(57)【要約】      （修正有）【課題】光源からから投影光学系、あるいはウエハステージ空間までを密閉構造とし外気と隔離した光学素子の表面の汚染を抑制する新規な技術を提供すること。【解決手段】光学素子を保持する保持手段と、前記光学素子の表面に接する空間を流れる気体を整流し、前記光学素子の表面における気体の流速を低減させる整流手段とを有する光学装置とする。気流の流速を低下させることで、光学素子表面上を通過する流量が減少し、よって光学素子面上を通過する不純物総量を低減することができ、これにより光学素子面の汚染を抑制することができる。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学素子を保持する保持手段と、
前記光学素子の表面に接する空間を流れる気体を整流し、前記光学素子の表面における気体の流速を低減させる整流手段と
を有することを特徴とする光学装置。
【請求項２】
前記整流手段は、前記光学素子の表面における光の通過領域全体にわたって気体の流速を低減させるように構成されていることを特徴とする請求項１に記載の光学装置。
【請求項３】
前記保持手段は、前記光学素子を収納するケーシングを含むことを特徴とする請求項１に記載の光学装置。
【請求項４】
前記整流手段は、前記ケーシングに支持される整流板であることを特徴とする請求項３に記載の光学装置。
【請求項５】
前記整流手段は、前記光学素子の表面における気体の流速が前記ケーシングの表面における気体の流速の１／２以下となるように前記光学素子の表面より突出する前記ケーシングの凸部により構成されることを特徴とする請求項３に記載の光学装置。
【請求項６】
前記凸部と前記光学素子とにより規定される凹部に関し、前記気体の流れの方向に直交する断面の幅を２Ｒとし、前記断面の高さをＤとしたとき、
Ｒ／Ｄ≦５７
であることを特徴とする請求項５に記載の光学装置。
【請求項７】
空調手段による気体の流れのあるチャンバ内で原版のパターンを基板に転写するための露光装置であることを特徴とする請求項１に記載の光学装置。
【請求項８】
前記光学素子は、光源から前記基板に至る光路中に配された光透過素子、前記光路中に配された光反射素子、前記原版、および光学的計測手段における光学素子の少なくとも１つであることを特徴とする請求項７に記載の光学装置。
【請求項９】
前記光学素子は前記原版であり、前記保持手段は前記原版を保持する原版ステージであり、前記整流手段は、前記原版ステージに支持される整流板であることを特徴とする請求項７に記載の光学装置。
【請求項１０】
前記原版を保持する原版ステージと、前記原版ステージを支持する支持手段と、前記原版のパターンを基板に投影するための投影光学系とを有し、前記光学素子は、前記原版と前記投影光学系との間に配された光学素子であり、前記保持手段は、前記原版ステージおよび前記支持手段のいずれかであり、前記整流手段は、前記原版ステージおよび前記支持手段のいずれかに支持される整流板であることを特徴とする請求項７に記載の光学装置。
【請求項１１】
前記原版と前記基板との位置合せのためのマークの位置を光学的に計測する計測手段を有し、前記光学素子は前記計測手段内の光学素子であり、前記保持手段は前記光学素子を収容するケーシングであり、前記整流手段は前記ケーシングに支持される整流板であることを特徴とする請求項７に記載の光学装置。
【請求項１２】
前記原版を保持する原版ステージと、前記原版ステージを支持する支持手段と、前記原版のパターンを基板に投影するための投影光学系とを有し、前記光学素子は、前記投影光学系の前記支持手段に最も近い光学素子であり、前記保持手段は、前記投影光学系を収容するケーシングであり、前記整流手段は、前記支持手段および前記ケーシングのいずれかに支持される整流板であることを特徴とする請求項７に記載の光学装置。
【請求項１３】
前記原版のパターンを基板に投影するための投影光学系を有し、前記光学素子は、前記投影光学系の前記基板に最も近い光学素子であり、前記保持手段は、前記投影光学系を収容するケーシングであり、前記整流手段は、前記光学素子の前記基板側の表面における気体の流速を低減させるように構成された整流板であることを特徴とする請求項７に記載の光学装置。
【請求項１４】
前記露光装置は走査露光装置であることを特徴とする７〜１３のいずれかに記載の光学装置。
【請求項１５】
請求項７〜１４のいずれかに記載の光学装置を用いて、原版のパターンを基板に転写する工程を有することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイス等のデバイスの製造に好適に用いられる露光装置、等の光学装置、および当該露光装置によるデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ、液晶パネル等の半導体デバイスの製造工程においては、基板（半導体ウエハ基板やガラス碁板）に対して多くの処理を施すが、中でもパターン焼き付けのための露光プロセスは半導体製造の要となる重要なプロセスである。このプロセスを行う装置として、露光装置（ステッパ、スキャナ）が知られている。
【０００３】
ウエハに塗布されるレジストは、電離放射線（紫外線、Ｘ線、電子線等）を当てると効率良く化学反応を起こす高分子膜と、露光により触媒（酸）が発生しベーク処理（ＰＥＢ）されることで、触媒により像形成が行われる化学増幅レジストとに大別できる。化学増幅レジストは触媒を用いた像形成のため高感度化が容易であり、照度を得にくいエキシマレーザー光用のレジストとして近年一般的に用いられている。
【０００４】
一方、露光により発生した触媒が空気中やウエハ表面に拡散し、更にベーク処理（ＰＥＢ）することで触媒作業が促進し、像プロファイルが劣化するため、化学増幅レジストを用いるにはレジスト塗布から露光を経てベーク処理（ＰＥＢ）に至る環境雰囲気中のアミン・アミドなどの塩基性ガスに対する化学汚染の制御が必要とされる。
【０００５】
一方、露光装置には、光源から出射した光をレチクル面に照射する照明光学系をはじめとして、レンズやミラー等種々の光学部材が使用されている。露光波長の短波長化に伴い、この露光光が透過・照射する光学部材に曇りが発生し、ウエハ面に到達する露光量が減少するという問題があった。この曇りの原因となる物質は有機化合物や硫安（ＮＨ４）２ＳＯ４であり、その原因は、空気中に存在するアンモニウムイオン（ＮＨ４）＋や硫酸イオン（ＳＯ４２−）またはそれらの化合物あるいは有機ガスが、露光光の照射により光化学反応を起こし光学部材に付着することにあると考えられる。
