(57)【要約】【課題】  センサ自体にバラツキがあった場合やステータ組み立て時のセンサ取付けに誤差があった場合でもロータ軸の変位異常を正確に検出できる磁気軸受制御装置を提供する。【解決手段】  演算回路９０では入力されたギャップ信号４２に基づいて渦電流ギャップセンサ１０７Ａ、１０７Ｂのセンサ感度の補正値が演算され、この補正値に基づきセンサ感度調整回路５０ではセンサ感度が適正となるように補正されるようになっている。オフセット・浮上ゲイン調整回路６０では、センサ感度調整回路５０で補正されたセンサ信号に基づきロータ軸１１３を保護ベアリング１２０の内径中心に位置させるように調整される。この中心位置は、演算回路９０により指定されるようになっている。【選択図】        図１
2006083924.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ロータ軸と、
該ロータ軸の周囲に配設された保護ベアリングと、
前記ロータ軸の半径方向又は軸方向の位置を検出する位置センサと、
該位置センサで検出された位置に基づき前記ロータ軸の半径方向又は軸方向の位置を調整する電磁石と、
前記保護ベアリング内側の前記ロータ軸の機械的位置に対する前記位置センサで検出される信号の電気的感度が予め定めた基準の感度となるために必要な補正値を演算する補正値演算手段と、
前記位置センサで検出された位置信号を該補正値演算手段で演算された補正値により補正する位置補正手段とを備えたことを特徴とする磁気軸受制御装置。
【請求項２】
前記電磁石による前記ロータ軸の位置の調整が、前記位置補正手段で補正された位置信号に基づき行われることを特徴とする請求項１記載の磁気軸受制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は磁気軸受制御装置に係わり、特にセンサ自体にバラツキがあった場合やステータ組み立て時のセンサ取付けに誤差があった場合でもロータ軸の変位異常を正確に検出できる磁気軸受制御装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年のエレクトロニクスの発展に伴い、メモリや集積回路といった半導体の需要が急激に増大している。
これらの半導体は、極めて純度の高い半導体基板に不純物をドープして電気的性質を与えたり、半導体基板上に微細な回路パターンを形成し、これを積層するなどして製造される。
【０００３】
そして、これらの作業は空気中の塵等による影響を避けるため高真空状態のチャンバ内で行われる必要がある。このチャンバの排気には、一般に真空ポンプが用いられているが、特に残留ガスが少なく、保守が容易である等の点からターボ分子ポンプが多用されている。
また、半導体の製造工程では、さまざまなプロセスガスを半導体の基板に作用させる工程が数多くあり、ターボ分子ポンプはチャンバ内を真空にするのみならず、これらのプロセスガスをチャンバ内から排気するのにも使用される。
【０００４】
さらに、ターボ分子ポンプは、電子顕微鏡等の設備において、粉塵等の存在による電子ビームの屈折等を防止するため、電子顕微鏡等のチャンバ内の環境を高度の真空状態にするのにも用いられている。
そして、このようなターボ分子ポンプは、半導体製造装置や電子顕微鏡等のチャンバからガスを吸引排気するためのターボ分子ポンプ本体と、このターボ分子ポンプ本体を制御する制御装置とから構成されている。
【０００５】
ターボ分子ポンプ本体の縦断面図を図５に示す。
図５において、ターボ分子ポンプ本体１００は、円筒状の外筒１２７の上端に吸気口１０１が形成されている。そして、外筒１２７の内方には、ガスを吸引排気するためのタービンブレードによる複数の回転翼１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ・・・を周部に放射状かつ多段に形成した回転体１０３が備えられている。
この回転体１０３の中心にはロータ軸１１３が取付けられており、このロータ軸１１３は、例えば５軸制御の磁気軸受により空中に浮上支持かつ位置制御されている。
【０００６】
