(57)【要約】【課題】  脆くて劈開性が強い単結晶シリコン基板を研磨する際に、基板端面に傷等が発生するのを防ぎ、端面からの発塵を防止し、後行程でカセットに収納時にカセットとのこすれによる発塵を起こし難く、基板の割れを防ぐことができる研磨用キャリアを提供する。さらにこの研磨用キャリアを使用したシリコン基板の製造方法並びにシリコン基板を提供する。【解決手段】  研磨用キャリアの基板保持孔の内周部分のシリコン基板と接触する部分を、シリコン基板よりも硬度の低いクッション材で構成する。クッション材としては、例えばスエード、ポリアミド樹脂、ポリプロピレン樹脂もしくはエポキシ樹脂から選ばれたいずれか１種のものが使用でき、特にエポキシ樹脂が好んで使用できる。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録媒体用シリコン基板を保持する基板保持孔を有する研磨用キャリアであって、前記基板保持孔の内周部分の前記シリコン基板と接触する部分が、シリコン基板よりも硬度の低いクッション材からなることを特徴とする研磨用キャリア。
【請求項２】
前記クッション材が、エポキシ樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の研磨用キャリア。
【請求項３】
前記クッション材が、スエード、ポリアミド樹脂、もしくはポリプロピレン樹脂から選ばれたいずれか１種であることを特徴とする請求項１に記載の研磨用キャリア。
【請求項４】
前記クッション材の厚さが１ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の研磨用キャリア。
【請求項５】
前記クッション材の内周面にシリコン基板と接する複数の突起を設けてなることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の研磨用キャリア。
【請求項６】
前記突起の数が３個ないし６個であることを特徴とする請求項５に記載の研磨用キャリア。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の研磨用キャリアを用いて磁気記録媒体用シリコン基板を研磨することを特徴とする磁気記録媒体用シリコン基板の製造方法。
【請求項８】
磁気記録媒体用シリコン基板の研磨をサンギアとインターナルギアとの噛み合わせにより基板を回転させて行うことを特徴とする請求項７に記載の磁気記録媒体用シリコン基板の製造方法。
【請求項９】
請求項７または請求項８に記載の磁気記録媒体用シリコン基板の製造方法を用いて製造した磁気記録媒体用シリコン基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体用のシリコン基板の研磨方法に係わり、より詳しくは磁気記録媒体用のシリコン基板を研磨する際に使用する研磨用キャリアの構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年各種情報機器の進展にともない、磁気記録媒体の記憶容量は増大の一途をたどっている。特にコンピュータの外部メモリとして中心的な役割をはたしている磁気ディスクは年々記録容量、記録密度ともに増加しているが、更に高密度な記録を行なうための開発が必要とされている。例えば、ノート型パソコンやパームトップパソコンの開発により、小型で衝撃に強い記録装置が望まれ、そのためにより高密度記録ができ、機械強度の強い磁気記録媒体が望まれている。さらに最近ではナビゲーションシステムや携帯用音楽再生装置にも、超小型の磁気記録媒体を使用したものが採用されるようになってきた。
【０００３】
従来より、この磁気記録媒体である磁気ディスク用の基板としては、アルミニウム合金およびその表面にＮｉＰメッキ処理をしたものやガラス基板が採用されている。しかしながら、アルミニウム合金の基板は耐摩耗性，加工性が悪く、この欠点を補うためにＮｉＰメッキ処理を施すが、このＮｉＰメッキ処理を施したものでは反りが生じ易く、かつ高温処理時に磁性を帯びる等の欠点を有する。また、ガラス基板は強化処理時に表面にひずみ層が発生し、圧縮応力が作用して基板加熱時に反りが生じ易いという問題点がある。
