(57)【要約】【課題】導電域上に成膜されるめっき膜同士を確実に絶縁することができる電解めっき方法を提供する。【解決手段】めっきベース５８ａには、導電域７９と、非導電路７４に基づき区画される孤立導電域７７、７８とが区画される。孤立導電域７７、７８は導電接続パターン８２、８３で導電域７９に接続される。こうしためっきベース５８ａに基づき電解めっきが実施されると、導電域７９や孤立導電域７７、７８上にはめっき膜が形成される。その一方で、めっきベース５８ａでは、非導電路７５、７６は非導電域７４から非導電域７４まで延びる。非導電路７５、７６の先端は非導電域７４に接続される結果、非導電路７５、７６の先端ではめっき膜の成膜は確実に回避される。こうした非導電路７５、７６および非導電域７４に基づき導電域７９や孤立導電域７７、７８上に形成されるめっき膜同士は確実に絶縁されることができる。【選択図】図１２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハ上で導電性のめっきベースを形成する際に、所定の切断予定線に沿って第１および第２領域の間に延びる非導電域と、非導電域から非導電域まで第２領域内に延び、非導電域に隣接して第２領域内で孤立化する１以上の孤立導電域を区画する１筋以上の非導電路と、非導電域を横切って、第１領域内の導電域に孤立導電域を接続する導電接続パターンとを区画することを特徴とする電解めっき方法。
【請求項２】
請求項１に記載の電解めっき方法において、前記導電接続パターンから前記孤立導電域に電流を供給し、孤立導電域上にめっき膜を成膜することを特徴とする電解めっき方法。
【請求項３】
請求項１に記載の電解めっき方法において、前記めっき膜の成膜に先立って、前記導電接続パターンおよび非導電域上にはレジスト膜が形成されることを特徴とする電解めっき方法。
【請求項４】
請求項１に記載の電解めっき方法において、前記めっき膜の成膜後に、前記ウェハは前記切断予定線に沿って切り分けられることを特徴とする電解めっき方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェハ上でめっき膜を成膜する電解めっき方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばＬｉＮｂＯ３といった誘電体結晶から構成される光伝送用チップは広く知られる。こうした光伝送チップは例えばマッハツェンダ型の光変調器に組み込まれる。光伝送用チップは、光導波路上に形成される信号電極並びに第１および第２接地電極といった電極を備える。信号電極は第１および第２接地電極に挟み込まれる。信号電極と第１接地電極や第２接地電極との間には溝が形成される。溝に基づき信号電極は第１および第２接地電極から絶縁される。
【０００３】
光伝送用チップの製造にあたってウェハが用意される。ウェハ上には導電性のめっきベースが形成される。めっきベースには２筋の非導電路が形成される。電解めっきに基づき非導電路の周囲すなわち導電域でめっき膜は成膜される。その後、ウェハから個々のチップが切り出される。チップの切り分けに先立って、ウェハ上では隣接するチップ同士の間でめっき膜が分断される。こういった分断にあたって電極および非導電路にはレジスト膜が覆い被さる。レジスト膜の周囲でめっき膜は除去される。
【特許文献１】特開平０５−３３３２９７号公報
【特許文献２】特開２００１−２３７３４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
伝送速度の向上にあたって電極の膜厚の増大は避けられない。電極の膜厚が増大すると、非導電路を覆うレジスト膜と、電極を覆うレジスト膜との間で膜厚の差は拡大する。その結果、非導電路を覆うレジスト膜では露光が十分に行き渡らない。特に、露光マスクの外縁ではレジスト膜が残存しやすい。その結果、非導電路の先端ではめっきベースが十分に除去されない。電極同士の間で短絡は引き起こされる。こうした光伝送用チップは製品として出荷されることはできない。
【０００５】
