(57)【要約】【課題】  小型・低背なコモンモードチョークコイルを提供する。【解決手段】  互いに対向配置された一対の渦巻き状のコイルが埋め込まれた絶縁体層３０と該絶縁体層３０を厚み方向に挟み込むように積層した一対の磁性体とからなる積層体１０を備えたコモンモードチョークコイル１において、前記磁性体はフェライトメッキ、エアロゾルデポジション法、スパッタ法、レーザー蒸着法、ＣＶＤなどの非焼結方式成膜法により形成された膜状磁性体４１，４２からなり、該膜状磁性体４１，４２の外側は絶縁性樹脂層５１，５２により被覆され、前記コイルと端子電極とを接続する引出電極が前記膜状磁性体４１，４２を貫通している。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向配置された一対の渦巻き状のコイルが埋め込まれた絶縁体層と該絶縁体層を厚み方向に挟み込むように積層した一対の磁性体とからなる積層体と、該積層体表面に形成した端子電極とを備えたコモンモードチョークコイルにおいて、
前記磁性体は非焼結方式成膜法により形成された膜状磁性体からなり、
該膜状磁性体の外側は絶縁性樹脂層により被覆され、
前記コイルと端子電極とを接続する引出電極が前記膜状磁性体を貫通している
ことを特徴とするコモンモードチョークコイル。
【請求項２】
前記一対の膜状磁性体は、コイルの外周の外側において絶縁体層と交差する面に形成された第２の膜状磁性体により互いに接続されている
ことを特徴とする請求項１記載のコモンモードチョークコイル。
【請求項３】
前記一対の膜状磁性体は、コイルの外周の外側において絶縁体層と交差する面に形成された第３の膜状磁性体により互いに接続されている
ことを特徴とする請求項１又は２何れか１項記載のコモンモードチョークコイル。
【請求項４】
引出電極は前記第３の膜状磁性体を貫通している
ことを特徴とする請求項３記載のコモンモードチョークコイル。
【請求項５】
複数対のコイルを備えるとともに、前記膜状磁性体は各コイル対に対応して分離形成されている
ことを特徴とする請求項１乃至３何れか１項記載のコモンモードチョークコイル。
【請求項６】
前記膜状磁性体の厚みは７５μｍ未満である
ことを特徴とする請求項１乃至５何れか１項記載のコモンモードチョークコイル。
【請求項７】
前記絶縁性樹脂の線膨張係数は１０ｐｐｍ以上８０ｐｐｍ以下である
ことを特徴とする請求項１乃至６何れか１項記載のコモンモードチョークコイル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高速差動伝送などの用途においてコモンモードノイズの除去などを目的として用いられるコモンモードチョークコイルに関し、特に非巻線型のコモンモードチョークコイルに関する。
【背景技術】
【０００２】
コモンモードチョークコイルは巻線型と非巻線型に大別されるが、後者の非巻線型のコイルは小型化・低背化という観点から好ましいものである。従来、非巻線型のコモンモードチョークコイルの基本構造としては特許文献１に記載されたものが知られている。このコモンモードチョークコイルは、フェライトの焼結体等からなる一対の磁性体基板と、この磁性体基板に挟まれた積層体とを備えている。積層体は、絶縁体層とコイル導体層及び引出電極層とを積層したものである。絶縁体層はポリイミド樹脂やエポキシ樹脂等の材料により形成されている。
【特許文献１】特開平８−２０３７３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
この種のコモンモードチョークコイルでは、低背化すなわち部品厚みの薄型化が大きな課題としてある。従来のコモンモードチョークコイルでは磁性体基板として数百μｍ厚のフェライト板を用いており、このフェライト板の厚みが部品全体の厚みの半分以上を占めている。そこで、低背化の方向性として該磁性体基板の薄型化が検討されるが、機械的強度の問題から１００μｍ以下のフェライト板の製造・実装は困難であった。
