(57)【要約】【課題】基板に形成され分岐された導波路のうち一方を分極反転させ、その上側に形成される中央電極で二つに分岐された導波路を同時に制御することによって、低電圧駆動が可能であり、チャープ（Ｃｈｉｒｐ）による信号歪みのない特性を具現することができる対称構造を有する低電圧型光変調器を提供する。 【解決手段】基板と、基板上面から内側に入力部と、入力部から分岐した一対の第１及び第２分岐部と、第１及び第２分岐部が結合される出力部よりなる光導波路と、光導波路の第１と第２分岐部との間を基準にして基板の一領域に分極反転されている分極反転領域と、光導波路の第１及び第２分岐部の側面の基板がエッチングされ形成された第１ないし第３凹溝と、基板の上面に形成されたバッファ層と、第１及び第３凹溝である光導波路の第１及び第２分岐部の上側のバッファ層の上部に形成された中央電極と、中央電極と独立しており、第１及び第３凹溝の側面上側のバッファ層の上部にそれぞれ形成された第１及び第２側面電極を含んでなされる。 【選択図】図８
2006189773.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上面から内側に入力部と、前記入力部から分岐した一対の第１及び第２分岐部と、前記第１及び第２分岐部が結合する出力部よりなる光導波路と、前記光導波路の第１及び第２分岐部の任意の一方を含む基板の一領域の近くで分極及び反転が起こる分極反転領域と、前記光導波路の第１及び第２分岐部の側面に隣接した基板のエッチング部によって形成される第１ないし第３凹溝と、前記基板の上面に形成されたバッファ層と、前記第１及び第３凹溝上及びその間に位置する光導波路の第１及び第２分岐部上側のバッファ層上面に形成された中央電極と、前記中央電極と独立しており、前記第１及び第３凹溝に隣接したバッファ層の上部にそれぞれ形成された第１及び第２側面電極を含んでなされる対称構造を有する低電圧型光変調器。
【請求項２】
前記バッファ層は、前記第１ないし第３凹溝を除き、前記基板の上面に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の低電圧型光変調器。
【請求項３】
基板と、前記基板上面から内側に入力部と、前記入力部から分岐した一対の第１及び第２分岐部と、前記第１及び第２分岐部が結合する出力部よりなる光導波路と、前記光導波路の第１及び第２分岐部の任意の一方を含む基板の一領域の近くで分極及び反転が起こる分極反転領域と、前記光導波路の第１及び第２分岐部の側面に隣接した基板のエッチング部によって形成される第１ないし第３凹溝と、前記光導波路の第１及び第２分岐部と前記第２凹溝の上面に形成されたバッファ層と、前記第１及び第３凹溝上及びその間に位置する光導波路の第１及び第２分岐部上側のバッファ層上面に形成された中央電極と、前記中央電極と独立しており、前記第１及び第３凹溝に隣接したバッファ層の上部にそれぞれ形成された第１及び第２側面電極を含んでなされる対称構造を有する低電圧型光変調器。
【請求項４】
前記基板は、ＬｉＮｂＯ３基板であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の低電圧型光変調器。
【請求項５】
基板上に入力部と、前記入力部から分岐した一対の第１及び第２分岐部と、前記第１及び第２分岐部が結合する出力部よりなる光導波路を形成する段階と、前記光導波路の第１及び第２分岐部の任意の一領域を含む基板のある領域を反転及び分極させる段階と、前記光導波路の第１及び第２分岐部の側面をエッチングして第１ないし第３凹溝を形成する段階と、前記基板の上面にバッファ層を塗布する段階と、前記光導波路の第１及び第２分岐部の間に存在する第２凹溝を除いて、前記第１及び第３凹溝上部のバッファ層領域上のそれぞれに第１及び第２マスク層を形成し、前記第１及び第２マスク層によって分けられたバッファ層の上面に中央電極と第１及び第２側面電極を形成する段階と、前記第１及び第２マスク層を除去し、その下部のバッファ層を除去する段を含んでなされる対称構造を有する低電圧型光変調器の製造方法。
