(57)【要約】      （修正有）【課題】４５０ｎｍ以下のレーザ光を照射して情報の高密度記録及び再生が可能であり、特に記録感度に優れた光情報記録媒体を提供する。【解決手段】第１基板１２上に波長４５０ｎｍ以下のレーザ光照射による情報の記録が可能な第１追記型記録層１４を有する第１光情報記録媒体１０Ａであって、第１追記型記録層１４がカチオン性部位と正電荷を打ち消す対アニオンからなる化合物である、アザポルフィリン骨格を有するフタロシアニン誘導体を少なくとも一種含有する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に波長４５０ｎｍ以下のレーザ光照射による情報の記録が可能な記録層を有する光情報記録媒体において、
前記記録層が下記一般式（Ｉ）で表されるカチオン性部位と下記一般式（Ｉ）
の正電荷を打ち消す対アニオンからなる化合物を少なくとも一種含有する光情報記録媒体。
一般式（Ｉ）
【化１】
2006321230.tif 000052
［前記一般式（Ｉ）において、Ｑ11〜Ｑ14は各々独立に環を形成する原子群を
表し、Ｑ11〜Ｑ14のうち少なくとも１つは環上に正電荷を有するヘテロ環を形成する原子群を表す。Ｍ11は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。］
【請求項２】
請求項１記載の光情報記録媒体において、
前記記録層中に、下記一般式（ＩＩ）で表されるカチオン性部位と下記一般式（ＩＩ）の正電荷を打ち消す対アニオンからなる化合物を少なくとも１種含有することを特徴とする光情報記録媒体。
一般式（ＩＩ）
【化２】
2006321230.tif 000053
［前記一般式（ＩＩ）において、Ｘ21〜Ｘ28は炭素原子又は窒素原子を表し、Ｘ21〜Ｘ28のうち少なくとも１つが置換基を有し正電荷を有する窒素原子である。Ｒ21〜Ｒ28は各々独立に水素原子又は置換基を表し、Ｒ21とＲ22、Ｒ23とＲ24、Ｒ25とＲ26、Ｒ27とＲ28はそれぞれ互いに結合して環構造を形成してもよい。Ｍ21は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。Ａ21は正電荷を有する窒素原子の数に等しく、１〜８の整数を表す。］
【請求項３】
基板上に波長４５０ｎｍ以下のレーザ光照射による情報の記録が可能な記録層を有する光情報記録媒体において、
前記記録層が実質的に下記一般式（Ｉ）で表されるカチオン性部位と下記一般式（Ｉ）の正電荷を打ち消す対アニオンからなる化合物のみで形成されることを特徴とする光情報記録媒体。
一般式（Ｉ）
【化３】
2006321230.tif 000054
［前記一般式（Ｉ）において、Ｑ11〜Ｑ14は各々独立に環を形成する原子群を
表し、Ｑ11〜Ｑ14のうち少なくとも１つは環上に正電荷を有するヘテロ環を形成する原子群を表す。Ｍ11は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。］
【請求項４】
請求項３記載の光情報記録媒体において、
前記記録層が実質的に、下記一般式（ＩＩ）で表されるカチオン性部位と下記一般式（ＩＩ）の正電荷を打ち消す対アニオンからなる化合物のみで形成されることを特徴とする光情報記録媒体。
一般式（ＩＩ）
【化４】
2006321230.tif 000055
［前記一般式（ＩＩ）において、Ｘ21〜Ｘ28は炭素原子又は窒素原子を表し、Ｘ21〜Ｘ28のうち少なくとも１つが置換基を有し正電荷を有する窒素原子である。Ｒ21〜Ｒ28は各々独立に水素原子又は置換基を表し、Ｒ21とＲ22、Ｒ23とＲ24、Ｒ25とＲ26、Ｒ27とＲ28はそれぞれ互いに結合して環構造を形成してもよい。Ｍ21は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。Ａ21は正電荷を有する窒素原子の数に等しく、１〜８の整数を表す。］
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の光情報記録媒体において、
前記記録層中に、下記一般式（ＩＩＩ）、下記一般式（ＩＶ）、下記一般式（Ｖ）又は下記一般式（ＶＩ）で表されるカチオン性部位を有する化合物の少なくとも一つを含有することを特徴とする光情報記録媒体。
一般式（ＩＩＩ）
【化５】
2006321230.tif 000056
［前記一般式（ＩＩＩ）において、Ｒ31〜Ｒ34は各々独立にピリジン環の炭素原子に結合する置換基を表し、Ｙ31〜Ｙ34は各々独立にピリジン環の窒素原子に結合する置換基を表し、ｍ31〜ｍ34は各々独立にそれぞれ０〜３を表し、Ｍ31は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。ｎ31〜ｎ34は各々独立に０又は１を表し、ｎ31〜ｎ34の少なくとも１つは１である。Ａ31は式（３１）を満たす１〜４の整数を表す。
Ａ31＝ｎ31＋ｎ32＋ｎ33＋ｎ34              ・・・式（３１）］
一般式（ＩＶ）
【化６】
2006321230.tif 000057
［前記一般式（ＩＶ）において、Ｒ41〜Ｒ44は各々独立にピリジン環の炭素原子に結合する置換基を表し、Ｙ41〜Ｙ44は各々独立にピリジン環の窒素原子に結合する置換基を表し、ｍ41〜ｍ44は各々独立に０〜３を表し、Ｍ41は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。ｎ41〜ｎ44は各々独立に０又は１を表し、ｎ41〜ｎ44の少なくとも１つは１である。Ａ41は式（４１）を満たす１〜４の整数を表す。
Ａ41＝ｎ41＋ｎ42＋ｎ43＋ｎ44              ・・・式（４１）］
一般式（Ｖ）
【化７】
2006321230.tif 000058
［前記一般式（Ｖ）において、Ｒ51〜Ｒ54は各々独立にピリジン環の炭素原子に結合する置換基を表し、Ｙ51〜Ｙ54は各々独立にピリジン環の窒素原子に結合する置換基を表し、ｍ51〜ｍ54は各々独立に０〜３を表し、Ｍ51は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。ｎ51〜ｎ54は各々独立に０又は１を表し、ｎ51〜ｎ54の少なくとも１つは１である。Ａ51は式（５１）を満たす１〜４の整数を表す。
Ａ51＝ｎ51＋ｎ52＋ｎ53＋ｎ54              ・・・式（５１）］
一般式（ＶＩ）
【化８】
2006321230.tif 000059
［前記一般式（ＶＩ）において、Ｒ61〜Ｒ64は各々独立にピリジン環の炭素原子に結合する置換基を表し、Ｙ61〜Ｙ64は各々独立にピリジン環の窒素原子に結合する置換基を表し、ｍ61〜ｍ64は各々独立に０〜３を表し、Ｍ61は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。ｎ61〜ｎ64は各々独立に０又は１を表し、ｎ61〜ｎ64の少なくとも１つは１である。Ａ61は式（６１）を満たす１〜４の整数を表す。
Ａ61＝ｎ61＋ｎ62＋ｎ63＋ｎ64              ・・・式（６１）］
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の光情報記録媒体において、
前記金属原子が、マグネシウム、アルミニウム、ガリウム、亜鉛、銅、ニッケル、コバルト、鉄、マンガン、クロム、バナジウム、チタン、モリブデン、珪素、燐のいずれかであることを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の光情報記録媒体において、
前記対アニオンが置換又は無置換のアリールスルホン酸イオンであることを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の光情報記録媒体において、
前記対アニオンが下記一般式（ＶＩＩ）で表されるアニオンであることを特徴とする光情報記録媒体。
一般式（ＶＩＩ）
【化９】
2006321230.tif 000060
［前記一般式（ＶＩＩ）において、ｍは０〜７を表し、ｎは１〜３を表す。Ｒ
は置換基を表す。］
【請求項９】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の光情報記録媒体において、
前記対アニオンがナフタレンスルホン酸イオンであることを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項１０】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の光情報記録媒体において、
前記対アニオンが置換又は無置換のアリールカルボン酸イオンであることを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項１１】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の光情報記録媒体において、
前記対アニオンがオキソノールアニオンであることを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項１２】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の光情報記録媒体において、
前記対アニオンがフタロシアニン骨格を有するアニオンであることを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか１項に記載の光情報記録媒体において、
金属からなる光反射層が前記基板と接するように設けられていることを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の光情報記録媒体において、
前記基板は、表面にトラックピッチ０．２μｍ〜０．５μｍのプリグルーブを有する透明な円盤状基板であり、
前記記録層は、前記基板のうち、前記プリグルーブが形成された側の表面に設けられていることを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか１項に記載の光情報記録媒体に波長４５０ｎｍ以下のレーザ光を照射して情報を記録することを特徴とする情報記録方法。
【請求項１６】
下記一般式（ＩＩ）で表される化合物。ただし、電荷を打ち消すためのアニオンは、置換又は無置換のアリールスルホン酸イオンを表す。
一般式（ＩＩ）
【化１０】
2006321230.tif 000061
［前記一般式（ＩＩ）において、Ｘ21〜Ｘ28は炭素原子又は窒素原子を表し、Ｘ21〜Ｘ28のうち少なくとも１つが置換基を有し正電荷を有する窒素原子である。Ｒ21〜Ｒ28は各々独立に水素原子又は置換基を表し、Ｒ21とＲ22、Ｒ23とＲ24、Ｒ25とＲ26、Ｒ27とＲ28はそれぞれ互いに結合して環構造を形成しても良い。Ｍ21は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。Ａ21は正電荷を有する窒素原子の数に等しく、１〜８の整数を表す。］
【請求項１７】
下記一般式（ＩＩＩ）〜（ＶＩ）のいずれかで表される化合物。ただし、電荷を打ち消すためのアニオンは、置換又は無置換のアリールスルホン酸イオンを表す。
一般式（ＩＩＩ）
【化１１】
2006321230.tif 000062
［前記一般式（ＩＩＩ）において、Ｒ31〜Ｒ34は各々独立にピリジン環の炭素原子に結合する置換基を表し、Ｙ31〜Ｙ34は各々独立にピリジン環の窒素原子に結合する置換基を表し、ｍ31〜ｍ34は各々独立にそれぞれ０〜３を表し、Ｍ31は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。ｎ31〜ｎ34は各々独立に０又は１を表し、ｎ31〜ｎ34の少なくとも１つは１である。Ａ31は式（３１）を満たす１〜４の整数を表す。
Ａ31＝ｎ31＋ｎ32＋ｎ33＋ｎ34              ・・・式（３１）］
一般式（ＩＶ）
【化１２】
2006321230.tif 000063
［前記一般式（ＩＶ）において、Ｒ41〜Ｒ44は各々独立にピリジン環の炭素原子に結合する置換基を表し、Ｙ41〜Ｙ44は各々独立にピリジン環の窒素原子に結合する置換基を表し、ｍ41〜ｍ44は各々独立に０〜３を表し、Ｍ41は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。ｎ41〜ｎ44は各々独立に０又は１を表し、ｎ41〜ｎ44の少なくとも１つは１である。Ａ41は式（４１）を満たす１〜４の整数を表す。
Ａ41＝ｎ41＋ｎ42＋ｎ43＋ｎ44              ・・・式（４１）］
一般式（Ｖ）
【化１３】
2006321230.tif 000064
［前記一般式（Ｖ）において、Ｒ51〜Ｒ54は各々独立にピリジン環の炭素原子に結合する置換基を表し、Ｙ51〜Ｙ54は各々独立にピリジン環の窒素原子に結合する置換基を表し、ｍ51〜ｍ54は各々独立に０〜３を表し、Ｍ51は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。ｎ51〜ｎ54は各々独立に０又は１を表し、ｎ51〜ｎ54の少なくとも１つは１である。Ａ51は式（５１）を満たす１〜４の整数を表す。
Ａ51＝ｎ51＋ｎ52＋ｎ53＋ｎ54              ・・・式（５１）］
一般式（ＶＩ）
【化１４】
2006321230.tif 000065
［前記一般式（ＶＩ）において、Ｒ61〜Ｒ64は各々独立にピリジン環の炭素原子に結合する置換基を表し、Ｙ61〜Ｙ64は各々独立にピリジン環の窒素原子に結合する置換基を表し、ｍ61〜ｍ64は各々独立に０〜３を表し、Ｍ61は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。ｎ61〜ｎ64は各々独立に０又は１を表し、ｎ61〜ｎ64の少なくとも１つは１である。Ａ61は式（６１）を満たす１〜４の整数を表す。
Ａ61＝ｎ61＋ｎ62＋ｎ63＋ｎ64              ・・・式（６１）］
【請求項１８】
請求項１６又は１７記載の化合物において、
前記アニオンが下記一般式（ＶＩＩ）で表されるアニオンであることを特徴とする化合物。
一般式（ＶＩＩ）
【化１５】
2006321230.tif 000066
［前記一般式（ＶＩＩ）において、ｍは０〜７を表し、ｎは１〜３を表す。Ｒ
は置換基を表す。］
【請求項１９】
請求項１６又は１７記載の化合物において、
前記アニオンがナフタレンスルホン酸イオンであることを特徴とする化合物。
【請求項２０】
下記一般式（ＩＩ）で表される化合物。ただし、電荷を打ち消すためのアニオンは、置換又は無置換のアリールカルボン酸イオンを表す。
一般式（ＩＩ）
【化１６】
2006321230.tif 000067
［前記一般式（ＩＩ）において、Ｘ21〜Ｘ28は炭素原子又は窒素原子を表し、Ｘ21〜Ｘ28のうち少なくとも１つが置換基を有し正電荷を有する窒素原子である。Ｒ21〜Ｒ28は各々独立に水素原子又は置換基を表し、Ｒ21とＲ22、Ｒ23とＲ24、Ｒ25とＲ26、Ｒ27とＲ28はそれぞれ互いに結合して環構造を形成しても良い。Ｍ21は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。Ａ21は正電荷を有する窒素原子の数に等しく、１〜８の整数を表す。］
【請求項２１】
下記一般式（ＩＩＩ）〜（ＶＩ）のいずれかで表される化合物。ただし、電荷を打ち消すためのアニオンは、置換又は無置換のアリールカルボン酸イオンを表す。
一般式（ＩＩＩ）
【化１７】
2006321230.tif 000068
［前記一般式（ＩＩＩ）において、Ｒ31〜Ｒ34は各々独立にピリジン環の炭素原子に結合する置換基を表し、Ｙ31〜Ｙ34は各々独立にピリジン環の窒素原子に結合する置換基を表し、ｍ31〜ｍ34は各々独立にそれぞれ０〜３を表し、Ｍ31は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。ｎ31〜ｎ34は各々独立に０又は１を表し、ｎ31〜ｎ34の少なくとも１つは１である。Ａ31は式（３１）を満たす１〜４の整数を表す。
Ａ31＝ｎ31＋ｎ32＋ｎ33＋ｎ34              ・・・式（３１）］
一般式（ＩＶ）
【化１８】
2006321230.tif 000069
［前記一般式（ＩＶ）において、Ｒ41〜Ｒ44は各々独立にピリジン環の炭素原子に結合する置換基を表し、Ｙ41〜Ｙ44は各々独立にピリジン環の窒素原子に結合する置換基を表し、ｍ41〜ｍ44は各々独立に０〜３を表し、Ｍ41は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。ｎ41〜ｎ44は各々独立に０又は１を表し、ｎ41〜ｎ44の少なくとも１つは１である。Ａ41は式（４１）を満たす１〜４の整数を表す。
Ａ41＝ｎ41＋ｎ42＋ｎ43＋ｎ44              ・・・式（４１）］
一般式（Ｖ）
【化１９】
2006321230.tif 000070
［前記一般式（Ｖ）において、Ｒ51〜Ｒ54は各々独立にピリジン環の炭素原子に結合する置換基を表し、Ｙ51〜Ｙ54は各々独立にピリジン環の窒素原子に結合する置換基を表し、ｍ51〜ｍ54は各々独立に０〜３を表し、Ｍ51は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。ｎ51〜ｎ54は各々独立に０又は１を表し、ｎ51〜ｎ54の少なくとも１つは１である。Ａ51は式（５１）を満たす１〜４の整数を表す。
Ａ51＝ｎ51＋ｎ52＋ｎ53＋ｎ54              ・・・式（５１）］
一般式（ＶＩ）
【化２０】
2006321230.tif 000071
［前記一般式（ＶＩ）において、Ｒ61〜Ｒ64は各々独立にピリジン環の炭素原子に結合する置換基を表し、Ｙ61〜Ｙ64は各々独立にピリジン環の窒素原子に結合する置換基を表し、ｍ61〜ｍ64は各々独立に０〜３を表し、Ｍ61は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。ｎ61〜ｎ64は各々独立に０又は１を表し、ｎ61〜ｎ64の少なくとも１つは１である。Ａ61は式（６１）を満たす１〜４の整数を表す。
