(57)【要約】【課題】  半導体レーザ素子と、光ファイバと、半導体レーザ素子から出射されたレーザビームを集光し光ファイバの入射端面に結合させる集光光学系とを備えてなるレーザモジュールを長期信頼性のあるものとすると共に安価に構成する。【解決手段】  光出射窓11を備えた筐体10と、筐体10に固定された、半導体レーザ素子ＬＤを内部に備え気密封止されたＣＡＮパッケージ20と、集光レンズ15と、光出射窓11を覆うように取り付けられる透明部材30と、半導体レーザ素子ＬＤから出射されるレーザビームＢが入射する入射端面31を含む先端部32がフェルール35に挿入された光ファイバ33とを備えたレーザモジュール１において、筐体10に透明部材30を受容保持する保持部16を設け、フェルール35を受容するレセプタクル36を固定し、透明部材30および光ファイバ33を筐体10に対して着脱可能とする。【選択図】          図１
2006286866.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光出射窓を備えた筐体と、
前記筐体に固定された気密封止パッケージ内に配置された１つもしくは複数の半導体レーザ素子と、
前記光出射窓を覆うように配置された透明部材と、
前記筐体の外部に、前記透明部材に入射端面が接触するように配置された光ファイバと、
前記半導体レーザ素子から出射されたレーザビームを、前記透明部材を介して前記光ファイバの前記入射端面に集光させる、前記筐体の内部に配置された集光光学系とからなり、
前記光ファイバおよび前記透明部材が、前記筐体に対して着脱自在に構成されていることを特徴とするレーザモジュール。
【請求項２】
前記光ファイバの入射端面を含む先端部がフェルールに挿入されており、
前記筐体が、前記フェルールを受容するレセプタクルを備えていることを特徴とする請求項１記載のレーザモジュール。
【請求項３】
前記筐体が、前記光出射窓の近傍に前記透明部材を保持する保持部を備えていることを特徴とする請求項１または２記載のレーザモジュール。
【請求項４】
前記透明部材の前記レーザビームの入射面における該レーザビームの光パワー密度が、10Ｗ／ｍｍ2以下であることを特徴とする請求項１から３いずれか１項記載のレーザモジュール。
【請求項５】
前記半導体レーザ素子の発振波長が350ｎｍ〜500ｎｍであることを特徴とする請求項１から４いずれか１項記載のレーザモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はレーザモジュールに関し、特に、半導体レーザ素子と、光ファイバと、半導体レーザ素子から出射したレーザビームを光ファイバの一端面に結合させる入射光学系とを備えたレーザモジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、パッケージ内に収容された半導体レーザ素子と、一端（光入射端面）がこのパッケージの内部を臨む状態にして該パッケージに固定された光ファイバと、半導体レーザ素子から出射されたレーザビームを光ファイバの光入射端面に結合させる集光光学系とを備えてなるレーザモジュールは、いわゆるピッグテール型レーザモジュールとして、光通信部品として一般的に知られている。
【０００３】
このようなレーザモジュールにおいて、青色・紫外領域の短波長のレーザ、あるいは高出力のレーザで、光パワー密度が高い状態にある光学部品の表面に有機物等の付着物が堆積し、光学部品の透過率の低下、あるいは破壊などの現象が生じやすい。
【０００４】
光学部品のレーザビーム入射端面への付着物としては、空気中の塵埃の集塵効果によるもの、周辺あるいは空気中に揮発している有機物がレーザ光と化学反応した結果の堆積物・付着物などが知られている（特許文献１参照）。
【０００５】
光ファイバ入射端面への汚染物質の付着を防止するため、特許文献２では、パッケージのガラス窓の外側に光ファイバの入射端面を密着させることで、汚染物質の付着を回避する方法が提案されており、さらに、特許文献３では、光ファイバ入射端面を気密封止するか、ガラスブロック等の透明部材を光ファイバの入射端面に密着させることにより端面を保護して、汚染物質の付着を防止する方法が提案されている。
【０００６】
また、本来の目的は異なるが同様の構成を有するレーザモジュールが特許文献４および５などにも開示されている。
【特許文献１】特開平11-54852号公報
【特許文献２】特開2004-252425号公報
【特許文献３】特開2004-253783号公報
