(57)【要約】      （修正有）【課題】改善された多波長の半導体レーザー素子の製造方法を提供する。【解決手段】上面が第１領域と第２領域とに区分された基板２１を用意し、第１半導体レーザーのためのＡｌＧａＡｓ系エピタキシャル層及びＡｌxＧａyＩｎ(1- x-y)Ｐ(０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１)からなるエッチングストップ層を順次形成し、上記基板の第２領域から上記エッチングストップ層とＡｌＧａＡｓ系エピタキシャル層を選択的に除去し、上記基板上にｎ型ＧａＡｓ平坦化バッファ層と第２半導体レーザーのためのＡｌＧａＩｎＰエピタキシャル層を順次成長し、上記ＡｌＧａＡｓ系エピタキシャル層上部に位置する上記のＡｌＧａＩｎＰ系エピタキシャル層を選択的に除去し、上記ＡｌＧａＡｓ系エピタキシャル層の上部から上記ｎ型ＧａＡｓ平坦化バッファ層と上記エッチングストップ層を順次除去し、上記ＡｌＧａＡｓ系エピタキシャル層と上記ＡｌＧａＩｎＰ系エピタキシャル層とを分離させる。【選択図】図２
2006245531.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも第１領域と第２領域とに区分された上面を有する基板を備える段階；
上記基板の上に第１半導体レーザーのためのＡｌＧａＡｓ系エピタキシャル層及びＡｌxＧａyＩｎ(1- x-y)Ｐ(０≦x≦１、０≦y≦１)からなるエッチングストップ層を順次に形成する段階；
上記基板の第２領域から上記のエッチングストップ層とＡｌＧａＡｓ系エピタキシャル層を選択的に除去する段階；
上記基板の上にｎ型ＧａＡｓ平坦化バッファ層と第２半導体レーザーのためのＡｌＧａＩｎＰエピタキシャル層を順次に成長させる段階；
上記ＡｌＧａＡｓ系エピタキシャル層の上部に位置する上記ＡｌＧａＩｎＰ系エピタキシャル層を選択的に除去する段階；
上記ＡｌＧａＡｓ系エピタキシャル層の上部から上記ｎ型ＧａＡｓ平坦化バッファ層と上記エッチングストップ層を順次に除去する段階；および
上記AlＧａＡｓ系エピタキシャル層と上記ＡｌＧａＩｎＰ系エピタキシャル層とを分離させる段階
を含む多波長半導体レーザーの製造方法。
【請求項２】
上記エッチングストップ層は不純物がドープされないことを特徴とする請求項１に記載の多波長半導体レーザーの製造方法。
【請求項３】
上記ｎ型ＧａＡｓ平坦化バッファ層は少なくとも１０オングストローム（Å）であることを特徴とする請求項１に記載の多波長半導体レーザーの製造方法。
【請求項４】
上記ｎ型ＧａＡｓ平坦化バッファ層は０．８〜１．２μｍであることを特徴とする請求項１に記載の多波長半導体レーザーの製造方法。
【請求項５】
上記ｎ型ＧａＡｓ平坦化バッファ層と上記のエッチングストップ層を順次に除去する段階は、硫酸系またはアンモニア系のエッチャントを利用し上記ｎ型ＧａＡｓ平坦化バッファ層をウェットエッチングする段階と、塩酸系またはリン酸系のエッチャントを利用し上記エチッングストップ層をウェットエッチングする段階とを含むことを特徴とする請求項１に記載の多波長半導体レーザーの製造方法。
【請求項６】
上記ＡｌＧａＡｓ系エピタキシャル層と上記ＡｌＧａＩｎＰ系エピタキシャル層を分離させる段階は、上記ＡｌＧａＡｓ系エピタキシャル層の側面に残留するｎ型ＧａＡｓ平坦化バッファ層部分を除去する段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の多波長の半導体レーザーの製造方法。
【請求項７】
上記第１及び第２半導体レーザーのための各エピタキシャル層は、各組成に該当するｎ型クラッドクラッド層、活性層及びｐ型クラッドクラッド層であることを特徴とする請求項１に記載の多波長半導体レーザーの製造方法。
【請求項８】
上記分離段階後、上記第１及び第２に半導体レーザーのための各エピタキシャル層中上記ｐ型クラッド層の上部をリッジ構造で形成する段階を含むことを特徴とする請求項７に記載の多波長半導体レーザーの製造方法。
【請求項９】
上記エッチングストップ層はＰ組成の一部がＡｓに置換された物質で構成されていることを特徴とする請求項１に記載の多波長半導体レーザーの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は多波長半導体レーザーの製造方法に関する。より詳細には、本発明は相違する波長のレーザー光を同時にまたは選択的に発振可能な多波長半導体レーザーの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、半導体レーザーは誘導放出によって増幅した光を出力する半導体素子であり、その出力光は狭い周波数幅(短波長特性)を有しながら指向性が優秀で、高出力が保障される長所を有する。このような長所により、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスクシステムの光ピックアップ裝置などのための光源として脚光を浴びている。
