(57)【要約】      （修正有）【課題】基板にレジストを塗布し、露光後の基板を現像する塗布、現像装置において、露光処理の際の基板温度の安定化を図り、露光処理の歩留まりを向上させる。【解決手段】レジストの塗布、現像を行う処理部Ｓ１の棚ユニットＵ１〜Ｕ３内に、レジスト塗布後の基板を加熱する加熱部と加熱された基板を冷却する冷却部とを設ける。そして処理部と露光装置との間に介在するインターフェイス部Ｓ３の棚ユニットＵ４に、露光前の基板を載置して当該基板の温度を露光処理に適した温度に調整するための温調プレートを備えた温度調整部を設け、前記冷却部で冷却した基板をこの温調プレートにより高精度に温度調整する。【選択図】        図１
2006344986.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数枚の基板を保持したキャリアが載置されるキャリア載置部と、
このキャリア載置部に載置されたキャリアから取り出された基板にレジストを塗布し、露光後の基板に対して現像を行うと共に、レジストが塗布され、加熱された基板を冷却するための複数個の冷却ユニットを備えた処理部と、
前記処理部と、レジストが塗布された基板に露光処理を行うための露光装置との間で基板の受け渡しを行うためのインタ−フェイス部と、を備え、
前記インターフェイス部は、露光装置に搬送する前の基板を載置して問うが機基板の温度を露光処理に適した温度に調整するための温調プレートを備えた温度調整部と、前記処理部と前記温度調整部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行う搬送手段と、を備えることを特徴とする塗布、現像装置。
【請求項２】
複数枚の基板を保持したキャリアが載置されるキャリア載置部と、
このキャリア載置部に載置されたキャリアから取り出された基板にレジストを塗布し、露光後の基板に対して現像を行うと共に、レジストが塗布され、加熱された基板を冷却するための複数個の冷却ユニットを備えた処理部と、
前記処理部と、レジストが塗布された基板に露光処理を行うための露光装置との間で基板の受け渡しを行うためのインタ−フェイス部と、を備えた塗布、現像装置を用いて、レジストパターンを形成する方法において、
処理部にてレジストが塗布されその後加熱された基板を前記部冷却ユニットにて冷却する工程と、
レジストが塗布された基板をインターフェイス部内の温調プレートに才知して露光処理に適した温度に温度調整を行う工程と、
前記温度調整が行われた基板に対して露光処理を行う工程と、
露光後の基板を現像処理してレジストパターンを得る工程と、含むことを特徴とするパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハやＬＣＤ基板（液晶ディスプレイ用ガラス基板）等の基板にレジスト膜を形成し、露光後の基板に対して現像を行い、所望のパターンを形成する塗布、現像装置及びこの装置にて所望のパターンを形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスやＬＣＤの製造プロセスにおいて行われるフォトリソグラフィと呼ばれる技術は、基板例えば半導体ウエハ（以下ウエハという）の表面にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、フォトマスクを用いて当該レジスト膜を所定パタ−ンに露光処理した後、現像処理を行うことにより所定パタ−ンのレジスト膜を得るものである。このような一連の処理は、塗布、現像装置に露光装置を接続したシステムにより行われる。
【０００３】
図１２はこのような装置の従来例を示す平面図であり、基板例えば半導体ウエハＷを２５枚収納したカセットＣはキャリアステ−ションＡ１のキャリアステ−ジ１に搬入される。キャリアステ−ションＡ１には処理ブロックＡ２が接続されており、更に処理ブロックＡ２にはインターフェイスブロックＡ３を介して露光装置Ａ４が接続されている。
【０００４】
前記キャリアステージ１上のキャリアＣ内のウエハＷは、受け渡しアーム１１により取り出されて棚ユニット１２Ａの受け渡し部を介して塗布ユニット１３に送られ、ここでレジストが塗布される。その後ウエハＷは、ウエハ搬送手段１４により棚ユニット１２Ｂの冷却部１５に搬送され（図１３参照）、これをインタ−フェイスブロックＡ３の搬送アーム１６が受け取って、当該ブロックＡ３の周辺露光装置１７に搬送する。
【０００５】
この周辺露光はウエハＷの周辺部のレジストが残っていると後の工程においてパーティクル発生の原因となるため、この周辺部のレジストを除去するために当該周辺部の露光を行うものである。周辺露光が行われたウエハＷは例えば当該ブロックＡ３のバッファカセット１８に一旦搬送された後、前記搬送アーム１６により露光装置Ａ４の受け渡しステージ（図示せず）に搬送されて露光される。
【０００６】
露光後のウエハＷは、インターフェイスブロックＡ３の搬送アーム１６により処理ブロックＡ２の棚ユニット１２Ｂの受け渡し部１９を介して処理ブロックＡ２に搬送され、塗布ユニット１３の下段に設けられた図示しない現像ユニットにて現像された後、ウエハ搬送手段１４、受け渡しアーム１１によりキャリアＣに戻される。前記インターフェイスブロックＡ３の搬送アーム１６は、棚ユニット１２Ｂと周辺露光装置１７とバッファカセット１８と露光装置Ａ４とにアクセスできるように、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、水平なレールに沿って水平１軸方向に移動自在に構成されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところでウエハＷに対して周辺露光処理を行うと、紫外領域の光を照射するためウエハＷの温度が例えば１℃程度上昇してしまう。またこのウエハＷを露光装置Ａ４に搬送する前にバッファカセット１８に載置しても、狭いカセット内に熱がこもってしまい、それ程放熱しないのでウエハ温度はなかなか降温しない。一方露光装置Ａ４における露光処理の際、ウエハ温度は露光機により設定された温度であることが望ましく、この設定温度から外れると、露光光のゆがみが発生し、パターン寸法を忠実に再現できない場合もある。
【０００８】
近年露光装置Ａ４の処理速度が向上し、バッファカセット１８での待機時間が短くなる傾向にあることから、待機中のウエハ温度の降下がそれ程望めず、露光装置Ａ４に搬送される際のウエハＷの温度が高くなる傾向がある。このため露光処理の際の熱影響で歩留まりが悪化し、結局処理全体の生産性が低下してしまうという問題がある。
【０００９】
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、インターフェイス部にて基板に対して温調処理を行って温度管理を行うことにより露光処理の際の基板温度の安定化を図り、露光処理の歩留まりを向上させると共に、インターフェイス部に搬送手段を２つ設けることにより搬送能力を高め、スループットを向上させる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
このため本発明に係る塗布、現像装置は、複数枚の基板を保持したキャリアが載置されるキャリア載置部と、
このキャリア載置部に載置されたキャリアから取り出された基板にレジストを塗布し、露光後の基板に対して現像を行う処理部と、
前記処理部と、レジストが塗布された基板に露光処理を行うための露光装置との間で基板の受け渡しを行うためのインタ−フェイス部と、を備え、
前記インターフェイス部は、露光装置に搬送する前の基板の温度を露光処理に適した温度に調整するための温度調整部と、
前記処理部と前記温度調整部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行う搬送手段と、を備えることを特徴とし、この装置では、例えば基板表面にレジストを塗布する工程と、
レジストの塗布された基板の回路形成領域の外側の周辺領域に対して露光処理を行う工程と、
前記周辺領域に対して露光処理が行われた基板の温度を調整する工程と、
前記冷却された基板に対して露光処理を行う工程と、
露光後の基板を現像処理してレジストパターンを得る工程と、含むことを特徴とするパターン形成方法が実施される。
【００１１】
このような発明では、露光装置に搬送される前の基板を露光処理に適した温度に温度調整してから、露光処理を行っているので、露光処理の際の基板の温度が揃えられ、熱影響を抑えた安定した露光処理を行うことができるので、露光処理の歩留まりの向上を図ることができる。
【００１２】
また本発明の塗布、現像装置は、複数枚の基板を保持した基板キャリアが載置されるキャリア載置部と、
このキャリア載置部に載置されたキャリアから取り出された基板にレジストを塗布し、露光後の基板に対して現像を行う処理部と、
前記処理部と、レジストが塗布された基板に露光処理を行うための露光装置との間で基板の受け渡しを行うためのインタ−フェイス部と、を備え、
前記インターフェイス部は、基板を保持又は処理するための複数のユニットを備えた棚部と、
前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行う第１の搬送手段と、
前記第１の搬送手段により処理部から搬送された基板を受け取り、この基板を前記棚部の各ユニットに対して受け渡す第２の搬送手段と、を備えることを特徴とし、この装置では、前記処理部にて基板表面にレジストを塗布する工程と、
レジストの塗布された基板を処理部からインターフェイス部に第１の搬送手段により搬送し、インターフェイス部にてこの基板の回路形成領域の外側の周辺領域に対して露光処理を行う工程と、
周辺領域に対して露光処理が行われた基板を第２の搬送手段により搬送し、インターフェイス部にてこの基板を冷却する工程と、
