(57)【要約】【課題】本発明の目的は、少ない活性エネルギー線の照射量で硬化し、特に密着性など優れた硬化物物性を有し、かつ室温時での保存安定性に優れた接着剤組成物を提供することである。および半導体素子を平行な状態で積層接着することができ、使用した接着剤もしくは接着フィルムを提供することである。【解決手段】スルホニウムカチオンと下記一般式（１）で表されるボレートアニオンとを含んでなり、かつ、アセトニトリル中の波長３５０ｎｍのモル吸光係数が、３０００から２５０００の範囲である酸発生剤（Ａ）、および、カチオン重合性化合物（Ｂ）を含んでなる接着剤組成物。  一般式（１）【化１】2006348199.tif 000019（ただし、Ｙはフッ素または塩素原子、Ｚは、フッ素原子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基の中から選ばれる基で２つ以上置換されたフェニル基、ｍは０から３の整数、ｎは１から４の整数を表し、ｍ＋ｎ＝４である。）【特許請求の範囲】
【請求項１】
スルホニウムカチオンと下記一般式（１）で表されるボレートアニオンとを含んでなり、かつ、アセトニトリル中の波長３５０ｎｍのモル吸光係数が、３０００から２５０００の範囲である酸発生剤（Ａ）、および、
カチオン重合性化合物（Ｂ）を含んでなる接着剤組成物。
一般式（１）
【化１】
2006348199.tif 000017
（ただし、Ｙはフッ素または塩素原子、
Ｚは、フッ素原子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基の中から選ばれる基で２つ以上置換されたフェニル基、
ｍは０から３の整数、ｎは１から４の整数を表し、ｍ＋ｎ＝４である。）
【請求項２】
スルホニウムカチオンが、一般式（２）で表される請求項1記載の接着剤組成物。
一般式（２）
【化２】
2006348199.tif 000018
（ただし、Ｒ1は、置換されたベンジル基、置換されたフェナシル基、置換されたアリル基、置換されたアルコキシル基、置換されたアリールオキシ基より選ばれる基を、
Ｒ2 およびＲ3 はそれぞれ独立に、置換基を有してもよいベンジル基、置換基を有してもよいフェナシル基、置換基を有してもよいアリル基、置換基を有してもよいアルコキシル基、置換基を有してもよいアリールオキシ基、置換基を有してもよいアルキル基、または、置換基を有してもよいアルケニル基より選ばれる基を、
Ｒ4 は酸素原子もしくは孤立電子対を示す。
また、Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3はその２個以上の基が結合して環状構造となってもよい。）
【請求項３】
カチオン重合性化合物が、分子内に少なくとも１個のエポキシ基または分子内に少なくとも１個のオキセタニル基を有する化合物であることを特徴とする請求項１または２記載の接着剤組成物。
【請求項４】
請求項３記載の接着剤組成物を含んでなるダイボンディング用接着剤。
【請求項５】
請求項４記載の接着剤を基材上に塗布して得られるダイボンディング用接着フィルム。
【請求項６】
半導体素子と支持部材との間に請求項４記載の接着剤を含む層を形成し、波長３５０ｎｍから４５０ｎｍの少なくとも一部の光を含む光を照射して、前記接着剤または接着フィルムを硬化させることを特徴とする半導体素子と支持部材とを接着してなる接着物の製造方法。
【請求項７】
半導体素子の支持部材との接着面に請求項４記載の接着剤を含む層を形成した後、波長３５０ｎｍから４５０ｎｍの少なくとも一部の光を含む光を照射した後に、支持部材上に積層接着させる半導体素子と支持部材とを接着してなる接着物の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接着剤組成物、接着フィルムに関し、更に詳しくは、半導体素子のボンディング用として好適に使用される、高速接着可能な接着剤組成物とそれを用いた接着フィルム、接着物の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）あるいはチップサイズパッケージ（ＣＳＰ）のような半導体パッケージの配線基板またはテープオートメイテッドボンディング（ＴＡＢ）テープとヒートスプレッダ（放熱板）との接合において、熱硬化性の液状接着剤または接着シートを用いる方法が知られている。しかし、熱硬化性の液状接着剤または接着フィルムを用いる方法では、硬化させる際に高温で長時間の加熱を必要とする場合があり、半導体チップに熱ストレスを与えるといった問題や、生産面では接着剤の硬化工程に長時間を要するといった問題があった。例えばある接着剤シートの場合、硬化工程において１５０℃で２時間加熱することが記載されている。
【０００３】
また、熱硬化性の接着剤は一般に常温での保存安定性が悪く、そのため輸送や保管を低温で行う必要があること、単時間で使用しなければならない等、設備、コスト、取り扱い面での不具合があった。さらに、接着剤の硬化時間を短縮するために硬化温度を低く設定すると、保存安定性が悪くなる問題点があった。
【０００４】
また、従来の熱硬化性のダイボンディングフィルムは、加熱硬化時の硬化収縮が大きかったため、複数個の半導体チップを未硬化のダイボンディングフィルムを介して位置合わせを行いながら積層して積層体を作製し、その後積層体を加熱してダイボンディングフィルムを硬化させ、半導体チップを加熱接着すると、積層した半導体チップ同士が傾いたり、半導体チップ自体が反ったりするため、半導体チップの位置ずれが発生することがあった。
【０００５】
さらに、半導体素子を実装した基板を封止樹脂によりモールドする際、封止樹脂を硬化させるために印加する熱により、ダイボンディングフィルムが更に収縮し、封止樹脂や半導体チップに割れが発生するという問題もあった。
【０００６】
近年、光硬化性のダイボンディングフィルムの検討も行われているが（特許文献２）、十分な接着特性が得られてはおらず、更なる改良が望まれている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−１３１４９９公報
【特許文献２】特開２００４−３９９９２公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、少ない活性エネルギー線の照射量で硬化し、特に密着性など優れた硬化物物性を有し、かつ室温時での保存安定性に優れた接着剤組成物を提供することである。および半導体素子を平行な状態で積層接着することができ、使用した接着剤もしくは接着フィルムを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決するため、本発明者は、鋭意研究の結果、上記課題をすべて解決する材料を開発するに至った。
【００１０】
すなわち、本発明は、スルホニウムカチオンと下記一般式（１）で表されるボレートアニオンとを含んでなり、かつ、アセトニトリル中の波長３５０ｎｍのモル吸光係数が、３０００から２５０００の範囲である酸発生剤（Ａ）、および、
カチオン重合性化合物（Ｂ）を含んでなる接着剤組成物に関する。
【００１１】
一般式（１）
【化１】
2006348199.tif 000002
【００１２】
（ただし、Ｙはフッ素または塩素原子、
Ｚは、フッ素原子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基の中から選ばれる基で２つ以上置換されたフェニル基、
ｍは０から３の整数、ｎは１から４の整数を表し、ｍ＋ｎ＝４である。）
【００１３】
更に本発明は、スルホニウムカチオンが、一般式（２）で表される上記接着剤組成物に関する。
【００１４】
一般式（２）
【化２】
2006348199.tif 000003
【００１５】
（ただし、Ｒ1は、置換されたベンジル基、置換されたフェナシル基、置換されたアリル基、置換されたアルコキシル基、置換されたアリールオキシ基より選ばれる基を、
Ｒ2 およびＲ3 はそれぞれ独立に、置換基を有してもよいベンジル基、置換基を有してもよいフェナシル基、置換基を有してもよいアリル基、置換基を有してもよいアルコキシル基、置換基を有してもよいアリールオキシ基、置換基を有してもよいアルキル基、または、置換基を有してもよいアルケニル基より選ばれる基を、
Ｒ4 は酸素原子もしくは孤立電子対を示す。
また、Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3はその２個以上の基が結合して環状構造となってもよい。）
【００１６】
更に本発明は、カチオン重合性化合物が、分子内に少なくとも１個のエポキシ基または分子内に少なくとも１個のオキセタニル基を有する化合物であることを特徴とする上記接着剤組成物に関する。
【００１７】
更に本発明は、上記接着剤組成物を含んでなるダイボンディング用接着剤に関する。
【００１８】
更に本発明は、上記接着剤を基材上に塗布して得られるダイボンディング用接着フィルムに関する。
【００１９】
また本発明は、半導体素子と支持部材との間に上記接着剤を含む層を形成し、波長３５０ｎｍから４５０ｎｍの少なくとも一部の光を含む光を照射して、前記接着剤または接着フィルムを硬化させることを特徴とする半導体素子と支持部材とを接着してなる接着物の製造方法に関する。
【００２０】
