(57)【要約】【課題】  超小型化してもインダクタンスが大きな素子として，感度が向上した超小型マイクロホンを提供する。【解決手段】  本発明のマイクロホン１０は，基板１１上に形成された磁性体材料からなる下ヨーク（コア）１２と，この下ヨーク１２に囲われるようにして形成された薄膜コイル１３と，下ヨーク１２の上に空気層からなる空隙を介して配置された磁性層からなる上ヨーク１４と，この上ヨーク１４の上に配置されて上ヨーク１４と一体的に形成された振動板１５とを備えている。この場合，下ヨーク１２と薄膜コイル１３と上ヨーク１４とでインダクタＬが形成される。【選択図】  図１
2006101162.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
音圧の変化に応答する振動板を備えたマイクロホンであって，
前記振動板の少なくとも一部が磁性体で形成されて上ヨークになるとともに，
前記上ヨークと空気層を介して対向する位置の基板に形成された下ヨークと，該下ヨーク内に形成された薄膜コイルとを備え，
前記上ヨークと前記下ヨークとで前記薄膜コイルにて発生した磁束の磁路となるようになされており，
外部音圧により前記振動板が変位した時に，当該振動板に形成された上ヨークと前記下ヨークとの間の距離が変化してインダクタンスが変化するようになされていることを特徴とする薄膜コイルを備えたマイクロホン。
【請求項２】
音圧の変化に応答する振動板を備えたマイクロホンであって，
前記振動板は導電性を有してキャパシタの一方の電極となり，かつその少なくとも一部が磁性体で形成されていて上ヨークになるとともに，
前記上ヨークと空気層を介して対向する位置の基板に形成された下ヨークと，該下ヨーク内に形成された薄膜コイルとを備えて，前記上ヨークと前記下ヨークとで前記薄膜コイルにて発生した磁束の磁路となるようになされており，
前記上ヨークと前記下ヨークとの間で空気層を介して前記キャパシタの一方の電極と対向して該キャパシタの他方の電極となる導電板とを備え，
外部音圧により前記振動板が変位した時に，当該振動板に形成された上ヨークと前記下ヨークとの間の距離および前記キャパシタの一方の電極と他方の電極との間の距離が共に変化して，インダクタンスとキャパシタンスの両方が変化するようになされていることを特徴とする薄膜コイルを備えたマイクロホン。
【請求項３】
前記キャパシタの一方の電極と対向して該キャパシタの他方の電極となる導電板は前記薄膜コイルの上面の絶縁層上に配設されていて，該キャパシタ−と前記薄膜コイルが導電接続されていることを特徴とする請求項２に記載の薄膜コイルを備えたマイクロホン。
【請求項４】
前記下ヨークは前記薄膜コイルの下部に配置される底部と，前記薄膜コイルの外周部に配置される円筒部と，前記薄膜コイルの中心部に配置される円柱部との３部位が一体的に形成されていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の薄膜コイルを備えたマイクロホン。
【請求項５】
前記振動板の外周部は前記薄膜コイルの外周部に配置された前記下ヨ−クの円筒部上に固定されていて，外部音圧が変動することによって，該振動板の中央が撓んで，前記薄膜コイルの中心部に配置された前記下ヨ−クの円柱部との間の距離が変化するようになされていることを特徴とする請求項４に記載の薄膜コイルを備えたマイクロホン。
【請求項６】
前記振動板の中央部は前記薄膜コイルの中心部に配置された前記下ヨ−クの円柱部に固定されていて，外部音圧が変動することによって，該振動板の周辺が撓んで，前記薄膜コイルの外周部に配置された前記下ヨ−クの円筒部との間の距離が変化するようになされていることを特徴とする請求項４に記載の薄膜コイルを備えたマイクロホン。
【請求項７】
前記上ヨークとなる振動板は前記下ヨークの円筒部から外方に延出して形成されているとともに，該振動板の最外周が支持あるいは固定されており，
外部音圧により前記振動板が変位した時に，前記振動板と前記下ヨークの円筒部との間および前記振動板と前記下ヨークの円柱部との間の両方の距離が同時に変動することでインダクタンスが変動するようにしたことを特徴とする請求項４に記載の薄膜コイルを備えたマイクロホン。
【請求項８】
前記上ヨークとなる振動板は前記下ヨークの円筒部から外方に延出して形成されているとともに，該振動板の最外周が支持あるいは固定されているとともに，
前記振動板の前記下ヨークの円筒部に対向する下面の磁路を形成すべき部位に軟磁性体を備え，
外部音圧により前記振動板が変位した時に，前記振動板と前記下ヨークの円筒部との間および前記振動板と前記下ヨークの円柱部との間の両方の距離が同時に変動することでインダクタンスが変動するようにしたことを特徴とする請求項４に記載の薄膜コイルを備えたマイクロホン。
【請求項９】
前記薄膜コイルと前記下ヨークとの間および前記薄膜コイル間はレジストが硬化した絶縁層により絶縁されていることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれかに記載の薄膜コイルを備えたマイクロホン。
【請求項１０】
前記上ヨークおよび下ヨ−クを形成する磁性体はＮｉ，Ｆｅ，Ｃｏから選択されるいずれか１種の金属，あるいはそれらの金属の２種以上からなる合金で形成されていることを特徴とする請求項１から請求項９のいずれかに記載の薄膜コイルを備えたマイクロホン。
【請求項１１】
前記磁性体は蒸着やスパッタなどの真空成膜法，電気メッキや無電解メッキなどの液相成膜法のいずれか，あるいはそれらの組合せで形成されていることを特徴とする請求項１から請求項１０のいずかに記載の薄膜コイルを備えたマイクロホン。
【請求項１２】
前記磁性体を除く前記振動板はＡｌ，Ｔｉ，Ｂｅ，Ｍｇ，Ｓｉ，Ｂ，Ｃの単体，あるいはそれらの混合物もしくは，それらの金属の酸化物膜，窒化物膜，炭化物膜の単体，あるいはそれらの混合物により形成されていることを特徴とする請求項１から請求項１１のいずれかに記載の薄膜コイルを備えたマイクロホン。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，音圧の変化に応答する振動板を備えたマイクロホンに係り，特に，超小型化に適した薄膜コイルを備えたマイクロホンに関する。
【背景技術】
【０００２】
音圧を電気信号に変換するマイクロホンとしては，従来より，磁気誘導を利用したダイナミック型（インダクティブ型），圧電素子の歪みを利用した圧電型，静電気を利用したコンデンサー型などの種々のタイプが知られている。ところで，近年，携帯電話や補聴器などの用途において，この種のマイクロホンの高感度化や超小型化が要望されるようになった。ところが，インダクティブ型においては，現在のところ，コイルを巻回する必要があることから大型にならざるを得ず，小型化には限界があった。また，圧電型においては，剛性が高いために音響的なインピ−ダンスが高く，水などの振動をとらえるには適しているが，空気振動を検出するには向いていないという欠点があった。
【０００３】
これらに対して，マイクロマシン技術（ＭＥＭＳ：Micro Electro Mechanical System）を用いてマイクロホンを小型化することが検討されるようになった。この場合，その動作原理の多くはコンデンサー型であり，例えば，特許文献１や特許文献２で提案されている。ここで，特許文献１においては，図３４に示すように，音圧の変化に応答して振動電極８１と背電極８２とから構成されるコンデンサの容量が変化することによって，発振／変調回路８５のＬＣ発振回路の発振周波数が変化する。ＬＣ発振回路の発振出力信号は音圧の変化に応答してＦＭ変調され，アンテナ８６から送信されることとなる。このように，音圧により発生したコンデンサの容量変化を，このコンデンサをＣの一部として持つＬＣ発振回路の発振周波数の変化として読み出すことにより，ＩＣマイクロホンに大きなバイアス電圧を印加する必要がないようにすることで電極間の距離を小さくし，高感度化することが可能となる。
【０００４】
また，特許文献２においては，図３５に示すように，このコンデンサマイクロホン９０は，単結晶シリコン基板９１にコンデンサを形成するように形成された一対の電極９２，９３を有し，一方の電極９２は他方の電極９３に対して可動状態にあるダイヤフラムであり，他方の電極９３は複数個の貫通穴９４が形成されたバックプレートであるコンデンサマイクロホン９０である。この場合，ダイヤフラム９２およびバックプレート９３は単結晶シリコン基板の一部からなり，かつホウ素がドーピングされている。これにより，内部応力が適正に調整された高精度なダイヤフラムを備え，小型で高性能なコンデンサマイクロホン９０が得られる。
【特許文献１】特開２００１−３３９７９６号公報
【特許文献２】特開２００２−９５０９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが，上述した特許文献１にて提案されたマイクロホンにおいては，マイクロホンを小型化していくと，振動板部のＣが小さくなっていく。このため，この振動板のＣが回路や信号処理のキャパシタンスのなかに埋没し，そのＣの変化分が，全体のインダクタンスの変化率として寄与する割合が非常に小さくなるという問題を生じた。このため，感度が悪くなるとともに，超小型化には向かないという問題を生じた。また，超小型化すると，振動板部のＣが小さくなって発振周波数が上がるため，高周波による回路での損失が増えるという問題が生じた。さらに，発振回路を形成するには，外付けのインダクタ−が必要であるが，マイクロホンを小型化していくと，ＬもＣも小さくなって発振周波数が非常に高くなってしまい，外部に出す電磁波が増え，回路中で信号も大きく損失し，感度が落ちるという問題が生じた。また，この外付けのインダクタ−が出力アップに寄与しておらず効率が悪いという問題も生じた。
【０００６】
