(57)【要約】【課題】ゲート電極と電子放出源との距離が設計値に近い値に維持されるため均一な電子放出特性を得ることができ，過露光による電子放出源とゲート電極とのショート現象を防止できる電子放出源，その製造方法及びそれを採用した電子放出素子を提供する。【解決手段】カーボン系物質及びＵＶ遮断性物質を含む電子放出源と，それを採用した電子放出素子。該電子放出源形成用の組成物はＵＶ遮断物質を含有していて，電子放出源チップの尖鋭度を制御しやすい。該電子放出源形成用の組成物を利用すれば電子放出源形成工程の余裕度が高くなり，該組成物から形成された電子放出源は，ゲート電極と電子放出源との間の距離が設計値ほど一定に維持されて均一な電子放出特性を表し，過露光によるゲート電極とのショート現象などの問題点を未然に予防できる。また，該電子放出源を利用すれば，信頼性が向上した電子放出素子を得ることができる。【選択図】図２
2006318918.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カーボン系物質と，
ＵＶ遮断性物質と，
を含むことを特徴とする，電子放出源。
【請求項２】
前記ＵＶ遮断性物質の含有量は，カーボン系物質１質量部を基準として０．１〜５０質量部であることを特徴とする，請求項１に記載の電子放出源。
【請求項３】
前記ＵＶ遮断性物質は，バナジウム，クロム，マンガン，銅，バナジウム，クロム，マンガン及び銅の酸化物，酸化チタン，酸化亜鉛，並びにカーボンブラックからなる群から選択された一つ以上の物質であることを特徴とする，請求項１又は２に記載の電子放出源。
【請求項４】
カーボン系物質と，樹脂成分及び溶媒成分からなるビヒクルと，ＵＶ遮断性物質とを含む電子放出源形成用の組成物を提供する工程と，
前記電子放出源形成用の組成物を基板に印刷する工程と，
前記印刷された電子放出源形成用の組成物を焼成する工程と，
を含むことを特徴とする，電子放出源の製造方法。
【請求項５】
前記電子放出源形成用の組成物は，フリット，感光性樹脂，光開始剤及びフィラーからなる群から選択された一つ以上をさらに含み，
前記電子放出源形成用の組成物の印刷工程を，前記電子放出源形成用の組成物を塗布した後に電子放出源形成領域に沿って露光及び現像させることによって行うことを特徴とする，請求項４に記載の電子放出源の製造方法。
【請求項６】
前記焼成工程を３５０℃〜５００℃の温度で行うことを特徴とする，請求項４又は５に記載の電子放出源の製造方法。
【請求項７】
互いに対向して配置された第１基板及び第２基板と，
前記第１基板上に形成されたカソード電極と，
前記第１基板上に形成されたカソード電極と電気的に接続されるように形成された請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子放出源と，
前記第２基板上に形成されたアノード電極と，
前記電子放出源から放出された電子によって発光する蛍光体層と，
を備えることを特徴とする，電子放出素子。
【請求項８】
カーボン系物質と，樹脂成分及び溶媒成分からなるビヒクルと，ＵＶ遮断性物質と，を含むことを特徴とする，電子放出源形成用の組成物。
【請求項９】
前記ＵＶ遮断性物質の含有量は，カーボン系物質１質量部を基準として０．１〜５０質量部であることを特徴とする，請求項８に記載の電子放出源形成用の組成物。
【請求項１０】
前記ＵＶ遮断性物質は，バナジウム，クロム，マンガン，銅，バナジウム，クロム，マンガン及び銅の酸化物，酸化チタン，酸化亜鉛，並びにカーボンブラックからなる群から選択された一つ以上の物質であることを特徴とする，請求項８に記載の電子放出源形成用の組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，電子放出源とその製造方法，電子放出素子及び電子放出源形成用の組成物に係り，より詳細には，目的とする膜尖鋭度（ｓｈａｒｐｎｅｓｓ）を持つ電子放出源とその製造方法，電子放出素子及び電子放出源形成用の組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子放出素子は，アノード電極とカソード電極との間に電圧を印加して電界を形成することによって，カソード電極上に形成された電子放出源から電子を放出させ，この電子をアノード電極の下面に配置された蛍光物質に衝突させて発光させるディスプレイ装置に用いられる。
