(57)【要約】【課題】  ＣＯＧ実装により形成される有機ＥＬ表示装置に対して、短時間で効率的にエージング処理を施す。【解決手段】  陽極１の層と陰極２の層とを電気的に絶縁するための絶縁膜１２の層の下層であって、陰極引き回し配線１１と有機ＥＬ素子７との間の部位において、陰極接続配線６を形成する。陰極接続配線６は、陰極引き回し配線１１に接触しない。従って、陰極接続配線６は、いずれの陰極引き回し配線１１に阻止されることなく有機ＥＬ表示装置の周囲部にまで延びることができる。その結果、有機ＥＬ表示装置の外部で、陰極接続配線６を介して全ての陰極引き回し配線１１を電気的に接続することができる。【選択図】  図４
2006003757.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極配線と有機ＥＬ層と陰極配線とを備える有機ＥＬ表示素子が形成され、陽極配線および陰極配線を駆動する駆動回路が搭載された矩形状の構造体であり、前記駆動回路の陰極駆動端子に接続される陰極引き回し配線が有機ＥＬ表示素子における対向する第１の辺と第２の辺のそれぞれに接続され、前記駆動回路の陽極駆動端子に接続される陽極引き回し配線が有機ＥＬ表示素子における第３の辺に接続された構造体が複数配置された有機ＥＬ表示装置用基板であって、
陰極配線にエージング用信号を供給するための陰極エージング用共通配線が、前記複数の構造体のそれぞれの第１の辺の近傍を通過するように設けられ、
前記陰極引き回し配線と前記陰極エージング用共通配線とを接続する陰極エージング用接続配線が、前記陽極配線と前記陰極配線とを電気的に絶縁するための絶縁膜の層の下層に形成されている
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置用基板。
【請求項２】
それぞれの構造体において、陰極エージング用接続配線は、陰極配線と絶縁膜を介して交差し、陰極引き回し配線を前記陰極配線に接続する接続部と有機ＥＬ素子における発光領域との間の部位に形成されている
請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置用基板。
【請求項３】
それぞれの構造体において、陰極エージング用接続配線は、陰極配線に接合される金属配線と、金属配線とエージング用共通配線との間に形成された抵抗体とを含む
請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置用基板。
【請求項４】
陽極配線と有機ＥＬ層と陰極配線とを備える有機ＥＬ表示素子が形成され、陽極配線および陰極配線を駆動する駆動回路が搭載され、前記駆動回路の陰極駆動端子に接続される陰極引き回し配線が有機ＥＬ表示素子における対向する第１の辺と第２の辺のそれぞれに接続され、前記駆動回路の陽極駆動端子に接続される陽極引き回し配線が有機ＥＬ表示素子における第３の辺に接続された矩形状の有機ＥＬ表示装置であって、
前記陰極引き回し配線と有機ＥＬ表示装置外から信号を供給するための陰極エージング用共通配線とを接続する陰極エージング用接続配線が、前記陽極配線と前記陰極配線とを電気的に絶縁するための絶縁膜の層の下層に形成されている
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
陰極エージング用接続配線は、陰極配線と絶縁膜を介して交差し、陰極引き回し配線を前記陰極配線に接続する接続部と有機ＥＬ素子における発光領域との間の部位に形成されている
請求項４に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
駆動回路は、ワンチップのＬＳＩに集積されている
請求項４または５に記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、効率的なエージング処理を行うことができる有機ＥＬ表示装置用基板および有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置は、対向して設けられた陽極と陰極との間に配置された有機ＥＬ層に電流が供給されると自発光する電流駆動型の表示装置である。有機ＥＬ表示装置は半導体発光ダイオードに似た特性を有しているので有機ＬＥＤと呼ばれることもある。
【０００３】
有機ＥＬ表示素子は、ガラス基板上に陽極に接続されるかまたは陽極そのものを形成する複数の陽極配線が平行して配置され、陽極配線と直交する方向に、陰極に接続されるかまたは陰極そのものを形成する複数の陰極配線が平行して配置され、両電極間に有機ＥＬ層が挟持された構造を有する。陽極配線と陰極配線とがマトリクス状に配置された有機ＥＬ表示素子において、陽極配線と陰極配線との交点が画素となる。すなわち、画素がマトリクス状に配置されている。一般に、陰極配線は金属で形成され、陽極配線はＩＴＯ（インジウム・錫・酸化物）などの透明導電膜で形成される。
