(57)【要約】【課題】半導体素子用のフォトマスクを形成するのに用いられる電子ビームデータの検証方法を公開する。【解決手段】設計データを複数の繰り返される領域に分割する段階と、第１繰り返し領域を第１電子ビームデータに変換する段階と、第２繰り返し領域を第２電子ビームデータに変換する段階と、第１電子ビームデータが第２電子ビームデータと本質的に同一であるか否かを検証する段階と、を含む。この方法によれば、電子ビームデータの変換過程が一回で済み、所要時間及び必要とされるシステムの資源を半分程度に低減でき、特に半導体メモリ素子のセルアレイ領域などを検証するのに有効である。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
設計データを複数の繰り返し領域に分割する段階と、
第１繰り返し領域を第１電子ビームデータに変換する段階と、
第２繰り返し領域を第２電子ビームデータに変換する段階と、
前記第１電子ビームデータが第２電子ビームデータと本質的に同一であるか否かを判断する段階と、
を含むことを特徴とするフォトマスク製造装備のための電子ビームデータ検証方法。
【請求項２】
前記電子ビームデータが同一であるか否かの判断段階は、
前記第１電子ビームデータに存在する多角形の数を前記第２電子ビームデータに存在する多角形の数と比較することを特徴とする請求項１記載の電子ビームデータ検証方法。
【請求項３】
前記電子ビームデータが同一であるか否かの判断段階は、
前記第１電子ビームデータ内の多角形の総面積と第２電子ビームデータ内の多角形の総面積とを比較する段階を含むことを特徴とする請求項１記載の電子ビームデータ検証方法。
【請求項４】
前記電子ビームデータが同一であるか否かの判断段階は、
第１及び第２電子ビームデータ内の多角形を大きさによって分類し、第１及び第２電子ビームデータの各分類内での多角形の数を比較する段階を含むことを特徴とする請求項１記載の電子ビームデータ検証方法。
【請求項５】
前記電子ビームデータが同一であるか否かの判断段階は、
（ａ）前記第ｎ繰り返し領域を第ｎ電子ビームデータに変換する段階と、
（ｂ）前記第ｎ＋１繰り返し領域を第ｎ＋１電子ビームデータに変換する段階と、
（ｃ）前記第ｎ電子ビームデータが第ｎ＋１電子ビームデータと本質的に同一であるか否かを判断する段階と、
（ｄ）ｎを増加させる段階と、
（ｅ）前記（ｂ）段階と（ｃ）段階とを繰り返し実行する段階と、
をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の電子ビームデータ検証方法。
【請求項６】
前記（ｃ）段階は、
前記第ｎ電子ビームデータに存在する多角形の数を前記第ｎ＋１電子ビームデータに存在する多角形の数と比較する段階を含むことを特徴とする請求項５記載の電子ビームデータ検証方法。
【請求項７】
前記（ｃ）段階は、
前記第ｎ電子ビームデータ内の多角形の総面積と第ｎ＋１電子ビームデータ内の多角形の総面積とを比較する段階を含むことを特徴とする請求項５記載の電子ビームデータ検証方法。
【請求項８】
前記（ｃ）段階は、
第１及び第２電子ビームデータ内の多角形を大きさによって分類し、第１及び第２電子ビームデータの各分類内での多角形の数を比較する段階を含むことを特徴とする請求項５記載の電子ビームデータ検証方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子用のフォトマスクを形成するのに用いられる電子ビームデータの検証方法に関し、特にデータ変換装備で半導体素子用のフォトマスクを製作する際に、フォトマスクの一領域から発生する電子ビームデータをフォトマスクの他の領域から発生する電子ビームデータと比較することによって電子ビームデータが異常であるか否かを検証する方法（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｂｅａｍ  Ｄａｔａ  Ｖｅｒｉｆｉｃａｔｉｏｎ  Ｍｅｔｈｏｄ）に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィは、コンピュータプロセッサチップ、メモリなどのような半導体素子を製造する工程において共通的に実行される工程である。一般に、フォトリソグラフィは、半導体基板上に伝導性パターンを形成するために実行される工程である。フォトリソグラフィによる伝導性パターンは、半導体基板上にレジスト層を形成した後にフォトマスクによってレジスト層を露光させて伝導性パターンを定義するフォトマスク部分を除去することによって形成される。半導体基板上に精緻なパターンを形成するために、フォトマスク製造の際にフォトマスクを高精密度で製造しなければならない。
