(57)【要約】【課題】本発明は、低抵抗で、かつ可視光を透過する上部電極を有するトップエミッション方式の有機ＥＬ素子を提供することを目的とする。【解決手段】陰極として機能する下部電極の上に、電子輸送層、発光層、ホール注入層、陽極として機能する上部電極を順次形成してなるトップエミッション方式の有機ＥＬ素子において、可視光を透過する上部電極を下部電極側より、透明電極層、金属電極層及び透明電極層を順次積層して形成する。【特許請求の範囲】
【請求項１】
陰極として機能する下部電極の上に、電子輸送層、発光層、ホール注入層、陽極として機能する上部電極を順次形成してなる有機ＥＬ素子において、前記上部電極は、可視光を透過するものであり、
前記上部電極は前記下部電極側より、透明電極層（以下「下段透明電極層」ともいう）、金属電極層（以下「中段透明電極 金属層」ともいう）及び透明電極層（以下「上段透明電極層」ともいう）を順次積層して形成されていることを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項２】
前記下段透明電極層及び前記上段透明電極層はＩＴＯ（インジウム錫酸化物）を材料として形成され、
前記中段透明金属層はＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｐｔ（プラチナ）、Ｔｉ（チタン）又はＴａ（タンタル）のいずれかを材料として形成されていることを 特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項３】
前記下段透明電極層はＩＴＯ（インジウム錫酸  化物）を材料として形成され、
前記中段透明金属層はＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｐｔ（プラチナ）、Ｔｉ（チタン）又はＴａ（タンタル）のいずれかを材料として形成され、
前記上段透明電極層はＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）を材料として形成されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項４】
前記下段透明電極層はＩＺＯ（酸化インジウム 亜鉛）を材料として形成され、
前記中段透明金属層はＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｐｔ（プラチナ）、Ｔｉ（チタン）又はＴａ（タンタル）のいずれかを材料として形成され、
前記上段透明電極層はＩＴＯ（インジウム錫酸化物）を材料として形成されていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項５】
前記下段透明電極層及び前記上段透明電極層はＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）を材料として形成され、
前記中段透明金属層はＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｐｔ（プラチナ）、Ｔｉ（チタン）又はＴａ（タンタル）のいずれかを材料として形成されていることを 特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項６】
前記下段透明電極層の膜厚は５０Å以上１０００Å以下であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかの一に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項７】
前記下段透明電極層の膜厚は１００Å以上５００Å以下であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかの一に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項８】
前記中段透明金属層の膜厚は１０Å以上２００Å以下であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかの一に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項９】
前記中段透明金属層の膜厚は３０Å以上１５０Å以下であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかの一に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項１０】
