(57)【要約】【課題】  電子装置における特性向上を図る。【解決手段】  複数のグリーンシート４ｃを密着させて積層した後にサーマルビア４ｇ用の複数の第２の貫通孔４ｅを形成し、その後、複数の第２の貫通孔４ｅに導体４ｈを充填してサーマルビア４ｇを形成した後、熱処理を行って形成したセラミック製の多層配線基板４を準備し、この多層配線基板４上に半導体チップとチップ部品を搭載してＲＦモジュール（電子装置）を組み立てることにより、多層配線基板４の各層によるサーマルビア４ｇの位置ズレが無いため、前記半導体チップからの熱の伝達経路が細くなる箇所を無くすことができ、多層配線基板個々での熱抵抗のばらつきを抑えることができる。その結果、前記ＲＦモジュールの電気的特性のばらつきを低減して特性向上を図ることができる。【選択図】  図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）複数のシート部材を密着させて積層した後に前記複数のシート部材に複数の貫通孔を形成し、その後、前記貫通孔に導体を充填して熱処理を行って形成した多層配線基板を準備する工程と、
（ｂ）前記多層配線基板上に半導体チップとチップ部品を搭載する工程と、
（ｃ）前記半導体チップと前記多層配線基板とを電気的に接続する工程と、
（ｄ）前記半導体チップおよび前記チップ部品を封止する工程とを有することを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項２】
（ａ）複数のシート部材を準備する工程と、
（ｂ）前記複数のシート部材に複数の第１の貫通孔を形成し、その後、前記第１の貫通孔に導体を充填する工程と、
（ｃ）前記複数のシート部材に導体パターンを形成する工程と、
（ｄ）前記複数のシート部材を密着させて積層する工程と、
（ｅ）前記積層した複数のシート部材に複数の第２の貫通孔を形成し、その後、前記第２の貫通孔に導体を充填する工程と、
（ｆ）前記積層した複数のシート部材を熱処理する工程とを有することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項３】
（ａ）複数のシート部材であるグリーンシートを準備する工程と、
（ｂ）前記複数のグリーンシートに複数の第１の貫通孔を形成し、その後、前記第１の貫通孔に導体を充填する工程と、
（ｃ）前記複数のグリーンシートに導体パターンを形成する工程と、
（ｄ）前記複数のグリーンシートを密着させて積層する工程と、
（ｅ）前記積層した複数のグリーンシートに複数の第２の貫通孔を形成し、その後、前記第２の貫通孔に導体を充填する工程と、
（ｆ）前記積層した複数のグリーンシートを熱処理してセラミック製の多層配線基板を形成する工程とを有することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項４】
（ａ）複数のシート部材を準備する工程と、
（ｂ）前記複数のシート部材に複数の第１の貫通孔を形成し、その後、前記第１の貫通孔に導体を充填する工程と、
（ｃ）前記複数のシート部材に導体パターンを形成する工程と、
（ｄ）前記複数のシート部材を密着させて積層する工程と、
（ｅ）前記積層した複数のシート部材に複数の第２の貫通孔を形成し、その後、前記第２の貫通孔に導体を充填する工程と、
（ｆ）前記積層した複数のシート部材のうち最上層のシート部材における前記複数の第２の貫通孔の周囲にプレーン状の導体パターンを形成する工程と、
（ｇ）前記積層した複数のシート部材を熱処理する工程とを有することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項５】
（ａ）複数のシート部材を準備する工程と、
（ｂ）前記複数のシート部材に複数の第１の貫通孔を形成し、その後、前記第１の貫通孔に導体を充填する工程と、
（ｃ）前記複数のシート部材に、延在する導体パターンとプレーン状の導体パターンを形成する工程と、
（ｄ）前記複数のシート部材を密着させて積層する工程と、
（ｅ）前記積層した複数のシート部材の前記プレーン状の導体パターンの領域に複数の第２の貫通孔を形成し、その後、前記第２の貫通孔に導体を充填する工程と、
