(57)【要約】 【課題】  試し書きの回数を低減し、かつ、様々な線速度に対応した適切なライトストラテジを設定することができる光情報記録装置を提供することを目的とする。【解決手段】  光記録媒体の異なる線速度に対応したライトストラテジを設定し、設定されたライトストラテジに基づいて、任意の線速度に対応するライトストラテジを決定する。【選択図】        図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光記録媒体を一定の角速度で又は当該光記録媒体の内外周間で記録速度が変化するように回転させながら、記録データに応じて変調した光ビームを、前記光記録媒体の記録領域に照射するようにして前記記録データを記録する光情報記録装置において、
前記光記録媒体の半径方向における少なくとも２つの異なる記録速度で試し書き用データを記録する記録手段と、
前記記録手段による記録結果に基づいて、各前記記録速度に対して最適なライトストラテジを設定するライトストラテジ設定手段と、
前記ライトストラテジ設定手段によって設定された各前記ライトストラテジに基づいて内挿処理又は外挿処理することにより、前記光記録媒体の任意の記録速度に対するライトストラテジを決定するライトストラテジ決定手段と
を備えたことを特徴とする光情報記録装置。
【請求項２】
光記録媒体を一定の角速度で又は当該光記録媒体の内外周間で記録速度が変化するように回転させながら、前記光記録媒体の半径方向における少なくとも２つの異なる記録速度で試し書き用データを記録する試し書き手段と、
前記試し書き手段による記録結果に基づいて、各前記記録速度に対して最適なライトストラテジを設定するライトストラテジ設定手段と、
前記ライトストラテジ設定手段によって設定された各前記ライトストラテジに基づいて内挿処理又は外挿処理することにより、前記光記録媒体の任意の記録速度に対するライトストラテジを決定するライトストラテジ決定手段と、
前記ライトストラテジ決定手段による決定結果を外部機器へ出力する出力手段と
を備えたことを特徴とするライトストラテジ設定装置。
【請求項３】
光記録媒体を一定の角速度で又は当該光記録媒体の内外周間で記録速度が変化するように回転させる光情報記録装置と別体に設けられ、当該光情報記録装置に対して、前記光記録媒体の半径方向における少なくとも２つの異なる記録速度で試し書き用データを記録させるための制御信号を送出する制御信号送出手段と、
前記光情報記録装置から得られる記録結果に基づいて、各前記記録速度に対して最適なライトストラテジを設定するライトストラテジ設定手段と、
前記ライトストラテジ設定手段によって設定された各前記ライトストラテジに基づいて内挿処理又は外挿処理することにより、前記光記録媒体の任意の記録速度に対するライトストラテジを決定するライトストラテジ決定手段と
を備えたことを特徴とするライトストラテジ設定装置。
【請求項４】
一定の角速度で又は光記録媒体の内外周間で記録速度が変化するように回転されている光記録媒体に対して、当該光記録媒体の半径方向における少なくとも２つの異なる記録速度で試し書き用データを記録させる第１のステップと、
当該記録結果に基づいて、各前記記録速度に対して最適なライトストラテジを設定する第２のステップと、
当該設定された各前記ライトストラテジに基づいて内挿処理又は外挿処理することにより、前記光記録媒体の任意の記録速度に対するライトストラテジを決定する第３のステップと
を備えたことを特徴とするライトストラテジ設定方法。
【請求項５】
一定の角速度で又は光記録媒体の内外周間で記録速度が変化するように回転されている光記録媒体に対して、当該光記録媒体の半径方向における少なくとも２つの異なる記録速度で試し書き用データを記録させる第１のステップと、
当該記録結果に基づいて、各前記記録速度に対して最適なライトストラテジを設定する第２のステップと、
当該設定された各前記ライトストラテジに基づいて内挿処理又は外挿処理することにより、前記光記録媒体の任意の記録速度に対するライトストラテジを決定する第３のステップと
をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光情報記録装置に関し、特に、光記録媒体に情報を記録するためのライトストラテジを設定する光情報記録装置、ライトストラテジ設定装置、ライトストラテジの設定方法およびプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報通信技術の発達に伴い、インターネット等が目覚しい勢いで普及したことにより、ネットワークを介して多くの情報がさかんにやり取りされている。こうした状況の中、情報記録装置の分野において、ＣＤ−Ｒなどの追記型光ディスクやＣＤ−ＲＷなどの書き換え型光ディスクが記録媒体として注目を浴びている。また、最近では、レーザ光源としての半導体レーザの短波長化、高い開口数（ＮＡ：Numerical Aperture）を有する高ＮＡ対物レンズによるスポット径の小径化、及び薄型基板の採用などにより、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭなどの大容量の光ディスクが情報記録装置において用いられている。
