(57)【要約】【課題】レチクルの中央に対応する半導体ウェハ上の箇所に焦点を合わせた状態でデバイスパターンを転写する露光装置を用いた場合であっても、デバイスパターンを高精度に転写し得る半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】複数のデバイスパターン領域１２の各々にデバイスパターンが形成されたレチクル８と；レチクルの中央に対応する半導体ウェハ１８上の箇所に焦点を合わせて露光を行う露光装置とを用い、複数のデバイスパターンを半導体ウェハの複数の半導体回路領域２２に転写する工程を有する半導体装置の製造方法であって、デバイスパターン領域の数は偶数であり、複数のデバイスパターン領域のいずれかの内側に、レチクルの中央が位置している。半導体回路領域上に存在するフォトレジスト膜の表面に焦点を合わせた状態でデバイスパターンを転写することができるため、デバイスパターンを高精度に転写することができる。【選択図】  図２
2006133278.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のデバイスパターン領域の各々にデバイスパターンが形成されたレチクルと；前記レチクルの中央に対応する半導体ウェハ上の箇所に焦点を合わせて露光を行う露光装置とを用い、複数の前記デバイスパターンを半導体ウェハの複数の半導体回路領域に転写する工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記デバイスパターン領域の数は、偶数であり、
前記複数のデバイスパターン領域のいずれかの内側に、前記レチクルの中央が位置している
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
複数の第１のデバイスパターン領域の各々に第１のデバイスパターンが形成され、第２のデバイスパターン領域に前記第１のデバイスパターンと異なる第２のデバイスパターンが形成されたレチクルと；前記レチクルの中央に対応する半導体ウェハ上の箇所に焦点を合わせて露光を行う露光装置とを用い、前記半導体ウェハの複数の第１の半導体回路領域の各々に前記第１のデバイスパターンを転写する工程と、前記半導体ウェハの第２の半導体回路領域に前記第２のデバイスパターンを転写する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記複数の第１のデバイスパターン領域のいずれかの内側に、前記レチクルの中央が位置しており、
前記レチクルの中央からの前記第２のデバイスパターン領域の距離は、前記第２のデバイスパターンを前記第２の半導体回路領域に転写する際に、前記レチクルの中央に対応する前記半導体ウェハ上の箇所が、前記複数の第１の半導体回路領域のいずれかの内側となるように設定されている
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
前記レチクルには、第３のデバイスパターン領域に第３のデバイスパターンが更に形成されており、
前記半導体ウェハの第３の半導体回路領域に前記第３のデバイスパターンを転写する工程を更に有し、
前記レチクルの中央からの前記第３のデバイスパターン領域の距離は、前記第３のデバイスパターンを前記第３の半導体回路領域に転写する際に、前記レチクルの中央に対応する前記半導体ウェハ上の箇所が、前記複数の第１の半導体回路領域のいずれかの内側となるように設定されている
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
第１のデバイスパターン領域に第１のデバイスパターンが形成され、第２のデバイスパターン領域に第２のデバイスパターンが形成されたレチクルと、前記レチクルの中央に対応する前記半導体ウェハ上の箇所に焦点を合わせて露光を行う露光装置とを用い、半導体ウェハの複数の半導体回路領域に前記第１のデバイスパターンを順次転写する工程と、前記半導体ウェハの前記複数の半導体回路領域に前記第２のデバイスパターンを順次転写する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記第１のデバイスパターン領域の内側に、前記レチクルの中央が位置しており、
前記レチクルの中央からの前記第２のデバイスパターン領域の距離は、前記第２のデバイスパターンを前記半導体回路領域に転写する際に、前記レチクルの中央に対応する前記半導体ウェハ上の箇所が、他の前記複数の半導体回路領域のいずれかの内側となるように設定されている
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置の製造方法において、
前記レチクルには、第３のデバイスパターン領域に第３のデバイスパターンが更に形成されており、
前記第２のデバイスパターンを順次転写する工程の後に、前記半導体ウェハの前記複数の半導体回路領域に前記第３のデバイスパターンを順次転写する工程を更に有し、
前記レチクルの中央からの前記第３のデバイスパターン領域の距離は、前記第３のデバイスパターンを前記半導体回路領域に転写する際に、前記レチクルの中央に対応する前記半導体ウェハ上の箇所が、他の前記複数の半導体回路領域のいずれかの内側となるように設定されている
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に係り、特に半導体ウェハ上に形成されたフォトレジスト膜にパターンを転写する工程を有する半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
レチクルにデバイスパターン領域を配する際には、レチクル上の有効エリアを最大限に活用することに着目して、デバイスパターン領域が配される。
【０００３】
図２０は、従来のレチクルを示す平面図である。
【０００４】
図２０に示すように、透明基板１１０上には例えば２つのデバイスパターン領域１１２が配されている。各々のデバイスパターン領域１１２には、同一のデバイスパターンが形成されている。デバイスパターン領域１１２は、透明基板１１０の中心線に対して線対称に配されている。レチクル１０８の中心線は、一点鎖線を用いて表されている。レチクル１０８の中央は、×印を用いて表されている。デバイスパターン領域１１２の周囲は、スクライブライン領域１１４となっている。デバイスパターン領域１１２とスクライブライン領域１１４とを除く領域の透明基板１１０上には、遮光領域（遮光帯）１１６が配されている。こうして、レチクル１０８が構成されている。
【０００５】
図２１は、図２０に示すレチクルを用いてフォトレジスト膜にデバイスパターンを転写する場合を示す断面図である。
【０００６】
図２１に示すように、レチクル１０８と半導体ウェハ１１８との間には、露光装置の投影レンズ１２０が配されている。
【０００７】
半導体ウェハ１１８の各々の半導体回路領域１２２には、トランジスタ（図示せず）等の半導体素子が形成されている。互いに隣接する半導体回路領域１２２の間は、スクライブライン領域１２８となっている。半導体回路領域１２２上には、層間絶縁膜１２４、１２５が形成されている。スクライブライン領域１２８上においては、層間絶縁膜１２４、１２５はエッチング除去されている。フォトレジスト膜１２６は、層間絶縁膜１２４、１２５を覆うように形成されている。
【０００８】
レチクル１０８のデバイスパターン領域１１２に形成されたデバイスパターンを、半導体回路領域１２２上に存在するフォトレジスト膜１２６に転写する際には、デバイスパターン領域１１２に形成されたデバイスパターンが半導体ウェハ１１８の半導体回路領域１２２内に正確に転写されるように、位置合わせが行われる。
【０００９】
そして、レチクル１０８の中央に対応する箇所におけるフォトレジスト膜１２６の表面に焦点を合わせた状態で、フォトレジスト膜１２６にデバイスパターンが転写される。
【特許文献１】特開平１０−７９３３１号公報
【特許文献２】特開平８−１８６０６７号公報
【特許文献３】特開平８−６４５１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、上記のようなレチクル１０８を用いてデバイスパターンを転写する場合には、レチクル１０８の中央に対応する半導体ウェハ１８上の箇所がスクライブライン領域１２８内となる。一般的な露光装置では、レチクル１０８の中央に対応する半導体ウェハ１８上の箇所に焦点を合わせた状態で露光が行われる。図２１における太い矢印の先端は、露光を行う際の焦点の位置を示している。図２１に示すように、スクライブライン領域１２８上に存在するフォトレジスト膜１２６の表面の高さは、半導体回路領域１２２上に存在するフォトレジスト膜１２６の表面の高さより低い。このため、デバイスパターンの転写面と焦点とが合致していない状態で、デバイスパターンがフォトレジスト膜２６に転写されることとなる。デバイスパターンの転写面と焦点とが合致していない状態でデバイスパターンをフォトレジスト膜２６に転写した場合には、デバイスパターンを高精度に転写することができない。
【００１１】
