(57)【要約】【課題】バンクの撥液化処理に起因する不都合を解消したバンクの形成方法と、膜パターンの形成方法、半導体装置の製造方法、電気光学装置、電子機器を提供する。【解決手段】機能液からなる膜パターンの形成領域を区画するバンクの形成方法である。基板Ｐ上にレジスト液を塗布し乾燥してレジストからなるバンク膜３１を形成する工程と、バンク膜３１に撥液化処理ガスとプラズマとを用いた撥液化処理を行う工程と、撥液化処理後のバンク膜３１に対し、マスクＭを用いて選択的に紫外線を照射し、撥液性を低下させる工程と、撥液化処理後のバンク膜３１に対し、マスクＭを用いて選択的に露光する工程と、撥液性を低下させる工程と露光する工程の後、バンク膜３１を現像してパターニングし、バンクを形成する工程と、を備えている。撥液性を低下させる工程と露光する工程とを、同じマスクＭを用いて連続してあるいは同時に行う。【選択図】図５
2006344922.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
機能液からなる膜パターンの形成領域を区画するバンクの形成方法であって、
基板上にレジスト液を塗布し乾燥してレジストからなるバンク膜を形成する工程と、
前記バンク膜に撥液化処理ガスとプラズマとを用いた撥液化処理を行う工程と、
前記の撥液化処理後のバンク膜に対し、マスクを用いて選択的に紫外線を照射し、撥液
性を低下させる工程と、
前記の撥液化処理後のバンク膜に対し、マスクを用いて選択的に露光する工程と、
前記の撥液性を低下させる工程と露光する工程の後、前記バンク膜を現像してパターニ
ングし、バンクを形成する工程と、を備え、
前記撥液性を低下させる工程と露光する工程とを、同じマスクを用いて連続してあるい
は同時に行うことを特徴とするバンクの形成方法。
【請求項２】
請求項１に記載のバンクの形成方法において、
前記撥液性を低下させる工程と前記露光する工程とを、同じマスクを用いて連続して行
うとき、
前記撥液性を低下させる工程の後に、露光する工程を行うことを特徴とするバンクの形
成方法。
【請求項３】
前記レジスト材料液として、ポリシラザン、ポリシランまたはポリシロキサンのいずれ
かと、光酸発生剤または光塩基発生剤のいずれかと、を含有し、ポジ型レジストとして機
能する感光性の材料を用いることを特徴とする請求項１または２に記載のバンクの形成方
法。
【請求項４】
前記レジスト材料液として、有機材料と、光酸発生剤または光塩基発生剤のいずれかと
、を含有し、ポジ型レジストとして機能する感光性の材料を用いることを特徴とする請求
項１または２に記載のバンクの形成方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載のバンクの形成方法によって得られたバンクを用い
、該バンクに区画された膜パターンの形成領域に機能液を配し、乾燥して膜パターンを形
成することを特徴とする膜パターンの形成方法。
【請求項６】
請求項５に記載の膜パターンの形成方法によって得られた膜パターンを有することを特
徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体装置であって、
前記半導体装置は、コプレナー構造を有するトランジスタを成し、
前記膜パターンは、ソース電極及びドレイン電極を成し、
前記レジスト材料液として、有機材料を含有する材料を用いることを特徴とする半導体
装置。
【請求項８】
請求項６または７に記載の半導体装置を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項８に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、バンクの形成方法、膜パターンの形成方法、半導体装置、電気光学装置、及
び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
導体からなる薄膜（膜パターン）が配置された回路配線と、回路配線を覆う絶縁膜など
の薄膜と、半導体からなる薄膜とが基板上に積層されてなる半導体装置が、従来より知ら
れている。このような半導体装置における薄膜の効率的な形成方法として、特許文献１に
記載されているような、薄膜材料などを分散質として含む機能液の液滴を液滴吐出ヘッド
から吐出し、着弾した機能液を乾燥させて分散媒を除去し、薄膜を形成する、液滴吐出法
（インクジェット法）が知られている。
【０００３】
液滴吐出法で膜パターンとなる薄膜を形成する場合、通常は膜パターンの形成領域を区
画するバンクを形成し、このバンクにより区画され凹部となった膜パターンの形成領域に
向けて機能液を吐出する。そして、凹部内の形成領域上に着弾した機能液を乾燥させ、薄
膜を形成することにより、膜パターンを形成する。
【０００４】
ところで、凹部内に着弾するよう吐出された機能液の液滴は、全て凹部内に入ることが
望ましいものの、一部はバンクの上面にかかることがある。その場合に、この液滴がバン
クの上面に付着することなく、凹部内に流れ込むようにするためには、バンクの上面を、
機能液に対して撥液性にしておく必要がある。ここで、バンク上面の撥液化処理は、通常
、レジスト材からなるバンク材を最終的なバンク形状にパターニングした後に、これを撥
液化処理することで行う。
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−２７４６７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、このような方法では、前記凹部の内側面となるバンクの内側面にも撥液性が付
与されてしまい、バンクの上面にかかった液滴の、凹部内への流れ込みが抑えられてしま
う。
このような課題を解決する手法として、バンク材が最終的なバンク形状にパターニング
される前のレジスト膜の状態にあるときに、その表面を撥液化処理し、その後パターニン
グしてバンク形状とすることが考えられる。
【０００７】
ところが、その場合には、バンク材を露光し現像してパターニングする際、バンク材の
表面が撥液化されていることにより、現像され除去される部分に現像液が十分浸透せず、
したがって現像後に得られるバンクのパターン精度が低下し、このバンクから得られる膜
パターンについても十分な精度が得られなくなってしまうことがある。また、レジストの
一部が現像により除去されず、残渣として凹部内に残ってしまうこともある。
特に、形成するバンクが二層目以降の上層配線パターン形成用のものであり、この上層
配線パターンと下層の導電部との間にコンタクトホールを形成して導通させようとした場
合、上層配線パターンの形成領域に前記した残渣が残っていると、ここにコンタクトホー
ルを良好に形成することができず、これによってコンタクト不良となってしまうこともあ
る。
【０００８】
また、前述したように液滴吐出法は、薄膜を効率的に形成するのに好適な方法であるこ
とから、この液滴吐出法を用いる前提としてバンクを形成する場合、このバンクの形成に
も、当然ながら生産性の効率化が求められている。
【０００９】
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、バンクの撥液化
処理に起因する不都合を、生産性を損なうことなく解消したバンクの形成方法と、これに
よって得られたバンクを用いてなる膜パターンの形成方法、さらには半導体装置の製造方
法、電気光学装置、及び電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記目的を達成するため本発明のバンクの形成方法は、機能液からなる膜パターンの形
成領域を区画するバンクの形成方法であって、基板上にレジスト液を塗布し乾燥してレジ
ストからなるバンク膜を形成する工程と、バンク膜に撥液化処理ガスとプラズマとを用い
た撥液化処理を行う工程と、撥液化処理後のバンク膜に対し、マスクを用いて選択的に紫
外線を照射し、撥液性を低下させる工程と、撥液化処理後のバンク膜に対し、マスクを用
いて選択的に露光する工程と、撥液性を低下させる工程と露光する工程の後、バンク膜を
現像してパターニングし、バンクを形成する工程と、を備え、撥液性を低下させる工程と
露光する工程とを、同じマスクを用いて連続してあるいは同時に行うことを特徴としてい
る。
【００１１】
このバンクの形成方法によれば、撥液化処理後のバンク膜に対し、マスクを用いて選択
的に紫外線を照射し、撥液性を低下させる工程と、撥液化処理後のバンク膜に対し、マス
クを用いて選択的に露光する工程と、前記の撥液性を低下させる工程と露光する工程の後
、前記バンク膜を現像してパターニングし、バンクを形成する工程と、を備えているので
、現像前に所望箇所、すなわち現像によって除去する箇所の撥液性を紫外線照射によって
低下させておくことにより、現像時、除去する箇所の面に現像液が容易に濡れてここに浸
透するようになり、したがって除去する箇所が現像によって確実に除去されるようになる
。よって、この形成方法によって得られたバンクのパターン精度が良好になり、凹部内に
残渣が残ってしまうといった不都合も防止される。
また、前記撥液性を低下させる工程と露光する工程とを、同じマスクを用いて連続して
あるいは同時に行うので、二つの工程間においてマスクの着脱や交換を行う必要がなく、
したがって生産性の向上を図ることができる。
【００１２】
また、前記バンクの形成方法においては、撥液性を低下させる工程と露光する工程とを
、同じマスクを用いて連続して行うとき、撥液性を低下させる工程の後に、露光する工程
を行うのが好ましい。
撥液性を低下させる工程を、露光する工程の前に行う方が、露光する工程の後に行うと
きと比べて、さらに撥液性を向上することができる。
【００１３】
また、前記バンクの形成方法においては、レジスト材料液として、ポリシラザン、ポリ
シランまたはポリシロキサンのいずれかと、光酸発生剤または光塩基発生剤のいずれかと
、を含有し、ポジ型レジストとして機能する感光性の材料を用いるのが好ましい。
このような感光性の材料をレジスト材料液として用いれば、これから得られるバンクが
ポリシロキサンを骨格とする無機質のものとなるので、有機材料からなる有機質のバンク
に比べて耐熱性が高くなり、特に金属微粒子を焼成して配線パターンを形成する場合など
に好適となる。
【００１４】
本発明のバンクの形成方法においては、レジスト材料液として、有機材料と、光酸発生
剤または光塩基発生剤のいずれかと、を含有し、ポジ型レジストとして機能する感光性の
材料を用いるのが好ましい。
耐熱性が必要とされない場合に、このような感光性の材料をレジスト材料液として用い
れば、これから得られるバンクが有機質のバンクとなるので、無機材料からなる無機質の
バンクに比べて、膜厚の厚いバンクを形成することができる。特に基板上の素子や配線な
どの構造物からなる凹凸をバンクで埋めて上面を平坦化する場合などに好適となる。
【００１５】
本発明の膜パターンの形成方法は、前記のバンクの形成方法によって得られたバンクを
用い、該バンクに区画された膜パターンの形成領域に機能液を配し、乾燥して膜パターン
を形成することを特徴としている。
この膜パターンの形成方法によれば、前述したようにパターン精度が良好なバンクを用
いて膜パターンを形成するので、得られる膜パターンも良好なパターン精度を有するもの
となる。
【００１６】
本発明の半導体装置は、前記の膜パターンの形成方法によって得られた膜パターンを有
することを特徴としている。
この半導体装置によれば、前述したように良好なパターン精度を有する膜パターンを有
しているので、この膜パターンによって得られる特性が良好なものとなる。
【００１７】
本発明の半導体装置は、コプレナー構造を有するトランジスタを成し、膜パターンは、
ソース電極またはドレイン電極を成し、レジスト材料液として、有機材料を含有する材料
を用いることが望ましい。
この半導体装置によれば、コプレナー構造を有していることから、半導体の膜を形成し
た後、ゲート電極とソース電極とドレイン電極とを形成することとなる。ソース電極とド
レイン電極とを形成するとき、バンクが高温に曝されることがないことから、ソース電極
とドレイン電極とを形成するためのバンクは有機質のバンクでもよい。従って、バンクの
材料に有機材料を用いれば、無機材料を用いた場合と比較して、バンクの膜厚を厚くする
ことができる為、ソース電極、ドレイン電極の膜パターン形成のためのバンク形成におい
て、基板上の素子や配線などの構造物をバンクで埋めて上面を平坦化することがしやすく
なる。
【００１８】
本発明の電気光学装置は、前記の半導体装置を備えることを特徴としている。
この電気光学装置によれば、特性が良好な半導体装置を備えているので、この電気光学
装置自体も特性が良好なものとなる。
【００１９】
