(57)【要約】【課題】            ウエハーを保持加熱する際の局所的な放熱を抑え、ウエハ−保持面の均熱性を高めたウエハー保持体を提供し、このウエハー保持体を用いることで、大口径のウエハーの処理にも適した半導体製造装置を提供する。【解決手段】        セラミックス基体２中に抵抗発熱体３等を有し、リード４が反応容器６を貫通して設けられたウエハー保持体１であって、リード４を筒状のガイド部材５内に収納し、ガイド部材５と反応容器６の間及びガイド部材５の内部で気密封止されている。ガイド部材５とセラミックス基体２は接合されておらず、内部封止されたガイド部材５内のセラミックス基体２側の雰囲気が反応容器６内の雰囲気と実質的に同一であることが好ましい。【選択図】          図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックス基体中に抵抗発熱体、プラズマ発生用電極、静電チャック用電極、及び電子ビーム用電極の少なくとも一つを有し、これらを外部電極に接続するためのリードが反応容器を貫通して設けられたウエハー保持体であって、前記リード自体と反応容器との間が直接気密封止されるか、若しくはリードを筒状のガイド部材内に収納し、該ガイド部材と反応容器の間及び該ガイド部材内部が気密封止されていることを特徴とするウエハー保持体。
【請求項２】
内部で気密封止されたガイド部材内のセラミックス基体側の雰囲気が、反応容器内の雰囲気と実質的に同一であるか、又は真空状態であることを特徴とする、請求項１に記載のウエハー保持体。
【請求項３】
ガイド部材とセラミックス基体とが接合されていないことを特徴とする、請求項１又は２に記載のウエハー保持体。
【請求項４】
ガイド部材内部の気密封止部において、リードがガラス又はロウ材でガイド部材に接合されていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載のウエハー保持体。
【請求項５】
反応容器内に配置されるリードの一部又は全部がガイド部材で覆われていることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載のウエハー保持体。
【請求項６】
ガイド部材の主成分が、ムライト、アルミナ、窒化ケイ素、炭化ケイ素、窒化アルミニウムのいずれかであることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載のウエハー保持体。
【請求項７】
セラミックス基体の主成分が、アルミナ、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素のいずれかであることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載のウエハー保持体。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかのウエハー保持体が反応容器内に搭載されていることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項９】
反応容器内の雰囲気が腐食性ガスでないことを特徴とする、請求項８に記載の半導体製造装置。
【請求項１０】
Ｌｏｗ−ｋ膜焼成用であることを特徴とする、請求項８又は９に記載の半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造工程においてウエハーを加熱し、所定の処理を行うためのウエハー保持体、及びそのウエハー保持体を供えた半導体製造装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体製造装置に使用されるウエハー保持体に関して種々の構造が提案なされている。例えば、特公平６−２８２５８号公報には、抵抗発熱体が埋設され、反応容器内に設置されたセラミックス製のヒータ部と、このヒータ部のウエハー加熱面以外の面に設けられ、反応容器との間で気密性シールを形成する凸状支持部と、前記抵抗発熱体に接続され、反応容器の内部空間に実質的に露出しないように容器外へ取り出された電極とを有する半導体ウエハー加熱装置が提案されている。
【０００３】
また、特許第２５２５９７４号公報には、上記特公平６−２８２５８号公報記載のセラミックスヒータ部（ウエハー保持体）に、筒状体を接合した構造が提案されている。即ち、セラミックスヒータ部と、このセラミックスヒータ部を保持するために反応容器内に設置された保持部材と、ヒータ端子に連結されたリードとを有する半導体ウエハー加熱装置であって、リードの少なくとも一つを無機質絶縁材料からなる筒状体によって包囲し、この筒状体の一端をセラミックスヒータに対して気密に接合し、且つ筒状体の他端を反応容器に設けられた貫通孔に挿通して気密にシールしている。
