(57)【要約】【課題】  ミストの発生を伴わずに処理液の置換を効率よく行って処理品質を向上させるとともに、被置換処理液の回収効率を向上させること。【解決手段】  第１リンス処理部１６４では、基板Ｇ上で現像反応を停止させるため、つまり現像液Ｒをリンス液（純水）Ｓに置換するために、二重ノズルユニット１６８の吸引ノズル１７０と吐出ノズル１７２が搬送方向（Ｘ方向）と逆方向に基板Ｇの上を基板の前端から後端まで一定速度で走査する。この走査中、前部の吸引ノズル１７０は基板Ｇ上の現像液Ｒを所定の吸引力で吸い取り、後部の吐出ノズル１７２はリンス液Ｓを所定の圧力または流量で吐出することで、二重ノズルユニット１６８の真下で現像液Ｒが吸い取られると同時またはその直後にリンス液Ｓが供給される。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板をほぼ水平に支持する支持部と、
前記基板上に第１の処理液を供給する第１の処理液供給部と、
前記基板上を走査する吸引ノズルを有し、前記基板上から前記第１の処理液を前記吸引ノズルで吸い取る処理液吸い取り部と、
前記吸引ノズルのあとについて前記基板上を走査する吐出ノズルを有し、前記吐出ノズルより第２の処理液を前記基板上に供給する第２の処理液供給部と
を有する処理装置。
【請求項２】
前記吸引ノズルと前記吐出ノズルとが隔離板を介して一体に結合されている請求項１に記載の処理装置。
【請求項３】
前記隔離板の下端が前記吸引ノズルおよび前記吐出ノズルのそれぞれの下端よりも下に突出している請求項２に記載の処理装置。
【請求項４】
前記吸引ノズルと前記吐出ノズルとを一体に所望の速度で前記基板と平行に移動させるノズル走査部を有する請求項２または請求項３に記載の処理装置。
【請求項５】
前記吸引ノズル内に設けられた揚水用の羽根車と、前記羽根車を回転駆動する駆動部とを有する請求項１〜４のいずれか一項に記載の処理装置。
【請求項６】
前記走査中に前記吸引ノズルの前面付近で盛り上がる前記第１の処理液の液面の高さを検出する液面高さ検出部と、前記液面高さ検出部によって検出される前記第１の処理液の液面の高さに応じて前記羽根車の回転速度を制御する回転速度制御部とを有する請求項５に記載の処理装置。
【請求項７】
前記液面高さ検出部が、前記第１の処理液の液面上に浮くフロート部と、このフロート部の高さ位置を検出する位置センサとを有する請求項６に記載の処理装置。
【請求項８】
前記支持部が、水平方向に延在する搬送路を有し、前記搬送路上で前記基板を搬送する請求項１〜７のいずれか一項に記載の処理装置。
【請求項９】
前記吸引ノズルおよび前記吐出ノズルが、ノズル長手方向に延びるスリット状の吐出口または一列に配列された多数の吐出口を有する長尺型のノズルである請求項１〜８のいずれか一項に記載の処理装置。
【請求項１０】
被処理基板上に第１の処理液を供給する第１のステップと、
前記基板上で第１の吸引ノズルを走査して、前記基板上から前記第１の処理液を前記第１の吸引ノズルで吸い取る第２のステップと、
前記基板上で前記第１の吸引ノズルのあとについて第１の吐出ノズルを走査して、前記第１の吐出ノズルより前記基板上に第２の処理液を供給する第３のステップと、
前記基板上で第２の吸引ノズルを走査して、前記基板上から前記第２の処理液を前記第２の吸引ノズルで吸い取る第４のステップと、
前記基板上で前記第２の吸引ノズルのあとについて第２の吐出ノズルを走査して、前記第２の吐出ノズルより前記基板上に第３の処理液を供給する第５のステップと
を有する処理方法。
【請求項１１】
前記第２のステップにおいて前記基板上に前記第１の処理液を所望の量だけ残し、前記第３のステップにより前記基板上で前記第１の処理液を前記第２の処理液で所望の濃度にうすめる請求項１０に記載の処理方法。
【請求項１２】
前記第１のステップにおいて、前記基板上で第３の吐出ノズルを前記第１の吐出ノズルとほぼ同一の速度および向きで走査して、前記第３の吐出ノズルより前記基板上に前記第１の処理液を供給する請求項１０または請求項１１に記載の処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被処理基板に複数種類の処理液を用いて所望の処理を施す技術に係わり、特に基板上で処理液の置換を行なう処理装置及び処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィーにおいて、現像処理は、パターンの露光を終えた被処理基板上のレジスト膜を現像液に浸して、レジスト膜に潜像したパターン以外の部分を除去し、レジストパターンを形成する工程である。一般に、現像工程では、所要の現像時間が経過すると、純水によるリンス処理で現像反応を停止させるようにしている。
【０００３】
近年、ＦＰＤ（フラット・パネル・ディスプレイ）製造用のレジスト塗布現像処理システムは、たとえば特許文献１に開示されるように、被処理基板（たとえばガラス基板）の大型化に対応するため、コロや搬送ベルト等の搬送体を水平方向に敷設してなる搬送路上で基板を搬送しながら現像、リンス、乾燥の一連の現像処理工程を行うようにした、いわゆる平流し式の現像装置を採用するものが増えてきている。
【０００４】
一般に、平流し式の現像装置は、搬送路に沿って長尺型の現像液ノズル、リンスノズルおよびエアーナイフを配置し、搬送路上を移動する基板に対して、現像液ノズルより現像液を供給して基板上に現像液を盛り（パドル現像）、所定時間の経過後にリンスノズルより純水を供給して基板上の現像液を純水に置換し（現像停止）、エアーナイフよりエアー流を噴き付けて基板上から純水を除去（乾燥）するようにしている。このような平流し式の現像処理では、基板サイズが大きくなるほど、基板の搬送方向の一端部（前端部）と他端部（後端部）との間で現像開始の時間差が大きくなる。そこで、基板上の現像開始の時間差を可及的に短くするために、現像液ノズルを走査させて現像液の液盛りに要する時間を短縮している。併せて、下流側のリンスノズルを現像液ノズルと同じ速度および向きに走査させて基板上の各部で現像時間の差をなくすようにしている。
【特許文献１】特開２００３−８３６７５
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来のこの種の現像装置は、リンス処理（現像停止処理）に際してリンスノズルを上記のように走査させた場合に、基板上で現像液とリンスノズルからの純水とが混ざり合って、現像液の除去ないし純水への置換がスムースに行われず、現像処理の再現性や面内均一性がよくないという問題があった。そこで、置換効率を上げるため、リンス処理の直前に基板の姿勢を水平姿勢から傾斜姿勢に変換して基板上から現像液を重力で流し落とすことも行われている。しかし、そのような基板姿勢変換による現像液の液切りは、基板から現像液が流れ落ちることでその付近に現像液のミストが発生し、後続の基板上にミストが再付着して現像むらや現像欠陥を来たす懸念があった。
【０００６】
本発明は、上記のような従来技術の問題点に鑑みてなされたもので、ミストの発生を伴わずに処理液の置換を効率よく行い、処理品質を向上させるようにした処理装置および処理方法を提供することを目的とする。
【０００７】
本発明の別の目的は、被置換処理液の回収効率を向上させるようにした処理装置および処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するために、本発明の処理装置は、被処理基板をほぼ水平に支持する支持部と、前記基板上に第１の処理液を供給する第１の処理液供給部と、前記基板上を走査する吸引ノズルを有し、前記基板上から前記第１の処理液を前記吸引ノズルで吸い取る処理液吸い取り部と、前記吸引ノズルのあとについて前記基板上を走査する吐出ノズルを有し、前記吐出ノズルより第２の処理液を前記基板上に供給する第２の処理液供給部とを有する。