冷却された基板をインターフェイス部から露光装置に第１の搬送手段により搬送し、露光装置にてこの基板に対して露光処理を行う工程と、
露光後の基板を露光装置からインターフェイス部を介して処理部に第１の搬送手段により搬送し、処理部にてこの基板に対して現像処理を行い、レジストパターンを得る工程と、含むことを特徴とするパターン形成方法が実施される。
【００１３】
このような発明では、インターフェイス部に２つの搬送手段を設け、処理部とインターフェイス部と露光装置との間での基板の受け渡しを第１の搬送手段で行い、インターフェイス部の棚部の各ユニットの間での基板の受け渡しを第２の搬送手段で行なうようにしたので、基板の搬送能力が高まり、処理全体のスループットを向上させることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、レジストが塗布された基板をインターフェイス部内に設けられた温度調整部で露光処理に適した温度に調整してから露光装置に搬送しているので、露光処理時の基板の温度が揃えられ、安定した露光処理を行うことができ、露光処理の歩留まりの向上が図られる。またインターフェイス部に、処理部と露光装置との間で基板の搬送を行う第１の搬送手段と、棚部の各ユニットに対して基板を搬送する第２の搬送手段との２つの搬送手段を設けたので、露光装置に搬送する前に温度調整を行う場合であってもスループットの向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下に本発明の塗布、現像装置の実施の形態について説明する。図１及び図２は、夫々この塗布、現像装置１００を露光装置２００に接続したレジストパタ−ン形成装置の全体構成を示す平面図及び概観図である。
【００１６】
図中、２１は例えば２５枚の基板である半導体ウエハ（以下ウエハという）Ｗが収納されたキャリアＣを搬入出するためのキャリアステーションであり、このキャリアステーション２１は、前記キャリアＣを載置するキャリア載置部２２と受け渡し手段２３とを備えている。受け渡し手段２３はキャリアＣから基板であるウエハＷを取り出し、取り出したウエハＷをキャリアステーション２１の奥側に設けられている処理部Ｓ１へと受け渡すように構成されている。
【００１７】
処理部Ｓ１の中央には主搬送手段２４が設けられており、これを取り囲むように例えばキャリアステーション２１から奥を見て例えば右側には塗布ユニット３Ａ及び現像ユニット３Ｂが、左側、手前側、奥側には加熱・冷却系のユニット等を多段に積み重ねた棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３が夫々配置されている。塗布ユニット３Ａ及び現像ユニット３Ｂはこの例では各々２個づつ設けられ、塗布ユニット３Ａは現像ユニット３Ｂの下段側に配置されている。
【００１８】
ここで前記塗布ユニット３Ａ及び現像ユニット３Ｂについて説明する。先ず塗布ユニット３Ａの一例について図３を参照しながら説明すると、３１は基板保持部であるスピンチャックであり、真空吸着によりウエハＷを水平に保持するように構成されている。このスピンチャック３１はモータ及び昇降部を含む駆動部３２により鉛直軸周りに回転でき、且つ昇降できるようになっている。またスピンチャック３１の周囲にはウエハＷからスピンチャック３１に跨る側方部分を囲い、且つ下方側全周に亘って凹部が形成された液受けカップ３３が設けられ、当該液受けカップ３３の底面には排気管３４及びドレイン管３５が接続されている。液受けカップ３３の上方側にレジスト液供給ノズル３６が設けられており、このノズル３６はウエハＷの中央部上方と前記液受けカップ３３の外側との間で移動できるように構成されている。
【００１９】
このように構成された塗布ユニット３Ａにおいては、前記主搬送手段２４によりウエハＷが搬入されてスピンチャック３１に受け渡される。そしてノズル３６からウエハＷの中央部にレジスト液を供給すると共に予め設定された回転数でスピンチャックを回転させるとレジスト液はその遠心力によりウエハＷの径方向に広がってウエハＷ表面にレジスト液の液膜が形成され、振り切られた分は液受けカップ３３へと流れ落ちる。
【００２０】
また現像ユニット３Ｂは塗布ユニット３Ａとほぼ同一の構成であるが、現像ユニット３Ｂは例えばウエハＷの直径方向に配列された多数の供給孔を備えた供給ノズルが備えており、このノズルからウエハＷの中央部に現像液を供給すると共に、予め設定された回転数でスピンチャック３３を半回転させることにより、ウエハＷ上に現像液が液盛りされるようになっている。
【００２１】
棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３においては、例えば図４に、棚ユニットＵ２と棚ユニットＵ３とを代表して示すように、加熱ユニット２５や冷却ユニット２６のほか、ウエハの受け渡しユニット２７（２７ａ，２７ｂ）や疎水化処理ユニット２８、アライメントユニット２９等が上下に割り当てられている。前記加熱ユニット２５及び冷却ユニット２６は所定温度に調整されたプレート上に所定時間ウエハＷを載置することにより、ウエハＷを所定温度に加熱又は冷却するものであり、前記受け渡しユニット２７は例えば昇降ピンが内蔵された受け渡し台を備えており、受け渡しユニット２７ａはキャリアステーション２１の受け渡し手段２３と処理部Ｓ１の主搬送手段２４との間、受け渡しユニット２７ｂは処理部Ｓ１の主搬送手段２４と後述するインターフェイス部Ｓ２のメイン搬送アーム４との間で、夫々ウエハＷの受け渡しが行われる。
【００２２】
主搬送手段２４は、昇降自在、進退自在及び鉛直軸まわりに回転自在に構成され、棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３及び塗布ユニット３Ａ並びに現像ユニット３Ｂの間でウエハＷを搬送する役割を持っている。但し図２では便宜上受け渡し手段２３及び主搬送手段２４は描いていない。
【００２３】
前記処理部Ｓ１はインタ−フェイス部Ｓ２を介して露光装置２００と接続されている。このインタ−フェイス部Ｓ２は、図１及び図５の露光装置２００側から見た断面図に示すように、ほぼ中央に周辺露光装置やバッファカセット等のユニットが上下に設けられた棚部をなす棚ユニットＵ４を備えており、キャリアステーション２１から奥を見てこの棚ユニットＵ４の例えば右側には第１の搬送手段をなすメイン搬送アーム４、例えば左側には第２の搬送手段をなすサブ搬送アーム５が略一直線状に夫々配置されている。
【００２４】
前記棚ユニットＵ４は、図６の斜視図及び図７のサブ搬送アーム５側から見た側面図に示すように、例えば下から２個の温度調整部をなす温調ユニット６１、１個の出力用受け渡しユニット６２及び１個の入力用受け渡しユニット６４、２個のバッファカセット６３、１個の待避ステージ６０及び１個の入力用受け渡しユニット６４、周辺露光部をなす周辺露光装置６５が縦に配列されており、前記温調ユニット６１の上方側の出力用受け渡しユニット６２及び入力用受け渡しユニット６４と、バッファカセット６３と、待避ステージ６０及び入力用受け渡しユニット６４は、サブ搬送アーム５側から見て２つ並んで設けられている。
【００２５】
前記メイン搬送アーム４は、処理部Ｓ１の棚ユニットＵ３の冷却ユニット２６や受け渡しユニット２７ｂとの間でウエハＷの受け渡しを行うと共に、当該インターフェイス部Ｓ２の棚ユニットＵ４の出力用受け渡しユニット６２及び入力用受け渡しユニット部６４、温調ユニット６１との間、さらに露光装置２００の受け渡しステージ２１０との間でウエハＷの受け渡しを行うように構成されており、このため１枚のアーム４１が基台４２に沿って進退自在に構成されると共に、前記基台４２自体が鉛直軸回りに回転自在、垂直ガイドレール４３に沿って昇降自在、第１の水平ガイドレール４４に沿って棚ユニットＵ４に向かう第１の水平軸方向に進退自在（キャリアステーション２１から奥を見て横方向に移動自在）、第２の水平ガイドレール４５に沿って前記第１の水平軸に略直交する第２の水平軸方向にスライド自在（キャリアステーション２１から奥を見て縦方向に移動自在）に構成されている。
【００２６】
また前記サブ搬送アーム５は、当該インターフェイス部Ｓ２の棚ユニットＵ４の各ユニットとの間でウエハＷの受け渡しを行うように構成されており、このため１枚のアーム５１が基台５２に沿って進退自在に構成されると共に、前記基台５２自体が鉛直軸回りに回転自在、垂直ガイドレール５３に沿って昇降自在に構成されている。
【００２７】
前記温調ユニット６１は、例えば図８に示すように、サブ搬送アーム５側の側面及びメイン搬送アーム４側の側面に夫々搬送口５４a，５４ｂを有する筐体５４と、この筐体５４内に設けられた、ウエハＷを載置して所定の温度に調整するための、例えばアルミニウムやセラミックスより等からなるプレートより構成され、例えばサーモモジュール又は、冷媒流路等の冷却機構、抵抗発熱体等の加熱機構等が内蔵された温調プレート５５と、当該温調プレート５５に対してウエハＷの受け渡しを行うための例えば昇降ピン機構５６と、を備えている。
【００２８】
前記出力用受け渡しユニット６２及び入力用受け渡しユニット６４は、前記メイン搬送アーム４とサブ搬送アーム５との間でウエハＷの受け渡しを行う受け渡し部をなすものであり、これらメイン搬送アーム４及びサブ搬送アーム５がアクセス可能な位置に配置されている。つまり例えば図６及び図９に示すように、下方側の出力用受け渡しユニット６２及び入力用受け渡しユニット６４は例えば下から２個目の温調ユニット６１の上面に２つ並んで設けられ、前記サブ搬送アーム５はこれら２つの受け渡しユニット６２，６４のほぼ中央に対向する位置に配置される。また上方側の入力受け渡しユニット６４と待避ステージ６０は２個のバッファカセット６３の上面に２つ並んで設けられ、前記サブ搬送アーム５はこれら２つの受け渡しユニット６２，６４のほぼ中央に対向する位置に配置される。
