(57)【要約】【課題】抵抗値の制御性、安定性および再現性に優れ、その抵抗温度特性が良好な帯電防止膜を提供し、更に、その用途を提供する。【解決手段】帯電防止膜は０．５〜１０ｎｍの粒径を有する導体粒子の複数個が、窒化物を含む媒質中に分散配置された構造、或いは酸化物を含む媒質中に分散配置された構造を有する。また、電子源が配置された第１の基板と、電子源と対向して画像表示部材が配置された第２の基板とを有する気密容器を備える画像表示装置において、第１の基板と第２の基板との間に上記帯電防止膜を有するスペーサを配置する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
０．５〜１０ｎｍの粒径を有する導体粒子の複数個が、窒化物を含む媒質中に分散配置された構造を有することを特徴とする帯電防止膜。
【請求項２】
０．５〜１０ｎｍの粒径を有する導体粒子の複数個が、酸化物を含む媒質中に分散配置された構造を有することを特徴とする帯電防止膜。
【請求項３】
前記導体粒子が白金粒子であり、前記窒化物が窒化アルミニウムであることを特徴とする請求項１に記載の帯電防止膜。
【請求項４】
前記導体粒子が白金粒子であり、前記酸化物が酸化アルミニウムであることを特徴とする請求項２に記載の帯電防止膜。
【請求項５】
前記導体粒子が金粒子であり、前記窒化物が窒化アルミニウムであることを特徴とする請求項１に記載の帯電防止膜。
【請求項６】
前記導体粒子が金粒子であり、前記酸化物が酸化アルミニウムであることを特徴とする請求項２に記載の帯電防止膜。
【請求項７】
前記導体粒子が銀粒子であり、前記窒化物が窒化アルミニウムであることを特徴とする請求項１に記載の帯電防止膜。
【請求項８】
前記導体粒子が銀粒子であり、前記酸化物が酸化アルミニウムであることを特徴とする請求項２に記載の帯電防止膜。
【請求項９】
０．５〜１０ｎｍの粒径を有する半導体粒子の複数個が、窒化物を含む媒質中に分散配置された構造を有することを特徴とする帯電防止膜。
【請求項１０】
０．５〜１０ｎｍの粒径を有する半導体粒子の複数個が、酸化物を含む媒質中に分散配置された構造を有することを特徴とする帯電防止膜。
【請求項１１】
０．５〜１０ｎｍの粒径を有する半導体粒子の複数個が、酸化物と窒化物とを含む媒質中に分散配置された構造を有することを特徴とする帯電防止膜。
【請求項１２】
前記半導体粒子がゲルマニウム粒子であり、前記窒化物が窒化珪素であることを特徴とする請求項９に記載の帯電防止膜。
【請求項１３】
前記半導体粒子がゲルマニウム粒子であり、前記酸化物が酸化珪素であることを特徴とする請求項１０に記載の帯電防止膜。
【請求項１４】
前記半導体粒子がゲルマニウム粒子であり、前記窒化物が窒化珪素、前記酸化物が酸化珪素であることを特徴とする請求項１１に記載の帯電防止膜。
【請求項１５】
前記半導体粒子の含有量が、０．１〜１０ａｔｏｍｉｃ％あることを特徴とする請求項１〜１４のいずれかに記載の帯電防止膜。
【請求項１６】
気密容器内に電子源を有する電子発生装置であって、前記気密容器内に、請求項１〜１５のいずれかに記載の帯電防止膜を備えていることを特徴とする電子発生装置。
【請求項１７】
電子源が配置された第１の基板と、前記電子源と対向して画像表示部材が配置された第２の基板とを有する気密容器を備える画像表示装置の、前記第１の基板と前記第２の基板との間に配置されるスペーサであって、その表面に、請求項１〜１５のいずれかに記載の帯電防止膜を有することを特徴とするスペーサ。
【請求項１８】
アルミニウムと白金とを含有する帯電防止膜をスパッタリング法にて形成するために用いられ、かつ、９５質量％以上でアルミニウムと白金を含むことを特徴とするアルミニウムと白金の混合物ターゲット。
【請求項１９】
アルミニウムと白金とを含有する帯電防止膜をスパッタリング法にて形成するために用いられ、かつ、９５質量％以上でアルミニウムと白金を含むことを特徴とする窒化アルミニウムと白金の混合物ターゲット。
【請求項２０】
アルミニウムと白金とを含有する帯電防止膜の製造方法であって、請求項１８または１９に記載の混合物ターゲットを窒素のみの雰囲気中でスパッタリングすることを特徴とする帯電防止膜の製造方法。
【請求項２１】
アルミニウムと白金とを含有する帯電防止膜の製造方法であって、請求項１８に記載の混合物ターゲットを酸素のみの雰囲気中でスパッタリングすることを特徴とする帯電防止膜の製造方法。
【請求項２２】
アルミニウムと白金とを含有する帯電防止膜の製造方法であって、請求項１８に記載の混合物ターゲットを窒素と酸素の雰囲気中でスパッタリングすることを特徴とする帯電防止膜の製造方法。
【請求項２３】
アルミニウムと金とを含有する帯電防止膜をスパッタリング法にて形成するために用いられ、かつ、９５質量％以上でアルミニウムと金を含むことを特徴とするアルミニウムと金の混合物ターゲット。
【請求項２４】
アルミニウムと金とを含有する帯電防止膜をスパッタリング法にて形成するために用いられ、かつ、９５質量％以上でアルミニウムと金を含むことを特徴とする窒化アルミニウムと金の混合物ターゲット。
【請求項２５】
アルミニウムと金とを含有する帯電防止膜の製造方法であって、請求項２３または２４に記載の混合物ターゲットを窒素のみの雰囲気中でスパッタリングすることを特徴とする帯電防止膜の製造方法。
【請求項２６】
アルミニウムと金とを含有する帯電防止膜の製造方法であって、請求項２３に記載の混合物ターゲットを酸素のみの雰囲気中でスパッタリングすることを特徴とする帯電防止膜の製造方法。
【請求項２７】
アルミニウムと金とを含有する帯電防止膜の製造方法であって、請求項２３に記載の混合物ターゲットを窒素と酸素の雰囲気中でスパッタリングすることを特徴とする帯電防止膜の製造方法。
【請求項２８】
アルミニウムと銀とを含有する帯電防止膜をスパッタリング法にて形成するために用いられ、かつ、９５質量％以上でアルミニウムと銀を含むことを特徴とするアルミニウムと銀の混合物ターゲット。
【請求項２９】
アルミニウムと銀とを含有する帯電防止膜をスパッタリング法にて形成するために用いられ、かつ、９５質量％以上でアルミニウムと銀を含むことを特徴とする窒化アルミニウムと銀の混合物ターゲット。
【請求項３０】
アルミニウムと銀とを含有する帯電防止膜の製造方法であって、請求項２８または２９に記載の混合物ターゲットを窒素のみの雰囲気中でスパッタリングすることを特徴とする帯電防止膜の製造方法。
【請求項３１】
アルミニウムと銀とを含有する帯電防止膜の製造方法であって、請求項２８に記載の混合物ターゲットを酸素のみの雰囲気中でスパッタリングすることを特徴とする帯電防止膜の製造方法。
【請求項３２】
アルミニウムと銀とを含有する帯電防止膜の製造方法であって、請求項２８に記載の混合物ターゲットを窒素と酸素の雰囲気中でスパッタリングすることを特徴とする帯電防止膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像表示装置などの電子発生装置の、電子源を内包する気密容器内に設けられる帯電防止膜と、それを用いたスペーサ及び画像表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子放出素子を使用した平面ディスプレイでは、特開平１０−２８４２８６号公報に示されるように、その内部を高真空に保持するために、スペーサあるいはリブと呼ばれる耐大気圧構造支持体であるスペーサが用いられる。
【０００３】
図７は多数の電子放出素子を使用した画像形成装置の断面模式図である。１０１はリアプレート、１０２は側壁、１０３はフェースプレートであり、リアプレート１０１，側壁１０２，フェースプレート１０３で気密容器が形成される。気密容器の耐大気圧構造支持体であるスペーサ１０７ｂは低抵抗膜１１０が設けられ、導電性フリット１０８により配線１０９と接続される。
【０００４】
電子放出素子１０４はリアプレート１０１上に形成し、蛍光体１０５とメタルバック１０６はフェースプレート上に形成する。メタルバック１０６を設けた目的は、蛍光体１０５が発する光の一部を鏡面反射して光利用率を向上させることや、負イオンの衝突から蛍光体１０５を保護することや、電子ビーム加速電圧を印加するための電極として作用させることや、蛍光体１０５を励起した電子の導電路として作用させることなどである。
【０００５】
スペーサ１０７ａは、スペーサの帯電状態を示したものであり、近傍の電子源から放出された電子の一部が当たることにより帯電（図中；プラス帯電）を引き起こされている様子を示している。なお、スペーサ１０７ａは帯電防止膜１１２が設けられていない場合のスペーサの帯電状態を示すものであり、低抵抗膜の厚さも、図示の都合上、スペーサ１０７ｂの帯電防止膜１１２と接する低抵抗膜１１０に比べて厚く示されている。
【０００６】
このようにスペーサ１０７ａがプラスに帯電すると、電子源である電子放出素子１０４から放出された電子は、例えば電子軌道１１１ａのように、スペーサ側に引き寄せられ、結果的に表示画像の品位を損なってしまう。
【０００７】
この問題を解決するために、スペーサ１０７ｂに帯電防止膜１１２を設け、表面に微小電流が流れるようにすることにより除電し、電子軌道１１１ｂのように、電子がスペーサに引き寄せられることなく所定の軌跡を描くようにする提案がなされている。
【０００８】
また、特許文献１に示されるように、スペーサガラス基板表面に凹凸を設けることで、スペーサ表面が平滑である場合よりも実効的な二次電子放出係数を小さくし、スペーサ表面の帯電を効果的に抑えることが提案されている。
【０００９】
さらに、特許文献２では、アルミニウムターゲットと貴金属ターゲットを用い、成膜時に使用するガスとしてアルゴンおよび窒素あるいは酸素の混合ガスを用いた２元同時スパッタで、アルミ窒化物あるいはアルミ酸化物と金、パラジウム、白金などの貴金属を有する帯電緩和膜を被覆したスペーサが提案されている。
【特許文献１】特開２００１−１４３６２０号公報
【特許文献２】特開平１０−２８４２８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、上記従来例で示されたスペーサにおいて、帯電を除去する機能に性能差のばらつきが生じることが明らかとなった。
【００１１】
特にスペーサに温度分布がついた場合、帯電防止膜の抵抗温度特性により、比抵抗に分布が生じる。この比抵抗の分布が除電機能のばらつきの要因となる。
【００１２】
具体的には、平面ディスプレイパネルにおいて、フェースプレートとリアプレートの温度差から引き起こされるパネル面内の温度分布によって、表示画像の乱れが生じる。
【００１３】
また、異なる材料ターゲットを複数個同時にスパッタ（例えば２種の材料を用いる２元スパッタ）を行なうことで、複数種の元素組成を有する帯電防止膜を成膜するという従来の方法では、成膜条件（バックグラウンド、スパッタ圧、ガス流量、ターゲット投入電力）を同一にそろえても、成膜バッチごとに帯電防止膜の比抵抗にばらつきが生じる場合があった。
【００１４】
比抵抗をそろえるためには、異なる材料ターゲットに供給するターゲット投入電力を各々調整する必要があり、煩雑であってかつ再現性が必ずしも高いとは言えなかった。
【００１５】
特に２元スパッタにおいて、それぞれのターゲット投入電力に大きな差がある場合では、投入電力の小さいターゲット材料表面に投入電力の大きいターゲット材料がデポされる、いわゆるクロスコンタミが起こることが避けられなかった。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明は、抵抗値の制御性、安定性および再現性に優れ、その抵抗温度特性が良好な帯電防止膜を提供することを目的とする。
【００１７】
本発明は、０．５〜１０ｎｍの粒径を有する導体粒子の複数個が、窒化物を含む媒質中に分散配置された構造を有することを特徴とする帯電防止膜である。
【００１８】
また、本発明は、０．５〜１０ｎｍの粒径を有する導体粒子の複数個が、酸化物を含む媒質中に分散配置された構造を有することを特徴とする帯電防止膜である。
【００１９】
また、本発明は、０．５〜１０ｎｍの粒径を有する半導体粒子の複数個が、窒化物を含む媒質中に分散配置された構造を有することを特徴とする帯電防止膜である。
【００２０】
また、本発明は、０．５〜１０ｎｍの粒径を有する半導体粒子の複数個が、酸化物を含む媒質中に分散配置された構造を有することを特徴とする帯電防止膜である。
【００２１】
また、本発明は、０．５〜１０ｎｍの粒径を有する半導体粒子の複数個が、酸化物と窒化物とを含む媒質中に分散配置された構造を有することを特徴とする帯電防止膜である。
【００２２】
また、本発明は気密容器内に電子源を有する電子発生装置であって、前記気密容器内に、上記いずれかの帯電防止膜を備えていることを特徴とする電子発生装置である。
【００２３】
