(57)【要約】【課題】  本発明の目的は、イオンビーム照射により配向処理をおこなう際に、均一な配向処理ができるイオンビーム照射装置を提供することにある。【解決手段】  イオンビーム照射装置１０は、基板１２を上流側から下流側に搬送する搬送ステージ１８と、イオンビームＩＢを搬送ステージ１８に配置された基板１２に照射するイオンガン２０と、上流側と下流側に配置されたマスク２２，２４と、下流側のマスク２４に設けられ、上昇傾斜可能なブレード２６と、上流側のマスク２２とブレード２６とで形成され、イオンビームＩＢを通過させるスリット２８と、を含む。【選択図】    図１
2006047724.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を配置し、該基板を上流側から下流側に搬送する搬送ステージと、
前記搬送ステージの上方に設置され、イオンビームを該搬送ステージに配置された基板に照射するイオンガンと、
前記イオンガンと前記搬送ステージの間において、前記上流側に配置され、第１端部を有する上流マスクと、
前記イオンガンと前記搬送ステージの間において、前記下流側に配置され、第２端部を有する下流マスクと、
前記第２端部に設けられ、下流側が上昇傾斜可能であり、かつ、第３端部を有し、該第３端部と前記第１端部とで前記イオンビームを通過させるスリットとを形成するブレード、
を含むイオンビーム照射装置。
【請求項２】
前記上流側のマスクの第１端部が傾斜面を有しており、基板に対する該傾斜面の角度が、イオンビームの基板への入射角度よりも大きい請求項１に記載のイオンビーム照射装置。
【請求項３】
前記ブレードが上昇傾斜した状態で、前記基板に対するブレードの角度と前記基板で反射したイオンビームの反射角度との合計が９０度以下である請求項１または２に記載のイオンビーム照射装置。
【請求項４】
前記ブレードの第３端部が傾斜面を有しており、該ブレードが上昇傾斜した状態で、前記基板に対する該ブレードの傾斜面の角度が、該基板で反射したイオンビームの反射角度よりも大きい請求項１乃至３に記載のイオンビーム照射装置。
【請求項５】
前記基板またはブレードとマスクとの間隔が１０ｍｍ以下である請求項１乃至４に記載のイオンビーム照射装置。
【請求項６】
前記ブレードは、少なくとも表面がカーボンである請求項１乃至５に記載のイオンビーム照射装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜に配向処理をおこない、液晶ディスプレイの配向膜を形成するためのイオンビーム照射装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイは、液晶の配向をそろえるために配向膜が設けられる。ポリイミドなどの有機膜あるいはＤＬＣ（Diamond Like Carbon）などの無機材料の薄膜にイオンビームを照射することにより、配向膜が形成される（特許文献１，２，３，４参照）。これは、薄膜の原子間結合をイオンビームで切断することによって、薄膜に配向処理が施されるからである。イオンビームによる配向処理は、いわゆるラビングと呼ばれる配向処理と異なり、ほこりなどの問題が発生しない。なお、本明細書のイオンビームは、アトミックビームや電子ビームと称する場合を含むこととする。
【０００３】
配向処理は、配向膜全体にわたり均一におこなう必要がある。均一でないと、液晶ディスプレイの明度むら、色むらの原因となる。高画質の液晶ディスプレイを製造するために、従来よりもいっそうの均一な配向処理が求められている。
【０００４】
配向処理に用いるイオンビーム照射装置には、ポイントソース型やリニアソース型のイオンガンが使用される。配向処理をおこなうためには、イオンガンに対して基板をある時間滞留させる方法や、イオンガンに対して基板をある速度で搬送させる方法がある。
【０００５】
