(57)【要約】      （修正有）【課題】  基板の表面に処理液の膜を塗布形成し所定の回路パターンを形成する基板処理装置において、基板周縁部の洗浄を高精度に行うことのできる基板処理装置、及び基板処理方法を提供する。【解決手段】処理液が塗布された基板Ｗを保持して回転させる基板回転手段（５２、５４）と、前記処理液を溶解するリンス液を供給するリンス液供給源２６と、前記リンス液供給源２６から供給されたリンス液の膜を保持する洗浄ノズル２と、前記基板回転手段（５２、５４）と前記洗浄ノズルの動作制御を行う制御手段（９）とを備え、前記制御手段（９）は、前記基板Ｗを前記基板回転手段（５２、５４）により回転させると共に、前記リンス液の膜が前記基板Ｗの周縁部に接触するよう前記洗浄ノズル２を移動させ、該周縁部に付着している処理液を除去する。【選択図】  図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理液が塗布された基板を保持して回転させる基板回転手段と、
前記処理液を溶解するリンス液を供給するリンス液供給源と、
前記リンス液供給源から供給されたリンス液を膜状に保持する洗浄ノズルと、
前記基板回転手段と前記洗浄ノズルの動作制御を行う制御手段とを備え、
前記制御手段は、前記基板を前記基板回転手段により回転させると共に、前記リンス液の膜が基板周縁部に接触するよう前記洗浄ノズルを移動させ、該周縁部に付着している処理液を除去することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記洗浄ノズルは、前記リンス液を吐出するリンス液吐出部と、前記リンス液吐出部から吐出されるリンス液を膜状に形成する板状のガイド部材とを有することを特徴とする請求項１に記載された基板処理装置。
【請求項３】
前記洗浄ノズルは、前記ガイド部材の表面に設けられた多孔質体をさらに有し、
前記リンス液吐出部から吐出されるリンス液を前記多孔質体に吸収させ、該多孔質体を湿潤状態とすることによりリンス液を膜状に保持することを特徴とする請求項２に記載された基板処理装置。
【請求項４】
前記多孔質体において基板の周縁部と接触する部位には、前記基板の周縁部の形状に合わせた切り欠き部が形成されていることを特徴とする請求項３に記載された基板処理装置。
【請求項５】
前記制御手段は、前記基板の表面に対しリンス液の膜が垂直となる状態で、該リンス液の膜を基板周縁部に接触させることを特徴とする請求項１に記載された基板処理装置。
【請求項６】
前記制御手段は、前記ガイド部材を前記基板周縁部の傾斜形状に合わせて傾斜させた状態で、前記リンス液の膜を基板の周縁部に接触させることを特徴とする請求項１に記載された基板処理装置。
【請求項７】
前記多孔質体はスポンジ素材により形成されることを特徴とする請求項３または請求項４に記載された基板処理装置。
【請求項８】
前記処理液を溶解するリンス液を、リンス液供給源から洗浄ノズルに対し供給するステップと、
前記洗浄ノズルにおいて前記リンス液を膜状に保持するステップと、
処理液が塗布された基板を保持して回転させるステップと、
前記リンス液の膜が前記基板の周縁部に接触するよう前記洗浄ノズルを移動させ、該周縁部に付着している処理液を除去するステップを実行することを特徴とする基板処理方法。
【請求項９】
前記リンス液の膜が前記基板の周縁部に接触するよう前記洗浄ノズルを移動させ、該周縁部に付着している処理液を除去するステップを実行する前に、
処理液が塗布された前記基板を保持して回転させるステップと、
前記基板表面の周縁部に対し、前記処理液を溶解するリンス液を吐出することにより、基板側面から内径に沿って所定幅の処理液を除去するステップとを実行することを特徴とする請求項８に記載された基板処理方法。
【請求項１０】
前記洗浄ノズルにおいて、リンス液吐出部からリンス液を吐出し、吐出されるリンス液を板状のガイド部材により膜状に形成することを特徴とする請求項８に記載された基板処理方法。
【請求項１１】
前記洗浄ノズルにおいて、前記ガイド部材の表面に多孔質体を設け、前記リンス液吐出部から吐出されるリンス液を前記多孔質体に吸収させ、該多孔質体を湿潤状態とすることによりリンス液を膜状に保持することを特徴とする請求項１０に記載された基板処理方法。
【請求項１２】
前記基板の表面に対し前記リンス液の膜が垂直となる状態で、該リンス液の膜を基板周縁部に接触させることを特徴とする請求項８に記載された基板処理方法。
【請求項１３】
前記ガイド部材を前記基板周縁部の傾斜形状に合わせて傾斜させた状態で、前記リンス液の膜を基板の周縁部に接触させることを特徴とする請求項８に記載された基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体ウエハやＬＣＤ基板（液晶ディスプレイ用ガラス基板）等の基板に対して、基板周縁部に付着した不要なレジスト等を除去し洗浄する基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイスの製造においては、被処理体である板状の半導体ウエハ（以下、ウエハと呼ぶ）に所定の膜を成膜した後、処理液であるフォトレジスト（以下、レジストと呼ぶ）を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィ技術により回路パターンを形成する。このフォトリソグラフィ技術では、被処理体であるウエハは、主な工程として、洗浄処理→脱水ベーク→アドヒージョン（疎水化）処理→レジスト塗布→プリベーク→露光→現像前ベーク→現像→ポストベークという一連の処理を経てレジスト層に所定の回路パターンを形成する。
