(57)【要約】【課題】本発明は、無線通信システムの知能化、小型化、コストダウンのために、必須的な核心要素部品である低電力消耗の低価型ＲＦパワー検出装置と、この製造方法に関する。【解決手段】本発明によるＲＦパワー検出装置は、所定のＲＦ信号が伝送される信号伝送線を含む上部基板と、前記信号伝送線に伝送されるＲＦ信号のパワーを検出するセンサ部と、及び前記センサ部を支持する下部基板とを含む。本発明によるＲＦパワー検出装置の製造方法は、下部基板にＲＦ信号パワーを検出するためのセンサ部を形成する段階と、上部基板に信号伝送線をパターニングする段階と、前記上部基板と下部基板とを結合する段階とを含む。本発明によると、ＲＦパワー検出装置において、ウエハー単位のパッケージ工程を可能にするとともに、伝送されるＲＦ信号の損失をなくすとともに、リニア性及び温度に対する特性の安定性の高いＲＦパワー検出装置を実現することができる。【選択図】図３
2006189448.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定のＲＦ信号が伝送される信号伝送線を含む上部基板と、
前記信号伝送線に伝送されるＲＦ信号のパワーを検出するセンサ部と、
前記センサ部を支持する下部基板と
を含むＲＦパワー検出装置。
【請求項２】
前記センサ部は、圧電方式を利用して前記ＲＦ信号のパワーを検出することを特徴とする請求項１に記載のＲＦパワー検出装置。
【請求項３】
前記上部基板は、前記信号伝送線が外部からの信号入力を受けるための ビアホール(via hole)を含むことを特徴とする請求項１に記載のＲＦパワー検出装置。
【請求項４】
前記下部基板の中、上部に前記センサ部が設置された位置には、所定の凹部が形成され、前記センサ部が空中に浮揚状態になることを特徴とする請求項１に記載のＲＦパワー検出装置。
【請求項５】
前記センサ部は、
前記ＲＦ信号に従って変位が発生する移動部材と、
前記移動部材の変化に従って比例する電荷を発生する圧電薄膜と、
前記圧電薄膜から発生する電荷を検出する電極とを備え、前記電極が、上部電極及び下部電極を含むことを特徴とする請求項１に記載のＲＦパワー検出装置。
【請求項６】
前記移動部材に加えられるパワーは、前記信号伝送線と前記移動部材との間の静電容量と、前記ＲＦ信号の電圧に比例し、
前記移動部材と前記信号伝送線との間の距離に反比例することを特徴とする請求項５に記載のＲＦパワー検出装置。
【請求項７】
前記移動部材は、前記ＲＦ信号のパワーに比例して変位が変わることを特徴とする請求項５に記載のＲＦパワー検出装置。
【請求項８】
前記上部基板は、前記信号伝送線の接地部をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のＲＦパワー検出装置。
【請求項９】
前記接地部は、前記センサ部と連結されることを特徴とする請求項８に記載のＲＦパワー検出装置。
【請求項１０】
前記上部基板の信号伝送線と前記下部基板は、接着層によって接合され、前記接着層には接着時の拡散防止のための拡散防止膜を含むことを特徴とする請求項１に記載のＲＦパワー検出装置。
【請求項１１】
前記上部基板と前記下部基板との間には、前記センサ部が位置するための所定の空間を形成するために支持部材を設けることを特徴とする請求項１に記載のＲＦパワー検出装置。
【請求項１２】
前記下部基板は、シリコン窒化物で形成されることを特徴とする請求項１に記載のＲＦパワー検出装置。
【請求項１３】
下部基板にＲＦ信号のパワーを検出するセンサ部を形成する段階と、
上部基板に信号伝送線をパターニングする段階と、
前記上部基板と前記下部基板を結合する段階と
を含むＲＦパワー検出装置の製造方法。
【請求項１４】
前記下部基板は、シリコン窒化物、下部電極層、圧電薄膜層、上部電極層を順に蒸着する段階と、
