(57)【要約】【課題】  輝点を有する画素をより確実に修正することができる液晶表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】  液晶表示装置ＬＣＤの、輝点を有する画素ＰＩＸ表面の内側からコーナー部に向かって、液晶表示装置ＬＣＤのアレイ基板ＡＲＰ側よりレーザ光２０を照射する工程と、画素ＰＩＸの配向を、液晶表示装置ＬＣＤのアレイ基板ＡＲＰ側よりレーザ光３０で乱す工程とを有する。【選択図】  図２
2006133739.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一主面に複数の画素電極がマトリクス状に配置され、前記画素電極上に第一配向膜を有するアレイ基板と、前記アレイ基板に対向配置する一主面に対向電極を有し、前記対向電極上に第二配向膜を有する対向基板と、前記アレイ基板および対向基板とに前記第一及び第二配向膜を介して挟持された液晶材料からなる液晶層とを備え、それぞれの前記画素電極と、前記画素電極に対応する前記液晶層および前記対向電極とによって構成される複数の表示画素を備えた液晶表示装置の製造方法であって、
前記複数の表示画素のうちの輝点を有する一前記表示画素を平面的に内側からコーナー部に向かってレーザ光を走査しながら照射して、前記一表示画素に対応する前記液晶層の前記液晶材料を気化させる第一工程と、
前記一表示画素に対応する液晶材料を所定の方向に配列する配向界面を、レーザ光を照射して加工する第二工程と、を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法であって、
前記第一工程の前記レーザ光の照射が、前記アレイ基板側から前記対向基板側に向かって照射する工程であり、
前記第二工程の前記レーザ光の照射が、前記アレイ基板側から前記対向基板側に向かって照射する工程である
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の液晶表示装置の製造方法であって、
前記第一または第二工程の前記レーザ光の照射が、集光したレーザ光を用いることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１または２のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法であって、
前記第一または第二工程の前記レーザ光の照射が、結像したレーザ光を用いることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１または２のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法であって、
前記第一工程の前に、前記輝点を有する前記一表示画素に対して、レーザ光を照射する予備照射工程を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の液晶表示装置の製造方法であって、
前記予備照射工程が、結像したレーザ光を前記アレイ基板側より前記対向基板側に向かって照射する工程であることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
請求項５または６のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法であって、
前記予備照射工程が前記輝点を有する前記一表示画素の複数箇所に対してレーザ光を照射することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
請求項６または７のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法であって、
前記予備照射工程が前記輝点を有する前記表示画素の端部近傍に結像したレーザ光を照射する第二の予備照射工程を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置の製造方法に関し、特に、表示画素の修正を含む液晶表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶表示装置を構成する表示画素のひとつに、常時点灯する輝点と呼ばれる欠点がある場合に、該表示画素に対してパルスレーザ光を複数回走査しつつ照射することにより修正する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。この特許文献に開示された