前記上段透明電極層の膜厚は１００Å以上２０ ００Å以下であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかの一に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項１１】
前記下段透明電極層の膜厚は１００Å以上５００Å以下であり、
前記中段透明金属層の膜厚は３０Å以上１５０Å以下であり、
前記上段透明電極層の膜厚は１００Å以上２０００Å以下であることを 特徴とする請求項１乃至５のいずれかの一に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項１２】
前記下段透明電極層の膜厚は５０Å以上１０００Å以下であり、
前記中段透明金属層の膜厚は１０Å以上２００Å以下であり、
前記上段透明電極層の膜厚は１００Å以上２０００Å以下であることを 特徴とする請求項１乃至５のいずれかの一に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項１３】
陽極として機能する前記下部電極の上に、電子輸送層、発光層、ホール注入層、陰極として機能する前記上部電極を順次形成してなる有機ＥＬ素子において、前記上部電極は、可視光を透過するものであり、
前記上部電極は前記下部電極側より、前記下段透明電極層、前記中段透明電極金属層及び前記上段透明電極層を順次積層して形成されていることを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項１４】
前記下段透明電極層及び前記上段透明電極層はＩＴＯ（インジウム錫酸化物）を材料として形成され、
前記中段透明金属層はＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｐｔ（プラチナ）、Ｔｉ（チタン）又はＴａ（タンタル）のいずれかを材料として形成されていることを 特徴とする請求項１１に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項１５】
前記下段透明電極層はＩＴＯ（インジウム錫酸  化物）を材料として形成され、
前記中段透明金属層はＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｐｔ（プラチナ）、Ｔｉ（チタン）又はＴａ（タンタル）のいずれかを材料として形成され、
前記上段透明電極層はＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）を材料として形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項１６】
前記下段透明電極層はＩＺＯ（酸化インジウム 亜鉛）を材料として形成され、
前記中段透明金属層はＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｐｔ（プラチナ）、Ｔｉ（チタン）又はＴａ（タンタル）のいずれかを材料として形成され、
前記上段透明電極層はＩＴＯ（インジウム錫酸化物）を材料として形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項１７】
前記下段透明電極層及び前記上段透明電極層はＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）を材料として形成され、
前記中段透明金属層はＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｐｔ（プラチナ）、Ｔｉ（チタン）又はＴａ（タンタル）のいずれかを材料として形成されていることを 特徴とする請求項１１に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項１８】
前記下段透明電極層の膜厚は５０Å以上１０００Å以下であることを特徴とする請求項１３乃至１７のいずれかの一に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項１９】
前記下段透明電極層の膜厚は１００Å以上５００Å以下であることを特徴とする請求項１３乃至１７のいずれかの一に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項２０】
前記中段透明金属層の膜厚は１０Å以上２００Å以下であることを特徴とする請求項１３乃至１７のいずれかの一に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項２１】
