(57)【要約】【課題】  固体撮像装置の小型化及び多画素化を図りつつ、電荷転送部の結晶欠陥を減少させることができる固体撮像装置の製造方法を提供する。【解決手段】  ｎ型シリコン基板１の電荷転送部５の形成予定部位に、ｎ型の不純物をイオン注入する（ｂ）。形成予定部位の少なくとも一部を含む基板表面から所定深さまでの領域１５を非晶質化させる（ｄ）。イオン注入及び非晶質化を経た後にｎ型シリコン基板１をアニールする。【選択図】  図２
2006332283.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板内部の電荷転送部の形成予定部位に、ｎ型又はｐ型の不純物をイオン注入する電荷転送部注入工程と、
前記形成予定部位の少なくとも一部を含む基板表面から所定深さまでの領域を非晶質化させる非晶質化工程と、
前記電荷転送部注入工程及び前記非晶質化工程を経た後に前記基板をアニールするアニール工程と
を含むことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項２】
前記非晶質化工程における前記所定深さは、電荷転送部注入工程により注入される不純物の濃度がピークとなる深さよりも深いこと
を特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項３】
前記固体撮像装置の製造方法は、さらに、
前記アニール工程よりも前に、前記電荷転送部形成予定部位の下部に隣接する下部隣接部位に、前記電荷転送部注入工程により注入する不純物と異なる導電型の不純物をイオン注入する下部隣接部注入工程を含み、
前記非晶質化工程における前記領域は、前記下部隣接部位の少なくとも一部を含む連続した領域であること
を特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項４】
前記固体撮像装置の製造方法は、さらに、
前記アニール工程よりも前に、前記電荷転送部形成予定部位の側壁部に隣接する側壁隣接部位に、前記電荷転送部注入工程により注入する不純物と異なる導電型の不純物をイオン注入する側壁隣接部注入工程を含み、
前記非晶質化工程における前記領域は、前記側壁隣接部位の少なくとも一部を含む連続した領域であること
を特徴とする請求項１〜３に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
前記固体撮像装置の製造方法は、さらに、
前記アニール工程よりも前に、前記側壁隣接部位を挟んで前記電荷転送部形成予定部位と相対する受光部形成予定部位に、前記電荷転送部注入工程により注入する不純物と同じ導電型の不純物をイオン注入する受光部注入工程を含み、
前記非晶質化工程における前記領域は、前記受光部形成予定部位の少なくとも一部を含む領域であること
を特徴とする請求項４に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項６】
前記非晶質化工程は、前記領域の導電特性に影響を与えない物質をイオン注入することにより非晶質化させること
を特徴とする請求項１〜５に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項７】
前記物質は、IV族元素、不活性元素及びフッ素のうちのいずれか又はこれらの組み合わせであること
を特徴とする請求項６に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項８】
前記非晶質化工程で用いるマスクは、前記電荷転送部注入工程で用いられるマスクと同一であること
を特徴とする請求項１〜３に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項９】
前記非晶質化工程は、前記電荷転送部注入工程を経た後に実施されること
を特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１０】
前記アニール工程は、非晶質化した領域の結晶性を回復させるための専用の工程であること
を特徴とする請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１１】
前記アニール工程におけるアニール温度は、４００℃以上１１００℃以下であること
