(57)【要約】【課題】ドーパント原子を半導体膜に容易かつ迅速に導入することができる導入方法、半導体装置の製造方法を提供する。また、前記半導体装置の製造方法を用いる電子機器の製造方法を提供する。前記半導体装置の製造方法により得られる半導体装置およびこれを備える電子機器を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、第１の基板２２０上に半導体層３１４を形成する工程と、半導体層３１４が形成された第１の基板２２０を、ドーパントガスＧ１に曝しつつ、半導体層３１４のソース領域およびドレイン領域とすべき領域にレーザ光Ｌを照射して、ソース領域およびドレイン領域にドーパント原子を導入する工程とを有している。【選択図】図４
2006269752.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体膜にドーパント原子を導入する方法であって、
前記ドーパント原子を有する物質を含む雰囲気に、前記半導体膜を曝しつつ、該半導体膜の少なくとも一部に熱処理を施すことにより、前記半導体膜に前記ドーパント原子を導入することを特徴とする導入方法。
【請求項２】
半導体膜にドーパント原子を導入する方法であって、
前記ドーパント原子を有する物質を含む雰囲気に、前記半導体膜を曝し、該半導体膜に前記物質を付着させ、
その後、前記半導体膜の少なくとも一部に光を照射することにより、前記半導体膜に前記ドーパント原子を導入することを特徴とする導入方法。
【請求項３】
基板上に半導体膜を形成する工程と、
前記半導体膜が形成された基板を、ドーパント原子を有する物質を含む雰囲気に曝しつつ、前記半導体膜のソース領域およびドレイン領域とすべき領域に光を照射して、前記ソース領域および前記ドレイン領域に前記ドーパント原子を導入する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記基板上に前記半導体膜を形成する工程と、
前記半導体膜が形成された基板を、ドーパント原子を有する物質を含む雰囲気に曝し、該物質を前記半導体膜に付着させる工程と、
前記半導体膜のソース領域およびドレイン領域とすべき領域に光を照射して、前記ソース領域および前記ドレイン領域に前記ドーパント原子を導入する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記基板を加熱した状態で、前記基板を前記雰囲気に曝す請求項３または４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
加熱温度は、３００℃以上である請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記ドーパント原子は、リンまたはボロンである請求項１ないし６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記光は、レーザ光である請求項２ないし７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記レーザ光の波長は、５００ｎｍ以下である請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記光のエネルギ強度は、２００〜５００ｍＪ／ｃｍ２である請求項２ないし９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項３ないし１０のいずれかに記載の半導体装置の製造方法を用いて、電子機器を製造することを特徴とする電子機器の製造方法。
【請求項１２】
請求項３ないし１０のいずれかに記載の半導体装置の製造方法により製造されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の半導体装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導入方法、半導体装置の製造方法、電子機器の製造方法、半導体装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）のソース領域およびドレイン領域の形成方法としては、イオンドーピング法（イオン打ち込み法）によって、基板上に形成されたＳｉ層に不純物を導入し、当該不純物が導入されたＳｉ層に対してアニール処理（例えば、光照射処理、熱処理）を施すことが知られている（例えば、特許文献１参照）。
しかしながら、イオンドーピングを行なう装置は、その構造が複雑であり、また、高価であるため、薄膜トランジスタのソース領域およびドレイン領域を形成する、すなわち、基板上に形成されたＳｉ層に不純物を導入する際の製造コストがかかる（高くつく）という問題があった。
【０００３】
【特許文献１】特開平０６−２７５６４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、ドーパント原子を半導体膜に容易かつ迅速に導入することができる導入方法、半導体装置の製造方法を提供すること、また、前記半導体装置の製造方法を用いる電子機器の製造方法を提供すること、前記半導体装置の製造方法により得られる半導体装置およびこれを備える電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の導入方法は、半導体膜にドーパント原子を導入する方法であって、
前記ドーパント原子を有する物質を含む雰囲気に、前記半導体膜を曝しつつ、該半導体膜の少なくとも一部に熱処理を施すことにより、前記半導体膜に前記ドーパント原子を導入することを特徴とする。
これにより、ドーパント原子を半導体膜に容易かつ迅速に導入することができる。
【０００６】
本発明の導入方法は、半導体膜にドーパント原子を導入する方法であって、
前記ドーパント原子を有する物質を含む雰囲気に、前記半導体膜を曝し、該半導体膜に前記物質を付着させ、
その後、前記半導体膜の少なくとも一部に光を照射することにより、前記半導体膜に前記ドーパント原子を導入することを特徴とする。
これにより、ドーパント原子を半導体膜に容易かつ迅速に導入することができる。
【０００７】
本発明の半導体装置の製造方法は、基板上に半導体膜を形成する工程と、
前記半導体膜が形成された基板を、ドーパント原子を有する物質を含む雰囲気に曝しつつ、前記半導体膜のソース領域およびドレイン領域とすべき領域に光を照射して、前記ソース領域および前記ドレイン領域に前記ドーパント原子を導入する工程とを有することを特徴とする。
これにより、ドーパント原子を半導体膜に容易かつ迅速に導入することができる。
【０００８】
本発明の半導体装置の製造方法は、前記基板上に前記半導体膜を形成する工程と、
前記半導体膜が形成された基板を、ドーパント原子を有する物質を含む雰囲気に曝し、該物質を前記半導体膜に付着させる工程と、
前記半導体膜のソース領域およびドレイン領域とすべき領域に光を照射して、前記ソース領域および前記ドレイン領域に前記ドーパント原子を導入する工程とを有することを特徴とする。
これにより、ドーパント原子を半導体膜に容易かつ迅速に導入することができる。
【０００９】
本発明の半導体装置の製造方法では、前記基板を加熱した状態で、前記基板を前記雰囲気に曝すことが好ましい。
これにより、ドーパント原子を半導体膜により容易かつ迅速に導入することができる。
本発明の半導体装置の製造方法では、加熱温度は、３００℃以上であることが好ましい。