尚、このようなフォトリソグラフィ技術については、例えば特許文献１に開示されている。
【特許文献１】特開２０００−２３５９４９号公報
【０００３】
この一連の処理工程において、例えばレジスト塗布工程に関しては、ウエハを回転させ、その遠心力によりレジスト膜を塗布形成するスピンコーティングが一般に行われる。このスピンコーティングによるレジスト塗布処理が行われると、ウエハの周縁部であるベベル部にもレジストが及び、そこに余分なレジストが垂れて付着した状態となる。そこで、その余分なレジストを除去するために、シンナ等のリンス液を吐出するノズルを当該ベベル部に向け、ウエハを回転させながら前記ノズルからリンス液を吐出し洗浄を行うサイドリンス処理が施される。また、ベベル部の余分なレジストをより効果的に除去するために、好ましくはサイドリンス処理と同時に、ウエハ裏面側からベベル部付近に対し、ノズルからリンス液を吐出するバックリンス処理が行われる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで前記したサイドリンス処理にあっては、ウエハのベベル部に向け、ノズルからミスト状にリンス液を飛散させることによってリンス液をベベル部に付着させる。このため、レジストが塗布されたウエハ表面にもリンス液が付着し、ウエハ表面においてベベル部側面から内径に沿って１ｍｍ〜２．０ｍｍ程度の幅でレジストが除去される。近年では、ベベル部を洗浄しながらも、このようにウエハ表面において除去されるレジストの幅を低減することによって生産効率（歩留まり）を向上させたいという要望が高くなっている。
【０００５】
その要望に対し、例えばサイドリンス処理において、ノズルから吐出されるリンス液のベベル幅方向の吐出角度を小さくし、ベベル部以外にリンス液が付着しないようにする方法が考えられる。しかしながら、そのためには吐出圧をより高く設定する必要があり、吐出圧を高くするとベベル部に形成されたノッチ部においてリンス液が跳ね返る虞があった。即ち、ノッチ部の切り欠き形状に起因してミスト状の溶液が飛散し、ウエハ表面の広範囲にリンス液が付着してその部分のレジストが除去され、結果的に歩留まり低下に繋がるという課題があった。
また、サイドリンス処理を無くし、バックリンス処理のみでベベル部の洗浄を行うとしても、ベベル部に十分な量のリンス液を付着させることが技術的に困難であるため、高精度に洗浄することができないという課題があった。
【０００６】
ところで、ウエハのベベル部を高精度に洗浄する技術は、レジスト塗布工程に限らず求められている。
例えば、露光工程においては、液浸露光が次世代の露光技術として注目されている。この液浸露光とは、レンズとレジストの間に液体（例えば純水）を入れることによって屈折率を高め、解像度や焦点深度を改善する技術である。例えば、現在主流に用いられるＡｒＦエキシマレーザ光源によりドライ状態で露光した場合、線幅６５ｎｍが限界とされている。そこで、屈折率１．４４の純水をレンズとレジストとの間に入れることにより、開口数（Ｎ．Ａ．）を１．４４倍にまで増やすことができ、理論的には線幅４５ｎｍまでの微細加工に対応することができるとされている。
【０００７】
この液浸露光において、レジストと、例えば純水とが接触すると、レジスト成分であるＰＡＧ（ｐｈｏｔｏ  ａｃｉｄ  ｇｅｎｅｒａｔｏｒ）や酸が水中に浸出する他、水がレジスト内部に入り込み、露光結果に悪影響を及ぼすおそれがある。このため、液浸露光前において、レジスト成分や水の浸出を抑制する保護膜（トップコート）がレジスト上に成膜される。この保護膜が成膜されたウエハを液浸露光した後においては、ウエハ表面にパーティクル等の異物が付着し、また、ベベル部周辺においては水流れの影響により保護膜が剥がれやすいため、剥がれた保護膜が汚れとして付着した状態となる。このため、液浸露光後のウエハは先ず純水等の洗浄液で洗浄され、次いで保護膜の剥離が行われる。
【０００８】
しかしながら、その保護膜の剥離工程においては、ウエハ表面の保護膜を剥離して除去することができても、ベベル部に保護膜が残存するという技術的課題があった。このベベル部は、搬送装置等に接触する部分でもあり、それらの装置への汚染を抑制するため、精度よくベベル部の保護膜を除去し、洗浄することのできる技術が望まれている。
【０００９】
本発明は、前記したような事情の下になされたものであり、基板の表面に処理液の膜を塗布形成し所定の回路パターンを形成する基板処理装置において、基板周縁部の洗浄を高精度に行うことのできる基板処理装置、及び基板処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記した課題を解決するために、本発明に係る基板処理装置は、処理液が塗布された基板を保持して回転させる基板回転手段と、前記処理液を溶解するリンス液を供給するリンス液供給源と、前記リンス液供給源から供給されたリンス液を膜状に保持する洗浄ノズルと、前記基板回転手段と前記洗浄ノズルの動作制御を行う制御手段とを備え、前記制御手段は、前記基板を前記基板回転手段により回転させると共に、前記リンス液の膜が基板周縁部に接触するよう前記洗浄ノズルを移動させ、該周縁部に付着している処理液を除去することに特徴を有する。
