(57)【要約】【課題】非晶質シリコン薄膜トランジスタ及び有機発光素子の敷居電圧の劣化を補償することができ、電力損失を最小化することができる表示装置及びその駆動方法を提供する。【解決手段】発光素子と、キャパシタと、制御端子、入力端子、及び出力端子を有し、発光素子が発光するように発光素子に駆動電流を供給する駆動トランジスタと、走査信号に応じて駆動トランジスタをダイオード接続させ、データ電圧をキャパシタに供給する第１スイッチング部と、発光信号に応じて駆動電圧を駆動トランジスタに供給し、キャパシタを駆動トランジスタに接続する第２スイッチング部とを各々含む複数の画素を有し、キャパシタは、第１スイッチング部を介して駆動トランジスタに接続されて、データ電圧と駆動トランジスタの敷居電圧に依存する制御電圧とを保存し、第２スイッチング部を介して駆動トランジスタに接続されて制御電圧を駆動トランジスタに供給する。【選択図】図２
2006146219.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、
キャパシタと、
制御端子、入力端子、及び出力端子を有し、前記発光素子が発光するように発光素子に駆動電流を供給する駆動トランジスタと、
走査信号に応じて前記駆動トランジスタをダイオード接続させ、データ電圧を前記キャパシタに供給する第１スイッチング部と、
発光信号に応じて駆動電圧を前記駆動トランジスタに供給し、前記キャパシタを前記駆動トランジスタに接続する第２スイッチング部とを各々含む複数の画素を有し、
前記キャパシタは、前記第１スイッチング部を介して前記駆動トランジスタに接続されて、前記データ電圧と前記駆動トランジスタの敷居電圧に依存する制御電圧とを保存し、前記第２スイッチング部を介して前記駆動トランジスタに接続されて前記制御電圧を前記駆動トランジスタに供給することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記第１スイッチング部は、前記走査信号に応じて前記駆動トランジスタの制御端子と入力端子とを接続する第１スイッチングトランジスタと、
前記走査信号に応じて前記キャパシタを前記データ電圧に接続する第２スイッチングトランジスタとを有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１スイッチング部は、前記走査信号に応じて共通電圧を前記駆動トランジスタの出力端子に接続する第３スイッチングトランジスタをさらに有することを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第２スイッチング部は、前記発光信号に応じて前記駆動トランジスタの入力端子を前記駆動電圧に接続する第４スイッチングトランジスタと、
前記発光信号に応じて前記キャパシタと前記駆動トランジスタの出力端子とを接続する第５スイッチングトランジスタとを有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記制御電圧は、前記共通電圧と前記敷居電圧の合計から前記データ電圧を引いた電圧であることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項６】
前記データ電圧は０以下の値を有することを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１及び第２スイッチング部、及び前記駆動トランジスタは非晶質シリコン薄膜トランジスタを有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１及び第２スイッチング部、及び前記駆動トランジスタはｎＭＯＳ薄膜トランジスタを有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項９】
前記発光素子は有機発光層を有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項１０】
発光素子と、
第１電圧に接続されている第１端子、前記発光素子に接続されている第２端子、及び制御端子を有する駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタの第２端子と制御端子との間に接続されているキャパシタと、
走査信号に応答して動作し、前記駆動トランジスタの第１端子と制御端子との間に接続されている第１スイッチング素子と、
前記走査信号に応答して動作し、前記キャパシタとデータ電圧との間に接続されている第２スイッチング素子と、
前記走査信号に応答して動作し、前記駆動トランジスタの第２端子と第２電圧との間に接続されている第３スイッチング素子と、
発光信号に応答して動作し、前記第１電圧と前記駆動トランジスタの第１端子との間に接続されている第４スイッチング素子と、
前記発光信号に応答して動作し、前記キャパシタと前記駆動トランジスタの第２端子との間に接続されている第５スイッチング素子とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
前記表示装置の表示動作を区分する、順次に連続する第１乃至第４区間において、
前記第１区間の間で前記第１乃至第５スイッチング素子がターンオンされており、
前記第２区間の間で前記第１乃至第３スイッチング素子がターンオンされ、前記第４及び第５スイッチング素子がターンオフされており、
前記第３区間の間で前記第１乃至第５スイッチング素子がターンオフされており、
前記第４区間の間で前記第１乃至第３スイッチング素子がターンオフされ、前記第４及び第５スイッチング素子がターンオンされていることを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記データ電圧は０以下の値を有することを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１３】
制御端子と第１及び第２端子とを有する駆動トランジスタと、該駆動トランジスタの第２端子に接続されている発光素子と、前記駆動トランジスタの制御端子に接続されているキャパシタとを有する表示装置の駆動方法において、
前記駆動トランジスタの制御端子と第１端子とを接続する段階と、
