(57)【要約】【課題】  半導体製造プロセス、とくにドライプロセス用の各種装置およびその構成部材が、ハロゲン系ガスなどの作用によって腐食損耗した場合に、その表面を簡便に補修して復元させることにより、該装置等の再使用と耐久性を向上させるための方法を提案する。【解決手段】  ハロゲン系ガスを使用する半導体製造装置に配設されている金属製の装置部材の腐食減肉部に、含ニッケル材料を溶射して肉盛すること、またはさらにその上にCr2Ｏ3やAl2Ｏ3もしくはそれらの混合物を溶射被覆して積層させる、半導体製造装置用部材の補修方法。【選択図】      図１
2006063421.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハロゲン系ガス使用環境下の半導体製造装置に用いられている部材の腐食減肉部に、含ニッケル材料を溶射して肉盛被覆することを特徴とする半導体製造装置用部材の補修方法。
【請求項２】
ハロゲン系ガス使用環境下の半導体製造装置に用いられている部材の腐食減肉部に、含ニッケル材料を溶射してアンダーコートを形成し、次いで、その上に、Cr2Ｏ３およびAl2Ｏ３のいずれか一方またはこれらの混合物からなる酸化物セラミックを溶射被覆してトップコートを積層形成することを特徴とする半導体製造装置用部材の補修方法。
【請求項３】
前記含ニッケル材料は、必須金属成分としてNiを10〜100 mass％を含み、さらに、下記の群から選ばれるいずれか１種以上の金属もしくは合金を含むものであることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体製造装置用部材の補修方法。
ａ．Cr，Al，Co，MoおよびFeの少なくとも一種以上を５〜40 mass％，
ｂ．MnおよびSiの少なくとも一種以上を５mass％以下、
ｃ．Ｃを1.5 mass％以下、
ｄ．Ｂを５mass％以下、
ｅ．Mgを８mass％以下
【請求項４】
前記含ニッケル材料の溶射皮膜は、その皮膜の厚さが、20〜5000μｍの範囲にあることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体製造装置用部材の補修方法。
【請求項５】
Cr2Ｏ３とAl2Ｏ３の混合物は、Cr2Ｏ３については40〜100 mass％（残部Al2Ｏ３）、Al2Ｏ３については30〜100 mass％（残部Cr2Ｏ３）の範囲内で混合したものであることを特徴とする請求項２に記載の半導体製造装置用部材の補修方法。
【請求項６】
Cr2Ｏ3およびAl2Ｏ３のいずれか一方またはこれらの混合物からなる酸化物セラミックの溶射皮膜は、その厚さが20〜2000μｍの範囲内であることを特徴とする請求項２または５に記載の半導体製造装置用部材の補修方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＳＩや太陽電池、液晶などの分野で用いられる半導体製品の製造プロセス用装置に配設されている部材の補修方法に関し、特にドライプロセスに適用される真空ポンプなどの腐食損傷した部材の補修方法について提案する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製品の製造プロセスで使用される各種の装置では、フッ化物，塩化物、ときには臭化物などのハロゲン系ガスを使用することが多く、このプロセスで用いられる各種装置においてはその構成部材が激しく腐食損耗するという問題があった。例えば、これらの半導体製造装置においては、SiやGa，As，Ｐなどからなる半導体化合物を処理対象とし、製造工程では、真空中もしくは減圧中で処理するいわゆるドライプロセスで行われているため、多種多様な装置，真空ポンプなどの器具，部材が使用されている。
なお、これらのドライプロセスで取り扱っている腐食性のハロゲン系ガスとしては、次のようなハロゲンおよびハロゲン化合物のガスがある。
フッ化物：ＢＦx，ＰＦx，ＮＦx，ＷＦx，ＨＦ，Ｆ
塩化物：ＢClx，ＰClx，PoClx，SnClx，TiCIx，SiＨCIx，SiCIx，ＨCl，Cl2
臭化物：ＨBr
（ここで、添字のXは１〜５である）
【０００３】