イオンガンに対して基板をある時間滞留させる方法は、図１４のように回転機構４２などを設けたイオンビーム照射装置４０を用いる。基板１２を一定時間配置させて、基板１２の角度を変化させながら、イオンガン２０から基板１２にイオンビーム（図中では略称ＩＢで示す。以下、本明細書において同じである。）を照射する方法である。
【０００６】
イオンガンに対して基板を搬送させる方法は、図１５のように基板１２を搬送ステージ１８に載せ、基板１２をある速度で搬送しながら、イオンガン２０により基板１２にイオンビームを照射する方法である。以下簡単のため、イオンガン２０に対して基板１２を搬送させる方法を用いて説明する。
【０００７】
図１５のイオンビーム照射装置５０は、基板１２を配置して搬送する搬送ステージ１８、イオンビームを発射するイオンガン２０、広がりをもつイオンビームの内、直進性の良いイオンビームのみを通過させるスリット５６を形成したマスク５２，５４とを含む。基板１２は、ガラスなどの絶縁基板１４の上に、所望の材料が積層・パターニングされており、一番上層にポリイミドなどの有機膜あるいはＤＬＣなどの無機材料などの薄膜１６が成膜されて形成されている。
【０００８】
搬送ステージ１８に配置された基板１２は、搬送される途中でスリット５６を介して薄膜１６にイオンビームが照射される。イオンビームが薄膜１６に照射されることによって、その薄膜１６に配向処理が施され、配向膜となる。
【０００９】
液晶のアンカリング、プレチルトなどの配向特性は、基板１２に対するイオンビームの入射角度や強度などのイオンビーム条件、基板１２の滞留時間や搬送速度による照射時間などで決まる。イオンビームは、ある広がりを有しているため、マスク５２，５４によって余分なイオンビームをカットし、配向膜の形成に寄与させたいイオンビームのみを薄膜１６に照射する（特許文献１参照）。
【００１０】
図１５に示す搬送方向のイオンビームの強度分布が一様でない場合には、配向処理が不均一となり、液晶の配向の不均一が生じ得る。
【００１１】
イオンビームによって搬送ステージ１８やイオンビーム照射装置５０の壁面などがスパッタされる。また、図１５の点線で示すように、イオンビームによってスパッタされた薄膜１６、搬送ステージ１８、およびマスク５２，５４周りの装置部に使用されている物が、マスク５４の端部付近の下面に付着する。このように付着した物６０をスパッタ物または付着物と呼ぶ。イオンビームの方向より、スリット５６を形成する下流側のマスク５４の端部付近に、スパッタ物６０が付着しやすい特徴がある。なお、搬送される基板１２の出発点側を上流側、到達点側を下流側とする。
【００１２】
図１６のように、下流側のマスク５４の端部付近にスパッタ物６０がつくと、イオンビームがスパッタ物６０に遮られたり屈折したりする。図１５のようなスリット５６の構成では、反射されるイオンビームの影響を受けやすい。
【００１３】
イオンビームが遮られたり屈折したりすると、図１７（ａ）のように液晶７０の配向がそろわない。図１７（ｂ）、（ｃ）のようにアレイ基板１２ａとカラーフィルター基板１２ｃに配向処理をおこなうと、図１７（ｄ）のように両基板１２ａ、１２ｃを対向させたときに、パネル基板間で液晶分子のねじれや偏光軸からのずれが生じやすい。このような液晶分子のねじれや偏光軸からのずれは、液晶ディスプレイの表示に縦筋などの表示不良（縦筋ムラ）を引き起こす。
【００１４】
イオンビームのビームエネルギーが高くなる程、薄膜１６、搬送ステージ１８、およびマスク５２，５４周りの装置部に使用されている物をスパッタする率が高くなる。スパッタ物６０がマスク５４端部付近に付着する可能性が高くなる。したがって、上記のようなイオンビームの変化が発生し、配向処理による不良が生じやすい。
【００１５】
【特許文献１】特開平７−５６１７２号公報（図１）
【特許文献２】特開平１０−２５３９６２号公報（図１）
【特許文献３】特開２００４−６２０９８号公報（図１）