【０００３】
最近光ディスクの技術分野では、２個以上の相違する波長が発振できる多波長の半導体レーザーの素子が要求されている。代表的に、比較的低密度のＣＤ再生機（７８０ｎｍ）と比較的に高密度のＤＶＤ再生機（６３５ｎｍまたは６５０ｎｍ）のために使用される２波長の半導体レーザーがあり得る。
【０００４】
図１ａ〜ｆは従来の２波長の半導体レーザーの素子の製造方法を表わす工程説明図である。すなわち、ＡｌＧａＡｓ系の第１半導体レーザー（７８０ｎｍ波長光）とＡｌＧａＩｎＰ系の第２半導体レーザー（６５０ｎｍ波長光）がモノリチックで単一基板上に具現された２波長半導体レーザー素子の製造方法を説明するための図面である。
【０００５】
図１ａに示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板(１１)上に第1半導体レーザーのためのエピタキシャル層を形成する。つまり、ｎ型ＧａＡｓバッファ層(１２ａ)、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層(１３ａ)、ＡｌＧａＡｓ系活性層(１４ａ)、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層(１５ａ)、ｐ型キャップ層(１６ａ)を順次に成長させる。
【０００６】
続いて、図１ｂのように、フォトリソグラフィー工程とエッチング工程を利用し上記のエピタキシャル層(１２ａ、１３ａ、１４ａ、１５ａ、１６ａ)を選択的に除去しＧａＡｓ基板(１１)の上面の一領域を露出させる。
【０００７】
次に、図１ｃに示すように、露出されたＧａＡｓ基板(１１)の上面に第２半導体レーザーのためにエピタキシャル層を形成する。つまり、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層(１３ｂ)、ＡｌＧａＩｎＰ系活性層(１４ｂ)、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層(１５ｂ)及びｐ型キャップ層(１６ｂ)を順次に成長させるのである。
【０００８】
次に、図１ｄに示すように、追加的なフォトリソグラフィー工程とエッチング工程を利用し、上記第1半導体レーザーのエピタキシャル層(１３ａ、１４ａ、１５ａ、１６ａ)の上に第２半導体レーザーのエピタキシャル(１３ｂ、１４ｂ、１５ｂ、１６ｂ)を除去すると同時に、２個のエピタキシャル構造を分離させる。
【０００９】
次に、図１ｅに示すように,上記ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層(１５ａ)と上記ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層(１５ｂ)を通常の方法で選択的にエッチングし、電流注入の効率向上のためのリッジ溝造を形成する。
【００１０】
最後に、図１ｆに示すようにリッジが形成されたｐ型クラッド層(１５ａ、１５ｂ)の上面に誘電体物質から電流制限層(１８ａ、１８ｂ)を形成し、フォトリソグラフィー工程とエッチング工程を適用し各ｐ型のキャップ層を露出した後、露出しているｐ型キャップ層(１６ａ、１６ｂ)の上にｐ側電極(１９ａ、１９ｂ)を形成して、ＧａＡｓ基板(１１)の下面にｎ側電極(１８)を形成する。
【００１１】
このように、２個の相違する波長の半導体レーザー(１０ａ、１０ｂ)を同一基板(１１)上に形成して単一チップ形態の２波長の半導体レーザーの素子(１０)に具現することが可能になる。
【００１２】
しかし、上記の従来の２波長の半導体レーザーの製造方法からは、第１半導体のレーザーのＡｌＧａＡｓ系エピタキシャル層(１３ａ、１４ａ、１５ａ、１６ａ)とＧａＡｓ基板(１１)に高い選択性が保障されないため、図１ｂのエッチング過程において後続成長される第２半導体レーザーの成長面の基板表面が損傷され易く、これにより２次成長工程から優秀な結晶を得ることが難しくなる。
【００１３】
