(57)【要約】【課題】レジスト樹脂を剥離する工程で搬送する際に配線パターンの酸化を効率よく抑制する。【解決手段】回路基板搬送装置１１は、銅配線を有する回路基板１のレジスト剥離処理を行うレジスト剥離工程で前記回路基板１を搬送するものであり、複数枚の前記回路基板１を収納して前記回路基板１のレジスト剥離処理を行うために搬送される基板キャリア部１３と、この基板キャリア部１３の上部に設けられて、前記複数枚の各回路基板１の表面上を不活性ガス３３の雰囲気で覆うべく前記複数枚の回路基板１に向けて不活性ガス３３を噴射する不活性ガス吹付け装置３７と、を備えている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅配線を有する回路基板のレジスト剥離処理を行う際に前記回路基板を搬送するためのレジスト剥離工程における回路基板搬送装置において、
複数枚の前記回路基板を収納して前記回路基板のレジスト剥離処理を行うために搬送される基板キャリア部と、
この基板キャリア部の上部に設けられて、前記複数枚の各回路基板の表面上を不活性ガスの雰囲気で覆うべく前記複数枚の回路基板に向けて不活性ガスを噴射する不活性ガス吹付け装置と、
を備えてなることを特徴とするレジスト剥離工程における回路基板搬送装置。
【請求項２】
前記基板キャリア部が、前記複数枚の回路基板を上下方向に向けて並列に収納するための複数のスリットを備えると共に、前記基板キャリア部を前記複数枚の回路基板の並列方向に対して一方側を持ち上げて前記複数枚の回路基板を傾斜せしめるキャリア傾斜装置を備えていることを特徴とする請求項１記載のレジスト剥離工程における回路基板搬送装置。
【請求項３】
銅配線を有する回路基板のレジスト剥離処理を行うレジスト剥離工程において複数枚の前記回路基板を回路基板搬送装置で搬送する際に、回路基板搬送装置に備えた不活性ガス吹付け装置から噴射する不活性ガスの雰囲気で前記複数枚の各回路基板の表面上を覆うことにより、銅配線の酸化を抑制せしめたことを特徴とする回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、レジスト剥離工程における回路基板搬送装置、及び前記回路基板搬送装置を用いて製造した回路基板に関し、特に銅配線を有するシリコンウェハや種々のフィルム基板などの回路基板上に微細なプリント配線を形成する際に、レジスト樹脂を剥離する工程で、すなわち、特にアディティブ法に基づいた配線形成技術における配線パターンを構成しているレジストが、その役目を終了した後に剥離されるレジスト剥離工程で利用されるもので、配線パターンの信頼性を向上せしめたレジスト剥離工程における回路基板搬送装置、及び前記回路基板搬送装置を用いて製造した回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、銅配線を有するシリコンウェハや種々のフィルム基板などの回路基板１０１上に微細なプリント配線を形成する際には、必要とする配線パターンが前記回路基板１０１上にめっき技術などで形成された後に、図４に示されているように前記回路基板１０１を剥離液槽１０３内の例えばアルカリのテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）の剥離液ＥＬにディッピングして前記回路基板１０１上のレジスト樹脂が剥離液ＥＬ中に溶解することにより、回路基板１０１上に構成されたレジストパターンを除去している。なお、上記のレジストパターンの除去に使用する溶解液は「剥離液」と称し、レジストパターンの除去で使用される装置はレジスト剥離装置１０５と称する。
【０００３】
従来、レジスト剥離装置１０５は、回路基板１０１を剥離液ＥＬにディッビングする剥離液槽１０３と、この剥離液槽１０３でレジスト樹脂が剥離された回路基板１０１を純水などの洗浄液ＷＬで洗浄する洗浄槽１０７と、この洗浄槽１０７で洗浄された回路基板１０１を乾燥する乾燥装置１０９と、前記剥離液槽１０３と洗浄槽１０７と乾燥装置１０９との間で前記回路基板１０１を搬送する回路基板搬送装置１１１と、から構成されている。
