(57)【要約】【課題】  ハロゲン化シクロトリホスファゼンの活性ハロゲン原子とオキシアリール基との置換を容易化する。【解決手段】  ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンとフェノールナトリウム塩等のオキシアリールアルカリ金属塩とをシクロペンチルメチルエーテル中において反応させる。これにより得られるシクロトリホスファゼン誘導体は、ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンの活性ハロゲン原子の一部がオキシアリール基により置換された部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンまたはヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンの活性ハロゲン原子の実質的に全てがオキシアリール基により置換されたヘキサオキシアリール−シクロトリホスファゼン若しくはヘキサオキシアリール−シクロトリホスファゼン混合物である。【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の一般式（１ａ）で示されるヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンと、下記の一般式（２）で示される有機塩とを沸点が１００℃以上の非水溶性エーテル系溶媒中において反応させる工程を含む、
シクロトリホスファゼン誘導体の製造方法。
【化１】
2006117638.tif 000021
（一般式（１ａ）において、Ｘはハロゲン原子を示す。）
【化２】
2006117638.tif 000022
（一般式（２）において、Ｍ１はアルカリ金属を示し、Ｙ１は次の一般式（３）または（４）で示される基である。
【化３】
2006117638.tif 000023
一般式（３）および（４）において、Ｒ１は、水素、アルキル基、シアノ基、アルコキシ基、アラルコキシ基またはカルボニル基含有基を示す。）
【請求項２】
反応系から前記非水溶性エーテル系溶媒を除去し、反応生成物を溶融状態で反応させる工程をさらに含む、請求項１に記載のシクロトリホスファゼン誘導体の製造方法。
【請求項３】
前記ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンが１５重量％未満の割合でオクタハロゲン化シクロテトラホスファゼンを含む、請求項１または２に記載のシクロトリホスファゼン誘導体の製造方法。
【請求項４】
前記非水溶性エーテル系溶媒が下記の一般式（５）で示されるシクロペンチルアルキルエーテルである、請求項１から３のいずれかに記載のシクロトリホスファゼン誘導体の製造方法。
【化４】
2006117638.tif 000024
（一般式（５）中、Ｒはアルキル基を示す。）
【請求項５】
前記非水溶性エーテル系溶媒に対し、次の一般式（６）で示される四級アンモニウム塩および次の一般式（７）で示される四級アンモニウムハライドのうちの少なくとも一つを添加する、請求項１から４のいずれかに記載のシクロトリホスファゼン誘導体の製造方法。
【化５】
2006117638.tif 000025
（一般式（６）および（７）において、Ｒ３はアルキル基またはアラルキル基を、Ｘはハロゲン原子をそれぞれ示し、また、Ｙ１は、前記一般式（２）のＹ１と同じである。）
【請求項６】
前記ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼン１．０モルに対し、前記有機塩を６．０モル未満の割合で用いる、請求項１から５のいずれかに記載のシクロトリホスファゼン誘導体の製造方法。
【請求項７】
前記ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼン１．０モルに対し、前記有機塩を６．０モル以上の割合で用いる、請求項１から５のいずれかに記載のシクロトリホスファゼン誘導体の製造方法。
【請求項８】
前記有機塩として、前記一般式（２）のＹ１が異なる二種類以上の有機塩の混合物を用いる、請求項７に記載のシクロトリホスファゼン誘導体の製造方法。
【請求項９】
前記有機塩の混合物は、前記一般式（２）のＹ１がフェニル基である第一の有機塩と、前記一般式（２）のＹ１が４−シアノフェニル基である第二の有機塩との混合物である、請求項８に記載のシクロトリホスファゼン誘導体の製造方法。
【請求項１０】
前記有機塩の混合物は、前記ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼン１．０モルに対し、前記第一の有機塩を２．５〜３．５モル含み、前記第二の有機塩を少なくとも３．０モル含む、請求項９に記載のシクロトリホスファゼン誘導体の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の方法により製造されるシクロトリホスファゼン誘導体混合物。
【請求項１２】
残留活性ハロゲン原子量が５０ｐｐｍ未満である、請求項１１に記載のシクロトリホスファゼン誘導体混合物。
【請求項１３】
下記の一般式（１ｂ）で示される部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンと、下記の一般式（２）で示される有機塩とを沸点が１００℃以上の非水溶性エーテル系溶媒中において反応させる工程を含む、
シクロトリホスファゼン誘導体の製造方法。
【化６】
2006117638.tif 000026
（一般式（１ｂ）において、Ｚは、ハロゲン原子または下記の一般式（８ａ）若しくは一般式（８ｂ）で示されるオキシアリール基を示し、少なくとも一つがハロゲン原子である。
【化７】
2006117638.tif 000027
一般式（８ａ）および一般式（８ｂ）において、Ｒ４は、水素、アルキル基、シアノ基、アルコキシ基、アラルコキシ基またはカルボニル基含有基を示す。）
【化８】
2006117638.tif 000028
（一般式（２）において、Ｍ１はアルカリ金属を示し、Ｙ１は次の一般式（３）または（４）で示される基である。
【化９】
2006117638.tif 000029
一般式（３）および（４）において、Ｒ１は、水素、アルキル基、シアノ基、アルコキシ基、アラルコキシ基またはカルボニル基含有基を示す。）
【請求項１４】
反応系から前記非水溶性エーテル系溶媒を除去し、反応生成物を溶融状態で反応させる工程をさらに含む、請求項１３に記載のシクロトリホスファゼン誘導体の製造方法。
【請求項１５】
前記非水溶性エーテル系溶媒が下記の一般式（５）で示されるシクロペンチルアルキルエーテルである、請求項１３または１４に記載のシクロトリホスファゼン誘導体の製造方法。
【化１０】
2006117638.tif 000030
（一般式（５）中、Ｒはアルキル基を示す。）
【請求項１６】
前記非水溶性エーテル系溶媒に対し、次の一般式（６）で示される四級アンモニウム塩および次の一般式（７）で示される四級アンモニウムハライドのうちの少なくとも一つを添加する、請求項１３から１５のいずれかに記載のシクロトリホスファゼン誘導体の製造方法。
【化１１】
2006117638.tif 000031
（一般式（６）および（７）において、Ｒ３はアルキル基またはアラルキル基を、Ｘはハロゲン原子をそれぞれ示し、また、Ｙ１は、前記一般式（２）のＹ１と同じである。）
【請求項１７】
前記部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンに含まれる全ハロゲン原子を前記一般式（２）に由来の−ＯＹ１基で置換するために必要な量の前記有機塩を用いる、請求項１３から１６のいずれかに記載のシクロトリホスファゼン誘導体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シクロトリホスファゼン誘導体の製造方法、特に、リン原子にフェノキシ基などのオキシアリール基が結合したシクロトリホスファゼン誘導体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
シクロトリホスファゼンを構成する三つの各リン原子のそれぞれにフェノキシ基などのオキシアリール基が二つずつ結合した構造を有するヘキサオキシアリール−シクロトリホスファゼンは、各種の樹脂材料の難燃剤として利用されている。例えば、特許文献１〜４には、フェノキシ基を有するシクロトリホスファゼン誘導体を難燃剤として含むエポキシ樹脂組成物が記載されており、また、特許文献５および６には、シアノフェノキシ基を有するシクロトリホスファゼン誘導体を難燃剤として含むエポキシ樹脂組成物が記載されている。この種のヘキサオキシアリール−シクロトリホスファゼンは、樹脂材料に添加しても誘電率を低く抑えることができることから、回路基板や電子素子の封止材等、電気・電子技術分野における樹脂材料用の難燃剤として特に有用である。
【０００３】
【特許文献１】特開昭６１−１２０８５０号公報
【特許文献２】特開昭６３−３４９号公報
【特許文献３】特公平６−５３７８７号公報
【特許文献４】特開平１０−２５９２９２号公報
【特許文献５】特開平１１−１８１４２９号公報
【特許文献６】特開２００２−１１４９８１号公報
【０００４】
ところで、上述のようなヘキサオキシアリール−シクロトリホスファゼンは、ヘキサクロロシクロトリホスファゼンなどの、シクロトリホスファゼンを構成する三つのリン原子のそれぞれに塩素などのハロゲン原子が二つずつ結合した構造を有するヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンを原料とし、このヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンの各ハロゲン原子をフェノキシ基やシアノフェノキシ基などのオキシアリール基で置換することにより製造されている。
【０００５】
ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンのリン原子に結合しているハロゲン原子（ここでは、「活性ハロゲン原子」と云う場合がある）をオキシアリール基で置換し、目的のヘキサオキシアリール−シクロトリホスファゼンを製造する方法は、例えば、上述の特許文献５および次の各特許文献に記載されているように、既に多数知られている。
【０００６】
◎特許文献５
４−シアノフェノールとフェノールとの混合物をヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンと反応させる方法。
◎特許文献７
ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンに対し、フェノールのアルカリ金属塩を反応させる方法。
◎特許文献８
アルカリ金属の水酸化物または炭酸塩を脱酸剤として用い、ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンとフェノールとを反応させる方法。
◎特許文献９
フェノール類とアルカリ金属水酸化物とで調製したフェノラート類を、ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンと共沸脱水で水を除きながら反応させる方法。
◎特許文献１０
相間移動触媒を使用し、ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンとフェノール等とを水、塩基および水と非混合性の溶媒中で反応させる方法。
◎特許文献１１
無機塩類、第三級アミンおよびジメチルアミノピリジンのような有機強塩基の存在下において、ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンとフェノールとを反応させる方法。
◎特許文献１２
鎖状または環式の三級アミン類またはアミド化合物の存在下、アルカリ金属フェノラートとヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンとを反応させる方法。
【０００７】
【特許文献７】特開２００２−２２０５０６号公報
【特許文献８】特許第３０５３６１７号公報
【特許文献９】特開２０００−１９８７９３号公報
【特許文献１０】特開昭６０−１５５１８７号公報
【特許文献１１】特開昭６４−６２８５号公報
【特許文献１２】特開２００２−２５６２６９号公報
【０００８】
しかし、上記各製造方法では、ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンの活性ハロゲン原子とオキシアリール基との置換反応が進行しにくい。このため、ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンの活性ハロゲン原子の全てをオキシアリール基で置換するのは困難であり、製造されたシクロトリホスファゼン誘導体は、リン原子の一部に未反応の活性ハロゲン原子が残留する。すなわち、上記各製造方法により得られるシクロトリホスファゼン誘導体は、残留活性ハロゲン原子量が多い。残留活性ハロゲン原子量が多いシクロトリホスファゼン誘導体は、樹脂材料のガラス転移点（Ｔｇ）を低下させる傾向にあるため、樹脂材料の難燃性を高めるのが困難な場合があり、所要の効果を発揮しにくい。また、このようなシクロトリホスファゼン誘導体は、樹脂材料の誘電率を高める傾向にあるため、電気・電子技術分野における樹脂材料用の難燃剤としては使用しにくい。
【０００９】
本発明の目的は、ハロゲン化シクロトリホスファゼンの活性ハロゲン原子とオキシアリール基との置換を容易化することにある。
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係るシクロトリホスファゼン誘導体の製造方法は、下記の一般式（１ａ）で示されるヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンと、下記の一般式（２）で示される有機塩とを沸点が１００℃以上の非水溶性エーテル系溶媒中において反応させる工程を含んでいる。
【００１１】
【化１】
2006117638.tif 000002
一般式（１ａ）において、Ｘはハロゲン原子を示す。
【００１２】
【化２】
2006117638.tif 000003
一般式（２）において、Ｍ１はアルカリ金属を示し、Ｙ１は次の一般式（３）または（４）で示される基である。
【００１３】
【化３】
2006117638.tif 000004
一般式（３）および（４）において、Ｒ１は、水素、アルキル基、シアノ基、アルコキシ基、アラルコキシ基またはカルボニル基含有基を示す。
【００１４】
この製造方法は、例えば、反応系から非水溶性エーテル系溶媒を除去し、反応生成物を溶融状態で反応させる工程をさらに含んでいる。
【００１５】
