(57)【要約】      （修正有）【課題】高発光効率・高安定性・低コストである発光材料を用いた発光素子を提供する。【解決手段】下記一般式（１）で示される部分構造を有する単核の銅配位化合物を発光材料として用いる。2006286749.tif 000034［ＰＲ1Ｒ2ＡＰＲ1’Ｒ2’は２座のホスフィン配位子である。  Ｒ1、Ｒ2、Ｒ1’、Ｒ2’は、水素、アルキル基、アルコキシ基、芳香環基、アリールオキシ基、および複素環基である。Ｌ1およびＬ2は炭素、窒素、酸素、リン、硫黄、ハロゲンから選ばれる元素を配位原子とする配位子である。］【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で示される部分構造を有する単核の銅配位化合物を発光材料として用いること特徴とする発光素子。
【化１】
2006286749.tif 000032
［Ｃｕは銅イオンであり、ＰＲ1Ｒ2ＡＰＲ1’Ｒ2’は２座のホスフィン配位子である。
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ1’、Ｒ2’は、水素原子、水素原子がハロゲンに置換されても良い炭素数１０以下の分岐、環状または直鎖状のアルキル基、置換基を有しても良いアルコキシ基、置換基を有しても良い芳香環基、置換基を有しても良いアリールオキシ基、および置換基を有しても良い複素環基であり、それぞれ同じでも異なっていても良く、Ｒ1とＲ2、Ｒ1’とＲ2’は、互いに結合し環を形成してもよい。
Ｌ1およびＬ2は炭素、窒素、酸素、リン、硫黄、ハロゲンから選ばれる元素を配位原子とする配位子であり、それぞれ同じでも異なっていても良い。］
【請求項２】
前記部分構造が、下記一般式（２）で示されること特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【化２】
2006286749.tif 000033
［Ｘ1ＢＸ2は２座配位子であり、Ｘ1およびＸ2は、炭素、窒素、酸素、リン、硫黄から選ばれる原子であり、それぞれ同じでも異なっていても良い。］
【請求項３】
発光層が前記銅配位化合物１００％の部分を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機化合物を用いた発光素子に関するものであり、さらに詳しくは、金属配位化合物を発光材料として用いた発光素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子は、高速応答性や高効率の発光素子として、応用研究が精力的に行われている（非特許文献１）。
【０００３】
銅配位化合物は、原料が安価なため、比較的安価に製造することが可能であり、銅配位化合物の性能を十分に引き出せば低コスト高性能な有機ＥＬ素子が可能になる。
【０００４】
特許文献１、非特許文献２には、銅配位化合物を用いた有機ＥＬ素子が開示されている。しかしながら、これらのＥＬ素子は、発光効率が著しく低く、素子の効率の記載が不十分であり、銅配位化合物の特性が十分引き出せているとは考えにくく、ディスプレイや照明などに用いるには十分な性能のものではない。また、非特許文献２に用いられている銅配位化合物の発光材料の分子量が１６００以上であり、分子量が大きすぎて昇華性が悪く、素子作成に真空蒸着を用いようとした場合には、不向きである。
【０００５】
また、非特許文献３〜５には、本発明の一部の化合物と同じ構造を有する銅配位化合物が開示されているが、発光に関しては記載が全くない。
【０００６】
非特許文献６には、３核の銅配位化合物に関する記載があり、それは発光性を有し、有機ＬＥＤへの応用が示唆されている。しかし、複核の配位化合物は不安定性の要因となる金属中心、金属間結合および金属−配位子結合を多く有することから、配位化合物自体の安定性に問題があることがある。また、この３核銅配位化合物は、蒸着は可能であるが、素子の発光特性（効率）や安定性は悪い。
【０００７】
【特許文献１】特許第２９４０５１４号公報
【非特許文献１】Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｙｍｐ．１２５，１〜４８（１９９７）
