(57)【要約】【課題】  被加工物の裏面とシール部との密着性を確保することができる吸着治具を提供する。【解決手段】  吸着治具１２は、円板状のプレート本体１３の表面から突出された複数のピン１４と、プレート本体１３の表面側周縁部付近から複数のピン１４を包囲するように突出されたシール部１５とを備える。複数のピン１４とシール部１５の上端面に半導体ウェーハ１１の裏面を当接させた状態で半導体ウェーハ１１を保持する。複数のピン１４の高さとシール部１５の高さを同一にし、シール部１５の内径を、シール部１５の内径の位置における半導体ウェーハ１１の裏面のＲＯＡが０．１μｍ以下になるように設定した。【選択図】  図１
2006054379.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円板状のプレート本体の表面から突出して設けられた複数のピンと、前記プレート本体の表面から突出して設けられ、前記複数のピンを囲繞するように前記プレート本体の周縁部に配置されたシール部とを備え、前記複数のピンにより被加工物の裏面を保持する吸着治具において、
前記複数のピンの高さと前記シール部の高さを同一にし、
前記シール部の内径を、前記シール部の内径の位置における前記被加工物の裏面のＲＯＡが０．１μｍ以下になるように設定したことを特徴とする吸着治具。
【請求項２】
前記シール部の内径を、前記シール部の内径の位置における前記被加工物の裏面のＲＯＡが０．０５μｍ以下になるように設定したことを特徴とする請求項１に記載の吸着治具。
【請求項３】
前記シール部の内径を、前記被加工物の外径よりも２〜６ｍｍ小さくなるように設定したことを特徴とする請求項１または２に記載の吸着治具。
【請求項４】
前記シール部の幅が、前記シール部の高さ以上の長さであることを特徴とする請求項１〜３の何れか１つに記載の吸着治具。
【請求項５】
前記シール部の幅が０．２〜０．５ｍｍであることを特徴とする請求項１〜４の何れか１つに記載の吸着治具。
【請求項６】
被加工物の表面を研磨する研磨クロスを備えた定盤と、被加工物を保持して前記研磨クロスに被加工物を圧接させる吸着治具と、を備え、被加工物を前記研磨クロスに圧接させた状態で前記定盤と前記吸着治具を相対的に変位させることにより被加工物を研磨する研磨装置において、
前記吸着治具が、上記請求項１〜５の何れか１つに記載された吸着治具であることを特徴とする研磨装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、半導体ウェーハ等の被加工物を負圧により吸着保持し、加工時の固定や搬送などに用いることができる吸着治具および研磨装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、平板状の半導体ウェーハを研削加工や研磨加工を行う際、或いは、その加工工程を行うために搬送する際に、真空引きによる負圧技術を利用して、半導体ウェーハを着脱自在に吸着保持する吸着治具が知られている。
【０００３】
半導体デバイスを作製するための原料ウェーハとして用いられるウェーハは、チョクラルスキー法（ＣＺ法）や浮遊帯域溶融法（ＦＺ法）等により単結晶の半導体インゴットを成長させ、成長した半導体インゴットの外周を円筒研削盤等により研削して整形し、これをスライス工程でワイヤソーによりスライスして形成される。その後、研磨装置によりウェーハの表面を粗研磨並びに仕上げ研磨を行い、ウェーハ洗浄を施して鏡面ウェーハとしている。
【０００４】
このような各種工程を経て得られた鏡面ウェーハの表面に回路を形成して半導体デバイスを作製するため、近年の高精度のデバイス作製ではウェーハに対して極めて高い平坦度が要求される。例えば、ウェーハの表面平坦度が低いと、フォトリソグラフィ工程における露光時にレンズ焦点が部分的に合わなくなり、回路の微細パターン形成が難しくなるという問題が生ずる。また、半導体ウェーハのみならず、液晶基板等の平坦面を有する被研磨物においても表面を高平坦にすることが求められている。