【０００３】
半導体基板上に形成される伝導性パターンの図面設計、あるいは明確であるか否かに関係なく他の形態の表現設計によってフォトマスクの製造形態が一般的に決まる。本明細書では、図面設計あるいは表現設計に基づいて、コンピュータシステムで実行されるＣＡＤソフトウェアが設置された設計装備で生成されるデータを設計データと言う。
【０００４】
この設計データにしたがってフォトマスクを形成するために、この設計データは、無模様のフォトマスク上に伝導性パターンを形成するために用いられるフォトマスク製造装置と互換可能なフォーマットに変換されなければならない。本明細書では、フォトマスク製造装置と互換可能なフォーマットに変換された設計データを電子ビームデータと言う。
【０００５】
一般に設計データを電子ビームデータに変換する変換工程は、伝導性パターンを無模様のフォトマスク上に形成される小型パターンに再構成する過程を必要とする。この小型パターンは、四角形のような一組の多角形で構成される。この四角形は、フォトマスク製造装置に供給される電子ビームデータによって形成することができる。本明細書では、小型パターンはすべて多角形として仮定しているが、一般に各小型パターンの形態は四角形のほぼ同一形態である。
【０００６】
小型パターンのそれぞれは、フォトマスク製造装備の電子ビームデータで規定される多角形によってフォトマスク上に形成される。小型パターンのそれぞれを精密に形成する製造装備の能力は、小型パターンの大きさ、形態、位置、及び配列によって異なる。本明細書では、電子ビームデータで規定される多角形が各小型パターンを意味することもある。
【０００７】
しかしながら、変換工程によって発生する電子ビームデータは、フォトマスクの欠陥を誘発し、その欠陥を有するフォトマスクはそれによって形成される半導体素子の欠陥を引き起こすという問題がある。例えば、この欠陥の誘発は、設計データに存在している領域がまったくないか、あるいは歪曲されて電子ビームデータが極めて弱く形成されるために起こる。
【０００８】
このような電子ビームデータが有する問題を検出するために電子ビームデータをフォトマスク製造装備に入力する前に、電子ビームデータの検証工程を一般的に実行する。この検証工程では、電子ビームデータによって所定の幾何学的な設計条件が満たされるか否かをチェックし、変換工程を少なくともいずれか一部分で繰り返し行って検証工程によって検出された所定の問題を修正している。
【０００９】
設計データ及び電子ビームデータによって表現される伝導性パターンは連続であり複雑であるため、そして各小型パターンのそれぞれに対する幾何学的な設計条件に相互連関性がないので、検証工程で多量の計算動作を実行しなければならない。例えば、１つのフォトマスク用の一組の電子ビームデータに対する検証工程は、長時間にわたってワークステーション全体の計算資源を必要とし得る。
【００１０】
上述したような問題点の他にも変換工程及び検証工程を実行する従来の電子ビームデータの検証方法は、設計データの量が増える問題、または光学近接効果の修正が電子ビームデータに適用されるか否かの問題もある。
【００１１】
図１は、設計データを電子ビームデータに変換するための従来のシステムを説明するブロック図である。図１において、その変換システムは、設計装備１０、データ変換装備２０、及びフォトマスク製造装備３０を含む。
【００１２】
設計装備１０は、ＣＡＤプログラムを利用して設計データを発生する。データ変換装備２０は、複数のワークステーションを含み、設計装備１０から発生する設計データを電子ビームデータに変換して、その変換された電子ビームデータに所定の問題が現われるか否かを検証する。フォトマスク製造装備３０は、データ変換装備２０が発生する電子ビームデータを利用してフォトマスクを製造する。
