(57)【要約】【課題】ベースフィルムに形成される導電体の付着強度を向上させたアンテナおよび当該アンテナを備えた半導体装置の提供を課題とする。また、素子形成層とアンテナとを貼り合わせて半導体装置を設ける場合であっても、素子形成層がアンテナの構造に由来するダメージを受けない信頼性の高い半導体装置の提供を課題とする。【解決手段】半導体装置として、基板上に設けられた素子形成層と、素子形成層上に設けられたアンテナとを有し、素子形成層とアンテナは電気的に接続し、アンテナはベースフィルムと導電体とを有し、ベースフィルムに導電体の少なくとも一部が埋め込まれた構造とする。また、ベースフィルムに導電体を埋め込む方法としては、ベースフィルムの表面に凹パターンを形成し、当該凹パターンに導電体を形成することによって設ける。【選択図】  図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた素子形成層と、
前記素子形成層上に設けられたアンテナとを有し、
前記アンテナは、フィルムと導電体とを有し、
前記素子形成層と前記導電体とが電気的に接続され、
前記フィルムに前記導電体の少なくとも一部が埋め込まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板上に設けられた素子形成層と、
前記素子形成層上に設けられたアンテナとを有し、
前記アンテナは、フィルムと導電体とを有し、
前記素子形成層と前記導電体とが電気的に接続され、
前記フィルムは表面に凹部を有し、前記凹部に前記導電体が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
基板上に設けられた素子形成層と、
前記素子形成層上に設けられたアンテナとを有し、
前記アンテナは、フィルムと導電体とを有し、
前記素子形成層と前記導電体とが電気的に接続され、
前記フィルムは表面に凹部を有し、前記フィルムの表面および凹部に前記導電体が設けられており、前記フィルムの表面および凹部に設けられた導電体が電気的に接続していることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記素子形成層と前記アンテナとは接続端子を介して電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記基板は可撓性基板であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
フィルムと導電体とを有し、
前記フィルムは表面に凹部を有し、
前記フィルムの表面および凹部に前記導電体が設けられており、
前記フィルムの表面および凹部に設けられた導電体が電気的に接続していることを特徴とするアンテナ。
【請求項７】
フィルムに凹部を形成し、
前記フィルムの凹部に導電体を設けることによってアンテナを形成し、
前記アンテナと基板上に形成された素子形成層とを電気的に接続させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
フィルムに凹部を形成し、
前記フィルムの表面および凹部に導電体シートを貼り合わせて設け、前記フィルムの凹部に設けられた導電体シートを残すように前記導電体シートを選択的にエッチングすることによってアンテナを形成し、
前記アンテナと基板上に形成された素子形成層とを電気的に接続させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
フィルムに凹部を形成し、導電性を有する組成物を選択的に吐出して前記フィルムの凹部に導電体を設けることによってアンテナを形成し、
前記アンテナと基板上に形成された素子形成層とを電気的に接続させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
フィルムに導電体シートを貼り合わせ、前記フィルムおよび前記導電体シートに型をプレスして凹部を形成し、
前記フィルムの凹部に設けられた導電体シートを残すように前記導電体シートを選択的にエッチングすることによってアンテナを形成し、
前記アンテナと基板上に形成された素子形成層とを電気的に接続させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
フィルムに導電体シートを貼り合わせ、前記フィルムおよび前記導電体シートに型をプレスして凹部を形成し、
前記フィルムの凹部に設けられた導電体シートを残すように前記導電体シートを物理的手段を用いて選択的に剥がすことによってアンテナを形成し、
前記アンテナと基板上に形成された素子形成層とを電気的に接続させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
フィルムに導電体シートを貼り合わせ、
前記導電体シートを選択的に切断し、
前記切断された導電体シートと前記導電体シートの下方に位置するフィルムに型をプレスして凹部を形成し、
前記フィルムの凹部に設けられた導電体シートを残すように前記導電体シートを選択的にエッチングすることによってアンテナを形成し、
前記アンテナと基板上に形成された素子形成層とを電気的に接続させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
フィルムに導電体シートを貼り合わせ、
前記導電体シートを選択的に切断し、
前記切断された導電体シートと前記導電体シートの下方に位置するフィルムに型をプレスして凹部を形成し、
前記フィルムの凹部に設けられた導電体シートを残すように前記導電体シートを物理的手段を用いて選択的に剥がすことによってアンテナを形成し、
前記アンテナと基板上に形成された素子形成層とを電気的に接続させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項６乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記素子形成層と前記アンテナとの接続を、接続端子を介して行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
フィルムに凹部を形成し、
前記フィルムの表面および凹部に導電体シートを貼り合わせて設け、
前記フィルムの凹部に設けられた導電体シートを残すように前記導電体シートを選択的にエッチングすることを特徴とするアンテナの作製方法。
【請求項１６】
フィルムに凹部を形成し、
導電性を有する組成物を選択的に吐出して前記フィルムの凹部に導電体を形成することを特徴とするアンテナの作製方法。
【請求項１７】
請求項１５または請求項１６において、
前記フィルムの凹部は、
前記フィルムに型をプレスして形成することを特徴とするアンテナの作製方法。
【請求項１８】
請求項１７において、
前記フィルムへの型のプレスは、加熱しながら行うことを特徴とするアンテナの作製方法。
【請求項１９】
請求項１５乃至請求項１８のいずれか一項において、
前記フィルムの凹部は、
前記フィルムにレーザ光を照射して形成することを特徴とするアンテナの作製方法。
【請求項２０】
フィルムに導電体シートを貼り合わせ、
前記フィルムおよび前記導電体シートに型をプレスして凹部を形成し、
前記フィルムの凹部に設けられた導電体シートを残すように前記導電体シートを選択的にエッチングすることを特徴とするアンテナの作製方法。
【請求項２１】
フィルムに導電体シートを貼り合わせ、
前記フィルムおよび前記導電体シートに型をプレスして凹部を形成し、
前記フィルムの凹部に設けられた導電体シートを残すように前記導電体シートを物理的手段を用いて選択的に剥がすことを特徴とするアンテナの作製方法。
【請求項２２】
フィルムに導電体シートを貼り合わせ、
前記導電体シートを選択的に切断し、
前記切断された導電体シートと前記導電体シートの下方に位置するフィルムに型をプレスして凹部を形成し、
前記フィルムの凹部に設けられた導電体シートを残すように前記導電体シートを選択的にエッチングすることを特徴とするアンテナの作製方法。
【請求項２３】
フィルムに導電体シートを貼り合わせ、
前記導電体シートを選択的に切断し、
前記切断された導電体シートと前記導電体シートの下方に位置するフィルムに型をプレスして凹部を形成し、
前記フィルムの凹部に設けられた導電体シートを残すように前記導電体シートを物理的手段を用いて選択的に剥がすことを特徴とするアンテナの作製方法。
【請求項２４】
請求項２０乃至請求項２３のいずれか一項において、
前記フィルムおよび前記導電体シートに型をプレスする際に、加熱しながら行うことを特徴とするアンテナの作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アンテナの構造および当該アンテナの作製方法に関する。また、当該アンテナを備えた半導体装置およびその作製方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、個々の対象物にＩＤ（個体識別番号）を与え、アンテナを備えた半導体装置を用いて非接触で情報のやりとりを行うことによって、その対象物の履歴を明確にして生産、管理等に役立てるといった固体認識技術が注目されている。そのような半導体装置として、特に、無線チップ（ＩＤタグ、ＩＣタグ、ＩＣチップ、ＲＦタグ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）、無線タグ、電子タグ、ＲＦＩＤタグ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）ともよばれる）等が企業内、市場等で試験的に導入され始めている。
