(57)【要約】    【課題】１０ｋＶ／ｍｍを遥かに超える高電界強度下であっても、加速寿命が良好で高信頼性を有するようにする。    【解決手段】誘電体セラミックが、組成式ＢａmＴｉＯ2＋mで表されるチタン酸バリウム系固溶体を含有した主相粒子と、組成式ＭｇｎＶＯｔで表される結晶性複合酸化物からなる二次相粒子とを含んでいる。好ましくは、上記ｍ、ｎ、及びｔが、１．００１≦ｍ≦１．０３０、０．３≦ｎ≦５．０、１．５＋ｎ≦ｔ≦２．５＋ｎであり、ＢａmＴｉＯ2＋m１００モルに対するＭｇｎＶＯｔの配合モル量αが、０．０５≦α≦２．０である。これにより誘電特性や静電容量の温度特性、絶縁性も良好なものとすることができる。さらに、必要に応じて特定の希土類元素や金属元素、更にはＳｉを含む焼結助剤を含んでいてもよい。  【選択図】選択図なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
チタン酸バリウム系化合物を含有した主相粒子と、Ｍｇ及びＶを含有した結晶性複合酸化物からなる二次相粒子とを含んでいることを特徴とする誘電体セラミック。
【請求項２】
前記チタン酸バリウム系固溶体が組成式ＢａmＴｉＯ2＋mで表されると共に、前記結晶性複合酸化物が組成式ＭｇｎＶＯｔで表され、上記ｍ、ｎ、及びｔが、
１．００１≦ｍ≦１．０３０、
０．３≦ｎ≦５．０、
１．５＋ｎ≦ｔ≦２．５＋ｎ
であり、
かつ、前記ＢａｍＴｉＯ2＋m１００モルに対する前記ＭｇｎＶＯｔの配合モル量αが、
０．０５≦α≦２．０
であることを特徴とする請求項１記載の誘電体セラミック。
【請求項３】
前記結晶性複合酸化物が、ＭｇＶＯ３、Ｍｇ3/2ＶＯ４、Ｍｇ1/3ＶＯ17/6、Ｍｇ3/4ＶＯ13/4、Ｍｇ1/2ＶＯ３、及びＭｇ1/2ＶＯ２の中から選択された少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項１又は請求項２記載の誘電体セラミック。
【請求項４】
Ｙ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、及びＹｂの中から選択された少なくとも１種の元素からなる第１の添加成分と、Ｃａ、Ｂａ、Ｓｒ、及びＭｇの中から選択された少なくとも１種の元素からなる第２の添加成分と、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｎ、Ｃｕ、及びＶの中から選択された少なくとも１種の元素からなる第３の添加成分と、Ｓｉからなる第４の添加成分とを含有し、
第１〜第４の添加成分のそれぞれの配合モル量ｕ、ｖ、ｗ、及びｚは、前記チタン酸バリウム系固溶体１００モルに対し、
０．５≦ｕ≦３．０、
０．１≦ｖ≦３．０、
０．１≦ｗ≦１．０、
０．５≦ｚ≦３．０
であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の誘電体セラミック。
【請求項５】
チタン酸バリウム系化合物を主成分とする第１の配合物を作製する第１の配合物作製工程と、
Ｍｇを含有したＭｇ化合物とＶを含有したＶ化合物とを混合した後、熱処理を施し、前記Ｍｇ及びＶを主成分とする第２の配合物を作製する第２の配合物作製工程と、
前記第２の配合物を粉砕する粉砕工程と、
前記粉砕された第２の配合物と前記第１の配合物とを混合して混合物を得る混合工程と、
前記混合物に焼成処理を施す焼成工程とを含むことを特徴とする誘電体セラミックの製造方法。
【請求項６】
セラミック素体が請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の誘電体セラミックで形成されると共に、卑金属材料で形成された内部電極が前記セラミック素体に埋設されていることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は誘電体セラミック及び誘電体セラミックの製造方法、並びに積層セラミックコンデンサに関し、より詳しくはチタン酸バリウム系セラミック材料を主成分とした誘電体セラミック、及びその製造方法、並びに該誘電体セラミックを使用して製造された積層セラミックコンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年におけるエレクトロニクス技術の発展に伴い、積層セラミックコンデンサの小型化、大容量化が急速に進んでいる。
【０００３】
この種の積層セラミックコンデンサは、誘電体セラミック層と誘電体セラミック層との間に内部電極を介在させて積層体を形成し、該積層体を焼結させることにより製造されるが、積層セラミックコンデンサの小型化・大容量化を達成するために、前記誘電体セラミック層を薄層化する必要がある。
【０００４】
一方、誘電体セラミック層を薄層化すると、該誘電体セラミック層には高電界強度の電圧が印加されることとなるため、比誘電率εrの低下や温度特性の悪化を招いたり、高温加速寿命が短くなって信頼性の低下を招くおそれがある。
【０００５】
そこで、従来より、組成式ＢａmＴｉＯ2+n（ただし、０．９９５≦ｍ≦１．０１０、０．９９５≦ｎ≦１．０１０、０．９９５≦Ｂａ／Ｔｉ≦１．０１０）で表される主成分と、Ｓｉを含有した第２の副成分（焼結助剤）を除く、他の副成分（第１、第３、及び第４の副成分）を混合して仮焼前粉体を準備し、前記仮焼前粉体を仮焼して仮焼済み粉体を準備し、該仮焼済み粉体に前記第２副成分を少なくとも混合し、前記主成分に対する各副成分の比率が所定モル比となるように配合した技術が提案されている（特許文献１）。
【０００６】
