(57)【要約】      （修正有）【課題】先ダイシングによって分割された個々の半導体チップにダメージを与えることなく、その裏面にダイボンディング用の接着フィルムを容易に装着することができる半導体チップの製造方法。【解決手段】半導体ウエーハ２を個々の半導体チップに分割し、半導体チップの裏面に接着フィルムを６装着する半導体チップの製造方法であって、半導体ウエーハ２の表面からストリートに沿って所定の深さの分割溝２３を形成する分割溝形成工程と、裏面を研削して裏面に分割溝２３を表出させ個々の半導体チップに分離する分割溝表出工程と、半導体ウエーハ２の裏面に接着フィルム６を貼着する接着フィルム貼着工程と、接着フィルム６に裏面側から分割溝２３に沿ってレーザー光線を照射７２２し接着フィルム６に分割溝２３に沿って変質領域を形成するレーザー加工工程と、接着フィルムに張力を付与し接着フィルムを変質領域に沿って破断する接着フィルム破断工程とを含む。【選択図】図６
2006245209.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成された半導体ウエーハを個々の半導体チップに分割し、該個々の半導体チップの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着する半導体チップの製造方法であって、
半導体ウエーハの表面から該ストリートに沿って所定の深さの分割溝を形成する分割溝形成工程と、
該分割溝が形成された半導体ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
半導体ウエーハの裏面を研削して該裏面に該分割溝を表出させ個々の半導体チップに分離する分割溝表出工程と、
個々の半導体チップに分離された半導体ウエーハの裏面に該接着フィルムを貼着する接着フィルム貼着工程と、
個々の半導体チップに分離された半導体ウエーハの裏面に貼着された該接着フィルムに半導体ウエーハの裏面側から該分割溝に沿ってレーザー光線を照射し、該接着フィルムに該分割溝に沿って変質領域を形成するレーザー加工工程と、
該接着フィルムに張力を付与し該接着フィルムを該変質領域に沿って破断する接着フィルム破断工程と、を含み、
該レーザー加工工程において接着フィルムに変質領域を形成するレーザー光線のエネルギーは、該接着フィルムを熔融して変質させるが該接着フィルムを溶断しない値に設定されている、
ことを特徴とする半導体チップの製造方法。
【請求項２】
該レーザー加工工程において照射するレーザー光線は、波長が３５５nmのパルスレーザー光線であり、その１パルス当たりのエネルギーが接着フィルムの厚さ２０μmに対して０．０３〜０．０５mJに設定されている、請求項１記載の半導体チップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成された半導体ウエーハを個々の半導体チップに分割するとともに、該個々の半導体チップの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着する半導体チップの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に形成されたストリート（切断予定ライン）によって区画された複数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成し、該デバイスが形成された各領域をストリートに沿って分割することにより個々の半導体チップを製造している。半導体ウエーハを分割する分割装置としては一般にダイシング装置が用いられており、このダイシング装置は厚さが２０μｍ程度の切削ブレードによって半導体ウエーハをストリートに沿って切削する。このようにして分割された半導体チップは、パッケージングされて携帯電話やパソコン等の電気機器に広く利用されている。
【０００３】
個々に分割された半導体チップは、その裏面にポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂脂等で形成された厚さ２０〜１００μｍのダイアタッチフィルムと称するダイボンディング用の接着フィルムが装着され、この接着フィルムを介して半導体チップを支持するダイボンディングフレームに加熱することによりボンディングされる。半導体チップの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着する方法としては、半導体ウエーハの裏面に接着フィルムを貼着し、この接着フィルムを介して半導体ウエーハをダイシングテープに貼着した後、半導体ウエーハの表面に形成されたストリートに沿って切削ブレードにより接着フィルムと共に切削することにより、裏面に接着フィルムが装着された半導体チップを形成している。（例えば、特許文献１参照。）