一方，上述した特許文献２にて提案されたマイクロホンにおいては，マイクロホンの出力が小さいという問題が生じた。ここで，マイクロホンの出力を大きくするためには，コンデンサ（振動板）の面積を大きくする必要があるが，コンデンサ（振動板）の面積を大きくすると，マイクロホンが大型になって，小型化には適さないという問題を生じた。また，出力を大きくするためには，コンデンサの電極間距離を小さくする必要があるが，コンデンサ（振動板）の電極間距離を小さくするとコンデンサの電極がくっつきやすくなるという問題を生じた。さらに，出力を大きくするためには，バイアス電圧を上げる必要があるが，コンデンサ（振動板）のバイアス電圧を上げるとコンデンサの電極がくっつきやすくなるという問題を生じた。このため，小型で高感度にするという目的には適さなかった。
【０００７】
そこで，本発明は上記の如き問題点を解消するためになされたものであり，超小型化してもインダクタンスが大きな素子として，感度が向上した超小型マイクロホンを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため，本発明のマイクロホンは音圧の変化に応答する振動板を備え，この振動板の少なくとも一部が磁性体で形成されて上ヨークになるとともに，この上ヨークと空気層を介して対向する位置の基板に形成された下ヨークと，この下ヨーク内に形成された薄膜コイルとを備えている。そして，上ヨークと下ヨークとで薄膜コイルにて発生した磁束の磁路となるようになされており，外部音圧により振動板が変位した時に，この振動板に形成された上ヨークと下ヨークとの間の距離が変化してインダクタンスが変化するようになされていることを特徴とする。
【０００９】
このように，本発明のマイクロホンにおいては，上ヨークと下ヨークとからなる磁路と，磁束を発生する薄膜コイルとを備えているため，超小型でもインダクタンスの大きな素子とすることが可能となる。これは，半導体技術によれば微細パタ−ンで多タ−ン数のコイルを一挙に同時に形成することができるからである。ここで，コイルのタ−ン数（Ｎ）を増やせば，この素子のインダクタンスはＮの２乗に比例して大きくなるため，多タ−ン数にしてインダクタンスを大きくできる。一方，ヨ−クを小さくするほど，磁路抵抗が下がり，この素子のインダクタンスを大きくできる。
【００１０】
このため，このマイクロホンを小さくしても，そのインダクタンスが他の回路部の浮遊インダクタンスに比して十分に大きい素子にすることができるので，この素子のインダクタンスが他の電子回路や信号処理回路が有する浮遊インダクタンスのなかに埋没することがない。したがって，超小型にしても，全体のインダクタンス変化は大きいため，感度が向上した超小型のマイクロホンを得ることが可能となる。
【００１１】
また，本発明のマイクロホンは，その内部にキャパシタ−を内蔵させることが可能である。この場合は，振動板は導電性を有してキャパシタの一方の電極となり，かつその少なくとも一部が磁性体で形成されていて上ヨークになるとともに，この上ヨークと空気層を介して対向する位置の基板に形成された下ヨークと，この下ヨーク内に形成された薄膜コイルとを備えている。また，上ヨークと下ヨークとで薄膜コイルにて発生した磁束の磁路となるようになされており，上ヨークと下ヨークとの間で空気層を介してキャパシタの一方の電極と対向してこのキャパシタの他方の電極となる導電板とを備えている。
【００１２】
そして，外部音圧により振動板が変位した時に，この振動板に形成された上ヨークと下ヨークとの間の距離およびキャパシタの一方の電極と他方の電極との間の距離が共に変化して，インダクタンスとキャパシタンスの両方が変化するようになされている。これにより，効率よく感度が向上したマイクロホンを得ることが可能となるとともに，コンデンサ−マイクロホンのように，振動板に大きな電荷を溜める必要もないため，与えた電荷のために振動板と電極が引き付け合って互いにくっついてしまうという問題も生じることはない。
【００１３】
この場合，下ヨークは薄膜コイルの下部に配置される底部と，薄膜コイルの外周部に配置される円筒部と，薄膜コイルの中心部に配置される円柱部との３部位が一体的に形成されていると，この種の下ヨークと薄膜コイルを容易に形成することができるので望ましい。そして，振動板の外周部が薄膜コイルの外周部に配置された下ヨ−クの円筒部上に固定されていると，外部音圧が変動することによって，振動板の中央が撓んで，薄膜コイルの中心部に配置された下ヨ−クの円柱部との間の距離が変化するようになる。一方，振動板の中央部が薄膜コイルの中心部に配置された下ヨ−クの円柱部に固定されていると，外部音圧が変動することによって，振動板の周辺が撓んで，薄膜コイルの外周部に配置された下ヨ−クの円筒部との間の距離が変化するようになる。
【００１４】
なお，薄膜コイルと下ヨークとの間および薄膜コイル間はレジストが硬化した絶縁層により絶縁されているのが望ましい。また，上ヨークおよび下ヨ−クを形成する磁性体はＮｉ，Ｆｅ，Ｃｏから選択されるいずれか１種の金属，あるいはそれらの金属の２種以上からなる合金で形成されているのが望ましい。また，磁性体は蒸着やスパッタなどの真空成膜法，電気メッキや無電解メッキなどの液相成膜法のいずれか，あるいはそれらの組合せで形成されているのが望ましい。また，磁性体を除く振動板はＡｌ，Ｔｉ，Ｂｅ，Ｍｇ，Ｓｉ，Ｂ，Ｃの単体，あるいはそれらの混合物もしくは，それらの金属の酸化物膜，窒化物膜，炭化物膜の単体，あるいはそれらの混合物により形成されているのが望ましい。
【００１５】
また，上述した磁性体で形成されて上ヨークとなる振動板は，下ヨークの円筒部から外方に延出して形成されているとともに，該振動板の最外周が支持あるいは固定されており，外部音圧により振動板が変位した時に，振動板と下ヨークの円筒部との間および振動板と下ヨークの円柱部との間の両方の距離が同時に変動することでインダクタンスが変動するようにすると，インダクタンスの変動が大きくなるので望ましい。
【００１６】
さらに，磁性体で形成されて上ヨークとなる振動板は下ヨークの円筒部から外方に延出して形成されているとともに，該振動板の最外周が支持あるいは固定されているとともに，振動板の下ヨークの円筒部に対向する下面の磁路を形成すべき部位に軟磁性体を備え，外部音圧により振動板が変位した時に，振動板と下ヨークの円筒部との間および振動板と下ヨークの円柱部との間の両方の距離が同時に変動することでインダクタンスが変動するようにするようにしてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に，本発明の薄膜コイルを備えたマイクロホンの実施の形態を，第１実施例のマイクロホンおよび第２実施例のマイクロホンならびにそれらの変形例のマイクロホンとして図に基づいて説明するが，本発明はこれらの例に何ら限定されるものでなく，本発明の目的を変更しない範囲で適宜変更して実施することが可能である。なお，図１〜図１２は第１実施例のマイクロホンおよびその製造法を模式的に示す図である。また，図１３〜図２８は第２実施例のマイクロホンおよびその製造法を模式的に示す図である。さらに，図２９〜図３３はそれらの変形例のマイクロホンを模式的に示す図である。
【００１８】
１．第１実施例
本第１実施例のマイクロホン１０は，図１（なお，図１（ａ）は内部を透かした状態を模式的に示す平面図であり，図１（ｂ）はそのＡ−Ａ断面を示す断面図である）に示すように，基板１１上に形成された磁性体材料からなる下ヨーク（コア）１２と，この下ヨーク１２に囲われるようにして形成された薄膜コイル１３と，下ヨーク１２の上に空気層からなる空隙を介して配置された磁性層からなる上ヨーク１４と，この上ヨーク１４の上に配置されて上ヨーク１４と一体的に形成された振動板１５とから構成される。この場合，下ヨーク１２と薄膜コイル１３と上ヨーク１４とでインダクタＬが形成され，薄膜コイル１３に図示しないコンデンサ（キヤパシタ）を接続することにより，ＬＣ発振回路が形成されることとなる。
【００１９】
ここで，基板１１としては，シリコン（Ｓｉ）基板，アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）やジルコニア（ＺｒＯ2）などのセラミック基板，ガラス基板，樹脂基板，金属基板などが使用できる。なお，ＳｉやＧａＡｓなどの基板を使用する場合，この基板１１内に予め信号処理回路をＬＳＩとして形成してある基板を使用するのが望ましい。下ヨーク１２の材料としては，比透磁率が１０００以上のＦｅＮｉ合金（パーマロイ：２０％Ｆｅ−８０％Ｎｉ合金）を用いるのが望ましい。そして，下ヨーク１２は円板状の底部１２ａと，その底部１２ａの周囲から突出する円筒部１２ｂと，その底部１２ａの中心部から突出する円柱部１２ｃと，円筒部１２ｂから外方に延出してリードとなるリード部１２ｄとを備えている。
【００２０】
薄膜コイル（インダクタ）１３は，幅が１〜１０μｍで，厚みが１〜１０μｍの銅（Ｃｕ）メッキ層からなり，下ヨーク１２の円板状の底部１２ａの上で，円筒部１２ｂ内に円柱部（コア）１２ｃを中心にして所定の回数Ｎだけ巻回されている。なお，薄膜コイル１３の一端部は下ヨーク１２の円柱部１２ｃに接続されており，薄膜コイル１３の他端部は外方に延出してコイルリード部１３ｄとなされている。この場合，薄膜コイル１３は１段であっても２段以上の複数段であってもよい。上ヨーク１４は，厚みが０．１〜３μｍで，下ヨーク１２の材料と同様な比透磁率が１０００以上のＦｅＮｉ合金（パーマロイ：２０％Ｆｅ−８０％Ｎｉ合金）を用いるのが望ましい。この場合，ＣｏＺｒＮｉ，ＣｏＴａなどのアモルファス磁性材料を使用するようにしてもよい。
【００２１】
振動板１５は，密度が５ｇ／ｃｍ3以下で，ヤング率が７０００Ｋｇ／ｍｍ2以上の軽量高剛性材料からなる薄膜により形成されている。なお，密度が５ｇ／ｃｍ3以下で，ヤング率が７０００Ｋｇ／ｍｍ2以上の軽量高剛性材料としては，Ａｌ，Ｔｉ，Ｂｅ，Ｃ，Ｂ，Ｍｇ単体あるいはそれらの合金，ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3などの酸化物，ＴｉＣ，ＳｉＣなどのカーバイト，ＡｌＮ，ＴｉＮなどの窒化物が用いられる。この場合，振動板１５の外周部は下ヨーク１２の円筒部１２ｂの上部に固定されているが，上ヨーク１４は下ヨーク１２の円柱部（コア）１２ｃの上端からｌｇ（この場合は，０．５μｍ≦ｌｇ≦５０μｍとなるようにするのが望ましい）だけの空隙（エアギャップ）が形成されるように配設されている。これにより，振動板１５に対して音圧が付与されると振動板１５は所定の共振周波数で振動することとなる。