【０００９】
上記の構成においては、基板上の各部で吸引ノズルにより第１の処理液が吸い取るとその直後に吐出ノズルにより第２の処理液を供給するので、ミストを発生させずに第１の処理液から第２の処理液への置換をスムースに行うことができる。また、第１の処理液を吸い取りで無駄なく回収することができる。
【００１０】
本発明の好適な一実施態様によれば、吸引ノズルと吐出ノズルとが隔離板を介して一体に結合される。かかる構成により、基板上の各部で吸引ノズルによる第１の処理液の吸い取りから吐出ノズルによる第２の処理液の供給までの時間間隔が可及的に狭められ、置換効率が向上する。特に好ましい一態様によれば、隔離板の下端が前記吸引ノズルおよび前記吐出ノズルのそれぞれの下端よりも下に突出している構成が採られる。かかる構成によれば、隔離板の下端部が両ノズルの下端よりも下に延びて基板とのギャップ空間を前後に分断するため、吸引ノズル側の吸液作用と吐出ノズル側の吐液作用とが隔離板を境に互いに独立して行われ、置換効率の一層の向上がはかれる。
【００１１】
本発明の好適な一実施態様によれば、吸引ノズルと吐出ノズルとを一体に所望の速度で基板と平行に移動させるノズル走査部が設けられる。
【００１２】
また、本発明の好適な一実施態様によれば、吸引ノズル内に設けられた揚水用の羽根車と、この羽根車を回転駆動する駆動部とが設けられる。かかる構成においては、処理液吸い取り部の吸引力に羽根車の揚水作用が加わることにより、基板上から第１の処理液をより効率的に吸い取ることかできる。この方式において、好ましくは、走査中に吸引ノズルの前面付近で盛り上がる第１の処理液の液面の高さを検出する液面高さ検出部と、この液面高さ検出部によって検出される第１の処理液の液面の高さに応じて羽根車の回転速度を制御する回転速度制御部とを備えてよい。ここで、液面高さ検出部は、好ましくは、第１の処理液の液面上に浮くフロート部と、このフロート部の高さ位置を検出する位置センサとを有する。かかる構成によれば、フロート部の高さ位置または浮き量に応じて羽根車の回転速度をフィードバック制御することにより、処理液の粘性や走査速度等の影響を補償して第１の処理液を一定のレートで吸い取ることができる。
【００１３】
また、本発明の好適な一実施態様によれば、支持部が、水平方向に延在する搬送路を有し、この搬送路上で基板を搬送する。吸引ノズルおよび吐出ノズルは、ノズル長手方向に延びるスリット状の吐出口または一列に配列された多数の吐出口を有する長尺型のノズルで構成されてよい。
【００１４】
本発明の処理方法は、被処理基板上に第１の処理液を供給する第１のステップと、前記基板上で第１の吸引ノズルを走査して、前記基板上から前記第１の処理液を前記第１の吸引ノズルで吸い取る第２のステップと、前記基板上で前記第１の吸引ノズルのあとについて第１の吐出ノズルを走査して、前記第１の吐出ノズルより前記基板上に第２の処理液を供給する第３のステップと、前記基板上で第２の吸引ノズルを走査して、前記基板上から前記第２の処理液を前記第２の吸引ノズルで吸い取る第４のステップと、前記基板上で前記第２の吸引ノズルのあとについて第２の吐出ノズルを走査して、前記第２の吐出ノズルより前記基板上に第３の処理液を供給する第５のステップとを有する。
【００１５】
上記処理方法においては、基板上で第１の処理液から第２の処理液への置換と第２の処理液から第３の処理液への置換とをミストを発生させずにスムースに連続的に行うことができる。しかも、第１および第２の処理液を吸い取りによって効率的に回収することができる。
【００１６】
本発明の好適な一態様によれば、第２のステップにおいて基板上に第１の処理液を所望の量だけ残し、第３のステップにより基板上で第１の処理液を第２の処理液で所望の濃度にうすめる。また、好ましい一態様として、第１のステップにおいて、基板上で第３の吐出ノズルを第１の吐出ノズルとほぼ同一の速度および向きで走査して、第３の吐出ノズルより基板上に第１の処理液を供給することもできる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の処理装置および処理方法によれば、上記のような構成と作用により、ミストの発生を伴わずに処理液の置換を効率よく行って処理品質を向上させることができ、さらには被置換処理液の回収効率を向上させることもできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、添付図を参照して本発明の好適な実施形態を説明する。
【００１９】
図１に、本発明の処理装置および処理方法を適用できる一構成例としての塗布現像処理システムを示す。この塗布現像処理システム１０は、クリーンルーム内に設置され、たとえばＬＣＤ基板を被処理基板とし、ＬＣＤ製造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベーク等の各処理を行うものである。露光処理は、このシステムに隣接して設置される外部の露光装置１２で行われる。
【００２０】
この塗布現像処理システム１０は、中心部に横長のプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６を配置し、その長手方向（Ｘ方向）両端部にカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４とインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８とを配置している。
【００２１】
カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４は、システム１０のカセット搬入出ポートであり、基板Ｇを多段に積み重ねるようにして複数枚収容可能なカセットＣを水平方向たとえばＹ方向に４個まで並べて載置可能なカセットステージ２０と、このステージ２０上のカセットＣに対して基板Ｇの出し入れを行う搬送機構２２とを備えている。搬送機構２２は、基板Ｇを保持できる手段たとえば搬送アーム２２ａを有し、Ｘ，Ｙ，Ｚ，θの４軸で動作可能であり、隣接するプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。
【００２２】
プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６は、システム長手方向（Ｘ方向）に延在する平行かつ逆向きの一対のラインＡ，Ｂに各処理部をプロセスフローまたは工程の順に配置している。より詳細には、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側へ向う上流部のプロセスラインＡには、洗浄プロセス部２４と、第１の熱的処理部２６と、塗布プロセス部２８と、第２の熱的処理部３０とを横一列に配置している。一方、インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側からカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側へ向う下流部のプロセスラインＢには、第２の熱的処理部３０と、現像プロセス部３２と、脱色プロセス部３４と、第３の熱的処理部３６とを横一列に配置している。このライン形態では、第２の熱的処理部３０が、上流側のプロセスラインＡの最後尾に位置するとともに下流側のプロセスラインＢの先頭に位置しており、両ラインＡ，Ｂ間に跨っている。
【００２３】
両プロセスラインＡ，Ｂの間には補助搬送空間３８が設けられており、基板Ｇを１枚単位で水平に載置可能なシャトル４０が図示しない駆動機構によってライン方向（Ｘ方向）で双方向に移動できるようになっている。
【００２４】