【０００４】
陽極配線と陰極配線とがマトリクス状に配置された有機ＥＬ表示素子を単純マトリクス駆動法によって駆動する場合、陽極配線と陰極配線とのうちのいずれか一方を走査電極とし、他方をデータ電極とする。そして、定電圧回路を備えた走査電極駆動回路を走査電極に接続し、走査電極を定電圧駆動する。データ電極には、出力段に定電流回路が備えられたデータ電極駆動回路を接続する。そして、選択状態にある走査電極に対応する行の表示データに応じた電流を、走査に同期して各データ電極に供給する。
【０００５】
有機ＥＬ表示素子を用いた有機ＥＬ表示装置を定電流で駆動していると、時間が経つにしたがって輝度が低下していく。初期輝度が高いほど輝度低下の割合は大きく、例えば、初期輝度が倍になれば、輝度が半減するまでの時間はおおよそ半分程度になる。さらに、発光していた時間が長い画素ほど暗くなるので、画素によって輝度が異なるという現象を引き起こす。この現象を「焼き付き」と呼ぶ。隣接している画素であれば３〜５％程度の輝度差があれば、輝度差があることが視認されてしまう。
【０００６】
通電によって、有機ＥＬ表示装置の輝度は、初期に大きく低下し、その後は緩やかに低下することが多い。輝度がそのように低下する場合には、有機ＥＬ表示装置をしばらく駆動して輝度低下したものを新たに初期状態とすると、その後の低下の仕方が緩やかになる。有機ＥＬ表示装置が実際の使用に供される前（実稼働の前）に、有機ＥＬ表示装置をしばらく駆動して輝度低下させる処理をエージング処理（以下、寿命エージング処理という。）と呼ぶ。
【０００７】
寿命エージング処理において、有機ＥＬ表示装置の陽極配線同士をリード線で短絡して電圧印加装置に接続し、かつ、陰極配線同士をリード線で短絡して電圧印加装置に接続する方法がある（例えば、特許文献１参照。）。そして、電圧印加装置から、所定期間、陽極配線同士を接続するリード線と陰極配線同士を接続するリード電極との間に電圧パルスを印加する。
【０００８】
また、有機ＥＬ表示装置の製造時に、陽極と陰極との間に配されている有機ＥＬ層にごみ等の異物が混入したり、陽極に突起が生じて突起が有機ＥＬ層に侵入したりすることがある。そして、有機ＥＬ表示装置の実稼働中に、異物等に電荷が集中し局所的に熱が発生すると、有機ＥＬ層における有機物の分解が進む。すると、ついには有機物が陰極とともに裂け、陽極と陰極との短絡（層間短絡）が生ずる。短絡が生ずると、実稼働中に、特定の画素が発光しなくなる現象が生ずる。
【０００９】
実稼働中にそのような現象が発生することを避けるために、あらかじめ、異物が混入している欠陥部を電気的な開放状態である絶縁状態にしたり酸化により不導体化したりするエージング処理（以下、短絡エージング処理という。）が行われる（例えば、特許文献２参照。）。短絡エージング処理は、陽極と陰極との間に、所定時間パルス状の直流電圧を印加することによって実行される。
【００１０】
【特許文献１】特開平６−２０７７２号公報（段落０００３，０００６、図８）
【特許文献２】特開２００３−２８２２５３号公報（段落０００４−０００７）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
有機ＥＬ表示素子を用いた有機ＥＬ表示装置を作製する場合、一般に、１枚の大きなガラス基板上に複数の有機ＥＬ表示素子を形成する。一般的な製造工程は、図７の工程図に示すように、１枚のガラス基板上に配線群および有機ＥＬ層を形成する有機ＥＬ素子形成工程と、有機ＥＬ層を水分などから守るために有機ＥＬ表示素子ごとにガラスなどの対向基板によって外気から隔離する封止工程と、ガラス基板を切断して複数の有機ＥＬ表示素子に分離する切断工程と、反射防止のために円偏光板などの光学フィルムを貼り付ける光学フィルム貼付工程と、駆動回路などの周辺回路を実装して有機ＥＬ表示装置を得る実装工程とを順に実行することによって成り立っている。
【００１２】
短絡エージング処理および寿命エージング処理を効率的に実行するために、切断工程よりも前にそれらのエージング処理が実施されることが好ましい。切断工程よりも前にエージング処理を実施するために、多数の有機ＥＬ表示素子が形成されるガラス基板上に、エージング処理用の電圧を印加するための配線であって有機ＥＬ表示装置外に設置される電圧印加装置に接続可能な配線を形成し、多数の有機ＥＬ表示素子の陽極配線と有機ＥＬ表示素子の陰極配線との間に一括して電圧を印加する方法を提案した（特願２００２−３１０１９６）。そのような配線による陽極配線の接続状態および陰極配線の接続状態は、切断工程において、配線が分断されることによって解消される。その方法によれば、多数の有機ＥＬ表示素子に対して短時間で効率的にエージング処理を施すことができる。