【０００５】
図６〜図８は、このような半導体デバイスを作製する際にシリコンウェーハを着脱自在に吸着保持する吸着治具の一例を示す（特許文献１参照）。図６は従来の吸着治具の平面図、図７（Ａ）は従来の吸着治具の要部の縦断面図、図７（Ｂ）は従来の吸着治具にウェーハを保持した状態の要部の縦断面図、図８（Ａ）は従来の吸着治具の寸法関係を示す要部の縦断面図、図８（Ｂ）は従来の吸着治具とウェーハとの関係を示す要部の拡大断面図である。
【０００６】
半導体ウェーハ１を吸着保持する吸着治具２は、直径Ｗ１が２００ｍｍで厚さが２０ｍｍの円板状の基板３を有し、その基板３の吸着面側に多数の突起状のピン４が格子状に配置されている。また、吸着治具２は、このピン４の周囲を囲むように環状に突出された土手状のシール部５が形成されている。さらに、吸着治具２には、中央とその周囲８カ所の合計９カ所に、その厚み方向に貫通する小径の吸着孔６が形成されている。
【０００７】
図８に示すように、ピン４は先端の直径Ｄが０．１５〜０．５ｍｍの円錐台形状をしており、その中心間距離Ｐは１ｍｍとなっている。また、多数のピン４のうち、シール部５の近傍に配置されたピン４の高さＨは０．１〜０．５ｍｍである。このピン４は、その先端が被加工物である半導体ウェーハ１の裏面と接して、半導体ウェーハ１の裏面側の平面度を維持するためのものである。ただし、特許文献１においては中央付近に配置されたピン４は、シール部５の近傍に配置されたピン４に対して０．１〜２μｍ程度低くなっている。吸着前の状態では、吸着治具２の中央付近に配置されたピン４の先端と半導体ウェーハ１の裏面との間には、シール部５の近傍に配置されたピン４との高さの差に相当する隙Ｇができており、吸着時には半導体ウェーハ１が撓って裏面が密着する。
【０００８】
シール部５は、その近傍に配置されたピン４の高さＨと同じ高さとされ、その幅Ｔは０．２〜０．５ｍｍである。このシール部５は全てのピン４を囲むように円環状に連続している。図７（Ｂ）に示すように半導体ウェーハ１は、その裏面の周囲がシール部５を跨ぐように配置される。この際、吸着治具２の表面のうち、シール部５で囲まれた表面を吸着面としており、その吸着面の直径、即ち、シール部５の内径Ｗ２は１９８ｍｍである。
【０００９】
吸着面には少なくとも１つの吸着孔６を備え、吸着孔６は吸着治具２を厚さ方向に貫通して図示を略するバキューム装置に接続している。そして、バキューム装置で吸引することにより、シール部５と半導体ウェーハ１の裏面が密着する。半導体ウェーハ１の裏面とシール部５及び吸着面によって囲まれた気密空間は負圧状態となり、半導体ウェーハ１はピン４とシール部５に支えられて吸引保持される。
【特許文献１】特開２００１−１７６９５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、ウェーハの研磨工程では、半導体ウェーハ１の裏面側を吸着治具２で真空吸着した状態で半導体ウェーハ１の表面側を研磨クロスに押し付け、研磨クロスと吸着治具２とを相対移動させて半導体ウェーハ１の表面研磨を行う。
この際、ピン４は、半導体ウェーハ１の研磨後の平坦度に大きく影響するため、吸着治具２の各ピン４の先端は０．６μｍ以下の平坦度に仕上げられている。
【００１１】
一方、半導体ウェーハ１の裏面外周には前工程までに発生した面ダレが局所的に残存している。このような面ダレを矯正して吸着することも考えられるが、局所的な面ダレを矯正することができるほどの吸引力を発生させてしまうと、ピン４の先端によって半導体ウェーハ１が裏面側から突き上げられる状態となり、ピン４の位置に対応して窪み（ディンプル）が発生する要因となってしまう。そのため、吸着治具２は、半導体ウェーハ１を真空吸着した際、半導体ウェーハ１の反りをある程度矯正する力はあるが、半導体ウェーハ１の裏面外周に残存した局所的な面ダレを矯正することができるほどの吸着力は持ち合わせていないのが通常である。