【０００３】
例えば、ＣＤ−Ｒ等への情報の記録は、ＰＣ（ＰＣ：Personal Computer）等から与えられた記録情報をＥＦＭ（ＥＦＭ：Eight to Fourteen Modulation）信号に変換して行われるが、使用する光ディスクを構成する色素記録層等の組成の違いなどから、光ディスクの蓄熱や冷却速度の不足に起因するピットの形成不良等の問題が生じるために、ＥＦＭ信号をそのまま記録しようとしても、所望のピットやランドを形成することはできない。
そのため、基準となる記録波形に対して、使用する個々の光ディスク固有の記録パラメータ（以下、これをライトストラテジという。）を定めて良好な記録品位を維持する方式が採用されている。
【０００４】
一般に、代表的なライトストラテジは、ピットとランドの比率を可変する方法、記録パルスの先端部に付加パルスを加える方法、ピットとランドの組み合わせにより、パルスの立ち上がりあるいは立下り位置を変える方法、記録パルスをマルチパルス化する方法等がある。これらのライトストラテジの設定は、具体的には、光記録媒体の試し書き領域に標準的なライトストラテジ（基準ライトストラテジという。）を用いてピットおよびランドを形成し、これらの記録品位に応じて、パルス幅や記録パワーを調整することにより実行される。
【０００５】
ところで、このライトストラテジは、上記のように、光ディスクの色素、相変化材料、色素の膜厚あるいは溝の形状等ばかりでなく、線速度とも密接な関係があることが知られている。したがって、同一の光記録媒体であっても線速度が変化する場合には、それぞれの線速度に対応したライトストラテジを設定する必要がある。そのため、こうした問題点に対応して、光記録媒体の線速度が一定以上になると、光記録媒体の外周側試し書領域において試し書きを行い、ライトストラテジを決定する技術が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。  
【特許文献１】特開２００４−１９９８４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、上記の方法によれば、光記録媒体の線速度がある速度以上になるたびに、光記録媒体の所定の試し書き領域において試し書きを行い、これによりライトストラテジの設定を行わなければならず、処理が煩雑になるという問題があった。特に、ＣＡＶ方式（ＣＡＶ：Constant Angular Velocity）のように線速度が光記録媒体の位置により絶えず変化する場合には、特に、大きな問題となる。
【０００７】
そこで、本発明は、上述した問題点に鑑みてなされたものであって、試し書きの回数を低減するとともに、様々な線速度に対応した適切なライトストラテジを設定することができる光情報記録装置、ライトストラテジ設定装置、ライトストラテジの設定方法およびプログラムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題を解決するため、本発明は、以下の手段を提案している。
請求項１に係る発明は、光記録媒体を一定の角速度で又は当該光記録媒体の内外周間で記録速度が変化するように回転させながら、記録データに応じて変調した光ビームを、前記光記録媒体の記録領域に照射するようにして前記記録データを記録する光情報記録装置において、前記光記録媒体の半径方向における少なくとも２つの異なる記録速度で試し書き用データを記録する記録手段と、前記記録手段による記録結果に基づいて、各前記記録速度に対して最適なライトストラテジを設定するライトストラテジ設定手段と、前記ライトストラテジ設定手段によって設定された各前記ライトストラテジに基づいて内挿処理又は外挿処理することにより、前記光記録媒体の任意の記録速度に対するライトストラテジを決定するライトストラテジ決定手段とを備えたことを特徴とする光情報記録装置を提案している。
【０００９】
