(57)【要約】【課題】臨界寸法を正確に実現できる多重透過位相マスクを提供する。【解決手段】マスクの光透過基板と、光透過基板の上部に光が透過されないように形成され、半導体素子のパターン領域１０４を画定する光遮断膜１０２と、半導体素子のパターン領域１０４間の所定部分の光透過基板の表面が露呈された位相反転領域１０６と、を含み、半導体素子のパターン領域１０４における光遮断膜１０２間の光透過基板が所定深さにエッチングされた多重透過位相マスクにより上記課題を解決できる。【選択図】図１１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光装置に使用されるマスクであって、
前記マスクの光透過基板と、
前記光透過基板の上部に光が透過されないように形成され、半導体素子のパターン領域を画定する光遮断膜と、
前記半導体素子のパターン領域間の所定部分の前記光透過基板の表面が露呈された位相反転領域と、を含み、
前記半導体素子のパターン領域における前記光遮断膜間の前記光透過基板が所定深さにエッチングされたことを特徴とする多重透過位相マスク。
【請求項２】
前記位相反転領域は、前記パターン領域に対して１８０゜の位相差を有することを特徴とする請求項１記載の多重透過位相マスク。
【請求項３】
前記位相反転領域は、前記半導体素子のパターン領域間の行方向に形成されたことを特徴とする請求項１記載の多重透過位相マスク。
【請求項４】
前記位相反転領域は、前記半導体素子のパターン領域間の列方向に形成されたことを特徴とする請求項１記載の多重透過位相マスク。
【請求項５】
前記半導体素子のパターン領域は、補助パターン領域をさらに含むことを特徴とする請求項１記載の多重透過位相マスク。
【請求項６】
露光装置に使用されるマスクの製造方法であって、
光透過基板の上部に光遮断膜を形成し、前記光遮断膜を一次的にパターニングする段階と、
前記一次的にパターニングされた光遮断膜により前記光透過基板を所定深さにエッチングし、半導体素子のパターン領域を形成する段階と、
前記光遮断膜パターンを二次的にパターニングし、前記半導体素子のパターン領域間の所定部分の前記光透過基板の表面が露呈される位相反転領域を形成する段階と、を含んで構成されることを特徴とする多重透過位相マスクの製造方法。
【請求項７】
前記位相反転領域は、前記半導体素子のパターン領域に対して１８０゜の位相差を有することを特徴とする請求項６記載の多重透過位相マスクの製造方法。
【請求項８】
前記位相反転領域は、前記半導体素子のパターン領域間の行方向に形成されたことを特徴とする請求項６記載の多重透過位相マスクの製造方法。
【請求項９】
前記位相反転領域は、前記半導体素子のパターン領域間の列方向に形成されたことを特徴とする請求項６記載の多重透過位相マスクの製造方法。
【請求項１０】
前記光遮断膜を一次的にパターニングする段階は、少なくとも２個以上のポールを有し、設定されたオープン角度を有する変形照明系を使用した露光工程およびエッチング工程により行うことを特徴とする請求項６記載の多重透過位相マスクの製造方法。
【請求項１１】
前記光遮断膜を二次的にパターニングする段階は、少なくとも２個以上のポールを有し、設定されたオープン角度を有する変形照明系を使用した露光工程およびエッチング工程により行うことを特徴とする請求項６記載の多重透過位相マスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトリソグラフィ技術に関するもので、詳しくは、半導体素子の微細なパターンの劣化を防止することで、臨界寸法を正確に実現できる多重透過位相マスク及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＤＲＡＭまたはフラッシュメモリのように、マスクに形成された半導体素子のパターンが同一の形態に反復され、かつ微細である場合、露光装置の解像力限界によるレンズ収差により、フォトマスク上に設計されるパターンがウェハー上に同一に投影されず、パターンが乖離される光近接効果(Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  ｅｆｆｅｃｔ)が発生するようになる。例えば、ストレージノードコンタクトなどのホールパターンを有するマスクの露光工程時、解像力限界および各パターン間の微細な間隔によって光近接効果が発生することで、ウェハー上に露光されたホールパターンのイメージが円状でなく歪んだ形状になる。