前記駆動トランジスタの第２端子を共通電圧に接続する段階と、
前記キャパシタをデータ電圧に接続する段階と、
前記キャパシタを前記駆動トランジスタの制御端子と第２端子との間に接続する段階と、
前記駆動トランジスタの第１端子を駆動電圧に接続する段階とを有することを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項１４】
前記駆動トランジスタの制御端子に第１電圧を印加して前記キャパシタを充電する段階をさらに有することを特徴とする請求項１３に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項１５】
互いに接続された前記駆動トランジスタの制御端子と第１端子を孤立させる段階をさらに有することを特徴とする請求項１３に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項１６】
前記キャパシタと前記駆動トランジスタを外部信号源と隔離させる段階をさらに有することを特徴とする請求項１３に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項１７】
発光素子と、前記発光素子に接続されている駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタと前記発光素子とに接続されているキャパシタとを有する表示装置の駆動方法において、
前記キャパシタに第１電圧及びデータ電圧を印加して充電する段階と、
前記キャパシタに充電された電圧を前記駆動トランジスタを通して第２電圧側に放電する段階と、
前記キャパシタの放電後の電圧を前記駆動トランジスタに印加して前記駆動トランジスタをターンオンさせる段階と、
前記駆動トランジスタを通して前記発光素子に駆動電流を供給して発光させる段階とを有することを特徴とする表示装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置及びその駆動方法に関し、特に、非晶質シリコン薄膜トランジスタ及び有機発光素子の敷居電圧の劣化を補償することができ、電力損失を最小化することができる表示装置及びその駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、パーソナルコンピュータやテレビなどの軽量化及び薄形化に伴って表示装置も軽量化及び薄形化が要求されており、このような要求によって陰極線管（ＣＲＴ）が平板表示装置に代替されている。
このような平板表示装置には、液晶表示装置（ＬＣＤ）、電界放出表示装置（ＦＥＤ）、有機発光表示装置、プラズマ表示装置（ＰＤＰ）などがある。
【０００３】
一般的に、能動型平板表示装置では複数の画素が行列形態に配列され、与えられた輝度情報に応じて各画素の光強度を制御することによって画像を表示する。このうちの有機発光表示装置は、蛍光性有機物質を電気的に励起発光させて画像を表示する表示装置であって、自己発光型であって消費電力が小さく、視野角が広く、画素の応答速度が速いので、高画質の動画像を表示するのが容易である。
【０００４】
有機発光表示装置は、有機発光素子（ＯＬＥＤ）とこれを駆動する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を備える。この薄膜トランジスタは、活性層の種類によって多結晶シリコン薄膜トランジスタと非晶質シリコン薄膜トランジスタなどに区分される。多結晶シリコン薄膜トランジスタを採用した有機発光表示装置は多様な長所があって一般的に広く使用されているが、薄膜トランジスタの製造工程が複雑であるために製造費用も増加する。また、このような有機発光表示装置では大画面のものを製造することは難しい。
【０００５】
一方、非晶質シリコン薄膜トランジスタを採用した有機発光表示装置は、大画面のものを製造し易く、多結晶シリコン薄膜トランジスタを採用した有機発光表示装置より製造工程の数も相対的に少ない。しかし、非晶質シリコン薄膜トランジスタが有機発光素子に持続的に電流を供給することにより、非晶質シリコン薄膜トランジスタ自体の敷居電圧（Ｖｔｈ）が遷移して劣化する恐れがある。これは、同一なデータ電圧が印加されても不均一な電流が有機発光素子に流れるようになり、結局、これによって有機発光表示装置の画質劣化が発生するという問題があった。
【０００６】
有機発光素子も長時間電流を流すことによってその敷居電圧が遷移する。ｎ型薄膜トランジスタの場合、有機発光素子は薄膜トランジスタのソース側に位置するため、有機発光素子の敷居電圧が劣化すると薄膜トランジスタのソース方向電圧が変動する。そのため、薄膜トランジスタのゲートに同一なデータ電圧が印加されても、薄膜トランジスタのゲートとソースとの間の電圧が変動するので、不均一な電流が有機発光素子に流れるようになる。これも有機発光表示装置の画質劣化の一つの要因になる。
【０００７】
一方、駆動トランジスタ及び有機発光素子の敷居電圧の劣化を補償するために駆動電圧と有機発光素子との間の電流経路に多くの数の薄膜トランジスタを接続する場合、これらによって電力の損失が大きくなってしまうという問題があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そこで、本発明は上記従来の表示装置及びその駆動方法における問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、非晶質シリコン薄膜トランジスタを備えながらも非晶質シリコン薄膜トランジスタ及び有機発光素子の敷居電圧の劣化を補償することができ、電力損失を最小化することができる表示装置及びその駆動方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置は、発光素子と、キャパシタと、制御端子、入力端子、及び出力端子を有し、前記発光素子が発光するように発光素子に駆動電流を供給する駆動トランジスタと、走査信号に応じて前記駆動トランジスタをダイオード接続させ、データ電圧を前記キャパシタに供給する第１スイッチング部と、発光信号に応じて駆動電圧を前記駆動トランジスタに供給し、前記キャパシタを前記駆動トランジスタに接続する第２スイッチング部とを各々含む複数の画素を有し、前記キャパシタは、前記第１スイッチング部を介して前記駆動トランジスタに接続されて、前記データ電圧と前記駆動トランジスタの敷居電圧に依存する制御電圧とを保存し、前記第２スイッチング部を介して前記駆動トランジスタに接続されて前記制御電圧を前記駆動トランジスタに供給することを特徴とする。
