(57)【要約】【課題】表示動作において黒挿入駆動を行ったときに表示領域に侵入する不純物イオンに起因して発生する表示むらを抑制する。【解決手段】ＯＣＢモードの液晶表示パネルは一対の電極基板１，２と、一対の電極基板１，２間に挟持され液晶分子の配向状態が表示領域の内側でこれら電極基板１，２から印加される駆動電圧により制御される液晶層ＬＱと、この液晶層ＬＱに隣接して一対の電極基板１，２に配置されラビング方向が互いに平行な一対の配向膜とを備える。一対の配向膜のラビング方向ＲＤ１，ＲＤ２は不純物イオンの主要拡散源側に向けられる。  【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極基板と、一対の電極基板間に挟持され液晶分子の配向状態が表示領域の内側でこれら電極基板から印加される駆動電圧により制御される液晶層と、この液晶層に隣接して一対の電極基板に配置されラビング方向が互いに平行な一対の配向膜とを備え、前記一対の配向膜のラビング方向が不純物イオンの主要拡散源側に向けられることを特徴とするＯＣＢモードの液晶表示パネル。
【請求項２】
前記液晶層は前記一対の電極基板間においてシール樹脂層に取り囲まれる液晶注入空間に充填されたネマチック液晶材料からなることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項３】
前記不純物イオンの主要拡散源が前記シール樹脂層の一部に設けられる液晶注入口を封止する封止材であることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示パネル。
【請求項４】
前記不純物イオンの主要拡散源が前記表示領域側に突出する複数の屈曲部が集中する前記シール樹脂層の一部であることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示パネル。
【請求項５】
前記不純物イオンの主要拡散源は前記表示領域に最も近い前記シール樹脂層の一部であることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示パネル。
【請求項６】
各電極基板は一対の２長辺を有する長方形であり、前記ラビング方向は前記２長辺に対して略直交するように設定されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項７】
さらに液晶分子の配向状態をベンド配向に維持する逆転移防止電圧を前記駆動電圧として周期的に前記液晶層に印加するように構成された駆動回路を含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＯＣＢ（optically compensated bend）モードの液晶表示パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示パネルは、パソコン、カーナビ、モニターおよびＴＶ等の画面表示用として広く用いられている。これらの液晶表示に使用する液晶表示モードとしては、ネマティック液晶を利用したＴＮモード、ＳＴＮモードが多く使用されている。さらに、応答速度が早く視野角が広い、強誘電体液晶などを用いた液晶表示モードも知られているが、耐ショック性、温度特性などについて改善を要する。これらに対して、高速応答性に優れ視野角が広いモードとして、ツイスト配向の代わりに、液晶分子をパラレル配向させた光学補償型すなわちＯＣＢモードが、映像機器用として注目され、活発に開発が行われている。
【０００３】
一般に、アクティブマトリクス型液晶表示パネルはアレイ基板および対向基板間に液晶層を挟持した構造である。アレイ基板は、例えば略マトリクス状に配置される複数の画素電極、複数の画素電極の行に沿って配置される複数の走査電極、複数の画素電極の列に沿って配置される複数のデータ信号電極、複数の走査電極および複数のデータ信号電極の交差位置近傍に配置される複数のスイッチング素子を有する。各スイッチング素子は例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）からなり、１走査電極が駆動されたときに導通して１データ信号電極の電位を１画素電極に印加する。対向基板には、対向電極がアレイ基板に配置された複数の画素電極に対向して設けられる。一対の画素電極および対向電極は液晶層の画素領域と一緒に画素を構成し、画素電極および対向電極間に保持される駆動電圧に対応した電界によって画素領域内の液晶分子配列を制御する。