【００２２】
ここで，図示しないコンデンサ（キヤパシタ）は，その一端部が下ヨーク１２の円筒部１２ｂから外方に延出したリード部１２ｄに接続され，その他端部は薄膜コイル１３から外方に延出したリード部１３ｄに接続されることにより，下ヨーク１２と薄膜コイル１３と上ヨーク１４とで形成されたインダクタに，コンデンサ（キヤパシタ）が並列に接続された磁路回路が形成されることとなる。なお，下ヨーク１２と薄膜コイル１３と上ヨーク１４とで形成されたインダクタに，コンデンサ（キヤパシタ）が直列になるように接続するようにしてもよい。
【００２３】
ついで，上述のように構成されるマイクロホン１０の発振周波数と，その変化率（感度）を求めると，以下のようになる。ここで，図２に示すように，薄膜コイル１３のコイルターン数をＮ（回），磁路抵抗をＲｍ，コア長（上，下ヨーク１４，１２で形成される閉磁路の全長）をｌｃ，コアの断面積（上，下ヨーク１４，１２の断面積）をＳｃ，コアの透磁率（上，下ヨーク１４，１２の透磁率）をμｃ，ギャップ長（下ヨーク１２の円柱部１２ｃ上端から上ヨーク１４までの長さ）をｌｇ，ギャップの断面積をＳｇ，空気の透磁率をμ0とする。
【００２４】
この場合，図２の磁路回路のインダクタンスＬは，Ｌ＝Ｎ2／Ｒｍとなり，磁路抵抗Ｒｍは，Ｒｍ＝（ｌｃ／μｃＳｃ）＋（ｌｇ／μ0Ｓｇ）となる。ここで，（ｌｃ／μｃＳｃ）が（ｌｇ／μ0Ｓｇ）よりも充分に小さい（μ0≪μｃ）なら，Ｒｍ≡ｌｇ／μ0Ｓｇとなる。これにより，Ｌ＝Ｎ2μ0Ｓｇ／ｌｇが得られる。そして，図示しないコンデンサの容量Ｃを組み合わせると，発振周波数ｆは下記の（１）式となる。
【数１】
2006101162.tif 000003
【００２５】
ここで，発振周波数ｆをｌｇで微分すると，下記の（２）式が得られる。
【数２】
2006101162.tif 000004
【００２６】
上記（２）式より，振動板１５と一体に形成された上ヨーク１４の変位による発振周波数の変化（感度）を（ｄｆ／ｄｌｇ）／ｆとして求めると，下記の（３）式が得られる。
【数３】
2006101162.tif 000005
【００２７】
上記（３）式は以下のことを表している。即ち，（１）マイクロホン１０の感度（発振周波数の変化率）はギャップ長ｌｇだけに依存する。（２）マイクロホン１０の感度（発振周波数の変化率）を大きくするためにはギャップ長ｌｇを小さくする。（３）マイクロホン１０の感度（発振周波数の変化率）は振動板（上ヨーク）１４の面積，薄膜コイル１３のコイルターン数（Ｎ回）に依存しないため，小型化に適している。
【００２８】
ついで，上述のような構成となる第１実施例のマイクロホン１０の製造方法を図３〜図１２に基づいて，以下に詳細に説明する。まず，ＳｉやＧａＡｓなどの基板１１を用意し，この基板１１の全面にレジストを塗布する。この場合，レジストとしてはポジ型あるいはネガ型のどちらを用いてもよいが，ポジ型の場合は，例えば，東京応化（株）製のＯＦＰＲ８００等を用いるのが望ましい。ついで，所定のパターンが形成されたホトマスクを介して紫外線を照射してレジストを感光させる。なお，紫外線以外に，電子線やＸ線を照射してレジストを感光させるようにしてもよい。
【００２９】
ついで，現像液（レジストとして上述のＯＦＰＲ８００を用いた場合は，東京応化（株）製のＤＥ−６を用いるのが好ましい）に浸漬してレジストを所定の形状にパターニングする。ここで，レジストがポジ型の場合，感光した部分はアルカリに溶解して除去され，感光していない部分が残存することとなる。ついで，図３に示すように，残存したレジスト１１ａをマスクとしてエッチングを行い，基板１１に深さが５〜５０μｍとなるような凹部１１ｂを形成した。この場合，エッチングとしては，気相でプラズマエッチングする方法，液層でエッチャント（エッチング液）にて溶解エッチングする方法が適用できる。
【００３０】
ついで，レジスト１１ａを除去してその表面をクリーニングする。この場合，アルカリあるいは有機溶剤などでレジストを溶かして液相で除去する方法，あるいはプラズマを使用して気相で除去するアッシング法などが適用できる。なお，Ｓｉ基板を用いる場合は，この表面を酸化したり，ＳｉＯ2あるいはＡｌ2Ｏ3などの絶縁膜を堆積（デポジション）せさるなどして，予め絶縁性の表面を得るようにする必要がある。
【００３１】
ついで，磁性体を電気メッキで形成するために，膜厚が０．１〜０．３μｍとなるメッキ下地膜１１ｃを形成する。ここでは，２０％Ｆｅ８０％Ｎｉ合金（パーマロイ）をメッキ下地膜１１ｃとしてスパッタにより成膜した。この場合，２０％Ｆｅ８０％Ｎｉ合金（パーマロイ）以外に，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏを含む金属，あるいはそれらの合金を用いるようにしてもよい。なお，スパッタ以外に，蒸着，無電解メッキにより成膜するようにしてもよい。
【００３２】
ついで，これらの全面に上述と同様なレジストを塗布する。この場合も，例えば，東京応化（株）製のＯＦＰＲ８００等を用いるのが望ましい。ついで，所定のパターンが形成されたホトマスクを介して紫外線を照射して塗布したレジストを感光させる。なお，紫外線以外に，電子線やＸ線を照射してレジストを感光させるようにしてもよい。ついで，現像液（レジストとして上述のＯＦＰＲ８００を用いた場合は，東京応化（株）製のＤＥ−６を用いるのが好ましい）に浸漬してレジストを所定の形状にパターニングする。
【００３３】
ついで，メッキ下地膜１１ｃの上に磁性体を電気メッキして下ヨーク１２の底部１２ａとなる磁性体層を形成する。この場合，磁性体としては比透磁率が１０００以上のＮｉ，Ｆｅ，Ｃｏなどを主体とする合金で，例えば，２０％Ｆｅ８０％Ｎｉ合金（パーマロイ）とするのが望ましい。そして，膜厚は２〜１０μｍとなるように成膜するのが望ましい。ついで，レジストを除去してその表面をクリーニングする。この場合も，アルカリあるいは有機溶剤などでレジストを溶かして液相で除去する方法，あるいはプラズマを使用して気相で除去するアッシング法などが使用される。これにより，図４に示すよう，メッキ下地膜１１ｃの上に下ヨーク１２の底部１２ａとなる磁性体層が形成されることとなる。
【００３４】
ついで，全面に加速イオンを照射するイオンミリングにより，露出したメッキ下地膜１１ｃを除去する。この場合，イオンミリングに代えて金属を溶解する液相エッチング法を用いてもよい。ついで，これらの全面に上述と同様なレジストを塗布する。この場合も，例えば，東京応化（株）製のＯＦＰＲ８００等を用いるのが望ましい。ついで，所定のパターンが形成されたホトマスクを介して紫外線を照射してレジストを感光させる。ついで，現像液（レジストとして上述のＯＦＰＲ８００を用いた場合は，東京応化（株）製のＤＥ−６を用いるのが好ましい）に浸漬してレジストを所定の形状にパターニングする。なお，レジストとしてはポジ型あるいはネガ型のどちらをもちいてもよいが，ポジ型の場合は，後の工程における加熱時にフローして角部に斜面が形成され易いため，ポジ型レジストを用いるのが望ましい。
【００３５】
ついで，現像によりパターニングしたレジストを，１５０〜２３０℃に加熱してレジストフロー処理を行う。これにより，図５に示すよう，硬化したレジスト（絶縁層）１３ａは下ヨーク１２の底部１２ａとなる磁性体層に密着して剥離することがなくなる。ついで，コイルを電気メッキで形成するために，Ｃｕ下地膜１３ｂをスパッタにより形成する。ここで，このスパッタ時に，密着性を改善するためにＣｒ（あるいはＴｉ）膜（例えば，厚みは０．０３μｍ）を形成した後，Ｃｕ膜（例えば，厚みは０．０１〜０．３μｍ）を形成するようにするのが望ましい。この場合，ポジ型レジストを用いて加熱時のフローにより角部に斜面が形成されていると，Ｃｕ下地膜１３ｂのスパッタ時にＣｕ薄膜を連続的に被着させることが可能となる。なお，スパッタに代えて蒸着や無電解メッキで成膜するようにしてもよい。
【００３６】
ついで，これらの全面に上述と同様なレジストを塗布する。この場合も，ポジ型の場合は，例えば，東京応化（株）製のＯＦＰＲ８００等を用いるのが望ましい。ついで，所定のパターンが形成されたホトマスクを介して紫外線を照射してレジストを感光させる。ついで，現像液（レジストとして上述のＯＦＰＲ８００を用いた場合は，東京応化（株）製のＤＥ−６を用いるのが好ましい）に浸漬してレジスト１３ｃを所定のコイル形状にパターニングする。なお，レジストとしてはポジ型あるいはネガ型のどちらを用いてもよい。
【００３７】
ついで，Ｃｕ下地膜１３ｂの上にＣｕのマイクロメッキを施して，図６に示すように，Ｃｕ下地膜１３ｂの上にＣｕコイル１３およびコイルリード部１３ｄを形成する。ついで，レジスト１３ｃを除去してその表面をクリーニングする。この場合も，アルカリあるいは有機溶剤などでレジストを溶かして液相で除去する方法，あるいはプラズマを使用して気相で除去するアッシング法などが使用される。ついで，全面に加速イオンを照射するイオンミリングにより，表面に露出するＣｕ下地膜１３ｂを除去する。
【００３８】
ついで，図７に示すように，下ヨーク１２の円筒部１２ｂ，円柱部１２ｃおよびリード部１２ｄを形成するためのヨーク形成用レジスト１２ｅを全面に塗布する。この場合も，ポジ型の場合は，例えば，東京応化（株）製のＯＦＰＲ８００等を用いるのが望ましい。ついで，所定のヨークのパターンが形成されたホトマスクを介して紫外線を照射してレジスト１２ｅを感光させる。ついで，現像液（レジストとして上述のＯＦＰＲ８００を用いた場合は，東京応化（株）製のＤＥ−６を用いるのが好ましい）に浸漬してレジスト１２ｅを所定のヨークの形状になるようにパターニングする。なお，レジストとしてはポジ型あるいはネガ型のどちらを用いてもよい。
