(57)【要約】【課題】共振周波数の設計精度を大きく向上でき、また、工程を簡略化できる誘電体共振器及びこの誘電体共振器を用いた誘電体フィルタを提供する。【解決手段】誘電体基板１の両面に上部電極４ａ、下部電極４ｂを配置し、その内部に内部メタライズ層２に共振空孔部３を形成して、ビア導体のない誘電体共振器を作成する。この誘電体共振器を複数段並べ、信号の入出力には、ビア導体列５で構成された積層型導波管６を用いることによって、誘電体フィルタを作成する。【選択図】図２
2006101134.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部導体及び上部導体と、下部導体及び上部導体の間に接触して配置された、複数の誘電体層を積層した誘電体基板と、該誘電体基板の内部の少なくとも一層に設けられた、共振空孔部を持つ内部導体層とを具備することを特徴とする誘電体共振器。
【請求項２】
前記共振空孔部が円形である請求項１記載の誘電体共振器。
【請求項３】
共振のモードに、ＴＥ011モードを用いる請求項１又は請求項２記載の誘電体共振器。
【請求項４】
下部導体及び上部導体と、下部導体及び上部導体の間に接触して配置された、複数の誘電体層を積層した誘電体基板と、該誘電体基板の内部の少なくとも一層に設けられた、複数の共振空孔部を持つ内部導体層と、前記誘電体基板内のビア導体列により形成された積層型導波管とを具備し、
前記共振空孔部は、所定の間隔を隔てて並置され、
前記積層型導波管の開口端部は、前記内部導体層の複数の共振空孔部のいずれかに対向しており、
信号の入力又は出力の少なくとも一方又は双方は、前記積層型導波管により行われることを特徴とする誘電体フィルタ。
【請求項５】
前記共振空孔部が円形である請求項４記載の誘電体フィルタ。
【請求項６】
共振のモードに、ＴＥ011モードを用いる請求項４又は請求項５記載の誘電体フィルタ。
【請求項７】
前記ビア導体列の開口径は、前記内部導体層の共振空孔部に接近するにつれてテーパもしくはホーン状に広がっている請求項４から請求項６のいずれかに記載の誘電体フィルタ。
【請求項８】
前記ビア導体列の開口径は、前記内部導体層の共振空孔部に接近した位置でステップ状に広がっている請求項４から請求項６のいずれかに記載の誘電体フィルタ。
【請求項９】
前記内部導体層の共振空孔部と、前記積層型導波管の開口端部と間は、所定長さの前記内部導体層により隔てられている請求項４から請求項８のいずれかに記載の誘電体フィルタ。
【請求項１０】
前記内部導体層の共振空孔部と、前記積層型導波管の開口端部とは直結している請求項４から請求項８のいずれかに記載の誘電体フィルタ。
【請求項１１】
前記ビア導体列を作るためのビアホールが形成された前記複数の誘電体層と、前記下部導体と、前記上部導体と、前記複数の共振空孔部を持つ内部導体層とを同時焼成により一体に成形してなる請求項４から請求項１０のいずれかに記載の誘電体フィルタ。
【請求項１２】
請求項４から請求項１０に記載された誘電体フィルタを搭載した無線通信機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ミリ波帯で利用される誘電体共振器及び誘電体フィルタ並びにこの誘電体フィルタを用いた無線通信機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ミリ波帯において無線ＬＡＮなどの通信システムが検討されており、それに用いる受動素子の研究も盛んに行われている。
ミリ波帯における受動素子の課題は、小型化、低コスト化である。小型化に対して問題となっているのは、小さな寸法に対して、量産可能な加工精度が粗いということである。通常、マイクロ波帯で大量生産している技術をミリ波へ応用しようとすると部品が小さくなりすぎるため、量産可能な加工精度では、寸法のばらつきが大きくなってしまう。このため、部品の単価が高いという結果となっていた。
【０００３】
従来、ミリ波帯に用いられる積層型誘電体共振器として、図９に示すように、矩形の積層型導波管構造を持つ誘電体共振器が提案されている。この誘電体共振器は、複数の誘電体層を積層した誘電体基板１と、誘電体基板１に接触して配置された下部導体４ｂ及び上部導体４ａと、該誘電体基板１の内層に配置された矩形の共振空孔部３を持つ導体２と、下部導体４ｂと上部導体４ａとを接続するビア導体５とを備えている。前記ビア導体５により共振空孔部３を取り囲むことにより誘電体共振器が構成される。共振モードは、下部導体４ｂ及び上部導体４ａに垂直な電界が生じるＴＥ10モードである。この構造では、従来の導波管構造に比べて、小型化が達成されている。
