(57)【要約】【課題】パターン化された金属膜の上部に残留するレジストを除去する除去能力が優れており、高温で揮発による組成の変化および薬液疲労度が微細で、パターン化された金属膜の腐蝕を最少化することができる、レジスト除去用組成物を提供する。【解決手段】本発明によるレジスト除去用組成物は、電子回路または表示素子の金属配線をパターン化するレジストの除去用組成物に関し、前記レジスト除去用組成物は、アルキレンカーボネート、および３級アミンおよび酸化剤のうちの少なくともいずれか一つを含む。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルキレンカーボネートを含む、レジスト除去用組成物。
【請求項２】
前記組成物は、アルキレンカーボネートを１００重量％含む、請求項１に記載のレジスト除去用組成物。
【請求項３】
前記アルキレンカーボネートは、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、およびブチレンカーボネートからなる群から１種以上選択される、請求項１に記載のレジスト除去用組成物。
【請求項４】
アルキレンカーボネートおよび３級アミンを含む、レジスト除去用組成物。
【請求項５】
前記組成物は、組成物全体に対してアルキレンカーボネート７０〜９９重量％および３級アミン１〜３０重量％を含む、請求項４に記載のレジスト除去用組成物。
【請求項６】
前記アルキレンカーボネートは、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、およびブチレンカーボネートからなる群から１種以上選択される、請求項４に記載のレジスト除去用組成物。
【請求項７】
前記３級アミンは、トリエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、ジエチルエタノールアミン、ジメチルエタノールアミン、１−（２−ヒドロキシエチル）−４−メチルピペラジン、およびＮ−メチル−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチル）−アミノエタノールからなる群から１種以上選択される、請求項４に記載のレジスト除去用組成物。
【請求項８】
アルキレンカーボネートおよび酸化剤を含む、レジスト除去用組成物。
【請求項９】
前記組成物は、組成物全体に対してアルキレンカーボネート９０〜９９．９９重量％および酸化剤０．０１〜１０重量％を含む、請求項８に記載のレジスト除去用組成物。
【請求項１０】
前記アルキレンカーボネートは、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、およびブチレンカーボネートからなる群から１種以上選択される、請求項８に記載のレジスト除去用組成物。
【請求項１１】
前記酸化剤は、過酸化水素、オゾン、アルキルベンゼンスルホン酸類、カルボン酸類、およびジカルボン酸類からなる群から１種以上選択される、請求項８に記載のレジスト除去用組成物。
【請求項１２】
アルキレンカーボネート、３級アミン、および酸化剤を含む、レジスト除去用組成物。
【請求項１３】
前記組成物は、組成物全体に対してアルキレンカーボネート９０〜９８．９９重量％、３級アミン１〜３０重量％、酸化剤０．０１〜１０重量％を含む、請求項１２に記載のレジスト除去用組成物。
【請求項１４】
前記アルキレンカーボネートは、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、およびブチレンカーボネートからなる群から１種以上選択される、請求項１２に記載のレジスト除去用組成物。
【請求項１５】
前記３級アミンは、トリエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、ジエチルエタノールアミン、ジメチルエタノールアミン、１−（２−ヒドロキシエチル）−４−メチルピペラジン、およびＮ−メチル−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチル）−アミノエタノールからなる群から１種以上選択される、請求項１２に記載のレジスト除去用組成物。
【請求項１６】
