(57)【要約】【課題】  誘導素子を備えた半導体装置において、該誘導素子を構成する配線の長手方向から見た断面形状における角部への高周波電流の集中を抑制し、Ｑ値が高く、特性の優れた誘導素子を備えた半導体装置を提供する。【解決手段】  本発明の半導体装置１０は、少なくとも一面に電極３を備えた基板１と、該基板の一面を覆うように設けられた絶縁樹脂層１１と、該絶縁樹脂層上に設けられ、前記電極と電気的に接続された導電部１４とを備えた半導体装置であって、前記導電部の一部はインダクタとして機能する部位１５を構成し、前記部位は、該インダクタを構成する配線の長手方向から見た断面形状が略四角形であり、全ての角部がＲ形状またはＣ形状をなしている。【選択図】  図１
2006332350.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一面に電極を備えた基板と、
該基板の一面を覆うように設けられた絶縁樹脂層と、
該絶縁樹脂層上に設けられ、前記電極と電気的に接続された導電部とを備えた半導体装置であって、
前記導電部の一部はインダクタとして機能する部位を構成し、
前記部位は、該インダクタを構成する配線の長手方向から見た断面形状が略四角形であり、全ての角部がＲ形状またはＣ形状をなしていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記角部を円弧として近似した際の半径が、使用周波数における表皮深さよりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
少なくとも一面に電極を備えた基板と、
該基板の一面を覆うように設けられた絶縁樹脂層と、
該絶縁樹脂層上に設けられ、前記電極と電気的に接続された導電部とを備え、
前記導電部の一部はインダクタとして機能する部位を構成している半導体装置の製造方法であって、
前記絶縁樹脂層上に、前記インダクタが形成される部分に開口部を有し、該開口部の長手方向から見た断面形状が略四角形であり、下側の角部がＲ形状またはＣ形状をなしているレジストを形成する第一の工程と、
前記レジスト上に導電部を形成する第二の工程と、
前記レジストを除去する第三の工程と、
前記導電部の断面形状において上側の角部がＲ形状またはＣ形状となるように、導電部の表面をエッチングする第四の工程とを順に備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンウエハなどの半導体基板のうち、高周波用半導体基板に適用され、めっき等により厚膜の配線を形成する方法に関し、特に配線の長手方向から見た断面形状の最適化を図り、インダクタの性能や配線の高周波特性を向上せしめたものである。
【背景技術】
【０００２】
シリコン基板表面にスパイラルインダクタを形成する場合、このインダクタによって作り出される電磁エネルギーの一部は、配線と下側の基板との間の寄生キャパシタンスによってシリコン基板やインダクタを形成する配線において失われる（例えば、特許文献１、特許文献２）
上記文献において、電磁エネルギーが失われる原因のひとつは、基板とスパイラルインダクタとの距離が近いことである。そこで、ウエハレベルＣＳＰ（chip scale package）の銅めっき再配線プロセスと、厚膜樹脂を絶縁層として利用することで、インダクタと基板間の距離を大きくとり、かつ配線抵抗を小さくすることにより、高いＱ値を実現したインダクタが開発されている（例えば、非特許文献１）。
【０００３】
図６はインダクタを有する従来の半導体装置の一例を示す断面図である。
この半導体装置３０においては、集積回路２（ＩＣ等）が形成された半導体基板１の一面に集積回路の電極３およびパッシベーション膜４（絶縁膜）が形成されている。さらに、半導体基板１のパッシベーション膜４の上には、第一の絶縁樹脂層３１が設けられ、この第一の絶縁樹脂層３１の上には、電極２と電気的に接続された下部配線層３２が形成されている。さらに半導体基板１および下部配線層３２の上を覆うように第二の絶縁樹脂層３３が形成されており、この第二の絶縁樹脂層３３の上に、誘導素子としてスパイラル型のインダクタ３５を有する上部配線層３４が設けられている。インダクタ３５は、下部配線層３３を介して集積回路の電極３と電気的に接続されている。
【０００４】
このような半導体装置において、インダクタ３５を構成する配線の長手方向から見た断面形状は、図７（ａ）に示すように、略四角形状をしており、その角部がほぼ直角であることが理想的であるが、銅めっきによりインダクタを形成する際の鋳型となる、フォトレジスト形成の際、フォトレジストの種類と露光、現像条件に依存するがフォトレジストの断面とウエハとが垂直にならないことがある。