【０００４】
ＯＣＢモードの液晶表示パネルでは、電源投入以前において液晶分子がスプレイ配向になる。このスプレイ配向は液晶分子がほとんど寝ている状態であり、画素電極および対向電極上で互いに平行にラビングされた配向膜によって得られる。この液晶表示パネルの表示動作は、電源投入に伴って転移電圧を液晶層に印加してこの転移電圧に対応した比較的強い電界により液晶分子の配向状態をスプレイ配向からベンド配向に転移させる初期化処理後に行われる。液晶分子の配向状態は表示動作中ベンド配向に維持され、ＯＣＢモード特有の高速応答性に優れ、視野角が広い表示を実現する。
【０００５】
また、液晶分子の配向状態は、スプレイ配向のエネルギーとベンド配向のエネルギーとが拮抗するレベル以下の電圧印加状態や電圧無印加状態が長期間続く場合に再びベンド配向からスプレイ配向に逆転移してしまう。ＯＣＢモードの液晶表示パネルでは、この逆転移を防止するために黒挿入駆動の方式がとられている。黒挿入駆動では、逆転移防止電圧および映像信号に対応した表示電圧がフレーム周期で交互に駆動電圧として液晶層に印加され、ベンド配向を維持する。ＯＣＢモードの液晶表示パネルはノーマリホワイトモードの表示パネルであり、逆転移防止電圧が黒表示電圧に相当するため、黒挿入駆動と呼ばれる。また、表示電圧および逆転移防止電圧の合計印加期間に対する逆転移防止電圧の印加期間の割合が黒挿入率と呼ばれる。
【０００６】
液晶表示パネルの製造では、図７Ａに示すアレイ基板１および対向基板２を別々に形成した後、ラビング処理がアレイ基板１側の配向膜および対向基板２側の配向膜に対して行われ、さらにアレイ基板１および対向基板２がシール樹脂層３を介して貼り合わされる。シール樹脂層３は注入口４を残して液晶注入空間を取り囲むように塗布され、注入口４はドライバ用回路素子が配置されるアレイ基板１の第１辺に対向する第２辺の近傍に設けられる。各配向膜のラビング処理はドライバ用回路素子を静電破壊しないように第２辺から第１辺に向かう同一方向において行われる。図７Ａにおいて、ＲＤ１はアレイ基板１側の配向膜のラビング方向を表し、ＲＤ２は対向基板２側の配向膜のラビング方向を表す。液晶材料は注入口４から液晶注入空間に液晶層ＬＱとして充填され、さらに注入口４が封止材５により封止される。
【０００７】
上述の製造工程では、不純物イオンが液晶層ＬＱに混入することは避けられない。具体的には、封止材５が最も多く不純物イオンを液晶層ＬＱに放出する。この不純物イオンは液晶の絶縁抵抗を低下させて電圧保持率の低下による表示特性の劣化をもたらすことになる。また、駆動電圧の印加時に不純物イオンが液晶層内で移動し、不純物イオンの分布が不均一になると、表示むら等の表示不良が発生する。そのような不純物イオン分布の不均一化を防止するために、例えば基板上にイオントラップ電極を設けて高電位パルスを一方向に並ぶ複数の電極に順次印加する技術が提案されている（特許文献１参照）。しかし、この技術をＯＣＢモードの液晶表示パネルで生じる問題を解消するために適用することは難しい。
【特許文献１】特開平９−５４３２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ＯＣＢモードの液晶表示パネルでは、液晶分子が表示動作のために液晶層ＬＱ内でベンド配向される。液晶層ＬＱに低い電圧が印加された白表示状態と、液晶層ＬＱに高い電圧が印加された黒表示状態の間では、液晶分子のオリエンテーション角が大きく変化する。オリエンテーション角の変化は液晶分子の変位を伴うので、液晶層ＬＱ内でこの変位の方向に液晶分子の流れが発生する。この流れの方向は、ＯＣＢモードの液晶表示パネルで液晶分子の配向させる配向膜のラビング方向と一致する。不純物イオンが図７Ａに示されるラビング方向ＲＤ１、ＲＤ２に移動すると、注入口４付近における濃度の高い不純物イオンＤＦが、図７Ｂに示すように液晶層ＬＱ中に拡散し、さらに黒挿入駆動を継続した結果として、部分的な電荷保持力の低下による表示むらが発生する。これは、例えば図７Ｃに示す評価パターンの画像を黒挿入駆動をしながら表示させる動作を継続的に行い、この後全体が黒であるパターンの画像を表示させることにより検証できる。この場合、全体が黒にならずに、図７Ｄに示すようなグレーの筋が部分的な焼きつきとして観察される。不純物イオンは黒挿入駆動を行う間に図７Ｃに示す白表示領域から黒表示領域に流れ込んで濃縮される。グレーの筋は濃縮された不純物イオンによる電荷保持力の低下、すなわち印加電圧の損失によって発生する。
