(57)【要約】【課題】高温高湿の雰囲気であっても，外部から水分が発光表示装置内部に浸透してしまうのを防ぎ，発光素子の発光効率の低下や寿命が縮まるのを防止することのできる発光表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板４１０上に形成された薄膜トランジスタと，薄膜トランジスタ上に形成される第１絶縁膜４４５と，第１絶縁膜４４５上に画像表示部４１１を形成する少なくとも一つの発光素子４５０と，を備え，画像表示部４１１の周囲であり，第１絶縁膜４４５の少なくとも一側端部に，発光素子４５０へ水分が流入するのを遮断する，少なくとも一つの遮断部４７０が形成されることを特徴とし，外部から流入する水分を遮断部４７０で遮断し，素子の内部への流入を防いで発光素子の発光効率の低下や寿命が縮まるのを防止することができる。【選択図】図４
2006269405.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された薄膜トランジスタと；
前記薄膜トランジスタ上に形成される第１絶縁膜と；
前記第１絶縁膜上に画像表示部を形成する少なくとも一つの発光素子と；
を備え，
前記画像表示部の周囲であり，前記第１絶縁膜の少なくとも一側端部に，前記発光素子へ水分が流入するのを遮断する少なくとも一つの遮断部が形成されていることを特徴とする，発光表示装置。
【請求項２】
前記遮断部は，前記第１絶縁膜の厚さと同じ厚さに形成されることを特徴とする，請求項１に記載の発光表示装置。
【請求項３】
前記遮断部は，前記第１絶縁膜を貫く貫通溝であることを特徴とする，請求項２に記載の発光表示装置。
【請求項４】
前記遮断部は，前記第１絶縁膜の厚さより薄く形成されることを特徴とする，請求項１に記載の発光表示装置。
【請求項５】
前記遮断部は，前記第１絶縁膜に形成された凹状の溝であることを特徴とする，請求項４に記載の発光表示装置。
【請求項６】
前記遮断部の形成幅は，２μｍ〜５０μｍの範囲の幅で形成されることを特徴とする，請求項１〜５のいずれかに記載の発光表示装置。
【請求項７】
基板上に形成された薄膜トランジスタと；
前記薄膜トランジスタ上部に形成される第１絶縁膜と；
前記第１絶縁膜上に形成される無機絶縁膜と；
前記無機絶縁膜上に画像表示部を形成する少なくとも一つの発光素子と；
を備え，
前記画像表示部の周囲であり，前記無機絶縁膜及び前記第１絶縁膜の少なくとも一側端部に，前記発光素子へ水分が流入するのを遮断する少なくとも一つの遮断部が形成されていることを特徴とする，発光表示装置。
【請求項８】
前記遮断部は，前記無機絶縁膜及び前記第１絶縁膜を加えた厚さと同じ厚さに形成されることを特徴とする，請求項７に記載の発光表示装置。
【請求項９】
前記遮断部は，前記無機絶縁膜及び前記第１絶縁膜を貫く貫通溝であることを特徴とする，請求項８に記載の発光表示装置。
【請求項１０】
前記遮断部は，前記無機絶縁膜及び前記第１絶縁膜を加えた厚さより薄く形成されることを特徴とする，請求項９に記載の発光表示装置。
【請求項１１】
前記遮断部は，前記無機絶縁膜及び前記第１絶縁膜に形成された凹状の溝であることを特徴とする，請求項１０に記載の発光表示装置。
【請求項１２】
前記無機絶縁膜は，ＳｉＮｘ，ＳｉＯｘの中から選択されることを特徴とする，請求項７〜１０のいずれかに記載の発光表示装置。
【請求項１３】
基板を準備する段階と；
前記基板上にソース及びドレイン電極を具備した薄膜トランジスタを形成する段階と；
前記薄膜トランジスタ上に第１絶縁膜を形成する段階と；
前記第１絶縁膜にコンタクトホールを形成する段階と；
前記薄膜トランジスタによって駆動される少なくとも一つの発光素子を具備する画像表示部の周囲であり，前記第１絶縁膜の少なくとも一側端部に，前記発光素子へ水分が流入するのを遮断する少なくとも一つの遮断部を形成する段階と；
前記第１絶縁膜上に，前記コンタクトホールを通じて前記ソースまたはドレイン電極と電気的に接続される画素電極を形成する段階と；
を含むことを特徴とする，発光表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第１絶縁膜を形成する段階の後に，前記第１絶縁膜上に無機絶縁膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする，請求項１３に記載の発光表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記遮断部は，前記第１絶縁膜及び前記無機絶縁膜に形成されることを特徴とする，請求項１４に記載の発光表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記遮断部は，前記第１絶縁膜及び前記無機絶縁膜をエッチングして形成することを特徴とする，請求項１５に記載の発光表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