(57)【要約】【課題】高密度の回路パターンおよび超簿板のコアを具備したフリップチップボールグリッドアレイ基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】表面に粗さが形成されており、補強基材と樹脂を含む原板と、前記原板の表面に所定のパターンに形成された無電解導電層と、前記無電解導電層上に形成された電解鍍金層とを含むコアを備える。【選択図】図３Ｈ
2006237619.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に粗さが形成されており、補強基材と樹脂を含む原板と、
前記原板の表面に所定のパターンに形成された無電解導電層と、
前記無電解導電層上に形成された電解鍍金層と、
を含むコアを備えることを特徴とする、フリップチップボールグリッドアレイ基板。
【請求項２】
前記原板は、補強基材と樹脂を含むアンクラッドタイプの絶縁材であることを特徴とする、請求項１に記載のフリップチップボールグリッドアレイ基板。
【請求項３】
前記原板は、補強基材と樹脂を含むアンクラッドタイプの絶縁材、および前記アンクラッドタイプの絶縁材の両面にコートされた粗さ形成の可能な樹脂を含むことを特徴とする、請求項１に記載のフリップチップボールグリッドアレイ基板。
【請求項４】
（Ａ）補強基材と樹脂を含む原板を提供する段階と、
（Ｂ）前記原板の表面に粗さを形成する段階と、
（Ｃ）前記粗さの形成された原板の表面に無電解導電層を形成する段階と、
（Ｄ）前記無電解導電層上に所定の鍍金レジストパターンを形成する段階と、
（Ｅ）前記鍍金レジストパターンが形成されていない前記無電解導電層上に電解鍍金層を形成する段階と、
（Ｆ）前記鍍金レジストパターンを除去する段階と、
（Ｇ）前記電解鍍金層が形成されない部分の前記無電解導電層を除去することで、コアを製造する段階と、
を含むことを特徴とする、フリップチップボールグリッドアレイ基板の製造方法。
【請求項５】
前記（Ａ）段階で、補強基材と樹脂を含むアンクラッドタイプの絶縁材を原板として提供し、
前記（Ｂ）段階で、前記アンクラッドタイプの絶縁材の表面に粗さを形成することを特徴とする、請求項４に記載のフリップチップボールグリッドアレイ基板の製造方法。
【請求項６】
前記（Ａ）段階で、補強基材と樹脂を含むアンクラッドタイプの絶縁材、および前記アンクラッドタイプの絶縁材の両面にコートされた粗さ形成の可能な樹脂を含む原板を提供し、
前記（Ｂ）段階で、前記粗さ形成の可能な樹脂の表面に粗さを形成することを特徴とする、請求項４に記載のフリップチップボールグリッドアレイ基板の製造方法。
【請求項７】
表面に粗さが形成されており、補強基材と樹脂を含む原板と、
前記原板の表面に所定のパターンに形成された無電解導電層と、
前記無電解導電層上に形成された電解鍍金層と、
を含むコアを備えることを特徴とする、印刷回路基板。
【請求項８】
前記原板は、補強基材と樹脂を含むアンクラッドタイプの絶縁材であることを特徴とする、請求項７に記載の印刷回路基板。
【請求項９】
前記原板は、補強基材と樹脂を含むアンクラッドタイプの絶縁材、および前記アンクラッドタイプの絶縁材の両面にコートされた粗さ形成の可能な樹脂を含むことを特徴とする、請求項７に記載の印刷回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は印刷回路基板、具体的にはフリップチップボールグリッドアレイ（ｆｌｉｐ  ｃｈｉｐ  ｂａｌｌ  ｇｒｉｄ  ａｒｒａｙ）基板およびその製造方法に係り、より詳しくは、薄いアンクラッドタイプ（ｕｎｃｌａｄ  ｔｙｐｅ）のコアを使用し、セミアディティブ法（ｓｅｍｉ−ａｄｄｉｔｉｖｅ  ｐｒｏｃｅｓｓ）を用いて回路パターンを形成することにより、高密度の回路パターンと超薄板のコアを提供する印刷回路基板、特にフリップチップボールグリッドアレイ基板およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子の性能が飛躍的に向上するにしたがい、パッケージング基板（ｐａｃｋａｇｉｎｇ  ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）とそれに相応する性能が要求されている。基本的に、パッケージング基板は、高密度化、高速化および小型化などに対する要求が激しくなっており、ひいてはシステムの集積化（ｓｙｓｔｅｍ  ｉｎ  ｐａｃｋａｇｉｎｇ）まで可能なパッケージング基板も要求されている。
【０００３】
このようなパッケージング基板として使用されるフリップチップボールグリッドアレイ基板は、半導体素子の仕様に対応するためには、回路パターンの微細化、高度の電気特性、高信頼性、高速信号伝逹構造および超薄板化などの多くの課題がある。