本発明の電子機器は、前記の電気光学装置を備えることを特徴としている。
この電子機器によれば、特性が良好な電気光学装置を備えているので、この電子機器自
体も特性が良好なものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を参照して本発明を詳しく説明する。なお、参照する各図において、図面上
で認識可能な大きさとするために縮尺は各層や各部材ごとに異なる場合がある。
（第１の実施形態）
まず、本発明の膜パターンの形成方法を、液滴吐出法によって液滴吐出ヘッドの吐出ノ
ズルから導電性微粒子を含有する配線パターン（膜パターン）用インク（機能液）を液滴
状に吐出し、配線パターンに対応して基板上に形成されたバンクの凹部内、すなわちバン
クに区画された領域に、配線パターン（膜パターン）を形成するようにした場合の実施形
態について説明する。
【００２１】
ここで、前記の配線パターン用インク（機能液）は、導電性微粒子を分散媒に分散した
分散液からなるものである。本実施形態では、導電性微粒子として、例えば、金、銀、銅
、アルミニウム、クロム、マンガン、モリブデン、チタン、パラジウム、タングステン及
びニッケルのうちの少なくとも一種を含有する金属微粒子の他、これらの酸化物、並びに
導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。これら導電性微粒子については、
分散性を向上するため、表面に有機物などをコーティングして用いることもできる。導電
性微粒子の粒径は１ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。０．１μｍより大き
いと後述する液滴吐出ヘッドの吐出ノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また、１ｎ
ｍより小さいと導電性微粒子に対するコーティング剤の体積比が大きくなり、得られる膜
中の有機物の割合が過多となる。
【００２２】
分散媒としては、前記の導電性微粒子を分散できるもので凝集を起こさないものであれ
ば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタ
ノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデ
カン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナ
フタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、ま
たエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレ
ングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレ
ングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−
ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテ
ル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピ
ロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性
化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法
への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好
ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。
【００２３】
前記導電性微粒子の分散液の表面張力は０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲
内であることが好ましい。液滴吐出法によりインクを吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ
／ｍ未満であると、インクのノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやす
くなり、０．０７Ｎ／ｍを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐
出量や吐出タイミングの制御が困難になる。表面張力を調整するため、前記分散液には、
基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系など
の表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、インクの基板へ
の濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役
立つものである。前記表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステ
ル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。
【００２４】
前記分散液の粘度は１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。液滴
吐出法を用いてインクを液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合には
ノズル周辺部がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大き
い場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となる。
【００２５】
配線パターンを形成するための基板としては、ガラス、石英ガラス、Ｓｉウエハ、プラ
スチックフィルム、金属板など各種のものを用いることができる。また、これら各種の素
材基板の表面に、半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜などが下地層として形成されたも
のを用いることもできる。
【００２６】
ここで、液滴吐出法の吐出技術としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換
式、電気熱変換方式、静電吸引方式などが挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極
で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御して吐出ノズルから吐出させるもので
ある。また、加圧振動方式は、材料に３０ｋｇ／ｃｍ2程度の超高圧を印加して吐出ノズ
ル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進して吐
出ノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散
して吐出ノズルから吐出されない。また、電気機械変換方式は、ピエゾ素子（圧電素子）
がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形するこ
とによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し
出して吐出ノズルから吐出させるものである。
【００２７】
また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に
気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるも
のである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、吐出ノズルに材料
のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。ま
た、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式など
の技術も適用可能である。液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置
に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。なお、液滴吐出法により吐出
される液状材料（流動体）の一滴の量は、例えば１〜３００ナノグラムである。
【００２８】
本実施形態では、このような液滴吐出をなす装置として、ピエゾ素子（圧電素子）を用
いた電気機械変換方式の、液滴吐出装置（インクジェット装置）が用いられる。
図１は、液滴吐出装置ＩＪの概略構成を示す斜視図である。
液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド１と、Ｘ軸方向駆動軸４と、Ｙ軸方向ガイド軸５
と、制御装置ＣＯＮＴと、ステージ７と、クリーニング機構８と、基台９と、ヒータ１５
とを備えている。
ステージ７は、この液滴吐出装置ＩＪにより液体材料（配線パターン用インク）を配置
される基板Ｐを支持するものであって、基板Ｐを基準位置に固定する不図示の固定機構を
備えている。
【００２９】
液滴吐出ヘッド１は、複数の吐出ノズルを備えたマルチノズルタイプの液滴吐出ヘッド
であり、長手方向とＸ軸方向とを一致させている。複数の吐出ノズルは、液滴吐出ヘッド
１の下面に一定間隔で設けられている。液滴吐出ヘッド１の吐出ノズルからは、ステージ
７に支持されている基板Ｐに対して、前記の導電性微粒子を含む配線パターン用インクが
吐出されるようになっている。
【００３０】
Ｘ軸方向駆動軸４には、Ｘ軸方向駆動モータ２が接続されている。このＸ軸方向駆動モ
ータ２は、ステッピングモータ等からなるもので、制御装置ＣＯＮＴからＸ軸方向の駆動
信号が供給されると、Ｘ軸方向駆動軸４を回転させる。Ｘ軸方向駆動軸４が回転すると、
液滴吐出ヘッド１はＸ軸方向に移動する。
Ｙ軸方向ガイド軸５は、基台９に対して動かないように固定されている。ステージ７は
、Ｙ軸方向駆動モータ３を備えている。Ｙ軸方向駆動モータ３はステッピングモータ等で
あり、制御装置ＣＯＮＴからＹ軸方向の駆動信号が供給されると、ステージ７をＹ軸方向
に移動する。
【００３１】
制御装置ＣＯＮＴは、液滴吐出ヘッド１に液滴の吐出制御用の電圧を供給する。また、
Ｘ軸方向駆動モータ２に液滴吐出ヘッド１のＸ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を
、Ｙ軸方向駆動モータ３にステージ７のＹ軸方向の移動を制御する駆動パルス信号を供給
する。
クリーニング機構８は、液滴吐出ヘッド１をクリーニングするものである。クリーニン
グ機構８には、図示しないＹ軸方向の駆動モータが備えられている。このＹ軸方向の駆動
モータの駆動により、クリーニング機構は、Ｙ軸方向ガイド軸５に沿って移動する。クリ
ーニング機構８の移動も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
ヒータ１５は、ここではランプアニールにより基板Ｐを熱処理する手段であり、基板Ｐ
上に配置された液体材料に含まれる溶媒の蒸発及び乾燥を行う。このヒータ１５の電源の
投入及び遮断も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
【００３２】
液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド１と基板Ｐを支持するステージ７とを相対的に走
査しつつ、基板Ｐに対して、液滴吐出ヘッド１の下面にＸ軸方向に配列された複数の吐出
ノズルから液滴を吐出するようになっている。
【００３３】
図２は、ピエゾ方式による液体材料の吐出原理を説明するための図である。
図２において、液体材料（配線パターン用インク、機能液）を収容する液体室２１に隣
接してピエゾ素子２２が設置されている。液体室２１には、液体材料を収容する材料タン
クを含む液体材料供給系２３を介して液体材料が供給される。ピエゾ素子２２は駆動回路
２４に接続されており、この駆動回路２４を介してピエゾ素子２２に電圧を印加し、ピエ
ゾ素子２２を変形させることにより、液体室２１が変形し、吐出ノズル２５から液体材料
が吐出される。この場合、印加電圧の値を変化させることにより、ピエゾ素子２２の歪み
量が制御される。また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子２２の歪
み速度が制御される。ピエゾ方式による液滴吐出は材料に熱を加えないため、材料の組成
に影響を与えにくいという利点を有する。