方法は、パルスレーザ光のオーバーラップ率が一定値になるようにその繰り返し周波数を走査速度に同期させ、輝点を有する画素内を平面的に複数回走査させる液晶表示装置の製造方法であり、１回目の走査が画素に気泡をつくる工程、２回目の走査が発生させた気泡が存在する中で画素にレーザスポットを走査する工程であって、それにより輝点を有する画素に対応する配向膜を加工することで液晶材料の配向を乱して画素を黒点化する方法である。
【特許文献１】特開２００３−２６２８４２号公報（第４−５頁、図５）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記液晶表示装置の製造方法では、１回目のレーザ光走査を行って気泡を発生させても、それが画素全体にまで、詳しくは画素コーナー部に広がりにくい。
【０００４】
そのために、２回目のレーザ光照射時に、画素のコーナー部に残る液晶材料が障害となって配向膜を加工することができず、そのコーナー部からの光漏れにより依然として輝点と視認されてしまう。
【０００５】
本発明は、上記問題点を解決するためになされたもので、輝点を有する画素をより確実に滅点化することができる液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記問題点を解決するために、本発明の一態様は、
基板の一主面に複数の画素電極がマトリクス状に配置され、前記画素電極上に第一配向膜を有するアレイ基板と、前記アレイ基板に対向配置する一主面に対向電極を有し、前記対向電極上に第二配向膜を有する対向基板と、前記アレイ基板および対向基板とに前記第一及び第二配向膜を介して挟持された液晶材料からなる液晶層とを備え、それぞれの前記画素電極と、前記画素電極に対応する前記液晶層および前記対向電極とによって構成される複数の表示画素を備えた液晶表示装置の製造方法であって、
前記複数の表示画素のうちの輝点を有する一前記表示画素を平面的に内側からコーナー部に向かってレーザ光を走査しながら照射して、前記一表示画素に対応する前記液晶層の前記液晶材料を気化させる第一工程と、
前記一表示画素に対応する液晶材料を所定の方向に配列する配向界面を、レーザ光を照射して加工する第二工程と、を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法である。
【０００７】
さらに、前記複数の表示画素のうち輝点を有する表示画素が異物を有しており、この異物をレーザ照射により粉砕する工程を前記第一工程の前に付加することを特徴とする液晶表示装置の製造方法である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、輝点を有する画素をより確実に修正することができる液晶表示装置の製造方法を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
【００１０】
（実施例１）
図１は、本発明の実施例１に係る透過型の液晶表示装置の一部概略断面図であり、この液晶表示装置の構成について説明する。
【００１１】
この液晶表示装置ＬＣＤは、アレイ基板ＡＲＰと、アレイ基板ＡＲＰに対向配置された対向基板ＦＡＰと、それらに挟持された液晶層ＬＣＬと、アレイ基板ＡＲＰおよび対向基板ＦＡＰの液晶層ＬＣＬと接する面とは反対側面に各々配設された偏光板ＡＰＰ、ＦＰＰとから構成される。また、上述のアレイ基板ＡＲＰと対向基板ＦＡＰとは、図示しないが基板間のギャップを均一にするビーズスペーサを挟持している。
【００１２】
アレイ基板ＡＲＰは、ガラス基板ＡＧＰと、そのガラス基板ＡＧＰの一主表面に形成された複数の信号線と、信号線に略直交配置された複数の走査線と、これらの各交点付近に配置される薄膜トランジスタＴＲＡと、薄膜トランジスタＴＲＡに接続された、画素電極（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）ＡＩＴと、それらを覆うようにアレイ基板ＡＲＰ上に配設された配向膜ＡＡＬとから構成される。薄膜トランジスタＴＲＡは、走査線に接続するゲート電極と、その上を覆うゲート絶縁膜ＧＩＮと、その上の半導体層としてのアモルファスシリコン層と、その上の信号線に接続するソース電極と、ドレイン電極とから構成される。