【特許文献４】特開２００４−３７８７５号公報（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明の目的は、イオンビーム照射により配向処理をおこなう際に、均一な配向処理ができるイオンビーム照射装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明のイオンビーム照射装置の要旨は、基板を配置し、該基板を上流側から下流側に搬送する搬送ステージと、前記搬送ステージの上方に設置され、イオンビームを該搬送ステージに配置された基板に照射するイオンガンと、前記イオンガンと前記搬送ステージの間において、前記上流側と下流側に配置され、端部を有するマスクと、前記下流側のマスクの端部に設けられ、下流側が上昇傾斜可能であり、端部を有するブレードと、前記上流側のマスクの端部と前記ブレードの端部とで形成され、前記イオンビームを通過させるスリットと、を含む。
【００１８】
前記上流側のマスクの端部が傾斜面を有しており、基板に対する該傾斜面の角度が、イオンビームの基板への入射角度よりも大きい。
【００１９】
前記ブレードが上昇傾斜した状態で、前記基板に対するブレードの角度と前記基板で反射したイオンビームの反射角度との合計が９０度以下である。
【００２０】
前記ブレードの端部が傾斜面を有しており、該ブレードが上昇傾斜した状態で、前記基板に対する該ブレードの傾斜面の角度が、該基板で反射したイオンビームの反射角度よりも大きい。
【００２１】
前記基板またはブレードとマスクとの間隔が１０ｍｍ以下である。
【００２２】
前記ブレードは、少なくとも表面がカーボンである。
【発明の効果】
【００２３】
本発明のイオンビーム照射装置は、スリットを形成するブレードの傾斜や端部の形状によって、ブレードで反射したイオンビームは基板に照射されない。ブレードで反射したイオンビームが基板に照射されることはなく、均一にイオンビームを照射することができる。このため、配向処理を均一におこなうことができ、液晶の配向を均一にすることができる。すなわち、表示品位の高い液晶ディスプレイを製造することができる。
【００２４】
マスクやブレードの端部に設けた傾斜面の傾きによっても、イオンビームを直接基板に照射することができ、均一な配向処理をおこなうことができる。
【００２５】
さらに、本発明のイオンビーム照射装置は、ブレードの傾斜を変更することにより、基板で反射したイオンビームのブレード下面への照射を防止することができる。また基板の配向膜、搬送ステージ、およびマスクやブレード周りの装置部などがイオンビームによってスパッタされ、その材料がブレード下面のスパッタ物の付着を軽減できる。装置内のクリーニング頻度が軽減されるため、タクトタイムを悪化させることはない。クリーンな装置で配向処理をおこなうため、液晶表示パネルの縦筋むらや配向不良を減らすことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
次に、本発明のイオンビーム照射装置の実施形態について図面を用いて説明する。イオンビーム照射装置は、基板を搬送させながら基板にイオンビームを照射するものである。
【００２７】
図１のイオンビーム照射装置１０は、基板１２を配置し、基板１２を上流側から下流側に搬送する搬送ステージ１８と、搬送ステージ１８の上方に設置され、イオンビームを搬送ステージ１８に配置された基板１２に照射するイオンガン２０と、イオンガン２０と搬送ステージ１８の間において、上流側と下流側に配置され、端部ａ，ｂを有するマスク２２，２４と、下流側のマスク２４の端部ｂに設けられ、下流側ｄが上昇傾斜可能であり、端部ｃを有するブレード２６と、上流側のマスク２２の端部ａとブレード２６の端部ｃとで形成され、イオンビームを通過させるスリット２８と、を含む。
【００２８】
端部が複数あるので本明細書では以下のように定義する。上流側のマスク２２の端部ａを第１端部とする。下流側のマスク２４の端部ｂを第２端部とする。ブレードの端部ｃを第３端部とする。
【００２９】
