(57)【要約】【課題】  本発明は電子ビーム描画装置のパターンデータ描画方法及び装置に関し、近接効果補正及び乾板面内照射量補正を最適に行なって正確な描画を行なうことができる電子ビーム描画装置のパターンデータ描画方法及び装置を提供することを目的としている。【解決手段】  通常描画を行なう通常描画用ハードウェア１０と、近接効果補正用ハードウェアデータ転送部２０とからなり、近接効果補正用ハードウェア内に、蓄積エネルギー換算テーブルメモリ２７，２７´を描画フィールドの数だけ設け、前記蓄積エネルギー換算テーブルメモリ２７，２７´を用いて近接効果補正を行なった時の補正量を、前記通常描画ハードウェア内の近接効果補正マップに反映させ、ショット時間を調整してビーム描画を行なうように構成する。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
乾板面内照射量補正を考慮した近接効果補正を行なうに当たり、
乾板面内の各点での描画に適用した乾板面内照射量補正の補正値に対して近接効果の大きさを表す後方散乱係数ηを調整し、
調整した結果に基づいてビームのショット時間を調整してビーム描画を行なうことを特徴とする電子ビーム描画装置におけるパターンデータ描画方法。
【請求項２】
通常描画を行なう通常描画用ハードウェアと、近接効果補正用ハードウェアとからなり、
近接効果補正用ハードウェア内に、蓄積エネルギー換算テーブルを設け、
前記蓄積エネルギー換算テーブルを用いて近接効果補正を行なった時の補正量を、前記通常描画ハードウェア内の近接効果補正マップに反映させ、ショット時間を調整してビーム描画を行なうようにしたことを特徴とするパターンデータ描画システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子ビーム描画装置のパターンデータ描画方法及び装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子ビーム描画装置は、電子ビームを用いてレジスト付き乾板等の材料面上にパターンを描画・形成する装置である。この電子ビーム描画装置が乾板にパターンを描画する場合において、正確な描画を妨げる種々の原因が知られている。以下、その原因について説明する。
【０００３】
（ａ）近接効果補正（Ｐroximity Ｅffect Ｃorrection：略してＰＥＣ）
電子ビーム描画装置において、微細パターン形成を行なう場合、電子ビームがレジスト中及び基板で散乱が生じることにより、設計通りのパターンが形成されないという近接効果の問題がある。孤立した細いパターンでは、レジスト中に入射した電子が進行方向に対して微妙な角度で散乱しながら広がり（前方散乱）、蓄積エネルギー強度が低下する現象によりパターンが設計値より細かくなる。一方、大きなパターンに挟まれた部分においては、近接した露光部分に入射した電子が基板で大きく散乱され（後方散乱）、未露光部のレジストが露光されてしまう。
【０００４】
これら前方散乱及び後方散乱に基づく近接効果をそれぞれパターン内近接効果及びパターン間近接効果という。電子ビームの散乱状況を予測し、パターンの粗密や、パターンサイズによって、描画パターン形状や露光量を変化させることにより、設計値通りのパターンを得る手法を近接効果補正と呼ぶ。
【０００５】
（ｂ）乾板面内照射量補正（Ｐlate Ｄose Ｅrror Ｃorrection：略してＰＤＥＣ）
材料上の位置に依存した描画パターンの寸法のバラツキを補正する処理である。こうしたバラツキが発生する要因として以下に示すような誤差成分を考慮し、それぞれ補正する。
【０００６】
１）かぶり（fogging）誤差
パターンを描画するために材料上に照射した電子ビームが、材料面から反射（或いは２次電子が発生）し、これが電子ビーム描画装置の電子光学系構成部品に反射して、材料面上の広い範囲にわたって照射されてしまう現象によるものである。