【００１３】
なお、ここでは薄膜トランジスタの半導体層として、アモルファスシリコン層を用いているが、ポリシリコンを用いることも可能である。また、ここでは薄膜トランジスタ構造をボトムゲート構造として説明しているが、トップゲート構造であってもよい。
【００１４】
対向基板ＦＡＰは、ガラス基板ＦＧＰと、そのガラス基板ＦＧＰの一主面上に配置される網目状のブラックマトリクスＢＭと、このブラックマトリクスＢＭで区切られた領域に対応して配置される赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色のカラーフィルタＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢと、カラーフィルタ上に配置される、例えば透明電極としてのＩＴＯからなる対向電極ＦＩＴが形成され、さらにその上に配向膜ＦＡＬが形成されている。
【００１５】
配向膜ＡＡＬおよびＦＡＬは、それぞれラビング処理が施されることで、液晶分子を所定の方向に配列させ、電圧印加時の液晶分子の立ち上げ方向を規定するものである。
【００１６】
このような液晶表示装置ＬＣＤは、完成後、画像検査が行われる。そして、この液晶表示装置ＬＣＤは、画像検査時に輝点（輝点欠点ともいう）が発見された場合、その後、次のようにして輝点欠点を修正する。なお、本明細書において輝点とは、例えば黒表示状態時にもなお白表示状態（非黒表示）をなす画素をいう。
【００１７】
そして、輝点欠点を有する画素の少なくともいずれか一方の配向膜を加工することで、画素に対する電圧の印加・無印加に係らず滅点化する。例えば、ノーマリホワイト・モードの液晶表示装置にあっては、電圧無印加状態で白表示、電圧印加状態で黒表示をなすが、電圧を印加しても黒表示状態を呈さない画素、即ち輝点欠点の画素が存在する場合があり、この場合は電圧印加の有無に係らず黒表示状態を呈するように配向膜を加工し、滅点化する。そして、この配向膜の加工の際、対象画素のコーナー部を越えて予め液晶材料を排することによって、より確実に輝点画素を滅点化することが可能となる。
【００１８】
本実施例の製造方法について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１９】
まず、液晶表示装置ＬＣＤの画像検査は、黒ラスター表示をして目視により行う。ここで液晶表示装置ＬＣＤに輝点を有する画素ＰＩＸが確認されると、その画素ＰＩＸに相当する、アレイ基板ＡＲＰ、対向基板ＦＡＰの各々の配向膜ＡＡＬ、ＦＡＬに対して、アレイ基板ＡＲＰ側より、集光したレーザ光２０を走査しながら照射する。
【００２０】
図２は、本発明の実施例１の対象画素の概略平面図である。
【００２１】
液晶表示装置ＬＣＤに輝点を有する画素ＰＩＸが確認されると、まず第一工程で、アレイ基板ＡＲＰ側から液晶表示装置ＬＣＤに対して、画素ＰＩＸの略中心部ＣＥＮ近傍から各画素ＰＩＸの主要なコーナー部ＣＲＮに向かって集光したレーザ光２０を４回に分けて走査しながら照射する（図２（ａ））。
【００２２】
使用するレーザ照射機としては、例えばＮＥＣ社製「ＳＬ４５５Ｈ」が挙げられる。
【００２３】
このとき、集光したレーザ光２０は、レーザエネルギーを０．０１ｍＪから０．３ｍＪ、より好ましくは０．０２ｍＪから０．１２ｍＪ、集光径は２μｍから１０μｍとすることが好ましく、この実施例においてはレーザエネルギーを０．０３ｍＪ、集光径を６μｍとした。
【００２４】
集光したレーザ光２０はまた、画素ＰＩＸの外周部ＣＩＲより２μｍから１０μｍ内側で照射し終わることが好ましく、３μｍから６μｍ内側で照射し終わることがより好適であって、この実施例では５μｍ内側で照射を終了した。例えば画素サイズは９２μｍ×２６２μｍから２００μｍ×６００μｍである。
【００２５】
次に、第二工程で第一工程と同じく集光したレーザ光３０をアレイ基板ＡＲＰの外側より、対象画素の端部からジグザグ状に走査しながら照射することで画素ＰＩＸに対応する配向膜ＡＡＬ、ＦＡＬを加工する（図２（ｂ））。
【００２６】
このとき、集光したレーザ光３０は、第一工程と同じくレーザエネルギーは０．０１ｍＪから０．３ｍＪ、より好ましくは０．０２ｍＪから０．１２ｍＪ、集光径は２μｍから１０μｍとすることが好ましく、この実施例においてはレーザエネルギーを０．０３ｍＪ、集光径を６μｍとした。