【０００３】
例えば、有価証券や商品の管理など、自動認識が必要なあらゆる分野を対象に、非接触でデータの授受が行える無線チップ搭載カードや、無線チップ搭載タグの必要性が高まっている。無線チップを搭載したカードは、カード内部のループアンテナを介して外部の機器とデータの読み書きをするようになされる。無線チップを搭載したカードは、磁気記録方式によりデータを記録する磁気カードに比べて記憶容量が大きく、セキュリティ性に優れているため、最近では様々な分野への利用できる形態が提案されている。（例えば、特許文献１）また、有価証券等に無線チップを搭載する際には、無線チップの薄膜化が求められている。
【特許文献１】特開２００１−２６０５８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、ベースフィルム（フィルム、基板ともよばれる）に形成される導電体の付着強度を向上させたアンテナおよび当該アンテナを備えた半導体装置の提供を課題とする。また、素子形成層とアンテナとを貼り合わせて半導体装置を設ける場合であっても、素子形成層がアンテナの構造に由来するダメージを受けることのない信頼性の高い半導体装置の提供を課題とする。また、当該アンテナの作製方法および当該アンテナを備えた半導体装置の作製方法の提供を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、本発明では以下の手段を講ずる。
【０００６】
本発明の半導体装置は、基板上に設けられた素子形成層と、素子形成層上に設けられたアンテナとを有し、アンテナは、フィルムと導電体とを有し、素子形成層と前記導電体とが電気的に接続され、フィルムに前記導電体の少なくとも一部が埋め込まれていることを特徴としている。
【０００７】
また、本発明の半導体装置の他の構成として、基板上に設けられた素子形成層と、素子形成層上に設けられたアンテナとを有し、アンテナは、フィルムと導電体とを有し、素子形成層と前記導電体とが電気的に接続され、フィルムは表面に凹部を有し、凹部に導電体が設けられていることを特徴としている。導電体はベースフィルムの凹部に全て埋まっている必要はなく、導電体の少なくとも一部がベースフィルムの凹部に埋まっていればよい。なお、ここでいう凹部とはくぼみのことを指しており、フィルムの表面に凹部を有するとはフィルムは表面に部分的にくぼんでいることを指している。
【０００８】
また、本発明の半導体装置の他の構成は、基板上に設けられた素子形成層と、素子形成層上に設けられたアンテナとを有し、アンテナは、フィルムと導電体とを有し、素子形成層と導電体とが電気的に接続され、フィルムは表面に凹部を有し、フィルムの表面および凹部に導電体が設けられており、フィルムの表面および凹部に設けられた導電体が電気的に接続していることを特徴としている。
【０００９】
上記半導体装置の構成において、素子形成層とアンテナとは接続端子を介して電気的に接続することができる。また、素子形成層が形成された基板として可撓性基板を用いることができる。
【００１０】
本発明のアンテナは、フィルムと導電体とを有し、フィルムは表面に凹部を有し、フィルムの表面および凹部に導電体が設けられており、フィルムの表面および凹部に設けられた導電体が電気的に接続していることを特徴としている。なお、導電体はベースフィルムの凹部に全て埋まっている必要はなく、導電体の少なくとも一部がベースフィルムの凹部に埋まっていればよい。
【００１１】
本発明のアンテナの作製方法は、フィルムに凹部を形成し、フィルムの凹部に導電体を形成することを特徴としている。
【００１２】
本発明のアンテナの他の作製方法は、フィルムに凹部を形成し、フィルムの表面および凹部に導電体シートを貼り合わせて設け、当該フィルムの凹部に設けられた導電体シートを残すように導電体シートを選択的にエッチングすることを特徴としている。なお、ここでいう導電体シートとは、導電体膜、フィルム状の金属の板または導電体を薄く延ばして紙状にしたものをいい、例えば、金属箔が挙げられる。
【００１３】
また、本発明のアンテナの他の作製方法として、フィルムに凹部を形成し、導電性を有する組成物を選択的に吐出して当該フィルムの凹部に導電体を形成することを特徴としている。つまり、導電体をフィルムの凹部に直接形成する。導電体を直接形成する方法としては、液滴吐出法やスクリーン印刷等の印刷法や大気圧プラズマ装置等を用いることができる。なお、液滴吐出法とは、導電膜や絶縁膜等の材料を含んだ組成物の液滴（ドットともいう）を選択的に吐出（噴射）して任意の場所に形成する方法であり、その方式によってはインクジェット法とも呼ばれている。
【００１４】
本発明において、フィルムの凹部は、フィルムに型をプレスして形成することができる。また、他にも、レーザ光を照射してフィルム上に凹部を直接形成してもよい。
【００１５】
また、本発明のアンテナの他の作製方法として、フィルムに導電体シートを貼り合わせ、フィルムおよび導電体シートに型をプレスして凹部を形成し、フィルムの凹部に設けられた導電体シートを残すように導電体シートを選択的にエッチングすることを特徴としている。また、エッチング処理を行わずにフィルムの凹部に設けられた導電体シートを残すように、その他の導電体シートを物理的手段（物理的な力）を用いて選択的に剥がしてもよい。なお、物理的手段とは化学ではなく、物理学により認識される手段であり、具体的には力学の法則に当てはめることが可能な過程を有する力学的手段または機械的手段を指し、何らかの力学的エネルギー（機械的エネルギー）を変化させる手段を指している。つまり、物理的手段を用いて剥がすとは、例えば人間の手、ノズルから吹付けられるガスの風圧、超音波または楔状の部材を用いた負荷等を用いて外部から衝撃（ストレス）を与えることによって剥がすことを言う。
【００１６】
また、本発明のアンテナの他の作製方法として、フィルムに導電体シートを貼り合わせ、導電体シートを選択的に切断し、切断された導電体シートと導電体シートの下方に位置するフィルムに型をプレスして凹部を形成し、フィルムの凹部に設けられた導電体シートを残すように導電体シートを選択的にエッチングすることを特徴としている。また、エッチング処理を行わずにフィルムの凹部に設けられた導電体シートを残すように、その他の導電体シートを物理的手段を用いて選択的に剥がしてもよい。
【００１７】
上記構成において、フィルムに型をプレスして凹部を形成する際に、加熱をしながら行うとよい。
【００１８】
また、上記アンテナの作製方法を用いて形成したアンテナと基板上に設けられた素子形成層とを電気的に接続することによって半導体装置を作製することができる。また、素子形成層とアンテナとの接続は、接続端子を介して行うことができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明により、ベースフィルムに対する導電体の接着強度が大きいアンテナおよび当該アンテナを備えた半導体装置を得ることができるため、ベースフィルムから導電体が剥離することを防止できる。また、ベースフィルムに導電体を埋め込むことによって、アンテナを被接着体に貼り合わせる際に、アンテナの構造に由来する被接着体へのダメージを軽減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明の実施の形態について、図面を用いて以下に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構成において、同じものを指す符号は異なる図面間で共通して用い、繰り返しの説明を省略する場合がある。
【００２１】
本発明は、素子形成層とアンテナとを貼り合わせて半導体装置を設ける場合であっても、素子形成層がアンテナの構造に由来するダメージを受けない信頼性の高い半導体装置の提供を目的としている。例えば、半導体装置を図１５（Ａ）に示すように、別個に形成されたアンテナ７５１と素子形成層７５２（ＩＣチップともよばれる）とを貼り合わせることによって作製する場合を考える。この場合、例えば、アンテナの構造が図１５（Ｂ）に示すように、ベースフィルム７５３上に導電体７５４が貼り合わされて設けられている場合、アンテナの小型化に伴い、ベースフィルムと導電体の密着部分７５５が小さくなり、導電体７５４がベースフィルム７５３から剥がれやすくなるという問題がある。また、半導体装置の小型化のためにアンテナ７５１と素子形成層７５２とが重なるように貼り合わせる際に、アンテナ７５１の凸パターン（導電体７５４が設けられている部分）の下方に位置する素子形成層に局所的に圧力がかかる。そのため、図１５（Ｃ）に示すように、アンテナの凸パターンの下方に設けられた素子形成層が変形したり、クラックが入ったりすることによって素子形成層が破損し、結果的に半導体装置の信頼性が低下する等の問題が懸念される。
【００２２】
そのため、本発明では、ベースフィルム７０２と導電体７０３とからなるアンテナにおいて、ベースフィルム７０２に導電体７０３を埋め込むことよってアンテナの表面を平坦化する（図８（Ａ）参照）。そして、平坦化したアンテナの表面と基板７００上に設けられた素子形成層７０１とを貼り合わせることによって、素子形成層にダメージを与えずに半導体装置を形成する（図８（Ｂ）参照）。
【００２３】