これにより、半導体膜のほぼ全体を加熱することができ、よって、半導体膜をドーパント原子が導入され易い状態とすることができる、すなわち、ドーパント原子を半導体膜にさらに容易に導入することができる。
【００１０】
本発明の半導体装置の製造方法では、前記ドーパント原子は、リンまたはボロンであることが好ましい。
これにより、半導体膜にソース領域およびドレイン領域を確実に形成することができる。
本発明の半導体装置の製造方法では、前記光は、レーザ光であることが好ましい。
これにより、半導体膜が確実に励起され、よって、当該半導体膜にドーパント原子をより容易かつ迅速に（効率よく）導入することができる。
【００１１】
本発明の半導体装置の製造方法では、前記レーザ光の波長は、５００ｎｍ以下であることが好ましい。
これにより、半導体膜がより確実に励起され、よって、当該半導体膜にドーパント原子をさらに容易かつ迅速に（効率よく）導入することができる。
本発明の半導体装置の製造方法では、前記光のエネルギ強度は、２００〜５００ｍＪ／ｃｍ２であることが好ましい。
これにより、半導体膜がより確実に励起され、よって、当該半導体膜にドーパント原子をさらに容易かつ迅速に（効率よく）導入することができる。
【００１２】
本発明の電子機器の製造方法は、本発明の半導体装置の製造方法を用いて、電子機器を製造することを特徴とする。
これにより、電子機器を効率よくかつ確実に得ることができる。
本発明の半導体装置は、本発明の半導体装置の製造方法により製造されたことを特徴とする。
これにより、半導体装置を効率よくかつ確実に得ることができる。
本発明の電子機器は、本発明の半導体装置を有することを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の導入方法、半導体装置の製造方法、電子機器の製造方法、半導体装置および電子機器を添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
なお、以下では、本発明の半導体装置、すなわち、薄型トランジスタ（ＴＦＴ）をアクティブマトリックス駆動方式の透過型液晶表示装置に適用した場合を一例として説明する。
【００１４】
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の半導体装置の製造装置を用いて製造する薄型トランジスタを透過型液晶表示装置に適用した場合の実施形態を示す分解斜視図、図２は、図１に示す透過型液晶表示装置の薄膜トランジスタ付近の拡大縦断面図である。
なお、図１では、図が煩雑となるのを避けるため一部の部材を省略している。また、以下の説明では、図１、図２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００１５】
図１に示す透過型液晶表示装置１０（以下、単に「液晶表示装置１０」と言う。）は、液晶パネル（表示パネル）２０と、バックライト（光源）６０とを有している。
この液晶表示装置１０は、バックライト６０からの光を液晶パネル２０に透過させることにより画像（情報）を表示し得るものである。
液晶パネル２０は、互いに対向して配置された第１の基板２２０と第２の基板２３０とを有し、これらの第１の基板２２０と第２の基板２３０との間には、表示領域を囲むようにしてシール材（図示せず）が設けられている。
【００１６】
そして、これらの第１の基板２２０、第２の基板２３０およびシール材により画成される空間には、電気光学物質である液晶が収納され、液晶層（中間層）２４０が形成されている。すなわち、第１の基板２２０と第２の基板２３０との間に、液晶層２４０が介挿されている。
なお、図示は省略したが、液晶層２４０の上面および下面には、それぞれ、例えばポリイミド等で構成される配向膜が設けられている。これらの配向膜により液晶層２４０を構成する液晶分子の配向性（配向方向）が規制されている。
【００１７】
第１の基板２２０および第２の基板２３０は、それぞれ、例えば、各種ガラス材料、各種樹脂材料等で構成されている。
第１の基板２２０は、その上面（液晶層２４０側の面）２２１に、マトリックス状（行列状）に配置された複数の画素電極２２３と、Ｘ方向に延在する走査線２２８と、Ｙ方向に延在する信号線２２４とが設けられている。
【００１８】
各画素電極２２３は、透明性（光透過性）を有する透明導電膜により構成され、それぞれ、１つの薄膜トランジスタ１を介して、信号線２２４および走査線２２８に接続されている。
なお、本実施形態では、第１の基板２２０と、画素電極２２３と、信号線２２４と、走査線２２８と、次に説明する薄膜トランジスタ１とにより、後述する電子機器に用いられる基板（電子機器用基板）が構成される。
【００１９】
図２に示すように、薄膜トランジスタ１は、第１の基板２２０上に設けられ、チャンネル領域３２０とソース領域３１６とドレイン領域３１８とを備える半導体層３１４と、半導体層３１４を覆うように設けられたゲート絶縁膜３２６、絶縁層３４２と、ゲート絶縁膜３２６を介してチャンネル領域３２０と対向するように設けられたゲート電極３５１と、ゲート電極３５１上方の絶縁層３４２上に設けられた導電部３５６と、ソース領域３１６上方の絶縁層３４２上に設けられ、ソース電極として機能する導電部３５２と、ドレイン領域３１８上方の絶縁層３４２上に設けられ、ドレイン電極として機能する導電部３５４と、ゲート電極３５１と導電部３５６とを電気的に接続するコンタクトプラグ３５５と、ソース領域３１６と導電部３５２とを電気的に接続するコンタクトプラグ３５０と、ドレイン領域３１８と導電部３５４とを電気的に接続するコンタクトプラグ３５３とを有している。また、半導体層３１４と第１の基板２２０との間には、一般に、絶縁層（絶縁膜）が設けられているが、図示を省略している。
【００２０】
なお、導電部３５４は、画素電極２２３と電気的に接続するように、一体的に形成されている。また、導電部３５２および導電部３５６は、それぞれ、信号線２２４および走査線２２８に電気的に接続されている。
信号線２２４（導電部３５２）および走査線２２８（導電部３５６）は、それぞれ、導電性を有する金属配線膜により構成されている。また、画素電極２２３（導電部３５４）は、透明性（光透過性）を有する透明導電膜により構成されている。
【００２１】
画素電極２２３を構成する透明導電膜は、構成材料の種類等によっても若干異なるが、その比抵抗率が１×１０−２Ω・ｃｍ以下であるのが好ましく、７×１０−３Ω・ｃｍ以下であるのがより好ましい。透明導電膜の比抵抗率を前記範囲とすることにより、液晶表示装置１０をより応答速度の速いものとすることができる。
本実施形態では、図２に示すように、この第１の基板２２０上に、半導体層３１４が設けられている。この半導体層３１４は、例えば、多結晶シリコン、アモルファスシリコン等のシリコン、ゲルマニウム、ヒ素化ガリウム等の無機半導体材料（半導体材料）で構成される。
【００２２】
前述したように、この半導体層３１４は、チャンネル領域３２０とソース領域３１６とドレイン領域３１８とを有している。
半導体層３１４は、チャンネル領域３２０の一方の側部にソース領域３１６が形成され、チャンネル領域３２０の他方の側部にドレイン領域３１８が形成された構成となっている。
ソース領域３１６およびドレイン領域３１８は、後述する半導体装置の製造方法（導入方法）によってドーパント原子（不純物）が導入（ドープ）され、拡散されることにより形成される。例えば、リン等のｎ型不純物がドープされた半導体材料で構成される。
【００２３】
