(57)【要約】【課題】  ボビンに巻き取った光ファイバの全域に渡ってＮＢＯＨＣを消滅させることが可能な光ファイバの処理方法を提供する。【解決手段】  光ファイバをボビンに巻き取る工程Ａと、ボビンに巻き取られた光ファイバを、重水素を含むガスの雰囲気に曝す工程Ｂを備えた光ファイバの処理方法において、工程Ａにおいて、光ファイバの外径をｄ、該光ファイバをボビンに巻き取る間隔をＳとすると、Ｓ≧２ｄなる関係式を満たすように光ファイバをボビンに巻き取る。工程Ｂにおいて、ボビンに巻き取られた光ファイバを収容した空間内を減圧した後、この空間内を、重水素を含むガスで置換した後、この空間内において、光ファイバを、重水素を含むガスの雰囲気に曝す。【選択図】        図１
2006047623.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ファイバをボビンに巻き取る工程Ａと、ボビンに巻き取られた光ファイバを、重水素を含むガスの雰囲気に曝す工程Ｂを備えた光ファイバの処理方法であって、
前記工程Ａにおいて、光ファイバの外径をｄ、光ファイバをボビンに巻き取る間隔をＳとすると、Ｓ≧２ｄなる関係式を満たすように、光ファイバをボビンに巻き取ることを特徴とする光ファイバの処理方法。
【請求項２】
光ファイバをボビンに巻き取る工程Ａと、ボビンに巻き取られた光ファイバを、重水素を含むガス雰囲気に曝す工程Ｂを備えた光ファイバの処理方法であって、
前記工程Ａにおいて、光ファイバを巻き取る張力をＴ（Ｎ）とすると、０．２Ｎ≦Ｔ≦２．０Ｎなる関係式を満たすように、光ファイバをボビンに巻き取ることを特徴とする光ファイバの処理方法。
【請求項３】
前記工程Ｂにおいて、ボビンに巻き取った光ファイバを収容した空間内を減圧した後、この空間内を、重水素を含むガスで置換した後、この空間内において、光ファイバを、重水素を含むガスの雰囲気に曝すことを特徴とする請求項１または２に記載の光ファイバの処理方法。
【請求項４】
光ファイバをボビンに巻き取る工程Ａと、ボビンに巻き取られた光ファイバを、重水素を含むガスの雰囲気に曝す工程Ｂを備えた光ファイバの処理方法であって、
前記工程Ａにおいて、光ファイバの外径をｄ、光ファイバをボビンに巻き取る間隔をＳとすると、Ｓ≧２ｄなる関係式を満たすように、かつ、光ファイバを巻き取る張力をＴ（Ｎ）とすると、０．２Ｎ≦Ｔ≦２．０Ｎなる関係式を満たすように、光ファイバをボビンに巻き取ることを特徴とする光ファイバの処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ファイバの処理方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、光ファイバは、石英ガラスからなる光ファイバ母材を溶融、線引きして製造される。具体的には、光ファイバ母材を、例えば２０００℃程度の高温で溶融して、その先端部から溶融した石英ガラスを糸状に引き出し、これを冷却筒などで急激に冷却した後、その表面を表面保護用樹脂で被覆することにより光ファイバが得られる。
【０００３】
一般に、この光ファイバの製造工程において、溶融された石英ガラスが急激に冷却されることにより、非架橋酸素中心ホール（Ｎｏｎ−Ｂｒｉｄｇｉｎｇ  Ｏｘｙｇｅｎ  Ｈｏｌｅ  Ｃｅｎｔｅｒ、以下「ＮＢＯＨＣ」と略すこともある。）が生成することが知られている。光ファイバの製造工程において、溶融された石英ガラスの冷却速度を緩やかにすることによって、ＮＢＯＨＣの再結合を促し、ＮＢＯＨＣを低減させることは可能である。しかしながら、この方法では、光ファイバ中からＮＢＯＨＣを完全に消滅させることは不可能である。
【０００４】