また、ｎ型ＧａＩｎＰバッファ（図示しない）を使用しても既に粗くなった表面上に形成されるため結晶性が大きく低下してしまい、その結果第２半導体レーザーから高い信頼性を期待し難くなる。
【００１４】
このように第２半導体レーザーのエピタキシャル層が成長される不良な表面モーフォロジ−の問題点は優秀な多波長半導体レーザーの製造において深刻な問題として受けとめられて来た。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明は上述のように従来の技術の問題点を解決するためのものであり、その目的は１次ウェットエッチング工程後、追加的にｎ型ＧａＡｓ平坦化バッファ層を導入することによりＡｌＧａＩｎＰ系エピタキシャル層のための２次成長面を改善する多波長半導体レーザーの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記の技術的な課題を解決するため、本発明は少なくとも第１領域と第２領域とに区分された上面を有する基板を用意する段階と、上記基板の上に第１半導体レーザーのためのＡｌＧａＡｓ系エピタキシャル層及びＡｌxＧａyＩｎ(1- x-y)Ｐ(０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１)からなるエッチングストップ層を順次形成する段階と、上記基板の第２領域から上記エッチングストップ層とＡｌＧａＡｓ系エピタキシャル層を選択的に除去する段階と、上記基板の上にｎ型ＧａＡｓ平坦化バッファ層と第２半導体レーザーのためのＡｌＧａＩｎＰエピタキシャル層を順次成長させる段階と、上記ＡｌＧａＡｓ系エピタキシャル層の上部に位置している上記のＡｌＧａＩｎＰ系エピタキシャル層を選択的に除去する段階と、上記ＡｌＧａＡｓ系エピタキシャル層の上部から上記ｎ型ＧａＡｓ平坦化バッファ層と上記エッチングストップ層を順次除去する段階と、上記ＡｌＧａＡｓ系エピタキシャル層と上記ＡｌＧａＩｎＰ系エピタキシャル層が分離する段階を含む多波長半導体レーザーの製造方法を提供する。
【００１７】
望ましくは、上記のエッチングストップ層は不純物がドープされていない層を使用し、上記ｎ型ＧａＡｓ平坦化バッファ層は少なくとも１０オングストローム（Å）の厚さのものが望ましい。２次エピタキシャル層の成長面を充分に平坦化させるため、上記平坦化バッファ層は０．８〜１．２μｍの厚さのものがより望ましい。
【００１８】
本発明の望ましい実施形態において、上記ｎ型ＧａＡｓ平坦化バッファ層と上記エッチングストップ層を順次に除去する段階は,硫酸系またはアンモニア系エッチャントを利用し上記ｎ型ＧａＡｓ平坦化バッファ層をウェットエッチングする段階と、塩酸系またはリン酸系エッチャントを利用して上記エッチングストップをウェットエッチングする段階を含む。
【００１９】
上記ＡｌＧａＡｓ系エピタキシャル層と上記ＡｌＧａＩｎＰ系エピタキシャル層とを分離させる段階において、上記ＡｌＧａＡｓ系エピタキシャル層の側面に上記ｎ型ＧａＡｓ平坦化バッファ層一部が残留した場合、そのＧａＡｓ平坦化バッファ層部分を完全に除去することが望ましい。
【００２０】
具体的に、上記第1及び第２半導体レーザーのための各エピタキシャル層は、各組成に該当するｎ型クラッド層、活性層またｐ型クラッド層であることも可能である。この場合、上記分離段階の後、上記第１及び第２半導体レーザーのための各エピタキシャル層の中上記ｐ型クラッド層の上部をリッジ構造で形成する段階を含むことが可能である。
【００２１】
本発明は１次ウェットエッチングした後ｎ型ＧａＡｓ平坦化バッファ層をさらに形成しその表面を改善することにその特徴がある。また、本発明は第１半導体レーザーのエピタキシャル層の部分の上に位置するＧａＡｓ平坦化バッファ層を選択的に除去するための方法として、１次エピタキシャル層の成長時にそのエピタキシャル層の上部にＡｌxＧａyＩｎ(1- x-y)Ｐ(０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１)からなるエッチングストップ層を追加で形成する方法を提供する。
【発明の効果】
【００２２】
上述したように、本発明によると、ｎ型ＧａＡｓ平坦化バッファ層と共に第１発光部の上にＡｌxＧａyＩｎ(1- x-y)Ｐ(０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１)からなるエッチングストップ層を導入するにことより、優秀な結晶性を有するＡｌＧａＩｎＰ系のエピタキシャル層を得ることが可能でＡｌＧａＡｓ系のエピタキシャル層の上部にある不必要なｎ型ＧａＡｓ平坦化バッファ層を上記のエッチングストップ層を利用して容易に除去することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、添付の図面を参照して、本発明をより詳細に説明する。
