(57)【要約】【課題】配線基板の貫通孔内壁と貫通導体との接続信頼性に優れた配線基板並びにその製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも繊維１と樹脂３とを含有してなる絶縁基体５と、該絶縁基体５に形成された貫通孔７と、該貫通孔７に形成された金属相からなる貫通導体９を具備してなる配線基板２１において、前記繊維１と樹脂３とが乖離した乖離部Ａが前記貫通孔７に開口するように形成されるとともに、前記乖離部Ａに封止導体１１が形成されてなることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも繊維と樹脂とを含有してなる絶縁基体と、該絶縁基体に形成された貫通孔と、該貫通孔に形成された金属相からなる貫通導体を具備してなる配線基板において、前記繊維と樹脂とが乖離した乖離部が前記貫通孔に開口するように形成されるとともに、前記乖離部に封止導体が形成されてなることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
乖離部の経が貫通孔側に向けて大きくなっていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
貫通導体と封止導体とが同一の金属相から形成されてなることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
封止導体の長さが３〜２０μｍであることを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれかに記載の配線基板。
【請求項５】
繊維の線径が１５μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至４に記載の配線基板。
【請求項６】
繊維がガラス繊維であることを特徴とする請求項１乃至５に記載の配線基板。
【請求項７】
少なくとも繊維と樹脂を含有してなる絶縁基体に貫通孔を設ける工程と、前記絶縁基体の繊維と樹脂との間に乖離部を形成する工程と、該乖離部に封止導体を形成する工程と、前記貫通孔に貫通導体を形成する工程と、を具備することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項８】
貫通孔をレーザ加工により形成することを特徴とする請求項７に記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
絶縁基体の貫通孔を粗化液に浸透させることにより、前記繊維と樹脂の乖離部を形成することを特徴とする請求項７又は８に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
絶縁基板の貫通孔を粗化液に浸透させるとき、超音波振動をかけることを特徴とする請求項７乃至９のうちいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１１】
めっき法により、封止導体を形成することを特徴とする請求項７乃至１０のうちいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１２】
めっき法により、貫通導体を形成することを特徴とする請求項７乃至１１のうちいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機材料系の配線基板、特に、大規模半導体（ＬＳＩ）を実装するための配線基板に関し、特に貫通孔内壁と貫通導体との接続信頼性に優れた配線基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子等の電子部品を搭載するための有機材料系の配線基板として、例えばガラス−エポキシ板から成り、その上面から下面にかけて貫通する貫通孔を有する絶縁基板の上下両面に銅箔およびその上に施しためっき層から成る配線導体を被着させるとともに、前記貫通孔の内面に前記上下両面の配線導体同士を接続するめっき層から成る貫通導体を被着させて成る配線基板が使用されている。