【０００９】
ＯＣＢモードの液晶表示パネルで生じる焼きつきの問題を上述の文献のように高電位パルスを印加するだけで解消することは困難である。
【００１０】
本発明は、表示動作において黒挿入駆動を行ったときに表示領域に侵入する不純物イオンに起因して発生する表示むらを抑制できるＯＣＢモードの液晶表示パネルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明によれば、一対の電極基板と、一対の電極基板間に挟持され液晶分子の配向状態が表示領域の内側でこれら電極基板から印加される駆動電圧により制御される液晶層と、この液晶層に隣接して一対の電極基板に配置されラビング方向が互いに平行な一対の配向膜とを備え、一対の配向膜のラビング方向が不純物イオンの主要拡散源側に向けられるＯＣＢモードの液晶表示パネルが提供される。
【発明の効果】
【００１２】
この液晶表示パネルでは、一対の配向膜のラビング方向が不純物イオンの主要拡散源側に向けられる。これにより、不純物イオンが黒挿入駆動に伴って不純物イオンの主要拡散源側に移動し、高濃度の不純物イオンが液晶層の全体に拡散することを難くする。従って、液晶表示パネルを長期間駆動しても、表示領域に侵入する不純物イオンに起因して発生する表示むらを抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の第１実施形態に係るＯＣＢモードの液晶表示パネルＬＣＤについて図面を参照して説明する。図１は液晶表示パネルＬＣＤの平面構造を示し、図２は液晶表示パネルＬＣＤの回路構造を示し、図３Ａ〜図３Ｃは液晶表示パネルＬＣＤの断面構造および液晶分子配向を示す。図１に示すように、液晶表示パネルＬＣＤはアレイ基板1、対向基板２、およびこれら基板１，２間に保持される液晶層ＬＱを備える。アレイ基板１および対向基板２は各々長方形である一対の電極基板であり、これら基板１，２間の間隙において注入口４を残して液晶注入空間を取り囲むように塗布したシール樹脂層３を介して貼り合わされている。液晶層ＬＱは例えばネマティック液晶材料を注入口４から液晶注入空間に充填し、注入口４を封止材５により封止することにより得られる。樹脂層３は熱硬化樹脂からなり、封止材５は紫外線硬化樹脂からなる。
【００１４】
液晶表示パネルＬＣＤでは、表示画面が図２に示す複数の画素１１により構成される。アレイ基板１は表示画面に対応した表示領域１０内においてマトリクス状に配置される複数の画素電極２３、これら画素電極２３の行に沿って配置される複数の走査電極１２、およびこれら画素電極２３の列に沿って配置される複数のデータ信号電極１３、複数の走査電極１２および複数のデータ信号電極１３の交差位置近傍にスイッチング素子として配置される複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１７、一端において複数の画素電極２３にそれぞれ接続される補助容量２０、複数の走査電極１２に接続される走査回路１４および複数のデータ信号電極１３に接続されるデータ信号回路１５を備える。各走査電極１２は対応行の薄膜トランジスタ１７のゲートに接続され、各データ信号電極１３は対応列の薄膜トランジスタ１７のドレインに接続される。各画素電極２３は対応薄膜トランジスタ１７のソースに接続される。複数の補助容量２０は他端において共通配線１６に接続される。ここでは、各薄膜トランジスタ１７がｎチャネルＭＯＳトランジスタとして形成されている。対向基板２は複数の画素電極２３に対向する対向電極２７を備える。各画素１１は画素電極２３、対向電極２７、およびこれら電極２３，２７間に配置された液晶層ＬＱの一部を含み、画素電極２３および対向電極２７間の電位差に対応した駆動電圧を保持する液晶容量を構成する。補助容量２０はこの駆動電圧を安定に保持するために液晶容量に対して並列的に設けられている。