上側径方向電磁石１０４は、４個の電磁石がＸ軸とＹ軸にかつ＋方向と−方向に、それぞれの対をなして配置されている（図示しないが、必要に応じて電磁石１０４Ｘ＋、１０４Ｘ−、１０４Ｙ＋、１０４Ｙ−という）。そして、この上側径方向電磁石１０４に近接かつ対応されて４個の電磁石からなる上側径方向センサ１０７が備えられている。この上側径方向センサ１０７は回転体１０３の径方向変位を検出し、制御装置２００に送るように構成されている。
【０００７】
そして、この制御装置２００においては、上側径方向センサ１０７が検出した変位信号に基づき、ＰＩＤ調節機能により上側径方向電磁石１０４を励磁制御し、ロータ軸１１３の上側の径方向位置を調整する。
そして、このロータ軸１１３は、高透磁率材（鉄など）などにより形成され、上側径方向電磁石１０４の磁力により吸引されるようになっている。かかる調整は、Ｘ軸方向とＹ軸方向とにそれぞれ独立して行われる。
【０００８】
また、下側径方向電磁石１０５及び下側径方向センサ１０８は、上側径方向電磁石１０４及び上側径方向センサ１０７と同様に配置され、ロータ軸１１３の下側の径方向位置を上側の径方向位置と同様に調整している（下側径方向電磁石１０５についても、必要に応じて電磁石１０５Ｘ＋、１０５Ｘ−、１０５Ｙ＋、１０５−という）。
【０００９】
さらに、軸方向電磁石１０６Ａ、１０６Ｂは、ロータ軸１１３の下部に備えた円板状の金属ディスク１１１を上下に挟んで配置されている。金属ディスク１１１は、鉄などの高透磁率材で構成されている。ロータ軸１１３の軸方向変位を検出するために軸方向センサ１０９が備えられ、その軸方向変位信号が制御装置２００に送られるように構成されている。
【００１０】
そして、軸方向電磁石１０６Ａ、１０６Ｂは、この軸方向変位信号に基づき、ＰＩＤ調節機能により、励磁制御されるようになっている。軸方向電磁石１０６Ａは、磁力により金属ディスク１１１を上方に吸引し、軸方向電磁石１０６Ｂは、金属ディスク１１１を下方に吸引する。
このように、軸方向電磁石１０６Ａ、１０６Ｂが金属ディスク１１１に及ぼす磁力を適当に調節することで、ロータ軸１１３は軸方向に磁気浮上され、かつ空間に非接触で保持されるようになっている。
【００１１】
一方、モータ１２１は、ロータ軸１１３を取り囲むように周状に配置された複数の磁極を備えている。各磁極は、ロータ軸１１３との間に作用する電磁力を介してロータ軸１１３を回転駆動するように、制御装置２００によって制御されている。
また、モータ１２１には図示しない回転数センサが組み込まれており、この回転数センサの検出信号によりロータ軸１１３の回転数が検出されるようになっている。
【００１２】
さらに、例えば下側径方向センサ１０８近傍に、図示しない位相センサが取付けてあり、ロータ軸１１３の回転の位相を検出するようになっている。制御装置２００では、この位相センサと回転数センサの検出信号を共に用いて磁極の位置を検出するようになっている。
【００１３】
回転翼１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ・・・とわずかの空隙を隔てて複数枚の固定翼１２３ａ、１２３ｂ、１２３ｃ・・・が配設されている。回転翼１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ・・・は、それぞれ排気ガスの分子を衝突により下方向に移送するため、ロータ軸１１３の軸線に垂直な平面から所定の角度だけ傾斜して形成されている。
【００１４】
また、固定翼１２３も、同様にロータ軸１１３の軸線に垂直な平面から所定の角度だけ傾斜して形成され、かつ外筒１２７の内方に向けて回転翼１０２の段と互い違いに配設されている。
そして、固定翼１２３の一端は、複数の段積みされた固定翼スペーサ１２５ａ、１２５ｂ、１２５ｃ・・・の間に嵌挿された状態で支持されている。
固定翼スペーサ１２５はリング状の部材であり、例えばアルミニウム、鉄、ステンレス、銅などの金属、又はこれらの金属を成分として含む合金などの金属によって構成されている。
【００１５】
固定翼スペーサ１２５の外周には、わずかの空隙を隔てて外筒１２７が固定されている。外筒１２７の底部にはベース部１２９が配設され、固定翼スペーサ１２５の下部とベース部１２９の間にはネジ付きスペーサ１３１が配設されている。そして、ベース部１２９中のネジ付きスペーサ１３１の下部には排気口１３３が形成され、外部に連通されている。