【０００３】
このような有機材料系の配線基板は、ガラス−エポキシ板から成る絶縁基板の上下両面に銅箔が被着された両面銅張板を準備するとともに、この両面銅張板を上下に貫通する貫通孔をドリル加工により穿孔し、次に前記上下両面の銅箔上および貫通孔内面に銅から成るめっき層を無電解めっき法および電解めっき法により析出させて前記上下両面の銅箔の上にめっき層を被着するとともに貫通孔の内面にめっき層から成る貫通導体を形成し、次に、前記絶縁基板の上下両面に被着された銅箔およびその銅箔に被着しためっき層をフォトリソグラフィー技術を採用して部分的にエッチングして配線導体を形成することによって製作されている。
【０００４】
また、この配線基板の両面にビルドアップ樹脂層およびビルドアップ配線層を形成することによりビルドアップ配線基板が製作される。なお、このような配線基板においては、貫通導体が被着された貫通孔は通常、エポキシ樹脂等の穴埋め樹脂により充填されている。
【０００５】
ところで、このような有機材料系の多層配線基板においては、電子装置の小型・薄型化の要求に対応してその配線密度を高めるために、例えば絶縁基板の厚みを０．２〜１ｍｍ程度、貫通孔の直径を７５〜１３０μｍ程度の小さなものとする試みがなされている。また、このような直径が７５〜１３０μｍ程度の小さな貫通孔を形成するためには、例えば炭酸ガスレーザによる穿孔方法が採用されている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２０００−９１７５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、このようにレーザ光を用いて貫通孔を形成する場合でも、また、従来のドリル加工で貫通孔を形成する場合でも、貫通孔壁面と貫通導体とが十分な密着強度を有することができないという問題があった。
【０００７】
特に、絶縁基板中のガラス繊維周辺と貫通導体との密着が弱く、半導体素子実装時の熱履歴等で貫通孔壁面の絶縁基板の樹脂とガラス繊維と貫通導体の間で熱膨張係数の違い、特に３種類の熱膨張の違う材料の３重点となっているところがより大きい応力が発生し貫通導体とガラス繊維の界面で剥離が生じ、それが起点となり貫通孔と貫通導体の間のクラックとなり、配線基板の表裏の導通の為の貫通導体を断線せしめ導通不良を発生させてしまうという問題がある。
【０００８】
これに対し、本発明は、貫通孔内壁と貫通導体との接続信頼性に優れた配線基板並びにその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の配線基板は、少なくとも繊維と樹脂とを含有してなる絶縁基体と、該絶縁基体に形成された貫通孔と、該貫通孔に形成された金属相からなる貫通導体を具備してなる配線基板において、前記繊維と樹脂とが乖離した乖離部が前記貫通孔に開口するように形成されるとともに、前記乖離部に封止導体が形成されてなることを特徴とする。
【００１０】
また、乖離部の経が貫通孔側に向けて大きくなっていることが望ましい。
【００１１】
また、貫通導体と封止導体とが同一の金属相から形成されてなることが望ましい。
【００１２】
また、封止導体の長さが３〜２０μｍであることが望ましい。
【００１３】
また、繊維の線径が１５μｍ以下であることが望ましい。
【００１４】
また、繊維がガラス繊維であることが望ましい。
【００１５】
本発明の配線基板の製造方法は貫通孔をレーザ加工により形成することを特徴とする。
【００１６】
また、本発明の配線基板の製造方法は絶縁基体の貫通穴を粗化液に浸透させることにより、前記繊維と樹脂の乖離部を形成することを特徴とする。
【００１７】
また、本発明の配線基板の製造方法は絶縁基板の貫通穴を粗化液に浸透させるときに超音波振動を製品にかけながら浸透し前記繊維と樹脂部の乖離部を形成することを特徴とする。
