(57)【要約】【課題】  階段状側面に対向する面を平坦にすることが可能な階段状側面を有する部材の製造方法を提供する。【解決手段】  基板の表層部を、該基板の主表面からエッチングすることにより、少なくとも一方の側面が階段状になった溝または尾根状部分を形成する。この溝または尾根状部分の側面を覆うように、基板の主表面上に被覆膜を形成する。溝の階段状の側面が露出するように被覆膜をパターニングする。この被覆膜の残された部分が、階段状の側面とは反対側の側面を覆い、かつ主表面に対して交差する表面を有する。【選択図】  図１１
2006017788.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）基板の表層部を、該基板の主表面からエッチングすることにより、少なくとも一方の側面が階段状になった溝または尾根状部分を形成する工程と、
（ｂ）前記溝または尾根状部分の両側の側面が被覆されるように、前記基板の主表面上に被覆膜を形成する工程と、
（ｃ）前記溝または尾根状部分の階段状の側面が露出するように前記被覆膜をパターニングする工程であって、該被覆膜の残された部分が、前記階段状の側面とは反対側の側面を覆い、かつ主表面に対して交差する表面を有するようにパターニングする工程と
を有する階段状表面を有する部材の製造方法。
【請求項２】
前記工程ｂで形成される前記被覆膜がＸ線露光用レジストで形成されており、
前記工程ｃが、Ｘ線用マスクを介して、Ｘ線で前記被覆膜を露光する工程と、露光された前記被覆膜を現像する工程とを含む請求項１に記載の階段状表面を有する部材の製造方法。
【請求項３】
前記工程ｃが、前記被覆膜をパターニングする前、またはパターニングした後に、前記被覆膜を研磨して、前記基板の主表面よりも上に堆積している部分を除去する工程を含む請求項１または２に記載の階段状表面を有する部材の製造方法。
【請求項４】
前記工程ａが、
（ａ１）支持基板の表面上に、相互にエッチング特性の異なる材料で形成された第１の層と第２の層とを交互に積層した積層構造を形成する工程と、
（ａ２）前記主表面の一部の領域をエッチングマスクで覆い、前記積層構造の最も上の層を、その直下の層に対して選択的にエッチングする条件で、最も上の層をエッチングすることにより、最も上の層の端面が露出した蹴上げ面を形成すると共に、最も上の層の直下の層の表面の一部を露出させた後、使用したエッチングマスクを除去する工程と、
（ａ３）既に形成されている階段状の側面、及び既に形成されている階段状の側面の最も下の蹴上げ面に連続するテラス面となるべき領域をエッチングマスクで覆い、露出している層の直下の層に対して露出している層を選択的にエッチングする条件で露出している層をエッチングすることにより、エッチングされた層の端面が露出した蹴上げ面を形成すると共に、エッチングされた層の直下の層の表面の一部を露出させた後、使用したエッチングマスクを除去する工程と
（ａ４）階段状の側面の全段が形成されるまで、前記工程ａ３を繰り返す工程と
を含む請求項１〜３のいずれかに記載の階段状表面を有する部材の製造方法。
【請求項５】
前記工程ａ３において、前記第１の層及び第２の層の一方の層のエッチング条件が、他方の層のエッチング条件よりもサイドエッチングしやすい条件で、前記積層構造をエッチングし、サイドエッチングしやすい条件でエッチングする時には、前記階段状の側面とは反対側の側面に連続する主表面を覆うエッチングマスクの縁を、サイドエッチングしにくい条件でエッチングされた層のうち最も上の層の縁よりも後退させる請求項４に記載の階段状表面を有する部材の製造方法。
【請求項６】
前記工程ｃの後、さらに、
（ｄ）前記基板のエッチングされた表面上に型部材の材料を堆積させ、型部材を形成する工程と、
（ｅ）前記基板及び被覆膜から、前記型部材を取り外す工程と
を有する請求項１〜５のいずれかに記載の階段状表面を有する部材の製造方法。
【請求項７】
基板と、
前記基板の表層部に形成され、第１の側面と第２の側面とで画定される溝状または尾根状の形状を有し、該第１の側面が階段状になり、該第２の側面が凹部を有する構造体と、
前記構造体の前記第２の側面を覆い、該第２の側面よりも平坦な側面を画定する被覆膜と
を有する部材。
【請求項８】
