(57)【要約】【課題】  構造が簡易で作製が容易でありながらモニタ光量を低損失で十分に取り出すことのできる、光導波路及びその光導波モジュール、並びに光伝送モジュールを提供すること。【解決手段】  下部クラッド２、上部クラッド４とコア３及びコア６ａとの積層構造からなり、基板８に固定された面発光型素子１１の発光光が傾斜面７で反射されて入射した入射光１５が、コア３を通して導かれる光導波路４６ａにおいて、上部クラッド４の一部分がその表面からコア３に達するまで欠除され、この欠除部４７に充填されたコア６ａを介して入射光１５の一部分が分岐光（モニタ用）３９として取り出され、出射光（信号光）４０も十分に確保できるように構成されたことを特徴とする光導波路４６ａ。【選択図】          図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
クラッドとコアとの積層構造からなり、その一方の端部から入射した光が前記コアを通して導かれる光導波路において、前記クラッドの一部分がその表面から前記コアに達するまで欠除され、この欠除部を介して前記入射光の一部が取り出されるように構成されたことを特徴とする、光導波路。
【請求項２】
クラッドとコアとの積層構造からなり、その一方の端部から入射した光が前記コアを通して導かれる光導波路において、前記クラッドと前記コアとの間に前記コアよりも屈折率の低い中間層が設けられ、前記クラッドの一部分がその表面から前記中間層に達するまで欠除され、この欠除部を介して前記入射光の一部が取り出されるように構成されたことを特徴とする、光導波路。
【請求項３】
前記コアと同等若しくはそれ以上の屈折率を有する物質層が前記欠除部に充填されている、請求項１又は２に記載の光導波路。
【請求項４】
前記物質層が前記コアと一体化若しくは接合している、請求項３に記載の光導波路。
【請求項５】
前記欠除部が傾斜した反射面を有し、この反射面による反射光が前記入射光の一部として取り出される、請求項１又は２に記載の光導波路。
【請求項６】
前記反射面が前記クラッドに形成されている、請求項５に記載の光導波路。
【請求項７】
前記物質層に傾斜した反射面が形成され、この反射面による反射光が前記入射光の一部として取り出される、請求項３に記載の光導波路。
【請求項８】
前記反射光が光導波路厚さ方向に透過して外部に導かれる、請求項５又は７に記載の光導波路。
【請求項９】
前記物質層が、光入射部を含む前記一方の端部に露出している、請求項３に記載の光導波路。
【請求項１０】
前記一方の端部の光入射面が傾斜した反射面に形成され、この反射面を介して前記コアに前記入射光が導かれる、請求項１又は２に記載の光導波路。
【請求項１１】
前記クラッド及び前記コアが高分子材料からなる、請求項１又は２に記載の光導波路。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の光導波路と、前記クラッドの前記欠除部を介して取り出された前記入射光の一部を受光するモニタ用受光素子とを有する、光導波モジュール。
【請求項１３】
前記欠除部に充填された前記物質層上に、この物質層と屈折率が同等若しくはそれ以上の光学接着層を介して前記モニタ用受光素子が固定されている、請求項１２に記載の光導波モジュール。
【請求項１４】
前記光導波路において前記傾斜面とは反対側の面に、前記モニタ用受光素子が固定されている、請求項１２に記載の光導波モジュール。
【請求項１５】
前記欠除部により形成された凹部内において、前記コア上に、前記コアと屈折率が同等若しくはそれ以上の光学接着層を介して前記モニタ用受光素子が固定されている、請求項１２に記載の光導波モジュール。
【請求項１６】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の光導波路と、前記クラッドの前記欠除部を介して取り出された前記入射光の一部を受光するモニタ用受光素子と、前記光導波路に前記入射光を入射させるための光素子とを有する、光伝送モジュール。
【請求項１７】
前記欠除部に充填された前記物質層上に、この物質層と屈折率が同等若しくはそれ以上の光学接着層を介して前記モニタ用受光素子が固定されている、請求項１６に記載の光伝送モジュール。
【請求項１８】
前記光導波路において前記傾斜面とは反対側の面に、前記モニタ用受光素子が固定されている、請求項１６に記載の光伝送モジュール。
【請求項１９】
前記欠除部により形成された凹部内において、前記コア上に、前記コアと屈折率が同等若しくはそれ以上の光学接着層を介して前記モニタ用受光素子が固定されている、請求項１６に記載の光伝送モジュール。
【請求項２０】
前記光素子としての発光素子が支持体上に固定され、更にこの支持体上に前記光導波路が固定されている、請求項１６に記載の光伝送モジュール。
【請求項２１】
前記モニタ用受光素子が前記支持体上に固定されている、請求項２０に記載の光伝送モジュール。
【請求項２２】
前記光素子としての発光素子が面発光素子として構成され、この面発光素子からの発光光が、前記光導波路の前記一方の端部に形成された傾斜面で反射されて前記コアに導かれる、請求項１６に記載の光伝送モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コアとクラッドとの接合体からなり、光源モジュール、光インターコネクション、光通信等に好適な光導波路及びその光導波モジュール、並びに光伝送モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
これまで、電子機器内のボード間又はボード内のチップ間など、比較的短距離間の情報伝達は、主に電気信号により行われてきたが、集積回路の性能を向上させるためには、信号の高速化や信号配線の高密度化が必要となる。しかし、電気信号配線においては、配線の時定数による信号遅延やノイズの発生等の問題から、電気信号の高速化や電気信号配線の高密度化が困難である。
【０００３】
こうした問題を解決する光配線（光インターコネクション）が注目されている。光配線は、電子機器間、電子機器内のボード間又はボード内のチップ間など、種々の個所に適用可能であり、例えば、チップ間のような短距離間の信号の伝送には、チップが搭載されている基板上に光導波路を形成し、信号変調されたレーザ光等の伝送路とした光伝送、通信システムを構築することができる。
【０００４】
他方、光導波路をディスプレイの光源モジュールとして用いることも知られている。例えば、映像ソフト、ゲーム、コンピュータ画面、映画等を自分だけのデイ画面で楽しめるヘッドマウントディスプレイ（Head Mounted Display）の開発が成されており、サングラスのように掛けるだけで、臨場感あふれる映像をいつでもどこでも気軽に体感できるパーソナルなディスプレイがある（米国特許第５，４６７，１０４号公報参照）。
【０００５】
このヘッドマウントディスプレイの光源には、赤色、緑色、青色の発光ダイオード（ＬＥＤ）が使われているがＬＥＤ光はコヒーレント性が無く、放射角が広く、集光して３色を合波することが難しい。そこで、３種のＬＥＤ光を光導波路に通して合波し、均一な白色光を作り出す技術が知られている（日経エレクトロニクス２００３．３．３１号，ｐ１２７）。
【０００６】
さて、例えば、光導波路を用いる従来の光伝送モジュールの構造としては、例えば特開平１１−６８７０５号公報に示されている。
【０００７】
