(57)【要約】【課題】  ワイヤーボンディング用電極を有するチップ抵抗器であって、ワイヤーボンディング用電極の形成に際して作業性が良好であり、かつ、ワイヤーボンディング用電極の接合性が良好で、さらには、製造コストを低減することができるチップ抵抗器を提供する。【解決手段】  チップ抵抗器Ａは、絶縁基板１０と、抵抗体２０と、上面電極３０と、保護膜４０と、補助電極（ワイヤーボンディング用電極）５０と、下面電極６０とを有している。この補助電極５０は、金とガラスとを含む材料により形成され、具体的には、金系メタルグレーズ厚膜により形成されている。補助電極５０におけるガラス成分の含有割合は重量比で２〜１５％である。なお、補助電極５０を保護膜４０の上面にまで乗り上げた状態としてもよく、また、補助電極５０を省略して、上面電極３０を補助電極５０と同様の材質で構成し、上面電極３０をワイヤーボンディング用電極として機能させてもよい。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ抵抗器であって、
絶縁基板と、
抵抗体と、
該抵抗体と電気的に接続されたワイヤーボンディング用電極で、金とガラスとを含む材料により形成されたワイヤーボンディング用電極と、
を有することを特徴とするチップ抵抗器。
【請求項２】
チップ抵抗器であって、
絶縁基板と、
抵抗体と、
該抵抗体の端部に接続して形成された上面電極と、
該上面電極の上面に形成されたワイヤーボンディング用電極で、金とガラスとを含む材料により形成されたワイヤーボンディング用電極と、
を有することを特徴とするチップ抵抗器。
【請求項３】
チップ抵抗器であって、
絶縁基板と、
抵抗体と、
該抵抗体の端部に接続して形成された上面電極と、
該抵抗体を保護するための保護膜と、
該上面電極の上面に形成されるとともに、該保護膜の上面の一部にまで形成されたワイヤーボンディング用電極で、金とガラスとを含む材料により形成されたワイヤーボンディング用電極と、
を有することを特徴とするチップ抵抗器。
【請求項４】
上記ワイヤーボンディング用電極の上面が、上記保護膜の上面よりも高く形成されていることを特徴とする請求項３に記載のチップ抵抗器。
【請求項５】
上記上面電極は、金系厚膜又は銀系厚膜により形成されていることを特徴とする請求項２又は３又は４に記載のチップ抵抗器。
【請求項６】
上記ワイヤーボンディング用電極は、金系メタルグレーズ厚膜により形成されていることを特徴とする請求項１又は２又は３又は４又は５に記載のチップ抵抗器。
【請求項７】
ワイヤーボンディング用電極におけるガラスの含有量は、重量比で２〜１５％であることを特徴とする請求項１又は２又は３又は４又は５又は６に記載のチップ抵抗器。
【請求項８】
上記ワイヤーボンディング用電極は、上記金とガラスとを含む材料からなるペーストを印刷した後に乾燥し、その後焼成したものであることを特徴とする請求項１又は２又は３又は４又は５又は６又は７に記載のチップ抵抗器。
【請求項９】
上記絶縁基板の下面には、金系厚膜又は銀系厚膜により形成された下面電極が形成されていることを特徴とする請求項１又は２又は３又は４又は５又は６又は７又は８に記載のチップ抵抗器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップ抵抗器に関するものであり、特に、ワイヤーボンディング用電極を有するチップ抵抗器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ワイヤーボンディング用電極を有するチップ部品において、ワイヤーボンディング用電極をニッケルメッキにより形成したものや、金により形成したものがある。例えば、ニッケルメッキによりワイヤーボンディング用電極を形成したものとしては、特許文献１に記載のチップ電子部品があり、また、金によりボンディング面を形成したものとしては、特許文献２に記載の抵抗素子が存在する。
【特許文献１】特開平９−１６２００２号
【特許文献２】特開平１１−２５１１０２号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、上記特許文献１に記載のチップ電子部品においては、ニッケルメッキによりワイヤーボンディング用電極を形成するが、メッキ作業はそれ自体時間を要するので、作業性が悪いという問題がある。
【０００４】
また、上記特許文献２に記載の抵抗素子においては、金によりボンディング面を形成するが、金それ自体は絶縁基板との接合性が良好ではないので、特許文献２の場合には、金から成るボンディング面が基板としてのセラミックプレートから剥離するという問題を有している。また、仮に金により形成されたボンディング面を金メッキにより形成する場合には、金メッキに際しては、毒物（シアン化カリウムや三酸化砒素）を使用するため排水処理や工程管理にコストが掛かるという問題がある。