【特許文献４】特開平2-81008号公報
【特許文献５】特開平6-148471号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献２には、半導体レーザやレンズを内包するパッケージ外側にレセプタクルを固定し、レセプタクルに受容されるフェルールに先端が挿入されたファイバをレセプタクルと嵌合するコネクタを用いて接続する構造が記載されているが、気密封止されたパッケージの中に半導体レーザ素子と集光レンズが収容される構成であるため、高価な気密封止パッケージが大型化し、コストが上がるという問題がある。また、気密封止パッケージの出射窓にフェルールを接触させる構成であるため、ガラス窓に気密封止機能を持たせる必要があり、さらにフェルール接触時に圧力を受けるため、この圧力に対し、ガラス及び気密封止部の強度を上げなければならず、全体としてさらにコスト高となるという問題がある。
【０００８】
また、特許文献３には、光ファイバの入射端面に透明部材を固着または接触させることにより、入射端面への汚染物質の付着を防止する構造が開示されているが、透明部材は筐体や支持台に固定もしくはファイバの先端に固着される構成であり、透明部材の交換は困難である。これは特許文献４および５の構成のレーザモジュールの場合にも同様である。
【０００９】
なお、いずれの場合にもガラス窓もしくは透明部材に対してファイバを着脱可能な構成とした場合には、着脱を繰り返すと微小なゴミや塵埃がフェルールとガラス窓もしくは透明部材との間に挟まれ、両者間のフィジカルコンタクトが不十分になり、ファイバ入射端面が汚染される虞がある。
【００１０】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであって、安価にかつ長期信頼性を得ることができるレーザモジュールを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明のレーザモジュールは、光出射窓を備えた筐体と、
前記筐体に固定された気密封止パッケージ内に配置された１つもしくは複数の半導体レーザ素子と、
前記光出射窓を覆うように配置された透明部材と、
前記筐体の外部に、前記透明部材に入射端面が接触するように配置された光ファイバと、
前記半導体レーザ素子から出射されたレーザビームを、前記透明部材を介して前記光ファイバの前記入射端面に集光させる、前記筐体の内部に配置された集光光学系とからなり、
前記光ファイバおよび前記透明部材が、前記筐体に対して着脱自在に構成されていることを特徴とするものである。
【００１２】
光ファイバの入射端面を含む先端部がフェルールに挿入されており、前記筐体がフェルールを受容するレセプタクルを備えていることが望ましい。
【００１３】
また、筐体は、光出射窓の近傍に前記透明部材を保持する保持部を備えていることが望ましい。
【００１４】
さらに、前記透明部材の前記レーザビームの入射面における該レーザビームの光パワー密度を、10ｗ／ｍｍ2以下とすることが望ましい。
【００１５】
前記半導体レーザ素子の発振波長が350ｎｍ〜500ｎｍであるレーザモジュールに本発明は好適である。このような半導体レーザ素子としては、ＧａＮ系半導体から構成されたものが挙げられる。
【００１６】
また、前記半導体レーザ素子は、横モードシングルレーザ素子、横モードブロードレーザ素子、アレイ状に並べられた複数の横モードシングルレーザ素子、アレイ状に並べられた複数の横モードブロードレーザ素子、アレイ状に並べられた横モードシングルレーザ素子と横モードブロードレーザ素子混在した素子のうちいずれであってもよい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明のレーザモジュールは、レーザ駆動時に光パワー密度が非常に高くなる光ファイバの入射端面が透明部材に接触させられて大気から保護されているため、該光ファイバの入射端面への有機物等の汚染物質の付着がない。
【００１８】
また、光ファイバを筐体に対して着脱可能な構成としているため、透明部材とファイバ先端との間に塵埃が入り込む場合が考えられるが、透明部材も着脱可能なため、透明部材のクリーニングもしくは交換が容易であり、透明部材による光ファイバの入射端面の保護効果を十分保持することができる。また、劣悪な環境下で使用した場合、透明部材の光ビーム入射面に汚染物質が付着することも考えられるが、この場合にも透明部材をクリーニングもしくは交換すれば長期に安定して使用することができる。
