(57)【要約】【課題】簡素な構成でありながら、半導体圧力センサに所望の正確な圧力をかけて、半導体圧力センサの圧力に対する応答特性を測定することが可能な評価装置を提供する。【解決手段】特性評価装置１は、半導体圧力センサチップ２に作用させる測定用圧力を導入する圧力供給配管３と、半導体圧力センサチップ２の吸着用のチップ吸着配管４を有している。チップ吸着配管４は、半導体圧力センサチップ２の載置面の、半導体圧力センサチップ２との接触領域内に形成されたチップ吸着溝５に通じており、チップ吸着溝５の面積と大気圧との積が、半導体圧力センサチップ２の接触領域によって囲まれる圧力供給部の面積と測定用圧力の最大値との積より大きくなっている。【選択図】図１
2006003101.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体圧力センサを載置面上に載置して、前記半導体圧力センサに測定用圧力を作用させ、その時の前記半導体圧力センサの出力を測定するための特性評価装置において、
前記載置面の、前記半導体圧力センサとの接触領域内に形成されている吸着溝と、前記半導体圧力センサを前記吸着溝上に吸着するために、前記吸着溝に負圧発生源を接続する吸着配管と、前記接触領域に囲まれた圧力供給領域に前記測定用圧力を印加する圧力供給配管とを有し、
前記吸着溝の面積と大気圧との積が、前記圧力供給領域の面積と前記測定用圧力との積より大きいことを特徴とする、半導体圧力センサの特性評価装置。
【請求項２】
前記吸着溝が形成され、前記載置面上に取外し可能に取り付けられる貼り付け治具を有する、請求項１に記載の、半導体圧力センサの特性評価装置。
【請求項３】
前記圧力配管と前記第１の吸着配管は、平坦な前記載置面内に開口部をそれぞれ有している、請求項１または２に記載の、半導体圧力センサの特性評価装置。
【請求項４】
前記圧力供給部の周囲に、前記半導体圧力センサに接して配置されるシール部材をさらに有する、請求項１から３のいずれか１項に記載の、半導体圧力センサの特性評価装置。
【請求項５】
負圧発生源に接続され、前記載置面以外の面に開口部を有し、外部部材に吸着力を及ぼすための第２の吸着配管をさらに有する、請求項１から４のいずれか１項に記載の、半導体圧力センサの特性評価装置。
【請求項６】
前記圧力供給配管から分岐する分岐配管を介して設けられた圧力計をさらに有する、請求項１から５のいずれか１項に記載の、半導体圧力センサの特性評価装置。
【請求項７】
前記圧力供給配管に取り付けられ、前記測定用圧力の供給方向下流側を大気開放可能な大気開放弁をさらに有する、請求項１から６のいずれか１項に記載の、半導体圧力センサの特性評価装置。
【請求項８】
半導体圧力センサを載置面上に載置して、前記半導体圧力センサに測定用圧力を作用させ、その時の前記半導体圧力センサの出力を測定する工程を有する特性評価方法において、
少なくとも前記半導体圧力センサに測定用圧力を作用させる間、前記半導体圧力センサに前記載置面において吸着力を作用させる工程をさらに有し、
前記吸着力を作用させる面の面積と大気圧との積が、前記半導体圧力センサの、前記測定用圧力を作用させる部分の、前記載置面に平行な面への投影面積と前記測定用圧力との積より大きいことを特徴とする、半導体圧力センサの特性評価方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体圧力センサの圧力に対する応答特性を測定するための特性評価装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
被測定圧力によって変位可能なダイヤフラム上に、ダイヤフラムの変位を検出する検出素子が形成され、この検出素子を利用して被測定圧力を測定するための半導体圧力センサは、１チップ化が可能な圧力センサとして公知である。このような半導体圧力センサは、半導体装置に組み込まれて使用されるのが一般的であるが、装置に組み込む前に、単チップの状態で圧力に対する応答特性を評価することが求められる場合があり、そのための装置が特許文献１および２に開示されている。
【０００３】
特許文献１に開示された評価装置では、図１０に示すように、半導体圧力センサチップ３５を、そのダイヤフラム３６に測定用圧力をかけるために固定するのにメカ固定方式を採用している。すなわち、半導体圧力センサチップ３５は、圧力導入口２２が形成されたチップトレイ２１上に載置され、電気測定用のプローブ２３によってチップトレイ２１上に押さえつけられており、それによって、測定用圧力が逃げないように、半導体圧力センサチップ３５とチップトレイ２１の密着部２４がシールされている。