【００１３】
上述したように、設計装備１０が発生した設計データの量は大きい。すなわち、それの量はギガバイトである可能性もある。よって、設計データを電子ビームデータに変換する時間が長くなり、これによるデータ変換装備２０のための主なシステム資源も要求されることになる。また、原因がわがらないエラーが、設計データが大きくなるにつれて電子ビームデータに現われる可能性もある。
【００１４】
図２は、電子ビームデータを検証する従来の方法を説明するためのフローチャートである。
【００１５】
図２において、設計装備１０が発生する設計データは、データ変換装備２０により電子ビームデータに変換されて保存される（１００）。段階１００で電子ビームデータに変換された設計データを第１電子ビームデータと言う。
【００１６】
設計データは、同じ方法でデータ変換装備２０によって再び電子ビームデータに変換されて再び保存される（１１０）。段階１１０で２回目に変換された電子ビームデータを第２電子ビームデータと言う。
【００１７】
そして、データ変換装備２０は、第１及び第２電子ビームデータを相互比較してそれらが同一であるか否かを判断する（１２０）。変換工程によって同一電子ビームデータが２回発生した場合は、電子ビームデータにはエラーがほとんどないことを言う。このことは、一般に効果的であり、変換工程に現われる同じエラーが電子ビームデータの同一部分で２回は起こらないという事実を言う。第１及び第２電子ビームデータを比較する最も容易な方法は排他的ＯＲ論理演算を実行することである。第１及び第２電子ビームデータが同一である場合、電子ビームデータはデータ変換装置２０からフォトマスク製造装備３０に供給される（１４０）。
【００１８】
段階１２０で２つの電子ビームデータが相互に異なると判断された場合、第１及び第２電子ビームデータの区分が可能部分を肉眼で検査して前記２つの電子ビームデータの中でどれが正しく変換されたのかを判断する（１３０）。肉眼検査は、例えば、機械視覚ソフトウェア等のような商業ソフトウェアを用いている。肉眼検査の後、正しく変換された電子ビームデータをフォトマスク製造装備に供給する（１４０）。
【００１９】
従来の電子ビームデータ検証方法は、設計データを電子ビームデータで２回変換して２つの電子ビームデータが一致するか否かを判断することによって電子ビームデータが異常であるか否かを検出する。設計データを電子ビームデータに変換する過程で発生するエラーの原因はわからない。しかしながら、エラーは不規則に発生し、同一エラーが同様に発生する確率はほとんどないので、従来の電子ビームデータ検証方法では上述したように電子ビームデータが異常であるか否かを検出することができた。
【００２０】
図３は、電子ビームデータを検証する従来の方法を説明するためのフローチャートである。図３において、設計データを商業ソフトウェアを用いて電子ビームデータに変換する（２００）。電子ビームデータは、逆変換工程で商業ソフトェアを利用して設計データに変換する（２１０）。段階２１０で変換された設計データは元の設計データである。段階２１０で、元の設計データに変換された設計データを元の設計データと比較して前記２つの設計データが同一であるか否かを判断する（２２０）。段階２２０の判断において前記２つの設計データが同じであると判断されると、データ変換装備２０は、電子ビームデータをデータ変換装備２０からフォトマスク製造装備３０に供給する（２４０）。もし段階２２０の判断で前記２つの設計データが同じではなければ、データ変換装備２０はエラー信号を発生し（２３０）、変換工程を終了させる。
【００２１】
すなわち、図２で説明したように、同じエラーが繰り返し発生する確率はほとんどなく、また、同一のエラーが逆変換過程で繰り返し発生する確率は更にない。よって、図３で説明するような方法で電子ビームデータが異常であるか否かを検出することができる。
【００２２】