また、本発明は、電子源が配置された第１の基板と、前記電子源と対向して画像表示部材が配置された第２の基板とを有する気密容器を備える画像表示装置の、前記第１の基板と前記第２の基板との間に配置されるスペーサであって、その表面に、上記いずれかの帯電防止膜を有することを特徴とするスペーサである。
【００２４】
また、本発明は、アルミニウムと白金とを含有する帯電防止膜をスパッタリング法にて形成するために用いられ、かつ、９５質量％以上でアルミニウムと白金を含むことを特徴とするアルミニウムと白金の混合物ターゲットである。
【００２５】
また、本発明は、アルミニウムと白金とを含有する帯電防止膜をスパッタリング法にて形成するために用いられ、かつ、９５質量％以上でアルミニウムと白金を含むことを特徴とする窒化アルミニウムと白金の混合物ターゲットである。
【００２６】
また、本発明は、アルミニウムと白金とを含有する帯電防止膜の製造方法であって、上記アルミニウムと白金又は窒化アルミニウムと白金の混合物ターゲットを窒素のみの雰囲気中でスパッタリングすることを特徴とする帯電防止膜の製造方法である。
【００２７】
また、本発明は、アルミニウムと白金とを含有する帯電防止膜の製造方法であって、上記混合物ターゲットを酸素のみの雰囲気中でスパッタリングすることを特徴とする帯電防止膜の製造方法である。
【００２８】
また、本発明は、アルミニウムと白金とを含有する帯電防止膜の製造方法であって、上記アルミニウムと白金の混合物ターゲットを窒素と酸素の雰囲気中でスパッタリングすることを特徴とする帯電防止膜の製造方法である。
【００２９】
また、本発明は、アルミニウムと金とを含有する帯電防止膜をスパッタリング法にて形成するために用いられ、かつ、９５質量％以上でアルミニウムと金を含むことを特徴とする帯電防止膜の製造方法である。
【００３０】
また、本発明は、アルミニウムと金とを含有する帯電防止膜をスパッタリング法にて形成するために用いられ、かつ、９５質量％以上でアルミニウムと金を含むことを特徴とする窒化アルミニウムと金の混合物ターゲットである。
【００３１】
また、本発明は、アルミニウムと金とを含有する帯電防止膜の製造方法であって、上記アルミニウムと金又は窒化アルミニウムと金の混合物ターゲットを窒素のみの雰囲気中でスパッタリングすることを特徴とする帯電防止膜の製造方法である。
【００３２】
また、本発明は、アルミニウムと金とを含有する帯電防止膜の製造方法であって、上記アルミニウムと金の混合物ターゲットを酸素のみの雰囲気中でスパッタリングすることを特徴とする帯電防止膜の製造方法である。
【００３３】
また、本発明は、アルミニウムと金とを含有する帯電防止膜の製造方法であって、上記アルミニウムと金の混合物ターゲットを窒素と酸素の雰囲気中でスパッタリングすることを特徴とする帯電防止膜の製造方法である。
【００３４】
また、本発明のアルミニウムと銀の混合物ターゲットは、アルミニウムと銀とを含有する帯電防止膜をスパッタリング法にて形成するために用いられ、かつ、９５質量％以上でアルミニウムと銀を含むことを特徴とする。
【００３５】
また、本発明は、アルミニウムと銀とを含有する帯電防止膜をスパッタリング法にて形成するために用いられ、かつ、９５質量％以上でアルミニウムと銀を含むことを特徴とするアルミニウムと銀の混合物ターゲットである。
【００３６】
また、本発明は、アルミニウムと銀とを含有する帯電防止膜の製造方法であって、上記アルミニウムと銀又は窒化アルミニウムと銀の混合物ターゲットを窒素のみの雰囲気中でスパッタリングすることを特徴とする帯電防止膜の製造方法である。
【００３７】
また、本発明は、アルミニウムと銀とを含有する帯電防止膜の製造方法であって、上記アルミニウムと銀の混合物ターゲットを酸素のみの雰囲気中でスパッタリングすることを特徴とする帯電防止膜の製造方法である。
【００３８】
また、本発明は、アルミニウムと銀とを含有する帯電防止膜の製造方法であって、上記アルミニウムと銀の混合物ターゲットを窒素と酸素の雰囲気中でスパッタリングすることを特徴とする帯電防止膜の製造方法である。
【発明の効果】
【００３９】
本発明は、再現性が高く、抵抗値の制御性、安定性および再現性に優れ、その抵抗温度特性が良好な帯電防止膜に適する抵抗膜を提供することができる。
【００４０】
また、本発明は、気密容器を構成する、一対の基板間の温度差から引き起こされる気密容器内の温度分布が原因で生じる画像の乱れを小さく抑える効果があり、表示性能の優れた画像表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
本発明は、０．５〜１０ｎｍの粒径を有する導体粒子の複数個が、窒化物を含む媒質中に分散配置された構造を有することを特徴とする帯電防止膜である。
【００４２】
また、本発明は、０．５〜１０ｎｍの粒径を有する導体粒子の複数個が、酸化物を含む媒質中に分散配置された構造を有することを特徴とする帯電防止膜である。
【００４３】
また、本発明は、０．５〜１０ｎｍの粒径を有する導体粒子の複数個が、窒化物と酸化物とを含む媒質中に分散配置された構造を有することを特徴とする帯電防止膜である。
【００４４】
また、前記導体粒子が白金粒子であり、前記窒化物が窒化アルミニウムであることが好ましい。
【００４５】
また、前記導体粒子が白金粒子であり、前記酸化物が酸化アルミニウムであることが好ましい。
【００４６】
また、前記導体粒子が白金粒子であり、前記窒化物が窒化アルミニウム、前記酸化物が酸化アルミニウムであることが好ましい。
【００４７】
また、前記導体粒子が金粒子であり、前記窒化物が窒化アルミニウムであることが好ましい。
【００４８】
また、前記導体粒子が金粒子であり、前記酸化物が酸化アルミニウムであることが好ましい。
【００４９】
また、前記導体粒子が金粒子であり、前記窒化物が窒化アルミニウム、前記酸化物が酸化アルミニウムであることが好ましい。
【００５０】
また、前記導体粒子が銀粒子であり、前記窒化物が窒化アルミニウムであることが好ましい。
【００５１】
また、前記導体粒子が銀粒子であり、前記酸化物が酸化アルミニウムであることが好ましい。
【００５２】
また、前記導体粒子が銀粒子であり、前記窒化物が窒化アルミニウム、前記酸化物が酸化アルミニウムであることが好ましい。
【００５３】
また、前記導体粒子の含有量が、０．１〜１０ａｔｏｍｉｃ％であることが好ましい。
【００５４】
また、本発明は、０．５〜１０ｎｍの粒径を有する半導体粒子の複数個が、窒化物を含む媒質中に分散配置された構造を有することを特徴とする帯電防止膜である。
【００５５】
また、本発明は、０．５〜１０ｎｍの粒径を有する半導体粒子の複数個が、酸化物を含む媒質中に分散配置された構造を有することを特徴とする帯電防止膜である。
【００５６】
また、本発明は、０．５〜１０ｎｍの粒径を有する半導体粒子の複数個が、窒化物と酸化物を含む媒質中に分散配置された構造を有することを特徴とする帯電防止膜である。
【００５７】
また、前記半導体粒子がゲルマニウム粒子であり、前記窒化物が窒化珪素であることが好ましい。
【００５８】
また、前記半導体粒子がゲルマニウム粒子であり、前記酸化物が酸化珪素であることが好ましい。
【００５９】
また、前記半導体粒子がゲルマニウム粒子であり、前記窒化物が窒化珪素、前記酸化物が酸化珪素であることが好ましい。
【００６０】
また、前記半導体粒子の含有量が、０．１〜１０ａｔｏｍｉｃ％であることが好ましい。
【００６１】
また、以上述べたいずれの帯電防止膜においても、前記粒径が、１〜９ｎｍであることが好ましく、また、その比抵抗がρ＝１×１０４〜１×１０１１Ωｃｍであることが好ましい。
【００６２】
また、本発明は、気密容器内に電子源を有する電子発生装置であって、前記気密容器内に、以上述べたいずれかの帯電防止膜を備えていることを特徴とする電子発生装置である。
【００６３】
また、本発明は、電子源が配置された第１の基板と、前記電子源と対向して画像表示部材が配置された第２の基板とを有する気密容器と、前記気密容器内の、前記第１の基板と前記第２の基板との間に配置されたスペーサとを備える画像表示装置であって、前記スペーサの表面には、以上述べたいずれかの帯電防止膜が配置されていることを特徴とする画像表示装置である。
【００６４】
また、本発明は、電子源が配置された第１の基板と、前記電子源と対向して画像表示部材が配置された第２の基板とを有する気密容器を備える画像表示装置の、前記第１の基板と前記第２の基板との間に配置されるスペーサであって、その表面に、以上述べたいずれかの帯電防止膜を有することを特徴とするスペーサである。
【００６５】
以上述べた本発明の帯電防止膜は、温度による比抵抗の変化が小さく、この帯電防止膜
を特に、画像表示装置のスペーサ表面に設けた形態においては、上記第１の基板と第２の基板の温度差から引き起こされる気密容器内の温度分布が原因で生じる表示画像の乱れを小さく抑える効果がある。
【００６６】
また、更に本発明は、アルミニウムと白金とを含有する帯電防止膜をスパッタリング法にて形成するために用いられ、かつ、９５質量％以上でアルミニウムと白金を含むことを特徴とするアルミニウムと白金の混合物ターゲットである。
【００６７】
また、本発明は、アルミニウムと白金とを含有する帯電防止膜をスパッタリング法にて形成するために用いられ、かつ、９５質量％以上でアルミニウムと白金を含むことを特徴とする窒化アルミニウムと白金の混合物ターゲットである。
【００６８】
また更に本発明は、アルミニウムと白金とを含有する帯電防止膜の製造方法であって、上記混合物ターゲットを窒素のみの雰囲気中でスパッタリングすることを特徴とする帯電防止膜の製造方法である。
【００６９】
また、本発明は、アルミニウムと白金とを含有する帯電防止膜の製造方法であって、上記混合物ターゲットを酸素のみの雰囲気中でスパッタリングすることを特徴とする帯電防止膜の製造方法である。
【００７０】
また、本発明は、アルミニウムと白金とを含有する帯電防止膜の製造方法であって、上記混合物ターゲットを窒素と酸素の雰囲気中でスパッタリングすることを特徴とする帯電防止膜の製造方法である。
【００７１】
本発明のターゲットは、上記の通り、特に電子ビーム蒸着装置やスパッタ装置等のＰＶＤ（Physical Vapour Deposition）装置のターゲットとして好適に用いることができる。ＰＶＤ（Physical Vapour Deposition）装置のターゲットとして本発明のターゲットを用いれば、再現性が高く、抵抗値の制御性にすぐれ、その抵抗温度特性の優れた抵抗膜を作製できる。
【００７２】
また、本発明の帯電防止膜の製造方法においては、２元同時スパッタリングに比べ、その比抵抗のばらつきは小さく、膜特性（比抵抗）の再現性が高いという効果がある。
［発明の実施形態］
まず、本発明の帯電防止膜は、その断面形状をＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）によって観察した際の模式図である図１に示すように、０．５〜１０ｎｍの平均粒径を有する粒子１の複数個が媒質２中に分散配置された構造を有した抵抗膜である。ここで平均粒径は、図１のような断面形状の観察から２０粒子の粒径の平均値を算出することで得られる。
【００７３】
平均粒径が、０．５ｎｍ以上、好ましくは１ｎｍ以上であれば、抵抗温度特性の良好な抵抗膜とすることができる。即ち、温度の変化による抵抗の変化量が小さい抵抗膜とすることができる。よってこの抵抗膜を帯電防止膜として備えたスペーサを画像表示装置に用いた場合、スペーサによる画像の乱れを小さくすることができる。
【００７４】
また、上記平均粒径は１０ｎｍ以下、好ましくは９ｎｍ以下であることが、比抵抗が１×１０６Ωｃｍ以上と高くできるという点で望ましい。
【００７５】
以上述べた通り、上記の抵抗膜は、電子源を内包し、しかも、温度変化を伴う気密容器内に配置され、当該気密容器内の帯電を防止するための抵抗膜として、即ち、帯電防止膜として好ましく適用することができる。
【００７６】
以下、本発明の実施形態を説明する。
【００７７】
まず、第１の実施形態は、０．５〜１０ｎｍの粒径を有する導体粒子の複数個が、窒化物を含む媒質中に分散配置された構造を有する抵抗膜である。
【００７８】
また、第２の実施形態は、０．５〜１０ｎｍの粒径を有する導体粒子の複数個が、酸化物を含む媒質中に分散配置された構造を有する抵抗膜である。
【００７９】
また、第３の実施形態は、０．５〜１０ｎｍの粒径を有する導体粒子の複数個が、窒化物と酸化物とを含む媒質中に分散配置された構造を有する抵抗膜である。
【００８０】
以上述べた各実施形態において、前記導体は、白金、金、銀などの貴金属であることが好ましく、これら貴金属の中でも、白金、金が抵抗値の安定性、制御性の点から特に好ましい。また、前記窒化物としては、窒化アルミニウム、窒化ゲルマニウム、窒化珪素、窒化マグネシウムなどであることが好ましく、これらの中でも、窒化アルミニウムが、抵抗値の安定性、制御性の点から特に好ましい。また、前記酸化物としては、酸化アルミニウム、酸化ゲルマニウム、酸化珪素、酸化マグネシウムなどであることが好ましく、これらの中でも、酸化アルミニウムが、抵抗値の安定性、制御性の点から特に好ましい。また前記窒化物と酸化物とを含む媒質としては、窒化酸化アルミニウムが、抵抗値の安定性、制御性、抵抗温度特性の点からもっとも好ましい。