前記下部電極層、圧電薄膜層、上部電極層を所定の形状でパターニングし、食刻してセンサ部を形成する段階と、
前記上部電極層の上部に移動部材を積層する段階と、
前記シリコン窒化物をパターニングし食刻した後、前記センサ部下部側のシリコン基板の表面を食刻して前記センサ部を浮揚させる凹部を形成する段階と
を含む請求項１３に記載のＲＦパワー検出装置の製造方法。
【請求項１５】
前記シリコン窒化物は、低圧化学気相蒸着法を利用して蒸着されることを特徴とする請求項１４に記載のＲＦパワー検出装置の製造方法。
【請求項１６】
前記センサ部を浮揚させる方法は、センサ部を保護する膜をパターニングした後、食刻液を使用してウエハーの異方性食刻を行うことを特徴とする請求項１４に記載のＲＦパワー検出装置の製造方法。
【請求項１７】
前記センサ部を浮揚させる方法は、
センサ部を保護する膜をパターニングした後、シリコンの異方性乾式食刻方法を利用してセンサ部の周囲領域を垂直食刻する段階と、
食刻液を使用してシリコンウエハーの異方性湿式食刻を行うことによって、前記凹部を形成する段階と
を含む請求項１４に記載のＲＦパワー検出装置の製造方法。
【請求項１８】
前記センサ部を浮揚させる方法は、
センサ部を保護する膜をパターニングした後、シリコンの等方性乾式食刻方法を利用してセンサ部の周囲領域を垂直食刻する段階と、
食刻液を使用してシリコンウエハーの異方性湿式食刻を行うことによって、前記凹部を形成する段階と
を含む請求項１４に記載のＲＦパワー検出装置の製造方法。
【請求項１９】
前記等方性乾式食刻方法は、ＸｅＦ２気体を用いた等方性食刻又はＳＦ６気体を用いた等方性食刻を利用することを特徴とする請求項１８に記載のＲＦパワー検出装置の製造方法。
【請求項２０】
前記上部基板を作製する方法は、
信号伝送線及び接地線と、センサ部の下部電極を外部回路と連結させるためのビアホールを形成した後、前記ビアホールを充填する段階と、
外部からの入力信号が伝送される信号伝送線及びセンサ部の下部基板とを接合するための電極パッドを形成する段階と、
支持部材及び接合層を形成する段階と
を含む請求項１３に記載のＲＦパワー検出装置の製造方法。
【請求項２１】
前記ビアホールは、シリコンウエハーの場合、 異方性湿式食刻又は乾式食刻方法によって形成されることを特徴とする請求項２０に記載のＲＦパワー検出装置の製造方法。
【請求項２２】
前記ビアホールは、ガラスウエハーの場合、サンドブラスト法又はレーザーカッティング法によって形成されることを特徴とする請求項２０に記載のＲＦパワー検出装置の製造方法。
【請求項２３】
前記信号伝送線は、電気メッキ法又は金属薄膜蒸着法によって形成されることを特徴とする請求項２０に記載のＲＦパワー検出装置の製造方法。
【請求項２４】
前記接合層は、金、金−錫の合金、又は錫の中で選択される１種以上の物質からなることを特徴とする請求項２０に記載のＲＦパワー検出装置の製造方法。
【請求項２５】
前記接合層の周囲には、接合時に前記接合層の拡散を防止する拡散防止膜を形成させることを特徴とする請求項２０に記載のＲＦパワー検出装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、無線通信システムの知能化、小型化、コストダウンのために、必須的な核心要素部品である低電力消耗の低価型ＲＦパワー検出装置と、この製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、情報通信技術の発展と開発に伴い、素子の小型化、軽量化及び高性能化に係る研究が活発となっている。特に、ＲＦパワーセンサは、無線通信機器の出力ＲＦ信号の大きさを制御するとともに、入出力端のパワーアンプのゲインを調節する重要な役割をなす核心部品である。現在、衛星通信アンテナ、信号制御システム及び移動通信端末機などで要求する仕様を充足させるためのＲＦパワーセンサの開発に多くの努力が集中されている。特に、高周波帯域及び多重帯域に適用させるための核心部品としてＲＦパワーセンサの小型化及びさらなる性能の改良が早急に要求されている。