上掲のハロゲンガスまたはハロゲン化合物のガスを用いる前記ドライプロセスでは、プラズマエネルギーを用いて反応を促進させることがある。この場合、ハロゲンガスやハロゲン化合物のガスは、プラズマ環境中では容易に電離して腐食性の強い原子状のＦ，Cl，Brを生成する他、新たにSiＯ2やSi3Ｎ4，Si，Ｗなどの微粉末状の固形物を生成することが知られている。そのため、給・排気ファン、真空ポンプのケーシングなどでは強い腐食反応に伴なう減肉損傷が発生し、それぞれの性能が短期間のうちに低下するという問題があった。
【０００４】
例えば、上記ドライプロセスに用いられている真空ポンプ類については、従来、耐食性や耐エロージョン性を向上させるため、材質の変更やフッ素系塗料あるいはエポキシ系塗料による塗装、さらにはニッケルめっきや窒化処理などの表面処理などが提案されている。
【０００５】
しかしながら、フッ素系あるいはエポキシ系の防食塗料を用いる方法は、ハロゲンガスなどに対する耐久性がいずれも十分でなく、特に、プラズマによって励起される原子状のハロゲンガス等に対しては、塗膜が短時間のうちに劣化し、保護機能を消失することがあった。
【０００６】
また、ニッケルめっき処理は、ハロゲンガス等に対して比較的良好な耐食性を示すものの、ドライプロセスラインの清浄化処理（水洗処理など）などによって雰囲気中に水分が混入すると、めっき皮膜のピンホールからハロゲン系ガス成分を含む酸性の水溶液が内部に侵入し、基質を選択的に腐食して、ニッケルめっき皮膜を剥離させるという問題があった。さらに、このようなめっき処理だけでは腐食作用によって大きく減肉した装置部材の寸法復元には時間がかかり、この種の補修方法として十分な方法とは言えなかった。
【０００７】
また、各装置部材の基材自体を、鋳鉄や鋳鋼製に代え、比較的高い耐食性を有するステンレス鋼やニッケル系合金（例えば、商品名「ニレジスト」）を用いているが、ハロゲン系ガスに対しては長期間にわたる耐久性が乏しいため、いずれも新たな補修技術の開発が求められていた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
こうした要請に対し、近年、例えば、半導体製造プロセスで使用される各種の装置やそれに用いる部材に対して、特許文献１〜５に示すような、アルミニウムやアルミニウム酸化物を主体とする表面処理技術が提案されている。こうした耐食性表面処理を施した部材は、無処理の部材と比較すると、耐ハロゲンガス性に優れ、使用期間を格段に向上させることができるようになってきた。
【特許文献１】特開昭５７−１９３７１号公報
【特許文献２】特開昭６０−６３３６４号公報
【特許文献３】特開平４−１９３９６６号公報
【特許文献４】特開平９−１０５７７号公報
【特許文献５】特開平１０−２１９４２６号公報
【０００９】
しかしながら、半導体製造ラインに使用されている各種装置類は、上述した従来技術の採用によって、耐食性の改善，使用期間の延長はあっても、その改善の程度はなお小さく、やがて腐食損傷によって減肉し、装置としての機能低下を招き、使用に耐えられなくなるときが来る。半導体製造産業では、このような腐食現象や磨耗現象によって機能を消失した各種装置類は莫大な量であるが、現状ではこれらを補修して再利用する技術は開発されていないため、そのすべてが廃却されており、産業界全体としては大きな損失を招いている。
【００１０】
そこで、本発明の目的は、半導体製造装置、とくにドライプロセスにおいて使用されている各種の半導体製造装置およびその構成部材が、ハロゲンやハロゲン化合物のガスによって腐食損耗した場合に、その表面を簡便に補修して復元することにより、装置等の耐摩耗性、耐久性を初期状態に戻すかさらに向上させるための方法を提案することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
従来技術が抱える上述した課題を克服でき、上掲の目的を実現する方法として、下記の構成を要部とする本発明に想到した。
（１）ハロゲン系ガス使用環境下の半導体製造装置に用いられている部材の腐食減肉部に、含ニッケル材料を溶射して肉盛り被覆すること。
