(57)【要約】【課題】  ダイボンディング用の接着フィルムを、半導体チップの裏面にはみ出しやばりを発生することなく貼付と分割を行うことができる半導体チップの製造方法を提供する。【解決手段】  半導体ウエーハ１の表面からスクライブレーンに沿って所定の深さの分割溝１３を形成する工程と、表面に表面保護テープ２を貼着する工程と、半導体ウエーハ１の裏面を研削して分割溝１３を表出させ個々の半導体チップ８に分離する工程と、個々に分離された半導体チップ８の裏面にダイボンディング用接着フィルム４を貼着する工程と、半導体チップ８の裏面に貼着されたダイボンディング用接着フィルム４の表面側とダイシング用フレーム５とにダイシングテープ６を貼着する工程と、半導体ウエーハ１の表面に貼着された表面保護テープ２を剥離する工程と、半導体ウエーハ１の表面全面にＵＶ光線７を照射する工程と、接着フィルム４の分割溝１３に沿ってＵＶ光線７に照射された部分を選択的に現像液で除去する工程とを含む。【選択図】    図２
2006332078.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に複数のスクライブレーンが格子状に形成されているとともに該複数のスクライブレーンによって区画された複数の領域に回路が形成された半導体ウエーハを個々の半導体チップに分割し、該個々の半導体チップの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着する半導体チップの製造方法であって、半導体ウエーハの表面から前記スクライブレーンに沿ってその箇所の厚みよりも浅い所定の深さの分割溝を形成する分割溝形成工程と、該分割溝が形成された半導体ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、表面に保護部材が貼着された半導体ウエーハの裏面を研削して該裏面に前記分割溝を表出させ、表面に保護部材が貼着された半導体ウエーハを個々の半導体チップに分離する分割溝表出工程と、保護部材が貼着された状態で個々に分離された半導体チップの裏面にダイボンディング用接着フィルムを貼着する接着フィルム貼着工程と、個々に分離された複数の半導体チップとダイシング用フレームとを位置合わせし、半導体チップの裏面に貼着されたダイボンディング用接着フィルムの表面側と前記ダイシング用フレームとにダイシングテープを貼着するフレームマウント工程と、フレームマウントされた半導体ウエーハから該半導体ウエーハの表面に貼着された保護部材を剥離する保護部材剥離工程と、保護部材が剥離された側から半導体ウエーハの表面全面にＵＶ光線を照射する露光工程と、前記ダイボンディング用接着フィルムの前記分割溝に沿ってＵＶ光線に照射された部分を選択的に現像液で除去する現像工程と、を含むことを特徴とする半導体チップの製造方法。
【請求項２】
表面に複数のスクライブレーンが格子状に形成されているとともに該複数のスクライブレーンによって区画された複数の領域に回路が形成された半導体ウエーハを個々の半導体チップに分割し、該個々の半導体チップの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着する半導体チップの製造方法であって、半導体ウエーハの表面から前記スクライブレーンに沿ってその箇所の厚みよりも浅い所定の深さの分割溝を形成する分割溝形成工程と、該分割溝が形成された半導体ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、表面に保護部材が貼着された半導体ウエーハの裏面を研削して該裏面に前記分割溝を表出させ、表面に保護部材が貼着された半導体ウエーハを個々の半導体チップに分離する分割溝表出工程と、保護部材が貼着された状態で個々に分離された半導体チップの裏面にダイボンディング用接着フィルムを貼着する接着フィルム貼着工程と、個々に分離された複数の半導体チップとダイシング用フレームとを位置合わせし、半導体チップの裏面に貼着されたダイボンディング用接着フィルムの表面側と前記ダイシング用フレームとにダイシングテープを貼着するフレームマウント工程と、半導体ウエーハの表面に貼着された保護部材の表面全面にＵＶ光線を照射し、同時に前記ダイボンディング用接着フィルムの前記分割溝の部分にも保護部材を透過してＵＶ光源を照射する露光工程と、半導体ウエーハの表面に貼着された保護部材を前記露光工程後に剥離する保護部材剥離工程と、前記ダイボンディング用接着フィルムの前記分割溝に沿ってＵＶ光線に照射された部分を選択的に現像液で除去する現像工程と、を含むことを特徴とする半導体チップの製造方法。
