(57)【要約】【課題】  オーバーライト特性を良好にすることが可能な構造を備えた薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置を提供する。【解決手段】  薄膜磁気ヘッドは記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして磁極端部に対向するライトシールド層と、少なくともライトシールド層の一部の周りに巻回された薄膜コイルとが積層された構成を有している。また、薄膜磁気ヘッドは主磁極層における記録ギャップ層よりも媒体対向面から離れた部分の大きさよりも大きさの大きい上部ヨーク磁極層を有し、この上部ヨーク磁極層が主磁極層の薄膜コイルに近い側に接合されている。【選択図】  図１
2006004604.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、前記媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして前記磁極端部に対向するライトシールド層と、少なくとも前記ライトシールド層の一部の周りに巻回された薄膜コイルとが積層された構成を有し、
前記主磁極層における前記記録ギャップ層よりも前記媒体対向面から離れた部分の大きさよりも大きさが大きい上部ヨーク磁極層を有し、該上部ヨーク磁極層が前記主磁極層の前記薄膜コイルに近い側に接合されている薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記ライトシールド層が前記媒体対向面において前記磁極端部に対向し、かつ前記上部ヨーク磁極層と互いに端面が同じ高さに形成されているシールド端部を有する請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記主磁極層と、前記上部ヨーク磁極層とが互いに飽和磁束密度の異なる磁性材を用いて形成され、前記上部ヨーク磁極層の飽和磁束密度よりも、前記主磁極層の飽和磁束密度が高く設定されている請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記主磁極層に接し、Ｔａ，Ｗ，Ｍｏ，ＴｉＷ，ＴｉＮ，Ｃｒ，ＮｉＣｒ，Ｍｏ，Ｒｕ，ＳｉＮからなる高引張力膜を更に有する請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記シールド端部と、前記上部ヨーク磁極層とが互いに飽和磁束密度の異なる磁性材を用いて形成され、前記上部ヨーク磁極層の飽和磁束密度よりも、前記シールド端部の飽和磁束密度が低く設定されている請求項２記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
前記シールド端部と前記上部ヨーク磁極層との間に、ＡＬ−ＣＶＤによる絶縁膜が形成されている請求項２記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
前記上部ヨーク磁極層は、前記媒体対向面に近い側に横幅を拡張した拡張領域が形成されている請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、前記媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして前記磁極端部に対向するライトシールド層と、少なくとも前記ライトシールド層の一部の周りに巻回された薄膜コイルとを積層して薄膜磁気ヘッドを製造する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記媒体対向面の側に前記磁極端部を有するように、絶縁層上に前記主磁極層を形成する工程と、
前記主磁極層における前記媒体対向面から離れた側の部分が露出するようにして、前記主磁極層上に前記記録ギャップ層を形成する工程と、
前記主磁極層における前記記録ギャップ層で被覆されない箇所に接合し、前記主磁極層における前記記録ギャップ層よりも前記媒体対向面から離れた部分の大きさよりも大きさの大きい上部ヨーク磁極層と、前記媒体対向面において前記磁極端部に対向するシールド端部とを、それぞれの端面が同じ高さになるように一緒に形成する工程と、
前記上部ヨーク磁極層に絶縁膜を介して接触するようにして前記薄膜コイルを形成する工程と、
前記シールド端部に接続し、前記媒体対向面から離れた側で前記上部ヨーク磁極層に接続するように磁気シールド層を形成し、該磁気シールド層と前記シールド端部とを有する前記ライトシールド層を形成する工程とを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項９】
前記主磁極層と前記絶縁層との間に高引張力膜を形成する工程と更に有する請求項８記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１０】
前記主磁極層の表面に対するアニールを行う工程を更に有する請求項８記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１１】
基台上に形成された薄膜磁気ヘッドと、前記基台を固定するジンバルとを備え、
前記薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、前記媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして前記磁極端部に対向するライトシールド層と、少なくとも前記ライトシールド層の一部の周りに巻回された薄膜コイルとが積層された構成を有し、前記主磁極層における前記記録ギャップ層よりも前記媒体対向面から離れた部分の大きさよりも大きさが大きい上部ヨーク磁極層を有し、該上部ヨーク磁極層が前記主磁極層の前記薄膜コイルに近い側に接合されているヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項１２】
薄膜磁気ヘッドを有するヘッドジンバルアセンブリと、前記薄膜磁気ヘッドに対向する記録媒体とを備え、
前記薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、前記媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして前記磁極端部に対向するライトシールド層と、少なくとも前記ライトシールド層の一部の周りに巻回された薄膜コイルとが積層された構成を有し、前記主磁極層における前記記録ギャップ層よりも前記媒体対向面から離れた部分の大きさよりも大きさが大きい上部ヨーク磁極層を有し、該上部ヨーク磁極層が前記主磁極層の前記薄膜コイルに近い側に接合されているハードディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直記録方式で磁気記録動作を行う薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ハードディスク装置の面記録密度が著しく向上している。特に最近ではハードディスク装置の面記録密度は、１６０〜２００ギガバイト／プラッタに達し、更にそれを超える勢いである。これに伴い、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められている。