【０００５】
このようなフォトレジストをマスクとして用いて形成されたインダクタは、例えば、配線の長手方向から見た断面形状が図７（ｂ）に示すように略逆台形状となったり、図７（ｃ）に示すように略台形状となるので、鋭角形状をなす角部の発生を回避することは困難であった。一方、高周波領域においては、使用する周波数と導体に応じた表皮効果によって、表面からある深さの領域までしか電流が流れず、結果として鋭角部に電流が集中し、インピーダンスが増加することが分かっている。ゆえに、図７（ｂ）や図７（ｃ）の鋭角形状をなす角部の存在は、高周波特性を阻害する要因の一つとなることから、その対応策の開発が期待されていた。
【特許文献１】特開２００２−２４６５７号公報
【特許文献２】特開２００３−８６６９０号公報
【非特許文献１】日経マイクロデバイス２００２年３月号１２５〜１２７頁
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、誘導素子を備えた半導体装置において、該誘導素子を構成する配線の長手方向から見た断面形状における角部への高周波電流の集中を抑制し、Ｑ値が高く、特性の優れた誘導素子を備えた半導体装置を提供することを第一の目的とする。また本発明は、このような角部への高周波電流の集中を抑制できる配線構造を形成することが可能な、半導体装置の製造方法を提供することを第二の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の請求項１に係る半導体装置は、少なくとも一面に電極を備えた基板と、該基板の一面を覆うように設けられた絶縁樹脂層と、該絶縁樹脂層上に設けられ、前記電極と電気的に接続された導電部とを備えた半導体装置であって、前記導電部の一部はインダクタとして機能する部位を構成し、前記部位は、該インダクタを構成する配線の長手方向から見た断面形状が略四角形であり、全ての角部がＲ形状またはＣ形状をなしていることを特徴とする。
本発明の請求項２に係る半導体装置は、請求項１において、前記角部を円弧として近似した際の半径が、使用周波数における表皮深さよりも大きいことを特徴とする。
本発明の請求項３に係る半導体装置の製造方法は、少なくとも一面に電極を備えた基板と、該基板の一面を覆うように設けられた絶縁樹脂層と、該絶縁樹脂層上に設けられ、前記電極と電気的に接続された導電部とを備え、前記導電部の一部はインダクタとして機能する部位を構成している半導体装置の製造方法であって、前記絶縁樹脂層上に、前記インダクタが形成される部分に開口部を有し、該開口部の長手方向から見た断面形状が略四角形であり、下側の角部がＲ形状またはＣ形状をなしているレジストを形成する第一の工程と、前記レジスト上に導電部を形成する第二の工程と、前記レジストを除去する第三の工程と、前記導電部の断面形状において上側の角部がＲ形状またはＣ形状となるように、導電部の表面をエッチングする第四の工程とを順に備えていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明に係る半導体装置は、誘導素子を構成する配線の長手方向から見た断面形状において、その角部をＲ形状またはＣ形状としたことにより、該角部への電流集中を防止することができるので、インピーダンスの増加を抑制することができる。ゆえに、本発明は、Ｑ値が高く、特性の優れた誘導素子を有する半導体装置の提供に寄与する。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、まず、下側の角部がＲ形状またはＣ形状をなしているレジストを形成する第一の工程と、前記レジスト上に導電層を形成する第二の工程とにより、誘導素子を構成する配線として機能する導電部を、その長手方向から見た断面形状において、下側角部がＲ形状またはＣ形状となすように形成する。次いで、前記レジストを除去する第三の工程と、前記導電層の断面形状において上側の角部がＲ形状またはＣ形状となるように、導電層の表面をエッチングする第四の工程とにより、誘導素子を構成する配線として機能する導電部を、その長手方向から見た断面形状において、上側角部がＲ形状またはＣ形状となすように形成する。ゆえに、本発明は、導電層の断面形状において上下４つの角部が全てＲ形状またはＣ形状とすることにより、角部への高周波電流の集中を抑制できる配線構造を形成できるので、上述したＱ値が高く、特性の優れた誘導素子を有する半導体装置をもたらす。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明に係る半導体装置の一実施形態を図面に基づいて説明するが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。