【請求項３】
表面に複数のスクライブレーンが格子状に形成されているとともに該複数のスクライブレーンによって区画された複数の領域に回路が形成された半導体ウエーハを個々の半導体チップに分割し、該個々の半導体チップの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着する半導体チップの製造方法であって、半導体ウエーハの表面から前記スクライブレーンに沿ってその箇所の厚みよりも浅い所定の深さの分割溝を形成する分割溝形成工程と、該分割溝が形成された半導体ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、表面に保護部材が貼着された半導体ウエーハの裏面を研削して該裏面に前記分割溝を表出させ、表面に保護部材が貼着された半導体ウエーハを個々の半導体チップに分離する分割溝表出工程と、保護部材が貼着された状態で個々に分離された半導体チップの裏面にダイボンディング用接着フィルムを貼着する接着フィルム貼着工程と、半導体ウエーハの表面に貼着された保護部材の表面全面にＵＶ光線を照射し、同時に前記ダイボンディング用接着フィルムの前記分割溝の部分にも保護部材を透過してＵＶ光源を照射する露光工程と、前記ダイボンディング用接着フィルムの前記分割溝に沿ってＵＶ光線に照射された部分を選択的に現像液で除去する現像工程と、個々に分離された複数の半導体チップとダイシング用フレームとを現像工程後に位置合わせし、半導体チップの裏面に貼着されたダイボンディング用接着フィルムの表面側と前記ダイシング用フレームとにダイシングテープを貼着するフレームマウント工程と、半導体ウエーハの表面に貼着された保護部材を前記フレームマウント工程後に剥離する保護部材剥離工程と、を含むことを特徴とする半導体チップの製造方法。
【請求項４】
分割溝表出工程において、ダイヤモンド砥石により研削加工を行った後、研磨パッドを用いて研磨加工による鏡面化処理を行うことを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項５】
分割溝表出工程において、ダイヤモンド砥石により研削加工を行った後、ドライエッチングを施して鏡面化処理を行うことを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項６】
ダイボンディング用接着フィルムは、ＵＶ照射されなければ現像液に容易に溶解しない性質と、ＵＶ照射されることによって現像液に溶解する性質とを併せ持っており、部分的にＵＶ照射を施すことで選択的に除去できることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項７】
表面に回路が形成され、裏面にダイボンディング用の接着フィルムが装着される半導体チップで、前記ダイボンディング用の接着フィルムは半導体チップと同じ大きさではみ出し部分や、ばりを有さないことを特徴とする半導体チップ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に複数のスクライブレーンが格子状に形成されているとともに該複数のスクライブレーンによって区画された複数の領域に回路が形成された半導体ウエーハを個々の半導体チップに分割し、該個々の半導体チップの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着する半導体チップの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、半導体ウエーハの表面に格子状に形成されたスクライブレーンによって区画された複数の領域に、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体集積回路を形成し、該回路が形成された各領域をスクライブレーンに沿って分割することにより、個々の半導体チップを製造している。半導体ウエーハを分割する分割装置としては一般にダイシング装置が用いられており、このダイシング装置は厚さが２０μｍから１００μｍ程度の切削ブレードによって半導体ウエーハをスクライブレーンに沿って切削する構造である。
【０００３】