ネジ付きスペーサ１３１は、アルミニウム、銅、ステンレス、鉄、又はこれらの金属を成分とする合金などの金属によって構成された円筒状の部材であり、その内周面に螺旋状のネジ溝１３１ａが複数条刻設されている。
【００１６】
ネジ溝１３１ａの螺旋の方向は、回転体１０３の回転方向に排気ガスの分子が移動したときに、この分子が排気口１３３の方へ移送される方向である。
回転体１０３の回転翼１０２ａ、１０２ｂ、１０２ｃ・・・に続く最下部には回転翼１０２ｄが垂下されている。この回転翼１０２ｄの外周面は、円筒状で、かつネジ付きスペーサ１３１の内周面に向かって張り出されており、このネジ付きスペーサ１３１の内周面と所定の隙間を隔てて近接されている。
【００１７】
ベース部１２９は、ターボ分子ポンプ本体１００の基底部を構成する円盤状の部材であり、一般には鉄、アルミニウム、ステンレスなどの金属によって構成されている。
ベース部１２９はターボ分子ポンプ本体１００を物理的に保持すると共に、熱の伝導路の機能も兼ね備えているので、鉄、アルミニウムや銅などの剛性があり、熱伝導率も高い金属が使用されるのが望ましい。
【００１８】
かかる構成において、回転翼１０２がモータ１２１により駆動されてロータ軸１１３と共に回転すると、回転翼１０２と固定翼１２３の作用により、吸気口１０１を通じてチャンバからの排気ガスが吸気される。
【００１９】
吸気口１０１から吸気された排気ガスは、回転翼１０２と固定翼１２３の間を通り、ベース部１２９へ移送される。このとき、排気ガスが回転翼１０２に接触する際に生ずる摩擦熱や、モータ１２１で発生した熱の伝導などにより、回転翼１０２の温度は上昇するが、この熱は、輻射又は排気ガスの気体分子などによる伝導により固定翼１２３側に伝達される。
【００２０】
固定翼スペーサ１２５は、外周部で互いに接合しており、固定翼１２３が回転翼１０２から受け取った熱や排気ガスが固定翼１２３に接触する際に生ずる摩擦熱などを外部へと伝達する。
ベース部１２９に移送されてきた排気ガスは、ネジ付きスペーサ１３１のネジ溝１３１ａに案内されつつ排気口１３３へと送られる。
【００２１】
なお、上記では、ネジ付きスペーサ１３１は回転翼１０２ｄの外周に配設し、ネジ付きスペーサ１３１の内周面にネジ溝１３１ａが刻設されているとして説明した。しかしながら、これとは逆に回転翼１０２ｄの外周面にネジ溝が刻設され、その周囲に円筒状の内周面を有するスペーサが配置される場合もある。
【００２２】
また、吸気口１０１から吸引されたガスがモータ１２１、下側径方向電磁石１０５、下側径方向センサ１０８、上側径方向電磁石１０４、上側径方向センサ１０７などで構成される電装部側に侵入することのないよう、電装部は周囲をステータコラム１２２で覆われ、この電装部内はパージガスにて所定圧に保たれている。
【００２３】
このため、ベース部１２９には図示しない配管が配設され、この配管を通じてパージガスが導入される。導入されたパージガスは、保護ベアリング１２０とロータ軸１１３間、モータ１２１のロータとステータ間、ステータコラム１２２と回転翼１０２間の隙間を通じて排気口１３３へ送出される。
【００２４】
ところで、プロセスガスは、反応性を高めるため高温の状態でチャンバに導入されることがある。そして、これらのプロセスガスは、排気される際に冷却されてある温度になると固体となり排気系に生成物を析出する場合がある。そして、この種のプロセスガスがターボ分子ポンプ本体１００内で低温となって固体状となり、ターボ分子ポンプ本体１００内部に付着して堆積する。
【００２５】
例えば、Ａｌエッチング装置にプロセスガスとしてＳｉＣｌ4が使用された場合、低真空（７６０［ｔｏｒｒ］〜１０-2［ｔｏｒｒ］）かつ、低温（約２０［℃］）のとき、固体生成物（例えばＡｌＣｌ3）が析出し、ターボ分子ポンプ本体１００内部に付着堆積することが蒸気圧曲線から分かる。これにより、ターボ分子ポンプ本体１００内部にプロセスガスの析出物が堆積すると、この堆積物がポンプ流路を狭め、ターボ分子ポンプ本体１００の性能を低下させる原因となる。そして、前述した生成物は排気口付近の温度が低い部分、特に回転翼１０２及びネジ付きスペーサ１３１付近で凝固、付着し易い状況にあった。
【００２６】