【００３４】
次に、本実施形態の配線パターンの形成方法を用いて製造される半導体装置の一例であ
る、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））について説明する。図３は、
ＴＦＴアレイ基板のＴＦＴ１個を含む一部分の概略構成を示した平面図であり、図４（ａ
）はＴＦＴの断面図、図４（ｂ）は、ゲート配線とソース配線とが平面的に交差する部分
の断面図である。
【００３５】
図３に示すように、ＴＦＴ３０を有するＴＦＴアレイ基板１０上には、ゲート配線１２
と、ソース配線１６と、ドレイン電極１４と、ドレイン電極１４に電気的に接続する画素
電極１９とを備えている。ゲート配線１２はＸ軸方向に延びるように形成され、その一部
がＹ軸方向に延びるように形成されている。そして、Ｙ軸方向に伸びるゲート配線１２の
一部がゲート電極１１として用いられている。なお、ゲート電極１１の幅はゲート配線１
２の幅よりも狭くなっている。そして、このゲート配線１２が、本実施形態の配線パター
ン形成方法で形成されている。また、Ｙ軸方向に伸びるように形成されたソース配線１６
の一部は幅広に形成されており、このソース配線１６の一部がソース電極１７として用い
られている。
【００３６】
図４（ａ）、（ｂ）に示すように、ゲート配線１２及びゲート電極１１は、基板Ｐの上
に設けられたバンクＢの間に形成されている。ゲート配線１２及びゲート電極１１並びに
バンクＢは、絶縁膜２８に覆われており、絶縁膜２８の上に、半導体層である活性層６３
と、ソース配線１６と、ソース電極１７と、ドレイン電極１４と、バンクＢ１とが形成さ
れている。活性層６３は、概ねゲート電極１１に対向する位置に設けられており、活性層
６３のゲート電極１１に対向する部分がチャネル領域とされている。活性層６３上には、
接合層６４ａ及び６４ｂが積層されており、ソース電極１７は接合層６４ａを介して、ド
レイン電極１４は接合層６４ｂを介して、活性層６３と接合されている。ソース電極１７
及び接合層６４ａと、ドレイン電極１４及び接合層６４ｂとは、活性層６３上に設けられ
たバンク６７によって、互いに絶縁されている。ゲート配線１２は、絶縁膜２８によって
、ソース配線１６と絶縁されており、ゲート電極１１は、絶縁膜２８によって、ソース電
極１７及びドレイン電極１４と絶縁されている。ソース配線１６と、ソース電極１７と、
ドレイン電極１４とは、絶縁膜２９で覆われている。絶縁膜２９のドレイン電極１４を覆
う部分には、コンタクトホールが形成されており、コンタクトホールを介してドレイン電
極１４と接続する画素電極１９が、絶縁膜２９の上面に形成されている。
【００３７】
次に、本実施形態の配線パターンの形成方法を用いて、ＴＦＴ３０のゲート配線の配線
パターンを形成する過程について説明する。
本実施形態では、前述したように、配線パターンに対応するバンクをガラス基板上に形
成するが、これに先立ち、基板に対して親液化処理を施す。この親液化処理は、後述する
インク（機能液）の吐出による配置において、吐出されたインクに対する基板Ｐの濡れ性
を良好にしておくためのもので、例えば図５（ａ）に示すように、基板Ｐの表面にＴｉＯ
2等の親液性（親水性）の高い膜３２を形成する。または、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシ
ラザン）を蒸気状にして基板Ｐの被処理面に付着させ（ＨＭＤＳ処理）、親液性の高い膜
３２を形成するようにしてもよい。また、基板Ｐの表面を粗面化することにより、この基
板Ｐの表面を親液化してもよい。
【００３８】
（バンク形成工程）
このようにして親液化処理を行ったら、この基板Ｐ上にバンクを形成する。
バンクは、仕切部材として機能する部材であり、バンクの形成はリソグラフィ法や印刷
法等、任意の方法で行うことができる。例えば、リソグラフィ法を使用する場合は、まず
、スピンコート、スプレーコート、ロールコート、ダイコート、ディップコート等所定の
方法で、図５（ａ）に示すように、基板Ｐ上に所望のバンク高さに合わせてバンクの形成
材料となるレジスト液、例えばポリシラザン、ポリシランまたはポリシロキサンのいずれ
かと、光酸発生剤または光塩基発生剤のいずれかと、を含有し、ポジ型レジストとして機
能する感光性の材料を塗布し、バンク膜３１を形成する。本実施形態では、感光性の材料
としてポリシラザン液を用いる。
【００３９】
ここで、バンクの形成材料となるポリシラザン液（レジスト液）としては、ポリシラザ
ンを主成分とするもので、特にポリシラザンと光酸発生剤とを含む感光性ポリシラザン液
が好適に用いられ、本実施形態ではこの感光性ポリシラザン液を用いるものとする。この
感光性ポリシラザン液は、ポジ型レジストとして機能するようになるもので、露光処理と
現像処理とによって直接パターニングすることができるものである。なお、このような感
光性ポリシラザンとしては、例えば特開２００２−７２５０４号公報に記載された感光性
ポリシラザンを例示することができる。また、この感光性ポリシラザン中に含有される光
酸発生剤についても、特開２００２−７２５０４号公報に記載されたものが用いられる。
なお、感光性ポリシラザン液等の感光性の材料については、光酸発生剤に代えて、光塩基
発生剤を含有したものであってもよい。
【００４０】
このようなポリシラザンは、例えばポリシラザンが以下の化学式（１）に示すポリメチ
ルシラザンである場合、後述するように加湿処理を行うことで化学式（２）または化学式
（３）に示すように一部加水分解し、さらに４００℃未満の加熱処理を行うことにより、
化学式（４）〜化学式（６）に示すように縮合してポリメチルシロキサン［−（ＳｉＣＨ
3Ｏ1.5）ｎ−］となる。なお、化学式（２）〜化学式（６）においては、反応機構を説明
するため、化学式を簡略化して化合物中の基本構成単位（繰り返し単位）のみを示してい
る。
【００４１】
このようにして形成されるポリメチルシロキサンは、ポリシロキサンを骨格とし、側鎖
にメチル基を有したものとなる。したがって、その主成分となる骨格が無機質であること
により、熱処理に対し高い耐性を有するものとなることから、バンク材料として好適なも
のとなる。
・化学式（１）；−（ＳｉＣＨ3（ＮＨ）1.5）ｎ−
・化学式（２）；ＳｉＣＨ3（ＮＨ）1.5＋Ｈ２Ｏ  
→ＳｉＣＨ3（ＮＨ）（ＯＨ）＋０．５ＮＨ3
・化学式（３）；ＳｉＣＨ3（ＮＨ）1.5＋２Ｈ2Ｏ
→ＳｉＣＨ3（ＮＨ）0.5（ＯＨ）2＋ＮＨ3
・化学式（４）；ＳｉＣＨ3（ＮＨ）（ＯＨ）＋ＳｉＣＨ3（ＮＨ）（ＯＨ）＋Ｈ2Ｏ
→２ＳｉＣＨ3Ｏ1.5＋２ＮＨ3
・化学式（５）；ＳｉＣＨ3（ＮＨ）（ＯＨ）＋ＳｉＣＨ3（ＮＨ）0.5（ＯＨ）2
→２ＳｉＣＨ３Ｏ１．５＋１．５ＮＨ３
・化学式（６）；ＳｉＣＨ3（ＮＨ）0.5（ＯＨ）2＋ＳｉＣＨ3（ＮＨ）0.5（ＯＨ）2
→２ＳｉＣＨ3Ｏ1.5＋ＮＨ3＋Ｈ2Ｏ
【００４２】
続いて、得られたバンク膜３１を、例えばホットプレート上にて１１０℃で３分程度プ
レベークする。
次いで、図５（ｂ）に示すように、バンク膜３１に対して撥液化処理を行い、その表面
に撥液性を付与する。撥液化処理としては、四フッ化炭素（テトラフルオロメタン）を撥
液化処理ガスとするプラズマ処理法（ＣＦ4プラズマ処理法）が好適に採用される。ＣＦ4
プラズマ処理の条件としては、例えばプラズマパワーが５０〜１０００Ｗ、４フッ化炭素
ガス流量が５０〜１００ｍＬ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基体搬送速度が０．５
〜１０２０ｍｍ／ｓｅｃ、基体温度が７０〜９０℃とされる。なお、撥液化処理ガスとし
ては、テトラフルオロメタンに限らず、他のフルオロカーボン系のガス、または、ＳＦ6
やＳＦ5ＣＦ3などのガスを用いることもできる。
【００４３】
図６はＣＦ4プラズマ処理する際に用いるプラズマ処理装置の一例を示す概略構成図で
ある。図６に示すプラズマ処理装置は、交流電源４１に接続された電極４２と、接地電極
である試料テーブル４０とを備えて構成されたものである。試料テーブル４０は、試料で
ある基板Ｐを支持しつつ、Ｙ軸方向に移動可能となっている。電極４２の下面には、移動
方向と直交するＸ軸方向に延在する２本の平行な放電発生部４４，４４が突設されている
とともに、放電発生部４４を囲むようにして誘電体部材４５が設けられている。誘電体部
材４５は、放電発生部４４の異常放電を防止するものである。そして、誘電体部材４５を
含む電極４２の下面は略平面状となっており、放電発生部４４及び誘電体部材４５と基板
Ｐとの間には僅かな空間（放電ギャップ）が形成されるようになっている。また、電極４
２の中央には、Ｘ軸方向に細長く形成された処理ガス供給部の一部を構成するガス噴出口
４６が設けられている。ガス噴出口４６は、電極内部のガス通路４７及び中間チャンバ４
８を介してガス導入口４９に接続している。
【００４４】
ガス通路４７を通ってガス噴出口４６から噴射された処理ガスを含む所定ガスは、前記
空間の中を移動方向（Ｙ軸方向）の前方及び後方に分かれて流れ、誘電体部材４５の前端
及び後端から外部に排気される。これと同時に、交流電源４１から電極４２に所定の電圧
が印加され、放電発生部４４，４４と試料テーブル４０との間で気体放電が発生する。そ
して、この気体放電により生成されるプラズマで前記所定ガスの励起活性種が生成され、
放電領域を通過する基板Ｐの上に形成されたバンク膜３１の表面全体が連続的に処理され
る。
【００４５】
前記所定ガスは、処理ガスである四フッ化炭素（テトラフルオロメタン）と、大気圧近
傍の圧力下で放電を容易に開始させかつ安定に維持するためのヘリウム（Ｈｅ）、アルゴ
ン（Ａｒ）等の希ガスや窒素（Ｎ2）等の不活性ガスとを混合したものである。
このような撥液化処理を行うと、バンク膜３１を構成するポリメチルシラザンのメチル
基中にフッ素基が導入される。これにより、機能液に対する高い撥液性がバンク膜３１の
表面に付与され、図５（ｂ）に示したようにバンク膜３１の表面に撥液処理層３７が形成
される。撥液処理層３７の撥液性の程度は、機能液の接触角が９０°以上であることが好
ましい。接触角が９０°未満の場合、得られるバンクＢの上面に機能液が残存し易くなっ
てしまうからである。
【００４６】
次いで、図５（ｃ）に示すようにマスクＭを用いてバンク膜３１に対し選択的に紫外線
を照射し、照射箇所での撥液処理層３７の撥液性を低下させる。ここで、マスクＭにより
選択的に紫外線を照射する箇所については、配線パターンの形成領域となる部分と対応す
る部分であり、後述する現像処理によって除去する箇所である。照射する紫外線としては
、波長が１７２ｎｍ、１８５ｎｍ、２５４ｎｍといった短波長域のものが好適に用いられ
る。本実施形態では、マスクＭを用いてエキシマＵＶを選択的に照射する。すると、先の
撥液化処理によって導入されたフッ素基が、ＵＶ照射によって脱離することなどにより、
その撥液性が失われ、あるいは著しく低下する。したがって、このＵＶ照射箇所では、撥
液処理層３７による撥液性がほとんど機能しないようになる。
【００４７】
続いて、図５（ｄ）に示すように前記のマスクＭをそのまま用いてバンク膜３１を露光
する。なお、バンク膜３１は前述したようにポジ型レジストとして機能するので、マスク
Ｍにより選択的に露光した箇所が、後の現像処理によって除去されるようになる。露光光
源としては、前記感光性ポリシラザン液の組成や感光特性に応じ、従来のフォトレジスト
の露光で用いられている高圧水銀灯、低圧水銀灯、メタルハライドランプ、キセノンラン
プ、エキシマレーザ、Ｘ線、電子線等から適宜選択され用いられる。照射光のエネルギー
量については、光源や膜厚にもよるものの、通常は０．０５ｍＪ／ｃｍ2以上、望ましく
は０．１ｍＪ／ｃｍ2以上とされる。上限は特にないものの、あまりに照射量を多く設定
すると処理時間の関係から実用的でなく、通常は１００００ｍＪ／ｃｍ2以下とされる。
本実施形態では、エネルギー量を４０ｍＪ／ｃｍ2としている。露光は、一般に周囲雰囲
気（大気中）あるいは窒素雰囲気とすればよいが、ポリシラザンの分解を促進するため、
酸素含有量を富化した雰囲気を採用してもよい。
【００４８】
このような露光処理により、光酸発生剤を含有する感光性ポリシラザンからなるバンク
膜３１は、特に露光部分において膜内で選択的に酸が発生し、これによりポリシラザンの
Ｓｉ−Ｎ結合が解裂する。そして、雰囲気中の水分と反応し、前記の化学式（２）または
化学式（３）に示したようにバンク膜３１は一部加水分解し、最終的にシラノール（Ｓｉ
−ＯＨ）結合が生成し、ポリシラザンが分解する。
【００４９】
次いで、このようなシラノール（Ｓｉ−ＯＨ）結合の生成、ポリシラザンの分解をより
進めるため、図７（ａ）に示すように露光後のバンク膜３１を、例えば２５℃、相対湿度
