(57)【要約】【課題】ディスクリート素子の不良箇所解析方法としては、液晶法があるが、パッシベーション膜や、表面の電極層を除去して解析しなければならず、精度もあまりよくない。また、非破壊で解析するホット・エレクトロン発光法は、高精度であるが、ディスクリートデバイスには採用できない。【解決手段】ディスクリート素子をＩＲ−ＯＢＩＲＣＨ法にて解析する。これにより非破壊で、且つ電気的過負荷を与えずに断線、ショート、リーク不良箇所の特定が可能となる。解析装置は電源端子とＧＮＤ端子の２端子であるが回路の工夫により正電圧の電源だけを持つ解析装置を用いてｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴやｐｎｐバイポーラトランジスタを解析できる。さらに、降伏状態や動作状態を解析することにより、パターン設計、デバイス設計にフィードバックさせることができる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザビームをディスクリート半導体素子の被測定領域に照射し、該照射に伴う前記半導体素子の２つの端子間の電流変化を検出し該電流変化を輝度変化として電流像を取得する工程と、
前記被測定領域の画像データを取得し、該画像データと前記電流像とを重畳させ、該電流像の明暗により前記素子の故障被疑領域を特定する工程と、
前記故障被疑領域を拡大観察し、前記半導体素子の故障箇所を解析する工程とを具備することを特徴とする半導体素子解析方法。
【請求項２】
前記故障被疑領域を集束イオンビーム法により解析することを特徴とする請求項１に記載の半導体素子解析方法。
【請求項３】
前記電流像を取得する工程は、電源端子とＧＮＤ端子を有しＯＢＩＲＣＨ法による解析を行う解析装置を用い、前記両端子間に前記半導体素子の端子を接続して行うことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子解析方法。
【請求項４】
前記半導体素子の２つの端子間を電流経路とする該半導体素子の動作領域の電流変化を前記電流像として取得することを特徴とする請求項１に記載の半導体素子解析方法。
【請求項５】
前記半導体素子は裏面電極を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体素子解析方法。
【請求項６】
前記半導体素子はｐチャネル型ＭＯＳトランジスタであることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子解析方法。
【請求項７】
レーザビームをディスクリート半導体素子の被測定領域に照射し、該照射に伴う前記半導体素子の任意の端子間の電流変化を検出し該電流変化を輝度変化として電流像を取得し、該電流像により前記半導体素子の降伏状態を可視化することを特徴とする半導体素子解析方法。
【請求項８】
前記電流変化は、電源端子とＧＮＤ端子を有しＯＢＩＲＣＨ法による解析を行う解析装置を用い、前記半導体素子の端子と前記電源端子、ＧＮＤ端子と接続して検出することを特徴とする請求項７に記載の半導体素子解析方法。
【請求項９】
前記被測定領域の画像データを取得し、該画像データと前記電流像を重畳させることを特徴とする請求項７に記載の半導体素子解析方法。
【請求項１０】
前記半導体素子は、ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタであり、ソース端子およびゲート端子を前記ＧＮＤ端子に接続し、ドレイン端子を前記電源端子に接続することを特徴とする請求項７に記載の半導体素子解析方法。
【請求項１１】
前記半導体素子は、ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタであり、ドレイン端子およびゲート端子を前記ＧＮＤ端子に接続し、ソース端子を前記電源端子に接続することを特徴とする請求項７に記載の半導体素子解析方法。
【請求項１２】
降伏電圧付近の電圧を前記電源端子に印加し、前記電流像の微少変動により降伏現象を解析することを特徴とする請求項７に記載の半導体素子解析方法。
【請求項１３】
レーザビームをディスクリート半導体素子の被測定領域に照射し、該照射に伴う前記半導体素子の任意の端子間の電流変化を検出し該電流変化を輝度変化として電流像を取得し、該電流像により前記半導体素子の動作状態を可視化することを特徴とする半導体素子解析方法。
【請求項１４】
前記電流変化は、電源端子とＧＮＤ端子を有しＯＢＩＲＣＨ法による解析を行う解析装置を用い、前記半導体素子の任意の２端子をショートさせて前記電源端子又はＧＮＤ端子と接続して検出することを特徴とする請求項１３に記載の半導体素子解析方法。
【請求項１５】
前記被測定領域の画像データを取得し、該画像データと前記電流像を重畳させることを特徴とする請求項１３に記載の半導体素子解析方法。
【請求項１６】
前記半導体素子は、ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタであり、ソース端子を前記ＧＮＤ端子に接続し、ゲート端子およびドレイン端子を前記電源端子に接続することを特徴とする請求項１４に記載の半導体素子解析方法。
【請求項１７】
前記半導体素子は、ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタであり、ドレイン端子およびゲート端子を前記ＧＮＤ端子に接続し、ソース端子を前記電源端子に接続することを特徴とする請求項１４に記載の半導体素子解析方法。
【請求項１８】
閾値電圧付近の電圧を前記電源端子に印加し、前記素子の弱反転特性を電流変化として解析することを特徴とする請求項１４に記載の半導体素子解析方法。
【請求項１９】
前記半導体素子は、ｐｎｐバイポーラトランジスタであることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子解析方法。
【請求項２０】
前記半導体素子は、バイポーラトランジスタであり、該バイポーラトランジスタの測定する第１端子および第２端子を前記電源端子およびＧＮＤ端子に接続することを特徴とする請求項７に記載の半導体素子解析方法。
【請求項２１】
前記バイポーラトランジスタの第３端子を、前記第１端子または第２端子のいずれかとショートさせることを特徴とする請求項２０に記載の半導体素子解析方法。
【請求項２２】
前記半導体素子は、バイポーラトランジスタであり、該バイポーラトランジスタの測定する第１端子および第２端子を前記電源端子およびＧＮＤ端子に接続することを特徴とする請求項１４に記載の半導体素子解析方法。
【請求項２３】
前記バイポーラトランジスタの第３端子を、第１端子または第２端子のいずれかとショートさせることを特徴とする請求項２２に記載の半導体素子解析方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子解析方法に係り、特に非破壊で且つ電気的過負荷を加えずに素子の不良箇所の特定または解析を行う半導体素子解析方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ディスクリート半導体素子（個別半導体素子、以下ディスクリート素子と称する）において、不良箇所を特定する方法として、走査型電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ：以下ＳＥＭと称する）などで破壊痕跡などを特定し、解析する方法が一般的に採用されている（例えば特許文献１参照。）。しかしこの方法はディスクリート素子のパッシベーション膜、メタル層を除去して解析するなどディスクリート素子を破壊しなければならない。
【０００３】
一方、素子を非破壊で検査・解析する方法としては、チップ上に塗布した液晶の液晶層から液体層への温度による相転移を利用して異常発熱箇所を検出する液晶法（液晶塗布法）が知られている（例えば特許文献２参照。）。
【特許文献１】特開２００４−２２３１８号公報
【特許文献２】特開平５−２１５７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
液晶法は、上記のごとく不良箇所からの発熱により液晶が相転移することを利用し、相転移した箇所を偏光顕微鏡で観察することにより、不良箇所を特定・解析する方法である。この方法では液晶が相転移するにはある程度の発熱量が必要であり、発熱量が少なく液晶が相転移しにくい素子を解析することができない。また相転移が起こるほどの発熱量では相転移する領域が大きく、相転移領域も移動するため、例えば数μｍの範囲に不良箇所を絞り込むのは困難である。更に、この方法では素子上に滴下する液晶層を透過して素子を観察することになるため、屈折率の違いにより不良箇所を特定しにくいなどの問題があった。
【０００５】
また、エミッション顕微鏡によりホット・エレクトロン発光を解析するエミッション顕微鏡法は、ごく微小な発光を顕微鏡的視野で観測できるのでＬＳＩの解析には一般的に使用されている。しかし、この方法はディスクリート素子に適用することができない。ディスクリート素子は、チップ上が数μｍ以上の厚いメタル（例えばアルミニウム）電極に覆われているため、ホット・エレクトロン発光があったとしてもフォトン（光子）が厚いメタル電極を貫通できないためである。
【０００６】
更に、近年普及しているチップ裏面からホット・エレクトロン発光を解析する裏面フォト・エミッション法も、一般的に裏面電極を有するディスクリート素子には適用できない。また裏面電極を設けない構造の場合でもバイポーラトランジスタや、パワーＭＯＳＦＥＴのようにエピタキシャル構造を有するデバイスでは、フォトンがエピタキシャル層を貫通しにくいため、裏面フォト・エミッション法を採用できない。