上流部のプロセスラインＡにおいて、洗浄プロセス部２４は、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２を含んでおり、このスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内のカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０と隣接する場所にエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１を配置している。スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内の洗浄部は、ＬＣＤ基板Ｇをコロ搬送またはベルト搬送により水平姿勢でラインＡ方向に搬送しながら基板Ｇの上面（被処理面）にブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すようになっている。
【００２５】
洗浄プロセス部２４の下流側に隣接する第１の熱的処理部２６は、プロセスラインＡに沿って中心部に縦型の搬送機構４６を設け、その前後両側に複数のユニットを多段に積層配置している。たとえば、図２に示すように、上流側の多段ユニット部（ＴＢ）４４には、基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）５０、脱水ベーク用の加熱ユニット（ＤＨＰ）５２，５４およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）５６が下から順に積み重ねられる。ここで、パスユニット（ＰＡＳＳ）５０は、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２側と基板Ｇの受け渡しを行うために用いられる。また、下流側の多段ユニット部（ＴＢ）４８には、基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）６０、冷却ユニット（ＣＬ）６２，６４およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）６６が下から順に積み重ねられる。ここで、パスユニット（ＰＡＳＳ）６０は、塗布プロセス部２８側と基板Ｇの受け渡しを行うためのものである。
【００２６】
図２に示すように、搬送機構４６は、鉛直方向に延在するガイドレール６８に沿って昇降移動可能な昇降搬送体７０と、この昇降搬送体７０上でθ方向に回転または旋回可能な旋回搬送体７２と、この旋回搬送体７２上で基板Ｇを支持しながら前後方向に進退または伸縮可能な搬送アームまたはピンセット７４とを有している。昇降搬送体７０を昇降駆動するための駆動部７６が垂直ガイドレール６８の基端側に設けられ、旋回搬送体７２を旋回駆動するための駆動部７８が昇降搬送体７０に取り付けられ、搬送アーム７４を進退駆動するための駆動部８０が回転搬送体７２に取り付けられている。各駆動部７６，７８，８０はたとえば電気モータ等で構成されてよい。
【００２７】
上記のように構成された搬送機構４６は、高速に昇降ないし旋回運動して両隣の多段ユニット部（ＴＢ）４４，４８の中の任意のユニットにアクセス可能であり、補助搬送空間３８側のシャトル４０とも基板Ｇを受け渡しできるようになっている。
【００２８】
第１の熱的処理部２６の下流側に隣接する塗布プロセス部２８は、図１に示すように、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４およびエッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８６をプロセスラインＡに沿って一列に配置している。図示省略するが、塗布プロセス部２８内には、これら３つのユニット（ＣＴ）８２、（ＶＤ）８４、（ＥＲ）８６に基板Ｇを工程順に１枚ずつ搬入・搬出するための搬送装置が設けられており、各ユニット（ＣＴ）８２、（ＶＤ）８４、（ＥＲ）８６内では基板１枚単位で各処理が行われるようになっている。
【００２９】
塗布プロセス部２８の下流側に隣接する第２の熱的処理部３０は、上記第１の熱的処理部２６と同様の構成を有しており、両プロセスラインＡ，Ｂの間に縦型の搬送機構９０を設け、プロセスラインＡ側（最後尾）に一方の多段ユニット部（ＴＢ）８８を設け、プロセスラインＢ側（先頭）に他方の多段ユニット部（ＴＢ）９２を設けている。
【００３０】
図示省略するが、たとえば、プロセスラインＡ側の多段ユニット部（ＴＢ）８８には、最下段に基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）が置かれ、その上にプリベーク用の加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）がたとえば３段積みに重ねられてよい。また、プロセスラインＢ側の多段ユニット部（ＴＢ）９２には、最下段に基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）が置かれ、その上に冷却ユニット（ＣＯＬ）がたとえば１段重ねられ、その上にプリベーク用の加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）がたとえば２段積みに重ねられてよい。
【００３１】
第２の熱的処理部３０における搬送機構９０は、両多段ユニット部（ＴＢ）８８，９２のそれぞれのパスユニット（ＰＡＳＳ）を介して塗布プロセス部２８および現像プロセス部３２と基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるだけでなく、補助搬送空間３８内のシャトル４０や後述するインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８とも基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるようになっている。
【００３２】
下流部のプロセスラインＢにおいて、現像プロセス部３２は、基板Ｇを水平姿勢で搬送しながら一連の現像処理工程を行う、いわゆる平流し方式の現像ユニット（ＤＥＶ）９４を含んでいる。
【００３３】
現像プロセス部３２の下流側には脱色プロセス部３４を挟んで第３の熱的処理部３６が配置される。脱色プロセス部３４は、基板Ｇの被処理面にｉ線（波長３６５ｎｍ）を照射して脱色処理を行うためのｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）９６を備えている。
【００３４】
第３の熱的処理部３６は、上記第１の熱的処理部２６や第２の熱的処理部３０と同様の構成を有しており、プロセスラインＢに沿って縦型の搬送機構１００とその前後両側に一対の多段ユニット部（ＴＢ）９８，１０２を設けている。
【００３５】
図示省略するが、たとえば、上流側の多段ユニット部（ＴＢ）９８には、最下段にパスユニット（ＰＡＳＳ）が置かれ、その上にポストベーキング用の加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）がたとえば３段積みに重ねられてよい。また、下流側の多段ユニット部（ＴＢ）１０２には、最下段にポストベーキング・ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が置かれ、その上に基板受け渡しおよび冷却用のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）が１段重ねられ、その上にポストベーキング用の加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が２段積みに重ねられてよい。