【００１０】
図１は、本発明に係る半導体装置の一例を示す断面図である。
この半導体装置１０においては、集積回路２が形成された半導体基板１の表面に集積回路（図示略、ＩＣ）の電極３およびパッシベーション膜４が形成されている。
さらにこの半導体装置１０は、半導体基板１のパッシベーション膜４上に設けられた第一の絶縁樹脂層１１と、この第一の絶縁樹脂層１１の上に設けられた第一の配線層１２と、第一の絶縁樹脂層１１および第一の配線層１２を覆うように設けられた第二の絶縁樹脂層１３と、第二の絶縁樹脂層１３上に設けられた第二の配線層１４とを有する。第二の配線層１４は、誘導素子として螺旋形状（スパイラル型）のインダクタ１５を有する。
【００１１】
半導体基板１は、少なくとも表層が絶縁部（図示略）をなす基材１ａの一面上に、例えば電極３としてＡｌパッドを設け、さらにその上にＳｉＮまたはＳｉＯ２  等のパッシベーション膜４（不動態化による絶縁膜）を形成してなるものである。このパッシベーション膜４には、電極３と整合する位置に開口部１６が設けられており、この開口部１６を通して電極３が露呈されている。パッシベーション膜４は、例えばＬＰ−ＣＶＤ法等により形成することができ、その膜厚は例えば０．１〜０．５μｍである。
ここでは、インダクタ１５を有する配線層を、集積回路と電気的に接続するための電極３が、半導体基板１の表面の２箇所に設けられている。
【００１２】
上述したように、従来のインダクタでは、該インダクタを構成する配線の断面形状において、その角部が鋭角であると、高周波電流は鋭角部に集中するため、これに起因してインピーダンスが増大し、Ｑ値が低下してしまうという問題があった。
そこで本発明では、インダクタ１５を構成する配線の長手方向から見た断面形状において、上下４つの角部を全てＲ形状またはＣ形状としている。なお、本明細書において、Ｒ形状とは、略円弧状のことを意味する。また、Ｃ形状とは、複数の角部を有する多角形状のことを意味する。
【００１３】
インダクタ１５を構成する配線の断面形状において、その角部をＲ形状またはＣ形状にすることで、該角部が鋭角形状であったとしても、高周波電流を印加した際に、該角部への電流集中を抑制することができる。これにより、インピーダンスの増大を抑制し、電流損失を低減させることができる。その結果、従来のインダクタよりもＱ値を向上させることができる。
また、インダクタ１５を構成する配線の断面形状において、一部ではなく全ての角部をＲ形状またはＣ形状とすることで、角部で発生する高周波特性のロスを効果的に防止することができる。その結果、従来のインダクタよりもＱ値の向上が図れる。
【００１４】
半導体基板１は、シリコンウエハ等の半導体ウエハでもよく、半導体ウエハをチップ寸法に切断（ダイシング）した半導体チップであってもよい。半導体基板１が半導体チップである場合は、まず、半導体ウエハの上に、各種半導体素子やＩＣ、誘導素子等を複数組、形成した後、チップ寸法に切断することで複数の半導体チップを得ることができる。
【００１５】
第一の絶縁樹脂層１１は、各電極３と整合する位置に形成された第一の開口部１６を有する。第一の絶縁樹脂層１１は、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等からなり、その厚さは例えば１〜３０μｍである。
第一の絶縁樹脂層１１は、例えば回転塗布法、印刷法、ラミネート法等により形成することができる。また第一の開口部１６は、例えばフォトリソグラフィ技術を利用したパターニングなどにより形成される。
【００１６】
第二の絶縁樹脂層１３は、半導体基板１の表面に沿う位置が第一の開口部１６とは異なる位置に開口した第二の開口部１７を有する。これら第二の開口部１７は、それぞれ第二の配線層１４の端部に整合する位置に形成されている。
【００１７】
第一の配線層１２は、電極３とインダクタ１５とを電気的に接続する再配線層（アンダーパス）である。第一の配線層１２の一端部は、第一の開口部１６を介して第一の絶縁樹脂層１１を貫通し、電極３と電気的に接続されている。また、第一の配線層１２の他端部は、第二の開口部１７と整合する位置まで延びている。