Ａ61＝ｎ61＋ｎ62＋ｎ63＋ｎ64              ・・・式（６１）］
【請求項２２】
下記一般式（ＩＩ）で表される化合物。ただし、電荷を打ち消すためのアニオンは、オキソノールアニオンを表す。
一般式（ＩＩ）
【化２１】
2006321230.tif 000072
［前記一般式（ＩＩ）において、Ｘ21〜Ｘ28は炭素原子又は窒素原子を表し、Ｘ21〜Ｘ28のうち少なくとも１つが置換基を有し正電荷を有する窒素原子である。Ｒ21〜Ｒ28は各々独立に水素原子又は置換基を表し、Ｒ21とＲ22、Ｒ23とＲ24、Ｒ25とＲ26、Ｒ27とＲ28はそれぞれ互いに結合して環構造を形成しても良い。Ｍ21は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。Ａ21は正電荷を有する窒素原子の数に等しく、１〜８の整数を表す。］
【請求項２３】
下記一般式（ＩＩＩ）〜（ＶＩ）のいずれかで表される化合物。ただし、電荷を打ち消すためのアニオンは、オキソノールアニオンを表す。
一般式（ＩＩＩ）
【化２２】
2006321230.tif 000073
［前記一般式（ＩＩＩ）において、Ｒ31〜Ｒ34は各々独立にピリジン環の炭素原子に結合する置換基を表し、Ｙ31〜Ｙ34は各々独立にピリジン環の窒素原子に結合する置換基を表し、ｍ31〜ｍ34は各々独立にそれぞれ０〜３を表し、Ｍ31は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。ｎ31〜ｎ34は各々独立に０又は１を表し、ｎ31〜ｎ34の少なくとも１つは１である。Ａ31は式（３１）を満たす１〜４の整数を表す。
Ａ31＝ｎ31＋ｎ32＋ｎ33＋ｎ34              ・・・式（３１）］
一般式（ＩＶ）
【化２３】
2006321230.tif 000074
［前記一般式（ＩＶ）において、Ｒ41〜Ｒ44は各々独立にピリジン環の炭素原子に結合する置換基を表し、Ｙ41〜Ｙ44は各々独立にピリジン環の窒素原子に結合する置換基を表し、ｍ41〜ｍ44は各々独立に０〜３を表し、Ｍ41は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。ｎ41〜ｎ44は各々独立に０又は１を表し、ｎ41〜ｎ44の少なくとも１つは１である。Ａ41は式（４１）を満たす１〜４の整数を表す。
Ａ41＝ｎ41＋ｎ42＋ｎ43＋ｎ44              ・・・式（４１）］
一般式（Ｖ）
【化２４】
2006321230.tif 000075
［前記一般式（Ｖ）において、Ｒ51〜Ｒ54は各々独立にピリジン環の炭素原子に結合する置換基を表し、Ｙ51〜Ｙ54は各々独立にピリジン環の窒素原子に結合する置換基を表し、ｍ51〜ｍ54は各々独立に０〜３を表し、Ｍ51は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。ｎ51〜ｎ54は各々独立に０又は１を表し、ｎ51〜ｎ54の少なくとも１つは１である。Ａ51は式（５１）を満たす１〜４の整数を表す。
Ａ51＝ｎ51＋ｎ52＋ｎ53＋ｎ54              ・・・式（５１）］
一般式（ＶＩ）
【化２５】
2006321230.tif 000076
［前記一般式（ＶＩ）において、Ｒ61〜Ｒ64は各々独立にピリジン環の炭素原子に結合する置換基を表し、Ｙ61〜Ｙ64は各々独立にピリジン環の窒素原子に結合する置換基を表し、ｍ61〜ｍ64は各々独立に０〜３を表し、Ｍ61は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。ｎ61〜ｎ64は各々独立に０又は１を表し、ｎ61〜ｎ64の少なくとも１つは１である。Ａ61は式（６１）を満たす１〜４の整数を表す。
Ａ61＝ｎ61＋ｎ62＋ｎ63＋ｎ64              ・・・式（６１）］
【請求項２４】
下記一般式（ＩＩ）で表される化合物。ただし、電荷を打ち消すためのアニオンは、フタロシアニン骨格を有するアニオンを表す。
一般式（ＩＩ）
【化２６】
2006321230.tif 000077
［前記一般式（ＩＩ）において、Ｘ21〜Ｘ28は炭素原子又は窒素原子を表し、Ｘ21〜Ｘ28のうち少なくとも１つが置換基を有し正電荷を有する窒素原子である。Ｒ21〜Ｒ28は各々独立に水素原子又は置換基を表し、Ｒ21とＲ22、Ｒ23とＲ24、Ｒ25とＲ26、Ｒ27とＲ28はそれぞれ互いに結合して環構造を形成しても良い。Ｍ21は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。Ａ21は正電荷を有する窒素原子の数に等しく、１〜８の整数を表す。］
【請求項２５】
下記一般式（ＩＩＩ）〜（ＶＩ）のいずれかで表される化合物。ただし、電荷を打ち消すためのアニオンは、フタロシアニン骨格を有するアニオンを表す。
一般式（ＩＩＩ）
【化２７】
2006321230.tif 000078
［前記一般式（ＩＩＩ）において、Ｒ31〜Ｒ34は各々独立にピリジン環の炭素原子に結合する置換基を表し、Ｙ31〜Ｙ34は各々独立にピリジン環の窒素原子に結合する置換基を表し、ｍ31〜ｍ34は各々独立にそれぞれ０〜３を表し、Ｍ31は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。ｎ31〜ｎ34は各々独立に０又は１を表し、ｎ31〜ｎ34の少なくとも１つは１である。Ａ31は式（３１）を満たす１〜４の整数を表す。
Ａ31＝ｎ31＋ｎ32＋ｎ33＋ｎ34              ・・・式（３１）］
一般式（ＩＶ）
【化２８】
2006321230.tif 000079
［前記一般式（ＩＶ）において、Ｒ41〜Ｒ44は各々独立にピリジン環の炭素原子に結合する置換基を表し、Ｙ41〜Ｙ44は各々独立にピリジン環の窒素原子に結合する置換基を表し、ｍ41〜ｍ44は各々独立に０〜３を表し、Ｍ41は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。ｎ41〜ｎ44は各々独立に０又は１を表し、ｎ41〜ｎ44の少なくとも１つは１である。Ａ41は式（４１）を満たす１〜４の整数を表す。
Ａ41＝ｎ41＋ｎ42＋ｎ43＋ｎ44              ・・・式（４１）］
一般式（Ｖ）
【化２９】
2006321230.tif 000080
［前記一般式（Ｖ）において、Ｒ51〜Ｒ54は各々独立にピリジン環の炭素原子に結合する置換基を表し、Ｙ51〜Ｙ54は各々独立にピリジン環の窒素原子に結合する置換基を表し、ｍ51〜ｍ54は各々独立に０〜３を表し、Ｍ51は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。ｎ51〜ｎ54は各々独立に０又は１を表し、ｎ51〜ｎ54の少なくとも１つは１である。Ａ51は式（５１）を満たす１〜４の整数を表す。
Ａ51＝ｎ51＋ｎ52＋ｎ53＋ｎ54              ・・・式（５１）］
一般式（ＶＩ）
【化３０】
2006321230.tif 000081
［前記一般式（ＶＩ）において、Ｒ61〜Ｒ64は各々独立にピリジン環の炭素原子に結合する置換基を表し、Ｙ61〜Ｙ64は各々独立にピリジン環の窒素原子に結合する置換基を表し、ｍ61〜ｍ64は各々独立に０〜３を表し、Ｍ61は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。ｎ61〜ｎ64は各々独立に０又は１を表し、ｎ61〜ｎ64の少なくとも１つは１である。Ａ61は式（６１）を満たす１〜４の整数を表す。
Ａ61＝ｎ61＋ｎ62＋ｎ63＋ｎ64              ・・・式（６１）］
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ光を用いて情報の記録及び再生が可能な光情報記録媒体、情報記録方法及び前記光情報記録媒体に適した新規化合物に関する。特に、本発明は、波長４５０ｎｍ以下の短波長レーザ光を用いて情報を記録するのに適したヒートモード型の光情報記録媒体、情報記録方法及び化合物（ポルフィラジン化合物）に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、レーザ光により１回限りの情報の記録が可能な光情報記録媒体（光ディスク）が知られている。この光ディスクは、追記型ＣＤ（所謂ＣＤ−Ｒ）とも称され、その代表的な構造は、透明な円盤状基板上にメチン色素からなる記録層、金等の金属からなる光反射層、さらに樹脂製の保護層がこの順に積層状態で設けられている。そして、このＣＤ−Ｒへの情報の記録は、近赤外域のレーザ光（通常は７８０ｎｍ付近の波長のレーザ光）をＣＤ−Ｒに照射することにより行われ、記録層の照射部分がその光を吸収して局所的に温度上昇し、物理的あるいは化学的変化（例えば、ピットの生成）が生じてその光学的特性を変えることにより、情報が記録される。一方、情報の読み取り（再生）もまた記録用のレーザ光と同じ波長のレーザ光を照射することにより行われ、記録層の光学的特性が変化した部位（記録部分）と変化しない部位（未記録部分）との反射率の違いを検出することにより情報が再生される。
【０００３】
最近、インターネット等のネットワークやハイビジョンＴＶが急速に普及している。また、ＨＤＴＶ（Ｈｉｇｈ  Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ  Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ）の放映も間近にひかえて、画像情報を安価簡便に記録するための大容量の記録媒体の要求が高まっている。前述のＣＤ−Ｒ及び、可視レーザ光（６３０ｎｍ〜６８０ｎｍ）を記録用レーザとして高密度記録を可能としたＤＶＤ−Ｒは、大容量の記録媒体としての地位をある程度までは確保されるものの、将来の要求に対応できる程の充分大きな記録容量を有しているとは言えない。そこで、ＤＶＤ−Ｒよりもさらに短波長のレーザ光を用いることによって記録密度を向上させ、より大きな記録容量を備えた光ディスクの開発が進められ、例えば４０５ｎｍの青色レーザを用いたＢｌｕ−ｒａｙ方式と称する光記録ディスクが市販された。
【０００４】
先行技術として例えば特許文献１のフタロシアニン化合物、特許文献２の含窒素芳香族縮合環を有するポルフィラジン化合物、及び特許文献３のアザアヌレン化合物を使用した光ディスクが提案されている。しかしながら、特許文献１及び特許文献２に記載の化合物を用いた光ディスクでは記録特性が満足できるレベルではなく、とりわけ記録感度においてさらに改良を要することが判明した。また、特許文献３の開示内容はＣＤ−Ｒとしての評価であり、波長４５０ｎｍ以下の短波長レーザ光での記録再生評価は行っておらず、その性能が不明であり、さらに、対アニオンについての記載が無く化合物として限定されない。そこで、適当な対アニオンを用いた化合物を用いて特許文献３の開示内容（実施例）に相当する混合物について４０５ｎｍの短波長レーザ光を用いて記録特性評価を行った結果、記録特性が満足できるレベルではないことが判明した。
【特許文献１】特開２００３−９４８２８号公報
【特許文献２】特開２００３−２１１８５２号公報
【特許文献３】特開平８−２８７５１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明者は、本発明の化合物を記録層に用いた光ディスクは前記先行技術に比べて良好な記録感度を有することを見出した。また、本発明の化合物は塗布溶剤として広く用いられている２，２，３，３−テトラフルオロプロパノールに対する溶解性が良好であり、さらに本発明の光ディスクは高い光堅牢性を示すことを見出した。
【０００６】
本発明の目的は、４５０ｎｍ以下のレーザ光照射して情報の高密度記録及び再生が可能であり、とりわけ記録感度に優れた光情報記録媒体を提供することにある。
【０００７】
また、本発明の目的は、４５０ｎｍ以下のレーザ光照射によって行われる情報の高密度記録が可能な情報記録方法を提供することにある。
【０００８】
また、本発明の目的は、４５０ｎｍ以下のレーザ光照射して情報の高密度記録及び再生が可能であり、とりわけ記録感度に優れた光情報記録媒体に適した化合物（ポルフィラジン化合物）を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の課題は、以下の構成によって好ましく達成された。
【００１０】
［１］  基板上に波長４５０ｎｍ以下のレーザ光照射による情報の記録が可能な記録層を有する光情報記録媒体において、前記記録層が下記一般式（Ｉ）で表されるカチオン性部位と下記一般式（Ｉ）の正電荷を打ち消す対アニオンからなる化合物を少なくとも一種含有する光情報記録媒体。
【００１１】
一般式（Ｉ）
【００１２】
【化１】
2006321230.tif 000002
【００１３】
［前記一般式（Ｉ）において、Ｑ11〜Ｑ14は各々独立に環を形成する原子群を
表し、Ｑ11〜Ｑ14のうち少なくとも１つは環上に正電荷を有するヘテロ環を形成する原子群を表す。Ｍ11は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。］
【００１４】
［２］  前記記録層中に、下記一般式（ＩＩ）で表されるカチオン性部位と下記一般式（ＩＩ）の正電荷を打ち消す対アニオンからなる化合物を少なくとも１種含有することを特徴とする［１］記載の光情報記録媒体。
【００１５】
一般式（ＩＩ）
【００１６】
【化２】
2006321230.tif 000003
【００１７】
［前記一般式（ＩＩ）において、Ｘ21〜Ｘ28は炭素原子又は窒素原子を表し、Ｘ21〜Ｘ28のうち少なくとも１つが置換基を有し正電荷を有する窒素原子である。Ｒ21〜Ｒ28は各々独立に水素原子又は置換基を表し、Ｒ21とＲ22、Ｒ23とＲ24、Ｒ25とＲ26、Ｒ27とＲ28はそれぞれ互いに結合して環構造を形成してもよい。Ｍ21は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。Ａ21は正電荷を有する窒素原子の数に等しく、１〜８の整数を表す。］
【００１８】
［３］  基板上に波長４５０ｎｍ以下のレーザ光照射による情報の記録が可能な記録層を有する光情報記録媒体において、前記記録層が実質的に下記一般式（Ｉ）で表されるカチオン性部位と下記一般式（Ｉ）の正電荷を打ち消す対アニオンからなる化合物のみで形成されることを特徴とする光情報記録媒体。
【００１９】
一般式（Ｉ）
【００２０】
【化３】
2006321230.tif 000004
【００２１】
［前記一般式（Ｉ）において、Ｑ11〜Ｑ14は各々独立に環を形成する原子群を
表し、Ｑ11〜Ｑ14のうち少なくとも１つは環上に正電荷を有するヘテロ環を形成する原子群を表す。Ｍ11は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。］
【００２２】
［４］  前記記録層が実質的に、下記一般式（ＩＩ）で表されるカチオン性部位と下記一般式（ＩＩ）の正電荷を打ち消す対アニオンからなる化合物のみで形成されることを特徴とする［３］記載の光情報記録媒体。
【００２３】
一般式（ＩＩ）
【００２４】
【化４】
2006321230.tif 000005
【００２５】
［前記一般式（ＩＩ）において、Ｘ21〜Ｘ28は炭素原子又は窒素原子を表し、Ｘ21〜Ｘ28のうち少なくとも１つが置換基を有し正電荷を有する窒素原子である。Ｒ21〜Ｒ28は各々独立に水素原子又は置換基を表し、Ｒ21とＲ22、Ｒ23とＲ24、Ｒ25とＲ26、Ｒ27とＲ28はそれぞれ互いに結合して環構造を形成してもよい。Ｍ21は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。Ａ21は正電荷を有する窒素原子の数に等しく、１〜８の整数を表す。］
【００２６】
［５］  前記記録層中に、下記一般式（ＩＩＩ）、下記一般式（ＩＶ）、下記一般式（Ｖ）又は下記一般式（ＶＩ）で表されるカチオン性部位を有する化合物の少なくとも一つを含有することを特徴とする［１］〜［４］のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【００２７】
一般式（ＩＩＩ）
【００２８】
【化５】
2006321230.tif 000006
【００２９】
［前記一般式（ＩＩＩ）において、Ｒ31〜Ｒ34は各々独立にピリジン環の炭素原子に結合する置換基を表し、Ｙ31〜Ｙ34は各々独立にピリジン環の窒素原子に結合する置換基を表し、ｍ31〜ｍ34は各々独立にそれぞれ０〜３を表し、Ｍ31は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。ｎ31〜ｎ34は各々独立に０又は１を表し、ｎ31〜ｎ34の少なくとも１つは１である。Ａ31は式（３１）を満たす１〜４の整数を表す。
Ａ31＝ｎ31＋ｎ32＋ｎ33＋ｎ34              ・・・式（３１）］
【００３０】
一般式（ＩＶ）
【００３１】
【化６】
2006321230.tif 000007
【００３２】
［前記一般式（ＩＶ）において、Ｒ41〜Ｒ44は各々独立にピリジン環の炭素原子に結合する置換基を表し、Ｙ41〜Ｙ44は各々独立にピリジン環の窒素原子に結合する置換基を表し、ｍ41〜ｍ44は各々独立に０〜３を表し、Ｍ41は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。ｎ41〜ｎ44は各々独立に０又は１を表し、ｎ41〜ｎ44の少なくとも１つは１である。Ａ41は式（４１）を満たす１〜４の整数を表す。
Ａ41＝ｎ41＋ｎ42＋ｎ43＋ｎ44              ・・・式（４１）］
【００３３】
一般式（Ｖ）
【００３４】
【化７】
2006321230.tif 000008