前記中段透明金属層の膜厚は３０Å以上１５０Å以下であることを特徴とする請求項１３乃至１７のいずれかの一に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項２２】
前記上段透明電極層の膜厚は１００Å以上２０００Å以下であることを特徴とする請求項１３乃至１７のいずれかの一に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項２３】
前記下段透明電極層の膜厚は１００Å以上５００Å以下であり、
前記中段透明金属層の膜厚は３０Å以上１５０Å以下であり、
前記上段透明電極層の膜厚は１００Å以上２０００Å以下であることを 特徴とする請求項１３乃至１７のいずれかの一に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項２４】
前記下段透明電極層の膜厚は５０Å以上１０００Å以下であり、
前記中段透明金属層の膜厚は１０Å以上２００Å以下であり、
前記上段透明電極層の膜厚は１００Å以上２０００Å以下であることを 特徴とする請求項１３乃至１７のいずれかの一に記載の有機ＥＬ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（エレクトロルミネッサンス）素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子は、自己発光素子であるために、視認性に優れ、薄型ディスプレイのみならず、照明器具としての活用が期待されている。このような有機ＥＬ素子は、基板の上にＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明電極を陽極とし、そしてその上に、有機ＥＬ材料からなる発光層、そして上部に金属膜からなる層を陰極として、発光は下部電極側からさせるボトムエミッション構造が一般的である。このような一般的な構成に対して、上部電極をＩＴＯ等の透明電極とし、その下に、発光層、そして下部電極を設けて発光層からの光を上部電極側から取り出す構成とするトップエミッション構造がある。
また、有機ＥＬ素子を表示装置として使用する場合の画素を駆動する方式としては、パッシブマトリックス方式とアクティブマトリックス方式とがあるが、アクティブマトリックス方式は個々の画素を独立に同時に駆動できる点等においてすぐれている。このアクティブマトリックス方式を採用して、画面の大きい、表示装置を製造する場合には各画素を駆動するためのＴＦＴ（Thin Film Transistor）を下部基板上に形成する必要がある。ここで、ボトムエミッション構造において、このＴＦＴを下部基板上に形成すると、ＴＦＴの存在によって光の取り出し効率が 阻害されてしまう。この点、トップエミッション構造を採用した場合には、下部基板上にＴＦＴを形成しても発光効率が阻害されることはない。
【非特許文献１】有機EL材料とディスプレイ  城戸淳二監修  株式会社シーエム出版
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、表示画面の大きな表示装置を有機ＥＬ素子のトップエミッション構造で、かつアクティブマトリックス方式を採用しようとすると、上部電極における配線が長くなり、配線抵抗値を下げることが必要となってくる。一方、トップエミッション構造であることより、上部電極は透明であることも必要である。よって、透明性を維持しつつ、上部電極の抵抗値を下げることが 課題となり低抵抗透明電極を作成することが課題となる。
そこで、本発明は、低抵抗で、かつ可視光を 透過する上部電極を有するトップエミッション方式の有機ＥＬ素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
前記目的を達成するために、請求項１に記載の発明では、陰極として機能する下部電極の上に、電子輸送層、発光層、ホール注入層、陽極として機能する上部電極を順次形成してなる有機ＥＬ素子において、前記上部電極は、可視光を透過するものであり、
前記上部電極は前記下部電極側より、透明電極層、金属電極層及び透明電極層を順次積層して形成されていることを特徴とする。
【０００５】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の 有機ＥＬ素子に係り、前記下段透明電極層及び前記上段透明電極層はＩＴＯ（インジウム錫酸化物）を材料として形成され、
前記中段透明金属層はＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｐｔ（プラチナ）、Ｔｉ（チタン）又はＴａ（タンタル）のいずれかを材料として形成されていることを 特徴としている。
【０００６】
