(57)【要約】【課題】  突起電極間ピッチ寸法の微細化に対応でき、しかも実装信頼性を確保できる突起電極の製造方法を提供する。【解決手段】  突起電極形成工程は、共通電極膜２４上の全面に第１の感光性樹脂２０を形成し、第１の感光性樹脂をパターンニングして電極パッド１４上に開口部を形成する工程と、共通電極膜をメッキ電極として第１の感光性樹脂の開口部に第１の感光性樹脂の厚さを越えて第１の突起電極２８を形成する工程と、全面に第２の感光性樹脂２６を形成し、第２の感光性樹脂をパターンニングして電極パッド上に開口部を形成する工程と、共通電極膜をメッキ電極として第２の感光性樹脂の開口部内の第１の突起電極上に第２の突起電極３０を形成する工程とを有する。【選択図】  図４
2006269712.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上の全面に共通電極膜を形成する工程と、該共通電極膜上に感光性樹脂を形成し、該感光性樹脂をパターンニングして電極パッド上に開口部を形成し、前記共通電極膜をメッキ電極として前記感光性樹脂の開口部内に第１の突起電極と第２の突起電極を形成する突起電極形成工程と、前記突起電極に整合する領域外の前記共通電極膜を除去して下部電極を形成する工程と、加熱処理を行ない前記第２の突起電極を溶融させる工程とを有する半導体装置の製造方法において、
前記突起電極形成工程は、
前記共通電極膜上の全面に第１の感光性樹脂を形成し、該第１の感光性樹脂をパターンニングして前記電極パッド上に開口部を形成する工程と、
前記共通電極膜をメッキ電極として第１の感光性樹脂の開口部に前記第１の突起電極を前記第１の感光性樹脂の厚さを越えて形成する工程と、
全面に第２の感光性樹脂を形成し、該第２の感光性樹脂をパターンニングして前記第１の突起電極上に開口部を形成する工程と、
前記共通電極膜をメッキ電極として第２の感光性樹脂の開口部の前記第１の突起電極上に第２の突起電極を形成する工程と、
前記第１の感光性樹脂と前記第２の感光性樹脂とを除去する工程を有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
半導体基板上の全面に共通電極膜を形成する工程と、該共通電極膜上に感光性樹脂を形成し、該感光性樹脂をパターンニングして電極パッド上に開口部を形成し、前記共通電極膜をメッキ電極として前記感光性樹脂の開口部内に第１の突起電極と第２の突起電極を形成する突起電極形成工程と、前記突起電極に整合する領域外の前記共通電極膜を除去して下部電極を形成する工程と、加熱処理を行ない前記突起電極を溶融させる工程とを有する半導体装置の製造方法において、  
前記突起電極形成工程は、
前記共通電極膜上の全面に第１の感光性樹脂を形成し、該第１の感光性樹脂をパターンニングして前記電極パッド上に開口部を形成する工程と、
前記共通電極膜をメッキ電極として第１の感光性樹脂の開口部に前記第１の突起電極を前記第１の感光性樹脂の厚さを越えて形成する工程と、  
前記第１の感光性樹脂を除去する工程と、
全面に第２の感光性樹脂を形成し、該第２の感光性樹脂をパターンニングして前記第１の突起電極上に開口部を形成する工程と、
前記共通電極膜をメッキ電極として第２の感光性樹脂の開口部の前記第１の突起電極上に前記第２の突起電極を形成する工程と、
前記第２の感光性樹脂を除去する工程を有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１の感光性樹脂の開口部と前記第２の感光性樹脂の開口部は同じ大きさである
ことを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の突起電極は銅からなる
ことを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２の突起電極は半田からなる
ことを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１の突起電極はマッシュルーム形状である
