(57)【要約】【課題】  一定の肉厚を有するＳｉＣ部材を製造することができると共に、異なる肉厚を有するＳｉＣ部材を同時に製造でき、更に原料効率の良い、ＳｉＣ部材の製造装置及び製造方法を提供する。【解決手段】  有底中空形状に炭素材で形成された内側ケース２と、前記内側ケース２を覆う外側ケース３と、前記外側ケース３の外周囲に配置され、前記内側ケース２及び外側ケース３を加熱する加熱手段４と、前記内側ケース２にＳｉＣ膜を析出させるための原料を供給する原料供給パイプ５とを少なくとも備えるＳｉＣ部材の製造装置であって、前記内側ケース２の側壁に所定の間隔をもって複数の開穴２ａが形成されると共に、原料供給パイプ５を内側ケース２の内側に配置し、前記内側ケース２の内底面にＳｉＣ膜を形成する。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
有底中空形状に形成された炭素製の内側ケースと、前記内側ケースを覆う外側ケースと、前記外側ケースの外周囲に配置され、前記内側ケース及び外側ケースを加熱する加熱手段と、前記内側ケースにＳｉＣ膜を析出させるための原料を供給する原料供給パイプとを少なくとも備えるＳｉＣ部材の製造装置であって、
前記内側ケースの側壁に所定の間隔をもって複数の開穴が形成されると共に、原料供給パイプを内側ケースの内側に配置し、前記内側ケースの内底面にＳｉＣ膜を形成することを特徴とするＳｉＣ部材の製造装置。
【請求項２】
更に、中空状であって、側壁に所定の間隔をもって複数の開穴が形成された炭素製の中空部形状用治具を備え、
前記中空部形状用治具を内側ケースの内側に配置すると共に、原料供給パイプを中空部形状用治具の内側に配置し、前記内側ケースの内底面にＳｉＣ膜を形成することを特徴とする請求項１に記載されたＳｉＣ部材の製造装置。
【請求項３】
有底中空形状に形成された炭素製の内側ケースと、前記内側ケースを覆う外側ケースと、前記外側ケースの外周囲に配置され、前記内側ケース及び外側ケースを加熱する加熱手段と、前記内側ケースにＳｉＣ膜を析出させるための原料を供給する原料供給パイプとを少なくとも備えるＳｉＣ部材の製造装置を用いた製造方法であって、
前記外側ケースの内部に内側ケースを配置し、外側ケース及び内側ケースの内部を加熱すると共に、前記内側ケース内に原料ガスを供給し、内側ケースの内底面にＳｉＣ膜を形成する工程と、
前記ＳｉＣ膜の形成工程後、内側ケースを外側ケースから取り出し、内側ケースを焼く抜き、ＳｉＣ膜を残存させＳｉＣ部材とするＳｉＣ膜残存工程とを含むことを特徴とするＳｉＣ部材の製造方法。
【請求項４】
前記ＳｉＣ膜を形成する工程とＳｉＣ膜を残存させる工程との間に、除去可能な膜を形成する層間膜形成工程を有し、
前記ＳｉＣ膜を形成する工程と除去可能な膜を形成する層間膜形成工程を繰り返し行い、ＳｉＣ膜と層間膜とを、順次繰り返して積層することを特徴とする請求項３記載のＳｉＣ部材の製造方法。
【請求項５】
前記原料ガスがケイ素質ガス及び炭化水素ガスであって、ケイ素質ガスの供給を停止し、炭化水素ガスを供給することによってＣ膜からなる層間膜を形成し、
かつ前記層間膜は前記内側ケースと共に焼き抜くことにより除去されることを特徴とする請求項４記載のＳｉＣ部材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳｉＣ部材の製造装置及び製造方法に関し、より詳細にはＳｉＣ部材を効率的に生産することのできるＳｉＣ部材の製造装置及び製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体の製造分野において、ＳｉＣ部材は、特開平１０−１１６７５７号公報で提案されているようにダミーウエハ、また特開平４−３２１５１１号公報で提案されているようにサセプタ、更には、特開平６−１８８３０６号公報で提案されているように縦型ボートにおけるウエハ載置リング等、広く用いられている。