【００１３】
しかし、有機ＥＬ表示装置には、同一基板上に有機ＥＬ表示素子と駆動回路とが実装されるＣＯＧ（チップ・オン・グラス）実装によって作製されるものがあるが、ＣＯＧ実装による有機ＥＬ表示装置に対して、既に提案した方法を適用することが難しい場合がある。
【００１４】
図８はＣＯＧ実装による有機ＥＬ表示装置２００を模式的に示す平面図である。以下、陽極電極を、単に陽極といい、陰極電極を単に陰極という。駆動回路としてのドライバＩＣ８の裏面における左右両辺の近傍に、陰極を駆動する信号を出力するための接続用パッド（図示せず）が設けられている。また、ドライバＩＣ８の裏面における上辺の近傍に、陽極を駆動するための信号を出力するための接続用パッド（図示せず）が設けられている。すなわち、ドライバＩＣ８は表面実装型のＩＣである。
【００１５】
図８に示すように、配線（以下、陽極引き回し配線という。）１０がドライバＩＣ８の上辺から有機ＥＬ表示素子７に延び、配線（以下、陰極引き回し配線という。）１１がドライバＩＣ８の左右両辺から有機ＥＬ表示素子７に延びている場合には、既に提案した方法を適用することは難しい。全ての陰極引き回し配線１１を有機ＥＬ表示装置２００の外部において電気的に接続するためのそれぞれの経路（それぞれの陰極引き回し配線１１からの配線）を、ガラス基板上において確保することが難しいからである。
【００１６】
なお、図８に示す配置において、駆動回路としてのドライバＩＣ８の裏面における左右両辺の近傍に所定の間隔を置いて陰極引き回し配線１１の本数に応じた個数の接続用パッド（図示せず）が設けられている。それらの間隔（隙間）を利用して、それぞれの陰極引き回し配線１１から有機ＥＬ表示装置２００の外部に延びる配線を、他の陰極引き回し配線１１と接触することなく形成することは可能である。しかし、陰極２の本数が多い場合など隙間が狭くなると、そのような配線を形成することが難しくなる。
【００１７】
従って、ＣＯＧ実装による有機ＥＬ表示装置については、切断工程の後にエージング処理を実施せざるを得ない。そのために、エージング処理のために駆動しなければならない有機ＥＬ表示装置の数が多くなる。特に、２インチ角などの小型の有機ＥＬ表示装置を得る場合には、１枚のガラス基板から数１０枚の有機ＥＬ表示装置が分離される。その結果、多数の有機ＥＬ表示装置をエージング処理しなければならない。また、電源装置に接続するための多数のリード線を設置しなければならない。従って、エージング処理のために大きな労力がかかる。
【００１８】
また、ＣＯＧ実装による有機ＥＬ表示装置では、実装されているドライバＩＣからエージング処理のための電圧を供給することになる。しかし、ドライバＩＣの出力可能電圧には限界がある。よって、特に、短絡エージング処理を実施する場合に、欠陥部を不導体化する等の現象を十分に出し尽くせないおそれがある。
【００１９】
本発明は、上記のような課題を解決するための発明であって、ＣＯＧ実装により形成される場合でも、短時間で効率的にエージング処理を施すことが可能になって、エージング処理に要する労力を低減することができる有機ＥＬ表示装置用基板および有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明の態様１は、陽極配線と有機ＥＬ層と陰極配線とを備える有機ＥＬ表示素子が形成され、陽極配線および陰極配線を駆動する駆動回路が搭載された矩形状の構造体であり、駆動回路の陰極駆動端子に接続される陰極引き回し配線が有機ＥＬ表示素子における対向する第１の辺と第２の辺のそれぞれに接続され、駆動回路の陽極駆動端子に接続される陽極引き回し配線が有機ＥＬ表示素子における第３の辺に接続された構造体が複数配置された有機ＥＬ表示装置用基板であって、陰極配線にエージング用信号を供給するための陰極エージング用共通配線が、複数の構造体のそれぞれの第１の辺の近傍を通過するように設けられ、陰極引き回し配線と陰極エージング用共通配線とを接続する陰極エージング用接続配線が、陽極配線と陰極配線とを電気的に絶縁するための絶縁膜の層の下層に形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置用基板を提供する。
【００２１】
態様２は、態様１において、それぞれの構造体で、陰極エージング用接続配線が、陰極配線と絶縁膜を介して交差し、陰極引き回し配線を陰極配線に接続する接続部と有機ＥＬ素子における発光領域との間の部位に形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置用基板を提供する。
