(57)【要約】【課題】  ＣｓＩの結晶性を向上させるとともに、デバイス特性を安定化させる。【解決手段】  光電変換素子とスイッチ素子とからなる画素が複数配置されたセンサー基板上と、複数の画素を被覆してセンサー基板上に配置された保護層１４と、複数の前記画素上において保護層の表面に配置された表面が平坦な平坦化層１５と、平坦化層の表面上に蒸着により配置された、入射した放射線を光電変換素子が検知可能な光に変換する柱状結晶からなるシンチレーター層１６と、少なくともシンチレーター層と平坦化層とを被覆してセンサー基板及びシンチレーター層上に配置された光反射膜１７と、を有する。【選択図】      図８
2006017742.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換素子とスイッチ素子とからなる画素が複数配置されたセンサー基板と、
複数の前記画素を被覆して前記センサー基板上に配置された保護層と、
複数の前記画素上において前記保護層の表面に配置された表面が平坦な平坦化層と、
前記平坦化層の前記表面上に蒸着により配置された、入射した放射線を該光電変換素子が検知可能な光に変換する柱状結晶からなるシンチレーター層と、
少なくとも前記シンチレーター層と前記平坦化層とを被覆して前記センサー基板及び前記シンチレーター層上に配置された光反射膜と、
を有することを特徴とする放射線検出装置。
【請求項２】
前記光反射膜は、前記シンチレーター層と前記平坦化層の端部を被覆して前記センサー基板及び前記シンチレーター層上に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の放射線検出装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の放射線検出装置において、前記平坦化層は、ポリイミドであることを特徴とする放射線検出装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載の放射線検出装置において、前記シンチレーター層と前記光反射膜との間に層を設けたことを特徴とする放射線検出装置。
【請求項５】
請求項４に記載の放射線検出装置において、前記層は前記シンチレーター層の端面を覆っていることを特徴とする放射線検出装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載の放射線検出装置において、前記シンチレーター層が平坦化されていることを特徴とする放射線検出装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれか１項に記載の放射線検出装置において、前記シンチレーター層はＣｓＩ結晶であることを特徴とする放射線検出装置。
【請求項８】
基体と、
該基体上に配置され、複数の光電変換素子と複数のスイッチ素子とを有する複数のセンサー基板と、
複数の前記センサー基板の間及び複数の前記複数のセンサー基板上に渡って配置された平坦化層と、
該平坦化層上に設けられたシンチレーター層と、
少なくとも前記シンチレーター層と前記平坦化層とを被覆して前記複数のセンサー基板及び前記シンチレーター層上に配置された光反射膜と、
を有することを特徴とする放射線検出装置。
【請求項９】
前記光反射膜は、前記シンチレーター層と前記平坦化層の端部を被覆して前記複数のセンサー基板及び前記シンチレーター層上に配置されていることを特徴とする請求項８に記載の放射線検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は放射線検出装置に係わり、特に、一対の光電変換素子とスイッチ素子とが複数配置されたセンサー基板上に、入射した放射線を該光電変換素子が検知可能な光に変換するシンチレーター層を設けてなる放射線検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