【０００４】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、小型・低背なコモンモードチョークコイルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、本願では、互いに対向配置された一対の渦巻き状のコイルが埋め込まれた絶縁体層と該絶縁体層を厚み方向に挟み込むように積層した一対の磁性体とからなる積層体と、該積層体表面に形成した端子電極とを備えたコモンモードチョークコイルにおいて、前記磁性体は非焼結方式成膜法により形成された膜状磁性体からなり、該膜状磁性体の外側は絶縁性樹脂層により被覆され、前記コイルと端子電極とを接続する引出電極が前記膜状磁性体を貫通していることを特徴とするものを提案する。
【０００６】
本発明によれば、磁性体が非焼結方式成膜法により形成された厚み数十μｍ以下の膜状磁性体からなるので、フェライト板を用いていた従来のものと比較して大幅な小型・低背化が可能となる。なお、非焼結方式成膜法としては、フェライトメッキ，エアロゾルデポジション法，スパッタ法，レーザー蒸着法、ＣＶＤなどがあげられ、この非焼結方式成膜法で形成した膜状磁性体を使ったコモンモードチョークコイルは、フェライト焼結体を使ったそれと比較して同程度かそれ以上の性能が出せることがシミュレーションより確認されている。
【０００７】
また、この種の電子部品では基板実装時の信頼性も重要な課題となる。具体的には、実装時の衝撃耐性及び基板との線膨張係数のマッチングが課題となる。本願発明では、比較的衝撃に弱く、また線膨張係数の調整が困難な磁性体を、衝撃吸収率が高く、また線膨張係数の調整が容易な絶縁性樹脂層により被覆しているので、容易に信頼性を向上させることができる。
【発明の効果】
【０００８】
以上説明したように本発明に係るコモンモードチョークコイルによれば、コモンモードインピーダンスなどの性能を維持しつつ、従来品と比較して大幅な小型・低背化を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態に係るコモンモードチョークコイルについて図面を参照して説明する。図１はコモンモードチョークコイルの外観斜視図、図２は積層体の分解斜視図、図３は積層体の断面図である。
【００１０】
このコモンモードチョークコイル１は、図１に示すように、一対のコイルが埋設されされた積層体１０と、該積層体１０の側面に形成され、それぞれ各コイル端に接続した端子電極２１，２２，２３，２４とを備えている。積層体１０は、各コイルが埋設された第１の絶縁体層３０と、第１の絶縁体層３０の両面に形成された膜状の磁性体層４１，４２と、磁性体層４１，４２の外側に該磁性体層４１，４２を被覆するように形成された第２の絶縁体層５１，５２とを積層した構造となっている。
【００１１】
積層体１０の内部構造について図２の分解斜視図及び図３の断面図を参照して説明する。なお、図２はコイル及び端子電極の構造を説明するため積層体１０の層構造については図示を省略した。
【００１２】
図２及び図３に示すように、積層体１０内には、互いに対向配置された一対の渦巻き状のコイル導体６１，６２と、コイル導体６１，６２の外周側端部を端子電極２１，２２に接続する引出電極７１，７２と、コイル導体の内周側端部を端子電極２３，２４に接続する引出電極７３，７４とが埋設されている。コイル導体６１，６２と引出電極７１，７２は第１の絶縁体層３０に埋設されており、引出電極７３，７４は第２の絶縁体層５１，５２に埋設されている。引出電極７１，７２は、それぞれコイル導体６１，６２と同層に形成されている。引出電極７３，７４は、端子電極２３，２４からコイル導体６１、６２の内周側端部と厚み方向に重なる位置まで延びている。引出電極７３，７４の端部は、第２の絶縁体層５１，５２、磁性体層４１，４２、第１の絶縁体層３０を貫通するビア８１，８２により、コイル導体６１，６２の内周側端部と電気的に接続されている。