光ファイバ中に残存するＮＢＯＨＣは、光ファイバ中に残留した水素や表面保護用樹脂から発生した水素と結合し、Ｓｉ−ＯＨ結合を生成する。水酸基（−ＯＨ）が生成すると、波長１３８３ｎｍ近傍における水酸基に起因する吸収損失が増大し、光ファイバの伝送特性が劣化する。
【０００５】
従来、波長１３８３ｎｍ近傍における水酸基に起因する吸収損失の増加を抑制する方法としては、光ファイバをボビンに巻き取り、この状態で重水素を含むガスの雰囲気に曝すことによって、光ファイバをなす石英ガラス中のＮＢＯＨＣと重水素（Ｄ２）とを反応させて重水酸基（−ＯＤ）とする方法が提案されている（例えば、特許文献１、特許文献２参照。）。
【０００６】
ＮＢＯＨＣが重水素と常温で容易に反応して重水酸基となることや、重水酸基の光吸収が１．８７μｍにあることから、光通信の伝送帯域に影響を及ぼさない。そこで、特許文献１、特許文献２では、光ファイバを、４０℃以下の温度の重水素を含むガスの雰囲気に曝して、光ファイバに含まれる水素の濃度の経時変化を抑制する方法が提案されている。
【０００７】
ＮＢＯＨＣと重水素（Ｄ２）とを反応させて重水酸基（−ＯＤ）とする方法では、製造コストを考慮すると、光ファイバの暴露時間を短時間とし、また低濃度の重水素を含むガスを用いて処理することが望ましい。
例えば、光ファイバを、重水素を含むガスの雰囲気に曝す暴露時間は、特許文献１では１日〜２週間の時間を要し、特許文献２では１週間を要することが開示されている。
【０００８】
また、光ファイバは、通常、ボビンなどに巻き取った状態で重水素を含むガスの雰囲気に曝されるが、重水素を含むガスは、ボビンの巻き芯付近まで行き渡り難い。光ファイバ中のＮＢＯＨＣは、容易に重水素と結合して重水酸基となる。そのため、ＮＢＯＨＣを重水酸基とする反応は、ＮＢＯＨＣと重水素を含むガスとの接触頻度によって大きく影響を受ける。したがって、ボビンに巻き取った光ファイバのうち、ボビンの巻き芯付近、すなわち下層に位置する光ファイバは、重水素を含むガスと接触し難く、結果として、ＮＢＯＨＣと重水素との反応が進行し難い。
【０００９】
例えば、特許文献１、２に開示された方法によって、ボビンなどに巻き取った状態の光ファイバを、重水素の濃度が１％の混合ガスに２４時間曝しても、ボビンの巻き芯付近、すなわち下層に位置する光ファイバではＮＢＯＨＣを消滅させることができなかった。したがって、ボビンなどに巻き取った光ファイバの全域に渡ってＮＢＯＨＣを消滅させるためには、高濃度の重水素を含むガスを必要とする上に、暴露時間を長時間とする必要があった。
【００１０】
また、光ファイバを、重水素を含むガスの雰囲気に曝すには、反応槽内に、ボビンなどに巻き取った状態の光ファイバを配置し、この反応槽内に重水素を含むガスを供給した後、反応槽を所定時間密封する。従来、光ファイバ中のＮＢＯＨＣを低減する処理を行った後、重水素を含むガスは、再利用されることなく排気されており、重水素を含むガスは高価であるから、製造コストが非常に高くなるという問題があった。
【特許文献１】特開２００２−１４８４５０号公報
【特許文献２】特開２００３−１３７５８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、前記事情に鑑みてなされたもので、ボビンに巻き取った光ファイバの全域に渡ってＮＢＯＨＣを消滅させることが可能な光ファイバの処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、上記課題を解決するために、光ファイバをボビンに巻き取る工程Ａと、ボビンに巻き取られた光ファイバを、重水素を含むガスの雰囲気に曝す工程Ｂを備えた光ファイバの処理方法であって、前記工程Ａにおいて、光ファイバの外径をｄ、光ファイバをボビンに巻き取る間隔をＳとすると、Ｓ≧２ｄなる関係式を満たすように、光ファイバをボビンに巻き取る光ファイバの処理方法を提供する。