このようにして分割された半導体チップは、例えば、リードフレームや有機基板などにダイボンディングされ、ワイヤーボンディング等で電気接合を行い、樹脂封止され、個々の半導体装置に分割される。このような半導体装置は携帯電話や家庭電化製品をはじめとした電気機器やＩＤタグ、ＩＣカードなどとして、広く利用されている。
【０００４】
個々に分割された半導体チップは、その裏面にポリイミド樹脂等で形成された厚さ２０μｍ〜４０μｍのダイアタッチフィルムと称するダイボンディング用の接着フィルムが装着され、この接着フィルムを介して半導体チップをリードフレームや有機基板に加熱することによりボンディングされる。半導体チップの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着する方法としては、特許文献１に代表されるように、半導体ウエーハの裏面に接着フィルムを貼着し、この接着フィルムを介して半導体ウエーハをダイシングテープに貼着した後、半導体ウエーハの表面に形成されたスクライブレーンに沿って切削ブレードにより接着フィルムと共に切削することにより、裏面に接着フィルムが装着された半導体チップを形成している。この半導体チップをリードフレームや有機基板にボンディングする際には、既に半導体チップの裏面に接着フィルムが装着されているので、ボンディング作業が円滑に行われる。
【０００５】
近年、携帯電話等の電気機器は、より薄型化、小型化が求められており、また、ＩＣカードなどにも半導体チップが使用されているため、より薄い半導体チップが要求されている。さらに、携帯電話などの携帯電気機器の場合であれば落下耐久性や操作ボタンの直下にある半導体装置の押圧耐久性が強く求められ、また、ＩＣカード等であれば曲げ耐久性などに対する要求品質が高い。
【０００６】
つまり、より薄く／小さく、なおかつ強度の高い半導体チップが要求されている。
これらの要求を解決する半導体チップの製造技術として、特許文献２に代表される先ダイシング法と称する技術が実用化されている。この先ダイシング法は、半導体ウエーハの表面からスクライブレーンに沿って半導体チップの仕上がり厚さより深く、かつ研削前の半導体ウエーハの厚さよりも浅い深さの分割溝を形成し、その後、表面に分割溝が形成された半導体ウエーハの裏面を研削して該裏面に分割溝を表出させ個々の半導体チップに分離する技術である。この技術を用いれば、半導体ウエーハの割れ等の問題が発生することなく、半導体チップの厚さを５０μｍ以下に加工することが可能である。また、従来一般に行われているダイシング工程を用いて薄いウエーハを切削分離する工法を用いた場合には、図６に示すように、半導体チップ８の裏面側にチッピング９を発生し易く、このチッピング９の発生は半導体チップ８の抗折強度や振動落下強度に対する著しい劣化の原因となるが、前記した先ダイシング工法を用いることにより、半導体チップ８の裏面側のチッピング９はなくすことが出来るため、高い強度を有する５０μｍ以下などの薄い半導体チップ８を容易に製造可能である。
【特許文献１】特開平１１−２１９９６２号公報
【特許文献２】特開２０００−２９４５２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、特許文献１の例のように半導体ウエーハの裏面に接着フィルムを貼着し、この接着フィルムを介して半導体ウエーハをダイシングテープに貼着した後、半導体ウエーハの表面に形成されたスクライブレーンに沿って切削ブレードにより接着フィルムと共に切削することにより、裏面に接着フィルムが装着された半導体チップを形成する工法においては、図６に示すように、切削時に発生する熱と切削ブレードの回転移動とにより、接着フィルム４が切削ブレードの回転方向に向かって伸長して半導体チップ８からはみ出したり、接着フィルム４にばり４２が発生したりする。この接着フィルム４のはみ出しやばり４２は、その後のパッケージング工程において、ボンディングパッド上に付着し、ワイヤーボンディングの不着や封止樹脂の流動性劣化などの問題を発生させる原因となる。
【０００８】
