(57)【要約】【課題】簡単な電極構成であって位相補正プロファイルの設計が容易で且つ自由度がある位相補正光学素子、光学ピックアップ装置及び位相補正方法を提供する。【解決手段】印加電圧値により光学的特性が変化する異方性光学媒質を挟んで少なくとも一方が光透過性とされる一対の電極が配置される位相補正光学素子であって、少なくとも一方の電極１０には、２以上の電極領域１１〜１３を設け、少なくとも２つの電極領域の間に、多数の孔部１が形成された孔部形成領域１４、１５を設ける。【選択図】図１
2006003739.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印加電圧値により光学的特性が変化する異方性光学媒質を挟んで少なくとも一方が光透過性とされる一対の電極が配置される位相補正光学素子であって、
少なくとも一方の前記電極には、２以上の電極領域が設けられ、少なくとも２つの前記電極領域の間に、多数の孔部が形成された孔部形成領域が設けられて成る
ことを特徴とする位相補正光学素子。
【請求項２】
前記孔部の密度又は大きさの少なくとも一方が、前記孔部形成領域において局部的に異なる構成とされて成る
ことを特徴とする請求項１記載の位相補正光学素子。
【請求項３】
前記異方性光学媒質が液晶材料より成る
ことを特徴とする請求項１記載の位相補正光学素子。
【請求項４】
前記異方性光学媒質が液晶材料より成る
ことを特徴とする請求項２記載の位相補正光学素子。
【請求項５】
前記孔部形成領域の孔部の直径が、前記異方性光学媒質の液晶分子より大きく、前記異方性光学媒質に入射する光の波長の１０倍以下とされて成る
ことを特徴とする請求項３に記載の位相補正光学素子。
【請求項６】
前記孔部形成領域の孔部の直径が、前記異方性光学媒質の液晶分子より大きく、前記異方性光学媒質に入射する光の波長の１０倍以下とされて成る
ことを特徴とする請求項４に記載の位相補正光学素子。
【請求項７】
前記電極領域の少なくとも一部の構成材質が、前記孔部形成領域の電極材質とは異なる材質により形成されて成る
ことを特徴とする請求項１記載の位相補正光学素子。
【請求項８】
前記電極領域の少なくとも一部の構成材質が、前記孔部形成領域の電極材質とは異なる材質により形成されて成る
ことを特徴とする請求項２記載の位相補正光学素子。
【請求項９】
前記電極領域の少なくとも一部の構成材質が、前記孔部形成領域の電極材質とは異なる材質により形成されて成る
ことを特徴とする請求項３記載の位相補正光学素子。
【請求項１０】
前記電極領域の少なくとも一部の構成材質が、前記孔部形成領域の電極材質とは異なる材質により形成されて成る
ことを特徴とする請求項４記載の位相補正光学素子。
【請求項１１】
前記電極領域の少なくとも一部の構成材質が、前記孔部形成領域の電極材質とは異なる材質により形成されて成る
ことを特徴とする請求項５記載の位相補正光学素子。
【請求項１２】
前記電極領域の少なくとも一部の構成材質が、前記孔部形成領域の電極材質とは異なる材質により形成されて成る
ことを特徴とする請求項６記載の位相補正光学素子。
【請求項１３】
光源からの出射光を記録媒体上に集光させる集光レンズと、前記光源と前記集光レンズとの間に設けられた位相補正光学素子と、前記位相補正光学素子へ印加する電圧の出力を制御する位相補正制御部とを少なくとも備える光学ピックアップ装置において、
前記位相補正光学素子は、印加電圧値により光学的特性が変化する異方性光学媒質を挟んで少なくとも一方が光透過性とされる一対の電極が配置され、
少なくとも一方の前記電極には、２以上の電極領域が設けられ、少なくとも２つの前記電極領域の間に、多数の孔部が形成された孔部形成領域が設けられて成る
ことを特徴とする光学ピックアップ装置。
【請求項１４】
前記光学ピックアップ装置に、前記位相補正光学素子が２つ設けられ、
前記各位相補正光学素子がそれぞれ感度を有する偏光方向が略直交するように配置されて成る
ことを特徴とする請求項１３記載の光学ピックアップ装置。
【請求項１５】
異方性光学媒質に電圧を印加して屈折率を変化させる位相補正方法であって、
前記異方性光学媒質に電圧を印加する電極のうち少なく一方の電極に、２以上の電極領域と、少なくとも前記２つの電極領域の間に配置され、多数の孔部が形成された孔部形成領域とを設け、
