(57)【要約】【課題】表示動作において黒挿入駆動を行ったときに不純物イオンに起因して発生する表示むらを抑制する。【解決手段】  ＯＣＢモードの液晶表示パネルＬＣＤは一対の電極基板１，２と、一対の電極基板１，２間に挟持され液晶分子の配向状態が表示領域においてこれら電極基板１，２から印加される駆動電圧により制御される液晶層ＬＱと、液晶層ＬＱに隣接して一対の電極基板１，２に配置されラビング方向が互いに平行な一対の配向膜とを備える。表示領域において液晶層ＬＱに含まれる不純物イオン濃度は表示領域の外側において液晶層ＬＱに含まれる不純物イオン濃度よりも低く設定されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電極基板、一対の電極基板間に挟持され液晶分子の配向状態が表示領域においてこれら電極基板から印加される駆動電圧により制御される液晶層、この液晶層に隣接して一対の電極基板に配置されラビング方向が互いに平行な一対の配向膜を表示パネルとして一体的に形成するステップと、液晶分子の配向状態がベンド配向からスプレイ配向へ逆転移するのを防止する黒挿入駆動用の黒挿入率とは独立に設定される黒挿入率で周期的に変化する駆動電圧を液晶層に印加してラビング方向に沿った液晶分子のフローを発生させる動作を所定期間に渡って継続させることにより液晶層に含まれる不純物イオンを表示領域の外側に移動させるエージング処理を行うステップとを備えることを特徴とするＯＣＢモードの液晶表示パネルの製造方法。
【請求項２】
前記エージング処理用の駆動電圧は各フレーム期間において交互に印加される略黒表示電圧および略白表示電圧であることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記エージング処理用の黒挿入率は黒挿入駆動用の黒挿入率を越える値であることを特徴とする請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記エージング処理用の黒挿入率は５０％以上であることを特徴とする請求項３に記載の製造方法。
【請求項５】
前記エージング処理用の黒挿入率は５０％〜８０％であることを特徴とする請求項４に記載の製造方法。
【請求項６】
前記エージング処理用の黒表示電圧は前記黒挿入駆動用の黒表示電圧よりも大きく設定されることを特徴とする請求項２に記載の製造方法。
【請求項７】
前記エージング処理の処理温度は常温よりも高く設定されることを特徴とする請求項２に記載の製造方法。
【請求項８】
前記所定期間は１〜１２時間の範囲に設定されることを特徴とする請求項２に記載の製造方法。
【請求項９】
前記所定期間は３〜５時間の範囲に設定されることを特徴とする請求項８に記載の製造方法。
【請求項１０】
一対の電極基板と、前記一対の電極基板間に挟持され液晶分子の配向状態が表示領域においてこれら電極基板から印加される駆動電圧により制御される液晶層と、  前記液晶層に隣接して前記一対の電極基板に配置されラビング方向が互いに平行な一対の配向膜とを備え、前記表示領域において前記液晶層に含まれる不純物イオン濃度が前記表示領域の外側において前記液晶層に含まれる不純物イオン濃度よりも低く設定されていることを特徴とするＯＣＢモードの液晶表示パネル。
【請求項１１】
さらに前記ラビング方向の終端側で表示領域に隣接した外部領域に配置され白表示電圧が常時印加されるダミー電極を備えることを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＯＣＢ（optically compensated bend）モードの液晶表示パネルおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示パネルは、パソコン、カーナビ、モニターおよびＴＶ等の画面表示用として広く用いられている。これらの液晶表示に使用する液晶表示モードとしては、ネマティック液晶を利用したＴＮモード、ＳＴＮモードが多く使用されている。さらに、応答速度が早く視野角が広い、強誘電体液晶などを用いた液晶表示モードも知られているが、耐ショック性、温度特性などについて改善を要する。これらに対して、高速応答性に優れ視野角が広いモードとして、ツイスト配向の代わりに、液晶分子をパラレル配向させた光学補償型すなわちＯＣＢモードが、映像機器用として注目され、活発に開発が行われている。
