(57)【要約】【課題】  表面波の反射を効率よく正確に行ない、周波数変調を低減し、エネルギー損失を低減し、且つ、長期間にわたって安定した性能を持続する弾性表面波デバイスと、この弾性表面波デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】  弾性表面波デバイス１０は、圧電体層５０に設けられた略矩形の凹部５２と、凹部５２の底面５１に形成される櫛歯状の電極を有するＩＤＴ６０と、凹部５２の側壁の内側に形成される表面波を反射する音響反射壁７１Ａ，７１Ｂと、を備え、音響反射壁７１Ａ，７１Ｂの対向する２端面が、表面波の伝播方向に垂直に設けられ、これら音響反射壁の音響インピーダンスが、圧電体層５０の音響インピーダンスと異なるように構成される。【選択図】      図１
2006101092.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電体層に設けられた略矩形の凹部と、
前記凹部の底面に形成される櫛歯状の電極を有するＩＤＴと、
前記凹部の側壁の内側に形成される表面波を反射する反射層と、を備え、
前記反射層の対向する２端面が、表面波の伝播方向に垂直に設けられ、
前記反射層の音響インピーダンスが、前記圧電体層の音響インピーダンスと異なることを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載の弾性表面波デバイスにおいて、
前記圧電体層の音響インピーダンスと前記反射層の音響インピーダンスとの比が１．５以上で有ることを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の弾性表面波デバイスにおいて、
前記櫛歯状の電極と平行な前記反射層の対向する２端面それぞれと、
前記櫛歯状の電極の最外側端面との距離Ｌが、表面波の波長をλとするとき、
Ｌ＝ｎλ＋（１／２）λ（ｎは整数）であることを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の弾性表面波デバイスにおいて、
前記反射層の高さが、表面波の断面方向変位量よりも高く設定されていることを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の弾性表面波デバイスにおいて、
前記反射層が、前記ＩＤＴの上部に所定の空間を有して密閉する封止部位と一体で構成されていることを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載の弾性表面波デバイスの製造方法であって、
圧電体層の略矩形の凹部の底面にＩＤＴを形成する工程と、
前記凹部の側壁内面及び前記ＩＤＴの上方を覆う反射層を形成する工程と、
前記ＩＤＴと前記反射層との間に所定の空間を形成する工程と、
前記空間を密閉封止する工程と、
を備えることを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波デバイス及びこの弾性表面波デバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、対向する２端面を有する圧電基板と、この圧電基板上に形成されており、且つ電極が前記端面と平行な方向に延ばされた複数のＩＤＴとを備え、これら複数のＩＤＴが、圧電基板の前記端面と平行な方向に並設されており、対向する２端面間で表面波が反射されるように構成されており、且つ各ＩＤＴは、圧電基板の端面に沿う１対の最外側の電極と、１対の最外側の電極間に配置された電極とを有し、端面から、最外側の電極に隣接する電極までの距離をＤ、表面波の波長をλとしたときに、
