(57)【要約】【課題】  信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】  半導体装置は、半導体基板１０と、半導体基板１０上に形成された、相互に電気的に接続しないように形成された複数の導電部２０と、一定の領域を区画するように形成された複数の樹脂壁３０とを含む。導電部２０は、それぞれ、少なくとも一部がいずれかの樹脂壁３０によって区画された領域内に配置されるように形成されてなる。樹脂壁３０は、それぞれ、いずれかの導電部２０の外周に沿って延びる形状をなす。【選択図】      図１
2006332108.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板上に、相互に電気的に接続しないように形成された複数の導電部と、
前記半導体基板上に、一定の領域を区画するように形成された複数の樹脂壁と、
を含み、
前記導電部は、それぞれ、少なくとも一部がいずれかの前記樹脂壁によって区画された領域内に配置されるように形成されてなり、
前記樹脂壁は、それぞれ、いずれかの前記導電部の外周に沿って延びる形状をなす半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記半導体基板上に形成された下地樹脂層をさらに含み、
前記樹脂壁は、少なくとも一部が前記下地樹脂層上に配置されるように形成されてなる半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の半導体装置において、
前記導電部と前記樹脂壁とは、底面が面一になるように形成されてなる半導体装置。
【請求項４】
請求項２記載の半導体装置において、
前記下地樹脂層には溝が形成されてなり、
それぞれの前記導電部は、一部が前記溝の内側に配置されてなる半導体装置。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置において、
前記溝は、前記下地樹脂層を貫通するように形成されてなる半導体装置。
【請求項６】
請求項４記載の半導体装置において、
前記溝は、前記下地樹脂層を貫通しないように形成されてなる半導体装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の半導体装置において、
前記樹脂壁は、前記領域を囲むように形成されてなる半導体装置。
【請求項８】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の半導体装置において、
前記樹脂壁は、前記領域を囲まないように形成されてなる半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体パッケージとして、ＣＳＰ（チップスケール／サイズパッケージ）が注目を集めている。また、パッケージをウエハレベルで製造する技術（ウエハレベルパッケージ）が開発されている。この方法で製造されたパッケージ（例えばウエハレベルＣＳＰ）は、外部寸法が半導体チップ寸法になっているため、従来の半導体パッケージと構造が異なっているが、従来の半導体パッケージと同等あるいはそれ以上の信頼性が求められている。
【０００３】
本発明の目的は、信頼性の高い半導体装置を提供することにある。
【特許文献１】特開２００１−１４４２２３号公報
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
（１）本発明に係る半導体装置は、半導体基板と、
前記半導体基板上に、相互に電気的に接続しないように形成された複数の導電部と、
前記半導体基板上に、一定の領域を区画するように形成された複数の樹脂壁と、
を含み、
前記導電部は、それぞれ、少なくとも一部がいずれかの前記樹脂壁によって区画された領域内に配置されるように形成されてなり、
前記樹脂壁は、それぞれ、いずれかの前記導電部の外周に沿って延びる形状をなす。本発明によると、導電部の側方には樹脂壁が形成される。そのため、隣り合う２つの導電部で、部材表面の距離が長くなる。そのため、隣り合う２つの導電部間で、マイグレーションを原因とする電気的なショートが発生しにくい、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
（２）この半導体装置において、
前記半導体基板上に形成された下地樹脂層をさらに含み、
前記樹脂壁は、少なくとも一部が前記下地樹脂層上に配置されるように形成されていてもよい。
（３）この半導体装置において、
前記導電部と前記樹脂壁とは、底面が面一になるように形成されていてもよい。
