(57)【要約】【課題】  例えばキャパシタ等を作り込んだ場合に効率的に大容量を得ることができ、しかも面積の大きな電極を設置しても寸法精度を十分に確保することが可能なセラミック基板及び多層セラミック基板を提供する。【解決手段】  セラミック基板、あるいは多層セラミック基板を構成するセラミック層は、所定の厚さで形成されたセラミック単層領域と、電極層とセラミック層とが積層された電極層形成領域とから構成されている。そして、セラミック単層領域の厚さと電極層形成領域の厚さは、ほぼ等しく設定されている。具体的には、セラミック単層領域と電極形成領域の厚さの差はセラミック単層領域の厚さの１０％以内である。また、電極層形成領域のセラミック層を構成するセラミック材料の比誘電率は、セラミック単層領域を構成するセラミック材料の比誘電率よりも大である。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の厚さで形成されたセラミック単層領域と、電極層とセラミック層とが積層された電極層形成領域とから構成され、前記セラミック単層領域の厚さと前記電極層形成領域の厚さが略等しいことを特徴とするセラミック基板。
【請求項２】
前記電極層形成領域は、前記セラミック単層領域に設けられた開口部に嵌め込む形で形成されていることを特徴とする請求項１記載のセラミック基板。
【請求項３】
前記セラミック単層領域と前記電極形成領域の厚さの差が、セラミック単層領域の厚さの１０％以内であることを特徴とする請求項１または２記載のセラミック基板。
【請求項４】
前記セラミック単層領域を構成するセラミック材料と、前記電極層形成領域のセラミック層を構成するセラミック材料は、互いに異なることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項記載のセラミック基板。
【請求項５】
前記電極層形成領域のセラミック層を構成するセラミック材料の比誘電率は、前記セラミック単層領域を構成するセラミック材料の比誘電率よりも大であることを特徴とする請求項４記載のセラミック基板。
【請求項６】
前記電極層形成領域において、前記電極層はセラミック層の片面、または両面に形成されていることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項記載のセラミック基板。
【請求項７】
複数のセラミック基板が積層され一体焼成されてなる多層セラミック基板であって、前記セラミック基板として、請求項１から６のいずれか１項記載のセラミック基板を含むことを特徴とする多層セラミック基板。
【請求項８】
厚さの異なる２種類のグリーンシートを用意し、厚さの厚い第１のグリーンシートの電極層形状に対応する領域を除去する工程と、
厚さの薄い第２のグリーンシートを前記電極層形状と略一致する形状とする工程と、
これを前記第１のグリーンシートの前記除去部分に挿入する工程と、
前記第２のグリーンシート上に電極層を形成する工程とを有することを特徴とするセラミック基板の製造方法。
【請求項９】
前記第１のグリーンシートと第２のグリーンシートの厚さの差は、焼成後において、前記電極層の焼成後の厚さと略等しくなるように設定することを特徴とする請求項８記載のセラミック基板の製造方法。
【請求項１０】
厚さの異なる２種類のグリーンシートを用意し、厚さの厚い第１のグリーンシートの電極層形状に対応する領域を除去する工程と、
厚さの薄い第２のグリーンシートの少なくとも一方の面に電極層を形成した後、前記電極層形状と略一致する形状とする工程と、
これを前記第１のグリーンシートの前記除去部分に挿入する工程とを有することを特徴とするセラミック基板の製造方法。
【請求項１１】
前記第１のグリーンシートの厚さと、前記電極層が形成された第２のグリーンシートの厚さは、焼成後において略等しくなるように設定することを特徴とする請求項１０記載のセラミック基板の製造方法。
【請求項１２】
前記第１のグリーンシートと第２のグリーンシートは、異なるセラミック材料を用いて形成することを特徴とする請求項８から１１のいずれか１項記載のセラミック基板の製造方法。
【請求項１３】
前記第２のグリーンシートに用いるセラミック材料の比誘電率を前記第１のグリーンシートに用いるセラミック材料の比誘電率よりも大とすることを特徴とする請求項１２記載のセラミック基板の製造方法。