【０００３】
既存のパワーセンサでは、サーミスター、熱電対(thermocouple)やダイオードをパワーセンサの重要部品として使用している。しかし、このような既存のパワーセンサは、パワーセンシングの段階でパワーが自体的に消耗され、周囲の温度変化による特性変化が素子の性能に多大な影響を及ぼす問題がある。なお、素子のリニア性が要求される環境における性能の改良も時急に要求されている。
【０００４】
図１は、サーミスター、熱電対やダイオードを使用する従来のパワーセンサの中、ダイオードを利用したＲＦパワーセンサの一例である。図１に示すように、ダイオードを経て整流されたＲＦ信号が信号伝送線の終端でキャパシターとの結合を通じて検出される信号によってＲＦパワーを検出する。このような方式は、パワー検出の時に、伝送されるＲＦ信号の消耗を同伴することになるため、伝送されるＲＦパワー信号を再使用することができない構造を有する。従って、パワー検出のためのＲＦ信号の発生を同時に考慮した回路の設計が必要になる問題がある。さらに、このような構成によると、素子のサイズを削減させることが難しい。なお、このような問題は、サーミスター、熱電対を使用するパワーセンサの場合にも同様に発生する。
【０００５】
同時に、前記従来のパワーセンサの構造によると、センサを駆動させるための電源の使用による電力の消耗が大きくなり、従って、バッテリーの寿命が短く、かつ周囲の温度環境による性能の安定性にも問題が提起されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、前記のような従来技術が有する問題を解決するべく案出された発明であって、その目的は、伝送されるＲＦ信号を損失させることなく、リニア性が高く、温度による特性の安定性の高いＲＦパワー検出装置を提供することにある。
【０００７】
本発明の他の目的は、小型サイズの素子で具現されることができ、素子の信頼度及び収率の向上を図ることができるため、移動通信端末機などにも容易に応用することができるＲＦパワー検出装置を提供することにある。
【０００８】
本発明の又他の目的は、パッケージングの時に電気的な連結が容易で、信号干渉や追加連結線などによるＲＦ信号の損失及び反射効果を最小化してセンサ特性の向上を図ることができるＲＦパワー検出装置を提供することにある。
【０００９】
本発明の又他の目的は、ウエハー単位のパッケージ工程を可能にし、他のＲＦ回路との集積が容易になり、全体的なＲＦ信号伝送の特性においても効果の大きいＲＦパワー検出装置を提供することにある。
【００１０】
本発明の又他の目的は、前記ＲＦパワー検出装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、従来のパワーセンサが有する問題を解決するためのＲＦパワー検出装置の構造及びその製造方法を提供する。又、ＲＦ−微細電子機械システム(MEMS)技術を適用することによって、電気的な要素を機械的な可動構造物に代替することによって、ＲＦパワーの検出段階でのパワーが消耗されないため、ＲＦ信号を直ちに利用することができる。なお、機械的な可動構造物を利用することによって素子のリニア性を向上させることができる。又、前記ＲＦ−ＭＥＭＳ技術によって具現された本発明によるＲＦパワー検出装置は、温度特性が鈍いので周囲の温度環境の影響に対する性能の安定性も確保することができるメリットを有している。同時に小型のサイズで無線通信システムに適用することが可能であるため、端末機の小型化及び単価コストの削減にも大きく寄与する。
【００１２】
又、本発明によるＲＦパワー検出装置は、所定のＲＦ信号が伝送される信号伝送線を含む上部基板と、前記信号伝送線に伝送されるＲＦ信号のパワーを検出するセンサ部と、及び前記センサ部を支持する下部基板とを含む。