特許文献１では、組成式ＢａmＴｉＯ2+nで表される主成分と、第１の副成分（ＭｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｃｒ２Ｏ３から選択される少なくとも１種）、第３の副成分（Ｖ２Ｏ５、ＭｏＯ３、ＷＯ３から選択される少なくとも１種）、第４の副成分（Ｙ、Ｄｙ，Ｇｄ、Ｈｏから選択される少なくとも１種を含む希土類酸化物）とを、主成分１００モルに対し第１の副成分：０．１〜３モル、第３の副成分：０．１〜３モル、及び第４の副成分：０．１〜１０．０モルとなるように混合した後、仮焼し、その後主成分１００モルに対し第２の副成分が０．１〜３モルとなるように仮焼済み粉体と第２の副成分とを混合し、好ましくは還元雰囲気下で焼成処理を施すことにより、各結晶粒子同士の組成のバラツキが抑制されて偏析相の析出を抑制すると共に該偏析相の大きさを制御し、これにより高電界強度下においても誘電特性や温度特性、絶縁性が良好で、加速寿命の優れた高信頼性の誘電体セラミックを得ている。
【０００７】
また、他の従来技術としては、ペロブスカイト構造を有する一般式：ＡＢＯ３（ただし、Ａは、Ｂａ（又はＢａと、Ｓｒ及びＣａの少なくとも１種）、Ｂは、Ｔｉ（又はＴｉと、Ｚｒ及びＨｆの少なくとも１種））で表される主成分と、一般式：ａ｛（１−ｂ）Ｒ＋ｂＶ｝＋ｃＭ（ただし、Ｒは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕから選ばれる少なくとも１種の元素からなる化合物、Ｖは、Ｖ元素からなる化合物、Ｍは、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｍｇ、ＦｅおよびＺｎから選ばれる少なくとも１種の元素からなる化合物、ａ、ｂ及びｃは、各前記化合物中に前記元素が１元素以上含まれる化学式に換算したときのモル値）で表される添加成分とを含有し、前記主成分と前記添加成分とを一般式：１００ＢａＴｉＯ３＋ａ｛（１−ｂ）Ｒ＋ｂＶ｝＋ｃＭで表したときに、１．２５≦ａ≦８．０、０＜ｂ≦０．２、１．０＜ｃ≦６．０、ａ／ｃ＞１．１の関係を満足し、かつ、焼結助剤を含有した誘電体セラミックが提案されている（特許文献２）。
【０００８】
この特許文献２では、上記主成分と上記添加成分とを上述した所定モル比率となるように配合することにより、高電界強度下であっても平坦な温度特性を有し、加速寿命も長く、高信頼性を有し、かつ、静電容量の経時劣化の小さい誘電体セラミックを得ている。
【０００９】
【特許文献１】特開２０００−３１１８２８号公報
【特許文献２】特開２００２−１６４２４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、誘電体セラミック層のより一層の薄層化が求められる今日においては、より高い電界が印加されても耐久性の良好な信頼性の優れた誘電体セラミックが求められている。
【００１１】
しかしながら、特許文献１及び２では、高電界での信頼性に優れた誘電体セラミックを得ようとはしているものの、１０ｋＶ／ｍｍを遥かに超える高電界強度下では高温加速寿命が短くなり、信頼性低下を招くという問題点があった。
【００１２】
本発明はこのような事情に鑑みなされたものであって、１０ｋＶ／ｍｍを遥かに超える高電界強度下であっても、加速寿命が良好で高信頼性を有する誘電体セラミック、及び該誘電体セラミックの製造方法、並びにこの誘電体セラミックを使用して製造された積層セラミックコンデンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明者らは上記目的を達成するために鋭意研究を行ったところ、チタン酸バリウム系固溶体を主成分とする誘電体セラミック中にＭｇ及びＶを含有した結晶性複合酸化物を二次相粒子として介在させることにより、誘電体セラミックの剛性を高めることができ、これにより高電界で生じる電界誘起歪みを抑制することができ、１０ｋＶ／ｍｍを遥かに超える高電界（例えば、〜４０ｋＶ／ｍｍ）が印加された場合であっても良好な高温加速寿命を得ることができるという知見を得た。
【００１４】
本発明はこのような知見に基づきなされたものであって、本発明に係る誘電体セラミックは、チタン酸バリウム系固溶体を含有した主相粒子と、Ｍｇ及びＶを含有した結晶性複合酸化物からなる二次相粒子とを含んでいることを特徴としている。
【００１５】
また、本発明者らが更に鋭意研究を進めたところ、主相粒子となるチタン酸バリウム系固溶体や二次相粒子となる結晶性複合酸化物の各成分の含有モル量、及び両者の配合モル量が所定範囲となるように制御することにより、比誘電率εrや静電容量の温度特性が良好で、誘電損失tanδや絶縁抵抗が低下することもなく、高電界強度下で良好な高温加速寿命を得ることができることが分かった。
【００１６】
すなわち、本発明の誘電体セラミックは、前記チタン酸バリウム系固溶体が組成式ＢａmＴｉＯ2＋mで表されると共に、前記結晶性複合酸化物が組成式ＭｇｎＶＯｔで表され、上記ｍ、ｎ、及びｔが、１．００１≦ｍ≦１．０３０、０．３≦ｎ≦５．０、１．５＋ｎ≦ｔ≦２．５＋ｎであり、かつ、前記ＢａｍＴｉＯ2＋m１００モルに対する前記ＭｇｎＶＯｔの配合モル量αが、０．０５≦α≦２．０であることを特徴としている。
【００１７】
また、本発明の誘電体セラミックは、前記結晶性複合酸化物が、ＭｇＶＯ３、Ｍｇ3/2ＶＯ４、Ｍｇ1/3ＶＯ17/6、Ｍｇ3/4ＶＯ13/4、Ｍｇ1/2ＶＯ３、及びＭｇ1/2ＶＯ２の中から選択された少なくとも１種を含むことを特徴としている。
【００１８】
また、本発明者らの更なる鋭意研究の結果、添加成分として、上述した誘電体セラミックに特定の希土類元素、金属元素、及び焼結助剤を所定量含有させても特性に影響を及ぼさないことが判明し、したがってこれら添加成分を適宜必要に応じて含有させることにより、用途に応じた所望の誘電体セラミックを得ることできる。
【００１９】
