(57)【要約】【課題】  従来の方法により微細な配線を形成しようとすると、それに伴い、能力の高い露光装置が必要となり、コストが増大してしまう。【解決手段】  フォトレジスト４１をマスクとして、絶縁膜２３および導電膜３２をエッチングすることにより、導電膜３２に開口５１を形成する。次に、フォトレジスト４１を除去した後、絶縁膜２４を全面に形成する。さらに、その絶縁膜２４を導電膜３１の表面が露出するまでエッチバックすることにより、開口５１の内壁を絶縁膜２４によって覆う。続いて、この絶縁膜２４をマスクとして、導電膜３１をエッチングすることにより、導電膜３１に開口５２を形成する。次に、絶縁膜２５を全面に形成する。さらに、その絶縁膜２５を導電膜３２の表面が露出するまでエッチバックすることにより、開口５２を絶縁膜２５で埋め込む。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電膜からなる第１の積層膜、絶縁膜からなる第２の積層膜、および前記第２の積層膜に対してエッチング選択性を有する第３の積層膜が順に積層された半導体基板を準備する準備工程と、
前記第３の積層膜に第１の上部開口を形成する第１上部開口形成工程と、
前記第１の上部開口の内壁を覆うように第１のマスク用絶縁膜を形成する第１マスク用絶縁膜形成工程と、
前記第１のマスク用絶縁膜をマスクとして、前記第１の積層膜に、前記第１の上部開口と連設された第１の下部開口を形成する第１下部開口形成工程と、
前記第１の下部開口を埋め込むように第１の埋込絶縁膜を形成する第１埋込絶縁膜形成工程と、
前記第１埋込絶縁膜形成工程よりも後に、前記第３の積層膜をエッチングによって選択的に除去することにより、第２の上部開口を形成する第２上部開口形成工程と、
前記第２の上部開口の内壁を覆うように第２のマスク用絶縁膜を形成する第２マスク用絶縁膜形成工程と、
前記第２のマスク用絶縁膜をマスクとして、前記第１の積層膜に、前記第２の上部開口と連設された第２の下部開口を形成する第２下部開口形成工程と、
前記第２の下部開口を埋め込むように第２の埋込絶縁膜を形成する第２埋込絶縁膜形成工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１下部開口形成工程においては、前記半導体基板の内部まで達するように前記第１の下部開口を形成するとともに、
前記第２下部開口形成工程においては、前記半導体基板の内部まで達するように前記第２の下部開口を形成する半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２埋込絶縁膜形成工程よりも後に、前記第１および第２の埋込絶縁膜の表面が前記第１の積層膜の表面に対して窪むように、当該第１および第２の埋込絶縁膜の一部を除去する埋込絶縁膜除去工程と、
前記埋込絶縁膜除去工程よりも後に、前記第１の積層膜ならびに前記第１および第２の埋込絶縁膜上に、絶縁膜からなる第４の積層膜を介して、導電膜からなる第５の積層膜を形成する積層膜形成工程と、を含む半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図６（ａ）〜図６（ｃ）を参照しつつ、従来の配線形成プロセスを説明する。まず、半導体基板１０１上に、例えば熱酸化法により形成される酸化膜である絶縁膜１２１、および例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition：化学気相成長）法により形成される多結晶シリコン膜である導電膜１３１を順に積層する。また、導電膜１３１上に、フォトリソグラフィー技術によりフォトレジスト１４１によるパターンを形成する（図６（ａ））。ここで、フォトレジストのスペース幅は、ライン幅ｄに等しい。
【０００３】
次に、フォトレジスト１４１をマスクとして、ドライエッチング技術により導電膜１３１をエッチングする（図６（ｂ））。続いて、フォトレジスト１４１を除去した後、例えばＣＶＤ法により酸化膜である絶縁膜１２２を層間絶縁膜として形成する。以上により、導電膜１３１からなる配線が形成される（図６（ｃ））。  
【０００４】
また、特許文献１にも、従来の配線形成プロセスの一例が開示されている。図７および図８を参照しつつ、同文献に記載の配線形成プロセスを説明する。まず、半導体基板１０１上に、絶縁膜１２１、導電膜１３１、酸化膜である絶縁膜１２３を順次形成する。また、絶縁膜１２３上に、フォトリソグラフィー技術によりフォトレジスト１４１によるパターンを形成する（図７（ａ））。ここで、フォトレジスト１４１のスペース幅は、ライン幅ｄの３倍に等しい。
【０００５】