【００１３】
本発明によるＲＦパワー検出装置の製造方法は、下部基板にＲＦ信号パワーを検出するためのセンサ部を形成する段階と、上部基板に信号伝送線をパターニングする段階と、前記上部基板と下部基板とを結合する段階とを含む。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によると、ＲＦパワー検出装置において、ウエハー単位のパッケージ工程を可能にするとともに、伝送されるＲＦ信号の損失をなくすとともに、リニア性及び温度に対する特性の安定性の高いＲＦパワー検出装置を実現することができる。
【００１５】
又、小型サイズの素子で、素子の信頼度及び収率の向上を図ることができる移動通信端末機などにも容易に応用することができる。
【００１６】
又、パッケージングの時にビアホールを設けることによって電気的連結が容易であるため、信号の干渉や追加連結線などによるＲＦ信号の損失及び反射効果を最小化してセンサ特性の向上を図ることがでる。その他ＲＦ回路との集積が容易になるため、全体的なＲＦ信号伝送の特性においてもその効果が大きい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の好適な実施形態を添付の図面を参照しながら説明する。
【００１８】
なお、下記の各構成要素等に与える符号は、同一の構成要素に対しては他の図面に表示される場合にもなるべく同一の符号を与えるようにし、本発明の要旨を混同させると判断される公知技術や構成に対する詳細な説明は省略する。
【００１９】
先ず、図２は、本発明による圧電検出型ＲＦパワー検出装置の概略図である。前記本発明の実施形態によって開示されるＲＦパワー検出装置は、圧電方式の検出が可能であり、伝送されるＲＦ信号のパワーに従って変位が発生するセンサ部２０を含む下部基板１と信号伝送線７を含む上部基板２によって構成される。
【００２０】
本発明は、前記図２に示しているセンサ部２０と同時工程で、全体のパワーセンサを含む素子が共融(eutectic)基板の接合によってパッケージングされることにより、ＲＦパワーセンサの特性が優秀で、ハーメチックパッケージング(hermetic packaging)及び機械的強度の優秀なウエハー単位のパッケージングを実現することができる。
【００２１】
図３は、パッケージングされた状態の本発明による圧電検出型ＲＦパワー検出装置の模式図である。下部基板１のセンサ部２０は、変位を検出する下部電極３、上部電極４及び前記電極の間に形成された圧電薄膜５及びＲＦ信号のパワーを受ける移動部材６とを含む。上部基板２の信号伝送線７の伝達信号のパワーに従って変位が発生するように上部電極４は信号伝送線７の接地線１５に連結されている。
【００２２】
圧電検出方式を有する下部基板１のセンサ部２０は、好ましくは、微細加工技術(MEMS)を利用して下部基板１の凹部８上に浮揚される形態で構成される。このような構造は、上部基板２との接合による内部素子のパッケージングをより容易にする。
【００２３】
ＲＦ信号伝送線７は、上部基板２にパターニングされ、上部基板２のビアホール１２を通じて基板の反対側に電気的に連結される。上部基板２と下部基板１の接合は、共融接合方式によって上部基板２の信号伝送線７と下部基板１のセンサ部２０との間隔維持のために拡散防止膜が挿入されることが好ましい。上部と下部基板の接合時、下部基板１のセンサ部の駆動のために電極パッド１３はビアホール１２を通じて基板の反対側に電気的に連結される。
【００２４】
下部基板１のセンサ部２０は、微細加工技術を利用して下部基板１の凹部８の上部に浮揚される形態で構成され、上部基板２の信号伝送線７の接地線１５を共有することによって、信号伝送線７に伝達されるＲＦ信号の伝送パワーに従って変位が発生される。即ち、伝送される信号のパワーが増加するに従って、このパワーによって移動部材６は信号伝送線７の方に移動され、信号伝送線７と移動部材６との間隔が狭くなる。このような変位の発生は、圧電薄膜５に電気的信号を発生させ、前記電気的信号を下部電極３と上部電極４との間で検出することによって伝送されるＲＦ信号のパワーを検出することができる。