【００８１】
次に、第４の実施形態は、０．５〜１０ｎｍの粒径を有する半導体粒子の複数個が、窒化物を含む媒質中に分散配置された構造を有する抵抗膜である。
【００８２】
また、第５の実施形態は、０．５〜１０ｎｍの粒径を有する半導体粒子の複数個が、酸化物を含む媒質中に分散配置された構造を有する抵抗膜である。
【００８３】
また、第６の実施形態は、０．５〜１０ｎｍの粒径を有する半導体粒子の複数個が、窒化物と酸化物を含む媒質中に分散配置された構造を有する抵抗膜である。
【００８４】
以上述べた第４、第５、第６の実施形態において、前記半導体は、ゲルマニウム、珪素などであることが好ましく、これら半導体の中でも、ゲルマニウムが抵抗値の安定性、制御性の点から特に好ましい。また、前記窒化物としては、窒化アルミニウム、窒化ゲルマニウム、窒化珪素、窒化マグネシウムなどであることが好ましく、これらの中でも、窒化珪素が、抵抗値の安定性、制御性の点から特に好ましい。また、前記酸化物としては、酸化アルミニウム、酸化ゲルマニウム、酸化珪素、酸化マグネシウムなどであることが好ましく、これらの中でも、酸化珪素が、抵抗値の安定性、制御性の点から特に好ましい。また前記窒化物と酸化物とを含む媒質としては、窒化酸化珪素が、抵抗値の安定性、制御性、抵抗温度特性の点からもっとも好ましい。
【００８５】
また、以上述べた第１〜第６の各実施形態の抵抗膜を、電子発生装置のなかでもとりわけ、電子源が配置された第１の基板と、前記電子源と対向して画像表示部材が配置された第２の基板とを有する気密容器を備える画像表示装置の、前記第１の基板と前記第２の基板との間に配置されるスペーサの表面に帯電防止膜として適用する場合においては、その比抵抗がρ＝１×１０４〜１×１０１１Ωｃｍであることが好ましく、上記各抵抗膜は、導体又は半導体の含有量が、０．１〜１０ａｔｏｍｉｃ％であることが好ましい。
【００８６】
次に、以上述べた抵抗膜を得るための方法について説明する。
【００８７】
以上述べた抵抗膜を得るためには、（１）導体粒子又は半導体粒子を構成する成分と、窒化物又は酸化物を構成する、窒化又は酸化される成分とが少なくとも混合された、混合ターゲットを用いてのスパッタリング法による成膜が好ましく、更には、（２）スパッタリングの際の雰囲気は、窒素分圧が７０％以上である窒素ガス雰囲気、又は、酸素分圧が７０％以上である酸素ガス雰囲気であることが好ましい。もちろん前記分圧範囲内であれば混合ガス雰囲気としても構わない。また、混合ガス雰囲気としては、窒素と酸素の混合ガス雰囲気であることが特に好ましく、この場合には、窒素と酸素とで７０％以上の分圧となるように制御されることが望ましい。
【００８８】
以上述べた（１）及び（２）の条件下において、混合ターゲットの成分組成や組成比率、スパッタ成膜時のガス種、スパッタ圧力、投入電力を適宜変化させることで、０．５〜１０ｎｍの範囲内で粒径を変化させることができ、適用される電子発生装置にとって好ましい抵抗範囲に制御された抵抗膜を得ることが可能である。
【００８９】
次に、上記実施形態の抵抗膜を成膜に適用されるスパッタ装置について説明する。
【００９０】
（スパッタ装置）
図３に、本実施形態に使用した高周波スパッタ装置の構成を示す。これを用いて上記抵抗膜を成膜するプロセスの概要をのべる。
【００９１】
まず、基板２０１を成膜トレイ２０２に載せ、予備排気室２０３に投入する。真空ポンプ２０４を用いて、予備排気室を５×１０−４［Ｐａ］以下の真空度まで排気を行なったのち、搬送ローラー２０５によって成膜トレイ２０２を成膜室２０６へ移動させる。ここで、成膜室２０６を２×１０−５［Ｐａ］以下の真空度まで排気を行なう。真空度の到達を確認したのちに、ガス導入管２０７より所定量の、窒素ガス、酸素ガス、窒素とアルゴンの混合ガス、酸素とアルゴンの混合ガス、又は、窒素と酸素の混合ガスを流した。またスパッタガス全圧が所定の圧力になるようオリフィス（不図示）を調整した。雰囲気（スパッタガス全圧、ガス流量）が安定したのち、高周波電源２０８に所定の電力を投入する。基板２０１全面にわたって抵抗膜を成膜するために、スパッタ放電が開始したのちには搬送ローラー２０５によって成膜トレイ２０２を５ｍｍ／ｍｉｎの速度で、混合物ターゲット２０９の直下を横切るように、図中矢印の方向へ搬送を行なった。基板と混合物ターゲットとの距離は２００ｍｍとした。
【００９２】
ここで、混合物ターゲット２０９に印加される直流高電圧は、基板搬送に伴う変動が抑制するよう高周波電源２０８にて調整している。
【００９３】
基板の搬送方向は一方向に限定されるものではなく、一往復搬送あるいは複数回の往復搬送でも構わない。また装置の構成によっては、ターゲット直下で基板を回転運動させることで、全面にわたる成膜を行なっても良い。
【００９４】
以上の工程で基板上に、抵抗膜が形成できる。
【００９５】
また、基板の両面に抵抗膜を形成する場合には、表面（第１面）を成膜したのち、成膜トレイ２０２を予備排気室２０３にもどして、基板２０１を取り出す。次に、基板２０１を表裏反転した後、表面（第１面）と同様に裏面（第２面）にも、上記抵抗膜の成膜を行なう。
【００９６】
表面（第１面）と裏面（第２面）の各面に付与する抵抗膜の構成としては、所望の膜厚をもった単層の膜でも良いし、混合物の組成濃度比を変えた複数個のターゲットを用いて作製した複数枚の層構成をもった多層膜にしても構わない。
【００９７】
次に、上記スパッタ装置で用いられる混合ターゲットについて説明する。
【００９８】
（混合物ターゲット作製方法）
ここで、上記混合焼結体ターゲットの作製方法について述べる。
【００９９】
１）混合
まず、種々の組成濃度比にあわせて検量を行なった上記各成分の粉末を混合する。例えば、ＰｔとＡｌ、又は、ＰｔとＡｌＮの粉末を混合する。混合手段は特に限定されないが、ボールミル等で行なえばよい。混合は、窒素ガスやＡｒガス等の非酸化性雰囲気中で行なう。混合後、必要に応じ、ふるい等により分級してもよい。
【０１００】
２）仮焼成
この混合粉末を、窒素ガスやＡｒガス等の不活性ガス雰囲気中または真空中で仮焼成する。また、水素等の還元雰囲気中で仮焼成してもよい。好ましくは８００〜１５００℃で加熱し、仮焼成とする。
【０１０１】
３）粉砕
こうしてできた固形物を粉砕する。粉砕手段は特に限定されないが、ボールミル等で行なえばよい。粉砕は、窒素ガスやＡｒガス等の非酸化性雰囲気中で行なう。粉砕後、必要に応じ、ふるい等により分級してもよい。
【０１０２】
４）本焼成
粉砕により得られた混合粉末を窒素ガスやＡｒガス等の不活性ガス雰囲気中または真空中で加圧焼成することにより、焼結体を得る。水素等の還元ガス雰囲気中で加圧焼成してもかまわない。加圧焼成には、ホットプレス法を用いることが好ましい。スパッタリングに備えて、所定の板厚や形状になるように成形し、好ましくは１〜２ＭＰａの圧力下において８００〜１５００℃で加熱するという本焼成の工程を経て混合物焼結体ターゲットとする。
【０１０３】
（混合物溶融合金ターゲット作製方法）
ここで、混合物溶融合金ターゲットの作製方法について述べる。
【０１０４】
１）溶解
まず、種々の組成濃度比にあわせて検量を行なった上記各成分の原材料を混合する。例えば、ＰｔとＡｌ、又は、ＰｔとＡｌＮの原材料を混合し、溶解炉にて溶かす。溶解方法は特に限定されないが、大気中の不純物などの混入を防ぐために、真空中で行なうことが望ましい。
【０１０５】
２）冷却
上記の溶融混合物を組成偏析が生じないように調整しながら温度を下げる。
【０１０６】
３）鍛造圧延
こうしてできた固形物を加熱しながら鍛造圧延する。冷却時に発生した鬆（す＝空隙）を埋め、溶解むらや密度むらを均一にする。
【０１０７】
４）焼成
上記工程により得られた固形物をＡｒガス等の不活性ガス雰囲気中または真空中で加圧焼成することにより、Ｐｔ−ＡｌあるいはＰｔ−ＡｌＮ混合物溶融合金を得る。水素等の還元ガス雰囲気中で加圧焼成してもかまわない。加圧焼成には、ホットプレス法を用いることが好ましい。スパッタリングに備えて、所定の板厚や形状になるように成形し、混合物溶融合金ターゲットとする。
【０１０８】
以上述べたようにして、例えば、９５質量％以上でアルミニウムと白金を含む、アルミニウムと白金の混合物ターゲット、又は、９５質量％以上でアルミニウムと白金を含む、窒化アルミニウムと白金の混合物ターゲットを形成することができる。
【０１０９】
次に、上記抵抗膜を形成した基板をスペーサとして用い、このスペーサを挿入した画像表示装置の全体構成について説明する。
【０１１０】
（パネル構成）
図２は、本実施形態の画像表示装置の表示パネルの斜視図であり、内部構造を示すためにパネルの一部を切り欠いて示している。
【０１１１】
図中、９１５はリアプレート（背面板）、９１６は側壁、９１７はフェースプレート（前面板）であり、リアプレート９１５，側壁９１６，フェースプレート９１７により表示パネルの内部を真空に維持するための気密容器を形成している。気密容器を組み立てるにあたっては、各部材の接合部に十分な強度と気密性を保持させるため封着する必要があるが、たとえばフリットガラスを接合部に塗布し、大気中あるいは窒素雰囲気中で、４００〜５００℃で１０分以上焼成することにより封着を達成した。気密容器内部を真空に排気する方法については後述する。
【０１１２】
また、上記気密容器の内部は１０-4［Ｐａ］程度の真空に保持されるので、大気圧や不意の衝撃などによる気密容器の破壊を防止する目的で、耐大気圧構造体として、スペーサ９２０が設けられている。このスペーサとしては上述した、成膜する際にさまざまな組成濃度比から成る混合物ターゲットを用いて作製した帯電防止膜を有する基板が用いられる。
【０１１３】
リアプレート９１５には、基板９１１が固定されているが、基板９１１上には表面伝導型電子放出素子９１２がＮ×Ｍ個形成されている。ここで、Ｎ，Ｍは２以上の正の整数であり、目的とする表示画素数に応じて適宜設定される。たとえば、高品位テレビジョンの表示を目的とした表示装置においては、Ｎ＝３０００，Ｍ＝１０００以上の数を設定することが望ましい。本実施形態においては、Ｎ＝３０７２，Ｍ＝１０２４とした。
【０１１４】
前記Ｎ×Ｍ個の表面伝導型電子放出素子は、Ｍ本の行方向配線９１３とＮ本の列方向配線９１４により単純マトリクス配線されている。基板９１１、表面伝導型電子放出素子９１２、行方向配線９１３、列方向配線９１４によって構成される部分を電子源基板と呼ぶ。
【０１１５】
また、フェースプレート９１７の下面には、蛍光膜９１８が形成されている。そして、蛍光膜９１８のリアプレート側の面には、ＣＲＴの分野では公知のメタルバック９１９を設けてある。
【０１１６】
また、Ｄｘ１〜ＤｘｍおよびＤｙ１〜ＤｙｎおよびＨｖは、当該表示パネルと不図示の電気回路とを電気的に接続するために設けた気密構造の電気接続用端子である。
【０１１７】
Ｄｘ１〜Ｄｘｍは表面伝導型電子放出素子の行方向配線９１３と、Ｄｙ１〜Ｄｙｎは表面伝導型電子放出素子の列方向配線９１４と、Ｈｖはフェースプレートのメタルバック（金属膜）９１９と電気的に接続している。
【０１１８】
また、気密容器内部を真空に排気するには、気密容器を組み立てた後、不図示の排気管と真空ポンプとを接続し、気密容器内を１０-5［Ｐａ］以下の真空度まで排気する。その後、排気管を封止するが、気密容器内の真空度を維持するために、封止の直前あるいは封止後に気密容器内の所定の位置にゲッター膜（不図示）を形成する。ゲッター膜とは、たとえばＢａを主成分とするゲッター材料をヒーターもしくは高周波加熱により加熱し蒸着して形成した膜であり、該ゲッター膜の吸着作用により気密容器内は１×１０-3ないしは１×１０-5［Ｐａ］の真空度に維持される。
【０１１９】
以上説明した表示パネルを用いた画像表示装置は、容器外端子Ｄｘ１ないしＤｘｍ、Ｄｙ１ないしＤｙｎを通じて各表面伝導型電子放出素子９１２に電圧を印加すると、各表面伝導型電子放出素子９１２から電子が放出される。それと同時にメタルバック（金属膜）９１９に容器外端子Ｈｖを通じて数百［Ｖ］ないし数［ｋＶ］の高圧を印加して、上記放出された電子を加速し、フェースプレート９１７の内面に衝突させる。これにより、蛍光体層９１８をなす各色の蛍光体が励起されて発光し、画像が表示される。
【０１２０】
通常、本発明の表面伝導型放出素子への９１２への印加電圧は１２〜１６［Ｖ］程度、メタルバック（金属膜）９１９と表面伝導型電子放出素子９１２との距離ｄは０．１［ｍｍ］から８［ｍｍ］程度、メタルバック（金属膜）９１９と表面伝導型電子放出素子９１２間の電圧は０．１［ｋＶ］から１２［ｋＶ］程度である。
【０１２１】