を特徴とする請求項１〜９に記載の固体撮像装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置の製造方法に関し、特に、電荷転送部の結晶欠陥に起因する画像欠陥の発生を低減させる技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、固体撮像装置はＣＣＤ（Charge Coupled Device）を使用して信号電荷を転送するタイプが主流となっている。ＣＣＤタイプの撮像装置は、半導体基板内部に光電変換により信号電荷を生成、蓄積する受光部ならびに受光部から読み出された信号電荷を転送する電荷転送部を備える。
通常、受光部及び電荷転送部は、半導体基板に不純物がイオン注入されることにより形成される。ところがイオン注入をすれば、加速されたイオンの運動エネルギーによって、基板内で結晶を構成する原子がはじき飛ばされ、多数の点欠陥・格子間原子対が発生する。発生した点欠陥・格子間原子対の濃度がある程度まで高まれば、点欠陥・格子間原子対のいくつかが相互に結合して安定な結晶欠陥となり、白キズ（画像欠陥の一種）や暗電流が急増し画質が大幅に劣化する問題がある。
【０００３】
受光部については、上記問題を解決するため、イオン注入後にアニールを行うことにより結晶欠陥を低減させる技術や（例えば、特許文献１）、受光部の表面付近に高濃度のｐ型領域を形成することにより暗電流や白キズを抑制する技術（例えば、特許文献２）が提案されている。
一方、電荷転送部については、受光部に比べてイオンの加速エネルギーが低いので点欠陥・格子間原子対の発生量が少なく、イオン注入による結晶欠陥がさほど問題視されていなかった。
【特許文献１】特開平１０−１３５４４１号公報
【特許文献２】特開平５−２５１６８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、固体撮像装置の小型化及び多画素化が進むにつれて、信号電荷の最大蓄積量の減少を補うために電荷転送部へのイオン注入量が増加する傾向にある。その結果、電荷転送部についても、結晶欠陥が増加することとなり、白縦線（画像欠陥の一種）や暗電流が増加し画質が大幅に劣化するという問題が生じてきた。
そこで、本発明は、固体撮像装置の小型化及び多画素化を図りつつ、電荷転送部の結晶欠陥を減少させることができる固体撮像装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る固体撮像装置の製造方法は、半導体基板内部の電荷転送部の形成予定部位に、ｎ型又はｐ型の不純物をイオン注入する電荷転送部注入工程と、前記形成予定部位の少なくとも一部を含む基板表面から所定深さまでの領域を非晶質化させる非晶質化工程と、前記電荷転送部注入工程及び前記非晶質化工程を経た後に前記基板をアニールするアニール工程とを含む。
【発明の効果】
【０００６】
課題を解決するための手段に記載した構成によれば、電荷転送部は、イオン注入及び非晶質化を経た後にアニールされて形成される。このように、一旦非晶質化させてからアニールすれば、イオン注入により劣化した結晶性を大幅に回復させることができる。その回復効果は、非晶質化せずにアニールする場合よりも高い。これにより、固体撮像装置の小型化及び多画素化を図りつつ、従来の製造方法よりも電荷転送部の結晶欠陥を減少させることができる。
【０００７】
また、前記非晶質化工程における前記所定深さは、電荷転送部注入工程により注入される不純物の濃度がピークとなる深さよりも深いこととしてもよい。
点欠陥・格子間原子対は、基板表面から不純物の濃度がピークとなる深さまでに多く分布する。したがって、この領域の結晶性を回復させることにより、画像欠陥の発生の低減効果を高めることができる。
【０００８】
また、前記固体撮像装置の製造方法は、さらに、前記アニール工程よりも前に、前記電荷転送部形成予定部位の下部に隣接する下部隣接部位に、前記電荷転送部注入工程により注入する不純物と異なる導電型の不純物をイオン注入する下部隣接部注入工程を含み、前記非晶質化工程における前記領域は、前記下部隣接部位の少なくとも一部を含む連続した領域であることとしてもよい。
【０００９】
空乏層は、信号電荷転送時には主に電荷転送部に形成されるが、若干だけ下部隣接部位にも広がる。下部隣接部位の一部まで結晶性を回復させることとすれば、画像欠陥の発生の低減効果を一層高めることができる。