【００１８】
また、本発明の配線基板の製造方法はめっき法により、封止導体を形成することを特徴とする。
【００１９】
また、本発明の配線基板の製造方法はめっき法により、貫通導体を形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の配線基板によれば、少なくとも繊維と樹脂とを含有してなる絶縁基体と、該絶縁基体に形成された貫通孔と、該貫通孔に形成された金属相からなる貫通導体を具備してなる配線基板において、前記繊維と樹脂とが乖離した乖離部が前記貫通孔に開口するように形成されるとともに、前記乖離部に封止導体が形成されてなることにより導体と絶縁基体の壁面との接触面積が増え、その上導体がガラス繊維と樹脂の間に挟みこまれる構造となるので、絶縁基体の壁面での貫通導体と絶縁基体の樹脂とガラスクロスの密着強度は大きくなる。
【００２１】
また、その際剥離部の径が貫通孔側に向けて大きくなるように設けることでより強固に導体がガラス繊維と樹脂の間に挟みこまれる構造になるのでさらに貫通孔の壁面での貫通導体と絶縁基体の樹脂とガラスクロスの密着強度は大きくなる。
【００２２】
また、この封止導体と貫通導体を同一金属層とすることで封止導体と貫通導体の境界がなくなり、剥離が生じにくくなるために表裏の導通をとる導体の接続信頼性をより高めることができる。
【００２３】
また、封止導体の長さを３〜２０μｍとすることで貫通孔の壁面での貫通孔の壁面での貫通導体と絶縁基体の樹脂とガラスクロスの密着強度をより大きくでき、同時に絶縁信頼性を確保した配線基板となる。これは封止導体を３μｍ以上とすることでガラス繊維と導体の接着された面積が大きくなったことにより密着強度大きくなるためである。また封止導体を２０μｍ以下とすることで貫通孔と貫通孔の壁間での絶縁信頼性がより高くなる。２０μｍより大きい場合は壁間での絶縁信頼性を十分確保できない場合があるためである。
【００２４】
また、繊維の線径を１５μｍ以下とすることで貫通孔を形成するとき、孔加工性を良好とすることができる。
【００２５】
また、繊維をガラスとすることで絶縁基板が十分な剛性をもたせることができ、基板の反りを小さくすることができる。
【００２６】
また、貫通孔をレーザ加工で形成することにより絶縁基体のガラス繊維と樹脂を剥離がレーザ加工時の熱作用によるガラス繊維近傍の樹脂の変質でおこるため、乖離したところ以外のガラス繊維と樹脂の密着は弱くならない。樹脂の変質した部分が化学的に除去されるのみなので、乖離させていないガラス繊維と樹脂との間への歪等の応力を作用させないためである。
【００２７】
また、絶縁基体の貫通孔を粗化液に浸透させることにより、前記繊維と樹脂の乖離部を形成できる。これはガラスク繊維と樹脂の間のレーザ加工で変質した樹脂を化学的にとりさることによりガラス繊維近傍の樹脂の変質した残渣をほぼ除去することが可能であり、変質した樹脂残渣の上に封止導体が形成され、その部分での密着力が小さくなるということが無い。
【００２８】
また、絶縁基板の貫通孔を粗化液に浸透させるときに超音波振動を製品にかけながら浸透することによりガラス繊維近傍の樹脂の変質した残渣をより除去することが可能であり変質した樹脂残渣の上に封止導体が形成され、その部分での密着力が小さくなるということが無い。
【００２９】
また、めっき法により、封止導体と貫通導体を形成することすることにより乖離部内部までめっき液が浸透しやすくなる。液体は隙間にくまなく入り込むことができるために封止導体でガラス繊維と樹脂の隙間を埋めることができ封止導体めっきと貫通導体の密着を十分に保つことができるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