ことを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置の製造方法に関し、とくに半導体装置を回路基板に電気的及び機械的に接続するための突起電極の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フリップチップ技術を用いて半導体装置と回路基板とを接続する技術が広く行なわれている。半田からなる突起電極を形成するフリップチップ技術として、例えば特許文献１がある。
【特許文献１】特開平８−２１３４０２号公報（段落００１２〜００１９及び図１〜図９）
【０００３】
特許文献１に記載の製造方法を以下に説明する。
半導体基板の全面に共通電極膜を形成し、この共通電極膜上の全面に感光性樹脂を形成し、感光性樹脂をパターンニングして電極パッド上に開口部を形成する。その後、共通電極膜をメッキ電極として感光性樹脂の開口部内に銅からなる第１の突起電極と半田からなる第２の突起電極を順次形成する。その後、突起電極に整合する領域外の共通電極膜をエッチング除去して下部電極を形成し、加熱処理して半田を溶融させて第２の突起電極を球状にして、第１の突起電極と第２の突起電極とからなる突起電極を形成している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の半導体装置の製造方法によれば、メッキ処理により簡便に突起電極を形成することができる利点がある。
しかし、この製造方法では突起電極間の寸法（ピッチ寸法）が１００μｍ程度の微細ピッチ寸法に対応することが難しくなる。以下、この点を詳しく説明する。
【０００５】
突起電極により電気的及び機械的に接続する半導体装置と回路基板の間の隙間寸法は、半導体装置のシリコンと回路基板との熱膨張係数が１桁以上異なることや、回路基板の反り等による実装高さのばらつきを軟質材料である半田で吸収して実装の信頼性を確保するために極端に小さくできず、ある程度必要となる。そのため実装高さばらつきを吸収する突起電極を構成する半田の最低必要量が決まってくる。
【０００６】
最低必要量を確保して半田量を多くするためには、微細ピッチでは横方向を大きくすることができないことから、メッキで形成する突起電極の高さを高くせざるを得ない。
特許文献１では、感光性樹脂の開口内にメッキにて半田を形成しているが、感光性樹脂の厚さを越えて半田を形成すると、メッキは等方的に成長する。すなわち、半田は突起電極の高さ方向と横方向とに同じ寸法で成長する。
【０００７】
このため突起電極間のピッチ寸法を微細にして半田量を多くしようとすると、隣接する突起電極どうしの半田が連結し、隣りの突起電極と半田で短絡するという問題点が発生する。
隣りの突起電極と短絡しないようにすると、前述のように、半導体装置と回路基板の実装に必要な半田量が確保できず、実装の信頼性が低下する。
【０００８】
本発明の目的は、上記課題を解決して突起電極間ピッチ寸法の微細化に対応でき、しかも実装信頼性を確保できる突起電極の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の半導体装置の製造方法は下記記載の方法を採用する。
半導体基板上の全面に共通電極膜を形成する工程と、共通電極膜上に感光性樹脂を形成し、感光性樹脂をパターンニングして電極パッド上に開口部を形成し、共通電極膜をメッキ電極として感光性樹脂の開口部内に第１の突起電極と第２の突起電極を形成する突起電極形成工程と、突起電極に整合する領域外の共通電極膜を除去して下部電極を形成する工程と、加熱処理を行ない突起電極を溶融させる工程とを有する半導体装置の製造方法において、
突起電極形成工程は、共通電極膜上の全面に第１の感光性樹脂を形成し、第１の感光性樹脂をパターンニングして電極パッド上に開口部を形成する工程と、共通電極膜をメッキ電極として第１の感光性樹脂の開口部に第１の感光性樹脂の厚さを越えて第１の突起電極を形成する工程と、全面に第２の感光性樹脂を形成し、第２の感光性樹脂をパターンニングして第１の突起電極上に開口部を形成する工程と、共通電極膜をメッキ電極として第２の感光性樹脂の開口部の第１の突起電極上に第２の突起電極を形成する工程と、第１の感光性樹脂と第２の感光性樹脂とを除去する工程を有することを特徴とする。