【０００４】
また、前記誘電体共振器の入出力端子と誘電体共振器をビア導体のアイリスでつなぐことにより、入出力部の付いた積層型誘電体フィルタを構成することができる。また、同じ構造の複数の誘電体共振器をビア導体のアイリスでつなぐことで誘電体共振器間の結合を実現することもできる。
【特許文献１】特開平１０−３０３６１８号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、前記の積層型誘電体フィルタを設計する場合、ビア導体の配置がずれると共振周波数が設計値から外れる可能性がある。その共振周波数の変化が誘電体フィルタを作製するときの設計誤差となる。このため誘電体共振器に多数のビアを精度良く配置する必要がある。同様に、入出力や誘電体共振器間の結合のためのビア導体の位置も精度良く配置する必要がある。このため、無調整で歩留まり良く製作することが難しく、その結果コストがかかる問題点があった。
【０００６】
本発明は、誘電体共振器にビアがない構造をとることで、共振周波数の設計精度を大きく向上でき、また、工程を簡略化できるため低コストを実現することができる誘電体共振器及び誘電体フィルタ並びにこの誘電体フィルタを用いた無線通信機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の誘電体共振器は、下部導体と上部導体との間に配置された誘電体基板の内部導体層に共振空孔部を形成するようにして誘電体共振器を構成した。
この誘電体共振器は、ビア導体を使わずに、一層の内部導体層と上下の導体で共振空間を作ることができるため、共振周波数の高精度設計が可能であり、さらに、加工精度の向上も期待できる。内部導体層の共振空孔部は、印刷等の技術を用いて精度良く製作することが可能である。
【０００８】
前記共振空孔部の形状は円形であってもよい。
円形にした場合、共振のモードに、周方向に電界が回るＴＥ011モードを用いることが容易にできる。
本発明の誘電体フィルタは、下部導体及び上部導体と、下部導体及び上部導体間に接触して配置された、複数の誘電体層を積層した誘電体基板と、該誘電体基板の内部の少なくとも一層に設けられた、複数の共振空孔部を持つ内部導体層と、前記誘電体基板内のビア導体列により形成された積層型導波管とを具備し、前記共振空孔部は、所定の間隔を隔てて並置され、前記積層型導波管の開口端部は、前記内部導体層の複数の共振空孔部のいずれかに対向しており、前記積層型導波管により信号の入力又は出力が行われるものである。
【０００９】
この構成によれば、誘電体共振器が横方向に並列に形成されるので、高さの低い誘電体フィルタの実現が可能となる。また、誘電体フィルタへの信号の入力又は出力には、ビア導体列により形成された積層型導波管を用いるので、小型化が実現できる。
前記共振空孔部の形状は円形であってもよく、円形にした場合、共振のモードに、周方向に電界が回るＴＥ011モードを用いることが容易にできる。
【００１０】
前記ビア導体列を、前記内部導体層の共振空孔部に接近するにつれてテーパもしくはホーン状に開口径が広がる構造とすれば、前記積層型導波管と誘電体フィルタの共振部との電磁結合を、より強くすることができる。
前記ビア導体列の開口径が、前記内部導体層の共振空孔部に接近した位置でステップ状に広がる構造としても、前記と同様、前記積層型導波管と誘電体フィルタの共振部との電磁結合を、より強くすることができる。
【００１１】
前記内部導体層の共振空孔部と、前記積層型導波管の開口端部と間は、所定長さの前記内部導体層により隔てられるようにすれば、前記内部導体層の共振空孔部は、内部導体層上で閉じた空間を確保できるので、共振器のＱ値の低下を防止することができ、挿入損失を改善することができる。
また、前記内部導体層の共振空孔部と、前記積層型導波管の開口端部とが直結している構造とすれば、前記積層型導波管と、前記内部導体層の共振空孔部で作られる共振部との結合を強くすることができ、誘電体フィルタの帯域を調整することができる。
【００１２】