この光伝送モジュールは、平面基板（Ｓｉ基板）上に形成される光分岐導波路と、この光分岐導波路の分岐部に設けられた溝と、この溝に挿入されて入力光を波長に応じてその透過方向及び反射方向に分岐させる誘電体多層膜フィルタと、平面基板上で光分岐導波路に光結合する送信用レーザダイオード（以下、ＬＤと称することがある。）と、受信用フォトダイオード（以下、ＰＤと称することがある。）とから構成される、双方向波長分割多重方式モジュールである。
【０００８】
このモジュールでは、誘導体多層膜フィルタの透過波長が受信用フォトダイオードの受信波長に設定され、誘電体多層膜フィルタの阻止波長が送信用レーザダイオードの発信波長に設定され、送信用レーザダイオード及び受信用フォトダイオードが誘電体多層膜フィルタを挟んで対向する位置に配置される。
【０００９】
そして、光源としては端面発光型のＬＤを用いており、ＬＤの出力光のモニタは、ＬＤの後方にモニタ用ＰＤを配置してＬＤの後部から出力される光パワーを測定することによって、ＬＤの出力パワーをモニタしていた。
【００１０】
しかしながら、近年、端面発光型ＬＤに比較して低コスト、高速変調（例えば、１０ＧＨｚの画像変調）可能、高密度実装可能等のメリットを持つ面発光型素子として、垂直共振器型面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：Vertical Cavity Surface Emitting Laser）を使用した光伝送モジュールの要求が高まっている。
【００１１】
このＶＣＳＥＬの構造は、例えば特開２００３−２９８１８６号公報の図１０に示されるように、基板上に、下部反射層、下部クラッド層、活性層、上部クラッド層が順次積層されたものである。
【００１２】
このＶＣＳＥＬは、光が共振する方向が基板面に対して垂直であり、光インターコネクションを始め通信用光源として又その他の様々なアプリケーションデバイスとして注目されている。
【００１３】
また、このＶＣＳＥＬの利点としては、その構造から１波長程度の超短共振器を備えているために、発振するレーザ光内に存在できる波長が基本波のみとなる。従って、分布帰還型レーザ等の端面発光レーザよりも単一縦モードを安定的に維持することが容易である。
【００１４】
更に、ＦＦＰ（Far Field Pattern）が等方で狭い値を得ることが可能であり、相対強度雑音も低いこと等、分布帰還型レーザ等よりも本質的に光通信等に適したレーザ素子として注目されている。
【００１５】
このようなＶＣＳＥＬを使用した場合、上記した端面発光型ＬＤのようにその後方にモニタ用ＰＤを配置する構造をとることはできないため、ＶＣＳＥＬ前面から出射した光を直接モニタする必要がある。
【００１６】
例えば、図３６（ａ）及び図３６（ｂ）に示すように、ＶＣＳＥＬの前面から出射した光を直接モニタするために光導波路７７ａを用いるモジュールがある（図３６（ａ）は図３６（ｂ）のＡ−Ａ’線断面図である）。
【００１７】
この構造によれば、所定位置に凹部８１a及び８１ｂが設けられた基板７６上に、下部クラッド７５、分岐コア８４を有するコア７４、及び上部クラッド７３が順次積層されており、下部クラッド７５、コア７４及び上部クラッド７３の接合体の一方の端部及び側部には、それぞれが４５°の傾斜角度を有する傾斜面７９ａ及び７９ｂが形成されている。そして、凹部８１ａには発光部８６を有する面発光レーザであるＶＣＳＥＬ８２が電極８０ａを介して固定され、凹部８１ｂには受光部８３を有するモニタ用フォトダイオード８５が電極８０ｂを介して固定されている。傾斜面７９ａの下部にはＶＣＳＥＬ８２の発光部８６が対向配置され、傾斜面７９ｂの下部にはモニタ用フォトダイオード８５の受光部８３が対向配置されている。
【００１８】
ＶＣＳＥＬ８２の発光部８６からの発光光は傾斜面７９ａで図面右方向へ反射されてコア７４内に入射し、入射光７８として伝搬される。この入射光７８の殆どはコア７４内を伝搬して信号光として出射されるが、入射光７８の一部はモニタ用の光として曲線状の分岐コア８４内に入って伝搬した後、傾斜面７９ｂで図面下方へ反射されてモニタ用フォトダイオード８５の受光部８３に入射し、モニタ用として用いられる。
【００１９】
他方、図３７に示すように、光導波路を用いて伝搬光を直接モニタする構造を有する光導波路７７ｂが知られている（後述の特許文献１を参照）。
【００２０】
この光導波路７７ｂの構造によれば、基板７６上に、下部クラッド７５、コア７４、上部クラッド７３が順次積層されていて、この上部クラッド７３に形成した溝部７２に受光素子７１が固定され、この溝部７２の側面からコア７４にかけて断面Ｓ字状のタップ導波路７０が形成されている。
【００２１】
このタップ導波路７０は、コア７４内を伝搬する伝搬光の一部が分岐されて受光素子７１の受光部に導波されるように形成されている。即ち、コア７４内に入射する信号光の一部がモニタ光としてタップ導波路７０で導波されて受光素子７１に入射し、信号光のモニタが行われる。
【００２２】
【特許文献１】特開２００３−４３２７５号公報（第３頁左欄２３行目〜第４頁左欄４２行目、図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２３】
しかし、上記の図３６及び図３７に示した従来例においては何れも、モニタ用の分岐光を導くのに用いる分岐コア又はタップ導波路は、受光素子側へ曲線状に折曲したパターンに形成する必要があるので、その折曲部分で伝搬光がコア外へ漏出し易く、従って、光損失量が大きく、モニタ用の光量が十分に得られない。
【００２４】
こうした光損失を低減するには、折曲部の曲げを緩やかにすることが考えられるが、この場合には分岐コア等の長さが大きくなって導波路全体のサイズが増大するので、好ましくない。
【００２５】
また、これらのモニタ用コアのうち図３７のものは、それを導波路内に作り込む工程が複雑で難しい。
【００２６】
本発明は、上記のような状況に鑑みてなされたものであって、その目的は、構造が簡易で作製が容易でありながらモニタ光量を低損失で十分に取り出すことのできる、光導波路及びその光導波モジュール、並びに光伝送モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２７】
即ち、本発明は、クラッドとコアとの積層構造からなり、その一方の端部から入射した光が前記コアを通して導かれる光導波路において、前記クラッドの一部分がその表面から前記コアに達するまで欠除され、この欠除部を介して前記入射光の一部が取り出されるように構成されたことを特徴とする、光導波路に係わるものである。
【００２８】
本発明は又、クラッドとコアとの積層構造からなり、その一方の端部から入射した光が前記コアを通して導かれる光導波路において、前記クラッドと前記コアとの間に前記コアよりも屈折率の低い中間層が設けられ、前記クラッドの一部分がその表面から前記中間層に達するまで欠除され、この欠除部を介して前記入射光の一部が取り出されるように構成されたことを特徴とする、光導波路に係わるものである。
【００２９】
本発明は又、上記の光導波路と、前記クラッドの前記欠除部を介して取り出された前記入射光の一部を受光するモニタ用受光素子とを有する、光導波モジュールに係わるものである。
【００３０】