【０００３】
このような光近接効果を補正するために、マスクのパターン形態を変形するか、または、補助パターンを追加しているが、かかる方法によってもパターンの臨界寸法を正確に実現することは困難であった。
【０００４】
これを解決するために、任意のパターンおよびそのパターン間隔にそれぞれ任意の位相を有して光を透過させる多重透過位相マスク(ＭＴＰＭ:Ｍｕｌｔｉ―Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  ＆  Ｐｈａｓｅ  Ｍａｓｋ)を使用することで、ストレージノードコンタクトのような微細なパターンの臨界寸法を実現している。
【０００５】
図１乃至図３は、従来の多重透過位相マスクの一例を示した図である。図２は、図１のＡ-Ａ'線に沿って切断した垂直断面図を示し、図３は、図１のＢ-Ｂ'線に沿って切断した垂直断面図を示している。
【０００６】
従来の一実施形態による多重透過位相マスクは、光透過基板１０の上部にストレージノードコンタクト領域及びコンタクト間隔を画定するために光の透過を遮断する光遮断膜１２と、ストレージノードコンタクト領域間の行方向空間に光透過基板１０が所定深さにエッチングされた位相反転領域１４と、を含む。このとき、光遮断膜１２により光透過基板１０の表面がそのまま露呈されるストレージノードコンタクト領域では、透過光を０゜位相遅延させる。光遮断膜１２により光透過基板１０が所定深さにエッチングされてストレージノードコンタクト間の列方向間隔を画定する位相反転領域１４では、透過光を１８０゜位相遅延させる。すなわち、ストレージノードコンタクト領域の光透過基板１０では、透過光を０゜位相遅延させ、ストレージノードコンタクト領域間の行方向間隔である位相反転領域１４では、透過光を１８０゜位相遅延させ、これらの間で約１８０゜の位相差が発生することで、マスクの各パターン間の光近接効果を補償するようになる。
【０００７】
図４乃至図６は、従来の多重透過位相マスクの他の例を示した図である。図５は、図４のＡ-Ａ'線に沿って切断した垂直断面図を示し、図６は、図４のＢ-Ｂ'線に沿って切断した垂直断面図を示している。
【０００８】
従来の他の実施形態による多重透過位相マスクは、光透過基板１０の上部にストレージノードコンタクト領域及びコンタクト間隔を画定するために光の透過を遮断する光遮断膜１２と、ストレージノードコンタクト領域間の列方向空間に光透過基板１０が所定深さにエッチングされた位相反転領域１４と、を含む。このとき、光遮断膜１２により光透過基板１０の表面がそのまま露呈されるストレージノードコンタクト領域では透過光を０゜位相遅延させる。光遮断膜１２により光透過基板１０が所定深さにエッチングされてストレージノードコンタクト間の列方向間隔を画定する位相反転領域１４では透過光を１８０゜位相遅延させる。すなわち、ストレージノードコンタクト領域の光透過基板１０およびストレージノードコンタクト領域間の行方向間隔である位相反転領域１４では約１８０゜の位相差が発生するので、マスクのパターンおよび各パターン間の光近接効果を補償するようになる。
【０００９】
このような多重透過位相マスクの各パターン間の間隔である位相反転領域の相異なる位相(０゜、１８０゜)間のオーバーレイ調整が正確であるときのみに所望の臨界寸法が得られる。
【００１０】
図７のように、位相差が発生するパターン及びその間隔のオーバーレイが良好である場合、所望のパターンプロファイルおよび臨界寸法が得られる。図８のように、パターン及びその間隔のオーバーレイが約２０ｎｍずれた場合、パターンおよびそのパターン間隔の間にクロム(Ｃｒ)などの光遮断膜が存在することによって所望でないパターン臨界寸法となる。また、図９および図１０のように、位相差が発生するパターン及びその間隔のオーバーレイが良好である場合、光強度が正常に得られる。しかし、オーバーレイがずれた場合、光強度が減少することで、所望のパターンの臨界寸法を確保することが困難になる。
【００１１】
【特許文献１】米国特許第４，７６４，４３２号明細書
【特許文献２】米国特許第５，９９４，００１号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、前記のような従来の問題点を解決するためになされたもので、パターン領域を１８０゜、各パターン間の間隔を０゜になるように光遮断膜及び位相反転領域を備えることで、ストレージノードコンタクトのように微細でかつ反復的な半導体素子のパターンプロファイルおよびその臨界寸法を正確に実現できる多重透過位相マスクを提供することを目的とする。