【００１３】
コイル導体６１，６２、引出電極７１〜７４の材料としては、導電性に優れた金属、例えばＡｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｌ或いはこれらの合金などが用いられる。
【００１４】
第１の絶縁体層３０及び第２の絶縁体層５１，５２としては、プリント配線板や薄膜プロセスの層間絶縁層として用いられる基材と同じものが用いられ、これらで一般的に用いられるベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）ポリイミド，エポキシ，ポリエステルなどの有機樹脂を材料とする。また、第１の絶縁体層３０及び第２の絶縁体層５１，５２の線膨張係数は、実装先の基板の線膨張係数と近い値が好ましく、具体的には１０〜８０ｐｐｍが好ましい。
【００１５】
磁性体層４１，４２は、透磁率２５以上を有する磁性体材料からなり、フェライトメッキ、エアロゾルディポジション法、スパッタ法，レーザー蒸着法、ＣＶＤなどの非焼結方式成膜法により形成された強磁性膜である。磁性体層４１，４２の厚みは、数十μｍ以下（７５μ未満）である。
【００１６】
次に、このコモンモードチョークコイルの製造方法について図４及び図５を参照して説明する。
【００１７】
まず、従来からプリント配線板の製造において採用されているビルドアップ法を用いて第１の絶縁体層３０に相当する部分を製造する。具体的には、図４に示すように、第１の絶縁体層３０のうちコイル導体６１，６２の間に介在する部分となる基台１０１の両面に、鍍金，エッチング，印刷，インクジェット法などによりコイル導体パターン１０２を形成する（図４（ａ））。
【００１８】
次に、第１の絶縁体層３０の他の部分に相当する樹脂層１０３を基台１０１の両面に形成する（図４（ｂ））。この樹脂層１０３は銅張積層板（ＲＣＣ）やドライフィルム状の絶縁材料の場合には熱真空ラミネートや静水圧プレス法などで成膜し、液状の絶縁材料の場合はスピンコート法で成膜する。特に熱真空ラミネートを用いると膜厚バラツキを抑える点で好適である。樹脂層１０３の材料としては各種有機樹脂が用いられるが、樹脂としては熱可塑性樹脂又は熱硬化性樹脂のどちらであってもよい。
【００１９】
熱硬化性樹脂の例としては、ベンゾシクロブテン（BCB）、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビニルエステル樹脂、ポリイミド樹脂（ＰＩ）、ポリフェニレンエーテルオキサイド樹脂（ＰＰＯ）、ビスマレイミドトリアジンシアネートエステル樹脂、フマレート樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリビニルベンジルエーテル樹脂などが挙げられる。また熱可塑性樹脂の例としては、超低密度ポリエチレン樹脂（ＶＬＤＰＥ）、低密度ポリエチレン樹脂（ＬＤＰＥ）、線状低密度ポリエチレン樹脂（ＬＬＤＰＥ）、中密度ポリエチレン樹脂（ＭＤＰＥ）、高密度ポリエチレン樹脂（ＨＤＰＥ）、ポリプロピレン樹脂（ＰＰ）、ポリブテン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、エチレン・ビニルアルコール共重合体、ポリアクリロニトリル、ポリアミド樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、アイソタクチックポリスチレン樹脂、液晶ポリマーなどが挙げられる。
【００２０】
なお、熱可塑性樹脂を用いる場合、ラミネートによるより内側の絶縁層厚変動を防ぐため基台となる絶縁樹脂層よりもより外側の絶縁樹脂層の可塑温度が低いことが重要である。
【００２１】