【００１９】
また、高価な気密パッケージを必要としないため、モジュールを安価に構成することができる。
【００２０】
光ファイバの入射端面を含む先端部がフェルールに挿入され、筐体がフェルールを受容するレセプタクルを備えた構成とすれば、着脱時の軸合わせを容易かつ高精度に行うことができる。
【００２１】
なお、特に、半導体レーザ素子が350ｎｍ〜500ｎｍの波長を出射するものである場合、エネルギーが高くなり、光パワー密度の高い部分への汚染物質の付着が促進されるため、本発明を適用することは汚染物質の付着を防止するために効果的である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態の図面を用いて詳細に説明する。
【００２３】
まず、本発明の第１の実施の形態によるレーザモジュールについて説明する。図１はその概略構成を示す側面図であり、図２は、図１に示すレーザモジュールのコネクタ非装着時の構成を示す側面図である。
【００２４】
本実施形態のレーザモジュール１は、光出射窓11を有する第１の鏡筒12と該第１の鏡筒12と嵌合わせて固定された第２の鏡筒13とから構成される筐体10と、該筐体10の第２の鏡筒13の一端に圧入固定された、半導体レーザ素子ＬＤを内部に備え、気密封止されたＣＡＮパッケージ20と、第１の鏡筒12内に保持された集光レンズ15と、光出射窓11を覆うように取り付けられる透明部材30と、半導体レーザ素子ＬＤから出射されるレーザビームＢが入射する入射端面31を含む先端部32がフェルール35に挿入された光ファイバ33とを備えている。
【００２５】
半導体レーザ素子ＬＤはＣＡＮパッケージ20のブロック21上に配置され、該半導体レーザ素子ＬＤに駆動電流を供給する配線類22は、パッケージ20の光出射窓23が設けられた壁面と対向する横壁面に形成された開口を通してパッケージ20外に引き出されている。
【００２６】
筐体10は、透明部材30を受容保持する透明部材保持部16を有している。保持部16の径は窓11の径よりも若干広くなっており、この段差部分11ａがストッパとなって透明部材30の光軸方向の位置が規制されている。透明部材30は円柱状のガラスブロックであり、窓11、保持部16はいずれも円筒状とされている。
【００２７】
筐体10には、フェルール35を受容するレセプタクル36が透明部材保持部16を取り囲むように取り付けられており、光ファイバ33の先端部32はレセプタクル36に嵌合するコネクタ38にフェルール35ごと取り付けられている。フェルール35はレセプタクル36の内スリーブ36ａに受容され、レセプタクル36の外スリーブ36ｂとコネクタ38とには互いに係合する係合部36ｃおよび38ｃが設けられた構成である。
【００２８】
コネクタ38は、レセプタクル36と嵌合時にフェルール35を透明部材30の接触面30ａに押圧するバネ39を備えており、レセプタクル36にコネクタ38を接続すると、フェルール35はバネ39により所定の圧力を受けて透明部材30に押しつけられ、接触固定される。このフェルール35による押圧と筐体10の透明部材保持部16の段差部分11ａにより透明部材30の光学軸方向位置が一義的に定められる。
【００２９】
図２に示すように、コネクタ38はレセプタクル36に対して着脱自在となっており、光ファイバ33の入射端面31が接触する透明部材30も着脱自在となっている。したがって、長時間の駆動の後、透明部材30の光ビームＢの入射面30ｂへの汚染物の付着もしくは、透明部材30と光ファイバ33との間に塵埃等が付着した場合、透明部材30のクリーニングもしくは透明部材30の交換を容易に行うことができる。なお、透明部材30の着脱は、レセプタクル36の内スリーブ36ａ内を通過させて行う。
【００３０】
上記レーザモジュールの組み立ては以下のようにして行う。
【００３１】
半導体レーザ素子ＬＤとしては、例えば、ブロードエリア半導体レーザで出力が250ｍＷのものを用いる。半導体レーザ素子ＬＤを、丸形のＣＡＮパッケージのブロック21にAuSnロウ材を用いて実装し、光出射用ガラス窓23付きキャップ25をブロック21固定部材26に対して抵抗溶接により固定して、気密封止する。このとき、ＣＡＮパッケージ20内部の揮発成分を除去するため脱気処理を施した上で気密封止する。なお、パッケージ内部には不活性ガスを充填する。
【００３２】
気密封止されたＣＡＮパッケージ20を第２の鏡筒13の一端から圧入固定する。なお、ＣＡＮパッケージ20は、YAG溶接、接着剤や半田で固定してもよい。