前記基板が、支持基板と、該支持基板の上に形成された積層構造とを含み、該積層構造は、相互にエッチング特性の異なる第１の層と第２の層とが交互に積層されて構成されており、前記第１の側面の１段の高さが、前記第１の層または第２の層の厚さに対応し、前記第２の側面において、該第１の層及び第２の層の一方の層の側面が、当該層に接する他方の層の側面よりも後退している請求項７に記載の部材。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、階段状表面を有する部材の製造方法及びその部材であって、特に階段状の回折格子等の微細構造を有する部材の製造に適した方法及び回折格子に適用可能な部材に関する。
【背景技術】
【０００２】
回折格子は、対象とする光の波長オーダの微細構造を有する。光学部材に階段状の側面を有する複数の溝を形成した回折格子が知られている。この回折格子においては、波長分解能を高めるために、階段状の側面の段差に、高い精度が要求される。各種プラズマを用いたドライエッチングにより、ガラス等の光学部材の微細加工を行うことにより、階段状の側面を有する溝を形成することができる。ところが、エッチング時間を制御することにより所望の高さの段差を形成する方法では、十分な精度が得られない。
【０００３】
下記の特許文献１に、段差を高精度に制御することができる回折格子の製造方法が開示されている。以下、特許文献１に開示された方法について、簡単に説明する。
【０００４】
エッチングガスに対して反応性の異なる２種類の材料を、膜厚を十分に制御して基板上に交互に積層する。この積層構造に対し、フォトリソグラフィ技術を用いてエッチングを行うことにより、階段状の回折格子が作製される。段差の精度が成膜時の膜厚に依存し、エッチング時間には依存しないため、段差精度を高めることができる。
【０００５】
ところが、パターニングを３回程度重ねて行うと、アライメントずれに起因して、階段状の側面に向かい合う側の側面が裾を引く形状になる。このため、側面が溝の底面に対して垂直に切り立った形状にならない。
【０００６】
特許文献２及び３に、垂直に切り立った側面を形成することができる回折格子の製造方法が開示されている。
【０００７】
図２０（Ａ）〜図２０（Ｄ）を参照して、特許文献２に開示された回折格子の製造方法について説明する。
【０００８】
図２０（Ａ）に示すように、シリコン基板１００の上に、Ｃｒ２Ｏ３からなるエッチングストッパ層１０１を形成する。その上に、アルミナ層１０３と酸化シリコン層１０４とを、交互に３組積層する。最上の酸化シリコン層１０４の上に、レジストパターン１１０を形成する。レジストパターン１１０には、形成すべき溝の最も深い領域に対応する開口が形成されている。レジストパターン１１０をマスクとして、エッチングストッパ層１０１に達するまで、酸化シリコン層１０４とアルミナ層１０３とをエッチングする。これにより、溝１１２が形成される。エッチング後、レジストパターン１１０を除去する。溝１１２の一方の側面１１２ａが、階段状側面に向き合う垂直な側面を構成する。
【０００９】
図２０（Ｂ）に示すように、基板上にレジストパターン１１５を形成する。レジストパターン１１５は、積層構造の最も上の一組の層をエッチングするための開口を有する。また、レジストパターン１１５は、階段状側面に向き合う垂直な側面を覆う。レジストパターン１１５をマスクとして、最も上の一組の層をエッチングする。エッチング後、レジストパターン１１５を除去する。
【００１０】
図２０（Ｃ）に示すように、レジストパターン１１６を形成する。レジストパターン１１６は、積層構造の上から２番目の一組の層をエッチングするための開口を有する。また、レジストパターン１１６は、階段状側面に向き合う垂直な側面を覆う。レジストパターン１１６をマスクとして、上から２番目の一組の層をエッチングする。エッチング後、レジストパターン１１６を除去する。
【００１１】
このようにして、３段構成の階段状側面を有する溝が形成される。階段状側面に向き合う側面は、図２０（Ａ）のエッチング工程で形成され、その後のエッチング工程では、レジストパターンで覆われる。このため、アライメントずれに起因する不都合は生じない。
【００１２】
図２１（Ａ）〜図２１（Ｄ）を参照して、特許文献３に開示された回折格子の製造方法について説明する。
【００１３】
図２１（Ａ）に示すように、シリコン基板１２０の上に、アルミナ層１２１と酸化シリコン層１２２とを交互に３組積層する。最上の酸化シリコン層１２２の上に、クロム膜１２３を形成する。
【００１４】
図２１（Ｂ）に示すように、クロム膜１２３の上に、レジストパターン１２４を形成する。レジストパターン１２４に、形成すべき溝に対応する開口が形成されている。レジストパターン１２４をマスクとして、クロム膜１２３及び最も上の酸化シリコン層１２２をエッチングする。酸化シリコン層１２２の露出した端面の一方が階段状側面の蹴上げ面になる。エッチング後、レジストパターン１２４を除去する。