【００１０】
前記第１スイッチング部は、前記走査信号に応じて前記駆動トランジスタの制御端子と入力端子とを接続する第１スイッチングトランジスタと、前記走査信号に応じて前記キャパシタを前記データ電圧に接続する第２スイッチングトランジスタとを有することを特徴とする。
前記第１スイッチング部は、前記走査信号に応じて共通電圧を前記駆動トランジスタの出力端子に接続する第３スイッチングトランジスタをさらに有することを特徴とする。
前記第２スイッチング部は、前記発光信号に応じて前記駆動トランジスタの入力端子を前記駆動電圧に接続する第４スイッチングトランジスタと、前記発光信号に応じて前記キャパシタと前記駆動トランジスタの出力端子とを接続する第５スイッチングトランジスタとを有することを特徴とする。
前記制御電圧は、前記共通電圧と前記敷居電圧の合計から前記データ電圧を引いた電圧であることを特徴とする。
前記データ電圧は０以下の値を有することを特徴とする。
前記第１乃至第５スイッチングトランジスタ、及び前記駆動トランジスタは非晶質シリコン薄膜トランジスタであることを特徴とする。
前記第１乃至第５スイッチングトランジスタ及び前記駆動トランジスタはｎＭＯＳ薄膜トランジスタであることを特徴とする。
前記発光素子は有機発光層を有することを特徴とする。
【００１１】
また、上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置は、発光素子と、第１電圧に接続されている第１端子、前記発光素子に接続されている第２端子、及び制御端子を有する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタの第２端子と制御端子との間に接続されているキャパシタと、走査信号に応答して動作し、前記駆動トランジスタの第１端子と制御端子との間に接続されている第１スイッチング素子と、前記走査信号に応答して動作し、前記キャパシタとデータ電圧との間に接続されている第２スイッチング素子と、前記走査信号に応答して動作し、前記駆動トランジスタの第２端子と第２電圧との間に接続されている第３スイッチング素子と、発光信号に応答して動作し、前記第１電圧と前記駆動トランジスタの第１端子との間に接続されている第４スイッチング素子と、前記発光信号に応答して動作し、前記キャパシタと前記駆動トランジスタの第２端子との間に接続されている第５スイッチング素子とを有することを特徴とする。
【００１２】
前記表示装置の表示動作を区分する、順次に接続される第１乃至第４区間において、前記第１区間の間で前記第１乃至第５スイッチング素子がターンオンされており、前記第２区間の間で前記第１乃至第３スイッチング素子がターンオンされ、前記第４及び第５スイッチング素子がターンオフされており、前記第３区間の間で前記第１乃至第５スイッチング素子がターンオフされており、前記第４区間の間で前記第１乃至第３スイッチング素子がターンオフされ、前記第４及び第５スイッチング素子がターンオンされていることを特徴とする。
前記データ電圧は０以下の値を有することを特徴とする。
【００１３】
上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置の駆動方法は、制御端子と第１及び第２端子とを有する駆動トランジスタと、該駆動トランジスタの第２端子に接続されている発光素子と、前記駆動トランジスタの制御端子に接続されているキャパシタとを有する表示装置の駆動方法において、前記駆動トランジスタの制御端子と第１端子とを接続する段階と、前記駆動トランジスタの第２端子を共通電圧に接続する段階と、前記キャパシタをデータ電圧に接続する段階と、前記キャパシタを前記駆動トランジスタの制御端子と第２端子との間に接続する段階と、前記駆動トランジスタの第１端子を駆動電圧に接続する段階とを有することを特徴とする。
【００１４】
前記駆動トランジスタの制御端子に第１電圧を印加して前記キャパシタを充電する段階をさらに有することを特徴とする。
互いに接続された前記駆動トランジスタの制御端子と第１端子を孤立させる段階をさらに有することを特徴とする。
前記キャパシタと前記駆動トランジスタを外部信号源と隔離させる段階をさらに有することを特徴とする。
【００１５】
また、上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置の駆動方法は、発光素子と、前記発光素子に接続されている駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタと前記発光素子とに接続されているキャパシタとを有する表示装置の駆動方法において、前記キャパシタに第１電圧及びデータ電圧を印加して充電する段階と、前記キャパシタに充電された電圧を前記駆動トランジスタを通して第２電圧側に放電する段階と、前記キャパシタの放電後の電圧を前記駆動トランジスタに印加して前記駆動トランジスタをターンオンさせる段階と、前記駆動トランジスタを通して前記発光素子に駆動電流を供給して発光させる段階とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係る表示装置及びその駆動方法によれば、５個のスイッチングトランジスタ、一つの駆動トランジスタ、有機発光素子、及びキャパシタを備え、このキャパシタにデータ電圧と駆動トランジスタの敷居電圧に依存する電圧とを保存することによって、駆動トランジスタ及び有機発光素子の敷居電圧が劣化してもこれを補償することによって画質劣化を防止することができるという効果がある。
【００１７】
また、発光区間を除いた区間で、有機発光素子を通した電流の流れを防止して表示品質を改善することができ、発光区間で、駆動電圧と有機発光素子との間に二つのトランジスタのみを接続させることにより、電力損失を最小化することができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