【０００６】
これら化学増幅レジストの表面難溶化現象や光学部材の曇りという問題に対して、露光装置本体を取り巻く周囲環境の温度や湿度あるいは塵埃を制御する環境チャンバに不純物除去フィルターを搭載し、この雰囲気中に存在する塩基性ガス、硫酸ガス、有機化合ガス等の物質を除去することが従来から行われてきた。
【０００７】
同時に環境チャンバ内で使用される部品類は洗浄等の処理が実施され、使用される潤滑剤等も前記成分の脱ガス量が少ないものが選定されるといった対策が行われてきた。
また、光源から被処理基板までの光路の周囲の一部または全部の空間を露光光に対して不活性なガスでパージすることが行われてきた。
【０００８】
不活性なガスでパージする例として特許文献１が知られている。特許文献１では、光学装置のケーシング内を不活性なガス、窒素でパージする際に、パージ用ガス流入方法に着目したもので、流入するガスによるレンズ等の光学部材への汚染を低減することを目的としている。
【０００９】
ガス供給装置から所定の流速で供給されるガスをケーシング内に流入させる際、ガスの流速を所定の流速より低下させ、光学部材表面に到達する時点ではガスの流速が低下しているとともに、分散しやすくなり、含有する不純物が光学部材に付着し難くなっている。
【００１０】
また、光源から投影光学系の先端まで密閉構造とし外気と隔離することにより、光学装置の外気と接する光学部材面への不純物の付着を防止している。
【特許文献１】特開２００１−０２８３３１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
上記特許文献１では光源から投影光学系の先端まで、あるいはウエハステージ空間までを密閉構造とし外気と隔離することにより光学部材への不純物の付着を防止している。
【００１２】
しかしながら、光源から投影光学系の先端まで、あるいはウエハステージ空間までを密閉構造とすることは装置が大型化するとともにマスクやウエハの搬入、搬出部には開閉機構が必須となるため、パージ性能を維持するためには装置稼働率を低下させるといった課題がある。
【００１３】
さらに装置のほぼ全体をパージするため、不活性ガスも多量に必要となり装置のランニングコストが増加してしまうという課題もある。
【００１４】
また、上記特許文献１は、その主目的であるパージ用ガスに含まれる不純物が、密閉されたケーシング内の光学部材表面に集中的に付着することは抑制できるが、前記不純物あるいは不純物を含む空間に露光光が照射され、光化学反応により付着物が生成される場合には、パージ用ガスに含まれる不純物濃度が一定で、パージガス供給流量が一定であるため、付着物の生成量を抑制する効果は無い。このため、光学部材面の曇りは防止できないという課題がある。
【００１５】
また、集中的な付着は防止できても、他の部分に付着してしまう可能性が有る。部分的に集中的に付着する場合は、その部分を光学系の使用領域から離れた位置としてしまう方が有効であるのに対し、特許文献１の構成ではパージ経路上に構成された光学部材すべてに不純物の付着の可能性が発生することで、結果として光学部材の透過率は低下してしまうという課題もある。
【００１６】
装置の大型化を防止するため、光学装置は密閉構造として内部をパージし、光学装置の外気と接する光学部材の曇りは、環境チャンバに構成される不純物除去フィルターで対応する方式が現実的ではあるが、環境チャンバに不純物除去フィルターを構成しても完全に不純物を除去できないという課題がある。
【００１７】
また、不純物除去フィルターには不純物除去量により、除去性能を維持できる寿命が存在するため、その維持管理またはランニングコストが問題になるという課題もある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明は、上記の課題を考慮してなされたもので、光学素子の表面の汚染を抑制する新規な技術を提供することを例示的目的とする。
【００１９】
第１の発明は、光学素子を保持する保持手段と、前記光学素子の表面に接する空間を流れる気体を整流し、前記光学素子の表面における気体の流速を低減させる整流手段とを有することを特徴とする光学装置である。
【００２０】
また、第２の発明は、前記第１の発明の光学装置を用いて、原版のパターンを基板に転写する工程を有することを特徴とするデバイス製造方法である。
【００２１】
本発明の他の目的、特徴および効果等は、添付図面を参照してなされた後述の説明により明らかにされている。なお、当該図面において、同一または類似の符号は複数の図面を通して同一または類似の構成要素を表している。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、光学素子の表面の汚染を抑制する新規な技術を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態について、図１〜６にて説明する。
【００２４】
図１は従来の光学装置を示し、図２および３は本発明を実施した光学装置を示す。図１〜３で同一の要素には同一の符号を付し重複した説明は省略する。ケーシング３０内に光学素子３１〜３５が構成され、光学素子３１、３５は外気に接する構成となっている。ケーシング３０は密閉構造で不図示のパージガス供給口および排気口が構成され、内部は汚染物質をパージするためのガス（不活性なガス例えば窒素）で置換される構成となっている。ケーシング３０の外部は自然対流を含む気流が存在している。図中では白抜きの矢印で気流の向きを示している。また、光学素子を透過する照明あるいは検出用等の光束を破線で示している。
【００２５】
図２および３では、図１に対して、整流板Ｐ１、Ｐ２が構成されている点が異なる。
【００２６】
作用について説明する。図１の光学素子３１を拡大した部分を図４に示す。
【００２７】
光学装置では一般的に最外に配置される光学素子はケーシングに対してやや内部に入り込んだ位置に構成される。図４では光学素子３１の配置がケーシング３０の外面よりも内部に入り込んだ位置に構成されている。これは、光学装置の組立時あるいは運搬時等に、例えば台の上に置く場合に光学素子へのダメージを防止するための設計上の配慮である。このため、ケーシング３０の最外面よりも僅かでも内部に入り込んだ位置に構成されれば良い。このような構成で、ケーシング３０の周囲の外気に気流が存在すると、図４に示す如く光学素子３１の外気に接する面上では図中矢印で示した気流が存在する。