【０００３】
薄膜磁気ヘッドは、記録方式により大別すると、ハードディスク（記録媒体）の記録面内（長手）方向に情報を記録する長手記録方式と、ハードディスクに形成する記録磁化の向きを記録面の垂直方向に形成してデータを記録する垂直記録方式とに分けることができる。このうち、垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドは長手記録方式に比べて格段に高い記録密度を実現できる上に、記録済のハードディスクが熱揺らぎの影響を受けにくいので、長手記録方式よりも有望視されている。
従来の垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドは、例えば、特許文献１、特許文献２、特許文献３、特許文献４等に開示されている。
【０００４】
ところで、垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドはハードディスクの内周や外周の領域にデータを記録するときに、データを記録するトラックに対して、記録媒体（ハードディスク）に対向する媒体対向面（エアベアリング面、ＡＢＳともいう）の側に配置された磁極端部がある角度での傾き(Ｓｋｅｗ  Ａｎｇｌｅ)を生じる。垂直記録方式の磁気ヘッド（ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ  ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ  ｈｅａｄ：以下「ＰＭＲ」ともいう）で書き込み能力が高い場合は、このＳｋｅｗ  Ａｎｇｌｅが生じることによって、隣接するトラック同士の間に余分なデータを記録してしまう、いわゆる書きにじみと呼ばれる問題があった。この書きにじみが生じると、サーボ信号の検出や、再生波形のＳ／Ｎ比に悪影響を及ぼす。そのため、従来のＰＭＲは、主磁極層におけるＡＢＳ側の磁極端部を一方向に向って漸次幅の狭まるベベル形状にしている（この点に関しては、例えば、特許文献５、特許文献６参照）。
【特許文献１】米国特許第６，５０４，６７５号明細書
【特許文献２】米国特許第４，６５６，５４６号明細書
【特許文献３】米国特許第４，６７２，４９３号明細書
【特許文献４】特開２００４−９４９９７号公報
【特許文献５】特開２００３−２４２６０７号公報
【特許文献６】特開２００３−２０３３１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来のＰＭＲの中には、例えば図２２（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）に示すような構造を有する薄膜磁気ヘッド４００があった。この薄膜磁気ヘッド４００は、絶縁層４０１上に形成された下部ヨーク層４０２と、ベベル形状を有し、ＡＢＳ４０４の側に配置された磁極端部を有する主磁極層４０３と、主磁極層４０３と磁気的に連結され、ＡＢＳ４０４の側で記録ギャップ層４０５を挟んで、主磁極層４０３と対向するライトシールド（Ｗｒｉｔｅ  ｓｈｉｅｌｄ）層４０６と、薄膜コイル４０７とを有している。また、薄膜コイル４０７がフォトレジスト４０８により互いに絶縁され、主磁極層４０３と、ライトシールド層４０６とを連結する連結部４０９の周りに平面渦巻き状に巻回されている。
【０００６】
薄膜磁気ヘッド４００では、記録ギャップ層４０５により、データの記録が行われる。また、磁極端部のＡＢＳ４０４における薄膜コイル４０７に近い方の横幅Ｗ４１がトラック幅になり、その横幅Ｗ４１に対応して、ハードディスクの記録密度が決まるようになっている。さらに、ライトシールド層４０６におけるＡＢＳ４０４からフォトレジスト４０８までの距離によりスロートハイトＴＨが決まるようになっている。
【０００７】
一方、薄膜磁気ヘッド４００のようなＰＭＲでは、記録密度を向上させるためトラック幅をより狭くしたものが求められている。しかも、オーバーライト特性が良好で、記録媒体に記録されているデータに別のデータを上書きしてしまうことがないようにするのが望ましい。そのためには、下部ヨーク層４０２がＡＢＳ４０４にできるだけ近づいた構造にするのが望ましい。
【０００８】
しかしながら、薄膜磁気ヘッド４００では、下部ヨーク層４０２の次に主磁極層４０３が形成されるため、磁極端部をベベル形状にして主磁極層４０３を形成するときに、下部ヨーク層４０２が影響を受けて図に示すネックハイト（ｎｅｃｋ  ｈｉｇｈｔ）ｈｎが現れ、トラック幅に対応した幅の狭い部分がネックハイトｈｎの分だけ長くなり、設計した長さからずれる（ｓｈｉｆｔ）おそれがあった。そのため、図に示すｄ１が０．１〜０．３μｍになるように、下部ヨーク層４０２をＡＢＳ４０４から離して形成しなければならず、ＡＢＳ４０４に近い箇所の磁気量（磁気ボリュームともいう）を大きくすることが困難であった。したがって、薄膜磁気ヘッド４００では、オーバーライト特性を良好にすることが難しいという問題があった。
【０００９】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、オーバーライト特性を良好にすることが可能な構造を備えた薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため、本発明は、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして磁極端部に対向するライトシールド層と、少なくともライトシールド層の一部の周りに巻回された薄膜コイルとが積層された構成を有し、主磁極層における記録ギャップ層よりも媒体対向面から離れた部分の大きさよりも大きさが大きい上部ヨーク磁極層を有し、その上部ヨーク磁極層が主磁極層の薄膜コイルに近い側に接合されている薄膜磁気ヘッドを特徴とする。
この薄膜磁気ヘッドは、主磁極層の薄膜コイルに近い側に、主磁極層における記録ギャップ層よりも媒体対向面から離れた部分の大きさよりも大きさが大きい上部ヨーク磁極層が接合されている。
【００１１】
また、薄膜磁気ヘッドは、ライトシールド層が媒体対向面において磁極端部に対向し、かつ上部ヨーク磁極層と端面が互いに同じ高さに形成されているシールド端部を有するようにすることができる。
この薄膜磁気ヘッドは、シールド端部が記録媒体からの磁気のリターンを吸収する。
【００１２】