【請求項１４】
厚さの異なる２種類のグリーンシートを用意し、厚さの厚い第１のグリーンシートの電極層形状に対応する領域を除去する工程と、
厚さの薄い第２のグリーンシートを前記電極層形状と略一致する形状とする工程と、
これを前記第１のグリーンシートの前記除去部分に挿入する工程と、
前記第２のグリーンシート上に電極層を形成して複合グリーンシートとする工程と、
前記複合グリーンシートを含む複数のグリーンシートを積層して積層体とし、当該積層体を焼成する工程とを有することを特徴とする多層セラミック基板の製造方法。
【請求項１５】
前記第１のグリーンシートと第２のグリーンシートの厚さの差は、焼成後において、前記電極層の焼成後の厚さと略等しくなるように設定することを特徴とする請求項１４記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項１６】
厚さの異なる２種類のグリーンシートを用意し、厚さの厚い第１のグリーンシートの電極層形状に対応する領域を除去する工程と、
厚さの薄い第２のグリーンシートの少なくとも一方の面に電極層を形成した後、前記電極層形状と略一致する形状とする工程と、
これを前記第１のグリーンシートの前記除去部分に挿入して複合グリーンシートとする工程と、
前記複合グリーンシートを含む複数のグリーンシートを積層して積層体とし、当該積層体を焼成する工程とを有することを特徴とする多層セラミック基板の製造方法。
【請求項１７】
前記第１のグリーンシートの厚さと、前記電極層が形成された第２のグリーンシートの厚さは、焼成後において略等しくなるように設定することを特徴とする請求項１６記載の多層セラミック基板の製造方法。
【請求項１８】
前記積層体の両面に収縮抑制用グリーンシートを配し、前記焼成を行うことを特徴とする請求項１４から１７のいずれか１項記載の多層セラミック基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、比較的大面積を有する電極層が形成されたセラミック基板及び多層セラミック基板に関するものであり、さらには、それらの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器等の分野においては、電子デバイスを実装するための基板が広く用いられているが、近年、電子機器の小型軽量化や多機能化等の要望に応え、且つ高信頼性を有する基板として、セラミック基板や多層セラミック基板が提案され実用化されている。例えば、多層セラミック基板は、複数のセラミック層を積層することにより構成され、各セラミック層に配線導体や電子素子等を一体に作り込むことで、回路基板の高密度化が可能となっている。
【０００３】
ところで、この種のセラミック基板や多層セラミック基板では、例えばキャパシタ等の形成において、大容量を得るために面積の大きな電極が形成されることがある。このような場合、基板の一部（電極に対応する部分）を必要な特性に応じて高誘電率化したり、逆に低誘電率化する必要が生じ、異なるセラミック材料から構成された複合基板とすることが提案されている（例えば、特許文献１等を参照）。
【０００４】
特許文献１には、実質的に同一厚みの第一、第二のセラミックグリーンシートを作製し、第一のグリーンシートの所定箇所に貫通孔を形成して第二のグリーンシートを積層し、第一のグリーンシートにおける貫通孔形成部分を第二のグリーンシート側から押圧することによって、第二のグリーンシートの一部を貫通孔内に埋め込み、第一のグリーンシートと第二のグリーンシートを一体化した複合体を作製し、この複合体をグリーンシートや他の複合体と積層して積層体を作製し、同時焼成して低誘電率部、高誘電率部を具備するセラミック基板を得ることが開示されている。
【特許文献１】特開２００４−１４８６１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
前記特許文献１に代表されるように、セラミック基板を複合化して低誘電率部と高誘電率部を同一基板内に作り込む技術は種々知られるところであるが、いずれも基板材料を複合化するに止まり、例えばその上に形成される電極層までは考慮に入れていない。しかしながら、例えば多層セラミック基板における電極形成等を考えた場合、前記従来技術のように単純に複合基板としただけでは、様々な不都合が生ずることがわかってきた。