このようにＳｉＣ部材が半導体の製造分野で広く用いられているのは、ＳｉＣ部材が極めて高い耐熱強度、耐熱変形性及び熱伝導性を有するだけではなく、組織が緻密で表面粗さを小さくすることが可能で、半導体ウエハの損傷または摩耗を抑制し、パーティクルの発生を抑制するからである。
【０００３】
そして、例えば特公昭６２−４３３３３号公報において、ＳｉＣ部材の製造方法が提案されている。具体的に述べると、形成すべき処理用受台形状をなす黒鉛製基材にＣＶＤ法によりＳｉＣ膜を気相析出させ、更に該基材が存在する状態でＳｉＣ膜に所定のスリットを切り込んだ後、前記黒鉛製基材を焼き抜くことによって、ＳｉＣ製の処理用受台（ＳｉＣ部材）が製造されることが示されている。
即ち、図１１（ａ）に示すように、黒鉛製基材５０を成膜炉５１に収容し、続いて図１１（ｂ）に示すように前記基材５０の表面にＣＶＤ法によりＳｉＣ膜５２を気相析出させ、更に、図１１（ｃ）に示すように前記黒鉛製基材５０を焼き抜くことによって、図１１（ｄ）に示すようなＳｉＣ部材５２を製造することが提案されている。
【特許文献１】特開平１０−１１６７５７号公報
【特許文献２】特開平４−３２１５１１号公報
【特許文献３】特開平６−１８８３０６号公報
【特許文献４】特公昭６２−４３３３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、今日、半導体製造分野で用いられるＳｉＣ部材は、半導体ウエハの大型化に伴い、大型化の傾向にある。そのため黒鉛製基材にＳｉＣ膜を形成する製造装置（成膜炉）も大型化の傾向にある。
このように製造装置（成膜炉）が大型化すると、それに伴い炉内空間が大きくなり、炉内の熱環境等を均一になすことは困難になってきており、しかも炉内の熱環境等が均一でない場合には、ＳｉＣ膜を均一に成膜することができなかった。
そのため、一定の肉厚を有する大きな形状のＳｉＣ部材を得ることが難しいという課題があった。
【０００５】
また、前記ＳｉＣ膜は黒鉛製基材以外の炉壁等にも析出する。したがって、製造装置（成膜炉）が大型化すると炉壁等にも析出するＳｉＣも多くなり、原料効率が悪いという課題があった。
【０００６】
更に、複数の黒鉛製基材を一つの製造装置（成膜炉）内に収容し、ＳｉＣ膜を形成する場合、黒鉛製基材毎に成膜されるＳｉＣ膜の膜厚を変えることは不可能であった。
即ち、一つの製造装置（成膜炉）内に収容される黒鉛製基材毎に、異なる膜厚を有するＳｉＣ膜を形成することができないため、異なる肉厚を有するＳｉＣ部材を一度に製造することができないという課題があった。
【０００７】
本発明は上記技術的課題を解決するためになされたものであり、一定の肉厚を有するＳｉＣ部材を製造することができると共に、異なる肉厚を有するＳｉＣ部材を同時に製造でき、更に原料効率の良い、ＳｉＣ部材の製造装置及び製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記技術的課題を解決するためになされた本発明にかかるＳｉＣ部材の製造装置は、有底中空形状に形成された炭素製の内側ケースと、前記内側ケースを覆う外側ケースと、前記外側ケースの外周囲に配置され、前記内側ケース及び外側ケースを加熱する加熱手段と、前記内側ケースにＳｉＣ膜を析出させるための原料を供給する原料供給パイプとを少なくとも備えるＳｉＣ部材の製造装置であって、前記内側ケースの側壁に所定の間隔をもって複数の開穴が形成されると共に、原料供給パイプを内側ケースの内側に配置し、前記内側ケースの内底面にＳｉＣ膜を形成することを特徴としている。
【０００９】