なお、本発明において、素子形成層は、基板上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）またはＳｉ等の半導体基板にチャネル領域を設けた電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）等を用いて、電源発生手段、制御手段、記憶手段、共振容量部等の各種機能回路が設けられている。
【００２４】
このように、素子形成層に負荷をかけることなくアンテナを貼り合わせることによって信頼性の高い半導体装置を得ることができる。なお、本発明において、アンテナの形状はどのようなものでもよい。以下に、上記アンテナの構造およびその作製方法または半導体装置およびその作製方法に関して、図面を用いて詳細に説明する。
【００２５】
（実施の形態１）
本実施の形態では、アンテナおよび当該アンテナの作製方法の一態様について示す。具体的には、ベースフィルム（フィルム、基板ともいう）に少なくとも導電体の一部が埋め込まれた構造を有するアンテナを形成する。以下に、そのアンテナの構造および作製方法に関して図面を用いて説明する。
【００２６】
まず、ベースフィルム１００と、当該ベースフィルム１００の表面にパターンを形成するために利用する型１０１を用意する（図１（Ａ））。ベースフィルム１００としては、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル系、ポリエチレン等のポリオレフィン系、ポリビニルアルコール系、ポリ塩化ビニリデン系、ポリ塩化ビニル系、ナイロン６、ナイロン６６、ナイロン８のポリアミド系等の熱可塑性樹脂を用いたフィルム状の基板を用いることができる。また、他にも、薄膜化したガラス等の基板上に上記熱可塑性樹脂を塗布した基板を用いてもよい。一方、型１０１としては、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）、亜鉛（Ｚｎ）等の金属またはこれらの合金からなる金属製の金型やシリコン（Ｓｉ）を加工した型等を用いることができる。
【００２７】
次に、型１０１をベースフィルム１００に押しつけて（図１（Ｂ））、ベースフィルム１００に凹部１０２を選択的に形成する（図１（Ｃ））。この場合、加圧処理をする際に加熱処理も合わせて行うとパターンを形成しやすいため好ましい。また、凹部の形状はどのようなものでもよく、ここでは一例として矩形型に形成する例を示す。
【００２８】
続いて、凹部１０２が形成されたベースフィルム１００上に導電体シート１０３を押しつけて（図１（Ｄ））、ベースフィルム１００の表面に貼り合わせる（図１（Ｅ））。この場合、加圧処理をする際に加熱処理も合わせて行ってもよい。導電体シートとしては、例えば、銅（Ｃｕ）やアルミニウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）や金（Ａｕ）等の金属を薄く延ばして紙状にしたもの（例えば、金属箔）を用いることができる。
【００２９】
その後、ベースフィルム１００の表面に貼り合わされた導電体シート１０３のうち、ベースフィルムの凹部１０２が形成された部分に貼り合わされた導電体シートを残して、導電体シートに選択的にエッチング処理を行うことによって、ベースフィルム１００に導電体１０４が埋め込まれたアンテナが完成する（図１（Ｆ））。このようなアンテナにおいては、ベースフィルム１００と導電体１０４の接着している面積が大きく且つ導電体がベースフィルムに埋め込まれているため、導電体１０４が剥がれにくい構造となっている。
【００３０】
また、図１に示すアンテナの構造においては、凹部が形成されていないベースフィルム１００の表面（以下、ベースフィルム最表面と記す）と導電体１０４の最表面とを同じ位置に配置するようにアンテナを形成する例を示したが、本実施の形態はこのような構造に限られない。例えば、ベースフィルム最表面と導電体１０４の最表面の位置が異なった構造でもよいし、ベースフィルム最表面上にも導電体が形成された構造でもよい。これらの具体例を図２に示す。
【００３１】
図２（Ａ）に示すアンテナの構造は、ベースフィルム最表面より導電体１０４の最表面が高い構造、つまりベースフィルム１００から導電体１０４が突き出た部分１０５を有している。図２（Ｂ）に示す構造では、ベースフィルム最表面より導電体１０４の最表面が低い構造、つまりベースフィルム最表面より導電体が引っ込んだ部分１０６を有している。図２（Ｃ）に示す構造では、ベースフィルム最表面より導電体が高く且つベースフィルム最表面にも導電体が形成された部分１０７を有している。これらの構造は、図１（Ｅ）における導電体シート１０３のエッチングの際にエッチングする場所や時間を制御することによって選択的に形成することができる。
【００３２】
図２（Ａ）、（Ｃ）に示したアンテナの構造は、上記図１で示したアンテナの構造に比べて導電体の露出部分が大きいため、アンテナと被接続物とを導電性接着剤等で接続する際に接続面積が広いため接続しやすいといった利点を有している。また、図２（Ａ）、（Ｃ）では、導電体の断面積を広く形成することができ、その結果、導通抵抗を低く抑えることができるため、半導体装置の通信距離をのばすことができる。また、図２（Ｂ）に示したアンテナの構造は、図１で示したアンテナの構造に比べて導電体が剥がれにくいといった利点をもっている。なお、どのようなアンテナ構造とするかは、アンテナの用途に応じて実施者が適宜選択すればよい。
【００３３】
また、上記図１、図２に示したベースフィルムにおいては、矩形状の断面が凹部を有する場合に関して示したが、本実施の形態はこの構造に限られず、導電体を埋め込む構造であればどのような凹部をベースフィルムに設けてもよい。例えば、図３に示すように凹部の断面の上側の辺が下側の辺より長いテーパー状の断面構造（図３（Ａ））や、その逆（下側の辺が上側の辺より長い）のテーパー状の断面構造（図３（Ｂ））や、階段状の断面構造（図３（Ｃ））に形成してもよい。
【００３４】
本実施の形態においては、ベースフィルム１００に形成される凹部の形状は、型１０１の凸部の形状に依存するため、型１０１の形状を変えることによって容易に上述した矩形以外の形状を形成することが可能である。また、図３で示した構造は、図１、図２に示した構造と自由に組み合わせることができる。
【００３５】
以上、本実施の形態で示したアンテナの作製方法を用いることによって、表面が平坦で且つベースフィルムから導電体が剥がれにくいアンテナを得ることができる。また、表面が平坦であるアンテナを用いることによって、被接着体と貼り合わせる際に、被接着物に局所的に圧力がかからないため被接着物の破損を軽減し、製造工程において歩留まりを向上させることができる。また、膜厚の薄い可撓性の半導体装置を形成する場合に、上記アンテナを設けることによって応力によって生じる半導体装置の反りを防止することができる。つまり、上記アンテナの構成においては、ベースフィルムに埋め込むことが可能であれば、導電体をどのような厚さで形成してもよい。
【００３６】
（実施の形態２）
本実施の形態では、上記実施の形態とは異なるアンテナの作製方法に関して図面を用いて説明する。具体的には、ベースフィルム上に導電体シートを形成した後に加圧処理を行う場合に関して示す。
【００３７】
まず、ベースフィルム１００上に導電体シート１０３を貼り合わせる（図４（Ａ））。または、ベースフィルム１００上にあらかじめ導電体シート１０３が設けられているものを用意する。貼り合わせには、例えばエポキシ樹脂等の接着剤を用いることができる。なお、ベースフィルム１００および導電体シート１０３の材料は上記実施の形態で示したいずれかの材料を用いることができる。
【００３８】
続いて、型１０１を用意する（図４（Ｂ））。型１０１としては、上記実施の形態で示したものを利用することができる。次に型１０１をベースフィルム１００上に形成された導電体シート１０３に押しつけて、ベースフィルム１００および導電体シート１０３に凹部１０２を選択的に形成する（図４（Ｃ））。この場合、加圧処理をする際に加熱処理も合わせて行うとパターンを形成しやすいため好ましい。また、凹部の断面形状はどのようなものでもよく、ここでは一例として矩形型に形成する例を示す。
【００３９】
その後、ベースフィルム１００の表面に形成されている導電体シート１０３に選択的にエッチング処理を行うことによって（図４（Ｄ））、ベースフィルム１００に導電体１０４が埋め込まれたアンテナが完成する（図４（Ｅ））。また、この際エッチングを行う場所や時間等を制御することによって、上記図２で示したアンテナのいずれかの構造を形成することも可能である。さらに型１０１の形状を変えることによって、図３に示す構造のアンテナを形成することもできる。このように、あらかじめベースフィルム上に導電体シートを形成した後に、導電体およびベースフィルムに加圧処理によって押し込む方法を用いた場合であってもベースフィルムに導電体シートが埋め込まれた構造を有するアンテナを形成することができる。
【００４０】
また、上記方法と異なる形態に関して図５に示す。
【００４１】
まず、ベースフィルム１００上に導電体シート１０３を貼り合わせる（図５（Ａ））。または、ベースフィルム１００上にあらかじめ導電体シート１０３が設けられているものを用意する。
【００４２】
