（１１）の裏面に導電性部材（１３）が貼付される半導体装置の製造方法において、半導体チップ（１１）の裏面側に第１の非導電性部材（１２）を設ける工程と、第１の非導電性部材（１２）上に第２の非導電性部材（１１１）を設ける工程と、第１の非導電性部材（１２）と第２の非導電性部材（１１１）とを介して半導体チップ（１１）の裏面に導電性部材（１３）を貼付する工程とを有することを特徴とする。
【００１４】
なお、上記参照符号は、あくまでも参考であり、これによって、特許請求の範囲の記載が限定されるものではない。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、半導体チップの裏面側に第１の非導電性部材を設け、第１の非導電性部材上に第２の非導電性部材を設け、第１の非導電性部材と第２の非導電性部材とを介して導電部材を貼付することにより、半導体チップと導電部材との沿面距離を長くとることができ、よって、半導体チップと導電部材との絶縁性を向上させることができる。また、第２の非導電性部材を半導体チップに加熱して、圧着することにより第２の非導電性部材が軟化して、半導体チップの側面に回り込ませることができ、これによって、導電部材と半導体チップとの間に導電性の塵などが付着して半導体チップ側面と導電部材とが短絡することを防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
〔半導体装置１００〕
図１は本発明の一実施例の斜視図を示す。同図中、図６と同一構成部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
【００１７】
本実施例の半導体装置１００は、第１の非導電性部材１２上に、さらに、第２の非導電性部材１１１を貼付し、第２の非導電性部材１１１にタブ２１、及び、リード２２を貼付する構成とされている。
【００１８】
第２の非導電性部材１１１は、例えば、従来のダイアタッチメントフィルムに比べて十分に厚いダイアタッチメントフィルムから構成されている。
【００１９】
〔製造方法〕
次に、半導体装置１００の製造方法について説明する。
【００２０】
図２、図３は半導体装置１００の製造工程を示す図であり、各図は断面図を示している。
【００２１】
図２（Ａ）に示す多数の半導体チップ１１が搭載された半導体ウェハ２００の裏面２００ｂに、図２（Ｂ）に示すように第１の非導電性部材１２を略全面に渡って貼付する。
【００２２】
次に、図２（Ｃ）に示すように第１の非導電性部材１２上に第２の非導電性部材１１１を塗布して硬化させる。
【００２３】
次に、図２（Ｄ）に示すように半導体ウェハ２００を第１の非導電性部材１２及び第２の非導電性部材１１１とともに切断して、半導体チップ１１を切り出す。
【００２４】
次に、図３（Ａ）に示すように半導体チップ１１をリードフレーム１３上に搭載する。
【００２５】
次に、図３（Ｂ）に示すように半導体チップ１１をリードフレーム１３に加圧しつつ、加熱する。半導体チップ１１をリードフレーム１３に加圧しつつ、加熱することにより、第２の非導電性部材１１１が圧縮されて、半導体チップ１１の周縁部から外方に延出し、図３（Ｃ）に示すように半導体チップ１１の側面に回りこむ。
【００２６】
第２の非導電性部材１１１が図３（Ｃ）に示すように半導体チップ１１の側面に回り込むことにより半導体チップ１１の側面とリードフレーム１３との距離を長く取ることができるため、塵芥などの影響を小さくできる。
【００２７】
〔動作〕
図４は本発明の一実施例の動作説明図を示す。
【００２８】
本実施例の半導体装置１００によれば、半導体チップ１１とリードフレーム１３との沿面距離を長くとることができるため、半導体チップ１１とリードフレーム１３との絶縁性を向上させることができる。また、半導体チップ１１をリードフレーム１３上に搭載した際にダイシング、ワイヤボンディング時に発生した導電性塵芥４１が図４に示すように半導体チップ１１の側面とリードフレーム１３との間に付着した場合であっても、第２の非導電性部材１１１が半導体チップ１１の側面に回り込んでいるため、塵芥４１は第２の非導電性部材１１１とリードフレーム１３との間に付着することになる。このため、半導体チップ１１とリードフレーム１３とが電気的に接続されることがなく、よって、半導体チップ１１とリードフレーム１３との間に電流がリークすることを防止できる。
【００２９】
〔その他〕
なお、本実施例では、第１の非導電性部材１２をレジストとしたが、第１の非導電性部材１２は、半導体ウェハ２００の裏面２００ｂに塗布し、硬化できるような樹脂材料で構成してもよい。
【００３０】
また、本実施例では、半導体チップ１１をリードフレーム１３上に搭載する場合について説明したが、半導体チップ１１を別の半導体チップ上に搭載する構造の半導体装置にも適用可能である。
【００３１】
〔変形例〕
図５は本発明の一実施例の変形例の断面図を示す。同図中、図１と同一構成部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
【００３２】
本実施例の半導体装置３００は、半導体チップ１１−１上に他の半導体チップ１１−２を搭載した、いわゆる、スタックドＩＣ構造とされている。なお、半導体チップ１１−２のパッド３１はワイヤ１４により半導体チップ１１−１のパッド３１に接続されている。
【００３３】
半導体チップ１１−２の底面には、第１の非導電性部材１２が形成され、さらに、第２の非導電性部材１１１が半導体チップ１１−２の底面及び側面を覆うように形成されている。このため、半導体チップ１１−２の側面と半導体チップ１１−１の表面との沿面距離を長くとることができるため、半導体チップ１１−１と半導体チップ１１−２との絶縁性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の一実施例の斜視図である。
【図２】半導体チップ１００の製造工程を示す図である。
【図３】半導体チップ１００の製造工程を示す図である。
【図４】本発明の一実施例の動作説明図である。
【図５】本発明の一実施例の変形例の断面図である。
【図６】従来の一例の断面図である。
【図７】従来の一例の課題を説明するための図である。
【符号の説明】
【００３５】
１００  半導体装置
１１  半導体チップ、１２  第１の非導電性部材、１３  リードフレーム
１４  ワイヤ
２１  タブ、２２  インナーリード
３１  パッド
１１１  第２の非導電性部材
２００  半導体ウェハ
【図１】
2006332274.tif 000003
【図２】
2006332274.tif 000004
【図３】
2006332274.tif 000005
【図４】
2006332274.tif 000006
【図５】
2006332274.tif 000007
【図６】
2006332274.tif 000008
【図７】
2006332274.tif 000009