(57)【要約】【課題】低パワー時の電力増幅器の電流制御（制限）の制御性に優れ、また低パワー時の電力増幅器の温度特性を大幅に改善する。【解決手段】バイアス供給用バイポーラトランジスタ１のエミッタに抵抗５を介して電力用バイポーラトランジスタ２のベースを接続し、バイアス供給用バイポーラトランジスタ１のエミッタに電力制御用トランジスタ３のコレクタを接続し、電力制御用トランジスタ３のエミッタを温度補償用のショットキーダイオード１９および抵抗１５を介して接地し、電力制御用トランジスタ３のベースに抵抗１４を介して電力制御電圧１３を印加する。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
バイアス供給用バイポーラトランジスタと、ベースが前記バイアス供給用バイポーラトランジスタのエミッタに接続された電力用バイポーラトランジスタと、コレクタが前記バイアス供給用バイポーラトランジスタのエミッタに接続された電力制御用バイポーラトランジスタとを備えた電力増幅器用バイアス回路。
【請求項２】
バイアス供給用バイポーラトランジスタと、ベースが前記バイアス供給用バイポーラトランジスタのエミッタに接続された電力用バイポーラトランジスタと、コレクタが前記バイアス供給用バイポーラトランジスタのエミッタに接続された電力制御用バイポーラトランジスタとを備え、前記電力制御用バイポーラトランジスタのベースとエミッタとが抵抗を介して接続されていることを特徴とする電力増幅器用バイアス回路。
【請求項３】
バイアス供給用バイポーラトランジスタと、ベースが前記バイアス供給用バイポーラトランジスタのエミッタに接続された電力用バイポーラトランジスタと、コレクタが前記バイアス供給用バイポーラトランジスタのエミッタに接続された電力制御用バイポーラトランジスタとを備え、前記電力制御用バイポーラトランジスタのベースとコレクタとが抵抗を介して接続されていることを特徴とする電力増幅器用バイアス回路。
【請求項４】
前記電力制御用バイポーラトランジスタのベースが抵抗を介して接地されていることを特徴とする請求項１、２または３記載の電力増幅器用バイアス回路。
【請求項５】
バイアス供給用バイポーラトランジスタと、ベースが前記バイアス供給用バイポーラトランジスタのエミッタに接続された電力用バイポーラトランジスタと、コレクタが前記バイアス供給用バイポーラトランジスタのエミッタに接続された電力制御用バイポーラトランジスタと、コレクタが前記電力制御用バイポーラトランジスタのベースに接続されたインバータ用バイポーラトランジスタとを備えた電力増幅器用バイアス回路。
【請求項６】
前記電力制御用バイポーラトランジスタのベースが前記バイアス供給用バイポーラトランジスタのベースに接続されていることを特徴とする請求項１、２、３または４記載の電力増幅器用バイアス回路。
【請求項７】
前記電力制御用バイポーラトランジスタのエミッタにＰＮダイオードが接続されていることを特徴とする請求項１、２、３、４または６記載の電力増幅器用バイアス回路。
【請求項８】
前記電力制御用バイポーラトランジスタのエミッタにショットキーダイオードが接続されていることを特徴とする請求項１、２、３、４または６記載の電力増幅器用バイアス回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、移動体通信機器等に用いられる電力増幅器用のバイポーラトランジスタのバイアス回路に関するものである。特に、低出力時の消費電流低減に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話に代表される移動体通信機器は、小型化、長通話時間化へと急速に進んでいる。このため、通話時消費電力の大半を占める、送信用電力増幅器においては、よりいっそうの高効率化が強く求められている。
【０００３】
図１１は従来の電力増幅器用バイアス回路の一例を示す回路図である（特許文献１参照）。
【０００４】
図１１において、１はバイアス供給用バイポーラトランジスタ、２は電力用バイポーラトランジスタ、４，５，６，７は抵抗、８，９は温度補償用のショットキーダイオード、１０は電力用バイポーラトランジスタ２に流れるコレクタ電流（以後アイドル電流と呼ぶ）、１１はバイアス供給用バイポーラトランジスタ１のベース電位を決定するVref電圧、１２は電力用バイポーラトランジスタ２のコレクタに電位を与えるVcc電圧、２０は電力用バイポーラトランジスタ２に流れるベース電流である。