【００３６】
第３の熱的処理部３６における搬送機構１００は、両多段ユニット部（ＴＢ）９８，１０２のパスユニット（ＰＡＳＳ）およびパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）を介してそれぞれｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）９６およびカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４と基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるだけでなく、補助搬送空間３８内のシャトル４０とも基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるようになっている。
【００３７】
インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８は、隣接する露光装置１２と基板Ｇのやりとりを行うための搬送装置１０４を有し、その周囲にバッファ・ステージ（ＢＵＦ）１０６、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８および周辺装置１１０を配置している。バッファ・ステージ（ＢＵＦ）１０６には定置型のバッファカセット（図示せず）が置かれる。エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８は、冷却機能を備えた基板受け渡し用のステージであり、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇをやりとりする際に用いられる。周辺装置１１０は、たとえばタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露光装置（ＥＥ）とを上下に積み重ねた構成であってよい。搬送装置１０４は、基板Ｇを保持できる手段たとえば搬送アーム１０４ａを有し、隣接する露光装置１２や各ユニット（ＢＵＦ）１０６、（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８、（ＴＩＴＬＥＲ／ＥＥ）１１０と基板Ｇの受け渡しを行えるようになっている。
【００３８】
図３に、この塗布現像処理システムにおける処理の手順を示す。先ず、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４において、搬送機構２２が、ステージ２０上の所定のカセットＣの中から１つの基板Ｇを取り出し、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６の洗浄プロセス部２４のエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１に搬入する（ステップＳ1）。
【００３９】
エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１内で基板Ｇは紫外線照射による乾式洗浄を施される（ステップＳ2）。この紫外線洗浄では主として基板表面の有機物が除去される。紫外線洗浄の終了後に、基板Ｇは、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構２２によって洗浄プロセス部２４のスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２へ移される。
【００４０】
スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２では、上記したように基板Ｇをコロ搬送またはベルト搬送により水平姿勢でプロセスラインＡ方向に平流しで搬送しながら基板Ｇの上面（被処理面）にブラッシング洗浄やブロー洗浄を施すことにより、基板表面から粒子状の汚れを除去する（ステップＳ3）。そして、洗浄後も基板Ｇを平流しで搬送しながらリンス処理を施し、最後にエアーナイフ等を用いて基板Ｇを乾燥させる。
【００４１】
スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内で洗浄処理の済んだ基板Ｇは、第１の熱的処理部２６の上流側多段ユニット部（ＴＢ）４４内のパスユニット（ＰＡＳＳ）５０に搬入される。
【００４２】
第１の熱的処理部２６において、基板Ｇは搬送機構４６により所定のシーケンスで所定のユニットを回される。たとえば、基板Ｇは、最初にパスユニット（ＰＡＳＳ）５０から加熱ユニット（ＤＨＰ）５２，５４の１つに移され、そこで脱水処理を受ける（ステップＳ4）。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）６２，６４の１つに移され、そこで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ5）。しかる後、基板Ｇはアドヒージョンユニット（ＡＤ）５６に移され、そこで疎水化処理を受ける（ステップＳ6）。この疎水化処理の終了後に、基板Ｇは冷却ユニット（ＣＯＬ）６２，６４の１つで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ7）。最後に、基板Ｇは下流側多段ユニット部（ＴＢ）４８に属するパスユニット（ＰＡＳＳ）６０に移される。
【００４３】
このように、第１の熱的処理部２６内では、基板Ｇが、搬送機構４６を介して上流側の多段ユニット部（ＴＢ）４４と下流側の多段ユニット部（ＴＢ）４８との間で任意に行き来できるようになっている。なお、第２および第３の熱的処理部３０，３６でも同様の基板搬送動作を行えるようになっている。
【００４４】
第１の熱的処理部２６で上記のような一連の熱的または熱系の処理を受けた基板Ｇは、下流側多段ユニット部（ＴＢ）４８内のパスユニット（ＰＡＳＳ）６０から下流側隣の塗布プロセス部２８のレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２へ移される。
【００４５】
基板Ｇはレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８２でたとえばスピンコート法により基板上面（被処理面）にレジスト液を塗布され、直後に下流側隣の減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４で減圧による乾燥処理を受け、次いで下流側隣のエッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８６で基板周縁部の余分（不要）なレジストを取り除かれる（ステップＳ8）。
【００４６】
上記のようなレジスト塗布処理を受けた基板Ｇは、エッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８６から隣の第２の熱的処理部３０の上流側多段ユニット部（ＴＢ）８８に属するパスユニット（ＰＡＳＳ）に受け渡される。
【００４７】
第２の熱的処理部３０内で、基板Ｇは、搬送機構９０により所定のシーケンスで所定のユニットを回される。たとえば、基板Ｇは、最初に該パスユニット（ＰＡＳＳ）から加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）の１つに移され、そこでレジスト塗布後のベーキングを受ける（ステップＳ9）。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）の１つに移され、そこで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ10）。しかる後、基板Ｇは下流側多段ユニット部（ＴＢ）９２側のパスユニット（ＰＡＳＳ）を経由して、あるいは経由せずにインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８側のエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８へ受け渡される。