【特許文献１】特許第２５２５９７４号公報
【特許文献２】特公平０６−０２８２５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特に近年において、ウエハーの大口径化が進むとともに、ウエハー保持体に関してはウエハー保持面における温度分布の均一性が求められている。しかし、上記特公平６−２８２５８号公報記載の装置では、ウエハー保持体であるセラミックスヒータ部が反応容器との間で気密性シールされた凸状支持部に支持され、反応容器外の大気に接しているため、大気側への放熱によってウエハー保持面の均熱性が損なわれるという欠点があった。
【０００５】
上記特許第２５２５９７４号公報記載の構造においても、リードを収納した筒状体はセラミックスヒータ部に接合され且つ反応容器を挿通して容器と気密に封止されているため、必然的に筒状体内部は大気圧となる一方、反応容器内のウエハー処理雰囲気は減圧若しくは真空である。従って、筒状体内で大気圧の空気によって放散される熱量が他の部分に比較して大きくなり、その結果セラミックスヒータ部の筒状体との接合部分の温度が低下して、ウエハー保持面の均熱性が損なわれるという問題があった。また、筒状体がセラミックスヒータ部に接合されているため、この部分での熱の逃げが大きくなり、更にウエハ−保持面の均熱性が損なわれる結果となっていた。
【０００６】
更には、セラミックスヒータ部に給電するためのリードは大気雰囲気に曝されると共に、セラミックスヒータ部の加熱によってリードのセラミックスヒータ部側の温度が高温になる。このため、高温になったリード部が、空気中の酸素の影響で腐食されやすいという問題もあった。また、筒状体をセラミックスヒータ部に接合し、且つ反応容器との間で気密封止するために、その接合歩留が低いことによってコストが上昇してしまうという問題も存在していた。
【０００７】
本発明は、このような従来の事情に鑑み、反応容器内でウエハーを保持加熱する際の局所的な放熱を抑え、ウエハ−保持面の均熱性を高めたウエハー保持体を提供すること、及びこのウエハー保持体を用いて、大口径のウエハーの処理にも適した半導体製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明が提供するウエハー保持体は、セラミックス基体中に抵抗発熱体、プラズマ発生用電極、静電チャック用電極、及び電子ビーム用電極の少なくとも一つを有し、これらを外部電極に接続するためのリードが反応容器を貫通して設けられたウエハー保持体であって、前記リード自体と反応容器との間が直接気密封止されるか、若しくはリードを筒状のガイド部材内に収納し、該ガイド部材と反応容器の間及び該ガイド部材内部が気密封止されていることを特徴とする。
【０００９】
上記本発明のウエハー保持体においては、内部で気密封止されたガイド部材内のセラミックス基体側の雰囲気が、反応容器内の雰囲気と実質的に同一であるか、又は真空状態であることを特徴とする。また、ガイド部材とセラミックス基体とが接合されていないことを特徴とする。
【００１０】
また、上記本発明のウエハー保持体は、ガイド部材内部の気密封止部において、リードがガラス又はロウ材でガイド部材に接合されていることが好ましい。更に、上記本発明のウエハー保持体では、反応容器内に配置されるリードの一部又は全部がガイド部材で覆われていることが好ましい。
【００１１】
上記本発明のウエハー保持体においては、ガイド部材の主成分が、ムライト、アルミナ、窒化ケイ素、炭化ケイ素、窒化アルミニウムのいずれかであることが好ましい。一方、セラミックス基体の主成分は、アルミナ、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素のいずれかであることが好ましい。
【００１２】
本発明は、また、上記本発明のウエハー保持体が反応容器内に搭載されていることを特徴とする半導体製造装置を提供する。この本発明の半導体製造装置においては、反応容器内の雰囲気が腐食性ガスでないことが好ましい。また、この本発明の半導体製造装置は、Ｌｏｗ−ｋ膜焼成用として好適である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、加熱時における局所的な放熱を抑え、ウエハ−保持面の均熱性を高めたウエハー保持体を提供することができる。従って、このウエハー保持体を用いることによって、高い均熱性と、電極端子やリードの耐久性に優れ、大口径のウエハーの処理にも適した半導体製造装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明において、例えば図１に示すように、セラミックス基体２中に抵抗発熱体３等の電気回路を埋設したウエハー保持体１では、抵抗発熱体３等に給電するため外部電極と接続されるリード４が筒状のガイド部材５内に収納され、そのガイド部材５は反応容器６を貫通して設置されている。また、ガイド部材５は、その一端をセラミックス基体２に接合せず、他端は反応容器６との間をＯ−リング７等で気密封止すると同時に、ガイド部材５の内部でも気密封止を施してある。尚、図１中の８は、反応容器６の底部壁に設けた水冷装置である。
