(57)【要約】【課題】  本発明は、ウェハ単位で処理条件を更新する際に、連続的にウェハの処理の続行を可能とする半導体製造設備の制御装置を提供することを目的とする。【解決手段】  半導体製造設備１０５の状態情報の収集を行う設備制御部１０４と、前記収集された半導体製造設備１０５の状態情報を元に、処理ロットのスロット毎に処理室を割り当てる設備情報記憶部１０６と、生産進捗管理部１０１からロット情報の収集を行うロット情報収集部１０２と、前記収集された半導体製造設備１０５の状態情報とロット情報を元に、処理室単位で処理条件を算出するパラメータ算出部１０３とを備え、設備制御部１０４は、設備情報記憶部１０６に対して処理対象スロットの対象処理室の確認を行い、パラメータ算出部１０３に対してこの対象処理室における処理条件の収集を行い、対象処理室に対して処理対象スロットの処理条件を設定し、リモートコントロールを行う。【選択図】      図１
2006269842.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハの加工を行う複数の処理室を備えた半導体製造設備を、生産進捗管理手段において管理されている前記ウェハを加工する為の目標値、演算パラメータ等のロット情報およびロットの処理の開始指示に基づいて、制御する制御装置であって、
前記半導体製造設備の各処理室毎に処理条件を設定してリモートコントロールを行い、半導体製造設備の状態情報の収集を行う設備制御手段と、
前記設備制御手段において収集された半導体製造設備の状態情報を元に、処理ロットのスロット毎に前記処理室を割り当てる設備情報記憶手段と、
前記生産進捗管理手段から前記ロット情報の収集を行うロット情報収集手段と、
前記設備制御手段において収集された半導体製造設備の状態情報と前記ロット情報収集手段において収集されたロット情報を元に、前記処理室単位で処理条件を算出し前記設備制御手段へ通知を行うパラメータ算出手段と
を備え、
前記設備制御手段は、前記生産進捗管理手段よりロットの処理の開始指示を受けると、前記設備情報記憶手段に対して処理対象スロットの対象処理室の確認を行い、前記パラメータ算出手段に対して前記対象処理室における処理条件の収集を行い、その結果に基づき、前記対象処理室に対して、前記処理対象スロットの処理条件を設定し、リモートコントロールを行うこと
を特徴とする半導体製造設備の制御装置。
【請求項２】
前記設備情報記憶手段は、
前記設備制御手段において半導体製造設備から得られた状態情報により、半導体製造設備の処理可能な処理室の情報を収集する処理室状態収集手段と、
前記設備制御手段において半導体製造設備から得られた状態情報により、処理ロットのスロット情報を収集するスロット情報収集手段と、
前記処理室状態収集手段において収集された半導体製造設備の処理可能な処理室の情報、および前記スロット情報収集手段において収集された処理ロットのスロット情報を元に、処理ロットの各スロットのウェハが処理される処理室の割り当てを行う割り当て手段
を備えたこと
を特徴とする請求項１に記載の半導体製造設備の制御装置。
【請求項３】
前記設備制御手段は、前記半導体製造設備の処理実績情報の収集し、収集した半導体製造設備の処理実績情報に基づき、規定枚数までは半導体製造設備からの処理結果を待たずに半導体製造設備に対して処理の開始指示を行い、規定枚数以上になった場合に、半導体製造設備からの処理結果報告を待ち、半導体製造装置からの処理結果報告を確認した時点で前記パラメータ算出手段より収集した処理条件を半導体製造設備に対してスロット単位で設定すること
を特徴とする請求項１記載の半導体製造設備の制御装置。
【請求項４】
ウェハの加工を行う複数の処理室を備えた半導体製造設備を、生産進捗管理手段において管理されている前記ウェハを加工する為の目標値、演算パラメータ等のロット情報およびロットの処理の開始指示に基づいて、制御する制御方法であって、
前記半導体製造設備の状態情報の収集を行う工程と、
収集された前記半導体製造設備の状態情報を元に、処理ロットのスロット毎の処理室の割り当てを実施する工程と、
前記生産進捗管理手段から前記ロット情報の収集を行う工程と、
収集した前記半導体製造設備の状態情報およびロット情報を元に、前記処理室単位で処理条件を算出する工程と、