次に、フォトレジスト１４１をマスクとして、絶縁膜１２３をエッチングする（図７（ｂ））。続いて、フォトレジスト１４１を除去した後、全面に窒化膜である絶縁膜１６１を形成し、異方性のエッチングにより絶縁膜１６１を、導電膜１３１の表面が露出するまでエッチバックする（図７（ｃ））。
【０００６】
次に、酸化膜である絶縁膜１２３を除去し（図８（ａ））、その後、絶縁膜１６１をマスクとして、導電膜１３１をエッチングする（図８（ｂ））。続いて、絶縁膜１６１を除去した後、例えばＣＶＤ法により酸化膜である絶縁膜１２４を層間絶縁膜として形成する。以上により、導電膜１３１からなる配線が形成される（図８（ｃ））。
【特許文献１】特開２００２−２８０３８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述した従来の方法により形成される配線のライン幅およびスペース幅は、フォトレジスト１４１のライン幅ｄに等しくなる。そして、このライン幅ｄの最小寸法は、フォトリソグラフィー技術の能力、換言すれば露光装置の能力で制限される。したがって、従来の方法により微細な配線を形成しようとすると、それに伴い、能力の高い露光装置が必要となり、コストが増大してしまう。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明による半導体装置の製造方法は、導電膜からなる第１の積層膜、絶縁膜からなる第２の積層膜、および上記第２の積層膜に対してエッチング選択性を有する第３の積層膜が順に積層された半導体基板を準備する準備工程と、上記第３の積層膜に第１の上部開口を形成する第１上部開口形成工程と、上記第１の上部開口の内壁を覆うように第１のマスク用絶縁膜を形成する第１マスク用絶縁膜形成工程と、上記第１のマスク用絶縁膜をマスクとして、上記第１の積層膜に、上記第１の上部開口と連設された第１の下部開口を形成する第１下部開口形成工程と、上記第１の下部開口を埋め込むように第１の埋込絶縁膜を形成する第１埋込絶縁膜形成工程と、上記第１埋込絶縁膜形成工程よりも後に、上記第３の積層膜をエッチングによって選択的に除去することにより、第２の上部開口を形成する第２上部開口形成工程と、上記第２の上部開口の内壁を覆うように第２のマスク用絶縁膜を形成する第２マスク用絶縁膜形成工程と、上記第２のマスク用絶縁膜をマスクとして、上記第１の積層膜に、上記第２の上部開口と連設された第２の下部開口を形成する第２下部開口形成工程と、上記第２の下部開口を埋め込むように第２の埋込絶縁膜を形成する第２埋込絶縁膜形成工程と、を含むことを特徴とする。
【０００９】
この製造方法においては、第１および第２の上部開口それぞれの内壁を覆うように設けられた第１および第２のマスク用絶縁膜をマスクとして、配線となる第１の積層膜にそれぞれ第１および第２の下部開口を形成している。そして、それら第１および第２の下部開口それぞれに、第１および第２の埋込絶縁膜を埋め込んでいる。これにより、第１および第２の上部開口の形成に用いられるフォトレジストのライン幅およびスペース幅に比して小さなライン幅およびスペース幅をもつ配線を形成することができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、コストの増大を招くことなく、配線の微細化を図ることのできる半導体装置の製造方法が実現される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、図面を参照しつつ、本発明による半導体装置の製造方法の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては、同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
（第１実施形態）
【００１２】
図１および図２は、本発明による半導体装置の製造方法の第１実施形態を示す工程図である。本実施形態に係る製造方法においては、まず、導電膜３１（第１の積層膜）、絶縁膜２２（第２の積層膜）および導電膜３２（第３の積層膜）が順に積層された半導体基板１１を準備する（準備工程）（図１（ａ））。すなわち、半導体基板１１上に絶縁膜２１を介して導電膜３１が形成され、その導電膜３１上に絶縁膜２２および導電膜３２が順に形成されている。また、導電膜３２上には、絶縁膜２３が形成されている。半導体基板１１は、例えばシリコン基板である。絶縁膜２１，２２，２３は、例えば酸化膜である。絶縁膜２１は、熱酸化法により形成することができる。また、導電膜３１，３２は、例えばドープされた多結晶シリコン膜であり、ＣＶＤ法により形成することができる。導電膜３２は、絶縁膜２２に対してエッチング選択性を有している。
【００１３】