【００２２】
態様３は、態様１または２において、それぞれの構造体で、陰極エージング用接続配線が、陰極配線に接合される金属配線と、金属配線とエージング用共通配線との間に形成された抵抗体とを含むことを特徴とする有機ＥＬ表示装置用基板を提供する。
【００２３】
態様４は、陽極配線と有機ＥＬ層と陰極配線とを備える有機ＥＬ表示素子が形成され、陽極配線および陰極配線を駆動する駆動回路が搭載され、駆動回路の陰極駆動端子に接続される陰極引き回し配線が有機ＥＬ表示素子における対向する第１の辺と第２の辺のそれぞれに接続され、駆動回路の陽極駆動端子に接続される陽極引き回し配線が有機ＥＬ表示素子における第３の辺に接続された矩形状の有機ＥＬ表示装置であって、陰極引き回し配線と有機ＥＬ表示装置外から信号を供給するための陰極エージング用共通配線とを接続する陰極エージング用接続配線が、陽極配線と陰極配線とを電気的に絶縁するための絶縁膜の層の下層に形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置を提供する。
【００２４】
態様５は、態様４において、陰極エージング用接続配線が、陰極配線と絶縁膜を介して交差し、陰極引き回し配線を陰極配線に接続する接続部と有機ＥＬ素子における発光領域との間の部位に形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置を提供する。
【００２５】
態様６は、態様４または５において、駆動回路がワンチップのＬＳＩに集積されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置を提供する。
【発明の効果】
【００２６】
本発明は、有機ＥＬ表示装置がＣＯＧ実装により形成される場合に、短時間で効率的に短絡エージング処理および寿命エージング処理を施すことが可能になって、エージング処理に要する労力を低減することができる有機ＥＬ表示装置用基板および有機ＥＬ表示装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。図１は、本発明の有機ＥＬ表示装置１００を示す平面図である。なお、本実施の形態では、陽極をデータ電極とし、陰極を走査電極とするが、陰極をデータ電極とし、陽極を走査電極としてもよい。
【００２８】
図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１００には、有機ＥＬ表示素子７と１チップＬＳＩであるドライバＩＣ８とが実装されている。ドライバＩＣ８には、陰極２を駆動する走査電極駆動回路と、陽極１を駆動するデータ電極駆動回路とが内蔵されている。ドライバＩＣ８のデータ出力端子（陽極駆動端子）と各陽極１とは陽極引き回し配線１０で接続されている。ドライバＩＣ８の走査出力端子（陰極駆動端子）と各陰極２とは陰極引き回し配線１１で接続されている。また、ドライバＩＣ８には、有機ＥＬ表示装置１００の外から、有機ＥＬ表示装置１００の下辺（四辺のうち図１において下側に図示されている辺）の近傍に形成されている入力信号線９によって、表示データに応じた信号や電力が供給される。なお、図１では、陰極２の長さは、誇張して記載されている。
【００２９】
なお、図１において、陽極、陰極、陰極引き回し配線および陽極引き回し配線について、多数存在するうちの２つにのみ符号が付されている。
【００３０】
有機ＥＬ表示装置１００における各陽極１は、エージング接続用配線としての陽極接続配線５によって、有機ＥＬ表示装置１００の上辺（四辺のうち入力信号線９の端部が存在する辺と反対側の辺）を介して、エージング処理時に各陽極１に電圧を印加するための陽極エージング用共通配線に接続される。有機ＥＬ表示素子１００における各陰極２は、エージング接続用配線としての陰極接続配線６によって、有機ＥＬ表示装置１００の上辺を介して、エージング処理時に各陰極２に電圧を印加するための陰極エージング用共通配線に接続される。
【００３１】
また、図１に示すように、それぞれの陰極接続配線６は、陰極２に直接接続されるのではなく、陰極引き回し配線１１に接続されている。すなわち、陰極接続配線６は、陰極引き回し配線１１を介して陰極２に電気的に接続される。
【００３２】
