(57)【要約】【課題】  各配線の抵抗値やそのばらつきを抑制する。【解決手段】  電気光学装置Ｄは、相互に対向する第１基板１０および第２基板２０と、これらの基板の間隙に配置された液晶３５と、第２基板２０のうち第１基板１０側の表面上に形成された複数の配線５０とを有する。各配線５０は、第２基板２０のうち第１基板１０と重なり合う領域内にクロムなどの導電性材料によって形成された第１配線部５１と、第２基板２０のうち第１基板１０の周縁から張り出した張出領域２０ａに、第１配線部５１よりも抵抗率の高いタンタルなどの導電性材料によって形成された第２配線部５２とを有する。第２配線部５２のうち第１配線部５１側に位置する第１端部５２１の配線幅Ｗ1は、その反対側に位置する第２端部５２２の配線幅Ｗ2よりも大きい。【選択図】            図１３
2006189548.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相互に対向する第１基板および第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間隙に配置された電気光学物質と、
前記第２基板のうち前記第１基板側の表面上に形成された複数の配線と
を具備し、
前記複数の配線の各々は、前記第２基板のうち前記第１基板と重なり合う領域に第１の
導電性材料によって形成された第１配線部と、前記第２基板のうち前記第１基板の周縁か
ら張り出した張出領域に前記第１導電性材料よりも抵抗率が高い材料によって形成された
第２配線部と有し、
前記第２配線部のうち前記第１配線部との境界に位置する第１部分の配線幅は、前記第
２配線部のうち前記第１部分に対して前記第１配線部とは反対側に位置する第２部分の配
線幅よりも広い
電気光学装置。
【請求項２】
前記複数の配線の各々は、前記第２配線部のうち前記第１配線部とは反対側に連結され
た第３配線部を有し、
前記第２部分は、前記第２配線部のうち前記第３配線部との境界に位置する部分である
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第２配線部の配線幅は、前記第２部分から前記第１部分に向かって連続的に増加す
る
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第２配線部における第２部分の配線幅と前記第２配線部における第１部分の配線幅
との少なくとも一方は前記複数の配線について同一である
請求項１または請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第２配線部の面積は前記複数の配線について同一である
請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第１基板と前記第２基板との間隙に介在して両基板を接合する枠状のシール材を具
備し、
前記各配線の前記第１配線部と前記第２配線部との境界は、前記シール材の外周縁より
も内側に位置する
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記第２基板のうち前記第１基板の周縁から第１の方向に張り出す張出領域に実装され
て前記各配線に接続されたひとつのＩＣチップを具備し、
前記各配線の前記第１配線部は、前記第１の方向に対して第１の角度をなして前記ＩＣ
チップに向かう連結部を有し、
前記各配線の前記第２配線部は、前記第１の方向に対して前記第１の角度よりも小さい
第２の角度をなして前記第１部分から前記ＩＣチップに向かって延在する
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記連結部の配線幅は、前記複数の配線について同一である
請求項７に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記第１基板のうち前記電気光学物質と対向する表面上に形成された複数の第１駆動配
線を具備し、
前記各配線の第１配線部は、前記第１の方向と交差する第２の方向に延在して端部が前
記連結部に連なる上下導通部を有し、
前記上下導通部のうち前記連結部とは反対側の端部は、前記第１基板と前記第２基板と
の間隙に配置された導電性粒子を介して前記第１駆動配線に導通する
請求項７に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記第２基板のうち前記電気光学物質と対向する表面上に形成されて前記第２の方向に
延在する複数の第２駆動配線を具備し、
前記ＩＣチップは、前記複数の配線および前記複数の第２駆動配線に接続される
請求項９に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記第１配線部は、前記第１の導電性材料よりも抵抗率が高い材料によって形成された
第１層と、前記第１の導電性材料によって形成された第２層とを積層してなる
請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
相互に対向する第１基板および第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間隙に配置された電気光学物質と、
前記第２基板のうち前記第１基板側の表面上に形成された複数の配線と
を具備し、
前記複数の配線の各々は、前記第２基板のうち前記第１基板と重なり合う領域に第１の
導電性材料によって形成された第１配線部と、前記第２基板のうち前記第１基板の周縁か