第一の配線層１２の材料としては、例えばＣｕ等が用いられ、その厚さは例えば１〜２０μｍである。これにより十分な導電性が得られる。第一の配線層１２は、例えば、電解銅めっき法等のめっき法、スパッタリング法、蒸着法、または２つ以上の方法の組み合わせにより形成することができる。
【００１８】
第二の配線層１４は、誘導素子として螺旋形状のインダクタ１５を有する。第二の配線層１４の端部は、第二の開口部１７を介して第二の絶縁樹脂層１３を貫通しており、それぞれ、第一の配線層１２の他端部と接続されている。
第二の配線層１４の材料としては、例えばＣｕ等が用いられ、その厚さは例えば１〜２０μｍである。これにより十分な導電性が得られる。第一の配線層１２は、例えば、電解銅めっき法等のめっき法、スパッタリング法、蒸着法、または２つ以上の方法の組み合わせにより形成することができる。
【００１９】
上述したように、本発明では、インダクタ１５を構成する配線の長手方向から見た断面形状において、その角部をＲ形状またはＣ形状としている。
図２は、Ｒ形状とされた角部を有する配線を拡大して示す断面図である。
図２において、角部を円弧として近似した際の半径ｒが、使用周波数における表皮深さよりも大きいことが好ましい。これにより、角部への電流集中をより効果的に抑制して、インピーダンスの増大をより抑制することができる。
例えば、銅配線中では、使用周波数が２．４５ＧＨｚのときの表皮深さは、１．３３μｍであるため、半径ｒは、少なくともそれより大きな値であることが好ましい。
【００２０】
第二の配線層１４上に封止樹脂層（図示略）を設ける場合は、封止樹脂層は、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等からなり、その厚さは例えば１０〜１５μｍである。封止樹脂層には、外部への端子を出力するための開口部が設けられる。
【００２１】
図１では、半導体基板上の誘導素子１つに対応する部分のみを図示したが、本発明は、複数の誘導素子を備えた半導体装置に適用することもできる。また、図示しないが、本発明の半導体装置には、封止樹脂層の上に、必要に応じて、バンプ等の外部への出力端子等の構造物を付加することができる。
【００２２】
次に、図１に示す半導体装置の製造方法について説明する。
まず、図３（ａ）に示すように、集積回路２、電極３およびパッシベーション膜４を有する半導体基板１を用意する。この半導体基板１は、上述したように、基材１ａの一面上に電極３とパッシベーション膜４が形成されており、パッシベーション膜４には、電極３と整合する位置に開口部が設けられた半導体ウエハである。
【００２３】
次いで、図３（ｂ）に示すように、半導体基板１のパッシベーション膜４の上に、第一の開口部１６を有する第一の絶縁樹脂層１１を形成する。
このような第一の絶縁樹脂層１１は、例えば上記樹脂からなる膜を例えば回転塗布法、印刷法、ラミネート法などによってパッシベーション膜４の全面に成膜した後、例えばフォトリソグラフィ技術を利用したパターニングなどにより、電極３と整合する位置に第一の開口部１６を形成することによって形成することができる。
【００２４】
次いで、図３（ｃ）に示すように、第一の絶縁樹脂層１１の上に第一の配線層１２を形成する。この第一の配線層１２を所定の領域に形成する方法は、特に限定されるものではないが、例えば国際公開第００／０７７８４４号公報に記載された方法を用いることができる。
【００２５】
ここで、第一の配線層１２を形成する好適な方法の一例について説明する。
まず、スパッタリング法等により、電解めっき用の薄いシード層（図示略）を第一の絶縁樹脂層１１上の全面または必要な領域に形成する。シード層は、例えばスパッタリング法により形成されたＣｕ層およびＣｒ層からなる積層体、またはＣｕ層およびＴｉ層からなる積層体である。また、無電解Ｃｕめっき層でもよいし、蒸着法、塗布法または化学気相成長法（ＣＶＤ）等により形成された金属薄膜層であってもよいし、上記の金属層形成方法を組み合わせてもよい。
【００２６】
次に、シード層の上に、電解めっき用のレジスト膜（不図示）を形成する。このレジスト膜には第一の配線層１２の形成すべき領域に開口部を設け、該開口部において、前記シード層を露出させておく。レジスト膜は、例えば、フォトリソグラフィ技術によるパターニング、フィルムレジストをラミネートする方法、液体レジストを回転塗布する方法等により形成することができる。そして、レジスト膜をマスクとして露出したシード層上に、電解めっき法等により、Ｃｕ等から構成された第一の配線層１２を形成する。