次に、本発明に係る表示装置及びその駆動方法を実施するための最良の形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
図面においては、いろいろな層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体を通じて類似の部分については同一図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上にある”とすれば、これは他の部分の“直上にある”場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。反対に、ある部分が他の部分の“直上にある”とすれば、中間に他の部分がないことを意味する。また、ある部分が他の部分に接続されているとすれば、これは他の部分と“直接”接続されている場合だけでなく、他の部分を“介して”接続されている場合も含む。
【実施例】
【００１９】
次に、本発明の実施例による表示装置及びその駆動方法について、添付した図面を参照して詳細に説明する。
まず、図１乃至図７を参照して、本発明の実施例による有機発光表示装置について説明する。
図１は、本発明の実施例による有機発光表示装置のブロック図であり、図２は、本発明の実施例による有機発光表示装置の一つの画素に対する等価回路図である。図３は、本発明の実施例による有機発光表示装置の一つの画素のスイッチングトランジスタと有機発光素子の断面を示した断面図であり、図４は、本発明の実施例による有機発光表示装置の有機発光素子の概略図である。
【００２０】
図１に示すように、本発明の実施例による有機発光表示装置は、表示板３００及びこれに接続された走査駆動部４００、データ駆動部５００、発光駆動部７００、及びこれらを制御する信号制御部６００を含む。
表示板３００は、等価回路で見れば、複数の信号線（Ｇ１−Ｇｎ、Ｄ１−Ｄｍ、Ｓ１−Ｓｎ）、複数の駆動電圧線（図示せず）、及びこれらに接続されていてほぼ行列形態に配列された複数の画素（ＰＸ）を含む。
【００２１】
信号線は、走査信号を伝達する複数の走査信号線（Ｇ１−Ｇｎ）とデータ信号を伝達するデータ線（Ｄ１−Ｄｍ）、及び発光信号を伝達する複数の発光信号線（Ｓ１−Ｓｎ）を含む。
走査信号線（Ｇ１−Ｇｎ）と発光信号線（Ｓ１−Ｓｎ）はほぼ行方向に延びており、互いにほとんど並行しており、データ線（Ｄ１−Ｄｍ）はほぼ列方向に延びており、互いにほとんど並行している。
駆動電圧線は駆動電圧（Ｖｄｄ）を伝達し、行又は列方向に延びている。
【００２２】
図２に示すように、各画素は、有機発光素子（ＯＬＥＤ：以下では単にＬＤと記す）、駆動トランジスタ（Ｑｄ）、キャパシタ（Ｃｓｔ）、及び５個のスイッチングトランジスタ（Ｑｓ１〜Ｑｓ５）を含む。
駆動トランジスタ（Ｑｄ）は、制御端子（Ｎｇ）、入力端子（Ｎｄ）、及び出力端子（Ｎｓ）を有し、入力端子（Ｎｄ）は駆動電圧（Ｖｄｄ）に接続されている。キャパシタ（Ｃｓｔ）は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子（Ｎｇ）と出力端子（Ｎｓ）との間に接続されており、有機発光素子（ＬＤ）のアノードとカソードは、各々駆動トランジスタ（Ｑｄ）の出力端子（Ｎｓ）と共通電圧（Ｖｓｓ）とに接続されている。
【００２３】
有機発光素子（ＬＤ）は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）が供給する電流（ＩＬＤ）の大きさによって発光強さを異ならして発光することによって画像を表示し、この電流（ＩＬＤ）の大きさは、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子（Ｎｇ）と出力端子（Ｎｓ）との間の電圧（Ｖｇｓ）の大きさに依存する。
スイッチングトランジスタ（Ｑｓ１〜Ｑｓ３）は走査信号に応答して動作する。
【００２４】
スイッチングトランジスタ（Ｑｓ１）は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の入力端子（Ｎｄ）と制御端子（Ｎｇ）との間に接続されており、スイッチングトランジスタ（Ｑｓ２）は、データ電圧（Ｖｄａｔａ）とキャパシタ（Ｃｓｔ）との間に接続されており、スイッチングトランジスタ（Ｑｓ３）は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の出力端子（Ｎｓ）と共通電圧（Ｖｓｓ）との間に接続されている。
スイッチングトランジスタ（Ｑｓ４、Ｑｓ５）は発光信号に応答して動作する。
スイッチングトランジスタ（Ｑｓ４）は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の入力端子（Ｎｄ）と駆動電圧（Ｖｄｄ）との間に接続されており、スイッチングトランジスタ（Ｑｓ５）は、キャパシタ（Ｃｓｔ）と駆動トランジスタ（Ｑｄ）の出力端子（Ｎｓ）との間に接続されている。
【００２５】
このようなスイッチング及び駆動トランジスタ（Ｑｓ１〜Ｑｓ５、Ｑｄ）は、非晶質シリコン又は多結晶シリコンからなるｎチャンネル金属酸化膜半導体（ｎＭＯＳ）トランジスタからなる。しかし、これらトランジスタ（Ｑｓ１〜Ｑｓ５、Ｑｄ）はｐＭＯＳトランジスタからなることもでき、この場合、ｐＭＯＳトランジスタとｎＭＯＳトランジスタは互いに相補型（ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ）であるので、ｐＭＯＳトランジスタの動作と電圧及び電流はｎＭＯＳトランジスタのそれと反対となる。
【００２６】
以下では、このような有機発光表示装置の駆動トランジスタ（Ｑｄ）と有機発光素子（ＬＤ）の構造について説明する。
図３に示すように、絶縁基板１１０上に制御端子電極１２４が形成されている。制御端子電極１２４の側面は基板１１０面に対して傾いており、その傾斜角は２０〜８０゜である。
制御端子電極１２４上には、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）などからなる絶縁膜１４０が形成されている。
絶縁膜１４０の上部には、水素化非晶質シリコン（非晶質シリコンは略称としてａ−Ｓｉを使う）又は多結晶シリコンなどからなる半導体１５４が形成されている。