【０００３】
一般に、アクティブマトリクス型液晶表示パネルはアレイ基板および対向基板間に液晶層を挟持した構造である。アレイ基板は、例えば略マトリクス状に配置される複数の画素電極、複数の画素電極の行に沿って配置される複数の走査電極、複数の画素電極の列に沿って配置される複数のデータ信号電極、複数の走査電極および複数のデータ信号電極の交差位置近傍に配置される複数のスイッチング素子を有する。各スイッチング素子は例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）からなり、１走査電極が駆動されたときに導通して１データ信号電極の電位を１画素電極に印加する。対向基板には、対向電極がアレイ基板に配置された複数の画素電極に対向して設けられる。一対の画素電極および対向電極は液晶層の画素領域と一緒に画素を構成し、画素電極および対向電極間に保持される駆動電圧に対応した電界によって画素領域内の液晶分子配列を制御する。
【０００４】
ＯＣＢモードの液晶表示パネルでは、電源投入以前において液晶分子がスプレイ配向になる。このスプレイ配向は液晶分子がほとんど寝ている状態であり、画素電極および対向電極上で互いに平行にラビングされた配向膜によって得られる。この液晶表示パネルの表示動作は、電源投入に伴って転移電圧を液晶層に印加してこの転移電圧に対応した比較的強い電界により液晶分子の配向状態をスプレイ配向からベンド配向に転移させる初期化処理後に行われる。液晶分子の配向状態は表示動作中ベンド配向に維持され、ＯＣＢモード特有の高速応答性に優れ、視野角が広い表示を実現する。
【０００５】
また、液晶分子の配向状態は、スプレイ配向のエネルギーとベンド配向のエネルギーとが拮抗するレベル以下の電圧印加状態や電圧無印加状態が長期間続く場合に再びベンド配向からスプレイ配向に逆転移してしまう。ＯＣＢモードの液晶表示パネルでは、この逆転移を防止するために黒挿入駆動の方式がとられている。黒挿入駆動では、逆転移防止電圧および映像信号に対応した表示電圧がフレーム周期で交互に駆動電圧として液晶層に印加され、ベンド配向を維持する。ＯＣＢモードの液晶表示パネルはノーマリホワイトモードの表示パネルであり、逆転移防止電圧が黒表示電圧に相当するため、黒挿入駆動と呼ばれる。また、表示電圧および逆転移防止電圧の合計印加期間に対する逆転移防止電圧の印加期間の割合が黒挿入率と呼ばれる。
【０００６】
液晶表示パネルの製造では、図５Ａに示すアレイ基板１および対向基板２を別々に形成した後、ラビング処理がアレイ基板１側の配向膜および対向基板２側の配向膜に対して行われ、さらにアレイ基板１および対向基板２がシール樹脂層３を介して貼り合わされる。シール樹脂層３は注入口４を残して液晶注入空間を取り囲むように塗布され、注入口４はドライバ用回路素子が配置されるアレイ基板１の第１辺に対向する第２辺の近傍に設けられる。各配向膜のラビング処理はドライバ用回路素子を静電破壊しないように第２辺から第１辺に向かう同一方向において行われる。図５Ａにおいて、ＲＤ１はアレイ基板１側の配向膜のラビング方向を表し、ＲＤ２は対向基板２側の配向膜のラビング方向を表す。液晶材料は注入口４から液晶注入空間に液晶層ＬＱとして充填され、さらに注入口４が封止材５により封止される。
【０００７】
上述の製造工程では、不純物イオンが液晶層ＬＱに混入することは避けられない。具体的には、封止材５が最も多く不純物イオンを液晶層ＬＱに放出する。この不純物イオンは液晶の絶縁抵抗を低下させて電圧保持率の低下による表示特性の劣化をもたらすことになる。また、駆動電圧の印加時に不純物イオンが液晶層内で移動し、不純物イオンの分布が不均一になると、表示むら等の表示不良が発生する。そのような不純物イオン分布の不均一化を防止するために、例えば基板上にイオントラップ電極を設けて高電位パルスを一方向に並ぶ複数の電極に順次印加する技術が提案されている（特許文献１参照）。しかし、この技術をＯＣＢモードの液晶表示パネルで生じる問題を解消するために適用することは難しい。