【特許文献１】特開２０００−１８２９９５号公報
【０００４】
しかるに、特開２０００−１８２９９５号公報に開示された方法によると、切削ブレードにより半導体ウエーハとともに接着フィルムを切断して個々の半導体チップに分割する際に、半導体チップの裏面に欠けが生じたり、接着フィルムに髭状のバリが発生してワイヤボンディングの際に断線の原因になるという問題がある。
【０００５】
近年、携帯電話やパソコン等の電気機器はより軽量化、小型化が求められており、より薄い半導体チップが要求されている。より薄く半導体チップを分割する技術として所謂先ダイシング法と称する分割技術が実用化されている。この先ダイシング法は、半導体ウエーハの表面からストリートに沿って所定の深さ（半導体チップの仕上がり厚さに相当する深さ）の分割溝を形成し、その後、表面に分割溝が形成された半導体ウエーハの裏面を研削して該裏面に分割溝を表出させ個々の半導体チップに分離する技術であり、半導体チップの厚さを５０μｍ以下に加工することが可能である。
【０００６】
しかるに、先ダイシング法によって半導体ウエーハを個々の半導体チップに分割する場合には、半導体ウエーハの表面からストリートに沿って所定の深さの分割溝を形成した後に半導体ウエーハの裏面を研削して該裏面に分割溝を表出させるので、ダイボンディング用の接着フィルムを前もって半導体ウエーハの裏面に装着することができない。従って、先ダイシング法によって半導体チップを半導体チップを支持するダイボンディングフレームにボンディングする際には、半導体チップとダイボンディングフレームとの間にボンド剤を挿入しながら行わなければならず、ボンディング作業を円滑に実施することができないという問題がある。
【０００７】
このような問題を解消するために、先ダイシングによって個々に分割された半導体チップの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを貼着し、この接着フィルムを介して半導体チップをダイシングテープに貼着した後、各半導体チップ間の間隙に露出された該接着フィルムの部分に、半導体チップの表面側から上記間隙を通してレーザー光線を照射し、接着フィルムの上記間隙に露出された部分を除去するようにした半導体チップの製造方法が提案されている。（例えば、特許文献２参照。）
【特許文献２】特開２００２−１１８０８１号公報
【０００８】
しかるに、特開２００２−１１８０８１号公報に開示された技術は、厚さが２０μｍ程度の切削ブレードによって形成された分割溝に半導体チップの表面側からレーザー光線を照射して接着フィルムにおける各半導体チップ間の間隙に露出された部分を破断するものあり、半導体チップの表面にレーザー光線を照射することなく接着フィルムのみを破断することが困難である。特に、先ダイシングによる半導体ウエーハの裏面研削の際に切削溝がズレている場合には、半導体チップの表面にレーザー光線を照射することなく接着フィルムのみを破断することが困難である。従って、上記公報に開示された半導体チップの製造方法においては、デバイスが形成された半導体チップの表面にレーザー光線によるダメージを与える虞がある。
【０００９】
上述した問題を解消するために本出願人は、先ダイシングによって個々の半導体チップに分割された半導体ウエーハの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを貼着し、半導体ウエーハの接着フィルム側をダイシングテープに貼着した後、ダイシングテープ側から分割溝に沿ってダイシングテープには吸収されないが接着フィルムには吸収される波長のレーザー光線を照射し、接着フィルムを分割溝に沿って破断する半導体チップの製造方法を特願２００３−３４８２７７号として提案した。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
而して、上記特願２００３−３４８２７７号として提案した半導体チップの製造方法においては、デバイスが形成された半導体チップの表面にレーザー光線が照射されないのでチップの損傷は少ないものの、半導体チップの裏面にレーザー光線が照射されることがあり、半導体チップの品質を低下するという問題は避けられない。