次に、樹脂層１０３の両面に、フェライトメッキ、エアロゾルディポジション法、スパッタ法、レーザー蒸着法、ＣＶＤなどの非焼結方式成膜法によってフェライト膜からなる磁性体層１０４を厚み数十μｍ以下で形成する（図４（ｃ））。次に、磁性体層１０４の表面に、第２の絶縁体層５１，５２に相当する樹脂層１０５を前述と同様の手法・材料で形成する（図４（ｄ））。次に、ビア８１，８２を形成するために貫通孔を形成し、さらに引出電極パターン１０６を形成する（図４（ｅ））。次に、該引出電極パターン１０６を埋設するように、さらに第２の絶縁体層５１，５２に相当する樹脂層１０７を形成する（図５（ｆ））。次に、この積層体を単位部品毎にカットすることで積層体１０が得られる（図５（ｇ））。最後に、積層体１０の側面に蒸着，スパッタリング，無電解メッキ，ディップ法，バレルメッキ，印刷法などで端子電極２１〜２４を形成することで、コモンモードチョークコイル１が得られる。
【００２２】
本実施の形態に係るコモンモードチョークコイル１によれば、フェライトメッキ、エアロゾルデポジション法、スパッタ法、レーザー蒸着法、ＣＶＤなどの非焼結方式成膜法により数十μｍ以下の厚みに形成したので、小型・低背なものとなる。また、コモンモードチョークコイル１の上下面は磁性体層４１，４２を被覆するように絶縁性の樹脂層５１，５２が形成されているので、耐衝撃性に優れているとともに、樹脂層５１，５２の線膨張係数を１０〜８０ｐｐｍとすることで基板実装時の信頼性が向上する。
【００２３】
また、本実施の形態では、一対のコイル導体６１，６２の間に介在する部位を基台として、磁性体層４１，４２方向にビルドアップ法により第１の絶縁体層３０を形成したので、一対のコイル導体６１、６２の間隔を高精度に安定させることができる。このコイル間隔はコモンモードチョークコイルの特性に大きく影響するので、特性の安定性という観点から好適である。
【００２４】
（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態に係るコモンモードチョークコイルについて図面を参照して説明する。図６はコモンモードチョークコイルの断面図である。
【００２５】
本実施の形態に係るコモンモードチョークコイル２が第１の実施の形態と異なる点は、第１の実施の形態では磁路が開放された開磁路型となっているのに対して、本実施の形態では磁路が閉じた閉磁路型となっている点にある。すなわち、積層体１０における層構造が第１の実施の形態と相違する。コイル導体６１，６２や引出電極７１〜７４などの電極構造については第１の実施の形態と同様である。
【００２６】
積層体１０は、図６に示すように、第１の実施の形態と同様の材料からなる絶縁体層３５内に、コイル導体６１，６２や引出電極７１〜７４やビア８１，８２を埋設した構造となっている。磁性体層４１，４２は、第１の実施の形態と同様に、コイル導体６１，６２の形成層と引出電極７３，７４の形成層の間に配置されている。ただし、第１の実施の形態とは異なり、磁性体層４１，４２が、コイル導体６１，６２の内周の内側において第２の磁性体９１によって接続され、コイル導体６１，６２の外周の外側において第３の磁性体９２によって接続した構造となっている。この磁性体層４１と、前記第２の磁性体９１及び第３の磁性体９２は一体となって、積層面と交差する方向に面状に形成されている。コイル導体６１，６２の外周側端部と端子電極２１，２２とを接続する引出電極７１，７２は第３の磁性体９２を貫通している。なお、図６では積層体１０の端子電極形成面と並行に形成された第２の磁性体９１及び第３の磁性体９２のみを図示したが、端子電極非形成面と並行する部位にも第２及び第３の磁性体は形成されている。また、磁性体層４１，４２は積層体１０の側面までは延びておらず、前記第３の磁性体９２の端部まで形成された構造となっている。すなわち、磁性体層４１，４２、第２の磁性体９１，第３の磁性体９２により閉磁路が形成される。
