(57)【要約】【課題】  小型で精度の高い圧電発振器を提供する。【解決手段】  圧電発振器１０は、圧電振動片１２と、圧電振動片１２よりも平面サイズの大きい圧電振動片１２を発振させるＩＣチップ１４とを備え、前記圧電振動片１２は、前記圧電振動片１２に設けられた励振電極３４を周波数調整用かつ気密封止用としてパッケージ１６の底面に設けられた孔部に対向させて前記パッケージ１６の底部に実装され、前記ＩＣチップ１４は、圧電振動片１４の上方に設けられた構成である。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電振動片をパッケージベースの底部に実装する工程と、
前記圧電振動片を発振させる回路を前記パッケージベースにおける前記圧電振動片の上方に実装する工程と、
前記回路の上部を封止する工程と、
前記パッケージベースの底面に設けられた孔部を介して前記圧電振動片の周波数を調整する工程と、
前記孔部を封止する工程と、
を備えたことを特徴とする圧電発振器の周波数調整方法。
【請求項２】
前記回路を封止する工程は、前記パッケージベースの上面に蓋体を接合する工程であることを特徴とする請求項１に記載の圧電発振器の周波数調整方法。
【請求項３】
前記回路を封止する工程は、前記回路の上部をモールド材で封止する工程であることを特徴とする請求項１に記載の圧電発振器の周波数調整方法。
【請求項４】
圧電振動片と、圧電振動片を発振させ圧電振動片よりもサイズの大きいＩＣチップとを備え、
前記圧電振動片は、前記圧電振動片に設けられた励振電極を周波数調整用かつ気密封止用としてパッケージの底面に設けられた孔部に対向させて前記パッケージの底部に実装され、
前記ＩＣチップは、圧電振動片の上方に設けられた、
ことを特徴とする圧電発振器。
【請求項５】
前記ＩＣチップは、前記圧電振動片を気密封止しつつ前記パッケージに実装されたことを特徴とする請求項４に記載の圧電発振器。
【請求項６】
前記ＩＣチップは、モールド材で封止されたことを特徴とする請求項５に記載の圧電発振器。
【請求項７】
請求項４ないし６のいずれかに記載の圧電発振器を搭載したことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は圧電発振器の周波数調整方法、圧電発振器および電子機器に係り、特に小型の圧電発振器に対して好適な周波数調整方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
圧電発振器は様々な電子機器に搭載され、基準周波数源や基準信号源として利用されている。そして圧電発振器の構成は、例えばパッケージの凹陥部に圧電振動片と、この圧電振動片よりも大きいサイズの回路部品とが上下に配設され、パッケージ内部を気密封止する蓋が前記パッケージ上面に接合されたものがある（例えば、特許文献１を参照）。また圧電発振器は、圧電振動片をパッケージベースの底部に実装するとともに、ＩＣチップを圧電振動片の上方に配置してパッケージベースに実装し、このパッケージベースの上部に蓋体を接合してなる構成のものがある（例えば、特許文献２を参照）。
【特許文献１】特開２００１−２１７６５０号公報
【特許文献２】特開２００４−１３５１９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、近年、圧電発振器が搭載される電子機器が小型化されているのに伴い、圧電発振器も小型化されている。このため圧電発振器に搭載される圧電振動片やＩＣチップも小型化されているが、ＩＣチップに例えば温度補償回路等の追加機能を有する回路が搭載される場合、ＩＣチップの小型化には限界がある。しがたって圧電振動片は、ＩＣチップよりも小型化されるので、ＩＣチップをパッケージベースの底部に実装するとともに、ＩＣチップの上方において圧電振動片をパッケージベースに実装した構成の圧電発振器では、小型化を実現することはできなかった。