【０００５】
上記の構成において、電力用バイポーラトランジスタ２のアイドル電流１０の電流値は、Vref電圧１１、バイアス供給用バイポーラトランジスタ１、抵抗４，５，６，７、ショットキーダイオード８，９により生成されるベース電流２０により決定される。
【０００６】
つぎに、上記電力増幅器用バイアス回路を有する電力増幅器の構成および動作について、図面を参照しながら説明する。図１２に送信用電力増幅器の一例の回路図を示す。図１２において、２１，２２は図１１に示された電力増幅器用バイアス回路、２３，２４，２５は高周波整合回路、２６は高周波信号入力端子、２７は高周波信号出力端子である。
【０００７】
この電力増幅器は、２段の増幅器を有する構造を持ち、高周波信号入力端子２６から入力された信号は高周波整合回路２３，２４，２５を通って２段の電力増幅器により増幅され、高周波信号出力端子２７より出力される。
【０００８】
ここで、ＣＤＭＡ（Code Division Multiple Access）に代表される近年の通信方式では、パワーコントロール機能というものがある。これは、基地局に近い距離に端末がある場合、その端末は送信出力を下げて、基地局への通信を行う機能（Low Power Mode）である。
【０００９】
この時、送信用電力増幅器は、フルパワー出力（約２７．０dBm）から低パワー出力（約１５dBm）に動作が切り替わることになる。この低パワー時において、送信用電力増幅器は、十分線形性が得られる範囲で動作している。このため、線形性を維持しながら、バイアス点を下げること（動作電流を低減すること）が可能である。そこで、移動体通信端末において高効率化を図るため、低パワー出力時においてVref電圧１１を下げることで電力用バイポーラトランジスタ２の動作電流を低減させる手法が一般的に用いられている。
【特許文献１】特開２００３−０５１７２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかし、図１１に示した電力増幅器用バイアス回路では、低パワー時にVref電圧１１によって電力用バイポーラトランジスタの動作電流を制御（制限）する場合、百ｍＶ単位でVref電圧１１を制御（例えば２．８Ｖから２．７Ｖに制御）する必要があり、制御が困難で、特殊な回路や外部に精度の高いレギュレータを必要とするという問題があった。
【００１１】
また、従来の電力増幅器用バイアス回路では、ショットキーダイオード８，９により電力用バイポーラトランジスタ２の温度特性を補償するように動作している。しかし、低パワー時にVref電圧１１で電力用バイポーラトランジスタ２の動作電流を制御（制限）した場合、ショットキーダイオード８，９に流れる電流が減少するため、温度補償効果が低減するという問題があった。
【００１２】
したがって、本発明の目的は、上記課題を解決するものであり、低パワー時の電力増幅器の電流制御（制限）の制御性に優れ、また低パワー時の電力増幅器の温度特性を大幅に改善することができる電力増幅器用バイアス回路を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために、請求項１記載の発明の電力増幅器用バイアス回路は、バイアス供給用バイポーラトランジスタと、ベースがバイアス供給用バイポーラトランジスタのエミッタに接続された電力用バイポーラトランジスタと、コレクタがバイアス供給用バイポーラトランジスタのエミッタに接続された電力制御用バイポーラトランジスタとを備えている。
【００１４】
この構成によれば、電力制御用バイポーラトランジスタに与えるベース端子電圧を制御することにより、低パワー時の電流制御（制限）を可能としている。このときの端子電圧は数Ｖ単位の電圧で制御することができる。したがって、例えば電力増幅器を制御するコントロールＩＣからのデジタル信号でも容易に制御することが可能であり、低パワー時の電力増幅器の電流制御（制限）の制御性に優れる。
【００１５】