本発明の目的は、レチクルの中央に対応する半導体ウェハ上の箇所に焦点を合わせた状態でデバイスパターンを転写する露光装置を用いた場合であっても、デバイスパターンを高精度に転写し得る半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一観点によれば、複数のデバイスパターン領域の各々にデバイスパターンが形成されたレチクルと；前記レチクルの中央に対応する半導体ウェハ上の箇所に焦点を合わせて露光を行う露光装置とを用い、複数の前記デバイスパターンを半導体ウェハの複数の半導体回路領域に転写する工程を有する半導体装置の製造方法であって、前記デバイスパターン領域の数は、偶数であり、前記複数のデバイスパターン領域のいずれかの内側に、前記レチクルの中央が位置していることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００１３】
本発明の他の観点によれば、複数の第１のデバイスパターン領域の各々に第１のデバイスパターンが形成され、第２のデバイスパターン領域に前記第１のデバイスパターンと異なる第２のデバイスパターンが形成されたレチクルと；前記レチクルの中央に対応する半導体ウェハ上の箇所に焦点を合わせて露光を行う露光装置とを用い、前記半導体ウェハの複数の第１の半導体回路領域の各々に前記第１のデバイスパターンを転写する工程と、前記半導体ウェハの第２の半導体回路領域に前記第２のデバイスパターンを転写する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、前記複数の第１のデバイスパターン領域のいずれかの内側に、前記レチクルの中央が位置しており、前記レチクルの中央からの前記第２のデバイスパターン領域の距離は、前記第２のデバイスパターンを前記第２の半導体回路領域に転写する際に、前記レチクルの中央に対応する前記半導体ウェハ上の箇所が、前記複数の第１の半導体回路領域のいずれかの内側となるように設定されていることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００１４】
本発明の更に他の観点によれば、第１のデバイスパターン領域に第１のデバイスパターンが形成され、第２のデバイスパターン領域に第２のデバイスパターンが形成されたレチクルと、前記レチクルの中央に対応する前記半導体ウェハ上の箇所に焦点を合わせて露光を行う露光装置とを用い、半導体ウェハの複数の半導体回路領域に前記第１のデバイスパターンを順次転写する工程と、前記半導体ウェハの前記複数の半導体回路領域に前記第２のデバイスパターンを順次転写する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、前記第１のデバイスパターン領域の内側に、前記レチクルの中央が位置しており、前記レチクルの中央からの前記第２のデバイスパターン領域の距離は、前記第２のデバイスパターンを前記半導体回路領域に転写する際に、前記レチクルの中央に対応する前記半導体ウェハ上の箇所が、他の前記複数の半導体回路領域のいずれかの内側となるように設定されていることを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、複数のデバイスパターン領域のいずれかの内側に、レチクルの中央が位置しているため、レチクルの中央に対応する半導体ウェハ上の位置に焦点を合わせて露光を行う露光装置を用いた場合であっても、半導体回路領域上に存在するフォトレジスト膜の表面に焦点を合わせた状態でデバイスパターンを転写することができる。このため、本発明によれば、レチクルに配するデバイスパターン領域の数が偶数個の場合であっても、デバイスパターンを高精度に転写することが可能となる。
【００１６】
また、本発明によれば、第２のデバイスパターン領域に形成された第２のデバイスパターンを転写する際に、レチクルの中央に対応する半導体ウェハ上の箇所が半導体回路領域内となるように、レチクルの中央からの第２のデバイスパターン領域の距離が設定されているため、第２のデバイスパターンの結像面が焦点に合致している状態で、第２のデバイスパターン領域内に形成された第２のデバイスパターンがフォトレジスト膜に転写される。従って、本発明によれば、第２のデバイスパターン領域に形成された第２のデバイスパターンを、フォトレジスト膜に高精度で転写することが可能となる。
【００１７】
また、本発明によれば、第３のデバイスパターン領域に形成された第３のデバイスパターンを転写する際に、レチクルの中央に対応する半導体ウェハ上の箇所が半導体回路領域内となるように、レチクルの中央からの第３のデバイスパターン領域の距離が設定されているため、第３のデバイスパターンの結像面が焦点に合致している状態で、第３のデバイスパターン領域内に形成された第３のデバイスパターンがフォトレジスト膜に転写される。従って、本発明によれば、第３のデバイスパターン領域に形成された第３のデバイスパターンを、フォトレジスト膜に高精度で転写することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
［第１実施形態］
本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を図１及び図２を用いて説明する。図１は、本実施形態で用いられるレチクルを示す平面図である。図２は、本実施形態による半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【００１９】
図１に示すように、透明基板１０上には２つのデバイスパターン領域１２が配されている。各々のデバイスパターン領域１２には、同一のデバイスパターンが形成されている。レチクル８の中心線は、一点鎖線を用いて表されている。レチクルの中央は、×印を用いて表されている。
【００２０】
デバイスパターン領域１２の周囲の領域は、スクライブライン領域１４となっている。
【００２１】
本実施形態で用いられるレチクルでは、いずれかのデバイスパターン領域１２がレチクルの中央を含む領域に位置するように配されている。換言すれば、スクライブライン領域１４がレチクル８の中央を含む領域に位置しないように、デバイスパターン領域１２が配されている。
【００２２】
デバイスパターン領域１２とスクライブライン領域１４とを除く領域の透明基板１０上には、遮光領域（遮光帯）１６が配されている。こうして、レチクル８が構成されている。
【００２３】
図２は、図１に示すレチクルを用いてフォトレジスト膜にデバイスパターンを転写する際の状態を示したものである。
【００２４】
図２に示すように、レチクル８と半導体ウェハ１８との間には、露光装置の投影レンズ２０が位置する。
【００２５】
半導体ウェハ１８上の半導体回路領域２２には、トランジスタ（図示せず）等の半導体素子が形成されている。なお、本願明細書中において半導体回路領域とは、半導体チップのうちの半導体回路が形成される領域、即ち、半導体チップのうちのスクライブライン領域を除く領域のことをいう。
【００２６】
互いに隣接する半導体回路領域２２の間は、スクライブライン領域２８となっている。スクライブライン領域２８の中心線は、ダイシングライン３０となる。ダイシングライン３０は、点線を用いて表されている。
【００２７】
半導体素子が形成された半導体回路領域２２上には、層間絶縁膜２４、２５が形成されている。スクライブライン領域２８上においては、層間絶縁膜２４、２５がエッチング除去されている。
【００２８】
レチクル８のデバイスパターン領域１２に形成されたデバイスパターンを、半導体ウェハ１８側の半導体回路領域２２に転写する際には、デバイスパターン領域１２に形成されたデバイスパターンが半導体ウェハ１８の半導体回路領域２２内に正確に転写されるように、位置合わせが行われる。
【００２９】
そして、レチクル８の中央に対応する箇所におけるフォトレジスト膜２６の表面に焦点を合わせた状態で、フォトレジスト膜２６にデバイスパターンが転写される。
【００３０】
上述したように、本実施形態では、いずれかのデバイスパターン領域１２がレチクル８の中央を含む領域に位置するように配されているため、露光を行う際にレチクル８の中央に対応する半導体ウェハ１８上の箇所は半導体回路領域２２内となる。このため、本実施形態では、半導体回路領域２２上に存在するフォトレジスト膜２６表面に焦点を合わせた状態でデバイスパターンが転写される。図２における太い矢印の先端は、デバイスパターンの転写を行う際における焦点の位置を示している。
【００３１】
本実施形態では、半導体回路領域２２上に存在するフォトレジスト膜２６の表面に焦点を合わせた状態で、フォトレジスト膜２６にデバイスパターンが転写されるため、デバイスパターンの結像面に焦点が合致している状態でデバイスパターンが転写されることとなる。従って、本実施形態によれば、半導体回路領域２２上に存在するフォトレジスト膜にデバイスパターンを高精度に転写することが可能となる。
【００３２】
