(57)【要約】【課題】  安価で、且つ、微妙な加熱温度制御が可能な高周波加熱装置を得る。【解決手段】  被処理物３０に対する加熱開始時から目標温度に達するまでの間は高出力が得られるＬＣ共振式半波倍電圧電源６を使用し、目標温度に達した時点からこの目標温度を維持して被処理物３０を加熱することが求められる場合には、微妙な加熱温度制御が可能なインバータ電源５を使用する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ波を輻射して被処理物を加熱する高周波加熱装置であって、
高圧トランスと高圧コンデンサとを有し、マグネトロンに発振電力を供給する倍電圧電源方式の第１の電源供給手段と、
交流電源を整流して直流電力に変換し、直流電力をスイッチングして高周波電力に変換してマグネトロンに供給するインバータ電源方式の第２の電源供給手段と、
高出力のマイクロ波を必要とする場合には前記第１の電源供給手段に切り替え、低出力のマイクロ波で且つ微妙な出力調整を必要とする場合には前記第２の電源供給手段に切り替える制御手段と、
を具備することを特徴とする高周波加熱装置。
【請求項２】
マイクロ波を輻射して被処理物を加熱する高周波加熱装置であって、
高圧トランスと高圧コンデンサとを有し、マグネトロンに発振電力を供給する倍電圧電源方式の第１の電源供給手段と、
交流電源を整流して直流電力に変換し、直流電力をスイッチングして高周波電力に変換してマグネトロンに供給するインバータ電源方式の第２の電源供給手段と、
前記被処理物を収容する庫内にて前記被処理物の温度を検出する温度検出手段と、
前記被処理物を一気に加熱する場合には前記第１の電源供給手段に切り替え、その後前記温度検出手段の出力に基づいて目的温度に達するまで前記第１の電源供給手段から電源が供給されるマグネトロンをオン／オフ制御し、前記目的温度に達した時点で前記第２の電源供給手段に切り替え、その後前記温度検出手段の出力に基づいて前記目的温度を維持するように前記第２の電源供給手段のスイッチング周波数、デューテイを含むパラメータを微調整する制御手段と、
を具備することを特徴とする高周波加熱装置。
【請求項３】
前記庫内の湿度を検出する湿度検出手段を具備し、
前記制御手段は、前記湿度検出手段の出力から前記被処理物の含水率が目的の値に達した時点で前記第２の電源供給手段による加熱を停止することを特徴とする請求項２に記載の高周波加熱装置。
【請求項４】
高圧トランスと高圧コンデンサとを有し、マグネトロンに発振電力を供給する倍電圧電源方式の第１の電源供給手段と、
交流電源を整流して直流電力に変換し、直流電力をスイッチングして高周波電力に変換してマグネトロンに供給するインバータ電源方式の第２の電源供給手段と、
を具備し、前記第１の電源供給手段又は前記第２の電源供給手段を用いて前記マグネトロンからマイクロ波を輻射させて被処理物を加熱する高周波加熱装置に用いるプログラムであって、
高出力のマイクロ波を必要とするか又は低出力のマイクロ波で且つ微妙な出力調整を必要とするかを判定する判定手順と、
高出力のマイクロ波を必要とする場合には前記第１の電源供給手段に切り替え、低出力のマイクロ波で且つ微妙な出力調整を必要とする場合には前記第２の電源供給手段に切り替える切り替え手順と、
を有し、コンピュータによって前記各手順を実行させることを特徴とするプログラム。
【請求項５】
高圧トランスと高圧コンデンサとを有し、マグネトロンに発振電力を供給する倍電圧電源方式の第１の電源供給手段と、
交流電源を整流して直流電力に変換し、直流電力をスイッチングして高周波電力に変換してマグネトロンに供給するインバータ電源方式の第２の電源供給手段と、
を具備し、前記第１の電源供給手段又は前記第２の電源供給手段を用いて前記マグネトロンからマイクロ波を輻射させて被処理物を加熱する高周波加熱装置に用いるプログラムであって、
前記被処理物を収容する庫内の温度を検出する温度検出手順と、
前記被処理物への加熱開始前に前記第１の電源供給手段に切り替え、前記庫内の温度が目的温度に達すると前記第２の電源供給手段に切り替える切り替え手順と、
前記第１の電源供給手段に切り替えられた場合には前記目的温度に達するまで前記第１の電源供給手段から電源が供給されるマグネトロンをオン／オフ制御するオン／オフ制御手順と、