前記生産進捗管理手段よりロットの処理の開始指示を受けると、処理対象スロットの前記割り当てられた対象処理室の確認を行い、この対象処理室における前記算出された処理条件の収集を行い、その結果に基づき、前記対象処理室に対して、前記処理対象スロットの処理条件を設定し、リモートコントロールを行う工程
を備えること
を特徴とする半導体製造設備の制御方法。
【請求項５】
前記半導体製造設備の状態情報として、前記半導体製造設備の処理室の状態と処理ロットのスロット情報を収集し、これら前記半導体製造設備の処理室の状態と処理ロットのスロット情報を元に、処理ロットの各ウェハが処理される処理室の割り当てを行うこと
を特徴とする請求項４に記載の半導体製造設備の制御方法。
【請求項６】
前記半導体製造設備の処理実績情報を収集し、収集した前記半導体製造設備の処理実績情報に基づき、規定枚数までは半導体製造設備からの処理結果を待たずに半導体製造設備に対して処理の開始指示を行い、規定枚数以上になった場合に、半導体製造設備からの前スロットの処理結果報告を待ち、半導体製造装置からの処理結果報告を確認した時点で、収集した処理条件を半導体製造設備に対してスロット単位で設定すること
を特徴とする請求項４に記載の半導体製造設備の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造設備により半導体基盤（以下、ウェハと称す）の加工を行う際に、半導体製造設備の経時的な変化等を考慮して、常に最適な状態な条件で処理を実現させるための半導体製造設備の制御装置および制御方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体製造設備では、半導体基板上に成膜またはエッチング等の加工を行う際、通常は半導体製造設備の状態を考慮することなく、ウェハに対する研磨量等の目標となる処理結果が同じであれば、同じ処理条件で複数のロットまたはウェハの処理が継続的に行われている。しかしながら半導体製造設備において、実際は処理を繰り返すことにより同じ処理条件であっても半導体製造設備の部品の劣化等の影響よりウェハの処理結果は序々に変化していく。そのため通常、半導体製造設備においては定期的に設備を管理する為のウェハ（以下、モニタウェハと称す）の処理を行い、そのモニタウェハの処理結果に応じて処理条件の変更等の対応が必要であった。特に処理結果の変化が大きい設備においてはモニタウェハの処理を行い処理条件の変更を実施するという作業が短期間の周期で必要となり、設備の稼働時間の低下の原因となり、また現場作業者の作業時間短縮の阻害となっていた。
【０００３】
そこで処理条件を更新する方法として、前ロットの処理の際の設備状態や処理結果を常にモニタし、その結果から処理毎に処理条件を変更して処理を行う制御装置が、例えば特許文献１に提案されている。
【０００４】
この特許文献１はＣＶＤ（化学気相成長）装置やＣＭＰ（化学機械研磨）装置等の半導体製造装置へのレシピ情報を修正する半導体装置のレシピ修正方法に関するものであり、特許文献１には、膜厚測定装置により前の工程から来たロットの研磨前の膜厚を測定し、研磨終了後にロットの研磨後の膜厚を測定し、膜厚データの差を求め、この膜厚データの差と実際の研磨時間から、最新の研磨レートを算出し、この研磨レートに基づいて研磨時間を算出し、この算出した研磨時間に応じたレシピ情報をレシピ変動部分とし、レシピ固定部分にこのレシピ変動部分を加えることによって修正されたプロセスレシピ情報を最適レシピとし、この最適レシピを化学機械研磨装置とウェハ洗浄装置に送信し、研磨を行うことが開示されている。
【特許文献１】特開平１１−１８６２０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来の課題について図６を用いて説明する。
図６は半導体製造設備を示しており、４つの処理室６０１〜６０４と１つの検査ユニット６０５を有している。投入されたウェハは、処理室（１）６０１、処理室（２）６０２、処理室（３）６０３、及び処理室（４）６０４のいずれかの任意の処理室で処理された後、検査ユニット６０５で処理後の検査を行った後に搬出される。実際にウェハが処理される処理室は、処理室（１）６０１を最優先としてその次が処理室（２）６０２、処理室（３）６０３、処理室（４）６０４の優先順となっており、搬送が開始されるタイミングで処理待ちとなっている処理室の中で一番優先順位の高い処理室で処理されることとなる。また、処理室（１）６０１から処理室（４）６０４は全て同じ加工を行うことのできる処理室であるが、それぞれは全く独立した処理室となっている。そのため、全ての処理室６０１〜６０４を同じ処理条件で処理を行った場合、処理後のウェハの膜厚値等の処理結果には処理室による差が発生する。また、同一処理室であっても、処理室の部品の劣化等により、処理を繰り返す毎に処理結果には差が発生することとなる。そのため、これらの処理室の間差及び処理数量による間差を吸収する為、通常半導体製造設備においては処理条件の内、処理時間等の処理パラメータを処理室単位で処理毎に変更して常に最適な処理結果を得られるように調整を行いながら処理を行う必要がある。