本発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、導電域上に成膜されるめっき膜同士を確実に絶縁することができる電解めっき方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明によれば、ウェハ上で導電性のめっきベースを形成する際に、所定の切断予定線に沿って第１および第２領域の間に延びる非導電域と、非導電域から非導電域まで第２領域内に延び、非導電域に隣接して第２領域内で孤立化する１以上の孤立導電域を区画する１筋以上の非導電路と、非導電域を横切って、第１領域内の導電域に孤立導電域を接続する導電接続パターンとを区画することを特徴とする電解めっき方法が提供される。
【０００７】
こうした電解めっき方法では、めっきベースには、第１領域内の導電域と、第２領域内で非導電路に基づき区画される孤立導電域とが区画される。孤立導電域は、第１および第２領域の間に延びる非導電域を横切る導電接続パターンで導電域に接続される。こうしためっきベースに基づき電解めっきが実施されると、導電域や孤立導電域上にはめっき膜が形成されることができる。その一方で、めっきベースでは、非導電路は非導電域から非導電域まで延びる。非導電路の先端は非導電域に接続される結果、非導電路の先端ではめっき膜の成膜は確実に回避される。こうした非導電路および非導電域に基づき導電域や孤立導電域上に形成されるめっき膜同士は確実に絶縁されることができる。
【０００８】
こういった電解めっき方法では、導電接続パターンから孤立導電域に供給される電流に基づき孤立導電域上にめっき膜が成膜されればよい。こうして、非導電域の形成にも拘わらず、非導電域および非導電路で区画される孤立導電域では確実にめっき膜が形成されることができる。こうしためっき膜の成膜に先立って、導電接続パターンおよび非導電域上にはレジスト膜が形成されればよい。こうして電解めっきの実施にあたって、レジスト膜の働きで導電接続パターン上ではめっき膜の成膜は回避される。切断予定線に沿って隣接する領域同士の間で、導電域上に成膜されるめっき膜と、孤立導電域上に形成されるめっき膜とは分断されることができる。こうしためっき膜の成膜後に、ウェハは切断予定線に沿って切り分けられればよい。
【発明の効果】
【０００９】
以上のように本発明によれば、導電域上に成膜されるめっき膜同士を確実に絶縁することができる電解めっき方法が提供されることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照しつつ本発明の一実施形態を説明する。
【００１１】
図１は光送受信器すなわち光変調器１１の構造を概略的に示す。この光変調器１１は例えばマッハツェンダ型に構成される。光変調器１１はケーシング１２を備える。ケーシング１２には入力側光ファイバ１３ａおよび出力側光ファイバ１３ｂが接続される。光ファイバ１３ａ、１３ｂは１直線上で延びる。周知の通り、光ファイバ１３ａ、１３ｂは、コアと、コアの周囲を取り囲むクラッド層と、クラッド層を覆う被覆層とを備える。
【００１２】
光ファイバ１３ａ、１３ｂおよびケーシング１２の接続にあたって、光ファイバ１３ａ、１３ｂの先端には例えばフェルール１４が取り付けられる。フェルール１４は例えばガラス材料から形成される。フェルール１４はコネクタ１５に取り付けられる。コネクタ１５はケーシング１２に着脱自在に取り付けられる。こうして光ファイバ１３ａ、１３ｂはケーシング１２に接続される。
【００１３】
ケーシング１２には光伝送用チップ１６が収容される。光伝送用チップ１６は、光ファイバ１３ａ、１３ｂ同士の間に配置される。光伝送用チップ１６は、本体１７と、本体１７の表面に沿って形成される光導波路１８とを備える。本体１７は例えば平板状に形成される。本体１７は、表面に直交する１対の端面１７ａ、１７ｂで仕切られる。光導波路１８は、本体１７の端面１７ａ、１７ｂ同士の間で本体１７の長さ方向に延びる。光導波路１８は本体１７内で光を伝播させることができる。
【００１４】
光導波路１８の先端は光ファイバ１３ａ、１３ｂの先端に向き合わせられる。光導波路１８の中心は光ファイバ１３ａ、１３ｂの軸心に一致する。こうした光導波路１８は、入力路１８ａと、入力路１８ａと同一直線上に規定される出力路１８ｂと、入力路１８ａおよび出力路１８ｂを接続し、所定の分岐点１９、２１で二股に分岐する第１および第２分岐路１８ｃ、１８ｄとを備える。第１および第２分岐路１８ｃ、１８ｄは相互に平行に延びればよい。