【００１３】
本発明は、光ファイバをボビンに巻き取る工程Ａと、ボビンに巻き取られた光ファイバを、重水素を含むガス雰囲気に曝す工程Ｂを備えた光ファイバの処理方法であって、前記工程Ａにおいて、光ファイバを巻き取る張力をＴ（Ｎ）とすると、０．２Ｎ≦Ｔ≦２．０Ｎなる関係式を満たすように、光ファイバをボビンに巻き取る光ファイバの処理方法を提供する。
【００１４】
前記工程Ｂにおいて、ボビンに巻き取った光ファイバを収容した空間内を減圧した後、この空間内を、重水素を含むガスで置換した後、この空間内において、光ファイバを、重水素を含むガスの雰囲気に曝すことが好ましい。
【００１５】
また、本発明は、光ファイバをボビンに巻き取る工程Ａと、ボビンに巻き取られた光ファイバを、重水素を含むガスの雰囲気に曝す工程Ｂを備えた光ファイバの処理方法であって、前記工程Ａにおいて、光ファイバの外径をｄ、光ファイバをボビンに巻き取る間隔をＳとすると、Ｓ≧２ｄなる関係式を満たすように、かつ、光ファイバを巻き取る張力をＴ（Ｎ）とすると、０．２Ｎ≦Ｔ≦２．０Ｎなる関係式を満たすように、光ファイバをボビンに巻き取る光ファイバの処理方法を提供する。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、光ファイバをボビンに巻き取る工程において、光ファイバの外径をｄ、光ファイバをボビンに巻き取る間隔をＳとすると、Ｓ≧２ｄなる関係式を満たすように、光ファイバを、一定の間隔でボビンに巻き取り、このボビンに巻き取った光ファイバを配置した反応槽内に重水素を含むガスを供給することにより、光ファイバをボビンに巻き取った状態であっても、重水素を含むガスは、巻き取った光ファイバ間の隙間を通り、速やかにボビンの巻き芯付近まで行き渡るようになる。その結果、ボビンの巻き芯付近、すなわち下層に位置する光ファイバと、重水素を含むガスとの接触効率が向上する。
【００１７】
また、本発明によれば、光ファイバをボビンに巻き取る工程において、光ファイバの巻き張力をＴ（Ｎ）とすると、０．２Ｎ≦Ｔ≦２．０Ｎなる関係式を満たすように、光ファイバを、一定の張力でボビンに巻き取ることにより、光ファイバをボビンに巻き取った状態であっても、重水素を含むガスは、巻き取った光ファイバ間の隙間を通り、速やかにボビンの巻き芯付近まで行き渡るようになる。その結果、ボビンの巻き芯付近、すなわち下層に位置する光ファイバと、重水素を含むガスとの接触効率が向上する。
【００１８】
したがって、本発明によれば、低濃度の重水素を含むガスを用い、光ファイバを、この低濃度の重水素を含むガスの雰囲気に曝す時間を短くしても、光ファイバの全域に渡ってＮＢＯＨＣを消滅させることができる。結果として、生産性の向上、製造コストの低減を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明を実施した光ファイバの処理方法について、図面を参照して説明する。
【００２０】
図１は、本発明に係る光ファイバの処理方法で用いられる光ファイバの処理装置の一例を示す概略構成図である。
図１中、符号１０は光ファイバの処理装置、１１は反応槽、１２はガス導入口、１３はガス導入用開閉バルブ、１４はガス供給用配管、１５は排気口、１６は排気用開閉バルブ、１７は排気用ポンプ、１８は差圧計、２０は光ファイバ、２１はボビンをそれぞれ示している。
【００２１】
反応槽１１は、内部に光ファイバ２０を収容できる密閉可能な空間が設けられた容器であり、０．１ｋＰａ程度の真空状態や常圧〜２５０ｋＰａ以下の加圧状態に耐えられる耐圧性や密封性を有する。
反応層１１に設けられたガス導入口１２には、ガス導入用開閉バルブ１３を介してガス供給用配管１４が接続されている。このガス供給用配管１４から反応槽１１内に重水素を含むガスなどを供給できるようになっている。