【００２７】
次に、このコモンモードチョークコイル２の製造方法について図７及び図８を参照して説明する。
【００２８】
まず、第１の実施の形態における図４（ａ）〜（ｂ）と同様の手法・手順で、コイル導体２０１が埋設された樹脂層２０２を形成し、該樹脂層２０２に磁性体層２０３を非焼結方式成膜法により形成する（図７（ａ））。この磁性体層２０３は、前記磁性体層４２に相当するものである。磁性体層２０３の形成には、第１の実施の形態と同様のフェライトメッキ、エアロゾルデポジション法、スパッタ法、レーザー蒸着法、ＣＶＤなどの非焼結方式成膜法が用いられるが、前述したように部品周縁部には形成されないようフォトレジスタやメタルマスクを用いる。次に、磁性体層２０３を形成した側に樹脂層２０４を形成する（図７（ｂ））。そして、さらにビア用の貫通孔（図示省略）を形成し、引出電極パターン（図示省略）を形成し、さらに樹脂層２０５を形成する（図７（ｃ））。
【００２９】
次に、前述の第３の磁性体９２を成膜するための貫通孔２０６をコイルの外側に形成するとともに、第２の磁性体９１を成膜するための貫通孔２０７をコイルの内側に形成する（図７（ｄ））。この貫通孔２０６は内部の電極パターンを切断しないよう、レーザー、サンドブラスト、化学エッチングなどの方法で形成する。次に、該貫通孔２０６及び貫通孔２０７の内面並びに樹脂層２０２の表面に磁性体膜２０８を、前記と同様にフェライトメッキ、エアロゾルデポジション法、スパッタ法、レーザー蒸着法、ＣＶＤなどの非焼結方式成膜法により一体に形成する（図８（ｅ））。そして、磁性体膜２０８の上面に樹脂層２０９を形成する（図８（ｆ））。このとき、貫通孔２０７内にも樹脂が充填される。次に、ビア用の貫通孔を形成し、引田電極パターン２１０を形成し、さらに樹脂層２１１を形成する（図８（ｇ））。以降は、第１の実施の形態と同様に、単位部品毎に切断して得られた積層体１０の側面に端子電極を形成することにより、コモンモードチョークコイル２が得られる。なお、各樹脂層２０４等の形成方法は第１の実施の形態と同様である。
【００３０】
本実施の形態に係るコモンモードチョークコイル２によれば、積層体１０内において磁路が閉じた構造となるので、コモンモードインピーダンスが向上したものとなる。他の作用・効果については第１の実施の形態と同様である。
【００３１】
（第３の実施の形態）
本発明の第３の実施の形態に係るコモンモードチョークコイルについて図面を参照して説明する。図９はコモンモードチョークコイルの外観斜視図、図１０はコモンモードチョークコイルの断面図である。
【００３２】
本実施の形態に係るコモンモードチョークコイル３が第１の実施の形態と異なる点は、第１の実施の形態では一対のコイルを内蔵した２回路４端子のコモンモードチョークコイルであったのに対して、本実施の形態では二対のコイルを内蔵した４回路８端子のアレイ型コモンモードチョークコイルとした点にある。なお、図９及び図１０においては、各系統を表すために参照符号の末尾に「ａ」「ｂ」という符号を付している。
【００３３】
このコモンモードチョークコイル３は、図９及び図１０に示すように、第１の実施の形態と同様に、積層体１０の側面に端子電極２１ａ〜２４ａ，２１ｂ〜２４ｂが形成されている。積層体１０は、第１の実施の形態と同様に、第１の絶縁体層３０、第１の絶縁体層３０の両面に形成された磁性体層４１，４２、磁性体層４１，４２の表面に形成された第２の磁性体層５１，５２とを積層した構造となっている。積層体１０内のコイル及び引出電極の構造は第１の実施の形態にかかるコイル及び引出電極を二系統分並設した構造となっている。本実施の形態の特徴的な点は、図１０に示すように、磁性体層４１，４２が各系統毎に分離されている点にある。すなわち、磁性体層４１ａ，４２ａの間に第１の系統に係るコイル導体６１ａ，６２ａが配置されており、磁性体層４１ｂ，４２ｂの間に第２の系統に係るコイル導体６１ｂ，６２ｂが配置されている。他の構成・材質・製造方法等は第１の実施の形態と同様である。