λ／２≦Ｄ＜（λ／２）＋（５λ）／１６される弾性表面波デバイスが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開平１０―２６１９８３号公報（第４，５頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような特許文献１では、圧電基板の端面からＩＤＴの最外側の電極までの距離Ｄを前述した数式で表される値に正確に管理されなければならない。しかし、圧電基板の対向する２端面の加工と圧電基板上にＩＤＴを形成する加工とは別加工で行なわれるため、前述の数式で示される距離Ｄを正確に管理することが難しいという課題を有している。
【０００５】
また、圧電基板は、表面波を全反射させなければ反射層でエネルギー損失が発生することも知られており、全反射をさせるために平滑な鏡面に仕上げることが要求されるが、圧電基板の端面に、このような加工を施すことは困難であり、歩留まり低下をもたらすという課題もある。
【０００６】
本発明の目的は、表面波の反射を効率よく正確に行ない、周波数変調を低減し、エネルギー損失を低減し、且つ、長期間にわたって安定した性能を持続する弾性表面波デバイスと、この弾性表面波デバイスの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の弾性表面波デバイスは、圧電体層に設けられた略矩形の凹部と、前記凹部の底面に形成される櫛歯状の電極を有するＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ  Ｄｉｇｉｔａｔｅｄ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）と、前記凹部の側壁の内側に形成される表面波を反射する反射層と、を備え、前記反射層の対向する２端面が、表面波の伝播方向に垂直に設けられ、前記反射層の音響インピーダンスが、前記圧電体層の音響インピーダンスと異なることを特徴とする。
【０００８】
この発明によれば、反射層の対向する２端面が、表面波が伝播する方向に対して垂直に設けられているが、この反射層は、圧電体層に設けられた凹部の側壁に形成されるため、表面波を反射する壁となる。表面波は、この反射層の端面（壁）から反射されるために、表面波が圧電体層表面を伝播し、反射する過程で、エネルギー損失が低減されるので、減衰率も低減されるという効果を有する。
【０００９】
また、反射層の音響インピーダンスと圧電体層の音響インピーダンスとが異なるため、表面波は反射層と圧電体層との界面で全反射されるために、エネルギー損失が低減される。
【００１０】
また、前述の構造では、前記圧電体層の音響インピーダンスと前記反射層の音響インピーダンスとの比が１．５以上で有ることが好ましい。
ここで、音響インピーダンスは、圧電体層＞反射層でも、圧電体層＜反射層の関係であってもよく、音響インピーダンスの差が大きければよい。
【００１１】
それぞれの音響インピーダンスの比が、概ね１．５以上であれば全反射効率が高くなるため、より一層、エネルギー損失が低減される。なお、この音響インピーダンスの比は、１．５以上あれば、本発明の目的の一つを達成できるが、好ましくは音響インピーダンスの比は２前後にすればなおよい。
【００１２】
また、本発明では、前記櫛歯状の電極と平行な前記反射層の対向する２端面それぞれと、前記櫛歯状の電極の最外側端面との距離Ｌが、表面波の波長をλとするとき、
Ｌ＝ｎλ＋（１／２）λ（ｎは整数）であることを特徴とする。
【００１３】
このようにすれば、反射層の端面で全反射された表面波は、ＩＤＴから伝播される表面波の波形と一致するため、周波数変調（スプリアス）を低減することができ、正確な周波数を得ることができる。また、このことは、表面波伝播のエネルギー損失を著しく低減することができ、正確な周波数を長期間にわたって維持することができるうえ、クリスタルインピーダンスを高めることができ、高性能の弾性表面波デバイスを提供することができる。
【００１４】
また、反射層の端面と櫛歯状の電極端面との距離は、前記の数式で規定されているため、ｎの数値を小さくすることができるので、弾性表面波デバイスの小型をはかることができるという効果も有する。