ら張り出した張出領域に前記第１導電性材料よりも抵抗率が高い材料によって形成された
第２配線部と有し、
前記第２配線部が延在する方向に垂直な方向における当該第２配線部の寸法である配線
幅は、前記第２配線部のうち前記第１配線部との境界に位置する第１部分のほうが、前記
第１部分に対して前記第１配線部とは反対側に位置する第２部分よりも大きい
電気光学装置。
【請求項１３】
請求項１から請求項１２の何れかに記載の電気光学装置を具備する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶などの電気光学物質を利用した電気光学装置、およびこの電気光学装置
を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置などの電気光学装置は、走査信号や映像信号といった駆動信号を電気光学物質
に伝送するための配線が基板の表面上に形成された構成となっている。例えば、特許文献
１には、第１基板との間隙に液晶を保持する第２基板の表面上に走査線駆動回路が実装さ
れる液晶装置において、第１基板に形成された走査線と第２基板に形成された配線の一端
とを導通材によって導通させ、この配線の他端を走査線駆動回路に接続した構成が開示さ
れている。また、例えば第２基板にデータ線駆動回路が実装される構成のもとでは、第２
基板上に多数のデータ線が形成されて各々の端部がデータ線駆動回路に接続される。
【特許文献１】特開２００１−７５１１８号公報（段落００３１および図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、この構成においては各配線の全長が相違するため、配線ごとに抵抗値が
ばらつくという問題がある。このように各配線の抵抗値が相違すると、各画素に供給され
る駆動信号の波形歪み（波形の鈍りまたは遅延など）や電圧降下の程度が配線ごとに異な
るため、例えば電気光学装置を表示デバイスとして利用した場合には、仮に総ての画素に
同一の階調を表示させようとしても、各画素によって実際に表示される階調が画素の位置
に応じて異なって表示品位が低下するといった問題がある。本発明は、このような事情に
鑑みてなされたものであり、各配線の抵抗値やそのばらつきを抑制することを目的として
いる。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
この目的を達成するために、本発明に係る電気光学装置は、相互に対向する第１基板お
よび第２基板と、第１基板と第２基板との間隙に配置された電気光学物質と、第２基板の
うち第１基板側の表面上に形成された複数の配線とを具備し、複数の配線の各々は、第２
基板のうち第１基板と重なり合う領域に第１の導電性材料によって形成された第１配線部
と、第２基板のうち第１基板の周縁から張り出した張出領域に第１導電性材料よりも抵抗
率が高い材料によって形成された第２配線部と有し、第２配線部のうち第１配線部との境
界に位置する第１部分の配線幅は、第２配線部のうち第１部分に対して第１配線部とは反
対側に位置する第２部分の配線幅よりも広いことを特徴とする。
この構成によれば、第２配線部のうち第１配線部側に位置する第１部分の配線幅がその
反対側に位置する第２部分の配線幅よりも広い寸法となっている。したがって、第２配線
部の配線幅がその全長にわたって第２部分の配線幅とされた構成と比較して第２配線部の
抵抗値が低減される。さらに、この第２部分に連結される第１配線部についても広い配線
幅を確保することができるから、各配線の抵抗値を低減することができ、これにより各配
線の抵抗値のばらつきも抑制される。
【０００５】
本発明の望ましい態様において、複数の配線の各々は、第２配線部のうち第１配線部と
は反対側に連結された第３配線部を有し、第２部分は、第２配線部のうち第３配線部との
境界に位置する部分である。この態様における第３配線部は、例えば図７に示される接続
端子部５５である。ただし、第３配線部がＩＣチップに接続される部分である必要は必ず
しもない。例えば、ＩＣチップに接続される接続端子部が、第３配線部のうち第２配線部
とは反対側の端部に連結された構成も採用される。
【０００６】
本発明の望ましい態様において、第２配線部の配線幅は、第２部分から第１部分に向か
って連続的に増加する。また、さらに他の態様において、第２配線部における第２部分の
配線幅と第２配線部における第１部分の配線幅との少なくとも一方は複数の配線について
略同一である。これらの態様によれば、第２配線部の構成の簡素化が図られる。もっとも
、第２配線部における第２部分や第１部分の配線幅が配線ごとに相違する構成としてもよ
い。この態様においては、第２配線部の面積が複数の配線について略同一とされる。
【０００７】
他の態様においては、第１基板と第２基板との間隙に介在して両基板を接合する枠状の
シール材が設けられ、各配線の第１配線部と第２配線部との境界は、シール材の外周縁よ
りも内側に位置する。この態様によれば、第１配線部と外気との接触がシール材によって
阻害されるから、第１配線部の腐食を確実に抑制することができるという利点がある。
【０００８】
また、本発明の望ましい態様においては、第２基板のうち第１基板の周縁から第１の方
向に張り出す張出領域に実装されて各配線に接続されたひとつのＩＣチップが設けられ、
各配線の第１配線部は、第１の方向に対して第１の角度（例えば図７の角度θ1）をなし
てＩＣチップに向かう連結部を有し、各配線の第２配線部は、第１の方向に対して第１の