この製造方法において用いられるヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンは、例えば、１５重量％未満の割合でオクタハロゲン化シクロテトラホスファゼンを含んでいる。
【００１６】
また、この製造方法において用いる非水溶性エーテル系溶媒は、例えば、下記の一般式（５）で示されるシクロペンチルアルキルエーテルである。
【化４】
2006117638.tif 000005
一般式（５）中、Ｒはアルキル基を示す。
【００１７】
さらに、この製造方法では、例えば、非水溶性エーテル系溶媒に対し、次の一般式（６）で示される四級アンモニウム塩および次の一般式（７）で示される四級アンモニウムハライドのうちの少なくとも一つを添加する。一般式（６）および（７）において、Ｒ３はアルキル基またはアラルキル基を、Ｘはハロゲン原子をそれぞれ示し、また、Ｙ１は、一般式（２）のＹ１と同じである。
【化５】
2006117638.tif 000006
【００１８】
この製造方法の第一の態様では、ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼン１．０モルに対し、有機塩を６．０モル未満の割合で用いる。この場合、本発明の製造方法によれば、通常、シクロトリホスファゼン誘導体として、ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンの活性ハロゲン原子の一部が有機塩を示す一般式（２）に由来の−ＯＹ１基で置換された部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンが得られる。
【００１９】
また、この製造方法の第二の態様では、ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼン１．０モルに対し、有機塩を６．０モル以上の割合で用いる。この場合、本発明の製造方法によれば、通常、シクロトリホスファゼン誘導体として、ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンの活性ハロゲン原子の実質的に全てが有機塩を示す一般式（２）に由来の−ＯＹ１基で置換されたシクロトリホスファゼン誘導体、すなわち、ヘキサオキシアリール−シクロトリホスファゼンが得られる。
【００２０】
このような第二の態様に係る製造方法においては、例えば、有機塩として、一般式（２）のＹ１が異なる二種類以上の有機塩の混合物を用いてもよい。この場合は、通常、ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンの活性ハロゲン原子の実質的に全てが二種類の−ＯＹ１基により置換されたシクロトリホスファゼン誘導体、すなわち、ヘキサオキシアリール−シクロトリホスファゼンが得られる。
【００２１】
この場合に用いられる有機塩の混合物は、例えば、一般式（２）のＹ１がフェニル基である第一の有機塩と、一般式（２）のＹ１が４−シアノフェニル基である第二の有機塩との混合物である。このような有機塩の混合物は、通常、ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼン１．０モルに対し、第一の有機塩を２．５〜３．５モル含み、第二の有機塩を少なくとも３．０モル含むものが好ましい。
【００２２】
本発明に係るシクロトリホスファゼン誘導体混合物は、本発明に係る上述の製造方法の上記第二の態様において、有機塩の混合物として一般式（２）のＹ１がフェニル基である第一の有機塩と、一般式（２）のＹ１が４−シアノフェニル基である第二の有機塩との混合物を用い、しかも、この有機塩の混合物において、ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼン１．０モルに対し、第一の有機塩を２．５〜３．５モル含み、第二の有機塩を少なくとも３．０モル含むものを用いた場合に製造されるものである。このシクロトリホスファゼン誘導体混合物は、通常、残留活性ハロゲン原子量が５０ｐｐｍ未満である。
【００２３】
本発明の他の観点に係るシクロトリホスファゼン誘導体の製造方法は、下記の一般式（１ｂ）で示される部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンと、上記一般式（２）で示される有機塩とを沸点が１００℃以上の非水溶性エーテル系溶媒中において反応させる工程を含んでいる。
【００２４】
【化６】
2006117638.tif 000007
一般式（１ｂ）において、Ｚは、ハロゲン原子または下記の一般式（８ａ）若しくは一般式（８ｂ）で示されるオキシアリール基を示し、少なくとも一つがハロゲン原子である。
【００２５】
【化７】
2006117638.tif 000008
一般式（８ａ）および一般式（８ｂ）において、Ｒ４は、水素、アルキル基、シアノ基、アルコキシ基、アラルコキシ基またはカルボニル基含有基を示す。
【００２６】
この製造方法は、例えば、反応系から非水溶性エーテル系溶媒を除去し、反応生成物を溶融状態で反応させる工程をさらに含んでいる。
【００２７】
この製造方法において用いられる非水溶性エーテル系溶媒は、例えば、上記一般式（５）で示されるシクロペンチルアルキルエーテルである。
【００２８】
また、この製造方法では、例えば、非水溶性エーテル系溶媒に対し、上記一般式（６）で示される四級アンモニウム塩および上記一般式（７）で示される四級アンモニウムハライドのうちの少なくとも一つを添加する。
【００２９】
さらに、この製造方法では、通常、部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンに含まれる全ハロゲン原子を上記一般式（２）に由来の−ＯＹ１基で置換するために必要な量の有機塩を用いる。
【発明の効果】
【００３０】
本発明に係るシクロトリホスファゼン誘導体の製造方法は、沸点が１００℃以上の非水溶性エーテル系溶媒中において、ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼン若しくは部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンと、所定の有機塩とを反応させているため、ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼン若しくは部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンの活性ハロゲン原子と有機塩に由来するオキシアリール基とを容易に置換することができる。
【００３１】
また、本発明に係るシクロトリホスファゼン誘導体混合物は、本発明に係る製造方法のうち、ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンを用いた特定条件の製造方法により製造されるものであるため、残留活性ハロゲン原子量が少なく、樹脂材料の改質剤として特に効果的に用いることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
本発明に係るシクロトリホスファゼン誘導体の製造方法は、出発物質として用いるハロゲン化シクロトリホスファゼンの種類により、二種類の形態、すなわち、以下に説明する第一の形態および第二の形態の二種類に分類することができる。
【００３３】
第一の形態
この形態に係るシクロトリホスファゼン誘導体の製造方法では、出発物質としてヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンを用いる。ここで用いられるヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンは、下記の一般式（１ａ）で示されるものであり、公知の物質である。
【００３４】
【化８】
2006117638.tif 000009
【００３５】
一般式（１ａ）中、Ｘは、フッ素、塩素、臭素などのハロゲン原子を示す。Ｘは、全てが同じハロゲン原子であってもよいし、一部が異なるハロゲン原子であってもよい。但し、本発明において用いられるヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンは、入手の容易性や反応性等の見地から、全てのＸが塩素のものが好ましい。すなわち、ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンとして好ましいものは、下記の式（９）で示されるヘキサクロロシクロトリホスファゼンである。
【００３６】
【化９】
2006117638.tif 000010
【００３７】
上述のヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンは、例えば、特公昭５６−３８５２２号公報、特公昭５８−１９６０４号公報および特公昭６３−３１４０３号公報等に記載された公知の製造方法、すなわち、五ハロゲン化リン（例えば五塩化リン）とハロゲン化アンモニウム（例えば塩化アンモニウム）との反応に基づく製造方法により製造することができる。また、ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンは、市販のものを用いることもできる。
【００３８】
この形態の製造方法において用いられるヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンは、通常、上述の製造方法により得られるものや市販のものに対して再結晶や蒸留等の分離・精製工程を施した実質的な純品、すなわち、他のハロゲン化シクロホスファゼンや鎖状のハロゲン化ホスファゼンなどの不純物を含まない実質的な純品が好ましいが、下記の一般式（１０）で示されるオクタハロゲン化シクロテトラホスファゼンを少量含んでいてもよい。例えば、ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンとしてヘキサクロロシクロトリホスファゼンを用いる場合、それは、下記の式（１１）で示されるオクタクロロシクロテトラホスファゼンを少量含んでいてもよい。なお、一般式（１０）において、Ｘは、一般式（１）の場合と同様である。
【００３９】
【化１０】
2006117638.tif 000011
【００４０】
この場合、ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンに含まれるオクタハロゲン化シクロテトラホスファゼンの量は、通常、１５重量％未満が好ましい。オクタハロゲン化シクロテトラホスファゼンの含有量が１５重量％を超える場合は、目的の機能を備えたシクロトリホスファゼン誘導体、特に、シクロトリホスファゼン誘導体混合物を製造するのが困難になる場合がある。因みに、ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンは、オクタハロゲン化シクロテトラホスファゼンの他に、再結晶や蒸留等の分離・精製工程により除去するのが困難な微量の大環状ハロゲン化ホスファゼンを含んでいてもよい。
【００４１】
この形態に係るシクロトリホスファゼン誘導体の製造方法では、上述のヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンと、有機塩とを溶媒中で反応させる。ここで用いられる有機塩は、下記の一般式（２）で示されるものである。
【００４２】
【化１１】
2006117638.tif 000012
【００４３】
一般式（２）において、Ｍ１はナトリウムやカリウムなどのアルカリ金属を示し、また、Ｙ１は次の一般式（３）で示されるフェニル基若しくは置換フェニル基または次の一般式（４）で示されるビフェニル基若しくは置換ビフェニル基である。
【００４４】
【化１２】
2006117638.tif 000013
【００４５】
一般式（３）および（４）において、Ｒ１は、水素、アルキル基、シアノ基、アルコキシ基、アラルコキシ基またはカルボニル基含有基を示している。アルキル基は、通常、炭素数が１〜４のものであり、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基およびｔｅｒｔ−ブチル基などを例示することができる。また、アルコキシ基は、通常、炭素数が１〜４のアルキル基を有するものであり、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基およびｔｅｒｔ−ブトキシ基を例示することができる。アラルコキシ基としては、例えば、ベンジルオキシ基、４−メチルベンジルオキシ基などの置換基を有するベンジルオキシ基を挙げることができる。カルボニル基含有基は、下記の一般式（１２）で示されるものである。一般式（１２）において、Ａは、水素、水酸基、アルキル基、アルコキシ基またはアラルコキシ基を示している。ここでのアルキル基、アルコキシ基およびアラルコキシ基は、特に限定されるものではないが、例えば、上述のＲ１のアルキル基、アルコキシ基およびアラルコキシ基と同様のものである。一般式（３）および（４）において、Ｒ１の位置は特に限定されるものではないが、通常はパラ位が好ましい。
【００４６】
【化１３】
2006117638.tif 000014
【００４７】
このような有機塩は、通常、フェノール、アルキル基、シアノ基、アルコキシ基、アラルコキシ基若しくはカルボニル基含有基を有するフェノール、パラフェニルフェノールまたはアルキル基、シアノ基、アルコキシ基、アラルコキシ基若しくはカルボニル基含有基を有するパラフェニルフェノールと、アルカリ金属若しくはアルカリ金属化合物またはこれらの混合物とを反応させる公知の方法により製造することができる。
【００４８】
一方、この反応工程において用いられる溶媒は、上述の有機塩を分散または溶解することができる非水溶性の溶媒である。具体的には、沸点が１００℃以上の非水溶性エーテル系溶媒である。このような非水溶性エーテル系溶媒（以下、単に「エーテル系溶媒」と云う場合がある）としては、通常、比較的低温でかつ短時間で効率的にヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンの活性ハロゲン原子と上述の有機塩を示す一般式（２）に由来の−ＯＹ１基との置換反応を促進させることができ、しかも安価で経済的なことから、下記の一般式（５）で示されるシクロペンチルアルキルエーテルを用いるのが好ましい。一般式（５）において、Ｒは、メチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基を示している。シクロペンチルアルキルエーテルのうち、特に好ましいものは、一般式（５）のＲがメチル基であるシクロペンチルメチルエーテルである。シクロペンチルメチルエーテルは、沸点１０６℃、比重０．８６、水との共沸温度８３℃、水への溶解度１．１％、水の溶解度０．３％（２３℃）、蒸発潜熱６９．２Ｋｃａｌ／ｋｇの物性を有する溶媒である。