【０００４】
例えば、２００７年のフリップチップボールグリッドアレイ基板の技術動向において、回路線幅および回路パターン間の間隔であるＬ／Ｓ（Ｌｉｎｅ／Ｓｐａｃｅ）が１０μｍ／１０μｍであり、フリップチップボールグリッドアレイ基板の厚さが０．２ｍｍであると提示されている。
【０００５】
図１Ａ〜図１Ｈは従来のフリップチップボールグリッドアレイ基板の製造方法の流れを示す断面図、図２は従来のフリップチップボールグリッドアレイ基板の問題点を示す断面図である。
【０００６】
図１Ａに示すように、補強基材および樹脂でなった絶縁層１１に銅箔層１２、１２’が被せられた銅張積層板１０を用意する。
【０００７】
図１Ｃに示すように、形成されたビアホールａの電気的連結のために、銅張積層板１０の上下銅箔層１２、１２’及びビアホールａの内壁に無電解銅鍍金層１３、１３’を形成する。
【０００８】
図１Ｄに示すように、銅張積層板１０の上下銅箔層１２、１２’およびビアホールａの内壁上の無電解銅鍍金層１３、１３’上に電解銅鍍金層１４、１４’を形成する。
【０００９】
図１Ｅに示すように、内壁が銅鍍金されたビアホールａに気孔（ｖｏｉｄ）が発生しないように、ビアホールａに伝導性ペースト１５を充填する。
【００１０】
図１Ｆに示すように、上下電解銅鍍金層１４、１４’にドライフィルム（ｄｒｙ  ｆｉｌｍ）２０、２０’を塗布した後、露光および現像を行って、エッチングレジストパターン（ｅｔｃｈｉｎｇ  ｒｅｓｉｓｔ  ｐａｔｔｅｒｎ）を形成する。
【００１１】
図１Ｇに示すように、ドライフィルム２０、２０’をエッチングレジストとして使用し、銅張積層板１０をエッチング液に浸漬させることにより、ドライフィルム２０、２０’の所定のパターンに対応する部分を除いた残り部分の上下銅箔層１２、１２’、無電解銅鍍金層１３、１３’および電解銅鍍金層１４、１４’を除去する。
【００１２】
図１Ｈに示すように、銅張積層板１０の上下両面に塗布されたドライフィルム２０、２０’を剥離して除去することにより、従来のフリップチップボールグリッドアレイ基板のコア（ｃｏｒｅ）が製造される。
【００１３】
前述したフリップチップボールグリッドアレイ基板の製造方法に関連し、本出願人が１９９５年１１月１４日付けで出願したものが特許文献１に開示されている。
【００１４】
しかし、従来のフリップチップボールグリッドアレイ基板は、厚い銅張積層板１０をコアとして使用するため、フリップチップボールグリッドアレイ基板の総厚さが厚くなって、０．２ｍｍ以下の超簿板に製造することが難しい問題点があった。
【００１５】
また、従来のフリップチップボールグリッドアレイ基板は、図１Ｇに示すエッチング工程で、銅箔層１２、１２’、無電解銅鍍金層１３、１３’および電解銅鍍金層１４、１４’の総厚さにわたって回路パターンの側面がエッチングされるため、実際に、図２に示すような回路パターン形状を有することになる。
【００１６】
このゆえに、従来のフリップチップボールグリッドアレイ基板は、コアの回路パターンの線幅（Ｌ）および回路パターン間の間隔（Ｓ）であるＬ／Ｓを実質的に５０μｍ／５０μｍ以下に形成しにくい問題点もあった。
したがって、従来のフリップチップボールグリッドアレイ基板は、コアの上下回路パターンを微細化しにくくて、高密度化、高速化および小型化などに対応することが不可能であり、その上、システムの集積化にも適しない問題点があった。
また、このような問題点はただフリップチップボールグリッドアレイ基板に限らず、全ての種類の印刷回路基板に発生することができるということを考えなければならない。
【００１７】
【特許文献１】大韓民国特許登録第１９０６２２号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
したがって、本発明はこのような問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、高密度の回路パターンおよび超簿板のコアを具備した印刷回路基板、特にフリップチップボールグリッドアレイ基板およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、表面に粗さが形成されており、補強基材と樹脂を含む原板と、前記原板の表面に所定のパターンに形成された無電解鍍金のような導電層と、前記無電解導電層上に形成された電解鍍金層とを含むコアを備えるフリップチップボールグリッドアレイ基板を提供する。
【００２０】
前記原板は、補強基材と樹脂を含むアンクラッドタイプの絶縁材であることが好ましい。
【００２１】