角度よりも小さい第２の角度（例えば図７の角度θ2）をなして第１部分からＩＣチップ
に向かって延在する。この態様によれば、各配線の位置に拘わらず各々の抵抗値を均等化
することができる。なお、連結部の配線幅は、複数の配線について略同一とされる。
【０００９】
さらに他の態様においては、第１基板のうち電気光学物質と対向する表面上に形成され
た複数の第１駆動配線（例えば走査線およびデータ線の一方）が設けられ、各配線の第１
配線部は、第１の方向と交差する第２の方向に延在して端部が連結部に連なる上下導通部
を有し、上下導通部のうち連結部とは反対側の端部は、第１基板と第２基板との間隙に配
置された導通粒子を介して第１駆動配線に導通する。この態様によれば、第１駆動配線を
駆動するためのＩＣチップを第２基板に実装することができるから、いわゆる額縁領域の
対称化やその狭小化が図られる。この態様においては、第２基板のうち電気光学物質と対
向する表面上に形成されて第２の方向に延在する複数の第２駆動配線（例えば走査線およ
びデータ線の他方）が設けられ、ＩＣチップは、複数の配線および複数の第２駆動配線に
接続される。この態様によれば、第１駆動配線に信号を出力する回路と第２駆動配線に信
号を出力する回路との双方を第２基板上に実装することができる。
【００１０】
本発明の望ましい態様において、第１配線部は、第１の導電性材料よりも抵抗率が高い
材料によって形成された第１層（例えば図９に示される第１層６１）と第１の導電性材料
によって形成された第２層（例えば図９に示される第２層６２）とを積層した構造となっ
ている。この態様によれば、何らかの欠陥によって第２層が断線した場合であっても、第
１層によって配線としての機能を維持することができる。また、第１層と第２配線部とを
単一の膜体から共通の工程にて一括的に形成すれば製造コストを低減することができる。
なお、第１層と第２層との位置関係は任意である。すなわち、第１層が第２層の表面上に
形成された構成であってもよいし第２層が第１層の表面上に形成された構成であってもよ
い。また、第１層と第２層との間に他の膜体（例えば図９に示される絶縁層６５）が介挿
された構成としてもよい。
【００１１】
なお、「配線幅」とは、典型的には配線が延在する方向と垂直な方向における当該配線
の寸法である。この観点からすると、本発明に係る電気光学装置は、相互に対向する第１
基板および第２基板と、第１基板と第２基板との間隙に配置された電気光学物質と、第２
基板のうち第１基板側の表面上に形成された複数の配線とを具備し、複数の配線の各々は
、第２基板のうち第１基板と重なり合う領域に第１の導電性材料によって形成された第１
配線部と、第２基板のうち第１基板の周縁から張り出した張出領域に第１導電性材料より
も抵抗率が高い材料によって形成された第２配線部と有し、第２配線部が延在する方向に
垂直な方向における当該第２配線部の寸法である配線幅は、第２配線部のうち第１配線部
との境界に位置する第１部分のほうが、第１部分に対して第１配線部とは反対側に位置す
る第２部分よりも大きい構成として特定される。
【００１２】
本発明に係る電気光学装置は、典型的には各種の電子機器の表示手段として利用される
。この種の電子機器としては、例えばパーソナルコンピュータや携帯電話機、あるいは投
射型表示装置（いわゆるプロジェクタ）が挙げられる。もっとも、本発明に係る電気光学
装置は画像の表示以外の用途にも利用され得る。例えば、本発明に係る電気光学装置は、
フォトリソグラフィ技術のもとで被加工物を選択的に露光するためのマスクとしても利用
される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
まず、電気光学物質として液晶を利用した電気光学装置（液晶装置）に本発明を適用し
た形態を説明する。なお、以下に示す各図においては、各要素を図面上で認識され得る程
度の大きさとするため、各々の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。
【００１４】
＜Ａ：電気光学装置の構成＞
図１は、本発明の実施形態に係る電気光学装置の構成を示す分解斜視図であり、図２は
、この電気光学装置を図１におけるＺ方向の正側から負側にみたときの平面図である。こ
れらの図に示されるように、電気光学装置Ｄは、相互に対向する第１基板１０と第２基板
２０とを有する。第１基板１０および第２基板２０は、ガラスやプラスチックなど光透過
性を有する材料からなる板状の部材である。第１基板１０と第２基板２０とは、略長方形
の枠状に成形されたシール材３０（図２においては便宜的にハッチングが施されている）
を介して貼り合わされる。
【００１５】
図１および図２に示されるように、第２基板２０は第１基板１０よりも外形の寸法が大
きい。第２基板２０のうち第１基板１０の周縁からＹ方向に張り出した領域（以下「張出
領域２０ａ」という）にはひとつのＩＣチップ４０がＣＯＧ（Chip On Glass）技術によ
って実装される。さらに詳述すると、ＩＣチップ４０は、張出領域２０ａのうちＸ方向の
中央部に配置される。このＩＣチップ４０は、走査線駆動回路４１１および４１２とデー
タ線駆動回路４３とを１チップに搭載した集積回路である。
【００１６】
図３は、図２のIII−III線からみた断面のうちシール材３０によって囲まれた領域の構
成を示す断面図である。図３に示されるように、第１基板１０および第２基板２０とシー
ル材３０とによって囲まれた空間には液晶３５が封止される。なお、実際には第１基板１