前記酸化剤は、過酸化水素、オゾン、アルキルベンゼンスルホン酸類、カルボン酸類、およびジカルボキシル酸類からなる群から１種以上選択される、請求項１２に記載のレジスト除去用組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトリソグラフィ（ｐｈｏｔｏ−ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）工程に使用されるレジスト（ｒｅｓｉｓｔ）を除去するための組成物に関し、より詳しくは、金属膜をパターン化するレジストを除去する場合に、金属膜の腐蝕を最少化することができ、レジストの除去能力が優れている、レジスト除去用組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
レジスト（フォトレジスト、ｐｈｏｔｏ−ｒｅｓｉｓｔ）は、フォトリソグラフィ工程に必須に使用される物質であり、このようなフォトリソグラフィ工程は、集積回路（ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ、ＩＣ）、高集積回路（ｌａｒｇｅ  ｓｃａｌｅ  ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ、ＬＳＩ）、超高集積回路（ｖｅｒｙ  ｌａｒｇｅ  ｓｃａｌｅ  ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ、ＶＬＳＩ）などのような半導体装置や、液晶表示装置（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｄｉｓｐｌａｙ、ＬＣＤ）、平板表示装置（ｐｌａｓｍａ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｄｅｖｉｃｅ、ＰＤＰ）などのような画像実現装置などを製作するために一般に使用される工程中の一つである。
【０００３】
以下、フォトリソグラフィ工程に対して簡略に説明する。
【０００４】
まず、所定の基板、たとえば半導体基板またはガラス基板上にレジスト膜を形成する。前記基板は、レジスト膜を形成する以前に他のいかなる工程も進められない基板であってもよいが、通常は、レジスト膜を形成する以前に既に様々な段階の前工程が進められて金属配線などの下部構造物が形成されているのが一般的である。したがって、前記レジスト膜は、基板の内部または基板上に所定の下部構造物が既に形成されている上部に形成されるのが一般的である。前記レジスト膜は、基板の上部の全面または選択的な領域に形成されることができるが、基板の全面に形成されるのがより一般的である。後続のパターン形成工程を進めることによって、所定の領域のレジスト膜を除去して基板の上部を露出させ、他の領域のレジスト膜を残存させておくことによって、基板の上部を残存するレジスト膜で保護するようになる。基板の上部の全面にレジスト膜を形成する方法は多様であるが、最も一般的なのはスピンコーティング方法である。
【０００５】
次に、目的とする所定のパターンが形成された露光マスクを前記基板の全面に形成されたレジストの上部に密着させて配置したり、レジストの上部から所定の間隔になるように配置する。その後、前記マスクの全面に対して、たとえば紫外線、電子線、またはＸ線のような高エネルギー活性線を照射する露光工程を進める。前記マスクのパターンは、前記照射された高エネルギー活性線を透過させる領域と遮光する領域とに区分されるようにパターンが形成されている。したがって、前記マスクのパターンの透過領域を通過した前記高エネルギー活性線は、その下部のレジスト膜に到達する。前記レジスト膜に到達した高エネルギー活性線は、レジスト膜の物性を変性させる。前記高エネルギー活性線の照射が終了すれば、前記レジスト膜は、前記高エネルギー活性線の照射以前と同一な物性に維持される領域と、前記照射によってその内部の物性が変性した領域とに区分されるように形成される。前記のようにレジスト膜の物性の変性有無で区分形成されたパターンは、前記マスクのパターンによって暫定的に決定されるため、通常、マスクのパターンの“潜在像（ｌａｔｅｎｔ）”という。
【０００６】
前記レジスト膜に形成された潜在像に対して現像工程を進めてマスクのパターンが転写されたレジストパターンを形成する。次に、レジストパターンをエッチングマスクとして利用して下部基板をエッチングすることによって、最終的に基板の内部に所定のパターンを形成する。その後、所定のパターンが形成された基板の上部に残留するレジストパターンを除去することによって、一連のフォトリソグラフィ工程が完了する。
【０００７】
しかし、従来のレジスト除去剤は、揮発およびレジストの溶解による薬液疲労度が著しく、一日以上または一定以上のレジスト除去後には薬液全体を交換しなければならない短所がある。
【０００８】