また、請求項２記載の発明の電力増幅器用バイアス回路は、請求項１記載の電力増幅器用バイアス回路において、電力制御用バイポーラトランジスタのベースとエミッタが抵抗を介して接続されていることを特徴とするものである。
【００１６】
この構成によれば、請求項１記載の電力増幅器用バイアス回路の作用効果に加え、電力制御用バイポーラトランジスタのベース端子電圧に対する動作電流の変化を、抵抗の値を変えることによって自在にコントロールすることが可能で、任意の電流依存性を得ることが可能である。
【００１７】
また、請求項３記載の発明の電力増幅器用バイアス回路は、請求項１記載の電力増幅器用バイアス回路において、電力制御用バイポーラトランジスタのベースとコレクタが抵抗を介して接続されていることを特徴とする。
【００１８】
この構成によれば、請求項１記載の電力増幅器用バイアス回路の作用効果に加え、電力制御用バイポーラトランジスタのベース端子電圧に対する動作電流の変化を、抵抗の値を変えることによって自在にコントロールすることが可能で、任意の電流依存性を得ることが可能である。
【００１９】
また、請求項４記載の発明の電力増幅器用バイアス回路は、請求項１、２または３記載の電力増幅器用バイアス回路において、電力制御用バイポーラトランジスタのベースが抵抗を介して接地されていることを特徴とする。
【００２０】
この構成によれば、請求項１、２または３記載の電力増幅器用バイアス回路の作用効果に加え、電力制御用バイポーラトランジスタのベースに印加される電圧を安定させることが可能である。
【００２１】
また、請求項５記載の発明の電力増幅器用バイアス回路は、バイアス供給用バイポーラトランジスタと、ベースがバイアス供給用バイポーラトランジスタのエミッタに接続された電力用バイポーラトランジスタと、コレクタがバイアス供給用バイポーラトランジスタのエミッタに接続された電力制御用バイポーラトランジスタと、コレクタが電力制御用バイポーラトランジスタのベースに接続されたインバータ用バイポーラトランジスタとを備えている。
【００２２】
この構成によれば、インバータ用バイポーラトランジスタにベース端子電圧を印加することにより、電力制御用バイポーラトランジスタのベースからエミッタに流れる電流を止める（少なくする）方向に作用し、電力用バイポーラトランジスタのコレクタ電流は増加する傾向に作用し、低パワー時の電流制御（制限）を可能としている。このときの端子電圧は数Ｖ単位の電圧で制御することができる。したがって、例えば電力増幅器を制御するコントロールＩＣからのデジタル信号でも容易に制御することが可能であり、低パワー時の電力増幅器の電流制御（制限）の制御性に優れる。
【００２３】
また、請求項６記載の発明の電力増幅器用バイアス回路は、請求項１、２、３または４記載の電力増幅器用バイアス回路において、電力制御用バイポーラトランジスタのベースがバイアス供給用バイポーラトランジスタのベースに接続されていることを特徴とする。
【００２４】
この構成によれば、請求項１、２、３または４記載の電力増幅器用バイアス回路の作用効果に加え、電力制御用バイポーラトランジスタのベースには常にある一定の電圧がかけられることになるので、請求項１、２、３または４記載の発明に比べ、電力制御用バイポーラトランジスタのベース端子に印加する電圧が低い電圧でもトランジスタが動作し、バイアス供給用バイポーラトランジスタのコレクタ電流が低減されるという作用が得られる。
【００２５】
また、請求項７記載の発明の電力増幅器用バイアス回路は、請求項１、２、３、４または６記載の電力増幅器用バイアス回路において、電力制御用バイポーラトランジスタのエミッタにＰＮダイオードが接続されていることを特徴とする。
【００２６】
この構成によれば、電力制御用バイポーラトランジスタのベースに電圧印加して電流低減を図った場合、ＰＮダイオードが電力用バイポーラトランジスタの温度特性変動を補償する温度補償機能を発揮するという作用が得られる。
【００２７】
また、請求項８記載の発明の電力増幅器用バイアス回路は、請求項１、２、３、４または６記載の電力増幅器用バイアス回路において、電力制御用バイポーラトランジスタのエミッタにショットキーダイオードが接続されていることを特徴とする。
【００２８】