【００１５】
走査回路１４は図１および図２に示す走査方向７に沿って複数の走査電極１２に順次１水平走査期間ずつ走査信号を出力し、データ信号回路１５は各走査電極１２が走査信号により駆動される間において１行分の映像信号を画素電圧に変換してこれら画素電圧を複数のデータ信号電極１３に出力する。これら画素電圧は走査信号によって導通した１行分の薄膜トランジスタ１７を介して対応行の画素電極２３に印加される。この画素電圧は対向電極２７に設定されるコモン電圧を基準として画素電極２３に印加される電圧であり、例えば１フレーム期間および１水平走査期間毎にコモン電圧に対して極性反転される。各画素１１の透過率は画素電極２３および対向電極２７間の駆動電圧に対応して制御される。
【００１６】
図３Ａに示すように、アレイ基板１では、画素電極２３がガラス基板等の透明絶縁基板２２上に形成され、配向膜２４により覆われる。対向基板２では、対向電極２７がガラス基板等の透明絶縁基板２５を覆うカラーフィルタ層２６上に形成され、配向膜２８により覆われる。アレイ基板２および対向基板２は配向膜２４，２８が液晶層ＬＱに隣接するようにして貼り合わされている。液晶表示パネルＬＣＤはさらに一対の光学補償用位相差板３０、一対の偏光板３１、および光源用のバックライト３２を備える。一対の位相差板３０は液晶層ＬＱとは反対側において透明絶縁基板２２，２５に貼り付けられ、一対の偏光板３１はこれら一対の位相差板３０に貼り付けられる。光源用のバックライト３２はアレイ基板１側の偏光板３１に隣接して配置される。
【００１７】
この液晶表示パネルＬＣＤでは、配向膜２４と配向膜２８が互いに平行な方向にラビング処理される。図１において、ＲＤ１は配向膜２４のラビング方向を表し、ＲＤ２は配向膜２８のラビング方向を表す。すなわち、このラビング処理では、ラビング方向ＲＤ１，ＲＤ２が図１に示すように基板１，２において対向する２長辺に直交し、注入口４から遠い側に位置する一方の長辺から注入口４に近い側に位置する他方の長辺に向うように設定されている。
【００１８】
配向膜２４，２８のラビング処理により、液晶層ＬＱの液晶分子は初期状態として図３Ａに示すようにスプレイ配向する。この初期状態で、配向膜２４、２８表面付近の液晶層２９の液晶分子は、配向膜２４、２８の表面に対して高いプレチルト角（５°〜１２°）を持つ。
【００１９】
上述のラビング処理は例えば図４に示すように行われる。このラビング処理では、他の液晶表示モードの場合と同様に、配向膜材料が配向膜２４、２８として塗布されたアレイ基板１および対向基板２が用意される。アレイ基板１および対向基板２の各々は、長辺がラビングローラ３３の軸に平行する向きでステージに搭載され、このステージと一緒にラビングローラ３３を横切って矢印Ｘの向きに移動する。ラビングローラ３３には、ラビング布３４が巻き付けられている。ラビング布３４は配向膜２８に接触した状態でラビングローラ３３と共に回転する。これにより、アレイ基板１および対向基板２の各々はラビングローラ３３の回転方向、すなわちラビングローラ３３の回転軸に対して直交する矢印Ｙの向きにラビングされる。
【００２０】
この液晶表示パネルＬＣＤでは、走査回路１４およびデータ信号回路１５が電源投入に伴って行単位で全ての画素１１に表示電圧とは異なる転移電圧を駆動電圧として印加し、液晶分子の配向状態をスプレイ配向から図３Ｂおよび図３Ｃに示すベンド配向に転移させる初期化を行うように構成されている。図３Ｂは白表示電圧の印加時に得られるベンド配向を示し、図３Ｃは黒表示電圧の印加時に得られるベンド配向を示す。白表示電圧はゼロまたはゼロに近い小さな値であり、バックライト３２光を高い透過率で透過する高輝度状態に画素１１を設定する。黒表示電圧は白表示電圧よりも大きな値であり、バックライト３２光を低い透過率で透過する低輝度状態に画素１１を設定する。各画素１１の輝度は画像を表示するためにこれら白表示の輝度および黒表示の輝度の範囲で変化する。
【００２１】