【００３３】
予め内部に集光レンズ15が固定された第１の鏡筒12とＣＡＮパッケージ20が固定された第２の鏡筒13は光軸方向に摺動自在に嵌め合わせることができ、半導体レーザ素子ＬＤから出射されたビームＢを透明部材30のファイバ接触面30ａに集光するように調整した後に、両鏡筒12および13をYAG溶接、半田、または接着剤等で固定する。これにより第１の鏡筒12と第２の鏡筒13からなる筐体10が形成される。
【００３４】
レセプタクル36は、筐体10（第１の鏡筒12）の、集光ビームが最も効率よくファイバ33に集光する、光出射窓11を囲む位置に固定する。レセプタクル36が筐体10に固定されているため、集光点と、フェルール35を受容するレセプタクル36の内スリーブ36ａの位置は変化することがなく、光ファイバ33や半導体レーザＬＤを交換しても集光点と光ファイバ33の入射端面31の位置精度が維持され、高効率結合を得ることができる。
【００３５】
なお、レセプタクル36の内スリーブ36ａの内径のバラツキをレンジ2μｍ以下、フェルール35の外径バラツキをレンジ1μｍ以下に構成することにより、光ファイバ33の取り付け時にはレーザビーム集光点とファイバ入射端面31をレンジ３μｍ以下の精度で固定することができる。
【００３６】
本レーザモジュール１においては、半導体レーザ素子ＬＤから出射されたレーザビームＢはＣＡＮパッケージ20のガラス窓23からＣＡＮパッケージ10外部に出射され、集光レンズ15で集光されて筐体10の窓11を通過し、透明部材30を介して光ファイバ33の入射端面31から入射してファイバ33内を伝播し、光ファイバ33の図示しない出射端面から出射するものである。
【００３７】
ＣＡＮパッケージ20は、内部の揮発成分を除去するため脱気処理を施した上で気密封止されたものであるため、汚染物質の半導体レーザ素子端面への付着を抑制することができる。また、使用時において光ファイバ33の入射端面31は透明部材30に接触させて押圧固定されているので、入射端面31は透明部材30により保護された状態となり汚染物質は付着しない。さらに、既述のとおり、透明部材30が汚染された場合には、取り外してクリーニングもしくは交換が容易にできる長期信頼性を得ることができる。
【００３８】
また、半導体レーザ素子を気密封止するＣＡＮパッケージは市販の安価なものを用いることができ、一方、筐体10は気密封止する必要はないため、筐体が高価なものとなることもなくレーザモジュールを安価に構成することができる。
【００３９】
なお、駆動時には、透明部材30の光ビーム入射面30ｂにおける光パワー密度を、10Ｗ／ｍｍ2以下とすることにより、透明部材30の入射面30ｂへの有機物等の汚染物質は抑制されるため、透明部材30のクリーニングもしくは交換の頻度を少なくすることができ、手間およびコストをより抑えることができる。なお、透明部材30の光ビーム入射面30ｂにおける光パワー密度を10Ｗ／ｍｍ2以下とすれば、透明部材30の入射面30ｂへの汚染物質の付着は十分に抑制されるため、透明部材30が固定され、交換不可能な場合であってもレーザモジュールの高寿命化の効果を得ることができる。
【００４０】
図３は、透明部材30の光ビーム入射面30ｂにおける光パワー密度と、レーザモジュールの寿命との関係を示すデータであり、図１のレーザモジュール１において透明部材30を交換しなかった場合についてのデータである。ここで、寿命は、レーザモジュールの出力パワーが、初期出力パワーの６０％になった時点で定義している。パワー密度が10Ｗ／ｍｍ2のとき18000時間の寿命が、パワー密度が大きくなるにつれて短くなることが明らかである。すなわち、透明部材の光ビーム入射面における光パワー密度を10Ｗ／ｍｍ2以下とすることにより、レーザモジュールの寿命を18000時間程度以上とすることができる。なお、特開2004-253783号公報記載のレーザモジュールのように光ファイバの入射端面を大気に曝さないように完全に気密封止したレーザモジュールの製品寿命は20000時間程度であり、本実施形態のレーザモジュールでは、完全密封時の寿命に対する寿命の短縮を１０％以下に抑えることができる。
【００４１】
透明部材の光ビーム入射面における光パワー密度を10Ｗ／ｍｍ2以下とするための具体的例を説明する。
【００４２】
