(57)【要約】    【課題】  本発明の目的は、深い穴や深い溝又はアスペクト比の高い穴や溝を有する被めっき物表面に新しいめっき液を供給し易くし、高速でめっきができるめっき装置及びその方法を提供することにある。    【解決手段】  本発明は、めっき槽と、該めっき槽に配設した陽極板と、該陽極板に対向して配設する被めっき物を保持する保持手段とを有するめっき装置において、前記めっき槽はめっき液を一方向に流すめっき液流路を形成する流路壁を有し、該流路壁は前記被めっき物のめっきしたい被めっき物表面に対応した開口部を有することを特徴とする。【選択図】図１
2006152377.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
めっき槽と、該めっき槽に配設した陽極板と、該陽極板に対向して配設する被めっき物を保持する保持手段とを有するめっき装置において、前記めっき槽はめっき液を一方向に流すめっき液流路を形成する流路壁を有し、前記めっき液流路に前記被めっき物のめっきしたい被めっき物表面に対応した開口部を有することを特徴とするめっき装置。
【請求項２】
請求項１において、前記陽極板及び被めっき物は、前記めっき槽に対して互いに垂設又は水平に配設する配設構造を有することを特徴とするめっき装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記保持手段は、前記開口部に前記被めっき物を押圧する押圧装置に結合されていることを特徴とするめっき装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかにおいて、前記流路壁によって形成されるめっき液流路の厚さは前記被めっき物表面において一様であり、前記被めっき物表面において一様な流速分布が形成されることを特徴とするめっき装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかにおいて、前記めっき液に渦流を発生させる渦発生器と、該渦発生器に前記めっき液を送る循環ポンプとを有し、前記渦発生器と循環ポンプとによって前記めっき液を前記めっき槽の下部より前記めっき液流路に供給し、前記めっき槽の下部より排出させる循環経路を有することを特徴とするめっき装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかにおいて、前記めっき槽は、前記循環ポンプから吐き出される前記めっき液の量と同じその量の前記めっき液が吸引されるように循環する前記循環経路を含めほぼ密閉構造を有することを特徴とするめっき装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかにおいて、前記めっき液流路における前記めっき液の流量を可変とする制御手段を有することを特徴とするめっき装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかにおいて、前記めっき液流路は前記開口部において前記厚さが最も小さくなっていることを特徴とするめっき装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかにおいて、前記めっき液流路は、前記渦発生器の部分からその厚さが順次小さくなり、前記被めっき物表面以降の厚さが順次大きくなることを特徴とするめっき装置。
【請求項１０】
請求項５〜９のいずれかにおいて、前記渦発生器によって形成された前記渦の向きを前記めっき液流路に沿う方向とし、前記循環ポンプからの垂直方向の流れを水平方向に沿う方向にするディフューザを有することを特徴とするめっき装置。
【請求項１１】
請求項１０において、前記ディフューザは、複数個有し、それらの各々の高さ方向の位置が可変であり、各々の高さ位置を調整することにより、前記渦の流れを調節できることを特徴とするめっき装置。
【請求項１２】