続いて、プレス手段１２０を用いて（図５（Ｂ））、ベースフィルム１００上に設けられた導電体シート１０３の一部に選択的に加圧処理を行い導電体シート１０３の一部分（以下導電体シート１２４と記す）をベースフィルム１００に押し込む（図５（Ｃ））。この際、加熱処理を行いながら加圧処理を行う。プレス手段１２０は、少なくともプレス部１２１とプレス部１２１の両端に設けられた刃部１２２、１２３から構成されている。プレス手段１２０を用いることによって、まず刃部１２２および１２３により導電体シート１０３を切断し、その後プレス部１２１が切断された導電体シート１２４を押し込む。以上の工程により、導電体シート１２４のみがベースフィルム１００に埋め込まれた構造が得られる。
【００４３】
その後、導電体シート１０３に選択的にエッチング処理を行い（図５（Ｄ））不要な部分を除去することによって、ベースフィルム１００に導電体１２５が埋め込まれたアンテナが完成する（図５（Ｅ））。
【００４４】
また、図５で示すアンテナの作製方法においても、上記図２で示したようにベースフィルム最表面と導電体１２５の最表面の位置を変えて形成することができる。例えば、導電体１２５がベースフィルム最表面より突き出た構造（図２（Ａ））とするには、プレス手段１２０の加圧処理における圧力を小さくすればよい。導電体１２５がベースフィルムに埋め込まれた構造（図２（Ｂ））とするには、プレス手段１２０の加圧処理における圧力を大きくすればよい。導電体１２５がベースフィルム最表面より導電体が高く且つベースフィルム最表面にも形成された構造（図２（Ｃ））とするには、プレス手段１２０の加圧処理における圧力を小さくし且つエッチングの際にベースフィルム上の導電体を残すように選択的にエッチングを行えばよい。また、プレス部の形状を変えることにより、上記図３に示した凹部を有する導電体をベースフィルムに設けることが可能となる。
【００４５】
なお、上記図４、図５では、エッチング処理を行うことによって凹部に設けられた導電体シート以外の導電体シートを選択的に除去する例を示したが、本実施の形態はこれに限られない。エッチング処理を行う代わりに、ベースフィルムの凹部に設けられた導電体シートを残すように、その他の導電体シートを物理的手段を用いて選択的に剥がしてもよい。これは、特にベースフィルムの凹部に埋め込まれた導電体シートがその他の導電体シートと切断されている場合（例えば図５（Ｄ））に有効である。
【００４６】
なお、本実施の形態は上記実施の形態と自由に組み合わせて行うことができる。
【００４７】
（実施の形態３）
本実施の形態では、上記実施の形態とは異なるアンテナの作製方法に関して示す。具体的には、ベースフィルムへの凹部の形成と、凹部が形成されたベースフィルムへの導電体の形成方法に関して、それぞれ以下に説明する。
【００４８】
はじめに、ベースフィルムの凹部の上記実施の形態とは異なる作製方法に関して説明する。
【００４９】
上記実施の形態では、ベースフィルムに型を押しつけることによって、ベースフィルムに凹部を形成する方法を示した（図１（Ａ）〜（Ｃ））が、ここでは、ベースフィルムにレーザ光を照射して直接凹部を形成する場合に関して図６を用いて以下に説明する。
【００５０】
まず、ベースフィルム３００を用意する。次にレーザ直接描画装置１００１を用いて、ベースフィルム３００に選択的にレーザ光を照射して凹部３０１を形成する（図６（Ａ））。
【００５１】
レーザ直接描画装置１００１は、レーザ光を照射する際の各種制御を実行するコンピュータ（以下、ＰＣと示す。）１００２と、レーザ光を出力するレーザ発振器１００３と、レーザ発振器１００３の電源１００４と、レーザ光を減衰させるための光学系（ＮＤフィルタ）１００５と、レーザ光の強度を変調するための音響光学変調器（Ａｃｏｕｓｔｏ−Ｏｐｔｉｃ  Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ  ；  ＡＯＭ）１００６と、レーザ光の断面を縮小するためのレンズおよび光路を変更するためのミラー等で構成される光学系１００７、Ｘ軸ステージ及びＹ軸ステージを有する移動機構１００９と、ＰＣから出力される制御データをデジタルーアナログ変換するＤ／Ａ変換部１０１０と、Ｄ／Ａ変換部から出力されるアナログ電圧に応じて音響光学変調器１００６を制御するドライバ１０１１と、移動機構１００９を駆動するための駆動信号を出力するドライバ１０１２と、被照射物上にレーザ光の焦点を合わせるためのオートフォーカス機構１０１３を備えている（図６（Ｂ））。
【００５２】
レーザ発振器１００３としては、紫外光、可視光、又は赤外光を発振することが可能なレーザ発振器を用いることができる。レーザ発振器としては、ＫｒＦ、ＡｒＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＦ等のエキシマレーザ発振器、Ｈｅ、Ｈｅ−Ｃｄ、Ａｒ、Ｈｅ−Ｎｅ、ＨＦ等の気体レーザ発振器、ＹＡＧ、ＧｄＶＯ４、ＹＶＯ４、ＹＬＦ、ＹＡｌＯ３などの結晶にＣｒ、Ｎｄ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｃｅ、Ｃｏ、Ｔｉ又はＴｍをドープした結晶を使った固体レーザ発振器、ＧａＮ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ等の半導体レーザ発振器を用いることができる。なお、固体レーザ発振器においては、基本波か第２高調波〜第５高調波を適用するのが好ましい。
【００５３】
次に、レーザ直接描画装置を用いた照射方法について述べる。ベースフィルム３００が移動機構１００９に装着されると、ＰＣ１００２は図外のカメラによって、ベースフィルムに付されているマーカの位置を検出する。次いで、ＰＣ１００２は、検出したマーカの位置データと、予め入力されている描画パターンデータとに基づいて、移動機構１００９を移動させるための移動データを生成する。
【００５４】
この後、ＰＣ１００２が、ドライバ１０１１を介して音響光学変調器１００６の出力光量を制御することにより、レーザ発振器１００３から出力されたレーザ光は、光学系１００５によって減衰された後、音響光学変調器１００６によって所定の光量になるように光量が制御される。一方、音響光学変調器１００６から出力されたレーザ光は、光学系１００７で光路及びビームスポット形状を変化させ、レンズで集光した後、ベースフィルム上に該レーザ光を照射する。
【００５５】
このとき、ＰＣ１００２が生成した移動データに従い、移動機構１００９をＸ方向及びＹ方向に移動制御する。この結果、所定の場所にレーザ光が照射され、レーザ光の光エネルギー密度が熱エネルギーに変換され、ベースフィルム上に選択的にパターンを形成することができる。このように、ベースフィルムにレーザ光を照射する方法を用いることによってもベースフィルムにパターンを形成することができる。なお、ここでは移動機構１００９を移動させてレーザ光の照射を行う例を示しているが、光学系１００７を調整することによってレーザ光をＸ方向およびＹ方向に移動させてもよい。
【００５６】
このように、レーザ光を照射することによってベースフィルムにパターンを形成することが可能である。レーザ光を用いる場合、どのような形状のパターンを形成するかはコンピュータにデータを入力すれば済むため、複数のパターンを容易につくりわけることができる。
【００５７】
次に、パターンが設けられたベースフィルムに導電体を形成する方法に関して、上記実施の形態とは異なる作製方法について図７を用いて以下に説明する。
【００５８】
まず、パターンが形成されたベースフィルム４００を用意する。ベースフィルムに形成されたパターンは、上述したように型をベースフィルムに押しつけて形成してもよいし、レーザ光等を照射して直接描画により形成してもよい。続いて、ベースフィルムに形成されたパターン部に導電体４０１を形成する。本実施の形態では、導電性を有する材料を選択的にパターン部に設けることによって導電体４０１を形成する。ここでは、液滴吐出法により導電体４０１を形成する例に関して示している（図７（Ａ）、（Ｂ））。なお、液滴吐出法とは、導電膜や絶縁膜等の材料を含んだ組成物の液滴（ドットともいう）を選択的に吐出（噴射）して任意の場所に形成する方法であり、その方式によってはインクジェット法とも呼ばれている。
【００５９】
液滴吐出法により形成される導電体としては、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｄ等の金属、金属化合物を１つまたは複数有する導電性材料を用いる。なお、分散剤により凝集を抑え、溶液に分散させることができるならば、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ａｌ等の金属、金属化合物を１つまたは複数有する導電材料を用いることも可能である。また、液滴吐出法による導電材料の成膜を複数回行うことで、複数の導電膜が積層された構造を形成することも可能である。但し、液滴吐出装置４０２から吐出される組成物は、比抵抗値を考慮して、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕのいずれかの材料を溶媒に溶解または分散させたものを用いることが好適であり、より好適には低抵抗なＡｇ、Ｃｕを用いるとよい。但し、Ａｇ、Ｃｕを用いる場合には、不純物対策のため、合わせてバリア膜を設けるとよい。バリア膜としては、窒化珪素膜やニッケルボロン（ＮｉＢ）を用いることができる。
【００６０】
なお、本実施の形態では、あらかじめベースフィルム４００に凹部のパターンが設けられており、その凹部のパターンに導電性材料を吐出して導電体を形成すればよい。そのため、液滴吐出装置４０２から吐出された導電性材料がベースフィルムに着弾した際に導電性材料が広がることを防止できる。従って、液滴吐出法を用いることによって精確にベースフィルム４００のパターン部に導電体４０１を形成することができる。また、直接ベースフィルムのパターンに導電体を形成することが可能であるため、エッチング処理の工程が不要となる利点も有する。