また本発明によれば、前記ビア導体列を作るためのビアホールが形成された前記複数の誘電体層と、前記下部導体と、前記上部導体と、前記複数の共振空孔部を持つ内部導体層とを同時焼成により一体に成形して、誘電体フィルタを製造すれば、簡単な製造工程で、安価な誘電体フィルタを製造することができる。
さらに本発明によれば、前記誘電体フィルタを無線通信機器に搭載することにより、低コスト、小型で性能の優れたミリ波レーダ、無線ＬＡＮ、ホットスポット、アドホック無線システムなどの無線通信機器を提供することができる。
【発明の効果】
【００１３】
以上のように本発明によれば、誘電体基板の両面に導体を配置し、その内部の少なくとも一層に、共振空孔部を持つ内部導体層を設けることにより、小型で高精度の構造を持った誘電体共振器を提供でき、この誘電体共振器を多層配線基板や半導体パッケージ内に設置することにより、特にミリ波帯において、低コスト、小型化、高性能化が期待できる誘電体フィルタを実現することができる。そして、それを用いた無線通信機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態を、添付図面を参照しながら詳細に説明する。
図１は、本発明の誘電体共振器の構造および電界分布を示す図である。該誘電体共振器は、特に、周方向に電界が回るＴＥ011モードを利用している。
図９に示した従来の、ビア導体を用いた単一誘電体共振器では、ＴＥ10モードを用いており、ビア導体がないと電磁界は放射してしまう。
【００１５】
図１において、誘電体共振器は、グランドとなる下部導体４ｂの上に、複数の誘電体層を積層した誘電体基板１を配置し、該誘電体基板１の上に、上部導体４ａを配置している。誘電体基板１の内部の誘電体層には、共振空孔部（以下「共振部」という）３が形成された内部メタライズ層２を配置している。共振部３は、円形形状を有し、下部導体４ｂ、上部導体４ａ、内部メタライズ層２は互いに平行に配列されている。
【００１６】
前記誘電体基板１には、例えば、ガラスエポキシ樹脂などの有機系誘電体基板１に対して、銅箔などの導体によって内部メタライズ層２が形成されたもの、または、セラミック材料などの無機系誘電体基板１に内部メタライズ層２を配置し、誘電体基板１と同時に焼成して形成されたものが用いられる。
誘電体基板１は、誘電率を高くすることで、全体構造の小型化に供することができることから、比誘電率εが４から２５と、樹脂基板に比べて高いセラミック材料を用いることが好ましい。また、セラミック材料を用いると、一般に、樹脂基板に比べて誘電損失が低いため、誘電体共振器の高Ｑ化に対して有効である。
【００１７】
前記セラミック材料としては、ガラスエポキシ樹脂などの有機系誘電体基板に対して、銅箔などの導体によって配線導体層が形成されたもの、または、セラミック材料などの無機系誘電体基板に種々の配線導体層を誘電体基板と同時に焼成して形成されたものが用いられる。
モジュールとして使用する場合、誘電体基板１は、誘電率を高くすることで、小さな面積でも充分な静電容量を得ることができ、ストリップライン長を短縮して、全体構造の小型化に供することができることから、比誘電率εが４から２５と比較的高い、セラミック材料が用いられる。
【００１８】
前記セラミック材料としては、（１）Ａｌ2Ｏ3、ＡｌＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉＣを主成分とする焼成温度が１１００℃以上のセラミック材料、（２）金属酸化物の混合物からなる１１００℃以下、特に１０５０℃以下で焼成される低温焼成セラミック材料、（３）ガラス粉末、あるいはガラス粉末とセラミックフィラー粉末との混合物からなる１１００℃以下、特に１０５０℃以下で焼成される低温焼成セラミック材料の群から選ばれる少なくとも１種が選択される。
【００１９】
前記（２）の混合物としては、ＢａＯ−ＴｉＯ2系、Ｃａ−ＴｉＯ2系、ＭｇＯ−ＴｉＯ2系等のセラミック材料が用いられ、これらのセラミック材料に、ＳｉＯ2、Ｂｉ2Ｏ3、ＣｕＯ、Ｌｉ2Ｏ、Ｂ2Ｏ3等の助剤を適宜添加したものを用いる。