【００１５】
光ファイバ１３ａおよび光伝送用チップ１６の端面１７ａの間、および、光伝送用チップ１６の端面１７ｂおよび光ファイバ１３ｂの間にはレンズ２２、２２が組み込まれる。レンズ２２の働きで、光ファイバ１３ａから入力される入力光は光導波路１８の先端に結合される。同様に、光導波路１８の先端から出力される出力光は光ファイバ１３ｂの先端に結合される。
【００１６】
図２に示されるように、第１分岐路１８ｃ上には信号電極２４が延びる。信号電極２４は、端面１７ａ、１７ｂ同士の間に延びる側縁１７ｃから始まってその側縁１７ｃに行き着く。信号電極２４とその側縁１７ｃとの間すなわち信号電極２４の内側には第１接地電極２５が広がる。信号電極２４および第１接地電極２５は溝２６で相互に離隔される。信号電極２４の外側すなわち信号電極２４と他の側縁１７ｄとの間には第２接地電極２７が広がる。信号電極２４および第２接地電極２７は同様に溝２８で相互に離隔される。第２接地電極２７は信号電極２４に並列に側縁１７ｃから側縁１７ｄまで延びる。
【００１７】
本体１７の表面には、その輪郭に沿って非導電域２９が確保される。非導電域２９は信号電極２４並びに第１および第２接地電極２５、２７を取り囲む。非導電域２９には、本体１７を横切る第１基準線３１に沿って１対の第１導電片３２、３２が形成される。第１基準線３１は光導波路１８に直交する。第１導電片３２、３２は第２接地電極２７から外側に向かって側縁１７ｃ、１７ｄに至る。同様に、非導電域２９には、第１基準線３１に平行な第２基準線３３に沿って１対の第２導電片３４、３４が形成される。一方の第２導電片３４は第２接地電極２７から外側に向かって側縁１７ｄに至る。他方の第２導電片３４は信号電極２４から外側に向かって側縁１７ｃに至る。
【００１８】
非導電域２９には、第２基準線３３に平行な第３基準線３５に沿って１対の第３導電片３６、３６が形成される。第３基準線３５は例えば端面１７ａ、１７ｂの間の中間位置に規定される。光伝送用チップ１６の長手方向に第３導電片３６、３６の幅は第１および第２導電片３２、３４よりも大きく規定される。一方の第３導電片３６は第２接地電極２７から外側に向かって側縁１７ｄに至る。他方の第３導電片３６は第１接地電極２５から外側に向かって側縁１７ｃに至る。
【００１９】
同様に、非導電域２９には、第３基準線３５に平行な第４基準線３７に沿って１対の第４導電片３８、３８が形成される。さらに、非導電域２９には、第４基準線３７に平行な第５基準線３９に沿って１対の第５導電片４１、４１が形成される。第４および第５導電片３８、４１は、第３基準線３５に対して前述の第１および第２導電片３２、３４の鏡像に相当する。その他、第４および第５導電片３８、４１は前述の第１および第２導電片３２、３４と同様に構成される。
【００２０】
信号電極２４並びに第１および第２接地電極２５、２７の一端は信号源４２に接続される。その一方で、信号電極２４並びに第１および第２接地電極２５、２７の他端は終端抵抗４３に接続される。信号源４２は信号電極２４に電気信号を入力することができる。
【００２１】
図３に示されるように、光伝送用チップ１６の本体１７は、例えばＬｉＮｂＯ３といった誘電体結晶から構成される基層４４を備える。基層４４は所定の平面に沿って広がる。基層４４内には前述の光導波路１８が形成される。後述されるように、光導波路１８は例えばＴｉといった無機材料の熱拡散に基づき基層４４の表面に沿って基層４４内に形成される。
【００２２】
基層４４の表面にはＳｉＯ２層４５が広がる。こうしてＳｉＯ２層４５は基層４４との間に光導波路１８を挟み込む。こうしたＳｉＯ２層４５はバッファ層として機能する。ＳｉＯ２層４５の表面にはＳｉ層４６が広がる。Ｓｉ層４６は基層４４の側面および裏面を覆う。Ｓｉ層４６の表面には信号電極２４並びに第１および第２接地電極２５、２７が受け止められる。電極２４、２５、２７は例えばＡｕといった導電材料から構成されればよい。電極２４、２５、２７およびＳｉ層４６の間にはＴｉ層４７が挟み込まれる。