【非特許文献２】Ａｄｖａｎｃｅｄ  ｍａｔｅｒｉａｌｓ  １９９９  １１  Ｎｏ１０  ｐ８５２  Ｙ．Ｍａ  ｅｔ  ａｌ．
【非特許文献３】Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ  Ｄａｌｔｏｎ  Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎ  １９９１  ｐ２８５９
【非特許文献４】Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ  Ｄａｌｔｏｎ  Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎ  １９８３  ｐ１４１９
【非特許文献５】Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ  Ｄａｌｔｏｎ  Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎ  ２００１  ｐ３０６９
【非特許文献６】Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ，  ２００３  １２５（４０）  ｐ１２０７２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、高発光効率・高安定性・低コストである発光材料を用いた発光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
すなわち、本発明の発光素子は、下記一般式（１）で示される部分構造を有する単核の銅配位化合物を発光材料として用いること特徴とする。
【００１０】
【化１】
2006286749.tif 000002
【００１１】
［Ｃｕは銅イオンであり、ＰＲ1Ｒ2ＡＰＲ1’Ｒ2’は２座のホスフィン配位子である。
【００１２】
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ1’、Ｒ2’は、水素原子、水素原子がハロゲンに置換されても良い炭素数１０以下の分岐、環状または直鎖状のアルキル基、置換基を有しても良いアルコキシ基、置換基を有しても良い芳香環基、置換基を有しても良いアリールオキシ基、および置換基を有しても良い複素環基であり、それぞれ同じでも異なっていても良く、Ｒ1とＲ2、Ｒ1’とＲ2’は、互いに結合し環を形成してもよい。
【００１３】
Ｌ1およびＬ2は炭素、窒素、酸素、リン、硫黄、ハロゲンから選ばれる元素を配位原子とする配位子であり、それぞれ同じでも異なっていても良い。］
【発明の効果】
【００１４】
本発明で用いる銅配位化合物は、高い発光効率を有するのみならず、真空蒸着プロセスや溶液にして塗布するスピンコートプロセスや、インクジェットノズルを用いた塗布方式にも適するし、素子作成工程における分解などのダメージがなく安定した素子作成が可能になる。そのため、本発明の発光素子は、高発光効率・高安定性を示すと共に、低コストで製造可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明について詳細に説明する。
【００１６】
まず、本発明の発光材料である銅配位化合物の特徴から説明する。
【００１７】
本発明に用いる銅配位化合物は、上記一般式（１）で示される部分構造、好ましくは下記一般式（２）で示される部分構造を有する単核の銅配位化合物である。
【００１８】
【化２】
2006286749.tif 000003
【００１９】
［Ｘ1ＢＸ2は２座配位子であり、Ｘ1およびＸ2は、炭素、窒素、酸素、リン、硫黄から選ばれる原子であり、それぞれ同じでも異なっていても良い。］
【００２０】