請求項４に係る発明は、一定の角速度で又は光記録媒体の内外周間で記録速度が変化するように回転されている光記録媒体に対して、当該光記録媒体の半径方向における少なくとも２つの異なる記録速度で試し書き用データを記録させる第１のステップと、当該記録結果に基づいて、各前記記録速度に対して最適なライトストラテジを設定する第２のステップと、当該設定された各前記ライトストラテジに基づいて内挿処理又は外挿処理することにより、前記光記録媒体の任意の記録速度に対するライトストラテジを決定する第３のステップとを備えたことを特徴とするライトストラテジ設定方法を提案している。
【００１０】
請求項５に係る発明は、一定の角速度で又は光記録媒体の内外周間で記録速度が変化するように回転されている光記録媒体に対して、当該光記録媒体の半径方向における少なくとも２つの異なる記録速度で試し書き用データを記録させる第１のステップと、当該記録結果に基づいて、各前記記録速度に対して最適なライトストラテジを設定する第２のステップと、当該設定された各前記ライトストラテジに基づいて内挿処理又は外挿処理することにより、前記光記録媒体の任意の記録速度に対するライトストラテジを決定する第３のステップとをコンピュータに実行させるためのプログラムを提案している。
【００１１】
これらの発明によれば、記録手段により光記録媒体の半径方向における少なくとも２つの異なる記録速度で試し書き用の基準ライトストラテジを用いた情報の記録動作が実行される。ライトストラテジ設定手段は、記録された情報に基づいて、各記録速度に対する最適なライトストラテジを設定する。そして、ライトストラテジ設定手段は、設定した各ライトストラテジに基づいて内挿処理又は外挿処理することにより、光記録媒体の任意の記録速度に対するライトストラテジを決定する。
【００１２】
請求項２に係る発明は、光記録媒体を一定の角速度で又は当該光記録媒体の内外周間で記録速度が変化するように回転させながら、前記光記録媒体の半径方向における少なくとも２つの異なる記録速度で試し書き用データを記録する試し書き手段と、前記試し書き手段による記録結果に基づいて、各前記記録速度に対して最適なライトストラテジを設定するライトストラテジ設定手段と、前記ライトストラテジ設定手段によって設定された各前記ライトストラテジに基づいて内挿処理又は外挿処理することにより、前記光記録媒体の任意の記録速度に対するライトストラテジを決定するライトストラテジ決定手段と、前記ライトストラテジ決定手段による決定結果を外部機器へ出力する出力手段とを備えたことを特徴とするライトストラテジ設定装置を提案している。
【００１３】
この発明によれば、試し書き手段は、光記録媒体の半径方向における少なくとも２つの異なる記録速度で試し書き用の基準ライトストラテジを用いた情報の記録を実行する。ライトストラテジ設定手段は、試し書きされた情報に基づいて、各記録速度に対する最適なライトストラテジを設定する。そして、ライトストラテジ設定手段は、設定した各ライトストラテジに基づいて内挿処理又は外挿処理することにより、光記録媒体の任意の記録速度に対するライトストラテジを決定し、出力手段がライトストラテジ決定手段による決定結果を外部機器へ出力する。
【００１４】
請求項３に係る発明は、光記録媒体を一定の角速度で又は当該光記録媒体の内外周間で記録速度が変化するように回転させる光情報記録装置と別体に設けられ、当該光情報記録装置に対して、前記光記録媒体の半径方向における少なくとも２つの異なる記録速度で試し書き用データを記録させるための制御信号を送出する制御信号送出手段と、前記光情報記録装置から得られる記録結果に基づいて、各前記記録速度に対して最適なライトストラテジを設定するライトストラテジ設定手段と、前記ライトストラテジ設定手段によって設定された各前記ライトストラテジに基づいて内挿処理又は外挿処理することにより、前記光記録媒体の任意の記録速度に対するライトストラテジを決定するライトストラテジ決定手段とを備えたことを特徴とするライトストラテジ設定装置を提案している。
【００１５】
この発明によれば、制御信号送出手段により光情報記録装置に対して、光記録媒体の半径方向における少なくとも２つの異なる記録速度で試し書き用の基準ライトストラテジを用いた記録動作を実行させるための制御信号が送出される。ライトストラテジ設定手段は、光情報記録装置からの制御信号により記録された情報に基づいて、各記録速度に対する最適なライトストラテジを設定する。そして、ライトストラテジ設定手段は、設定した各ライトストラテジに基づいて内挿処理又は外挿処理することにより、光記録媒体の任意の記録速度に対するライトストラテジを決定する。
【発明の効果】
【００１６】
この発明によれば、ＣＡＶ方式のように、線速度が光記録媒体の記録位置により変化する場合であっても、ライトストラテジを決定するための試し書き回数を最小限に抑えて、最適なライトストラテジを設定することができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