２以上の前記電極領域に異なる電圧を印加することにより、電圧印加された前記電極領域に挟まれた前記孔部形成領域に電圧勾配を生じさせて、前記異方性光学媒質に入射する光の波長に対する屈折率を略連続的に変化させる
ことを特徴とする位相補正方法。
【請求項１６】
前記孔部電極領域の孔部の密度又は大きさの少なくとも一方を、局部的に略なめらかに変化させる
ことを特徴とする請求項１５記載の位相補正方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば記録媒体に光を照射して記録及び／又は再生を行う光学ピックアップ装置において、球面収差やコマ収差などの波面補正に適用して好適な位相補正光学素子、光学ピックアップ装置及び位相補正方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＤＶＤ（Digital Versatile Disc）の次世代光ディスクとして高密度記録媒体を実現するBlu-ray Discが提案され、波長４０５ｎｍの光源と開口数ＮＡが０．８５の対物レンズを用いてＤＶＤの約５倍程度の大容量化を実現している。
このBlu-ray Discにおいては、光源からの光を厚さ約０．１ｍｍのカバー層側から照射する方式が採られ、ディスクの傾きに対するマージンを現行のＤＶＤ並みとすることができるものの、波長が短波長であること及び開口数が高いことにより、カバー層厚み誤差に対するマージンは逆に厳しくなっている。
【０００３】
このため、Blu-ray Discを用いる記録再生システムにおいては、カバー層厚み誤差で発生する球面収差を補正する手段が必要となっている。また、記録層を２層構成とする場合においても、各記録層に対する焦点を合致させる必要がある。
そこで、現状ではビームエキスパンダーを光源と対物レンズの間に配置しているが、この場合レンズを２枚必要とし、またアクチュエータを有するため、小型化、軽量化に不利となる。
【０００４】
これに対し、入射光に部分的に位相差を与え、波面の乱れを補正して収差を補正する方法として、液晶による位相補正光学素子を用いる方法が提案されている（例えば特許文献１及び２参照。）。
これらの位相補正光学素子においては、複屈折素子として液晶材料を用い、この液晶に印加する電圧に球面収差などの波面補正に対応する分布を生じさせるように、電極形状を工夫している。例えば上記特許文献１に記載されている位相補正用の電極形状は、同心円状の複数の電極部に対し、その間に線状の高抵抗体を半径方向に延在させている。また上記特許文献２に開示の方法では、同心円状の電極部の間に高抵抗透明導電膜を設ける２層構成としている。
【０００５】
このように、従来の位相補正素子においては、同心円状の電極部に適切な電圧を印加することによって、その間の高抵抗線または高抵抗透明導電膜に例えば球面収差を補正する電圧分布を生じさせて、液晶の屈折率に分布を生じさせて位相補正を行っている。
特に、上述したようにBlu-ray Discにおいては、波長が短波長であること及び開口数が高いことから、球面収差に対するマージンが厳しくなっており、カバー層の厚み誤差で発生する収差を補正するためにこれらの位相補正素子が有望とされている。
【０００６】
【特許文献１】特許第２６５１１４８号公報
【特許文献２】特開２００１−１４３３０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、上記特許文献１に開示の位相補正素子は、電極構成材質が１種類であるとともに、電極は１層という簡単な構成であり、またこのため成膜工程・電極材料のパターニング工程がそれぞれ１工程でよいという利点を有する。また、電極の分割位置を設計者が決めることができるので、補正される球面収差の設計、例えばＳＡ３やＳＡ５（３次及び５次の収差係数）の比率などを任意に選定することが可能である。
【０００８】
しかしながら、上記特許文献１に開示の構成では、電極パターンが部分的に分割されており、発生収差プロファイルがステップ状になるために、理想収差プロファイルとの差が存在し、残留収差が発生しやすい。また、ステップ状の収差プロファイルであることから、その段差により光の回折が生じ、回折損失が生じてしまう。
【０００９】