一般的に金属配位化合物の安定性において、中心金属もしくは金属−配位子間の結合に対する、例えば酸素や水といった外的な小分子の攻撃によって結合解裂が起こり分解するというプロセスが重要な要因の一つとなる。本発明の銅配位化合物は、４配位の銅配位化合物であり、中心金属周りを囲むように配位子が配置されるため、中心金属を立体的に保護することができ、配位化合物を安定化できる。さらには２つの２座配位子が銅原子に結合した単核の銅配位化合物であれば最適である。本発明の銅配位化合物は、熱的に安定で、高い発光効率を示し発光材料に適している。特に固体粉末状態において他の化合物と比べ強い発光を示すことが特徴である。
【００２１】
一般には希薄溶液で強く発光する化合物でも固体粉末状態においては、発光が極端に弱くなる物が多い。これらは、発光材料分子間の相互作用によって、基底状態において会合体を形成する、あるいは、励起会合体を形成し、本来の発光特性が得られなくなる現象であり、これは「濃度消光」現象として知られている。本発明における銅配位化合物は、濃度消光に強い発光材料といえる。従って、発光素子中の発光層を考えるとき、一般には、ホスト材料中に発光材料を少量ゲスト材料として加えることで濃度消光を回避するのであるが、本発明の銅配位化合物は、この濃度消光の制約がないため、濃度を濃くする、あるいは、１００％の発光層を形成することができ、高い発光効率を有し、かつ、生産性のよい発光素子を製造することができる。また発光特性の濃度依存性が小さいため、生産ばらつきなどが抑えられ、この観点からも生産性の高い発光素子を作成することが可能である。
【００２２】
銅配位化合物の中心金属の銅イオンはプラス１価を用いることが好ましい。銅原子の電子配置から考えると、プラス１価の銅は、ｄ電子が１０個含まれる。一般に、遷移金属で偶数個のｄ電子の場合には、良好な発光特性を示す場合が多い。
【００２３】
真空蒸着法は、安定で膜質の良い薄膜を作成できるため、有機ＬＥＤ素子の作成方法として一般によく用いられる。我々の実験から、分子量が大きくなると、昇華性が落ち、この蒸着法を用いることができない。我々の実験では、真空蒸着を可能にするためには、化合物の分子量は、好ましくは１５００以下、さらに好ましいのは１２００以下が必要である。特に単核の配位化合物は複核の配位化合物と比較して分子量を小さく抑えることができるため、真空蒸着法を用いる場合は一般的に非常に有利である。
【００２４】
本発明の銅配位化合物に用いる配位子に関して説明する。
【００２５】
本発明に用いることのできる配位子の化学構造式を以下にあげる。この構造式のまま用いることもできるし、これらにさらに置換基を付与して用いても良い。例えば、下記構造式は、縮合環基、ハロゲン原子、直鎖状、分岐状または環状のアルキル基（アルキル基のＣＨ2基は、−Ｏ−または−ＮＲ−（Ｒはアルキル基または、置換されても良い芳香環基）に置換されても良く、また、Ｈ原子は芳香環基またはハロゲン原子に置換されても良い。）、または、置換基を有しても良い芳香環基を有しても良い。
【００２６】
【化３】
2006286749.tif 000004
【００２７】
【化４】
2006286749.tif 000005
【００２８】
【化５】
2006286749.tif 000006
【００２９】
【化６】
2006286749.tif 000007
【００３０】
【化７】
2006286749.tif 000008
【００３１】
【化８】
2006286749.tif 000009
【００３２】
【化９】
2006286749.tif 000010
【００３３】
【化１０】
2006286749.tif 000011
【００３４】
化３〜化８に示した配位子は０価のホスフィン２座配位子である。
【００３５】
化９で示した配位子は、構造式中に示した「ＣＨ」、「ＣＨ2」、「ＮＨ」、「ＳＨ」または「ＯＨ」の水素原子が引き抜かれ、マイナス１価の２座配位子となる。これらの配位子の銅原子に対する配位原子は、炭素原子、窒素原子、硫黄原子、リン原子および酸素原子である。また、Ｇ１２〜Ｇ１９は「ＮＨ」、「ＳＨ」または「ＯＨ」の水素原子を引き抜くこと無く用いることによって、０価の単座配位子ともなる。これらの配位子の銅原子に対する配位原子はリン原子である。
【００３６】