【０００４】
特許文献２に開示された評価装置では、図１１に示すように、圧力差を利用して半導体圧力センサチップ３５を評価装置へ固定している。すなわち、半導体圧力センサチップ３５は、測定用圧力を導入する圧力導入口２７が形成された上側ケース２６と、大気圧を導入する貫通口２９が形成された下側ケース２５を密着させたケース内に、下側ケース２５の底面との間にＯリング２８を挟んで配置されている。圧力導入口２７から圧力を印加するとケース内に配置された半導体圧力センサチップ３５に圧力がかかり、それによって、半導体圧力センサチップ３２はＯリング２８に押し付けられて固定される。
【０００５】
一方、半導体圧力センサの評価装置ではないが、特許文献３には、自動車の機械部品を被検査物とし、それに圧力を作用させる装置として、図１２に示すように、段差形状を有する治具３０を用いることが開示されている。この治具３０には、真空吸着を行うための配管３１が低くなった部分に開口しており、圧力供給を行うための配管３２が高くなった部分に開口している。
【特許文献１】特開平９−２８９２３６号公報
【特許文献２】特開平１０−２０６２６６号公報
【特許文献３】特開平７−２３９２８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、従来の特性評価装置および被検査物に圧力をかけるための装置には以下の問題がある。
【０００７】
まず、特許文献１に記載の評価装置は、半導体圧力センサチップ３５を、プローブ２３によって局所的に力を加えることにより機械的に固定しているため、ダイヤフラム３６に所望の正確な圧力を加えるために必要なシール性を確保するのに困難を伴なう。すなわち、シール性を高めるためには、各構成部品に高い加工精度が要求され、装置が高価格になる。さらに、特にダイヤフラム３６に高い圧力を印加する場合、半導体圧力センサチップ３５にプローブ２７によって局所的に強い力を加える必要があり、半導体圧力センサチップ３５が破壊されてしまう危険性がある。
【０００８】
特許文献２に記載された評価装置は、専用化された自動機械であり、装置が煩雑で利便性を欠くとともに高価格になっている。さらに、大気との圧力差による固定方式を採用しているため、印加される圧力が低い場合、半導体圧力センサチップ３５の固定が弱くなり、Ｏリング２８と半導体圧力センサチップ３５の間から印加圧力がリークし、ダイヤフラム３６に正確な圧力をかけることができない。
【０００９】
特許文献３に記載された装置は、特殊な構造を有する被検査物に限定された装置であり、半導体圧力センサの評価装置への応用は困難である。すなわち、特許文献３に記載された装置をそのまま半導体圧力センサに適用したのでは、例えば、比較的軽量な半導体圧力センサに対して、測定用圧力を加えた際に圧力のリークが生じないように十分な吸着力を作用させるのは困難であるといった問題がある。また、段差形状を有する治具３１は、全体として実質的に平坦な半導体圧力センサには適さない。
【００１０】
そこで、本発明の目的は、簡素な構成でありながら、半導体圧力センサに所望の正確な圧力をかけて、半導体圧力センサの圧力に対する応答特性を測定することが可能な特性評価装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述の目的を達成するため、本発明の特性評価装置は、半導体圧力センサを載置面上に載置して、半導体圧力センサに測定用圧力を作用させ、その時の前記半導体圧力センサの出力を測定するための特性評価装置において、載置面の、半導体圧力センサとの接触領域内に形成されている吸着溝と、前記半導体圧力センサを前記吸着溝上に吸着するために、前記吸着溝に負圧発生源を接続する吸着配管と、前記接触領域に囲まれた圧力供給領域に前記測定用圧力を印加する圧力供給配管とを有し、
前記吸着溝の面積と大気圧との積が、前記圧力供給領域の面積と前記測定用圧力との積より大きいことを特徴とする。
【００１２】