【００１３】
また、本発明は、一次パターニング工程により１８０゜位相を有するパターン領域を形成し、二次パターニング工程により０゜位相を有するパターン間隔を形成することで、ストレージノードコンタクトのように微細でかつ反復的な半導体素子のパターンプロファイルおよびその臨界寸法を正確に実現できる多重透過位相マスクの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、露光装置に使用されるマスクであって、前記マスクの光透過基板と、前記光透過基板の上部に光が透過されないように形成され、半導体素子のパターン領域を画定する光遮断膜と、前記半導体素子のパターン領域間の所定部分の前記光透過基板の表面が露呈された位相反転領域と、を含み、前記半導体素子のパターン領域における前記光遮断膜間の前記光透過基板が所定深さにエッチングされたことを特徴とする。
【００１５】
また、本発明は、露光装置に使用されるマスクの製造方法であって、光透過基板の上部に光遮断膜を形成し、前記光遮断膜を一次的にパターニングする段階と、前記一次的にパターニングされた光遮断膜により前記光透過基板を所定深さにエッチングし、半導体素子のパターン領域を形成する段階と、前記光遮断膜パターンを二次的にパターニングし、前記半導体素子のパターン領域間の所定部分の前記光透過基板の表面が露呈される位相反転領域を形成する段階と、を含んで構成されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明は、光透過基板の上部に形成された光遮断膜および光透過基板が所定深さにエッチングされた位相反転領域によりパターン領域が１８０゜の位相遅延を、各パターン間の間隔が０゜の位相遅延を有し、これらの間に１８０゜の位相差が発生することで、ストレージノードコンタクトのように微細でかつ反復的な半導体素子のパターンプロファイルおよびその臨界寸法を正確に実現できるという効果がある。
【００１７】
また、本発明は、一次パターニング工程により１８０゜位相を有するパターン領域を形成し、二次パターニング工程により０゜位相を有するパターン間隔を形成することで、位相差が発生する各パターン間の空間のオーバーレイを合せることができ、微細でかつ反復的なパターンプロファイルおよびその臨界寸法を正確に実現できるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１９】
図１１乃至図１３は、本発明の一実施形態による多重透過位相マスクを示した平面図及び垂直断面図である。図１２は、図１１のＡ-Ａ'線に沿って切断した垂直断面図を示し、図１３は、図１１のＢ-Ｂ'線に沿って切断した垂直断面図を示している。
【００２０】
本発明の一実施形態による多重透過位相マスクは、光透過基板１００と、この光透過基板１００の上部に光を透過させないように形成され、半導体素子のパターン領域１０４を画定するクロム(Ｃｒ)などの光遮断膜１０２と、半導体素子のパターン領域１０４間の所定部分(例えば、行方向)の光透過基板１００が露呈された位相反転領域１０６と、を含む。
【００２１】
本発明の多重透過位相マスクの半導体素子のパターン領域１０４は、光遮断膜１０２間の光透過基板１００が所定深さにエッチングされて形成され、透過光を１８０゜位相遅延させる。
【００２２】
また、本発明の多重透過位相マスクの位相反転領域１０６は、光遮断膜１０２により露呈された光透過基板１００に該当し、透過光を０゜位相遅延させる。このとき、位相反転領域１０６は、半導体素子のパターン領域１０４間の行方向に形成される。
【００２３】
したがって、本発明の一実施形態による多重透過位相マスクは、ストレージノードコンタクトなどのパターン領域１０４が透過光を１８０゜位相遅延させ、パターン領域間の行方向間隔に該当する位相反転領域１０６が透過光を０゜位相遅延させる。これらの領域間で１８０゜の位相差が発生することで、パターンの微細間隔で発生する光近接効果を補償する。このとき、ストレージノードコンタクトなどのパターン領域１０４は、１８０゜の位相遅延を有するように光透過基板１００のエッチング深さを調整すべきである。
【００２４】