次に、フォトリソグラフィー技術を用いて、絶縁膜２３上にフォトレジスト４１によるパターンを形成する。ここで、フォトレジスト４１のライン幅およびスペース幅は、共にｄである。なお、フォトレジスト４１の形成前に、絶縁膜２３上に反射防止膜（図示せず）を形成してもよい。続いて、そのフォトレジスト４１をマスクとして、絶縁膜２３および導電膜３２をエッチングすることにより、導電膜３２に開口５１（第１の上部開口）を形成する（第１上部開口形成工程）（図１（ｂ））。このエッチングは、ドライエッチング技術を用いて行うことができる。
【００１４】
次に、フォトレジスト４１を除去した後、絶縁膜２４（第１のマスク用絶縁膜）を全面に形成する。さらに、その絶縁膜２４を導電膜３１の表面が露出するまでエッチバックすることにより、開口５１の内壁を絶縁膜２４によって覆う（第１マスク用絶縁膜形成工程）（図１（ｃ））。絶縁膜２４は、例えば酸化膜であり、ＣＶＤ法により形成することができる。また、絶縁膜２４のエッチバックは、異方性のドライエッチング技術を用いて行うことができる。続いて、この絶縁膜２４をマスクとして、導電膜３１をエッチングすることにより、導電膜３１に開口５２（第１の下部開口）を形成する（第１下部開口形成工程）。開口５２は、開口５１に連設されている（図１（ｄ））。
【００１５】
次に、絶縁膜２５（第１の埋込絶縁膜）を全面に形成する。さらに、その絶縁膜２５を導電膜３２の表面が露出するまでエッチバックすることにより、開口５２を絶縁膜２５で埋め込む（第１埋込絶縁膜形成工程）。これにより、開口５１も、絶縁膜２４，２５によって埋め込まれる（図２（ａ））。なお、絶縁膜２５は、例えば酸化膜であり、ＣＶＤ法により形成することができる。また、絶縁膜２５のエッチバックは、例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing：化学的機械的研磨）によって行うことができる。
【００１６】
次に、例えば等方性のドライエッチング技術を用いて、導電膜３２を選択的に除去する。これにより、導電膜３２が除去された部分に開口５６（第２の上部開口）が形成される（第２上部開口形成工程）。続いて、絶縁膜２６（第２のマスク用絶縁膜）を全面に形成する。さらに、その絶縁膜２６を導電膜３１の表面が露出するまでエッチバックすることにより、開口５６の内壁を絶縁膜２６によって覆う（第２マスク用絶縁膜形成工程）（図２（ｂ））。絶縁膜２６は、例えば酸化膜であり、ＣＶＤ法により形成することができる。また、絶縁膜２６のエッチバックは、異方性のドライエッチング技術を用いて行うことができる。
【００１７】
次に、この絶縁膜２６をマスクとして、導電膜３１をエッチングすることにより、導電膜３１に開口５７（第２の下部開口）を形成する（第２下部開口形成工程）。開口５７は、開口５６に連設されている（図２（ｃ））。続いて、絶縁膜２７（第２の埋込絶縁膜）を全面に形成した後、絶縁膜２５，２７を例えばＣＭＰによってエッチバックすることにより開口５７を絶縁膜２７で埋め込む（第２埋込絶縁膜形成工程）。以上により、導電膜３１からなる配線を備える半導体装置１が得られる（図２（ｄ））。半導体装置１において、配線同士は絶縁膜２５，２７によって互いに隔てられており、これら絶縁膜２５，２７が配線のスペース幅を規定している。
【００１８】
本実施形態の効果を説明する。本実施形態に係る製造方法においては、開口５１，５６それぞれの内壁を覆うように設けられた絶縁膜２４，２６をマスクとして、配線となる積層膜３１にそれぞれ開口５２，５７を形成している。そして、それら開口５２，５７それぞれに、絶縁膜２５，２７を埋め込んでいる。これにより、開口５１，５６の形成に用いられるフォトレジスト４１のライン幅およびスペース幅ｄ（図１（ａ）参照）に比して小さなスペース幅をもつ配線を形成することができる。また、絶縁膜２５と絶縁膜２７との間隔が上記幅ｄよりも小さくなるので、当該配線のライン幅もｄより小さくなる。したがって、この製造方法によれば、露光装置の能力を超える微細な配線を形成することができるので、コストの増大を招くことなく、配線の微細化を図ることができる。このように本実施形態によれば、半導体素子の微細化および高集積化を低コストで実現できる半導体装置の製造方法が提供される。
【００１９】
これに対して、上述した従来の製造方法においては、図３（ａ）に示すように、形成される配線のライン幅Ｌおよびスペース幅Ｓがフォトレジストのライン幅ｄに等しくなる。すなわち、配線のライン幅およびスペース幅は、フォトリソグラフィー技術により決定されるので、露光装置の能力で制限されるフォトレジストのライン幅およびスペース幅の最小寸法よりも小さくすることができなかった。これでは、配線の微細化を達成するために、波長の非常に短い光源を用いた最先端の高額な露光装置を利用しなければならず、コストの増大を招いてしまう。
【００２０】