【０００５】
そこで、本発明は、ワイヤーボンディング用電極を有するチップ抵抗器であって、ワイヤーボンディング用電極の形成に際して作業性が良好であり、かつ、ワイヤーボンディング用電極の接合性が良好で、さらには、製造コストを低減することができるチップ抵抗器を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は上記問題点を解決するために創作されたものであって、第１には、チップ抵抗器であって、絶縁基板と、抵抗体と、該抵抗体と電気的に接続されたワイヤーボンディング用電極で、金とガラスとを含む材料により形成されたワイヤーボンディング用電極と、を有することを特徴とする。
【０００７】
上記第１の構成のチップ抵抗器においては、ワイヤーボンディング用電極が、金とガラスとを含む材料により形成されているので、メッキ作業が必要なく、ワイヤーボンディング用電極の形成に際して作業性を良好とすることができる。金メッキも用いないので、製造コストが掛かることもない。また、形成されたワイヤーボンディング用電極においては、ガラスが含まれているので、他の部材、例えば、絶縁基板との接合性が良好である。なお、この第１の構成において、ワイヤーボンディング用電極は、絶縁基板の上面に形成されているものとしてもよい。
【０００８】
また、第２には、チップ抵抗器であって、絶縁基板と、抵抗体と、該抵抗体の端部に接続して形成された上面電極と、該上面電極の上面に形成されたワイヤーボンディング用電極で、金とガラスとを含む材料により形成されたワイヤーボンディング用電極と、を有することを特徴とする。
【０００９】
上記第２の構成のチップ抵抗器においては、ワイヤーボンディング用電極が、金とガラスとを含む材料により形成されているので、メッキ作業が必要なく、ワイヤーボンディング用電極の形成に際して作業性を良好とすることができる。金メッキも用いないので、製造コストが掛かることもない。また、形成されたワイヤーボンディング用電極においては、ガラスが含まれているので、他の部材、例えば、上面電極との接合性が良好である。
【００１０】
また、第３には、チップ抵抗器であって、絶縁基板と、抵抗体と、該抵抗体の端部に接続して形成された上面電極と、該抵抗体を保護するための保護膜と、該上面電極の上面に形成されるとともに、該保護膜の上面の一部にまで形成されたワイヤーボンディング用電極で、金とガラスとを含む材料により形成されたワイヤーボンディング用電極と、を有することを特徴とする。
【００１１】
上記第３の構成のチップ抵抗器においては、ワイヤーボンディング用電極が、金とガラスとを含む材料により形成されているので、メッキ作業が必要なく、ワイヤーボンディング用電極の形成に際して作業性を良好とすることができる。金メッキも用いないので、製造コストが掛かることもない。また、形成されたワイヤーボンディング用電極においては、ガラスが含まれているので、他の部材、例えば、上面電極や保護膜との接合性が良好である。さらに、ワイヤーボンディング用電極は、保護膜の上面の一部にまで伸びて形成されているので、ワイヤーボンディング用電極の面積を大きく確保でき、ワイヤーボンディングの作業を容易に行なうことができる。
【００１２】
また、第４には、上記第３の構成において、上記ワイヤーボンディング用電極の上面が、上記保護膜の上面よりも高く形成されていることを特徴とする。よって、ボンディングに際して保護膜が邪魔になることがなく、よりワイヤーボンディングの作業を容易に行うことができる。
【００１３】
なお、上記第１から第４の構成において、ワイヤーボンディング用電極の上面が平面状に形成されているものとするのが好ましい。
【００１４】
また、第５には、上記第２から第４までのいずれかの構成において、上記上面電極は、金系厚膜又は銀系厚膜により形成されていることを特徴とする。
【００１５】
また、第６には、上記第１から第５までのいずれかの構成において、上記ワイヤーボンディング用電極は、金系メタルグレーズ厚膜により形成されていることを特徴とする。よって、メッキ作業が必要なく、ワイヤーボンディング用電極の形成に際して作業性を良好とすることができる。また、金メッキも用いないので、製造コストが掛かることもない。また、金系メタルグレーズ厚膜には、ガラスが含まれているので、他の部材、例えば、絶縁基板や上面電極との接合性が良好である。
【００１６】
また、第７には、上記第１から第６までのいずれかの構成において、ワイヤーボンディング用電極におけるガラスの含有量は、重量比で２〜１５％であることを特徴とする。このようにガラスの含有量が重量比で２〜１５％となっているので、他の部材との接合を良好としつつ、電極としても良好に機能させることができる。