また、特許文献２に代表される先ダイシング法によって半導体ウエーハを個々の半導体チップに分割する場合には、半導体ウエーハの表面からスクライブレーンに沿って所定の深さの分割溝を形成した後に半導体ウエーハの裏面を研削して該裏面に分割溝を表出させるので、ダイボンディング用の接着フィルムを前もって半導体ウエーハの裏面に装着することができないことに加え、切削ブレードにより半導体ウエーハと接着フィルムを同時に切削し、接着フィルムを分割することもできない。従って、先ダイシング法によって製造した半導体チップをリードフレームや有機基板にボンディングする際には、半導体チップとフレームとの間にボンド剤を挿入しながら行わなければならず、ボンディング作業を円滑に実施することができないという問題がある。
【０００９】
本発明は上記問題を解決するもので、本発明の主たる目的は、半導体ウエーハが先ダイシングによって分割される個々の半導体チップの裏面に、ダイボンディング用の接着フィルムを、はみ出しやばり等を発生させることなく、容易に装着することができる半導体チップの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の問題を解決するため、本発明によれば、表面に複数のスクライブレーンが格子状に形成されているとともに該複数のスクライブレーンによって区画された複数の領域に回路が形成された半導体ウエーハを個々の半導体チップに分割し、該個々の半導体チップの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着する半導体チップの製造方法であって、半導体ウエーハの表面から前記スクライブレーンに沿ってその箇所の厚みよりも浅い所定の深さの分割溝を形成する分割溝形成工程と、該分割溝が形成された半導体ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、表面に保護部材が貼着された半導体ウエーハの裏面を研削して該裏面に前記分割溝を表出させ、表面に保護部材が貼着された半導体ウエーハを個々の半導体チップに分離する分割溝表出工程と、保護部材が貼着された状態で個々に分離された半導体チップの裏面にダイボンディング用接着フィルムを貼着する接着フィルム貼着工程と、個々に分離された複数の半導体チップとダイシング用フレームとを位置合わせし、半導体チップの裏面に貼着されたダイボンディング用接着フィルムの表面側と前記ダイシング用フレームとにダイシングテープを貼着するフレームマウント工程と、フレームマウントされた半導体ウエーハから該半導体ウエーハの表面に貼着された保護部材を剥離する保護部材剥離工程と、保護部材が剥離された側から半導体ウエーハの表面全面にＵＶ光線を照射する露光工程と、前記ダイボンディング用接着フィルムの前記分割溝に沿ってＵＶ光線に照射された部分を選択的に現像液で除去する現像工程と、を含むことを特徴とする半導体チップの製造方法が提供される。
【００１１】
また、本発明によれば、表面に複数のスクライブレーンが格子状に形成されているとともに該複数のスクライブレーンによって区画された複数の領域に回路が形成された半導体ウエーハを個々の半導体チップに分割し、該個々の半導体チップの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着する半導体チップの製造方法であって、半導体ウエーハの表面から前記スクライブレーンに沿ってその箇所の厚みよりも浅い所定の深さの分割溝を形成する分割溝形成工程と、該分割溝が形成された半導体ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、表面に保護部材が貼着された半導体ウエーハの裏面を研削して該裏面に前記分割溝を表出させ、表面に保護部材が貼着された半導体ウエーハを個々の半導体チップに分離する分割溝表出工程と、保護部材が貼着された状態で個々に分離された半導体チップの裏面にダイボンディング用接着フィルムを貼着する接着フィルム貼着工程と、個々に分離された複数の半導体チップとダイシング用フレームとを位置合わせし、半導体チップの裏面に貼着されたダイボンディング用接着フィルムの表面側と前記ダイシング用フレームとにダイシングテープを貼着するフレームマウント工程と、半導体ウエーハの表面に貼着された保護部材の表面全面にＵＶ光線を照射し、同時に前記ダイボンディング用接着フィルムの前記分割溝の部分にも保護部材を透過してＵＶ光源を照射する露光工程と、半導体ウエーハの表面に貼着された保護部材を前記露光工程後に剥離する保護部材剥離工程と、前記ダイボンディング用接着フィルムの前記分割溝に沿ってＵＶ光線に照射された部分を選択的に現像液で除去する現像工程と、を含むことを特徴とする半導体チップの製造方法が提供される。