また本発明は、半導体素子の支持部材との接着面に上記接着剤を含む層を形成した後、波長３５０ｎｍから４５０ｎｍの少なくとも一部の光を含む光を照射した後に、支持部材上に積層接着させる半導体素子と支持部材とを接着してなる接着物の製造方法に関する。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の接着剤組成物は少ない活性エネルギー線の照射量で硬化し、エネルギー線による架橋硬化後は、高い耐熱性、耐久性、透明性、接着力を得ることができる。また、本発明の接着剤組成物は酸発生剤（Ａ）を使用していることにより、少量のエネルギー線の照射においても、効率的に非常に強い酸を発生するため、活性エネルギー線の照射時間の短縮による作業性の向上や、エネルギー線照射による基材の劣化を低減することも可能である。本発明の接着剤組成物は、特にダイボンディング用途の接着剤として用い得る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、詳細にわたって本発明の実施形態を説明する。
【００２３】
[酸発生剤（Ａ）]
まず初めに、本発明で用いられる酸発生剤（Ａ）について説明する。本発明で用いられる酸発生剤（Ａ）はエネルギー線の照射により酸を発生する材料であり、酸発生剤から発生した酸がカチオン重合性化合物（Ｂ）のカチオン重合による架橋を開始かつ促進させる機能を有している。
【００２４】
本発明で用いられる酸発生剤（Ａ）の特徴は、波長３５０ｎｍのモル吸光係数を３０００から２５０００の範囲に調整することにより、エネルギー線、特に３５０ｎｍから４５０ｎｍの波長領域の光照射に対する大幅な高感度化を実現している。そのため本発明の酸発生剤（Ａ）は、単独で使用することも可能であり、且つ増感剤を併用する場合も、その使用量を最小限に抑えることが出来る。
酸発生剤（Ａ）が波長３５０ｎｍのモル吸光係数を３０００から２５０００の範囲に調整するためには、スルホニウムカチオン部位に、例えば、一般式（２）で示されるような特定の構造を有させることで実現できる。
【００２５】
本発明の酸発生剤（Ａ）の波長３５０ｎｍのモル吸光係数が３０００未満の場合、該波長領域の光照射において十分な酸を発生することが出来ないために、本発明の接着剤組成物の硬化が不十分となる。
また、本発明で用いられる酸発生剤（Ａ）の波長３５０ｎｍのモル吸光係数が２５０００を超える場合、酸発生剤（Ａ）の光に対する安定性が低下し、接着剤組成物自体の保存安定性をも低下させる。
なお、本発明において、モル吸光係数は、アセトニトリル中に溶解したものの２５℃で測定結果より算出する。
【００２６】
本発明で用いられる酸発生剤（Ａ）から酸を発生するために使用するエネルギー線源は特に限定されないが、特に好適な感度を発現する３５０ｎｍから４５０ｎｍの波長領域の光を照射できる光源が好ましく、上記波長領域の光と同時に他のエネルギー線を発していても良い。特に好ましい光源としては、３５０ｎｍから４５０ｎｍの波長領域に発光の主波長を有する光源であり、具体例としては、超高圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、水銀キセノンランプ、メタルハライドランプ、ハイパワーメタルハライドランプ、キセノンランプ、パルス発光キセノンランプ等が挙げられるがこれらに限定されるものではない。また、Ｎｄ−ＹＡＧ３倍波レーザー、Ｈｅ−Ｃｄレーザー、窒素レーザー、Ｘｅ−Ｃｌエキシマレーザー、Ｘｅ−Ｆエキシマレーザー、半導体励起固体レーザー等の３５０ｎｍから４５０ｎｍの波長領域に発光波長を有するレーザーも好適なエネルギー線源として使用することができる。また、電子線も好適なエネルギー線源として使用することが可能である。本発明の酸発生剤はいずれも３５０ｎｍから４５０ｎｍの波長領域に好適な吸収を有しており置換基によって吸収特性がやや異なるが、上記した光源を適宜選択することにより、非常に高感度な感エネルギー線酸発生剤として機能することが可能である。また、これらの光源は適宜、フィルター、ミラー、レンズ等の光学機器を介して照射することも可能である。
【００２７】
次に、本発明で用いられる酸発生剤（Ａ）の構造について詳細に説明する。
【００２８】
本発明で用いられる酸発生剤（Ａ）は、スルホニウムカチオンと一般式（１）で表されるボレートアニオンとからなるオニウム塩型の酸発生剤である。スルホニウムカチオンは、その還元電位が高いこと、すなわち、電子受容性が高いことがあげられる。そのため、エネルギー線、ことに光の照射によって、分解し、容易に酸を発生する。
【００２９】
特に好ましいスルホニウムカチオンの構造としては、一般式（２）で表されるスルホニウムカチオンをあげることができる。
【００３０】
一般式（２）
【化３】
2006348199.tif 000004
【００３１】
（ただし、Ｒ1は、置換されたベンジル基、置換されたフェナシル基、置換されたアリル基、置換されたアルコキシル基、置換されたアリールオキシ基より選ばれる基を、
Ｒ2 およびＲ3 はそれぞれ独立に、置換基を有してもよいベンジル基、置換基を有してもよいフェナシル基、置換基を有してもよいアリル基、置換基を有してもよいアルコキシル基、置換基を有してもよいアリールオキシ基、置換基を有してもよいアルキル基、または、置換基を有してもよいアルケニル基より選ばれる基を、
Ｒ4 は酸素原子もしくは孤立電子対を示す。
また、Ｒ1 、Ｒ2 およびＲ3はその２個以上の基が結合して環状構造となってもよい。）
【００３２】
一般式（２）における置換基Ｒ1は、置換されたベンジル基、置換されたフェナシル基、置換されたアリル基、置換されたアルコキシル基、置換されたアリールオキシ基であり、置換されていることを特徴とし、具体的には一般式(３)〜一般式（６）から選ばれる構造である。
【００３３】
【化４】
2006348199.tif 000005
【００３４】
（ただし、Ｒ5は、一般式（３）〜一般式（６）に共通して、ヘテロ原子を含んでよい炭素数４から２４の単環または縮合多環アリール基、置換されたヘテロ原子を含んでよい炭素数４から２４の単環または縮合多環アリール基、アルキル基（一般式（６）の場合）、置換されたアルキル基（一般式（６）の場合）を表す。ただし、さらに、３５０ｎｍから４５０ｎｍの波長領域の光を吸収するための後述の置換基を必要とする。
Ｒ6およびＲ7は一般式（３）〜一般式（５）に共通して、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、置換されたアルキル基、アリール基、置換されたアリール基、アルコキシル基、置換されたアルコキシル基、アリールオキシ基、置換されたアリールオキシ基、アルケニル基または置換されたアルケニル基を表す。
ただし、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7は一体となって、環を形成してもよい。）
【００３５】
以下に本発明で用いられる酸発生剤（Ａ）を構成するスルホニウムカチオン中の置換基について説明する。まず、本発明の酸発生剤（Ａ）を構成する一般式（３）〜一般式（６）で表されるスルホニウムカチオンにおける置換基Ｒ5において、
【００３６】
ヘテロ原子を含んでよい炭素数４から２４の単環または縮合多環アリール基としては、フェニル基、１ーナフチル基、２−ナフチル基、１−アンスリル基、９−アンスリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−インデニル基、２−フルオレニル基、９−フルオレニル基、３−ペリレニル基、２−フリル基、２−チエニル基、２−インドリル基、３−インドリル基、２−ベンゾフリル基、２−ベンゾチエニル基、２−アクリジニル基、２−チアンスレニル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−キノリニル基、４−イソキノリル基、３−フェノチアジニル基、２−フェノキサチイニル基、３−フェニキサジニル基、３−チアントレニル基、３−クマリニル基等が挙げることができるが、これらに限定されるものではなく、また、これらのアリール基は上記以外の置換位置で炭素原子と結合していてもよく、それらも本発明のＲ5で表記される置換基の範疇に含まれる。
【００３７】
この内、一般式（３）〜一般式（６）で表されるスルホニウムカチオンにおける置換基Ｒ5において、より好ましいヘテロ原子を含んでよい炭素数４から２４の単環または縮合多環アリール基としては、一般式(７)〜一般式（１０）から選ばれる構造をあげることができる。
【００３８】
【化５】
2006348199.tif 000006
【００３９】
（ただし、Ｒ8は、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アシル基、アルコキシル基、アリールオキシ基、ハロゲン原子を表す。
Ｒ9は、アルキル基、アリール基、アシル基またはアルケニル基を表す。
Ｒ（Ｒｊ、Ｒｋ、Ｒｌ、Ｒｐ）は、一般式（８）〜一般式（１０）に共通して、それぞれ独立に、アルキル基、アリール基、アルケニル基、アシル基、アルコキシル基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アシルオキシ基、ハロゲン原子を表す。
Ｒ10は、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシル基、アリールオキシ基、ハロゲン原子を表す。
ｊ、ｋ、ｌ、ｐは置換基Ｒが置換されている個数を表し、ｊは１〜５の整数を表す。ｋは、一般式（８）〜一般式（１０）に共通して、０〜４の整数を表す。ｌは０〜３の整数を表す。ｐは０〜３の整数を表す。ただし、ｋ＋ｌは必ず１以上である。さらに、隣接した、Ｒ同士、Ｒ8同士、もしくは、ＲとＲ9、ＲとＲ10は、互いに共有結合によって環構造を形成していてもよい。
なお、一般式（８）〜一般式（１０）において、上記以外の置換位置で一般式（３）〜一般式（５）の炭素原子または、一般式（６）の酸素原子と結合していても良い。）
【００４０】