この構成によれば、電力制御用バイポーラトランジスタのベースに電圧印加して電流低減を図った場合、ショットキーダイオードが請求項７の発明に比べ、さらに強い温度補償機能を発揮するという作用が得られる。
【発明の効果】
【００２９】
本発明の電力増幅器用バイアス回路によれば、低パワー時の電力増幅器の電流制御の制御性を大きく改善することが可能である。
【００３０】
また、ＰＮダイオードまたはショットキーダイオードを電力制御用バイポーラトランジスタのエミッタに接続して、低パワー時の温度補償機能を持たせれば、低パワー時の電力増幅器の温度特性を大幅に改善することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。
【００３２】
（第１の実施の形態）
図１は本発明の電力増幅器用バイアス回路における第１の実施の形態を示した回路図である。図１において、１はバイアス供給用バイポーラトランジスタ、２は電力用バイポーラトランジスタ、３は電力制御用バイポーラトランジスタ、４，５，６，７，１４，１５は抵抗、８，９はショットキーダイオード、１０はアイドル電流、１１はバイアス供給用バイポーラトランジスタ１のベース電位を決定するVref電圧、１２は電力用バイポーラトランジスタ２のコレクタに電位を与えるVcc電圧、１３は電力制御電圧、２８は電力用バイポーラトランジスタ２のベース電流、２９は電力制御用バイポーラトランジスタ３のコレクタ電流である。
【００３３】
この電力増幅器用バイアス回路は、図１１の従来例の電力増幅器用バイアス回路に対し、以下の構成を付加している。すなわち、バイアス供給用バイポーラトランジスタ１のエミッタに電力制御用バイポーラトランジスタ３、抵抗１４，１５を新たに追加し、電力制御用バイポーラトランジスタ３のベースに抵抗１４を介して電力制御電圧１３を加えるようにしている。この構成により、電力制御電圧１３を印加することにより低パワー時のアイドル電流１０の低減を可能としている。
【００３４】
この構成によれば、低パワー時に電力制御電圧１３を印加することで、電力制御用バイポーラトランジスタ３を動作させる。これによって、電力制御用バイポーラトランジスタ３のコレクタ電流２９が流れる。このため、電力用バイポーラトランジスタ２のベース電流２８が減少し、アイドル電流１０が減少する。
【００３５】
図２に第１の実施の形態の電力制御電圧１３に対するアイドル電流１０の依存性を実線Ａ１で示す。図２の縦軸はアイドル電流（ｍＡ）、横軸は電力制御電圧（Ｖ）である。また、図１１の従来例のVref電圧１１に対するアイドル電流１０の依存性を点線Ａ２で示す。図２から、電力制御電圧１３を印加することによりアイドル電流１０が低減されることがわかる。ここで、特筆すべき点は、点線Ａ２で示す従来例のようなVref電圧１１で制御する方法に比べ、実線Ａ１で示す第１の実施の形態の制御方法は、電圧依存性が緩やかなため、制御性に優れていることがわかる。つまり、数Ｖ単位の電圧でアイドル電流１０の制御が可能となる。このため、本発明の第１の実施の形態では、特殊な回路や外部に精度の高いレギュレータを必要としないという利点をもつ。
【００３６】
従来例では、バイアス供給用バイポーラトランジスタ１と電力用バイポーラトランジスタ２の２段増幅器の構造になっているため、バイアス供給用バイポーラトランジスタのベース電圧値の変化が２段増幅されるため、アイドル電流は大きく変化してしまう。つまり、従来例では電圧依存性が急峻となる。
【００３７】
また、実線Ａ１で示す第１の実施の形態の制御方法では、約３Ｖ付近でアイドル電流１０が低電流値で安定化し、また電力制御電圧１３を印加する端子から電力制御用バイポーラトランジスタ３のベースへ流す電流が低電流でも、十分電力制御用バイポーラトランジスタ３を駆動可能なため、例えば電力増幅器を制御するコントロールＩＣからのデジタル信号でも容易に制御することが可能である。つまり、デジタル信号をそのまま電力制御電圧１３として使用することが可能である。
【００３８】
この実施の形態によれば、電力制御用バイポーラトランジスタ３のベース端子電圧を制御することにより低パワー時の電流制御を可能としており、このときの端子電圧は数Ｖ単位の電圧で制御することができる。したがって、例えば電力増幅器を制御するコントロールＩＣからのデジタル信号でも容易に制御することが可能であり、低パワー時の電流制御（制限）の制御性に優れる。