記遮断部は，前記コンタクトホールの形成と同時に形成されることを特徴とする，請求項１３〜１６のいずれかに記載の発光表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記遮断部は，前記コンタクトホールの形成とは別に形成されることを特徴とする，請求項１３〜１６のいずれかに記載の発光表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記遮断部は，前記第１絶縁膜の厚さと同じ厚さに形成することを特徴とする，請求項１３に記載の発光表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記遮断部は，前記第１絶縁膜の厚さより薄く形成することを特徴とする，請求項１３に記載の発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，透過パネルと発光素子が形成される基板の絶縁膜とが接着されている発光表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光表示装置には，液晶表示装置と同様に別途の光源を要する受動型発光素子に比べ，陰極線管のように早い回答速度を持つ長所を有している。一般的な平板表示装置の中で発光表示装置は，他の平板表示装置より使用温度範囲が広く，衝撃や震動に強く，視野角が広く，さらに応答速度が早い特徴を有し，きれいな動画像を提供することができる。
【０００３】
発光表示装置は，材料及び構造によって無機物の発光層を含む無機発光表示装置と有機物の発光層を含む有機発光表示装置に大別される。有機発光表示装置は電子と正孔が半導体の中で電子−正孔対を作り，キャリアがさらに高いエネルギー形態に励起された後，安定化状態に落下する過程を通じて光が発生する現象を利用する。
【０００４】
以下では図面を参照して従来の発光表示装置を説明する。図１は従来の発光表示装置の概略的な平面図であり，図２は図１のＩＩ−ＩＩ’線による側端面図である。図１を参照すれば，発光表示装置１００は，基板１１０と，発光素子（図示せず）を有する画像表示部１１１と，基板１１０の一側に形成された複数のパッドを持つパッド部１１２と，パッド部１１２形成領域を除いた基板１１０の端に沿って形成された電源線１１５と，走査駆動部１１３と，データ駆動部１１４とを有している。
【０００５】
より具体的には，図２を参照すれば，発光表示装置１００は，基板１１０上に順次に形成されたバッファ層１２０，半導体層１３０，１３１，１３２，ゲート絶縁膜１２５，ゲート電極１４０，層間絶縁膜１３５，ソース電極１４１，ドレイン電極１４２，第１絶縁膜１４５，発光素子１５０，及び透過パネル１５５を有している。
【０００６】
まず，酸化膜からなるバッファ層１２０が基板１１０上に形成されて，バッファ層１２０上にはポリシリコン膜を形成してパターニングし，半導体層１３０，１３１，１３２を形成する。半導体層１３０，１３１，１３２を有するバッファ層１２０上には，ゲート絶縁膜１３５が形成されて，ゲート絶縁膜１３５上にはゲート金属層を蒸着して，蒸着されたゲート金属層をパターニングすることでゲート電極１４０が形成される。
【０００７】
ゲート電極１４０上には層間絶縁膜１３５が形成されて，その次に，ソース／ドレイン金属層を蒸着及びパターニングすることで生成されたソース及びドレイン電極１４１，１４２が形成される。通常，データ線（図示せず）及び電源線１１５は，ソース電極１４１及びドレイン電極１４２と同時に形成される。ソース電極１４１，ドレイン電極１４２及び電源線１１５が形成された層間絶縁膜１３５上には，ソース電極１４１，ドレイン電極１４２及び電源線１１５などのパターンによる表面の段差を平坦化するために，第１絶縁膜１４５が形成されて，第１絶縁膜１４５上には通常Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）を発光する発光素子１５０が形成される。
【０００８】
また，発光素子１５０が形成された第１絶縁膜１４５上部には，発光素子１５０の上部領域が外部に露出しないように発光素子１５０を覆う透過パネル１５５が用意される。透過パネル１５５の下部，すなわち，発光素子１５０の上部と対向する面には透過性のある吸湿層１５６が形成される。透過パネル１５５と第１絶縁膜１４５とは，少なくとも一方の面の周囲に沿って塗布された接着物質１６０によって接着される。従来の発光表示装置及びその製造方法に関しては，特許文献１に記載されている。
【０００９】
