(57)【要約】【課題】半導体、特に固体撮像素子の製造工程において、フォトマスクを用いた露光装置での露光時に、不要な光による映り込みが発生することによるデバイス特性への影響を低減させる。【解決手段】ガラス基板１０１上にパターニングされた遮光層を備えたフォトマスクであって、この遮光層は、ｍ×ｎ個（ｍ，ｎは正の整数で１以上）の単体パターン領域１０３Ａが、単体パターン領域１０３Ａ間につなぎ領域１０５を介して、アレイ状に配置されてなるデバイスパターン領域１０３と、デバイスパターン領域１０３の外周部に配置された周辺遮光領域１０２とによって構成されており、デバイスパターン領域１０３端から周辺遮光領域１０２の外周端までの距離がＸ方向、Ｙ方向共に、もしくはどちらか一方のみを、デバイスパターン領域１０３の外周部から単体パターン１０３Ａの領域のつなぎ領域１０５までの距離に一致するように配置する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板と、前記透明基板上にパターニングされた遮光層を備えたフォトマスクであって、
前記遮光層は、デバイスにそれぞれ対応するｍ×ｎ個（ｍ，ｎは２以上の整数）の単位パターン領域がＸ方向およびＹ方向にマトリクス状に配置されたデバイスパターン領域と、前記デバイスパターン領域の外側周囲に配置された周辺遮光領域とによって構成され、前記デバイスパターン領域の端部から前記周辺遮光領域の外周端部までのＸ方向、Ｙ方向の少なくとも一方の距離が、該方向の前記単位パターン周期以上であり、前記単位パターン周期と前記単位パターン間隔の和以下であることを特徴とするフォトマスク。
【請求項２】
透明基板と、前記透明基板上にパターニングされた遮光層を備えたフォトマスクであって、
前記遮光層は、デバイスにそれぞれ対応するｍ×ｎ個（ｍ，ｎは２以上の整数）の単位パターン領域がＸ方向およびＹ方向にマトリクス状に配置されたデバイスパターン領域と、前記デバイスパターン領域の外側周囲に配置された周辺遮光領域とによって構成され、前記デバイスパターン領域の端部から前記周辺遮光領域の外周端部までのＸ方向、Ｙ方向の少なくとも一方の距離が、該方向の前記単位パターン間隔よりも短いことを特徴とするフォトマスク。
【請求項３】
前記デバイスは光電変換を行う受光領域を有する固体撮像装置であり、
前記単位パターン領域は前記固体撮像装置の受光領域に相当することを特徴とする請求項１または２記載のフォトマスク。
【請求項４】
前記単位パターン領域は同一形状で形成される微小な繰り返しパターン領域に相当することを特徴とする請求項１または２記載のフォトマスク。
【請求項５】
透明基板と、前記透明基板上にパターニングされた遮光層を備え、前記遮光層は、デバイスにそれぞれ対応するｍ×ｎ個（ｍ，ｎは２以上の整数）の単位パターン領域がＸ方向およびＹ方向にマトリクス状に配置されたデバイスパターン領域と、前記デバイスパターン領域の外側周囲に配置された周辺遮光領域とによって構成され、前記デバイスパターン領域の端部から前記周辺遮光領域の外周端部までのＸ方向、Ｙ方向の少なくとも一方の距離が、該方向の前記単位パターン周期以上であり、前記単位パターン周期と前記単位パターン間隔の和以下であるフォトマスクを準備する工程と、
半導体基板上に感光体を塗布し、前記半導体基板上に対し前記フォトマスクを介して前記デバイスパターン領域に相当する位置に光を照射する第１の露光工程と、
前記半導体基板上にて前記フォトマスクをＸ方向に該方向の単位パターン周期のｍ倍、またはＹ方向に該方向の単位パターン周期のｎ倍だけ位置をずらして前記デバイスパターン領域に相当する位置に光を照射する第２の露光工程とを有することを特徴とするフォトマスク露光方法。
【請求項６】
透明基板と、前記透明基板上にパターニングされた遮光層を備え、前記遮光層は、デバイスにそれぞれ対応するｍ×ｎ個（ｍ，ｎは２以上の整数）の単位パターン領域がＸ方向およびＹ方向にマトリクス状に配置されたデバイスパターン領域と、前記デバイスパターン領域の外側周囲に配置された周辺遮光領域とによって構成され、前記デバイスパターン領域の端部から前記周辺遮光領域の外周端部までのＸ方向、Ｙ方向の少なくとも一方の距離が、該方向の前記単位パターン間隔よりも短いフォトマスクを準備する工程と、