本発明の配線基板は、例えば、図１に示すように、繊維１であるガラスクロス１と、樹脂３とを含有してなる絶縁基体５と、絶縁基体５を貫通して形成された貫通孔７と、貫通孔７内に形成された貫通導体９と、貫通孔７の内壁のガラス繊維１と樹脂３との剥離部Ａに入り込む封止導体１１と、絶縁基体５の両面に形成されたコア配線層１３と、絶縁基体５の主面に形成された絶縁層１５と、絶縁層１５を貫通して形成されたビア導体１７と、絶縁層１５の主面に形成された配線導体層１９とで構成されている。
【００３１】
このような配線基板２１において、絶縁基体５、絶縁層１５は、それぞれを挟持するように配置されたコア配線層１３、配線導体層１９並びに、それぞれを貫通して設けられた貫通導体９、ビア導体１７と、を支持し、電気的に絶縁する機能を有している。
【００３２】
そして、コア配線層１３、配線導体層１９、貫通導体９、ビア導体１７は、それぞれが任意に接続され、配線回路を形成している。
【００３３】
本発明の配線基板２１においては、貫通孔７の内壁の繊維１と樹脂３との間に形成された乖離部Ａに、封止導体１１を形成することが重要であり、従来、貫通孔７の壁面で貫通導体９が剥離しやすく、配線基板２１の信頼性を低下させる大きな要因の一つであった貫通孔７の内壁において繊維１と樹脂３との乖離部Ａに封止導体１１を形成することで、封止導体１１並びに貫通導体９と、繊維１と樹脂３とを含有する絶縁基体５との接触面積が増え、その上、封止導体１１が繊維１と樹脂３との間に挟みこまれる構造となるので、絶縁基体５の壁面での封止導体１１並びに貫通導体９と、繊維１と樹脂３とを含有する絶縁基体５との密着強度は格段に大きくなり、配線基板２１の信頼性は格段に向上するのである。また、封止導体１１並びに貫通導体９と、繊維１と樹脂３とを含有する絶縁基体５との密着強度が向上することにより、両者の間に剥離が発生しにくくなり、繊維１と樹脂３を起点とする貫通孔と貫通導体クラックの発生を減らすことができ、配線基板の表裏の導通上の接続信頼性を向上することができる。
【００３４】
この乖離部Ａに封止導体１１を形成するため、また、封止導体１１と絶縁基体５との接着強度を向上させるために乖離部Ａの径は貫通孔７に向けて大きくなるように開口させることが望ましい。
【００３５】
また、封止導体１１と貫通導体９の境界をなくし、半導体チップ実装での熱衝撃等で剥離を生じにくくするために、この封止導体１１と貫通導体９とは同一の金属相により形成することが望ましい。
【００３６】
また、封止導体１１と絶縁基体５との密着強度を向上させるためには、封止導体１１の貫通孔７からの侵入深さを３μｍ以上とすることが望ましく、特に、５μｍ以上、さらに、７μｍ以上とすることが望ましい。また、隣り合う、他の貫通導体７との絶縁信頼性を向上させるためには、封止導体１１の貫通孔７からの侵入深さを２０μｍ以下とすることが望ましく、特に、１５μｍ以下、さらに、１０μｍ以下とすることが望ましい。
【００３７】
また、繊維１の線径を１５μｍ以下とすることで、容易に貫通孔７を形成することができるとともに、繊維１の周囲に容易に所望の形状の乖離部Ａを形成することができる。
【００３８】
また、絶縁基体５に十分な剛性をもたせ、配線基板２１の反りを小さくすることができることから、繊維１をガラスにより形成し、繊維１として、いわゆるガラスクロス１を用いることが望ましい。即ち、図１では、直線的に繊維１を表現しているが、繊維１として、ガラス繊維１を布のように編み込んだガラスクロス１を用いる場合には、ガラス繊維１は波状に、しかも、互いに交差して絶縁基体５を構成するのである。また、繊維１は、図１では、長繊維１として表現しているが短繊維であってもよいことは言うまでもない。
【００３９】
また、貫通孔７をレーザ加工で形成した場合には、絶縁基体５のガラス繊維１と樹脂３の乖離はレーザ加工時の熱作用によるガラス繊維近傍の樹脂の変質により、形成することができ、乖離部以外のガラス繊維１と樹脂３の密着性を維持することが容易となる。このレーザ加工条件は、貫通孔７の周辺においてガラス繊維１の周辺の樹脂３を変質させて、除去しやすくするためにエネルギーの出力とショット数を調整することが望ましい。具体的には炭酸ガスレーザを使い、１ショットあたりの出力を１０〜２５ｍＪとし、ショット数を３〜２０ショットとすることでガラス繊維１近傍の樹脂３の変質を調整することが可能である。