走査回路１４およびデータ信号回路１５はさらに液晶分子の配向状態がベンド配向からスプレイ配向へ逆転移することを防止するために初期化後の表示動作において例えば１フレーム期間毎に所定の黒挿入率で黒表示電圧に相当する逆転移防止電圧を走査方向７において行単位で順次全画素１１（液晶層ＬＱ）に印加する黒挿入駆動を行うように構成されている。ちなみに、走査回路１４はアレイ基板１に形成される複数の薄膜トランジスタを用いて構成され、データ信号回路１５はアレイ基板１にＣＯＧ（Chip On Glass）技術によりマウントされる駆動ＩＣを用いて構成されている。
【００２２】
本実施形態では、配向膜２４，２８のラビング方向ＲＤ１，ＲＤ２が図１に示すように基板１，２において対向する２長辺に直交し、注入口４から遠い側に位置する一方の長辺から注入口４に近い側に位置する他方の長辺に向うように設定されている。通常、不純物イオンは注入口４から液晶層ＬＱ内に拡散し、液晶層ＬＱ内で注入口４に近い位置ほど高い濃度を有する傾向にある。しかし、ラビング方向ＲＤ１，ＲＤ２が上述のように設定されていると、不純物イオンが黒挿入駆動に伴って注入口４に近い側に位置する長辺に向って移動し、高濃度の不純物イオンが液晶層ＬＱの全体に拡散することを難くする。すなわち、ラビング方向ＲＤ１，ＲＤ２は不純物イオンの主要拡散源側となる基板辺に向かう方向に一致するため、液晶表示パネルＬＣＤを長期間駆動しても、不純物イオンが表示領域１０に侵入することに起因して発生する表示むらを抑制できる。
【００２３】
図５は、本発明の第２実施形態に係るＯＣＢモードの液晶表示パネルＬＣＤの平面構造を示す。この液晶表示パネルＬＣＤは、以下に述べる事項を除いて第１実施形態と同様に構成される。図５において、第１実施形態と同様な部分は、同一参照符号で示し、その詳細な説明を省略する。
【００２４】
この液晶表示パネルＬＣＤでは、液晶層ＬＱが第１実施形態と同様にアレイ基板1および対向基板２間に保持される。アレイ基板１および対向基板２は一対の電極基板であり、これら基板１，２間の間隙において完全に液晶注入空間を取り囲むように塗布したシール樹脂層３を介して貼り合わされている。ネマティック液晶材料の充填は滴下工法により行われる。この滴下工法では、ネマティック液晶材料が基板１，２の貼り合わせ前にシール樹脂層３で囲まれた液晶注入空間に液晶層ＬＱとして滴下される。この結果、液晶層ＬＱは図１に示す液晶注入口４を持たない。シール樹脂層３は通常、図５に示す複数の屈曲部３ａを有する。これら複数の屈曲部３ａは液晶層ＬＱの外縁に沿って配置される複数のトランスファ部材ＴＲを避けるような形状を有し、表示領域１０側に突出している。ここでは、これらトランスファ部材ＴＲが図５に示すように基板１，２において対向する２短辺の各々と２長辺の一方側に略等間隔で設けられ、対向基板２において対向電極２７に接続される対向電極パッドとアレイ基板１において共通配線１６に接続される共通配線パッドとの電気的なコンタクトを得るために用いられる。（尚、これらトランスファ部材ＴＲおよび屈曲部３ａは第１実施形態に係る液晶表示パネルＬＣＤにも設けられるが、図１において省略されている。）
液晶表示パネルＬＣＤが上述の注入口４を持たない構造にある場合、不純物イオンは主として複数の屈曲部３ａから液晶層ＬＱに混入する。これら屈曲部３ａは表示領域１０側に突出してシール樹脂層３に設けられているため、シール樹脂層３において隣接する直線部分よりも表示領域１０から短い距離に位置する。従って、不純物イオンはこの直線部分よりも屈曲部３ａから表示領域へ侵入し易い。
【００２５】
本実施形態では、配向膜２４，２８のラビング方向ＲＤ１，ＲＤ２が図５に示すように最も多くの屈曲部３ａ（不純物イオンの主要拡散源）がトランスファ部材ＴＲに対応して配置される側の基板長辺に向かう方向に一致する。これにより、不純物イオンは黒挿入駆動に伴ってラビング方向ＲＤ１，ＲＤ２に移動する。従って、液晶表示パネルＬＣＤを長期間駆動しても、不純物イオンが表示領域１０に侵入することに起因して発生する表示むらを抑制できる。
【００２６】
図６は、本発明の第３実施形態に係るＯＣＢモードの液晶表示パネルＬＣＤの平面構造を示す。この液晶表示パネルＬＣＤは、以下に述べる事項を除いて第１実施形態と同様に構成される。図６において、第１実施形態と同様な部分は、同一参照符号で示し、その詳細な説明を省略する。