また、前記固体撮像装置の製造方法は、さらに、前記アニール工程よりも前に、前記電荷転送部形成予定部位の側壁部に隣接する側壁隣接部位に、前記電荷転送部注入工程により注入する不純物と異なる導電型の不純物をイオン注入する側壁隣接部注入工程を含み、前記非晶質化工程における前記領域は、前記側壁隣接部位の少なくとも一部を含む連続した領域であることとしてもよい。
【００１０】
空乏層は、信号電荷転送時には主に電荷転送部に形成されるが、若干だけ側壁隣接部位にも広がる。側壁隣接部位の一部まで結晶性を回復させることとすれば、画像欠陥の発生の低減効果を一層高めることができる。
また、前記固体撮像装置の製造方法は、さらに、前記アニール工程よりも前に、前記側壁隣接部位を挟んで前記電荷転送部形成予定部位と相対する受光部形成予定部位に、前記電荷転送部注入工程により注入する不純物と同じ導電型の不純物をイオン注入する受光部注入工程を含み、前記非晶質化工程における前記領域は、前記受光部形成予定部位の少なくとも一部を含む領域であることとしてもよい。
【００１１】
上記構成によれば、電荷転送部のみならず、受光部の結晶性も回復させることができる。したがって、受光部の結晶欠陥に起因する画像欠陥の発生も低減させることができる。
また、前記非晶質化工程は、前記領域の導電特性に影響を与えない物質をイオン注入することにより非晶質化させることとしてもよい。
上記構成によれば、イオン注入により非晶質化させる。非晶質化の手法としては、イオン注入以外にプラズマドープも考えられるが、イオン注入のほうがプラズマドープに比べて深さに対する制御性が優れているというメリットがある。そのため、イオン注入を適用することで基板表面から所定深さまでの領域を設計どおりに非晶質化させることができる。
【００１２】
また、前記物質は、IV族元素、不活性元素及びフッ素のうちのいずれか又はこれらの組み合わせであることとしてもよい。
上記物質を用いることにより、導電特性に影響を与えずに非晶質化させることができる。なお、IV族元素は、具体的には、炭素、シリコン、ゲルマニウム、スズ及び鉛である。不活性元素は、具体的には、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン及びラドンである。IV族元素および不活性元素はｐ型でもｎ型でもなく中性であるため、不純物濃度が変動することがない。また、フッ素の場合、非晶質化後に基板表面から雰囲気中に逃げるので不純物濃度が変動することがない。
【００１３】
また、前記非晶質化工程で用いるマスクは、前記電荷転送部注入工程で用いられるマスクと同一であることとしてもよい。
上記構成によれば、工程毎にマスクの形成及び除去をする必要がなく、工数を削減することができる。
また、前記非晶質化工程は、前記電荷転送部注入工程を経た後に実施されることとしてもよい。
【００１４】
基本的には電荷転送部注入工程及び非晶質化工程の実施順序はどちらが先であっても結晶性の回復効果は得られる。しかし、電荷転送部注入工程を非晶質化工程よりも先に実施すれば、順序が逆の場合よりも電荷転送部注入工程により注入される不純物のプロファイル設計を容易にすることができる。
また、前記アニール工程は、非晶質化した領域の結晶性を回復させるための専用の工程であることとしてもよい。
【００１５】
基本的にはアニール工程は、結晶性が回復する程度に基板が昇温されればよいので他の目的で実施される工程と兼用しても構わない。しかし、非晶質化工程のすぐ後にアニール専用の工程を実施することにより、汚染物質が混入したり、結晶性が意図しないような回復をしたりすることを極力防止することができる。
また、前記アニール工程におけるアニール温度は、４００℃以上１１００℃以下であることとしてもよい。
【００１６】
上記アニール温度を用いることにより、非晶質化された領域の結晶性を効果的に回復することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明を実施するための最良の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
（実施の形態１）
図１は、固体撮像装置の電荷転送方向に垂直な断面の一部を模式的に示す図である。