【００３５】
［前記一般式（Ｖ）において、Ｒ51〜Ｒ54は各々独立にピリジン環の炭素原子に結合する置換基を表し、Ｙ51〜Ｙ54は各々独立にピリジン環の窒素原子に結合する置換基を表し、ｍ51〜ｍ54は各々独立に０〜３を表し、Ｍ51は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。ｎ51〜ｎ54は各々独立に０又は１を表し、ｎ51〜ｎ54の少なくとも１つは１である。Ａ51は式（５１）を満たす１〜４の整数を表す。
Ａ51＝ｎ51＋ｎ52＋ｎ53＋ｎ54              ・・・式（５１）］
【００３６】
一般式（ＶＩ）
【００３７】
【化８】
2006321230.tif 000009
【００３８】
［前記一般式（ＶＩ）において、Ｒ61〜Ｒ64は各々独立にピリジン環の炭素原子に結合する置換基を表し、Ｙ61〜Ｙ64は各々独立にピリジン環の窒素原子に結合する置換基を表し、ｍ61〜ｍ64は各々独立に０〜３を表し、Ｍ61は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。ｎ61〜ｎ64は各々独立に０又は１を表し、ｎ61〜ｎ64の少なくとも１つは１である。Ａ61は式（６１）を満たす１〜４の整数を表す。
Ａ61＝ｎ61＋ｎ62＋ｎ63＋ｎ64              ・・・式（６１）］
【００３９】
［６］  前記金属原子が、マグネシウム、アルミニウム、ガリウム、亜鉛、銅、ニッケル、コバルト、鉄、マンガン、クロム、バナジウム、チタン、モリブデン、珪素、燐のいずれかであることを特徴とする［１］〜［５］のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【００４０】
［７］  前記対アニオンが置換又は無置換のアリールスルホン酸イオンであることを特徴とする［１］〜［６］のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【００４１】
［８］  前記対アニオンが下記一般式（ＶＩＩ）で表されるアニオンであることを特徴とする［１］〜［６］のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【００４２】
一般式（ＶＩＩ）
【００４３】
【化９】
2006321230.tif 000010
【００４４】
［前記一般式（ＶＩＩ）において、ｍは０〜７を表し、ｎは１〜３を表す。Ｒ
は置換基を表す。］
【００４５】
［９］  前記対アニオンがナフタレンスルホン酸イオンであることを特徴とする［１］〜［６］のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【００４６】
［１０］  前記対アニオンが置換又は無置換のアリールカルボン酸イオンであることを特徴とする［１］〜［６］のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【００４７】
［１１］  前記対アニオンがオキソノールアニオンであることを特徴とする［１］〜［６］のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【００４８】
［１２］  前記対アニオンがフタロシアニン骨格を有するアニオンであることを特徴とする［１］〜［６］のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【００４９】
［１３］  金属からなる光反射層が前記基板と接するように設けられていることを特徴とする［１］〜［１２］のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【００５０】
［１４］  前記基板は、表面にトラックピッチ０．２μｍ〜０．５μｍのプリグルーブを有する透明な円盤状基板であり、前記記録層は、前記基板のうち、前記プリグルーブが形成された側の表面に設けられていることを特徴とする［１］〜［１３］のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【００５１】
［１５］  また、本発明は、［１］〜［１４］のいずれかに記載の光情報記録媒体に波長４５０ｎｍ以下のレーザ光を照射して情報を記録することを特徴とする。
【００５２】
［１６］  また、本発明は、波長４５０ｎｍ以下のレーザ光を照射して情報を記録する光情報記録媒体用の色素として好適な下記一般式（ＩＩ）で表される化合物であることを特徴とする。ただし、電荷を打ち消すためのアニオンは、置換又は無置換のアリールスルホン酸イオンを表す。
【００５３】
一般式（ＩＩ）
【００５４】
【化１０】
2006321230.tif 000011
【００５５】
［前記一般式（ＩＩ）において、Ｘ21〜Ｘ28は炭素原子又は窒素原子を表し、Ｘ21〜Ｘ28のうち少なくとも１つが置換基を有し正電荷を有する窒素原子である。Ｒ21〜Ｒ28は各々独立に水素原子又は置換基を表し、Ｒ21とＲ22、Ｒ23とＲ24、Ｒ25とＲ26、Ｒ27とＲ28はそれぞれ互いに結合して環構造を形成しても良い。Ｍ21は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。Ａ21は正電荷を有する窒素原子の数に等しく、１〜８の整数を表す。］
【００５６】
［１７］  本発明は、波長４５０ｎｍ以下のレーザ光を照射して情報を記録する光情報記録媒体用の色素として好適な下記一般式（ＩＩＩ）〜（ＶＩ）のいずれかで表される化合物。ただし、電荷を打ち消すためのアニオンは、置換又は無置換のアリールスルホン酸イオンを表す。
【００５７】
一般式（ＩＩＩ）
【００５８】
【化１１】
2006321230.tif 000012
【００５９】
［前記一般式（ＩＩＩ）において、Ｒ31〜Ｒ34は各々独立にピリジン環の炭素原子に結合する置換基を表し、Ｙ31〜Ｙ34は各々独立にピリジン環の窒素原子に結合する置換基を表し、ｍ31〜ｍ34は各々独立にそれぞれ０〜３を表し、Ｍ31は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。ｎ31〜ｎ34は各々独立に０又は１を表し、ｎ31〜ｎ34の少なくとも１つは１である。Ａ31は式（３１）を満たす１〜４の整数を表す。
Ａ31＝ｎ31＋ｎ32＋ｎ33＋ｎ34              ・・・式（３１）］
【００６０】
一般式（ＩＶ）
【００６１】
【化１２】
2006321230.tif 000013
【００６２】
［前記一般式（ＩＶ）において、Ｒ41〜Ｒ44は各々独立にピリジン環の炭素原子に結合する置換基を表し、Ｙ41〜Ｙ44は各々独立にピリジン環の窒素原子に結合する置換基を表し、ｍ41〜ｍ44は各々独立に０〜３を表し、Ｍ41は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。ｎ41〜ｎ44は各々独立に０又は１を表し、ｎ41〜ｎ44の少なくとも１つは１である。Ａ41は式（４１）を満たす１〜４の整数を表す。
Ａ41＝ｎ41＋ｎ42＋ｎ43＋ｎ44              ・・・式（４１）］
【００６３】
一般式（Ｖ）
【００６４】
【化１３】
2006321230.tif 000014
【００６５】
［前記一般式（Ｖ）において、Ｒ51〜Ｒ54は各々独立にピリジン環の炭素原子に結合する置換基を表し、Ｙ51〜Ｙ54は各々独立にピリジン環の窒素原子に結合する置換基を表し、ｍ51〜ｍ54は各々独立に０〜３を表し、Ｍ51は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。ｎ51〜ｎ54は各々独立に０又は１を表し、ｎ51〜ｎ54の少なくとも１つは１である。Ａ51は式（５１）を満たす１〜４の整数を表す。
Ａ51＝ｎ51＋ｎ52＋ｎ53＋ｎ54              ・・・式（５１）］
【００６６】
一般式（ＶＩ）
【００６７】
【化１４】
2006321230.tif 000015
【００６８】
［前記一般式（ＶＩ）において、Ｒ61〜Ｒ64は各々独立にピリジン環の炭素原子に結合する置換基を表し、Ｙ61〜Ｙ64は各々独立にピリジン環の窒素原子に結合する置換基を表し、ｍ61〜ｍ64は各々独立に０〜３を表し、Ｍ61は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。ｎ61〜ｎ64は各々独立に０又は１を表し、ｎ61〜ｎ64の少なくとも１つは１である。Ａ61は式（６１）を満たす１〜４の整数を表す。
Ａ61＝ｎ61＋ｎ62＋ｎ63＋ｎ64              ・・・式（６１）］
【００６９】
［１８］  前記アニオンが下記一般式（ＶＩＩ）で表されるアニオンであることを特徴とする［１６］又は［１７］記載の化合物。
【００７０】
一般式（ＶＩＩ）
【００７１】
【化１５】
2006321230.tif 000016
【００７２】
［前記一般式（ＶＩＩ）において、ｍは０〜７を表し、ｎは１〜３を表す。Ｒ
は置換基を表す。］
【００７３】
［１９］  前記アニオンがナフタレンスルホン酸イオンであることを特徴とする［１６］又は［１７］記載の化合物。
【００７４】
［２０］  本発明は、波長４５０ｎｍ以下のレーザ光を照射して情報を記録する光情報記録媒体用の色素として好適な下記一般式（ＩＩ）で表される化合物。ただし、電荷を打ち消すためのアニオンは、置換又は無置換のアリールカルボン酸イオンを表す。
【００７５】
一般式（ＩＩ）
【００７６】
【化１６】
2006321230.tif 000017
【００７７】
［前記一般式（ＩＩ）において、Ｘ21〜Ｘ28は炭素原子又は窒素原子を表し、Ｘ21〜Ｘ28のうち少なくとも１つが置換基を有し正電荷を有する窒素原子である。Ｒ21〜Ｒ28は各々独立に水素原子又は置換基を表し、Ｒ21とＲ22、Ｒ23とＲ24、Ｒ25とＲ26、Ｒ27とＲ28はそれぞれ互いに結合して環構造を形成しても良い。Ｍ21は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。Ａ21は正電荷を有する窒素原子の数に等しく、１〜８の整数を表す。］
【００７８】
［２１］  本発明は、波長４５０ｎｍ以下のレーザ光を照射して情報を記録する光情報記録媒体用の色素として好適な下記一般式（ＩＩＩ）〜（ＶＩ）のいずれかで表される化合物。ただし、電荷を打ち消すためのアニオンは、置換又は無置換のアリールカルボン酸イオンを表す。
【００７９】
一般式（ＩＩＩ）
【００８０】
【化１７】
2006321230.tif 000018
【００８１】
［前記一般式（ＩＩＩ）において、Ｒ31〜Ｒ34は各々独立にピリジン環の炭素原子に結合する置換基を表し、Ｙ31〜Ｙ34は各々独立にピリジン環の窒素原子に結合する置換基を表し、ｍ31〜ｍ34は各々独立にそれぞれ０〜３を表し、Ｍ31は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。ｎ31〜ｎ34は各々独立に０又は１を表し、ｎ31〜ｎ34の少なくとも１つは１である。Ａ31は式（３１）を満たす１〜４の整数を表す。
Ａ31＝ｎ31＋ｎ32＋ｎ33＋ｎ34              ・・・式（３１）］
【００８２】
一般式（ＩＶ）
【００８３】
【化１８】
2006321230.tif 000019
【００８４】
［前記一般式（ＩＶ）において、Ｒ41〜Ｒ44は各々独立にピリジン環の炭素原子に結合する置換基を表し、Ｙ41〜Ｙ44は各々独立にピリジン環の窒素原子に結合する置換基を表し、ｍ41〜ｍ44は各々独立に０〜３を表し、Ｍ41は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。ｎ41〜ｎ44は各々独立に０又は１を表し、ｎ41〜ｎ44の少なくとも１つは１である。Ａ41は式（４１）を満たす１〜４の整数を表す。
Ａ41＝ｎ41＋ｎ42＋ｎ43＋ｎ44              ・・・式（４１）］
【００８５】
一般式（Ｖ）
【００８６】
【化１９】
2006321230.tif 000020
【００８７】
［前記一般式（Ｖ）において、Ｒ51〜Ｒ54は各々独立にピリジン環の炭素原子に結合する置換基を表し、Ｙ51〜Ｙ54は各々独立にピリジン環の窒素原子に結合する置換基を表し、ｍ51〜ｍ54は各々独立に０〜３を表し、Ｍ51は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。ｎ51〜ｎ54は各々独立に０又は１を表し、ｎ51〜ｎ54の少なくとも１つは１である。Ａ51は式（５１）を満たす１〜４の整数を表す。
Ａ51＝ｎ51＋ｎ52＋ｎ53＋ｎ54              ・・・式（５１）］
【００８８】
一般式（ＶＩ）
【００８９】
【化２０】
2006321230.tif 000021
【００９０】
［前記一般式（ＶＩ）において、Ｒ61〜Ｒ64は各々独立にピリジン環の炭素原子に結合する置換基を表し、Ｙ61〜Ｙ64は各々独立にピリジン環の窒素原子に結合する置換基を表し、ｍ61〜ｍ64は各々独立に０〜３を表し、Ｍ61は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。ｎ61〜ｎ64は各々独立に０又は１を表し、ｎ61〜ｎ64の少なくとも１つは１である。Ａ61は式（６１）を満たす１〜４の整数を表す。
Ａ61＝ｎ61＋ｎ62＋ｎ63＋ｎ64              ・・・式（６１）］
【００９１】
［２２］  本発明は、波長４５０ｎｍ以下のレーザ光を照射して情報を記録する光情報記録媒体用の色素として好適な下記一般式（ＩＩ）で表される化合物。ただし、電荷を打ち消すためのアニオンは、オキソノールアニオンを表す。
【００９２】
一般式（ＩＩ）
【００９３】
【化２１】
2006321230.tif 000022
【００９４】
［前記一般式（ＩＩ）において、Ｘ21〜Ｘ28は炭素原子又は窒素原子を表し、Ｘ21〜Ｘ28のうち少なくとも１つが置換基を有し正電荷を有する窒素原子である。Ｒ21〜Ｒ28は各々独立に水素原子又は置換基を表し、Ｒ21とＲ22、Ｒ23とＲ24、Ｒ25とＲ26、Ｒ27とＲ28はそれぞれ互いに結合して環構造を形成しても良い。Ｍ21は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。Ａ21は正電荷を有する窒素原子の数に等しく、１〜８の整数を表す。］
【００９５】
［２３］  本発明は、波長４５０ｎｍ以下のレーザ光を照射して情報を記録する光情報記録媒体用の色素として好適な下記一般式（ＩＩＩ）〜（ＶＩ）のいずれかで表される化合物。ただし、電荷を打ち消すためのアニオンは、オキソノールアニオンを表す。
【００９６】
一般式（ＩＩＩ）
【００９７】
【化２２】
2006321230.tif 000023
【００９８】
［前記一般式（ＩＩＩ）において、Ｒ31〜Ｒ34は各々独立にピリジン環の炭素原子に結合する置換基を表し、Ｙ31〜Ｙ34は各々独立にピリジン環の窒素原子に結合する置換基を表し、ｍ31〜ｍ34は各々独立にそれぞれ０〜３を表し、Ｍ31は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。ｎ31〜ｎ34は各々独立に０又は１を表し、ｎ31〜ｎ34の少なくとも１つは１である。Ａ31は式（３１）を満たす１〜４の整数を表す。
Ａ31＝ｎ31＋ｎ32＋ｎ33＋ｎ34              ・・・式（３１）］
【００９９】
一般式（ＩＶ）
【０１００】
【化２３】
2006321230.tif 000024
【０１０１】
［前記一般式（ＩＶ）において、Ｒ41〜Ｒ44は各々独立にピリジン環の炭素原子に結合する置換基を表し、Ｙ41〜Ｙ44は各々独立にピリジン環の窒素原子に結合する置換基を表し、ｍ41〜ｍ44は各々独立に０〜３を表し、Ｍ41は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。ｎ41〜ｎ44は各々独立に０又は１を表し、ｎ41〜ｎ44の少なくとも１つは１である。Ａ41は式（４１）を満たす１〜４の整数を表す。
Ａ41＝ｎ41＋ｎ42＋ｎ43＋ｎ44              ・・・式（４１）］
【０１０２】
一般式（Ｖ）
【０１０３】
【化２４】
2006321230.tif 000025
【０１０４】
［前記一般式（Ｖ）において、Ｒ51〜Ｒ54は各々独立にピリジン環の炭素原子に結合する置換基を表し、Ｙ51〜Ｙ54は各々独立にピリジン環の窒素原子に結合する置換基を表し、ｍ51〜ｍ54は各々独立に０〜３を表し、Ｍ51は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。ｎ51〜ｎ54は各々独立に０又は１を表し、ｎ51〜ｎ54の少なくとも１つは１である。Ａ51は式（５１）を満たす１〜４の整数を表す。
Ａ51＝ｎ51＋ｎ52＋ｎ53＋ｎ54              ・・・式（５１）］
【０１０５】
一般式（ＶＩ）
【０１０６】
【化２５】
2006321230.tif 000026
【０１０７】
［前記一般式（ＶＩ）において、Ｒ61〜Ｒ64は各々独立にピリジン環の炭素原子に結合する置換基を表し、Ｙ61〜Ｙ64は各々独立にピリジン環の窒素原子に結合する置換基を表し、ｍ61〜ｍ64は各々独立に０〜３を表し、Ｍ61は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。ｎ61〜ｎ64は各々独立に０又は１を表し、ｎ61〜ｎ64の少なくとも１つは１である。Ａ61は式（６１）を満たす１〜４の整数を表す。
Ａ61＝ｎ61＋ｎ62＋ｎ63＋ｎ64              ・・・式（６１）］
【０１０８】
［２４］  本発明は、波長４５０ｎｍ以下のレーザ光を照射して情報を記録する光情報記録媒体用の色素として好適な下記一般式（ＩＩ）で表される化合物。ただし、電荷を打ち消すためのアニオンは、フタロシアニン骨格を有するアニオンを表す。
【０１０９】
一般式（ＩＩ）
【０１１０】
