(57)【要約】【課題】  積層体の切断方法及び積層体に関し、積層された異種材料からなる積層体を品質よく且つ安価に切断することができるようにすることを目的とする。【解決手段】  積層体（１０）の切断方法は、第１の基板（１２）及び第２の基板（１４）の一方に溝（１６）を形成し、該溝を形成した一方の基板を該溝が他方の基板に向くように該他方の基板に重ね合わせ、第１の基板及び第２の基板に該溝を形成した該一方の基板の側から該溝に沿ってレーザ（１８）を照射し、第１の基板及び第２の基板からなる積層体を切断する構成とする。【選択図】      図１
2006021315.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と第２の基板とからなる積層体の切断方法であって、
第１の基板及び第２の基板の一方に溝を形成し、
該溝を形成した一方の基板を該溝が他方の基板に向くように該他方の基板に重ね合わせ、
第１の基板及び第２の基板に該溝を形成した該一方の基板の側から該溝に沿ってレーザを照射し、第１の基板及び第２の基板からなる積層体を切断する
ことを特徴とする基板の切断方法。
【請求項２】
該レーザは該一方の基板を透過し、該他方の基板に吸収されることを特徴とする請求項１に記載の積層体の切断方法。
【請求項３】
第１の基板は半導体で作られ、第２の基板はガラスで作られ、該第２の基板に溝が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の積層体の切断方法。
【請求項４】
第１の基板と第２の基板とは互いに接合されていることを特徴とする請求項１に記載の積層体の切断方法。
【請求項５】
レーザ光を透過しない第１の基板とレーザ光を透過する第２の基板とが互いに重ね合わせられており、第２の基板は第１の基板に向いた側に溝を有することを特徴とする積層体。
【請求項６】
一方の基板に溝が形成され、該溝が他方の基板に向くように互いに重ね合わせられた、第１の基板と第２の基板とからなる積層体を切断する機構を具備する、積層体の製造装置であって、
レーザ光源と、
レーザ光を集光する光学系と、
前記積層体が載置されるテーブルと、
前記レーザ光源とテーブルとを相対的に移動させる移動機構と、を具備し、
前記テーブルには、前記溝が形成された一方の基板が前記レーザ光源に向くように前記積層体が載置され、
前記レーザ光源を前記テーブルと相対的に移動して、前記溝に沿ってレーザ光を照射することにより前記積層体を切断することを特徴とする積層体の製造装置。
【請求項７】
第１の基板と第２の基板のうち一方の基板に溝を形成する工程と、
該溝が他方の基板に向くように前記第１の基板と第２の基板とを積層する工程と、
前記溝が形成された一方の基板がレーザ光源に向くように前記積層体をテーブル上に載置する工程と、
レーザ光を前記溝に沿って前記積層体に照射しながら、前記レーザ光源をテーブルと相対的に移動させる工程と、
からなることを特徴とする積層体の製造方法。
【請求項８】
レーザ光を透過しない第１の基板とレーザ光を透過する第２の基板とが互いに接合されており、第２の基板は第１の基板に向いた側に溝が形成されており、該第１の基板と第２の基板が接合状態を保ってままで前記溝に沿って切断されていることを特徴とする積層体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は積層体の切断方法、製造装置、製造方法及び積層体に関し、より詳細には、積層された異種材料、特に、レーザに対する透過率又は吸収率の異なる材料の基板からなる積層体のレーザによる切断に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、異種材料の複数の基板を積層してなる積層体を備えたデバイスが開発されている。例えば、マイクロエレクトロニクス・メカニカル・システム（ＭＥＭＳ）をはじめとする最先端デバイスは、シリコンで作られた基板と、リチウムタンタレート（ＬｉＴａＯ3）、サファイア、耐熱ガラス等で作られた基板とが重ね合わされた積層体として構成されている。このようなデバイスの製造においては、積層された異種材料の複数の基板からなる積層体を切断し、個々のデバイス（チップ）に分離する。
【０００３】