本実施の形態では、ＩＴＯ、有機薄膜、金属などを積層して有機ＥＬ表示装置１００を形成するときに、陽極１となるＩＴＯの層と陰極２となる金属の層とを電気的に絶縁するための絶縁膜の層の下層であって、陰極引き回し配線１１を陰極２に接続する部分であるコンタクトホール（接続部）と、有機ＥＬ素子７との間の部位において、陰極接続配線６を形成する。陰極接続配線６が形成される部位を、陰極接続配線領域１５と呼ぶ。陰極接続配線領域１５の幅は、数１００μｍ、例えば８００μｍである。幅が８００μｍである場合には、陰極接続配線領域１５において、それぞれの陰極接続配線６の間隙を１０μｍとして幅１０μｍの陰極接続配線６を４０本形成することができる。
【００３３】
図１において、一点鎖線で示す陰極接続配線領域１５の内部で、上下方向に延びる破線が陰極接続配線６を示す。図１には示されていないが、陰極引き回し配線１１の端部は、陰極２の下層に潜り込み、陰極２の下面において陰極２と接合されている。そして、陰極接続配線６は、陰極引き回し配線１１が設けられている層と同層において形成され、陰極引き回し配線１１に接続されている。
【００３４】
有機ＥＬ表示装置を作製するときに、１枚のガラス基板上に複数の有機ＥＬ表示装置が形成される。図２は、ガラス基板（図示せず）上に形成されている２つの有機ＥＬ表示装置１００，１０１を示す平面図である。図２において、破線で囲まれている領域が、矩形状の有機ＥＬ表示装置１００または有機ＥＬ表示装置１０１を示す。ガラス基板上において、左端に陽極エージング用共通配線３としての配線パターンが複数の有機ＥＬ表示装置１００，１０１を通過するように形成され、右端に陰極エージング用共通配線４として配線パターンが複数の有機ＥＬ表示装置１００，１０１を通過するように形成される。なお、有機ＥＬ表示装置１００の構造と有機ＥＬ表示装置１０１の構造は同じであるから、図２において、有機ＥＬ表示装置１０１のみに符号を付す。また、後で説明するように、図１に示す陰極接続配線６は、陰極２に接続される金属配線と、金属配線に接続されるＩＴＯによる抵抗体とを含む。そこで、図２では、図１に示す陰極接続配線６に相当するものを、金属配線６１と陰極エージング用接続抵抗２２として示す。なお、切断される前のガラス基板上に形成されているそれぞれの有機ＥＬ表示装置は、陽極配線と有機ＥＬ層と陰極配線とを備える有機ＥＬ表示素子が形成された構造体に相当し、多数の構造体の集まりが有機ＥＬ表示装置用基板に相当する。ただし、以下の説明では、切断される前の状態でも、構造体を有機ＥＬ表示装置１００，１０１と表現することにする。
【００３５】
図２には、ガラス基板上に形成されている２つの有機ＥＬ表示装置１００，１０１が示されているが、実際には、ガラス基板上には、マトリクス状に、多数の有機ＥＬ表示装置が互いに接するように形成されている。それぞれの有機ＥＬ表示装置の構造は、図２に示す有機ＥＬ表示装置１００，１０１の構造と同じである。
【００３６】
図２に示すように、有機ＥＬ表示装置１０１の陽極１に接続されている陽極接続配線５は、有機ＥＬ表示装置１０１の上辺を介して有機ＥＬ表示装置１００にまで配線され、陽極エージング用引出線２３によって、有機ＥＬ表示装置１００において陽極エージング用共通配線３に一括して電気的に接続される。
【００３７】
有機ＥＬ表示素子１０１の陰極２電気的に接続されている陰極接続配線６は、有機ＥＬ表示装置１０１の上辺を介して、有機ＥＬ表示装置１００にまで配線され、有機ＥＬ表示装置１００において、陰極エージング用引出線２４に接続される。なお、図２では、陰極接続配線６は、金属配線６１と陰極エージング用接続抵抗２２として示されている。
【００３８】
陰極エージング用引出線２４は、有機ＥＬ表示装置１０１の内部（具体的には、陽極エージング用共通配線３と陰極引き回し配線１１との間の領域）を配線され、有機ＥＬ表示装置１０１の下部に位置する他の有機ＥＬ表示装置（図２において図示せず）を経由して、陰極エージング用共通配線４に接続される。なお、ここでは、有機ＥＬ表示装置１０１に着目して配線の経路を説明したが、ガラス基板上の他の有機ＥＬ表示装置においても、有機ＥＬ表示装置１０１の場合と同様に、陽極エージング用引出線２３と陰極エージング用引出線２４とが配線されている。
【００３９】
なお、陽極引き回し配線１０の領域には、有機ＥＬ表示素子７の陽極１の数に応じた数の配線が形成されている。また、陰極引き回し配線１１の領域には、有機ＥＬ表示素子７の陰極２の数に応じた数の配線が形成されている。また、陽極接続配線５の領域には、有機ＥＬ表示素子７の陽極１の数に応じた数の配線が形成され、陰極接続配線６の領域には、有機ＥＬ表示素子７の陰極２の数に応じた数の配線が形成されている。
【００４０】