化１０で示した配位子は、Ｈ０１〜Ｈ１２は０価の単座配位子である。これらの配位子の銅原子に対する配位原子はリン原子、炭素原子および窒素原子である。Ｈ１３〜Ｈ１５に示した配位子は「ＳＨ」または「ＯＨ」の水素原子が引き抜かれ、マイナス１価の単座配位子となる。これらの配位子の銅原子に対する配位原子は、硫黄原子および酸素原子である。Ｈ１６〜Ｈ１８はハロゲン原子がそのままマイナス１価の単座配位子として働く。
【００３７】
以下に、本発明の金属配位化合物の具体例を示す（表中、２座配位子ＰＲ1Ｒ2ＡＰＲ1’Ｒ2’はＡと、Ｘ1ＢＸ2はＢと表記してある）。
【００３８】
表１〜表３には、０価のホスフィン２座配位子を１つ、マイナス１価の２座配位子を１つ有し、全体の電価が０価である銅配位化合物を示す。
【００３９】
表４〜表１０には、０価のホスフィン２座配位子を１つ、０価の単座配位子を１つ、マイナス１価の単座配位子を１つ有し、全体の電価が０価である銅配位化合物を示す。
【００４０】
表１１、表１２には、０価のホスフィン２座配位子を２つ有し、全体の電価がプラス１価である銅配位化合物を示す。これらイオン性の銅配位化合物の場合、カウンターアニオンとして、ＰＦ6-、ＣｌＯ4-、ＢＦ4-、ハロゲンイオンなどを用いることができる。
【００４１】
【表１】
2006286749.tif 000012
【００４２】
【表２】
2006286749.tif 000013
【００４３】
【表３】
2006286749.tif 000014
【００４４】
【表４】
2006286749.tif 000015
【００４５】
【表５】
2006286749.tif 000016
【００４６】
【表６】
2006286749.tif 000017
【００４７】
【表７】
2006286749.tif 000018
【００４８】
【表８】
2006286749.tif 000019
【００４９】
【表９】
2006286749.tif 000020
【００５０】
【表１０】
2006286749.tif 000021
【００５１】
【表１１】
2006286749.tif 000022
【００５２】
【表１２】
2006286749.tif 000023
【００５３】
上記具体例のうち、好ましい銅配位化合物の構造式を以下に示す。
【００５４】
【化１１】
2006286749.tif 000024
【００５５】
【化１２】
2006286749.tif 000025
【００５６】
本発明者の検討により、例示化合物１０６７はＸ線結晶構造解析により擬似的なテトラヘドラル構造を有する［Ｃｕ（ＰＰｈ2Ｃ6Ｈ4ＰＰｈ2）ＰＰｈ2（Ｃ6Ｈ4Ｏ）］であることが確認された。また例示化合物２０７３もＸ線結晶構造解析により擬似的なテトラヘドラル構造を有する［Ｃｕ（ＰＰｈ2Ｃ6Ｈ4ＰＰｈ2）ＰＰｈ2（Ｃ6Ｈ4ＯＨ）Ｃｌ］であることが確認された。
【００５７】
また配位子は単座で銅原子に配位するものと２座で銅に配位するものが示してあるが、単座配位子に比べ、２座配位子が銅に配位している単核の４配位の銅配位化合物の方がキレート効果（２座、３座配位子といった多座配位子が金属に配位する時、キレート環が形成される結果、錯体の安定度が増大する効果）の影響で安定性が向上する。さらに表１〜表３、表１１、表１２に示したような、２座の配位子が二つ配位した単核の４配位の銅配位化合物はさらにその安定性が増すためさらに好ましい。
【００５８】
本発明の発光材料は、固体中で良く発光するため、発光層中で、高濃度で用いることができる。しかしながら、配位化合物を同じ配位子で構成する場合、その配位化合物は比較的結晶化しやすく、発光素子として用いる場合、劣化しやすいなど問題が起こる可能性がある。そのため、分子の対称性を落として結晶化を抑制することができる。表１〜表１０、表１２に示した単核の４配位の銅配位化合物は構造の異なる複数の配位子を有するため、分子構造の対称性が低い。このような分子構造を有するものは、アモルファス性が高く、結晶性が低いため有機ＬＥＤ素子の発光材料には、より望ましい。
【００５９】
本発明の銅配位化合物の発光メカニズムについては幾つかの可能性が考えられる。
（１）ＬＭＣＴ（ｌｉｇａｎｄ−ｔｏ−ｍｅｔａｌ−ｃｈａｒｇｅ−ｔｒａｎｓｆｅｒ）励起状態