【０００４】
また、上記の回路基板搬送装置１１１としては、複数枚のシリコンウェハ１０１をセットするウェハキャリア１１３と、このウェハキャリア１１３を保持して剥離液槽１０３にディッビングしたり、その後に洗浄槽１０７へ搬送したりするキャリア搬送アーム１１５と、で構成されている。
【０００５】
上記のウェハキャリア１１３は、開口部１１７を上部に備えたほぼ立方体の箱形形状をなしており、図４において左右の側壁１１９の内面には互いに対向する位置に複数枚のシリコンウェハ１０１を差し込むための複数のスリットがそれぞれ上下方向に延びるように形成されている。一般的に、ウェハキャリア１１３は例えば２５個のスリットが６ｍｍピッチで設けられており、２５枚のウェハキャリア１１３を収容できるように構成されている。さらに、左右の側壁１１９の上部には外側フランジ部１２１が外側に張り出すように備えられている。
【０００６】
また、ウェハキャリア１１３の下部には複数枚のシリコンウェハ１０１を受けるための底部１２３が設けられている。
【０００７】
したがって、ウェハキャリア１１３には２５枚のシリコンウェハ１０１がそれぞれ上部の開口部１１７から対向する各スリット内に挿入されてセットされる。キャリア搬送アーム１１５がウェハキャリア１１３の外側フランジ部１２１を持ち上げて搬送するように構成されている。
【０００８】
また、特許文献１では、フォトレジストの膜の上から塩素ガスを用いたリアクティブ・イオン・エッチング（ＲＩＥ）を施し、Ｘ線吸収体であるタンタル膜をエッチングすることにより、シリコン膜上に形成されたタンタル膜に所望のパターンが形成される。このタンタル膜上には使用済みレジストが残留しているので、この基板を圧力容器の網状保持体の上に載置し、圧力容器内で前記使用済みレジストの除去及び基板の洗浄が行われるレジスト剥離装置が記載されている。
【０００９】
また、特許文献２では、基板表面に存在するフォトレジストに、溶媒分子を含有するオゾン化ガスである溶媒分子含有湿潤オゾンを接触させる分解工程と、上記フォトレジストを溶解させるフォトレジスト除去液を用いて基板表面を洗浄する洗浄工程とを含むフォトレジスト除去方法が記載されている。
【特許文献１】特開平１−２２０８２８号公報
【特許文献２】特開２００１−２９０２８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、通常、前述した回路基板１０１上に配線される導体は、銅又は銅合金を用いることが多いものである。しかし、銅又は銅合金は、金などと比較するとコストが低いが、酸やアルカリで酸化しやすいという欠点がある。
【００１１】
したがって、図４に示されているように剥離液槽１０３から洗浄槽１０７へ搬送されるプロセスで、回路基板１０１の銅配線上に剥離液ＥＬが残存すると、その剥離液ＥＬが浸透して残存している部分の銅又は銅合金が急速に酸化（Ｃｕ→ＣｕＯ）されることになる。特に、剥離液槽１０３から洗浄槽１０７へ搬送されるプロセス時間が長くなると、配線パターンの酸化が著しく激しくなるという問題点があった。
【００１２】
このようなパターニングされた銅配線の表面の酸化を防止するために、レジストの剥離工程、すなわち、少なくとも、剥離液槽１０３から洗浄槽１０７へ搬送されるプロセス全体を例えば図４の二点鎖線で示されているように搬送エリア１２５で覆い、この搬送エリア１２５内に充満させた不活性ガス１２７で保護する必要があった。この場合は、例えば代表的な不活性ガス１２７である窒素ガスで保護する容積は大きく、また、窒素ガスで雰囲気を置換するために窒素ガスを吹き出す時間が長いという問題点があった。
【００１３】
なお、前述した特許文献１及び特許文献２では、回路基板のレジストを剥離し、その後に前記回路基板を洗浄することは記載しているものの、レジスト除去された回路基板が搬送プロセスにおいて空気にさらされて酸化されることを抑制することについては記載されておらず、この点については考慮されていない。