固体撮像装置は、ｎ型シリコン基板１、ｐ型ウェル層２、ｎ型受光部３、ｐ型高濃度領域４、ｎ型電荷転送部５、電荷転送部下部に隣接するｐ型領域６、ｐ型素子分離部７、絶縁膜８、転送ゲート電極９、層間絶縁膜１０、遮光膜１１、反射防止膜１２、保護膜１３を備える。さらに、必要に応じて保護膜１３上に平坦化層、カラーフィルタ及びマイクロレンズがこの順に形成される。
【００１８】
ｎ型電荷転送部５は、この側壁部に隣接するｐ型素子分離部７によってｎ型受光部３から隔離される。ｐ型高濃度領域４は、絶縁膜８との界面準位に起因する暗電流や白キズを低減させる目的で形成されている。
図２及び図３は、実施の形態１に係る固体撮像装置の製造方法を示す図である。
図２（ａ）：保護酸化膜１４上に受光部３の形成予定部位に相当する部分が開口したフォトレジストＰＲ１を形成し、フォトレジストＰＲ１をマスクとして受光部３の形成予定部位にｎ型の不純物（例えば、ヒ素）をイオン注入する（例えば、550keV,2.6×1012cm-2）。これにより、ｎ型受光部３が形成される。なお、事前にｎ型シリコン基板１に保護酸化膜１４が形成され、ｐ型の不純物（例えば、ホウ素）をイオン注入（例えば、1800keV,1.5×1011cm-2）することによりｐ型ウェル層２が形成されているものとする。
【００１９】
図２（ｂ）：保護酸化膜１４上に電荷転送部５の形成予定部位に相当する部分が開口したフォトレジストＰＲ２を形成し、フォトレジストＰＲ２をマスクとして電荷転送部５の形成予定部位にｎ型の不純物（例えば、ヒ素）をイオン注入する（例えば、110keV,5.8×1012cm-2）。これにより、ｎ型電荷転送部５が形成される。
図２（ｃ）：引き続き、フォトレジストＰＲ２をマスクとして電荷転送部下部に隣接するｐ型領域６の形成予定部位にｐ型の不純物（例えば、ホウ素）をイオン注入する（例えば、180keV,8×1011cm-2）。
【００２０】
図２（ｄ）：引き続き、フォトレジストＰＲ２をマスクとして基板表面から所定深さまでの領域１５に当該領域１５を非晶質化させるための物質をイオン注入する。
当該物質は、領域１５の導電特性に影響を与えない物質であることが望ましい。そうすればイオン注入による導電特性の変化を考慮しなくてもよいので、電荷転送部５の設計を容易にすることができる。導電特性に影響を与えない物質としては、IV族元素、不活性元素及びフッ素がある。IV族元素とは、炭素、シリコン、ゲルマニウム、スズ及び鉛のことであり、不活性元素とは、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン及びラドンのことである。
【００２１】
IV族元素及び不活性元素は、イオン注入後、シリコン基板中に残留するが、ｐ型でもｎ型でもなく中性であるから領域１５の導電特性に影響を与えない。フッ素は、イオン注入後、シリコン基板から雰囲気中に抜けるので領域１５の導電特性に影響を与えない。ドーズ量を例示すれば、シリコンなら1×1015cm-2、ゲルマニウムなら2×1014cm-2、フッ素なら1×1015cm-2である。なお、例示した物質を組み合わせて利用しても構わない。
【００２２】
図３（ａ）：保護酸化膜１４上に素子分離部７の形成予定部位に相当する部分が開口したフォトレジストＰＲ３を形成し、フォトレジストＰＲ３をマスクとして素子分離部７の形成予定部位にｐ型の不純物（例えば、ホウ素）をイオン注入する（例えば、40keV,7×1012cm-2）。
図３（ｂ）：基板全体を窒素雰囲気中でアニールすることにより、非晶質化した領域１５の結晶性を回復させる。アニール条件を例示すれば、低温なら400〜700℃で1〜20分、高温なら900〜1100℃で10〜60秒である。高温アニールであれば、低温アニールよりも時間を短縮することができるので、電荷転送部５の形成予定部位等に注入されたｎ型不純物の予期せぬ拡散を抑えることができる。また、低温アニールと高温アニールとを２段階で行ってもよい。なお、例示した温度と時間の組み合わせでなくても構わない。アニール後、保護酸化膜１４を除去する。
【００２３】
図３（ｃ）：熱酸化（例えば、900℃）により酸化シリコン３０nmからなる絶縁膜８を形成する。その後、ｐ型の不純物（例えば、ホウ素）をイオン注入することにより（例えば、10keV,5×1013cm-2）ｐ型高濃度領域４を形成する。