また、請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の 有機ＥＬ素子に係り、前記下段透明電極層はＩＴＯ（インジウム錫酸化物）を材料として形成され、
前記中段透明金属層はＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｐｔ（プラチナ）、Ｔｉ（チタン）又はＴａ（タンタル）のいずれかを材料として形成され、
前記上段透明電極層はＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）を材料として形成されていることを特徴とする。
【０００７】
また、請求項４に記載の発明は、請求項１に記載の 有機ＥＬ素子に係り、前記下段透明電極層はＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）を材料として形成され、
前記中段透明金属層はＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｐｔ（プラチナ）、Ｔｉ（チタン）又はＴａ（タンタル）のいずれかを材料として形成され、
前記上段透明電極層はＩＴＯ（インジウム錫酸化物）を材料として形成されていることを特徴としている。
【０００８】
また、請求項５に記載の発明は、請求項１に記載の 有機ＥＬ素子に係り、  前記下段透明電極層及び前記上段透明電極層はＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）を材料として形成され、
前記中段透明金属層はＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｐｔ（プラチナ）、Ｔｉ（チタン）又はＴａ（タンタル）のいずれかを材料として形成されていることを 特徴としている。
【０００９】
また、請求項６に記載の発明は、請求項１乃至５のいずれかの一に記載の有機ＥＬ素子に係り、前記下段透明電極層の膜厚は５０Å以上１０００Å以下であることを特徴としている。
【００１０】
また、請求項７に記載の発明は、請求項１乃至５のいずれかの一に記載の有機ＥＬ素子に係り、前記下段透明電極層の膜厚は１００Å以上５００Å以下であることを特徴としている。
【００１１】
また、請求項８に記載の発明は、請求項１乃至５のいずれかの一に記載の有機ＥＬ素子に係り、前記中段透明金属層の膜厚は１０Å以上２００Å以下であることを特徴としている。
【００１２】
また、請求項９に記載の発明は、請求項１乃至５のいずれかの一に記載の有機ＥＬ素子に係り、前記中段透明金属層の膜厚は３０Å以上１５０Å以下であることを特徴としている。
【００１３】
また、請求項１０に記載の発明は、請求項１乃至５のいずれかの一に記載の有機ＥＬ素子に係り、前記上段透明電極層の膜厚は１００Å以上２０００Å以下であることを特徴としている。
【００１４】
また、請求項１１に記載の発明は、請求項１乃至５のいずれかの一に記載の有機ＥＬ素子に係り、前記下段透明電極層の膜厚は１００Å以上５００Å以下であり、
前記中段透明金属層の膜厚は３０Å以上１５０Å以下であり、
前記上段透明電極層の膜厚は１００Å以上２０００Å以下であることを 特徴としている。
【００１５】
また、請求項１２に記載の発明は、請求項１乃至５のいずれかの一に記載の有機ＥＬ素子に係り、前記下段透明電極層の膜厚は５０Å以上１０００Å以下であり、
前記中段透明金属層の膜厚は１０Å以上２００Å以下であり、
前記上段透明電極層の膜厚は１００Å以上２０００Å以下であることを 特徴としている。
【００１６】
また、請求項１３に記載の発明は、陽極として機能する前記下部電極の上に、電子輸送層、発光層、ホール注入層、陰極として機能する前記上部電極を順次形成してなる有機ＥＬ素子において、前記上部電極は、可視光を透過するものであり、
前記上部電極は前記下部電極側より、前記下段透明電極層、前記中段透明電極金属層及び前記上段透明電極層を順次積層して形成されていることを特徴としている。
【００１７】
また、請求項１４に記載の発明は、請求項１３に記載の有機ＥＬ素子に係り、前記下段透明電極層及び前記上段透明電極層はＩＴＯ（インジウム錫酸化物）を材料として形成され、
前記中段透明金属層はＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｐｔ（プラチナ）、Ｔｉ（チタン）又はＴａ（タンタル）のいずれかを材料として形成されていることを 特徴としている。
【００１８】
また、請求項１５に記載の発明は、請求項１３に記載の有機ＥＬ素子に係り、前記下段透明電極層はＩＴＯ（インジウム錫酸化物）を材料として形成され、