【００１７】
また、第８には、上記第１から第７までのいずれかの構成において、上記ワイヤーボンディング用電極は、上記金とガラスとを含む材料からなるペーストを印刷した後に乾燥し、その後焼成したものであることを特徴とする。
【００１８】
また、第９には、上記第１から第８までのいずれかの構成において、上記絶縁基板の下面には、金系厚膜又は銀系厚膜により形成された下面電極が形成されていることを特徴とする。このように下面電極が設けられていることにより、この下面電極を介して配線基板にチップ抵抗器を固定することができる。
【００１９】
また、本発明をチップ抵抗器の製造方法としてもよい。すなわち、第１０には、ワイヤーボンディング用電極を有するチップ抵抗器の製造方法であって、該ワイヤーボンディング用電極を、金とガラスとを含む材料により形成することを特徴とする。
【００２０】
上記第１０の構成の製造方法により製造されたチップ抵抗器においては、ワイヤーボンディング用電極が、金とガラスとを含む材料により形成されているので、メッキ作業が必要なく、ワイヤーボンディング用電極の形成に際して作業性を良好とすることができる。金メッキも用いないので、製造コストが掛かることもない。また、形成されたワイヤーボンディング用電極においては、ガラスが含まれているので、他の部材、例えば、絶縁基板との接合性が良好である。
【００２１】
また、第１１には、上記第１０の構成において、ワイヤーボンディング用電極の形成に際しては、上記金とガラスとを含む材料からなるペーストを印刷した後に乾燥し、その後焼成することを特徴とする。
【００２２】
また、第１２には、上記第１０又は第１１の構成において、上記金とガラスとを含む材料において、金とガラスの合計重量に対するガラスの含有量は、重量比で２〜１５％であることを特徴とする。このようにガラスの含有量が重量比で２〜１５％となっているので、他の部材との接合を良好としつつ、電極としても良好に機能させることができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明に基づくチップ抵抗器によれば、ワイヤーボンディング用電極が、金とガラスとを含む材料により形成されているので、メッキ作業が必要なく、ワイヤーボンディング用電極の形成に際して作業性を良好とすることができる。金メッキも用いないので、製造コストが掛かることもない。また、形成されたワイヤーボンディング用電極においては、ガラスが含まれているので、他の部材、例えば、絶縁基板との接合性が良好である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
本発明においては、ワイヤーボンディング用電極の形成に際して作業性が良好であり、かつ、ワイヤーボンディング用電極の接合性が良好で、さらには、製造コストを低減することができるワイヤーボンディング用電極付きチップ抵抗器を提供するという目的を以下のようにして実現した。
【００２５】
本発明に基づくチップ抵抗器Ａは、ワイヤーボンディング用電極付きのチップ抵抗器であり、図１〜図３に示されるように構成され、絶縁基板（基板）１０と、抵抗体（「抵抗体層」としてもよい）（機能素子）２０と、上面電極（「上面電極層」としてもよい）３０と、保護膜（「保護層」としてもよい）４０と、補助電極（ワイヤーボンディング用電極）５０と、下面電極６０とを有している。なお、図２は、チップ抵抗器Ａを平面視した場合の各部の最外郭の形状を示すものであり、実際には他の部材に隠れて見えない部材についても実線で示してある。
【００２６】
ここで、絶縁基板１０は、含有率９６％程度のアルミナにて形成された絶縁体である。この絶縁基板１０は、直方体形状を呈しており、平面視すると、略長方形形状を呈している。この絶縁基板１０は、上記チップ抵抗器Ａの基礎部材、すなわち、基体として用いられている。
【００２７】
また、抵抗体２０は、絶縁基板１０の上面に設けられていて、長手方向（電極間方向、通電方向としてもよい））（Ｘ１−Ｘ２方向（図１参照））に帯状に形成されている。つまり、この抵抗体２０は、平面視においては方形状（具体的には、長方形状）に形成されている。この抵抗体２０は、酸化ルテニウム系厚膜（例えば、酸化ルテニウム系メタルグレーズ厚膜）により形成されている。この抵抗体２０は、上記チップ抵抗器Ａとして電気的特性を担う機能素子である。
【００２８】