光ファイバのＮＡが0.22、集光ビームの入射ＮＡが0.2、半導体レーザの出力が250ｍＷであるとする。また、透明部材として屈折率1.5のガラスを使用するとする。このとき、ガラス内部の集光ビームのＮＡは0.127となる。透明部材であるガラスの板厚が0.7ｍｍのとき、このガラスの、レーザビーム入射面におけるレーザビームの光パワー密度は10Ｗ/ｍｍ2となる。したがって、この場合、板厚0.7ｍｍ以上のガラスを用いれば、レーザビーム入射面におけるレーザビームの光パワー密度を10Ｗ/ｍｍ2以下とすることができ、ビーム入射面の汚染を十分に抑制することができることとなる。
【００４３】
半導体レーザの出力が1Ｗとし、他の条件を上記と同一とした場合、透明部材として屈折率1.5、板厚が１ｍｍのガラスを用いれば、透明部材のレーザビーム入射面におけるレーザビームの光パワー密度は10Ｗ/ｍｍ2となる。したがって、レーザビームの出力が１Ｗの場合、板厚１ｍｍ以上のガラスを用いれば、ガラスのレーザビーム入射面におけるレーザビームの光パワー密度を10Ｗ/ｍｍ2以下とすることができ、ビーム入射面の汚染を十分に抑制する事ができ、経時信頼性が高いレーザを実現する事ができることとなる。
【００４４】
次に、本発明の第２の実施形態のレーザモジュールについて説明する。図４および図５は第２の実施形態のレーザモジュールの側面図およびコネクタ非装着時の側面図を示すものである。図４および図５において、第１の実施形態と同一の要素には同一符号を付し詳細な説明を省略し、主として第１の実施形態と異なる点を説明する（以下において同様とする）。
【００４５】
第２の実施形態のレーザモジュール２は、筐体10’（第１の筐体12’）に、透明部材30を受容する保持部が設けられていない点で第１の実施形態のレーザモジュール１と異なる。レセプタクル36が、筐体10’の光出射窓11を囲むように配置固定されており、透明部材30はレセプタクル36の内スリーブ36ａの先端部に着脱可能に収容されて、筐体10’の外側から光出射窓11を覆うように配置される。
【００４６】
レセプタクル36の内スリーブ36ａ先端に透明部材30を挿入した状態で、レセプタクル36にコネクタ38を接続すると、フェルール35はコネクタ38内蔵のバネ39により付勢されて、透明部材30に押し付けられる。透明部材30は、筐体10’の窓枠11ｂに当接し、これより光軸方向の位置が規制され、常に一定の光軸位置に配置されることとなる。
【００４７】
本実施形態においても図５に示すように、コネクタ38はレセプタクル36に対して着脱自在となっており、既述のとおり、透明部材30も着脱自在となっている。したがって、長時間の駆動の後、透明部材30の光ビームＢの入射面30ｂへの汚染物の付着もしくは、透明部材30と光ファイバ33との間に塵埃等が付着した場合、透明部材30のクリーニングもしくは透明部材30の交換を容易に行うことができる。
【００４８】
また、第１の実施形態と同様に、レセプタクル36が筐体10’に固定されているため、集光点と、フェルール35を受容するレセプタクル36の内スリーブ36ａの位置は変化することがなく、光ファイバ33や半導体レーザ素子ＬＤを交換しても集光点と光ファイバ33の入射端面31の位置精度が維持され、高効率結合を得ることができる。
【００４９】
なお、ここで、レセプタクル36のスリーブ内径バラツキをレンジ2μｍ以下、フェルール35の外径バラツキをレンジ1μｍ以下となるように構成することにより、集光点と光ファイバ入射端面31とはレンジ３μｍ以下の精度で固定することができる。
【００５０】
本発明の第３の実施形態のレーザモジュールについて説明する。図６は、第３の実施形態のレーザモジュールの概略構成を示す平面図である。
【００５１】
本実施形態によるレーザモジュール３は、図６に示すように、ＣＡＮパッケージ40内に８個のＧａＮ系半導体レーザＬＤ１〜８を備えており、ＣＡＮパッケージ40の光出射窓がコリメータレンズアレイ43により構成されている。図６は、本実施の形態のレーザモジュールの基本構成を示すものであり、コリメータレンズアレイ43および集光レンズ15の形状は概略的に示してある。また図の煩雑化を避けるため、ＧａＮ系半導体レーザ素子のうち両端に配されている素子ＬＤ１およびＬＤ８にのみ符号を付し、またレーザビームＢ１〜Ｂ８のうちＢ１およびＢ８にのみ符号を付してある。
【００５２】
半導体レーザ素子ＬＤ１〜８はＣＡＮパッケージ40のブロック41上に配置され、該半導体レーザ素子ＬＤ１〜８に駆動電流を供給する配線類42は、パッケージ40の光出射窓43が設けられた壁面と対向する横壁面に形成された開口を通してパッケージ40外に引き出されている。第１の実施形態の場合と同様に、光出射用ガラス窓43付きキャップ45をブロック41固定部材46に対して抵抗溶接により固定して気密封止してある。