【００２５】
図４は、前記ＲＦパワーセンサ部の作動原理を簡略に図示する。
【００２６】
図４に図示するように、信号伝送線７を通じてＲＦ信号が伝送されるとき、前記ＲＦ信号の大きさに従って、浮揚状態のセンサ部にパワーが作用する。このとき作用するパワーを式で表すと、下記式１のようである。
【数１】
2006189448.tif 000003
Ｆｅ：浮揚状態の移動部材６に加えられるパワー、
Ｃ：信号伝送線７と浮揚状態センサ部２０の移動部材６との間の静電容量、
Ｖｒｍｓ：伝送されるＲＦ信号のｒｍｓ電圧、
ｄ：浮揚状態センサ部２０の移動部材６と信号伝送線７との間の距離
【００２７】
前記のパワーが作用されると、浮揚状態のセンサ部２０は次の式２のような変位を有することになる。この変位を圧電検出方式で検出することによって信号伝送線７に流れるＲＦ信号のパワーを検出することができる。
【数２】
2006189448.tif 000004
ｋ：浮揚状態センサ部２０のスプリング常数、
ｘ：伝送信号によって移動部材６が動く変位
【００２８】
上部基板２は、信号伝送線７の支持基板としての役割をしながら、かつ、下部基板１のセンサ部２０をパッケージングする構造を有する。信号伝送線７は、上部基板２のビアホール１２を通じてパッケージの外部に電気的に連結され、下部基板１との接合を通じてセンサ部２０と一定の間隔を維持することになる。
【００２９】
下部基板１のセンサ部２０の変位を検出するための下部電極３も上部基板２のビアホール１２を通じてパッケージの外部に電気的に連結される。
【００３０】
上部基板２と下部基板１は、共融ボンディング法で接合されることができ、センサ部２０の十分な隔離度の確保と、伝送されるＲＦ信号の損失を減少させるためにセンサ部２０を構成する移動部材６と信号伝送線７との間の間隔を一定に維持するようになる。上・下基板の接合時の上部基板２と下部基板１との間隔は、支持部材９によって調節されることができる。このような支持部材９は、ポリマースペーサー又は／及び拡散防止膜の形態で形成することができ、前記支持部材９の厚さに従って信号伝送線７と下部基板１のセンサ部２０との間隔を調節することができる。
【００３１】
このような構造は、ウエハー全体の接合と作製が可能であるため、ウエハー単位でパッケージングされる低価の圧電検出型ＲＦパワー検出装置を製造することができるという長所がある。このような本発明によるＲＦパワー検出装置は、次世代移動通信端末機において必須部品として応用されることができる。
【００３２】
図５は、本発明で開示された圧電検出型ＲＦパワー検出装置の下部基板１の製造工程の１実施形態を示している。本実施形態による下部基板１の製造方法を詳細に説明すると次のようである。
【００３３】
先ず、図５の（ａ）で図示するように、シリコン下部基板１に低圧化学気相蒸着法などを利用してシリコン窒化物絶縁膜１１を蒸着し、センサ部２０を形成する面に下部電極層(Ｔｉ／Ｐｔ)３、圧電薄膜層５、及び上部電極層(ＲｕＯ２)４を順に蒸着する。
【００３４】
又、図５の（ｂ）に図示するように、下部電極層３、圧電薄膜層５、及び上部電極層４を所定の形状にパターニングして食刻する。しかし、前記センサ部２０の形状は、本実施形態の具体的な形状に限定されるものではない。
【００３５】
さて、食刻工程を行った後、図５の（ｃ）に図示するように信号伝送線７の下でパワーを受ける移動部材６(例えば、金属板)を蒸着した後、所定の形状にパターニングする。
【００３６】