このように構成することにより、従来のようにリンス液を周縁部（ベベル部）に対し直接吐出することがないため、リンス液が飛散することなく基板の周縁部に付着した処理液のみを確実に除去洗浄することができる。また、リンス液の飛散を防止できるため、製品不良の発生を抑え、歩留まりを向上することができる。
【００１１】
尚、前記洗浄ノズルは、前記リンス液を吐出するリンス液吐出部と、前記リンス液吐出部から吐出されるリンス液を膜状に形成する板状のガイド部材とを有することが望ましい。また、前記洗浄ノズルは、前記ガイド部材の表面に設けられた多孔質体をさらに有し、前記リンス液吐出部から吐出されるリンス液を前記多孔質体に吸収させ、前記多孔質体を湿潤状態とすることによりリンス液を膜状に保持することが好ましい。このように構成することで、ガイド部材上にリンス液の膜を容易に形成し保持することができる。
【００１２】
また、前記多孔質体において前記基板の周縁部と接触する部位には、前記基板の周縁部の形状に合わせた切り欠き部が形成されていることが望ましい。
このように形成することにより、基板周縁部全体に多孔質体を接触させることができ、基板周縁部に満遍なくリンス液を供給することができ、より完全に処理液の除去を行うことができる。
【００１３】
また、前記制御手段は、前記基板の表面に対しリンス液の膜が垂直となる状態で、該リンス液の膜を基板周縁部に接触させることが望ましい。
このように構成することにより、基板周縁部の側面に付着した処理液をきれいに除去することができる。また、リンス液の膜厚を十分に形成することで、基板周縁部全体にリンス液を供給することができ、基板の周縁部全体に対して効率的に処理液の除去を行うことができる。
【００１４】
また、前記制御手段は、前記ガイド部材を前記基板周縁部の傾斜形状に合わせて傾斜させた状態で、前記リンス液の膜を基板の周縁部に接触させるようにしてもよい。
このように構成することにより、基板周縁部の傾斜部分に付着した処理液を効果的に除去することができる。
【００１５】
尚、前記多孔質体はスポンジ素材により形成されることが望ましい。即ち、スポンジ素材の多孔質体を用いることで、十分な厚さを有する液膜を形成し保持することが可能となる。
【００１６】
また、前記した課題を解決するために、本発明に係る基板処理方法は、前記処理液を溶解するリンス液を、リンス液供給源から洗浄ノズルに対し供給するステップと、前記洗浄ノズルにおいて前記リンス液を膜状に保持するステップと、処理液が塗布された基板を保持して回転させるステップと、前記リンス液の膜が前記基板の周縁部に接触するよう前記洗浄ノズルを移動させ、該周縁部に付着している処理液を除去するステップを実行することに特徴を有する。
このようなステップ工程を実行することにより、従来のようにリンス液を周縁部（ベベル部）に対し直接吐出することがないため、リンス液が飛散することなく基板の周縁部に付着した処理液のみを確実に除去洗浄することができる。また、リンス液の飛散を防止できるため、製品不良の発生を抑え、歩留まりを向上することができる。
【００１７】
また、前記リンス液の膜が前記基板の周縁部に接触するよう前記洗浄ノズルを移動させ、該周縁部に付着している処理液を除去するステップを実行する前に、処理液が塗布された前記基板を保持して回転させるステップと、前記基板表面の周縁部に対し、前記処理液を溶解するリンス液を吐出することにより、基板側面から内径に沿って所定幅の処理液を除去するステップとを実行してもよい。
このようなステップ工程を取り入れることにより、基板表面において、基板側面から内径に沿って所定幅の処理液を除去することができる。即ち、基板周縁部において、前記洗浄ノズルによる処理のみでは除去できない大きい幅で、処理液（膜）を除去することができる。
【００１８】
尚、前記洗浄ノズルにおいて、リンス液吐出部からリンス液を吐出し、吐出されるリンス液を板状のガイド部材により膜状に形成することが望ましい。また、前記洗浄ノズルにおいて、前記ガイド部材の表面に多孔質体を設け、前記リンス液吐出部から吐出されるリンス液を前記多孔質体に吸収させ、前記多孔質体を湿潤状態とすることによりリンス液を膜状に保持することが望ましい。
このようにすることで、ガイド部材上にリンス液の膜を容易に形成し保持することができ、例えばスポンジ素材の多孔質体を用いることで、十分な厚さを有する液膜を形成し保持することが可能となる。
【００１９】
また、前記基板の表面に対しリンス液の膜が垂直となる状態で、該リンス液の膜を基板の周縁部に接触させることが望ましい。
このようにすることにより、基板周縁部の側面に付着した処理液をきれいに除去することができる。また、リンス液の膜厚を十分に形成することで、基板周縁部全体にリンス液を供給することができ、基板の周縁部全体に対して効率的に処理液の除去を行うことができる。
【００２０】
また、前記ガイド部材を、基板の周縁部の傾斜形状に合わせて傾斜させた状態で前記リンス液の膜を基板周縁部に接触させるようにしてもよい。