前記のように、本発明の一実施形態による多重透過位相マスクを使用してＫｒＦなどの露光装置で露光工程を行う場合、ストレージノードコンタクトなどのパターン領域間の行方向空間に１８０゜の位相差を有する位相反転領域１０６を形成することで、微細なパターン隔間の間で発生する光近接効果によってストレージノードコンタクトなどのパターンプロファイルが正常に形成されないか、パターンの臨界寸法が正確でないという問題点が解決された。
【００２５】
図１４乃至図１６は、本発明の他の実施形態による多重透過位相マスクを示した平面図及び垂直断面図である。図１５は、図１４のＡ-Ａ'線に沿って切断した垂直断面図を示し、図１６は、図１４のＢ-Ｂ'線に沿って切断した垂直断面図を示している。
【００２６】
本発明の他の実施形態による多重透過位相マスクは、光透過基板１００と、この光透過基板１００の上部に光を透過させないように形成され、半導体素子のパターン領域１０４を画定するクロム(Ｃｒ)などの光遮断膜１０２と、半導体素子のパターン領域１０４間の所定部分(例えば、列方向)の光透過基板１００が露呈された位相反転領域１０６と、を含む。
【００２７】
本発明の多重透過位相マスクの半導体素子のパターン領域１０４は、光遮断膜１０２間の光透過基板１００が所定深さにエッチングされて形成され、透過光を１８０゜位相遅延させる。
【００２８】
また、本実施形態の多重透過位相マスクの位相反転領域１０６は、光遮断膜１０２により露呈された光透過基板１００に該当し、透過光を０゜位相遅延させる。このとき、位相反転領域１０６は、半導体素子のパターン領域１０４間の列方向に形成される。
【００２９】
したがって、本発明の他の実施形態による多重透過位相マスクは、ストレージノードコンタクトなどのパターン領域１０４が透過光に対して１８０゜の位相遅延を有し、パターン領域間の列方向間隔に該当する位相反転領域１０６が透過光に対して０゜の位相遅延を有する。そのため、これらの領域で１８０゜の位相差が発生することで、パターンの微細間隔で発生する光近接効果を補償する。このとき、ストレージノードコンタクトなどのパターン領域１０４は、１８０゜の位相遅延を有するように光透過基板１００のエッチング深さを調整すべきである。
【００３０】
前記のように、本発明の他の実施形態による多重透過位相マスクを使用してＫｒＦなどの露光装置で露光工程を行う場合、ストレージノードコンタクトなどのパターン領域間の列方向空間に１８０゜の位相差を有する位相反転領域１０６を形成することで、微細なパターン隔間の間で発生する光近接効果を補償し、ストレージノードコンタクトなどのパターンプロファイル及びパターンの臨界寸法を正確に確保することができる。
【００３１】
以下、本発明による多重透過位相マスク製造方法の一例を図１７乃至図２７に基づいて説明する。
【００３２】
図１７及び図１８は、本発明による多重透過位相マスク製造方法の第１露光工程を説明するための図で、図１８は、図１７のＣ-Ｃ'線に沿って切断した垂直断面図である。
【００３３】
図１７及び図１８に示すように、光透過基板２００、例えば、ガラス基板の上部に光遮断膜２０２としてクロム(Ｃｒ)を形成する。その後、光遮断膜２０２の上部にフォトレジスト２０４を形成し、このフォトレジスト２０４に電子ビーム露光装置で多重透過位相マスクのパターン領域を画定する部分を露光する第１露光工程を行う。
【００３４】
次いで、フォトレジスト２０４，２０６に現像工程を行って露光されたフォトレジスト部分２０６のみを取り除くことで、ストレージノードコンタクトなどの半導体素子のパターン領域がオープンされるフォトレジストパターン２０４を形成する。
【００３５】
図１９乃至図２１は、本発明の多重透過位相マスク製造方法の第１エッチング工程を説明するための図で、図２０及び図２１は、図１９のＤ-Ｄ'線に沿って切断した垂直断面図である。
【００３６】
図１９乃至図２１に示すように、前記半導体素子のパターン領域を画定するフォトレジストパターンにより露呈された光遮断膜２０２を一次的にパターニングする。これによって、プラズマエッチング装備を用いた１次エッチング工程により光遮断膜パターン２０２ａをパターニングし、この光遮断膜パターン２０２ａにより露呈された光透過基板２００を所定深さにエッチングすることで、透過光に対して１８０゜の位相遅延を有する半導体素子パターン領域２０７を形成する。その後、使用されたフォトレジストパターンを０２プラズマアッシング工程により取り除く。
【００３７】
図２２及び図２３は、本発明の多重透過位相マスク製造方法の第２露光工程を説明するための図である。図２３は、図２２のＥ-Ｅ'線に沿って切断した垂直断面図である。
【００３８】