【０００７】
つまり、過電圧、過電流を印加して無理矢理発熱させることができる場合を除いて、発熱が少ない微少リーク不良のディスクリートデバイスの不良箇所の特定は、事実上不可能であった。また、微少リーク不良以外の、例えば断線、ショートなどの不良の検出であっても上記のごとく高精度で不良箇所を特定できる方法が存在しなかった。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は上述した諸々の事情に鑑み成されたものであり、第１に、レーザビームをディスクリート半導体素子の被測定領域に照射し、該照射に伴う前記半導体素子の２つの端子間の電流変化を検出し該電流変化を輝度変化として電流像を取得する工程と、前記被測定領域の画像データを取得し、該画像データと前記電流像とを重畳させ、該電流像の明暗により前記素子の故障被疑領域を特定する工程と、前記故障被疑領域を拡大観察し、前記半導体素子の故障箇所を解析する工程とを具備することにより解決するものである。
【０００９】
また、前記故障被疑領域を集束イオンビーム法により解析することを特徴とするものである。
【００１０】
また、前記電流像を取得する工程は、電源端子とＧＮＤ端子を有しＯＢＩＲＣＨ法による解析を行う解析装置を用い、前記両端子間に前記半導体素子の端子を接続して行うことを特徴とするものである。
【００１１】
また、前記半導体素子の２つの端子間を電流経路とする該半導体素子の動作領域の電流変化を前記電流像として取得することを特徴とするものである。
【００１２】
また、前記半導体素子は裏面電極を有することを特徴とするものである。
【００１３】
また、前記半導体素子はｐチャネル型ＭＯＳトランジスタであることを特徴とするものである。
【００１４】
また、前記半導体素子は、ｐｎｐバイポーラトランジスタであることを特徴とするものである。
【００１５】
第２に、レーザビームをディスクリート半導体素子の被測定領域に照射し、該照射に伴う前記半導体素子の任意の端子間の電流変化を検出し該電流変化を輝度変化として電流像を取得し、該電流像により前記半導体素子の降伏状態を可視化することにより解決するものである。
【００１６】
また、前記電流変化は、電源端子とＧＮＤ端子を有しＯＢＩＲＣＨ法による解析を行う解析装置を用い、前記半導体素子の端子と前記電源端子、ＧＮＤ端子と接続して検出することを特徴とするものである。
【００１７】
また、前記被測定領域の画像データを取得し、該画像データと前記電流像を重畳させることを特徴とするものである。
【００１８】
また、前記半導体素子は、ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタであり、ソース端子およびゲート端子を前記ＧＮＤ端子に接続し、ドレイン端子を前記電源端子に接続することを特徴とするものである。
【００１９】
また、前記半導体素子は、ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタであり、ドレイン端子およびゲート端子を前記ＧＮＤ端子に接続し、ソース端子を前記電源端子に接続することを特徴とするものである。
【００２０】
また、降伏電圧付近の電圧を前記電源端子に印加し、前記電流像の微少変動により降伏現象を解析することを特徴とするものである。
【００２１】
また、前記半導体素子は、バイポーラトランジスタであり、該バイポーラトランジスタの測定する第１端子および第２端子を前記電源端子およびＧＮＤ端子に接続することを特徴とするものである。
【００２２】
また、前記バイポーラトランジスタの第３端子を、前記第１端子または第２端子のいずれかとショートさせることを特徴とするものである。
【００２３】
第３に、レーザビームをディスクリート半導体素子の被測定領域に照射し、該照射に伴う前記半導体素子の任意の端子間の電流変化を検出し該電流変化を輝度変化として電流像を取得し、該電流像により前記半導体素子の動作状態を可視化することにより解決するものである。
【００２４】
また、前記電流変化は、電源端子とＧＮＤ端子を有しＯＢＩＲＣＨ法による解析を行う解析装置を用い、前記半導体素子の任意の２端子をショートさせて前記電源端子又はＧＮＤ端子と接続して検出することを特徴とするものである。
【００２５】
また、前記被測定領域の画像データを取得し、該画像データと前記電流像を重畳させることを特徴とするものである。
【００２６】
また、前記半導体素子は、ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタであり、ソース端子を前記ＧＮＤ端子に接続し、ゲート端子およびドレイン端子を前記電源端子に接続することを特徴とするものである。
【００２７】
また、前記半導体素子は、ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタであり、ドレイン端子およびゲート端子を前記ＧＮＤ端子に接続し、ソース端子を前記電源端子に接続することを特徴とするものである。
【００２８】
また、閾値電圧付近の電圧を前記電源端子に印加し、前記素子の弱反転特性を電流変化として解析することを特徴とするものである。
【００２９】
また、前記半導体素子は、バイポーラトランジスタであり、該バイポーラトランジスタの測定する第１端子および第２端子を前記電源端子およびＧＮＤ端子に接続することを特徴とするものである。
【００３０】
また、前記バイポーラトランジスタの第３端子を、第１端子または第２端子のいずれかとショートさせることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００３１】
本発明に依れば以下の効果が得られる。
【００３２】
第１に、ディスクリート素子の不良に対して、非破壊で、且つ電気的過負荷を加えずに、不良箇所を高精度で特定することができる。
【００３３】
第２に、解析装置の電源端子およびＧＮＤ端子とそれぞれ接続する端子を適宜選択することにより、ディスクリートデバイスの断線、ショート、リーク不良箇所を高精度で特定することができる。
【００３４】
第３に、ディスクリートのＭＯＳＦＥＴまたはバイポーラトランジスタは、一般的に表面および裏面に厚いメタル電極を有しており、またエピタキシャル層の不純物濃度も高い。この場合でも本実施形態によれば不良箇所を非破壊で高精度に特定することができる。
【００３５】
第４に、マイナス電源を持たない解析装置であっても、ＭＯＳＦＥＴのソース端子を解析装置の電源端子（またはその逆）に接続することにより、ｐチャネル型素子の不良箇所を特定することができる。
【００３６】
第５に、降伏電圧付近の電圧を印加して電流像の微少変動により降伏現象を解析することによりＭＯＳトランジスタの降伏箇所および降伏の進行状態を可視化できるので、降伏箇所を考慮したパターン設計およびデバイス設計が可能となる。
【００３７】
第６に、閾値電圧付近の電圧を印加して素子の弱反転特性を電流変化として解析することによりＭＯＳトランジスタのオン・オフ状態、弱反転特性を可視化できるので、電界集中箇所を考慮したパターン設計およびデバイス設計が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
以下に本発明の実施の形態について図１から図３２を参照して詳細に説明する。
【００３９】
図１から図２６には本発明の第１の実施形態を説明する。図１は、解析装置を示す概略図であり、本実施形態では、レーザビームで加熱した際の配線の温度上昇に伴う抵抗変化を利用する、いわゆるＯＢＩＲＣＨ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｂｅａｍ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ  ＣＨａｎｇｅ）法を採用する。
【００４０】
解析装置ＯＢは電源端子とＧＮＤ端子の２端子を有し、その２端子に接続する測定対象のディスクリート素子３０の２端子が接続する。ここでディスクリート素子３０とは、不純物拡散などにより半導体結晶に所定の素子領域が形成され、裏面電極を有する素子をいう。そして所定の電圧を印加すると共に素子の被測定領域にレーザビームを照射する。また、解析装置ＯＢには表示部６０が接続する。尚、ディスクリート素子３０の２端子の配線方法については後述する。
【００４１】
ＯＢＩＲＣＨ法の原理については以下の通りである。
【００４２】
電流Ｉが流れている金属配線にレーザビームを照射すると、そのエネルギーの一部が熱に変換される。この熱の発生により局所的に温度が上昇（１ｍＷの照射で１℃程度上昇）し、電気抵抗Ｒが増大する。
【００４３】
この現象を、定電圧Ｖを印加しレーザビームを走査した際の電流変化を輝度変化で表示するようにして像として観察する。輝度は電流変化が正の場合は明るく、負の場合は暗く表示する。
【００４４】
この場合のＩは以下の式で表わされる。
【００４５】
Ｉ＝ｆ（Ｖ，Ｒ）
ここで、ｆはＶとＲを変数とする関数を示す。そして微少な電流変化を求めるために上式の全微分を行い、以下のごとくｄＩを求める。
【００４６】
ｄＩ＝（∂Ｉ／∂Ｖ）ｄＶ＋（∂Ｉ／∂Ｒ）ｄＲ
＝（１／Ｒ）ｄＶ＋［（−Ｖ）／（Ｒ＊Ｒ）］ｄＲ
＝（Ｉ／Ｖ）ｄＶ＋（−Ｉ＊Ｉ／Ｖ）ｄＲ    （∵Ｉ＝Ｖ／Ｒ）
＝Ｉ（ｄＶ／Ｖ）−Ｉ＊Ｉ（ｄＲ／Ｖ）
ここで、微分演算子ｄを差分演算子Δで置き換えると、
ΔＩ＝Ｉ（ΔＶ／Ｖ）−Ｉ＊Ｉ（ΔＲ／Ｖ）
となる。定電圧印加条件より、
ΔＩ≒−Ｉ＊Ｉ（ΔＲ／Ｖ）    （∵Ｖ≒ｃｏｎｓｔ．）
ここで、ΔＩ：ビーム照射時の微少電流変化、ΔＲ：ビーム照射時の微少抵抗変化、ΔＶ：ビーム照射時の微少電圧変化である。