（２）ＭＬＣＴ（ｍｅｔａｌ−ｔｏ−ｌｉｇａｎｄ−ｃｈａｒｇｅ−ｔｒａｎｓｆｅｒ）励起状態
（３）金属中心励起状態
（４）配位子中心（ππ*）励起状態
【００６０】
以下に示す発光に関する記述に関しては、我々の発光メカニズムに関する一つのモデルである。本発明の銅配位化合物の発光性最低励起状態は、特にホスフィン配位子に代表されるような強い電子ドナー配位子のみを有する場合、ＬＭＣＴ（配位子から金属への電荷移動）により生じる３重項状態であることが予想される。もしくは金属中心励起状態も考えられる。
【００６１】
ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン環などＮ原子を介して直接銅原子に配位しているものの場合、励起状態になるとき、基底状態から、電子が上位の軌道に遷移するが、上記複素環は、電子欠乏性のため、電子を受け入れやすい。そのため、銅原子から励起遷移時に複素環が電子を受け入れる場合が多い。これら、複素環を有する配位子が励起遷移時に銅原子から電子を受け入れる。励起遷移時に、金属から配位子に電子が電荷移動する場合に、その励起状態をＭＬＣＴ励起状態と呼ぶ。配位子中心（ππ*）励起状態も考えられる。
【００６２】
本発明の配位化合物の中には電子欠乏性の複素環であるピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン環などがＮ原子を介して直接銅原子に配位しているものもあるが、この場合上記の幾つかの発光性最低励起状態（（１）〜（４））の可能性を考えなくてはならない。
【００６３】
本発明の銅配位化合物の発光寿命は、固体状態で０．１μｓ〜１００μｓであり、３重項励起状態を経由した発光であり、遅延蛍光または燐光である。
【００６４】
高発光効率のためには、基底状態と励起状態の構造変化を抑制するような配位子構造にすることが重要である。本発明の銅配位化合物は、溶液に比べ固体中では上記構造変化が抑制されるため、強い発光が得られると考えられる。これが銅配位化合物が、固体でよく発光する一つの理由である。
【００６５】
これまで、用いられてきたアルミキノリノール誘導体、クマリン誘導体、キナクリドン誘導体などは、溶液中で非常に強い発光が得られ、その強発光特性がそのまま固体分散中でも保持される。この特性が有機ＥＬ素子においても有効に働き、素子の高発光効率が得られた。しかしながら本発明の銅配位化合物では溶液中の発光に比べて固体中の発光は非常に強い。本発明者らはこの特性に着眼し有機ＥＬ素子の高効率で安定発光に有用であることを見出した。
【００６６】
本発明の銅配位化合物は有機ＥＬ素子の発光材料に有用である。高い発光効率を有することは言うまでもなく、真空蒸着プロセスや溶液にして塗布するスピンコートプロセスや、インクジェットノズルを用いた塗布方式にも適する。
【００６７】
次に、本発明の発光素子について説明する。本発明の発光素子は、上記発光材料が発光層に含まれることが好ましい。
【００６８】
本発明の有機ＥＬ素子の基本的な構成を図１（ａ）〜（ｄ）に示した。
【００６９】
図１に示したように、一般に有機ＥＬ素子は、透明基板１５上に透明電極１４と金属電極１１とに挟持された単層または複数層の有機膜層から構成される。
【００７０】
図１（ａ）は、最も単純な構成で、有機層が発光層１２のみからなるものである。
【００７１】
図１（ｂ）と（ｃ）は、有機層が２層からなり、それぞれ発光層１２とホール輸送層１３と、発光層１２と電子輸送層１６からなる。
【００７２】
図１（ｄ）は、有機層が３層からなりホール輸送層１３、発光層１２および電子輸送層１６からなるものである。
【００７３】
発光層１２には、電子輸送性と発光特性を有するアルミキノリノール錯体など（代表例は、以下に示すＡｌｑ）が用いられる。
【００７４】
発光層１２には、キャリア輸送材料中に本発明の発光性銅配位化合物を混入するゲストホストタイプや、その発光性銅配位化合物のみを１００％で用いる方法や、その発光性銅配位化合物が主成分で、少量の添加剤（キャリア輸送材料や結晶化防止材料など）を加えることもできる。さらに、ゲストホストタイプの中でも、ゲストに電子輸送性とホール輸送性の２つのキャリア輸送材料を用い、その中に発光性銅配位化合物を添加することもできる。従って、本発明の発光層は、性能の向上や生産性を考慮して、１成分または２成分以上の材料から構成することができる。