【０００７】
この現象によって、描画されるパターンの描画面積密度とこれに隣接して描画されるパターンの距離に応じて、描画されたパターンの寸法にバラツキが発生する（描画面積・距離依存型の誤差）。この誤差を補正するために、材料上のかぶり誤差の分布に応じて描画フィールド毎に電子ビーム照射量を調整してパターンを描画する。
【０００８】
２）プロセス誤差
パターンが描画された材料を現像或いはエッチング処理する際のプロセスが、材料面上で不均一であることによる誤差である。この現像によって、材料上に描画されるパターンの位置に応じて、描画されたパターンの寸法にバラツキが発生する（描画位置依存型の誤差）。この誤差を補正するために、材料上のプロセス誤差の分布に応じて描画フィールド毎に電子ビーム照射量を調整してパターンを描画する。
【０００９】
３）転写誤差
電子ビーム描画装置によって描画されたレチクル及びマスクを用いて露光装置（ステッパ）でウエハ上にパターンを形成する際に発生する誤差である。この誤差は、露光装置（ステッパ）の光学系等の歪みによるものである。この現象によって、レチクル及びマスク上に描画されたパターンの位置に応じて露光装置でウエハ上に描画されたパターンの寸法にバラツキが発生する（描画位置依存型の誤差）。この誤差を補正するために、転写誤差の分布に応じて描画フィールド毎に電子ビーム照射量を調整してパターンを描画する。
【００１０】
４）グローバル（或いはマイクロ）ローディング効果
電子ビーム描画装置によるパターン描画の後処理となるエッチングプロセスにおいて、大きなパターン部分に比べて微細なパターン部分のエッチングレートが低くなる現象をいう。この現象によって、描画されるパターンの描画面積密度とこれに隣接して描画されるパターンの距離に応じて、描画されたパターンの寸法にバラツキが発生する（描画面積・距離依存型の誤差）。この誤差を補正するために、材料上のグローバル（或いはマイクロ）ローディング効果の影響分布に応じて描画フィールド毎に電子ビーム照射量を調整してパターンを描画する。
【００１１】
従来のこの種の装置としては、試料の各位置に対して、これら各位置により値の異なる暫定露光量を用いて、対象とする各位置の周辺部からの影響も含めて、かぶり露光エネルギー成分及び後方散乱露光エネルギー成分を算出し、これらかぶり露光エネルギー成分と後方散乱露光エネルギー成分とに基づいて各位置における補正露光量を算出する技術が知られている（例えば特許文献１参照）。
【００１２】
また、露光データ寸法を既存のマスクデータと照合し、その照合結果に基づいて補正露光データ寸法を決定し、この補正露光データ寸法を用いて設計寸法強度の計算及び後方散乱強度の計算を行なって補正露光量を計算する技術が知られている（例えば特許文献２参照）。
【００１３】
また、露光面に複数のパターンを所定の間隔で露光し、特定パターンの線幅を測定する工程と、パターン間隔を変更して露光及び線幅の測定を行なう工程と、露光面の前方散乱と公報散乱をシミュレーションにより計算する工程と、光学系の収差を変数としてシミュレーション結果を測定結果とフィッティングさせ、光学系の収差を求める工程と、測定結果とシミュレーション結果とのずれからフレアを求める工程と、プロセス温度を変更して酸拡散を求める工程よりなるビームプロファイル測定方法が知られている（例えば特許文献３参照）。
【特許文献１】特開２００４−１４０３１１号公報（段落００１８〜段落００４８、図１）
【特許文献２】特開２００３−３３２２２５号公報（段落００２９〜段落００４２、図１）
【特許文献３】特開２００２−３５３１３０号公報（段落００３１〜００５０、図１、図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
