(57)【要約】      （修正有）【課題】耐熱性を有するポリイミド層と蒸着法により金属薄膜を形成した金属層とが、高い接着力で一体に接合されて積層され、接着剤を使用することなくポリイミドからなる支持体と金属層との剥離強度の大きい、微細配線用基板として使用可能である銅積層基板に用いることができるポリイミドフィルムを提供する。【解決手段】ポリイミドフィルムの減圧放電処理面に蒸着法により金属薄膜を形成するためのポリイミドフィルムであり、ポリイミドフィルムの少なくとも一方の表面に減圧放電処理を行ない、減圧放電処理した面のＲａ（平均粗さ）が０．０３〜０．１μｍの凹凸形状であることを特徴とする蒸着法による金属薄膜形成用のポリイミドフィルム。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリイミドフィルムの減圧放電処理面に蒸着法により金属薄膜を形成するためのポリイミドフィルムであり、
ポリイミドフィルムの少なくとも一方の表面に減圧放電処理を行ない、減圧放電処理した面のＲａ（平均粗さ）が０．０３〜０．１μｍの凹凸形状であることを特徴とする蒸着法による金属薄膜形成用のポリイミドフィルム。
【請求項２】
減圧放電処理が、６〜５０Ｐａの圧力下で行なうことを特徴とする請求項１に記載の蒸着法による金属薄膜形成用のポリイミドフィルム。
【請求項３】
減圧放電処理が、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｎ２、ＣＦ４、Ｏ２の単体あるいはこれらの混合ガスを使用することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の蒸着法による金属薄膜形成用のポリイミドフィルム。
【請求項４】
凹凸形状が、網目構造の凸部を有する凹凸形状であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の蒸着法による金属薄膜形成用のポリイミドフィルム。
【請求項５】
蒸着法による金属薄膜は、クロム、チタン、パラジウム、亜鉛、錫、モリブデン、ニッケル、コバルト、鉄、モリブデン、ジルコニウム、タングステン及び鉄より選ばれる金属層であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の蒸着法による金属薄膜形成用のポリイミドフィルム。
【請求項６】
ポリイミドフィルムは、主鎖中に屈曲性結合を含む柔軟性ポリイミドであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の蒸着法による金属薄膜形成用のポリイミドフィルム。
【請求項７】
ポリイミドフィルムは、主鎖中に屈曲性結合を含む柔軟性ポリイミドをフィルム表面に有するポリイミドフィルムであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の蒸着法による金属薄膜形成用のポリイミドフィルム。
【請求項８】
ポリイミドフィルムは、引張弾性率２００〜７００Ｋｇ／ｍｍ２の芳香族ポリイミドであることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の蒸着法による金属薄膜形成用のポリイミドフィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、銅積層基板に用いる蒸着法による金属薄膜形成用のポリイミドフィルムに関し、さらに詳しくは熱硬化性の接着剤等をまったく使用せずに直接に金属層を形成して大きな接着力を示す銅積層基板に用いるポリイミドフィルムに関するものである。この発明のポリイミドフィルムより製造される銅積層基板は、フレキシブル印刷回路基板、ＴＡＢテ−プ、多層基板等に有用である。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＴＡＢテ−プは、ポリイミドフィルムを熱硬化性の接着剤で銅箔と張合わせた複合材料が一般的である。しかし、使用できる接着剤の耐熱性が２００℃以下であり、ハンダ工程等で高温にさらされる場合は使用できなかったり、電気特性がポリイミドフィルムに比べ満足できないという問題があり、銅箔とポリイミドフィルムとの張合わせ複合材料としてはより耐熱性のあるものが期待されていた。また、この場合、銅箔の厚さに制限があり、薄い複合材料を製造できないという問題がある。すなわち、エッチングでファインパタ−ンの回路を形成することが困難となり、一部の用途に適用できなくなる。