【００１１】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、半導体ウエーハが先ダイシングによって分割された個々の半導体チップにダメージを与えることなく、その裏面にダイボンディング用の接着フィルムを容易に装着することができる半導体チップの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成された半導体ウエーハを個々の半導体チップに分割し、該個々の半導体チップの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着する半導体チップの製造方法であって、
半導体ウエーハの表面から該ストリートに沿って所定の深さの分割溝を形成する分割溝形成工程と、
該分割溝が形成された半導体ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
半導体ウエーハの裏面を研削して該裏面に該分割溝を表出させ個々の半導体チップに分離する分割溝表出工程と、
個々の半導体チップに分離された半導体ウエーハの裏面に該接着フィルムを貼着する接着フィルム貼着工程と、
個々の半導体チップに分離された半導体ウエーハの裏面に貼着された該接着フィルムに半導体ウエーハの裏面側から該分割溝に沿ってレーザー光線を照射し、該接着フィルムに該分割溝に沿って変質領域を形成するレーザー加工工程と、
該接着フィルムに張力を付与し該接着フィルムを該変質領域に沿って破断する接着フィルム破断工程と、を含み、
該レーザー加工工程において接着フィルムに変質領域を形成するレーザー光線のエネルギーは、該接着フィルムを熔融して変質させるが該接着フィルムを溶断しない値に設定されている、
ことを特徴とする半導体チップの製造方法が提供される。
【００１３】
上記レーザー加工工程において照射するレーザー光線は、波長が３５５nmのパルスレーザー光線であり、その１パルス当たりのエネルギーが接着フィルムの厚さ２０μmに対して０．０３〜０．０５mJに設定されている。
【発明の効果】
【００１４】
本発明による半導体チップの製造方法によれば、先ダイシングによって個々の半導体チップに分離されてはいるが半導体ウエーハの形態が維持されている状態でその裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着するので、半導体チップの裏面に接着フィルムを容易に装着することができる。本発明における上記レーザー加工工程においては、接着フィルムに照射するレーザー光線のエネルギーが接着フィルムを熔融して変質させるが接着フィルムを溶断しない値に設定されているので、半導体チップの裏面にレーザー光線によるダメージを与えることはない。また、上記レーザー加工工程において接着フィルムに形成される変質領域は、強度が低下せしめられているので、接着フィルムに張力を付与することにより接着フィルムを変質領域に沿って容易に破断することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明による半導体チップの製造方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１６】
図１には、本発明に従って分割される半導体ウエーハの斜視図が示されている。図１に示す半導体ウエーハ２は、例えば厚さが６００μｍのシリコンウエーハからなっており、表面２ａに複数のストリート２１が格子状に形成されているとともに該複数のストリート２１によって区画された複数の領域にデバイス２２が形成されている。この半導体ウエーハ２を個々の半導体チップに分割して半導体チップを製造する方法の第１の実施形態について、図２乃至図１４を参照して説明する。
【００１７】