医療分野や非破壊検査等の分野で、Ｘ線等の放射線をシンチレーターで光に変換し、その光をイメージセンサーで光電変換して画像データとして保存、転送するシステムが注目されている。
【０００３】
このようなシステムに用いる放射線検出装置としては、例えば特許文献１に、Ｘ線を光に変換するシンチレーターの材料としてＣｓＩを用い、このＣｓＩを２次元センサー基板上に配置させた放射線検出装置が開示されている。
【特許文献１】特開平７−２７８６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記のような放射線検出装置においては、医療検査、非破壊検査のハイスピード化、人体に与える影響によるＸ線照射量の低減等の要請から、放射線検出装置の高感度化が望まれる。
【０００５】
本発明の目的は、放射線検出装置の画素の実質的な開口率を上げ、高感度化、ハイスピード化の可能な放射線検出装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の放射線検出装置は、光電変換素子とスイッチ素子とからなる画素が複数配置されたセンサー基板と、複数の前記画素を被覆して前記センサー基板上に配置された保護層と、複数の前記画素上において前記保護層の表面に配置された表面が平坦な平坦化層と、前記平坦化層の前記表面上に蒸着により配置された、入射した放射線を該光電変換素子が検知可能な光に変換する柱状結晶からなるシンチレーター層と、少なくとも前記シンチレーター層と前記平坦化層とを被覆して前記センサー基板及び前記シンチレーター層上に配置された光反射膜と、を有することを特徴とする。
【０００７】
また本発明の放射線検出装置は、基体と、該基体上に配置され、複数の光電変換素子と複数のスイッチ素子とを有する複数のセンサー基板と、複数の前記センサー基板の間及び複数の前記複数のセンサー基板上に渡って配置された平坦化層と、該平坦化層上に設けられたシンチレーター層と、
少なくとも前記シンチレーター層と前記平坦化層とを被覆して前記複数のセンサー基板及び前記シンチレーター層上に配置された光反射膜と、を有することを特徴とする。
【０００８】
以下、図２及び図３に示すセンサー基板を本発明に適用した場合を例にとって説明する。
【０００９】
図２及び図３において、１０１はＰＩＮ型フォトダイオード、１０２はＴＦＴである。図３から明らかなように、ＰＩＮ型フォトダイオード１０１とＴＦＴ１０２とは層構成および各層の膜厚も異なる（構成の詳細な説明は後述する。）。その結果、センサー基板の表面はＴＦＴ、フォトダイオード間で大きな段差を生ずることになる。
【００１０】
センサー材料としてａ−Ｓｉ膜を使用し、配線材料としてＡｌを使用する場合、ＳｉＮ保護膜は成膜温度に制限がある状態で形成されている。そのため、センサー基板表面の段差のステップカバレジは検討の余地が残っている。しかし、仮に、カバレジが改善されたとしても表面段差はそのまま保存される。
【００１１】
本発明者は、このような段差のある表面に、ＣｓＩ等のシンチレーターを形成する場合、ＰＩＮ型フォトダイオードのバイアスライン、また、周辺部の段差でＣｓＩ成長状態が悪く、結晶性が乱れ、その影響で実質的な開口率が低下することを見出した。そして、本発明者がＣｓＩ等のシンチレーター層を形成する面を平坦化したところ、良好な結晶性を有するシンチレーター層を得ることができた。
【００１２】
ここで、特開平７−２７８６３号公報に記載された発明と本発明との違いについて説明する。特開平７−２７８６３号公報には、基板にシンチレーターを形成する場合にシンチレーターの所定の位置に亀裂を生じさせるために、基板に凹状又は凸状のパターンを形成することが記載されている。しかしながら、同公報にはセンサー基板上で画素内においても段差が生じ、この段差がシンチレーター層の結晶性に影響を及ぼし、開口率を低下させる課題、及び段差を軽減するために、シンチレーター層と接する面を平坦面とすることの開示はない。