このように、所望の領域に第一の配線層１２が形成された後、不要なレジスト膜およびシード層はエッチングにより除去し、第一の配線層１２が形成された領域以外の部分では第一の絶縁樹脂層１１が露出されるようにする［図３（ｃ）］。
【００２７】
次いで、第一の絶縁樹脂層１１および第一の配線層１２の上を覆うように第二の絶縁樹脂層１３を形成する［図３（ｄ）］。
このような第二の絶縁樹脂層１３は、例えば上記樹脂からなる膜を例えば回転塗布法、印刷法、ラミネート法などによって第一の絶縁樹脂層１１および第一の配線層１２の全面を覆うように成膜した後、例えばフォトリソグラフィ技術を利用したパターニングなどにより、第一の配線層１２の他端部と整合する位置に第二の開口部１７を形成することによって形成することができる。
【００２８】
次いで、第二の絶縁樹脂層１３の上に、誘導素子としてインダクタ１５を有する第二の配線層１４を形成する［図３（ｅ）］。
第二の配線層１４を所定の領域に設ける方法は、第一の配線層１２を設ける方法とほぼ同様に行うことができる。
【００２９】
図４は、導電部（例えば第二の配線層１４、インダクタ１５）の製造方法の一例を工程順に示す断面図である。
まず、第二の絶縁樹脂層１３Ａ上に形成された、電解めっき用のシード層２０Ａ上に、電解めっき時のマスクとなるレジスト膜２１Ａを形成する［図４（ａ）］。レジスト膜２１Ａは、例えばフォトリソグラフィ技術によるパターニング等により形成されるが、このとき、フォトレジストの露光、現像条件を最適化してレジストプロファイルを制御することにより、図４（ａ）に示すように、開口部２１Ａ’の長手方向から見た断面形状において、下側の角部がＲ形状（またはＣ形状）を有するとともに、上方に向けて開口部２１Ａ’の幅が広がる略逆台形状のパターンが形成される。
【００３０】
次に、前記レジスト膜２１Ａをマスクとして露出したシード層２０Ａ上に、電解めっき法等により、Ｃｕ等から構成された導電部（第二の配線層１４Ａ’またはインダクタ１５Ａ’）を形成する［図４（ｂ）］。その厚さは例えば１〜１０μｍである。このとき、この導電部１４Ａ’（１５Ａ’）は、フォトレジストにより保護されているため、図示するように、下側の角部１４Ａｄ’（１５Ａｄ’）のみＲ形状（またはＣ形状）となる。
【００３１】
次いで、レジスト膜２１Ａおよびシード膜２０Ａを除去する［図４（ｃ）］。これにより、下側の角部１４Ａｄ’（１５Ａｄ’）のみＲ形状（またはＣ形状）をもつ導電部（第二の配線層１４Ａ’またはインダクタ１５Ａ’）が得られる。その際、導電部の下方に位置するシード膜２０Ａは残存する。なお、この除去は、例えばウェットエッチングやドライエッチングにより行うことができる。
【００３２】
最後に、導電部（第二の配線層１４Ａ’またはインダクタ１５Ａ’）の上面に対して、ウェットエッチング、またはドライエッチングを行う［図４（ｄ）］。これにより、導電部の上側の角部１４Ａｕ（１５Ａｕ）も除去されてＲ形状（またはＣ形状）とされた、略逆台形状の断面形状をもつ部位（第二の配線層１４Ａまたはインダクタ１５Ａ）が得られる。その際、若干の影響は受けるが、導電部の下側の角部１４Ａｄ（１５Ａｄ）はＲ形状（またはＣ形状）を保つようなエッチング条件とすればよい。
【００３３】
図５は、導電部（例えば第二の配線層１４、インダクタ１５）の製造方法の他の一例を工程順に示す断面図である。
図５に示す方法では、レジスト膜２１Ｂに形成する開口部２１Ｂ’の長手方向から見た断面形状が、図４に示す方法で設けたもの上下逆転している点が異なる。すなわち、図５（ａ）に示すように、レジスト膜２１Ｂには、開口部２１Ｂ’の長手方向から見た断面形状において、下側の角部２１ＢｄがＲ形状（またはＣ形状）を有するとともに、下方に向けて開口部の幅が広がる略台形状のパターンが形成される。
【００３４】
その後、図５（ｂ）〜図５（ｄ）の順に、図４と同様の工程を行う。すなわち、
次に、レジスト膜２１Ｂをマスクとして露出したシード層２０Ｂ上に、電解めっき法等により、Ｃｕ等から構成された導電部（第二の配線層１４Ｂ’またはインダクタ１５Ｂ’）を形成する［図５（ｂ）］。その厚さは例えば１〜１０μｍである。このとき、導電部１４Ｂ’（１５Ｂ’）は、フォトレジストにより保護されているため、図示するように、下側の角部１４Ｂｄ’（１５Ｂｄ’）のみＲ形状（またはＣ形状）となる。
【００３５】
次いで、レジスト膜２１Ｂおよびシード膜２０Ｂを除去する［図５（ｃ）］。これにより、下側の角部１４Ｂｄ’（１５Ｂｄ’）のみＲ形状（またはＣ形状）をもつ導電部（第二の配線層１４Ｂ’またはインダクタ１５Ｂ’）が得られる。その際、導電部の下方に位置するシード膜２０Ｂは残存する。この除去は、例えばウェットエッチングやドライエッチングにより行うことができる。