（２）ハロゲン系ガス使用環境下の半導体製造装置に用いられている部材の腐食減肉部に、含ニッケル材料を溶射肉盛りしてアンダーコートを形成し、次いで、その上に、Cr2Ｏ３およびAl2Ｏ３のいずれか一方またはこれらの混合物からなる酸化物セラミックを溶射被覆してトップコートを積層形成すること。
（３）前記含ニッケル材料は、必須金属成分としてNiを10〜100 mass％を含み、さらに、下記の群から選ばれるいずれか１種以上の金属もしくは合金を含むものであること。
ａ．Cr，Al，Co，MoおよびFeの少なくとも一種以上を５〜40 mass％，
ｂ．MnおよびSiの少なくとも一種以上を５mass％以下、
ｃ．Ｃを1.5 mass％以下、
ｄ．Ｂを５mass％以下、
ｅ．Mgを８mass％以下
（４）前記含ニッケル材料の溶射肉盛皮膜は、その皮膜の厚さが、20〜5000μｍの範囲にあること。
（５）Cr2Ｏ３とAl2Ｏ３の混合物は、Cr2Ｏ３については40〜100 mass％（残部Al2Ｏ３）、Al2Ｏ３については30〜100 mass％（残部Cr2Ｏ３）の範囲内で混合したものであること。
（６）Cr2Ｏ3およびAl2Ｏ３のいずれか一方またはこれらの混合物からなる酸化物セラミックの溶射皮膜は、その厚さが20〜2000μｍの範囲内であること。
【発明の効果】
【００１２】
上掲の課題解決手段を採用することにより、本発明によれば、半導体製造ライン等に組み込まれている、例えば、真空系装置のハロゲン系ガスによって腐食減肉した部材の寸法を復元するとともに、耐久性を初期状態かそれ以上の状態に簡便に修復させることができるようになる。
【００１３】
その結果、今まで廃却されていた多量の半導体製造装置およびこの装置に付帯して設けられている部材の再使用が可能となり、製品コストの低減に寄与するとともに、産業廃棄物量の減量化にも貢献することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
半導体製造プロセスでは、近年、プロセスの高性能化および高効率化のために反応性の強い各種のハロゲン系ガスを用いるだけでなく、さらにはその作用機能を促進させるため、低温プラズマを付加することが一般的である。そのため、前記ハロゲン系ガスの一部は、原子状のハロゲン元素に電離してプロセス全体の効率は一段と向上するものの、半導体製造ラインに組み込まれている真空系の各種装置部材の腐食減肉が一層激しくなるという問題があった。
【００１５】
本発明は、上述した問題に対処するために、その腐食した部分に、下記の材料を被覆して元の状態に現状回復させるための補修方法を提案する。
以下、半導体製造装置用部材として、腐食によって減肉した部材の例として、真空ポンプのケーシングに着目し、それの補修方法について説明する。
【００１６】
ところで、前記真空ポンプのケーシングに発生する腐食損傷（減肉）の原因は、主として上述したハロゲン系ガスが介在することによる腐食作用に起因するものであり、特に、半導体製造プロセスの最終工程で稼動しているポンプ類については、ハロゲン系ガス以外にも上流工程で使用される各種の薬液や水分も混入していることが多いため、腐食性はさらに激しいものになる。
一方、真空ポンプのケーシングの材質は、一般には、鋳鉄製のものが用いられているが、鋳鉄の鋳肌面および機械切削面にはハロゲン系ガスや水分を吸着，吸収しやすい黒鉛ならびにピンホールが多数存在しているのが普通である。このため、環境ガスによる腐食反応は、該ケーシング表面のみならず、内部からも進行するという傾向がある。前記部材は、このような現象によって腐食減肉が進行するものと考えられる。
【００１７】
そこで、本発明においては、上述した腐食減肉部分を、下記の如き成分組成を有する含ニッケル材料で被覆（肉盛り）することにした。即ち、この材料は、主要必須成分としてNiを含有し、その他、必要に応じ、残部として、Cr，Al，Co，Mo，Fe，Mn，Si，Ｃ，ＢおよびMgなどのいずれか少なくとも一種以上を、添加成分として下記の割合で含むものが好適に用いられる。
Niを10〜100 mass％、
Cr，Al，Co，MoおよびFeの少なくとも一種以上を５〜40 mass％、
MnおよびSiの少なくとも一種以上を５mass％以下、
Ｃを1.5 mass％以下、
Ｂを５mass％以下、
Mgを８mass％以下、
【００１８】