【００１５】
また、前記反射層の高さが、表面波の断面方向変位量よりも高く設定されていることが好ましい。
【００１６】
このようにすれば、反射層の高さを少なくとも表面波の断面方向変位量よりも高く設定されていればよいので、弾性表面波デバイスの薄型化を可能にする。
【００１７】
また、前記反射層が、前記ＩＤＴの上部に所定の空間を有して密閉する封止部位と一体で構成されていることが好ましい。
【００１８】
この構造によれば、反射層は、圧電体層に設けられる凹部の側壁の内側に形成される表面波を反射するための部位と、ＩＤＴ上部の空間を密閉する部位とが一体で形成されているため、別体の封止部材を必要とせず簡単な構造の弾性表面波デバイスを提供することができる。
また、ＩＤＴが外部の環境と隔離されるために、精密な管理が要求されるＩＤＴに外部の塵埃や湿気が付着することが防止でき、長期間にわたって所定の性能を維持し続けることができる。
【００１９】
本発明の弾性表面波デバイスの製造方法は、圧電体層の略矩形の凹部の底面にＩＤＴを形成する工程と、前記凹部の側壁内面及び前記ＩＤＴ上方を覆う反射層を形成する工程と、前記ＩＤＴと前記反射層との間に所定の空間を形成する工程と、前記空間を密閉封止する工程と、を備えることを特徴とする。
ここで、前記空間を密閉封止する工程としては、例えば、反射層と空間を密閉封止する部位とを一体で形成する工程の他、空間を密閉封止する部材を別に設けて密閉封止工程を行なう方法とが含まれる。
【００２０】
このような製造方法によれば、ＩＤＴを形成する工程〜所定の空間を形成する工程までが、例えば、半導体製造プロセスで一貫した工程で製造流動することができるため、ＩＤＴ及び、ＩＤＴと反射層との相対位置も精度よく製造することができ、高性能な弾性表面波デバイスを提供できると共に、歩留まりの向上を可能にし、結果としてコスト低減をはかることができる。
また、表面波の反射層と、ＩＤＴを封止する部位とが一体で形成する工程を採用すれば、製造時間の短縮も可能となり、一層、コストの低減をすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図１〜図４．２は本発明の実施形態１に係る弾性表面波デバイス及び製造方法が示され、図５には、実施形態２に係る弾性表面波デバイスの製造方法が示されている。
（実施形態１）
【００２２】
図１〜図４．２は実施形態１に係る弾性表面波デバイスと、弾性表面波デバイスの製造方法の一実施形態が示されている。
図１は、本実施形態１に係る弾性表面波デバイスの構造を示す断面図である。図１において、この弾性表面波デバイス１０は、基本構成として、圧電材料から成る圧電体層５０と、圧電体層５０の表面に形成されるＩＤＴ６０とから構成されている。圧電体層５０は、シリコン（Ｓｉ）基板２０の表面に積層形成される絶縁層４３の表面に形成される。
【００２３】
これらの構成を図１を参照して詳しく説明する。シリコン基板２０の表面には、ＩＤＴを平面的に取り囲むようにアルミ配線３１が形成される。このアルミ配線３１の上面には、絶縁層４１がアルミ配線３１の上面とアルミ配線が存在しないシリコン基板２０の表面とにわたって積層形成されている。同様にして、アルミ配線３２、絶縁層４２、さらにアルミ配線３３、絶縁層４３が交互に積層形成されている。
なお、絶縁層４１，４２，４３は、本実施形態１においては酸化シリコン（ＳｉＯ2）で形成される。
【００２４】
この際、絶縁層４１，４２，４３（以降、これらの絶縁層を総称して絶縁層４０と表すことがある。）は同じ平面上に積層形成され、絶縁層４０は、これらアルミ配線及びアルミ配線がない部分ともに同じ厚みで形成されている。従って、アルミ配線が形成されている部分は、アルミ配線が無い部分に比べてアルミ配線３層分だけ厚く形成される。この最上部の絶縁層４３の表面に圧電体層５０が形成されている。圧電体層５０は、絶縁層４３の表面に均一の厚みで形成されているので、絶縁層４３の表面形状に倣って形成されている。