【００１２】
また、本発明によれば、表面に複数のスクライブレーンが格子状に形成されているとともに該複数のスクライブレーンによって区画された複数の領域に回路が形成された半導体ウエーハを個々の半導体チップに分割し、該個々の半導体チップの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着する半導体チップの製造方法であって、半導体ウエーハの表面から前記スクライブレーンに沿ってその箇所の厚みよりも浅い所定の深さの分割溝を形成する分割溝形成工程と、該分割溝が形成された半導体ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、表面に保護部材が貼着された半導体ウエーハの裏面を研削して該裏面に前記分割溝を表出させ、表面に保護部材が貼着された半導体ウエーハを個々の半導体チップに分離する分割溝表出工程と、保護部材が貼着された状態で個々に分離された半導体チップの裏面にダイボンディング用接着フィルムを貼着する接着フィルム貼着工程と、半導体ウエーハの表面に貼着された保護部材の表面全面にＵＶ光線を照射し、同時に前記ダイボンディング用接着フィルムの前記分割溝の部分にも保護部材を透過してＵＶ光源を照射する露光工程と、前記ダイボンディング用接着フィルムの前記分割溝に沿ってＵＶ光線に照射された部分を選択的に現像液で除去する現像工程と、個々に分離された複数の半導体チップとダイシング用フレームとを現像工程後に位置合わせし、半導体チップの裏面に貼着されたダイボンディング用接着フィルムの表面側と前記ダイシング用フレームとにダイシングテープを貼着するフレームマウント工程と、半導体ウエーハの表面に貼着された保護部材を前記フレームマウント工程後に剥離する保護部材剥離工程と、を含むことを特徴とする半導体チップの製造方法が提供される。
【００１３】
前述の分割溝表出工程は、ダイヤモンド砥石により研削加工を行った後、研磨パッドを用いて研磨加工による鏡面化処理を行うこと、また、ダイヤモンド砥石により研削加工を行った後、ドライエッチングを施し鏡面化処理を行うことなども必要に応じて適用可能である。
【００１４】
また、本発明で使用するダイボンディング用接着フィルムは、ＵＶ照射されなければ現像液に容易に溶解しない性質と、ＵＶ照射されることによって現像液に溶解する性質とを併せ持っており、部分的にＵＶ照射を施すことで選択的に除去できる特徴を有する。
【００１５】
さらに、本発明により製造される半導体チップは、表面に回路が形成され、裏面にダイボンディング用の接着フィルムが装着される半導体チップで、前記ダイボンディング用の接着フィルムは半導体チップと同じ大きさではみ出し部分や、ばりを有さないことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明による半導体チップの製造方法によれば、先ダイシングによって個々の半導体チップに分離されてはいるが半導体ウエーハの形態が維持されている状態でその裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着するので、半導体チップの裏面に接着フィルムを容易に装着することができる。
【００１７】
また、本発明においては、個々に分離された半導体チップの裏面に貼着された接着フィルムを、該接着フィルムとして感光性の性質を有するものを用いて、半導体チップの回路面側からＵＶ光線を照射し、前記接着フィルムの各半導体チップ間の分割溝部分のみを露光し、その後現像を行うことで、個々の半導体チップの裏面の部分を残し、半導体チップ毎に接着フィルムを分割することができる。また、ＵＶ照射の際には半導体チップの分割溝をフォトマスクとして用いるため、位置合わせなど行う必要がなく容易に実現可能な工法である。例えば、従来から、表面保護部材のＵＶ硬化用やダイシングテープのＵＶ硬化用に用いられている半導体ウエーハの全面を露光する方式のＵＶ照射機をそのまま用いることが可能である。
【００１８】
さらに、得られた半導体チップは、裏面チッピングがなく、裏面に貼着された接着フィルムは半導体チップからはみ出したり、ばりが発生してすることがなく、パッケージング工程での不具合の少ない半導体チップであるため、半導体装置の製造工程での不良の削減と、製品品質の向上が可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明による半導体チップの製造方法の最良の実施形態について、図面を参照して説明する。