図３（ｄ）：絶縁膜８上に、530℃の雰囲気中でCVD(Chemical Vapor Deposition)法によりポリシリコンを厚さ250nmまで成長させ、ドライエッチングにより転送ゲート電極９を形成する。その後、熱酸化（例えば、900℃）により酸化シリコンからなる層間絶縁膜１０を形成する。次に、減圧CVD法により窒化シリコン膜40nmを成長させ、ウェットエッチングにより、受光部３の上方に反射防止膜１２を形成する。さらに、スパッタリング法によりタングステンからなる遮光膜１１（例えば、厚さ200nm）を形成し、その上に窒化シリコンからなる保護膜１３を形成する。
【００２４】
このように、電荷転送部５の形成予定部位を一旦非晶質化させてからアニールすることにより、電荷転送部５の結晶欠陥を減少させることができる。さらに、本実施の形態では、非晶質化する領域１５は、電荷転送部下部に隣接するｐ型領域６の形成予定部位にまで達している。空乏層は、信号電荷転送時には主に電荷転送部５に形成されるが、若干だけ電荷転送部下部に隣接するｐ型領域６にも広がる。電荷転送部下部に隣接するｐ型領域６の一部まで結晶性を回復させることとすれば、画像欠陥の発生の低減効果を一層高めることができる。
（実施の形態２）
実施の形態２は、実施の形態１よりも広い範囲にわたり非晶質化する。これ以外については実施の形態１と同様なので説明を省略し、実施の形態１と異なる部分だけを説明する。
【００２５】
図４は、実施の形態２に係る固体撮像装置の製造方法を示す図である。
図４（ａ）：フォトレジストＰＲ４をマスクとして、電荷転送部５の形成予定部位、電荷転送部下部に隣接するｐ型領域６の形成予定部位の一部及び素子分離部７の形成予定部位の少なくとも一部を含む領域１６に当該領域１６を非晶質化させるための物質をイオン注入する。
【００２６】
図４（ｂ）：基板全体を窒素雰囲気中でアニールすることにより、非晶質化した領域１６の結晶性を回復させる。
非晶質化する領域１６は、素子分離部７の形成予定部位にまで達している。空乏層は、信号電荷転送時には主に電荷転送部５に形成されるが、若干だけ素子分離部７にも広がる。素子分離部７の一部まで結晶性を回復させることとすれば、画像欠陥の発生の低減効果を一層高めることができる。
（実施の形態３）
実施の形態３は、実施の形態２よりもさらに広い範囲にわたり非晶質化する。
【００２７】
図５は、実施の形態３に係る固体撮像装置の製造方法を示す図である。
図５（ａ）：電荷転送部５の形成予定部位、電荷転送部下部に隣接するｐ型領域６の形成予定部位の一部、素子分離部７の形成予定部位の一部及び受光部３の少なくとも一部を含む領域１７に当該領域１７を非晶質化させるための物質をイオン注入する。
図５（ｂ）：基板全体を窒素雰囲気中でアニールすることにより、非晶質化した領域１７の結晶性を回復させる。
【００２８】
非晶質化させる領域１７は、受光部３にまで達している。したがって、電荷転送部５のみならず、受光部３の結晶性も回復させることができる。
（実施の形態４）
実施の形態４は、電荷転送部５の形成予定部位、電荷転送部下部に隣接するｐ型領域６の形成予定部位、及び領域１５にそれぞれイオン注入をする順序が異なる。これ以外については実施の形態１と同様なので説明を省略し、実施の形態１と異なる部分だけを説明する。
【００２９】
図６は、実施の形態４に係る固体撮像装置の製造方法を示す図である。
図６（ａ）：保護酸化膜１４上にフォトレジストＰＲ２を形成し、フォトレジストＰＲ２をマスクとして基板表面から所定深さまでの領域１５に当該領域１５を非晶質化させるための物質をイオン注入する。
図６（ｂ）：引き続き、フォトレジストＰＲ２をマスクとして電荷転送部５の形成予定部位にｎ型の不純物をイオン注入する。
【００３０】
図６（ｃ）：引き続き、フォトレジストＰＲ２をマスクとして電荷転送部下部に隣接するｐ型領域６の形成予定部位にｐ型の不純物をイオン注入する。
このように、予め領域１５を非晶質化した後に電荷転送部５の形成予定部位及び電荷転送部下部に隣接するｐ型領域６の形成予定部位にイオン注入を施してもよい。
以上、本発明に係る固体撮像装置の製造方法について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限られない。例えば、以下のような変形例が考えられる。
（１）実施の形態では、非晶質化領域１５、１６及び１７の深さは、電荷転送部下部に隣接するｐ型領域６の形成予定部位にまで達しているが、本発明はこれに限らない。少しでも非晶質化されれば、画像欠陥の低減について一定の効果を得ることができる。