なお、圧電体層５０は、本実施形態１では、酸化亜鉛（ＺｎＯ）で形成されている。
【００２５】
このようにしてシリコン基板２０上に形成されるアルミ配線３１，３２，３３（以降、これらのアルミ配線を総称してアルミ配線層３０と表すことがある）、絶縁層４０、圧電体層５０が積層されることによって、最上部の圧電体層５０の表面には、凹部５２が形成される。この凹部５２の底面５１にＩＤＴ６０が形成されている。また、ＩＤＴ６０の上部には、空間８０が設けられ、ＩＤＴ６０を取り囲んで表面波を反射する反射層としての音響反射層７０が形成されている。空間８０は、密閉空間である。この音響反射層７０には、凹部５２の側壁の内側に、表面波を反射するための音響反射壁７１Ａ，７１Ｂが対向して形成されている。音響反射層７０は、モリブデン（ＭＯ）、金（Ａｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、酸化シリコン（ＳｉＯ2）、アルミニウム（Ａｌ）等を採用することができ、圧電体層５０の材質に対応して選択される。
ＩＤＴ６０の構成と、音響反射層７０の構成について、図２を参照して更に詳しく説明する。
【００２６】
図２は、本実施形態１の弾性表面波デバイス１０のＩＤＴ６０周辺の構成を示す部分平面図である。なお、図２で示す弾性表面波デバイスは弾性表面波フィルタ（ＳＡＷフィルタ：Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ）を例示している。図２において、ＩＤＴ６０は、入力側電極６１と出力側電極６２とから構成され、それぞれ櫛歯型電極で構成され、略矩形の凹部５２の底面５１に形成されている。入力側電極６１と出力側電極６２とは、図２では同じ構成を例示しているので、入力側電極６１について説明し、出力側電極６２の説明は省略する。入力側電極６１は、入力電極６１ＡとＧＮＤ電極６１Ｂとから構成され、図２で示すように、相互に間挿し合うように形成されている。
【００２７】
ここで、対向する音響反射壁７１Ａ，７１Ｂは、表面波の伝播方向（図中、矢印Ａ方向）に垂直、すなわち、入力側電極６１と出力側電極６２とのそれぞれ端部の電極と平行に形成され、距離Ｌを有している。また、音響反射壁７１Ａ，７１Ｂの端面は、平滑に形成されている。他方の音響反射壁７２Ａ，７２Ｂは、必ずしも音響反射壁７１Ａ，７１Ｂと直角に形成される必要はなく、また、その表面は平滑でない方が好ましい。これは、詳しくは後述するが、音響反射壁７１Ａ，７１Ｂは、表面波を全反射させることが重要で、音響反射壁７２Ａ，７２Ｂは、わずかに発生する表面波の伝播（図中、矢印Ｂで示される）を吸収もしくは乱反射することが好ましいためである。
【００２８】
次に、本発明の弾性表面波デバイスの駆動と音響反射壁との関係について説明する。
図３は、本発明の弾性表面波デバイス１０の表面波の波長と、ＩＤＴと音響反射壁との距離の関係を模式的に示す説明図である。なお、入力側電極６１と出力側電極６２との関係は同じであるため（図１，２、参照）、図３では、入力電極側６１と音響反射壁７１Ｂとの関係を例示して説明する。図３において、圧電体層５０の表面（凹部の底面５１）には、ＩＤＴ６０の入力側電極６１が形成されている。入力側電極６１は、図２でも示しているように、入力電極６１ＡとＧＮＤ電極６１Ｂとが交互に間挿されている。
【００２９】
入力電極６１ＡとＧＮＤ電極６１Ｂとのピッチ（中心間距離）は表面波の波長λに対して（１／２）λであり、従って、入力電極６１Ａのピッチはλとなるように設定されている。ここで、入力電極６１Ａ及びＧＮＤ電極６１Ｂとに交流電圧を印加すると圧電体層５０の表面５１が図で示すように振動して、表面波がＡ方向に伝播する。櫛歯状の入力電極６１Ａの最外側端面と音響反射壁７１Ｂとの距離Ｌは、図３で示すように、