近接効果補正（ＰＥＣ）と乾板面内照射量補正（ＰＤＥＣ）を同時に実施した場合でも、それぞれはお互いの電子ビーム照射量補正の影響を考慮することなくショットタイム変調量（ＳmodとＳmodpdec）を算出し、通常描画用ハードウェアデータ転送系のショットタイム演算ユニットにおいて最終的にショットタイム変調量Ｓmodtotalを合算しているだけにすぎない。以下にＳmodtotalの計算式を示す。
【００１５】
【数１】
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【００１６】
即ち、乾板面内照射量補正によって入射電子エネルギーが変化しているにも拘らず、近接効果補正ではそれを無視して近接効果の大きさを求めショットタイム変調量を算出していることになる。このため、乾板面内照射量補正によるショットタイム変調量の変化が大きい場合、近接効果補正による近接効果の大きさの見積もりが実際の近接効果の大きさとかけ離れてくる。
【００１７】
結果として、近接効果は十分補正することができず、その影響で電子ビーム描画において、設計通りのパターンが形成されないことになる。この問題を解決するためには、近接効果の大きさを見積もる係数、即ち近接効果の大きさを表わす後方散乱係数ηを乾板面内照射量補正による入射電子エネルギーの変化に応じて調整する必要がある。
【００１８】
本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであって、近接効果補正及び乾板面内照射量補正を最適に行なって正確な描画を行なうことができる電子ビーム描画装置のパターンデータ描画方法及び装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
（１）請求項１記載の発明は、乾板面内照射量補正を考慮した近接効果補正を行なうに当たり、乾板面内の各点での描画に適用した乾板面内照射量補正の補正値に対して近接効果の大きさを表す後方散乱係数ηを調整し、調整した結果に基づいてビームのショット時間を調整してビーム描画を行なうことを特徴とする。
（２）請求項２記載の発明は、通常描画を行なう通常描画用ハードウェアと、近接効果補正用ハードウェアとからなり、近接効果補正用ハードウェア内に、蓄積エネルギー換算テーブルを設け、前記蓄積エネルギー換算テーブルを用いて近接効果補正を行なった時の補正量を、前記通常描画ハードウェア内の近接効果補正マップに反映させ、ショット時間を調整してビーム描画を行なうようにしたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
（１）請求項１記載の発明によれば、近接効果補正及び乾板面内照射補正量を最適に起きなって正確な描画を行なうことができる。
（２）請求項２記載の発明によれば、蓄積エネルギー換算テーブルを設けて、このテーブルから最適ビームのショット時間を求め、ショット時間を調整してビーム描画を行なうことで、最適な描画を行なうことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態例を詳細に説明する。
図１は本発明の一実施の形態例を示すブロック図である。図において、１はビーム描画データを与える他、各種の制御を行なう装置制御用計算機システム（以下単にコンピュータという）、１０はコンピュータ１からの描画データを受けてマスク等にＬＳＩ等のパターンを描画する通常描画用ハードウェアデータ転送システム、２０は通常描画用ハードウェアデータ転送システム１０に描画補正用のデータを与える近接効果補正用ハードウェアデータ転送システムである。
【００２２】
通常描画用ハードウェアデータ転送システム１０の描画データは、近接効果補正用ハードウェアデータ転送システム（ＰＥＣ）からの補正を受けた後、リソグラフィシステム３に与えられる。該リソグラフィシステム３は、通常描画用ハードウェアデータ転送システムから与えられた描画データをマスクに描画する。
【００２３】
