(57)【要約】【課題】  高密度記録媒体用の光ディスク原盤のパターンを高品位に形成することを目的とする。【解決手段】  光ディスク原盤の露光及び現像によりパターニングした後に、レジスト表面を表面処理して所定のパターンを形成する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定のパターンを形成する光ディスク原盤の製造方法において、露光及び現像処理によりパターンを形成した後に、レジスト表面を表面処理して所定のパターンを形成することを特徴とする光ディスクの製造方法。
【請求項２】
露光及び現像処理によりパターンを形成した後に、加熱処理を行い、更にレジスト表面を表面処理して所定のパターンを形成することを特徴とする光ディスクの製造方法。
【請求項３】
露光及び現像処理によりパターンを形成した後に、表面処理としてオゾン水又はレジスト溶解液あるいは常圧プラズマ及びオゾンにより、レジストをエッチングすることを特徴とする請求項１及び２記載の光ディスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ビームにより情報の記録、再生及び消去を行う光ディスクの製造方法及びその光ディスクに関し、特に光磁気ディスクの原盤製造における感光性レジスト膜を表面処理するリソグラフィ工程に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年書き換え可能を特徴とする光磁気ディスクが上市され、コンピューターのコード情報や画像などのデータファイルとして応用されつつある。更に、モバイルコンピューターの普及や、情報の多様化が進み、小型大容量の光磁気ディスクが要求されている。
【０００３】
小型大容量を実現させるための高密度化として様々な検討がなされているが、記録のトラックピッチを狭めることが最も重要視されている。例えば、コンパクトディスクのトラックピッチが０．８μｍであるのに対して、高密度化光ディスクでは、０．３２μｍ付近のトラックピッチが検討されており、上記狭トラックピッチ化で２．５倍の高密度化が達成されることになり、狭トラックピッチ化を行うことが高密度化を行う上で極めて効果が高い。
【０００４】
従来の光ディスクの作成方法は、ガラス原盤にノボラック樹脂からなる感光性のポジ型レジストを形成して、レーザーで所定のグルーブ及びランドと呼ばれる案内溝やピットを露光して、次いで、アルカリ現像液により露光部のレジストを除去して所定のパターンを形成している。次いで、パターニングされたレジストが形成されたガラス原盤にニッケル膜を形成して、更にニッケル膜を剥離してスタンパを形成している。パターニングされているスタンパを用いて、射出成型などにより樹脂基板を作成して、記録膜及び保護膜を基板上に形成して光ディスクを形成していた。上記レジストのパターニングは、レジスト中の感光剤が露光に反応して、露光部のレジストがアルカリ可溶性になり、未露光部がアルカリ難溶性である特性を用いて、アルカリ溶解速度差を持たせることでパターニングされていると考えられており、半導体分野でも用いられているフォトリソグラフィ技術である。
【０００５】
しかしながら、未露光部の表面性は、アルカリ難溶性であっても、露光部に比べてアルカリ現像液による溶解速度が遅いだけであり、露光部のレジストを十分に除去する条件では、未露光部もアルカリ現像液に溶解して、未露光部の表面性を悪化させてしまうことが確認されている。この要因として、未露光部レジストの低分子量部分がアルカリの影響を受けやすく、選択的に現像・除去されるために、未露光部の表面性が悪化していると考えられる。レジストの分子量分布を均一にすることは困難であり、ある程度の分子量分布の幅を有するレジストを用いることになるため、最適なレジストを選択しても露光部と未露光部の表面性を高品位に両立することは困難であり、光ディスクの再生信号やサーボ信号などの信号特性を悪化させていた。更に、現像処理により、露光部と未露光部を含めたレジストの特性と異なる反応生成物がパターニングエリアの表層に形成されることが確認されている。上記反応生成物により、グルーブ部及びランド部、更にグルーブ部とランド部境界の側壁部の表面粗さが悪化すると共に、形状が変化して、光ディスクの信号特性が悪化することが確認されている。