半導体ウエーハ２を個々の半導体チップに分割するには、先ず半導体ウエーハ２の表面２ａに形成されたストリート２１に沿って所定深さ（各半導体チップの仕上がり厚さに相当する深さ）の分割溝を形成する（分割溝形成工程）。この分割溝形成工程は、図２の（ａ）に示すようにダイシング装置として一般に用いられている切削装置３を用いることができる。即ち、切削装置３は、吸引保持手段を備えたチャックテーブル３１と、切削ブレード３２１を備えた切削手段３２を具備している。この切削装置３のチャックテーブル３１上に半導体ウエーハ２を表面２ａを上にして保持し、切削手段３２の切削ブレード３２１を回転しつつチャックテーブル３１を矢印Ｘで示す方向に切削送りすることによって、所定方向に延在するストリート２１に沿って分割溝２３を形成する。この分割溝２３は、図２の（ｂ）に示すように分割される各半導体チップの仕上がり厚さに相当する深さ（例えば、１１０μｍ）に設定されている。このように所定方向に延在するストリート２１に沿って分割溝２３を形成したら、切削手段３２を矢印Ｙで示す方向にストリート２１の間隔だけ割り出し送りして、再度上記切削送りを遂行する。そして、所定方向に延在する全てのストリートについて上記切削送りと上記割り出し送りを遂行したならば、チャックテーブル３１を９０度回動せしめて、上記所定方向に対して直角に延びる各ストリートに沿って上記切削送りと上記割り出し送りを実行することにより、半導体ウエーハ２に形成された全てのストリートに沿って分割溝２３が形成される。
【００１８】
上述した分割溝形成工程により半導体ウエーハ２の表面２ａにストリート２２に沿って所定深さの分割溝２３を形成したら、図３の（ａ）、図３の（ｂ）に示すように半導体ウエーハ２の表面２ａ（デバイス２２が形成されている面）に研削用の保護部材４を貼着する（保護部材貼着工程）。なお、保護部材４は、図示の実施形態においては厚さが１５０μｍのポリオレフィンシートが用いられている。
【００１９】
次に、表面に保護部材４を貼着した半導体ウエーハ２の裏面２ｂを研削し、分割溝２３を裏面２ｂに表出させて個々の半導体チップに分割する（分割溝表出工程）。この分割溝表出工程は、図４の（ａ）に示すようにチャックテーブル５１と研削砥石５２１を備えた研削手段５２を具備する研削装置５によって行われる。即ち、チャックテーブル５１上に半導体ウエーハ２を裏面２ｂを上にして保持し、例えば、チャックテーブル５１を３００ｒｐｍで回転しつつ、研削手段５２の研削砥石５２を６０００ｒｐｍで回転せしめて半導体ウエーハ２の裏面２ｂに接触することにより研削し、図４の（ｂ）に示すように分割溝２３が裏面２ｂに表出するまで研削する。このように分割溝２３が表出するまで研削することによって、図４の（ｃ）に示すように半導体ウエーハ２は個々の半導体チップ２０に分離される。なお、分離された複数の半導体チップ２０は、その表面に保護部材４が貼着されているので、バラバラにはならず半導体ウエーハ２の形態が維持されている。
【００２０】
上述した分割溝表出工程によって半導体ウエーハ２を個々の半導体チップ２０に分離したならば、個々の半導体チップに分離された半導体ウエーハ２の裏面２ｂにダイシングテープに貼着された接着フィルムを貼着する接着フィルム貼着工程を実施する。即ち、図５の（ａ）、（ｂ）に示すように環状のダイシングフレーム６１の内側開口部を覆うように外周部が装着されたダイシングテープ６２の表面に貼着された接着フィルム６を個々の半導体チップに分離された半導体ウエーハ２の裏面２ｂに貼着する。このとき、８０〜２００°Ｃの温度で加熱しつつ接着フィルム６を半導体ウエーハ２の裏面２ｂに押圧して貼着する。なお、上記ダイシングテープ６２は、図示の実施形態においては厚さが９５μｍのポリオレフィンシートかならっている。なお、このダイシングテープ６２は、伸長可能な材料によって形成することが望ましい。なお、ダイシングテープ６としては、紫外線等の外的刺激によって粘着力が低下する性質を有するＵＶテープが用いられている。また、上記接着フィルム６は、例えば厚さが２５μｍのポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂によって形成されている。このような接着フィルム付きのダイシングテープは、株式会社リンテック社製の接着フィルム付きのダイシングテープ（ＬＥ５０００）を用いることができる。
【００２１】
上述した接着フィルム貼着工程を実施したならば、個々の半導体チップ２０に分離された半導体ウエーハ２の裏面２ｂに貼着された接着フィルム６にダイシングテープ６２側から上記分割溝２３に沿って、ダイシングテープはレーザー光を吸収しないが接着フィルムはレーザー光を吸収する波長に設定されたレーザー光線を照射し、接着フィルムに分割溝に沿って変質領域を形成するレーザー加工工程を実施する。このレーザー加工工程は、図６乃至図８に示すレーザー加工装置７によって実施する。図６乃至図８に示すレーザー加工装置７は、被加工物を保持するチャックテーブル７１と、該チャックテーブル７１上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段７２と、チャックテーブル７１上に保持された被加工物を撮像する撮像手段７３を具備している。チャックテーブル７１は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない移動機構によって図６において矢印Ｘで示す加工送り方向および矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