【００６１】
図７では液滴吐出法により導電体４０１を形成する例を示したが、これに限られず、スクリーン印刷法やグラビア印刷法等の各種印刷法や大気圧プラズマ装置を用いて選択的に導電体を形成してもよい。
【００６２】
なお、本実施の形態は上記実施の形態と自由に組み合わせて行うことができる。
【００６３】
（実施の形態４）
本実施の形態では、上記実施の形態で示したアンテナと素子形成層を接続して半導体装置を形成する場合に関して図８を用いて説明する。
【００６４】
まず、それぞれ別々に作製された素子形成層と、アンテナとを用意する（図８（Ａ））。ここでは、素子形成層７０１は基板７００上に設けられており、アンテナはベースフィルム７０２に導電体７０３が埋め込まれて設けられている。基板７００としては、バリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板、セラミック基板、プラスチック等の可撓性を有する基板を用い、その上に素子形成層７０１が設けてある。また、Ｓｉ等の半導体基板を用いて直接基板７００上に素子形成層７０１を形成してもよい。
【００６５】
次に、素子形成層７０１とアンテナとを接続させる（図８（Ｂ））。素子形成層７０１とアンテナとの接続は銀ペースト、銅ペースト、カーボンペースト等の導電性接着剤や、異方性導電フィルムを用いる方法、あるいは半田接合を行う方法が知られているがいずれの方法を用いてもよい。ここでは、導電体７０４を含んだ異方性導電フィルム７０５を用いた場合を示す。また、このとき導電体７０３と素子形成層７０１の電気的な接続を容易に行うために接続端子７０６を設けてもよい。
【００６６】
本実施の形態で用いるアンテナは、導電体７０３がベースフィルム７０２に埋め込まれ設けられているため、素子形成層とアンテナを接合する際に、導電体がベースフィルムから剥離するのを防止できる。また、従来のアンテナの構造では、導電体が形成されている部分が凸部を有しているため、導電体の下方に位置する素子形成層に局所的に圧力がかかり、素子形成層が破損する等の問題があったが、本実施の形態で示すアンテナ構造を用いることによってこれらの問題を防止することが可能となる。このように、素子形成層に負荷をかけることなくアンテナとを貼り合わせることによって信頼性の高い半導体装置を得ることができる。
【００６７】
なお、本実施の形態は上記実施の形態と自由に組み合わせて行うことができる。
【００６８】
（実施の形態５）
本実施の形態では、アンテナを備えた半導体装置の作製方法に関して説明する。
【００６９】
ここでは、一例として基板８００に複数の半導体装置を形成する場合に関して図９を用いて示す。なお、図９（Ａ）は上面図を示し、図９（Ｂ）には図９（Ａ）におけるａ−ｂ間、図９（Ｃ）には図９（Ａ）におけるｃ−ｄ間の断面図をそれぞれ示す。
【００７０】
まず、図９（Ｂ）、（Ｃ）に示すように基板８００上に、剥離層８０１、素子形成層８０２を形成する。
【００７１】
基板８００としては、例えばバリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板、セラミック基板等を用いることができる。また、ステンレスを含む金属基板または半導体基板の表面に絶縁膜を形成したものを用いても良い。プラスチック等の可撓性を有する合成樹脂からなる基板は、一般的に上記基板と比較して耐熱温度が低い傾向にあるが、作製工程における処理温度に耐え得るのであれば用いることが可能である。また、Ｓｉ等の半導体基板を用いてもよい。基板８００の表面を、ＣＭＰ法などの研磨により平坦化しておいても良い。なお、本実施例では基板８００としてガラス基板を用いる。
【００７２】
剥離層８０１としては、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｓｉから選ばれた元素または前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料からなる単層、あるいはこれらの積層を用いることができる。本実施の形態では、剥離層８０１としてＷを含んだ金属膜を用いる。なお、Ｗを含んだ金属膜の形成方法はＣＶＤ法、スパッタ法または電子ビーム等によって形成することができ、ここではスパッタ法を用いて形成する。また、剥離層８０１として上記金属膜上に酸化物を形成した膜を用いてもよい。酸化物は、ＣＶＤ法やスパッタ法により金属膜上に形成してもよいし、熱処理を行うことによって金属膜上に酸化物を形成する方法等を用いることができる。例えば、金属膜と金属酸化物の膜としては、ＷとＷＯｘ、ＭｏとＭｏＯｘ、ＮｂとＮｂＯｘまたはＴｉとＴｉＯｘ（ｘ＝２〜３）等を用いることができる。
【００７３】
ここでは基板８００上に直に剥離層８０１を形成しているが、基板８００と剥離層８０１の間に下地膜を形成してもよい。下地膜は、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）等の酸素または窒素を有する絶縁膜の単層構造、またはこれらの積層構造を用いることができる。特に、基板からの汚染が懸念される場合には、下地膜を形成するのが好ましい。
【００７４】
素子形成層８０２としては、半導体膜を能動領域として有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴとも表記する）を用いて形成する。素子形成層８０２は、絶縁膜と、所望の形状に形成された半導体膜８０６と、ゲート絶縁膜として機能する絶縁膜（以下、ゲート絶縁膜８０７と記す）と、ゲート絶縁膜８０７上に設けられたゲート電極として機能する導電膜（以下、ゲート電極８０８と記す）とを有するｎチャネル型ＴＦＴ８２０またはｐチャネル型ＴＦＴ８２１を有する。
【００７５】
また、半導体膜は、チャネル形成領域および不純物領域（ソース領域、ドレイン領域、ＬＤＤ領域を含む）を有し、添加される不純物元素によりｎチャネル型ＴＦＴ８２０またはｐチャネル型ＴＦＴ８２１と区別することができる。そして、各不純物領域と接続するように層間絶縁膜８０９上に設けられた配線８１０を有する。
【００７６】
絶縁膜は、積層構造を有していてもよく、本実施の形態では、第１の絶縁膜８０３、第２の絶縁膜８０４、第３の絶縁膜８０５を有する。例えば、第１の絶縁膜として酸化珪素膜、第２の絶縁膜として酸化窒化珪素膜、第３の絶縁膜として酸化珪素膜を用いる。
【００７７】
半導体膜８０６は、非晶質半導体、非晶質状態と結晶状態とが混在したセミアモルファス半導体、非晶質半導体中に０．５ｎｍ〜２０ｎｍの結晶粒を観察することができる微結晶半導体、及び結晶性半導体から選ばれたいずれの状態を有してもよい。また成膜処理温度に耐えうる基板、例えば石英基板を使用するならば、当該基板へＣＶＤ法等により結晶性半導体膜を形成してもよい。
【００７８】
本実施の形態では、非晶質半導体膜を形成し、加熱処理により結晶化された結晶性半導体膜を形成する。加熱処理とは、加熱炉、レーザ照射、もしくはレーザ光の代わりにランプから発する光の照射（ランプアニール）、またはそれらを組み合わせて用いることができる。
【００７９】
レーザ照射を用いる場合、連続発振型のレーザ（ＣＷレーザ）やパルス発振型のレーザ（パルスレーザ）を用いることができる。レーザとしては、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザ、Ｙ２Ｏ３レーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ３レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ：サファイヤレーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザのうち一種または複数種を用いることができる。このようなレーザの基本波、及び当該基本波の第２高調波から第４高調波のレーザを照射することで、大粒径の結晶を得ることができる。例えば、Ｎｄ：ＹＶＯ４レーザ（基本波１０６４ｎｍ）の第２高調波（５３２ｎｍ）や第３高調波（３５５ｎｍ）を用いることができる。このときレーザのパワー密度は０．０１〜１００ＭＷ／ｃｍ２程度（好ましくは０．１〜１０ＭＷ／ｃｍ２）が必要である。そして、走査速度を１０〜２０００ｃｍ／ｓｅｃ程度として照射する。
【００８０】
その他の加熱処理として、加熱炉を用いる場合、非晶質半導体膜を５００〜５５０℃で２〜２０時間かけて加熱する。このとき、徐々に高温となるように温度を５００〜５５０℃の範囲で多段階に設定するとよい。最初の低温加熱工程により、非晶質半導体膜の水素等が出てくるため、結晶化の際の膜荒れを低減する、いわゆる水素だしを行うことができる。さらに、結晶化を促進させる金属元素、例えばＮｉを非晶質半導体膜上に形成すると、加熱温度を低減することができ好ましい。このような金属元素を用いた結晶化であっても、６００〜９５０℃に加熱しても構わない。
【００８１】
また、ゲート絶縁膜８０７は、半導体膜８０６を覆うように形成されている。ゲート絶縁膜８０７には、例えば酸化珪素、窒化珪素または窒化酸化珪素等を用いて単層または複数の膜を積層させて形成することができる。
【００８２】