また、上面電極３０は、抵抗体２０との接続電極であり、図１に示すように、上記抵抗体２０の上面及び絶縁基板１０の上面に形成されている。つまり、一対の上面電極３０における一方は絶縁基板１０の上面のＸ１側の端部からＸ２側に向けて所定の長さに形成され、Ｘ２側の端部は抵抗体２０の上面に重なって形成されている。また、同様に、一対の上面電極３０における他方は絶縁基板１０の上面のＸ２側の端部からＸ１側に向けて所定の長さに形成され、Ｘ１側の端部は抵抗体２０の上面に重なって形成されている。また、上面電極３０の電極間方向と直角の方向（つまり、Ｙ１−Ｙ２方向）の幅は、絶縁基板１０のＹ１−Ｙ２方向の幅よりも小さく形成されていて、上面電極３０と絶縁基板１０のＹ２側の端部とは隙間が形成されていて、また、上面電極３０と絶縁基板１０のＹ１方向の端部とは隙間が形成されている。
【００２９】
そして、この上面電極３０は、銀系メタルグレーズ厚膜により形成されている。つまり、補助電極５０がワイヤーボンディング用電極として機能するため、この上面電極３０は、金系である必要がなく、銀系厚膜により形成されている。なお、この上面電極３０を金系厚膜（具体的には、金系メタルグレーズ厚膜）により形成してもよい。
【００３０】
また、保護膜４０は、図１、図２に示すように、上記抵抗体２０の上面を被覆するように配設されている。すなわち、この保護膜４０の配設位置をさらに詳しく説明すると、図２に示すように、Ｙ１−Ｙ２方向には、該絶縁基板１０の幅と略同一（同一としてもよい）に形成され、さらに、Ｘ１−Ｘ２方向には、抵抗体２０の露出部分と、両端に形成されている上記一対の上面電極３０の一部を被覆するように設けられている。この保護膜４０は、ほう珪酸鉛ガラスにより形成されている。
【００３１】
また、補助電極５０は、上面電極３０の上面に形成されていて、ワイヤーボンディング用電極として機能する。つまり、補助電極５０は、上面電極３０の上面に形成されるとともに、その端部は保護膜４０の端部に重なるように形成されている。つまり、図１、図２において左側に位置する補助電極５０は、同じく左側に位置する上面電極３０の上面に形成され、その平面形状は全体に方形状を呈し、Ｘ１側とＹ１側とＹ２側とにおいては下側に位置する上面電極３０と一致しており、そのＸ２側においては、Ｘ２側の端部が保護膜４０のＸ１側の端部に重なる程度に形成されている。また、図１、図２において右側に位置する補助電極５０は、同じく右側に位置する上面電極３０の上面に形成され、その平面形状は全体に方形状を呈し、Ｘ２側とＹ１側とＹ２側とにおいては下側に位置する上面電極３０と一致しており、そのＸ１側においては、Ｘ１側の端部が保護膜４０のＸ２側の端部に重なる程度に形成されている。なお、上記の説明においては、上記左側に位置する補助電極５０においては、Ｘ１側とＹ１側とＹ２側とにおいては下側に位置する上面電極３０と一致しているとし、また、上記右側に位置する補助電極５０においては、Ｘ２側とＹ１側とＹ２側とにおいては下側に位置する上面電極３０と一致しているとして説明したが、必ずしもこれには限られず、上面電極３０の上面に積層していればよい。
【００３２】
そして、この補助電極５０は、金系メタルグレーズ厚膜により形成されている。つまり、ガラス分を含んだ金ペーストを用いて形成されている。すなわち、金とガラスとを含む材料（厳密には、金とガラスと溶剤とを含む材料）により形成されている。なお、この金ペーストにおけるガラス成分の含有割合については、金とガラスとを含む材料において、金とガラスの合計重量に対するガラスの含有割合は、重量比で２〜１５％となっている。なお、チップ抵抗器Ａの製造において、補助電極５０の形成に際しては、該金ペーストを焼成することにより溶剤は蒸発するので、製造されたチップ抵抗器Ａの状態では、補助電極５０は、金とガラスにより形成されていて、補助電極５０におけるガラス成分の含有割合は重量比で２〜１５％となっている。なお、このようにワイヤーボンディング用電極としての補助電極５０を金を含んだ材料により形成するのは、ワイヤーボンディングに用いるワイヤーが一般的に金であることに基づく。
【００３３】
また、下面電極６０は、絶縁基板１０の下面に形成されている。この下面電極６０は、底面視において方形状（具体的には、長方形状）を呈し、絶縁基板１０の下面の中央に形成されている。この下面電極６０は、チップ抵抗器Ａを配設する基板への固定を行うためのもので、金系厚膜又は銀系厚膜により形成されている。
【００３４】
なお、本実施例のチップ抵抗器Ａは、上記のように構成されており、側面電極やメッキは設けられていない。
【００３５】
次に、上記構成のチップ抵抗器Ａの製造工程について、図４、図５等を使用して説明する。まず、予め上面（表面としてもよい）と下面（裏面としてもよい）に一次スリットＭ１や二次スリットＭ２が設けられたアルミナ基板５（このアルミナ基板は、複数のチップ抵抗器の絶縁基板の大きさを少なくとも有する大判のものである）を用意し（図５のＷ１参照）、このアルミナ基板５の表側の面に抵抗体２０を形成する（図４のＳ１１、図５のＷ２参照）。つまり、抵抗体ペーストを印刷した後に乾燥しその後焼成して抵抗体２０を形成する。