基板１２は、液晶ディスプレイに使用されるアレイ基板およびカラーフィルター基板を含む。イオンビーム照射装置１０は、アレイ基板などの配向膜を形成するためのものである。したがって、基板１２は、ガラスなどの絶縁基板１４の上に所望の材料を積層およびパターニングし、一番上層に配向膜となるポリイミドなどの有機膜あるいはＤＬＣなどの無機材料の薄膜１６を有する。本明細書において、基板１２にイオンビームを照射する記載については、実際には基板１２上のポリイミドなどの有機膜あるいはＤＬＣなどの無機材料の薄膜１６にイオンビームを照射することである。
【００３０】
搬送ステージ１８は、均一な配向処理をおこなうために、一定の速度で基板１２を搬送する。すなわち、基板１２の各位置では、イオンビームの照射時間が一定となり、照射されるイオンビームの量が一定となる。
【００３１】
本明細書において、上流側は基板１２の出発点側をいい、下流側は基板１２の到達点側をいうこととする。図１においては、左方が上流側、右方が下流側となっている。
【００３２】
イオンガン２０は、特許文献３や４に示すような周知のものを使用しても良い。例えばイオンガン２０は、プラズマ生成室と、プラズマ生成室にガスを送り込むガス導入口と、プラズマ生成室で発生したイオンを加速させる加速電極と、加速されたイオンをイオンビームとして外部に取り出すためのイオン射出口を含むグリッドとを含む。イオンガン２０は、リニアソース型の方が好ましい。ガスとしてはＡｒガスなどを使用する。また、イオンビームを発射するために、イオンビーム照射装置１０は、真空状態にしたチャンバー内にマスク２２，２４や搬送ステージ１８などを配置する。
【００３３】
イオンガン２０から発射されたイオンビームは、上流側上方から下流側下方、すなわち基板１２に対して斜方に進行する。イオンビームは、加速されて直進する複数のイオンの集まりである。各イオンはそれぞれ任意の方向に直進するため、イオンビームはある広がりを有している。なお、本明細書においては、イオンガン２０から発射された個々のイオンもイオンビームと総称する。
【００３４】
マスク２２，２４によって不必要なイオンビームをカットし、直進性のある所望のイオンビームのみを基板１２に照射する。また、本発明はマスク２２，２４以外にブレード２６を設け、ブレード２６によっても不必要なイオンビームをカットする。マスク２２，２４は、図２のマスク２３のように、上流側と下流側のマスク２２，２４が一体となっていてもよい。
【００３５】
従来と比較して、下流側のマスク２４の第２端部ｂにブレード２６が設けられている。ブレード２６は、下流側ｄが上昇し、基板１２に対して傾斜するようになっている。ブレード２６が傾斜することによって、基板１２などで反射したイオンビームが再びブレード２６に当たらないようになっている。また、ブレード２６の上面に当たったイオンビームが基板１２に照射されないようになっている。ブレード２６の基板１２に対する角度については、後で説明する。
【００３６】
イオンビーム照射装置１０は、ブレード２６を傾斜させるための手段を備える。また、この手段は、スリット２８の幅を調節する手段を設けても良い。すなわち、イオンビーム照射装置１０は、ブレード２６を傾斜させながらスリット２８の幅を調節しても良い。必要に応じてブレード２６の角度を調節することができる。
【００３７】
上流側のマスク２２およびブレード２６は、それぞれ第１端部ａおよび第３端部ｃに傾斜面を有している。イオンビームの基板１２への最適な照射とマスク２２などへのイオンビームによるスパッタ防止を種々検討した結果、それぞれの傾斜面の角度は以下に示すようになる。
【００３８】
図３（ａ）に示すように、基板１２に対する上流側のマスク２２の傾斜面２３の角度θｂは、イオンビームの基板１２への入射角度θｉよりも大きい方がよい。角度θｉ≦角度θｂとなっていると、傾斜面２３にイオンビームが当たらずに、直接イオンビームを基板１２に照射することができる。したがって、基板１２へのイオンビームの照射を均一にすることができ、均一な配向処理をおこなうことができる。
【００３９】
しかし、図３（ｂ）のように、角度θｉ＞角度θｂとなると、傾斜面２３にイオンビームが当たる。予定外の角度でイオンビームが基板１２に照射されることとなる。基板１２の各所において、照射されるイオンビームの方向が揃わず、配向処理が不均一となる。
