(57)【要約】【課題】  ウェーハＩＤのウェーハ表面への再刻印をせずにウェーハＩＤの中間検査工程及び組立工程への引き継ぎを行う。【解決手段】  ウェーハ３のデバイス側表面に保護シート１を貼り、ウェーハ３の裏面を研磨しウェーハ厚みを薄くする工程を含む半導体製造工程でウェーハ３を識別するウェーハ識別方法であって、保護シート１にウェーハ３毎に識別情報２を付け、識別情報２によりウェーハ３を個体識別する。ウェーハ裏面に存在するウェーハＩＤが裏面研磨・バックグラインドされることで消失しても、ウェーハ表面にレーザマーキングでウェーハＩＤを再刻印することなく拡散工程から中間検査工程、更には組立工程へとウェーハＩＤを引き継ぐことができる。【選択図】  図２
2006269490.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェーハのデバイス側表面に保護シートを貼り、前記ウェーハの裏面を研磨し前記ウェーハ厚みを薄くする工程を含む半導体製造工程で前記ウェーハを識別するウェーハ識別方法であって、前記保護シートにウェーハ毎に識別情報を付け、前記識別情報により前記ウェーハを個体識別することを特徴とするウェーハ識別方法。
【請求項２】
前記識別情報を付ける際、前記保護シートに連続して配置された連続識別情報からウェーハ毎に識別情報を割り当てる請求項１記載のウェーハ識別方法。
【請求項３】
ウェーハ裏面にウェーハＩＤを刻印し拡散処理を行う工程と、
前記ウェーハを検査し、デバイス側表面にウェーハ毎に識別情報を付けた保護シートを貼り、裏面研磨・バックグラインド作業を行い、前記ウェーハの裏面をＩＤ付フレームに貼り合わせ、前記ＩＤ付フレームのＩＤと前記保護シートの識別情報を関連付けする工程と、
前記保護シートを剥がし、ウェーハを組み立てる工程とを含む半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェーハの製造に関し、特に拡散工程を終了したロットが中間検査工程にて検査をされ、組立工程に引き継がれる際に、ウェーハ単体のＩＤ番号が拡散工程から組立工程まで簡単に引き継がれることを可能にするウェーハ識別方法および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体ウェーハ製造におけるウェーハ管理の方法は、枚葉管理が主流になりつつある。従来は、ウェーハを主に複数枚、例えば２５枚１組＝１ロットとして考え、生産条件や処理データや検査結果をロット単位で管理していた。しかしもの造りの詳細管理といった観点から、枚葉管理、つまり１枚１枚のウェーハについて生産条件や処理データや検査結果を管理するといった手法に変わりつつある。
【０００３】
そして、枚葉管理されて生産された拡散工程のロットは、次の中間検査に於いても同様に枚葉管理されて、データ測定がされる。そして、次の組立て工程にてチップ毎の単位で品質管理などがされる基礎データとなるのである。
【特許文献１】特開昭６３−２４４８５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、現在の３００ｍｍウェーハを使った半導体製造では、従来の半導体製造に比べ微細化が進み、パーティクル対策と言った事に対して、色々な取り組みが成されている。特に、従来の２００ｍｍウェーハデバイス表面にウェーハＩＤをレーザマークする工法は、パーティクルやミストを発生させる。そして、それらミストの固体物が化学メカニカル研磨（ＣＭＰ）工程でデバイス領域面に傷をつけるなど歩留まりを低下させる事が判っていた。そこで、従来の表面へのウェーハＩＤレーザマーキングではなく、ウェーハ裏面にウェーハＩＤを刻印することが３００ｍｍウェーハでは主流となっていた。
【０００５】
しかし、さらに詳しくこれらの刻印方法でも発生する課題について図６を使い詳しく述べる。
【０００６】
ウェーハ表面にウェーハＩＤを刻印することで、歩留まりを低下させるということから、ウェーハ裏面にウェーハＩＤを刻印し、拡散工程での処理を行う訳であるが、
工程番号Ｉにおいて、裏面にウェーハＩＤ、例えば「１２３４５６７」と刻印されたウェーハ３が、例えば最終洗浄を実施する直前の工程に達したとする。次に工程番号IIにおいて、ウェーハ表面にレーザマーカ（図示せず）で、例えばウェーハ裏面と同じ番号「１２３４５６７」を再刻印する。既にウェーハ裏面にウェーハＩＤが存在するにもかかわらず、このマーキング工程が必要な理由を次の工程番号III〜VIIの中間検査工程フロー使いながら説明をする。