【００４０】
レーザ加工した絶縁基体５の貫通孔７を粗化液に浸透させることにより、前記繊維と樹脂の乖離部Ａを形成できる。これはガラス繊維１と樹脂３の間のレーザ加工で変質した樹脂３を化学的にとりさることによりガラス繊維１の近傍の樹脂３の変質した残渣をほぼ除去することが可能であり、変質した樹脂残渣の上に封止導体１１が形成され、その部分での密着力が小さくなるということが無い。これは樹脂３のレーザ加工時に変質し、除去しやすくなった部分のみを化学的に除去しているだけなので、レーザ加工時に変質していない部分の樹脂３とガラス繊維１とを新たに乖離させることはない。
【００４１】
また、絶縁基板１の貫通孔５を粗化液に浸透させるときに超音波振動を製品にかけながら浸透することによりガラス繊維近傍の樹脂の変質した残渣をより速やかに除去することが可能であり変質した樹脂残渣の上に封止導体が形成され、その部分での密着力が小さくなるということが無い。
【００４２】
また、めっき法により、封止導体と貫通導体を形成した場合には、乖離部Ａ内部までめっき液が浸透しやすくなり、封止導体でガラス繊維と樹脂の隙間を容易に埋めることができ、封止導体めっきと貫通導体の密着を十分に保つことができるようになる。
【００４３】
以下に、図１を用いて説明した本発明の配線基板２１を製造するための本発明の配線基板２１の製造方法について、詳細に説明する。なお、本実施例においても、直径が７５〜１３０μｍと微細な貫通孔７を有するとともに、厚みが０．２〜０．８ｍｍの薄型の配線基板を製造する場合の例を示している。
【００４４】
まず、図２（ａ）に示すように、例えば、ガラスクロス１にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂・ポリフェニレンエーテル樹脂等の樹脂３を含浸させた厚みが０．２〜０．８ｍｍの絶縁基体５の両面に厚みが５〜２０μｍの金属箔２３である銅箔２３が被着形成された両面銅張板２５を準備する。この時にガラスクロス１は繊維の直径が１５μｍ以下のガラス繊維１を用いることが望ましい。
【００４５】
なお、絶縁基体５は、その厚みを０．２ｍｍ以上とすることで、絶縁基体５および銅箔２３を貫通して複数の貫通孔７を形成したり、さらには穴埋め樹脂３８を形成する際等に印加される熱や外力等の影響で配線基板２１に反りや変形が発生して配線基板に要求される平坦度を確保できなくなってしまう危険性を小さくすることができ、また、その厚みを０．８ｍｍ以下とすることで、後述するように貫通孔７の内壁にめっきを被着して貫通導体９を形成するとき、貫通孔７内にめっき液が浸入しにくくなり、貫通導体９に断線が発生しやすくなるということがない。したがって、厚みが０．２〜０．８ｍｍの絶縁基板１を用いることが好ましい。また、ガラスクロス１は、その繊維１の直径を１５μｍ以下とすることでレーザ加工により貫通孔７を形成する時の加工が容易となり所定の孔径を加工しやすくなり、形状も良好となる。
【００４６】
また、銅箔２３は、その厚みを５μｍ以上とすることで、貫通孔７形成後のめっきの前処理として行なわれるマイクロエッチング時に銅箔２３がエッチングされて銅箔２３にピンホールまたは欠損を生じることがなくなり、銅箔２３へのめっきの付き周り性や密着力を強くすることができる。
【００４７】
また、銅箔２３の厚みを２０μｍ以下とすることで、貫通孔７をレーザ加工により穿孔する場合に、直径が７５〜１３０μｍの貫通孔７を安定して形成することが可能となる。したがって、５〜２０μｍの厚みの銅箔２３を用いることが望ましい。
【００４８】
このような銅箔２３は、例えば、絶縁基体５の上下全面に厚みが８〜４０μｍ程度の銅箔２３を貼着するとともに、この銅箔２３を硫酸−過酸化水素水などの銅エッチング液で膜厚が均一となるようにエッチングし、厚みが５〜２０μｍとなるように加工して形成される。