【００４９】
【化１４】
2006117638.tif 000015
【００５０】
ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンと有機塩との反応は、通常、ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンを溶解したエーテル系溶媒に対し、エーテル系溶媒に溶解若しくは微粒子状で分散させた有機塩を滴下しながら進行させるのが好ましい。この反応では、ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンの活性ハロゲン原子が有機塩を示す一般式（２）に由来の−ＯＹ１基により置換され、目的とするシクロトリホスファゼン誘導体が得られる。
【００５１】
ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンと有機塩との反応時の反応温度は、−３０〜８０℃の温度範囲に設定するのが好ましく、０〜６０℃の温度範囲に設定するのがより好ましい。反応温度が−３０℃未満の場合は、有機塩の種類によっては、上述の置換反応が進行しにくくなる可能性がある。逆に、８０℃を超える場合は、反応速度が速くなり過ぎるため、目的とするシクロトリホスファゼン誘導体が得られにくくなる可能性がある。
【００５２】
この反応時において、反応系中の水分量は、通常、１００ｐｐｍ以下に制御するのが好ましい。反応系の水分量が多い場合は、ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンのリン原子と活性ハロゲン原子との結合部分が加水分解されてリン原子に対して水酸基が置換されたり、また、ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンの分子間で−Ｐ−Ｏ−Ｐ−結合の生成が進行したりしやすくなる結果、目的とするシクロトリホスファゼン誘導体が得られにくくなる可能性がある。
【００５３】
また、この形態における反応時間は、有機塩の種類、ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンに対する有機塩の割合および反応温度等の要因により異なるが、通常は２〜１０時間に設定するのが好ましい。
【００５４】
この形態の製造方法では、反応時間の短縮を図るために、反応系に対し、次の一般式（６）で示される四級アンモニウム塩および次の一般式（７）で示される四級アンモニウムハライドのうちの少なくとも一つ（以下、「四級化合物」と云う場合がある）を添加するのが好ましい。
【００５５】
【化１５】
2006117638.tif 000016
【００５６】
一般式（６）において、Ｙ１は、有機塩を示す一般式（２）のＹ１と同じ意味であり、この反応工程において用いる有機塩のＹ１と同じ基である。一方、一般式（７）において、Ｘは、フッ素、塩素、臭素などのハロゲン原子を示している。さらに、一般式（６）および（７）において、Ｒ３はアルキル基またはアラルキル基を示す。ここで、アルキル基は、通常、炭素数が１〜４のものであり、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基およびｔｅｒｔ−ブチル基などを挙げることができる。また、アラルキル基としては、例えば、ベンジル基、フェネチル基およびフェニルプロピル基などを挙げることができる。一般式（６）および（７）のＲ３は、全てが同じものであってもよいし、二種類以上のものであってもよい。因みに、一般式（６）で示される四級アンモニウム塩は、上述の有機塩に対してテトラアルキルアンモニウムハライド若しくはテトラアラルキルアンモニウムハライドを反応させると製造することができる。
【００５７】
反応系に対して上述の四級アンモニウム塩を添加した場合は、反応系において、当該四級アンモニウム塩が相間移動触媒として機能し、ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンの活性ハロゲン原子と有機塩を示す一般式（２）に由来の−ＯＹ１基との置換反応を促進するため、より速やかに目的とするシクロトリホスファゼン誘導体を製造することができる。一方、反応系に対して上述の四級アンモニウムハライドを添加した場合は、反応系において、四級アンモニウムハライドと有機塩とが反応し、一般式（６）で示される四級アンモニウム塩が生成する。この四級アンモニウム塩は、相間移動触媒として機能し、ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンの活性ハロゲン原子と有機塩を示す一般式（２）に由来の−ＯＹ１基との置換反応を促進することになるため、目的とするシクロトリホスファゼン誘導体のより速やかなな製造に寄与し得る。
【００５８】
因みに、反応系に対して添加した四級アンモニウム塩および反応系において生成した四級アンモニウム塩に由来の−ＯＹ１基は、有機塩に由来の−ＯＹ１基と同じく、ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンの活性ハロゲン原子との置換反応に関与する。
【００５９】
四級化合物の使用量は、反応促進効果、すなわち、ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンの活性ハロゲン原子と有機塩に由来のオキシアリール基との置換反応促進効果の点で、通常、ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンの１ユニットモルに対して１／１００〜１／１０００モルに設定するのが好ましい。ここで、ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンの１ユニットモルとは、ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンのＰＮＸ２単位を１ユニットとして表現したモル数を意味する。
【００６０】
エーテル系溶媒に対して上述の四級化合物を添加する場合は、併せて、エーテル系溶媒に対して非プロトン性極性溶媒を添加するのが好ましい。非プロトン性極性溶媒を併せて添加した場合は、反応をより促進する効果を期待することができる。非プロトン性極性溶媒としては、例えば、アセトニトリル、ジメチルスルホキシド、スルホラン、ジメチルアセトアミドおよびＮ−メチル−２−ピロリドンなどを用いることができる。
【００６１】
なお、上述の四級化合物に代えて、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムクロライドのようなホスホニウム塩を用いた場合も本形態の製造方法を同様に実施することができる。
【００６２】
この形態の製造方法では、反応終了後、反応液を室温、すなわち２０〜３５℃程度に戻し、反応液から副生物であるアルカリ金属ハロゲン化物や未反応の有機塩等を濾過処理により分離した後、反応液を洗浄する。反応液の洗浄では、通常、反応液に希アルカリ水溶液を添加し、反応液中に残留している過剰の有機塩および四級化合物等を希アルカリ水溶液に溶解する。そして、希アルカリ水溶液を反応液から分離した後、反応液に対して希硫酸洗浄および水洗を適用し、反応液中に生成したアルカリ金属ハロゲン塩（例えば食塩）などの不純物をさらに分離する。次に、このようにして洗浄された反応液からエーテル系溶媒を除去し、例えば、その残留物に対してメタノール等のアルコール類の添加、還流、冷却および濾過の各処理をこの順に実施すると、目的とするシクロトリホスファゼン誘導体を高収率で得ることができる。
【００６３】
この形態の製造方法により得られるシクロトリホスファゼン誘導体は、ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンと有機塩との反応割合の設定により制御することができる。例えば、ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼン１．０モルに対し、有機塩を６．０モル未満、好ましくは３．０モル未満の割合で用いた場合（以下、「態様Ａ」と云う）は、ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンの活性ハロゲン原子の一部が上記−ＯＹ１基により置換されたシクロトリホスファゼン誘導体、すなわち、部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンが得られやすい。
【００６４】
一方、ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼン１．０モルに対し、有機塩を６．０モル以上、好ましくは６．２モル以上の割合で用いた場合（以下、「態様Ｂ」と云う）は、ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンの活性ハロゲン原子の実質的に全てが上記−ＯＹ１基により置換されたシクロトリホスファゼン誘導体、すなわち、ヘキサオキシアリール−シクロトリホスファゼンが得られやすい。例えば、有機塩として一般式（２）の基Ｙ１がフェニル基のものを用いた場合、態様Ｂの製造方法によれば、シクロトリホスファゼン誘導体として、ヘキサフェノキシ−シクロトリホスファゼンが得られやすい。
【００６５】
態様Ｂの場合、有機塩としては、一般式（２）のＹ１が異なる二種類以上の有機塩の混合物を用いることができる。例えば、有機塩の混合物として、一般式（２）のＹ１が所定の基Ｙａである第一の有機塩と、一般式（２）のＹ１が第一の有機塩のＹ１とは異なる所定の基Ｙｂである第二の有機塩との混合物、すなわち、二種類の有機塩の混合物を用いることができる。このようにすると、ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンの活性ハロゲン原子が−ＯＹａ基と−ＯＹｂとで置換されたヘキサオキシアリール−シクロトリホスファゼンが得られる。より具体的には、第一の有機塩として一般式（２）の基Ｙ１がフェニル基のものを用い、第二の有機塩として一般式（２）の基Ｙ１が４−シアノフェニル基のものを用いた場合、この態様Ｂの製造方法によれば、ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンの一部の活性ハロゲン原子がフェノキシ基により置換され、また、残りの他のハロゲン原子が４−シアノフェノキシ基により置換された、数種類のシクロトリホスファゼン誘導体の混合物が得られる。
【００６６】
特に、態様Ｂにおいて、ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンに対する第一の有機塩および第二の有機塩の量を所定の比率に設定すれば、上述のシクロトリホスファゼン誘導体混合物において、実質的に第一の有機塩および第二の有機塩の量の比率で二種類のアリールオキシ基（すなわち、−ＯＹａ基および−ＯＹｂ基）を有するシクロトリホスファゼン誘導体が主成分として得られやすい。例えば、第一の有機塩として一般式（２）の基Ｙ１がフェニル基のものを用い、第二の有機塩として一般式（２）の基Ｙ１が４−シアノフェニル基のものを用いた場合、ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼン１．０モルに対して第一の有機塩を２．５〜３．５モル含み、かつ、第二の有機塩を少なくとも３．０モル含む有機塩の混合物を用いれば、ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンの六つの活性ハロゲン原子のうちの三つがフェノキシ基により置換され、残りの三つの活性ハロゲン原子が４−シアノフェノキシ基により置換された、トリフェノキシ−トリ４−シアノフェノキシ−シクロトリホスファゼンを主成分として含むシクロトリホスファゼン誘導体混合物が得られる。
【００６７】
なお、有機塩の混合物を用いる態様Ｂにおいて、上述の四級アンモニウム塩を添加する場合、四級アンモニウム塩としては、有機塩のＹ１と同じＹ１が用いられた数種類の四級アンモニウム塩を併用するのが好ましい。
【００６８】
態様Ｂにより得られるシクロトリホスファゼン誘導体若しくはシクロトリホスファゼン誘導体混合物、すなわち、ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンの活性ハロゲン原子の実質的に全てが上記−ＯＹ１基により置換されたシクロトリホスファゼン誘導体若しくはシクロトリホスファゼン誘導体混合物は、活性ハロゲン原子と上記−ＯＹ１基との置換反応が円滑に進行しているため、通常、残留活性ハロゲン原子量が５０ｐｐｍ未満である。ここで、残留活性ハロゲン原子量は、シクロトリホスファゼン誘導体若しくはシクロトリホスファゼン誘導体混合物のリン原子に結合して残留している活性ハロゲン原子の量を意味し、次のようにして評価（測定）した場合の値である。
【００６９】
磁器ルツボに試料（シクロトリホスファゼン誘導体若しくはシクロトリホスファゼン誘導体混合物）０．５〜１．０ｇおよび容量分析用炭酸ナトリウム１〜２ｇを加えて混合し、ホットプレート上で徐々に加熱した後、６００〜７００℃の電気炉内で強熱融解させる。冷却後、ルツボに希硝酸１０ｍｌを加えて徐々に加熱し、放冷した後、硝酸３〜５ｍｌをさらに加えてかきまぜ、１００ｍｌメスフラスコ内に移し入れる。また、ルツボを蒸留水で洗浄し、その洗液も同じメスフラスコ内に加える。そして、当該メスフラスコの標線まで蒸留水を加え、測定用サンプルを得る。一方、容量分析用炭酸ナトリウム１〜２ｇを別の磁器ルツボに入れ、上記の操作と同じ操作によりブランク用サンプルを得る。得られた測定用サンプルおよびブランク用サンプルをそれぞれ同量（ハロゲンイオン濃度により５〜５０ｍｌ）計り取り、自動電位差滴定装置を用いて０．０１ｍｏｌ／硝酸銀水溶液で滴定する。なお、試料の全ハロゲン量が少ない場合は、測定用サンプルの全量を滴定に使用する。以上の結果から、次の計算式により、残留活性ハロゲン原子量を求める。
【００７０】
【数１】
2006117638.tif 000017
式中の記号等の意味は次の通りである。
Ｃ：残留活性ハロゲン原子量（ｐｐｍ）
Ｖ：測定用サンプルの滴定量（ｍｌ）
Ｂ：ブランク用サンプルの滴定量（ｍｌ）
ｆ：０．０１ｍｏｌ／硝酸銀水溶液のファクター
０．３５４５：０．０１ｍｏｌ／硝酸銀水溶液１ｍｌに対するハロゲンの量（ｍｇ／ｍｌ）
Ｓ：試料の採取量（ｍｇ）
【００７１】
