(57)【要約】【課題】  ＲＩ／ＲＩ化合物の外部漏洩の可能性が減らされ、信頼性が十分に向上されたＲＩ合成装置を提供することを課題とする。【解決手段】  電磁弁設置部の電磁弁設置面１８と電磁弁Ｖ５，Ｖ６の設置面１２とを密着させ、電磁弁Ｖ５，Ｖ６の流入口、流出口と電磁弁設置面部の接続口Ｐ２５，Ｐ２７とを連通させると共に、台座６内部に分岐点を有する孔経路Ｌ８〜Ｌ１０を形成し、配管継手を不要とし、螺合部を無くすと共に接続部自体も減らすことで、ＲＩ／ＲＩ化合物の外部漏洩の可能性を減らす。【選択図】  図６
2006017548.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射性同位元素、試薬が導入され、放射性同位元素標識化合物を得るＲＩ合成装置であって、
電磁弁を密着して設置する設置面が設けられた電磁弁設置部を有する台座を具備し、
前記台座は、内部に形成された所定の孔経路と、
外面に前記孔経路に連通する接続口と、を有し、
前記電磁弁の設置面と前記電磁弁設置部の設置面とを密着させることにより、前記接続口と前記電磁弁の出入口部とが連通されることを特徴とするＲＩ合成装置。
【請求項２】
前記台座は、耐薬品性の樹脂製であることを特徴とする請求項１記載のＲＩ合成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＲＩ合成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば病院等のＰＥＴ検査（陽電子断層撮影検査）等に使用される放射性同位元素標識化合物（ＲＩ化合物）は、放射性同位元素（ＲＩ）を所定の原料試薬と化学反応させるＲＩ合成装置で合成される。このようなＲＩ合成装置として、例えば、原料試薬を充填する試薬槽、原料試薬を用いてＲＩ化合物を合成する反応器、ＲＩ化合物を回収する回収容器、電磁弁等の部品から構成されるものが知られている。
【０００３】
このようなＲＩ合成装置では、電磁弁の流入・流出ポートに対して、配管継手を介して各配管が接続され（特許文献１参照）、さらに、これらの配管の分岐点は、例えばＴ字型、Ｙ字型等の配管継手が採用されて配管同士が接続され、これらの接続部は螺合されているのが一般的である。
【特許文献１】実開平６−２２６７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このように、上記装置にあっては、配管継手を介して螺合による接続部が多く、この螺合による接続部の隙間を通じてＲＩ／ＲＩ化合物が外部に漏洩する虞がある。
【０００５】
本発明は、このような課題を解決するために成されたものであり、ＲＩ／ＲＩ化合物の外部漏洩の可能性が減らされ、信頼性が十分に向上されたＲＩ合成装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によるＲＩ合成装置は、放射性同位元素、試薬が導入され、放射性同位元素標識化合物を得るＲＩ合成装置であって、電磁弁を密着して設置する設置面が設けられた電磁弁設置部を有する台座を具備し、この台座は、内部に形成された孔経路と、外面に当該孔経路に連通する接続口と、を有し、電磁弁の設置面と電磁弁設置部の設置面とを密着させることにより、接続口と電磁弁の出入口部とが連通されることを特徴としている。
【０００７】