更に、電極パターンを分割していることから、その分割に必要な領域（約数μｍ以下の幅）を確保するために、この領域が収差発生に寄与しない領域となってしまう。また、このように電極を分割する領域において屈折率の段差が生じ、回折ロスを発生させてしまうという問題がある。
【００１０】
これに対し、上記特許文献２に開示の発明では、電極パターンが連続的であるために、収差発生に寄与しない領域が少なく、また発生収差プロファイルが連続となり、回折効果が抑制されるために、光の回折損失が抑制される。
しかしながら、上述したようにこの場合、電極構成材質が２種類であるとともに、電極は２層構成であるため、成膜工程・電極材料のパターニング工程がそれぞれ２工程となってしまい、生産性、コストに問題が生じる。
【００１１】
また、電極の分割位置を任意に選定できず、更に高抵抗の透明導電性膜の抵抗値は面内で一定であるので、補正される球面収差の設計を任意に選定することができない。
また、高抵抗透明導電膜材料として、高抵抗率を有し、且つ透明性を有する電極材料の信頼性が低く、デバイスの長期間での信頼性に欠けるという問題がある。
【００１２】
本発明は、上述の問題に鑑みて、簡単な電極構成であって位相補正プロファイルの設計が容易で且つ自由度があり、また回折損失の抑制された位相補正光学素子、光学ピックアップ装置及び位相補正方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するため、本発明による位相補正光学素子は、印加電圧値により光学的特性が変化する異方性光学媒質を挟んで少なくとも一方が光透過性とされる一対の電極が配置される位相補正光学素子であって、少なくとも一方の電極には、２以上の電極領域が設けられ、少なくとも２つの電極領域の間に、多数の孔部が形成された孔部形成領域が設けられて成ることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明は、上述の位相補正光学素子において、孔部の密度又は大きさの少なくとも一方が、孔部形成領域において局部的に異なる構成とされて成ることを特徴とする。
更に、本発明は、上述の位相補正光学素子において、異方性光学媒質が液晶材料より成ることを特徴とする。
また、本発明は、上述の位相補正光学素子において、孔部形成領域の孔部の直径が、異方性光学媒質の液晶分子より大きく、異方性光学媒質に入射する光の波長の１０倍以下とされて成ることを特徴とする。
【００１５】
更に、本発明は、上述の位相補正光学素子において、電極領域の少なくとも一部の構成材質が、孔部形成領域の電極材質とは異なる材質により形成されて成ることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明による光学ピックアップ装置は、光源からの出射光を記録媒体上に集光させる集光レンズと、前記光源と前記集光レンズとの間に設けられた位相補正光学素子と、前記位相補正光学素子へ印加する電圧の出力を制御する位相補正制御部とを少なくとも備える光学ピックアップ装置において、位相補正光学素子は、印加電圧値により光学的特性が変化する異方性光学媒質を挟んで少なくとも一方が光透過性とされる一対の電極が配置され、少なくとも一方の電極には、２以上の電極領域が設けられ、少なくとも２つの電極領域の間に、多数の孔部が形成された孔部形成領域が設けられて成ることを特徴とする。
【００１７】
更に、本発明は、上述の光学ピックアップ装置において、位相補正光学素子が２つ設けられ、各位相補正光学素子がそれぞれ感度を有する偏光方向が略直交するように配置されて成ることを特徴とする。
【００１８】
また、本発明による位相補正方法は、異方性光学媒質に電圧を印加して屈折率を変化させる位相補正方法であって、記異方性光学媒質に電圧を印加する電極のうち少なくとも一方の電極に、２以上の電極領域と、少なくとも２つの電極領域の間に配置され、多数の孔部が形成された孔部形成領域とを設け、２以上の電極領域に異なる電圧を印加することにより、電圧印加された前記電極領域に挟まれた孔部形成領域に電圧勾配を生じさせて、異方性光学媒質に入射する光の波長に対する屈折率を略連続的に変化させることを特徴とする。
更に、本発明は、上述の位相補正方法において、孔部電極領域の孔部の密度又は大きさの少なくとも一方を、局部的に略なめらかに変化させることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