【００１２】
これに対し、上記の如く構成された吸着治具２にあっては、直径２００ｍｍのウェーハに対して、吸着面として機能するシール部５の内径Ｗ１は１９８ｍｍに設定されており、そのシール部５の径方向の幅Ｔは０．２〜０．５ｍｍに設定されている。
【００１３】
このように単にシール部５の内径Ｗ１を１９８ｍｍに設定しただけでは、半導体ウェーハ１の裏面外周に発生した面ダレのダレ量が大きい半導体ウェーハ１を真空吸着した場合、図８（Ｂ）に示すように半導体ウェーハ１とシール部５との間に隙間が発生してしまい、密閉性が損なわれて半導体ウェーハ１を保持するための真空度が落ちるという問題が生じていた。
【００１４】
また、このような隙間は半導体ウェーハ１を研磨する際に用いられるスラリ７を吸い込む原因にもなっている。このように半導体ウェーハ１の裏面に回り込んだスラリ７はシール部５の上に堆積し、次の新たな半導体ウェーハ１を吸着する際に隙間を作る要因となったり、ウェーハ表面へのディンプルの発生要因となったりもする。さらに、半導体ウェーハ１の裏面に回り込んだスラリ７が固着することにより、半導体ウェーハ１の裏面にシミが発生する場合がある。このようなシミは、研磨工程後の洗浄工程でも除去するのは困難であり、結果的にその半導体ウェーハ１は不良品になってしまうという問題が生じていた。
【００１５】
特に、上述した吸着治具２は、その中央付近に設けられたピン４の高さがシール部５の近傍に設けられたピン４よりも低く形成されている。そのため、半導体ウェーハ１を吸着保持した際に、半導体ウェーハ１の裏面を中央付近に設けられたピン４に当接させると、その全体が反り返るようになるため、半導体ウェーハ１の外周付近には上述した隙間が発生し易いばかりでなく、周囲に配置された高いピン４からの突き上げによりディンプルが発生し易いという問題も生じていた。
【００１６】
本出願に係る発明は、上記のような問題点を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、被加工物の裏面とシール部との密着性を確保することができる吸着治具を提供することにある。
【００１７】
また、本出願に係る発明の他の目的は、シール部の外側でのスラリの残存を防止することができる吸着治具を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記の目的を達成するため、本出願に係る第１の発明は、円板状のプレート本体の表面から突出して設けられた複数のピンと、前記プレート本体の表面から突出して設けられ、前記複数のピンを囲繞するように前記プレート本体の周縁部に配置されたシール部とを備え、前記複数のピンにより被加工物の裏面を保持する吸着治具において、前記複数のピンの高さと前記シール部の高さを同一にし、前記シール部の内径を、前記シール部の内径の位置における前記被加工物の裏面のＲＯＡが０．１μｍ以下になるように設定したことを特徴とする吸着治具である。
上記の発明によれば、複数のピンの高さとシール部の高さとが同一で、被加工物の裏面外周付近のＲＯＡが０．１μｍ以下になるようにシール部の内径を設定していることにより、被加工物の裏面とシール部との間の隙間を発生し難くすることができる。
【００１９】
また、本出願に係る第２の発明は、前記シール部の内径を、前記シール部の内径の位置における前記被加工物の裏面のＲＯＡが０．０５μｍ以下になるように設定したことを特徴とする上記第１の発明に記載の吸着治具である。
上記の発明によれば、被加工物の裏面外周付近のＲＯＡが０．０５μｍ以下になるようにシール部の内径を設定していることにより、被加工物の裏面とシール部との間の隙間をより一層、発生し難くすることができる。