【０００４】
より高密度記録が可能な直径１インチ（２５．４ｍｍφ）や０．８５インチ（２１．６ｍｍφ）の超小型の磁気記録媒体の場合、基板の反りは致命的な欠点でてある。超小型の磁気記録媒体の基板としては、より薄く衝撃に耐えて外力に対して変形し難く、表面が平滑で磁気記録層の形成し易い材質のものが望まれる。
そこで半導体素子基板として多用されているシリコン基板を磁気記録媒体として使用することが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
単結晶シリコンはアルミニウムより比重が小さくてヤング率が大きく、熱膨脹率が小さくて高温特性が良く、導電性を有する等の多くの長所があるため、磁気記録媒体用の基板材として好ましいものである。基板の直径が小さくなるほど受ける衝撃力も小さくなり、シリコン基板を使用しても耐久性のある磁気記録装置とすることができる。
【０００５】
通常、磁気記録媒体用の基板は、円盤状の基板にラッピング加工やポリッシング加工を施して鏡面に仕上げて使用される。
円盤状の基板のラッピング加工又はポリッシング加工は、円板状の研磨用キャリアに設けられた複数の円形の基板保持孔に加工すべき基板を入れ、研磨装置の下定盤及び上定盤により基板を挟持した状態で、上下定盤を互いに逆回転させることにより行われる。ここで研磨用キャリアの外周部にはギアが形成されており、このギアが研磨装置のインターナルギア及びサンギアに噛合するようになっている。したがって、研磨用キャリアはインターナルギアとサンギアとの回転数の差により遊星運動を行い、これにより円盤状基板は両面を同時に鏡面になるまでラッピング又はポリッシングされる。
【０００６】
上記の研磨用キャリアとしては、例えば、ガラス織布にエポキシ樹脂を含浸乾燥して得たプリプレグを所定枚数重ねて一体に加熱加圧成形したものが知られている。この研磨用キャリアを用いてポリッシング加工した場合、基板端面の鏡面加工工程で一旦鏡面仕上げされた基板端面が、研磨用キャリア内で基板がこすれることにより端面まだらと呼ばれるすじ状の傷が発生することがある。この端面まだらのある基板の場合には、その後の行程で使用する収納容器との接触により発塵し、サーマルアスフェリティーを引き起こすという問題点が生じる。
【０００７】
そこで、ポリッシング加工等において基板の端面（外周側面）の傷等が発生するのを防ぐため、基板を保持する基板保持孔内周部分の基板と接触する部分を硬度１００以下（Ａｓｋｅｒ−Ｃ）の材料で構成することが提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
この提案に依れば、ガラス基板に対して基板と接触する部分をウレタン、スバ、ポリカーボネード、塩化ビニール、ゴムの何れかの材料で構成した基板保持孔を有する研磨用キャリアが開示され、ポリッシング加工等において基板の端面（外周側面）に傷等を発生させる恐れが無いとされている。
【特許文献１】特開昭５７−１０５８２６号公報
【特許文献２】特開２０００−２８８９２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながらシリコン基板はガラス基板よりも脆くて劈開性が強いので、ガラス基板用の研磨用キャリアでは、研磨加工時に基板の端面の傷の発生を抑えることは困難である。
本発明は脆くて劈開性が強い単結晶シリコン基板を研磨する際に、基板端面に傷等が発生するのを抑えることができ、端面からの発塵を防止し、後行程でカセットに収納時にカセットとのこすれによる発塵を起こし難く、基板の割れを防ぐことができる研磨用キャリアの構造を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため本発明は、以下に掲げた
（１）  磁気記録媒体用シリコン基板を保持する基板保持孔を有する研磨用キャリアであって、前記基板保持孔の内周部分の前記シリコン基板と接触する部分が、シリコン基板よりも硬度の低いクッション材から構成した研磨用キャリア、
（２）  前記クッション材として、エポキシ樹脂を使用した（１）に記載の研磨用キャリア、
（３）  前記クッション材として、スエード、ポリアミド樹脂、もしくはポリプロピレン樹脂から選ばれたいずれか１種を使用した（１）に記載の研磨用キャリア、