さらに、薄膜磁気ヘッドは、主磁極層と、上部ヨーク磁極層とが互いに飽和磁束密度の異なる磁性材を用いて形成され、上部ヨーク磁極層の飽和磁束密度よりも、主磁極層の飽和磁束密度が高く設定されているようにするとよい。
こうすると、磁極端部の飽和磁束密度を高く設定でき、磁極端部におけるトラック幅を狭めても、磁束の飽和を生じ難くすることができる。
【００１３】
また、主磁極層に接し、Ｔａ，Ｗ，Ｍｏ，ＴｉＷ，ＴｉＮ，Ｃｒ，ＮｉＣｒ，Ｍｏ，Ｒｕ，ＳｉＮからなる高引張力膜を更に有することが好ましい。
この高引張力膜によって、書き込み終了後における主磁極層の残留磁化の方向を媒体対向面に沿った方向に保つことができる。
そして、シールド端部と、上部ヨーク磁極層とが互いに飽和磁束密度の異なる磁性材を用いて形成され、上部ヨーク磁極層の飽和磁束密度よりも、シールド端部の飽和磁束密度が低く設定されていることが好ましい。
さらに、シールド端部と上部ヨーク磁極層との間に、ＡＬ−ＣＶＤによる絶縁膜が形成されているとよい。
上部ヨーク磁極層は、媒体対向面に近い側に横幅を拡張した拡張領域が形成されていてもよい。
【００１４】
そして、本発明は、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして磁極端部に対向するライトシールド層と、少なくともライトシールド層の一部の周りに巻回された薄膜コイルとを積層して薄膜磁気ヘッドを製造する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、以下の（１）〜（５）に示す各工程を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。
（１）媒体対向面の側に磁極端部を有するように、絶縁層上に主磁極層を形成する工程と、
（２）主磁極層における媒体対向面から離れた側の部分が露出するようにして主磁極層上に記録ギャップ層を形成する工程と、
（３）主磁極層における記録ギャップ層で被覆されない箇所に接合し、主磁極層における記録ギャップ層よりも媒体対向面から離れた部分の大きさよりも大きさの大きい上部ヨーク磁極層と、媒体対向面において磁極端部に対向するシールド端部とを、それぞれの端面が同じ高さになるように一緒に形成する工程と、
（４）上部ヨーク磁極層に絶縁膜を介して接触するようにして薄膜コイルを形成する工程と、
（５）シールド端部に接続し、媒体対向面から離れた側で上部ヨーク磁極層に接続するように磁気シールド層を形成し、その磁気シールド層とシールド端部とを有するライトシールド層を形成する工程。
【００１５】
これらの各工程を経ることにより、主磁極層における記録ギャップ層よりも媒体対向面から離れた部分の大きさよりも大きさが大きい上部ヨーク磁極層が主磁極層に接合されている薄膜磁気ヘッドが得られる。
【００１６】
また、主磁極層と絶縁層との間に高引張力膜を形成する工程と更に有するようにするとよい。
こうすると、主磁極層に接する高引張力膜を有する薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【００１７】
さらに、上記薄膜磁気ヘッドの製造方法では、主磁極層の表面に対するアニールを行う工程を更に有するようにするとよい。
このアニールを行うことにより、書き込み終了後における主磁極層内部の残留磁化の影響を低減することができる。
【００１８】
そして、本発明は基台上に形成された薄膜磁気ヘッドと、基台を固定するジンバルとを備え、薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして磁極端部に対向するライトシールド層と、少なくともライトシールド層の一部の周りに巻回された薄膜コイルとが積層された構成を有し、主磁極層における記録ギャップ層よりも媒体対向面から離れた部分の大きさよりも大きさが大きい上部ヨーク磁極層を有し、その上部ヨーク磁極層が主磁極層の薄膜コイルに近い側に接合されているヘッドジンバルアセンブリを提供する。
【００１９】
また、本発明は、薄膜磁気ヘッドを有するヘッドジンバルアセンブリと、薄膜磁気ヘッドに対向する記録媒体とを備え、薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして磁極端部に対向するライトシールド層と、少なくともライトシールド層の一部の周りに巻回された薄膜コイルとが積層された構成を有し、主磁極層における記録ギャップ層よりも媒体対向面から離れた部分の大きさよりも大きさが大きい上部ヨーク磁極層を有し、その上部ヨーク磁極層が主磁極層の薄膜コイルに近い側に接合されているハードディスク装置を提供する。
【発明の効果】
【００２０】
以上詳述したように、本発明によれば、オーバーライト特性を良好にすることが可能な構造を備えた薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、同一要素には同一符号を用い、重複する説明は省略する。
【００２２】
第１の実施の形態
（薄膜磁気ヘッドの構造）
まず、図１〜図３を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構造について説明する。ここで、図１（Ａ）は本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド３００の薄膜コイルに交差する方向の断面図、図１（Ｂ）はＡＢＳを示す正面図である。図２は薄膜磁気ヘッド３００における主磁極層１０と、上部ヨーク磁極層２０および第1のシールド部４１を示した平面図、図３は主磁極層１０と上部ヨーク磁極層２０の接合部分を示す斜視図である。
【００２３】
第１の実施の形態にかかる薄膜磁気ヘッド３００は、垂直記録方式の磁気ヘッドであって、記録媒体（ハードディスク）に対向する媒体対向面としてのＡＢＳ３０を有し、基板と、その基板に積層され、ＭＲ素子（磁気抵抗効果素子）等を備えた再生ヘッドと、記録ヘッドとを有している。なお、図１（Ａ），（Ｂ）では絶縁層１に積層されている記録ヘッドを示しているが、基板と再生ヘッドとは図示を省略している。また、以下では薄膜磁気ヘッド３００の主要部の構造について説明し、その他の部分の構造については後述する製造工程において説明する。
【００２４】
記録ヘッドは、主磁極層１０、上部ヨーク磁極層２０、記録ギャップ層２４、ライトシールド（Ｗｒｉｔｅ  ｓｈｉｅｌｄ）層４０および薄膜コイル１００を有し、これらが図示しない基板上の絶縁層１に積層された構成を有している。
主磁極層１０は、磁極端部１１と、ヨーク部１２とを有している。主磁極層１０は、薄膜磁気ヘッド３００によるデータの記録密度を高くするため、磁極端部１１における後述する横幅Ｗ１を狭めた狭トラック幅構造になっているが、狭トラック幅構造にしても、磁束の飽和が起きないように、上部ヨーク磁極層２０よりも、飽和磁束密度の高い磁性材（Ｈｉ-Ｂｓ材）が用いられている（詳しくは後述する）。