【請求項６】
前記バッファ層は、前記第１ないし第３凹溝を除き、前記基板上面に形成されていることを特徴とする請求項５に記載の対称構造を有する低電圧型光変調器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は対称構造を有する低電圧型光変調器に関する。さらに詳しく言えば、基板上に形成された分岐状の導波路のうち任意の一方の分極が反転し、その上部に形成された中央電極によって、二つに分岐した導波路を同時に制御する。そうすることで、低電圧での駆動が可能となり、チャープ(Chirp)による信号歪みのない特性を実現することのできる対称構造を有する低電圧型光変調器に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、光変調器はＬｉＮｂＯ３基板の上面に位置した電極にＲＦ（ｒａｄｉｏ  ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）を印加すると光導波路の光学特性が変化し、出力される光の変化が入力されたＲＦ信号の形態と同一になるように誘導する光素子を指す。
【０００３】
このような光変調器はＬｉＮｂＯ３基板の結晶方向及び光導波路の相互位置によって２種に大別され、それぞれｚ−ｃｕｔ光変調器とｘ−ｃｕｔ光変調器と呼ばれている。
【０００４】
図１と図２は一般的なｚ−ｃｕｔ光変調器の構造を示した概略的な平面図及び断面図であって、ｚ−ｃｕｔ光変調器１００はＬｉＮｂＯ３基板１０１と、前記ＬｉＮｂＯ３基板１０１の上部にＴｉを拡散させ形成された光導波路１０２と、前記ＬｉＮｂＯ３基板１０１の上部全面に塗布されたバッファ層１０３と、前記バッファ層１０３の上部に形成され、前記導波路１０２に電気信号を伝達する三つの電極１０４、１０５、１０６よりなる。
【０００５】
このような三つの電極１０４、１０５、１０６において中央に存在する電極１０４は陽極電極であり、中央の両側に存する電極１０５、１０６はグラウンド電極である。
【０００６】
このように構成されたｚ−ｃｕｔ光変調器が動作する概念を説明すれば、入力光導波路にレーザー光が入力され、分岐された光導波路から分岐され、再び出力光導波路で結合して出力される。
【０００７】
ここで、前記中央電極１０４にＲＦ信号が印加され、前記中央電極１０４とその両側の電極１０５、１０６の間に電位差が生じると、中央電極１０４の下部に存在する光導波路に伝播されるレーザー光の位相速度が減少し、一方、右側の電極１０６の下部に存する光導波路に伝播されるレーザー光の位相速度は増加する。その結果、二つのレーザー光が出力光導波路に到達すると、位相差が１８０°であるために結合されると消滅し、前記出力光導波路から出力される信号は‘０'となる。
【０００８】
そして、前記中央電極１０４と両側に存在する電極１０５、１０６の間に電位差が生じなければ、光導波路に伝播されるレーザー光は合わせられて補強されることによって、前記出力光導波路から出力される光信号は‘１'となる。
【０００９】
一方、光変調器の効率を極大化するためには光とＲＦとの位相速度整合、電極の５０Ωインピーダンス整合を満たしながらＲＦ損失最小にする電極の製作が必須である。  
【００１０】
このような特性を同時に満たすためには、バッファ層を必要以上に分厚くする必要がある。さらに、バッファ層を厚くすると、光導波路に印加される電界の強度が弱くなり、結果的に、ずっと大きな駆動電圧が必要になる。
【００１１】
前述した原因による駆動電圧の増加を最小化するために、多くの研究がなされている。
【００１２】
図３及び図４は一般的な低電圧型ｚ−ｃｕｔ光変調器構造を示した概略図で、それぞれ平面図及び断面図を示す。低電圧型ｚ−ｃｕｔ光変調器２００は、上面に２つの突出した領域２０１ａ、２０１ｂが備えられたＬｉＮｂＯ３基板２０１と、前記ＬｉＮｂＯ３基板２０１の上面に突出した領域２０１ａ、２０１ｂのそれぞれにＴｉを拡散して形成された光導波路２０２と、前記ＬｉＮｂＯ３基板２０１の上部全面に塗布されたバッファ層２０３と、前記バッファ層２０３の上部に形成され、前記光導波路２０２に電気的信号を伝達する三つの電極２０４、２０５、２０６からなる。 
