(57)【要約】【課題】  半導体装置の組立工程の時間の増加を抑制し、パッケージ信頼性を維持しながら、反りを大幅に低減する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】  半導体装置の製造方法は、（ａ）一方の面から他方の面へ貫通する複数の孔（１４）を含みアンダーフィル樹脂３１を含浸させることが可能な絶縁層２と絶縁層２内に設けられた回路配線１１とを備える配線基板１の両側から、それぞれ第１半導体チップ２１及び第２半導体チップ２１を回路配線１１に接続する工程と、（ｂ）配線基板１の一方の側からアンダーフィル樹脂３１を含浸する工程と、（ｃ）第１及び第２半導体チップ２１と配線基板１とが一体化するようにアンダーフィル樹脂３１を硬化する工程とを具備する。【選択図】      図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面から他方の面へ貫通する複数の孔を含み、アンダーフィル樹脂を含浸させることが可能な絶縁層と、
前記絶縁層内に設けられた回路配線と
を具備する
配線基板。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板において、
前記絶縁層の材料は、多孔質フッ素系樹脂、多孔質ウレタンゴム、多孔質シリコンゴム、多孔質ポリイミドのうちの一つである
配線基板。
【請求項３】
請求項１に記載の配線基板において、
前記複数の孔の平均孔径は、前記アンダーフィル樹脂に含まれる複数のフィラーの平均直径よりも大きい
配線基板。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の配線基板と、
前記配線基板の一方の側から前記配線基板の回路配線に接続する第１半導体チップと、
前記配線基板の他方の側から前記回路配線に接続する第２半導体チップと、
前記配線基板に含浸し、前記第１及び第２半導体チップと前記配線基板とが一体化するように硬化したアンダーフィル樹脂と
を具備する
半導体装置。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体装置において、
前記第１半導体チップと前記第２半導体チップとは、概ね同じサイズを有する
半導体装置。
【請求項６】
（ａ）一方の面から他方の面へ貫通する複数の孔を含みアンダーフィル樹脂を含浸させることが可能な絶縁層と前記絶縁層内に設けられた回路配線とを備える配線基板の両側から、それぞれ第１半導体チップ及び第２半導体チップを前記回路配線に接続する工程と、
（ｂ）前記配線基板の一方の側からアンダーフィル樹脂を含浸する工程と、
（ｃ）前記第１及び第２半導体チップと前記配線基板とが一体化するように前記アンダーフィル樹脂を硬化する工程と
を具備する
半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程は、
（ａ１）前記絶縁層の一部である第１絶縁層の表面を覆う金属膜をパターンニングして、前記回路配線を設ける工程と、
（ａ２）前記第１絶縁層の表面及び前記回路配線を覆うように前記絶縁層の残部である第２絶縁層を付けることにより、前記配線基板を形成する工程と
を備える
半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項６又は７に記載の半導体装置の製造方法において、
前記絶縁層の材料は、多孔質フッ素系樹脂、多孔質ウレタンゴム、多孔質シリコンゴム、多孔質ポリイミドのうちの一つである
半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項６乃至８のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数の孔の平均孔径は、前記アンダーフィル樹脂に含まれる複数のフィラーの平均直径よりも大きい
半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項６乃至９のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ）ステップは、