前記原板は、補強基材と樹脂を含むアンクラッドタイプの絶縁材、および前記アンクラッドタイプの絶縁材の両面にコートされた粗さ形成の可能な樹脂を含むことが好ましい。
【００２２】
また、上記課題を解決するために、本発明のほかの観点によれば、（Ａ）補強基材と樹脂を含む原板を提供する段階と、（Ｂ）前記原板の表面に粗さを形成する段階と、（Ｃ）前記粗さの形成された原板の表面に無電解導電層を形成する段階と、（Ｄ）前記無電解導電層上に所定の鍍金レジストパターンを形成する段階と、（Ｅ）前記鍍金レジストパターンが形成されていない前記無電解導電層上に電解鍍金層を形成する段階と、（Ｆ）前記鍍金レジストパターンを除去する段階と、（Ｇ）前記電解鍍金層が形成されない部分の前記無電解導電層を除去することで、コアを製造する段階とを含むフリップチップボールグリッドアレイ基板の製造方法を提供する。
【００２３】
前記（Ａ）段階で、補強基材と樹脂を含むアンクラッドタイプの絶縁材を原板として提供し、前記（Ｂ）段階で、前記アンクラッドタイプの絶縁材の表面に粗さを形成することが好ましい。
【００２４】
前記（Ａ）段階で、補強基材と樹脂を含むアンクラッドタイプの絶縁材、および前記アンクラッドタイプの絶縁材の両面にコートされた粗さ形成の可能な樹脂を含む原板を提供し、前記（Ｂ）段階で、前記粗さ形成の可能な樹脂の表面に粗さを形成することが好ましい。
【発明の効果】
【００２５】
前述したように、本発明によるフリップチップボールグリッドアレイ基板およびその製造方法は、薄いアンクラッドタイプのコアを使用し、セミアディティブ法を用いて回路パターンを形成するので、高密度の回路パターンと超簿板のコアを提供する効果がある。
【００２６】
また、本発明によるフリップチップボールグリッドアレイ基板およびその製造方法は、粗さ形成の可能な樹脂をアンクラッドタイプの絶縁材にコートして製造することもできるので、粗さ形成の不可能な薄いアンクラッドタイプの絶縁材を使用しても、高密度の回路パターンを持つコアを提供することができる効果もある。
【００２７】
したがって、本発明によるフリップチップボールグリッドアレイ基板は、高密度化、高速化および小型化などに対応することができ、システムの集積化に適用することができる効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下に添付図面を参照しながら、本発明によるフリップチップボールグリッドアレイ基板およびその製造方法を詳細に説明する。
【００２９】
図３Ａ〜図３Ｈは本発明の第１実施例によるボールグリッドアレイ基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【００３０】
図３Ａに示すように、超簿板のアンクラッドタイプ（ｕｎｃｌａｄ  ｔｙｐｅ）の絶縁材１１１を用意する。
【００３１】
ここで、アンクラッドタイプの絶縁材１１１は、樹脂に補強基材を浸透させたものを使用することが望ましく、樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）およびＢＴ樹脂（Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ  Ｔｒｉａｚｉｎｅ  ｒｅｓｉｎ）などを使用することができ、補強基材としては、ガラスファイバー、アラミド（ａｒａｍｉｄ）および紙などを使用することができる。
【００３２】
アンクラッドタイプの絶縁材１１１として、補強基材に浸透できない樹脂を使用する場合、コア（ｃｏｒｅ）で要求される強度、硬度および熱膨脹率などの物理的特性を満たすことができない問題点が発生する（この種グリッドアレイ基板にアンクラッドタイプの絶縁材を使用することが初めてであるから、上記物理的特性を具体的に記載する必要がある。また、この種絶縁材をクラッドタイプとアンクラッドタイプに分けることができるなら、上記説明で当業者に実施可能ということができるが、そうでない場合は製造例を記載して実施可能要件を満たす必要がある。）
図３Ｂに示すように、アンクラッドタイプ絶縁材１１１の上下回路連結のためのビアホールＡを形成する。
【００３３】
ここで、ビアホールＡを形成する過程は、ＣＮＣドリル（Ｃｏｍｐｕｔｅｒ  Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  ｄｒｉｌｌ）またはレーザードリルを使用して、前もって設定した位置にビアホールＡを形成する方式を使用することが望ましい。
【００３４】
図３Ｃに示すように、以後の銅鍍金工程で銅との密着力を向上させるために、アンクラッドタイプの絶縁材１１１の表面およびビアホールＡの内壁に粗さ（ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）を形成する表面処理を行う。