光記録媒体への信号の記録は、光ピックアップから射出されたレーザ光を光記録媒体の色素記録層に照射し、照射したレーザ光のエネルギーにより記録層を加熱変形させることにより行われる。従って、光ピックアップから射出されるレーザ光のパワーおよび照射時間（記録パルス幅）は、記録品位を決定する意味でも重要なファクターとなる。
【００１８】
ことに、記録時の光記録媒体の線速度との関係を考えた場合、レーザ光の照射時間（記録パルス幅）をどのように管理するかは、重要なポイントとなる。図１（ａ）は、規格により定められた３Ｔ、４Ｔ等の記録したい信号（図中、基準記録信号という）と、線速度の最高時、最低時におけるライトストラテジ（記録パルス）との関係を示している。図中、Ｔｌ１は、最低線速度時におけるライトストラテジ（記録パルス）の前側エッジの調整値を、Ｔｌ２は、最高線速度時におけるライトストラテジ（記録パルス）の前側エッジの調整値を、Ｔｔ１は、最低線速度時におけるライトストラテジ（記録パルス）の後側エッジの調整値を、Ｔｔ２は、最高線速度時におけるライトストラテジ（記録パルス）の後側エッジの調整値を示している。
【００１９】
図１（ａ）に示すように、記録時の線速度に関わらず、規格化された記録信号を形成するためには、記録時の線速度が最高のときと最低のときとでは、Ｔｌ１とＴｌ２、Ｔｔ１とＴｔ２の関係を以下のようにする必要がある。
Ｔｌ１＞Ｔｌ２
Ｔｔ１＞Ｔｔ２
【００２０】
この関係を線速度が最低の場合から最高の場合について見てみると、図１（ｂ）のように、線速度とＴｌ１、Ｔｌ２、Ｔｔ１、Ｔｔ２等の設定時間との関係は、線速度の増加に伴って、Ｔｌ１とＴｌ２とを結んだ直線状およびＴｔ１とＴｔ２とを結んだ直線状に変化する。本発明は、こうした線速度と設定時間との関係を踏まえてなされたものである。以下に、図２から図８を用いて、本発明に係る光情報記録装置について、詳細に説明する。
【００２１】
＜第１の実施形態＞
本発明の第１の実施形態では、記録媒体として、ＣＡＶ方式により情報の記録を行うＣＤ−Ｒを用いた場合を例にとって説明する。
本発明の第１の実施形態に係る光情報記録装置は、図２に示すように、光ディスク１と、光ピックアップ２と、ヘッドアンプ３と、信号処理部４と、ライトストラテジ設定部（ライトストラテジ設定手段）６と、ドライバー７と、制御部８（ライトストラテジ決定手段）と、ＲＡＭ９と、ＲＯＭ１０と、レーザ駆動部１１（記録手段）と、モータ１２とから構成されている。
【００２２】
光ディスク１は、半導体レーザにより情報の記録、再生、消去を行える記録媒体であり、例えば、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ±ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭ等がある。  光ピックアップ２は、図示しないレーザダイオード等のレーザ光源や、コリメータレンズ、フォーカスアクチュエータあるいはトラッキングアクチュエータ等によって駆動される対物レンズ、偏光ビームスプリッタ、シリンドリカルレンズ等の光学部品、及びＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄの４つの領域に分割され、光を電気信号に変換する４分割あるいは２分割のフォトディテクタ（ＰＤ）あるいは記録再生時のレーザ出力をモニタするフロントモニタダイオード等を備えている。
【００２３】
ヘッドアンプ３は、光ディスク１からの反射光を検出し、検出した反射光より反射光量を演算して、４分割ＰＤの各領域への反射光量の総和を示すＲＦ信号を生成する。また、光ピックアップ２の照射レーザの焦点ずれを検出する信号であるフォーカスエラー信号（ＦＥ）を非点収差法によって生成する。さらに光ピックアップ２の照射レーザのトラックずれを検出する信号であるトラッキングエラー信号（ＴＥ）を例えばプッシュプル法によって生成する。
【００２４】
信号処理部４は、ヘッドアンプ３において生成されたＲＦ信号からＥＦＭ信号を生成する。また、図示しないＰＬＬ回路等を備え、光ディスク１の回転数を制御する。
【００２５】
ライトストラテジ設定部６は、例えば、基準ライトストラテジで記録された情報から信号処理部４が抽出したＥＦＭ信号と各ピットとランドの理論長とを比較し、両者の差分値（以下、デビエーション値という。）とそれぞれのピット、ランドの存在確率とから適切なライトストラテジを設定する。
【００２６】
ドライバー７は、ヘッドアンプ３および信号処理部４において生成されたサーボ信号を増幅し、フォーカスアクチュエータ、トラッキングアクチュエータ、キャリッジモータあるいはスピンドルモータに供給する。
【００２７】
