(57)【要約】【課題】基準電圧発生部及び基準電圧発生方法を提供する。【解決手段】本発明に従う基準電圧発生部は、温度により可変される基準電圧を発生する。例えば、基準電圧発生部は、温度が増加することによって、減少する基準電圧を発生する。基準電圧発生部は、選択された温度値で基準電圧の温度係数を選択的に調整し、温度係数に関係なく同一な電圧値を有する基準電圧を生成する。これにより、液晶表示装置の高温での信頼性を向上させることができ、温度係数が異なっても一定した常温で同一な基準電圧を生成できて安定的な電圧を供給できる。【選択図】図３
2006244500.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
温度により可変される基準電圧を発生する基準電圧発生回路を含み、
前記基準電圧発生回路は、前記基準電圧の温度係数が選択された温度値により選択的に可変され、前記基準電圧は、前記温度係数に関係なく同一な電圧レベルを有することを特徴とする基準電圧発生部。
【請求項２】
前記基準電圧発生回路は、第１の電圧と第２の電圧に応答して前記基準電圧を発生することを特徴とする請求項１に記載の基準電圧発生部。
【請求項３】
前記第１の電圧は、温度に依存的な電圧であり、前記第２の電圧は温度に関係なく一定した電圧であることを特徴とする請求項２に記載の基準電圧発生部。
【請求項４】
前記第１の電圧は、温度により比例して変わる電圧であることを特徴とする請求項３に記載の基準電圧発生部。
【請求項５】
前記基準電圧発生回路は、前記第２の電圧値で前記第１の電圧値を差し引くことを特徴とする請求項３に記載の基準電圧発生部。
【請求項６】
前記基準電圧発生回路は、前記第１及び第２の電圧値が選択的にそれぞれ可変され、前記可変された各電圧値は、前記基準電圧の前記温度係数を可変することを特徴とする請求項５に記載の基準電圧発生部。
【請求項７】
前記基準電圧発生回路は、
前記第１の電圧が入力される第１の抵抗；
前記第２の電圧が入力される非反転入力端子と、前記第１の抵抗からの出力が入力される反転入力端子と、前記基準電圧を出力する出力端子と、を含む演算増幅器；および
前記演算増幅器の反転入力端子と出力端子との間に連結され、前記基準電圧の前記温度係数を可変する可変抵抗；
を含むことを特徴とする請求項３に記載の基準電圧発生部。
【請求項８】
前記第１の電圧を発生する第１の電圧発生部；および
前記第２の電圧を発生する第２の電圧発生部；
をさらに含むことを特徴とする請求項３に記載の基準電圧発生部。
【請求項９】
前記第１の電圧発生部は、直列に連結された第２の抵抗と第３の抵抗と、前記第３の抵抗と並列に連結された抵抗可変手段と、を含むことを特徴とする請求項８に記載の基準電圧発生部。
【請求項１０】
前記抵抗可変手段は、前記第１の電圧発生部で選択された温度値により所望の電圧値を生成できるように調節可能なことを特徴とする請求項９に記載の基準電圧発生部。
【請求項１１】
前記所望の電圧値は、前記第２の電圧であることを特徴とする請求項１０に記載の基準電圧発生部。
【請求項１２】
前記第２の電圧発生部は、温度比例手段と直列に連結された温度反比例手段とを含むことを特徴とする請求項８に記載の基準電圧発生部。
【請求項１３】
前記温度比例手段は、抵抗であり、前記温度反比例手段は、トランジスタであることを特徴とする請求項１２に記載の基準電圧発生部。
【請求項１４】
前記基準電圧発生回路は、温度が増加することによって減少する前記基準電圧を発生することを特徴とする請求項１に記載の基準電圧発生部。
【請求項１５】
第１の電圧を発生する第１の電圧発生部；
第２の電圧を発生する第２の電圧発生部；および
前記第２の電圧で前記第１の電圧を差し引いた基準電圧を発生する電圧減算部；
を含むことを特徴とする基準電圧発生部。
【請求項１６】