【０００６】
また先の特許文献１に開示されている方法では、上記のように複数の処理室を有し、且つそれぞれの処理室に応じて処理条件を変更する必要のある設備においては、処理されようとしているウェハがどの処理室で処理されるかを認識し、処理室に対応した処理条件の設定を行う必要がある場合のことは考慮されていない。そのため複数の処理室を有し、且つそれぞれの処理室に応じて処理条件を変更する必要のある設備においては、対応が不可能であった。
【０００７】
また、第２の課題としてウェハ単位で処理条件の変更を行う際には、処理中のウェハの処理結果を次のウェハの処理条件に反映させるため、次のウェハの処理条件の設定及び処理の開始指示を行う際には、先に処理を実施しているウェハの処理結果が報告されるのを待つ必要があり、その結果、半導体製造設備に待ち状態が発生するという課題があった。
【０００８】
そこで、本発明は、各ウェハを常に最適な処理条件で処理することを可能とすると共に、ウェハ単位で処理条件を更新する際に、前処理ウェハの処理結果を待つことなく、連続的にウェハの処理を続行することを可能とする半導体製造設備の制御装置および制御方法を提供することを目的としたものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前述した目的を達成するために、本発明の半導体製造設備の制御装置は、ウェハの加工を行う複数の処理室を備えた半導体製造設備を、生産進捗管理手段において管理されている前記ウェハを加工する為の目標値、演算パラメータ等のロット情報およびロットの処理の開始指示に基づいて、制御する制御装置であって、前記半導体製造設備の各処理室毎に処理条件を設定してリモートコントロールを行い、半導体製造設備の状態情報の収集を行う設備制御手段と、前記設備制御手段において収集された半導体製造設備の状態情報を元に、処理ロットのスロット毎に前記処理室を割り当てる設備情報記憶手段と、前記生産進捗管理手段から前記ロット情報の収集を行うロット情報収集手段と、前記設備制御手段において収集された半導体製造設備の状態情報と前記ロット情報収集手段において収集されたロット情報を元に、前記処理室単位で処理条件を算出し前記設備制御手段へ通知を行うパラメータ算出手段とを備え、前記設備制御手段は、前記生産進捗管理手段よりロットの処理の開始指示を受けると、前記設備情報記憶手段に対して処理対象スロットの対象処理室の確認を行い、前記パラメータ算出手段に対して前記対象処理室における処理条件の収集を行い、その結果に基づき、前記対象処理室に対して、前記処理対象スロットの処理条件を設定し、リモートコントロールを行うことを特徴とするものである。
【００１０】
また本発明の前記設備情報記憶手段は、前記設備制御手段において半導体製造設備から得られた状態情報により、半導体製造設備の処理可能な処理室の情報を収集する処理室状態収集手段と、前記設備制御手段において半導体製造設備から得られた状態情報により、処理ロットのスロット情報を収集するスロット情報収集手段と、前記処理室状態収集手段において収集された半導体製造設備の処理可能な処理室の情報、および前記スロット情報収集手段において収集された処理ロットのスロット情報を元に、処理ロットの各ウェハが処理される処理室の割り当てを行う割り当て手段を備えたことを特徴とするものである。
【００１１】
また本発明の前記設備制御手段は、前記半導体製造設備の処理実績情報の収集し、収集した半導体製造設備の処理実績情報に基づき、規定枚数までは半導体製造設備からの処理結果を待たずに半導体製造設備に対して処理の開始指示を行い、規定枚数以上になった場合に、半導体製造設備からの処理結果報告を待ち、半導体製造装置からの処理結果報告を確認した時点で前記パラメータ算出手段より収集した処理条件を半導体製造設備に対してスロット単位で設定することを特徴とするものである。