【００３１】
ただし、非晶質化領域１５、１６及び１７の深さを、以下に示す深さにすれば、より効果的に画像欠陥を低減させることができる。
図７は、電荷転送部５の深さ方向に対する不純物のプロファイルを示す模式図である。
曲線１８は電荷転送部５を形成するためのｎ型不純物の濃度分布であり、Nmaxは不純物濃度の最大値である。曲線１９は電荷転送部下部に隣接するｐ型領域６を形成するためのｐ型不純物の濃度分布である。
【００３２】
点欠陥・格子間原子対は、電荷転送部５を形成するための不純物の濃度が最大値Nmaxとなる深さDmaxまでに多く分布する。そのため、少なくとも基板表面から深さDmaxまでを非晶質化することが好ましい。そうすると、点欠陥・格子間原子対が多く分布する領域の結晶性が回復し、画像欠陥の発生の低減効果を高めることができる。
（２）実施の形態では、電荷転送部５の形成予定部位の全幅にわたり非晶質化しているが、本発明はこれに限らない。電荷転送部５の形成予定部位の一部の幅であっても非晶質化する領域が少しでもあれば一定の効果を得ることができる。
（３）実施の形態では、非晶質化にはイオン注入を利用しているが、非晶質化できさえすればこれに限らず、例えば、プラズマドープを利用しても構わない。
（４）実施の形態では、非晶質化領域の結晶性を回復させるための専用のアニール工程を設けているが、これに限らず、熱酸化やCVDを施す工程では基板全体が高温に加熱されるのでこれをアニール工程として兼用しても構わない。ただし、アニール専用の工程を設けることにより、汚染物質が混入したり、結晶性が意図しないような回復をしたりすることを極力防止することができる。
（５）実施の形態２及び３についても実施の形態１に対する実施の形態４のようにイオン注入の順序を異ならせても構わない。
（６）実施の形態では、ｎ型シリコン基板１を用いているが、ｐ型シリコン基板を用いてもよい。この場合、ｐ型ウェル層２を形成する必要はなく、ｐ型シリコン基板をそのまま用いることができる。
（７）実施の形態では、各領域に注入する不純物の導電型を指定しているが、これに限らず、実施の形態でｐ型を注入したところにｎ型を注入するとともに、ｎ型を注入したところにｐ型を注入することとしてもよい。
（８）本発明は電荷転送部５の結晶欠陥に起因する画像欠陥の発生を低減することを目的としているので、実施の形態ではこの点に着目して説明している。受光部３や転送ゲート電極９などの構成要素については特に実施の形態に例示した製造方法に限られるものではない。
【産業上の利用可能性】
【００３３】
本発明は、ビデオムービーやデジタルスチルカメラ等に利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】固体撮像装置の電荷転送部長手方向に垂直な断面の模式図である。
【図２】実施の形態１に係る固体撮像装置の製造方法を示す図である。
【図３】実施の形態１に係る固体撮像装置の製造方法を示す図である。
【図４】実施の形態２に係る固体撮像装置の製造方法を示す図である。
【図５】実施の形態３に係る固体撮像装置の製造方法を示す図である。
【図６】実施の形態４に係る固体撮像装置の製造方法を示す図である。
【図７】電荷転送部の深さ方向に対する不純物のプロファイルを示す模式図である。
【符号の説明】
【００３５】
１    ｎ型シリコン基板
２    ｐ型ウェル層
３    ｎ型受光部
４    ｐ型高濃度領域
５    ｎ型電荷転送部
６    電荷転送部下部に隣接するｐ型領域
７    ｐ型素子分離部
８    絶縁膜
９    転送ゲート電極
１０    層間絶縁膜
１１    遮光膜
１２    反射防止膜
１３    保護膜
１４    保護酸化膜
１５、１６、１７    非晶質化領域
１８    電荷転送部のｎ型不純物の濃度分布
１９    電荷転送部下部に隣接するｐ型不純物の濃度分布
【図１】
2006332283.tif 000003
【図２】
2006332283.tif 000004
【図３】
2006332283.tif 000005
【図４】
2006332283.tif 000006
【図５】
2006332283.tif 000007
【図６】
2006332283.tif 000008
【図７】
2006332283.tif 000009