【０００３】
電子伝導性に優れたカーボンナノチューブ（Ｃａｒｂｏｎ  Ｎａｎｏ  Ｔｕｂｅ：ＣＮＴ）を含むカーボン系物質は，伝導性及び電界集中効果に優れており，仕事関数が小さく電界放出特性に優れるため低電圧駆動が容易であり，大面積化が可能であるので，電子放出素子の理想的な電子放出源として期待されている。
【０００４】
ＣＮＴを含む電子放出源の製造方法としては，例えば，化学気相蒸着法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ法）などを利用するＣＮＴ成長法，ＣＮＴを含む電子放出源形成用の組成物を利用するペースト法などがある。
【０００５】
前記ペースト法を利用すれば製造コストが低く，大面積に電子放出源の形成が可能である。ＣＮＴを含む電子放出源形成用の組成物は，例えば，特許文献１に記載されている。
【０００６】
従来のＣＮＴのようなカーボン系物質を含む電子放出源を製造する過程において，電子放出源形成用の組成物を電極上に塗布した後，露光工程を経るが，このような露光工程中に，図１に示すように，透明電極１０の上部に形成された電子放出源１１のＡ領域は過露光されて設計値より膜のサイズが大きくなるという問題点が発生する。なお，図１で矢印はＵＶ照射方向を表す。
【０００７】
前記した問題点を解決するために，工程条件を調節，すなわち，露光や現像などを制御することにより所望の大きさのチップ尖鋭度を持つ電子放出源を得る方法が提案されている。
【０００８】
【特許文献１】米国特許第６，４３６，２２１号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし，工程条件を調節して目的とするチップ尖鋭度を持つ電子放出源を得るには限界があるという問題があった。
【００１０】
そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたものであり，その目的は，ゲート電極と電子放出源との距離が設計値に近い値に維持されるため均一な電子放出特性を得ることができ，過露光による電子放出源とゲート電極とのショート現象を防止できる電子放出源形成用の組成物と，それを利用した電子放出源及びその製造方法と，前記電子放出源を採用して信頼性が向上した電子放出素子とを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために，本発明の第１の観点によれば，カーボン系物質と，ＵＶ遮断性物質と，を含む電子放出源が提供される。
【００１２】
また，上記課題を解決するために，本発明の第２の観点によれば，カーボン系物質と樹脂成分及び溶媒成分からなるビヒクルとＵＶ遮断性物質とを含む電子放出源形成用の組成物を提供する工程と，提供された電子放出源形成用の組成物を基板に印刷する工程と，印刷された電子放出源形成用の組成物を焼成する工程と，を含む電子放出源の製造方法が提供される。
【００１３】
また，上記課題を解決するために，本発明の第３の観点によれば，互いに対向して配置された第１基板及び第２基板と，第１基板上に形成されたカソード電極と，第１基板上に形成されたカソード電極と電気的に接続されるように形成された上記電子放出源と，第２基板上に形成されたアノード電極と，電子放出源から放出された電子によって発光する蛍光体層と，を備えることを特徴とする電子放出素子が提供される。
【００１４】
また，上記課題を解決するために，本発明の第４の観点によれば，カーボン系物質と，樹脂成分及び溶媒成分からなるビヒクルと，ＵＶ遮断性物質と，を含む電子放出源形成用の組成物が提供される。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の電子放出源形成用の組成物はＵＶ遮断物質を含有しているため，電子放出源チップの尖鋭度を制御しやすい。かかる電子放出源形成用の組成物を利用すれば，電子放出源形成工程の余裕度が高くなり，前記の組成物から形成された電子放出源は，ゲート電極と電子放出源との距離が設計値に近い値に維持されるため均一な電子放出特性を表し，過露光によるゲート電極とのショート現象などの問題点を未然に予防できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１７】