制御部８は、光情報記録装置全体を制御プログラムに従い制御する。特に、本実施形態においては、光ディスク１に情報を記録する際のライトストラテジの設定に関する制御を行う。ＲＡＭ９は、書き換え可能な記憶装置であり、異なる線速度で設定したライトストラテジと、これらに基づいて決定された各線速度に対応したライトストラテジ等を記憶している。
【００２８】
ＲＯＭ１０は、書き換え不能の記憶装置であり、光情報記録装置全体を制御するための制御プログラムや基準ライトストラテジ、各ピットおよびランドの理論長あるいは各ピットおよびランドの組合せにおける存在確率等が記憶されている。
【００２９】
レーザ駆動部１１は、ライトストラテジ設定部６から入力したライトストラテジに基づいてレーザダイオード駆動用のパルス信号を生成して、これを光ピックアップ２内の図示しない半導体レーザに供給する。モータ１２は、光ディスク１を回転するＤＣモータ等からなるスピンドルモータである。
【００３０】
次に、本実施形態によるライトストラテジの設定方法について説明する。ここで、ライトストラテジは、記録媒体ごとに規定されており、ＣＤ−Ｒには、図３に示すようなＰｏｗｅｒｅｄ  Ｔｙｐｅと呼ばれライトストラテジが用いられる。
【００３１】
図３に示すように、Ｐｏｗｅｒｅｄ  Ｔｙｐｅのライトストラテジは、トップパルスとラストパルスとによって構成されており、これらのパルスは、ＥＦＭ信号の立ち上がりエッジに対して１Ｔ前のポイントからトップパルスのスタートエッジを規定するＴｔｓ、トップパルス幅を規定するＴｔｗ、ＥＦＭ信号の立下りエッジに対し３Ｔ前のポイントからラストパルスのエンドエッジを規定するＴｌｅ、記録パワーを規定するＰｗ、ブーストパワーを規定するＰｂｓ、バイアスパワーを規定するＰｂ等のパラメータで規定されている。
【００３２】
これらのパラメータのうち、特にＴｔｓとＴｌｅは線速度と密接な関係があるものと考えられることから、本実施形態においては、それぞれの線速度に対応したＴｔｓとＴｌｅを設定する方法について図４を用いて説明する。
【００３３】
ＣＤ−Ｒが光情報記録装置にセットされ、記録モードになると、制御部８は、ＣＤ−Ｒの内周にある試し書きエリアに光ピックアップ２を移動させ、基準ライトストラテジとこれに対して、所定のピットおよびランドを最小分解能の整数倍だけ変化させたライトストラテジで情報の記録を行う（ステップ１０１）。制御部８は、情報の記録を終了すると、再び、光ピックアップ２を記録した情報の先頭部分に移動して情報の読み出しを行う。なお、ライトストラテジの設定を行うＬＳＩは、所定のクロックをベースに動作していることから、ライトストラテジの変更もアナログ的に連続して変化させることは不可能であり、１クロックを最小の変化量とする離散的な変更を行う。ここでは、この最小の変化量を最小分解能という。
【００３４】
光ピックアップ２により光学的に読み出された信号は、信号処理部４に入力され、ＥＦＭ信号に変換される。変換されたＥＦＭ信号は、ライトストラテジ設定部６に入力される。ライトストラテジ設定部６では、入力したＥＦＭ信号と制御部８を介してＲＯＭ１０から入力した各ピットおよびランドの理論長とを比較して、その差分値（デビエーション値）を算出する。このデビエーション値には、他のピットやランドによる影響を含んでいる。そのため、各ピットおよびランドの組合せによる存在確率を利用して、他のピッドあるいはランドの長さが変化したときの影響度を求め、これを利用して各ピットおよびランド固有の伸縮量を算定する。
【００３５】
このピットおよびランド固有の伸縮量算定法を図５に基づいて説明する。本来、ＥＦＭ信号のピットとランドは、ピット長の総和とランド長の総和が等しくなるように構成されている。したがって、例えば、あるランドの長さが長くなると、ピットとランドの分布バランスが崩れてしまい、これを補正するために、変化した特定のランドを含め、全体的にランドの長さが短くなる。この現象は、実際の再生波形（ＲＦ信号）においては、スライスレベルが変化した状態で現われることになる。
【００３６】
具体的に、ＥＦＭ信号のうち、３ＴランドをΔＴ（３Ｔ）だけ伸ばした場合の他のランド、すなわち、４Ｔから１１Ｔのランド長の変化をみてみると、図５（ａ）のようになる。なお、図５（ａ）は、縦軸に理論長に対するデビエーションを、横軸に３Ｔから１１Ｔを割り当てたものであり、各線は、３Ｔランドのデビエーションが０の場合、１４．４ｎｓ、２８．８ｎｓ、４３．２ｎｓのデビエーションをそれぞれ加えた場合の各デビエーションの変化を示している。
【００３７】
いま、ＥＦＭ信号における３Ｔランドの存在確率を３３％とすれば、４Ｔから１１Ｔランドの変化量との間には、数１の関係が成り立つ。
【００３８】
【数１】