（４）  前記クッション材の厚さが１ｍｍ以下である（１）から（３）のいずれか１つに記載の研磨用キャリア、
（５）  前記クッション材の内周面にシリコン基板と接する複数の突起を設けた（１）から（４）のいずれか１つに記載の研磨用キャリア、
（６）  前記突起の数が３個ないし６個である（５）に記載の研磨用キャリア、
（７）  前記（１）ないし（６）のいずれか１つに記載の研磨用キャリアを用いて磁気記録媒体用シリコン基板を研磨する磁気記録媒体用シリコン基板の製造方法、
（８）  前記磁気記録媒体用シリコン基板の研磨をサンギアとインターナルギアとの噛み合わせにより基板を回転させて行う（７）に記載の磁気記録媒体用シリコン基板の製造方法、
（９）  前記（７）または（８）に記載の磁気記録媒体用シリコン基板の製造方法を用いて製造した磁気記録媒体用シリコン基板、
の発明を提供する。
基板保持孔のシリコン基板と接触する部分をこれらシリコン基板よりも硬度の低いクッション材にしておけば、研磨する際に傷等の発生を効果的に抑えることができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に依れば、脆くて劈開性が強い単結晶シリコン基板を研磨する際にも、傷等の発生を効果的に抑えることがでるので不良品の発生が低減して、超小型磁気記録媒体の普及に貢献するところがきわめて大きい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
（第１の実施形態）
図１は本発明の第１の実施形態にかかる研磨用キャリアの平面図、図２は図１の線Ａ−Ａ’に沿った断面図、図３は研磨用キャリアを研磨装置に装着した状態を示す図、図４は図３における部分断面図である。以下、これらの図面を参照にしながら説明する。
図１において、研磨用キャリア１は、円板状の基板保持部２と、該基板保持部の外周に嵌合固定されたギア部３とで構成されている。基板保持部２には複数の基板保持孔２ａ〜２ｇが形成されている。この基板保持孔２ａ〜２ｇは、磁気記録媒体用のシリコン基板を収納できる大きさを有するものである。シリコン基板の大きさに特に制限はないが、例えば超小型の磁気記録媒体用の直径１インチ（２５．４ｍｍφ）あるいは０．８５インチ（２１．６ｍｍφ）のシリコン基板が挙げられる。
【００１２】
図２は、図１の線Ａ−Ａ’に沿った断面で、基板保持部２を１層の硬質材料２４で形成し、各基板保持孔２ａ〜２ｇの内周面に軟質材料のクッション材２１を接着固定した研磨用キャリアの例である。クッション材２１を含む基板保持部２は、シリコン基板４の厚さよりもやや薄く構成されている。
硬質材料２４としては、例えば繊維強化エポキシ樹脂を使用し、クッション材２１としては、研磨パッドやシリコン基板よりも軟質の材料である、例えばエポキシ樹脂、スエードもしくはポリプロピレン樹脂から選ばれたいずれか１種が使用できる。
ポリッシング加工又はラッピング加工の際に使用する研磨パッドの硬度（Ａｓｋｅｒ−Ｃ）は１００未満なので、クッション材２１の硬度はＡｓｋｅｒ−Ｃで１００以下の上述した各材料にすることが好ましい。ちなみに、上述した各材料の硬度（Ａｓｋｅｒ−Ｃ）はそれぞれ、エポキシ樹脂：８０以下、スエード：５０〜８０、ポリプロピレン樹脂：７０〜１１０で、シリコン基板の硬度は１１０より遙かに大きい。
研磨用キャリアの基板保持部２をこのように構成しておけば、図２に示すようにシリコン基板４の端面（外周側面）４１は、比較的軟質のクッション材２１にのみ接触し、硬質材料２４であるエポキシ樹脂層には接触しないようになる。これにより、研磨中にシリコン基板４の端面（外周側面）４１に傷がつくおそれを効果的に防止することができる。
【００１３】
上述の例では硬質材料２４として、繊維強化エポキシ樹脂を用いた例を示したが、これはクッション材２１よりも硬質な材料であって、ポリッシング加工又はラッピング加工の際に基板表面の精度が出るものであれば良く、例えば、ガラスエポキシ（ＦＲＰ），ステンレス（ＳＵＳ）等の材料を用いることもできる。