本発明の電子放出源形成用の組成物は，カーボン系物質と，樹脂成分及び溶媒成分からなるビヒクルと，ＵＶ（紫外線）遮断性物質と，を含む。ここで，ＵＶ遮断性物質は，ＵＶを選択的に吸収するか，または遮断する機能を行う物質をいずれも示し，ほとんど黒色系統である。前記ＵＶ遮断性物質の例として，バナジウム（Ｖ），クロム（Ｃｒ），マンガン（Ｍｎ），銅（Ｃｕ），これらの酸化物，酸化チタン（ＴｉＯ２），酸化亜鉛（ＺｎＯ），カーボンブラックからなる群から選択された一つ以上の物質を使用することができる。
【００１８】
前記ＵＶ遮断性物質の含有量は，カーボン系物質１質量部を基準として０．１〜５０質量部であることが望ましい。もし，ＵＶ遮断性物質の含有量が０．１質量部未満であればＵＶ制御効果がなく，５０質量部を超過すればＵＶを過度に吸収して露光効率が急激に落ちてチップが形成されないために望ましくない。
【００１９】
前記組成物には，カーボン系物質１質量部を基準として０．２５〜５０質量部のフリットがさらに付加されていてもよい。前記フリットの非制限的な例として，酸化ホウ素−酸化ビスマス−酸化スズ−五酸化燐（Ｂ２Ｏ３−Ｂｉ２Ｏ３−ＳｎＯ−Ｐ２Ｏ５）などがある。
【００２０】
本発明では，フォトリソグラフィ法を利用して電子放出源チップを形成する時，設計値に近いチップを形成するために，すなわち，チップ尖鋭度を制御するために電子放出源形成用の組成物に一定量のＵＶ遮断性物質を付加して使用する。その結果，このような電子放出源形成用の組成物を基板に印刷した後に露光すれば，図２に示すように，設計値に近く透明電極２０の上部に形成された電子放出源２１を形成できる。そして，露光工程時に工程の余裕度が高くなり，過露光によってゲート電極とのショート現象を防止できるだけでなく，ゲート電極と電子放出源チップとの間の距離が設計値に近い値に維持されるため均一な電子放出特性を得ることができる。
【００２１】
本発明で使われるカーボン系物質は，伝導性及び電子放出特性に優れて，電子放出素子の作動時にアノード部の蛍光層に電子を放出させて蛍光体を励起する役割を行う。このようなカーボン系物質の非制限的な例としては，ＣＮＴ（カーボンナノチューブ），グラファイト，ダイアモンド，フラーレン，炭化ケイ素などが使われ，その中でもＣＮＴが最も望ましい。
【００２２】
本発明の電子放出源形成用の組成物に含まれるビヒクルは，電子放出源形成用の組成物の印刷性及び粘度を調節する役割を行う。前記ビヒクルは，樹脂成分及び溶媒成分からなりうる。前記樹脂成分は，例えば，エチルセルロース，ニトロセルロースのようなセルロース系樹脂と，ポリエステルアクリレート，エポキシアクリレート及びウレタンアクリレートのようなアクリル系樹脂と，ポリビニルアセテート，ポリビニルブチラル，ポリビニルエーテルのようなビニル系樹脂のうち少なくとも一つを含むことができるが，これに制限されるものではない。前述したような前記樹脂成分のうち一部は感光性樹脂の役割を同時に行える。
【００２３】
前記溶媒成分は，例えば，テルピネオール，ブチルカルビトール（ＢｕｔｙｌＣａｒｂｉｔｏｌ：ＢＣ），ブチルカルビトールアセテート（Ｂｕｔｙｌ  Ｃａｒｂｉｔｏｌ  Ａｃｅｔａｔｅ：ＢＣＡ），トルエン及びテキサノールのうち少なくとも一つを含むことができる。このうち，テルピネオールを含むことが望ましい。
【００２４】
前記樹脂成分の含有量は，カーボン系物質１質量部を基準として１〜２０質量部，さらに望ましくは，２〜１０質量部である。また，前記溶媒成分の含有量は，カーボン系物質１質量部を基準として５〜６０質量部，望ましくは，１０〜４０質量部である。ここで，前記樹脂成分及び溶媒成分からなるビヒクルの含有量が前記範囲を超える場合（上限値を超過する場合及び下限値未満の場合）には，電子放出源形成用の組成物の印刷性及びフロー性が低下するという問題点が生じる。特に，ビヒクルの含有量が前記範囲を超過する場合には，乾燥時間が長過ぎるという問題点がある。
【００２５】
また，本発明の電子放出源形成用の組成物は，必要に応じて，感光性樹脂，光開始剤，フィラーのうち選択された一つ以上をさらに含むことができる。
【００２６】