請求項７において、前記制御手段が周波数制御によるインバータであることを特徴とするめっき装置。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれかにおいて、前記流路壁は、前記陽極板又は前記めっき液が通過しないセラミック多孔質板からなることを特徴とするめっき装置。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれかにおいて、前記めっき槽内に配置した堰の高さにより前記めっき槽内のめっき液面が前記循環経路におけるめっき液面よりもわずか高く保持され、このわずかな隙間から空気が巻き込まれないことを特徴とするめっき装置。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれかにおいて、前記めっき槽に新たなめっき液を供給するめっき液貯槽と、前記めっき槽とめっき液貯槽とを繋ぐ配管とを有し、前記めっき槽内のめっき液を常時更新できることを特徴とするめっき装置。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれかにおいて、前記めっき液流路の断面積を可変できる構造を有し、前記被めっき物表面における前記めっき液流の流速をより高速化できることを特徴とするめっき装置。
【請求項１７】
請求項１〜１６のいずれかにおいて、前記めっき液流路の入口側に前記めっき液流の障害となる障害物が複数配置され、該傷害物によって前記めっき液流にカルマン渦を発生させ、前記被めっき物表面に複雑なめっき液流の乱れを形成することを特徴とするめっき装置。
【請求項１８】
めっき槽に配設した陽極板に対向して配設した被めっき物にめっきを形成するめっき方法において、前記めっき槽内に形成された所定の通路を通してめっき液を一方向に流れるめっき液流路を形成し、該めっき液流路の前記めっき液に前記被めっき物のめっきしたい被めっき物表面を接触させて前記めっきを行うことを特徴とするめっき方法。
【請求項１９】
請求項１８において、前記めっき液流路において前記めっき液の流れが乱流領域にある高速液流を形成しながら前記めっきを行うことを特徴とするめっき方法。
【請求項２０】
請求項１８又は１９において、前記めっきしたい被めっき物表面の全面において前記めっき液が一様な流速分布を有することを特徴とするめっき方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板上に金属皮膜を形成できる新規なめっき装置及びめっき方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体基板用めっき装置においては、被めっき物表面におけるめっき液流の形成は主に被めっき面にて消費される金属イオンや添加剤を供給することにあったため、高速でめっき液を流す必要はなく、めっき液貯槽からめっき液を被めっき面に供給し、そしてめっき液のイオン及び添加剤の濃度が均一になるように攪拌する程度であった。従来から行われているめっき液の攪拌では、深い穴や深い溝又はアスペクト比の高い穴や溝の中にめっきを施す場合に、これらの穴や溝の中のめっき液が更新されにくく、金属イオンや添加剤の供給は拡散によっていた。その結果、深い穴やアスペクト比の高い穴の中にめっきを施す場合は時間がかかっていた。
【０００３】
特許文献１には、めっき槽と、該めっき槽内に垂設した陽極板と、該陽極板に対向して垂設する被めっき物を真空保持するステージと、前記めっき槽の側面部に設けられた開口部に該ステージを押圧する押圧装置とを有するめっき装置及びめっき槽内に垂設された陽極板に対向させて垂設した被めっき物にめっきを施すめっき方法が開示され、更にめっき液攪拌部材を設けることが示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開2001-140099号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１においては、めっき液を攪拌する攪拌部材を有するが、その攪拌部材を高速に動作させて高速めっき液流を形成する方法も考えられるが、機構部の磨耗による塵埃の発生、故障等の発生、めっき液中への気泡の巻き込みなどが発生しやすい問題がある。
【０００６】