前記電圧減算部は、前記第１及び第２の電圧値が選択的にそれぞれ可変され、前記可変された各電圧値は、前記基準電圧の前記温度係数を可変することを特徴とする請求項１５に記載の基準電圧発生部。
【請求項１７】
前記第１の電圧発生部は、温度に依存的な電圧を発生し、前記第２の電圧発生部は、温度に関係なく一定した電圧を発生することを特徴とする請求項１６に記載の基準電圧発生部。
【請求項１８】
前記第１の電圧発生部は、所望の温度で前記第２の電圧と同一な電圧値を有する前記第１の電圧を発生し、
前記電圧減算部は、前記所望の温度で前記基準電圧の前記温度係数に関係なく同一な基準電圧を発生することを特徴とする請求項１７に記載の基準電圧発生部。
【請求項１９】
前記電圧減算部は、温度が増加することによって減少する前記基準電圧を発生することを特徴とする請求項１５に記載の基準電圧発生部。
【請求項２０】
選択された温度値で基準電圧の温度係数と関係なく同一な電圧値を有する基準電圧を発生する段階を含むことを特徴とする基準電圧発生方法。
【請求項２１】
前記発生段階は、第１の電圧と第２の電圧に応答して前記基準電圧を発生することを特徴とする請求項２０に記載の基準電圧発生方法。
【請求項２２】
前記第１の電圧は、温度に依存的な電圧であり、前記第２の電圧は、温度に関係なく一定した電圧であることを特徴とする請求項２１に記載の基準電圧発生方法。
【請求項２３】
前記第１の電圧は、温度に比例することを特徴とする請求項２２に記載の基準電圧発生方法。
【請求項２４】
前記発生段階は、
前記第１の電圧と前記第２の電圧が印加される段階；
前記印加された第２の電圧で前記印加された第１の電圧を差し引く段階；
をさらに含むことを特徴とする請求項２２に記載の基準電圧発生方法。
【請求項２５】
前記発生段階は、
前記基準電圧の前記温度係数は、前記印加された第１及び第２の電圧値の変化に応じて選択的に可変される段階をさらに含むことを特徴とする請求項２４に記載の基準電圧発生方法。
【請求項２６】
抵抗値により前記第１の電圧を発生する段階；および
前記第２の電圧を発生する段階；
をさらに含むことを特徴とする請求項２５に記載の基準電圧発生方法。
【請求項２７】
前記第１の電圧発生段階は、前記選択された温度値で前記第１の電圧が所望の電圧値になるように前記抵抗値を調節する段階を含むことを特徴とする請求項２６に記載の基準電圧発生方法。
【請求項２８】
前記所望の電圧値は、前記第２の電圧であること
を特徴とする請求項２７に記載の基準電圧発生方法。
【請求項２９】
前記第２の電圧を発生する段階；および
前記所望の温度で前記第２の電圧と同一な電圧値を有する前記第１の電圧を生成する段階；
を含むことを特徴とする請求項２０に記載の基準電圧発生方法。
【請求項３０】
前記発生段階は、温度が増加することによって減少する前記基準電圧を発生することを特徴とする請求項２０に記載の基準電圧発生方法。
【請求項３１】
基準電圧発生部を含み、前記基準電圧発生部は温度が変わっても、選択された温度で基準電圧の温度係数に関係なく一定した電圧値を有する前記基準電圧を発生し、前記基準電圧に応答して少なくとも一つのゲートドライバー電圧を発生し、ソースドライバー電圧を発生する電圧発生部；
前記ソースドライバー電圧に応答してディスプレイパネルにソース駆動信号を発生するソースドライバー；および
前記ゲートドライバー電圧に応答して前記ディスプレイパネルにゲート駆動信号を発生するゲートドライバー；
を含むことを特徴とするディスプレイドライバー回路。
【請求項３２】
前記基準電圧発生部は、温度が増加することによって減少する前記基準電圧を発生し、前記基準電圧に応答して前記温度が増加することによって減少するゲート駆動信号を発生することを特徴とする請求項３１に記載のディスプレイドライバー回路。
【請求項３３】