８５％の環境下にて５分程度加湿処理する。このようにしてバンク膜３１内に水分を継続
的に供給すると、一旦ポリシラザンのＳｉ−Ｎ結合の解裂に寄与した酸が繰り返し解裂触
媒として働く。このＳｉ−ＯＨ結合は露光中においても起こるが、露光後、露光された膜
を加湿処理することにより、ポリシラザンのＳｉ−ＯＨ化がより一層促進される。
【００５０】
なお、このような加湿処理における処理雰囲気の湿度については、高ければ高いほどＳ
ｉ−ＯＨ化速度を速くすることができる。ただし、あまり高くなると膜表面に結露してし
まうおそれがあり、したがってこの観点から相対湿度９０％以下とするのが実用的である
。また、このような加湿処理については、水分を含有した気体を、バンク膜３１に接触さ
せるようにしてやればよく、したがって、加湿処理装置内に露光された基板Ｐを置き、水
分含有気体をこの加湿処理装置に連続的に導入するようにすればよい。または、予め水分
含有気体が導入されて調湿された状態の加湿処理装置内に、露光された基板Ｐを入れ、所
望時間放置するようにしてもよい。
【００５１】
次いで、例えば濃度２．３８％のＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）
液によって加湿処理後のバンク膜３１を２８℃で１分程度現像処理し、被露光部を選択的
に除去する。このとき、被現像箇所、すなわち被露光箇所を、予め紫外線照射処理してそ
の部分における撥液性を低下させているので、この現像により、除去する箇所の面に現像
液が容易に濡れてここに浸透するようになる。したがって、除去する箇所が現像によって
確実に除去され、図７（ｂ）に示すようにバンク膜３１を所望のバンク形状にすることが
できる。これにより、目的とする配線パターン（膜パターン）の形成領域を区画するバン
クＢ、Ｂを形成するとともに、この配線パターンに対応する溝状の凹部３４を形成する。
なお、現像液としては、ＴＭＡＨ以外の他のアルカリ現像液、例えばコリン、珪酸ナトリ
ウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等を用いることもできる。
【００５２】
次いで、必要に応じて純水でリンスした後、得られたバンクＢ、Ｂ間の残渣処理を行う
。残渣処理としては、フッ酸溶液で残渣部をエッチングするフッ酸処理や、紫外線を照射
することによる紫外線（ＵＶ）照射処理、大気雰囲気中で酸素を処理ガスとするＯ2プラ
ズマ処理などが用いられる。本実施形態では、例えば濃度０．２％のフッ酸水溶液によっ
て２０秒程度接触処理を行う、フッ酸処理を採用する。このような残渣処理を行うと、バ
ンクＢ、Ｂがマスクとして機能することにより、バンクＢ、Ｂ間の凹部３４の底部３５が
選択的にエッチングされ、ここに残ったバンク材料等が除去される。
【００５３】
次に、前記の液滴吐出装置ＩＪを用い、図７（ｃ）に示すように配線パターン用インク
（機能液）の液滴を、バンクＢ、Ｂ間の凹部３４内に露出した基板Ｐ上に吐出し配置する
。本実施形態では、配線パターン用インク（機能液）として、導電性材料として有機銀化
合物を用い、分散媒としてジエチレングリコールジエチルエーテルを用いた有機銀化合物
からなるインクを吐出する。液滴吐出ヘッド１は、バンクＢ、Ｂ間の凹部３４内に向け、
インクの液滴を吐出して凹部３４内にインクを配置する。このとき、液滴が吐出される配
線パターン形成領域（すなわち凹部３４）はバンクＢ、Ｂに囲まれて区画されているので
、液滴がこの形成領域以外に拡がることが阻止されている。
【００５４】
本実施形態では、バンクＢ、Ｂ間の凹部３４の幅Ｗ（ここでは、凹部３４の開口部にお
ける幅）がインク（機能液）の液滴の直径Ｄとほぼ同等に設定されている。液滴を吐出す
る雰囲気は、温度６０℃以下、湿度８０％以下に設定されていることが好ましい。これに
より、液滴吐出ヘッド１の吐出ノズルが目詰まりすることなく安定した液滴吐出を行うこ
とができる。
【００５５】
このような液滴を液滴吐出ヘッド１から吐出し、凹部３４内に配置すると、液滴はその
直径Ｄが凹部３４の幅Ｗとほぼ同等であることから、図７（ｄ）中二点鎖線で示すように
その一部がバンクＢ、Ｂ上に乗ることがある。ところが、バンクＢ、Ｂの表面が撥液性と
なっていることから、これらバンクＢ、Ｂ上に乗ったインク部分がバンクＢ、Ｂからはじ
かれ、さらには毛細管現象によって凹部３４内に流れ落ちることにより、図７（ｄ）中実
線で示すようにインク３９の殆どが凹部３４内に入り込む。
【００５６】
また、凹部３４内に吐出され、あるいはバンクＢ、Ｂから流れ落ちたインクは、凹部３
４内に露出する底部３５やバンクＢ、Ｂの内側面が撥液処理層３７とはなっていないこと
から、濡れ拡がり易くなっており、これによってインクはより均一に凹部３４内に埋め込
まれるようになる。
【００５７】
このようにして液滴を吐出したら、吐出したインク（機能液）中の分散媒の除去及び膜
厚確保のため、必要に応じて中間乾燥処理をする。中間乾燥処理は、例えば基板Ｐを加熱
する通常のホットプレート、電気炉などによる処理の他、ランプアニールによって行うこ
ともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線
ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザ、アルゴンレーザ、炭酸ガスレーザ、ＸｅＦ、Ｘ
ｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザなどを光
源として使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以
下の範囲のものが用いられるが、本実施形態では、１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で
十分である。中間乾燥工程が終了すると、図７（ｅ）に示すように、配線パターンを形成
する配線膜である回路配線膜３３が形成される。この回路配線膜３３によって形成される
配線パターンは、後述するように図３及び図４に示したゲート配線１２及びゲート電極１
１となるものである。
【００５８】
なお、一回の機能液配置工程と中間乾燥工程とで形成できる回路配線膜３３の厚さが、
必要な膜厚に達しない場合には、前記機能液配置工程と中間乾燥工程とを繰り返し行う。
回路配線膜３３が形成された上に再度機能液を配置すると、図８（ａ）に示すように凹部
３４に入りきらないインク３９は、バンクＢの上面が撥液性であるため、はじかれて凹部
３４の上に盛り上った状態となる。そして、再び中間乾燥工程を行って凹部３４内及び凹
部３４の上に盛り上ったインク３９を乾燥させることにより、図８（ｂ）に示すように、
インクの液滴が積層され、膜厚の厚い回路配線膜３３が形成される。なお、一回の機能液
配置工程と中間乾燥工程とで形成できる回路配線膜３３の厚さと、必要な膜厚とから、中
間乾燥工程と前記機能液配置工程とを繰り返し行う繰返し数を、適当に選ぶことにより、
必要な膜厚を得ることができる。
【００５９】
次いで、図８（ｃ）に示すように、基板ＰのバンクＢを形成した側の面に対し、全面露
光を行う。露光条件については、図５（ｄ）に示した工程での露光処理条件と同様とする
。このようにして全面露光を行うことにより、先の露光処理では露光されなかったバンク
Ｂが露光される。これにより、バンクＢを形成するポリシラザンは一部加水分解し、最終
的にシラノール（Ｓｉ−ＯＨ）結合が生成してポリシラザンが分解する。
【００６０】
次いで、中間乾燥処理で形成した配線パターンに対し、図８（ｄ）に示すように例えば
大気中クリーンオーブンにて２８０〜３５０℃程度で３００分間程度の焼成処理を行う。
このようにして焼成処理を行うと、先に加湿処理され、さらに露光処理されてＳｉ−ＯＨ
化されたポリシラザンからなるバンクＢは、焼成により前記の化学式（４）〜化学式（６
）に示したように容易に（ＳｉＯＳｉ）化し、ＳｉＮＨ結合がほとんど（又は全く）存在
しないシリカ系セラミックス膜、例えばポリメチルシロキサンに転化される。すると、こ
のポリメチルシロキサン（シリカ系セラミックス膜）からなるバンクＢは、前述したよう
にポリシロキサンを骨格としたものとなることから、熱処理に対し高い耐性を有したもの
となり、この配線パターンの焼成処理に十分耐え得るようになる。
以上の工程により、吐出工程後の機能液からなる乾燥膜（配線パターン）は、微粒子間
の電気的接触が確保され、導電性膜、すなわち図３及び図４に示したゲート配線１２及び
ゲート電極１１となる。
【００６１】
このような本実施形態の配線パターン（膜パターン）の形成方法において、特にそのバ
ンクＢの形成方法によれば、撥液化処理後のバンク膜３１に対し、現像前にこの現像処理
で除去する箇所の撥液性を紫外線照射によって低下させておくので、現像時、除去する箇
所の面に現像液が容易に濡れてここに浸透するようになり、したがって除去する箇所を現
像によって確実に除去することができる。よって、この形成方法によって得られるバンク
Ｂのパターン精度を良好にし、凹部３４内に残渣が残ってしまうといった不都合も防止す
ることができる。
また、従来では、後の現像処理時における現像むらを考慮して、撥液化処理時に撥液化
の度合いを調整する必要があったが、本実施形態によれば、現像処理で除去する箇所の撥
液性を紫外線照射によって低下させるので、撥液化の度合いについて特に調整を行う必要
がなくなり、したがって製造マージンが広がって生産性を向上することができる。
さらに、前記撥液性を低下させる工程と露光する工程とを、同じマスクＭを用いて連続
して行っているので、二つの工程間においてマスクＭの着脱や交換を行う必要がなく、し
たがって生産性の向上を図ることができる。
【００６２】
なお、前記実施形態では、バンクの形成材料としてのレジスト液として、光酸発生剤を
含む感光性ポリシラザン液を用いたが、本発明はこれに限定されることなく、例えばこれ
以外のポリシラザン液や、ポリシラン液、ポリシロキサン液、さらには有機材料からなる
一般的なレジスト材料（レジスト液）を用いることもできる。
また、前記実施形態では、特に加湿処理を行うことでシラノール（Ｓｉ−ＯＨ）結合の
生成、およびポリシラザンの分解を促進するようにしたが、本発明はこれに限定されるこ
となく、例えば使用したポリシラザン液の種類によってはこの加湿処理工程を省略するこ
ともできる。
【００６３】
さらに、前記実施形態では、図５（ｃ）に示した紫外線照射処理（紫外線照射工程）と
、図５（ｄ）に示した露光処理（露光工程）とをこの順に連続して行ったが、逆に、露光
処理（露光工程）、紫外線照射処理（紫外線照射工程）の順で、これらの処理を連続して
行ってもよい。その場合にも、同じマスクを用いて連続して処理を行うことができるので
、生産性の向上を図ることができる。
【００６４】
（第２の実施形態）
次に、本発明の膜パターンの形成方法を配線パターン（膜パターン）の形成方法に適用
した場合の、他の実施形態について説明する。
この実施形態が先の実施形態と異なるところは、図５（ｃ）に示した紫外線照射処理（
紫外線照射工程）と、図５（ｄ）に示した露光処理（露光工程）とを、同時に行う点にあ
る。
【００６５】
すなわち、本実施形態では、図５（ｂ）に示したようにバンク膜３１に撥液化処理を行
ってその表面に撥液処理層３７を形成した後、図９に示すように、一つのマスクＭを用い
て紫外線照射処理と露光処理とを同時に行う。このような処理としては、例えば処理装置
として、Ｇ線（２５４ｎｍ）、Ｈ線（３６５ｎｍ）、Ｉ線（４０５ｎｍ）等の光を照射す
る露光光源を備え、さらにこれとは別に、前記の波長が１７２ｎｍ、１８５ｎｍ、２５４
ｎｍといった短波長域の紫外線を照射する光源を備えたものを用意する。そして、この露
光装置を用いて、図９に示したように露光光と紫外線（紫外光）とを同時に照射し、現像
処理によって除去する箇所を露光すると同時に、この箇所での表面（撥液処理層３７）に
おける撥液性を低下させる。
【００６６】
その後、先の実施形態と同様にして処理することにより、バンクＢと、これによって精
度良くパターニングされたゲート配線１２及びゲート電極１１を形成することができる。
なお、この実施形態では、図７（ａ）に示した加湿処理工程を省略し、その分、図８（ｃ
）に示した全面露光処理における露光処理条件を、例えばエネルギー量を１５００ｍＪ／
ｃｍ2と高くして行ってもよい。
【００６７】
このような方法にあっては、前記撥液性を低下させる工程と露光する工程とを、一つの
マスクＭを用いて同時に行っているので、工程間においてマスクＭの着脱や交換を行う必
要がないのはもちろん、二工程を一工程に短縮することで処理時間を短くすることができ
、したがって生産性を大幅に向上することができる。
また、前述したように除去する箇所を現像によって確実に除去することができるので、