【００２２】
上記レーザー光線照射手段７２は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング７２１の先端に装着された集光器７２２からパルスレーザー光線を照射する。また、上記レーザー光線照射手段７２を構成するケーシング７２１の先端部に装着された撮像手段７３は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を後述する制御手段に送る。
【００２３】
上述したレーザー加工装置を用いて実施するレーザー加工工程について、図６、図７および図８を参照して説明する。
レーザー加工工程は、先ず図６に示すように上記接着フィルム貼着工程においてダイシングテープ６２の表面に装着された接着フィルム６に裏面２ｂが貼着された半導体ウエーハ２を、保護部材４側をチャックテーブル７１に載置し吸引保持する。従って、半導体ウエーハ２の裏面２ｂに貼着された接着フィルム６を装着したダイシングテープ６２は、上側となる。なお、図６においては、ダイシングテープ６２が装着された環状の支持ダイシングフレーム６１を省いて示しているが、ダイシングフレーム６１はチャックテーブル７１に配設された適宜のダイシングフレーム保持手段に保持されている。
【００２４】
上述したように半導体ウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル７１は、図示しない移動機構によって撮像手段７３の直下に位置付けられる。チャックテーブル７１が撮像手段７３の直下に位置付けられると、撮像手段７３および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ２の裏面２ｂに貼着された接着フィルム６のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段７３および制御手段は、半導体ウエーハ２の所定方向に形成されている上記分割溝２３と、分割溝２３に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段７１の集光器７２２との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、半導体ウエーハ２に形成されている上記所定方向に対して直角方向に形成された分割溝２３に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。このとき、個々の半導体チップに分離された半導体ウエーハ２の裏面２ｂに貼着された接着フィルム６およびダイシングテープ６２が非透明性で分割溝２３が確認できない場合には、撮像手段７３として赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成したものを用いることにより、接着フィルム６およびダイシングテープ６２を通して分割溝２３を撮像することができる。
【００２５】
以上のようにしてレーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、チャックテーブル７１をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段７２の集光器７２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、図７に示すように所定の分割溝２３の一端（図７において左端）をレーザー光線照射手段７２の集光器７２２の直下に位置付ける。そして、集光器７２２からダイシングテープ６２はレーザー光を吸収しないが接着フィルム６はレーザー光を吸収する波長のレーザー光線を照射しつつチャックテーブル７１即ち半導体ウエーハ２を図７において矢印Ｘ１で示す方向に所定の送り速度で移動せしめ、分割溝２３の他端（図７において右端）が集光器７２２の照射位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル７１即ち半導体ウエーハ２の移動を停止する。