【００１３】
なお、本願において、放射線とは粒子線又は電磁波をいい、シンチレーターはこれらの粒子線又は電磁波を光電変換素子で検知可能な領域の波長の光に変換する物質をいう。特に、Ｘ線は前述したように、医療分野や非破壊検査等の分野で用いられており、本発明が好適に用いられる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、シンチレーター層を構成するＣｓＩ等の結晶性を向上させることができる。更に、ＣｓＩ等のシンチレーター層の表面の凹凸を平坦化し、反射膜、保護膜をカバレジ良く、高信頼性で作製することができる。
【００１５】
更に、センサー基板を貼り合わせて作成する場合において、複数基板に均一にＣｓＩ等のシンチレーター層を形成することができる。
【００１６】
その結果、実質的な開口率を上げ、高感度、ハイスピードの放射線検出装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について実施例に基づいて図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に示す実施例は放射線検出装置の一例としてＸ線検出装置を例に取って説明する。
【実施例１】
【００１８】
本発明の第1の実施例として、光電変換素子としてＰＩＮ型フォトセンサーとスイッチ素子としてＴＦＴを利用した構成のセンサー基板を用いて説明する。
【００１９】
図１（ａ）、（ｂ）は本発明の第１実施例のＸ線検出装置の製造工程を示す断面図である。
【００２０】
まず、図１（ａ）に示すように、ガラス等の基板１１上にＰＩＮ型フォトダイオードからなる光電変換素子部１２及びＴＦＴ１３が形成され、その上にデバイス特性の安定化のためにＳｉＮ保護膜１４が形成される。
【００２１】
図２はセンサー基板の等価回路図、図３はセンサー基板の模式的断面図を示し、図２，図３中、１０１はＰＩＮ型フォトダイオード、１０２はＴＦＴ、１０３は信号線、１０４はゲート配線、１０５はセンサーバイアス配線である。
【００２２】
また、図３において、２０１はガラス基板、２０２はゲート配線、２０３はゲート絶縁膜、２０４はｉ型ａ−Ｓｉ活性層、２０５はＳｉＮ層、２０６はｎ＋型オーミックコンタクト層、２０７はＳＤ（ソース・ドレイン）電極、２０８はセンサー下電極、２１０、２１１、２１２はそれぞれｐ、ｉ、ｎ型ａ−Ｓｉ層、２０９はセンサー上電極、２１３はＳｉＮ保護膜である。なお、図３中において、センサーバイアス配線は不図示である。
【００２３】
本実施例では図３に示すように、ＴＦＴは逆スタガー型のＴＦＴを用い、ＳｉＮゲート絶縁層、ｉ型ａ−Ｓｉ活性層、ｎ＋オーミックコンタクト層より構成されている。一方、ＰＩＮ型フォトダイオードは、ｐ型ａ−Ｓｉ層、ｉ型ａ−Ｓｉ層、ｎ型ａ−Ｓｉ層より構成されている。即ち、ＴＦＴとＰＩＮ型フォトダイオードとでは、層構成が異なり、その結果、センサー基板の表面段差は機能素子間で大きなものとなる。
【００２４】
このような構成のセンサー基板上に、通常、デバイス特性の安定化のためにＳｉＮ保護膜１４が形成される。
【００２５】
その後、図１（ｂ）に示すように、平坦化層１５としてポリイミドをスピンナーを用いて塗布形成した。ポリイミドとしては、東レ製，セミコファイン（ＬＰ−６２；通常粘度は６００〜１０００ｃｐｓ、固形分は１６．５〜１８．５％）である。スピン条件は第１回目は５０（ｒｐｍ）／３０（ｓｅｃ）、第２回目はＸ（ｒｐｍ）／６０（ｓｅｃ）（Ｘ：粘度（ｃｐｓ）×固形分（％）×０．０５６３）とした。
【００２６】