【０００４】
また圧電発振器の周波数調整方法の一例として、圧電振動片に形成された励振電極の質量をかえて周波数調整をした後、パッケージベースの上面に蓋体を接合してパッケージ内部を気密封止し、その後ＩＣチップに搭載された容量アレイでさらに周波数調整を行う方法がある。ところが圧電振動片をパッケージベースの底部に実装するとともに、ＩＣチップを圧電振動片の上方においてパッケージベースに実装した構成の圧電発振器では、圧電振動片の上方にＩＣチップが配置されているので、圧電振動片の励振電極にイオン等を照射して質量を軽くし、または励振電極に金属を付けて質量を重くすることができず、正確な周波数調整を行うことができなかった。
【０００５】
図１０はＩＣチップに設けられる容量アレイの容量値ＣＬと圧電発振器の発振周波数ｆとの関係図である。実線は、圧電振動片の平面サイズが大きい場合の、破線は圧電振動片の平面サイズが小さい場合の特性曲線である。圧電発振器に搭載される圧電振動片の平面サイズが大きいと、容量アレイで調整可能な周波数範囲Ｒａは広いが、圧電振動片の平面サイズが小さくなると、容量アレイで調整可能な周波数範囲Ｒｂは狭くなる。したがって圧電発振器の発振周波数のばらつきにより、所望の周波数が、容量調整アレイで調整可能な周波数範囲に入らず、容量アレイのみでは調整不可能な圧電発振器が多く製造されてしまうという問題が生じる。また例えば圧電発振器を温度補償型とした場合、圧電振動片の平面サイズが大きければ、容量アレイにより調整できる容量値で、周波数温度特性の温度補償と、常温における周波数偏差の調整を行うことができるが、圧電振動片の平面サイズが小さくなると、上記と同じ容量アレイであっても周波数調整範囲が狭くなるので、周波数温度特性の温度補償と、常温における周波数偏差の調整とを行うことができなかった。
【０００６】
本発明は、圧電発振器の周波数調整方法を提供することを目的とする。また小型で精度の高い圧電発振器を提供することを目的とする。さらにこの圧電発振器を搭載した電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明に係る圧電発振器の周波数調整方法は、圧電振動片をパッケージベースの底部に実装する工程と、前記圧電振動片を発振させる回路を前記パッケージベースにおける前記圧電振動片の上方に実装する工程と、前記回路の上部を封止する工程と、前記パッケージベースの底面に設けられた孔部を介して前記圧電振動片の周波数を調整する工程と、前記孔部を封止する工程と、を備えたことを特徴としている。この場合、圧電振動片の周波数調整は、前記圧電振動片に設けられた励振電極の質量を調整することにより行われる。なお励振電極は、孔部を通して高エネルギの粒子が照射されることにより質量を軽くすることができ、また孔部を通して金属が付けられることにより質量を重くすることができる。そして前記回路を封止する工程は、前記パッケージベースの上面に蓋体を接合する工程、または前記回路の上部をモールド材で封止する工程であればよい。
【０００８】
これにより圧電振動片を、回路の下側に配置してパッケージベースに実装しても、パッケージベースの底面に設けられた孔部を用いて圧電振動片の周波数調整ができる。また孔部を封止するときに発生する熱やガスは極めて僅かであるため、この熱やガスが圧電発振器の発振周波数に悪影響を与えることがなく、周波数精度の高い圧電発振器を得ることができる。
【０００９】
また本発明に係る圧電発振器は、圧電振動片と、圧電振動片を発振させ圧電振動片よりもサイズの大きいＩＣチップとを備え、前記圧電振動片は、前記圧電振動片に設けられた励振電極を周波数調整用かつ気密封止用としてパッケージの底面に設けられた孔部に対向させて前記パッケージの底部に実装され、前記ＩＣチップは、圧電振動片の上方に設けられた、ことを特徴としている。
【００１０】