【００３９】
ついで，下ヨーク１２の底部１２ａを形成する磁性体の上に，ヨークの円筒部１２ｂ，円柱部１２ｃおよびリード部１２ｄとなる磁性体を電気メッキにより形成する。この場合，底部１２ａの場合と同様な磁性体，即ち，比透磁率が１０００以上のＮｉ，Ｆｅ，Ｃｏなどを主体とする合金で，例えば，２０％Ｆｅ８０％Ｎｉ合金（パーマロイ）とするのが望ましい。ついで，レジスト１２ｅを除去してその表面をクリーニングする。この場合も，アルカリあるいは有機溶剤などでレジストを溶かして液相で除去する方法，あるいはプラズマを使用して気相で除去するアッシング法などが使用される。
【００４０】
ついで，図８に示すように，Ｃｕコイル１３間に絶縁層１３ｅを形成するための絶縁用レジストを全面に塗布する。この場合，塗布した絶縁用レジストを１５０〜２３０℃に加熱して硬化させ，絶縁層１３ｅをレジスト（絶縁層）１３ａに密着させるようにする。この後，円筒部１２ｂ，円柱部１２ｃおよびリード部１２ｄとなる磁性体や絶縁層１３ｅとなるレジストの基板１１の表面から突出した部分をラップ盤などで研磨して，基板１１の表面から突出した部分を除去し，全体が基板１１の表面と同一表面になるようにする。
【００４１】
ついで，図９に示すように，これらの全面に犠牲膜１４ａとなるＣｕ膜をスパッタにより成膜する。この場合，Ｃｕ膜の厚みが３μｍになるようにスパッタリングする。なお，犠牲膜１４ａとして後にエッチングにより除去できる材料であればＣｕに限ることはなく何でもよいが，Ｓｎなどの金属薄膜やＳｉ薄膜のスパッタや蒸着，金属のメッキ，樹脂などのスピンコートなどが好ましく，その厚みが０．５〜５０μｍとなるように成膜するのが望ましい。
【００４２】
ついで，犠牲膜１４ａのパターンを形成するための犠牲膜形成用レジスト１４ｂを全面に塗布する。この場合も，ポジ型の場合は，例えば，東京応化（株）製のＯＦＰＲ８００等を用いるのが望ましい。ついで，所定のパターンが形成されたホトマスクを介して紫外線を照射してレジスト１４ｂを感光させる。ついで，現像液（レジストとして上述のＯＦＰＲ８００を用いた場合は，東京応化（株）製のＤＥ−６を用いるのが好ましい）に浸漬して犠牲膜１４ａが所定の形状になるように，図１０に示すように，レジスト１４ｂを所定の形状にパターニングする。なお，レジストとしてはポジ型あるいはネガ型のどちらを用いてもよい。
【００４３】
ついで，レジスト１４ｂをマスクとして余分な犠牲膜１４ａをエッチングにより除去する。ここで，エッチングとしてはイオンミリング，気相でのプラズマによるエッチング，液相でのエッチャントによる溶解エッチングなどが適用できる。なお，犠牲膜１４ａがＳｉの場合は，反応性のプラズマを使用するＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法，非反応性加速イオンを使用するミリング法，水酸化カリウム（ＫＯＨ）でＳｉを溶かす液相エッチング法なども使用できる。また，犠牲膜１４ａがＣｕ以外の他の金属の場合は，その金属を溶かすことができるエッチャントを用いてエッチングする。さらに，犠牲膜１４ａが樹脂の場合は，その樹脂を溶剤で溶かす方法，あるいはアルカリなどで加水分解する方法などが適用できる。
【００４４】
ついで，レジスト１４ｂを除去してその表面をクリーニングする。この場合も，アルカリあるいは有機溶剤などでレジストを溶かして液相で除去する方法，あるいはプラズマを使用して気相で除去するアッシング法などが使用される。ついで，図１１に示すように，上ヨーク１４となる磁性層を形成する。この場合，比透磁率が１０００以上のＮｉ，Ｆｅ，Ｃｏなどを主体とする合金で，例えば，２０％Ｆｅ８０％Ｎｉ合金（パーマロイ）をスパッタにより厚みが０．１〜３μｍになるように成膜する。なお，ＣｏＺｒＮｉ，ＣｏＴａなどのアモルファス磁性材料，ＦｅＡｌ，ＦｅＳｉＡｌ，ＦｅＳｉなどの鉄系軟磁性材料などを用いるようにしてもよい。また，スパッタ以外に，蒸着あるいは無電解メッキにより成膜するようにしてもよい。
【００４５】
ついで，上述のように成膜された上ヨーク（磁性層）１４の上に，同様に振動板１５を形成する密度が５ｇ／ｃｍ3以下で，ヤング率が７０００Ｋｇ／ｍｍ2以上の軽量高剛性材料からなる薄膜（この場合はアルミニウム膜）をスパッタにより成膜する。なお，密度が５ｇ／ｃｍ3以下で，ヤング率が７０００Ｋｇ／ｍｍ2以上の軽量高剛性材料としては，アルミニウム以外に，Ｔｉ，Ｂｅ，Ｃ，Ｂ，Ｍｇ単体あるいはそれらの合金，ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3などの酸化物，ＴｉＣ，ＳｉＣなどのカーバイト，ＡｌＮ，ＴｉＮなどの窒化物を使用してもよい。また，スパッタ以外に，蒸着あるいは無電解メッキにより成膜するようにしてもよい。
【００４６】
ついで，振動板１５のパターンを形成するための振動板形成用レジストを全面に塗布する。この場合も，ポジ型の場合は，例えば，東京応化（株）製のＯＦＰＲ８００等を用いるのが望ましい。ついで，所定のパターンが形成されたホトマスクを介して紫外線を照射してレジストを感光させた後，現像液（レジストとして上述のＯＦＰＲ８００を用いた場合は，東京応化（株）製のＤＥ−６を用いるのが好ましい）に浸漬してレジストを所定の振動板１５の形状にパターニングする。なお，レジストとしてはポジ型あるいはネガ型のどちらを用いてもよい。
【００４７】
ついで，レジストをマスクとして、上ヨーク１４となる磁性層と振動板１５となるアルミニウム膜以外の余分な部分をイオンミリングによりエッチングして除去する。この場合，図１２に示すように，レジストで覆われていない磁性層とアルミニウム膜は除去され，レジストで覆われている上ヨーク１４となる磁性層と振動板１５となるアルミニウム膜は残存することとなる。ついで，レジストを除去してその表面をクリーニングする。この場合も，アルカリあるいは有機溶剤などでレジストを溶かして液相で除去する方法，あるいはプラズマを使用して気相で除去するアッシング法などが使用される。
【００４８】
ついで，振動板（アルミニウム膜）１５および上ヨーク（磁性層）１４の下に形成された犠牲膜１４ａを除去する。この場合，振動板（アルミニウム膜）１５および上ヨーク（磁性層）１４の一部あるいは基板１１に予め開けられた図示しない穴（侵入口）からエッチャントが浸入し，犠牲膜１４ａを溶解エッチングする方法を用いる。なお，犠牲膜１４ａがＳｉの場合，ＫＯＨでＳｉを溶かす液相エッチング法が使用される。また，犠牲膜１４ａが他の金属の場合，その金属を溶かすエッチャントを使ってエッチングを行う。さらに，犠牲膜１４ａが樹脂の場合は，溶剤で溶かす，アルカリなどで加水分解するなどの方法が採用される。
【００４９】
なお，エッチャントの侵入口としては１ケ所に限らず，複数箇所に設けるようにして，エッチャントの侵入をし易くすることもできる。また，超音波を使ってエッチャントの浸透と更新の速度を上げることもできる。ここで，この侵入口は振動板１５の背圧を逃がし，上面からの空気振動によって振動板１５が加振された際に，閉ざされた空間の背圧によって振動板１５の振動が抑制されるのを防止するように作用するため好ましい。
【００５０】
ついで，下ヨーク１２の円筒部１２ｂから外方に延出したリード部１２ｄと図示しないコンデンサ（キヤパシタ）の一端部とを接続するとともに，コンデンサ（キヤパシタ）の他端部を薄膜コイル１３から外方に延出したリード部１３ｄとを接続する。これにより，図１に示す第１実施例のマイクロホン１０が形成されることとなる。なお，コンデンサ（キヤパシタ）は，予め基板１１内に形成しておいてもよく，あるいは上，下ヨーク１４，１２や薄膜コイル１３の形成時に同時に同一基板の他の部位に形成するようにしてもよい。また，予め，ＬＳＩよりなる信号処理回路を基板内に形成しておき，この信号処理回路から延出して露出するようにパッドが予め形成された基板を用いるのが望ましい。
【００５１】
２．第２実施例
本実施例２のマイクロホン２０は，図１３（なお，図１３（ａ）は内部を透かした状態を模式的に示す平面図であり，図１３（ｂ）はそのＡ−Ａ断面を示す断面図である）に示すように，基板２１上に形成された磁性体材料からなる下ヨーク（コア）２２と，この下ヨーク２２に囲われるようにして形成された薄膜コイル２３と，下ヨーク２２の上に配置されたキャパシター用金属膜２４と，このキャパシター用金属膜２４の上に空気層からなる空隙を介して配置された磁性層からなる上ヨーク２５と，この上ヨーク２５の上に配置されて上ヨーク２５と一体的に形成された振動板２６とから構成される。この場合，下ヨーク２２と薄膜コイル２３と上ヨーク２５とでインダクタＬが形成され，キャパシター用金属膜２４と上ヨーク２５とでキャパシタＣが形成される。
【００５２】
ここで，基板２１としては，上述の第１実施例と同様に，シリコン（Ｓｉ）基板，アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）やジルコニア（ＺｒＯ2）などのセラミック基板，ガラス基板，樹脂基板，金属基板などが使用できる。なお，ＳｉやＧａＡｓなどの基板を使用する場合，この基板２１内に予め信号処理回路をＬＳＩとして形成してある基板を使用するのが望ましい。また，下ヨーク（コア）２２の材料としては，比透磁率が１０００以上のＦｅＮｉ合金（パーマロイ：２０％Ｆｅ−８０％Ｎｉ合金）を用いるのが望ましい。この場合，下ヨーク２２は，円板状の底部２２ａと，その底部２２ａの周囲から突出する円筒部２２ｂと，その底部２２ａの中心部から突出する円柱部２２ｃと，リード部２２ｄとを備えている。なお，円筒部２２ｂの一部には切欠部が形成されているとともに，この切欠部から外方に向けてリード部２２ｄが延出して形成されている。
【００５３】