さらに、研磨用キャリア１の厚さは、最終的に得ようとする基板の厚さによって適宜調整される。例えば、１インチのシリコン基板の場合、シリコン基板の厚さが０．３８１±０．０１０ｍｍなので、研磨用キャリア１の厚さはこれよりもやや薄く０．３〜０．３５ｍｍ程度にすることが好ましい。尚、基板と接触する研磨用キャリア１のクッション材２１の高さＨは研磨用キャリア１の厚さと同等もしくはそれ以下とする。また、クッション材２１の厚さＴは０．５〜１，０ｍｍ有れば充分である。
【００１４】
図１に示すギア部３は研磨装置におけるサンギア及びインターナルギアと噛合させて回転させるために、機械的耐久性、耐摩耗性の良いステンレスで構成され、基板保持部２の外周端面にその内周端面を接着して固定されている。
【００１５】
次に、図３及び図４を用いて研磨用キャリア１を研磨装置に装着し、被研磨体である磁気記録媒体用のシリコン基板４をポリッシング加工又はラッピング加工を行う研磨工程の概略を説明する。
図３は研磨用キャリア１を研磨装置に装着した状態を示す図である。
研磨装置においては、研磨用キャリア１は、それぞれ所定の回転比率で回転駆動されるインターナルギア５１及びサンギア５２を有する研磨用キャリア装着部５に装着される。
研磨用キャリア装着部５に、複数の研磨用キャリア１をセットすると、これら研磨用キャリア１のギア部３がインターナルギア５１及びサンギア５２と噛合されるようになっている。
また、図４に示すように研磨装置においては、この研磨用キャリア装着部５を挟んで上定盤５３と下定盤５４とが互いに逆回転駆動されていて、上定盤５３及び下定盤５４表面に貼られた研磨パッド５３ａ，５４ａによってシリコン基板４の表裏の面が同時にポリッシング又はラッピングされる。
各研磨用キャリア１の基板保持孔２ａ〜２ｇに被研磨体である磁気記録媒体用のシリコン基板４をセットして研磨を開始すると、研磨用キャリア１はインターナルギア５１及びサンギア５２との回転数の差により遊星運動を行う。同時に、上定盤５３及び下定盤５４は互いに逆回転し、それらの表面に貼り着けられた研磨パッド５３ａ，５４ａによってシリコン基板４の表裏の面が同時にポリッシング又はラッピングされる。
【００１６】
通常、磁気記録媒体用の基板は、荒ずり→ラッピング（砂掛け）→端面鏡面工程→ポリッシングの工程を経て鏡面仕上げされる。ここで、ラッピング工程は寸法精度・形状精度の向上を目的としており、ラップ盤によって基板の主表面を加工する。ポリッシング工程は面の平滑さの向上（表面粗さの低減）と加工歪を小さくすることを目的としており、通常、硬質ポリシャを使用する第１研磨工程と、軟質ポリシャを使用する第２研磨工程（ファイナル研磨工程）とからなる。
本発明の研磨用キャリアは、上述のいずれの工程にも使用することができるが、端面の鏡面加工工程の後、例えば、ラッピング工程以降のポリッシング工程に使用することによって、最大の効果が発揮される。
【００１７】
（第２の実施形態）
図５は、本発明の第２の実施形態にかかる研磨用キャリアの平面図である。
第２の実施形態にかかる研磨用キャリアの特徴とするところは、図５に示すように、第１の実施形態のクッション材２１に複数の突起２ａを設けた点である。図６は図５に示す線Ｂ−Ｂ’に沿った断面を示す図である。図５，図６に示すように、本実施形態ではシリコン基板４の端面４１がクッション材２１の突起２ａ部分でのみ接触するので、端面４１の摺動に起因する傷が発生する恐れはない。
図５では突起２１ａが３個の例を示しているが、突起２１ａの数は２個では保持するのに不安定となり、７個を超えると接点を減らした効果が無くなるので、３個ないし６個とするのが適当である。突起２１ａはクッション材２１表面から０．５ｍｍ程度突出させるだけでよい。
クッション材２１としては、シリコン基板よりも硬度の低い材料を使用し、例えばスエード、ポリアミド樹脂、ポリプロピレン樹脂もしくはエポキシ樹脂から選ばれたいずれか１種のものが使用でき、特にエポキシ樹脂が好んで使用できる。
【００１８】
（第３の実施形態）
図７は、本発明の第３の実施形態にかかる研磨用キャリアの断面図である。
第３の実施形態にかかる研磨用キャリアの特徴とするところは、図７に示すように、クッション材２１を、上側部材２２及び下側部材２３によって挟み込んでサンドイッチ構造にして接着固定した構造をなしている。この実施形態ではクッション材２１として、エポキシ樹脂材を、また、上側部材２２及び下側部材２３としては、より硬質な材料である繊維強化エポキシ樹脂を用いている。