前記第１の電源供給手段から前記第２の電源供給手段に切り替えられると前記目的温度を維持するように前記第２の電源供給手段のスイッチング周波数、デューテイを含むパラメータを微調整するパラメータ微調整手順と、
を有し、コンピュータによって前記各手順を実行させることを特徴とするプログラム。
【請求項６】
前記庫内の湿度を検出する湿度検出手段と、
前記第２の電源供給手段のパラメータ微調整により前記被処理物の含水率が目的の値に達した時点で前記第２の電源供給手段による加熱を停止する加熱停止手順と、
を更に有することを特徴とする請求項５に記載のプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マグネトロンを用いて被処理物を加熱する高周波加熱装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、高周波加熱装置には、高圧トランスと高圧コンデンサを有し、マグネトロンに発振電力を供給する倍電圧電源方式のものと、交流電源を整流して直流電力に変換し、直流電力をスイッチングして高周波電力に変換してマグネトロンに供給するインバータ電源方式のものとが知られている（例えば、特許文献１、特許文献２、特許文献３参照）。
【０００３】
倍電圧電源方式の高周波加熱装置では、マイクロ波の出力調整をマグネトロンのオン／オフ制御によって可能にしており、インバータ電源方式の高周波加熱装置では、マイクロ波の出力調整をスイッチング周波数、デューテイ等を制御することで可能にしている。また、倍電圧電源方式は高出力が得られることから主に工業用として用いらており、インバータ電源方式はマイクロ波出力調整が容易であることから主に一般家庭用の電子レンジに用いられている。
【０００４】
【特許文献１】特開平０５−１９０１０５号公報
【特許文献２】特開平０６−１５１０５４号公報
【特許文献３】特開２００３−３４３８４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、従来の高周波加熱装置において、倍電圧電源方式は、上述したように高出力が得られる反面、マイクロ波の出力調整をマグネトロンのオン／オフ制御で行っているので、微妙な加熱温度制御が困難である。特に、被処理物が高周波入力効率の良いものであればあるほど対応できなくなる。一方、インバータ電源方式は、スイッチング周波数やデューテイを制御することでマイクロ波の出力調整を行っているので、被処理物の特性に合った微妙な加熱温度制御が可能である。しかしその反面、高出力が得られず、工業用として用いる場合には複数個用意する必要があり、その分コスト高になってしまう。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、安価で且つ微妙な加熱温度制御が可能な高周波加熱装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的は下記構成又はプログラムにより達成される。
（１）  マイクロ波を輻射して被処理物を加熱する高周波加熱装置であって、高圧トランスと高圧コンデンサとを有し、マグネトロンに発振電力を供給する倍電圧電源方式の第１の電源供給手段と、交流電源を整流して直流電力に変換し、直流電力をスイッチングして高周波電力に変換してマグネトロンに供給するインバータ電源方式の第２の電源供給手段と、高出力のマイクロ波を必要とする場合には前記第１の電源供給手段に切り替え、低出力のマイクロ波で且つ微妙な出力調整を必要とする場合には前記第２の電源供給手段に切り替える制御手段と、を具備することを特徴とする。
【０００８】
（２）  マイクロ波を輻射して被処理物を加熱する高周波加熱装置であって、高圧トランスと高圧コンデンサとを有し、マグネトロンに発振電力を供給する倍電圧電源方式の第１の電源供給手段と、交流電源を整流して直流電力に変換し、直流電力をスイッチングして高周波電力に変換してマグネトロンに供給するインバータ電源方式の第２の電源供給手段と、前記被処理物を収容する庫内にて前記被処理物の温度を検出する温度検出手段と、前記被処理物を一気に加熱する場合には前記第１の電源供給手段に切り替え、その後前記温度検出手段の出力に基づいて目的温度に達するまで前記第１の電源供給手段から電源が供給されるマグネトロンをオン／オフ制御し、前記目的温度に達した時点で前記第２の電源供給手段に切り替え、その後前記温度検出手段の出力に基づいて前記目的温度を維持するように前記第２の電源供給手段のスイッチング周波数、デューテイを含むパラメータを微調整する制御手段と、を具備することを特徴とする。