【００１５】
図２１（Ｃ）に示すように、レジストパターン１２５を形成する。レジストパターン１２５は、溝の階段状側面の蹴上げ面、その蹴上げ面に連続するテラス領域、及びクロム膜１２３のうち蹴上げ面に接する一部の領域を覆う。レジストパターン１２５及びクロム膜１２３をマスクとして、最上のアルミナ層１２１及び上から２番目の酸化シリコン層１２２をエッチングする。エッチング後、レジストパターン１２５を除去する。
【００１６】
同様の方法で、上から２番目のアルミナ層１２１及び最も下の酸化シリコン層１２２をエッチングすることにより、図２１（Ｄ）に示す３段の階段構造を形成する。
【００１７】
この方法では、階段状側面に対向する側面は、クロム膜１２３の縁により画定される。このため、図２１（Ｃ）の工程及びそれ以降の工程でレジストパターンのアライメントずれが生じたとしても、垂直に切り立った側面への影響が回避される。
【００１８】
【特許文献１】特開平６−２５８５１０号公報
【特許文献２】特開２０００−１５５２０７号公報
【特許文献３】特開２０００−３０３１９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
特許文献２及び３に記載された方法では、階段状側面に対向する垂直な面は、レジストパターンのアライメントずれの影響を受けない。ところが、垂直な面には、材料の異なる２種類の層が露出している。この２種類の層のエッチング特性の相違によって、凹凸が形成される場合がある。
【００２０】
本発明の目的は、階段状側面に対向する面を平坦にすることが可能な階段状側面を有する部材の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明の一観点によると、（ａ）基板の表層部を、該基板の主表面からエッチングすることにより、少なくとも一方の側面が階段状になった溝または尾根状部分を形成する工程と、（ｂ）前記溝または尾根状部分の両側の側面が被覆されるように、前記基板の主表面上に被覆膜を形成する工程と、（ｃ）前記溝または尾根状部分の階段状の側面が露出するように前記被覆膜をパターニングする工程であって、該被覆膜の残された部分が、前記階段状の側面とは反対側の側面を覆い、かつ主表面に対して交差する表面を有するようにパターニングする工程とを有する階段状表面を有する部材の製造方法が提供される。
【００２２】
上記方法により、下記の部材を作製することができる。
【００２３】
本発明の他の観点によると、基板と、前記基板の表層部に形成され、第１の側面と第２の側面とで画定される溝状または尾根状の形状を有し、該第１の側面が階段状になり、該第２の側面が凹部を有する構造体と、前記構造体の前記第２の側面を覆い、該第２の側面よりも平坦な側面を画定する被覆膜とを有する部材が提供される。
【発明の効果】
【００２４】
階段状側面に対向する側面が、被覆膜をパターニングすることにより形成される表面で構成される。このため、階段状側面を形成する時の種々の工程の影響を受けることなく、平坦な側面を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
図１に、実施例による方法で製造される回折格子の部分斜視図を示す。樹脂製の光学部材１の主表面に、相互に平行な複数の溝２が形成されている。溝２の一方の側面は階段状にされ、階段状の側面に対向する側面は、主表面に対してほぼ垂直に切り立った面とされている。複数の溝２の階段状の側面は、すべて同一方向を向く。
【００２６】
図２〜図１７を参照して、図１に示した回折格子の製造方法について説明する。図２〜図１７は、１本の溝が形成される部分の断面に相当する。
【００２７】
図２に示すように、シリコンからなる支持基板１０の表面上に、酸化シリコンからなる第１の層１１、１３、１５及びシリコンからなる第２の層１２、１４、１６を、交互に積層する。各層１１〜１６の厚さは、例えば１．５μｍ±１０ｎｍである。これらの層は、スパッタリングにより形成することができる。合計６層の交互積層構造が形成された積層基板２０が得られる。最も上の第２の層１６の表面を、積層基板２０の「主表面」と呼ぶこととする。
【００２８】
図３に示すように、積層基板２０の主表面上に、レジストパターン２１を形成する。レジストパターン２１には、図１に示した溝の開口部に対応する開口２１ａが形成されている。すなわち、レジストパターン２１は、溝２の開口部以外の領域を覆う。レジストパターン２１は、周知のフォトリソグラフィ技術により形成される。
【００２９】