得られるバンクＢのパターン精度を良好にし、凹部３４内に残渣が残ってしまうといった
不都合も防止することができ、さらには、撥液化の度合いについて特に調整を行う必要が
なくなるため、製造マージンが広がって生産性を向上することができる。
【００６８】
なお、前記の実施形態においては、本発明の膜パターンの形成方法を配線パターンの形
成方法に適用した場合を例にして説明したが、本発明の膜パターンの形成方法は、配線パ
ターン以外にも例えばカラーフィルタの製造などにも適用することができる。
【００６９】
（第３の実施形態）
次に、本発明の膜パターンの形成方法に係る他の実施形態について説明する。本実施形
態では、先の第１又は第２の実施形態で形成した配線パターン（膜パターン）の上に、さ
らに回路配線（配線パターン）を形成するようにしている。なお、本実施形態で使用する
液滴吐出法や液滴吐出装置、さらには製造する半導体装置等は、第１の実施形態における
液滴吐出法や液滴吐出装置、半導体装置と基本的に同一である。
【００７０】
本実施形態では、まず、図１０（ａ）に示すように第１又は第２の実施形態で形成した
配線パターンとしてのゲート配線１２（ゲート電極１１）の上に、プラズマＣＶＤ法によ
りゲート絶縁膜（絶縁膜２８）、半導体層である活性層６３、接合層６４の連続成膜を行
う。絶縁膜２８としては窒化シリコン膜を、活性層６３としてはアモルファスシリコン膜
を、接合層６４としてはｎ＋型シリコン膜を、それぞれ原料ガスやプラズマ条件を変化さ
せることで形成する。ＣＶＤ法で形成する場合、３００℃〜３５０℃の熱履歴が必要にな
るものの、前記のバンクＢが、ポリシロキサンを骨格とする無機質のものからなっており
、高い耐熱性を有しているので、耐熱性に関する問題を回避することができる。
【００７１】
次に、前記絶縁膜２８、及び活性層６３、接合層６４を覆ってバンクの形成材料を配し
、図１０（ｂ）に示すようにバンク膜７１を形成する。このバンク膜７１については、特
に限定されないものの、本実施形態では前記の感光性ポリシラザン液を用いるものとする
。
続いて、得られたバンク膜７１を、例えばホットプレート上にて１１０℃で３分程度プ
レベークした後、第１の実施形態と同様にしてバンク膜７１に対し撥液化処理を行い、バ
ンク膜７１の表面に撥液処理層７７を形成する。
【００７２】
次いで、バンク膜７１をパターニングするべく、前記第１の実施形態と同様にして、図
５（ｃ）に示した紫外線照射処理（紫外線照射工程）と図５（ｄ）に示した露光処理（露
光工程）とを連続して行い、あるいは、前記第２の実施形態と同様にして、図９に示した
ように紫外線照射処理と露光処理とを同時に行う。この場合にも、同一のマスクを用いて
所望箇所に対し選択的に処理を行うのはもちろんである。
【００７３】
次いで、必要に応じて加湿処理を行った後、現像処理を行うことにより、図１０（ｃ）
に示すようにバンク膜７１を所望のバンク形状のバンクＢ１及びバンクＢ２とし、さらに
バンクＢ１及びバンクＢ２に囲まれた溝状の凹部７４を形成する。ここで、凹部７４は、
その底部に絶縁膜２８を露出させ、さらに活性層６３と接合層６４の一部とを露出させる
ものとなる。このとき、被現像箇所、すなわち被露光箇所を、予め紫外線照射処理してそ
の部分における撥液性を低下させているので、前記実施形態と同様に、この現像処理によ
って除去する箇所の面に現像液が容易に濡れ、ここに浸透するようになる。したがって、
除去する箇所が現像によって確実に除去され、図１０（ｃ）に示したように所望のバンク
形状のバンクＢ１及びバンクＢ２を形成することができる。
【００７４】
次いで、必要に応じて純水でリンスした後、得られたバンクＢ１、バンクＢ２間の残渣
処理を行う。残渣処理としては、フッ酸溶液で残渣部をエッチングするフッ酸処理や、紫
外線を照射することによる紫外線（ＵＶ）照射処理、大気雰囲気中で酸素を処理ガスとす
るＯ2プラズマ処理などが用いられる。
【００７５】
次いで、第１の実施形態における図７（ｃ）〜図８（ｂ）に示した工程と同様にして、
図１１（ａ）に示すようにバンクＢ１、バンクＢ２間に配線パターン形成用インク８１の
液滴を吐出し配置する。この配線パターン形成用インクとしては、例えばゲート配線１２
及びゲート電極１１の形成に用いたものと同様のものが用いられる。
次いで、第１の実施形態における図８（ｃ）、図８（ｄ）に示した全面露光処理および
焼成処理を行い、バンクＢ１、バンクＢ２を、前述したようにポリシロキサンを骨格とす
る。また、これと同時に、図１１（ｂ）に示すように配線パターンを形成する配線膜であ
る回路配線膜７３を形成する。本実施形態において、回路配線膜７３によって形成される
配線パターンは、図３及び図４に示したソース配線１６、ソース電極１７及びドレイン電
極１４である。
【００７６】
次いで、バンクＢ２を取り除き、さらに、接合層６４をエッチングして、図１１（ｃ）
に示すようにソース電極１７に接合する接合層６４ａと、ドレイン電極１４に接合する接
合層６４ｂと、に分離する。バンクＢ２が取り除かれた部分と、接合層６４がエッチング
されて取り除かれた部分とに、ソース電極１７と、ドレイン電極１４とを絶縁するバンク
６７を形成する。また、ソース電極１７及びドレイン電極１４を配置した凹部７４を埋め
るように絶縁膜２９を配置する。以上の工程により、バンクＢ１とバンク６７と絶縁膜２
９からなる平坦な上面が形成される。なお、バンク６７と絶縁膜２９とを同じ材料で形成
し、凹部７４を埋めるように絶縁膜２９を配置することにより、ソース電極１７と、ドレ
イン電極１４との絶縁を行ってもよい。また、バンク膜７１を形成する前に、予め接合層
６４をエッチングして、ソース電極１７に接合する接合層６４ａと、ドレイン電極１４に
接合する接合層６４ｂと、に分離しておいてもよい。
【００７７】
その後、凹部７４を埋めるように配置された絶縁膜２９のドレイン電極１４を覆う部分
にコンタクトホールを形成するとともに、上面上にパターニングされた画素電極（ＩＴＯ
）１９を形成し、コンタクトホールを介してドレイン電極１４と画素電極１９とを接続す
る。
第１の実施形態で説明したようにゲート電極１１、ゲート配線１２を形成し、本実施形
態で説明したようにソース電極１７と、ドレイン電極１４とを形成することで、半導体装
置としてのＴＦＴ３０を形成することができ、さらにはこのＴＦＴ３０を多数有するＴＦ
Ｔアレイ基板１０を製造することができる。
【００７８】
このようなＴＦＴ３０（半導体装置）の製造方法にあっては、良好なパターン精度に形
成された前記バンクＢ，Ｂ１，Ｂ２に基づいて形成され、したがって良好なパターン精度
の配線パターン（膜パターン）を有しているので、この配線パターンによって得られるト
ランジスタ特性が良好なものとなる。また、バンクＢ，Ｂ１，Ｂ２やこれを用いた膜パタ
ーン（配線パターン）についての生産性が向上していることから、ＴＦＴ３０自体につい
てもその生産性が向上したものとなる。
【００７９】
（第４の実施形態）
次に、本発明の膜パターンの形成方法を配線パターン（膜パターン）に適用した他の実
施形態について図５及び図７と図１２のフローチャートとを参照しながら説明する。
【００８０】
図５はバンク形成方法を説明するための模式図であり、図７は配線パターン形成方法を
説明するための模式図であり、図１２は配線パターンの形成方法を示すフローチャートで
ある。
本実施形態が第１の実施形態と異なるところは、バンクの形成材料とバンクの形成工程
とが異なる点にある。
バンクの形成材料については、第１の実施形態では、バンクの形成材料液となるレジス
ト液に無機材料であるポリシザランと光酸発生剤とを含有する感光性ポリシザラン液を採
用したが、本実施形態では、レジスト液に有機材料であるオレフィン樹脂液と光酸発生剤
とを含有する感光性オレフィン樹脂液を採用している。
【００８１】
バンクの形成工程については、第１の実施形態のマスクを使って露光する露光工程の後
に行う図７（ａ）に示す加湿処理を行う工程と、焼成処理の前に行う図８（ｃ）に示す全
面露光処理をする工程とが省略される点である。
【００８２】
次に図１２のフローチャートを用いて、膜パターンの形成方法をバンクの形成方法を含
めた製造工程順に説明する。
図１２において、ステップＳ１は親液化処理工程に相当し、基板Ｐ上に親液性の高い膜
３２を形成する工程である。次にステップＳ２に移行する。ステップＳ２は、バンク形成
工程に相当し、バンクの材料液を塗布し乾燥させてバンク膜３１を形成する工程である。
次にステップＳ３に移行する。ステップＳ３は、撥液化処理工程に相当し、バンク膜３１
の上面に撥液性をもたせる工程である。次にステップＳ４に移行する。ステップＳ４は、
撥液性低減工程に相当し、バンク膜３１を除去する予定の領域の撥液性を低減する工程で
ある。次にステップＳ５に移行する。ステップＳ５は露光工程に相当し、バンク膜３１を
除去する予定の領域をマスクを使って選択的に露光する工程である。次にステップＳ６に
移行する。ステップＳ６は現像工程に相当し、ポジ型レジストとして機能するバンク膜３
１の被露光部分を選択的に除去する工程である。次にステップＳ７に移行する。ステップ
Ｓ７は、機能液配置工程に相当し、配線パターンインクを塗布する工程である。次にステ
ップＳ８に移行する。ステップＳ８は、焼成工程に相当し、バンク膜３１と配線パターン
インクを焼成する工程である。以上のステップにより配線パターンが製造される。
【００８３】
次に図５及び図７を用いて図１２に示したステップと対応させて、製造方法を詳細に説
明する。
図５（ａ）は、ステップＳ１の親液化処理工程及びステップＳ２のバンク形成工程に相
当する図である。図５（ａ）に示すように、基板Ｐの上にＴｉＯ2等の親液性の高い膜３
２を形成する（ステップＳ１）。次に膜３２上にバンクの形成材料液となるレジスト液と
して有機材料であるオレフィン樹脂液を含有する感光性オレフィン樹脂液をスピンコート
法により塗布し、例えば、ホットプレート上にて１００℃で２分程度プレベークして、バ
ンク膜３１を形成する（ステップＳ２）。その結果、基板Ｐに親液性の高い膜３２とバン
ク膜３１とが積層された形態となる。
【００８４】
図５（ｂ）は、ステップＳ３の撥液化処理工程に相当する図である。図５（ｂ）に示す
ように、バンク膜３１の上面に撥液化処理を行い撥液性を付与し、撥液処理層３７を形成
する（ステップＳ３）。撥液化処理方法は、四フッ化炭素（テトラフルオルメタン）を撥
液化処理ガスとするプラズマ処理法（ＣＦ4プラズマ処理法）を採用する。ＣＦ4プラズマ
処理法の処理条件としては、例えば、プラズマパワーを４００Ｗ程度、四フッ化炭素ガス
流量を５０〜１００ｍＬ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基体搬送速度を１０〜２０
ｍｍ／ｓｅｃ、基体温度を７０〜９０℃とする。その結果、バンク膜３１の表面に撥液処
理層３７が形成された形態となる。
【００８５】
図５（ｃ）は、ステップＳ４の撥液性低減工程に相当する図である。図５（ｃ）に示す
ように、マスクＭを用いてバンク膜３１表面の撥液処理層３７に対し選択的に紫外線を照
射し、照射箇所の撥液性を低下させる（ステップＳ４）。照射する紫外線は、例えば、波
長１７２ｎｍのエキシマＵＶを採用する。このＵＶ照射箇所では、撥液処理層３７による
撥液性がほとんど機能しないようになる。
【００８６】
図５（ｄ）は、ステップＳ５の露光工程に相当する図である。図５（ｄ）に示すように
、ステップＳ４で用いたマスクＭを用いてバンク膜３１を露光する（ステップＳ５）。本
実施形態では光源はキセノンランプを用いて、照射光のエネルギー量は、４０ｍＪ／ｃｍ
2程度としている。なお、ステップＳ４とステップＳ５は、同じマスクＭを用いて連続し
て行なっても良いし、第２の実施形態で用いた装置と同様の装置を用いて同時に行なって
も良い。
【００８７】
図７（ｂ）は、ステップＳ６の現像工程に相当する図である。図７（ｂ）に示すように
、露光された基板Ｐを現像処理し、被露光部を選択的に除去する。現像液は、例えば、濃
度０．２％のＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）液を用いて、２８℃で
４分３０秒程度の現像処理を行う。その結果、バンクＢ、Ｂ間に凹部３４が形成される。
現像する箇所は、ステップＳ４の撥液性低減工程にて、撥液処理層３７による撥液性がほ
とんど機能しないようになっていることから、現像液がバンク膜３１の被露光部で撥液さ
れないので、確実に除去される。
【００８８】
図７（ｃ）及び（ｄ）は、ステップＳ７の機能液配置工程に相当する図である。図７（
ｃ）に示すように、凹部３４に液滴吐出ヘッド１から配線パターン用インクの液滴を吐出
して塗布する（ステップＳ７）。その結果、図７（ｄ）に示すように、凹部３４にインク