【００２７】
以上説明したように、第一工程でレーザ照射によって生じる気泡ＢＵＢは画素ＰＩＸのコーナー部までうまく押し広げられ、これによりコーナー部、より詳しくはコーナー部を越えてまで存在することとなるため、第二工程で画素ＰＩＸに対応するアレイ基板ＡＲＰおよび対向基板ＦＡＰの両配向膜ＡＡＬ、ＦＡＬを集光したレーザ光３０で照射することにより画素ＰＩＸのコーナー部まで加工することができ、その結果、気泡ＢＵＢが消滅したあとも画素ＰＩＸのコーナー部に存在することとなる液晶材料の配向も余さず乱され、これにより画素ＰＩＸのコーナー部からも光モレが起こらなくなる。
【００２８】
また、図２（ｃ）のように画素ＰＩＸ中に異物Ｆが存在する場合でも、気泡を発生するレーザ光２０が画素中心部ＣＥＮから異物Ｆをまたがってコーナー部ＣＲＮにまで集光レーザ光２０を照射することになり、異物の陰で気泡の発生が妨げられることなく、画素全体に気泡を生成することができる。すなわち、予め、異物を含む経路で気泡を発生するレーザ光２０を複数に分割して照射することにより、液晶を気化させその気泡をリペアすべき表示画素全面に成長させることができる。
【００２９】
ところで、図３（ａ）乃至（ｄ）は、第一工程におけるレーザ光照射時の各コーナー部におけるレーザ光の照射状態をより詳細に説明する図である。それぞれの図中２０Ｌは、各画素ＰＩＸのコーナー部における最終端部のレーザ光であり、ＤＩＣが画素コーナー部と２０Ｌとの距離を示す。トランジスタＴＲＡが配設されているコーナー部のみ、最終端部の照射位置ＤＩＴはトランジスタＴＲＡからの距離を示す。最終端部の照射位置は、画素コーナー部より各々２μｍから１０μｍ内側とすることが好ましく、４．５μｍから５μｍとするとより好適である。
【００３０】
これにより、画素ＰＩＸ内の液晶層ＬＣＬを構成する液晶材料ＬＣＭを、熱により気化させ気泡ＢＵＢとして発生させると同時に、発生した気泡ＢＵＢをさらにコーナー部に向かって拡大していき、コーナー部端まで、より詳しくは画素ＰＩＸ範囲の一部外であって隣接画素に到達しない範囲まで拡げることとなる。その際、レーザ光による単なる走査のみでは画素ＰＩＸのコーナー部に液晶材料ＬＣＭが液晶状態として残りがちであるが、画素の略中心部ＣＥＮ近傍よりコーナー部に向かって集光したレーザ光２０を照射することによって、画素ＰＩＸのコーナー部を越えて気泡ＢＵＢを画素ＰＩＸ範囲の一部外まで拡げていくこととなり、これにより気泡ＢＵＢを、コーナー部を含む画素ＰＩＸ全体を覆う大きさにすることができる。
【００３１】
図３に示すように、第一工程で、画素ＰＩＸのコーナー部に向かってレーザを照射する際、画素ＰＩＸの外周部ＣＩＲより４．５μｍから５μｍ内側で照射し終わるようにするのは、画素ＰＩＸの周囲の配線に影響を与えないようにするとともに、画素ＰＩＸと隣接する画素ＰＩＸ１〜８に与える影響を最小限にとどめられるように、気泡が隣接画素にかからないようにするためである。
【００３２】
また、図４に示すように、Ｎ番目の集光したレーザ光２００と、Ｎ＋１番目の集光したレーザ光２０１との各々の中心点までの距離ＤＩＳ２を、１μｍから６μｍあけて照射するのが適当だが、１μｍから３μｍとするとより好適である。
【００３３】
また図５に示すように、集光したレーザ光３０は、画素ＰＩＸの外周部ＣＩＲより４．５μｍから５μｍ内側の範囲内で照射する。これは、画素ＰＩＸの周囲の配線に影響を与えないようにすると同時に、画素ＰＩＸと隣接する画素ＰＩＸ１〜８に与える影響を最小限にとどめるためである。
【００３４】
以上説明したように、対象画素の内側から該画素のコーナー部に向かってレーザ光を走査しながら照射することにより、対象画素全域にかけて気泡を形成することができる。そして、この状態で対象画素の配向膜の加工を行うことにより、対象画素の端部の加工もより確実に行うことが可能となる。また、複数回に分割して気泡を発生するレーザを照射することにより、画素内に異物があった場合でも対象画素全域にわたってムラなく気泡を形成することが可能となる。したがって、画素ＰＩＸの液晶層ＬＣＬを構成する液晶材料ＬＣＭが、画素加工後に元の液晶状態に戻ったあとの配向は、画素ＰＩＸのコーナー部においても残さず乱されることとなり、光漏れがなくなることとなる。
【００３５】