【００３６】
次に、上面電極を形成する（図４のＳ１２、図５のＷ３参照）。つまり、上面電極ペーストを印刷した後に乾燥しその後焼成する。つまり、抵抗体２０の両側の端部領域に上面電極を形成する。この場合の上面電極ペーストは、上面電極を金系厚膜により形成する場合には、金系ペーストを用い、上面電極を銀系厚膜により形成する場合には、銀系ペーストを用いる。なお、図５において、上面電極Ｇ３０は、チップ抵抗器Ａにおける上面電極３０の２つ分の上面電極である。つまり、チップ抵抗器となった場合に隣接するチップ抵抗器の上面電極で互いに隣接し合う上面電極については１つの印刷領域で形成する。
【００３７】
次に、下面電極６０を形成する（図４のＳ１３参照）。つまり、下面電極ペーストを印刷した後に乾燥しその後焼成する。なお、この場合の下面電極ペーストは、下面電極を金系厚膜により形成する場合には、金系ペーストを用い、下面電極を銀系厚膜により形成する場合には、銀系ペーストを用いる。
【００３８】
なお、上記の説明では、上面電極と下面電極とを別々に焼成するとしたが、上面電極の焼成を下面電極の焼成と同時に行ってもよい。つまり、上面電極については、上面電極ペーストを印刷した後に乾燥のみしておき、下面電極ペーストを印刷した後に乾燥し、その後、上面電極ペーストと下面電極ペーストの両方を同時に焼成する。
【００３９】
次に、保護膜を形成する（図４のＳ１４参照）。つまり、保護膜ペーストを印刷した後に乾燥しその後焼成して、保護膜を形成する。
【００４０】
次に、補助電極５０を形成する（図４のＳ１５参照）。つまり、補助電極ペーストを印刷した後に乾燥しその後焼成する。つまり、上面電極３０の上面に補助電極を形成する。この場合の補助電極ペーストは、金系ペースト（具体的には、金系メタルグレーズペースト）を用いる。なお、この金系ペーストにおいては、上記のように、金とガラスの合計重量に対するガラスの含有割合は、重量比で２〜１５％となっている。
【００４１】
そして、一次スリットＭ１に沿って一次分割し（図４のＳ１６参照、分割工程）。その後、二次スリットＭ２に沿って二次分割する（図４のＳ１７参照）。
【００４２】
なお、上記の製造工程において、上面電極の形成の後に下面電極の形成を行うとしたが、上面電極の形成と下面電極の形成の順序を逆にしてもよい。つまり、抵抗体を形成した後に下面電極を形成し、その後、上面電極を形成する。なお、この場合にも、下面電極の焼成を上面電極の焼成と同時に行ってもよい。
【００４３】
また、下面電極の形成は、保護膜を形成する前であればどのタイミングでもよく、例えば、図４の製造工程において、抵抗体形成の前でもよく、また、抵抗体の形成と上面電極の形成の間でもよい。
【００４４】
チップ抵抗器Ａを使用する際には、配線基板に実装するとともに、ワイヤーボンディングを行う。すなわち、図６に示すように、チップ抵抗器Ａを配線基板Ｐに実装する際には、該チップ抵抗器Ａの下面電極６０側を配線基板Ｐ側として金・錫合金を介して配線基板Ｐに接着して実装する。また、ワイヤーボンディング用電極としての補助電極５０には、ワイヤー１００が超音波ボンディング法等によりにボンディングされて、これにより、図示しない他の電子部品や回路と電気的に接続される。
【００４５】
以上のように、本実施例のチップ抵抗器Ａにおいては、その製造工程において、メッキ工程がないので、作業性を向上させることができ、また、金メッキも行われず、シアン化カリウムや三酸化砒素等の毒物を用いることがないので、排水処理や工程管理にコストが掛かることもない。また、ワイヤーボンディング用電極としての補助電極５０は、ガラス成分を含んだ金系厚膜により形成されているので、他の部材との接合も支障がなく、本実施例の例では、上面電極３０や保護膜４０との接合も支障ない。
【００４６】
なお、上記の説明では、補助電極５０は、金系メタルグレーズ厚膜により形成されているとして説明したが、ガラス成分を含んだ金系厚膜であればよい。また、下面電極６０は、絶縁基板１０の下面の全面に設けられていてもよい。
【００４７】
また、上記チップ抵抗器Ａにおいては、図１に示すように、補助電極５０の一部が盛り上がった形状をしているが、後述するチップ抵抗器Ａ１の補助電極５０のように補助電極５０の上面の全体が平面状であるようにしてもよい。
【００４８】
なお、上記チップ抵抗器Ａにおいては、補助電極５０の端部が保護膜４０の端部に接する構成であるとして説明したが、ワイヤーボンディング用電極としての補助電極５０が保護膜４０の上面に積層する構成としてもよい。
【００４９】