本発明は又、上記の光導波路と、前記クラッドの前記欠除部を介して取り出された前記入射光の一部を受光するモニタ用受光素子と、前記光導波路に前記入射光を入射させるための光素子とを有する、光伝送モジュールに係わるものである。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によれば、前記クラッドの一部分がその表面から前記コア又は前記中間層に達するまで欠除され、この欠除部を介して前記入射光の一部が取り出されるために、前記欠除部を介して前記コアから入射光の一部を低損失で十分に取り出し、モニタ用受光素子に入射させることにより、光量のモニタを効率良く行うことができ、かつこのモニタ構造を小型で簡易なものとしてその作製を容易に行うことができる。
【００３２】
また、前記クラッドの一部分がその表面から前記中間層に達するまで欠除され、この欠除部を介して前記入射光の一部が取り出される構造では、前記中間層によって前記入射光の一部の取り出しをより低損失で行うことができる。
【００３３】
本発明によるモニタ構造は、前記欠除部を介して取り出される前記入射光の一部を受光する前記モニタ用受光素子と組み合せ、また更には前記光導波路に前記入射光を入射させる前記光素子と組み合せることによって、低損失でモニタを行える簡易な構造を備えた光導波路モジュール及び光伝送モジュールを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
本発明においては、前記コア内を通して導かれる前記入射光の一部を前記欠除部を介して取り出し易くするために、前記コアと同等若しくはそれ以上の屈折率を有する物質層が前記欠除部に充填されているのが望ましく、前記物質層が前記コアと一体化若しくは接合しているのが望ましい。
【００３５】
また、前記欠除部が傾斜した反射面を有し、この反射面により光路変換された反射光が前記入射光の一部として取り出すのが、十分にかつ調整された量で取り出せるので望ましい。この場合、前記反射面が前記クラッドに形成され、その一方が前記コアに及んでいてもよい。
【００３６】
また、前記物質層に傾斜した反射面が形成され、この反射面により光路変換された反射光が前記入射光の一部として取り出されても、十分な量で効率良く取り出すことができる。
【００３７】
この場合、前記反射面が前記クラッド又は前記物質層のいずれに形成されても、前記反射光は光導波路厚さ方向に透過して外部に導かれる。
【００３８】
また、前記物質層が、光入射部を含む前記一方の端部に露出しているのが、前記物質層内により多くの入射光が入射してモニタ光量が増加するために、望ましい。
【００３９】
また、前記光導波路の前記一方の端部に対向して配置される光源等の光素子からの光を光路変換して前記コア内に効率良く導くために、前記一方の端部の光入射面が傾斜した反射面に形成され、この反射面を介して前記コアに前記入射光が導かれるのが望ましい。
【００４０】
また、前記クラッド及び前記コアが高分子材料からなるのが、光導波路を容易に作製できる点で望ましい。
【００４１】
また、前記欠除部を介して取り出された入射光の一部を前記モニタ用受光素子に入射し易くするために、前記欠除部に充填された前記物質層上に、この物質層と屈折率が同等若しくはそれ以上の光学接着層を介してフォトダイオード等の前記モニタ用受光素子が固定されているのが望ましい。
【００４２】
また、前記光導波路において前記傾斜面からの反射光を受光するために、前記傾斜面とは反対側の面に、前記モニタ用受光素子が固定されていてよい。
【００４３】
また、前記コアから入射光の一部を前記モニタ用受光素子により入射させ易くするために、前記欠除部により形成された凹部内において、前記コア上に、前記コアと屈折率が同等若しくはそれ以上の光学接着層を介して前記モニタ用受光素子が固定されているのが望ましい。
【００４４】
また、前記光素子としてのレーザダイオード等の発光素子が支持体上に固定され、更にこの支持体上に前記光導波路が固定されているのが望ましく、この場合、前記モニタ用受光素子が前記支持体上に固定されていてもよい。
【００４５】
また、前記光素子としての発光素子が面発光素子として構成され、この面発光素子からの発光光が、前記光導波路の前記一方の端部に形成された傾斜面で反射されて前記コアに導かれることが、面発光素子としての既述した有利な効果（低コスト、高速変調、高密度実装）を発揮させながら、その発光光の光路変換後に光導波路を用いたモニタを低損失で容易に行うことができる。
【００４６】
次に、本発明の好ましい実施の形態を図面参照下に具体的に説明する。
【００４７】
第１の実施の形態
図１〜図７は、本発明の第１の実施の形態を示すものである。
【００４８】
本実施の形態による光導波路４６ａ、光導波モジュール及び光伝送モジュールにおいては、図１（Ｂ）のＡ−Ａ’線断面図である図１（Ａ）、及びその平面図である図１（Ｂ）に示すように、所定位置に凹部１４が設けられた基板８（支持体）上に、下部クラッド２、コア３、所定開口長さＬの欠除部４７を有する上部クラッド４、及び欠除部４７を埋める分岐コア６ａが順次積層されており、下部クラッド２、コア３、上部クラッド４及びコア６ａからなる積層構造の一方の端部には、例えば４５°の傾斜角度を有する傾斜面７が形成されている。
【００４９】
また基板８の凹部１４には、発光部３８を有するＶＣＳＥＬ１１（光素子としての面発光型素子）が電極１２を介して光導波路４６ａの傾斜面７のコア３と対向して固定され、他方、上部クラッド４の欠除部４７のコア６ａ上の所定位置は、受光部１３を有するモニタ用フォトダイオード１０（モニタ用受光素子）が受光部１３を下にして光学接着剤９を介して固定されている。
【００５０】
この光導波路４６ａ、これにフォトダイオードを固定した光導波モジュール、並びに光伝送モジュールにおいては、実線の矢印によって示すように、ＶＣＳＥＬ１１の発光部３８からの図面上方への発光光が、下部クラッド２を通して傾斜面７に入射し、ここで図面右方向へ反射されて光路変換され、コア３内を入射光１５として伝搬した後に、入射光１５の殆どはコア３内を引き続き伝搬して出射光（信号光）４０として出射される（これは、後述の他の実施の形態においても同様であるので、後述の説明ではその記述を省略することがある）。そして、入射光１５の一部は、モニタ用の分岐光３９として、コア３と同等のコア６ａ（分岐コア）が埋め込まれたクラッド４の欠除部４７に漏れ、光学接着剤９からモニタ用フォトダイオード１０の受光部１３に入射される。
【００５１】
次に、図２〜図３、及びその平面図である図４〜図５について、光導波路４６ａの作製工程を説明する。
【００５２】
まず、図２（ａ）及び図４（ａ）に示すように、基板１を配置する。
【００５３】
次に、図２（ｂ）及び図４（ｂ）に示すように、基板１に下部クラッド２を形成する。ここでは、コア材として高分子材料、例えば紫外線硬化型の樹脂をスピンコートにより塗布した後に、プリベーク、紫外線照射及びポストベークという工程で樹脂を硬化させて、下部クラッド２とする。他にも、熱硬化性の樹脂を用いて加熱硬化により下部クラッド２を形成することもある。
【００５４】
次に、図２（ｃ）及び図４（ｃ）に示すように、下部クラッド２より屈折率の高い高分子材料をスピンコートで塗布して、所望の光導波路コア３のパターンを形成する。この光導波路コア３のパターンを形成する方法としては、例えば、紫外線硬化型の樹脂を使用してフォトリソグラフィーによってパターン露光及び現像する方法や、金型を押し付けてコア３のパターンを転写する方法等がある。
【００５５】
このコア３の形成方法については、例えば、半硬化状態のコア材に加熱した金型で押し付けてコア３を形成したり、コア３と同形状の溝をクラッド材に形成してその中にコア材を充填した後にスキージングすることによっても、コア３を形成することができる。