この場合、クッション材２１及び上側部材２２及び下側部材２３には、基板保持孔２ａ〜２ｇを構成する貫通孔が形成されているが、クッション材２１の貫通孔の孔径が上側部材２２及び下側部材２３に形成された孔径よりわずかに小さくなっている。
したがって、シリコン基板４の端面（外周側面）４１は、比較的軟質のエポキシ樹脂からなるクッション材２１にのみ接触し、硬質の上側部材２２及び下側部材２３には接触しないようになっている。
クッション材２１としては、シリコン基板よりも硬度の低い材料を使用し、例えばスエード、ポリアミド樹脂、ポリプロピレン樹脂もしくはエポキシ樹脂から選ばれたいずれか１種のものが使用でき、特にエポキシ樹脂が好んで使用できる。
これにより、研磨中においてシリコン基板４の端面（外周側面）４１に傷がつく恐れを効果的に防止している。
【００１９】
（第４の実施形態）
図８は、本発明の第４の実施形態にかかる研磨用キャリアの断面図である。
第４の実施形態にかかる研磨用キャリアの特徴とするところは、図８に示すように、基板保持部２を１層の硬質材料２５で形成し、各基板保持孔２ａ〜２ｇの内周面を凹状の曲面に形成し、この凹状曲面部に内周面を平坦に仕上げた軟質のリング状のクッション材２１を嵌合固定している。
ここでも、クッション材２１としては、シリコン基板よりも硬度の低い材料を使用し、例えばスエード、ポリアミド樹脂、ポリプロピレン樹脂もしくはエポキシ樹脂から選ばれたいずれか１種のものが使用でき、特にエポキシ樹脂が好んで使用できる。
これにより、研磨中においてシリコン基板４の端面（外周側面）４１に傷がつくおそれを効果的に防止している。
【００２０】
（第５の実施形態）
図９は、本発明の第５の実施形態にかかる研磨用キャリアの断面図である。
第５の実施形態にかかる研磨用キャリアの特徴とするところは、図９に示すように、基板保持部２を硬質材料からなる上側部材２６、中間部材２７、下側部材２８の３層を積層して固着したもので形成し、中間部材２７の孔径のみわずかに小さく形成し、基板保持孔２ａ〜２ｇの内周面に中間部材２７を突出させ、この突出部に外周に窪みを設けたクッション材２１からなるリングを嵌合固定したものである。
ここでも、クッション材２１としては、シリコン基板よりも硬度の低い材料を使用し、例えばスエード、ポリアミド樹脂、ポリプロピレン樹脂もしくはエポキシ樹脂から選ばれたいずれか１種のものが使用でき、特にエポキシ樹脂が好んで使用できる。
中間部材２７としては、縦・横方向及び歯車としての機械強度を上げ、かつ発塵の少ない材料が良い。例えば、ステンレス鋼、アラミド繊維ガラスエポキシなどが使用できる。
これにより、研磨中においてシリコン基板４の端面（外周側面）４１に傷がつくおそれを効果的に防止している。
【００２１】
（第６の実施形態）
図１０は、本発明の第６の実施形態にかかる研磨用キャリアの断面図である。
第６の実施形態にかかる研磨用キャリアの特徴とするところは、図１０に示すように、基板保持部２を、硬質材料からなる上側部材２６、中間部材２７、下側部材２８を積層して固着したもので形成し、中間部材２７の孔径のみわずかに大きく形成し、基板保持孔２ａ〜２ｇの内周面に窪みを形成し、この窪みに、クッション材２１からなるリングを嵌合固定し、該リングを基板保持孔２ａ〜２ｇの内周面に突出させたものである。
ここでも、クッション材２１としては、シリコン基板よりも硬度の低い材料を使用し、例えばスエード、ポリアミド樹脂、ポリプロピレン樹脂もしくはエポキシ樹脂から選ばれたいずれか１種のものが使用でき、特にエポキシ樹脂が好んで使用できる。
中間部材２７としては、縦・横方向及び歯車としての機械強度を上げ、かつ発塵の少ない材料が良い。例えば、ステンレス鋼、アラミド繊維ガラスエポキシなどが使用できる。
これにより、研磨中においてシリコン基板４の端面（外周側面）４１に傷がつくおそれを効果的に防止している。
【００２２】
本発明の研磨用キャリアは、ラッピング工程またはポリッシング工程に使用することができるが、以下にポリッシング加工について具体的に説明する。