このように、外側ケースの内側に内側ケースを配置し、この内側ケースの内底面にＳｉＣ膜を析出、形成させる。この内側ケース内は炉全体の空間から比べれば比較的狭い空間であり、熱環境を均一に維持し易い。その結果、ＳｉＣ膜を均一に成膜することができ、比較的大きなＳｉＣ部材であっても一定の肉厚のＳｉＣ部材を得ることができる。また、内側ケースの内壁にはＳｉＣ膜が析出するが、従来の製造装置（成膜炉）の内部空間と比べると内側ケースの内部空間は狭く、そのため析出するＳｉＣは少なく、原料効率を向上させることができる。
なお、前記原料供給パイプは駆動式で上下動できるように構成するのが好ましく、原料供給パイプを底面に極力近づけて気相成長させることで、効率的に底面にＳｉＣ部材をえることができる。
尚、有底中空形状の内側ケース２は断面矩形状中空状でも良く、また断面が他の形状のものであっても良い。
【００１０】
ここで、更に、中空状であって、側壁に所定の間隔をもって複数の開穴が形成された炭素製の中空部形状用治具を備え、前記中空部形状用治具を内側ケースの内側に配置すると共に、原料供給パイプを中空部形状用治具の内側に配置し、前記内側ケースの内底面にＳｉＣ膜を形成することが望ましい。このように中空部形状用治具を備えている場合には、中空状のＳｉＣ部材を得ることができる。
【００１１】
上記技術的課題を解決するためになされた本発明にかかるＳｉＣ部材の製造方法は、有底中空形状に形成された炭素製の内側ケースと、前記内側ケースを覆う外側ケースと、前記外側ケースの外周囲に配置され、前記内側ケース及び外側ケースを加熱する加熱手段と、前記内側ケースにＳｉＣ膜を析出させるための原料を供給する原料供給パイプとを少なくとも備えるＳｉＣ部材の製造装置を用いた製造方法であって、前記外側ケースの内部に内側ケースを配置し、外側ケース及び内側ケースの内部を加熱すると共に、前記内側ケース内に原料ガスを供給し、内側ケースの内底面にＳｉＣ膜を形成する工程と、前記ＳｉＣ膜の形成工程後、内側ケースを外側ケースから取り出し、内側ケースを焼く抜き、ＳｉＣ膜を残存させＳｉＣ部材とするＳｉＣ膜残存工程とを含むことを特徴としている。
【００１２】
このように、外側ケースの内側に内側ケースを配置し、この内側ケースの内底面にＳｉＣ膜を析出、形成させる。この内側ケース内は炉全体の空間から比べれば比較的狭い空間であり、熱環境を均一に維持し易い。その結果、ＳｉＣ膜を均一に成膜することができ、比較的大きなＳｉＣ部材であっても一定の肉厚のＳｉＣ部材を得ることができる。また、内側ケースの内壁にはＳｉＣ膜が析出するが、従来の製造装置（成膜炉）の内部空間と比べると内側ケースの内部空間は狭く、そのため析出するＳｉＣは少なく、原料効率を向上させることができる。
【００１３】
ここで、前記ＳｉＣ膜を形成する工程とＳｉＣ膜を残存させる工程との間に、除去可能な膜を形成する層間膜形成工程を有し、前記ＳｉＣ膜を形成する工程と除去可能な膜を形成する層間膜形成工程を繰り返し行い、ＳｉＣ膜と層間膜とを、順次繰り返して積層することが望ましい。
【００１４】
このように、ＳｉＣ膜と層間膜とを積層し、後の工程で層間膜を除去することにより、複数のＳｉＣ部材を一度に製造することができる。しかも原料ガスの供給時間等を変化させることにより、異なる膜厚を有するＳｉＣ膜を容易に積層することができ、異なる肉厚を有するＳｉＣ部材を一度に製造することができる。
【００１５】
また、前記原料ガスがケイ素質ガス及び炭化水素ガスであって、ケイ素質ガスの供給を停止し、炭化水素ガスを供給することによってＣ膜からなる層間膜を形成し、かつ前記層間膜は前記内側ケースと共に焼き抜くことにより除去されることが望ましい。
このＣ膜からなる層間膜の場合、該層間膜を形成するための新たなガスを導入する必要もなく、しかも内側ケースの焼き抜きと同時に層間膜の除去も行なうことができ、生産効率上好ましい。なお、ケイ素質ガスとしては、ハロゲン化ケイ素：ＳｉＸ4、ＳｉnＸ2n+2（Ｘ＝ハロゲン）、シラン：ＳｉnＨ2n+2等を用いることができる。