このように構成されたＲＩ合成装置によれば、電磁弁設置部と電磁弁の設置面同士が密着し、電磁弁の出入口部と電磁弁設置部の接続口とが連通されると共に、台座内部にも孔経路が形成されて、配管継手が不要とされ、螺合部が無くされると共に接続部自体も減らされる。
【０００８】
ここで、台座が耐薬品性の樹脂製であると、ＲＩ／ＲＩ化合物、試薬等による孔経路の腐食損傷が防止される。
【発明の効果】
【０００９】
このように本発明によるＲＩ合成装置によれば、配管継手が不要とされ、螺合部が無くされると共に接続部自体も減らされているため、ＲＩ／ＲＩ化合物の外部漏洩の可能性が減らされ、信頼性が十分に向上されたＲＩ合成装置を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明によるＲＩ合成装置の好適な実施形態について図１〜図１０を参照しながら説明する。図１は、本発明の実施形態に係るＲＩ合成装置を示す斜視図、図２〜図８は、図１に示すＲＩ合成装置の各図、図９は、図１に示すＲＩ合成装置の概略系統図、図１０は、図１中の電磁弁の部分断面図である。なお、図面の説明において、同一または相当要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、図面の位置関係に基づくものとする。
【００１１】
図１〜図９に示すように、本実施形態のＲＩ合成装置１は、例えば、病院等のＰＥＴ検査（陽電子断層撮影検査）等に使用されるコリン、メチオニン等の放射性同位元素標識化合物である放射性薬剤（放射性医薬品を含む）を合成するＲＩ合成装置である。
【００１２】
このＲＩ合成装置１は、図１、図２、図５及び図６に示すように、電磁弁Ｖ１〜Ｖ６（以下これらの電磁弁を総じてＶと呼ぶ）、試薬等を充填する試薬槽４ａ〜４ｃ、ＲＩ化合物を合成する反応カラム３０（図２及び図６参照）、この反応カラム３０で反応されたＲＩ化合物を製品として回収する製品回収槽５を各々備える台座６を具備している。
【００１３】
電磁弁Ｖは、耐食性を有したダイアフラム式の電磁弁であり、図１０に示すように、その内部に、コイル３１、このコイル３１により開方向に駆動される弁棒３２、この弁棒３２を閉方向に付勢する弁バネ３３、弁棒３２の先端に設けられた弁体３４、この弁体３４の動作に連動すると共に下部に弁室を画成するダイアフラム３５を具備し、その底板２２の設置面（底面）１２が平坦面を成している。この底板２２は、設置面１２に連通し弁室に通じる流入口（電磁弁の入口部）１４、流出口（電磁弁の出口部）１５を各々備えている。電磁弁Ｖを開状態とする場合には、コイル３１に通電し弁体３４を流入口１４と離間する方向に移動させ、流入口１４と流出口１５と連通させる。電磁弁Ｖを閉状態とする場合には、コイル３１の通電を解除し、弁バネ３３により弁体３４を流入口１４に接近する方向に移動させ、流入口１４を閉じる。
【００１４】
台座６は、図１〜図３及び図５〜図８に示すように、基板２上に、電磁弁Ｖが設置される第１マニホールド７及び第２マニホールド８、試薬槽４ａ〜４ｃが設置される第３マニホールド１０を備え、これらのマニホールド７，８，１０は、例えば耐薬品性を有するフッ素樹脂等から構成され、これらのマニホールド７，８，１０には、図２、図３及び図６に示すように、内部に分岐点を有する所定の孔経路Ｌ１〜Ｌ１０が形成されて、図１〜図３及び図５〜図７に示すように、外面にこの孔経路Ｌ１〜Ｌ１０に連通する接続口Ｐ１〜Ｐ２７が設けられている。