【００４７】
つまり、ＯＢＩＲＣＨ法によれば、電流の微少変化ΔＩを、電気抵抗の微少変化ΔＲと電流Ｉの関数として示すことができる。
【００４８】
このようにＯＢＩＲＣＨ法は、一般的には電流Ｉによりチップ外からチップ内の電流観測が可能であるため金属配線の不良箇所の検出に応用できる。
【００４９】
レーザビームは特に近赤外ビーム（通常１．３μｍの波長のもの）を用いる。これによりチップ裏面側から金属配線の異常を観測することも可能である。また、近赤外ビームを用いることにより、シリコン（Ｓｉ）中で発生するＯＢＩＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｂｅａｍ  Ｉｎｄｕｃｅｄ  Ｃｕｒｒｅｎｔ）電流の発生を防ぐことができる。１．２μｍ以下の波長のレーザを用いると、通常のデバイスではＯＢＩＣ信号がノイズとなり、ＯＢＩＲＣＨ信号の測定ができない。
【００５０】
そこで、本実施形態では図１のごとく、近赤外ビームによるＯＢＩＲＣＨ法（Ｉｎｆｒａｒｅｄ  ＯＢＩＲＣＨ法：以下ＩＲ−ＯＢＩＲＣＨ法と称する）を用いた解析装置を用いる。そしてこれにより、ディスクリート素子３０を測定するものである。
【００５１】
つまり、本実施形態ではディスクリート素子３０の２端子間に解析装置ＯＢの２端子を接続し、近赤外ビームｈνを走査しながら電流変化を輝度変化として表示部５０に表示し、電流の大きさに応じた明暗のコントラストにより電流経路を可視化する。ディスクリート素子３０の２端子間の電流変化とはすなわち実際に動作している素子領域（半導体結晶の領域）における電流変化である。すなわち、従来金属配線を解析していた方法を用い、ディスクリート素子３０を配線とみなして素子３０内部の電流経路を可視化するものである。ここで、本明細書では、可視化された電流経路を以下電流像５０と称する。
【００５２】
このとき、ディスクリート素子３０に欠陥部８０が有ると、これが正常部より明（又は暗）コントラストとして表示される。このように部分的に異なるコントラストで表示された箇所を故障被疑領域８１として特定し、故障被疑領域８１に基づきディスクリート素子３０を解析する。
【００５３】
上記の如く、ＯＢＩＲＣＨ法は一般的に電気信号が伝達する配線系の欠陥検出に有効な方法であるが、本実施形態では配線のみならず、ディスクリート素子３０の２端子間を電流経路とする素子領域内部の電流変化を電流像５０として取得する。ディスクリート素子は素子領域である半導体結晶と金属が直接接触している単純な構造であるので、配線系の欠陥検出（解析）方法を用いて、半導体結晶中の欠陥を検出することができる。すなわち、非破壊では視認できない素子の素子領域内部における故障被疑領域８１を特定することができる。
【００５４】
図２は、本実施形態を説明するフロー図である。
【００５５】
第１の実施形態の半導体素子解析方法は、レーザビームをディスクリート半導体素子の被測定領域に照射し、該照射に伴う前記半導体素子の２つの端子間の電流変化を検出し該電流変化を輝度変化として電流像を取得する工程と、前記被測定領域の画像データを取得し、該画像データと前記電流像とを重畳させ、該電流像の濃淡により前記素子の故障被疑領域を特定する工程と、前記故障被疑領域を拡大観察し、前記半導体素子の故障箇所を解析する工程ととから構成される。
【００５６】
第１工程：レーザビームをディスクリート半導体素子の被測定領域に照射し、該照射に伴う前記半導体素子の２つの端子間の電流変化を検出し該電流変化を輝度変化として電流像を取得する工程（ステップＳ１）。
【００５７】
本実施形態の測定対象となる半導体素子３０は、裏面電極を有するディスクリート素子である。以下ディスクリート素子３０の一例としてＭＯＳＦＥＴを例に説明する。
【００５８】
ＭＯＳＦＥＴ３０は、半導体基板にソース領域、ドレイン領域を設け、ゲート電極が配置されて動作領域を構成している。そしてこれらは、ソース端子、ドレイン端子、ゲート端子として外部に導出する。
【００５９】
本実施形態ではこれらの端子の２端子に解析装置ＯＢの２端子を接続し、被測定領域に近赤外ビームｈνを照射し、その際の抵抗変化に伴う電流変化を検出部にて検出する。後述するがＭＯＳＦＥＴ３０は２端子をショートさせるか、あるいは１つの端子をオープンにして、解析装置ＯＢの電源端子およびＧＮＤ端子と接続する。
【００６０】
そして、近赤外ビームｈνを走査しながら電流変化を輝度変化として電流像５０を表示部６０に表示する。電流像５０は電流の大きさに応じた明暗のコントラストで表示されこれにより２端子間の電流経路を可視化することができる（図１参照）。
【００６１】
例えば、ＭＯＳＦＥＴ３０のソース電極に採用されるアルミニウム（Ａｌ）の抵抗温度係数（ＴＣＲ）は正の値である。つまりＡｌ配線にレーザが照射され加熱された際、正常箇所であれば電流は減少する。従って電流像５０として暗いコントラストで観測できる。
【００６２】
また、電流経路にボイドや欠陥があると、その箇所の熱伝導率が正常箇所より小さくなるため、近赤外ビームｈνの照射による温度上昇が大きくなる。従ってＯＢＩＲＣＨ信号が変化し、電流像５０はその部分だけが周囲より更に暗く表示される。
【００６３】
一方、負の抵抗温度係数（ＴＣＲ）を持つ領域（材料）では、近赤外ビームｈνの照射で発生した熱により抵抗が減少して電流が増加し、電流像５０は周囲より明るく表示される。例えばＡｌ配線とコンタクトする拡散領域（ソース領域又はボディ領域）との間にショート、リーク等の何らかの低抵抗層ができたような異常箇所は、明コントラストとして観測される。
【００６４】
すなわち電流像５０において、正常箇所と比較して明コントラスト表示あるいは暗コントラスト表示された箇所が故障被疑領域８１となる。ここで、コントラストが変化する領域は電流変化の量が他の領域より大きいことを示すだけであり、正常箇所である場合もある。つまり、あくまでもコントラストが他の領域と異なる領域は故障の「疑い」のある領域である。
【００６５】
第２工程：被測定領域の画像データを取得し、該画像データと前記電流像とを重畳させ、該電流像の濃淡により前記素子の故障被疑領域を特定する工程（ステップＳ２）。
【００６６】
電流像５０は、表示部６０に明暗のコントラストで表示されているだけである。そこで、素子の電流変化を可視化する。
【００６７】
ＭＯＳＦＥＴの測定領域は予めＣＣＤカメラによる光学顕微鏡像を画像データとして取得しておく。この光源は例えばハロゲン・ランプ等の白色光源やレーザである。そして、画像データと電流像５０を重畳させる。
【００６８】
このとき良品の電流像５０と比較するなどし、一般的には電流変化が大きくならないような箇所において電流像５０のコントラストの違いが出れば、何らかの不良が発生している可能性が高い。つまりその箇所を実際のディスクリート素子３０上の故障被疑領域８１として特定する。
【００６９】
第３工程：故障被疑領域を拡大観察し、前記半導体素子の故障箇所を解析する工程（ステップＳ３）。
【００７０】
前述の如く電流像５０のコントラストは必ずしも欠陥部８０を示している訳ではない。従って、特定した故障被疑領域８１について、ＳＥＭ等による表面からの観察あるいは、ＳＥＭ等および集束イオンビーム法（Ｆｏｃｕｓｅｄ  Ｉｏｎ  Ｂｅａｍ法：以下ＦＩＢ法）による断面観察、表面層をエッチング、研磨等により剥離しながらＳＥＭ等による観察等を行い、欠陥部８０等の故障箇所を発見した際には、その故障箇所を解析する。
【００７１】
ここで、ＳＥＭ等による観察には、光学顕微鏡、レーザ顕微鏡、ＦＩＢの機能の一つである走査型イオン顕微鏡による観察、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）による観察などである。  この方法によれば、表面および裏面に厚いメタル電極層が配置されているディスクリート素子であっても、非破壊でかつ電気的過負荷を加えずに配線を含む動作領域の故障被疑領域８１を特定することができる。更に故障被疑領域８１を高精度に絞り込むことができ、液晶法による解析と比較してその感度も高めることができる。つまり従来ディスクリート素子で解析が困難であった微少リーク電流不良など、を高精度に解析することができる。
【００７２】
定量的に比較した一例を示すと、ディスクリート素子において液晶法では１ｍＡ程度のリーク電流による発熱反応を解析することができるが、本実施形態によれば５ｎＡ〜１０ｎＡ程度の微少なリーク電流を解析することができる。また液晶法の発熱により直径１０μｍ程度で認識していた故障被疑領域８１を、本実施形態では１μｍ程度までに絞り込むことができる。
【００７３】
さらに、本出願人の実験によれば、ＶＤＳ−ＩＤ特性では若干のリーク不良傾向が見られる程度で良品の範囲内にある素子について本実施形態の解析方法を適用したところ、故障被疑領域８１におけるリーク箇所を特定することができた。
【００７４】
以下図３から図１４の概要図を参照して具体的な配線方法について説明する。図は、ディスクリート素子３０と解析装置ＯＢの配線方法を示すものであり、ディスクリート素子３０をＭＯＳＦＥＴ（またはバイポーラトランジスタ）の単位構成要素に置き換えて説明する。
【００７５】
ａ：ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴのゲート−ソース間ショート、リーク電流不良を解析する場合(図３)
ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ３０は、ｎ＋型半導体基板２１ａにｎ−型エピタキシャル層２１ｂを積層するなどしてドレイン領域２１とし、表面にｐ−型のチャネル層２２を設ける。ドレイン領域２１に達するトレンチ２３は内壁がゲート絶縁膜２４で覆われ、ゲート電極２５が埋設される。ソース領域２６はトレンチ２３に隣接するｎ＋型不純物領域であり、ソース領域２６に隣接したチャネル層２２には基板電位を安定化させるｐ＋型のボディ領域２７を設ける。