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【００３９】
これから、４Ｔから１１Ｔランドの変化量は、３Ｔランドの変化量の約半分になることがわかる。このことは、図５（ａ）に示す実測結果によっても裏付けられており、図５（ｂ）に示すように、存在確率の低い６Ｔランドを同様に変化させた場合には、他のピットあるいはランドの長さに与える影響度合いは極めて小さいことがわかる。
【００４０】
よって、各ピットおよびランドの組合せによる存在確率を利用すれば、特定のピットあるいはランドの長さが変化した場合の他のピットあるいはランドの長さに関する影響度を把握することが可能となる。
【００４１】
具体的には、記録信号を再生し、すべてのピットおよびランドの組合せにおける記録長を測定し、測定結果をＲＡＭ７に格納する。ＲＡＭ９に格納された基準ライトストラテジで記録したときの記録長とＲＯＭ１０に格納されたすべてのピットおよびランドの組合せにおける理論長とのデビエーションおよび上記の所定のピットおよびランドを最小分解能の整数倍だけのばしたライトストラテジで記録した場合の記録長とＲＯＭ１０に格納されたすべてのピットおよびランドの組合せにおける理論長とのデビエーションを算出し、さらに両者間のデビエーション値を算出する。なお、基準ライトストラテジに対する３Ｔランドから５Ｔランド前の３Ｔピットから５Ｔピットの伸張量が最小分解能の整数倍であるときは、求めたデビエーション値を前記整数値で除算して、最小分解能に対するデビエーション値とする。
【００４２】
ここで、算出したデビエーション値から各ピットおよびランド固有の伸縮量を算出するためには、上記で説明した各ピットおよびランドの組合せによる存在確率を用いて行う。いま、例えば、３Ｔピットと３Ｔランドの組合わせによる固有の伸縮量は、３Ｔピットと３Ｔランドの組合わせにおけるデビエーション値から、他のピットおよびランドの変動による影響を除去したものとなるから、３Ｔピットと３Ｔランド、４Ｔランド、５Ｔランドの組合せにおける固有の伸縮量をそれぞれ、ΔＴ（３、３）、ΔＴ（４、３）、ΔＴ（５、３）・・・とし、それぞれの組合せの存在確率をＲ（３、３）、Ｒ（４、３）、Ｒ（５、３）と、３Ｔピットと３Ｔランドのデビエーション値をＡとすると、数２のような関係になる。
【００４３】
【数２】
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【００４４】
一方、６Ｔピットあるいは６Ｔランドが含まれる組合せにおいては、６Ｔピットあるいは６Ｔランドが変動していないにも関わらず、各組合せにおいて、近い値のデビエーションが存在している。このデビエーションは、３Ｔランドから５Ｔランド前の３Ｔピットから５Ｔピットの長さを変化させたことによる影響が集約されたものである。
【００４５】
したがって、例えば、３Ｔピットと６Ｔランドのデビエーション値をＺとすると、Ｚは、数３のように表され、この式を数２に代入すれば、数４が得られる。同様に、各ピットおよびランドの組合せにおける固有の伸縮量は、その存在確率から求めることができる。
【００４６】
【数３】
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【００４７】
【数４】
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【００４８】
各ピットおよびランドの組合せにおける固有の伸縮量が求まれば、この固有伸縮量を最小にするようなＴｔｓおよびＴｌｅをそれぞれ演算により求め、その結果を線速度とともにＲＡＭ９に格納する（ステップ１０２）。
【００４９】
次に、制御部８は、ＣＤ−Ｒの外周にある試し書きエリアに光ピックアップ２を移動させ、基準ライトストラテジとこれに対して、所定のピットおよびランドを最小分解能の整数倍だけのばしたライトストラテジで情報の記録を行う（ステップ１０３）。そして、ステップ１０２と同様な方法で、各ピットおよびランドの組合せにおける固有の伸縮量が最小にするようなＴｔｓおよびＴｌｅをそれぞれ演算により求め、その結果を線速度とともにＲＡＭ９に格納する（ステップ１０４）。
【００５０】
ステップ１０１から１０４までの処理が終了すると、ライトストラテジ設定部６は制御部８を介して、ＲＡＭ６から異なる線速度に対応したＴｔｓおよびＴｌｅを読み出し、各線速度に対応したＴｔｓおよびＴｌｅを上記の関係を利用した直線補間により求める。求めたＴｔｓおよびＴｌｅは線速度に対応させてＲＡＭ９に格納する（ステップ１０５）。
【００５１】
こうした処理を行うことにより、本実施形態によれば、線速度が変化した場合であっても、そのときの線速度に応じた最適なＴｔｓおよびＴｌｅを設定することにより、記録品位を維持することができる。