【００２９】
そして前記温調ユニット６１又はバッファカセット６３の上面に、前記メイン搬送アーム４のアーム４１と、サブ搬送アーム５のアーム５１が当該受け渡しユニット６２，６４との間でウエハＷの受け渡しを行う位置に進出したときに、これらアーム４１，５１と干渉しない位置に形成された複数個例えば３個の突部５７（５８）を備えて構成されている。
【００３０】
ここで待避ステージ６０は、サブ搬送アーム５が一時的にウエハＷを載置するためのステージであり、例えば停電時等のように、ウエハＷが搬送アームに載置されている状態で電源が切られた場合、次の装置の立ち上げ時に、サブ搬送アーム５にウエハの回収動作を行わせるときに使用され、例えばサブ搬送アーム５が一時的にこの待避ステージ６０にウエハＷを置き、その他のユニットにアクセスしてウエハＷの回収が行われる。このため待避ステージ６０は受け渡しユニット６２，６４と同様に構成される。
【００３１】
前記バッファカセット６３は基板載置部をなすものであり、収納容器６６内に所定枚数のウエハＷを棚状に保持可能に構成されている。これらバッファカセット６３は、サブ搬送アーム５との間でウエハＷの受け渡しを行うために、例えばサブ搬送アーム５によりアクセスできるように、前記容器６６のサブ搬送アーム５に対する面は開口され、この内部にウエハＷの周縁部を保持する棚部６７が縦に所定間隔で形成されており、これによりウエハＷが縦に配列された状態で保持されるようになっている。
【００３２】
ここで前記３つの受け渡しユニットのうち、２つがインターフェイス部Ｓ２への入力用受け渡し部、残りの１つが出力用受け渡しユニットに割り当てられればよく、温調ユニット６１の上面に形成された２つの受け渡しユニットを入力用受け渡しユニットとし、バッファカセット６３の上面に形成された受け渡しユニットを出力用受け渡しユニットとするようにしてもよい。またバッファカセット６３の上面に２つの受け渡しユニットを形成し、受け渡しユニット６１の上面に待避ステージと１つの受け渡しユニットを形成するようにしてもよく、待避ステージ６０を設けるない構成としてもよい。
【００３３】
前記周辺露光装置６５は、ウエハＷについて、回路形成領域の外側の周辺領域のレジストを除去するために当該周辺部の露光を行うものであり、例えば図１０に示すように、サブ搬送アーム５側の側面に搬送口７１ａを有する筐体７１と、この筐体７１内に設けられた、ウエハＷを載置するための載置台７２と、この載置台７２を回転自在かつＸ及びＹ方向に移動自在とする駆動機構７３と、ウエハＷの周辺部に対向するように設けられた露光手段７４と、ウエハＷの周縁部を検出するためにウエハＷの通過領域を上下に挟むように設けられたラインセンサー７４と、を備えている。
【００３４】
こうしてこの例では、棚ユニットＵ４の各ユニットに対しては、メイン搬送アーム４は、入力用受け渡しユニット６４，出力用受け渡しユニット６２，温調ユニット６１に対してアクセスでき、サブ搬送アーム５は、入力用受け渡しユニット６４，出力用受け渡しユニット６２，温調ユニット６１，バッファカセット６３，周辺露光装置６５、待避ステージ６０に対してアクセスできるようになっている。但しこの例に限らず、メイン搬送アーム４も待避ステージ６０にアクセスできるように構成してもよいし、温調ユニット６１はサブ搬送アーム５のみがアクセスできるように構成してもよい。
【００３５】
さらにインターフェイス部Ｓ２は、図１１に示すように空間が閉じられている。つまり左右が装置本体の外装体である壁部分であり、隣の処理部Ｓ１と露光装置２００との間に仕切り壁８１，８１が設けられている。そして天井部８２に清浄気体フィルタユニットなすフィルタユニットＦを備えており、インターフェイス部Ｓ２内の雰囲気が回収されて工場排気系に排気される一方、一部が不純物除去装置としてのフィルタ装置８３へ導入され、このフィルタ装置８３において清浄化された空気が前記フィルタユニットＦを通って天井部８２の通気孔８４を介してインターフェイス部Ｓ２の内部に入っていき、インターフェイス部Ｓ２内にダウンフローを形成するように構成されている。
【００３６】
前記フィルタユニットＦは、空気を清浄化するためのフィルタ、空気中のアルカリ成分例えばアンモニア成分やアミンを除去するために酸成分が添加されている化学フィルタ等を備えたフィルタ部８５及び吸い込みファン８６等を備えている。またフィルタ装置８３は、不純物を除去するための不純物除去部や、空気を所定の温度及び湿度に調整して送出する調整部等を備えている。ここでこの例ではインターフェイス部Ｓ２内には、不純物が除去され、所定の温湿度条件に調整された空気が送出される様に構成したが、フィルタユニットＦにインターフェイス部Ｓ２の外部からの空気を取り込み、フィルタユニットＦを介してインターフェイス部Ｓ２の内部に通流させるようにしてもよい。図中８７は、処理部Ｓ２の棚ユニットＵ３又は露光装置２００の受け渡しステージ２１０との間でウエハＷの受け渡しを行うためのウエハ搬送口（露光装置２００側は図示せず）である。
【００３７】
またインターフェイス部Ｓ３のメイン搬送アーム４の上方側には、隔壁８８で区画された部分にエレキユニットＥが設けられており、フィルタユニットＦからの空気の一部が隔壁の内側を通ってインターフェイス部Ｓ２の内部に通流していくようになっている。サブ搬送アーム５の上方側には、隔壁８９で区画された部分にランプユニットＬが設けられており、またインターフェイス部Ｓ２の天井部８２のフィルタユニットＦに隣接する空間には、エレキユニットＥと膜厚測定器９とが縦に配列されて設けられている。
【００３８】
前記エレキユニットＥには、メイン搬送アーム４やサブ搬送アーム５、温調ユニット６１、周辺露光装置６５等の駆動系の電源部や、これらの電力制御等を行うためのコントローラ、これらに電力を分配するための配電盤等の電気関係の設備が収納されており、前記ランプユニットＬには、ランプ、集光用のミラーやこれらの制御を行うためのコントローラ等が収納されている。
【００３９】
前記膜厚測定器９は、例えば落射照明型顕微鏡、分光器及びデータ処理部を含む光干渉式膜厚計とにより構成され、この光干渉式膜厚計においては、光源から対物レンズを経てウエハに照射され、ここで反射された光を分光器に入射し、ここに入射された反射スペクトルをコンピュータで解析することにより膜厚が検出される。
【００４０】
このような塗布、現像装置では、先ず外部からキャリアＣがキャリア載置部２２に搬入され、受け渡し手段２３によりこのキャリアＣ内からウエハＷが取り出される。ウエハＷは、受け渡し手段２３から棚ユニットＵ２の受け渡しユニット２７ａを介して主搬送手段２４に受け渡され、更に棚ユニットＵ２（あるいはＵ１、Ｕ３）の処理ユニットに順次搬送されて、所定の処理例えば疎水化処理、冷却処理などが行われる。続いてこのウエハＷは塗布ユニット３Ａにてレジスト液が塗布され更に加熱処理されてレジスト液の溶剤が揮発された後、棚ユニットＵ３の冷却ユニット２６で冷却され、この冷却ユニット２６のウエハＷは、インターフェイス部Ｓ２のメイン搬送アーム４によりインターフェイス部Ｓ２内の入力用受け渡しユニット６４に搬送される。
【００４１】
次いで入力用受け渡しユニット６４のウエハＷは、サブ搬送アーム５により周辺露光装置６５に搬送され、ウエハＷの周辺部の露光が行われた後、サブ搬送アーム５によりバッファカセット６３に搬送される。この後サブ搬送アーム５により温調ユニット６１に搬送されて、露光装置２００の露光処理によって設定された、露光処理に適した温度に温度調整例えば冷却される。
【００４２】
この温調ユニット６１のウエハＷはメイン搬送アーム４により取り出されて、露光装置２００の受け渡しステージ２１０に搬送される。この後露光装置２００にて所定の露光処理が行われたウエハＷは、露光装置２００の受け渡しステージ２１０→インターフェイス部Ｓ２のメイン搬送アーム４→処理部Ｓ１の棚ユニットＵ３の受け渡しユニット２７ｂの経路で処理部Ｓ１に戻され、主搬送手段２４により現像ユニット３Ｂに搬送され、現像処理される。なお詳しくは、ウエハＷは、現像処理の前に加熱処理及び冷却処理される。現像処理されたウエハＷは上述と逆の経路で受け渡し手段２３に受け渡され、キャリア載置部２２に載置されている元のキャリアＣに戻される。
【００４３】
このような塗布、現像装置では、インターフェイス部Ｓ２内に温調ユニット６１を設け、周辺露光を行ってウエハＷの温度が上昇した場合でも、露光処理に適した温度にウエハ温度を調整してから露光装置２００へ搬送しているので、露光処理の際のウエハＷの温度が揃えられ、熱影響を抑えて露光処理を安定した状態で行うことができるので、露光処理の歩留まりの向上が図れ、結果として生産性が向上する。
【００４４】
また上述の例では、処理部Ｓ１とインターフェイス部Ｓ２との間及びインターフェイス部Ｓ２と露光装置Ｓ４との間のウエハＷの受け渡しをメイン搬送アーム４で行い、インターフェイス部Ｓ２内の棚ユニットＵ４の各ユニット同士の搬送をサブ搬送アーム５で行なうようにし、２つの搬送アームでインターフェイス部Ｓ２内での搬送工程を分担して行うようにしたので、１つの搬送アームが行う工程数が減少し、搬送アームの処理能力が向上する。このためインターフェイス部Ｓ２に周辺露光装置６５や温調ユニット６１を設けた場合においても、スループットを向上させることができる。
【００４５】