【００１２】
また本発明の半導体製造設備の制御方法は、ウェハの加工を行う複数の処理室を備えた半導体製造設備を、生産進捗管理手段において管理されている前記ウェハを加工する為の目標値、演算パラメータ等のロット情報およびロットの処理の開始指示に基づいて、制御する制御方法であって、前記半導体製造設備の状態情報の収集を行う工程と、収集された前記半導体製造設備の状態情報を元に、処理ロットのスロット毎の処理室の割り当てを実施する工程と、前記生産進捗管理手段から前記ロット情報の収集を行う工程と、収集した前記半導体製造設備の状態情報およびロット情報を元に、前記処理室単位で処理条件を算出する工程と、前記生産進捗管理手段よりロットの処理の開始指示を受けると、処理対象スロットの前記割り当てられた対象処理室の確認を行い、この対象処理室における前記算出された処理条件の収集を行い、その結果に基づき、前記対象処理室に対して、前記処理対象スロットの処理条件を設定し、リモートコントロールを行う工程を備えることを特徴とするものである。
【００１３】
また本発明の半導体製造設備の制御方法では、前記半導体製造設備の状態情報として、前記半導体製造設備の処理室の状態と処理ロットのスロット情報を収集し、これら前記半導体製造設備の処理室の状態と処理ロットのスロット情報を元に、処理ロットの各ウェハが処理される処理室の割り当てを行うことを特徴とするものである。
【００１４】
また本発明の半導体製造設備の制御方法では、前記半導体製造設備の処理実績情報を収集し、収集した前記半導体製造設備の処理実績情報に基づき、規定枚数までは半導体製造設備からの処理結果を待たずに半導体製造設備に対して処理の開始指示を行い、規定枚数以上になった場合に、半導体製造設備からの前スロットの処理結果報告を待ち、半導体製造装置からの処理結果報告を確認した時点で、収集した処理条件を半導体製造設備に対してスロット単位で設定することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の半導体製造設備の制御装置および制御方法は、作業者の介在を必要とすることなく半導体製造設備に対して設備の状態、処理ロットの状態に応じて常に最適な処理条件の設定及び処理をウェハ単位で行うことが可能となるとともに、ウェハ単位で処理条件を更新する際にも前処理ウェハの処理結果を待つことなく、連続的にウェハの処理を続行することが可能となる、という効果を有している。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。
図１は本発明の実施の形態における半導体製造設備の制御装置の構成図である。
図１において、１０５は、制御対象の半導体製造設備であり、半導体製造設備１０５は、図６を用いて説明した、ウェハの加工を行う４つの処理室６０１〜６０４と１つの検査ユニット６０５を有している。
【００１７】
このような半導体製造設備１０５の制御装置１１０は、ロット情報収集部（ロット情報収集手段）１０２と、パラメータ算出部（パラメータ算出手段）１０３と、設備制御部（設備制御手段）１０４と、設備情報記憶部（設備情報記憶手段）１０６から構成されている。また図１において、１０１は、半導体製造設備１０５の生産進捗管理部（生産進捗管理手段）１０１であり、ウェハを加工する為の目標値、演算パラメータ等のロット情報を管理し、設備制御部１０４に対してロットの処理の開始指示を行う。また前記設備制御部１０４と半導体製造設備１０５間はＲＳ２３２ＣまたはＬＡＮにより接続されている。その他の各部間はＬＡＮにより接続されている。
【００１８】
前記ロット情報収集部１０２は、生産進捗管理部１０１よりウェハを加工する為の目標値、演算パラメータ等のロット情報の収集を行い、パラメータ算出部１０３へ通知する。