前記ディスプレイパネルは、液晶ディスプレイパネルであることを特徴とする請求項３２に記載のディスプレイドライバー回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基準電圧発生部に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基準電圧発生部は、多くの装置で使用される。例えば、液晶ディスプレイ装置に使用される基準電圧発生部は、液晶ディスプレイ装置のゲートドライバーとソースドライバーに使用される駆動電圧を発生する。基準電圧発生部は、温度により所望の基準電圧を発生して温度による逆効果を防止できる。
【０００３】
図１は、温度により多様な基準電圧を発生する一般的な基準電圧発生部を示す回路図である。
【０００４】
図１を参照すれば、基準電圧発生器は、電流ミラー回路５１と抵抗（Ｒ２）で消耗される電圧が温度と比例する性質（Ｐｒｏｐｏｒｔｉｏｎａｌ  Ｔｏ  Ａｂｓｏｌｕｔｅ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ；ＰＴＡＴ）を有する温度比例部５２と、温度に反比例する性質（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ  Ｔｏ  Ａｂｓｏｌｕｔｅ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ；ＣＴＡＴ）を有する温度反比例部５３と、から構成される。
【０００５】
電流ミラー回路５１は、電源電圧（ＶＤＤ）と接地電圧（ＶＳＳ）との間に直列に連結された第１のＰＭＯＳトランジスタ（ＴＰ１）と、第１のＮＭＯＳトランジスタ（ＴＮ１）と、第１の抵抗（Ｒ１）と、を含む。電流ミラー回路５１は、電源電圧（ＶＤＤ）と接地電圧（ＶＳＳ）との間に直列に連結された第２のＰＭＯＳトランジスタ（ＴＰ２）と、第２のＮＭＯＳトランジスタ（ＴＮ２）と、を含む。第１のＰＭＯＳトランジスタ（ＴＰ１）のゲートは、第２のＰＭＯＳトランジスタ（ＴＰ２）のゲートと連結される。類似に、第１のＮＭＯＳトランジスタ（ＴＮ１）のゲートは、第２のＮＭＯＳトランジスタ（ＴＮ２）のゲートと連結される。第１のＰＭＯＳトランジスタ（ＴＰ１）のドレーンは、第１のＰＭＯＳトランジスタ（ＴＰ１）のゲートと連結され、第２のＮＭＯＳトランジスタ（ＴＮ２）のドレーンは、第２のＮＭＯＳトランジスタ（ＴＮ２）のゲートと連結される。第２のＮＭＯＳトランジスタ（ＴＮ２）の領域に関する第１のＮＭＯＳトランジスタ（ＴＮ１）の領域の比率はＰである。
【０００６】
電流ミラー回路５１は、第１及び第２のＰＭＯＳトランジスタ（ＴＰ１、ＴＰ２）と並列に連結された第３のＰＭＯＳトランジスタ（ＴＰ３）とを含む。第３のＰＭＯＳトランジスタ（ＴＰ３）のゲートは、第２のＰＭＯＳトランジスタ（ＴＰ２）のゲートと連結される。
【０００７】
温度比例部５２と温度反比例部５３は、第３のＰＭＯＳトランジスタ（ＴＰ３）と共に電源電圧（ＶＤＤ）と接地電圧（ＶＳＳ）との間に直列に連結される。温度比例部５２は、可変抵抗（Ｒ２）を含む。温度反比例部５３は、バイポーラ接合トランジスタ（ＴＢ）を含む。トランジスタ（ＴＢ）は、ベースとコレクタが連結されている。
【０００８】
電流ミラー回路５１が動作して生成された電流（Ｉｘ）は、ミラーリングされて温度比例部５２と温度反比例部５３に電流（Ｉｙ）が流れる。温度比例部５２と温度反比例部５３とを通じて流れる電流によって基準電圧発生部の基準電圧（Ｖｒｅｆ）が発生する。温度比例部５２の抵抗（Ｒ２）の両端にかかる電圧（Ｖｘ）は、ＩｙＲ２であり、この際Ｉｙ＝ｍＩｘである。ここで、ｍは第２のＰＭＯＳトランジスタ（ＴＰ２）の大きさに関する第３のＰＭＯＳトランジスタ（ＴＰ３）の大きさ比率を示す。その上に、Ｉｘ＝ＶＴ（ζ）（１／Ｒ１）ｌｎＰ、この際、ζは、−１〜２の間の値を有する工程定数であり、ＶＴは、ｋＴ／ｑに示される熱電圧である（ここで、Ｔは温度、ｋはボルツマン定数、ｑは電荷量である。）。温度反比例部５３は、ＶＢＥは、ＶＴｌｎ（Ｉｙ／Ｉｓ）のような電圧を生成する。ここで、Ｉｓはトランジスタ（ＴＢ）の大きさに依存的な飽和電流を示す。従って、基準電圧（Ｖｒｅｆ）は、Ｖｘ＋ＶＢＥの通りである。