【００３５】
ここで、表面処理方式としては、化学的方式（例えば、デスミアー（ｄｅｓｍｅａｒ）工程）、プラズマ方式、およびＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）方式などを使用することができる。（本発明ではアンクラッドタイプの絶縁材の上に無電解導電層を形成するために表面処理を施すのであるが、化学メッキの場合もスパッタリングの場合も同様の表面処理でよいのかという問題と、この種表面処理がこの分野における周知技術でない場合はより具体的に示す必要があります。）
図３Ｄに示すように、アンクラッドタイプの絶縁材１１１の上下を電気的に連結してアンクラッドタイプの絶縁材１１１の表面に回路パターンを形成するために、アンクラッドタイプの絶縁材１１１の表面およびビアホールＡの内壁にシード層（ｓｅｅｄ  ｌａｙｅｒ）として無電解銅導電層１１２、１１２’を形成する。
【００３６】
ここで、無電解銅導電層１１２、１１２’を形成する方式としては、触媒析出方式およびスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）方式などを用いることができる。
【００３７】
触媒析出方式としては、脱脂（ｃｌｅａｎｅｔ）過程、ソフト腐食（ｓｏｆｔ  ｅｔｃｈｉｎｇ）過程、予備触媒処理（ｐｒｅ−ｃａｔａｌｙｓｔ）過程、触媒処理過程、活性化（ａｃｃｅｌｅｒａｔｉｏｎ）過程、無電解銅導電過程および酸化防止処理過程などを行って、アンクラッドタイプの絶縁材１１１の表面およびビアホールＡの内壁に無電解銅導電層１１２、１１２’を形成する方式である。
【００３８】
また、スパッタリング方式は、プラズマなどによって発生する気体のイオン粒子（例えば、Ａｒ＋）を銅ターゲット（ｃｏｐｐｅｒ  ｔａｒｇｅｔ）に衝突させることで、アンクラッドタイプの絶縁材１１１の表面およびビアホールＡの内壁に無電解銅導電層１１２、１１２’を形成する方式である。
【００３９】
図３Ｅに示すように、上下無電解銅導電層１１２、１１２’に、回路パターンに対応する鍍金レジストパターン（ｐｌａｔｉｎｇ  ｒｅｓｉｓｔ  ｐａｔｔｅｒｎ）１２０、１２０’を形成する。
【００４０】
ここで、鍍金レジストパターン１２０、１２０’としては、ドライフィルムまたは液状の感光材などを用いることができる。
【００４１】
この場合、ドライフィルムまたは液状の感光材を無電解銅導電層１１２、１１２’に塗布する。次に、所定のパターンが形成されたフォトマスク（ｐｈｏｔｏｍａｓｋ）を用いて、ドライフィルムまたは液状の感光材を露光および現像させることで、ドライフィルムまたは液状の感光材に鍍金レジストパターン１２０、１２０’を形成する。
【００４２】
このなかで、液状の感光材を用いる方式はドライフィルムより薄く塗布することができるので、一層微細な回路パターンを形成することができる利点がある。また、上下無電解銅導電層１１２、１１２’の表面に凹凸がある場合、これをならして均一な表面を形成することができる利点もある。
【００４３】
図３Ｆに示すように、鍍金レジストパターン１２０、１２０’が形成されていない上下無電解銅導電層１１２、１１２’およびビアホールＡの内部に電解銅鍍金層１１３、１１３’を形成する。
【００４４】
ここで、電解銅鍍金層１１３、１１３’を形成する方法は、基板を銅鍍金槽に浸漬させた後、直流整流器を用いて電解銅鍍金を行う。このような電解銅鍍金は、鍍金される面積を計算して、直流整流器で適当な電流を流して銅を析出する方式を使用することが望ましい。
【００４５】
電解銅鍍金工程は、銅鍍金層の物理的特性が無電解銅導電層１１２、１１２’より優秀で、厚い銅鍍金層を形成し易い利点がある。
【００４６】
このような電解銅鍍金層１１３、１１３’を形成するための銅鍍金引込線としては、別に形成された銅鍍金引込線を使用することができるが、本発明の望ましい実施例において、電解銅鍍金層１１３、１１３’を形成するための銅鍍金引込線は、無電解銅導電層１１２、１１２’を使用することが望ましい。
【００４７】
図３Ｇに示すように、鍍金レジストパターン１２０、１２０’を剥離して除去する。
【００４８】
図３Ｈに示すように、基板にエッチング液を噴霧させるフラッシュエッチング（ｆｌａｓｈ  ｅｔｃｈｉｎｇ）を行うことで、電解銅鍍金層が形成されていない部分の無電解銅導電層１１２、１１２’を除去する。
【００４９】