また本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上の全面に共通電極膜を形成する工程と、共通電極膜上に感光性樹脂を形成し、感光性樹脂をパターンニングして電極パッド上に開口部を形成し、共通電極膜をメッキ電極として感光性樹脂の開口部内に第１の突起電極と第２の突起電極を形成する突起電極形成工程と、突起電極に整合する領域外の共通電極膜を除去して下部電極を形成する工程と、加熱処理を行ない突起電極を溶融させる工程とを有する半導体装置の製造方法において、  
突起電極形成工程は、共通電極膜上の全面に第１の感光性樹脂を形成し、第１の感光性樹脂をパターンニングして前記電極パッド上に開口部を形成する工程と、共通電極膜をメッキ電極として第１の感光性樹脂の開口部にこの第１の感光性樹脂の厚さを越えて第１の突起電極を形成する工程と、第１の感光性樹脂を除去する工程と、全面に第２の感光性樹脂を形成し、第２の感光性樹脂をパターンニングして第１の突起電極上に開口部を形成する工程と、共通電極膜をメッキ電極として第２の感光性樹脂の開口部の第１の突起電極上に第２の突起電極を形成する工程と、第２の感光性樹脂を除去する工程を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の突起電極の製造方法においては、第１の突起電極の形成領域を規定する第１の感光性樹脂と、第２の突起電極の形成領域を規定する第２の感光性樹脂とを形成している。
第１の感光性樹脂により第１の突起電極を形成する領域を規定し、第２の感光性樹脂により第２の突起電極を形成する領域を規定する本発明においては、第２の感光性樹脂の厚さを越えて等方的に成長する半田メッキを最小限にすることができる。この結果、本発明の製造方法では、実装信頼性を充分に確保できる半田量を形成することが可能となるとともに、突起電極間ピッチ寸法が微細な半導体装置においても隣接する突起電極どうしが短絡することがない。
【００１１】
また本発明の突起電極の製造方法においては、第１の突起電極を第１の感光性樹脂の厚さを越えて形成している。メッキにおいては感光性樹脂の膜厚を越えると、等方的にメッキ被膜は成長する。
このため第１の突起電極の形状は、第１の突起電極頂部が基部より張り出した断面形状となり、張り出し部分が第２の突起電極を溶融させたとき、堰の役割を果たし、第２の突起電極材料は第１の突起電極側壁には濡れ広がらず、第１の突起電極頂部にのみ制御性よく濡れることから突起電極の高さばらつきはきわめて小さくなる。
【００１２】
したがって、本発明の製造方法においては、突起電極間ピッチ寸法の微細化を達成でき、しかも突起電極の高さばらつきはきわめて小さいことから、実装強度ばらつきは発生せず、信頼性の高い半導体装置と回路基板との実装を行なうことが可能な突起電極が得られる。
【００１３】
さらに本発明の突起電極を形成した半導体装置と回路基板の実装時、第２の突起電極を溶融させたとき第１の突起電極は溶融しない。このため第１の突起電極が半導体装置と回路基板間のスペーサの役割を果たすとともに、第２の突起電極の濡れ広がりを制御でき、実装信頼性が高い半導体装置を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下図面を用いて本発明の半導体装置の製造方法における最良な形態を説明する。まずはじめに本発明の第１の実施例の突起電極形成方法を説明する。
【実施例１】
【００１５】
図１〜図７は本発明の第１の実施例における半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。以下、図１〜図７を用いて第１の実施例を説明する。
【００１６】
はじめに図１に示すように、半導体基板１２の入出力電極である電極パッド１４が露出するように絶縁膜１６を形成する。絶縁膜１６としては、酸化シリコン等の無機膜や樹脂膜等の有機膜が適用できる。
【００１７】
つぎにスパッタリング法により半導体基板１２上の全面に共通電極膜２４を形成する。共通電極膜２４としては、半導体基板１２側から０．１〜０．５μｍの厚さのチタン・タングステン合金と、厚さが０．２〜１．０μｍの銅を順次形成する。
この多層構造の共通電極膜２４は、電極パッド１４と後述する工程で形成する第１の突起電極との接続層の役割と相互拡散を抑制するバリア層の役割をもつとともに、突起電極をメッキ法にて形成するときのメッキ電極としての役割ももつ。