【００４９】
次に、図２（ｂ）に示すように、レーザ加工により両面銅張板２５を貫通する直径が７５〜１３０μｍの貫通孔７を穿孔する。
【００５０】
このように、貫通孔７の直径が７５〜１３０μｍと微細な場合には、貫通導体９および配線導体１３を形成する際に貫通導体９および配線導体１３を高密度で配置することができ、それにより高密度な配線基板を得ることができる。なお、貫通孔７の孔径が７５μｍ以上の場合、貫通孔７の内層にめっき金属を被着して貫通導体９を形成する際に、貫通導体９を形成するためのめっき液が貫通孔７の内部に良好に入り込み、貫通孔７の内部に貫通導体９を良好に形成することが可能となり、他方、１３０μｍ以下では、貫通導体９および配線導体１３を高密度で配置することが可能となる。したがって、貫通孔７の直径は、７５〜１３０μｍの範囲が好ましい。
【００５１】
なお、絶縁基板１および銅箔２３に貫通孔７を形成するには、銅箔２３上に例えばレーザ光のエネルギーを良好に吸収する黒色もしくは黒色に近い色を有する樹脂から成るレーザ加工用シートを貼着し、このレーザ加工用シートの上から炭酸ガスレーザ光を照射する方法、もしくは銅箔２３の表面を算術平均粗さＲａで０．２〜２μｍの範囲で表面を粗化した後、その銅箔２３に酸化雰囲気１５０℃で３０分程度の熱処理を施し、その表面をレーザ光のエネルギーを良好に吸収する黒色もしくは茶色等の黒色に近い色を有する色として炭酸ガスレーザ光を照射する方法のどちらかの方法を使用し、８〜３０ｍＪの出力の炭酸ガスレーザ光を４０〜２４０μ秒のパルス幅で所定の位置に照射して貫通孔７を穿孔する方法が採用される。
【００５２】
このとき、炭酸ガスレーザ光の出力を８ｍＪ以上とすることで、貫通孔７を十分な大きさに穿孔することが可能となる。また、３０ｍＪ以下とすることで絶縁基板１における貫通孔７の孔径を精度よく形成することができる。したがって、照射する炭酸ガスレーザ光は、その出力が８〜３０ｍＪでパルス幅が４０〜２４０μ秒の範囲ですることが好ましい。
【００５３】
なお、貫通孔７を上下両面側に向けて拡径する形状とするには、レーザ加工により穿孔する場合、レーザ光の１パルス当たりのエネルギーやショット数を調整すればよい。
【００５４】
このような工程でレーザ光を用いて貫通孔７を形成した場合には、貫通孔７の内壁には熱により炭化層（図示せず）が形成される。また、炭化していなくとも貫通孔７の壁面、貫通孔７の壁面近傍の繊維３の周囲の樹脂は熱により変質し、除去されやすくなる。
【００５５】
そして、貫通孔７の内壁に形成された炭化層や変質層を例えば過マンガン酸カリウム溶液や過マンガン酸ナトリウム溶液から成る粗化液を用いて粗化して除去することにより、図２（ｃ）の部分断面図に示す炭化層、変質層が除去された両面銅張板２５が得られる。
【００５６】
この両面銅張板２５の貫通孔７の内壁に接する繊維１の周囲は除去されて、乖離部Ａが形成される。
【００５７】
次に、図３（ｄ）に示すように、炭化層並びに変質層を除去した後に、貫通孔７の内部、金属箔２３の表面に無電解めっき銅めっき（図示せず）および電解銅めっき層（図示せず）を順次析出させて、乖離部Ａに封止導体１１を形成するとともに、貫通孔７に貫通導体９を形成し、あわせて、銅箔２３の表面にも厚みが１〜３μｍの無電解銅めっき層および厚みが２０〜３０μｍの電解銅めっき層を順次析出させて、めっき層を形成する。
【００５８】
このように、封止導体１１と貫通導体９とを同時に形成することで、両者を同一の金属により形成することができるため、封止導体１１と貫通導体９との間で熱膨張係数の差による応力が発生することが無く、信頼性に優れた配線基板となる。また、工程がひとつですむため、プロセスコストを低くすることができる。
【００５９】