【００３４】
本実施の形態に係るコモンモードチョークコイルによれば、磁性体層４１，４２が各系統毎に分離されているので、系統間での磁気的結合を低減させることができる。これにより、系統間でのクロストークを低減させることができる。他の作用・効果については第１の実施の形態と同様である。なお、本実施の形態は第１の実施の形態の変形例として説明したが、第２の実施の形態のコモンモードチョークコイルに対しても同様の構成を採用することができる。
【００３５】
（第４の実施の形態）
本発明の第４の実施の形態に係るコモンモードチョークコイルについて図面を参照して説明する。図１１はコモンモードチョークコイルの外観斜視図、図１２はコモンモードチョークコイルの断面図である。
【００３６】
本実施の形態に係るコモンモードチョークコイル４が第１の実施の形態と異なる点は、図１１及び図１２に示すように、コイル導体６１と異なる層に形成した引出電極７３と、コイル導体６２と異なる層に形成した引出電極７４とを、同一の層に形成した点にある。具体的には、コイル導体６２と引出電極７４とを接続するビア６２を磁性体層４１を貫通させることにより、引出電極７４を引出電極７３と同層に形成する。他の構成や製造方法などは第１の実施の形態と同様である。
【００３７】
本実施の形態によれば、第１の実施の形態と比較して、第２の絶縁体層５２をより薄く形成することができるので小型化・低背化という観点から好適である。また、第２の絶縁体層５２の層数が少なくなるので製造コストの観点からも好適である。他の作用・効果については第１の実施の形態と同様である。なお、本実施の形態は第１の実施の形態の変形例として説明したが、第２又は第３の実施の形態のコモンモードチョークコイルに対しても同様の構成を採用することができる。
【００３８】
（第５の実施の形態）
本発明の第５の実施の形態に係るコモンモードチョークコイルについて図面を参照して説明する。図１３は積層体の分解斜視図、図１４はコモンモードチョークコイルの断面図である。
【００３９】
本実施の形態に係るコモンモードチョークコイル５が第２の実施の形態と異なる点は、一対のコイルをそれぞれ多層に亘って形成した点にある。本実施の形態では、図１３及び図１４に示すように、それぞれ異なる層に一方のコイルに係るコイル導体６１及び６３が形成されている。各コイル導体６１及び６３の内周側端部はビア８１により互いに接続している。コイル導体６３の外周側端部は、同層に形成された引出電極７３を介して端子電極２３と接続している。他方のコイルに係るコイル導体６２は、第１の実施の形態と同様に、前記コイル導体６１と対向配置されている。また、コイル導体６２と異なる層にはコイル導体６４が形成されている。各コイル導体６２及び６４の内周側端部はビア８２により互いに接続している。コイル導体６４の外周側端部は、同層に形成された引出電極７４を介して端子電極２４と接続している。各コイル導体６１〜６４は、磁性体層４１，４２，第２の磁性体９１，第３の磁性体９２によって囲まれるように配置されている。各引出電極７１〜７４は第３の磁性体９２を貫通して端子電極２１〜２４に接続している。他の構成については第２の実施の形態と同様である。
【００４０】
次に、本実施の形態に係るコモンモードチョークコイル５の製造方法について図１５及び図１６を参照して説明する。
【００４１】
まず、上記各実施の形態と同様に、磁性体層４１，４２の間の層についてビルドアップ法などにより作成して積層体５０１を得る（図１５（ａ））。次に、この積層体５０１に、前述の第３の磁性体９２を成膜するための貫通孔５０２をコイルの外側に形成するとともに、第２の磁性体９１を成膜するための貫通孔５０３をコイルの内側に形成する（図１５（ｂ））。この貫通孔５０２は内部の電極パターンを切断しないようレーザー、サンドブラスト、化学エッチングなどの方法で形成する。