ポリッシング加工（第１研磨工程、ファイナル研磨工程共）を行う際には、研磨用キャリア１の外周部に形成したギア部３を、研磨キャリア装着部５のサンギア５２及びインターナルギア５１と噛合させた状態で、研磨用キャリア１を研磨用キャリア装着部５の研磨パッド５４ａを貼った下定盤５４の上にセットする。次に、基板保持孔２ａ〜２ｇの中に被研磨体である磁気記録媒体用のシリコン基板４を入れて保持する。
次に、該シリコン基板４を、研磨パッド５４ａを貼った下定盤５４及び研磨パッド５３ａを貼った上定盤５３によって挟持し、コロイダルシリカからなる砥粒を含む研磨液を供給しながら下定盤５４及び上定盤５３を互いに逆方向に回転させる。これにより、サンギア５２及びインターナルギア５１の回転数の差により、研磨用キャリア１を自転しつつ公転し、上記シリコン基板４の両面が同時に研磨加工される。
【００２３】
上記シリコン基板４は、研磨工程の際基板保持孔２ａ〜２ｇ内で回転するか、又は該基板保持孔２ａ〜２ｇ内周部と擦れるが、上記シリコン基板４を保持するクッション２１が軟質な材料であるから、上記シリコン基板４の端面を傷つけることがない。
なお、研磨パッド５３ａ、５４ａとしては、例えば、スウェード、ベロアを素材とする軟質ポリシャや、硬質ベロア、発泡ウレタン、ピッチ含浸スウェード等の硬質ポリッシャ等が挙げられる。
以下、直径１インチ（２５．４ｍｍ）の磁気記録媒体用シリコン基板を例に挙げ、その製造工程をより具体的に説明する。
【００２４】
（１） 第１ラッピング工程（第１砂掛け工程）
まず、引き上げ法で作成した単結晶シリコンインゴットを厚さ１ｍｍ程度にスライスしてシリコン基板を作成する。
次いで、シリコン基板にラッピング加工を施す。このラッピング工程は、寸法精度及び形状精度の向上を目的としている。ラッピング加工はラッピング装置を用いて行い、研磨液として粒度＃４００のアルミナ砥粒を用い、荷重Ｌを１００ｇ／ｃｍ２程度に設定して、サンギアとインターナルギアを回転させることによって、キャリア内に収納したシリコン基板の両面を面精度０〜１μｍ、表面粗さ（Ｒｍａｘ）（ＪＩＳ Ｂ ０６０１で測定）６μｍ程度にラッピングする。
次に、円筒状の砥石を用いてシリコン基板の中心部に直径５．８ｍｍの孔を開けるとともに、外周端面及び内周端面に所定の面取り加工を施す。このときのシリコン基板の内外周端面の表面粗さは、Ｒｍａｘで１４μｍ程度である。
【００２５】
（２）  端面研磨工程
次いで、平均粒径約１００ｎｍのコロイダルシリカ砥粒によるブラシ研磨により、シリコン基板を回転させながら基板の端面部分（角張った部位、側面及び面取部）の研磨を行い、角張った部位を半径０．２〜１０ｍｍの曲面とするとともに、それらの表面粗さをＲｍａｘで１μｍ、Ｒａで０．３μｍ程度とする。上記端面研磨工程を終えたシリコン基板の表面を水洗浄する。
（３） 第２ラッピング工程（第２砂掛け工程）
次に、ラッピング装置を用いてクッション材がエポキシ樹脂からなる研磨用キャリアを使用し、粒度＃１０００（粒径約３μｍ）のアルミナ砥粒を使用し、荷重Ｌを１００ｇ／ｃｍ２程度に設定して、サンギアとインターナルギアを回転させることによって、ラッピングを行い、シリコン基板の両面の表面粗さ（Ｒｍａｘ）を２μｍ程度とする。上記第２ラッピング工程を終えたシリコン基板を、中性洗剤、水の各洗浄槽に順次浸漬して洗浄する。
【００２６】
（４） 第１ポリッシング工程（第１研磨工程）
第１ポリッシング工程は、上述したラッピング工程で残留した傷や歪みの除去を目的とするもので、ポリッシング装置を用いて行う。詳しくは、研磨パッド（研磨布）として硬質ポリシャ（セリウムパッドＭＨＣ１５：スピードファム社製）を用い、クッション材がやはりエポキシ樹脂（硬度８０（Ａｓｋｅｒ−Ｃ））からなる研磨用キャリアを使用し、ポリッシング条件を研磨液：平均粒径８０ｎｍのコロイダルシリカ＋水、荷重：１００ｇ／ｃｍ２、下定盤回転数：４０ｒｐｍ、上定盤回転数：３５ｒｐｍ、サンギア回転数：１４ｒｐｍ、インターナルギア回転数：２９ｒｐｍで実施する。
上記のような第１ポリッシング工程を終えたシリコン基板を、中性洗剤、純水、純水の各洗浄槽に順次浸漬して洗浄する。
【００２７】
（５） 第２ポリッシング工程（ファイナル研磨工程）