【００２７】
半導体１５４の上部には、シリサイド又はｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質からなる抵抗性接触部材１６３、１６５が形成されている。
半導体１５４と抵抗性接触部材１６３、１６５の側面は傾いており、傾斜角は３０〜８０゜である。
抵抗性接触部材１６３、１６５及び絶縁膜１４０上には、出力端子電極１７５と入力端子電極１７３が形成されている。
【００２８】
出力端子電極１７５と入力端子電極１７３は互いに分離されており、制御端子電極１２４を基準に両側に位置する。制御端子電極１２４、出力端子電極１７５、及び入力端子電極１７３は半導体１５４と共に駆動トランジスタ（Ｑｄ）を構成し、そのチャンネルは、出力端子電極１７５と入力端子電極１７３との間の半導体１５４に形成される。
出力端子電極１７５及び入力端子電極１７３も半導体１５４などと同様に、その側面が約３０〜８０゜の角度で各々傾いている。
【００２９】
出力端子電極１７５、入力端子電極１７３、及び露出された半導体１５４部分の上には、有機物質、プラズマ化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）により形成されるａ−Ｓｉ：Ｃ：Ｏ、ａ−Ｓｉ：Ｏ：Ｆなどの低誘電率絶縁物質、又は窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）などからなる保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０を構成する物質は、平坦化特性又は感光性を有することができる。
保護膜１８０には、出力端子電極１７５を露出する接触孔１８５が形成されている。
【００３０】
保護膜１８０上には、接触孔１８５を介して出力端子電極１７５と物理的・電気的に接続されている画素電極１９０が形成されている。画素電極１９０は、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）又はＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）などの透明な導電物質や、アルミニウム又は銀合金の反射性に優れた物質で形成することができる。
保護膜１８０の上部には、有機絶縁物質又は無機絶縁物質からなっており、有機発光セルを分離させるための隔壁３６１が形成されている。隔壁３６１は画素電極１９０の周縁を囲んで、有機発光層３７０が満たされる領域を限定している。
隔壁３６１に囲まれた画素電極１９０上の領域には有機発光層３７０が形成されている。
【００３１】
有機発光層３７０は、図４に示すように、発光層（ＥＭＬ）の他、電子と正孔の均衡を良好にして発光効率を向上させるために電子輸送層（ＥＴＬ）及び正孔輸送層（ＨＴＬ）を含んだ多層構造からなり、また、別途の電子注入層（ＥＩＬ）と正孔注入層（ＨＩＬ）を含むことができる。
隔壁３６１上には、隔壁３６１と同一な模様のパターンからなり、金属のように低い比抵抗を有する導電物質からなる補助電極３８２が形成されている。補助電極３８２は、以降に形成される共通電極２７０と接触し、共通電極２７０に伝達される信号の歪曲現象を防止する機能をする。
【００３２】
隔壁３６１、有機発光層３７０、及び補助電極３８２の上には、共通電圧（Ｖｓｓ）が印加される共通電極２７０が形成されている。共通電極２７０は、ＩＴＯ又はＩＺＯなどの透明な導電物質からなっている。仮に、画素電極１９０が透明な場合には、共通電極２７０はカルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）、アルミニウム（Ａｌ）などを含む金属からなることができる。
不透明な画素電極１９０と透明な共通電極２７０は、表示板３００の上部方向に画像を表示する前面発光方式の有機発光表示装置に適用し、透明な画素電極１９０と不透明な共通電極２７０は、表示板３００の下部方向に画像を表示する背面発光方式の有機発光表示装置に適用する。
【００３３】
画素電極１９０、有機発光層３７０、及び共通電極２７０は図２に示した有機発光素子（ＬＤ）を構成し、画素電極１９０はアノード、共通電極２７０はカソード、又は画素電極１９０はカソード、共通電極２７０はアノードとなる。有機発光素子（ＬＤ）は、発光層（ＥＭＬ）を形成する有機物質によって三原色、例えば、赤色、緑色、青色のうちの一つを固有に表示して、これら三原色の空間的合計により所望の色相を表示する。
【００３４】
再び図１を参照すれば、走査駆動部４００は表示板３００の走査信号線（Ｇ１−Ｇｎ）に接続されて、スイッチングトランジスタ（Ｑｓ１〜Ｑｓ３）をターンオンさせることができる高電圧（Ｖｏｎ）とターンオフさせることができる低電圧（Ｖｏｆｆ）との組み合わせからなる走査信号（Ｖｇｉ）を走査信号線（Ｇ１−Ｇｎ）に印加し、これらは複数の集積回路からなることができる。
【００３５】
データ駆動部５００は、表示板３００のデータ線（Ｄ１−Ｄｍ）に接続されて画像信号を示すデータ電圧（Ｖｄａｔａ）を画素に印加し、これらもまた複数の集積回路からなることができる。
発光駆動部７００は、表示板３００の発光信号線（Ｓ１−Ｓｎ）に接続されて、スイッチングトランジスタ（Ｑｓ４、Ｑｓ５）をターンオンさせることができる高電圧（Ｖｏｎ）とターンオフさせることができる低電圧（Ｖｏｆｆ）との組み合わせからなる発光信号（Ｖｓｉ）を発光信号線（Ｓ１−Ｓｎ）に印加し、これらもまた複数の集積回路からなることができる。
【００３６】
信号制御部６００は、走査駆動部４００、データ駆動部５００、及び発光駆動部７００などの動作を制御する。
走査駆動部４００、データ駆動部５００又は発光駆動部７００は、複数の駆動集積回路チップの形態で表示板３００上に装着されたり、可撓性印刷回路フィルム（図示せず）上に装着されてＴＣＰ（ｔａｐｅ  ｃａｒｒｉｅｒ  ｐａｃｋａｇｅ）の形態で表示板３００に付着させることもできる。これとは異なって、走査駆動部４００、データ駆動部５００又は発光駆動部７００は表示板３００に集積させることもできる。一方、データ駆動部５００と信号制御部６００等は、ワン−チップ（ｏｎｅ−ｃｈｉｐ）ともいう一つのＩＣ内に集積されて実現することもできる。この時、走査駆動部４００及び発光駆動部７００は選択的にＩＣ内に集積されることができる。