【００１８】
つぎに全面に第１の感光性樹脂２０を回転塗布法により形成する。この第１の感光性樹脂２０は厚さ５μｍで形成する。
その後、所定のフォトマスクを用いる露光処理、及び現像処理のフォトリソグラフィー処理を行ない第１の感光性樹脂２０の第１の突起電極形成領域の電極パッド１４上に開口部を形成するようにパターンニングする。
第１の感光性樹脂２０の開口大きさは、電極パッド１４大きさより小さく、かつ絶縁膜１６の開口大きさより大きくなるように設定する。
【００１９】
つぎに図２に示すように、共通電極膜２４をメッキ電極として使用するメッキ法により第１の感光性樹脂２０の開口部に第１の突起電極２８を形成する。
第１の突起電極２８材料としては銅（Cu)を用いる。第１の突起電極２８材料としては、融点が第２の突起電極材料より高く、しかも第１の突起電極２８上に形成する第２の突起電極材料に対する濡れ性が良い材料であれば銅以外に適用可能で、たとえばニッケルや、ニッケル合金も適用できる。
【００２０】
メッキで形成する第１の突起電極２８は、第１の感光性樹脂２０の膜厚を越えるの膜厚で形成する。第１の実施例では、第１の突起電極２８は２０μｍで形成した。
第１の突起電極２８は第１の感光性樹脂２０の膜厚の５μｍ以下では、第１の感光性樹脂２０開口部内を充填するように形成される。そして第１の感光性樹脂２０膜厚を越えると、メッキ被膜は等方的に成長し、高さ方向だけでなく横方向にも成長し、
第１の突起電極２８の断面形状は、基部より頂部が張り出したマッシュルーム形状となる
。第１の感光性樹脂２０の膜厚が５μｍであることから、第１の感光性樹脂２０表面から第１の突起電極２８は高さ方向に１５μｍ突出し、横方向にも１５μｍ突出する。
【００２１】
実装するときの半導体装置と回路基板間の間隙は、第１の突起電極２８の高さ寸法でも制御できる。第１の突起電極２８の高さ寸法は、第１の感光性樹脂２０の膜厚、及び第１の突起電極２８のメッキ被膜厚さで調整する。第１の突起電極２８のメッキ厚さは隣接する突起電極間のピッチ寸法で制約され、また本発明では第１の感光性樹脂２０の厚さを越えてメッキ被膜を形成していることから、第１の感光性樹脂２０の厚さで、第１の突起電極２８の高さ寸法を制御するほうが好ましい。
【００２２】
つぎに図３に示すように、第１の感光性樹脂２８は剥離せず、半導体基板１２上の全面に第２の感光性樹脂２６を回転塗布法により形成する。
その後、フォトリソグラフィー処理により第２の感光性樹脂２６の第２の突起電極形成領域に開口部を形成するようにパターンニングする。
【００２３】
第２の感光性樹脂２６は２０〜１００μｍの膜厚で形成する。第２の感光性樹脂２６の膜厚を調整することにより、実装信頼性が確保できる半田量を制御する。半田量は回路基板電極の大きさや、半導体装置と回路基板間の間隙寸法や、回路基板電極材料等を考慮して設定する。実装に必要な半田量から、第２の突起電極３０のメッキ高さ、及び第２の感光性樹脂２６の膜厚と開口大きさを設定する。
【００２４】
第２の感光性樹脂２６の開口大きさは、第１の感光性樹脂２０の開口大きさと同じ大きさとした。第１の感光性樹脂２０開口大きさと第２の感光性樹脂２６開口大きさを同じ大きさとすると、露光処理のためのフォトマスクは同一のフォトマスクを使用することができ、フォトマスクを増加させることなく突起電極を形成できるという利点をもつ。
あるいは第１の感光性樹脂２０開口大きさと第２の感光性樹脂２６開口大きさを相違させてもよい。第２の感光性樹脂２６開口大きさを第１の感光性樹脂２０開口大きさより大きくすると、実装に必要な第２の突起電極高さを低くでき、メッキ被膜厚を薄くできることからメッキ処理を短時間とすることが可能となる利点を有する。
【００２５】
つぎに図４に示すように、共通電極膜２４をメッキ電極として用いて第２の感光性樹脂２６の開口部に第２の突起電極３０をメッキ法により形成する。第２の突起電極３０材料は半田とした。
この実施例においては第２の突起電極３０は、第２の感光性樹脂２６の厚さを越えて形成した。第１の突起電極２８と同じように、第２の突起電極３０も第２の感光性樹脂２６膜厚を越えると、メッキ被膜は等方的に成長し、高さ方向だけでなく横方向にも成長し、第２の突起電極３０の断面形状は、基部より頂部が張り出したマッシュルーム形状となる。