その後、絶縁層を積層し、ビアホールＡを形成し、無電解銅導電層１１２、１１２’および電解銅鍍金層１１３、１１３’を形成する過程を所望層数に応じて繰り返し行う。次に、ソルダレジスト（ｓｏｌｄｅｒ  ｒｅｓｉｓｔ）形成工程、ニッケル／金鍍金工程および外郭形成工程を行うと、本発明の第１実施例によるフリップチップボールグリッドアレイ基板が製造される。
【００５０】
前述したように、本発明の第１実施例によるフリップチップボールグリッドアレイ基板は、図３Ｅに示す過程で、光の直進性を用いて鍍金レジストパターン１２０、１２０’を形成することにより、鍍金レジストパターン１２０、１２０’の側面が無電解銅導電層１１２、１１２’にほぼ垂直になるので、図３Ｇに示す過程で、電解銅鍍金層１１３、１１３’の側面が無電解銅導電層１１２、１１２’にほぼ垂直になる。
【００５１】
また、本発明の第１実施例によるフリップチップボールグリッドアレイ基板は、図３Ｈに示す過程で、非常に薄い無電解銅導電層１１２、１１２’をエッチングするので、コアの上下回路パターンの側面腐食がほとんど発生しない。
【００５２】
したがって、本発明の第１実施例によるフリップチップボールグリッドアレイ基板は、コアの回路パターンの線幅（Ｌ）および回路パターン間の間隔（Ｓ）であるＬ／Ｓを１０μｍ／１０μｍ以下に形成することができる。
【００５３】
一方、本発明の第１実施例によるフリップチップボールグリッドアレイ基板は、図３Ａに示す過程で、超簿板のアンクラッドタイプの絶縁材１１１を使用してコアを形成するので、０．２ｍｍ以下の厚さに製造することができる。
【００５４】
図４Ａ〜図４Ｈは本発明の第２実施例によるボールグリッドアレイ基板の製造方法の流れを示す断面図であって、表面に粗さ形成の不可能なアンクラッドタイプの絶縁材を使用してコアを形成するフリップチップボールグリッドアレイ基板の製造方法を示すものである。
【００５５】
図４Ａに示すように、超簿板のアンクラッドタイプの絶縁材２１１の両面に粗さ形成の可能な樹脂２１２、２１２’がコートされた原板２１０を用意する。
【００５６】
ここで、アンクラッドタイプの絶縁材２１１としては、樹脂を補強基材に浸透させたものを使用することが望ましく、樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリイミドおよびＢＴ樹脂などを使用することができ、補強基材としては、ガラスファイバー、アラミドおよび紙などを使用することができる。
【００５７】
また、粗さ形成の可能な樹脂２１２、２１２’は、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ  Ｂｕｉｌｄ−ｕｐ  Ｆｉｌｍ）およびポリイミドなどを使用することができる。
【００５８】
図４Ｂに示すように、原板２１０の上下回路連結のためのビアホールＢを形成する。
【００５９】
ここで、ビアホールＢを形成する過程は、ＣＮＣドリルまたはレーザードリルを使用して、前もって設定した位置にビアホールＢを形成する方式を使用することが望ましい。
【００６０】
図４Ｃに示すように、以後の銅鍍金工程で銅との密着力を向上させるために、粗さ形成の可能な樹脂２１２、２１２’の表面およびビアホールＢの内壁に粗さを形成する表面処理を行う。
【００６１】
ここで、表面処理方式としては、化学的方式（例えば、デスミアー工程）、プラズマ方式およびＣＭＰ方式などを使用することができる。
【００６２】
図４Ｄに示すように、原板２１０の上下を電気的に連結して原板２１０の表面に回路パターンを形成するために、粗さ形成の可能な樹脂２１２、２１２’の表面およびビアホールＢの内壁にシード層として無電解銅導電層２１３、２１３’を形成する。
【００６３】
ここで、無電解銅導電層２１３、２１３’を形成する方式としては、触媒析出方式およびスパッタリング方式などを用いることができる。
【００６４】
図４Ｅに示すように、粗さ形成の可能な樹脂２１２、２１２’の表面に、回路パターンに対応する鍍金レジストパターン２２０、２２０’を形成する。
【００６５】
ここで、鍍金レジストパターン２２０、２２０’としては、ドライフィルムまたは液状の感光材などを用いることができる。
【００６６】
図４Ｆに示すように、鍍金レジストパターン２２０、２２０’が形成されていない上下の粗さ形成の可能な樹脂２１２、２１２’の表面およびビアホールＢの内部に電解銅鍍金層２１４、２１４’を形成する。
【００６７】
ここで、電解銅鍍金層２１４、２１４’を形成する方法においては、基板を銅鍍金槽に浸漬させた後、直流整流器を用いて電解銅鍍金を行う。このような電解銅鍍金は、鍍金される面積を計算して、直流整流器で適当な電流を流して銅を析出する方式を使用することが望ましい。
【００６８】
図４Ｇに示すように、鍍金レジストパターン２２０、２２０’を剥離して除去する。
【００６９】