（４）この半導体装置において、
前記下地樹脂層には溝が形成されてなり、
それぞれの前記導電部は、一部が前記溝の内側に配置されていてもよい。
（５）この半導体装置において、
前記溝は、前記下地樹脂層を貫通するように形成されていてもよい。
（６）この半導体装置において、
前記溝は、前記下地樹脂層を貫通しないように形成されていてもよい。
（７）この半導体装置において、
前記樹脂壁は、前記領域を囲むように形成されていてもよい。
（８）この半導体装置において、
前記樹脂壁は、前記領域を囲まないように形成されていてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００５】
以下、本発明を適用した実施の形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではない。また、本発明は、以下の実施の形態及び変形例を自由に組み合わせたものを含むものとする。
【０００６】
（第１の実施の形態）
図１〜図４は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置について説明するための図である。
【０００７】
本実施の形態に係る半導体装置は、半導体基板１０を含む（図１参照）。ここで、図１は、半導体装置１の上視図である。ただし、図１では、説明のため、図４に記載の半導体装置１から、ソルダーレジスト４０及び外部端子５０並びに根元補強材５２を省略して示している。半導体基板１０は、例えばシリコン基板であってもよい。半導体基板１０の外形は特に限定されるものではない。半導体基板１０は、図１に示すように、チップ状をなしていてもよい。このとき、半導体基板１０の外形は、矩形（正方形又は長方形）をなしていてもよい。あるいは、半導体基板１０は、ウエハ状をなしていてもよい（図示せず）。ウエハ状の半導体基板１０は、複数の半導体装置となる領域を含んでいてもよい。半導体基板１０は、１つ又は複数の（半導体チップには１つの、半導体ウエハには複数の）集積回路１２を有していてもよい（図４参照）。集積回路１２の構成は特に限定されないが、例えば、トランジスタ等の能動素子や、抵抗、コイル、コンデンサ等の受動素子を含んでいてもよい。
【０００８】
半導体基板１０には、図１に示すように、複数の電極パッド１４が形成されていてもよい。電極パッド１４は、半導体基板１０の内部と電気的に接続されていてもよい。電極パッド１４は、集積回路１２と電気的に接続されていてもよい。あるいは、集積回路１２に電気的に接続されていない電極パッドを含めて、電極パッド１４と称してもよい。電極パッド１４は、アルミニウム又は銅等の金属で形成されていてもよい。電極パッド１４の配置は特に限定されるものではない。電極パッド１４は、半導体基板１０（ウエハ状の半導体基板では、半導体装置となる領域）の中央部を避けて、周縁部のみに形成されていてもよい。この場合、電極パッド１４は、半導体基板１０のそれぞれの辺に沿って配列されていてもよい。あるいは、電極パッド１４は、半導体基板１０の向かい合う一組の対辺（のみ）に沿って配列されていてもよい。ただし、電極パッド１４は、エリアアレイ状に配列されていてもよい。また、電極パッド１４は、集積回路１２とオーバーラップする領域に形成されていてもよく、あるいは、集積回路１２とオーバーラップしない領域に形成されていてもよい。
【０００９】
半導体基板１０は、さらに、パッシベーション膜１６を有してもよい。パッシベーション膜１６はそれぞれの電極パッド１４の少なくとも一部（例えば、電極パッド１４の中央部であってもよい）を露出させる開口を有する。このとき、電極パッド１４におけるパッシベーション膜の開口からの露出部を、露出部１５と称してもよい。パッシベーション膜は、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等で形成されていてもよい。
【００１０】
本実施の形態に係る半導体装置は、複数の導電部２０及び複数の樹脂壁３０を含む。以下、それぞれについて説明する。なお、図２（Ａ）〜図２（Ｄ）は、導電部２０及び樹脂壁３０について説明するための図である。ここで、図２（Ａ）は、導電部２０及び樹脂壁３０の上視図である。そして、図２（Ｂ）、図２（Ｃ）及び図２（Ｄ）は、それぞれ、図２（Ａ）の、IIB−IIB線断面図、IIC−IIC線断面図及びIID−IID線断面図である。
【００１１】