【００４８】
インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８において、基板Ｇは、エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８から周辺装置１１０の周辺露光装置（ＥＥ）に搬入され、そこで基板Ｇの周辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光を受けた後に、隣の露光装置１２へ送られる（ステップＳ11）。
【００４９】
露光装置１２では基板Ｇ上のレジストに所定の回路パターンが露光される。そして、パターン露光を終えた基板Ｇは、露光装置１２からインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８に戻されると（ステップＳ11）、先ず周辺装置１１０のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入され、そこで基板上の所定の部位に所定の情報が記される（ステップＳ12）。しかる後、基板Ｇはエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８に戻される。インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１８における基板Ｇの搬送および露光装置１２との基板Ｇのやりとりは搬送装置１０４によって行われる。
【００５０】
プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６では、第２の熱的処理部３０において搬送機構９０がエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８より露光済の基板Ｇを受け取り、プロセスラインＢ側の多段ユニット部（ＴＢ）９２内のパスユニット（ＰＡＳＳ）を介して現像プロセス部３２へ受け渡す。
【００５１】
現像プロセス部３２では、該多段ユニット部（ＴＢ）９２内のパスユニット（ＰＡＳＳ）から受け取った基板Ｇを現像ユニット（ＤＥＶ）９４に搬入する。現像ユニット（ＤＥＶ）９４において基板ＧはプロセスラインＢの下流に向って平流し方式で搬送され、その搬送中に現像、リンス、乾燥の一連の現像処理工程が行われる（ステップＳ13）。
【００５２】
現像プロセス部３２で現像処理を受けた基板Ｇは下流側隣の脱色プロセス部３４へ搬入され、そこでｉ線照射による脱色処理を受ける（ステップＳ14）。脱色処理の済んだ基板Ｇは、第３の熱的処理部３６の上流側多段ユニット部（ＴＢ）９８内のパスユニット（ＰＡＳＳ）に受け渡される。
【００５３】
第３の熱的処理部３６において、基板Ｇは、最初に該パスユニット（ＰＡＳＳ）から加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）の１つに移され、そこでポストベーキングを受ける（ステップＳ15）。次に基板Ｇは、下流側多段ユニット部（ＴＢ）１０２内のパスクーリング・ユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）に移され、そこで所定の基板温度に冷却される（ステップＳ16）。第３の熱的処理部３６における基板Ｇの搬送は搬送機構１００によって行われる。
【００５４】
カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側では、搬送機構２２が、第３の熱的処理部３６のパスクーリング・ユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）から塗布現像処理の全工程を終えた基板Ｇを受け取り、受け取った基板Ｇをいずれか１つのカセットＣに収容する（ステップＳ1）。
【００５５】
この塗布現像処理システム１０においては、現像プロセス部３２の現像ユニット（ＤＥＶ）９４に本発明を適用することができる。以下、図４〜図１５を参照して本発明を現像ユニット（ＤＥＶ）９４に適用した一実施形態を説明する。
【００５６】
［実施形態１］
図４に、本発明の第１の実施形態による現像ユニット（ＤＥＶ）９４内の全体構成を模式的に示す。図５に、この現像ユニット（ＤＥＶ）９４における制御系統の構成をブロック図で示す。図６および図７に要部の構成と作用を示す。
【００５７】
この現像ユニット（ＤＥＶ）９４は、図４に示すように、プロセスラインＢに沿って水平方向（Ｘ方向）に延在する連続的な搬送路１２０を形成する複数たとえば７つのモジュールＭ1〜Ｍ7を一列に連続配置してなる。
【００５８】
これらのモジュールＭ1〜Ｍ7のうち、最上流端に位置するモジュールＭ1は搬入部１２２を構成し、その後に続く２つのモジュールＭ2，Ｍ3は現像部１２４を構成し、その後段の２つのモジュールＭ4，Ｍ5はリンス部１２６を構成し、その次のモジュールＭ6は乾燥部１２８を構成し、最後尾のモジュールＭ7は搬出部１３０を構成している。
【００５９】
搬入部１２２には、隣の基板搬送機構（図示せず）から手渡される基板Ｇを複数本のリフトピンで受け取って搬送路１２０上に移載するリフトピン昇降機構１３２が設けられている。搬出部１３０にも、基板Ｇを複数本のリフトピンで持ち上げて隣の基板搬送機構（図示せず）へ手渡すリフトピン昇降機構１３４が設けられている。
【００６０】
現像部１２４は、より詳細には、モジュールＭ2が第１現像処理部１３６を構成し、モジュールＭ3が第２現像処理部１３８を構成している。第１現像処理部１３６には、基板Ｇ上に基準濃度の現像液を供給するための長尺型の現像液供給ノズル１４０が搬送路１２０の上を横断する向きに配置されている。この現像液供給ノズル１４０は、配管（図示せず）を介して現像液供給部１４２（図５）の源に接続されており、第１ノズル走査機構１４４により搬送路１２０の上を水平方向に移動できるようになっている。なお、上記現像液供給源は現像液容器、現像液吐出ポンプ、開閉弁等（図示せず）で構成されている。現像液供給ノズル１４０のノズル口（吐出口）は、ノズル長手方向に延びるスリットの形態で、あるいはノズル長手方向に一列に配置された多数の吐出孔の形態で形成されている。
【００６１】
第２現像処理部１３８には、基板Ｇ上で現像液を所望の濃度に希釈するための長尺型の二重ノズルユニット１４６が搬送路１２０の上を横断する向きに設けられている。この二重ノズルユニット１４６は、長尺型の吸引ノズル１４８と長尺型の吐出ノズル１５０とを隔離板１５２を介して一体結合してなるもので、搬送方向（Ｘ方向）の上流側に吸引ノズル１４８を配置し下流側に吐出ノズル１５０を配置している。ここで、吸引ノズル１４８は配管１５４（図６Ａ，図６Ｂ）を介して現像液吸い取り部１５６（図５）の源に接続され、吐出ノズル１５０は配管１５８（図６Ａ，図６Ｂ）を介して希釈液供給部１６０（図５）の源に接続されている。両ノズル１４８，１５０のノズル口（吸引口、吐出口）は、ノズル長手方向に延びるスリットの形態、またはノズル長手方向に一列に配置された多数の孔の形態を有している。二重ノズルユニット１４６は、第２ノズル走査機構１６２により搬送路１２０の上を水平方向に移動できるようになっている。なお、上記現像液吸い取り源は、バキュームポンプまたはエジェクタ、現像液回収容器、開閉弁等（図示せず）で構成されている。また、上記希釈液供給源は、希釈液容器、希釈液吐出ポンプ、開閉弁等（図示せず）で構成されている。