【００７５】
ホール輸送層１３には、例えばトリフェニルアミン誘導体（代表例は、以下に示すαＮＰＤ）が主に用いられる。また高分子の場合、ＰＶＫが用いられる。ＰＶＫは、主にホール輸送性であり、ＰＶＫ自体が青色のＥＬ発光を示す。
【００７６】
電子輸送層１６としては、例えば、オキサジアゾール誘導体など、または、以下に示すＡｌｑ、ＢｐｈｅｎやＢＣＰを用いることができる。
【００７７】
【化１３】
2006286749.tif 000026
【実施例】
【００７８】
＜製造例１（例示化合物１０６７の製造）＞
窒素雰囲気下、５０ｍｌフラスコにＣｕＣｌ（１００ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ）とトルエン（１０ｍｌ）を加えた。この溶液に１，２−ジフェニルホスフィノベンゼン（４５０ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ）を加えて２時間攪拌しながら加熱還流した。溶液は徐々に黄色懸濁液となった。生成した黄色懸濁液をろ過後、得られた黄色固体をトルエンおよびへキサンの順で洗浄し、減圧下乾燥させた。この黄色固体を少量の塩化メチレンに溶かし、その溶液の上に静かにヘキサンを乗せ，再結晶することにより、以下に示す化合物（Ａ）［Ｃｕ（ＰＰｈ2Ｃ6Ｈ4ＰＰｈ2）Ｃｌ］2を収率７５％（４１３ｍｇ）で得た。
【００７９】
【化１４】
2006286749.tif 000027
【００８０】
窒素雰囲気下５０ｍｌフラスコに化合物（Ａ）（１１０ｍｇ，０．２ｍｍｏｌ）とトルエン（１０ｍｌ）を加えた。この溶液にＰＰｈ2（Ｃ6Ｈ4ＯＨ）（５６ｍｇ，０．２ｍｍｏｌ）を加えて室温で１時間攪拌した。溶液は徐々に均一の透明溶液となった。溶媒を留去後、得られた白色固体を少量のへキサンで洗浄し、減圧下乾燥させることにより例示化合物２０７３［Ｃｕ（ＰＰｈ2Ｃ6Ｈ4ＰＰｈ2）ＣｌＰＰｈ2（Ｃ6Ｈ4ＯＨ）］を収率６９％（１１０ｍｇ）で得た。
【００８１】
窒素雰囲気下５０ｍｌフラスコに例示化合物２０７３（１１０ｍｇ，０．２ｍｍｏｌ）とテトラヒドロフラン（１０ｍｌ）を加えた。この溶液を−４０℃に冷却した後、ノルマルブチルリチウム−ヘキサン溶液（１．６Ｍ）をゆっくり加え、徐々に室温まで昇温し、１時間攪拌した。得られた溶液の溶媒を留去することで得られた淡黄色固体を少量の塩化メチレンに溶かし、その溶液の上に静かにヘキサンを乗せ，再結晶することにより例示化合物１０６７［Ｃｕ（ＰＰｈ2Ｃ6Ｈ4ＰＰｈ2）ＰＰｈ2（Ｃ6Ｈ4Ｏ）］を収率５５％（５３ｍｇ）で得た。
【００８２】
＜製造例２（例示化合物２５２０の製造）＞
窒素雰囲気下、５０ｍｌフラスコにＣｕＩ（１９０ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ）とトルエン（１０ｍｌ）を加えた。この溶液に１，２−ジフェニルホスフィノベンゼン（４５０ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ）を加えて２時間攪拌しながら加熱還流した。溶液は徐々に黄色懸濁液となった。生成した黄色懸濁液をろ過後、得られた黄色固体をトルエンおよびへキサンの順で洗浄し、減圧下乾燥させた。この黄色固体を少量の塩化メチレンに溶かし、その溶液の上に静かにヘキサンを乗せ，再結晶することにより、以下に示す化合物（Ｂ）［Ｃｕ（ＰＰｈ2Ｃ6Ｈ4ＰＰｈ2）Ｉ］2を収率７１％（４５４ｍｇ）で得た。
【００８３】
【化１５】
2006286749.tif 000028
【００８４】
窒素雰囲気下５０ｍｌフラスコに化合物（Ｂ）（１３０ｍｇ，０．２ｍｍｏｌ）とトルエン（１０ｍｌ）を加えた。この溶液にＰＰｈ3（５３ｍｇ，０．２ｍｍｏｌ）を加えて室温で１時間攪拌した。溶液は徐々に均一の透明溶液となった。溶媒を留去後、得られた白色固体を少量のへキサンで洗浄し、減圧下乾燥させることにより例示化合物２５２０［Ｃｕ（ＰＰｈ2Ｃ6Ｈ4ＰＰｈ2）ＩＰＰｈ3］を収率９０％（１６５ｍｇ）で得た。