【００２５】
磁極端部１１はＡＢＳ３０の側に配置され、トラック幅を規定する一定の幅を備えたトラック幅規定部を有している。磁極端部１１は図１（Ｂ）に示すように、ＡＢＳ３０において、ＡＢＳ３０に沿った方向における薄膜コイル１００に近い方の横幅がＷ１で、薄膜コイル１００から離れた方の横幅がＷ２であり、横幅が薄膜コイル１００から離れるにしたがい漸次狭まるベベル形状になっている（Ｗ１＞Ｗ２であり、横幅Ｗ１がトラック幅になる）。そして、磁極端部１１の奥行き（ＡＢＳ３０からの距離）がスロートハイトＴＨに対応するようになっている（本実施の形態では、スロートハイトＴＨは０．１〜０．３μｍ程度、好ましくは０．２μｍになっている）。
【００２６】
ヨーク部１２は主磁極層１０における記録ギャップ層２４よりもＡＢＳ３０から離れた部分であって、磁極端部１１よりもＡＢＳ３０から離れた箇所に配置されている。このヨーク部１２はＡＢＳ３０から離れるにしたがい漸次幅の広がる可変幅領域と、幅一定の定幅領域とを有し、薄膜コイル１００に近い側の表面に上部ヨーク磁極層２０が接合されている。
【００２７】
上部ヨーク磁極層２０は、ＡＢＳ３０から奥行きＤ（約０．５〜１．０μｍ）だけ離れた位置に配置され、横幅がＡＢＳ３０から離れるにしたがい漸次広がる可変幅領域２１と、横幅が一定の定幅領域２２とを有し、その全体がヨーク部１２の大きさよりも大きい大きさ（面積）を有している。また、上部ヨーク磁極層２０はヨーク部１２が内側に納まるようにして、ヨーク部１２の薄膜コイル１００に近い側の表面に接合されている。つまり、上部ヨーク磁極層２０は、その周辺部分がヨーク部１２よりも外側に配置されるようにして、ヨーク部１２に接合されている。なお、ヨーク部１２よりも外側にはみ出す部分の横幅Ｗ３は０．５μｍ程度になっている。
そして、上部ヨーク磁極層２０は、ＡＢＳ３０から離れた部分において、ライトシールド層４０が磁気的に連結されており、ライトシールド層４０とともに連結部４４を形成している。
【００２８】
記録ギャップ層２４は、主磁極層１０と、ライトシールド層４０の後述する第1のシールド部４１との間に形成されている。
ライトシールド層４０は第１のシールド部４１と、第１のシールド部４２と、第３のシールド部４３とを有している。第1のシールド部４１は、本発明におけるシールド端部であって、ＡＢＳ３０において、記録ギャップ層２４を挟んで主磁極層１０の磁極端部１１と対向しており、ＡＢＳ３０に交差する方向の奥行きにより、スロートハイトＴＨが決まるように形成されている（図２参照）。また、第1のシールド部４１は、上部ヨーク磁極層２０の薄膜コイル１００に近い側の端面２０ａと互いに同じ高さに形成されている端面４１ａを有し（図２参照）、この端面４１ａに第２のシールド部４２が接続されている。
【００２９】
第２のシールド部４２は第1のシールド部４１と上部ヨーク磁極層２０とに薄膜コイル１００に近い側から接続するように形成され、薄膜コイル１００の厚さと同等の高さを有している。第３のシールド部４３は第２のシールド部４２に接続され、絶縁層３２を介して薄膜コイル１００およびフォトレジスト１０１を被覆するようにして形成されている。
【００３０】
薄膜コイル１００は、それぞれ絶縁層３１，３２を介して、上部ヨーク磁極層２０およびライトシールド層４０に対して絶縁された状態で、第２のシールド部４２の回りに平面渦巻き状に巻回されている。
【００３１】
以上のような構成を有する薄膜磁気ヘッド３００は、上部ヨーク磁極層２０が主磁極層１０における薄膜コイル１００に近い側の表面に接合され、主磁極層１０よりも後に形成されるようになっている（詳しくは後述する）。そのため、上部ヨーク磁極層２０よりも先に磁極端部１１がすでに形成されてしまうので、上部ヨーク磁極層２０が磁極端部１１を形成する工程の影響を受けることはなく、形状が変わるようなことはない。したがって、トラック幅を有する幅の狭い部分の長さは磁極端部１１によって決まり、設計した長さからずれることなく、想定したとおりの長さに設定できる。よって、上部ヨーク磁極層２０をＡＢＳ３０に近づけて形成することができる。その上、上部ヨーク磁極層２０は大きさが主磁極層１０のヨーク部１２よりも大きく、磁気量（磁気ボリュームともいう）が大きくなっている。
【００３２】
したがって、薄膜磁気ヘッド３００は、ＡＢＳ３０の近くに磁気量の多い上部ヨーク磁極層２０を配置することができ、ＡＢＳ３０の近くにおける磁気量の多くすることができる。よって、薄膜磁気ヘッド３００は、オーバーライト特性を良好にすることが可能な構造を有している。
【００３３】
また、薄膜磁気ヘッド３００は、上部ヨーク磁極層２０と端面が互いに同じ高さに形成されている第1のシールド部４１を有し、その第1のシールド部４１がＡＢＳ３０において、記録ギャプ層２４を挟んで磁極端部１１に対向するように配置されている。この第1のシールド部４１によって、記録媒体からの磁気のリターンを吸収することができ、余分の磁気が漏れないようにすることができる。これにより、上部ヨーク磁極層２０をＡＢＳ３０に近づけて形成してもオーバーライト特性を良好に保つことができ、ＡＴＥ（Ａｄｊａｃｅｎｔ  Ｔｒａｃｋ  Ｅｒａｓｅ）を防止することもできる。
【００３４】
そして、データの記録密度を高くするため、磁極端部１１における横幅Ｗ１を狭めて狭トラック幅構造とし、さらに磁束の飽和が起きないように、主磁極層１０を上部ヨーク磁極層２０よりも、飽和磁束密度の高い磁性材を用いて形成している。
【００３５】
この点について、図１６（Ａ）,（Ｂ）,（Ｃ）を参照して説明する。図１６（Ａ）,（Ｂ）は、薄膜磁気ヘッド３００と異なる製造工程で製造した薄膜磁気ヘッド３０３，３０４を示す断面図および正面図であり、図１６（Ｃ）は主磁極層１０および上部ヨーク磁極層２０を内部の磁化の方向とともに示す平面図である。薄膜磁気ヘッド３０３，３０４は、それぞれ後述する薄膜磁気ヘッド３０１，３０２と比較して、記録ギャップ層２４の大きさが相違している。
【００３６】
主磁極層１０は、磁性材の飽和磁束密度が上部ヨーク磁極層２０の飽和磁束密度よりも高いので、磁歪λを小さくすることが難しい。そのため、磁化ｍｓの方向がＡＢＳ３０に沿った方向に揃えてあっても、主磁極層１０の書き込み終了後における残留磁化ｍｒの向きがＡＢＳ３０側を向き、ＡＢＳに沿った方向とは異なる方向（異方向）を向いてしまいやすい。
【００３７】
しかし、薄膜磁気ヘッド３００では、上部ヨーク磁極層２０について、主磁極層１０よりも飽和磁束密度の低い磁性材を用いて磁歪λを小さくできるようにしているから、上部ヨーク磁極層２０の書き込み終了後における残留磁化の方向が異方向を向かないようにすることができる。
【００３８】
そして、このような上部ヨーク磁極層２０が、主磁極層１０に接合されているため、図１６（Ｃ）に示すように、主磁極層１０の書き込み終了後における残留磁化ｍｒの方向が上部ヨーク磁極層２０における磁化によって矯正され、異方向を向かないようになっている。