このようにすることにより、基板周縁部の傾斜部分に付着した処理液を効果的に除去することができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、基板の表面に処理液の膜を塗布形成し所定の回路パターンを形成する基板処理装置において、基板周縁部の洗浄を高精度に行うことのできる基板処理装置、及び基板処理方法を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。図１乃至図３は本発明の基板処理装置及び基板処理方法が適用される塗布現像処理システムの全体構成を示す図であり、図１はその平面図、図２は正面図、図３は背面図である。
【００２３】
この塗布現像処理システム１は、図示するようにカセットステーション１０と、塗布現像工程の中で被処理基板である半導体ウエハＷに対し、１枚ずつ所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニットを所定位置に多段配置してなる処理ステーション１１と、この処理ステーション１１と隣接して設けられる露光装置（図示せず）との間でウエハＷを受け渡しするためのインターフェース部１２とを一体に接続した構成を有している。
【００２４】
カセットステーション１０は、ウエハＷをウエハカセットＣＲに複数枚例えば２５枚単位で収容し、このウエハカセットＣＲを外部からシステムに搬入又はシステムから搬出したり、ウエハカセットＣＲに対してウエハＷを搬入・搬出したりするための装置である。カセットステーション１０では、図１に示すように、カセット載置台２０上の突起２０ａの位置に複数個例えば４個までのウエハカセットＣＲがそれぞれのウエハ出入口を処理ステーション１１側に向けてＸ方向一列に載置され、カセット配列方向（Ｘ方向）及びウエハカセットＣＲ内に収納されたウエハのウエハ配列方向（Ｚ方向）に移動可能なウエハ搬送体２１が各ウエハカセットＣＲに選択的にアクセスするようになっている。さらに、このウエハ搬送体２１は、θ方向に回転可能に構成されており、後述するように処理ステーション１１側の第３の組Ｇ３の多段ユニット部に属するアライメントユニット（ＡＬＩＭ）及びイクステンションユニット（ＥＸＴ）にもアクセスできるようになっている。
【００２５】
処理ステーション１１では、図１に示すように、中心部に垂直搬送型の主ウエハ搬送機構２２が設けられ、その周りに全ての処理ユニットが１組または複数の組に亘って多段に配置されている。この例では、５組（Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，Ｇ４，Ｇ５）の多段配置構成であり、第１及び第２の組Ｇ１，Ｇ２の多段ユニットはシステム正面（図１において手前）側に並置され、第３の組Ｇ３の多段ユニットはカセットステーション１０に隣接して配置され、第４の組Ｇ４の多段ユニットはインターフェース部１２に隣接して配置され、第５の組Ｇ５の多段ユニットは背部側に配置されている。なお第５の組Ｇ５は、主ウエハ搬送機構２２のメンテナンスのためにレール２５に沿って移動可能に構成されている。
【００２６】
また、主ウエハ搬送機構２２は、図３に示すように、筒状支持体４９の内側に、ウエハ搬送装置４６を上下方向（Ｚ方向）に昇降自在に装備している。筒状支持体４９はモータ（図示せず）の回転軸に接続されており、このモータの回転駆動力によって、前記回転軸を中心としてウエハ搬送装置４６と一体に回転し、それによりこのウエハ搬送装置４６は、θ方向に回転自在となっている。
【００２７】
図２に示すように、第１の組Ｇ１では、カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャックに載せて所定の処理を行う２台のスピンナ型処理ユニット、例えばレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）及び現像処理ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。第２の組Ｇ２でも、２台のスピンナ型処理ユニット、例えばレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）及び現像処理ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）ではレジスト液の排液が機構的にもメンテナンスの上でも面倒であることから、このように下段に配置するのが好ましい。しかし、必要に応じて上段に配置することも可能である。
【００２８】
また、図３に示すように、第３の組Ｇ３では、ウエハＷを載置台に載せて所定の処理を行うオーブン型の処理ユニット、例えば下から順にクーリングユニット（ＣＯＬ）、アドヒージョンユニット（ＡＤ）、アライメントユニット（ＡＬＩＭ）、イクステンションユニット（ＥＸＴ）、プリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）及びポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が重ねられている。第４の組Ｇ４でも、オーブン型の処理ユニット、例えば下から順にクーリングユニット（ＣＯＬ）が２段、イクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、イクステンションユニット（ＥＸＴ）、プリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）及びポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が重ねられている。