【０００６】
例えば、面積の大きな電極が同一の位置に形成されて積層されると、多層セラミック基板の該当部分の厚さが厚くなり、寸法精度を確保することが難しくなる。また、前記電極の形成による段差等により、積層されるセラミック層間で層ズレを引き起こしたり、セラミック層間に剥離が生ずる等、精度の良い多層セラミック基板を歩留まり良く製造する上で大きな障害となるおそれがある。近年、多層セラミック基板においては各セラミック層の厚さが薄くなる傾向にあり、前記電極層の厚さが占める割合が大きくなる傾向にあるので、前記問題が顕著になってきている。
【０００７】
本発明は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、例えばキャパシタ等を作り込んだ場合に効率的に大容量を得ることができ、しかも面積の大きな電極を設置しても寸法精度を十分に確保することが可能なセラミック基板及び多層セラミック基板を提供することを目的とし、さらにはそれらの製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、特に多層セラミック基板において、セラミック層間で層ズレや剥離が生ずることがなく、製造歩留まりに優れ信頼性にも優れた多層セラミック基板を提供し、その製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前述の目的を達成するために、本発明のセラミック基板は、所定の厚さで形成されたセラミック単層領域と、電極層とセラミック層とが積層された電極層形成領域とから構成され、前記セラミック単層領域の厚さと前記電極層形成領域の厚さが略等しいことを特徴とする。また、本発明の多層セラミック基板は、複数のセラミック基板が積層され一体焼成されてなる多層セラミック基板であって、前記セラミック基板として、前記構成のセラミック基板を含むことを特徴とする。
【０００９】
本発明のセラミック基板及び多層セラミック基板では、大面積で形成される電極層の厚さを考慮し、セラミック単層領域の厚さと電極層が形成された電極層形成領域の厚さが略等しくなるように設計している。したがって、電極層がセラミック基板上に突出することがなくなり、寸法精度が確保される。また、特に多層セラミック基板とした場合に、層ズレや剥離が生ずることもない。
【００１０】
前記構成のセラミック基板は、異なるセラミック材料からなる複合基板の製造工程を改良することで形成することができる。この場合、電極層は、グリーンシート組み合わせ後に形成してもよいし、予め厚さの薄いグリーンシート上に形成してからセラミック単層領域に対応するグリーンシートに組み込んでも良い。したがって、本発明のセラミック基板の製造方法は、厚さの異なる２種類のグリーンシートを用意し、厚さの厚い第１のグリーンシートの電極層形状に対応する領域を除去する工程と、厚さの薄い第２のグリーンシートを前記電極層形状と略一致する形状とする工程と、これを前記第１のグリーンシートの前記除去部分に挿入する工程と、前記第２のグリーンシート上に電極層を形成する工程とを有することを特徴とする。あるいは、厚さの異なる２種類のグリーンシートを用意し、厚さの厚い第１のグリーンシートの電極層形状に対応する領域を除去する工程と、厚さの薄い第２のグリーンシートの少なくとも一方の面に電極層を形成した後、前記電極層形状と略一致する形状とする工程と、これを前記第１のグリーンシートの前記除去部分に挿入する工程とを有することを特徴とする。
【００１１】
多層セラミック基板を製造するには、前記セラミック基板の製造方法と同様の工程により複合グリーンシートを形成した後、これを他の積層要素と重ね合わせ、一体焼成する。すなわち、本発明の多層セラミック基板の製造方法は、厚さの異なる２種類のグリーンシートを用意し、厚さの厚い第１のグリーンシートの電極層形状に対応する領域を除去する工程と、厚さの薄い第２のグリーンシートを前記電極層形状と略一致する形状とする工程と、これを前記第１のグリーンシートの前記除去部分に挿入する工程と、前記第２のグリーンシート上に電極層を形成して複合グリーンシートとする工程と、前記複合グリーンシートを含む複数のグリーンシートを積層して積層体とし、当該積層体を焼成する工程とを有する。あるいは、厚さの異なる２種類のグリーンシートを用意し、厚さの厚い第１のグリーンシートの電極層形状に対応する領域を除去する工程と、厚さの薄い第２のグリーンシートの少なくとも一方の面に電極層を形成した後、前記電極層形状と略一致する形状とする工程と、これを前記第１のグリーンシートの前記除去部分に挿入して複合グリーンシートとする工程と、前記複合グリーンシートを含む複数のグリーンシートを積層して積層体とし、当該積層体を焼成する工程とを有することを特徴とする。