ゲート電極８０８は、ゲート絶縁膜８０７上に形成する。ゲート電極８０８としては、例えば、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｄから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成することができる。また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶珪素膜に代表される半導体膜を用いてもよい。また、ＡｇＰｄＣｕ合金を用いてもよい。さらに、その組み合わせも適宜選択すればよい。またゲート電極８０８は単層構造としてもよいし複数の層からなる積層構造としてもよい。本実施の形態では、ゲート電極８０８を窒化タンタル（ＴａＮ）とタングステン（Ｗ）の積層構造で形成している。
【００８３】
次に、ゲート電極８０８またはレジストを所望の形状に形成したものをマスクとして用い、半導体膜８０６にｎ型またはｐ型の導電性を付与する不純物を選択的に添加する。半導体膜８０６、チャネル形成領域および不純物領域（ソース領域、ドレイン領域、ＬＤＤ領域を含む）を有し、添加される不純物元素の導電型によりｎチャネル型ＴＦＴ８２０またはｐチャネル型ＴＦＴ８２１と区別することができる。
【００８４】
図９では、ｎチャネル型ＴＦＴ８２０はゲート電極８０８の側壁にサイドウォールを有し、半導体膜８０６にｎ型の導電性を付与する不純物が選択的に添加されたソース領域、ドレイン領域およびＬＤＤ領域が形成されている。また、ｐチャネル型ＴＦＴ８２１は半導体膜８０６にｐ型の導電性を付与する不純物が選択的に添加されたソース領域およびドレイン領域が形成されている。ここでは、ゲート電極８０８の側壁にサイドウォールを設け、ｎチャネル型ＴＦＴ８２０に選択的にＬＤＤ領域を形成した構造を示したが、この構造に限定されず、ｐチャネル型ＴＦＴ８２１もＬＤＤ領域を形成してもよいし、ｐチャネル型ＴＦＴ８２１にサイドウォールを設けなくてもよい。
【００８５】
次に、層間絶縁膜８０９を形成する。層間絶縁膜８０９としては、無機絶縁膜や有機絶縁膜を用いることができる。無機絶縁膜としては、ＣＶＤ法により形成された酸化シリコン膜や酸化窒化珪素、またはＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）法により塗布された酸化シリコン膜などを用いることができ、有機絶縁膜としてはポリイミド、ポリアミド、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）、アクリルまたはポジ型感光性有機樹脂、ネガ型感光性有機樹脂等の膜を用いることができる。また、アクリル膜と酸化窒化シリコン膜の積層構造を用いても良い。
【００８６】
また、層間絶縁膜８０９として、シロキサン樹脂等のシロキサン材料で形成してもよい。シロキサン材料は、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む材料に相当する。シロキサンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いてもよい。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。また、Ｓｉ−Ｎ結合を有するポリマー（ポリシラザン）を含む材料で層間絶縁膜８０９を形成してもよい。
【００８７】
上記の材料を用いることで、膜厚を薄くしても十分な絶縁性および平坦性を有する層間絶縁膜を得ることができる。また、上記の材料は耐熱性が高いため、多層配線におけるリフロー処理にも耐えうる層間絶縁膜を得ることができる。さらに、吸湿性が低いため、脱水量の少ない層間絶縁膜を形成することができる。
【００８８】
次いで、層間絶縁膜８０９をエッチングし、半導体膜８０６の不純物領域に達するコンタクトホールを形成し、当該不純物領域と電気的に接続する配線８１０を形成する。配線８１０としては、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｔａ、Ａｕ、Ｍｎから選ばれた一種の元素または該元素を複数含む合金からなる単層または積層構造を用いることができる。ここでは、Ａｌを含んだ金属膜で形成することが好ましい。本実施の形態では、Ｔｉ膜とＡｌとＴｉを含む合金膜との積層膜を形成する。もちろん、２層構造に限らず、単層構造でも良いし、３層以上の積層構造にしても良い。また、配線材料としては、ＡｌとＴｉの積層膜に限られない。例えばＴａＮ膜上にＡｌ膜やＣｕ膜を形成し、更にＴｉ膜を形成した積層膜を形成しても良い。
【００８９】
なお、配線８１０を覆うように絶縁膜８１１を設けるとよい。素子形成層８０２は、配線８１０の一部が後にアンテナと接続されるが、その工程までに配線８１０の汚染や劣化等が懸念される。そのため配線８１０上に絶縁膜を形成すると好ましい。絶縁膜８１１としては、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）等の酸素または窒素を有する絶縁膜の単層構造、またはこれらの積層構造を用いることができる。
【００９０】
その後、素子形成層８０２間に溝８１５を形成する。溝は、ダイシング、スクライビングまたはマスクを利用したエッチング等によって行うことができる。ダイシングの場合には、ダイシング装置（ダイサー；ｄｉｃｅｒ）を用いるブレードダイシング法が一般的である。ブレードとは、ダイヤモンド砥粒を埋め込んだ砥石で、その幅は約３０〜５０μｍであり、このブレードを高速回転させることにより素子形成層８０２に溝を形成する。また、スクライビングの場合には、ダイヤモンドスクライビング法とレーザスクライビング法がある。また、エッチングの場合には、露光、現像工程によりマスクパターンを形成し、ドライエッチング、ウェットエッチング等により素子形成層８０２に溝を形成することができる。ドライエッチングにおいては、大気圧プラズマ法を用いてもよい。このようにして素子形成層８０２間に溝を形成する。
【００９１】
なお、溝は必ずしも各素子形成層間に形成する必要はなく、複数の素子形成層間に形成してもよい。また、素子形成層の薄膜トランジスタが形成されていない部分に形成してもよい。
【００９２】
次に、図１０に示すように、素子形成層８０２に導電体８３０ａ、ベースフィルム８３０ｂからなるアンテナ用基板８３０を貼り合わせる。図１０（Ａ）にはアンテナ用基板８３０を貼り合わせた状態の上面図を、図１０（Ｂ）には図１０（Ａ）におけるａ−ｂ間、図１０（Ｃ）には図１０（Ａ）におけるｃ−ｄ間の断面図をそれぞれ示す。
【００９３】
素子形成層８０２とアンテナ用基板８３０を貼り合わせる手段として、導電体８３１が分散している異方性導電体８３２がある。異方性導電体８３２は、素子形成層８０２における接続端子８３３が設けられた領域では、当該導電体８３１が各接続端子８３３の厚みにより圧着されるため、導通をとることができる。その他の領域では、当該導電体が十分な間隔を保っているため、導通することはない。異方性導電体の他に、導電性接着剤、紫外線硬化樹脂または両面テープ等を用いて貼り合わせてもよい。
【００９４】
また、アンテナ用基板８３０には、素子形成層８０２に対応する位置に導電体８３４が設けられ、溝８１５に対応する位置に開口部８３５が設けられている。なお、開口部８３５は各導電体８３４間に設けてもよいし、複数のアンテナ間に設けても良い。また、図１０では、開口部８３５は円形状となる場合を示したがこれに限定されず、例えばスリット状となるように開口部を形成してもよい。このように、溝８１５および開口部８３５の形状や配置は適宜設定することができる。
【００９５】
次に、開口部８３５へエッチング剤を導入し、剥離層８０１を除去する（図１１（Ａ））。ここでは、剥離層とエッチング剤を化学的に反応させて、剥離層８０１の除去を行う。なお、剥離層８０１は完全に除去してもよいが、ここでは剥離層８０１を完全には除去せずに、素子形成層８０２の下方に位置する剥離層を少なくとも一部分残す。剥離層８０１を一部でも残すことによって、剥離層８０１を除去した後も、素子形成層８０２が基板８００から完全に剥離されずばらばらになるのを防止することができる。
【００９６】
エッチング剤としては、剥離層８０１と反応しやすいフッ化ハロゲン（ハロゲン間化合物）を含む気体または液体を使用すると好ましい。例えば、剥離層８０１としてＷ膜を用いた場合には、Ｗとよく反応する三フッ化塩素ガス（ＣｌＦ３）を用いることが好ましい。また、エッチング剤としては、この他にもＣＦ４、ＳＦ６、ＮＦ３、Ｆ２等を用いてもよく、実施者が適宜選択すればよい。
【００９７】
次に、素子形成層８０２と貼り合わされたアンテナ用基板８３０の一方の面を第１のシート材８４１に接着させ、基板８００から素子形成層８０２を剥離する（図１１（Ｂ））。なお、ここでは、基板８００と素子形成層８０２は一部の剥離層８０１によって接続されているため、基板８００から素子形成層８０２を物理的に剥離する。
【００９８】
第１のシート材８４１は、少なくとも一方に粘着層を有する基板やフィルムを用いることができる。ここでは、一方の面に粘着剤が設けてある可撓性のフィルムを用いる。具体的には、ポリエステル等からなるフィルム上にアクリル樹脂等を含んだ粘着力が弱い粘着剤が設けてあるフィルムを用いる。
【００９９】
次に、基板８００から剥離された素子形成層８０２の面に第２のシート材８４２を接着させて、第１のシート材から素子形成層８０２およびアンテナ用基板８３０を剥離する（図１１（Ｃ））。続いて、第１のシート材から剥離されたアンテナ用基板８３０の面に第３のシート材８４３を接着させると共に、素子形成層８０２およびアンテナ用基板８３０を第２のシート材８４２と第３のシート材８４３により封止する（図１１（Ｄ））。