更に、小片の被めっき物の表面に高速なめっき液流は形成できても、直径２００ｍｍ以上のサイズの被めっき物においても全面において一様な流速分布をもつ高速めっき液流を形成するのは困難であり、高速めっきが困難である。
【０００７】
本発明の目的は、深い穴や深い溝又はアスペクト比の高い穴や溝を有する被めっき物表面に新しいめっき液を供給し易くし、高速でめっきができるめっき装置及びめっき方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、めっき槽と、該めっき槽に配設した陽極板と、該陽極板に対向して配設する被めっき物を保持する保持手段とを有するめっき装置において、前記めっき槽はめっき液を一方向に流すめっき液流路を形成する流路壁を有し、前記めっき液流路に前記被めっき物のめっきしたい被めっき物表面に対応した開口部を有することを特徴とする。
【０００９】
前記陽極板及び被めっき物は、前記めっき槽に対して互いに垂設又は水平に配設したこと、前記保持手段は、前記開口部に前記被めっき物を押圧する押圧装置を有することのいずれか又は組み合わせが好ましい。
【００１０】
前記流路壁によって形成されるめっき液流路の厚さは前記被めっき物表面において一様であり前記被めっき物表面において一様な流速分布を有し一定方向の高速めっき液流を連続して形成しながらめっきを行うこと、前記めっき槽の下部に前記めっき液に渦流を発生させる渦発生器と該渦発生器に前記めっき液を送る循環ポンプとを有し前記渦発生器と循環ポンプとによって前記めっき液流路を形成すること、前記めっき液流路における前記めっき液の流速を可変とする制御手段を有し流速が可変な高速なめっき液流を形成しながらめっきを行うことのいずれか又は組み合わせを有することが好ましい。従来の機械的な攪拌機構を用いないため、めっき液攪拌部材における磨耗による発塵、故障を極力少なくできる。
【００１１】
前記めっき槽は、前記めっき液流路を含む前記めっき液の循環系を有し、該循環系がほぼ密閉構造を有することにより、めっき槽を含むめっき液循環系をほぼ密閉構造とすることにより、ポンプから吐出されためっき液と同じ量のめっき液がポンプに吸引されるため、めっき液の増減がなくめっき液がめっき槽から溢れたり、或いは液量減少による液面低下を防止できること、前記めっき液流路は前記開口部において前記厚さが最も小さくなっていること、前記流路壁は前記渦発生器の部分から前記めっき液流路の厚さが順次小さくなり、前記被めっき物表面以降の前記めっき液流路の厚さが順次大きくなることのいずれか又は組み合わせを有することが好ましい。
【００１２】
前記渦発生器によって形成された前記渦の向きを前記めっき液流路に沿う方向とし、前記循環ポンプからの垂直方向の流れを水平方向に沿う方向にする円盤状のディフューザを有すること、そのディフューザは複数個有しそれらの各々の高さ方向の位置が可変であり、各々の高さ位置を調整することにより、前記渦の流れでる方向を調節できるようにすること、前記制御手段が周波数制御によるインバータであること、前記流路壁は、前記陽極板又は前記めっき液が通過しないセラミック多孔質板からなることのいずれか又は組み合わせを有することが好ましい。
【００１３】
前記めっき槽内の前記めっき液面が前記めっき液循環流路よりもわずか高く保持され、このわずかな隙間から空気が巻き込まれないように前記めっき液の循環を調整することにより、空気が巻き込まれることを防止すること、めっき槽内にある空気が自動的に排出できる構造を有すること前記被めっき物は、直径が２００ｍｍ以上であることのいずれか又は組み合わせを有することが好ましい。
【００１４】
前記めっき槽に新たなめっき液を供給するめっき液貯槽を有し、前記めっき槽とめっき液貯槽とを繋ぐ循環経路を有し、前記めっき槽内のめっき液を常時更新できること、前記めっき液流路の断面積を可変できる構造を有し、前記被めっき物表面における前記めっき液流の流速をより高速化できること、前記めっき液流路の入口側に前記めっき液流の障害となる障害物が複数配置され、該傷害物によって前記めっき液流にカルマン渦を発生させ、前記被めっき物表面に複雑なめっき液流の乱れを形成することのいずれか又は組み合わせを有することが好ましい。
【００１５】