【００６２】
リンス部１２６は、より詳細には、モジュールＭ4が第１リンス処理部１６４を構成し、モジュールＭ5が第２リンス処理部１６６を構成している。第１リンス処理部１６４には、基板Ｇ上で希釈現像液をリンス液に置換するための長尺型の二重ノズルユニット１６８が搬送路１２０の上を横断する向きに設けられている。この二重ノズルユニット１６８は、長尺型の吸引ノズル１７０と長尺型の吐出ノズル１７２とを隔離板１７４を介して一体結合してなるもので、搬送方向（Ｘ方向）の上流側に吸引ノズル１７０を配置し下流側に吐出ノズル１７２を配置している。ここで、吸引ノズル１７０は配管１７５（図７Ａ，図７Ｂ）を介して希釈現像液吸い取り部１７６（図５）の源に接続されており、吐出ノズル１７２は配管１７８（図７Ａ，図７Ｂ）を介して第１リンス液供給部１８０（図５）の源に接続されている。両ノズル１７０，１７２のノズル口（吸引口、吐出口）は、ノズル長手方向に延びるスリットの形態、またはノズル長手方向に一列に配置された多数の孔の形態を有している。また、この二重ノズルユニット１６８は、第３ノズル走査機構１８２により搬送路１２０の上を水平方向に移動できるようになっている。なお、上記希釈現像液吸い取り源は、バキュームポンプまたはエジェクタ、希釈現像液回収容器、開閉弁等（図示せず）で構成されている。また、上記リンス液供給源は、リンス液容器、リンス液吐出ポンプ、開閉弁等（図示せず）で構成されている。
【００６３】
第２リンス処理部１６６には、基板Ｇ上に洗浄用のリンス液を供給するための長尺型のリンス液噴射ノズル１８４が搬送路１２０の上を横断する向きに１本または複数本設けられている。各リンス液噴射ノズル１８４は、配管（図示せず）を介して第２リンス液供給部１８６（図５）の源に接続されている。図示省略するが、基板Ｇの下面（裏面）を洗浄するためのリンス液噴射ノズルを搬送路１２０の下に配置してもよい。なお、上記リンス液供給源は、リンス液容器、リンス液吐出ポンプ、開閉弁等（図示せず）で構成されている。
【００６４】
乾燥部１２８には、基板Ｇに付着しているリンス液を液切りするための長尺型の気体流吐出ノズルまたはエアーナイフ１８８が搬送路１２０の上を横断する向きに１本または複数本配置されている。各エアーナイフ１８８は、配管（図示せず）を介して気体流供給源（図示せず）に接続されている。なお、上記のように第２リンス処理部１６６において基板Ｇの下面を洗浄するためのリンス液噴射ノズルを搬送路１２０の下に配置するときは、乾燥部１２８において基板Ｇの下面を乾かすためのエアーナイフ（図示せず）を搬送路１２０の下に配置してよい。
【００６５】
上記第１および第２現像処理部１３６，１３８、第１および第２リンス処理部１６４，１６６ならびに乾燥部１２８には、搬送路１２０の下に落ちた液を受け集めるためのパン１９０，１９２，１９４，１９６，１９８がそれぞれ設けられており、各パンの排液口には排液管が接続されている。これらの排液管のうち第１現像処理部１３６のパン１９０に接続される排液管２００は現像液再利用機構２０２に通じている。
【００６６】
現像液再利用機構２０２は、第１現像処理部１３６において現像液供給ノズル１４０により基板Ｇ上に現像液を盛る際にこぼれ落ちた現像液をパン１９０および排液管２００を介して回収するとともに、第２現像処理部１３８において基板Ｇ上からノズル１４８を介して現像液吸い取り部１５６に吸い取られた現像液を回収する。さらには、第１リンス処理部１６４において基板Ｇ上から吸引ノズル１７０を介して希釈現像液吸い取り部１７６に吸い取られた希釈現像液を回収してもよい。そして、回収した現像液あるいは希釈現像液に原液や溶媒等を加え、基準濃度に調整したリサイクル現像液を現像液供給部１４２に送る。
【００６７】
搬送路１２０には、基板Ｇをほぼ水平に載置できる搬送ローラまたはコロ２０４がプロセスラインＢに沿って一定間隔で敷設されている。電動モータや伝動機構等からなる搬送駆動部２０６（図５）の駆動力により各コロ２０４が回転して、基板ＧをモジュールＭ1からモジュールＭ7へ水平方向に搬送するようになっている。なお、搬送路１２０を複数の区間に分割して、各区間に個別の搬送駆動部２０６を設け、各区間毎に基板搬送動作（一時停止、搬送速度等）を個別に制御するようにしてもよい。
【００６８】
制御部２０８（図５）は、マイクロコンピュータからなり、たとえば光ディスク等の記憶媒体に格納されている現像処理プログラムを主メモリに取り込んで実行し、ユニット内の上記した各部の動作およびユニット全体の動作（シーケンス）を制御する。
【００６９】
次に、この現像ユニット（ＤＥＶ）９４における全体の動作を説明する。基板搬入部１２２は、隣の基板搬送機構（図示せず）から基板Ｇを１枚単位で受け取って搬送路１２０に移載する。搬送路１２０上に基板Ｇが移載されると、搬送駆動部２０６の駆動により基板Ｇは直ちに隣の現像部１２４へ向けて搬送される。
【００７０】
現像部１２４において、基板Ｇは、先ず第１現像処理部１３６において基板上に現像液Ｒを盛られる。この現像液Ｒの液盛りのために、第１ノズル走査機構１４４と現像液供給部１４２とがタイミングを合わせて動作し、現像液供給ノズル１４０が現像液Ｒを帯状に吐出しながら基板Ｇの上を搬送方向（Ｘ方向）と逆方向に基板前端から後端まで一定速度で走査する。この間、基板Ｇは搬送路１２０上で停止または静止しているのが好ましいが、一定の速度で搬送方向（Ｘ方向）に移動し続けてもよい。基板Ｇからこぼれ落ちた現像液Ｒは、搬送路１２０直下のパン１９０に受け集められ、上記のように現像液再利用機構２０２に回収される。こうして基板Ｇ上に現像液Ｒが盛られることで、現像反応が開始される。
【００７１】
第１現像処理部１３６で上記のような現像液を盛られた基板Ｇは、搬送路１２０に乗って第２現像処理部１３８に送られる。第２現像処理部１３８では、第２ノズル走査機構１６２、現像液吸い取り部１５６および希釈液供給部１６０がタイミングを合わせて動作し、図６Ａおよび図６Ｂに示すように、基板Ｇ上の現像液を基準濃度よりも低い所望の濃度に薄めるために二重ノズルユニット１４６の吸引ノズル１４８と吐出ノズル１５０が基板Ｇの上を搬送方向（Ｘ方向）と逆方向に基板の前端から後端まで一定速度で走査する。
【００７２】
この走査において、前部の吸引ノズル１４８は基板Ｇ上の現像液Ｒを所定の吸引力で吸い取り、後部の吐出ノズル１５０は希釈液Ｋを所定の圧力または流量で吐出する。二重ノズルユニット１４６の真下で現像液Ｒが吸い取られるや否やすぐに希釈液Ｋが補給される。図６Ｂに示すように、隔離板１５２の下端部が両ノズル１４８，１５０の下端よりも下に延びて基板Ｇとのギャップ空間を前後に分断するため、吸引ノズル１４８側の吸液作用と吐出ノズル１５０側の吐液作用とが隔離板１５２を境に（必要最小限の距離間隔を隔てて）互いに独立して行われる。基板Ｇを傾斜させて基板上の液を流し落とすようなことはしないので、ミストは発生しない。こうして、基板Ｇの前端から後端に向かって一定の速度で基板上の液の過半が基準濃度の現像液Ｒから低濃度の希釈現像液ＫＲに置き換わり、基板上の各部で現像液Ｒが薄められる。なお、基板Ｇ上の各部で現像速度または現像時間を揃えるために、基板Ｇに対する相対的な速度として、二重ノズルユニット１４６の走査速度を第１現像処理部１３６における現像液供給ノズル１４０の走査速度に一致させるのが好ましい。
【００７３】