このために、沸点の高い単一溶剤を使うのが最も好ましく、特にアルキレンカーボネートが好ましいといわれている。しかし、単一溶剤のアルキレンカーボネートを使用する場合、乾式エッチングなどによって変性したレジストの除去能力に問題があり、レジスト除去工程後に有機残留物を残す可能性が高い。しかし、乾式エッチングなどによって変性しないレジストの除去能力には問題がない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
このような従来の技術での問題を解決するために、本発明の目的は、レジスト膜の除去能力が優れていて、薬液疲労度が少ない、レジスト除去用組成物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記目的を達成するために、本発明は、アルキレンカーボネートを含むレジスト除去用組成物を提供する。
【００１１】
また、本発明は、アルキレンカーボネートおよび３級アミンを含むレジスト除去用組成物を提供する。
【００１２】
前記組成物は、アルキレンカーボネート７０〜９９重量％および３級アミン１〜３０重量％を含むのが好ましい。
【００１３】
また、本発明は、アルキレンカーボネートおよび酸化剤を含むレジスト除去用組成物を提供する。
【００１４】
前記組成物は、アルキレンカーボネート９０〜９９．９９重量％および酸化剤０．０１〜１０重量％を含むのが好ましい。
【００１５】
また、本発明は、アルキレンカーボネート、３級アミン、および酸化剤を含むレジスト除去用組成物を提供する。
【００１６】
前記組成物は、アルキレンカーボネート９０〜９８．９９重量％、３級アミン１〜３０重量％、および酸化剤０．０１〜１０重量％を含むのが好ましい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明のレジスト除去用組成物は、アルキレンカーボネートと共に３級アミンおよび酸化剤のうちの少なくともいずれか一つを含んで、レジストの除去能力および基板の洗浄能力が優れている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明をより詳細に説明する。
【００１９】
本発明は、フォトリソグラフィ工程でレジストパターンを形成した後に、基板の上部に残留するレジストを除去するためのものであり、特に、揮発およびレジストの溶解による薬液疲労度が少ないので、使用時間を増加させることができて、下部の膜質に腐蝕がない、レジスト除去用組成物に関する。
【００２０】
このような本発明のレジスト除去用組成物は、従来のような問題を解決するために、アルキレンカーボネートを１００重量％含み、乾式エッチングなどによって変性しないレジストを除去することができる。
【００２１】
また、本発明のレジスト除去用組成物は、アルキレンカーボネートに、３級アミン、またはオゾン、過酸化水素などの酸化剤を単独または混合で少量添加して、レジストの除去能力をより向上させる。
【００２２】
本発明によるレジスト除去用組成物の主成分はアルキレンカーボネートであって、これは、組成物の主溶媒として作用する。前記アルキレンカーボネートは、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、およびブチレンカーボネートからなる群から１種以上選択して使用することができる。
【００２３】
前記アルキレンカーボネートは、レジスト除去用組成物が３級アミンを含む２成分系組成物である場合、組成物全体に対して７０〜９９重量％で使用するのが好ましく、この時、その含量が７０重量％未満であれば、相対的に３級アミンの重量％が増加して金属配線が腐蝕し、３級アミンによってゲル（ｇｅｌ）化された高分子を溶解する能力が不足してレジストの除去能力が低下する問題があり、９９重量％を超えれば、相対的に３級アミンの重量％が減少して乾式エッチングなどによって変性したレジストの除去能力が低下する問題がある。
【００２４】
また、前記アルキレンカーボネートは、レジスト除去用組成物が酸化剤を含む２成分系組成物である場合、組成物全体に対して９０〜９９．９９重量％で使用するのが好ましく、この時、その含量が９０重量％未満であれば、相対的に酸化剤の重量％が増加して金属配線が腐蝕し、酸化剤によってゲル（ｇｅｌ）化された高分子を溶解する能力が不足してレジストの除去能力が低下する問題があり、９９．９９重量％を超えれば、相対的に酸化剤の重量％が減少して乾式エッチングなどによって変性したレジストの除去能力が低下する問題がある。
【００２５】