【００２８】
図５に図２の光学素子３１を拡大した部分を示す。図４に対して、ケーシング３０の最外部に整流板Ｐ１が構成されているため、光学素子３１の外気に接する面上では気流範囲が小さくなるとともに、気流流速が低下する。
【００２９】
図６に図３の光学素子３１を拡大した部分を示す。図４に対して、ケーシング３０の最外部に整流板Ｐ２が構成されているため、光学素子３１の外気に接する面上では図５よりもさらに気流範囲が小さくなるとともに、気流流速が低下する。
【００３０】
気流流速と曇りとの関係については、パージガスの不純物濃度が一定な場合には、光学素子周辺の流量を低下させる、すなわち光学素子面上を通過する不純物総量を低下させることが有効であることが発明者の鋭意研究の結果判明した。
【００３１】
従って、光学装置が配置される環境の不純物濃度がほぼ一定な場合に、光学装置の外気に接する光学素子面の曇りを抑制するには、光学装置の外気に接する光学素子面上の気流の流速を低下させることが有効である。気流の流速を低下させることで、光学素子面上を通過する流量が減少し、よって光学素子面上を通過する不純物総量を低減することができ、これにより光学素子面の汚染を抑制することができる。
【００３２】
気流の流速を低下させるためには、光学装置の外気に接する光学素子面への気流の流れを調整するための整流板を構成し、前記光学素子面近傍に所謂淀み部分を構成し、流速を低下させるあるいは気流を淀ませることが有効である。
【００３３】
従来例（特許文献１）は、パージガスの不純物濃度が一定で、かつ供給流量が一定な場合に、ケーシング内の光学部材の局所的な部分へパージガスが吹き付けられ、その局所的な部分にパージガスに含まれる不純物が付着することを、パージガスの流入速度を遅くすることにより防止したものであって、ケーシング内におけるパージガス導入口近傍の光学部材面の局所的な汚染を抑制したものに過ぎない。本実施形態は、これとは根本的に異なり、光学素子面上の気流を淀ませることにより、気流の流速を低下させ、流量を減少させ、光学素子面上を通過する不純物総量を低下させるものであり、そのために整流板Ｐ１、Ｐ２を構成するものである。また、本実施形態では、曇りの原因となる付着物は露光光が照射されることによる光化学反応によって生成され、その生成物の要因となる不純物に着目しており、従来例の如くパージガス内に含まれる不純物が直接光学素子面上に付着することに着目している点とも大きく異なるものである。よって、本実施形態では、光学素子面上の光が通過する領域（有効領域ともいう）全体にわたる広範囲の気体の流速を低減させることが望ましい。
【００３４】
図５および６に示す如く本実施形態では整流板Ｐ１、Ｐ２を構成することで、光学素子３１面上の気流流速を低下させることが可能となり、光学素子３１の曇りを抑制することが可能となる。ここでは光学素子３１について説明したが、反対側の面に構成されている光学素子３５に適用しても同様の効果がある。
【００３５】
整流板Ｐ１、Ｐ２はアルミあるいはステンレス等の材料を用い、表面処理は実施しないで、部品洗浄を行うことで十分にクリーン化が可能であり、例えばガスクロマトグラフィーによる有機物脱ガス測定で検出限界以下の０．０５ｕｇ／ｍ３程度となるものを使用することが望ましい。表面処理を実施し、あるいはセラミックス等の多孔質材料を使用した場合でも同等のクリーン度が確保出来れば良い。
【００３６】
（第２の実施形態）
次に第２の実施形態について図７〜９にて説明する。第１の実施形態と異なる点は、光学装置の外気と接する光学素子の配置位置に着目した点である。
【００３７】
図７は光学装置の周囲の外気と接する光学素子部の斜視図である。図８は説明のために図７の断面図を示している。ケーシング３７内に鏡筒３８が構成され、鏡筒３８内部には光学素子３３〜３６が構成されている。鏡筒３８は説明上重要ではなく、複数構成されていてもかまわないし、駆動系等が構成されていてもかまわない。ケーシング３７内部に光学系を構成した光学装置であれば構わない。光学素子３１は外気気流と直交する方向に寸法Ｒの幅を有している（図９参照）。図９は断面で示しているので、全長では２Ｒの大きさとなる。光学素子３１は第１の実施形態でも説明した如く、一般的にはケーシング３７の最外面よりもわずかに内部に入り込んで配置されているが、説明上最外面とほぼ同面な位置に図示している。これに対して図９に示した光学素子３１は、ケーシング３７の最外面からＤだけ離れた位置に配置されている。
【００３８】
光学素子３１の外気に接する面をケーシング３７の最外面から離せば離すほど外気気流の影響は小さくなる。一般的な運搬または組立を配慮した設計であれば、光学素子３１がケーシング３７の最外面から飛び出していなければ良い。
【００３９】
図９では、図８の光学素子３１の外気に接する面上の気流の流速に対して少なくとも１／２以下の流速となる位置まで離して配置している。光学装置は、光学装置が配置される環境全体の塵埃を低減するＵＬＰＡフイルターあるいは不純物除去フィルター等を介した温調エアの流れが存在する中で使用されることがほとんどであるため、１／２以下の流速とし、曇り量を１／２とすることで十分な効果が得られるものである。曇りを完全には抑制できないことから、定期的に光学部材を交換し、露光時の照度を維持する場合には、その交換頻度を１／２にすることが出来る。例えば３ケ月毎に交換していた場合には、６ケ月毎に交換すればよいことになるため、装置稼働率の向上およびランニングコストの低減が可能となるため、前記対策は効果があるといえる。流速を０に出来れば最も好ましい形態である。光学素子３１の配置位置を上記の如く離して配置することにより、第１の実施形態と同様に光学素子３１の外気に接する面上を通過する不純物総量を低減することが可能となり、曇りを抑制することが可能となる。
【００４０】
（第３の実施形態）
次に第３の実施形態について図７〜９および図１０〜１６を用いて説明する。
【００４１】
第２の実施形態との相違点は、図９での寸法Ｄと寸法Ｒとの関係について規定した点である。
【００４２】
図７〜９については第２の実施形態と同一なので説明を省略する。
図１０〜１３に、図９の寸法Ｄが０ｍｍの場合（光学素子３１がケーシング３７の外面とほぼ同一な位置に配置された場合）、２．５ｍｍケーシング３７の内側に入り込んだ場合、５ｍｍ入り込んだ場合、７．５ｍｍ入り込んだ場合の光学素子３１面上の気流流速を解析にて求めた結果をそれぞれ示す。図１０〜１３では解析結果の流速分布を示している。また、図１４には解析結果より流速検討を行うため、着目した位置の座標を示す。各点でのＤ寸法と気流流速との関係を図１５に示す。また、図１６には各点の流速を平均した流速とＤ寸法との関係について示す。