図４に示すように、レジストパターン２１をマスクとして、最も上の第２の層１６をエッチングする。第２の層のエッチングは、例えばエッチングガスとしてＳＦ６を用いたドライエッチングにより行うことができる。この条件で、シリコンのエッチングレートと酸化シリコンのエッチングレートとの比は、１００：１以上である。このため、最も上の第２の層１６がエッチングされ、その下に第１の層１５が露出した時点で、再現性よくエッチングを停止させることができる。第２の層１６をエッチングした後、レジストパターン２１を除去する。
【００３０】
第２の層１６の露出した端面のうち一方の端面１６ａ（図４において左側の端面）が、溝の階段状側面の最も上の段の蹴上げ面になる。
【００３１】
図５に示すように、積層基板２０の上に、新たにレジストパターン２５を形成する。レジストパターン２５は、既に形成された蹴上げ面１６ａに連続するテラスとなる領域を覆う。蹴上げ面１６ａに対向する側の端面においては、レジストパターン２５の縁が、既にパターニングされている第２の層１６の縁にほぼ一致する。
【００３２】
図６に示すように、レジストパターン２５をマスクとして、上から２層面の第１の層１５をエッチングする。酸化シリコンからなる第１の層１５のエッチングは、弗酸を用いたウェットエッチングにより行う。このエッチング条件では、酸化シリコンのエッチングレートとシリコンのエッチングレートとの比が１００：１以上になる。このため、上から３層目の第２の層１４が露出した時点で、再現性よくエッチングを停止させることができる。
【００３３】
ウェットエッチングでは、ドライエッチングに比べて等方的にエッチングが進む。このため、サイドエッチングが生じ、エッチングされた第１の層１５の端面が、レジストパターン２５の縁よりも後退する。このため、レジストパターン２５は、このサイドエッチングの量を考慮した平面形状にされている。図６の左側に形成された端面１５ａが、上から２番目の段の蹴上げ面になる。第１の層１５のエッチング後、レジストパターン２５を除去する。
【００３４】
図７に示すように、レジストパターン２６を形成する。レジストパターン２６は、溝の開口部以外の領域、及び既に形成されている階段状の側面を覆うとともに、蹴上げ面１５ａに連続するテラスとなるべき領域を覆う。レジストパターン２６をマスクとして、上から３層面の第２の層１４をエッチングし、上から３段目の蹴上げ面１４ａを形成する。エッチングされた開口部の底面に、第１の層１３の表面の一部が露出する。第２の層１４のエッチング後、レジストパターン２６を除去する。最も下の第１の層１１がエッチングされるまで、同様の工程を繰り返す。
【００３５】
図８に、最も下の第１の層１１までエッチングが進んだ状態の断面図を示す。階段状の側面３０に対向する側面３１において、第１の層１１、１３、１５は、酸化シリコンのエッチング雰囲気に晒される度にサイドエッチングが進む。このため、第１の層１１、１３、１５の端面が、第２の層１２、１４、１６の端面よりも後退する。シリコンからなる第２の層１２、１４、１６は、異方性の強いドライエッチングによりエッチングされるため、その端面はほとんどサイドエッチングされない。
【００３６】
図９に示すように積層基板２０上にＸ線露光用レジスト膜３５を、例えばスピンコート法により形成する。Ｘ線露光用レジスト膜３５は、階段状の側面３０及びそれに対向する側面３１で挟まれた溝内に充填される。さらに、第１の層１１、１３、１５がサイドエッチングされることによって形成された凹部内にも充填される。側面３１が、スピンコート時に生ずるレジスト材料の流れの上流側を向くようにしてレジスト材料を塗布することにより、側面３１に形成されている凹部内に再現性よくレジスト膜３５を充填することができる。
【００３７】
図１０に示すように、レジスト膜３５をＸ線で露光し、現像することにより、レジストパターン３５Ａを得る。レジストパターン３５Ａは、階段状の側面３０を露出させると共に、それに対向する側面３１を覆う。側面３１を覆う部分は、主表面と交差する側面３６を有する。Ｘ線による露光条件を好適化すると、主表面に対してほぼ垂直に切り立った側面３６を得ることができる。側面３６は、レジストパターン３５Ａで覆う前に露出していた側面３１よりも平坦になる。
【００３８】
図１１に示すように、レジストパターン３５Ａのうち、第２の層１６の上面（主表面）よりも上に堆積している部分を研磨して除去する。側面３１を覆う部分にのみレジストパターン３５Ａが残る。この研磨には、例えば化学機械研磨（ＣＭＰ）が用いられる。レジストパターン３５Ａが、側面３１に形成されている凹部内に充填されているため、研磨時にレジストパターン３５Ａが基板から脱落することを防止できる。