【００５２】
なお、本実施形態においては、ＣＡＶ方式の記録方法により、異なる線速度による記録動作を光ディスクの内周および外周における試し書きエリアで行う方法を示したが、例えば、内周の試し書きエリアで線速度を可変して記録動作を行ってもよい。また、線速度についても、異なる線速度は最高、最低に限らず、少なくとも異なる線速度で記録動作を行い、これらから得られたデータに基づいて、その他の線速度におけるライトストラテジを内挿あるいは外挿により求めてもよい。
【００５３】
また、本実施形態は、一定の角速度であるＣＡＶ方式で光記録媒体を回転制御させるようにした場合について述べたが、これに限らず、例えば、光記録媒体の内外周間で記録速度が変化するように回転させるような回転制御方式（例えば、ＺＣＬＶ（Zone Constant Linear Velocity）方式及びＰＣＡＶ（Partial Constant Angular Velocity）方式等）においても適用することができる。すなわち、ＺＣＬＶ方式とは、ディスクを内周からいくつかのゾーンに分け、そのゾーン内では線速度を一定に保つ方式である。またＰＣＡＶ方式とは、ディスクの内周をCAV(角速度一定)方式で、外周をCLV(線速度一定)方式でアクセスする方式である。
【００５４】
＜第２の実施形態＞
本発明の第２の実施形態は、記録媒体として、ＣＡＶ方式により情報の記録を行うＣＤ−ＲＷを用いた場合を例にとって説明する。なお、本実施形態に係る光情報記録装置は、第１の実施形態に係る光情報記録装置とその構成および主たる機能は同一であるため、この点に関する説明は省略する。
【００５５】
次に、本実施形態によるライトストラテジの設定方法について説明する。ここで、ＣＤ−ＲＷには、図６に示すように１６倍速以下の記録速度で用いられるＭｕｌｔｉ  Ｐｕｌｓｅｄ  Ｔｙｐｅ（１Ｔ）と、図７に示す１６倍速以上の記録速度で用いられるＭｕｌｔｉ  Ｐｕｌｓｅｄ  Ｔｙｐｅ（２Ｔ）と呼ばれライトストラテジが用いられる。
【００５６】
図６に示すように、Ｍｕｌｔｉ  Ｐｕｌｓｅｄ  Ｔｙｐｅ（１Ｔ）のライトストラテジは、１Ｔの間隔に記録パルスを１つ設けたものであり、さらに、トップパルスとラストパルスとによって構成されている。これらのパルスは、ＥＦＭ信号の立ち上がりエッジに対して１Ｔ前のポイントからトップパルスのスタートエッジを規定するＴｔｓ、トップパルス幅を規定するＴｔｗ、ＥＦＭ信号の立ち上がりエッジに対して１Ｔ前のポイントからマルチパルスのスタートエッジを規定するＴｍｓ、マルチパルス幅を規定するＴｍｗ、ＥＦＭ信号の立下りエッジに対し１Ｔ前のポイントからラストパルスのエンドエッジを規定するＴｌｓ、ラストパルス幅を規定するＴｌｗ、クーリングパルス幅を規定するＴｃｗ、ピークパワーを規定するＰｐ、消去パワーを規定するＰｅ、バイアスパワーを規定するＰｂ等のパラメータで規定されている。
【００５７】
また、Ｍｕｌｔｉ  Ｐｕｌｓｅｄ  Ｔｙｐｅ（２Ｔ）のライトストラテジは、図７に示すように、２Ｔの間隔に記録パルスを１つ設けたものであり、その構成およびパラメータは、Ｍｕｌｔｉ  Ｐｕｌｓｅｄ  Ｔｙｐｅ（１Ｔ）の場合と同様である。
【００５８】
上記のＭｕｌｔｉ  Ｐｕｌｓｅｄ  Ｔｙｐｅ（１Ｔ）あるいは、Ｍｕｌｔｉ  Ｐｕｌｓｅｄ  Ｔｙｐｅ（２Ｔ）のライトストラテジの場合、これらを規定するパラメータのうち、特にＴｔｓ、Ｔｌｗ、Ｔｃｗは線速度と密接な関係がある。したがって、これらのパラメータについては、線速度に対応した調整が必要である。なお、これらのパラメータの線速度に応じた設定方法は、第１の実施形態で述べた、図４に示した処理により実行される。
【００５９】
したがって、本実施形態によれば、ＣＤ−ＲＷを記録媒体とする記録動作において、ＣＡＶ方式のように線速度が変化した場合であっても、そのときの線速度に応じたＴｔｓ、Ｔｌｗ、Ｔｃｗを最適に設定することにより、記録品位を維持することができる。
【００６０】
＜第３の実施形態＞
本発明の第３の実施形態は、記録媒体として、ＣＡＶ方式により情報の記録を行うＤＶＤ±Ｒを用いた場合を例にとって説明する。なお、本実施形態に係る光情報記録装置は、第１の実施形態に係る光情報記録装置とその構成および主たる機能は同一であるため、この点に関する説明は省略する。
【００６１】
次に、本実施形態によるライトストラテジの設定方法について説明する。ここで、ＤＶＤ±Ｒには、図８に示すようなＣａｓｔｌｅ  Ｔｙｐｅと呼ばれライトストラテジが用いられる。
【００６２】