通常描画用ハードウェアデータ転送システム１０において、１１はコンピュータ１から与えられる描画データに基づいて同一繰り返し描画データ部分を登録するライブラリ展開部、１２は２つ設けられたデータメモリ（ＤＭ）で、ライブラリ展開部１１と接続されている。データメモリ１２は、一方が読み出し中の場合、他方が読み出しモードとなる。１３はライブラリ展開部１１から与えられた描画図形データを所定のブロックに区切るショット分割部、１４はコンピュータ１から与えられる乾板面内照射量補正用データを記憶する乾板面内照射量補正用レジスタ、１５はショット分割部１３から与えられた描画データを受けてショットタイムを演算するショットタイム演算部である。該ショットタイム演算部１５には、乾板面内照射量補正用レジスタ１４から補正用データが与えられる。
【００２４】
１６はショットランク換算用テーブルが記憶されるメモリ、１７はショットサイズ換算テーブルが記憶されるメモリ、１８は近接効果補正量マップが記憶されるメモリである。これら、メモリ１６〜１８は、ショットタイム演算部１５にそれぞれのデータを与える。ショットタイム演算部１５は、これらのデータを受けてショットタイム演算夫を行なう。近接効果補正量マップが記憶されるメモリ１８は２つ設けられている。
【００２５】
近接効果補正用ハードウェアデータ転送システム２０において、２１はコンピュータ１からのデータを受けてエネルギー分布基準データを記憶するメモリ、２２はコンピュータ１からのデータを受けて描画面積を計算する描画面積計算部、３０はエネルギー分布基準テーブルメモリ２１からのデータ及び描画面積計算部２２からのデータが与えられる初回計算部である。４０は描画面積計算部２２の出力が与えられる再計算部である。
【００２６】
初回計算部３０において、２３はエネルギー分布基準テーブルメモリ２１及び描画面積計算部２２からの出力を受けて、電子エネルギーを積算する電子エネルギー積算部、２４は電子エネルギー積算部２３からの出力を受けて蓄積エネルギー分布マップを記憶するメモリ、２５は該蓄積エネルギー分布マップ２４の出力を受けて蓄積エネルギーを換算する蓄積エネルギー換算部、２６は蓄積エネルギー換算部２５の出力を受けて近接効果補正量を記憶するメモリである。
【００２７】
再計算部４０において、２３´は描画面積計算部２２，エネルギー分布基準テーブルメモリ２１及び近接補正量マップメモリ２６の出力を受けて電子エネルギーを積算する電子エネルギー積算部、２４´は電子エネルギー積算部２３´の出力を受けて蓄積エネルギー分布マップを記憶するメモリ、２５´は該蓄積エネルギー分布マップ２４´の出力を受けて蓄積エネルギー換算を行なう蓄積エネルギー換算部、２６´は該蓄積エネルギー換算部２５´の出力を受けて近接効果補正量を記憶するメモリである。該メモリ２６´の出力は、通常描画用ハードウェアデータ転送システム１０の近接補正量マップメモリ１８に与えられ、描画フィールド分のみ転送される。
【００２８】
２７はコンピュータ１からの制御データを受ける初回の蓄積エネルギー換算テーブルを記憶するメモリ、２７´は、同じくコンピュータ１からの制御データを受ける再計算用の蓄積エネルギー換算テーブルを記憶するメモリである。これらメモリ２７，２７´は、描画フィールドの数だけ設けられている。このように構成されたシステムの動作を説明すれば、以下の通りである。
【００２９】
先ず、全体の大まかな動作について説明する。予めエネルギー分布基準テーブルと蓄積エネルギー換算テーブルを近接効果補正用のハードウェア転送システム２０のエネルギー分布基準テーブルが記憶されるメモリ２１と蓄積エネルギー換算テーブルが記憶されるメモリ２７，２７´に転送しておく。近接効果補正用ハードウェアデータ転送システム２０では、描画の開始（描画材料の搬入開始）と同時に、近接効果補正描画を行なう全てのパターンデータを、ひとつずつ順番に近接効果補正用の近接効果補正用ハードウェアデータ転送システム２０へデータ転送する。この時、指定された大きさの微小領域（区画）毎にパターンを描画する際の入射電子エネルギーの割合を計算しておく。