平坦化層はスクリーン印刷、ロールコーター、スプレー、スプレー アンド スピンなどでも可能である。その後、シンチレーター層として、ＣｓＩを蒸着する。ＣｓＩは本実施例では柱状結晶を成長させた。本実施例では、このようにＣｓＩの蒸着面を平坦化層１５としたことで、ＣｓＩの蒸着面の凹凸をなくしＣｓＩの結晶性が良好なものを得ることができた。
【実施例２】
【００２７】
本発明の第２の実施例は、上述した第１の実施例のＣｓＩ層上を平坦化し、さらに光反射膜として（保護膜も兼ねている）Ａｌ膜を設けたものである。
【００２８】
図４（ａ）〜（ｃ）は本発明の第２実施例のＸ線検出装置の製造工程を示す断面図である。
【００２９】
図４（ｂ）に示すＣｓＩ積層工程までは、図１（ａ），（ｂ）を用いて説明した第１実施例の製造工程と同様にして製造を行う。
【００３０】
次に、積層されたＣｓＩ１６の表面を平坦化した。ＣｓＩを柱状結晶として成長させた場合、その表面は数μmから数10μm程度の凹凸を示す。本実施例では、反射膜、或いは、耐湿性保護膜を均一に、且つ、カバレッジ良く形成するために、ポリウレタン研磨布及びシリカ研磨剤などを用いて平坦化を行った。図５は研磨領域Ｐを示す一部断面図である。なお、平坦化はエッチバック等のフォトリソグラフィにより可能でもある。
【００３１】
その後、反射膜と保護膜を兼ねてＡｌ膜１７を形成した。
【実施例３】
【００３２】
本発明の第３の実施例は、上述した第２の実施例においてＣｓＩ層の研磨を行わずに、平坦化層としてポリイミド膜を形成したものである。
【００３３】
図６は本発明の第３実施例のＸ線検出装置の構成を示す断面図である。
【００３４】
本実施例のＸ線検出装置を作製するには、まず、ＣｓＩ積層工程までは、図１（ａ），（ｂ）を用いて説明した第１実施例の製造工程と同様にして製造を行う。
【００３５】
次に、積層されたＣｓＩ１６上に平坦化層としてポリイミドをスピンナーを用いて塗布形成している。上述したように、ＣｓＩを柱状結晶として成長させた場合、その表面は数μmから数10μm程度の凹凸を示すがポリイミドを塗布形成することで表面が平坦化される。さらに、反射膜、或いは、耐湿性保護膜を均一に、且つ、カバレジ良く形成するために、反射膜と保護膜を兼ねてＡｌ膜を形成した。図７はポリイミドおよびＡｌ膜形成後の構成を示す断面図である。
【００３６】
なお、本実施例では、図８（ａ）、（ｂ）に示すように、センサー基板端部の端面にもポリイミド膜１８及びＡｌ膜１７が形成されている。ＣｓＩは第１の平坦化層となるポリイミド膜１５と第２の平坦化層となるポリイミド膜１８とによりパッケイジされた構造となっている。さらに、更に、第１および第２の平坦化層は、耐湿性保護膜となるＡｌ膜１７でパッケイジされた構造となっている。このような構成を取ることにより、例えばＣｓＩが水分等の外部雰囲気の影響を受けないようにして耐久性を向上させることができる。
【００３７】
図９は、センサー基板端面にポリイミド膜１８及びＡｌ膜１７が形成される場合の製造工程を示す図である。
【００３８】
なお、このような端部処理を行わなくても、例えばアルミ箔等の薄板金属板でセンサー基板を覆うことで同様な効果を得ることができる。このような構成例としては本件出願人が特願平１０−９６９５８号に提案したものがある。この構成を本発明に適用することができる。
【００３９】
図１６及び図１７は特願平１０−９６９５８号において示されたＸ線検出装置の断面図である。図１６ではシンチレーター層２１１の端部を覆うように、傾斜面を持つように薄板金属板２１４を延伸し、この端辺を下側に折り曲げ、センサー基板の一部に樹脂封止材２１６を設けている。この構成では有機樹脂又は無機樹脂の樹脂封止材２１６によって水分等の通過を抑制することができるとともに、薄板金属板２１４とシンチレーター層２１１との間に形成される空間によっても水分等がシンチレーター層２１１に侵入するのを防止することができる。