【００１３】
前記低電圧型ｚ−ｃｕｔ光変調器２００は電極２０４、２０５、２０６の間に存在する基板２０１をエッチングすることによって、既存の構造に比べて薄いバッファ層２０３においてもインピーダンス及び光との位相速度整合を可能にした。 
【００１４】
これより駆動電圧を大幅に低くすることが可能となる。このような構造は既に公知の事項(ＵＳ００５７９０７１９)であって、詳細な説明は省く。
【００１５】
しかし、このようなｚ−ｃｕｔ変調器は二つの導波路の位置が相異なることから、中央電極２０４の下部に設けられた光導波路に印加される電界強度が外側電極２０６の下部に設けられた光導波路の強度より数倍大きいため、出力光の強度及び位相の変化が引き起こされる。 
【００１６】
このような位相変化による信号歪みをチャープ(Chirp)と称し、伝送量が増加するほど長距離伝送に大きな制約要因として働く。  前述したような原因から、４０Ｇｂｐｓ以上にもなる大容量光通信の場合、チャープ(Chirp)が殆んどないｘ−ｃｕｔ光変調器が好んで使用される。
【００１７】
図５及び図６は一般的なｘ−ｃｕｔ光変調器の構造を示した概略図で、それぞれ平面図及び断面図を示している。ｘ−ｃｕｔ光変調器３００はＬｉＮｂＯ３基板３０１と、前記ＬｉＮｂＯ３基板１０１の上面にＴｉを拡散して形成された光導波路３０２と、前記ＬｉＮｂＯ３基板３０１の上部全面に塗布されたバッファ層３０３と、前記バッファ層３０３の上部に形成され、前記光導波路３０２が形成されていない領域に電気的信号を伝達する３つの電極３０４、３０５、３０６よりなる。
【００１８】
このようなｘ−ｃｕｔ光変調器はｚ−ｃｕｔの場合とは違って、光導波路を電極と電極の間に設けることが可能である。そのため、二つの光導波路の位置が対称的であることから、チャープ(Chirp)を最小化できる。 
【００１９】
しかし、導波路に印加される電界の強度がｚ−ｃｕｔ光変調器に比べて相対的に弱いために駆動電圧が高い、という問題がある。更に別の問題として、バッファ層の厚さの点から見ても、この変調器は図１及び図２に示された変調器と大きな違いは見られない。 
【００２０】
このことから、ｘ−ｃｕｔ光変調器の対称性という特長を維持しつつ、光導波路に印加される電界の強度を極大化できる新たな構造の電極が切実に求められている。
【特許文献１】米国特許５，７９０，７１９
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】
本発明は前述したような問題点を解決するために案出されたもので、その目的は基板に形成され、分岐された導波路のうちどちらか一方の分極を反転させ、その上側に形成される中央電極で二つの分岐された導波路を同時に制御することによって、低電圧駆動が可能であり、チャープ(Chirp)による信号歪みを起こさないという特長を持つような対称構造を有する低電圧型光変調器を提供することにある。 
【課題を解決するための手段】
【００２２】
前述したような本発明の目的を達成するための望ましい様態は、基板と、前記基板の上面から内側に入力部と、前記入力部から分岐した一対の第１及び第２分岐部と、前記第１及び第２分岐部が結合される出力部よりなる光導波路と；前記光導波路の第１及び第２分岐部のいずれか一方を含む基板領域の近辺で分極及び反転が起こる分極反転領域と；前記光導波路の第１及び第２分岐部の側面に隣接する基板のエッチング部によって形成される第１ないし第３凹溝と；前記基板の上面に形成されるバッファ層と；前記第１及び第３凹溝の間にある光導波路の第１及び第２分岐部上のバッファ層上面に形成された中央電極と；前記中央電極と独立しており、前記第１及び第３凹溝に隣接するバッファ層上面にそれぞれ形成された第１及び第２側面電極を含んだ対称構造を有する低電圧型光変調器が提供される。
【００２３】