また、この例では第一工程で画素の略中心部よりコーナー部へ向かって集光した光を照射することとしたが、画素の形状や構造、また輝点の状態等により、集光した光の照射開始位置を適宜変えてもかまわない。
【００３６】
第二工程における画素全体への走査は、画素の短辺側から始めてもよいし、長辺側から始めてもよいが、第一工程で形成した気泡が存在している中で加工することが必要である。
【００３７】
カラーフィルタは、ここでは対向基板上に形成したタイプを使用しているが、アレイ基板上に形成したタイプであってもかまわない。その場合は、カラーフィルタのレーザによる変質を考慮して、アレイ基板側からではなく、対向基板側からレーザ光を照射するとよい。
【００３８】
この実施例では、液晶表示装置として透過型を例にとり説明したが、透過部を有するものであれば、微反射型、半透過型であっても応用できる。半透過型の場合は、反射部を除いた少なくとも透過部のみの加工でもよい。
【００３９】
また、透過部の全くない反射型であっても、対向基板側からレーザ照射することにより加工することができる。
【００４０】
また、今回スペーサはパネル内に散布して用いるビーズ状のものを用いているが、柱状に形成するタイプのスペーサである場合にも用いることができることはいうまでもない。
【００４１】
（実施例２）
次に本発明の実施例２の液晶表示装置について、図面を参照して説明する。
【００４２】
画素の状態等によって照射時の加工面積がレンズ系により集光したレーザ光（焦点）よりも、焦点位置からレーザ光路の前後方向にややずらして広いスポットとした結像レーザ光を照射したほうがスムーズで、かつ画素の不要なキズつきを抑えて気泡の発生およびその拡張ができる場合もある。
【００４３】
工程としては、実施例１の方法と同じく、第一工程で画素ＰＩＸの略中心部ＣＥＮより画素のコーナー部へのレーザ光照射、第二工程で画素部全体にレーザ光を照射するのであるが、その際に使用するレーザ光を、両工程とも結像したレーザ光とするものである。
【００４４】
アレイ基板ＡＲＰ側から、液晶表示装置ＬＣＤに対して画素ＰＩＸ上方に設置した光源より、結像したレーザ光２２を該画素ＰＩＸの略中心部ＣＥＮ近傍より、画素ＰＩＸコーナー部に向かって走査しながら照射する（図６（ａ））。
【００４５】
このとき照射する結像したレーザ光２２は、結像大きさが１μｍ２から１２μｍ２、より好ましくは８μｍ２から９μｍ２である。
【００４６】
なお、レーザエネルギーは実施例１の場合と同じく０．０１ｍＪから０．３ｍＪ、好ましくは０．０２ｍＪから０．１２ｍＪとし、照射間隔は５μｍから３０μｍとすることが好ましく、この実施例では第一工程と同様に２０μｍから２５μｍとした。
【００４７】
そのあと画素ＰＩＸ全体に、結像したレーザ光３０を、第一工程と同じくアレイ基板ＡＲＰ側より走査しながら照射することで画素ＰＩＸに対応する両配向膜ＡＡＬ、ＦＡＬを加工する（図６（ｂ））。
【００４８】
使用する結像したレーザ光３１は、結像したレーザ光２１と同様の結像大きさおよびレーザエネルギーである。
【００４９】
なお、全体を走査するのに使用するレーザ光は、集光したレーザ光とすることもできる。その際は、実施例１の場合と同条件で走査を行うようにする。
【００５０】
このように、画素の状態等によって気泡を画素コーナー部まで拡げていく方法を選択することができ、かつ同じレーザ光を使用して画素全体を走査する場合は、使用するレーザ光を替える手間を省くというメリットも得ることができる。
【００５１】
（実施例３）
実施例１、２では、第一工程が気泡ＢＵＢを発生させる工程であると同時に、発生した気泡ＢＵＢを、輝点を有する画素ＰＩＸ全体を覆うように拡げていく工程ともなるが、その工程を行う前に、該画素ＰＩＸに対して結像したレーザ光２１を照射することで、より確実に該画素ＰＩＸの液晶層ＬＣＬを構成する液晶材料ＬＣＭを気化させ、気泡ＢＵＢを発生させることができる。
【００５２】
図７は、本発明の実施例３を平面的にみた概略説明図である。
【００５３】
ここでも、使用したタイプは、実施例１と同じく透過型液晶表示装置である。（図７（ａ））。
【００５４】
その際、結像したレーザ光１１は、結像大きさを１８μｍ２から２４μｍ２とすることが好ましく、この例では２４μｍ２とする。レーザエネルギーは実施例１の集光したレーザ光２０と同じく、０．０２ｍＪから０．１２ｍＪとすることが好ましい。この結像したレーザ光２１を、画素ＰＩＸの略中心部ＣＥＮに照射する。これにより、画素ＰＩＸの液晶層ＬＣＬを構成する液晶材料ＬＣＭを気化させ、その気泡ＢＵＢをより確実に発生させることができる。