態様Ｂの場合において、残留活性ハロゲン原子量がより少ないシクロトリホスファゼン誘導体若しくはシクロトリホスファゼン誘導体混合物を得る場合は、必要に応じ、次のような第二反応工程をさらに実施することができる。この第二反応工程では、先ず、エーテル系溶媒を用いた上述の反応工程が終了後の反応液からエーテル系溶媒を除去する。そして、それにより得られる残留物（すなわち、反応生成物）を溶融状態でさらに反応させる。ここでの反応時間は、通常、５〜１０時間に設定するのが好ましい。このような第二反応工程を実施した場合、残留活性ハロゲン原子の置換反応が促進され、残留活性ハロゲン原子量がより少ないシクロトリホスファゼン誘導体若しくはシクロトリホスファゼン誘導体混合物を得ることができる。
【００７２】
第二の形態
この形態に係るシクロトリホスファゼン誘導体の製造方法では、出発物質として部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンを用いる。ここで用いられる部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンは、下記の一般式（１ｂ）で示されるものである。
【００７３】
【化１６】
2006117638.tif 000018
【００７４】
一般式（１ｂ）中、Ｚは、フッ素、塩素、臭素などのハロゲン原子または下記の一般式（８ａ）若しくは一般式（８ｂ）で示されるオキシアリール基を示している。但し、一般式（１ｂ）において、少なくとも一つのＺはハロゲン原子である。
【００７５】
【化１７】
2006117638.tif 000019
【００７６】
一般式（８ａ）および（８ｂ）において、Ｒ４は、水素、アルキル基、シアノ基、アルコキシ基、アラルコキシ基またはカルボニル基含有基を示している。ここでのアルキル基、アルコキシ基、アラルコキシ基およびカルボニル基含有基の例は、それぞれ、既述の一般式（３）および（４）のＲ１に関するアルキル基、アルコキシ基、アラルコキシ基およびカルボニル基含有基の例と同様である。また、一般式（８ａ）および（８ｂ）において、Ｒ４の位置は特に限定されるものではないが、通常はパラ位が好ましい。
【００７７】
このような部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンとしては、例えば、上述の第一の形態の態様Ａにおいて得られる、ヘキサハロゲン化シクロトリホスファゼンの活性ハロゲン原子の一部が上記−ＯＹ１基により置換されたシクロトリホスファゼン誘導体、すなわち、部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンを用いることができる。
【００７８】
この形態に係るシクロトリホスファゼン誘導体の製造方法では、上述の部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンと有機塩とを溶媒中で反応させる。ここで用いられる有機塩は、第一の形態において用いられる、一般式（２）で示される有機塩と同様のものである。また、この有機塩において、一般式（２）におけるＹ１は、部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンの上記オキシアリール基のアリール基と同じものであってもよいし、異なるものであってもよい。
【００７９】
一方、この形態の製造方法において用いられる溶媒は、第一の形態において用いられるエーテル系溶媒と同様のもの、すなわち、沸点が１００℃以上の非水溶性エーテル系溶媒である。また、この形態において用いられるエーテル系溶媒は、比較的低温でかつ短時間で効率的に部分置換ハロゲン化トリシクロホスファゼンのハロゲン原子と上述の有機塩を示す一般式（２）に由来の−ＯＹ１基との置換反応を促進させることができ、しかも安価で経済的なことから、第一の形態の場合と同じく、上述の一般式（５）で示されるシクロペンチルアルキルエーテル、特に、シクロペンチルメチルエーテルが好ましい。
【００８０】
部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンと有機塩との反応は、通常、有機塩を溶解若しくは微粒子状で分散させたエーテル系溶媒を調製し、これに対して部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンを滴下して進行させる。ここで滴下する部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンは、通常、エーテル系溶媒に溶解したものであるが、部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンとして上述の第一の形態により得られたもの（すなわち、上述の第一の形態の態様Ａで得られたもの）を用いる場合は、第一の形態における濾過処理後の反応液であってもよい。また、この反応は、部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンを溶解したエーテル系溶媒に対し、エーテル系溶媒に溶解若しくは微粒子状で分散させた有機塩を滴下しながら進行させることもできる。
【００８１】
ここでの反応では、部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンの活性ハロゲン原子が有機塩を示す一般式（２）に由来の−ＯＹ１基により置換され、目的とするシクロトリホスファゼン誘導体が得られる。
【００８２】
部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンと有機塩との反応時の反応温度は、通常、２０℃からエーテル系溶媒の沸点の温度範囲に設定するのが好ましい。特に、反応時間の短縮を図る観点から、この温度範囲の任意の温度範囲において、昇温しながら（例えば、段階的に昇温しながら）反応させるのが好ましい。反応温度が２０℃未満の場合は、有機塩の種類によっては、部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンと有機塩との反応が進行しにくくなる可能性がある。一方、反応温度を当初からエーテル系溶媒の沸点に設定した場合は、目的とするシクロトリホスファゼン誘導体が得られにくくなる可能性がある。
【００８３】
この反応時において、反応系中の水分量は、通常、１００ｐｐｍ以下に制御するのが好ましい。反応系の水分量が多い場合は、部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンのリン原子と活性ハロゲン原子との結合部分が加水分解されてリン原子に対して水酸基が置換されたり、また、部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンの分子間で−Ｐ−Ｏ−Ｐ−結合の生成が進行したりしやすくなる結果、目的とするシクロトリホスファゼン誘導体が得られにくくなる可能性がある。
【００８４】
この反応工程において用いる有機塩の量は、通常、部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンの活性ハロゲン原子の全てを有機塩を示す一般式（２）に由来の−ＯＹ１基により置換するために必要な量である。
【００８５】
また、この形態における反応時間は、有機塩の種類、部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンに対する有機塩の割合および反応温度等の要因により異なるが、通常は４〜６時間に設定するのが好ましい。
【００８６】
この形態の製造方法では、反応時間の短縮を図るために、反応系に対し、上述の一般式（６）で示される四級アンモニウム塩および上述の一般式（７）で示される四級アンモニウムハライドのうちの少なくとも一つ（以下、「四級化合物」と云う場合がある）を添加するのが好ましい。但し、ここで用いられる四級アンモニウム塩は、通常、ここで用いる有機塩のＹ１と同じＹ１を有するものが好ましい。
【００８７】
上述の四級アンモニウム塩を添加した場合は、この形態の反応系において、当該四級アンモニウム塩が相間移動触媒として機能し、部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンの活性ハロゲン原子と有機塩を示す一般式（２）に由来の−ＯＹ１基との置換反応を促進するため、より速やかに目的とするシクロトリホスファゼン誘導体を製造することができる。一方、上述の四級アンモニウムハライドを添加した場合は、この反応工程の反応系において、四級アンモニウムハライドと有機塩とが反応し、一般式（６）で示される四級アンモニウム塩が生成する。この四級アンモニウム塩は、相間移動触媒として機能し、部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンの活性ハロゲン原子と有機塩を示す一般式（２）に由来の−ＯＹ１基との置換反応を促進することになるため、目的とするシクロトリホスファゼン誘導体のより速やかなな製造に寄与し得る。
【００８８】
因みに、添加した四級アンモニウム塩および反応系において生成した四級アンモニウム塩に由来の−ＯＹ１基は、有機塩に由来の−ＯＹ１基と同じく、部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンの活性ハロゲン原子との置換反応に関与する。
【００８９】
四級化合物の使用量は、反応促進効果、すなわち、部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンの活性ハロゲン原子と有機塩に由来のオキシアリール基との置換反応促進効果の点で、通常、部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンの１モルに対して１／１００〜１／１００００モルに設定するのが好ましい。
【００９０】
上述の四級化合物を添加する場合は、併せて、エーテル系溶媒に対して非プロトン性極性溶媒を添加するのが好ましい。非プロトン性極性溶媒を併せて添加した場合は、反応をより促進する効果を期待することができる。非プロトン性極性溶媒としては、例えば、アセトニトリル、ジメチルスルホキシド、スルホラン、ジメチルアセトアミドおよびＮ−メチル−２−ピロリドンなどを用いることができる。
【００９１】
なお、上述の四級化合物に代えて、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムクロライドのようなホスホニウム塩を用いた場合も本形態の製造方法を同様に実施することができる。
【００９２】
この形態の製造方法では、反応終了後、反応液を室温、すなわち２０〜３５℃程度に戻し、反応液から副生物であるアルカリ金属ハロゲン化物や未反応の有機塩等を濾過処理により分離した後、反応液を洗浄する。反応液の洗浄では、通常、反応液に希アルカリ水溶液を添加し、反応液中に残留している過剰の有機塩および四級化合物等を希アルカリ水溶液に溶解する。そして、希アルカリ水溶液を反応液から分離した後、反応液に対して希硫酸洗浄および水洗を適用し、反応液中に生成したアルカリ金属ハロゲン塩（例えば食塩）などの不純物をさらに分離する。次に、このようにして洗浄された反応液からエーテル系溶媒を除去し、例えば、その残留物に対してメタノール等のアルコール類の添加、還流、冷却および濾過の各処理をこの順に実施すると、目的とするシクロトリホスファゼン誘導体を高収率で得ることができる。
【００９３】
この形態の製造方法により得られるシクロトリホスファゼン誘導体は、部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンの実質的に全ての活性ハロゲン原子がオキシアリール基、すなわち、有機塩に由来の−ＯＹ１基で置換されたものである。ここで、有機塩として、一般式（２）のＯＹ１が部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンのオキシアリール基（すなわちＺ）と同じものを用いた場合、同じオキシアリール基を六つ含むシクロトリホスファゼン誘導体を得ることができる。例えば、部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンがトリフェノキシハロゲン化シクロトリホスファゼンの場合、有機塩としてＯＹ１がフェノキシ基のものを用いた場合、シクロトリホスファゼン誘導体として、主に、ヘキサフェノキシ−シクロトリホスファゼンが得られる。
【００９４】
一方、有機塩として、一般式（２）のＯＹ１が部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンのオキシアリール基（すなわちＺ）と異なるものを用いた場合、複数種類のオキシアリール基を六つ含むシクロトリホスファゼン誘導体を得ることができる。例えば、部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンがトリフェノキシハロゲン化シクロトリホスファゼンの場合、有機塩としてＯＹ１が４−シアノフェノキシ基のものを用いた場合、シクロトリホスファゼン誘導体として、主に、トリフェノキ−トリ４−シアノフェノキシ−シクロトリホスファゼンが得られる。
【００９５】
この形態の製造方法により得られるシクロトリホスファゼン誘導体は、上述の反応工程を経て得られるものであるため、通常、残留活性ハロゲン原子量が５０ｐｐｍ未満である。なお、残留活性ハロゲン原子量の意味および評価（測定）方法は、第一の形態の場合と同じである。
【００９６】
この形態の製造方法において、残留活性ハロゲン原子量がより少ないシクロトリホスファゼン誘導体を得る場合は、必要に応じ、次のような第二反応工程をさらに実施することができる。この第二反応工程では、先ず、この形態での反応工程が終了後の反応液からエーテル系溶媒を除去する。そして、それにより得られる残留物（すなわち、反応生成物）を溶融状態でさらに反応させる。ここでの反応時間は、通常、２〜１０時間に設定するのが好ましい。このような第二反応工程を実施した場合、残留活性ハロゲン原子の置換反応が促進され、残留活性ハロゲン原子量がより少ないシクロトリホスファゼン誘導体を得ることができる。
【００９７】
上述の第一の形態および第二の形態の製造方法によりそれぞれ製造された、三つのリン原子のそれぞれに二つのオキシアリール基が置換したシクロトリホスファゼン誘導体若しくはシクロトリホスファゼン誘導体混合物は、各種の熱可塑性樹脂および熱硬化性樹脂の改質剤として利用することができる。より具体的には、このようなシクロトリホスファゼン誘導体は、これらの樹脂に添加すると、当該樹脂からなる成形体に良好な難燃性および耐熱性を付与することができる。また、このシクロトリホスファゼン誘導体は、樹脂に添加しても、当該樹脂からなる成形体の誘電率を低く抑えることができる。このため、このようなシクロトリホスファゼン誘導体を含む樹脂材料は、回路基板や電子素子の封止材等、電気・電子技術分野における各種成形体や材料を製造するための樹脂材料として特に適している。