【０００３】
その対策として接着剤を使用しないで、ポリイミドフィルム支持体に銅層が形成されている「無接着剤型の複合材料」を製造する方法が提案されている。しかし、ポリイミドフィルムは接着性が低いため、ポリイミドフィルムの接着性を改善するために種々の試みがなされている。例えば、デスミア処理やアルカリ処理等の湿式処理が挙げられるが、湿式処理後の洗浄を十分に行う必要があり金属薄膜を形成する前に十分な乾燥が必要なため、工程上不利でありコストも高くなる。また、表面改質法としてプラズマ放電処理やコロナ放電処理等が知られているが、表面張力の改善には効果があるものの金属薄膜に対する十分な密着力は得られない。
【０００４】
一方、ベ−スフィルムとして、剛性が高く、熱収縮が小さく、吸湿が小さいビフェニルテトラカルボン酸成分とフェニレンジアミン成分を使用したポリイミドフィルム、例えば、ＵＰＩＬＥＸ−Ｓ（宇部興産社製）をフィルム基材として金属層を無電解メッキまたは蒸着・スパッタにより直接形成した二層フィルムの検討がされている。しかし、ＵＰＩＬＥＸ−Ｓはその特長である分子鎖の剛直性や面配向性のため、真空蒸着や無電解メッキ等によって形成される金属層との接合性（接着性）が悪いという問題がある。
【０００５】
この問題を解決する目的で、特許文献１及び特許文献２には、金属層との接合性の良いピロメリット酸二無水物と４，４’−ジアミノジフェニルエ−テルから得られるポリイミド（ＰＭＤＡ系ポリイミド）を上記ＵＰＩＬＥＸ−Ｓの表面に塗布、加熱した後、ＰＭＤＡ系ポリイミド層の中間層を形成し、その上に金属蒸着層や金属メッキ層を設ける方法が提案されている。しかし、この方法ではＵＰＩＬＥＸ−ＳのフィルムとＰＭＤＡ系ポリイミドとの接着強度が小さく、フィルム表面をアルカリ等で処理しても満足出来る剥離強度の大きい銅積層基板を得ることは困難である。
【０００６】
また、特許文献３には、ピロメリット酸系のポリイミドフィルム（カプトン）をグロ−放電プラズマ処理により表面張力を５４ｄｙｎｅ／ｃｍ以上としたポリイミドフィルムを使用して金属蒸着層を設け、その上に電気メッキ法で厚膜の銅層を積層してフレキシブルプリント配線用基板を得た例が記載されている。しかし、実施例によればフレキシブルプリント配線用基板の初期剥離強度が０．８Ｋｇｆ／ｃｍ以下であり、しかも、この発明を３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物系のポリイミドフィルム、例えばユ−ピレックス−Ｓ（宇部興産社製）に適用すると、銅積層基板の初期剥離強度は０．５Ｋｇｆ／ｃｍ未満と小さく、フレキシブル基板として使用できない。
【０００７】
【特許文献１】特開平６−１２４９７８号公報
【特許文献２】特開平６−２１０７９４号公報
【特許文献３】特開平１−３２１６８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
この発明の目的は、耐熱性を有するポリイミド層と蒸着法により金属薄膜を形成した金属層とが、高い接着力で一体に接合されて積層され、接着剤を使用することなくポリイミドからなる支持体と金属層との剥離強度の大きい、微細配線用基板として使用可能である銅積層基板に用いることができるポリイミドフィルムを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、ポリイミドフィルムの減圧放電処理面に蒸着法により金属薄膜を形成するためのポリイミドフィルムであり、
ポリイミドフィルムの少なくとも一方の表面に減圧放電処理を行ない、減圧放電処理した面のＲａ（平均粗さ）が０．０３〜０．１μｍの凹凸形状であることを特徴とする蒸着法による金属薄膜形成用のポリイミドフィルムに関する。