なお、半導体層３１４の構成はこの構成に限定されず、例えば、ソース領域３１６およびドレイン領域３１８は、ｐ型不純物が導入された半導体材料で構成されてもよい。また、半導体層３１４の厚さ（層厚）は、特に限定されないが、例えば、４０ｎｍ〜１００ｎｍであるのが好ましい。半導体層３１４の厚さが上記範囲内であると、電気特性の優れた薄膜トランジスタを形成することができ、また、当該半導体層３１４のソース領域３１６およびドレイン領域３１８とすべき領域に不純物を確実にドープすることができ、よって、ソース領域３１６およびドレイン領域３１８を確実に形成することができる。
ゲート絶縁膜３２６、絶縁層３４２の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、ＳｉＯ２、ＴＥＯＳ（ケイ酸エチル）、ポリシラザン等のケイ素化合物を用いることができる。
【００２４】
なお、ゲート絶縁膜３２６、絶縁層３４２は、上述した材料の他、例えば樹脂、セラミックス等で構成することもできる。
ゲート電極３５１の構成材料としては、例えば、ドープシリコン膜やインジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、インジウムオキサイド（ＩＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、アンチモンティンオキサイド（ＡＴＯ）、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔａ合金等の導電性材料で構成される。
【００２５】
絶縁層３４２上には、導電部３５２、導電部３５４、および導電部３５６が設けられ、これらは、それぞれ、ソース電極、ドレイン電極、およびゲート電極の引き出し線となる。液晶表示装置として機能する場合は、導電部３５２はソース線、導電部３５４は画素電極、および導電部３５６はゲート線となる。
絶縁層３４２とソース領域３１６およびドレイン領域３１８が形成された領域内には、それぞれ、その厚さ方向に向かって、ソース領域３１６およびドレイン領域３１８に連通する孔部（コンタクトホール）が形成されている。
【００２６】
導電部３５２および導電部３５４は、それぞれ、この孔部に形成されたコンタクトプラグ３５０およびコンタクトプラグ３５３を介して、ソース領域３１６およびドレイン領域３１８と電気的に接続されている。
導電部３５６は、この孔部に形成されたコンタクトプラグ３５５を介して、ゲート電極３５１と電気的に接続されている。
【００２７】
なお、これらの導電部上には、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等の材料で構成された、図示しないパッシベーション膜が形成されていてもよい。
また、以上のように構成された薄膜トランジスタ１では、送信されるデータ信号は、コンタクトプラグ３５０を介してソース領域３１６に送られる。このとき、走査線２２８にタイミング信号が送られ、ゲート電極３５１に電圧がかかると、電界効果によりチャネル領域３２０に存在する電荷がゲート絶縁膜３２６界面に集まり、チャネル領域３２０内で電子の移動が可能なる。そして、このときデータ信号の電圧の大きさが正であると、ソース領域３１６からドレイン領域３１８への電子の移動が起こり、コンタクトプラグ３５３を介して画素電極にデータ信号が送られる。
【００２８】
また、このときデータ信号の電圧の大きさが負であると、ドレイン領域３１８からソース領域３１６への電子の移動が起こる。すなわち、画素電極からコンタクトプラグ３５３を介してドレイン領域３１８へ、そして、チャネル領域３２０、ソース領域３１６、コンタクトプラグ３５０へと電子が移動する。この場合、画素電極に見かけ上送られるデータ信号は負の電圧となる。
なお、第１の領域と第２の領域は、いずれもソース領域とドレイン領域とになりうるものであるため、本発明では、半導体層３１４におけるソース領域３１６、あるいはドレイン領域３１８を表現する場合、データ線（走査線２２８）側か、画素電極側かを便宜上示すだけの意味であり、特に電子の移動する方向を限定するものではない。
【００２９】
また、図１に示すように、第１の基板２２０の下面には、偏光板２２５が設けられている。
一方、第２の基板２３０は、その下面（液晶層２４０側の面）２３１に、複数の帯状をなす対向電極２３２が設けられている。これらの対向電極２３２は、互いに所定間隔をおいてほぼ平行に配置され、かつ、画素電極２２３に対向するように配列されている。
【００３０】
画素電極２２３と対向電極２３２とが重なる部分（この近傍の部分も含む）が１画素を構成し、これらの電極間で充放電を行うことにより、画素毎に、液晶層２４０の液晶が駆動、すなわち、液晶の配向状態が変化する。
対向電極２３２も、前記画素電極２２３と同様に、透明性（光透過性）を有する透明導電膜により構成されている。
【００３１】
各対向電極２３２の下面には、それぞれ、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の有色層（カラーフィルター）２３３が設けられ、これらの各有色層２３３がブラックマトリックス２３４によって仕切られている。
ブラックマトリックス２３４は、遮光機能を有し、例えば、クロム、アルミニウム、アルミニウム合金、ニッケル、亜鉛、チタンのような金属、カーボン等を分散した樹脂等で構成されている。
【００３２】
また、第２の基板２３０の上面には、前記偏光板２２５とは偏光軸が異なる偏光板２３５が設けられている。
このような構成の液晶パネル２０では、バックライト６０から発せられた光は、偏光板２２５で偏光された後、第１の基板２２０および各画素電極２２３を介して、液晶層２４０に入射する。液晶層２４０に入射した光は、画素毎に配向状態が制御された液晶により強度変調される。強度変調された各光は、有色層２３３、対向電極２３２および第２の基板２３０を通過した後、偏光板２３５で偏光され、外部に出射する。これにより、液晶表示装置１０では、第２の基板２３０の液晶層２４０と反対側から、例えば、文字、数字、図形等のカラー画像（動画および静止画の双方を含む）を視認することができる。
【００３３】
◆◆◆半導体装置の製造装置◆◆◆
次に、半導体装置の製造装置１０００（以下、単に「半導体製造装置１０００」という）について説明する。
図３は、半導体装置の製造装置（第１実施形態）を示す概略図である。なお、以下の説明では、図３の上側を「上」、下側を「下」として説明する。
【００３４】
図３に示すように、半導体製造装置１０００は、チャンバ１１００と、第１の基板２２０を載置するステージ１１４０と、チャンバ１１００内にドーパント原子を有する物質を含むガス（以下、「ドーパントガスＧ１」という）を供給するガス供給手段１２００と、半導体層３１４に光を照射する光照射手段１１５０と、チャンバ１１００内に設置された第１の基板２２０を加熱するヒータ（加熱手段）１１６０と、チャンバ１１００内に不活性ガスＧ２を導入可能な不活性ガス導入手段１３００と、チャンバ１１００内を排気可能な排気手段１４００とを有している。以下、各部の構成について説明する。
【００３５】
チャンバ１１００は、形状が箱状をなすものであり、その内部１１０１に、半導体層３１４が形成された第１の基板２２０を設置することができる。このチャンバ１１００の上面には、例えば石英で構成された透過窓１１２０が取り付けられている。
【００３６】