【発明の効果】
【００１６】
以上のように本発明によれば、一定の肉厚を有するＳｉＣ部材を製造することができると共に、異なる肉厚を有するＳｉＣ部材を同時に製造でき、更に原料効率の良い、ＳｉＣ部材の製造装置及び製造方法を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に、本発明にかかるＳｉＣ部材の製造装置及び製造方法について、図１乃至図６に基づいて説明する。尚、図１はＳｉＣ部材の製造装置に用いられる炭素製内側ケースを示した斜視図、図２は、図１に示した炭素製内側ケースの底面に積層されたＳｉＣ膜とＣ膜を示す概念図、図３は図２に示したＣ膜を焼き抜いたＳｉＣ部材を示す概念図、図４はＳｉＣ部材の製造装置を示す概略構成図、図５及び図６は、ＳｉＣ部材の製造方法を示す概略図である。
【００１８】
先ず、図４に基づいて本発明にかかるＳｉＣ部材の製造装置の一実施形態を説明する。図に示すように、この製造装置１は、気相成長法（ＣＶＤ法）によって膜を形成するいわゆる成膜装置であって、ＳｉＣ膜が底面に析出される炭素製の内側ケース２と、前記内側ケース２を覆う外側ケース３と、前記外側ケース３の外周囲に配置され、前記内側ケース２及び外側ケース３を加熱する加熱手段４と、前記内側ケースにＳｉＣ膜を析出させるための原料を供給する原料供給パイプ５とを備えている。
【００１９】
更に、前記製造装置１を構成する各部材について詳述する。
前記内側ケース２は、図１に示すように有底円錐台形状あるいは有底円筒形状のいわゆる有底筒状に炭素材によって形成され、内側の底面部（内底面）２ｂから所定の距離Ｈより上方の側壁２ｃに、所定の間隔をもって複数の開穴２ａが形成されている。尚、この距離Ｈが設けられているのは、底面部２ｂからこの距離Ｈの間にＳｉＣ膜とＣ膜が積層されるためである。
【００２０】
この開穴２ａは、内側ケース２の内側に原料供給パイプ５から供給された原料ガスを、内側ケース２と外側ケース３の間に形成される空間に排出するためのものである。また、この内側ケース２の天井部２ｄは密閉され、前記原料供給パイプ５が挿通する部分に開穴２ｅが設けられ、前記原料供給パイプ５が内側ケース２の底面近傍に配設することができるように構成されている。なお、原料効率上はあまり好ましくないが、前記天井部２ｄを開口されていても良い。
尚、内側ケース２は筒状であっても良く、また断面矩形中空状、あるいは断面が他の形状の中空状体であっても良い。
【００２１】
また、この内側ケース２を構成する炭素材は、ＳｉＣ膜の熱膨張率に近似したものを用いるのが好ましい。熱膨張率がＳｉＣの熱膨張率と大きく異なる炭素材を用いると、反りの発生原因となり、好ましくない。炭素材として好ましいものの一例を挙げれば、等方性黒鉛等を挙げることができる。
【００２２】
また、前記外側ケース３は、炭素材によって形成された円筒形状あるいは円錐台形状の密閉された筒状の容器であり、その天井部３ａには、前記原料供給パイプ５が挿通する開穴３ｂが設けられている。また外側ケース３の底面部３ｃには、供給された原料ガスを排気するための排気口３ｄが形成されている。
したがって、前記原料供給パイプ５から内側ケース２の底面部２ｂの近傍に供給された原料ガスは、内側底面部（内底面）２ｂにＳｉＣ膜を析出し、その後、内側ケース２の開穴２ａを介して内側ケース２と外側ケース３の間の空間に流入し、最終的に外側ケース３に設けられた排気口３ｄから、図示しない無害化装置に排出される。
尚、外側ケース３は内側ケース２とは異なり、後述するような焼き抜きは行なわれないため、その材質は、例えば、ＳＵＳであっても良い。
【００２３】
更に、前記原料ガス供給パイプ５は、二種類以上のガスを別個独立に供給できるように多系統のパイプが一体に形成されている。