【００５６】
次に、図２（ｄ）及び図４（ｄ）に示すように、下部クラッド２と同様の紫外線硬化型樹脂（上部クラッド材４ａ）をスピンコートにより塗布した後にプリベークを行う。
【００５７】
次に、図２（ｅ）及び図４（ｅ）に示すように、上部クラッド材４ａの一部を被覆するパターンのフォトマスク４１を使用した紫外線照射、及び現像を行う。
【００５８】
これによって、図３（ｆ）及び図５（ｆ）に示すように、非露光箇所の上部クラッド材が除去され、欠除部４７としての開口部５を有する形状の上部クラッド材に加工され、これは更にポストベークによって完全に硬化されて、コア３の幅を十分に含む幅の開口部５を長さＬに亘って有する上部クラッド４を形成する。
【００５９】
次に、図３（ｇ）及び図５（ｇ）に示すように、コア３とほぼ等しい屈折率を持つ粘度の低い高分子材料である樹脂をスピンコートすることにより、上部クラッド４の欠除部４７（開口部５）に充填若しくは埋め込むと共に、上部クラッド４の上に樹脂を平坦に塗布する。この後、樹脂を硬化させて分岐用の導波路コア６ａを形成する。ここで、上部クラッド４の欠除部４７に樹脂を充填する方法としては、スピンコートの後に、スクイージング等を行って上部クラッド４の上に塗布された樹脂を除去することもある。コア３とコア６ａとは、欠除部４７において互いに接合、一体化する。
【００６０】
次に、図３（ｈ）及び図５（ｈ）に示すように、下部クラッド２、コア３、上部クラッド４及びコア６ａを、基板１に至るまで順次上方から、例えば９０°の先端角度を有するブレード１６によって研削して、例えば４５°の傾斜角度を有する傾斜面７を形成する（これは、後述の他の実施の形態においても同様であるので、後述の説明ではその記述を省略することがある）。そして、幅方向の両側においてスクライブライン３５に沿ってスクライブし、光導波路４６ａに加工する。
【００６１】
次に、図３（ｉ）及び図５（ｉ）に示すように、光導波路４６ａを基板１から剥離した後に、上述した基板８上に固定する。この場合、上部クラッド４の欠除部４７上において、分岐コア６ａ上に、分岐コア６の屈折率より若干屈折率の高い光学接着剤９を用いてモニタ用フォトダイオード１０を固定しておく。
【００６２】
この際、モニタ用フォトダイオード１０の受光部１３が、入射光１５の進行方向の後方に位置するように固定され、入射光１５から分岐した若しくは漏れたモニタ用の分岐光を受光部１３に十分に入射させて感知できるようにしてある。また、基板８の凹部１４に固定されたＶＣＳＥＬ１１に対し、光導波路４６ａの傾斜面７のコア３の端面を位置合せしておく。
【００６３】
次に、図６に示すように、本実施の形態による光導波路４６ａに対応したシミュレーション用の構造をモデルとして用いて、分岐用の導波路コア６ａに充填された上部クラッド４の欠除部４７の開口長さＬ（μｍ）と、コア３から分岐される（漏れる）モニタ用の光量の割合（％）との関係をシミュレーションで求めた。このシミュレーション条件としては、２Ｄ−ＢＰＭ（２Dimensional-Beam Propagation Method）による４次パディ近似を用い、入射光の強度はガウシアン分布（半値幅２０μｍ）を有するものとした（参考文献：「光導波路解析の基礎」河野健治、鬼頭勤、現代工学社。Yevick, D.,“A Guide to Electric Field Propagation Techniques for Guided-Wave Optics”, Optical and Quantum Electronics, Vol. 26, 1994, pp. S185-S197）。
【００６４】
この結果、分岐コア６ａからの光漏れ量と開口長さＬ（分岐コア長）との間には、図６（Ｂ）に示す関係があることが判明した。これによれば、分岐コア６ａの長さ（開口長さ）Ｌを１ｍｍ（１０００μｍ）以上にすれば、約５％以上の分岐光が得られ、一般的なモニタ用の光量としては十分であり、Ｌの値を１ｍｍ（１０００μｍ）〜２ｍｍ（２０００μｍ）とすれば、入射光１５の約５％〜約８％の十分な光量のモニタ光を取り出せることが分る。
【００６５】
なお、図７に示すように、光導波路４６ａの光出射側から出射する出射光は、クラッド２２に覆われたコア３ａからなる光ファイバ２１に光結合させて入射する際に、光導波路４６ａのコア３と光ファイバ２１のコア３ａとが位置的に対応し、また光導波路４６ａの上部クラッド４及び下部クラッド２と光ファイバ２１のクラッド２２とが位置的に対応している。
【００６６】
そのために、図中に太線で表すように、光導波路４６ａ内の光のモード２３とこれが光ファイバ２１内で伝搬する光のモード２３ａとが光軸４２に沿って合わせ易くなり、光導波路４６ａから光ファイバ２１への光の伝搬（光結合）を効率良く行うことができる。
【００６７】
上記したことから、本実施の形態による光導波路及び光導波モジュールは、上部クラッド４の一部分がその表面からコア３に達するまで欠除され、この欠除部４７を介して入射光の一部である分岐光３９がモニタ光として取り出され、ＶＣＳＥＬ１１のパワーコントロールに用いられるように構成したので、欠除部４７に埋め込んだコア６ａを介してコア３から分岐光３９を低損失で効率良く取り出してモニタ用フォトダイオード１０に受光することができ、しかもこれを簡易で作製容易な構造で実現することができる。
【００６８】
こうして、ＶＣＳＥＬ１１の優れた特性を生かしつつ、光導波路４６ａの上部に配置したモニタ用フォトダイオード１０にモニタ光３９を効率良く結合させた光伝送モジュールを提供することができる。
【００６９】
また、平面光導波路としても光導波路４６ａの材料として高分子材料を用いることによって、従来の平面光導波路を形成する工程と殆ど変わらない工程で、上記のモニタ構造を有する光導波路を容易に実現することが可能である。
【００７０】
第２の実施の形態
図８〜図１０は、本発明の第２の実施の形態を示すものである。
【００７１】
本実施の形態による光導波路４６ｂ及び光伝送モジュールにおいては、図８に示すように、基板８の所定位置に凹部１９が設けられ、上部クラッド４コア３の一部にかけて欠除されて、例えば傾斜角４５°のＶ字形の傾斜面１８（反射面）が設けられ、更に、凹部１９には受光部１３を有するモニタ用フォトダイオード１０が電極１２を介して固定され、傾斜面１８の位置に対応して、基板８の凹部１９に電極１２を介して固定されたモニタ用フォトダイオード１０の受光部１３が配置されていること以外は、上述した第１の実施の形態と基本的に同様である。
【００７２】
この光導波路４６ｂ、及びこれを有する光伝送モジュールにおいては、実線の矢印で示すように、ＶＣＳＥＬ１１からの発光光が傾斜面７を介してコア３内に入射し、入射光１５として伝搬した後に、この入射光１５の一部は傾斜面１８で下方に反射し、モニタ用の反射光４３として下部クラッド２を介してモニタ用フォトダイオード１０の受光部１３に受光される。
【００７３】
次に、図９〜図１０について、光導波路４６ｂの作製工程を説明する。
【００７４】
図９（ａ）〜図９（ｄ）に示すように、上述の図２（ａ）〜図２（ｄ）に示した工程と同様の工程を経て、基板１上に下部クラッド２、コア材３ａ及び上部クラッド材４ａを積層する。
【００７５】