すなわち、図７に示すチップ抵抗器Ａ１に示すように、補助電極５０は、保護膜４０の上面にまで乗り上げて積層した状態となっていて、その上面は平面状に形成されている。また、補助電極５０の上面はいずれの位置においても保護膜４０の上面よりも高く形成されている。この場合の補助電極５０も、上記チップ抵抗器Ａの場合と同様に、金系メタルグレーズ厚膜により形成されている。つまり、ガラス分を含んだ金ペースト、すなわち、金とガラスとを含む材料（厳密には、金とガラスと溶剤とを含む材料）を用いて形成されている。なお、この金ペーストにおけるガラス成分の含有割合については、上記チップ抵抗器Ａの場合と同様に、金とガラスとを含む材料において、金とガラスの合計重量に対するガラスの含有割合は、重量比で２〜１５％となっている。これにより、製造されたチップ抵抗器Ａ１において、補助電極５０におけるガラス成分の含有割合は重量比で２〜１５％となっている。なお、補助電極５０は、金系メタルグレーズ厚膜により形成されているとしたが、ガラス成分を含んだ金系厚膜であればよい。
【００５０】
なお、図７に示すチップ抵抗器Ａ１においては、補助電極５０の上面の面積が大きく形成されているので、ワイヤーボンディングの作業を容易に行なうことができる。つまり、ボンディング位置を誤るおそれを小さくできる。また、補助電極５０の上面が保護膜４０の上面よりも高く形成されているので、ボンディングに際して保護膜４０が邪魔になることがなく、これによってもワイヤーボンディングの作業を容易に行うことができる。
【００５１】
なお、図７に示すチップ抵抗器Ａ１の上記以外の構成や製造工程や作用はチップ抵抗器Ａの場合と同様であるので、詳しい説明を省略する。なお、製造工程に際しては、当然、補助電極５０を上記の構成となるように製造することになる。なお、図７に示すように補助電極５０が保護膜４０の上面に積層する場合には、当然一対の補助電極５０が接触しないようにする必要がある。
【００５２】
また、上記チップ抵抗器Ａやチップ抵抗器Ａ１においては、上面電極３０と補助電極５０とが設けられているとして説明したが、補助電極を省略し、上面電極を金系メタルグレーズ厚膜その他のガラス成分を含んだ金系厚膜により形成するものとしてもよい。
【００５３】
すなわち、図８に示すチップ抵抗器Ａ２に示すように、チップ抵抗器Ａ２は、絶縁基板１０と、抵抗体２０と、上面電極３０と、保護膜４０と、下面電極６０とを有する構成であり、上面電極３０は、絶縁基板１０の上面に形成されているとともに、抵抗体２０との接続部分においては、上面電極３０が抵抗体２０の上面に重なっている。そして、抵抗体２０の露出部分と上面電極３０の一部を被覆する保護膜４０が形成されている。
【００５４】
そして、この上面電極３０は、金系メタルグレーズ厚膜により形成されている。つまり、ガラス分を含んだ金ペーストを用いて形成されている。すなわち、金とガラスとを含む材料（厳密には、金とガラスと溶剤とを含む材料）により形成されている。なお、この金ペーストにおけるガラス成分の含有割合については、金とガラスとを含む材料において、金とガラスの合計重量に対するガラスの含有割合は、重量比で２〜１５％となっている。なお、チップ抵抗器Ａの製造において、上面電極３０の形成に際しては、該金ペーストを焼成することにより溶剤は蒸発するので、製造されたチップ抵抗器Ａの状態では、上面電極３０は、金とガラスにより形成されていて、上面電極３０におけるガラス成分の含有割合は重量比で２〜１５％となっている。チップ抵抗器Ａ２の上記の点以外の構成は上記チップ抵抗器Ａと同様であるので詳しい説明を省略する。
【００５５】
また、このチップ抵抗器Ａ２の製造工程については、上記チップ抵抗器Ａの製造工程、つまり、図４に示す工程とほぼ同様であるが、補助電極が形成されないので、当然補助電極を形成する工程（図４では、ステップＳ１５）は省略されることになる。また、上面電極３０の形成に際しては、上記金系ペースト（上面電極ペースト）を印刷した後に乾燥しその後焼成する。なお、この金系ペーストにおいては、上記のように、金とガラスの合計重量に対するガラスの含有割合は、重量比で２〜１５％となっている。なお、チップ抵抗器Ａ２の場合には、補助電極は形成されないので、保護膜４０は、ほう珪酸鉛ガラス以外に樹脂（エポキシ、フェノール、シリコン等）を用いることもできる。
【００５６】
また、チップ抵抗器Ａ２の使用に際しては、上面電極３０がワイヤーボンディング用電極として機能し、チップ抵抗器Ａ２の使用状態においては、ワイヤーをこの上面電極３０にボンディングして使用する。なお、該チップ抵抗器Ａ２の下面電極６０側を配線基板に対して金・錫合金を介して実装する点は上記と同様である。
【００５７】