半導体基板上に感光体を塗布し、前記半導体基板上に対し前記フォトマスクを介して前記デバイスパターン領域に相当する位置に光を照射する第１の露光工程と、
前記半導体基板上にて前記フォトマスクをＸ方向に該方向の単位パターン周期のｍ倍、またはＹ方向に該方向の単位パターン周期のｎ倍だけ位置をずらして前記デバイスパターン領域に相当する位置に光を照射する第２の露光工程とを有することを特徴とするフォトマスク露光方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に固体撮像装置の露光工程に用いるフォトマスクおよびそれを用いた露光方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路装置の高集積化、高機能化および高速化と同様に、デジタルスチルカメラに用いられるＣＣＤ(Charge Coupled Device)などの固体撮像デバイスも高解像度化，高機能が進み、その光電変換の基本単位である光電変換セル、いわゆる画素のサイズが急速に小型化してきている。他の半導体デバイス同様、固体撮像デバイスにおいても、その製造工程において、デバイスのパターニングは原画であるフォトマスクを使用したリソ技術による転写で形成するため、画素サイズが小さくなるにつれて原画となるフォトマスクのパターンも縮小してきている。
【０００３】
通常、半導体リソグラフィ用フォトマスクではデバイスパターン領域外の周辺部には一定の範囲に遮光膜を配置し、露光装置の光学系での反射による不要なパターンの映り込みを防止している。
【０００４】
しかしながら、視覚センサである固体撮像デバイスでは、この露光工程での僅かなパターンの映り込みにより、形成されるデバイスの重要な構造である受光部において、光電変換を行うフォトダイオード部に寸法ばらつきが生じ、感度などデバイス特性への影響が特に現れやすく問題であった。
【０００５】
図６は一般的な半導体製造装置におけるフォトマスクの構成を示す模式図である。
【０００６】
図６において、１０１はフォトマスクレチクルのガラス基板であり、このガラス基板上に、周辺部に配置された周辺遮光領域１０２、固体撮像デバイスのデバイスパターン領域１０３およびつなぎ領域１０５で構成された遮光層がパターニングされている。
【０００７】
デバイスパターン領域１０３は、つなぎ領域１０５を介して横３列×縦２行のマトリクス状に配置された単位パターン１０３Ａで構成されており、単位パターン１０３Ａは番号１から６で表されている。ここでは単位パターン１０３ＡのサイズはＸ方向がＷ，Ｙ方向がＨであり、周辺遮光領域１０２はデバイスパターン領域１０３の外周部に配置されており、Ｘ方向寸法、すなわち本体領域の最外周端から周辺遮光領域のＸ方向の最外周部までの距離はｗ３、Ｙ方向寸法はｈ３である。通常、デバイスパターン領域１０３の左右両側、およびデバイスパターン領域１０３の上下両側に同じ大きさとなるように配置されている。
【０００８】
このように遮光層がパターン形成されたフォトマスクを用いてシリコンウェハに露光する動作について図７を参照しながら説明する。図７において、１０１は図６で記述したフォトマスクのガラス基板であり、その上に、周辺遮光領域１０２、デバイスパターン領域１０３およびつなぎ領域１０５からなる遮光層が配置されている。このフォトマスクに光源から有効光線１１５を照射することによりフォトマスクのパターンを表面に感光体を塗布したシリコン基板上にパターニングする。
【０００９】
ステッパ型露光装置での露光の場合には、フォトマスクの本体データ領域全体を一括してシリコン基板上に第一のパターニング露光を行い、Ｘ方向もしくはＹ方向に本体領域のサイズと同じ距離移動して第二の露光を行うステッピング動作により、この動作を連続的に繰り返し、直前に露光した第一の露光パターン１３０の隣に第二の露光パターン１３１を隣接して露光を行う。このとき、露光装置内のレンズなどの光学系やマスク表面での反射などにより不要光線１１６が発生すると、この光により周辺遮光領域１０２の端面のパターンが直前に露光した第一の露光パターン１３０の上に、映り込みパターン１３２として多重露光されて、パターニングされてしまう。つまり、周辺遮光領域１０２の寸法が本体寸法と一致していないために、デバイスパターンの受光領域内に映り込みパターンが発生する。