薄膜コイル２３は，幅が１〜１０μｍで，厚みが１〜１０μｍの銅（Ｃｕ）メッキ層からなり，下ヨーク２２の円板状の底部２２ａの上で，円筒部２２ｂ内に円柱部２２ｃを中心にして所定の回数Ｎだけ巻回されている。なお，薄膜コイル２３の一端部は下ヨーク２２の円柱部２２ｃに接続されており，薄膜コイル２３の他端部は外方に延出してコイルリード部２３ｄとなされている。この場合，薄膜コイル２３は１段であっても２段以上の複数段であってもよい。キャパシター用金属膜２４はＣｒ，Ｔｉ，Ａｕ，Ｐｔ等からなる金属の薄膜（厚みは０．０５〜１０μｍ）から形成されている。上ヨーク２５は，厚みが０．１〜３μｍで，下ヨーク２２の材料と同様な比透磁率が１０００以上のＦｅＮｉ合金（パーマロイ：２０％Ｆｅ−８０％Ｎｉ合金）を用いるのが望ましい。この場合，ＣｏＺｒＮｉ，ＣｏＴａなどのアモルファス磁性材料を使用するようにしてもよい。
【００５４】
振動板２６は，密度が５ｇ／ｃｍ3以下で，ヤング率が７０００Ｋｇ／ｍｍ2以上の軽量高剛性材料からなる薄膜により形成されている。なお，密度が５ｇ／ｃｍ3以下で，ヤング率が７０００Ｋｇ／ｍｍ2以上の軽量高剛性材料としては，Ａｌ，Ｔｉ，Ｂｅ，Ｃ，Ｂ，Ｍｇ単体あるいはそれらの合金，ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3などの酸化物，ＴｉＣ，ＳｉＣなどのカーバイト，ＡｌＮ，ＴｉＮなどの窒化物が用いられる。この場合，上ヨーク２５は下ヨーク２２の円筒部２２ｂおよび円柱部ｃの上部にｌｇ（この場合は，０．５μｍ≦ｌｇ≦５０μｍとなるようにするのが望ましい）だけの空隙（エアギャップ）が形成されるように配設されている。これにより，振動板２６に対して音圧が付与されると振動板２６は所定の共振周波数で振動することとなる。
【００５５】
なお，本実施例２のマイクロホン２０においては，薄膜コイル２３から外方に延出したコイルリード部２３ｄ→薄膜コイルコイル２３→下ヨーク２２の円柱部２２ｃ→キャパシター用金属膜２４→上ヨーク２５→振動板２６→下ヨーク２２のリード部２２ｄという経路で電気的に接続されている。このため，下ヨーク２２と薄膜コイル２３と上ヨーク２５とで形成されたインダクタに，キャパシター用金属膜２４と上ヨーク２５とで形成されたコンデンサ（キヤパシタ）が直列に接続されることとなる。この場合，直列接続に限らず，インダクタ（Ｌ）とキヤパシタ（Ｃ）が並列接続となるように構成してもよい。
【００５６】
ついで，上述のように構成されるマイクロホン２０の発振周波数と，その変化率（感度）を求めると，以下のようになる。ここで，図１４に示すように，薄膜コイル２３のコイルターン数をＮ（回），磁路抵抗をＲｍ，コア長（上，下ヨーク２５，２２で形成される閉磁路の全長）をｌｃ，コアの断面積（上，下ヨーク２５，２２の断面積）をＳｃ，コアの透磁率（上，下ヨーク２５，２２の透磁率）をμｃ，ギャップ長（円柱部２２ｃの上端から上ヨーク２５までの長さ）をｌｇ，ギャップの断面積をＳｇ，空気の透磁率をμ0,振動板２６の面積（キャパシター用金属膜２４と対向する部分の面積）をＳｐとする。
【００５７】
この場合，図１４の磁路回路のインダクタンスＬは，上述した第１実施例と同様に，Ｌ＝Ｎ2μ0Ｓｇ／ｌｇとなる。一方，キャパシタンスＣは，Ｃ＝ε0Ｓｐ／ｌｇとなる。したがって，図１４の磁路回路の発振周波数ｆは下記の（４）式となる。
【数４】
2006101162.tif 000006
【００５８】
ここで，発振周波数ｆをｌｇで微分すると，下記の（５）式が得られる。
【数５】
2006101162.tif 000007
【００５９】
上記（５）式より，振動板２６と一体に形成された上ヨーク２５の変位による発振周波数の変化（感度）を（ｄｆ／ｄｌｇ）／ｆとして求めると，下記の（６）式が得られる。
【数６】
2006101162.tif 000008
【００６０】
上記（６）式は以下のことを表している。即ち，（１）マイクロホン２０の感度（発振周波数の変化率）はギャップ長ｌｇだけに依存する。（２）マイクロホン２０の感度（発振周波数の変化率）を大きくするためにはギャップ長ｌｇを小さくする。（３）マイクロホン２０の感度（発振周波数の変化率）は振動板２６と一体に形成された上ヨーク２５の面積，薄膜コイル２３のコイルターン数（Ｎ回）に依存しないため，小型化に適している。
【００６１】
ついで，上述のような構成となる実施例２のマイクロホン２０の製造方法を図１５〜図２８に基づいて，以下に詳細に説明する。まず，ＳｉやＧａＡｓなどの基板２１を用意し，この基板２１の全面にレジストを塗布する。この場合，レジストとしてはポジ型あるいはネガ型のどちらを用いてもよいが，ポジ型の場合は，例えば，東京応化（株）製のＯＦＰＲ８００等を用いるのが望ましい。ついで，所定のパターンが形成されたホトマスクを介して紫外線を照射してレジストを感光させる。なお，紫外線以外に，電子線やＸ線を照射してレジストを感光させるようにしてもよい。
【００６２】
ついで，現像液（レジストとして上述のＯＦＰＲ８００を用いた場合は，東京応化（株）製のＤＥ−６を用いるのが好ましい）に浸漬してレジストを所定の形状にパターニングする。ここで，レジストがポジ型の場合，感光した部分はアルカリに溶解して除去され，感光していない部分が残存することとなる。ついで，図１５に示すように，残存したレジスト２１ａをマスクとしてエッチングを行い，基板２１に深さが５〜５０μｍとなるような凹部２１ｂを形成した。この場合，エッチングとしては，気相でプラズマエッチングする方法，液層でエッチャント（エッチング液）にて溶解エッチングする方法が適用できる。
【００６３】
ついで，レジストを除去してその表面をクリーニングする。この場合，アルカリあるいは有機溶剤などでレジストを溶かして液相で除去する方法，あるいはプラズマを使用して気相で除去するアッシング法などが適用できる。なお，Ｓｉ基板を用いる場合は，この表面を酸化したり，ＳｉＯ2あるいはＡｌ2Ｏ3などの絶縁膜を堆積（デポジション）せさるなどして，予め絶縁性の表面を得るようにする必要がある。
【００６４】
ついで，磁性体を電気メッキで形成するために，膜厚が０．１〜０．３μｍとなるメッキ下地膜２１ｃを形成する。ここでは，２０％Ｆｅ８０％Ｎｉ合金（パーマロイ）をスパッタによりメッキ下地膜２１ｃとして成膜した。この場合，２０％Ｆｅ８０％Ｎｉ合金（パーマロイ）以外に，Ｎｉ，Ｆｅ，Ｃｏを含む金属，あるいはそれらの合金を用いるようにしてもよい。なお，スパッタ以外に，蒸着，無電解メッキにより成膜するようにしてもよい。
【００６５】
ついで，これらの全面に上述と同様なレジスト２１ｄを塗布する。この場合も，例えば，東京応化（株）製のＯＦＰＲ８００等を用いるのが望ましい。ついで，所定のパターンが形成されたホトマスクを介して紫外線を照射して塗布したレジストを感光させる。なお，紫外線以外に，電子線やＸ線を照射してレジストを感光させるようにしてもよい。ついで，現像液（レジストとして上述のＯＦＰＲ８００を用いた場合は，東京応化（株）製のＤＥ−６を用いるのが好ましい）に浸漬してレジスト２１ｄを所定の形状にパターニングする。
【００６６】
ついで，メッキ下地膜２１ｃの上に磁性体を電気メッキしてヨークの底部２２ａおよびリード部２２ｄとなる磁性体層を形成する。この場合，磁性体としては比透磁率が１０００以上のＮｉ，Ｆｅ，Ｃｏなどを主体とする合金で，例えば，２０％Ｆｅ８０％Ｎｉ合金（パーマロイ）とするのが望ましい。そして，膜厚は２〜１０μｍとなるように成膜するのが望ましい。これにより，図１６に示すよう，メッキ下地膜２１ｃの上に下ヨークの底部２２ａおよびリード部２２ｄとなる磁性体層が形成されることとなる。ついで，レジスト２１ｄを除去してその表面をクリーニングする。この場合も，アルカリあるいは有機溶剤などでレジストを溶かして液相で除去する方法，あるいはプラズマを使用して気相で除去するアッシング法などが使用される。
【００６７】
ついで，全面に加速イオンを照射するイオンミリングにより，露出したメッキ下地膜２１ｃを除去する。この場合，イオンミリングに代えて金属を溶解する液相エッチング法を用いてもよい。ついで，図１７に示すように，これらの全面に絶縁層２３ａとなるレジストを塗布する。この場合も，例えば，東京応化（株）製のＯＦＰＲ８００等を用いるのが望ましい。ついで，所定のパターンが形成されたホトマスクを介して紫外線を照射してレジストを感光させる。ついで，現像液（レジストとして上述のＯＦＰＲ８００を用いた場合は，東京応化（株）製のＤＥ−６を用いるのが好ましい）に浸漬してレジストを所定の形状にパターニングする。なお，絶縁層２３ａとなるレジストとしてはポジ型あるいはネガ型のどちらを用いてもよいが，ポジ型の場合は，後の工程における加熱時にフローして角部に斜面が形成され易いため，ポジ型レジストを用いるのが望ましい。
【００６８】
ついで，現像によりパターニングした絶縁層２３ａとなるレジストを，１５０〜２３０℃に加熱してレジストフロー処理を行う。これにより，硬化したレジストは下ヨーク２２の底部２２ａとなる磁性体層に密着して剥離することがなくなる。ついで，コイルを電気メッキで形成するために，Ｃｕ下地膜（図示せず）をスパッタにより形成する。ここで，このスパッタ時に，密着性を改善するためにＣｒ（あるいはＴｉ）膜（例えば，厚みは０．０３μｍ）を形成した後，Ｃｕ膜（例えば，厚みは０．０１〜０．３μｍ）を形成するようにするのが望ましい。この場合，ポジ型レジストを用いて加熱時のレジストフローにより角部に斜面が形成されていると，Ｃｕ下地膜のスパッタ時にＣｕ薄膜を連続的に被着させることが可能となる。なお，スパッタに代えて蒸着や無電解メッキで成膜するようにしてもよい。
【００６９】
ついで，これらの全面に上述と同様なレジスト２３ｂを塗布する。この場合も，ポジ型の場合は，例えば，東京応化（株）製のＯＦＰＲ８００等を用いるのが望ましい。ついで，所定のパターンが形成されたホトマスクを介して紫外線を照射してレジスト２３ｂを感光させる。ついで，現像液（レジストとして上述のＯＦＰＲ８００を用いた場合は，東京応化（株）製のＤＥ−６を用いるのが好ましい）に浸漬してレジスト２３ｂを所定のコイル形状にパターニングする。なお，レジストとしてはポジ型あるいはネガ型のどちらを用いてもよい。
【００７０】