【０００９】
図２は、図１に示された基準電圧発生部で相異なる温度係数を有する温度による基準電圧を示すグラフである。
【００１０】
図２を参照すれば、一定した温度（２５℃）で温度係数が変更され、出力される基準電圧（Ｖｒｅｆ）の値が一つの値に固定できない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の技術的課題は、基準電圧が温度に反比例する多様な温度係数を具現でき、温度係数が異なっても一定した温度で同一な基準電圧を生成できる基準電圧発生部を提供するところにある。
【００１２】
また、本発明の他の技術的課題は、前述したような基準電圧発生部の基準電圧発生方法を提供するところにある。
【００１３】
また、本発明のさらに他の技術的課題は、前述したような基準電圧発生部を含むディスプレイドライバー回路を提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
前述した技術的課題を達成するために本発明に従う基準電圧発生部は、温度により可変される基準電圧を発生する基準電圧発生回路を含み、基準電圧発生回路は、基準電圧の温度係数が選択された温度値により選択的に可変され、基準電圧は、温度係数に関係なく同一な電圧レベルを有する。
【００１５】
前述した技術的課題を達成するために本発明に従う基準電圧発生部は、第１の電圧を発生する第１の電圧発生部と、第２の電圧を発生する第２の電圧発生部と、第２の電圧で第１の電圧を差し引いた基準電圧を発生する電圧減算部と、を含む。
【００１６】
前述した他の技術的課題を達成するために本発明に従う基準電圧発生方法は、選択された温度値で基準電圧の温度係数と関係なく同一な電圧値を有する基準電圧を発生する段階を含む。
【００１７】
前述したさらに他の技術的課題を達成するために本発明に従うディスプレイドライバー回路は、基準電圧発生部を含み、基準電圧発生部は温度が変わっても、選択された温度で基準電圧の温度係数に関係なく一定した電圧値を有する基準電圧を発生し、基準電圧に応答して少なくとも一つのゲートドライバー電圧を発生し、ソースドライバー電圧を発生する電圧発生部と、ソースドライバー電圧に応答してディスプレイパネルにソース駆動信号を発生するソースドライバーと、ゲートドライバー電圧に応答してディスプレイパネルにゲート駆動信号を発生するゲートドライバーと、を含む。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、温度により反比例する基準電圧を生成する基準電圧発生部を提供して、液晶表示装置のゲートドライバーに高温でも安定的な電圧を供給できるようになって液晶表示装置の高温での信頼性を向上させうる。また、基準電圧発生部を用いて温度に反比例する多様な温度係数を有する電圧を生成でき、温度係数が異なっても一定した常温で同一な基準電圧を生成できて安定的な電圧供給の効果を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、添付した図面を参照して本発明の好適な実施形態を詳細に説明する。
【００２０】
図３は、本発明の一実施形態による基準電圧発生部を示す回路図である。
【００２１】
図３を参照すれば、基準電圧発生部は、電流ミラー回路８６と、温度比例部８４と、温度に独立的な電圧生成部８５と、を含む。電流ミラー回路８６から印加された電流によって温度比例部８４と温度に独立的な電圧生成部８５は、第１の電圧（Ｖ１）と第２の電圧（Ｖ２）とを発生する。緩衝増幅器８２は、第１の電圧（Ｖ１）を通過させ、電圧減算器８３はバッファされた第１の電圧（Ｖ１）と第２の電圧（Ｖ２）とを用いて基準電圧（Ｖｒｅｆ）を生成する。