尚、図３には示さないが、第５の組Ｇ５においても、第３の組Ｇ３及び第４の組Ｇ４と同様にオーブン型の処理ユニットが多段配置され、例えばクーリングユニット（ＣＯＬ）、プリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）、ポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）等が必要に応じて重ねられている。
【００２９】
このように処理温度の低いクーリングユニット（ＣＯＬ）、（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し、処理温度の高いベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）やポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）を上段に配置することで、ユニット間の熱的な相互干渉を少なくすることができる。しかし、ランダムな多段配置とすることも可能である。
【００３０】
また、インターフェース部１２は、奥行方向では処理ステーション１１と同じ寸法を有するが、幅方向では小さなサイズで設けられている。インターフェース部１２の正面部には可搬性のピックアップカセットＣＲと定置型のバッファカセットＢＲが２段に配置され、背面部には周辺露光装置２３が配設され、中央部にはウエハ搬送体２４が設けられている。このウエハ搬送体２４は、Ｘ，Ｚ方向に移動して両カセットＣＲ，ＢＲ及び周辺露光装置２３にアクセスするようになっている。さらに、ウエハ搬送体２４は、θ方向に回転可能に構成され、処理ステーション１１側の第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するイクステンションユニット（ＥＸＴ）にも、及び隣接する露光装置側のウエハ受渡し台（図示せず）にもアクセスできるようになっている。
【００３１】
続いて、本発明の基板処理装置及び基板処理方法が適用されるレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）について説明する。図４及び図５は、レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）を示す平面図及び断面図である。図５に示すように、このレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）の中央部には廃液管５３を有する環状のカップＣＰが配設され、カップＣＰの内側には、基板を水平に保持するスピンチャック５２が配置されている。スピンチャック５２は真空吸着によってウエハＷを固定保持した状態で駆動モータ５４によって回転駆動されるようになされている。この駆動モータ５４は、ユニット底板５１に設けられた開口５１ａに昇降移動可能に配置され、例えばアルミニウムからなるキャップ状のフランジ部材５８を介して例えばエアシリンダからなる昇降駆動手段６０及び昇降ガイド手段６２と結合されている。
【００３２】
また、ウエハＷの表面にレジストを吐出するノズル７７には図示しないレジストの供給源から延びた供給管８３が接続されている。このノズル７７はノズルスキャンアーム７６の先端部にノズル保持体７２を介して着脱可能に取り付けられている。このノズルスキャンアーム７６は、ユニット底板５１の上に一方向（Ｙ方向）に敷設されたガイドレール７４上で水平移動可能な垂直支持部材７５の上端部に取り付けられており、図示しないＹ方向駆動機構によって垂直支持部材７５と一体にＹ方向に移動するようになっている。図４に示すようにカップＣＰの側方にはノズル７７が待機するためのノズル待機部７３が設けられており、必要に応じてノズルが交換されて塗布処理が行われるようになっている。
【００３３】
また、図４に示すように、本実施形態のレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）は、ウエハＷに温風を供給してレジストを乾燥させるための温風ノズル５、及びウエハ周縁に向けてシンナー等のリンス液を噴射し、ウエハ側面から内径に沿って所定幅（例えば２〜５ｍｍ）のレジストを除去する周縁部洗浄ノズル３３を備えている。これら温風ノズル５、周縁部洗浄ノズル３３は、例えば支持アーム３の長手方向に沿って図示しない駆動機構によりスライドするノズル保持部６に保持されている。支持アーム３は、例えばモータ２９によって回動可能に設けられており、ノズルスキャンアーム７６の移動によってウエハ上にレジストが供給されているときには、一点鎖線で示す待機位置で待機している。
【００３４】
また、このレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）には、ウエハＷの周縁部であるベベル部に付着した余分なレジストをリンス液により除去し洗浄するための洗浄ノズル２が配置される。図５に示すように、洗浄ノズル２には、例えばリンス液としてのシンナを貯留するリンス液供給源２６からシンナが供給され、その供給量調整は調整バルブ３０により行われる。この洗浄ノズル２は、図６（ａ）の正面図、図６（ｂ）の側面図に示すように、供給管２ａを通じて供給されるシンナを下方に吐出するリンス液吐出部２ｂと、リンス液吐出部２ｂから吐出されるシンナを吸収し湿潤状態とすることにより、シンナを液膜状に保持する板状の多孔質体２ｃと、その多孔質体２ｃを表面に設けた浸透性のない板状のガイド部材２ｄとで構成される。尚、多孔質体２ｃは弾性を有する部材（例えばスポンジ等）により形成され、ガイド部材２ｄは例えばテフロン（登録商標）樹脂等の部材により形成されることが望ましい。