【特許文献１】特開平９−５４３２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ＯＣＢモードの液晶表示パネルでは、液晶分子が表示動作のために液晶層ＬＱ内でベンド配向される。液晶層ＬＱに低い電圧が印加された白表示状態と、液晶層ＬＱに高い電圧が印加された黒表示状態の間では、液晶分子のオリエンテーション角が大きく変化する。オリエンテーション角の変化は液晶分子の変位を伴うので、液晶層ＬＱ内でこの変位の方向に液晶分子の流れが発生する。この流れの方向は、ＯＣＢモードの液晶表示パネルで液晶分子の配向させる配向膜のラビング方向と一致する。不純物イオンが図５Ａに示されるラビング方向ＲＤ１、ＲＤ２に移動すると、注入口４付近における濃度の高い不純物イオンＤＦが、図５Ｂに示すように液晶層ＬＱ中に拡散し、さらに黒挿入駆動を継続した結果として、部分的な電荷保持力の低下による表示むらが発生する。これは、例えば図５Ｃに示す評価パターンの画像を黒挿入駆動をしながら表示させる動作を継続的に行い、この後全体が黒であるパターンの画像を表示させることにより検証できる。この場合、全体が黒にならずに、図５Ｄに示すようなグレーの筋が部分的な焼きつきとして観察される。不純物イオンは黒挿入駆動を行う間に図５Ｃに示す白表示領域から黒表示領域に流れ込んで濃縮される。グレーの筋は濃縮された不純物イオンによる電荷保持力の低下、すなわち印加電圧の損失によって発生する。
【０００９】
ＯＣＢモードの液晶表示パネルで生じる焼きつきの問題を上述の文献のように高電位パルスを印加するだけで解消することは困難である。
【００１０】
本発明は、表示動作において黒挿入駆動を行ったときに不純物イオンに起因して発生する表示むらを抑制できるＯＣＢモードの液晶表示パネルおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明によれば、一対の電極基板、一対の電極基板間に挟持され液晶分子の配向状態が表示領域の内側でこれら電極基板から印加される駆動電圧により制御される液晶層、この液晶層に隣接して一対の電極基板に配置されラビング方向が互いに平行な一対の配向膜を表示パネルとして一体的に形成するステップと、液晶分子の配向状態がベンド配向からスプレイ配向へ逆転移するのを防止する黒挿入駆動用の黒挿入率とは独立に設定される黒挿入率で周期的に変化する駆動電圧を液晶層に印加してラビング方向に沿った液晶分子のフローを発生させる動作を所定期間に渡って継続させることにより液晶層に含まれる不純物イオンを表示領域の外側に移動させるエージング処理を行うステップとを備えるＯＣＢモードの液晶表示パネルの製造方法が提供される。
【００１２】
また、本発明によれば、一対の電極基板と、一対の電極基板間に挟持され液晶分子の配向状態が表示領域の内側でこれら電極基板から印加される駆動電圧により制御される液晶層と、この液晶層に隣接して一対の電極基板に配置されラビング方向が互いに平行な一対の配向膜とを備え、表示領域内に位置する液晶層に含まれる不純物イオン濃度が表示領域外に位置する液晶層に含まれる不純物イオン濃度よりも低く設定されているＯＣＢモードの液晶表示パネルが提供される。
【発明の効果】
【００１３】
これらＯＣＢモードの液晶表示パネルおよびその製造方法では、製造過程のエージング処理の結果として表示領域内に位置する液晶層に含まれる不純物イオン濃度が表示領域外に位置する液晶層に含まれる不純物イオン濃度よりも低く設定されることで、表示動作において黒挿入駆動を行ったときに表示領域内において濃縮される不純物イオンを低減し、この濃縮不純物イオンに起因した表示むらを抑制することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の一実施形態に係るＯＣＢモードの液晶表示パネルＬＣＤについて図面を参照して説明する。図１は液晶表示パネルＬＣＤの平面構造を示し、図２は液晶表示パネルＬＣＤの回路構造を示し、図３Ａ〜図３Ｃは液晶表示パネルＬＣＤの断面構造を示す。図１に示すように、液晶表示パネルＬＣＤはアレイ基板1、対向基板２、およびこれら基板１，２間に保持される液晶層ＬＱを備える。アレイ基板１および対向基板２は一対の電極基板であり、これら基板１，２間の間隙において注入口４を残して液晶注入空間を取り囲むように塗布したシール樹脂層３を介して貼り合わされている。液晶層ＬＱは例えばネマティック液晶材料を注入口４から液晶注入空間に充填し、注入口４を封止材５により封止することにより得られる。
【００１５】