前記設備制御部１０４は、生産進捗管理部１０１からのロットの処理の開始指示に応じて、半導体製造設備１０５に対してロットのウェハ単位での処理条件の設定及び処理の開始指示（リモートコントロール）を行い、また開始指示を行った回数の実績を処理開始済みウェハ数（処理実績情報の一例）として記憶しており、処理開始指示を行う度に加算し、半導体製造設備１０５の仕掛りが無くなった状態でゼロに戻す。さらに設備制御部１０４は、半導体製造設備１０５より収集された情報を元に、半導体製造設備１０５の状態情報として、半導体製造設備１０５の処理可能な処理室の情報、（マッピングによる）処理ロットのスロット情報、及び半導体製造設備１０５に内蔵されている検査ユニット６０５からのウェハ単位での処理結果の収集を行う。また設備制御部１０４は、収集した半導体製造設備１０５の処理可能な処理室の情報、処理ロットのスロット情報を設備情報記憶部１０６へ通知し、さらに半導体製造設備１０５の検査ユニット６０５から処理ロットの処理結果がウェハ単位で通知されるタイミングで、ウェハ単位での処理結果（Ｒｅｓｕｌｔ）をパラメータ算出部１０３へ通知する。また設備制御部１０４には、予め処理を開始する際に連続で処理開始可能なウェハ枚数がオフセット枚数として登録される。なお、このオフセット枚数は半導体製造設備１０５に応じて決定されており、後述するパラメータ算出部１０３が、設備制御部１０４より最新の処理結果（Ｒｅｓｕｌｔ）が通知されていないために処理パラメータが更新されていない場合においても、半導体製造設備１０５に対して、予め設定された処理パラメータで処理条件の設定を行うことにより半導体製造設備１０５の待ち状態が発生することを防ぐことを目的として設定されている。例えば、半導体製造設備１０５に同時に存在するウェハ枚数等がオフセット枚数として設定されることとなる。
【００１９】
前記パラメータ算出部１０３では、図３に示すように、処理室単位で、演算パラメータ（Ｐａｒａ）・目標値（Ｔａｒｇｅｔ）・処理結果（Ｒｅｓｕｌｔ）・処理パラメータの計算式（Ｆ）・計算結果としての処理パラメータ（ＶＡＬ）が記憶されている。処理パラメータの計算式（Ｆ）は、演算パラメータ（Ｐａｒａ）・目標値（Ｔａｒｇｅｔ）・処理結果（Ｒｅｓｕｌｔ）の関数として半導体製造設備及び処理室の特性及び処理方法等を考慮して構築されたものであり、技術者により任意に決定されあらかじめ登録されている。目標値（Ｔａｒｇｅｔ）・演算パラメータ（Ｐａｒａ）はロットの処理が開始されるタイミングでロット情報収集部１０２より収集され、処理結果（Ｒｅｓｕｌｔ）は設備制御部１０４より収集される。
【００２０】
処理パラメータ（ＶＡＬ）は、設備制御部１０４からウェハ単位での処理結果（Ｒｅｓｕｌｔ）が通知されたタイミングで対応する処理室に応じて、その処理結果（Ｒｅｓｕｌｔ）、目標値（Ｔａｒｇｅｔ）、演算パラメータ（Ｐａｒａ）を元に計算式（Ｆ）に基づいて計算され、最新のものに更新される。なお、処理パラメータ（ＶＡＬ）はメンテナンス終了直後の場合等で処理結果（Ｒｅｓｕｌｔ）が存在しない場合においても、あらかじめ定められた方法により算出された値が登録されている。
【００２１】
前記設備情報記憶部１０６は、図１に示すように、設備制御部１０４より通知された半導体製造設備の処理可能な処理室の情報を収集する処理室状態収集手段１１１と、設備制御部１０４より通知された処理ロットのスロット情報を収集するスロット情報収集手段１１２と、処理室状態収集手段１１１において収集された半導体製造設備１０５の処理可能な処理室の情報、およびスロット情報収集手段１１２において収集された処理ロットのスロット情報を元に、図２に示すように処理ロット内の各スロットが処理対象であるかの確認を行い、処理対象である場合にはそのスロットのウェハが処理される処理室の割り当てを行い、記憶する割り当て手段１１３を備えている。なお、処理対象外である場合にもその旨は記憶されている。その記憶した結果は任意の問い合わせのタイミングにより設備制御部１０４へ通知される。
【００２２】
この設備情報記憶部１０６（割り当て手段１１３）における、処理ロット内の各スロットと処理室の割り当て方法を図４を用いて詳細に説明する。図４は処理ロット内の各スロットと処理室を割り当てるためのフローチャートである。
【００２３】
まず、設備制御部１０４より処理ロットの処理カセットにおけるスロット情報を受信する（Ｓ４０１）。その情報より処理カセットの１スロット目よりスロット単位でのウェハの有無の確認を行う（Ｓ４０２）。このＳ４０２において、該当スロットがウェハ無しと判断された場合は、図２に示すように記憶テーブルに対象外として記憶され、次のスロットの確認を行うこととなる。
【００２４】
またＳ４０２において、該当スロットがウェハ有りと判断された場合、半導体製造設備の処理可能な処理室の情報により、このスロットのウェハを処理する処理室の割り当てを実行する。
【００２５】