【００８５】
＜製造例３（例示化合物３００４の製造）＞
窒素雰囲気下、５０ｍｌフラスコに［Ｃｕ（ＣＨ3ＣＮ）4］ＰＦ6（１８５ｍｇ，０．５ｍｍｏｌ）とアセトニトリル（１０ｍｌ）を加えた。この溶液に１，２−ジフェニルホスフィノベンゼン（４５０ｍｇ，１．０ｍｍｏｌ）を加え、室温で２時間攪拌した。得られた反応溶液から溶媒を留去することで得られた固体をクロロホルム／ヘキサンから再結晶することで、例示化合物３００４のＰＦ6塩体である［Ｃｕ（ＰＰｈ2Ｃ6Ｈ4ＰＰｈ2）2］（ＰＦ6）を収率８０％（４３２ｍｇ）で得た。
【００８６】
＜化合物の発光特性＞
製造例１〜３で製造した化合物の粉末状態での発光特性の測定を、日立Ｆ４５００蛍光光度計を用いて行った。結果を表１３に示す。また、各々の発光スペクトルを図２に示す。
【００８７】
【表１３】
2006286749.tif 000029
【００８８】
＜実施例１＞
本実施例では、素子構成として、図１（ｄ）に示す有機層が３層の素子を使用した。
【００８９】
ガラス基板（透明基板１５）上に１００ｎｍのＩＴＯ（透明電極１４）をパターニングして、対向する電極面積が３ｍｍ2になるようにした。そのＩＴＯ基板上に、以下の有機層と電極層を１０-4Ｐａの真空チャンバー内で抵抗加熱による真空蒸着し、連続製膜した。
ホール輸送層１３（４０ｎｍ）：化合物ＦＬ１
発光層１２（４０ｎｍ）：例示化合物１０６７
電子輸送層１６（５０ｎｍ）：ＢＰｈｅｎ
金属電極層１１−１（１ｎｍ）：ＫＦ
金属電極層１１−２（１２０ｎｍ）：Ａｌ
尚、化合物ＦＬ１の構造式を以下に示す。
【００９０】
【化１６】
2006286749.tif 000030
【００９１】
＜実施例２＞
本実施例では、素子構成として、図１（ｄ）に示す有機層が３層の素子を使用した。
【００９２】
実施例１と同様にして作製したＩＴＯ基板上に、ホール輸送層１３として、バイエル社製のＰＥＤＯＴ（有機ＥＬ用）を４０ｎｍの膜厚に１０００ｒｐｍ（２０秒）でスピンコートで塗布し、１２０℃の真空チャンバーで１時間乾燥した。
【００９３】
その上に、以下の溶液を用いて、窒素雰囲気下で２０００ｒｐｍ、２０秒間でスピンコートすることで、５０ｎｍの膜厚の発光層１２を形成し、ホール輸送層１３製膜時と同じ条件で乾燥した。
脱水クロロベンゼン：１０ｇ
ポリビニルカルバゾール（平均分子量９６００）：９２ｍｇ
例示化合物２５２０：８ｍｇ
【００９４】
この基板を真空蒸着チャンバーに装着して、電子輸送層１６として、Ｂｐｈｅｎを４０ｎｍの膜厚に真空蒸着製膜した。
【００９５】
次に、以下のような構成の陰極（金属電極１１）を形成した。
金属電極層１１−１（１５ｎｍ）：ＡｌＬｉ合金（Ｌｉ含有量１．８重量％）
金属電極層１１−２（１００ｎｍ）：Ａｌ
＜素子の特性＞
金属電極１１をマイナス、透明電極１４をプラスにしてＤＣ電圧を印加して素子特性を評価した。
【００９６】
電圧電流特性は、良好な整流性を示した。発光スペクトルと発光強度は、トプコン社製、スペクトル測定機ＳＲ１及びＢＭ７で測定した。電圧印加時の電流値は、ヒューレッドパッカード社製の４１４０Ｂで測定した。発光輝度と電流測定値から、発光効率ｃｄ／Ａを計算した。結果を表１４に示す。
【００９７】
【表１４】
2006286749.tif 000031
【００９８】
実施例１において、ＥＬ発光は、６００ｃｄ／ｃｍ2で発光させた時、良好な発光を示した。
【００９９】
また、実施例２のＥＬ発光スペクトルは、図２に示した例示化合物２５２０の固体状態における発光スペクトルと同様なスペクトルを与え、良好かつ安定した発光を示した。
【図面の簡単な説明】
【０１００】
【図１】本発明の発光素子の一例を示す断面図である。
【図２】実施例で製造した例示化合物の発光スペクトルを示す図である。
【符号の説明】
【０１０１】
１１  金属電極
１２  発光層
１３  ホール輸送層
１４  透明電極
１５  透明基板
１６  電子輸送層
【図１】
2006286749.tif 000035
【図２】
2006286749.tif 000036