【化２６】
2006321230.tif 000027
【０１１１】
［前記一般式（ＩＩ）において、Ｘ21〜Ｘ28は炭素原子又は窒素原子を表し、Ｘ21〜Ｘ28のうち少なくとも１つが置換基を有し正電荷を有する窒素原子である。Ｒ21〜Ｒ28は各々独立に水素原子又は置換基を表し、Ｒ21とＲ22、Ｒ23とＲ24、Ｒ25とＲ26、Ｒ27とＲ28はそれぞれ互いに結合して環構造を形成しても良い。Ｍ21は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。Ａ21は正電荷を有する窒素原子の数に等しく、１〜８の整数を表す。］
【０１１２】
［２５］  本発明は、波長４５０ｎｍ以下のレーザ光を照射して情報を記録する光情報記録媒体用の色素として好適な下記一般式（ＩＩＩ）〜（ＶＩ）のいずれかで表される化合物。ただし、電荷を打ち消すためのアニオンは、フタロシアニン骨格を有するアニオンを表す。
【０１１３】
一般式（ＩＩＩ）
【０１１４】
【化２７】
2006321230.tif 000028
【０１１５】
［前記一般式（ＩＩＩ）において、Ｒ31〜Ｒ34は各々独立にピリジン環の炭素原子に結合する置換基を表し、Ｙ31〜Ｙ34は各々独立にピリジン環の窒素原子に結合する置換基を表し、ｍ31〜ｍ34は各々独立にそれぞれ０〜３を表し、Ｍ31は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。ｎ31〜ｎ34は各々独立に０又は１を表し、ｎ31〜ｎ34の少なくとも１つは１である。Ａ31は式（３１）を満たす１〜４の整数を表す。
Ａ31＝ｎ31＋ｎ32＋ｎ33＋ｎ34              ・・・式（３１）］
【０１１６】
一般式（ＩＶ）
【０１１７】
【化２８】
2006321230.tif 000029
【０１１８】
［前記一般式（ＩＶ）において、Ｒ41〜Ｒ44は各々独立にピリジン環の炭素原子に結合する置換基を表し、Ｙ41〜Ｙ44は各々独立にピリジン環の窒素原子に結合する置換基を表し、ｍ41〜ｍ44は各々独立に０〜３を表し、Ｍ41は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。ｎ41〜ｎ44は各々独立に０又は１を表し、ｎ41〜ｎ44の少なくとも１つは１である。Ａ41は式（４１）を満たす１〜４の整数を表す。
Ａ41＝ｎ41＋ｎ42＋ｎ43＋ｎ44              ・・・式（４１）］
【０１１９】
一般式（Ｖ）
【０１２０】
【化２９】
2006321230.tif 000030
【０１２１】
［前記一般式（Ｖ）において、Ｒ51〜Ｒ54は各々独立にピリジン環の炭素原子に結合する置換基を表し、Ｙ51〜Ｙ54は各々独立にピリジン環の窒素原子に結合する置換基を表し、ｍ51〜ｍ54は各々独立に０〜３を表し、Ｍ51は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。ｎ51〜ｎ54は各々独立に０又は１を表し、ｎ51〜ｎ54の少なくとも１つは１である。Ａ51は式（５１）を満たす１〜４の整数を表す。
Ａ51＝ｎ51＋ｎ52＋ｎ53＋ｎ54              ・・・式（５１）］
【０１２２】
一般式（ＶＩ）
【０１２３】
【化３０】
2006321230.tif 000031
【０１２４】
［前記一般式（ＶＩ）において、Ｒ61〜Ｒ64は各々独立にピリジン環の炭素原子に結合する置換基を表し、Ｙ61〜Ｙ64は各々独立にピリジン環の窒素原子に結合する置換基を表し、ｍ61〜ｍ64は各々独立に０〜３を表し、Ｍ61は２つの水素原子又は金属原子又は金属酸化物を表し、さらに配位子を有していてもよい。ｎ61〜ｎ64は各々独立に０又は１を表し、ｎ61〜ｎ64の少なくとも１つは１である。Ａ61は式（６１）を満たす１〜４の整数を表す。
Ａ61＝ｎ61＋ｎ62＋ｎ63＋ｎ64              ・・・式（６１）］
【発明の効果】
【０１２５】
本発明の光情報記録媒体、情報記録方法及び化合物は、特定のフタロシアニン誘導体を記録層の記録材料として用いることにより、波長４５０ｎｍ以下の短波長レーザ光、とりわけ汎用性の高い４５０ｎｍ付近のレーザ光を照射して情報の高密度記録及び再生が可能であり、且つ、高感度、耐光性良好であるという効果を奏する。また、本発明の化合物は塗布溶媒として広く用いられている２，２，３，３−テトラフルオロプロパノールに対する溶解性が良好である。すなわち、従来のＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒよりも高密度での情報の記録が可能となり、さらに大容量の情報の記録が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０１２６】
以下、本発明に係る光情報記録媒体、情報記録方法及び化合物の実施の形態例について詳細に説明する。
【０１２７】
本実施の形態に係る光情報記録媒体は、好ましくは基板上にレーザ光照射による情報の記録が可能な記録層を有する光情報記録媒体であって、該記録層が上述した一般式（Ｉ）で表されるカチオン性部位と一般式（Ｉ）の正電荷を打ち消す対アニオンからなる化合物を少なくとも一種含有する光情報記録媒体である。また、本実施の形態に係る新規化合物としては一般式（Ｉ）で表されるカチオン性部位を有する化合物である。
【０１２８】
一般式（Ｉ）について説明する。Ｑ11〜Ｑ14はそれぞれ環を形成する基を表す。Ｑ11、Ｑ12、Ｑ13、Ｑ14で形成される環としては特に限定されないが、例えば、ベンゼン環、ピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、チアゾール環、オキサゾール環、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、及び、それらを含む縮環体（例えば、ナフタレン環、キノリン環、ベンズオキサゾール環、ベンズイミダゾール環、インドレニン環等）及び、環上に電荷を有するヘテロ環［例えばピリジン環、ピラジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、トリアジン環、チアゾール環、オキサゾール環、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、トリアゾール環、オキサジアゾール環、チアジアゾール環、及び、それらを含む縮環体（例えば、ナフタレン環、キノリン環、ベンズオキサゾール環、ベンズイミダゾール環、インドレニン環等）等］を形成する原子群が挙げられる。
【０１２９】
Ｑ11〜Ｑ14の少なくとも一つは環上に電荷を有するヘテロ環を形成する原子群を表す。Ｑ11〜Ｑ14で形成される環のうち電荷を有するヘテロ環の数は２〜４個が好ましく、３〜４個がより好ましく、４個がさらに好ましい。
【０１３０】
本実施の形態に係る化合物の一般式（Ｉ）で表される化合物の好ましい形態は、一般式（ＩＩ）である。
【０１３１】
一般式（ＩＩ）について説明する。Ｘ21〜Ｘ28は炭素原子又は窒素原子を表し、Ｘ21〜Ｘ28のうち少なくとも１つが置換基を有し正電荷を有する窒素原子である。Ｘ21〜Ｘ28の窒素原子の数は２〜８個が好ましく、２〜７個がより好ましく、３〜６個がさらに好ましく、４個が特に好ましい。Ｘ21〜Ｘ28中の置換基を有し正電荷を有する窒素原子の数は、Ｘ21〜Ｘ28中の窒素原子の数と等しいことが好ましい。
【０１３２】
Ｒ21〜Ｒ28は各々独立に置換基を表す。置換基の例として、ハロゲン原子、アルキル基（シクロアルキル基、ビシクロアルキル基を含む）、アルケニル基（シクロアルケニル基、ビシクロアルケニル基を含む）、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基、シアノ基、ヒドロキシル基、ニトロ基、カルボキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、シリルオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ、アミノ基（アニリノ基を含む）、アシルアミノ基、アミノカルボニルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、アルキル及びアリールスルホニルアミノ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、ヘテロ環チオ基、スルファモイル基、スルホ基、アルキル及びアリールスルフィニル基、アルキル及びアリールスルホニル基、アシル基、アリールオキシカルボニル基、アルコキシカルボニル基、カルバモイル基、アリール及びヘテロ環アゾ基、イミド基、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基が挙げられる。また、Ｒ21とＲ22、Ｒ23とＲ24、Ｒ25とＲ26、Ｒ27とＲ28はそれぞれ互いに結合してもよい。
【０１３３】
さらに詳しくは、Ｒ21〜Ｒ28として以下のものが挙げられる。
（１）  ハロゲン原子（例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）；
（２）  アルキル基［直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルキル基を表す。それらは、アルキル基（好ましくは炭素数１から３０のアルキル基、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｎ−オクチル、エイコシル、２−クロロエチル、２−シアノエチル、２―エチルヘキシル）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル、シクロペンチル、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５から３０の置換もしくは無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５から３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［１，２，２］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２，２，２］オクタン−３−イル）、さらに環構造が多いトリシクロ構造等も包含するものである。以下に説明する置換基の中のアルキル基（例えばアルキルチオ基のアルキル基）もこのような概念のアルキル基を表す。］；
（３）  アルケニル基［直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルケニル基を表す。それらは、アルケニル基（好ましくは炭素数２から３０の置換もしくは無置換のアルケニル基、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル）、シクロアルケニル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換もしくは無置換のシクロアルケニル基、つまり、炭素数３から３０のシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イル）、ビシクロアルケニル基（置換もしくは無置換のビシクロアルケニル基、好ましくは、炭素数５から３０の置換もしくは無置換のビシクロアルケニル基、つまり二重結合を一個持つビシクロアルケンの水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［２，２，１］ヘプト−２−エン−１−イル、ビシクロ［２，２，２］オクト−２−エン−４−イル）を包含するものである。］；
（４）  アルキニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のアルキニル基、例えば、エチニル、プロパルギル、トリメチルシリルエチニル基）；
（５）  アリール基（好ましくは炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリール基、例えばフェニル、ｐ−トリル、ナフチル、ｍ−クロロフェニル、ｏ−ヘキサデカノイルアミノフェニル）；
（６）  ヘテロ環基（好ましくは５又は６員の置換もしくは無置換の、芳香族もしくは非芳香族のヘテロ環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、さらに好ましくは、炭素数３から３０の５もしくは６員の芳香族のヘテロ環基である。例えば、２−フリル、２−チエニル、２−ピリミジニル、２−ベンゾチアゾリル）；
（７）  シアノ基；
（８）  ヒドロキシル基；
（９）  ニトロ基；
（１０）  カルボキシル基；
（１１）  アルコキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ｔ−ブトキシ、ｎ−オクチルオキシ、２−メトキシエトキシ）；
（１２）  アリールオキシ基（好ましくは、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ、２−メチルフェノキシ、４−ｔ−ブチルフェノキシ、３−ニトロフェノキシ、２−テトラデカノイルアミノフェノキシ）；
（１３）  シリルオキシ基（好ましくは、炭素数３から２０のシリルオキシ基、例えば、トリメチルシリルオキシ、ｔ−ブチルジメチルシリルオキシ）；
（１４）  ヘテロ環オキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のヘテロ環オキシ基、１−フェニルテトラゾールー５−オキシ、２−テトラヒドロピラニルオキシ）；
（１５）  アシルオキシ基（好ましくはホルミルオキシ基、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルオキシ基、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルオキシ基、例えば、ホルミルオキシ、アセチルオキシ、ピバロイルオキシ、ステアロイルオキシ、ベンゾイルオキシ、ｐ−メトキシフェニルカルボニルオキシ）；
（１６）  カルバモイルオキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のカルバモイルオキシ基、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジエチルカルバモイルオキシ、モルホリノカルボニルオキシ、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルアミノカルボニルオキシ、Ｎ−ｎ−オクチルカルバモイルオキシ）；
（１７）  アルコキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニルオキシ基、例えばメトキシカルボニルオキシ、エトキシカルボニルオキシ、ｔ−ブトキシカルボニルオキシ、ｎ−オクチルカルボニルオキシ）；
（１８）  アリールオキシカルボニルオキシ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルオキシ基、例えば、フェノキシカルボニルオキシ、ｐ−メトキシフェノキシカルボニルオキシ、ｐ−ｎ−ヘキサデシルオキシフェノキシカルボニルオキシ）；
（１９）  アミノ基（好ましくは、アミノ基、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルアミノ基、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールアミノ基、例えば、アミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、アニリノ、Ｎ−メチル−アニリノ、ジフェニルアミノ）；
（２０）  アシルアミノ基（好ましくは、ホルミルアミノ基、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニルアミノ基、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニルアミノ基、例えば、ホルミルアミノ、アセチルアミノ、ピバロイルアミノ、ラウロイルアミノ、ベンゾイルアミノ、３，４，５−トリ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニルアミノ）；
（２１）  アミノカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアミノカルボニルアミノ基、例えば、カルバモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノカルボニルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニルアミノ、モルホリノカルボニルアミノ）；
（２２）  アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２から３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニルアミノ基、例えば、メトキシカルボニルアミノ、エトキシカルボニルアミノ、ｔ−ブトキシカルボニルアミノ、ｎ−オクタデシルオキシカルボニルアミノ、Ｎ−メチルーメトキシカルボニルアミノ）；
（２３）  アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニルアミノ基、例えば、フェノキシカルボニルアミノ、ｐ−クロロフェノキシカルボニルアミノ、ｍ−ｎ−オクチルオキシフェノキシカルボニルアミノ）；
（２４）  スルファモイルアミノ基（好ましくは、炭素数０から３０の置換もしくは無置換のスルファモイルアミノ基、例えば、スルファモイルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノスルホニルアミノ、Ｎ−ｎ−オクチルアミノスルホニルアミノ）；