（ｃ１）前記アンダーフィル樹脂の硬化に最適な条件で前記アンダーフィル樹脂を熱処理する
半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板、半導体装置、及び半導体装置の製造方法に関し、特に半導体チップのパッケージングに関わる配線基板、半導体装置、及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板に半導体チップを搭載するためのフリップチップ技術が知られている。フリップチップ技術では、回路配線を有する配線基板（テープ）の片側に半導体チップが搭載される。半導体チップと基板とは樹脂で一体化されるので、両者の間に熱膨張係数差が有る場合には反りが発生する。反りが大きい場合、例えば、配線基板を多段にする多段実装（パッケージスタック）を行うとき、反りが原因で高密度な実装が困難になる。反り量も温度により変化するため、実装時のパッケージ信頼性も低くなる。
【０００３】
このような反りの問題を解決するために、例えば、特開２００４−２３０４５号公報（特許文献１）に両面実装方法およびチップ実装基板が開示されている。この両面実装方法は、配線基板の一方の面に半導体チップを実装して前記配線基板と前記半導体チップとの間のアンダーフィル樹脂を硬化させる第１の工程と、配線基板の他方の面に半導体チップを実装して前記配線基板と前記半導体チップとの間のアンダーフィル樹脂を硬化させる第２の工程とを備える。前記第１の工程と前記第２の工程とで、熱膨張係数の異なる前記アンダーフィル樹脂を用いる。
【０００４】
この特許文献１のような一般的な両面フリップチップ関連の発明の場合、半導体チップの搭載、アンダーフィル樹脂の注入、及びアンダーフィル樹脂の硬化について、配線基板の表面側と裏面側とでそれぞれ別々に行う必要がある。すなわち、配線基板の表面側と裏面側とで同様のプロセスを別々に行う必要があり、組立工程の時間が約２倍かかる。組立工程の時間の増加を抑制しながら、反りの問題を解決することが可能な技術が望まれる。
【０００５】
また、組立工程中で発生した反りを戻す（平らにする）ための温度は、アンダーフィル樹脂を硬化させるのに最適な温度とは限らない。その場合、アンダーフィル樹脂の硬化反応に時間がかかったり、アンダーフィル樹脂が未反応だったり、逆に硬化時間が短すぎたりする状況が発生する。そのような状況では、アンダーフィル樹脂内にボイドが発生するなどの悪影響によりパッケージ信頼性が低下する。パッケージ信頼性の信頼性を維持しながら、反りの問題を解決することが可能な技術が望まれる。
【０００６】
関連する技術として特開平０８−１６２４９７号公報に半導体装置の実装方法とその実装体が開示されている。この半導体装置の実装方法は、半導体装置をフェースダウンで配線基板に実装する。半導体装置を微細な穴を有する配線基板に実装する。前記半導体装置と前記配線基板の間隙に少なくとも樹脂と配線基板の前記微細な穴よりも大きな形状を有する無機フィラーとを含有する液状の樹脂組成物を充填する。前記液状の樹脂組成物を硬化する。
【０００７】
関連する技術として特開平１１−３４５９１８号公報に半導体素子の実装方法とその実装体が開示されている。この半導体素子の実装方法は、半導体素子をフェースダウンで配線基板に実装する。表面に微細な凹凸を有する配線基板に半導体素子を実装する。前記半導体素子と前記配線基板の間隙に少なくとも樹脂と配線基板の前記微細な凹凸よりも小さな形状を有する無機フィラーとを含有する液状の樹脂組成物を充填する。前記液状の樹脂組成物を硬化する。
【０００８】
関連する技術として特許第３２１８５４２号公報に電子配線基板及び半導体チップキャリヤー用シートが開示されている。この電子配線基板は、多孔質フッ素樹脂シートを絶縁層として含み、該シート表面に金属めっき層を有する。該金属めっき層は、該シートに対し、そのシート表面に付着結合された親水性高分子を介して接着している。
【０００９】