【００３５】
また、リンス液吐出部２ｂの上部には支持部材２ｅが形成され、この支持部材２ｅは図４、図５に示した支持アーム７により保持される。即ち、洗浄ノズル２は支持アーム７により支持され、さらにモータ機構（図示せず）により、支持アーム７の長手方向に沿って前後にスライド移動可能に設けられる。
この構成により、ウエハＷのベベル部を洗浄する際には、支持アーム７に保持された洗浄ノズル２はベベル部に向かって移動制御され、図７に示すように多孔質体２ｃが回転するウエハＷのベベル部Ｂに対して適度な圧力で押し付けられた状態で、その移動は停止される。即ち、この状態で、多孔質体２ｃに形成されたリンス液の膜を、回転するウエハＷのベベル部Ｂの全体に接触させることができるため、ベベル部Ｂに付着している余分なレジストＲを残らず除去するようになされている。
【００３６】
このように洗浄ノズル２によりベベル部の洗浄が行われる際には、例えばリンス液の膜はウエハ面に対して垂直な状態でベベル部に接触するよう制御されるが、スポンジ等の弾性を有する多孔質体２ｃにより十分な厚さのリンス液膜が形成されるため、ベベル部Ｂ全体がリンス液に浸される状態になり、ベベル部Ｂに付着している余分なレジストＲを残らず除去することができる。
尚、洗浄終了後は、洗浄ノズル２はベベル部Ｂから引き離される方向に移動制御される。
【００３７】
また、支持アーム７は垂直支持部材８により支持され、垂直支持部材８内に設けられたモータ機構（図示せず）により、垂直上下方向（Ｚ方向）及びθ方向の回転が可能になされている。これにより、ベベル部洗浄時以外は洗浄ノズル２がカップＣＰ外に移動して待機するようになされ、ベベル部洗浄時のみカップＣＰ内に移動するようになされている。
【００３８】
また、図５に示すように、カップＣＰ内においてウエハＷの裏面側には、ベベル部を伝ってウエハＷの裏面に付着したレジストを除去し洗浄するためのバックリンス処理用のバックリンスノズル１３が設けられている。このバックリンスノズル１３は、例えばシンナ供給源１５から供給されるシンナをウエハＷの裏面に対して吐出するようになされ、その吐出量制御は調整バルブ１４により行われるようになされている。
【００３９】
図８は、本実施形態に係る制御系を示す図である。図示するように前記温風ノズル５は、例えば不活性気体として窒素ガスを供給する窒素ガス供給源３２にヒータ３１を介して接続され、ウエハＷ上に例えば３０℃〜５０℃の窒素ガスを供給するようになっている。
また、前記周縁部洗浄ノズル３３は、例えばリンス液としてシンナーを供給するリンス液供給源３４にリンス液の吐出量を調整する調整バルブ３５を介して接続されている。
尚、図４、図８に示した、この周縁部洗浄ノズル３３は、温風ノズル５と同様にノズル保持部６に保持され、支持アーム３の長手方向に沿って共にスライドするようにしたが、その形態に限定されるものではない。例えば、周縁部洗浄ノズル３３と温風ノズル５とが別々のノズル保持部及び駆動機構により夫々独立してスライド移動するように構成されてもよい。或いは、周縁部洗浄ノズル３３は、温風ノズル５とノズルを共用し、リンス液吐出と温風吐出とをバルブで切り換えるようにしてもよい。
【００４０】
そして制御部９は、スピンチャック５２を回転させる駆動モータ５４の動作、洗浄ノズル２、バックリンスノズル１３及び周縁部洗浄ノズル３３におけるリンス液の吐出量をそれぞれ調整する調整バルブ３０、１４、３５の動作、さらに洗浄ノズル２を移動させるための支持アーム７及び垂直支持部材８の動作、そして温風ノズル５や周縁部洗浄ノズル３３の移動動作及び温風供給動作等を制御するようになされている。
尚、本発明に係る基板処理装置は少なくとも、前記した構成のうち、基板回転手段としてのスピンチャック５２及び駆動モータ５４と、リンス液供給源２６と、洗浄ノズル２と、制御手段としての制御部９とを具備する構成とされる。
【００４１】
続いて、以上説明した塗布現像処理システム１の一連の処理工程について説明する。
先ず、カセットステーション１０において、ウエハ搬送体２２がカセット載置台２０上の処理前のウエハを収容しているカセットＣＲにアクセスし、そのカセットＣＲから１枚の半導体ウエハＷを取り出し、アライメントユニット（ＡＬＩＭ）に搬送する。
このアライメントユニット（ＡＬＩＭ）においてウエハＷの位置合わせが行われた後、主ウエハ搬送機構２２によりアドヒージョンユニット（ＡＤ）へ搬送され疎水化処理が行われ、次いでクーリングユニット（ＣＯＬ）にて所定の冷却処理が行われる。その後、レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）に搬送され、後述するように所定の処理が行われる。
【００４２】