すなわち、本発明の誘電体セラミックは、Ｙ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、及びＹｂの中から選択された少なくとも１種の元素からなる第１の添加成分と、Ｃａ、Ｂａ、Ｓｒ、及びＭｇの中から選択された少なくとも１種の元素からなる第２の添加成分と、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｎ、Ｃｕ、及びＶの中から選択された少なくとも１種の元素からなる第３の添加成分と、Ｓｉからなる第４の添加成分とを含有し、第１〜第４の添加成分のそれぞれのモル数ｕ、ｖ、ｗ、及びｘは、前記チタン酸バリウム系固溶体１００モルに対し、０．５≦ｕ≦３．０、０．１≦ｖ≦３．０、０．１≦ｗ≦１．０、０．５≦ｚ≦３．０であることを特徴としている。
【００２０】
また、上記チタン酸バリウム系化合物と、上記Ｍｇ及びＶを含有した化合物とを別々に作製した後、両者を混合し、その後焼成処理を施すことにより、Ｍｇ及びＶを含有した結晶性複合酸化物を二次相粒子として誘電体セラミック中に効果的に分散させることができ、これにより上記誘電体セラミックを製造することができる。
【００２１】
すなわち、本発明に係る誘電体セラミックの製造方法は、チタン酸バリウム系化合物を主成分とする第１の配合物を作製する第１の配合物作製工程と、Ｍｇを含有したＭｇ化合物とＶを含有したＶ化合物とを混合した後、熱処理を施し、前記Ｍｇ及びＶを主成分とする第２の配合物を作製する第２の配合物作製工程と、前記第２の配合物を粉砕する粉砕工程と、前記粉砕された第２の配合物と前記第１の配合物とを混合して混合物を得る混合工程と、前記混合物に焼成処理を施す焼成工程とを含むことを特徴としている。
【００２２】
また、本発明に係る積層セラミックコンデンサは、セラミック素体が上記誘電体セラミックで形成されると共に、卑金属材料で形成された内部電極が前記セラミック素体に埋設されていることを特徴としている。
【発明の効果】
【００２３】
上記誘電体セラミックによれば、チタン酸バリウム系固溶体を含有した主相粒子と、Ｍｇ及びＶを含有した結晶性複合酸化物からなる二次相粒子とを含んでいるので、高剛性の二次相粒子が誘電体セラミック中に存在することとなり、高電界強度下でも良好な高温加速寿命を得ることができ、誘電体セラミックの信頼性を向上させることができる。
【００２４】
具体的には、４０ｋＶ／ｍｍの高電界強度下であっても、６０時間以上の加速寿命を有する信頼性の優れた誘電体セラミックを得ることができる。
【００２５】
また、上記誘電体セラミックは、前記チタン酸バリウム系固溶体が組成式ＢａｍＴｉＯ2＋mで表されると共に、前記結晶性複合酸化物が組成式ＭｇｎＶＯｔで表され、上記ｍ、ｎ、及びｔが、１．００１≦ｍ≦１．０３０、０．３≦ｎ≦５．０、１．５＋ｎ≦ｔ≦２．５＋ｎであり、かつ、前記ＢａmＴｉＯ2＋m１００モルに対する前記ＭｇｎＶＯｔの配合モル量αが、０．０５≦α≦２．０であるので、比誘電率εrや静電容量の温度特性が良好で、誘電損失が低く、絶縁特性に優れ、かつ高温加速寿命の優れた誘電体セラミックを得ることができる。
【００２６】
具体的には、１９００以上の比誘電率εrを確保することができ、静電容量の温度特性がＥＩＡ規格で規定されたＸ７Ｒ特性（−５５℃〜＋１２５℃において、２５℃の静電容量に対する容量変化率ΔＣ／Ｃ２５が±１５％以内）を満足し、誘電損失tanδが１．５％以下に抑制され、ＣＲ積が１８００Ω・Ｆ以上を有し、かつ４０ｋＶ／ｍｍの高電界強度下であっても加速寿命が９０時間以上を有する信頼性の優れた誘電体セラミックを得ることができる。
【００２７】
また、本発明の誘電体セラミックは、上述した第１〜第４の添加成分を含有し、その各配合モル量ｕ、ｖ、ｗ、及びｚが、前記チタン酸バリウム系固溶体１００モルに対し、０．５≦ｕ≦３．０、０．１≦ｖ≦３．０、０．１≦ｗ≦１．０、０．５≦ｚ≦３．０であるので、用途に応じた所望特性を有する信頼性の優れた誘電体セラミックを得ることが可能となる。
【００２８】
本発明に係る誘電体セラミックの製造方法によれば、チタン酸バリウム系化合物を主成分とする第１の配合物を作製する第１の配合物作製工程と、Ｍｇを含有したＭｇ化合物とＶを含有したＶ化合物とを混合した後、熱処理を施し、前記Ｍｇ及びＶを主成分とする第２の配合物を作製する第２の配合物作製工程と、前記第２の配合物を粉砕する粉砕工程と、前記粉砕された第２の配合物と前記第１の配合物とを混合して混合物を得る混合工程と、前記混合物に焼成処理を施す焼成工程とを含むので、二次相粒子としてＭｇ及びＶを含有した結晶性複合酸化物を誘電体セラミック中に効果的に分散させることができ、これによりチタン酸バリウム系固溶体を主相粒子とし、上記結晶性複合酸化物を二次相粒子とした誘電体セラミックを容易に製造することができる。
【００２９】
また、本発明の積層セラミックコンデンサによれば、セラミック素体が上記誘電体セラミックで形成されると共に、卑金属材料で形成された内部電極が前記セラミック素体に埋設されているので、高電界強度下であっても信頼性が高く、静電容量の経時変化の小さい、積層セラミックコンデンサを得ることができる。
【００３０】
すなわち、積層セラミックコンデンサの誘電体セラミック層が薄層化されても、室温および高温での絶縁抵抗が高く、その信頼性に優れているため、誘電体セラミック層の薄層化による積層セラミックコンデンサの小型化かつ大容量化が可能となり、たとえば、誘電体セラミック層の厚みが超薄層化され、電界強度が１０ｋＶ／ｍｍを遥かに超える場合（例えば、〜４０ｋＶ／ｍｍ）であっても、実用に十分耐えうる積層セラミックコンデンサを実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
次に、本発明の実施の形態を詳説する。
【００３２】
本発明の一実施の形態としての誘電体セラミックは、チタン酸バリウム系固溶体を含有した主相粒子と、Ｍｇ及びＶを含有した結晶性複合酸化物からなる二次相粒子とを含んでいる。