図１に、本発明に従って分割される半導体ウエーハの斜視図を示す。図１に示す半導体ウエーハ１は、表面に複数のスクライブレーン１１が格子状に形成されているとともに該複数のスクライブレーン１１によって区画された複数の領域に半導体回路１２が形成されている。この半導体ウエーハ１を個々の半導体チップに分割して半導体チップを製造する方法について、実施の形態１から実施の形態３までを、断面図を参照して説明する。
（実施の形態１）
図２（ａ）〜（ｌ）は実施の形態１における半導体チップの製造方法の各工程を示す断面図である。図２（ａ）〜（ｌ）において、１は半導体ウエーハ、１２１はボンディングパッド、１２２は能動回路、１２３はパシベーション膜、２は表面保護テープ、４はダイボンディング用の接着フィルム、６はダイシングテープをそれぞれ示している。
【００２０】
まず、図２（ａ）に示すように、半導体ウエーハ１の表面上には、ボンディングパッド１２１や能動回路１２２、パシベーション膜１２３などが形成されている。次に、図２（ｂ）に示すように、ダイシング装置として一般に用いられている切削装置を用い、半導体ウエーハ１上のスクライブレーンに位置する場所に、半導体ウエーハ１の厚みよりも浅い所定深さの分割溝１３を形成する。次に、図２（ｃ）に示すように、分割溝１３が形成された半導体ウエーハ１の表面上に表面保護テープ２を貼着する。次に、図２（ｄ）に示すように、半導体ウエーハ１を反転させ、図２（ｅ）に示すように、研削砥石を備えた研削装置３を用いて、半導体ウエーハ１の裏面を研削し、図２（ｆ）に示すように、分割溝１３を裏面に表出させて、表面に表面保護テープ２が貼着された状態のままで個々の半導体チップ８に分割する（分割溝表出工程）。次に、図２（ｇ）に示すように、ダイボンディング用の接着フィルム４を個々の半導体チップ８に分割された半導体ウエーハ１の裏面に貼着させる。次に、図２（ｈ）に示すように、個々の半導体チップ８に分離された半導体ウエーハ１をダイシング用フレーム５の中心付近に位置合わせし、半導体チップ８の裏面に貼着されたダイボンディング用接着フィルム４の表面側とダイシング用フレーム５とにダイシングテープ６を貼着する。次に、図２（ｉ）に示すように、ダイシング用フレーム５ごと反転させ、半導体チップ８の表面に貼り付けられた表面保護テープ２を半導体チップ８から剥離する。次に、図２（ｊ）に示すように、半導体ウエーハ１の表面側からＵＶ光線７を照射する。これにより、図２（ｋ）に示すように、分割された個々の半導体チップ８の分割溝１３の部分のダイボンディング用の接着フィルム４は露光される。最後に、半導体ウエーハ１の表面上をＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）溶液などの現像液に晒すことにより、ダイボンディング用の接着フィルム４の露光された部分４１は溶解され、図２（ｌ）に示すように、ダイボンディング用の接着フィルム４は個々の半導体チップ８の部分を残して分割される。このようにして、裏面にダイボンディング用の接着フィルム４を装着した半導体チップ８を製造することができる。
（実施の形態２）
図３（ａ）〜（ｋ）は実施の形態２における半導体チップの製造方法の各工程を示す断面図である。図３（ａ）〜（ｋ）において、１は半導体ウエーハ、１２１はボンディングパッド、１２２は能動回路、１２３はパシベーション膜、２は表面保護テープ、４はダイボンディング用の接着フィルム、６はダイシングテープをそれぞれ示している。
【００２１】
まず、図３（ａ）に示すように、半導体ウエーハ１の表面上には、ボンディングパッド１２１や能動回路１２２、パシベーション膜１２３などが形成されている。次に、図３（ｂ）に示すように、ダイシング装置として一般に用いられている切削装置を用い、半導体ウエーハ１上のスクライブレーンに位置する場所に、半導体ウエーハ１の厚みよりも浅い所定深さの分割溝１３を形成する。次に、図３（ｃ）に示すように、分割溝１３が形成された半導体ウエーハ１の表面上に表面保護テープ２を貼着する。次に、図３（ｄ）に示すように、半導体ウエーハ１を反転させ、図３（ｅ）に示すように、研削砥石を備えた研削装置３を用いて、半導体ウエーハ１の裏面を研削し、図３（ｆ）に示すように、分割溝１３を裏面に表出させて、表面に表面保護テープ２が貼着された状態のままで個々の半導体チップ８に分割する（分割溝表出工程）。