そのため、この問題を解決するために、従来はベース部１２９等の外周に図示しないヒータや環状の水冷管１４９を巻着させ、かつ例えばベース部１２９に図示しない温度センサ（例えばサーミスタ）を埋め込み、この温度センサの信号に基づきベース部１２９の温度を一定の高い温度（設定温度）に保つようにヒータの加熱や水冷管１４９による冷却の制御（以下ＴＭＳと言う。ＴＭＳ；Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｍａｎａｇｅｍｅｎｔ  Ｓｙｓｔｅｍ）が行われている。
ここに、保護ベアリング１２０とロータ軸１１３の製作においては、一般的にはバラツキを有しており、この間の隙間等を目標値通りに製作することは困難である。そこで、このようなバラツキが存在していても、磁気浮上状態を安定かつ目標位置に浮上させるために、特許文献１が提案されている。
【００２７】
特許文献１では、まず、保護ベアリング１２０の内径であるロータ軸１１３の可動範囲のＸ方向等の限界値が検出される。次に、この限界値の中心位置でロータ軸１１３が安定に回転されることが理想なので、この限界値を基にその中心位置が演算される。そして、この演算結果である中心位置となるように制御装置２００での制御が行われる。
【特許文献１】特許２７００９０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２８】
しかしながら、上述の方法は、センサ感度が常に一定という条件のもとでは精度よく制御が行われるが、センサの感度は、例えばセンサの個体差やギャップ検出回路の誤差、ケーブル長の変更等の要因でばらつく。
【００２９】
センサとして渦電流ギャップセンサを利用した場合には、図６に示すようにセンサ感度は各ロットによりバラツキを有する。このようにセンサ感度が変化した場合のロータ軸１１３の機械的位置と異常検出可能な電気的レベルとの関係を図７に示す。図７において、保護ベアリング１２０の内径は、−１２５μｍから＋１２５μｍの範囲に規制されている。そして、センサ感度が１０ｍＶ／μｍのときを基準（図中ａで示す特性）として、ロータ軸１１３の機械的位置が１００μｍ若しくは−１００μｍで異常検出電圧１Ｖ若しくは−１Ｖが検出されるようになっている。異常検出電圧１Ｖ若しくは−１Ｖが検出された場合には、これ以上ロータ軸１１３の機械的位置が保護ベアリング１２０の内径の限界値に近づくことは危険であるため、警告やポンプ停止操作が行われている。
【００３０】
このように設定された磁気軸受でセンサの感度が例えば３０パーセント低下した場合には、図中ｂで示す特性のように傾斜角度が落ちる。このときのセンサ感度は７ｍＶ／μｍとなり、図上では、＋１２５μｍの範囲を超えた１４３μｍの位置で異常検出電圧１Ｖ若しくは−１２５μｍの範囲を超えた−１４３μｍの位置で異常検出電圧−１Ｖが検出されることになる。
【００３１】
即ち、このときには、保護ベアリング１２０の内径の限界値が−１２５μｍから＋１２５μｍの範囲であることから、異常検出がされない。このため、ロータ軸１１３が保護ベアリング１２０に接触した状態でありながら、異常検出がされないおそれがあった。
【００３２】
本発明はこのような従来の課題に鑑みてなされたもので、センサ自体にバラツキがあった場合やステータ組み立て時のセンサ取付けに誤差があった場合でもロータ軸の変位異常を正確に検出できる磁気軸受制御装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００３３】
このため本発明は、ロータ軸と、該ロータ軸の周囲に配設された保護ベアリングと、前記ロータ軸の半径方向又は軸方向の位置を検出する位置センサと、該位置センサで検出された位置に基づき前記ロータ軸の半径方向又は軸方向の位置を調整する電磁石と、前記保護ベアリング内側の前記ロータ軸の機械的位置に対する前記位置センサで検出される信号の電気的感度が予め定めた基準の感度となるために必要な補正値を演算する補正値演算手段と、前記位置センサで検出された位置信号を該補正値演算手段で演算された補正値により補正する位置補正手段とを備えて構成した。
【００３４】