このように、本実施形態による半導体装置の製造方法は、デバイスパターン領域１２の数が偶数個の場合であっても、いずれかのデバイスパターン領域１２がレチクル８の中央を含む領域に位置するようにデバイスパターン領域１２を配し、このようにデバイスパターン領域１２が配されたレチクル８を用いて、半導体ウェハ１８上のフォトレジスト膜２６にデバイスパターンを転写することに主な特徴がある。
【００３３】
本実施形態によれば、いずれかのデバイスパターン領域１２がレチクル８の中央を含む領域に配されているため、レチクル８の中央に対応する半導体ウェハ１８上の位置に焦点を合わせて露光を行う露光装置を用いた場合であっても、半導体回路領域２２上に存在するフォトレジスト膜２６の表面に焦点を合わせた状態でデバイスパターンを転写することができる。このため、本実施形態によれば、レチクル８に配するデバイスパターン領域１２の数が偶数個の場合であっても、デバイスパターンを高精度に転写することが可能となる。
【００３４】
（変形例（その１））
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その１）を図３及び図４を用いて説明する。図３は、本変形例による半導体装置の製造方法で用いられるレチクルを示す平面図である。図４は、本変形例による半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【００３５】
本変形例による半導体装置の製造方法は、レチクル８ａに、ほぼ正方形のデバイスパターン領域１２ａが４つ配されていることに主な特徴がある。
【００３６】
図３に示すように、透明基板１０上には４つのデバイスパターン領域１２ａが配されている。各々のデバイスパターン領域１２ａには、同一のデバイスパターンが形成されている。
【００３７】
デバイスパターン領域１２ａの周囲の領域は、スクライブライン領域１４となっている。
【００３８】
本変形例においても、いずれかのデバイスパターン領域１２ａがレチクル８ａの中央を含む領域に位置するように、デバイスパターン領域１２ａが配されている。換言すれば、スクライブライン領域１４がレチクル８ａの中央を含む領域に位置しないように、デバイスパターン領域１２ａが配されている。
【００３９】
デバイスパターン領域１２ａとスクライブライン領域１４とを除く領域における透明基板１０上には、遮光領域（遮光帯）１６が配されている。こうして、レチクル８ａが構成されている。
【００４０】
図４は、図３に示すレチクルを用いてフォトレジスト膜にデバイスパターンを転写する際の状態を示したものである。
【００４１】
図４に示すように、レチクル８ａと半導体ウェハ１８との間には、露光装置の投影レンズ２０が位置する。
【００４２】
デバイスパターン領域１２ａに形成されたデバイスパターンを、半導体ウェハ１８上に形成されたフォトレジスト膜２６に転写する際には、デバイスパターン領域１２ａに形成されたデバイスパターンが半導体ウェハ１８の半導体回路領域２２ａ内に正確に転写されるように、位置合わせが行われる。
【００４３】
そして、レチクル８ａの中央に対応する半導体ウェハ１８上の箇所におけるフォトレジスト膜２６の表面に焦点を合わせた状態で、フォトレジスト膜２６にデバイスパターンが転写される。
【００４４】
本変形例においても、いずれかのデバイスパターン領域１２ａがレチクル８ａの中央を含む領域に位置するように配されているため、レチクル８ａの中央に対応する半導体ウェハ１８上の箇所は、半導体回路領域２２ａ上に存在するフォトレジスト膜２６の表面となる。このため、本変形例においても、半導体回路領域２２ａ上に存在するフォトレジスト膜２６表面に焦点を合わせた状態でデバイスパターンが転写される。従って、本変形例によっても、半導体回路領域２２ａ上にデバイスパターンを高精度に転写することが可能となる。
【００４５】
（変形例（その２））
次に、本実施形態による半導体装置の製造方法の変形例（その２）を図５及び図６を用いて説明する。図５は、本変形例による半導体装置の製造方法で用いられるレチクルを示す平面図である。図６は、本変形例による半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【００４６】
本変形例による半導体装置の製造方法は、レチクル８ｂに、長方形のデバイスパターン領域１２ｂが４つ配されていることに主な特徴がある。
【００４７】
図５に示すように、透明基板１０上には長方形のデバイスパターン領域１２ｂが４つ配されている。各々のデバイスパターン領域１２ｂには、同一のデバイスパターンが形成されている。
【００４８】
デバイスパターン領域１２ｂの周囲の領域は、スクライブライン領域１４となっている。
【００４９】
本変形例で用いられるレチクル８ｂにおいても、いずれかのデバイスパターン領域１２ｂがレチクル８ｂの中央を含む領域に位置するように配されている。換言すれば、スクライブライン領域１４がレチクル８ｂの中央を含む領域に位置しないように、デバイスパターン領域１２ｂが配されている。
【００５０】
デバイスパターン領域１２ｂとスクライブライン領域１４とを除く領域の透明基板１０上には、遮光領域（遮光帯）１６が配されている。こうして、レチクル８ｂが構成されている。
【００５１】
図６は、図５に示すレチクルを用いてフォトレジスト膜にデバイスパターンを転写する際の状態を示したものである。
【００５２】
図６に示すように、レチクル８ｂと半導体ウェハ１８との間には、露光装置の投影レンズ２０が位置する。
【００５３】
レチクル８ｂのデバイスパターン領域１２ｂに形成されたデバイスパターンを、半導体ウェハ１８側の半導体回路領域２２ｂに転写する際には、デバイスパターン領域１２ｂに形成されたデバイスパターンが半導体ウェハ１８の半導体回路領域２２ｂ内に正確に転写されるように、位置合わせが行われる。
【００５４】
そして、レチクル８ｂの中央に対応する半導体ウェハ１８上の箇所におけるフォトレジスト膜２６の表面に焦点を合わせた状態で、フォトレジスト膜２６にデバイスパターンが転写される。
【００５５】
本変形例においても、いずれかのデバイスパターン領域１２ｂがレチクル８ｂの中央を含む領域に位置するように配されているため、レチクル８ｂの中央に対応する半導体ウェハ１８上の箇所は、半導体回路領域２２ｂ上に存在するフォトレジスト膜２６の表面となる。このため、本変形例においても、半導体回路領域２２ｂ上に存在するフォトレジスト膜２６表面に焦点を合わせた状態でデバイスパターンが転写される。従って、本変形例によっても、半導体回路領域２２ｂ上にデバイスパターンを高精度に転写することが可能となる。
【００５６】
［第２実施形態］
本発明の第２実施形態による半導体装置の製造方法を図７乃至図１３を用いて説明する。図７は、本実施形態で用いられるレチクルを示す平面図である。図８乃至図１１は、本実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。図１乃至図６に示す第１実施形態による半導体装置の製造方法と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
【００５７】
図７に示すように、複数のデバイスパターン領域１２ｃが所定のピッチＸ１で配されている。デバイスパターン領域１２ｃのピッチＸ１は、例えば、レチクル上において６０００μｍに設定されている。デバイスパターン領域１２ｃのＸ方向の寸法Ｘ２は、例えば、レチクル上において５０００μｍに設定されている。各々のデバイスパターン領域１２ｃには、同一のデバイスパターンが形成されている。
【００５８】
デバイスパターン領域１２ｃの周囲の領域は、スクライブライン領域１４となっている。スクライブライン領域１４のＸ方向の幅Ｘ３は、例えば、レチクル上において１０００μｍに設定されている。
【００５９】
複数のデバイスパターン領域１２ｃが配された領域の紙面右側には、デバイスパターン領域１２ｃから離間して、他のデバイスパターン領域１２ｄが配されている。レチクル８ｃの中心線とデバイスパターン領域１２ｄの中心線との間の距離Ｘ１９は、４Ｘ１に設定されている。デバイスパターン領域１２ｄには、例えば検査用（モニタ用）のデバイスパターンが形成されている。デバイスパターン領域１２ｄのＸ方向の寸法Ｘ４は、デバイスパターン領域１２ｃのＸ方向の寸法Ｘ２と同様に、レチクル上において５０００μｍに設定されている。
【００６０】
デバイスパターン領域１２ｃとデバイスパターン領域１２ｄとの間の領域のうちのスクライブライン領域１４を除く領域には、遮光帯（遮光膜）１６が配されている。デバイスパターン領域１２ｃとデバイスパターン領域１２ｄとの間に存在する遮光帯１６のＸ方向の幅Ｘ５は、例えばレチクル上において５０００μｍに設定されている。即ち、デバイスパターン領域１２ｃとデバイスパターン領域１２ｄとの間に存在する遮光帯１６のＸ方向の幅Ｘ５は、デバイスパターン領域１２ｃのＸ方向の寸法Ｘ２及びデバイスパターン領域１２ｄのＸ方向の寸法Ｘ４と同様に設定されている。
【００６１】
複数のデバイスパターン領域１２ｃが配された領域の紙面左側には、デバイスパターン領域１２ｃから離間して、更に他のデバイスパターン領域１２ｅが配されている。レチクル８ｃの中心線とデバイスパターン領域１２ｅの中心線との間の距離Ｘ２０は、４Ｘ１に設定されている。