導電部２０は、半導体基板１０上に形成されてなる。導電部２０は、例えば、パッシベーション膜１６上に形成されていてもよい（図２（Ｂ）〜図２（Ｄ）参照）。導電部２０は、相互に電気的に接続しないように形成されてなる（図１参照）。なお、ここでいう「電気的に接続」とは、半導体基板１０上（半導体基板１０外）で電気的に接続されている状態のみを指してもよい。すなわち、２つ以上の導電部２０は、半導体基板１０の内部配線によって電気的に接続されていてもよい。すなわち、複数の導電部２０は、半導体基板１０の外側で電気的に接続しないように形成されていると言ってもよい。導電部２０は、電極パッド１４と電気的に接続されていてもよい。導電部２０は、配線部２２と電気的接続部２４とを含んでいてもよい。電気的接続部２４は、外部端子４０（後述）を設けるための部分であってもよい。また、配線部２２は、電気的接続部２４と電極パッド１４とを電気的に接続する役割を果たしていてもよい。なお、配線部２２は、図２（Ｂ）に示すように、高さが、幅よりも高い形状をなしていてもよい。これによると、配線部２２を微細に形成した場合でも、配線部２２の断面積を大きくすることが可能になるため、電気的な接続信頼性を確保することができる。また、配線部２２の断面積を大きくすることができることから、配線部２２の断線を防止することができる。そして、電気的接続部２４は、配線部２２よりも幅が広くなっていてもよい。
【００１２】
導電部２０は、少なくとも一部が樹脂壁３０によって区画された領域内に配置されるように形成されてなる。このとき、導電部２０は、図１及び図２（Ａ）に示すように、樹脂壁３０に囲まれていてもよい。すなわち、導電部２０は、すべてが、樹脂壁３０によって囲まれた領域内に配置されるように形成されていてもよい。導電部２０の外形は特に限定されるものではない。導電部２０の外周は、樹脂壁３０の内壁面に沿った形状をなしていてもよい。このとき、導電部２０は、樹脂壁３０の内壁面と接触していてもよい。また、導電部２０は、その厚みが、樹脂壁３０よりも薄くなっていてもよい（図２（Ｂ）〜図２（Ｄ）参照）。すなわち、導電部２０は、樹脂壁３０によって形成された空間の内側のみに配置されていてもよい。このとき、導電部２０の側方には樹脂壁３０が形成されていると言ってもよい。あるいは、導電部２０の側面は樹脂壁３０に覆われていると言ってもよい。導電部２０は、均一な高さをなしていてもよい。例えば、配線部２２と電気的接続部２４とは、同じ高さをなしていてもよい（図２（Ｄ）参照）。また、導電部２０（配線部２２及び電気的接続部２４）の上端面は、平坦面をなしていてもよい（図２（Ｂ）〜図２（Ｄ）参照）。
【００１３】
樹脂壁３０は、半導体基板１０上に形成されてなる。樹脂壁３０は、例えば、パッシベーション膜１６上に形成されていてもよい。樹脂壁３０は、一定の領域を区画するように形成されてなる。このとき、樹脂壁３０は、図１及び図２（Ａ）に示すように、一定の領域を囲むように形成されていてもよい。また、樹脂壁３０は、導電部２０の外周に沿って延びる形状をなす。すなわち、樹脂壁３０は、導電部２０が形成された領域を区画する（囲む）ように形成されていると言ってもよい。そして、樹脂壁３０は、導電部２０の側方に形成されていてもよい。あるいは、樹脂壁３０は、導電部２０の側面を覆うように形成されていると言ってもよい。樹脂壁３０の材料は特に限定されず、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；benzocyclobutene）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；polybenzoxazole）等の樹脂で形成されていてもよい。
【００１４】
本実施の形態に係る半導体装置は、図３（Ａ）〜図３（Ｃ）に示すように、ソルダーレジスト４０を含んでいてもよい。ソルダーレジスト４０は、導電部２０を部分的に覆うように形成されてなる。例えば、ソルダーレジスト４０には、導電部２０の一部（例えば電気的接続部２４）を露出させる開口４２が形成されていてもよい。本実施の形態に係る半導体装置では、１つの半導体基板１０に対して、１つのソルダーレジスト４０が形成されていてもよい。なお、半導体基板がウエハ状をなす場合には、半導体装置となる領域毎に、１つのソルダーレジスト４０が形成されていてもよい。ソルダーレジスト４０の材料は特に限定されないが、樹脂壁３０よりも膨張収縮率の低い材料を利用してもよい。
【００１５】
本実施の形態に係る半導体装置は、図４に示すように、外部端子５０を含んでいてもよい。外部端子５０は、導電部２０と電気的に接続されてなる。外部端子５０は、導電部２０における開口４２からの露出部（電気的接続部２４）を利用して、導電部２０と電気的に接続されていてもよい。半導体装置は、さらに、根元補強材５２を含んでいてもよい。
【００１６】