次に、図３（ｇ）に示すように、ダイボンディング用の接着フィルム４を個々の半導体チップ８に分割された半導体ウエーハ１の裏面に貼着させる。次に、図３（ｈ）に示すように、個々の半導体チップ８に分離された半導体ウエーハ１をダイシング用フレーム５の中心付近に位置合わせし、半導体チップ８の裏面に貼着されたダイボンディング用接着フィルム４の表面側とダイシング用フレーム５とにダイシングテープ６を貼着する。次に、図３（ｉ）に示すように、ダイシング用フレーム５ごと反転させ、半導体ウエーハ１に貼着された表面保護テープ２の表面側からＵＶ光線７を照射する。これにより、図３（ｊ）に示すように、ＵＶ光線７が表面保護テープ２を透過することにより分割された個々の半導体チップ８の分割溝１３の部分がダイボンディング用の接着フィルム４は露光される。また、表面保護テープ２として、ＵＶ光線７の照射により粘着力が低下するＵＶ硬化型テープを用いる場合は、このＵＶ光線７の照射の際に表面保護テープ２の粘着力が低下し、図３（ｊ）に示すように、表面保護テープ２を容易に剥離できる。最後に、半導体ウエーハ１の表面上をＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）溶液などの現像液に晒すことにより、ダイボンディング用の接着フィルム４の露光された部分４１は溶解され、図３（ｋ）に示すように、ダイボンディング用の接着フィルム４は個々の半導体チップ８の部分を残して分割される。このようにして、裏面にダイボンディング用の接着フィルム４を装着した半導体チップ８を製造することができる。
（実施の形態３）
実施の形態３における半導体チップ製造方法を、図３（ａ）〜（ｇ）及び図４（ａ）〜（ｅ）に示す工程断面図を用いて説明する。これらの図において、１は半導体ウエーハ、１２１はボンディングパッド、１２２は能動回路、１２３はパシベーション膜、２は表面保護テープ、４はダイボンディング用の接着フィルム、６はダイシングテープをそれぞれ示している。
【００２２】
まず、図３（ａ）に示すように、半導体ウエーハ１の表面上には、ボンディングパッド１２１や能動回路１２２、パシベーション膜１２３などが形成されている。次に、図３（ｂ）に示すように、ダイシング装置として一般に用いられている切削装置を用い、半導体ウエーハ１上のスクライブレーンに位置する場所に、半導体ウエーハ１の厚みよりも浅い所定深さの分割溝１３を形成する。次に、図３（ｃ）に示すように、分割溝１３が形成された半導体ウエーハ１の表面上に表面保護テープ２を貼着する。次に、図３（ｄ）に示すように、半導体ウエーハ１を反転させ、図３（ｅ）に示すように、研削砥石を備えた研削装置３を用いて、半導体ウエーハ１の裏面を研削し、図３（ｆ）に示すように、分割溝１３を裏面に表出させて、表面に表面保護テープ２が貼着された状態のままで個々の半導体チップ８に分割する（分割溝表出工程）。次に、図３（ｇ）に示すように、ダイボンディング用の接着フィルム４を個々の半導体チップ８に分割された半導体ウエーハ１の裏面に貼着させる。次に、図４（ａ）に示すように、半導体ウエーハ１に貼着された表面保護テープ２の表面側からＵＶ光線７を照射する。このとき、ＵＶ光線７が表面保護テープ２を透過することにより、図４（ｂ）に示すように、分割された個々の半導体チップ８の分割溝１３の部分のダイボンディング用の接着フィルム４は露光される。また、表面保護テープ２として、ＵＶ光線７を照射することにより粘着力が低下するＵＶ硬化型テープを用いる場合は、このＵＶ光線７の照射の際に同時に表面保護テープ２の粘着力が低下し、容易に表面保護テープ２を剥離できる状態になっている。ただし、ここではまだ表面保護テープ２を剥離しない。次に、半導体ウエーハ１の裏面に貼着されたダイボンディング用の接着フィルム４の表面をＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）溶液などの現像液に晒すことにより、ダイボンディング用の接着フィルム４の露光された部分４１は溶解され、図４（ｃ）に示すように、ダイボンディング用の接着フィルム４は個々の半導体チップ８の部分を残して分割される。次に、図４（ｄ）に示すように、個々の半導体チップ８に分離された半導体ウエーハ１をダイシング用フレーム５の中心付近に位置合わせし、半導体チップ８の裏面に貼着されたダイボンディング用接着フィルム４の表面側とダイシング用フレーム５とにダイシングテープ６を貼着し、表面保護テープ２を剥離する。このようにして、裏面にダイボンディング用の接着フィルム４を装着した半導体チップ８を製造することができる。