【００４０】
次に図４〜図７を用いてブレード２６の形状や傾斜したときの状態について説明する。
【００４１】
例えば、図４（ａ）のように、ブレード２６の端部ｃの傾斜面２７が基板１２と反対側を向いているとする。図４（ｂ）のように、角度θｆ＋角度θｉ＞９０ｄｅｇとなると、ブレード２６の傾斜面２７で反射したイオンビームが基板１２に照射されることとなる。所定以外の方向からイオンビームが基板１２に照射されてしまい、配向処理が不均一となってしまう。
【００４２】
図４（ｃ）に示すように、基板１２に対するブレード２６の傾斜面２７の角度θｆとイオンビームの基板１２に対する入射角度θｉとの合計（角度θｆ＋角度θｉ）が９０ｄｅｇ以下であれば、傾斜面２７に反射したイオンビームが基板１２に照射されることはない。所望のイオンビームのみを基板１２に照射することができ、配向処理を均一にすることができる。
【００４３】
配向特性について図５に示す。薄膜１６はＤＬＣを用いている。図５中の１は図４（ｃ）の状態であり、図５中の２は図４（ｂ）の状態である。ブレード２６によって配向特性に影響を与えていることがわかる。配向膜のリタデーションΔｎｄ（屈折率の異方性Δｎ＝ｎｙ−ｎｘ（ｎｙ、ｎｘは異方性媒質の屈折率）に膜中の異方性媒質の厚さｄを乗じたもの（図６（ａ），（ｂ）参照））が小さいほど、配向膜表面の異方性が小さく、図５中の１の方が２より良好なイオンビームが基板１２に照射されているのがわかる。図５中の２はブレード２６の傾斜面２７でのイオンビームの反射が影響し、角度の大きなイオンビームが結果的に基板１２に入射されるためにプレチルト角が大きくなっている。図５中の１は、それがないために本来のイオンビームによりおこるプレチルト角が発現している。
【００４４】
基板１２で反射したイオンビームの影響を回避するブレード２６の傾きについて説明する。イオンビームは、図７（ａ）の様に、入射角度θｉと同じ角度で反射するとする。ブレード２６の角度θｂｍがイオンビームの基板１２への反射角度θｉ以上であれば、イオンビームがブレード２６の下面（基板側の面）に当たることはない。イオンビームがブレード２７と下流側のマスク２４との間にできた隙間を通過する。したがって、不必要なイオンビームが基板１２に照射されず、配向処理を均一にすることができる。
【００４５】
一方、図７（ｂ）のように、角度θｂｍ＜角度θｉであれば、基板１２で反射したイオンビームがブレード２６の下面に当たってしまう。ブレード２６の下面でイオンビームが反射してしまい、不必要なイオンビームが基板１２に再照射されてしまう。基板１２に対して均一な配向処理を施すことができない。
【００４６】
上記ブレード２６についての説明をまとめると、以下の（Ａ）および（Ｂ）ような形態にするのが好ましく、図８のような形状となる。ブレード２６の第３端部ｃの傾斜面２７は基板１２のある側に向いている。上述した傾斜面２７の角度θｆは、ブレード２６の角度となる。上述したブレード２６の角度θｂｍは、傾斜面２７の角度となる。
【００４７】
（Ａ）ブレード２６が上昇傾斜した状態で、基板１２に対するブレード２６の角度θｆと基板１２で反射したイオンビームの反射角度θｉとの合計（角度θｆ＋角度θｉ）が９０度以下である方がよい。なお、９０度であれば、イオンガン２０の方にイオンビームが反射される。
【００４８】
（Ｂ）ブレード２６が上昇傾斜した状態で、基板１２に対するブレード２６の傾斜面２７の角度θｂｍが、基板１２で反射したイオンビームの反射角度θｉよりも大きい方がよい。
【００４９】
上記（Ａ）および（Ｂ）を満たすことによって、ブレード２６の影響が無く、所望のイオンビームを基板１２に照射することができる。本発明のブレード２６を設けることによって、従来と異なり、下流側のマスク２４によるイオンビームの乱れやマスク２４の下面への反射やスパッタ、また付着物防止ができる。
【００５０】