そして、プリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）で所定の加熱処理が行われ、クーリングユニット（ＣＯＬ）において冷却処理され、その後ウエハ搬送体２４によりインターフェース部１２を介して図示しない露光装置により露光処理が行われる。露光処理が終了した後は、ウエハＷは現像処理ユニット（ＤＥＶ）に搬送されて現像処理が行われ、ポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）で所定の加熱処理が行われる。そしてウエハＷはクーリングユニット（ＣＯＬ）で所定の冷却処理が行われ、エクステンションユニット（ＥＸＴ）を介してカセットＣＲに戻される。
【００４３】
次に、ウエハ周縁部のレジスト膜除去の幅が狭い、例えばウエハ側面から内径に沿って２ｍｍ以下の幅のレジストを除去する場合を示す図９のフローに基き、レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）における処理工程について説明する。
先ず、スピンチャック５２に保持されたウエハＷにノズル７７からレジストが供給された後、又はレジスト供給中に、ウエハＷが例えば２５００ｒｐｍの回転数で回転することにより、レジストＲがウエハＷ表面全面に塗布される（図９のステップＳ１）。
そして、例えば１５００ｒｐｍの回転数で振り切り乾燥処理が行われる（図９のステップＳ２）。次に、温風ノズル５がウエハＷの周縁部付近まで移動した後、ウエハＷを回転させながらウエハＷの周縁部付近のレジストを温風により乾燥させる（図９のステップＳ３）。
尚、ウエハ表面においてウエハ側面から内径に沿って２ｍｍ以上の幅（例えば２〜５ｍｍの所定幅）のレジストを除去したい場合には、回転させたウエハＷに対し、周縁部洗浄ノズル３３を用いた周縁部洗浄処理が、洗浄ノズル２によるベベル部洗浄処理の前に、前記のステップＳ２とステップＳ３との間で実施される。
【００４４】
次に、洗浄ノズル２をウエハＷのベベル部付近に移動し、例えばシンナ等のリンス液を１０ｍｌ／ｍｉｎ以下でリンス液吐出部２ｂから多孔質体２ｃに対し吐出する。これにより、板状の多孔質体２ｃはリンス液で湿潤状態となり、ガイド部材２ｄの表面はリンス液の膜が形成された状態となる。
尚、ここで、リンス液吐出部２ｂから所定量のリンス液を吐出し多孔質体２ｃを湿潤状態としてもよいし、或いはまた、リンス液吐出部２ｂからリンス液を吐出し続けることにより多孔質体２ｃを湿潤状態としてもよい。
【００４５】
洗浄ノズル２にリンス液の液膜が形成されると、制御部９は、ウエハＷを例えば５００ｒｐｍの回転数で回転させ、洗浄ノズル２をウエハＷのベベル部に向けて移動させる。そして、図７に示したようにリンス液の液膜がベベル部全体に接触した状態で洗浄ノズル２の移動を停止させる。これにより、回転するウエハＷのベベル部のみにリンス液が均一に塗布され、ベベル部のレジストが除去洗浄される（図９のステップＳ４）。
尚、ステップＳ３においてウエハＷの周縁部付近の乾燥処理を行っているので、レジストがある程度硬化しており、リンス液を供給したときにベベル部に付着したレジストをきれいに除去することができる。即ち、除去されるレジストと残存するレジストの境界部分のレジストのエッジ部分をシャープに残すことができる。
【００４６】
また、ステップＳ４において、洗浄ノズル２によるベベル部洗浄処理と同時に、バックリンス処理が行われる。即ち、バックリンスノズル１３からウエハＷの裏面に向けてリンス液が例えば１００ｍｌ／ｍｉｎ以下で吐出され、ウエハ裏面に付着したレジストやパーティクル等の異物の除去洗浄が行われる。尚、このバックリンス処理は、洗浄ノズル２によるベベル部洗浄処理と同時ではなく別々に行われてもよいが、同時に行うことで塗布処理全体の時間を短縮することができる。
【００４７】
以上のように、本実施の形態によれば、従来のサイドリンスによるベベル部洗浄処理のように、リンス液をベベル部に対し直接吐出することがないため、シンナが飛散することなくウエハＷのべベル部に付着したレジストのみを高精度に除去洗浄することができる。また、シンナの飛散を防止できるため、製品不良の発生を抑え、歩留まりを向上することができる。
【００４８】
尚、前記実施の形態においては、洗浄ノズル２に設けた多孔質体２ｃは、図６に示したように板状であって、その表面は略平坦に形成される例を示したが、本発明の基板処理装置においては、その形態に限定されるものではない。例えば、図１０に示すように、一般にウエハＷのベベル部は、上斜面Ｂ１、側面Ｂ２、下斜面Ｂ３が形成されており、ウエハ表面へのレジスト塗布工程後においては、図示するようにそれらの面上にレジストが付着する。そこで、それら各面上に付着したレジストを効率よく除去するために、図１１に示すように多孔質体２ｃの表面にベベル部形状に合わせた切り欠き部２ｆを形成してもよい。このように切り欠き部２ｆを形成することにより、ベベル部Ｂの各面に対し略同様に多孔質体２ｃを接触させることができ、ベベル部全体に満遍なくリンス液を供給することができ、ベベル部のレジストをより完全に除去することができる。また、切り欠き部２ｆの溝の深さを調整することにより、ウエハ周縁部でレジスト膜を除去する幅を変えることができるため、レジスト膜除去幅に応じた切り欠き部２ｆを複数設けてもよい。
【００４９】