（２５）  アルキル及びアリールスルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルスルホニルアミノ基、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールスルホニルアミノ基、例えば、メチルスルホニルアミノ、ブチルスルホニルアミノ、フェニルスルホニルアミノ、２，３，５−トリクロロフェニルスルホニルアミノ、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノ）；
（２６）  メルカプト基；
（２７）  アルキルチオ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルチオ基、例えばメチルチオ、エチルチオ、ｎ−ヘキサデシルチオ）；
（２８）  アリールチオ基（好ましくは炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールチオ基、例えば、フェニルチオ、ｐ−クロロフェニルチオ、ｍ−メトキシフェニルチオ）；
（２９）  ヘテロ環チオ基（好ましくは炭素数２から３０の置換もしくは無置換のヘテロ環チオ基、例えば、２−ベンゾチアゾリルチオ、１−フェニルテトラゾール−５−イルチオ）；
（３０）  スルファモイル基（好ましくは炭素数０から３０の置換もしくは無置換のスルファモイル基、例えば、Ｎ−エチルスルファモイル、Ｎ−（３−ドデシルオキシプロピル）スルファモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルスルファモイル、Ｎ−アセチルスルファモイル、Ｎ−ベンゾイルスルファモイル、Ｎ−（Ｎ‘−フェニルカルバモイル）スルファモイル）；
（３１）  スルホ基；
（３２）  アルキル及びアリールスルフィニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルスルフィニル基、６から３０の置換もしくは無置換のアリールスルフィニル基、例えば、メチルスルフィニル、エチルスルフィニル、フェニルスルフィニル、ｐ−メチルフェニルスルフィニル）；
（３３）  アルキル及びアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルスルホニル基、６から３０の置換もしくは無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル、エチルスルホニル、ｔ−ブチルスルホニル、ｓ−ブチルスルホニル、フェニルスルホニル、ピリジルスルホニル、ｐ−メチルフェニルスルホニル）；
（３４）  アシル基（好ましくはホルミル基、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニル基、、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニル基、炭素数４から３０の置換もしくは無置換の炭素原子でカルボニル基と結合しているヘテロ環カルボニル基、例えば、アセチル、ピバロイル、２−クロロアセチル、ステアロイル、ベンゾイル、ｐ−ｎ−オクチルオキシフェニルカルボニル、２―ピリジルカルボニル、２―フリルカルボニル）；
（３５）  アリールオキシカルボニル基（好ましくは、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基、例えば、フェノキシカルボニル、ｏ−クロロフェノキシカルボニル、ｍ−ニトロフェノキシカルボニル、ｐ−ｔ−ブチルフェノキシカルボニル）；
（３６）  アルコキシカルボニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニル基、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｎ−オクタデシルオキシカルボニル）；
（３７）  カルバモイル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のカルバモイル基、例えば、カルバモイル、Ｎ−メチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−オクチルカルバモイル、Ｎ−（メチルスルホニル）カルバモイル）；
（３８）  アリール及びヘテロ環アゾ基（好ましくは炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールアゾ基、炭素数３から３０の置換もしくは無置換のヘテロ環アゾ基、例えば、フェニルアゾ、ｐ−クロロフェニルアゾ、５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール−２−イルアゾ）；
（３９）  イミド基（好ましくは、Ｎ−スクシンイミド、Ｎ−フタルイミド）；
（４０）  ホスフィノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィノ基、例えば、ジメチルホスフィノ、ジフェニルホスフィノ、メチルフェノキシホスフィノ）；
（４１）  ホスフィニル基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィニル基、例えば、ホスフィニル、ジオクチルオキシホスフィニル、ジエトキシホスフィニル）；
（４２）  ホスフィニルオキシ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィニルオキシ基、例えば、ジフェノキシホスフィニルオキシ、ジオクチルオキシホスフィニルオキシ）；
（４３）  ホスフィニルアミノ基（好ましくは、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のホスフィニルアミノ基、例えば、ジメトキシホスフィニルアミノ、ジメチルアミノホスフィニルアミノ）；
（４４）  シリル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換もしくは無置換のシリル基、例えば、トリメチルシリル、ｔ−ブチルジメチルシリル、フェニルジメチルシリル）。
【０１３４】
上記の官能基の中で、水素原子を有するものは、これを取り去りさらに上記の基で置換されていてもよい。そのような官能基の例としては、アルキルカルボニルアミノスルホニル基、アリールカルボニルアミノスルホニル基、アルキルスルホニルアミノカルボニル基、アリールスルホニルアミノカルボニル基が挙げられる。その例としては、メチルスルホニルアミノカルボニル、ｐ−メチルフェニルスルホニルアミノカルボニル、アセチルアミノスルホニル、ベンゾイルアミノスルホニル基が挙げられる。また、Ｒ21〜Ｒ28はさらに置換基によって置換されていてもよい。
【０１３５】
Ｒ21〜Ｒ28として好ましくはハロゲン原子、炭素数１から３０のアルキル基、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリール基、５又は６員の置換もしくは無置換のヘテロ環基、シアノ基、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルコキシ基、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニル基、炭素数２から３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニル基、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルスルホニル基、６から３０の置換もしくは無置換のアリールスルホニル基であり、さらに好ましくはハロゲン原子、炭素数１から３０のアルキル基、シアノ基、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニル基、炭素数２から３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニル基、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルスルホニル基、又は６から３０の置換もしくは無置換のアリールスルホニル基である。
【０１３６】
Ｍ21は２つの水素原子又は金属又は金属酸化物、リンのいずれかを表し、さらに配位子を有していてもよい。金属としては特に限定されないが、マグネシウム、アルミニウム、ガリウム、亜鉛、銅、コバルト、マンガン、バナジウム、パラジウム、銀、錫、金、白金、バリウム、珪素が好ましく、マグネシウム、銅、マンガン、バナジウム、パラジウム、銀がより好ましく、マグネシウム、銅、マンガンがさらに好ましく、マグネシウム、銅が特に好ましい。
【０１３７】
Ａ21はＸ21〜Ｘ28中の正電荷を有する窒素原子の数に等しく、１〜８の整数を表す。Ａ21は１〜７の整数であることが好ましく、２〜６の整数であることがより好ましく、３〜５の整数であることがさらに好ましく、４であることが特に好ましい。
【０１３８】
上述した一般式（ＩＩ）の好ましい形態は、一般式（ＩＩＩ）、一般式（ＩＶ）、一般式（Ｖ）、一般式（ＶＩ）であり、より好ましい形態は一般式（ＩＩＩ）である。
【０１３９】
一般式（ＩＩＩ）について説明する。Ｒ31〜Ｒ34はピリジン環に結合する水素以外の置換基を表す。Ｒ31〜Ｒ34の置換基の例としては上記Ｒ21〜Ｒ28の置換基の例として挙げたものが挙げられる。
【０１４０】
Ｒ31〜Ｒ34として好ましくはハロゲン原子、炭素数１から３０のアルキル基、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリール基、５又は６員の置換もしくは無置換のヘテロ環基、シアノ基、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルコキシ基、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールカルボニル基、炭素数２から３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニル基、炭素数７から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシカルボニル基、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルスルホニル基、６から３０の置換もしくは無置換のアリールスルホニル基であり、さらに好ましくはハロゲン原子、炭素数１から３０のアルキル基、シアノ基、炭素数２から３０の置換もしくは無置換のアルキルカルボニル基、炭素数２から３０の置換もしくは無置換アルコキシカルボニル基、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルスルホニル基、又は６から３０の置換もしくは無置換のアリールスルホニル基である。
【０１４１】
Ｙ31〜Ｙ34は水素原子又は置換基を表す。置換基の例として、アルキル基（シクロアルキル基、ビシクロアルキル基を含む）、アリール基、ヘテロ環基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキル及びアリールスルホニル基が挙げられる。
【０１４２】
さらに詳しくは、Ｙ31〜Ｙ34としてアルキル基［直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルキル基を表す。それらは、アルキル基（好ましくは炭素数１から３０のアルキル基、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ｎ−オクチル、エイコシル、２−クロロエチル、２−シアノエチル、２―エチルヘキシル）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３から３０の置換もしくは無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル、シクロペンチル、４−ｎ−ドデシルシクロヘキシル）、ビシクロアルキル基（好ましくは、炭素数５から３０の置換もしくは無置換のビシクロアルキル基、つまり、炭素数５から３０のビシクロアルカンから水素原子を一個取り去った一価の基である。例えば、ビシクロ［１，２，２］ヘプタン−２−イル、ビシクロ［２，２，２］オクタン−３−イル）、さらに環構造が多いトリシクロ構造等も包含するものである。以下に説明する置換基の中のアルキル基（例えばアルキルチオ基のアルキル基）もこのような概念のアルキル基を表す。］、アリール基（好ましくは炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリール基、例えばフェニル、ｐ−トリル、ナフチル、ｍ−クロロフェニル、ｏ−ヘキサデカノイルアミノフェニル）、ヘテロ環基（好ましくは５又は６員の置換もしくは無置換の、芳香族もしくは非芳香族のヘテロ環化合物から一個の水素原子を取り除いた一価の基であり、さらに好ましくは、炭素数３から３０の５もしくは６員の芳香族のヘテロ環基である。例えば、２−フリル、２−チエニル、２−ピリミジニル、２−ベンゾチアゾリル）、アルコキシ基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルコキシ基、例えば、メトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、ｔ−ブトキシ、ｎ−オクチルオキシ、２−メトキシエトキシ）、アリールオキシ基（好ましくは、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリールオキシ基、例えば、フェノキシ、２−メチルフェノキシ、４−ｔ−ブチルフェノキシ、３−ニトロフェノキシ、2−テトラデカノイルアミノフェノキシ）、アルキル及びアリールスルホニル基（好ましくは、炭素数１から３０の置換もしくは無置換のアルキルスルホニル基、６から３０の置換もしくは無置換のアリールスルホニル基、例えば、メチルスルホニル、エチルスルホニル、ｔ−ブチルスルホニル、ｓ−ブチルスルホニル、フェニルスルホニル、ピリジルスルホニル、ｐ−メチルフェニルスルホニル）が挙げられる。
【０１４３】
Ｙ31〜Ｙ34として好ましくは炭素数１から３０のアルキル基、炭素数６から３０の置換もしくは無置換のアリール基であり、より好ましくは炭素数１から３０のアルキル基である。
【０１４４】
ｍ31〜ｍ34はそれぞれ０〜３の整数を表す。ｍ31〜ｍ34はそれぞれ０〜２の整数が好ましく、０又は１がより好ましく、０がさらに好ましい。
【０１４５】
ｎ31〜ｎ34はそれぞれ０又は１を表し、ｎ31〜ｎ34の少なくとも１つは１である。ｎ31〜ｎ34のうち２〜４個が１であることが好ましく、３個又は４個が１であることがより好ましく、４個とも１であることがさらに好ましい。
【０１４６】
Ａ31は式（３１）で表される１〜４の整数を表す。
Ａ31＝ｎ31＋ｎ32＋ｎ33＋ｎ34              ・・・式（３１）
Ａ31は２〜４の整数であることが好ましく、３又は４であることがより好ましく、４であることがさらに好ましい。
【０１４７】
一般式（ＩＶ）について説明する。Ｒ41〜Ｒ44は前記Ｒ31〜Ｒ34と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１４８】
Ｙ41〜Ｙ44は前記Ｙ31〜Ｙ34と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１４９】
ｍ41〜ｍ44は前記ｍ31〜ｍ34と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１５０】
ｎ41〜ｎ44は前記ｎ31〜ｎ34と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１５１】
Ａ41は式（４１）で表される１〜４の整数を表す。
Ａ41＝ｎ41＋ｎ42＋ｎ43＋ｎ44              ・・・式（４１）
Ａ41は２〜４の整数であることが好ましく、３又は４であることがより好ましく、４であることがさらに好ましい。
【０１５２】
一般式（Ｖ）について説明する。Ｒ51〜Ｒ54は前記Ｒ31〜Ｒ34と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１５３】
Ｙ51〜Ｙ54は前記Ｙ31〜Ｙ34と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１５４】
ｍ51〜ｍ54は前記ｍ31〜ｍ34と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１５５】
ｎ51〜ｎ54は前記ｎ31〜ｎ34と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１５６】
Ａ51は式（５１）で表される１〜４の整数を表す。
Ａ51＝ｎ51＋ｎ52＋ｎ53＋ｎ54            ・・・式（５１）
Ａ51は２〜４の整数であることが好ましく、３又は４であることがより好ましく、４であることがさらに好ましい。
【０１５７】
一般式（ＶＩ）について説明する。Ｒ61〜Ｒ64は前記Ｒ31〜Ｒ34と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１５８】
Ｙ61〜Ｙ64は前記Ｙ31〜Ｙ34と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１５９】
ｍ61〜ｍ64は前記ｍ31〜ｍ34と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１６０】