【００２２】
ここで、重水素を含むガスとは、重水素ガス単独または重水素ガスを含む混合ガスのことである。
【００２３】
反応槽１１に設けられた排気口１５には、排気用開閉バルブ１６を介して、真空ポンプなどからなる排気用ポンプ１７が接続されている。この排気用ポンプ１７から反応槽１１内の重水素を含むガスなどを排気できるようになっている。
【００２４】
また、反応槽１１には、差圧計１８が設けられ、反応槽１１内の圧力が測定できるようになっている。差圧計１８による測定値に基づいて、ガス導入用開閉バルブ１３の開閉や、ガス供給用配管１４に接続されたガス供給源（図示略）からの重水素を含むガスの供給量を調整し、反応槽１１内を所定の圧力の重水素を含むガスの雰囲気とすることができるようになっている。また、差圧計１８による測定値に基づいて、排気用ポンプ１７の始動、停止を行い、反応槽１１内を所定の圧力の減圧雰囲気とすることができるようになっている。
【００２５】
さらに、反応槽１１には、ヒータや冷却機構などの温度調整手段（図示略）や、温度計（図示略）、温度調整部（図示略）が設けられており、これらによって、内部温度を調整して反応槽１１内を４０℃以下の恒温状態とすることができるようになっている。
【００２６】
なお、反応槽１１としては、開閉バルブ１３の代わりに、ガス流量の調整が可能な電磁弁などが備えられ、反応槽１１内に供給する重水素を含むガスの供給量を調整できるものであってもよい。
【００２７】
次に、図１を参照して、本発明に係る光ファイバの処理方法の一実施形態について説明する。
この実施形態の光ファイバの処理方法では、まず、所定の長さの光ファイバ２０を、ボビン２１に巻き取る（工程Ａ）。
【００２８】
この工程Ａにおいて、光ファイバ２０の外径をｄ（ｍｍ）、光ファイバ２０をボビン２１に巻き取る間隔をＳ（ｍｍ）とすると、Ｓ≧２ｄなる関係式を満たすように、光ファイバ２０をボビン２１に巻き取る。
【００２９】
Ｓ＜２ｄでは、ボビン２１に巻き取った光ファイバ２０のうち、ボビン２１の巻き芯付近、すなわち下層に位置する光ファイバ２０は、重水素を含むガスと接触し難く、結果として、ＮＢＯＨＣと重水素との反応が進行し難い。
【００３０】
また、この工程Ａにおいて、光ファイバ２０をボビン２１に巻き取る張力をＴ（Ｎ）とすると、０．２Ｎ≦Ｔ≦２．０Ｎなる関係式を満たすように、光ファイバ２０をボビン２１に巻き取ってもよい。
【００３１】
Ｔ＜０．２Ｎでは、光ファイバ２０をボビン２１に巻き取る張力Ｔが弱すぎて、光ファイバ２０の巻き嵩密度が小さくなり、巻き条長が短くなるため、生産に適さない。一方、Ｔ＞２．０Ｎでは、光ファイバ２０のガラス密度が高くなり、重水素の拡散が阻害されるので、結果として、ＮＢＯＨＣと重水素との反応が進行し難くなり、ＮＢＯＨＣの消滅が遅くなる。
【００３２】
次いで、ボビン２１に巻き取った光ファイバ２０を、重水素を含むガスの雰囲気に曝し、光ファイバ２０中のＮＢＯＨＣを低減する処理を行う（工程Ｂ）。
【００３３】
この工程Ｂにおいて、まず、処理装置１０の反応槽１１内に、ボビン２１に巻き取った光ファイバ２０を静置する。
次いで、排気用ポンプ１７を作動した後、排気用開閉バルブ１６を開き、反応槽１１内の空気を排気して反応槽１１内、すなわち光ファイバ２０を収容した空間内を減圧して減圧雰囲気とし、光ファイバ２０を減圧雰囲気に曝す。
【００３４】
次いで、排気用開閉バルブ１６を閉じた後、温度調整手段（図示略）や、温度計（図示略）、温度調整部（図示略）によって、反応槽１１内の温度を調整して４０℃以下の恒温状態とする。
次いで、ガス導入用開閉バルブ１３を開き、重水素を含むガスを、反応槽１１内の減圧雰囲気に供給する。
【００３５】