【００３０】
一つのフィールドの描画に先立ち、近接効果補正用ハードウェアデータ転送システム２０では、微小領域（区画）毎の入射電子エネルギー量の割合に応じてエネルギー分布基準テーブルを記憶するメモリ２１に示された分布を持った散乱電子エネルギー量を微小領域（区画）毎に蓄積エネルギー分布マップを記憶するメモリ２４に積算していく。描画する１フィールド分の蓄積エネルギー分布マップを作成するためには、近隣のフィールドデータについても同様の散乱電子エネルギー量の積算（蓄積エネルギー分布マップを記憶するメモリ２４の作成）を行ない、近隣のフィールドから受ける散乱電子エネルギーの影響も考慮する。
【００３１】
描画する１フィールドについての蓄積エネルギー分布マップ２４が完成した時点で、そのマップを蓄積エネルギー換算テーブルを記憶するメモリ２７を使用して近接補正量マップを記憶するメモリ２６に変換する。再計算を実施する場合、ここで得られた近接補正量マップを微小領域（区画）毎の入射電子エネルギー量の割合に乗算し、改めて蓄積エネルギー分布マップを作成し直し、蓄積エネルギー換算テーブル２７´を使用して近接補正量マップに変換する動作を、指定された再計算回数に従い繰り返し実施する。得られた近接補正量マップは、通常描画用ハードウェアデータ転送システム１０の近接補正量マップを記憶するメモリ１８に転送される。
【００３２】
一方、通常描画用ハードウェアデータ転送システム１０では、描画するフィールドの近接補正量マップの受け取りが完了した時点でそのフィールドの描画を開始する。この時、近接補正量マップを受け取る側のメモリ１８をダブルバッファ構成とし、一つのフィールドを描画している最中に次の描画フィールドの近接補正量マップを受け取ることができるようにしておく。
【００３３】
描画の開始に伴い、通常描画用ハードウェアデータ転送システム１０では、描画する電子ビームのショット位置に応じて近接補正量マップを記憶するメモリ１８からショットタイム演算部１５でショットタイムを演算する。電子ビームのショットの大きさが蓄積エネルギー分布マップの微小領域（区画）の大きさより大きい場合（電子ビームショットが複数の微小領域にまたがる場合）は、電子ビームショットの中心が含まれる微小領域（区画）の電子エネルギー蓄積量が、その電子ビームショットに対して有効であるものとみなす。このようにして得られたショットタイムを電子ビーム１ショット毎に適用してパターンの描画を行なう。
【００３４】
ここで、本発明の特有の構成について説明する。蓄積エネルギーエネルギー換算テーブルを記憶するメモリ２７，２７´にはそれぞれ数種類の後方散乱係数ηを用いて準備しておいた蓄積エネルギー換算テーブルを格納しておく。一方、コンピュータ１から乾板面内照射量補正用レジスタ１４に設定する乾板面内照射量補正（ＰＤＥＣ）のショットタイム補正値に依存して、蓄積エネルギー換算テーブル初回計算用メモリ２７及び蓄積エネルギー換算テーブル再計算用メモリ２７´に格納されているどの後方散乱係数ηに相当する近接効果補正（ＰＥＣ）のショットタイム補正値を適用するかをコンピュータ１から制御する仕組みを追加している。
【００３５】
近接効果補正（ＰＥＣ）において近接効果の大きさを表す後方散乱係数ηを、乾板面内照射量補正（ＰＤＥＣ）による入射電子エネルギー量の変化、即ち乾板面内照射量補正（ＰＤＥＣ）によるショットタイム変調量に応じて補正する。
【００３６】
予め、コンピュータ１には、複数種類の後方散乱係数ηを用いて算出しておいた蓄積エネルギー換算テーブルデータ及び蓄積エネルギー換算再計算用データをそれぞれメモリ２７，２７´に格納しておく。また、乾板面内照射量補正（ＰＤＥＣ）によるショットタイム変調量（ショットタイムの増減の割合）に対する後方散乱係数ηの値の増減の割合を表す変数Ｃ３も格納しておく。ここで、Ｃ３は経験により求めるものである。
【００３７】