【００３３】
Ｍｇ及びＶを含有した結晶性複合酸化物は、剛性が高く、比誘電率が比較的低いため、高電界で生じる電界誘起歪みを抑制することができ、これにより１０ｋＶ／ｍｍを遥かに超える高電界強度下であっても、高温負荷時の加速寿命を大幅に向上させることができ、したがって誘電体セラミック層が超薄層化された場合であっても信頼性の優れた誘電体セラミックを得ることができる。
【００３４】
このように誘電体セラミックが、チタン酸バリウム系固溶体を含有した主相粒子と、Ｍｇ及びＶを含有した結晶性複合酸化物からなる二次相粒子とを含むことにより、１０ｋＶ／ｍｍを遥かに超える高電界強度下での高温時の加速寿命を向上させることができるが、前記チタン酸バリウム系固溶体と前記結晶性複合酸化物との各成分のモル組成比、及びこれらチタン酸バリウム系固溶体と結晶性複合酸化物との配合モル比を規定することにより、積層セラミックコンデンサの諸特性（誘電特性、静電容量の温度特性、絶縁性等）に優れ、かつ高信頼性を有する誘電体セラミックを得ることができる。
【００３５】
すなわち、本発明のより好ましい誘電体セラミックは、一般式〔Ａ〕で表すことができる。
【００３６】
１００ＢａmＴｉＯ2＋m＋αＭｇｎＶＯｔ…〔Ａ〕
ここで、上記ｍ、ｎ、ｔ、及びαは、下記数式（１）〜（４）を満足している。
【００３７】
１．００１≦ｍ≦１．０３０…（１）
０．３≦ｎ≦５．０…（２）
１．５＋ｎ≦ｔ≦２．５＋ｎ…（３）
０．０５≦α≦２．０…（４）
そして、これにより１０ｋＶ／ｍｍを遥かに超える高電界強度下であっても、比誘電率εrや静電容量の温度特性が良好で、誘電損失tanδが低く、絶縁性に優れ、しかも良好な高温加速寿命を有する信頼性の優れた誘電体セラミックを得ることができる。
【００３８】
次に、ｍ、ｎ、ｔ及びαを上述の範囲に設定した理由を述べる。
【００３９】
（１）ｍ
ｍはペロブスカイト型構造（一般式ＡＢＯ３）を有するチタン酸バリウムのＡサイト成分とＢサイト成分の組成モル比を規定するが、ｍ値が１．００１未満になると、静電容量の温度特性が平坦性を欠いて悪化し、Ｘ７Ｒ特性を満足しなくなる。しかも誘電損失tanδも高くなる。一方、ｍ値が１．０３０を超えるとＢａの含有モル量が過剰となって焼結性が低下し、このため焼成温度が高くなり比誘電率εrの低下を招く。
【００４０】
そこで、本実施の形態では、好ましい範囲として、ｍ値を１．００１≦ｍ≦１．０３０に設定している。
【００４１】
（２）ｎ
ｎは二次相粒子中のＭｇとＶの組成モル比を規定するが、ｎ値が０．５未満になるとＶが過剰となって比誘電率εrが低下し、また絶縁性も低下する。一方、ｎ値が５．０を超えるとＭｇが過剰となるため、焼結性が低下し、このため焼成温度を高くしなければならず、静電容量の温度特性の悪化を招く。
【００４２】
そこで、本実施の形態では、好ましい範囲として、ｎ値を０．５≦ｎ≦５．０に設定している。
【００４３】
（３）ｔ
ｔはＭｇ化合物とＶ化合物との混合比率やＭｇ及びＶの価数により化学量論的に一義的に決定されるものであり、ｔ値はｎ値に応じて１．５＋ｎ≦ｔ≦２．５＋ｎとなる。
【００４４】
そして、このようなＭｇnＶＯt（０．５≦ｎ≦５．０、１．５＋ｎ≦ｔ≦２．５＋ｎ）の具体例しては、ＭｇＶＯ３、Ｍｇ3/2ＶＯ４、Ｍｇ1/3ＶＯ17/6、Ｍｇ3/4ＶＯ13/4、Ｍｇ1/2ＶＯ３、及びＭｇ1/2ＶＯ２が挙げられる。
【００４５】
（４）α
αは主相粒子であるＢａmＴｉＯ2＋m１００モルに対するＭｇｎＶＯｔの配合モル量を示しているが、α値が０．０５未満になると静電容量の温度特性が悪化する。一方、α値が２．０を超えると比誘電率εrが低下し、また静電容量の温度特性や絶縁性も悪化する。
【００４６】
そこで、本実施の形態では、好ましい範囲として、α値を０．０５≦α≦２．０に設定している。
【００４７】
また、本発明の誘電体セラミックは、表１に示す第１〜第４の添加成分を適宜含有するのも好ましく、これにより、各種特性や信頼性に優れ、しかも用途に応じた特性を有する誘電セラミックを得ることができる。
【表１】
2006232629.tif 000002
ただし、第１〜第４の添加成分の配合モル量ｕ、ｖ、ｗ、ｚは、主成分であるＢａmＴｉＯ2＋m１００モルに対し数式（５）〜（８）を満足するのが好ましい。
【００４８】
０．５≦ｕ≦３．０…（５）
０．１≦ｖ≦３．０…（６）
０．１≦ｗ≦１．０…（７）
０．５≦ｚ≦３．０…（８）
その理由は以下の通りである。
【００４９】
（５）ｕ
第１の添加成分は、誘電体セラミックの特性向上に寄与する希土類元素グループを列挙したものであるが、これら第１の添加成分の配合モル量ｕが、ＢａmＴｉＯ2+m１００モルに対し０．５未満になると、静電容量の温度特性が悪化し、誘電損失tanδも大きくなる、一方、前記配合モル量ｕがＢａmＴｉＯ2+m１００モルに対し３．０を超えると比誘電率εrが低下し、また絶縁性も低下する。
【００５０】
そこで、本実施の形態では、好ましい範囲として、配合モル量ｕを０．５≦ｕ≦３．０に設定している。
【００５１】
（６）ｖ
第２の添加成分は、ペロブスカイト型構造を有する複合酸化物のＡサイトに固溶可能な金属元素グループを列挙したものであるが、これら第２の添加成分の配合モル量ｖが、ＢａmＴｉＯ2+m１００モルに対し０．１未満になると、静電容量の温度特性が悪化する。一方、前記配合モル量ｖがＢａmＴｉＯ2+m１００モルに対し３．０を超えると焼結性が低下するため焼成温度を高くしなければならず、比誘電率εrが低下する。
【００５２】
そこで、本実施の形態では、好ましい範囲として、配合モル量ｖを０．１≦ｖ≦３．０に設定している。
【００５３】
（７）ｗ