ｎ61〜ｎ64は前記ｎ31〜ｎ34と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１６１】
Ａ61は式（６１）で表される１〜４の整数を表す。
Ａ61＝ｎ61＋ｎ62＋ｎ63＋ｎ64            ・・・式（６１）
Ａ61は２〜４の整数であることが好ましく、３又は４であることがより好ましく、４であることがさらに好ましい。
【０１６２】
本実施の形態に係る化合物は一般式（Ｉ）で表されるカチオン性部位を有し、且つ、その対アニオンを有する。本実施の形態における対アニオンについて説明する。本実施の形態における対アニオンとは一般式（Ｉ）のようなカチオン性部位と対をなすアニオン性部位のことを言う。対アニオンの例としては、スルホン酸イオンやカルボン酸イオンを有するアニオン、無機アニオン、オキソノール色素アニオン、フタロシアニン骨格を有するアニオン等が挙げられる。
【０１６３】
スルホン酸イオンを有するアニオンとしては、直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルキルスルホン酸イオン、置換もしくは無置換のアリールスルホン酸イオンが挙げられ、置換もしくは無置換のアリールスルホン酸イオンが好ましい。
【０１６４】
また、スルホン酸イオンを有するアニオンのとしては、下記一般式（ＶＩＩ）で表されるアニオンが挙げられる。
【０１６５】
一般式（ＶＩＩ）
【０１６６】
【化３１】
2006321230.tif 000032
【０１６７】
一般式（ＶＩＩ）について説明する。Ｒは置換基を表す。置換基としては、特に限定されないが、例として前記Ｒ21〜Ｒ28で挙げた置換基が挙げられる。Ｒは好ましくはヒドロキシル基である。ｍは０〜７の整数を表し、０〜６が好ましく、０〜４がより好ましく、０〜２がさらに好ましい。ｎは１〜３の整数を表し、１〜２が好ましく、２がより好ましい。
【０１６８】
また、スルホン酸イオンを有するアニオンの具体例としては後述する（Ａ−１）〜（Ａ−４）の化合物が挙げられるが、特に、ナフタレンスルホン酸イオンが好ましい。もちろん、これらに限定されるものではない。
【０１６９】
カルボン酸イオンを有するアニオンとしては、直鎖、分岐、環状の置換もしくは無置換のアルキルカルボン酸イオン、置換もしくは無置換のアリールカルボン酸イオンが挙げられ、置換もしくは無置換のアリールカルボン酸イオンが好ましい。
【０１７０】
カルボン酸イオンを有するアニオンの具体例としては（Ａ−５）〜（Ａ−８）の化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１７１】
【化３２】
2006321230.tif 000033
【０１７２】
無機アニオンについて説明する。無機アニオンとしては図１に示すアニオンが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１７３】
フタロシアニン骨格を有するアニオンについて説明する。フタロシアニン骨格を有するアニオンとしては特開２００２−３０１８７０号に記載の一般式（Ｉ）に含まれるフタロシアニンにアリールスルホン酸又はアリールカルボン酸部位が置換されたものが挙げられる。
【０１７４】
フタロシアニン骨格を有するアニオンとしては、後述する化合物（４５）、化合物（４６）におけるアニオンが挙げられるが、これに限定されるものではない。
【０１７５】
オキソノールアニオンについて説明する。オキソノールアニオンとしては、特開平１０−２９７１０３号に記載の一般式（Ｉ−１）及び一般式（Ｉ−２）に含まれるオキソノールアニオンが挙げられる。下記にその一部を示すが、これらに限定されるものではない。
【０１７６】
【化３３】
2006321230.tif 000034
【０１７７】
対アニオンとしてはスルホン酸イオンを有するアニオン、カルボン酸イオンを有するアニオン、オキソノールアニオンであることが好ましく、スルホン酸イオンを有するアニオン、カルボン酸イオンを有するアニオンであることがより好ましく、スルホン酸イオンを有するアニオンであることがさらに好ましい。
【０１７８】
一般式（Ｉ）が一般式（ＩＩＩ）で表され、且つ、対アニオンがスルホン酸イオンを有するアニオンである態様が最も好ましい。
【０１７９】
一般式（Ｉ）と正電荷を打ち消すアニオンからなる化合物は好ましくは、一般式（ＩＩ）のカチオンと、スルホン酸イオンを有するアニオン、カルボン酸イオンを有するアニオン、オキソノールアニオンのいずれかとの組み合わせからなる化合物であることが好ましく、一般式（ＩＩＩ）〜一般式（ＶＩ）のいずれかで表されるカチオンと、スルホン酸イオンを有するアニオン、カルボン酸イオンを有するアニオン、オキソノールアニオンのいずれかとの組み合わせからなる化合物であることがより好ましく、一般式（ＩＩＩ）〜一般式（ＶＩ）のいずれかで表されるカチオンと、スルホン酸イオンを有するアニオン、カルボン酸イオンを有するアニオンのいずれかとの組み合わせからなる化合物であることがさらに好ましく、、一般式（ＩＩＩ）〜一般式（ＶＩ）のいずれかで表されるカチオンと、スルホン酸イオンを有するアニオンとの組み合わせからなる化合物であることが特に好ましい。
【０１８０】
本実施の形態に係る化合物は任意の位置で結合して多量体を形成していてもよく、この場合の各単位は互いに同一でも異なっていてもよく、またポリスチレン、ポリメタクリレート、ポリビニルアルコール、セルロース等のポリマー鎖に結合していてもよい。
【０１８１】
本実施の形態に係る化合物は、特定の化合物単独で使用してもよく、また、構造の異なったものを複数種混合して用いてもよい。特に、窒素原子の位置や置換基の置換位置が異なる異性体の混合物を使用することが好ましい。その理由として、記録層の結晶化を起こりにくくすること、化合物の溶解性が良好になることが挙げられる。
【０１８２】
本実施の形態において、一般式（Ｉ）で表される化合物以外の色素を混合して
もよい。しかし、記録特性、製造適性（リサイクル適性）の観点から、一般式（Ｉ）で表される化合物のみを用いることが好ましい。
【０１８３】
以下に、本実施の形態で用いられる一般式（Ｉ）で表されるカチオン性部位を有する化合物（ポルフィラジン誘導体）の好ましい具体例を挙げるが（化合物（１）〜化合物（４６）参照）、本実施の形態はこれらに限定されるものではない。
【０１８４】
【化３４】
2006321230.tif 000035
【０１８５】
【化３５】
2006321230.tif 000036
【０１８６】
【化３６】
2006321230.tif 000037
【０１８７】
【化３７】
2006321230.tif 000038
【０１８８】
【化３８】
2006321230.tif 000039
【０１８９】
【化３９】
2006321230.tif 000040
【０１９０】
【化４０】
2006321230.tif 000041
【０１９１】
【化４１】
2006321230.tif 000042
【０１９２】
【化４２】
2006321230.tif 000043
【０１９３】
【化４３】
2006321230.tif 000044
【０１９４】
上述の化合物（１）〜（４６）のうち、化合物（１）、化合物（３１）、化合物（３２）、（３３）の各カチオン部は、４種類の異性体として存在している。後述する実施例では、４種の化合物（１）、化合物（３１）、化合物（３２）、（３３）を混合して用いている。
【０１９５】
上述の化合物（１）〜（４６）のうち、化合物（３７）〜化合物（４６）の各カチオン部はそれぞれ１つの種のみ示している。従って、化合物（３７）〜化合物（４６）の各カチオン部においても、上述した化合物（１）、化合物（３１）、化合物（３２）、（３３）と同様に、それぞれ４種類の異性体が存在する。この場合も、実際には４種の異性体を混合して用いている。
【０１９６】
本実施の形態に用いられる化合物は、以下の文献１及び２等に記載、引用もしくはこれらに類似の方法により合成することができる。
【０１９７】
文献１：Ｔｓｏｅｔａｎ  Ｇ．，ｅｔ．，Ｅｕｒ．Ｊ．Ｂｉｏｃｈｅｍ．，２１７，３７１−３７６（１９９３）
【０１９８】
文献２：Ｄｉｅｔｅｒ  Ｗｏｈｒｌｅ，  Ｊｏｒｇ  Ｇｉｔｚｅｌ，ｅｔ．，Ｊ．Ｃｈｅｍ．ＳＯＣ．ＰＥＲＫＩＮ  ＴＲＡＮＳ．，ＩＩ，１１７１−１１７８（１９８５）
【０１９９】
＜光情報記録媒体の様態＞
本発明の光情報記録媒体は、図２に示す第１の様態に係る光情報記録媒体（以下、単に第１光情報記録媒体１０Ａと記す）と、図３に示す第２の様態に係る光情報記録媒体（以下、単に第２光情報記録媒体１０Ｂと記す）であることが好ましい。
【０２００】
第１光情報記録媒体１０Ａは、図２に示すように、厚さ０．７〜２ｍｍの第１基板１２上に、色素を含有する第１追記型記録層１４と、厚さ０．０１〜０．５ｍｍのカバー層１６とをこの順に有する。具体的には、例えば第１基板１２上に、第１光反射層１８と、第１追記型記録層１４と、バリア層２０と、第１接着層２２と、カバー層１６とをこの順に有する。
【０２０１】
第２光情報記録媒体１０Ｂは、図３に示すように、厚さ０．１〜１．０ｍｍの第２基板２４上に、色素を含有する第２追記型記録層２６と、厚さ０．１〜１．０ｍｍの保護基板２８とをこの順に有する。具体的には、例えば第２基板２４上に、第２追記型記録層２６と、第２光反射層３０と、第２接着層３２と、保護基板２８とをこの順に有する。
【０２０２】
第１光情報記録媒体１０Ａにおいては、図２に示すように、第１基板１２に形成される第１プリグルーブ３４のトラックピッチが５０〜５００ｎｍ、溝幅が２５〜２５０ｎｍ、溝深さが５〜１５０ｎｍであることが好ましい。
【０２０３】
第２光情報記録媒体１０Ｂにおいては、図３に示すように、第２基板２４に形成される第２プリグルーブ３６のトラックピッチが２００〜６００ｎｍ、溝幅が５０〜３００ｎｍ、溝深さが３０〜２００ｎｍであり、ウォブル振幅が１０〜５０ｎｍであることが好ましい。
【０２０４】
第１光情報記録媒体１０Ａは、図２に示すように、少なくとも第１基板１２と、第１追記型記録層１４と、カバー層１６とを有する様態であり、まず、これらに必須の部材について順に説明する。
【０２０５】
〔第１光情報記録媒体１０Ａの第１基板１２〕
図２に示すように、好ましい第１光情報記録媒体１０Ａの第１基板１２には、トラックピッチ、溝幅（半値幅）、溝深さ、及びウォブル振幅のいずれもが下記の範囲である形状を有する第１プリグルーブ３４（案内溝）が形成されていることが必須である。この第１プリグルーブ３４は、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒに比べてより高い記録密度を達成するために設けられたものであり、例えば、第１光情報記録媒体１０Ａを、青紫色レーザに対応する媒体として使用する場合に好適である。
【０２０６】
第１プリグルーブ３４のトラックピッチは、５０〜５００ｎｍの範囲であることが必須であり、上限値が４２０ｎｍ以下であることが好ましく、３７０ｎｍ以下であることがより好ましく、３３０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。また、下限値は、１００ｎｍ以上であることが好ましく、２００ｎｍ以上であることがより好ましく、２６０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。
【０２０７】
トラックピッチが５０ｎｍ未満では、第１プリグルーブ３４を正確に形成することが困難になる上、クロストークの問題が発生することがあり、５００ｎｍを超えると、記録密度が低下する問題が生ずることがある。
【０２０８】
第１プリグルーブ３４の溝幅（半値幅）は、２５〜２５０ｎｍの範囲であることが必須であり、上限値が２００ｎｍ以下であることが好ましく、１７０ｎｍ以下であることがより好ましく、１５０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。また、下限値は、５０ｎｍ以上であることが好ましく、８０ｎｍ以上であることがより好ましく、１００ｎｍ以上であることがさらに好ましい。
【０２０９】
第１プリグルーブ３４の溝幅が２５ｎｍ未満では、成形時に溝が十分に転写されなかったり、記録のエラーレートが高くなったりすることがあり、２５０ｎｍを超えると、記録時に形成されるピットが広がってしまい、クロストークの原因となったり、十分な変調度が得られないことがある。
【０２１０】
第１プリグルーブ３４の溝深さは、５〜１５０ｎｍの範囲であることが必須であり、上限値が１００ｎｍ以下であることが好ましく、７０ｎｍ以下であることがより好ましく、５０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。また、下限値は、１０ｎｍ以上であることが好ましく、２０ｎｍ以上であることがより好ましく、２８ｎｍ以上であることがさらに好ましい。
【０２１１】
第１プリグルーブ３４の溝深さが５ｎｍ未満では、十分な記録変調度が得られないことがあり、１５０ｎｍを超えると、反射率が大幅に低下することがある。
【０２１２】
また、第１プリグルーブ３４の溝傾斜角度は、上限値が８０°以下であることが好ましく、７０°以下であることがより好ましく、６０°以下であることがさらに好ましく、５０°以下であることが特に好ましい。また、下限値は、２０°以上であることが好ましく、３０°以上であることがより好ましく、４０°以上であることがさらに好ましい。
【０２１３】
第１プリグルーブ３４の溝傾斜角度が２０°未満では、十分なトラッキングエラー信号振幅が得られないことがあり、８０°を超えると、第１基板１２の成形（射出成形等）が困難となる。
【０２１４】
第１光情報記録媒体１０Ａにおいて用いられる第１基板１２としては、従来の光情報記録媒体の基板材料として用いられている各種の材料を任意に選択して使用することができる。
【０２１５】
具体的には、ガラス；ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂；ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂；エポキシ樹脂；アモルファスポリオレフィン；ポリエステル；アルミニウム等の金属；等を挙げることができ、所望によりこれらを併用してもよい。
【０２１６】
上記材料の中では、耐湿性、寸法安定性及び低価格等の点から、アモルファスポリオレフィン、ポリカーボネート等の熱可塑性樹脂が好ましく、ポリカーボネートが特に好ましい。
【０２１７】
これらの樹脂を用いた場合、射出成形を用いて第１基板１２を作製することができる。
【０２１８】
また、第１基板１２の厚さは、０．７〜２ｍｍの範囲であることを要し、０．９〜１．６ｍｍの範囲であることが好ましく、１．０〜１．３ｍｍとすることがより好ましい。
【０２１９】
なお、後述する第１光反射層１８が設けられる側の第１基板１２の表面には、平面性の改善、接着力の向上の目的で、下塗層を形成することが好ましい。
【０２２０】
下塗層の材料としては、例えば、ポリメチルメタクリレート、アクリル酸・メタクリル酸共重合体、スチレン・無水マレイン酸共重合体、ポリビニルアルコール、Ｎ−メチロールアクリルアミド、スチレン・ビニルトルエン共重合体、クロルスルホン化ポリエチレン、ニトロセルロース、ポリ塩化ビニル、塩素化ポリオレフィン、ポリエステル、ポリイミド、酢酸ビニル・塩化ビニル共重合体、エチレン・酢酸ビニル共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート等の高分子物質；シランカップリング剤等の表面改質剤；を挙げることができる。
【０２２１】
下塗層は、上記材料を適当な溶剤に溶解又は分散して塗布液を調製した後、この塗布液をスピンコート、ディップコート、エクストルージョンコート等の塗布法によって、第１基板１２の表面に塗布することにより形成することができる。下塗層の層厚は、一般に０．００５〜２０μｍの範囲にあり、好ましくは０．０１〜１０μｍの範囲である。
【０２２２】
〔第１光情報記録媒体１０Ａの第１追記型記録層１４〕
好ましい第１光情報記録媒体１０Ａの第１追記型記録層１４は、色素を、結合剤等と共に適当な溶剤に溶解して塗布液を調製し、次いで、この塗布液を、基板上又は後述する第１光反射層１８上に塗布して塗膜を形成した後、乾燥することにより形成される。ここで、第１追記型記録層１４は、単層でも重層でもよく、重層構造の場合、塗布液を塗布する工程が複数回行われることになる。
【０２２３】
塗布液中の色素の濃度は、一般に０．０１〜１５質量％の範囲であり、好ましくは０．１〜１０質量％の範囲、より好ましくは０．５〜５質量％の範囲、最も好ましくは０．５〜３質量％の範囲である。
【０２２４】
塗布液の溶剤としては、酢酸ブチル、乳酸エチル、セロソルブアセテート等のエステル；メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン等のケトン；ジクロルメタン、１，２−ジクロルエタン、クロロホルム等の塩素化炭化水素；ジメチルホルムアミド等のアミド；メチルシクロヘキサン等の炭化水素；テトラヒドロフラン、エチルエーテル、ジオキサン等のエーテル；エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノールジアセトンアルコール等のアルコール；２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール等のフッ素系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル類；等を挙げることができる。
【０２２５】
上記溶剤は使用する色素の溶解性を考慮して単独で、あるいは２種以上を組み合わせて使用することができる。塗布液中には、さらに、酸化防止剤、ＵＶ吸収剤、可塑剤、潤滑剤等各種の添加剤を目的に応じて添加してもよい。
【０２２６】
塗布方法としては、スプレー法、スピンコート法、ディップ法、ロールコート法、ブレードコート法、ドクターロール法、スクリーン印刷法等を挙げることができる。