【００６２】
こうして本実施形態で用いられるレチクル８ｃが構成されている。デバイスパターン領域１２ｅのＸ方向の寸法Ｘ６は、デバイスパターン領域１２ｃのＸ方向の寸法Ｘ２と同様に、レチクル上において５０００μｍに設定されている。デバイスパターン領域１２ｅには、デバイスパターン領域１２ｃに形成されているデバイスパターンと同様のデバイスパターンが形成されている。
【００６３】
デバイスパターン領域１２ｃとデバイスパターン領域１２ｅとの間の領域のうちのスクライブライン領域１４を除く領域には、遮光帯１６が配されている。デバイスパターン領域１２ｃとデバイスパターン領域１２ｅとの間に存在する遮光帯１６のＸ方向の幅Ｘ７は、例えば、レチクル上において５０００μｍに設定されている。即ち、デバイスパターン領域１２ｃとデバイスパターン領域１２ｅとの間に存在する遮光帯１６のＸ方向の幅Ｘ７は、デバイスパターン領域１２ｃのＸ方向の寸法Ｘ２及びデバイスパターン領域１２ｅのＸ方向の寸法Ｘ６と同様に設定されている。
【００６４】
図８は、デバイスパターン領域１２ｃに形成されたデバイスパターンを、半導体ウェハ１８側に形成されたフォトレジスト膜２６に転写する際の状態を示したものである。図９は、半導体ウェハにおける半導体回路領域のレイアウトを示す平面図である。図８は、図９における領域Ｓ１にデバイスパターンを転写する際の状態を示している。図９における領域Ｓ１は、通常のデバイスパターンが転写される半導体回路領域２２ｃである。図８及び図９に示すように、複数の半導体回路領域２２ｃは同じピッチＸ１で配されている。
【００６５】
図８に示すように、レチクル８ｃと半導体ウェハ１８との間には、露光装置の投影レンズ２０が位置する。
【００６６】
レチクル８ｃの上方には、露光装置のブラインド３２が位置する。ブラインド３２の開口部３４は、デバイスパターン領域１２ｃが形成された領域を開口するように設定される。
【００６７】
レチクル８ｃのデバイスパターン領域１２ｃに形成されたデバイスパターンを、半導体ウェハ１８側の半導体回路領域２２ｃに転写する際には、デバイスパターン領域１２ｃに形成されたデバイスパターンが半導体ウェハ１８の半導体回路領域２２ｃ内に正確に転写されるように、位置合わせが行われる。
【００６８】
そして、レチクル８ｃの中央に対応する半導体ウェハ１８上の箇所におけるフォトレジスト膜２６の表面に焦点を合わせた状態で、フォトレジスト膜２６にデバイスパターンが転写される。
【００６９】
露光の際にレチクル８ｃの中央に対応する半導体ウェハ１８上の箇所は、半導体回路領域２２ｃ内となる。このため、半導体回路領域２２ｃ上に存在するフォトレジスト膜２６表面に焦点を合わせた状態でデバイスパターンが転写される。
【００７０】
図１０は、デバイスパターン領域１２ｄに形成された検査用（モニタ用）のデバイスパターンを、半導体ウェハ１８側に形成されたフォトレジスト膜２６に転写する際の状態を示したものである。図１０は、図９の領域Ｓ２に検査用のデバイスパターンを転写する際の状態を示している。図９における領域Ｓ２は、検査用のデバイスパターンが転写される半導体回路領域２２ｄである。
【００７１】
図１０に示すように、ブラインド３２の開口部３４ａは、デバイスパターン領域１２ｄが形成された領域を開口するように設定される。
【００７２】
レチクル８ｃのデバイスパターン領域１２ｄに形成されたデバイスパターンを、半導体ウェハ１８側の半導体回路領域２２ｄに転写する際には、デバイスパターン領域１２ｄに形成されたデバイスパターンが半導体ウェハ１８の半導体回路領域２２ｄ内に正確に転写されるように、位置合わせが行われる。
【００７３】
そして、レチクル８ｃの中央に対応する半導体ウェハ１８上の箇所のフォトレジスト膜２６の表面に焦点を合わせた状態で、フォトレジスト膜２６にデバイスパターンを転写する。
【００７４】
複数の半導体回路領域２２ｃが一定のピッチＸ１で配されており、レチクル８ｃの中心線とデバイスパターン領域１２ｄの中心線との距離Ｘ１９が半導体回路領域２２ｃのピッチＸ１の整数倍に設定されているため、レチクル８ｃの中央に対応する半導体ウェハ１８上の箇所は、半導体回路領域２２ｃ内となる。このため、半導体回路領域２２ｃ上に存在するフォトレジスト膜２６表面に焦点を合わせた状態でデバイスパターンが転写される。従って、デバイスパターンの結像面に焦点が合致した状態で、デバイスパターン領域１２ｄに形成されたデバイスパターンが、フォトレジスト膜２６に転写されることとなる。
【００７５】
なお、デバイスパターン領域１２ｃ〜１２ｅや半導体回路領域２２ｃ等のレイアウトは上記に限定されるものではない。デバイスパターン領域１２ｄに形成されたデバイスパターンを転写する際に、レチクル８ｃの中央に対応する半導体ウェハ１８上の箇所が半導体回路領域２２ｃ内となるように、レチクル８ｃの中央からのデバイスパターン領域１２ｄの距離Ｘ１９を設定すればよい。
【００７６】
例えば、上記では、複数のデバイスパターン領域１２ｃ及び複数の半導体回路領域２２ｃが一定のピッチＸ１で配されており、レチクル８ｃの中心線とデバイスパターン領域１２ｄの中心線との距離Ｘ１９がデバイスパターン領域１２ｃのピッチＸ１の整数倍に設定されている場合を例に説明したが、レチクル８ｃの中心線とデバイスパターン領域１２ｄの中心線との距離Ｘ１９がデバイスパターン領域１２ｃのピッチＸ１の整数倍でなくてもよい。例えば、レチクル８ｃの中心線とデバイスパターン領域１２ｄの中心線との距離Ｘ１９が、
ｎ×Ｘ１−０．５×Ｘ２＜Ｘ１９＜ｎ×Ｘ１＋０．５×Ｘ２
となるように、レチクル８ｃの中心線とデバイスパターン領域１２ｄの中心線との距離Ｘ１９を設定すればよい。なお、ｎは正の整数である。
【００７７】
また、上記では、複数のデバイスパターン領域１２ｃの幅Ｘ２が互いに等しい場合を例に説明したが、複数のデバイスパターン領域１２ｃの幅Ｘ２が互いに異なっていてもよい。この場合にも、デバイスパターン領域１２ｄに形成されたデバイスパターンを転写する際に、レチクル８ｃの中央に対応する半導体ウェハ１８上の箇所が半導体回路領域２２ｃ内となるように、レチクル８ｃの中央からのデバイスパターン領域１２ｄの距離Ｘ１９を設定すればよい。
【００７８】
また、上記では、デバイスパターン領域１２ｃの幅Ｘ２とデバイスパターン領域１２ｄの幅Ｘ４とが互いに等しい場合を例に説明したが、デバイスパターン領域１２ｃの幅Ｘ２とデバイスパターン領域１２ｄの幅Ｘ４とが互いに異なっていてもよい。この場合にも、デバイスパターン領域１２ｄに形成されたデバイスパターンを転写する際に、レチクル８ｃの中央に対応する半導体ウェハ１８上の箇所が半導体回路領域２２ｃ内となるように、レチクル８ｃの中央からのデバイスパターン領域１２ｄの距離Ｘ１９を設定すればよい。
【００７９】
また、上記では、半導体回路領域２２ｃのピッチＸ１が一定である場合を例に説明したが、半導体回路領域２２ｃのピッチＸ１が一定でなくてもよい。この場合にも、デバイスパターン領域１２ｄに形成されたデバイスパターンを転写する際に、レチクル８ｃの中央に対応する半導体ウェハ１８上の箇所が半導体回路領域２２ｃ内となるように、レチクル８ｃの中央からのデバイスパターン領域１２ｄの距離Ｘ１９を設定すればよい。
【００８０】
また、上記では、デバイスパターン領域１２ｃ、１２ｄに形成されたデバイスパターンを半導体ウェハ１８上に等倍で転写する場合を例に説明したが、デバイスパターン領域１２ｃ、１２ｄに形成されたデバイスパターンを縮小又は拡大して半導体ウェハ１８上に転写してもよい。この場合にも、デバイスパターン領域１２ｄに形成されたデバイスパターンを転写する際に、レチクル８ｃの中央に対応する半導体ウェハ１８上の箇所が半導体回路領域２２ｃ内となるように、レチクル８ｃの中央からのデバイスパターン領域１２ｄの距離Ｘ１９を設定すればよい。
【００８１】
図１１は、デバイスパターン領域１２ｅに形成されたデバイスパターンを、半導体ウェハ１８側に形成されたフォトレジスト膜２６に転写する際の状態を示したものである。図１１は、図９の領域Ｓ３にデバイスパターンを転写する際の状態を示している。図９における領域Ｓ３は、デバイスパターンが転写される半導体回路領域２２ｅである。
【００８２】
図１１に示すように、ブラインド３２の開口部３４ｂは、デバイスパターン領域１２ｅが形成された領域を開口するように設定される。
【００８３】
レチクル８ｃのデバイスパターン領域１２ｅに形成されたデバイスパターンを、半導体ウェハ１８側の半導体回路領域２２ｅに転写する際には、デバイスパターン領域１２ｅに形成されたデバイスパターンが半導体ウェハ１８の半導体回路領域２２ｅ内に正確に転写されるように、位置合わせが行われる。
【００８４】
そして、レチクル８ｃの中央に対応する半導体ウェハ１８上の箇所におけるフォトレジスト膜２６の表面に焦点を合わせた状態で、フォトレジスト膜２６にデバイスパターンが転写される。
【００８５】