図２２及び図２３に示すように、１次的にパターニングされた光遮断膜パターン２０２ａの上部に再びフォトレジスト２０８を形成し、このフォトレジスト２０８に電子ビーム露光装置で多重透過位相マスクのパターン間の間隔を画定する部分２１０を露光する第２露光工程を行う。このとき、各パターン間の間隔は、ライン形態に製作する。
【００３９】
フォトレジスト２０８，２１０に現像工程を行って露光されたフォトレジスト部分２１０を取り除くことで、ストレージノードコンタクトなどの半導体素子パターン領域間の間隔を画定するフォトレジストパターン２０８を形成する。
【００４０】
図２４乃至図２７は、本発明の多重透過位相マスク製造方法の第２エッチング工程を説明するための図である。図２５乃至図２７は、図２４のＦ-Ｆ'線、Ｇ-Ｇ'線、Ｈ-Ｈ'線に沿って切断した垂直断面図である。
【００４１】
図２４乃至図２７に示すように、半導体素子のパターン領域間の間隔を画定するフォトレジストパターンにより露呈された光遮断膜パターン２０２ａを二次的にパターニングする。これによって、プラズマエッチング装備を用いた２次エッチング工程により光遮断膜パターン２０２ｂをエッチングし、この光遮断膜パターン２０２ｂにより光透過基板２００の表面が露呈された位相反転領域２１２を形成する。このとき、位相反転領域２１２は、透過光に対して０゜の位相遅延を有し、半導体素子のパターン領域２０７間の行方向または列方向間隔に該当する。その後、使用されたフォトレジストパターンを０２プラズマアッシング工程により取り除く。
【００４２】
本発明の多重透過位相マスクの製造方法では、半導体素子のパターン領域２０７を形成した後で位相反転領域２１２を形成したが、まず、図２２乃至図２７の製造工程を行って先に位相反転領域を形成した後、図１７乃至図２１の製造工程を行って半導体素子のパターン領域２０７を形成し、同一構造の多重透過位相マスクを製造することができる。
【００４３】
このように製造された本発明による多重透過位相マスクは、ストレージノードコンタクトなどの半導体素子のパターン領域２０７が透過光に対して１８０゜の位相遅延を有し、パターン領域２０７間の位相反転領域２１２が透過光に対して０゜の位相遅延を有するため、これらの領域間で１８０゜の位相差が発生することで、パターン間で発生する光近接効果を補償する。
【００４４】
また、本発明の多重透過位相マスク製造方法は、１８０゜の位相差が発生する半導体素子のパターン領域２０７および位相反転領域２１２を２回の露光及びパターニング(エッチング)工程により形成するため、位相差が発生するパターンおよび各パターン間の空間のオーバーレイを合せることができる。
【００４５】
一方、本発明は、図１７乃至図２２のような露光工程時、少なくとも２個以上のポールを有し、設定されたオープン角度を有する変形照明系を使用する。このとき、本発明に使用された変形照明系のオープンポールの個数、オープン角度の大きさおよび方向は、多重透過位相マスク内の位相反転領域の位置によって決定される。
【００４６】
図２８は、本発明の多重透過位相マスク製造過程に使用された変形照明系の例を示した図である。図２８の変形照明系は、ヘキサポール(hexapole)を有する変形照明系であって、例えば、ヘキサポールの各ポールのαは、垂直軸に対して１５゜オープンされた角度を、βは、水平軸に対して２０゜オープンされた角度を、一対のγは、６０゜オープンされた角度をそれぞれ有する。
【００４７】
したがって、本発明は、ヘキサポールなどの変形照明系を使用することで、多重透過位相マスクの光透過率及び位相を調整して露光工程を行うことができる。
【００４８】
図２９は、本発明による多重透過位相マスクおよび変形照明系を使用して露光工程を行ったとき、ウェハー上に露光されたストレージノードコンタクトパターン形態を示した図である。
【００４９】
図２８に示した変形照明系、および、図１４のハーフピッチ９５ｎｍであるストレージノードコンタクトのマスクを有する多重透過位相マスクを使用して０.８０ＮＡのＫｒＦ露光装置でウェハーに露光する場合、図２９のように、ウェハー上に露光されるストレージノードコンタクトパターンが所定間隔に均一に示されるイメージが得られる。このとき、露光工程時の焦点深度(ＤＯＦ)は０.５μｍで、露光許容度(ＥＬ)は１２.７％であった。
【００５０】
