(57)【要約】【課題】  マザーボードと精度よく接続することができる半導体装置の提供。【解決手段】  上面に複数の外部接続用電極を有する半導体構成体と、前記半導体構成体の側方に設けられた絶縁基材と、前記半導体構成体の外部接続用電極を除く上面及び前記絶縁基材の上面に設けられた絶縁層と、前記絶縁層上に前記半導体構成体の外部接続用電極に接続されて設けられ、且つ接続パッドを有する少なくとも一層以上の上層再配線層とを備えた半導体装置であって、当該上層再配線層の非貫通孔が、半導体構成体の外部接続用電極の一部をアライメントマークとして上層の絶縁層に形成されたものであることを特徴とする半導体装置。【選択図】  図５
2006237337.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に複数の外部接続用電極を有する半導体構成体と、前記半導体構成体の側方に設けられた絶縁基材と、前記半導体構成体の外部接続用電極を除く上面及び前記絶縁基材の上面に設けられた絶縁層と、前記絶縁層上に前記半導体構成体の外部接続用電極に接続されて設けられ、且つ接続パッドを有する少なくとも一層以上の上層再配線層とを備えた半導体装置であって、当該上層再配線層の非貫通孔が、半導体構成体の外部接続用電極の一部をアライメントマークとして上層の絶縁層に形成されたものであることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
アライメントマークとして用いた外部接続用電極の端面部形状と、アライメントマークとして用いなかった外部接続用電極の端面部形状とが異なっていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
上面に複数の外部接続用電極を有する半導体構成体と、前記半導体構成体の側方に設けられた絶縁基材と、前記半導体構成体の外部接続用電極を除く上面及び前記絶縁基材の上面に設けられた絶縁層及び金属箔と、前記絶縁層と金属箔上に前記半導体構成体の外部接続用電極に接続されて設けられ、且つ接続パッドを有する少なくとも一層以上の上層再配線層とを備えた半導体装置であって、当該上層再配線層の非貫通孔が、絶縁層上の金属箔の外部接続用電極の真上部に対応する部位に予め設けられた開口部の一部をアライメントマークとして上層の絶縁層に形成されたものであることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
アライメントマークとして用いた金属箔の開口部の形状と、アライメントマークとして用いなかった金属箔の開口部の形状とが異なっていることを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
支持体に、各々が半導体基板上に設けられた複数の外部接続用電極を有する複数の半導体構成体を相互に離間させて配置する工程と、前記各半導体構成体に対応する部分に開口部を有する少なくとも１枚の絶縁基材を支持体に配置する工程と、前記絶縁基材を加熱加圧し、積層する工程と、前記半導体構成体及び絶縁基材の上面に上層の再配線のための絶縁層を配置し、積層する工程と、半導体構成体の外部接続用電極の一部をアライメントマークとして、前記絶縁層に非貫通孔を形成する工程と、前記絶縁層に設けられた非貫通孔及び絶縁層の表面に金属めっきを施す工程と、前記絶縁層上に再配線を形成する工程と、前記半導体構成体間を前記絶縁基材部で切断して前記最上層の上層配線接続パッドが前記絶縁基材の上方に配置された半導体装置を複数個得る工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
アライメントマークとしての外部接続用電極をＣＣＤカメラで認識し、前記外部接続用電極の中央部に対応する位置の絶縁層に非貫通孔を形成することを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
支持体に、各々が半導体基板上に設けられた複数の外部接続用電極を有する複数の半導体構成体を相互に離間させて配置する工程と、前記各半導体構成体に対応する部分に開口部を有する少なくとも１枚の絶縁基材を支持体に配置する工程と、前記絶縁基材を加熱加圧し、積層する工程と、前記半導体構成体及び絶縁基材の上面に上層の再配線のための絶縁層及び金属箔を配置し、積層する工程と、前記金属箔の外部接続用電極の真上部に対応する部位に予め開口部を設ける工程と、前記金属箔の開口部の一部をアライメントマークとして、前記絶縁層に非貫通孔を形成する工程と、前記絶縁層に設けられた非貫通孔及び絶縁層の表面に金属めっきを施す工程と、前記絶縁層上に再配線を形成する工程と、前記半導体構成体間を前記絶縁基材部で切断して前記最上層の上層配線接続パッドが前記絶縁基材の上方に配置された半導体装置を複数個得る工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