前述した本発明の目的を達成するための望ましい他の様態は、基板と；前記基板の上面から内側に入力部と、前記入力部から分岐した一対の第１及び第２分岐部と、前記第１及び第２分岐部が結合される出力部よりなる光導波路と；前記光導波路の第１及び第２分岐部のいずれか一方を含む基板領域の近辺で分極及び反転が起こる分極反転領域と；前記光導波路の第１及び第２分岐部の側面に隣接する基板のエッチング部によって形成される第１ないし第３凹溝と；前記光導波路の第１及び第２分岐部と前記第２凹溝の上部に形成されたバッファ層と；前記第１及び第３凹溝の間にある光導波路の第１及び第２分岐部上のバッファ層上面に形成された中央電極と；前記中央電極と独立しており、前記第１及び第３凹溝に隣接するバッファ層上面にそれぞれ形成された第１及び第２側面電極を含んだ対称構造を有する低電圧型光変調器が提供される。
【００２４】
前述した本発明の目的を達成するための望ましいさらに他の様態は、基板に入力部と、前記入力部から分岐した一対の第１及び第２分岐部と、前記第１及び第２分岐部が結合される出力部よりなる光導波路を形成する段階と；前記光導波路の第１及び第２分岐部のいずれか一方の領域を含む基板の一領域を分極反転させる段階と；前記光導波路の第１及び第２分岐部の側面をエッチングして第１ないし第３凹溝を形成する段階と；前記基板の上面にバッファ層を塗布する段階と；前記光導波路の第１及び第２分岐部の間に存する第２凹溝を除き、前記第１及び第３凹溝上のバッファ層領域のそれぞれに第１及び第２マスク層を形成し、前記第１及び第２マスク層によって分けられたバッファ層の上面に中央電極及び第１及び第２側面電極を形成する段階と；前記第１及び第２マスク層を除去し、その下部のバッファ層を除去する段階を含んでなされる対称構造を有する低電圧型光変調器の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００２５】
以上述べたように、本発明は基板に形成された分岐した導波路のうち一方を分極反転させ、その上側に形成される中央電極で二つの分岐された導波路を同時に制御することによって、低電圧駆動が可能であり、かつチャープ(Chirp)による信号歪みのない特性を具現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、 添付した図面に基づき本発明の望ましい実施例を詳述する。
【００２７】
図７及び図８は本発明に係る対称構造を有する低電圧型光変調器の概略的な平面図及び断面図であって、基板４０１と；前記基板４０１の上面から内側に入力部４０３ａと、前記入力部４０３ａから分岐した一対の第１及び第２分岐部４０３ｂ、４０３ｃと、前記第１及び第２分岐部４０３ｂ、４０３ｃが結合される出力部４０３ｄよりなる光導波路と；前記光導波路の第１及び第２分岐部４０３ｂ、４０３ｃの間を基準にして基板４０１の一領域に分極反転されている分極反転領域４０２と；前記光導波路の第１及び第２分岐部４０３ｂ、４０３ｃの側面に隣接した基板４０１のエッチングされ部によって形成された第１ないし３凹溝４１１、４１２、４１３と；前記第１ないし第３凹溝４１１、４１２、４１３を除き、基板４０１の上面に形成されたバッファ層４０４と；前記第１及び第３凹溝４１１、４１３の間に位置する光導波路の第１及び第２分岐部４０３ｂ、４０３ｃ上のバッファ層上面に形成された中央電極４０５と；前記中央電極４０５と独立しており、前記第１及び第３凹溝４１１、４１３に隣接した側面上側のバッファ層上面にそれぞれ形成された第１及び第２側面電極４０６、４０７で構成される。
【００２８】
ここで、前記光導波路は前記基板１０１の上部でＴｉを拡散させ形成されることが望ましい。
【００２９】
そして、前記基板４０１は強誘電体基板が望ましく、さらに望ましくはＬｉＮｂＯ３基板が望ましい。
【００３０】
本発明の光変調器は前記中央電極４０５と第１及び第２側面電極４０６、４０７にそれぞれ信号を印加すれば、その構造の対称性によって光導波路の第１及び第２分岐部４０３ｂ、４０３ｃに同一な電界が印加される。 
【００３１】
前記光導波路の第１及び第２分岐部４０３ｂ、４０３ｃに印加された電界をその屈折率を変化させると、光の位相速度は変化する。もし基板上に作成された二つの光導波路が同じ特性を有していれば、位相速度の変化も同一である。 