一方、本実施形態に係る製造方法によれば、図３（ｂ）に示すように、配線のライン幅およびスペース幅を上記最小寸法よりも小さくすることができる。具体的には、図３（ａ）においてはｄの２倍の幅（＝２ｄ）にラインおよびスペースからなる組が１つだけ設けられているのに対し、図３（ｂ）においては同じ幅にラインおよびスペースからなる組が２つ設けられている。このため、本実施形態に係る製造方法によれば、最先端の高額な露光装置を利用することなく配線の微細化が実現できるため、微細配線を備える半導体装置を低コストで製造することができる。
【００２１】
さらに、第１埋込絶縁膜形成工程の後に残された導電膜３２を除去することにより開口５６を形成しているため、開口５６を所定の位置に自己整合的に形成することができる。
【００２２】
また、絶縁膜２３上に反射防止膜を形成した場合、フォトリソグラフィーによってフォトレジスト４１を形成する際の露光安定性を向上させることができる。
【００２３】
ところで、特許文献１には、フォトレジスト１４１を、そのスペース幅がライン幅ｄの３倍ではなくライン幅ｄに等しくなるようにパターニングしてもよいことが記載されている。その場合には、Ｏ２ガスを用いてフォトレジストを等方的に後退させることにより、フォトレジストのスペース幅をライン幅の３倍に設定できると記載されている。このようにフォトレジストパターンを等方的に後退させる場合、そのライン幅ｄを露光装置の能力で制限される最小寸法よりも小さくすることが可能となる。しかし、この場合、フォトレジストの厚さが薄くなり、エッチングのマスクに利用できなくなるという問題が生じる。一方で、フォトレジストの厚さを厚くすると、上記最小寸法自体が大きくなってしまうので、ライン幅ｄの微細化には逆効果である。
【００２４】
また、同文献に記載の製造方法においては、図７（ｂ）に示すように、細いライン幅の酸化膜である絶縁膜１２３のラインパターンを形成しているため、絶縁膜１２３のラインパターンが倒れるという問題もある。このことは、歩留まりの低下につながってしまう。この点、本実施形態に係る製造方法は、狭いスペースを形成して利用しているので、かかる問題がなく、歩留まりに優れている。
（第２実施形態）
【００２５】
図４および図５は、本発明による半導体装置の製造方法の第２実施形態を示す工程図である。本実施形態に係る製造方法においては、まず、準備工程、第１上部開口形成工程および第１マスク用絶縁膜形成工程を順に実行する。これらの各工程は、図１（ａ）〜図１（ｃ）で説明したとおりである。
【００２６】
次に、絶縁膜２４をマスクとして、導電膜３１をエッチングすることにより、導電膜３１に開口５２を形成する。このとき、本実施形態においては、導電膜３１だけでなく、絶縁膜２１および半導体基板１１もエッチングすることにより、開口５２が半導体基板１１の内部まで達するように開口５２を形成する（第１下部開口形成工程）（図４（ａ））。
【００２７】
次に、絶縁膜２５を全面に形成する。さらに、その絶縁膜２５を導電膜３２の表面が露出するまでエッチバックすることにより、開口５２を絶縁膜２５で埋め込む（第１埋込絶縁膜形成工程）。これにより、開口５１も、絶縁膜２４，２５によって埋め込まれる（図４（ｂ））。続いて、導電膜３２を選択的に除去し、開口５６を形成する（第２上部開口形成工程）。その後、絶縁膜２６を全面に形成し、それを導電膜３１の表面が露出するまでエッチバックすることにより、開口５６の内壁を絶縁膜２６によって覆う（第２マスク用絶縁膜形成工程）（図４（ｃ））。
【００２８】
次に、この絶縁膜２６をマスクとして、導電膜３１をエッチングすることにより、導電膜３１に開口５７を形成する。このとき、本実施形態においては、導電膜３１だけでなく、絶縁膜２１および半導体基板１１もエッチングすることにより、開口５７が半導体基板１１の内部まで達するように開口５７を形成する（第２下部開口形成工程）（図５（ａ））。続いて、絶縁膜２７を全面に形成した後、絶縁膜２５，２７を例えばＣＭＰによって導電膜３１が露出するまでエッチバックすることにより、開口５７を絶縁膜２７で埋め込む（第２埋込絶縁膜形成工程）。
【００２９】
本実施形態においては、さらに、絶縁膜２５，２７の表面が導電膜３１の表面に対して窪むように、絶縁膜２５，２７の一部を除去する（埋込絶縁膜除去工程）。この除去は、例えばウエットエッチング法を用いて、絶縁膜２５，２７の一部をエッチバックすることにより行うことができる。その後、例えばＣＶＤ法により、絶縁膜２５，２７および導電膜３１の露出面を覆うように絶縁膜６１（第４の積層膜）を形成する（図５（ｂ））。絶縁膜６１は、例えば、酸化膜、窒化膜および酸化膜が順に積層されてなる多層絶縁膜である。続いて、絶縁膜６１の全面に、例えばドープされた多結晶シリコン膜からなる導電膜３３を形成する（積層膜形成工程）。以上により、導電膜３１からなる配線を備える半導体装置２が得られる（図５（ｃ））。