アライメントマークとしての金属箔の開口部をＣＣＤカメラで認識し、前記外部接続用電極の中央部に対応する位置の絶縁層に非貫通孔を形成することを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエハーレベルＣＳＰ（wafer-level chip size package）を有機基板に内蔵し再配線化した半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、電子機器の軽薄短小化が進み、各種機器にはウエハーレベルＣＳＰ（wafer-level chip size package）と称される半導体装置が搭載使用されている。ウエハーレベルＣＳＰは、複数の外部接続用の接続パッドが形成されたベアーの半導体装置の上面にパッシベーション膜を設け、このパッシベーション膜の各接続パッドに対応する開口部を形成し、該開口部を介して各接続パッドに接続される再配線を形成し、各再配線の他の接続部に柱状の外部接続用電極を形成するとともに、絶縁樹脂で封止後、研磨にて外部接続用電極が露出するまで研磨し、露出した外部接続用電極にはんだを形成して製造されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
通常ウエハーレベルＣＳＰは、ベアチップの半導体装置の上面に外部接続用電極をマトリクス状に配列する。そのため、外部接続用電極数の多い半導体装置では、外部接続用電極サイズ及びピッチが極端に小さくなってしまうためマザーボードとの接続が困難になっていた。しかも、外部接続用電極のピッチが小さくなればマザーボードとの位置合わせが困難であるばかりでなく接合強度が不足し、ボンディング時に電極間の短絡が発生する問題があった。また、シリコンからなる半導体装置とマザーボードでは線膨張係数の差に起因して発生する応力により外部接続用電極が断線してしまう問題が発生していた。
【０００４】
更に、シリコンからなる半導体装置のマトリクス状の配線を狭ピッチにすることは可能であったが、マザーボードと精度よく接続する必要からこれ以上半導体装置を小さくできないという問題も発生していた。
【０００５】
そこで、シリコンからなる半導体装置を小さくして、マトリクス状の狭ピッチ配線を形成し、外部接続用電極を形成し、絶縁樹脂で封止し、個片化した半導体構成体を有機基板に埋め込み再配線することでマザーボードに精度よく実装できる配線ピッチが可能となる半導体装置も提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００６】
しかしながら、上記記載の半導体装置は、半導体構成体上に絶縁シートを介して再配線する際に外部接続用電極をアライメントマークとして使用しているため、外部接続用電極のピッチが狭いと予め設定しているアライメントマークと隣接している外部接続用電極を誤認識してしまう恐れがあった。
【特許文献１】特開２００１−１６８１２８号公報
【特許文献２】特開２００４−２２１４１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記の如き従来の問題に鑑みてなされたもので、マザーボードと精度よく接続することができる半導体装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上面に複数の外部接続用電極を有する半導体構成体と、前記半導体構成体の側方に設けられた絶縁基材と、前記半導体構成体の外部接続用電極を除く上面及び前記絶縁基材の上面に設けられた絶縁層と、前記絶縁層上に前記半導体構成体の外部接続用電極に接続されて設けられ、且つ接続パッドを有する少なくとも一層以上の上層再配線層とを備えた半導体装置であって、当該上層再配線層の非貫通孔が、半導体構成体の外部接続用電極の一部をアライメントマークとして上層の絶縁層に形成されたものであることを特徴とする半導体装置により上記課題を解決したものである。
【０００９】