この構成によれば、半導体圧力センサに測定用圧力を作用させた際、それによって半導体圧力センサに加わる力より吸着力を強くすることができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の特性測定評価装置によれば、吸着配管および吸着溝を介して真空を作用させることによって、半導体圧力センサを、それに所望の測定用圧力をかけても確実に保持することができ、したがって、半導体圧力センサに所望の正確な圧力をかけて、半導体圧力センサの圧力に対する応答特性を測定することが可能になる、この際、本発明の特性評価装置は、測定用圧力の供給用、および吸着用の配管系を主要な構成要素としているため、機械的に力を印加する機構や、圧力印加用の容器などを必要とする従来技術に比べて、コンパクトで簡易な構成とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
（第１の実施形態）
図１に、本発明の第１の実施形態の特性評価装置１に半導体圧力センサチップ２を装着した状態の断面図を示す。
【００１５】
本実施形態において、被検査物とする、一例の半導体圧力センサチップ２は、ダイヤフラム構造を有しており、すなわち、半導体シリコンチップの中央部をエッチング等により薄くすることによって形成されたダイヤフラム８を有している。ダイヤフラム８上には、被測定圧力が加わった時のダイヤフラム８の歪みに応答して抵抗値が変化するピエゾ抵抗素子９が形成されている。半導体圧力チップ２には、このピエゾ抵抗素子９の抵抗値変化によって、したがって、被測定圧力に応じて出力が変化する検出回路（不図示）が形成されており、その入出力用のアルミ電極６が形成されている。
【００１６】
本実施形態の特性評価装置１は、圧力供給配管３とチップ吸着配管（第１の吸着配管）４を有しており、これらは、図示していないが、測定用の圧力を供給する圧力供給源、および真空ポンプなどの負圧発生源にそれぞれ接続されている。圧力供給配管３とチップ吸着配管４は、特性評価装置１の、半導体圧力センサチップ２の載置面上にそれぞれ開口部３ａ、４ａを有している。本実施形態では、この載置面は実質的に平坦であり、開口部３ａ，４ａは実質的に同一面内に位置している。この構成は、全体として実質的に平坦な単チップの半導体圧力センサチップ２を載置するのに特に適している。
【００１７】
図２に、特性評価装置１の、半導体圧力センサチップ２の載置面上の配置関係を模式的に示す。同図において、符号１２は、半導体圧力センサチップ２の接触領域を示している。特性評価装置１の、半導体圧力センサチップ２の載置面上には、半導体圧力センサチップ２の接触領域１２内に含まれる平面パターンでチップ吸着溝５が形成されており、チップ吸着配管４の開口部４ａは、このチップ吸着溝５内に位置している。圧力供給配管３の開口部３ａは、半導体圧力センサチップ２の接触領域１２によって囲まれる領域内に位置している。
【００１８】
本実施形態の特性評価装置１による特性評価は、以下のように行われる。
【００１９】
まず、特性評価装置１上の、上述のような配置となる所定の位置に半導体圧力センサチップ２を位置決めセットした後、負圧発生源を作動させ、チップ吸着配管４を介して半導体圧力センサチップ２の裏面を吸着する。続いて、半導体圧力センサチップ２のアルミ電極６に測定用プローブ７を当てる。詳細には示さないが、測定用プローブ７には半導体圧力センサチップ２の電気的な出力特性を測定する装置が接続されている。このようにして特性測定の準備が整った後、圧力供給配管３を通して所望の圧力をダイヤフラム８に当て、ダイヤフラム８に応力がかかった時の出力特性測定を行う。すなわち、このようにして、半導体圧力センサ２の圧力に対する応答特性を測定することができる。
【００２０】
この際、本実施形態では、半導体圧力センサチップ２のダイヤフラム８におよそ１００ｋＰａの圧力を印加して特性評価を行う。一方、チップ吸着溝５による吸着力は、チップ吸着溝５における真空と、外気によって加わる大気圧（約１０１．３ｋＰａ）との差圧によって得られる。また、半導体圧力センサチップ２は小型、軽量なものであり、半導体圧力センサチップ２が重力によって載置面上に押し付けられる力はあまり大きなものではない。そこで、本実施形態では、チップ吸着溝５の面積を、半導体圧力センサチップ２への圧力供給部の面積、すなわち、図２における、半導体圧力センサチップ２の接触領域１２によって囲まれる領域の面積よりも大きくしている。それによって、吸着力が、測定用圧力の導入によって半導体圧力センサチップ２に加わる上向きの力より大きくなるようにすることができ、半導体圧力センサチップ２を確実に固定した状態に保って測定を行うことができる。