つまり従来では、インターフェイス部Ｓ２では１つの搬送アームしか設けられていなかったので、この搬送アームにより処理部の冷却ユニット→インターフェイス部の周辺露光装置→バッファカセット→露光装置の受け渡しステージの搬送を行っていた。一方本発明では、メイン搬送アーム４により処理部Ｓ１の冷却ユニット２６→インターフェイス部Ｓ２の入力用受け渡しユニット６４の搬送を行い、この後サブ搬送アーム５により、インターフェイス部の周辺露光装置６５→バッファカセット６３→温調ユニット６１の搬送を行い、次いでメイン搬送アーム４により露光装置２００の受け渡しステージ２１０へウエハＷを搬送している。この場合トータルの工程数は従来の手法よりも多いが、サブ搬送アーム５は本発明のメイン搬送アーム４や従来の搬送アームより、駆動軸が１軸少なく、動作が早いので、メイン搬送アーム４とサブ搬送アーム５とにより工程数を分担していること、サブ搬送アーム５の動作が早いことから、結果として搬送アームの処理能力が高まり、スループットの向上が図れる。
【００４６】
さらに上述の例では、インターフェイス部Ｓ２内に温湿度調整した空気のダウンフローを形成するようにしたので、インターフェイス部Ｓ２内に周辺露光装置６５や温調ユニット６１を設けたとしても、これらからの熱影響が抑えられて当該インターフェイス部Ｓ２内の温度が安定し、露光装置２００へ搬送する前のウエハＷや、露光後に処理部Ｓ１に搬送する前のウエハＷの温度が、インターフェイス部Ｓ２内の雰囲気によって変化するといったことが抑えられ、その後の処理に対する熱影響をより低減することができる。
【００４７】
さらにまたエレキユニットＥが設けられている隔壁８８の内部にもフィルタユニットＦからの空気のダウンフローを形成するようにしたので、この空気の通流により当該隔壁８８の温度上昇が抑えられる。これにより結果としてインターフェイス部Ｓ２内の温度の上昇を防止することができて、当該インターフェイス部Ｓ２内の温度の安定化を図ることができる。この際、インターフェイス部Ｓ２内に温湿度調整した空気のダウンフローを形成するのではなく、外部の空気をフィルタユニットＦを介して取り込むことによってダウンフローを形成する場合であっても、空気の通流によりインターフェイス部Ｓ２内の温度の安定化は図れるので、同様の効果は得られる。
【００４８】
さらにインターフェイス部Ｓ２に周辺露光装置６５や温調ユニット６１を設け、２つの搬送アームを設けた場合であっても、棚ユニットＵ４を挟んでメイン搬送アーム４とサブ搬送アーム５とが向かい合うようにこれらを略一直線状に配置することにより、各部の配置場所の確保をインターフェイス部Ｓ２を塗布、現像装置１００の奥行き方向（図１中Ｘ方向で示す、キャリアステーションのキャリアの配列方向と略直交する方向）に伸ばすことにより行っているので、フットプリントの増大を防ぐことができる。
【００４９】
続いて上述の塗布、現像装置のインターフェイス部Ｓ２におけるウエハ搬送の他の例について説明する。つまりインターフェイス部Ｓ２では、処理部Ｓ１の棚ユニットＵ３の冷却ユニット２６からメイン搬送アーム４で受け取ったウエハＷを入力用受け渡しユニット６４→サブ搬送アーム５→周辺露光装置６５→サブ搬送アーム５→バッファカセット６３→サブ搬送アーム５→温調ユニット６１→メイン搬送アーム４→露光装置２００→メイン搬送アーム４→入力用受け渡しユニット６４→サブ搬送アーム５→バッファカセット６３→サブ搬送アーム５→出力用受け渡しユニット６２の搬送フローでウエハＷを搬送するようにしてもよい。
【００５０】
またインターフェイス部Ｓ２では、処理部Ｓ１の棚ユニットＵ３の冷却ユニット２６からメイン搬送アーム４で受け取ったウエハＷを、入力用受け渡しユニット６４→サブ搬送アーム５→バッファカセット６３→サブ搬送アーム５→温調ユニット６１→メイン搬送アーム４→露光装置２００→メイン搬送アーム４→入力用受け渡しユニット６４→サブ搬送アーム５→周辺露光装置６５→サブ搬送アーム５→出力用受け渡しユニット６２の搬送フローでウエハＷを搬送するようにしてもよい。
【００５１】
さらにインターフェイス部Ｓ２では、処理部Ｓ１の棚ユニットＵ３の冷却ユニット２６からメイン搬送アーム４で受け取ったウエハＷを、入力用受け渡しユニット６４→サブ搬送アーム５→バッファカセット６３→サブ搬送アーム５→温調ユニット６１→メイン搬送アーム４→露光装置２００→メイン搬送アーム４→入力用受け渡しユニット６４→サブ搬送アーム５→バッファカセット６３→サブ搬送アーム５→周辺露光装置６５→サブ搬送アーム５→出力用受け渡しユニット６２の搬送フローでウエハＷを搬送するようにしてもよい。
【００５２】
ここで上述の塗布、現像装置のインターフェイス部Ｓ２では、スループットの向上を図るために、メイン搬送アーム４とサブ搬送アーム５との搬送を次のように制御することが望ましい。
【００５３】
この搬送制御は、メイン搬送アーム４から入力用受け渡しユニット６４を介してサブ搬送アーム５にウエハＷを受け渡す場合には、サブ搬送アーム５が入力用受け渡しユニット６２から先に搬送されたウエハＷを取り出さないと、メイン搬送アーム４が当該入力用受け渡しユニット６２へのウエハＷの搬送を開始することができないという点を解消するためになされたものであり、このためメイン搬送アーム４のウエハ搬送先が入力用受け渡しユニット６２である場合であって、この受け渡しユニット６２にウエハＷが載置されている場合に、当該受け渡しユニット６２からサブ搬送アーム５が先に搬送されたウエハＷの取り出しを開始すると同時にメイン搬送アーム４もウエハＷの搬送を開始するように、メイン搬送アーム４とサブ搬送アーム５の駆動系の動作を制御するものである。このようにメイン搬送アーム４とサブ搬送アーム５との搬送制御を行うと、メイン搬送アーム４がウエハＷの搬送を待機している時間が短くなるので、その分スループットの向上を図ることができる。
【００５４】
またサブ搬送アーム５からメイン搬送アーム４にウエハＷを受け渡す場合にも同様の搬送制御を行うようにしてもよく、この場合には、サブ搬送アーム５のウエハ搬送先が出力用受け渡しユニット６４である場合であって、この受け渡しユニット６４にウエハＷが載置されている場合に、当該受け渡しユニット６４からメイン搬送アーム４がウエハＷの取り出しを開始すると同時にサブ搬送アーム５もウエハＷの搬送を開始するように、メイン搬送アーム４とサブ搬送アーム５の駆動系の動作が制御される。
以上において本発明では、上述の例に限らず、処理部Ｓ１から露光装置２００に搬送されるウエハＷの温度を、インターフェイス部Ｓ２に設けた温調ユニット６１により露光処理の際の最適ウエハ温度に温度調整する構成であればよく、必ずしも周辺露光処理を行なう必要はないし、露光処理を行った後に周辺露光処理を行うようにしてもよい。また処理部Ｓ１から露光装置２００に搬送されるウエハＷの温度が露光処理の際の最適ウエハ温度よりも低い場合には、温度調整部として加熱部を設け、ウエハＷを加熱することにより所定の温度に調整するようにしてもよいし、必ずしもインターフェイス部Ｓ２に周辺露光装置６５を設ける必要はない。
【００５５】
さらにインターフェイス部Ｓ２に温調ユニット６１を設け、この温調ユニット６１に対してメイン搬送アーム４にてアクセスするようにしてもよい。さらにまたインターフェイス部Ｓ２の棚ユニットＵ４の構成は上述の例に限らず、棚ユニットＵ４の各部に加熱部やＣＨＰ装置（Chilling  Hot  Plate)等を設けるようにしてもよいし、周辺露光装置６５は処理部Ｓ１に設けるようにしてもよい。さらにメイン搬送アーム４により処理部Ｓ１と棚ユニットＵ４と露光装置２００と受け渡しユニット６２，６４との間でウエハＷの受け渡しが行われ、サブ搬送アーム５により棚ユニットＵ４に対してウエハＷの受け渡しが行われるレイアウトであれば、メイン搬送アーム４と棚ユニットＵ４とサブ搬送アーム５とはどのようにレイアウトしてもよいが、上述のように、棚ユニットＵ４を挟んでメイン搬送アーム４とサブ搬送アーム５とが向かい合うように略一直線状に配置すれば、フットプリントを小さくすることができる。さらにまたバッファカセット６３はメイン搬送アーム４とサブ搬送アーム５とに対向する２つの面が開口するタイプを用いるようにしてもよい。さらにまた本発明で用いられる基板はＬＣＤ基板であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明にかかる塗布、現像装置の実施の形態の全体構成を示す平面図である。
【図２】本発明にかかる塗布、現像装置の実施の形態の概観を示す斜視図である。
【図３】塗布ユニットの主要部を示す縦断側面図である。
【図４】棚ユニットを示す縦断側面図である。
【図５】インターフェイス部を示すキャリアステーション側から見た断面図である。
【図６】インターフェイス部に設けられた棚ユニットの例を示す斜視図である。
【図７】前記棚ユニットを示すサブ搬送アーム側見た側面図である。
【図８】インターフェイス部に設けられた冷却ユニットを示す断面図である。
【図９】インターフェイス部に設けられたメイン搬送アームとサブ搬送アームを示す平面図である。
【図１０】インターフェイス部に設けられた周辺露光装置を示す断面図である。
【図１１】インターフェイス部を示す外観斜視図である。
【図１２】従来の塗布、現像装置を示す平面図である。
【図１３】従来のインターフェイス部を示す側面図である。
【符号の説明】
【００５７】
１００        塗布、現像装置
２００        露光装置
Ｗ            半導体ウエハ
Ｓ１          処理部
Ｓ２          インターフェイス部
Ｕ１〜Ｕ４    棚ユニット  
Ｆ            フィルタユニット
２２          キャリア載置部
２４          主搬送手段
３Ａ          塗布ユニット
３Ｂ          現像ユニット
４            メイン搬送アーム
５            サブ搬送アーム
６０          待避ステージ
６１          温調ユニット
６２，６４    受け渡しユニット
６５          周辺露光装置
【図１】
2006344986.tif 000003
【図２】