上記各成分を添加する理由、作用機構は、以下のとおりである。
（１）Niは、主要必須成分であり、ハロゲン系ガスに対して優れた耐食性を示すとともに、溶射皮膜を形成した後も、良好な機械的性質（例えば皮膜の靭性，密着性）を発揮する元素である。しかし、このNiの含有量が10 mass％未満では耐食性を十分に向上させることができないし、補修材料として十分な機能を発揮することができない。
（２）Cr，Al，Co，MoおよびFeは、Niと共存させることによって、溶射材料として取扱いが容易となるほか、溶射熱源によって溶融しやすく、緻密で密着力の強い皮膜を形成するのに役立つ。これらの元素の合計含有量が５mass％未満では、密着力の向上が認められず、一方、40 mass％を超えると効果が飽和すると共に、却って耐食性の劣化を招く。
なお、Feは、この元素単独ではハロゲン系ガスに対する耐食性は殆どないが、Alと共存することによって、溶射熱源中で溶融した際に、Alと反応し耐食性を有する金属間化合物Fe3Al，FeAl，FeAl2およびFeAl3などを生成し、皮膜全体の耐食性の向上に役立つものとなる。また、CrおよびCoも同じようにAlと金属間化合物を形成して耐食性を向上させる。一方、Moは、合金化させることによって、酸性環境における耐食性の向上に有効に作用する。
（３）MnおよびSiは、５mass％以下であれば、溶射皮膜の耐食性に悪影響を与えることなく、皮膜の機械的性質を向上させる。なお、Siは、フッ素系ガスには腐食され易いが、ＨCl系のガスには強い耐食性を発揮する元素である。
（４）ＣおよびＢは、機械的性質を向上させるが、1.5 mass％を超えると耐食性を悪化させる場合があり、また、MgはAlと共存すると溶射皮膜としての機械的性質を低下させず、耐フッ素系ガス性を向上させる特徴がある。
【００１９】
とくに、上記含ニッケル材料のより好ましい化学成分としては、Ni：23〜75 mass％、Cr：13〜40 mass％、Mo：８〜18 mass％、Fe：３〜10 mass％、Al：0.5〜８mass％、Ｃ：0.01〜1.0 mass％の如き成分組成を有するものがより好適に用いられる。
【００２０】
腐食減肉した真空ポンプのケーシング部材などへの原状回復処理、即ち、寸法復元のための上記材料の被覆方法としては溶射方法が好適であり、前記含ニッケル材料を溶射によって所定の厚みに肉盛りする方法が有効である。その溶射方法としては、例えば、大気プラズマ溶射方法，減圧プラズマ溶射方法，高速フレーム溶射方法，フレーム溶射方法，アーク溶射方法などの溶射方法が好適である。
【００２１】
部材表面への上記含ニッケル材料のみを施工した場合の溶射肉盛の厚さは、腐食減肉の程度にもよるが、５mm程度を上限として施工する。それは、５mmを越える補修厚さをもつ部材は、形状が復元しても、部材自体の強度が不充分になることが多く実用的でないからである。
【００２２】
なお、本発明においては、上記部材の腐食減肉部の補修に当っては、基材表面に単に含ニッケル材料を溶射被覆するだけでなく、その含ニッケル材料による溶射被覆層をアンダーコートとして、そのアンダーコートの上にさらにトップコートとして、Cr2Ｏ3およびAl2Ｏ3から選ばれるいずれか一方、またはこれらの混合物からなる酸化物セラミック粉末を溶射して積層し、複合皮膜としてもよい。
【００２３】
このような含ニッケル材料層と酸化物セラミック層とからなる複合皮膜については、アンダーコートは、腐食減肉した基材とトップコートである酸化物セラミック溶射皮膜との中間にあって、該基材とトップコートとの良好な密着性を確保する上で重要な役割を果すとともに、トップコートに発生している開気孔から侵入するハロゲン系ガスに対しても十分な耐食性を発揮することになる。なお、このアンダーコート（含ニッケル材料）の膜厚は、補修部の復元程度にもよるが、30〜300μｍの範囲が好適である。膜厚が30μｍより薄いと、気孔が多く基材を腐食作用から完全に防ぐことができない。一方、その膜厚が300μｍより厚くしても、アンダーコートとしての機能が格段に向上する訳ではない。
【００２４】