３９が塗布された状態となる。バンクＢ表面の撥液処理層３７は撥液性があるので、イン
ク３９が凹部３４から撥液処理層３７上に拡がることが阻止されている。
【００８９】
図７（ｅ）は、ステップＳ８の焼成工程に相当する図である。図７（ｅ）に示すように
、凹部３４に塗布されたインク３９が焼成されて回路配線膜３３となる。焼成条件は、例
えば、窒素雰囲気中のクリーンオーブンにて、２００℃程度で６０分程度焼成する。
以上の工程により、配線パターン用インクが焼成されて形成された回路配線膜３３は、
微粒子間の電気的接触が確保され、導電性膜となる。
【００９０】
上記したように本実施形態によれば、第１の実施形態での効果に加えて、以下の効果を
有する。
（１）本実施形態によれば、バンクの形成材料としてのレジスト液は有機材料を含有す
る溶液を採用した。有機材料にＣＦ4プラズマ処理をすると、無機材料にＣＦ4プラズマ処
理をするときと比べて、四フッ化炭素のドープ量を多くドープすることができる。従って
、レジスト液に無機材料を含有する溶液を採用するときと比べて、有機材料を含有する溶
液を採用した方が、撥液性の高い撥液処理層３７とすることができる。凹部３４にインク
３９を吐出したとき、インク３９の液滴の一部が凹部３４から突出して撥液処理層３７の
上に載ったとき、インク３９の表面張力によりインク３９は、凹部３４へ移動する。この
インク３９が凹部３４へ移動する過程において、撥液処理層３７は撥液性が高いので、イ
ンク３９の残渣が撥液処理層３７の表面に残ることが少なくなる。その結果、本実施形態
の製造方法は、バンクＢ上にできる配線パターンインクの残渣を少なくできる配線の製造
方法とすることができる。
【００９１】
（２）本実施形態によれば、バンクの形成材料としてのレジスト液は有機材料を含有す
る溶液を採用した。レジスト液に無機材料を含有する溶液を採用したときに比べて、有機
材料を含有する溶液を採用した方が撥液処理層３７の撥液性を高くすることができる。撥
液処理層３７の撥液性が高いと凹部３４へ塗布するインク３９が凹部３４に入りきらなく
なったとき、撥液処理層３７の表面に移動せず盛り上がった状態となるので、撥液処理層
３７の撥液性が低いときに比べてインク３９を多く塗布することができる。凹部３４に厚
い膜を形成するとき、撥液処理層３７の撥液性が低いときには、インク３９の塗布量を一
度に多く塗布できないことから、機能液配置工程と中間乾燥工程を繰り返し行う繰り返し
数を多くする必要がある。一方、撥液処理層３７の撥液性が高いときは、インク３９の塗
布量を一度に多く塗布できることから、機能液配置工程と中間乾燥工程を繰り返し行う繰
り返し数を減らすことができる。従って、レジスト液に無機材料を含有する溶液を採用し
たときに比べて、有機材料を含有する溶液を採用した場合には、生産性よく回路配線膜３
３の厚膜を形成することができる。
【００９２】
（３）本実施形態によれば、バンクの形成材料としてのレジスト液は有機材料を含有す
る溶液を採用した。バンクの形成材料としてのレジスト液に無機材料を含有する溶液を採
用したとき、レジスト膜の厚みを厚くすると焼成工程でレジスト膜にクラックが入るため
、レジスト膜の厚みは１〜２μｍ以下にしなければならない。バンクの形成材料としての
レジスト液に有機材料を含有する溶液を採用したとき、レジスト膜は厚くしてもクラック
が入りにくいため、レジスト膜の厚みは５〜８μｍ程度まで厚くすることができる。
【００９３】
なお、本実施形態では、バンクの形成材料としてのレジスト液は、光酸発生剤とを含む
感光性オレフィン樹脂液を採用したが、本発明はこれに限定されることなく、プラズマ処
理による撥液化が可能で下地基板との密着性が良くリソグラフィ法や印刷法等によるパタ
ーニングが行い易い絶縁有機材料でも良い。例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェ
ノール樹脂、メラニン樹脂等の高分子材料を採用しても良い。
また、バンクの形成材料は感光性の機能を持たせるために、光酸発生剤を含有したが、
その代わりに光塩基発生剤を含有しても良く、同様の効果が得られる。
【００９４】
（第５の実施形態）
次に、本発明の膜パターンの形成方法を使用したコプレナ−構造の薄膜トランジスタ（
ＴＦＴ）について図１３〜図１７を参照しながら説明する。
【００９５】
図１３は、ＴＦＴの要部を示す模式断面図であり、図１４は、ＴＦＴの製造工程のフロ
ーチャートであり、図１５〜図１７は、ＴＦＴの製造方法を説明するための模式図である
。
【００９６】
図１３に示すように、コプレナ−構造のトランジスタとしてのＴＦＴ１４０は、ガラス
からなる基板１４１を備えている。基板１４１の上面は酸化シリコンからなる下地層１４
２に覆われている。下地層１４２の上には、ポリシリコン層１４３が形成され、ポリシリ
コン層１４３はその両側にリンがドープされたＮ領域１４３ａ，１４３ｂが形成されてい
る。下地層１４２とポリシリコン層１４３の上面には絶縁層１４５が形成され、絶縁層１
４５の上面にはゲート用バンク１４６が形成されている。ポリシリコン層１４３のＮ領域
１４３ａ及びＮ領域１４３ｂ以外のポリシリコン層１４３の上面に対応する絶縁層１４５
の上面には、ゲート電極１４７がゲート用バンク１４６に囲まれて形成されている。ゲー
ト電極１４７とゲート用バンク１４６の上面には、ソース・ドレイン用バンク１４８が形
成されている。さらに、ソース・ドレイン用バンク１４８の上面には、撥液処理層１５６
が形成されている。
【００９７】
ポリシリコン層１４３のＮ領域１４３ａとＮ領域１４３ｂとの上面には、絶縁層１４５
とゲート用バンク１４６とソース・ドレイン用バンク１４８を貫通したコンタクトホール
が形成されている。そのコンタクトホールの中には、Ｎ領域１４３ａと通電可能なソース
電極１４９と、Ｎ領域１４３ｂと通電可能なドレイン電極１５０とが配置されている。ド
レイン電極１５０とソース電極１４９との間に電圧を印加し、ゲート電極１４７とソース
電極１４９との間に電圧を印加すると、ドレイン電極１５０からソース電極１４９へ電流
が流れ、スイッチ機能を持つＴＦＴ１４０として動作する。
【００９８】
次に図１４のフローチャートを用いて、ゲート電極とソース電極とドレイン電極の形成
方法について説明する。なお、基板１４１上に下地層１４２とポリシリコン層１４３と絶
縁層１４５とを形成する工程は、公知の製造方法にて形成されるので、説明を省略する。
【００９９】
図１４においてステップＳ２１は、ゲート用バンク配置工程に相当し、絶縁層１４５上
にゲート用バンク１４６の材料液を塗布する工程である。次にステップＳ２２に移行する
。ステップＳ２２は、撥液化処理工程に相当し、ゲート用バンク１４６の上面に撥液処理
を施す工程である。次にステップＳ２３に移行する。ステップＳ２３は、撥液性低減工程
に相当し、ゲート用バンク１４６上面に形成された撥液性の膜の撥液性を選択的に一部分
除去する工程である。次にステップＳ２４に移行する。ステップＳ２４は、露光工程に相
当し、マスクを用いてゲート用バンク１４６を選択的に露光する工程である。次にステッ
プＳ２５に移行する。ステップＳ２５は、加湿工程に相当し、ゲート用バンク１４６の化
学反応を促進させるために加湿する工程である。次にステップＳ２６に移行する。ステッ
プＳ２６は現像工程に相当し、ゲート用バンク１４６の露光された部分を除去する工程で
ある。次にステップＳ２７に移行する。ステップＳ２７は、ゲート用機能液配置工程に相
当し、ゲート電極の配線材料を塗布する工程である。次にステップＳ２８に移行する。ス
テップＳ２８は、全面露光工程に相当し、ゲート用バンク１４６の化学反応を促進させる
ために露光する工程である。次にステップＳ２９に移行する。ステップＳ２９は焼成工程
に相当し、ゲート用バンク１４６とゲート電極１４７とを焼成する工程である。次にステ
ップＳ３０に移行する。ステップＳ３０は、ソース・ドレイン用バンク配置工程に相当し
、ゲート用バンク１４６上にソース・ドレイン用バンク１４８の材料液を塗布する工程で
ある。次にステップＳ３１に移行する。ステップＳ３１は、撥液化処理工程に相当し、ソ
ース・ドレイン用バンク１４８の上面に撥液性を施す工程である。次にステップＳ３２に
移行する。ステップＳ３２は、撥液性低減工程に相当し、ソース・ドレイン用バンク１４
８の上面に形成された撥液性の膜の撥液性を選択的に一部分除去する工程である。次にス
テップＳ３３に移行する。ステップＳ３３は、露光工程に相当し、マスクを用いてソース
・ドレイン用バンク１４８を選択的に露光する工程である。次にステップＳ３４に移行す
る。ステップＳ３４は、現像工程に相当し、ソース・ドレイン用バンク１４８の露光され
た部分を除去する工程である。次にステップＳ３５に移行する。ステップＳ３５は、ソー
ス・ドレイン用機能液配置工程に相当し、ソース電極の配線材料とドレイン電極の配線材
料とを塗布する工程である。次にステップＳ３６に移行する。ステップＳ３６は焼成工程
に相当し、ソース・ドレイン用バンク１４８とソース電極１４９とドレイン電極１５０と
を焼成する工程である。
【０１００】
次に図１５〜１７を用いて、図１４に示したステップと対応させて、製造方法を詳細に
説明する。
図１５（ａ）、（ｂ）は、ステップＳ２１のゲート用バンク配置工程及びステップＳ２
２の撥液化処理工程に対応する図である。図１５（ａ）に示すように、基板１４１は、下
地層１４２が形成され、その上面にポリシリコン層１４３と絶縁層１４５とが配置されて
いる。絶縁層１４５は、ポリシリコン層１４３のＮ領域１４３ａ及びＮ領域１４３ｂの上
面の領域が除去され、凹部１５１及び凹部１５２が形成されている。ステップＳ２１のゲ
ート用バンク配置工程において、基板１４１の絶縁層１４５の上にゲート用バンク材料を
スピンコートにて塗布し、例えば、ホットプレート上にて１１０℃で３分程度プレベーク
する。その結果、図１５（ｂ）に示すように、ゲート用バンク１４６が形成される。ゲー
ト用バンク材料は、第１の実施形態と同様に感光性ポリシザランを採用する。
【０１０１】
ステップＳ２２において、ゲート用バンク１４６の上面にＣＦ4プラズマ処理法にて撥
液処理を行う。ＣＦ4プラズマ処理法の処理条件は、例えば、プラズマパワーを４００Ｗ
程度、四フッ化炭素ガス流量を５０〜１００ｍＬ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基
体搬送速度を５〜１０ｍｍ／ｓｅｃ、基体温度を７０〜９０℃とする。その結果、図１５
（ｂ）に示されるように、撥液処理層１５３が形成される。
【０１０２】
図１５（ｃ）は、ステップＳ２３の撥液性低減工程、ステップＳ２４の露光工程、ステ
ップＳ２５の加湿工程、ステップＳ２６の現像工程に対応する図である。
ステップＳ２３において、例えば、マスクを用いて部分的に波長１７２ｎｍのエキシマ
ＵＶ光を撥液処理層１５３に照射する。撥液処理層１５３の紫外線が照射された部分は、
フッ素基が離脱し、撥液性が機能しなくなる。次に、ステップＳ２４において、ステップ
Ｓ２３で用いたマスクと同じマスクを用いて、ゲート用バンク１４６に露光を行う。露光
はキセノンランプを使用し、露光条件は、例えば、照射エネルギー量を４０ｍＪ／ｃｍ2
とする。なお、第２の実施形態で用いた装置と同様の装置を用いて、撥液性低減工程と露
光工程を同時に行なっても良い。
ステップＳ２５において、加湿を行う。加湿条件は、例えば、気温２５℃、相対湿度８
５％の雰囲気に加湿時間５分程度放置する。ステップＳ２６において、現像を行う。現像
条件は、例えば、液温１８℃で濃度２．３８％のＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒ
ドロキシド）液の現像液に１分程度浸漬し、現像後純水でリンスする。その結果図１５（
ｃ）に示すように、ポリシリコン層１４３の上面中央に対応する絶縁層１４５の上面にゲ
ート用バンク１４６に凹部１５４が形成される。又、凹部１５１及び凹部１５２において
、ゲート用バンク材料が除去されて、ゲート用バンク１４６の表面からポリシリコン層１
４３まで貫通した凹部１５１，１５２が形成される。
【０１０３】
図１６（ａ）は、ステップＳ２７のゲート用機能液配置工程に対応する図である。ステ
ップＳ２７において、液滴吐出装置ＩＪを用いて、ゲート用バンク１４６の凹部１５４に
、ゲート配線パターン用インク１５５（機能液）を吐出して塗布する。ゲート配線パター
ン用インク１５５（機能液）は、ジエチレングリコールジエチレンエーテルを分散媒とし
た有機銀化合物からなるインクを採用する。その結果図１６（ａ）に示すように、ゲート
用バンク１４６の凹部１５４にゲート配線パターン用インク１５５が塗布された形となる
。
【０１０４】
図１６（ｂ）は、ステップＳ２８の全面露光工程及びステップＳ２９の焼成工程に対応