前記（３）のガラス組成物としては、少なくともＳｉＯ2を含み、Ａｌ2Ｏ3、Ｂ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＰｂＯ、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属酸化物のうちの少なくとも１種以上を含有したものを用いる。具体的には、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−ＲＯ系、ＳｉＯ2−ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3−ＲＯ系、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−ＲＯ系、ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−ＲＯ系、さらにはこれらの系にＺｎＯ、ＰｂＯ、Ｐｂ、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2等を配合した組成物が挙げられる。また、ガラスとしては、焼成処理しても非晶質ガラスであるもの、また焼成処理によって、アルカリ金属シリケート、クォーツ、クリストバライト、コージェライト、ムライト、エンスタタイト、アノーサイト、セルジアン、スピネル、ガーナイト、ディオプサイド、イルメナイト、ウイレマイト、ドロマイト、ペタライトやその置換誘導体の結晶を少なくとも１種を析出する結晶化ガラスなどが用いられる。
【００２０】
また、前記（３）におけるセラミックフィラーとしては、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2（クォーツ、クリストバライト）、フォルステライト、コージェライト、ムライト、ＺｒＯ2、ムライト、フォルステライト、エンスタタイト、スピネル、マグネシア、ＡｌＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉＣ、ＭｇＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3などのチタン酸塩の群から選ばれる少なくとも１種が挙げられ、ガラス２０〜８０質量％、フィラー２０〜８０質量％の割合で混合されることが望ましい。
【００２１】
一方、内部メタライズ層２は、誘電体基板１と同時焼成して形成するために、誘電体基板１を形成するセラミック材料の焼成温度に応じて種々組み合わせられる。例えば、セラミック材料が前記（１）の場合、タングステン、モリブデン、マンガン、銅の群から選ばれる少なくとも１種を主成分とする導体材料が好適に用いられる。また、低抵抗化のために、銅などとの混合物としてもよい。セラミック材料が前記（２）（３）の低温焼成セラミック材料を用いる場合、銅、銀、金、アルミニウムの群から選ばれる少なくとも１種を主成分とする低抵抗導体材料が用いられる。
【００２２】
内部メタライズ層２を低抵抗導体によって形成できることから、前記（１）（２）の低温焼成セラミック材料によって形成することが望ましい。
この多層基板の具体的な製造方法を説明する。アルミナ、ムライト、フォルステライト、窒化アルミニウム、窒化珪素、ガラスなどをベースとして、公知の焼結助剤や高誘電率化に寄与するチタン酸塩などの化合物をこれに添加混合してセラミックグリーンシートを作成する。
【００２３】
一枚のセラミックグリーンシートの表面に内部メタライズ層２となる導体層を形成する。導体層の形成方法は、前記金属を含有する導体ペーストをセラミックグリーンシートの表面に塗布したり、前記金属からなる金属箔を貼付したりする。また、ビア導体を形成する部位には、セラミックグリーンシートに貫通孔をあけ、その貫通孔の側面に導体ペーストを塗布するか、もしくは貫通孔の全体に導体ペーストを充填する。
【００２４】
前記セラミックグリーンシートを積層し、所要の圧力と温度の下で熱圧着し、焼成する。
前記内部メタライズ層２の直径をＤとする。前記内部メタライズ層２と上部導体４ａとの間にある誘電体層の厚みをｈ1、前記内部メタライズ層２と下部導体４ｂとの間にある誘電体層の厚みをｈ2とする。前記誘電体層の厚みｈ1，ｈ2のうち、大きい方をｈとする。
【００２５】
誘電体層の厚みｈ及び誘電体の比誘電率εは、共振する周波数の高周波信号を減衰させるような値に選ばれる。詳しくいえば、誘電体基板１は、内部メタライズ層２と上部導体４ａ及び内部メタライズ層２と下部導体４ｂで挟み込まれた平行平板の構造となっている。平行平板の端から電波が飛び出さないためには、平行平板の遮断周波数ｆｃを超えない周波数領域で設計を行う必要がある。従来のマイクロ波帯では、あまり考慮する必要がなかったが、ミリ波帯では波長が短いので、誘電体層の厚みｈが厚く、比誘電率εが高い試料では、遮断周波数ｆｃを超える場合も生じる。平行平板の遮断周波数ｆｃは、次式で表される（μは誘電体の比透磁率）。