【００７６】
前述の如く図はＭＯＳＦＥＴ３０の単位構成要素を示しており、実際にはこれらが多数配置されて動作領域を構成している。また、図示は省略するが表面にはソース領域２６およびボディ領域２７にコンタクトするソース電極が設けられ、裏面にはドレイン電極が設けられる。そしてゲート電極２５にも所望の配線が接続し、それぞれソース端子Ｓ、ドレイン端子Ｄ、ゲート端子Ｇとして外部に導出する。
【００７７】
ゲート−ソース間ショート、リーク電流不良を解析する場合には、ゲート端子Ｇを解析装置ＯＢの電源端子に接続し、ソース端子Ｓを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続する。ドレイン端子Ｄは配線せずオープンとする。そして被測定領域となる例えばチップ全面に近赤外ビームｈνを照射して、電流像５０を取得する（図３（Ａ））。
【００７８】
また、図３（Ａ）とは逆に、ゲート端子Ｇを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続し、ソース端子Ｓを解析装置ＯＢの電源端子に接続してもよい（図３（Ｂ））。ゲート端子ＧがＧＮＤ電位となるが、ソース端子Ｓが電源端子（＋）と接続することにより基準電位が入れ替わり、図３（Ａ）の配線の場合と比較して電流像５０のコントラストがより明確になり、リーク箇所の識別を容易にできる場合がある。
【００７９】
ｂ：ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴのドレイン−ソース間の断線、ショート、リーク電流不良を解析する場合（図４）
以下、ＭＯＳＦＥＴ３０の構造については図３と同様であるので説明は省略する。この場合はＭＯＳＦＥＴのドレイン端子Ｄを解析装置ＯＢの電源端子に接続し、ＭＯＳＦＥＴのソース端子Ｓを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続する。ゲート端子Ｇはオープンとする。そして被測定領域に近赤外ビームｈνを照射して、電流像５０を取得する（図４（Ａ））。
【００８０】
また、逆の配線でドレイン端子Ｄを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続し、ソース端子Ｓを解析装置ＯＢの電源端子に接続してもよい（図４（Ｂ））。そして、この場合は、ｐｎ接合のＩ−Ｖ特性において、順方向バイアスを印加することになるので、電流Ｉの増加率が大きい領域で解析ができる。従って図４（Ａ）の配線の場合と比較してコントラストがより明確になり、解析が容易になる場合がある。
【００８１】
ｃ：ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴのゲート−ソース間の微少リーク電流不良を解析する場合（図５）
この場合はＭＯＳＦＥＴ３０のゲート端子Ｇおよびドレイン端子Ｄをショートさせて解析装置ＯＢの電源端子に接続し、ＭＯＳＦＥＴ３０のソース端子Ｓを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続する。そして被測定領域に近赤外ビームｈνを照射して、電流像５０を取得する。
【００８２】
ｄ：ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴのドレイン−ソース間の微少リーク電流不良を解析する場合（図５）
この場合も図５の配線となる。すなわちＭＯＳＦＥＴ３０のゲート端子Ｇおよびドレイン端子Ｄをショートさせて解析装置ＯＢの電源端子に接続し、ＭＯＳＦＥＴ３０のソース端子Ｓを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続する。そして被測定領域に近赤外ビームｈνを照射して、電流像５０を取得する。
【００８３】
ｅ：ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴのゲート−ドレイン間のショート、リーク電流不良を解析する場合（図６）
ＭＯＳＦＥＴのゲート端子Ｇを解析装置ＯＢの電源端子に接続し、ＭＯＳＦＥＴのドレイン端子Ｄを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続する。ソース端子Ｓはオープンとする。そして被測定領域に近赤外ビームｈνを照射して、電流像５０を取得する（図６（Ａ））。
【００８４】
また、逆の配線でゲート端子Ｇを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続し、ドレイン端子Ｄを解析装置ＯＢの電源端子に接続してもよい（図６（Ｂ））。この場合も電流像５０のコントラスト（白黒）が反転して、不良箇所の識別が容易になる場合がある。
【００８５】
ｆ：ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴのゲート−ドレイン間の微少リーク電流不良を解析する場合（図７）
ＭＯＳＦＥＴのゲート端子Ｇ、ドレイン端子Ｄを解析装置ＯＢの電源端子に接続し、ＭＯＳＦＥＴのソース端子Ｓを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続する。被測定領域に近赤外ビームｈνを照射して、電流像５０を取得する（図７（Ａ））。この場合はＭＯＳＦＥＴをオンさせることで電流値を増大させている。
【００８６】
また、ゲート端子Ｇ、ソース端子Ｓを解析装置ＯＢの電源端子に接続し、ドレイン端子Ｄを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続してもよい（図７（Ｂ））。この場合、順方向バイアス印加で、電流値を増大させることができる。
【００８７】
ｇ：ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴのゲート−ソース間のショート、リーク電流不良を解析する場合（図８）
ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴ３０は、図３のｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴの各領域の導電型が逆になった構造であるので、構造についての説明は省略する。
【００８８】
解析装置は電源端子（＋）とＧＮＤ端子の２端子である。現行の解析装置には、マイナス電源がないためｐチャネル型のデバイスの動作解析は不可能であるが、本実施形態ではソース端子を電源端子と接続することによりプラス電源でｐチャネル型デバイスを動作させることとした。これにより正電圧電源だけを持つ解析装置を用いて、ｐチャネル型デバイスを解析することができる。
【００８９】
この場合は、ＭＯＳＦＥＴ３０のソース端子Ｓを解析装置ＯＢの電源端子に接続し、ＭＯＳＦＥＴのゲート端子Ｇを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続する。ドレイン端子Ｄはオープンとする。そして被測定領域に近赤外ビームｈνを照射して、電流像５０を取得する（図８（Ａ））。
【００９０】
また、逆の配線、すなわちソース端子Ｓを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続し、ゲート端子Ｇを解析装置ＯＢの電源端子に接続してもよい（図８（Ｂ））。基準電位を入れ替えることにより、電流像５０のコントラスト（白黒）が反転して、不良箇所の識別が容易になる場合がある。
【００９１】
ｈ：ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴのドレイン−ソース間の断線、ショート、リーク不良を解析する場合（図９）
ＭＯＳＦＥＴのソース端子Ｓを解析装置ＯＢの電源端子に接続し、ＭＯＳＦＥＴ３０のドレイン端子Ｄを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続する。ゲート端子Ｇはオープンとする。そして被測定領域に近赤外ビームｈνを照射して、電流像５０を取得する（図９（Ａ））。
【００９２】
また、逆の配線、すなわちソース端子Ｓを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続し、ドレイン端子Ｄを解析装置ＯＢの電源端子に接続してもよい（図９（Ｂ））。順方向バイアスを印加することになるので、解析が容易になる場合がある。
【００９３】
ｉ：ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴのゲート−ソース間の微少リーク電流不良を解析する場合（図１０）
ＭＯＳＦＥＴ３０のソース端子Ｓを解析装置ＯＢの電源端子に接続し、ＭＯＳＦＥＴ３０のドレイン端子Ｄ、ゲート端子Ｇを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続する。そして被測定領域に近赤外ビームｈνを照射して、電流像５０を取得する。この場合はＭＯＳＦＥＴをオンさせることで電流値を増大させている。
【００９４】
ｊ：ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴのドレイン−ソース間の微少リーク電流不良を解析する場合（図１０）  