【特許文献１】韓国公開特許２００５−００５２２８８号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかし，このような従来の発光表示装置において，通常，各膜のパターンによる表面の段差を無くすために形成された第１絶縁膜は，一般的に，シリコンまたはベンゾサイクロブテン（Ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏ  Ｂｕｔｅｎｅ：ＢＣＢ），アクリル，ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）などを利用して形成されるが，これら自体の特性上，相対的に接着力が低いので，第１絶縁膜または透過パネルのどちらか一方に接着物質を塗布して接着させる場合，第１絶縁膜と透過パネルとの間の接着力が弱くなる短所があり，これにより，高温高湿の雰囲気で外部から水分や酸素が発光表示装置内部に浸透してしまう問題点があった。
【００１１】
さらに，発光表示装置内部で水分が浸透する場合には，浸透した水分が第１絶縁膜に沿って発光素子に直接接触し，画素の縮小現象を起こして発光素子の発光効率を低下させ，さらに発光素子自らの寿命を縮める不具合があった。
【００１２】
そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，高温高湿の雰囲気であっても，外部から水分が発光表示装置内部に浸透してしまうのを防ぎ，発光素子の発光効率の低下や寿命が縮まるのを防止することのできる発光表示装置及びその製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，基板上に形成された薄膜トランジスタと，薄膜トランジスタ上に形成される第１絶縁膜と，第１絶縁膜上に画像表示部を形成する少なくとも一つの発光素子と，を備え，画像表示部の周囲であり，第１絶縁膜の少なくとも一側端部に，発光素子へ水分が流入するのを遮断する，少なくとも一つの遮断部が形成される発光表示装置が提供される。
【００１４】
第１絶縁膜の少なくとも一側端部に遮断部を形成することにより，外部から流入する水分や水分を遮断部で遮断することができるので，素子の内部への流入を防ぐことができ，発光素子の発光効率の低下や寿命が縮まるのを防止することができる。
【００１５】
この時，遮断部は，第１絶縁膜の厚さと同じ厚さに形成されることができ，第１絶縁膜を貫く貫通溝であることができる。または，遮断部は，第１絶縁膜の厚さより薄く形成されることができ，第１絶縁膜に形成された凹状の溝であることができる。
【００１６】
また，遮断部の形成幅は，２μｍ〜５０μｍの範囲の幅で形成されるが，かかる範囲に限定されず，遮断部の形成幅は，例えば，薄膜トランジスタ及び発光素子の配置を考慮した許容範囲内の幅で形成されればよい。かかる構成により，効果的に水分を遮断することができる。
【００１７】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，基板上に形成された薄膜トランジスタと，薄膜トランジスタ上部に形成される第１絶縁膜と，第１絶縁膜上に形成される無機絶縁膜と，無機絶縁膜上に画像表示部を形成する少なくとも一つの発光素子と，を備え，画像表示部の周囲であり，無機絶縁膜及び第１絶縁膜の少なくとも一側端部に，発光素子へ水分が流入するのを遮断する，少なくとも一つの遮断部が形成される発光表示装置が提供される。
【００１８】
第１絶縁膜上に無機絶縁膜を形成することにより，透過パネルとの接着力を高めることができ，高温高湿の雰囲気で外部から水分や酸素が発光表示装置内部に浸透するのを低減させるとともに，さらに，無機絶縁膜及び第１絶縁膜の少なくとも一側端部に遮断部を形成することにより，外部から流入するする水分を遮断部で遮断し，素子の内部への流入を防ぐことができるので，発光素子の発光効率の低下や寿命が縮まるのを防止することができる。
【００１９】
この時，遮断部は，無機絶縁膜及び第１絶縁膜を加えた厚さと同じ厚さに形成されるとよく，無機絶縁膜及び第１絶縁膜を貫く貫通溝であることができる。または，遮断部は，無機絶縁膜及び第１絶縁膜の厚さより薄く形成されてもよく，無機絶縁膜及び第１絶縁膜に形成された凹状の溝であることができる。
【００２０】
また，無機絶縁膜は，ＳｉＮｘ，ＳｉＯｘの中から選択することができ，透過パネルとの接着力を高めることができる。
【００２１】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，基板を準備する段階と，基板上にソース及びドレイン電極を具備した薄膜トランジスタを形成する段階と，薄膜トランジスタ上に第１絶縁膜を形成する段階と，第１絶縁膜にコンタクトホールを形成する段階と，薄膜トランジスタによって駆動される少なくとも一つの発光素子を具備する画像表示部の周囲であり，第１絶縁膜の少なくとも一側端部に，発光素子へ水分が流入するのを遮断する少なくとも一つの遮断部を形成する段階と，第１絶縁膜上に，コンタクトホールを通じてソースまたはドレイン電極と電気的に接続される画素電極を形成する段階と，を含むことを特徴とする，発光表示装置の製造方法が提供される。
【００２２】
第１絶縁膜の少なくとも一側端部に遮断部を形成することにより，外部から流入する水分を遮断部で遮断することができるので，素子の内部への流入を防ぐことができ，発光素子の発光効率の低下や寿命が縮まるのを防止することができる。