このとき、貫通孔７の内壁から炭化層１７を除去し、さらに、貫通孔周縁部の金属箔２３、貫通孔周縁部の絶縁基板１の密着強度の低下した表層の極薄い部分とをあらかじめ除去したことで、貫通導体９と貫通孔７、並びに貫通孔周縁配線層１４と絶縁基板１とを強固に結合させることができる。
【００６０】
なお、無電解銅めっき層を析出させるには、例えば、塩化アンモニウム系酢酸パラジウムを含有するパラジウム活性液を使用して貫通孔７内壁、貫通孔周縁部のの絶縁基板１が露出した部分ならびに銅箔２３の表面にパラジウム触媒を付着させるとともに、その上に硫酸銅系の無電解銅めっき液を用いて無電解銅めっき層を被着させればよい。このとき、貫通孔７は、両面銅張板１５の開口部において外側に向けて拡径していることから、貫通孔７内に無電解銅めっき液が良好に浸入し、その結果、無電解銅めっき層を略均一な厚みに良好に被着させることができる。
【００６１】
また、電解銅めっき層を被着させるための電解銅めっき液としては、例えば、硫酸銅系の電解銅めっき液を用いればよい。このとき、貫通孔７は、両面銅張板２５の開口部において外側に向けて拡径していることから、貫通孔７内に電解銅めっき液が良好に浸入し、その結果、貫通孔７内を電解銅めっきで良好に充填することができる。
【００６２】
次に、図３（ｅ）に示すように、貫通孔７に形成された貫通導体９により形成された貫通孔７ａの内部に埋込樹脂２７を充填し、硬化させた後に、図４（ｇ）に示すように、穴埋め樹脂２７を埋め込んだ両面銅張板２５の表面を研磨し、平坦化する。
【００６３】
この研磨により穴埋め樹脂２７の不要部分を除去するとともに、両面銅張板２５の表面に形成された導体層の厚みを所定の厚みにすることができる。また研磨工程においては、研磨と銅のエッチングとを交互に複数回繰り返して穴埋め樹脂２７の不要部分を除去するとともに両面銅張板２５の表面に形成された導体層の厚みを所定の厚みにする。研磨のみで穴埋め樹脂２７の不要部分の除去と両面銅張板２５の表面に形成された導体層の厚みを所定の厚みにするよりも、研磨と銅のエッチングを交互に行ったほうが、総計の作業時間が短縮され、両面銅張板２５の表面に形成された導体層の厚みがより均一となる。また銅のエッチング液としては硫酸−過酸化水素水の混合溶液や過硫酸アンモニウム水溶液が望ましく、銅厚みの均一なエッチングを行うことができる。
【００６４】
次に、例えば、図４（ｆ）に示すように、平坦化された両面銅張板２５の表面に、めっきにより導体２９を形成し、最後に、図５（ｇ）に示すように、従来周知のサブトラクト法、セミアディティブ法などにより、両面銅張板２５の表面に形成された導体層の不要な部分を除去し、配線導体１３を形成する。
【００６５】
さらに、このような配線基板の主面にビルドアップ樹脂層およびビルドアップ配線層を積層してビルドアップ配線基板を製作した場合には、図１に示すような配線基板を得ることができる。
【００６６】
すなわち、本発明によれば、貫通孔壁面と貫通導体とが強固に接続された信頼性の高い配線基板を容易に作製することができるのである。
【００６７】
なお、上述の実施例では貫通孔７の直径が７５〜１３０μｍ、厚みが０．２〜０．８ｍｍの配線基板を例にとって示したが、本発明は上述の実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば、種々の変更が可能であることはいうまでもない。
【００６８】
また、上述の実施例では、レーザー加工により貫通孔７を形成したが、ドリル加工で貫通孔７を形成した場合にも、同様の効果が得られることはいうまでもない。
【００６９】
なお、穴埋め樹脂２７を形成する例について説明したが、貫通孔７の内部をめっきにより完全に充填した場合には、穴埋め樹脂２７を形成する必要がないことは言うまでもない。
【実施例】
【００７０】
本発明の配線基板を評価するために、サンプルを作製し、次の評価を行なった。
【００７１】
主面に厚み１０μｍの銅箔２３を具備する全体の厚みが０．４ｍｍの両面銅張板２５に炭酸ガスレーザにより貫通孔７を形成した。なお、炭酸ガスレーザの穿孔条件はパルス幅が１６０μｓで出力を１０ｍＪから２５ｍＪの条件とショット数を４ショットから６ショットに変動させる条件で組み合わせた。