従来、半導体ウエハを個々の半導体チップに分離するために、ダイヤモンド砥粒を含有したホイールを高速回転させて切断する方法がある。積層された異種材料の複数の基板からなる積層体を個々のデバイスに分離する場合にも、ダイヤモンド砥粒を含有したホイールを使用することができる。
【０００４】
しかし、ＭＥＭＳのような微細な機構部をもつデバイスの製造において、ダイヤモンド砥粒を含有したホイールを使用して積層体を個々のデバイスに分離しようとすると、切断時にホイールと積層体との接触により、積層体が振動し、デバイスの微小な機構部が損傷しやすいという問題がある。
【０００５】
このため、ＭＥＭＳのような微細な機構部をもつデバイスを製造する場合には、積層体が振動しないようにすることが望ましく、レーザによる切断方法が適している。しかし、レーザを使用する切断方法では、材料がレーザを吸収するものである必要があり、使用するレーザと切断される材料との組み合わせが限定される。
【０００６】
そのため、積層された異種材料の複数の基板からなる積層体を個々のデバイスに分離する場合には、複数の材料にそれぞれに適合した波長をもつ複数のレーザを使用することが必要になる。例えば、特許文献１は、デュアルレーザ照射で多層基板を切断する方法を開示しており、そこでは、第１のレーザが第１基板に集光し、第２のレーザが第２基板に集光するように配置される。
【０００７】
従って、積層された異種材料の複数の基板からなる積層体を個々のデバイスに分離する場合には、積層される基板の数だけ複数のレーザ発振器を準備しなければならず、ダイシング装置が高価、大型化してしまうという問題がある。
【０００８】
また、最近のＭＥＭＳデバイスのように、数１００μｍ厚のシリコンと数１００μｍ厚のパイレックス（登録商標）ガラスからなる積層体をレーザで切断しようとする場合、シリコンを効率よく切断することができるレーザとして、ＹＡＧレーザ（レーザ波長λ＝１．０６４μｍ）を使用することができる。また、ガラスを切断することができるレーザとして、エキシマレーザやＴＨＧ−ＹＡＧレーザに代表される紫外線レーザ（レーザ波長λ＝０．３５μｍ）や、ＣＯ2レーザに代表される赤外線レーザ（レーザ波長λ＝５μｍ以上）を使用することができる。しかし、紫外線レーザを使用する場合には切断に時間がかかり、例えば、１００mmの長さ１ラインを切断するのに数時間以上かかる。また、赤外線レーザを使用する場合には切断時のレーザ照射幅が１mm以上となり、小さなデバイスでは内部に形成された回路等が悪影響を受ける。
また、シリコンとガラスとを接合した部材を切断する場合には、下記のような問題が生じる。
まず、シリコンの側からレーザを照射して加工する場合、レーザ光はシリコン層に吸収されるため、シリコン層を切断することができる。しかし、ガラスはレーザ光を透過してしまうため、ガラス・シリコンの接合面で加工がストップしてしまう。
一方、ガラス側からレーザを照射した場合には、レーザ光がガラスを貫通してシリコン面に達する。この場合、シリコンの切断に応じてガラスの貫通加工が可能となるが、ガラスおよびガラス・シリコン接合界面にクラックが発生してしまうという問題がある。
【０００９】
【特許文献１】特開２００３−３７２１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の目的は、積層された異種材料の複数の基板からなる積層体を品質よく且つ安価に切断することのできる積層体の切断方法、製造装置、製造方法及び積層体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明による積層体の切断方法は、第１の基板及び第２の基板の一方に溝を形成し、該溝を形成した一方の基板を該溝が他方の基板に向くように該他方の基板に重ね合わせ、第１の基板及び第２の基板に該溝を形成した該一方の基板の側から該溝に沿ってレーザを集光、照射し、第１の基板及び第２の基板からなる積層体を切断することを特徴とするものである。
【００１２】
また、本発明による積層体は、半導体で作られた第１の板部材とガラスで作られた第２の板部材とが互いに重ね合わせられており、第２の板部材は第１の板部材に向いた側に溝を有することを特徴とするものである。
【００１３】