【０００６】
上記コンパクトディスクなどのトラックピッチが露光光源の波長に対して充分広い場合は、露光・現像によるパターン形状を自由に形成することができるが、トラックピッチを狭めると所定の形状、特に矩形形状を得ることが困難であり、かつ狭トラックピッチ化は、露光に用いる光源波長に依存するため限界がある。このため、ＵＶ或いは電子線やＸ線等を用いるなど光源を短波長化することが検討されているが、装置が複雑化する上に、莫大な設備投資が必要になり実用化に至っていない。
【０００７】
また、狭トラックピッチ化に伴い、グルーブ部とランド部の表面性及びグルーブ部とランド部境界の側壁部の形状や表面性が再生信号やサーボ信号に与える影響が大きくなっていることがわかってきており、グルーブ部とランド部の表面性及びグルーブ部とランド部境界の側壁部の形状や表面性を向上することが求められている。
【０００８】
上記レジスト現像後の反応生成物やレジスト残渣を取り除く方法として、特開２００１−２４４１６４号公報や特許第３３９４５１０号公報や特開２００２−３５９１８２号公報が提案されている。
【０００９】
しかしながら、上記従来の提案では、以下の問題があることがわかっている。
【００１０】
特開２００１−２４４１６４号公報では、ウェハ基板にレジストパターンを形成した後に、レジスト膜をオゾン水で洗浄するものであるが、現像レジストの混合物などがレジストパターン上へ付着することを防止するものであり、未露光部のレジストのエッチングや表面性について考慮されておらず、溶解レジストの付着防止と従来の残留アルカリによるレジスト下層の薄膜配線の腐食を防止するための希釈酸性溶液によるリンスにおける、中和処理の問題を解決したものである。
【００１１】
特許第３３９４５１０号公報では、下地金属をエッチングする前に、パターニングされたレジストをオゾン水によりレジストのフリンジを除去すると共に、被エッチング材面に付着する微細なレジスト残渣を除く方法であり、上記特開２００１−２４４１６４号公報と同様に、従来の過マンガン酸塩などの薬品による被エッチング面のレジストを除去することと、レジストのフリンジを除去することしか考慮されておらず、上記光ディスクにおける表面性や形状の問題を解決するに至っていない。
【００１２】
特開２００２−３５９１８２号公報では、パターン化されたレジスト膜が薄膜上に形成された基板に対して、薄膜の不要部を除去する前に、薄膜よりもレジストに対して多くの分解作用を有するオゾン水などの溶解液で基板を処理する方法である。上記方法では、レジスト溶解液によりレジストパターンの寸法を細くすることが提案されており、レジストパターンを微細加工する上で有効であると考えられるものの、上記特開２００１−２４４１６４号公報や特許第３３９４５１０号公報と同様に半導体分野での問題である、薄膜上のレジスト残渣やレジスト線幅を細くすることしか考慮されておらず、光ディスクに応用する上では、ガラス原盤面であるグルーブ部の表面性を向上することができるものの、レジスト部であるランド部の表面性や側壁形状及び表面性、更にランド部高さの制御が考慮されておらず光ディスクにおける問題を解決できていない。
【００１３】
半導体分野では、レジストでパターニングした後に下地薄膜をエッチングするために、露光部のレジスト残渣を考慮しているものの、レジストは下地薄膜をエッチングした後に除去するため、下地薄膜をエッチングする上で、マスク機能を有していれば良く、レジスト及びレジスト側壁の表面性及びレジストの高さについて考慮されていないと考えられる。