本実施の形態に係る半導体装置１は、以上の構成をなしていてもよい。先に説明したように、半導体装置１は、一定の領域を区画するように形成された樹脂壁３０を含む。そして、導電部２０は、樹脂壁３０によって区画された領域内に形成されてなる。すなわち、導電部２０の側方には樹脂壁３０が形成されていてもよい。これによると、隣り合う２つの導電部２０の間の、部材表面の距離を長くすることができる。そのため、隣り合う２つの導電部２０間で、マイグレーションを原因とする電気的なショートが発生しにくい半導体装置を提供することができる。樹脂壁３０が導電部２０を囲むように形成されている場合、さらに信頼性の高い半導体装置を提供することができる。また、半導体装置１は、複数の樹脂壁３０を有する。すなわち、樹脂壁３０は、個々に独立して形成されてなる。そして、樹脂壁３０は導電部２０に沿って延びる形状をなす。このことから、樹脂壁３０と半導体基板１０との接触面積を小さくすることができる。そのため、樹脂壁３０が半導体基板１０に与える影響が小さい、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【００１７】
なお、半導体装置１を製造する方法は特に限定されるものではない。例えば、半導体基板１０に樹脂壁３０を形成し、その後、導電部２０を形成することによって、半導体装置１を製造してもよい。導電部２０及び樹脂壁３０を形成する方法についても特に限定されるものではない。例えば、半導体基板１０の全面に樹脂材料を設け、該樹脂材料をパターニングし、硬化（重合）させることによって、樹脂壁３０を形成してもよい。そして、樹脂壁３０によって区画された領域内に導電粒子を含有するペーストを設け、該ペーストの分散媒を除去することによって、導電部２０を形成してもよい。ペーストを設ける方法も特に限定されず、例えば、インクジェット法を採用してもよい。インクジェット方式によれば、インクジェットプリンタ用に実用化された技術を応用することで、ペーストを、高速かつ経済的に設けることが可能である。そして、導電部２０を形成する場合には、樹脂壁３０に区画された領域内にペーストを設けることから、流動性の高いペーストを利用することが可能になる。すなわち、流動性の高いペーストを利用した場合でも、設計通りの位置にペーストを設けることができる。すなわち、設計通りの形状の導電部２０を形成することができる。そのため、インクジェット方式に適した粘性のペーストを利用することが可能になり、信頼性の高い半導体装置を効率よく製造することができる。ただし、導電部２０を形成する方法もこれに限定されず、例えば、めっき法を採用してもよい。
【００１８】
（変形例）
以下、本発明を適用した第１の実施の形態の変形例に係る半導体装置について説明する。
【００１９】
半導体装置は、導電部６１を含んでいてもよい。導電部６１は、図５（Ａ）及び図５（Ｂ）に示す、配線部６２及び電気的接続部６３を有する。配線部６２は、図５（Ａ）に示すように、中央部が、端部よりも厚くなっていてもよい。このとき、配線部６２の上端面は凸曲面になっていてもよい。これによると、配線部６２の断面積を保ちながら、配線部６２の端部の高さを低くすることができる。そのため、隣り合う配線部６２間の部材表面距離を、さらに長くすることができる。なお、配線部６２は、図５（Ａ）に示すように、中央部が樹脂壁３０よりも低くなっていてもよい。ただし、配線部６２は、これに限られず、中央部が樹脂壁３０と同じ高さになっていてもよく、あるいは、中央部が樹脂壁３０よりも高くなっていてもよい（図示せず）。同様に、電気的接続部６３は、図５（Ｂ）に示すように、中央部が、端部よりも厚くなっていてもよい。
【００２０】
半導体装置は、導電部６４を含んでいてもよい。導電部６４は、図６（Ａ）及び図６（Ｂ）に示す、配線部６５及び電気的接続部６６を有する。配線部６５は、図６（Ａ）に示すように、樹脂壁３０と接触しないように形成されていてもよい。言い換えると、配線部６５と樹脂壁３０とは、間隔をあけて配置されていてもよい。同様に、電気的接続部６６は、図６（Ｂ）に示すように、樹脂壁３０と接触しないように形成されていてもよい。これによると、導電部６４を、樹脂壁３０の応力を受けにくくすることができる。
【００２１】
半導体装置は、導電部６７を含んでいてもよい。導電部６７は、図７（Ａ）及び図７（Ｂ）に示す、配線部６８及び電気的接続部６９を有する。配線部６８は、図７（Ａ）に示すように、中央部が、端部よりも薄くなっていてもよい。このとき、配線部６８の上端面は凹曲面になっていてもよい。同様に、図７（Ｂ）に示すように、電気的接続部６９は、中央部が、端部よりも薄い形状をなしていてもよい。