【発明の効果】
【００１０】
この発明の蒸着法により金属薄膜を形成した銅積層基板に用いるポリイミドフィルム（蒸着法による金属薄膜形成用のポリイミドフィルム）は、減圧放電処理した面のＲａ（平均粗さ）が０．０３〜０．１μｍの凹凸形状であるため、減圧放電処理した面に蒸着法により金属薄膜層を形成させると、大きな剥離強度で積層できる。
さらにこの発明の蒸着法により金属薄膜を形成した銅積層基板に用いるポリイミドフィルム（蒸着法による金属薄膜形成用のポリイミドフィルム）は、主鎖中に屈曲性結合を含む芳香族ポリイミド層を表面に有する芳香族ポリイミドフィルムと金属薄膜との接合が、熱硬化性の接着剤等をまったく使用せずに、主鎖中に屈曲性結合を含む芳香族ポリイミド層に直接金属蒸着層が大きな剥離強度で積層されていて、金属層が金属蒸着層と銅メッキ層とからなるため、銅箔積層基板に比べて薄い金属層とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の蒸着法による金属薄膜形成用のポリイミドフィルムの好ましい態様を列記する。
１）減圧放電処理が、６〜５０Ｐａの圧力下で行なうこと。
２）減圧放電処理が、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｎ２、ＣＦ４、Ｏ２の単体あるいはこれらの混合ガスを使用すること。
３）凹凸形状が、網目構造の凸部を有する凹凸形状であること。
４）蒸着法による金属薄膜は、クロム、チタン、パラジウム、亜鉛、錫、モリブデン、ニッケル、コバルト、鉄、モリブデン、ジルコニウム、タングステン及び鉄より選ばれる金属層であること。
５）ポリイミドフィルムは、主鎖中に屈曲性結合を含む柔軟性ポリイミドであること。
６）ポリイミドフィルムは、主鎖中に屈曲性結合を含む柔軟性ポリイミドをフィルム表面に有するポリイミドフィルムであること。
７）ポリイミドフィルムは、引張弾性率２００〜７００Ｋｇ／ｍｍ２の芳香族ポリイミドであること。
【００１２】
この発明におけるポリイミドフィルムは、ビフェニルテトラカルボン酸成分を含む高耐熱性の芳香族ポリイミドの層を支持層として有し、片面あるいは両面の表面層が主鎖中に屈曲性結合を含む柔軟性ポリイミド層であるポリイミドフィルムを挙げることができる。
【００１３】
このようなポリイミドフィルムとしては、例えば高耐熱性ポリイミドを与えるビフェニルテトラカルボン酸成分を含むポリアミック酸成分と主鎖中に屈曲性結合を含む柔軟性ポリイミド層を与えるポリアミック酸成分との混合物から得られるブロック共重合ポリイミドあるいはブレンドポリイミドからなる単一層のポリイミドフィルムであってもよいが、好適には支持層がビフェニルテトラカルボン酸成分を含む高耐熱性の芳香族ポリイミド層で表面層が主鎖中に屈曲性結合を含む柔軟性ポリイミド層の２層構造あるいは３層構造の多層ポリイミドフィルムが挙げられる。
【００１４】
前記の多層ポリイミドフィルムとしては、好適には多層押出ポリイミドフィルムが挙げられる。多層押出ポリイミドフィルムは、好適にはビフェニルテトラカルボン酸成分を含む高耐熱性の芳香族ポリイミドの前駆体溶液と主鎖中に屈曲性結合を有する芳香族ポリイミドの前駆体溶液とを多層押出法によって押出した後、得られた積層物を８０〜２００℃の範囲内の温度で乾燥し、次いで熱３００℃以上の温度、好ましくは３００〜５５０℃の範囲内の温度での熱処理段階を含む熱処理に付すことにより製造した主鎖中に屈曲性結合を有する芳香族ポリイミド層を表面に有する多層芳香族ポリイミドフィルムが挙げられる。前記の前駆体溶液はいずれも５００〜５０００ポイズであることが好ましい。
【００１５】
特に、高耐熱性の芳香族ポリイミドとして、１０モル％以上、特に１５モル％以上のビフェニルテトラカルボン酸成分と５モル％以上、特に１５モル％以上のｐ−フェニレンジアミン成分とから、重合およびイミド化によって得られる芳香族ポリイミドであることが、耐熱性、機械的強度、寸法安定性の点から好ましい。他の残部の（もし２種類のテトラカルボン酸二無水物および／またはジアミンを使用する場合）芳香族テトラカルボン酸二無水物としてはピロメリット酸二無水物が、また芳香族ジアミンとしては４，４−ジアミノジフェニルエ−テルが好ましい。