上述の本発明による位相補正光学素子及び位相補正方法においては、その電極に２以上の電極領域を設け、且つこれらの間に多数の孔部が形成された孔部形成領域を設ける構成とすることによって、孔部の存在によってこの領域における抵抗値を変化させ、簡単な電極構成によって、目的とする収差補正が可能な位相補正光学素子を提供することができる。また、電極領域の形成位置などを適宜選定可能であり、設計の自由度を損なうことがない。
【００２０】
また、上述の位相補正光学素子において、孔部の密度又は大きさの少なくとも一方を孔部形成領域において局部的に変化させることによって、所望の位相補正プロファイルを有する位相補正光学素子を容易に得ることができる。
更に、異方性光学媒質を液晶材料として構成することによって、安価で薄型構成の位相補正光学素子を提供することができる。
【００２１】
また、上述の位相補正光学素子において、孔部形成領域の孔部の直径を、異方性光学媒質の液晶分子より大きく、異方性光学媒質に入射する光の波長の１０倍以下として構成することによって、回折損失を低減化することができる。
更に、電極領域の少なくとも一部の構成材質を、孔部形成領域の電極材質とは異なる材質により形成することによって、抵抗値の変化量の選定自由度を保持しつつ、電極領域における電圧降下を抑制し、精度良い位相補正を行うことができる。
【００２２】
また、本発明による光学ピックアップ装置は、本発明構成の位相補正光学素子を用いることから、簡単な電極構成で目的とする収差補正が可能となり、エキスパンダーによる位相補正を不要として、装置の小型化、簡易化を図ることができる。
更に、本発明は、上述の光学ピックアップ装置において、感度を有する偏光方向が略直交するように配置された位相補正光学素子を２つ設けることによって、往路光及び復路光の位相補正を行うことができる光学ピックアップ装置を提供することができる。
【００２３】
また、本発明による位相補正方法において、孔部電極領域の孔部の密度又は大きさの少なくとも一方を、局部的に略なめらかに変化させることによって、回折損失をより低減化することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明による位相補正光学素子、光学ピックアップ装置及び位相補正方法を実施するための最良の形態の例を説明するが、本発明は以下の例に限定されるものではない。
図１は、本発明による位相補正光学素子の一例の要部の概略平面図である。この場合、例えばＤＶＤ、Blu-ray Discなどの記録媒体の光学ピックアップ装置に適用して好適な位相補正光学素子に適用した例で、平面が略円形の一対の電極を異方性光学媒質、例えば液晶材料を挟んで設け、その一方の電極１０に、電極領域１１〜１３と孔部形成領域１４及び１５を設けた場合を示す。
この例においては、電極領域１１〜１３はほぼ同心円状に設けられ、中央部の電極領域１３は略円形とされる。そして、外側の略リング状の電極領域１１とその内側の略リング状の電極領域１２との間、またこの電極領域１２と中央部の例えば円形の電極領域１３との間に、多数の孔部１が所定の密度で設けられた孔部形成領域１４及び１５をそれぞれ設ける構成とする。
孔部１の形状としては、円形、方形、多角形など各種形状を採り得る。また図示の例のように、電極領域との境界部分において一部が欠けた形状となってもよい。
【００２５】
そして中央部の電極領域１３及び外側のリング状の電極領域１１に連通して、半径方向に延在する電極取り出し部１１ａが設けられ、これとは離間して内側のリング状の電極領域１２に連通する電極取り出し部１２ａが同様に半径方向に延在して設けられる。尚、これらの電極領域、孔部形成領域の材料としては、ＩＴＯ（インジウム−錫複合酸化物）、ＦＴＯ（フッ素ドープ酸化錫）などの光透過性導電性材料を用いることができる。電極取り出し部も同様の材料とし得る。
このように、電極に部分的に孔部形成領域を設けることによって、この部分における抵抗値を、孔部を設けない電極領域に比して低下させて、結果的に局部的に異方性光学媒質に印加する電圧を変化させることができ、目的とする位相補正分布、例えば集光レンズの球面収差に対応する位相補正分布を有する位相補正光学素子を得ることができる。
【００２６】