【００１４】
この発明は上述の課題を解決するためになされたものである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
この発明の回路基板搬送装置は、銅配線を有する回路基板のレジスト剥離処理を行う際に前記回路基板を搬送するためのレジスト剥離工程における回路基板搬送装置において、
複数枚の前記回路基板を収納して前記回路基板のレジスト剥離処理を行うために搬送される基板キャリア部と、
この基板キャリア部の上部に設けられて、前記複数枚の各回路基板の表面上を不活性ガスの雰囲気で覆うべく前記複数枚の回路基板に向けて不活性ガスを噴射する不活性ガス吹付け装置と、
を備えてなることを特徴とするものである。
【００１６】
また、この発明の回路基板搬送装置は、前記回路基板搬送装置において、前記基板キャリア部が、前記複数枚の回路基板を上下方向に向けて並列に収納するための複数のスリットを備えると共に、前記基板キャリア部を前記複数枚の回路基板の並列方向に対して一方側を持ち上げて前記複数枚の回路基板を傾斜せしめるキャリア傾斜装置を備えていることが好ましい。
【００１７】
この発明の回路基板は、銅配線を有する回路基板のレジスト剥離処理を行うレジスト剥離工程において複数枚の前記回路基板を回路基板搬送装置で搬送する際に、回路基板搬送装置に備えた不活性ガス吹付け装置から噴射する不活性ガスの雰囲気で前記複数枚の各回路基板の表面上を覆うことにより、銅配線の酸化を抑制せしめたことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１８】
以上のごとき課題を解決するための手段から理解されるように、この発明の回路基板搬送装置によれば、基板キャリア部内に収納された複数枚の各回路基板の表面上は不活性ガス吹付け装置により不活性ガスの雰囲気で覆われるので、この回路基板搬送装置を用いて剥離液槽から洗浄槽へ搬送することにより、レジスト樹脂剥離工程の全体を不活性ガスの雰囲気にせずに局部的に行えばよいので、少量の不活性ガスで効率よく回路基板の銅配線の酸化を抑制することができ、しかも、剥離液の除去を促進するので処理工程時間も短縮できる。
【００１９】
また、この発明の回路基板によれば、回路基板搬送装置を用いて剥離液槽から洗浄槽へ搬送する際に、回路基板搬送装置に収納された複数枚の各回路基板の表面上は不活性ガス吹付け装置により不活性ガスの雰囲気で覆われるので、銅配線の酸化が少量の不活性ガスで効率よく抑制されたものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、この発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００２１】
図１及び図２を参照するに、この実施の形態に係る回路基板１としては、銅配線を有するシリコンウェハや種々のフィルム基板などがあり、例えばシリコンウェハ１の大きさは直径６インチ（１５２．４ｍｍ）と、８インチ（２０３．２ｍｍ）との２種類があり、シリコンウェハ１の厚さは３００〜５００μｍと、６００〜８００μｍとがある。
【００２２】
上記のシリコンウェハ１上に微細なプリント配線を形成する際には、必要とする配線パターンが前記シリコンウェハ１上にめっき技術などで形成された後に、図２に示されているように前記シリコンウェハ１を剥離液槽３内の例えばアルカリのテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）の剥離液ＥＬにディッピングして前記シリコンウェハ１上のレジスト樹脂が剥離液ＥＬ中に溶解することにより、シリコンウェハ１上に構成されたレジストパターン（フォトレジスト）を除去している。なお、上記のレジストパターンの除去に使用する溶解液は「剥離液」と称し、レジストパターンの除去で使用される装置はレジスト剥離装置５と称する。
【００２３】