上述のように、設計データの量が次第に大きくなることによって設計データを電子ビームデータへと変換するために相当な時間とシステム資源が必要とされる。しかしながら、図２及び図３に示された従来の電子ビームデータが異常であるか否かを判断する方法は、前記２つの方法では、ともに２回のデータ変換過程を通さなければならない。すなわち、図２の方法では、設計データを電子ビームデータに変換する過程を２回実行しなければならないし、図３の方法では設計データを電子ビームデータに変換する変換工程と、変換された電子ビームデータを元の設計データと同一の設計データとして逆変換する再変換の過程を実行しなければならない。しかしながら、このような変換過程は上述のように相当な時間と多くのシステム資源が必要となるので非常に非効率的であった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２３】
本発明の目的は、データ変換装備で電子ビームデータを検証する方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
上述の目的を果たすための本発明による電子ビームデータ検証方法は、設計データを複数の繰り返し領域に分割する段階と；分割段階で分割された第１領域を第１電子ビームデータに変換する段階と；分割段階で分割された第２領域を第２電子ビームデータに変換する段階と；第１電子ビームデータが第２電子ビームデータと本質的に同一であるか否かを判断する段階を含む。
【００２５】
前記電子ビームデータが同一であるか否かの判断段階は、（１）第１電子ビームデータ内の多角形の数と第２電子ビームデータ内の多角形の数とを比較する段階と、（２）第１電子ビームデータ内の多角形の総面積と第２電子ビームデータ内の多角形の総面積とを比較する段階と、（３）第１及び第２電子ビームデータ内の多角形の大きさによって分類し、第１及び第２電子ビームデータの各分類ごとに多角形の数を比較する段階と、を含む。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の電子ビームデータ検証方法によれば、設計データを同一のパターンを有する複数の領域に分割し、各領域ごとの設計データを電子ビームデータに変換して、このような電子ビームデータの変換過程の中で一領域の電子ビームデータを他の領域の電子ビームデータと比較することによって電子ビームデータを検証する。このようなことで、電子ビームデータの変換過程を一回で済ませることができるので、所要時間及び必要とされるシステム資源が半分に低減できて、特に半導体メモリ装置のセルアレイ領域などを検証するのに有効である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、添付した図面に基づいて本発明による電子ビームデータ検証方法の多様な実施形態を説明する。
【００２８】
図４は、フォトマスク上に形成される伝導性パターンを定義する電子ビームデータの一例を示す図である。
【００２９】
図４において、電子ビームデータは、複数の多角形、例えば四角形で構成されて、各多角形はパターンを形成するために無模様のフォトマスクに照射される電子ビームデータの多角形にあたる。ここで、多角形は小型パターンを意味することもある。多角形は、電子ビームデータの多角形のショット１、ショット２、ショット３、ショット４などである。これらの多角形のショット１、ショット２、ショット３、ショット４などは、電子ビームデータを用いてパターンを形成する際、一度に形成される多角形を示しており、図４において模様が付された部分は、電子ビームデータを利用して多角形が形成される部分を示す。
【００３０】
図４を参照して、本発明の電子ビームデータ検証方法の一実施形態を次に説明する。
【００３１】
図４において、各パターンは、複数の繰り返し領域Ａ１ないしＡ３で構成されて、これらの境界は点線で示されている。半導体素子用のフォトマスクを形成するのに用いられる電子ビームデータでは、繰り返し領域がよく現われる。例えば半導体メモリ素子のメモリセルアレイは繰り返し領域内に配列される複数のメモリセルから構成される。
【００３２】