（ｆ）前記積層した複数のシート部材を熱処理する工程とを有することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層配線基板を有する電子装置の製造技術に関し、特に、高周波用電力増幅器（電子装置）の特性向上に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
高周波用電力増幅器は、ガラスを主成分とする多層基板と、基板内に形成されたストリップ線路と、基板上に実装された接続導体を介してストリップ線路に電気的に接続された電力用トランジスタならびにチップ部品と、基板の側面に設けられた凹部に形成されストリップ線路に電気的に接続された端子電極と、電力用トランジスタ下部に形成された放熱用ビアホールとを具備している（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平９−２８３７００号公報（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
携帯用通信機器などに組み込まれる高周波用のモジュール（電子装置）の一例として、ＲＦ（Radio Frequency)モジュールと呼ばれる高周波用電力増幅器が知られている。ＲＦモジュールには、半導体チップを搭載する多層配線基板のチップ下部にＧＮＤなどの電気的接続とともに放熱を目的とするサーマルビアと呼ばれるビア（Via）が複数個設けられている構造のものがある。
【０００４】
近年、ＲＦモジュールでは、小型化・高機能化の要求が高まっている。したがって、多層配線基板の内部の配線密度も増加する傾向にあり、サーマルビアを設けるためのスペースが減少しているため、より少ない数のサーマルビアで効率良く放熱する必要がある。
【０００５】
ＲＦモジュールに用いられる多層配線基板の製造方法では、各層のグリーンシートのサーマルビアと導体パターンとを各層ごとに別々に形成した後、各グリーンシートを積層し、その後、焼成（熱処理）しており、その結果、積層時のサーマルビアの位置ズレ、積層前までのグリーンシートの伸び（変形）等により、層間でのサーマルビアの位置にズレが発生する。
【０００６】
これにより、サーマルビアの熱の伝達経路が部分的に細くなる。サーマルビアの位置ズレは、個々の多層配線基板によってその大きさが異なるため、製品（ＲＦモジュール）個々で熱抵抗にばらつきが生じる。したがって、ＲＦモジュールの動作時の温度上昇がばらつく。
【０００７】
その結果、ＲＦモジュールの電気的特性にもばらつきが発生してＲＦモジュールの信頼性が低下することが問題である。
【０００８】
本発明の目的は、電子装置における特性向上を図ることができる技術を提供することにある。
【０００９】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１１】
すなわち、本発明は、複数のシート部材を密着させて積層した後に前記複数のシート部材に複数の貫通孔を形成し、その後、前記貫通孔に導体を充填して熱処理を行って形成した多層配線基板を準備する工程と、前記多層配線基板上に半導体チップとチップ部品を搭載する工程と、前記半導体チップと前記多層配線基板とを電気的に接続する工程と、前記半導体チップおよび前記チップ部品を封止する工程とを有するものである。
【００１２】
また、本発明は、複数のシート部材を準備する工程と、前記複数のシート部材に複数の第１の貫通孔を形成し、その後、前記第１の貫通孔に導体を充填する工程と、前記複数のシート部材に導体パターンを形成する工程と、前記複数のシート部材を密着させて積層する工程と、前記積層した複数のシート部材に複数の第２の貫通孔を形成し、その後、前記第２の貫通孔に導体を充填する工程と、前記積層した複数のシート部材を熱処理する工程とを有するものである。
【発明の効果】
【００１３】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１４】
複数のシート部材を密着させて積層した後に複数の貫通孔を形成し、その後、前記複数の貫通孔に導体を充填してサーマルビアを形成した多層配線基板を用い、この多層配線基板上に半導体チップとチップ部品を搭載して電子装置を組み立てることにより、多層配線基板の各層によるサーマルビアの位置にズレが無いため、熱の伝達経路が細くなる箇所を無くすことができ、最も効率良く放熱することができる。さらに、多層配線基板個々での熱抵抗のばらつきを抑えることができるため、電子装置の動作時の温度上昇のばらつきを低減することができる。その結果、電子装置における電気的特性のばらつきを低減して特性向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００１６】
さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。
【００１７】
また、以下の実施の形態において、要素の数など（個数、数値、量、範囲などを含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。
【００１８】
また、以下の実施の形態において、高周波と言う場合、概ね５００ＭＨｚ程度以上の周波数帯を指す。
【００１９】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２０】
（実施の形態）
図１は本発明の実施の形態の電子装置（ＲＦモジュール）の構造の一例を示す平面図、図２は図１に示す電子装置の長手方向の構造の一例を示す側面図、図３は図１に示す電子装置の幅方向の構造の一例を示す側面図、図４は図１に示す電子装置の裏面の構造の一例を示す裏面図、図５は図１に示す電子装置の構造の一例を示す断面図、図６は図１に示す電子装置に用いられる多層配線基板の製造方法の一例を示す製造プロセスフロー図、図７は図６に示す多層配線基板のサーマルビア領域の構造の一例を示す拡大部分断面図、図８は図１に示す電子装置の組み立て手順の一例を示す製造プロセスフロー図、図９および図１０はそれぞれ本発明の実施の形態の変形例の多層配線基板の製造方法を示す製造プロセスフロー図である。
【００２１】
図１〜図５に示す本実施の形態の電子装置は、主に、携帯用通信機器などに組み込まれる高周波用の電子装置であり、本実施の形態では前記電子装置として、多層配線基板４を有したＲＦモジュール７（高周波用電力増幅器）の場合を一例として取り上げて説明する。
【００２２】
ＲＦモジュール７の構成について説明すると、図５に示すように、主面４ａ上にパワートランジスタである半導体チップ１や、チップキャパシタ２およびチップレジスタ５などのチップ部品が搭載された多層配線基板４と、半導体チップ１と多層配線基板４とを電気的に接続する複数のワイヤ６と、半導体チップ１やチップキャパシタ２およびチップレジスタ５などのチップ部品、さらに複数のワイヤ６を封止する封止用樹脂からなる封止体３とからなる。
【００２３】
半導体チップ１は、多層配線基板４の主面４ａに形成された凹部であるキャビティ４ｎに半田８によって接続されている。また、チップキャパシタ２やチップレジスタ５などのチップ部品も多層配線基板４の主面４ａに半田８によって電気的および機械的に接続されている。
【００２４】
図８に示すように、半導体チップ１の主面１ａには複数の電極であるパッド１ｂが形成されており、これらのパッド１ｂと表層配線４ｍとがワイヤ６によって電気的に接続されている。さらに、半導体チップ１の下部には、図６に示すようなプレーン状の導体パターン４ｊが形成されており、半田８を介して半導体チップ１と接続されている。
【００２５】
また、多層配線基板４の裏面４ｂには、図４に示すように複数の外部端子９が格子状に配置されており、本実施の形態のＲＦモジュール７は、ＬＧＡ（Land Grid Array）型の電子装置である。
【００２６】
多層配線基板４は、例えば、セラミック製の基板であり、複数のグリーンシート（シート部材）４ｃを積層して形成されたものである。
【００２７】
また、多層配線基板４のキャビティ４ｎの下部には、図５に示すように、半導体チップ１のＧＮＤ接続などの電気的接続とともに放熱を目的とした複数のサーマルビア４ｇが設けられている。さらに、サーマルビア４ｇ以外の層間での電気的接続のみを目的とした複数のビア４ｆも設けられている。
【００２８】
なお、サーマルビア４ｇは、半導体チップ１の放熱も目的の１つであるため、半導体チップ１の下部、すなわち、キャビティ４ｎの底部から多層配線基板４の裏面４ｂに亘って設けられている。キャビティ４ｎの底部には、図６に示すようにプレーン状の導体パターン４ｊも設けられており、このプレーン状の導体パターン４ｊの領域に複数のサーマルビア４ｇが設けられている。また、多層配線基板４のそれぞれの層（グリーンシート４ｃ）には、複数の導体パターン４ｉが形成されており、これらの導体パターン４ｉのうち、表層配線４ｍ以外の配線が図５に示すような内部配線４ｋとなる。例えば、層間の内部配線４ｋが必要に応じてビア４ｆによって接続されている。