次に、図１０（ｅ）に示すように、一の箇所において、ダイシングブレード１７を用いて上部クラッド材４ａとコア材３ａの１部にかけて切削し、例えば４５°の傾斜面１８を形成し、また、他の箇所において、ダイシングブレード１６を用いて下部クラッド２の下まで切削する。これによって、それぞれ４５°ミラー面を有する傾斜面１８及び７を有する上部クラッド４、コア３及び下部クラッド２の積層体に加工する。
【００７６】
更に、図１０（ｆ）に示すように、この積層体を基板１から剥離し、図８に示したように、ＶＣＳＥＬ１１、モニタ用フォトダイオード１０を実装したＳｉプラットフォーム（基板）８上に固定して、ＶＣＳＥＬ１１からの光を４５°ミラー面７を介してコア３に導びいて伝搬させる光伝送モジュールを作製する。
【００７７】
本実施の形態による構造では、コア３に入射（結合）せずに上部クラッド４に漏れ込んだ入射光１５と、コア３内を伝搬していく入射光１５の一部とが、傾斜面１８で９０°光路変換され、下部クラッド２を通してモニタ用の反射光４３として光導波路外に効率良く取り出され、そこに配置してあるモニタ用フォトダイオード１０に入射して、ＶＣＳＥＬ１１のパワーのモニタ制御に用いられる。
【００７８】
このモニタ構造は、上部クラッド４からコア３にかけて傾斜面１８が形成されているために、これらの領域に入射（又は漏洩）する入射光１５を受光部１３に送ることができるために、モニタ光量を増加させることができる。
【００７９】
そして、ブレード１７による切り込み量を調整することによって、モニタ用フォトダイオード１０の方へ販社する光の割合を調整することが可能である。即ち、コア３への切り込み量を調整することによって、コア３中を伝搬する光を出射光４０と反射光４３とに分離し、この割合を調整し、信号光としての必要量を確保しながらモニタ用の光量も確保することができる。なお、傾斜面７に対するＶＣＳＥＬ１１の結合位置をずらして、上部クラッド４に結合する光とコア３に結合する光との比率を変えることによっても、信号光４０とモニタ光４３との比率を調整することもできるが、この場合はコア３までは傾斜面１８を形成しなくてもよいことがある。
【００８０】
また、入射光１５が傾斜面１８による反射後に受光部１３にほぼ垂直に入射するために、効率よく入射させることができると共に、下部クラッド２と受光部１３との間に光学接着剤を設けることを省略することができる。
【００８１】
また、傾斜面１８に破線で示す反射膜４４を設けると、傾斜面１８をごみの付着等から保護してその反射特性を良好に維持することができる（これは、後述の実施の形態でも同様であってよい）。
【００８２】
また、共通の基板８上に、モニタ用フォトダイオード１０とＶＣＳＥＬ１１との２つの光素子を実装するが、これらの実装後に各光素子及び光導波路上のマーカ同士の検出によってこれらの位置合せを行ってよい。しかし、傾斜面１８及び７をマーカとして用いても、モニタ用フォトダイオード１０及びＶＣＳＥＬ１１と傾斜面１８及び傾斜面７との位置決めを行え、実装工程を容易に行うことができる。ＶＣＳＥＬ１１と傾斜面７との位置合せについては、上述した第１の実施の形態や後述の実施の形態でも同様である。
【００８３】
その他、本実施の形態においては、上述した第１の実施の形態と同様の作用及び効果を得ることができる。
【００８４】
第３の実施の形態
図１１〜図１３は、本発明の第３の実施の形態を示すものである。
【００８５】
本実施の形態による光導波路４６ｃ及び光伝送モジュールにおいては、図１１に示すように、下部クラッド２に欠除部４７が設けられていることが、上述した第１の実施の形態による光導波路４６ａと主として異なり、基板８に各光素子１１及び１０を実装している点では上述した第２の実施の形態と基本的に同様である。
【００８６】
この光導波路４６ｃ、及びこれを有する光伝送モジュールにおいては、下部クラッド２の欠除部４７にコア３の一部が充填され、実線の矢印で示すように、入射光１５の一部は、欠除部４７のコア３を通して下方へ透過するモニタ用の分岐光３９として、モニタ用フォトダイオード１０の受光部１３に入射する。但し、分岐光３９が界面で反射するのを防止するため、コア３と同等若しくはそれ以上の屈折率を有する光学接着剤９（光学接着層）を光導波路４６ｃとフォトダイオード１０との間に設け、この光学接着剤９を介して受光されるのがよい。
【００８７】
次に、図１２〜図１３について、光導波路４６ｃの作製工程を説明する。
【００８８】
まず、図１２（ａ）に示すように、基板１に下部クラッド材２ａとして、紫外線硬化型樹脂をスピンコートにより塗布した後、プリベークを行った後、図１２（ｂ）に示すように、フォトマスク４１を使用した紫外線照射、及び現像を行って、図１２（ｃ）に示すように、下部クラッド材２ａの一部を除去して、開口部（欠除部）２０を有する下部クラッド２に加工する。次に、ポストベークを行い、下部クラッド２を完全に硬化させる。
【００８９】
ここでは、紫外線硬化型の樹脂を用いてフォトリソグラフィーによってパターンを形成したが、熱硬化型の樹脂を用いて金型成型によってパターニングする方法や、金属マスク等でマスクをしてリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）でパターンを転写して形成する方法等もある。
【００９０】
次に、図１２（ｄ）に示すように、下部クラッド２より屈折率の高い樹脂をスピンコートで塗布して、所望の導波路コア３を所定パターンに形成する。この際、開口部２０にコア３を充填しておく。
【００９１】
次に、図１２（ｅ）に示すように、下部クラッド２に使用した樹脂と同様の紫外線硬化型樹脂をスピンコートにより塗布した後に、プリベーク、紫外線照射及びポストベークという工程で樹脂を硬化させて上部クラッド４とする。ここでは、下部クラッド２と同じ樹脂を使用したが、下部クラッド２と屈折率がほぼ等しければ感光特性のない樹脂を用いることも可能である。
【００９２】
更に、図１３（ｆ）に示すように、例えば９０°の角度の刃先を持つダイシングブレード１６を用いて４５°ミラー面（傾斜面７）を形成する。
【００９３】
次に、下部クラッド２、コア３及び上部クラッド４からなる導波路シートを基板１から剥離して、図１１に示したように、ＶＣＳＥＬ１１及びモニタ用フォトダイオード１０が実装されたプラットフォーム（基板８）上に位置合わせをして接着し、光導波路４６ｃを有する光伝送モジュールを完成する。
【００９４】
プラットフォーム（基板８）においては、ＶＣＳＥＬ１１及びモニタ用フォトダイオード１０を実装するための凹部１４及び１９を異方性エッチングによって形成し、そこに形成されたそれぞれの電極１２にはんだによって、ＶＣＳＥＬ１１とモニタ用フォトダイオード１０とを固定する。こうした凹部の形成と光素子の固定方法は、上述した或いは後述の実施の形態でも同様であってよい。
【００９５】
また、ＶＣＳＥＬ１１と光導波路４６ｃとの間、及びモニタ用フォトダイオード１０と光導波路４６ｃとの間には、各クラッドと屈折率がほぼ等しいか或いはより大きい例えばシリコン樹脂からなる光学接着剤９が配されている。
【００９６】
本実施の形態においては、この光学接着剤９が存在するために、ＶＣＳＥＬ１１から下部クラッド２への光入射、及び、モニタ用フォトダイオード１０へのコア３からの光入射が効率良く行われ、光入射及び受光を行い易くすることができる。また、ＶＣＳＥＬ１１及びフォトダイオード１０と光導波路４６ｃとの間へのごみ等の侵入も防止できる。
【００９７】
その他、本実施の形態においては、上述した第１及び第２の実施の形態と同様の作用及び効果を得ることができる。
【００９８】
第４の実施の形態
図１４〜図１６は、本発明の第４の実施の形態を示すものである。