【００９８】
このようなシクロトリホスファゼン誘導体若しくはシクロトリホスファゼン誘導体混合物は、従来から知られていた各種のホスファゼン類が達成できなかった効果、すなわち、各種樹脂、特に、エポキシ系樹脂、ポリイミド樹脂、ラジカル重合性樹脂およびこれらの変性樹脂等のガラス転移点（Ｔｇ）が低下するのを抑制するか若しくはＴｇを高める効果を奏するため、これらの樹脂材料からなる成形体の耐熱性をより効果的に高めることができる。
【実施例】
【００９９】
以下の実施例等において、「ユニットモル」は、ヘキサクロロシクロトリホスファゼンのＰＮＣｌ２単位を一ユニットとして表現したモル数を意味する。また、高速液体クロマトグラフィーの結果を示す「％」は、ピークの単純面積比によるものである。以下の各実施例等において、高速液体クロマトグラフィーの分析条件は、次の通りである。
【０１００】
カラム：Ｉｎｅｒｔｓｉｌ  ＯＤＳ−２
溶離液：アセトニトリル
検出器：ＵＶ  ２５４ｎｍ
【０１０１】
製造例１（ヘキサクロロシクロトリホスファゼンの製造）
攪拌装置、還流冷却器、滴下ロートおよび温度計を備えた１リットルの四頚フラスコにモノクロロベンゼン３００ｇ、塩化アンモニウム３８．６ｇ（０．７２モル）および酸化亜鉛０．８１ｇ（９．９×１０−３モル）を仕込んだ。また、滴下ロートには、モノクロロベンゼン３００ｇに五塩化リン１２５ｇ（０．６モル）を溶解した溶液を仕込んだ。
【０１０２】
次に、四頚フラスコの内容物を攪拌しながら昇温させ、内温が１３２℃に到達した時点において、滴下ロートの内容物を１５時間かけて滴下した。そして、滴下終了後、温度を１３０〜１３２℃に維持しながら、さらに２時間反応を続けた。反応終了後、反応液を冷却し、未反応の塩化アンモニウムをろ過により分離した。反応液を高速液体クロマトグラフィーにより分析したところ、当該反応液は、ヘキサクロロシクロトリホスファゼン７８．８％、オクタクロロシクロテトラホスファゼン１０．５％およびその他のホスファゼン類（大環状のクロロホスファゼンや鎖状のクロロホスファゼン等）１０．７％を含んでいた。この反応液から特開昭５８−１３０１０７号公報および米国特許明細書第４，５２２，６８９号に記載された蒸留精製法によりヘキサクロロシクロトリホスファゼンを取り出したところ、純度が９７．８％のヘキサクロロシクロトリホスファゼンが得られた。ヘキサクロロシクロトリホスファゼンの収率は９８％であった。
【０１０３】
製造例２（ヘキサクロロシクロトリホスファゼンの製造）
攪拌装置、還流冷却器、滴下ロートおよび温度計を備えた１リットルの四頚フラスコにモノクロロベンゼン３００ｇ、塩化アンモニウム３８．６ｇ（０．７２モル）、酸化亜鉛０．８１ｇ（９．９×１０−３モル）およびピリジン４７．４ｇ（０．６モル）を仕込んだ。また、滴下ロートには、モノクロロベンゼン３００ｇに五塩化リン１２５ｇ（０．６モル）を溶解した溶液を仕込んだ。
【０１０４】
次に、四頚フラスコの内容物を攪拌しながら昇温させ、内温が１３２℃に到達した時点において、滴下ロートの内容物を５時間かけて滴下した。そして、滴下終了後、温度を１３０〜１３２℃に維持しながら、さらに２時間反応を続けた。反応終了後、反応液を冷却し、未反応の塩化アンモニウムとピリジン塩酸塩とをろ過により分離した。反応液を高速液体クロマトグラフィーにより分析したところ、当該反応液は、ヘキサクロロシクロトリホスファゼン８６．４％、オクタクロロシクロテトラホスファゼン４．５％およびその他のホスファゼン類（大環状のクロロホスファゼンや鎖状のクロロホスファゼン等）９．１％を含んでいた。この反応液から特開昭５８−１３０１０７号公報および米国特許明細書第４，５２２，６８９号に記載された蒸留精製法によりヘキサクロロシクロトリホスファゼンを取り出したところ、純度が９９．３％のヘキサクロロシクロトリホスファゼンが得られた。ヘキサクロロシクロトリホスファゼンの収率は９９％であった。
【０１０５】
製造例３（ヘキサクロロシクロトリホスファゼンの製造）
攪拌装置、還流冷却器、滴下ロートおよび温度計を備えた１リットルの四頚フラスコにモノクロロベンゼン３００ｇ、塩化アンモニウム３８．６ｇ（０．７２モル）および酸化亜鉛０．８１ｇ（９．９×１０−３モル）を仕込んだ。また、滴下ロートには、モノクロロベンゼン３００ｇに五塩化リン１２５ｇ（０．６モル）を溶解した溶液を仕込んだ。
【０１０６】
次に、四頚フラスコの内容物を攪拌しながら昇温させ、内温が１３２℃に到達した時点において、滴下ロートの内容物を１５時間かけて滴下した。そして、滴下終了後、温度を１３０〜１３２℃に維持しながら、さらに２時間反応を続けた。反応終了後、反応液を冷却し、未反応の塩化アンモニウムをろ過により分離した。反応液（濾液）からモノクロルベンゼンを環状ジクロルホスファゼン混合物濃度が７５重量％になるまで回収し、−５℃まで冷却すると、白色結晶が析出した。析出した結晶をろ過分離して乾燥すると、４１ｇ（収率５９％）の白色結晶が得られた。当該結晶は、高速液体クロマトグラフィーにより分析したところ、オクタクロロシクロテトラホスファゼンを９．０％含むヘキサクロロシクロトリホスファゼン（ヘキサクロロシクロトリホスファゼン量９１．０％）であった。
【０１０７】
実施例１−ａ（部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンの製造）
（反応材料の調製）
攪拌装置、還流冷却器、滴下ロート及び温度計を備えた１リットルの四頚フラスコにフェノール４９ｇ（０．５２モル）を加え、これを２００ｍｌのシクロペンチルメチルエーテルに溶解した。一方、滴下ロートにナトリウムメトキシドを２８重量％含むメタノール溶液１００．３ｇ（ナトリウムメトキシド換算で０．５２モル）を仕込んだ。そして、滴下ロートの内容物を４５分かけて四頚フラスコ内に滴下した。その後、四頚フラスコの内容物を１０６℃まで加熱してメタノールとシクロペンチルメチルエーテルの一部とを留去し、全量が２５０ｍｌに調整された、フェノールナトリウム塩のシクロペンチルメチルエーテル溶液（第一溶液）を調製した。
【０１０８】
さらに、製造例１で得られたヘキサクロロシクロトリホスファゼン６５ｇ（０．５６ユニットモル）を１５０ｍｌのシクロペンチルメチルエーテルに溶解して０℃以下に冷却し、ヘキサクロロシクロトリホスファゼンのシクロペンチルメチルエーテル溶液（第二溶液）を調製した。
【０１０９】
（部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンの製造）
攪拌装置、還流冷却器、滴下ロート及び温度計を備えた１リットルの四頚フラスコに第二溶液を仕込み、また、滴下ロートに第一溶液を仕込んだ。そして、第二溶液を０±５℃に維持しながら、第二溶液に対して第一溶液を１５０分かけて滴下した。滴下終了後、温度を２０〜３０℃に維持しながら２時間反応させた。反応終了後、反応液を濾過して食塩を分離し、この食塩を少量のシクロペンチルメチルエーテルを用いて洗浄した。これにより、塩素原子の一部がフェノキシ基により置換された部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンを含む反応液を得た。
【０１１０】
実施例１−ｂ（ヘキサオキシアリール−シクロトリホスファゼンの製造）
（反応材料の調製）
攪拌装置、還流冷却器、滴下ロート及び温度計を備えた１リットルの四頚フラスコに４−シアノフェノール８０ｇ（０．６７モル）を加え、これを４００ｍｌのシクロペンチルメチルエーテルに溶解した。一方、滴下ロートにナトリウムメトキシドを２８重量％含むメタノール溶液１２９．２ｇ（ナトリウムメトキシド換算で０．６７モル）を仕込んだ。そして、滴下ロートの内容物を１５０分かけて四頚フラスコ内に滴下した。その後、四頚フラスコの内容物を１０６℃まで加熱してメタノールとシクロペンチルメチルエーテルの一部とを留去し、全量が４５０ｍｌに調整された、４−シアノフェノールナトリウム塩のシクロペンチルメチルエーテル溶液（第三溶液）を調製した。
【０１１１】
（ヘキサオキシアリール−シクロトリホスファゼンの製造）
攪拌装置、還流冷却器、滴下ロート及び温度計を備えた１リットルの四頚フラスコに第三溶液を仕込み、これにテトラブチルアンモニウムブロマイド１ｇを添加して溶解した。また、滴下ロートに実施例１−ａで得られた反応液の全量を仕込んだ。そして、四頚フラスコの内容物の温度を２５〜５０℃に維持しつつ、当該内容物に対して反応液を１５０分かけて滴下した。滴下終了後、四頚フラスコを加熱し、シクロペンチルメチルエーテルの還流下で２時間反応させたところ、この反応液のピリジン／アニリン呈色反応がマイナスになった。反応をさらに４時間継続し、反応を終了した。
【０１１２】
（分離・精製工程）
上述の反応工程で得られた反応液を２５℃まで冷却した後に濾過し、反応で生成した食塩と未反応の４−シアノフェノールナトリウム塩とを分離した。このように処理した反応液を希アルカリ水溶液と水とで数回洗浄し、洗浄後の反応液からシクロペンチルメチルエーテルを回収した。残留物に含水メタノールを加えて濾過し、得られた結晶を乾燥したところ、その重量は１３９ｇであった（収率９６．９％）。この結晶の融点は１０３〜１２５℃であった。また、この結晶は、高速液体クロマトグラフィーにより分析したところ、ジフェノキシ−テトラ４−シアノフェノキシ−シクロトリホスファゼン１６．１０％、トリフェノキシ−トリ４−シアノフェノキシ−シクロトリホスファゼン８０．２０％およびテトラフェノキシ−ジ４−シアノフェノキシ−シクロトリホスファゼン３．０８％を含むシクロトリホスファゼン誘導体混合物であり、実施例１−ａにおいてヘキサクロロシクロトリホスファゼンに対して使用したフェノールナトリウム塩と、本実施例において使用した４−シアノフェノールナトリウム塩との比率に対応したシクロトリホスファゼン誘導体、すなわち、トリフェノキシ−トリ４−シアノフェノキシ−シクロトリホスファゼンを主に含むことが判明した。また、このシクロトリホスファゼン誘導体混合物は、既述の方法により残留活性ハロゲン原子量（残留活性塩素量）を測定したところ、５０ｐｐｍ未満であった。
【０１１３】
実施例２−ａ（部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンの製造）
（反応材料の調製）
攪拌装置、還流冷却器および温度計を備えた１リットルのフラスコにフェノール５２．７ｇ（０．５６モル）を加え、これを２００ｍｌのシクロペンチルメチルエーテルに溶解した。そして、攪拌下のこの溶液に対し、粉末状のナトリウムメトキシド３０．２ｇ（０．５６モル）を加えた。フラスコの内容物をシクロペンチルメチルエーテルの沸点まで昇温させてメタノールを留去し、全量が２５０ｍｌに調整された、フェノールナトリウム塩のシクロペンチルメチルエーテル溶液（第一溶液）を得た。
【０１１４】
さらに、製造例２で得られたヘキサクロロシクロトリホスファゼン６５ｇ（０．５６ユニットモル）を１５０ｍｌのシクロペンチルメチルエーテルに溶解して０℃以下に冷却し、ヘキサクロロシクロトリホスファゼンのシクロペンチルメチルエーテル溶液（第二溶液）を調製した。
【０１１５】
（部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンの製造）
攪拌装置、還流冷却器、滴下ロート及び温度計を備えた１リットルの四頚フラスコに第二溶液を仕込み、また、滴下ロートに第一溶液を仕込んだ。そして、第二溶液を０±５℃に維持しながら、第二溶液に対して第一溶液を１５０分かけて滴下した。滴下終了後、温度を２０〜３０℃に維持しながら２時間反応させた。反応終了後、反応液を濾過して食塩を分離し、この食塩を少量のシクロペンチルメチルエーテルを用いて洗浄した。これにより、塩素原子の一部がフェノキシ基により置換された部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンを含む反応液を得た。
【０１１６】
実施例２−ｂ（ヘキサオキシアリール−シクロトリホスファゼンの製造）
（反応材料の調製）
攪拌装置、還流冷却器および温度計を備えた１リットルのフラスコに４−シアノフェノール８０ｇ（０．６７モル）を加え、これを８００ｍｌのアセトニトリルに溶解した。この溶液に水酸化カリウム３７．５ｇ（０．６７モル）を加えて７０〜８０℃で１時間攪拌した。攪拌終了後、溶液にｎ−ヘキサン１００ｍｌを加えて加熱し、塔頂温度が５５〜８２℃の留分を回収して溶液から水分を除去した。さらに、当該溶液からアセトニトリルの一部を留去した後、当該溶液にシクロペンチルメチルエーテル２００ｍｌを加え、全量を３００ｍｌに調整した。これにより、４−シアノフェノールカリウム塩のシクロペンチルメチルエーテル溶液（第三溶液）を得た。
【０１１７】
（ヘキサオキシアリール−シクロトリホスファゼンの製造）
攪拌装置、還流冷却器、滴下ロート及び温度計を備えた１リットルの四頚フラスコに第三溶液を仕込んだ。また、滴下ロートに実施例２−ａで得られた反応液の全量を仕込んだ。そして、四頚フラスコの内容物の温度を約２５℃に維持しつつ、当該内容物に対して反応液を１５０分かけて滴下した。滴下終了後、四頚フラスコの内容物を２５℃に維持しながら１時間反応させ、さらに、当該内容物を８０℃まで昇温して２時間反応させたところ、この反応液のピリジン／アニリン呈色反応がマイナスになった。シクロペンチルメチルエーテルの還流下で反応をさらに４時間継続し、反応を終了した。
【０１１８】
（分離・精製工程）
上述の反応工程で得られた反応液を２５℃まで冷却した後に濾過し、反応で生成した塩化カリウムと未反応の４−シアノフェノールカリウム塩とを分離した。このように処理した反応液を希アルカリ水溶液と水とで数回洗浄し、洗浄後の反応液からシクロペンチルメチルエーテルを回収した。残留物に含水メタノールを加えて放置したところ、結晶が得られた。得られた結晶を乾燥したところ、その重量は１３７．４ｇであった（収率９５．８％）。この結晶の融点は８０〜１２０℃であった。また、この結晶は、高速液体クロマトグラフィーにより分析したところ、ジフェノキシ−テトラ４−シアノフェノキシ−シクロトリホスファゼン２．４０％、トリフェノキシ−トリ４−シアノフェノキシ−シクロトリホスファゼン８９．４０％およびテトラフェノキシ−ジ４−シアノフェノキシ−シクロトリホスファゼン５．５０％を含むシクロトリホスファゼン誘導体混合物であり、実施例２−ａにおいてヘキサクロロシクロトリホスファゼンに対して使用したフェノールナトリウム塩と、本実施例において用いた４−シアノフェノールカリウム塩との比率に対応したシクロトリホスファゼン誘導体、すなわち、トリフェノキシ−トリ４−シアノフェノキシ−シクロトリホスファゼンを主に含むことが判明した。また、このシクロトリホスファゼン誘導体混合物は、既述の方法により残留活性ハロゲン原子量（残留活性塩素量）を測定したところ、５０ｐｐｍ未満であった。
【０１１９】