図２ａないし図２ｈは本発明の一実施形態による２波長半導体レーザーの製造方法を説明するための工程断面図である。単一基板(２１)の上に７８０ｎｍ波長の第１半導体レーザーと６５０ｎｍ波長の第２半導体レーザーが具現された２波長の半導体レーザー素子の製造方法を説明するための図面である。
【００２４】
図２ａに示すように、基板(２１)の上に第１半導体レーザーのためのＡｌＧａＡｓ系エピタキシャル層(２２ａ、２３ａ、２４ａ、２５ａ、２６ａ)及びＡｌxＧａyＩｎ(1- x-y)Ｐ(０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１)からなるエッチングストップ層(２７ａ)を順次に形成する段階を含む。上記基板(２１)はｎ型ＧａＡｓ基板として、少なくとも２個の半導体レーザーが形成される第１領域と第２領域とに区分された上面を有する。本１次の成長工程、すなわち上記ＡｌＧａＡｓ系エピタキシャル層の成長工程はｎ型ＧａＡｓバッファ層(２２ａ)、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層(２３ａ)、ＧａＡｓ系活性層(２４ａ)、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層(２５ａ)、ｐ型キャップ層(２６ａ)を順次に成長させる過程から実施される。ここで、上記のエッチングストップ層(２７ａ)は後続工程において形成されるＧａＡｓ平坦化バッファ層を容易に除去するために採用され、特定の導電型の不純物により他の層に影響を及ぼすことを防止するために、不純物にドープされないのが望ましい。上記エッチングストップ層はウェットエッチング工程時にＧａＡｓ系と選択性が保障される範囲でＰ組成の一部がＡｓに置換されることも可能である。
【００２５】
次に、図２ｂに示すように、上記基板(２１)の第２領域、つまり第２半導体レーザーが形成される領域から上記エッチングストップ層(２７ａ)とＡｌＧａＡｓ系エピタキシャル層(２２ａ、２３ａ、２４ａ、２５ａ、２６ａ)を順次に除去する。本工程はフォトリソグラフィー工程とこれを利用した選択的なウェットエッチング工程で成るものであってもよい。ここで、ウェットエッチングは塩酸系またはリン酸系エッチャントを利用する上記エッチングストップ層(２７ａ)の選択的なウェットエッチング過程と、硫酸系またはアンモニア系エッチャントを利用する上記ＡｌＧａＡｓ系エピタキシャル層(２２ａ、２３ａ、２４ａ、２５ａ、２６ａ)の選択的なウェットエッチング工程で成るものであってもよい。
【００２６】
次に、図２ｃに示すように、上記基板(２１)の上にｎ型ＧａＡｓ平坦化バッファ層(２２ｂ)と第２半導体レーザーのためのＡｌＧａＩｎＰエピタキシャル１層(２３ｂ、２４ｂ、２５ｂ、２６ｂ)を順次に成長させる。上記ＡｌＧａＩｎＰ系エピタキシャル層の２次成長工程の前にウェットエッチングされた第２領域の表面状態を改善するために、ｎ型平坦化バッファ層(２２ｂ)をさらに形成する。上記ｎ型ＧａＡｓ平坦化バッファ層(２２ｂ)は損傷された表面に少なくとも１０Åの厚さで成長させることが可能である。上記バッファ層(２２ｂ)は０．８μｍ以上の厚さで形成させる場合に充分な平坦化効果が期待され、１．２μｍの厚さを超過すると２つのレーザーの活性層の位置が整列し難くなり兼ねないため、約０．８〜１．２μｍの厚さで形成することがより望ましい。
【００２７】
上記ｎ型ＧａＡｓ平坦化バッファ層(２２ｂ)の上に後続成長されるＡｌＧａＩｎＰエピタキシャル層(２３ｂ、２４ｂ、２５ｂ、２６ｂ)は平坦化された良質の成長面を基に成長されるため、優秀な結晶性を有することが出来る。また、本工程で成長されるＡｌＧａＩｎＰエピタキシャル層はｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層(２３ｂ)、ＧａＩｎＰ系活性層(２４ｂ)、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層(２５ｂ)及びｐ型キャップ層(２６ｂ)を含むことが可能で、所望の基板(２１)の第２領域だけではなく第１半導体レーザーのために残留したＡｌＧａＡｓエピタキシャル層(２２ａ、２３ａ、２４ａ、２５ａ、２６ａ)の上にも形成される。
【００２８】