【００３２】
本発明で使用される光導波路の構造は二つの導波路間の位相速度差を用いることを勘案すれば、信号の変化にも関わらず位相速度の変化が同一、すなわち導波路内で位相差を一定に保てば、光変調は起らなくなる。 
【００３３】
したがって、本発明では、二つの導波路のうち任意の一方によって制限される基板の領域で起こる分極が反転されるので、両方の領域に同じ電解が印加されたとしても、一方の屈折率は増加するが、もう一方では減少する。 
【００３４】
図８を参照してさらに詳しく本発明に係る対称構造を有する低電圧型光変調器の動作を説明する。前記中央電極４０５にプラス電圧が印加され、第１及び第２側面電圧４０６、４０７にマイナス電圧が印加されると、前記光導波路の第１分岐部４０３ｂから伝播される光は９０°位相変化され、前記分極反転領域４０２に存在する前記第２分岐部４０３ｃから伝播される光は−９０°に位相変化される。
【００３５】
従って、電圧が印加されると光導波路の出力部では光が相殺され'０'の光信号が出力され、電圧が印加されなければ光導波路の出力部では光が補強され'１'の光信号が出力される。
【００３６】
そして、本発明に係る対称構造の低電圧型光変調器は中央電極４０５が光導波路の分岐部４０３ｂ、４０３ｃを全て制御すべきなので、従来の構造に比べて中央電極の幅が大きい。 
【００３７】
このような幅の増加は電極のインピーダンスを減少させＲＦの位相速度を遅らせ、これは光変調器の帯域幅制限及び効率性低下に繋がる場合があるが、本発明では光導波路の分岐部の間と電極の間に存在する基板をエッチングして第１ないし第３凹溝４１１、４１２、４１３を形成することによって、中央電極の幅増加による影響を相殺することが可能である。
【００３８】
すなわち、中央電極の幅が広ければインピーダンスが減少しＲＦ位相速度も遅くなることで、光変調器の帯域幅制限及び効率性低下に繋がる。
【００３９】
しかし、本発明は基板がエッチングされ形成された第１ないし第３凹溝４１１、４１２、４１３が具備されているので、中央電極４０５と第１及び第２側面電極４０６、４０７間の基板より生じるキャパシタンスを減らすことが出来る。このため、インピーダンスを高めることが可能で、ＲＦ位相速度をさらに速くすることができる。
【００４０】
また、中央電極の幅が大きくなるにつれてＲＦ導体損失が大幅に減少し、これより電極に沿って進むＲＦの電圧降下を最小に抑えることができて、変調効率が極大化した低電圧型変調器の具現が可能になる。
【００４１】
図９ａないし図９ｆは本発明に係る対称構造を有する低電圧型光変調器の製造工程を説明するための概略的な断面図である。まず図９ａに示したように、基板４０１の上部からＴｉを拡散させ、前記基板４０１に入力部と、前記入力部から分岐した一対の第１及び第２分岐部４０３ｂ、４０３ｃと、前記第１及び第２分岐部４０３ｂ、４０３ｃが結合される出力部とからなる光導波路を形成する。
【００４２】
それから、前記光導波路の第１または第２分岐部４０３ｂ、４０３ｃによって範囲制限された基板４０１の一領域４０２で生じた分極が反転する(図９ｂ)。 
【００４３】
次に、前記光導波路の第１及び第２分岐部４０３ｂ、４０３ｃの側面に隣接した基板のある領域をエッチングして、第１ないし第３凹溝４１１、４１２、４１３を形成する(図９ｃ)。
【００４４】
次いで、前記基板４０１の上面にバッファ層４０４を塗布し、前記光導波路の第１及び第２分岐部４０３ｂ、４０３ｃの間に位置する第２凹溝４１２を除いた、前記第１及び第３凹溝４１１、４１３の上部のバッファ層領域に第１及び第２マスク層４０８ａ、４０８ｂを形成し、前記第１及び第２マスク層４０８ａ、４０８ｂによって分割されたバッファ層の上面に中央電極４０５及び第１及び第２側面電極４０６、４０７を形成する(図９ｄ)。
【００４５】
次いで、前記第１及び第２マスク層４０８ａ、４０８ｂを除去し、その下部のバッファ層も除去する(図９e)。
【００４６】
従って、図９eの工程が完了すると、本発明に係る光変調器の作製は完了する。