また、本発明は、上面に複数の外部接続用電極を有する半導体構成体と、前記半導体構成体の側方に設けられた絶縁基材と、前記半導体構成体の外部接続用電極を除く上面及び前記絶縁基材の上面に設けられた絶縁層及び金属箔と、前記絶縁層と金属箔上に前記半導体構成体の外部接続用電極に接続されて設けられ、且つ接続パッドを有する少なくとも一層以上の上層再配線層とを備えた半導体装置であって、当該上層再配線層の非貫通孔が、絶縁層上の金属箔の外部接続用電極の真上部に対応する部位に予め設けられた開口部の一部をアライメントマークとして上層の絶縁層に形成されたものであることを特徴とする半導体装置により上記課題を解決したものである。
【００１０】
また、本発明は、支持体に、各々が半導体基板上に設けられた複数の外部接続用電極を有する複数の半導体構成体を相互に離間させて配置する工程と、前記各半導体構成体に対応する部分に開口部を有する少なくとも１枚の絶縁基材を支持体に配置する工程と、前記絶縁基材を加熱加圧し、積層する工程と、前記半導体構成体及び絶縁基材の上面に上層の再配線のための絶縁層を配置し、積層する工程と、半導体構成体の外部接続用電極の一部をアライメントマークとして、前記絶縁層に非貫通孔を形成する工程と、前記絶縁層に設けられた非貫通孔及び絶縁層の表面に金属めっきを施す工程と、前記絶縁層上に再配線を形成する工程と、前記半導体構成体間を前記絶縁基材部で切断して前記最上層の上層配線接続パッドが前記絶縁基材の上方に配置された半導体装置を複数個得る工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法により上記課題を解決したものである。
【００１１】
また、本発明は、支持体に、各々が半導体基板上に設けられた複数の外部接続用電極を有する複数の半導体構成体を相互に離間させて配置する工程と、前記各半導体構成体に対応する部分に開口部を有する少なくとも１枚の絶縁基材を支持体に配置する工程と、前記絶縁基材を加熱加圧し、積層する工程と、前記半導体構成体及び絶縁基材の上面に上層の再配線のための絶縁層及び金属箔を配置し、積層する工程と、前記金属箔の外部接続用電極の真上部に対応する部位に予め開口部を設ける工程と、前記金属箔の開口部の一部をアライメントマークとして、前記絶縁層に非貫通孔を形成する工程と、前記絶縁層に設けられた非貫通孔及び絶縁層の表面に金属めっきを施す工程と、前記絶縁層上に再配線を形成する工程と、前記半導体構成体間を前記絶縁基材部で切断して前記最上層の上層配線接続パッドが前記絶縁基材の上方に配置された半導体装置を複数個得る工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法により上記課題を解決したものである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、より小さいウエハーレベルＣＳＰを埋め込んだ半導体基板であっても、上層の再配線層を用いてマザーボードと精度よく接続することが可能な半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下本発明の実施の形態を図面と共に説明する。
図１は、本発明半導体装置の概略断面説明図で、まずこの図１を用いて本発明半導体装置について説明する。
【００１４】
１は支持体で、この支持体１の上面には、半導体構成体２が接着層３を介して、搭載されている。搭載された半導体構成体２は、後述する上層の再配線と接続するための柱状の外部接続用電極４を備えている。半導体構成体２の側方には、絶縁基材５が配置されている。絶縁基材５としては、例えば絶縁樹脂シート化したボンディングシート、ガラス繊維にエポキシ樹脂等を含浸させたプリプレグ、液状樹脂などが挙げられる。
【００１５】
半導体構成体２と絶縁基材５の上面には上層の再配線を形成するための第一絶縁層６が配置されている。第一絶縁層６としては、主にビルドアップ材が使用される。ビルドアップ材としては、例えばエポキシ樹脂やＢＴ樹脂の熱硬化性樹脂中に繊維やフィラー等の補強材を含有させたものなどが挙げられる。この場合、繊維としては、ガラス繊維、アラミド繊維が、またフィラーとしては、シリカ、セラミックス系などのフィラーが好適に使用される。
【００１６】
柱状の外部接続用電極４の中央部に対応する位置の第一絶縁層６には、外部接続用電極４をアライメントマークとして非貫通孔７が設けられ、該非貫通孔７及び第一絶縁層６の表面には銅等からなる金属で第一接続パッド８ａを含む第一再配線８が設けられている。因に、上記のように、外部接続用電極４をアライメントマークとして使用することによって精度よく上層の再配線と接続することが可能となる。
【００１７】