更に、このような本発明構成の位相補正光学素子において、図２に模式的に孔部の密度を変化させた場合の概略平面構成を示すように、例えば内側のリング状の電極領域１２と外側のリング状の電極領域１１との間の孔部形成領域１４において、孔部の密度又は大きさの少なくとも一方、図示の例においては密度を、半径方向外側において比較的大とする（或いは、図示しないが密度を一様とするときは、孔部の径を大とする）ことによってここにおける抵抗値を大として、結果的に電圧降下を段階的に生じさせる構成とすることができる。例えば電極領域１２においてＶ２、電極領域１１においてＶ１（Ｖ２＞Ｖ１）の電圧を印加すると、孔部の密度が変化する部分における電圧Ｖ３がＶ１＞Ｖ３＞Ｖ２となる電圧分布を生じさせ、これに対応して連続的に変化する位相補正分布を生じさせることができる。
すなわち、このように孔部形成領域における孔部の密度、直径（大きさ）やまた形状、配置等を適切に選定することによって、目的とする電圧印加分布、位相補正分布を生じさせる位相補正光学素子を得ることができる。
【００２７】
このような電極形状とした位相補正光学素子の一例の概略構成を図３に示す。図３において、図１と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。この場合、図１において説明した形状の電極１０がガラス等より成る第１の基板２１上に形成され、電極領域１１及び１３と連通する電極２２、電極領域１２と連通する電極２３、更に、図示しないがこの電極１０と対向する電極（図示せず）との接続部２５を有する電極２４が、第１の基板２１の一端に形成される。尚、この電極１０と対向する電極としては、ガラス等の基板に形成された例えば略円形の電極を用いることができる。
【００２８】
図４は、このようにして電極が形成された位相補正光学素子を２つ貼り合わせた構成とする場合の一例の概略構成を示す。この場合、第１の基板２１を、例えば液晶材料より成る異方性光学媒質３３、４３をそれぞれ挟んで上下にガラス等より成る第２、第３の基板３１、４１を貼り合わせて位相補正光学素子を構成した例を示し、図４において、図３と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
このような構成において、例えば異方性光学媒質３３、４３と各基板２１、３１及び４１との間に設ける配向膜３２及び３４、４２及び４４の配向方向を適切に選定することによって、偏向方向の略直交する位相補正光学素子を２枚貼り合わせた構成とすることができる。すなわち、例えば第２の基板２１側の配向膜３４及び４４を同一方向の配向方向とし、第２及び第３の基板３１及び４１側の配向膜３２及び４２を、略直交する方向とすることによって、感度を有する偏光方向が略直交する２つの位相補正光学素子を有する構成とすることができる。
【００２９】
このような位相補正光学素子を光学ピックアップ装置に適用した場合の一例の概略構成を図５に示す。図５において、半導体レーザー等より成る光源５１から出射された光は、コリメートレンズ５２により平行光とされて偏光ビームスプリッタ５３を通過し、位相補正光学素子５４により収差を補正されて１／４波長板５５を介して集光レンズ５６により記録媒体５０の記録面に集光される。集光レンズ５６はアクチュエータ５７に配置されて、所定の制御機構（図示せず）によってトラッキング及びフォーカシング調整される。
記録媒体５０から反射された光は、レンズ５６、１／４波長板５５を介して例えば図４において説明した構成の位相補正光学素子５４において再び収差を補正されて、偏光ビームスプリッタ５３により反射され、レンズ５８を介して受光素子５９により検出される。検出された光に基づいて、位相補正制御部６０により電圧を調整して位相補正素子５４に電圧を印加する構成として、補正する収差量を制御する構成とすることができる。
【００３０】
例えば、記録媒体５０の記録層が２層構成とされる場合において、記録または再生する層に対応して、位相補正を行う電圧を調整することにより、異なる記録層に対して適切な位相補正を行って、精度良く記録及び／又は再生を行うことが可能となる。
【００３１】