保護ベアリング内側のロータ軸の機械的位置に対する位置センサで検出される信号の電気的感度が、予め定めた基準の感度となるために必要な補正値を演算する。このことにより、個体差にバラツキを有する位置センサを使用した場合や検出回路差、ケーブル長の違いなどから生じる誤差等が存在する場合であっても、位置補正手段でセンサ感度調整された位置信号によりロータ軸の変位異常を正確に検出できる。同様に、ステータ組み立て時のセンサ取付けに誤差が存在する場合であっても、ロータ軸の変位異常を正確に検出できる。
【００３５】
また、本発明は、前記電磁石による前記ロータ軸の位置の調整が、前記位置補正手段で補正された位置信号に基づき行われることを特徴とする。
【００３６】
ロータ軸の位置の調整が感度補正された位置信号に基づき行われる。このため、ロータ軸の中心位置を保護ベアリングの中心位置に制御し易くできる。従って、磁気浮上位置制御が極めて高精度に行われる。
【発明の効果】
【００３７】
以上説明したように本発明によれば、補正値演算手段を備えて構成したので、個体差にバラツキを有する位置センサを使用した場合や検出回路差、ケーブル長の違いなどから生じる誤差等が存在する場合であっても、センサ感度調整された位置信号によりロータ軸の変位異常を正確に検出できる。同様に、ステータ組み立て時のセンサ取付けに誤差が存在する場合であっても、ロータ軸の変位異常を正確に検出できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３８】
以下、本発明の実施形態について説明する。図１は本発明の実施形態である磁気軸受制御装置のブロック図である。図１において、渦電流ギャップセンサ１０７Ａ、１０７Ｂはロータ軸１１３を挟んで対となって配設され、それぞれ渦電流ギャップセンサ１０７Ａとロータ軸１１３間、渦電流ギャップセンサ１０７Ｂとロータ軸１１３間の径方向の変位を電圧という形で検出するようになっている。なお、以下、渦電流ギャップセンサ１０７Ａ、１０７Ｂは上側径方向センサを例に説明するが、下側径方向センサや軸方向センサについても同様である。
【００３９】
検出されたそれぞれのセンサ信号１２Ａ、１２Ｂは渦電流ギャップ検出回路４０に入力されるようになっている。渦電流ギャップ検出回路４０では、センサ信号１２Ａ、１２Ｂの出力に基づいてロータ軸１１３と保護ベアリング１２０間の隙間を偏差により演算し、ギャップ信号４２としてセンサ感度調整回路５０と演算回路９０に出力するようになっている。
【００４０】
演算回路９０では入力されたギャップ信号４２に基づいて渦電流ギャップセンサ１０７Ａ、１０７Ｂのセンサ感度の補正値が演算され、この補正値に基づきセンサ感度調整回路５０ではセンサ感度が適正となるように補正されるようになっている。
【００４１】
オフセット・浮上ゲイン調整回路６０では、センサ感度調整回路５０で補正されたセンサ信号に基づきロータ軸１１３を保護ベアリング１２０の内径中心に位置させるように調整される。この中心位置は、演算回路９０により指定されるようになっている。オフセット・浮上ゲイン調整回路６０で調整された信号は、磁気浮上補償回路７０でＰＩＤ補償等が施された後、電流増幅回路８０により増幅され電磁石１０４Ｘ＋、１０４Ｘ−に供給されるようになっている。
【００４２】
次に、本実施形態の作用について説明する。
前述したように、渦電流ギャップセンサ１０７Ａ、１０７Ｂの感度は、センサの個体差やギャップ検出回路の誤差、ケーブル長の変更等の要因でばらつく。このため、これらの要因があった場合であってもセンサ感度が一定の状態でロータ軸１１３の変位異常を検出できるように補正する。
【００４３】
本実施形態の作用を図２のフローチャートを基に説明する。図２のステップ１００において、まずロータ軸１１３を図３に示すように保護ベアリング１２０の内径中心Ｏ点より右側に移動させ、ステップ１０２で保護ベアリング１２０の右側に接触したか否かが判断される。ロータ軸１１３の位置は、渦電流ギャップセンサ１０７Ａ、１０７Ｂで常に検出しているが、電磁石１０４Ｘ＋、１０４Ｘ−への励磁電流を変化させても渦電流ギャップセンサ１０７Ａ、１０７Ｂの信号が変化せずに飽和した状態であることで接触した状態であることが分かる。このときに渦電流ギャップセンサ１０７Ａ、１０７Ｂで検出した電位を基に演算回路９０で接触位置が判定され、このデータＡ〔Ｖ〕はステップ１０４で記憶回路９５に保存される。