チャンバ１１００の上方には、透過窓１１２０を覆うように筐体１１３０が取り付けられている。筐体１１３０内には、光照射手段１１５０が設けられている。この光照射手段１１５０が照射する光としては、特に限定されないが、例えば、ＸｅＣｌレーザ光、ＹＡＧレーザ光、ＣＷレーザ光等のレーザ光が用いられる。このようなレーザ光を用いる（照射する）ことにより、半導体層３１４が短時間で溶融する程度まで高温にすることができ、よって、当該半導体層３１４にドーパント原子を容易かつ迅速に（効率よく）ドープすることができる。
【００３７】
チャンバ１１００の内部１１０１には、第１の基板２２０を載置可能なステージ１１４０が設けられている。このステージ１１４０には、図示しない移動手段が接続されており、当該移動手段の作動により、チャンバ１１００の外側から内側へ、または、チャンバ１１００の内側から外側へ、ステージ１１４０とともに第１の基板２２０を移動（搬送）させることができる。
【００３８】
また、ステージ１１４０には、ヒータ１１６０が内蔵されている。
チャンバ１１００には、不活性ガス導入手段１３００がパイプ１５０１を介して接続されている。不活性ガス導入手段１３００の作動によりチャンバ１１００内に導入（供給）される不活性ガスＧ２としては、特に限定されないが、例えば、窒素、アルゴンなどを用いることができる。
【００３９】
このような不活性ガス導入手段１３００の作動により、チャンバ１１００内に不活性ガＧ２を供給することができ、よって、例えば、チャンバ１１００内の酸素濃度を低い状態にすることができる。
また、チャンバ１１００には、当該チャンバ１１００内の気体を排出する排気手段１４００がパイプ１５０２を介して接続されている。この排気手段１４００の構成は、特に限定されないが、例えば、真空ポンプ（真空装置）で構成されていていてもよいし、チャンバ１１００内の圧力変動（圧力変化）により開閉する圧力調節弁で構成されていてもよい。このような排気手段１４００の作動により、例えば、チャンバ１１００内の酸素濃度を低い状態にすることができる。また、排気手段１４００は、前述したようにチャンバ１１００内の気体を排出することができるため、チャンバ１１００内を圧力を減少させることができる、すなわち、チャンバ１１００内を減圧する減圧手段としても機能し得る。また、排気手段１４００はチャンバ内に残ったドーパントガスを排出することができるので、基板の搬送時にドーパントガスがチャンバの外に出ないようにすることができる。
【００４０】
図３に示すように、ガス供給手段１２００は、筐体１２０２と、ドーパント原子を有する物質を含む固形状物（以下、この固形状物を「ドーパント含有固体１２２０」という）を設置する設置部１２０１と、ドーパント含有固体１２２０を気化させる気化手段としてのヒータ（固形状物加熱手段）１２１０と、筐体１２０２に不活性ガスＧ３（キャリアガス）を導入する不活性ガス導入手段１２３０とを有している。
【００４１】
筐体１２０２内には、設置部１２０１が設けられており、筐体１２０２の蓋体（図示せず）を開けることにより、筐体１２０２内の設置部１２０１にドーパント含有固体１２２０を設置することができる。
設置部１２０１には、ヒータ１２１０が内蔵されている。このヒータ１２１０の作動により、設置部１２０１上のドーパント含有固体１２２０が加熱されて、当該ドーパント含有固体１２２０が気化する。この気化されたものとキャリアガスとの混合ガスをドーパントガスＧ１として、パイプ１５００を介してチャンバ１１００内（内部１１０１）に供給することができる。
【００４２】
また、筐体１２０２には、パイプ１５０３を介して不活性ガス導入手段１２３０が接続されている。不活性ガス導入手段１２３０の作動により、筐体１２０２内に不活性ガスＧ３が導入されて、この不活性ガスＧ３によってドーパントガスＧ１が筐体１２０２からチャンバ１１００に押し出される。
このような構成のガス供給手段１２００により、ドーパントガスＧ１を発生させることができ、よって、当該ドーパントガスＧ１をチャンバ１１００内に確実に供給することができる、すなわち、チャンバ１１００内をドーパント原子を有する物質を含む雰囲気に確実に設定することができる。
【００４３】
また、ガス供給手段１２００をチャンバ１１００内に設けてもよい。これにより、チャンバ１１００内をドーパントガスＧ１で迅速に満たすことができる。
また、設置部１２０１をチャンバ１１００内に設置してもよい。この場合、光照射手段１１５０からの光の一部が、設置部１２０１上のドーパント含有固体１２２０に照射されるよう設定する。このような構成により、光照射手段１１５０によってドーパント含有固体１２２０が加熱され、さらに、気化されることとなり、よって、チャンバ１１００をドーパントガスＧ１で確実に満たすことができる。また、ヒータ１２１０を設置するのを省略することができ、よって、半導体製造装置２０００を簡単な構造とすることができる。
【００４４】
また、ドーパント原子としては、特に限定されないが、例えば、リンやボロンが挙げられる。このようなドーパント原子を半導体層３１４に導入することにより、当該半導体層３１４にソース領域３１６およびドレイン領域３１８を確実に形成することができる。また、ドーパント含有固体１２２０としては、特に限定されず、例えば、固体で安定なリンやリンガラス（ＰＳＧ）、単体のホウ素やホウ酸などのホウ素化合物やボロンガラス（ＢＳＧ）が挙げられる。また、このようなドーパント含有固体１２２０を加熱する温度（加熱温度）は、物質の融点や蒸気圧などで決定されるが、扱い易いＰＳＧやＢＳＧなどでは、４００〜１０００℃の温度範囲であるのが好ましい。
また、不活性ガスＧ３としては、特に限定されないが、例えば、不活性ガスＧ２についての説明で挙げたようなものを用いることができる。
【００４５】
◆◆◆薄膜トランジスタの製造方法◆◆◆
次に、薄膜トランジスタ１（電子機器）を製造する製造工程について説明する。
図４〜図６は、半導体装置の製造工程（製造方法）を示す断面図である。なお、以下の説明では、図４〜図６中の上側を「上」、下側を「下」として説明する。
［１］  まず、図４に示すような、ゲート絶縁膜３２６およびゲート電極３５１が積層された半導体層３１４を、第１の基板２２０上に形成する。この形成方法を以下に示す。
【００４６】
第１の基板２２０を用意し、この第１の基板２２０の全面に、半導体層３１４を形成する（図５（ａ）参照）。この形成方法としては、特に限定されず、例えば、ＣＶＤ法（化学的気相成長法）やＰＶＤ法（物理的気相成長法）などの気相法や、塗布法などの液相法を用いることができる。
次に、例えばフォトリソグラフィ技術により、半導体層３１４を所望も形状に（島状に）パターニングする。なお、フォトリソグラフィ法を用いるのに限定されず、例えば、インクジェット技術を用いてもよい。これにより、半導体層３１４を部分的に形成（成膜）することができる。
【００４７】
次に、島状の半導体層３１４上に、ゲート絶縁膜３２６、ゲート電極３５１を順に堆積する。ゲート電極３５１の形成方法としては、特に限定されないが、例えば、Ｔａスパッタ法を用いることができる。
そして、一般のフォトリソフラフィと同様に、導電層３５１上にレジストを塗布し、マスクを介して露光し、チャネル領域３２０を形成したい部分の上部にのみレジストを残す。露光されたレジストは脆くなるためウェットエッチングなどで露光された部分のみ除去することができる。そして、ゲート電極３５１が可溶な液体で再度エッチングすることで、レジストに保護された部分以外を除去することができる。
【００４８】