原料ガスはケイ素質ガス及び炭化水素ガスであって、ケイ素質ガスとしては、ハロゲン化ケイ素：ＳｉＸ4、ＳｉnＸ2n+2（Ｘ＝ハロゲン）、シラン：ＳｉnＨ2n+2等を用いることができ、炭化水素ガスとしてメタン系ガスを用いることができる。具体的には、原料ガスとしては例えば、ＳｉＣｌ4ガス、Ｃ3Ｈ8ガスを用いることができ、この場合、キャリアガスとして例えばＨ2ガスが用いられる。
なお、前記原料供給パイプ５は駆動式で上下動できるように構成するのが好ましく、原料供給パイプ５を内側ケース２の底面に極力近づけて気相成長させることで、効率的に底面にＳｉＣ部材を得ることができる。
【００２４】
また、前記外側ケース３の外周囲に配置される加熱手段４は、高周波加熱装置であって、縦方向に分割された複数の高周波コイル４ａ〜４ｅからなる。即ち、この複数の高周波コイル４ａ〜４ｅの駆動を別個独立に制御することにより、いわゆるゾーン（領域）制御が可能となり、析出させたい領域のみが所定の温度になるよう加熱することができる。
なお、加熱手段としては、抵抗加熱装置を用いることもできる。この場合においても、いわゆるゾーン（領域）制御ができるものが好ましい。
【００２５】
次に、前記装置を用いたＳｉＣ部材の製造方法について説明する。
先ず、外側ケース３の内部に内側ケース２を配置し、図示しない真空ポンプにより、外側ケース３の内部を０〜７６０ｔｏｒｒに制御する。そして、前記外側ケース３内にＨ2ガスをキャリアガスとして、原料ガス供給パイプ５からＳｉＣｌ4を３リットル／分、Ｃ3Ｈ8を１リットル／分、供給する。
このとき、内側ケース２の内底面部２ｂ付近の温度が１０００℃〜１８００℃の範囲になるように、高周波コイル４ａ〜４ｅを制御する。
【００２６】
前記原料供給パイプ５は、ＳｉＣ膜を析出させる内側ケース２の内底面部２ｂの近傍に配置されるのが好ましく、また、前記内側ケース２の内底面部２ｂ付近の温度が所定の温度に制御されるのが好ましい。このように、原料供給パイプ５が配置され、かつ所定の前記温度制御がなされた場合には、内側ケース３の底面部近傍においてのみＳｉＣ膜が気相成長し、その他の部分にＳｉＣが析出するのを抑制することができる。
【００２７】
このようにして、この処理を６０分〜６００分を行い、図５に示すように内側ケース２の底面部上面に、目標とする厚さ１ｍｍのＳｉＣ膜６を形成する。このＳｉＣ膜６が形成された後、原料ガスのＳｉＣｌ4ガスの供給を停止する。
続いて、前記ＳｉＣ膜６の上にＣ膜を形成するため、炭素源となるＣ3Ｈ8ガス及びキャリァガスのＨ2ガスのみを供給する。そして、この処理を６０分〜６００分を行い、図６に示すように前記ＳｉＣ膜上に、目標とする厚さ０．１〜０．２ｍｍのＣ膜７を形成する。
【００２８】
更に、図２に示すように、前記したＳｉＣ膜６１を前記Ｃ膜７の上に形成するため、原料ガスとしてＳｉＣｌ4ガスと、Ｃ3Ｈ8ガス、キャリァガスのＨ2を供給する。このとき、前記ＳｉＣｌ4ガス及びＣ3Ｈ8ガスの供給時間、あるいは供給量を変えることにより、ＳｉＣ膜６１の厚さを前記ＳｉＣ膜６の厚さと異なるものにすることができる。
そして、再び、前記ＳｉＣ膜６１の上にＣ膜７１を形成するため、前記Ｃ膜７と同様な処理で、Ｃ膜７１を形成する。更に同様にして、Ｃ膜７１の上にＳｉＣ膜６２を形成する。
【００２９】
その後、外側ケース３から内側ケース２を取り出し、図示しない酸化炉に収容し、前記内側ケース２及びＣ膜７，７１を焼き抜き、図３に示すような別個独立の３枚のＳｉＣ部材６、６１、６２を取り出す。なお、この焼き抜きは、炭素材の燃焼温度以上の酸素雰囲気中で処理する方法によれば良い。
そして、別個独立の３枚のＳｉＣ部材６、６１、６２を所定の寸法に機械加工することによって、例えば、ダミーウエハのような平板状円形のＳｉＣ部材を得ることができる。
【００３０】
次に、リング状のＳｉＣ材を製造できる製造装置を図７に基づいて、他の実施形態として説明する。尚、図７はこの他の実施形態を示す製造装置の概略図である。