次に、第１ポリッシング工程で使用したポリッシング装置を用い、研磨パッドを硬質ポリシャから軟質ポリシャに替え、クッション材がエポキシ樹脂からなる研磨用キャリアを使用して第２ポリッシング工程を実施する。研磨条件は、研磨液；コロイダルシリカ（平均粒径：４０ｎｍ）、荷重１００ｇ／ｃｍ２、除去量を５ｎｍとしたこと以外は、第１ポリッシング工程と同様で良い。上記第２ポリッシング工程を終えたシリコン基板は、中性洗剤、中性洗剤、純水、純水、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）、ＩＰＡ（蒸気乾燥）の各洗浄槽に順次浸漬して洗浄する。尚、各洗浄槽には超音波を印加するのが好ましい。
以上のような工程を経て磁気記録媒体用のシリコン基板が得られる。
【実施例】
【００２８】
前記第１の実施形態に示した研磨用キャリア及び第２の実施形態に示した研磨用キャリアを使用して、上記のポリッシング工程で処理したシリコン基板について、搬送用のカセットに収容して移動する際に想定される振動を与えて基板端面の損傷発生の状況と発塵の様子を調べた。
研磨用キャリアに使用した基板保持部は繊維強化エポキシ樹脂製、クッション材はエポキシ樹脂製である。また、シリコン基板は直径１インチ（２５．４ｍｍ）のものについて行った。    
【００２９】
基板端面の損傷発生の状況は、基板端面を光学顕微鏡により観察して行った。また、搬送用のカセットを使用した発塵テストは、以下のような手順で行った。
（１）カセット内にシリコン基板を収容して、トップカバーを装着してパッキングする。
（２）搬送を想定して、シリコン基板をカセットの底部方向と天井方向に各１０回づつ動かす。
（３）カセットへの脱着を想定して、カセットの溝からシリコン基板を１０回出し入れする。
以上の（１），（２），（３）の処理が終了したら、基板外周部でカセット素材であるポリカーボネートパーティクルの発生数を、光学顕微鏡を使用して測定した。測定は任意の１０枚の基板を抽出して観察し、計数されたパーティクルの数を基板の枚数（１０枚）で除した値を持って比較した。これらの結果を表１に示す。
【００３０】
比較のため、クッション材を使用しないで繊維強化エポキシ樹脂製の基板保持孔を有する研磨用キャリアと、３個の突起を有する繊維強化エポキシ樹脂製の基板保持孔を有する研磨用キャリアを使用して、同様のテストを実施した。結果を表１に併記する。
【００３１】
【表１】
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【００３２】
表１の結果から、本発明の研磨用キャリアを使用して処理した場合には、基板端面に傷の発生はなく、パーティクルの発生数も極めて少なくなることが判る。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】第１の実施形態にかかる研磨用キャリアの平面図である。
【図２】図１の線Ａ−Ａ’に沿った断面図である。
【図３】研磨用キャリアを研磨装置に装着した状態を示す図である。
【図４】基板を研磨する状態を説明する図である。
【図５】第２の実施形態にかかる研磨用キャリアの平面図である。
【図６】図５の線Ｂ−Ｂ’に沿った断面図である。
【図７】第３の実施形態にかかる研磨用キャリアの断面図である。
【図８】第４の実施形態にかかる研磨用キャリアの断面図である。
【図９】第５の実施形態にかかる研磨用キャリアの断面図である。
【図１０】第６の実施形態にかかる研磨用キャリアの断面図である。
【符号の説明】
【００３４】
１・・・・・・研磨用キャリア、２・・・・・・基板保持部、２ａ・・・・・・突起、３・・・・・・ギア部、４・・・・・・シリコン基板、５・・・・・・研磨用キャリア装着部、２１・・・・・・クッション材、２４，２５・・・・・・硬質材料、４１・・・・・・端面、５１・・・・・・インターナルギヤ、５２・・・・・・サンギヤ、５３・・・・・・上定盤、５４・・・・・・下定盤
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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