領域Ａ１ないしＡ３のそれぞれは、多角形の数、形態、大きさが同一であり、それらは繰り返し性があると言える。また、各領域Ａ１、Ａ２、またはＡ３の全体の大きさは同じである。
【００３３】
本発明による電子ビームデータ検証方法の一実施形態によれば、半導体素子の繰り返し領域を示している設計データは繰り返し部分で分割される。電子ビームデータは、各多角形の形態、大きさ、繰り返される周期などの情報を有する。
【００３４】
本発明の一実施形態の電子ビームデータ検証方法では、このような特徴を利用して、データ変換装備２０が、設計装備１０によって生成される設計データを受信してこれを複数の繰り返し領域Ａ１、Ａ２、及びＡ３で分割し、複数の繰り返し領域Ａ１、Ａ２、及びＡ３を電子ビームデータとして順次に変換させる。これと同時に、変換された各電子ビームデータの連続群に含まれた情報、すなわち繰り返し領域Ａ１ないしＡ３のそれぞれに存在する多角形の数、形成されるパターンの面積のような情報を相互比較して同一であるか否かをチェックする。すなわち、繰り返し領域Ａ１に対する電子ビームデータに含まれた多角形の数またはパターン面積と、繰り返し領域Ａ２に対する電子ビームデータに含まれた多角形の数またはパターン面積とを比較して互いに一致するか否かを判断することによって設計データが電子ビームデータに正常に変換されたのかを検証する。
【００３５】
このような検証過程は変換過程と同時に実行される。すなわち、電子ビームデータの繰り返し領域Ａ１を形成するために設計データの一部分を変換したり、引き続いて繰り返し領域Ａ２を形成するために設計データの連続部分を変換したりすることもあり得る。領域Ａ１と領域Ａ２を相互比較してそれらが同一であるか否かを検証する。もしも領域Ａ１と領域Ａ２が同一と仮定したら、これら領域に存在する電子ビームデータにはエラーが存在しない。電子ビームデータの連続群の同一であるか否かを判断するのに用いられる特定情報は、例えば各領域で多角形の数、パターンの全体大きさ、多角形の大きさなどを含む。
【００３６】
上述のように本発明の一実施形態の電子ビームデータ検証方法によれば、変換工程と検証工程を同時に実行し、1回の変換工程だけで、検証された電子ビームデータを発生するので、検証された電子ビームデータを発生するために要する時間が短くなる。
【００３７】
図５は、本発明の第１実施形態による電子ビームデータを検証する方法を説明するためのフローチャートである。そのデータ検証方法は、次のように構成されたシステムで実行する。図１に示すように、そのシステムは、設計データを発生する設計装備１０、設計装備１０が発生した設計データを受信してこれを電子ビームデータに変換するデータ変換装備２０、及びフォトマスク製造装備３０で構成される。
【００３８】
図５の電子ビームデータ検証方法は、設計データを、同一パターンを含んでいる複数のほぼ同一の大きさの領域に分割する段階（３００）を含む。図５において、その領域は、数字の１からｎで表示されている。設計データの所定の領域を示す変数ｎは、初期に１で設定される（３１０）。設計データのｎ番目の領域が電子ビームデータに変換される（３２０）。本明細書では、設計データのｎ番目の領域から変換された電子ビームデータを第ｎ電子ビームデータと言う。
【００３９】
段階３２０で設計データのｎ番目の領域が電子ビームデータに変換された後に、設計データのｎ＋１番目の領域が電子ビームデータに変換される（３３０）。本明細書では、設計データのｎ＋１番目の領域から変換された電子ビームデータを第ｎ＋１電子ビームデータと言う。
【００４０】
そして、第ｎ電子ビームデータに存在する多角形、例えば多角形の数を第ｎ＋１電子ビームデータに存在する多角形の数と比較して２つの電子ビームデータに存在する多角形（Ｓｈｏｔ）の数が一致するか否かを判断する（第３４０段階）。
【００４１】