そして、反応槽１１内が所定の圧力となるまで重水素を含むガスを供給して、反応槽１１の光ファイバ２０を収容した空間内を、重水素を含むガスで置換した後、ガス導入用開閉バルブ１３を閉じて反応槽１１内を密封し、この反応槽１１内において、光ファイバ２０を、重水素を含むガスの雰囲気に曝す。
【００３６】
この工程Ｂにより、光ファイバ２０を、重水素を含むガスの雰囲気に曝し、光ファイバ２０をなす石英ガラス中のＮＢＯＨＣと、重水素（Ｄ２）を反応させて重水酸基（−ＯＤ）とすることにより、水酸基（−ＯＨ）の生成を阻止することができる。これにより、光ファイバ２０の吸収波長帯域を、水酸基の吸収波長帯域である１．３８μｍ帯から、重水酸基の吸収波長帯域である１．８７μｍ帯、すなわち、光通信波長帯域以外に移動させることができる。ゆえに、石英ガラス中の水酸基に起因する吸収損失による光ファイバ２０の伝送特性の劣化を抑制できる。
【００３７】
なお、この実施形態では、上記の工程Ａにおいて、光ファイバ２０の外径をｄ（ｍｍ）、光ファイバ２０をボビン２１に巻き取る間隔をＳ（ｍｍ）とすると、Ｓ≧２ｄなる関係式を満たすように、光ファイバ２０をボビン２１に巻き取るか、あるいは、光ファイバ２０をボビン２１に巻き取る張力をＴ（Ｎ）とすると、０．２Ｎ≦Ｔ≦２．０Ｎなる関係式を満たすように、光ファイバ２０をボビン２１に巻き取ることとしたが、本発明の光ファイバの処理方法では、工程Ａにおいて、光ファイバ２０の外径をｄ（ｍｍ）、光ファイバ２０をボビン２１に巻き取る間隔をＳ（ｍｍ）とすると、Ｓ≧２ｄなる関係式を満たし、かつ、光ファイバ２０をボビン２１に巻き取る張力をＴ（Ｎ）とすると、０．２Ｎ≦Ｔ≦２．０Ｎなる関係式を満たすように、光ファイバ２０をボビン２１に巻き取ってもよい。
【００３８】
この実施形態では、Ｓ≧２ｄなる関係式を満たすように、光ファイバ２０を、一定の間隔でボビン２１に巻き取るか、あるいは、０．２Ｎ≦Ｔ≦２．０Ｎなる関係式を満たすように、光ファイバ２０を、一定の張力でボビン２１に巻き取り、この状態で光ファイバ２０を配置した反応槽１１内を減圧雰囲気とした後、反応槽１１内に重水素を含むガスを供給することにより、光ファイバ２０をボビン２１に巻き取った状態であっても、反応槽１１内における拡散速度が高められた重水素を含むガスは、巻き取った光ファイバ２０間の隙間を通り、速やかにボビン２１の巻き芯付近まで行き渡るようになる。その結果、ボビン２１の巻き芯付近、すなわち下層に位置する光ファイバ２０と、重水素を含むガスとの接触効率が向上する。
【００３９】
ＮＢＯＨＣは、重水素と容易に結合し、重水酸基となるため、ＮＢＯＨＣと重水素とが結合し重水酸基となる反応（ＮＢＯＨＣを消滅させる反応）は、ＮＢＯＨＣと重水素ガスとの接触頻度によって大きく影響を受ける。
本発明によれば、上述のように、ボビン２１の巻き芯近傍の光ファイバ２０において、光ファイバ２０と重水素を含むガスとの接触頻度（接触効率）を高めることができ、これにより、ボビン２１に巻き取った光ファイバ２０の全域に渡って、ＮＢＯＨＣと重水素との反応速度を高めることができる。したがって、低濃度の重水素を含むガスを用い、光ファイバ２０を、この低濃度の重水素を含むガスの雰囲気に曝す時間を短くしても、光ファイバ２０の全域に渡ってＮＢＯＨＣを消滅させることができる。
【００４０】
なお、本発明の光ファイバの処理方法により処理可能な光ファイバは、特に限定されない。本発明の光ファイバの処理方法によれば、石英ガラスを構成材料として含む光ファイバであればいかなる光ファイバでも処理することができる。
【００４１】
以下、実験例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実験例に限定されるものではない。
【００４２】
（実験例１）