この現像液希釈化において、希釈液Ｋに純水を用いる場合は、吸引ノズル１４８のバキューム吸引力は基板Ｇ上に所定量の現像液Ｒを残すような適度の負圧に設定される。これにより、吸引ノズル１４８による吸い取りの後に残された適量の現像液Ｒに吐出ノズル１５０からの純水Ｋが混ざり合うことで、基準濃度よりも低い所望の濃度に現像液Ｒが薄められる。現像液Ｒの種類によっては現像反応速度が大きいと現像ばらつきが生じやすいことがあり、このように現像の途中で現像液Ｒの濃度を一段下げて現像反応速度を緩めることで、基板全体の現像均一性を向上させることができる。希釈液Ｋに希釈現像液を用いる場合は、吸引ノズル１４８の吸い取りの後に残る現像液Ｒの量を希釈現像液Ｋの濃度に反比例して少なくするように吸引ノズル１４８のバキューム吸引力を調整してよい。上記のように、吸引ノズル１４８側の吸液作用と吐出ノズル１５０側の吐液作用とが隔離板１５２を境に独立しているので、吸引ノズル１４８の吸い残し量を任意かつ精細に制御することができる。
【００７４】
こうして第２現像処理部１３８で現像液を薄められた基板Ｇは、現像反応速度を緩めながら搬送路１２０に乗ってリンス部１２６の第１リンス処理部１６４に送られる。第１リンス処理部１６４では、第３ノズル走査機構１８２、希釈現像液吸い取り部１７６および第１リンス液供給部１８０がタイミングを合わせて動作し、図７Ａおよび図７Ｂに示すように、基板Ｇ上で現像反応を停止させるため、つまり希釈現像液ＫＲをリンス液（通常は純水）Ｓに置換するために、二重ノズルユニット１６８の吸引ノズル１７０と吐出ノズル１７２が搬送方向（Ｘ方向）と逆方向に基板Ｇの上を基板の前端から後端まで一定速度で走査する。
【００７５】
この走査において、前部の吸引ノズル１７０は基板Ｇ上の希釈現像液ＫＲを所定の吸引力で吸い取り、後部の吐出ノズル１７２はリンス液Ｓを所定の圧力または流量で吐出する。二重ノズルユニット１６８の真下で希釈現像液ＫＲが吸い取られると同時またはその直後にリンス液Ｓが供給される。ここでも、図７Ｂに示すように、隔離板１７４の下端部が両ノズル１７０，１７２の下端よりも下に延びて基板Ｇとのギャップ空間を前後に分断するため、吸引ノズル１７０側の吸液作用と吐出ノズル１７２側の吐液作用とが隔離板１７４を境に互いに独立して行われる。基板Ｇを傾斜させて基板上の液を流し落とすようなことはしないので、ミストは発生しない。こうして、基板Ｇの前端から後端に向かってあたかも刷毛でペンキの塗り替えが行われるようにして基板Ｇ上の液が希釈現像液ＫＲからリンス液Ｓに置き換わる。なお、基板Ｇ上の各部で現像時間を揃えるために、基板Ｇに対する相対的な速度として、二重ノズルユニット１６８の走査速度を第１現像処理部１３６における現像液供給ノズル１４０の走査速度あるいは第２現像処理部１３８における二重ノズルユニット１４６の走査速度に一致させるのが好ましい。
【００７６】
この現像停止または置換処理において、吸引ノズル１７０のバキューム吸引力は基板Ｇ上に希釈現像液ＫＲを殆ど残さないほど大きいのが好ましいが、残してもリンス液Ｓと混ざると現像反応が直ぐ停止するようであれば特に支障はない。また、吐出ノズル１７２より吐出されるリンス液Ｓの流量は現像反応を停止させる基準量を超えていればよく、過分のリンス液は基板Ｇから流れ落ちて直下のパン１９４に受け集められる。
【００７７】
上記のようにして現像を停止した基板Ｇは、次に第２リンス処理部１６６に送られる。第２リンス処理部１６６では、搬送路１２０上を一定速度で移動する基板Ｇに対して定置のリンス液噴射ノズル１８４が新規のリンス液を噴き掛けることで、基板Ｇが洗浄される。次に、乾燥部１８８では、エアーナイフ１８８が搬送路１２０上を一定速度で移動する基板Ｇに対してナイフ状の鋭利な気体流を当てることにより、基板Ｇに付着している液（主にリンス液）を基板後方へ払い落すようにして液切りする。そして、乾燥部１８８で液切りされた基板Ｇはそのまま搬送路１２０に乗って搬出部１３０に送られる。搬出部１３０では、搬送路１２０の下にリフトピン昇降機構１３４が待機しており、基板Ｇが到着するとリフトピンを上方へ突き上げて基板Ｇを水平姿勢で持ち上げ、隣の基板搬送機構（図示せず）へ渡す。
【００７８】
上述したように、この実施形態においては、基板Ｇ上で基準濃度の現像液Ｒから低濃度の現像液ＫＲへの置換および低濃度現像液ＫＲからリンス液Ｓへの置換を二重ノズルユニット１４６，１６８を用いてすばやく効率的に行うことができる。また、基板Ｇ上に供給した現像液Ｒを二重ノズルユニット１４６，１６８の吸引ノズル１４８，１７０を用いて効率よく回収することができる。
【００７９】
［実施形態２］
図８に、第２の実施形態による現像ユニット（ＤＥＶ）９４内の全体構成を模式的に示す。図９および図１０に要部の構成と作用を示す。図中、上記した第１の実施形態（図４〜図７）のものと同様の構成または機能を有する部分には同一の符号を附している。
【００８０】
この第２の実施形態では、現像部１２４において、第１現像処理部１３６が基板Ｇ上にプリウエット液Ｗを供給し、第２現像処理部１３８が基板Ｇ上のプリウエット液Ｗを現像液Ｒに置換する。リンス部１２６の第１リンス処理部１６４は、基板Ｇ上の現像液Ｒをリンス液Ｓに置換する。現像中に現像液の希釈化は行わない。他の点は、上記した第１の実施形態（図４）と同じである。
【００８１】
現像部１２４の第１現像処理部１３６には、搬送路１２０を一定速度で移動する基板Ｇに向けて上方からプリウエット液（純水または希釈現像液）Ｗを吐出する長尺型のプリウエット液供給ノズル２０８が設けられる。このノズル２０８は、所定位置に横掛けで固定配置されてよく、配管（図示せず）を介してプリウエット液供給源（図示せず）に接続されている。
【００８２】
次段（下流側隣）の第２現像処理部１３８では、図９Ａおよび図９Ｂに示すように、基板Ｇ上のプリウエット液Ｗを基準濃度の現像液Ｒに置換するために、二重ノズルユニット１４６の吸引ノズル１４８と吐出ノズル１５０が基板Ｇの上を搬送方向（Ｘ方向）と逆方向に基板の前端から後端まで一定速度で走査する。この走査中、前部の吸引ノズル１４８は基板Ｇ上のプリウエット液Ｗを所定の吸引力で吸い取り、後部の吐出ノズル１５０は現像液Ｒを所定の圧力または流量で吐出することで、二重ノズルユニット１４８の真下でプリウエット液Ｗが吸い取られるや否やその直後に現像液Ｒが供給される。この場合も、図９Ｂに示すように、隔離板１５２が基板Ｇとのギャップ空間を前後に分断するため、吸引ノズル１４８側の吸液作用と吐出ノズル１５０側の吐液作用とが隔離板１５２を境に互いに独立して行われる。こうして、ミストが発生することなく、基板Ｇの前端から後端に向かって一定速度で基板Ｇ上の液がプリウエット液Ｗから基準濃度の現像液Ｒに置き換わる。こうして現像液Ｒを盛られた基板Ｇは、搬送路１２０に乗ってリンス部１２６の第１リンス処理部１６４に送られる。
【００８３】
第１リンス処理部１６４では、図１０Ａおよび図１０Ｂに示すように、基板Ｇ上で現像反応を停止させるため、つまり現像液Ｒをリンス液（純水）Ｓに置換するために、二重ノズルユニット１６８の吸引ノズル１７０と吐出ノズル１７２が搬送方向（Ｘ方向）と逆方向に基板Ｇの上を基板の前端から後端まで一定速度で走査する。この走査中、前部の吸引ノズル１７０は基板Ｇ上の現像液Ｒを所定の吸引力で吸い取り、後部の吐出ノズル１７２はリンス液Ｓを所定の圧力または流量で吐出することで、二重ノズルユニット１６８の真下で現像液Ｒが吸い取られると同時またはその直後にリンス液Ｓが補給される。この場合も、図１０Ｂに示すように、隔離板１７４が基板Ｇとのギャップ空間を前後に分断するため、吸引ノズル１７０側の吸液作用と吐出ノズル１７２側の吐液作用とが隔離板１７４を境に互いに独立して行われる。こうして、ミストが発生することなく、基板Ｇの前端から後端に向かって一定速度で基板Ｇ上の液が現像液Ｒからリンス液Ｓに置き換わる。なお、基板Ｇ上の各部で現像時間を揃えるために、基板Ｇに対する相対的な速度として、二重ノズルユニット１６８の走査速度を第２現像処理部１３８における二重ノズルユニット１４６の走査速度に一致させてよい。
【００８４】
この第２の実施形態において、第２現像処理部１３８と第１リンス処理部１６４との間に基板Ｇ上の現像液Ｒを希釈液Ｋで薄めるための第３の現像処理部（モジュール）を追加する変形も可能である。