【００１６】
上記の有機極性溶媒としては、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−メチルカプロラクタムのアミド系溶媒、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチルフォスホルアミド、ジメチルスルホン、テトラメチレンスルホン、ジメチルテトラメチレンスルホン、ピリジン、エチレングリコール等を挙げることができる。
【００１７】
この発明における主鎖中に屈曲性結合を含む芳香族ポリイミドは、一般式(１)
【化１】
2006283023.tif 000002
【００１８】
（但し、ＸはＯ、ＣＯ、Ｓ、ＳＯ２、ＣＨ２、Ｃ（ＣＨ３）２から選ばれた基である。）で示される芳香族テトラカルボン酸二無水物またはその誘導体、あるいは一般式(２)
【００１９】
【化２】
2006283023.tif 000003
【００２０】
（但し、ＸはＯ、ＣＯ、Ｓ、ＳＯ２、ＣＨ２、Ｃ（ＣＨ３）２から選ばれた基であり、ｎは０〜４の整数である。）で示される芳香族ジアミン化合物の少なくても一方を必須成分として使用した芳香族ポリイミドが好適である。
【００２１】
前記一般式（１）の芳香族テトラカルボン酸二無水物またはその誘導体としては、芳香族テトラカルボン酸、およびその酸無水物、エステル等を挙げることができるが、特に、酸二無水物が好ましい。芳香族テトラカルボン酸としては、例えば、３，３’，４，４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、ピロメリット酸、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）プロパン、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）メタン、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エ−テル、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）チオエ−テル、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン等を挙げることができ、それらを単独、あるいは混合物として使用できる。
【００２２】
前記一般式（２）の芳香族ジアミン化合物として、一般式（２）で示される化合物が使用される場合には、芳香族テトラカルボン酸として、さらに３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸、２，３，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸、ピロメリット酸等を単独あるいは混合物として使用でき、さらに、上記一般式（１）の成分との混合物としても使用できる。
【００２３】
前記一般式（２）で示される芳香族ジアミン化合物としては、４，４’−ジアミノジフェニルエ−テル、３，４’−ジアミノジフェニルエーテル、３，３’−ジアミノジフェニルエ−テル、４，４’−ジアミノジフェニルチオエ−テル等のジフェニル（チオ）エ−テル系ジアミン、３，３’−ジアミノベンゾフェノン、４，４’−ジアミノベンゾフェノン等のベンゾフェノン系ジアミン、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、３，３’−ジアミノジフェニルプロパン、４，４’−ジアミノジフェニルプロパン等のジフェニルアルキレン系ジアミン、３，３’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド等のジフェニルスルフィド系ジアミン、