図８に示すように、Ｃａｓｔｌｅ  Ｔｙｐｅのライトストラテジは、トップパルスとラストパルスとによって構成されている。また、これらのパルスは、ＥＦＭ信号の立ち上がりエッジに対して１Ｔ前のポイントからトップパルスのスタートエッジを規定するＴｔｓ、トップパルス幅を規定するＴｔｗ、ＥＦＭ信号の立ち上がりエッジに対して３Ｔ前のポイントからラストパルスのエンドエッジを規定するＴｌｅ、ラストパルス幅を規定するＴｌｗ、ライトパワーを規定するＰｗ、バイアスパワーを規定するＰｂ等のパラメータで規定されている。
【００６３】
Ｃａｓｔｌｅ  Ｔｙｐｅのライトストラテジの場合、これを規定するパラメータのうち、特にＴｔｓとＴｌｅは線速度と密接な関係がある。したがって、これらのパラメータについては、線速度に対応した調整が必要である。なお、これらのパラメータの線速度に応じた設定方法は、第１の実施形態で述べた、図４に示した処理により実行される。
【００６４】
したがって、本実施形態によれば、ＤＶＤ±Ｒを記録媒体とする記録動作において、ＣＡＶ方式のように線速度が変化した場合であっても、そのときの線速度に応じたＴｔｓおよびＴｌｅを最適に設定することにより、記録品位を維持することができる。
【００６５】
なお、上記第１から第３の実施形態においては、光情報記録装置側に本発明のライトストラテジ設定方法を搭載する例について説明したが、例えば、光情報記録装置とは別体に、本発明のライトストラテジ設定方法を搭載した装置を設けてもよい。
【００６６】
すなわち、光記録媒体の半径方向における少なくとも２箇所の異なる試し書き位置で試し書き用データを記録し、この記録結果に基づいて、各試し書き位置に対して最適なライトストラテジを設定するともに、設定された各ライトストラテジに基づいて内挿処理又は外挿処理することにより、光記録媒体の記録領域のうち任意の位置に対するライトストラテジを決定する。そして、その決定結果を光記録媒体と関連づけて光情報記録装置側に出力するような装置であってもよい。
【００６７】
また、光情報記録装置に対して、光記録媒体の半径方向における少なくとも２箇所の異なる試し書き位置で試し書き用データを記録させるための制御信号を送出し、光情報記録装置から得られる記録結果に基づいて、各試し書き位置に対して最適なライトストラテジを設定し、設定された各ライトストラテジに基づいて内挿処理又は外挿処理することにより、光記録媒体の記録領域のうち任意の位置に対するライトストラテジを決定するような装置であってもよい。
【００６８】
以上、図面を参照して本発明の実施例について詳述してきたが、具体的な構成はこれらの実施例に限られるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。例えば、本実施形態においては、線速度の異なる２つのポイントでライトストラテジを設定し、これを直線補間することにより、他の線速度に対応したライトストラテジを決定する方法について述べたが、２ポイント以上の異なる線速度におけるライトストラテジを設定し、線速度が近接するものを直線補間することにより、他の線速度に対するライトストラテジを決定するようにしてもよい。
【００６９】
また、本実施形態においては、ライトストラテジを規定するパラメータのうち、特に、線速度と密接な関係のあるパラメータを固定して、これらを線速度により適宜調整する方法について説明したが、パラメータと線速度との関連に応じて、パラメータごとの調整頻度を変更したり、優先順位を設けて順次調整する、あるいはこれらを組み合わせた方法によってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】線速度とライトストラテジのパラメータとの関係を示した図である。
【図２】第１の実施形態に係る光情報記録装置の構成図である。
【図３】ＣＤ−Ｒ用ライトストラテジの構成を示す図である。
【図４】第１の実施形態に係る光情報記録装置の処理フロー図である。
【図５】３Ｔピットあるいは６Ｔピットの長さを変化させたときの他のピットへの影響度を示す図である。
【図６】ＣＤ−ＲＷ（１Ｔ）用ライトストラテジの構成を示す図である。
【図７】ＣＤ−ＲＷ（２Ｔ）用ライトストラテジの構成を示す図である。
【図８】ＤＶＤ±Ｒ用ライトストラテジの構成を示す図である。
【符号の説明】
【００７１】
１・・・光ディスク、２・・・光ピックアップ、３・・・ヘッドアンプ、４・・・信号処理部、６・・・ライトストラテジ設定部（ライトストラテジ決定手段）、７・・・ドライバー、８・・・制御部、９・・・ＲＡＭ、１０・・・ＲＯＭ、１１・・・レーザ駆動部、１２・・・モータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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