【００３９】
つまり、上部ヨーク磁極層２０を主磁極層１０に接合することによって、書き込み終了後における主磁極層１０の残留磁化ｍｒの方向を上部ヨーク磁極層２０における磁化によって矯正している。そのため、残留磁化ｍｒによる漏れ磁束によって、既にハードディスクに書き込まれているデータが消去されるようなことはない。したがって、薄膜磁気ヘッド３００は記録密度を向上させながら、ポールイレージャーの発生を効果的に防止できるようにもなっている。なお、ポールイレージャーとは、最大保持力(Ｃｏｅｒｃｉｖｉｔｙ）Ｈｃの大きい記録媒体（ハードディスク）にデータを書込みした後、薄膜コイルに記録電流（ｗｒｉｔｅ  ｃｕｒｒｅｎｔ）を流していないにもかかわらず、漏れ磁束がＡＢＳからハードディスクに流れて他のデータを消去してしまう現象である。
【００４０】
（薄膜磁気ヘッドの製造方法）
次に、上述の図１（Ａ），（Ｂ）〜図３と、図４（Ａ），（Ｂ）〜図８（Ａ），（Ｂ）を参照して、上述の構造を有する第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド３００の製造方法について説明する。
【００４１】
ここで、図４（Ａ），（Ｂ）〜図８（Ａ），（Ｂ）は、それぞれ図１（Ａ），（Ｂ）に対応する各製造工程における断面を示している。
本実施の形態に係る製造方法では、まず、例えばアルミニウムオキサイド・チタニウムカーバイド（Ａｌ２Ｏ３・ＴｉＣ）よりなる図示しない基板の上に、ＭＲ素子（磁気抵抗効果素子）等を備えた再生ヘッドを積層した上で、その再生ヘッドと記録ヘッドとを分離する絶縁層１を例えば約０．２〜０．３μｍの厚さで形成する。
【００４２】
次に、絶縁層１にフォトレジストを塗布した上で、所定のフォトマスクを用いたパターニングを行い、ＡＢＳ３０において、７〜１０°のテーパー角を備えたレジストパターンを形成する。そのレジストパターンを用いて、約０．６〜０．８μｍの厚さで、飽和磁束密度が２．３Ｔ〜２．４Ｔの高い飽和磁束密度を有するＣｏＦｅまたはＣｏＮｉＦｅを磁性材に用いてめっきを行い、ＡＢＳ３０の側に磁極端部１１を有するようにして主磁極層１０を形成する。続いて、めっきを行うために形成した電極膜（図示せず）を除去すると、図４（Ａ），（Ｂ）に示すようになる。このとき、めっき層は約０．７μｍの厚さで形成する。
【００４３】
次に、積層体の全面にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる絶縁部３３を例えば０．５〜１．０μｍの厚さで形成し、図５（Ａ），（Ｂ）に示すように、主磁極層１０の高さ（絶縁部３３の厚さ）が０．２〜０．２５μｍ程度になるように、その表面を例えば化学機械研摩（以下「ＣＭＰ」という）により研摩して、表面の平坦化処理を行う。すると、図５（Ａ），（Ｂ）に示すように、主磁極層１０の存在しない箇所に絶縁部３３が入り込んだ状態が得られる。
【００４４】
ここで、ＣＭＰにより研摩した後、またはＣＭＰにより研摩する前に、２００〜２６０℃で、主磁極層１０のうち、少なくとも磁極端部１１の表面に対するアニール（ａｎｎｅａｌ）を行うとよい。このアニールを行うことにより、書き込み終了後における磁極端部１１内部の残留磁化の影響を低減することができる。なお、このアニールは、後述する記録ギャップ層２４の形成後に行ってもよい。
【００４５】
続いて、積層体の上面全体を覆うように、記録ギャップ層２４を形成するための被膜を４００〜５００Åで形成する。この被膜の材料は、アルミナ等の絶縁材料でもよいし、Ｒｕ，ＮｉＣｕ，Ｔａ，Ｗ，Ｃｒ，Ａｌ２Ｏ３，Ｓｉ２Ｏ３等の非磁性金属材料でもよい。そして、ＡＢＳ３０側の領域を残し、かつ主磁極層１０におけるＡＢＳ３０から離れた側の部分が露出するように（ここで、露出する部分が前述のヨーク部１２になる）その被膜を選択的にエッチングする。すると、図６（Ａ），（Ｂ）に示すように記録ギャップ層２４が形成される。
【００４６】
また、積層体の全面にめっき法により、飽和磁束密度が１．０〜１．６ＴのＮｉＦｅまたは飽和磁束密度が１．９〜２．１Ｔで、磁歪λおよび最大保持力Ｈｃが小さいＣｏＮｉＦｅを磁性材に用いて、０．３〜１．０μｍ程度の厚さで上部ヨーク磁極層２０と、第1のシールド部４１とを同じ工程で一緒に形成する。上部ヨーク磁極層２０は主磁極層１０の記録ギャップ層２４で被覆されない箇所に接合するように形成し、第1のシールド部４１は記録ギャップ層２４のＡＢＳ３０側に接続するように形成する。また、上部ヨーク磁極層２０と、第1のシールド部４１とは、後続の工程でそれぞれの端面が互いに同じ高さになるようにして形成される。また、第1のシールド部４１は、ＡＢＳ３０において記録ギャップ層２４を挟んで磁極端部１１と対向するようにして、スロートハイトＴＨを決める位置に形成する。
【００４７】
上部ヨーク磁極層２０および第1のシールド部４１は、ＣｏＮｉＦｅや、ＮｉＦｅを磁性材に用いてめっき法で形成すればよい。また、ＦｅＮ，ＦｅＣｏＺｒＯ，ＦｅＡｌＮ等の磁性材（各磁性材は磁歪λおよび最大保持力Ｈｃが小さく、飽和磁束密度が１．９〜２．０Ｔ）を用いてスパッタ法により被膜を形成した上で、その被膜に反応性イオンエッチング（以下「ＲＩＥ」という）またはイオンビームエッチング（以下「ＩＢＥ」という）を施して形成してもよい。
【００４８】
次に、図７（Ａ），（Ｂ）に示すように、積層体の全面にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる絶縁膜３４を例えば１．０〜１．５μｍの厚さで形成する。また、第1のシールド部４１と上部ヨーク磁極層２０の厚さが０．３〜０．８μｍ程度になるように、その表面をＣＭＰにより研摩して、表面の平坦化処理を行う。この表面の平坦化処理によって、第1のシールド部４１と上部ヨーク磁極層２０とが同じ高さの端面を有するようになる。
【００４９】
続いて、積層体の全面にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる絶縁膜を０．２μｍ程度の厚さで形成し、第２のシールド部４２を形成すべき箇所（第1のシールド部４１に接続可能な箇所と上部ヨーク磁極層２０に接続可能な箇所）に開口部を設ける。これによって、薄膜コイル１００と、上部ヨーク磁極層２０とがショートしないように絶縁するための絶縁膜３１が得られる。
【００５０】
さらに続いて、絶縁膜３１の上に、導電性材料からなる電極膜（図示せず）およびフォトリゾグラフィにより、フレームを形成した上で、電極膜を用いた電気めっきを行い、Ｃｕよりなるめっき層を形成する。このめっき層およびその下の電極膜が薄膜コイル１００になる。薄膜コイル１００は、絶縁膜３１を介して上部ヨーク磁極層２０に接触するように形成される。