【００４３】
解析条件は次のとおりである。
【００４４】
Ｒ：７６ｍｍ  Ｒと直交する方向の寸法は５６ｍｍ
外気流速：３．３ｍ／ｓ
対象気体：空気（密度１．２０６ｋｇ／ｍ３）
図１６より、２次近似曲線を求め、流速が１／２となる場合のＤ寸法を求めると
Ｄ＝１．３３ｍｍ
Ｒ／Ｄ＝７６／１．３３
＝５７．１
この解析結果より、外気の流れと直交する方向の開口寸法をＲ、光学素子３１のケーシング３７最外面からの距離をＤとした場合
Ｒ／Ｄ≦５７
となるＤの位置に光学素子３１を配置することで光学素子３１の外気に接する面上の流速は１／２以下となる。流速が１／２以下となることで、光学素子３１の外気に接する面上を通過する不純物の総量も１／２以下となり曇りを１／２以下に抑制することができる。１／２にした場合の効果については第２の実施形態で説明したものと同じであるのでここでは説明を省略する。配置上可能であればさらにＤを大きくすることでさらに流速を下げることが可能となり、曇りも抑制できる。
【００４５】
（第４の実施形態）
次に第４の実施形態について説明する。
【００４６】
図１７は、本実施形態の投影露光装置の概略を示す。図１７において、レチクルＲは、光源１と、照明光整形光学系２〜リレーレンズ８よりなる照明光学系とにより、長方形のスリット状の照明領域２１により均一な照度で照明され、スリット状照明領域２１内のレチクルＲの回路パターン像が投影光学系１３を介してウエハＷ上に転写される。光源１としては、Ｆ２エキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザあるいはＫｒＦエキシマレーザ等のエキシマレーザ光源、金属蒸気レーザ光源、又はＹＡＧレーザの高調波発生装置等のパルス光源、又は水銀ランプと楕円反射鏡とを組み合わせた構成等の連続光源が使用できる。
【００４７】
パルス光源の場合、露光のオン又はオフはパルス光源用の電源装置からの供給電力の制御により切り換えられ、連続光源の場合、露光のオン又はオフは照明光整形光学系２内のシャッタにより切り換えられる。但し、本実施例では後述のように可動ブラインド（可変視野絞り）７が設けられているため、可動ブラインド７の開閉によって露光のオン又はオフを切り換えてもよい。
【００４８】
図１７において、光源１からの照明光は、照明光整形光学系２により光束が所定の大きさに設定されてフライアイレンズ３に達する。フライアイレンズ３の射出面には多数の２次光源が形成され、これら２次光源からの照明光は、コンデンサーレンズ４によって集光され、固定の視野絞り５を経て可動ブラインド（可変視野絞り）７に達する。図１７では視野絞り５は可動ブラインド７よりもコンデンサーレンズ４側に配置されているが、その逆のリレーレンズ系８側へ配置しても構わない。
【００４９】
視野絞り５には、長方形のスリット状の開口部が形成され、この視野絞り５を通過した光束は、長方形のスリット状の断面を有する光束となり、リレーレンズ系８に入射する。スリットの長手方向は紙面に対して垂直な方向である。リレーレンズ系８は可動ブラインド７とレチクルＲのパターン形成面とを共役にするレンズ系であり、可動ブラインド７は後述の走査方向（Ｘ方向）の幅を規定する２枚の羽根（遮光板）７Ａ，７Ｂ及び走査方向に垂直な非走査方向の幅を規定する２枚の羽根（不図示）より構成されている。走査方向の幅を規定する羽根７Ａ及び７Ｂはそれぞれ駆動部６Ａ及び６Ｂにより独立に走査方向に移動できるように支持され、不図示の非走査方向の幅を規定する２枚の羽もそれぞれ独立に駆動できるように支持されている。本実施例では、固定の視野絞り５により設定されるレチクルＲ上のスリット状の照明領域２１内において、更に可動ブラインド７により設定される所望の露光領域内にのみ照明光が照射される。リレーレンズ系８は両側テレセントリックな光学系であり、レチクルＲ上のスリット状の照明領域２１ではテレセントリック性が維持されている。
【００５０】
レチクルＲはレチクルステージＲＳＴに保持されている。レチクルステージＲＳＴは干渉計２２で位置を検出しレチクルステージ駆動部１０により駆動される。レチクルＲの下部には光学素子Ｇ１が保持され、レチクルステージＲＳＴ走査駆動時にはレチクルＲと共に走査される。スリット状の照明領域２１内で且つ可動ブラインド７により規定されたレチクルＲ上の回路パターンの像が、投影光学系１３を介してウエハＷ上に投影露光される。
【００５１】
投影光学系１３の光軸に垂直な２次元平面内で、スリット状の照明領域２１に対するレチクルＲの走査方向を＋Ｘ方向（又は−Ｘ方向）として、投影光学系１３の光軸に平行な方向をＺ方向とする。
【００５２】
この場合、レチクルステージＲＳＴはレチクルステージ駆動部１０に駆動されてレチクルＲを走査方向（＋Ｘ方向又は−Ｘ方向）に走査し、可動ブラインド７の駆動部６Ａ，６Ｂ、及び非走査方向用の駆動部の動作は可動ブラインド制御部１１により制御される。レチクルステージ駆動部１０及び可動ブラインド制御部１１の動作を制御するのが、装置全体の動作を制御する主制御系１２である。
【００５３】
一方、ウエハＷは不図示のウエハ搬送装置によりウエハステージＷＳＴに保持され、ウエハステージＷＳＴは、投影光学系１３の光軸に垂直な面内でウエハＷの位置決めを行うと共にウエハＷを±Ｘ方向に走査するＸＹステージ、及びＺ方向にウエハＷの位置決めを行うＺステージ等より構成されている。ウエハステージＷＳＴの位置は干渉計２３により検出される。ウエハＷ上方には、オフ・アクシス方式のアライメントセンサ１６が構成されている。アライメントセンサ１６により、ウエハ上のアライメントマークが検出され、制御部１７により処理され、主制御系１２に送られる。主制御系１２は、ウエハステージ駆動部１５を介してウエハステージＷＳＴの位置決め動作及び走査動作を制御する。
【００５４】
そして、レチクルＲ上のパターン像をスキャン露光方式で投影光学系１３を介してウエハＷ上の各ショット領域に露光する際には、図１７の視野絞り５により設定されるスリット状の照明領域２１に対して−Ｘ方向（又は＋Ｘ方向）に、レチクルＲを速度ＶＲ  で走査する。また、投影光学系１３の投影倍率をβとして、レチクルＲの走査と同期して、＋Ｘ方向（又は−Ｘ方向）に、ウエハＷを速度ＶＷ（＝β・ＶＲ）で走査する。これにより、ウエハＷ上のショット領域にレチクルＲの回路パターン像が逐次転写される。