2006344986.tif 000004
【図３】
2006344986.tif 000005
【図４】
2006344986.tif 000006
【図５】
2006344986.tif 000007
【図６】
2006344986.tif 000008
【図７】
2006344986.tif 000009
【図８】
2006344986.tif 000010
【図９】
2006344986.tif 000011
【図１０】
2006344986.tif 000012
【図１１】
2006344986.tif 000013
【図１２】
2006344986.tif 000014
【図１３】
2006344986.tif 000015
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月8日(2006.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数枚の基板を保持したキャリアが載置されるキャリア載置部と、
このキャリア載置部に載置されたキャリアから取り出された基板にレジストを塗布する塗布ユニット、レジストが塗布された基板を加熱するための加熱ユニット、この加熱ユニットで加熱された後の基板を冷却するための冷却ユニット、露光後の基板に対して現像を行うためのユニット、及び基板を搬送するための主搬送手段を備えた処理部と、
この処理部とレジストが塗布された基板に露光処理を行うための露光装置との間で基板の受け渡しを行うためのインタ−フェイス部と、を備え、
前記インターフェイス部は、露光装置に搬送する前の基板を載置して当該基板の温度を露光処理に適した温度に調整するための温調プレートを備えた温度調整部と、前記処理部と前記温度調整部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための搬送手段と、を備えることを特徴とする塗布、現像装置。
【請求項２】
前記処理部の主搬送手段からインターフェイス部の搬送手段への基板の受け渡しは、前記冷却ユニットを介して行われることを特徴とする請求項１記載の塗布、現像装置。
【請求項３】
複数枚の基板を保持したキャリアが載置されるキャリア載置部と、
このキャリア載置部に載置されたキャリアから取り出された基板にレジストを塗布する塗布ユニット、レジストが塗布された基板を加熱するための加熱ユニット、この加熱ユニットで加熱された後の基板を冷却するための冷却ユニット、露光後の基板に対して現像を行うためのユニット、及び基板を搬送するための主搬送手段を備えた処理部と、
この処理部とレジストが塗布された基板に露光処理を行うための露光装置との間で基板の受け渡しを行うためのインタ−フェイス部と、を備えた塗布、現像装置を用いて、レジストパターンを形成する方法において、
処理部にてレジストが塗布されその後加熱された基板を前記冷却ユニットにて冷却する工程と、
この工程で冷却された基板をインターフェイス部内の温調プレートに載置して露光処理に適した温度に調整する工程と、
この工程で温度調整が行われた基板に対して前記露光装置により露光処理を行う工程と、
露光後の基板を処理部にて現像処理してレジストパターンを得る工程と、含むことを特徴とするパターン形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハやＬＣＤ基板（液晶ディスプレイ用ガラス基板）等の基板にレジスト膜を形成し、露光後の基板に対して現像を行い、所望のパターンを形成する塗布、現像装置及びこの装置にて所望のパターンを形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスやＬＣＤの製造プロセスにおいて行われるフォトリソグラフィと呼ばれる技術は、基板例えば半導体ウエハ（以下ウエハという）の表面にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、フォトマスクを用いて当該レジスト膜を所定パタ−ンに露光処理した後、現像処理を行うことにより所定パタ−ンのレジスト膜を得るものである。このような一連の処理は、塗布、現像装置に露光装置を接続したシステムにより行われる。
【０００３】
図１２はこのような装置の従来例を示す平面図であり、基板例えば半導体ウエハＷを２５枚収納したカセットＣはキャリアステ−ションＡ１のキャリアステ−ジ１に搬入される。キャリアステ−ションＡ１には処理ブロックＡ２が接続されており、更に処理ブロックＡ２にはインターフェイスブロックＡ３を介して露光装置Ａ４が接続されている。
【０００４】
前記キャリアステージ１上のキャリアＣ内のウエハＷは、受け渡しアーム１１により取り出されて棚ユニット１２Ａの受け渡し部を介して塗布ユニット１３に送られ、ここでレジストが塗布される。その後ウエハＷは、ウエハ搬送手段１４により棚ユニット１２Ｂの冷却部１５に搬送され（図１３参照）、これをインタ−フェイスブロックＡ３の搬送アーム１６が受け取って、当該ブロックＡ３の周辺露光装置１７に搬送する。
【０００５】
この周辺露光はウエハＷの周辺部のレジストが残っていると後の工程においてパーティクル発生の原因となるため、この周辺部のレジストを除去するために当該周辺部の露光を行うものである。周辺露光が行われたウエハＷは例えば当該ブロックＡ３のバッファカセット１８に一旦搬送された後、前記搬送アーム１６により露光装置Ａ４の受け渡しステージ（図示せず）に搬送されて露光される。
【０００６】
露光後のウエハＷは、インターフェイスブロックＡ３の搬送アーム１６により処理ブロックＡ２の棚ユニット１２Ｂの受け渡し部１９を介して処理ブロックＡ２に搬送され、塗布ユニット１３の下段に設けられた図示しない現像ユニットにて現像された後、ウエハ搬送手段１４、受け渡しアーム１１によりキャリアＣに戻される。前記インターフェイスブロックＡ３の搬送アーム１６は、棚ユニット１２Ｂと周辺露光装置１７とバッファカセット１８と露光装置Ａ４とにアクセスできるように、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、水平なレールに沿って水平１軸方向に移動自在に構成されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところでウエハＷに対して周辺露光処理を行うと、紫外領域の光を照射するためウエハＷの温度が例えば１℃程度上昇してしまう。またこのウエハＷを露光装置Ａ４に搬送する前にバッファカセット１８に載置しても、狭いカセット内に熱がこもってしまい、それ程放熱しないのでウエハ温度はなかなか降温しない。一方露光装置Ａ４における露光処理の際、ウエハ温度は露光機により設定された温度であることが望ましく、この設定温度から外れると、露光光のゆがみが発生し、パターン寸法を忠実に再現できない場合もある。
【０００８】
近年露光装置Ａ４の処理速度が向上し、バッファカセット１８での待機時間が短くなる傾向にあることから、待機中のウエハ温度の降下がそれ程望めず、露光装置Ａ４に搬送される際のウエハＷの温度が高くなる傾向がある。このため露光処理の際の熱影響で歩留まりが悪化し、結局処理全体の生産性が低下してしまうという問題がある。
【０００９】
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、インターフェイス部にて基板に対して温調処理を行って温度管理を行うことにより露光処理の際の基板温度の安定化を図り、露光処理の歩留まりを向上させる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
このため本発明に係る塗布、現像装置は、複数枚の基板を保持したキャリアが載置されるキャリア載置部と、
このキャリア載置部に載置されたキャリアから取り出された基板にレジストを塗布する塗布ユニット、レジストが塗布された基板を加熱するための加熱ユニット、この加熱ユニットで加熱された後の基板を冷却するための冷却ユニット、露光後の基板に対して現像を行うためのユニット、及び基板を搬送するための主搬送手段を備えた処理部と、
この処理部とレジストが塗布された基板に露光処理を行うための露光装置との間で基板の受け渡しを行うためのインタ−フェイス部と、を備え、
前記インターフェイス部は、露光装置に搬送する前の基板を載置して当該基板の温度を露光処理に適した温度に調整するための温調プレートを備えた温度調整部と、前記処理部と前記温度調整部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための搬送手段と、を備えることを特徴とする。  
この発明では、前記処理部の主搬送手段からインターフェイス部の搬送手段への基板の受け渡しは、例えば記冷却ユニットを介して行われる。
【００１１】
本発明に係るパターン形成方法は、複数枚の基板を保持したキャリアが載置されるキャリア載置部と、
このキャリア載置部に載置されたキャリアから取り出された基板にレジストを塗布する塗布ユニット、レジストが塗布された基板を加熱するための加熱ユニット、この加熱ユニットで加熱された後の基板を冷却するための冷却ユニット、露光後の基板に対して現像を行うためのユニット、及び基板を搬送するための主搬送手段を備えた処理部と、
この処理部とレジストが塗布された基板に露光処理を行うための露光装置との間で基板の受け渡しを行うためのインタ−フェイス部と、を備えた塗布、現像装置を用いて、レジストパターンを形成する方法において、
処理部にてレジストが塗布されその後加熱された基板を前記冷却ユニットにて冷却する工程と、
この工程で冷却された基板をインターフェイス部内の温調プレートに載置して露光処理に適した温度に調整する工程と、
この工程で温度調整が行われた基板に対して前記露光装置により露光処理を行う工程と、