【０００９】
（３）  上記（２）に記載の高周波加熱装置において、前記庫内の湿度を検出する湿度検出手段を具備し、前記制御手段は、前記湿度検出手段の出力から前記被処理物の含水率が目的の値に達した時点で前記第２の電源供給手段による加熱を停止することを特徴とする。
【００１０】
（４）  高圧トランスと高圧コンデンサとを有し、マグネトロンに発振電力を供給する倍電圧電源方式の第１の電源供給手段と、交流電源を整流して直流電力に変換し、直流電力をスイッチングして高周波電力に変換してマグネトロンに供給するインバータ電源方式の第２の電源供給手段と、を具備し、前記第１の電源供給手段又は前記第２の電源供給手段を用いて前記マグネトロンからマイクロ波を輻射させて被処理物を加熱する高周波加熱装置に用いるプログラムであって、高出力のマイクロ波を必要とするか又は低出力のマイクロ波で且つ微妙な出力調整を必要とするかを判定する判定手順と、高出力のマイクロ波を必要とする場合には前記第１の電源供給手段に切り替え、低出力のマイクロ波で且つ微妙な出力調整を必要とする場合には前記第２の電源供給手段に切り替える切り替え手順と、を有し、コンピュータによって前記各手順を実行させることを特徴とする。
【００１１】
（５）  高圧トランスと高圧コンデンサとを有し、マグネトロンに発振電力を供給する倍電圧電源方式の第１の電源供給手段と、交流電源を整流して直流電力に変換し、直流電力をスイッチングして高周波電力に変換してマグネトロンに供給するインバータ電源方式の第２の電源供給手段と、を具備し、前記第１の電源供給手段又は前記第２の電源供給手段を用いて前記マグネトロンからマイクロ波を輻射させて被処理物を加熱する高周波加熱装置に用いるプログラムであって、前記被処理物を収容する庫内の温度を検出する温度検出手順と、前記被処理物への加熱開始前に前記第１の電源供給手段に切り替え、前記庫内の温度が目的温度に達すると前記第２の電源供給手段に切り替える切り替え手順と、前記第１の電源供給手段に切り替えられた場合には前記目的温度に達するまで前記第１の電源供給手段から電源が供給されるマグネトロンをオン／オフ制御するオン／オフ制御手順と、前記第１の電源供給手段から前記第２の電源供給手段に切り替えられると前記目的温度を維持するように前記第２の電源供給手段のスイッチング周波数、デューテイを含むパラメータを微調整するパラメータ微調整手順と、を有し、コンピュータによって前記各手順を実行させることを特徴とする。
【００１２】
（６）  上記（５）に記載のプログラムにおいて、前記庫内の湿度を検出する湿度検出手段と、前記第２の電源供給手段のパラメータ微調整により前記被処理物の含水率が目的の値に達した時点で前記第２の電源供給手段による加熱を停止する加熱停止手順と、を更に有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
上記（１）に記載の高周波加熱装置によれば、高出力のマイクロ波を必要とする場合には第１の電源供給手段を使用し、低出力のマイクロ波で且つ微妙な出力調整を必要とする場合には第２の電源供給手段を使用するので、倍電圧電源方式の電源のみの場合と比べて微妙な加熱温度制御が可能となり、また低出力型のインバータ電源方式の電源を複数備える場合と比べてコストを低く抑えることが可能となる。すなわち、安価で且つ微妙な加熱温度制御が可能な高周波加熱装置を得ることができる。
【００１４】
上記（２）に記載の高周波加熱装置によれば、被処理物に対する加熱を開始してから被処理物の温度が目標温度に達するまでは高出力が得られる倍電圧電源方式の電源を使用し、被処理物の温度が目標温度に達した時点からはマイクロ波出力量の微調整が可能なインバータ電源方式の電源を使用し、インバータ電源方式の電源の使用開始後は、目標温度を維持できるようにスイッチング周波数、デューテイを含むパラメータの微調整を行うので、倍電圧電源方式の電源のみの場合と比べて微妙な加熱温度制御が可能となり、また低出力型のインバータ電源方式の電源を複数備える場合と比べてコストを低く抑えることが可能となる。すなわち、安価で且つ微妙な加熱温度制御が可能な高周波加熱装置を得ることができる。