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン等のジフェニルスルホン系ジアミン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン等のビス（アミノフェノキシ）ベンゼン系ジアミン、４，４’−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフェニル等のビス（アミノフェノキシ）ビフェニル系ジアミン、ビス〔（４−アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン等のビス〔（アミノフェノキシ）フェニル〕スルホン系、等を挙げることができ、それらを単独、あるいは混合物として使用できる。
【００２４】
芳香族テトラカルボン酸化合物として、一般式（１）で示される化合物が使用される場合には、ジアミン化合物として、さらに、１，４−ジアミノベンゼン（ｐ−フェニレンジアミン）、１，３−ジアミノベンゼン、１，２−ジアミノベンゼン等のベンゼン系ジアミン、ベンチジン、３，３’−ジメチルベンチジン等のベンチジン類等を単独、あるいは混合物として使用でき、さらに上記一般式（２）のジアミン成分との混合物としても使用できる。
【００２５】
多層押出ポリイミドフィルムの厚さは、７〜１００μｍ、特に７〜５０μｍが好ましい。また、主鎖中に屈曲性結合を含む芳香族ポリイミド層の厚さ（単層）は０．１〜１０μｍ、特に０．２〜５μｍであり、残部が高耐熱性の芳香族ポリイミド層であることが好ましい。
【００２６】
この発明におけるポリイミドフィルムは、高耐熱性の芳香族ポリイミドの層を支持層として有し、表面層が主鎖中に屈曲性結合を含む柔軟性ポリイミド層であるポリイミドフィルムの該柔軟性ポリイミド層を使用することおよび減圧放電処理によりエッチングする組み合わせによって、処理面に網目構造の凸部を有する凹凸形状を形成することができる。
【００２７】
前記の減圧放電処理で使用するガスとしては、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｎ２、ＣＦ４、Ｏ２などの単体あるいは混合ガスが挙げられる。なかでもＡｒは安価でフィルム表面の処理効果が良好であり好ましい。圧力は０．３〜５０Ｐａ、特に６〜２７Ｐａが好適である。温度は通常室温でよく、必要であれば−２０〜２０℃前後で冷却してもよい。
【００２８】
この発明においては減圧放電処理が必要であり、常圧プラズマ放電処理やコロナ放電処理によっては、目的とする剥離強度の大きい銅積層基板を得ることが困難である。
【００２９】
また、この発明における前記の放電処理したポリイミドフィルムは、処理面が網目構造の凸部を有する凹凸形状を形成せしめたもので、好適には凹凸（粗さＲａ：平均粗さ）が０．０３〜０．１μｍ、特に０．０４〜０．０８μｍの網目の構造となっていることが好ましい。
【００３０】
この発明において、ビフェニルテトラカルボン酸成分を含む高耐熱性の芳香族ポリイミド層を支持層として有し表面層が主鎖中に屈曲性結合を含む柔軟性ポリイミド層であるポリイミドフィルムの該柔軟性ポリイミド層表面を減圧放電処理によりエッチングして処理面に網目構造の凸部を有する凹凸形状を形成せしめた後連続して、あるいは減圧放電処理後一旦大気中に置いた後プラズマスクリ−ニング処理によって清浄化した後、蒸着法によって金属薄膜を形成してもよい。
【００３１】
この発明における少なくとも２層の金属薄膜としては、好適には下地金属蒸着層と、その上の銅蒸着層からなる２層の金属蒸着層が挙げられる。また、前記の少なくとも２層の金属薄膜として、上記の２層の金属蒸着層に無電解金属メッキ層を設けた金属薄膜が挙げられる。
【００３２】