Ｌ＝（１／４）λ＋２λ＋（１／４）λ、即ち、Ｌ＝２λ＋（１／２）λである。
【００３０】
表面波は、接続される２種の材料の界面の音響インピーダンスの差が大きい時にその界面で全反射されることが知られている。本発明では、圧電体層の材料が酸化亜鉛（ＺｎＯ）であり、酸化亜鉛の音響インピーダンスは３０Ｍ（ｋｇ／ｍ2・ｓｅｃ）であり、前述した音響反射層７０で採用可能な材質、モリブデン、金、亜鉛の音響インピーダンスが６０Ｍ（ｋｇ／ｍ2・ｓｅｃ）、酸化シリコンが１６Ｍ（ｋｇ／ｍ2・ｓｅｃ）、アルミニウムが１７．３Ｍ（ｋｇ／ｍ2・ｓｅｃ）であるために、音響反射層７０と圧電体層５０との音響インピーダンスの差が著しく大きいため、表面波は、矢印Ａ方向に伝播した後、音響反射壁７１Ｂで全反射される。
【００３１】
なお、音響インピーダンスは、圧電体層＞音響反射層の関係でも、圧電体層＜音響反射層の関係であっても、その差が大きければよく、この差は、圧電体層と音響反射層との音響インピーダンスの比が概ね１．５以上あればよく、好ましくは２程度であればなおよい。
【００３２】
また、音響反射壁の７１Ｂの高さは表面波の変位量（図３、Ｈで示す）以上あればよい。実施形態１では、前述したように（図１、参照）、音響反射層７０は、ＩＤＴ６０の封止部材を兼ねるために、ＩＤＴ６０に接触しない範囲の高さに設定されている。
従って、アルミ配線層３０は、本実施形態１においては、３層形成した例をあげているが、３層に限らず、前述した音響反射壁７１Ａ，７１Ｂの所望の高さにするために一層でも、さらに多層にしてもよく任意に選択することができる。
さらに、アルミ配線３１，３２，３３は、凹部５２を形成するためだけの独立した配線層としても、図示しない他の回路素子との接続を行うための配線パターンとして使用することも可能である。
【００３３】
図３において、表面波は、矢印Ａ方向に伝播し、音響反射壁７１Ｂで全反射される。このとき、表面波の波形１００は、ＩＤＴの入力電極６１Ａ端部から、（１／４）λ、λ、λ、（１／４）λというように連続しているので、全反射された表面波は、図示した波形１００と重なる。このような波形は、周波数変調（スプリアス）を抑制することができる。
なお、距離Ｌは、この実施形態１（図３、参照）では、（１／４）λ＋２λ＋（１／４）λの関係を示しているが、この距離に限定されるものではなく、（１／４）λ＋ｎλ＋（１／４）λ（ｎは整数）の関係であれば、本発明の目的を達成できる。
【００３４】
また、圧電体層５０の材料としては、酸化亜鉛（ＺｎＯ）に限らず、水晶、リチウム化合物（例えば、四硼酸リチウム、タンタル酸リチウム、あるいはニオブ酸リチウム等）等を採用することができるが、このような材質を採用する場合においても、前述した音響反射層７０の材質を音響インピーダンスの差が著しい（音響インピーダンスの比が１．５程度以上）材質を採用すれば、本発明の目的を達成することができる。
【００３５】
続いて、本発明の実施形態１に係る弾性表面波デバイスの製造方法について説明する。
図４．１及び図４．２は実施形態１に係る弾性表面波デバイスの製造方法を示す断面図である。図４．１及び図４．２では、本発明の特徴である音響反射層７０の形成の工程について説明し、その工程以前の工程は、説明及び図を省略している。図１も参照して説明する。図４．１（ａ）において、圧電体層５０に形成された凹部５２の底面５１には、入力側電極６１と出力側電極６２とから構成されるＩＤＴ６０が形成されている。このＩＤＴ６０は、本実施形態１ではアルミ（Ａｌ）電極である。
【００３６】
凹部５２は、前述したように、シリコン基板２０上にアルミ配線層３０、絶縁層４０を積層することによって形成され、ＩＤＴ６０は、フォトリソグラフィによって凹部５２の底面５１に形成されている。
【００３７】
次に、レジスト充填工程を行なう。図４．１（ｂ）で示すように、凹部５２内にレジスト５５が充填される。レジスト５５の上面と圧電体層５０の上面５３とは同一平面になるようにレジストを充填する。