【００１５】
上記（３）に記載の高周波加熱装置によれば、庫内の湿度を検出する湿度検出手段の出力から被処理物の含水率が目的の値に達した時点で被処理物に対する加熱を停止するので、被処理物を好適に乾燥させることができる。
【００１６】
上記（４）に記載のプログラムによれば、高出力のマイクロ波を必要とする場合には第１の電源供給手段を使用し、低出力のマイクロ波で且つ微妙な出力調整を必要とする場合には第２の電源供給手段を使用するので、倍電圧電源方式の電源のみの場合と比べて微妙な加熱温度制御が可能となり、また低出力型のインバータ電源方式の電源を複数備える場合と比べてコストを低く抑えることが可能となる。すなわち、安価で且つ微妙な加熱温度制御が可能な高周波加熱装置を得ることができる。
【００１７】
上記（５）に記載のプログラムによれば、被処理物に対する加熱を開始してから被処理物の温度が目標温度に達するまでは高出力が得られる倍電圧電源方式の電源を使用し、被処理物の温度が目標温度に達した時点からはマイクロ波出力量の微調整が可能なインバータ電源方式の電源を使用し、インバータ電源方式の電源の使用開始後は、目標温度を維持できるようにスイッチング周波数、デューテイを含むパラメータの微調整を行うので、倍電圧電源方式の電源のみの場合と比べて微妙な加熱温度制御が可能となり、また低出力型のインバータ電源方式の電源を複数備える場合と比べてコストを低く抑えることが可能となる。すなわち、安価で且つ微妙な加熱温度制御が可能な高周波加熱装置を得ることができる。
【００１８】
上記（６）に記載のプログラムによれば、庫内の湿度を検出する湿度検出手段の出力から被処理物の含水率が目的の値に達した時点で被処理物に対する加熱を停止するので、被処理物を好適に乾燥させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、添付図面に基づいて本発明の一実施形態に係る高周波加熱装置を詳細に説明する。
図１は、本発明に係わる高周波加熱装置の一実施形態の概略構成を示す図、図２はこの高周波加熱装置の電気的構成を示すブロック図、図３はこの高周波加熱装置の外観を示す斜視図である。本実施の形態に係る高周波加熱装置は、陶芸用のマイクロ波焼成炉としたものであるが、本発明はこれに限定されることはなく、陶芸用の粘土以外の被処理物を乾燥させたり、加熱したりする様々な用途に用いることができることは明らかである。
【００２０】
図１において、本実施形態に係る高周波加熱装置１は、被処理物３０（生粘土）を入れる庫内キャビティ２と、庫内キャビティ２の両側に配置された２基のマグネトロン３Ａ及び３Ｂと、マグネトロン３Ａと庫内キャビティ２とを接続する導波管４Ａと、マグネトロン３Ｂと庫内キャビティ２とを接続する導波管４Ｂと、マグネトロン３Ａを駆動するインバータ電源（第２の電源供給手段）５と、マグネトロン３Ｂを駆動するＬＣ共振式半波倍電圧電源（第１の電源供給手段）６と、高周波加熱装置１を操作可能にすると共に操作内容、現在温度、経過時間等の各種表示を行う操作・表示基板７と、操作・表示基板７からの入力情報に従ってインバータ電源５及びＬＣ共振式半波倍電圧電源６を制御すると共に、操作・表示基板７に装置の動作状況を表示させる制御マイコン基板８と、庫内キャビティ２内の湿度から被処理物３０の湿度を測定するための湿度センサ（湿度検出手段）９と、庫内キャビティ２内の温度から被処理物３０の温度を測定するための温度センサ（温度検出手段）１０とを備えている。
【００２１】
インバータ電源５は、交流電源を整流して直流電力に変換し、直流電力をスイッチングして高周波電力に変換してマグネトロン３Ａに供給するものであり、スイッチング周波数、デューテイ等のパラメータの調整による出力制御が可能となっている。
ＬＣ共振式半波倍電圧電源６は、高圧トランス６Ａと高圧コンデンサ６Ｂを有し、マグネトロン３Ｂに発振電力を供給する。
【００２２】
操作・表示基板７には、図２に示すように表示部７Ａと入力キー部７Ｂが設けられている。表示部７Ａには加熱処理における操作内容、現在温度、経過時間等の各種表示が行われる。
入力キー部７Ｂは装置を操作するためのものであり、制御マイコン基板８にユーザの操作情報を入力する。表示部７Ａと入力キー部７Ｂは、図３の斜視図に示すように装置本体前面上部に配置されている。