【００２３】
第１絶縁膜を形成する段階の後に，第１絶縁膜上に無機絶縁膜を形成する段階をさらに含むことができる。第１絶縁膜上に無機絶縁膜を形成することにより，透過パネルとの接着力を高めることができ，高温高湿の雰囲気で外部から水分や酸素が発光表示装置内部に浸透するのを低減させることができる。
【００２４】
遮断部は，第１絶縁膜及び無機絶縁膜に形成されるとよく，遮断部は，第１絶縁膜及び無機絶縁膜をエッチングして形成することができる。この場合，遮断部は，コンタクトホールの形成と同時に形成されてもよいし，コンタクトホールの形成とは別の工程で形成されてもよい。
【００２５】
また，遮断部は，第１絶縁膜の厚さと同じ厚さに形成することもできるし，第１絶縁膜の厚さより薄く形成してもよい。
【発明の効果】
【００２６】
以上詳述したように本発明によれば，第１絶縁膜に水分が内部へ流入するのを遮断する遮断部を形成することにより，外部から水分が浸入した場合にも，第１絶縁膜を介して内部の発光素子に水分が直接接触することを防ぎ，発光素子の発光効率の低下や寿命を縮めるのを防止することができ，発光表示装置の信頼性を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２８】
（第１の実施の形態）
以下では本実施形態による図面を参照して見た発光表示装置及びその製造方法を具体的に説明する。図３は第１の実施の形態による発光表示装置の平面図であり，図４は図３のＩＶ−ＩＶ’線による側断面図である。
【００２９】
図３を参照すれば，発光表示装置４００は，基板４１０と，基板４１０上に形成された走査線Ｓ及びデータ線Ｄの交差領域に形成される少なくとも一つの薄膜トランジスタ（図示せず）によって駆動される少なくとも一つ以上の副画素を具備する画像表示部４１１と，基板４１０の一側に形成されたパッド部４１２と，パッド部４１２を除いた基板４１２に形成された電源線４１５と，電源線４１５及び画像表示部４１１の間に形成された走査駆動部４１３と，画像表示部４１１及びパッド部４１２の間に形成されたデータ駆動部４１４と，を備えている。
【００３０】
図４及び図５を参照すれば，発光表示装置４００は，さらに，基板４１０上に形成されたバッファ層４２０，半導体層４３０，４３１，ゲート絶縁膜４２５，ゲート電極４４０，層間絶縁膜４３５，ソース及びドレイン電極４４１，及び発光素子４５０を備えている。具体的にバッファ層４２０は，基板４１０上に形成されて，バッファ層４２０上には半導体層４３０，４３１が形成される。この半導体層４３１は，ソース及びドレイン領域を有している。半導体層４３０，４３１が形成された基板４１０上にはゲート絶縁膜４２５が形成され，ゲート絶縁膜４２５上にはゲート電極４４０が形成される。
【００３１】
層間絶縁膜４３５は，ゲート絶縁膜４２５上に形成されて，ソース／ドレイン領域である半導体層４３１を露出させる第１コンタクトホールを具備する。層間絶縁膜４３５上にはソース及びドレイン領域である半導体層４３１を露出させる第１コンタクトホールを通じてソース／ドレイン電極４４１が形成される。また，通常，電源線４１５は，ソース／ドレイン電極４４１と同時に形成される。
【００３２】
第１絶縁膜４４５は，ソース／ドレイン電極４４１及び電源線４１５が形成された層間絶縁膜４３５上に形成されて，ソース／ドレイン電極４４１及び電源線４１５の形成パターンによる表面段差を減らすことができるものである。第１絶縁膜４４５上には，ソース／ドレイン電極４４１のどちらか１つを露出させる第２コンタクトホール４４７が形成される。発光素子４５０は第１絶縁膜４４５上に形成されて，通常Ｒ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）を発光する。この時，発光素子４５０を構成する画素電極は，第１絶縁膜４４５上に形成された第２コンタクトホール４４７を通じてソース／ドレイン電極４４１と電気的に接続される。
【００３３】
一方，第１絶縁膜４４５には，第１絶縁膜４４５を通じて発光素子４５０に水分が流入することを防止するため，発光素子４５０の外側，すなわち，発光素子４５０及び薄膜トランジスタによって形成された画像表示部４１１の少なくとも一側に遮断部４７０（図４参照）または遮断部４７１（図５参照）が形成される。遮断部４７０，４７１は，画像表示部４１１，走査駆動部４１３，及びデータ駆動部４１４の周囲に沿って，電源線４１５及びパッド部４１２の内側に形成されている。
【００３４】
こうして，第１絶縁膜４４５を通じて外部から水分などが混入しても遮断部４７０に水分が誘導され，発光素子４５０に水分が直接接触するのを防止することができる。遮断部４７０に誘導された水分は，透過パネル４５５下部に形成された吸湿層４５６に吸収され，除去することができる。
【００３５】