この場合は図１０の配線となる。すなわちＭＯＳＦＥＴ３０のソース端子Ｓを解析装置ＯＢの電源端子に接続し、ＭＯＳＦＥＴのドレイン端子Ｄ、ゲート端子Ｇを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続する。そして被測定領域に近赤外ビームｈνを照射して、電流像５０を取得する。
【００９５】
ｋ：ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴのゲート−ドレイン間のショート、リーク電流不良を解析する場合（図１１）
ＭＯＳＦＥＴのドレイン端子Ｄを解析装置ＯＢの電源端子に接続し、ＭＯＳＦＥＴのゲート端子Ｇを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続する。ソース端子Ｓはオープンとする。そして被測定領域に近赤外ビームｈνを照射して、電流像５０を取得する（図１１（Ａ））。
【００９６】
また、逆の配線でゲート端子Ｇを解析装置ＯＢの電源端子に接続し、ドレイン端子Ｄを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続してもよい（図１１（Ｂ））。この場合電流像５０のコントラスト（白黒）が反転して、不良箇所の識別が容易になる場合がある。
【００９７】
ｌ：ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴのゲート−ドレイン間の微少リーク電流不良を解析する場合（図１２）
ＭＯＳＦＥＴのゲート端子Ｇ、ドレイン端子Ｄを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続し、ＭＯＳＦＥＴのソース端子Ｓを解析装置ＯＢの電源端子に接続する。これによりｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴをオンさせることができるので、被測定領域に近赤外ビームｈνを照射して、電流像５０を取得する（図１２（Ａ））。
【００９８】
また、ゲート端子Ｇ、ソース端子Ｓを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続し、ドレイン端子Ｄを解析装置ＯＢの電源端子に接続してもよい（図１２（Ｂ））。この場合はソース端子Ｓとドレイン端子Ｄ間のｎｐ接合が順方向バイアス印加になるので解析が容易になる場合がある。
【００９９】
ｍ：ｎｐｎバイポーラトランジスタのエミッタ−ベース間のショート、リーク電流不良を解析する場合（図１３）  
ディスクリート素子３０はバイポーラトランジスタでもよく、その場合の配線例を説明する。
【０１００】
ｎｐｎバイポーラトランジスタ３０は、ｎ＋型半導体基板３１ａにｎ−型エピタキシャル層３１ｂを積層するなどしてコレクタ領域３１とし、その表面にｐ−型のベース領域３２を設け、ベース領域３２表面にｎ＋型のエミッタ領域３３を設ける。図はｎｐｎバイポーラトランジスタの単位構成要素を示しており、実際にはこれらが多数配置されて動作領域を構成している。また、図示は省略するが表面にはベース領域３２およびエミッタ領域３３にコンタクトするベース電極、エミッタ電極がそれぞれ設けられ、裏面にはコレクタ電極が設けられる。それぞれの電極はベース端子Ｂ、エミッタ端子Ｅ、コレクタ端子Ｃとして外部に導出する。
【０１０１】
エミッタ−ベース間のショート、リーク電流不良を解析する場合は、バイポーラトランジスタのエミッタ端子Ｅを解析装置ＯＢの電源端子に接続し、バイポーラトランジスタのベース端子Ｂを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続する。コレクタ端子Ｃはオープンとする。そして被測定領域に近赤外ビームｈνを照射して、電流像５０を取得する（図１３（Ａ））。
【０１０２】
また、逆の配線としてもよい。すなわち、バイポーラトランジスタのベース端子Ｂを解析装置ＯＢの電源端子に接続し、バイポーラトランジスタのエミッタ端子Ｅを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続する（図１３（Ｂ））。この場合は、ベース端子Ｂとエミッタ端子Ｅ間のｐｎ接合に順方向バイアスが印加することになるので解析が容易になる場合がある。
【０１０３】
ｎ：ｐｎｐバイポーラトランジスタのエミッタ−ベース間のショート、リーク電流不良を解析する場合（図１４）  
ｐｎｐバイポーラトランジスタ３０は、図９のｎｐｎバイポーラトランジスタの各領域の導電型が逆の構造であるので、詳細な説明は省略する。
【０１０４】
この場合、バイポーラトランジスタのエミッタ端子Ｅを解析装置ＯＢの電源端子に接続し、バイポーラトランジスタのベース端子Ｂを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続する。コレクタ端子Ｃはオープンとする。そして被測定領域に近赤外ビームｈνを照射して、電流像５０を取得する（図１４（Ａ））。エミッタ端子Ｅを電源端子、ベース端子ＢをＧＮＤにすると、ｐｎ接合の順方向バイアスになり、解析が容易になる場合がある。        
【０１０５】
また、逆の配線としてもよい。すなわちバイポーラトランジスタのベース端子Ｂを解析装置ＯＢの電源端子に接続し、バイポーラトランジスタのエミッタ端子Ｅを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続する（図１４（Ｂ））。
【０１０６】
ｏ：ｎｐｎバイポーラトランジスタのエミッタ−ベース間のショート、リーク電流不良を解析する場合（図１５、図１６）  
図１５（Ａ）では、エミッタ端子Ｅに電源のプラス端子を接続し、ベース端子Ｂに電源のマイナス端子を接続する。解析装置ＯＢは正電圧を印加して使用するため、この場合、エミッタ端子Ｅを解析装置ＯＢの電源端子に接続し、ベース端子Ｂを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続する。また、コレクタ端子Ｃはベース端子Ｂと接続する。そして被測定領域に近赤外ビームｈνを照射して、電流像５０を取得する。
【０１０７】
エミッタ−ベース間のショート、リーク電流不良を解析する場合は、エミッタ−ベース間に電位差があればよい。図１３および図１４ではコレクタ端子Ｃがオープンであったが、図１５（Ａ）ではコレクタ端子Ｃをベース端子Ｂと接続する。これにより、コレクタ端子ＣがＧＮＤ電位となり、電位を安定させることができる。従ってバイポーラトランジスタの発振を防止し、安定した電流像５０を得ることができる。
【０１０８】
図１５（Ｂ）では、ベース端子Ｂに電源のプラス端子を接続し、エミッタ端子Ｅに電源のマイナス端子を接続する。解析装置ＯＢは正電圧を印加して使用するため、この場合、ベース端子Ｂを解析装置ＯＢの電源端子に接続し、エミッタ端子Ｅを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続する。また、コレクタ端子Ｃはエミッタ端子Ｅと接続する。これにより、コレクタ端子ＣがＧＮＤ電位となり、電位を安定させることができる。そして被測定領域に近赤外ビームｈνを照射して、電流像５０を取得する。
【０１０９】
図１６では、エミッタ端子Ｅに電源のプラス端子を接続し、ベース端子Ｂに電源のマイナス端子を接続する。すなわち、エミッタ端子Ｅを解析装置ＯＢの電源端子に接続し、ベース端子Ｂを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続する。また、コレクタ端子Ｃはエミッタ端子Ｅと接続する。これにより、コレクタ端子Ｃが電源電位となり、電位を安定させることができる。そして被測定領域に近赤外ビームｈνを照射して、電流像５０を取得する。
【０１１０】
ｐ：ｎｐｎバイポーラトランジスタのエミッタ−コレクタ間のショート、リーク電流不良を解析する場合（図１７、図１８）  
図１７（Ａ）では、エミッタ端子Ｅに電源のプラス端子を接続し、コレクタ端子Ｃに電源のマイナス端子を接続する。解析装置ＯＢは正電圧を印加して使用するため、エミッタ端子Ｅを解析装置ＯＢの電源端子に接続し、コレクタ端子Ｃを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続する。また、ベース端子Ｂはオープンである。そして被測定領域に近赤外ビームｈνを照射して、電流像５０を取得する。
【０１１１】
図１７（Ｂ）では、コレクタ端子Ｃに電源のプラス端子を接続し、エミッタ端子Ｅに電源のマイナス端子を接続する。すなわち、コレクタ端子Ｃを解析装置ＯＢの電源端子に接続し、エミッタ端子Ｅを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続する。また、ベース端子Ｂはオープンである。そして被測定領域に近赤外ビームｈνを照射して、電流像５０を取得する。
【０１１２】
図１８（Ａ）では、エミッタ端子Ｅに電源のプラス端子を接続し、コレクタ端子Ｃに電源のマイナス端子を接続する。すなわち、エミッタ端子Ｅを解析装置ＯＢの電源端子に接続し、コレクタ端子Ｃを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続する。また、ベース端子Ｂはエミッタ端子Ｅと接続する。これにより、ベース端子Ｂが電源電位となり、電位を安定させることができるので、バイポーラトランジスタの発振を防止し、安定した電流像５０を得ることができる。そして被測定領域に近赤外ビームｈνを照射して、電流像５０を取得する。
【０１１３】
図１８（Ｂ）では、コレクタ端子Ｃに電源のプラス端子を接続し、エミッタ端子Ｅに電源のマイナス端子を接続する。すなわち、コレクタ端子Ｃを解析装置ＯＢの電源端子に接続し、エミッタ端子Ｅを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続する。また、ベース端子Ｂはエミッタ端子Ｅと接続する。これにより、ベース端子ＢがＧＮＤ電位となり、電位を安定させることができる。そして被測定領域に近赤外ビームｈνを照射して、電流像５０を取得する。