【００３９】
また、電力制御用バイポーラトランジスタ３のベースを抵抗１４を介して接地しているので、電力制御用バイポーラトランジスタ３のベースに印加する電圧を安定させることが可能である。
【００４０】
（第２の実施の形態）
図３は本発明の電力増幅器用バイアス回路における第２の実施の形態を示した回路図である。
【００４１】
図３の第２の実施の形態は、図１の第１の実施の形態に対し、電力制御用バイポーラトランジスタ３のコレクタ−ベース間に抵抗１６を付加し、エミッタ−ベース間に抵抗１７を付加したものである。
【００４２】
このように、電力制御用バイポーラトランジスタ３のベースとコレクタが抵抗１６を介して接続されていることにより、電力制御用バイポーラトランジスタ３のベース端子電圧に対するアイドル電流１０の変化を、抵抗１６の値を変えることによって自在にコントロールすることが可能で、任意の電流依存性を得ることが可能である。
【００４３】
同様に、電力制御用バイポーラトランジスタ３のベースとエミッタが抵抗１７を介して接続されていることにより、電力制御用バイポーラトランジスタ３のベース端子電圧に対するアイドル電流１０の変化を、抵抗１７の値を変えることによって自在にコントロールすることが可能で、任意の電流依存性を得ることが可能である。
【００４４】
第２の実施の形態の特徴を説明するため、図４に第１の実施の形態の電力制御電圧１３に対するアイドル電流１０の依存性を実線Ｂ１で示す。また、第２の実施の形態の電力増幅器用バイアス回路において、抵抗１６を付加した場合の、電力制御電圧１３に対するアイドル電流１０の依存性を破線Ｂ２で示す。また、第２の実施の形態の電力増幅器用バイアス回路において、抵抗１７を付加した場合の、電力制御電圧１３に対するアイドル電流１０の依存性を点線Ｂ３で示す。さらに、第２の実施の形態の電力増幅器用バイアス回路において、抵抗１６，１７の両方を付加した場合の、電力制御電圧１３に対するアイドル電流１０の依存性を一点鎖線Ｂ４で示す。
【００４５】
図４より、抵抗１７を付加することでアイドル電流１０の低減が開始する電圧が大きくなるということがわかる。また、抵抗１６を付加することでアイドル電流１０が低電流値側で安定開始する電圧が大きくなるということがわかる。なお、抵抗１６を付加することでアイドル電流１０が低電流値で安定開始する電圧が大きくなるのは、抵抗１６を付加することで電力制御電圧１３に対するアイドル電流１０の依存性が緩やかになるからである。
【００４６】
ここで、抵抗１６，１７を付加することにより電力制御電圧１３に対するアイドル電流１０の依存性が変化する理由について説明する。
【００４７】
抵抗１７を付加した場合、電力制御用バイポーラトランジスタ３のベースにかかる電圧としては、抵抗１４と抵抗１７，１５との分配比で決まる電圧がかかることになる。このため、電力制御電圧１３より低い電圧が電力制御用バイポーラトランジスタ３にかかるので、図４に示されるアイドル電流１０の依存性は、実線Ｂ１に対し、高電圧側へ（右へ）略平行にシフトした形となる。
【００４８】
また、抵抗１６を付加した場合、電力制御用バイポーラトランジスタ３のベースには、抵抗１４と抵抗１６との分配比で決まる電圧がかかることになる。このため、電力制御用電圧１３の変化に対し、電力制御用バイポーラトランジスタ３のベース電圧は緩やかに変化することとなる。またこのとき、抵抗１６が接続されている電力用バイポーラトランジスタ２のベース電圧は、トランジスタのしきい値以上の電圧がかかるため、しきい値電圧は変わらない。このため、図４のアイドル電流の依存性は、破線Ｂ２のように、実線Ｂ１に比べて緩やかになる。
【００４９】
さらに、抵抗１６，１７の両方を付加した場合、一点鎖線Ｂ４で示すように、アイドル電流１０の低減が開始する電圧が大きくなり、かつアイドル電流１０の依存性が緩やかになる。
【００５０】