電子放出源形成用の組成物のうち前記感光性樹脂は，電子放出源のパターニングに使われる物質である。前記感光性樹脂の非制限的な例には，アクリレート系モノマー，ベンゾフェノン系モノマー，アセトフェノン系モノマー，またはチオキサントン系モノマーなどがあり，より具体的には，エポキシアクリレート，ポリエステルアクリレート，２，４−ジエチルオキサントン，または２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノンなどを使用できる。前記感光性樹脂の含有量は，カーボン系物質１質量部を基準に２〜２０質量部，望ましくは，５〜１５質量部である。感光性樹脂の含有量が２質量部未満である場合には露光感度が落ち，２０質量部を超過する場合には十分に現像されないために望ましくない。
【００２７】
前記光開始剤は，前記感光性樹脂が露光される時に感光性樹脂の架橋結合を開始する役割を行う。前記光開始剤の非制限的な例には，ベンゾフェノンなどがある。前記光開始剤の含有量は，カーボン系物質１質量部を基準として０．２〜４質量部，望ましくは，１〜３質量部である。光開始剤の含有量が０．２質量部未満である場合には，効率的な架橋結合がなされずにパターン形成に問題が生じ，４質量部を超過すれば，製造コストアップの原因になる恐れがあるためである。
【００２８】
前記フィラーは，基板と十分に接着できないナノサイズの無機物の伝導性をさらに向上させる役割を行う物質であって，その非制限的な例には，Ａｇ，Ａｌなどがある。
【００２９】
以下，前述した電子放出源形成用の組成物を利用して電子放出源を製造する方法を説明する。
【００３０】
まず，電子放出源形成用の組成物を前述したような成分及び含有量で製造する。前記電子放出源形成用の組成物に関する詳細な説明は，上述したのと同様であるので省略する。
【００３１】
この後，前記提供された電子放出源形成用の組成物を基板に印刷する。前記「基板」とは，電子放出源が形成される基板であって，形成しようとする電子放出素子によって異なり，これは当業者ならば容易に認識できるものである。例えば，前記「基板」とは，カソードとアノードとの間にゲート電極が備わった形態の電子放出素子を製造する場合にはカソードになり，カソードの下部にゲート電極が備わった形態の電子放出素子を製造する場合には，カソードとゲート電極とを絶縁させる絶縁層になることができる。
【００３２】
電子放出源形成用の組成物を印刷するステップは，感光性樹脂を含む場合と感光性樹脂を含まない場合とによって異なる。まず，電子放出源形成用の組成物が感光性樹脂を含む場合には，別途のフォトレジストパターンが不要である。すなわち，基板上に感光性樹脂を含む電子放出源形成用の組成物を塗布した後，これを所望の電子放出源形成領域によって露光及び現像する。
【００３３】
一方，電子放出源形成用の組成物が感光性樹脂を含まない場合には，別途のフォトレジストパターンを利用したフォトリソグラフィ工程が必要である。すなわち，フォトレジスト膜を利用してフォトレジストパターンをまず形成した後，前記フォトレジストパターンを利用して電子放出源形成用の組成物を印刷により供給する。
【００３４】
前述したように印刷された電子放出源形成用の組成物は，酸素のない不活性ガス雰囲気下で焼成段階を経る。このような焼成ステップを通じて，電子放出源形成用の組成物のうちカーボン系物質は基板との接着力が向上でき，ビヒクルは揮発，除去され，他の無機バインダーなどが溶融及び固形化されて電子放出源の耐久性向上に寄与できる。
【００３５】
前記焼成温度は，電子放出源形成用の組成物に含まれたビヒクルの揮発温度及び時間を考慮して決定されねばならない。通常の焼成温度は，３５０〜５００℃，望ましくは４５０℃である。焼成温度が３５０℃未満ならば，ビヒクルなどの揮発が十分になされないという問題点が発生し，焼成温度が５００℃を超過すれば，製造コストアップして，基板が損傷しうるという問題点が発生するためである。
【００３６】
このように焼成された焼成結果物は，必要に応じて活性化ステップを経てもよい。前記活性化ステップの一具現例によれば，熱処理工程を通じてフィルム形態に硬化できる溶液，例えば，ポリイミド系高分子を含む電子放出源の表面処理剤を前記焼成結果物上に塗布した後，これを熱処理した後，前記熱処理で形成されたフィルムを剥離する。活性化ステップの他の具現例によれば，所定の駆動源で駆動されるローラ表面に接着力を持つ接着部を形成し，前記焼成結果物の表面に所定の圧力で加圧することによって活性化工程を行ってもよい。このような活性化ステップを通じてナノサイズを有する無機物は，電子放出源の表面に露出されるか，垂直配向されるように制御される。