また、このチップ抵抗器Ａ２においても、その製造工程において、メッキ工程がないので、作業性を向上させることができ、また、金メッキも行われず、シアン化カリウムや三酸化砒素等の毒物を用いることがないので、排水処理や工程管理にコストが掛かることもない。また、ワイヤーボンディング用電極としての上面電極３０は、ガラス成分を含んだ金系厚膜により形成されているので、他の部材との接合も支障がなく、本実施例の例では、絶縁基板１０や抵抗体２０や保護膜４０との接合も支障ない。
【００５８】
なお、このチップ抵抗器Ａ２の説明において、上面電極３０は、金系メタルグレーズ厚膜により形成されているとして説明したが、ガラス成分を含んだ金系厚膜であればよい。また、下面電極６０は、絶縁基板１０の下面の全面に設けられていてもよい。
【００５９】
なお、上記のチップ抵抗器Ａとチップ抵抗器Ａ１とチップ抵抗器Ａ２においては、下面電極６０が設けられているとして説明したが、下面電極が形成されないものとしてもよい。
【００６０】
すなわち、図９に示すチップ抵抗器Ｂは、チップ抵抗器Ａの下面電極６０が設けられていない場合の例である。つまり、チップ抵抗器Ｂは、絶縁基板１０と、抵抗体２０と、上面電極３０と、保護膜４０と、補助電極（ワイヤーボンディング用電極）５０とを有した構成となっている。このチップ抵抗器Ｂは、下面電極が設けられていない点以外はチップ抵抗器Ａと同様の構成であるので、詳しい説明を省略する。
【００６１】
なお、このチップ抵抗器Ｂの製造工程は、上記チップ抵抗器Ａの製造工程、つまり、図４に示す製造工程と同様であるが、当然下面電極を形成する工程は設けられないことになる。
【００６２】
チップ抵抗器Ｂを使用する際には、配線基板に実装するとともに、ワイヤーボンディングを行う。すなわち、図１０に示すように、チップ抵抗器Ｂを配線基板Ｐに実装する際には、該チップ抵抗器Ｂの下面側を配線基板Ｐ側として、絶縁性の接着剤からなる接着剤層２００を介して配線基板Ｐに接着して実装する。また、ワイヤーボンディング用電極としての補助電極５０には、ワイヤー１００が超音波ボンディング法等によりにボンディングされて、これにより、図示しない他の電子部品や回路と電気的に接続される。なお、チップ抵抗器Ｂの使用状態としては、他にも、補助電極５０側を下側にして配線基板に実装する場合も考えられる。
【００６３】
以上のように、本実施例のチップ抵抗器Ｂにおいては、その製造工程において、メッキ工程がないので、作業性を向上させることができ、また、金メッキも行われず、シアン化カリウムや三酸化砒素等の毒物を用いることがないので、排水処理や工程管理にコストが掛かることもない。また、ワイヤーボンディング用電極としての補助電極５０は、ガラス成分を含んだ金系厚膜により形成されているので、他の部材との接合も支障がなく、本実施例の例では、上面電極３０や保護膜４０との接合も支障ない。
【００６４】
なお、上記の説明では、補助電極５０は、金系メタルグレーズ厚膜により形成されているとして説明したが、ガラス成分を含んだ金系厚膜であればよい。
【００６５】
次に、図１１に示すチップ抵抗器Ｂ１は、チップ抵抗器Ａ１の下面電極が設けられていない場合の例である。また、上記チップ抵抗器Ｂにおいては、補助電極５０の端部が保護膜４０の端部に接する構成であるとして説明したが、このチップ抵抗器Ｂ１は、補助電極５０が保護膜４０の上面に積層する構成である。
【００６６】
すなわち、図１１に示すチップ抵抗器Ｂ１に示すように、補助電極５０は、保護膜４０の上面にまで乗り上げて積層した状態となっていて、その上面は平面状に形成されている。また、補助電極５０の上面はいずれの位置においても保護膜４０の上面よりも高く形成されている。この場合の補助電極５０も金系メタルグレーズ厚膜により形成されている。つまり、ガラス分を含んだ金ペーストを用いて形成されている。
【００６７】
なお、図１１に示すチップ抵抗器Ｂ１においては、補助電極５０の上面の面積が大きく形成されているので、ワイヤーボンディングの作業を容易に行なうことができる。つまり、ボンディング位置を誤るおそれを小さくできる。また、補助電極５０の上面が保護膜４０の上面よりも高く形成されているので、ボンディングに際して保護膜４０が邪魔になることがなく、これによってもワイヤーボンディングの作業を容易に行うことができる。
【００６８】
なお、図１１に示すチップ抵抗器Ｂ１の上記以外の構成や製造工程や作用はチップ抵抗器Ｂの場合と同様であるので、詳しい説明を省略する。なお、製造工程に際しては、当然、補助電極５０を上記の構成となるように製造することになる。
【００６９】
なお、上記チップ抵抗器Ｂやチップ抵抗器Ｂ１において、補助電極５０は、ガラス分を含んだ金ペーストを用いて形成されているが、この金ペーストにおいて、金とガラスの合計重量に対するガラス成分の含有割合は重量比で２〜１５％となっている。これにより、製造されたチップ抵抗器Ｂやチップ抵抗器Ｂ１において、補助電極５０におけるガラス成分の含有割合は重量比で２〜１５％となっている。なお、補助電極５０は、金系メタルグレーズ厚膜により形成されているとしたが、ガラス成分を含んだ金系厚膜であればよい。