また、この実施の形態に係るレジスト剥離装置５としては、図２に示されているように、回路基板としての例えばシリコンウェハ１を剥離液ＥＬにディッビングする剥離液槽３と、この剥離液槽３でレジスト樹脂が剥離されたシリコンウェハ１を例えば純水などの洗浄液ＷＬで洗浄する洗浄槽７と、この洗浄槽７で洗浄されたシリコンウェハ１を乾燥する乾燥装置９と、前記剥離液槽３と洗浄槽７と乾燥装置９との間で前記シリコンウェハ１を搬送する回路基板搬送装置１１と、で構成されている。
【００２４】
また、上記の回路基板搬送装置１１としては、複数枚のシリコンウェハ１をセットする基板キャリア部としての例えばウェハキャリア１３と、このウェハキャリア１３を保持して剥離液槽３にディッビングしたり、その後に洗浄槽７へ搬送したりするキャリア搬送アーム１５と、で構成されている。
【００２５】
上記のウェハキャリア１３は、開口部１７を上部に備えたほぼ立方体の箱形形状をなしており、図１において左右の両側壁１９の内面には互いに対向する位置に複数枚のシリコンウェハ１を差し込むための複数のスリット２１がそれぞれ上下方向に延びるように形成されている。一般的に、ウェハキャリア１３は２５個のスリット２１が６ｍｍピッチで設けられており、２５枚のウェハキャリア１３を収容できるように構成されている。さらに、左右の両側壁１９の上部には外側フランジ部２３が外側に張り出すように備えられている。
【００２６】
また、ウェハキャリア１３の下部には複数枚のシリコンウェハ１を受けるための底部２５が設けられており、この底部２５は左右方向のほぼ中央に位置しており、左右の両側は剥離液ＥＬや洗浄液ＷＬの液はけを良くするために開口されている。
【００２７】
したがって、ウェハキャリア１３には、この実施の形態では２５枚のシリコンウェハ１がそれぞれ上部の開口部１７から対向する各スリット２１内に挿入されてセットされる。
【００２８】
また、上記のキャリア搬送アーム１５は、図示していない部分で一体的に設けた左右の本体アーム部２７Ｌ，２７Ｒと、この左右の本体アーム部２７Ｌ，２７Ｒに設けられてウェハキャリア１３の外側フランジ部２３を保持するために左右前後に少なくとも合計４本のキャリア保持部２９を備えたキャリア保持アーム部３１ＬＦ，３１ＬＲ，３１ＲＦ，３１ＲＲと、このキャリア保持アーム部３１ＬＦ，３１ＬＲ，３１ＲＦ，３１ＲＲに備えられて前記ウェハキャリア１３に収納された複数枚の各シリコンウェハ１の表面上を図２に示されているように不活性ガスとしての例えば窒素ガス３３の雰囲気で覆うように前記複数枚のシリコンウェハ１に向けて窒素ガス３３を噴射する不活性ガス吹付け装置としての例えば複数のノズル３５を備えた不活性ガス吹付け管３７が設けられている。
【００２９】
なお、この実施の形態では左右前後に合計４本のキャリア保持アーム部３１ＬＦ，３１ＬＲ，３１ＲＦ，３１ＲＲが設けられており、前後方向に長い不活性ガス吹付け管３７が左前後のキャリア保持アーム部３１ＬＦ，３１ＬＲと、右前後のキャリア保持アーム部３１ＲＦ，３１ＲＲと、のそれぞれにほぼ水平方向に延伸して備えられている。
【００３０】
また、各左右の不活性ガス吹付け管３７には不活性ガスとしての窒素ガス３３を供給するための不活性ガス供給管３９が連通されており、不活性ガス供給管３９と不活性ガス吹付け管３７との連結部には、図示しない開閉バルブとしての電磁バルブが設けられている。
【００３１】
なお、不活性ガス吹付け管３７からは、窒素ガス３３が２００ＳＬＭ（Ｓはスタンダード、Ｌはリットル、Ｍは分という）、すなわち１分間で２００リットルの割合（Ｌ／ｍｉｎ）で噴射されるので、上記のキャリア搬送アーム１５が剥離液槽３にディッビングした後に洗浄槽７へ搬送するまでの搬送時間が、この実施の形態において約１０秒である場合は、この搬送時間内に噴出される窒素ガス３３の量は３３．３３リットル（＝２００ＳＬＭ×１０sec／６０sec）である。
【００３２】