また、本発明で用いられる酸発生剤（Ａ）が、３５０ｎｍから４５０ｎｍの波長領域の光を吸収するため導入する置換基として、好ましいものとしては、アリール基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシル基、アリールオキシ基、アシル基が挙げられる。
【００４１】
本発明で用いられる酸発生剤（Ａ）を構成する一般式（２）における置換基Ｒ2とＲ3、一般式（３）〜一般式（５）における置換基Ｒ6とＲ7、一般式（７）における置換基Ｒ8、一般式（９）における置換基Ｒ9、一般式（１０）における置換基Ｒ10、一般式（７）〜一般式（１０）における置換基Ｒにおけるアルキル基としては、炭素数１から１８の直鎖状、分岐鎖状、単環状または縮合多環状アルキル基が挙げられ、具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、オクタデシル基、イソプロピル基、イソブチル基、イソペンチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ペンチル基、ｔ−ペンチル基、ｔ−オクチル基、ネオペンチル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、ボロニル基、４−デシルシクロヘキシル基などを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
【００４２】
本発明で用いられる酸発生剤（Ａ）を構成する一般式（３）〜一般式（５）における置換基Ｒ6とＲ7、一般式（７）における置換基Ｒ8、一般式（９）における置換基Ｒ9、一般式（１０）における置換基Ｒ10、一般式（７）〜一般式（１０）における置換基Ｒにおけるアリール基としては、置換基Ｒ5でアリール基として例示したものと同一の置換基を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。また、一般式（９）における置換基Ｒ9において、これらのアリール基は上記以外の置換位置で窒素原子と結合していてもよく、それらも本発明のＲ9で表記される置換基の範疇に含まれる。
【００４３】
本発明で用いられる酸発生剤（Ａ）を構成する一般式（２）における置換基Ｒ2とＲ3、一般式（３）〜一般式（５）における置換基Ｒ6とＲ7、一般式（７）〜一般式（１０）における置換基Ｒにおけるアルケニル基としては、炭素数１から１８の直鎖状、分岐鎖状、単環状または縮合多環状アルケニル基が挙げられ、それらは構造中に複数の炭素−炭素二重結合を有していてもよく、具体例としては、ビニル基、１−プロペニル基、アリル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、イソプロペニル基、イソブテニル基、１−ペンテニル基、２−ペンテニル基、３−ペンテニル基、４−ペンテニル基、１−ヘキセニル基、２−ヘキセニル基、３−ヘキセニル基、４−ヘキセニル基、５−ヘキセニル基、シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基、１，３−ブタジエニル基、シクロヘキサジエニル基、シクロペンタジエニル基などを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
【００４４】
本発明で用いられる酸発生剤（Ａ）を構成する一般式（２）における置換基Ｒ2とＲ3、一般式（３）〜一般式（５）における置換基Ｒ6とＲ7、一般式（７）における置換基Ｒ8、一般式（１０）における置換基Ｒ10、一般式（７）〜一般式（１０）における置換基Ｒにおけるアルコキシル基としては、炭素数１から１８の直鎖状、分岐鎖状、単環状または縮合多環状アルコキシル基があげられ、具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ドデシルオキシ基、オクタデシルオキシ基、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ペンチルオキシ基、ｔ−ペンチルオキシ基、ｔ−オクチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、アダマンチルオキシ基、ノルボルニルオキシ基、ボロニルオキシ基、４−デシルシクロヘキシルオキシ基、２−テトラヒドロフラニルオキシ基、２−テトラヒドロピラニルオキシ基等を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
【００４５】
本発明で用いられる酸発生剤（Ａ）を構成する一般式（２）における置換基Ｒ2とＲ3、一般式（３）〜一般式（５）における置換基Ｒ6とＲ7、一般式（７）における置換基Ｒ8、一般式（１０）における置換基Ｒ10、一般式（７）〜一般式（１０）における置換基Ｒにおけるアリールオキシ基としては、ヘテロ原子を含んでよい炭素数４〜１８の単環または縮合多環アリールオキシ基が挙げられ、具体例としては、フェノキシ基、１ーナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、９−アンスリルオキシ基、９−フェナントリルオキシ基、１−ピレニルオキシ基、５−ナフタセニルオキシ基、１−インデニルオキシ基、２−アズレニルオキシ基、１−アセナフチルオキシ基、９−フルオレニルオキシ基、２−フラニルオキシ基、２−チエニルオキシ基、２−インドリルオキシ基、３−インドリルオキシ基、２−ベンゾフリルオキシ基、２−ベンゾチエニルオキシ基、２−カルバゾリルオキシ基、３−カルバゾリルオキシ基、４−カルバゾリルオキシ基、９−アクリジニルオキシ基等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００４６】
本発明で用いられる酸発生剤（Ａ）を構成する一般式（７）における置換基Ｒ8、一般式（９）における置換基Ｒ9、一般式（７）〜一般式（１０）における置換基Ｒにおけるアシル基としては、水素原子または炭素数１から１８の直鎖状、分岐鎖状、単環状または縮合多環状の脂肪族基が結合したカルボニル基、あるいは、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数４から１８の単環状あるいは縮合多環状芳香族が結合したカルボニル基が挙げられ、それらは構造中に不飽和結合を有していてもよく、具体例としては、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、イソバレリル基、ピバロイル基、ラウロイル基、ミリストイル基、パルミトイル基、ステアロイル基、シクロペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、クロトノイル基、イソクロトノイル基、オレオイル基、ベンゾイル基、１−ナフトイル基、２−ナフトイル基、シンナモイル基、３−フロイル基、２−テノイル基、ニコチノイル基、イソニコチノイル基などを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
【００４７】
本発明で用いられる酸発生剤（Ａ）を構成する一般式（７）における置換基Ｒ8、一般式（７）〜一般式（１０）における置換基Ｒにおけるアルキルチオ基としては、炭素数１から１８の直鎖状、分岐鎖状、単環状または縮合多環状アルキルチオ基が挙げられ、具体例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、デシルチオ基、ドデシルチオ基、オクタデシルチオ基などを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
【００４８】
本発明で用いられる酸発生剤（Ａ）を構成する一般式（７）における置換基Ｒ8、一般式（７）〜一般式（１０）における置換基Ｒにおけるアリールチオ基としては、ヘテロ原子を含んでよい炭素数４〜１８の単環または縮合多環アリールチオ基が挙げられ、具体例としては、フェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルチオ基、９−アンスリルチオ基、９−フェナントリルチオ基、２−フリルチオ基、２−チエニルチオ基、２−ピロリルチオ基、６−インドリルチオ基、２−ベンゾフリルチオ基、２−ベンゾチエニルチオ基、２−カルバゾリルチオ基、３−カルバゾリルチオ基、４−カルバゾリルチオ基等を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
【００４９】
本発明で用いられる酸発生剤（Ａ）を構成する一般式（７）〜一般式（１０）における置換基Ｒにおけるアシルオキシ基としては、水素原子または炭素数１から１８の直鎖状、分岐鎖状、単環状または縮合多環状の脂肪族基が結合したカルボニルオキシ基、あるいは、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数４から１８の単環状あるいは縮合多環状芳香族が結合したカルボニルオキシ基が挙げられ、具体例としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、バレリルオキシ基、イソバレリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ラウロイルオキシ基、ミリストイルオキシ基、パルミトイルオキシ基、ステアロイルオキシ基、シクロペンチルカルボニルオキシ基、シクロヘキシルカルボニルオキシ基、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、クロトノイルオキシ基、イソクロトノイルオキシ基、オレオイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、１−ナフトイルオキシ基、２−ナフトイルオキシ基、シンナモイルオキシ基、３−フロイルオキシ基、２−テノイルオキシ基、ニコチノイルオキシ基、イソニコチノイルオキシ基、９−アンスロイルオキシ基、５−ナフタセノイルオキシ基などを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