【００４０】
また、図１７では薄板金属板２１４をシンチレーター層端部に沿って折り曲げた形状にし、外周を有機樹脂又は無機樹脂の樹脂封止材２１６で封止した構成にしている。この構成ではシンチレーター層の端面部分が金属により覆われているので、水分等がシンチレーター層へ侵入するのを抑制できる。
【実施例４】
【００４１】
本発明の第４の実施例は、上述した第３の実施例にように、ＣｓＩの蒸着面の平坦化をする場合に、ポリイミド膜を用いずＳｉＮ保護膜をＣＭＰ等により研磨することで行ったものである。
【００４２】
図１０（ａ）、（ｂ）は本発明の第４実施例のＸ線検出装置の製造工程を示す断面図である。本実施例は上記のようにＣｓＩの蒸着面の平坦化をする場合に、ポリイミド膜を用いずＳｉＮ保護膜を研磨する点を除いて第３の実施例の工程と同じなので、主として研磨工程について説明を行う。
【００４３】
図１０（ａ）に示すように、ＰＩＮ型フォトダイオード１２、ＴＦＴ１３等による表面の凹凸が埋まるようにＳｉＮ保護膜１４を形成した後に、ＣＭＰ等により研磨することでＳｉＮ保護膜１４表面を平坦化する。その後、上述した第３実施例と同様に図１０（ｂ）に示すように、ＣｓＩ層１６、平坦化層としてポリイミド膜１８、耐湿性保護膜となるＡｌ膜１７を形成した。なお保護膜１４としてＳｉＯ２膜を用いてもよい。
【００４４】
本実施例において、保護膜１４は、ＰＩＮ型フォトダイオード１２、ＴＦＴ１３を保護する部分については、ＰＩＮ型フォトダイオード、ＴＦＴの特性に影響を与えず、緻密な膜を形成することが望ましいが、平坦化させる部分については必ずしも、このような膜を形成する必要はない。
【００４５】
図１１はＰＩＮ型フォトダイオード１２、ＴＦＴ１３を保護する部分は、特性に影響を与えず、緻密な第１の保護膜１４、凹凸部分を埋める部分は研磨しやすい、堆積速度が速い等の材料からなる第２の保護膜１９で形成した場合を示す断面図である。
【００４６】
第１の保護膜１４としてＳｉＮ膜、第２の保護膜としてＳｉＯ２膜を形成したり、同一の材料の膜（ＳｉＮ膜やＳｉＯ２膜）で、製造方法や製造条件を変えて第１の保護膜１４と第２の保護膜１９を形成することができる。同一の材料の膜で第１の保護膜１４と第２の保護膜１９の製造条件を変えて形成する場合の例としては、第１の保護膜をＨ２，Ｎ２,ＳＨ４の混合ガスでＣＶＤ法により堆積し、第２の保護膜をＨ２，ＮＨ３,ＳＨ４の混合ガスでＣＶＤ法により堆積することで、ＰＩＮ型フォトダイオード、ＴＦＴの特性に影響を与えず、しかも堆積速度を向上させて保護膜を形成することができる。第１の保護膜と第２の保護膜の製造方法を変えて形成する場合の例としては、第１の保護膜をＨ２，Ｎ２,ＳＨ４の混合ガスでＣＶＤ法により堆積し、第２の保護膜をスパッタ法で堆積する場合が挙げられる。
【００４７】
前述した実施例１〜４は、一枚のセンサー基板について説明したが、センサー基板の大きさに限界があるときに大面積のＸ線検出装置を構成する場合には、複数のセンサー基板を貼り合わせて構成することがある。図１４及び図１５を用いて、複数のセンサー基板を貼り合わせて大面積のＸ線検出装置を構成した場合の実装例について説明する。
【００４８】
センサー基板２０は、ＰＩＮ型フォトダイオード、ＴＦＴ、第１のＳｉＮ保護膜上に、第１のポリイミド平坦化層、ＣｓＩ等のシンチレーター層、第2のポリイミド平坦化層、Ａｌ反射膜、第２のＳｉＮ保護膜の層構成を有している。第２のＳｉＮ保護膜はＡｌ反射膜がセンサー基板切断時に腐食されるのを防止する目的で設けられることもある。
【００４９】
以上の様に構成されたセンサー基板はダイヤモンドブレードにより切断され、図１４に示すように、基台２１に貼り合わせられる。
【００５０】