このとき、レーザー光線照射手段７２の集光器７２２から照射されるパルスレーザー光線は、図示の実施形態においては集光点Ｐ（集光スポット径が形成される点）を接着フィルム６の上面に合わせて照射される。なお、このレーザー光線の波長は、ダイシングテープ６２を構成するポレオレフィンシートには吸収されないが、接着フィルム６を構成するポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂シートには吸収される３５５ｎｍに設定されているが、ダイシングテープとして選択されている素材と、接着フィルムとして選択されている素材との関係で適宜設定される。また、レーザー光線照射手段７２の集光器７２２から照射されるパルスレーザー光線のエネルギーは、接着フィルム６を熔融して変質させるが接着フィルム６を溶断しない値に設定されていることが重要である。即ち、パルスレーザー光線のエネルギーは、１パルス当たりのエネルギーが接着フィルムの厚さ２０μmに対して０．０３〜０．０５mJに設定されている。従って、接着フィルム６の厚さが４０μmの場合にはパルスレーザー光線の１パルス当たりのエネルギーが０．０６〜０．１mJに設定され、接着フィルム６の厚さが８０μmの場合にはパルスレーザー光線の１パルス当たりのエネルギーが０．１２〜０．２mJに設定される。そして、パルスレーザー光線のエネルギーは、接着フィルム６の厚さの９０%以上の厚さに変質領域を形成する値に設定することが望ましい。このような、パルスレーザー光線を接着フィルム６に照射することにより、接着フィルム６には図８に示すように分割溝２３に沿って変質領域６０が形成される。この変質領域６０は溶融再固化層として形成され、強度が低下せしめられている。
【００２６】
なお、上記レーザー加工工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
レーザー光線の種類         ：固体レーザー（ＹＶＯ４レーザー、ＹＡＧレーザー）
波長                       ：３５５ｎｍ
発振方法                   ：パルス発振
パルス幅                   ：１２ｎｓ
繰り返し周波数             ：１０〜１００ｋＨｚ
１パルス当たりのエネルギー ：接着フィルムの厚さ２０μmに対して０．０３〜０．０５mJ
平均出力                   ：０．３〜４Ｗ
集光スポット径             ：φ９．２μｍ
加工送り速度               ：１００〜３００ｍｍ／秒
【００２７】
上述したように接着フィルム６に所定方向の分割溝２３に沿って変質領域６０を形成したならば、チャックテーブル７１を矢印Ｙ（図６参照）で示す方向に分割溝２３の間隔だけ割り出し送りし、再度上記加工送りを遂行する。そして、所定方向に形成された全ての分割溝２３に沿って上記加工送りと割り出し送りを遂行したならば、チャックテーブル７１を９０度回動せしめて、上記所定方向に対して直角に形成された分割溝２３に沿って上記加工送りと割り出し送りを実行することにより、接着フィルム６には半導体ウエーハ２に形成された全ての分割溝２３に沿って格子状の変質領域６０が形成される。このレーザー加工工程においては、ダイシングテープ６２を透過して接着フィルム６に照射するレーザー光線のエネルギーが接着フィルム６を熔融して変質させるが接着フィルム６を溶断しない値に設定されているので、半導体チップ２の裏面にレーザー光線によるダメージを与えることはない。
なお、上述したレーザー加工工程における加工条件ではパルスレーザー光線の集光スポットを円形にした例を示したが、パルスレーザー光線の集光スポットは楕円形にすることが望ましい。即ち、集光スポットを楕円形にすることにより、パルスレーザー光線のスポットが重合する割合を拡大することができ、連続した変質領域６０を形成することができる。
【００２８】
上述したレーザー加工工程を実施したならば、半導体チップ２の表面に貼着された保護部材４を剥離する保護部材剥離工程を実施する。即ち、図９に示すようにダイシングテープ６２を装着したダイシングフレーム６１を上下反転して、半導体チップ２の表面２ａに貼着された保護部材４を上側にし、保護部材４を半導体ウエーハ２の表面２ａから剥離する。
【００２９】