【００２３】
前述の第１〜第５導電片３２、３４、３６、３８、４１はＳｉ層４６の表面に形成される。こうした第１〜第５導電片３２、３４、３６、３８、４１は、Ｔｉ膜４７とＡｕ膜とで構成されればよい。Ｔｉ膜４７およびＡｕ膜は、後述されるように、めっきベースとして形成される。こうしためっきベースに基づき電極２４、２５、２７は形成される。第１〜第５導電片３２、３４、３６、３８、４１の膜厚は電極２４、２５、２７の膜厚よりも著しく小さく設定される。
【００２４】
次に、光変調器１１の動作を簡単に説明する。例えばレーザダイオードといった光源から入力光が入力側光ファイバ１３ａを介してケーシング１２内に入力されると、入力光はレンズ２２から光導波路１８の先端すなわち入力路１８ａの先端に入射する。入射した入力光は分岐点１９で第１分岐路１８ｃおよび第２分岐路１８ｄに分岐する。入力光は分岐点１９で実質的に二等分されて第１および第２分岐路１８ｃ、１８ｄに導かれる。
【００２５】
その一方で、信号電極２４には信号源２７から電気信号が入力される。こうした電気信号に基づき第１分岐路１８ｃには電界が作用する。電界に基づき第１分岐路１８ｃでは光の屈折率が変化する。いわゆる電気光学効果の働きで、第１および第２分岐路１８ｃ、１８ｄの間で光の位相が変化する。位相の変化は電気信号の「１」と「０」とに対応する。第１および第２分岐路１８ｃ、１８ｄに導かれる光は分岐点２１で結合される。
【００２６】
分岐点２１では、光の位相差に基づき、光は、出力路１８ｂに導かれる出力光と、本体１７内の基層４４内に漏れる漏れ光とに分岐する。出力路１８ｂの先端から出力される出力光はレンズ２２から出力側光ファイバ１３ｂに入射する。こうして出力側光ファイバ１３ｂに基づき出力光すなわち光信号は伝送先に向けて伝送される。こうして伝送先では出力光の光の強度に基づき情報は読み出されることができる。
【００２７】
次に、光伝送用チップ１６の製造方法を詳細に説明する。まず、図４に示されるように、ウェハ５１が用意される。ウェハ５１は例えばＬｉＮｂＯ３といった誘電体結晶から構成される。ウェハ５１は前述の本体１７の基層４４に相当する。ウェハ５１の直径は例えば３〜４インチ程度に設定される。
【００２８】
図５に示されるように、ウェハ５１上には無機材料層すなわちＴｉ層５２がウェハ５１の全面にわたって形成される。形成にあたって蒸着が用いられる。ウェハ５１は蒸着装置（図示されず）のチャンバ内に配置される。Ｔｉ層５２の膜厚は例えば１００ｎｍ程度に設定される。ウェハ５１はチャンバから取り出される。
【００２９】
Ｔｉ層５２の表面には全面にわたってフォトレジスト材５３が塗布される。フォトレジスト材５３の膜厚は例えば１μｍ程度に設定されればよい。フォトレジスト材５３には露光および現像が実施される。その結果、図６に示されるように、規定のパターンでフォトレジスト膜５３ａが形成される。フォトレジスト膜５３ａの周囲でＴｉ層５２の表面は露出する。
【００３０】
Ｔｉ層５２には所定のエッチング液に基づきウェットエッチング加工が施される。フォトレジスト膜５３ａの周囲でＴｉ層５２は取り払われる。図７に示されるように、ウェハ５１の表面には、規定のパターンに象られたＴｉ層５２ａが残存する。その後、所定の剥離液に基づきＴｉ層５２ａ上のフォトレジスト膜５３ａは取り払われる。
【００３１】
続いて、ウェハ５１は拡散装置（図示されず）のチャンバ内に配置される。チャンバ内は加熱される。こうしてウェハ５１の表面からウェハ５１内にＴｉが拡散する。その結果、図８に示されるように、ウェハ５１の表面に沿ってウェハ５１内を延びる光導波路５４が形成される。ウェハ５１はチャンバから取り出される。
【００３２】
続いて、図９に示されるように、ウェハ５１の表面にはＳｉＯ２層５５が形成される。ＳｉＯ２層５５の形成にあたってスパッタリングが用いられる。ウェハ５１はスパッタリング装置（図示されず）のチャンバ内に配置される。ＳｉＯ２層５５の膜厚は例えば１μｍ程度に設定されればよい。ウェハ５１はチャンバから取り出される。その後、ウェハ５１は加熱される。
【００３３】