また、前記実施の形態においては、洗浄ノズル２のガイド部材２ｄに形成されたリンス液の膜を、ウエハ面に対して垂直となる状態でベベル部に接触させる例を示したが、本発明の基板処理装置においては、その形態に限定されるものではない。例えば、図１２に示すように洗浄ノズル２のガイド部材２ｄをベベル部の傾斜形状、即ち上斜面Ｂ１や下斜面Ｂ３等に合わせて傾斜させ、その状態でリンス液の膜をベベル部に接触させるようにしてもよい。
【００５０】
尚、その場合、例えば洗浄ノズル２は、支持部材２ｅの先端を支点としてモータ機構（図示せず）により回動可能に設け、さらに、その支点を支持アーム７に沿って他のモータ機構（図示せず）により移動可能に構成すればよい。即ち、それらモータ機構の動作制御を制御部９により行い、洗浄ノズル２を傾斜させてリンス液の膜をベベル部の各傾斜面に接触させることにより、ベベル部の傾斜面に付着した余分なレジストをより効果的に除去することができる。
【００５１】
また、前記した実施の形態において、図６に示したように、ガイド部材２ｄの表面に多孔質体２ｃを設け、ガイド部材２ｄの表面にリンス液の膜を形成する構成とした。しかしながら、それに限定されることなく、多孔質体２ｃを設けない構成とし、ガイド部材２ｄの表面に直接、リンス液の液膜を形成して保持する構成としてもよい。
また、前記実施の形態においては、ガイド部材２ｄにおける余分なリンス液はガイド部材２ｄから下方に落下し、カップＣＰ内に廃棄されるが、ガイド部材２ｄの下端に前記リンス液を回収する機構を設けてもよい。
【００５２】
また、前記実施の形態においては、本発明に係る基板処理装置はレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）に適用される例を示した。しかしながら、それに限定されることなく、例えば、露光工程において液浸露光を採用する場合に、ウエハＷ上に形成した保護膜を露光工程後に剥離する工程において、本発明に係る基板処理装置を好適に適用することができる。また、リンス液を純水として液浸露光を行う前に、ウエハ周縁部の保護膜を除去した部分に集中的にリンス液を当てることにより、保護されていない部分からのレジスト成分の溶出を取り除くことができる。
即ち、前記実施の形態において説明した構成による基板処理装置により、ウエハのベベル部に付着した保護膜を精度よく剥離することができ、搬送装置等への汚染を抑制することができる。
【００５３】
また、前記実施の形態においては、半導体ウエハのベベル部を洗浄する場合を例としたが、本発明における被処理体としての基板は、半導体ウエハに限らず、ＬＣＤ基板、ＣＤ基板、ガラス基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明は、半導体ウエハやＬＣＤ基板等のベベル部を洗浄する工程に適用でき、半導体製造業界、電子デバイス製造業界等において好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】図１は本発明の基板処理装置及び基板処理方法が適用される塗布現像処理システムの全体構成を示す平面図である。
【図２】図２は本発明の基板処理装置及び基板処理方法が適用される塗布現像処理システムの全体構成を示す正面図である。
【図３】図３は本発明の基板処理装置及び基板処理方法が適用される塗布現像処理システムの全体構成を示す背面図である。
【図４】図４は図１乃至図３の塗布現像処理システムが備えるレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）を示す平面図である。
【図５】図５は図１乃至図３の塗布現像処理システムが備えるレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）を示す断面図である。
【図６】図６は、本発明の基板処理装置が備える洗浄ノズルの正面図及び側面図である。
【図７】図７は、リンス液であるシンナの液膜がウエハのベベル部に接触した状態を示す図である。
【図８】図８は、レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）における制御系を示すブロック図である。
【図９】図９は、レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）における処理工程を示すフローである。
【図１０】図１０は、ウエハのベベル部の断面形状の一例を示す図である。
【図１１】図１１は、多孔質体の形状の他の形態を示す図である。
【図１２】図１２は、ベベル部に洗浄ノズルを接触させる際の他の形態を示す図である。
【符号の説明】
【００５６】
１        塗布現像処理システム
２        洗浄ノズル
２ｂ      リンス液吐出部
２ｃ      多孔質体
２ｄ      ガイド部材
７        支持アーム
８        垂直支持部材
９        制御部（制御手段）
２６      リンス液供給源
３０      バルブ
５２      スピンチャック（基板回転手段）
５４      駆動モータ（基板回転手段）
Ｂ        ベベル部（周縁部）
ＣＯＴ    レジスト塗布処理ユニット（基板処理装置）
Ｒ        レジスト液（処理液）
Ｗ        ウエハ（基板）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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