【００３９】
図１２に示すように、加工された積層基板２０の表面上に、電鋳によりニッケル等の金属膜４０を形成する。金属膜４０を積層基板２０から引き剥がし、図１３に示す金属膜４０を得る。金属膜４０の表面には、積層基板２０に形成されていた溝に対応する尾根状部分４５が形成される。尾根状部分４５は、積層基板２０の表面に形成されていた階段状斜面３０及び垂直に切り立った側面３６に対応する階段状斜面４１及び垂直面４２を有する。
【００４０】
図１４に示すように、金属膜４０を金型として用い、樹脂部材１の表面に、尾根状部分４５の微細構造を転写する。
【００４１】
図１５に示すように、樹脂製の光学部材１が得られる。光学部材１の表面には、尾根状部分４５に対応する溝２が形成されている。溝２の一方の側面２ａは階段状の形状を有し、他方の側面２ｂは、光学部材１の表面に対してほぼ垂直に切り立った平坦な面になる。ほぼ垂直な側面２ｂは、図１０に示したＸ線露光及び現像により形成される側面３６の垂直度及び平坦度を引き継ぐ。Ｘ線露光を採用することにより、垂直度及び平坦度に優れた側面３６を形成することができるため、最終製品である回折格子の溝の側面２ｂも、垂直度及び平坦度の優れた面になる。なお、Ｘ線露光の代わりに、電子ビーム露光を用いてもよい。
【００４２】
上記実施例では、図５及び図７に示したように、階段状側面に対向する側面の位置において、レジストパターン２５や２６のアライメントずれがほとんど生じない理想的な場合を想定した。ところが、実際のフォトリソグラフィ工程においては、アライメントずれを完全になくすことはできない。上記実施例では、最終製品である回折格子に転写される面は、図８に示した積層構造の側面３１ではなく、図１１に示したレジストパターン３５Ａの側面３６である。このため、アライメントずれは、回折格子の微細構造に影響を与えない。
【００４３】
ところが、アライメントずれが生じると、製造途中に不都合が生じやすくなる。次に、図１６及び図１７を参照して、アライメントずれが生じた場合の不都合な点について説明する。図１６及び図１７は、上記実施例の図５及び図６に示した工程に対応する。
【００４４】
図１６に示すように、右側のレジストパターン２５が図の左側にずれて、第２の層１６の端面を被覆してしまった場合を考える。レジストパターン２５をマスクとして第１の層１５をエッチングする。
【００４５】
図１７に示すように、サイドエッチングが生じることにより、第１の層１５の縁が、レジストパターン２５の縁よりも後退する。しかし、レジストパターン２５の縁が第２の層１６の縁よりも突出しているため、第１の層１５の縁が、第２の層１６の縁よりも後退するとは限らない。
【００４６】
その後のエッチング工程でも、レジストパターンが、階段状側面に対向する側面を被覆してしまうようなアライメントずれが生じると、第１の層１１、１３、１５のサイドエッチングが進まない。このため、図８に示したような側面３１の凹部が形成されない。凹部が形成されない場合には、図１１に示した研磨工程で、レジストパターン３５Ａが基板から脱離しやすくなる。
【００４７】
次に、図１８及び図１９を参照して、アライメントずれが生じても、レジストパターン３５Ａの脱離が生じにくい実施例について説明する。図１８及び図１９は、それぞれ上記実施例の図５及び図６に示した工程に対応する。
【００４８】
図１８に示すように、図中の右側のレジストパターン２５の縁が、既にパターニングされている第２の層１６の縁よりもやや後退するように、マスクパターンを設計しておく。このように設計しておくと、アライメントずれが生じたとしても、レジストパターン２５が第２の層１６の端面を覆ってしまうことを防止できる。
【００４９】
図１９に示すように、レジストパターン２５をマスクとして第１の層１５をエッチングする。サイドエッチングが生じることにより、第１の層１５の縁が第２の層１６の縁よりも後退する。
【００５０】
その後の第１の層１３及び１１をエッチングするときのレジストパターンについても、その縁が第２の層１６の縁よりも後退するようにマスクパターンを設計しておく。このように、サイドエッチングしやすい条件でエッチングするときに用いるレジストパターンの縁を、最も上の第２の層１６の縁よりも後退させることにより、アライメントずれが生じても、図８に示したように、側面３１にサイドエッチングによる凹部を形成することができる。
【００５１】