【００５０】
本発明で用いられる酸発生剤（Ａ）を構成する一般式（１０）における置換基Ｒ10、一般式（７）〜一般式（１０）における置換基Ｒにおけるハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げることができる。
【００５１】
上述した本発明の酸発生剤（Ａ）を構成する一般式（２）における置換基Ｒ2とＲ3、一般式（３）〜一般式（５）における置換基Ｒ6とＲ7、一般式（７）における置換基Ｒ8、一般式（９）における置換基Ｒ9、一般式（１０）における置換基Ｒ10、一般式（７）〜一般式（１０）における置換基Ｒにおけるアルキル基、
一般式（３）〜一般式（６）における置換基Ｒ5、一般式（３）〜一般式（５）における置換基Ｒ6とＲ7、一般式（７）における置換基Ｒ8、一般式（９）における置換基Ｒ9、一般式（１０）における置換基Ｒ10、一般式（７）〜一般式（１０）における置換基Ｒにおけるアリール基、
一般式（２）における置換基Ｒ2とＲ3、一般式（３）〜一般式（５）における置換基Ｒ6とＲ7、一般式（７）〜一般式（１０）における置換基Ｒにおけるアルケニル基、
一般式（２）における置換基Ｒ2とＲ3、一般式（３）〜一般式（５）における置換基Ｒ6とＲ7、一般式（７）における置換基Ｒ8、一般式（１０）における置換基Ｒ10、一般式（７）〜一般式（１０）における置換基Ｒにおけるアルコキシル基、
一般式（２）における置換基Ｒ2とＲ3、一般式（３）〜一般式（５）における置換基Ｒ6とＲ7、一般式（７）における置換基Ｒ8、一般式（１０）における置換基Ｒ10、一般式（７）〜一般式（１０）における置換基Ｒにおけるアリールオキシ基、
一般式（７）における置換基Ｒ8、一般式（９）における置換基Ｒ9、一般式（７）〜一般式（１０）における置換基Ｒにおけるアシル基、
一般式（７）における置換基Ｒ8、一般式（７）〜一般式（１０）における置換基Ｒにおけるアルキルチオ基、
一般式（７）における置換基Ｒ8、一般式（７）〜一般式（１０）における置換基Ｒにおけるアリールチオ基、
一般式（７）〜一般式（１０）における置換基Ｒにおけるアシルオキシ基は、さらに他の置換基で置換されていてもよく、そのような他の置換基としては、ヒドロキシル基、メルカプト基、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アシル基、アルコキシル基、アリールオキシ基、アシルオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、等を挙げることができる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。
アルキル基としては炭素数１から１８の直鎖状、分岐鎖状、単環状または縮合多環状アルキル基が挙げられ、具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、オクタデシル基、イソプロピル基、イソブチル基、イソペンチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｓｅｃ−ペンチル基、ｔ−ペンチル基、ｔ−オクチル基、ネオペンチル基、シクロプロピル基、シクロブチル、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基、ノルボルニル基、ボロニル基、４−デシルシクロヘキシル基などが挙げられる。
アリール基としては、ヘテロ原子を含んでよい炭素数４〜１８の単環または縮合多環アリール基が挙げられ、具体例としては、フェニル基、１ーナフチル基、２−ナフチル基、９−アンスリル基、９−フェナントリル基、１−ピレニル基、５−ナフタセニル基、１−インデニル基、２−アズレニル基、１−アセナフチル基、９−フルオレニル基、２−フラニル基、２−チエニル基、２−インドリル基、３−インドリル基、２−ベンゾフリル基、２−ベンゾチエニル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−アクリジニル基等が挙げられる。
アシル基としては、水素原子または炭素数１から１８の直鎖状、分岐鎖状、単環状または縮合多環状の脂肪族が結合したカルボニル基、あるいは、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数４から１８の単環状あるいは縮合多環状芳香族が結合したカルボニル基が挙げられ、
それらは構造中に不飽和結合を有していてもよく、具体例としては、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、イソバレリル基、ピバロイル基、ラウロイル基、ミリストイル基、パルミトイル基、ステアロイル基、シクロペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、クロトノイル基、イソクロトノイル基、オレオイル基、ベンゾイル基、２−メチルベンゾイル基、４−メトキシベンゾイル基、１−ナフトイル基、２−ナフトイル基、シンナモイル基、３−フロイル基、２−テノイル基、ニコチノイル基、イソニコチノイル基、９−アンスロイル基、５−ナフタセノイル基などを挙げられる。
アルコキシル基としては、炭素数１から１８の直鎖状、分岐鎖状、単環状または縮合多環状アルコキシル基があげられ、具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、ドデシルオキシ基、オクタデシルオキシ基、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ペンチルオキシ基、ｔ−ペンチルオキシ基、ｔ−オクチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、シクロプロピルオキシ基、シクロブチルオキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、アダマンチルオキシ基、ノルボルニルオキシ基、ボロニルオキシ基、４−デシルシクロヘキシルオキシ基、２−テトラヒドロフラニルオキシ基、２−テトラヒドロフラニルオキシ基、等を挙げることができる。
アリールオキシ基としては、ヘテロ原子を含んでよい炭素数４〜１８の単環または縮合多環アリールオキシ基が挙げられ、具体例としては、フェノキシ基、１ーナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、９−アンスリルオキシ基、９−フェナントリルオキシ基、１−ピレニルオキシ基、５−ナフタセニルオキシ基、１−インデニルオキシ基、２−アズレニルオキシ基、１−アセナフチルオキシ基、９−フルオレニルオキシ基、２−フラニルオキシ基、２−チエニルオキシ基、２−インドリルオキシ基、３−インドリルオキシ基、２−ベンゾフリルオキシ基、２−ベンゾチエニルオキシ基、２−カルバゾリルオキシ基、３−カルバゾリルオキシ基、４−カルバゾリルオキシ基、９−アクリジニルオキシ基等が挙げられる。
アシルオキシ基としては、水素原子または炭素数１から１８の直鎖状、分岐鎖状、単環状または縮合多環状の脂肪族が結合したカルボニルオキシ基、あるいは、ヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数４から１８の単環状あるいは縮合多環状芳香族が結合したカルボニルオキシ基が挙げられ、具体例としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、バレリルオキシ基、イソバレリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ラウロイルオキシ基、ミリストイルオキシ基、パルミトイルオキシ基、ステアロイルオキシ基、シクロペンチルカルボニルオキシ基、シクロヘキシルカルボニルオキシ基、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、クロトノイルオキシ基、イソクロトノイルオキシ基、オレオイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、１−ナフトイルオキシ基、２−ナフトイルオキシ基、シンナモイルオキシ基、３−フロイルオキシ基、２−テノイルオキシ基、ニコチノイルオキシ基、イソニコチノイルオキシ基、９−アンスロイルオキシ基、５−ナフタセノイルオキシ基などを挙げることができる。
アルキルチオ基としては、炭素数１から１８の直鎖状、分岐鎖状、単環状または縮合多環状アルキルチオ基が挙げられ、具体例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、デシルチオ基、ドデシルチオ基、オクタデシルチオ基等が挙げられる。
アリールチオ基としては、ヘテロ原子を含んでよい炭素数４〜１８の単環または縮合多環アリールチオ基が挙げられ、具体例としては、フェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルチオ基、９−アンスリルチオ基、９−フェナントリルチオ基、２−フリルチオ基、２−チエニルチオ基、２−ピロリルチオ基、６−インドリルチオ基、２−ベンゾフリルチオ基、２−ベンゾチエニルチオ基、２−カルバゾリルチオ基、３−カルバゾリルチオ基、４−カルバゾリルチオ基等を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