【００１０】
一般に半導体製造工程の露光工程において、レンズなどの光学系やマスク表面での反射により映り込みが発生すると、映り込んだ部分と映り込みのない部分とでシリコン基板上に塗布した感光体の露光量に僅かな差が生じる。たとえば、感光体として、ポジ型のフォトレジストを使用した場合、映り込みの発生していない領域の露光パターン部の露光量に比べて、映り込みの発生した領域の露光パターンの露光量は僅かに多くなり、レジストの仕上がり寸法に微妙な差が生じる。これにより一般的な半導体デバイスはもとより、特に固体撮像素子の受光素子部のように、本来同一形状で形成されるべき微小な繰り返しパターンのあるデバイスの場合において、個々の仕上がり寸法に差が生じ、特性問題となる。
【００１１】
そこで、マスク表面の反射を抑える手段としては、マスク表面の遮光層の上に反射防止膜を形成する技術が提案されている。特許文献１に示された手段によると、マスクのガラス基板と遮光性金属膜の間にＦｅ，Ｉｎ，Ｒｅ，Ｐｂ，Ｚｎ，ＮｉまたはＣｏの酸化物による透明導電膜を配設し、更に遮光性金属膜の上には、Ｓｉ，ＧｅまたはＳｂの酸化膜を用いて反射防止膜を形成することで、マスクの反射防止効果を得ることができる。
【００１２】
また、特許文献２によれば、レチクルの遮光層が形成されている表面および裏面に所望の膜厚で、高い透過率を有する膜を形成することによりレンズとレチクル間の多重反射を低減できる。以上のような手段を用いることにより、マスク表面での反射を軽減することができる。
【特許文献１】特開昭５９−１３９０３３号公報
【特許文献２】実開昭６０−１０４８４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、従来のフォトマスクを用いたＣＣＤなど固体撮像デバイスでは、高解像度化，高機能が進み、その光電変換の基本単位である光電変換セル、いわゆる画素のサイズが小型化してくると、光電変換を行うフォトダイオードサイズが小さくなり、光学系のレンズやシリコン基板表面、またマスク表面などでの僅かな反射光による不要なパターンの映り込みによる寸法ばらつきでさえ、その影響度合いが大きくなり、感度などデバイス特性へ影響し、画像にゴーストなどの問題が顕在化しやすくなるという問題が起きる。
【００１４】
かかる点に鑑み、本発明は、固体撮像デバイスの、画素のサイズが小型化して、光電変換を行うフォトダイオード部も小さくなっても、露光装置での露光時に生じる僅かな反射光など不要な光による映り込みにより寸法ばらつきが発生して、感度などデバイス特性へ影響が出ないようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記の課題を解決するため、本発明のフォトマスクは、透明基板と、透明基板上にパターニングされた遮光層を備えたフォトマスクであって、遮光層は、デバイスにそれぞれ対応するｍ×ｎ個（ｍ，ｎは２以上の整数）の単位パターン領域がＸ方向およびＹ方向にマトリクス状に配置されたデバイスパターン領域と、デバイスパターン領域の外側周囲に配置された周辺遮光領域とによって構成され、デバイスパターン領域の端部から周辺遮光領域の外周端部までのＸ方向、Ｙ方向の少なくとも一方の距離が、該方向の単位パターン周期以上であり、単位パターン周期と単位パターン間隔の和以下であることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明のフォトマスクは、透明基板と、透明基板上にパターニングされた遮光層を備えたフォトマスクであって、遮光層は、デバイスにそれぞれ対応するｍ×ｎ個（ｍ，ｎは２以上の整数）の単位パターン領域がＸ方向およびＹ方向にマトリクス状に配置されたデバイスパターン領域と、デバイスパターン領域の外側周囲に配置された周辺遮光領域とによって構成され、デバイスパターン領域の端部から周辺遮光領域の外周端部までのＸ方向、Ｙ方向の少なくとも一方の距離が、該方向の単位パターン間隔よりも短いことを特徴とする。