ガラス基板上に存在する全ての陽極エージング用共通配線３は、ガラス基板上の図２の図示範囲外の部分で電気的に接続されている。また、ガラス基板上に存在する全ての陰極エージング用共通配線４は、ガラス基板上の図２の図示範囲外の部分で電気的に接続されている。従って、切断工程前において、ガラス基板上の全ての有機ＥＬ表示装置における各陽極１に、陽極エージング用共通配線３から同じ信号を供給することができ、全ての有機ＥＬ表示装置における各陰極２に、陰極エージング用共通配線４から同じ信号を供給することができる。その結果、多数の有機ＥＬ表示装置に対して一括してエージング処理を実施することができる。
【００４１】
陽極エージング用共通配線３と陽極接続配線５との接続は、切断工程において分断される。また、陰極エージング用共通配線４と陰極接続配線６の接続も、切断工程において分断される。
【００４２】
次に、陰極接続配線６の形成方法を説明する。図３は、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法の一例を説明するための工程図である。図３に示す工程では、有機ＥＬ表示装置は、１枚のガラス基板上に配線群および複数の有機ＥＬ層を形成する有機ＥＬ素子形成工程と、有機ＥＬ層を水分などから守るためにガラスなどの対向基板で有機ＥＬ表示装置ごとに外気から隔離する封止工程と、有機ＥＬ表示装置にエージングを施すエージング処理を実行するエージング工程と、ガラス基板を切断して複数の有機ＥＬ表示装置に分離する切断工程と、反射防止のために円偏光板などの光学フィルムを貼り付ける光学フィルム貼付工程と、ドライバＩＣ８を実装する実装工程とを経て作製される。
【００４３】
図４（Ａ）は、陰極接続配線領域１５およびその周辺を示す平面図であり、図４（Ｂ）はＢ−Ｂ断面を示す断面図である。図４（Ｂ）には、３つの陽極１も示されている。
【００４４】
図３に示す有機ＥＬ素子形成工程では、ガラス基板上にＩＴＯを成膜し、ＩＴＯをエッチングして、陽極１を形成する。このとき、陰極エージング用接続抵抗２２も形成する。次に、金属膜を成膜し、金属膜をエッチングして、陽極接続配線５、陰極接続配線６における金属配線６１、陽極引き回し配線１０、陰極引き回し配線１１、陽極エージング用引出線２３および陰極エージング用引出線２４を形成する。ここで、陽極エージング用共通配線３および陰極エージング用共通配線４も形成する。
【００４５】
その層の上に、感光性のポリイミド樹脂である絶縁膜１２を塗布する。絶縁膜１２は、その開口部が有機ＥＬ表示素子７の発光領域を規定するための構造物である。そして、露光現像等を行って、有機ＥＬ表示素子７において各画素の発光部となる開口部を形成する。
【００４６】
有機ＥＬ表示素子７において開口部を形成する際に、陰極引き回し配線１１における所定部位の絶縁膜１２を除去して絶縁膜穴（コンタクトホール）３３も形成する。絶縁膜穴３３において、陰極２と陰極引き回し配線１１とが接続される。
【００４７】
さらに、ネガ型（露光時に光があたった部分が残る）の感光性樹脂を塗布した後、露光現像して隔壁２６を形成する。形成された隔壁２６によって、この後の工程で蒸着によって形成される画面内の各陰極２が分離される。以上のようにして構造体が形成された基板の上に、有機ＥＬ層としての有機薄膜を積層する。有機薄膜として、順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を形成する。最後に、蒸着によって、アルミニウム等の金属で陰極２となる陰極配線を形成する。なお、ここでは、それぞれの陰極２を分離するために隔壁を用いたが、陰極２をストライプ状にマスク蒸着することによって分離してもよい。また、図４に示すように、陰極接続配線６は、陰極２と絶縁膜１２を介して交差し、コンタクトホール３３と有機ＥＬ素子７における発光部を有する領域である発光領域（画面領域）との間の部位に形成されている。
【００４８】
以上のようにして、陽極１の層と陰極２の層とを電気的に絶縁するための絶縁膜１２の層の下層であって、コンタクトホール３３と有機ＥＬ素子７における発光領域との間の部位において、陰極接続配線６（具体的には金属配線６１）が形成される。図４（Ｂ）の断面図から明らかなように、陰極接続配線６は、接合する陰極引き回し配線１１以外の陰極引き回し配線１１には接触しない。また、いずれの陰極２とも接触しない。従って、陰極接続配線６は、陰極引き回し配線１１および陰極２に阻止されることなく有機ＥＬ表示装置１００の上の辺まで延びることができる。その結果、有機ＥＬ表示装置１００の外部で、陰極接続配線６を介して全ての陰極引き回し配線１１を電気的に接続することができる。
【００４９】
陰極接続配線６の抵抗値はある程度高い方が好ましい。従って、陰極接続配線６を、陰極引き回し配線１１に接合される金属配線６１と抵抗体となる陰極エージング用接続抵抗２２とによって形成した。図５は、抵抗体の形成方法を示す説明図である。抵抗体を含むように形成するには、陰極接続配線領域１５において、例えば、図５（Ａ）に示すように、陰極接続配線６を形成する金属配線６１と陰極エージング用接続抵抗２２とを接合する。図５（Ｂ）に示すように、陰極エージング用接続抵抗２２が抵抗体に相当する。