【００５２】
置換基Ｒ2は２価の有機残基を介してＲ6、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、およびＲのいずれかと互いに結合し、環構造を形成していてもよい。また、置換基Ｒ6、Ｒ7は２価の有機残基を介してＲ8、Ｒ9、Ｒ10、およびＲのいずれかと結合し、環構造を形成してもよい。ここでいう２価の有機残基とは、炭素数１〜４の置換基を有してもよいアルキレン基、置換を有しても良いアリーレン基、アリールアルキレン基、もしくは−Ｃ＝Ｃ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＨ−、−ＳＯ2−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＳＯ2−Ｏ−及びこれらの結合を一部に有するような置換基を有しても良いアルキレン基を意味する。
【００５３】
次に、本発明で用いられる酸発生剤（Ａ）を構成するボレートアニオンについて説明する。
【００５４】
本発明で用いられる酸発生剤（Ａ）を構成するボレートアニオンは、以下の一般式（１）で示される。
【００５５】
一般式（１）
【化６】
2006348199.tif 000007
【００５６】
（ただし、Ｙはフッ素または塩素原子、
Ｚは、フッ素原子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基の中から選ばれる基で２つ以上置換されたフェニル基、
ｍは０から３の整数、ｎは１から４の整数を表し、ｍ＋ｎ＝４である。）
一般式（２）における置換基Ｚとしては、３，５−ジフルオロフェニル基、２，４，６−トリフルオロフェニル基、２，３，４，６−テトラフルオロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、２，４−ビス（トリフルオロメチル）フェニル基、３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル基、２，４，６−トリフルオロ−３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル基、３，５−ジニトロフェニル基、２，４，６−トリフルオロ−３，５−ジニトロフェニル基、２，４−ジシアノフェニル基、４−シアノ−３，５−ジニトロフェニル基、４−シアノ−２，６−ビス（トリフルオロメチル）フェニル基等があげられるが、これらに限定されるものではない。
【００５７】
したがって、一般式（２）で表記されるのボレートアニオンの構造として、具体的には、ペンタフルオロフェニルトリフルオロボレート、３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニルトリフルオロボレート、ビス（ペンタフルオロフェニル）ジフルオロボレート、ビス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ジフルオロボレート、トリス（ペンタフルオロフェニル）フルオロボレート、トリス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］フルオロボレート、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、テトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレート等があげられる。
【００５８】
この内、一般式（１）で表記されるアニオンとして特に好ましいものは、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、テトラキス［３，５−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ボレートである。
【００５９】
その理由として、比較的容易に合成でき、発生する酸が非常に強く、高い溶解度と高い安全衛生性を有することが挙げられる。
【００６０】
本発明で用いられる酸発生剤（Ａ）は上記で例示したスルホニウムカチオンと各種アニオンの組み合わせからなる。
【００６１】
以下に具体的な構造を示すが、本発明の酸発生剤の構造はそれらに限定されるものではない。
【００６２】
【化７】
2006348199.tif 000008
【００６３】
【化８】
2006348199.tif 000009
【００６４】
【化９】
2006348199.tif 000010
【００６５】
【化１０】
2006348199.tif 000011
【００６６】
【化１１】
2006348199.tif 000012
【００６７】
ただし、上記構造式中のＸ-は、以下に示した構造から選ばれるアニオンいずれであってもよい。
【００６８】
【化１２】
2006348199.tif 000013
【００６９】
これらの中では、Ｒ2、Ｒ3が、置換基を有してもよいアルキル基である場合が、入手のしやすさ、合成のしやすさ、カチオン重合性化合物（Ｂ）に対する溶解度の点で好ましい。さらに、好ましくは、置換基を有してもよい炭素数１〜６のアルキル基が好ましく、さらに、好ましくは、炭素数１または２のアルキル基である。
【００７０】
本発明で用いられる酸発生剤（Ａ）は、１種または２種以上を組み合わせて使用される。また、熱による酸発生剤を併用することも可能である。被着される半導体素子、支持部材の熱安定性が高い場合には、これらを併用して、光照射後に加熱することにより、さらに速やかにカチオン重合性化合物（Ｂ）の架橋を進行させることが可能である。
【００７１】
本発明で用いられる酸発生剤（Ａ）の使用量は、１００重量部のカチオン重合性化合物（Ｂ）に対して、０．０１重量部〜２０重量部の範囲内が好ましく、特に好ましくは、０．５重量部〜１０重量部である。酸発生剤（Ａ）の添加量が０．０１重量部未満の場合、カチオン重合による重合または架橋が十分に進行せず、良好な接着力が得られない場合がある。また、酸発生剤（Ａ）の添加量が２０重量部より多い場合、接着剤組成物中の低分子成分が多すぎるため、十分な凝集力や接着力が得られない場合があること、硬化物中にイオン物質が多量に残ることによる懸念やコストアップにつながる点で実用的ではない。
【００７２】
[カチオン重合性化合物（Ｂ）]
次にカチオン重合性化合物（Ｂ）について説明する。カチオン重合性化合物（Ｂ）は、活性エネルギー線の照射により酸発生剤（Ａ）から発生する酸により架橋する。カチオン重合性化合物（Ｂ）は、分子内にカチオン重合性の官能基、例えば、ビニルエーテル基、エポキシ基、脂環式エポキシ基、オキセタニル基、エピスルフィド基、エチレンイミン基、水酸基を有する種々のモノマー、オリゴマーまたはポリマーを用いることができる。また、これらの官能基を有するポリマーについても限定されず、アクリル系、ウレタン系、ポリエステル系、ポリオレフィン系、ポリエーテル系、天然ゴム、ブロック共重合体ゴム、シリコーン系などの各ポリマーを用いることができる。
【００７３】
上記カチオン重合性化合物（Ｂ）は、単独で用いられてもよく、２種以上併用されてもよい。上記カチオン重合性化合物（Ｂ）としては、好ましくは、エポキシ基、オキセタン基、ビニルエーテル基を有する化合物が用いられる。特に好ましくは、エポキシ基、オキセタニル基を有する化合物が用いられる。これらの官能基の重合は比較的反応性が高く、かつ硬化時間が短いため、硬化工程の短縮を図ることができる。
【００７４】
エポキシ基を有する化合物としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、グリシジルエーテル型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、脂肪族エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、異節環状型エポキシ樹脂、多官能性エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂などのアルコール型エポキシ樹脂、臭素化エポキシ樹脂などのハロゲン化エポキシ樹脂、ゴム変成エポキシ樹脂、ウレタン変成エポキシ樹脂、エポキシ化ポリブタジエン、エポキシ化スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体、エポキシ基含有ポリエステル樹脂、エポキシ基含有ポリウレタン樹脂、エポキシ基含有アクリル樹脂等を挙げることができる。これらのエポキシ樹脂は常温で液体であっても良いし、固体であっても良い。また、エポキシ基含有オリゴマーも好適に用いることができ、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシオリゴマー（例えば、油化シェルエポキシ社製、エピコート１００１、１００２等）を挙げることができる。さらに、上記エポキシ基含有モノマーやオリゴマーの付加重合体を用いてもよく、例えば、グリシジル化ポリエステル、グリシジル化ポリウレタン、グリシジル化アクリルなどを挙げることができる。
【００７５】
なかでも、光カチオン重合性がより高く、少ない光量でもより効率的に光硬化が進行することから、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族エポキシ樹脂等が好適に用いられる。これらのエポキシ基を有する化合物は、単独で用いられても良いし、２種類以上が併用されても良い。
【００７６】