【００２１】
上述では、測定用の印加圧力がおよそ１００ｋＰａの場合について説明したが、一般には、
（測定用印加圧力）×（測定用圧力供給部の面積）＜（吸着負圧（〜大気圧；約１０１．３ｋＰａ））×（チップ吸着溝の面積）
の関係式を満たすように、チップ吸着溝５の面積を設定すれば、半導体圧力センサチップ２の確実な固定が保障される。例えば、印加圧力が５００ｋＰａの時は、チップ吸着溝５の面積を圧力供給部の面積の５倍以上にすればよい。したがって、圧力供給部の面積に対するチップ吸着溝５の面積の比を変えれば、印加圧力に関係なく半導体圧力センサチップ２の確実な固定を保障できる。なお、特性評価は、測定用の印加圧力を変化させて実行してもよく、この場合、測定用印加圧力の最大値を上記の式に当てはめてチップ吸着溝５の面積を設定すればよい。
【００２２】
以上説明した本実施形態によれば、圧力供給配管３とチップ吸着配管４を利用して、半導体圧力センサチップ２を吸着固定するとともに半導体圧力センサチップ２のダイヤフラム８に所望の正確な測定用圧力をかけて応答特性を測定することができる。この際、本実施形態の特性評価装置１は、吸着用および測定圧力供給用の配管系を主な構成要素としており、このため、簡易でしかもコンパクトな構成とすることができる。
【００２３】
なお、本実施形態では、単チップの状態の半導体圧力センサチップ２に対して応答特性を測定する例を示したが、本実施形態と同様の装置を、半導体圧力センサチップ２に対して、それを半導体装置に実装した後に応答特性を測定するのに用いることも可能である。
【００２４】
また、大きさの異なる半導体圧力センサチップに対して測定を行う場合のために、特性評価装置１の、半導体圧力センサチップの載置面上に、図３，４に示すような貼り付け治具１３を設けてもよい。図３，４には、上述した半導体圧力センサチップ２よりも小さい半導体圧力センサチップ２ｂに対して測定を行う例を示している。貼り付け治具１３には、比較的小さいこの半導体圧力センサチップ２ｂの底面に合わせて、上面の、半導体圧力センサチップ２ｂの底面への接触領域１６内に開口している開口部１５が設けられている。開口部１５は、貼り付け治具１３の底面側で、チップ吸着溝５に通じている。この際、開口部１５は、貼り付け治具１３を用いた時のチップ吸着溝に相当するものであり、その面積は、特性評価装置１本体のチップ吸着溝５について説明したのと同様に、半導体圧力センサチップ２のダイヤフラム８に測定用圧力を加えた時に、半導体圧力センサチップ２に対して上向きに加わる力以上の吸着力を作用させることが可能な面積に設定されている。また、貼り付け治具１３は、圧力供給配管３からの圧力供給を妨げないように、圧力供給配管３の開口部３ａを露出させる開口部１４も有している。
【００２５】
このような貼り付け治具１３を用いることによって、小さな半導体圧力センサチップ２ｂに対しても、チップ吸着配管４内に外部から空気が入り込まないようにして、半導体圧力センサチップ２ｂをしっかりと吸着し、良好に応答特性の測定を実行することが可能となる。また、比較的大きな半導体圧力センサチップに対しても、同様に、その底面に接触する領域内に、チップ吸着溝５に通じる開口を有する他の貼り付け治具を用いることによって、良好な測定を実行することが可能となる。このように、測定すべき半導体圧力センサチップとして、複数種類の大きさのチップがある場合、各種類のチップに合う貼り付け治具を用意することによって、単一の特性評価装置１を用いて複数種類のチップに対する測定を実行することが可能になる。また、本実施形態の特性評価装置１は、このように大きさの異なる被検査物に対する測定を可能とすることによって、半導体圧力センサチップ以外の他のデバイスに対する、圧力を作用させて実行する必要がある試験に応用することも考えられる。
（第２の実施形態）
以下に本発明の第２の実施形態について図５を参照して説明する。図５は、本実施形態の特性評価装置１をプローブ装置のウエハーチャック１１上に吸着固定したうえに、半導体圧力センサチップ２を装着した状態の断面図である。同図において、第１の実施形態と同様の部分については同一の符号を付しており、詳細な説明は省略する。
【００２６】