まず前スロットで既にスロットの割り当てが行われているかどうかの確認を行う（Ｓ４０３）。このＳ４０３において、前スロットで既にスロットの割り当てが行われている場合、その前スロットで割り当てられている処理室の確認を、処理室（１）６０１より順に行う（Ｓ４０６）。またＳ４０３において、前処理ロットが存在しないとき、優先順位の高い処理室から、処理対象候補の処理室として、使用可能かどうかが判断され（Ｓ４０４）、使用可能であれば、その処理対象候補の処理室が、該当スロットでの処理室と決定され（Ｓ４０５）、図２に示すように記憶テーブルにスロットと処理室の割り当てが記憶される。またＳ４０６において、前スロットで割り当てられている処理室が確認されると、この確認された前スロットで割り当てられている処理室の次に優先順位の高い処理室から、処理対象候補として、使用可能かどうかが判断され（Ｓ４０４）、使用可能であれば、その処理対象候補の処理室が、該当スロットでの処理室と決定され（Ｓ４０５）、図２に示すように記憶テーブルにスロットと処理室の割り当てが記憶される。
【００２６】
もし、処理対象候補の処理室が使用可能状態でない場合、その次に優先順位の高い処理室が処理対象候補として使用可能状態であるかの判断が行われることとなり、上記の処理が該当スロットで使用可能な処理室の割り当てが完了するまで繰り返えされることとなる。例えば該当スロットでの処理対象候補の処理室が処理室（１）６０１であった場合、処理室（１）６０１が使用可能であるかの確認が行われ、処理室（１）６０１が処理可能であれば、その該当スロットは処理室（１）６０１と決定され、処理室（１）６０１が処理可能状態でない場合には、処理室（１）６０１の次に優先順位の高い処理室（２）６０２のおいて処理可能であるかの確認が行われる。なお、確認は、処理室（１）６０１、処理室（２）６０２、処理室（３）６０３、処理室（４）６０４の順に、そして処理室（１）６０１に戻るように実行される。
【００２７】
またウェハ有りと判断された該当スロットが処理ロット内で最初のウェハで、且つ半導体製造設備１０５が処理中の状態であり前処理ロットが存在する場合、前スロットは、その前処理ロットでの最終スロットが該当することとなり、同様にその最終スロットで割り当てられている処理室の確認を行い、該当スロットでの処理室は、その次に優先順位の高い処理室が処理対象候補の処理室として処理可能であるかの確認が行われる。もしウェハ有りと判断された該当スロットがロット内での最初のウェハで、且つ半導体製造設備が処理待ち状態であり、処理中のロットが存在していない状態であれば、前処理は無しと判断され、処理室は半導体製造設備１０５で最も優先順位の高い処理室（１）６０１が処理対象候補の処理室として処理可能であるかの確認が行われる。
【００２８】
以上の作業は処理ロットのカセットのスロット数分繰り返され、全てのスロットの処理室の割り当てが実施されることとなる。
次に本実施の形態における半導体製造設備１０５の制御方法を図５を用いて説明する。図５は半導体製造設備１０５を制御するためのフローチャートである。
【００２９】
設備制御部１０４は、生産進捗管理部１０１からの処理開始指示を受けると（Ｓ５０１）、半導体製造設備１０５に対して処理開始準備として、半導体製造設備１０５の状態情報の収集を行い、処理可能な処理室６０１〜６０４の確認及び投入された処理ロットの各スロットの処理室へ割り当て指示を行う（Ｓ５０２）。半導体製造設備１０５の状態情報の収集結果は設備状態記憶部１０６へ通知され、先に説明した通り設備状態記憶部１０６において処理ロットの各スロットの処理室への割り当てが実施される。
【００３０】
次に設備制御部１０４は、設備状態記憶部１０６に対して処理ロットにおいてスロット単位で処理の対象／対象外の確認を行う（Ｓ５０３）。上述したように、設備制御部１０４には予め処理を開始する際に連続で処理開始可能なウェハ枚数がオフセット枚数として登録されている。
【００３１】
設備制御部１０４は確認スロットが処理対象スロットであると判断された場合（Ｓ５０４）、その処理対象スロットの処理条件設定時に、処理開始指示済みのウェハ枚数とオフセット枚数との比較を行う（Ｓ５０５）。
【００３２】
Ｓ５０５において、ウェハ枚数がオフセット枚数未満であれば、処理対象スロットに対する処理開始指示は即実施可能であると判断し、設備制御部１０４は設備状態記憶部１０５に対して処理対象スロットの対象処理室の確認を行い（Ｓ５０８）、パラメータ算出部１０３に対して確認した対象処理室における処理パラメータの収集を行い（Ｓ５０９）、その結果に基づき、対象処理室に対して処理対象スロットの処理条件設定及び処理開始指示を行う（Ｓ５１０）。