図４Ｈに示すように、基板にエッチング液を噴霧させるフラッシュエッチングを行うことで、電解銅鍍金層が形成されていない部分の無電解銅導電層２１３、２１３’を除去する。
【００７０】
その後、絶縁層を積層し、ビアホールＢを形成し、無電解銅導電層２１３、２１３’および電解銅鍍金層２１４、２１４’を形成する過程を所望層数に応じて繰り返し行う。次に、ソルダレジスト形成工程、ニッケル／金鍍金工程および外郭形成工程を行うと、本発明の第２実施例によるフリップチップボールグリッドアレイ基板が製造される。
【００７１】
前述したように、本発明の第２実施例によるフリップチップボールグリッドアレイ基板はＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ  Ｂｕｉｌｄ−ｕｐ  Ｆｉｌｍ）およびポリイミドなどの粗さ形成の可能な樹脂２１２、２１２’を用いるので、粗さ形成の不可能な薄いアンクラッドタイプの絶縁材２１１にもコアの回路パターンの線幅（Ｌ）および回路パターン間の間隔（Ｓ）であるＬ／Ｓを１０μｍ／１０μｍ以下に形成することができる。
【００７２】
ほかの好適な実施例において、本発明によるフリップチップボールグリッドアレイ基板の銅鍍金層は純粋な銅鍍金層に限定されるものではなく、銅を主成分とする鍍金層を意味する。これは、走査顕微鏡に通常に具備されたＥＤＡＸ（Ｅｎｅｒｇｙ  Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ  Ａｎａｌｙｓｉｓ  ｏｆ  Ｘ−ｒａｙｓ）のような分析装備によってその化学的造成を分析することで確認することができる。
【００７３】
ほかの好適な実施例において、本発明によるフリップチップボールグリッドアレイ基板の鍍金層は銅（Ｃｕ）に限定されるものではなく、使用目的または用途によって金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、すず（Ｓｎ）などの伝導性物質を主成分とする鍍金層を形成することができる。
一方、上記の実施例を通じてフリップチップボールグリッドアレイ基板を中心として本発明の特徴を述べてきたが、これは説明の便宜のためのもので、本発明の特徴をフリップチップボールグリッドアレイ基板を含めた大部分の印刷回路基板に適用することができるということは明らかである。即ち、薄いアンクラッドタイプのコアを使用し、セミアディティブ法を用いて回路パターンを形成することにより、高密度の回路パターンと超薄板のコアを提供することを特徴とする全ての印刷回路基板に対し、多様な修正例および変形例が行われることができることは明らかである。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【００７４】
本発明は、高密度の回路パターンおよび超簿板のコアを具備したフリップチップボールグリッドアレイ基板およびその製造方法に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１Ａ】従来のフリップチップボールグリッドアレイ基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図１Ｂ】従来のフリップチップボールグリッドアレイ基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図１Ｃ】従来のフリップチップボールグリッドアレイ基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図１Ｄ】従来のフリップチップボールグリッドアレイ基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図１Ｅ】従来のフリップチップボールグリッドアレイ基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図１Ｆ】従来のフリップチップボールグリッドアレイ基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図１Ｇ】従来のフリップチップボールグリッドアレイ基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図１Ｈ】従来のフリップチップボールグリッドアレイ基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図２】従来のフリップチップボールグリッドアレイ基板の問題点を示す断面図である。