【００２９】
多層配線基板４において、延在する導体パターン４ｉやプレーン状の導体パターン４ｊ、さらにビア４ｆやサーマルビア４ｇは、例えば、銅合金やＡｇなどからなる。
【００３０】
また、半導体チップ１は、例えば、シリコンなどからなる。さらに、ワイヤ６は、例えば、金線であり、封止体３を形成する封止用樹脂は、例えば、シリコーン樹脂である。
【００３１】
ただし、多層配線基板４や前記封止用樹脂は、例えば、エポキシ系の樹脂からなるものであってもよい。
【００３２】
本実施の形態のＲＦモジュール７では、図７に示すようにその多層配線基板４に形成された複数のサーマルビア４ｇが、層ごとのズレが形成されることなく配置されている。
【００３３】
すなわち、多層配線基板４の製造において、複数のグリーンシート４ｃを積層した後に、サーマルビア４ｇ用の貫通孔を形成し、これらの貫通孔に導体４ｈを充填してサーマルビア４ｇを形成したものであり、したがって、複数のサーマルビア４ｇ全てにおいて、層ごとの位置のズレが形成されず、半導体チップ１からの熱の伝達経路が細くなる箇所が無い。
【００３４】
次に、図６を用いて本実施の形態の電子装置に用いられる多層配線基板の製造方法について説明する。
【００３５】
まず、図６のステップＳ１に示すように複数のグリーンシート（シート部材）４ｃを準備する。
【００３６】
その後、ステップＳ２に示すように複数のグリーンシート４ｃそれぞれに複数の第１の貫通孔４ｄを形成する。第１の貫通孔４ｄは、パンチング加工またはレーザ加工などによって形成する。続いて、第１の貫通孔４ｄそれぞれに銅合金やＡｇなどの合金からなる導体４ｈを充填して複数のビア４ｆを形成する。
【００３７】
その後、ステップＳ３に示すように、複数のグリーンシート４ｃに、延在する導体パターン４ｉを印刷によって形成する。その際、第１の貫通孔４ｄを連結するように、延在する導体パターン４ｉを形成する。
【００３８】
その後、ステップＳ４に示すように、複数のグリーンシート４ｃを密着させて積層する。ここでは、グリーンシート４ｃによる各層間に密着剤を配置してプレスによる加圧を行って複数のグリーンシート４ｃを積層する。
【００３９】
ただし、前記密着剤などを使用せずに、プレスのみによって複数のグリーンシート４ｃを積層させてもよい。
【００４０】
その後、ステップＳ５に示すように、積層された複数のグリーンシート４ｃのチップ搭載領域にサーマルビア４ｇ用の複数の第２の貫通孔４ｅを形成する。第２の貫通孔４ｅも、第１の貫通孔４ｄと同様にパンチング加工またはレーザ加工などによって形成する。続いて、複数の第２の貫通孔４ｅそれぞれに導体４ｈを印刷などによって充填して複数のサーマルビア４ｇを形成する。
【００４１】
その後、ステップＳ６に示すように、積層した複数のグリーンシート４ｃのうち最上層のグリーンシート４ｃにおける複数のサーマルビア４ｇの周囲にプレーン状の導体パターン４ｊを印刷によって形成する。
【００４２】
その後、ステップＳ７に示すように、積層された複数のグリーンシート４ｃに対して焼成などの熱処理を行ってセラミック製の多層配線基板４を製造する。
【００４３】
本実施の形態の多層配線基板４の製造方法によれば、複数のグリーンシート４ｃを密着させて積層した後にサーマルビア４ｇ用の複数の第２の貫通孔４ｅを形成し、その後、複数の第２の貫通孔４ｅに導体４ｈを充填してサーマルビア４ｇを形成することにより、図７に示すように、多層配線基板４を形成するグリーンシート各層によるサーマルビア４ｇの位置にズレが無いため、熱の伝達経路が細くなる箇所を無くすことができる。
【００４４】
その結果、多層配線基板４において、半導体チップ１から複数のサーマルビア４ｇを介して裏面４ｂに熱を伝達する際に、最も効率良く放熱（伝熱）することができる。
【００４５】
次に、本実施の形態の電子装置の製造方法を、図８に示す製造プロセスフロー図を用いて説明する。
【００４６】
まず、図８のステップＳ１１に示すように、多層配線基板４を準備する。多層配線基板４は、図６に示すように、複数のグリーンシート４ｃを密着させて積層した後に複数のグリーンシート４ｃにサーマルビア４ｇ用の複数の第２の貫通孔４ｅを形成し、その後、第２の貫通孔４ｅに導体４ｈを充填して熱処理を行って形成したセラミック製の基板である。