図４に示された遮断部４７０は，第１絶縁膜４４５をエッチングして形成される貫通溝であり，第２コンタクトホール４４７が形成される時に，同時に形成することができる。遮断部４７０の形成幅は，発光表示装置を構成する他の構成要素の配置等を考慮した許容範囲で設計することができる。本実施の形態では，遮断部４７０の形成幅は，例えば，２μｍ〜５０μｍの範囲から選択して形成するのが好ましいが，かかる例に限定されない。
【００３６】
図６ａ〜図６ｆは第１の実施の形態による発光表示装置の製造方法を示す工程断面図である。発光表示装置５００を製造するため，まず基板５１０を用意して，基板５１０上にバッファ層５２０及び半導体層５３０，５３１を形成する（図６ａ）。基板５１０は通常硝子基板または合成樹脂のような絶縁性基板とし，半導体層５３０，５３１は非晶質シリコンをパターニングすることで形成される。
【００３７】
図６ｂに示すように，ゲート絶縁膜５２５は半導体層５３０，５３１を有するバッファ層５２０上に形成されて，ゲート絶縁膜５２５が形成された後，ゲート絶縁膜５２５上にはゲート金属物質を蒸着してパターニングすることでゲート電極５４０が形成される。その後，ｎ型またはｐ型不純物を半導体層にイオン注入し，半導体層にソース／ドレイン領域５３１が形成される。
【００３８】
その後，図６ｃに示すように，半導体層５３１（ソース／ドレイン領域）が形成された基板５１０上にはＰＥＣＶＤ法により層間絶縁膜５３５が形成されて，後工程ではソース及びドレイン電極５４１を連結するための第１コンタクトホール５３６が形成される。第１コンタクトホール５３６は，層間絶縁膜５３５をエッチングすることで形成される。
【００３９】
図６ｄ示すように，層間絶縁膜５３５上に蒸着されたソース／ドレイン金属物質をパターニングすることで，層間絶縁膜５３５上にソース／ドレイン電極５４１及び電源線５１５が形成される。ソース／ドレイン電極５４１は第１コンタクトホール５３６を通じてソース／ドレイン領域５３１に各々接続される。
【００４０】
次に，図６ｅに示すように，層間絶縁膜５３５上にはソース／ドレイン電極５４１のパターン段差を緩和するために第１絶縁膜５４５が形成される。第１絶縁膜５４５には後工程を通じて形成される発光素子５５０を構成する一つの電極とソース／ドレイン電極５４１を電気的に接続するための第２コンタクトホール５４７が形成される。
【００４１】
第１絶縁膜５４５には発光素子５５０に水分が流入することを防止するため，第１絶縁膜５４５の発光素子５５０の外周に沿った所定位置に遮断部５７０が形成される。この時，第２コンタクトホール５４７と遮断部５７０とは，同時形成してもよいし，別工程で形成してもよい。遮断部５７０は，第１絶縁膜５４５を一度のエッチング工程を通じて貫通して形成したスロット形態の貫通溝である。遮断部５７０の貫通溝の幅は，上記のように，他の構成要素の配置等を考慮した許容範囲で設計し，例えば，２μｍ〜５０μｍの範囲から選択して形成する。
【００４２】
図６ｅでは，第１絶縁膜５４５を貫通する貫通溝の遮断部を製造する工程が示されているが，遮断部５７０を凹状の溝形態で製造してもよい。凹状の溝形態で遮断部５７０を形成する場合には，別途のマスクを利用してもよいし，ハーフトーンマスクを利用して一度のマスキングで凹凸を形成してもよい。
【００４３】
（第２の実施の形態）
図５は，第１の実施の形態の図３のＩＶ−ＩＶ’線と同様の位置における，第２の実施の形態による発光表示装置４００’の側断面図である。第２の実施の形態においては，図５に示されたように，遮断部４７１は，第１絶縁膜４４５を貫通するものではなく，第１絶縁膜４４５を貫通しない凹状の溝として形成することができる。この時，凹状の溝の遮断部４７１は，第２コンタクトホール４４７と同時に形成せずに，別途のマスクを利用してもよいし，ハーフトーンマスクを利用して一度のマスキングで凹凸を形成してもよい。
【００４４】
本実施の形態の場合，遮断部４７１は，第２コンタクトホール４４７とは別の工程で形成することができ，溝のエッチング幅は，第１の実施の形態と同様に，発光表示装置を構成する他の構成要素の配置等を考慮した許容範囲で設計することができ，例えば２μｍ以上に形成することができる。
【００４５】
一方，発光素子４５０が形成された第１絶縁膜４４５上部には，発光素子４５０の上部領域が外部に露出しないように発光素子４４５を覆う透過パネル４５５が備えられる。透過パネル４５５の下部，すなわち発光素子４４５の上部と対向する面には透過性のある吸湿層４５６が形成される。透過パネル４５５と第１絶縁膜４４５とは，少なくとも一方の周囲に沿って塗布された接着物質（ｓｅａｌａｎｔ）４６０によって接着される。
【００４６】
図３〜図５に示された構成による発光表示装置では，第１絶縁膜４４５を通じて外部から水分などが混入しても遮断部４７０に水分が誘導され，第１絶縁膜４４５を通じて発光素子４５０に水分が直接接触するのを防止することができる。第１絶縁膜４４５に流入して遮断部４７０に誘導された水分は，透過パネル４５５下部に形成された吸湿層４５６に吸収され，除去することができる。
【００４７】