第３４０段階の判断で、第ｎ電子ビームデータと第ｎ＋１電子ビームデータとで多角形（ｓｈｏｔ）の数が異なれば、エラーを表示する信号がデータ変換装備２０から発生されてデータ変換過程が終わる（３５０）。しかしながら、第３４０段階の判断で、第ｎ電子ビームデータと第ｎ＋１電子ビームデータとで多角形の数が一致すれば、データ変換装備２０はすべての設計データが電子ビームデータに変換されたのか否かを判断する（３６０）。段階３６０の判断で、すべての設計データが電子ビームデータに変換されたと判断したら、電子ビームデータがデータ変換装備２０からフォトマスク製造装備３０に供給されて（３８０）、変換工程は終わる。段階３６０の判断で、すべての設計データが電子ビームデータに変換されていないと判断したら、変数ｎの値を１ずつ増やして（３７０）、段階３３０及び段階３４０を繰り返し実行する。
【００４２】
図５で、第ｎ電子ビームデータに存在する多角形の数と第ｎ＋１電子ビームデータに存在する多角形の数とを段階３４０で比較する。第３４０段階は、ｎ番目の領域に存在する多角形の全体の累積大きさをｎ＋１番目の領域に存在する多角形の全体の累積大きさと相互比較する段階として置き換え、あるいは補充することができる。ｎ番目とｎ＋１番目の領域とで多角形の全体の累積大きさに互いに差があった場合は、設計データ領域の中にいずれか１つが不正常に変換されたものと判断することができる。
【００４３】
言い換えれば、段階３４０を多様な方法で置き換えることができる。ここで、多様な方法のうちの１つは、第ｎ電子ビームデータと第ｎ＋１電子ビームデータとが互いに同一であるか否かを判断することである。多様な方法のうちのもう１つは、第ｎ電子ビームデータと第ｎ＋１電子ビームデータとにそれぞれ存在する多角形を区別可能なグループで分類し、各分類グループから第ｎ電子ビームデータと第ｎ＋１電子ビームデータとに各分類された多角形の全体の数を比較して第ｎ電子ビームデータと第ｎ＋１電子ビームデータとが同一であるか否かを判断することである。
【００４４】
多くの半導体素子は多くの繰り返し領域を含めているので、この方法は電子ビームデータを検査するのにかかる時間とこれに必要な資源を減らすのにとても有用である。すなわち、一般的に半導体素子の製造工程で同一パターンが繰り返し配置されている場合が多い。特に、半導体メモリ素子のメモリセルアレイで同一パターンが繰り返し配置されている場合がもっと多い。一方、上述のようにデータ変換過程で同一エラーが繰り返して発生する確率はほとんどない。
【００４５】
したがって、本発明の実施形態の電子ビームデータ検証方法は、設計データを繰り返される同一領域で分割し、その分割された領域を順次に変換しながらこのような分割変換された領域が相互隣接した領域に存在する同一の多角形の数を有しているか、または同一パターン面積を有しているか否かを判断することで、電子ビームデータが異常であるか否かを検出することができる。
【００４６】
図６は、２組の電子ビームデータにそれぞれ対応する２つの類似領域の比較を説明するための図であり、２組の電子ビームデータにそれぞれ対応する２つの類似領域のうちの一領域は、他の領域と比較してデータ失効部分が存在している。このデータ失効部分は、電子ビームデータに変換する変換工程でなくなったものである。図６で、図６（Ａ）は正常に変換された第ｎ電子ビームデータを、図６（Ｂ）は不正常に変換されてデータの一部を喪失した第ｎ＋１電子ビームデータをそれぞれ示したものである。
【００４７】
図６を参照すると、一部データを喪失したので図６（Ｂ）の第ｎ＋１電子ビームデータに存在する多角形の数が図６（Ａ）の第ｎ電子ビームデータに存在する多角形の数よりも小さいということが明確である。また、第ｎ＋１電子ビームデータに存在する多角形の全体面積が正しく変換された第ｎ電子ビームデータに存在する多角形の全体面積よりも小さいということが分かる。同様に、第ｎ＋１電子ビームデータに存在している大きさで分類された多角形の数が第ｎ電子ビームデータに存在している大きさで分類された多角形の数よりも小さいということが明確である。
【００４８】