【００１４】
すなわち、光ディスク分野では、レジスト露光部のグルーブ部や未露光部のランド部及び側壁部の表面性や形状及び高さが、再生信号やサーボ信号などの信号特性に重要な影響を与えるため、半導体で従来考えられているレジスト溶解液などによる処理だけでは、光ディスク特有の問題点を解決するに至らなかった。
【００１５】
また、特開２００２−１５５３７０号公報や特開２００３−２０３８００号公報に常圧プラズマを用いた処理方法が提案されている。
【００１６】
特開２００２−１５５３７０号公報では、プラズマが安定するまで予備放電を行うもので、ハロゲン系ガスでエッチング処理や酸素ガスでレジスト処理や有機物除去を常圧プラズマで行うものである。
【００１７】
特開２００２−２０３８００号公報では、連続波で常圧プラズマ処理を行うもので、レジスト除去やデスカム、エッチングを行う方法である。
【００１８】
上記方法は、いずれもオゾン水などの溶解液を用いた上記従来方法と同様に半導体分野においては、真空環境で行うプラズマ処理に比べて、装置が簡略化されて、バッチ処理を必要とせずにインライン化が可能であり、有効な方法であるが、レジストの表面形状など考慮されておらず光ディスクの特有の上記問題点を解決するに至っていない。
【特許文献１】特開２００１−２４４１６４号公報
【特許文献２】特許第３３９４５１０号公報
【特許文献３】特開２００２−３５９１８２号公報
【特許文献４】特開２００２−１５５３７０号公報
【特許文献５】特開２００３−２０３８００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
本発明は上記問題点である、高密度化を行う上で重要な再生信号やサーボ信号などの信号特性に影響を与える、光ディスク原盤のグルーブ部やランド部及びグルーブ部とランド部境界の側壁部の表面性や形状及びランド部高さを高精度に制御して、所定パターンのレジスト膜をガラス原盤上に形成するものである。
【００２０】
すなわち、高密度化に伴って要求される狭トラックピッチパターンの形状を信号特性に合わせて最適化するために、グルーブ部とランド部の表面性を向上し、かつグルーブ部とランド部境界の側壁部の表面性及び形状、更にランド部の高さを自由に制御して所定の形状を形成可能にするものである。
【００２１】
本発明の目的は、高密度記録媒体用の光ディスク原盤のパターンを高品位に形成する光ディスク原盤製造方法、特に光磁気ディスクの製造方法及び光ディスクを提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
上記目的を達成するために本発明の光ディスクの製造方法は、所定のパターンを形成する光ディスク原盤の製造方法において、露光及び現像処理によりパターンを形成した後に、レジスト表面を表面処理して所定のパターンを形成すること、露光及び現像処理によりパターンを形成した後に加熱処理を行い、更にレジスト表面を表面処理して所定のパターンを形成すること、露光及び現像処理によりパターンを形成した後に、表面処理としてオゾン水又はレジスト溶解液あるいは常圧プラズマ及びオゾンにより、レジストをエッチングすることにより、所定のパターンのレジスト膜をガラス原盤上に形成することを特徴とする光ディスクの製造方法である。また、上記製造方法で製造されたことを特徴とする光ディスクである。
【００２３】
本発明は、光ディスク原盤に露光及び現像処理により所定のパターニングを行った後に、オゾン水又はレジスト溶解液あるいは常圧プラズマ及びオゾンによりレジストをエッチングするものであり、従来のアルカリ現像による過剰な現像による未露光部の現像を最小限に止めてパターニングして、次いで、オゾン水又はレジスト溶解液あるいは常圧プラズマ及びオゾンのエッチングがアルカリ現像における選択的なエッチングではなく、均一にレジスト及び反応生成物をエッチングする特性に着目してレジストパターンを形成したものである。