【００１５】
第１マニホールド７は、図１〜図８に示すように、略矩形状を成し、基板２の略中央に長手方向に延びるように立設され、図２に示すように、図示右下側の側面が、複数の電磁弁Ｖ１〜Ｖ４（図５参照）が近接して設置される電磁弁設置部の電磁弁設置面（詳しくは後述）１６とされている。また、第１マニホールド７の正面７ａには、接続口Ｐ１，Ｐ２及びＰ１３が、上面７ｂには、接続口Ｐ３〜Ｐ９が、左側面７ｃには、接続口Ｐ１２が、背面７ｄには、接続口Ｐ１５が、電磁弁設置面１６には、接続口Ｐ１６〜Ｐ２３（図８参照）が各々設けられている。
【００１６】
そして、第１マニホールド７の内部には、接続口Ｐ１と接続口Ｐ１６とを連通する孔経路Ｌ１、接続口Ｐ９と接続口Ｐ１７，Ｐ２３，Ｐ２１，Ｐ１９とを連通する孔経路Ｌ２、接続口Ｐ６と接続口Ｐ１８とを連通する孔経路Ｌ３、接続口Ｐ７と接続口Ｐ２０とを連通する孔経路Ｌ４、接続口Ｐ８と接続口Ｐ２２とを連通する孔経路Ｌ５、図３に示すように、接続口Ｐ２と接続口Ｐ３〜Ｐ５とを連通する孔経路Ｌ６、接続口Ｐ１２と接続口Ｐ１３とを連通する孔経路Ｌ７を備えている。
【００１７】
第２マニホールド８は、略Ｔ字状を成し（図６参照）、基板２上に第１マニホールド７の図２に示す左側面に連設されて立設されている。そして、第２マニホールド８のＴ字を構成する水平部はその上面に、製品回収槽５が設置される円形凹状の槽設置部１７、接続口Ｐ１０，Ｐ１１，Ｐ１４を有している。接続口Ｐ１０の上方には、図２及び図６に示すように、反応カラム３０が配置され、Ｔ字を構成する垂直部は、図１、図２、図６及び図７に示すように、基板２の長手方向の対向する面に、電磁弁Ｖ５及びＶ６が設置される電磁弁設置部の電磁弁設置面１８を備えている。
【００１８】
電磁弁設置面１６，１８は、図１０に示すように、電磁弁Ｖの設置面１２が密着するように平坦面を成し、この電磁弁Ｖの流入口１４、流出口１５に連通する接続口Ｐ１６，Ｐ１８，Ｐ２０，Ｐ２２，Ｐ２４，Ｐ２６（以下これらの接続口を総じてＰｉと呼ぶ），Ｐ１７，Ｐ１９，Ｐ２１，Ｐ２３，Ｐ２５，Ｐ２７（以下これらの接続口を総じてＰｏと呼ぶ）を各々備えている。
【００１９】
そして、第２マニホールド８の内部には、図３に示すように、接続口Ｐ１０と接続口Ｐ２４，Ｐ２６とを連通する孔経路Ｌ８が、接続口Ｐ１１と接続口Ｐ２５とを連通する孔経路Ｌ９が、接続口Ｐ１４と接続口Ｐ２７とを連通する孔経路Ｌ１０が各々設けられている。
【００２０】
第３マニホールド１０は、図１〜図３、図５及び図７に示すように、略矩形状を成し、第１マニホールド７の所定の高さ位置に連設されて水平に延在し、その上面に試薬槽４ａ〜４ｃが設置される円形凹状の試薬槽設置部１９を有している。
【００２１】
そして、電磁弁Ｖは、そのフランジ部が台座６に螺子固定されて、図１０に示すように、その設置面１２が電磁弁設置面１６，１８と密着し、電磁弁Ｖの流入口１４、流出口１５と電磁弁設置部の接続口Ｐｉ，Ｐｏとが各々連通された状態とされている。
【００２２】
試薬槽４ａ〜４ｃは、試薬槽設置部１９に、製品回収槽５は、槽設置部１７に各々設置されている。試薬槽４ａには、洗浄試薬であるエタノールが、試薬槽４ｂには、洗浄試薬である水が、試薬槽４ｃには、反応生成物を回収する生理食塩水が、反応カラム３０には、Ａｃｃｅｌｌ  ＣＭ単体、又はＳｅｐ−ＰａｋＣ１８とＡｃｃｅｌｌ  ＣＭの２種類が利用されている。