第３の添加成分は、第２の添加成分の範疇に入らない他の金属元素グループを列挙したものであるが、これら第３の添加成分の配合モル量ｗが、ＢａmＴｉＯ2+m１００モルに対し０．１未満になると、静電容量の温度特性が悪化する。しかもこの場合は焼成温度も高くなる。一方、前記配合モル量ｗがＢａmＴｉＯ2+m１００モルに対し１．０を超えると絶縁性が低下する。
【００５４】
そこで、本実施の形態では、好ましい範囲として、配合モル量ｗを０．１≦ｗ≦１．０に設定している。
【００５５】
（８）ｚ
少なくともＳｉを含有した第４の添加成分は焼結助剤成分であり、焼結助剤を適量含有させることにより、低温焼成を可能とし、内部電極材料にＮｉやＣｕ等の安価な低融点卑金属材料を使用することが可能となる。
【００５６】
しかしながら、第４の添加成分の配合モル量ｚが、ＢａmＴｉＯ2+m１００モルに対し０．５未満になると、焼結助剤としての作用効果を発揮することができず、したがって焼成温度を高くしなければならず、静電容量の温度特性も悪化する。一方、第４の添加成分の配合モル量ｚが、ＢａmＴｉＯ2+m１００モルに対し３．０を超えると、静電容量の温度特性が悪化する。
【００５７】
そこで、本実施の形態では、好ましい範囲として、配合モル量ｚを０．５≦ｚ≦３．０に設定している。
【００５８】
そして、第４の添加成分の添加形態としては、ＳｉＯ２やＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系のガラス粉末やゾルを好んで使用することができる。
【００５９】
尚、上記第１〜第３の添加成分の誘電体セラミック中の存在形態としては、特に限定されるものではなく、結晶粒界や三重点に存在してもよいし、また主相粒子であるＢａmＴｉＯ2+mに固溶していてもよく、例えばＢａの一部をＣａ、ＳｒやＭｇで置換する形態で存在していてもよい。また、これら第１〜第３の添加成分のＢａmＴｉＯ2+mへの固溶は、均一に固溶している場合、或いは所謂コアシェル構造のように部分的に固溶している場合のいずれであってもよい。
【００６０】
また、上記第１〜第３の添加成分が結晶粒界や三重点に存在した場合の存在形態としては酸化物形態が一般的であるが、ペロブスカイト型構造のような複合酸化物形態でもよく、結晶性を有している場合やＳｉと共存した非晶質状態であってもよい。
【００６１】
また、本発明の結晶性複合酸化物であるＭｇｎＶＯｔとは別途に、第２の添加成分としてのＭｇ、及び／又は第３の添加成分としてのＶを誘電体セラミック中に添加させる場合は、ＭｇやＶの一部をＢａmＴｉＯ2+mに固溶させるのも好ましい。特にＶの一部がＢａmＴｉＯ2+mに固溶することで結晶粒界と結晶粒子内の電気抵抗の差を小さくすることができ、これにより、局所的な電界集中を解消することが可能となって高電界下での信頼性をより一層向上させることができる。
【００６２】
次に、上記誘電体セラミックを使用して製造された積層セラミックコンデンサについて詳述する。
【００６３】
図１は本発明に係る誘電体セラミックを使用して製造された積層セラミックコンデンサの一実施の形態を模式的に示した断面図である。
【００６４】
該積層セラミックコンデンサは、本発明の誘電体セラミックからなるセラミック焼結体１に内部電極２（２ａ〜２ｆ）が埋設されると共に、該セラミック焼結体１の両端部には外部電極３ａ、３ｂが形成され、さらに該外部電極３ａ、３ｂの表面には第１のめっき皮膜４ａ、４ｂ及び第２のめっき皮膜５ａ、５ｂが形成されている。
【００６５】
具体的には、各内部電極２ａ〜２ｆは積層方向に並設されると共に、内部電極２ａ、２ｃ、２ｅは外部電極３ａと電気的に接続され、内部電極２ｂ、２ｄ、２ｆは外部電極３ｂと電気的に接続されている。そして、内部電極２ａ、２ｃ、２ｅと内部電極２ｂ、２ｄ、２ｆとの対向面間で静電容量を形成している。
【００６６】
以下、上記積層セラミックコンデンサの製造方法について詳述する。
【００６７】
まず、セラミック素原料として、ＢａＣＯ３等のＢａ化合物、及びＴｉＯ２等のＴｉ化合物を用意し、上記数式（１）を満足するようにこれらセラミック素原料を秤量する。次いでこの秤量物をＰＳＺ（部分安定化ジルコニア）等の粉砕媒体が内有されたボールミルに投入し、湿式で混合粉砕した後、１０００℃以上の温度で仮焼・粉砕を行ない、平均粒径が０．１〜１．０ｍｍの組成式ＢａmＴｉＯ2+mで表される主相粒子となるべき第１の配合物を作製する。
【００６８】
次に、ＭｇＯ等のＭｎ化合物、及びＶ２Ｏ３やＶ２Ｏ５等のＶ化合物を用意し、上記数式（２）、（３）を満足するようにこれらセラミック素原料を秤量する。次いでこの秤量物をＰＳＺ（部分安定化ジルコニア）等の粉砕媒体が内有されたボールミルに投入し、湿式で混合粉砕した後、約６００℃の温度で仮焼・粉砕を行ない、組成式ＭｇｎＶＯｔで表される二次相粒子となるべき第２の配合物を作製する。
【００６９】
次に、第１〜第４の添加成分を含有した酸化物を必要に応じて用意する。そして、ＢａmＴｉＯ2+m１００モルに対し、第２の配合物、及び第１〜第４の添加成分の配合モル量が、上記（４）〜（８）を満足するように第１及び第２の配合物、及び第１〜第４の添加成分を含有した酸化物を秤量し、ボールミルに投入して混合し、その後蒸発乾燥させ、セラミック混合粉末を得る。
【００７０】
次に、上記セラミック混合粉末をバインダや有機溶剤と共にボールミルに投入して湿式混合し、セラミックスラリーを作製し、ドクターブレード法等によりセラミックスラリーに成形加工を施し、セラミックグリーンシートを作製する。
【００７１】
次いで、内部電極用導電性ペーストを使用してセラミックグリーンシート上にスクリーン印刷を施し、前記セラミックグリーンシートの表面に所定パターンの導電膜を形成する。
【００７２】
尚、内部電極用導電性ペーストに含有される導電性材料としては、低コスト化の観点から、Ｎｉ、Ｃｕやこれら合金を主成分とした卑金属材料を使用するのが好ましい。