【００２７】
この液晶表示パネルＬＣＤでは、液晶層ＬＱが第１実施形態と同様にアレイ基板1および対向基板２間に保持される。アレイ基板１および対向基板２は一対の電極基板であり、これら基板１，２間の間隙において完全に液晶注入空間を取り囲むように塗布したシール樹脂層３を介して貼り合わされている。ネマティック液晶材料の充填は第２実施形態と同様な滴下工法により行われる。この結果、液晶層ＬＱは図１に示す液晶注入口４を持たない。（尚、図５に示すトランスファ部材ＴＲおよび屈曲部３ａは、この液晶表示パネルＬＣＤにも設けられるが、図６において省略されている。）ここでは、表示領域１０が基板の２長辺に沿ったシール樹脂層３の２長辺に対して異なる距離に設定される。具体的には、表示領域が一方の樹脂層長辺から距離Ｌ１だけ離され、他方の樹脂層長辺から距離Ｌ１よりも短い距離Ｌ２だけ離される。表示領域１０に近い樹脂層長辺からの不純物イオンは表示領域１０に遠い樹脂層長辺からの不純物イオンよりも容易に表示領域１０に侵入できる。従って、表示領域１０から距離Ｌ２だけ離れた樹脂層長辺が不純物イオンの主要拡散源となる。
【００２８】
本実施形態では、配向膜２４，２８のラビング方向ＲＤ１，ＲＤ２が図６に示すように不純物イオンの主要拡散源側の樹脂層長辺に向かう方向に一致する。これにより、不純物イオンは黒挿入駆動に伴ってラビング方向ＲＤ１，ＲＤ２に移動する。従って、液晶表示パネルＬＣＤを長期間駆動しても、不純物イオンが表示領域１０に侵入することに起因して発生する表示むらを抑制できる。
【００２９】
尚、図１では、トランスファ部材ＴＲおよび屈曲部３ａは図１において省略されているが、液晶注入口４に近い側の基板長辺が最も多くの屈曲部３ａが配置される側の基板長辺であることが好ましい。この場合、ラビング方向ＲＤ１，ＲＤ２を図１に示すように設定することにより、第１実施形態の効果に加えて第２実施形態の効果も得ることができる。
【００３０】
さらに表示領域１０の配置をシール樹脂層３の２長辺に対して図６に示すような関係にすれば、第３実施形態の効果を追加することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の第１実施形態に係るＯＣＢモードの液晶表示パネルの平面構造を示す図である。
【図２】図１に示すＯＣＢモードの液晶表示パネルの回路構造を示す図である。
【図３Ａ】図１に示すＯＣＢモードの液晶表示パネルの断面構造および液晶分子配向を示す図である。
【図３Ｂ】図１に示すＯＣＢモードの液晶表示パネルの断面構造および液晶分子配向を示す図である。
【図３Ｃ】図１に示すＯＣＢモードの液晶表示パネルの断面構造および液晶分子配向を示す図である。
【図４】図３Ａ〜図３Ｃに示す配向膜に対するラビング処理を示す図である。
【図５】本発明の第２実施形態に係るＯＣＢモードの液晶表示パネルの平面構造を示す図である。
【図６】本発明の第３実施形態に係るＯＣＢモードの液晶表示パネルの平面構造を示す図である。
【図７Ａ】ＯＣＢモードの液晶表示パネルにおいて発生する問題について説明するための平面図である。
【図７Ｂ】ＯＣＢモードの液晶表示パネルにおいて発生する問題について説明するための平面図である。
【図７Ｃ】ＯＣＢモードの液晶表示パネルにおいて発生する問題について説明するための平面図である。
【図７Ｄ】ＯＣＢモードの液晶表示パネルにおいて発生する問題について説明するための平面図である。
【符号の説明】
【００３２】
１…アレイ基板、２…対向基板、３…シール樹脂層、３ａ…屈曲部、４…注入口、５…封止材、ＲＤ１，ＲＤ２…ラビング方向、７…走査方向、１０…表示領域、１１…画素、１２…走査電極、１３…データ信号電極、１４…走査回路、１５…データ信号回路、１６…共通配線、１７…薄膜トランジスタ、２３…画素電極、２４，２８…配向膜、２６…カラーフィルタ層、２７…対向電極、ＬＱ…液晶層、ＬＣＤ…液晶表示パネル、ＴＲ…トランスファ部材。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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