本発明では、同様に半導体層３１４上でチャネル領域３２０以外のゲート絶縁膜３２６を除去し、半導体層３１４のソース領域３１６とドレイン領域３１８とを露出させる（図４、図５（ｂ）参照）。
次に、ソース領域３１６とドレイン領域３１８とが露出した状態の半導体層３１４が形成された第１の基板２２０を半導体製造装置１０００のチャンバ１１００内のステージ１１４０上に載置する（図３、図４参照）。
【００４９】
次に、ガス供給手段１２００のヒータ１２１０を作動させる。これにより、ヒータ１２１０によりドーパント含有固体１２２０が加熱されてドーパントガスＧ１が発生する。また、ヒータ１２１０の作動に伴なって、不活性ガス導入手段１２３０を作動させる。これにより、パイプ１５０３を介して、筐体１２０２内に不活性ガスＧ３が導入される。
ドーパントガスＧ１は、不活性ガスＧ３とともに、パイプ１５００を介してチャンバ１１００内に供給される。これにより、チャンバ１１００内がドーパント原子を有する物質を含む雰囲気になり、すなわち、チャンバ１１００内にドーパントガスＧ１および不活性ガスＧ３が充填され、よって、半導体層３１４がドーパントガスＧ１に曝される。また、このとき、ヒータ１１６０により第１の基板２２０（半導体層３１４）を加熱しておくとドーパントガスの一部は基板上に付着する。
【００５０】
そして、基板２２０の上方から基板２２０に対して光を照射する（図４参照）。ドーパントガスＧ１中のドーパント原子は、ゲート絶縁膜３２６で保護された部分以外の領域、すなわち、ソース領域３１６とドレイン領域３１８とに拡散する。このため、チャネル領域３２０は、ゲート絶縁膜３２６と整合的に形成される。
また、前述したように、ヒータ１１６０により半導体層３１４が加熱されているため、ドーパント原子が半導体層３１４に吸着し易くなっており、レーザ照射により効率よくドープすることができる。なお、ヒータ１１６０による加熱温度は、半導体層３１４や第１の基板２２０の厚さにもよるが、３００℃程度であるのが好ましい。
【００５１】
このような工程を経ることにより、ドーパント原子を半導体層３１４のゲート電極３５１（ゲート絶縁膜３２６）によりマスクされた領域に容易かつ迅速に導入することができ、よって、図５（ｃ）に示すように、ソース領域３１６およびドレイン領域３１８が形成された半導体層３１４を得ることができる。また、図３に示すように、半導体製造装置１０００は、その構成が簡単であるため、薄膜トランジスタ１を製造する際の製造コストを抑制することができる。また、ドーパントガスとしてＰＨ３やＢ２Ｈ６等の毒性のあるガスを使用する必要がないので、除害装置などが不要であると同時に、装置構成全体が簡便になり、低コスト化、作業性の向上が可能となる。
【００５２】
また、光照射手段１１５０を作動させるとき、すなわち、半導体層３１４をドーピング処理するとき、排気手段１４００を作動させて、チャンバ１１００内を減圧するのが好ましい。これにより、チャンバ１１００内が半導体層３１４をドープするのに適した状態となり、よって、半導体層３１４をより容易かつ迅速にドープすることができる。
また、レーザ光Ｌの波長は、数１０ｎｍの厚さの半導体膜にレーザエネルギーが吸収される波長を選択する必要があり、例えば、５００ｎｍ以下であるのが好ましく、４００ｎｍ以下であるであるのがより好ましい。波長が前記範囲内であると、半導体層３１４をより確実に加熱し十分な温度まで昇温でき、よって、当該半導体層３１４にドーパント原子をより容易かつ迅速に（効率よく）ドープすることができる。
【００５３】
また、レーザ光Ｌの望ましいエネルギ強度は、半導体層を目的の温度まで昇温するために必要な設定量であり、半導体層の膜厚に依存する。膜厚が数１０ｎｍ程度のときは２００〜５００ｍＪ／ｃｍ２であるが好ましい。エネルギ強度を適切に設定することにより、半導体層３１４を確実に昇温することができ、よって、当該半導体層３１４にドーパント原子をより容易かつ迅速に（効率よく）ドープすることができる。
【００５４】
［２］  次に、図５（ｃ）に示す状態から、第１の基板２２０の上面全体を覆うように、ゲート絶縁膜３４２を形成する。
その後、ゲート絶縁膜３４２の、チャンネル領域３２０、ソース領域３１６およびドレイン領域３１８に対応する部位（箇所）に、それぞれ、コンタクトホール３４４、３４５および３４６を形成する（図６（ｄ）参照）。この形成方法としては、特に限定されないが、例えば、前述したように、フォトリソフラフィ法およびウェットエッチングを用いて行なうことができる。
【００５５】
［３］  次に、図６（ｅ）に示すように、コンタクトホール３４４、３４５および３４６を埋めるように、ゲート絶縁膜３４２上に、例えばスパッタ法により導電層３５７を形成する。
［４］  次に、図６（ｆ）に示すように、例えば、フォトエッチングにより電極パターンを有する導電部３５２、導電部３５４（画素電極２２３）および導電部３５６を形成する。
なお、導電部３５２および導電部３５６を形成するための材料としては、前述したゲート電極形成材料と同様のものを用いることができる。
また、導電部３５４（画素電極２２３）は、前述したように、透明性（光透過性）を有する透明導電膜により構成されている。
【００５６】
さらに、導電部３５２、３５４、３５６を覆うように、二酸化ケイ素、窒化ケイ素（ＳｉＮ）などで構成されたパッシベーション膜（図示せず）を形成するようにしてもよい。
以上のような工程を経ることにより、薄膜トランジスタ１を効率よくかつ確実に得ることができる。
上記の薄膜トランジスタ１では、当該薄膜トランジスタ１の基本的な構造や製造工程を示したに過ぎず、あくまで一例であり、この他様々な態様が適用できる。
【００５７】
例えば、本発明は、上記のような、第１の基板２２０、半導体層３１４、ゲート絶縁膜３２６、ゲート電極３５１の順に形成されるいわゆるトップゲート型のトランジスタに限られず、第１の基板２２０、ゲート電極３５１、ゲート絶縁膜３２６、半導体層３１４の順に形成される、いわゆるボトムゲート型のトランジスタにも適用可能である。この場合、半導体層３１４上にレジストを堆積し、第１の基板２２０の裏面（下面）から露光を行う。ゲート電極３５１がマスクとなるため、チャネル領域３２０となる半導体層３１４上にのみレジストが残る。これをドーパントガスＧ１の雰囲気下におき、光を照射されることで、レジストの除去された領域にドーパント原子が拡散し、ソース領域３１６およびドレイン領域３１８を形成することができる。
また、例えば、画素電極とデータ線（走査線等）とは同一工程で形成されなくてもよく、画素電極がデータ線やトランジスタと重なるように形成することもできる。また、例えばドレイン領域３１８は、コンタクトホール３４５を介して画素電極２２３に接続されなくてもよく、保持容量やその他のトランジスタに接続されることもできる。
【００５８】
＜第２実施形態＞
以下、第２実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
本実施形態は、薄膜トランジスタを製造する製造工程のうち、ソース領域およびドレイン領域にドーパント原子を導入する方法が異なること以外は前記第１実施形態と同様である。
薄膜トランジスタ１を製造する製造工程（第２実施形態）について説明する。
【００５９】
［１］  まず、図４に示すような、ゲート絶縁膜３２６およびゲート電極３５１が積層された半導体層３１４を、第１の基板２２０上に形成する。この形成方法を以下に示す。
第１の基板２２０を用意し、この第１の基板２２０の全面に、半導体層３１４を形成する（図５（ａ）参照）。この形成方法としては、特に限定されず、例えば、