【００３６】
最後に、導電部（第二の配線層１４Ｂ’またはインダクタ１５Ｂ’）の上面に対して、ウェットエッチング、またはドライエッチングを行う［図５（ｄ）］。これにより、導電部の上側の角部１４Ｂｕ（１５Ｂｕ）も除去されてＲ形状（またはＣ形状）とされた、略逆台形状の断面形状をもつ部位（第二の配線層１４Ｂまたはインダクタ１５Ｂ）が得られる。その際、若干の影響は受けるが、導電部の下側の角部１４Ａｄ（１５Ａｄ）はＲ形状（またはＣ形状）を保つようなエッチング条件とすればよい。
【００３７】
図１には、図２（ａ）や図４（ｄ）に示した略逆台形状の断面形状をもつ部位を、インダクタ１５に適用した例を示したが、これに代えて、図２（ｂ）や図５（ｄ）に示した略台形状の断面形状をもつ部位を採用してもよいし、両者を混在させても構わない。
また、図１はインダクタ１５に適用した例であるが、第二の配線層１４のような一般の高周波伝送路線に適用しても、本発明の効果、すなわち、角部への高周波電流の集中を抑制できるという効果は得られる。
【００３８】
さらに、第二の配線層１４上に封止樹脂層（図示略）を設けた形態としてもよい。この場合、第二の配線層１４上に、外部への端子を出力するための開口部を有する絶縁性の封止樹脂層１５を形成する。その厚さは、例えば１〜３０μｍである。
このような封止樹脂層は、例えば、感光性ポリイミド樹脂等の感光性樹脂をフォトリソグラフィ技術によりパターニングすることによって、所望の位置に開口部を有する封止樹脂層を形成することができる。なお、封止樹脂層の形成方法は、この方法に限定されるものではない。
封止樹脂層の形成後、前記誘導素子などの各種構造物が形成された半導体ウエハを所定の寸法にダイシングすることにより、前記誘導素子がパッケージ化された半導体チップを得ることができる。
【００３９】
半導体装置１０では、インダクタ１５の配線の長手方向から見た断面形状においてその角部をＲ形状またはＣ形状としているので、高周波電流を印加した際に、例えば鋭角形状の角部があったとしても該角部への電流集中を抑制することができる。これにより、インピーダンスの増大を抑制し、電流損失を低減させることができる。その結果、従来よりもＱ値を向上させることができる。
【００４０】
以上、本発明の半導体装置について説明してきたが、本発明はこれに限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、適宜変更が可能である。
例えば、上述した実施の形態では、誘導素子として、螺旋形状のインダクタを備えた半導体装置を例に挙げて説明してきたが、本発明は、つづら折れ形状等、他の形状を有するインダクタを備えた半導体装置についても適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
本発明は、例えば誘導素子がアンテナコイルとして機能する非接触ＩＣタグ用半導体装置など、誘導素子を有する各種半導体装置に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の半導体装置の一例を示す断面図である。
【図２】角部がＲ形状を有する導電部を拡大して示す断面図である。
【図３】図１に示す半導体装置の製造方法の一例を工程順に示す断面図である。
【図４】導電部の製造方法の一例を工程順に示す断面図である。
【図５】導電部の製造方法の他の一例を工程順に示す断面図である。
【図６】従来の半導体装置の一例を示す斜視図（ａ）と断面図（ｂ）である。
【図７】図６に示す半導体装置における導電部を拡大して示す断面図である。
【符号の説明】
【００４３】
１  半導体基板、２  集積回路、３  電極、１０  半導体装置、１１  第一の絶縁樹脂層、１２  第一の配線層、１３  第二の絶縁樹脂層、１４  第二の配線層、１５  インダクタ（誘導素子）。
【図１】
2006332350.tif 000003
【図２】
2006332350.tif 000004
【図３】
2006332350.tif 000005
【図４】
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【図５】
2006332350.tif 000007
【図６】
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【図７】
2006332350.tif 000009