また、上記の左右で前のキャリア保持アーム部３１ＬＦ，３１ＲＦには、当該キャリア保持アーム部３１ＬＦ，３１ＲＦをＡｍｍの長さだけ上下方向へ移動させてウェハキャリア１３を傾斜せしめるためのキャリア傾斜装置としての例えば昇降シリンダ４１が同期して設けられており、左右で後のキャリア保持アーム部３１ＬＲ，３１ＲＲがそれぞれ左右の本体アーム部２７Ｌ，２７Ｒにヒンジ部４３で連結されている。すなわち、各昇降シリンダ４１が同期して左右で前のキャリア保持アーム部３１ＬＦ，３１ＲＦを上方へＡｍｍ（＝５ｍｍ）だけ引き上げると、図３（Ａ）の状態から図３（Ｂ）に示されているようにウェハキャリア１３の前後方向の長さＬ（＝約１５０ｍｍ）に対して５ｍｍだけ傾斜することになる。ウェハキャリア１３がほぼ立方体の箱形形状であるので、ウェハキャリア１３の上部が垂直に対して５ｍｍだけ後方へ傾斜することになる。
【００３３】
すると、複数枚の各シリコンウェハ１の間隔が約６ｍｍであるために、剥離液ＥＬや洗浄液ＷＬがそれ自体の表面張力により各シリコンウェハ１間に留まってしまう可能性があるが、各シリコンウェハ１が図３（Ａ）の垂直状態から図３（Ｂ）の傾斜状態に移行するときに、シリコンウェハ１の傾斜が一方向に揃えられ、且つ各シリコンウェハ１間の液体が下方へ落下することになる。
【００３４】
なお、上述したようにウェハキャリア１３が剥離液ＥＬや洗浄液ＷＬへ浸漬されるときに、複数枚のシリコンウェハ１を垂直状態にしておき、剥離液ＥＬから引き上げたときにウェハキャリア１３を傾斜させてもよいが、その逆に、ウェハキャリア１３が剥離液ＥＬや洗浄液ＷＬへ浸漬されるときに、ウェハキャリア１３を傾斜させて複数枚のシリコンウェハ１を傾斜状態にしておき、剥離液ＥＬから引き上げたときにウェハキャリア１３を原位置に復帰させて複数枚のシリコンウェハ１を傾斜させても同様の効果が得られる。
【００３５】
以上のようにして、キャリア搬送アーム１５に保持されたウェハキャリア１３が剥離液ＥＬから引き上げられたときに、図示しない開閉バルブとしての電磁バルブが開いて、窒素ガス３３が不活性ガス吹付け管３７のノズル３５からウェハキャリア１３に収納された複数枚のシリコンウェハ１に向けて噴射されることにより、複数枚の各シリコンウェハ１の表面上が窒素ガス３３の雰囲気で覆われるので、ウェハキャリア１３の表面に剥離液ＥＬが付着していても酸化防止となる。しかも、窒素ガス３３が不活性ガス吹付け管３７のノズル３５から複数枚のシリコンウェハ１に向けて噴射されるときに、ウェハキャリア１３の表面に付着している剥離液ＥＬが吹き飛ばされて除去される効果もある。
【００３６】
なお、この実施の形態では、各左右の不活性ガス吹付け管３７はキャリア搬送アーム１５に設けられているが、ウェハキャリア１３の上部に直接的に設けられても構わない。
【００３７】
さらに、この実施の形態では、ウェハキャリア１３がキャリア搬送アーム１５に保持されて搬送されるように構成されているが、ウェハキャリア１３とキャリア搬送アーム１５が一体的に構成されても構わない。
【００３８】
上記構成により、複数枚のシリコンウェハ１がキャリア搬送アーム１５のウェハキャリア１３で剥離液槽３から洗浄槽７へ搬送される際に、窒素ガス３３がシリコンウェハ１の表面に局部的に吹き付けられることにより、前述したようにパターニングされた銅配線の表面が窒素ガス３３で確実に保護されて酸化を防止できると共に、噴射される窒素ガス３３の量は、この実施の形態では前述したように１０ｓｅｃであり、この１０ｓｅｃ間に噴出される窒素ガス３３の量は３３．３３リットルであるので、従来方法と比較してはるかに少なくて済むので経済的であり、処理時間も短くできる。
【００３９】
また、ウェハキャリア１３を搬送中に、ウェハキャリア１３に傾斜を与えることにより、シリコンウェハ１の傾斜を一方向に揃えることができる。このことにより、各シリコンウェハ１の間の液体をより一層効果的に下方へ落とすことができ、また、シリコンウェハ１上の配線パターンとウェハキャリア１３との接触部を少なくすることができる。
【００４０】
レジスト剥離処理がこの実施の形態のレジスト剥離装置５で行われたときと、通常の大気中でレジスト剥離を行われたときと、従来の方法で行われたときにおける各ウェハキャリア１３の表面の銅のエッチングレートを比較したところ、下記のような結果が得られた。なお、銅のエッチングレートの測定条件はいずれの場合も同じであり、測定点を１３箇所とした。