【００２２】
半導体装置は、樹脂壁３１を含んでいてもよい。樹脂壁３１の断面は、図８に示すように、基端部に向かって幅が広くなる形状をなしていてもよい。
【００２３】
半導体装置は、樹脂壁３２を含んでいてもよい。樹脂壁３２は、図９に示すように、上端面が平坦面になっていてもよい。
【００２４】
半導体装置は、ソルダーレジスト４１を含んでいてもよい。ソルダーレジスト４１は、図１０に示すように、導電部２０（樹脂壁３０）毎に形成されていてもよい。すなわち、半導体装置には、複数のソルダーレジスト４１が形成されていてもよい。なお、ソルダーレジスト４１は、導電部２０及び樹脂壁３０を覆うように形成されていてもよい。また、ソルダーレジスト４１には開口４２が形成されていてもよく、開口４２によって、電気的接続部の一部が露出していてもよい。
【００２５】
半導体装置は、ソルダーレジスト４３を含んでいてもよい。ソルダーレジスト４３は、図１１（Ａ）に示すように、導電部２０の上端面のみを覆うように形成されていてもよい。言い換えると、ソルダーレジスト４３は、樹脂壁３０によって区画された領域とオーバーラップする領域内のみに形成されていてもよい。このとき、ソルダーレジスト４３は、半導体基板１０（パッシベーション膜１６）と接触しないように形成されていてもよい。これによると、ソルダーレジスト４３の膨張収縮が半導体基板１０に与える影響を小さくすることができる。なお、ソルダーレジスト４３は、図１１（Ｂ）に示すように、配線部２２上のみに形成されていてもよい。言い換えると、ソルダーレジスト４３は、電気的接続部２４上を避けて形成されていてもよい。ただし、ソルダーレジスト４３は、電気的接続部２４を部分的に覆うように（例えば、電気的接続部２４の周縁部を覆うように）形成されていてもよい（図１０参照）。
【００２６】
半導体装置は、ソルダーレジスト４５を含んでいてもよい。ソルダーレジスト４５は、図１２に示すように、樹脂壁３０の上端部を露出させるように形成されていてもよい。すなわち、ソルダーレジスト４５は、樹脂壁３０の高さよりも薄くなるように形成されていてもよい。
【００２７】
半導体装置は、図１３に示すように、絶縁部４７を含んでいてもよい。絶縁部４７は、樹脂壁３０によって区画された領域内に形成されていてもよい。絶縁部４７は、樹脂壁３０と接触しないように形成されていてもよい。絶縁部４７は、樹脂壁３０よりも低くなるように形成されていてもよい。ただし、絶縁部４７は、樹脂壁３０と同じ高さをなしていてもよく、あるいは、樹脂壁３０よりも高くなるように形成されていてもよい。また、絶縁部４７は、導電部２０よりも低くなるように形成されていてもよい。ただし、絶縁部４７は、導電部２０よりも高くなるように形成されていてもよい。このとき、絶縁部４７は、上端部が導電部２０から露出するように形成されていてもよい。
【００２８】
（第２の実施の形態）
以下、本発明を適用した第２の実施の形態に係る半導体装置について説明する。なお、図１４（Ａ）〜図１４（Ｃ）は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る半導体装置について説明するための図である。
【００２９】
本実施の形態に係る半導体装置は、図１４（Ａ）〜図１４（Ｃ）に示すように、下地樹脂層３５を含む。下地樹脂層３５は、半導体基板１０上に形成されてなる。図１４（Ａ）に示すように、１つの半導体基板１０に、１つの下地樹脂層３５が形成されていてもよい。下地樹脂層３５は、パッシベーション膜１６上に形成されていてもよい。そして、下地樹脂層３５は、半導体基板１０の中央領域に形成されていてもよい。なお、下地樹脂層３５は、電極パッド１４（露出部１５）の少なくとも一部を露出させるように形成されてなる。
【００３０】
本実施の形態に係る半導体装置は、図１４（Ａ）及び図１４（Ｂ）に示すように、複数の樹脂壁３６を含んでいてもよい。樹脂壁３６は、一定の領域を区画するように形成されてなる。このとき、樹脂壁３６は、両端を有するように形成されていてもよい。言い換えると、樹脂壁３６は、図１４（Ａ）に示すように、一定の領域を囲まないように形成されていてもよい。そして、樹脂壁３６は、少なくとも一部が下地樹脂層３５上に配置されるように形成されていてもよい。例えば、図１４（Ａ）に示すように、樹脂壁３６は、下地樹脂層３５とオーバーラップする領域内のみに形成されていてもよい。あるいは、樹脂壁３６は、その一部が、下地樹脂層３５を避けて、半導体基板１０と接触するように形成されていてもよい。樹脂壁３６は、下地樹脂層３５と一体的に形成されていてもよい。あるいは、樹脂壁３６は、下地樹脂層３５とは別部材となっていてもよい。なお、本実施の形態に係る半導体装置では、図１４（Ａ）に示すように、１つの下地樹脂層３５上に、複数の樹脂壁３６が形成されていてもよい。