【００４７】
その後、ステップＳ１２に示す部品搭載を行う。ここでは、多層配線基板４の凹部であるキャビティ４ｎに半導体チップ１を搭載するとともに、主面４ａ上にチップキャパシタ２やチップレジスタ５などのチップ部品を搭載する。その際、半導体チップ１やチップ部品は、図５に示すように半田８を介して多層配線基板４に接続する。
【００４８】
その後、ステップＳ１３に示すワイヤボンディングを行う。ここでは、半導体チップ１のパッド１ｂと多層配線基板４の主面４ａの表層配線４ｍとを金線などのワイヤ６で電気的に接続する。
【００４９】
その後、ステップＳ１４に示す封止を行う。ここでは、半導体チップ１および前記チップ部品を封止用樹脂によって封止する。その際、前記封止用樹脂として、例えば、シリコーン樹脂を用い、印刷によって樹脂封止する。
【００５０】
本実施の形態の電子装置の製造方法によれば、複数のグリーンシート４ｃを密着させて積層した後に複数のグリーンシート４ｃにサーマルビア４ｇ用の複数の第２の貫通孔４ｅを形成し、その後、第２の貫通孔４ｅに導体４ｈを充填して複数のサーマルビア４ｇを形成し、さらに熱処理を行って形成したセラミック製の多層配線基板４を準備し、この多層配線基板４上に半導体チップ１と前記チップ部品を搭載してＲＦモジュール７（電子装置）を組み立てることにより、図７に示すように、多層配線基板４の各層によるサーマルビア４ｇの位置にズレが無いため、半導体チップ１からの熱の伝達経路が細くなる箇所を無くすことができ、最も効率良く放熱することができる。
【００５１】
さらに、多層配線基板４個々での熱抵抗のばらつきを抑えることができるため、ＲＦモジュール７の動作時の温度上昇のばらつきを低減することができる。
【００５２】
その結果、ＲＦモジュール７における電気的特性のばらつきを低減して特性向上を図ることができる。
【００５３】
また、ＲＦモジュール７における電気的特性のばらつきを低減して信頼性の向上を図ることができる。
【００５４】
次に、本実施の形態の変形例の多層配線基板の製造方法について説明する。
【００５５】
図９に示す変形例の多層配線基板４の製造方法は、複数のグリーンシート４ｃを積層する前の導体パターン印刷時に、複数のグリーンシート４ｃに、延在する導体パターン４ｉとプレーン状の導体パターン４ｊとを印刷によって形成するものである。
【００５６】
まず、ステップＳ２１に示すように複数のグリーンシート（シート部材）４ｃを準備する。
【００５７】
その後、ステップＳ２２に示すように複数のグリーンシート４ｃそれぞれに複数の第１の貫通孔４ｄを形成する。第１の貫通孔４ｄは、パンチング加工またはレーザ加工などによって形成する。続いて、第１の貫通孔４ｄそれぞれに銅合金やＡｇなどの合金からなる導体４ｈを充填して複数のビア４ｆを形成する。
【００５８】
その後、ステップＳ２３に示すように、複数のグリーンシート４ｃに、延在する導体パターン４ｉとプレーン状の導体パターン４ｊを印刷によって形成する。その際、第１の貫通孔４ｄを連結するように、延在する導体パターン４ｉを形成する。
【００５９】
その後、ステップＳ２４に示すように、複数のグリーンシート４ｃを密着させて積層する。ここでは、グリーンシート４ｃによる各層間に密着剤を配置してプレスによる加圧を行って複数のグリーンシート４ｃを積層する。
【００６０】
ただし、前記密着剤などを使用せずに、プレスのみによって複数のグリーンシート４ｃを積層させてもよい。
【００６１】
その後、ステップＳ２５に示すように、積層された複数のグリーンシート４ｃのプレーン状の導体パターン４ｊの領域にサーマルビア４ｇ用の複数の第２の貫通孔４ｅを形成する。第２の貫通孔４ｅも、第１の貫通孔４ｄと同様にパンチング加工またはレーザ加工などによって形成する。続いて、複数の第２の貫通孔４ｅそれぞれに導体４ｈを印刷などによって充填して複数のサーマルビア４ｇを形成する。
【００６２】
その後、ステップＳ２６に示すように、積層された複数のグリーンシート４ｃに対して焼成などの熱処理を行ってセラミック製の多層配線基板４を製造する。
【００６３】
図９に示す変形例の多層配線基板の製造方法によれば、図７に示すように、多層配線基板４を形成するグリーンシート各層によるサーマルビア４ｇの位置にズレを無くすことができるとともに、複数のグリーンシート４ｃの積層前の導体パターン印刷の工程で、延在する導体パターン４ｉとプレーン状の導体パターン４ｊを形成するため、積層後にプレーン状の導体パターン４ｊを形成する工程（図６のステップＳ６の工程）を省略することができ、多層配線基板４の製造工程の簡略化を図ることができる。