【００２６】
つぎに図５に示すように、第１の感光性樹脂２０と第２の感光性樹脂２６を、レジスト剥離液を用いて同時に除去する。
すると、第１の突起電極２８の頂部に第２の突起電極３０を形成した突起電極が得られる。
【００２７】
つぎに図６に示すように、第１の突起電極２８から露出した共通電極膜２４を除去し、第１の突起電極２８の整合した領域のみに共通電極膜２４からなる下部電極２５を形成する。
第１の突起電極２８から露出した共通電極膜２４の除去はエッチング液を用いる湿式エッチングにて行なう。湿式エッチングの結果、第１の突起電極２８から露出した共通電極膜２４はエッチング除去され、第１の突起電極２８に整合した第１の突起電極２８下のみ
に下部電極２５を形成することができる。
【００２８】
つぎに図７に示すように、半導体基板１２の突起電極形成面側の全面にフラックスを回転塗布法により、１０〜５０μｍの厚さで形成する。
その後、温度２３０〜２６０℃で加熱（リフロー）処理を行なうと、第１の突起電極２８は溶融せず、第２の突起電極３０材料である半田は溶融して第１の突起電極２８の頂部にのみ半田は濡れ広がるとともに、第２の突起電極３０は表面張力により球形状となる。
【００２９】
特許文献１に記載の製造方法では、第１の突起電極と第２の突起電極とは１つの感光性樹脂を用いて突起電極を形成している。このため実装に充分な第２の突起電極の半田量を確保しようとすると、隣接する突起電極どうしが短絡するという問題点が発生する。
これに対して本発明の突起電極の製造方法においては、第１の突起電極２８の形成領域を規定する第１の感光性樹脂２０と、第２の突起電極３０の形成領域を規定する第２の感光性樹脂２６とを形成している。
【００３０】
第１の感光性樹脂２０により第１の突起電極２８の形成領域を規定し、第２の感光性樹脂２６により第２の突起電極３０の形成領域を規定する本発明においては、第２の感光性樹脂２６の厚さを越えて等方的に成長する第２の突起電極３０の半田メッキを最小限にすることができる。
この結果、本発明の製造方法では、実装信頼性を充分に確保できる半田量を形成することが可能となるとともに、突起電極間ピッチ寸法が微細な半導体装置においても隣接する突起電極どうしが短絡することがない。
【００３１】
実装に充分な第２の突起電極３０の半田量を確保するためには、特許文献１における感光性樹脂の膜厚を厚くして、高さ寸法で半田量を確保することも考えられるが、以下に説明するような問題点が生じる。
膜厚が厚い感光性樹脂を用いて第１の突起電極と第２の突起電極とを連続的に形成すると、第１の突起電極は感光性樹脂の開口内のみの領域にメッキされるため第１の突起電極の断面形状は矩形状となる。断面形状が矩形状の第１の突起電極上に第２の突起電極を形成し、第２の突起電極を加熱処理して第２の突起電極を溶融させた場合、第１の突起電極に対する第２の突起電極の濡れ状態が安定しない。
すなわち、第２の突起電極材料を溶融させたとき、第２の突起電極材料が第１の突起電極の頂部にのみ濡れる第１の状態と、第１の突起電極の頂部と側壁に濡れる第２の状態との両方が発生する。この第１の状態と第２の状態では突起電極高さが異なり、第１の状態のほうが突起電極高さが高くなり、突起電極高さばらつきが発生する。
【００３２】
半田の濡れ状態が第１の状態と第２の状態とが発生することから、第１の突起電極と第２の突起電極からなる突起電極高さばらつきが大きくなるとともに、半導体装置と回路基板との実装に係わる第２の突起電極材料の体積ばらつきも発生する。
その結果、半導体装置と回路基板の実装強度ばらつきが発生し、前述のように、半導体基板と回路基板との熱膨張係数が大きく相違することから、温度変化による伸び縮み量が両基板で異なり、環境温度変化により実装強度が小さい実装部分の接続が不安定となり、最終的には半導体装置と回路基板との電気的及び機械的な接続が断絶してしまう。
【００３３】
これに対して本発明の突起電極の製造方法においては、第１の突起電極２８を第１の感光性樹脂２０の厚さを越えて形成している。メッキにおいては、メッキマスクとなる感光性樹脂の膜厚を越えると、等方的にメッキ被膜は成長する。