上記脂環式エポキシ樹脂の具体例としては、例えば、１，２：８，９−ジエポキシリモネン、４−ビニルシクロヘキセンモノエポキサイド、ビニルシクロヘキセンジオキサイド、メチル化ビニルシクロヘキセンジオキサイド、（３，４−エポキシシクロヘキシル）メチル−３，４−エポキシシクロヘキシルカルボキシレート、ビス−（３，４−エポキシシクロヘキシル）アジペート、ノルボルネンモノエポキサイド、リモネンモノエポキサイド、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル−５，５−スピロ−３，４−エポキシ）シクロヘキサノン−メタ−ジオキサン、ビス−（３，４−エポキシシクロヘキシルメチレン）アジペート、ビス−（２，３−エポキシシクロペンチル）エーテル、（２，３−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル）アジペート、ジシクロペンタジエンジオキサイド、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル−５，５−スピロ−３，４−エポキシ）シクロヘキサン−メタ−ジオキサン、２，２−ビス［４−（２，３−エポキシプロポキシ）シクロヘキシル］ヘキサフルオロプロパン、ＢＨＰＥ−３１５０（ダイセル化学工業（株）製、脂環式エポキシ樹脂（軟化点７１℃）等があげられるが、これらに限定されるものではない。
【００７７】
脂肪族エポキシ樹脂の具体例としては、例えば１，４−ブタンジオールジクリシジルエーテル、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、エチレングリコールジグリシジルエーテル、エチレングリコールモノグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールモノグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグルコールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグルコールモノグリシジルエーテル、グリセロールジグリシジルエーテル、グルセロールトリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパンジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパンモノグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、ジグリセロールトリグリシジルエーテル、ソルビトールテトラグリシジルエーテル、アリルグリシジルエーテル、２−エチルヘキシルグリシジルエーテル等があげられるが、これらに限定されるものではない。
【００７８】
オキセタニル基を有する化合物としては、例えば、フェノキシメチルオキセタン、３，３−ビス（メトキシメチル）オキセタン、３，３−ビス（フェノキシメチル）オキセタン、３−エチル−３−（フェノキシメチル）オキセタン、３−エチル−３−（２−エチルヘキシロキシメチル）オキセタン、３−エチル−３−｛［３−（トリエトキシシリル）プロポキシ］メチル｝オキセタン、ジ［１−エチル（３−オキセタニル）］メチルエーテル、オキセタニルシルセスキオキサン、フェノールノボラックオキセタン、１，４−ビス｛［（３−エチル−３−オキセタニル）メトキシ］メチル｝ベンゼン等があげられるが、これらに限定されるものではない。
【００７９】
本発明の接着剤組成物は、活性エネルギー線の照射前は粘着性を示し、活性エネルギー線を照射し、硬化後には粘着性を示さない必要がある。酸発生剤（Ａ）とカチオン重合性化合物（Ｂ）との組成物で十分な粘着性が得られない場合は、粘着性ポリマーを添加しても良い。
【００８０】
上記粘着性ポリマーとしては、常温での粘着性と凝集力とを与えることができるものであれば特に限定されず、例えばアクリル系ポリマー、ポリエステル類、ポリウレタン類、シリコーン類、ポリエーテル類、ポリカーボネート類、ポリビニルエーテル類、ポリ塩化ビニル類、ポリ酢酸ビニル類、ポリイソブチレン類、有機多価イソシアナート類、有機多価イミン類などが挙げられる。また、上記粘着性ポリマーは、上記ポリマーの主成分としてのモノマーを含む共重合体であっても良い。なかでも、従来から優れた初期粘着力を発揮するため、粘着剤の主成分として慣用されており、かつ、粘着物性の制御が容易であることから、アクリル系ポリマーまたはポリエステル類が好ましい。
【００８１】
粘着性ポリマーは、接着剤組成物全量１００質量部に対して０〜２０００質量部が好ましい。
【００８２】
本発明の接着剤組成物には、カップリング剤として、シランカップリング剤またはチタネートカップリング剤を用いることもできる。これらを用いることで、本発明の接着剤組成物による硬化物と半導体素子または支持部材との密着性を高めることができる。
【００８３】
ここで、シランカップリング剤としては、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン等のエポキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン等のアミノシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のメルカプトシラン、ｐ−スチリルトリメトキシシラン、ビニルトリクロルシラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン等のビニルシラン、さらに、エポキシ系、アミノ系、ビニル系の高分子タイプのシラン等を用いることができるが、これらに限定されるものではない。
特に、エポキシシラン、アミノシラン、メルカプトシランが好ましい。
【００８４】
一方、チタネートカップリング剤としては、イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリ（Ｎ−アミノエチル・アミノエチル）チタネート、ジイソプロピルビス（ジオクチルホスフェート）チタネート、テトライソプロピルビス（ジオクチルホスファイト）チタネート、テトラオクチルビス（ジトリデシルホスファイト）チタネート、テトラ（２，２−ジアリルオキシメチル−１−ブチル）ビス（ジトリデシル）ホスファイトチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）オキシアセテートチタネート、ビス（ジオクチルパイロホスフェート）エチレンチタネート等を用いることができるが、これらに限定されるものではない。
【００８５】
これらのカップリング剤は、単独で使用しても良いし、２種類以上を混合して使用することもできる。このときカップリング剤の使用量は、カチオン重合性化合物（Ｂ）全量に対して０．１〜１重量部の範囲が好ましい。
【００８６】
また、本発明の接着剤組成物は、酸発生剤（Ａ）を使用した効果により、増感剤を用いなくともエネルギー線、特に３５０ｎｍから４５０ｎｍの波長領域の光照射に対して非常に迅速かつ確実に硬化することが可能であるが、必要に応じて増感剤を併用して用いてもよい。
【００８７】
本発明と併用することができる増感剤の例としては、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、ナフタセン誘導体、ペリレン誘導体、ペンタセン誘導体等の縮合多環芳香族誘導体、アクリジン誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、カルコン誘導体やジベンザルアセトン等に代表される不飽和ケトン類、ベンジルやカンファーキノン等に代表される１，２−ジケトン誘導体、ベンゾイン誘導体、フルオレン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、キサンテン誘導体、チオキサンテン誘導体、キサントン誘導体、チオキサントン誘導体、クマリン誘導体、ケトクマリン誘導体、シアニン誘導体、メロシアニン誘導体、オキソノール誘導体等のポリメチン色素、アクリジン誘導体、アジン誘導体、チアジン誘導体、フェノチアジン誘導体、オキサジン誘導体、インドリン誘導体、アズレン誘導体、アズレニウム誘導体、スクアリリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、テトラフェニルポルフィリン誘導体、トリアリールメタン誘導体、テトラベンゾポルフィリン誘導体、テトラピラジノポルフィラジン誘導体、フタロシアニン誘導体、テトラアザポルフィラジン誘導体、テトラキノキサリロポルフィラジン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、サブフタロシアニン誘導体、ピリリウム誘導体、チオピリリウム誘導体、テトラフィリン誘導体、アヌレン誘導体、スピロピラン誘導体、スピロオキサジン誘導体、チオスピロピラン誘導体、カルバゾール誘導体、金属アレーン錯体、有機ルテニウム錯体等があげられ、その他さらに具体的には大河原信ら編、「色素ハンドブック」（１９８６年、講談社）、大河原信ら編、「機能性色素の化学」（１９８１年、シーエムシー）、池森忠三朗ら編、「特殊機能材料」（１９８６年、シーエムシー）、フォトポリマー懇話会編、「感光材料リストブック」（１９９６年、ぶんしん出版）に記載の色素および増感剤があげられるがこれらに限定されるものではなく、これらは必要に応じて任意の比率で二種以上用いてもかまわない。
【００８８】
これらの増感剤のうち、好ましいものとしては、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体の縮合多環芳香族誘導体および、フェノチアジン誘導体、カルバゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体があげられ、中でも特に好ましいものとして、アントラセン誘導体があげられる。