本実施の形態においては，第１絶縁膜４４５を形成して発光素子４５０を形成する前に遮断部４７０形成するが，第１絶縁膜４４５上に発光素子４５０を形成した後に遮断部４７０を形成することもできる。また，本実施の形態では説明の便宜上，発光素子４５０と透過パネル４５５の間の間隔を相対的に広く図示してある。
【００４８】
（第３の実施の形態）
図７ａ〜図７ｃは第３の実施の形態による発光表示装置の製造方法を示す工程断面図である。図７ａ〜図７ｃの工程断面図では説明の便宜上，図６ａ〜図６ｄと等しい製造工程を現わす図面は略し，対応する説明も略する。また，図６ａ〜図６ｅに示された構成要素と等しい構成要素には同じ参照番号を用いることとする。
【００４９】
本実施の形態の発光表示装置５００’を構成する薄膜トランジスタの形成工程は，図６ａ〜図６ｄと同様であり，薄膜トランジスタは基板上に形成された半導体層５３０，５３１，ゲート絶縁膜５２５，ゲート電極５４０，層間絶縁膜５３５及びソース／ドレイン電極５４１を有している（図７ａ）。
【００５０】
図７ｂを参照すると，薄膜トランジスタが形成された基板５１０上に第１絶縁膜５４５を形成した後，第１絶縁膜５４５上には無機絶縁膜５８０が形成される。第１絶縁膜５４５及び無機絶縁膜５８０には，第１絶縁膜５４５等を通じて発光素子５５０に流入される水分を遮断する遮断部５７０が形成される。遮断部５７０は，第１絶縁膜５４５及び無機絶縁膜５８０に形成された貫通溝である。貫通溝形態の遮断部５７０は，エッチング工程を通じて第２コンタクトホールと同時に形成することもできるし，別に形成することもできる。
【００５１】
また，本実施の形態においては，第１絶縁膜５４５と無機絶縁膜５８０とを順次積層した後，遮断部５７０，５８１を形成するように示されているが，第１絶縁膜５４５に遮断部５７０を形成した後，無機絶縁膜５８０を積層し，積層された無機絶縁膜５８０に遮断部５７０と繋がる遮断部５８１を形成してもよい。この遮断部５８１もエッチング工程を通じて形成された貫通溝である。遮断部５７０，５８１は，第２コンタクトホール５４７と同時に形成されてもよいし，別工程で形成されてもよい。
【００５２】
この時，第１絶縁膜５４５の表面はアクリル樹脂，ＢＣＢなどの熱硬化樹脂からなり，平坦であり，絶縁膜の機能と同時に保護膜としての機能を同時に有している。ここで，無機絶縁膜５８０はＳｉＮｘ，ＳｉＯｘの中から選択されて，無機絶縁膜５８０の厚さは，２００Å〜５００Åに形成される。無機絶縁膜５８０が形成された後には，第１絶縁膜５４５及び無機絶縁膜５８０に形成された第２コンタクトホール５４７を通じ，ソース／ドレイン電極５４１と電気的に接続される発光素子５５０が形成される。遮断部５７０，５８１の形成幅は，第１の実施の形態と同様に発光表示装置を構成する他の構成要素の配置等を考慮した許容範囲で設計することができ，例えば２μｍ〜５０μｍの範囲から選択して形成する。
【００５３】
その後，図７ｃに示すように，発光素子５５０が形成された無機絶縁膜５８０上に，発光素子５５０の上部を覆う透過パネル５５５が形成される。透過パネル５５５の下部，すなわち，発光素子５５０の上部と対向する面には発光素子５５０で発光する光を透過して湿気を吸収することができる透明の吸湿層５５６が形成される。透過パネル５５５と無機絶縁膜５８０とは，少なくとも一方の周囲に沿って塗布された接着物質５６０によって接着される。
【００５４】
本実施の形態においては，第１絶縁膜５４５上に無機絶縁膜５８０を形成することにより，透過パネル５５５との接着力を高めることができ，高温高湿の雰囲気で外部から水分や酸素が発光表示装置５００’内部に浸透するのを低減させることができ，さらに，無機絶縁膜５８０及び第１絶縁膜５４５に第１の実施の形態と同様な遮断部５７０，５８１を形成することにより，外部から流入するする水分を遮断部５７０，５８１で遮断し，発光素子５５０の内部への流入を防ぐことができる。
【００５５】
（第４の実施の形態）
図８は第４の実施の形態による発光表示装置の平面図であり，図９は図８のＩＸ−ＩＸ’線による側断面図である。説明の重複を避けるため，図３〜図５に示された構成要素と等しい構成要素に対する具体的な説明は省略する。
【００５６】
図８を参照すれば，発光表示装置８００は，基板８１０，発光素子によって形成される画像表示部８１１，パッド部８１２，電源線８１５，走査駆動部８１３及びデータ駆動部８１４を備えている。さらに，図９に示すように，発光表示装置８００は，基板８１０上に形成されたバッファ層８２０，半導体層８３０，８３１，ゲート絶縁膜８２５，ゲート電極８４０，層間絶縁膜８３５，ソース／ドレイン電極８４１，第１絶縁膜８４５及び発光素子８５０を備えている。
【００５７】
本実施の形態による第１絶縁膜８４５は，ソース／ドレイン電極８４１及び電源線８１５が形成された層間絶縁膜８３５上に形成される。そして，ソース／ドレイン電極８４１及び電源線８１５によって形成されるパターン段差を低減することができる。
【００５８】