【００７３】
次いで、導電膜が形成されたセラミックグリーンシートを所定方向に複数枚積層し、導電膜の形成されていないセラミックグリーンシートで挟持し、圧着し、所定寸法に切断してセラミック積層体を作製する。そしてこの後、温度２００〜５００℃で脱バインダ処理を行ない、さらに、酸素分圧が１０-9〜１０-12ＭＰａに制御されたＨ２−Ｎ２−Ｈ２Ｏガスからなる還元性雰囲気下、温度１１５０〜１２５０℃で約２時間焼成処理を行なう。これにより導電膜とセラミック材とが共焼成され、内部電極２が埋設されたセラミック焼結体１（誘電体セラミック）が得られる。
【００７４】
次に、セラミック焼結体１の両端面に外部電極用導電性ペーストを塗布し、焼付処理を行い、これにより外部電極３ａ、３ｂが形成される。
【００７５】
尚、外部電極用導電性ペーストに含有される導電性材料についても、低コスト化の観点から、Ｎｉ、Ｃｕやこれら合金を主成分とした卑金属材料を使用するのが好ましい。
【００７６】
また、外部電極３ａ、３ｂの形成方法として、セラミック積層体の両端面に外部電極用導電性ペーストを塗布した後、セラミック積層体と同時に焼成処理を施すようにしてもよい。
【００７７】
そして、最後に、電解めっきを施して外部電極３ａ、３ｂの表面にＮｉ、Ｃｕ、Ｎｉ−Ｃｕ合金等からなる第１のめっき皮膜４ａ、４ｂを形成し、さらに該第１のめっき皮膜４ａ、４ｂの表面にはんだやスズ等からなる第２のめっき皮膜５ａ、５ｂを形成し、これにより積層セラミックコンデンサが製造される。
【００７８】
このように本積層セラミックコンデンサは、本発明の誘電体セラミックを使用して製造されているので、１０ｋＶ／ｍｍを遥かに超える高電界強度下であっても良好な加速寿命を得ることができ、したがって誘電体セラミック層が超薄層化されても信頼性の優れた積層セラミックコンデンサを得ることができる。
【００７９】
特に、誘電体セラミックが上述した一般式〔Ａ〕で表され、かつ各配合モル量が数式（１）〜（８）を満足する場合は、誘電特性や温度特性、絶縁性が良好であり、１０ｋＶ／ｍｍを遥かに超える高電界強度下であっても良好な高温加速寿命を得ることができる信頼性の優れた積層セラミックコンデンサを得ることができる。
【００８０】
具体的には、比誘電率εrが１９００〜２４００の高誘電率を確保することができ、静電容量の容量変化率はＸ７Ｒ特性を満足し、誘電損失tanδは１．５％以下と低く、静電容量Ｃと絶縁抵抗Ｒの積であるＣＲ積は１８５０Ω・Ｆ以上となって良好な絶縁性を得ることができ、４０ｋＶ／ｍｍの高電界強度下であっても１５５℃の高温で９０時間以上の加速寿命を有する信頼性の優れた積層セラミックコンデンサを得ることができる。
【００８１】
尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。セラミック混合粉末の作製過程その他の積層セラミックコンデンサの製造過程で、Ｚｒ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｈｆ、Ｎａ等が不純物として混入し、結晶粒子内や結晶粒界に存在するおそれがあるが、積層セラミックコンデンサの電気特性に影響を及ぼすものではない。
【００８２】
また、積層セラミックコンデンサの焼成処理で内部電極成分が結晶粒子内や結晶粒界に拡散するおそれがあるが、積層セラミックコンデンサの電気特性に何ら影響を及ぼすものではない。
【００８３】
また、上記実施の形態では、第１の配合物を、Ｂａ化合物及びＴｉ化合物を出発原料した固相合成法により作製したが、加水分解法や水熱合成法、シュウ酸法等により作製してもよい。さらに、Ｂａ化合物、Ｔｉ化合物についても、炭酸塩や酸化物以外に、硝酸塩、水酸化物、有機酸塩、アルコキシド、キレート化合物等、合成反応の形態に応じて適宜選択することができる。
【００８４】
また、上記実施の形態では、第１〜第３の添加成分の添加形態として酸化物粉末を使用しているが、有機金属やゾルの形態で添加しても、特性に影響を与えることはない。
【００８５】
次に、本発明の実施例を具体的に説明する。
【実施例１】
【００８６】
セラミック素原料としてＢａＣＯ３及びＴｉＯ２を用意し、Ｂａ／Ｔｉが１．０２０となるようにこれらセラミック素原料を秤量し、該秤量物をＰＳＺの内有されたボールミルに投入して２４時間湿式で混合粉砕した。次いで、１１００〜１１８０℃の温度で仮焼処理を施し、組成式ＢａmＴｉＯ2+m（ｍ＝１．０２０）で表される平均粒径０．２〜０．３μｍの第１の配合物を作製した。
【００８７】
次に、ＭｇＯ及びＶ２Ｏ３を用意し、組成モル比がＭｇ／Ｖ＝１／１となるように秤量して混合し、６００℃で仮焼した後、粉砕し、組成式ＭｇｎＶＯｔ（ｎ＝１）で表される第２の配合物を作製した。
【００８８】
次に、第１の添加成分としてのＤｙを含有したＤｙ２Ｏ３、第２の添加成分としてのＣａ及びＭｇをそれぞれ含有したＣａＯ及びＭｇＯ、第３の成分としてのＭｎ及びＮｉをそれぞれ含有したＭｎＯ及びＮｉＯ、及び第４の成分としてのＳｉを含有したＳｉＯ２を用意した。
【００８９】
次に、ＢａmＴｉＯ2+m１００モルに対するＭｇｎＶＯｔ、及び第１〜第４の添加成分の配合モル量α、ｕ、ｖ、ｗ、ｚが表２の実施例１に示す値となるように秤量し、ボールミルに投入して混合した後、乾燥し、セラミック混合粉末を得た。
【００９０】
次いで、前記セラミック混合粉末をポリビニルブチラール系バインダや有機溶剤としてのエチルアルコールと共にボールミルに投入して湿式混合し、セラミックスラリーを作製し、さらにドクターブレード法等によりセラミックスラリーに成形加工を施し、厚さ６μｍの矩形状のセラミックグリーンシートを作製した。
【００９１】
次に、Ｎｉを主成分とした導電性ペーストを前記セラミックグリーンシートにスクリーン印刷し、該セラミックグリーンシートの表面に導電膜を形成した。