【００２３】
制御マイコン基板８には、図２に示すように、増幅回路１３Ａ及び１３Ｂ、Ａ／Ｄ変換回路１４Ａ及び１４Ｂ、制御ＣＰＵ（制御手段、コンピュータ）１５が設けられている。増幅回路１３Ａは、湿度センサ９の検出信号を所定レベルまで増幅して出力する。Ａ／Ｄ変換回路１４Ａは、増幅回路１３Ａで増幅された湿度センサ９の検出信号をディジタル信号に変換して出力する。湿度センサ９としては例えばセラミック湿度センサが好適である。
【００２４】
増幅回路１３Ｂは、温度センサ１０の検出信号を所定レベルまで増幅して出力する。Ａ／Ｄ変換回路１４Ｂは、増幅回路１３Ｂで増幅された温度センサ１０の検出信号をディジタル信号に変換して出力する。温度センサ１０としては例えば熱電対が好適である。制御ＣＰＵ１５は、内部に有するメモリ１５Ａに格納されたプログラムに従って被処理物３０に対する加熱温度制御を行う。
【００２５】
被処理物３０の加熱においては、Ａ／Ｄ変換回路１４Ａから出力されるディジタル電圧値を湿度データに変換すると同時に、Ａ／Ｄ変換回路１４Ｂから出力されるディジタル電圧値を温度データに変換し、これらのデータと操作・表示基板７の入力キー部７Ｂからの入力情報とに応じて制御信号を生成しインバータ電源５又はＬＣ共振式半波倍電圧電源６に入力する。この場合、被処理物３０を乾燥させる目標温度に達するまではＬＣ共振式半波倍電圧電源６に制御信号を入力して被処理物３０を加熱し、目標温度に達した時点でＬＣ共振式半波倍電圧電源６からインバータ電源５に制御信号を入力して、目標温度が一定になるように加熱温度制御する。
【００２６】
図１において、庫内キャビティ２は被処理物３０を収容するものであり、庫内キャビティ２内で被処理物３０に対してマグネトロン３Ａ又は３Ｂからマイクロ波が輻射される。
【００２７】
図４は、被処理物３０に対する加熱乾燥パターンの一例であり、横軸が加熱時間を示しており、縦軸が被処理物の温度を示している。被処理物３０を乾燥する乾燥工程では、目標温度Ｔemp１に達するまではＬＣ共振式半波倍電圧電源６にて高出力で加熱が行われる。期間Ｔａで目標温度Ｔemp１に達した時から乾燥終了時までの期間Ｔｂではインバータ電源５にて微妙なマイクロ波出力量の制御が行われる。この乾燥工程で被処理物３０の含水率が６〜８％の１桁台になる。乾燥終了後は焼成工程に移行して期間Ｔｃで素焼き等の焼成工程が行われる。
【００２８】
次に、図５に示すフローチャートを参照して、上記構成の高周波加熱装置１の乾燥工程における動作を説明する。
まず操作・表示基板７の入力キー部７Ｂにて設定された目標温度を取得する（ステップＳ１０）。次いで、温度センサ１０の出力信号を読み込んで被処理物３０の温度を求め（ステップＳ１１、温度検出手順に対応）、この温度（以下、被処理物温度）が目標温度より低い所定の温度未満であるかどうか判定する（ステップＳ１２、判定手順に対応）。ここで、目標温度より低い所定温度とは、インバータ電源５を用いた加熱温度制御でも極短時間で目標温度まで到達できる温度である。この温度より低い場合には、インバータ電源５を用いた加熱温度制御では目標温度まで到達するには時間がかかるので、ＬＣ共振式半波倍電圧電源６を用いる。
【００２９】
ステップＳ１２の判定において、被処理物温度が目標温度より低い所定温度未満である場合（ステップＳ１２のＹｅｓの場合）、短時間で目標温度まで上げるために高出力が得られるＬＣ共振式半波倍電圧電源６を選択する（ステップＳ１３、切り替え手順に対応）。ＬＣ共振式半波倍電圧電源６を選択してこのＬＣ共振式半波倍電圧電源６にてマグネトロン３Ｂの駆動を開始した後、温度センサ１０の出力信号に基づき、被処理物温度が目標温度に達するまでマグネトロン３Ｂをオン／オフ制御する（ステップＳ１４、オン／オフ制御手順に対応）。これにより、マグネトロン３Ｂから高出力のマイクロ波が輻射されて被処理物３０の温度が一気に上昇し乾燥が進行する。
【００３０】