【００５０】
また、陰極引き回し配線１１から陰極エージング用引出線２４に至る陰極接続配線６の全体をＩＴＯで形成してもよい。図６（Ａ）は、陰極接続配線６の全体をＩＴＯで形成する場合の陰極接続配線領域１５およびその周辺を示す平面図であり、図６（Ｂ）はＢ−Ｂ断面を示す断面図である。図６に示す構造を有する有機ＥＬ表示装置、すなわち陰極接続配線６全体がＩＴＯで形成されている有機ＥＬ表示装置において、ＩＴＯの陰極接続配線６は、陽極１を形成するときに同時に形成される。
【００５１】
陰極接続配線６の全体をＩＴＯで形成する場合には、図６に示すように、陰極接続配線６の幅を均一にしない方がよい。すなわち、陰極接続配線６の長さ（陰極引き回し配線１１から有機ＥＬ表示装置１００の上辺までの距離）が長くなる程、幅を広くする。そのように各々の陰極接続配線６を形成した場合には、陰極接続配線６の抵抗値をある程度高くすることができるとともに、各々の陰極接続配線６の抵抗値を揃えることができる。
【００５２】
有機ＥＬ素子形成工程が終了すると、ガラス基板上に形成された複数の単純マトリクス型の有機ＥＬ表示素子におけるそれぞれの陽極１がガラス基板上で陽極用接続配線５を介して陽極エージング用共通配線３に電気的に接続され、複数の有機ＥＬ表示素子におけるそれぞれの陰極２がガラス基板上で陰極用接続配線６を介して陰極エージング用共通配線４に電気的に接続された構造を有する有機ＥＬ表示装置用基板が形成される。
【００５３】
次に、有機ＥＬ素子形成工程でガラス基板上に形成された有機ＥＬ層を水分から守るために、第２の基板としての他のガラス基板１枚を、ガラス基板に対して対向配置し、間隙材としての周辺シール材によって双方のガラス基板を接合する。そして、２枚のガラス基板と周辺シール材とによって形成された封止空間の内部に乾燥窒素ガスを封入する。
【００５４】
次いで、エージング工程において短絡エージング処理と寿命エージング処理とを実行する。陽極１および陰極２にエージングのための通電処理を行うために、陽極エージング用共通配線３および陰極エージング用共通配線４にエージング用の電圧印加装置を接続する。短絡エージング処理では、逆バイアス（陽極よりも陰極の電圧が高くなる。）が実際の駆動時よりも大きくなるように電圧を印加する。寿命エージング処理では、より短い時間で所望の輝度低下をさせるために、エージング処理での各画素の輝度が、有機ＥＬ表示装置として定格の表示動作をしているときの輝度よりも高くなるように通電の条件を設定する。例えば、有機ＥＬ表示装置としての輝度仕様が２００ｃｄ／ｍ２であれば、４００ｃｄ／ｍ２で発光するように通電する。有機ＥＬ表示装置としての輝度仕様に対して２倍の高輝度で発光させることによって、有機ＥＬ表示装置としての輝度仕様でエージングを行う場合に比べて、約半分の時間でエージング工程が完了する。
【００５５】
切断工程では、ガラス基板を切断して複数の有機ＥＬ表示装置１００に分離する。そのときに、陽極エージング用共通配線３と陽極接続配線５との接続が分断され、陰極エージング用共通配線４と陰極接続配線６の接続が分断されることによって、それぞれの陽極１とそれぞれの陰極２とが、陽極エージング用共通配線３および陰極エージング用共通配線４から電気的に分離される。なお、陽極接続配線５および陰極接続配線６は、それぞれの有機ＥＬ表示装置１００に残っている。
【００５６】
次いで、光学フィルム貼付工程で、反射防止のために円偏光板などの光学フィルムを有機ＥＬ表示素子に貼り付ける。そして、実装工程で、ドライバＩＣ８を実装し、入力信号線９に外部からの信号を伝達するフレキシブルケーブルを接続して有機ＥＬ表示装置１００を得る。
【００５７】
切断工程において、ガラス基板の端部が切り落とされて廃棄される。従って、複数の有機ＥＬ表示装置１００の外に形成される陽極エージング用共通配線３および陰極エージング用共通配線４の部分を、切り落とされる部分に設ければ、陽極エージング用共通配線３および陰極エージング用共通配線４を形成してもガラス基板において無駄が生ずることはない。また、有機ＥＬ表示装置１００に残る陽極エージング用共通配線３および陰極エージング用共通配線４の部分を、封止工程において周辺シール材が設置される領域に設ければ、陽極エージング用共通配線３および陰極エージング用共通配線４を形成してもガラス基板において無駄が生ずることはない。
【００５８】