ついで，Ｃｕメッキ下地膜の上にＣｕのマイクロメッキを施して，図１８に示すように，Ｃｕ下地膜の上にＣｕコイル２３およびコイルリード部２３ｄを形成する。この場合，Ｃｕコイル２３の膜厚が１〜１０μｍになるようにマイクロメッキを施した。ついで，レジスト２３ｂを除去してその表面をクリーニングする。この場合も，アルカリあるいは有機溶剤などでレジストを溶かして液相で除去する方法，あるいはプラズマを使用して気相で除去するアッシング法などが使用される。ついで，全面に加速イオンを照射するイオンミリングにより，露出したメッキ下地膜を除去する。
【００７１】
ついで，下ヨーク２２の円筒部２２ｂ，円柱部２２ｃおよびリード部２２ｄを形成するための下ヨーク形成用レジスト２３ｃを全面に塗布する。この場合も，ポジ型の場合は，例えば，東京応化（株）製のＯＦＰＲ８００等を用いるのが望ましい。ついで，所定の下ヨークのパターンが形成されたホトマスクを介して紫外線を照射してレジスト２３ｃを感光させる。ついで，現像液（レジストとして上述のＯＦＰＲ８００を用いた場合は，東京応化（株）製のＤＥ−６を用いるのが好ましい）に浸漬して，図１９に示すように，レジスト２３ｃを所定の下ヨーク２２の形状にパターニングする。なお，レジストとしてはポジ型あるいはネガ型のどちらを用いてもよい。
【００７２】
ついで，下ヨーク２２の底部２２ａを形成する磁性体の上に，磁性体を電気メッキして下ヨーク２２の円筒部２２ｂ，円柱部２２ｃおよびリード部２２ｄを形成する。この場合，底部２２ａの場合と同様な磁性体，即ち，比透磁率が１０００以上のＮｉ，Ｆｅ，Ｃｏなどを主体とする合金で，例えば，２０％Ｆｅ８０％Ｎｉ合金（パーマロイ）とするのが望ましい。
【００７３】
ついで，図２０に示すように，レジスト２３ｃを除去してその表面をクリーニングする。この場合も，アルカリあるいは有機溶剤などでレジストを溶かして液相で除去する方法，あるいはプラズマを使用して気相で除去するアッシング法などが使用される。ついで，Ｃｕコイル２３間に絶縁層２３ｅを形成するため，図２１に示すように，絶縁層２３ｅを形成するためのレジストを全面に塗布する。この場合，塗布した絶縁層２３ｅを形成するためのレジストを１５０〜２３０℃に加熱して硬化させ，絶縁層２３ｅを絶縁層（レジスト）２３ａに密着させるようにする。この後，下ヨーク２２の円筒部２２ｂ，円柱部２２ｃおよびリード部２２ｄとなる磁性体や絶縁層（レジスト）２３ｅの基板２１の表面から突出した部分をラップ盤などで表面を研磨して，この突出した部分を除去し，図２２に示すように，全体が基板２１の表面と同一表面になるようにする。
【００７４】
ついで，これらの全面にＴｉ製のキャパシター用金属膜２４をスパッタにより成膜する。この場合，Ｔｉ膜の厚みが１μｍになるようにスパッタリングする。なお，キャパシター用金属膜２４の材料としてはＴｉ以外に，Ｃｒ，Ａｕ，Ｐｔなどの導電性材料を使用し，その膜厚が０．０５〜１０μｍになるように，スパッタリングあるいは蒸着もしくはメッキにより成膜するのが望ましい。その後，レジストを塗布して所定のキャパシター用金属膜２４の形状となるようにパターニングする。ついで，レジストをマスクとしてイオンエッチングによりキャパシター用金属膜を所定のキャパシター用金属膜２４の形状にエッチングする。これにより，図２３に示すように，Ｃｕコイル２３層の上にキャパシター用金属膜２４が形成されることとなる。この場合，キャパシター用金属膜２４は下ヨーク２２の円柱部２２ｃに電気的に接続されることとなる。
【００７５】
ついで，図２４に示すように，これらの全面に犠牲膜２４ａとなるＣｕ膜をスパッタにより成膜する。この場合，Ｃｕ膜の厚みが３μｍになるようにスパッタリングする。なお，犠牲膜２４ａとして後にエッチングにより除去できる材料であればＣｕに限ることはなく何でもよいが，Ｓｎなどの金属薄膜やＳｉ薄膜のスパッタや蒸着，金属のメッキ，樹脂などのスピンコートなどが好ましく，その厚みが０．５〜５０μｍとなるように成膜するのが望ましい。
【００７６】
ついで，犠牲膜２４ａのパターンを形成するための犠牲膜形成用レジストを全面に塗布する。この場合も，ポジ型の場合は，例えば，東京応化（株）製のＯＦＰＲ８００等を用いるのが望ましい。ついで，所定のパターンが形成されたホトマスクを介して紫外線を照射してレジストを感光させる。ついで，現像液（レジストとして上述のＯＦＰＲ８００を用いた場合は，東京応化（株）製のＤＥ−６を用いるのが好ましい）に浸漬してレジストを所定の犠牲膜２４ａの形状にパターニングする。なお，レジストとしてはポジ型あるいはネガ型のどちらを用いてもよい。ついで，レジストをマスクとして余分な犠牲膜２４ａをエッチングにより除去する。ここで，エッチングとしてはイオンミリング，気相でのプラズマによるエッチング，液相でのエッチャントによる溶解エッチングなどが適用できる。
【００７７】
なお，犠牲膜２４ａがＳｉの場合は，反応性のプラズマを使用するＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法，非反応性加速イオンを使用するミリング法，水酸化カリウム（ＫＯＨ）でＳｉを溶かす液相エッチング法なども使用できる。また，犠牲膜２４ａがＣｕ以外の他の金属の場合は，その金属を溶かすことができるエッチャントを用いてケミカルエッチングする。さらに，犠牲膜２４ａが樹脂の場合は，その樹脂を溶剤で溶かす方法，あるいはアルカリなどで加水分解する方法などが適用できる。ついで，レジストを除去してその表面をクリーニングする。この場合も，アルカリあるいは有機溶剤などでレジストを溶かして液相で除去する方法，あるいはプラズマを使用して気相で除去するアッシング法などが使用される。
【００７８】
ついで，図２５に示すように，上ヨーク２５となる磁性層を形成する。この場合，比透磁率が１０００以上のＮｉ，Ｆｅ，Ｃｏなどを主体とする合金で，例えば，２０％Ｆｅ８０％Ｎｉ合金（パーマロイ）をスパッタにより厚みが０．１〜３μｍになるように成膜する。なお，ＣｏＺｒＮｉ，ＣｏＴａなどのアモルファス磁性材料，ＦｅＡｌ，ＦｅＳｉＡｌ，ＦｅＳｉなどの鉄系軟磁性材料などを用いるようにしてもよい。また，スパッタ以外に，蒸着あるいは無電解メッキにより成膜するようにしてもよい。
【００７９】
ついで，上述のように成膜された磁性層からなる上ヨーク２５の上に，図２６に示すように，振動板２６を形成する密度が５ｇ／ｃｍ3以下で，ヤング率が７０００Ｋｇ／ｍｍ2以上の軽量高剛性材料からなる薄膜（この場合はアルミニウム膜）をスパッタにより成膜する。なお，密度が５ｇ／ｃｍ3以下で，ヤング率が７０００Ｋｇ／ｍｍ2以上の軽量高剛性材料としては，アルミニウム（Ａｌ）以外に，Ｔｉ，Ｂｅ，Ｃ，Ｂ，Ｍｇ単体あるいはそれらの合金，ＳｉＯ2，Ａｌ2Ｏ3などの酸化物，ＴｉＣ，ＳｉＣなどのカーバイト，ＡｌＮ，ＴｉＮなどの窒化物を使用してもよい。また，スパッタ以外に，蒸着あるいは無電解メッキにより成膜するようにしてもよい。
【００８０】
ついで，振動板２６のパターンを形成するための振動板形成用レジスト２７を全面に塗布する。この場合も，ポジ型の場合は，例えば，東京応化（株）製のＯＦＰＲ８００等を用いるのが望ましい。ついで，所定のパターンが形成されたホトマスクを介して紫外線を照射してレジスト２７を感光させた後，現像液（レジストとして上述のＯＦＰＲ８００を用いた場合は，東京応化（株）製のＤＥ−６を用いるのが好ましい）に浸漬して，図２７に示すように，レジスト２７を所定の振動板２６の形状にパターニングする。なお，レジスト２７としてはポジ型あるいはネガ型のどちらを用いてもよい。
【００８１】
ついで，レジスト２７をマスクとして振動板２６の余分部分をイオンミリングによりエッチングして除去する。ついで，レジスト２７を除去してその表面をクリーニングする。この場合も，アルカリあるいは有機溶剤などでレジストを溶かして液相で除去する方法，あるいはプラズマを使用して気相で除去するアッシング法などが使用される。
【００８２】
ついで，図２８に示すように，振動板２６および上ヨーク２５の下に形成された犠牲膜２４ａを除去する。この場合，振動板２６の一部あるいは基板２１に予め開けられた図示しない穴（侵入口）からエッチャントが浸入し，犠牲膜２４ａを溶解エッチングする方法がよく用いられる。なお，犠牲膜２４ａがＳｉの場合，ＫＯＨでＳｉをとかす液相エッチング法が使用される。また，犠牲膜２４ａが他の金属の場合，その金属を溶かすエッチャントを使ってエッチングを行う。さらに，犠牲膜２４ａが樹脂の場合は，溶剤で溶かす，アルカリなどで加水分解するなどの方法がとられる。
【００８３】
なお，エッチャントの侵入口としては１ケ所に限らず，複数箇所に設けるようにして，エッチャントの侵入をし易くすることもできる。また，超音波を使ってエッチャントの浸透と更新の速度を上げることもできる。ここで，この侵入口は振動板２６の背圧を逃がし，上面からの空気振動によって振動板２６が加振された際に，閉ざされた空間の背圧によって振動板２６の振動が抑制されるのを防止するように作用するため好ましい。これにより，図１３に示すような第２実施例のマイクロホン２０が形成されることとなる。
本第２実施例においても，上述した第１実施例と同様に，ＬＳＩよりなる信号処理回路を基板内に形成しておき，この信号処理回路から延出して露出するようにパッドが予め形成された基板を用いるのが望ましい。
【００８４】
３．変形例
（１）第１変形例
本第１変形例のマイクロホン３０においては，図２９（なお，図２９（ａ）は内部を透かした状態を模式的に示す平面図であり，図２９（ｂ）はそのＡ−Ａ断面を示す断面図である）に示すように，基板３１の中央部に彫込部が形成されており，この彫込部内に下ヨーク３２が形成されている。そして，下ヨーク３２の上部には，下ヨーク３２よりも径が大きい上ヨークを兼ねる振動板３５が配置されている。なお，振動板３５の外周部の下面には円筒状の保持材３６が形成されている。これにより，振動板３５は基板３１の表面に対して平行に配置できるようになされている。また，下ヨーク３２は，底部３２ａと円筒部３２ｂと円柱部３２ｃとで構成されており，この下ヨーク３２内に薄膜コイル３３が形成されている。なお，薄膜コイル３３は絶縁層３３ａの上に形成されているとともに，薄膜コイル３３間は絶縁層３３ｂにより絶縁されるようになされている。