【００９２】
次いで、導電膜が形成されたセラミックグリーンシートを所定方向に複数枚積層し、導電膜の形成されていないセラミックグリーンシートで挟持し、圧着し、所定寸法に切断してセラミック積層体を作製した。そしてこの後、大気雰囲気下、温度２５０℃で脱バインダ処理を行い、さらに、酸素分圧が１０-10ＭＰａに制御されたＨ２−Ｎ２−Ｈ２Ｏガスからなる還元性雰囲気中、温度１２２０℃で２時間焼成処理を施し、内部電極が埋設されたセラミック焼結体を作製した。
【００９３】
その後、Ｃｕを主成分とした導電性ペーストをセラミック焼結体の両端面に塗布し、窒素雰囲気下、温度８００〜９００℃で焼付処理を施し、外部電極を形成し、実施例１の積層セラミックコンデンサを作製した。
【００９４】
尚、各積層セラミックコンデンサは、外形寸法が、長さ３．２ｍｍ、幅１．６ｍｍ、高さ１．６ｍｍ、内部電極間に介在する誘電体セラミック層の厚みは４μｍであった。また、有効誘電体セラミック層の積層枚数は２００であり、１層あたりの対向電極面積は２．３×１０-6ｍ2であった。
【００９５】
そして、実施例１の積層セラミックコンデンサの断面をＸ線マイクロアナライザー（ＸＭＡ）を使用して分析した結果、Ｍｇ及びＶを含む結晶性複合酸化物（ＭｇｎＶＯｔ）が二次相粒子として存在することが確認された。
【００９６】
次に、ＭｎＯ及びＮｉＯに加え、第３の添加成分としてのＶを含有したＶ２Ｏ３を用意し、第１〜第４の添加成分の配合モル量ｕ、ｖ、ｗ、ｚが表２の比較例１に示す値となるように第１の配合物、及び第１〜第４の添加成分を含有した酸化物を秤量し、第２の配合物が含まれていないセラミック混合粉末を作製し、その他は実施例１と同様の方法・手順で比較例１の積層セラミックコンデンサを作製した。
【００９７】
次いで、比較例１の積層セラミックコンデンサについても、実施例１と同様、その断面をＸＭＡで分析したところ、Ｍｇ及びＶを含む結晶性複合酸化物の存在は確認されなかった。
【００９８】
表２は実施例１及び比較例１の組成成分を示している。
【表２】
2006232629.tif 000003
次に、実施例１及び比較例１について、比誘電率εr、誘電損失tanδ、静電容量の温度特性、ＣＲ積、及び加速寿命を測定した。
【００９９】
すなわち、まず、自動ブリッジ式測定器を使用し、周波数１ｋＨｚ、実効電圧０．５Ｖrms、温度２５℃の条件で静電容量Ｃ、及び誘電損失tanδを測定し、静電容量Ｃから比誘電率εrを算出した。
【０１００】
静電容量の温度特性については、＋２５℃での静電容量を基準とし、−５５℃から＋１２５℃の範囲における容量変化率（ΔＣ／Ｃ25）を測定して評価した。尚、容量変化率（ΔＣ／Ｃ25）が±１５％以内であればＥＩＡ規格で規定するＸ７Ｒ特性を満足することとなる。
【０１０１】
さらに、絶縁抵抗計を使用し、温度２５℃で５０Ｖの直流電圧を２分間印加し、１２．５ｋＶ／ｍｍの電界強度下での絶縁抵抗Ｒを測定し、静電容量Ｃと絶縁抵抗Ｒとを乗算してＣＲ積を算出した。
【０１０２】
また、超加速高温負荷試験を行い、加速寿命を評価した。すなわち、実施例１及び比較例１の試験片各３６個について、温度１５０℃の高温下、４０ｋＶ／ｍｍの電界強度となるように直流電圧を印加し、絶縁抵抗の経時変化を測定し、絶縁抵抗Ｒが２００ｋΩに低下するまでの時間を測定し、その平均値を算出して加速寿命を評価した。
【０１０３】
表３はこれらの測定結果を示している。
【表３】
2006232629.tif 000004
表２及び表３から明らかなように、比較例１は、二次相粒子としてのＭｇｎＶＯｔが含まれていないため、加速寿命が８時間と短く、高電界強度下での信頼性に劣るのに対し、実施例１は、ＭｇｎＶＯｔが二次相粒子として含まれているので、加速寿命が１０５時間となって大幅に向上し、高電界強度下での信頼性が向上することが分かった。
【実施例２】
【０１０４】
実施例１で行った固相合成法により、表４及び表６に示すような組成モル比ｍを有する平均粒径０．２〜０．３μｍのＢａｍＴｉＯ2+m、すなわち、第１の配合物を作製した。
【０１０５】
次に、ＭｇＯ、及びＶ２Ｏ３又はＶ２Ｏ５を用意し、表４及び表６に示すような組成モル比ｎを有するように秤量して混合し、５００〜９００℃で仮焼した後、粉砕し、ＭｇｎＶＯｔで表される第２の配合物を作製した。
【０１０６】
次に、第１の添加成分を含有したＹ２Ｏ３、Ｓｍ２Ｏ３、Ｅｕ２Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ３、Ｔｂ２Ｏ３、Ｄｙ２Ｏ３、Ｈｏ２Ｏ３、Ｅｒ２Ｏ３、及びＹｂ２Ｏ３、第２の添加成分を含有したＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ及びＭｇＯ、第３の添加成分を含有したＭｎＯ、Ｆｅ２Ｏ３、ＮｉＯ、ＣｏＣＯ３、ＭｏＯ３、ＷＯ３、ＺｎＯ、ＣｕＯ、及びＶ２Ｏ３、第４の添加成分を含有した焼結助剤としてのＳｉＯ２を用意した。
【０１０７】
次に、各配合モル量α、ｕ、ｖ、ｗ、ｚが表４及び表６に示すような値となるように第１及び第２の配合物、及び各添加物を秤量し、ボールミルに投入して混合した後、乾燥し、セラミック混合粉末を得た。
【０１０８】
そして、この後は、実施例１と同様の方法・手順を使用して試料番号１〜４３の積層セラミックコンデンサを作製した。尚、焼成温度は１１８０〜１３２０℃の間で焼結に最適な温度を選択して決定した。
【０１０９】
次に、試料番号１〜４３の積層セラミックコンデンサについて、実施例１と同様、比誘電率εr、誘電損失tanδ、静電容量の温度特性、ＣＲ積、及び加速寿命を測定した。
【０１１０】