【０１１４】
ｑ：ｎｐｎバイポーラトランジスタのベース−コレクタ間のショート、リーク電流不良を解析する場合（図１９）  
図１９（Ａ）では、コレクタ端子Ｃに電源のプラス端子を接続し、ベース端子Ｂに電源のマイナス端子を接続する。解析装置ＯＢは正電圧を印加して使用するため、コレクタ端子Ｃを解析装置ＯＢの電源端子に接続し、ベース端子Ｂを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続する。また、エミッタ端子Ｅはオープンである。そして被測定領域に近赤外ビームｈνを照射して、電流像５０を取得する。
【０１１５】
図１９（Ｂ）では、ベース端子Ｂに電源のプラス端子を接続し、コレクタ端子Ｃに電源のマイナス端子を接続する。すなわち、ベース端子Ｂを解析装置ＯＢの電源端子に接続し、コレクタ端子Ｃを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続する。また、エミッタ端子Ｅはオープンである。そして被測定領域に近赤外ビームｈνを照射して、電流像５０を取得する。
【０１１６】
ｒ：ｎｐｎバイポーラトランジスタのオン／オフ特性を解析する場合（図２０）
解析装置ＯＢによりバイポーラトランジスタのオン／オフ特性を解析する場合は、図の如き配線とする。これは、全てのｐｎ接合に電流を流せる配線であり、バイポーラトランジスタがオンする状態の配線である。
【０１１７】
バイポーラトランジスタの電流変動が微少な場合、オンする状態に配線し、オン状態の特性を解析装置ＯＢで解析することで不良箇所が発見しやすくなる。
【０１１８】
すなわち、ベース端子Ｂおよびコレクタ端子Ｃに電源のプラス端子を接続し、エミッタ端子Ｅに電源のマイナス端子を接続する。解析装置ＯＢは正電圧を印加して使用するため、ベース端子Ｂとコレクタ端子Ｃを接続して解析装置ＯＢの電源端子に接続し、エミッタ端子Ｅを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続する。そして被測定領域に近赤外ビームｈνを照射して、電流像５０を取得する。
【０１１９】
これにより、オン状態の特性を解析し、結果としてバイポーラトランジスタのオン状態（オン／オフ特性）を解析できる。
【０１２０】
次に、ｐｎｐバイポーラトランジスタを解析する場合について説明する。
【０１２１】
解析装置は電源端子（＋）とＧＮＤ端子の２端子である。現行の解析装置には、マイナス電源がないためｐｎｐバイポーラトランジスタの動作解析は不可能であるが、本実施形態ではエミッタ端子を電源端子と接続することによりプラス電源でｐｎｐバイポーラトランジスタを動作させることとした。これにより正電圧電源だけを持つ解析装置を用いて、ｐｎｐバイポーラトランジスタを解析することができる。
【０１２２】
ｓ：ｐｎｐバイポーラトランジスタのエミッタ−ベース間のショート、リーク電流不良を解析する場合（図２１、図２２）  
図２１（Ａ）では、ベース端子Ｂに電源のプラス端子を接続し、エミッタ端子Ｅに電源のマイナス端子を接続する。解析装置ＯＢは正電圧を印加して使用するため、この場合、ベース端子Ｂを解析装置ＯＢの電源端子に接続し、エミッタ端子Ｅを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続する。また、コレクタ端子Ｃはエミッタ端子Ｅと接続する。これによりコレクタ端子ＣがＧＮＤ電位となり、電位を安定させることができるので、バイポーラトランジスタの発振を防止し、安定した電流像５０を得ることができる。そして被測定領域に近赤外ビームｈνを照射して、電流像５０を取得する。
【０１２３】
図２１（Ｂ）では、エミッタ端子Ｅに電源のプラス端子を接続し、ベース端子Ｂに電源のマイナス端子を接続する。すなわち、エミッタ端子Ｅを解析装置ＯＢの電源端子に接続し、ベース端子Ｂを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続する。また、コレクタ端子Ｃはエミッタ端子Ｅと接続する。これにより、コレクタ端子Ｃが電源電位となり、電位を安定させることができる。そして被測定領域に近赤外ビームｈνを照射して、電流像５０を取得する。
【０１２４】
図２２では、ベース端子Ｂに電源のプラス端子を接続し、エミッタ端子Ｅに電源のマイナス端子を接続する。すなわち、ベース端子Ｂを解析装置ＯＢの電源端子に接続し、エミッタ端子Ｅを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続する。また、コレクタ端子Ｃはベース端子Ｂと接続する。これにより、コレクタ端子Ｃが電源電位となり、電位を安定させることができる。そして被測定領域に近赤外ビームｈνを照射して、電流像５０を取得する。
【０１２５】
ｔ：ｐｎｐバイポーラトランジスタのエミッタ−コレクタ間のショート、リーク電流不良を解析する場合（図２３、図２４）  
図２３（Ａ）では、エミッタ端子Ｅに電源のプラス端子を接続し、コレクタ端子Ｃに電源のマイナス端子を接続する。すなわち、エミッタ端子Ｅを解析装置ＯＢの電源端子に接続し、コレクタ端子Ｃを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続する。また、ベース端子Ｂはオープンである。そして被測定領域に近赤外ビームｈνを照射して、電流像５０を取得する。
【０１２６】
図２３（Ｂ）では、コレクタ端子Ｃに電源のプラス端子を接続し、エミッタ端子Ｅに電源のマイナス端子を接続する。すなわち、コレクタ端子Ｃを解析装置ＯＢの電源端子に接続し、エミッタ端子Ｅを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続する。また、ベース端子Ｂはオープンである。そして被測定領域に近赤外ビームｈνを照射して、電流像５０を取得する。
【０１２７】
図２４（Ａ）では、エミッタ端子Ｅに電源のプラス端子を接続し、コレクタ端子Ｃに電源のマイナス端子を接続する。すなわち、エミッタ端子Ｅを解析装置ＯＢの電源端子に接続し、コレクタ端子Ｃを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続する。また、ベース端子Ｂはエミッタ端子Ｅと接続する。これにより、ベース端子Ｂが電源電位となり、電位を安定させることができるので、バイポーラトランジスタの発振を防止し、安定した電流像５０を得ることができる。そして被測定領域に近赤外ビームｈνを照射して、電流像５０を取得する。
【０１２８】
図２４（Ｂ）では、コレクタ端子Ｃに電源のプラス端子を接続し、エミッタ端子Ｅに電源のマイナス端子を接続する。すなわち、コレクタ端子Ｃを解析装置ＯＢの電源端子に接続し、エミッタ端子Ｅを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続する。また、ベース端子Ｂはエミッタ端子Ｅと接続する。これにより、ベース端子ＢがＧＮＤ電位となり、電位を安定させることができる。そして被測定領域に近赤外ビームｈνを照射して、電流像５０を取得する。
【０１２９】
ｕ：ｐｎｐバイポーラトランジスタのベース−コレクタ間のショート、リーク電流不良を解析する場合（図２５）  
図２５（Ａ）では、コレクタ端子Ｃに電源のプラス端子を接続し、ベース端子Ｂに電源のマイナス端子を接続する。すなわち、コレクタ端子Ｃを解析装置ＯＢの電源端子に接続し、ベース端子Ｂを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続する。また、エミッタ端子Ｅはオープンである。そして被測定領域に近赤外ビームｈνを照射して、電流像５０を取得する。
【０１３０】
図２５（Ｂ）では、ベース端子Ｂに電源のプラス端子を接続し、コレクタ端子Ｃに電源のマイナス端子を接続する。すなわち、ベース端子Ｂを解析装置ＯＢの電源端子に接続し、コレクタ端子Ｃを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続する。また、エミッタ端子Ｅはオープンである。そして被測定領域に近赤外ビームｈνを照射して、電流像５０を取得する。
【０１３１】
ｖ：ｐｎｐバイポーラトランジスタのオン／オフ特性を解析する場合（図２６）
解析装置ＯＢによりバイポーラトランジスタのオン／オフ特性を解析する場合は、図の如き配線とする。これは、バイポーラトランジスタがオンする状態の配線である。
【０１３２】
すなわち、エミッタ端子Ｅに電源のプラス端子を接続し、ベース端子Ｂおよびコレクタ端子Ｃに電源のマイナス端子を接続する。解析装置ＯＢは正電圧を印加して使用するため、エミッタ端子Ｅを解析装置ＯＢの電源端子に接続し、ベース端子Ｂとコレクタ端子Ｃを接続して解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続する。そして被測定領域に近赤外ビームｈνを照射して、電流像５０を取得する。
【０１３３】
これにより、オン状態の特性を解析し、結果としてバイポーラトランジスタのオン／オフ特性を解析できる。
【０１３４】
次に、本発明の第２の実施形態について、図２７から図２９を参照して説明する。
【０１３５】
第２の実施形態は、ディスクリート素子の降伏状態を解析する方法であり、レーザビームをディスクリート半導体素子の被測定領域に照射し、照射に伴う半導体素子の任意の端子間の電流変化を検出し電流変化を輝度変化として電流像５０を取得し、電流像５０により前記半導体素子の降伏状態を可視化するものである。