【００３０】
本実施形態の効果を説明する。本実施形態に係る製造方法においても、開口５１，５６それぞれの内壁を覆うように設けられた絶縁膜２４，２６をマスクとして、配線となる積層膜３１にそれぞれ開口５２，５７を形成し、それら開口５２，５７それぞれに、絶縁膜２５，２７を埋め込んでいる。これにより、開口５１，５６の形成に用いられるフォトレジスト４１のライン幅およびスペース幅ｄに比して小さなライン幅およびスペース幅をもつ配線を形成することができる。したがって、この製造方法によれば、露光装置の能力を超える微細な配線を形成することができるので、コストの増大を招くことなく、配線の微細化を図ることができる。
【００３１】
さらに、半導体基板１１の内部に達するように開口５２，５７を形成しているため、微細な配線電極となった導電膜３１に対して自己整合的に素子分離を形成することができる。
【００３２】
また、第２埋込絶縁膜形成工程の後に、埋込絶縁膜除去工程および積層膜形成工程を実行している。これにより、導電膜３１を浮遊ゲート電極とし、導電膜３３を制御ゲート電極とするメモリトランジスタを実現することができる。なお、これらの工程は、第１実施形態においても実行してよい。すなわち、図２（ｄ）で説明した第２埋込絶縁膜形成工程よりも後に、埋込絶縁膜除去工程および積層膜形成工程を順に実行してもよい。
【００３３】
本発明による半導体装置の製造方法は、上記実施形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。例えば、導電膜３１，３２，３３としては、多結晶シリコン膜に限らず、シリサイド膜または金属膜等を用いてもよい。あるいは、導電膜３１，３２，３３として、多結晶シリコン膜、シリサイド膜および金属膜等からなる群から選択される２以上の膜が積層されてなる多層膜を用いてもよい。
【００３４】
また、第３の積層膜として導電膜３２を用いることは必須ではない。すなわち、絶縁膜２２に対してエッチング選択性を有していれば、導電膜３２の代わりに絶縁膜を第３の積層膜として用いてもよい。例えば、絶縁膜２２が酸化膜の場合であれば、第３の積層膜として窒化膜を用いることができる。
【００３５】
また、第３の積層膜が導電膜３１に対してエッチング選択性を有する場合には、絶縁膜２３を設けることは必須ではなく、第３の積層膜上に直接フォトレジスト４１を形成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】（ａ）〜（ｄ）は、本発明による半導体装置の製造方法の第１実施形態を示す工程図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、本発明による半導体装置の製造方法の第１実施形態を示す工程図である。
【図３】（ａ）および（ｂ）は、本実施形態の効果を説明するための図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、本発明による半導体装置の製造方法の第２実施形態を示す工程図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、本発明による半導体装置の製造方法の第２実施形態を示す工程図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、従来技術に係る半導体装置の製造方法を示す工程図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は、特許文献１に記載された半導体装置の製造方法を示す工程図である。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は、特許文献１に記載された半導体装置の製造方法を示す工程図である。
【符号の説明】
【００３７】
１，２        半導体装置
１１    半導体基板
２１，２３    絶縁膜
２２    絶縁膜（第２の積層膜）
２４，２６    絶縁膜（マスク用絶縁膜）
２５，２７    絶縁膜（埋込絶縁膜）
３１    導電膜（第１の積層膜）
３２    導電膜（第３の積層膜）
３３    導電膜（第５の積層膜）
４１    フォトレジスト
５１，５６    開口（上部開口）
５２，５７    開口（下部開口）
６１    絶縁膜（第４の積層膜）
【図１】
2006245198.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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