図１３に電力制御電圧１３に対する電力制御トランジスタ３のベース電圧の依存性を示す。図１３において、実線Ｆ１は、第１の実施の形態の電力制御電圧１３に対する電力制御トランジスタ３のベース電圧の依存性を示す。点線Ｆ２は第２の実施の形態の電力増幅器用バイアス回路において、抵抗１７を付加した場合の電力制御電圧１３に対する電力制御トランジスタ３のベース電圧の依存性を示す。破線Ｆ３は第２の実施の形態の電力増幅器用バイアス回路において、抵抗１６を付加した場合の電力制御電圧１３に対する電力制御トランジスタ３のベース電圧の依存性を示す。太実線Ｆ４はトランジスタのしきい値電圧を示している。
【００５１】
この構成により、電力制御電圧１３に対するアイドル電流の変化を自在にコントロールすることが可能で、任意の電流依存性を得ることが可能である。例えば、数段階でアイドル電流１０を制御する場合には、抵抗１７を小さくすることで電力制御電圧１３に対するアイドル電流１０の依存性が緩やかになり、制御性が改善される。
【００５２】
（第３の実施の形態）
図５は本発明の電力増幅器用バイアス回路における第３の実施の形態を示した回路図である。図５の第３の実施の形態は図１の第１の実施の形態に対し、電力制御用バイポーラトランジスタ３のベースにインバータ用バイポーラトランジスタ３０のコレクタを接続し、このインバータ用バイポーラトランジスタ３０のベースに抵抗１４を介して電力制御電圧１３を印加し、インバータ用バイポーラトランジスタ３０のエミッタを抵抗３１を介して接地し、インバータ用バイポーラトランジスタ３０のコレクタに抵抗３２を介してVcc電圧１２を印加したものである。その他の構成は、図１の実施の形態と同様である。
【００５３】
第３の実施の形態の特徴を説明するため、図６に第１の実施の形態の電力制御電圧１３に対するアイドル電流１０の依存性を点線Ｃ１で示す。また、第３の実施の形態の電力制御電圧１３に対するアイドル電流１０の依存性を実線Ｃ２で示す。図６より、第１の実施の形態とは逆に、電力制御電圧１３を下げることで、アイドル電流１０の制御（制限）が可能となることがわかる。
【００５４】
この実施の形態によれば、インバータ用バイポーラトランジスタ３０にベース端子電圧を印加することにより、電力制御用バイポーラトランジスタ３のベース電圧はインバータ用バイポーラトランジスタ３０が動作することにより低下する。このため、電力制御用バイポーラトランジスタ３のコレクタからエミッタに流れる電流を止める（少なくする）方向に作用するので、電力用バイポーラトランジスタ２のコレクタ電流は増加する傾向に作用する。このとき、電力制御用バイポーラトランジスタ３のコレクタ端子電圧を制御することにより低パワー時の電流制御を可能としており、このときの端子電圧は数Ｖ単位の電圧で制御することができる。したがって、例えば電力増幅器を制御するコントロールＩＣからのデジタル信号でも容易に制御することが可能であり、低パワー時の電流制御（制限）の制御性に優れる。
【００５５】
（第４の実施の形態）
図７は本発明の電力増幅器用バイアス回路における第４の実施の形態を示した回路図である。図７の第４の実施の形態は図１の第１の実施の形態に対し、電力制御用バイポーラトランジスタ３のベースが抵抗１８を介してVref電圧１１に接続されていることを特徴とする。
【００５６】
第４の実施の形態の特徴を説明するため、図８に第１の実施の形態の電力制御電圧１３に対するアイドル電流１０の依存性を破線Ｄ１で示し、第４の実施の形態の電力制御電圧１３に対するアイドル電流１０の依存性を実線Ｄ２で示す。
【００５７】
図８より、第１の実施の形態に対し、低い電力制御電圧１３でアイドル電流１０の制御が可能となる。つまり、第１の実施の形態に比べ、電力制御用バイポーラトランジスタ３のベースには常にＶref電圧１１が加えられ、Ｖref電圧１１にて電流が電力制御用バイポーラトランジスタ３にあらかじめ供給されているため、電力制御電圧１３が電力制御用バイポーラトランジスタ３の閾値より低い電圧で電力制御用バイポーラトランジスタ３が動作し、電力用バイポーラトランジスタ２のコレクタ電流が低減される。
【００５８】
その他は第１の実施の形態と同様である。なお、電力制御用バイポーラトランジスタ３のベースを抵抗１８を介してVref電圧１１に接続する構成は、図３の実施の形態にも適用することができ、その場合にも同様の効果が得られる。
【００５９】
（第５の実施の形態）