複数の半導体回路領域２２ｃが一定のピッチＸ１で配されており、レチクル８ｃの中心線とデバイスパターン領域１２ｅの中心線との距離Ｘ２０が半導体回路領域２２ｃのピッチＸ１の整数倍に設定されているため、レチクル８ｃの中央に対応する半導体ウェハ１８上の箇所は、半導体回路領域２２ｃ内となる。このため、半導体回路領域２２ｃ上に存在するフォトレジスト膜２６表面に焦点を合わせた状態でデバイスパターンが転写される。従って、デバイスパターンの結像面に焦点が合致した状態で、デバイスパターン領域１２ｅに形成されたデバイスパターンが、フォトレジスト膜２６に転写されることとなる。
【００８６】
なお、デバイスパターン領域１２ｃ〜１２ｅや半導体回路領域２２ｃ等のレイアウトは上記に限定されるものではない。デバイスパターン領域１２ｅに形成されたデバイスパターンを転写する際に、レチクル８ｃの中央に対応する半導体ウェハ１８上の箇所が半導体回路領域２２ｃ内となるように、レチクル８ｃの中央からのデバイスパターン領域１２ｅの距離を設定すればよい。
【００８７】
例えば、上記では、複数のデバイスパターン領域１２ｃ及び複数の半導体回路領域２２ｃが一定のピッチＸ１で配されており、レチクル８ｃの中心線とデバイスパターン領域１２ｅの中心線との距離Ｘ２０がデバイスパターン領域１２ｃのピッチＸ１の整数倍に設定されている場合を例に説明したが、レチクル８ｃの中心線とデバイスパターン領域１２ｅの中心線との距離Ｘ２０がデバイスパターン領域１２ｃのピッチＸ１の整数倍でなくてもよい。例えば、レチクル８ｃの中心線とデバイスパターン領域１２ｄの中心線との距離Ｘ２０が、
ｎ×Ｘ１−０．５×Ｘ２＜Ｘ２０＜ｎ×Ｘ１＋０．５×Ｘ２
となるように、レチクル８ｃの中心線とデバイスパターン領域１２ｅの中心線との距離Ｘ２０を設定すればよい。なお、ｎは正の整数である。
【００８８】
また、上記では、複数のデバイスパターン領域１２ｃの幅Ｘ２が互いに等しい場合を例に説明したが、複数のデバイスパターン領域１２ｃの幅Ｘ２が互いに異なっていてもよい。この場合にも、デバイスパターン領域１２ｅに形成されたデバイスパターンを転写する際に、レチクル８ｃの中央に対応する半導体ウェハ１８上の箇所が半導体回路領域２２ｃ内となるように、レチクル８ｃの中央からのデバイスパターン領域１２ｅの距離Ｘ２０を設定すればよい。
【００８９】
また、上記では、デバイスパターン領域１２ｃの幅Ｘ２とデバイスパターン領域１２ｅの幅Ｘ５とが互いに等しい場合を例に説明したが、デバイスパターン領域１２ｃの幅Ｘ２とデバイスパターン領域１２ｅの幅Ｘ５とが互いに異なっていてもよい。この場合にも、デバイスパターン領域１２ｅに形成されたデバイスパターンを転写する際に、レチクル８ｃの中央に対応する半導体ウェハ１８上の箇所が半導体回路領域２２ｃ内となるように、レチクル８ｃの中央からのデバイスパターン領域１２ｅの距離Ｘ２０を設定すればよい。
【００９０】
また、上記では、半導体回路領域２２ｃのピッチＸ１が一定である場合を例に説明したが、半導体回路領域２２ｃのピッチＸ１が一定でなくてもよい。この場合にも、デバイスパターン領域１２ｅに形成されたデバイスパターンを転写する際に、レチクル８ｃの中央に対応する半導体ウェハ１８上の箇所が半導体回路領域２２ｃ内となるように、レチクル８ｃの中央からのデバイスパターン領域１２ｅの距離Ｘ２０を設定すればよい。
【００９１】
また、上記では、デバイスパターン領域１２ｃ、１２ｅに形成されたデバイスパターンを半導体ウェハ１８上に等倍で転写する場合を例に説明したが、デバイスパターン領域１２ｃ、１２ｅに形成されたデバイスパターンを縮小又は拡大して半導体ウェハ１８上に転写してもよい。この場合にも、デバイスパターン領域１２ｅに形成されたデバイスパターンを転写する際に、レチクル８ｃの中央に対応する半導体ウェハ１８上の箇所が半導体回路領域２２ｃ内となるように、レチクル８ｃの中央からのデバイスパターン領域１２ｅの距離Ｘ２０を設定すればよい。
【００９２】
このように本実施形態による半導体装置の製造方法は、デバイスパターン領域１２ｄに形成されたデバイスパターンをフォトレジスト膜２６に転写する際に、レチクル８ｃの中央に対応する半導体ウェハ１８上の箇所が半導体回路領域２２ｃ内となるように、レチクル８ｃの中央からのデバイスパターン領域１２ｄの距離Ｘ19が設定されていることに主な特徴がある。
【００９３】
レチクル８ｄにデバイスパターン領域１２ｄを単に配した場合には、図１２に示すように、レチクル８ｄの中央に対応する半導体ウェハ１８上の箇所がスクライブライン領域２８上となってしまう虞がある。図１２は、比較例による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。図１２に示すように、スクライブライン領域２８上に存在するフォトレジスト膜２６の表面の高さは、半導体回路領域２２ｄ上に存在するフォトレジスト膜２６の表面の高さより低い。このため、デバイスパターンの結像面が焦点に合致していない状態で、デバイスパターン領域１２ｄ内に形成されたデバイスパターンがフォトレジスト膜２６に転写されてしまうこととなる。この場合には、フォトレジスト膜２６にデバイスパターンを高精度に転写することができない。
【００９４】
これに対し、本実施形態によれば、デバイスパターン領域１２ｄに形成されたデバイスパターンを転写する際に、レチクル８ｃの中央に対応する半導体ウェハ１８上の箇所が半導体回路領域２２ｃ内となるように、レチクル８ｃの中央からのデバイスパターン領域１２ｄの距離が設定されているため、デバイスパターンの結像面が焦点に合致している状態で、デバイスパターン領域内に形成されたデバイスパターンがフォトレジスト膜に転写される。従って、本実施形態によれば、デバイスパターン領域に形成された検査用のデバイスパターンを、フォトレジスト膜に高精度で転写することが可能となる。
【００９５】
また、本実施形態による半導体装置の製造方法は、デバイスパターン領域１２ｅに形成されたデバイスパターンを転写する際に、レチクル８ｃの中央に対応する半導体ウェハ１８上の箇所が半導体回路領域２２ｃ内となるように、レチクル８ｃの中央からのデバイスパターン領域１２ｅの距離Ｘ20が設定されていることに主な特徴がある。
【００９６】
レチクル８ｄにデバイスパターン領域１２ｅを単に配した場合には、図１３に示すように、レチクル８ｄの中央に対応する半導体ウェハ１８上の箇所がスクライブライン領域２８上となってしまう場合がある。図１３は、比較例による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。図１３に示すように、スクライブライン領域１８上に存在するフォトレジスト膜２６の表面の高さは、半導体回路領域２２ｃ上に存在するフォトレジスト膜２６の表面の高さより低い。このため、デバイスパターンの結像面と焦点とが合致していない状態で、デバイスパターン領域１２ｄ内に形成されたデバイスパターンがフォトレジスト膜２６に転写されてしまうこととなる。この場合には、フォトレジスト膜２６にデバイスパターンを高精度に転写することができない。
【００９７】
これに対し、本実施形態によれば、デバイスパターン領域１２ｅに形成されたデバイスパターンを転写する際に、レチクル８ｃの中央に対応する半導体ウェハ１８上の箇所が半導体回路領域２２ｃ内となるように、レチクル８ｃの中央からのデバイスパターン領域１２ｅの距離が設定されているため、デバイスパターンの結像面が焦点に合致している状態で、デバイスパターン領域１２ｅ内に形成されたデバイスパターンがフォトレジスト膜２６に転写される。従って、本実施形態によれば、デバイスパターン領域１２ｅに形成されたデバイスパターンを、フォトレジスト膜２６に高精度で転写することが可能となる。
【００９８】
［第３実施形態］
本発明の第３実施形態による半導体装置の製造方法を図１４乃至図１７を用いて説明する。図１４は、本実施形態で用いられるレチクルを示す平面図である。図１５乃至図１７は、本実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。図１乃至図１３に示す第１又は第２実施形態による半導体装置の製造方法と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。
【００９９】
図１４に示すように、レチクル８ｅには、第１のデバイスパターン領域１２ｆと、第２のデバイスパターン領域１２ｇと、第３のデバイスパターン領域１２ｈとが配されている。第１のデバイスパターン領域１２ｆには、第１のデバイスパターンが形成されている。第２のデバイスパターン領域１２ｇには、第２のデバイスパターンが形成されている。第３のデバイスパターン領域１２ｈには、第３のデバイスパターンが形成されている。第１のデバイスパターンと第２のデバイスパターンと第３のデバイスパターンとは、互いに異なっている。第１のデバイスパターンと第２のデバイスパターンと第３のデバイスパターンとは、互いに異なるフォトレジスト膜に転写される。
【０１００】
第１のデバイスパターン領域１２ｆは、レチクル８ｅの中央を含む領域に配されている。第１のデバイスパターン領域１２ｆの周囲は、スクライブライン領域１４となっている。スクライブライン１４のＸ方向の幅Ｘ８をＬとしたときの第１のデバイスパターン領域１２ｆのＸ方向の幅Ｘ９は、例えば５Ｌに設定されている。ここでは、Ｌの値を、例えばレチクル上において２０００μｍとする。