次に、上流側のマスク２２とブレード２６の間（スリット２８の幅）について説明する。図９の各記号は以下のように定義する。
ａ：イオンガン開口幅（イオンビーム発射時のイオンビーム幅）
ｂ：照射距離での有効なイオンビーム幅
ｃ：基板面での有効なイオンビーム幅
ｄ：照射距離（イオンガンと基板間の距離）
Ｅ：イオンビーム中心と基板との交点
θｄ：イオンビームの広がり角
θｉ：イオンビームの入射角
【００５１】
ｂを計算すると、ｂ＝ａ＋２×ｄ×ｔａｎ（θｄ）である。イオンビームの広がりが小さいとき、ｃ≒ｂ／ｓｉｎ（θｉ）となる。したがって、ｃ≒（ａ＋２ｄ×ｔａｎ（θｄ））／ｓｉｎ（θｉ）となる。
【００５２】
上流側のマスク２２とブレード２６の距離Ｌは、Ｌ＝ｃ×（１−Ｒ）＝（ａ＋２ｄ×ｔａｎ（θｄ））／ｓｉｎ（θｉ）×（１−Ｒ）となる。Ｒは上記ｃに対するイオンビームのカット率である。カット率Ｒは、０．３≦Ｒ≦０．８と定義する。ただし、少なくとも下流側のマスク２４（またはブレード２６）によるカット率Ｒは０．１以上を含むものとする。
【００５３】
θｄは以下の（１）〜（５）で求める。
（１）イオンガンの照射面より、３００ｍｍにファラデーカップを置き、左右に移動させる。
（２）ファラデーカップで得られた電流密度を図１０の様にプロットする。
（３）プロットした値を正規分布曲線で近似する。
（４）正規分布曲線の下側の面積が９５％となる電流密度の位置で、ファラデーカップ位置と平行にカットラインを引く。
（５）カットラインと正規分布曲線との交点Ａと、イオンガンの開口部端を結んだ角度をθｄと定義する。
【００５４】
上流側のマスク２２とブレード２６の距離Ｌの実施例として下記のような条件とすると、配向特性は図１１（ａ）の様になる。薄膜１６はＤＬＣを用いている。このときの基板１２とマスク２２間の距離Ｍは６ｍｍ、上記角度θｂｍ＝０ｄｅｇである。
ａ：３０ｍｍ
ｂ：１３４ｍｍ
ｃ：３１７ｍｍ
ｄ：３６９ｍｍ
θｄ：８°
θｉ：２５°
０．３≦Ｒ≦０．８（少なくとも下流側のカット率Ｒは０．１以上を含む）
【００５５】
図１１（ｂ）より、距離Ｌと配向特性から適切なカット率Ｒを見積もることができる。なお、マスク２２とブレード２６の距離Ｌは約６０〜２２０ｍｍとなっている。
【００５６】
基板１２とマスク２２（傾斜したブレード２６の端部ｃを含む）との間隔が１０ｍｍ以下である方が好ましい。これは、図１２に示すように、その間隔が狭いほど配向力が強くなるためである。また、間隔が狭すぎるとブレード２６と基板１２とがぶつかるので、間隔は１〜１０ｍｍが好ましい。図１２で基板１２とブレード２６の間隔Ｍは６ｍｍであり、ブレード２６の角度は０度であり、薄膜１６はＤＬＣである。
【００５７】
また種々の実験より、ブレード２６の先端部分は、図１３（ａ），（ｂ）に示すような面取りをおこなうのが好ましい。図１３（ａ）は、円弧状に丸めた面取りであり、円弧の半径ｒは１ｍｍ以下が好ましい。図１３（ｂ）は、先端部の頂点からの距離が等しいところを結ぶ直線でカットしている。先端部からの距離ｘは１ｍｍ以下が好ましい。半径ｒまたは距離ｘを１ｍｍ以下にすることによって配向処理を均一にできることが、実験により得ている（図１１参照）。
【００５８】
ブレード２６の材質は低スパッタ率の材料（カーボン、金属など）を用いる。これは、低スパッタ率の材料であればスパッタされにくいからである。Ａｒ＋を５００ｅＶで加速させ、イオンビームとした場合のカーボンのスパッタ率は０．１２atoms/ionであり、Ａｒ＋イオン１個に対してＣ原子が０．１２個スパッタされることとなる。スパッタ率の数値が小さいほどスパッタされにくくなる。カーボンのスパッタ率は、比較的低スパッタ率のＳｉやＴｉと比較しても、約１／５である。ブレード２６がスパッタされにくく、単位時間あたりのクリーニングの回数を減らすことができる。また、スパッタ物がブレード２６に付着しにくいので、従来技術で説明した縦筋ムラや配向不良を防止することができる。
【００５９】
また、ブレード２６全体をカーボンで構成する以外に、少なくともブレード２６の表面に接着剤でカーボンを貼り付け、内部を他の材料で構成しても良い。