【００２６】
ｆｃ＝１／２ｈ√（με）
したがって、誘電体層の厚みｈ、比誘電率εは、使用する周波数がカットオフ周波数ｆｃを超えないように選ぶ必要がある。
この誘電体共振器は、ＴＥ011モードを利用しており、電界は、上部導体４ａ及び下部導体４ｂの表面でゼロになり、それから誘電体基板１の中央に近づくにつれて増大する。このため、内部メタライズ層２の共振部３により、効果的に電界の閉じこめを行うことができ、Ｑ値の高い共振器を構成することができる。
【００２７】
図２(a)は、本発明の誘電体フィルタ構造の一例を示す平面断面図である。また、図２(b)に本発明の誘電体フィルタの縦断面図を示す。
これらの図２(a)，図２(b)において、誘電体フィルタは、グランドとなる下部導体４ｂの上に、誘電体基板１を配置し、該誘電体基板１の上に、共振部３ａ，共振部３ｂが形成された内部メタライズ層２を設置し、誘電体基板１の上面に上部導体４ａを配置した構造となっている。前記２つの共振部３ａ，３ｂの間隔ｘを調整することによって、誘電体共振器同士の結合係数を設定する。
【００２８】
また、上部導体４ａ、下部導体４ｂ間を接続するビア導体５を２列、一定ピッチで配置して、積層型導波管６を構成している。この積層型導波管６の端部を、距離Ｅだけ離して、前記共振部３ａ，共振部３ｂに対向させている。この積層型導波管６により、誘電体フィルタへの信号の入出力を行う。
以上の構造により、２つの誘電体共振器の共振周波数差を所定の値に設定することにより、帯域通過フィルタ、帯域阻止フィルタなどの機能を持つ誘電体フィルタを構成することができる。また、帯域外に減衰極を作り出すことも可能である。
【００２９】
図３は、本発明の誘電体フィルタの他の構造例を示す平面断面図(a)、及び縦断面図(b)である。
図４は、図３の誘電体フィルタの各部の寸法を示した側断面図(a)、平面断面図(b)、及び縦断面図(c)である。
この図３、図４において、誘電体基板１の上下に上部導体４ａ、下部導体４ｂを配置し、該誘電体基板１内に、所定の間隔を隔てて複数の共振部３ａ，３ｂを持った内部メタライズ層２を設置しているところは、図２(a)，(b)と同じ構造となっている。
【００３０】
図３、図４の構造では、所望の強結合が取られるように、ビア導体５により構成される積層型導波管６の共振空孔部を広げて、共振部３ａ，共振部３ｂの近傍に設けた構造となっている。
すなわち、図３、図４の構造では、積層型導波管６の共振空孔部近くの一定長さＥにわたって、２列のビア導体５の間隔ｗを、共振部３ａに近づくにつれて間隔Ｗになるまでテーパ状に広げている。これにより、電界分布を、横方向（信号伝搬方向と直角な方向）に広げて、共振部３ａへの強い電磁結合を得ている。
【００３１】
なお、積層型導波管６の共振空孔部と共振部３ａの開口との間には、長さｅにわたって内部メタライズ層２を残している。これは、共振部３ａを平面視で閉じた空間にして、共振のＱ値を下げないようにするためである。
図５は、本発明の誘電体フィルタのさらに他の構造例を示す平面断面図(a)、及び縦断面図(b)(c)である。
【００３２】
この図５においても、図３、図４の構造と同様、入出力導波部との間に所望の強結合が取られるように、ビア導体５により構成される積層型導波管６の共振空孔部を広げて、共振部３ａ，共振部３ｂの近傍に設けた構造となっている。
ただ、図３、図４の構造では、２列のビア導体５の間隔ｗを、共振部３ａに近づくにつれて間隔Ｗになるまでテーパ状に広げていたが、この図５の構造では、積層型導波管６の共振空孔部近くの一定長さＥにわたって、２列のビア導体５の間隔がｗからＷになるようにステップ状に広げている。これにより、電界分布を、横方向（信号伝搬方向と直角な方向）に広げて、共振部３ａへの強い電磁結合を得ている。なお、この図５の構造では、積層型導波管６の共振空孔部と共振部３ａの開口との間に、内部メタライズ層２を残さずに直結している。前記間隔Ｗと、長さＥの調整により、結合量を調節することができる。これにより、共振のＱ値は少し下がるが、図３、図４と比べてさらに強い電磁結合を得ることができる。
【００３３】