【００２０】
さらに、本出願に係る第３の発明は、前記シール部の内径を、前記被加工物の外径よりも２〜６ｍｍ小さくなるように設定したことを特徴とする上記第１または第２の発明に記載の吸着治具である。
上記の発明によれば、シール部の内径を被加工物の外径よりも２〜６ｍｍ小さくなるように設定したことにより、被加工物外周部のシール部より突き出る量を少なくし、外周部の撓りを低減させ、研磨時の平坦度を高く維持することができる。
【００２１】
また、本出願に係る第４の発明は、前記シール部の幅が、前記シール部の高さ以上の長さであることを特徴とする上記第１〜第３の発明の何れか１つに記載の吸着治具である。
上記の発明によれば、シール部の強度を適切に保つことができ、シール部の割れや欠けを防止することができる。
【００２２】
さらに、本出願に係る第５の発明は、前記シール部の幅が０．２〜０．５ｍｍであることを特徴とする上記第１〜第４の発明の何れか１つに記載の吸着治具である。
上記の発明によれば、シール部の幅が０．２〜０．５ｍｍであることから、シール部の周端面へのゴミの付着やスラリの付着を低減することができる。
【００２３】
また、本出願に係る第６の発明は、被加工物の表面を研磨する研磨クロスを備えた定盤と、被加工物を保持して前記研磨クロスに被加工物を圧接させる吸着治具と、を備え、被加工物を前記研磨クロスに圧接させた状態で前記定盤と前記吸着治具を相対的に変位させることにより被加工物を研磨する研磨装置において、前記吸着治具が、上記第１〜第５の発明の何れか１つに記載された吸着治具であることを特徴とする研磨装置である。
上記の発明によれば、被加工物を高平坦に研磨することができる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の吸着治具によれば、被加工物の裏面とシール部との密着性を確保することができる。
また、シール部にスラリが堆積するのを低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
次に、本発明の吸着治具について図面に基づいて詳細に説明する。尚、以下の説明では、被加工物としての半導体ウェーハを保持する例を示し、その半導体ウェーハの外径を２００ｍｍとして説明するが、被加工物としての対象や外径はこれらに限定されるものではない。また、研磨装置の全体構造については、周知であるため具体的な図示は省略する。
【００２６】
本願においては、被加工物として半導体ウェーハを例にして説明しているが、半導体ウェーハに通常形成されているノッチやオリエンテーションフラット（以下、「ＯＦ」と称す）といった切り欠きについては図示を省略し、具体的に図示していない。しかしながらこれは、本願の対象とする半導体ウェーハにノッチやＯＦが形成されていないことを意味しているのではない。本願においてシール部とは、少なくともノッチやＯＦに対応する部分を除いたシールを意味しており、ノッチやＯＦに対応する部分のシールの形状を何ら限定するものではない。
【００２７】
図１〜図５は、本発明の吸着治具を示す。図１は本発明の吸着治具と半導体ウェーハとの関係を示す斜視図、図２は本発明の吸着治具の平面図、図３（Ａ）は本発明の吸着治具の寸法関係を示す要部の縦断面図、図３（Ｂ）はＲＯＡの説明図、図４（Ａ）は本発明の吸着治具の変形例を示す要部の縦断面図、図４（Ｂ）は本発明の吸着治具の変形例を示す要部の拡大縦断面図、図５（Ａ）は本発明の吸着治具の他の応用例を示す要部の縦断面図、図５（Ｂ）は本発明の吸着治具の他の応用例を示す要部の拡大縦断面図である。
【００２８】