また、前記アルキレンカーボネートは、レジスト除去用組成物が３級アミンおよび酸化剤を含む３成分系組成物である場合、組成物全体に対して９０〜９８．９９重量％で使用するのが好ましく、この時、その含量が９０重量％未満であれば、相対的に酸化剤および３級アミンの重量％が増加して金属配線が腐蝕し、３級アミンおよび酸化剤によってゲル（ｇｅｌ）化された高分子を溶解する能力が不足してレジストの除去能力が低下する問題があり、９８．９９重量％を超えれば、相対的に酸化剤および３級アミンの重量％が減少して乾式エッチングなどによって変性したレジストの除去能力が低下する問題がある。
【００２６】
また、本発明の組成物で、前記３級アミンは、レジスト組成物内の感光性粉末（ＰＡＣ；ｐｈｏｔｏ  ａｃｔｉｖｅ  ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と反応して感光性粉末を酸化させる役割を果たす。したがって、前記３級アミンが含まれたレジスト除去用組成物にレジストを塗布したガラスを浸漬させる場合、黄色を帯びたレジストは赤黒い色に順次に変化し、多量のレジストを溶解させる場合、このような酸化された感光性粉末は、ガスクロマトグラフィ（ＧＣ）上でも感知される。前記感光性粉末は高分子の間に存在するので、３級アミンによって酸化された感光性粉末は、アルキレンカーボネートに溶け出すのに伴って高分子鎖が緩くなって溶解されやすい状態になる。
【００２７】
このような３級アミン化合物の作用は、基板に残留するレジスト内の構造的に脆弱な部分に空いた空間を形成して、レジストを無定形の高分子ゲル（ｇｅｌ）の塊り状態に変形させることによって、基板の上部に付着されたレジストを容易に除去することができるようにする。
【００２８】
また、前記３級アミンは、アルキレンカーボネートとの反応性がなく、レジストの除去を充分に補助する役割を果たす。つまり、１級および２級アミンは、アルキレンカーボネートと常温で激烈に反応してカバーメートという新たな反応物を生成するため、このような反応を防止するために、本発明では、３級アミンを使用するのが好ましい。
【００２９】
具体的に、前記３級アミンは、下記の化学式１〜３に示したように、反応性のある窒素（−Ｎ−）部分が全てアルキル基、アルカノール基などに置換されていて、１級、２級アミンと異なって金属を腐蝕させない長所がある。
【００３０】
【化１】
2006011433.tif 000002
【００３１】
【化２】
2006011433.tif 000003
【００３２】
【化３】
2006011433.tif 000004
【００３３】
前記化学式１〜３において、Ｒ１、Ｒ２、およびＲ４は各々独立的または同時に炭素数１〜１０のアルキルまたはアリル基であり、Ｒ１’、Ｒ２’、Ｒ３、Ｒ３’、およびＲ３’’は各々独立的または同時に炭素数１〜１０のアルキル、アリル、またはアルカノールであり、Ｒ４’は炭素数１〜１０のアルカノールまたはトリアルキルアミノ基である。
【００３４】
前記化学式１〜３のように、窒素についた水素が全て官能基に置換されたアミンは、１級、２級アミンと異なって金属を腐蝕させず、レジストの除去能力が優れており、また、沸点が高いので、工程中の揮発およびレジストの濃度の増加による薬液疲労度が相対的に低い長所がある。
【００３５】
本発明で、３級アミンの含量は、レジスト除去用組成物が２成分系および３成分系組成物である場合、組成物全体に対して１〜３０重量％で使用するのが好ましく、この時、その含量が１重量％未満であれば、乾式エッチングなどによって変性したレジストの除去能力が低下する問題があり、３０重量％を超えれば、ゲル（ｇｅｌ）化された高分子を溶解する能力が不足して全体的にレジストの除去能力が低下する問題がある。
【００３６】
前記３級アミンは、トリエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、ジエチルエタノールアミン、ジメチルエタノールアミン、１−（２−ヒドロキシエチル）−４−メチルピペラジン、およびＮ−メチル−Ｎ（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノエチル）−アミノエタノールの中から１種以上選択して使用することができる。
【００３７】
また、本発明で使用される酸化剤は、３級アミンと同様に、レジストをゲル（ｇｅｌ）化させるのに優れた効果を有している。
【００３８】
前記酸化剤は、レジスト組成物内の感光性粉末（ＰＡＣ；ｐｈｏｔｏ  ａｃｔｉｖｅ  ｃｏｍｐｏｕｎｄ）と反応して燃焼するものが好ましく、たとえば過酸化水素、オゾン、アルキルベンゼンスルホン酸類、カルボン酸類、ジカルボン酸類などを使用することができる。
【００３９】