圧電振動片は、ＩＣチップよりも平面サイズが小さいものである。したがって圧電発振器は、圧電振動片を下側に、ＩＣチップを上側に配置してパッケージに実装した構成なので、小型化することができる。また圧電振動片に設けられた励振電極の質量は、励振電極に対向して設けられた孔部を利用して調整することができる。これにより励振電極の質量が調整されることにより圧電発振器の発振周波数が調整されているので、ＩＣチップを用いて圧電発振器の周波数調整を行って所望の発振周波数を得ることができる。
【００１１】
また前記ＩＣチップは、前記圧電振動片を気密封止しつつ前記パッケージに実装されたことを特徴としている。これによりパッケージベースの上面に蓋体を接合してパッケージ内部の圧電振動片を気密封止しなくともよいので、圧電発振器を薄型化することができる。
【００１２】
また前記ＩＣチップは、モールド材で封止されたことを特徴としている。この場合、前記ＩＣチップと前記パッケージとの電気的接続手段も、モールド材で封止されればよい。これによりＩＣチップとパッケージとの接合強度が向上できるので、耐衝撃性を向上することができる。また電気的接続手段、すなわちワイヤ等もモールド材で封止されているので、衝撃等による断線を防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下に、本発明に係る圧電発振器の周波数調整方法、圧電発振器および電子機器の最良の実施形態について説明する。まず第１の実施形態について説明する。図１は第１の実施形態に係る圧電発振器の説明図である。そして図１（ａ）は圧電発振器の断面図であり、図１（ｂ）は圧電発振器の平面図である。なお図１（ｂ）では蓋体を省略した形態で記載している。第１の実施形態に係る圧電発振器１０は、圧電振動片１２と、この圧電振動片１２を発振させる回路（ＩＣチップ１４）とをパッケージ１６に収容した構成である。
【００１４】
圧電振動片１２やＩＣチップ１４が実装されるパッケージベース１８は、内部に凹陥部２０を備えた構成であり、この凹陥部２０の側面は階段状に形成されている。このパッケージベース１８の底面には、圧電振動片１２を実装するためのマウント電極２２が設けられている。またパッケージベース１８の底面には、パッケージベース１８の裏面に貫通する封止孔２４が設けられている。この封止孔２４の断面形状は、例えば円形や楕円形、四角形、三角形等であればよい。さらに凹陥部２０の側面に形成された段差２６の上面には、ＩＣチップ１４を実装するための実装電極２８が形成されている。この実装電極２８の一部は、配線パターン（不図示）を介してマウント電極２２と導通されている。
【００１５】
前記圧電振動片１２は、ＩＣチップ１４よりもサイズが小さいものであり、圧電基板３０の短辺両端に接続電極３２が設けられるとともに、圧電基板３０の中央部に接続電極３２と導通する励振電極３４が設けられている。そして圧電振動片１２は、接続電極３２とマウント電極２２とが導電性接着剤３６を介して電気的および機械的に接続されて、パッケージベース１８上に実装されている。このとき圧電振動片１２の励振電極３４は、パッケージベース１８の底面に形成された封止孔２４の上方に位置している。なお圧電振動片１２は、パッケージベース１８に片持ち状に実装されてもよく、両持ち状に実装されてもよい。
【００１６】
前記回路は、集積化されてＩＣチップ１４を構成している。このＩＣチップ１４には、電圧制御回路が搭載されて圧電発振器を電圧制御型としてもよく、温度補償回路が搭載されて圧電発振器を温度補償型としてもよい。またこれらの回路を組み合わせて圧電発振器を電圧制御−温度補償型としてもよい。また圧電発振器１０は、ＩＣチップ１４と共に抵抗やコンデンサ等を搭載してもよい。なお前記回路はＩＣチップ１４で形成された構成ばかりでなく、ディスクリートで形成された構成であってもよい。
そしてパッケージベース１８の上面には、蓋体３８が接合されている。