０や第２基板２０の各々のうち液晶３５とは反対側の表面上に偏光板や位相差板が貼着さ
れるが、その図示は省略されている。
【００１７】
図１ないし図３に示されるように、第１基板１０のうち液晶３５と対向する表面上には
複数の走査線１５が形成される。各走査線１５は、Ｘ方向に延在する帯状の電極であり、
例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）など光透過性を有する導電性材料によって形成される
。図２に示されるように、同図における上方から数えて奇数行目の走査線１５は、Ｘ方向
の正側の端部１５５が第１基板１０の周縁の近傍に至るように延在してその端部１５５が
シール材３０と重なり合う。同様に、図２における上方から数えて偶数行目の走査線１５
は、Ｘ方向の負側の端部１５５が第１基板１０の周縁の近傍に至るように延在してその端
部１５５がシール材３０と重なり合う。詳細については後述するが、奇数行目の走査線１
５はＩＣチップ４０の走査線駆動回路４１２に対して電気的に接続される一方、偶数行目
の走査線１５は走査線駆動回路４１１に対して電気的に接続される。
【００１８】
一方、第２基板２０のうち液晶３５と対向する表面上には複数の画素電極２２が表示領
域Ａd内にマトリクス状に配列される。各画素電極２２は、ＩＴＯなどの光透過性を有す
る導電性材料からなる略矩形状の電極である。図２に示されるように、Ｘ方向に配列する
１行分の画素電極２２は液晶３５を挟んで１本の走査線１５に対向する。ひとつの画素電
極２２と、１本の走査線１５のうち当該画素電極２２に対向する部分と、これらの間隙に
挟まれた液晶３５とによってひとつの画素が構成される。したがって、これらの画素は表
示領域Ａd内にてＸ方向およびＹ方向にわたりマトリクス状に配列する。
【００１９】
図４は、第２基板２０のうち液晶３５に対向する表面上に形成された要素の構成を示す
平面図である。なお、同図においてはひとつの画素に関わる要素のみが図示されているが
、その他の画素についても同様の構成となっている。図１ないし図４に示されるように、
第２基板２０の表面上には複数のデータ線２１が形成される。各データ線２１は、Ｙ方向
に並ぶ各列の画素電極２２の間隙にてＹ方向に延在する配線である。各画素電極２２とこ
れに隣接するデータ線２１との間隙には二端子型非線形素子２４が配置される。図１およ
び図２に示されるように、各データ線２１は、表示領域Ａdから張出領域２０ａに到達す
るようにＹ方向に延在してその端部がデータ線駆動回路４３の出力端子に接続される。
【００２０】
図５は、図４におけるＶ−Ｖ線からみた断面図（すなわちデータ線２１の断面図）であ
る。図４および図５に示されるように、各データ線２１は第１層２１１と第２層２１２と
を有する。第１層２１１のうち第１基板１０の表面と略平行な表面は絶縁層２１５によっ
て覆われている。これに対し、第１層２１１のうちデータ線２１の幅方向における縁端部
（エッジ部分）は絶縁層２１５から露出している。第２層２１２は、第１層２１１よりも
僅かに幅広に形成されて第１層２１１および絶縁層２１５を被覆する。したがって、第２
層２１２は、第１層２１１のうち絶縁層２１５から露出した縁端部に接触して第１層２１
１と導通する。
【００２１】
次に、図６は、図４におけるVI−VI線からみた断面図である。図４および図６に示され
るように、二端子型非線形素子２４は、Ｙ方向を長手方向とする長尺状の第１導電層２４
１と、この第１導電層２４１の表面を陽極酸化することによって形成された絶縁層（以下
「層間絶縁層」という）２４５と、層間絶縁層２４５の表面に相互に離間して配置された
第２導電層２４２ａおよび２４２ｂとを有する。各データ線２１の第１層２１１は第１導
電層２４１と共通の工程において同一の材料によって形成される。
【００２２】
第２導電層２４２ａは、データ線２１の第２層２１２のうち第１導電層２４１に向かっ
てＸ方向に分岐した部分であり、層間絶縁層２４５を介して第１導電層２４１と重なり合
う。一方、第２導電層２４２ｂは、層間絶縁層２４５を挟んで第１導電層２４１と重なり
合う。各画素電極２２は、第２導電層２４２ｂと電気的に接続される。各データ線２１の
第２層２１２（第２導電層２４２ａを含む）と二端子型非線形素子２４の第２導電層２４
２ｂとは共通の工程にて同一の材料によって形成される。
【００２３】
図４に示される二端子型非線形素子２４は、第１素子Ｓ1と第２素子Ｓ2とを含む。この
うち第１素子Ｓ1は、図６に示されるように、第２導電層２４２ａと層間絶縁層２４５と
第１導電層２４１とがデータ線２１側からみてこの順番に積層された構成となっている。
このように第１素子Ｓ1は金属／絶縁体／金属のサンドイッチ構造となっているため、正
負双方向にわたるダイオードスイッチング特性を呈する。一方、第２素子Ｓ2は、第１導
電層２４１と層間絶縁層２４５と第２導電層２４２ｂとが第２基板２０側からみてこの順
番に積層された構成となっている。したがって、第２素子Ｓ2は第１素子Ｓ1とは反対のダ
イオードスイッチング特性を呈する。このように、二端子型非線形素子２４は、２個のダ
イオードを互いに逆向きとなるように直列に接続した構成となっているため、データ線２
１と画素電極２２とがひとつのダイオードを介して接続された構成と比較して、電流−電
圧の非線形特性が正負双方向にわたって対称化される。
【００２４】
次に、各走査線１５をＩＣチップ４０の走査線駆動回路４１１または４１２に導通させ
るための配線の構成について説明する。なお、以下では特に奇数行目の走査線１５を走査