【０１０１】
第１のデバイスパターン領域１２ｆの紙面右側には、第２のデバイスパターン領域１２ｇが配されている。第２のデバイスパターン領域１２ｇの周囲は、スクライブライン領域１４となっている。第２のデバイスパターン領域１２ｇのＸ方向の幅Ｘ１０は、例えば５×Ｌに設定されている。
【０１０２】
第１のデバイスパターン領域１２ｆと第２のデバイスパターン領域１２ｇとの間に存在する遮光帯（遮光膜）１６の幅Ｘ１１は、３Ｌに設定されている。
【０１０３】
第１のデバイスパターン領域１２ｆの紙面左側には、第３のデバイスパターン領域１２ｈが配されている。第３のデバイスパターン領域１２ｈの周囲は、スクライブライン領域１４となっている。第３のデバイスパターン領域１２ｈのＸ方向の幅Ｘ１２は、例えば５Ｌに設定されている。
【０１０４】
第１のデバイスパターン領域１２ｆと第３のデバイスパターン領域１２ｈとの間に存在する遮光帯（遮光膜）１６の幅Ｘ１３は、３Ｌに設定されている。
【０１０５】
このようなレイアウトでデバイスパターン領域１２ｆ〜１２ｈが設定されているため、第１のデバイスパターン領域１２ｆの中心線と第２のデバイスパターン領域１２ｇの中心線との間のＸ方向の距離Ｘ１４は、１０Ｌとなる。また、第１のデバイスパターン領域１２ｆの中心線と第３のデバイスパターン領域１２ｈの中心線との間のＸ方向の距離Ｘ１５は、１０Ｌとなる。
【０１０６】
図１５は、第１のデバイスパターン領域１２ｆに形成された第１のデバイスパターンを、層間絶縁膜２３を覆うように形成されたフォトレジスト膜２６に順次転写する際の状態を示している。
【０１０７】
半導体回路領域２２ｎのＸ方向のピッチＸ１６は、６Ｌに設定されている。半導体回路領域２２ｎのＸ方向の幅Ｘ１７は、５Ｌに設定されている。半導体回路領域２２ｎ間のスクライブライン領域２８の幅Ｘ１８は、Ｌに設定されている。
【０１０８】
第１のデバイスパターン領域１２ｆに形成された第１のデバイスパターンをフォトレジスト膜２６に転写する際には、第１のデバイスパターン領域１２ｆの上方が開口するように、ブラインド３２の開口部３４ｃが設定される。そして、第１のデバイスパターン領域１２ｆに形成された第１のデバイスパターンが半導体回路領域２２ｎ上のフォトレジスト膜２６に正確に転写されるように、位置合わせが行われる。第１のデバイスパターン領域１２ｆはレチクル８ｅの中央を含む領域に配されており、レチクル８ｅの中央に対応する半導体ウェハ１８上の箇所は半導体回路領域２２ｎ内である。このため、半導体回路領域２２ｎ上に存在するフォトレジスト膜２６の表面に焦点が合致している状態で、第１のデバイスパターンの転写が行われる。即ち、第１のデバイスパターンの転写面と焦点とが合致している状態で、半導体回路領域２２ｎ上に存在するフォトレジスト膜２６に第１のデバイスパターンの転写が行われることとなる。第１のデバイスパターンの転写は、半導体ウェハ１８上の複数の半導体回路領域２２ｎのそれぞれに対して順次行われる。この後、フォトレジスト膜２６が現像され、現像されたフォトレジスト膜２６をマスクとして層間絶縁膜２３等がエッチングされる。
【０１０９】
図１６は、第２のデバイスパターン領域１２ｇに形成された第２のデバイスパターンを、層間絶縁膜２３、２４を覆うように形成されたフォトレジスト膜２６ａに順次転写する際の状態を示している。
【０１１０】
第２のデバイスパターン領域１２ｇに形成された第２のデバイスパターンをフォトレジスト膜２６ａに転写する際には、第２のデバイスパターン領域１２ｇの上方が開口するように、ブラインド３２の開口部３４ｄが設定される。そして、第２のデバイスパターン領域１２ｇに形成された第２のデバイスパターンが半導体回路領域２２ｎ上に存在するフォトレジスト膜２６ａに正確に転写されるように、位置合わせが行われる。
【０１１１】
第１のデバイスパターン領域１２ｆの中心線と第２のデバイスパターン領域１２ｇの中心線との間隔Ｘ１４が１０Ｌに設定されており、半導体回路領域２２ｎのＸ方向の幅Ｘ１７が５Ｌに設定されており、スクライブライン領域２８のＸ方向の幅Ｘ１８がＬに設定されているため、第２のデバイスパターン領域１２ｇに形成された第２のデバイスパターンを半導体回路領域２２ｎ上に存在するフォトレジスト膜２６ａに転写する際には、レチクル８ｅの中央に対応する半導体ウェハ１８上の箇所が他の半導体回路領域２２ｎ−２内となる。換言すれば、第２のデバイスパターン領域１２ｇに形成された第２のデバイスパターンを半導体回路領域２２ｎ上に存在するフォトレジスト膜２６ａに転写する際に、レチクル８ｅの中央に対応する半導体ウェハ１８上の箇所が他の半導体回路領域２２ｎ−２内となるように、レチクル８ｅの中心線と第２のデバイスパターン領域１２ｇの中心線との距離Ｘ１４が設定されている。
【０１１２】
なお、デバイスパターン領域１２ｆ〜１２ｈや半導体回路領域２２ｎ等のレイアウトは上記に限定されるものではない。デバイスパターン領域１２ｇに形成されたデバイスパターンを半導体回路領域に転写する際に、レチクル８ｃの中央に対応する半導体ウェハ１８上の箇所が他の半導体回路領域内となるように、レチクル８ｃの中央からのデバイスパターン領域１２ｇの距離Ｘ１４を設定すればよい。
【０１１３】
例えば、上記では、レチクル８ｅの中心線と第２のデバイスパターン領域１２ｇの中心線との距離Ｘ１４を１０Ｌに設定する場合を例に説明したが、レチクル８ｅの中心線と第２のデバイスパターン領域１２ｇの中心線との距離Ｘ１４は、１０Ｌに限定されるものではない。デバイスパターン領域１２ｇに形成されたデバイスパターンを半導体回路領域に転写する際に、レチクル８ｃの中央に対応する半導体ウェハ１８上の箇所が他の半導体回路領域内となるように、レチクル８ｃの中央からのデバイスパターン領域１２ｇの距離を設定すればよい。例えば、レチクル８ｅの中心線と第２のデバイスパターン領域１２ｇの中心線との間の距離Ｘ１４が、
ｎ×Ｘ１６−１／２×Ｘ１７＜Ｘ１４＜ｎ×Ｘ１６＋１／２×Ｘ１７
となるように、レチクル８ｅの中心線と第２のデバイスパターン領域１２ｇの中心線との間の距離Ｘ１４を設定すればよい。なお、ｎは正の整数である。
【０１１４】
また、上記では、半導体回路領域２２ｎのピッチが一定である場合を例に説明したが、半導体回路領域２２ｎのピッチが一定でなくてもよい。この場合にも、デバイスパターン領域１２ｇに形成されたデバイスパターンを半導体回路領域に転写する際に、レチクル８ｃの中央に対応する半導体ウェハ１８上の箇所が他の半導体回路領域内となるように、レチクル８ｃの中央からのデバイスパターン領域１２ｇの距離Ｘ１４を設定すればよい。
【０１１５】
また、上記では、デバイスパターン領域１２ｆ、１２ｇに形成されたデバイスパターンを半導体ウェハ１８上に等倍で転写する場合を例に説明したが、デバイスパターン領域１２ｆ、１２ｇに形成されたデバイスパターンを縮小又は拡大して半導体ウェハ１８上に転写してもよい。この場合にも、デバイスパターン領域１２ｇに形成されたデバイスパターンを半導体回路領域に転写する際に、レチクル８ｃの中央に対応する半導体ウェハ１８上の箇所が他の半導体回路領域内となるように、レチクル８ｃの中央からのデバイスパターン領域１２ｇの距離Ｘ１４を設定すればよい。
【０１１６】
半導体回路領域２２ｎ−２上に存在するフォトレジスト膜２６ａの表面の高さと半導体回路領域２２ｎ上に存在するフォトレジスト膜２６ａの高さとが等しいため、第２のデバイスパターンの転写面と焦点とが合致した状態で半導体回路領域２２ｎ上のフォトレジスト膜２６ａに第２のデバイスパターンが転写されることとなる。このため、本実施形態によれば、半導体回路領域２２ｎに第２のデバイスパターンを高精度で転写することができる。第２のデバイスパターンの転写は、半導体ウェハ１８上の複数の半導体回路領域２２ｎのそれぞれに対して順次行われる。この後、フォトレジスト膜２６ａが現像され、現像されたフォトレジスト膜２６ａをマスクとして層間絶縁膜２４等がエッチングされる。
【０１１７】
図１７は、第３のデバイスパターン領域１２ｈに形成された第２のデバイスパターンを、層間絶縁膜２３、２４、２５を覆うように形成されたフォトレジスト膜２６ｂに順次転写する際の状態を示している。
【０１１８】
第２のデバイスパターン領域１２ｈに形成された第２のデバイスパターンをフォトレジスト膜２６ｂに転写する際には、第２のデバイスパターン領域１２ｈの上方が開口するように、ブラインド３２の開口部３４ｅが設定される。そして、第２のデバイスパターン領域１２ｈに形成された第２のデバイスパターンが半導体回路領域２２ｎ上に存在するフォトレジスト膜２６ｂに正確に転写されるように、位置合わせが行われる。
【０１１９】