【００３１】
本実施の形態に係る半導体装置は、図１４（Ａ）〜図１４（Ｃ）に示すように、導電部２１を含んでいてもよい。導電部２１は、少なくとも一部が下地樹脂層３５上に配置されるように形成されていてもよい。このとき、導電部２１の底面と樹脂壁３６の底面とは、面一になっていてもよい。導電部２１は、配線部２３及び電気的接続部２５を含む。このとき、配線部２３及び電気的接続部２５は、樹脂壁３６によって区画された領域内に形成されていてもよい。そして、導電部２１は、図１４（Ａ）及び図１４（Ｃ）に示すように、延設部２７を含んでいてもよい。延設部２７は、配線部２３と電極パッド１４とを電気的に接続する役割を果たす部材である。延設部２７は、樹脂壁３６に区画された領域の外側に配置されていてもよい。すなわち、導電部２１は、その一部のみが、樹脂壁３６に区画された領域の内側に配置されていてもよい。例えば、配線部２３及び電気的接続部２５は、下地樹脂層３５上に形成されていてもよい。そして、延設部２７は、下地樹脂層３５とオーバーラップしないように形成されていてもよい。
【００３２】
この半導体装置によっても、隣り合う２つの導電部２１間の表面距離を長くすることができる。そのため、マイグレーションを原因とする電気的なショートが発生しにくい、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【００３３】
（変形例）
下地樹脂層３５には、図１５に示すように、溝３７が形成されていてもよい。なお、溝３７を、凹部と称してもよい。溝３７は、樹脂壁３６によって区画された領域内のみに形成されていてもよい。溝３７は、図１５に示すように、下地樹脂層３５を貫通しないように形成されていてもよい。このとき、下地樹脂層３５は、溝３７の底部が一定の厚みをなすように形成されていてもよい。ただし、下地樹脂層３５は、溝３７の底部の厚みが変化するように形成されていてもよい。また、溝３７の内壁面と樹脂壁３０の内壁面とは面一になっていてもよい。そして、導電部２１は、その一部が、溝３７の内側に配置されていてもよい。
【００３４】
あるいは、下地樹脂層３５には、図１６に示すように、溝３８が形成されていてもよい。溝３８は、下地樹脂層３５を貫通するように形成されていてもよい。このとき、導電部２１は、半導体基板１０（パッシベーション膜１６）と接触するように形成されていてもよい。
【００３５】
（第３の実施の形態）
以下、本発明を適用した第３の実施の形態に係る半導体装置について説明する。なお、図１７（Ａ）〜図１７（Ｃ）は、本発明を適用した第３の実施の形態に係る半導体装置について説明するための図である。
【００３６】
半導体装置は、複数の下地樹脂層７０を含んでいてもよい。そして、それぞれの下地樹脂層７０上には、いずれかの樹脂壁３６が形成されていてもよい。そして、図１７（Ａ）及び図１７（Ｂ）に示すように、配線部２３及び電気的接続部２５は、それぞれ、いずれかの下地樹脂層７０上に形成されていてもよい。このとき、配線部２３及び電気的接続部２５は、樹脂壁３６と下地樹脂層７０とによって囲まれた領域内に形成されていてもよい。下地樹脂層７０は、図１７（Ｃ）に示すように、一定の厚みをなしていてもよい。そして、配線部２３及び電気的接続部２５の上端面は面一に形成されていてもよい。
【００３７】
（変形例）
半導体装置は、下地樹脂層７１を含んでいてもよい。下地樹脂層７１は、図１８に示すように、厚みが変化するように形成されていてもよい。例えば、下地樹脂層７１は、配線部２３とオーバーラップする領域と電気的接続部２５とオーバーラップする領域とで厚みが変化する形状をなしていてもよい。このとき、下地樹脂層７１は、配線部２３とオーバーラップする領域が、電気的接続部２５とオーバーラップする領域よりも薄くなるように形成されていてもよい。そして、配線部２３は、電気的接続部２５よりも厚くなっていてもよい。ただし、下地樹脂層は、配線部２３とオーバーラップする領域が、電気的接続部２５とオーバーラップする領域よりも厚くなるように形成されていてもよい（図示せず）。
【００３８】
半導体装置は、下地樹脂層７２を含んでいてもよい。下地樹脂層７２は、図１９に示すように、配線部２３とオーバーラップする領域を避けて、電気的接続部２５とオーバーラップする領域内のみに形成されていてもよい。このとき、導電部２１は、配線部２３と電気的接続部２５とで、上端面の高さが異なっていてもよい。すなわち、配線部２３の半導体基板１０表面からの高さが、電気的接続部２５の半導体基板１０表面からの高さよりも低くなっていてもよい。このとき、配線部２３と電気的接続部２５とは、同じ厚みをなしていてもよい。