【００５５】
第４の実施形態は、上記露光装置において、投影光学系１３あるいは照明光学系の一部あるいは全部が密封構造のケーシングで覆われ、外気に接する光学部材面には第１の実施形態の整流板が構成されている、あるいは第２の実施形態の如く、外気に接する光学素子面上の気流の流速がケーシング最外面上の流速の１／２以下となる位置に当該光学素子が配置される、あるいは第３の実施形態の条件を満足した配置となっていることにより、外気に接する光学素子面の曇り（汚染）を抑制するものである。
【００５６】
（第５の実施形態）
次に第５の実施形態について説明する。図１８は装置全体を示し、図１７と同一な構成要素は説明を省略する。装置全体は環境チャンバＣＨ内に収納されており、温調された空間に配置されている。図１９に投影光学系１３のレチクル側近傍の拡大図を示す。レチクルステージＲＳＴはレチクルステージベース６０上に構成されている。レチクルステージベース６０と投影光学系１３の間には一定の空間が存在する。レチクルステージベース６０から投影光学系１３の周辺に整流板Ｐ４が構成されている。
【００５７】
作用について説明すると、装置全体は環境チャンバＣＨ内に収納され、環境チャンバＣＨは装置周辺の温度環境を維持するために温調エアを供給している。また、供給される温調エアは不図示の不純物除去フィルタにて酸、アンモニア等の不純物が極力除去された後に温調され供給される。このため、投影光学系１３の周辺には気流が存在し、図１８に示す投影光学系１３の上部レチクル側でも気流が存在する。環境チャンバＣＨからの供給エアは、前述の如く不純物除去フィルタにて不純物が除去されているものの完全に除去することは困難である。また、環境チャンバＣＨ内に配置される装置に使用される部品も完全にクリーンなものとすることは困難であり、ケーブル等の実装部品や機構部品、電気部品から有機物や無機物が発生してしまう。投影光学系１３の上部は光学素子が構成されているため、光学素子周辺の気体に不純物が含まれた状態で露光光が照射されると、光化学反応により光学素子面に付着する物質が生成され、曇りが発生してしまう。光学素子の外気に接する面上の気流流速を低下させることで、曇りを抑制することが可能となる。第５の実施形態ではレチクルステージベース６０に整流板Ｐ４を構成し、投影光学系１３の外気に接する光学素子面上の気流流速を低下させるものである。
【００５８】
整流板Ｐ４はアルミあるいはステンレス等の材料を用い、表面処理は実施しないで、部品洗浄を行うことで十分にクリーン化が可能であり、例えばガスクロマトグラフィーによる有機物脱ガス測定で検出限界以下の０．０５ｕｇ／ｍ３程度となるものを使用することが望ましい。表面処理を実施し、あるいはセラミックス等の多孔質材料を使用した場合でも同等のクリーン度が確保出来れば良い。また、レチクルステージＲＳＴ駆動時の振動や変形等がレチクルステージベース６０、整流板Ｐ４を介して投影光学系１３に伝達し、結像性能に影響をあたえないために、整流板Ｐ４と投影光学系１３との間には僅かな隙間を設けている。本実施例では整流板Ｐ４を構成しているが、投影光学系１３に第１〜３の実施形態の構成要素を付加することで更に気流流速を低減することが可能となる。また、図１９では整流板Ｐ４は円筒状で示しているが、これに限定するものではなく、投影光学系１３の形状に伴い、円錐状等の形状であっても構わない。
【００５９】
（第６の実施形態）
次に第６の実施形態について図２０および２１を用いて説明する。図２０はレチクルステージＲＳＴの斜視図である。レチクルステージＲＳＴ上にレチクルＲを吸着保持している状態を示している。図２１は図２０の状態からレチクルＲを取り除いた状態を示している。レチクルＲはレチクルステージＲＳＴ上の４ケ所の吸着部７０により吸着保持されている。吸着部７０はレチクルステージＲＳＴ上に４ケ所凸形状で構成されている。従って、４ケ所間には空間的な隙間が存在し、レチクルステージＲＳＴ上に気流が存在すると前記隙間より気体がレチクルＲのパターン面側に流れ込んでしまう。特に走査型露光装置の場合はレチクルステージＲＳＴが露光のために走査されるため、より気体が流れ込んでしまう。また、走査型露光装置の場合、レチクルステージＲＳＴは一般的に干渉計にて位置検出される。干渉計光路の温度安定性を維持するために、温調エアがレチクルステージＲＳＴ空間に供給されている。このため常に気流が存在する環境である。
【００６０】
レチクルＲのパターン面側には通常パターン面への塵埃の付着を防止するためにペリクルが構成されている。このため、前記気体の流れ込みによるパターン面の曇りは防止できるが、ペリクル面に曇りが発生してしまう。この問題を対策するために、図２１に示す整流板Ｐ５を吸着部７０間に構成している。整流板Ｐ５はレチクルステージＲＳＴと一体的に構成されていても構わない。また、整流板Ｐ５は、上述した如くアルミあるいはステンレス等の材料を用い、表面処理は実施しないで、部品洗浄を行うことで十分にクリーン化が可能であり、例えばガスクロマトグラフィーによる有機物脱ガス測定で検出限界以下の０．０５ｕｇ／ｍ３程度となるものを使用することが望ましい。表面処理を実施し、あるいはセラミックス等の多孔質材料を使用した場合でも同等のクリーン度が確保出来れば良い。レチクルステージＲＳＴに搭載されるため、レチクルステージＲＳＴの制御周波数以上の固有値（固有振動数）を確保した材質、形状であることが望ましい。
【００６１】
第６の実施形態ではレチクルＲのパターン面側への気体の流れ込みについての対策を説明したが、レチクルＲのパンターン面と反対側のガラス面に対しての整流板を構成してもかまわない。前記整流板は、走査型露光装置に適用する場合には、レチクルＲの前後に構成してもかまわない。
【００６２】
また、レチクルステージＲＳＴ上にアライメント用の基準マークを配置した構成の場合は、当該基準マークのパターン面側および／またはガラス面側に対しても同様の整流板を構成しても構わない。
【００６３】
（第７の実施形態）