【００３８】
次に、マスク形成工程を示す。図４．１（ｃ）に示すように、レジスト５５の上面にマスク５６を形成する。マスク５６は、ステンレス鋼の薄板もしくはマスクレジストでもよい。このマスク５６がマスキングする範囲は、前述した音響反射壁７１Ａ，７１Ｂ（７２Ａ，７２Ｂも含む）を形成するための範囲である。続いて露光を行なう（図中、矢印で示す）。
【００３９】
続いて、図４．１（ｄ）で示すように、レジスト５５をエッチングにより不用部分を除去する。この際、マスク５６も除去する。ＩＤＴ６０の端部の電極と残されたレジスト５５の端部との距離はＬ（図２、参照）である。
【００４０】
次に、音響反射層７０を形成する。図４．１（ｅ）は、音響反射層７０が形成された状態を示している。音響反射層７０は、残されたレジスト５５及び凹部５２及び圧電体層５０の上面５３にわたって積層形成される。音響反射層７０の形成方法としては、スパッタリング、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、レーザアブレーション等の方法を採用することができる。凹部５２の側壁内面に音響反射壁とレジスト５５の上部に封止部位とが形成される。
【００４１】
続いて、形成された音響反射層７０にレジスト５５に達するまでの孔７５を複数穿設する。図４．２（ｆ）には、この孔７５が穿設された状態が示されている。
【００４２】
次に、この孔７５からエッチング液を注入し、内部のレジスト５５を溶解し、更に、この孔７５から溶解されたレジストを吸引除去する。図４．２（ｇ）には、レジスト５５が除去された状態が示されている。レジスト５５が除去されたＩＤＴ６０の周囲には、空間８０と、空間８０の側壁に音響反射壁７１Ａ，７１Ｂと、空間８０を密閉封止するＩＤＴ６０上方の封止部位と、が形成される。７２Ａ，７２Ｂは省略している。この状態では、空間８０と外部とは、孔７５で連通している。
こうして音響反射壁７１Ａ，７１Ｂが形成され、これら音響反射壁とＩＤＴ６０の最外側の電極端部との距離Ｌが正確に形成される。
【００４３】
次に、この孔７５を封止する。図４．２（ｈ）に空間８０が封止された状態を示す。図４．２（ｈ）において、孔７５は、エポキシ系接着剤等で封止される。この封止工程は、窒素ガス雰囲気中で行なわれるため、空間８０は、窒素ガスが充填された状態である。
なお、空間８０は窒素ガスを充填する他に、真空状態にしても、あるいは、湿気を除去した空気であってもよいが、外部の湿気や塵埃が空間内に侵入し、ＩＤＴ６０に付着することを防止する雰囲気にすることが望まれる。
【００４４】
以上、説明した弾性表面波デバイス１０の製造方法のうち、図４．１（ａ）で示す工程から音響反射壁７１Ａ，７１Ｂが形成される図４．２（ｆ）で示す工程は、周知の半導体製造プロセスのフォトリソグラフィ等で行なわれるため、それぞれの構成部位の相対位置精度が高く、また、表面も平滑に仕上げることができる。
【００４５】
従って、前述した実施形態１によれば、反射層の対向する音響反射壁７１Ａ、７１Ｂが、表面波が伝播する方向に対して垂直に設けられているので、表面波は、この音響反射壁７１Ａ、７１Ｂから反射されるために、表面波が圧電体層表面（底面５１）を伝播し、反射する過程で、エネルギー損失が低減されるので、減衰率も低減されるという効果を有する。
さらに、音響反射層７０と圧電体層５０の音響インピーダンスの比が、概ね１．５以上であるため、表面波の全反射効率が高くなり、より一層、エネルギー損失が低減される。
【００４６】
また、ＩＤＴ６０の両端の電極の最外側端部と音響反射壁７１Ａ及び７１Ｂの２端面それぞれとの距離Ｌが、表面波の波長をλとするとき、Ｌ＝ｎλ＋（１／２）λ（ｎは整数）に設定されているため、音響反射壁の端面で全反射された表面波は、ＩＤＴ６０から伝播される表面波の波形と一致するため、周波数変調（スプリアス）を低減することができ、正確な周波数を得ることができる。また、このことは、表面波伝播のエネルギー損失を著しく低減することができ、正確な周波数を長期間にわたって維持することができるうえ、クリスタルインピーダンスを高めることができ、高性能の弾性表面波デバイスを提供することができる。