【００２４】
すなわち、露光後の現像は、露光部を充分に除去して、残渣がない状態まで現像すると未露光部の低分子量体のレジストが選択的に現像されてしまい、未露光部の表面が粗面になると考えられる。このため、露光部をできるだけ除去して、かつ未露光部の低分子量体が現像されない状態で現像を終了して、次いで、オゾン水又はレジスト溶解液あるいは常圧プラズマ及びオゾンにより、露光部の残渣を取り除くと共に、未露光部であるランド部及び側壁を均一にエッチングすることでグルーブ部とランド部及び側壁部の表面性を向上させるものである。上記現像による露光部のレジスト除去は、ほぼ完全に除去することも可能であるが、完全に除去しない状態で現像を終了して未露光部が現像されない状態にすることが望ましい。
【００２５】
また、エッチングレートを監視することで、ランド部高さも高精度に制御させることができる。
【００２６】
オゾン水は、含有するオゾンにより有機物を分解除去させる作用があることが知られており、アルカリ現像と異なり分子量に関係なく均一にエッチング除去されると考えられる。また、オゾン水のオゾン濃度及び温度は、レジスト膜厚や要求されるグルーブ部とランド部の幅の比率に応じて適宜調整すれば良く、１ｐｐｍ〜５０ｐｐｍの範囲が望ましい。１ｐｐｍ以下の濃度では、エッチングレートが低いため、生産性が悪化し、５０ｐｐｍ以上では、オゾン臭が強くなり、人体への影響が懸念される上に、エッチングレートが高くなり、制御が困難になるからである。また、温度が高いほどエッチングレートが高くなるため、室温±５℃が望ましい。更にオゾン水の製造方法は限定されることなく、膜を介してオゾンを含有させる方法や水の電気分解や低波長ＵＶ灯を用いることができる。
【００２７】
レジスト溶解液としては、レジスト及び反応生成物を均一に溶解させることができれば良く、イソプロピルアルコールやアセトンなどの有機溶剤の純水希釈液を用いることができる。いずれも高濃度の場合、エッチング制御が困難になるため、１ｐｐｍ〜２０％の濃度が望ましい。
【００２８】
一方、常圧プラズマによるエッチングは、従来の真空方式のプラズマエッチングと異なり、大気圧又は大気圧近傍で行われるため、レジストに含有されている溶剤が揮発されない状態でエッチングされることに着目したものであり、レジスト中の溶剤揮発によるレジスト表面性が維持されてエッチングされるため、真空方式に比べて表面性を向上することができる。また、常圧プラズマでは、真空チャンバーが不要になるため、パターンにレーザーを照射して回折される光を元にエッチング状況をモニターリングして、エッチング条件を制御することができる。
【００２９】
常圧プラズマにおける、電源方式や導入ガスは適宜選択することができ、導入ガスやプラズマ強度に応じて、パルス電源方式や連続波方式を用いることができる。また、導入ガスは、ヘリウムの他に安価な空気や酸素などを用いることができる。また、オゾンは、発生方法は限定されることなく、低波長のＵＶ光源により発生するオゾンを用いることができる。
【００３０】
また、本発明は、露光及び現像処理によりパターンを形成した後に、加熱処理を行い、更にオゾン水又はレジスト溶解液あるいは常圧プラズマ及びオゾンにより、レジストをエッチングすることにより、所定のパターンのレジスト膜をガラス原盤上に形成するものであり、パターン形成後に加熱処理を行うことで、レジストの未露光部の耐エッチング性を高めて、現像により発生する反応生成物のみを選択的に除去可能にしたものである。
【００３１】