また、本発明は、一方の基板に溝が形成され、該溝が他方の基板に向くように互いに重ね合わせられた、第１の基板と第２の基板とからなる積層体を切断する機構を具備する、積層体の製造装置であって、レーザ光源と、レーザ光の集光光学系と、前記積層体が載置されるテーブルと、前記レーザ光源とテーブルとを相対的に移動させる移動機構と、を具備し、前記テーブルには、前記溝が形成された一方の基板が前記レーザ光源に向くように前記積層体が載置され、前記レーザ光源を前記テーブルと相対的に移動して、前記溝に沿ってレーザ光を照射することにより前記積層体を切断することを特徴とする。
更にまた、本発明の積層体の製造方法は、第１の基板と第２の基板のうち一方の基板に溝を形成する工程と、溝が他方の基板に向くように前記第１の基板と第２の基板とを積層する工程と、前記溝が形成された一方の基板がレーザ光源に向くように前記積層体をテーブル上に載置する工程と、レーザ光を前記溝に沿って前記積層体に照射しながら、前記レーザ光源をテーブルと相対的に移動させる工程と、からなることを特徴とする。
この構成によれば、単一のレーザを使用して、積層された第１及び第２の基板からなる積層体を確実に切断することができる。
【発明の効果】
【００１４】
積層された異なる材料の複数の基板からなる積層体を単一のレーザの照射により一度に切断することができるので、高品質のデバイスを効率よく得ることができ、単一のレーザを含むダイシング装置は小型で安価なものにすることができる。
また、ガラス・シリコンの接合面に溝を形成するため、ガラス・シリコン接合面へのクラックの発生を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下本発明の実施例について図面を参照して説明する。図１は本発明による積層体の切断方法を示す図である。
【００１６】
図１（Ａ）において、第１の基板１２と第２の基板１４とからなる積層体１０を準備する。第２の基板１４は溝１６を有する。以下、複数のＭＥＭＳデバイスを製造する場合を例として説明するが、本発明はこの例に限定されるものではない。積層体１０は、複数のＭＥＭＳデバイスに相当する回路及び微細な機構部を形成されており、個々のＭＥＭＳデバイスに分離するために切断される。溝１６は個々のＭＥＭＳデバイスに分離するための切断線に沿って設けられている。
【００１７】
第１の基板１２は半導体で作られ、すなわち、回路及び微細な機構部が形成されたシリコンウエハである。第２の基板１４はパイレックス（登録商標）ガラスで作られ、溝１６は第２の基板１４に形成されている。溝１６を形成した第２の基板１４は溝１６が第１の基板１２に向くように第１の基板１２に重ね合わせられる。
【００１８】
実施例においては、第１の基板１２はシリコンで作られ、第２の基板１４はガラスで作られているが、第１の基板１２及び第２の基板１４はこれらの材料に限定されることなく、その他の材料で作られることができる。ただし、第１の基板１２はレーザを吸収する材料で作られ、第２の基板１４はレーザを透過する材料で作られる。溝１６はレーザを透過する材料で作られた基板に設けられる。
【００１９】
第１の基板１２と第２の基板１４は互いに接合又は接着されて、積層体１０として構成される。第１の基板１２と第２の基板１４は陽極接合により互いに接合されているのが好ましい。
【００２０】
図１（Ｂ）において、第１の基板１２及び第２の基板１４に、溝１６を形成した第２の基板１４の側から、溝１６に沿ってレーザ１８を照射する。その際、通常はレーザ１８の焦点が第１の基板１２と第２の基板１４の接合面に位置するようにされる。最初に、レーザは第２の基板１４を透過し、第１の基板１２を照射する。第１の基板１２はレーザを吸収し、第１の基板１２の表面の部分１２Ａが溶融又は蒸発する。第１の基板１２はこうして切断され始める。
【００２１】
図１（Ｃ）に示されるように、第１の基板１２の溶融又は蒸発した部分１２Ａのシリコンの粒子は飛散し、第２基板１４の溝１６の内面に向かう。それによって、第２の基板１４が溝１６の位置において切断される。また、第１の基板１２の表面の部分１２Ａの溶融は引き続いて進行し、ついには、第１の基板１２が切断される。こうして、第１の基板１２及び第２の基板１４からなる積層体１０が切断され、個々のＭＥＭＳデバイスに分離される。
【００２２】
図２は積層前の第１の基板１２及び第２の基板１４を示す斜視図である。溝１６は第２の基板１４に形成されている。複数の溝１６は第２の基板１４の表面に縦横に互いに平行に、即ち格子状に設けられている。溝１６は積層体１０を個々のＭＥＭＳデバイスに分離するための切断線に沿って設けられている。実施例においては、第１の基板１２はφ４インチ、厚さ５００μｍのシリコンウエハであり、第２の基板１４はφ４インチ、厚さ４００μｍの陽極接合ガラスである。溝１６の深さは２００μｍである。