一方、アンダーコートの上に被覆形成される前記Cr2Ｏ3やAl2Ｏ3、またはこれらの混合物からなる酸化物セラミックからなるトップコートは、ハロゲン系ガスに対して優れた耐食性を示すとともに、とくにCr2Ｏ3皮膜は、固体潤滑性に富み、一方、Al2Ｏ3皮膜は、良好な耐エロージョン特性を発揮する。なお、これらの混合物については、上記ケーシング部材の腐食減耗の程度などを勘案して、Cr2Ｏ3とAl2Ｏ3の混合比率を、Cr2Ｏ３については40〜100 mass％（残部Al2Ｏ３）、Al2Ｏ３については30〜100 mass％（残部Cr2Ｏ３）の範囲内に調整して成膜する。この範囲に限定した理由は、Cr2Ｏ3が40 mass％より少ないと、腐食性環境中における固体潤滑性が低下するからである。また、Al2Ｏ3の量は30 mass％より少ないと耐エロージョン性が低下するからである。
【００２５】
このトップコート（Cr2Ｏ3およびAl2Ｏ3）の厚さは、溶射施工後その表面を機械的に研削・研磨した後の膜厚として、20〜2000μｍの範囲がよく、特に100〜800μｍの範囲が好適である。20μｍより薄い膜厚ではトップコートとしての寿命が短く、また2000μｍより厚くするとトップコートを構成する酸化物セラミックの粒子結合力が弱くなってトップコートの内部でしばしば層間剥離することがあるからである。
【００２６】
なお、上述した溶射補修後、得られた溶射皮膜の表面に対しては、フッ素系樹脂，珪素系樹脂，エポキシ系樹脂などの封孔剤を塗布充填して皮膜の気孔部を封塞する操作を、必要に応じて実施しても差支えない。
【００２７】
次に、腐食減肉部分に、上記含ニッケル材料、Cr2Ｏ3もしくはAl2Ｏ3を主体とする材料を溶射被覆して補修する方法について説明する。
真空ポンプのケーシング部の上記腐食減肉部の補修に当たっては、先ず、そのケーシング（鋳鉄製）全体をよく水洗いし、その後これを180〜250 ℃程度の温度において１〜５時間加熱することにより、基材中に付着し、あるいは含浸されている腐食性成分（水分を含む）を除去する。
【００２８】
次に、上記腐食減肉部とその周辺部をグラインダーまたは強力なグリッドブラスト（スチールショットでも可）で研削し、腐食されていない清浄な（鋳鉄）面を露出させる。この操作は、ピンホールや黒鉛部を通して内部へ侵入したハロゲン系ガスや水分によって腐食が進行し、空洞化現象が発生している場合の対処を兼ねるものである。
【００２９】
次に、研磨，研削またブラスト処理によって露出した清浄な基材面の粗さを測定し、Ｒａ：５〜20μｍの範囲にあることを確認する。この範囲外の場合にはAl2Ｏ3グリッドを用いて表面粗さがＲａ：５〜20μｍの範囲内になるようにブラスト処理を行う。
【００３０】
次に、腐食減肉部を中心に上記溶射法のいずれかの方法によって溶射肉盛り処理を行うが、この溶射処理の前に必要に応じてケーシング全体を50〜300℃に予熱しておくことは有効である。また、腐食減肉部のみを集中して溶射せず、その周辺部に対して溶射処理を行ってもよい。
【実施例】
【００３１】
＜実施例1＞
表１に、この実施例で使用したアンダーコート用含ニッケル溶射材料の化学成分を示し、また、表２にトップコート用酸化物セラミックの化学成分を示した。
この実施例では、ＦＣ２００基材（寸法：幅30 mm×長さ50 mm×厚さ７mm）の表面に、表１記載の含ニッケル材料を大気プラズマ溶射法によって、皮膜厚さが200μｍになるように形成した。
溶射後の試験片を、ＣＦ4 150 ml／min．  Ｏ2 75 ml／min．  ＨCl 130 ml／min．の混合気流中で、180℃×10時間暴露し、試験前後の重量変化から耐食性を比較した。なお、比較用材料として、溶射皮膜を形成しない基材ＳＳ４００，ＦＣ２００，ＦＣＤ４００，ＳＵＳ４１０について、同一の条件での腐食試験を行った。
【００３２】
表３はその結果を示したものである。この結果から明らかなように、無処理（溶射皮膜なし）の基材（No.６，７，８，９）はいずれも腐食減量が大きく、ハロゲン系ガスに対する耐食性に乏しいことが判明した。これに対し溶射皮膜を形成し、本発明に適合する処理が行われた試験片（No．１〜５）はいずれも優れた耐食性を示した。