ＣＶＤ法（化学的気相成長法）やＰＶＤ法（物理的気相成長法）などの気相法や、塗布法などの液相法を用いることができる。
【００６０】
次に、例えばフォトリソグラフィ技術により、半導体層３１４を所望も形状に（島状に）パターニングする。なお、フォトリソグラフィ法を用いるのに限定されず、例えば、インクジェット技術を用いてもよい。これにより、半導体層３１４を部分的に形成（成膜）することができる。
次に、島状の半導体層３１４上に、ゲート絶縁膜３２６、ゲート電極３５１を順に堆積する。ゲート電極３５１の形成方法としては、特に限定されないが、例えば、Ｔａスパッタ法を用いることができる。
【００６１】
そして、一般のフォトリソフラフィと同様に、導電層３５１上にレジストを塗布し、マスクを介して露光し、チャネル領域３２０を形成したい部分の上部にのみレジストを残す。露光されたレジストは脆くなるためウェットエッチングなどで露光された部分のみ除去することができる。そして、ゲート電極３５１が可溶な液体で再度エッチングすることで、レジストに保護された部分以外を除去することができる。
【００６２】
本発明では、同様に半導体層３１４上でチャネル領域３２０以外のゲート絶縁膜３２６を除去し、半導体層３１４のソース領域３１６とドレイン領域３１８とを露出させる（図４、図５（ｂ）参照）。
次に、ソース領域３１６とドレイン領域３１８とが露出した状態の半導体層３１４が形成された第１の基板２２０を半導体製造装置１０００のチャンバ１１００内のステージ１１４０上に載置する（図３、図４参照）。
次に、ガス供給手段１２００のヒータ１２１０を作動させる。これにより、ヒータ１２１０によりドーパント含有固体１２２０が加熱されてドーパントガスＧ１が発生する。また、ヒータ１２１０の作動に伴なって、不活性ガス導入手段１２３０を作動させる。これにより、パイプ１５０３を介して、筐体１２０２内に不活性ガスＧ３が導入される。
【００６３】
ドーパントガスＧ１は、不活性ガスＧ３とともに、パイプ１５００を介してチャンバ１１００内に供給される。これにより、チャンバ１１００内がドーパント原子を有する物質を含む雰囲気になり、すなわち、チャンバ１１００内にドーパントガスＧ１および不活性ガスＧ３が充填され、よって、半導体層３１４がドーパントガスＧ１に曝されて、当該半導体層３１４に前記物質（ドーパント原子）が付着する。また、このとき、ヒータ１１６０により第１の基板２２０（半導体層３１４）を加熱する。
【００６４】
次に、排気手段１４００を作動させる。これにより、チャンバ１１００内からドーパントガスＧ１や不活性ガスＧ３が排出される。
その後、光照射手段１１５０を作動させる。これにより、ドーパント原子が付着した半導体層３１４のソース領域３１６およびドレイン領域３１８とすべき領域に選択的にレーザ光Ｌが照射され、ソース領域３１６およびドレイン領域３１８にドーパント原子が容易にドープされる。
【００６５】
また、前述したように、ヒータ１１６０により半導体層３１４が加熱されているため、ドーパント原子を半導体層３１４により容易にドープすることができる。
このような工程を経ることにより、ドーパント原子を半導体層３１４に容易かつ迅速に導入することができ、よって、図５（ａ）に示すように、ソース領域３１６およびドレイン領域３１８が形成された半導体層３１４を得ることができる。
【００６６】
以降、前記第１実施形態の工程［２］以降と同様の工程を経ることにより、薄膜トランジスタ１を効率よくかつ確実に得ることができる。
また、排気手段１４００を作動させるとき、これに伴ない、不活性ガス導入手段１３００を作動させてもよい。この不活性ガス導入手段１３００の作動により、チャンバ１１００内からドーパントガスＧ１や不活性ガスＧ３が排出されて、チャンバ１１００内が不活性ガスＧ２に置換される。これにより、チャンバ１１００内のドーパントガスＧ１をパージし、第１の基板２２０の搬送時に外部にガスが漏れないようにすることができる。
【００６７】
また、工程［１］では、チャンバ１１００内にドーパントガスＧ１を供給して半導体層３１４にドーパント原子を付着する工程（過程）と、レーザ光Ｌを照射してソース領域３１６およびドレイン領域３１８にドーパント原子をドープする工程（過程）とは、それぞれ、同一のチャンバ（チャンバ１１００）内で行なわれるのに限定されず、例えば、異なるチャンバ内で行なわれてもよい。
【００６８】
＜第３実施形態＞
図７は、半導体装置の製造装置（第３実施形態）を示す概略図である。
以下、第３実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
本実施形態は、ガス供給手段の構成が異なること以外は前記第１実施形態と同様である。
【００６９】
図７に示すように、半導体製造装置２０００のガス供給手段２１００は、ドーパント原子を有する物質を含む液状物（以下、この液状物を「ドーパント含有液体２２００」という）を収容（設置）する収容部（設置部）２３００と、収容部２３００に設置されたドーパント含有液体２２００を気化させる気化手段としてのヒータ（液状物加熱手段）２４００と、不活性ガス導入手段１２３１とを有している。
【００７０】
ヒータ２４００は、収容部２３００の外側（外方）に設置されている。このヒータ２４００が作動することにより、収容部２３００内のドーパント含有液体２２００が加熱され、さらに、気化される。このように気化されたものをドーパントガスＧ１として、パイプ１５００を介して、チャンバ１１００内に確実に供給することができる。
また、不活性ガス導入手段１２３１の作動により、収容部２３００のドーパント含有液体２２００の上方の空間に、不活性ガスＧ３を導入することができる。これにより、不活性ガスＧ３がドーパントガスＧ１に対するキャリアガスとして機能させることもできるので、ドーパントガスＧ１の濃度調整の役割も果たすことができる。
【００７１】
なお、ドーパント含有液体２２００としては、特に限定されないが、例えば、オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ３）の液体や、水やアルコール等のような有機溶剤にホウ酸を溶解した液体であってもよい。
また、収容部２３００をチャンバ１１００内に設置してもよい。この場合、光照射手段１１５０を、ドーパント含有液体２２００を加熱するヒータ（液状物加熱手段）として用いることができる。この光照射手段１１５０の作動により、収容部２３００内のドーパント含有液体２２００が加熱され、さらに、気化されることとなり、よって、チャンバ１１００をドーパントガスＧ１で確実に満たすことができる。
また、光照射手段１１５０をヒータとして用いた場合、ヒータ２４００を省略することができ、よって、半導体製造装置２０００を簡単な構造とすることができる。
【００７２】
＜第４実施形態＞
図８は、半導体装置の製造装置（第４実施形態）を示す概略図である。
以下、第４実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
本実施形態は、ガス供給手段の構成が異なること以外は前記第３実施形態と同様である。
図８に示すように、半導体製造装置５０００のガス供給手段２５００は、収容部２３００と、収容部２３００に設置されたドーパント含有液体２２００を気化させる気化手段としての不活性ガス導入手段１２３０（バブリング手段）と、ヒータ２４００とを有している。
【００７３】