【００３７】
前記製造過程によって得られた本発明の電子放出源は，カーボン系物質とＵＶ遮断性物質とを含む。場合によってはフリットをさらに含むことができる。フリットの含有量はカーボン系物質１質量部を基準として０．２５〜１０質量部であることが望ましい。もし，フリットの含有量が０．２５質量部未満であれば，電子放出源の付着性が低下し，１０質量部を超過すれば，電子放出特性が低下するために望ましくない。
【００３８】
このような本発明の電子放出源は，５Ｖ／μｍで１００〜２０００μＡ／ｃｍ２の電流密度，さらに望ましくは，５００〜１５００μＡ／ｃｍ２の電流密度を持つ。このような電流密度を持つ本発明の電子放出源は，ディスプレイ素子またはバックライトユニットとして使われる電子放出素子に好適である。
【００３９】
前述したような本発明の電子放出源を備える電子放出素子の一具現例は，図１を参照する。
【００４０】
図３は，本発明による多様な電子放出素子のうちでも３極管構造の電子放出素子の例を概略的に示すものである。図３に示す電子放出素子２００は，上板２０１及び下板２０２を備え，前記上板２０１は，上面基板１９０，前記上面基板１９０の下面１９０ａに配置されたアノード電極１８０，前記アノード電極１８０の下面１８０ａに配置された蛍光体層１７０を備える。
【００４１】
前記下板２０２は，内部空間を持つように所定の間隔をおいて前記上面基板１９０と対向して平行に配置される下面基板１１０，前記下面基板１１０上にストライプ状に配置されたカソード電極１２０，前記カソード電極１２０と交差してストライプ状に配置されたゲート電極１４０，前記ゲート電極１４０と前記カソード電極１２０との間に配置された絶縁体層１３０，前記絶縁体層１３０と前記ゲート電極１４０の一部に形成された電子放出源ホール１６９，前記電子放出源ホール１６９内に配置されて前記カソード電極１２０と通電されて，前記ゲート電極１４０より低く配置される電子放出源１６０を備える。前記電子放出源１６０についての詳細な説明は前記と同様であるので省略する。
【００４２】
前記上板２０１と下板２０２とは大気圧より低い圧力の真空に維持され，前記真空により発生する前記上板２０１と下板２０２との圧力を支持し，発光空間２１０を区画するようにスペーサ１９２が前記上板２０１と下板２０２との間に配置される。
【００４３】
前記アノード電極１８０は，前記電子放出源１６０から放出された電子の加速に必要な高電圧を印加して，前記電子を前記蛍光体層１７０に高速で衝突させる。前記蛍光体層１７０の蛍光体は，前記電子により励起されて高エネルギーレベルから低エネルギーレベルに落ちつつ可視光などを放出する。
【００４４】
前記ゲート電極１４０は，前記電子放出源１６０から電子を容易に放出させる機能を担当し，前記絶縁体層１３０は前記電子放出源ホール１６９を区画し，前記電子放出源１６０と前記ゲート電極１４０とを絶縁する機能を担当する。
【００４５】
本発明の電子放出素子は，図３に示すような３極管構造の電子放出素子を例として説明したが，本発明は，３極管構造だけでなく，２極管をはじめとする他の構造の電子放出素子も含む。それだけでなく，ゲート電極がカソード電極の下部に配置される電子放出素子，放電現象によって発生すると推定されるアークによるゲート電極及び／またはカソード電極の損傷を防止し，電子放出源から放出される電子の集束を保証するためのグリッド／メッシュを備える電子放出素子にも使われうる。一方，前記電子放出素子の構造をディスプレイ装置に応用することももちろん可能である。
【実施例】
【００４６】
以下，本発明を下記実施例を例として説明するが，本発明が下記実施例のみに限定されるものではない。
【００４７】
＜製造例１＞
テルピネオール４０ｇにＣＮＴ（ＭＷＮＴ，韓国の日進ナノテク社製）粉末１ｇ，ＵＶ遮断性物質であるカーボンブラック５ｇ，ポリエステルアクリレート１０ｇ，ベンゾフェノン５ｇ，エチルセルロース４ｇ，フリット１０ｇ，金属フィラー２５ｇを添加した後，攪拌して電子放出源形成用の組成物を製造した。
【００４８】
＜製造例２＞
ＵＶ遮断性物質としてカーボンブラック５ｇの代わりにＴｉＯ２  ５ｇが使用したことを除いては，製造例１と同じ方法によって実施して電子放出源形成用の組成物を製造した。