【００３７】
以下では、このような有機発光表示装置の表示動作について、図５乃至図７を参照して詳細に説明する。
図５は、本発明の実施例による有機発光表示装置の駆動信号を示したタイミング図であり、図６乃至図９は、図５に示した各区間での一つの画素に対する等価回路図であり、図１０は、本発明の実施例による有機発光表示装置の駆動トランジスタの各端子に現れる電圧波形図の例である。
【００３８】
信号制御部６００は、外部のグラフィック制御器（図示せず）から入力画像信号（Ｒ、Ｇ、Ｂ）及びその表示を制御する入力制御信号、例えば、垂直同期信号（Ｖｓｙｎｃ）と水平同期信号（Ｈｓｙｎｃ）、メインクロック（ＭＣＬＫ）、データイネーブル信号（ＤＥ）などの提供を受ける。信号制御部６００は、入力画像信号（Ｒ、Ｇ、Ｂ）と入力制御信号に基づいて画像信号（Ｒ、Ｇ、Ｂ）を表示板３００の動作条件に合うように適切に処理し、走査制御信号（ＣＯＮＴ１）、データ制御信号（ＣＯＮＴ２）、及び発光制御信号（ＣＯＮＴ３）などを生成した後、走査制御信号（ＣＯＮＴ１）を走査駆動部４００に伝送し、データ制御信号（ＣＯＮＴ２）と処理された画像信号（ＤＡＴ）はデータ駆動部５００に伝送し、発光制御信号（ＣＯＮＴ３）は発光駆動部７００に伝送する。
【００３９】
走査制御信号（ＣＯＮＴ１）は、高電圧（Ｖｏｎ）の走査開始を指示する垂直同期開始信号（ＳＴＶ）と高電圧（Ｖｏｎ）の出力を制御する少なくとも一つのクロック信号などを含む。
データ制御信号（ＣＯＮＴ２）は、一つの画素行のデータ伝送を知らせる水平同期開始信号（ＳＴＨ）と、データ線（Ｄ１−Ｄｍ）に当該データ電圧の印加を命令するロード信号（ＬＯＡＤ）、及びデータクロック信号（ＨＣＬＫ）などを含む。
【００４０】
まず、データ駆動部５００は、信号制御部６００からのデータ制御信号（ＣＯＮＴ２）に応じて一つの行、例えば、ｉ番目行の画素に対する画像データ（ＤＡＴ）を順に受信してシフトさせ、各画像データ（ＤＡＴ）に対応するデータ電圧（Ｖｄａｔａ）を当該データ線（Ｄ１−Ｄｍ）に印加する。
走査駆動部４００は、信号制御部６００からの走査制御信号（ＣＯＮＴ１）に応じて走査信号線（Ｇｉ）に印加される走査信号（Ｖｇｉ）の電圧値を高電圧（Ｖｏｎ）に形成して、走査信号線（Ｇｉ）に接続されたスイッチングトランジスタ（Ｑｓ１〜Ｑｓ３）をターンオンさせる。この時、駆動トランジスタ（Ｑｄ）はダイオード接続される。
【００４１】
発光駆動部７００は、信号制御部６００からの発光制御信号（ＣＯＮＴ３）に応じて発光信号線（Ｓｉ）に印加される発光信号（Ｖｓｉ）の電圧値を高電圧（Ｖｏｎ）に維持して、発光信号線（Ｓｉ）に接続されたスイッチングトランジスタ（Ｑｓ４、Ｑｓ５）をターンオンの状態に維持させる。
このような状態にある画素の等価回路を図６に示しており、この区間を先充電区間（Ｔ１）という（図５参照）。図６に示すように、スイッチングトランジスタ（Ｑｓ４、Ｑｓ５）は各々抵抗（ｒ１、ｒ２）として示すことができる。
【００４２】
そうすると、キャパシタ（Ｃｓｔ）の一つの端子（Ｎ１）と駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子（Ｎｇ）は抵抗（ｒ１）を通じて駆動電圧（Ｖｄｄ）に接続されるので、これらの電圧は駆動電圧（Ｖｄｄ）から抵抗（ｒ１）による電圧降下量を引いた値になり、キャパシタ（Ｃｓｔ）はこの電圧を維持する役割を果たす。この時、駆動電圧（Ｖｄｄ）は、データ電圧（Ｖｄａｔａ）より充分に高くて駆動トランジスタ（Ｑｄ）をターンオンさせることのできる程度の大きさであるのが好ましい。
したがって、駆動トランジスタ（Ｑｄ）はターンオンされて出力端子（Ｎｓ）を介して任意の電流を流す。しかし、この電流は共通電圧（Ｖｓｓ）として流れ、有機発光素子（ＬＤ）には流れないので有機発光素子（ＬＤ）は発光しない。結局、この区間（Ｔ１）で有機発光素子を介した電流の流れを防止して表示品質を改善することができる。
【００４３】
次いで、発光駆動部７００が信号制御部６００からの発光制御信号（ＣＯＮＴ３）に応じて発光信号（Ｖｓｉ）を低電圧（Ｖｏｆｆ）に変え、スイッチングトランジスタ（Ｑｓ４、Ｑｓ５）をターンオフさせることによって本充電区間（Ｔ２）が開始される（図５参照）。走査信号（Ｖｇｉ）はこの区間（Ｔ２）でも高電圧（Ｖｏｎ）を維持し続けるので、スイッチングトランジスタ（Ｑｓ１〜Ｑｓ３）はオンの状態を維持する。
そうなると、図７に示すように、駆動トランジスタ（Ｑｄ）は、その制御端子（Ｎｇ）と入力端子（Ｎｄ）とが互いに接続された状態を維持したままで駆動電圧（Ｖｄｄ）から分離されて、出力端子（Ｎｓ）が共通電圧（Ｖｓｓ）に接続された状態を維持する。駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子電圧（Ｖｎｇ）が充分に高いので、駆動電圧（Ｖｄｄ）から分離された駆動トランジスタ（Ｑｄ）はターンオンの状態を維持する。
【００４４】
そのために、図１０に示すように、先充電区間（Ｔ１）で所定のレベルに充電されていたキャパシタ（Ｃｓｔ）の端子（Ｎ１）から充電された電流が駆動トランジスタ（Ｑｄ）を通して放電され始め、したがって、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子電圧（Ｖｎｇ）が低くなる。制御端子電圧（Ｖｎｇ）の電圧の降下は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子（Ｎｇ）と出力端子（Ｎｓ）との間の電圧（Ｖｇｓ）が駆動トランジスタ（Ｑｄ）の敷居電圧（Ｖｔｈ）と同一になって駆動トランジスタ（Ｑｄ）がそれ以上電流を流さない時まで継続される。
【００４５】
したがって、この区間（Ｔ２）で次の数式１が成立する。
（数１）
Ｖｇｓ＝Ｖｔｈ
一方、キャパシタ（Ｃｓｔ）の一つの端子（Ｎ２）にはデータ電圧（Ｖｄａｔａ）が継続して印加され、キャパシタ（Ｃｓｔ）に充電される電圧（Ｖｃ）は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子電圧（Ｖｎｇ）とデータ電圧（Ｖｄａｔａ）の差であるので、次の数式２の通りとなる。
（数２）
Ｖｃ＝Ｖｓｓ＋Ｖｔｈ−Ｖｄａｔａ