不活性ガス導入手段１２３０の作動により、収容部２３０内のドーパント含有液体２２００に不活性ガスＧ３で構成された気泡が供給される、すなわち、収容部２３０内のドーパント含有液体２２００がバブリングされる。これにより、ドーパント含有液体２２００が気化される。このように気化されたものをドーパントガスＧ１として、パイプ１５００を介して、チャンバ１１００内に確実に供給することができる。
また、ヒータ２４００の作動により、ドーパントガスＧ１の濃度調整の役割を負うことができる。
【００７４】
＜第５実施形態＞
図９は、半導体装置の製造装置（第５実施形態）を示す概略図である。なお、以下の説明では、図９の上側を「上」、下側を「下」として説明する。
以下、第５実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
【００７５】
本実施形態は、ガス供給手段の構成が異なること以外は前記第１実施形態と同様である。
図９に示すように、半導体製造装置３０００のチャンバ１１００内には、ガス供給手段２６００が設けられている。このガス供給手段２６００は、板状体３１００を有している。また、板状体３１００の下面には、膜状（層状）のドーパント含有固体１２２０が設けられている。
【００７６】
このように板状体３１００は、ドーパント含有固体１２２０を設置する設置部とて機能している。また、板状体３１００は、光透過性を有し、その構成材料としては、特に限定されないが、例えば、石英ガラスを用いることができる。また、板状体３１００は、透過窓１１２０とステージ１１４０との間に設置されている。
光照射手段１１５０によって照射された光は、板状体３１００を介して（透過して）、ドーパント含有固体１２２０を加熱する。これにより、ドーパント含有固体１２２０が気化されることとなり、よって、チャンバ１１００をドーパントガスＧ１で確実に満たすことができる。
【００７７】
このように光照射手段１１５０は、ドーパント含有固体１２２０を加熱する手段（固形状物加熱手段）として機能している。これにより、前記第１実施形態のようなヒータ１２１０を設けるのを省略することができ、よって、半導体製造装置２０００を簡単な構造とすることができる。
また、ドーパント含有固体１２２０が膜状をなしていることにより、当該ドーパント含有固体１２２０が加熱されて気化され易い状態となり、よって、チャンバ１１００をドーパントガスＧ１で確実に満たすことができる。ドーパント含有固体として石英ガラス上に形成したＰＳＧ膜やＢＳＧ膜を用いることができる。
【００７８】
＜第６実施形態＞
図１０は、半導体装置の製造工程（製造方法）を示す断面図である。なお、以下の説明では、図１０の上側を「上」、下側を「下」として説明する。
以下、第６実施形態について説明するが、前述した実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項はその説明を省略する。
本実施形態は、薄膜トランジスタを製造する製造工程が異なること以外は前記第１実施形態と同様である。
薄膜トランジスタ１を製造する製造工程（第６実施形態）について説明する。
【００７９】
まず、第１の基板２２０を用意し、この第１の基板２２０上に、所望の形状をなすようパターニングされた半導体層３１４を形成する。
次に、半導体層３１４を覆うようにゲート絶縁膜３２６ａを形成し、さらに、チャンネル領域３２０とすべき領域に対応するゲート絶縁膜３２６上に、ゲート電極３５１を形成する。
【００８０】
次に、ソース領域３１６およびドレイン領域３１８とすべき領域のゲート絶縁膜３２６ａを除去する。これにより、ソース領域３１６およびドレイン領域３１８とすべき領域をそれぞれ、露出することができる（図１０参照）。
次に、このような第１の基板２２０を半導体製造装置１０００のチャンバ１１００内のステージ１１４０上に載置する（図３参照）。
【００８１】
次に、ガス供給手段１２００のヒータ１２１０を作動させる。これにより、ヒータ１２１０によりドーパント含有固体１２２０が加熱されてドーパントガスＧ１が発生する。また、ヒータ１２１０の作動に伴なって、不活性ガス導入手段１２３０を作動させる。これにより、パイプ１５０３を介して、筐体１２０２内に不活性ガスＧ３が導入される（図３参照）。
【００８２】
ドーパントガスＧ１は、不活性ガスＧ３とともに、パイプ１５００を介してチャンバ１１００内に供給される。これにより、チャンバ１１００内がドーパント原子を有する物質を含む雰囲気になり、すなわち、チャンバ１１００内にドーパントガスＧ１および不活性ガスＧ３が充填され、よって、半導体層３１４がドーパントガスＧ１に曝される。また、このとき、ヒータ１１６０により第１の基板２２０（半導体層３１４）を加熱する。
このような状態で、光照射手段１１５０を作動させる。これにより、半導体層３１４のソース領域３１６およびドレイン領域３１８とすべき領域に選択的にレーザ光Ｌが照射され、ソース領域３１６およびドレイン領域３１８にドーパント原子が容易にドープされる（図１０参照）。
【００８３】
このような工程を経ることにより、ドーパント原子を半導体層３１４に容易かつ迅速に導入することができ、よって、図１０に示すように、ソース領域３１６およびドレイン領域３１８が形成された半導体層３１４を得ることができる。
以降、前記第１実施形態の工程［２］以降とほぼ同様の工程を経ることにより、薄膜トランジスタ１を効率よくかつ確実に得ることができる。
次に、薄膜トランジスタ１を有する、すなわち、薄膜トランジスタ１が内蔵された電子機器について説明する。
【００８４】
◆◆◆電子機器◆◆◆
液晶表示装置１０（薄膜トランジスタ１）は、各種電子機器の表示部に用いることができる。
図１１は、モバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【００８５】
この図において、パーソナルコンピュータ６１００は、キーボード６１０２を備えた本体部６１０４と、表示ユニット６１０６とにより構成され、表示ユニット６１０６は、本体部６１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ６１００においては、表示ユニット６１０６が前述の液晶表示装置１０を備えている。
【００８６】
図１２は、携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機６２００は、複数の操作ボタン６２０２、受話口６２０４および送話口６２０６とともに、前述の液晶表示装置１０を表示部に備えている。
図１３は、ディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
【００８７】
ディジタルスチルカメラ６３００におけるケース（ボディー）６３０２の背面には、前述の液晶表示装置１０が表示部に設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
ケースの内部には、回路基板６３０８が設置されている。この回路基板６３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
【００８８】
また、ケース６３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット６３０４が設けられている。
撮影者が液晶表示装置１０に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン６３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板６３０８のメモリに転送・格納される。