表４は試料番号１〜１４の誘電体セラミックの組成成分を示し、表５は試料番号１〜１４の積層セラミックコンデンサの上記各特性の測定結果を示している。  また、表６は試料番号１５〜４３の誘電体セラミックの組成成分を示し、表７は試料番号１５〜４３の積層セラミックコンデンサの上記各特性の測定結果を示している。
【０１１１】
尚、表４及び表５の試料番号１〜１４は、実施例１と同様、誘電体セラミック中にＭｇｎＶOｔを含有しているものの、各配合モル量やモル組成が好ましくない範囲を示しており、表６及び表７の試料番号１５〜４３は、誘電体セラミック中にＭｇｎＶOｔを含有し、かつ各配合モル量やモル組成が好ましい範囲を示している。
【表４】
2006232629.tif 000005
【表５】
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【表６】
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【表７】
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表４及び表５から明らかなように、試料番号１〜１４はいずれも誘電体セラミック中にＭｇｎＶＯｔが二次粒子相として含有されているので、高電界強度下での加速寿命が６０〜１０６時間と良好であり、上述した比較例１に比べ（表３参照）、高電界強度下での加速寿命が大幅に向上することが分かる。
【０１１２】
しかしながら、試料番号１は、ｍ値が０．９９８であり、１．００１未満と小さく、Ｔｉの含有モル量が過剰であるため、容量変化率ΔＣ／Ｃ２５が−２５％となってＸ７Ｒ特性を満たさなくなり、また誘電損失tanδも６．０％と高くなる。
【０１１３】
試料番号２は、ｍ値が１．０３５であり、１．０３０を超えているため、Ｂａの含有モル量が過剰となり、このため焼結性が低下することから焼成温度を１２８０℃に上げる必要があり、比誘電率εrが１９００と低くなる。
【０１１４】
試料番号３は、ｎ値が０．１であり、０．５未満であるため、Ｖの含有モル量過剰となって比誘電率εrが１７００に低下し、ＣＲ積も１３５０Ω・Ｆと低くなる。
【０１１５】
試料番号４は、ｎ値が８．０であり、５．０を超えているため、Ｍｇの含有モル量が過剰となって焼結性が低下し、このため焼成温度を１２６０℃まで上げなければならず、その結果容量変化率ΔＣ／Ｃ２５が−１６％となってＸ７Ｒ特性を満たさなくなり、温度特性が悪化する。
【０１１６】
試料番号５は、α値が０．０１であり、０．０２未満であるため、二次相粒子であるＭｇｎＶＯｔの配合モル量が過小となり、容量変化率ΔＣ／Ｃ２５が−１７％となってＸ７Ｒ特性を満たさなくなる。
【０１１７】
試料番号６は、α値が２．５であり、２．０を超えているため、比誘電率εrが１８５０と低く、ＣＲ積も１４００Ω・Ｆと低くなり、また容量変化率ΔＣ／Ｃ２５が−２２％となってＸ７Ｒ特性を満たさなくなる。
【０１１８】
試料番号７は、ｕ値が０．１であり、０．５未満であるため、容量変化率ΔＣ／Ｃ２５が−２３％となってＸ７Ｒ特性を満たさなくなり、また誘電損失tanδも８．０％と大きくなる。
【０１１９】
試料番号８は、ｕ値が３．５であり、３．０を超えているため、比誘電率εrが１５００と低く、またＣＲ積も１９００Ω・Ｆと低くなる。
【０１２０】
試料番号９は、ｖ値が０．０５であり、０．１未満であるため、容量変化率ΔＣ／Ｃ２５が−２０％となり、Ｘ７Ｒ特性を満たさなくなる。
【０１２１】
試料番号１０は、ｖ値が３．５であり、３．０を超えるため、焼結性が低下し、このため焼成温度を１３００℃と高くしなければならず、またこの場合は比誘電率εrも１７００と低くなった。
【０１２２】
試料番号１１は、ｗ値が０．０５であり、０．１未満であるため焼結性が低下し、このため焼成温度を１２８０℃まで上げなければならず、その結果容量変化率ΔＣ／Ｃ２５が−１７％となってＸ７Ｒ特性を満たさなくなる。
【０１２３】
試料番号１２は、w値が１．５であり、１．０を超えているため、ＣＲ積が１３００Ω・Ｆと低くなる。
【０１２４】
試料番号１３は、ｚ値が０．２であり、０．５未満であるため、焼結性が低下し、このため焼成温度を１３２０℃まで上げなければならず、その結果容量変化率ΔＣ／Ｃ２５が−１６％となってＸ７Ｒ特性を満たさなくなる。
【０１２５】
試料番号１４は、ｚ値が３．５であり、３．０を超えているため、焼結性が過度に促進され、その結果容量変化率ΔＣ／Ｃ２５が−１８％となってＸ７Ｒ特性を満たさなくなる。
【０１２６】
これに対し表６及び表７に示すように、試料番号１５〜４３は、〔発明を実施するための最良の形態〕に記した一般式〔Ａ〕が数式（１）〜（８）を満足するように組成成分が配合されているので、加速寿命が９１〜１０８時間となって４０ｋＶ／ｍｍの高電界強度下においても高い信頼性を得ることができると共に、比誘電率εrが良好で容量変化率ΔＣ／Ｃ２５が±１５％以内に抑制されてＸ７Ｒ特性を満足し、しかも誘電損失tanδも１．５％以下と小さく、電気特性にも優れた積層セラミックコンデンサを得ることができることが分かった。
【０１２７】
特に、試料番号２１〜２５、３６、及び４３のように第１〜第４の添加成分を複数種含有させても特性悪化を招かないことが分かった。すなわち、これら各添加成分は単独で含有させてもよいことから、各添加元素の含有比率を任意に選択することが可能となり、各添加元素の含有比率の選択の自由度も極めて広いことも確認された。
【図面の簡単な説明】
【０１２８】
【図１】本発明の誘電体セラミックを使用して製造された積層セラミックコンデンサの一実施の形態を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１２９】
１  セラミック焼結体（誘電体セラミック）
２（２ａ〜２ｆ）  内部電極
３ａ、３ｂ外部電極
【図１】
2006232629.tif 000009