【００２３】
なお、各実施の形態１〜３における分割溝表出工程において、ダイヤモンド砥石により研削加工を行った後、研磨パッドを用いて研磨加工による鏡面化処理を行うこと、また、ダイヤモンド砥石により研削加工を行った後、ドライエッチングを施し鏡面化処理を行うことなども必要に応じて適用可能である。
【００２４】
以上のように、これらの実施の形態１〜３で述べた半導体チップの製造方法によれば、図５に示すように、表面にボンディングパッド１２１、能動回路１２２、パシベーション膜１２３を有するとともに、裏面にダイボンディング用の接着フィルム４を装着した半導体チップ８を良好に製造することができる。そして特に、本発明による半導体チップの製造方法によれば、図２〜図４に示すように、先ダイシングによって個々の半導体チップ８に分離されてはいるが半導体ウエーハ１の形態が維持されている状態でその裏面にダイボンディング用の接着フィルム４を装着するので、半導体チップ８の裏面に接着フィルム４を容易に装着することができる。
【００２５】
また、本発明によれば、個々に分離された半導体チップ８の裏面に貼着された接着フィルム４を、該接着フィルム４として感光性の性質を有するものを用い、ＵＶ光線７を照射して現像を行うことで、該接着フィルム４における個々の半導体チップ８の裏面の部分を残し、半導体チップ８毎に接着フィルム４を分割することができる。また、ＵＶ照射の際には半導体チップ８の分割溝１３をフォトマスクとして用いるため、位置合わせなど行う必要がなく、容易に実現可能な工法である。
【００２６】
さらに、本発明においては、いわゆる先ダイシングによって個々の半導体チップ８に分離しているので、得られた半導体チップ８は、図６に示すような裏面のチッピング９がなく、裏面に貼着された接着フィルム４は半導体チップ８からはみ出したり、ばり４２が発生してすることがなく、パッケージング工程での不具合の少ない半導体チップ８である。したがって、従来発生していたようなチッピング９による半導体チップ８の抗折強度や振動落下強度に対する著しい劣化を防止でき、高い強度を有する５０μｍ以下などの薄い半導体チップ８を容易かつ良好に製造可能であり、また、従来発生していた接着フィルム４のはみ出しやばり４２に起因するワイヤーボンディングの不着や封止樹脂の流動性劣化などの問題発生を防止できる。このように、近年、半導体チップに求められるより薄く／小さく、なおかつ強度は高くという、これまで困難であった性能を容易に得られる半導体チップ８の製造方法として非常に有用な技術である。
【産業上の利用可能性】
【００２７】
本発明による半導体チップの製造方法は、薄型化、小型化される半導体チップの製造方法として特に適しているが、これに限るものではなく、各種の半導体チップの製造方法として用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明による半導体チップの製造方法によって分割される半導体ウエーハの斜視図
【図２】本発明の実施の形態１における半導体チップの製造方法を示す工程断面図
【図３】本発明の実施の形態２及び３における半導体チップの製造方法を示す工程断面図
【図４】本発明の実施の形態３における半導体チップの製造方法を示す工程断面図
【図５】本発明における半導体チップの構造を示す断面図
【図６】従来の半導体チップの構造を示す断面図
【符号の説明】
【００２９】
１        半導体ウエーハ
１２１    ボンディングパッド
１２２    能動回路
１２３    パシベーション膜
１３      分割溝（スクライブレーン）
２        表面保護テープ（保護部材）
３        研削装置
４        ダイボンディング用の接着フィルム
４１      ダイボンディング用の接着フィルムの露光された部分
５        ダイシング用フレーム
６        ダイシングテープ
７        ＵＶ光線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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