【００９９】
本実施の形態による光導波路４６ｄ及び光伝送モジュールにおいては、図１４に示すように、下部クラッド２の所定箇所に欠除部４７が光入射端にまで設けられ、この欠除部４７を含む光入射側はコア３と上部クラッド４によって形成され、コア３が下方へも露出しており、更にＶＣＳＥＬ１１とモニタ用フォトダイオード１０とが共通の凹部２５内に配置されていること以外は、上述した第３の実施の形態と基本的に同様である。
【０１００】
この光導波路４６ｄ、及びこれを有する光伝送モジュールにおいては、実線の矢印で示すように、入射光１５の一部が、下部クラッド２の欠除部４７（コア３の一部）を下方に透過するモニタ用の分岐光３９として、光学接着剤９を介してモニタ用フォトダイオード１０の受光部１３に受光される。
【０１０１】
次に、図１５〜図１６について、光導波路４６ｄの作製工程を説明する。
【０１０２】
図１５（ａ）〜図１６（ｇ）に示すように、上述の図１２（ａ）〜図１３（ｇ）に示した工程と同様の工程を経て作製するが、フォトマスク４１を用いた露光、及び現像によって形成される開口部２４（欠除部４７に対応）の大きさや位置等を上述した第３の実施の形態と異ならせている。
【０１０３】
また、下部クラッド２、コア３及び上部クラッド４からなる導波路シートは基板１から剥離して、ＶＣＳＥＬ１１及びモニタ用フォトダイオード１０が凹２５に実装されたプラットフォーム（基板８）上に位置合わせをして接着し、光導波路４６ｄを有する光伝送モジュールを完成する。
【０１０４】
本実施の形態によれば、光入射側において下部クラッド２を除去して形成した欠除部４７にコア３が充填されて露出し、かつそこに例えば４５°ミラー面からなる傾斜面７を形成している。そのために、傾斜面７におけるコア３の面積が増大するので、ＶＣＳＥＬ１１からの発光光を効率良くコア３内に反射させて取り込むことができると共に、モニタ光量を増加させることができる。
【０１０５】
その他、本実施の形態においては、上述した第３の実施の形態と同様の作用及び効果を得ることができる。
【０１０６】
第５の実施の形態
図１７〜図１９は、本発明の第５の実施の形態を示すものである。
【０１０７】
本実施の形態による光導波路４６ｅ及び光伝送モジュールにおいては、図１７に示すように、基板８の所定位置に凹部１４及び１９が設けられ、上部クラッド４の所定位置に欠除部４７が形成され、この欠除部にコア３と同等若しくはそれ以上の屈折率を有する分岐コア６ｂが充填されており、更に、ＶＣＳＥＬ１１及びモニタ用フォトダイオード１０が、例えばシリコン樹脂層２９のポッティングによって被覆、固定されていること以外は、上述した第２の実施の形態と基本的に同様である。
【０１０８】
この光導波路４６ｅ、及びこれを有する光伝送モジュールにおいては、実線の矢印で示すように、入射光１５の一部が、上部クラッド４の欠除部４７に充填されたコア６ｂを通して上方に伝搬した後、傾斜面１８で下方へ反射し、この反射光４３がモニタ用としてコア３、下部クラッド２及びシリコン樹脂層２９を順次介して、下部クラッド２下のモニタ用フォトダイオード１０の受光部１３に受光される。
【０１０９】
次に、図１８〜図１９について、光導波路４６ｅの作製工程を説明する。
【０１１０】
図１８（ａ）〜図１８（ｄ）に示すように、上述の図９（ａ）〜図９（ｄ）に示した工程と同様の工程を経て、基板１上に下部クラッド２、コア３及び上部クラッド材４ａを積層した後に、図１８（ｅ）〜図１９（ｇ）に示すように、フォトマスク４１を用いた露光、及び現像処理により、開口部２６（欠除部）を有する上部クラッド４を形成し、欠除部４７にコア６ｂを充填する。
【０１１１】
次に、図１９（ｈ）〜図１９（ｉ）に示すように、上述の図１０（ｅ）〜１０（ｆ）と同様の工程を経た後に、下部クラッド２、コア３、コア６ｂ及び上部クラッド４からなる光導波路シートを基板１から剥離し、図１７に示したように、ＶＣＳＥＬ１１及びモニタ用フォトダイオード１０を実装したＳｉプラットフォーム（基板）８上に固定して、光導波路４６ｅを有する光伝送モジュールを作製する。
【０１１２】
本実施の形態によれば、ＶＣＳＥＬ１１及びモニタ用フォトダイオード１０が、シリコン樹脂層２９によって被覆されているために、ＶＣＳＥＬ１１及びモニタ用フォトダイオード１０、及び光導波路４６ｅの固定保持が十分となる。
【０１１３】
その他、本実施の形態においては、上述した第２の実施の形態と同様の作用及び効果を得ることができる。
【０１１４】
第６の実施の形態
図２０〜図２３は、本発明の第６の実施の形態を示すものである。
【０１１５】
本実施の形態による光導波路４６ｆ及び光伝送モジュールにおいては、図２０に示すように、基板８上に、下部クラッド２、コア３、中間クラッド３０及び３１、コア３３及び上部クラッド４が順次積層され、上部クラッド４、コア３３、中間クラッド３１及び３０の一部にかけて、例えば４５°の傾斜角の傾斜面２８が設けられ、更に、下部クラッド２とＶＣＳＥＬ１１及びモニタ用フォトダイオード１０とが光学接着剤９を介して基板８の凹部１４及び１９にそれぞれ固定されていること以外は、上述した第５の実施の形態と基本的に同様である。
【０１１６】
この光導波路４６ｆ、及びこれを有する光伝送モジュールにおいては、実線の矢印で示すように、入射光１５の一部が、中間クラッド３０、３１、及び欠除部４７を埋めるコア３３を順次上方へ伝搬して傾斜面２８で下方へ反射した後に、モニタ用の反射光４３として、中間クラッド３０、コア３、下部クラッド２及び光学接着剤９を順次介して、下部クラッド２下のモニタ用フォトダイオード１０の受光部１３に受光される。
【０１１７】
次に、図２１〜図２３について、光導波路４６ｆの作製工程を説明する。
【０１１８】
図２１（ａ）〜図２１（ｃ）に示すように、上述の図１８（ａ）〜図１８（ｃ）に示した工程と同様の工程を経て、基板１上に下部クラッド２及びコア３を積層した後に、図２１（ｄ）に示すように、中間クラッド３０上に中間クラッド材３１ａを形成し、図２１（ｅ）〜図２２（ｆ）に示すように、フォトマスク４１を用いた露光、及び現像により、開口部２６を有する中間クラッド３１を形成する。
【０１１９】
次に、図２２（ｇ）〜図２２（ｈ）に示すように、中間クラッド３１上に、欠除部（開口部２６）を埋めるようにコア３３を形成し、更に上部クラッド４を形成する。次に、図２２（ｉ）に示すように、ブレード１７、１６によって、上部クラッド４、コア３３、クラッド３１及び３０、更にはコア３及び下部クラッド２を上方から研削して、傾斜面２８及び７を形成する。
【０１２０】
次に、図２３（ｊ）に示すように、下部クラッド２、コア３、中間クラッド３０、３１、コア３３及び上部クラッド４からなる光導波路シートを基板１から剥離し、図２０に示したように、ＶＣＳＥＬ１１及びモニタ用フォトダイオード１０を実装したＳｉプラットフォーム（基板）８上に固定して、光導波路４６ｆを有する光伝送モジュールを作製する。
【０１２１】
本実施の形態によれば、クラッド３１の欠除部に充填された分岐用コア３３の下に別の中間クラッド３０を形成しているので、コア３３とコア３とはいわゆる方向性結合器を構成しているので、出射光（信号光）４０を十分な光量で伝搬させることができる上に、コア３からコア３３へ光を低損失で分岐することが可能となる。しかも、傾斜面２８による反射によって、モニタ用の光４３を効率良くフォトダイオード１０に光結合させることができる。
【０１２２】
その他、本実施の形態においては、上述した第５の実施の形態と同様の作用及び効果を得ることができる。