【００２２】
温度比例部８４は、一定した温度係数、例えば＋０．２％／℃を有し、温度が変化することによって比例する第１の電圧（Ｖ１）を発生する。逆に、温度に独立的な電圧生成部８５は、温度の変化に関係なく一定した第２の電圧（Ｖ２）を発生する。温度比例部８４、温度に独立的な電圧生成部８５は、電流ミラー回路８６と共に詳細に後述することである。
【００２３】
緩衝増幅器８２は、出力端子が反転入力端子と連結され、非反転入力端子に第１の電圧（Ｖ１）が印加される第１の演算増幅器（Ａ１）を含む。緩衝増幅器８２は、温度比例部８４から不要な電流が流入されることを防止する。電圧減算器８３は、第２の演算増幅器（Ａ２）を含む。第２の演算増幅器（Ａ２）の非反転入力端子に第２の電圧（Ｖ２）が印加され、反転入力端子としては第１の抵抗（Ｒ１０）を経たバッファリングされた第１の電圧（Ｖ１）が印加される。第２の演算増幅器（Ａ２）の反転入力端子と出力端子との間には第２の抵抗（Ｒ２０）が連結される。第２の演算増幅器（Ａ２）は、差動増幅器である。
【００２４】
キルヒホフ電流法則によれば、第１の抵抗（Ｒ１０）に流れる電流（Ｉ１）は、第２の抵抗（Ｒ２０）に流れる電流（Ｉ２）と同一である。
【００２５】
【数１】
2006244500.tif 000003
【００２６】
前述した式（１）を基準電圧（Ｖｒｅｆ）について整理すれば次の通りである。
【００２７】
【数２】
2006244500.tif 000004
【００２８】
基準電圧発生部から発生した基準電圧（Ｖｒｅｆ）の温度係数は次の通り示すことができる。
【００２９】
【数３】
2006244500.tif 000005
【００３０】
ここで、Ｔｂ＞Ｔａである。
【００３１】
前述した式（３）を参照すれば、基準電圧（Ｖｒｅｆ）の温度係数は、第１の電圧（Ｖ１）の温度係数と第１の抵抗（Ｒ１０）と第２の抵抗（Ｒ２０）値の比率によって決定される。温度比例部８４から出力される第１の電圧（Ｖ１）の温度係数は決められた値である。例えば、第１の電圧（Ｖ１）の温度係数は、＋０．２％／℃に決められることである。従って、基準電圧（Ｖｒｅｆ）の温度係数はＲ２０／Ｒ１０の比に決定される。例えば、Ｒ２０／Ｒ１０の比率が２．５であれば、基準電圧（Ｖｒｅｆ）の温度係数は−０．５％／℃になる。
【００３２】
図４は、図３に示された第１の電圧と第２の電圧の温度特性を示すグラフである。第１の電圧（Ｖ１）の温度係数は、＋０．２％／℃である。
【００３３】
図５は、図３に示された基準電圧の温度特性を示すグラフである。基準電圧（Ｖｒｅｆ）の温度係数は、−０．５％／℃になる。
【００３４】
図６は、図３に示された基準電圧発生部の一実施形態による具体的な回路図である。
【００３５】
図６を参照すれば、基準電圧発生部は、電流ミラー回路８６と、温度比例部８４と、温度に独立的な電圧生成部８５と、を含む。電流ミラー回路８６は、電源電圧（ＶＤＤ）と接地電圧との間に直列に連結された第１のＰＭＯＳトランジスタ（ＰＭ１）と、第１のＮＭＯＳトランジスタ（ＮＭ１）と、第３の抵抗（Ｒ３０）と、を含む。電流ミラー回路８６は、電源電圧（ＶＤＤ）と接地電圧との間に直列に連結された第２のＰＭＯＳトランジスタ（ＰＭ２）と、第２のＮＭＯＳトランジスタ（ＮＭ２）と、をさらに含む。第１のＰＭＯＳトランジスタ（ＰＭ１）のゲートは、第２のＰＭＯＳトランジスタ（ＰＭ２）のゲートと連結される。類似に第１のＮＭＯＳトランジスタ（ＮＭ１）のゲートは、第２のＮＭＯＳトランジスタ（ＮＭ２）のゲートと連結される。第１のＰＭＯＳトランジスタ（ＰＭ１）のドレーンは、第１のＰＭＯＳトランジスタ（ＰＭ１）のゲートと連結され、第２のＮＭＯＳトランジスタ（ＮＭ２）のドレーンは、第２のＮＭＯＳトランジスタ（ＮＭ２）のゲートと連結される。第２のＮＭＯＳトランジスタ（ＮＭ２）の領域に関する第１のＮＭＯＳトランジスタ（ＮＭ１）の領域の比率はＰである。