前記中段透明金属層はＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｐｔ（プラチナ）、Ｔｉ（チタン）又はＴａ（タンタル）のいずれかを材料として形成され、
前記上段透明電極層はＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）を材料として形成されていることを特徴としている。
【００１９】
また、請求項１６に記載の発明は、請求項１３に記載の有機ＥＬ素子に係り、前記下段透明電極層はＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）を材料として形成され、
前記中段透明金属層はＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｐｔ（プラチナ）、Ｔｉ（チタン）又はＴａ（タンタル）のいずれかを材料として形成され、
前記上段透明電極層はＩＴＯ（インジウム錫酸化物）を材料として形成されていることを特徴としている。
【００２０】
また、請求項１７に記載の発明は、請求項１３に記載の有機ＥＬ素子に係り、前記下段透明電極層及び前記上段透明電極層はＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）を材料として形成され、
前記中段透明金属層はＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｐｔ（プラチナ）、Ｔｉ（チタン）又はＴａ（タンタル）のいずれかを材料として形成されていることを 特徴としている。
【００２１】
また、請求項１８に記載の発明は、請求項１３に記載の有機ＥＬ素子に係り、前記下段透明電極層の膜厚は５０Å以上１０００Å以下であることを特徴としている。
【００２２】
また、請求項１９に記載の発明は、請求項１３に記載の有機ＥＬ素子に係り、前記下段透明電極層の膜厚は１００Å以上５００Å以下であることを特徴としている。
【００２３】
また、請求項２０に記載の発明は、請求項１３に記載の有機ＥＬ素子に係り、前記中段透明金属層の膜厚は１０Å以上２００Å以下であることを特徴としている。
【００２４】
また、請求項２１に記載の発明は、請求項１３に記載の有機ＥＬ素子に係り、前記中段透明金属層の膜厚は３０Å以上１５０Å以下であることを特徴としている。
【００２５】
また、請求項２２に記載の発明は、請求項１３に記載の有機ＥＬ素子に係り、前記上段透明電極層の膜厚は１００Å以上２０００Å以下であることを特徴としている。
【００２６】
また、請求項２３に記載の発明は、請求項１３に記載の有機ＥＬ素子に係り、前記下段透明電極層の膜厚は１００Å以上５００Å以下であり、
前記中段透明金属層の膜厚は３０Å以上１５０Å以下であり、
前記上段透明電極層の膜厚は１００Å以上２０００Å以下であることを 特徴としている。
【００２７】
また、請求項２４に記載の発明は、請求項１３に記載の有機ＥＬ素子に係り、前記下段透明電極層の膜厚は５０Å以上１０００Å以下であり、
前記中段透明金属層の膜厚は１０Å以上２００Å以下であり、
前記上段透明電極層の膜厚は１００Å以上２０００Å以下であることを 特徴としている。
【発明の効果】
【００２８】
請求項１に記載の発明によれば、陽極として機能する上部電極から光を取り出せるトップエミッション方式の有機ＥＬ素子において、上部電極の抵抗値を約1桁低減できることにより、トップエ   ミッション方式の有機ＥＬ素子を大面積を有する面光源として形成し、高輝度発光させた場合であっても、発熱量を低減でき、上部透明電極に亀裂が生じるという課題を解決できる。
【００２９】
また、請求項２乃至１１に記載の発明によっても、請求項１に記載の発明と同様の効果を得られる。
【００３０】
また、請求項１２に記載の発明によれば、請求項１に 記載の発明と同様の効果を得られるとともに、透明度の劣化を少なくできる。
【００３１】
また、請求項１３に記載の発明によれば、陰極として 機能する上部電極から光を取り出せるトップエミッション方式の有機ＥＬ素子においても、上部電極の抵抗値を約1桁低減できることにより、トップエミッション方式の有機ＥＬ素子を大面積を有する面光源として形成し、高輝度発光させた場合であっても、発熱量を低減でき、上部透明電極に亀裂が生じるという課題を解決できる。
【００３２】
また、請求項１４乃至２２に記載の発明によっても、請求項１３に記載の発明と同様の効果を得られる。
【００３３】
また、請求項２３に記載の発明によれば、請求項１３に記載の発明と同様の効果を得られるとともに、透明度の劣化を少なくできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、図を参照しつつ、発明を実施するための最良の形態につき説明する。