【００１５】
一方、上述した特許第２５２５９７４号公報記載の構造では、図１２に示すように、リード１４を収納した筒状体１５はセラミックス基体１２にガラス接合部１９により気密に接合され、且つ反応容器６との間もＯ−リング７によって気密に封止されている。このため、筒状体１５の内部は大気圧の空気となり、筒状体１５内で大気圧の空気によって熱が放散され、ウエハー保持体の均熱性が低下していた。
【００１６】
このような従来の構造に対して、上記した図１に示すような構造を有する本発明のウエハー保持体１では、内部封止されたガイド部材５内のセラミックス基体２側の雰囲気を、反応容器６内の雰囲気と実質的に同一にすることができる。このため、筒状のガイド部材５内の雰囲気からの熱の逃げを、従来に比較して格段に小さくすることができる。更に、ガイド部材５がセラミックス基体２に接合されていなため、ガイド部材５に伝達される熱も少なくすることができる。このような効果によって、ウエハー保持体１の均熱性を高めることができる。
【００１７】
また、上記のごとくガイド部材５内のセラミックス基体２側は、常に反応容器６内の雰囲気と実質的に同一になり、大気雰囲気が侵入することがない。このため、電極端子やリード４の高温部が大気から遮断され、酸化による劣化が起こり難くなり、寿命を延ばすことができる。更に、ガイド部材５をセラミックス基体２に接合しないため、従来のような接合歩留の低下によるコスト上昇もなくなる。
【００１８】
このように筒状のガイド部材５内にリード４を収納する場合、反応容器６内に配置されるリード４の一部又は全部をガイド部材５で覆うことが好ましい。特にセラミックス基体２に設けた複数の電極端子やリード４の間のそれぞれの距離が短いと、その電位差によってスパークが発生しやすいが、その場合でも反応容器６内のリード４の全部又は大部分を絶縁性のガイド部材５内に収納することによって、スパークの発生を抑えることが可能である。
【００１９】
尚、本発明においては、ガイド部材の一端をセラミックス基体に接合することも可能であるが、その場合については後述する。また、反応容器がアルミナやコージェライトのような絶縁体である場合、反応容器側へ漏電する可能性がないため、絶縁性のガイド部材を用いることなく、例えば図１１に示すように、リード４と反応容器６の間をＯ−リング７等で直接に気密封止することが可能である。この場合にも、必要に応じて、ガイド部材を反応容器内に取り付けて、リードの一部を覆うことも可能である。
【００２０】
次に、リードを収納する絶縁性のガイド部材に関して、図１に示すガイド部材の他端における封止部構造について説明する。まず、リード４が反応容器６を貫通する部分で、ガイド部材５は反応容器６の外側に突き抜けていることが必要である。一般に反応容器６は金属製であるため、少なくとも反応容器６を貫通する部分のリード４を絶縁性のガイド部材５で覆うことによって、漏電を防ぐことができるからである。そして、そのガイド部材５と反応容器６の間は、Ｏ−リング７等で気密封止する。
【００２１】
それと同時に、ガイド部材５の内部においても、ガイド部材５とリード４の間で気密封止を行う。このガイド部材内での気密封止には、ガラス又はロウ材を使用することが好ましい。リードはセラミックス基体から伝わる熱で高温になるため、耐熱性を有するガラスを用いて封止することが信頼性の点で好ましい。ただし、使用温度が低い場合などには、有機樹脂を用いて封止することも可能である。また、ガイド部材内での封止位置に関しては、リードの大気による腐食を最小限にするため、できるだけセラミックス基体から距離の離れた部分で封止することが好ましい。
【００２２】
具体的なガイド部材内での気密封止について、図面を参照して説明する。好ましい方法としては、図２及び図３に示すように、ガイド部材５の他端内周側に段差加工を施し、更にリード４にはガイド部材５の段差に入り込む形の凸部４ａを形成する。このときリード４の外径とガイド部材５の段差の内径差は、少ないほど好ましいが、概ね０.１ｍｍ程度の差にしておけばよい。この内径差が大きくなると、封止の歩留が低下するため好ましくない。
【００２３】