【００１２】
前記セラミック基板の製造方法、及び多層セラミック基板の製造方法においては、いずれの場合にも電極層の厚さ（焼成後の厚さ）を考慮して、第１のグリーンシートや第２のグリーンシートの厚さ（焼成後の厚さ）を設定する必要がある。例えば、第１のグリーンシートと第２のグリーンシートの厚さの差は、焼成後において、前記電極層の焼成後の厚さと略等しくなるように設定する。あるいは、前記第１のグリーンシートの厚さと、前記電極層が形成された第２のグリーンシートの厚さは、焼成後において略等しくなるように設定する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、例えばキャパシタ等を作り込んだ場合に効率的に大容量を得ることができ、しかも面積の大きな電極を設置しても寸法精度を十分に確保することが可能なセラミック基板及び多層セラミック基板を提供することが可能である。また、特に多層セラミック基板においては、セラミック層間で層ズレや剥離が生ずることがなく、製造歩留まりに優れ信頼性にも優れた多層セラミック基板を提供することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明を適用したセラミック基板、多層セラミック基板及びそれらの製造方法について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１５】
図１は、本発明のセラミック基板の一例を示すものである。このセラミック基板１は、所定の厚さのセラミック層２により形成されるセラミック単層領域Ａと、電極層３とセラミック層４とからなる電極層形成領域Ｂとから構成される。前記電極層３は、例えば大容量のキャパシタ等に対応して設けられるものであり、例えば導電ペーストを塗布し焼成することにより形成される。電極層３は、セラミック層４の片面にのみ形成してもよいし、図２に示すように、セラミック層４の両面に形成することもできる。後者の場合、１枚のセラミック基板１に１組のキャパシタ電極を形成することができ、１枚のセラミック基板でキャパシタを構成することができる。
【００１６】
一方、セラミック単層領域Ａを構成するセラミック層２や、電極層形成領域Ｂのセラミック層４は、いずれもセラミック材料により形成されるが、電極層３を設置する部分のセラミック層４は、その周囲に配されるセラミック層２よりも比誘電率の高い材料で形成されていることが好ましい。何故ならば、面積の大きな電極（電極層３）は、比較的大きな容量を得ることを目的に設置されることが多く、これに対応する部分のセラミック層４の比誘電率が高い方が効率良く容量を得ることができるからである。
【００１７】
本発明のセラミック基板１において重要なのは、前記セラミック単層領域Ａと、電極層形成領域Ｂにおける厚さの差である。従来の複合基板では、セラミック基板自体は平坦であるが、その上に電極層が形成されるので、電極層部分の厚さが増し、これが例えば多層化をする上で障害となっている。本発明のセラミック基板１では、電極層形成領域Ｂは前記セラミック単層領域Ａに設けられた開口部に嵌め込む形で形成されており、前記セラミック単層領域Ａと前記電極層形成領域Ｂの厚さの差が、セラミック単層領域Ａの厚さの１０％以内、好ましくは２％以内、より好ましくは１％以内となるように設計されており、電極層３を含めてセラミック基板１全体が平坦化され、前記電極層３分の厚さの増加（突出）が抑えられている。
【００１８】
図３は、多層セラミック基板とした例を示すものである。多層セラミック基板１０では、前記セラミック基板１と同様の構成を有するセラミック層１１が複数層積層されており、電極層３が形成された電極層形成領域Ｂが積層コンデンサとして機能する。各電極層３には引き出し電極１２が接続されており、セラミック単層領域Ａに設けられたビアホール１３を介して外部回路に接続される構造とされている。
【００１９】