【００１７】
次に、圧電発振器１０の製造方法および周波数調整方法について説明する。まずパッケージベース１８の底面に設けられたマウント電極２２上に、導電性接着剤３６を介して圧電振動片１２が実装された後、凹陥部２０の段差２６上に設けられた実装電極２８にＩＣチップ１４が実装される。このときＩＣチップ１４はフェイスダウン実装され、ＩＣチップ１４の能動面に設けられたパッド（不図示）と実装電極２８とがフリップチップボンディングにより電気的および機械的に接続される。そしてパッケージベース１８の上面に、蓋体３８が接合される。このとき金属製の蓋体を用いた場合にはシーム溶接等により接合され、ガラス製の蓋体を用いた場合には低融点ガラス等を介して接合されればよい。
【００１８】
次に、圧電発振器１０は、パッケージベース１８の底面に設けられた封止孔２４を介して励振電極３４の質量が調整される。すなわち周波数調整は、例えば圧電発振器１０が真空容器内に納置されて、封止孔２４を露出させるマスクで覆われた後、圧電発振器１０の下方に設けられたイオンガンやプラズマガン等から高エネルギの粒子を、封止孔２４を介して励振電極３４に照射し、励振電極３４の厚さを薄くして行われればよい。これにより励振電極３４の質量が軽くなる。また励振電極３４にスパッタや蒸着等の成膜法を用いて金属を付け、励振電極３４の質量を重くして、圧電発振器１０の発振周波数を調整してもよい。
【００１９】
次に、パッケージベース１８底面に設けられた封止孔２４は、封止材によって封止される。図２は孔封止の説明図である。具体的には、圧電発振器１０が真空中または不活性ガス雰囲気中に納置された後、封止孔２４の開口部に封止材４０が置かれる。この封止材４０は、例えば金−錫、金−ゲルマニウムまたは銀ロウ等の材料からなる金属ボールを用いればよく、ボールの直径は封止孔２４の前記開口部よりも大きいものであればよい。そして封止材４０は、レーザ光や電子ビームが照射されることにより、または加熱装置が当接されることにより溶融され、封止孔２４を封止する。これにより圧電発振器１０のパッケージ１６内部は真空または不活性ガスにより気密封止される。なお封止孔２４を封止材４０で封止するときは、封止材４０の溶融時等に熱やガスが発生するが、パッケージベース１８に蓋体３８を接合するときに発生する熱やガスの量に比べれば少ないので、圧電発振器１０の発振周波数がずれる量は極めて僅かな量である。
【００２０】
図３は圧電発振器の組み立て後における発振周波数分布の説明図である。なお図３の縦軸は周波数偏差を示している。図３では、（１）パッケージベースに圧電振動片を実装した後、パッケージベースの上面に蓋体を接合した圧電発振器の発振周波数分布と、（２）パッケージベースに圧電振動片を実装し、励振電極の質量を調整して発振周波数を調整した後、パッケージベースの上面に蓋体を接合した圧電発振器の発振周波数分布と、（３）パッケージベース１８に圧電振動片１２を実装して、パッケージベース１８の上面に蓋体３８を接合した後、封止孔２４を介して励振電極３４の質量を調整し、封止孔２４を封止材で封止した本実施形態に係る圧電発振器１０の発振周波数分布とを示している。図３より、本実施形態に係る（３）の場合は、発振周波数の分布は狭い範囲に収まっているが、（２）の場合は（３）の場合に比べて発振周波数の分布は広くなっている。また（１）の場合は（２）の場合に比べて発振周波数の分布は広くなっている。すなわち（１）の場合は、圧電発振器の発振周波数を調整していないので、発振周波数分布は極めて広くなっている。また（２）の場合は、発振周波数の調整をした後、パッケージベースに蓋体を接合しているので、蓋体をパッケージベースに接合するときに発生する熱やガスによって発振周波数をずらし、発振周波数の分布が広くなったのである。これに対し（３）の場合は、発振周波数の調整をした後、封止孔２４を封止してパッケージ１６を気密封止しているので、封止孔２４の封止時に発生する熱やガスの量が極めて僅かであるため、発振周波数分布が狭いのである。したがって本実施形態に係る圧電発振器１０の周波数調整方法を用いると、高精度の圧電発振器１０を得ることが可能になる。