線駆動回路４１１に導通させるための構成について説明するが、偶数行目の走査線１５を
走査線駆動回路４１２に導通させるための構成も左右の位置関係が逆転する点を除いて同
様である。
【００２５】
図２に示されるように、第２基板２０のうちシール材３０に沿ってＹ方向に延在する領
域には、各々が奇数行目の走査線１５の何れかに対応する複数（すなわち走査線１５の総
本数の半数）の配線５０が形成される。これらの配線５０は、奇数行目の各走査線１５と
走査線駆動回路４１１とを電気的に接続するための配線である。
【００２６】
図７は、この配線５０を拡大してシール材３０とともに示す平面図である。同図に示さ
れるように、各配線５０は、第１配線部５１と第２配線部５２と接続端子部５５とがＸ方
向の正側に向かってこの順番に連結された構成となっている。第１配線部５１と第２配線
部５２とは、シール材３０の内周縁と外周縁との間にて当該シール材３０に沿ってＸ方向
に延在する直線Ｂを境界として区分される。すなわち、第２配線部５２は境界Ｂに対して
張出領域２０ａ側に位置する部分であり、第１配線部５１は境界Ｂに対して張出領域２０
ａとは反対側に位置する部分である。したがって、第１配線部５１は、第２基板２０のう
ちシール材３０の外周縁によって囲まれた領域内（換言すると第２基板２０のうち第１基
板１０と対向する領域内）に位置する。また、第２配線部５２は、境界Ｂ上に位置する一
端部（後述する第１端部５２１）から張出領域２０ａに至るように形成されるとともに他
端部（後述する第２端部５２２）が接続端子部５５に連結される。この接続端子部５５は
ＩＣチップ４０のうち走査線駆動回路４１１の出力端子に接続される。
【００２７】
図８は、図７におけるVIII−VIII線からみた断面図である。同図に示されるように、各
配線５０の第２配線部５２は第１層６１を有する。第１層６１のうち第２基板２０の表面
と略平行な表面は絶縁層６５によって覆われる。この絶縁層６５は第１層６１を陽極酸化
することによって形成される。一方、第１層６１のうち第２配線部５２の幅方向における
縁端部は絶縁層６５から露出する。
【００２８】
次に、図９は、図７におけるIX−IX線からみた断面図である。同図に示されるように、
各配線５０の第１配線部５１は、第２配線部５２と同様の第１層６１および絶縁層６５に
加えて第２層６２を有する。第２層６２は、第１層６１および絶縁層６５を覆う膜体であ
り、第１層６１のうち絶縁層６５から露出した縁端部に接触して第１層６１と導通する。
さらに、図１０は、図７におけるＸ−Ｘ線からみた断面図である。図１０においては、Ｉ
Ｃチップ４０の出力端子（走査線駆動回路４１２の出力端子）に形成されたバンプ４５が
接続端子部５５とともに図示されている。同図に示されるように、接続端子部５５は、第
２配線部５２と同様の第１層６１と絶縁層６５と第２層６２とに加えて、第２層６２の表
面上に形成された第３層６３を有する。この第３層６３は、画素電極２２と共通の工程に
おいて同一の材料（例えばＩＴＯ）によって形成された膜体である。ＩＣチップ４０は、
導電性の粒子４７１が分散された異方性導電膜４７を介して第２基板２０に実装される。
この状態において、接続端子部５５は、ＩＣチップ４０の出力端子に形成されたバンプ４
５と第３層６３との間隙に介在する粒子４７１を介してＩＣチップ４０の走査線駆動回路
４１２と導通する。
【００２９】
各配線５０の第１層６１とデータ線２１の第１層２１１とは、二端子型非線形素子２４
の第１導電層２４１と共通の工程において同一の材料（例えばタンタル）によって形成さ
れる。すなわち、第２基板２０の全面を覆うように形成された導電性の薄膜を選択的に除
去（エッチング）することによって、各配線５０の第１層６１とデータ線２１の第１層２
１１と二端子型非線形素子２４の第１導電層２４１とが一括的に形成される。各配線５０
の絶縁層６５とデータ線２１の絶縁層２１５とは、二端子型非線形素子２４の層間絶縁層
２４５を形成する工程において、各々の下地となる第１層６１および２１１を陽極酸化す
ることによって一括的に形成される。さらに、第１配線部５１と接続端子部５５とを構成
する第２層６２は、二端子型非線形素子２４の第２導電層２４２と共通の工程において同
一の材料（例えばクロム）によって形成される。このように本実施形態における第１配線
部５１は、第１層６１を形成する導電性材料（タンタルやその合金）タンタルよりも抵抗
率が低い導電性材料（クロムやアルミニウムまたはその合金）からなる第２層６２を含む
。この構成によれば、配線５０をその全長にわたって第１層６１のみによって形成した場
合と比較して配線５０の抵抗を低く抑えることができる。一方、クロムやアルミニウムと
いった抵抗率が低い導電性材料は、第１層６１を構成するタンタルなどの導電性材料とし
てイオン化傾向が高い（すなわち耐食性が低い）ため、水分やイオンの付着によって腐食
し易い。したがって、張出領域２０ａにおいて外気に接触する第２配線部５２にも第２層
６２を形成するとすれば、配線５０が腐食して表示品位の低下が引き起こされるという問
題が生じ得る。本実施形態においては、シール材３０や第１基板１０によって覆われた第
１配線部５１のみに第２層６２が形成され、張出領域２０ａに露出する第２配線部５２に
は第２層６２が形成されていないから、第２層６２に対する水分やイオンの付着を防止す
ることができる。したがって、第２層６２の腐食を抑制して装置の耐久性や信頼性を向上
させることができる。
【００３０】