多層セラミック基板の場合、各セラミック層上に大面積を有する電極層を形成すると、その厚さの分だけ厚さが変位してしまい、これが累積されると大きな変位に繋がる。このような変位は層間のズレや剥離等の原因となり、多層セラミック基板の信頼性を大きく損なう。本発明では、各セラミック層１１毎に電極層３を含めた厚さを保証し、通常のセラミック層と同様、平坦化している。したがって、電極層３分の厚さの増加による前記障害が発生することはない。
【００２０】
次に、前述のセラミック基板や多層セラミック基板の製造方法について説明する。図４は、本発明の基本的な製造プロセスを示すものであり、当該製造プロセスは、厚さの厚いグリーンシート２１を用意する工程（ａ）、厚さの厚い第１のグリーンシート２１の電極層形状に対応する領域を除去する工程（ｂ）、厚さの薄い第２のグリーンシート２２を用意する工程（ｃ）、厚さの薄い第２のグリーンシート２２を電極層形状と略一致する形状とする工程（ｄ）、これを前記第１のグリーンシート２１の前記除去部分２１ａに挿入する工程（ｅ）、さらには電極層を形成する工程（ｆ）とから構成される。図５（Ａ）〜（Ｄ）に、一部工程を断面図として示す。
【００２１】
例えば、図１に示すセラミック基板やこれを積層した多層セラミック基板を作製するには、図４（ａ）、あるいは図４（ｃ）に示すように、先ず厚さの異なるグリーンシート（厚さの厚い第１のグリーンシート２１及び厚さの薄い第２のグリーンシート２２）を用意する。
【００２２】
各グリーンシート２１，２２は、例えばセラミック粉末と有機ビヒクルとを混合して得られるスラリー状の誘電体ペーストを作り、これを例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）シート等の支持体上にドクターブレード法等によって成膜することにより形成する。前記セラミック粉末や有機ビヒクルとしては、公知のものがいずれも使用可能である。
【００２３】
ただし、第２のグリーンシート２２は、その上に形成される電極層の厚さを考慮して、第１のグリーンシート２１よりも厚さを薄くする。第１のグリーンシート２１の厚さは、任意に設定することができるが、通常は５０μｍ〜３００μｍに設定される。第２のグリーンシート２２は、焼成後の厚さが、前記厚さの第１のグリーンシート２１を焼成した後の厚さから、焼成後の電極層の厚さを差し引いた厚さとなるように設定する。このような観点から考えた場合、第１のグリーンシート２１と第２のグリーンシート２２の厚さの差は、５μｍ〜２０μｍ程度である。第１のグリーンシート２１の焼成後の厚さと、第２のグリーンシート２２の焼成後の厚さに電極層の焼成後の厚さを加えた総厚の差が、第１のグリーンシート２１の焼成後の厚さの±１０％を超えると、焼成後の基板厚さのバラツキが無視できなくなり、例えば表面にチップ部品を搭載する際にツームストーンを発生する等の不具合が生ずる可能性がある。さらには、基板自体が破損する等の不具合も発生し易くなる。前記厚さの差は、好ましくは２％以内、より好ましくは１％以内である。
【００２４】
また、前記第２のグリーンシート２２の形成に用いるセラミック材料（セラミック粉末）は、前記第１のグリーンシート２１の形成に用いるセラミック材料よりも比誘電率が高いことが好ましい。第２のグリーンシート２２は、電極層に対応して形成されるものであるので、これを高比誘電率とすることにより、効率良く大容量キャパシタを実現することができる。
【００２５】
次に、前記第１のグリーンシート２１は、図４（ｂ）及び図５（Ａ）に示すように、電極層形状に対応する領域を除去し、開口部２１ａを形成する。この開口部２１ａの形成は、いわゆる打ち抜き加工等の方法によればよい。一方、第２のグリーンシート２２は、図４（ｄ）に示すように、前記電極層形状に対応して打ち抜き加工し、前記開口部２１ａの形状とほぼ同じ形状の打ち抜き片２２ａとする。
【００２６】
そして、図５（Ｂ）に示すように、前記第１のグリーンシート２１の開口部２１ａに前記第２のグリーンシート２２の打ち抜き片２２ａを挿入し、さらには図４（ｅ）及び図５（Ｃ）に示すようにこれを嵌め合わせる。このとき、第１のグリーンシート２１の底面と前記打ち抜き片２２ａの底面を一致させ、これら底面が同一平面を構成するようにする。
【００２７】