図９は本発明の電力増幅器用バイアス回路における第５の実施の形態を示した回路図である。図９の第５の実施の形態は図１の第１の実施の形態に対し、電力制御用バイポーラトランジスタ３のエミッタにショットキーダイオード１９を接続したものである。この結果、電力制御電圧１３を印加してアイドル電流１０の低減を図る場合、ショットキーダイオード１９が電力用バイポーラトランジスタ２の温度特性を打ち消すように働き、アイドル電流１０の温度変化を低減するという作用が得られる。
【００６０】
第５の実施の形態の特徴を説明するため、図１０にアイドル電流の温度依存性を示す。ここで、破線Ｅ１は電流制御を行わない場合の温度依存性、点線Ｅ２は図２の従来例におけるVref電圧によるアイドル電流制御時の温度依存性、実線Ｅ３は第５の実施の形態におけるアイドル電流制御時の温度依存性を示す。破線Ｅ１に示す電流制御を行わない場合には、ショットキーダイオード８，９と電力用バイポーラトランジスタ２の温度補償効果でアイドル電流１０の温度変化が低減されている。
【００６１】
しかし、点線Ｅ２に示すVref電圧１１によるアイドル電流制御時には、その温度補償のバランスが崩れ、高温時にアイドル電流１０が増加する傾向となる。
【００６２】
そこで、実線Ｅ３に示す第５の実施の形態によればショットキーダイオード１９も電力用バイポーラトランジスタ２の温度特性を打ち消すように働くため、従来例に比べ、アイドル電流１０の温度変化を大幅に改善することが可能である。その他の効果は図１の実施の形態と同様である。なお、ショットキーダイオード１９を接続する構成は図３の実施の形態にも適用することができ、その場合にも同様の効果が得られる。
【００６３】
また、ショットキーダイオード１９の代わりに、ＰＮダイオードを用いた場合にも、補償量は多少少なくなるが、温度補償効果は同じように得られる。
【産業上の利用可能性】
【００６４】
本発明の電力増幅器用バイアス回路によれば、低パワー時の電力増幅器の電流制御の制御性を大きく改善することが可能である。
【００６５】
また、ＰＮダイオードまたはショットキーダイオードを電力制御用バイポーラトランジスタのエミッタに接続して、低パワー時の温度補償機能を持たせれば、低パワー時の電力増幅器の温度特性を大幅に改善することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明の第１の実施の形態における電力増幅器用バイアス回路の構成を示す回路図
【図２】本発明の第１の実施の形態における電力増幅器用バイアス回路の電力制御電圧−アイドル電流特性を示す特性図
【図３】本発明の第２の実施の形態における電力増幅器用バイアス回路の構成を示す回路図
【図４】本発明の第２の実施の形態における電力増幅器用バイアス回路の電力制御電圧−アイドル電流特性を示す特性図
【図５】本発明の第３の実施の形態における電力増幅器用バイアス回路の構成を示す回路図
【図６】本発明の第３の実施の形態における電力増幅器用バイアス回路の電力制御電圧−アイドル電流特性を示す特性図
【図７】本発明の第４の実施の形態における電力増幅器用バイアス回路の構成を示す回路図
【図８】本発明の第４の実施の形態における電力増幅器用バイアス回路の電力制御電圧−アイドル電流特性を示す特性図
【図９】本発明の第５の実施の形態における電力増幅器用バイアス回路の構成を示す回路図
【図１０】本発明の第５の実施の形態における電力増幅器用バイアス回路のアイドル電流−温度特性を示す特性図
【図１１】従来例における電力増幅器用バイアス回路の構成を示す回路図
【図１２】従来例における送信用電力増幅器の構成を示す回路図
【図１３】電力制御電圧に対する電力制御トランジスタのベース電圧の依存性を示す特性図
【符号の説明】
【００６７】
１  バイアス供給用バイポーラトランジスタ
２  電力用バイポーラトランジスタ
３  電力制御用バイポーラトランジスタ
４，５，６，７，１４，１６，１７，１８  抵抗
８，９，１９  ショットキーダイオード
１０  アイドル電流
１１  Vref電圧
１２  Vcc電圧
１３  電力制御用電圧
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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