【０１３６】
第２の実施形態も、図１と同様の解析装置を用いる。第１の実施形態と同様であるので詳細な説明は省略するが、解析装置ＯＢの電源端子とＧＮＤ端子にＭＯＳＦＥＴ３０の２端子を接続し、電流変化を検出する。
【０１３７】
図２７は、第２の実施形態のフロー図であり、図２８は各状態における電流像５０の一例である。
【０１３８】
ＭＯＳＦＥＴ３０の２端子を後述する配線方法によりそれぞれ解析装置ＯＢの電源端子とＧＮＤ端子に接続する。
【０１３９】
電源端子には、ディスクリート素子（ＭＯＳＦＥＴ）の降伏電圧付近の電圧を印加し、電流像５０の変化を取得する。すなわち、まず降伏状態となる直前の電圧を印加し、電流像５０を取得する（ステップＳ１１）。その後徐々に電圧を上昇させ初期降伏状態の電流像５０を取得する（ステップＳ１２）。そして、完全に降伏する電圧を印加し、この状態の電流像５０を取得する（ステップＳ１３）。これら電流像５０の微少変動により、降伏箇所、および降伏の初期状態から完全に降伏状態となるまでの降伏の様子を解析する。
【０１４０】
図２８のごとく本実施形態においても、被測定領域の画像データ５１を取得しておき、画像データ５１と電流像５０を重畳させることにより、降伏箇所をより具体的に特定することができる。
【０１４１】
図では説明のため電流像５０とＭＯＳＦＥＴ３０の被測定領域の画像データ５１を併記した。例えば図２８（Ａ）が電圧印加初期、図２８（Ｂ）が初期降伏時、図２８（Ｃ）が降伏状態の電流像５０である。これによれば、ＭＯＳＦＥＴ３０の単位構成要素（セル）が多数配置されるセル部４２の外周、すなわちガードリング部４０において電流像５０が変化しており、これにより降伏状態を可視化することができる。また、ゲートパッド部４１では電流変化が少ないため電流像５０として表示されていない。
【０１４２】
このように降伏状態が可視化できることにより、降伏箇所を考慮したパターン設計及びデバイス設計が可能となる。すなわち、チップ上の特定位置に電界を集中させないパターン・レイアウト設計ができ、電気的ウィークポイントを作らない設計が可能になる。
【０１４３】
図２９には、第２の実施形態の具体的な配線方法を示す。図２９（Ａ）がｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴであり、図２９（Ｂ）がｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴであり、構造については第１の実施形態と同様であるので説明は省略する。
【０１４４】
図２９（Ａ）のごとく、ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ３０では、ソース端子Ｓおよびゲート端子Ｇを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続し、ドレイン端子Ｄを解析装置ＯＢの電源端子に接続する。そして被測定領域（チップ全面）に近赤外ビームｈνを照射して、電流像５０を取得する。これにより、ＭＯＳＦＥＴの降伏状態（降伏箇所および降伏していく様子）を可視化することができる。
【０１４５】
また、図２９（Ｂ）のごとく、ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴでは、ソース端子Ｓおよびゲート端子Ｇを解析装置ＯＢの電源端子に接続し、ドレイン端子Ｄを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続する。そして被測定領域（チップ全面）に近赤外ビームｈνを照射して、電流像５０を取得する。
【０１４６】
解析装置ＯＢは電源端子（＋）とＧＮＤ端子の２端子であり、一般的にはｐチャネル型のデバイスの解析は不可能である。しかし、本実施形態ではソース端子Ｓを電源端子と接続することによりプラス電源でｐチャネル型デバイスを動作させることとした。これにより正電圧の電源だけを持つ解析装置を用いて、ｐチャネル型デバイスを解析することができる。
【０１４７】
第２の実施形態は、バイポーラトランジスタにも適用できる。第２の実施形態のバイポーラトランジスタの具体的な配線方法は、第１の実施形態で説明したものと同様であるので、それらを参照して説明する。
【０１４８】
まず、ｎｐｎバイポーラトランジスタのエミッタ端子Ｅ−ベース端子Ｂ間の降伏状態を解析する場合は、図１３（Ａ）に示す配線とする。
【０１４９】
すなわち、バイポーラトランジスタのエミッタ端子Ｅを解析装置ＯＢの電源端子に接続し、バイポーラトランジスタのベース端子Ｂを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続する。尚、コレクタ端子Ｃはオープンである。そして被測定領域（チップ全面）に近赤外ビームｈνを照射して、電流像５０を取得する。これにより、ｎｐｎバイポーラトランジスタのエミッタ端子Ｅ−ベース端子Ｂ間の降伏状態（降伏箇所および降伏していく様子）を可視化することができる。
【０１５０】
ｎｐｎバイポーラトランジスタのコレクタ端子Ｃ−エミッタ端子Ｅ間の降伏状態を解析する場合は、図１７（Ｂ）に示す配線とする。
【０１５１】
すなわち、コレクタ端子Ｃを解析装置ＯＢの電源端子に接続し、エミッタ端子Ｅを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続する。また、ベース端子Ｂはオープンである。そして被測定領域（チップ全面）に近赤外ビームｈνを照射して、電流像５０を取得する。これにより、コレクタ端子Ｃ−エミッタ端子Ｅ間の降伏状態を可視化することができる。
【０１５２】
ｎｐｎバイポーラトランジスタのコレクタ端子Ｃ−ベース端子Ｂ間の降伏状態を解析する場合は、図１９（Ａ）に示す配線とする。
【０１５３】
すなわち、コレクタ端子Ｃを解析装置ＯＢの電源端子に接続し、ベース端子Ｂを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続する。また、エミッタ端子Ｅはオープンである。そして被測定領域に近赤外ビームｈνを照射して、電流像５０を取得する。これにより、コレクタ端子Ｃ−ベース端子の降伏状態を可視化することができる。
【０１５４】
次に、ｐｎｐバイポーラトランジスタの場合を説明する。
【０１５５】
解析装置ＯＢは電源端子（＋）とＧＮＤ端子の２端子であり、一般的にはｐｎｐバイポーラトランジスタの降伏状態の解析は不可能である。しかし、本実施形態ではベース端子Ｂを電源端子と接続することによりプラス電源でｐｎｐバイポーラトランジスタを動作させることとした。これにより正電圧の電源だけを持つ解析装置を用いて、ｐｎｐバイポーラトランジスタを解析することができる。
【０１５６】
次に、ｐｎｐバイポーラトランジスタのエミッタ端子Ｅ−ベース端子Ｂ間の降伏状態を解析する場合は、図１４（Ｂ）に示す配線とする。
【０１５７】
すなわち、バイポーラトランジスタのベース端子Ｂを解析装置ＯＢの電源端子に接続し、バイポーラトランジスタのエミッタ端子Ｅを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続する。そして被測定領域（チップ全面）に近赤外ビームｈνを照射して、電流像５０を取得する。これにより、エミッタ端子Ｅ−ベース端子Ｂ間の降伏状態を可視化することができる。
【０１５８】
ｐｎｐバイポーラトランジスタのコレクタ端子Ｃ−エミッタ端子Ｅ間の降伏状態を解析する場合は、図２３（Ａ）に示す配線とする。
【０１５９】
すなわち、エミッタ端子Ｅを解析装置ＯＢの電源端子に接続し、コレクタ端子Ｃを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続する。また、ベース端子Ｂはオープンである。そして被測定領域（チップ全面）に近赤外ビームｈνを照射して、電流像５０を取得する。これにより、コレクタ端子Ｃ−エミッタ端子Ｅ間の降伏状態を可視化することができる。
【０１６０】
ｐｎｐバイポーラトランジスタのコレクタ端子Ｃ−ベース端子Ｂ間の降伏状態を解析する場合は、図２５（Ｂ）に示す配線とする。
【０１６１】
すなわち、ベース端子Ｂを解析装置ＯＢの電源端子に接続し、コレクタ端子Ｃを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続する。また、エミッタ端子Ｅはオープンである。そして被測定領域（チップ全面）に近赤外ビームｈνを照射して、電流像５０を取得する。これにより、コレクタ端子Ｃ−ベース端子Ｂ間の降伏状態を可視化することができる。
【０１６２】
更に図３０から図３２を参照して本発明の第３の実施形態について説明する。第３の実施形態は、ディスクリート素子３０の動作状態を解析する方法であり、レーザビームをディスクリート半導体素子の被測定領域に照射し、照射に伴う半導体素子の任意の端子間の電流変化を検出し電流変化を輝度変化として電流像５０を取得し、電流像５０により半導体素子の動作状態を可視化するものである。
【０１６３】
第３の実施形態も、図１と同様の解析装置ＯＢを用いる。第１の実施形態と同様であるので詳細な説明は省略するが、解析装置ＯＢの電源端子とＧＮＤ端子に例えばＭＯＳＦＥＴの２端子を接続し、電流像５０を取得する。
【０１６４】
図３０は、第３の実施形態のフロー図である。
【０１６５】
ＭＯＳＦＥＴの２端子を後述の配線方法によりそれぞれ解析装置ＯＢの電源端子とＧＮＤ端子に接続する。そして電源端子には、ディスクリート素子（例えばＭＯＳＦＥＴ）３０の閾値電圧付近の電圧を印加し、電流像５０の経時変化を取得する。
【０１６６】