ＳｉＯ２層５５の表面およびウェハ５１の裏面にはＳｉ層５６が形成される。Ｓｉ層５６の形成にあたって蒸着が用いられる。ウェハ５１は蒸着装置（図示されず）のチャンバ内に配置される。Ｓｉ層５６の膜厚は例えば１００ｎｍ程度に設定される。ウェハ５１はチャンバから取り出される。
【００３４】
Ｓｉ層５６の表面にはＴｉ層５７およびＡｕ層５８が順次形成される。形成にあたって蒸着が用いられる。ウェハ５１は蒸着装置（図示されず）のチャンバ内に配置される。Ｔｉ層５７の膜厚は例えば５０ｎｍ程度に設定される。Ａｕ層５８の膜厚は例えば２００ｎｍに設定される。ウェハ５１はチャンバから取り出される。
【００３５】
その後、Ａｕ層５８の表面には全面にわたってフォトレジスト材５９が塗布される。フォトレジスト材５９の膜厚は例えば１μｍ程度に設定されればよい。フォトレジスト材５９には露光および現像が実施される。その結果、図１０に示されるように、規定のパターンでフォトレジスト膜５９ａが形成される。
【００３６】
ここで、ウェハ５１には、相互に平行に延びる複数の切断予定線６１が設定される。切断予定線６１に基づき個々の光導波路５４は切り分けられる。切断予定線６１はチップごとに側縁１７ｃ、１７ｄを規定する。フォトレジスト膜５９ａには切断予定線６１に従って複数の領域６２が区画される。
【００３７】
隣接する領域６２、６２同士の間には切断予定線６１に沿って空隙６３が延びる。各領域６２内では空隙６３から空隙６３まで延びる２筋の空隙６４、６５が形成される。空隙６３の両端には切断予定線６１を横切りつつ各領域６２の空隙６３を接続する空隙６６が形成される。ここでは、空隙６６はウェハ５１の外縁まで広がればよい。
【００３８】
各領域６２内では、空隙６４の内側で空隙６３に隣接して孤立化する第１孤立領域６７が区画される。第１孤立領域６７は前述の第１接地電極２５の輪郭に象られる。空隙６４、６５の間には空隙６３に隣接して孤立化する第２孤立領域６８が区画される。第２孤立領域６８は前述の信号電極２４の輪郭に象られる。同様に、空隙６５の外側には空隙６３に隣接して孤立化する第３孤立領域６９が区画される。第３孤立領域６９は前述の第２接地電極２７の輪郭に象られる。
【００３９】
隣接する領域６２、６２同士の間では、第１孤立領域６７に第３孤立領域６９が空隙６３で隔てられる。第１孤立領域６７は、隣接する領域６２の第３孤立領域６９に第１接続領域７１で接続される。同様に、隣接する領域６２、６２同士の間では、第２孤立領域６８には第３孤立領域６９が空隙６３で隔てられる。第２孤立領域６８は、隣接する領域６２の第３孤立領域６９に２箇所の第２接続領域７２、７２で接続される。さらに、隣接する領域６２、６２同士の間では、第３孤立領域６９に第３孤立領域６９が空隙６３で隔てられる。第３孤立領域６９は、隣接する領域６２の第３孤立領域６９に２箇所の第３接続領域７３、７３で接続される。
【００４０】
空隙６３〜６６内にはＡｕ層５８の表面が露出する。空隙６３〜６６内でＡｕ層５８およびＴｉ層５７にはウェットエッチング加工が施される。その結果、図１１に示されるように、空隙６３〜６６内でＡｕ層５８およびＴｉ層５７は取り払われる。空隙６３〜６６内ではＳｉ層５６の表面は露出する。その後、所定の剥離液に基づきフォトレジスト膜５９ａは取り払われる。こうしてＴｉ層５７およびＡｕ層５８に基づき導電性のめっきベース５８ａが形成される。
【００４１】
めっきベース５８ａでは、図１２に示されるように、切断予定線６１に沿って隣接する領域６２、６２同士の間に延びる非導電域７４が区画される。めっきベース５８ａでは、各領域６２内で非導電域７４から非導電域７４まで延びる２筋の非導電路７５、７６が区画される。図１２から明らかなように、非導電域７４の両端からウェハ５１の外縁に向かう領域では、空隙６６に基づき前述のウェットエッチング加工でＡｕ層５８およびＴｉ層５７は取り払われる。
【００４２】
各領域６２内では、非導電路７５の内側で非導電域７４に隣接して孤立化する第１孤立導電域７７が区画される。第１孤立導電域７７は前述の第１接地電極２５の輪郭に象られる。同様に、各領域６２内では、非導電路７５、７６の間に非導電域７４に隣接して孤立化する第２孤立導電域７８が区画される。第２孤立導電域７８は前述の信号電極２４の輪郭に象られる。非導電路７６の外側には非導電域７４に隣接して孤立化する導電域７９が区画される。導電域７９は前述の第２接地電極２７の輪郭に象られる。