すなわち、従来方法では、未露光部の表層に現像により発生する反応生成物が形成されており、反応生成物をエッチングにより除去する際に、未露光部も同時にエッチングすることになる。現像後の加熱処理では、反応生成物はアルカリ現像液含有の半溶解物と考えられるため、加熱処理による硬化などの耐エッチング性は変化せず、未露光部のみの耐エッチング性を高めることができる。これにより、レジストの未露光部の表面性が高品位に維持されて、所定のパターンを形成することができる。
【００３２】
更に、上記エッチングでは、現像と異なりレジスト分子量に関係なく均一にエッチングされると考えられるため、あらかじめエッチングによる減少分を想定してパターニングを行ってから未露光部をエッチングすることで、未露光部であるランド部の幅や高さ及び側壁形状を所定の形状に形成することが容易にできる。
【発明の効果】
【００３３】
以上説明したように、本発明の方式によれば、光ディスク原盤の露光及び現像によりパターニングした後に、レジスト表面を表面処理すること、更に、パターニングされた後に加熱処理を行ってからレジスト表面を表面処理することにより、高品位な表面性で所定のパターンを形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
（実施例１）
φ２００ｍｍ、厚さ６ｍｍの石英ガラスからなるガラス原盤上にカップリング剤を塗布して５０℃  ３０分間ベーク処理した後、ノボラック樹脂からなるレジストをスピンコーターにより、厚さ１３０ｎｍ形成し、９０℃  ３０分間ベーク処理を行った。次いで、青レーザーの光源を持つカッティングマシンにより、トラックピッチ０．３２μｍで露光を行った。現像液として、約1％に希釈したテトラメチルアンモニウムヒドロキシドを用いて３０秒間現像処理を行い、純水で５分間リンスを行った後、スピンコーターによる振り切り乾燥を行った。
【００３５】
この時の、レジストの未露光部の表面粗さは、Ｒａ（中心線平均粗さ）で０．１ｎｍであった。露光部の表面粗さは、Ｒａで１．２ｎｍであった。
【００３６】
露光部と未露光部境界の側壁部の表面粗さは、Ｒａ０．７ｎｍであり、側壁角度は、約６０度であった。未露光部の高さは１３０ｎｍであった。
【００３７】
露光部の幅は約０．２４μｍで、未露光部の上部幅は約０．２６μｍであった。
【００３８】
また、露光部では、レジストの残渣又は反応生成物と思われる異物が確認されており、露光部のレジストを完全に除去していない状態であった。
【００３９】
測定機は原子間力顕微鏡を用いて評価した。
【００４０】
上記実施例では、現像により露光部のレジストをほぼ除去しているが、未露光部の表面性を維持するために露光部レジストを１０〜５０ｎｍ程度残した現像条件に止めることもできる。
【００４１】
更に、オゾン濃度５ｐｐｍのオゾン水をレジスト表面に連続的に塗布して、レジスト表面を1分間エッチングレート及びパターンをモニターリングしながらエッチングした後、スピンコーターによる振り切り乾燥を行い、光ディスク用原盤を作製した。
【００４２】
オゾン水では、上記アルカリ現像液と異なり、オゾンが分解されるため、リンス及び中和処理などの特別な廃水処理が不要である。
【００４３】
作製した原盤の露光部の表面粗さは、Ｒａ０．０５ｎｍであった。また、未露光部の表面粗さは、Ｒａ０．１ｎｍであった。露光部と未露光部境界の側壁部の表面粗さは、Ｒａ０．１ｎｍであり、側壁角度は、約６０度であった。未露光部の高さは１００ｎｍであった。露光部の幅は約０．２６μｍで、未露光部の上部幅は約０．２６μｍであった。
【００４４】
ガラス原盤にニッケルのスパッタ膜を形成して、電鋳処理を行いニッケルのスタンパを作製し、射出成形によりポリカーボネイト製の樹脂基板を作成した。更に、記録膜及び有機保護膜を形成して、光磁気ディスクを作成した。
【００４５】
（実施例２）