尚、このように局部的に電圧を印加して液晶材料などの異方性光学媒質の屈折率分布を生じさせる場合に、その光学的特性が変化する境界領域に起因する回折が問題となる。すなわち、電極を部分的に設けて電圧を印加させる場合、電極の端部において急峻に屈折率が変化して、いわば回折格子が構成される。したがって、屈折率の変化量が大きいと、出力光の０次光量に対する１次光量、２次光量の比が増加して回折損失が大となってしまう。
異方性光学媒質が液晶材料である場合、電圧の印加によって生じる液晶分子の配向方向の変化ができるだけ緩やかな変化であり、いわばなめらかに連続的に変化することが回折損失を低減化するためには望ましい。
【００３２】
このような回折損失に対する電極形状の影響を調べるために、具体的に孔部形成領域の孔部の径及び密度、異方性光学媒質として用いた液晶材料の厚さなどによる回折損失の変化について調べた。以下の例においては、２枚のガラスより成る基板に挟まれた液晶材料に対して、波長４０５ｎｍの光を入射して０次光光量を測定した結果を示し、電極形状としては、液晶を挟んで対向する２面の電極のうちの１つに上述の図１において説明したパターンを形成した。また、印加電圧は１ｋＨｚの矩形波状交流電圧を印加して測定した。電圧値は最大値（ｐｅａｋ  ｔｏ  ｚｅｒｏ）を示す。この結果を図６〜図１１に示す。
【００３３】
先ず、図６においては、液晶材料の厚さを６μｍとした場合であり、孔部の径Ｄを３μｍ及び６μｍとした場合、更に１８μｍとして、電極面積率を８０．４％とした場合と５５．８％とした場合において、電圧を変化させて回折光量の変化を測定した結果を示す。この場合、孔部の径Ｄが３μｍの場合は電圧を増加させても光量があまり低減化せず、良好な結果を得ているが、径を６μｍ以上とする場合は光量が低減化しており、回折損失が生じていることがわかる。
【００３４】
図７においては、図６に示す例と同様の液晶材料を用い、孔部の径及び面積率を同様に選定して、液晶材料の厚さを１６μｍとして測定した結果を示す。この場合、孔部の径Ｄが３μｍ及び６μｍとされた場合において、光量が保持され、回折損失が低減化されていることがわかる。
【００３５】
図８及び図９においては、図６及び図７において説明した材料とは異なる液晶材料をそれぞれ用いて、液晶材料の厚さは６μｍ、孔部の径Ｄを３μｍとして、そのピッチＰを５μｍ、５．５μｍ、６μｍに変化させて光量の変化を測定した結果を示す。図６及び図７に示す各液晶材料を用いた例においては共に、ピッチによらずに光量の変化が少なく、回折損失が低減化されていることがわかる。
【００３６】
一方、図１０及び図１１においては、図８及び図９において示す液晶材料をそれぞれ用いて、液晶材料の厚さは６μｍ、孔部の径Ｄを６μｍとして、そのピッチを１０μｍ、１１μｍ及び１２μｍに変化させて光量の変化を測定した結果を示す。図１０及び図１１から明らかなように、この場合は回折損失が生じていることがわかる。
【００３７】
以上の結果から、上述の入射光波長（４０５ｎｍ）を用いる場合、孔部の径が３μｍの場合においては、液晶材料やその厚さによらずに回折損失を低減化することができることがわかる。
一方、孔部の径が６μｍ以上とされる場合は回折損失が見られるが、径が６μｍのときは、液晶材料やその厚さを適切に選定する場合は回折損失が抑制されることがわかる。
したがって、この結果から、使用する波長の１０倍以下の大きさの孔部を設けることによって、回折損失を低減化することができることがわかる。
また、波長の２０倍以下の大きさの孔部を設ける場合は、条件によっては回折損失を抑制することができるといえる。
孔部の大きさとしては、液晶材料を用いる場合は、液晶分子を適切に配向させるために、液晶分子の大きさ以上であることが必要となる。
【００３８】
尚、本発明は、上述の例に限定されることなく、その他種々の材料構成を採り得る。例えば、図１２に示すように、中央部の電極領域１３の中心部分に孔部形成領域１６を設ける構成としてもよい。波長が例えば４０５ｎｍの入射光を用いる際に、ＩＴＯなどの透明導電性材料の透過率が十分出ない場合には、このように電極領域の面積を抑制することによって、光量損失量を低減化することができる。
【００３９】