【００４９】
＜製造例３＞
ＵＶ遮断性物質としてカーボンブラック５ｇの代わりにＣｒ２Ｏ３  ５ｇが使用したことを除いては，製造例１と同じ方法によって実施して電子放出源組成物を準備した。
【００５０】
＜比較製造例１＞
テルピネオール１０ｇにＣＮＴ（ＭＷＮＴ，韓国の日進ナノテク社製）粉末１ｇ，ポリエステルアクリレート５ｇ，ベンゾフェノン５ｇを添加した後に攪拌して電子放出源形成用の組成物を製造した。
【００５１】
＜実施例１＞
前記製造例１によって得た電子放出源形成用の組成物を，Ｃｒゲート電極，絶縁膜及びＩＴＯ電極が備わった基板上の電子放出源形成領域に印刷した後，パターンマスクを利用して２０００ｍＪ／ｃｍ２の露光エネルギーで平行露光器を利用して照射した。露光後にアセトンを利用して現像し，４５０℃の温度及び窒素ガス存在下で焼成して電子放出源を形成した。
【００５２】
その後，蛍光膜とアノード電極としてＩＴＯを採用した基板とを，前記電子放出源が形成された基板と配向して配置し，両基板間には基板間のセルギャップを維持するスペーサを形成して電子放出素子を完成した。
【００５３】
＜実施例２及び３＞
前記製造例１によって得た電子放出源形成用の組成物の代わりに，製造例２及び３によって得た電子放出源組成物を使用したことを除いては，実施例１と同様に実施して電子放出素子を完成した。
【００５４】
＜比較例１＞
前記製造例１によって得た電子放出源組成物の代わりに前記比較製造例１によって得た電子放出源組成物をそれぞれ使用したことを除いては，実施例１と同じ方法によって実施して電子放出素子を完成した。
【００５５】
前記実施例１〜３及び比較例１によって製作された電子放出素子の電流密度を，パルスパワーソース及び電流計を利用して測定した。
【００５６】
測定結果，実施例１〜３の電子放出素子は，比較例１の場合と比較して電流密度特性が改善されて電子放出特性が向上するということが分かった。
【００５７】
前記実施例１及び比較例１によって製作された電子放出源の膜パターン状態を走査型電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｏｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＳＥＭ）を利用して調べ，その結果を図４及び図５にそれぞれ示した。
【００５８】
図４は，実施例１の電子放出源の膜パターンを示すものであり，図５は，比較例１の電子放出源の膜パターンを示すものである。これを参照すれば，実施例１によって形成された電子放出源は，比較例１の場合と比較して改善された尖鋭度を持つ膜パターンを持つということが分かった。
【００５９】
また，実施例２及び３によって形成された電子放出源は，比較例１の場合と比較して改善された尖鋭度を持つ膜パターンを持つということが分かった。
【００６０】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明はかかる例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
本発明の電子放出源を利用すれば，信頼性が向上した電子放出素子を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】従来技術によって形成された電子放出源の膜パターンを説明するための図面である。
【図２】本発明によって形成された電子放出源の膜パターンを説明するための図面である。
【図３】本発明の電子放出素子の一実施例を概略的に示す断面図である。
【図４】本発明の実施例１の電子放出源の膜パターンを示すＳＥＭ写真である。
【図５】比較例１の電子放出源の膜パターンを示すＳＥＭ写真である。
【符号の説明】
【００６３】
１１０      下面基板
１２０      カソード電極
１３０      絶縁体層
１４０      ゲート電極
１６０      電子放出源
１７０      蛍光体層
１８０      アノード電極
１９０      上面基板
【図１】
2006318918.tif 000003
【図２】
2006318918.tif 000004
【図３】
2006318918.tif 000005
【図４】
2006318918.tif 000006
【図５】
2006318918.tif 000007