次に第７の実施形態について図２２を用いて説明する。図１７と同一な構成要素は説明を省略する。図１７と異なる点は、レチクルＲの下面側、投影光学系１３側に補正光学素子Ｇ１、Ｇ２を構成していることである。補正光学素子Ｇ１はレチクルステージＲＳＴに保持され、レチクルステージＲＳＴが走査型露光装置に使用される場合は、レチクルＲとともに走査される。補正光学素子Ｇ２は投影光学系１３あるいはレチクルステージベース６０に保持され、走査型露光装置に使用された場合でも、固定部に保持されている。補正光学素子Ｇ１、Ｇ２はレチクルＲの面形状により発生するディストーション等の収差および投影光学系１３の諸収差を補正するための光学素子である。補正光学素子Ｇ１、Ｇ２は露光光が通過する光軸上に配置されるため、曇りが発生すると照度劣化の要因となるため、曇りを防止することは重要である。補正光学素子Ｇ２についてみると、第５の実施形態で説明した投影光学系１３の上面側光学素子の外気に接する面上の気流流速を減速させる対策同様に整流板Ｐ１０ｂを構成すればよい。第５の実施形態と同様に整流板Ｐ１０ｂはレチクルステージベース６０、投影光学系１３のどちら側に保持されていてもかまわない。
【００６４】
次に補正光学素子Ｇ１についてみると、補正光学素子Ｇ１はレチクルステージＲＳＴに保持されレチクルステージＲＳＴとともに走査される。レチクスステージＲＳＴは通常エアガイド等にて支持される。従って、レチクルステージＲＳＴとレチクルステージベース６０との間には隙間が存在する。この隙間より、補正光学素子Ｇ１部に気体が流れ込む。この対策として、レチクルステージＲＳＴに整流板Ｐ１０ａを構成している。整流板Ｐ１０ａはレチクルステージＲＳＴの下面側（レチクルステージベース６０側）に配置し、補正光学素子Ｇ１の下面に沿って気流が淀む空間を構成している。このことにより、補正光学素子Ｇ１の投影光学系１３側の外気に接する面上の流速が低減され、曇りが抑制される。補正光学素子Ｇ１のレチクルＲ側の面に対しては第６の実施形態と同様に整流板Ｐ５を構成することで曇りを抑制できる。
【００６５】
整流板Ｐ１０ａはレチクルステージＲＳＴと一体的に構成されていてもかまわない。また、整流板Ｐ１０ａ，ｂは上述した如くアルミあるいはステンレス等の材料を用い、表面処理は実施しないで、部品洗浄を行うことで十分にクリーン化が可能であり、例えばガスクロマトグラフィーによる有機物脱ガス測定で検出限界以下の０．０５ｕｇ／ｍ３程度となるものを使用することが望ましい。表面処理を実施し、あるいはセラミックス等の多孔質材料を使用した場合でも同等のクリーン度が確保出来れば良い。また、整流板Ｐ１０ａはレチクルステージＲＳＴに搭載されるため、レチクルステージＲＳＴの制御周波数以上の固有値を確保した材質、形状であることが望ましい。
【００６６】
なお、本実施形態では、補正光学素子Ｇ１、Ｇ２がともに設けられた場合を示したが、どちらか一方のみが設けられていてもよい。
【００６７】
（第８の実施形態）
次に第８の実施形態について図２３および２４を用いて説明する。
【００６８】
図２３を参照してレチクルＲ周辺について説明する。なお、図１７と同一な構成要素は説明を省略する。
【００６９】
図２３ではレチクル上方にＴＴＬ検出系ＡＳを構成している。図１７では図示を省略している。検出系ＡＳはレチクルステージＲＳＴ上に構成される不図示の基準マークあるいはレチクルＲ上に描画されているマークを検出可能である。また、投影光学系１３を介してウエハステージＷＳＴ上に構成された基準マークＦＭ上のマークが検出可能である。
【００７０】
検出系ＡＳは密封構造を有するケーシング４０で構成され、内部は不活性なガスで置換される構成となっている。検出系ＡＳのレチクル側には外気に接する光学素子４１が構成されている。また、検出系ＡＳのケーシング４０は照明光学系のケーシングとはシール４２で連結されている。シール４２は気密性を有し、かつ柔軟性を有した材料で、照明光学系のリレーレンズ８が外気と接触することを防止している。柔軟性を有した材料で連結されることにより、照明光学系と検出系ＡＳは振動的に絶縁される構成となっている。
【００７１】
また、レチクルステージＲＳＴの位置を検出する干渉計２２の光路の温度を安定させるために、温調エア吹きだし部４３が構成されている。温調エアの流れは図中矢印で示す。温調エアは不図示のチャンバに構成された温調系にて例えば±０．０５℃以下に温度調節され供給されている。また、循環系には不純物除去フィルターが構成され、不純物が除去された温調エアが供給されている。
【００７２】
第３の実施形態で示した様に光学素子４１を十分に検出系（ケーシング４０）内部に入り込んだ位置に配置できれば光学素子４１の外気に接する面上の気流流速を減速させることは可能である。配置上の制約の観点では、検出系ＡＳの上部には照明光学系が配置されており、照明光学系のサイズはレチクル面からの距離に大きく影響される。これは、装置の高精度化、微細化のために露光光のＮＡを大きくし、照明光学系がレチクル面から離れると、その光学系の径が増大してしまうためである。
【００７３】
また、検出系ＡＳの配置の観点では、レチクルステージＲＳＴ上には位置検出手段としての干渉計２２の反射面用ミラーが構成されている。干渉計光軸はアッベ誤差を最小とするため、通常レチクルパターン面と同一な高さに設定されている。そのため前記干渉計用反射ミラーはレチクル厚さ以上のサイズとなり、検出系ＡＳは干渉計用反射ミラーとの干渉を避けた位置に配置される。従って、検出系ＡＳをレチクル面に近づけて配置する場合、前記干渉計用ミラーとの干渉を避けた位置までしか近づけられない。
【００７４】
また、検出系ＡＳは、レチクルＲもしくはレチクルステージＲＳＴ上に構成された基準マークあるいはウエハステージＷＳＴ上の基準マークＦＭを計測し、かつ露光時には露光光と干渉しないようにするために、また任意の像高を検出可能とするために駆動系を構成している。従って一定の厚さ寸法が必要となる。
【００７５】
以上のような背景のため、十分に検出系ＡＳ内部に入り込んだ位置に光学素子４１を配置できない可能性が有る。
【００７６】
図２４にレチクル近傍部の拡大図を示す。本案では、ケーシング４０のレチクルＲ側に整流板Ｐ６を構成し、光学素子４１と整流板Ｐ６の間に気体が淀む空間を構成している。このことにより、光学素子４１の外気に接する面上での気流流速は低減し、光学素子４１の曇りを抑制することが可能となる。
【００７７】
整流板Ｐ６はアルミあるいはステンレス等の材料を用い、表面処理は実施しないで、部品洗浄を行うことで十分にクリーン化が可能であり、例えばガスクロマトグラフィーによる有機物脱ガス測定で検出限界以下の０．０５ｕｇ／ｍ３程度となるものを使用することが望ましい。表面処理を実施し、あるいはセラミックス等の多孔質材料を使用した場合でも同等のクリーン度が確保出来れば良い。
【００７８】
また。整流板Ｐ６のレチクル側の淵部に折り返し部を構成しても構わない。また、一定の傾斜を設けても構わない。
【００７９】