図２の封止方法では、このガイド部材５にリード４を挿入し、その段差部分にガラス２１を充填し、その上にリング状部材２２を配置した後、所定の温度で熱処理を施してガラス２１を軟化させ、リード４の凸部４ａとガイド部材５とリング状部材２２を接着して気密封止する。このときのガラス２１は、粉末であっても良いし、予め仮焼成したものでも、又は成形体であっても良い。このとき、ガラス２１に対して荷重をかければ、より確実な封止を行うことができる。
【００２４】
また、図３の封止方法では、図２の場合と同様に段差加工したガイド部材５にリード４を挿入し、ロウ材２３を用いてリード４の凸部４ａとガイド部材５を接合することにより、ガイド部材５内での気密封止を行うことができる。
【００２５】
更に、図４に示すように、リード部材５内に耐熱性の樹脂２４を挿入し、そのままリード４とガイド部材５を接合して気密封止することも可能である。この樹脂による接合の場合には、封止部が高温にならないように、セラミックス基体から離れた位置で封止することが望ましい。尚、ガイド部材内での具体的な封止方法は、上記の各方法に限定されず、気密封止が可能であれば如何なる方法であっても良い。
【００２６】
次に、ガイド部材のセラミックス基体に対する取付け構造について説明する。好ましい取付け構造では、例えば図５に示すように、リード４を収納した筒状のガイド部材５はウエハー保持体１を構成するセラミックス基体２に接合されず、そのウエハー保持面と反対側の面（裏面）から離れていることが好ましい。これにより、内部封止されたガイド部材５内のセラミックス基体２側の雰囲気が、反応容器６内の雰囲気と実質的に同一になるからである。
【００２７】
また、使用する電圧が高電圧である場合には、セラミックス基体に設けた各電極端子間の絶縁を確保してスパークを防止するために、ガイド部材をセラミックス基体に接合することも可能である。しかし、この場合には、ガイド部材の内部に反応容器内の雰囲気を導入するための加工を施す必要がある。尚、この場合、リードのほぼ全部又は大部分をガイド部材に収納することが好ましいが、スパークの恐れが大きい部分のみをガイド部材に収納することも可能である。
【００２８】
例えば、図６及び図７に示すように、ガイド部材５の一端とセラミックス基体２を、ガラスやロウ材等を用いた接合部２５で接合封止することができる。このとき、図６ではガイド部材５に開けた貫通穴２６により、また図７ではガイド部材５を複数の部材で組み合わせた組合せ部２７により、それぞれガイド部材５内と反応容器６の雰囲気を実質的に同一にすることができる。
【００２９】
ガイド部材とセラミックス基体の接合方法として、図８に示すように、セラミックス基体２の裏面にネジ穴を形成し、このネジ穴内にガイド部材５のネジ加工を施した一端を捻じ込み、その螺合部２８により固定することもできる。この場合にも、ガイド部材５内と反応容器６の雰囲気が同一にするため、ガイド部材５に貫通穴２６を開けることが望ましい。
【００３０】
尚、ガイド部材をセラミックス基体に接合した場合、ガイド部材に貫通穴等を設けなくても、図９に示すように、内部封止されたガイド部材５内のセラミックス基体２側の雰囲気Ａを真空状態とすることによっても、ガイド部材５内の雰囲気を伝わって熱が逃げることを防ぎ、リード４の酸化をなくすことができる。また、使用する電圧が低い場合など、セラミックス基体に設けた電極やリードの間でスパークが発生し難い場合には、図１０に示すように、リード４が反応容器６を貫通する部分にだけガイド部材５を配置することも可能である。
【００３１】
本発明で使用するガイド部材としては、特に制約はないが、無機質のセラミックスやガラス、耐熱性の有機樹脂等を使用することができる。これらの材料に関しては、そのウエハー保持体の用途に応じて選択することができる。また、セラミックスの中では、ムライト、アルミナ、窒化ケイ素、炭化ケイ素、窒化アルミニウムのいずれかを主成分とするものが好ましい。
【００３２】
ガイド部材がセラミックス基体と接触ないし接合して取付けられ場合、ガイド部材の熱伝導率はセラミックス基体よりも低いことが望ましい。抵抗発熱体で発生した熱はセラミックス基体内へ拡散するが、このときガイド部材の熱伝導率がセラミックス基体よりも高いと、抵抗発熱体で発生した熱がセラミックス基体内へ均一に拡散する前にガイド部材内へ拡散し、ガイド部材が接触している部分の温度が他の部分の温度に比較して低くなってしまうため、ウエハー保持面の温度分布が不均一になるからである。
【００３３】
このため、ガイド部材の熱伝導率は低ければ低いほど好ましい。更に、ガイド部材がセラミックス基体に接合される場合には、接合部での応力の発生を少なくするため、その熱膨張係数がセラミックス基体に近いことが好ましい。これらの点を考慮すると、ガイド部材の材質としては、熱伝導率が１Ｗ／ｍＫ程度と非常に低く、且つ熱膨張係数も４〜６×１０−６／Ｋと一般的なセラミックスと近似しているムライトが特に好ましい。