図７に示されるように、第１配線部５１は上下導通部５１１と連結部５１２とを有する
。このうち上下導通部５１１は、その配線５０に対応する走査線１５の端部１５５にシー
ル材３０を挟んで対向する端部（以下「導通用端部」という）５１Ｅから、シール材３０
の内周縁によって囲まれた領域内にてＹ方向に延在する部分である。ここで、図１１は、
上下導通部５１１の導通用端部５１Ｅを拡大して第１基板１０上の走査線１５とともに示
す平面図であり、図１２は、図１１におけるXII−XII線からみた断面図である。図１２に
示されるように、導通用端部５１Ｅにおいては第１層６１と絶縁層６５とを貫通するよう
にコンタクトホールＣＨが形成されている。導通用端部５１Ｅの第２層６２は、第１層６
１の縁端部に加えてコンタクトホールＣＨの内面にて第１層６１と導通する。また、導通
用端部５１Ｅの第２層６２の表面上には、画素電極２２と共通の工程において同一の材料
（例えばＩＴＯ）によって第３層６３が形成される。図１１および図１２に示されるよう
に、走査線１５の端部１５５と導通用端部５１Ｅの第３層６３との間隙には多数の導電性
粒子３１が介在する。この導電性粒子３１はシール材３０に分散された導電性の粒子であ
り、第１基板１０と第２基板２０との間隔（いわゆるセルギャップ）を略一定に維持する
スペーサとして機能するほか、走査線１５の端部１５５と導通用端部５１Ｅの第３層６３
とに接触することによって走査線１５と配線５０とを導通させる役割も担っている。以上
の構成により、ＩＣチップ４０に搭載された走査線駆動回路４１２の出力端子は、接続端
子部５５から第２配線部５２および第１配線部５１に至る配線５０と導電性粒子３１とを
介して各走査線１５に電気的に接続される。
【００３１】
次に、図１３は、図７における第１配線部５１の連結部５１２から接続端子部５５まで
の部分を拡大して示す平面図である。図７および図１３に示されるように、第１配線部５
１の連結部５１２は、上下導通部５１１に連なる端部から張出領域２０ａの中央部に向か
って斜め方向に延在して他方の端部が境界Ｂに至る。さらに詳述すると、各配線５０の連
結部５１２は、Ｙ方向に対して半時計回り（偶数行目の走査線１５に接続される配線５０
にあっては時計回り）に角度θ1をなす方向にＩＣチップ４０に向かって各々が平行に延
在する。各連結部５１２の配線幅Ｗaや各々の間隔Ｗbは総ての配線について略同一である
。
【００３２】
一方、図７および図１３に示されるように、第２配線部５２は、連結部５１２に連なる
部分（以下「第１端部」という）５２１からＩＣチップ４０に向かって延在し、第１端部
５２１からみて連結部５１２とは反対側の部分（以下「第２端部」という）５２２が接続
端子部５５に連結される。各配線５０の第２配線部５２は、ＩＣチップ４０に近い位置ほ
どこれらの第２配線部５２が分布する範囲が狭くなるようにＹ方向の正側に向かって収束
する。ここで、張出領域２０ａの中央部からＸ方向に最も離間した配線５０（奇数行目の
走査線１５のうち最下方の走査線１５に接続される配線５０）の第２配線部５２は、Ｙ方
向に対して半時計回り（偶数行目の走査線１５に接続される配線５０にあっては時計回り
）に角度θ2をなす方向にＩＣチップ４０に向かって延在する。この角度θ2は、第１配線
部５１の連結部５１２の延在方向とＹ方向とがなす角度θ1よりも小さい。したがって、
各配線５０は、第１配線部５１と第２配線部５２との境界にて張出領域２０ａに向かって
折れ曲がる。
【００３３】
図１３に示されるように、第２配線部５２のうち連結部５１２に連結される第１端部５
２１の配線幅Ｗ1は総ての配線５０について略同一であり、接続端子部５５に連結される
第２端部５２２の配線幅Ｗ2は総ての配線５０について略同一である。各配線５０の第２
配線部５２は平面的にみると高さが略等しい台形となるから、上底の長さに相当する配線
幅Ｗ1と下底の長さに相当する配線幅Ｗ2とが総ての配線５０について略同一であるという
ことは、第２配線部の面積が総ての配線５０について等しいことを意味する。
【００３４】
図１３に示されるように、各配線５０の第２配線部５２のうち第１端部５２１における
配線幅Ｗ1は第２端部５２２における配線幅Ｗ2よりも大きい。例えば、配線幅Ｗ2は５０
μｍ（マイクロメートル）程度であるのに対し、配線幅Ｗ1は８０μｍ程度である。本実
施形態における第２配線部５２の配線幅は、第２端部５２２から第１端部５２１に向かう
につれて配線幅Ｗ2から配線幅Ｗ1まで連続的に増加していく。第２配線部５２の平面形状
を以上のように選定することにより、走査線駆動回路４１２の各出力端子から各走査線１
５までの配線抵抗を低減し、かつ、各配線５０の配線抵抗を均一化することができるとい
う効果が奏される。この効果について詳述すると以下の通りである。
【００３５】
いま、本実施形態に対する対比例として、第２配線部５２の配線幅をその全長にわたっ
て（すなわち第２端部５２２から第１端部５２１まで）、接続端子部５５の配線幅に対応
する配線幅Ｗ2とした構成を想定する。この対比例の構成においては、第２配線部５２に
連結される第１配線部５１を、配線幅Ｗ2に対応した配線幅に制限する必要がある。これ
に対し、本実施形態においては、第１配線部５１の配線幅を、配線幅Ｗ2よりも広い配線
幅Ｗ1に対応した寸法まで拡大することができる。したがって、本実施形態によれば、対
比例と比較して各配線５０の全長にわたる配線抵抗（特に第１配線部５１の連結部５１２
の配線抵抗）を低減することができる。
【００３６】
次に、図１４は、各配線５０の位置とその各部における配線抵抗との関係を示すグラフ