これより、キャパシタ（Ｃｓｔ）が、データ電圧（Ｖｄａｔａ）と駆動トランジスタ（Ｑｄ）の敷居電圧（Ｖｔｈ）に依存する電圧とを保存することが分かる。
【００４６】
ところが、この電圧（Ｖｃ）が発光区間（Ｔ４）で有機発光素子（ＬＤ）に流れる電流（ＩＬＤ）を決定するので、入力されるデータ電圧（Ｖｄａｔａ）は０以下の値を有する。
電圧（Ｖｃ）がキャパシタ（Ｃｓｔ）に充電された後、走査駆動部４００が信号制御部６００からの走査制御信号（ＣＯＮＴ１）に応じて走査信号（Ｖｇｉ）を低電圧（Ｖｏｆｆ）に変え、スイッチングトランジスタ（Ｑｓ１〜Ｑｓ３）をターンオフさせることによって遮断区間（Ｔ３）が開始される（図５参照）。発光信号（Ｖｓｉ）はこの区間（Ｔ３）でも低電圧（Ｖｏｆｆ）を維持し続けるので、スイッチングトランジスタ（Ｑｓ４、Ｑｓ５）はオフの状態を維持する。
【００４７】
そうすると、図８に示すように、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の入力端子（Ｎｄ）とキャパシタ（Ｃｓｔ）の端子（Ｎ２）は開放される。たとえ、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の出力端子（Ｎｓ）が有機発光素子（ＬＤ）に接続されていても、駆動トランジスタ（Ｑｄ）が電流を流さないので駆動トランジスタ（Ｑｄ）の出力端子（Ｎｓ）も開放された状態と同一である。したがって、この回路で電荷の流出及び流入がないので、キャパシタ（Ｃｓｔ）は本充電区間（Ｔ２）で充電された電圧（Ｖｃ）を維持し続ける。
【００４８】
このように全てのスイッチングトランジスタ（Ｑｓ１〜Ｑｓ５）がターンオフされた状態で、所定時間の経過後、発光駆動部７００が信号制御部６００からの発光制御信号（ＣＯＮＴ３）に応じて発光信号（Ｖｓｉ）を高電圧（Ｖｏｎ）に変え、スイッチングトランジスタ（Ｑｓ４、Ｑｓ５）をターンオンさせることによって発光区間（Ｔ４）が開始される（図５参照）。走査信号（Ｖｇｉ）は、この区間（Ｔ４）でも低電圧（Ｖｏｆｆ）を維持し続けるので、スイッチングトランジスタ（Ｑｓ１〜Ｑｓ３）はオフの状態に維持される。
【００４９】
そうすると、図９に示すように、キャパシタ（Ｃｓｔ）は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子（Ｎｇ）と出力端子（Ｎｓ）との間に接続され、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の入力端子（Ｎｄ）に駆動電圧（Ｖｄｄ）が接続され、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の出力端子（Ｎｓ）に有機発光素子（ＬＤ）が接続された状態となる。
したがって、図１０に示すように、キャパシタ（Ｃｓｔ）の端子（Ｎ１）が孤立されているので、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の制御端子電圧（Ｖｎｇ）と出力端子電圧（Ｖｎｓ）との間の電圧（Ｖｇｓ）はキャパシタ（Ｃｓｔ）に保存されている電圧（Ｖｃ）と同一になり（Ｖｇｓ＝Ｖｃ）、駆動トランジスタ（Ｑｄ）は、電圧（Ｖｇｓ）によって制御される出力電流（ＩＬＤ）を出力端子（Ｎｓ）を通して有機発光素子（ＬＤ）に供給する。これにより有機発光素子（ＬＤ）は、出力電流（ＩＬＤ）の大きさによって発光強さを異にして発光を行うことにより当該画像を表示する。
【００５０】
ところが、キャパシタ（Ｃｓｔ）は、有機発光素子（ＬＤ）による負荷に関係なしで本充電区間（Ｔ２）で保存した電圧（Ｖｃ）を維持し続けるので（Ｖｃ＝Ｖｓｓ＋Ｖｔｈ−Ｖｄａｔａ）、出力電流（ＩＯＬＥＤ）は次の数式３の通りに示すことができる。
【数３】
2006146219.tif 000003
ここで、ｋは薄膜トランジスタの特性による定数であって、ｋ＝μ・ＣＳｉＮｘ・Ｗ／Ｌであり、μは電界効果移動度、ＣＳｉＮｘは絶縁層の容量、Ｗは薄膜トランジスタのチャンネル幅、Ｌは薄膜トランジスタのチャンネル長さを示す。
【００５１】
数式３に示したように、発光区間（Ｔ４）での出力電流（ＩＬＤ）はひたすらデータ電圧（Ｖｄａｔａ）と共通電圧（Ｖｓｓ）によってのみ決定される。したがって、出力電流（ＩＬＤ）は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の敷居電圧（Ｖｔｈ）の変化に影響を受けない。また、出力電流（ＩＬＤ）は、有機発光素子（ＬＤ）の敷居電圧（Ｖｔｈ＿ＬＤ）の変化にも影響を受けない。つまり、有機発光素子（ＬＤ）の敷居電圧（Ｖｔｈ＿ＬＤ）が変化して駆動トランジスタ（Ｑｄ）の出力端子電圧（Ｖｎｓ）が伴って変わっても、キャパシタ（Ｃｓｔ）に保存されている電圧（Ｖｃ）は変わらないので電圧（Ｖｇｓ）は変わらない。結局、本実施例による有機発光表示装置は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の敷居電圧（Ｖｔｈ）と有機発光素子（ＬＤ）の敷居電圧（Ｖｔｈ＿ＬＤ）が劣化しても、これを補償することができる。
【００５２】
また、発光区間（Ｔ４）において、駆動電圧（Ｖｄｄ）と有機発光素子（ＬＤ）との間にはスイッチングトランジスタ（Ｑｓ４）と駆動トランジスタ（Ｑｄ）のみが接続されるので電力損失が少ない。
一方、万一、本充電区間（Ｔ２）が終了した後で直ちに発光区間（Ｔ４）が連続されると、スイッチングトランジスタ（Ｑｓ１）がターンオフされる前にスイッチングトランジスタ（Ｑｓ４）がターンオンされることがあり得る。そうすると、駆動電圧（Ｖｄｄ）から電荷が流入してキャパシタ（Ｃｓｔ）に充電された電圧値が変わることが起こりうる。
従って、本充電区間（Ｔ２）と発光区間（Ｔ４）との間に遮断区間（Ｔ３）を設けてスイッチングトランジスタ（Ｑｓ１）を確実にターンオフさせた後、スイッチングトランジスタ（Ｑｓ４）をターンオンさせる必要がある。
【００５３】
発光区間（Ｔ４）は、次のフレームでｉ番目行の画素に対する先充電区間（Ｔ１）が再び開始される時まで持続され、その次の行の画素に対しても先に説明した各区間（Ｔ１〜Ｔ４）での動作を同一に繰り返す。ただし、例えば、（ｉ＋１）番目行の先充電区間（Ｔ１）はｉ番目行の本充電区間（Ｔ２）が終了した後で開始するようにする。このような方式により、全ての走査信号線（Ｇ１−Ｇｎ）及び発光信号線（Ｓ１−Ｓｎ）に対して順に区間（Ｔ１〜Ｔ４）制御を行い、全ての画素に当該画像を表示する。