【００３４】
セラミックス基体の材質は特に問わないが、アルミナ、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素のいずれかを主成分とするものが好ましい。近年ではウエハー保持体に対する温度分布の均一化の要求が強いことから、熱伝導率の高い材料が特に好ましい。具体的には、熱伝導率が１００Ｗ／ｍＫを超える窒化アルミニウムや炭化ケイ素等が好ましく、窒化アルミニウムは耐食性、絶縁性に優れていることから特に好ましい。
【００３５】
また、窒化ケイ素に関しては、セラミックス自体の高温における強度が他のセラミックスに比較して高いため、特に高温で使用する場合に好適である。更に、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素の３種類は耐熱衝撃性に優れているため、急速な温度の上げ下げが可能である。一方、アルミナに関しては、他の３つのセラミックスに比較してコスト面で優れているという特徴がある。これらのセラミックスに関しては、当然のことながらその用途に応じて使い分けることが必要である。
【００３６】
本発明のウエハー保持体は、用途に応じて抵抗発熱体、プラズマ発生用電極、静電チャック用電極、又は電子ビーム用電極等を内蔵させることにより、各種の半導体製造装置の反応容器内に搭載して用いることができる。特にウエハー保持面の均熱性に優れているため、ＣＶＤやエッチング等の各種処理時におけるウエハーの温度分布を極めて均一にすることができる。
【００３７】
更に、本発明のウエハー保持体においては、基本的に電極及びリードが反応容器内の雰囲気に曝されるため、反応容器内で使用するガスは腐食性ガスでないことが好ましい。従って、半導体製造装置の中でも、反応容器内に挿入できる材料に対して制約の少ないＬｏｗ−ｋ膜焼成用装置に用いることが特に好適である。Ｌｏｗ−ｋ膜焼成用装置では腐食性ガスを使用しないめ、電極端子やリード、更にはガイド部材に対する腐食も考慮する必要がない。
【実施例１】
【００３８】
ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＣの各セラミックス粉末に対し、必要に応じて所定量の焼結助剤、バインダー、溶剤等を加えた後、ボールミル混合してスラリーを作製した。これらのスラリーをスプレードライによって顆粒化し、得られた顆粒を所定の金型を用いてプレス成形した。これらの成形体を脱脂した後、所定の温度で焼結し、それぞれセラミックス基体を得た。
【００３９】
得られた各セラミックス基体に、スクリーン印刷等の手法によって抵抗発熱体回路、必要に応じてＲＦ電極、静電チャック電極、電子ビーム用電極を形成した。これを所定の条件で焼成し、必要に応じてこれら抵抗発熱体、ＲＥ電極、静電チャック電極、電子ビーム用電極を保護するため、その上にセラミックス板を接合して被覆した。更にウエハーを搭載するためのウエハーポケットを機械加工により形成し、各電気回路に接続するための電極端子及びリードを取り付けた。
【００４０】
一方、電極端子及びリードを収納するためのガイド部材を、下記表１〜４に示す材質のセラミックスで作製した。ガイド部材は単なる筒状のものと共に、図５〜１２に示すセラミックス基体側との取付け構造Ａ〜Ｇ及びＺに合わせて、貫通穴を設けたものや、複数の部材を組合わせたものも用意した。尚、全てのガイド部材について、外径は１０ｍｍ、内径は６ｍｍとした。
【００４１】
次に、これらのガイド部材を、それぞれ図５〜１２に示す構造Ａ〜Ｇ又はＺに従って、セラミックス基体側に取り付けた。即ち、構造Ａ、Ｅ、Ｆ、Ｚでは加工なしの筒状のガイド部材、構造ＢとＤは直径２ｍｍの貫通穴を有するガイド部材、構造Ｃは複数の部材を組合わせたガイド部材をそれぞれ使用した。その際、ガイド部材とセラミックス基体の接合には、構造Ｄではネジによる螺合を、その他はガラスを使用した。ただし、構造Ｇではガイド部材を用いない。
【００４２】
その後、リードを収納したガイド部材の内部を気密封止した。即ち、ガラス封止は結晶化ガラスを用いて図２の方法で封止し、ロウ材封止は活性金属ロウを用いて図３の方法で封止し、樹脂封止は耐熱性エポキシ樹脂を用いて図４の方法で封止した。ただし、構造Ｅでは、ガイド部材内が真空になるように、真空中で接合を実施した。それぞれ内部封止したガイド部材を、所定形状のアルミニウム製又はアルミナ製の反応容器の所定箇所に貫通させると共に、反応容器とガイド部材の間をＯ−リングで気密封止した。尚、ガイド部材を用いない構造Ｇでは、反応容器とリードの間をＯ−リングで直接気密封止した。