【００７２】
なお、作製した貫通孔３の直径は９０μｍとし、貫通孔３同士のピッチは２００μｍとした。その後、炭酸ガスレーザ加工された両面銅張板１５を過マンガン酸カリウム溶液からなる８０℃の粗化液で５〜８分処理した。その後、無電解銅めっき層および電解銅めっき層によりガラスクロスと樹脂の間の封止導体および貫通孔３の壁面に貫通導体を形成する。その際、レーザ条件の出力とショット数を変化させる組み合わせにより、乖離部の形状を変化させ、封止導体の長さが表１にしめす値となるサンプルを得た。
【００７３】
その後、貫通孔３の内部に穴埋め樹脂２７を埋め込み、この穴埋め樹脂２７を硬化した後、研磨により穴埋め樹脂２７の不要部分を除去し、従来周知のサブトラクト法により配線パターンを形成し、コア基板としての試験片を得た。
【００７４】
封止導体の長さの違うサンプルはそれぞれ１０個ずつ作製し、それぞれに４００の貫通孔を形成した。半導体素子実装およびプリント基板への実装を想定した耐熱試験後に温度サイクルテストと、印加耐湿絶縁性信頼性テストを行った。耐熱試験と温度サイクル試験後、電気導通テストで断線の有無を確認し、断線しているものは貫通孔近傍にクラックが発生していないか観察した。また印加耐湿絶縁信頼性テスト後には絶縁抵抗を測定し、その絶縁抵抗により合否を判断した。なお、絶縁抵抗値が１０８Ω以上の試料を合格とした。
【００７５】
なお、半導体素子実装およびプリント基板への実装を想定した耐熱試験はピーク温度が２６０℃で２００℃以上保持時間が６０秒以上のリフロー条件に３回通して行った。また、温度サイクルテストの条件は温度サイクル試験は−５５℃／１２５℃で１０００サイクルの条件で行った。印加耐湿絶縁信頼性テストはＨＡＳＴと呼ばれる、印加電圧が５．５Ｖで耐湿環境条件として温度１３０℃湿度８５％で１６８時間の条件で行った。
【００７６】
また、乖離部の形状、すなわち、封止導体の形状は、上記の試験を行った試料の断面観察を行って測定した。
【表１】
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【００７７】
本発明の範囲外である封止導体が形成されていない試料Ｎｏ．１では、耐熱試験と温度サイクル後の電気導通テストで断線不良が３／１０個発生し、そのいずれもが貫通孔近傍のクラックで、その起因がガラスクロスと貫通導体との間の剥離であり、信頼性に劣ることが確認された。
【００７８】
一方、本発明の封止導体を設けた試料Ｎｏ．２〜９では耐熱試験と温度サイクル後の電気導通テストで断線不良の発生がなく、また絶縁信頼性テスト後の絶縁不良も全く確認されなかった。
【００７９】
また、本発明の本発明の封止導体を設けた試料のうち、封止導体の長さが２５μｍの試料Ｎｏ．１０では、隣り合う貫通導体で一部にマイグレーションが確認された。
【００８０】
なお、これらの試料を観察したところ、乖離部は、貫通導体側に向けて、径が大きくなるように開口していた。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】本発明の配線基板の一形態を示す断面図である。
【図２】本発明の配線基板の製造方法を示す断面図である。
【図３】本発明の配線基板の製造方法を示す断面図である。
【図４】本発明の配線基板の製造方法を示す断面図である。
【図５】本発明の配線基板の製造方法を示す断面図である。
【符号の説明】
【００８２】
１・・・繊維、ガラスクロス
３・・・樹脂
５・・・絶縁基体
７・・・貫通孔
９・・・貫通導体
１１・・封止導体
２１・・配線基板
Ａ・・・乖離部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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