例えば、無処理のＦＣ２００基材（No．７）の腐食減量は35〜50 mg／cm2であるのに対し、前記基材表面に含ニッケル溶射皮膜を形成してなる試験片の腐食減量は２〜10 mg／cm2の範囲であった。また、含ニッケル材料の溶射皮膜の耐食性は、基材質の種類に関係なくいずれも良好な耐食性を示しており、腐食減肉部の寸法及び形状復元用溶射皮膜として適用できることが確かめられた。
【００３３】
＜実施例２＞
この実施例では、ＦＣＤ４００基材（寸法：幅30 mm×長さ50 mm×厚さ７mm）の上にアンダーコートとして表１記載の含ニッケル材料の溶射皮膜を100μｍ厚さに施工した後、その上に、トップコートとして、表２記載の酸化物セラミックの溶射皮膜を、300μｍの厚さに施工し、その後、試験片を実施例１と同じ条件で腐食試験を行った。さらに、腐食試験片をそのままの状態で実験室に10日間放置し、トップコートの変化を拡大鏡を用いて詳細に観察した。なお、10日間放置した実験室の環境は、温度は18〜26 ℃、湿度48〜85％の範囲内で変動した。
【００３４】
表４はその結果を示したものである。アンダーコートを施工した本発明に適合する試験片（No.１〜５）はトップコートを積層してもその防食機能は消失せず、外観上も全く変化はなかった。
これに対し、たとえトップコート用材料であるCr2Ｏ3およびAl2Ｏ3の少なくともいずれか一方を形成しても、含ニッケル材料のアンダーコートがなければ（No．６〜８）、しかもそれが他の材料のアンダーコートであったとしてもトップコートに小さな亀裂が多数発生した。参考までに亀裂が発生した試験片の断面を光学顕微鏡を用いて観察すると、アンダーコートとトップコートの境界に鉄さびの発生が認められた。このことからトップコートの亀裂発生原因はトップコートの気孔から浸入したハロゲン系ガスとその後の実験室放置時に混入した水分（湿度）と酸素によってアンダーコートの腐食が急速に進行して、腐食生成物としてのさびの体積が増加した結果、トップコートに大きな応力負荷がかかったものと考えられる。
【００３５】
＜実施例３＞
この実施例では、半導体製造プロセスラインで使用されている真空ポンプのロータを用いて本発明にかかる溶射皮膜の補修効果を験証した。
図１は、この実施例で用いた真空ポンプのロータを示したものである。
この実施例では、前記ロータに、表１記載のアンダーコート材料Ｂ，Ｃを大気プラズマ溶射法によって120μｍ厚さに施工した後、その上に、トップコートとして表２記載のＡ２，Ｂ２，Ｃ２，Ｄ２のセラミックをそれぞれ大気プラズマ溶射法によって250μｍ厚さに形成し、その後、トップコートの表面をＲａ＝0.5〜0.8μｍに仕上げた。また、比較例として溶射皮膜を施工しない無処理のロータを半導体製造プロセスのドライポンプに組み込んで実際の環境で12000時間運転した。このプロセスではフッ素，塩素ガスと水分が混在する腐食性の環境である。
【００３６】
表５は、以上の結果を要約したものである。無処理ロータはＦＣ２００基材では0.45〜0.51 mmの減肉（No.５）、ニレジストでは0.35〜0.38 mmの減肉（No.６）が認められたが、本発明に適合する溶射皮膜（No.１〜４）は減肉量が0.01〜0.03 mmに止まり、外観上も全く異常は認めれなかった。
【００３７】
【表１】
2006063421.tif 000003
【００３８】
【表２】
2006063421.tif 000004
【００３９】
【表３】
2006063421.tif 000005
【００４０】
【表４】
2006063421.tif 000006
【００４１】
【表５】
2006063421.tif 000007
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明にかかる補修技術は、各種の半導体製造プロセス用装置に用いられる構成部材、特に、ドライプロセスに適用される酸化炉，ＣＶＤ装置，エピタキシャル成長装置，イオン注入装置，拡散炉，反応性イオンエッチング装置，プラズマエッチング装置、およびこれらの装置に付属している配管，給・排気ファン，真空ポンプ，バルブ類などの補修に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】ドライポンプのロータの一例を示す図である。
【符号の説明】
【００４４】
１  ロータ本体
２  溶射皮膜施工部分
【図１】
2006063421.tif 000008