【００２３】
図３は第１の基板１２及び第２の基板１４からなる積層体１０を示す斜視図である。第１の基板１２及び第２の基板１４は、溝１６が第１の基板１２に向くようにして第１の基板１２に重ね合わせられ、接合される。溝１６は第１の基板１２と第２の基板１４の接合面にくる。図４は積層体１０の一部を第２の基板１４側から見た上面斜視図である。
【００２４】
図５は第２の基板１４に溝１６を形成する例を示す図である。溝１６はダイヤモンド砥粒を含有したホイール２０を使用して第２の基板１４の表面に形成される。ホイール２０は矢印で示されるように回転され、切断線に沿って第２の基板１４に対して相対的に移動する。ホイール２０は好ましくはＶ字形の断面の周辺刃部を有し、溝１６はＶ字形の断面をもつように形成される。
【００２５】
図６は第２の基板１４に溝１６を形成する他の例を示す図である。溝１６はマスク２２をしてエッチングにより第２の基板１４の表面に形成される。溝１６はＶ字形の断面をもつように形成されるのが好ましいが、必ずしもＶ字形の断面をもつ必要はなく、図６のようにＵ字形の断面であってもよい。これは図５の例の場合にも同様である。
【００２６】
図７は積層体１６にレーザを照射するダイシング装置を示す斜視図である。図８（Ａ）は図７のステージの一部を示す平面図、図８（Ｂ）はステージの部分断面図である。ダイシング装置２４は、ベース２６と、ベース２６に配置されたＸＹステージ２８（２８ａがＸステージ、２８ｂがＹステージ）と、回転（θ）ステージ２９と、回転ステージ２９上に配置され、積層体１０を吸着保持する吸着テーブル３１と、吸着テーブル３１上に載置された積層体１０に向かってレーザ１８を照射するレーザヘッド３０と、真空ポンプ３３と赤外線カメラ３７を備える。Ｘステージ２８ａ及びＹステージ２８ｂはそれぞれ矢印で示されるように直交するＸ方向及びＹ方向に移動可能である。また、回転（θ）ステージ２９は矢印θ方向に回転可能で吸着テーブル３１の傾斜位置を規制する。
【００２７】
吸着テーブル３１は真空吸着孔３２を有し、積層体１０は真空吸着孔３２から導入される真空により吸着テーブル３１に保持される。真空吸着孔３２は積層体１０の切断線３４からずらした位置に形成され、積層体１０が個々のＭＥＭＳデバイスに分離された後でも個々のＭＥＭＳデバイスが真空吸着孔３２から導入される真空により吸着テーブル３１に保持される。吸着テーブル３１の真空吸着孔３２は周知の手段にて真空ポンプ３３に接続されている。
【００２８】
積層体１０を吸着保持する吸着テーブル３１の吸着面には、積層体１０の切断線３４に対応する、即ち積層体１０の第２の基板１４の溝１６に対応する、格子状の逃げ溝３５が形成されている。そして、積層体１０を吸着テーブル３１上に載置する際には、吸着テーブル３１の上方に設置されているアライメント用赤外線カメラ３７により監視しながら積層体１０の格子状の溝６が所定の切断線に一致するように、且つ吸着テーブル３１の逃げ溝３５にも一致するように、積層体１０を吸着テーブル３１上の所定位置に整合させる。赤外線カメラ３７としては、例えば、波長２μｍの赤外線を使用した通常のカメラを使用することができる。
【００２９】
図７の示すダイシング装置の実施例では、積層体１０のアライメント位置Ａとレーザヘッド３０によりレーザ光１８を照射する光軸位置である加工位置Ｂとが別々の位置として示してあるが、これらの位置Ａ、Ｂを同一の位置とすることは勿論可能である。
【００３０】
図９はレーザ照射時の積層体を示す拡大断面図である。図９は図１（Ｂ）に類似している。図９において、第１の基板１２及び第２の基板１４に、溝１６を形成した第２の基板１４の側、から溝１６に沿ってレーザ１８を照射すると、最初に、レーザは第２の基板１４を透過し、第１の基板１２を照射する。第１の基板１２はレーザを吸収し、第１の基板１２の表面の部分１２Ａが溶融または蒸発する。第１の基板１２はこうして切断され始める。
【００３１】