【図３Ａ】本発明の第１実施例によるボールグリッドアレイ基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図３Ｂ】本発明の第１実施例によるボールグリッドアレイ基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図３Ｃ】本発明の第１実施例によるボールグリッドアレイ基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図３Ｄ】本発明の第１実施例によるボールグリッドアレイ基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図３Ｅ】本発明の第１実施例によるボールグリッドアレイ基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図３Ｆ】本発明の第１実施例によるボールグリッドアレイ基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図３Ｇ】本発明の第１実施例によるボールグリッドアレイ基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図３Ｈ】本発明の第１実施例によるボールグリッドアレイ基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図４Ａ】本発明の第２実施例によるボールグリッドアレイ基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図４Ｂ】本発明の第２実施例によるボールグリッドアレイ基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図４Ｃ】本発明の第２実施例によるボールグリッドアレイ基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図４Ｄ】本発明の第２実施例によるボールグリッドアレイ基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図４Ｅ】本発明の第２実施例によるボールグリッドアレイ基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図４Ｆ】本発明の第２実施例によるボールグリッドアレイ基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図４Ｇ】本発明の第２実施例によるボールグリッドアレイ基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【図４Ｈ】本発明の第２実施例によるボールグリッドアレイ基板の製造方法の流れを示す断面図である。
【符号の説明】
【００７６】
１１１、２１１    絶縁材
１１２、１１２’、２１３、２１３’    無電解銅導電層
１１３、１１３’、２１４、２１４’    電解銅鍍金層
１２０、１２０’、２２０、２２０’    鍍金レジストパターン
２１０    原板
２１２、２１２’    粗さ形成の可能な樹脂
Ａ、Ｂ    ビアホール
【図１Ａ】
2006237619.tif 000003
【図１Ｂ】
2006237619.tif 000004
【図１Ｃ】
2006237619.tif 000005
【図１Ｄ】
2006237619.tif 000006
【図１Ｅ】
2006237619.tif 000007
【図１Ｆ】
2006237619.tif 000008
【図１Ｇ】
2006237619.tif 000009
【図１Ｈ】
2006237619.tif 000010
【図２】
2006237619.tif 000011
【図３Ａ】
2006237619.tif 000012
【図３Ｂ】
2006237619.tif 000013
【図３Ｃ】
2006237619.tif 000014
【図３Ｄ】
2006237619.tif 000015
【図３Ｅ】
2006237619.tif 000016
【図３Ｆ】
2006237619.tif 000017
【図３Ｇ】
2006237619.tif 000018
【図３Ｈ】
2006237619.tif 000019
【図４Ａ】
2006237619.tif 000020
【図４Ｂ】
2006237619.tif 000021
【図４Ｃ】
2006237619.tif 000022
【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
2006237619.tif 000024
【図４Ｆ】
2006237619.tif 000025
【図４Ｇ】
2006237619.tif 000026
【図４Ｈ】
2006237619.tif 000027