また、第３の実施形態と組み合わせて実施してもかまわない。配置スペースが許容する範囲で検出系ＡＳ内部に入り込んだ位置に光学素子４１を配置するとともに、ケーシング４０に整流板Ｐ６を構成することで光学素子４１の表面上の気流流速を低減することが可能となる。
【００８０】
（第９の実施形態）
次に第９の実施形態について図２５を参照して説明する。図１８と同一な構成要素は説明を省略する。第９の実施形態では、レチクルステージＲＳＴ空間を空調するための温調エアが、投影光学系１３のレチクル側の上面に流れ込む場合の流速を減速させることに着目したものである。図２６に投影光学系１３のレチクル側上面部近傍の拡大図を示す。レチクルステージベース６０には露光光を投影光学系１３に導光するための開口部６１が構成されている。また、レチクルステージＲＳＴ空間には図中矢印で示す温調エアが流れている。この温調エアが前記開口部６１より投影光学系１３の上面側に流れ込む。特に走査型露光装置では、レチクスステージＲＳＴが走査動作により図２５の如く移動するため、開口部６１の上部は開放状態となり、前記温調エアが流れ込みやすくなる。このため、レチクルステージベース６０に構成された開口部６１の上面側（レチクルステージ側）に整流板Ｐ７を構成し、投影光学系１３との間に気流が淀む空間を構成することで投影光学系１３の上面に構成された光学素子の外気に接する面上の気流流速を低減させることが可能となる。
【００８１】
整流板Ｐ７はアルミあるいはステンレス等の材料を用い、表面処理は実施しないで、部品洗浄を行うことで十分にクリーン化が可能であり、例えばガスクロマトグラフィーによる有機物脱ガス測定で検出限界以下の０．０５ｕｇ／ｍ３程度となるものを使用することが望ましい。表面処理を実施し、あるいはセラミックス等の多孔質材料を使用した場合でも同等のクリーン度が確保出来れば良い。
【００８２】
また。整流板Ｐ７のレチクル側の淵部に折り返し部を構成しても構わない。また、一定の傾斜を設けても構わない。
【００８３】
また、整流板Ｐ７を構成せずに、開口部６１の形状が露光光束に干渉しない範囲で円錐状等の形状に形成されていても構わない。
【００８４】
（第１０の実施形態）
次に第１０の実施形態について図２７を参照して説明する。図１８と同一な構成要素は説明を省略する。図２７では不図示の環境チャンバより投影光学系１３の温度を一定に保つため、あるいは熱的外乱を防止するための温調エアが供給されている。投影光学系１３の周りにはカバー７０が構成され、カバー７０には前記温調エアの導入口７１、排出口７２が構成されている。さらに前記温調エアが投影光学系１３のレチクル側の上面に流れ込むことを防止するために整流板Ｐ８が構成されている。整流板Ｐ８は投影光学系１３に固定されていても構わないし、レチクルステージベース６０に固定されていても構わない。
【００８５】
また、レチクルステージＲＳＴの駆動時の振動、変形をレチクルステージベース６０、整流板Ｐ８を介して投影光学系１３に伝達し、結像性能に影響を与えないために、レチクルステージベース６０と整流板Ｐ８との間あるいは整流板Ｐ８と投影光学系１３との間に僅かな隙間を設けても構わない。
【００８６】
また、整流板Ｐ８を複数に分割し、レチクルステージベース６０および投影光学系１３それぞれに整流板を保持させても構わない。分割された整流板はラビリンス構造の如く互いに気流方向に対してオーバーラップした部分を構成し、気流を妨げるような配置となっていることが望ましい。
【００８７】
また、前記振動、変形の伝達を防止するために柔軟性のある素材で連結しても構わない。この場合、前記隙間は不要である。
【００８８】
また、前記温調エアが投影光学系１３のウエハ側下面に流れ込む場合は、投影光学系１３固定部等に整流板を構成しても構わない。
【００８９】
整流板Ｐ８はアルミあるいはステンレス等の材料を用い、表面処理は実施しないで、部品洗浄を行うことで十分にクリーン化が可能であり、例えばガスクロマトグラフィーによる有機物脱ガス測定で検出限界以下の０．０５ｕｇ／ｍ３程度となるものを使用することが望ましい。表面処理を実施し、あるいはセラミックス等の多孔質材料を使用した場合でも同等のクリーン度が確保出来れば良い。
【００９０】
また、柔軟性のある素材たとえばフッ素系の樹脂等を使用する場合は、加熱処理等を実施してクリーン度を確保する処理が施されていることが望ましい。
【００９１】
（第１１の実施形態）
次に第１１の実施形態について図２８を参照して説明する。図２８は図２７のウエハステージＷＳＴ近傍を拡大した図である。ウエハステージＷＳＴの位置検出用干渉計２３の光路温度安定性を確保するために不図示の環境チャンバより温調エアが供給され、供給部７５からウエハステージＷＳＴが配置される空間に供給されている。前記温調エアは投影光学系１３のウエハ側下面に流れ込むため、投影光学系１３の下面に構成されている光学素子の外気に接する面の上の気流流速を低減し流量を低減するために整流板Ｐ９を構成している。投影光学系１３の下面に構成されている光学素子の外気に接する面の上の気流流速を低減し流量を低減することで、光学素子の外気に接する面の曇りを抑制できる。
【００９２】
整流板Ｐ９はアルミあるいはステンレス等の材料を用い、表面処理は実施しないで、部品洗浄を行うことで十分にクリーン化が可能であり、例えばガスクロマトグラフィーによる有機物脱ガス測定で検出限界以下の０．０５ｕｇ／ｍ３程度となるものを使用することが望ましい。表面処理を実施し、あるいはセラミックス等の多孔質材料を使用した場合でも同等のクリーン度が確保出来れば良い。
【００９３】
また、整流板Ｐ９のウエハ側の淵部に折り返し部を構成しても構わない。
【００９４】
図１２では投影光学系１３に対して温調エア供給部７５側にのみ整流板を構成しているが、投影光学系１３の周囲に構成しても構わない。整流板を構成することで投影光学系１３の下面に構成されている光学素子の外気に接する面の上の気流流速を低減し流量を低減できれば良い。
【００９５】
第１〜１１の実施形態では、走査露光型露光装置および一括露光型露光装置等の露光装置に本発明を適用した例を示したが、本発明は、それに限定されるものではなく、光学要素が同様の環境で使用されるいかなる装置に適用しても同様の効果を奏するものである。
【００９６】
また、投影光学系が反射型光学系の場合であっても、その反射面の周囲に整流板を構成する等、本発明を適用すれば、同様の効果が得られる。
【００９７】