以上で、本発明の実施の形態を説明したが、本発明の実施は、前記の形態に限定されるものではない。例えば、誘電体フィルタに設置される共振器の段数は２段とは限らず、任意の段数とすることができる。また、共振モードもＴＥ011モードとは限らない。その他、本発明の範囲内で種々の変更を施すことが可能である。
【実施例】
【００３４】
まず初めに６０ＧＨｚにおける単一誘電体共振器（図１）の設計を行った。共振周波数およびＱ値の解析は、軸対称構造に対するモード整合法のソフトとアンソフト社製有限要素法ソフトＨＦＳＳとを用いてそれぞれ行った。共振部の直径Ｄ＝３．０５ｍｍ、内部メタライズ層２の厚みｔ＝０．０１ｍｍ、誘電体基板１の厚みｈ＝１．８１ｍｍとしたとき、モード整合法では、共振周波数ｆ0＝６０ＧＨｚ、ＨＦＳＳでは、ｆ0＝６０．３ＧＨｚとなった。ＨＦＳＳでは、円の解析を３２角形と近似している影響である。また、電極及び導体の導電率を５．８×１０6Ｓ／ｍ、誘電体の誘電正接ｔａｎδ＝１×１０-3としたとき、単一誘電体共振器のＱ値の解析は、モード整合法では、Ｑ＝８４０、ＨＦＳＳではＱ＝７５０となった。
【００３５】
前記単一誘電体共振器の寸法を用いて、図４に示す中心周波数６０．３ＧＨｚ、帯域幅６００ＭＨｚ、２段チェビシェフ特性バンドパス誘電体フィルタの設計をＨＦＳＳにより行った。
現実では、ビア導体により積層型導波管を形成するが、ここでは、メッシュやメモリーの関係でビア導体を用いた積層型導波管の部分を通常の導波管として計算を行っている。
【００３６】
まず結合係数Ｋ12の計算を行った。その結果、誘電体共振器の間隔ｘに対する結合係数Ｋ12の変化を図６に示す。これより、ｘ＝０．５５ｍｍのとき、必要な結合係数Ｋ12＝０．０１２を得た。
次に、外部Ｑ、Ｑｅの計算をＨＦＳＳにより行った。共振器への信号の入出力は、幅ｗ, 厚さＨの積層型導波管により行い、共振器との結合部分は、図４(a)に示すようにｅ＝０．１ｍｍ、Ｅ＝１．４７５ｍｍのホーンアンテナ形状となっている。前記幅Ｗにより外部Ｑの調整を行った。Ｗに対するＱｅの変化を図７に示す。図７より、Ｗ＝２．０ｍｍのとき、必要なＱｅ＝１００を得た。
【００３７】
以上から、誘電体フィルタへの仕様を満たす設計値は、誘電体共振器間結合係数ｋ12＝０．０１２、外部Ｑ，Ｑｅ＝１００となった。
最後に、誘電体フィルタの整合状態をチェックしながらｘの値を微調整してＷ＝２．１ｍｍを得た。
以上のようにして得られた寸法を入力し、ＨＦＳＳを用いて誘電体フィルタの伝送特性Ｓパラメータを計算した。Ｓパラメータの計算結果を図８に示す。この結果より、帯域通過誘電体フィルタの所望の特性が得られることを確認し、実用化の可能性を得た。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】(a)は本発明のＴＥ011モード誘電体共振器の構造例を示す平面断面図であり、(b)は縦断面図である。
【図２】(a)は本発明の誘電体フィルタの構造例を示す平面断面図であり、(b)は縦断面図である。
【図３】(a)は本発明の誘電体フィルタの他の構造例を示す平面断面図であり、(b)及び(c)はそれぞれ縦断面図である。
【図４】図３の誘電体フィルタの寸法例を示す側断面図(a)、平面断面図(b)及び縦断面図(c)である。
【図５】(a)は本発明の誘電体フィルタのさらに他の構造例を示す平面断面図であり、(b)及び(c)はそれぞれ縦断面図である。
【図６】誘電体共振器の間隔ｘに対する結合係数ｋの変化を示すグラフである。
【図７】積層型導波管の開口幅Ｗに対するＱｅの変化を示すグラフである。
【図８】バンドパス誘電体フィルタの伝送特性のシミュレーションの結果を示すグラフである。
【図９】(a)は従来のＴＥ10モード誘電体共振器の構造を示す平面断面図であり、(b)は縦断面図である。
【符号の説明】
【００３９】
１  誘電体基板
２  内部メタライズ層
３，３ａ，３ｂ  共振部、共振空孔部
４ａ  上部電極
４ｂ  下部電極
５  ビア導体
６  積層型導波管
【図１】
2006101134.tif 000003
【図２】
2006101134.tif 000004
【図３】
2006101134.tif 000005
【図４】
2006101134.tif 000006
【図５】
2006101134.tif 000007
【図６】
2006101134.tif 000008
【図７】
2006101134.tif 000009
【図８】
2006101134.tif 000010
【図９】
2006101134.tif 000011