【００４２】
一方、前記磁性体層４２を被覆する絶縁体層に相当する絶縁シート５０４を用意し、この絶縁シート５０４に上述のフェライトメッキ、エアロゾルデポジション法、スパッタ法、レーザー蒸着法、ＣＶＤなどの非焼結方式成膜法により磁性体膜５０５を形成し、この絶縁シート５０４を前記積層体５０１に貼り合わせる（図１５（ｃ），（ｄ））。
【００４３】
次に、前記貫通孔５０２及び貫通孔５０３の内面に、前記と同様にフェライトメッキ、エアロゾルデポジション法、スパッタ法、レーザー蒸着法、ＣＶＤなどの非焼結方式成膜法により磁性体膜５０６を一体に形成する（図１６（ｅ））。そして、磁性体膜５０６の上面に樹脂層５０７を形成する（図１６（ｆ））。このとき、貫通孔５０３内にも樹脂が充填される。以降は、第１の実施の形態と同様に、単位部品毎に切断して得られた積層体１０の側面に端子電極を形成することにより、コモンモードチョークコイル５が得られる。
【００４４】
次に、本実施の形態に係るコモンモードチョークコイル５の他の製造方法について図１７及び図１８を参照して説明する。
【００４５】
まず、各実施の形態と同様に、磁性体層４１，４２の間の層についてビルドアップ法などにより作成して積層体５１１を得て、この積層体５１１の一方の面に上述の非焼結方式成膜法により磁性体膜５１２を形成する（図１７（ａ））。次に、この積層体５１１に、前述の第３の磁性体９２を成膜するための貫通孔５１３をコイルの外側に形成するとともに、第２の磁性体９１を成膜するための貫通孔５１４をコイルの内側に形成する（図１７（ｂ））。この貫通孔５１３は内部の電極パターンを切断しないようレーザー、サンドブラスト、化学エッチングなどの方法で形成する。
【００４６】
次に、前記磁性体層４２を被覆する絶縁体層に相当する絶縁シート５１５を用意し、この絶縁シート５１５を積層体５１１に貼り合わせる（図１８（ｃ），（ｄ））。次に、前記貫通孔５１３及び貫通孔５１４の内面並びに貫通孔５１４の底面に磁性体膜５１６を前記非焼結方式成膜法により一体に形成する（図１８（ｅ））。次に、磁性体膜５１６の上面に樹脂層５１７を形成する（図１８（ｆ））。このとき、貫通孔５１４内にも樹脂が充填される。以降は、第１の実施の形態と同様に、単位部品毎に切断して得られた積層体１０の側面に端子電極を形成することにより、コモンモードチョークコイル５が得られる。
【００４７】
本実施の形態に係るコモンモードチョークコイル３によれば、第２の実施の形態と比較して、積層体１０厚みを変えることなく各コイルの巻数を多くすることができるので、コモンモードインピーダンスの向上という観点から好適である。他の作用・効果については第２の実施の形態と同様である。なお、本実施の形態と同様のコイル構造について、第３の実施の形態で説明したようにアレイ型コモンモードチョークコイルとして実装することも可能である。
【００４８】
（第６の実施の形態）
本発明の第６の実施の形態に係るコモンモードチョークコイルについて図面を参照して説明する。図１９は積層体の分解斜視図である。図２０はコモンモードチョークコイルの断面図である。
【００４９】
本実施の形態に係るコモンモードチョークコイル６が第５の実施の形態と異なる点は、図１９及び図２０に示すように、一つのコイルを形成する多層に形成された各コイル導体６５及び６７と、他のコイルを形成する多層に形成された各コイル導体６６及び６８とを、それぞれ交互に積層した構造となっている点にある。このコモンモードチョークコイル６の製造方法は前記第５の実施の形態と同様である。以下、図面を参照して詳細に説明する。
【００５０】