また他の例として、図１３に示すように、電極領域の一部を孔部形成領域とは異なる材料により構成することもできる。この場合、電極領域１１、１２及び１３の一部に例えば細いリング状、ライン状の高導電性領域１７、１８及び１９を設けることによって、給電部分の電圧降下量を防止する効果が得られる。高導電性領域の材料としては、Ｃｒなどの通常の電極材料を用いることができる。また、高導電性領域を形成する位置は、他の電極領域の上層でも下層でもよく、電極領域の一部をパターニングして被着形成することも可能である。このような構成とすることによって、給電部分の電位を安定させて、電圧降下による電圧印加プロファイルの乱れを防止することができる。
【００４０】
以上説明したように、本発明による位相補正光学素子は、孔部形成領域における孔部の大きさ、密度、又は配置などを適切に選定することによって、所望の位相補正プロファイルを有する構成を簡単に実現することができる。
前述した上記特許文献１及び２に記載された構成と比較すると、電極構成の自由度が確保され、また抵抗値の分布も自由に選定することができ、孔部の形状を適切に選定することによって、回折損失を確実に低減化することも可能である。
【００４１】
また、本発明による場合は、電極パターンを分割する必要がないために、収差発生に寄与しない領域の面積を格段に低減化することができる。
更に、電極構成材質を１種類で構成することができるとともに、電極は１層という簡単な構成である。そのため、成膜工程・電極材料のパターニング工程がそれぞれ１工程でよく、生産性に有利となる。また、高抵抗導電膜などの特殊な材料を用いることなく信頼性の高い材料のみで構成することができる。
また、電極の分割位置を自由に選定することができ、補正される球面収差の設計、具体的には例えば前述したＳＡ３、ＳＡ５の比率などを自由に設計することができるという利点を有する。
これにより、精度良くレンズの収差を補正でき、また信頼性の高い位相補正光学素子を提供することができ、これを用いた光学ピックアップ装置において、コスト高を招来することなく、特性の向上を図ることができる。
【００４２】
尚、本発明による位相補正光学素子及び位相補正方法は、光学ピックアップ装置に限定されることなく、その他の種々の光学装置における位相補正用として用いることができ、また本発明構成を逸脱しない範囲において、種々の変形、変更が可能であることはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明による位相補正光学素子の一例の要部の概略平面図である。
【図２】本発明による位相補正光学方法の説明に供する概略平面図である。
【図３】本発明による位相補正光学素子の一例の要部の概略平面図である。
【図４】本発明による位相補正光学素子の一例の概略斜視図である。
【図５】光学ピックアップ装置の一例の概略構成図である。
【図６】本発明による位相補正光学素子の各例の印加電圧に対する回折光量を示す図である。
【図７】本発明による位相補正光学素子の各例の印加電圧に対する回折光量を示す図である。
【図８】本発明による位相補正光学素子の各例の印加電圧に対する回折光量を示す図である。
【図９】本発明による位相補正光学素子の各例の印加電圧に対する回折光量を示す図である。
【図１０】本発明による位相補正光学素子の各例の印加電圧に対する回折光量を示す図である。
【図１１】本発明による位相補正光学素子の各例の印加電圧に対する回折光量を示す図である。
【図１２】本発明による位相補正光学素子の一例の要部の概略平面図である。
【図１３】本発明による位相補正光学素子の一例の要部の概略平面図である。
【符号の説明】
【００４４】
１．孔部、１０．電極、１１．電極領域、１１ａ．電極取り出し部、１２．電極領域、１２ａ．電極取出し部、１３．電極領域、１４．孔部形成領域、１５．孔部形成領域、１６．孔部形成領域、１７．高導電性領域、１８．高導電性領域、１９．高導電性領域、２１．第１の基板、２２．電極、２３．電極、２４．電極、２５．接続部、３１．第２の基板、３２．配向膜、３３．異方性光学媒質、３４．配向膜、４１．第３の基板、４２．配向膜、４３．異方性光学媒質、４４．配向膜、５０．記録媒体、５１．光源、５２．コリメートレンズ、５３．偏光ビームスプリッタ、５４．位相補正光学素子、５５．１／４波長板、５６．レンズ、５７．アクチュエータ、５８．レンズ、５９．受光素子、６０．位相補正制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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