次に、図２ｄに示すように、上記ＡｌＧａＡｓ系エピタキシャル層(２２ａ、２３ａ、２４ａ、２５ａ、２６ａ)の上に位置する上記ＡｌＧａＩｎＰ系エピタキシャル層(２３ｂ、２４ｂ、２５ｂ、２６ｂ)を選択的に除去する。本工程はリフトオフ工程により実施され得る。本工程により第１及び第２領域のエピタキシャル層はある程度分離可能であるが、電気的に完全に分離されない場合もある。本発明ではｎ型ＧａＡｓ平坦化バッファ層(２２ｂ)が存在するため、ＡｌＧａＩｎＰ系エピタキシャル層(２３ｂ、２４ｂ、２５ｂ、２６ｂ)のエッチング工程で除去されない場合もある。これは図２ｆに示すように、追加的な素子の分離工程によって完全に除去される。これに関しては後述することにする。
【００２９】
次に、上記ＡｌＧａＡｓ系エピタキシャル層(２３ａ、２４ａ、２５ａ、２６ａ)の上部から上記ｎ型ＧａＡｓ平坦化バッファ層(２２ｂ)と上記エッチングストップ層(２７ａ)を順次に除去する段階を実施する。
【００３０】
本段階は図２ｅに示すように、塩酸系またはリン酸系のエッチャントを利用し上記ｎ型ＧａＡｓ平坦化バッファ層をウェットエッチングする。この場合、本発明では１次成長されたＡｌＧａＡｓ系エピタキシャル層(２３ａ、２４ａ、２５ａ、２６ａ)の上にＡｌxＧａyＩｎ(1- x-y)Ｐ(０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１)で構成されたエッチングストップ層(２７ａ)が形成され、ＡｌＧａＡｓ系エピタキシャル層(２３ａ、２４ａ、２５ａ、２６ａ)の損傷を防止することが可能である。
【００３１】
次に、図２ｆに示すように、上記エッチングストップ層(２７ａ)をウェットエッチングし、上記ＡｌＧａＡｓ系エピタキシャル層(２３ａ、２４ａ、２５ａ、２６ａ)と上記ＡｌＧａＩｎＰ系エピタキシャル層(２３ｂ、２４ｂ、２５ｂ、２６ｂ)が完全に分離されるようその間の領域を追加的にエッチングする。ＡｌＧａＩｎＰエッチングストップ層に対するウェットエッチングはＡｌＧａＡｓと高い選択性を有する塩酸系もしくはリン酸系のエッチャントを利用してＡｌＧａＡｓ系エピタキシャル層(２３ａ、２４ａ、２５ａ、２６ａ)の損傷なく実施されることが可能である。また、上記ＡｌＧａＡｓ系 エピタキシャル層(２３ａ、２４ａ、２５ａ、２６ａ)と上記ＡｌＧａＩｎＰ系エピタキシャル層(２３ｂ、２４ｂ、２５ｂ、２６ｂ)を完全に分離させる工程は上記ＡｌＧａＡｓ系エピタキシャル層(２３ａ、２４ａ、２５ａ、２６ａ)の側面に残留するｎ型ＧａＡｓ平坦化バッファ層(２２ｂ)の部分を除去する段階を含むことが可能である。
【００３２】
次に、図２ｇに示すように、当業界に公知の方法を利用して上記ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層(２５ａ)と上記ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層(２５ｂ)を選択的にエッチングし、リッジ構造を形成する。図２ａ及び図２ｃに図示され説明はしていないが、上記ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層(２５ａ)と上記ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層(２５ｂ)の各々にリッジ形成時に除去される領域を定義する深さに追加的なエッチングストップ層を形成することにより容易に実施し得る。
【００３３】
最終的に、図２ｈに示すように、リッジが形成されたｐ型クラッド層(２５ａ、２５ｂ)の上面に誘電体の物質で電流制限層(２８ａ、２８ｂ)を形成し、フォトリソグラフィー工程とエッチング工程を適用して各ｐ型キャップ層(２６ａ、２６ｂ)を露出させた後、露出されたｐ型キャップ層(２６ａ、２６ｂ)とＧａＡｓ基板(２１)の下面に各々ｐ側電極(２９ａ、２９ｂ)とｎ側電極(２９ｃ)を形成する。一般的に上記のｐ側電極(２９ａ、２９ｂ)はＴｉ、Ｐｔ、Ａｕまたはその合金であることも可能であり、ｎ側電極(２９ｃ)はＡｕ/Ｇｅ、Ａｕ、Ｎｉまたはその合金であることが可能である。
【００３４】
図３ａ及び図３ｂは各々従来の２次の成長工程時に提供される基板の表面(図１ｂ)と本発明において２次の成長工程時に提供される基板の表面(図２ｂにおいてｎ型ＧａＡｓ平坦化バッファ層(２２ｂ)が形成された形態)を撮影した原子間力顕微鏡（ＡＦＭ；Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ)写真である。本ＡＦＭ写真では、明るさの差が高さの差を表わす。