関連する技術として特開２００４−５５８５３号公報にベアチップの実装構造および実装方法が開示されている。このベアチップの実装構造は、配線基板と、ベアチップと、絶縁性シートと、突起電極とを含む。配線基板は、複数の電極端子が設けられる。ベアチップは、複数の電極パッドが設けられ、各電極パッドを各電極端子に対向させて配置される。絶縁性シートは、前記ベアチップと配線基板との間に介在され、厚み方向に貫通する複数の微細な空隙が間隔をあけて形成される。突起電極は、前記絶縁性シートの各電極端子および各電極パッドに対応する位置の空隙に設けられ、前記電極パッドと前記電極端子とを接続する。
【００１０】
関連する技術として特開２００３−０８２３３号公報に多層配線基板が開示されている。この多層配線基板は、グランド層又は電源層と信号層とが絶縁層を介して配置された構造を有する。前記絶縁層を厚み方向で空孔率が異なる多孔質膜で構成すると共に、その多孔質膜の空孔率が高い側の面を前記信号層側に配置してある。
【００１１】
関連する技術として特開平１１−３５４５７５号公報に半導体ユニットおよび半導体素子の実装方法が開示されている。この半導体ユニットは、配線基板と、半導体素子と、接合層と、充填層とを備える。半導体素子は、前記配線基板にフェースダウン状態で実装されている。接合層は、前記半導体素子の端子電極と前記配線基板の接続電極とを電気的及び機械的に接続する。充填層は、前記半導体素子と前記配線基板との間隙に充填された封止樹脂である。前記接合層は、ポーラスな導電性材料部と、前記導電性材料部のポーラスな空間に存在する前記封止樹脂の一部とから構成されている。
【００１２】
【特許文献１】特開２００４−２３０４５号公報
【特許文献２】特開平０８−１６２４９７号公報
【特許文献３】特開平１１−３４５９１８号公報
【特許文献４】特許第３２１８５４２号公報
【特許文献５】特開２００４−５５８５３号公報
【特許文献６】特開２００３−０８２３３号公報
【特許文献７】特開平１１−３５４５７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
従って、本発明の目的は、組立工程の時間の増加を抑制しながら、反りを大幅に低減することが可能な配線基板、半導体装置、及び半導体装置の製造方法を提供することにある。
【００１４】
本発明の他の目的は、パッケージ信頼性を維持しながら、反りを大幅に低減することが可能な配線基板、半導体装置、及び半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
以下に、発明を実施するための最良の形態で使用される番号・符号を用いて、課題を解決するための手段を説明する。これらの番号・符号は、特許請求の範囲の記載と発明を実施するための最良の形態との対応関係を明らかにするために括弧付きで付加されたものである。ただし、それらの番号・符号を、特許請求の範囲に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。
【００１６】
上記課題を解決するために、本発明の配線基板は、一方の面から他方の面へ貫通する複数の孔（１４）を含み、アンダーフィル樹脂（３１）を含浸させることが可能な絶縁層（２）と、絶縁層内に設けられた回路配線（１１）とを具備する。
本発明を半導体装置の製造に用いれば、絶縁層（２）が一方の面から他方の面へ貫通する複数の孔（１４）を含んでいるので、アンダーフィル樹脂（３１）を一方の面から注入すると他方の面へ到達することができる。そのため、アンダーフィル樹脂（３１）の注入及び硬化が１回だけで済み、半導体チップ（２１）の組立工程にかかる時間を短縮することができる。加えて、一方の面と他方の面との間で対称に組み立てが進むので、反りの発生を極めて少なく抑えることが可能となる。
【００１７】
上記の配線基板において、絶縁層（２）の材料（１３）は、多孔質フッ素系樹脂、多孔質ウレタンゴム、多孔質シリコンゴム、多孔質ポリイミドのうちの一つであることが好ましい。
本発明において、これらの材料は、多孔質材料における孔の大きさや密度などを適正な範囲に制御性することが可能である。
【００１８】
上記の配線基板において、複数の孔（１４）の平均孔径は、アンダーフィル樹脂（３１）に含まれる複数のフィラーの平均直径よりも大きいことが好ましい。
本発明により、複数のフィラーを含むアンダーフィル樹脂（３１）を絶縁層（２）の一方の面から注入すると他方の面へ到達することができる。
【００１９】