上記保護部材剥離工程を実施したならば、ダイシングテープ６２を拡張することにより接着フィルム６を変質領域６０に沿って破断する接着フィルム破断工程を実施する。この接着フィルム破断工程は、図１０および図１１に示すピックアップ装置８によって実施される。ここで、ピックアップ装置８について説明する。図示のピックアップ装置８は、上記ダイシングフレーム６１を載置する載置面８１１が形成された円筒状のベース８１と、該ベース８１内に同心的に配設されダイシングフレーム６１に装着されたダイシングテープ６２を押し広げるための拡張手段８２を具備している。拡張手段８２は、上記ダイシングテープ６２における複数個の半導体チップ２０が存在する領域６２１を支持する筒状の拡張部材８２１を具備している。この拡張部材８２１は、図示しない昇降手段によって図１１の（ａ）に示す基準位置と該基準位置から上方の図１１の（ｂ）に示す拡張位置の間を上下方向（円筒状のベース８１の軸方向）に移動可能に構成されている。なお、図示の実施形態においては拡張部材８２１内には、紫外線照射ランプ８３が配設されている。
【００３０】
上述したピックアップ装置８を用いて実施する接着フィルム破断工程について、図１０および図１１を参照して説明する。
上述したようにダイシングフレーム６１に装着された伸長可能なダイシングテープ６２の上面に支持された複数個の半導体チップ２０（裏面に貼着された接着フィルム６側がダイシングテープ６２の上面に貼着されている）は、図１０および図１１の（ａ）に示すようにダイシングフレーム６１が円筒状のベース８１の載置面８１１上に載置され、クランプ８４によってベース８１に固定される。次に、図１１の（ｂ）に示すように上記ダイシングテープ６２における複数個の半導体チップ２０が存在する領域６２１を支持した拡張手段８２の拡張部材８２１を図示しない昇降手段によって図１１（ａ）の基準位置から上方の図１１の（ｂ）に示す拡張位置まで移動する。この結果、伸長可能なダイシングテープ６２は拡張されるので、ダイシングテープ６２に貼着されている接着フィルム６には張力が作用し、接着フィルム６は強度が低下せしめられた変質領域６０に沿って破断される。そして、ダイシングテープ６２と半導体チップ２０に装着されている接着フィルム６ａとの間にズレが生じ密着性が低下するため、破断された接着フィルム６aを貼着した半導体チップ２０がダイシングテープ６２から容易に離脱できる状態となるとともに、個々の半導体チップ２０および該半導体チップ２０に貼着された接着フィルム６ａ間には隙間は形成される。
【００３１】
次に、図１０に示すようにピックアップ装置８の上方に配置されたピックアップコレット９を作動して、個々の半導体チップ２０をダイシングテープ６２の上面から離脱し（ピップアップ工程）、図示しないトレーに搬送する。このとき、拡張部材８２１内に配設された紫外線照射ランプ８３を点灯してダイシングテープ６２に紫外線を照射し、ダイシングテープ６２の粘着力を低下せしめることにより、より容易に離脱することができる。このようにして、ダイシングテープ６２から離脱された半導体チップ２０は、図１２に示すように裏面に接着フィルム６ａが装着された状態であり、裏面に接着フィルム６ａが装着された半導体チップ２０が得られる。
【００３２】
次に、本発明による半導体チップの製造方法の第２の実施形態について説明する。
上述した第１の実施形態においては、ダイシングテープ６２の表面に予め接着フィルム６が貼着された接着フィルム付きのダイシングテープを使用した例を示したが、第２の実施形態はダイシングテープ６２と接着フィルム６が別個に形成されているものを使用した例である。従って、第２の実施形態においても上述した第１の実施形態における接着フィルム貼着工程以外は上述した各工程と実質的に同一である。
本発明による半導体チップの製造方法の第２の実施形態は、上述した分割溝形成工程と保護部材貼着工程および分割溝表出工程を実施した後に、個々の半導体チップに分離された半導体ウエーハ２の裏面２ｂに接着フィルムを貼着する接着フィルム貼着工程を実施する。即ち、図１３の（ａ）、（ｂ）に示すように接着フィルム６を個々の半導体チップに分離された半導体２の裏面２ｂに貼着する。このとき、８０〜２００°Ｃの温度で加熱しつつ接着フィルム６を半導体ウエーハ２の裏面２ｂに押圧して貼着する。なお、接着フィルム６は、上記第１の実施形態と同様に厚さが２５μｍのポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂によって形成されている。
【００３３】