したがって、図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示す電子ビームデータに存在する多角形の数を比較すると２つの電子ビームデータが互いに異なるという事実を検出することができる。同様に、多角形の全体面積が正しく変換された第ｎ電子ビームデータに存在する多角形の全体面積よりも小さいので、これらの比較で図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示す電子ビームデータが相互同一であるか否かを判断することができる。また、第ｎ＋１電子ビームデータに存在している大きさで分類された多角形の数と第ｎ電子ビームデータに存在している大きさで分類された多角形の数とを比較して図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示された電子ビームデータが相互同一であるか否かを判断することができる。
【００４９】
図７は、２組の電子ビームデータにそれぞれ対応する２つの類似領域の比較を説明するための図で、２組の電子ビームデータにそれぞれ対応する２つの類似領域のうち一領域は、他の領域に比較して不正常に分割さている。図７で、図７（Ａ）は正常に変換された第ｎ電子ビームデータを、図７（Ｂ）は不正常に変換されて多角形が不正常に分割された場合をそれぞれ示すものである。特に図７（Ｂ）は１組の電子ビームデータ（楕円点線で示す）が過度に多角形の数で分割された場合を示している。
【００５０】
図７（Ａ）及び図７（Ｂ）の電子ビームデータに存在している分割された多角形の全体の数を比較して２組の電子ビームデータが等しくないということが明確である。同様に、２組の電子ビームデータに存在している大きさごとに分類された多角形の数を比較して図７（Ａ）及び図７（Ｂ）の電子ビームデータの同一であるか否かを判断することができる。確かに、図７（Ｂ）の電子ビームデータに存在している分割された相対的に大きな多角形の数が図７（Ａ）の電子ビームデータに存在している分割された相対的に大きい多角形の数よりも小さい。
【００５１】
上述のように、従来のデータ検証方法は、設計データを電子ビームデータで２回変換して、その変換された２つの電子ビームデータを比較する方法、または設計データを電子ビームデータに変換し、再び電子ビームデータを設計データに逆変換して設計データの原本と設計データの写本とを比較する方法を用いている。
【００５２】
しかしながら、本発明の実施形態によれば、データ変換過程を一回だけ実施するので重要な時間と計算資源を節約することができる。
【００５３】
本発明による電子ビームデータ検証方法は、特に半導体メモリ装置のように同一のパターンが繰り返される半導体素子の製造に適用することができる。
【００５４】
上述では、本発明の好ましい実施形態を参照しながら説明したが、当該技術分野の熟練した当業者は、添付の特許請求範囲に記載された本発明の思想及び領域から逸脱しなし範囲で、本発明を多様に修正及び変更させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】設計データを電子ビームデータに変換する一般的なデータ変換システムの構成のブロック図である。
【図２】図１のデータ変換システムで電子ビームデータを検証する従来の方法の第１実施形態を説明するフローチャートである。
【図３】図１のデータ変換システムで電子ビームデータを検証する従来の方法の第２実施形態を説明するフローチャートである。
【図４】図１のデータ変換システムで本発明によるデータ検証方法の第１実施形態を説明する図である。
【図５】図１のデータ変換システムで本発明によるデータ検証方法を説明するフローチャートである。
【図６】電子ビームデータの２つの類似領域を比較する検証工程で、変換工程中に領域データのうち一部のデータを喪失した場合を説明する図である。
【図７】電子ビームデータの２つの類似領域を比較する検証工程で、変換工程中に電子ビームデータの多角形が非正常に分割された場合を説明する図である。
【符号の説明】
【００５６】
１０：設計装備
２０：データ変換装備
３０：フォトマスク製造装備
【図１】
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【図２】
2006133776.tif 000004
【図３】
2006133776.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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