ＬＣ共振式半波倍電圧電源６にてマグネトロン３Ｂの駆動を開始した直後から被処理物温度が目標温度に達したかどうか判定し（ステップＳ１５）、目標温度に達しなければ、達するまでこの処理を繰り返す。これに対して被処理物温度が目標温度に達した場合（ステップＳ１５のＹｅｓの場合）、ＬＣ共振式半波倍電圧電源６からインバータ電源５に切り替える。すなわちインバータ電源５を選択する（ステップＳ１６、切り替え手順に対応）。なお、上記ステップＳ１２の判定において、被処理物温度が目標温度より低い所定温度以上であれば、インバータ電源５による加熱温度制御でも極短時間で目標温度まで上げることができることから、ステップＳ１２から直接ステップＳ１６に移行する。
【００３１】
インバータ電源５を選択してこのインバータ電源５にてマグネトロン３Ａの駆動を開始した後、被処理物温度が目標温度を維持するようにインバータ電源５を制御する（ステップＳ１７）。この際、温度センサ１０の出力信号に基づき、目標温度を維持するようにインバータ電源５のスイッチング周波数、デューテイ等のパラメータを調整する（パラメータ調整手順）。そして、湿度センサ９の出力信号を読み込み（ステップＳ１８、湿度検出手順に対応）、被処理物３０の湿度が６〜８％であるかどうか判定する（ステップＳ１９）。被処理物３０の湿度が６〜８％になっていない場合（ステップＳ１９のＮｏの場合）、ステップＳ１７に戻る。被処理物３０の湿度が６〜８％になるまでステップＳ１７〜ステップＳ１９の処理を繰り返し行う。そして、被処理物３０の湿度が６〜８％になった場合（ステップＳ１９のＹｅｓの場合）、インバータ電源５を使用した加熱を停止し（ステップＳ１８とステップＳ１９、加熱停止手順に対応）、乾燥工程を終了する。
【００３２】
以上のように、本実施の形態に係る高周波加熱装置１によれば、被処理物３０に対する加熱開始時から目標温度に達するまでの間は高出力が得られるＬＣ共振式半波倍電圧電源６を使用し、目標温度に達した時点から被処理物３０の含水率が目的とする値（６〜８％）になるまでの間は微妙な加熱温度制御が可能なインバータ電源５を使用する。したがって、ＬＣ共振式半波倍電圧電源のみの場合と比べて微妙な加熱温度制御が可能となり、また低出力型のインバータ電源を複数備える場合と比べてコストを低く抑えることが可能となる。すなわち、安価で且つ微妙な加熱温度制御が可能な高周波加熱装置を提供することができる。
【００３３】
なお、上記実施の形態では、陶芸用のマイクロ波焼成炉に用いて、庫内キャビティ２の温度に応じてＬＣ共振式半波倍電圧電源６とインバータ電源５の切り替えを行うようにしたが、高出力のマイクロ波と、低出力のマイクロ波で且つ微妙な出力調整を必要とするものであれば、如何なるものにも適用できることは明らかである。
【産業上の利用可能性】
【００３４】
例えばマイクロ波焼成炉のように、マイクロ波を利用して被処理物を加熱する用途への適用が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の一実施の形態に係る高周波加熱装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２】図１の高周波加熱装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図３】図１の高周波加熱装置の外観を示す斜視図である。
【図４】図１の高周波加熱装置の乾燥工程における被処理物に対する加熱時間と被処理物温度の変化を示す波形図である。
【図５】図１の高周波加熱装置の乾燥工程における動作を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００３６】
１  高周波加熱装置
２  庫内キャビティ
３Ａ、３Ｂ  マグネトロン
４Ａ、４Ｂ  導波管
５  インバータ電源
６  ＬＣ式共振半波倍電圧電源
６Ａ  高圧トランス
６Ｂ  高圧コンデンサ
７  操作・表示基板
７Ａ  表示部
７Ｂ  入力キー部
８  制御マイコン基板
９  湿度センサ
１０  温度センサ
１３Ａ、１３Ｂ  増幅回路
１４Ａ、１４Ｂ  Ａ／Ｄ変換回路
１５  制御ＣＰＵ
３０  被処理物
【図１】
2006244956.tif 000003
【図２】
2006244956.tif 000004
【図３】
2006244956.tif 000005
【図４】
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【図５】
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