露光後の基板を処理部にて現像処理してレジストパターンを得る工程と、含むことを特徴とする。
【００１２】
このような発明では、露光装置に搬送される前の基板を露光処理に適した温度に温度調整してから、露光処理を行っているので、露光処理の際の基板の温度が揃えられ、熱影響を抑えた安定した露光処理を行うことができるので、露光処理の歩留まりの向上を図ることができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、レジストが塗布された基板をインターフェイス部内に設けられた温度調整部で露光処理に適した温度に調整してから露光装置に搬送しているので、露光処理時の基板の温度が揃えられ、安定した露光処理を行うことができ、露光処理の歩留まりの向上が図られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下に本発明の塗布、現像装置の実施の形態について説明する。図１及び図２は、夫々この塗布、現像装置１００を露光装置２００に接続したレジストパタ−ン形成装置の全体構成を示す平面図及び概観図である。
【００１５】
図中、２１は例えば２５枚の基板である半導体ウエハ（以下ウエハという）Ｗが収納されたキャリアＣを搬入出するためのキャリアステーションであり、このキャリアステーション２１は、前記キャリアＣを載置するキャリア載置部２２と受け渡し手段２３とを備えている。受け渡し手段２３はキャリアＣから基板であるウエハＷを取り出し、取り出したウエハＷをキャリアステーション２１の奥側に設けられている処理部Ｓ１へと受け渡すように構成されている。
【００１６】
処理部Ｓ１の中央には主搬送手段２４が設けられており、これを取り囲むように例えばキャリアステーション２１から奥を見て例えば右側には塗布ユニット３Ａ及び現像ユニット３Ｂが、左側、手前側、奥側には加熱・冷却系のユニット等を多段に積み重ねた棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３が夫々配置されている。塗布ユニット３Ａ及び現像ユニット３Ｂはこの例では各々２個づつ設けられ、塗布ユニット３Ａは現像ユニット３Ｂの下段側に配置されている。
【００１７】
ここで前記塗布ユニット３Ａ及び現像ユニット３Ｂについて説明する。先ず塗布ユニット３Ａの一例について図３を参照しながら説明すると、３１は基板保持部であるスピンチャックであり、真空吸着によりウエハＷを水平に保持するように構成されている。このスピンチャック３１はモータ及び昇降部を含む駆動部３２により鉛直軸周りに回転でき、且つ昇降できるようになっている。またスピンチャック３１の周囲にはウエハＷからスピンチャック３１に跨る側方部分を囲い、且つ下方側全周に亘って凹部が形成された液受けカップ３３が設けられ、当該液受けカップ３３の底面には排気管３４及びドレイン管３５が接続されている。液受けカップ３３の上方側にレジスト液供給ノズル３６が設けられており、このノズル３６はウエハＷの中央部上方と前記液受けカップ３３の外側との間で移動できるように構成されている。
【００１８】
このように構成された塗布ユニット３Ａにおいては、前記主搬送手段２４によりウエハＷが搬入されてスピンチャック３１に受け渡される。そしてノズル３６からウエハＷの中央部にレジスト液を供給すると共に予め設定された回転数でスピンチャックを回転させるとレジスト液はその遠心力によりウエハＷの径方向に広がってウエハＷ表面にレジスト液の液膜が形成され、振り切られた分は液受けカップ３３へと流れ落ちる。
【００１９】
また現像ユニット３Ｂは塗布ユニット３Ａとほぼ同一の構成であるが、現像ユニット３Ｂは例えばウエハＷの直径方向に配列された多数の供給孔を備えた供給ノズルが備えており、このノズルからウエハＷの中央部に現像液を供給すると共に、予め設定された回転数でスピンチャック３３を半回転させることにより、ウエハＷ上に現像液が液盛りされるようになっている。
【００２０】
棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３においては、例えば図４に、棚ユニットＵ２と棚ユニットＵ３とを代表して示すように、加熱ユニット２５や冷却ユニット２６のほか、ウエハの受け渡しユニット２７（２７ａ，２７ｂ）や疎水化処理ユニット２８、アライメントユニット２９等が上下に割り当てられている。前記加熱ユニット２５及び冷却ユニット２６は所定温度に調整されたプレート上に所定時間ウエハＷを載置することにより、ウエハＷを所定温度に加熱又は冷却するものであり、前記受け渡しユニット２７は例えば昇降ピンが内蔵された受け渡し台を備えており、受け渡しユニット２７ａはキャリアステーション２１の受け渡し手段２３と処理部Ｓ１の主搬送手段２４との間、受け渡しユニット２７ｂは処理部Ｓ１の主搬送手段２４と後述するインターフェイス部Ｓ２のメイン搬送アーム４との間で、夫々ウエハＷの受け渡しが行われる。
【００２１】
主搬送手段２４は、昇降自在、進退自在及び鉛直軸まわりに回転自在に構成され、棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３及び塗布ユニット３Ａ並びに現像ユニット３Ｂの間でウエハＷを搬送する役割を持っている。但し図２では便宜上受け渡し手段２３及び主搬送手段２４は描いていない。
【００２２】
前記処理部Ｓ１はインタ−フェイス部Ｓ２を介して露光装置２００と接続されている。このインタ−フェイス部Ｓ２は、図１及び図５の露光装置２００側から見た断面図に示すように、ほぼ中央に周辺露光装置やバッファカセット等のユニットが上下に設けられた棚部をなす棚ユニットＵ４を備えており、キャリアステーション２１から奥を見てこの棚ユニットＵ４の例えば右側には第１の搬送手段をなすメイン搬送アーム４、例えば左側には第２の搬送手段をなすサブ搬送アーム５が略一直線状に夫々配置されている。
【００２３】
前記棚ユニットＵ４は、図６の斜視図及び図７のサブ搬送アーム５側から見た側面図に示すように、例えば下から２個の温度調整部をなす温調ユニット６１、１個の出力用受け渡しユニット６２及び１個の入力用受け渡しユニット６４、２個のバッファカセット６３、１個の待避ステージ６０及び１個の入力用受け渡しユニット６４、周辺露光部をなす周辺露光装置６５が縦に配列されており、前記温調ユニット６１の上方側の出力用受け渡しユニット６２及び入力用受け渡しユニット６４と、バッファカセット６３と、待避ステージ６０及び入力用受け渡しユニット６４は、サブ搬送アーム５側から見て２つ並んで設けられている。
【００２４】
前記メイン搬送アーム４は、処理部Ｓ１の棚ユニットＵ３の冷却ユニット２６や受け渡しユニット２７ｂとの間でウエハＷの受け渡しを行うと共に、当該インターフェイス部Ｓ２の棚ユニットＵ４の出力用受け渡しユニット６２及び入力用受け渡しユニット部６４、温調ユニット６１との間、さらに露光装置２００の受け渡しステージ２１０との間でウエハＷの受け渡しを行うように構成されており、このため１枚のアーム４１が基台４２に沿って進退自在に構成されると共に、前記基台４２自体が鉛直軸回りに回転自在、垂直ガイドレール４３に沿って昇降自在、第１の水平ガイドレール４４に沿って棚ユニットＵ４に向かう第１の水平軸方向に進退自在（キャリアステーション２１から奥を見て横方向に移動自在）、第２の水平ガイドレール４５に沿って前記第１の水平軸に略直交する第２の水平軸方向にスライド自在（キャリアステーション２１から奥を見て縦方向に移動自在）に構成されている。
【００２５】
また前記サブ搬送アーム５は、当該インターフェイス部Ｓ２の棚ユニットＵ４の各ユニットとの間でウエハＷの受け渡しを行うように構成されており、このため１枚のアーム５１が基台５２に沿って進退自在に構成されると共に、前記基台５２自体が鉛直軸回りに回転自在、垂直ガイドレール５３に沿って昇降自在に構成されている。
【００２６】
前記温調ユニット６１は、例えば図８に示すように、サブ搬送アーム５側の側面及びメイン搬送アーム４側の側面に夫々搬送口５４a，５４ｂを有する筐体５４と、この筐体５４内に設けられた、ウエハＷを載置して所定の温度に調整するための、例えばアルミニウムやセラミックスより等からなるプレートより構成され、例えばサーモモジュール又は、冷媒流路等の冷却機構、抵抗発熱体等の加熱機構等が内蔵された温調プレート５５と、当該温調プレート５５に対してウエハＷの受け渡しを行うための例えば昇降ピン機構５６と、を備えている。
【００２７】
前記出力用受け渡しユニット６２及び入力用受け渡しユニット６４は、前記メイン搬送アーム４とサブ搬送アーム５との間でウエハＷの受け渡しを行う受け渡し部をなすものであり、これらメイン搬送アーム４及びサブ搬送アーム５がアクセス可能な位置に配置されている。つまり例えば図６及び図９に示すように、下方側の出力用受け渡しユニット６２及び入力用受け渡しユニット６４は例えば下から２個目の温調ユニット６１の上面に２つ並んで設けられ、前記サブ搬送アーム５はこれら２つの受け渡しユニット６２，６４のほぼ中央に対向する位置に配置される。また上方側の入力受け渡しユニット６４と待避ステージ６０は２個のバッファカセット６３の上面に２つ並んで設けられ、前記サブ搬送アーム５はこれら２つの受け渡しユニット６２，６４のほぼ中央に対向する位置に配置される。
【００２８】
そして前記温調ユニット６１又はバッファカセット６３の上面に、前記メイン搬送アーム４のアーム４１と、サブ搬送アーム５のアーム５１が当該受け渡しユニット６２，６４との間でウエハＷの受け渡しを行う位置に進出したときに、これらアーム４１，５１と干渉しない位置に形成された複数個例えば３個の突部５７（５８）を備えて構成されている。
【００２９】