【００３６】
電流ミラー回路８６は、第１及び第２のＰＭＯＳトランジスタ（ＰＭ１、ＰＭ２）と並列に連結された第３のＰＭＯＳトランジスタ（ＰＭ３）と第４のＰＭＯＳトランジスタ（ＰＭ４）とをさらに含む。第３及び第４のＰＭＯＳトランジスタ（ＰＭ３、ＰＭ４）のゲートは、第２のＰＭＯＳトランジスタ（ＰＭ２）のゲートと連結される。
【００３７】
温度比例部８４は、第３のＰＭＯＳトランジスタ（ＰＭ３）と接地電圧との間に連結され、温度に独立的な電圧生成部８５は、第４のＰＭＯＳトランジスタ（ＰＭ４）と接地電圧との間に連結される。温度比例部８４は、第３のＰＭＯＳトランジスタ（ＰＭ３）と接地電圧との間に直列に連結された第４の抵抗（Ｒ４０）と第５の抵抗（Ｒ５０）とを含む。ヒューズ（ｆ１）は、第５の抵抗（Ｒ５０）と並列に連結される。温度に独立的な電圧生成部８５は、第４のＰＭＯＳトランジスタ（ＰＭ４）と接地電圧との間に直列に連結された第６の抵抗（Ｒ６０）と第３のＮＭＯＳトランジスタ（ＮＭ３）とを含む。また、第３のＮＭＯＳトランジスタ（ＮＭ３）のゲートは自分のドレーンと連結される。
【００３８】
電流ミラー回路８６は、温度比例部８４と温度に独立的な電圧生成部８５に同一な電流（ＩＤ）を供給する。温度に独立的な電圧生成部８５から生成された第２の電圧（Ｖ２）は、以下の式の通りである。
【００３９】
【数４】
2006244500.tif 000006
【００４０】
ここで、Ｖｎは、第３のＮＭＯＳトランジスタ（ＮＭ３）に流れる電圧であり、Ｗは、第３のＮＭＯＳトランジスタ（ＮＭ３）の幅、Ｌは、第３のＮＭＯＳトランジスタ（ＮＭ３）の長さである。
【００４１】
前述した式（４）を参照すれば、第３のＮＭＯＳトランジスタ（ＮＭ３）は温度により第２の電圧（Ｖ２）値が負の値を有させ、抵抗は温度により第２の電圧（Ｖ２）値が正の値を有させる。従って、温度に独立的な電圧生成部８５は温度に関係なく一定した電圧を生成する。
【００４２】
温度比例部８４は、以下の式の通りの第１の電圧（Ｖ１）を発生する。
【００４３】
【数５】
2006244500.tif 000007
【００４４】
前述した式（５）によれば、第１の電圧（Ｖ１）は、ヒューズ（ｆ１）によって提供される抵抗値に依存的である。ヒューズ（ｆ１）は、レーザーフュージングによって作られることができる。また、ヒューズ（ｆ１）は、ロジック命令にプログラム化して不揮発性メモリに貯蔵した後使用できる。しかしながら、ヒューズ（ｆ１）は抵抗可変手段の一例に過ぎなく、ヒューズ（ｆ１）の代わりをして他の抵抗可変手段を使用してもよい。例えば、ロジック手段によって制御されるトランジスタを使用してもよい。
【００４５】
抵抗可変手段を使用すれば、第１の電圧（Ｖ１）は、抵抗可変手段の可変的な抵抗値によって可変される。抵抗可変手段によって所望の温度で第１の電圧（Ｖ１）は、第２の電圧（Ｖ２）と同一に調整できる。例えば、所望の温度は常温或いは２５℃である。
【００４６】
所望の温度で第１の電圧（Ｖ１）と第２の電圧（Ｖ２）とを同一に設定すれば、基準電圧（Ｖｒｅｆ）の温度係数に関係なく所望の温度で同一な基準電圧（Ｖｒｅｆ）を発生できる。これは、図７に示されている。
【００４７】
図８は、図３に示された基準電圧発生部の他の実施形態による具体的な回路図である。
【００４８】
図８を参照すれば、基準電圧発生部は、電流ミラー回路８６と、温度比例部８４と、温度に独立的な電圧生成部８５と、を含む。図８の基準電圧発生部は、図６に示された温度に独立的な電圧生成部８５で第３のＮＭＯＳトランジスタ（ＮＭ３）が第１のバイポーラトランジスタ（ＴＢ）に代替されたことを除外しては図６の基準電圧発生部と同一である。第１のバイポーラトランジスタ（ＴＢ）のベースは、第１のバイポーラトランジスタ（ＴＢ）のコレクタと連結される。図８の基準電圧発生部の動作は、図６の基準電圧発生部の動作と同一なので具体的な言及は省略する。