実施例３−ａ（部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンの製造）
（反応材料の調製）
攪拌装置、還流冷却器および温度計を備えた１リットルのフラスコにフェノール３５．１ｇ（０．３７３モル）を加え、これを２００ｍｌのシクロペンチルメチルエーテルに溶解した。そして、攪拌下のこの溶液に対し、粉末状のナトリウムメトキシド２０．１ｇ（０．３７３モル）を加えた。フラスコの内容物をシクロペンチルメチルエーテルの沸点まで昇温させてメタノールを留去し、全量が２５０ｍｌに調整された、フェノールナトリウム塩のシクロペンチルメチルエーテル溶液（第一溶液）を得た。
【０１２０】
さらに、製造例２で得られたヘキサクロロシクロトリホスファゼン６５ｇ（０．５６ユニットモル）を１５０ｍｌのシクロペンチルメチルエーテルに溶解して０℃以下に冷却し、ヘキサクロロシクロトリホスファゼンのシクロペンチルメチルエーテル溶液（第二溶液）を調製した。
【０１２１】
（部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンの製造）
攪拌装置、還流冷却器、滴下ロート及び温度計を備えた１リットルの四頚フラスコに第二溶液を仕込み、また、滴下ロートに第一溶液を仕込んだ。そして、第二溶液を０±５℃に維持しながら、第二溶液に対して第一溶液を１５０分かけて滴下した。滴下終了後、温度を２０〜３０℃に維持しながら２時間反応させた。反応終了後、反応液を濾過して食塩を分離し、この食塩を少量のシクロペンチルメチルエーテルを用いて洗浄した。これにより、塩素原子の一部がフェノキシ基により置換された部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンを含む反応液を得た。
【０１２２】
実施例３−ｂ（ヘキサオキシアリール−シクロトリホスファゼンの製造）
（反応材料の調製）
攪拌装置、還流冷却器および温度計を備えた１リットルのフラスコに４−シアノフェノール１００ｇ（０．８５モル）を加え、これを１，０００ｍｌのアセトニトリルに溶解した。この溶液に水酸化カリウム４７ｇ（０．８４モル）を加えて７０〜８０℃で１時間攪拌した。攪拌終了後、溶液にｎ−ヘキサン１００ｍｌを加えて加熱し、塔頂温度が５５〜８２℃の留分を回収して溶液から水分を除去した。さらに、当該溶液からアセトニトリルの一部を留去した後、当該溶液にシクロペンチルメチルエーテル２００ｍｌを加え、全量を３００ｍｌに調整した。これにより、４−シアノフェノールカリウム塩のシクロペンチルメチルエーテル溶液（第三溶液）を得た。
【０１２３】
（ヘキサオキシアリール−シクロトリホスファゼンの製造）
攪拌装置、還流冷却器、滴下ロート及び温度計を備えた１リットルの四頚フラスコに第三溶液を仕込んだ。また、滴下ロートに実施例３−ａで得られた反応液の全量を仕込んだ。そして、四頚フラスコの内容物の温度を約２５℃に維持しつつ、当該内容物に対して反応液を１５０分かけて滴下した。滴下終了後、四頚フラスコの内容物を２５℃に維持しながら１時間反応させ、さらに、当該内容物を８０℃まで昇温して２時間反応させたところ、この反応液のピリジン／アニリン呈色反応がマイナスになった。シクロペンチルメチルエーテルの還流下で反応をさらに４時間継続し、反応を終了した。
【０１２４】
（分離・精製工程）
上述の反応工程で得られた反応液を２５℃まで冷却した後に濾過し、反応で生成した塩化カリウムと未反応の４−シアノフェノールカリウム塩とを分離した。このように処理した反応液を希アルカリ水溶液と水とで数回洗浄し、洗浄後の反応液からシクロペンチルメチルエーテルを回収した。残留物に含水メタノールを加えて放置したところ、結晶が得られた。得られた結晶を乾燥したところ、その重量は１４２ｇであった（収率９５．８％）。この結晶の融点は１１５〜１４４℃であった。また、この結晶は、高速液体クロマトグラフィーにより分析したところ、フェノキシ−ペンタ４−シアノフェノキシ−シクロトリホスファゼン１０．１０％、ジフェノキシ−テトラ４−シアノフェノキシ−シクロトリホスファゼン８５．９０％およびトリフェノキシ−トリ４−シアノフェノキシ−シクロトリホスファゼン３．９０％を含むシクロトリホスファゼン誘導体混合物であり、実施例３−ａにおいてヘキサクロロシクロトリホスファゼンに対して使用したフェノールナトリウム塩と、本実施例において用いた４−シアノフェノールカリウム塩との比率に対応したシクロトリホスファゼン誘導体、すなわち、ジフェノキシ−テトラ４−シアノフェノキシ−シクロトリホスファゼンを主に含むことが判明した。また、このシクロトリホスファゼン誘導体混合物は、既述の方法により残留活性ハロゲン原子量（残留活性塩素量）を測定したところ、５０ｐｐｍ未満であった。
【０１２５】
実施例４−ａ（部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンの製造）
（反応材料の調製）
攪拌装置、還流冷却器、滴下ロートおよび温度計を備えた１リットルの四頚フラスコにフェノール４７．２ｇ（０．５０２モル）を加え、これを２９０ｍｌのシクロペンチルメチルエーテルに溶解した。一方、滴下ロートに液状苛性ソーダ（ＮａＯＨ２０ｇ／水２０ｇ）を仕込んだ。そして、シクロペンチルメチルエーテルの還流下において、四頚フラスコ内に滴下ロートの内容物を滴下して共沸脱水し、全量が２５０ｍｌに調整された、フェノールナトリウム塩のシクロペンチルメチルエーテル溶液（第一溶液）を調製した。
【０１２６】
さらに、製造例３で得られた、オクタクロロシクロテトラホスファゼン９．０％を含むヘキサクロロシクロトリホスファゼン６５ｇ（０．５６ユニットモル）を１５０ｍｌのシクロペンチルメチルエーテルに溶解して０℃以下に冷却し、ヘキサクロロシクロトリホスファゼンのシクロペンチルメチルエーテル溶液（第二溶液）を調製した。
【０１２７】
（部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンの製造）
攪拌装置、還流冷却器、滴下ロート及び温度計を備えた１リットルの四頚フラスコに第一溶液を仕込み、また、滴下ロートに第二溶液を仕込んだ。そして、第一溶液を０〜１０℃に維持しながら、第一溶液に対して第二溶液を８０分かけて滴下した。滴下終了後、温度を２０〜３０℃に維持しながら１時間反応させた。さらに、５０℃まで１時間かけて昇温し、同温度で４時間反応した。反応終了後、反応液を濾過して食塩を分離し、この食塩を少量のシクロペンチルメチルエーテルを用いて洗浄した。これにより、塩素原子の一部がフェノキシ基により置換された部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンを含む反応液を得た。
【０１２８】
実施例４−ｂ（ヘキサオキシアリール−シクロトリホスファゼンの製造）
（反応材料の調製）
攪拌装置、還流冷却器、滴下ロートおよび温度計を備えた１リットルの四頚フラスコに４−シアノフェノール８４．３ｇ（０．７０８モル）を加え、これを６００ｍｌのシクロペンチルメチルエーテルに溶解した。一方、滴下ロートに液状苛性カリ（ＫＯＨ３９ｇ／水３９ｇ）を仕込んだ。そして、シクロペンチルメチルエーテルの還流下において、四頚フラスコ内に滴下ロートの内容物を滴下して共沸脱水し、全量が５５０ｍｌに調整された、４−シアノフェノールカリウム塩のシクロペンチルメチルエーテル溶液（第三溶液）を調製した。
【０１２９】
（ヘキサオキシアリール−シクロトリホスファゼンの製造）
攪拌装置、還流冷却器、滴下ロート及び温度計を備えた１リットルの四頚フラスコに第三溶液を仕込み、これにテトラブチルアンモニウムブロマイド１ｇを添加して溶解した。また、滴下ロートに実施例４−ａで得られた反応液の全量を仕込んだ。そして、四頚フラスコの内容物の温度を２５〜５０℃に維持しつつ、当該内容物に対して反応液を３０分かけて滴下した。滴下終了後、四頚フラスコを加熱し、シクロペンチルメチルエーテルの還流下で２時間反応したところ、この反応液のピリジン／アニリン呈色反応がマイナスになった。シクロペンチルメチルエーテルの還流下で反応をさらに４時間継続し、反応を終了した。
【０１３０】
（分離・精製工程）
上述の反応工程で得られた反応液を２５℃まで冷却した後に濾過し、反応で生成した塩化カリウムと未反応の４−シアノフェノールカリウム塩とを分離した。このように処理した反応液を希アルカリ水溶液と水とで数回洗浄し、洗浄後の反応液からシクロペンチルメチルエーテルを完全に回収した。残留物に含水メタノールを加えて８０℃に加熱し、１時間攪拌して２５℃まで冷却してから濾過したところ、結晶が得られた。得られた結晶を乾燥したところ、その重量は１２２ｇであった（収率８４．２％）。この結晶の融点は１０７〜１１２℃であった。また、この結晶は、高速液体クロマトグラフィーにより分析したところ、フェノキシ−ペンタ４−シアノフェノキシ−シクロトリホスファゼン３．２％、ジフェノキシ−テトラ４−シアノフェノキシ−シクロトリホスファゼン４２．６％、トリフェノキシ−トリ４−シアノフェノキシ−シクロトリホスファゼン４３．７％およびテトラフェノキシ−ジ４−シアノフェノキシ−シクロトリホスファゼン５．０％を含むシクロトリホスファゼン誘導体混合物であり、実施例４−ａにおいてオクタクロロシクロテトラホスファゼン９．０％を含むヘキサクロロシクロトリホスファゼンに対して使用したフェノールナトリウム塩と、本実施例において用いた４−シアノフェノールカリウム塩との比率に対応したシクロトリホスファゼン誘導体、すなわち、ジフェノキシ−テトラ４−シアノフェノキシ−シクロトリホスファゼンとトリフェノキシ−トリ４−シアノフェノキシ−シクロトリホスファゼンとを主に含むことが判明した。また、このシクロトリホスファゼン誘導体混合物は、既述の方法により残留活性ハロゲン原子量（残留活性塩素量）を測定したところ、５０ｐｐｍ未満であった。
【０１３１】
実施例５−ａ（部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンの製造）
（反応材料の調製）
攪拌装置、還流冷却器、滴下ロートおよび温度計を備えた１リットルの四頚フラスコにハイドロキノンモノメチルエーテル３７．２ｇ（０．３モル）およびシクロペンチルメチルエーテル３００ｍｌを仕込んだ。一方、滴下ロートに液状苛性カリ（ＫＯＨ１６．８ｇ／水１７ｇ）を仕込んだ。そして、シクロペンチルメチルエーテルの還流下において、四頚フラスコ内に滴下ロートの内容物を滴下して共沸脱水し、全量が２５０ｍｌに調整された、ハイドロキノンモノメチルエーテルカリウム塩のシクロペンチルメチルエーテル溶液（第一溶液）を調製した。
【０１３２】
さらに、製造例１で得られたヘキサクロロシクロトリホスファゼン３４．８ｇ（０．３ユニットモル）を１００ｍｌのシクロペンチルメチルエーテルに溶解して２５℃以下に冷却し、ヘキサクロロシクロトリホスファゼンのシクロペンチルメチルエーテル溶液（第二溶液）を調製した。
【０１３３】
（部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンの製造）
攪拌装置、還流冷却器、滴下ロート及び温度計を備えた１リットルの四頚フラスコに第一溶液を仕込み、また、滴下ロートに第二溶液を仕込んだ。そして、第一溶液を２０〜２５℃に維持しながら、第一溶液に対して第二溶液を６０分かけて滴下した。滴下終了後、温度を２０〜３０℃に維持しながら１時間反応させた。さらに、６０℃まで１時間かけて昇温し、同温度で１０時間反応した。反応終了後、反応液を濾過して塩化カリウムを分離し、この塩化カリウムを少量のシクロペンチルメチルエーテルを用いて洗浄した。これにより、塩素原子の一部が４−メトキシフェノキシ基により置換された部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンを含む反応液を得た。
【０１３４】
実施例５−ｂ（ヘキサオキシアリール−シクロトリホスファゼンの製造）
（反応材料の調製）
攪拌装置、還流冷却器、滴下ロートおよび温度計を備えた１リットルの四頚フラスコにフェノール３５．３ｇ（０．３７５モル）とシクロペンチルメチルエーテル２５０ｍｌとを仕込んだ。一方、滴下ロートに液状苛性カリ（ＫＯＨ２１ｇ／水２１ｇ）を仕込んだ。そして、シクロペンチルメチルエーテルの還流下において、四頚フラスコ内に滴下ロートの内容物を滴下して共沸脱水し、全量が２００ｍｌに調整された、フェノールカリウム塩のシクロペンチルメチルエーテル溶液（第三溶液）を調製した。
【０１３５】
（ヘキサオキシアリール−シクロトリホスファゼンの製造）
攪拌装置、還流冷却器、滴下ロート及び温度計を備えた１リットルの四頚フラスコに第三溶液を仕込み、また、滴下ロートに実施例５−ａで得られた反応液の全量を仕込んだ。そして、四頚フラスコの内容物の温度を３０〜５０℃に維持しつつ、当該内容物に対して反応液を３０分かけて滴下した。滴下終了後、テトラブチルアンモニウムブロマイド１ｇを添加して四頚フラスコを加熱し、シクロペンチルメチルエーテルの還流下で３時間反応したところ、この反応液のピリジン／アニリン呈色反応がマイナスになった。シクロペンチルメチルエーテルの還流下で反応をさらに４時間継続し、反応を終了した。
【０１３６】
（分離・精製工程）
上述の反応工程で得られた反応液を２５℃まで冷却した後に濾過し、反応で生成した塩化カリウムと未反応のフェノールカリウム塩とを分離した。このように処理した反応液を希アルカリ水溶液と水とで数回洗浄し、洗浄後の反応液からシクロペンチルメチルエーテルを完全に回収したところ、６９．２ｇ（収率８８％）のペースト状物が得られた。このペースト状物は、高速液体クロマトグラフィーにより分析したところ、ジフェノキシ−テトラ４−メトキシフェノキシ−シクロトリホスファゼン１７．８％、トリフェノキシ−トリ４−メトキシフェノキシ−シクロトリホスファゼン７０．８％およびテトラフェノキシ−ジ４−メトキシフェノキシ−シクロトリホスファゼン８．８％を含むシクロトリホスファゼン誘導体混合物であり、実施例５−ａにおいてヘキサクロロシクロトリホスファゼンに対して使用したハイドロキノンモノメチルエーテルカリウム塩と、本実施例において用いたフェノールカリウム塩との比率に対応したシクロトリホスファゼン誘導体、すなわち、トリフェノキシ−トリ４−メトキシフェノキシ−シクロトリホスファゼンを主に含むことが判明した。また、このシクロトリホスファゼン誘導体混合物は、既述の方法により残留活性ハロゲン原子量（残留活性塩素量）を測定したところ、５０ｐｐｍ未満であった。
【０１３７】
実施例５−ｃ（ヘキサオキシアリール−シクロトリホスファゼンの製造）
（反応材料の調製）
攪拌装置、還流冷却器、滴下ロートおよび温度計を備えた１リットルの四頚フラスコにフェノール３５．３ｇ（０．３７５モル）とシクロペンチルメチルエーテル２５０ｍｌとを仕込んだ。一方、滴下ロートに液状苛性カリ（ＫＯＨ２１ｇ／水２１ｇ）を仕込んだ。そして、シクロペンチルメチルエーテルの還流下において、四頚フラスコ内に滴下ロートの内容物を滴下して共沸脱水し、全量が２００ｍｌに調整された、フェノールカリウム塩のシクロペンチルメチルエーテル溶液（第四溶液）を調製した。