である。同図の横軸には、図７に示されるように、奇数行目の走査線１５のうちＩＣチッ
プ４０に最も近い走査線１５に接続される配線５０の位置を「０．０」とし、奇数行目の
走査線１５のうちＩＣチップ４０から最も遠い走査線１５に接続される配線５０の位置を
「１．０」として、複数の配線５０の各々の位置が「０．０」から「１．０」までの範囲
の数値（以下「位置係数」という）として表現されている。図１４の特性Ｒ1aは、各配線
５０のうち第１配線部５１の連結部５１２の抵抗値を示し、同図の特性Ｒ1bは、各配線５
０のうち第１配線部５１の上下導通部５１１の抵抗値を示している。図７から明白なよう
に、第１配線部５１における連結部５１２や上下導通部５１１の全長は位置係数が大きい
配線ほど長いから、図１４に特性Ｒ1aおよび特性Ｒ1bとして示されるように、連結部５１
２および上下導通部５１１の各々の抵抗値は、位置係数が大きい配線５０ほど大きい。し
たがって、例えば連結部５１２が直接的にＩＣチップ４０に接続された構成（以下「対比
例」という）においては、配線５０の全長にわたる抵抗値のばらつきが過大となって表示
ムラなどの原因となる。これに対し、本実施形態においては、各配線５０の位置係数と当
該配線５０の第２配線部５２の抵抗値との大小が、各配線５０の位置係数と当該配線５０
の連結部５１２または上下導通部５１１の抵抗値との大小とは逆転するように第２配線部
５２の全長が選定されている。すなわち、図７に示されるように、各配線５０における第
２配線部５２は、位置係数が小さい配線ほど全長が長くなるように設計されている。した
がって、図１４の特性Ｒ2として示されるように、第２配線部５２の抵抗値は、特性Ｒ1a
や特性Ｒ1bとは逆に、位置係数が大きい配線ほど低減される。これらの各部を連結して配
線５０が構成される本実施形態によれば、各配線５０の抵抗値のばらつきが対比例と比較
して抑制されるから、このばらつきに起因した表示ムラが抑制されるという利点がある。
特に、本実施形態においては、各配線５０の抵抗値を調整するための第２配線部５２が抵
抗率の高いタンタルなどの材料からなる。このように高抵抗な部分の配線幅を変化させた
場合には、クロムなど抵抗率の低い材料からなる第１配線部５１の配線幅を変化させた場
合と比較して配線５０全体の抵抗を大きく変動させることができるという利点がある。
【００３７】
＜Ｂ：変形例＞
各実施形態には種々の変形が加えられる。具体的な変形の態様を例示すれば以下の通り
である。なお、以下に示す各態様を適宜に組み合わせてもよい。
【００３８】
（１）実施形態においては、各配線５０の第２配線部５２の第１端部５２１と第２端部５
２２とが直線的に連結された構成を例示したが、図１５に示されるように、第１端部５２
１と第２端部５２２とが曲線的に連結された構成も採用される。この構成において、第１
端部５２１の配線幅Ｗ1が第２端部５２２の配線幅Ｗ2よりも大きい点は実施形態と同様で
ある。
【００３９】
（２）実施形態においては、各走査線１５を駆動するための走査線駆動回路４１１および
４１２と各データ線２１を駆動するためのデータ線駆動回路４３とがひとつのＩＣチップ
４０に搭載された構成を例示したが、これらの各回路が別個のＩＣチップとして第２基板
２０に実装された構成も採用される。ただし、上述した実施形態のようにひとつのＩＣチ
ップ４０に対してデータ線２１および配線５０の双方が接続される構成においては、上下
導通部５１１から接続端子部５５に至る部分（すなわち連結部５１２および第２配線部５
２）を比較的に長く確保する必要があるから、この部分における抵抗値が増大し易いと言
える。したがって、配線５０の抵抗値を低減するとともに各配線５０の抵抗値のばらつき
を抑制するという本発明の効果は、実施形態のようにひとつのＩＣチップ４０にデータ線
２１および配線５０の双方が接続される構成において特に有意である。
【００４０】
（３）実施形態においては、第１基板１０に走査線１５が形成されるとともに第２基板２
０にデータ線２１や画素電極２２が形成された構成を例示したが、これとは逆に、第１基
板１０にデータ線２１や画素電極２２が形成されるとともに第２基板２０に走査線１５が
形成された構成も採用される。また、第１基板１０および第２基板２０の何れか観察側ま
たは背面側に位置するかは不問である。
【００４１】
（４）実施形態においては、導通用端部５１Ｅに対して表示領域Ａd側に上下導通部５１
１や連結部５１２が形成される構成を例示したが、この構成に代えて、導通用端部５１Ｅ
に対して表示領域Ａdとは反対側の領域（例えばシール材３０によって覆われた領域）に
て上下導通部５１１や連結部５１２がＹ方向に延在する構成としてもよい。この構成にお
いても実施形態と同様の作用および効果が奏される。
【００４２】
（５）配線５０やデータ線２１の層構造は実施形態に示したものに限られない。例えば、
直線Ｂに対して表示領域Ａd側には第１層６１を形成せず第１配線部５１を第２層６２の
みから構成してもよいし、第２層６２の表面上に第３層６３をさらに積層して第１配線部
５１を構成してもよい。
【００４３】
（６）実施形態においては、走査線１５に連結される配線５０に本発明を適用した構成を
例示したが、これ以外の配線にも本発明は適用される。例えば、各データ線２１を、直線
Ｂを境界として表示領域Ａd側の第１配線部と張出領域２０ａ側の第２配線部とに区分し
、このうち第１配線部をクロムなどの導電性材料によって形成するとともに第２配線部を