図１において、半導体ウェーハ１１を吸着保持する吸着治具１２は、直径Ｗ１が半導体ウェーハ１１の外径と同じ２００ｍｍの円板状のプレート本体１３と、このプレート本体１３の吸着面側である表面から突出された多数のピン１４と、このピン１４の周囲を囲むようにプレート本体１３の表面から円環状に突出された土手状のシール部１５とを備えている。また、吸着治具１２には、適宜の８カ所に、その厚み方向に貫通する小径の吸着孔１６が形成されている。
【００２９】
図３に示すようにピン１４は、先端の直径Ｄが０．３ｍｍの円柱形状をしており、その中心間距離Ｐは２ｍｍで全体として格子状に配置されている。また、各ピン１４の高さＨは０．２ｍｍである。尚、このピン１４は、その先端面が被加工物である半導体ウェーハ１１の裏面と接して、半導体ウェーハ１１の裏面側の平面度を維持するためのものである。このように、半導体ウェーハ１１の裏面との接触面積を少なくすることにより、半導体ウェーハ１１と吸着治具１２の間における異物の噛み込みを低減し、高平坦度を保っている。
【００３０】
シール部１５は、ピン１４と同一高さに設定し、その幅Ｔを０．２〜０．５ｍｍにしている。シール部１５の幅Ｔは、異物の噛み込みという観点からは細いほど良いが、強度の面からは少なくともシール部１５の高さ以上の長さを有することが望ましい。このシール部１５は全てのピン１４を囲むように円環状に連続しており、図３（Ａ）に示すように、半導体ウェーハ１１の裏面である被研磨面の周囲がシール部１５を跨ぐように、半導体ウェーハ１１を配置する。
【００３１】
この際、吸着治具１２の吸着面のうち、シール部１５で囲まれた表面を吸着面とする。シール部１５の内径は、半導体ウェーハ１１の裏面とシール部１５との隙間にスラリが吸い込まれないように、図３（Ｂ）に示すＲＯＡ（Ｒｏｌｌ  Ｏｆｆ  Ａｍｏｕｎｔ）を考慮して決定する。ＲＯＡは、半導体ウェーハ１１の外周に形成された面取り部分よりも内側に発生する、基準平面からのダレ量のことであり、０．１μｍ以下になるようにすることが必須であり、より好ましくは０．０５μｍ以下になるようにする。
【００３２】
また、シール部１５より突き出たウェーハ外周部には吸着力が働かないため、シール部１５の内径Ｗ２が小さすぎる場合にはウェーハ外周部が撓ってしまい、研磨時の平坦度を低下させる要因となる。そのため、シール部１５の内径Ｗ２は半導体ウェーハ１１の外径よりも２〜６ｍｍ小さくなる位置に設定することが望ましい。本実施例のように直径２００ｍｍの半導体ウェーハ１１の場合には、シール部１５の内径Ｗ２は１９４〜１９８ｍｍの範囲に設定することが望ましい。
【００３３】
なお、現在の半導体ウェーハ１１の裏面加工精度によれば、ＲＯＡは面取り部分よりも内側１ｍｍの位置で平均０．１２μｍ程度、内側１．５ｍｍの位置で平均０．０５μｍ程度になっている。
【００３４】
吸着面には少なくとも１つの吸着孔１６を備え、吸着孔１６は吸着治具１２を厚さ方向に貫通して図示を略するバキューム装置に接続しており、バキューム装置で吸引することにより、シール部１５と半導体ウェーハ１１の裏面が密着する。半導体ウェーハ１１の裏面とシール部１５及び吸着面によって囲まれた気密空間は負圧状態となり、半導体ウェーハ１１はピン１４とシール部１５に支えられて吸引保持される。
【００３５】
このようにシール部１５の内径を、半導体ウェーハ１１の裏面とシール部１５との隙間を考慮して設定しているため、両者間の密着性が良好に確保され、スラリがシール部１５の上やシール部１５の内側に入り込むことが無くなる。
【００３６】
その結果、シール部１５の上にスラリが堆積するのを防ぐことができ、次の新たな半導体ウェーハ１１を吸着する際に、シール部１５と半導体ウェーハ１１の間にスラリを噛み込むといった悪影響を低減させることができる。
【００３７】
また、半導体ウェーハ１１の裏面側にスラリを吸い込まないため、半導体ウェーハ１１の裏面におけるスラリの固着によるシミの発生を防ぐことができる。
【００３８】