【００４７】
図１０及び図１１は図８の構造においてバッファ層の厚さ変化に伴って特性インピーダンス、有効屈折率、ＲＦ減衰定数、駆動電圧と変調長さの積を計算したグラフである。図８に示したように、本発明に係る対称構造を有する低電圧型光変調器において中央電極の幅(Ｗ１)が２４μｍであり、第１及び第３凹溝の幅(Ｗ２)が３５μｍであり、第１及び第３凹溝の深さ(Ｄ)が８μｍであり、電極の厚さ(Ｔ)は２７μｍの時、前記バッファ層の厚さ（Ｈ）の変化に伴う特性インピーダンスＺｃ、有効屈折率Ｎｅｆｆ、ＲＦ減衰定数α及び駆動電圧と変調長さの積Ｖπ・Ｌを計算して示したものである。 
【００４８】
まず、バッファ層の厚さ(Ｈ)が約１．６μｍの時、図１０に示したように、特性インピーダンス４５ｏｈｍと有効屈折率２．１４を満足しつつ、図１１のようにＲＦ減衰定数αが０．１６５であり、７．７５Ｖ・ｃｍの低い駆動電圧を維持できることが分かる。 
【００４９】
このような結果は、前述した本発明に係る対称構造の低電圧型光変調器の目的と当て嵌まり、既存の光変調器の構造よりも効率が大幅に向上されたことを示す。
【００５０】
また、本発明に係る対称構造の低電圧型光変調器は、電極間領域及び中央電極の下部に位置する光導波路の第１及び第２分岐部の間の領域をエッチングすることによって、光導波路の第１及び第２分岐部間で起こる相互エネルギー交換を予め防止して、チャープ(Chirp)による信号歪みのない特性を具現できるようになる。
【００５１】
そして、本発明は中央電極の幅(Ｗ１)、第１及び第３凹溝の幅(Ｗ２)と第１及び第３凹溝の深さ(Ｄ)を考慮して、有効屈折率２．１５を合わせられるバッファ層の厚さは０．８〜２μｍが望ましい。
【００５２】
図１２は本発明に係る第１実施例の概略的な断面図であり、基板４０１と；前記基板４０１の上面から内側に入力部と、前記入力部から分岐した一対の第１及び第２分岐部４０３ｂ、４０３ｃと、前記第１及び第２分岐部４０３ｂ、４０３ｃが結合される出力部よりなる光導波路と；前記光導波路の第１及び第２分岐部４０３ｂ、４０３ｃにおって範囲制限された基板４０１領域に対応する分極反転領域４０２と；前記光導波路の第１及び第２分岐部４０３ｂ、４０３ｃの側面に隣接する基板４０１のエッチング部分によって形成された第１ないし第３凹溝４１１、４１２、４１３と；前記第１ないし第３凹溝４１１、４１２、４１３を含む基板４０１の上面に形成されたバッファ層４０４と；前記第１及び第３凹溝４１１、４１３上およびその間に位置する光導波路の第１及び第２分岐部４０３ｂ、４０３ｃ上のバッファ層上面に形成された中央電極４０５と；前記中央電極４０５と独立しており、前記第１及び第３凹溝４１１、４１３に隣接したバッファ層の上面にそれぞれ形成された第１及び第２側面電極４０６、４０７で構成される。
【００５３】
図１３は本発明に係る第２実施例の概略的な断面図であり、基板４０１と；前記基板４０１の上面から内側に入力部と、前記入力部から分岐した一対の第１及び第２分岐部４０３ｂ、４０３ｃと、前記第１及び第２分岐部４０３ｂ、４０３ｃが合わせられる出力部よりなる光導波路と；前記光導波路の第１または第２分岐部４０３ｂ、４０３ｃによって範囲制限された基板４０１の一領域に対応した分極反転領域４０２と；前記光導波路の第１及び第２分岐部４０３ｂ、４０３ｃの側面に隣接した基板４０１のエッチング部によって形成された第１ないし第３凹溝４１１、４１２、４１３と；前記光導波路の第１及び第２分岐部４０３ｂ、４０３ｃと前記第２凹溝４１２の上面に形成されたバッファ層４０４ａと；前記第１及び第３凹溝４１１、４１３上及びその間に位置する光導波路の第１及び第２分岐部４０３ｂ、４０３ｃの上部に設けられたバッファ層上面に形成された中央電極４０５と；前記中央電極４０５と独立しており、前記第１及び第３凹溝４１１、４１３に隣接するバッファ層の上面にそれぞれ形成された第１及び第２側面電極４０６、４０７とから構成される。
【００５４】