又、本発明は、めっき槽に配設した陽極板に対向して配設した被めっき物にめっきを形成するめっき方法において、前記めっき槽内に形成された所定の通路を通してめっき液を一方向に流すめっき液流路を形成し、該流路の前記めっき液に前記被めっき物のめっきしたい被めっき物表面を接触させて前記めっきを行うことを特徴とする。
【００１６】
前記めっき液流路における前記めっき液に乱流領域にある該高速なめっき液流を形成しながらめっきを行うことが好ましい。
【００１７】
即ち、本発明は、めっきしたい被めっき表面の全面にめっき液の一様な流速分布をもつ高速めっき液流を連続的に形成すると共に、機構部寿命、機構部からの発塵、高速めっき液中への空気の巻き込みなどの問題を排除する手段として、めっき液循環ポンプのみで高速めっき液流を形成するものである。
【００１８】
又、被めっき物表面の液流方向の流速低下を防止するために、めっき槽を含むめっき液流路をほぼ密閉空間とし、ポンプから吐出されるめっき液と同量のめっき液がポンプに吸引される循環系を形成する。
【００１９】
そして、被めっき物表面の液流速度を高速にするために、被めっき物とそれに対向する流路壁の間隔を狭くし、この間隔は必要なポンプを小型化するために、１０ｍｍ以下が望ましい。
【００２０】
流路方向と直角方向の流速分布を一様とするために、被めっき物表面の流路の入口と出口をスリット状にし、またこの入口と出口に繋がる流路を曲率を持った流路とし、この入口側の流路は徐々に広くなり、出口側の流路は徐々に広くすることによって、めっき液のながれがスムースとなり流速分布を一様にすることを可能にする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、深い穴や深い溝又はアスペクト比の高い穴や溝を有する被めっき物表面に新しいめっき液を供給し易くし、高速でめっきができるめっき装置及びめっき方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明を実施するための最良の形態を具体的な実施例によって説明する。
【実施例１】
【００２３】
図１は、本発明に係る高速めっき装置の全体構成図である。被めっき物４のめっきしたい表面ではめっき液の一様な流速分布を持つ高速めっき液流を形成するためのめっき液流路を有し、めっき槽１、配管２、循環ポンプ３及び渦発生器１８により構成する。めっき槽１の循環経路はほぼ密閉構造を有し、循環ポンプ３からめっき槽１に送り込まれためっき液の量と同じ量が同じポンプに吸引されるため、高速でめっき液を循環してもめっき液がめっき槽１から溢れたり、液面が低下することが無い。
【００２４】
めっき槽１に新たなめっき液を供給するめっき液貯槽２４を有し、めっき槽１とめっき液貯槽２４とを繋ぐ循環ポンプ２３による循環経路によりめっき液供給口９からめっき槽１に供給され、めっき槽１内のめっき液を常時更新できる。めっき槽１内に供給されためっき液は循環ポンプ３により循環しているめっき液と混ざり、循環経路の一部に開けられた開口部２６を通過して、堰２７及び２８からオーバーフローし、めっき液貯槽２４に戻る。
【００２５】
図２は、図１のめっき装置においてホルダ式めっき装置におけるめっき槽の平面断面図である。図２に示すように、ホルダ式めっき装置は、めっき槽１と、めっき槽１に垂設した陽極板６と、陽極板６に対向して垂設した被めっき物４を保持する保持手段３１とを有し、めっき槽１はめっき液を一方向に流すめっき液流路１３を形成する流路壁５を有し、流路壁５は被めっき物４のめっきしたい被めっき物表面に対応した開口部を有する。被めっき物４は、直径が２００ｍｍ以上の半導体基板である。図示されていないが、被めっき物４に対して陰極電極と陽極板６との間に電解を付加するめっき電源を有する。
【００２６】
陽極板６及び被めっき物４は、めっき槽１に対して互いに垂設し、被めっき物４の保持手段としてホルダ３１が用いられる。流路壁５によって形成されるめっき液流路１３の厚さは被めっき物４の表面において一様であり、被めっき物表面において一様な流速分布を有し一定方向の高速めっき液流を連続して形成しながらめっきを行うことができる。
【００２７】