【０１３８】
（ヘキサオキシアリール−シクロトリホスファゼンの製造）
攪拌装置、還流冷却器、滴下ロート及び温度計を備えた１リットルの四頚フラスコに第四溶液を仕込み、また、滴下ロートに実施例５−ａで得られた反応液の全量を仕込んだ。そして、四頚フラスコの内容物の温度を３０〜５０℃に維持しつつ、当該内容物に対して反応液を３０分かけて滴下した。滴下終了後、四頚フラスコを加熱してシクロペンチルメチルエーテルの還流下で１時間反応した。その後、シクロペンチルメチルエーテルを反応液の温度が１２０〜１２５℃になるまで回収し、反応液を溶融状態で１０時間さらに反応させた。なお、溶融状態で反応中の反応液は、溶融開始から５時間経過時にピリジン／アニリン呈色反応がマイナスになった。
【０１３９】
（分離・精製工程）
上述の反応工程で得られた反応液を１００℃まで冷却した後、トルエン５００ｍｌを加えて反応生成物を抽出した。抽出液を２５℃に冷却して濾過し、反応で生成した塩化カリウムと未反応のフェノールカリウム塩とを分離した。このように処理した抽出液を希アルカリ水溶液と水とで数回洗浄し、洗浄後の抽出液からトルエンを完全に回収したところ、７２．３ｇ（収率９２％）のペースト状物が得られた。このペースト状物は、高速液体クロマトグラフィーにより分析したところ、ジフェノキシ−テトラ４−メトキシフェノキシ−シクロトリホスファゼン１５．２％、トリフェノキシ−トリ４−メトキシフェノキシ−シクロトリホスファゼン７２．４％およびテトラフェノキシ−ジ４−メトキシフェノキシ−シクロトリホスファゼン１０．５％を含むシクロトリホスファゼン誘導体混合物であり、実施例５−ａにおいてヘキサクロロシクロトリホスファゼンに対して使用したハイドロキノンモノメチルエーテルカリウム塩と、本実施例において用いたフェノールカリウム塩との比率に対応したシクロトリホスファゼン誘導体、すなわち、トリフェノキシ−トリ４−メトキシフェノキシ−シクロトリホスファゼンを主に含むことが判明した。また、このシクロトリホスファゼン誘導体混合物は、既述の方法により残留活性ハロゲン原子量（残留活性塩素量）を測定したところ、２０ｐｐｍ未満であった。
【０１４０】
実施例６−ａ（部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンの製造）
（反応材料の調製）
攪拌装置、還流冷却器、滴下ロートおよび温度計を備えた１リットルの四頚フラスコにフェノール２８．２ｇ（０．３モル）とシクロペンチルメチルエーテル３００ｍｌとを仕込んだ。一方、滴下ロートに液状苛性カリ（ＫＯＨ１６．８ｇ（０．３モル）／水１７ｇ）を仕込んだ。そして、シクロペンチルメチルエーテルの還流下において、四頚フラスコ内に滴下ロートの内容物を滴下して共沸脱水し、全量が２５０ｍｌに調整された、フェノールカリウム塩のシクロペンチルメチルエーテル溶液（第一溶液）を調製した。
【０１４１】
さらに、製造例１で得られた、ヘキサクロロシクロトリホスファゼン３４．８ｇ（０．３ユニットモル）を１００ｍｌのシクロペンチルメチルエーテルに溶解して２５℃以下に冷却し、ヘキサクロロシクロトリホスファゼンのシクロペンチルメチルエーテル溶液（第二溶液）を調製した。
【０１４２】
（部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンの製造）
攪拌装置、還流冷却器、滴下ロート及び温度計を備えた１リットルの四頚フラスコに第一溶液を仕込み、また、滴下ロートに第二溶液を仕込んだ。そして、第一溶液を２０〜２５℃に維持しながら、第一溶液に対して第二溶液を６０分かけて滴下した。滴下終了後、温度を２０〜３０℃に維持しながら１時間反応させた。さらに、５０℃まで１時間かけて昇温し、テトラブチルアンモニウムブロマイド０．５ｇを加えて同温度で２時間反応した。反応終了後、反応液を濾過して塩化カリウムを分離し、この塩化カリウムを少量のシクロペンチルメチルエーテルを用いて洗浄した。これにより、塩素原子の一部がフェノキシ基により置換された部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンを含む反応液を得た。
【０１４３】
実施例６−ｂ（ヘキサオキシアリール−シクロトリホスファゼンの製造）
（反応材料の調製）
攪拌装置、還流冷却器、滴下ロートおよび温度計を備えた１リットルの四頚フラスコに４−ヒドロキシ安息香酸エチル６２．３ｇ（０．３７５モル）、アセトニトリル６５０ｍｌおよび水酸化カリウム２１ｇ（０．３７５モル）を仕込んだ。そして、これを４０〜５０℃で攪拌し、アセトニトリルの全量を回収した。その後、シクロペンチルメチルエーテルを２００ｍｌ加え、４−ヒドロキシ安息香酸エチルカリウム塩のシクロペンチルメチルエーテル溶液（第三溶液）を調製した。
【０１４４】
（ヘキサオキシアリール−シクロトリホスファゼンの製造）
攪拌装置、還流冷却器、滴下ロート及び温度計を備えた１リットルの四頚フラスコに第三溶液を仕込み、また、滴下ロートに実施例６−ａで得られた反応液の全量を仕込んだ。そして、四頚フラスコの内容物の温度を３０〜５０℃に維持しつつ、当該内容物に対して反応液を３０分かけて滴下した。滴下終了後、テトラブチルアンモニウムブロマイド１ｇを添加し、シクロペンチルメチルエーテルの還流下で３時間反応したところ、この反応液のピリジン／アニリン呈色反応がマイナスになった。シクロペンチルメチルエーテルの還流下で反応をさらに４時間継続し、反応を終了した。
【０１４５】
（分離・精製工程）
上述の反応工程で得られた反応液を２５℃まで冷却した後に濾過し、反応で生成した塩化カリウムと未反応の４−ヒドロキシ安息香酸エチルカリウム塩とを分離した。このように処理した反応液を希アルカリ水溶液と水とで数回洗浄し、洗浄後の反応液からシクロペンチルメチルエーテルを完全に回収したところ、８２．７ｇ（収率９６％）の無色ペースト状物質が得られた。この無色ペースト状物質は、高速液体クロマトグラフィーにより分析したところ、ジフェノキシ−テトラ４−エトキシカルボニルフェノキシ−シクロトリホスファゼン３．９％、トリフェノキシ−トリ４−エトキシカルボニルフェノキシ−シクロトリホスファゼン８９．９％およびテトラフェノキシ−ジ４−エトキシカルボニルフェノキシ−シクロトリホスファゼン８．８％を含むシクロトリホスファゼン誘導体混合物であり、実施例６−ａにおいてヘキサクロロシクロトリホスファゼンに対して使用したフェノールカリウム塩と、本実施例において用いた４−ヒドロキシ安息香酸エチルカリウム塩との比率に対応したシクロトリホスファゼン誘導体、すなわち、トリフェノキシ−トリ４−エトキシカルボニルフェノキシ−シクロトリホスファゼンを主に含むことが判明した。また、このシクロトリホスファゼン誘導体混合物は、既述の方法により残留活性ハロゲン原子量（残留活性塩素量）を測定したところ、５０ｐｐｍ未満であった。
【０１４６】
実施例７
（反応材料の調製）
攪拌装置、還流冷却器、滴下ロートおよび温度計を備えた１リットルの四頚フラスコにハイドロキノンモノメチルエーテル３８．１ｇ（０．３０７５モル）、フェノール２８．９ｇ（０．３０７５モル）およびシクロペンチルメチルエーテル５５０ｍｌを仕込んだ。一方、滴下ロートに液状苛性カリ（ＫＯＨ３４．４ｇ／水３４ｇ）を仕込んだ。そして、シクロペンチルメチルエーテルの還流下において、四頚フラスコ内に滴下ロートの内容物を滴下して共沸脱水し、全量が５００ｍｌに調整された、ハイドロキノンモノメチルエーテルカリウム塩とフェノールカリウム塩とのシクロペンチルメチルエーテル溶液（第一溶液）を調製した。
【０１４７】
さらに、製造例１で得られたヘキサクロロシクロトリホスファゼン３４．８ｇ（０．３ユニットモル）を１００ｍｌのシクロペンチルメチルエーテルに溶解して２５℃以下に冷却し、ヘキサクロロシクロトリホスファゼンのシクロペンチルメチルエーテル溶液（第二溶液）を調製した。
【０１４８】
（ヘキサオキシアリール−シクロトリホスファゼンの製造）
攪拌装置、還流冷却器、滴下ロート及び温度計を備えた１リットルの四頚フラスコに第一溶液を仕込み、また、滴下ロートに第二溶液を仕込んだ。そして、第一溶液を２０〜２５℃に維持しながら、第一溶液に対して第二溶液を１２０分かけて滴下した。滴下終了後、温度を２０〜３０℃に維持しながら１時間反応させた。さらに、６０℃まで１時間かけて昇温し、テトラブチルアンモニウムブロマイド１ｇを加えた。その後、シクロペンチルメチルエーテルの還流下において２時間反応させたところ、この反応液のピリジン／アニリン呈色反応がマイナスになった。
【０１４９】
次に、反応液からシクロペンチルメチルエーテルの全量を回収し、内温１２０℃以上の溶融状態で５時間さらに反応させた。反応終了後、１００℃まで冷却し、シクロペンチルメチルエーテル４５０ｍｌを加えて反応生成物を溶解した。
【０１５０】
（分離・精製工程）
得られた反応生成物のシクロペンチルメチルエーテル溶液を２５℃まで冷却した後に濾過し、反応で生成した塩化カリウムと未反応のハイドロキノンモノメチルエーテルカリウム塩およびフェノールカリウム塩を分離した。このように処理したシクロペンチルメチルエーテル溶液を希アルカリ水溶液と水とで数回洗浄し、洗浄後のシクロペンチルメチルエーテル溶液からシクロペンチルメチルエーテルを完全に回収したところ、７４．４ｇ（収率９５％）のペースト状物質が得られた。このペースト状物質は、高速液体クロマトグラフィーにより分析したところ、ヘキサ４−メトキシフェノキシ−シクロトリホスファゼン０．９％、フェノキシ−ペンタ４−メトキシフェノキシ−シクロトリホスファゼン４．４％、ジフェノキシ−テトラ４−メトキシフェノキシ−シクロトリホスファゼン１３．６％、トリフェノキシ−トリ４−メトキシフェノキシ−シクロトリホスファゼン４９．７％、テトラフェノキシ−ジ４−メトキシフェノキシ−シクロトリホスファゼン２０．７％、ペンタフェノキシ−４−メトキシフェノキシ−シクロトリホスファゼン６．３％およびヘキサフェノキシ−シクロトリホスファゼン１．１％を含むシクロトリホスファゼン誘導体混合物であり、ヘキサクロロシクロトリホスファゼンに対して使用したフェノールカリウム塩とハイドロキノンモノメチルエーテルカリウム塩との比率に対応したシクロトリホスファゼン誘導体、すなわち、トリフェノキシ−トリ４−メトキシフェノキシ−シクロトリホスファゼンを主に含むことが判明した。また、このシクロトリホスファゼン誘導体混合物は、既述の方法により残留活性ハロゲン原子量（残留活性塩素量）を測定したところ、２０ｐｐｍ未満であった。
【０１５１】
実施例８（ヘキサオキシアリール−シクロトリホスファゼンの製造）
（反応材料の調製）
攪拌装置、還流冷却器、滴下ロートおよび温度計を備えた１リットルの四頚フラスコにフェノール２８．９ｇ（０．３０７５モル）、４−シアノフェノール３６．６ｇ（０．３０７５モル）、シクロペンチルメチルエーテル５５０ｍｌおよびｎ−ヘキサン１００ｍｌを仕込んだ。一方、滴下ロートに液状苛性カリ（ＫＯＨ３４．４ｇ／水３４ｇ）を仕込んだ。そして、シクロペンチルメチルエーテルとｎ−ヘキサンとの還流下において、四頚フラスコ内に滴下ロートの内容物を滴下して共沸脱水し、全量が５００ｍｌに調整された、フェノールカリウム塩および４−シアノフェノールカリウム塩のシクロペンチルメチルエーテル溶液（第一溶液）を調製した。
【０１５２】
また、製造例１で得られたヘキサクロロシクロトリホスファゼン３４．８ｇ（０．３ユニットモル）を１００ｍｌのシクロペンチルメチルエーテルに溶解して２５℃以下に冷却し、ヘキサクロロシクロトリホスファゼンのシクロペンチルメチルエーテル溶液（第二溶液）を調製した。
【０１５３】
（ヘキサオキシアリール−シクロトリホスファゼンの製造）
攪拌装置、還流冷却器、滴下ロート及び温度計を備えた１リットルの四頚フラスコに第一溶液を仕込み、また、滴下ロートに第二溶液を仕込んだ。そして、第一溶液を２０〜２５℃に維持しつつ、第一溶液に対して第二溶液を１２０分かけて滴下した。滴下終了後、温度を２０〜３０℃に維持しながら１時間反応した。続けて、シクロペンチルメチルエーテルの還流下においてさらに２０時間反応させたところ、この反応液のピリジン／アニリン呈色反応がマイナスになった。次に、反応液を加熱し、反応液の温度が１２０〜１２５℃になるまでシクロペンチルメチルエーテルを回収した。そして、反応液を溶融状態でさらに５時間反応させた。
【０１５４】
（分離・精製工程）
上述の反応工程で得られた反応液を１００℃まで冷却した後、シクロペンチルメチルエーテル５００ｍｌを加えて反応生成物を抽出した。抽出液を２５℃に冷却して濾過し、反応で生成した塩化カリウム、未反応のフェノールカリウム塩および４−シアノフェノールカリウム塩を分離した。このように処理した抽出液を希アルカリ水溶液と水とで数回洗浄し、洗浄後の抽出液からシクロペンチルメチルエーテルを完全に回収した。この残留物に含水メタノールを加えて８０℃に加熱し、１時間撹拌して２５℃まで冷却したところ、結晶が得られた。得られた結晶をろ過して乾燥したところ、その重量は７２．０ｇ（収率９３．０％）であった。この結晶の融点は７７．４〜９９．８℃であった。また、この結晶は、高速液体クロマトグラフィーにより分析したところ、ヘキサフェノキシ−シクロトリホスファゼン３．１％、ペンタフェノキシ−４−シアノフェノキシ−シクロトリホスファゼン７．６％、テトラフェノキシ−ジ４−シアノフェノキシ−シクロトリホスファゼン５．３％、トリフェノキシ−トリ４−シアノフェノキシ−シクロトリホスファゼン４８．９％、ジフェノキシ−テトラ４−シアノフェノキシ−シクロトリホスファゼン１８．５％およびフェノキシ−ペンタ４−シアノフェノキシ−シクロトリホスファゼン６．３％を含むシクロトリホスファゼン誘導体混合物であり、ヘキサクロロシクロトリホスファゼンに対して使用したフェノールカリウム塩と４−シアノフェノールカリウム塩との比率に対応したシクロトリホスファゼン誘導体、すなわち、トリフェノキシ−トリ４−シアノフェノキシ−シクロトリホスファゼンを主に含むことが判明した。また、このシクロトリホスファゼン誘導体混合物は、既述の方法により残留活性ハロゲン原子量（残留活性塩素量）を測定したところ、２０ｐｐｍ未満であった。
【０１５５】
実施例９（ヘキサオキシアリール−シクロトリホスファゼンの製造）
（反応材料の調製）
攪拌装置、還流冷却器、滴下ロートおよび温度計を備えた１リットルの四頚フラスコにフェノール２８．９ｇ（０．３０７５モル）、４−シアノフェノール３６．６ｇ（０．３０７５モル）、アセトニトリル５５０ｍｌ、ｎ−ヘキサン１００ｍｌおよび水酸化カリウム３４．４ｇを仕込んだ。そして、アセトニトリルおよびｎ−ヘキサンの還流下に共沸脱水し、シクロペンチルエチルエーテル５００ｍｌを加えてシクロペンチルエチルエーテルの沸点までアセトニトリルおよびｎ−ヘキサンを回収した。これにより、全量が５００ｍｌに調整された、フェノールカリウム塩および４−シアノフェノールカリウム塩のシクロペンチルエチルエーテル溶液（第一溶液）を調製した。