【００２１】
次に、圧電発振器１０はＩＣチップ１４を用いて周波数調整される。この周波数調整は、例えば圧電発振器１０にＩＣチップ１４と導通する外部電極（不図示）や調整端子（不図示）が設けられており、前記外部電極や前記調整端子にデータ書き込み用のプローブを当接させ、このプローブを介してＩＣチップ１４に搭載されている容量アレイの容量調整または可変容量ダイオードに供給される電圧の調整用のデータが書き込まれることにより行われる。また圧電発振器が電圧制御型であれば電圧制御用のデータが書き込まれ、圧電発振器が温度補償型であれば温度補償用のデータが書き込まれ、圧電発振器にプログラマブル機能が設けられていれば制御用のデータが書き込まれる。
この後、圧電発振器１０は、気密性試験や特性検査、マーキング等が行われて完成する。
【００２２】
このように圧電発振器１０は、圧電振動片１２をパッケージベース１８の底部に実装し、圧電振動片１２よりもサイズの大きいＩＣチップ１４をパッケージベース１８の段差２６上に実装し、圧電振動片１２とＩＣチップ１４とを上下に配置した構成なので、圧電発振器１０を小型化することができる。
【００２３】
また圧電発振器１０は、パッケージベース１８の底部に圧電振動片１２を実装し、パッケージベース１８の上面を蓋体３８で接合した後、励振電極３４の下方に設けられた封止孔２４を介して発振周波数の調整が行われて製造されるので、パッケージ１６の気密封止時に発生する熱やガスの影響が少なくなり、発振周波数の精度の高いものを得ることができる。
【００２４】
さらに圧電発振器１０は、圧電振動片１２をＩＣチップ１４の下方に配置してパッケージベース１８上に実装しても、圧電振動片１２の励振電極３４の質量をかえて発振周波数の調整ができるので、ＩＣチップ１４を用いて発振周波数を調整できる範囲に追い込むことができる。したがって、例えば圧電発振器１０を温度補償型とした場合であっても、周波数温度特性の温度補償と、常温における周波数偏差の調整を行うことができ、高精度の温度補償型圧電発振器を得ることができる。
【００２５】
なおＩＣチップ１４による発振周波数の調整方法は、次のように行うこともできる。すなわち図４に示すように、圧電発振器４２は、封止孔２４の側面に導電膜４４を設けるとともに、この導電膜４４とＩＣチップ１４とを導通させる配線パターン４６を設けた構成とし、前記封止孔２４を封止する封止材を溶融させたときに前記封止材と導電膜４４とを電気的に接続させてもよい。このような構成の封止孔２４は、前記調整端子のかわりとすることができ、封止孔２４を封止した前記封止材にプローブを当接させて、ＩＣチップ１４に周波数調整用等のデータを書き込むことができる。これにより封止孔２４は、書き込み端子として利用できるので、書き込み端子をパッケージの側面等に設ける場合に比べて端子部分を省スペース化でき、圧電発振器４２を小型化することが可能になる。また封止孔２４は、プローブを当接させるときのガイドの役割を果すことができる。
【００２６】
次に、第２の実施形態について説明する。図５は第２の実施形態に係る圧電発振器の断面図である。なお第２の実施形態では、第１の実施形態に係る圧電発振器の変形例を説明するので、第１の実施形態と同構成の部分には同番号を付し、その説明を省略または簡略する。
【００２７】
第２の実施形態に係る圧電発振器５０は、第１の実施形態に係る圧電発振器と比較すると、ＩＣチップの実装方法が異なる。すなわち第２の実施形態に係る圧電発振器５０は、圧電振動片１２がパッケージベース１８の底部に実装されるとともに、ＩＣチップ１４が能動面を上方に向けて凹陥部２０の段差２６上に接着剤等を用いて実装され、蓋体３８がパッケージベース１８の上面に接合された構成である。そしてＩＣチップ１４は、前記能動面に設けられたパッド５１と、段差２６上に設けられた電極５２とにワイヤボンディングが施されて、電気的に接続されている。