描画が開始されると、蓄積エネルギー換算テーブル初回計算用メモリ２７及び蓄積エネルギー換算テーブル再計算用メモリ２７´に、それぞれコンピュータ１に格納されている蓄積エネルギー換算テーブル初回計算用及び蓄積エネルギー換算テーブル再計算用を転送し、格納する。
【００３８】
その後、図に示す近接効果補正システムの初回計算において、従来技術と同様の式（以下に示す（２）式）を用いて近接効果の見積もりを行ない、描画フィールド毎の蓄積エネルギー分布マップＥｂｐ(n,m)を求める。蓄積エネルギー分布マップは、任意の一つの図形（ｋ）を描画する際に、それぞれの区画（n，m）に入射される電子エネルギー量の割合（Ｅ（ｋ）n,m）と、入射電子が周辺区画（i，j）に与える後方散乱電子エネルギー強度の分布（Ｅｉｄi,j）から、ハードウェアがＥｂｐ(n,m)の式を算出する。
【００３９】
【数２】
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【００４０】
ここで、入射電子エネルギー量の割合（Ｅ（ｋ）n,m）は、一定の速度で一つの微小領域（区画）全体に電子ビームが入射された時のエネルギーを１００％とする比率で表現する。また、後方散乱電子エネルギー強度は、電子ビームが照射された区画での後方散乱電子エネルギー強度を例えば４０９５とする比率で表現する。後方散乱電子エネルギー強度の分布は別途パラメータで指定しておく。ｒは後方散乱電子の影響を考慮する周辺区画までの区画数、ｆはパターンデータに含まれる図形数である。
【００４１】
コンピュータ１において、その微小領域（区画ｍ，ｎ）を含む描画フィールドで描画されるパターンデータｋの乾板面内照射量補正（ＰＤＥＣ）のショットタイム変調量Ｓmodpdec（ｋ）を従来と同様の方法で算出し、同時にその時の後方散乱係数η（ｋ）を以下の式のとおり算出する。
【００４２】
η（ｋ）＝（Ｃ３×Ｓmodpde（ｋ）＋１）×ηstd    （３）
ここで算出したＳmodpde（ｋ）は、描画フィールド毎に乾板面内照射量補正用レジスタ１４に転送格納され、ショットタイム演算部１５でショットタイム演算が行われ、描画フィールド毎の電子ビームショットのショット時間を補正する。ηstdはηの基準量である。ｋは図形の数である。
【００４３】
同時に、ここでη（ｋ）は、蓄積エネルギー換算で適用する蓄積エネルギー換算テーブル初回計算用のη（ｋ）の成分として、描画フィールド毎に蓄積エネルギー換算テーブル初回用計算を制御するために用いられる。
【００４４】
以降、η（ｋ）の成分に応じて蓄積エネルギー換算を行ない、描画フィールド毎の近接補正量マップを作成する。再計算を行なう場合は、同様にＰＥＣシステムの再計算において、従来技術と同様の数式（下記に示す（４）式）を用いて近接効果の見積もりを行ない、描画フィールド毎の蓄積エネルギー分布マップＥｂｐ´(m,n)を求め、η（ｋ）を蓄積エネルギー換算で適用する蓄積エネルギー換算テーブル再計算用のη（ｋ）の成分として蓄積エネルギー換算を行ない、描画フィールド毎の近接補正量マップを再作成する。Ｅｂｐ´(m,n)は次式で表される。
【００４５】
【数３】
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【００４６】
ここで、Ｓmodはショットタイム変調量である。１回目の再計算で、（４）式に与えるＳmodは、最初の計算（０回目の再計算）で得られた微小領域（区画）毎のショットタイム変調量である。
【００４７】