【００８９】
これらの具体例としては、アントラセン、１−アントラセンカルボン酸、２−アントラセンカルボン酸、９−アントラセンカルボン酸、９−アントラアルデヒド、９，１０−ビス（クロロメチル）アントラセン、９，１０−ビス（フェニルエチニル）アントラセン、９−ブロモアントラセン、１−クロロ−９，１０−ビス（フェニルエチニル）アントラセン、９−シアノアントラセン、９，１０−ジブロモアントラセン、９，１０−ジシアノアントラセン、９，１０−ジメチルアントラセン、９，１０−ジブチルアントラセン、９，１０−ジフェニルアントラセン、９，１０−ジ−ｐ−トリルアントラセン、９，１０−ビス（ｐ−メトキシフェニル）アントラセン、２−ヒドロキシメチルアントラセン、９−ヒドロキシメチルアントラセン、９−メチルアントラセン、９−フェニルアントラセン、９，１０−ジメトキシアントラセン、９，１０−ジエトキシアントラセン、９，１０−ジブトキシアントラセン、９，１０−ジフェノキシアントラセン、９，１０−ジメトキシアントラセン−２−スルホン酸ナトリウム、１，４，９，１０−テトラヒドロキシアントラセン、２，２，２−トリフルオロー１−（９−アンスリル）エタノール、１，８，９−トリヒドロキシアントラセン、１，８−ジメトキシ−９，１０−ビス（フェニルエチニル）アントラセン、９−ビニルアントラセン、９−アントラセンメタノール、９−アントラセンメタノールのトリメチルシロキシエーテル、フェノチアジン、Ｎ−エチルカルバゾール、Ｎ−フェニルカルバゾール、１−メトキシナフタレン、２−メトキシナフタレン。１，４−ジメトキシナフタレンなどが挙げられる。
【００９０】
上記増感剤を併用する場合の添加量は特に限定されないが、本発明の酸発生剤１００重量部に対し、０〜１００重量部が好ましい。
【００９１】
本発明で用いられる酸発生剤（Ａ）は酸発生剤として十分高い感度を有しているが、他の酸発生剤と併用して用いることも可能である。酸発生剤（Ａ）と併用することが可能な酸発生剤は特に限定されず、「ＰＡＧ」、「酸発生剤」、「光酸発生剤」、「光重合開始剤」、「カチオン重合開始剤」、「重合触媒」等の名称で業界公知の材料を適宜選択して使用することできる。また、他の酸発生剤を使用する場合は、単独または複数組み合わせて使用することも可能である。
【００９２】
本発明で用いられる酸発生剤（Ａ）と併用することが可能な他の酸発生剤としては、まず、オニウム塩系化合物が挙げられる。このようなオニウム塩系化合物の例としては、スルホニウム塩系、ヨードニウム塩系、ホスホニウム塩系、ジアゾニウム塩系、ピリジニウム塩系、ベンゾチアゾリウム塩系、スルホキソニウム塩系、フェロセン系の化合物が挙げられ、これらの構造は特に限定されず、ジカチオンなどの多価カチオン構造を有していてもよく、カウンターアニオンも公知のものを適宜、選択して使用することができる。
【００９３】
また、本発明で用いられる酸発生剤と併用することが可能なオニウム塩以外の感エネルギー線酸発生剤としては、ニトロベンジルスルホナート類、アルキルまたはアリール−Ｎ−スルホニルオキシイミド類、ハロゲン化されていてもよいアルキルスルホン酸エステル類、１，２−ジスルホン類、オキシムスルホナート類、ベンゾイントシラート類、β−ケトスルホン類、β−スルホニルスルホン類、ビス（アルキルスルホニル）ジアゾメタン類、イミノスルホナート類、イミドスルホナート類、トリハロメチルトリアジン類などのトリハロアルキル基を有する化合物等を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
【００９４】
本発明で用いられる酸発生剤（Ａ）と併用する他の酸発生剤の比率は特に限定されないが、本発明の酸発生剤（Ａ）１００重量部に対して０〜９９重量部の範囲で使用することが好ましい。
【００９５】
本発明の接着剤組成物は、耐熱性、密着性、硬度などの特性を向上する目的で充填剤を配合してもよい。具体的には、溶融シリカ粉末、結晶シリカ粉末、アルミナ、ジルコン、ケイ酸カルシウム、炭酸カルシウム、炭化珪素、窒化アルミ、窒化ホウ素、ベリリウム、ジルコニア、タルク、クレー、水酸化アルミニウム、等の粉体、またはこれらを球形化したビーズ、チタン酸カリウム、炭化珪素、窒化ケイ素、アルミナ等の単結晶繊維、ガラス繊維等を１種類以上配合して用いることができる。これら充填剤の中で、線膨張係数低減の観点からは溶融シリカが、高熱伝導性の観点からはアルミナが好ましい。その使用量は、接着剤組成物全量１００質量部に対して０〜２０００質量部が好ましい。また、充填剤は予め充分混合しておくことが好ましい。
【００９６】
さらに必要に応じて、接着性をより向上させるための接着性付与剤、粘度を調整するための粘度調整剤、チキソトロープ性（揺変性）を付与するためのチキソトロープ剤（揺変性付与剤）、引張り特性等を改善されるための物性調整剤、熱安定剤、難燃剤、帯電防止剤、光（活性エネルギー線）硬化性を向上させるための「ラジカル重合性不飽和基を有する化合物と光ラジカル開始剤」等を用いても良い。
【００９７】
上記難燃剤としては、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、酸化錫、水酸化錫、酸化モリブテン、ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、赤燐、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、アルミン酸カルシウム等の無機難燃剤、テトラブロモ無水フタル酸、ヘキサブロモベンゼン、デカブロモビフェニルエーテル等の臭素系難燃剤、トリス（トリブロモフェニル）ホスフェート等のリン酸系難燃剤等、従来公知のものが挙げられる。その使用量は、接着剤組成物全量１００重量部に対して０〜１００重量部が好ましい。
【００９８】
本発明の接着剤組成物は、上記各成分を溶解する溶媒に溶かして基材上に塗布して用いることができる。ここで使用する溶媒は、本発明の接着剤組成物を均一に溶解できるものであれば特に限定されない。具体例としては１，１，２，２−テトラクロロエタン、エチレンジクロライド、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、γ−ブチロラクトン、メチルエチルケトン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチルメトキシプロピオナート、エチルエトキシプロピオナート、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、エチレングリコールモノエチルエ一テルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエ一テル、プロピレングリコールモノメチルエ一テルアセテート、トルエン、酢酸エチル、酢酸イソアミル、乳酸メチル、乳酸エチル、エトキシプロピオン酸エチル、Ｎ，Ｎ一ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ一ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリドンなどが好ましく、これらの溶媒を単独あるいは混合して使用する。
【００９９】
本発明の接着剤組成物の酸発生剤（Ａ）から酸を発生させ、カチオン重合性化合物（Ｂ）を重合または架橋させるために使用するエネルギー線は、酸発生剤（Ａ）が吸収して分解し、酸を発生できるものであり、被着体にダメージを与えないものであれば特に限定されない。このようなエネルギー線の例としては光酸発生剤（Ａ）の説明で述べたエネルギー線と同様である。また、半導体素子、支持部材、基材を劣化させない範囲で必要に応じて、例えば加熱硬化等の他の硬化手段を併用しても良い。上記加熱硬化を併用する場合の加熱温度は特に限定されるものではないが、５０〜２００℃であることが好ましい。
【０１００】
本発明の接着剤組成物を用いて、接着剤層を形成するには、塗布面上に塗布することで得られる、あるいは、一旦、基材上に塗布し、接着フィルムとし、塗布面に貼付積層後に基材を剥離して接着剤層とすることも可能である。本発明の接着剤組成物を接着フィルムとして使用することで、半導体素子への接着剤の塗布工程において、半導体素子から接着剤がはみ出すこともなく、簡略化することができる。
【０１０１】
ここで、本発明の基材について説明する。本発明の接着剤組成物を塗布するために使用する基材は特に限定されず、公知の材料はいかなるものも使用可能である。例えばポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリウレタンフィルム、エチレン酢ビフィルム、アイオイマー樹脂フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合フィルム、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合フィルム、ポリスチレンフィルム、ポリカーボネートフィルム、セロファン、ポリイミド等の透明フィルムが用いられる。またこれらの架橋フィルムも用いられる。さらにこれらの積層フィルムであってもよい。他にもこれらを着色した不透明フィルム、フッ素樹脂フィルム等も用いることができる。
【０１０２】