ところで、上記実施例では、プレート本体１３のシール部１５の外側に位置する表面をシール部１５の内側に位置する表面と同一平面上に位置したものとして開示したが、上述したスラリの残存をより抑制する構造とすることも可能である。
【００３９】
図４（Ａ）および（Ｂ）は、このようなスラリの残存を抑制するための１変形例を示す。図４（Ａ）において、プレート本体２３は、プレート本体２３の吸着面側である表面から突出された多数のピン２４と、このピン２４の周囲を囲むようにプレート本体２３の表面から円環状に突出された土手状のシール部２５とを備えている。なお、ピン２４とシール部２５の各寸法等の条件は上記実施例と同様である。
【００４０】
シール部２５の外側には、シール部２５の外周側壁面２５ａとプレート本体２３の表面２３ａによって切欠部２８が形成されている。この切欠部２８は、図４（Ｂ）に示すように、外周側壁面２５ａと表面２３ａとの境界である角部が円弧状にＲ形状で連続している。また、表面２３ａは、プレート本体２３の外周部の肉厚が外方に向かうほど薄肉となるように傾斜している。このように、外周側壁面２５ａと表面２３ａとの境界である角部を円弧形状で連続させることにより、角部にスラリ２７が溜まるのが防止され、さらに、表面２３ａを傾斜させることによりスラリ２７が吸着治具の外側に自然に排出される。なお、図４（Ａ）（Ｂ）においては表面２３ａは平面状に傾斜しているが、円弧状になだらかに傾斜しても良い。
【００４１】
また、切欠部２８は、Ｒ形状部分を含めた外周側壁面２５ａから表面２３ａの全面にわたって研磨加工が施されており、具体的には、表面粗さに関するＪＩＳ  Ｂ  ０６０１及びＪＩＳ  Ｂ  ００３１で定める算術平均粗さＲａを０．０５μｍ以下、同じく最大高さＲｙを０．５μｍとした鏡面研磨加工が施されている。
【００４２】
これにより、上述したスラリ２７がより一層付着し難くいうえに吸着治具の外側へ飛散し易くなり、しかも、半導体ウェーハ１１の吸着終了後にブラシ洗浄を行った際の洗浄効果を良好に発揮することができる。
【００４３】
図５（Ａ）および（Ｂ）は、スラリの残存を抑制するための他の１応用例を示す。図５（Ａ）においてプレート本体３３は、プレート本体３３の吸着面側である表面から突出された多数のピン３４と、このピン３４の周囲を囲むようにプレート本体３３の表面から円環状に突出された土手状のシール部３５とを備えている。尚、ピン３４とシール部３５の各寸法等の条件は上記実施例と同様である。
【００４４】
シール部３５の外側は、プレート本体３３の外周部に向かうにつれてシール部３５の高さが低くなるように面取り３３ａを施している。面取り３３ａは、上述した切欠部２８と同様の作用を果たすように機能する。図５（Ａ）（Ｂ）においては、面取り３３ａは平面取りとして示しているが、平面取りの必要はなく、円弧状に面取りを施しても良い。
【００４５】
面取り３３ａは、全面にわたって研磨加工が施されており、具体的には、表面粗さに関するＪＩＳ  Ｂ  ０６０１及びＪＩＳ  Ｂ  ００３１で定める算術平均粗さＲａを０．０５μｍ以下、同じく最大高さＲｙを０．５μｍとした鏡面研磨加工が施されている。
【００４６】
これにより、上述したスラリ２７がより一層付着し難くいうえに飛散し易くなり、しかも、半導体ウェーハ１１の吸着終了後のブラシ洗浄等を行った際の洗浄効果を良好に発揮することができる。
本出願は特許請求の範囲に記載したもの以外に、以下の発明も包含する。
【００４７】
１．円板状のプレート本体の表面から突出して設けられた複数のピンと、前記プレート本体の表面から突出して設けられ、前記複数のピンを囲繞するように前記プレート本体の周縁部に配置されたシール部とを備え、前記複数のピンにより被加工物の裏面を保持する吸着治具において、
前記シール部の外側に位置して、前記シール部の外周側壁面と前記プレート本体の表面とで形成される切欠部の深さを０．１ｍｍ以上としたことを特徴とする吸着治具。