これよりも抵抗率の低い材料（例えばタンタル）によって形成し、第２配線部のうち第１
配線部側の端部の配線幅をこれとは反対側の第２端部の配線幅より広くした構成も採用さ
れる。このように、本発明において「配線」の平面的な形状やこれによって伝送される信
号の種類は不問である。
【００４４】
（７）実施形態においては、二端子型のスイッチング素子たるＴＦＤ素子を備えた電気光
学装置Ｄを例示したが、三端子型のスイッチング素子たるＴＦＴ（Thin Film Transistor
）素子を備えた電気光学装置や、スイッチング素子を持たないパッシブマトリクス方式の
電気光学装置にも各実施形態と同様に本発明が適用される。また、各実施形態においては
、データ線２１にＴＦＤ素子が接続された構成を例示したが、この構成に代えて、走査線
１５にＴＦＤ素子が接続された構成も採用される。
【００４５】
（８）実施形態においては、電気光学物質として液晶を用いた構成を例示したが、有機Ｅ
Ｌ（ElectroLuminescent）などのＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）素子を電気
光学物質として用いた電気光学装置や、あるいはネオンやキセノンなどの不活性ガスを電
気光学物質として用いたプラズマディスプレイパネルなど各種の電気光学装置にも本発明
は適用される。
【００４６】
＜Ｃ：電子機器＞
次に、本発明に係る電気光学装置を表示手段として備える電子機器について説明する。
図１６は、各実施形態に係る電気光学装置Ｄを有する携帯電話機の構成を示す斜視図であ
る。この図に示されるように、携帯電話機１２００は、利用者により操作される複数の操
作ボタン１２０２、他の端末装置から受信した音声を出力する受話口１２０４、および他
の端末装置に送信される音声を入力する送話口１２０６のほかに、各種の画像を表示する
電気光学装置Ｄを有する。
【００４７】
なお、本発明に係る電気光学装置が利用され得る電子機器としては、図１６に示される
携帯電話機のほかにも、ノート型のパーソナルコンピュータや、液晶テレビ、プロジェク
タ、ビューファインダ型（またはモニタ直視型）のビデオレコーダ、デジタルカメラ、カ
ーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーシ
ョン、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示す分解斜視図である。
【図２】第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示す平面図である。
【図３】図２のIII−III線からみた断面のうち表示領域内の要素の構成を示す断面図である。
【図４】ひとつの画素電極の近傍を拡大して示す平面図である。
【図５】図４におけるＶ−Ｖ線からみた断面図である。
【図６】図４におけるVI−VI線からみた断面図である。
【図７】第２基板上に形成された配線の構成を示す平面図である。
【図８】図７におけるVIII−VIII線からみた断面図である。
【図９】図７におけるIX−IX線からみた断面図である。
【図１０】図７におけるＸ−Ｘ線からみた断面図である。
【図１１】上下導通部における導通用端部の近傍を拡大して示す平面図である。
【図１２】図１１におけるXII−XII線からみた断面図である。
【図１３】第２基板上に形成された配線を拡大して示す平面図である。
【図１４】各配線の位置とその各部における配線抵抗との関係を示すグラフである。
【図１５】変形例に係る各配線の形状を示す平面図である。
【図１６】本発明に係る電子機器の具体的な形態を例示する斜視図である。
【符号の説明】
【００４９】
Ｄ……電気光学装置、Ａd……表示領域、１０……第１基板、１５……走査線、２０……
第２基板、２０ａ……張出領域、２１……データ線、２２……画素電極、３０……シール
材、３１……導電性粒子、３５……液晶、４０……ＩＣチップ、４１１，４１２……走査
線駆動回路、４３……データ線駆動回路、２４……二端子型非線形素子、２４１……第１
導電層、２４５……層間絶縁層、２４２ａ，２４２ｂ……第２導電層、５０……配線、５
１……第１配線部、５１１……上下導通部、５１２……連結部、５２……第２配線部、５
２１……第１端部、５２２……第２端部、５５……接続端子部。
【図１】
2006189548.tif 000003
【図２】
2006189548.tif 000004
【図３】
2006189548.tif 000005
【図４】
2006189548.tif 000006
【図５】
2006189548.tif 000007
【図６】
2006189548.tif 000008
【図７】
2006189548.tif 000009
【図８】
2006189548.tif 000010
【図９】
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【図１０】
2006189548.tif 000012
【図１１】
2006189548.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
2006189548.tif 000015
【図１４】
2006189548.tif 000016
【図１５】
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【図１６】
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