【００３９】
半導体装置は、下地樹脂層７３を含んでいてもよい。下地樹脂層７３は、図２０に示すように、電気的接続部２５とオーバーラップする領域を避けて、配線部２３とオーバーラップする領域内のみに形成されていてもよい。
【００４０】
なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】図１は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置を説明するための図である。
【図２】図２（Ａ）〜図２（Ｄ）は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置を説明するための図である。
【図３】図３（Ａ）〜図３（Ｃ）は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置を説明するための図である。
【図４】図４は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置を説明するための図である。
【図５】図５（Ａ）及び図５（Ｂ）は、本発明を適用した第１の実施の形態の変形例に係る半導体装置を説明するための図である。
【図６】図６（Ａ）及び図６（Ｂ）は、本発明を適用した第１の実施の形態の変形例に係る半導体装置を説明するための図である。
【図７】図７（Ａ）及び図７（Ｂ）は、本発明を適用した第１の実施の形態の変形例に係る半導体装置を説明するための図である。
【図８】図８は、本発明を適用した第１の実施の形態の変形例に係る半導体装置を説明するための図である。
【図９】図９は、本発明を適用した第１の実施の形態の変形例に係る半導体装置を説明するための図である。
【図１０】図１０は、本発明を適用した第１の実施の形態の変形例に係る半導体装置を説明するための図である。
【図１１】図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）は、本発明を適用した第１の実施の形態の変形例に係る半導体装置を説明するための図である。
【図１２】図１２は、本発明を適用した第１の実施の形態の変形例に係る半導体装置を説明するための図である。
【図１３】図１３は、本発明を適用した第１の実施の形態の変形例に係る半導体装置を説明するための図である。
【図１４】図１４（Ａ）〜図１４（Ｃ）は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る半導体装置を説明するための図である。
【図１５】図１５は、本発明を適用した第２の実施の形態の変形例に係る半導体装置を説明するための図である。
【図１６】図１６は、本発明を適用した第２の実施の形態の変形例に係る半導体装置を説明するための図である。
【図１７】図１７（Ａ）〜図１７（Ｃ）は、本発明を適用した第３の実施の形態に係る半導体装置を説明するための図である。
【図１８】図１８は、本発明を適用した第３の実施の形態の変形例に係る半導体装置を説明するための図である。
【図１９】図１９は、本発明を適用した第３の実施の形態の変形例に係る半導体装置を説明するための図である。
【図２０】図２０は、本発明を適用した第３の実施の形態の変形例に係る半導体装置を説明するための図である。
【符号の説明】
【００４２】
１…半導体装置、  １０…半導体基板、  １２…集積回路、  １４…電極パッド、  １５…露出部、  １６…パッシベーション膜、  ２０…導電部、  ２１…導電部、  ２２…配線部、  ２３…配線部、  ２４…電気的接続部、  ２５…電気的接続部、  ２７…延設部、  ３０…樹脂壁、  ３１…樹脂壁、  ３２…樹脂壁、  ３５…下地樹脂層、  ３６…樹脂壁、  ４０…ソルダーレジスト、  ４１…ソルダーレジスト、  ４２…開口、  ４３…ソルダーレジスト、  ４５…ソルダーレジスト、  ４７…絶縁部、  ５０…外部端子、  ５２…根元補強材、  ６１…導電部、  ６２…配線部、  ６３…電気的接続部、  ６４…導電部、  ６５…配線部、  ６６…電気的接続部、  ６７…導電部、  ６８…配線部、  ６９…電気的接続部、  ７０…下地樹脂層、  ７１…下地樹脂層、  ７２…下地樹脂層、  ７３…下地樹脂層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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