第１のデバイスパターン領域１２ｆと第３のデバイスパターン領域１２ｈとの間隔Ｘ１５が１０Ｌに設定されており、半導体回路領域２２ｎのＸ方向の幅Ｘ１７が５Ｌに設定されており、スクライブライン領域２８のＸ方向の幅Ｘ１８がＬに設定されているため、第３のデバイスパターン領域１２ｈに形成された第３のデバイスパターンを半導体回路領域２２ｎ上に存在するフォトレジスト膜２６ｂに転写する際には、レチクル８ｅの中央に対応する半導体ウェハ１８上の箇所が他の半導体回路領域２２ｎ＋２内となる。換言すれば、第３のデバイスパターン領域１２ｈに形成された第３のデバイスパターンを半導体回路領域２２ｎ上に存在するフォトレジスト膜２６ｂに転写する際に、レチクル８ｅの中央に対応する半導体ウェハ１８上の箇所が他の半導体回路領域２２ｎ＋２内となるように、レチクル８ｅの中心線と第３のデバイスパターン領域１２ｈの中心線との間の距離Ｘ２２が設定されている。
【０１２０】
なお、デバイスパターン領域１２ｆ〜１２ｈや半導体回路領域２２ｎ等のレイアウトは上記に限定されるものではない。デバイスパターン領域１２ｈに形成されたデバイスパターンを半導体回路領域に転写する際に、レチクル８ｃの中央に対応する半導体ウェハ１８上の箇所が他の半導体回路領域内となるように、レチクル８ｃの中央からのデバイスパターン領域１２ｈの距離Ｘ１５を設定すればよい。
【０１２１】
例えば、上記では、レチクル８ｅの中心線と第３のデバイスパターン領域１２ｈの中心線との距離Ｘ１５を１０Ｌに設定する場合を例に説明したが、レチクル８ｅの中心線と第２のデバイスパターン領域１２ｈの中心線との距離Ｘ１５は、１０Ｌに限定されるものではない。例えば、レチクル８ｅの中心線と第２のデバイスパターン領域１２ｈの中心線との間の距離Ｘ１５が、
ｎ×Ｘ１６−１／２×Ｘ１７＜Ｘ１５＜ｎ×Ｘ１６＋１／２×Ｘ１７
となるように、レチクル８ｅの中心線と第３のデバイスパターン領域１２ｈの中心線との間の距離Ｘ１５を設定すればよい。なお、ｎは正の整数である。
【０１２２】
また、上記では、半導体回路領域２２ｎのピッチが一定である場合を例に説明したが、半導体回路領域２２ｎのピッチが一定でなくてもよい。この場合にも、デバイスパターン領域１２ｈに形成されたデバイスパターンを半導体回路領域に転写する際に、レチクル８ｃの中央に対応する半導体ウェハ１８上の箇所が他の半導体回路領域内となるように、レチクル８ｃの中央からのデバイスパターン領域１２ｈの距離Ｘ１５を設定すればよい。
【０１２３】
また、上記では、デバイスパターン領域１２ｆ、１２ｈに形成されたデバイスパターンを半導体ウェハ１８上に等倍で転写する場合を例に説明したが、デバイスパターン領域１２ｆ、１２ｈに形成されたデバイスパターンを縮小又は拡大して半導体ウェハ１８上に転写してもよい。この場合にも、デバイスパターン領域１２ｈに形成されたデバイスパターンを半導体回路領域に転写する際に、レチクル８ｃの中央に対応する半導体ウェハ１８上の箇所が他の半導体回路領域内となるように、レチクル８ｃの中央からのデバイスパターン領域１２ｈの距離Ｘ１５を設定すればよい。
【０１２４】
半導体回路領域２２ｎ＋２上に存在するフォトレジスト膜２６ｂの表面の高さと半導体回路領域２２ｎ上に存在するフォトレジスト膜２６ｂの高さとが等しいため、第３のデバイスパターンの転写面と焦点とが合致した状態で半導体回路領域２２ｎ上のフォトレジスト膜２６ｂに第３のデバイスパターンが転写されることとなる。このため、本実施形態によれば、半導体回路領域２２ｎに第３のデバイスパターンを高精度で転写することができる。第３のデバイスパターンの転写は、半導体ウェハ１８上の複数の半導体回路領域２２ｎのそれぞれに対して順次行われる。この後、フォトレジスト膜２６ｂが現像され、現像されたフォトレジスト膜２６ｂをマスクとして層間絶縁膜２５等がエッチングされる。
【０１２５】
この後、半導体ウェハ１８をダイシングライン３０で切断すると、各々の半導体チップの幅は６Ｌとなる。
【０１２６】
このように本実施形態による半導体装置の製造方法は、第２のデバイスパターン領域１２ｇに形成された第２のデバイスパターンを半導体回路領域２２ｎ上に存在するフォトレジスト膜２６ａに転写する際に、レチクル８ｅの中央に対応する半導体ウェハ１８上の箇所が半導体回路領域２２ｎ−２内となるように、レチクル８ｅの中心からの第２のデバイスパターン領域１２ｇの距離Ｘ２１が設定されていることに主な特徴がある。
【０１２７】
レチクル８ｆにデバイスパターン領域１２ｆ〜１２ｇを単に配した場合には、図１８に示すように、レチクル８ｆの中央に対応する半導体ウェハ１８上の箇所がスクライブライン領域２８上となってしまう虞がある。図１８は、比較例による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。図１８に示すように、スクライブライン領域２８上に存在するフォトレジスト膜２６ａの表面の高さは、半導体回路領域２２ｎ上に存在するフォトレジスト膜２６の表面の高さより低い。このため、第２のデバイスパターンの結像面と焦点とが合致していない状態で、第２のデバイスパターンがフォトレジスト膜２６ａに転写されてしまうこととなる。この場合には、フォトレジスト膜２６ａに第２のデバイスパターンを高精度に転写することができない。
【０１２８】
これに対し、本実施形態によれば、第２のデバイスパターン領域１２ｇに形成された第２のデバイスパターンを半導体回路領域２２ｎ上に存在するフォトレジスト膜２６ａに転写する際に、レチクル８ｅの中央に対応する半導体ウェハ１８上の箇所が半導体回路領域２２ｎ−２内となるように、レチクル８ｅの中央からの第２のデバイスパターン領域１２ｇの距離Ｘ２１が設定されているため、第２のデバイスパターンの結像面と焦点とが合致している状態で、半導体回路領域２２ｎ上に存在するフォトレジスト膜２６ａに第２のデバイスパターンが転写される。従って、本実施形態によれば、レチクル８ｅの中央に対応する半導体ウェハ１８上の箇所に焦点を合わせて露光を行う露光装置を用いた場合であっても、第２のデバイスパターンをフォトレジスト膜２６ａに高精度で転写することが可能となる。
【０１２９】
また、本実施形態による半導体装置の製造方法は、第３のデバイスパターン領域１２ｈに形成された第３のデバイスパターンを半導体回路領域２２ｎ上に存在するフォトレジスト膜２６ｂに転写する際に、レチクル８ｅの中央に対応する半導体ウェハ１８上の箇所が半導体回路領域２２ｎ＋２内となるように、レチクル８ｅの中央からの第３のデバイスパターン領域１２ｈの距離Ｘ２２が設定されていることに主な特徴がある。
【０１３０】
レチクル８ｆにデバイスパターン領域１２ｆ〜１２ｇを単に配した場合には、図１９に示すように、レチクル８ｆの中央に対応する半導体ウェハ１８上の箇所がスクライブライン領域２８上となってしまう虞がある。図１９は、比較例による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。図１９に示すように、スクライブライン領域２８上に存在するフォトレジスト膜２６ｂの表面の高さは、半導体回路領域２２ｎ上に存在するフォトレジスト膜２６の表面の高さより低い。このため、第２のデバイスパターンの結像面と焦点とが合致していない状態で、第２のデバイスパターンがフォトレジスト膜２６ｂに転写されてしまうこととなる。この場合には、フォトレジスト膜２６ｂに第２のデバイスパターンを高精度に転写することができない。
【０１３１】
これに対し、本実施形態によれば、第３のデバイスパターン領域１２ｈに形成された第３のデバイスパターンを半導体回路領域２２ｎ上に存在するフォトレジスト膜２６ｂに転写する際に、レチクル８ｅの中央に対応する半導体ウェハ１８上の箇所が半導体回路領域２２ｎ＋２内となるように、レチクル８ｅの中央からの第３のデバイスパターン領域１２ｈの距離Ｘ２２が設定されているため、第３のデバイスパターンの結像面と焦点とが合致している状態で、半導体回路領域２２ｎ上に存在するフォトレジスト膜２６ｂに第２のデバイスパターンが転写される。従って、本実施形態によれば、レチクル８ｅの中央に対応する半導体ウェハ１８上の箇所に焦点を合わせて露光を行う露光装置を用いた場合であっても、第３のデバイスパターンをフォトレジスト膜２６ｂに高精度で転写することが可能となる。
【０１３２】
［変形実施形態］
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
【０１３３】
例えば、第１実施形態では、デバイスパターン領域を２つ又は４つ配する場合を例に説明したが、デバイスパターン領域の数は２つ又は４つに限定されるものではなく、偶数個のデバイスパターン領域をレチクルに配すればよい。
【０１３４】
また、第３実施形態では、デバイスパターン領域１２ｆ〜１２ｈの幅を５Ｌ、スクライブライン領域１４、２８の幅をＬ、半導体回路領域２２ｎの幅を５Ｌ、半導体チップの幅を６Ｌとする場合を例に説明したが、デバイスパターン領域１２ｆ〜１２ｈの幅、スクライブライン領域１４、２８の幅、半導体回路領域２２ｎの幅、半導体チップの幅は、これに限定されるものではない。第２のデバイスパターン領域１２ｇに形成された第２のデバイスパターンを半導体回路領域上に存在するフォトレジスト膜１２ａに転写する際に、レチクル８ｅの中央に対応する半導体ウェハ１８上の箇所が他の半導体回路領域内となるように、レチクル８ｅの中央からのデバイスパターン領域１２ｇの距離を適宜設定すればよい。また、第３のデバイスパターン領域１２ｈに形成された第３のデバイスパターンを半導体回路領域上に存在するフォトレジスト膜１２ｂに転写する際に、レチクル８ｅの中央に対応する半導体ウェハ１８上の箇所が他の半導体回路領域内となるように、レチクル８ｅの中央からのデバイスパターン領域１２ｈの距離を適宜設定すればよい。