次に、図示しないが、フォトリゾグラフィによってフレームを形成の上、フレームめっき法によって、本発明の磁気シールド層となる第２のシールド部４２を形成する。第２のシールド部４２は、第1のシールド部４１と同じ磁性材を用いる。なお、この第２のシールド部４２と、薄膜コイル１００とは、順序を逆にして形成してもよい。
【００５１】
さらに、図８（Ａ），（Ｂ）に示すように、積層体の全面を覆うようにフォトレジスト１０１を塗布して、さらにその上に、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる絶縁膜を形成した後、表面全体をＣＭＰにより研摩して、表面の平坦化処理を行う。この場合、薄膜コイル１００と第２のシールド部４２の厚さを２．０〜２．５μｍ程度になるように、その表面をＣＭＰにより研摩する。
【００５２】
さらに続いて、積層体の全面を覆うようにアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる絶縁膜を０．２μｍ程度の厚さで形成したのち、第２のシールド部４２が形成されている箇所に開口部を設ける。これによって、薄膜コイル１００と、第３のシールド部４３とをショートしないように絶縁するための絶縁膜３２が得られる。
次に、本発明の磁気シールド層となる第３のシールド部４３を２〜３μｍ程度の厚さで形成すると、記録ギャップ層２４を介して磁極端部１１と対向し、上部ヨーク磁極層２０に接続されるようにしてライトシールド層４０が形成され、図１（Ａ）、（Ｂ）に示す薄膜磁気ヘッド３００が得られる。こうして得られる薄膜磁気ヘッド３００は上述の構成を有するから、オーバーライト特性を良好にすることができるようになっている。
【００５３】
（変形例１）
上述の製造工程は、次のように変更することができる。すなわち、図６（Ａ），（Ｂ）に示すように、第1のシールド部４１と上部ヨーク磁極層２０を形成した後で、第２のシールド部４２よりも先に、絶縁膜３１を介して薄膜コイル１００を形成する。次に、薄膜コイル１００を被覆するようにしてフォトレジスト１０１を形成する。さらに、フォトレジスト１０１を被覆し、第1のシールド部４１および上部ヨーク磁極層２０に接続されるようにして、本発明の磁気シールド層となる第２のシールド部４２を形成する。すると、図１４（Ａ），（Ｂ）に示すように、第1のシールド部４１と第２のシールド部４２とを有し、第３のシールド部４３を備えないライトシールド層４０を有する薄膜磁気ヘッド３０１が得られる。
【００５４】
この薄膜磁気ヘッド３０１は、第３のシールド部４３を備えない点で薄膜磁気ヘッド３００と異なるが、他は同じ構成を有し、薄膜磁気ヘッド３００と同様の作用効果を奏する。また、第３のシールド部４３を第２のシールド部４２とは別に製造するための工程を要しないため、製造工程を簡略化することができる。
【００５５】
（変形例２）
また、図１５（Ａ），（Ｂ）に示す薄膜磁気ヘッド３０２のように、絶縁層１と主磁極層１０との間に、主磁極層１０に接するテンシル膜１５を有するようにしてもよい。このテンシル膜１５は、Ｔａ，Ｗ，Ｍｏ，ＴｉＷ，ＴｉＮ，Ｃｒ，ＮｉＣｒ等からなり、２００ＭＰａ以上の高い引張力を加えて形成された高引張力膜である。テンシル膜１５を設けると、主磁極層１０の書き込み終了後における残留磁化ｍｒの方向をＡＢＳ３０に沿った方向に保つことができる。よって、薄膜磁気ヘッド３０２は、ポールイレージャーの発生を効果的に防止することができるようになっている。
（変形例３）
さらに、図２０に示すように、上部ヨーク磁極層２０における可変幅領域２１について、ＡＢＳ３０に近い側の横幅を拡張して拡張領域２３（図２０に示すＷ４が０．５〜３．０μｍ程度の幅を有する）を設けることができる。このようにして、上部ヨーク磁極層２０に拡張領域２３を設けると、上部ヨーク磁極層２０におけるＡＢＳ３０付近の磁気量をより多くすることができるので、オーバーライト特性を一層良好にすることが可能となる。
【００５６】
第２の実施の形態
次に、図９（Ａ），（Ｂ）を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドについて説明する。図９（Ａ）は本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド３１０の薄膜コイルに交差する方向の断面図、図９（Ｂ）はＡＢＳを示す正面図である。
【００５７】
（薄膜磁気ヘッドの構造）
第２の実施の形態にかかる薄膜磁気ヘッド３１０は、上述した薄膜磁気ヘッド３００と比較して、主として、テンシル膜１５と同様のテンシル膜１６を有する点と、絶縁膜３４の代わりに絶縁膜３５、３６を有する点とで異なり、その他は一致している。なお、以下の説明は相違点について行い、共通点についての説明は省略ないし簡略化する。
【００５８】
テンシル膜１６は、絶縁層１と主磁極層１０との間に、主磁極層１０に接するようにして形成されている。そのため、薄膜磁気ヘッド３１０では、テンシル膜１６を有することによって、主磁極層１０の書き込み終了後における残留磁化ｍｒの方向をＡＢＳ３０に沿った方向に保つことができ、ポールイレージャーの発生を効果的に防止できるようになっている。絶縁膜３５、３６は記録ギャップ層２４における第1のシールド部４１よりもＡＢＳ３０から離れた位置に形成されている。
【００５９】
このような構成を有する薄膜磁気ヘッド３１０も、薄膜磁気ヘッド３００と同様の主磁極層１０と、上部ヨーク磁極層２０とを有するので、ＡＢＳ３０の近くにおける磁気量を多くすることができ、オーバーライト特性を良好にすることが可能な構造を有している。
また、薄膜磁気ヘッド３００と同様の第1のシールド部４１を有するので、第1のシールド部４１によって、記録媒体からの磁気のリターンを吸収でき、余分の磁気が漏れないようにすることができる。これにより、オーバーライト特性を良好に保つことができ、ＡＴＥを防止することもできる。
【００６０】
（薄膜磁気ヘッドの製造方法）
次に、上述の図９（Ａ），（Ｂ）とともに、図１０（Ａ），（Ｂ）〜図１３（Ａ），（Ｂ）を参照して、上述の構造を有する第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド３１０の製造方法について説明する。図１０（Ａ），（Ｂ）〜図１３（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ図９（Ａ），（Ｂ）に対応する各製造工程における断面を示している。
本実施の形態でも、第1の実施の形態と同様に、図示しない基板の上に絶縁層１を例えば約０．２〜０．３μｍの厚さで形成する。
【００６１】
続いて、図１０（Ａ），（Ｂ）に示すように、絶縁層１の上に、５００Å〜１０００Åの厚さでテンシル膜１６を形成する。
次に、磁極端部１１とヨーク部１２を有する主磁極層１０を第1の実施の形態と同様の手順で形成する。なお、図９（Ａ），（Ｂ）〜図１３（Ａ），（Ｂ）では、磁極端部１１とヨーク部１２を有する主磁極層１０を形成するためのめっきに用いるシード層１７を図示している。