【００５４】
また、各区間（Ｔ１〜Ｔ４）の長さは必要に応じて調整することができる。
さらに、共通電圧（Ｖｓｓ）は、例えば、０Ｖに設定することができる。駆動電圧（Ｖｄｄ）はキャパシタ（Ｃｓｔ）に電荷を充分に供給し、駆動トランジスタ（Ｑｄ）が出力電流（ＩＬＤ）を流すことができるように充分に高い電圧に設定するのが好ましく、例えば、１５Ｖである。データ電圧（Ｖｄａｔａ）は先に説明したように負の符号（０以下の値）を有し、その絶対値が大きいほどこれに対応する出力電流（ＩＬＤ）が大きい。
【００５５】
以下では、本発明の実施例による有機発光表示装置での敷居電圧変化による模擬試験結果について、図１１及び図１２を参照して説明する。
図１１は、本発明の実施例による有機発光表示装置の駆動トランジスタの敷居電圧変化による出力電流を示す波形図であり、図１２は、本発明の実施例による有機発光表示装置の有機発光素子の敷居電圧変化による出力電流を示す波形図である。
【００５６】
図１１に示した波形図は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の敷居電圧（Ｖｔｈ）が２．０Ｖから３．０Ｖに変化した場合の出力電流（ＩＬＤ）の変化量を示す。模擬実験はＳＰＩＣＥを利用して行った。模擬実験条件としては、駆動電圧（Ｖｄｄ）は１５Ｖ、共通電圧（Ｖｓｓ）は０Ｖとし、データ電圧（Ｖｄａｔａ）は−４．５Ｖに設定した。このような実験条件下で有機発光素子（ＬＤ）に流れる出力電流（ＩＬＤ）を測定した結果、図１１に示したように、出力電流（ＩＬＤ）は敷居電圧（Ｖｔｈ）が２．０Ｖである場合に１．３９４μＡであり、敷居電圧（Ｖｔｈ）が３．０Ｖである場合に１．３７５μＡであった。したがって、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の敷居電圧（Ｖｔｈ）が１Ｖだけ高まる場合の電流の変化量は１９μＡであり、変化前の電流と対比して１．３６３％が変化した。このような出力電流（ＩＬＤ）の変動は、従来の２個の薄膜トランジスタを備えた画素での駆動トランジスタの敷居電圧変化による出力電流変動に比べると無視できる程度の数値である。
【００５７】
図１２に示した波形図は、有機発光素子（ＬＤ）の敷居電圧（Ｖｔｈ＿ＬＤ）が２．８Ｖから３．３Ｖに変化した場合の出力電流（ＩＬＤ）の変化量を示す。上述の実験条件と同一な実験条件下で有機発光素子（ＬＤ）に流れる出力電流（ＩＬＤ）を測定した結果、図１２に示したように、出力電流（ＩＬＤ）は、敷居電圧（Ｖｔｈ＿ＬＤ）が２．８Ｖである場合に１．３０６μＡであり、敷居電圧（Ｖｔｈ＿ＬＤ）が３．３Ｖである場合に１．２９１μＡであった。したがって、有機発光素子（ＬＤ）の敷居電圧（Ｖｔｈ＿ＬＤ）が０．５Ｖ上昇した場合の電流の変化量は１５μＡであり、劣化前の電流と対比して１．１４９％が変化した。このような出力電流（ＩＬＤ）の変動は、従来の２個の薄膜トランジスタを備えた画素での有機発光素子の敷居電圧劣化による出力電流変動に比べると無視できる程度の数値である。
このような模擬実験結果は、駆動トランジスタ（Ｑｄ）の敷居電圧（Ｖｔｈ）及び有機発光素子（ＬＤ）の敷居電圧（Ｖｔｈ＿ＬＤ）が劣化しても、本実施例による有機発光表示装置がこれを補償することができるということを示す。
【００５８】
尚、本発明は、上述の実施例に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の実施例による有機発光表示装置のブロック図である。
【図２】本発明の実施例による有機発光表示装置の一つの画素に対する等価回路図である。
【図３】本発明の実施例による有機発光表示装置の一つの画素のスイッチングトランジスタと有機発光素子の断面を示した断面図である。
【図４】本発明の実施例による有機発光表示装置の有機発光素子の概略図である。
【図５】本発明の実施例による有機発光表示装置の駆動信号を示したタイミング図である。
【図６】図５に示した各区間の内先充電区間（Ｔ１）での一つの画素に対する等価回路図である。
【図７】図５に示した各区間の内本充電区間（Ｔ２）での一つの画素に対する等価回路図である。
【図８】図５に示した各区間の内遮断区間（Ｔ３）での一つの画素に対する等価回路図である。
【図９】図５に示した各区間の内発光区間（Ｔ４）での一つの画素に対する等価回路図である。
【図１０】本発明の実施例による有機発光表示装置の駆動トランジスタの各端子に現れる電圧波形図である。
【図１１】本発明の一つの実施例による有機発光表示装置の駆動トランジスタの敷居電圧による出力電流を示す波形図である。
【図１２】本発明の一つの実施例による有機発光表示装置の有機発光素子の敷居電圧による出力電流を示す波形図である。
【符号の説明】
【００６０】
１１０      絶縁基板
１２４      制御端子電極
１４０      絶縁膜
１５４      半導体
１６３、１６５  抵抗性接触部材
１７３      入力端子電極
１７５      出力端子電極
１８０      保護膜
１８５      接触孔
１９０      画素電極
２７０      共通電極
３００      表示板
３６１      隔壁
３７０      有機発光層
３８２      補助電極
４００      走査駆動部
５００      データ駆動部
６００      信号制御部
７００      発光駆動部
【図１】
2006146219.tif 000004
【図２】
2006146219.tif 000005
【図３】
2006146219.tif 000006
【図４】
2006146219.tif 000007
【図５】
2006146219.tif 000008
【図６】
2006146219.tif 000009
【図７】
2006146219.tif 000010
【図８】
2006146219.tif 000011
【図９】
2006146219.tif 000012
【図１０】
2006146219.tif 000013
【図１１】
2006146219.tif 000014
【図１２】
2006146219.tif 000015