【００８５】
［実施形態３］
図１１および図１２に、第３の実施形態における二重ノズルユニット２１０の構成および作用を示す。この二重ノズルユニット２１０は、吸引ノズル２１２の内部（吸引口の内奥）に揚水用の羽根車２１４を設ける構成を主たる特徴としている。
【００８６】
図１１および図１２に示すように、走査方向でみて隔離板２１６の前後に吸引ノズル２１２および吐出ノズル２１８がそれぞれ取り付けられる。吸引ノズル２１２は配管２２０を介して処理液吸い取り部たとえば現像液吸い取り部１５６（図５）の源に接続され、吐出ノズル２１８は配管２２２を介して処理液供給部たとえば第１リンス液供給部１８０（図５）の源に接続されている。
【００８７】
吸引ノズル２１２の一側面には、ノズル内の羽根車２１４を回転駆動するための電動モータおよび伝動機構を含む羽根車駆動部２２４が取り付けられている。基板Ｇ上で処理液の置換を行う際に、この駆動部２２４により羽根車２１４を回転させると、図１２に示すように、吸引ノズル２１２においては、バキューム力に羽根車２１４の揚水作用が加わることにより基板Ｇ上の被置換処理液たとえば現像液Ｒをより精細な制御でより効率的に、かつノズル長手方向においてより均一に吸い取ることができる。
【００８８】
さらに、この二重ノズルユニット２１０は、吸引ノズル２１２の走査方向手前に液面高さ検出部２２６を取り付けている。走査中に、吸引ノズル２１２はノズル前面の下端部を被置換処理液（現像液Ｒ）に浸けながら進行するため、吸引ノズル２１２の前面付近で被置換処理液（現像液Ｒ）が盛り上がる。液面高さ検出部２２６は、この吸引ノズル２１２の前面付近で盛り上がる被置換処理液（現像液Ｒ）の液面上に浮くフロート部２２８と、このフロート部２２８の浮いている（処理液で押し上げられている）量または高さ位置を検出する位置センサ２３０とを有し、この位置センサ２３０の出力信号を制御部２０８（図５）または専用のコントローラ（図示せず）に送る。制御部２０８またはコントローラは、液面高さ検出部２２６からのセンサ出力信号に基づいて、フロート部２２８の浮き量が基準値よりも大きいときは駆動部２２４を通じて羽根車２１４の回転速度を上げ、フロート部２２８の浮き量が基準値よりも小さいときは駆動部２２４を通じて羽根車２１４の回転速度を下げるようにフィードバック制御を行う。これにより、被置換処理液（現像液Ｒ）の粘性や走査速度等の影響を補償して一定のレートで吸い取りを行うことができる。
【００８９】
なお、フロート部２２８は、たとえば発砲スチロールまたは中空の硬質ゴムまたは合成樹脂等で構成されてよい。位置センサ２３０は、フロート部２２８の上面から垂直上方に延びる支持棒２３２の高さ位置を通じてフロート部２２８の浮き量ひいては被置換処理液（現像液Ｒ）の液面の高さを検出することができる。フロート部２２８ないし支持棒２３２の上下移動を垂直方向に規制するガイド部材（図示せず）が設けられてよい。
【００９０】
また、羽根車２１４の材質および構造（特に羽部部または翼部の形状）は種々の変形が可能である。たとえば、羽根車２１４の翼部をスポンジまたはゴム等の弾性体で構成するときは、図１３に示すように、羽根車２１４の翼部と吸引口の反対側の位置で加圧接触するロータ２３４を設ける構成も好適である。なお、液面高さ検出部２２６が、フロート式に代えて液面高さを光学的に検出する方式を用いることも可能である。
【００９１】
以上、本発明の好適な実施形態を説明したが、本発明の技術思想の範囲内で種々の変形が可能である。たとえば、上記した実施形態の現像ユニット（ＤＥＶ）９２における各部の構成は一例であり、現像部、リンス部、乾燥部等の各工程処理部について種々の変形が可能である。上記した実施形態では搬送路１２０をコロ搬送型に構成したが、一定の間隔を空けて一対のベルトを水平方向に敷設してなるベルト搬送型等に構成することも可能である。さらには、被処理基板をスピン回転させながら基板上にプリウエット液、現像液、リンス液等を供給する現像方式にも本発明は適用可能である。
【００９２】
上記した実施形態は現像ユニットまたは現像処理装置に係るものであったが、本発明は複数種類の処理液を用いて基板に所望の処理を施す任意の処理装置に適用可能である。本発明における被処理基板はＬＣＤ基板に限るものではなく、フラットパネルディスプレイ用の各種基板や、半導体ウエハ、ＣＤ基板、ガラス基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】本発明の適用可能な塗布現像処理システムの構成を示す平面図である。
【図２】上記塗布現像処理システムにおける熱的処理部の構成を示す側面図である。
【図３】上記塗布現像処理システムにおける処理手順を示すフローチャートである。
【図４】第１の実施形態における現像ユニットの全体構成を示す正面図である。
【図５】第１の実施形態における現像ユニットの制御系の構成を示すブロック図である。
【図６Ａ】第１の実施形態の現像処理部における二重ノズルユニットの構成および作用を示す斜視図である。
【図６Ｂ】第１の実施形態の現像処理部における二重ノズルユニットの構成および作用を示す要部断面図である。
【図７Ａ】第１の実施形態のリンス処理部における二重ノズルユニットの構成および作用を示す斜視図である。
【図７Ｂ】第１の実施形態のリンス処理部における二重ノズルユニットの構成および作用を示す要部断面図である。
【図８】第２の実施形態における現像ユニットの全体構成を示す正面図である。
【図９Ａ】第２の実施形態の現像処理部における二重ノズルユニットの構成および作用を示す斜視図である。
【図９Ｂ】第２の実施形態の現像処理部における二重ノズルユニットの構成および作用を示す要部断面図である。
【図１０Ａ】第２の実施形態のリンス処理部における二重ノズルユニットの構成および作用を示す斜視図である。
【図１０Ｂ】第２の実施形態のリンス処理部における二重ノズルユニットの構成および作用を示す要部断面図である。
【図１１】第３の実施形態における二重ノズルユニットの構成および作用を示す斜視図である。
【図１２】第３の実施形態における二重ノズルユニットの構成および作用を示す要部断面図である。
【図１３】第３の実施形態の一変形による二重ノズルユニットの構成および作用を示す要部断面図である。
【符号の説明】
【００９４】
１０    塗布現像処理システム
１６（Ｐ／Ｓ）  プロセスステーション
９４（ＤＥＶ）  現像ユニット
１２２    搬入部
１２４    現像部
１２６    リンス部
１２８    乾燥部
１３０    搬出部
１３６    第１現像処理部
１３８    第２現像処理部
１４０    現像液供給ノズル
１４２    現像液供給部
１４４    第１ノズル走査機構
１４６    二重ノズルユニット
１４８    吸引ノズル
１５０    吐出ノズル
１５２    隔離板
１５６    現像液吸い取り部
１６０    希釈液供給部
１６４    第１リンス処理部
１６６    第２リンス処理部
１６８    二重ノズルユニット
１７０    吸引ノズル
１７２    吐出ノズル
１７４    隔離板
１８０    第１リンス液供給部
１８２    第２ノズル走査機構
１８４    リンス液噴射ノズル
１８６    第２リンス液供給部
２１０    二重ノズルユニット
２１２    吸引ノズル
２１４    羽根車
２１６    隔離板
２１８    吐出ノズル
２２４    羽根車駆動部
２２６    液面高さ検出部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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