外径２５０μｍの光ファイバを、巻き高さが３０ｍｍとなるように、ボビンに巻き取った。この際、光ファイバをボビンに巻き取る間隔を０．４ｍｍ〜０．９ｍｍの間で変化させて、光ファイバの巻き取り間隔の異なるボビンを数種類作製した。
各ボビンを、図１に示すような光ファイバの処理装置の反応槽内に入れ、この反応槽内を１ｋＰａ（絶対圧）まで減圧した。その後、重水素の分圧が１．０ｋＰａまたは２．０ｋＰａとなるように、反応槽内に重水素を含むガスを供給し、反応槽内の圧力を９５ｋＰａとして、反応槽を密封した。この状態で、反応槽内において、光ファイバを、重水素を含むガスの雰囲気に７時間曝した。
重水素を含むガスの雰囲気に７時間曝した後、光ファイバを反応槽から取り出し、ボビンに巻き取った光ファイバのうち最外層（表面に存在する）の光ファイバと、最下層の光ファイバとについて、ＮＢＯＨＣの残存量を、ＮＢＯＨＣの吸収波長域である０．６３μｍにおける吸収損失から換算し、ＮＢＯＨＣが消滅する時間を計測した。最外層の光ファイバのＮＢＯＨＣが消滅する時間と、最下層の光ファイバのＮＢＯＨＣが消滅する時間との差から算出したＮＢＯＨＣの消滅遅延時間と光ファイバの巻き取り間隔との関係について、図２に示す。
図２の結果から、重水素の分圧によらず、外径２５０μｍの光ファイバを重水素で処理する場合、光ファイバの巻き取り間隔が０．５ｍｍ以上であれば、光ファイバの巻き取り間隔の重水素処理への影響はないことが分かった。
【００４３】
（実験例２）
実施例１で使用した光ファイバと同様の特性を有する外径２５０μｍの光ファイバを、巻き高さが３０ｍｍとなるように、ボビンに巻き取った。この際、光ファイバをボビンに巻き取る間隔を０．４ｍｍ〜０．９ｍｍの間で変化させて、光ファイバの巻き取り間隔の異なるボビンを数種類作製した。
各ボビンを、図１に示すような光ファイバの処理装置の反応槽内に入れ、この反応槽内を減圧せずに、重水素の分圧が１．０ｋＰａまたは２．０ｋＰａとなるように、反応槽内に重水素を含むガスを供給し、反応槽内の圧力を９５ｋＰａとして、反応槽を密封した。この状態で、反応槽内において、光ファイバを、重水素を含むガスの雰囲気に２４時間曝した。
重水素を含むガスの雰囲気に２４時間曝した後、光ファイバを反応槽から取り出し、ボビンに巻き取った光ファイバのうち最外層（表面に存在する）の光ファイバと、最下層の光ファイバとについて、ＮＢＯＨＣの残存量を、ＮＢＯＨＣの吸収波長域である０．６３μｍにおける吸収損失から換算し、ＮＢＯＨＣが消滅する時間を計測した。最外層の光ファイバのＮＢＯＨＣが消滅する時間と、最下層の光ファイバのＮＢＯＨＣが消滅する時間との差から算出したＮＢＯＨＣの消滅遅延時間と光ファイバの巻き取り間隔との関係について、図３に示す。
図３の結果から、重水素の分圧によらず、外径２５０μｍの光ファイバを重水素で処理する場合、光ファイバの巻き取り間隔が０．５ｍｍ以上であれば、光ファイバの巻き取り間隔の重水素処理への影響はないことが分かった。
【００４４】
（実験例３）
外径１７５μｍの光ファイバと、外径５００μｍの光ファイバを、巻き高さが３０ｍｍとなるように、ボビンに巻き取った。この際、光ファイバをボビンに巻き取る間隔を変化させて、それぞれの光ファイバについて、巻き取り間隔の異なるボビンを数種類作製した。
各ボビンを、図１に示すような光ファイバの処理装置の反応槽内に入れ、この反応槽内を１ｋＰａ（絶対圧）まで減圧した。その後、重水素の分圧が１．０ｋＰａとなるように、反応槽内に重水素を含むガスを供給し、反応槽内の圧力を９５ｋＰａとして、反応槽を密封した。この状態で、反応槽内において、光ファイバを、重水素を含むガスの雰囲気に７時間曝した。