上記課題を解決するために、本発明の半導体装置は、上記各項のいずれか一項に記載の配線基板（１）と、配線基板（１）の一方の側から配線基板（１）の回路配線（１１）に接続する第１半導体チップ（２１）と、配線基板（１）の他方の側から回路配線（１１）に接続する第２半導体チップ（２１）と、配線基板（１）に含浸し、第１及び第２半導体チップ（２１）と配線基板（１）とが一体化するように硬化したアンダーフィル樹脂（３１）とを具備する。
本発明では、絶縁層（２）が複数の貫通孔（１４）を含んでいるので、アンダーフィル樹脂（３１）を一方の面から注入すると他方の面へ到達することができる。そのため、半導体チップ（２１）の組立工程にかかる時間を短縮することができる。加えて、一方の面と他方の面との間で対称に組み立てが進むので、反りの発生を極めて少なく抑えることが可能となる。
【００２０】
上記の半導体装置において、第１半導体チップ（２１）と第２半導体チップ（２１）とは、概ね同じサイズを有することが好ましい。
本発明により、一方の面と他方の面との間の対称性が高くなり、反りの発生を更に極めて少なく抑えることが可能となる。
【００２１】
上記課題を解決するために、本発明の半導体装置の製造方法は、（ａ）一方の面から他方の面へ貫通する複数の孔（１４）を含みアンダーフィル樹脂（３１）を含浸させることが可能な絶縁層（２）と絶縁層（２）内に設けられた回路配線（１１）とを備える配線基板（１）の両側から、それぞれ第１半導体チップ（２１）及び第２半導体チップ（２１）を回路配線（１１）に接続する工程と、（ｂ）配線基板（１）の一方の側からアンダーフィル樹脂（３１）を含浸する工程と、（ｃ）第１及び第２半導体チップ（２１）と配線基板（１）とが一体化するようにアンダーフィル樹脂（３１）を硬化する工程とを具備する。
本発明では、絶縁層（２）が複数の貫通孔（１４）を含んでいるので、アンダーフィル樹脂（３１）を一方の面から注入すると他方の面へ到達することができる。他方の面からアンダーフィル樹脂（３１）を注入する必要がなくなるので、アンダーフィル樹脂（３１）の注入及び硬化が１回だけで済み、半導体チップ（２１）の組立工程にかかる時間を短縮することができる。加えて、一方の面と他方の面との間で対称に組み立てが進むので、反りの発生を極めて少なく抑えることが可能となる。
【００２２】
上記の半導体装置の製造方法において、
（ａ）工程は、（ａ１）絶縁層（２）の一部である第１絶縁層（２）の表面を覆う金属膜をパターンニングして、回路配線（１１）を設ける工程と、（ａ２）第１絶縁層（２）の表面及び回路配線（１１）を覆うように絶縁層（２）の残部である第２絶縁層（２）を付けることにより、配線基板（１）を形成する工程とを備える。
【００２３】
上記の半導体装置の製造方法において、絶縁層（２）の材料（１３）は、多孔質フッ素系樹脂、多孔質ウレタンゴム、多孔質シリコンゴム、多孔質ポリイミドのうちの一つであることが好ましい。
本発明において、これらの材料は、多孔質材料における孔の大きさや密度などを適正な範囲に制御することが可能である。
【００２４】
上記の半導体装置の製造方法において、複数の孔（１４）の平均孔径は、アンダーフィル樹脂（３１）に含まれる複数のフィラーの平均直径よりも大きいことが好ましい。
本発明により、複数のフィラーを含むアンダーフィル樹脂（３１）を絶縁層（２）の一方の面から注入すると他方の面へ到達することができる。
【００２５】
上記の半導体装置の製造方法において、（ｃ）ステップは、（ｃ１）アンダーフィル樹脂（３１）の硬化に最適な条件でアンダーフィル樹脂（３１）を熱処理することが好ましい。
本発明では、反りの発生を極めて少なく抑えることができるので、アンダーフィル樹脂の熱処理条件で反りをコントロールする必要がないため、アンダーフィル樹脂を硬化させる最適な条件で熱処理を実行できる。これにより、アンダーフィル樹脂の不良による半導体装置の信頼性の低下を防止することができる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明により、半導体装置の組立工程の時間の増加を抑制し、パッケージ信頼性を維持しながら、反りを大幅に低減することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の配線基板、半導体装置、及び半導体装置の製造方法の実施の形態に関して、添付図面を参照して説明する。