【００６０】
ブレード２６以外のマスク２２や装置の内壁３０などにもカーボンを使用することが好ましい。図１の搬送ステージ１８のように、イオンビームが照射される面のみにカーボンのコート３２を貼り付けても良い。装置１０全体のクリーニング回数を減らすことができ、生産効率の面から好ましい。またマスク２２などに付着したスパッタ物が大きくなり、基板上に落下する確率も低くなる。
【００６１】
図１において、基板１２を左方から右方へ搬送したために下流側のマスク２４にブレード２６を設けたが、上流側のマスク２２にブレード２６を設けても良い。搬送方向は、図１において右方から左方であっても良い。両方のマスク２２，２４にブレード２６を設けても良い。
【００６２】
以上、本発明は、基板に対してイオンビームを均一に照射することができ、均一な配向処理をおこなうことができる。液晶ディスプレイに基板を使用したときに、液晶の配向が均一になり、液晶ディスプレイの表示品位を高めることができる。イオンビーム照射装置のクリーニングの回数も少なくなり、タクトタイムを短縮することができる。
【００６３】
その他、本発明は、その主旨を逸脱しない範囲で当業者の知識に基づき種々の改良、修正、変更を加えた態様で実施できるものである。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明のイオンビーム照射装置の構成を示す図である。
【図２】マスクの他の構成を示す図である。
【図３】上流側のマスクの傾斜面を示す図であり、（ａ）は最適な傾斜面を示し、（ｂ）は傾斜面にイオンビームが照射される構成を示す。
【図４】ブレードの傾斜面を示す図であり、（ａ）は上流側のマスクを含めた全体的な図であり、（ｂ）はイオンビームが傾斜面での反射により基板方向に向かう図であり、（ｃ）は傾斜面で反射したイオンビームが上方に向かう図である。
【図５】図４（ｂ）、（ｃ）における配向特性を示す図である。
【図６】配向膜表面の光学異方性、つまりリタデーションを説明する図であり、（ａ）はイオンビームの照射によって基板上面の薄膜にできる配向層（異方性媒質）とイオンビームが入り込まなかった膜の深くにある無配向層（等方性媒質）の断面を表す概念図であり、（ｂ）は配向層（異方性媒質）の屈折率（ｎｘ、ｎｙ）および屈折率の異方性（Δｎ）を表現する概念図である。
【図７】ブレードの傾きを示す図であり、（ａ）は基板で反射したイオンビームがブレードの裏面に照射されない図であり、（ｃ）はブレードの裏面にイオンビームが照射される図である。
【図８】図４および図７より最適なブレードの傾斜面および傾きを示す図である。
【図９】最適なスリットの幅を定義するための図である。
【図１０】イオンビームの広がりを定義するための図である。
【図１１】図９および図１０の定義から、（ａ）は配向特性を示す図であり、（ｂ）はカット率を求める図である。
【図１２】マスクと基板との距離から求めた配向特性を示す図である。
【図１３】ブレードの先端の面取りを示す図であり、（ａ）は丸めた図であり、（ｂ）はカットした図である。
【図１４】従来のイオンビーム照射装置の構成を示す図である。
【図１５】マスクの裏面にスパッタ物が付着した図である。
【図１６】マスクのスリットを形成する部分にスパッタ物が付着した図である。
【図１７】配向の乱れを示す図であり、（ａ）はイオンビームと配向の関係を示し、（ｂ）はアレイ基板側のイオンビームの方向を示し、（ｃ）はカラーフィルター基板側のイオンビームの方向を示し、（ｄ）は液晶セルにしたときのイオンビームの方向を示す。
【符号の説明】
【００６５】
１０：イオンビーム照射装置
１２：基板
１４：絶縁基板
１６：薄膜
２０：イオンガン
２２，２４：マスク
２６：ブレード
２８：スリット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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