以上の説明では、画像表示装置とそれに用いる支持構造体としての、表面に形成された抵抗膜（帯電防止膜）を有するスペーサについて説明したが、本発明の思想によれば、画像表示装置に限るものでなく、感光性ドラムと発光ダイオード等で構成された光プリンタの発光ダイオード等の代替の発光源として用いることもできる。またこの際、上述のｍ本の行方向配線とｎ本の列方向配線を、適宜選択することで、ライン状発光源だけでなく、２次元状の発光源としても応用できる。この場合、電子の被照射体としては、蛍光体のような直接発光する物質に限るものではなく、電子の帯電による潜像画像が形成されるような部材を用いることもできる。また、本発明の思想によれば、例えば電子顕微鏡のように、電子源からの放出電子の被照射体が、蛍光体等の画像形成部材以外のものである場合についても、本発明は電子発生装置として適用できる。
【０１２２】
（画像の評価方法）
本発明における抵抗膜を帯電防止膜としてガラス基材上に成膜してスペーサ基材を作製し、本実施形態である表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置のスペーサとして用いた。
【０１２３】
図８に示すように、スペーサ８０１の除電能力が不十分であると、ビームの軌道が乱され、等間隔で表示されるべき点灯画素の位置が移動する。本来のビーム位置８０２の間隔Ｌを１Ｌとして、ビームがスペーサによって移動した場合８０３との差分である移動量をΔＬで示す。
【０１２４】
十分に明るい室内に表示装置を設置し、パネル面から１ｍ離れた場所から目視による表示画像の評価を成人男女５０人の被験者に対して実施した。
【０１２５】
ビームの移動による画像の乱れを「見えない」「見えるが気にならない」「見えて気になる」の３段階で評価し、ビームの移動量ΔＬとの関係を求めた。被験者の過半数が「見えない」と回答した移動量ΔＬ＝０〜０．０１Ｌ
「見えるが気にならない」と回答した移動量ΔＬ＝０．０１〜０．０３Ｌ
「見える」と回答した移動量ΔＬ＝０．０１Ｌ以上
であった。表１に示す。
【０１２６】
本発明の抵抗膜の性能評価は、該抵抗膜を備えたスペーサを表示装置に設置し、該スペーサの影響によるビーム移動量ΔＬを測定するという画像評価にて行った。
【０１２７】
【表１】
2006344603.tif 000003
【実施例】
【０１２８】
以下、本発明の具体的な実施例について説明する。なお原子％（ａｔｏｍｉｃ％）は単原子の原子の個数の割合を示し、Ｐｔ／Ａｌ質量比は（Ｐｔの原子％×Ｐｔの原子量）／（Ａｌの原子％×Ａｌの原子量）で算出される。
【０１２９】
(実施例１)
Ｐｔ＝５  ａｔｏｍｉｃ％  Ｐｔ−Ａｌ  溶融合金
組成比  Ｐｔ：５  ａｔｏｍｉｃ％、Ａｌ：９５  ａｔｏｍｉｃ％  となるように検量を行なったＰｔおよびＡｌ原材料を混合する。この混合物を真空溶解炉にて溶解し合金を作製する。冷却後、鍛造圧延を行なうことで組成分布をより均一なものとする。この溶融合金を真空中で加圧焼成し、スパッタリングターゲットとして所定の板厚や形状になるように成形し、Ｐｔ−Ａｌ溶融合金混合物ターゲットとする。このＰｔ−Ａｌ溶融合金の密度は３．６ｇ／ｃｍ３であった。
【０１３０】
図３に示した高周波スパッタリング装置のターゲットとして、このＰｔ−Ａｌ溶融合金を設置し、Ｎ２流量１００ｓｃｃｍを固定し、全圧を変化させて、Ｐｔ−Ａｌ混合物窒化膜を成膜した。得られたＰｔ−Ａｌ混合物窒化膜の比抵抗は、図４のようであった。
【０１３１】
このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物窒化膜をＲＢＳ（ラザフォード後方散乱）法を用いて組成分析したところ、その組成は表２のとおりであった。そしてＰｔ−Ａｌ混合物窒化膜の密度は、３．５ｇ／ｃｍ３であった。
【０１３２】
【表２】
2006344603.tif 000004
【０１３３】
(実施例２)
Ｐｔ＝３  ａｔｏｍｉｃ％  Ｐｔ−Ａｌ  溶融合金
実施例１と同様に、組成比  Ｐｔ：３  ａｔｏｍｉｃ％、Ａｌ：９７  ａｔｏｍｉｃ％となるように検量し、混合・溶解・冷却・鍛造圧延・加圧焼成を行ない、Ｐｔ−Ａｌ溶融合金混合物ターゲットとする。このＰｔ−Ａｌ溶融合金の密度は３．２ｇ／ｃｍ３であった。
【０１３４】
実施例１と同様にＰｔ−Ａｌ混合物窒化膜を成膜したところ、比抵抗は、図４のようであった。
【０１３５】
このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物窒化膜をＲＢＳ（ラザフォード後方散乱）法を用いて組成分析したところ、その組成は表１のとおりであった。そしてＰｔ−Ａｌ混合物窒化膜の密度は、３．０ｇ／ｃｍ３であった。
【０１３６】
(実施例３)
Ｐｔ＝５  ａｔｏｍｉｃ％  Ｐｔ−ＡｌＮ  焼結体
金属アルミニウムの代わりに、窒化アルミニウムを原材料として用いる。
【０１３７】
組成比  Ｐｔ：５  ａｔｏｍｉｃ％、ＡｌＮ：９５  ａｔｏｍｉｃ％  となるように検量を行なったＰｔおよびＡｌＮの粉末を混合する。混合は、窒素ガス下の非酸化性雰囲気中でボールミルを用いて行なう。混合後、ふるいにより分級を行なうことで粒状形状をより均一なものとする。この混合粉末を、真空中で仮焼成する。
【０１３８】
こうしてできた固形物を粉砕する。粉砕は、窒素ガス下の非酸化性雰囲気中でボールミルを用いて行なう。粉砕後、ふるいにより分級を行なうことで粒状形状をより均一なものとする。
【０１３９】
粉砕により得られた混合粉末を真空中で加圧焼成することにより、焼結体を得る。加圧焼成には、２ＭＰａの圧力下において１５００℃に加熱を行なうというホットプレス法を用いる。スパッタリングターゲットとして所定の板厚や形状になるように成形し、Ｐｔ−ＡｌＮ混合物焼結体ターゲットとする。このＰｔ−ＡｌＮ焼結体の密度は２．４ｇ／ｃｍ３であった。
【０１４０】
実施例１と同様にＮ２流量１００ｓｃｃｍを固定し、全圧を変化させて、Ｐｔ−Ａｌ混合物窒化膜を成膜したところ、比抵抗は、図５のようであった。
【０１４１】
このようにして作製したＰｔ−ＡｌＮ混合物窒化膜をＲＢＳ（ラザフォード後方散乱）法を用いて組成分析したところ、その組成は表３のとおりであった。そしてＰｔ−Ａｌ混合物窒化膜の密度は、３．２ｇ／ｃｍ３であった。
【０１４２】
【表３】
2006344603.tif 000005
【０１４３】
（実施例４）
Ｐｔ＝３  ａｔｏｍｉｃ％  Ｐｔ−ＡｌＮ
実施例３と同様に、金属アルミニウムの代わりに、窒化アルミニウムを原材料として用い、組成比  Ｐｔ：３  ａｔｏｍｉｃ％、ＡｌＮ：９７  ａｔｏｍｉｃ％  となるように検量し、混合・仮焼成・粉砕・加圧焼成を行ない、Ｐｔ−ＡｌＮ混合物焼結体ターゲットとする。このＰｔ−ＡｌＮ焼結体の密度は２．０ｇ／ｃｍ３であった。
【０１４４】
実施例１と同様にＮ２流量１００ｓｃｃｍを固定し、全圧を変化させて、Ｐｔ−Ａｌ混合物窒化膜を成膜したところ、比抵抗は、図５のようであった。
【０１４５】
このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物窒化膜をＲＢＳ（ラザフォード後方散乱）法を用いて組成分析したところ、その組成は表３のとおりであった。そしてＰｔ−Ａｌ混合物窒化膜の密度は、２．８ｇ／ｃｍ３であった。
【０１４６】
［比較例１］
２元ターゲットとの比較−  Ｐｔ＝５  ａｔｏｍｉｃ％  窒化膜
Ｐｔ単体、Ａｌ単体のターゲットを別個に用意する。実施例１と同様に、高周波スパッタリング装置のターゲットとして、このＰｔターゲットおよびＡｌターゲットをそれぞれ設置する。全圧０．２Ｐａ、Ｎ２流量１００ｓｃｃｍの条件下で、これらのターゲットそれぞれに投入する電力を調整した。Ｐｔ＝５  ａｔｏｍｉｃ％  Ｐｔ−Ａｌターゲットを用いて成膜した膜と、Ｐｔ含有量が同じ（Ｐｔ＝２．５  ａｔｏｍｉｃ％）となるようにした。
【０１４７】
このように調整した同一条件で繰り返し成膜を行なったところ、作製したＰｔ−Ａｌ混合物窒化膜の比抵抗は、図６のようにばらついた。
【０１４８】
［比較例２］
２元ターゲットとの比較−  Ｐｔ＝３  ａｔｏｍｉｃ％  窒化膜
Ｐｔ単体、Ａｌ単体のターゲットを別個に用意する。実施例１と同様に、高周波スパッタリング装置のターゲットとして、このＰｔターゲットおよびＡｌターゲットをそれぞれ設置する。全圧０．２Ｐａ、Ｎ２流量１００ｓｃｃｍの条件下で、これらのターゲットそれぞれに投入する電力を調整した。Ｐｔ＝３  ａｔｏｍｉｃ％  Ｐｔ−Ａｌターゲットを用いて成膜した膜と、Ｐｔ含有量が同じ（Ｐｔ＝０．８  ａｔｏｍｉｃ％）になるようにした。
【０１４９】
このように調整した同一条件で繰り返し成膜を行なったところ、作製したＰｔ−Ａｌ混合物窒化膜の比抵抗はばらつき、図６のようであった。
【０１５０】
（実施例５）
図２に示した高周波スパッタリング装置のターゲットとして、実施例１の要領で作製した組成比  Ｐｔ：２  ａｔｏｍ％、Ａｌ：９８  ａｔｏｍ％  ８インチφのＰｔ−Ａｌ混合物ターゲットを設置した。ガス流量は窒素/アルゴン混合ガス：Ｎ２＝７０ｓｃｃｍ  Ａｒ＝３０ｓｃｃｍ、スパッタ圧１．０Ｐａのもと、上記Ｐｔ−Ａｌ混合物ターゲットを、高周波電源を用いて、投入電力２４００Ｗとした。
【０１５１】
ガラス基板を成膜室へ導入し、ガラス基板上に成膜を行った。スパッタ時間３０分で膜厚２００ｎｍの抵抗膜が得られた。得られた抵抗膜の比抵抗は、２×１０9Ωｃｍであった。
【０１５２】
このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物窒化膜について、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて窒化アルミニウムの媒質中に分散された白金粒子の平均粒径を求めたところ、０．４ｎｍであった。
【０１５３】
（実施例６）
組成比  Ｐｔ：２  ａｔｏｍ％、Ａｌ：９８  ａｔｏｍ％  ８インチφのＰｔ−Ａｌ混合物ターゲットを設置した。ガス流量は窒素／アルゴン混合ガス：Ｎ２＝７０ｓｃｃｍ  Ａｒ＝３０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．５Ｐａのもと、上記Ｐｔ−Ａｌ混合物ターゲットを、高周波電源を用いて、投入電力２４００Ｗとした。
【０１５４】
ガラス基板を成膜室へ導入し、ガラス基板上に成膜を行った。スパッタ時間２５分で膜厚２００ｎｍの抵抗膜が得られた。得られた抵抗膜の比抵抗は、１×１０9Ωｃｍであった。
【０１５５】
このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物窒化膜について、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて窒化アルミニウムの媒質中に分散された白金粒子の平均粒径を求めたところ、０．５ｎｍであった。
【０１５６】
（実施例７）
組成比  Ｐｔ：２  ａｔｏｍ％、Ａｌ：９８  ａｔｏｍ％  ８インチφのＰｔ−Ａｌ混合物ターゲットを設置した。ガス流量は窒素／アルゴン混合ガス：Ｎ２＝７０ｓｃｃｍ  Ａｒ＝３０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａのもと、上記Ｐｔ−Ａｌ混合物ターゲットを、高周波電源を用いて、投入電力２４００Ｗとした。
【０１５７】
ガラス基板を成膜室へ導入し、ガラス基板上に成膜を行った。スパッタ時間２０分で膜厚２００ｎｍの抵抗膜が得られた。得られた抵抗膜の比抵抗は、８×１０8Ωｃｍであった。
【０１５８】
このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物窒化膜について、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて窒化アルミニウムの媒質中に分散された白金粒子の平均粒径を求めたところ、０．６ｎｍであった。
【０１５９】
（実施例８）
組成比  Ｐｔ：３０  ａｔｏｍ％、Ａｌ：７０  ａｔｏｍ％  ８インチφのＰｔ−Ａｌ混合物ターゲットを設置した。ガス流量は窒素／アルゴン混合ガス：Ｎ２＝７０ｓｃｃｍ  Ａｒ＝３０ｓｃｃｍ、スパッタ圧１．０Ｐａのもと、上記Ｐｔ−Ａｌ混合物ターゲットを、高周波電源を用いて、投入電力２４００Ｗとした。
【０１６０】
ガラス基板を成膜室へ導入し、ガラス基板上に成膜を行った。スパッタ時間３０分で膜厚２００ｎｍの抵抗膜が得られた。得られた抵抗膜の比抵抗は、１×１０４Ωｃｍであった。
【０１６１】
このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物窒化膜について、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて窒化アルミニウムの媒質中に分散された白金粒子の平均粒径を求めたところ、９ｎｍであった。
【０１６２】
（実施例９）