【０１２３】
第７の実施の形態
図２４〜図２６は、本発明の第７の実施の形態を示すものである。
【０１２４】
本実施の形態による光導波路４６ｇ及び光伝送モジュールにおいては、図２４に示すように、上部クラッド４が欠除部４７を所定箇所に有し、この欠除部に分岐コア６ｃが充填され、更に、下部クラッド２とＶＣＳＥＬ１１及びモニタ用フォトダイオード１０とが光学接着剤９で接着されていること以外は、上述した第５の実施の形態と基本的に同様である。
【０１２５】
この光導波路４６ｇ、及びこれを有する光伝送モジュールにおいては、実線の矢印で示すように、入射光１５の一部が、上部クラッド４の欠除部４７に充填されたコア６ｃを通して上方に伝搬して傾斜面１８で下方へ反射した後に、モニタ用の反射光４３として、コア６ｃ、コア３、下部クラッド２及び光学接着剤９を順次介して、下部クラッド２下のモニタ用フォトダイオード１０の受光部１３に受光される。
【０１２６】
次に、図２５〜図２６について、光導波路４６ｇの作製工程を説明する。
【０１２７】
まず、図２５（ａ）〜図２６（ｉ）に示すように、上述の図１８（ａ）〜図１９（ｉ）に示した工程と同様の工程を経た後に、下部クラッド２、コア３、コア６ｃ及び上部クラッド４からなる光導波路シートを基板１から剥離し、図２４に示したように、ＶＣＳＥＬ１１及びモニタ用フォトダイオード１０を実装したＳｉプラットフォーム（基板）８上に固定して、ＶＣＳＥＬ１１からの光を４５°ミラー面７を介して導波路コア３に導き、伝搬させる光伝送モジュールを作製する。
【０１２８】
ここで、図２５（ｅ）〜図２６（ｆ）に示すフォトマスク４１及び開口部３２のパターン及び位置は、上述の図１８（ｅ）〜図１９（ｆ）に示したものとは異なるものとする。
【０１２９】
本実施の形態によれば、光入射側の上部クラッド４を除去して形成した欠除部４７に充填されたコア６ｃの両側に４５°ミラー面（傾斜面７及び１８）を形成している。このような構造によって、傾斜面７におけるコアの面積を大きくして、ＶＣＳＥＬ１１からの発光光を効率良くコア内に取り込むことができ、それに伴ってモニタ光量も増やすことができる。そして、ＶＣＳＥＬ１１の位置をずらすことによって、分岐用コア６ｃとコア３へ入射する光量の比率を変えることができ、これによって信号光とモニタ光の光量比を調整することができる。
【０１３０】
その他、本実施の形態においては、上述した第５の実施の形態と同様の作用及び効果を得ることができる。
【０１３１】
第８の実施の形態
図２７〜図２９は、本発明の第８の実施の形態を示すものである。
【０１３２】
本実施の形態による光導波路４６ｈ、光導波モジュール及び光伝送モジュールにおいては、図２７に示すように、基板８上に、最下部クラッド３６、下部クラッド２、コア３及び上部クラッド４が順次形成され、下部クラッド４に所定形状の欠除部４７が設けられ、この欠除部にコア３が充填されて最下部クラッド３６に接合し、最下部クラッド３６から下部クラッド２にかけて反射膜４４を有してよい傾斜面２８が設けられ、更に、この傾斜面に対応して上部クラッド４上の所定位置に光学接着剤９を介してモニタ用フォトダイオード１０が固定されていること以外は、上述した第３の実施の形態と基本的に同様である。
【０１３３】
この光導波路４６ｈ、これにフォトダイオード１０を固定した光導波モジュール、及び光伝送モジュールにおいては、実線の矢印で示すように、入射光１５の一部が、下部クラッド２の欠除部４７に充填されたコア３の一部を下方に伝搬して傾斜面２８で上方へ反射した後に、コア３、上部クラッド４及び光学接着剤９を順次介して、モニタ用の反射光４３として上部クラッド４上のモニタ用フォトダイオード１０の受光部１３に受光される。
【０１３４】
次に、図２８〜図２９について、光導波路４６ｈの作製工程を説明する。
【０１３５】
まず、図２８（ａ）に示すように、基板１上に最下部クラッド３６を形成した後、図２８（ｂ）〜図２８（ｃ）に示すように、最下部クラッド３６上に下部クラッド材２ａを形成してから、フォトマスク４１を用いた露光、及び現像によって開口部（欠除部）３４を形成する。
【０１３６】
次に、図２８（ｄ）〜図２８（ｅ）に示すように、開口部３４を含む下部クラッド材２ａ上に、コア３及び上部クラッド４を順次形成する。
【０１３７】
次に、図２９（ｆ）〜図２９（ｈ）に示すように、ブレード１６による切削で傾斜面７を形成し、最下部クラッド３６、下部クラッド２、コア３及び上部クラッド４からなる光導波路シートを基板１から剥離した後、最下部クラッド材３６ａ側から最下部クラッド材３６ａ及び下部クラッド２をブレード１７によって順次所定形状に研削して傾斜面２８を形成し、更に図２７に示したように、モニタ用フォトダイオード１０を固定した後、ＶＣＳＥＬ１１を実装したＳｉプラットフォーム（基板）８上に固定して、光伝送モジュールを作製する。
【０１３８】
本実施の形態によれば、下部クラッド２の下に、下部クラッド２とほぼ等しい屈折率をもつ最下部クラッド３６を形成してあるために、欠除部４７の分岐コア３に分岐してきた分岐光が基板８に吸収されるのを防止し、傾斜面２８で効率良くフォトダイオード１０の方へ反射される。
【０１３９】
その他、本実施の形態においては、上述した第３の実施の形態と同様の作用及び効果を得ることができる。
【０１４０】
第９の実施の形態
図３０〜図３４は、本発明の第９の実施の形態を示すものである。
【０１４１】
本実施の形態による光導波路４６ｉ、光導波モジュール及び光伝送モジュールにおいては、その断面図（図３０（Ｂ）のＡ−Ａ’線断面図）である図３０（Ａ）及びその平面図である図３０（Ｂ）に示すように、上部クラッド４の所定位置に開口部３７（欠除部）が設けられ、この開口部３７内において、コア６ａを充填せずに、光学接着剤９によって受光部１３を有するモニタ用フォトダイオード１０が受光部１３を下にしてコア３上に固定されていること以外は、上述した第１の実施の形態と同様である。
【０１４２】
この光導波路４６ｉ、これにフォトダイオード１０を固定した光導波モジュール、及び光伝送モジュールにおいては、入射光１５の一部がモニタ用の分岐光３９としてコア３内から上方へ漏れ、光学接着剤９を介してモニタ用フォトダイオード１０の受光部１３に受光される。
【０１４３】
次に、図３１〜図３４について、光導波路４６ｉの作製工程を説明する。
【０１４４】
図３１（ａ）〜図３２（ｆ）及び図３３（ａ）〜図３４（ｆ）に示すように、上述の図２（ａ）〜図３（ｆ）及び図４（ａ）〜図５（ｆ）と同様の作製工程を経る。但し、コア３を形成するには、下部クラッド２を金型（図示せず）で押圧してコア形状の溝を転写し、ここに下部クラッドよりも屈折率の高いコア材を充填する。
【０１４５】
ここで、図３１（ｅ）〜図３２（ｆ）及び図３３（ｅ）〜図３４（ｆ）に示すフォトマスク４１及び開口部３７とは、図２（ｅ）〜図３（ｆ）及び図４（ｅ）〜図５（ｆ）に示すフォトマスク４１及び開口部５とは、大きさが異なるものとしてよいが、開口部３７のサイズは上述したＬである必要はない。
【０１４６】
次に、図３２（ｇ）〜図３２（ｈ）及び図３４（ｇ）〜図３４（ｈ）に示すように、ブレード１６による切削で傾斜面７を形成し、スクライブライン３５に沿ってスクライブした後、光導波路４６ｉを基板１から剥離し、図３０に示したように、その剥離面側を基板８上に固定して光伝送モジュールを作製する。
【０１４７】