この発明において、金属蒸着または金属蒸着と無電解金属メッキ層とで金属薄膜を形成するための金属を蒸着する方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法などの蒸着法を挙げることができる。前記の蒸着法としては、それ自体公知の方法によって行うことができる。真空蒸着法において、真空度が、１０−５〜１Ｐａ程度であり、蒸着速度が５〜５００ｎｍ／秒程度であることが好ましい。スパッタリング法において、特にＤＣマグネットスパッタリング法が好適であり、その際の真空度が１３Ｐａ以下、特に０．１〜１Ｐａ程度であり、その層の形成速度が０．０５〜５０ｎｍ／秒程度であることが好ましい。得られる金属蒸着膜の厚みは１０ｎｍ以上、１μｍ以下であり、そのなかでも０．１μｍ以上、０．５μｍ以下であることが好ましい。
【００３３】
金属薄膜の材質としては、種々の組み合わせが可能である。金属蒸着膜として下地層と表面蒸着金属層を有する２層以上の構造としてもよい。下地層としては、クロム、チタン、パラジウム、亜鉛、モリブデン、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、鉄等が挙げられる。中間層としては銅または銅と前記の金属との合金が挙げられる。蒸着層上に設ける無電解金属メッキ層の材質としては、銅、銅合金、銀、パラジウム等、特に銅が好適である。
【００３４】
また、真空プラズマ放電処理したポリイミドフィルムの片面に、クロム、チタン、パラジウム、亜鉛、錫、モリブデン、ニッケル、コバルト、鉄、モリブデン、ジルコニウム、タングステン、鉄等の下地金属層を形成し、その上に中間層として銅または銅と前記の金属との合金の蒸着層を形成した後、無電解銅メッキ層を形成し（無電解メッキ層を形成することは発生したピンホ−ルをつぶすのに有効である。）、あるいは、金属蒸着層の厚みを大きくして、例えば０．１〜１．０μｍとして銅などの無電解金属メッキ層を省略し、表面層として電解銅メッキ層を形成してもよい。
【００３５】
また、この発明において、放電処理ポリイミドフィルムにレ−ザ−加工、機械加工あるいは湿式法によって穴あけ加工した後、２層の金属蒸着層および銅メッキ層を形成してもよい。この発明において、金属薄膜層の厚みは、蒸着用タ−ゲット金属の均一部分を用いたり、電気メッキの外周部（厚くなる）を除いたりして、５％以内の均一にすることができる。
【００３６】
また、この発明の銅積層基板は、主鎖中に屈曲性結合を含む柔軟性ポリイミド層を両面に有するポリイミドフィルムの片面に２層の金属薄膜および銅メッキ層を形成したものであればよく、他の面に熱伝導性を改良するために金属（例えば前記の金属）を使用して金属層あるいはセラミック層を形成したものであってもよい。前記の金属としては、ニッケル、パラジウム、金、錫、白金などを挙げることができる。
【００３７】
この発明における表面層としての電解銅メッキ層は、例えば、硫酸銅メッキ浴を適用する電気銅メッキ法によって形成することができる。通常、下地金属層の電気抵抗が非常に高く（例えば、クロム／銅＝１０ｎｍ／３００ｎｍで約１．８３オ−ム）、高電流密度（４．０Ａ／ｄｍ２）でメッキを行うとメッキ析出不良が発生し易くなるため、まず低電流密度（０．５〜４．０Ａ／ｄｍ２）で少なくとも１μｍ以上の銅層を析出させることが好ましい。この場合、メッキ浴の組成は硫酸銅５０〜７５ｇ／ｌ以上、硫酸１６５〜２１０ｇ／ｌの範囲が適しており、硫酸の濃度を高くすることによりメッキ液の電気抵抗を低減し、浴の温度上昇を抑え結晶の微細なメッキ面を得ることができる。次に、銅の薄層を形成した後、所望の膜厚まで厚付けする際には硫酸銅濃度を多くして高電流密度でメッキするのが好ましい。具体的には、硫酸銅１２５〜２５０ｇ／ｌ、硫酸３０〜１５０ｇ／ｌが好ましい。この発明において電解銅メッキ層は、厚みが約２〜２０μｍ程度であることが好ましい。
【００３８】
前記の銅積層基板の金属層にエッチング加工して配線を形成し、次いで、ポリイミドフィルムにレ−ザ−加工あるいはケミカルエッチング法によって孔空加工した後、金属メッキしてなる銅積層基板。前記の金属メッキの金属としては、ニッケル、鉄、パラジウム、金、錫、白金などを挙げることができる。
【００３９】
この発明の銅積層基板は、金属層とポリイミドフィルムとの剥離強度が大きく、フレキシブル印刷回路基板、ＴＡＢテ−プ、多層基板等の微細配線用基板として好適に使用することができる。