【０１３５】
以上詳述したように、本発明の特徴をまとめると以下のようになる。
【０１３６】
（付記１）  複数のデバイスパターン領域の各々にデバイスパターンが形成されたレチクルと；前記レチクルの中央に対応する半導体ウェハ上の箇所に焦点を合わせて露光を行う露光装置とを用い、複数の前記デバイスパターンを半導体ウェハの複数の半導体回路領域に転写する工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記デバイスパターン領域の数は、偶数であり、
前記複数のデバイスパターン領域のいずれかの内側に、前記レチクルの中央が位置している
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０１３７】
（付記２）  複数の第１のデバイスパターン領域の各々に第１のデバイスパターンが形成され、第２のデバイスパターン領域に前記第１のデバイスパターンと異なる第２のデバイスパターンが形成されたレチクルと；前記レチクルの中央に対応する半導体ウェハ上の箇所に焦点を合わせて露光を行う露光装置とを用い、前記半導体ウェハの複数の第１の半導体回路領域の各々に前記第１のデバイスパターンを転写する工程と、前記半導体ウェハの第２の半導体回路領域に前記第２のデバイスパターンを転写する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記複数の第１のデバイスパターン領域のいずれかの内側に、前記レチクルの中央が位置しており、
前記レチクルの中央からの前記第２のデバイスパターン領域の距離は、前記第２のデバイスパターンを前記第２の半導体回路領域に転写する際に、前記レチクルの中央に対応する前記半導体ウェハ上の箇所が、前記複数の第１の半導体回路領域のいずれかの内側となるように設定されている
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０１３８】
（付記３）  付記２記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２のデバイスパターンは、検査用のデバイスパターンである
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０１３９】
（付記４）付記２又は３記載の半導体装置の製造方法において、
前記レチクルには、第３のデバイスパターン領域に第３のデバイスパターンが更に形成されており、
前記半導体ウェハの第３の半導体回路領域に前記第３のデバイスパターンを転写する工程を更に有し、
前記レチクルの中央からの前記第３のデバイスパターン領域の距離は、前記第３のデバイスパターンを前記第３の半導体回路領域に転写する際に、前記レチクルの中央に対応する前記半導体ウェハ上の箇所が、前記複数の第１の半導体回路領域のいずれかの内側となるように設定されている
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０１４０】
（付記５）  第１のデバイスパターン領域に第１のデバイスパターンが形成され、第２のデバイスパターン領域に第２のデバイスパターンが形成されたレチクルと、前記レチクルの中央に対応する前記半導体ウェハ上の箇所に焦点を合わせて露光を行う露光装置とを用い、半導体ウェハの複数の半導体回路領域に前記第１のデバイスパターンを順次転写する工程と、前記半導体ウェハの前記複数の半導体回路領域に前記第２のデバイスパターンを順次転写する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記第１のデバイスパターン領域の内側に、前記レチクルの中央が位置しており、
前記レチクルの中央からの前記第２のデバイスパターン領域の距離は、前記第２のデバイスパターンを前記半導体回路領域に転写する際に、前記レチクルの中央に対応する前記半導体ウェハ上の箇所が、他の前記複数の半導体回路領域のいずれかの内側となるように設定されている
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０１４１】
（付記６）  付記５記載の半導体装置の製造方法において、
前記レチクルには、第３のデバイスパターン領域に第３のデバイスパターンが更に形成されており、
前記第２のデバイスパターンを順次転写する工程の後に、前記半導体ウェハの前記複数の半導体回路領域に前記第３のデバイスパターンを順次転写する工程を更に有し、
前記レチクルの中央からの前記第３のデバイスパターン領域の距離は、前記第３のデバイスパターンを前記半導体回路領域に転写する際に、前記レチクルの中央に対応する前記半導体ウェハ上の箇所が、他の前記複数の半導体回路領域のいずれかの内側となるように設定されている
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【０１４２】
【図１】本発明の第１実施形態で用いられるレチクルを示す平面図である。
【図２】本発明の第１実施形態による半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態の変形例（その１）で用いられるレチクルを示す平面図である。
【図４】本発明の第１実施形態の変形例（その１）による半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図５】本発明の第１実施形態の変形例（その２）で用いられるレチクルを示す平面図である。
【図６】本発明の第１実施形態の変形例（その２）による半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図７】本発明の第２実施形態で用いられるレチクルを示す平面図である。
【図８】本発明の第２実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。
【図９】本発明の第２実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。
【図１０】本発明の第２実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その３）である。
【図１１】本発明の第２実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その４）である。
【図１２】本発明の第２実施形態の比較例による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。
【図１３】本発明の第２実施形態の比較例による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。
【図１４】本発明の第３実施形態で用いられるレチクルを示す平面図である。
【図１５】本発明の第３実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。
【図１６】本発明の第３実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。
【図１７】本発明の第３実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その３）である。
【図１８】本発明の第３実施形態の比較例による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。
【図１９】本発明の第３実施形態の比較例による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。
【図２０】従来のレチクルを示す平面図である。
【図２１】図２０に示すレチクルを用いてフォトレジスト膜にデバイスパターンを転写する場合を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１４３】
８…レチクル
１０…透明基板
１２…デバイスパターン領域
１４…スクライブライン領域
１６…遮光領域
１８…半導体ウェハ
２０…投影レンズ
２２…半導体回路領域
２３…層間絶縁膜
２４…層間絶縁膜
２５…層間絶縁膜
２６…フォトレジスト膜
２８…スクライブライン領域
３０…ダイシングライン
３２…ブラインド
３４…開口部
１０８…レチクル
１１０…透明基板
１１２…デバイスパターン領域
１１４…スクライブライン領域
１１６…遮光領域
１１８…半導体ウェハ
１２０…投影レンズ
１２２…半導体回路領域
１２４…層間絶縁膜
１２５…層間絶縁膜
１２６…フォトレジスト膜
１２８…スクライブライン領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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