【００２８】
まず、本発明の配線基板の実施の形態について、添付図面を参照して説明する。図１は、本発明の配線基板の実施の形態の構成を示す斜視図である。配線基板１は、二層の絶縁層２と、二層の絶縁層２の間に設けられた配線層３とを具備する。
【００２９】
絶縁層２は、電気的な絶縁性を有し、一方の面から他方の面へ貫通する複数の孔１４を含む多孔質の材料１３で形成されている。その複数の孔１４を介して、アンダーフィル樹脂３１（後述）を含浸させることが可能である。それにより、アンダーフィル樹脂３１は、絶縁層２の一方の面から含浸し、他方の面まで到達することができる。ここで複数の孔の大部分はつながっており、配線層２の配線が無い部分も含めて、表面側及び裏面側の絶縁層２の複数の孔もつながっている。このため、表面から染み込ませたアンダーフィル樹脂３１が裏面側に染みて行くようになっている。
【００３０】
絶縁層２の材料１３としては、一定体積内を占有する構造体（繊維）がより少なく、かつ液状のアンダーフィル樹脂３１を保持する力の高い材料が好ましい。そのような材料としては、ポリテトラフロロエチレン（ＰＴＦＥ）製の多孔質フッ素系樹脂、多孔質ウレタンゴム、多孔質シリコンゴム、多孔質ポリイミドが好ましい。ポリテトラフロロエチレン（ＰＴＦＥ）製の多孔質フッ素系樹脂がより好ましい。例えば、「ゴアテックス（登録商標）」である。更に好ましくは、液体の濡れ性をより向上させた材料である。
【００３１】
複数の孔１４の平均孔径、複数の孔の密度、アンダーフィル樹脂３１の粘度やフィラーの平均直径（アンダーフィル樹脂３１がフィラーを含んでいる場合）を調整することにより、絶縁層２での含浸率、絶縁層２の一方の面からアンダーフィル樹脂３１を含浸させ他方の面から染み出させる速度（含浸速度）を制御することができる。絶縁層２の材料１３が決まっている場合には、孔１４の平均孔径にあわせてフィラーの平均直径を制御することが好ましい。制御を容易に行うことができるからである。フィラーの平均直径は、複数の孔１４の平均孔径よりも小さいことが好ましい。取り扱い易い含浸速度を考慮すると、フィラーの平均直径は、複数の孔１４の平均孔径の１／２〜１／３がより好ましい。
【００３２】
絶縁層２は、両面に複数の開口部４と複数の開口部５とを有する。開口部４は、表面から配線層３の回路配線１１へ伸び、半導体チップ２１（後述）と配線層２の回路配線１１との電気的接続（ボンディング）に用いる。開口部５は、表面から配線層３の回路配線１１へ伸び、配線基板１と他の配線基板１との電気的接続に用いる。ＢＧＡ（ボール・グリッド・アレイ）ボール３５（後述）を搭載する。ただし、この図における開口部４及び開口部５の位置及び数は、一例であり本発明がこの例に限定されることは無い。
【００３３】
絶縁層２は一様な多孔質である必要はなく、先に必要な一部の多孔質の部分を樹脂で埋め込んだり、逆にスペース（加工穴）を設けたりすることで樹脂の含浸速度や含浸領域を制御しても良い。例えばＢＧＡボールを搭載する部分（開口部５）には樹脂を付けたくないので、あらかじめ開口部５を広く開けておく。
【００３４】
配線層３は、絶縁層２内（二層の絶縁層２の間）に設けられ、回路配線１１を含む。配線層３における回路配線１１のない部分は、絶縁層２又は絶縁層２と同じ材料で覆われている（埋められている）。図２は、図１の配線基板における配線層３を示す斜視図である。配線層３における回路配線１１は、所定の回路パターンを有している。ただし、この図における回路配線１１の回路パターンは、一例であり本発明がこの例に限定されることは無い。
【００３５】
図３は、本発明の配線基板の実施の形態の構成を示す斜視図である。図１の配線基板１の裏面からの図である。基本的に図１と同様である。ただし、表面及び裏面において、ＢＧＡ（ボール・グリッド・アレイ）ボールを搭載する必要がない場合には、開口部５を有していなくても良い。
【００３６】
図４は、本発明の配線基板を適用した半導体装置の実施の形態の構成を示す略断面図である。半導体装置３０は、配線基板１、半導体チップ２１、及びアンダーフィル樹脂３１を具備する。
【００３７】