φ２００ｍｍ、厚さ６ｍｍの石英ガラスからなるガラス原盤上にカップリング剤を塗布して５０℃  ３０分間ベーク処理した後、ノボラック樹脂からなるレジストをスピンコーターにより、厚さ１３０ｎｍ形成し、９０℃  ３０分間ベーク処理を行った。次いで、青レーザーの光源を持つカッティングマシンにより、トラックピッチ０．３２μｍで露光を行った。現像液として、約1％に希釈したテトラメチルアンモニウムヒドロキシドを用いて３０秒間現像処理を行い、純水で５分間リンスを行った後、スピンコーターによる振り切り乾燥を行った。
【００４６】
この時の、レジストの未露光部の表面粗さはＲａで０．１ｎｍであった。露光部の表面粗さは、Ｒａで１．２ｎｍであった。
【００４７】
露光部と未露光部境界の側壁部の表面粗さは、Ｒａ０．７ｎｍであり、側壁角度は、約６０度であった。未露光部の高さは１３０ｎｍであった。
【００４８】
露光部の幅は約０．２４μｍで、未露光部の上部幅は約０．２６μｍであった。
【００４９】
更に、レジスト溶解液として濃度５００ｐｐｍのイソプロピルアルコール水溶液をレジスト表面に連続的に塗布して、レジスト表面を1分間エッチングレート及びパターンをモニターリングしながらエッチングした後、純水でリンスを行いスピンコーターによる振り切り乾燥を行って、光ディスク用原盤を作製した。
【００５０】
上記イソプロピルアルコールなどのレジスト溶解液を用いたエッチング処理は、特別な装置を必要としないため、簡易装置で製造可能である。
【００５１】
作製した原盤の露光部の表面粗さは、Ｒａ０．０５ｎｍであった。また、未露光部の表面粗さは、Ｒａ０．１ｎｍであった。露光部と未露光部境界の側壁部の表面粗さは、Ｒａ０．１ｎｍであり、側壁角度は、約６０度であった。未露光部の高さは１００ｎｍであった。露光部の幅は約０．２６μｍで、未露光部の上部幅は約０．２６μｍであった。
【００５２】
更に、実施例1と同様にスタンパを作製し、樹脂基板上に記録膜及び保護膜を形成して光磁気ディスクを作成した。
【００５３】
（実施例３）
φ２００ｍｍ、厚さ６ｍｍの石英ガラスからなるガラス原盤上にカップリング剤を塗布して５０℃  ３０分間ベーク処理した後、ノボラック樹脂からなるレジストをスピンコーターにより、厚さ１３０ｎｍ形成し、９０℃  ３０分間ベーク処理を行った。次いで、青レーザーの光源を持つカッティングマシンにより、トラックピッチ０．３２μｍで露光を行った。現像液として、約1％に希釈したテトラメチルアンモニウムヒドロキシドを用いて３０秒間現像処理を行い、純水で５分間リンスを行った後、スピンコーターによる振り切り乾燥を行った。
【００５４】
この時の、レジストの未露光部の表面粗さは、Ｒａ（中心線平均粗さ）で０．１ｎｍであった。露光部の表面粗さは、Ｒａで１．２ｎｍであった。
【００５５】
露光部と未露光部境界の側壁部の表面粗さは、Ｒａ０．７ｎｍであり、側壁角度は、約６０度であった。未露光部の高さは１３０ｎｍであった。
【００５６】
露光部の幅は約０．２４μｍで、未露光部の上部幅は約０．２６μｍであった。
【００５７】
更に、常圧プラズマ発生装置により、レジスト表面をプラズマでエッチング処理した。常圧プラズマは、パルス電源方式により、酸素ガスを用いて、プラズマが安定している状態で３０秒間処理を行った。
【００５８】
上記常圧プラズマ方式では、真空方式と異なりプラズマ処理中にエッチングレートやパターン形状をモニターリングすることが容易に可能であり、プラズマ処理で発生するレジスト分解ガスのモニターリングや、レーザー光を照射して回折光などでパターン形状をモニターリングして、プラズマ条件を随時調整して正確に所定のパターンを形成することが簡単に可能になる。
【００５９】
また、真空方式における、チャンバー内の真空引きやリーク時及び蓋開閉時などで発生するゴミ付着の問題が、上記常圧プラズマ方式ではインライン的に行うことにより解決されるため、光ディスク分野で重要なゴミによるパターン欠落などの欠陥を防止することができる。
【００６０】