液晶表示パネルＬＣＤでは、表示画面が図２に示す複数の画素１１により構成される。アレイ基板１は表示画面に対応した表示領域１０内においてマトリクス状に配置される複数の画素電極２３、これら画素電極２３の行に沿って配置される複数の走査電極１２、およびこれら画素電極２３の列に沿って配置される複数のデータ信号電極１３、複数の走査電極１２および複数のデータ信号電極１３の交差位置近傍にスイッチング素子として配置される複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１７、一端において複数の画素電極２３にそれぞれ接続される補助容量２０、複数の走査電極１２に接続される走査回路１４および複数のデータ信号電極１３に接続されるデータ信号回路１５を備える。各走査電極１２は対応行の薄膜トランジスタ１７のゲートに接続され、各データ信号電極１３は対応列の薄膜トランジスタ１７のドレインに接続される。各画素電極２３は対応薄膜トランジスタ１７のソースに接続される。複数の補助容量２０は他端において共通配線１６に接続される。ここでは、各薄膜トランジスタ１７がｎチャネルＭＯＳトランジスタとして形成されている。対向基板２は複数の画素電極２３に対向する対向電極２７を備える。各画素１１は画素電極２３、対向電極２７、およびこれら電極２３，２７間に配置された液晶層ＬＱの一部を含み、画素電極２３および対向電極２７間の電位差に対応した駆動電圧を保持する液晶容量を構成する。補助容量２０はこの駆動電圧を安定に保持するために液晶容量に対して並列的に設けられている。
【００１６】
走査回路１４は図１および図２に示す走査方向７に沿って複数の走査電極１２に順次１水平走査期間ずつ走査信号を出力し、データ信号回路１５は各走査電極１２が走査信号により駆動される間において１行分の映像信号を画素電圧に変換してこれら画素電圧を複数のデータ信号電極１３に出力する。これら画素電圧は走査信号によって導通した１行分の薄膜トランジスタ１７を介して対応行の画素電極２３に印加される。この画素電圧は対向電極２７に設定されるコモン電圧を基準として画素電極２３に印加される電圧であり、例えば１フレーム期間および１水平走査期間毎にコモン電圧に対して極性反転される。各画素１１の透過率は画素電極２３および対向電極２７間の駆動電圧に対応して制御される。
【００１７】
図３Ａに示すように、アレイ基板１では、画素電極２３がガラス基板等の透明絶縁基板２２上に形成され、配向膜２４により覆われる。対向基板２では、対向電極２７がガラス基板等の透明絶縁基板２５を覆うカラーフィルタ層２６上に形成され、配向膜２８により覆われる。アレイ基板２および対向基板２は配向膜２４，２８が液晶層ＬＱに隣接するようにして貼り合わされている。液晶表示パネルＬＣＤはさらに一対の光学補償用位相差板３０、一対の偏光板３１、および光源用のバックライト３２を備える。一対の位相差板３０は液晶層ＬＱとは反対側において透明絶縁基板２２，２５に貼り付けられ、一対の偏光板３１はこれら一対の位相差板３０に貼り付けられる。光源用のバックライト３２はアレイ基板１側の偏光板３１に隣接して配置される。
【００１８】
この液晶表示パネルＬＣＤでは、配向膜２４と配向膜２８が互いに平行な方向にラビング処理される。図１において、ＲＤ１は配向膜２４のラビング方向を表し、ＲＤ２は配向膜２８のラビング方向を表す。これにより、液晶層ＬＱの液晶分子は初期状態として図３Ａに示すようにスプレイ配向する。この初期状態で、配向膜２４、２８表面付近の液晶層２９の液晶分子は、配向膜２４、２８の表面に対して高いプレチルト角（５°〜１２°）を持つ。
【００１９】
上述のラビング処理は例えば図４に示すように行われる。このラビング処理では、他の液晶表示モードの場合と同様に、配向膜材料が配向膜２４、２８として塗布されたアレイ基板１および対向基板２が用意される。アレイ基板１および対向基板２の各々は、長辺がラビングローラ３３の軸に平行する向きでステージに搭載され、このステージと一緒にラビングローラ３３を横切って矢印Ｘの向きに移動する。ラビングローラ３３には、ラビング布３４が巻き付けられている。ラビング布３４は配向膜２８に接触した状態でラビングローラ３３と共に回転する。これにより、アレイ基板１および対向基板２の各々はラビングローラ３３の回転方向、すなわちラビングローラ３３の回転軸に対して直交する矢印Ｙの向きにラビングされる。