上記実施例では、第１の層１１、１３、１５を酸化シリコンで形成し、第２の層１２、１４、１６をシリコンで形成したが、相互にエッチング特性の異なる材料であれば、その他の材料の組合せとしてもよい。例えば、アルミナと酸化シリコン、酸化シリコンと窒化シリコン等の組み合わせとしてもよい。図８に示した側面３１に積極的に凹部を形成するために、第１の層及び第２の層の一方の層のエッチング条件が、他方の層のエッチング条件よりもサイドエッチングしやすい条件でエッチングすることが好ましい。
【００５２】
上記実施例では、図１１に示した微細加工後の積層基板から、成形用の金型を作製したが、図１１に示した微細加工後の積層基板２０の加工された表面に、薄く金属層を蒸着し、積層基板２０自体を回折格子として使用することも可能である。
【００５３】
また、上記実施例では、図１に示すように、各溝２の一方の側面が階段状にされ、他方の側面がほぼ垂直に切り立った形状にされていた。両側の側面が階段状にされた溝と、両側の側面が切り立った形状の溝とを交互に配置する場合にも、上記実施例の方法を適用することにより、切り立った形状の側面を容易に形成することができる。この構造では、一方の側面が階段状にされ、他方の側面が切り立った形状にされた尾根状の複数の構造体が、平行に配置されていると考えることができる。この構造では、相互に隣り合う尾根状構造体の階段状側面同士が向き合い、切り立った側面同士が向き合うことになる。
【００５４】
また、上記実施例では、図１に示すように、溝２を直線状に配置することによって回折格子を作製したが、溝２を円周に沿って配置することにより、フレネルレンズを作製することも可能である。
【００５５】
以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】実施例による方法で作製される回折格子の部分斜視図である。
【図２】実施例による回折格子を製造する方法を説明するための工程途中の基板の断面図（その１）である。
【図３】実施例による回折格子を製造する方法を説明するための工程途中の基板の断面図（その２）である。
【図４】実施例による回折格子を製造する方法を説明するための工程途中の基板の断面図（その３）である。
【図５】実施例による回折格子を製造する方法を説明するための工程途中の基板の断面図（その４）である。
【図６】実施例による回折格子を製造する方法を説明するための工程途中の基板の断面図（その５）である。
【図７】実施例による回折格子を製造する方法を説明するための工程途中の基板の断面図（その６）である。
【図８】実施例による回折格子を製造する方法を説明するための工程途中の基板の断面図（その７）である。
【図９】実施例による回折格子を製造する方法を説明するための工程途中の基板の断面図（その８）である。
【図１０】実施例による回折格子を製造する方法を説明するための工程途中の基板の断面図（その９）である。
【図１１】実施例による回折格子を製造する方法を説明するための工程途中の基板の断面図（その１０）である。
【図１２】実施例による回折格子を製造する方法を説明するための工程途中の基板の断面図（その１１）である。
【図１３】実施例による回折格子を製造する金型の断面図である。
【図１４】実施例による回折格子を製造する方法を説明するための金型及び光学部材の断面図である。
【図１５】実施例による方法で製造した回折格子の断面図である。
【図１６】アライメントずれが生じた時の不都合を説明するための工程途中の基板の断面図（その１）である。
【図１７】アライメントずれが生じた時の不都合を説明するための工程途中の基板の断面図（その２）である。
【図１８】アライメントずれが生じても不都合の生じない実施例を説明するための工程途中の基板の断面図（その１）である。
【図１９】アライメントずれが生じても不都合の生じない実施例を説明するための工程途中の基板の断面図（その２）である。
【図２０】従来の回折格子の製造方法を説明するための製造途中の基板の断面図である。
【図２１】従来の回折格子の他の製造方法を説明するための製造途中の基板の断面図である。
【符号の説明】
【００５７】
１  回折格子
２  溝
２ａ  階段状の側面
２ｂ  階段状側面に対向する側面
１０  支持基板
１１、１３、１５  酸化シリコンの第１の層
１２、１４、１６  シリコンの第２の層
２０  積層基板
２１、２５、２６  レジストパターン
３０  階段状の側面
３１  階段状側面に対向する側面
３５  レジスト膜
３６  側面
４０  金属膜（金型）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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