【００４３】
以上のように構成した各試料のウエハー保持体について、反応容器内に不活性ガスを導入した状態で、抵抗発熱体に通電して表１〜４に示すヒータ温度に昇温させ、ウエハー保持面の温度をウエハー温度計にて測定して均熱性を求め、その結果を表１〜４に示した。その後、室温まで冷却して、リードの酸化の程度を評価した。その結果を表１〜４に、表面の変色が殆ど認められないものは○、若干青色に変色しているものは△、黄色く変色しているものは×として示した。尚、全ての試料で、リード材は直径４ｍｍのＷを使用した。
【００４４】
【表１】
2006332675.tif 000003
【００４５】
【表２】
2006332675.tif 000004
【００４６】
【表３】
2006332675.tif 000005
【００４７】
【表４】
2006332675.tif 000006
【００４８】
上記の結果から分るように、従来のガイド部材を用いた構造Ｚ（図１２）のウエハー保持体に比べて、ガイド部材の内部封止を行った本発明のウエハー保持体は、構造Ａ〜Ｇのいずれでも格段に優れた均熱性が達成された。また、従来の構造Ｚのウエハー保持体ではリードの酸化がみられたが、本発明の各試料ではリードの酸化が全く認められなかった。
【実施例２】
【００４９】
実施例１で作製した本発明の試料の各ウエハー保持体に関して、Ｌｏｗ−ｋ膜焼成用装置に搭載してウエハーの処理を行った。その結果、全てのウエハー保持体でＬｏｗ−ｋ膜焼成を適切に実施でき、特に均熱性が０.５％未満のウエハー保持体では得られる膜質が優れていた。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明によれば、加熱時における局所的な放熱を抑え、ウエハ−保持面の均熱性を高めたウエハー保持体を提供することができる。従って、このウエハー保持体を用いることによって、高い均熱性と、電極端子やリードの耐久性に優れ、大口径のウエハーの処理にも適した半導体製造装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明のウエハー保持体と反応容器を示す概略の断面図である。
【図２】本発明のウエハー保持体におけるガイド部材の内部封止の具体例を示す概略の断面図である。
【図３】本発明のウエハー保持体におけるガイド部材の内部封止の他の具体例を示す概略の断面図である。
【図４】本発明のウエハー保持体におけるガイド部材の内部封止の他の具体例を示す概略の断面図である。
【図５】本発明のウエハー保持体における取付け構造の具体例を示す概略の断面図である。
【図６】本発明のウエハー保持体における取付け構造の他の具体例を示す概略の断面図である。
【図７】本発明のウエハー保持体における取付け構造の他の具体例を示す概略の断面図である。
【図８】本発明のウエハー保持体における取付け構造の他の具体例を示す概略の断面図である。
【図９】本発明のウエハー保持体における取付け構造の他の具体例を示す概略の断面図である。
【図１０】本発明のウエハー保持体における取付け構造の他の具体例を示す概略の断面図である。
【図１１】本発明のウエハー保持体における取付け構造の他の具体例を示す概略の断面図である。
【図１２】従来のウエハー保持体の取付け構造の具体例を示す概略の断面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１    ウエハー保持体
２、１２    セラミックス基体
３    抵抗発熱体
４、１４    リード
５、１５    ガイド部材
６    反応容器
７    Ｏ−リング
２１    ガラス
２２    リング状部材
２３    ロウ材
２４    樹脂
２５    接合部
２６    貫通穴
２７    組合わせ部
２８    螺合部
【図１】
2006332675.tif 000007
【図２】
2006332675.tif 000008
【図３】
2006332675.tif 000009
【図４】
2006332675.tif 000010
【図５】
2006332675.tif 000011
【図６】
2006332675.tif 000012
【図７】
2006332675.tif 000013
【図８】
2006332675.tif 000014
【図９】
2006332675.tif 000015
【図１０】
2006332675.tif 000016
【図１１】
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【図１２】
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