【０１５６】
また、製造例１で得られたヘキサクロロシクロトリホスファゼン３４．８ｇ（０．３ユニットモル）を１００ｍｌのシクロペンチルエチルエーテルに溶解して２５℃以下に冷却し、ヘキサクロロシクロトリホスファゼンのシクロペンチルエチルエーテル溶液（第二溶液）を調製した。
【０１５７】
（ヘキサオキシアリール−シクロトリホスファゼンの製造）
攪拌装置、還流冷却器、滴下ロートおよび温度計を備えた１リットルの四頚フラスコに第一溶液を仕込み、また、滴下ロートに第二溶液を仕込んだ。そして、第一溶液を２０〜２５℃に維持しつつ、第一溶液に対して第二溶液を１２０分かけて滴下した。滴下終了後、温度を２０〜３０℃に維持しながら１時間反応した。続けて、シクロペンチルエチルエーテルの還流下においてさらに８時間反応させたところ、この反応液のピリジン／アニリン呈色反応がマイナスになった。シクロペンチルエチルエーテルの還流下で反応をさらに４時間継続し、反応を終了した。
【０１５８】
（分離・精製工程）
上述の反応工程で得られた反応液を２５℃まで冷却して濾過し、反応で生成した塩化カリウム、未反応のフェノールカリウム塩および４−シアノフェノールカリウム塩を分離した。このように処理した反応液を希アルカリ水溶液と水とで数回洗浄し、洗浄後の反応液からシクロペンチルエチルエーテルを完全に回収した。この残留物に含水メタノールを加えて８０℃に加熱し、１時間撹拌して２５℃まで冷却したところ、結晶が得られた。得られた結晶をろ過して乾燥したところ、その重量は７１．３ｇ（収率９２．７％）であった。この結晶の融点は８０．５〜１００．２℃であった。また、この結晶は、高速液体クロマトグラフィーにより分析したところ、ヘキサフェノキシ−シクロトリホスファゼン１．４％、ペンタフェノキシ−４−シアノフェノキシ−シクロトリホスファゼン７．４％、テトラフェノキシ−ジ４−シアノフェノキシ−シクロトリホスファゼン２４．２％、トリフェノキシ−トリ４−シアノフェノキシ−シクロトリホスファゼン４９．７％、ジフェノキシ−テトラ４−シアノフェノキシ−シクロトリホスファゼン１２．５％およびフェノキシ−ペンタ４−シアノフェノキシ−シクロトリホスファゼン２．８％を含むシクロトリホスファゼン誘導体混合物であり、ヘキサクロロシクロトリホスファゼンに対して使用したフェノールカリウム塩と４−シアノフェノールカリウム塩との比率に対応したシクロトリホスファゼン誘導体、すなわち、トリフェノキシ−トリ４−シアノフェノキシ−シクロトリホスファゼンを主に含むことが判明した。また、このシクロトリホスファゼン誘導体混合物は、既述の方法により残留活性ハロゲン原子量（残留活性塩素量）を測定したところ、５０ｐｐｍ未満であった。
【０１５９】
比較例１−ａ
（反応材料の調製）
攪拌装置、還流冷却器、滴下ロート及び温度計を備えた１リットルの四頚フラスコにフェノール５９．２ｇ（０．６２９モル）を加え、これを３９０ｍｌのメタノールに溶解した。一方、滴下ロートにナトリウムメトキシドを２８重量％含むメタノール溶液１２１．５ｇ（ナトリウムメトキシド換算で０．６２９モル）を仕込んだ。そして、滴下ロートの内容物を４５分かけて四頚フラスコ内に滴下した。四頚フラスコの内容物を３０℃で１時間攪拌し、その後、メタノールの全量を留去した。これにより、７３．３ｇのフェノールナトリウム塩を得た。得られたフェノールナトリウム塩をテトラヒドロフラン７２５ｍｌに溶解し、フェノールナトリウム塩のテトラヒドロフラン溶液（第一溶液）を得た。
【０１６０】
さらに、製造例１で得られたヘキサクロロシクロトリホスファゼン６５ｇ（０．５６ユニットモル）を１５０ｍｌのテトラヒドロフランに溶解して０℃以下に冷却し、ヘキサクロロシクロトリホスファゼンのテトラヒドロフラン溶液（第二溶液）を調製した。
【０１６１】
（反応工程）
攪拌装置、還流冷却器、滴下ロート及び温度計を備えた１リットルの四頚フラスコに第二溶液を仕込み、また、滴下ロートに第一溶液を仕込んだ。そして、第一溶液を−５〜０℃に維持しながら、第二溶液に対して第一溶液を１５０分かけて滴下した。滴下終了後、温度を０〜５℃に維持しながら２時間反応させた。反応終了後、反応液を濾過し、少量のテトラヒドロフランを用いて洗浄した。反応液からテトラヒドロフランの全量を除去したところ、塩素原子の一部がフェノキシ基により置換された部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンを含む、１２６．５ｇの白濁ペースト状物が得られた。
【０１６２】
比較例１−ｂ
（反応材料の調製）
４−シアノフェノール５９．６ｇ（０．５モル）をトリエチルアミン５００ｍｌに溶解し、４−シアノフェノールのトリエチルアミン溶液（第三液）を調製した。
（反応工程）
攪拌装置、還流冷却器および温度計を備えた１リットルのフラスコに比較例１−ａで得られた白濁ペースト状物の全量を仕込み、これに第三液を加えた。そして、フラスコの内容物を還流下において１０時間反応させたところ、反応液のピリジン／アニリン呈色反応がマイナスになった。
【０１６３】
（分離・精製工程）
上述の反応工程の反応終了後、反応液を１，５００ｍｌの冷水中に投入し、固液分離した。そして、分離された固相を希アルカリ水溶液と水とで数回洗浄し、さらにメタノール４００ｍｌで２回洗浄して乾燥したところ、６５．５ｇの白色結晶が得られた（収率４７．２％）。この結晶の融点は６０〜１０２℃であった。また、得られた結晶を高速液体クロマトグラフィーにより分析したところ、この結晶は、ジフェノキシ−テトラ４−シアノフェノキシ−シクロトリホスファゼン１．６９％、トリフェノキシ−トリ４−シアノフェノキシ−シクロトリホスファゼン７６．０８％およびテトラフェノキシ−ジ４−シアノフェノキシ−シクロトリホスファゼン１８．７２％を含むシクロトリホスファゼン誘導体混合物であり、比較例１−ａにおいてヘキサクロロシクロトリホスファゼンに対して使用したフェノールナトリウム塩と、本比較例において用いた４−シアノフェノールとの比率に近いシクロトリホスファゼン誘導体、すなわち、トリフェノキシ−トリ４−シアノフェノキシ−シクロトリホスファゼンを主に含むことが判明した。但し、このシクロトリホスファゼン誘導体混合物は、既述の方法により残留活性ハロゲン原子量（残留活性塩素量）を測定したところ、２，４００ｐｐｍであり、樹脂材料の改質剤としての利用は困難であった。
【０１６４】
比較例２−ａ
（反応材料の調製）
攪拌装置、還流冷却器、滴下ロート及び温度計を備えた１リットルの四頚フラスコにフェノール５２．７ｇ（０．５６モル）を加え、これを３９０ｍｌのメタノールに溶解した。一方、滴下ロートにナトリウムメトキシドを２８重量％含むメタノール溶液１０８ｇ（ナトリウムメトキシド換算で０．５６モル）を仕込んだ。そして、滴下ロートの内容物を４５分かけて四頚フラスコ内に滴下した。四頚フラスコの内容物を３０℃で１時間攪拌した後、メタノールの全量を留去し、残留物を７２５ｍｌのテトラヒドロフランに溶解してフェノールナトリウム塩のテトラヒドロフラン溶液（第一溶液）を調製した。
【０１６５】
さらに、製造例１で得られたヘキサクロロシクロトリホスファゼン６５ｇ（０．５６ユニットモル）を１５０ｍｌのテトラヒドロフランに溶解して０℃以下に冷却し、ヘキサクロロシクロトリホスファゼンのテトラヒドロフラン溶液（第二溶液）を調製した。
【０１６６】
（反応工程）
攪拌装置、還流冷却器、滴下ロート及び温度計を備えた１リットルの四頚フラスコに第二溶液を仕込み、また、滴下ロートに第一溶液を仕込んだ。そして、第一溶液を−５〜０℃に維持しながら、第二溶液に対して第一溶液を１５０分かけて滴下した。滴下終了後、温度を０〜５℃に維持しながら２時間反応させた。反応終了後、反応液を濾過し、少量のテトラヒドロフランを用いて洗浄した。反応液からテトラヒドロフランの全量を除去したところ、塩素原子の一部がフェノキシ基により置換された部分置換ハロゲン化シクロトリホスファゼンを含む白濁ペースト状物が得られた。
【０１６７】
比較例２−ｂ
（反応材料の調製）
４−シアノフェノール８０ｇ（０．６７モル）をトリエチルアミン８００ｍｌに溶解し、４−シアノフェノールのトリエチルアミン溶液（第三液）を調製した。
【０１６８】
（反応工程）
攪拌装置、還流冷却器、滴下ロートおよび温度計を備えた１リットルの四頚フラスコに比較例２−ａで得られた白濁ペースト状物の全量を加え、これを２００ｍｌのトリエチルアミンに溶解した。また、滴下ロートに第三液を仕込んだ。そして、四頚フラスコの内容物に対して第三液を滴下し、さらに、１ｇの４−ジメチルアミノピリジンを加えて還流下で２５時間反応させたところ、ピリジン／アニリン呈色反応がマイナスになった。
【０１６９】
（分離・精製工程）
上述の反応工程の反応終了後、反応液を２，０００ｍｌの冷水中に投入し、固液分離した。そして、分離された固相をトルエンに溶解し、この溶液を希アルカリ水溶液と希硫酸とで数回洗浄し、さらに水洗した。洗浄後の溶液からトルエンを除去し、残留物に対してメタノールによる精製を数回繰り返して乾燥したところ、５８．２ｇの結晶が得られた（収率４０．６％）。この結晶の融点は１００〜１２１．８℃であった。また、得られた結晶を高速液体クロマトグラフィーにより分析したところ、この結晶は、ジフェノキシ−テトラ４−シアノフェノキシ−シクロトリホスファゼン１．９０％、トリフェノキシ−トリ４−シアノフェノキシ−シクロトリホスファゼン９３．１０％およびテトラフェノキシ−ジ４−シアノフェノキシ−シクロトリホスファゼン４．９０％を含むシクロトリホスファゼン誘導体混合物であり、比較例２−ａにおいてヘキサクロロシクロトリホスファゼンに対して使用したフェノールナトリウム塩と、本比較例において使用した４−シアノフェノールとの比率に対応したシクロトリホスファゼン誘導体、すなわち、トリフェノキシ−トリ４−シアノフェノキシ−シクロトリホスファゼンを主に含むことが判明した。但し、このシクロトリホスファゼン誘導体混合物は、既述の方法により残留活性ハロゲン原子量（残留活性塩素量）を測定したところ、８００ｐｐｍであり、樹脂材料の改質剤としての利用は困難であった。
【０１７０】
比較例３
攪拌装置、還流冷却器、滴下ロート及び温度計を備えた１リットルの四頚フラスコに４−シアノフェノール２０．９ｇ（０．１７５モル）、フェノール１６．５ｇ（０．１７５モル）およびトルエン１３５ｍｌを仕込んだ。そして、四頚フラスコの内容物を攪拌しながら固形水酸化ナトリウム１４ｇ（０．３５モル）を添加して還流下において反応させ、６時間かけて、生成した水を共沸脱水により除去した。その後、反応液を２０℃まで冷却した。
【０１７１】
次に、製造例２で得られたヘキサクロロシクロトリホスファゼン１５．５ｇ（０．１３３ユニットモル）をモノクロルベンゼン８０ｍｌに溶解し、溶液を調製した。この溶液を滴下ロートに仕込み、常温の上述の反応液に対して４０分かけて、内温３０℃以下で滴下した。滴下終了後、１時間常温で反応させ、この反応液を１２時間還流しながらさらに反応させた。反応終了後、ピリジン／アニリン発色テストを実施したが、赤色を呈した。反応液を冷却した後、水８０ｍｌを加えて全量を濾過し、固体分を分離して乾燥した。これにより、未反応の４−シアノフェノールナトリウム塩およびフェノールナトリウム塩（合計で２１．１ｇ）が燐片状の白色固体状態で回収された。一方、濾液を希アルカリ水溶液１００ｍｌと水１００ｍｌとで洗浄し、その有機層から減圧下で溶剤を除去してペースト状物を得た。このペースト状物は、高速液体クロマトグラフィーによる分析結果から、ヘキサフェノキシシクロトリホスファゼン６５．３％、ペンタフェノキシ−モノ４−シアノフェノキシ−シクロトリホスファゼン２５．１％、トリフェノキシ−トリ４−シアノフェノキシ−シクロトリホスファゼン４．７％、ジフェノキシ−テトラ４−シアノフェノキシ−シクロトリホスファゼン２．７％および未反応塩素分を含有するフェノキシシクロトリホスファゼン類の混合物と考えられる。したがって、この反応では、ヘキサクロロシクロトリホスファゼンに対して使用したフェノールと４−シアノフェノールとの比率に対応したシクロトリホスファゼン誘導体は実質的に得られなかった。また、ここで得られたフェノキシシクロトリホスファゼン類の混合物は、既述の方法により残留活性ハロゲン原子量（残留活性塩素量）を測定したところ、４，５００ｐｐｍであり、樹脂材料の改質剤としての利用は困難であった。
【０１７２】
評価
エポキシ樹脂（ＪＥＲ株式会社の商品名“エピコート８２８”）、変性ポリフェニレンエーテル樹脂（日本Ｇ．Ｅ．プラスチックス株式会社の商品名“ノリル６４０−１１１”）、硬化剤（ジアミノジフェニルメタン）並びに実施例１−ｂ、実施例２−ｂ、実施例３−ｂおよび実施例４−ｂ（以下、これらの実施例を「評価実施例」と云う）のいずれかにおいて得られたシクロトリホスファゼン誘導体混合物を表１に示す割合で混合し、エポキシ樹脂組成物を調製した（試料１〜４）。また、比較のため、シクロトリホスファゼン誘導体混合物を添加せずに、同様のエポキシ樹脂組成物を調製した（試料５）。さらに、比較のため、評価実施例で得られたシクロトリホスファゼン誘導体混合物に代えてケミプロ化成株式会社の商品名“ＫＤ−３０２Ｓ”（ホスファゼン系難燃剤）を用いて同様のエポキシ樹脂組成物を調製した（試料６）。
【０１７３】
上述のようにして得られた各エポキシ樹脂組成物を温度２００℃、圧力３ＭＰａ、時間１２０分の硬化条件で板状に成形した。そして、得られた板状の成形物から０．２ｍｍ×１２５ｍｍ×１３ｍｍの試料を切出し、その難燃性とガラス転移点とを調べた。難燃性は、Underwriters  Laboratoriesの“Test for Flammability of Plastics Materials−UL94”に従って平均値（ＡＶ）および最大値（ＭＡＸ）を測定した。難燃性は、平均値（ＡＶ）が５秒以下であれば特に良好である。また、ガラス転移点は、セイコーインスツルメンツ株式会社製の粘弾性スペクトロメーター「ＤＭＳ２００」を用いて測定した。ガラス転移点は、１８０℃以上であれば良好であり、１９０℃以上であれば特に良好である。結果を表１に示す。
【０１７４】
【表１】
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【０１７５】
表１によると、評価実施例のシクロトリホスファゼン誘導体混合物を含む試料１〜４のエポキシ樹脂組成物からなる成形体は、シクロトリホスファゼン誘導体混合物を含まない試料５のエポキシ樹脂組成物からなる成形体に比べて難燃性が顕著に優れている。また、他のホスファゼン系難燃剤を用いた試料６と比較すると、試料１〜４の成形体は、ガラス転移点が大幅に低下していないことがわかる。