図２は蓄積エネルギー換算テーブル初回計算用の例を示す図である。前述したように、コンピュータ１には、蓄積エネルギー換算テーブル初回計算用を格納しておく。Ｘ軸は描画フィールド毎の蓄積エネルギー分布マップＥbp（％）を示し、Ｙ軸は後方散乱係数η（ｋ）を示し、Ｚ軸はショットタイム変調量Ｓmod（％）を示す。ショットタイム変調量Ｓmod（％）は、ａが０〜１０％、ｂが−１０〜０％、ｃが−２０〜−１０％、ｄが−３０〜−２０％、ｅが−４０〜−３０％、ｆが−５０〜−４０％、ｇが−６０〜−５０％である。蓄積エネルギー分布マップＥbpの値と後方散乱係数η（ｋ）の交わる点をＺ軸方向に延ばし、曲面と交わる点が目的とするショットタイム変調量Ｓmod（％）となる。このショットタイム変調量Ｓmodで蓄積エネルギー換算部２５でエネルギー換算を行ない、続く近接補正量マップメモリ２６で近接補正量マップを求め、ショットタイム演算部１５に反映させ、リソグラフィシステム３に入力してやる。この結果、最適なビームショットが行われることになる。
【００４８】
図３は蓄積エネルギー換算テーブル再計算用の例を示す図である。Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸はそれぞれ図２に示す蓄積エネルギー初回計算用のものと同じである。Ｚ軸において、ａは０〜２０％、ｂは−２０〜０％、ｃは−４０〜−２０％、ｄは−６０〜−４０％、ｅは−８０〜−６０％、ｆは−１００〜８０％である。この蓄積エネルギー換算テーブル再計算用は、コンピュータ１から描画フィールド毎に与えられる。蓄積エネルギー換算テーブル再計算用から蓄積エネルギー換算テーブル初回計算用の場合と同様にして近接補正量マップを求め、近接補正量マップメモリ２６´から通常描画用ハードウェアデータ転送システム１０の近接補正量マップ１８に与えてやり、ショットタイム演算部１５で演算したデータをリソグラフィシステム３に与えてやる。この結果、描画フィールド毎のショットタイムが演算され、リソグラフィシステム３に与えられることになる。以後、同様にして電子ビームのショット時間を制御して、パターンデータを描画することになる。
【００４９】
このように、本発明によれば、近接効果補正及び乾板面内照射量補正を最適に行なって正確な描画を行なうことができる。また、電子ビーム描画装置において、かぶり効果補正（Ｆogging Ｅrror Ｃorrection：ＦＥＣ）をはじめとする乾板面内照射量補正（ＰＤＥＣ）を考慮した近接効果補正（ＰＥＣ）を行なうため、乾板面内の各点での描画に適用したＰＤＥＣの補正値に対して近接効果の大きさを表す後方散乱係数ηを調整することができる。また、ＰＤＥＣによるショットタイム変調量の変化が大きい場合でも、ＰＥＣによる近接効果の大きさの見積もりが実際の近接効果の大きさとかけ離れることなく正確に行なうことができる。更に、近接効果を十分に補正することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の一実施の形態例を示すブロック図である。
【図２】蓄積エネルギー換算テーブル初回計算用の例を示す図である。
【図３】蓄積エネルギー換算テーブル再計算用の例を示す図である。
【符号の説明】
【００５１】
１    装置制御用計算機システム（コンピュータ）
２    ３リソグラフィシステム
１０  通常描画用ハードウェアデータ転送システム
１１  ライブラリ展開部
１２  データメモリ
１３  ショット分割部
１４  乾板面内照射量補正用レジスタ
１５  ショットタイム計算部
１６  ショットランク換算テーブルメモリ
１７  ショットサイズ換算テーブルメモリ
１８  近接補正量マップメモリ
２０  近接効果補正用ハードウェアデータ転送システム
２１  エネルギー分布基準テーブル
２２  描画面積計算部
２３  電子エネルギー積算部
２３´電子エネルギー積算部
２４  蓄積エネルギー分布マップメモリ
２４´蓄積エネルギー分布マップメモリ
２５  蓄積エネルギー換算部
２５´蓄積エネルギー換算部
２６  近接補正量マップメモリ
２６´近接補正量マップメモリ
２７  蓄積エネルギー換算テーブル初回計算用メモリ
２７´蓄積エネルギー換算テーブル再計算用メモリ
３０  初回計算部
４０  再計算部
【図１】
2006245309.tif 000006
【図２】
2006245309.tif 000007
【図３】
2006245309.tif 000008