【０１００】
第２のシート材８４２および第３のシート材８４３としては、ラミネートフィルムを用いることができる。ここでは、ポリエステル等のフィルム上にホットメルトフィルムが形成されたものを利用することができる。また、第２のシート材８４２または第３のシート材８４３を素子形成層８０２およびアンテナ用基板８３０に接着させる際に、加圧処理または加熱処理の一方または両方を行うことによって、効率的に接着することができる。また、封止後にフィルムを通して素子形成層に水分等が入り込まないように、あらかじめ第２および第３のシート材に、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）の膜をコートしておくと好ましい。
【０１０１】
また、第２のシート材８４２、第３のシート材８４３として、静電気等を防止する帯電防止対策を施したフィルム（以下、帯電防止フィルムと記す）を用いることもできる。帯電防止フィルムとしては、帯電防止可能な材料を樹脂中に分散させたフィルム、及び帯電防止可能な材料が貼り付けられたフィルム等が挙げられる。帯電防止可能な材料が設けられたフィルムは、片面に帯電防止可能な材料を設けたフィルムであってもよいし、両面に帯電防止可能な材料を設けたフィルムであってもよい。さらに、片面に帯電防止可能な材料が設けられたフィルムは、帯電防止可能な材料が設けられた面をフィルムの内側になるように層に貼り付けてもよいし、フィルムの外側になるように貼り付けてもよい。なお、帯電防止可能な材料はフィルムの全面、あるいは一部に設けてあればよい。ここでの帯電防止可能な材料としては、金属、インジウムと錫の酸化物（ＩＴＯ）、両性界面活性剤や陽イオン性界面活性剤や非イオン性界面活性剤等の界面活性剤を用いることができる。また、他にも帯電防止材料として、側鎖にカルボキシル基および４級アンモニウム塩基をもつ架橋性共重合体高分子を含む樹脂材料等を用いることができる。これらの材料をフィルムに貼り付けたり、練り込んだり、塗布したりすることによって帯電防止フィルムとすることができる。帯電防止フィルムで封止を行うことによって、商品として取り扱う際に、外部からの静電気等によって半導体素子に悪影響が及ぶことを抑制することができる。
【０１０２】
その後、素子形成層８０２間にある第２のシート材８４２と第３のシート材８４３を選択的にダイシング、スクライビング、レーザカット法により切断する。そうすると、封止された半導体装置が完成する。
【０１０３】
なお、本実施の形態では、第１のシート材８４１は第２のシート材８４２および第３のシート材８４３より粘着力が弱いシート材を用いる。これは、基板８００から素子形成層８０２を剥離する際に、粘着力が強いシート材を用いると基板８００にシート材が接着した際に、基板８００を剥離するのが困難になるためである。そのため、本実施の形態では、素子形成層８０２を可撓性基板上に設けるために、２回の剥離工程を行っている。
【０１０４】
また、ガラス基板上に素子形成層８０２を形成した場合、シリコン基板から形成された場合と比較して母体基板形状に制約がない。そのため、生産性を高め、大量生産を行うことができる。また、上記プロセスにおいて、剥離された基板は再利用することができ、低コスト化を達成することができる。例えば、石英基板は平坦性に優れ、高耐熱性である等の利点を有しているが、原価が高いという問題があった。しかし、基板を再利用することによって、ガラス基板より原価の高い石英基板を用いた場合でも、低コスト化を達成することができる。
【０１０５】
なお、本実施の形態は、上記の実施の形態と自由に組み合わせることができる。
【０１０６】
（実施の形態６）
本実施の形態では、ラミネート装置を用いて基板上に設けられた半導体装置に剥離・封止を行う場合に関して図面を用いて説明する。ここでは、一例として、ガラス等の剛性を有する基板上に設けられた半導体装置を基板から剥離し、その後可撓性を有するフィルムで封止する場合に関して示す。その模式図を図１２を用いて説明する。なお、図１２（Ａ）は半導体装置の作製工程を示しており、図１２（Ｂ）は各工程における半導体装置を構成する模式図を示している。
【０１０７】
本実施の形態で示すラミネート装置は、素子形成層８０２およびアンテナ用基板８３０が設けられた基板８００を搬送する搬送手段８７０と、少なくとも一方の面に粘着層を有する第１のシート材８６１と、当該素子形成層８０２およびアンテナ用基板８３０を封止する第２のシート材８６２、第３のシート材８６３を有している。さらに基板８００から素子形成層８０２およびアンテナ用基板８３０を剥離する第１の剥離手段８７１、第１のシート材８６１から素子形成層８０２およびアンテナ用基板８３０を剥離する第２の剥離手段８７２、素子形成層８０２およびアンテナ用基板８３０を封止する封止手段８７３等の構成が設けられている。なお、これらの構成は全て設けてもよいし、いくつかの構成を組み合わせて設けてもよい。以下に全体の流れについて説明する。
【０１０８】
まず、搬送手段８７０によって基板８００上に設けられた素子形成層８０２が搬送される。搬送されてきた素子形成層８０２は、第１の剥離手段８７１の方向に流れていく。
【０１０９】
次に、ローラーを備えた第１の剥離手段８７１によって、アンテナ用基板８３０の表面に第１のシート材８６１を接着させ、基板８００から素子形成層８０２およびアンテナ用基板８３０を剥離する。その後、剥離された素子形成層８０２およびアンテナ用基板８３０は、第１のシート材８６１に接着されて第２の剥離手段８７２の方向に流れていく。
【０１１０】
次に、ローラーを備えた第２の剥離手段８７２によって、素子形成層８０２の表面に第２のシート材８６２を接着させ、第１のシート材８６１から素子形成層８０２およびアンテナ用基板８３０を剥離する。この際、加圧処理と加熱処理の一方または両方を行うと好ましい。その後、剥離された素子形成層８０２およびアンテナ用基板８３０は、第２のシート材８６２に接着されて封止手段８７３の方向に流れていく。
【０１１１】
続いて、封止手段８７３によって、アンテナ用基板８３０の表面に第３のシート材８６３を接着させて、素子形成層８０２およびアンテナ用基板８３０を第２のシート材８６２と第３のシート材８６３によって封止する。封止手段８７３では、第３のシート材８６３に、第２のシート材８６２に接着されて搬送されてきたアンテナ用基板８３０の表面を接着させて挟み込むと共に、加圧処理と加熱処理の一方または両方を行う。
【０１１２】
搬送手段８７０は、素子形成層８０２が設けられた基板８００を搬送するものであり、基板８００を搬送できるものならどのような構成でもよく、例えばベルトコンベア、複数のローラーまたはロボットアーム等を用いることができる。ロボットアームは、基板８００をそのまま搬送したり、基板８００が設けられたステージを搬送する。
【０１１３】
第１のシート材８６１は、可撓性のフィルムからなっており、少なくとも一方の面に粘着剤を有する面が設けてある。具体的には、ポリエステル等の基材として用いるベースフィルム上に粘着剤が設けてある。粘着剤としては、アクリル樹脂等を含んだ樹脂材料または合成ゴム材料からなる材料を用いることができる。また、第１のシート材８６１には粘着力が弱いフィルム（粘着力が、好ましくは０．０１Ｎ〜１．０Ｎ、より好ましくは０．０５Ｎ〜０．５Ｎ）を用いるのが好ましい。これは、基板上に設けられた素子形成層を第１のシート材い接着した後に、再度、第２のシート材に素子形成部を接着させるためである。接着剤の厚さは、１μｍ〜１００μｍ、好ましくは１μｍ〜３０μｍにすることができる。また、ベースフィルムとしては、ポリエステル等のフィルムを用いて１０μｍ〜１ｍｍで形成すると加工時に扱いやすくなるため好ましい。
【０１１４】
第２のシート材８６２と第３のシート材８６３は、可撓性のフィルムからなっており、例えばラミネートフィルムや繊維質な材料からなる紙などに相当する。ラミネートフィルムは、ラミネート処理に用いることができるフィルム全般を指し、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリエステル、ビニル、ポリフッ化ビニル、塩化ビニル、メタクリル酸メチル、ナイロン、ポリカーボネート等の材料からなり、その表面にエンボス加工等の加工処理が施されていてもよい。
【０１１５】
また、本実施の形態では、ホットメルト接着剤を用いて素子形成層の封止を行うのが好ましい。ホットメルト接着材は、水や溶剤を含まず、室温では固体で不揮発性の熱可塑性材料からなり、溶融状態で塗布し冷却することにより物と物を接着する化学物質である。また、接着時間が短く、無公害、安全で衛生的、省エネルギーであり、低コストであるといった利点を有する。
【０１１６】
ホットメルト接着剤は常温で固体であるため、あらかじめフィルム状、繊維状に加工したもの、またはポリエステル等のベースフィルム上にあらかじめ接着層を形成してフィルム状にしたものを用いることができる。ここでは、ポリエチレンテレフタレートからなるベースフィルム上にホットメルトフィルムを形成したシート材を用いる。ホットメルトフィルムは、ベースフィルムよりも軟化点の低い樹脂からなっており、加熱することによってホットメルトフィルムのみが溶融してゴム状になり接着し、冷却すると硬化する。また、ホットメルトフィルムとして、例えばエチレン・酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）系、ポリエステル系、ポリアミド系、熱可塑性エラストマー系、ポリオレフィン系等を主成分としたフィルムを用いることができる。また、封止後にシート材を通して素子形成層に水分等が入り込まないように、あらかじめ第２および第３のシート材に、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）等の膜をコートしておくと好ましい。