【００１７】
ここで、デバイスは光電変換を行う受光領域を有する固体撮像装置であり、単位パターン領域は固体撮像装置の受光領域に相当することを特徴とする。
【００１８】
また、ここで単位パターン領域は同一形状で形成される微小な繰り返しパターン領域に相当することを特徴とする。
【００１９】
また、本発明のフォトマスク露光方法は、透明基板と、透明基板上にパターニングされた遮光層を備え、遮光層は、デバイスにそれぞれ対応するｍ×ｎ個（ｍ，ｎは２以上の整数）の単位パターン領域がＸ方向およびＹ方向にマトリクス状に配置されたデバイスパターン領域と、デバイスパターン領域の外側周囲に配置された周辺遮光領域とによって構成され、デバイスパターン領域の端部から周辺遮光領域の外周端部までのＸ方向、Ｙ方向の少なくとも一方の距離が、該方向の単位パターン周期以上であり、単位パターン周期と単位パターン間隔の和以下であるフォトマスクを準備する工程と、半導体基板上に感光体を塗布し、半導体基板上に対しフォトマスクを介してデバイスパターン領域に相当する位置に光を照射する第１の露光工程と、半導体基板上にてフォトマスクをＸ方向に該方向の単位パターン周期のｍ倍、またはＹ方向に該方向の単位パターン周期のｎ倍だけ位置をずらしてデバイスパターン領域に相当する位置に光を照射する第２の露光工程とを有することを特徴とする。
【００２０】
また、本発明のフォトマスク露光方法は、透明基板と、透明基板上にパターニングされた遮光層を備え、遮光層は、デバイスにそれぞれ対応するｍ×ｎ個（ｍ，ｎは２以上の整数）の単位パターン領域がＸ方向およびＹ方向にマトリクス状に配置されたデバイスパターン領域と、デバイスパターン領域の外側周囲に配置された周辺遮光領域とによって構成され、デバイスパターン領域の端部から周辺遮光領域の外周端部までのＸ方向、Ｙ方向の少なくとも一方の距離が、該方向の単位パターン間隔よりも短いフォトマスクを準備する工程と、半導体基板上に感光体を塗布し、半導体基板上に対しフォトマスクを介してデバイスパターン領域に相当する位置に光を照射する第１の露光工程と、半導体基板上にてフォトマスクをＸ方向に該方向の単位パターン周期のｍ倍、またはＹ方向に該方向の単位パターン周期のｎ倍だけ位置をずらしてデバイスパターン領域に相当する位置に光を照射する第２の露光工程とを有することを特徴とする。
【００２１】
本発明に係るフォトマスクおよびそれを用いた露光方法によると、露光装置での露光時に、不要な光による映り込みにより露光ムラが発生してデバイス特性へ影響が出ることを防止することができる。特に、固体撮像装置においては、受光部に対する露光ムラを無くすことでフォトダイオードの寸法ばらつきを抑制し、光電変換特性のばらつきを防止することができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明のフォトマスクあるいはフォトマスク露光方法によれば、露光装置での露光時に、不要な光による映り込みにより露光ムラが発生してデバイス特性へ影響が発生することを防止することができる。
【００２３】
特に、固体撮像装置の受光部の形成に、本発明のフォトマスクを使用すれば、受光部のフォトダイオードの光電変換特性のばらつきを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態に係るフォトマスクとそれを用いた製造方法について、図面を参照しながら説明する。
【００２５】
図１は本発明の第１の実施形態におけるフォトマスクを用いた露光装置の構成図であり、図２は本発明の第１の実施形態におけるフォトマスクの配置図である。
【００２６】