【００２０】
この液晶表示パネルＬＣＤでは、走査回路１４およびデータ信号回路１５が電源投入に伴って全ての画素１１に表示電圧とは異なる転移電圧を駆動電圧として印加し、液晶分子の配向状態をスプレイ配向から図３Ｂおよび図３Ｃに示すベンド配向に転移させる初期化を行うように構成されている。図３Ｂは白表示電圧の印加時に得られるベンド配向を示し、図３Ｃは黒表示電圧の印加時に得られるベンド配向を示す。黒挿入駆動を採用する場合の白表示電圧はゼロまたはゼロに近い小さな値であり、バックライト３２光を高い透過率で透過する高輝度状態に画素１１を設定する。また、黒挿入駆動を採用しない場合の白表示電圧は、ベンド配向している液晶分子がスプレイ配向に戻ることのない範囲の低電圧（例えば１乃至２ボルト前後）に設定される。一方黒表示電圧は白表示電圧よりも大きな値であり、バックライト３２光を低い透過率で透過する低輝度状態に画素１１を設定する。各画素１１の輝度は画像を表示するためにこれら白表示の輝度および黒表示の輝度の範囲で変化する。
【００２１】
走査回路１４およびデータ信号回路１５はさらに液晶分子の配向状態がベンド配向からスプレイ配向へ逆転移することを防止するために初期化後の表示動作において例えば１フレーム期間毎に所定の黒挿入率で黒表示電圧に相当する逆転移防止電圧を走査方向７において行単位で順次全画素１１（液晶層ＬＱ）に印加する黒挿入駆動を行うように構成されている。
【００２２】
液晶表示パネルＬＣＤの製造では、上述のようなアレイ基板１、対向基板２、液晶層ＬＱ、一対の配向膜２４，２８等を表示パネルとして一体的に形成する形成処理を行った後、白表示電圧および黒表示電圧を各フレーム期間において交互に液晶層ＬＱに印加してラビング方向に沿った液晶分子のフローを発生させる動作を所定期間に渡って継続させる
ことによりラビング方向に沿って液晶層ＬＱに含まれる不純物イオンを表示領域１０の外側に移動させるエージング処理が行われる。エージング処理用の黒表示電圧および黒挿入率は液晶分子の配向状態がベンド配向からスプレイ配向に逆転移することを防止する黒挿入駆動用の黒表示電圧および黒挿入率とは独立に設定される。このエージング処理の結果、表示領域１０内に位置する液晶層ＬＱに含まれる不純物イオン濃度は表示領域１０外に位置する液晶層ＬＱに含まれる不純物イオン濃度の１／２から１／５程度の低い値に設定される。
【００２３】
図１に示すように、ラビング方向ＲＤ１，ＲＤ２が表示パネルＬＣＤの画面最上部から最下部へ向かう走査方向７に一致する場合、不純物イオンのドリフトが白表示電圧および黒表示電圧に対応した周期的な駆動電圧の変化によって各行の画素１１ついて下向きに発生し、さらに順次走査される後続行の画素１１でも発生する。これにより、不純物イオンが矢印８の向きに連続的に表示領域１０の下端まで移動し、全体として効率的に表示領域１０の外側に排出される。従って、このエージング処理を行うことにより、液晶表示パネルに画像を表示する際に表示領域１０内において黒挿入駆動のために不均一に濃縮される不純物イオンのに起因する表示むらを緩和できる。
【００２４】
尚、上述のようにラビング方向ＲＤ１，ＲＤ２と走査方向７とを上述のように一致させると、エージング処理における不純物イオンの移動を効果的に行うことが可能である。両者が互いに逆でなくても、エージング処理条件を適切に設定することにより、確実な不純物イオンの排出が可能である。例えば、エージング処理用の黒表示電圧は黒挿入駆動用の黒表示電圧（＝５Ｖ）よりも若干大きい６Ｖに設定されている。このようにエージング処理電圧を、例えば５乃至６ボルトの設定とすることで大きなエージング処理効果を得ることができる。
【００２５】
また、エージング処理用の黒挿入率、すなわち白表示電圧および黒表示電圧の合計印加期間（１フレーム期間）に対する黒表示電圧の印加期間の割合を大きくすると、不純物イオンの排出効率が向上した。しかし、エージング処理には５０〜８０％という黒挿入率の最適値が存在する。本実施形態では、７０％の黒挿入率をエージング処理において採用して、良好な結果が得られた。
【００２６】