【００２３】
また、各試薬槽４ａ〜４ｃ、反応カラム３０、製品回収槽５、及び接続口Ｐ３〜Ｐ１２，Ｐ１４は、例えば耐食性を有したチューブ等により接続されている。すなわち、図９に示すように、接続口Ｐ３と試薬槽４ａとが接続されて管経路Ｌ１１が、試薬槽４ａと接続口Ｐ６とが接続されて管経路Ｌ１２が、接続口Ｐ４と試薬槽４ｂとが接続されて管経路Ｌ１３が、試薬槽４ｂと接続口Ｐ７とが接続されて管経路Ｌ１４が、接続口Ｐ５と試薬槽４ｃとが接続されて管経路Ｌ１５が、試薬槽４ｃと接続口Ｐ８とが接続されて管経路Ｌ１６が、接続口Ｐ９と反応カラム３０とが接続されて管経路Ｌ１７が、反応カラム３０と接続口Ｐ１０とが接続されて管経路Ｌ１８が、接続口Ｐ１１と接続口Ｐ１２とが接続されて管経路Ｌ１９が、接続口Ｐ１４と製品回収槽５とが接続されて管経路Ｌ２０が各々形成されている。
【００２４】
さらに、ＲＩ合成装置１にあっては、系外からＲＩ／ＲＩ化合物を導入するＲＩ／ＲＩ化合物供給配管が接続口Ｐ１に、Ｈｅガスを始めとしたキャリアガス等を導入するキャリアガス供給配管が接続口Ｐ２に、系内のガスを系外に排出する排気配管が接続口Ｐ１３に各々接続されている。
【００２５】
次に、このように構成されたＲＩ合成装置１を用いて、コリンを製造するＲＩ合成方法について図９を参照しながら説明する。先ず、電磁弁Ｖ１，Ｖ５を開状態として、経路Ｌ１，Ｌ２，Ｌ１７，Ｌ１８，Ｌ８，Ｌ１９及びＬ７を連通させる。この状態で、標識前駆体であるヨウ化メチル（１１ＣＨ３Ｉ）を接続口Ｐ１から導入する。導入された１１ＣＨ３Ｉは、反応カラム３０に吸着されると共に、この反応カラム３０内の原料試薬と反応してメチル化反応が行われる。
【００２６】
次いで、電磁弁Ｖ１を閉状態とすると共に電磁弁Ｖ２を開状態として、経路Ｌ６，Ｌ１１，Ｌ１２，Ｌ３，Ｌ２，Ｌ１７，Ｌ１８，Ｌ８，Ｌ９，Ｌ１９及びＬ７を連通させる。この状態で、Ｈｅガスを接続口Ｐ２から導入する。このＨｅガスにより、試薬槽４ａ内のエタノールが移送され、経路内が洗浄されると共に、反応カラム３０内の反応生成物から不純物が除去され反応生成物が精製される。不純物を含んだエタノールは、接続口Ｐ１３を通り系外に排出される。
【００２７】
次いで、電磁弁Ｖ２を閉状態とすると共に電磁弁Ｖ３を開状態として、経路Ｌ６，Ｌ１３，Ｌ１４，Ｌ４，Ｌ２，Ｌ１７，Ｌ１８，Ｌ８，Ｌ９，Ｌ１９及びＬ７を連通させる。Ｈｅガスにより、試薬槽４ｂ内の水が移送され、経路内が洗浄されると共に、反応カラム３０内の反応生成物から不純物が除去され反応生成物が精製される。不純物を含んだ水は、接続口Ｐ１３を通り系外に排出される。
【００２８】
次いで、電磁弁Ｖ３，Ｖ５を閉状態とすると共に電磁弁Ｖ４，Ｖ６を開状態として、経路Ｌ６，Ｌ１５，Ｌ１６，Ｌ５，Ｌ２，Ｌ１７，Ｌ１８，Ｌ８，Ｌ１０及びＬ２０を連通させる。Ｈｅガスにより、試薬槽４ｃ内の生理食塩水が移送され、反応カラム３０内の反応生成物が生理食塩水に溶解する。反応生成物が溶解した生理食塩水は、コリンとして製品回収槽５に回収される。これにより、標識前駆体である１１ＣＨ３Ｉを用いて、コリンが得られる。
【００２９】
このように、本実施形態においては、電磁弁設置面１６，１８と電磁弁Ｖの設置面１２とが密着し、電磁弁Ｖの流入口１４、流出口１５と電磁弁設置部の接続口Ｐｉ，Ｐｏとが連通されると共に、台座６内部にも孔経路Ｌ１〜Ｌ１０が形成されて、配管継手が不要とされ、螺合部が無くされると共に接続部自体も減らされる。その結果、ＲＩ／ＲＩ化合物の外部漏洩の可能性が減らされ、信頼性が十分に向上されたＲＩ合成装置１を提供することが可能となる。