本実施形態では、プローブ装置はウエハーチャック１１を有しており、通常のチップの試験時になどには、チップがウエハーチャック１１上に保持される。本実施形態の特性評価装置１は、このウエハーチャック１１上に載せて用いられる。この際、特性評価装置１は、第１の実施形態と同様の、圧力供給配管３、チップ吸着配管４に加えて、チップ吸着配管４と同様に負圧発生源に接続されたステージ吸着配管（第２の吸着配管）１０を有している。ステージ吸着配管１０は、特性評価装置１自体をウエハーチャック１１上に吸着固定するのに用いられ、したがって、特性評価装置１の、ウエハーチャック１１上への載置面に開口部１０ａを有している。
【００２７】
本実施形態の特性評価装置１によって特性評価を行う際には、まず、特性評価装置１をウエハーチャック１１上に置き、ステージ吸着配管１０を介して真空を作用させることによって、特性評価装置１をウエハーチャック１１上に吸着固定する。その後、特性評価装置１上の所定の位置に半導体圧力センサチップ２を位置決めセットし、チップ吸着配管４を介して半導体圧力センサチップ２を吸着固定し、半導体圧力センサチップのアルミ電極６に測定用のプローブ７を当てて応答特性を測定するのは、第１の実施形態と同様である。
【００２８】
本実施形態の特性評価装置１では、半導体圧力センサチップ２を吸着固定するとともに半導体圧力センサチップ２のダイヤフラム８に所望の正確な測定圧力をかけて応答特性を測定することができるのに加えて、プローブ装置のウエハーチャック１１上で安定した状態で測定を行うことができる。この際、本実施形態においても、特性評価装置１は配管系を主な構成要素としているため、簡易でしかもコンパクトな構成とすることができる。さらにウエハーチャック１１上で脱着が可能なため、利便性、作業性にもより優れている。
【００２９】
なお、本実施形態においても、同様の特性評価装置１を、半導体圧力センサチップ２に対して、それを半導体装置に実装した後に応答特性を測定するのに用いることも可能である。また、特性評価装置１を吸着させるのは、プローブ装置のウエハーチャック１１上に限られることはなく、特性評価装置１を吸着固定できる任意のステージ上であってよい。特性評価装置１をプローブ装置のウエハーチャック１１上に吸着させた場合には、このプローブ装置の位置調節機構などを測定に利用することが可能になる。
（第３の実施形態）
以下に、本発明の第３の実施形態について図６，７を参照して説明する。図６は、本実施形態の特性評価装置１をプローブ装置のウエハーチャック１１上に吸着固定したうえに、半導体圧力センサチップ２を装着した状態の断面図、図７は、この特性評価装置１の、半導体圧力センサチップ２の載置面上の配置関係を示す模式図である。これらの図において、第１、第２の実施形態と同様の部分には同一の符号を付しており、詳細な説明は省略する。
【００３０】
本実施形態では、特性評価装置１の、半導体圧力センサチップ２との当接面１２の、チップ吸着溝５より内側の平面領域に全周にわたってシール部材１５が配置されている。シール部材１５は、例えばＯリングであってよい。
【００３１】
本実施形態によれば、圧力供給配管３を介して供給される測定用圧力がリークするのを低減し、測定の信頼性を向上させることができる。
（第４の実施形態）
以下に、本発明の第４の実施形態について図８を参照して説明する。図８は、本実施形態の特性評価装置１をプローブ装置のウエハーチャック１１上に吸着固定したうえに、半導体圧力センサチップ２を装着した状態の断面図である。同図において、第１〜３の実施形態と同様の部分については同一の符号を付しており、詳細な説明は省略する。
【００３２】
本実施形態では、圧力供給配管３は、汎用の圧力供給配管１９から分岐して設けられており、汎用の圧力供給配管１９から分岐した後の位置から分岐した分岐配管１７を介して標準圧力計１８が設けられている。
【００３３】
本実施形態の特性評価装置１による測定では、特性評価装置１をウエハーチャック１１上に置き、特性評価装置１を、ステージ吸着配管１０を介してウエハーチャック１１に吸着固定する。さらに、特性評価装置１の所定の位置に半導体圧力センサチップ２を位置決めセットし、チップ吸着配管４を介して半導体圧力センサチップ２の裏面を吸着固定する。続いて、半導体圧力センサチップ２のアルミ電極６に測定用プローブ７を当てる。これらの操作は、第２の実施形態と同様である。
【００３４】