する図である。ステップＳ２８において、ゲート用バンク１４６の全面に露光を行う。露
光はキセノンランプを用い、露光条件は、例えば、照射エネルギー量を４０ｍＪ／ｃｍ2
とする。ステップＳ２９において、ゲート用バンク１４６とゲート配線パターン用インク
１５５とを、空気雰囲気下のクリーンオーブンにて焼成する。焼成条件は、例えば、焼成
温度３００℃、焼成時間６０分とする。その結果、図１６（ｂ）に示すように、ゲート用
バンク１４６とゲート電極１４７とが焼成されて形成される。撥液処理層１５３は加熱に
よりのフッ素基が離脱し撥液性が機能しなくなり、撥液処理層１５３は消滅する。
【０１０５】
図１６（ｃ）は、ステップＳ３０のソース・ドレイン用バンク配置工程及びステップＳ
３１の撥液化処理工程に対応する図である。ステップＳ３０において、ソース・ドレイン
用バンク材料をスピンコートにて塗布し、ホットプレート上にて、例えば、１００℃で２
分程度プレベークして、ソース・ドレイン用バンク１４８を形成する。ソース・ドレイン
用バンク材料は、本実施形態では、有機材料であるオレフィン樹脂と光酸発生剤とを含む
感光性オレフィン樹脂液を採用する。次にステップＳ３１において、ソース・ドレイン用
バンク１４８の上面にＣＦ4プラズマ処理法にて撥液処理を行う。ＣＦ4プラズマ処理法の
処理条件としては、例えば、プラズマパワーが４００Ｗ程度、四フッ化炭素ガス流量が５
０〜１００ｍＬ／ｍｉｎ、プラズマ放電電極に対する基体搬送速度が１０〜２０ｍｍ／ｓ
ｅｃ基体温度が７０〜９０℃とする。その結果図１６（ｃ）に示すように、上面に撥液処
理層１５６が形成されたソース・ドレイン用バンク１４８が形成される。
【０１０６】
図１７（ａ）は、ステップＳ３２の撥液性低減工程、ステップＳ３３の露光工程、ステ
ップＳ３４の現像工程に対応する図である。ステップＳ３２において、マスクを用いてソ
ース・ドレイン用バンク１４８表面の撥液処理層１５６に対し選択的に、例えば、波長１
７２ｎｍのエキシマＵＶ光を照射し、照射箇所での撥液性を低下させる。この紫外線照射
箇所は、撥液処理層１５６による撥液性がほとんど機能しないようになる。次に、ステッ
プＳ３３において、ステップＳ３２で用いたマスクを用いてソース・ドレイン用バンク１
４８を露光する。本実施形態では、光源はキセノンランプを採用し、照射光のエネルギー
量は、４０ｍＪ／ｃｍ2程度とする。なお、第２の実施形態で用いた装置と同様の装置を
用いて、撥液性低減工程と露光工程を同時に行なっても良い。
続いて、ステップＳ３４において、露光された基板１４１を現像処理し、ソース・ドレ
イン用バンク１４８の被露光部を選択的に除去する。例えば、濃度０．２％のＴＭＡＨ（
テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）液を現像液とし、２８℃で４分３０秒程度の現
像処理を行う。その結果、図１７（ａ）に示すように、ソース・ドレイン用バンク１４８
の表面からポリシリコン層１４３の上面まで貫通した凹部１５１，１５２が形成される。
現像する箇所は、ステップＳ３２において、撥液処理層１５６による撥液性がほとんど機
能しないようになっていることから、ソース・ドレイン用バンク１４８の被露光部は、除
去され易くなっている。
【０１０７】
図１７（ｂ）は、ステップＳ３５のソース・ドレイン用機能液配置工程に対応する図で
ある。ステップＳ３５において、液滴吐出装置ＩＪを用いて、ソース・ドレイン用バンク
１４８の凹部１５１，１５２に、ソース・ドレイン配線パターン用インク１５７（機能液
）を吐出して塗布する。ソース・ドレイン配線パターン用インク１５７（機能液）は、本
実施形態では、ジエチレングリコールジエチレンエーテルを分散媒とした有機銀化合物か
らなるインクを採用する。その結果図１７（ｂ）に示すように、ソース・ドレイン用バン
ク１４８の凹部１５１，１５２にソース・ドレイン配線パターン用インク１５７が塗布さ
れた形態となる。
【０１０８】
図１７（ｃ）は、ステップＳ３６の焼成工程に対応する図である。ステップＳ３６にお
いて、ソース・ドレイン用バンク１４８とソース・ドレイン配線パターン用インク１５７
とを、窒素雰囲気中のクリーンオーブンにて焼成する。焼成条件は、例えば、焼成温度２
００℃、焼成時間６０分とする。その結果、図１７（ｃ）に示すように、ソース・ドレイ
ン用バンク１４８とソース電極１４９とドレイン電極１５０とが焼成されて形成される。
【０１０９】
上記したように本実施形態によれば、第１及び第４の実施形態での効果に加えて、以下
の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、ソース・ドレイン用バンク１４８は、有機材料である感光
性オレフィン樹脂液を採用した。従って、撥液処理層１５６は、無機材料でバンクを形成
したときと比べて、撥液性が高くなることから、ソース配線とドレイン配線との周囲に配
線材料の残渣の少ない品質の良い配線とすることができる。
【０１１０】
（２）本実施形態によれば、ソース・ドレイン用バンク１４８は、有機材料である感光
性オレフィン樹脂液を採用した。レジスト液に無機材料を含有する溶液を採用したときに
比べて、有機材料を含有する溶液を採用した方が撥液処理層１５６の撥液性を高くするこ
とができる。撥液処理層１５６の撥液性が高いと凹部１５１，１５２へ塗布するソース・
ドレイン配線パターン用インク１５７が凹部１５１，１５２に入りきらなくなったとき、
撥液処理層１５６の表面に移動せず盛り上がった状態となるので、撥液処理層１５６の撥
液性が低いときに比べてソース・ドレイン配線パターン用インク１５７を多く塗布するこ
とができる。凹部１５１，１５２に厚い膜を形成するとき、撥液処理層１５６の撥液性が
低いときには、ソース・ドレイン配線パターン用インク１５７の塗布量を一度に多く塗布
できないことから、機能液配置工程と中間乾燥工程を繰り返し行う繰り返し数を多くする
必要がある。一方、撥液処理層１５６の撥液性が高いときは、ソース・ドレイン配線パタ
ーン用インク１５７の塗布量を一度に多く塗布できる。従って、ソース電極１４９とドレ
イン電極１５０とは、ソース・ドレイン用バンク１４８に無機材料を採用するときと比べ
て、機能液配置工程と中間乾燥工程を繰り返し行う繰り返し数を少なくできるので、生産
性良く製造できる。
【０１１１】
（３）本実施形態によれば、ソース・ドレイン用バンク１４８は、有機材料である感光
性オレフィン樹脂液を採用した。バンクの形成材料としてのレジスト液に無機材料を含有
する溶液を採用したとき、レジスト膜の厚みを厚くすると焼成工程でレジスト膜にクラッ
クが入るため、レジスト膜の厚みは１〜２μｍ以下にしなければならない。バンクの形成
材料としてのレジスト液に有機材料を含有する溶液を採用したとき、レジスト膜は厚くし
てもクラックが入りにくいため、レジスト膜の厚みは５〜８μｍ程度まで厚くすることが
できる。
基板１４１の上に４μｍ程度の素子や配線などの構造物があるとき、その構造物を埋め
てソース・ドレイン用バンク１４８で構造物の上面を平坦にすることができる。従って、
例えば液晶表示体において、ソース・ドレイン用バンク１４８の上面へ平坦な電極を配置
するとき、基板１４１上の構造物をソース・ドレイン用バンク１４８で埋めることができ
るので、基板１４１上の素子の配置を設計し易くすることができる。
【０１１２】
なお、本実施形態において、ゲート用バンク１４６は、無機材料を含有する感光性ポリ
シザランを採用したが、有機材料と、光酸発生剤または光塩基発生剤とを含有する感光性
有機材料としても良い。そのとき、ゲート用バンク１４６の耐熱性が無機材料を採用した
ときに比べて下がるので、ゲート用バンク１４６の焼成温度を、例えば、２００℃程度に
したとき、焼成工程で撥液処理層１５３の撥液性が十分低下しない場合がある。その場合
には、焼成工程とソース・ドレイン用バンク配置工程との間に撥液性低減工程を設け、エ
キシマＵＶ光を撥液処理層１５３に照射しても良い。ソース・ドレイン用バンク配置工程
でソース・ドレイン用バンクの材料液が撥液処理層１５３の撥水性の影響をうけない為、
膜厚を均一に塗布することができる。
【０１１３】
（他の実施形態）
次に、本発明に係る電気光学装置の一例である液晶表示装置について説明する。本実施
形態の液晶表示装置は、第１の実施形態と第２の実施形態と第４の実施形態とで説明した
配線パターン（膜パターン）の形成方法を用いて形成された回路配線を有するＴＦＴを備
えた液晶表示装置である。
【０１１４】
図１８は本実施形態に係る液晶表示装置について、各構成要素とともに示す対向基板側
から見た平面図であり、図１９は図１８のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。図２０は液晶
表示装置の画像表示領域においてマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子
、配線等の等価回路図で、図２１は、液晶表示装置の部分拡大断面図である。なお、以下
の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとする
ため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【０１１５】
図１８及び図１９において、本実施の形態の液晶表示装置（電気光学装置）１００は、
対をなすＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが光硬化性の封止材であるシール材５２
によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域内に液晶５０が封入、
保持されている。シール材５２は、基板面内の領域において閉ざされた枠状に形成されて
いる。
【０１１６】
シール材５２の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる周辺見切り５３が形成
されている。シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路２０１及び実装端子２０
２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿
って走査線駆動回路２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺には、画
像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路２０４の間を接続するための複数の配線２
０５が設けられている。また、対向基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては
、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材２
０６が配設されている。
【０１１７】
なお、データ線駆動回路２０１及び走査線駆動回路２０４をＴＦＴアレイ基板１０の上
に形成する代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（Tape Automated Bondi
ng）基板とＴＦＴアレイ基板１０の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して
電気的及び機械的に接続するようにしてもよい。なお、液晶表示装置１００においては、
使用する液晶５０の種類、すなわち、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＳＴＮ（Super T
wisted Nematic）モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラック
モードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置される（図示省略）。また
、液晶表示装置１００をカラー表示用として構成する場合には、対向基板２０において、
ＴＦＴアレイ基板１０の後述する各画素電極に対向する領域に、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ
）、青（Ｂ）のカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。
【０１１８】
このような構造を有する液晶表示装置１００の画像表示領域においては、図２０に示す
ように、複数の画素１００ａがマトリクス状に構成されているとともに、これらの画素１
００ａの各々には、画素スイッチング用のＴＦＴ（スイッチング素子）３０が形成されて