【００７０】
次に、図１２に示すチップ抵抗器Ｂ２は、チップ抵抗器Ａ２の下面電極が設けられていない場合の例である。
【００７１】
すなわち、図１２に示すように、チップ抵抗器Ｂ２は、絶縁基板１０と、抵抗体２０と、上面電極３０と、保護膜４０とを有する構成であり、上面電極３０は、絶縁基板１０の上面に形成されているとともに、抵抗体２０との接続部分においては、上面電極３０が抵抗体２０の上面に重なっている。そして、抵抗体２０の露出部分と上面電極３０の一部を被覆する保護膜４０が形成されている。
【００７２】
そして、この上面電極３０は、金系メタルグレーズ厚膜により形成されている。つまり、ガラス分を含んだ金ペーストを用いて形成されている。なお、この金ペーストにおいて、金とガラスの合計重量に対するガラス成分の含有割合は重量比で２〜１５％となっている。これにより、上面電極３０におけるガラス成分の含有割合は重量比で２〜１５％となっている。チップ抵抗器Ｂ２の上記の点以外の構成は上記チップ抵抗器Ｂと同様であるので詳しい説明を省略する。
【００７３】
また、このチップ抵抗器Ｂ２の製造工程については、上記チップ抵抗器Ｂの製造工程とほぼ同様であるが、補助電極が形成されないので、当然補助電極を形成する工程は省略されることになる。また、チップ抵抗器Ａ２の製造工程から下面電極の形成を省略したものであるともいえる。なお、チップ抵抗器Ｂ２の場合には、補助電極は形成されないので、保護膜４０は、ほう珪酸鉛ガラス以外に樹脂（エポキシ、フェノール、シリコン等）を用いることもできる。
【００７４】
また、チップ抵抗器Ｂ２の使用に際しては、上面電極３０がワイヤーボンディング用電極として機能し、チップ抵抗器Ｂ２の使用状態においては、ワイヤーをこの上面電極３０にボンディングして使用する。なお、該チップ抵抗器Ｂ２の下面を絶縁性の接着剤を介して配線基板Ｐに接着する点は、上記チップ抵抗器Ｂ、Ｂ１と同様である。
【００７５】
また、このチップ抵抗器Ｂ２においても、上記チップ抵抗器Ｂ、Ｂ１と同様に、その製造工程において、メッキ工程がないので、作業性を向上させることができ、また、金メッキも行われず、シアン化カリウムや三酸化砒素等の毒物を用いることがないので、排水処理や工程管理にコストが掛かることもない。また、ワイヤーボンディング用電極としての上面電極３０は、ガラス成分を含んだ金系厚膜により形成されているので、他の部材との接合も支障がなく、本実施例の例では、絶縁基板１０や抵抗体２０や保護膜４０との接合も支障ない。なお、このチップ抵抗器Ｂ２の説明において、補助電極５０は、金系メタルグレーズ厚膜により形成されているとして説明したが、ガラス成分を含んだ金系厚膜であればよい。
【００７６】
なお、上記の説明においては、抵抗体と上面電極との接続部分においては、上面電極が抵抗体の上側に重なって形成されているとしたが、抵抗体が上面電極の上側に重なって形成されているものとしてもよい。
【００７７】
また、上記の製造工程において、予めスリットが設けられたアルミナ基板を使用しているが、これには限られず、スリットのない基板を使用してレーザースクライブ法によりスリットを形成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本実施例に基づくチップ抵抗器の構成を示す断面図である。
【図２】本実施例に基づくチップ抵抗器の構成を説明するための説明図である。
【図３】本実施例に基づくチップ抵抗器の底面図である。
【図４】本実施例に基づくチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図５】本実施例に基づくチップ抵抗器の製造工程を示す説明図である。
【図６】本実施例に基づくチップ抵抗器の使用状態を示す説明図である。
【図７】チップ抵抗器の他の例を示す断面図である。
【図８】チップ抵抗器の他の例を示す断面図である。
【図９】チップ抵抗器の他の例を示す断面図である。
【図１０】図９に示すチップ抵抗器の使用状態を示す説明図である。
【図１１】チップ抵抗器の他の例を示す断面図である。
【図１２】チップ抵抗器の他の例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００７９】
Ａ、Ａ１、Ａ２、Ｂ、Ｂ１、Ｂ２  チップ抵抗器
１０  絶縁基板
２０  抵抗体
３０  上面電極
４０  保護膜
５０  補助電極
６０  下面電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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