第１絶縁膜８４５には，ソース／ドレイン電極８４１のどちらかの電極を露出させる第２コンタクトホール８４７が形成される。発光素子８５０は第１絶縁膜８４５上に形成され，通常，Ｒ，Ｇ，Ｂの発光素子を持つ。この時，発光素子８５０の一つの構成要素である画素電極（図示せず）は，第１絶縁膜８４５上に形成された第２コンタクトホール８４７を通じてソース／ドレイン電極８４１と電気的に接続する。
【００５９】
第１絶縁膜８４５には，第１絶縁膜８４５を通じて発光素子８５０に水分が流入することを防止するため，画像表示部８１１の周囲に沿って遮断部８７０，８７１が形成される。遮断部８７０，８７１は，画像表示部８１１，走査駆動部８１３，データ駆動部８１４の周囲に沿って，また電源線８１５及びパッド部８１２の内側に沿って所定距離離れた２列の溝となって形成されている。
【００６０】
図９に示された遮断部８７０，８７１それぞれは，第１絶縁膜８４５厚さ全体に，エッチング工程によって形成されるスロット形態の貫通溝であり，第２コンタクトホール８４７が形成される時に同時に形成することができる。遮断部８７０，８７１の形成幅は，発光表示装置を構成する他の構成要素の配置等を考慮した許容範囲で設計することができる。本実施の形態では，遮断部８７０，８７１の形成幅は，２μｍ〜５０μｍの範囲から選択して形成する。
【００６１】
一方，図８及び図９に示された遮断部８７０，８７１は，第１絶縁膜８４５を貫く貫通溝の形態に形成されているが，遮断部８７０，８７１のどちらかが貫通溝の形態でもう一方が凹状の溝であることもできるし，２つとも凹状の溝であることもできるし，２つとも貫通溝の形態であってもよい。勿論，遮断部８７０，８７１のうち少なくとも一つを凹状の溝で形成する場合には，別途のマスクを利用したり，ハーフトーンマスクを利用して一度のマスキングで凹凸を形成したりして形成することができる。
【００６２】
また，遮断部を凹状の溝で形成する場合，第２コンタクトホール８４７と同時に形成することができるし，別途の工程で形成することもできる。凹状の溝で形成した場合も，そのエッチング幅は，発光表示装置を構成する他の構成要素の配置等を考慮した許容範囲で設計することができ，２μｍ〜５０μｍの範囲から選択して形成する。勿論，発光素子８５０が形成された第１絶縁膜８４５上部には発光素子８５０が外部に露出しないようにその下部に吸湿層８５６が形成された透過パネル８５５が形成される。
【００６３】
図８，９に示された実施の形態によれば，発光表示装置８００は各発光表示装置８００を構成する第１絶縁膜８４５を通じて外部から水分が浸透した場合にも，水分が遮断部８７０，８７１に誘導されるので，第１絶縁膜８４５を通じて浸透した水分が発光素子８５０に直接接触するのを防止することができる。素子の外側寄りに形成された遮断部８７０を極微量の水分が通過してしまった場合にも，内側の遮断部８７１にて，水分が内部に流入するのを遮断するので，一列のみの遮断部より高い遮断効果を得ることができる。
【００６４】
（第５の実施の形態）
図１０は第５の実施の形態による発光表示装置の側断面図である。説明の便宜上，図７ｆに示された構成要素と等しい構成要素に対する具体的な説明は省略して，本実施の形態の特徴的な構成を中心に説明する。
【００６５】
図１０を参照すれば，発光表示装置９００は，基板９１０上に形成されたバッファ層９２０，半導体層９３０，９３１，ゲート絶縁膜９２５，ゲート電極９４０，層間絶縁膜９３５，ソース／ドレイン電極９４１，第１絶縁膜９４５，無機絶縁膜９８０，発光素子９５０及び吸湿層９５６が形成された透過パネル９５５を備える。
【００６６】
本実施の形態で，第１絶縁膜９４５は，半導体層９３０，９３１，ゲート電極９４０，及びソース／ドレイン電極９４１を有する薄膜トランジスタが形成された基板５１０上に形成されて，第１絶縁膜９４５上には無機絶縁膜９８０が形成される。第１絶縁膜９４５及び無機絶縁膜９８０には，第１絶縁膜９４５を通じて流入する水分を遮断する複数列の遮断部９７０，９７１が形成される。
【００６７】
遮断部９７０，９７１はエッチング工程を通じて形成された貫通溝であり，第１絶縁膜９４５と無機絶縁膜９８０とに貫通形成される。貫通溝形態の遮断部９７０，９７１は，コンタクトホール９４７と同時に形成することもできるし，別工程で形成することもできる。各遮断部９７０，９７１の形成幅は，発光表示装置を構成する他の構成要素の配置等を考慮した許容範囲で設計することができる。本実施の形態では，遮断部９７０，９７１の形成幅は，２μｍ〜５０μｍの範囲から選択して形成する。
【００６８】
勿論，図１０に示された遮断部９７０，９７１も，図８及び図９に示された遮断部８７０，８７１と同じく，一方が貫通溝の形態で他方が凹状の溝であることもできるし，２つとも凹状の溝であることもできるし，２つとも貫通溝の形態であることもできる。
【００６９】
図１０に示された実施の形態によれば，第１絶縁膜９４５上に無機絶縁膜９８０を形成することにより，透過パネル９５５との接着力を高めることができ，高温高湿の雰囲気で外部から水分や酸素が発光表示装置９００内部に浸透するのを低減させることができ，さらに，第１絶縁膜９４５を通じて外部から水分などが浸透した場合にも，第４の実施の形態と同様な二列の遮断部９７０，９７１に誘導されるから，第１絶縁膜９４５を通じて浸透した外部の水分が発光素子９５０に直接接触するのを効果的に防止することができる。