【実施例】
【００４０】
以下にこの発明の実施例を示す。以下の各例において部は重量部を示し、各例の測定は以下に示す試験方法によって行った。表面張力：フィルム表面の接触角をＪＩＳＫ６７６６に準じて測定した。フィルム表面状態：ＳＥＭにより５００００倍にて観察し、網目構造の有無を確認した。
【００４１】
ポリイミドフィルムの表面状態は、ＳＥＭにより５００００倍にて観察し、網目構造の有無を確認した。ポリイミドフィルムの表面粗さ（Ｒａ）は、非接触式表面粗さ計にて測定。ポリイミドフィルムの厚み：柔軟性ポリイミド層と高耐熱性ポリイミド層の厚みを、各々断面を光学顕微鏡により測定した。ポリイミドフィルムの電気特性である、体積抵抗率、表面絶縁抵抗率はＡＳＴＭＤ２５７により測定し、誘電率、誘電正接はＡＳＴＭＤ１５０により測定した。ポリイミドフィルムの機械特性および熱特性である、引張り伸び率、引張り弾性率はＡＳＴＭＤ８８２により測定し、線膨張係数は５０〜２００℃における寸法変化を測定し、吸水率は２３℃、２４時間後の重量変化をＩＰＣ−ＴＭ−６５０により測定した。
【００４２】
銅積層基板の剥離強度は、ＩＰＣ−ＦＣ−２４１Ｂにより９０度剥離強度を測定した。銅積層基板の寸法安定性は、銅エッチング後、熱処理（１５０℃、３０分）後、ＩＰＣ−ＦＣ−２４１により測定した。銅積層基板の半田耐熱性は、３００℃で１分後、ＩＰＣ−ＦＣ−２４１Ｂにより測定した。銅積層基板の耐折性は、ＪＰＣＡＣ６４７１により測定した。
【００４３】
（参考例１）
ｐ−フェニレンジアミン（ＰＰＤ）と３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物との高耐熱性ポリイミド層と、４，４’−ジアミノジフェニルエ−テルと３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物との柔軟性ポリイミド層とを有する共押出流延法により、最高加熱温度４８０℃で３層ポリイミドフィルムを得た。このポリイミドフィルムは、柔軟性ポリイミド層／高耐熱性ポリイミド層／柔軟性ポリイミド層の厚みが３μｍ／４４μｍ／３μｍの構成の５０μｍの厚みであり、表面張力が４２ｄｙｎｅ／ｃｍであった。このポリイミドフィルムの評価結果を次の表１に示す。
【００４４】
【表１】
2006283023.tif 000004
【００４５】
（比較参考例１）
他社の単一層ポリイミドフィルムは、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸二無水物、ｐ−フェニレンジアミンおよび４，４’−ジアミノジフェニルエテ−ルの４成分系の組成で、５０μｍの厚みであった。このポリイミドフィルムの評価結果を次の表１に示す。
【００４６】
【表２】
2006283023.tif 000005
【００４７】
（参考例２）
この３層ポリイミドフィルムおよび他社の単一層ポリイミドフィルムを放電処理した。放電処理の条件は次の通りである。
処理１：減圧プラズマ処理装置によるエッチング減圧プラズマ処理装置内にポリイミドフィルムを設置後、０．１Ｐａ以下に減圧後、Ａｒガスを導入しＡｒ＝１００％、圧力＝１３．３Ｐａ、パワ−＝５ＫＷ（４０ＫＨｚ）にて２分処理を行った。この放電処理したポリイミドフィルムは、表面張力が５６ｄｙｎｅ／ｃｍで、ＳＥＭにて観察した処理面の凸部のほぼ全部が網目構造であり、表面粗さ（Ｒａ）は０．０５μｍであった。
【００４８】
処理２：フィルム表面クリ−ニングスパッタリング装置に処理１後のポリイミドフィルムを基板フォルダ−に設置し、２×１０−４Ｐａ以下の真空に排気後、Ａｒを導入し、０．６７Ｐａとした後、ポリイミドフィルムが接した電極に１３．５６ＭＨｚの高周波電力３００Ｗで１分間処理した。このクリ−ニング処理したポリイミドフィルムは、ＳＥＭにて観察した処理面が放電処理したポリイミドフィルムの処理面の網目構造および表面粗さを実質的に保持していた。
【００４９】
（比較参考例２）