【００５５】
こうして画素ＰＩＸ全体に気泡ＢＵＢを発生させた後の工程は、実施例１に記載の方法と同様で、アレイ基板ＡＲＰ側から、液晶表示装置ＬＣＤに対して集光したレーザ光２０を、画素ＰＩＸの略中心部ＣＥＮ近傍より該画素ＰＩＸコーナー部に向かって走査しながら照射する（図７（ｂ））。
【００５６】
そのあと画素ＰＩＸ全体に、集光したレーザ光３０を、第一工程と同じくアレイ基板ＡＲＰ側より走査しながら照射することで画素ＰＩＸに対応する配向膜ＡＡＬおよびＦＡＬを加工する（図７（ｃ））。
【００５７】
なお、結像したレーザ光２１を照射する位置は、画素ＰＩＸの略中心部であれば全体に気泡をいきわたらせやすいと考えられるが、画素や配線の形状または構成、また、輝点の状態等によって適宜変えてもかまわない。
【００５８】
また、コーナー部への照射の際の最終端部も、実施例１と同様、トランジスタＴＲＡがあるコーナー部のみ、画素コーナー部より各々２μｍから１０μｍ内側とするのが好ましく、この例では３μｍから６μｍ内側とした。また、全体の走査による照射も画素ＰＩＸの外周部ＣＩＲより４．５μｍから５μｍ内側にて走査するとよい。
【００５９】
なお、ここで、実施例２と同様の理由で、画素コーナー部へのレーザ光の照射および画素全体への照射を、集光したレーザ光ではなく、結像したレーザ光とすることもできる。その際は実施例２と同条件で行うとよい。
【００６０】
また、コーナー部への照射を集光したレーザ光で、全体への照射を結像したレーザ光で行うこともできる。その際も、それぞれ前述の条件でのレーザ光を使用することとする。
【００６１】
この方法によって、より確実に画素ＰＩＸの液晶層ＬＣＬを構成する液晶材料ＬＣＭを気化させることができ、その結果、輝点を有する画素ＰＩＸの修正の精度を、よりよくすることができる。
【００６２】
（実施例４）
実施例３での、画素の略中心部に照射する結像したレーザ光は、輝点を有する画素ＰＩＸの形状等により、複数箇所に照射することも可能である。
【００６３】
図８は、本発明の実施例４を平面的にみた概略説明図である。
【００６４】
輝点を有する画素ＰＩＸ相当部に、Ｃｓ線等の配線がある場合などは、その配線相当部にはレーザ光の照射は避けることが望ましい。そこで例えば、配線ＷＩＲを境として、輝点を有する画素ＰＩＸを画素ＰＩＸＡおよび画素ＰＩＸＢに概念上分割したとして、各画素ＰＩＸＡおよびＰＩＸＢの、各略重心部ＣＥＮＡおよびＣＥＮＢに、それぞれ結像したレーザ光１１Ａおよび１１Ｂを照射する（図８（ａ））。
【００６５】
このときも、実施例１と同じく、使用したのは透過型液晶表示装置で、結像したレーザ光１１Ａおよび１１Ｂは、結像大きさをここでは各々１８μｍ２から２４μｍ２とするのが好ましく、この例では２４μｍ２とした。また、レーザエネルギーは実施例１での集光したレーザ光と同じく、０．０２ｍＪから０．１２ｍＪとすることが好ましく、この例では０．０４５ｍＪとした。
【００６６】
また、その場合、コーナー部に向かっての照射も、配線ＷＩＲの部位を避けることが望ましく、画素ＰＩＸを、ＰＩＸＡおよびＰＩＸＢに概念上分割したとして各々に照射する（図８（ｂ））。
【００６７】
続いての集光したレーザ光３０による走査も、上記配線相当部を避けておこなう必要があるが、その他は実施例１の場合と同プロセスである（図８（ｃ））。
【００６８】
この場合も、略中心部ＣＥＮＡおよびＣＥＮＢ近傍より、ＰＩＸＡコーナー部、ＰＩＸＢコーナー部に向かって集光したレーザ光２０を照射するが、それぞれ配線部ＷＩＲおよびコーナー部への照射最終端部も、実施例１と同様、トランジスタＴＲＡがあるコーナー部のみ、画素コーナー部より各々３μｍから６μｍ内側とするのが好ましく、この例では４．５μｍから５μｍ内側とした。また、全体の走査による照射も該画素ＰＩＸの外周部ＣＩＲおよび配線部ＷＩＲより４．５μｍから５μｍ内側にて走査するとよい。
【００６９】
なお、この例においては、結像したレーザ光１１Ａおよび１１Ｂの照射位置を、画素ＰＩＸを概念上分割した、ＰＩＸＡおよびＰＩＸＢのおのおのの略中心部ＣＥＮＡおよびＣＥＮＢとしたが、画素の形状や構成、また輝点の状態等によって適宜変えてもかまわない。また、結像したレーザ光の照射箇所を、ここでは画素を概念上二つに分割することとして二箇所としたが、画素の形状や構成等によっては三箇所以上としてもよい。