めっき槽１の下部にはめっき液に渦流を発生させる渦発生器１８と渦発生器にめっき液を送る循環ポンプ３とを有し、渦発生器１８と循環ポンプ３とによってめっき液流路１３を形成する。めっき液流路１３におけるめっき液の流速を可変とする制御手段として周波数制御によるインバータ２５を有し、流速が可変な高速なめっき液流を形成しながらめっきを行うことができる。
【００２８】
めっき液流路１３は被めっき物４のめっき面開口部において厚さが最も小さくなっている。流路壁５は渦発生器１８の部分からめっき液流路１３の厚さが順次小さくなり、又、被めっき物表面以降のめっき液流路１３の厚さが順次大きくなっている。循環ポンプ３から送られるめっき液は渦発生器１８によって渦流が発生し、めっき槽入口１０から流路１１と通ってめっき液流路１３に流入し、めっき槽出口８を通って循環ポンプ３に吸引され、再び渦発生器１８へと戻り循環を形成する
又、めっき槽１内のめっき液面がめっき液循環流路１３よりもわずか高く保持され、このわずかな隙間から空気が巻き込まれないようにめっき液の循環を調整することにより、空気が巻き込まれることが防止される。めっき槽１内にある空気が自動的に排出できる構造を有する。
【００２９】
流路壁５は、陽極板６によって代用でき又はめっき液が通過しないセラミック多孔質板からなることのいずれでもよい。
【００３０】
従来の機械的な攪拌機構を用いないため、めっき液攪拌部材における磨耗による発塵、故障を極力少なくできる。
【００３１】
又、本実施例により、めっき槽１に配設した陽極板６に対向して配設した被めっき物４にめっきを形成するめっき方法において、めっき槽１内に形成された所定の通路を通してめっき液を一方向に流すめっき面において一様の流速を有するめっき液流路１３を形成し、めっき液流路１３のめっき液に被めっき物４のめっきしたい被めっき物表面を接触させてめっきを行うことができる。
【００３２】
めっき液流路１３におけるめっき液に乱流領域にある高速なめっき液流を形成しながらめっきを行うことが好ましい。
【００３３】
図３は、図２のＡ-Ａ断面図である。被めっき物４はめっき槽１内に垂設する。めっき部流路１３を挟んで対向面の流路壁５は陽極板６或いは導電性のある板とする。めっき電流をこの流路壁５（陽極板）と被めっき物の間に流すことによりめっきを行う。流路壁５を陽極板としない場合は、陽極板６を設ける。
【００３４】
堰２７及び２８の高さはめっき部流路１３の天井より液面が高くなるように設定してあり、めっき部流路１３の天井の僅かな隙間から空気が侵入しないように、めっき液がシールの役目をしている。めっき液循環経路の中に溜まった空気は空気抜き穴２９から自動的に排出される。
【００３５】
そして、被めっき物４表面の液流速度を高速にするために、被めっき物４とそれに対向する流路壁５の間隔を狭くし、この間隔は必要な循環ポンプ３を小型化するために、１０ｍｍ以下が望ましい。
【００３６】
流路方向と直角方向の流速分布を一様とするために、被めっき物１表面のめっき液流路１３とその入口と出口をスリット状にし、またこの入口と出口に繋がるめっき液流路１３を曲率を持った流路とし、この入口側のめっき液流路１３は流れに対して徐々に厚さが小さくなり、出口側の流路は徐々に広くすることによって、めっき液のながれがスムースとなり流速分布を一様にすることを可能にする。
【００３７】
めっき槽１は、めっき液流路１３を含むめっき液の循環経路を有し、循環経路がほぼ密閉構造を有することにより、めっき槽１を含むめっき液循環経路をほぼ密閉構造とすることにより、循環ポンプ３から吐出されためっき液と同じ量のめっき液が循環ポンプ３に吸引されるため、めっき液の増減がなくめっき液がめっき槽から溢れたり、或いは液量減少による液面低下を防止でき、高速めっきが可能となる。
【００３８】
図４は、めっき槽内の高速めっき液流と渦発生器による渦の形成状況を示す断面図である。渦発生器１８によって形成された渦２２の向きをめっき液流路１３に沿う方向とし、循環ポンプ３からの垂直方向の流れを水平方向に沿う方向にする円盤状のディフューザ１９を有し、そのディフューザ１９は支持棒に複数個有しそれらの各々の高さ方向の位置が可変に固定され、各々の高さ位置を調整することにより、渦２２の流れでる方向を調節できるようにする。