【００３３】
また、Ｓ５０５において、処理開始済みのウェハ枚数がオフセット枚数以上のとき、半導体製造設備１０５の検査ユニット６０５からのウェハ単位で報告されてくる前スロットの処理結果（測定結果）を確認し（Ｓ５０６）、確認できないときは報告を待ち（Ｓ５０７）、報告を確認すると、処理結果が報告されたタイミングで、その処理結果をパラメータ算出部１０３へ通知し、最新の処理パラメータに更新し、設備状態記憶部１０６に対して処理対象スロットの対象処理室の確認を行い（Ｓ５０８）、さらにパラメータ算出部１０３に対して確認した対象処理室の最新処理パラメータの収集を実施し（Ｓ５０９）、その最新の処理パラメータにより、処理対象スロットの処理条件設定及び処理開始指示を行う（Ｓ５１０）。
【００３４】
以上のように本実施の形態によれば、半導体製造設備１０５の処理可能な処理室の情報及び処理ロットのスロット情報を元に、処理ロットの全てのウェハが処理される処理室の割り当てを行い、それぞれのウェハに対して処理されるべき処理室に応じた処理条件を設定することにより、作業者の介在を必要とすることなく半導体製造設備の状態、処理ロットの状態に応じて、各ウェハを常に最適な処理条件で処理することができ、さらにウェハ単位で処理条件を更新する際に、前処理ウェハの処理結果を待つことなく、連続的にウェハの処理を続行することができ、半導体製造設備に待ち時間を少なくでき、稼動時間の減少を回避できる。また作業者の作業時間の短縮を図ることができる。
【００３５】
なお、本実施の形態では、処理ロットのスロット情報は半導体製造設備１０５からのマッピングにより収集されることになっているが、生産進捗管理部１０１からロット情報収集部１０２に収集されたロット情報を使用してもよい。その場合、設備情報記憶部１０６は設備制御部１０４によるスロット情報の収集に代わり、ロット情報収集部１０２からスロット情報を収集することとなる。
【００３６】
また本実施の形態では、オフセット枚数は半導体製造設備１０５に同時に存在するウェハ枚数がオフセット枚数として設定されることとなっているが、任意の枚数でも構わない。例えば処理ロットの内２枚を先行として処理を行い、３枚目以降には先行２枚の処理結果を反映させた処理条件で処理を行う必要がある場合等はオフセット枚数を２枚と設定することも可能である。
【００３７】
また本実施の形態では、ロット情報収集部１０２、パラメータ算出部１０３、設備制御部１０４、設備情報記憶部１０６はそれぞれ独立としたが、全て設備制御部１０４に構成されても構わないし、全て半導体製造設備１０５内部で構成されても構わない。
【産業上の利用可能性】
【００３８】
本発明にかかる半導体製造設備の制御装置および制御方法は、複数の処理室でウェハの処理を実行する半導体製造設備の分野等で有用である。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の実施の形態における半導体製造設備の制御装置を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施の形態における処理ロットにおけるスロットと処理室の割り当てを示す管理テーブルである。
【図３】本発明の実施の形態における処理室単位における処理パラメータ算出のための管理テーブルである。
【図４】本発明の実施の形態における処理室割り当てのフローチャートである。
【図５】本発明の実施の形態における半導体制御設備の制御装置のフローチャートである。
【図６】複数の処理室及び検査ユニットを有する半導体製造設備の概要図である。
【符号の説明】
【００４０】
１０１    生産進捗管理部
１０２    ロット情報収集部
１０３    パラメータ算出部
１０４    設備制御部
１０５    半導体製造設備
１０６    設備情報記憶部
１１０    制御装置
６０１    処理室（１）
６０２    処理室（２）
６０３    処理室（３）
６０４    処理室（４）
６０５    検査ユニット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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