エージング処理温度は高いほど効果的に不純物イオンを排出できる。本実施形態では、エージング処理温度が常温よりも高い６０℃に設定され、良好な結果が得られた。しかしながら、処理温度がＮＩ温度を超えると、良好な結果を得ることができない。また、偏光板３１はエージング処理温度を高くすることによってダメージを受けるため、７０℃がエージング処理温度の上限である。不純物イオンの排出効果は４０℃以上のエージング処理温度で得られることを確認した。
【００２７】
エージング処理時間は長いほど効果的に不純物イオンを排出できる。不純物イオンの排出効果はエージング処理を１時間以上に設定することにより得られるが、１２時間を越えて設定すると飽和する。従って、エージング処理時間は１時間〜１２時間の範囲に設定されることが適切である。ただし、不純物イオンの排出効果とエージング処理時間との関係を生産効率の観点で考慮すると、エージング処理時間を３時間〜５時間の範囲に設定することか妥当である。本実施形態では、エージング処理時間が３時間に設定され、良好な結果が得られた。
【００２８】
さらに、ラビング方向の終端側に位置する表示領域１０の一辺に上側または下側で隣接する外部領域にダミー電極を設け、このダミー電極に白表示電圧を常時印加することにより、表示領域１０の終端部から実質的に離れた位置まで不純物イオンを移送する効果を得ることができる。
【００２９】
尚、本発明の課題の説明では、白と黒の境界に線焼き付きとして現れる表示むらの解消について述べたが、これに限らず、本発明を適用して同様の効果を得ることができる。例えば、ある場合には、熱拡散の効果により、黒領域に２ｍｍ程度侵入した箇所に表示むらが発生する場合がある。また、上述の例では、ラビング方向への流れ（フロー）について述べたが、逆方向へのフローでも不純物イオンがドリフトする例もあった。すなわち、イオンの移動度の違いによって、どちらのフローでドリフトするのかが決まる。いずれの場合であっても、上述のエージング処理により不純物イオンを排出すれば、表示むらを抑制することが可能である。
【００３０】
尚、上述の実施形態では、走査回路１４およびデータ信号回路１５が液晶表示パネルＬＣＤのアレイ基板１に配置される複数の薄膜トランジスタを用いて構成されるが、これらは液晶表示パネルＬＣＤの外部に配置される集積回路（ＩＣ）に置き換えられてもよい。
【００３１】
また、本発明は黒挿入駆動をしないＯＣＢモードの液晶表示パネルに適用してもよい。
【００３２】
この場合には、エージング処理で用いられる白表示電圧としてゼロ（Ｖ）にすると、ベンド配向からスプレイ配向に逆転移し易くなるため、この逆転移を防ぐために１〜２ボルト程度の低電圧に設定することが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の一実施形態に係るＯＣＢモードの液晶表示パネルの平面構造を示す図である。
【図２】図１に示すＯＣＢモードの液晶表示パネルの回路構造を示す図である。
【図３Ａ】図１に示すＯＣＢモードの液晶表示パネルの断面構造および液晶分子配向を示す図である。
【図３Ｂ】図１に示すＯＣＢモードの液晶表示パネルの断面構造および液晶分子配向を示す図である。
【図３Ｃ】図１に示すＯＣＢモードの液晶表示パネルの断面構造および液晶分子配向を示す図である。
【図４】図３Ａ〜図３Ｃに示す配向膜に対するラビング処理を示す図である。
【図５Ａ】ＯＣＢモードの液晶表示パネルにおいて発生する問題について説明するための平面図である。
【図５Ｂ】ＯＣＢモードの液晶表示パネルにおいて発生する問題について説明するための平面図である。
【図５Ｃ】ＯＣＢモードの液晶表示パネルにおいて発生する問題について説明するための平面図である。
【図５Ｄ】ＯＣＢモードの液晶表示パネルにおいて発生する問題について説明するための平面図である。
【符号の説明】
【００３４】
１…アレイ基板、２…対向基板、３…シール樹脂層、４…注入口、５…封止材、ＲＤ１，ＲＤ２…ラビング方向、７…走査方向、１０…表示領域、１１…画素、１２…走査電極、１３…データ信号電極、１４…走査回路、１５…データ信号回路、１６…共通配線、１７…薄膜トランジスタ、２３…画素電極、２４，２８…配向膜、２６…カラーフィルタ層、２７…対向電極、ＬＱ…液晶層、ＬＣＤ…液晶表示パネル。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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