作製した原盤の露光部の表面粗さは、Ｒａ０．０５ｎｍであった。また、未露光部の表面粗さは、Ｒａ０．１ｎｍであった。露光部と未露光部境界の側壁部の表面粗さは、Ｒａ０．１ｎｍであり、側壁角度は、約６０度であった。未露光部の高さは１００ｎｍであった。露光部の幅は約０．２６μｍで、未露光部の上部幅は約０．２６μｍであった。
【００６１】
更に、実施例1と同様にスタンパを作製し、樹脂基板上に記録膜及び保護膜を形成して光磁気ディスクを作成した。
【００６２】
（実施例４）
φ２００ｍｍ、厚さ６ｍｍの石英ガラスからなるガラス原盤上にカップリング剤を塗布して５０℃  ３０分間ベーク処理した後、ノボラック樹脂からなるレジストをスピンコーターにより、厚さ１３０ｎｍ形成し、９０℃  ３０分間ベーク処理を行った。次いで、青レーザーの光源を持つカッティングマシンにより、トラックピッチ０．３２μｍで露光を行った。現像液として、約1％に希釈したテトラメチルアンモニウムヒドロキシドを用いて３０秒間現像処理を行い、純水で５分間リンスを行った後、スピンコーターによる振り切り乾燥を行った。
【００６３】
この時の、レジストの未露光部の表面粗さは、Ｒａ（中心線平均粗さ）で０．１ｎｍであった。露光部の表面粗さは、Ｒａで１．２ｎｍであった。
【００６４】
露光部と未露光部境界の側壁部の表面粗さは、Ｒａ０．７ｎｍであり、側壁角度は、約６０度であった。未露光部の高さは１３０ｎｍであった。
【００６５】
露光部の幅は約０．２４μｍで、未露光部の上部幅は約０．２６μｍであった。
【００６６】
また、露光部では、レジストの残渣又は反応生成物と思われる異物が確認された。
【００６７】
更に、オゾン発生装置により、レジスト表面をオゾンでエッチング処理した。オゾンの発生は、低波長ＵＶランプにより行い、ＵＶ光をレジストに照射させないようにして発生したオゾンのみをレジスト表面に約３０秒間導入させた。
【００６８】
オゾンの濃度は、ＵＶランプパワーや酸素濃度などにより調整可能であり、１０ｐｐｍの濃度で行った。また、導入したガスを基板下方などで排気することで、上記常圧プラズマと同様にインライン的にエッチング処理が可能であり、かつモニターリングを行いながら、エッチング条件を調整することができる。
【００６９】
上記オゾン方式では、一般的なドライエッチング方式と異なり、簡易な装置構成であり、低コストで容易に作製可能になる。
【００７０】
作製した原盤の露光部の表面粗さは、Ｒａ０．０５ｎｍであった。また、未露光部の表面粗さは、Ｒａ０．１ｎｍであった。露光部と未露光部境界の側壁部の表面粗さは、Ｒａ０．１ｎｍであり、側壁角度は、約６０度であった。未露光部の高さは１００ｎｍであった。露光部の幅は約０．２６μｍで、未露光部の上部幅は約０．２６μｍであった。
【００７１】
更に、実施例1と同様にスタンパを作製し、樹脂基板上に記録膜及び保護膜を形成して光磁気ディスクを作成した。
【００７２】
（実施例５）
ガラス原盤上にレジストを形成して、露光及び現像を行った後に、１２０℃  ３０分間加熱処理を行ったこと以外は、実施例１〜４と同様にして、加熱処理後にガラス原盤のレジストに対してエッチング処理を行った。
【００７３】
加熱前のレジスト未露光部の表面粗さは、Ｒａで０．１ｎｍであった。露光部の表面粗さは、Ｒａで１．２ｎｍであった。
【００７４】
露光部と未露光部境界の側壁部の表面粗さは、Ｒａ０．７ｎｍであり、側壁角度は、約６０度であった。未露光部の高さは１３０ｎｍであった。
【００７５】
露光部の幅は約０．２４μｍで、未露光部の上部幅は約０．２６μｍであった。
【００７６】
加熱処理後のレジスト未露光部の表面粗さは、Ｒａで０．１ｎｍであった。露光部の表面粗さは、Ｒａで１．２ｎｍであった。
【００７７】
露光部と未露光部境界の側壁部の表面粗さは、Ｒａ０．７ｎｍであり、側壁角度は、約６０度であった。未露光部の高さは１２０ｎｍであった。
【００７８】
露光部の幅は約０．２４μｍで、未露光部の上部幅は約０．２６μｍであった。
【００７９】