【００３５】
図３ａから確認されるように、従来の工程により得られた基板の表面は明るさの差が大きく非常に不規則である。これはすでに説明した通り、１次のウェットエッチング工程により損傷された結果を表わす。実際、図３ａの基板表面は二乗平均平方根（ＲＭＳ；Ｒｏｏｔ  Ｍｅａｎ  Ｓｑｕａｒｅ)の粗さが５〜１０Åであった。
【００３６】
これに対し、図３ｂを參照すると、本発明から得られた基板の表面は比較的に明るさの差が少なくむらが出来ている部分が減少していることが確認される。これは２次のウェットエッチング後にｎ型ＧａＡｓ平坦化バッファ層をさらに形成したからである。実際に図３ｂの基板の表面ＲＭＳの粗さは図３ａのときより相当減少された約２．０Åと測定された。
【００３７】
このようなｎ型ＧａＡｓ平坦化バッファ層は図２ａないし図２ｈで説明されたように、１次成長工程時にＡｌＧａＡｓ系エピタキシャル層の上に追加的にＡｌxＧａyＩｎ(1- x-y)Ｐ(０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１)からなるエッチングストップ層を使用したからである。より具体的にｎ型ＧａＡｓ平坦化バッファ層をＡｌxＧａyＩｎ(1- x-y)Ｐ(０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１)で構成されたエッチングストップ層無しで形成する場合、エッチング率の差が殆どないｐ型ＧａＡｓキャップ層の上に形成されるため、第１発光部の上からｎ型ＧａＡｓ平坦化バッファ層だけを選択的に除去するのが非常に難しくなる。しかし、本発明ではＡｌＧａＡｓエピタキシャル層の上にＡｌxＧａyＩｎ(1- x-y)Ｐ(０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１)からなるエッチングストップ層を形成することにより２次のエピタキシャル層の成長のために採用されたｎ型ＧａＡｓ平坦化バッファ層をＡｌＧａＡｓ系エピタキシャル層の上から容易に除去することが可能となる。
【００３８】
このように、本発明は上述の実施形態及び添附した図面により限定されるのでなく、添付された請求範囲により限定されるものである。従って、請求範囲に記載された本発明の技術的な思想から外れない範囲内で当技術分野において通常の知識を有する者により多様な形態の置換、変形及び変更が可能で、これらもまた本発明の範囲に入ると言えるのである。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
以上のように、本発明の多波長半導体レーザーの製造方法は、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスクシステムの光ピックアップ裝置などのための光源として使用される多波長半導体レーザーの製造方法として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】従来の２波長半導体レーザーの製造方法を説明するための工程断面図である。
【図２】本発明の一実施形態による２波長半導体レーザーの製造方法を説明するための工程断面図である。
【図３】従来の製造方法と本発明の製造方法において２次成長工程のために提供される表面を撮影したＡＦＭ写真である。
【符号の説明】
【００４１】
１０ａ、２０ａ  第１半導体レーザー
１０ｂ、２０ｂ  第２半導体レーザー
１１、２１  基板
１２ａ、２２ａ  ｎ型ＧａＡｓバッファ層
１３ａ、２３ａ  ｎ型AlＧａＡｓクラッド層
１３ｂ、２３ｂ  ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層
１４ａ、２４ａ  ＡｌＧａＡｓ系活性層
１４ｂ、２４ｂ  ＡｌＧａＩｎＰ系活性層
１５ａ、２５ａ  ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層
１５ｂ、２５ｂ  ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクレッド層
１６ａ、２６ａ  ｐ型ＧａＡｓキャップ層
１６ｂ、２６ｂ  ｐ型ＧａＩｎＰキャップ層
２２ｂ  ｎ型平坦化バッファ層
２７ａ  ＡｌＧａＩｎＰエッチングストップ層
【図１】
2006245531.tif 000003
【図２】
2006245531.tif 000004
【図３】
2006245531.tif 000005