以上説明した実施形態によれば、ケーシングに収納された光学装置の外気に接する光学素子面の曇りを防止できる。さらに、前記光学装置を露光装置の光源からウエハ面までの間に配置される光学装置に適用すれば、露光照度の劣化を抑えて、安定したデバイス生産が可能となる。
【００９８】
また、露光装置の光源からウエハ面までを完全な密閉構造とすることなく照度劣化を抑制できるため、装置が大型化せず、パージ用ガスの消費流量を低減でき、装置のランニングコストを大幅に低減できる。
【００９９】
次に上記の露光装置を利用したデバイス製造プロセスの例として、半導体デバイスの製造プロセスを説明する。
【０１００】
図２９は、半導体デバイスの全体的な製造プロセスのフローを示す図である。ステップ１（回路設計）では半導体デバイスの回路設計を行なう。ステップ２（マスク作製）では設計した回路パターンに基づいてマスクを作製する。一方、ステップ３（ウエハ製造）ではシリコン等の材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、上記のマスクとウエハを用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の組み立て工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これを出荷（ステップ７）する。
【０１０１】
図３０は、上記ウエハプロセスの詳細なフローを示す図である。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶縁膜を成膜する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では上記の露光装置によって回路パターンを感光剤が塗布されたウエハに転写して潜像パターンを形成する。ステップ１７（現像）ではウエハ上の感光剤に形成された潜像パターンを現像する。ステップ１８（エッチング）では現像により形成されたパターンをマスクとしてエッチングを行なう。ステップ１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンを形成する。
【図面の簡単な説明】
【０１０２】
【図１】従来光学装置の説明図
【図２】本発明の第１の実施形態の説明図
【図３】本発明の第１の実施形態の説明図
【図４】従来光学装置の拡大図
【図５】本発明の第１の実施形態の拡大図
【図６】本発明の第１の実施形態の拡大図
【図７】従来光学装置の説明図
【図８】図７の断面図
【図９】本発明の第２の実施形態の説明図
【図１０】従来光学装置の気流解析結果
【図１１】２．５ｍｍ移動時の気流解析結果
【図１２】５．０ｍｍ移動時の気流解析結果
【図１３】７．５ｍｍ移動時の気流解析結果
【図１４】流速測定点の説明図
【図１５】測定点毎の解析結果
【図１６】第３の実施形態に係る寸法Ｄと流速の平均値との関係を示す図
【図１７】本発明の第４の実施形態の説明図
【図１８】本発明の第５の実施形態の説明図
【図１９】図１８の要部拡大図
【図２０】本発明の実施例６の説明図
【図２１】本発明の第６の実施形態の説明図
【図２２】本発明の第７の実施形態の説明図
【図２３】本発明の第８の実施形態の説明図
【図２４】図２３の要部拡大図
【図２５】本発明の第９の実施形態の説明図
【図２６】図２５の要部拡大図
【図２７】本発明の第１０の実施形態の説明図
【図２８】本発明の第１１の実施形態の説明図
【図２９】半導体デバイスの製造プロセスを示す図
【図３０】図２９のウエハプロセスの詳細を示す図
【符号の説明】
【０１０３】
１  光源
２  照明系整形光学系
３  フライアイレンズ
４  コンデンサーレンズ
５  視野絞り
６Ａ、６Ｂ  可動ブラインド駆動部
７Ａ、７Ｂ  可動ブラインド
８  リレーレンズ
１０  レチクルステージ制御部
１１  可動ブラインド制御部
１２  主制御部
１３  投影光学系
１５  ウエハステージ制御部
１６  アライメントセンサ
１７  制御部
２１  照明領域
２２，２３  干渉計
３０  ケーシング
３１、３２、３３、３４、３５、３６  光学素子
３７  ケーシング
３８  鏡筒
４０  ケーシング
４１  光学素子
４２  シール
４３  温調エア吹きだし部
６０  レチクルステージベース
６１  開口部
６５  吸着部
７０  カバー
７１  供給部
７２  排気部
７５  供給部
ＲＳＴ  レチクルステージ
ＷＳＴ  ウエハステージ
Ｇ１  光学素子
Ｇ２  補正光学素子
Ｒ０  基準レチクル
Ｒ  レチクル
Ｗ  ウエハ
Ｐ１、Ｐ２、Ｐ、３、Ｐ４、Ｐ５、Ｐ６、Ｐ７、Ｐ８、Ｐ９、Ｐ１０ａ、Ｐ１０ｂ  整流板
ＣＨ  環境チャンバ
【図１】
2006245400.tif 000003
【図２】
2006245400.tif 000004
【図３】
2006245400.tif 000005
【図４】
2006245400.tif 000006
【図５】
2006245400.tif 000007
【図６】
2006245400.tif 000008
【図７】
2006245400.tif 000009
【図８】
2006245400.tif 000010
【図９】
2006245400.tif 000011
【図１０】
2006245400.tif 000012
【図１１】
2006245400.tif 000013
【図１２】
2006245400.tif 000014
【図１３】
2006245400.tif 000015
【図１４】
2006245400.tif 000016
【図１５】
2006245400.tif 000017
【図１６】
2006245400.tif 000018
【図１７】
2006245400.tif 000019
【図１８】
2006245400.tif 000020
【図１９】
2006245400.tif 000021
【図２０】
2006245400.tif 000022
【図２１】
2006245400.tif 000023
【図２２】
2006245400.tif 000024
【図２３】
2006245400.tif 000025
【図２４】
2006245400.tif 000026
【図２５】
2006245400.tif 000027
【図２６】
2006245400.tif 000028
【図２７】
2006245400.tif 000029
【図２８】
2006245400.tif 000030
【図２９】
2006245400.tif 000031
【図３０】
2006245400.tif 000032