本発明の接着剤組成物を基材または塗布面へ塗布する場合には公知のいかなる方法も使用することができる。例えば、バーコーター、アプリケーター、カレンダー法、押し出し塗工、コンマコーター、ダイコーター、リップコーター等による塗工、ディスペンス法、スタンピング法、スクリーン印刷法などの塗布方法が挙げられる。また、本発明の接着剤組成物は溶剤を含んでいてもよく、塗布した後に適当な乾燥器をへて、溶媒を除去した状態でフィルム状にすることも可能である。
【０１０３】
本発明の接着剤層の厚さは半導体素子の規格により適宜選択でき、特に限定されるものではないが、通常は１〜１０００μｍ、好ましくは３〜１００μｍ、さらに好ましくは１０μｍ〜７５μｍである。接着剤層の厚さが１μｍ未満であると、半導体素子または支持部材の表面凹凸によって、接着剤の接着性が影響を受けることがあり、また逆に厚さが１０００μｍを超えると硬化時間が過度に長くなることがある。
【０１０４】
本発明の接着剤組成物は半導体素子と支持部材とを接着させるための、接着剤として好適に用いられる。
【０１０５】
本発明の半導体素子は特に限定されず、例えば、公知のシリコンなどの半導体材料上に集積回路が形成されたものがあげられる。
【０１０６】
本発明の支持部材は特に限定されず、リードフレーム、ポリイミド基板、エポキシ基板等の回路基板材料、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂からなる絶縁層等があげられる。さらに、半導体素子を積層する場合、上記半導体素子も支持部材となる。
【０１０７】
半導体素子と支持部材とを接着する場合、本発明の接着剤組成物を用いた最も一般的な接着方法としては、半導体素子の支持部材との接着面に本発明の接着剤組成物を塗布し、接着剤層を形成し、支持部材上に半導体素子を置き、その後、３５０ｎｍから４５０ｎｍの少なくとも一部の光を含む光を照射して半導体素子と支持部材とを接着させる。さらに、必要に応じて半導体素子、支持部材を劣化させない範囲で加熱してもよい。
【０１０８】
もう一つの方法として、半導体素子の支持部材との接着面に本発明の接着剤組成物を塗布し、接着剤層を形成し、その後、３５０ｎｍから４５０ｎｍの少なくとも一部の光を含む光を照射した後に、支持部材上に半導体素子を置き、半導体素子と支持部材とを接着させる。さらに、必要に応じて半導体素子、支持部材を劣化させない範囲で加熱してもよいし、再度の光照射を行ってもよい。
【０１０９】
この際、接着剤組成物を直接塗布する代わりに、本発明の接着フィルムを用いて半導体素子と支持部材とを接着させてもよい。さらに、本発明の接着剤組成物を塗布または接着フィルムを張り合わせる面は、支持部材の半導体素子との接着面でも構わない。光照射した後、半導体素子と支持部材とを接着させる場合は、基材剥離の後に照射してもよいし、基材剥離の前に照射してもよい。
【０１１０】
上記の接着を行う際、光の照射は被着体が３５０ｎｍから４５０ｎｍの少なくとも一部の光を含む光を透過する場合にはどんな方向から光照射してもよく、被着体が３５０ｎｍから４５０ｎｍの少なくとも一部の光を含む光を透過しない場合は、被着体同士の隙間から接着剤組成物または接着フィルムに光照射をすることができる。他にも、半導体素子または支持部材に塗布した接着剤組成物または張り合わせた接着フィルムに光照射を行った後に、各々支持部材または半導体素子と接着させてもよい。
【０１１１】
さらに、本発明の接着フィルムは初期粘着力を有しているため、半導体素子をダイシングする前に半導体素子の支持部材との接着面に貼り付けておくことで、ダイシングテープとしての機能を発現することも可能である。
【実施例】
【０１１２】
以下、実施例にて本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例のみになんら限定されるものではない。
【０１１３】
本発明の実施例および比較例に使用した酸発生剤の構造を以下に示した。
モル吸光係数は、アセトニトリル中に溶解したものの２５℃で測定結果より算出した。
【０１１４】
【化１３】
2006348199.tif 000014
【０１１５】
（実施例１）
酸発生剤(Ａ)として、化合物（１）を２重量部と、カチオン重合性化合物（Ｂ）としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（商品名「エピコート８２８」、ジャパンエポキシレジン社製）を１００重量部とを混合し、接着剤組成物を作製した。この接着剤組成物０．５ｇを銅リードフレーム上に均一な膜厚となるように塗布した後、超高圧水銀灯を用いて、波長３６５ｎｍの紫外線を照射量が３０００ｍJ / ｃｍ2となるように照射した。その後シリコンチップを上記接着剤組成物面に貼り付け、接着体を得た。得られた接着体について、各項目の評価を行った。結果を表１に示した。
【０１１６】
実施例および比較例の評価は、以下の評価方法を用いた。
【０１１７】
（１）初期接着性
実施例または比較例で得られた接着体を未処理の状態のままで、シリコンチップと銅リードフレームとの剪断強度を測定した。
○：剪断強度が１MPａ以上
△：剪断強度が０．５MPａ以上〜１MPａ未満
×：剪断強度が０．５MPａ未満
【０１１８】
（２）高温処理後の接着性
実施例または比較例で得られた接着体をＩＲリフロー炉で２４０℃で処理した後、シリコンチップと銅リードフレームとの剪断強度を測定した。
○：剪断強度が１MPａ以上
△：剪断強度が０．５MPａ以上〜１MPａ未満
×：剪断強度が０．５MPａ未満
【０１１９】
（実施例２〜５および比較例１〜６）
実施例１の酸発生剤（Ａ）２重量部を、表１に示した酸発生剤それぞれ２重量部、増感剤を表１に記載の化合物および添加量に置き替えた他は、実施例１と全く同一の所作にて接着剤組成物を調整し、シリコンチップと銅リードフレームとからなる接着体を得た。得られた接着体の初期接着性、高温処理後の接着性の評価結果を表１に示した。
【０１２０】
（比較例７）
実施例１の酸発生剤（Ａ）２重量部を、芳香族スルホニウム６フッ化アンチモン塩（旭電化工業社製  アデカオプトマーＳＰ１７０）２重量部に置き替えた他は、実施例１と全く同一の所作にて接着剤組成物を調整し、シリコンチップと銅リードフレームとからなる接着体を得た。得られた接着体の初期接着性、高温処理後の接着性の評価結果を表１に示した。
【０１２１】
【表１】
2006348199.tif 000015
【０１２２】
実施例１〜５のように、波長３５０ｎｍのモル吸光係数が３０００から２５０００の範囲である酸発生剤を使用した接着剤組成物を使用した場合、初期接着性、高温処理後の接着性の両面において優れていることがわかる。一方、比較例で用いた酸発生剤を使用した場合は、全く接着しない（比較例１〜３）か、十分な接着力が得られない（比較例７）。さらに増感剤を併用した場合も、十分な接着力は得られない（比較例４〜６）。
【０１２３】
（実施例６）
酸発生剤(Ａ)として、化合物（１）を１重量部と、カチオン重合性化合物（Ｂ）としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（商品名「エピコート８２８」、ジャパンエポキシレジン社製）を２０重量部と、粘着性ポリマーとして重量平均分子量約５２万のアクリル共重合体８０重量部と、メチルエチルケトン１５０重量部とを混合し、接着剤組成物を作製した。この接着剤組成物を厚さ２００μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥＴフィルム）にバーコーターを用いて塗工後の厚みが１００μｍとなるように、上記接着剤組成物を上記ＰＥＴフィルム上に塗工した後、乾燥させて、接着フィルムを作製した。上記接着フィルム上にシリコンチップを貼り付け、その後ＰＥＴフィルム面から超高圧水銀灯を用いて、波長３６５ｎｍの紫外線を照射量が２４００ｍJ / ｃｍ2となるように照射した。その後ＰＥＴフィルムを剥離して、速やかに銅リードフレーム上に上記接着フィルムを張り合わせたシリコンチップを貼り付け、接着体を得た。得られた接着体について、各項目の評価を行った。結果を表２に示した。
【０１２４】
(実施例７〜１０および比較例８〜１４)
実施例６の酸発生剤（Ａ）１重量部を、表２に示した酸発生剤それぞれ１重量部、増感剤を表２に記載の化合物および添加量に置き替えた他は、実施例６と全く同一の所作にて接着剤組成物を調整し、シリコンチップと銅リードフレームとからなる接着体を得た。得られた接着体の初期接着性、高温処理後の接着性の評価結果を表２に示した。
【０１２５】
【表２】
2006348199.tif 000016
【０１２６】
実施例６〜１０のように、波長３５０ｎｍのモル吸光係数が３０００から２５０００の範囲である酸発生剤を使用した接着剤フィルムを使用した場合、初期接着性、高温処理後の接着性の両面において優れていることがわかる。一方、比較例で用いた酸発生剤を使用した場合は、全く接着しない（比較例８〜１０）か、十分な接着力が得られない（比較例１４）。さらに増感剤を併用した場合も、十分な接着力は得られない（比較例１１〜１３）。
【産業上の利用可能性】
【０１２７】
本発明の接着剤組成物は少ない活性エネルギー線の照射量で硬化し、エネルギー線による架橋硬化後は、高い耐熱性、耐久性、透明性、接着力を得ることができる。また、本発明の接着剤組成物は酸発生剤（Ａ）を使用していることにより、少量のエネルギー線の照射においても、効率的に非常に強い酸を発生するため、活性エネルギー線の照射時間の短縮による作業性の向上や、エネルギー線照射による基材の劣化を低減することも可能である。また、本発明の接着フィルムは初期粘着力を有しているため、半導体素子をダイシングする前に半導体素子の支持部材との接着面に貼り付けておくことで、ダイシングテープとしての機能を発現することも可能である。本発明の接着剤組成物は、特にダイボンディング用途の接着剤として用い得る。