【００３９】
めっき槽入口７の上に複数の円盤状のディフューザ１９を設け、このディフューザ１９は高さが調整可能である。このディフューザ１９により渦流方向を更に横向きに整流する。ディフューザ１９の高さを調整することにより、縦方向位置における渦流の強さを可変とし、高速めっき液流１７の流速分布を一様にする効果がある。
【００４０】
図５は、渦流発生器の断面図である。内部にはめっき液が通過するめっき液通過穴２０が傾きを持って、円周上に並んでいる。このめっき液通過穴２０を通過しためっき液は渦２１を発生させる。このめっき液通過穴２０の傾き方向はめっき槽前室１０内の渦２２の向きが流路１１内の流れ方向と一致する方向とする。これにより渦の流れが運動エネルギーを保った状態で、流路１１を経由してめっき部流路１３に流れることにより高速めっき液流１７を形成できる。
【００４１】
図６は、ウエハステージ式めっき装置における高速めっき槽の平面断面図である。図７は、図６のＢ-Ｂ断面図である。このめっき槽１の構造は被めっき物４としてウエハであり、図２の構造のホルダ３１に代えてウエハステージ３０を有するもので、他の構造は同一である。めっき槽入口７の周辺は円形断面で、渦が巻きやすい形状としている。渦発生器１８により発生した渦流はめっき槽前室１０でも渦となり流路１１に押し出される。陽極板６及び被めっき物４は、めっき槽１に対して互いに垂設し、被めっき物４保持手段としてウエハステージ３０は、開口部に被めっき物４を押圧する押圧装置３２を有する。押圧装置３２は、ウエハステージ３０に球面軸受けを通して結合され、回転アームに設けられた加圧手段によって被めっき物４をめっき槽１に押し付けることができる。回転アームは被めっき物４の取り付け取り外しができるようにウエハステージ３０を移動することができる。
【００４２】
又、渦流２２を発生させない場合はめっき槽入口７からの液流の上方向のみとなり、高速めっき液流１７は上部のみが極端に速い流れとなる。渦流２２を生成することにより循環ポンプ３からの上方向の液流を横方向に転換する効果がある。これにより高速めっき液流１７の流速分布が改善される。
【００４３】
流路１１は壁面が曲率を持っており、徐々に狭くなっておりここで、めっき液をスムースに加速する。めっき部流路入口１２、めっき部流路１３及びめっき部流路出口１４はスリット状になっており、ここをめっき液が高速に流れる。流路１５は曲率をもっておりめっき液はここで減速されてめっき槽出口８から循環ポンプ３に吸い込まれる。これらの流路はほぼ密閉空間となっており、循環ポンプ３から送り込まれためっき液と同じ量のめっき液を吸引する循環系とすることにより、被めっき物表面に一様な流速分布の高速めっき液流が形成される。
【００４４】
めっき液流路１３の断面積を可変できる構造とし、被めっき物４表面におけるめっき液流の流速をより高速化できる。
【００４５】
図８は、めっき槽１のめっき液入口７からめっき部流路１３を含むめっき液流路の適当なる位置に高速めっき液流の障害となる障害物３３を複数配置し、その傷害物３３によって高速めっき液流にカルマン渦を発生させることにより、被めっき物表面に一定方向だけではない複雑なカルマン渦によるめっき液流の乱れ３４を形成することも可能とする。
【００４６】
本実施例により、半導体基板などの被めっき物の深い穴や深い溝又はアスペクト比の高い穴や溝に対して新しいめっき液を供給し易くし、その結果、ボイドやシームの少ない完全充填めっきを行うことができ、又、めっきを含む被めっき面へのめっき時間を短縮することができ、直径２００ｍｍ以上のサイズの被めっき物表面においても一様な流速分布を持つ高速めっき液流を形成することが可能である。
【００４７】
以上、本実施例によれば、被めっき物表面において一定方向からのみ高速めっき液流の流れを最適化することにより、被めっき物表面と、被めっき物の穴の中とで適当なるめっき液添加剤の濃度差が形成でき、被めっき物表面のめっき厚さを抑えながら、穴の中のめっきを促進できる。アスペクト比の高い深い穴や深い溝の中のめっき液の流れが加速され、攪拌効果により穴や溝の内部に残っているめっき液を被めっき物表面に流れるめっき液で更新することにより促進される。これにより穴や溝の内部にめっき用の金属イオンや添加剤の供給が促進され、これらの穴や溝にめっきを行うのに要する時間を大幅に短縮出来る。また、穴や溝の形状によってはカルマン渦を発生させて複雑な流れを形成することにより攪拌効果を高めることが可能である。