図７に示すように、この実施形態における製造装置１０は、基本的には第一の実施形態における（図１に示した）製造装置１と同一の構成を備えており、唯一、中空部形状用治具８が用いられている点において異なる。なお、図７において、図１に示した構成部材と同一部材は同一符号を付し、その詳細な説明は省略する。また図７において、加熱手段４は省略されている。
【００３１】
前記中空部形状用治具８は有底円筒状、あるいは有底円錐台筒状の有底筒状の形状を有し、炭素材によって形成されている。尚、この中空部形状用治具８は中空状であれば良く、必ずしも有底である必要はなく、また筒状である必要もなく、断面が矩形状あるいは断面が他の形状であっても良い。
また、その中空部形状用治具８の内底面８ｂから所定の距離ｈより上方の側壁８ｃに、所定の間隔をもって複数の開穴８ａが形成されている。
この開穴８ａは、中空部形状用治具８の内側に原料供給パイプ５から供給された原料ガスを、中空部形状用治具８と内側ケース２との間に形成される空間に導入するためのものである。また、この中空部形状用治具８の天井部８ｄは開口しており、前記原料供給パイプ５が中空部形状用治具８の内底面近傍に配設することができるように構成されている。なお、前記天井部８ｄは密閉し、前記原料供給パイプ５が挿通する部分に開穴を設けても良い。
【００３２】
また、中空部形状用治具８及び内側ケース２を構成する炭素材は、ＳｉＣ膜の熱膨張率に近似したものを用いるのが好ましい。熱膨張率がＳｉＣの熱膨張率と大きく異なる炭素材を用いると、反りの発生原因となり、好ましくない。炭素材として好ましいものの一例を挙げれば、等方性黒鉛等を挙げることができる。
【００３３】
次に、この装置１０を用いたＳｉＣ部材の製造方法について、図８乃至図１０に基づいて説明する。
先ず、外側ケース３の内部に内側ケース２を配置し、更に内側ケース２の内側に中空部形状用治具８を配置する。そして、図示しない真空ポンプにより、外側ケース２の内部を、前記第１の実施形態の場合と同様に減圧すると共に、原料ガス供給パイプ５から所定の原料ガスを中空部形状用治具８の内側に供給する。このとき、内側ケース２の底面部２ｂ付近の温度が１０００℃〜１８００℃の範囲になるように、高周波コイル４ａ〜４ｅを制御する。
【００３４】
前記原料ガスは、中空部形状用治具８の内側に供給された開穴８ａから導出され、内側ケース３と中空形状用治具８とによって形成される空間に供給される。前記空間の底面、即ち内側ケース３の内底面部２ｂにＳｉＣ膜が析出し、気相成長する。
なお、余剰の原料ガスは、内側ケース２に形成された開穴２ａから内側ケース２と外側ケース３の間の空間に流入し、最終的に外側ケース３に設けられた排気口３ｄから、図示しない無害化装置に排出される。
【００３５】
このようにして、前記第１の実施形態の場合と同様に、内側ケース２の底面部２ｂの上面に、ＳｉＣ膜６を形成すると共に、図９に示すようにＣ膜７、ＳｉＣ膜６１、Ｃ膜７１、ＳｉＣ膜６２を順次形成する。
その後、外側ケース３から内側ケース２を取り出し、図示しない酸化炉に収容し、前記内側ケース２、中空部形状用治具８、Ｃ膜７，７１を焼却し、図１０に示すような別個独立の３枚のＳｉＣ部材６、６１、６２を取り出す。そして、別個独立の３枚のＳｉＣ部材６、６１、６２を所定の寸法に機械加工することによって、例えば、ウエハ載置リングのようなリング形状の円形ＳｉＣ部材を得ることができる。
【００３６】
上記実施形態にあっては、ＳｉＣ膜とＳｉＣ膜の間の層間膜として、Ｃ膜を気相成長により形成する場合を示したが、本発明は特にこれに限定されるものではなく、例えば、ＳｉＯ2膜あるいはポリシリコン膜を形成しても良い。
【００３７】