【００４３】
隣接する領域６２、６２同士の間で、導電域７９、７９同士は２箇所の第１導電接続パターン８１、８１で接続される。第１導電接続パターン８１は非導電域７４を横切る。導電域７９は、隣接する領域６２の第１孤立導電域７７に第２導電接続パターン８２で接続される。第２導電接続パターン８２は非導電域７４を横切る。同様に、導電域７９は、隣接する領域６２の第２孤立導電域７８に２箇所の第３導電接続パターン８３、８３で接続される。第３接続パターン８３は非導電域７４を横切る。
【００４４】
続いて、ウェハ５１の表面には全面にわたってフォトレジスト材が塗布される。フォトレジスト材の膜厚は例えば１３μｍ程度に設定される。フォトレジスト材には露光および現像が実施される。こうして、図１３に示されるように、規定のパターンでフォトレジスト膜８４が形成される。フォトレジスト膜８４は非導電路７５、７６上に形成される。このとき、図１４に示されるように、フォトレジスト膜８４は、切断予定線６１に沿って第１〜第３導電接続パターン８１、８２、８３および非導電域７４上に形成される。フォトレジスト膜８４の周囲でめっきベース５８ａは露出する。
【００４５】
フォトレジスト膜８４の形成後、めっきベース５８ａに基づき電解めっきが実施される。ウェハ５１は所定のめっき液に浸される。めっき液中でめっきベース５８ａには電流が供給される。第１〜第３導電接続パターン８１、８２、８３に基づき、導電域７９から隣接する領域６２の導電域７９、第１および第２孤立導電域７７、７８に電流は供給される。こうして、図１５に示されるように、導電域７９並びに第１および第２孤立導電域７７、７８上にはめっき膜すなわち第１Ａｕ膜８５が成膜される。第１Ａｕ膜８５の膜厚は例えば４μｍ程度に設定される。その後、フォトレジスト膜８４は取り払われる。
【００４６】
続いて、前述と同様に、ウェハ５１の表面には全面にわたってフォトレジスト材が塗布される。フォトレジスト材には露光および現像が実施される。こうして、図１６に示されるように、規定のパターンでフォトレジスト膜８６が形成される。フォトレジスト膜８６は前述のフォトレジスト膜８４と同一のパターンに区画される。前述と同様に、非導電路７５、７６上、第１〜第３導電接続パターン８１、８２、８３および非導電域７４上にフォトレジスト膜８６が形成される。
【００４７】
フォトレジスト膜８６の形成後、めっきベース５８ａに基づき再度電解めっきが実施される。こうして導電域７９並びに第１および第２孤立導電域７７、７８上では第１Ａｕ膜８５の表面に第２Ａｕ膜８７が成膜される。第２Ａｕ膜８７の膜厚は例えば１３μｍ程度に設定される。その後、フォトレジスト膜８６は取り払われる。こうして第１孤立導電域７７上には第１接地電極２５が形成される。第２孤立導電域７８上には信号電極２４が形成される。導電域７９上には第２接地電極２７が形成される。
【００４８】
その後、図１７に示されるように、ウェハ５１上では、切断予定線６１に交差する切断予定線８８上にいわゆるヤトイ８９が取り付けられる。取り付けにあたって接着剤が用いられればよい。続いて、切断予定線６１、６１…に沿ってウェハ５１は個々のチップに切り分けられる。切り分けにあたってメタルブレード（図示されず）が用いられればよい。こうして光伝送用チップ１６では前述の本体１７の側面は切り出される。
【００４９】
ここで、ウェハ５１の切り分けにあたって、第１〜第３導電接続パターン８１、８２、８３は切断予定線６１で切断される。こうして、隣接する領域６２、６２の間で第１導電接続パターン８１は前述の第１および第５導電片３２、４１として残存する。同様に、第２導電接続パターン８２は第３導電片３６として残存する。さらに、第３導電接続パターン８３は第２および第４導電接続パターン３４、３８として残存する。
【００５０】
続いて、切断予定線８８、８８に沿ってウェハ５１はさらに切り分けられる。切り分けにあたってレジンダイヤモンドブレード（図示されず）が用いられればよい。レジンダイヤモンドブレードはヤトイ８９上を辿る。こうして光伝送用チップ１６では本体１７の端面１７ａ、１７ｂは切り出される。端面１７ａ、１７ｂでは光導波路５４の先端面が露出する。