本実施の形態によれば、上述したコア６ａのようにモニタ光を分岐するための分岐路を作り込むことなしに、開口部（欠除部）３７にフォトダイオード１０を嵌め入れて固定するだけで簡易に信号光をモニタすることができる。
【０１４８】
また、モニタ用フォトダイオード１０を上部クラッド４の開口部３７に収めることができるために、上部クラッド４上にモニタ用フォトダイオード１０が必要以上に突出することを防ぐことができ、光導波路４６ｉの高さを抑えて平坦化及び薄膜化することができる。また、開口部３７にモニタ用フォトダイオード１０を嵌め入れることにより、その位置決めが行い易くなる。
【０１４９】
その他、本実施の形態においては、上述した第１の実施の形態と同様の作用及び効果を得ることができる。
【０１５０】
第１０の実施の形態
図３５は、本発明の第１０の実施の形態を示すものである。
【０１５１】
本実施の形態による光導波路４６ｊ、光導波モジュール及び光伝送モジュールにおいては、図３５に示すように、光導波路４６ｊの端面が垂直端面４８であり、基板８上に配置された端面発光型のＬＥＤ（発光ダイオード）４５からの発光光を端面入射させること以外は、上述した第１の実施の形態と同様である。
【０１５２】
この光導波路４６ｊ、これにフォトダイオード１０を固定した光導波モジュール及び光伝送モジュールにおいては、ＬＥＤ４５の発光部３８からの発光光はコア３の垂直端面４８から入射するようにしたので、従来の端面発光型のＬＥＤ４５を用いることができる。
【０１５３】
その他、本実施の形態においては、上述した第１の実施の形態で述べたのと同様の作用及び効果が得られる。
【０１５４】
以上に説明した実施の形態は、本発明の技術的思想に基づいて種々に変形が可能である。
【０１５５】
例えば、上述した実施の形態において、分岐用導波路の欠除部４７における構造と傾斜面１８又は２８等の切り込み構造とは、用途や求める特性によって様々に組み合わせることができる。その他、上述した各実施の形態を適宜組み合わせることもできる。
【０１５６】
また、上述した各コア、各クラッド、各開口部、欠除部、各傾斜面及び各光導波路の形状、形成方法、形成位置、構成材料、形成位置及び使用方法、更には発光又は受光素子の種類や形成位置等は様々に変化させてよい。上述したクラッドは基板や大気等も包含する概念であってもよい。
【０１５７】
また、コアやクラッドの欠除部の形成は、上述した方法以外にも、例えば、半硬化状態のコア材等に型を押圧したり、型を用いて注型することにより、所定形状に形成することもできる。また、下部クラッドに溝を形成し、この溝内にコア材を充填してコアを形成してもよい。
【０１５８】
また、上述した光導波路を光学系に組み込み、例えば、ディスプレイを構成する場合、走査手段としてマイクロミラーデバイスやポリゴンミラー等を採用してよいし、投影をスクリーン上に行ってもよい。
【０１５９】
なお、本発明は、ＬＥＤを用いた光導波路を光源とするディスプレイをはじめ、例えば、ＶＣＳＥＬ等のＬＤを用いた光導波路からの信号光を次段回路の受光素子（光配線やフォトディテクタ等）に入射させる光通信等の如き種々の光情報処理に広く適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１６０】
【図１】本発明の第１の実施の形態による光導波路を含む光伝送モジュールのＡ−Ａ’線断面図（Ａ）及び平面図（Ｂ）である。
【図２】同、光導波路の作製工程を順次示す断面図である。
【図３】同、光導波路の作製工程を順次示す断面図である。
【図４】同、光導波路の作製工程を順次示す平面図である。
【図５】同、光導波路の作製工程を順次示す平面図である。
【図６】同、光導波路のシミュレーション構造の断面図（Ａ）及び光漏れ量と開口長さＬとの関係を示すグラフである。
【図７】同、光伝送モジュールを光ファイバと光結合させた構造の断面図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態による光導波路を含む光伝送モジュールの断面図である。
【図９】同、光導波路の作製工程を順次示す断面図である。
【図１０】同、光導波路の作製工程を順次示す断面図である。
【図１１】本発明の第３の実施の形態による光導波路を含む光伝送モジュールの断面図である。
【図１２】同、光導波路の作製工程を順次示す断面図である。
【図１３】同、光導波路の作製工程を順次示す断面図である。
【図１４】本発明の第４の実施の形態による光導波路を含む光伝送モジュールの断面図である。
【図１５】同、光導波路の作製工程を順次示す断面図である。
【図１６】同、光導波路の作製工程を順次示す断面図である。
【図１７】本発明の第５の実施の形態による光導波路を含む光伝送モジュールの断面図である。
【図１８】同、光導波路の作製工程を順次示す断面図である。
【図１９】同、光導波路の作製工程を順次示す断面図である。
【図２０】本発明の第６の実施の形態による光導波路を含む光伝送モジュールの断面図である。
【図２１】同、光導波路の作製工程を順次示す断面図である。
【図２２】同、光導波路の作製工程を順次示す断面図である。
【図２３】同、光導波路の作製工程を示す断面図である。
【図２４】本発明の第７の実施の形態による光導波路を含む光伝送モジュールの断面図である。
【図２５】同、光導波路の作製工程を順次示す断面図である。
【図２６】同、光導波路の作製工程を順次示す断面図である。
【図２７】本発明の第８の実施の形態による光導波路を含む光伝送モジュールの断面図である。
【図２８】同、光導波路の作製工程を順次示す断面図である。
【図２９】同、光導波路の作製工程を順次示す断面図である。
【図３０】本発明の第９の実施の形態による光導波路を含む光伝送モジュールのＡ−Ａ’線断面図（Ａ）及び平面図（Ｂ）である。
【図３１】同、光導波路の作製工程を順次示す断面図である。
【図３２】同、光導波路の作製工程を順次示す断面図である。
【図３３】同、光導波路の作製工程を順次示す平面図である。
【図３４】同、光導波路の作製工程を順次示す平面図である。
【図３５】本発明の第１０の実施の形態による光導波路を含む光伝送モジュールのＡ−Ａ’線断面図（Ａ）及び平面図（Ｂ）である。
【図３６】従来例による光導波路を含む光伝送モジュールのＡ−Ａ’線断面図（Ａ）及び平面図（Ｂ）である。
【図３７】同、別の光導波路の断面図である。
【符号の説明】
【０１６１】
１、８…基板、２…下部クラッド、２ａ…下部クラッド材、
３、３ａ、６ａ、６ｂ、６ｃ、２７、３３…コア、４…上部クラッド、
４ａ、３１ａ…上部クラッド材、５、２０、２４、３２、３４、３７…開口部(欠除部)、
７、１８、２８…傾斜面、８ａ…上部クラッド材、９…光学接着剤、
１０…モニタ用フォトダイオード、１１…ＶＣＳＥＬ、１２…電極、１３…受光部、
１４、１９、２５…凹部、１５…入射光、１６、１７…ブレード、２１…光ファイバ、
２２…クラッド、２３…モード、２９…シリコン樹脂層、３０、３１…中間クラッド、
３５…スクライブライン、３６…最下部クラッド、３６ａ…最下部クラッド材、
３８…発光部、３９…分岐光（モニタ用）、４０…出射光（信号光）、
４１…フォトマスク、４２…光軸、４３…反射光（モニタ用）、４４…反射膜、
４５…ＬＥＤ、
４６ａ、４６ｂ、４６ｃ、４６ｄ、４６ｅ、４６ｆ、４６ｇ、４６ｈ、４６ｉ、４６ｊ…光導波路、４７…欠除部、４８…端面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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