前記アルキルベンゼンスルホン酸の場合、ベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸を使用することができる。
【００４０】
カルボン酸類の場合、酢酸、シュウ酸、ベンズ酸などを使用することができる。
【００４１】
ジカルボン酸類の場合、マロン酸などを使用することができる。
【００４２】
前記酸化剤の中でも、オゾンは、反応性が優れていて、感光性粉末（ＰＡＣ）との反応が活発である。前記オゾンは、温度が高いほど、またヒドロキシオキシドが多く存在するほどその分解速度が速く、その半減期が数〜数十秒程度であり、中性溶液でのオゾンの半減期は３〜１０分程度であり、ｐＨが低くなればその半減期は増加する。つまり、ｐＨが高いほど分解速度が速いので、ｐＨも７．５程度を維持するのが好ましい。
【００４３】
このようなオゾンの特性ために、アルキレンカーボネートにオゾンをガス状に吹き入れてアルキレンカーボネートに対して数〜数千ｐｐｍ程度の濃度に維持することが重要であり、レジスト除去用装備に別途にオゾン発生装置が必要である。前記オゾンは、最小限０．１ｐｐｍ以上でレジスト除去用組成物内に存在することによってレジストの除去能力の向上に役に立つ。
【００４４】
前記酸化剤の含量は、レジスト除去用組成物が２成分系および３成分系組成物である場合、組成物全体に対して０．０１〜１０重量％で使用するのが好ましく、この時、その含量が０．０１重量％未満であれば、感光成分末（ＰＡＣ）との反応性が低下して乾式エッチングなどによって変性したレジストの除去能力が低下する問題があり、１０重量％を超えれば、酸化剤によって金属配線が腐蝕する問題がある。
【００４５】
以上のような本発明のレジスト除去用組成物は、アルキレンカーボネートに３級アミンおよび酸化剤を単独または混合して含むことによって、パターン化された金属膜の上部に残留するレジストを除去する除去能力が優れており、高温で揮発による組成の変化および薬液疲労度が微細で、パターン化された金属膜の腐蝕を最少化することができる。
【実施例】
【００４６】
以下、実施例を通じて、本発明をより詳細に説明する。ただし、下記の実施例は本発明を例示するためのであって、これらに限定されない。一方、下記の実施例において、別途の言及がなければ、百分率および混合比は重量を基準にしている。
【００４７】
〔実施例１〜３〕      
【００４８】
表１のようにアルキレンカーボネートのみを使用し、それ自体のレジストの除去能力に対して比較した。
【００４９】
レジストの除去能力を調べるための試片としてはガラス上にＤＴＦＲ−３６５０Ｂ（ＤＯＮＧＪＩＮ  ＳＥＭＩＣＨＥＭ  Ｃｏ．，  Ｌｔｄ、ポジティブレジスト）を塗布した後に１４０℃で１０分（試片１）、１５０℃で１０分（試片２）ベイキングしたものを使用してレジストを除去し、試片の大きさは２ｃｍ×４ｃｍした。
【００５０】
表１のアルキレンカーボネートを使用して、前記試片１の膜質に対する除去能力を評価した。特に、揮発によるレジストの除去能力の変化を調べるために、各除去溶液を強制排気状態で７０℃に維持し続けて各試片に対する除去能力を評価して、完全にレジストを除去する時間を表示した。除去能力の実験結果を下記の表１に示した。
【００５１】
【表１】
2006011433.tif 000005
【００５２】
前記表１で見ると、レジストの除去能力において、エチレンカーボネートが他のアルキレンカーボネートより多少レジストの除去能力が低い理由は、粘度がプロピレンカーボネートおよびブチレンカーボネートより高いためである。浸漬実験時に、粘度はレジストの除去能力に影響を与えるが、これは、表面のレジストを含むレジストの除去溶液が速い対流現象によってレジストを含まない除去溶液に変化しなければならないためである。
【００５３】
前記表１の結果によって、本発明は、乾式エッチングなどによって変性しないレジストは、アルキレンカーボネートによって除去されることが分かる。
【００５４】
〔実施例４〜１５〕      
【００５５】
アルキレンカーボネートおよび３級アミンを混合した２成分系組成物のレジストの除去能力を実験した。
【００５６】
下記の表２のような組成の実施例４〜１５を使用して、前記試片１の膜質に対する除去能力を評価し、特に、揮発によるレジストの除去能力の変化を調べるために、各除去溶液を強制排気状態で７０℃に維持し続けて各試片の除去能力を評価して、完全にレジストを除去する時間を表示した。その結果は下記の表２の通りである。
【００５７】
【表２】
2006011433.tif 000006
【００５８】