【０２２７】
塗布の際、塗布液の温度は２３〜５０℃の範囲であることが好ましく、２４〜４０℃の範囲であることがより好ましく、中でも、２３〜５０℃の範囲であることが特に好ましい。
【０２２８】
このようにして形成された第１追記型記録層１４の厚さは、グルーブ３８（第１基板１２において凸部）上で、３００ｎｍ以下であることが好ましく、２５０ｎｍ以下であることがより好ましく、２００ｎｍ以下であることがさらに好ましく、１８０ｎｍ以下であることが特に好ましい。下限値としては３０ｎｍ以上であることが好ましく、５０ｎｍ以上であることがより好ましく、７０ｎｍ以上であることがさらに好ましく、９０ｎｍ以上であることが特に好ましい。
【０２２９】
また、第１追記型記録層１４の厚さは、ランド４０（第１基板１２において凹部）上で、４００ｎｍ以下であることが好ましく、３００ｎｍ以下であることがより好ましく、２５０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。下限値としては、７０ｎｍ以上であることが好ましく、９０ｎｍ以上であることがより好ましく、１１０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。
【０２３０】
さらに、グルーブ３８上の第１追記型記録層１４の厚さｔ１と、ランド４０上の第１追記型記録層１４の厚さｔ２との比（ｔ１／ｔ２）は、０．４以上であることが好ましく、０．５以上であることがより好ましく、０．６以上であることがさらに好ましく、０．７以上であることが特に好ましい。上限値としては、１未満であることが好ましく、０．９以下であることがより好ましく、０．８５以下であることがさらに好ましく、０．８以下であることが特に好ましい。
【０２３１】
塗布液が結合剤を含有する場合、該結合剤の例としては、ゼラチン、セルロース誘導体、デキストラン、ロジン、ゴム等の天然有機高分子物質；ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリイソブチレン等の炭化水素系樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル・ポリ酢酸ビニル共重合体等のビニル系樹脂、ポリアクリル酸メチル、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル樹脂、ポリビニルアルコール、塩素化ポリエチレン、エポキシ樹脂、ブチラール樹脂、ゴム誘導体、フェノール・ホルムアルデヒド樹脂等の熱硬化性樹脂の初期縮合物等の合成有機高分子；を挙げることができる。第１追記型記録層１４の材料として結合剤を併用する場合に、結合剤の使用量は、一般に色素に対して０．０１倍量〜５０倍量（質量比）の範囲にあり、好ましくは０．１倍量〜５倍量（質量比）の範囲にある。
【０２３２】
また、第１追記型記録層１４には、該第１追記型記録層１４の耐光性を向上させるために、種々の褪色防止剤を含有させることができる。褪色防止剤としては一般的に一重項酸素クエンチャーが用いられる。一重項酸素クエンチャーとしては、既に公知の特許明細書等の刊行物に記載のものを利用することができる。
【０２３３】
その具体例としては、特開昭５８−１７５６９３号公報、同５９−８１１９４号公報、同６０−１８３８７号公報、同６０−１９５８６号公報、同６０−１９５８７号公報、同６０−３５０５４号公報、同６０−３６１９０号公報、同６０−３６１９１号公報、同６０−４４５５４号公報、同６０−４４５５５号公報、同６０−４４３８９号公報、同６０−４４３９０号公報、同６０−５４８９２号公報、同６０−４７０６９号公報、同６３−２０９９９５号公報、特開平４−２５４９２号公報、特公平１−３８６８０号公報及び同６−２６０２８号公報等の各公報、ドイツ特許３５０３９９号明細書、そして日本化学会誌１９９２年１０月号第１１４１頁等に記載のものを挙げることができる。
【０２３４】
前記一重項酸素クエンチャー等の褪色防止剤の使用量は、色素の量に対して、通常０．１〜５０質量％の範囲であり、好ましくは、０．５〜４５質量％の範囲、さらに好ましくは、３〜４０質量％の範囲、特に好ましくは５〜２５質量％の範囲である。
【０２３５】
〔第１光情報記録媒体１０Ａのカバー層１６〕
好ましい第１光情報記録媒体１０Ａのカバー層１６は、上述した第１追記型記録層１４又は後述するバリア層２０上に、接着剤や粘着剤等からなる第１接着層２２を介して貼り合わされる。
【０２３６】
第１光情報記録媒体１０Ａにおいて用いられるカバー層１６としては、透明な材質のフィルムであれば、特に限定されないが、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂；ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂；エポキシ樹脂；アモルファスポリオレフィン；ポリエステル；三酢酸セルロース等を使用することが好ましく、中でも、ポリカーボネート又は三酢酸セルロースを使用することがより好ましい。
【０２３７】
なお、「透明」とは、記録及び再生に用いられる光に対して、透過率８０％以上であることを意味する。
【０２３８】
また、カバー層１６は、本発明の効果を妨げない範囲において、種々の添加剤が含有されていてもよい。例えば、波長４００ｎｍ以下の光をカットするためのＵＶ吸収剤及び／又は５００ｎｍ以上の光をカットするための色素が含有されていてもよい。
【０２３９】
さらに、カバー層１６の表面物性としては、表面粗さが２次元粗さパラメータ及び３次元粗さパラメータのいずれも５ｎｍ以下であることが好ましい。
【０２４０】
また、記録及び再生に用いられる光の集光度の観点から、カバー層１６の複屈折は１０ｎｍ以下であることが好ましい。
【０２４１】
カバー層１６の厚さは、記録及び再生のために照射されるレーザ光の波長や第１対物レンズ４２のＮＡにより、適宜、規定されるが、第１光情報記録媒体１０Ａにおいては、０．０１〜０．５ｍｍの範囲内であり、０．０５〜０．１２ｍｍの範囲であることがより好ましい。
【０２４２】
また、カバー層１６と第１接着層２２とを合わせた総厚は、０．０９〜０．１１ｍｍであることが好ましく、０．０９５〜０．１０５ｍｍであることがより好ましい。
【０２４３】
なお、カバー層１６の光入射面には、第１光情報記録媒体１０Ａの製造時に、光入射面が傷つくことを防止するためのハードコート層４４（保護層）が設けられていてもよい。
【０２４４】
第１接着層２２に用いられる接着剤としては、例えばＵＶ硬化樹脂、ＥＢ硬化樹脂、熱硬化樹脂等を使用することが好ましく、特にＵＶ硬化樹脂を使用することが好ましい。
【０２４５】
接着剤としてＵＶ硬化樹脂を使用する場合は、該ＵＶ硬化樹脂をそのまま、若しくはメチルエチルケトン、酢酸エチル等の適当な溶剤に溶解して塗布液を調製し、ディスペンサからバリア層２０の表面に供給してもよい。また、作製される第１光情報記録媒体１０Ａの反りを防止するため、第１接着層２２を構成するＵＶ硬化樹脂は硬化収縮率の小さいものが好ましい。このようなＵＶ硬化樹脂としては、例えば、大日本インキ化学工業（株）社製の「ＳＤ−６４０」等のＵＶ硬化樹脂を挙げることができる。
【０２４６】
接着剤は、例えば、バリア層２０からなる被貼り合わせ面上に、所定量塗布し、その上に、カバー層１６を載置した後、スピンコートにより接着剤を、被貼り合わせ面とカバー層１６との間に均一になるように広げた後、硬化させることが好ましい。
【０２４７】
このような接着剤からなる第１接着層２２の厚さは、０．１〜１００μｍの範囲が好ましく、より好ましくは０．５〜５０μｍの範囲、さらに好ましくは１０〜３０μｍの範囲である。
【０２４８】
また、第１接着層２２に用いられる粘着剤としては、アクリル系、ゴム系、シリコン系の粘着剤を使用することができるが、透明性、耐久性の観点から、アクリル系の粘着剤が好ましい。かかるアクリル系の粘着剤としては、２−エチルヘキシルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート等を主成分とし、凝集力を向上させるために、短鎖のアルキルアクリレートやメタクリレート、例えば、メチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルメタクリレートと、架橋剤との架橋点となりうるアクリル酸、メタクリル酸、アクリルアミド誘導体、マレイン酸、ヒドロキシルエチルアクリレート、グリシジルアクリレート等と、を共重合したものを用いることが好ましい。主成分と、短鎖成分と、架橋点を付加するための成分と、の混合比率、種類を、適宜、調節することにより、ガラス転移温度（Ｔｇ）や架橋密度を変えることができる。
【０２４９】
上記粘着剤と併用される架橋剤としては、例えば、イソシアネート系架橋剤が挙げられる。かかるイソシアネート系架橋剤としては、トリレンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、ナフチレン−１，５−ジイソシアネート、ｏ−トルイジンイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、トリフェニルメタントリイソシアネート等のイソシアネート類、また、これらのイソシアネート類とポリアルコールとの生成物、また、イソシアネート類の縮合によって生成したポリイソシアネート類を使用することができる。これらのイソシアネート類の市販されている商品としては、日本ポリウレタン社製のコロネートＬ、コロネートＨＬ、コロネート２０３０、コロネート２０３１、ミリオネートＭＲ、ミリオネートＨＴＬ；武田薬品社製のタケネートＤ−１０２、タケネートＤ−１１０Ｎ、タケネートＤ−２００、タケネートＤ−２０２；住友バイエル社製のデスモジュールＬ、デスモジュールＩＬ、デスモジュールＮ、デスモジュールＨＬ；等を挙げることができる。
【０２５０】
粘着剤は、バリア層２０からなる被貼り合わせ面上に、所定量、均一に塗布し、その上に、カバー層１６を載置した後、硬化させてもよいし、予め、カバー層１６の片面に、所定量を均一に塗布して粘着剤の塗膜を形成しておき、該塗膜を被貼り合わせ面に貼り合わせ、その後、硬化させてもよい。
【０２５１】
また、カバー層１６に、予め、粘着剤層が設けられた市販の粘着フィルムを用いてもよい。
【０２５２】
このような粘着剤からなる第１接着層２２の厚さは、０．１〜１００μｍの範囲が好ましく、より好ましくは０．５〜５０μｍの範囲、さらに好ましくは１０〜３０μｍの範囲である。
【０２５３】
〔第１光情報記録媒体１０Ａにおけるその他の層〕
好ましい第１光情報記録媒体１０Ａは、本発明の効果を損なわない範囲においては、上述の必須の層に加え、他の任意の層を有していてもよい。かかる他の任意の層としては、例えば、第１基板１２の裏面（第１追記型記録層１４の形成面に対する裏面）に形成される、所望の画像を有するレーベル層や、第１基板１２と第１追記型記録層１４との間に設けられる第１光反射層１８（後述）、第１追記型記録層１４とカバー層１６との間に設けられるバリア層２０（後述）、第１光反射層１８と第１追記型記録層１４との間に設けられる界面層等が挙げられる。ここで、レーベル層は、紫外線硬化樹脂、熱硬化性樹脂、及び熱乾燥樹脂等を用いて形成される。
【０２５４】
なお、これら必須及び任意の層は、いずれも単層でもよいし、多層構造を有してもよい。
【０２５５】
〔第１光情報記録媒体１０Ａにおける第１光反射層１８〕
第１光情報記録媒体１０Ａにおいて、レーザ光に対する反射率を高めたり、記録再生特性を改良する機能を付与するために、第１基板１２と第１追記型記録層１４との間に、第１光反射層１８を形成することが好ましい。
【０２５６】
第１光反射層１８は、レーザ光に対する反射率が高い光反射性物質を、真空蒸着、スパッタリング又はイオンプレーティングすることにより基板上に形成することができる。
【０２５７】
第１光反射層１８の層厚は、一般的には１０〜３００ｎｍの範囲とし、５０〜２００ｎｍの範囲とすることが好ましい。
【０２５８】
なお、前記反射率は、７０％以上であることが好ましい。
【０２５９】
反射率が高い光反射性物質としては、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉ等の金属及び半金属あるいはステンレス鋼を挙げることができる。これらの光反射性物質は単独で用いてもよいし、あるいは２種以上の組合せで、又は合金として用いてもよい。これらのうちで好ましいものは、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ及びステンレス鋼である。特に好ましくは、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌあるいはこれらの合金であり、最も好ましくは、Ａｕ、Ａｇあるいはこれらの合金である。
【０２６０】
〔第１光情報記録媒体１０Ａにおけるバリア層２０（中間層）〕
第１光情報記録媒体１０Ａにおいては、第１追記型記録層１４とカバー層１６との間にバリア層２０を形成することが好ましい。
【０２６１】
バリア層２０は、第１追記型記録層１４の保存性を高める、第１追記型記録層１４とカバー層１６との接着性を向上させる、反射率を調整する、熱伝導率を調整する、等のために設けられる。
【０２６２】
バリア層２０に用いられる材料としては、記録及び再生に用いられる光を透過する材料であり、上記の機能を発現し得るものであれば、特に、制限されるものではないが、例えば、一般的には、ガスや水分の透過性の低い材料であり、誘電体であることが好ましい。
【０２６３】
具体的には、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｔｅ、Ｓｎ、Ｍｏ、Ｇｅ等の窒化物、酸化物、炭化物、硫化物からなる材料が好ましく、ＺｎＳ、ＭｏＯ2、ＧｅＯ2、ＴｅＯ、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＺｕＯ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2、ＳｎＯ2、ＺｎＯ−Ｇａ2Ｏ3が好ましく、ＺｎＳ−ＳｉＯ2、ＳｎＯ2、ＺｎＯ−Ｇａ2Ｏ3がより好ましい。
【０２６４】
また、バリア層２０は、真空蒸着、ＤＣスパッタリング、ＲＦスパッタリング、イオンプレーティング等の真空成膜法により形成することができる。中でも、スパッタリングを用いることがより好ましく、ＲＦスパッタリングを用いることがさらに好ましい。
【０２６５】
バリア層２０の厚さは、１〜２００ｎｍの範囲であることが好ましく、２〜１００ｎｍの範囲であることがより好ましく、３〜５０ｎｍの範囲であることがさらに好ましい。
【０２６６】
次に、第２光情報記録媒体１０Ｂについて説明する。
【０２６７】
ここで、第２光情報記録媒体１０Ｂは、貼り合わせ型の層構成を有する光情報記録媒体であり、その代表的な層構成としては、下記の通りである。
【０２６８】
（１）  第１の層構成は、図３に示すように、第２基板２４上に、第２追記型記録層２６、第２光反射層３０、第２接着層３２を順次形成し、第２接着層３２上に保護基板２８を設ける構成である。
【０２６９】
（２）  第２の層構成は、図示しないが、第２基板２４上に、第２追記型記録層２６、第２光反射層３０、保護層、第２接着層３２を順次形成し、第２接着層３２上に保護基板２８を設ける構成である。
【０２７０】
（３）  第３の層構成は、図示しないが、第２基板２４上に、第２追記型記録層２６、第２光反射層３０、保護層、第２接着層３２、保護層を順次形成し、該保護層上に保護基板２８を設ける構成である。
【０２７１】
（４）  第４の層構成は、図示しないが、第２基板２４上に、第２追記型記録層２６、第２光反射層３０、保護層、第２接着層３２、保護層、光反射層を順次形成し、該光反射層上に保護基板２８を設ける構成である。
【０２７２】
（５）  第５の層構成は、図示しないが、第２基板２４上に、第２追記型記録層２６、第２光反射層３０、第２接着層３２、光反射層を順次形成し、該光反射層上に保護基板２８を設ける構成である。
【０２７３】
なお、上記（１）〜（５）の層構成は単なる例示であり、当該層構成は上述の順番のみでなく、一部を入れ替えてもよいし、一部を省略してもかまわない。また、第２追記型記録層２６は、保護基板２８側にも形成されていてもよく、その場合、両面からの記録、再生が可能な光情報記録媒体となる。さらに、各層は１層で構成されても複数層で構成されてもよい。
【０２７４】
ここでは、第２光情報記録媒体１０Ｂとして、図３に示すように、第２基板２４上に、第２追記型記録層２６、第２光反射層３０、第２接着層３２、保護基板２８をこの順に有する構成のものを例にとって、以下にその説明をする。
【０２７５】
〔第２光情報記録媒体１０Ｂの第２基板２４〕
第２光情報記録媒体１０Ｂにおける第２基板２４には、トラックピッチ、溝幅（半値幅）、溝深さ、及びウォブル振幅のいずれもが下記の範囲である形状を有する第２プリグルーブ３６（案内溝）が形成されていることが必須である。この第２プリグルーブ３６は、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒに比べてより高い記録密度を達成するために設けられたものであり、例えば、第２光情報記録媒体１０Ｂを、青紫色レーザに対応する媒体として使用する場合に好適である。
【０２７６】
第２プリグルーブ３６のトラックピッチは、２００〜６００ｎｍの範囲であることが必須であり、上限値が５００ｎｍ以下であることが好ましく、４５０ｎｍ以下であることがより好ましく、４３０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。また、下限値は、３００ｎｍ以上であることが好ましく、３３０ｎｍ以上であることがより好ましく、３７０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。
【０２７７】