【００４９】
図９は、本発明に従う基準電圧発生部を適用した液晶表示装置を示すブロック図である。
【００５０】
図９を参照すれば、電圧発生部１０は、基準電圧発生部１２と駆動電圧発生部１４とを含む。駆動電圧発生部１４は、基準電圧発生部１２から出力される基準電圧を用いてゲートドライバー回路１６に印加されるゲート駆動電圧を生成する。また、電圧発生部１０は、ソースドライバー回路１８に印加されるソース駆動電圧を生成する。タイミングコントローラ２０は、外部から印加される映像データ信号に応じてタイミング信号を生成してゲートドライバー回路１６とソースドライバー回路１８に出力する。ゲートドライバー回路１６とソースドライバー回路１８は、タイミング信号と駆動電圧に応答して液晶パネル２２に印加するゲート駆動信号とソース駆動信号とを生成する。
【００５１】
図９の液晶表示装置の基準電圧発生部１２は、本発明の一実施形態による基準電圧発生部を適用する。図１０は、図９に示された液晶表示装置におけるゲート電圧の温度特性を示すグラフである。図１０を参照すれば、ゲート駆動電圧は、温度が増加することによって反比例する特性を有する。
【００５２】
以上のように、図面と明細書で最適実施形態が開示された。ここで特定した用語が使用されたが、これは単に本発明を説明するための目的で使用されたことであり意味限定や特許請求の範囲に記載された本発明の範囲を制限するために使用されたことではない。また、当業者であれば、本発明の技術的思想や必須的な特徴を変更せずにこれから多様な変形及び均等な他の具体的な形態で実施されうることを理解することができる。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決められるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】一般的な基準電圧発生部を示す回路図である。
【図２】図１に示された基準電圧発生部で相異なる温度係数を有する温度による基準電圧を示すグラフである。
【図３】本発明の一実施形態による基準電圧発生部を示す回路図である。
【図４】図３に示された第１の電圧と第２の電圧の温度特性を示すグラフである。
【図５】図３に示された基準電圧の温度特性を示すグラフである。
【図６】図３に示された基準電圧発生部の一実施形態による具体的な回路図である。
【図７】本発明の一実施形態による基準電圧発生部で相異なる温度係数を有する温度による基準電圧を示すグラフである。
【図８】図３に示された基準電圧発生部の他の実施形態による具体的な回路図である。
【図９】本発明に従う基準電圧発生部を適用したディスプレイドライバー回路を示すブロック図である。
【図１０】図９に示されたディスプレイドライバー回路でゲート電圧の温度特性を示すグラフである。
【符号の説明】
【００５４】
８２：緩衝増幅器
８３：電圧減算器
８４：温度比例部
８５：電圧生成部
８６：電流ミラー回路
【図１】
2006244500.tif 000008
【図２】
2006244500.tif 000009
【図３】
2006244500.tif 000010
【図４】
2006244500.tif 000011
【図５】
2006244500.tif 000012
【図６】
2006244500.tif 000013
【図７】
2006244500.tif 000014
【図８】
2006244500.tif 000015
【図９】
2006244500.tif 000016
【図１０】
2006244500.tif 000017