配線基板１は、上述のとおりである。
半導体チップ２１は、配線基板１の開口部４へ出力端子２２を挿入することにより、配線層３の回路配線１１に接続する。一つの半導体チップ２１は配線基板１の一方の側から、他の半導体チップ２１は配線基板１の他方の側から回路配線１１に接続する。
【００３８】
アンダーフィル樹脂３１は、配線基板１に含浸し、半導体チップ２１と配線基板１との間及びその周囲にが一体化するように硬化している。アンダーフィル樹脂３１は、所定の平均直径を有するフィラーを有することがより好ましい。そのようなフィラーを含むことは含浸率や含浸速度を制御しやすいからである。
【００３９】
半導体装置３０は、多段実装（パッケージスタック）の場合、開口部５に搭載されたＢＧＡボール３５を介して他の半導体装置３０と接続されている。ただし、上側の半導体装置３０は、表面においてＢＧＡボールを搭載する必要がないので開口部５を有していない。
【００４０】
次に、本発明の半導体装置の製造方法の実施の形態の動作について説明する。図５及び図６は、本発明の半導体装置の製造方法の実施の形態の動作を示す略断面図である。
【００４１】
（１）半導体チップ２１と配線基板１との接合
図５（ａ）を参照して、配線基板１に対して両面に同時に半導体チップ２１を搭載する。配線基板１は、上述したとおりである。配線基板１との電気的接合は、半導体チップ２１の出力端子２２を配線基板２１の開口部４へ挿入しすることで行う。このとき、その電気的接合は、一般的な金−金接合や、金−スズ接合、鉛−スズ接合でも良い。その電気的接合は、超音波接合を使用しても熱溶融させた金属同士の接合でも良い。半導体チップ２１と配線基板１とは、開口部４での出力端子２２と回路配線１１との電気的接合部だけで固定する。ただし、絶縁層２の表面に薄い接着材層を設けて、半導体チップ２１と配線基板１とを固着させることが、より強固でより壊れ難い点でより好ましい。この状態が図５（ｂ）である。配線基板１の表面と半導体チップ２１の表面とは密着しているが、接着はしていない。
（２）アンダーフィル樹脂３１の注入
図５（ｃ）を参照して、半導体チップ２１と配線基板１との接合体における半導体チップ２１の側面部から樹脂滴下ノズル３２を用いてアンダーフィル樹脂３１を滴下し、半導体チップ２１間の絶縁層２にアンダーフィルを注入する（含浸させる）。このとき、配線基板１の表面側から注入しても、配線基板１の複数の孔１４を通って裏面側へアンダーフィル樹脂３１が到達する。すなわち、配線基板１の基材（絶縁層２）としてアンダーフィル樹脂３１を含浸出来る材料を用いているため、表面側から注入したアンダーフィル樹脂３１が基材（含浸材）及び回路配線１１の間を通って裏面側に回りこむ。そのため、裏面側からアンダーフィル樹脂３１を注入しなくても、表面側から注入したアンダーフィル樹脂３１が裏面側のアンダーフィル樹脂３１を形成する。
また、絶縁層２の多孔質の孔が毛細管の役目をするため半導体チップ２１が無い側方へも広がって行く。このとき、開口部５（ＢＧＡボールを搭載する部分（パッド表面））は、多孔質の絶縁層２が無いため、アンダーフィル樹脂３１で汚れることはない。
ここで、濡れる速度を上げて生産性を向上させるために、半導体チップ２１と配線基板１との接合体の温度を上げても良い。温度を上げても面対称の構造であるため反りはほとんど発生しない。
（３）アンダーフィル樹脂３１の硬化
図６（ａ）を参照して、アンダーフィル樹脂３１の充填の終了後、所定の温度で熱処理を行い、アンダーフィル樹脂３１を硬化させる。これにより、半導体装置３０が形成される。この場合、反り発生や反りの除去を考慮しない、アンダーフィル樹脂３１を硬化させるための最適な条件でアンダーフィル樹脂３１を熱処理する。
（４）多段実装（パッケージスタック）化
図６（ｂ）を参照して、多段実装を行う場合、半導体装置３０の開口部５にＢＧＡボールを搭載し、他の半導体装置３０の開口部５がＢＧＡボールに載るようにする。その後、所定の温度で熱処理を行い、ＢＧＡボールで半導体装置３０同士を接合する。
これにより、多段実装の半導体装置３０が形成される。
【００４２】
ただし、配線基板１は、以下のように形成される。
（１）一方（例示：下側）の絶縁層２の表面に所定の膜厚の金属膜を形成する。例えば、メッキ法により金の薄膜を形成する。