前記結果のように、３級アミンの中でも、トリエタノールアミンが最も除去能力が低いことが分かり、３級アミン中の窒素に置換された官能基が全てアルカノール基である時には他の３級アミンより除去能力が低いことが分かる。最も結果が優れているジエチルエタノールアミン、ジメチルエタノールアミンは、各々沸点が１５８℃、１３４℃であるので、長時間高温工程で使用する時に、組成の変化によるレジストの除去能力が急激に変化することがある。他の３級アミンは、全て沸点が２００℃以上であるので、長時間高温工程で使用する時に、組成の変化による除去能力の変化の心配が少ない。
【００５９】
アルキレンカーボネートのみを使用する場合に発生していたレジストが２重量％以上添加される場合に発生するレジストの残留問題は、３級アミンを添加する場合にはなくなることを観察することができるが、これは、３級アミンが十分にレジストをゲル（ｇｅｌ）化して感光性粉末（ＰＡＣ）を酸化させることによって、アルキレンカーボネートの溶解力を向上させる役割を果たすためである。
【００６０】
〔実施例１６〜２７〕      
【００６１】
アルキレンカーボネートおよび酸化剤を混合した２成分系組成物のレジストの除去能力を実験した。
【００６２】
下記の表３のような組成の実施例１６〜２７を使用して、前記試片１の膜質に対する除去能力を評価し、特に、揮発によるレジストの除去能力の変化を調べるために、各除去溶液を強制排気状態で７０℃に維持し続けて各試片に対する除去能力を評価して、完全にレジストを除去する時間を表示した。その結果は下記の表３の通りである。
【００６３】
【表３】
2006011433.tif 000007
【００６４】
前記組成で、オゾンは、アルキレンカーボネート原液に引続いてオゾンを吹き入れながら実験を進めた。オゾン発生装置は、主に放電法、光化学反応法、電解法などが知られており、ここでは２つ以上の電極の間に誘電体を挿入して放電空間で酸素をオゾンに変換する放電法を使用してオゾンを微細気泡形式でアルキレンカーボネートに吹き入れた。オゾンの含量は随時変化するので正確な定量は難しく、約７０〜２００ｐｐｍ程度に維持した。このようにオゾンを吹き入れたアルキレンカーボネートでのレジストの除去能力は、３級アミンのうちのメチルジエタノールアミンと同程度の除去能力を示す。
【００６５】
過酸化水素は、高温でその分解される速度が速くなるので、高温工程でアルキレンカーボネートと混合して使用する場合、組成の変化によって除去能力が急激に変化するので、一定量を毎時間添加する方式が好ましい。
【００６６】
その他に、アルキルベンゼンスルホン酸、カルボン酸、ジカルボン酸は、高温工程でも分解されずに組成の変化が少ない長所があるが、アルキルベンゼンスルホン酸を除けば、除去能力が大きく向上しない短所がある。
【００６７】
アルキレンカーボネートのみを使用する場合に発生していたレジストが２重量％以上添加される場合に発生するレジストの残留問題は、酸化剤を添加する場合にはなくなることを観察することができるが、これは、酸化剤が十分にレジストをゲル（ｇｅｌ）化して感光成分末（ＰＡＣ）を酸化させることによって、アルキレンカーボネートの溶解力を向上させる役割を果たすためである。
【００６８】
〔実施例２８〜３５〕      
【００６９】
アルキレンカーボネート、酸化剤、および３級アミンを混合した３成分系組成物のレジストの除去能力を実験した。
【００７０】
下記の表４のような組成の実施例２８〜３５を使用して、前記試片１の膜質に対する除去能力を評価し、特に、揮発によるレジストの除去能力の変化を調べるために、各除去溶液を強制排気状態で７０℃に維持し続けて各試片に対する除去能力を評価して、完全にレジストを除去する時間を表示した。その結果は表４の通りである。
【００７１】
【表４】
2006011433.tif 000008
【００７２】
前記結果で、酸化剤２種を混合した実施例３０の場合に最も除去能力が優れていて、３級アミンと共に酸化剤を添加する場合にもある程度レジストの除去能力が向上することが分かる。
【００７３】
しかし、オゾンは、ｐＨが高いほど速く分解されるため、メチルジエタノールアミンのようなアルカリ溶液を添加する場合にオゾンの濃度が２成分系組成物より低くなる。したがって、３級アミンおよびオゾンを共に使用する場合にはオゾンの分圧を高めるのが好ましい。
【００７４】
また、オゾンと共にｐＨが低くなるように酢酸およびドデシルベンゼンスルホン酸を添加する場合、オゾンがある程度安定化されて分解される速度が低くなる。したがってオゾンの使用量においても、オゾンを吹き入れる分圧が同一である場合、ｐＨが低く調節された３成分系組成物が有利な側面がある。