【００４８】
従来の機械的なめっき液の攪拌では、被めっき物表面の流れは断続的にならざるを得ないが、本実施例によれば、被めっき物表面において連続的に高速めっき液流を形成することができことにより、アスペクト比の高い深い穴や深い溝の中のめっき液の流れが加速され、めっき液の更新がより促進される。また、めっきの種類、めっきの形状によってはめっき中に流速を変更することによって、必要なめっき液の攪拌効果を得ることができる。
【００４９】
更に、本実施例によれば、被めっき面に極めて近い範囲のめっき液が更新されること、陽極板表面に極めて近い範囲のめっき液が更新されることによってめっき時間が短縮できる。
【００５０】
また、本実施例によれば、被めっき表面と被めっき穴の中でめっき液添加剤の濃度差が大きくなり、被めっき表面のめっき厚さを抑えながら、穴の中のめっきを促進できる。穴埋めめっきにおいては被めっき物表面のめっきは薄く保ちながら穴の中を高速にめっきできる。高速めっき液流を形成するに当たって、めっき液攪拌機構部の磨耗及び疲労等による寿命、発塵更にめっき液への空気の巻き込みの問題を排除し、量産装置に適用可能とする。
【実施例２】
【００５１】
図９及び１０は、被めっき物を水平に保持してめっきを行うめっき装置の正面図及び断面図である。本実施例においても、図１と同様のめっき装置として全体構成を有し、又、図２に示すめっき槽１のウエハステージ３０をめっき槽１の下部に設置する構造を有する。陽極板６及び被めっき物４は、めっき槽１に対して互いに水平に配設すると共に、被めっき物４は、めっき槽１に対して上向きにし、保持手段としてウエハステージ３０は、開口部に被めっき物４を押圧する押圧装置３２を有する。めっき液流路１３の流れ方向の厚さは可変できる構造を有し、めっき液の流速を可変にできる。
【００５２】
本実施例においては、そのめっき装置は実施例1の被めっき物４を水平にした点以外は同様の構造を有し、高速めっきが可能であり、同様の効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明に係るめっき装置の全体構成図である。
【図２】図１のめっき装置においてホルダ式めっき装置におけるめっき槽の平面断面図である。
【図３】図１のＡ-Ａ断面図である。
【図４】図１のめっき槽の正面断面図である。
【図５】図4の渦発生器の断面図である。
【図６】図１のめっき装置においてウエハステージ式めっき装置におけるめっき槽の平面断面図である。
【図７】図７のＢ-Ｂ断面図である。
【図８】図１の障害物により高速めっき液流の乱れを発生させる構造の図である。
【図９】被めっき物を水平にしてめっきを行うめっき装置におけるめっき槽の正面断面図である。
【図１０】図９のＣ-Ｃ断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１…めっき槽、２…配管、３…循環ポンプ、４…被めっき物、５…流路壁、６…陽極板、７…めっき槽入口、８…めっき槽出口、９…めっき液供給口、１０…めっき槽前室、１１…流路、１２…めっき部流路入口、１３…めっき液流路、１４…めっき部流路出口、１５…流路、１６…めっき液面、１７…高速めっき液流、１８…渦発生器、１９…ディフューザ、２０…めっき液通過穴、２１、２２…渦流、２３…循環ポンプ、２４…めっき液貯槽、２５…インバータ、２６…開口、２７、２８…堰、２９…空気抜き穴、３０…ウェハステージ、３１…ホルダ、３２…押圧装置、３３…障害物、３４…カルマン渦による液流の乱れ、３５…めっき液排出口。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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