【００４７】
また、反射層の端面と櫛歯状の電極端面との距離は、前記の数式で規定されているため、ｎの数値を小さくすることができるので、弾性表面波デバイスの小型をはかることができるという効果も有する。
【００４８】
また、音響反射壁７１Ａ，７１Ｂの高さは、少なくとも表面波の断面方向変位量よりも高く設定されていればよいので、弾性表面波デバイスの薄型化を可能にする。
【００４９】
また、実施形態１の構造によれば、音響反射層７０は、圧電体層５０に設けられる凹部５２の側壁の内側に形成される表面波を反射するための音響反射壁７１Ａ，７１Ｂと、ＩＤＴ６０上部の空間８０を密閉する部位とが一体で形成されるため、簡単な構造の弾性表面波デバイスを提供することができる。
また、ＩＤＴが外部の環境と隔離されるために、精密な管理が要求されるＩＤＴに外部の塵埃や湿気が付着することが防止でき、長期間にわたって所定の性能を維持し続けることができる。
【００５０】
さらに、前述した実施形態１による製造方法によれば、ＩＤＴ６０を形成する工程（図４．１（ａ）で示す）から所定の空間を形成する工程（図４．１（ｆ）で示す）までが、半導体製造プロセスで一貫した工程で製造流動することができるため、ＩＤＴ６０及び、ＩＤＴ６０と音響反射壁７１Ａ，７１Ｂとの相対位置も精度よく製造することができ、高性能な弾性表面波デバイスを提供できると共に、歩留まりの向上を可能にし、結果としてコスト低減をはかることができる。
また、音響反射層７０と、ＩＤＴ６０を封止する部位とが一体で形成することができるので、製造時間の短縮も可能となり、一層、コストの低減をすることができる。
（実施形態２）
【００５１】
続いて、本発明の実施形態２に係る弾性表面波デバイスの製造方法について図面に基づき説明する。
図５には、実施形態２に係る弾性表面波デバイスの製造方法が示されている。本実施形態２では、弾性表面波デバイスの製造方法のうち、マスク５６形成工程（図４．１（ｃ））までは前述した実施形態１の製造方法と共通工程であるため、共通工程の説明を省略し、実施形態２の特徴を示す工程のみを図示し説明する。なお、共通機能部位には同じ符号を附与して説明する。
【００５２】
まず、図４．１（ｃ）に示したように、レジスト５５の上面にマスク５６を形成する。マスク５６は、ステンレス鋼の薄板等で形成されている。マスキングする範囲は、前述した音響反射壁を形成するための範囲である。続いて露光を行ない、図５（ａ）で示すように、レジスト５５をエッチングによりマスク５６の範囲以外の不用部分を除去する。この際、ＩＤＴ６０の端部の電極と残されたレジストの端部との距離はＬ（図２、参照）である。
【００５３】
次に、音響反射層７０を形成する。図５（ｂ）には、音響反射層７０形成工程が示されている。音響反射層７０は、マスク５６を含めて、圧電体層５０の表面にわたって均一の厚みで形成される。音響反射層７０の形成方法は、前述した実施形態１と同様にスパッタリング、ＣＶＤ、レーザアブレーション等の方法を採用することができる。
【００５４】
続いて、マスク５６の除去を行なう。図５（ｃ）には、マスク５６を除去した状態が示されている。マスク５６は、マスク上面に形成されている音響反射層７０と共に引き剥がして除去する。従って、マスク５６とマスク上面にあった音響反射層７０が除去され、レジスト５５が残された状態となる。この際、音響反射層７０が除去される部位は、必ずしも均一の状態とはならないが、管理すべき音響反射壁７１Ａ，７１Ｂはレジスト５５で規制されている。
【００５５】
次に、レジスト５５を除去する。図５（ｄ）には、レジスト５５が除去された状態を示されている。このようにしてレジスト５５が除去され、音響反射壁７１Ａ，７１Ｂが形成される。これらの音響反射壁７１Ａ，７１Ｂの形状は、実施形態１で説明した形状と同じである。