上層の第一再配線８を含む第一絶縁層６の上面には上層の再配線を形成するため第二絶縁層９が配置され、該第二絶縁層９の表面には銅等からなる金属で第二接続パッド１０ａを含む第二再配線１０が設けられている。更に第二再配線１０を含む該第二絶縁層９の上面にはソルダーレジスト１１からなる保護層が配置されている。上層の第二再配線１０の第二接続パッド１０ａに対応する部分にソルダーレジスト１１の開口部が設けられ、該開口部には、はんだボールからなる突起電極１２がマトリクス状に配置されている。
【００１８】
はんだボールによる突起電極１２は、半導体構成体２の側方に形成された絶縁基材５の上方にも配置され、マザーボードに接続され易いピッチで形成されている。
【００１９】
次に、本発明半導体装置の第１の製造方法について図２〜図５を用いて説明する。
【００２０】
図２（ａ）：まず、支持体２１に、複数の外部接続用電極２４を有する半導体構成体２２を離間して複数搭載する。ここに支持体２１としては、例えばキャリア付き銅箔やステンレスなどの金属層や銅張積層板に回路形成が施された金属箔などが用いられる。半導体構成体２２はそのシリコン部分に接着剤２３を塗布した後、これを支持体２１と接合する。
図２（ｂ）：次いで、支持体２１に、半導体構成体２２に対応する部分に開口部を有す絶縁基材２５を配置し、加熱加圧して積層する。ここに絶縁基材２５としては、例えばガラス繊維にエポキシ樹脂を含浸させたプリプレグなどのシートが好適に使用される。
【００２１】
図２（ｃ）：次いで、半導体構成体２２及び絶縁基材２５の上面に、上層の第一再配線層を形成するための第一絶縁層２６を配置し、加熱加圧して積層する。ここに、第一絶縁層２６としては、一般にビルドアップ材といわれるエポキシ樹脂やＢＴ樹脂等の熱硬化性樹脂に繊維やフィラー等の補強材を含有させたものが好適に使用される。このとき第一絶縁層２６のみを積層しても構わないが樹脂付き銅箔や絶縁層に銅箔を重ねて積層しても構わない（後述の第２の製造方法参照）。
【００２２】
図３（ｄ）：次いで、半導体構成体２２の外部接続用電極２４の中、アライメントマークとして設定した外部接続用電極ａ（図５と共に後述する）をＣＣＤカメラで認識し、該外部接続用電極ａの中央部に対応する位置の第一絶縁層２６に非貫通孔２７を形成する。ここで、アライメントマークとして使用する外部接続用電極ａは、アライメントマークとして使用しない隣接する他の外部接続用電極ｂと誤認識しないために異なる端面部形状にするのが望ましい。例えば、アライメントマークとして使用しない外部接続用電極ｂの端面部形状が円形であれば、アライメントマークとして使用する外部接続用電極ａの端面は菱形、四角形、台形、三角形などの形状に変える。アライメントマークとして使用しない外部接続用電極ｂとアライメントマークとして使用する外部接続用電極ａの形状を変えることによって誤認識を防止することができ、より精度よく非貫通孔２７を形成することが可能となる。
【００２３】
図３（ｅ）：次いで、非貫通孔２７を含む第一絶縁層２６に無電解・電解金属めっきを析出させた後、写真法にて第一接続パッド２８ａと第一再配線２８の回路形成を行う。
図３（ｆ）：次いで、第一再配線２８を含む第一絶縁層２６の上面に、第二絶縁層２９を積層した後、該第二絶縁層２９に非貫通孔２７を形成する。
図４（ｇ）：次いで、非貫通孔２７を含む第二絶縁層２９に無電解・電解金属めっきを析出させた後、写真法にて第二接続パッド３０ａと第二再配線層３０の回路形成を行う。
図４（ｈ）：次いで、はんだボールによる突起電極形成部以外にソルダーレジスト３１を形成する。
図４（ｉ）：次いで、半導体構成体２２間を絶縁基材２５部でダイシング加工により切断個片化し、複数個の半導体装置３２を得る。
【００２４】
次に、図５を用いて、上記製造例におけるアライメントマークについて説明する。
図５は、図３（ｄ）のＡ−Ａで示す領域の概略平面説明図である。
該図５において、円形状の外部接続用電極ｂと菱形の外部接続用電極ａが混在しているが、当該菱形の外部接続用電極ａが、前述の上層の絶縁層２６に非貫通孔２７を形成する際のアライメントマークとして使用される電極である。
【００２５】
次に、本発明半導体装置の第２の製造方法について図６〜図９を用いて説明する。
【００２６】
図６（ａ）：まず、支持体４１に、複数の外部接続用電極４４を有する半導体構成体４２を離間して複数搭載する。ここに支持体４１としては、前記と同様なものが用いられる。半導体構成体４２はそのシリコン部分に接着剤４３を塗布した後、これを支持体４１と接合する。