組成比  Ｐｔ：３０ａｔｏｍ％、Ａｌ：７０  ａｔｏｍ％  ８インチφのＰｔ−Ａｌ混合物ターゲットを設置した。ガス流量は窒素／アルゴン混合ガス：Ｎ２＝７０ｓｃｃｍ  Ａｒ＝３０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．５Ｐａのもと、上記Ｐｔ−Ａｌ混合物ターゲットを、高周波電源を用いて、投入電力２４００Ｗとした。
【０１６３】
ガラス基板を成膜室へ導入し、ガラス基板上に成膜を行った。スパッタ時間２５分で膜厚２００ｎｍの抵抗膜が得られた。得られた抵抗膜の比抵抗は、１×１０４Ωｃｍであった。
【０１６４】
このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物窒化膜について、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて窒化アルミニウムの媒質中に分散された白金粒子の平均粒径を求めたところ、１０ｎｍであった。
【０１６５】
（実施例１０）
組成比  Ｐｔ：３０ａｔｏｍ％、Ａｌ：７０  ａｔｏｍ％  ８インチφのＰｔ−Ａｌ混合物ターゲットを設置した。ガス流量は窒素／アルゴン混合ガス：Ｎ２＝７０ｓｃｃｍ  Ａｒ＝３０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．３Ｐａのもと、上記Ｐｔ−Ａｌ混合物ターゲットを、高周波電源を用いて、投入電力２４００Ｗとした。
【０１６６】
ガラス基板を成膜室へ導入し、ガラス基板上に成膜を行った。スパッタ時間２０分で膜厚２００ｎｍの抵抗膜が得られた。得られた抵抗膜の比抵抗は、１×１０0Ωｃｍであった。
【０１６７】
このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物窒化膜について、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて窒化アルミニウムの媒質中に分散された白金粒子の平均粒径を求めたところ、１１ｎｍであった。
【０１６８】
（実施例１１）
組成比Ｐｔ：２  ａｔｏｍ％、Ａｌ：９８  ａｔｏｍ％  ８インチφのＰｔ−Ａｌ混合物ターゲットを用いて、ガス流量を窒素ガス：Ｎ２＝１００ｓｃｃｍとして、成膜を実施した。スパッタ圧１．０Ｐａ、投入電力２４００Ｗとした。
【０１６９】
スパッタ時間７０分で膜厚２００ｎｍの抵抗膜が得られた。この抵抗膜の比抵抗は、１×１０11Ωｃｍであった。
【０１７０】
このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物窒化膜について、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて窒化アルミニウム媒質中に分散された白金粒子の平均粒径を求めたところ、０．８ｎｍであった。
【０１７１】
（実施例１２）
組成比Ｐｔ：２  ａｔｏｍ％、Ａｌ：９８  ａｔｏｍ％  ８インチφのＰｔ−Ａｌ混合物ターゲットを用いて、ガス流量を窒素ガス：Ｎ２＝１００ｓｃｃｍとして、成膜を実施した。スパッタ圧０．５Ｐａ、投入電力２４００Ｗとした。
【０１７２】
スパッタ時間６５分で膜厚２００ｎｍの抵抗膜が得られた。この抵抗膜の比抵抗は、１×１０11Ωｃｍであった。
【０１７３】
このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物窒化膜について、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて窒化アルミニウム媒質中に分散された白金粒子の平均粒径を求めたところ、1ｎｍであった。
【０１７４】
（実施例１３）
組成比Ｐｔ：２  ａｔｏｍ％、Ａｌ：９８  ａｔｏｍ％  ８インチφのＰｔ−Ａｌ混合物ターゲットを用いて、ガス流量を窒素ガス：Ｎ２＝１００ｓｃｃｍとして、成膜を実施した。スパッタ圧０．３Ｐａ、投入電力２４００Ｗとした。
【０１７５】
スパッタ時間６０分で膜厚２００ｎｍの抵抗膜が得られた。この抵抗膜の比抵抗は、８×１０1０Ωｃｍであった。
【０１７６】
このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物窒化膜について、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて窒化アルミニウム媒質中に分散された白金粒子の平均粒径を求めたところ、２ｎｍであった。
【０１７７】
（実施例１４）
組成比Ｐｔ：３０ａｔｏｍ％、Ａｌ：７０  ａｔｏｍ％  ８インチφのＰｔ−Ａｌ混合物ターゲットを用いて、ガス流量を窒素ガス：Ｎ２＝１００ｓｃｃｍとして、成膜を実施した。スパッタ圧１．０Ｐａ、投入電力２４００Ｗとした。
【０１７８】
スパッタ時間７０分で膜厚２００ｎｍの抵抗膜が得られた。この抵抗膜の比抵抗は、１×１０４Ωｃｍであった。
【０１７９】
このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物窒化膜について、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて窒化アルミニウム媒質中に分散された白金粒子の平均粒径を求めたところ、９ｎｍであった。
【０１８０】
（実施例１５）
組成比Ｐｔ：３０  ａｔｏｍ％、Ａｌ：７０  ａｔｏｍ％  ８インチφのＰｔ−Ａｌ混合物ターゲットを用いて、ガス流量を窒素ガス：Ｎ２＝１００ｓｃｃｍとして、成膜を実施した。スパッタ圧０．５Ｐａ、投入電力２４００Ｗとした。
【０１８１】
スパッタ時間６５分で膜厚２００ｎｍの抵抗膜が得られた。この抵抗膜の比抵抗は、１×１０４Ωｃｍであった。
【０１８２】
このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物窒化膜について、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて窒化アルミニウム媒質中に分散された白金粒子の平均粒径を求めたところ、１０ｎｍであった。
【０１８３】
（実施例１６）
組成比Ｐｔ：３０  ａｔｏｍ％、Ａｌ：７０  ａｔｏｍ％  ８インチφのＰｔ−Ａｌ混合物ターゲットを用いて、ガス流量を窒素ガス：Ｎ２＝１００ｓｃｃｍとして、成膜を実施した。スパッタ圧０．３Ｐａ、投入電力２４００Ｗとした。
【０１８４】
スパッタ時間６０分で膜厚２００ｎｍの抵抗膜が得られた。この抵抗膜の比抵抗は、１×１０２Ωｃｍであった。
【０１８５】
このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物窒化膜について、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて窒化アルミニウム媒質中に分散された白金粒子の平均粒径を求めたところ、１１ｎｍであった。
【０１８６】
（実施例１７）
組成比  Ｐｔ：２  ａｔｏｍ％、Ａｌ：９８  ａｔｏｍ％  ８インチφのＰｔ−Ａｌ混合物ターゲットを設置した。ガス流量は酸素ガス：Ｏ２＝１００ｓｃｃｍ  スパッタ圧１．０Ｐａのもと、上記Ｐｔ−Ａｌ混合物ターゲットを、高周波電源を用いて、投入電力２４００Ｗとした。
【０１８７】
ガラス基板を成膜室へ導入し、ガラス基板上に成膜を行った。スパッタ時間７０分で膜厚２００ｎｍの抵抗膜が得られた。得られた抵抗膜の比抵抗は、５×１０１１Ωｃｍであった。
【０１８８】
このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物酸化膜について、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて酸化アルミニウムの媒質中に分散された白金粒子の平均粒径を求めたところ、０．４ｎｍであった。
【０１８９】
（実施例１８）
組成比  Ｐｔ：２  ａｔｏｍ％、Ａｌ：９８  ａｔｏｍ％  ８インチφのＰｔ−Ａｌ混合物ターゲットを設置した。ガス流量は酸素ガス：Ｏ２＝１００ｓｃｃｍ  スパッタ圧０．５Ｐａのもと、上記Ｐｔ−Ａｌ混合物ターゲットを、高周波電源を用いて、投入電力２４００Ｗとした。
【０１９０】
ガラス基板を成膜室へ導入し、ガラス基板上に成膜を行った。スパッタ時間６５分で膜厚２００ｎｍの抵抗膜が得られた。得られた抵抗膜の比抵抗は、１×１０１１Ωｃｍであった。
【０１９１】
このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物酸化膜について、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて酸化アルミニウムの媒質中に分散された白金粒子の平均粒径を求めたところ、０．５ｎｍであった。
【０１９２】
（実施例１９）
組成比  Ｐｔ：２  ａｔｏｍ％、Ａｌ：９８  ａｔｏｍ％  ８インチφのＰｔ−Ａｌ混合物ターゲットを設置した。ガス流量は酸素ガス：Ｏ２＝１００ｓｃｃｍ  スパッタ圧０．３Ｐａのもと、上記Ｐｔ−Ａｌ混合物ターゲットを、高周波電源を用いて、投入電力２４００Ｗとした。
【０１９３】
ガラス基板を成膜室へ導入し、ガラス基板上に成膜を行った。スパッタ時間６０分で膜厚２００ｎｍの抵抗膜が得られた。得られた抵抗膜の比抵抗は、１×１０１１Ωｃｍであった。
【０１９４】
このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物酸化膜について、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて酸化アルミニウムの媒質中に分散された白金粒子の平均粒径を求めたところ、０．６ｎｍであった。
【０１９５】
（実施例２０）
組成比  Ｐｔ：３０  ａｔｏｍ％、Ａｌ：７０  ａｔｏｍ％  ８インチφのＰｔ−Ａｌ混合物ターゲットを設置した。ガス流量は酸素ガス：Ｏ２＝１００ｓｃｃｍスパッタ圧１．０Ｐａのもと、上記Ｐｔ−Ａｌ混合物ターゲットを、高周波電源を用いて、投入電力２４００Ｗとした。
【０１９６】
ガラス基板を成膜室へ導入し、ガラス基板上に成膜を行った。スパッタ時間７０分で膜厚２００ｎｍの抵抗膜が得られた。得られた抵抗膜の比抵抗は、１×１０８Ωｃｍであった。
【０１９７】
このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物酸化膜について、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて酸化アルミニウムの媒質中に分散された白金粒子の平均粒径を求めたところ、８ｎｍであった。
【０１９８】
（実施例２１）
組成比  Ｐｔ：３０ａｔｏｍ％、Ａｌ：７０  ａｔｏｍ％  ８インチφのＰｔ−Ａｌ混合物ターゲットを設置した。ガス流量は酸素ガス：Ｏ２＝１００ｓｃｃｍ  スパッタ圧０．５Ｐａのもと、上記Ｐｔ−Ａｌ混合物ターゲットを、高周波電源を用いて、投入電力２４００Ｗとした。
【０１９９】
ガラス基板を成膜室へ導入し、ガラス基板上に成膜を行った。スパッタ時間６５分で膜厚２００ｎｍの抵抗膜が得られた。得られた抵抗膜の比抵抗は、１×１０7Ωｃｍであった。
【０２００】
このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物酸化膜について、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて酸化アルミニウムの媒質中に分散された白金粒子の平均粒径を求めたところ、９ｎｍであった。
【０２０１】
（実施例２２）
組成比  Ｐｔ：３０ａｔｏｍ％、Ａｌ：７０  ａｔｏｍ％  ８インチφのＰｔ−Ａｌ混合物ターゲットを設置した。ガス流量は酸素ガス：Ｏ２＝１００ｓｃｃｍ  スパッタ圧０．３Ｐａのもと、上記Ｐｔ−Ａｌ混合物ターゲットを、高周波電源を用いて、投入電力２４００Ｗとした。
【０２０２】
ガラス基板を成膜室へ導入し、ガラス基板上に成膜を行った。スパッタ時間６０分で膜厚２００ｎｍの抵抗膜が得られた。得られた抵抗膜の比抵抗は、１×１０６Ωｃｍであった。
【０２０３】
このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物酸化膜について、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて酸化アルミニウムの媒質中に分散された白金粒子の平均粒径を求めたところ、１０ｎｍであった。
【０２０４】
（実施例２３）
組成比Ｐｔ：２  ａｔｏｍ％、Ａｌ：９８  ａｔｏｍ％  ８インチφのＰｔ−Ａｌ混合物ターゲットを用いて、成膜を実施した。ガス流量を酸素／窒素混合ガスＯ２＝２ｓｃｃｍ  Ｎ２＝９８ｓｃｃｍとして、成膜を実施した。スパッタ圧１．０Ｐａ、投入電力２４００Ｗとした。
【０２０５】
スパッタ時間３５分で膜厚２００ｎｍの抵抗膜が得られた。得られた抵抗膜の比抵抗は、２×１０１２Ωｃｍであった。
【０２０６】
このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物窒化酸化膜について、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて窒化アルミニウムと酸化アルミニウムの媒質中に分散された白金粒子の平均粒径を求めたところ、０．４ｎｍであった。
【０２０７】
（実施例２４）
組成比Ｐｔ：２  ａｔｏｍ％、Ａｌ：９８  ａｔｏｍ％  ８インチφのＰｔ−Ａｌ混合物ターゲットを用いて、成膜を実施した。ガス流量を酸素／窒素混合ガスＯ２＝２ｓｃｃｍ  Ｎ２＝９８ｓｃｃｍとして、成膜を実施した。スパッタ圧０．５Ｐａ、投入電力２４００Ｗとした。
【０２０８】
スパッタ時間３０分で膜厚２００ｎｍの抵抗膜が得られた。得られた抵抗膜の比抵抗は、１×１０１１Ωｃｍであった。
【０２０９】
このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物窒化酸化膜について、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて窒化アルミニウムと酸化アルミニウムの媒質中に分散された白金粒子の平均粒径を求めたところ、０．５ｎｍであった。
【０２１０】
（実施例２５）
組成比Ｐｔ：２  ａｔｏｍ％、Ａｌ：９８  ａｔｏｍ％  ８インチφのＰｔ−Ａｌ混合物ターゲットを用いて、成膜を実施した。ガス流量を酸素／窒素混合ガスＯ２＝２ｓｃｃｍ  Ｎ２＝９８ｓｃｃｍとして、成膜を実施した。スパッタ圧０．３Ｐａ、投入電力２４００Ｗとした。
【０２１１】
スパッタ時間２５分で膜厚２００ｎｍの抵抗膜が得られた。得られた抵抗膜の比抵抗は、１×１０１１Ωｃｍであった。
【０２１２】
このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物窒化酸化膜について、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて窒化アルミニウムと酸化アルミニウムの媒質中に分散された白金粒子の平均粒径を求めたところ、０．６ｎｍであった。
【０２１３】
（実施例２６）
組成比Ｐｔ：３０  ａｔｏｍ％、Ａｌ：７０  ａｔｏｍ％  ８インチφのＰｔ−Ａｌ混合物ターゲットを用いて、成膜を実施した。ガス流量を酸素／窒素混合ガスＯ２＝２ｓｃｃｍ  Ｎ２＝９８ｓｃｃｍとして、成膜を実施した。スパッタ圧１．０Ｐａ、投入電力２４００Ｗとした。
【０２１４】
スパッタ時間３５分で膜厚２００ｎｍの抵抗膜が得られた。得られた抵抗膜の比抵抗は、１×１０5Ωｃｍであった。
【０２１５】
このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物窒化酸化膜について、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて窒化アルミニウムと酸化アルミニウムの媒質中に分散された白金粒子の平均粒径を求めたところ、９ｎｍであった。
【０２１６】
（実施例２７）
組成比Ｐｔ：３０  ａｔｏｍ％、Ａｌ：７０  ａｔｏｍ％  ８インチφのＰｔ−Ａｌ混合物ターゲットを用いて、成膜を実施した。ガス流量を酸素／窒素混合ガスＯ２＝２ｓｃｃｍ  Ｎ２＝９８ｓｃｃｍとして、成膜を実施した。スパッタ圧０．５Ｐａ、投入電力２４００Ｗとした。
【０２１７】
スパッタ時間３０分で膜厚２００ｎｍの抵抗膜が得られた。得られた抵抗膜の比抵抗は、１×１０4Ωｃｍであった。
【０２１８】
このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物窒化酸化膜について、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて窒化アルミニウムと酸化アルミニウムの媒質中に分散された白金粒子の平均粒径を求めたところ、１０ｎｍであった。
【０２１９】
（実施例２８）
組成比Ｐｔ：３０  ａｔｏｍ％、Ａｌ：７０  ａｔｏｍ％  ８インチφのＰｔ−Ａｌ混合物ターゲットを用いて、成膜を実施した。ガス流量を酸素／窒素混合ガスＯ２＝２ｓｃｃｍ  Ｎ２＝９８ｓｃｃｍとして、成膜を実施した。スパッタ圧０．３Ｐａ、投入電力２４００Ｗとした。
【０２２０】
スパッタ時間２５分で膜厚２００ｎｍの抵抗膜が得られた。得られた抵抗膜の比抵抗は、５×１０３Ωｃｍであった。
【０２２１】
このようにして作製したＰｔ−Ａｌ混合物窒化酸化膜について、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて窒化アルミニウムと酸化アルミニウムの媒質中に分散された白金粒子の平均粒径を求めたところ、１１ｎｍであった。
【０２２２】
上記の実施例５〜２８で示した、各抵抗膜をガラス基材上に成膜してスペーサ基材を作製し、本実施形態である表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置のスペーサとして用いた。スペーサの影響によるビーム移動量ΔＬを測定するという画像評価を行った。
【０２２３】
比抵抗ρ＝１×１０４〜１×１０１１Ωｃｍ、白金粒径０．５〜１０ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが３％以下（０．０３Ｌ以下）で、表示画像は良好であった。
【０２２４】
比抵抗ρ＝１×１０４〜１×１０１１Ωｃｍ、白金粒径１〜９ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが１％以下（０．０１Ｌ以下）で、表示画像は特に良好であった。結果を表４に示す。
【０２２５】
【表４】
2006344603.tif 000006
【０２２６】
（実施例２９）
組成濃度比を調整して作製した８インチφのＰｔ−Ｇｅ混合物ターゲットを用いて、成膜を実施した。
【０２２７】
成膜ガス種は、以下の４種類
・窒素／アルゴン混合ガス
・窒素ガス
・酸素ガス
・酸素／窒素混合ガス
とし、スパッタ圧を０．３〜１．５Ｐａ、ターゲットへの投入電力２４００Ｗとした。
【０２２８】
スパッタ時間は膜厚が２００ｎｍになるように適宜調整した。
【０２２９】
これらの抵抗膜について比抵抗を測定した。また、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて媒質中の白金粒子の平均粒径を求めた。
【０２３０】
各抵抗膜をガラス基材上に成膜してスペーサ基材を作製し、本実施形態である表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置のスペーサとして用いた。スペーサの影響によるビーム移動量ΔＬを測定するという画像評価を行った。
【０２３１】
比抵抗ρ＝１×１０４〜１×１０１１Ωｃｍ、白金粒径０．５〜１０ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが３％以下（０．０３Ｌ以下）で、表示画像は良好であった。
【０２３２】
比抵抗ρ＝１×１０４〜１×１０１１Ωｃｍ、白金粒径１〜９ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが１％以下（０．０１Ｌ以下）で、表示画像は特に良好であった。結果を表５に示す。
【０２３３】
【表５】
2006344603.tif 000007
【０２３４】
（実施例３０）
組成濃度比を調整して作製した８インチφのＰｔ−Ｓｉ混合物ターゲットを用いて、成膜を実施した。
【０２３５】
成膜ガス種は、以下の４種類
・窒素／アルゴン混合ガス
・窒素ガス
・酸素ガス
・酸素／窒素混合ガス
とし、スパッタ圧を０．３〜１．５Ｐａ、ターゲットへの投入電力２４００Ｗとした。
【０２３６】
スパッタ時間は膜厚が２００ｎｍになるように適宜調整した。
【０２３７】
これらの抵抗膜について比抵抗を測定した。また、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて媒質中の白金粒子の平均粒径を求めた。
【０２３８】
各抵抗膜をガラス基材上に成膜してスペーサ基材を作製し、本実施形態である表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置のスペーサとして用いた。
【０２３９】
スペーサの影響によるビーム移動量ΔＬを測定するという画像評価を行った。
【０２４０】
比抵抗ρ＝１×１０４〜１×１０１１Ωｃｍ、白金粒径０．５〜１０ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが３％以下（０．０３Ｌ以下）で、表示画像は良好であった。
【０２４１】
比抵抗ρ＝１×１０４〜１×１０１１Ωｃｍ、白金粒径１〜９ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが１％以下（０．０１Ｌ以下）で、表示画像は特に良好であった。結果を表６に示す。
【０２４２】
【表６】
2006344603.tif 000008
【０２４３】
（実施例３１）
組成濃度比を調整して作製した８インチφのＰｔ−Ｍｇ混合物ターゲットを用いて、成膜を実施した。
【０２４４】
成膜ガス種は、以下の４種類
・窒素／アルゴン混合ガス
・窒素ガス
・酸素ガス
・酸素／窒素混合ガス
とし、スパッタ圧を０．３〜１．５Ｐａ、ターゲットへの投入電力２４００Ｗとした。
【０２４５】
スパッタ時間は膜厚が２００ｎｍになるように適宜調整した。
【０２４６】
これらの抵抗膜について比抵抗を測定した。また、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて媒質中の白金粒子の平均粒径を求めた。
【０２４７】
各抵抗膜をガラス基材上に成膜してスペーサ基材を作製し、本実施形態である表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置のスペーサとして用いた。
【０２４８】
スペーサの影響によるビーム移動量ΔＬを測定するという画像評価を行った。
【０２４９】
比抵抗ρ＝１×１０４〜１×１０１１Ωｃｍ、白金粒径０．５〜１０ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが３％以下（０．０３Ｌ以下）で、表示画像は良好であった。
【０２５０】
比抵抗ρ＝１×１０４〜１×１０１１Ωｃｍ、白金粒径１〜９ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが１％以下（０．０１Ｌ以下）で、表示画像は特に良好であった。結果を表７に示す。
【０２５１】
【表７】
2006344603.tif 000009
【０２５２】
（実施例３２）
粒子材料が金、媒質が窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、あるいは窒化酸化アルミニウムとなるように組成濃度比を調整して作製した８インチφのＡｕ−Ａｌ混合物ターゲットを用いて、成膜を実施した。
【０２５３】
成膜ガス種は、以下の４種類
・窒素／アルゴン混合ガス
・窒素ガス
・酸素ガス
・酸素／窒素混合ガス
とし、スパッタ圧を０．３〜１．５Ｐａ、ターゲットへの投入電力２４００Ｗとした。
【０２５４】
スパッタ時間は膜厚が２００ｎｍになるように適宜調整した。
【０２５５】
これらの抵抗膜について比抵抗を測定した。また、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて媒質中の金粒子の平均粒径を求めた。
【０２５６】
各抵抗膜をガラス基材上に成膜してスペーサ基材を作製し、本実施形態である表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置のスペーサとして用いた。
【０２５７】
スペーサの影響によるビーム移動量ΔＬを測定するという画像評価を行った。
【０２５８】
比抵抗ρ＝１×１０４〜１×１０１１Ωｃｍ、金粒径０．５〜１０ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが３％以下（０．０３Ｌ以下）で、表示画像は良好であった。
【０２５９】
比抵抗ρ＝１×１０４〜１×１０１１Ωｃｍ、金粒径１〜９ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが１％以下（０．０１Ｌ以下）で、表示画像は特に良好であった。結果を表８に示す。
【０２６０】
【表８】
2006344603.tif 000010
【０２６１】
（実施例３３）
粒子材料が金、媒質が窒化ゲルマニウム、酸化ゲルマニウム、あるいは窒化酸化ゲルマニウムとなるように組成濃度比を調整して作製した８インチφのＡｕ−Ｇｅ混合物ターゲットを用いて、成膜を実施した。
【０２６２】
成膜ガス種は、以下の４種類
・窒素／アルゴン混合ガス
・窒素ガス