次いで、図４（ｆ）及び図５（Ｄ）に示すように、前記第１のグリーンシート２１の厚さと第２のグリーンシート２２（打ち抜き片２２ａ）の厚さの差を埋める形で電極層２３を形成する。
【００２８】
前記電極層２３は、例えば導電ペーストを塗布することにより形成される。用いられる導電ペーストは、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ｃｕ、Ｎｉ等の各種導電性金属や合金からなる導電材料と有機ビヒクルとを混練することにより調製されるものである。有機ビヒクルは、バインダと溶剤を主たる成分とするものであり、前記導電材料との配合比等は任意であるが、通常はバインダ１〜１５質量％、溶剤が１０〜５０質量％となるように導電材料に対して配合される。導電ペーストには、必要に応じて各種分散剤や可塑剤等から選択される添加物が添加されていてもよい。なお、本発明においては、電極層２３の形成に用いる導電ペーストと、前記第１のグリーンシート２１，第２のグリーンシート２２（打ち抜き片２２ａ）の焼成時の収縮挙動が互いに等しいことが望ましく、したがって、このことを考慮して前記導電ペーストを調製することが好ましい。
【００２９】
また、前記電極層２３の形成に際しては、電極層２３の形成と同時に、接続用の引き出し電極の形成やビアホール内への導電ペーストの充填を同時に行うようにしてもよい。多層セラミック基板を作製する場合、図３に示す例のようにキャパシタ電極（電極層３）と接続される引き出し電極やビアホールが形成される場合がある。このような場合には、図６に示すように、電極層２３の塗布形成の際に、ビアホール２４内への導電ペースト２４の充填、及び引き出し電極層２６の形成を同時に行うようにすれば、工数を削減することができる。
【００３０】
なお、前記電極層２３についても、グリーンシートの形態で準備し、前記第２のグリーンシート２２（打ち抜き片２２ａ）の挿入の後、第１のグリーンシート２１の開口部２１ａに前記打ち抜き片２２ａと重ねて挿入するようにしてもよい。塗布により形成する場合に比べて工程を簡略化することができ、全ての要素をグリーンシートの形態で扱うことになるので、工程の自動化等も容易となる。
【００３１】
以上により複合グリーンシート３０を作製し、これを用いて多層化して多層セラミック基板とする。具体的には、図７に示すように、前記複合グリーンシート３０を複数枚重ねて積層体とし、この積層体を焼成して多層セラミック基板とする。本例では、前記複合グリーンシート３０を複数枚重ねて積層体を構成するようにしているが、通常のグリーンシート等、任意の積層要素と組み合わせて積層体を構成することができる。
【００３２】
前記積層体の積層に際しては、無収縮焼成プロセスを採用することが好ましい。無収縮焼成プロセスを採用することで、面内方向の収縮により電極層２３の面積が小さくなることがなく、また寸法のバラツキが軽減される。特に、キャパシタの形成を考えた場合、無収縮焼成プロセスでは厚さ方向については大きく収縮されるため、大容量のキャパシタを形成する上で都合が良い。
【００３３】
無収縮焼成プロセスでは、積層体の両側（最外層）に、収縮抑制用グリーンシート２７を配し、焼成を行う。収縮抑制用グリーンシート２７には、前記複合グリーンシート３０の焼成温度では収縮しない材料、例えばトリジマイトやクリストバライト、さらには石英、溶融石英、アルミナ、ムライト、ジルコニア、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、酸化マグネシウム、炭化ケイ素等を含む組成物が用いられ、これら収縮抑制用グリーンシート２７間に積層体を挟み込み、焼成を行うことで、前記積層体の面内方向の収縮が抑えられる。
【００３４】
以上により多層セラミック基板が作製されるが、例えば前記複合グリーンシートの作製に際して、第２のグリーンシート自体をセラミックグリーンシートと電極グリーンシートの積層体とし、これを打ち抜いて第１のグリーンシートの開口部に挿入することも可能である。これにより、工程の簡略化が可能であり、例えば図２に示すような、セラミック層の両面に電極層を形成することも容易である。
【００３５】
この場合の製造プロセスの概略を図８に示す。本製造プロセスでは、例えば先の図４に示す製造プロセスにおいて、図４（ｃ）の第２のグリーンシート２２の作製に際して、セラミックグリーンシートの両面に電極グリーンシートを貼り合わせた多層グリーンシートを作製する。セラミックグリーンシートは、第２のグリーンシート２２と同様に作製することができ、２枚の電極グリーンシートの分だけ第１のグリーンシート２１の厚さより薄くする。