図２において、１０１はフォトマスクレチクルのガラス基板、１０２は周辺部に配置された周辺遮光領域、１０３は固体撮像デバイスのデバイスパターン領域であり、このデバイスパターン領域１０３は、このデバイス単位パターン１０３Ａがつなぎ領域１０５を介して、横３列×縦２行のマトリクス状に配置されたものである。ここでは単位パターン１０３Ａは番号１から６で表されており、単位パターン１０３ＡのサイズはＸ方向がＷ、Ｙ方向がＨである。周辺遮光領域１０２は、Ｘ方向寸法すなわち単位パターン１０３Ａの番号６（以下、単位パターン６と称する。同様に、単位パターン１０３Ａの番号１〜５についてもそれぞれ単位パターン１〜５と称する）の右側端部から遮光領域の右側外周端までの寸法はｗ１であり、Ｙ方向寸法は同様に単位パターン６の下側端部から遮光領域の下側外周端までの寸法がｈ１であり、また、周辺遮光領域１０２は、デバイスパターン領域１０３の左右両側、上下両側に同じ寸法となるように配置されている。
【００２７】
本実施形態において、周辺遮光領域のＸ方向のサイズｗ１は、デバイスパターン領域１０３の左側の外周部から単位パターン１と単位パターン２の間のつなぎ領域までの距離、すなわち単位パターン１０３ＡのＸ方向のサイズＷに一致するように配置されており、またＹ方向のサイズｈ１も同様に、デバイスパターン領域１０３の上部の外周部から単位パターン１と単位パターン４の間のつなぎ領域までの距離、すなわち単位パターン１０３ＡのＹ方向のサイズＨに一致するように配置されている。
【００２８】
次に、上記パターンを有するフォトマスクを用いてシリコンウェハに露光する動作について、図１および図３を参照しながら説明する。図３において、１０１は図２で記述したフォトマスクのガラス基板であり、その上に、周辺遮光領域１０２、デバイスパターン領域１０３、およびつなぎ領域１０５からなる遮光層が配置されている。
【００２９】
このフォトマスクを図１に示す構造の露光装置を用いてシリコン基板へ半導体デバイスの本体のパターンを転写する。露光のための光源と、感光体であるフォトレジストを塗布したシリコン基板上にマスクパターンを実デバイスサイズに縮小して結像させる投影レンズの間に、本実施形態のフォトマスクを配置し、このフォトマスクに露光光源１１１から有効光線１１５を照射し、投影レンズで実デバイスサイズに縮小してフォトマスクのパターンをシリコン基板上のフォトレジストにパターニングしていく。
【００３０】
ステッパ型露光装置での露光の場合には、フォトマスクの本体データ全体を一括してシリコンウェハ上に第一のパターニング露光を行い、シリコン基板を本体領域サイズと同じ寸法だけＸ方向、もしくはＹ方向に移動させて第二の露光を行うステッピング動作を行う。
【００３１】
この動作を連続的に繰り返し、直前に露光した第一の露光パターン１３０の隣に第二の露光パターン１３１を隣接して露光を行う。このとき、露光装置内の光学系での反射などにより不要光線１１６が発生すると、この光により周辺遮光領域の端面のパターンが直前に露光した第一の露光パターン１３０の上に映り込みパターン１３２として、パターニングされてしまう。
【００３２】
本実施形態のフォトマスクでは、デバイスパターン領域１０３の端部から周辺遮光領域１０２の外周端部までのＸ方向の寸法ｗ１はＸ方向の単位パターン周期寸法Ｗ以上で、単位パターン１０３ＡのＸ方向周期寸法Ｗと単位パターンのＸ方向間隔ｗｇの和以下であるように配置されている。また、デバイスパターン領域１０３の端部から周辺遮光領域１０２の外周端部までのＹ方向の寸法ｈ１はＹ方向の単位パターン周期寸法Ｈ以上で、単位パターン１０３ＡのＹ方向周期寸法Ｈと単位パターン１０３ＡのＹ方向間隔ｈｇの和以下であるように配置されている。
【００３３】
これにより、周辺遮光領域１０２の端面の映り込みは、シリコン基板上のデバイスパターンの単位パターン１０３Ａと単位パターン１０３Ａの間のつなぎ領域１０５に位置するため、単位パターン１０３Ａの有効領域に影響が及ぼすことなく半導体デバイスを製造することができる。
【００３４】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態について、第１の実施形態と同様に、図面を用いて説明する。図４は本発明の第２の実施形態における固体撮像デバイス用のフォトマスクの配置図である。図４において、第１の実施形態と同様に１０１はフォトマスクのガラス基板であり、このガラス基板１０１の上に、周辺遮光領域１０２、固体撮像デバイスの単位パターン１０３Ａがマトリクス状に配置されたデバイスパターン領域１０３、つなぎ領域１０５からなる遮光層が形成されている。