図６（ｂ）：次いで、支持体４１に、半導体積層体４２に対応する部分に開口部を有する絶縁基材４５を配置し、加熱加圧して積層する。ここに絶縁基材４５としては、前記と同様なものが用いられる。
【００２７】
図６（ｃ）：次いで、半導体構成体４２及び絶縁基材４５の上面に、上層の再配線層を形成するための第一絶縁層４６及び金属箔４６ａを配置し、加熱加圧して積層する。ここに、第一絶縁層４６としては、前記と同様なものが用いられる。
【００２８】
図７（ｄ）：次いで、金属箔４６ａの外部接続用電極４４の真上部に対応する部位に、予め開口部ｃ、ｄ（図９と共に後述する）を設け、アライメントマークとして設定した開口部ｃを通して半導体構成体４２の外部接続用電極４４をＣＣＤカメラで認識し、外部接続用電極４４の中央部に対応する第一絶縁層４６に非貫通孔４７を形成する。ここで、アライメントマークとして使用する金属箔４６ａの開口部ｃは、アライメントマークとして使用しない隣接する他の開口部ｄと誤認識しないために異なる形状にするのが望ましい。例えば、アライメントマークとして使用しない開口部ｄが円形であれば、アライメントマークとして使用する開口部ｃは菱形、四角形、台形、三角形などの形状に変える。
【００２９】
図７（ｅ）：次いで、金属箔４６ａ及び非貫通孔４７を含む第一絶縁層４６に無電解・電解金属めっきを析出させた後、写真法にて第一接続パッド４８ａと第一再配線４８の回路形成を行う。
図７（ｆ）：次いで、第一配線４８を含む第一絶縁層４６の上面に、第二絶縁層４９を積層した後、該第二絶縁層４９に非貫通孔４７を形成する。
図８（ｇ）：次いで、非貫通孔４７を含む第二絶縁層４９に無電解・電解金属めっきを析出させた後、写真法にて第二接続パッド５０ａと第二再配線５０の回路形成を行う。
図８（ｈ）：次いで、はんだボールによる突起電極形成部以外にソルダーレジスト５１を形成する。
図８（ｉ）：次いで、半導体構成体４２間を絶縁基材４５部でダイシング加工により切断個片化し、複数個の半導体装置５２を得る。
【００３０】
次に、図９を用いて、上記製造例におけるアライメントマークについて説明する。
図９は、図７（ｄ）のＡ−Ａで示す領域の概略平面説明図である。
該図９において、円形状に形成された金属箔ｅの開口部ｄと三角形状に形成された金属箔ｅの開口部ｃが混在しているが、当該三角形状の開口部ｃが、前述の上層の絶縁層４６に非貫通孔４７を形成する際のアライメントマークとして使用される開口部である。アライメントマークとして使用する金属箔ｅの開口部ｃの形状とアライメントマークとして使用しない金属箔ｅの開口部ｄの形状を変えることによって、誤認識を防止することができ、より精度よく非貫通孔を形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明半導体装置の概略断面説明図。
【図２】本発明半導体装置の第１の製造方法を示す概略断面工程説明図。
【図３】図２に引き続く概略断面工程説明図。
【図４】図３に引き続く概略断面工程説明図。
【図５】図３のＡ−Ａで示す領域の概略平面説明図。
【図６】本発明半導体装置の第２の製造方法を示す概略断面工程説明図。
【図７】図６に引き続く概略断面工程説明図。
【図８】図７に引き続く概略断面工程説明図。
【図９】図７のＡ−Ａで示す領域の概略平面説明図。
【符号の説明】
【００３２】
１，２１，４１：支持体
２，２２，４２：半導体構成体
３，２３，４３：接着層
４，２４，４４：外部接続用電極
５，２５，４５：絶縁基材
６，２６，４６：第一絶縁層
７，２７，４７：非貫通孔
８，２８，４８：第一再配線
８ａ，２８ａ，４８ａ：第一接続パッド
９，２９，４９：第二絶縁層
１０，３０，５０：第二再配線
１０ａ，３０ａ，５０ａ：第二接続パッド
１１，３１，５１：ソルダーレジスト
１２：突起電極
３２，５２：半導体装置
４６ａ：金属箔
ａ：アライメントマークとして使用する外部接続用電極
ｂ：アライメントマークとして使用しない外部接続用電極
ｃ：アライメントマークとして使用する金属箔の開口部
ｄ：アライメントマークとして使用しない金属箔の開口部
ｅ：金属箔
【図１】
2006237337.tif 000003
【図２】
2006237337.tif 000004
【図３】
2006237337.tif 000005
【図４】
2006237337.tif 000006
【図５】
2006237337.tif 000007
【図６】
2006237337.tif 000008
【図７】
2006237337.tif 000009
【図８】
2006237337.tif 000010
【図９】
2006237337.tif 000011