【００２８】
このような圧電発振器５０は、ＩＣチップ１４の前記能動面が圧電振動片１２と反対側に向いているので、前記能動面が圧電振動片１２の励振電極の質量を調整するときに用いられるイオン等に曝されることがない。したがって周波数調整時に、能動面に設けられた前記パッド５１等がイオン等に曝されて、ＩＣチップ１４に悪影響を与えることがない。
また第２の実施形態に係る圧電発振器５０は、第１の実施形態に係る圧電発振器と同様の効果を奏することができる。
【００２９】
次に、第３の実施形態について説明する。図６は第３の実施形態に係る圧電発振器の断面図である。なお第３の実施形態では、上述した実施形態に係る圧電発振器の変形例を説明するので、上述した実施形態と同構成の部分には同番号を付し、その説明を省略または簡略する。
【００３０】
第３の実施形態に係る圧電発振器５４は、圧電振動片１２がパッケージベース１８の底部に実装されるとともに、ＩＣチップ１４が能動面を上方に向けて凹陥部２０の段差２６上に実装され、ＩＣチップ１４の周囲が樹脂等のモールド材５６で封止された構成である。このときＩＣチップ１４は、圧電振動片１２を気密封止するようにロウ材等を用いて実装され、前記能動面に設けられたパッド５１と段差２６上に設けられた電極５２とにワイヤボンディングが施されて、電気的に接続されている。またパッド５１と電極５２とを接続するワイヤ５８も、モールド材５６により封止されている。
【００３１】
このような圧電発振器５４は、次のようにして製造される。すなわち圧電振動片１２がパッケージベース１８の底部に実装された後、ＩＣチップ１４が凹陥部２０の段差２６上に実装され、電極５２と前記能動面に設けられたパッド５１とにワイヤボンディングが施される。そして圧電発振器５４が金型内に納置された後、ＩＣチップ１４およびワイヤ５８を封止するモールド材５６が金型内に射出される。この後、封止孔２４を利用して圧電振動片１２の励振電極の質量をかえて発振周波数を調整し、封止孔２４を封止する。そしてＩＣチップ１４を用いて発振周波数が調整される。
【００３２】
このように圧電発振器５４は、圧電振動片１２をＩＣチップ１４で気密封止した構成であり、蓋体を用いない構成としたので、圧電発振器５４を薄型化することができる。
【００３３】
また圧電発振器５４は、ＩＣチップ１４の前記能動面が圧電振動片１２と反対側に向いているので、前記能動面が圧電発振器５４の励振電極の質量を調整するときに用いられるイオン等に曝されることがない。したがって周波数調整時に、能動面に設けられた前記パッド５１等がイオン等に曝されて、ＩＣチップ１４に悪影響を与えることがない。
さらに圧電発振器５４は、第１の実施形態に係る圧電発振器と同様の効果を奏することができる。
【００３４】
なお第３の実施形態に係る圧電発振器の変形例として、図７に示すような構成にすることもできる。すなわち圧電発振器６０は、側面に段差を設けていない凹陥部６２を備えたパッケージベース６４を用い、圧電振動片１２が凹陥部６２の底部に実装されるとともに、ＩＣチップ１４が能動面を上方に向けてパッケージベース６４の上面に実装され、ＩＣチップ１４の周囲がモールド材５６で封止された構成とすればよい。このときＩＣチップ１４は、前記能動面に設けられたパッド５１と、パッケージベース６４上面に設けられた電極５２とにワイヤボンディングが施されて電気的に接続されればよい。
【００３５】
次に、第４の実施形態について説明する。第４の実施形態では、第１〜第３の実施形態で示した封止孔の変形例について説明する。図８は封止孔の変形例を示す断面図である。