（２）金属膜を、フォトリソグラフィー及びエッチングの技術によりパターンニングし、所定の回路パターンを有する回路配線１１を形成する。
（３）絶縁層２の表面及び回路配線１１を覆うように他方（例示：上側）の絶縁層２を貼り付ける。
このようにして配線基板１が形成される。
【００４３】
本発明では、配線基板の一方の面の側からアンダーフィル樹脂を注入することで、両面同時に樹脂を注入し、硬化させることができる。そのため、プロセス中も含めて反りが発生せず、組立工程の時間を約半分とすることができる。
【００４４】
本発明では、アンダーフィル樹脂の熱処理温度で半導体装置の組立中間工事品（半製品）の反りをコントロールする必要がない。そのため、反りをコントロールする条件を考慮することなく、アンダーフィル樹脂を硬化させる最適な条件で熱処理を実行できる。これにより、アンダーフィル樹脂の不良による半導体装置の信頼性の低下を防止することができる。
【００４５】
本発明では、配線基板１の基材として多孔質の材料を使用するため、一般的な基材より低弾性であり、半導体チップと回路配線１１との接続部（開口部４の近傍）に応力が発生しにくい。従って、組み立て中の破損をより抑制することができる。
【００４６】
本発明では、両面同時にアンダーフィルが行える多孔質の基材を有する配線基板を用いるため、半導体装置の状態を、組立（プロセス）中を含めて全て面対称にすることができる。それにより、反りが極めて発生しにくい半導体装置を提供することが出来る。また、同時に製造時間の短縮を実現することが出来る。
【００４７】
上記の実施の形態では、ＢＧＡタイプのパッケージ構造を例に説明している。しかし、本発明はその例に限定されるものではなく、リードタイプのパッケージ（例えばＴＳＯＰ（Ｔｈｉｎ  Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ））にも適用することが可能である。例えば、図７は、本発明の配線基板の実施の形態の他の構成を示す斜視図である。この図の配線基板１ａは、ＢＧＡボールを搭載する開口部５の代わりに、外部接続用の複数のリード７を備えるＴＳＯＰである。各リード７は、配線層３の所定の配線に接続されいている。実際の使用時、従来と同様にリード７は、チップ本体側で下側の向きに曲げられ、その先の先端側を外側の向きに曲げられる。リード７がその他は、配線基板１と同様である。
【００４８】
また、上記の実施の形態では、センターパッドタイプの半導体チップを例に説明している。しかし、本発明はその例に限定されるものではなく、周辺パッドタイプの半導体チップにも適用することが可能である。すなわち、通常フリップチップに使用できる半導体チップならばどのようなものでも対応することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】図１は、本発明の配線基板の実施の形態の構成を示す斜視図である。
【図２】図２は、図１の配線基板における配線層３を示す斜視図である。
【図３】図３は、本発明の配線基板の実施の形態の構成を示す斜視図である。
【図４】図４は、本発明の配線基板を適用した半導体装置の実施の形態の構成を示す略断面図である。
【図５】図５は、本発明の半導体装置の製造方法の実施の形態の動作を示す略断面図である。
【図６】図６は、本発明の半導体装置の製造方法の実施の形態の動作を示す略断面図である。
【図７】図７は、本発明の配線基板の実施の形態の他の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００５０】
１、１ａ    配線基板
２    絶縁層
３    配線層
４    開口部
５    開口部
７    リード
１１    回路配線
１３    材料
１４    孔
２１    半導体チップ
２２    出力端子
３０    半導体装置
３１    アンダーフィル樹脂
３２    樹脂滴下ノズル
３５    ＢＧＡボール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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