【００４４】
同様に、今度は、図４に示すように、ロータ軸１１３をステップ１０６で保護ベアリング１２０の内径中心Ｏ点より左側に移動させ、ステップ１０８で保護ベアリング１２０の右側に接触したか否かが判断される。ロータ軸１１３の位置は、電磁石１０４Ｘ＋、１０４Ｘ−への励磁電流を変化させても渦電流ギャップセンサ１０７Ａ、１０７Ｂの信号が変化せずに飽和した状態であることで接触した状態であることが分かる。このときに渦電流ギャップセンサ１０７Ａ、１０７Ｂで検出した電位を基に演算回路９０で接触位置が判定され、このデータＢ〔Ｖ〕はステップ１１０で記憶回路９５に保存される。
【００４５】
その後、ステップ１１２で、演算回路９０は予め記憶回路９５に保持しているベアリングギャップ基準値Ｍ〔μｍ〕と先に求めたデータＡ〔Ｖ〕とデータＢ〔Ｖ〕の差とからＳ＝（Ａ−Ｂ）／Ｍによりセンサ感度を求める。そして、求めたセンサ感度が基準値（Ｒ）となるのに必要な補正値（Ｘ）がＸ＝Ｒ／Ｓのようにステップ１１４で演算され、その結果がセンサ感度調整回路５０に出力される。基準値  （Ｒ）は例えば１０〔ｍＶ／μｍ〕である。即ち、渦電流ギャップセンサ１０７Ａ、１０７Ｂで感度の変化した分を基準値（Ｒ）となるまで補正により感度を調整し、一定の基準値の下に異常を判断しようとするものである。図７の例で言えば、センサ感度が特性ｂで示すように低下した場合であっても、このセンサ感度を特性ａに相当するまで一旦感度調整して、その後に異常レベルを検出するものである。
【００４６】
その後、ステップ１１６では、ロータ軸１１３の中心位置ＣがＣ＝（Ａ１＋Ｂ１）／２のように演算され、その位置にオフセット・浮上ゲイン調整回路６０で磁気浮上調整させるため信号が演算回路９０よりオフセット・浮上ゲイン調整回路６０に出力される。ここに、Ａ１はステップ１１４でセンサ感度調整されたデータＡ〔Ｖ〕の値であり、同様に、Ｂ１もステップ１１４でセンサ感度調整されたデータＢ〔Ｖ〕の値である。
【００４７】
なお、以上はＸ軸について説明したが、同様の制御がステップ１１８でＹ軸について行われ、かつステップ１２０でＺ軸についての制御が行われる。
このことにより、個体差にバラツキを有するセンサを使用した場合や検出回路差、ケーブル長の違いなどから生じる誤差等が存在する場合であっても、センサ感度調整された後にロータ軸１１３の中心位置が保護ベアリング１２０の中心位置に制御されるため、この間の磁気浮上位置制御が極めて高精度に行われる。
【００４８】
なお、渦電流ギャップセンサ１０７Ａ、１０７Ｂの誤差の補正をするタイミングは任意に手動で開始することもできるし、組み立て後やポンプと制御回路の組み合わせが異なることを自動認識して自動で開始されるようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の実施形態である磁気軸受制御装置のブロック図
【図２】本実施形態の作用を説明するフローチャート
【図３】ロータ軸を保護ベアリングの内径中心より右側に移動させたときの様子を示す図
【図４】ロータ軸を保護ベアリングの内径中心より左側に移動させたときの様子を示す図
【図５】ターボ分子ポンプ本体の縦断面図
【図６】センサ感度のバラツキを示す図
【図７】ロータ軸の機械的位置と異常検出可能な電気的レベルとの関係を示す図
【符号の説明】
【００５０】
１２  センサ信号
４０  渦電流ギャップ検出回路
４２  ギャップ信号
５０  センサ感度調整回路
６０  オフセット・浮上ゲイン調整回路
７０  磁気浮上補償回路
８０  電流増幅回路
９０  演算回路
９５  記憶回路
１００  ターボ分子ポンプ本体
１０３  回転体
１０４、１０５、１０６  電磁石
１０７Ａ、１０７Ｂ  渦電流ギャップセンサ
１０９  軸方向センサ
１１３  ロータ軸
１２０  保護ベアリング
２００  制御装置
【図１】
2006083924.tif 000003
【図２】
2006083924.tif 000004
【図３】
2006083924.tif 000005
【図４】
2006083924.tif 000006
【図５】
2006083924.tif 000007
【図６】
2006083924.tif 000008
【図７】
2006083924.tif 000009