【００６２】
次いで、第1の実施の形態と同様の手順で絶縁部３３を形成した上で、ＣＭＰにより研磨すると、図１１（Ａ），（Ｂ）に示すように、主磁極層１０の存在しない箇所に絶縁部３３が入り込んだ状態が得られる。本実施の形態でも、ＣＭＰにより研摩した後、または研摩する前、あるいは記録ギャップ層２４の形成後に第1の実施の形態と同様のアニールを行うとよい。
続いて、図１２（Ａ），（Ｂ）に示すように、記録ギャップ層２４、第1のシールド部４１および上部ヨーク磁極層２０を第1の実施の形態と同様の手順で形成する。
【００６３】
さらに、図１３（Ａ），（Ｂ）に示すように、ＡＬ−ＣＶＤによって、１０００〜３０００Åのアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる被膜を形成し、これによって、第１のシールド部４１と、上部ヨーク磁極層２０との間の隙間に入り込ませるようにして、絶縁膜３５，３６を形成する。このＡＬ−ＣＶＤは、良好なステップカバレッジを有するので、第１のシールド部４１と、上部ヨーク磁極層２０との間の狭いスペースにキーホールが生じないようにして、絶縁膜３５，３６を形成することができる。なお、絶縁膜３５，３６はＡＬＥ（ａｔｏｍｉｃ  ｌａｙｅｒ  ｅｐｉｔａｘｙ：原子層エピタキシー）により形成された厚さ０．１〜０．５μｍ程度のアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）の被膜でもよい。このアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）絶縁膜３５，３６は減圧中で１８０−２２０℃の温度で、Ｈ２０、Ｎ２またＮ２Ｏ，Ｈ２Ｏ２と、薄膜形成用のＡＬ（ＣＨ３）３またはＡＬＣＬ３とが交互に断続的に噴射されることによって形成されるアルミナＣＶＤ膜となっている。
【００６４】
続いて絶縁膜３５，３６の表面を厚さが０．３〜０．５μｍ程度になるようにＣＭＰにより研摩した上で、第２のシールド部４２を形成すべき箇所に開口部を設ける。すると、絶縁膜３１が得られる。また、第1の実施の形態と同様の手順で薄膜コイル１００および第２のシールド部４２を形成する。
【００６５】
さらに、その上に、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる絶縁膜３２を３〜４μｍの厚さで形成した後、表面全体をＣＭＰにより研摩して表面の平坦化処理を行う。この場合、第1のシールド部４１と上部ヨーク磁極層２０の厚さを２．０〜２．５μｍ程度になるように、その表面をＣＭＰにより研摩する。これ以降の工程を第1の実施の形態と同様の手順で実行すると、図９（Ａ），（Ｂ）に示すような薄膜磁気ヘッド３１０が得られる。
【００６６】
第３の実施の形態
次に、図１７を参照して、本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドについて説明する。図１７は本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド３２０の薄膜コイルに交差する方向の断面図である。
【００６７】
（薄膜磁気ヘッドの構造）
第３の実施の形態にかかる薄膜磁気ヘッド３２０は、上述した薄膜磁気ヘッド３１０と比較して、テンシル膜１６を有しない点と、第1のシールド部４１の材質が異なる点とで相違し、その他は一致している。なお、以下の説明は相違点について行い、共通点についての説明は省略ないし簡略化する。
上述の薄膜磁気ヘッド３００，３１０では、上部ヨーク磁極層２０と、第1のシールド部４１とを同じ磁性材を用いて同じ工程で一緒に形成しているため、第1のシールド部４１の磁性材の飽和磁束密度は上部ヨーク磁極層２０の飽和磁束密度と同じになっている。
【００６８】
しかし、書き込み終了後における残留磁化の影響を少なくするには、ＡＢＳ３０側に設けられる第1のシールド部４１の飽和磁束密度を低くすることが望ましい。そこで、第1のシールド部４１と上部ヨーク磁極層２０をそれぞれ別の磁性材を用いて形成し、第1のシールド部４１の飽和磁束密度を少なくとも主磁極層１０よりも、好ましくは上部ヨーク磁極層２０よりも低くするようにしている。
ここで、第1のシールド部４１の磁性材は、飽和磁束密度が１．６ＴのＮｉＦｅのほか、１．０ＴのＮｉＦｅ（８０％：２０％）にするとよい。あるいは第1のシールド部４１の磁性材は、飽和磁束密度が１．９ＴのＣｏＮｉＦｅとし、主磁極層１０の飽和磁束密度を２．３Ｔ〜２．４Ｔの高い飽和磁束密度を有するＣｏＦｅまたはＣｏＮｉＦｅとし、上部ヨーク磁極層２０の飽和磁束密度を主磁極層１０と同じか、少し低く（例えば１．９Ｔ程度）するとよい。
【００６９】
（薄膜磁気ヘッドの製造方法）
次に、上述の図１７とともに、図１８，１９を参照して、上述の構造を有する第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド３２０の製造方法について説明する。
薄膜磁気ヘッド３２０は、図１８、１９に示すように、第２の実施の形態と同様に、主磁極層１０および絶縁層３３を形成したのち、記録ギャップ層２４を形成する。さらに続いて、上述したとおり、少なくとも主磁極層１０よりも、好ましくは上部ヨーク磁極層２０よりも飽和磁束密度が低い磁性材（例えば、飽和磁束密度が１．０ＴのＮｉＦｅ（８０％：２０％））を用いて、ＡＢＳ３０において記録ギャップ層２４を挟んで磁極端部１１と対向するようにして、スロートハイトＴＨを決める位置に第1のシールド部４１を形成する。
続いて、図１９に示すように、主磁極層１０の記録ギャップ層２４で被覆されない箇所に接合するようにして、上部ヨーク磁極層２０を形成する。この後の工程は、第２の実施の形態の場合と同様にして行う。
なお、薄膜磁気ヘッド３２０はテンシル膜１６を有しないが、もちろん、テンシル膜１６を有してもよいし、テンシル膜１６を形成する工程を有してもよい。また、磁極層１０のうち、少なくとも磁極端部１１の表面に対するアニール（ａｎｎｅａｌ）を行うとよい。
【００７０】
さらに、本発明は、誘導型電磁変換素子のみを有する記録専用のヘッドにも適用することができ、誘導型電磁変換素子によって記録と再生を行う薄膜磁気ヘッドにも適用することができる。
【００７１】
（ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置の実施の形態）
次に、ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置の実施の形態について説明する。