前記ＳｉＯ2膜を形成する場合には、所定の膜厚のＳｉＣ膜形成後、ＳｉＣｌ4ガスのみ供給する（Ｃ3Ｈ8ガスの供給を停止する）とともに、新たにＯ2ガスを供給し、ＳｉＣ膜の上にＳｉＯ2膜を形成する。
このＳｉＯ2膜はフッ酸等の酸により除去できるため、前記したように外側ケース３から内側ケース２を取り出し、図示しない酸化炉に収容し、前記内側ケース２を焼却した後、ＳｉＯ2膜を酸により除去する。
そして、図３、図１０に示すうな別個独立の３枚のＳｉＣ部材６、６１、６２を取り出し、別個独立の３枚のＳｉＣ部材６、６１、６２を所定の寸法に機械加工することによって、平板状円形のＳｉＣ部材、リング状円形のＳｉＣ部材を得る。
【００３８】
また、ポリシリコン膜を形成する場合には、原料ガスの供給を停止し、例えばモノシランガスを供給し、熱分解させることにより、ポリシリコン膜をＳｉＣ膜上に形成する。
このポリシリコン膜はフッ酸と硝酸の混合溶液により除去できるため、前記したように外側ケース３から内側ケース２を取り出し、図示しない酸化炉に収容し、前記内側ケース２を焼却した後、ポリシリコン膜を酸により除去する。
そして、図３、図１０に示すうな別個独立の３枚のＳｉＣ部材６、６１、６２を取り出し、別個独立の３枚のＳｉＣ部材６、６１、６２を所定の寸法に機械加工することによって、平板状円形のＳｉＣ部材、リング状円形のＳｉＣ部材を得る。
【００３９】
尚、上記実施形態にあっては、別個独立の３枚のＳｉＣ部材を製造する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、積層するＳｉＣ膜の数を変えることにより、１枚以上の所望の枚数、製造することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
以上の説明から明らかなように、本発明にかかるＳｉＣ部材の製造装置及び製造方法は、半導体製造分野等において用いられるＳｉＣ部材及びその製造方法として好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】図１は本発明にかかるＳｉＣ部材の製造装置に用いられる炭素製内側ケースを示した斜視図である。
【図２】図２は、図１に示した炭素製内側ケースの内底面に積層されたＳｉＣ膜とＣ膜を示す概念図である。
【図３】図３は図２に示したＣ膜を焼き抜いたＳｉＣ部材を示す概念図である。
【図４】図４は本発明にかかるＳｉＣ部材の製造装置の一実施形態を示す概略構成図である。
【図５】図５は、本発明にかかるＳｉＣ部材の製造方法の一実施形態を示す概略図である。
【図６】図６は、図５に続く工程の状態を示す概略図である。
【図７】図７は、本発明にかかる他の実施形態を示す製造装置の概略図である。
【図８】図８は、本発明にかかる他の実施形態を示す製造方法を説明するための図である。
【図９】図９は、図７に示した炭素製内側ケースの内底面に積層されたＳｉＣ膜とＣ膜を示す概念図である。
【図１０】図１０は、図９に示したＣ膜を焼き抜いたＳｉＣ部材を示す概念図である。
【図１１】図１１は、従来のＳｉＣ部材の製造方法を示す概念図である。
【符号の説明】
【００４２】
１      製造装置
２      内側ケース
２ａ    開穴
２ｂ    底面部
３      外側ケース
３ａ    天井部
３ｃ    底面部
３ｄ    排気口
４      加熱手段（高周波コイル）
５      原料供給パイプ
６，６１，６２    ＳｉＣ（炭化珪素）膜
７、７１          Ｃ（炭素）膜
８      中空部形状用治具
８ａ    開穴
８ｂ    底面部
８ｃ    側壁
８ｄ    天井部
１０    製造装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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