トラックピッチが２００ｎｍ未満では、第２プリグルーブ３６を正確に形成することが困難になる上、クロストークの問題が発生することがあり、６００ｎｍを超えると、記録密度が低下する問題が生ずることがある。
【０２７８】
第２プリグルーブ３６の溝幅（半値幅）は、５０〜３００ｎｍの範囲であることが必須であり、上限値が２５０ｎｍ以下であることが好ましく、２００ｎｍ以下であることがより好ましく、１８０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。また、下限値は、１００ｎｍ以上であることが好ましく、１２０ｎｍ以上であることがより好ましく、１４０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。
【０２７９】
第２プリグルーブ３６の溝幅が５０ｎｍ未満では、成型時に溝が十分に転写されなかったり、記録のエラーレートが高くなったりすることがあり、３００ｎｍを超えると、記録時に形成されるピットが広がってしまい、クロストークの原因となったり、十分な変調度が得られないことがある。
【０２８０】
第２プリグルーブ３６の溝深さは、３０〜２００ｎｍの範囲であることが必須であり、上限値が１７０ｎｍ以下であることが好ましく、１４０ｎｍ以下であることがより好ましく、１２０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。また、下限値は、４０ｎｍ以上であることが好ましく、５０ｎｍ以上であることがより好ましく、６０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。
【０２８１】
第２プリグルーブ３６の溝深さが３０ｎｍ未満では、十分な記録変調度が得られないことがあり、２００ｎｍを超えると、反射率が大幅に低下することがある。
【０２８２】
第２光情報記録媒体１０Ｂにおいて用いられる第２基板２４としては、従来の光情報記録媒体の基板材料として用いられている各種の材料を任意に選択して使用することができ、具体例及び好ましい例は、第１光情報記録媒体１０Ａの第１基板１２と同様である。
【０２８３】
また、第２基板２４の厚さは、０．１〜１．０ｍｍの範囲であることを要し、０．２〜０．８ｍｍの範囲であることが好ましく、０．３〜０．７ｍｍの範囲であることがより好ましい。
【０２８４】
なお、後述する第２追記型記録層２６が設けられる側の第２基板２４の表面には、平面性の改善、接着力の向上の目的で、下塗層を形成することが好ましく、該下塗層の材料、塗布法及び層厚の具体例及び好ましい例は、第１光情報記録媒体１０Ａの下塗層と同様である。
【０２８５】
〔第２光情報記録媒体１０Ｂの第２追記型記録層２６〕
好ましい第２光情報記録媒体１０Ｂの第２追記型記録層２６に関する詳細な説明は、第１光情報記録媒体１０Ａの第１追記型記録層１４に関するものと同様である。
【０２８６】
〔第２光情報記録媒体１０Ｂの第２光反射層３０〕
第２光情報記録媒体１０Ｂにおいて、レーザ光に対する反射率を高めたり、記録再生特性を改良する機能を付与するために、第２追記型記録層２６上に第２光反射層３０を形成することがある。第２光情報記録媒体１０Ｂの第２光反射層３０に関する詳細は、第１光情報記録媒体１０Ａの第１光反射層１８と同様である。
【０２８７】
〔第２光情報記録媒体１０Ｂの第２接着層３２〕
好ましい第２光情報記録媒体１０Ｂにおける第２接着層３２は、第２光反射層３０と、保護基板２８との密着性を向上させるために形成される任意の層である。
【０２８８】
第２接着層３２を構成する材料としては、光硬化性樹脂が好ましく、なかでもディスクの反りを防止するため、硬化収縮率の小さいものが好ましい。このような光硬化性樹脂としては、例えば、大日本インク社製の「ＳＤ−６４０」、「ＳＤ−３４７」等のＵＶ硬化性樹脂（ＵＶ硬化性接着剤）を挙げることができる。また、第２接着層３２の厚さは、弾力性を持たせるため、１〜１０００μｍの範囲が好ましい。
【０２８９】
〔第２光情報記録媒体１０Ｂの保護基板２８〕
好ましい第２光情報記録媒体１０Ｂにおける保護基板２８（ダミー基板）は、上述した第２基板２４と同じ材質で、同じ形状のものを使用することができる。保護基板２８の厚さとしては、０．１〜１．０ｍｍの範囲であることを要し、０．２〜０．８ｍｍの範囲であることが好ましく、０．３〜０．７ｍｍの範囲であることがより好ましい。
【０２９０】
〔第２光情報記録媒体１０Ｂの保護層（図示せず）〕
第２光情報記録媒体１０Ｂは、その層構成によっては、第２光反射層３０や第２追記型記録層２６等を物理的及び化学的に保護する目的で保護層が設けられることある。
【０２９１】
保護層に用いられる材料の例としては、ＺｎＳ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＭｇＦ2、ＳｎＯ2、Ｓｉ3Ｎ4等の無機物質、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等の有機物質を挙げることができる。
【０２９２】
保護層は、例えば、プラスチックの押出加工で得られたフィルムを接着剤を介して光反射層上に貼り合わせることにより形成することができる。また、真空蒸着、スパッタリング、塗布等の方法により設けられてもよい。
【０２９３】
また、保護層として、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂を用いる場合には、これらを適当な溶剤に溶解して塗布液を調製した後、この塗布液を塗布し、乾燥することによっても形成することができる。ＵＶ硬化性樹脂の場合には、そのまま若しくは適当な溶剤に溶解して塗布液を調製した後、この塗布液を塗布し、ＵＶ光を照射して硬化させることによっても形成することができる。これらの塗布液中には、さらに帯電防止剤、酸化防止剤、ＵＶ吸収剤等の各種添加剤を目的に応じて添加してもよい。保護層の層厚は一般には０．１μｍ〜１ｍｍの範囲にある。
【０２９４】
〔第２光情報記録媒体１０Ｂにおけるその他の層〕
第２光情報記録媒体１０Ｂは、本発明の効果を損なわない範囲において、上述の層に加え、他の任意の層を有していてもよい。このような他の任意の層の詳細な説明は、第１光情報記録媒体１０Ａにおけるその他の層と同様である。
【０２９５】
＜光情報記録方法＞
本発明の光情報記録方法は、第１光情報記録媒体１０Ａ又は第２光情報記録媒体１０Ｂを用いて、例えば、次のように行われる。
【０２９６】
第１光情報記録媒体１０Ａにおいては、先ず、第１光情報記録媒体１０Ａを定線速度（０．５〜１０ｍ／秒）又は定角速度にて回転させながら、カバー層１６側から半導体レーザ光等の記録用のレーザ光４６を、開口数ＮＡが例えば０．８５の第１対物レンズ４２を介して照射する。このレーザ光４６の照射により、第１追記型記録層１４がレーザ光４６を吸収して局所的に温度上昇し、物理的あるいは化学的変化（例えば、ピットの生成）が生じてその光学的特性を変えることにより、情報が記録されると考えられる。
【０２９７】
同様に、第２光情報記録媒体１０Ｂにおいては、先ず、第２光情報記録媒体１０Ｂを定線速度（０．５〜１０ｍ／秒）又は定角速度にて回転させながら、第２基板２４側から半導体レーザ光等の記録用のレーザ光４６を、開口数ＮＡが例えば０．６５の第２対物レンズ４８を介して照射する。このレーザ光４６の照射により、第２追記型記録層２６がレーザ光４６を吸収して局所的に温度上昇し、物理的あるいは化学的変化（例えば、ピットの生成）が生じてその光学的特性を変えることにより、情報が記録されると考えられる。
【０２９８】
本実施の形態においては、記録用のレーザ光４６として３９０〜４５０ｎｍの範囲の発振波長を有する半導体レーザ光が用いられる。好ましい光源としては３９０〜４１５ｎｍの範囲の発振波長を有する青紫色半導体レーザ光、中心発振波長８５０ｎｍの赤外半導体レーザ光を光導波路素子を使って半分の波長にした中心発振波長４２５ｎｍの青紫色ＳＨＧレーザ光を挙げることができる。特に、記録密度の点で３９０〜４１５ｎｍの範囲の発振波長を有する青紫色半導体レーザ光を用いることが好ましい。上記のように記録された情報の再生は、第１光情報記録媒体を上記と同一の定線速度で回転させながら半導体レーザ光を基板側あるいは保護層側から照射して、その反射光を検出することにより行うことができる。
【実施例１】
【０２９９】
次に、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【０３００】
［テトラピリドポルフィラジンの合成］
【０３０１】
【化４４】
2006321230.tif 000045
【０３０２】
２，３−ピリジンカルボン酸無水物５ｇ、尿素２０．２ｇ、モリブデン酸アンモニウム０．６６ｇ、塩化銅１．１３ｇにニトロベンゼン１００ｍｌを加え、１８０℃で３．５時間反応させた。反応液を室温に冷却し、濃青色固体をろ別しメタノールで洗浄した。濃青色固体に硫酸５０ｍｌを加え、５０℃で３０分撹拌した。これを氷３００ｍｌに空け、濃青色固体を沈殿させた後ろ別し、水、メタノールにて洗浄し、テトラピリドポルフィラジン３ｇを得た。
【０３０３】
［化合物（１）等の合成］
【０３０４】
【化４５】
2006321230.tif 000046
【０３０５】
テトラピリドポルフィラジン１ｇにＤＭＦ１０ｍｌを加え攪拌し、そこへ硫酸ジエチル１．１３ｍｌを加え１２０℃にて２時間反応させた。この反応液に硫酸ジエチル１．１３ｍｌをさらに加え４時間反応させた。その後、アセトン５０ｍｌを加え濃青色固体を沈殿させた後、ろ別した。濃青色固体をアセトン３０ｍｌとエタノール１０ｍｌの混合溶液で２回洗浄し濃青色固体１ｇを得た。濃青色固体５００ｍｇを２０ｍｌの水に溶解させ、これに１，５−ナフタレンジスルホン酸二ナトリウム４２０ｍｇを１０ｍｌの水に溶解させた溶液を加え攪拌した。沈殿物をろ別し、水、メタノールで洗浄し乾燥させ、化合物（１）、化合物（３１）、化合物（３２）、化合物（３３）の混合物０．３ｇを得た。化合物の同定はＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳにより行った。［Ｍ+］＝６９５
【０３０６】
［化合物（２）等の合成］
【０３０７】
【化４６】
2006321230.tif 000047
【０３０８】
前記化合物（１）の合成法における１，５−ナフタレンジスルホン酸二ナトリウム４２０ｍｇを２，７−ナフタレンジスルホン酸二ナトリウム４２０ｍｇに置き換え、同様の手法を用いて化合物（２）０．３ｇを得た。化合物の同定はＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳにより行った。［Ｍ+］＝６９５
【０３０９】
［実施例１〜１２］
【０３１０】
＜光情報記録媒体（第１光情報記録媒体１０Ａ）の製造＞
（第１基板１２の作製）
厚さ１．１ｍｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍでスパイラル状の第１プリグルーブ３４（トラックピッチ：３２０ｎｍ、溝幅：オングルーブ幅１２０ｎｍ、溝深さ：３５ｎｍ、溝傾斜角度：６５°、ウォブル振幅：２０ｎｍ）を有するポリカーボネート樹脂からなる射出成形基板（第１基板１２）を作製した。射出成形時に用いられたスタンパのマスタリングは、レーザーカッティング（３５１ｎｍ）を用いて行われた。
【０３１１】
（第１光反射層１８の形成）
第１基板１２上に、Ｕｎａｘｉｓ社製Ｃｕｂｅを使用し、Ａｒ雰囲気中で、ＤＣスパッタリングにより、膜厚１００ｎｍの真空成膜層としてのＡＰＣ光反射層（Ａｇ：９８．１質量％、Ｐｄ：０．９質量％、Ｃｕ：１．０質量％）を形成した。第１光反射層１８の膜厚の調整は、スパッタ時間により行った。
【０３１２】
（第１追記型記録層１４の形成）
上述した化合物（１）及びその異性体との混合物、化合物（２）及びその異性体との混合物、化合物（３７）〜（４６）（それぞれ異性体を省略して記載しているが、実際は他の３つの異性体との混合物）それぞれ０．２ｇを、別個に２，２，３，３−テトラフロロプロパノール１０ｍｌ中に添加して溶解し、色素含有塗布液を調製した。そして、第１光反射層１８上に、調製した色素含有塗布液を、スピンコート法により回転数３００〜４０００ｒｐｍまで変化させながら２３℃、５０％ＲＨの条件で塗布した。その後、２３℃、５０％ＲＨで１時間保存して、第１追記型記録層１４（グルーブ３８上の厚さ１２０ｎｍ、ランド４０上の厚さ１７０ｎｍ）を形成した。
【０３１３】
第１追記型記録層１４を形成した後、クリーンオーブンにてアニール処理を施した。アニール処理は、第１基板１２を垂直のスタックポールにスペーサで間をあけながら支持し、８０℃で１時間保持して行った。
【０３１４】
（バリア層２０の形成）
その後、第１追記型記録層１４上に、Ｕｎａｘｉｓ社製Ｃｕｂｅを使用し、Ａｒ雰囲気中で、ＲＦスパッタリングによりＺｎＯ−Ｇａ2Ｏ3（ＺｎＯ：Ｇａ2Ｏ3＝７：３（質量比））からなる、厚さ５ｎｍのバリア層２０を形成した。
【０３１５】
（カバー層１６の貼り合わせ）
カバー層１６としては、内径１５ｍｍ、外径１２０ｍｍで、片面に粘着剤が塗設してあるポリカーボネート製フィルム（帝人ピュアエース、厚さ：８０μｍ）を用い、該粘着剤層（第１接着層２２）とポリカーボネート製フィルム（カバー層１６）との厚さの合計が１００μｍとなるように設定した。
【０３１６】
そして、バリア層２０上に、該バリア層２０と粘着剤層（第１接着層２２）とが当接するようにカバー層１６を載置した後、そのカバー層１６を押し当て部材にて圧接して、貼り合わせた。これにより、実施例１〜１２に係る光情報記録媒体が作製された。
【０３１７】
［比較例１〜３］
化合物（１）及びその異性体との混合物、化合物（２）及びその異性体との混合物、化合物（３７）〜（４６）（それぞれ異性体を省略して記載しているが、実際は他の３つの異性体との混合物）の代わりに以下の比較化合物（Ａ）〜（Ｃ）を用いた以外は、実施例１〜１２と全く同様な方法で第１光情報記録媒体１０Ａを作製した。なお、比較例３においては、比較化合物（Ｃ）は２，２，３，３−テトラフルオロプロパノールに不溶であったため、第１光情報記録媒体１０Ａは作製できなかった。
【０３１８】
【化４７】
2006321230.tif 000048
【０３１９】
【化４８】
2006321230.tif 000049
【０３２０】
【化４９】
2006321230.tif 000050
【０３２１】
［比較例４］
化合物（１）及びその異性体との混合物、化合物（２）及びその異性体との混合物、化合物（３７）〜（４６）（それぞれ異性体を省略して記載しているが、実際は他の３つの異性体との混合物）の代わりに、以下の比較化合物（Ｄ）と比較化合物（Ｅ）を用いた以外は、実施例１〜１２と全く同様な方法で第１光情報記録媒体１０Ａを作製した。比較化合物（Ｄ）及び（Ｅ）は、特開平８−２８７５１３号公報の実施例１に記載された化合物である。混合比は化合物（Ｄ）１００に対し、化合物（Ｅ）６０である。なお、本実施の形態においては、比較化合物（Ｄ）と同様の化合物として、上述した化合物（３）を挙げているが、実際には、他の３つの異性体との混合物を使用している。
【０３２２】
【化５０】
2006321230.tif 000051
【０３２３】
＜光情報記録媒体（第１光情報記録媒体１０Ａ）の評価＞
（記録再生評価）
作製した第１光情報記録媒体１０Ａを、４０５ｎｍレーザ光４６を出射し、且つ、ＮＡ＝０．８５の第１対物レンズ４２を有するピックアップを搭載した記録再生評価機（パルステック社製：ＤＤＵ１０００）を用い、クロック周波数６６ＭＨｚ、線速５．２８ｍ／ｓにて、０．１６μｍの信号（２Ｔ）を記録し、再生を行った。なお、本評価は、本発明の光情報記録方法を用いたものであり、記録はグルーブ上に行った。結果を図４に示す。併せて、塗布溶剤として広く用いられている２，２，３，３−テトラフルオロプロパノールに対する溶解性についても評価した。なお、比較例４は、記録することができなかった。
【０３２４】
図４の結果から、本実施の形態に係る化合物を用いた光情報記録媒体は、比較化合物（Ａ）、（Ｂ）を用いた光情報記録媒体（比較例１、２）に比べて、上記青紫色半導体レーザ光に対して高い記録感度を示すことがわかった。また、比較化合物（Ｃ）は塗布溶剤として広く用いられている２，２，３，３−テトラフルオロプロパノールに不溶であるのに対し、実施例１〜１２に係る化合物は高い溶解性を示すことがわかった。
【産業上の利用可能性】
【０３２５】
本発明の化合物は、顔料、写真用材料、ＵＶ吸収材料、レーザ色素、カラーフィルター用染料、色変換フィルター等にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０３２６】
【図１】本実施の形態で用いられる好ましい具体的な無機アニオンの例を示す表図である。
【図２】第１光情報記録媒体を一部省略して示す断面図である。
【図３】第２光情報記録媒体を一部省略して示す断面図である。
【図４】実施例１〜１２、比較例１〜４について、記録再生特性及び２，２，３，３−テトラフルオロプロパノールに対する溶解性を評価した結果を示す表図である。
【符号の説明】
【０３２７】
１０Ａ…第１光情報記録媒体              １０Ｂ…第２光情報記録媒体
１２…第１基板                          １４…第１追記型記録層
１６…カバー層                          １８…第１光反射層
２０…バリア層                          ２２…第１接着層
２４…第２基板                          ２６…第２追記型記録層
２８…保護基板                          ３０…第２光反射層
３２…第２接着層                        ４４…ハードコート層
【図１】
2006321230.tif 000082
【図２】
2006321230.tif 000083
【図３】
2006321230.tif 000084
【図４】
2006321230.tif 000085