【００３６】
この積層グリーンシートを打ち抜いて、先の図４（ｄ）の工程と同様に打ち抜き片２４を打ち抜き形成し、これを図８（ａ）、さらには図８（ｂ）に示すように第１のグリーンシート２１の開口部２１ａに挿入する。打ち抜き片２４は、第２のグリーンシート２２の打ち抜き片２２ａの両面に電極層（電極グリーンシート）２３が貼り合わされた形となっており、これを第１のグリーンシート２１の開口部２１ａに挿入するだけで、複合グリーンシート３１が作製される。後は、これを複合グリーンシート３０の代わりに用いて積層体を構成し、焼成することで多層セラミック基板が作製される。
【実施例】
【００３７】
以下、本発明を適用した具体的な実施例について、実験結果に基づいて説明する。
【００３８】
基板用セラミック材料としてアルミナ−ガラス系誘電体材料を準備した。有機バインダー、有機溶剤と混合し、ドクターブレード法により厚さ１２０μｍの第１のセラミックグリーンシート、及び厚さ１００μｍの第２のセラミックグリーンシートを作成した。そして、図４（ｂ）に示すように、第１のセラミックシートから主としてキャパシタンスを形成する電極形成部を１ｍｍ四方の略正方形に金型にて打ち抜き、除去した。一方、第２のセラミックグリーンシートから同じく１ｍｍ四方のシートを打ち抜き、これを前記第１のセラミックグリーンシートのシート除去部に嵌め込んだ。
【００３９】
次に、第１のセラミックグリーンシートの必要な箇所にビアホール形成用貫通孔を設け、銀ペーストを印刷し、ビア内部にペーストを充填するとともに、配線パターンを設置し、さらには第２のセラミックグリーンシートによって交換した部分に面積の大きな電極をキャパシタ用電極として形成した。１２０℃にて５分間加熱乾燥させた後、得られたセラミックグリーンシートを７枚とカバー用グリーンシートを積層した。
【００４０】
こうして得られた積層体を、通常の上下パンチが平坦な金型に入れて７００Ｋｇ／Ｃｍ２にて７分加圧した後、９００℃にて焼成した。焼成後の多層セラミック基板は、平坦で層ズレを引き起こしたり、層間での剥離は見られなかった。また、その厚さを測定したところ、面積の大きな電極部分（電極層形成領域）の厚さは６４０μｍ、面積の大きな電極部分の周辺部分（セラミック単層領域）の厚さは６４４μｍであり、両者の差は僅か４μｍ（セラミック単層領域の厚さの０．６％）であった。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明を適用したセラミック基板の一構成例を示す概略断面図である。
【図２】本発明を適用したセラミック基板の他の構成例を示す概略断面図である。
【図３】本発明を適用した多層セラミック基板の一構成例を示す概略断面図である。
【図４】本発明を適用したセラミック基板の製造プロセスの概略構成を示す斜視図である。
【図５】本発明を適用したセラミック基板の製造プロセスの概略構成を示す断面図であり、（Ａ）は第１のグリーンシートの開口部形成工程、（Ｂ）は第２のグリーンシートの打ち抜き片挿入工程、（Ｃ）は第２のグリーンシートの打ち抜き片挿入状態、（Ｄ）は電極層形成工程を示す。
【図６】電極層の形成工程の他の例を示す概略断面図である。
【図７】多層化工程の一例を示す概略断面図である。
【図８】他の製造プロセス例を示す概略断面図であり、（ａ）は積層グリーンシートの打ち抜き片の挿入工程、（ｂ）は積層グリーンシートの打ち抜き片の挿入状態を示す。
【符号の説明】
【００４２】
１  セラミック基板、２  セラミック層、３  電極層、４  セラミック層、１０  多層セラミック基板、１１  セラミック層、１２  引き出し電極、１３  ビアホール、２１  第１のグリーンシート、２１ａ  開口部、２２  第２のグリーンシート、２２ａ  打ち抜き片、２３  電極層、２７  収縮抑制用グリーンシート、３０，３１  複合グリーンシート、Ａ  セラミック単層領域、Ｂ  電極層形成領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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