前記の他社の単一層ポリイミドフィルムを使用した他は参考例２と同様にして、放電処理した。この放電処理したポリイミドフィルムは、ＳＥＭにて観察した処理面には網目構造は確認できなかった。
【００５０】
（実施例１）
前記の処理２に連続して、３層ポリイミドフィルムについてＡｒ０．６７Ｐａ雰囲気にてＤＣスパッタリングにより、１５０Ｗにて、Ｃｒ薄膜を１０ｎｍ形成後Ｃｕ薄膜を３００ｎｍ形成し、大気中に取り出した。さらに、酸性硫酸銅溶液を用いて電解メッキを行い、金属膜を２０μｍとなるように銅メッキを施した。なお、酸性硫酸銅電解メッキは、アルカリ脱脂−水洗−酸洗−メッキ処理の手順、電流値が１Ａ／ｄｍ２（５分）次いで４．５Ａ／ｄｍ２（２０分）にて行った。ただし、耐折性試験においては、金属膜が８μｍとなるように銅メッキを施した。その際の電流値は、１Ａ／ｄｍ２（５分）次いで４．５Ａ／ｄｍ２（８分）とした。得られた銅積層基板について測定した結果を表３に示す。
【００５１】
（比較例１）
前記の処理２に連続して、他社単層ポリイミドフィルムについて実施例１と同様にして、銅積層基板を得た。測定した結果を表３に示す。
【００５２】
【表３】
2006283023.tif 000006
【００５３】
以上の結果から、この発明によって得られる銅積層基板は、配線用回路基板として高い接着力を有し、耐薬品性、寸法安定性、半田耐熱性、耐折性に優れていることを示す。
【００５４】
（比較例２）
処理１の減圧放電処理を行わない他は実施例１と同様に実施した。得られた金属薄膜付きポリイミドフィルムは、初期剥離強度が１．２Ｋｇｆ／ｃｍであったが、耐熱性評価の前記２００℃処理後の剥離強度が０．２Ｋｇｆ／ｃｍと著しく低下した
【００５５】
（比較例２）
処理１、処理２を行った後、下地金属層：Ｃｒの形成を行わず、直接Ｃｕ膜をＤＣスパッタリングにて形成した。得られた金属薄膜付きポリイミドフィルムは、初期剥離強度が１．６Ｋｇｆ／ｃｍであったが、耐熱性評価の１５０℃処理にて剥離強度０．３Ｋｇｆ／ｃｍ、２００℃処理後の剥離強度が０．１Ｋｇｆ／ｃｍ、ＰＣＴ後の剥離強度は０．０２Ｋｇｆ／ｃｍと著しく低下した。
【００５６】
（比較例３）
ポリイミドフィルムとしてカプトンＨ（厚み５０μｍ）を使用した他は実施例１と同様に実施した。得られた金属薄膜付きポリイミドフィルムは、初期剥離強度が０．６Ｋｇｆ／ｃｍと低く、ＰＣＴ後の剥離強度は０．６Ｋｇｆ／ｃｍと初期強度と変わなかったが、耐熱性評価の１５０℃処理にて剥離強度０．３Ｋｇｆ／ｃｍ、２００℃処理後の剥離強度が０．０２Ｋｇｆ／ｃｍと著しく低下した。
【００５７】
（実施例２）
実施例１で得られたＣｕ蒸着した金属薄膜積層ポリイミドフィルムを、奥野製薬社製のＯＰＣ−５０（４０℃、２分）、ＯＰＣ−１５０（２５℃、５分）で処理し、さらに奥野製薬社製のカッパ−ＬＰ（６０℃、１０分）でポリイミドフィルムの表面に０．５μｍの無電解メッキして銅被膜を形成した。さらにこの上に硫酸銅浴により銅電解メッキ層１０μｍの厚さに形成し、銅積層基板を得た。評価結果は実施例１と同等であった。
【００５８】
（実施例３〜７）
蒸着金属として、Ｃｒに代えてＤＣスパッタリング法により、チタン、パラジウム、モリブデン、ニッケル、またはコバルトである金属膜を１０ｎｍ形成し、次いで銅を３００ｎｍ形成した後、銅を電解メッキした他は実施例１と同様に実施して、銅積層基板を得た。評価はいずれも実施例１と同等である。
【００５９】
（実施例８）
実施例１、３〜７と同様にして、フィルム両面にＤＣスパッタリング法によってクロム、チタン、パラジウム、モリブデン、ニッケル、またはコバルトの金属層を設けた後、銅層を形成し、さらに銅を電解メッキして得られた銅積層基板に、常法によって感光性レジストをコ−ティングし、６０μｍピッチ（３０μｍ／３０μｍ）の回路パタ−ンのマスクを使用し、紫外線露光と現像を行い、塩化第二鉄エッチング液で回路パタ−ンを形成する。次に、ＩＣ実装部および端子部以外をポリイミド系のレジストをコ−トした後、露出した銅回路パタ−ン部に無電解ニッケルを５μｍ、さらに無電解ボンディング用金メッキ０．５μｍを行い、ファインピッチ２層型プリント回路基板を得る。