図２１は、上述の薄膜磁気ヘッド３００を備えたハードディスク装置２０１を示す斜視図である。ハードディスク装置２０１は、高速回転するハードディスク（記録媒体）２０２と、ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ：Ｈｅａｄ  Ｇｉｍｂａｌｓ  Ａｓｓｅｍｂｌｙ）２１５とを有している。ハードディスク装置２０１は、ＨＧＡ２１５を作動させて、ハードディスク２０２の記録面に、磁気情報の記録および再生を行う装置である。ハードディスク２０２は、複数枚（図では３枚）のディスクを有している。各ディスクは、それぞれの記録面が薄膜磁気ヘッド１００に対向している。ＨＧＡ２１５は、薄膜磁気ヘッド１００が形成された基台を有するヘッドスライダ２１１を搭載したジンバル２１２と、ジンバル２１２を支えるサスペンションアーム２１３とがディスクの各記録面に配置され、支軸２１４の回りに図示しない例えばボイスコイルモータによって回転可能になっている。そして、ＨＧＡ２１５を回転させると、ヘッドスライダ２１１がハードディスク２０２の半径方向、すなわち、トラックラインを横切る方向に移動する。
【００７２】
このようなＨＧＡ２１５およびハードディスク装置２０１はいずれも薄膜磁気ヘッド３００を有するから、オーバーライト特性を良好にすることができるようになっている。なお、ＨＧＡ２１５およびハードディスク装置２０１が、第２、第３の実施形態における薄膜磁気ヘッドを有するときも、オーバーライト特性を良好にすることができるようになっている。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】（Ａ）は本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの薄膜コイルに交差する方向の断面図、（Ｂ）はＡＢＳを示す正面図である。
【図２】薄膜磁気ヘッドにおける主磁極層と、上部ヨーク磁極層およびライトシールド層を示した平面図である。
【図３】主磁極層における上部ヨーク磁極層との接合部分を示す斜視図である。
【図４】（Ａ），（Ｂ）は、第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを製造する工程における図１（Ａ），（Ｂ）に対応する断面図である。
【図５】（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ図４（Ａ），（Ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図６】（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ図５（Ａ），（Ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図７】（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ図６（Ａ），（Ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図８】（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ図７（Ａ），（Ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図９】(Ａ)は本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの薄膜コイルに交差する方向の断面図、（Ｂ）はＡＢＳを示す正面図である。
【図１０】（Ａ），（Ｂ）は、第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを製造する工程における図９（Ａ），（Ｂ）に対応する断面図である。
【図１１】（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ図１０（Ａ），（Ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図１２】（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ図１１（Ａ），（Ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図１３】（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ図１２（Ａ），（Ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図１４】（Ａ），（Ｂ）は本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの変形例を示す図で、（Ａ）は断面図、（Ｂ）はＡＢＳを示す正面図である。
【図１５】（Ａ），（Ｂ）は本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの別の変形例を示し、（Ａ）は断面図、（Ｂ）はＡＢＳを示す正面図である。
【図１６】（Ａ），（Ｂ）は本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの別の変形例を示し、（Ａ）は断面図、（Ｂ）はＡＢＳを示す正面図である。（Ｃ）は主磁極層と上部ヨーク磁極層を内部の磁化の方向とともに示す平面図である。
【図１７】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの薄膜コイルに交差する方向の断面図である。
【図１８】第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを製造する工程における図１７に対応する断面図である。
【図１９】図１８の後続の工程を示す断面図である。
【図２０】薄膜磁気ヘッドにおける主磁極層と、別の上部ヨーク磁極層およびライトシールド層を示した平面図である。
【図２１】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを備えたハードディスク装置を示す斜視図である。
【図２２】（Ａ），（Ｂ）は従来の薄膜磁気ヘッドの一例を示し、（Ａ）は断面図、（Ｂ）はＡＢＳを示す正面図である。
【符号の説明】
【００７４】
１０…主磁極層、１１…磁極端部
１２…ヨーク部、２０…上部ヨーク磁極層
１５、１６…テンシル膜
２１…可変幅領域、２３…拡張領域
２４…記録ギャップ層、２６…下部ヨーク磁極部
３０…ＡＢＳ、４０…ライトシールド層
１００…薄膜コイル、２０１…ハードディスク装置
２１５…ヘッドジンバルアセンブリ
３００，３０２，３０３，３０４…薄膜磁気ヘッド
３１０，３２０…薄膜磁気ヘッド
【図１】
2006004604.tif 000003
【図２】
2006004604.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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