ここで待避ステージ６０は、サブ搬送アーム５が一時的にウエハＷを載置するためのステージであり、例えば停電時等のように、ウエハＷが搬送アームに載置されている状態で電源が切られた場合、次の装置の立ち上げ時に、サブ搬送アーム５にウエハの回収動作を行わせるときに使用され、例えばサブ搬送アーム５が一時的にこの待避ステージ６０にウエハＷを置き、その他のユニットにアクセスしてウエハＷの回収が行われる。このため待避ステージ６０は受け渡しユニット６２，６４と同様に構成される。
【００３０】
前記バッファカセット６３は基板載置部をなすものであり、収納容器６６内に所定枚数のウエハＷを棚状に保持可能に構成されている。これらバッファカセット６３は、サブ搬送アーム５との間でウエハＷの受け渡しを行うために、例えばサブ搬送アーム５によりアクセスできるように、前記容器６６のサブ搬送アーム５に対する面は開口され、この内部にウエハＷの周縁部を保持する棚部６７が縦に所定間隔で形成されており、これによりウエハＷが縦に配列された状態で保持されるようになっている。
【００３１】
ここで前記３つの受け渡しユニットのうち、２つがインターフェイス部Ｓ２への入力用受け渡しユニット、残りの１つが出力用受け渡しユニットに割り当てられればよく、温調ユニット６１の上面に形成された２つの受け渡しユニットを入力用受け渡しユニットとし、バッファカセット６３の上面に形成された受け渡しユニットを出力用受け渡しユニットとするようにしてもよい。またバッファカセット６３の上面に２つの受け渡しユニットを形成し、受け渡しユニット６１の上面に待避ステージと１つの受け渡しユニットを形成するようにしてもよく、待避ステージ６０を設けない構成としてもよい。
【００３２】
前記周辺露光装置６５は、ウエハＷについて、回路形成領域の外側の周辺領域のレジストを除去するために当該周辺部の露光を行うものであり、例えば図１０に示すように、サブ搬送アーム５側の側面に搬送口７１ａを有する筐体７１と、この筐体７１内に設けられた、ウエハＷを載置するための載置台７２と、この載置台７２を回転自在かつＸ及びＹ方向に移動自在とする駆動機構７３と、ウエハＷの周辺部に対向するように設けられた露光手段７４と、ウエハＷの周縁部を検出するためにウエハＷの通過領域を上下に挟むように設けられたラインセンサー７５と、を備えている。
【００３３】
こうしてこの例では、棚ユニットＵ４の各ユニットに対しては、メイン搬送アーム４は、入力用受け渡しユニット６４，出力用受け渡しユニット６２，温調ユニット６１に対してアクセスでき、サブ搬送アーム５は、入力用受け渡しユニット６４，出力用受け渡しユニット６２，温調ユニット６１，バッファカセット６３，周辺露光装置６５、待避ステージ６０に対してアクセスできるようになっている。但しこの例に限らず、メイン搬送アーム４も待避ステージ６０にアクセスできるように構成してもよいし、温調ユニット６１はサブ搬送アーム５のみがアクセスできるように構成してもよい。
【００３４】
さらにインターフェイス部Ｓ２は、図１１に示すように空間が閉じられている。つまり左右が装置本体の外装体である壁部分であり、隣の処理部Ｓ１と露光装置２００との間に仕切り壁８１，８１が設けられている。そして天井部８２に清浄気体フィルタユニットなすフィルタユニットＦを備えており、インターフェイス部Ｓ２内の雰囲気が回収されて工場排気系に排気される一方、一部が不純物除去装置としてのフィルタ装置８３へ導入され、このフィルタ装置８３において清浄化された空気が前記フィルタユニットＦを通って天井部８２の通気孔８４を介してインターフェイス部Ｓ２の内部に入っていき、インターフェイス部Ｓ２内にダウンフローを形成するように構成されている。
【００３５】
前記フィルタユニットＦは、空気を清浄化するためのフィルタ、空気中のアルカリ成分例えばアンモニア成分やアミンを除去するために酸成分が添加されている化学フィルタ等を備えたフィルタ部８５及び吸い込みファン８６等を備えている。またフィルタ装置８３は、不純物を除去するための不純物除去部や、空気を所定の温度及び湿度に調整して送出する調整部等を備えている。ここでこの例ではインターフェイス部Ｓ２内には、不純物が除去され、所定の温湿度条件に調整された空気が送出される様に構成したが、フィルタユニットＦにインターフェイス部Ｓ２の外部からの空気を取り込み、フィルタユニットＦを介してインターフェイス部Ｓ２の内部に通流させるようにしてもよい。図中８７は、処理部Ｓ２の棚ユニットＵ３又は露光装置２００の受け渡しステージ２１０との間でウエハＷの受け渡しを行うためのウエハ搬送口（露光装置２００側は図示せず）である。
【００３６】
またインターフェイス部Ｓ２のメイン搬送アーム４の上方側には、隔壁８８で区画された部分にエレキユニットＥが設けられており、フィルタユニットＦからの空気の一部が隔壁の内側を通ってインターフェイス部Ｓ２の内部に通流していくようになっている。サブ搬送アーム５の上方側には、隔壁８９で区画された部分にランプユニットＬが設けられており、またインターフェイス部Ｓ２の天井部８２のフィルタユニットＦに隣接する空間には、エレキユニットＥと膜厚測定器９とが縦に配列されて設けられている。
【００３７】
前記エレキユニットＥには、メイン搬送アーム４やサブ搬送アーム５、温調ユニット６１、周辺露光装置６５等の駆動系の電源部や、これらの電力制御等を行うためのコントローラ、これらに電力を分配するための配電盤等の電気関係の設備が収納されており、前記ランプユニットＬには、ランプ、集光用のミラーやこれらの制御を行うためのコントローラ等が収納されている。
【００３８】
前記膜厚測定器９は、例えば落射照明型顕微鏡、分光器及びデータ処理部を含む光干渉式膜厚計とにより構成され、この光干渉式膜厚計においては、光源から対物レンズを経てウエハに照射され、ここで反射された光を分光器に入射し、ここに入射された反射スペクトルをコンピュータで解析することにより膜厚が検出される。
【００３９】
このような塗布、現像装置では、先ず外部からキャリアＣがキャリア載置部２２に搬入され、受け渡し手段２３によりこのキャリアＣ内からウエハＷが取り出される。ウエハＷは、受け渡し手段２３から棚ユニットＵ２の受け渡しユニット２７ａを介して主搬送手段２４に受け渡され、更に棚ユニットＵ２（あるいはＵ１、Ｕ３）の処理ユニットに順次搬送されて、所定の処理例えば疎水化処理、冷却処理などが行われる。続いてこのウエハＷは塗布ユニット３Ａにてレジスト液が塗布され更に加熱処理されてレジスト液の溶剤が揮発された後、棚ユニットＵ３の冷却ユニット２６で冷却され、この冷却ユニット２６のウエハＷは、インターフェイス部Ｓ２のメイン搬送アーム４によりインターフェイス部Ｓ２内の入力用受け渡しユニット６４に搬送される。
【００４０】
次いで入力用受け渡しユニット６４のウエハＷは、サブ搬送アーム５により周辺露光装置６５に搬送され、ウエハＷの周辺部の露光が行われた後、サブ搬送アーム５によりバッファカセット６３に搬送される。この後サブ搬送アーム５により温調ユニット６１に搬送されて、露光装置２００の露光処理によって設定された、露光処理に適した温度に温度調整例えば冷却される。
【００４１】
この温調ユニット６１のウエハＷはメイン搬送アーム４により取り出されて、露光装置２００の受け渡しステージ２１０に搬送される。この後露光装置２００にて所定の露光処理が行われたウエハＷは、露光装置２００の受け渡しステージ２１０→インターフェイス部Ｓ２のメイン搬送アーム４→処理部Ｓ１の棚ユニットＵ３の受け渡しユニット２７ｂの経路で処理部Ｓ１に戻され、主搬送手段２４により現像ユニット３Ｂに搬送され、現像処理される。なお詳しくは、ウエハＷは、現像処理の前に加熱処理及び冷却処理される。現像処理されたウエハＷは上述と逆の経路で受け渡し手段２３に受け渡され、キャリア載置部２２に載置されている元のキャリアＣに戻される。
【００４２】
このような塗布、現像装置では、インターフェイス部Ｓ２内に温調ユニット６１を設け、周辺露光を行ってウエハＷの温度が上昇した場合でも、露光処理に適した温度にウエハ温度を調整してから露光装置２００へ搬送しているので、露光処理の際のウエハＷの温度が揃えられ、熱影響を抑えて露光処理を安定した状態で行うことができるので、露光処理の歩留まりの向上が図れ、結果として生産性が向上する。
【００４３】
また上述の例では、処理部Ｓ１とインターフェイス部Ｓ２との間及びインターフェイス部Ｓ２と露光装置２００との間のウエハＷの受け渡しをメイン搬送アーム４で行い、インターフェイス部Ｓ２内の棚ユニットＵ４の各ユニット同士の搬送をサブ搬送アーム５で行なうようにし、２つの搬送アームでインターフェイス部Ｓ２内での搬送工程を分担して行うようにしたので、１つの搬送アームが行う工程数が減少し、搬送アームの処理能力が向上する。このためインターフェイス部Ｓ２に周辺露光装置６５や温調ユニット６１を設けた場合においても、スループットを向上させることができる。
【００４４】
つまり従来では、インターフェイス部Ｓ２では１つの搬送アームしか設けられていなかったので、この搬送アームにより処理部の冷却ユニット→インターフェイス部の周辺露光装置→バッファカセット→露光装置の受け渡しステージの搬送を行っていた。一方本発明では、メイン搬送アーム４により処理部Ｓ１の冷却ユニット２６→インターフェイス部Ｓ２の入力用受け渡しユニット６４の搬送を行い、この後サブ搬送アーム５により、インターフェイス部の周辺露光装置６５→バッファカセット６３→温調ユニット６１の搬送を行い、次いでメイン搬送アーム４により露光装置２００の受け渡しステージ２１０へウエハＷを搬送している。この場合トータルの工程数は従来の手法よりも多いが、サブ搬送アーム５は本発明のメイン搬送アーム４や従来の搬送アームより、駆動軸が１軸少なく、動作が早いので、メイン搬送アーム４とサブ搬送アーム５とにより工程数を分担していること、サブ搬送アーム５の動作が早いことから、結果として搬送アームの処理能力が高まり、スループットの向上が図れる。
【００４５】