・酸素ガス
・酸素／窒素混合ガス
とし、スパッタ圧を０．３〜１．５Ｐａ、ターゲットへの投入電力２４００Ｗとした。
【０２６３】
スパッタ時間は膜厚が２００ｎｍになるように適宜調整した。
【０２６４】
これらの抵抗膜について比抵抗を測定した。また、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて媒質中の金粒子の平均粒径を求めた。
【０２６５】
各抵抗膜をガラス基材上に成膜してスペーサ基材を作製し、本実施形態である表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置のスペーサとして用いた。
【０２６６】
スペーサの影響によるビーム移動量ΔＬを測定するという画像評価を行った。
【０２６７】
比抵抗ρ＝１×１０４〜１×１０１１Ωｃｍ、金粒径０．５〜１０ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが３％以下（０．０３Ｌ以下）で、表示画像は良好であった。
【０２６８】
比抵抗ρ＝１×１０４〜１×１０１１Ωｃｍ、金粒径１〜９ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが１％以下（０．０１Ｌ以下）で、表示画像は特に良好であった。結果を表９に示す。
【０２６９】
【表９】
2006344603.tif 000011
【０２７０】
（実施例３４）
粒子材料が金、媒質が窒化珪素、酸化珪素、あるいは窒化酸化珪素となるように組成濃度比を調整して作製した８インチφのＡｕ−Ｓｉ混合物ターゲットを用いて、成膜を実施した。
【０２７１】
成膜ガス種は、以下の４種類
・窒素／アルゴン混合ガス
・窒素ガス
・酸素ガス
・酸素／窒素混合ガス
とし、スパッタ圧を０．３〜１．５Ｐａ、ターゲットへの投入電力２４００Ｗとした。
【０２７２】
スパッタ時間は膜厚が２００ｎｍになるように適宜調整した。
【０２７３】
これらの抵抗膜について比抵抗を測定した。また、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて媒質中の金粒子の平均粒径を求めた。
【０２７４】
各抵抗膜をガラス基材上に成膜してスペーサ基材を作製し、本実施形態である表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置のスペーサとして用いた。
【０２７５】
スペーサの影響によるビーム移動量ΔＬを測定するという画像評価を行った。
【０２７６】
比抵抗ρ＝１×１０４〜１×１０１１Ωｃｍ、金粒径０．５〜１０ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが３％以下（０．０３Ｌ以下）で、表示画像は良好であった。
【０２７７】
比抵抗ρ＝１×１０４〜１×１０１１Ωｃｍ、金粒径１〜９ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが１％以下（０．０１Ｌ以下）で、表示画像は特に良好であった。結果を表１０に示す。
【０２７８】
【表１０】
2006344603.tif 000012
【０２７９】
（実施例３５）
粒子材料が金、媒質が窒化マグネシウム、酸化マグネシウム、あるいは窒化酸化マグネシウムとなるように組成濃度比を調整して作製した８インチφのＡｕ−Ｍｇ混合物ターゲットを用いて、成膜を実施した。
【０２８０】
成膜ガス種は、以下の４種類
・窒素／アルゴン混合ガス
・窒素ガス
・酸素ガス
・酸素／窒素混合ガス
とし、スパッタ圧を０．３〜１．５Ｐａ、ターゲットへの投入電力２４００Ｗとした。
【０２８１】
スパッタ時間は膜厚が２００ｎｍになるように適宜調整した。
【０２８２】
これらの抵抗膜について比抵抗を測定した。また、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて媒質中の金粒子の平均粒径を求めた。
【０２８３】
各抵抗膜をガラス基材上に成膜してスペーサ基材を作製し、本実施形態である表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置のスペーサとして用いた。
【０２８４】
スペーサの影響によるビーム移動量ΔＬを測定するという画像評価を行った。
【０２８５】
比抵抗ρ＝１×１０４〜１×１０１１Ωｃｍ、金粒径０．５〜１０ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが３％以下（０．０３Ｌ以下）で、表示画像は良好であった。
【０２８６】
比抵抗ρ＝１×１０４〜１×１０１１Ωｃｍ、金粒径１〜９ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが１％以下（０．０１Ｌ以下）で、表示画像は特に良好であった。結果を表１１に示す。
【０２８７】
【表１１】
2006344603.tif 000013
【０２８８】
（実施例３６）
粒子材料が銀、媒質が窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、あるいは窒化酸化アルミニウムとなるように組成濃度比を調整して作製した８インチφのＡｇ−Ａｌ混合物ターゲットを用いて、成膜を実施した。
【０２８９】
成膜ガス種は、以下の４種類
・窒素／アルゴン混合ガス
・窒素ガス
・酸素ガス
・酸素／窒素混合ガス
とし、スパッタ圧を０．３〜１．５Ｐａ、ターゲットへの投入電力２４００Ｗとした。
【０２９０】
スパッタ時間は膜厚が２００ｎｍになるように適宜調整した。
【０２９１】
これらの抵抗膜について比抵抗を測定した。また、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて媒質中の銀粒子の平均粒径を求めた。
【０２９２】
各抵抗膜をガラス基材上に成膜してスペーサ基材を作製し、本実施形態である表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置のスペーサとして用いた。
【０２９３】
スペーサの影響によるビーム移動量ΔＬを測定するという画像評価を行った。
【０２９４】
比抵抗ρ＝１×１０４〜１×１０１１Ωｃｍ、銀粒径０．５〜１０ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが３％以下（０．０３Ｌ以下）で、表示画像は良好であった。
【０２９５】
比抵抗ρ＝１×１０４〜１×１０１１Ωｃｍ、銀粒径１〜９ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが１％以下（０．０１Ｌ以下）で、表示画像は特に良好であった。結果を表１２に示す。
【０２９６】
【表１２】
2006344603.tif 000014
【０２９７】
（実施例３７）
粒子材料が銀、媒質が窒化ゲルマニウム、酸化ゲルマニウム、あるいは窒化酸化ゲルマニウムとなるように組成濃度比を調整して作製した８インチφのＡｇ−Ａｌ混合物ターゲットを用いて、成膜を実施した。
【０２９８】
成膜ガス種は、以下の４種類
・窒素／アルゴン混合ガス
・窒素ガス
・酸素ガス
・酸素／窒素混合ガス
とし、スパッタ圧を０．３〜１．５Ｐａ、ターゲットへの投入電力２４００Ｗとした。
【０２９９】
スパッタ時間は膜厚が２００ｎｍになるように適宜調整した。
【０３００】
これらの抵抗膜について比抵抗を測定した。また、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて媒質中の銀粒子の平均粒径を求めた。
【０３０１】
各抵抗膜をガラス基材上に成膜してスペーサ基材を作製し、本実施形態である表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置のスペーサとして用いた。
【０３０２】
スペーサの影響によるビーム移動量ΔＬを測定するという画像評価を行った。
【０３０３】
比抵抗ρ＝１×１０４〜１×１０１１Ωｃｍ、銀粒径０．５〜１０ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが３％以下（０．０３Ｌ以下）で、表示画像は良好であった。
【０３０４】
比抵抗ρ＝１×１０４〜１×１０１１Ωｃｍ、銀粒径１〜９ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが１％以下（０．０１Ｌ以下）で、表示画像は特に良好であった。結果を表１３に示す。
【０３０５】
【表１３】
2006344603.tif 000015
【０３０６】
（実施例３８）
粒子材料が銀、媒質が窒化珪素、酸化珪素、あるいは窒化酸化珪素となるように組成濃度比を調整して作製した８インチφのＡｇ−Ｓｉ混合物ターゲットを用いて、成膜を実施した。
【０３０７】
成膜ガス種は、以下の４種類
・窒素／アルゴン混合ガス
・窒素ガス
・酸素ガス
・酸素／窒素混合ガス
とし、スパッタ圧を０．３〜１．５Ｐａ、ターゲットへの投入電力２４００Ｗとした。
【０３０８】
スパッタ時間は膜厚が２００ｎｍになるように適宜調整した。
【０３０９】
これらの抵抗膜について比抵抗を測定した。また、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて媒質中の銀粒子の平均粒径を求めた。
【０３１０】
各抵抗膜をガラス基材上に成膜してスペーサ基材を作製し、本実施形態である表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置のスペーサとして用いた。
【０３１１】
スペーサの影響によるビーム移動量ΔＬを測定するという画像評価を行った。
【０３１２】
比抵抗ρ＝１×１０４〜１×１０１１Ωｃｍ、銀粒径０．５〜１０ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが３％以下（０．０３Ｌ以下）で、表示画像は良好であった。
【０３１３】
比抵抗ρ＝１×１０４〜１×１０１１Ωｃｍ、銀粒径１〜９ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが１％以下（０．０１Ｌ以下）で、表示画像は特に良好であった。結果を表１４に示す。
【０３１４】
【表１４】
2006344603.tif 000016
【０３１５】
（実施例３９）
粒子材料が銀、媒質が窒化マグネシウム、酸化マグネシウム、あるいは窒化酸化マグネシウムとなるように組成濃度比を調整して作製した８インチφのＡｇ−Ｍｇ混合物ターゲットを用いて、成膜を実施した。
【０３１６】
成膜ガス種は、以下の４種類
・窒素／アルゴン混合ガス
・窒素ガス
・酸素ガス
・酸素／窒素混合ガス
とし、スパッタ圧を０．３〜１．５Ｐａ、ターゲットへの投入電力２４００Ｗとした。
【０３１７】
スパッタ時間は膜厚が２００ｎｍになるように適宜調整した。
【０３１８】
これらの抵抗膜について比抵抗を測定した。また、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて媒質中の銀粒子の平均粒径を求めた。
【０３１９】
各抵抗膜をガラス基材上に成膜してスペーサ基材を作製し、本実施形態である表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置のスペーサとして用いた。
【０３２０】
スペーサの影響によるビーム移動量ΔＬを測定するという画像評価を行った。
【０３２１】
比抵抗ρ＝１×１０４〜１×１０１１Ωｃｍ、銀粒径０．５〜１０ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが３％以下（０．０３Ｌ以下）で、表示画像は良好であった。
【０３２２】
比抵抗ρ＝１×１０４〜１×１０１１Ωｃｍ、銀粒径１〜９ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが１％以下（０．０１Ｌ以下）で、表示画像は特に良好であった。結果を表１５に示す。
【０３２３】
【表１５】
2006344603.tif 000017
【０３２４】
（実施例４０）
粒子材料がゲルマニウム、媒質が窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、あるいは窒化酸化アルミニウムとなるように組成濃度比を調整して作製した８インチφのＧｅ−Ａｌ混合物ターゲットを用いて、成膜を実施した。
【０３２５】
成膜ガス種は、以下の４種類
・窒素／アルゴン混合ガス
・窒素ガス
・酸素ガス
・酸素／窒素混合ガス
とし、スパッタ圧を０．３〜１．５Ｐａ、ターゲットへの投入電力２４００Ｗとした。
【０３２６】
スパッタ時間は膜厚が２００ｎｍになるように適宜調整した。
【０３２７】
これらの抵抗膜について比抵抗を測定した。また、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて媒質中のゲルマニウム粒子の平均粒径を求めた。