【００５３】
本レーザモジュール３においては、レンズアレイ43および集光レンズ15によって集光光学系が構成され、それと光ファイバ33とによって合波光学系が構成されている。すなわち、集光レンズ15によって上述のように集光されたレーザビームＢ１〜８がこの光ファイバ33のコアに入射して光ファイバ33内を伝搬し、１本のレーザビームＢに合波されて光ファイバ33の図示しない出射端面から出射する。
【００５４】
半導体レーザ素子ＬＤ１〜８から発散光状態で出射したレーザビームＢ１〜８は、それぞれレンズアレイ43によって平行光化される。平行光とされたレーザビームＢ１〜８は、集光レンズ15によって集光され、光ファイバ33の入射端面31で収束する。
【００５５】
本実施形態のレーザモジュール３においては、複数の半導体レーザ素子ＬＤ１〜８から出射されたレーザビームＢ１〜８が、光ファイバ33の入射端面31に収束するので、光ファイバ33の入射端面31における光密度が非常に高くなる。したがって、入射端面31を透明部材30に押圧接触させて該入射端面を保護することによる、有機物などの汚染物質の入射端面への付着防止効果が大きい。同様に、透明部材30の入射面30ｂにおける光パワー密度も高くなり、透明部材30の入射面30ｂに汚染物質が付着しやすくなるため、透明部材30の交換を容易に行うことができることによる効果も大きい。
【００５６】
なお、本実施形態においては、シングルキャビティの８つの半導体レーザ素子ＬＤ１〜８を備えるものとしたが、例えば、２キャビティの半導体レーザ素子を４つなどマルチキャビティを有するチップを実装してもよいし、８キャビティを有する半導体レーザバー１素子を実装してもよい。また、ＧａＮ系半導体レーザ素子に限るものではない。
【００５７】
また、各実施形態における半導体レーザ素子ＬＤとしては、横モードシングルのレーザビームを出力する発光領域の幅が２μｍ未満の半導体レーザ素子であってもよいし、ブロードレーザビームを出力する、発光領域の幅が２μｍ以上の半導体レーザ素子であってもよい。また、複数の半導体レーザを備える場合には、横モードシングルのものとブロードのものが混在していてもよい。なお、ＧａＮ系半導体レーザ素子に限るものではないが、ＧａＮ系半導体レーザから出力される500ｎｍ以下の波長のレーザビームは高エネルギーであるために、レーザ端面や光ファイバの入射端面において光密度が非常に高くなり、そのために、有機物等の汚染物質が付着し易い。したがって、このような高エネルギーのレーザビームを発生する半導体レーザ素子を備えたレーザモジュールにおいて、上記各実施形態のように、半導体レーザ素子をＣＡＮパッケージ内に気密封止すると共に、光ファイバ入射端面を透明部材に押圧接触させて保護することによる汚染物質の付着抑制効果が高い。同様に、透明部材が交換可能であることの効果も高い。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】第１の実施形態のレーザモジュールの側面図
【図２】第１の実施形態にレーザモジュールのコネクタ非装着状態を示す側面図
【図３】光入射端面におけるパワー密度と寿命の関係を示すグラフ
【図４】第２の実施形態のレーザモジュールの側面図
【図５】第２の実施形態にレーザモジュールのコネクタ非装着状態を示す側面図
【図６】第３の実施形態のレーザモジュールの平面図
【符号の説明】
【００５９】
１，２，３    レーザモジュール
10    筐体
11    窓
12    第１の鏡筒
13    第２の鏡筒
15    集光レンズ
16    透明部材保持部
20    ＣＡＮパッケージ
30    透明部材
31    光ファイバの入射端面
33    光ファイバ
35    フェルール
36    レセプタクル
38    コネクタ
39    バネ
Ｂ、Ｂ１〜８    レーザビーム
ＬＤ、ＬＤ１〜８    半導体レーザ素子
【図１】
2006286866.tif 000003
【図２】
2006286866.tif 000004
【図３】
2006286866.tif 000005
【図４】
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【図５】
2006286866.tif 000007
【図６】
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