上記の発明によれば、シール部の外周側壁面とプレート本体の表面とで形成される切欠部を０．１ｍｍ以上の深さにすることにより、シール部と被加工物の間にスラリが浸入するのを効果的に防止することができる。
【００４８】
２．前記切欠部において、前記シール部の外周側壁面と前記プレート本体の表面とでなす角部をＲ形状で連続させたことを特徴とする吸着治具。
上記の発明によれば、シール部の外周側壁面とプレート本体の表面とでなす角部がＲ形状で連続されていることにより、角部でのスラリの滞留を防止することができる。また、プレート本体をブラシ洗浄する際に角部でのスラリの除去を容易に行うことができる。
【００４９】
３．前記切欠部において、前記プレート本体の表面を前記プレート本体の外周側に向かうにつれて前記プレート本体が肉薄となるように傾斜させたことを特徴とする吸着治具。
上記の発明によれば、切欠部のプレート本体の表面側の面をプレート本体が外方に向かうほど薄肉となるように傾斜させたことにより、この傾斜面に沿ってスラリを飛散し易くすることができる。
【００５０】
４．前記切欠部の表面に鏡面研磨加工を施したことを特徴とする吸着治具。
上記の発明によれば、切欠部の表面に鏡面研磨加工が施されていることにより、スラリの飛散を一層促進することができ、またスラリの付着を低減することができる。
【００５１】
５．前記切欠部の表面粗さを、算術平均粗さ（Ｒａ）で０．０５μｍ以下に、最大高さ（Ｒｙ）で０．５μｍ以下にしたことを特徴とする吸着治具。
上記の発明によれば、切欠部の表面の算術平均粗さを０．０５μｍ以下に、最大高さを０．５μｍ以下にすることによって、スラリの飛散をより一層促進することができる。
【００５２】
６．前記シール部の外周側角部を面取りしたことを特徴とする吸着治具。
上記の発明によれば、シール部の外周側角部を面取りしたことにより、シール部と被加工物の間にスラリが浸入するのを効果的に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の吸着治具と半導体ウェーハとの関係を示す斜視図である。
【図２】本発明の吸着治具の平面図である。
【図３】（Ａ）は本発明の吸着治具の寸法関係を示す要部の縦断面図、（Ｂ）はＲＯＡの説明図である。
【図４】（Ａ）は本発明の吸着治具の変形例を示す要部の縦断面図、（Ｂ）は本発明の吸着治具の変形例を示す要部の拡大縦断面図である。
【図５】（Ａ）は本発明の吸着治具の他の応用例を示す要部の縦断面図、（Ｂ）は本発明の吸着治具の他の応用例を示す要部の拡大縦断面図である。
【図６】従来の吸着治具の平面図である。
【図７】（Ａ）は従来の吸着治具の要部の縦断面図、（Ｂ）は従来の吸着治具にウェーハを保持した状態の要部の縦断面図である。
【図８】（Ａ）は従来の吸着治具の寸法関係を示す要部の縦断面図、（Ｂ）は従来の吸着治具とウェーハとの関係を示す要部の拡大断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１…半導体ウェーハ
２…吸着治具
３…基板
４…ピン
５…シール部
６…吸着孔
７…スラリ
１１…半導体ウェーハ
１２…吸着治具
１３…プレート本体
１４…ピン
１５…シール部
１６…吸着孔
２３…プレート本体  ２３ａ…表面
２４…ピン
２５…シール部  ２５ａ…外周側壁面
２７…スラリ
２８…切欠部
３３…プレート本体  ３３ａ…面取り
３４…ピン
３５…シール部。
【図１】
2006054379.tif 000003
【図２】
2006054379.tif 000004
【図３】
2006054379.tif 000005
【図４】
2006054379.tif 000006
【図５】
2006054379.tif 000007
【図６】
2006054379.tif 000008
【図７】
2006054379.tif 000009
【図８】
2006054379.tif 000010