【００７０】
また、該画素ＰＩＸコーナー部に対する集光したレーザ光２０の照射開始位置を略中心部ＣＥＮＡおよびＣＥＮＢ近傍にするとしたが、画素の形状や構成、また輝点の状態等によって適宜変えてもかまわない。
【００７１】
この方法により、画素ＰＩＸ相当部に配線がある場合であっても配線を傷つけずに、より確実に輝点を有する画素を加工することができる。
【００７２】
（実施例５）
画素の色によってＣＦ（カラーフィルタ）の厚さに差を設けているマルチギャップ構成のＣＦが対向基板ＦＡＰ側に形成されている場合、その厚さの差により、発生させた気泡ＢＵＢが、輝点を有する画素ＰＩＸ部にとどまらず、その隣接画素に移動してしまう場合もある。そうすると輝点を有する画素ＰＩＸの修正ができなくなるので、輝点を有する画素ＰＩＸを覆う範囲にとどまらせることが必要となる。
【００７３】
図９は、本発明の実施例５を平面的にみた概略説明図である。
【００７４】
画素ＰＩＸは、対向基板ＦＡＰに、赤のカラーフィルタＣＦＲが形成されている。この赤のカラーフィルタＣＦＲは、青、緑のカラーフィルタＣＦＢおよびＣＦＧに比べて厚く、かつアレイ基板ＡＲＰおよび対向基板ＦＡＰ間のギャップが他の二色の画素に比べて小さく形成されている。そのため、この赤の画素が輝点を有した場合、気泡ＢＵＢを発生させても、この赤の画素よりも基板間ギャップを大きく形成された隣接の青または緑の画素に移動していきやすい。
【００７５】
そこで、赤の画素が輝点を有することが確認されるとまず、画素ＰＩＸ上の、それに隣接する画素ＰＩＸ１およびＰＩＸ２との近傍部に各々、結像したレーザ光１１１および１１２を照射する（図９（ａ））。
【００７６】
このとき、結像したレーザ光１１１および１１２を、隣接する画素ＰＩＸ１およびＰＩＸ２上に直接照射するのではなく、輝点を有する画素ＰＩＸ上に対して照射するのは、隣接する画素ＰＩＸ１およびＰＩＸ２に対して、レーザ光を照射することによる悪影響を与えないようにするためである。
【００７７】
このとき、結像したレーザ光１１１および１１２は、照射位置を画素の外周部ＣＩＲより２μｍから６μｍ内側とするのが好ましく、４．５μｍから５μｍ内側とするとより好適である。結像大きさは１０μｍ２から２０μｍ２が好適であり、この例では１８μｍ２とする。
【００７８】
そうして、発生させた気泡ＢＵＢ１およびＢＵＢ２を、各々隣接する画素ＰＩＸ１およびＰＩＸ２にわざと移動させる（図９（ｂ））。
【００７９】
この発生させた気泡ＢＵＢ１およびＢＵＢ２が存在するときに、結像したレーザ光１１を照射して、輝点を有する画素ＰＩＸに気泡ＢＵＢを発生させる。すると、気泡ＢＵＢは気泡ＢＵＢ１およびＢＵＢ２が壁となって、隣接する他の画素に移動することができなくなる（図９（ｃ））。
【００８０】
こうして気泡ＢＵＢを画素ＰＩＸ上に固定しておいた上で、画素ＰＩＸのコーナー部にレーザ光を照射する工程（図９（ｄ））、および、画素全体にレーザ光を走査させる工程（図９（ｅ））を、実施例１〜３のいずれか一と同様に行う。コーナー部への照射および全体への走査による照射は、集光したレーザ光でも結像したレーザ光でも、画素の状態等により適宜選択することができる。
【００８１】
この方法により、ＣＦによって隣接画素との段差を生じさせている場合においても、発生させた気泡が隣接する画素へと移動していかずに輝点を有する画素上にとどまり、しかも隣接する画素に気泡発生による悪影響を与えることもないので、安全かつ確実に輝点を有する画素を加工することができる。
【００８２】
なお、この例では赤のＣＦがいちばん厚く、青・緑のＣＦがそれよりも薄い場合を示しているが、どのＣＦが厚くなっている場合であっても応用できることはいうまでもない。
【００８３】
また、この例では短辺側に隣接する画素にのみ発生させた泡を移動させているが、長辺側にのみ発生させかつ移動させること、あるいは四方全てに発生させかつ移動させることも、上記と同様の条件にて実施できる。
【００８４】
また、液晶表示装置が半透過型で、かつ透過部のギャップが広く、反射部のギャップが透過部より狭いマルチギャップタイプである場合は、透過部に気泡を発生させると、反射部が壁となり、気泡が逃げずにその場にとどまるため、その後の加工が容易にできる。
【００８５】