第４の実施形態に係る封止孔７０（７０ａ，７０ｂ）は、２段構造とされており、パッケージベース内側に設けられる封止孔７０ａの直径が、外側に設けられる封止孔７０ｂの直径よりも小さく形成されたものである。すなわち封止孔７０は、例えばパッケージベースの底面を２枚の絶縁シートを積層させた構成とし、封止孔７０の中心位置を同じ位置にするとともに、パッケージベース内側に位置する絶縁シートと外側に位置する絶縁シートとに異なる直径の孔を設けて形成されればよい。そしてパッケージベース外側の封止孔７０ｂの底部７２と、パッケージベース内側における封止孔７０ａの側面の一部に導電膜７４が設けられている。これにより封止材４０を溶融したときに、溶融した封止材４０が導電膜７４に付着して封止効果を向上させることができる。またパッケージベース内側の封止孔７０ａの側面に形成された導電膜７４により、溶融した封止材４０がパッケージベースの内側に達するのを防ぐことができる。なお封止材４０は、パッケージベース内側の封止孔７０ａの孔径よりも大きく、パッケージベース外側の封止孔７０ｂの孔径よりも小さいサイズとし、且つ封止材４０を溶融したときにパッケージベース外側の封止孔７０ｂから漏れ出さないサイズとすればよい。
【００３６】
次に、第５の実施形態について説明する。第５の実施形態では、前述した圧電発振器を電子機器に搭載した一例について説明する。図９はディジタル式携帯電話の概略構成図である。ディジタル式携帯電話１００は、送受信信号の送信部１０２および受信部１０４等を有し、この送信部１０２および受信部１０４に、これらを制御する中央演算装置（ＣＰＵ）１０６が接続されている。またＣＰＵ１０６は、送受信信号の変調および復調の他に表示部や情報入力のための操作キー等からなる情報の入出力部１０８や、ＲＡＭ，ＲＯＭ等からなるメモリ１１０の制御を行っている。このためＣＰＵ１０６には圧電デバイス１１２が取付けられ、その出力周波数をＣＰＵ１０６に内蔵された所定の分周回路（不図示）等により、制御内容に適合したクロック信号として利用するようにされている。またＣＰＵ１０６は温度補償型圧電発振器１１４と接続され、この温度補償型圧電発振器１１４は送信部１０２と受信部１０４とに接続されている。これによりＣＰＵ１０６からの基本クロックが、環境温度が変化した場合に変動しても、温度補償型圧電発振器１１４により修正されて、送信部１０２および受信部１０４に与えられるようになっている。
【００３７】
前述した実施形態の圧電発振器が応用されるものとして、例えば温度補償型圧電発振器１１４がある。また前述した実施形態の圧電発振器は、例えばＣＰＵ１０６を含む携帯電話に日付時刻情報を供給するリアルタイムクロックにも応用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】第１の実施形態に係る圧電発振器の説明図である。
【図２】孔封止の説明図である。
【図３】圧電発振器の組み立て後における発振周波数分布の説明図である。
【図４】第１の実施形態に係る圧電発振器の変形例である。
【図５】第２の実施形態に係る圧電発振器の断面図である。
【図６】第３の実施形態に係る圧電発振器の断面図である。
【図７】第３の実施形態に係る圧電発振器の変形例である。
【図８】封止孔の変形例を示す断面図である。
【図９】ディジタル式携帯電話の概略構成図である。
【図１０】ＩＣチップに設けられる容量アレイの容量値ＣＬと圧電発振器の発振周波数ｆとの関係図である。
【符号の説明】
【００３９】
１０………圧電発振器、１２………圧電振動片、１４………ＩＣチップ、２０………凹陥部、２４………封止孔、２６………段差、３４………励振電極、４０………封止材、５６………モールド材。
【図１】
2006101090.tif 000003
【図２】
2006101090.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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