【００８５】
この場合，振動板３５は下ヨーク３２の中心部に形成された円柱部３２ｃに支持もしくは固定されるようになされている。そして，振動板３５と下ヨーク３２の外周部に形成された円筒部３２ｂとの間は，間隔がｌｇの空気層からなる空隙が形成されるようになされている。これにより，音圧によって振動板３５が変位するとき，上ヨークを兼ねる振動板３５と下ヨーク３２の円筒部３２ｂとの距離が変動することで，磁路のインダクタンスが変わるようになされている。
【００８６】
（２）第２変形例
本第２変形例のマイクロホン４０においては，図３０（なお，図３０（ａ）は内部を透かした状態を模式的に示す平面図であり，図３０（ｂ）はそのＡ−Ａ断面を示す断面図である）に示すように，基板４１の中央部に彫込部が形成されており，この彫込部内に下ヨーク４２が形成されている。そして，下ヨーク４２の上部には，下ヨーク４２よりも径が大きい上ヨークを兼ねる振動板４５が配置されている。なお，振動板４５の外周部の下面には円筒状の保持材４６が形成されている。これにより，振動板４５は基板４１の表面に対して平行に配置できるようになされている。また，下ヨーク４２は，底部４２ａと円筒部４２ｂと円柱部４２ｃとで構成されており，この下ヨーク４２内に薄膜コイル４３が形成されている。なお，薄膜コイル４３は絶縁層４３ａの上に形成されているとともに，薄膜コイル４３間は絶縁層４３ｂにより絶縁されるようになされている。
【００８７】
この場合，振動板４５はその外周部の下面に形成された円筒状の保持材４６が基板４１の表面に当接することにより，支持もしくは固定されるようになされている。そして，振動板４５と，下ヨーク４２の外周部に形成された円筒部４２ｂと，その中心部に形成された円柱部４２ｃとの間は，間隔がｌｇの空気層からなる空隙が形成されるようになされている。これにより，音圧によって振動板４５が変位するとき，上ヨークを兼ねる振動板４５と下ヨーク４２の外周部に形成された円筒部４２ｂと，その中心部に形成された円柱部４２ｃとの距離が同時に変動するため，磁路のインダクタンスの変化率は上述した第１変形例に比して２倍になる。
【００８８】
（３）第３変形例
本第３変形例のマイクロホン５０においては，図３１（なお，図３１（ａ）は内部を透かした状態を模式的に示す平面図であり，図３１（ｂ）はそのＡ−Ａ断面を示す断面図である）に示すように，基板５１の中央部に彫込部が形成されており，この彫込部内に下ヨーク５２が形成されている。そして，下ヨーク５２の上部には，下ヨーク５２よりも径が大きい振動板５５が配置されている。なお，振動板５５の外周部の下面には円筒状の保持材５７が形成されている。これにより，振動板５５は基板５１の表面に対して平行に配置できるようになされている。また，下ヨーク５２は，底部５２ａと円筒部５２ｂと円柱部５２ｃとで構成されており，この下ヨーク５２内に薄膜コイル５３が形成されている。なお，薄膜コイル５３は絶縁層５３ａの上に形成されているとともに，薄膜コイル５３間は絶縁層５３ｂにより絶縁されるようになされている。
【００８９】
この場合，振動板５５はＢｅ，Ｂ，Ｃ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｔｉなどの軽量高剛性材料により形成されている。このため，振動板５５には，その中心部下面の下ヨーク５２に対向する位置に上コアとなる軟磁性体５６が配置されている。これにより，振動板５５の外周部の下面に形成された円筒状の保持材５７が基板５１の表面に当接することにより，支持もしくは固定されるようになされている。なお，振動板５５となる軽量高剛性材料（Ｂｅ，Ｂ，Ｃ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｔｉなど）は，スパッタ，蒸着，メッキなどの方法で形成することが可能となる。
【００９０】
このように，面積が大きく軽量高剛性な振動板５５を使うことで，音圧に対する振幅の応答を大きくとれるようになる。そして，磁路を形成すべき部分に，十分な厚さの軟磁性体５６をつけることで，磁路抵抗を下げることが可能となる。この結果，本体素子部のインダクタンスをあげることができ，他の配線部などの浮遊インダクタンスに埋もれてしまうことがなくなる。
【００９１】
（４）第４変形例
本第４変形例のマイクロホン６０においては，図３２（なお，図３２（ａ）は内部を透かした状態を模式的に示す平面図であり，図３２（ｂ）はそのＡ−Ａ断面を示す断面図である）に示すように，複数組のインダクタを設けるようにしている。この場合，基板６１内に，３つの彫込部が形成されており，これらの彫込部内に第１下ヨーク６２−１，第２下ヨーク６２−２，第３下ヨーク６２−３がそれぞれ形成されている。なお，第１下ヨーク６２−１は，図示しない底部と円筒部６２−１ｂと円柱部６２−１ｃで構成され，第２下ヨーク６２−２は，底部６２−２ａと円筒部６２−２ｂと円柱部６２−２ｃで構成され，第３下ヨーク６２−３は，図示しない底部と円筒部６２−３ｂと円柱部６２−３ｃで構成されている。また，第１下ヨーク６２−１内には第１薄膜コイル６３−１が形成されており，第２下ヨーク６２−２内には第２薄膜コイル６３−２が形成されており，第３下ヨーク６２−３内には第３薄膜コイル６３−３が形成されている。なお，各薄膜コイルは絶縁層６３−１ａ（図示せず），６３−２ａ，６３−３ａ（図示せず）の上に形成されているとともに，各コイル間は絶縁層６３−１ｂ（図示せず），６３−２ｂ，６３−３ｂ（図示せず）により絶縁されるようになされている。
【００９２】
そして，これらの第１下ヨーク６２−１，第２下ヨーク６２−２，第３下ヨーク６２−３を覆うようにこれらの上には１枚の振動板６５が配設されている。また，この振動板６５の下面の各第１下ヨーク６２−１，第２下ヨーク６２−２，第３下ヨーク６２−３に対向する位置には，第１上ヨーク（図示せず），第２上ヨーク６４−２，第３上ヨーク（図示せず）がそれぞれ形成されている。この場合，振動板６５の外周部の下面には円筒状の保持材６６が形成されている。これにより，各下ヨークと各上ヨークとの間は間隔がｌｇの空気層からなる空隙が形成されるようになされている。
【００９３】
そして，このマイクロホン６０の端部には一対のリードライン６７，６８が形成されている。リードライン６７は，配線６７ａを介して第１薄膜コイル６３−１の外周端部に接続され，この第１薄膜コイル６３−１の内周端部が第１下ヨーク６２−１の円柱部６２−１ｃに接続され，第１下ヨーク６２−１の円筒部６２−１ｂの一端部が配線６７ｂを介して第２薄膜コイル６３−２の外周端部に接続されている。一方，リードライン６８は，配線６８ａを介して第３薄膜コイル６３−３の外周端部に接続され，この第３薄膜コイル６３−３の内周端部が第３下ヨーク６２−３の円柱部６２−３ｃに接続され，第３下ヨーク６２−３の円筒部６２−３ｂの一端部が配線６８ｂを介して第２下ヨーク６２−２の円筒部６２−２ｂの一端部に接続されている。
【００９４】
これにより，全体が３つのインダクターが直列に接続された磁気回路が形成されることとなる。このため，各々のインダクターのインダクタンスをＬとすると，合計で３Ｌの大きなインダクタンスを有するインダクターを構成でき，他の配線部などの浮遊インダクタンスに埋もれてしまうということが防止でき，高感度のマイクロホンを形成できるようになる。なお，基板や各ヨークや各薄膜コイルの材料は，上述した各実施例のマイクロホンを形成する場合に使用する材料と同様なものを使用すればよい。
【００９５】
（５）第５変形例
本第５変形例のマイクロホン７０においては，図３３（なお，図３３（ａ）は内部を透かした状態を模式的に示す平面図であり，図３３（ｂ）はそのＡ−Ａ断面を示す断面図である）に示すように，基板に複数の背圧開放用の貫通孔を設けるようにしている。ここで，基板７１の中心部内には彫込部が形成されており，この彫込部内に下ヨーク７２と薄膜コイル７３とが形成されている。なお，下ヨーク７２は，底部７２ａと円筒部７２ｂと円柱部７２ｃとで構成されており，この下ヨーク７２内に薄膜コイル７３が形成されている。また，薄膜コイル７３は絶縁層７３ａの上に形成されているとともに，薄膜コイル７３間は絶縁層７３ｂにより絶縁されるようになされている。
【００９６】
この場合，基板７１内の中心部に形成された下ヨーク７２の周囲を囲うように５つの背圧開放用の貫通孔７７が形成されており，これらの背圧開放用の貫通孔７７を覆うように振動板７５が配設されている。そして，振動板７５の下面の下ヨーク７２に対向する位置には上ヨーク７４が形成されているとともに，振動板７５の外周部の下面には下ヨーク７２と上ヨーク７４との間にｌｇの空気層からなる空隙が形成されるように円筒状の保持材７６が形成されている。
【００９７】
なお，背圧開放用の貫通孔７７はドリルなどの機械加工による孔開け法により形成することができるが，基板７１の材質がＳｉの場合は，ＣＦ4の高密度プラズマによるエッチング法を適用するのが望ましい。また，孔開けの時機としては，一連のプロセスの途中で孔を開ける方法，全部のプロセスが終了してから孔を開ける方法，予め孔を開けた基板を用意してこの孔に犠牲膜を埋め込み，全部のプロセスが終了した後に犠牲膜をエッチングして除去する方法などが適用できる。このように，基板７１に複数の背圧開放用の貫通孔７７を設けると，空気振動により振動板７５が加振された際に，振動板７５の背圧は貫通孔７７により開放されるため，閉ざされた空間の背圧によって振動板７５の振動が抑制されるのを防止することが可能となる。
【００９８】
なお，上述した実施の形態においては１層の薄膜コイルを形成した例について説明したが，本発明のマイクロホンに用いられる薄膜コイルは１層に限らず，２層以上になるように形成されてもよい。この場合，２層以上の薄膜コイルは中央部で互いに連結されるようにし，薄膜コイルの一番外側部から一対のコイル端子が形成されるようすればよい。
【００９９】