その後、図５の（ｄ）に図示するように、絶縁膜の連結構造体として使用されるシリコン窒化物をパターニングしてシリコン窒化膜を形成し、該シリコン窒化膜の食刻工程の後、図５の（ｅ）に図示するようにセンサ部２０を保護した後、センサ部下部側のシリコン表面を食刻してセンサ部２０を浮揚状態にする凹部８を形成する。
【００３７】
前記センサ部２０を浮揚状態にするためには、シリコンの方向性による異方性食刻の特性を利用することができる。
【００３８】
図６は、下部基板１に形成される凹部の第１実施形態を表す図面であって、(100)シリコンウエハーの異方性食刻を利用したセンサ部の浮揚過程を図示した断面図である。図６に図示するように、先ずセンサ部２０を保護する膜１４をパターニングした後、湿式食刻用の食刻液(例えば、ＫＯＨ食刻液)を利用してウエハーの異方性食刻を行う。これによってセンサ部２０の下部に凹部８が形成され、センサ部２０は下部基板から浮揚状態にすることができる。
【００３９】
センサ部２０を浮揚させる又他の第２実施形態として、(111)シリコンウエハーの異方性食刻を利用した方法が図７に図示されている。図７は、ウエハーを利用してセンサ部２０を浮揚させる実施形態を図示している。図７に図示するようにセンサ部２０を保護する膜１４をパターニングした後、シリコンの異方性乾式食刻方法を利用してセンサ部２０の周囲領域を垂直食刻する。このとき、センサ部の浮揚に要求される十分な高さを有するように垂直食刻を行った後、ＫＯＨ食刻液を利用して(111)シリコンウエハーの異方性湿式食刻によって凹部８を形成する。このような過程を通じてセンサ部２０を前記第１実施形態と同様に下部基板から浮揚状態にすることができる。
センサ部２０を浮揚させる又他の実施形態は、シリコンのの等方性乾式食刻方法によるものを挙げられる。ここで、センサ部２０の保護膜を形成する過程は、前記の二つの実施形態と同様であり、保護膜を形成した後、シリコンの異方性湿式食刻法の代わりに、シリコン食刻ガスを利用した等方性食刻法を利用する。シリコンの等方性乾式食刻によってセンサ部２０下部側のシリコンが食刻され、センサ部２０は基板から浮揚状態にされることになる。シリコンの等方性食刻の方法としては、ＸｅＦ２気体を用いた等方性食刻及びＳＦ６気体を用いた等方性食刻などを挙げることができる。
【００４０】
図８は、本発明の好ましい実施形態として開示されたＲＦパワーセンサの上部基板２の製造方法及びこれを下部基板１と接合する工程が図示されている。
【００４１】
先ず、信号伝送線７及び接地線とセンサ部２０の下部電極を外部回路と連結させるためのビアホールを形成するために、シリコン又はガラスウエハーを加工する。シリコンウエハーの場合、異方性湿式食刻又は乾式食刻方法によってビアホール１２を形成し、ガラスウエハーの場合、サンドブラスタ(Sand blaster)法又はレーザーカッティング(laser cutting)法によってビアホールを形成することができる。形成されたビアホールは、電気伝導度の高い金や銅を電気メッキ法によって充填させてビアホール１２を形成し、ホールの周囲に突出するメッキ構造物は、化学機械練磨法(CMP：chemical mechanical polishing)によって平坦化させる。
【００４２】
その後、図８の（ｂ）に図示するように、外部から入力される信号が伝送されるＣＰＷ(Coplanar waveguide)伝送線７を電気メッキ法又は金属薄膜蒸着法によって形成しパターニングされる。この過程においてセンサ部２０の下部基板との接合のために電極パッド１３も同時に形成される。
【００４３】
その後、図８の（ｃ）に図示するように、支持部材９としてポリマースペーサー又は／及び拡散防止膜をパターニングする。ポリマースペーサーは、上部基板２と下部基板１との接合時にその間隔を調節する役割をするものであって、スペーサーの高さに従って上部基板のＣＰＷ伝送線７と下部基板のセンサ部２０との間隔が決定される。この間隔によって、センサ部の初期状態の隔離度が決定されるとともに伝送されるＲＦ信号の伝送パワーによる変位を決定することになるため、この間隔はパワー検出の感度などにも重要な変数となる。