このため第１の突起電極２８の形状は、第１の突起電極２８頂部が基部より張り出した断面形状となり、張り出し部分が第２の突起電極３０を溶融させたとき、堰の役割を果たし、第２の突起電極３０材料は第１の突起電極２８側壁には濡れ広がらず、第１の突起電
極２８頂部にのみ制御性よく濡れる。
【００３４】
第１の突起電極２８はメッキにてその厚さを制御できることから第１の突起電極２８高さの均一性が良く、さらに第２の突起電極３０は第１の突起電極２８の側壁に濡れ広がらず頂部にのみ濡れる。
したがって、本発明の製造方法においては、突起電極の高さばらつきはきわめて小さいことから、実装強度ばらつきは発生せず、信頼性の高い半導体装置と回路基板との実装を行なうことが可能となる。また横方向半田のメッキ被膜成長が小さいことから突起電極間ピッチ寸法を微細化することが本発明では可能となる。
【００３５】
さらに本発明の突起電極を形成した半導体装置と回路基板の実装時、第２の突起電極３０を溶融させたとき第１の突起電極２８は溶融しない。このため第１の突起電極２８が半導体装置と回路基板間のスペーサの役割を果たすとともに、第２の突起電極３０の濡れ広がりを制御でき、実装信頼性が高い半導体装置を実現できる。
【実施例２】
【００３６】
つぎに本発明の第２の実施例における半導体装置の製造方法を説明する。
第２の実施例と第１の実施例との違いは、第１の実施例における図２に示す工程で第１の感光性樹脂２０をレジスト剥離液を用いて除去していることである。第２の実施例では第２の感光性樹脂２６の形成膜厚は、第１の実施例の第１の感光性樹脂２０形成膜厚を加えた膜厚で形成する。
【００３７】
第２の実施例では第１の突起電極２８形成後、第１の感光性樹脂２０を除去し、第２の突起電極３０形成前に第２の感光性樹脂２６を形成する工程を採用している。
このことから、メッキ処理等で第１の感光性樹脂２０表面が変質して第２の感光性樹脂２６の密着性が悪くなり、第２の感光性樹脂２６が剥離してしまうという不都合を第２の実施例では抑えることができる。
【００３８】
以上の説明において、第２の突起電極３０を第２の感光性樹脂２６の膜厚を越えて形成する例で説明したが、第２の突起電極３０を第２の感光性樹脂２８の膜厚を越えないように開口内のみに形成してもよい。このようすると、第２の突起電極３０の横方向成長がなく、突起電極間ピッチ寸法がきわめて微細な半導体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の実施例における半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図２】本発明の実施例における半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図３】本発明の実施例における半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図４】本発明の実施例における半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図５】本発明の実施例における半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図６】本発明の実施例における半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図７】本発明の実施例における半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４０】
１２  半導体基板
１４  電極パッド  
１６  絶縁膜
２０  第１の感光性樹脂
２４  共通電極膜
２６  第２の感光性樹脂
２８  第１の突起電極
３０  第１の突起電極
【図１】
2006269712.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
2006269712.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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