図１５は図１４のＡ−Ａ断面図であり、図１５に示すように、センサー基板２０間の貼り合わせ部には、光学的なクロストークを防止するために黒色の樹脂２２を充填している。また、センサー基板の端面が露出している場合にはエポキシ等の樹脂２３で被覆することが望ましい。
【実施例５】
【００５１】
本発明の第５の実施例として、複数のセンサー基板を貼り合わせた後に平坦化を行う場合について述べる。
【００５２】
図１２に示すように、基台２１に複数個のセンサー基板２０を貼り合わせた後、ポリイミド平坦化層１５を塗布し、この時、貼り合わせクロス部にディスペンサーで一旦充填した後、再度、基板全体にスピンコートする。その後、ＣｓＩ等のシンチレーター層１６を蒸着し、第２のポリイミド平坦化層１８を塗布した後、Ａｌ膜１７を形成する。
【００５３】
なお、不図示であるが基板張り合わせ前には、基板端面及び表面の一部に黒色の樹脂を塗布し光学的クロストークを防止している。
【００５４】
本実施例において、第３実施例と同様に、センサー基板端面にポリイミド膜１８及びＡｌ膜１７を形成したり、アルミ箔等の薄板金属板でセンサー基板を覆う端面処理を行ってもよいことはもちろんである。
【００５５】
以上説明した各実施例は、光電変換素子としてＰＩＮ型フォトダイオードを用いているが、ＴＦＴと同じ層構成を有するＭＩＳ型フォトセンサーを用いることができる。このようなＭＩＳ型フォトセンサーを用いたＸ線検出装置は、例えば特開平７−２５０５１２号公報に開示されている。
【００５６】
図１３（ａ）は一画素に相当する部分の平面図、図１３（ｂ）は図１３中破線Ａ−Ｂで示した部分の断面図である。
【００５７】
図１３において、Ｓ１１は光電変換素子、Ｔ１１はＴＦＴ、Ｃ１１はコンデンサ、ＳＩＧは信号配線である。３０１はガラスなどで形成される絶縁基板上に設けられた、ＡｌやＣｒなどで形成される下部電極である。３０２は電子、ホール共に通過を阻止する窒化シリコン（ＳｉＮ）などで形成される絶縁層であり、その厚さはトンネル効果により電子、ホールが通過できないほどの厚さである５００オングストローム以上に設定される。３０３は水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）の真性半導体ｉ層で形成される光電変換半導体層、３０４は光電変換半導体層３０３に透明電極３０５側からのホールの注入を阻止するａ−Ｓｉのｎ＋層で形成される注入阻止層、透明電極３０５はＩＴＯのようなインジウム又はスズを含む化合物、酸化物などで形成される。３０６はＳｉＮ保護膜である。
【００５８】
図１３から明らかなように、光電変換素子はＴＦＴと同一膜構成であり、またコンデンサＣ１１と光電変換素子Ｓ１１とは特別に素子を分離しておらず、光電変換素子Ｓ１１の電極の面積を大きくすることによりコンデンサＣ１１を形成している。
【００５９】
次に、本発明によるＸ線検出装置の実装例及びそれを用いたＸ線検出システムについて説明する。
【００６０】
図１８（ａ）、図１８（ｂ）は本発明によるＸ線検出装置の実装例の模式的構成図及び模式的断面図である。
【００６１】
光電変換素子とＴＦＴはａ−Ｓｉセンサー基板６０１１内に複数個形成され、シフトレジスタＳＲ１と検出用集積回路ＩＣが実装されたフレキシブル回路基板６０１０が接続されている。フレキシブル回路基板６０１０の逆側は回路基板ＰＣＢ１、ＰＣＢ２に接続されている。前記ａ−Ｓｉセンサー基板６０１１の複数枚が基台６０１２の上に接着され大型の光電変換装置を構成する基台６０１２の下には処理回路６０１８内のメモリ６０１４をＸ線から保護するため鉛板６０１３が実装されている。ａ−Ｓｉセンサー基板６０１１上にはＸ線を可視光に変換するためのシンチレーター６０３０たとえばＣｓＩが、蒸着されている。図１８（ｂ）に示されるように全体をカーボンファイバー製のケース６０２０に収納している。
【００６２】
図１９は本発明によるＸ線検出装置のＸ線診断システムへの応用例を示したものである。