【０１１７】
図１２に示すように、ラミネート装置を用いて一連の工程を連続して行うことによって、効率的に剥離・封止の処理を行うことができる。
【０１１８】
なお、本実施の形態は、上記実施の形態と自由に組み合わせて行うことができる
【０１１９】
（実施の形態７）
本実施の形態では、上記実施の形態で示したアンテナを備えた半導体装置を無線チップとして用いた場合の一形態に関して図１３に示す。
【０１２０】
本実施の形態で示す無線チップは、素子形成層９２０、アンテナ９２１、基板９２２およびカバー材９２３を有しており、素子形成層９２０およびアンテナは基板９２２とカバー材９２３の間に挟まれて設けられており、アンテナ９２１は素子形成層９２０に電気的に接続されている（図１３（Ａ））。
【０１２１】
図１３（Ｂ）に、図１３（Ａ）に示した無線チップの、機能的な構成の一形態をブロック図で示す。
【０１２２】
図１３（Ｂ）において、素子形成層９２０は、復調回路９０９、変調回路９０４、整流回路９０５、マイクロプロセッサ９０６、メモリ９０７、負荷変調をアンテナ９２１に与えるためのスイッチ９０８を有している。また、アンテナ９２１は素子形成層９２０に電気的に接続されており、アンテナ９２１の両端子間に容量９０３が設けられている。なお、なおメモリ９０７は１つに限定されず、複数であっても良く、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＲＯＭまたはＦｅＲＡＭなどを用いることができる。
【０１２３】
リーダ／ライタから電波として送られてきた信号は、アンテナ９２１において電磁誘導により交流の電気信号に変換される。復調回路９０９では当該交流の電気信号を復調し、後段のマイクロプロセッサ９０６に送信する。また整流回路９０５では、交流の電気信号を用いて電源電圧を生成し、後段のマイクロプロセッサ９０６に供給する。マイクロプロセッサ９０６では、入力された信号に従って各種演算処理を行なう。メモリ９０７にはマイクロプロセッサ９０６において用いられるプログラム、データなどが記憶されている他、演算処理時の作業エリアとしても用いることができる。
【０１２４】
そしてマイクロプロセッサ９０６から変調回路９０４にデータが送られると、変調回路９０４はスイッチ９０８を制御し、該データに従ってアンテナ９２１に負荷変調を加えることができる。リーダ／ライタは、アンテナ９２１に加えられた負荷変調を電波で受け取ることで、結果的にマイクロプロセッサ９０６からのデータを読み取ることができる。
【０１２５】
なお、無線チップは、必ずしもマイクロプロセッサ９０６を有している必要はない。また信号の伝送方式は、図１３（Ｂ）に示したような電磁結合方式に限定されず、電磁誘導方式、マイクロ波方式やその他の伝送方式を用いても良い。また、無線チップは、素子形成層への電源電圧の供給を電源（バッテリ）を搭載せず電波により行うパッシブ型を用いてもよいし、素子形成層への電源電圧の供給をアンテナの代わりに電源（バッテリ）を搭載させて行うアクティブ型を用いてもよいし、電波と電源により電源電圧を供給してもよい。
【０１２６】
このように、無線チップは、非接触で通信を行う点、複数読取りが可能である点、データの書き込みが可能である点、様々な形状に加工可能である点、選択する周波数によっては、指向性が広く、認識範囲が広い点等の利点を有する。無線チップは、非接触による無線通信で人や物の個々の情報を識別可能なＩＣタグ、ラベル加工を施して目標物への貼り付けを可能としたラベル、イベントやアミューズメント向けのリストバンド等に適用することができる。また、無線チップを樹脂材料により成型加工してもよいし、無線通信を阻害する金属に直接固定してもよい。さらに、無線チップは、入退室管理システムや精算システムといった、システムの運用に活用することができる。
【０１２７】
次に、上述した無線チップを実際に使用するときの一形態について説明する。表示部３２１を含む携帯端末の側面には、リーダライタ３２０が設けられ、品物３２２の側面には無線チップ３２３が設けられる（図１４（Ａ））。品物３２２が含む無線チップ３２３にリーダライタ３２０をかざすと、表示部３２１に品物の原材料や原産地、生産工程ごとの検査結果や流通過程の履歴等、更に商品の説明等の商品に関する情報が表示される。また、商品３２６をベルトコンベアにより搬送する際に、リーダライタ３２４と、商品３２６に設けられた無線チップ３２５を用いて、該商品３２６の検品を行うことができる（図１４（Ｂ））。このように、システムに無線チップを活用することで、情報の取得を簡単に行うことができ、高機能化と高付加価値化を実現する。
【０１２８】
このようにアンテナを備えた半導体装置は、外部情報とのやり取りが可能であるため、無線メモリや無線プロセッサとして利用することができる。
【０１２９】
なお、本実施の形態は、上記実施の形態と自由に組み合わせて行うことができる
【０１３０】
（実施の形態８）
本実施の形態では、上記実施の形態で示したアンテナを備えた半導体装置を無線チップとして利用した場合の用途に関して説明する。無線チップは、例えば、紙幣、硬貨、有価証券、無記名債券類、証書類（運転免許証や住民票等、図１６（Ａ））、包装用容器類（包装紙やボトル等、図１６（Ｂ））、ＤＶＤソフトやＣＤやビデオテープ等の記録媒体（図１６（Ｃ））、車やバイクや自転車等の乗り物類（図１６（Ｄ））、鞄や眼鏡等の身の回り品（図１６（Ｅ））、食品類、衣類、生活用品類、電子機器等に設けて使用することができる。電子機器とは、液晶表示装置、ＥＬ表示装置、テレビジョン装置（単にテレビまたはテレビ受像器とも呼ぶ）および携帯電話機等を指す。
【０１３１】
なお、無線チップは、物品の表面に貼り付けたり、物品に埋め込んだりして物品に固定することができる。例えば、本なら紙に埋め込んだり、有機樹脂からなるパッケージなら当該有機樹脂に埋め込んだりするとよい。紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類等に無線チップを設けることにより、偽造を防止することができる。また、包装用容器類、記録媒体、身の回り品、食品類、衣類、生活用品類、電子機器等に無線チップを設けることにより、検品システムやレンタル店のシステムなどの効率化を図ることができる。また乗物類に無線チップを設けることにより、偽造や盗難を防止することができる。また、動物等の生き物に埋め込むことによって、個々の生き物の識別を容易に行うことができる。例えば、家畜等の生き物に無線タグを埋め込むことによって、生まれた年や性別または種類等を容易に識別することが可能となる。
【０１３２】
以上のように、本発明の半導体装置は物品（生き物を含む）であればどのようなものにでも設けて使用することができる。なお、本実施の形態は、上記実施の形態と自由に組み合わせて行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【０１３３】
【図１】本発明のアンテナの作製方法を示す図。
【図２】本発明のアンテナの構成を示す図。
【図３】本発明のアンテナの構成を示す図。
【図４】本発明のアンテナの作製方法を示す図。
【図５】本発明のアンテナの作製方法を示す図。
【図６】レーザ直接描画装置を用いたアンテナの作製方法。
【図７】液滴吐出法を用いたアンテナの作製方法。
【図８】素子形成層とアンテナとの貼り合わせを示す図。
【図９】本発明の半導体装置の作製方法を示す図。
【図１０】本発明の半導体装置の作製方法を示す図。
【図１１】本発明の半導体装置の作製方法を示す図。
【図１２】本発明の半導体装置の剥離・封止工程を示す図。
【図１３】半導体装置を無線チップとして利用した場合の構成図。
【図１４】本発明の半導体装置を実装した物品を示す図。
【図１５】従来の無線チップの構造を示す図。
【図１６】本発明の半導体装置を実装した物品を示す図。
【符号の説明】
【０１３４】
１００  ベースフィルム
１０１  型
１０２  凹部
１０３  導電体シート
１０４  導電体
１０５  突き出た部分
１０６  引っ込んだ部分
１０７  形成された部分
１２０  プレス手段
１２１  プレス部
１２２  刃部
１２３  刃部
１２４  導電体シート
１２５  導電体
【図１】
2006146890.tif 000003
【図２】
2006146890.tif 000004
【図３】
2006146890.tif 000005
【図４】
2006146890.tif 000006
【図５】
2006146890.tif 000007
【図６】
2006146890.tif 000008
【図７】
2006146890.tif 000009
【図１２】
2006146890.tif 000010
【図１３】
2006146890.tif 000011
【図１４】
2006146890.tif 000012
【図１５】
2006146890.tif 000013
【図１６】
2006146890.tif 000014
【図８】
2006146890.tif 000015
【図９】
2006146890.tif 000016
【図１０】
2006146890.tif 000017
【図１１】
2006146890.tif 000018