一方、本発明の多重透過位相マスクは、前述した実施形態では、ストレージノードコンタクトなどの半導体素子のパターン領域を四角パターン形態で示したが、このパターン領域に補助パターン領域を追加するか、パターン形態を変形するか、位相反転領域の位置を調整するなどの多様な変更が可能である。また、光透過基板および光遮断膜を他の物質に取り替えることで、半導体素子のパターン領域およびその隔間の間に所定の位相差が発生するように変更することもできる。
【００５１】
一方、本発明は、上述した実施形態に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想および範疇内で、当業者によって多様に変形可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】従来の多重透過位相マスクの一例を示した図である。
【図２】従来の多重透過位相マスクの一例を示した図である。
【図３】従来の多重透過位相マスクの一例を示した図である。
【図４】従来の多重透過位相マスクの他の例を示した図である。
【図５】従来の多重透過位相マスクの他の例を示した図である。
【図６】従来の多重透過位相マスクの他の例を示した図である。
【図７】従来の多重透過位相マスクのパターンおよびそのパターン間隔の位相オーバーレイが正確である場合およびそうでない場合をそれぞれ示し、このときの光強度を比較したグラフである。
【図８】従来の多重透過位相マスクのパターンおよびそのパターン間隔の位相オーバーレイが正確である場合およびそうでない場合をそれぞれ示し、このときの光強度を比較したグラフである。
【図９】従来の多重透過位相マスクのパターンおよびそのパターン間隔の位相オーバーレイが正確である場合およびそうでない場合をそれぞれ示し、このときの光強度を比較したグラフである。
【図１０】従来の多重透過位相マスクのパターンおよびそのパターン間隔の位相オーバーレイが正確である場合およびそうでない場合をそれぞれ示し、このときの光強度を比較したグラフである。
【図１１】本発明の一実施形態による多重透過位相マスクを示した平面図である。
【図１２】本発明の一実施形態による多重透過位相マスクを示した垂直断面図である。
【図１３】本発明の一実施形態による多重透過位相マスクを示した垂直断面図である。
【図１４】本発明の他の実施形態による多重透過位相マスクを示した平面図である。
【図１５】本発明の他の実施形態による多重透過位相マスクを示した垂直断面図である。
【図１６】本発明の他の実施形態による多重透過位相マスクを示した垂直断面図である。
【図１７】本発明の多重透過位相マスク製造方法の第１露光工程を説明するための図である。
【図１８】本発明の多重透過位相マスク製造方法の第１露光工程を説明するための図である。
【図１９】本発明の多重透過位相マスク製造方法の第１エッチング工程を説明するための図である。
【図２０】本発明の多重透過位相マスク製造方法の第１エッチング工程を説明するための図である。
【図２１】本発明の多重透過位相マスク製造方法の第１エッチング工程を説明するための図である。
【図２２】本発明の多重透過位相マスク製造方法の第２露光工程を説明するための図である。
【図２３】本発明の多重透過位相マスク製造方法の第２露光工程を説明するための図である。
【図２４】本発明の多重透過位相マスク製造方法の第２エッチング工程を説明するための図である。
【図２５】本発明の多重透過位相マスク製造方法の第２エッチング工程を説明するための図である。
【図２６】本発明の多重透過位相マスク製造方法の第２エッチング工程を説明するための図である。
【図２７】本発明の多重透過位相マスク製造方法の第２エッチング工程を説明するための図である。
【図２８】本発明の多重透過位相マスク製造過程時に使用された変形照明系の例を示した図である。
【図２９】本発明の多重透過位相マスクおよび変形照明系を使用して露光工程を行ったとき、ウェハー上に露光されたストレージノードコンタクトのパターン形態を示した図である。
【符号の説明】
【００５３】
１００  マスクの光透過基板、１０２  光遮断膜、１０４  半導体素子のパターン領域、１０６  位相反転領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図７】
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【図８】
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【図２９】
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