おり、画素信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎを供給するデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電
気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画素信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎは、この
順に順次供給してもよく、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供
給するようにしてもよい。また、ＴＦＴ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され
ており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍを
この順に線順次で印加するように構成されている。
【０１１９】
画素電極１９はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子で
あるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線６ａから供給される
画素信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして
画素電極１９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎは
、図１９に示す対向基板２０の対向電極１２１との間で一定期間保持される。なお、保持
された画素信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎがリークするのを防ぐために、画素電極１９と対向
電極１２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量６０が付加されている。例えば
、画素電極１９の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容
量６０により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高
い液晶表示装置１００を実現することができる。
【０１２０】
この液晶表示装置１００のゲート配線とゲート電極とソース配線とソース電極とドレイ
ン電極などが本発明の膜パターンの形成方法により形成されている。バンクＢの凹部３４
に残渣が残ることがないため、回路配線膜３３が品質よく形成されている。従って、回路
配線膜３３に相当するゲート配線とゲート電極とソース配線とソース電極とドレイン電極
が品質良く形成されている。
【０１２１】
図２１はボトムゲート型ＴＦＴ３０を有する液晶表示装置１００の部分拡大断面図であ
って、ＴＦＴアレイ基板１０を構成するガラス基板Ｐには、前記実施形態の回路配線の形
成方法によりゲート配線６１がガラス基板Ｐ上のバンクＢ、Ｂ間に形成されている。
【０１２２】
ゲート配線６１上には、ＳｉＮｘからなるゲート絶縁膜６２を介してアモルファスシリ
コン（ａ−Ｓｉ）層からなる半導体層である活性層６３が積層されている。このゲート配
線部分に対向する活性層６３の部分がチャネル領域とされている。活性層６３上には、オ
ーミック接合を得るための例えばｎ＋型ａ−Ｓｉ層からなる接合層６４ａ及び６４ｂが積
層されており、チャネル領域の中央部における活性層６３上には、チャネルを保護するた
めのＳｉＮｘからなる絶縁性のエッチストップ膜６５が形成されている。なお、これらゲ
ート絶縁膜６２、活性層６３、及びエッチストップ膜６５は、蒸着（ＣＶＤ）後にレジス
ト塗布、感光・現像、フォトエッチングを施されることで、図示されるようにパターニン
グされる。
【０１２３】
さらに、接合層６４ａ，６４ｂ及びＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる画素電極１９
も同様に成膜するとともに、フォトエッチングを施されることで、図示するようにパター
ニングされる。そして、画素電極１９、ゲート絶縁膜６２及びエッチストップ膜６５上に
それぞれバンク６６を突設し、これらバンク６６間に前述した液滴吐出装置ＩＪを用いて
銀化合物の液滴を吐出することで、ソース線、ドレイン線を形成することができる。
【０１２４】
前記実施形態では、本発明におけるデバイスの一実施形態であるＴＦＴ３０を、液晶表
示装置１００の駆動のためのスイッチング素子として用いる構成としたが、液晶表示装置
以外にも、例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示デバイスに適用することが
できる。有機ＥＬ表示デバイスは、蛍光性の無機および有機化合物を含む薄膜を、陰極と
陽極とで挟んだ構成を有し、前記薄膜に電子および正孔（ホール）を注入して再結合させ
ることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出
（蛍光・燐光）を利用して発光させる素子である。そして、前記のＴＦＴ３０を有する基
板上に、有機ＥＬ表示素子に用いられる蛍光性材料のうち、赤、緑および青色の各発光色
を呈する材料すなわち発光層形成材料及び正孔注入／電子輸送層を形成する材料をインク
とし、各々をパターニングすることで、自発光フルカラーＥＬデバイスを製造することが
できる。本発明における電気光学装置の範囲には、このような有機ＥＬデバイスも含まれ
る。
【０１２５】
なお、本発明に係る電気光学装置としては、前記の他に、ＰＤＰ（プラズマディスプレ
イパネル）や、基板上に形成された小面積の薄膜に膜面に平行に電流を流すことにより、
電子放出が生ずる現象を利用する表面伝導型電子放出素子等にも適用可能である。
このような電気光学装置にあっては、特性が良好であり生産性も良好な半導体装置を備
えているので、これら電気光学装置自体も特性や生産性が良好なものとなる。
【０１２６】
半導体装置を形成する以外の他の実施形態として、非接触型カード媒体の実施形態につ
いて説明する。図２２に示すように、本実施形態に係る非接触型カード媒体（電子機器）
４００は、カード基体４０２とカードカバー４１８から成る筐体内に、半導体集積回路チ
ップ４０８とアンテナ回路４１２を内蔵し、図示されない外部の送受信機と電磁波または
静電容量結合の少なくとも一方により電力供給あるいはデータ授受の少なくとも一方を行
うようになっている。前記アンテナ回路４１２が、前記実施形態に係る配線パターン形成
方法によって形成されている。
【０１２７】
図２３（ａ）は電子機器の一例である携帯電話の一例を示した斜視図である。図２３（
ａ）において、６００は携帯電話本体を示し、６０１は前記実施形態の液晶表示装置１０
０を備えた液晶表示部を示している。
図２３（ｂ）はワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図で
ある。図２３（ｂ）において、７００は情報処理装置、７０１はキーボードなどの入力部
、７０３は情報処理本体、７０２は前記実施形態の液晶表示装置１００を備えた液晶表示
部を示している。
図２３（ｃ）は腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図２３（ｃ）において
、８００は時計本体を示し、８０１は前記実施形態の液晶表示装置１００を備えた液晶表
示部を示している。
【０１２８】
図２３（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、前述した、特性が良好であり生産性も良好な
液晶表示装置１００（電気光学装置）を備えているので、この電子機器自体も特性や生産
性が良好なものとなる。なお、本実施形態の電子機器は液晶装置を備えるものとしたが、
有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備
えた電子機器とすることもできる。
【０１２９】
また、前記実施形態では、バンクＢの間に形成された凹部に導電性膜を形成して配線パ
ターンを形成したが、形成できる膜は導電性薄膜から成る配線パターンに限らず、例えば
液晶表示装置において表示画像をカラー化するために用いられているカラーフィルタにも
適用可能である。このカラーフィルタは、基板に対してＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の
機能液（液体材料）を液滴として所定パターンで配置することで形成することができる。
前記した実施形態と同様に、基板の上にカラーフィルタの形状に応じたバンクを形成し、
このバンクによって形成された溝部に機能液を配置してカラーフィルタを形成することで
、カラーフィルタを有する液晶表示装置を製造することができる。
さらに、本発明の膜パターンの形成方法を適用して、前記実施形態に記載した絶縁膜２
９や画素電極１９を形成することもできる。
【図面の簡単な説明】
【０１３０】
【図１】第１の実施形態に係る液滴吐出装置の概略構成を示す斜視図。
【図２】ピエゾ方式による液体材料の吐出原理を説明する模式断面図。
【図３】ＴＦＴアレイ基板の要部の概略構成を示した平面図。
【図４】（ａ）（ｂ）はＴＦＴの要部を示す側断面図。
【図５】（ａ）〜（ｄ）はバンク形成方法を説明するための模式図。
【図６】プラズマ処理装置の概略構成図。
【図７】（ａ）〜（ｅ）は配線パターン形成方法を説明するための模式図。
【図８】（ａ）〜（ｄ）は配線パターン形成方法を説明するための模式図。
【図９】第２の実施形態の配線パターン形成方法を説明するための模式図。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）は第３の実施形態を説明するための模式図。
【図１１】（ａ）〜（ｃ）は第３の実施形態を説明するための模式図。
【図１２】第４の実施形態に係る配線パターンの形成方法を示すフローチャート。
【図１３】第５の実施形態に係るＴＦＴの要部を示す模式断面図。
【図１４】ＴＦＴの製造工程を示すフローチャート。
【図１５】（ａ）〜（ｃ）はＴＦＴの製造方法を説明するための模式図。
【図１６】（ａ）〜（ｃ）はＴＦＴの製造方法を説明するための模式図。
【図１７】（ａ）〜（ｃ）はＴＦＴの製造方法を説明するための模式図。
【図１８】他の実施形態の液晶表示装置の対向基板側から見た平面図。
【図１９】図１８のＨ−Ｈ’線に沿う断面図。
【図２０】液晶表示装置の等価回路図。
【図２１】液晶表示装置の部分拡大断面図。
【図２２】非接触型カード媒体の分解斜視図。
【図２３】電子機器の具体例を示す外観図。
【符号の説明】
【０１３１】
１…液滴吐出ヘッド、１０…ＴＦＴアレイ基板、１１…ゲート電極、１２…ゲート配線
、１４…ドレイン電極、１６…ソース配線、１７…ソース電極、１９…画素電極、２８，
２９…絶縁膜、３０…ＴＦＴ、３１…バンク膜、３３…回路配線膜、３４…凹部、３７…
撥液処理層、６３…活性層、６４，６４ａ，６４ｂ…接合層、６７…バンク、７１…バン
ク膜、７３…回路配線膜、７４…凹部、７７…撥液処理層、１００…液晶表示装置、１４
０…トランジスタとしてのＴＦＴ、１４９…ソース電極、１５０…ドレイン電極、６００
…携帯電話、７００…情報処理装置、８００…時計、Ｂ，Ｂ１，Ｂ２…バンク、ＩＪ…液
滴吐出装置、Ｍ…マスク、Ｐ…基板。
【図１】
2006344922.tif 000003
【図２】
2006344922.tif 000004
【図３】
2006344922.tif 000005
【図４】
2006344922.tif 000006
【図５】
2006344922.tif 000007
【図６】
2006344922.tif 000008
【図７】
2006344922.tif 000009
【図８】
2006344922.tif 000010
【図９】
2006344922.tif 000011
【図１０】
2006344922.tif 000012
【図１１】
2006344922.tif 000013
【図１２】
2006344922.tif 000014
【図１３】
2006344922.tif 000015
【図１４】
2006344922.tif 000016
【図１５】
2006344922.tif 000017
【図１６】
2006344922.tif 000018
【図１７】
2006344922.tif 000019
【図１８】
2006344922.tif 000020
【図１９】
2006344922.tif 000021
【図２０】
2006344922.tif 000022
【図２１】
2006344922.tif 000023
【図２２】
2006344922.tif 000024
【図２３】
2006344922.tif 000025