【００４４】
前記拡散防止膜を使用することは、共融接合時に接合材料として使用される物質の電極への拡散を防止することによって、上部及び下部基板の間が適切な間隔で維持されるようにする役割をするためである。
【００４５】
図８の（ｄ）に図示するように、上部及び下部基板の接合物質として使用される接合層１０がパターニングされる。上部及び下部基板の接合は、一定温度と圧力による共融接合方式によって行うことができ、このような方法を適用するために使用可能な物質としては、金(Ａｕ)、金−錫の合金(ＡｕＳｎ)、錫(Ｓｎ)などが挙げられる。
【００４６】
その後、図８の（ｅ）に図示するように、上部基板と下部基板を一定の温度と圧力の条件下で接合する。ＲＦパワーセンサ部２０回路の周囲には、接合層１０の枠縁が形成されているため、上部と下部基板の接合時に前記接合層１０によって素子が外部と隔離されることができる。このような工程によって、ハーメチックパッケージング(気密封着)が可能となる。
【００４７】
又、上部基板と下部基板の接合時に使用される金属接合物質は、接合条件下で溶融されるとき、電極側に拡散される可能性がある。これを防止するためには、接合物質の拡散を防ぐダムの役割をする拡散防止膜を接合物質の周囲に形成させる工程を包含することが好ましい。これを通じてウエハー単位のパッケージングの均一性と強度を高めることができる工程となる。
【００４８】
前記のように、上部と下部基板の接合が終了した後、図８の（ｅ）に図示するように、上部基板の反対面を化学機械練磨法によって電極のビアホールが露出されるまで加工し、上部基板の上に外部回路との連結のためのパッドを形成することによって、本発明によるＲＦパワー検出装置が製造されることになる。
【００４９】
以上、本発明の好適な実施形態を図面を参照して説明したが、当該分野の当業者であれば、別添特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び要旨の領域範囲内で多様に修正・変更が可能であることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】ダイオードを利用した従来のＲＦパワーセンサの構成図である。
【図２】本発明による圧電検出型ＲＦパワー検出装置の概略図である。
【図３】本発明によってパッケージングされた圧電検出型ＲＦパワー検出装置の模式図である。
【図４】本発明による圧電検出型ＲＦパワーセンサ部の作動原理を表す簡略図である。
【図５】本発明による圧電検出型ＲＦパワー検出装置の下部基板の製造工程の一実施形態である。
【図６】本発明による下部基板に形成される凹部の第１実施形態を表す図面である。
【図７】本発明による下部基板に形成される凹部の第２実施形態を表す図面である。
【図８】本発明による圧電検出型ＲＦパワー検出装置の上部基板の製造工程の一実施形態及び下部基板との接合過程を図示した一実施形態である。
【符号の説明】
【００５１】
１…下部基板、２…上部基板、３…下部電極、４…上部電極、５…圧電薄膜、６…移動部材、７…信号伝送線、８…凹部、９…支持部材、１０…接合層、１１…絶縁膜（センサ支持部）、１２…ビアホール、１３…電極パッド、１４…保護膜、１５…接地線、２０…センサ部
【図１】
2006189448.tif 000005
【図２】
2006189448.tif 000006
【図３】
2006189448.tif 000007
【図４】
2006189448.tif 000008
【図５】
2006189448.tif 000009
【図６】
2006189448.tif 000010
【図７】
2006189448.tif 000011
【図８】
2006189448.tif 000012