【００４１】
（１）通常の大気中でレジスト剥離処理を行った場合、
銅のエッチングレートは１３点の測定点の平均で２０００Å／ｍｉｎであった。なお、このときの最小値は１１５０Å／ｍｉｎであり、最大値は２４５０Å／ｍｉｎであった。
【００４２】
（２）従来の方法として、図４の二点鎖線で示されているように剥離液槽３から洗浄槽７へ搬送されるプロセス全体を窒素ガス３３でパージした雰囲気中で行った場合、
酸素濃度を１０％以下にするために、窒素ガス３３の流量を２００ＳＬＭとしたとき、窒素ガス３３の噴射時間が１５分以上を必要とした。
【００４３】
また、エッチングレートは、平均値が２１００Å／ｍｉｎであり、最小値が１９００Å／ｍｉｎで、最大値が２４５０Å／ｍｉｎであった。
【００４４】
（３）この実施の形態のキャリア搬送アーム１５及びウェハキャリア１３を用いて、図１に示されているように剥離液槽３から洗浄槽７へ搬送されるプロセス中に、窒素ガス３３の流量を４０ＳＬＭとしてシリコンウェハ１の近傍に吹き付ける機構を加えた場合、
エッチングレートは、平均値が２１５０Å／ｍｉｎであり、最小値が１６００Å／ｍｉｎで、最大値が２４００Å／ｍｉｎであった。
【００４５】
（４）この実施の形態のキャリア搬送アーム１５及びウェハキャリア１３を用いて、図１に示されているように剥離液槽３から洗浄槽７へ搬送されるプロセス中に、窒素ガス３３の流量を８０ＳＬＭとしてシリコンウェハ１の近傍に吹き付ける機構を加えた場合、
エッチングレートは、平均値が２１８０Å／ｍｉｎであり、最小値が１９５０Å／ｍｉｎで、最大値が２３００Å／ｍｉｎであった。
【００４６】
以上のことから、基本的にエッチングレートが１００Å／ｍｉｎ程度以上異なれば、効果があると言えるので、上記項目の本実施例の（３）、（４）は、大気中でレジスト処理を行った（１）と比較して平均値が１５０〜１８０Å／ｍｉｎの差があることから、本実施例の効果があることが分かる。
【００４７】
この実施の形態のキャリア搬送アーム１５及びウェハキャリア１３を用いて剥離液槽３から洗浄槽７へ搬送することにより、レジスト樹脂剥離工程の全体、あるいは剥離液槽３から洗浄槽７へ搬送されるプロセス全体を窒素ガス３３の雰囲気にせずに局部的に行えばよいので、上記項目（２）と比較して、少量の窒素ガス３３で効率よくシリコンウェハ１の酸化を抑制することができ、しかも、剥離液ＥＬの除去を促進するので処理工程時間も短縮できる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】この発明の実施の形態の回路基板搬送装置の斜視図である。
【図２】この発明の実施の形態に係るレジスト剥離装置の概略的な説明図である。
【図３】（Ａ）は回路基板がほぼ垂直状態にあるウェハキャリアの縦断面図で、（Ｂ）は回路基板が傾斜状態にあるウェハキャリアの縦断面図である。
【図４】従来のレジスト剥離装置の概略的な説明図である。
【符号の説明】
【００４９】
１  シリコンウェハ（回路基板）
３  剥離液槽
５  レジスト剥離装置
７  洗浄槽
９  乾燥装置
１１  回路基板搬送装置
１３  ウェハキャリア（基板キャリア部）
１５  キャリア搬送アーム
１７  開口部
１９  側壁
２１  スリット
２３  外側フランジ部
２５  底部
２７Ｌ，２７Ｒ  本体アーム部
２９  キャリア保持部
３１ＬＦ，３１ＬＲ，３１ＲＦ，３１ＲＲ  キャリア保持アーム部
３３  窒素ガス（不活性ガス）
３５  ノズル
３７  不活性ガス吹付け管（不活性ガス吹付け装置）
３９  不活性ガス供給管
４１  昇降シリンダ（キャリア傾斜装置）
４３  ヒンジ部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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