以上に説明したように、本実施の形態では、エージング工程において、複数の有機ＥＬ表示装置１００に一括して通電することができる。その結果、エージング処理を実行する際の作業の労力が削減される。なお、陽極エージング用共通配線３および陰極エージング用共通配線４として、低抵抗である金属配線を使用することが好ましい。また、陰極接続配線６として、金属配線よりも高抵抗なＩＴＯを含むものを使用する。さらに、陰極接続配線６の場合と同様に、陽極接続配線５において陽極エージング用接続抵抗を設けることが好ましい。そのような好ましい材料を用いた場合には、陽極エージング用共通配線３および陰極エージング用共通配線４によって全ての有機ＥＬ表示素子に、ほぼ均一に電圧が印加される。
【００５９】
なお、陽極接続配線５および陰極接続配線６は、それぞれの有機ＥＬ表示装置１００に残っているので、ドライバＩＣ８を実装する前に、有機ＥＬ表示装置１００の外部から、陽極接続配線５および陰極接続配線６を介して陽極１のそれぞれおよび陰極２のそれぞれに信号を入力することができる。従って、陽極接続配線５および陰極接続配線６を、ドライバＩＣ８が実装される前の有機ＥＬ表示素子の検査に役立たせることもできる。
【００６０】
陽極エージング用共通配線３および陰極エージング用共通配線４として使用する金属は、面抵抗が０．２Ω／□以下で、配線幅が２００μｍ以上であると、低抵抗が得られ好ましい。また、ガラス基板上の占有面積（切り落とされる部分における占有面積および周辺シール材が設置される部分における占有面積）を考慮すると３ｍｍ以下であることが好ましい。配線材料として、アルミニウム、アルミニウムと他の金属の積層構造、または銀系の合金などを使用すること好ましい。陽極接続配線５および陰極接続配線６としてＩＴＯなどの透明導電膜配線が使用される場合には、その面抵抗は５Ω／□以上で、アスペクト比（配線長／配線幅）が２０以上であると、高抵抗が得られ好ましい。ガラス基板上の占有面積を考慮すると、配線長は１ｍｍ以下であることが好ましいので、配線幅は５０μｍ以下であることが好ましい。
【００６１】
また、陽極接続配線５および陰極接続配線６の抵抗値は、１００Ω以上で１０ｋΩ以下であることが好ましく、５００Ω以上であればより好ましい。１００Ω程度であれば、例えばエージング処理において１０Ｖの電圧を印加する場合に短絡が発生しても１００ｍＡ程度の消費電流で済む。しかし、陽極接続配線５および陰極接続配線６における発熱を考慮すると、抵抗値は５００Ω以上であることが好ましい。また、抵抗値が大きすぎると、陽極接続配線５および陰極接続配線６における電圧降下が大きくなるので、好ましいことではない。
【００６２】
また、陽極エージング用共通配線３および陰極エージング用共通配線４の抵抗値は１０Ω以下であることが好ましい。エージング処理において各有機ＥＬ表示素子には電圧が均一に印加されることが好ましいためである。
【産業上の利用可能性】
【００６３】
本発明は、１枚のガラス基板上に多数の有機ＥＬ表示装置が形成される場合であって、有機ＥＬ表示装置がＣＯＧ実装により形成される場合に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の有機ＥＬ表示装置を示す平面図。
【図２】ガラス基板上に形成されている２つの有機ＥＬ表示装置を示す平面図。
【図３】本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法の一例を説明するための工程図。
【図４】（Ａ）は陰極接続配線領域およびその周辺を示す平面図、（Ｂ）はＢ−Ｂ断面を示す断面図。
【図５】抵抗体の形成方法を示す説明図。
【図６】（Ａ）は陰極接続配線領域およびその周辺を示す平面図、（Ｂ）はＢ−Ｂ断面を示す断面図。
【図７】従来の有機ＥＬ表示装置の製造方法の一例を説明するための工程図。
【図８】ＣＯＧ実装による有機ＥＬ表示装置を模式的に示す平面図。
【符号の説明】
【００６５】
１      陽極
２      陰極
３      陽極エージング用共通配線
４      陰極エージング用共通配線（エージング用共通配線）
５      陽極接続配線
６      陰極接続配線（エージング用接続配線）
７      有機ＥＬ表示素子
８      ドライバＩＣ
１０    陽極引き回し配線
１１    陰極引き回し配線
２２    陰極エージング用接続抵抗
２３    陽極エージング用引出線
２４    陰極エージング用引出線
６１    金属配線
１００  有機ＥＬ表示装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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