また，本発明のマイクロホンにおいては，ＬＣ共振回路で生成された発振周波数が変化し，この発振周波数にＦＭ変調が乗るようにして，この発振周波数の変化をＦＭ変調として検知する信号処理回路に結合して，これらの信号を取り出すようにしても良い。さらに，ＬＣ共振回路で生成された発振周波数を搬送波とする電波を送信できるようにして，ワイヤレスマイクロホンとすることも可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１００】
上述したように，本発明のマイクロホンにおいてはマイクロホンのみに限ることなく，このマイクロホンに用いられる振動板が変位することを利用して，変位計，加速度センサ，振動ピックアップなどにも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１０１】
【図１】本発明の第１実施例のマイクロホンを模式的に示す図であり，図１（ａ）は内部を透かした状態を模式的に示す平面図であり，図１（ｂ）はそのＡ−Ａ断面を示す断面図である。
【図２】図１のマイクロホンの磁気回路を簡略化して示す断面図である。
【図３】図１のマイクロホンを製造するための工程の一部を模式的に示す図であり，図３（ａ）は平面図であり，図３（ｂ）はそのＡ−Ａ断面を示す断面図である。
【図４】図１のマイクロホンを製造するための工程の一部を模式的に示す図であり，図４（ａ）は平面図であり，図４（ｂ）はそのＡ−Ａ断面を示す断面図である。
【図５】図１のマイクロホンを製造するための工程の一部を模式的に示す図であり，図５（ａ）は平面図であり，図５（ｂ）はそのＡ−Ａ断面を示す断面図である。
【図６】図１のマイクロホンを製造するための工程の一部を模式的に示す図であり，図６（ａ）は平面図であり，図６（ｂ）はそのＡ−Ａ断面を示す断面図である。
【図７】図１のマイクロホンを製造するための工程の一部を模式的に示す図であり，図７（ａ）は平面図であり，図７（ｂ）はそのＡ−Ａ断面を示す断面図である。
【図８】図１のマイクロホンを製造するための工程の一部を模式的に示す図であり，図８（ａ）は内部を透かした状態を模式的に示す平面図であり，図８（ｂ）はそのＡ−Ａ断面を示す断面図である。
【図９】図１のマイクロホンを製造するための工程の一部を模式的に示す図であり，図９（ａ）は内部を透かした状態を模式的に示す平面図であり，図９（ｂ）はそのＡ−Ａ断面を示す断面図である。
【図１０】図１のマイクロホンを製造するための工程の一部を模式的に示す図であり，図１０（ａ）は内部を透かした状態を模式的に示す平面図であり，図１０（ｂ）はそのＡ−Ａ断面を示す断面図である。
【図１１】図１のマイクロホンを製造するための工程の一部を模式的に示す図であり，図１１（ａ）は内部を透かした状態を模式的に示す平面図であり，図１１（ｂ）はそのＡ−Ａ断面を示す断面図である。
【図１２】図１のマイクロホンを製造するための工程の一部を模式的に示す図であり，図１２（ａ）は内部を透かした状態を模式的に示す平面図であり，図１２（ｂ）はそのＡ−Ａ断面を示す断面図である。
【図１３】本発明の実施例２のマイクロホンを模式的に示す図であり，図１３（ａ）は内部を透かした状態を模式的に示す平面図であり，図１３（ｂ）はそのＡ−Ａ断面を示す断面図であり，図１３（ｃ）はそのＡ−Ｂ断面を示す断面図である。
【図１４】図１３のマイクロホンの磁気回路を簡略化して示す断面図である。
【図１５】図１３のマイクロホンを製造するための工程の一部を模式的に示す図であり，図１５（ａ）は平面図であり，図１５（ｂ）はそのＡ−Ａ断面を示す断面図である。
【図１６】図１３のマイクロホンを製造するための工程の一部を模式的に示す図であり，図１６（ａ）は平面図であり，図１６（ｂ）はそのＡ−Ａ断面を示す断面図である。
【図１７】図１３のマイクロホンを製造するための工程の一部を模式的に示す図であり，図１７（ａ）は平面図であり，図１７（ｂ）はそのＡ−Ａ断面を示す断面図である。
【図１８】図１３のマイクロホンを製造するための工程の一部を模式的に示す図であり，図１８（ａ）は平面図であり，図１８（ｂ）はそのＡ−Ａ断面を示す断面図である。
【図１９】図１３のマイクロホンを製造するための工程の一部を模式的に示す図であり，図１９（ａ）は内部を透かした状態を模式的に示す平面図であり，図１９（ｂ）はそのＡ−Ａ断面を示す断面図である。
【図２０】図１３のマイクロホンを製造するための工程の一部を模式的に示す図であり，図２０（ａ）は内部を透かした状態を模式的に示す平面図であり，図２０（ｂ）はそのＡ−Ａ断面を示す断面図である。
【図２１】図１３のマイクロホンを製造するための工程の一部を模式的に示す図であり，図２１（ａ）は内部を透かした状態を模式的に示す平面図であり，図２１（ｂ）はそのＡ−Ａ断面を示す断面図である。
【図２２】図１３のマイクロホンを製造するための工程の一部を模式的に示す図であり，図２２（ａ）は内部を透かした状態を模式的に示す平面図であり，図２２（ｂ）はそのＡ−Ａ断面を示す断面図である。
【図２３】図１３のマイクロホンを製造するための工程の一部を模式的に示す図であり，図２３（ａ）は内部を透かした状態を模式的に示す平面図であり，図２３（ｂ）はそのＡ−Ａ断面を示す断面図である。
【図２４】図１３のマイクロホンを製造するための工程の一部を模式的に示す図であり，図２４（ａ）は内部を透かした状態を模式的に示す平面図であり，図２４（ｂ）はそのＡ−Ａ断面を示す断面図である。
【図２５】図１３のマイクロホンを製造するための工程の一部を模式的に示す図であり，図２５（ａ）は内部を透かした状態を模式的に示す平面図であり，図２５（ｂ）はそのＡ−Ａ断面を示す断面図である。
【図２６】図１３のマイクロホンを製造するための工程の一部を模式的に示す図であり，図２６（ａ）は内部を透かした状態を模式的に示す平面図であり，図２６（ｂ）はそのＡ−Ａ断面を示す断面図である。
【図２７】図１３のマイクロホンを製造するための工程の一部を模式的に示す図であり，図２７（ａ）は内部を透かした状態を模式的に示す平面図であり，図２７（ｂ）はそのＡ−Ａ断面を示す断面図である。
【図２８】図１３のマイクロホンを製造するための工程の一部を模式的に示す図であり，図２８（ａ）は内部を透かした状態を模式的に示す平面図であり，図２８（ｂ）はそのＡ−Ａ断面を示す断面図である。
【図２９】第１変形例のマイクロホンを模式的に示す図であり，図２９（ａ）は内部を透かした状態を模式的に示す平面図であり，図２９（ｂ）はそのＡ−Ａ断面を示す断面図である。
【図３０】第２変形例のマイクロホンを模式的に示す図であり，図３０（ａ）は内部を透かした状態を模式的に示す平面図であり，図３０（ｂ）はそのＡ−Ａ断面を示す断面図である。
【図３１】第３変形例のマイクロホンを模式的に示す図であり，図３１（ａ）は内部を透かした状態を模式的に示す平面図であり，図３１（ｂ）はそのＡ−Ａ断面を示す断面図である。
【図３２】第４変形例のマイクロホンを模式的に示す図であり，図３２（ａ）は内部を透かした状態を模式的に示す平面図であり，図３２（ｂ）はそのＡ−Ａ断面を示す断面図である。
【図３３】第５変形例のマイクロホンを模式的に示す図であり，図３３（ａ）は内部を透かした状態を模式的に示す平面図であり，図３３（ｂ）はそのＡ−Ａ断面を示す断面図である。
【図３４】従来例のマイクロホンを模式的に示す図である。
【図３５】他の従来例のマイクロホンを模式的に示す図である。
【符号の説明】
【０１０２】
１０…マイクロホン，１１…基板，１１ａ…レジスト，１１ｂ…凹部，１１ｃ…メッキ下地膜，１２…下ヨーク，１２ａ…底部，１２ｂ…円筒部，１２ｃ…円柱部，１２ｄ…リード部，１２ｅ…ヨーク形成用レジスト，１３…薄膜コイル，１３ａ…レジスト（絶縁層），１３ｂ…Ｃｕ下地膜，１３ｃ…レジスト，１３ｄ…コイルリード部，１３ｅ…絶縁層，１４…上ヨーク（振動板），１４ａ…犠牲膜，１４ｂ…犠牲膜形成用レジスト，１５…振動板（軽量高剛性材料からなる薄膜），２０…マイクロホン，２１…基板，２１ａ…レジスト，２１ｂ…凹部，２１ｃ…メッキ下地膜，２１ｄ…レジスト，２２…下ヨーク，２２ａ…底部，２２ｂ…円筒部，２２ｃ…円柱部，２２ｄ…コイルリード部，２３…薄膜コイル，２３ａ…絶縁層（レジスト），２３ｂ…レジスト，２３ｃ…ヨーク形成用レジスト，２３ｄ…コイルリード部，２３ｅ…絶縁層（レジスト），２４…キャパシター用金属膜，２４ａ…犠牲膜，２５…上ヨーク，２６…振動板，２７…振動板形成用レジスト，３０…マイクロホン，３１…基板，３２…下ヨーク，３２ａ…底部，３２ｂ…円筒部，３２ｃ…円柱部，３３…薄膜コイル，３３ａ…絶縁層，３３ｂ…絶縁層，３５…振動板，３６…保持材，４０…マイクロホン，４１…基板，４２…下ヨーク，４２ａ…底部，４２ｂ…円筒部，４２ｃ…円柱部，４３…薄膜コイル，４３ａ…絶縁層，４３ｂ…絶縁層，４５…振動板，４６…保持材，５０…マイクロホン，５１…基板，５２…下ヨーク，５２ａ…底部，５２ｂ…円筒部，５２ｃ…円柱部，５３…薄膜コイル，５３ａ…絶縁層，５３ｂ…絶縁層，５５…振動板，５６…軟磁性体，５７…保持材，６０…マイクロホン，６１…基板，６２−１…第１下ヨーク，６２−１ｂ…円筒部，６２−１ｃ…円柱部，６２−２…第２下ヨーク，６２−２ａ…底部，６２−２ｂ…円筒部，６２−２ｃ…円柱部，６２−３…第３下ヨーク，６２−３ｂ…円筒部，６２−３ｃ…円柱部，６３−１…第１薄膜コイル，６３−２…第２薄膜コイル，６３−３…第３薄膜コイル，６４−２…第２上ヨーク，６５…振動板，６６…保持材，６７…リードライン，６７ａ，６７ｂ…配線，６８…リードライン，６８ａ，６８ｂ…配線，７０…マイクロホン，７１…基板，７２…下ヨーク，７２ａ…底部，７２ｂ…円筒部，７２ｃ…円柱部，７３…薄膜コイル，７３ａ…絶縁層，７３ｂ…絶縁層，７４…上ヨーク，７５…振動板，７６…保持材，７７…貫通孔
【図１】
2006101162.tif 000009
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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