また、液晶表示装置が半透過型で、かつ透過部のギャップが狭く、反射部のギャップが透過部より広いマルチギャップタイプである場合は、透過部に気泡を発生させる際、基板間ギャップの広い反射部へと気泡が逃げていきやすい。そこで、上記説明のように、透過部端部に気泡固定用の気泡ＢＵＢ１およびＢＵＢ２を発生させる。その上で、透過部に気泡ＢＵＢを発生させる工程、透過部端部に向かってレーザ光を照射する工程、透過部を加工する工程を順に行う。
【００８６】
上記方法により、マルチギャップタイプであっても、気泡を隣接画素に逃がさず確実に輝点を有する画素を加工することができる。
【００８７】
（実施例６）
図１０（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、本発明の実施例６を示すものである。なお他の実施例と同一符号の部分は同様部分を示す。本実施例は特定の表示画素の電極間に異物が介在し正常な配向制御ができない場合のレーザリペア加工を説明する。（ａ）に示すように、異物がある場合、異物周辺Ａでは正常な配向制御ができず、黒表示時に輝点となる異物不良が発生することがある。本実施例のレーザリペアでは気泡成長、配向乱し工程前に異物粉砕を施す。
【００８８】
まず（ａ）工程で異物Ｆにレーザ照射して異物を粉砕する。これにより（ｂ）に示すように、粉砕時に画素部の異物周辺に液晶気泡が生じ、粉砕された異物が生成された気泡の範囲で四散し、画素の両電極表面に付着する。
【００８９】
続いて（ｃ）に示すように実施例１と同様に画素中心部からコーナー部にかけてレーザ光照射を行い、液晶を気化させて特定画素全面に気泡を生成する。この気泡が生じた状態で（ｄ）に示すように、画素全面を集光したレーザ光のスポットでジグザグ状に蛇行走査して電極上の配向膜を蒸散させて配向乱しを施す。これにより配向膜の飛散物が両電極表面に付着して画素全面の配向性を低下させることができる。
【００９０】
破砕された異物は液晶層厚をきめるスペーサと同等またはそれよりも小さければよく、異物のない場合の修復と同等の成功率で画素を不働化し、黒点化を実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】本発明のレーザ光照射方向を示す液晶表示装置の一画素の概略断面図。
【図２】本発明の実施例１の各ステップを説明するための概略平面図。
【図３】画素コーナー部への照射状態の拡大説明図。
【図４】集光したレーザ光のＮ番目とＮ＋１番目との各々の中心点間の距離を示す拡    大説明図。
【図５】集光したレーザ光の画素の周囲部からの距離を示す拡大説明図。
【図６】本発明の実施例２の各ステップを説明するための概略平面図。
【図７】本発明の実施例３の各ステップを説明するための概略平面図。
【図８】本発明の実施例４の各ステップを説明するための概略平面図。
【図９】本発明の実施例５の各ステップを説明するための概略平面図。
【図１０】本発明の実施例６の各ステップを説明するための概略平面図。
【符号の説明】
【００９２】
１１  結像したレーザ光
２０、３０  集光したレーザ光
２１、３１  結像したレーザ光
１１１、１１２  結像したレーザ光
ＡＲＰ  アレイ基板
ＦＡＰ  対向基板
ＡＧＰ  アレイ側ガラス基板
ＦＧＰ  対向側ガラス基板
ＡＰＰ、ＦＰＰ  アレイ側、対向側偏光板
ＧＩＮ  ゲート絶縁膜
ＡＩＴ  画素電極
ＦＩＴ  対向電極
ＡＡＬ、ＦＡＬ  アレイ側、対向側配向膜
ＴＲＡ  トランジスタ
ＬＣＬ  液晶層
ＬＣＭ  液晶層を構成する液晶材料
ＣＦＲ、ＣＦＧ、ＣＦＢ  カラーフィルタ（赤）、（緑）、（青）
ＬＣＤ  液晶表示装置
ＰＩＸ  液晶表示装置の一画素
ＣＩＲ  画素の外周部
ＣＥＮ  画素の中心部
ＣＲＮ  画素のコーナー部
ＣＥＮＡ  概念上分割された画素Ａの中心部
ＣＥＮＢ  概念上分割された画素Ｂの中心部
ＢＵＢ  気泡
ＷＩＲ  配線
ＰＩＸ１〜８  輝点を有する画素と隣接する画素
ＤＩＣ  画素外周部とレーザ光との距離
ＤＩＴ  トランジスタとレーザ光との距離
ＤＩＳ２  Ｎ番目の集光した光とＮ＋１番目の集光した光との中心点間の距離
Ｆ  異物
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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