具体的には、まず閾値直前の電圧を印加し（オフ状態）、電流像５０を取得する（ステップＳ２１）。その後閾値電圧近傍まで上昇させて素子３０をオン状態（弱反転状態）とし、電流像５０を取得する（ステップＳ２２）。そして閾値電圧を超えて動作が安定する電圧まで上昇させ（オン状態、強反転状態）、電流像５０を取得する（ステップＳ２３））。そしてこれらの電流像５０のゲート電圧変化に伴うＭＯＳＦＥＴのオン・オフ状態、弱反転特性（オンオフ動作の過渡現象）を解析する。
【０１６７】
図３１は各状態における電流像５０である。
【０１６８】
本実施形態においても、被測定領域（チップ全面）の画像データ５１を取得しておき、画像データと各状態における電流像５０を重畳させるとよく、図３１はこれらを重畳させた合成像（電流像５０と光学顕微鏡による画像データ５１を合成したもの）である。
【０１６９】
図３１（Ａ）は、オフ状態（ゼロバイアス及び閾値直前の電圧印加）、図３１（Ｂ）は弱反転状態（閾値電圧印加による過渡状態）、図３１（Ｃ）は、オン状態（強反転状態）である。このように、弱反転状態では複雑な電流変化を示しており、オン状態（強反転状態）ではチップ全面で比較的安定した状態であることが判る。
【０１７０】
このように、ディスクリート素子３０上でのオン・オフ状態、弱反転特性を可視化できるので、電界集中箇所を考慮したパターン設計及びデバイス設計が可能となる。すなわち、チップ内の特定のセルに電気的過負荷が加わることを回避したデバイス設計ができる。
【０１７１】
図３２には、第３の実施形態の具体的な配線方法を示す。図３２（Ａ）がｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴであり、図３２（Ｂ）がｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴであり、構造については第１の実施形態と同様であるので説明は省略する。
【０１７２】
図３２（Ａ）のごとく、ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴでは、ゲート端子Ｇおよびドレイン端子Ｄを解析装置ＯＢの電源端子に接続し、ソース端子Ｓを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続する。そして被測定領域（チップ全面）に近赤外ビームｈνを照射して、電流像５０を経時的に取得する。これにより、ＭＯＳＦＥＴの動作状態を可視化することができる。
【０１７３】
また、図３２（Ｂ）のごとく、ｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴでは、ソース端子Ｓを解析装置ＯＢの電源端子に接続し、ゲート端子Ｇ、ドレイン端子Ｄを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続する。そして被測定領域（チップ全面）に近赤外ビームｈνを照射して、電流像５０を経時的に取得する。
【０１７４】
この配線により、正電圧の電源だけを持つ解析装置を用いて、ｐチャネル型デバイスを解析することができる。
【０１７５】
第３の実施形態は、バイポーラトランジスタにも適用できる。この場合の具体的な配線方法は、第１の実施形態と同様であるので、上記の図を参照して説明する。
【０１７６】
まず、ｎｐｎバイポーラトランジスタの動作状態を解析する場合は、図２０に示す配線とする。
【０１７７】
すなわち、ベース端子Ｂとコレクタ端子Ｃを接続して解析装置ＯＢの電源端子に接続し、エミッタ端子Ｅを解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続する。そして被測定領域（チップ全面）に近赤外ビームｈνを照射して、電流像５０を経時的に取得する。これにより、ｎｐｎバイポーラトランジスタの動作状態を可視化することができる。
【０１７８】
また、ｐｎｐバイポーラトランジスタの動作状態を解析する場合は、図２６に示す配線とする。
【０１７９】
すなわち、エミッタ端子Ｅを解析装置ＯＢの電源端子に接続し、ベース端子Ｂとコレクタ端子Ｃを接続して解析装置ＯＢのＧＮＤ端子に接続する。そして被測定領域（チップ全面）に近赤外ビームｈνを照射して、電流像５０を経時的に取得する。これにより、ｐｎｐバイポーラトランジスタの動作状態を可視化することができる。
【０１８０】
また、この配線により、正電圧の電源だけを持つ解析装置を用いて、ｐｎｐバイポーラトランジスタを解析することができる。
【０１８１】
以上、本実施形態ではディスクリート素子としてＭＯＳＦＥＴおよびバイポーラトランジスタについて説明した。しかし、これに限らず、例えばＩＧＢＴ、ダイオード、ショットキー・バリアーダイオード等、裏面電極を有するディスクリートデバイスであれば、本発明の実施形態を同様に適用することができ、同様の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【０１８２】
【図１】本発明を説明するための概要図である。
【図２】本発明の第１の実施形態を説明するフロー図である。
【図３】本発明の第１の実施形態を説明する概要図である。
【図４】本発明の第１の実施形態を説明する概要図である。
【図５】本発明の第１の実施形態を説明する概要図である。
【図６】本発明の第１の実施形態を説明する概要図である。
【図７】本発明の第１の実施形態を説明する概要図である。
【図８】本発明の第１の実施形態を説明する概要図である。
【図９】本発明の第１の実施形態を説明する概要図である。
【図１０】本発明の第１の実施形態を説明する概要図である。
【図１１】本発明の第１の実施形態を説明する概要図である。
【図１２】本発明の第１の実施形態を説明する概要図である。
【図１３】本発明の第１の実施形態を説明する概要図である。
【図１４】本発明の第１の実施形態を説明する概要図である。
【図１５】本発明の第１の実施形態を説明する概要図である。
【図１６】本発明の第１の実施形態を説明する概要図である。
【図１７】本発明の第１の実施形態を説明する概要図である。
【図１８】本発明の第１の実施形態を説明する概要図である。
【図１９】本発明の第１の実施形態を説明する概要図である。
【図２０】本発明の第１の実施形態を説明する概要図である。
【図２１】本発明の第１の実施形態を説明する概要図である。
【図２２】本発明の第１の実施形態を説明する概要図である。
【図２３】本発明の第１の実施形態を説明する概要図である。
【図２４】本発明の第１の実施形態を説明する概要図である。
【図２５】本発明の第１の実施形態を説明する概要図である。
【図２６】本発明の第１の実施形態を説明する概要図である。
【図２７】本発明の第２の実施形態を説明するフロー図である。
【図２８】本発明の第２の実施形態を説明する平面図である。
【図２９】本発明の第２の実施形態を説明する概要図である。
【図３０】本発明の第３の実施形態を説明するフロー図である。
【図３１】本発明の第３の実施形態を説明する平面図である。
【図３２】本発明の第３の実施形態を説明する概要図である。
【符号の説明】
【０１８３】
２１    ドレイン領域
２２    チャネル層
２３    トレンチ
２４    ゲート絶縁膜
２５    ゲート電極
２６    ソース領域
２７    ボディ領域
３０    ディスクリート素子
３１    コレクタ領域
３２    ベース領域
３３    エミッタ領域
４０    ガードリング部
４１    ゲートパッド部
５０    電流像
６０    表示部
８１    故障被疑領域
ＯＢ    解析装置
Ｓ      ソース端子
Ｄ      ドレイン端子
Ｇ      ゲート端子
Ｃ      コレクタ端子
Ｂ      ベース端子
Ｅ      エミッタ端子
【図１】
2006047294.tif 000003
【図２】
2006047294.tif 000004
【図３】
2006047294.tif 000005
【図４】
2006047294.tif 000006
【図５】
2006047294.tif 000007
【図６】
2006047294.tif 000008
【図７】
2006047294.tif 000009
【図８】
2006047294.tif 000010
【図９】
2006047294.tif 000011
【図１０】
2006047294.tif 000012
【図１１】
2006047294.tif 000013
【図１２】
2006047294.tif 000014
【図１３】
2006047294.tif 000015
【図１４】
2006047294.tif 000016
【図１５】
2006047294.tif 000017
【図１６】
2006047294.tif 000018
【図１７】
2006047294.tif 000019
【図１８】
2006047294.tif 000020
【図１９】
2006047294.tif 000021
【図２０】
2006047294.tif 000022
【図２１】
2006047294.tif 000023
【図２２】
2006047294.tif 000024
【図２３】
2006047294.tif 000025
【図２４】
2006047294.tif 000026
【図２５】
2006047294.tif 000027
【図２６】
2006047294.tif 000028
【図２７】
2006047294.tif 000029
【図２８】
2006047294.tif 000030
【図２９】
2006047294.tif 000031
【図３０】
2006047294.tif 000032
【図３１】
2006047294.tif 000033
【図３２】
2006047294.tif 000034