【００５１】
その後、光伝送用チップ１６では本体１７の側面にはＳｉ層（図示されず）が形成される。Ｓｉ層の膜厚は例えば１００ｎｍ程度に設定されればよい。続いて、光伝送用チップ１６の端面１７ａ、１７ｂにはＡＲコートが施されればよい。こうして光伝送用チップ１６は製造される。
【００５２】
以上のような光伝送用チップ１６の製造方法によれば、めっきベース５８ａでは、非導電路７５、７６は非導電域７４から非導電域７４まで延びる。したがって、非導電路７５、７６の先端は非導電域７４に接続される。非導電路７５、７６の先端ではめっきベース５８ａの残存は確実に回避される。非導電路７５、７６ではめっき膜すなわち第１および第２Ａｕ膜８５、８７の形成は確実に回避される。伝送速度の向上にあたって第１および第２Ａｕ膜８５、８７すなわち電極２４、２５、２７の膜厚が増大しても、電極２４、２５、２７同士は確実に絶縁されることができる。
【００５３】
その他、以上のような光伝送用チップ１６では、Ｔｉ層５７およびＡｕ層５８といっためっきベースに代えて、Ｃｒ層およびＡｕ層、Ｎｉ層およびＣｒ層、Ｔｉ層および２層のＡｕ層、Ｃｒ層およびＮｉ層およびＡｕ層といったその他のめっきベースが用いられてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】光変調器の構造を概略的に示す平面図である。
【図２】光伝送用チップの構造を概略的に示す平面図である。
【図３】図２の３−３線に沿った断面図である。
【図４】光伝送用チップの製造にあたって用いられるウェハの構造を概略的に示す平面図である。
【図５】図４の５−５線に沿った断面図であり、ウェハ上でＴｉ層およびフォトレジスト材を形成する工程を概略的に示すウェハの拡大部分断面図である。
【図６】ウェハの表面に規定のパターンでフォトレジスト膜を形成する工程を概略的に示す平面図である。
【図７】ウェハの表面でフォトレジスト膜に基づき規定のパターンに象られたＴｉ層を形成する工程を概略的に示すウェハの拡大部分断面図である。
【図８】ウェハの表面からウェハ内にＴｉを拡散させる工程を概略的に示すウェハの拡大部分断面図である。
【図９】ウェハの表面にＳｉＯ２層、Ｓｉ層、Ｔｉ層およびＡｕ層を形成する工程を概略的に示すウェハの拡大部分断面図である。
【図１０】Ａｕ層の表面にフォトレジスト膜を形成する工程を概略的に示すウェハの拡大部分平面図である。
【図１１】フォトレジスト膜に基づきＡｕ層およびＴｉ層にウェットエッチングを施す工程を概略的に示すウェハの拡大部分断面図である。
【図１２】Ｔｉ層およびＡｕ層に基づき電解めっきが施される工程を概略的に示すウェハの拡大部分平面図である。
【図１３】導電域や第１および第２孤立導電域の周囲にフォトレジスト膜を形成する工程を概略的に示すウェハの拡大部分断面図である。
【図１４】導電域や第１および第２孤立導電域の周囲にフォトレジスト膜を形成する工程を概略的に示すウェハの拡大部分平面図である。
【図１５】フォトレジスト膜の周囲で電解めっきを施す工程を概略的に示すウェハの拡大部分断面図である。
【図１６】フォトレジスト膜の周囲で電解めっきを施す工程を概略的に示すウェハの拡大部分断面図である。
【図１７】切断予定線に沿ってウェハを切り分ける工程を示すウェハの平面図である。
【符号の説明】
【００５５】
５１  ウェハ、５８ａ  めっきベース、６１  切断予定線、６２  第１領域、６２  第２領域、７４  非導電域、７５  非導電路、７６  非導電路、７７  孤立導電域（第１孤立導電域）、７８  孤立導電域（第２孤立導電域）、８１  導電接続パターン（第１導電接続パターン）、８２  導電接続パターン（第２導電接続パターン）、８３  導電接続パターン（第３導電接続パターン）、８４  レジスト膜（フォトレジスト膜）、８５  めっき膜（第１Ａｕ膜）、８７  めっき膜（第２Ａｕ膜）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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