【００８９】
また、このディジタルスチルカメラ６３００においては、ケース６３０２の側面に、ビデオ信号出力端子６３１２と、データ通信用の入出力端子６３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子６３１２にはテレビモニタ６４３０が、デ−タ通信用の入出力端子６３１４にはパーソナルコンピュータ６４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板６３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ６４３０や、パーソナルコンピュータ６４４０に出力される構成になっている。
【００９０】
なお、液晶表示装置１０は、図１１のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図１２の携帯電話機、図１３のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。
【００９１】
また、（半導体膜３１４が形成された第１の基板２２０）の画素電極２２３上には、電気光学材料からなる電気光学層が形成され、電気光学装置を構成している。電気光学層は、液晶層、発光材料層、その他電気泳動層などがあり、それぞれ、前述した液晶表示装置１０、有機ＥＬ装置、電気泳動表示装置の一部として機能する。また、例えば、電気光学層が発光材料層の場合、電気光学装置は表示装置に限られず、発光を目的とした発光装置を意味するものを含む。
【００９２】
また、電気光学装置は、前記アクティブマトリクス基板上に上記電気光学材料が形成されている構成を含むものであればよく、商取引で譲渡されうる形態を備えた製品であれば特に限定されるものではない。
以上、本発明の導入方法、半導体装置の製造方法、電子機器の製造方法、半導体装置および電子機器を図示の実施形態について説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、半導体装置および電子機器を構成する各部は、同様の機能を発揮し得る任意の構成のものと置換することができる。また、任意の構成物が付加されていてもよい。
【００９３】
また、本発明の半導体装置および電子機器は、前記各実施形態のうちの、任意の２以上の構成（特徴）を組み合わせたものであってもよい。
また、前記第３実施形態、前記第４実施形態または前記第５実施形態の半導体製造装置を用いて、前記第２実施形態で記載したような薄膜トランジスタの製造を行なってもよい。
【００９４】
また、本発明の導入方法および半導体装置の製造方法は、太陽電池を製造するときにも用いることができる。
また、光照射手段は、レーザ光の照射、すなわち、レーザアニールを行なうのに限定されず、例えば、ランプ光の照射、すなわち、ランプアニールを行なってもよい。ランプアニールの場合、用いられるランプとしては、特に限定されないが、例えば、フラッシュランプやアークランプ等が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】本発明の半導体装置としての薄型トランジスタを透過型液晶表示装置に適用した場合の実施形態を示す分解斜視図である。
【図２】図１に示す透過型液晶表示装置の薄膜トランジスタ付近の拡大縦断面図である。
【図３】半導体装置の製造装置（第１実施形態）を示す概略図である。
【図４】半導体装置の製造工程（製造方法）を示す断面図である。
【図５】半導体装置の製造工程（製造方法）を示す断面図である。
【図６】半導体装置の製造工程（製造方法）を示す断面図である。
【図７】半導体装置の製造装置（第３実施形態）を示す概略図である。
【図８】半導体装置の製造装置（第４実施形態）を示す概略図である。
【図９】半導体装置の製造装置（第５実施形態）を示す概略図である。
【図１０】半導体装置の製造工程（製造方法）を示す断面図である。
【図１１】モバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図１２】携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図１３】ディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００９６】
１……薄膜トランジスタ  １０……液晶表示装置  ２０……液晶パネル  ２２０……第１の基板  ２２１……上面  ２２３……画素電極  ２２４……信号線  ２２５……偏光板  ２２８……走査線  ２３０……第２の基板  ２３１……下面  ２３２……対向電極  ２３３……有色層  ２３４……ブラックマトリックス  ２３５……偏光板  ２４０……液晶層  ６０……バックライト  ３１４……半導体層（半導体膜）  ３１６……ソース領域  ３１８……ドレイン領域  ３２０……チャンネル領域  ３２６……ゲート絶縁膜  ３４２……絶縁層  ３４４……コンタクトホール  ３４５……コンタクトホール  ３４６……コンタクトホール  ３５０……コンタクトプラグ  ３５１……ゲート電極  ３５２……導電部  ３５３……コンタクトプラグ  ３５４……導電部  ３５５……コンタクトプラグ  ３５６……導電部  ３５７……導電層  １０００、２０００、３０００、５０００……半導体製造装置（半導体装置の製造装置）  １１００……チャンバ  １１０１……内部  １１２０……透過窓  １１３０、１２０２……筐体  １１４０……ステージ  １１５０……光照射手段  １１６０、１２１０、２４００……ヒータ（加熱手段）  １２００、２１００、２５００、２６００……ガス供給手段  １２０１……設置部  １２２０……ドーパント含有固体  １２３０、１２３１、１３００……不活性ガス導入手段  １４００……排気手段  １５００、１５０１、１５０２、１５０３……パイプ  ２２００……ドーパント含有液体  ２３００……収容部（設置部）  ３１００……板状体  ６１００……パーソナルコンピュータ  ６１０２……キーボード  ６１０４……本体部  ６１０６……表示ユニット  ６２００……携帯電話機  ６２０２……操作ボタン  ６２０４……受話口  ６２０６……送話口  ６３００……ディジタルスチルカメラ  ６３０２……ケース（ボディー）  ６３０４……受光ユニット  ６３０６……シャッタボタン  ６３０８……回路基板  ６３１２……ビデオ信号出力端子  ６３１４……データ通信用の入出力端子  ６４３０……テレビモニタ  ６４４０……パーソナルコンピュータ  Ｇ１……ドーパントガス  Ｇ２、Ｇ３……不活性ガス  Ｌ……レーザ光
【図１】
2006269752.tif 000003
【図２】
2006269752.tif 000004
【図３】
2006269752.tif 000005
【図４】
2006269752.tif 000006
【図５】
2006269752.tif 000007
【図６】
2006269752.tif 000008
【図７】
2006269752.tif 000009
【図８】
2006269752.tif 000010
【図９】
2006269752.tif 000011
【図１０】
2006269752.tif 000012
【図１１】
2006269752.tif 000013
【図１２】
2006269752.tif 000014
【図１３】
2006269752.tif 000015