【００５６】
続いて、ＩＤＴ６０の上面空間を封止部材９５で封止する。図５（ｅ）には、ＩＤＴ６０が封止された状態が示されている。封止部材９５は、音響反射層７０の表面に接着等の固着手段によって固着され、空間８０を形成しつつ、この空間を密閉封止する。封止部材９５には、金属薄板、セラミックス、ガラス、合成樹脂等の材質を使用することができるが、金属薄板を採用する場合には、音響反射層７０の表面に絶縁層が形成されることが好ましい。このようにして、弾性表面波デバイス１０を製造することができる。
【００５７】
なお、前述した実施形態２では、マスク除去とマスク上面の音響反射層とを同時に除去しているが、まず、マスク上面の音響反射層エッチング等で除去し、続いて、マスクを除去する製造方法を選択することもできる。
従って、前述した実施形態２による弾性表面波デバイス１０の製造方法によれば、マスク５６上部を含めて音響反射層７０を形成した後、マスク５６と共に、マスク上面の音響反射層７０を除去しているために、製造工程を短縮することができる。
【００５８】
また、ＩＤＴ６０上部の空間８０を密閉封止する封止部材９５を備えているために、封止部材の形状、材質等、所望の選択が可能となり、設計の自由度を増すという効果がある。
【００５９】
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
例えば、前述の実施形態１，２では、本発明の弾性表面波デバイス１０は、シリコン基板２０上にアルミ配線層３０及び絶縁層４０、圧電体層５０、ＩＤＴ６０を順次積層して形成されているが、機能回路素子を含む半導体装置上に、順次、アルミ配線層３０及び絶縁層４０、圧電体層５０、ＩＤＴ６０を積層して形成することができる。
【００６０】
このようにすれば、駆動回路または検出回路等が含まれた弾性表面波デバイスを提供することができ、小型化することができ、電子機器等に搭載する際に、スペースを小さくすることができる他、レイアウトの自由度が増すという効果がある。
【００６１】
また、前述の実施形態１，２では、弾性表面波デバイスとして弾性表面波フィルタＳＡＷを例示して説明したが、ＳＡＷ共振子等も同様な構造で実現することができる。
【００６２】
従って、前述の実施形態１，２によれば、表面波の反射を効率よく正確に行ない、周波数変調を低減し、エネルギー損失を低減し、且つ、長期間にわたって安定した性能を持続する弾性表面波デバイスと、この弾性表面波デバイスの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明の本実施形態１に係る弾性表面波デバイスの構造を示す断面図。
【図２】本発明の本実施形態１に係る弾性表面波デバイスの構成を示す部分平面図。
【図３】本発明の本実施形態１に係る表面波の波長と、ＩＤＴと音響反射壁との距離の関係を模式的に示す説明図。
【図４．１】本発明の実施形態１に係る弾性表面波デバイスの製造方法を示す断面図。
【図４．２】本発明の実施形態１に係る弾性表面波デバイスの製造方法を示す断面図。
【図５】本発明の実施形２に係る弾性表面波デバイスの製造方法を示す断面図。
【符号の説明】
【００６４】
１０…弾性表面波デバイス、５０…圧電体層、５１…凹部の底面、５２…凹部、６０…ＩＤＴ、７０…音響反射層、７１Ａ，７１Ｂ…音響反射壁。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４．１】
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【図４．２】
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【図５】
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