このようにして特性測定の準備が整った後、圧力供給配管３を通して所望の圧力をダイヤフラム８に当てる。この際、ダイヤフラム８に加わる圧力は、配管の長さ、配管の径などにより損失を受けるため、圧力の送付元で調整された圧力よりも多少小さくなっている。そこで、圧力供給配管３から分岐された分岐配管１７に設けた標準圧力計１８を用いることによって、実際にダイヤフラム８に加わっている正確な圧力を容易に確認することが可能になる。すなわち、本実施形態の構成によれば、半導体圧力センサチップ２に加わっている圧力を正確に把握した上で電気的な出力特性を確認することができ、半導体圧力センサチップ２の圧力に対する応答特性を容易に正確に評価することが可能になる。
【００３５】
なお、本実施形態において、汎用の圧力供給配管１９から分岐された圧力配管３と、この圧力配管３から分岐された分岐配管１７は金属配管にすることが望ましく、それによって、ダイヤフラム８に加わる圧力を標準圧力計１８によって高精度でモニターすることができる。
（第５の実施形態）
以下に本発明の第５の実施形態について図９を参照して説明する。図９は、本実施形態の特性評価装置１をプローブ装置のウエハーチャック１１上に吸着固定したうえに、半導体圧力センサチップ２を装着した状態の断面図である。同図において、第１〜４の実施形態と同様の部分については同一の符号を付しており、詳細な説明は省略する。
【００３６】
本実施形態でも、第４の実施形態と同様に、汎用の圧力供給配管１９から分岐した圧力供給配管３に対して、この圧力供給配管３から分岐した分岐配管１７を介して標準圧力計１８が設けられている。したがって、ダイヤフラム８に実際に加わる圧力を容易に正確に把握することが可能であり、高精度の特性評価を容易に行うことができる。
【００３７】
さらに、本実施形態では、圧力供給配管３の、分岐配管１７より汎用の圧力供給配管１９側の位置に大気開放弁２０が設けられている。この大気開放弁２０を操作することによって、圧力供給配管３内の、大気開放弁２０より下流側を大気開放することができる。
【００３８】
この大気開放弁２０を用いることによって、一度圧力を加えて特性評価を行った後、再度続けて特性評価を行う際、半導体圧力センサチップ２を取り外さなくても、圧力配管３内を大気開放することができ、大気開放した後、標準圧力計１８の指示値の０点調整を行うといった操作を行うことができる。すなわち、本実施形態によれば、続けて特性評価を行う際の作業性を向上させることができ、特性評価装置１の利便性が高まる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の第１の実施形態の特性評価装置の断面図である。
【図２】図１の特性評価装置における、半導体圧力センサチップの載置面の配置関係を示す模式図である。
【図３】図１の変形例の特性評価装置の断面図である。
【図４】図３の特性評価装置における、半導体圧力センサチップの載置面の配置関係を示す模式図である。
【図５】本発明の第２の実施形態の特性評価装置の断面図である。
【図６】本発明の第３の実施形態の特性評価装置の断面図である。
【図７】図６の特性評価装置における、半導体圧力センサチップの載置面の配置関係を示す模式図である。
【図８】本発明の第４の実施形態の特性評価装置の断面図である。
【図９】本発明の第５の実施形態の特性評価装置の断面図である。
【図１０】半導体圧力センサチップをメカ固定する従来例の特性評価装置の断面図である。
【図１１】半導体圧力センサチップを圧力差を利用して固定する従来例の特性評価装置の断面図である。
【図１２】被検査物に圧力を作用させる従来例の装置に用いられる治具を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４０】
１    特性評価装置
２    半導体圧力センサチップ
３    圧力供給配管
４    チップ吸着配管
５    チップ吸着溝
１２，１６    接触領域
【図１】
2006003101.tif 000003
【図２】
2006003101.tif 000004
【図３】
2006003101.tif 000005
【図４】
2006003101.tif 000006
【図５】
2006003101.tif 000007
【図６】
2006003101.tif 000008
【図７】
2006003101.tif 000009
【図８】
2006003101.tif 000010
【図９】
2006003101.tif 000011
【図１０】
2006003101.tif 000012
【図１１】
2006003101.tif 000013
【図１２】
2006003101.tif 000014