【００３５】
（実施の形態１）
実施の形態１はトップエミッション方式の有機ＥＬ素子において、下部電極を陽極として、上部電極に陰極として機能する３層構造による透明電極を構成する。以下、図に基づいて説明する。
【００３６】
図１は本発明の実施の形態１に係る有機ＥＬ素子の構成の概略を示す断面図である。
図１において、１００は実施の形態１に係るトップエミッション方式の有機ＥＬ素子である。１０８は基板である。１０７は陽極として機能する下部電極である。１０６はホール輸送層である。１０５は発光層である。１０４は電子輸送層である。１０９は陰極として機能する上部電極である。１０３は下段透明電極層である。１０２は中段透明電極金属層である。１０１は上段透明電極層である。
【００３７】
本実施の形態１の有機ＥＬ素子は、基板１０８の上に、陽極として機能する下部電極１０７が形成されている。下部電極１０７はＩＴＯまたはＩＺＯでスパッタ法により成膜して形成する。下部電極１０７の上には、有機ＥＬ材料からなるホール輸送層１０６、発光層１０５、電子輸送層１０４が形成されている。これらホール輸送層１０６、発光層１０５、電子輸送層１０４は一般的な有機ＥＬ素子に用いられるホール輸送性材料、電子輸送性材料、蛍光色素等により形成する。電子輸送層１０４の上には上部電極１０９が形成され、上部電極１０９は下部 電極側から、下段透明電極層１０３、中段透明電極金属層１０２そして上段透明電極層１０１を順次に積層した3層構造で構成されている。本実施の形態の有機ＥＬ素子の主たる特徴はこの上部電極の構成にある。下段透明 電極層１０３はスパッタ法によりＩＴＯまたはＩＺＯを成膜して形成する。下段透明電極層１０３の厚さは５０Åから１０００Åであり、より好ましくは、１００Åから５００Åである。また、その上に位置する中段透明電極金属層１０２はスパッタ法によりAl（アルミニウム）、Aｇ（銀）、Au（金）、Cu（銅）、Mo（モリブデン）、Cr（クロム）、Ni（ニッケル）、Pt（白金）、Ti（チタン）、Ta（タンタル）のうち、いずれか一の金属を成膜して形成する。中段透明電極金属層１０２の厚さは１０Åから２００Åであり、より好ましくは、３０Åから１５０Åである。さらに、その上に位置する上段透明電極層１０１はスパッタ法によりＩＴＯまたはＩＺＯを成膜して形成する。上段透明電極層１０１の厚さは１００Åから２０００Åである。
（実施の形態１の効果と実施例）
上部電極を実施の形態１のように、３層構造とすることによって、透明度の劣化を最低限に抑えつつ、電気抵抗値の大幅な低減をすることができた。表１は上部透明電極を３層
【００３８】
【表１】
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構造とした本実施の形態１の実施例１と実施例２について、通常の１層構造によるものと上部透明電極の抵抗値を比較したものである。実施例１は下段透明電極層１０３がＩＺＯ、中段透明電極金属層１０２がＡｇ、そして上段透明電極層１０１がＩＺＯよりなるものである。また、実施例２は下段透明電極層１０３がＩＴＯ、中段透明電極金属層１０２がＡｇ、そして上段透明電極層１０１がＩＴＯよりなるものである。Ａ１の行が実施例１のシート抵抗を示し、Ａ２の行は実施例１に対応する比較例１（上部電極がＩＺＯよりなる１層構造）のシート抵抗を示す。同様にＢ１の行が実施例２のシート抵抗示し、Ｂ２の行は実施例２に対応する比較例２（上部電極がＩＴＯよりなる１層構造）のシート抵抗を示す。表１に示されるように、実施例１においては、従来の構造の場合のシート抵抗が４８．７Ω／□であるのに対して、実施例１の上部電極のシート抵抗は６．３Ω／□となり、抵抗値が比較例１の抵抗値の約１３％となっている。また、実施例２の場合においても、従来の構造の場合のシート抵抗が３６．９Ω／□であるのに対して、実施例２の上部電極のシート抵抗が４．８Ω／□となり抵抗値が比較例２の抵抗値の約１３％となっている。このように、上部電極を本実施例の形態１にかかる３層構造を採用することにより、上部電極の抵抗値を大きく低減することができる。従来の上部電極の構造の有機ＥＬ素子においては、有機ＥＬを高輝度発光させると、熱の拡散の問題と大電流が流れることに起因して、透明電極に亀裂が発生してしまっていたが、本実施の形態１に係る３層構造の上部電極を採用することにより係る亀裂の発生を防ぐことができる。図３は従来のＩＴＯまたはＩＺＯのみからなる１層構造において実際に上記亀裂が発生してしまった有機ＥＬ素子の画像である。３０１および３０２は発生した亀裂である。
【００３９】