渦巻き状のコイル導体６５及びコイル導体６６は互いに対向配置するように形成されている。コイル導体６５，６６の外周側端部は、それぞれ同層に形成された引出電極７５，７６を介して端子電極２２，２３に接続している。渦巻き状のコイル導体６７は、コイル導体６６と磁性体層４２の間に配置されている。コイル導体６７の内周側端部は、ビア８３を介して前記コイル導体６５の内周側端部に接続している。また、該コイル導体６７の外周側端部は、同層に形成された引出電極７７を介して端子電極２４に接続している。引出電極７７は第３の磁性体９２を貫通している。同様に、渦巻き状のコイル導体６８は、コイル導体６５と磁性体層４１の間に配置されている。コイル導体６８の内周側端部は、ビア８４を介して前記コイル導体６６の内周側端部に接続している。また、該コイル導体６８の外周側端部は、同層に形成された引出電極７８を介して端子電極２１に接続している。引出電極７８は第３の磁性体９２を貫通している。
【００５１】
本実施の形態に係るコモンモードチョークコイル６によれば、第５の実施の形態のコモンモードチョークコイル５と比較すると、シミュレーションの結果ノーマルモードインピーダンスが低下したものとなるという結果が得られた。他の作用効果は第５の実施の形態と同様である。なお、本実施の形態と同様のコイル構造について、第３の実施の形態で説明したようにアレイ型コモンモードチョークコイルとして実装することも可能である。
【００５２】
以上、本発明の実施の形態について説明したが本発明はこれに限定されるものではない。例えば、上記実施の形態では一対のコイルを内蔵した２回路４端子や４回路８端子のコモンモードチョークコイルについて説明したが、３回路６端子のコモンモードチョークコイルにも本発明を適用することができる。また、上記第５〜第６の実施の形態では、一つのコイルを２層にわたって形成したが３層以上に亘って形成するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】第１の実施の形態に係るコモンモードチョークコイルの外観斜視図
【図２】第１の実施の形態に係る積層体の構造を説明する分解斜視図
【図３】第１の実施の形態に係る積層体の断面図
【図４】第１の実施の形態に係るコモンモードチョークコイルの製造方法を説明する図
【図５】第１の実施の形態に係るコモンモードチョークコイルの製造方法を説明する図
【図６】第２の実施の形態に係る積層体の断面図
【図７】第２の実施の形態に係るコモンモードチョークコイルの製造方法を説明する図
【図８】第２の実施の形態に係るコモンモードチョークコイルの製造方法を説明する図
【図９】第３の実施の形態に係るコモンモードチョークコイルの外観斜視図
【図１０】第３の実施の形態に係る積層体の断面図
【図１１】第４の実施の形態に係る積層体の構造を説明する分解斜視図
【図１２】第４の実施の形態に係る積層体の断面図
【図１３】第５の実施の形態に係る積層体の構造を説明する分解斜視図
【図１４】第５の実施の形態に係る積層体の断面図
【図１５】第５の実施の形態に係るコモンモードチョークコイルの製造方法を説明する図
【図１６】第５の実施の形態に係るコモンモードチョークコイルの製造方法を説明する図
【図１７】第５の実施の形態に係るコモンモードチョークコイルの他の製造方法を説明する図
【図１８】第５の実施の形態に係るコモンモードチョークコイルの他の製造方法を説明する図
【図１９】第６の実施の形態に係る積層体の構造を説明する分解斜視図
【図２０】第６の実施の形態に係る積層体の断面図
【符号の説明】
【００５４】
１，２，３，４，５，６…コモンモードチョークコイル、１０…積層体、２１〜２４…端子電極、３０，３５，５１，５２…絶縁体層、４１，４２…磁性体層、６１〜６８…コイル導体、７１〜７８…引出電極、８１〜８４…ビア、９１…第２の磁性体、９２…第３の磁性体。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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