さらに上述の例では、インターフェイス部Ｓ２内に温湿度調整した空気のダウンフローを形成するようにしたので、インターフェイス部Ｓ２内に周辺露光装置６５や温調ユニット６１を設けたとしても、これらからの熱影響が抑えられて当該インターフェイス部Ｓ２内の温度が安定し、露光装置２００へ搬送する前のウエハＷや、露光後に処理部Ｓ１に搬送する前のウエハＷの温度が、インターフェイス部Ｓ２内の雰囲気によって変化するといったことが抑えられ、その後の処理に対する熱影響をより低減することができる。
【００４６】
さらにまたエレキユニットＥが設けられている隔壁８８の内部にもフィルタユニットＦからの空気のダウンフローを形成するようにしたので、この空気の通流により当該隔壁８８の温度上昇が抑えられる。これにより結果としてインターフェイス部Ｓ２内の温度の上昇を防止することができて、当該インターフェイス部Ｓ２内の温度の安定化を図ることができる。この際、インターフェイス部Ｓ２内に温湿度調整した空気のダウンフローを形成するのではなく、外部の空気をフィルタユニットＦを介して取り込むことによってダウンフローを形成する場合であっても、空気の通流によりインターフェイス部Ｓ２内の温度の安定化は図れるので、同様の効果は得られる。
【００４７】
さらにインターフェイス部Ｓ２に周辺露光装置６５や温調ユニット６１を設け、２つの搬送アームを設けた場合であっても、棚ユニットＵ４を挟んでメイン搬送アーム４とサブ搬送アーム５とが向かい合うようにこれらを略一直線状に配置することにより、各部の配置場所の確保をインターフェイス部Ｓ２を塗布、現像装置１００の奥行き方向（図１中Ｘ方向で示す、キャリアステーションのキャリアの配列方向と略直交する方向）に伸ばすことにより行っているので、フットプリントの増大を防ぐことができる。
【００４８】
続いて上述の塗布、現像装置のインターフェイス部Ｓ２におけるウエハ搬送の他の例について説明する。つまりインターフェイス部Ｓ２では、処理部Ｓ１の棚ユニットＵ３の冷却ユニット２６からメイン搬送アーム４で受け取ったウエハＷを入力用受け渡しユニット６４→サブ搬送アーム５→周辺露光装置６５→サブ搬送アーム５→バッファカセット６３→サブ搬送アーム５→温調ユニット６１→メイン搬送アーム４→露光装置２００→メイン搬送アーム４→入力用受け渡しユニット６４→サブ搬送アーム５→バッファカセット６３→サブ搬送アーム５→出力用受け渡しユニット６２の搬送フローでウエハＷを搬送するようにしてもよい。
【００４９】
またインターフェイス部Ｓ２では、処理部Ｓ１の棚ユニットＵ３の冷却ユニット２６からメイン搬送アーム４で受け取ったウエハＷを、入力用受け渡しユニット６４→サブ搬送アーム５→バッファカセット６３→サブ搬送アーム５→温調ユニット６１→メイン搬送アーム４→露光装置２００→メイン搬送アーム４→入力用受け渡しユニット６４→サブ搬送アーム５→周辺露光装置６５→サブ搬送アーム５→出力用受け渡しユニット６２の搬送フローでウエハＷを搬送するようにしてもよい。
【００５０】
さらにインターフェイス部Ｓ２では、処理部Ｓ１の棚ユニットＵ３の冷却ユニット２６からメイン搬送アーム４で受け取ったウエハＷを、入力用受け渡しユニット６４→サブ搬送アーム５→バッファカセット６３→サブ搬送アーム５→温調ユニット６１→メイン搬送アーム４→露光装置２００→メイン搬送アーム４→入力用受け渡しユニット６４→サブ搬送アーム５→バッファカセット６３→サブ搬送アーム５→周辺露光装置６５→サブ搬送アーム５→出力用受け渡しユニット６２の搬送フローでウエハＷを搬送するようにしてもよい。
【００５１】
ここで上述の塗布、現像装置のインターフェイス部Ｓ２では、スループットの向上を図るために、メイン搬送アーム４とサブ搬送アーム５との搬送を次のように制御することが望ましい。
【００５２】
この搬送制御は、メイン搬送アーム４から入力用受け渡しユニット６４を介してサブ搬送アーム５にウエハＷを受け渡す場合には、サブ搬送アーム５が入力用受け渡しユニット６２から先に搬送されたウエハＷを取り出さないと、メイン搬送アーム４が当該入力用受け渡しユニット６２へのウエハＷの搬送を開始することができないという点を解消するためになされたものであり、このためメイン搬送アーム４のウエハ搬送先が入力用受け渡しユニット６２である場合であって、この受け渡しユニット６２にウエハＷが載置されている場合に、当該受け渡しユニット６２からサブ搬送アーム５が先に搬送されたウエハＷの取り出しを開始すると同時にメイン搬送アーム４もウエハＷの搬送を開始するように、メイン搬送アーム４とサブ搬送アーム５の駆動系の動作を制御するものである。このようにメイン搬送アーム４とサブ搬送アーム５との搬送制御を行うと、メイン搬送アーム４がウエハＷの搬送を待機している時間が短くなるので、その分スループットの向上を図ることができる。
【００５３】
またサブ搬送アーム５からメイン搬送アーム４にウエハＷを受け渡す場合にも同様の搬送制御を行うようにしてもよく、この場合には、サブ搬送アーム５のウエハ搬送先が出力用受け渡しユニット６４である場合であって、この受け渡しユニット６４にウエハＷが載置されている場合に、当該受け渡しユニット６４からメイン搬送アーム４がウエハＷの取り出しを開始すると同時にサブ搬送アーム５もウエハＷの搬送を開始するように、メイン搬送アーム４とサブ搬送アーム５の駆動系の動作が制御される。
以上において本発明では、上述の例に限らず、処理部Ｓ１から露光装置２００に搬送されるウエハＷの温度を、インターフェイス部Ｓ２に設けた温調ユニット６１により露光処理の際の最適ウエハ温度に温度調整する構成であればよく、必ずしも周辺露光処理を行なう必要はないし、露光処理を行った後に周辺露光処理を行うようにしてもよい。また処理部Ｓ１から露光装置２００に搬送されるウエハＷの温度が露光処理の際の最適ウエハ温度よりも低い場合には、温度調整部として加熱部を設け、ウエハＷを加熱することにより所定の温度に調整するようにしてもよいし、必ずしもインターフェイス部Ｓ２に周辺露光装置６５を設ける必要はない。
【００５４】
さらにインターフェイス部Ｓ２に温調ユニット６１を設け、この温調ユニット６１に対してメイン搬送アーム４にてアクセスするようにしてもよい。さらにまたインターフェイス部Ｓ２の棚ユニットＵ４の構成は上述の例に限らず、棚ユニットＵ４の各部に加熱部やＣＨＰ装置（Chilling  Hot  Plate)等を設けるようにしてもよいし、周辺露光装置６５は処理部Ｓ１に設けるようにしてもよい。さらにメイン搬送アーム４により処理部Ｓ１と棚ユニットＵ４と露光装置２００と受け渡しユニット６２，６４との間でウエハＷの受け渡しが行われ、サブ搬送アーム５により棚ユニットＵ４に対してウエハＷの受け渡しが行われるレイアウトであれば、メイン搬送アーム４と棚ユニットＵ４とサブ搬送アーム５とはどのようにレイアウトしてもよいが、上述のように、棚ユニットＵ４を挟んでメイン搬送アーム４とサブ搬送アーム５とが向かい合うように略一直線状に配置すれば、フットプリントを小さくすることができる。さらにまたバッファカセット６３はメイン搬送アーム４とサブ搬送アーム５とに対向する２つの面が開口するタイプを用いるようにしてもよい。さらにまた本発明で用いられる基板はＬＣＤ基板であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明にかかる塗布、現像装置の実施の形態の全体構成を示す平面図である。
【図２】本発明にかかる塗布、現像装置の実施の形態の概観を示す斜視図である。
【図３】塗布ユニットの主要部を示す縦断側面図である。
【図４】棚ユニットを示す縦断側面図である。
【図５】インターフェイス部をキャリアステーション側から見た断面図である。
【図６】インターフェイス部に設けられた棚ユニットの例を示す斜視図である。
【図７】前記棚ユニットをサブ搬送アーム側から見た側面図である。
【図８】インターフェイス部に設けられた冷却ユニットを示す断面図である。
【図９】インターフェイス部に設けられたメイン搬送アームとサブ搬送アームを示す平面図である。
【図１０】インターフェイス部に設けられた周辺露光装置を示す断面図である。
【図１１】インターフェイス部を示す外観斜視図である。
【図１２】従来の塗布、現像装置を示す平面図である。
【図１３】従来のインターフェイス部を示す側面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１００        塗布、現像装置
２００        露光装置
Ｗ            半導体ウエハ
Ｓ１          処理部
Ｓ２          インターフェイス部
Ｕ１〜Ｕ４    棚ユニット  
Ｆ            フィルタユニット
２２          キャリア載置部
２４          主搬送手段
３Ａ          塗布ユニット
３Ｂ          現像ユニット
４            メイン搬送アーム
５            サブ搬送アーム
６０          待避ステージ
６１          温調ユニット
６２，６４    受け渡しユニット
６５          周辺露光装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2006344986.tif 000016
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2006344986.tif 000017
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2006344986.tif 000018
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2006344986.tif 000019