本発明は具体的な例についてだけ詳述したが、本発明の技術思想の範囲内で多様な変形及び修正が可能なことは当業者にとって明らかであり、このような変形及び修正は特許請求の範囲に属することは当然である。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明は低電圧駆動が可能でありチャープ(Chirp)による信号歪みのない特性を具現できる対称構造を有する低電圧型光変調器に適用される。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】一般的なｚ−ｃｕｔ光変調器の構造を示した概略的な平面図
【図２】一般的なｚ−ｃｕｔ光変調器の構造を示した概略的な断面図
【図３】一般的な低電圧型ｚ−ｃｕｔ光変調器の構造を示した概略的な平面図
【図４】一般的な低電圧型ｚ−ｃｕｔ光変調器の構造を示した概略的な断面図
【図５】一般的なｘ−ｃｕｔ光変調器の構造を示した概略的な平面図
【図６】一般的なｘ−ｃｕｔ光変調器の構造を示した概略的な断面図
【図７】本発明に係る対称構造を有する低電圧型光変調器の概略的な平面図
【図８】本発明に係る対称構造を有する低電圧型光変調器の概略的な断面図
【図９−ａ】本発明に係る対称構造を有する低電圧型光変調器の製造工程を説明するための概略的な断面図
【図９−ｂ】本発明に係る対称構造を有する低電圧型光変調器の製造工程を説明するための概略的な断面図
【図９−ｃ】本発明に係る対称構造を有する低電圧型光変調器の製造工程を説明するための概略的な断面図
【図９−ｄ】本発明に係る対称構造を有する低電圧型光変調器の製造工程を説明するための概略的な断面図
【図９−ｅ】本発明に係る対称構造を有する低電圧型光変調器の製造工程を説明するための概略的な断面図
【図１０】図８の構造においてバッファ層の厚さ変化によって特性インピーダンス、有効屈折率、ＲＦ減衰定数、駆動電圧と変調長さの積を計算したグラフ
【図１１】図８の構造においてバッファ層の厚さ変化によって特性インピーダンス、有効屈折率、ＲＦ減衰定数、駆動電圧と変調長さの積を計算したグラフ
【図１２】本発明に係る第１実施例の概略的な断面図
【図１３】本発明に係る第２実施例の概略的な断面図
【符号の説明】
【００５７】
１００  ：ｚ‐ｃｕｔ光変調器
１０１  ：ＬｉＮｂＯ３基板
１０２  ：光導波路
１０３  ：バッファ層
１０４  ：中央電極
１０５  ：側面電極
１０６  ：側面電極
２００  ：低電圧型ｚ‐ｃｕｔ光変調器
２０１  ：ＬｉＮｂＯ３基板
２０１ａ：突出された領域
２０１ｂ：突出された領域
２０２  ：光導波路
２０３  ：バッファ層
２０４  ：中央電極
２０５  ：側面電極
２０６  ：側面電極
３００  ：ｘ‐ｃｕｔ光変調器
３０１  ：ＬｉＮｂＯ３基板
３０２  ：光導波路
３０３  ：バッファ層
３０４  ：中央電極
３０５  ：側面電極
３０６  ：側面電極
４０１   : 基板
４０２   : 分極反転領域
４０３ａ : 入力部
４０３ｂ：分岐部
４０３ｃ : 分岐部
４０３ｄ : 出力部
４０４  ：バッファ層
４０４ａ : バッファ層
４０５   : 中央電極
４０６  ：側面電極
４０７   : 側面電極
４０８ａ：マスク層
４０８ｂ : マスク層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９−ａ】
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【図９−ｂ】
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【図９−ｃ】
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【図９−ｄ】
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【図９−ｅ】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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