加熱処理により未露光部の硬化が行われて、レジスト膜厚が薄くなったと考えられる。
【００８０】
加熱処理後にエッチング処理することにより作製した原盤の露光部の表面粗さは、Ｒａ０．０５ｎｍであった。また、未露光部の表面粗さは、Ｒａ０．０５ｎｍであった。露光部と未露光部境界の側壁部の表面粗さは、Ｒａ０．０５ｎｍであり、側壁角度は、約７５度であった。未露光部の高さは１００ｎｍであった。露光部の幅は約０．２９μｍで、未露光部の上部幅は約０．２９μｍであった。
【００８１】
エッチング処理として、オゾン水、レジスト溶解液、常圧プラズマ、オゾンのいずれの処理においても、結果は同じであった。
【００８２】
上記加熱処理により、レジストの残渣又は反応生成物と思われる異物が選択的にエッチングされやすくなり、ガラス原盤の表面性を向上させることができ、しかも側壁形状を矩形化することが可能になった。
【００８３】
更に、実施例1と同様にスタンパを作製し、樹脂基板上に記録膜及び保護膜を形成して光磁気ディスクを作成した。
【００８４】
（比較例１）
露光及び現像でパターニング形成を行い、表面処理を行わなかったこと以外は、実施例1と同様にして光ディスク原盤を作製し、光ディスクを作成した。
【００８５】
この時の、レジストの未露光部の表面粗さは、Ｒａで０．１ｎｍであった。露光部の表面粗さは、Ｒａで１．２ｎｍであった。
【００８６】
露光部と未露光部境界の側壁部の表面粗さは、Ｒａ０．７ｎｍであり、側壁角度は、約６０度であった。未露光部の高さは１３０ｎｍであった。
【００８７】
露光部の幅は約０．２４μｍで、未露光部の上部幅は約０．２６μｍであった。
【００８８】
また、露光部では、レジストの残渣又は反応生成物と思われる異物が確認されており、露光部のレジストを完全に除去していない状態であった。
【００８９】
（比較例２）
現像時間を45秒間行ったこと以外は、比較例1と同様にして光ディスク原盤を作製し、光ディスクを作成した。
【００９０】
この時の、レジストの未露光部の表面粗さは、Ｒａで０．７ｎｍであった。露光部の表面粗さは、Ｒａで０．３ｎｍであった。
【００９１】
露光部と未露光部境界の側壁部の表面粗さは、Ｒａ０．９ｎｍであり、側壁角度は、約６０度であった。未露光部の高さは１００ｎｍであった。
【００９２】
露光部の幅は約０．２６μｍで、未露光部の上部幅は約０．２６μｍであった。
【００９３】
また、露光部では、レジストの残渣又は反応生成物と思われる異物がほとんど除去されているものの、未露光部及び側壁部の表面性が大幅に悪化しており、未露光部及び側壁部レジストの低分子量部分が選択的に現像されていると考えられる状態であった。
【００９４】
上記比較例１及び２で作製された光ディスクは、上記実施例で作製された光ディスクと異なり、再生信号及びサーボ信号などの信号特性が大幅に悪化しており、Ｃ／Ｎやジッターも悪化していた。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】本発明の実施例１における光ディスクの製造方法を示す模式断面図である。  ａ）は、ガラス原盤にレジストを形成した状態を示す。ｂ）は、露光及び現像によりパターニングした状態を示す。ｃ）は、現像後に表面処理した状態を示す。
【図２】本発明の実施例５における光ディスクの製造方法を示す模式断面図である。  ａ）は、ガラス原盤にレジストを形成した状態を示す。ｂ）は、露光及び現像によりパターニングした状態を示す。ｃ）は、現像後加熱処理を行い次いで表面処理した状態を示す。
【符号の説明】
【００９６】
1  レジスト
2  ガラス原盤
3  レジスト未露光部（ランド部）
4  レジスト露光部（グルーブ部）
5  レジスト側壁部（ランド部とグルーブ部の境界傾斜部）
【図１】
2006286137.tif 000003
【図２】
2006286137.tif 000004