トップエミッション方式の有機ＥＬ素子を面光源として用い、大面積化する場合には、透明電極の低抵抗化が必須となるが、本実施の形態１の有機ＥＬ素子を採用すれば、係る透明電極の低抵抗化が実現でき、面光源としてのトップエミッション方式有機ＥＬ素子の大面積化が可能となる。
（実施の形態２）
実施の形態２はトップエミッション方式の有機ＥＬ素子において、実施の形態１の場合とは逆に、下部電極を陰極とし、上部電極に陽極として機能する３層構造による透明電極を形成する。以下、図に基づいて説明する。
【００４０】
図２は本発明の実施の形態２に係る有機ＥＬ素子の構成の概略を示す断面図である。
図２において、２００は実施の形態２に係るトップエミッション方式の有機ＥＬ素子である。２０８は基板である。２０７は陰極として機能する下部電極である。２０６は電子輸送層である。２０５は発光層である。２０４はホール輸送層である。２０９は陰極として機能する上部電極である。２０３は下段透明電極層である。２０２は中段透明電極金属層である。２０１は上段透明電極層である。
【００４１】
本実施の形態２の有機ＥＬ素子は、基板２０８の上に、陰極として機能する下部電極２０７が形成されている。下部電極２０７はAl（アルミニウム）、Aｇ（銀）、Cr（クロム）、Ni（ニッケル）、Ti（チタン）、Ta（タンタル）、ＩＴＯ、ＩＺＯのうちのいずれかの一によりスパッタ法または蒸着法で成膜して形成する。下部 電極２０７の上には、有機ＥＬ材料からなる電子輸送層２０６、発光層２０５、ホール輸送層２０４が形成されている。これら電子ル輸送層２０６、発光層２０５、ホール輸送層２０４は一般的な有機ＥＬ素子に用いられるホール輸送性材料、電子輸送性材料、蛍光色素等により形成される。ホール輸送層２０４の上には上部電極２０９が形成され、上部 電極２０９は下部電極側から、下段透明電極層２０３、中段透明電極金属層２０２そして上段透明電極層２０１を順次に積層した3層構造で構成されている。本実施の形態２の有機ＥＬ素子の主たる特徴は、実施の形態１の場合と同様に、この上部電極の構成にある。下段透明電極層１０３はスパッタ法によりＩＴＯまたはＩＺＯを成膜して形成する。下段透明電極層１０３の厚さは５０Åから１０００Åであり、より好ましくは、１００Åから５００Åである。また、その上に位置する中段透明電極金属層１０２はスパッタ法によりAl（アルミニウム）、Aｇ（銀）、Au（金）、Cu（銅）、Mo（モリブデン）、Cr（クロム）、Ni（ニッケル）、Pt（白金）、Ti（チタン）、Ta（タンタル）のうち、いずれか一の金属を成膜して形成する。中段透明電極金属層１０２の厚さは１０Åから２００Åであり、より好ましくは、３０Åから１５０Åである。さらに、その上に位置する上段透明電極層１０１はスパッタ法によりＩＴＯまたはＩＺＯを成膜して形成する。上段透明電極層１０１の厚さは１００Åから２０００Åである。
（実施の形態２の効果と実施例）
実施の形態２の有機ＥＬ素子においても、実施の 形態１の場合と同様に上部電極を３層構造とすることによって、透明度の劣化を最低限に抑えつつ、電気抵抗値の大幅な低減をすることができ、実施の形態１の場合と同様の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】実施の形態１に係る有機ＥＬ素子の構成の概略を示す断面図である。
【図２】実施の形態２に係る有機ＥＬ素子の構成の概略を示す断面図である。
【図３】亀裂が発生してしまった有機ＥＬ素子の 画像である。
【符号の説明】
【００４３】
１００      実施の形態１に係るトップエミッション方式の有機ＥＬ素子
１０１      上段透明電極層
１０２      中段透明電極金属層
１０３      下段透明電極層
１０４      電子輸送層
１０５      発光層
１０６      ホール輸送層
１０７      陽極として機能する下部電極
１０８      基板
１０９      陰極として機能する上部電極
２００      実施の形態２に係るトップエミッション方式の有機ＥＬ素子
２０１      上段透明電極層
２０２      中段透明電極金属層
２０３      下段透明電極層
２０４      ホール輸送層
２０５      発光層
２０６      電子輸送層
２０７      陰極として機能する下部電極
２０８      基板
２０９      陽極として機能する上部電極
３０１      亀裂
３０２      亀裂
【図１】
2006269387.tif 000003
【図２】
2006269387.tif 000004
【図３】
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