第１の基板１２の溶融、蒸発した部分１２Ａのシリコンの粒子は噴出又は飛散し、矢印で示されるように第２の基板１４の溝１６の内面に向かい、第２の基板１４の溝１６の内面に付着して膜３６を形成する。レーザ１８は第２の基板１４を透過するけれども、第２の基板１４の溝１６の内面に付着した膜３６はレーザを吸収する。このため、膜３６の温度が上昇し、膜３６に接する第２の基板１４の溝１６の内面の温度が上昇し、溝１６の内面に応力がかかる。その結果、第２の基板１４が溝１６の位置において切断される。また、第１の基板１２の表面の部分１２Ａの溶融、蒸発は引き続いて進行し、ついには、第１の基板１２が完全に切断される。こうして、第１の基板１２及び第２の基板１４からなる積層体１０が切断され、個々のＭＥＭＳデバイスに分離される。なお、説明を容易にするために膜３６は一様な厚さを有するように示しているが、膜３６は一様な厚さを有するものである必要はなく、連続的に形成される必要もない。
【００３２】
なお、溝１６があるので、第１の基板１２の溶融、蒸発する部分１２Ａのシリコンの粒子が第２の基板１４の溝１６の内面に向かって飛散することができる。溝１６がない場合には、溶融し、噴出するシリコンの逃げ場所がないため、部分１２Ａ近傍のシリコン−ガラス接合面に非常に大きな応力が生じ、界面剥離、あるいは材料にマイクロクラックが発生するなど、好ましくない欠陥が生じることがある。溝１６を設けることで、このような欠陥が回避される。
【００３３】
図１０はレーザ照射により切断された積層体１０の一部を示す平面図である。１６Ｓは溝１６の開口部の側縁を示し、３８はレーザ照射による切断部を示す。積層体１０は切断部３８において個々のＭＥＭＳデバイス（チップ）４０に分離される。
【００３４】
前述のように、レーザ光の照射により第１の基板１２の表面の部分１２Ａの溶融、蒸発が進行し、ついには、第１の基板１２が完全に切断されるが、その時点で溶融、蒸発されるシリコン粒子は第１の基板１２の下面、即ち吸着テーブル３１の上面に達する。しかしながら、この実施例では、前述のように、積層体１０の切断線３４に沿って吸着テーブル３１の上面に格子状の逃げ溝３５が形成されているので、吸着テーブル３１の上面にまで、溶融、蒸発されたシリコン粒子が到達したとしても、これらの粒子は逃げ溝３５に吸収され、吸着テーブル３１自体に悪影響を与えるおそれはない。
【００３５】
実施例においては、レーザ１８としてパルスＹＡＧレーザ（レーザ波長λ＝１０６４nm）を使用し、吸着テーブル３１に載置された積層体１０の第２の基板１４側からレーザ１８を照射した。レーザ１８のパルス幅は０．１ms、パルスは繰り返し３００回／秒、パルスエネルギーは４０mJ／パルス、ＸＹステージ２８の送り速度は１２０mm／分、の加工条件でレーザ１８を照射した。この場合、レーザ１８が第１の基板１２と第２の基板１４の接合面付近に集光するように調節した。この結果、図１０に示されるように、第１の基板１２及び第２の基板１４ともに良好に切断され、つまり積層体１０は確実に切断された。ＸＹステージ２８の送り速度が１２０mm／分という高速度で積層体１０を切断することができた。
（付記）
（付記１）  互いにレーザに対する透過率又は吸収率の異なる材料からなる第１の基板と第２の基板とからなる積層体の切断方法であって、第１の基板及び第２の基板の一方に溝を形成し、該溝を形成した一方の基板を該溝が他方の基板に向くように該他方の基板に重ね合わせ、第１の基板及び第２の基板に該溝を形成した該一方の基板の側から該溝に沿ってレーザを照射し、第１の基板及び第２の基板からなる積層体を切断することを特徴とする基板の切断方法（１）。
（付記２）  該レーザは該一方の基板を透過し、該他方の基板に吸収されることを特徴とする付記１に記載の積層体の切断方法（２）。
（付記３）  第１の基板は半導体で作られ、第２の基板はガラスで作られ、該第２の基板に溝が形成されていることを特徴とする付記１に記載の積層体の切断方法（３）。
（付記４）  第１の基板と第２の基板とは互いに接合されていることを特徴とする付記１に記載の積層体の切断方法（４）。
（付記５）  レーザ光を透過しない第１の基板とレーザ光を透過する第２の基板とが互いに重ね合わせられており、第２の基板は第１の基板に向いた側に溝を有することを特徴とする積層体（５）。
（付記６）  一方の基板に溝が形成され、該溝が他方の基板に向くように互いに重ね合わせられた、第１の基板と第２の基板とからなる積層体を切断する機構を具備する、積層体の製造装置であって、レーザ光源と、レーザ光を集光する光学系と、前記積層体が載置されるテーブルと、前記レーザ光源とテーブルとを相対的に移動させる移動機構と、を具備し、前記テーブルには、前記溝が形成された一方の基板が前記レーザ光源に向くように前記積層体が載置され、前記レーザ光源を前記テーブルと相対的に移動して、前記溝に沿ってレーザ光を照射することにより前記積層体を切断することを特徴とする積層体の製造装置（６）。