【００６３】
Ｘ線チューブ６０５０で発生したＸ線６０６０は患者あるいは被験者６０６１の胸部６０６２を透過し、シンチレーターを上部に実装した光電変換装置６０４０に入射する。この入射したＸ線には患者６０６１の体内部の情報が含まれている。Ｘ線の入射に対応してシンチレーターは発光し、これを光電変換して、電気的情報を得る。この情報はディジタルに変換されイメージプロセッサ６０７０により画像処理され制御室のディスプレイ６０８０で観察できる。
【００６４】
また、この情報は電話回線６０９０等の伝送手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタールームなどディスプレイ６０８１に表示もしくは光ディスク等の保存手段に保存することができ、遠隔地の医師が診断することも可能である。またフィルムプロセッサ６１００によりフィルム６１１０に記録することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明のＸ線検出装置の第１実施例の製造工程を示す断面図である。
【図２】センサー基板の等価回路図である。
【図３】センサー基板の模式的断面図である。
【図４】本発明のＸ線検出装置の第２実施例の製造工程を示す断面図である。
【図５】本発明の第２実施例における研磨工程を説明するための断面図である。
【図６】本発明のＸ線検出装置の第３実施例の構成を示す断面図である。
【図７】本発明の第３実施例の構成を示す一部拡大断面図である。
【図８】本発明のＸ線検出装置の第３実施例の単部の構成を示す平面図及び断面図である。
【図９】本発明のＸ線検出装置の第３実施例の製造工程を示す断面図である。
【図１０】本発明のＸ線検出装置の第４実施例の製造工程を示す断面図である。
【図１１】本発明のＸ線検出装置の第４実施例の他の製造工程を示す断面図である。
【図１２】本発明のＸ線検出装置の第５実施例の単部の構成を示す平面図及び断面図である。
【図１３】他の構成のセンサー基板の模式的平面図及び断面図である。
【図１４】センサー基板を貼り合わせてＸ線検出装置を構成する場合の構成を示す斜視図である。
【図１５】図１４のＡ−Ａ断面図である。
【図１６】特願平１０−９６９５８号において示されたＸ線検出装置の断面図である。
【図１７】特願平１０−９６９５８号において示されたＸ線検出装置の他の構成の断面図である。
【図１８】本発明によるＸ線検出装置の実装例の模式的構成図及び模式的断面図である。
【図１９】本発明によるＸ線検出装置のＸ線診断システムへの応用例を示したものである。
【符号の説明】
【００６６】
１１  基板
１２  ＰＩＮ
１３  ＴＦＴ
１４  ＳｉＮ
１５  平坦化層
１６  シンチレーター層
１７  Ａｌ層
１８  平坦化層
１９  ＳｉＯ２層
【図１】
2006017742.tif 000003
【図２】
2006017742.tif 000004
【図３】
2006017742.tif 000005
【図４】
2006017742.tif 000006
【図５】
2006017742.tif 000007
【図６】
2006017742.tif 000008
【図７】
2006017742.tif 000009
【図８】
2006017742.tif 000010
【図９】
2006017742.tif 000011
【図１０】
2006017742.tif 000012
【図１１】
2006017742.tif 000013
【図１２】
2006017742.tif 000014
【図１３】
2006017742.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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