上述したように接着フィルム貼着工程を実施したならば、接着フィルム６が裏面に貼着された半導体ウエーハ２の接着フィルム６側にダイシングテープを貼着するダイシングテープ装着工程を実施する。即ち、図１４の（ａ）、（ｂ）に示すように環状のダイシングフレーム６１の内側開口部を覆うように外周部が装着されたダイシングテープ６２の表面に、半導体ウエーハ２の接着フィルム６側を貼着する。従って、半導体ウエーハ２の表面に貼着された保護部材４は上側となる。このダイシングテープ装着工程を実施した後における図１４の（ｂ）に示す形態は、上記第１の実施形態における図５の（ｂ）に示す形態と実質的に同一となる。なお、上記ダイシングテープ６２は、図示の実施形態においては厚さが９５μｍのポリオレフィンシートによって形成されている。
【００３４】
以上のようにして、接着フィルム貼着工程およびダイシングテープ装着工程を実施した後は、上記第１の実施形態におけるレーザー加工工程と接着フィルム破断工程と保護部材剥離工程およびピックアップ工程を実施する。
【００３５】
以上、本発明を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は実施形態のみに限定されるものではない。例えば、上述した実施形態においては、個々の半導体チップに分離された半導体ウエーハ２の裏面２ｂに接着フィルム６を貼着する接着フィルム貼着工程を実施し、この接着フィルム６が貼着された半導体ウエーハ２の接着フィルム６をダイシングテープ６２に貼着した後に、上述したレーザー加工工程を実施する例を示したが、レーザー加工工程は接着フィルム貼着工程の直後に実施してもよい。即ち、図１３に示すように個々の半導体チップに分離された半導体ウエーハ２の裏面２ｂに接着フィルム６を貼着する接着フィルム貼着工程を実施したならば、接着フィルム６に半導体ウエーハ２の裏面側から分割溝２３に沿ってレーザー光線を照射し、接着フィルム６に分割溝２３に沿って変質領域を形成するレーザー加工工程を実施する。このようにしてレーザー加工工程を実施を実施した後に、図１４に示すダイシングテープ装着工程を実施してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明による半導体チップの製造方法によって分割される半導体ウエーハの斜視図。
【図２】本発明による半導体チップの製造方法における分割溝形成工程の説明図。
【図３】本発明による半導体チップの製造方法における保護シート貼着行程の説明図。
【図４】本発明による半導体チップの製造方法における分割溝表出工程の説明図。
【図５】本発明による半導体チップの製造方法における接着フィルム貼着工程の説明図。
【図６】本発明による半導体チップの製造方法におけるレーザー加工工程を実施するためのレーザー加工装置を示す概略斜視図。
【図７】本発明による半導体チップの製造方法におけるレーザー加工工程の説明図。
【図８】レーザー加工工程が実施され接着フィルムに変質領域が形成された状態を示す拡大断面図。
【図９】本発明による半導体チップの製造方法における保護部材剥離工程の説明図。
【図１０】本発明による半導体チップの製造方法における接着フィルム破断工程およびピックアップ工程を実施するためのピックアップ装置の斜視図。
【図１１】本発明による半導体チップの製造方法における接着フィルム破断工程の説明図。
【図１２】本発明による半導体チップの製造方法によって形成された半導体チップの斜視図。
【図１３】本発明による半導体チップの製造方法の他の実施形態における接着フィルム貼着工程の説明図。
【図１４】本発明による半導体チップの製造方法の他の実施形態におけるダイシングテープ装着工程の説明図。
【符号の説明】
【００３７】
２：半導体ウエーハ
２０：半導体チップ
２１：ストリート
２２：デバイス
２３：分割溝
３：切削装置
３１：切削装置のチャックテーブル
３２：切削手段
４：保護部材
５：研削装置
５１：研削装置のチャックテーブル
５２：研削手段
５２１：研削砥石
２０：半導体チップ
６：接着フィルム
６１：ダイシングフレーム
６２：ダイシングテープ
７：レーザー加工装置
７１：レーザー加工装置チャックテーブル
７２：レーザー光線照射手段
７２２：パルスレーザー光線発振手段
７２３：伝送光学系
７２４：集光器
７３：撮像手段
８：ピックアップ装置
８１：円筒状のベース
８２：拡張手段
８３：紫外線照射
９：ピックアップコレット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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