（付記７）  前記溝は前記一方の基板に格子状に形成されていることを特徴とする付記６に記載の積層体の製造装置。
（付記８）  前記テーブルには、前記一方の基板に形成されている前記溝に対応する積層体の切断線に沿ってレーザ光照射による影響を回避する逃げ溝が形成されていることを特徴とする付記６に記載の積層体の製造装置。
（付記９）  第１の基板と第２の基板のうち一方の基板に溝を形成する工程と、該溝が他方の基板に向くように前記第１の基板と第２の基板とを積層する工程と、前記溝が形成された一方の基板がレーザ光源に向くように前記積層体をテーブル上に載置する工程と、レーザ光を前記溝に沿って前記積層体に照射しながら、前記レーザ光源をテーブルと相対的に移動させる工程と、からなることを特徴とする積層体の製造方法（７）。
（付記１０）  前記溝は前記一方の基板に格子状に形成されていることを特徴とする付記９に記載の積層体の製造方法。
（付記１１）  前記積層体を前記テーブル上に載置する際、前記積層体の前記一方の基板に形成されている前記溝が前記テーブルに形成されている逃げ溝に対応するように、赤外線カメラにて監視しながら積層体が載置されることを特徴とする付記１０に記載の積層体の製造装置。
（付記１２）  レーザ光を透過しない第１の基板とレーザ光を透過する第２の基板とが互いに接合されており、第２の基板は第１の基板に向いた側に溝が形成されており、該第１の基板と第２の基板が接合状態を保ったままで前記溝に沿って切断されていることを特徴とする積層体（８）。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
以上説明したように、本発明によれば、複数の材料のうち、１種類の材料について加工可能なレーザ（例えばＹＡＧレーザ）を使用することにより、２種以上の材料を含む積層体を容易に切断することができるため、ダイシング装置を簡略化でき、安価にすることができる。また、切断線に沿って材料接合面に溝を設けることで切断時の材料接合面に剥離が生じることを防ぎ、それによるデバイスの破損を防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】図１は本発明による積層体の切断方法を示す図である。
【図２】図２は積層前の第１の基板及び第２の基板を示す斜視図である。
【図３】図３は第１の基板及び第２の基板からなる積層体を示す斜視図である。
【図４】図４は積層体の一部を第２の基板側から見た上面斜視図である。
【図５】図５は第２の基板に溝を形成する例を示す図である。
【図６】図６は第２の基板に溝を形成する他の例を示す図である。
【図７】図７は積層体にレーザを照射するダイシング装置を示す斜視図である。
【図８】図８は図７の吸着テーブルの一部を示す平面図及び断面図である。
【図９】図９はレーザ照射時の積層体を示す拡大断面図である。
【図１０】図１０はレーザ照射により切断された積層体の一部を示す平面図である。
【符号の説明】
【００３８】
１０    積層体
１２    第１の基板
１４    第２の基板
１６    溝
１８    レーザ
２０    ホイール
２２    マスク
２４    ダイシング装置
２８    ＸＹステージ
２９    回転（θ）ステージ
３０    レーザヘッド
３１    吸着テーブル
３２    真空吸着孔
３３    真空ポンプ
３４    切断線
３５    逃げ溝
３６    膜
３７    赤外線カメラ
３８    切断部
【図１】
2006021315.tif 000003
【図２】
2006021315.tif 000004
【図３】
2006021315.tif 000005
【図４】
2006021315.tif 000006
【図５】
2006021315.tif 000007
【図６】
2006021315.tif 000008
【図７】
2006021315.tif 000009
【図８】
2006021315.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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