重水素を含むガスの雰囲気に７時間曝した後、光ファイバを反応槽から取り出し、ボビンに巻き取った光ファイバのうち最外層（表面に存在する）の光ファイバと、最下層の光ファイバとについて、ＮＢＯＨＣの残存量を、ＮＢＯＨＣの吸収波長域である０．６３μｍにおける吸収損失から換算し、ＮＢＯＨＣが消滅する時間を計測した。最外層の光ファイバのＮＢＯＨＣが消滅する時間と、最下層の光ファイバのＮＢＯＨＣが消滅する時間との差から算出したＮＢＯＨＣの消滅遅延時間と、光ファイバの巻き取り間隔（Ｓ）を光ファイバの外径（ｄ）で除した値を図４に示す。
図４の結果から、光ファイバの外径によらず、Ｓ／ｄが２以上であれば、光ファイバの巻き取り間隔の重水素処理への影響はないことが分かった。
【００４５】
（実験例４）
外径２５０μｍの光ファイバを、巻き取る間隔を０．６μｍ、巻き高さが３０ｍｍとなるように、ボビンに巻き取った。この際、光ファイバをボビンに巻き取る張力を変化させて、巻き取る張力の異なるボビンを数種類作製した。
各ボビンを、図１に示すような光ファイバの処理装置の反応槽内に入れ、この反応槽内を１ｋＰａ（絶対圧）まで減圧した。その後、重水素の分圧が１．０ｋＰａとなるように、反応槽内に重水素を含むガスを供給し、反応槽内の圧力を９５ｋＰａとして、反応槽を密封した。この状態で、反応槽内において、光ファイバを、重水素を含むガスの雰囲気に７時間曝した。
重水素を含むガスの雰囲気に７時間曝した後、光ファイバを反応槽から取り出し、ボビンに巻き取った光ファイバのうち最外層（表面に存在する）の光ファイバと、最下層の光ファイバとについて、ＮＢＯＨＣの残存量を、ＮＢＯＨＣの吸収波長域である０．６３μｍにおける吸収損失から換算し、ＮＢＯＨＣが消滅する時間を計測した。最外層の光ファイバのＮＢＯＨＣが消滅する時間と、最下層の光ファイバのＮＢＯＨＣが消滅する時間との差から算出したＮＢＯＨＣの消滅遅延時間と光ファイバの巻き取り張力との関係について、図５に示す。
図５の結果から、巻き取り張力が２．０Ｎ以下であれば巻き取り張力の重水素処理への影響はないことが分かった。しかしながら、巻き取り張力が０．２Ｎ未満では、張力が低過ぎて、光ファイバのボビンへの巻き取り状態が悪くなるといった不良が発生し、巻き条長が短くなると考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明に係る光ファイバの処理方法で用いられる光ファイバの処理装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】実験例１において、ＮＢＯＨＣの消滅遅延時間と光ファイバの巻き取り間隔との関係を示すグラフである。
【図３】実験例２において、ＮＢＯＨＣの消滅遅延時間と光ファイバの巻き取り間隔との関係を示すグラフである。
【図４】実験例３において、ＮＢＯＨＣの消滅遅延時間と、光ファイバの巻き取り間隔（Ｓ）を光ファイバの外径（ｄ）で除した値との関係を示すグラフである。
【図５】実験例４において、ボビンに巻き取った光ファイバのうち最外層の光ファイバのＮＢＯＨＣが消滅する時間と、最下層の光ファイバのＮＢＯＨＣが消滅する時間との差から算出したＮＢＯＨＣの消滅遅延時間と光ファイバの巻き取り張力との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００４７】
１０・・・光ファイバの処理装置、１１・・・反応槽、１２・・・ガス導入口、１３・・・ガス導入用開閉バルブ、１４・・・ガス供給用配管、１５・・・排気口、１６・・・排気用開閉バルブ、１７・・・排気用ポンプ、１８・・・差圧計、２０・・・光ファイバ、２１・・・ボビン。
【図１】
2006047623.tif 000003
【図２】
2006047623.tif 000004
【図３】
2006047623.tif 000005
【図４】
2006047623.tif 000006
【図５】
2006047623.tif 000007