【００３０】
また、本実施形態においては、台座６が複数の電磁弁Ｖ１〜Ｖ４を近接して備える電磁弁設置面１６を具備する構成とされ、台座６が小型化される。
【００３１】
また、台座６が耐薬品性の樹脂製であるため、ＲＩ／ＲＩ化合物、試薬等による孔経路Ｌ１〜Ｌ１０の腐食損傷が防止される。その結果、ＲＩ／ＲＩ化合物の外部漏洩の可能性が一層減らされる。
【００３２】
以上、本発明をその実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態にあっては、電磁弁設置面１６、１８は、基板２に対して垂直な面とされて、電磁弁Ｖを設置する構成としているが、電磁弁設置面１６，１８の向きは限定されない。
【００３３】
また、電磁弁Ｖに例えば三方弁等の多方弁等を採用して、電磁弁設置面１６，１８に設置しても良い。
【００３４】
また、上記実施形態にあっては、コリン、メチオニン等の放射性薬剤を製造するＲＩ合成装置１としているが、その他の放射性薬剤、放射性医薬品、ＲＩ化合物を製造するＲＩ合成装置としても良く、必要に応じて、加熱・冷却装置、ろ過器、イオン交換樹脂、吸着器、ＲＩモニター、反応器等を備える構成としても良い。
【００３５】
また、標識前駆体、試薬及び反応カラムは、１１ＣＨ３Ｉ、エタノール、水、生理食塩水、Ａｃｃｅｌｌ  ＣＭに限定されず、１１ＣＨ３ＯＴｆ、Ｓｅｐ−ＰａｋＣ１８、ＣＡＸ、ＳＣＸ等を始めとしたその他の標識前駆体、試薬及び反応カラム等であっても良い。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の実施形態に係るＲＩ合成装置を示す斜視図である。
【図２】図１に示すＲＩ合成装置の正面図である。
【図３】図１に示すＲＩ合成装置の上面図である。
【図４】図１に示すＲＩ合成装置の下面図である。
【図５】図１に示すＲＩ合成装置の右側面図である。
【図６】図１に示すＲＩ合成装置の左側面図である。
【図７】図１に示すＲＩ合成装置の背面図である。
【図８】図１に示すＲＩ合成装置の右側面図（電磁弁、試薬槽装着前）である。
【図９】図１に示すＲＩ合成装置の概略系統図である。
【図１０】図１中の電磁弁の部分断面図である。
【符号の説明】
【００３７】
１…ＲＩ合成装置、６…台座、１２…電磁弁の底面（電磁弁の設置面）、１４…電磁弁流入口（電磁弁の入口部）、１５…電磁弁流出口（電磁弁の出口部）、１６，１８…電磁弁設置面（電磁弁設置部）、Ｐ１〜Ｐ２７，Ｐｉ，Ｐｏ…接続口、Ｌ１〜Ｌ１０…孔経路、Ｖ，Ｖ１〜Ｖ６…電磁弁。
【図１】
2006017548.tif 000003
【図２】
2006017548.tif 000004
【図３】
2006017548.tif 000005
【図４】
2006017548.tif 000006
【図５】
2006017548.tif 000007
【図６】
2006017548.tif 000008
【図７】
2006017548.tif 000009
【図８】
2006017548.tif 000010
【図９】
2006017548.tif 000011
【図１０】
2006017548.tif 000012