【００７０】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００７１】
本実施の形態の発光表示装置では，第１絶縁膜に遮断部が形成されるか，または第１絶縁膜及び無機絶縁膜にかけて遮断部が形成されることが示されているが，第１絶縁膜と無機絶縁膜との各々に別に遮断部を形成することもできるのは勿論である。
【００７２】
本実施の形態では，遮断部が直線形状に形成することが示されているが，所定間隔に離隔した多様な点線形状で形成することもできる。
【産業上の利用可能性】
【００７３】
本発明は，透過パネルと発光素子が形成される基板の絶縁膜とが接着されている発光表示装置及びその製造方法に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】従来の発光表示装置の概略平面を示す説明図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ’線による側断面図である。
【図３】第１の実施の形態による発光表示装置の概略平面を示す説明図である。
【図４】図３のＩＶ−ＩＶ’線による側断面図である。
【図５】図４と同じ位置での，第２の実施の形態による発光表示装置の側断面図である。
【図６ａ】第１の実施の形態による発光表示装置の製造方法を示す工程断面図であり，基板上にバッファ層及び半導体層を形成した後の図である。
【図６ｂ】第１の実施の形態による発光表示装置の製造方法を示す工程断面図であり，バッファ層上にゲート絶縁膜及びゲート電極を形成した後の図である。
【図６ｃ】第１の実施の形態による発光表示装置の製造方法を示す工程断面図であり，ゲート絶縁膜上に絶縁膜を形成し，コンタクトホールを形成した後の図である。
【図６ｄ】第１の実施の形態による発光表示装置の製造方法を示す工程断面図であり，ソース／ドレイン電極を形成した後の図である。
【図６ｅ】第１の実施の形態による発光表示装置の製造方法を示す工程断面図であり，ソース／ドレイン電極上に第１絶縁膜，発光素子を形成し，発光素子の外周所定位置に遮断部を形成した後の図である。
【図７ａ】第３の実施の形態による発光表示装置の製造方法を示す工程断面図であり，ソース／ドレイン電極を形成した後の図である。
【図７ｂ】第３の実施の形態による発光表示装置の製造方法を示す工程断面図であり，ソース／ドレイン電極上に第１絶縁膜，無機絶縁膜，発光素子を形成し，発光素子の外周所定位置に遮断部を形成した後の図である。
【図７ｃ】第３の実施の形態による発光表示装置の製造方法を示す工程断面図であり，無機絶縁膜上に，透過パネルが形成された後の図である。
【図８】第４の実施の形態による発光表示装置の概略平面を示す説明図である。
【図９】図８のＩＸ−ＩＸ’線による側断面図である。
【図１０】図９と同じ位置での，第５の実施の形態による発光表示装置の側断面図である。
【符号の説明】
【００７５】
４００      発光表示装置
４１０      基板
４１１      画像表示部
４１２      パッド部
４１３      走査駆動部
４１４      データ駆動部
４１５      電源線
４２０      バッファ層
４２５      ゲート絶縁膜
４３０      半導体層
４３１      半導体層
４３５      層間絶縁膜
４４０      ゲート電極
４４１      ソース／ドレイン電極
４４５      第１絶縁膜
４５０      発光素子
４５５      透過パネル
４５６      吸湿層
４６０      接着物質
４７０      遮断部
【図１】
2006269405.tif 000003
【図２】
2006269405.tif 000004
【図３】
2006269405.tif 000005
【図４】
2006269405.tif 000006
【図５】
2006269405.tif 000007
【図６ａ】
2006269405.tif 000008
【図６ｂ】
2006269405.tif 000009
【図６ｃ】
2006269405.tif 000010
【図６ｄ】
2006269405.tif 000011
【図６ｅ】
2006269405.tif 000012
【図７ａ】
2006269405.tif 000013
【図７ｂ】
2006269405.tif 000014
【図７ｃ】
2006269405.tif 000015
【図８】
2006269405.tif 000016
【図９】
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【図１０】
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