【００３５】
第２の実施形態では、デバイスが固体撮像装置であり、単位パターン１０３Ａの周期の寸法はＸ方向がＷ１、Ｙ方向がＨ１であり、単位パターン１０３Ａには微小な繰り返しパターンで形成される光電変換素子である受光領域１０４が配置されている。これらのこの単位パターン１０３Ａは、つなぎ領域１０５を介して、横２列×縦２行のマトリクス状に配置されてデバイスパターン領域１０３を形成している。
【００３６】
デバイスパターン領域１０３の端部から周辺遮光領域１０２の外周端部までのＸ方向寸法ｗ２は、Ｘ方向の単位パターン間隔ｗｇよりも短くなるように配置されており、また、デバイスパターン領域１０３の端部から周辺遮光領域１０２の外周端部までのＹ方向寸法ｈ２は、Ｙ方向の単位パターン間隔ｈｇよりも短くなるように配置されている。
【００３７】
このフォトマスクを図１に示す構造の露光装置に用いてシリコン基板へ半導体デバイスの本体のパターンを転写する。第１の実施形態の露光と同じように、ステッパ型露光装置での露光の場合には、フォトマスクの本体データ全体を一括でシリコンウェハ上にパターニングを行い、ステッピング動作により、この動作を連続的に繰り返し、直前に露光した第一の露光パターン１３０の隣に第二の露光パターン１３１を隣接して露光を行う。このとき、露光装置内の光学系での反射などにより不要光線１１６が発生すると、この光により周辺遮光領域１０２の端面のパターンが直前に露光した第一の露光パターン１３０の上に映り込みパターン１３２として、パターニングされてしまうが、本実施形態のフォトレジストでは、周辺遮光領域１０２の端面の映り込みはシリコン基板上の単位パターン１０３Ａ以外の領域に位置する。
【００３８】
なお、上記第２の実施形態において、受光領域を単位パターン領域とみなして、フォトマスクをパターニングすれば、周辺遮光領域１０２の端面の映り込みは受光領域以外の領域に位置する。
【００３９】
通常、固体撮像素子の受光領域以外では配線領域で占められており、同一形状で形成されるべき微小な繰り返しパターンが無いため、映り込みが発生してもデバイスの特性に影響することは少ない。また第２の実施形態のように単位パターン１０３Ａ内の受光領域１０４を除いた領域をつなぎ領域１０５として周辺遮光領域１０２を配置することで、単位パターン１０３Ａの受光領域に影響が及ぼすことなく半導体デバイスを製造することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
以上説明したように、本発明は、露光装置での露光時に、不要な光による映り込みにより寸法ムラが発生してデバイス特性へ影響が出やすい撮像デバイス製造用のフォトマスクに有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】第１の実施形態に係るフォトマスクを用いた製造方法における露光工程の構成を示す構成図
【図２】第１の実施形態に係るフォトマスクのパターン配置図
【図３】第１の実施形態に係る半フォトマスクを用いた露光工程の動作説明図
【図４】第２の実施形態に係るフォトマスクのパターン配置図
【図５】第２の実施形態に係るフォトマスクを用いた露光工程の動作説明図
【図６】従来の一般的な半導体製造装置におけるフォトマスクの構成を示す模式図
【図７】第２の実施形態に係るフォトマスクを用いた露光工程の動作説明図
【符号の説明】
【００４２】
１０１  ガラス基板
１０２  周辺遮光領域
１０３  デバイスパターン領域
１０３Ａ  単位パターン
１０４  受光領域
１０５  つなぎ領域
１１０  投影レンズ
１１１  露光光源
１１２  遮光板
１１３  フォトレジスト
１１４  シリコン基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2006047809.tif 000007
【図６】
2006047809.tif 000008
【図７】
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