【０３２８】
各抵抗膜をガラス基材上に成膜してスペーサ基材を作製し、本実施形態である表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置のスペーサとして用いた。
【０３２９】
スペーサの影響によるビーム移動量ΔＬを測定するという画像評価を行った。
【０３３０】
比抵抗ρ＝１×１０４〜１×１０１１Ωｃｍ、ゲルマニウム粒径０．５〜１０ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが３％以下（０．０３Ｌ以下）で、表示画像は良好であった。
【０３３１】
比抵抗ρ＝１×１０４〜１×１０１１Ωｃｍ、ゲルマニウム粒径１〜９ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが１％以下（０．０１Ｌ以下）で、表示画像は特に良好であった。結果を表１６に示す。
【０３３２】
【表１６】
2006344603.tif 000018
【０３３３】
（実施例４１）
粒子材料がゲルマニウム、媒質が窒化珪素、酸化珪素、あるいは窒化酸化珪素となるように組成濃度比を調整して作製した８インチφのＧｅ−Ｓｉ混合物ターゲットを用いて、成膜を実施した。
【０３３４】
成膜ガス種は、以下の４種類
・窒素／アルゴン混合ガス
・窒素ガス
・酸素ガス
・酸素／窒素混合ガス
とし、スパッタ圧を０．３〜１．５Ｐａ、ターゲットへの投入電力２４００Ｗとした。
【０３３５】
スパッタ時間は膜厚が２００ｎｍになるように適宜調整した。
【０３３６】
これらの抵抗膜について比抵抗を測定した。また、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて媒質中のゲルマニウム粒子の平均粒径を求めた。
【０３３７】
各抵抗膜をガラス基材上に成膜してスペーサ基材を作製し、本実施形態である表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置のスペーサとして用いた。
【０３３８】
スペーサの影響によるビーム移動量ΔＬを測定するという画像評価を行った。
【０３３９】
比抵抗ρ＝１×１０４〜１×１０１１Ωｃｍ、ゲルマニウム粒径０．５〜１０ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが３％以下（０．０３Ｌ以下）で、表示画像は良好であった。
【０３４０】
比抵抗ρ＝１×１０４〜１×１０１１Ωｃｍ、ゲルマニウム粒径１〜９ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが１％以下（０．０１Ｌ以下）で、表示画像は特に良好であった。結果を表１７に示す。
【０３４１】
【表１７】
2006344603.tif 000019
【０３４２】
（実施例４２）
粒子材料がゲルマニウム、媒質が窒化マグネシウム、酸化マグネシウム、あるいは窒化酸化マグネシウムとなるように組成濃度比を調整して作製した８インチφのＧｅ−Ｍｇ混合物ターゲットを用いて、成膜を実施した。
【０３４３】
成膜ガス種は、以下の４種類
・窒素／アルゴン混合ガス
・窒素ガス
・酸素ガス
・酸素／窒素混合ガス
とし、スパッタ圧を０．３〜１．５Ｐａ、ターゲットへの投入電力２４００Ｗとした。
【０３４４】
スパッタ時間は膜厚が２００ｎｍになるように適宜調整した。
【０３４５】
これらの抵抗膜について比抵抗を測定した。また、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて媒質中のゲルマニウム粒子の平均粒径を求めた。
【０３４６】
各抵抗膜をガラス基材上に成膜してスペーサ基材を作製し、本実施形態である表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置のスペーサとして用いた。
【０３４７】
スペーサの影響によるビーム移動量ΔＬを測定するという画像評価を行った。
【０３４８】
比抵抗ρ＝１×１０４〜１×１０１１Ωｃｍ、ゲルマニウム粒径０．５〜１０ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが３％以下（０．０３Ｌ以下）で、表示画像は良好であった。
【０３４９】
比抵抗ρ＝１×１０４〜１×１０１１Ωｃｍ、ゲルマニウム粒径１〜９ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが１％以下（０．０１Ｌ以下）で、表示画像は特に良好であった。結果を表１８に示す。
【０３５０】
【表１８】
2006344603.tif 000020
【０３５１】
（実施例４３）
粒子材料が珪素、媒質が窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、あるいは窒化酸化アルミニウムとなるように組成濃度比を調整して作製した８インチφのＳｉ−Ａｌ混合物ターゲットを用いて、成膜を実施した。
【０３５２】
成膜ガス種は、以下の４種類
・窒素／アルゴン混合ガス
・窒素ガス
・酸素ガス
・酸素／窒素混合ガス
とし、スパッタ圧を０．３〜１．５Ｐａ、ターゲットへの投入電力２４００Ｗとした。
【０３５３】
スパッタ時間は膜厚が２００ｎｍになるように適宜調整した。
【０３５４】
これらの抵抗膜について比抵抗を測定した。また、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて媒質中の珪素粒子の平均粒径を求めた。
【０３５５】
各抵抗膜をガラス基材上に成膜してスペーサ基材を作製し、本実施形態である表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置のスペーサとして用いた。
【０３５６】
スペーサの影響によるビーム移動量ΔＬを測定するという画像評価を行った。
【０３５７】
比抵抗ρ＝１×１０４〜１×１０１１Ωｃｍ、珪素粒径０．５〜１０ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが３％以下（０．０３Ｌ以下）で、表示画像は良好であった。
【０３５８】
比抵抗ρ＝１×１０４〜１×１０１１Ωｃｍ、珪素粒径１〜９ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが１％以下（０．０１Ｌ以下）で、表示画像は特に良好であった。結果を表１９に示す。
【０３５９】
【表１９】
2006344603.tif 000021
【０３６０】
（実施例４４）
粒子材料が珪素、媒質が窒化ゲルマニウム、酸化ゲルマニウム、あるいは窒化酸化ゲルマニウムとなるように組成濃度比を調整して作製した８インチφのＳｉ−Ｇｅ混合物ターゲットを用いて、成膜を実施した。
【０３６１】
成膜ガス種は、以下の４種類
・窒素／アルゴン混合ガス
・窒素ガス
・酸素ガス
・酸素／窒素混合ガス
とし、スパッタ圧を０．３〜１．５Ｐａ、ターゲットへの投入電力２４００Ｗとした。
【０３６２】
スパッタ時間は膜厚が２００ｎｍになるように適宜調整した。
【０３６３】
これらの抵抗膜について比抵抗を測定した。また、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて媒質中の珪素粒子の平均粒径を求めた。
【０３６４】
各抵抗膜をガラス基材上に成膜してスペーサ基材を作製し、本実施形態である表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置のスペーサとして用いた。
【０３６５】
スペーサの影響によるビーム移動量ΔＬを測定するという画像評価を行った。
【０３６６】
比抵抗ρ＝１×１０４〜１×１０１１Ωｃｍ、珪素粒径０．５〜１０ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが３％以下（０．０３Ｌ以下）で、表示画像は良好であった。
【０３６７】
比抵抗ρ＝１×１０４〜１×１０１１Ωｃｍ、珪素粒径１〜９ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが１％以下（０．０１Ｌ以下）で、表示画像は特に良好であった。結果を表２０に示す。
【０３６８】
【表２０】
2006344603.tif 000022
【０３６９】
（実施例４５）
粒子材料が珪素、媒質が窒化マグネシウム、酸化マグネシウム、あるいは窒化酸化マグネシウムとなるように組成濃度比を調整して作製した８インチφのＳｉ−Ｍｇ混合物ターゲットを用いて、成膜を実施した。
【０３７０】
成膜ガス種は、以下の４種類
・窒素／アルゴン混合ガス
・窒素ガス
・酸素ガス
・酸素／窒素混合ガス
とし、スパッタ圧を０．３〜１．５Ｐａ、ターゲットへの投入電力２４００Ｗとした。
【０３７１】
スパッタ時間は膜厚が２００ｎｍになるように適宜調整した。
【０３７２】
これらの抵抗膜について比抵抗を測定した。また、ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）を用いて媒質中の珪素粒子の平均粒径を求めた。
【０３７３】
各抵抗膜をガラス基材上に成膜してスペーサ基材を作製し、本実施形態である表面伝導型電子放出素子を用いた画像表示装置のスペーサとして用いた。
【０３７４】
スペーサの影響によるビーム移動量ΔＬを測定するという画像評価を行った。
【０３７５】
比抵抗ρ＝１×１０４〜１×１０１１Ωｃｍ、珪素粒径０．５〜１０ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが３％以下（０．０３Ｌ以下）で、表示画像は良好であった。
【０３７６】
比抵抗ρ＝１×１０４〜１×１０１１Ωｃｍ、珪素粒径１〜９ｎｍの範囲の抵抗膜を備えたスペーサでは、ビームの移動量ΔＬが１％以下（０．０１Ｌ以下）で、表示画像は特に良好であった。結果を表２１に示す。
【０３７７】
【表２１】
2006344603.tif 000023
【産業上の利用可能性】
【０３７８】
本発明の帯電防止膜は、抵抗値の制御性、安定性および再現性にすぐれ、その抵抗温度特性が良好である。この膜はスペーサ及び画像表示装置の分野での利用が期待される。
【図面の簡単な説明】
【０３７９】
【図１】本発明の帯電防止膜の断面形状をＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）によって観察した模式図である。
【図２】本発明による画像表示装置の、表示パネルの一部を切り欠いて示した斜視図である。
【図３】本発明に係わるターゲットを設置し、スペーサ基材に帯電防止膜を付与するために使用した高周波スパッタ装置の構成図である。
【図４】本発明に係わるＰｔ−Ａｌ混合物窒化膜の比抵抗とスパッタガス全圧との関係を示す図である。
【図５】本発明に係わるＰｔ−ＡｌＮ混合物窒化膜の比抵抗とスパッタガス全圧との関係を示す図である。
【図６】本発明に係わるＰｔ−Ａｌ混合物窒化膜の比抵抗はばらつきを示す図である。
【図７】本発明に係わるスペーサの帯電メカニズムを説明するための電子放出素子を使用した画像形成装置の断面模式図である。
【図８】本発明に係わるスペーサの影響による画像の乱れとして発現するビーム移動量ΔＬを説明する図である。
【符号の説明】
【０３８０】
１    粒子
２    媒質
１０１    リアプレート
１０２    側壁
１０３    フェースプレート
１０４    電子放出素子
１０５    蛍光体
１０６    メタルバック
１０７ａ，１０７ｂ    スペーサ
１０８    導電性フリット
１０９    配線
１１０    低抵抗膜
１１１ａ，１１１ｂ    電子軌道
１１２    帯電防止膜
２０１    基板
２０２    成膜トレイ
２０３    予備排気室
２０４    真空ポンプ
２０５    搬送ローラー
２０６    成膜室
２０７    ガス導入管
２０８    高周波電源
２０９    混合物ターゲット
８０１    スペーサ
８０２    本来のビーム位置
８０３    ビームがスペーサによって移動した場合の位置
９１１    基板
９１２    電子放出素子
９１３    行方向配線
９１４    列方向配線
９１５    リアプレート
９１６    側壁
９１７    フェースプレート
９１８    蛍光膜
９１９    メタルバック
９２０    スペーサ
【図１】
2006344603.tif 000024
【図２】
2006344603.tif 000025
【図３】
2006344603.tif 000026
【図４】
2006344603.tif 000027
【図５】
2006344603.tif 000028
【図６】
2006344603.tif 000029
【図７】
2006344603.tif 000030
【図８】
2006344603.tif 000031