【００６４】
また、図１０に示す変形例の多層配線基板の製造方法は、キャビティ４ｎを有する多層配線基板の場合の製造方法であり、まず、ステップＳ３１に示すように、それぞれにキャビティ４ｎ用の開口部４ｐと、延在する導体パターン４ｉとが形成されるとともにキャビティ４ｎの深さに相当する枚数の複数のグリーンシート４ｃを準備する。
【００６５】
一方、ステップＳ３２に示すように、複数のグリーンシート４ｃを密着させて積層した後にサーマルビア４ｇ用の複数の第２の貫通孔４ｅ（図６参照）を形成し、その後、第２の貫通孔４ｅに導体４ｈを充填して複数のサーマルビア４ｇを形成するとともに、プレーン状の導体パターン４ｊを形成した複数のグリーンシート４ｃを準備する。
【００６６】
その後、ステップＳ３３に示すように全層を積層し、さらにステップＳ３４に示す焼成などの熱処理を行ってセラミック製の多層配線基板４を製造する。
【００６７】
図１０に示すように凹部であるキャビティ４ｎを有する多層配線基板４の製造においても、図７に示すように、多層配線基板４を形成するグリーンシート各層によるサーマルビア４ｇの位置にズレを無くすことができる。
【００６８】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００６９】
例えば、前記実施の形態では、電子装置であるＲＦモジュール７がＬＧＡ型の電子装置の場合について説明したが、前記電子装置の外部端子９はボール電極などであってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００７０】
本発明は、多層配線基板を有した電子装置の製造方法に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明の実施の形態の電子装置（ＲＦモジュール）の構造の一例を示す平面図である。
【図２】図１に示す電子装置の長手方向の構造の一例を示す側面図である。
【図３】図１に示す電子装置の幅方向の構造の一例を示す側面図である。
【図４】図１に示す電子装置の裏面の構造の一例を示す裏面図である。
【図５】図１に示す電子装置の構造の一例を示す断面図である。
【図６】図１に示す電子装置に用いられる多層配線基板の製造方法の一例を示す製造プロセスフロー図である。
【図７】図６に示す多層配線基板のサーマルビア領域の構造の一例を示す拡大部分断面図である。
【図８】図１に示す電子装置の組み立て手順の一例を示す製造プロセスフロー図である。
【図９】本発明の実施の形態の変形例の多層配線基板の製造方法を示す製造プロセスフロー図である。
【図１０】本発明の実施の形態の変形例の多層配線基板の製造方法を示す製造プロセスフロー図である。
【符号の説明】
【００７２】
１  半導体チップ
１ａ  主面
１ｂ  パッド
２  チップキャパシタ（チップ部品）
３  封止体
４  多層配線基板
４ａ  主面
４ｂ  裏面
４ｃ  グリーンシート（シート部材）
４ｄ  第１の貫通孔
４ｅ  第２の貫通孔
４ｆ  ビア
４ｇ  サーマルビア
４ｈ  導体
４ｉ  導体パターン
４ｊ  プレーン状の導体パターン
４ｋ  内部配線
４ｍ  表層配線
４ｎ  キャビティ
４ｐ  開口部
５  チップレジスタ（チップ部品）
６  ワイヤ
７  ＲＦモジュール（電子装置）
８  半田
９  外部端子
【図４】
2006269976.tif 000003
【図５】
2006269976.tif 000004
【図６】
2006269976.tif 000005
【図７】
2006269976.tif 000006
【図８】
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【図９】
2006269976.tif 000008
【図１０】
2006269976.tif 000009
【図１】
2006269976.tif 000010
【図２】
2006269976.tif 000011
【図３】
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