【０００７】
工程番号IIIにおいて、検査が終了すると、工程番号IVにてデバイス面側表面にテープ１１を貼る。これは、工程番号Ｖでの裏面研磨・バックグラインドの為の準備工程に相当する。次工程の裏面研磨・バックグラインド作業においてウェーハが破損した際の飛び散りやデバイス面へのチャッキング時の汚染転写防止の為に行うものである。
【０００８】
この工程番号Ｖでの裏面研磨・バックグラインドでは、例えば、７７５μｍあるウェーハ厚みを２００μｍや４００μｍ研磨して、厚みを５７５μｍや３７５μｍにする。これは、組立工程以降ウェーハをダイ・チップにして実装する際、厚みが薄くないとパッケージングできないからである。この時、裏面に刻印されていたウェーハＩＤは、研磨されて消失してしまう。理由は、裏面に刻印されたウェーハＩＤは、例えば３００ｍｍウェーハに関するＳＥＭＩスタンダードでは、１ドットの穴の直径が１００μｍ±１０μｍと決められている（ＳＥＭＩ  Ｔ７−１１０２）。この穴をレーザビームなどで溶融させながら加工する場合、ほぼ球体状に溶融加工されるため、直径とほぼ同じ深さに加工されることが分かっている。よって最大で約１１０μｍの深さと考えたとしても、２００μｍや４００μｍのウェーハ厚み切削研磨をすれば、消失することは明白である。この次の工程番号VIでは、ＩＤ付フレームと呼ばれる組立工程で使用する冶具１０に裏面研磨・バックグラインドしたウェーハ３を貼り合わせる。これは、次工程のテープ剥がしにおいてウェーハ３を割らないための作業である。そして、このフレーム１０に付いているＩＤと拡散工程終了直前のマーキング工程で刻印した、例えばウェーハ裏面と同じ番号の再刻印文字「１２３４５６７」とフレームのＩＤが関連付け出来ることで、組立工程に拡散工程で使用していたウェーハＩＤが引き継がれる事になる。
【０００９】
このように、ウェーハＩＤを拡散工程から中間検査工程、更には組立工程へと引き継ぐためには、レーザマーキング工程の追加と装置購入といったリードタイムの延長と非常に大きな設備投資が必須となる。また、仮にウェーハ表面にウェーハＩＤを再刻印したとしても、裏面研磨・バックグラインドの工程中にテープ１１をウェーハ表面に貼ることで、ウェーハ表面のウェーハＩＤが隠れてしまい、その作業中はウェーハＩＤを確認できないという課題も有していた。
【００１０】
したがって、本発明の目的は、前記課題に鑑み、ウェーハＩＤのウェーハ表面への再刻印をせずにウェーハＩＤの中間検査工程及び組立工程への引き継ぎを行うことができるウェーハ識別方法および半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記の目的を達成するために、本発明の請求項１記載のウェーハ識別方法は、ウェーハのデバイス側表面に保護シートを貼り、前記ウェーハの裏面を研磨し前記ウェーハ厚みを薄くする工程を含む半導体製造工程で前記ウェーハを識別するウェーハ識別方法であって、前記保護シートにウェーハ毎に識別情報を付け、前記識別情報により前記ウェーハを個体識別する。
【００１２】
請求項２記載のウェーハ識別方法は、請求項１記載のウェーハ識別方法において、前記識別情報を付ける際、前記保護シートに連続して配置された連続識別情報からウェーハ毎に識別情報を割り当てる。
【００１３】
請求項３記載の半導体装置の製造方法は、ウェーハ裏面にウェーハＩＤを刻印し拡散処理を行う工程と、前記ウェーハを検査し、デバイス側表面にウェーハ毎に識別情報を付けた保護シートを貼り、裏面研磨・バックグラインド作業を行い、前記ウェーハの裏面をＩＤ付フレームに貼り合わせ、前記ＩＤ付フレームのＩＤと前記保護シートの識別情報を関連付けする工程と、前記保護シートを剥がし、ウェーハを組み立てる工程とを含む。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の請求項１記載のウェーハ識別方法によれば、ウェーハのデバイス側表面に貼る保護シートにウェーハ毎に識別情報を付け、識別情報によりウェーハを個体識別するので、ウェーハ裏面にＩＤが存在する場合、このＩＤが裏面研磨・バックグラインドされることで消失しても、ウェーハ表面にレーザマーキングでウェーハＩＤを再刻印することなく識別することができる。
【００１５】
請求項２では、識別情報を付ける際、保護シートに連続して配置された連続識別情報からウェーハ毎に識別情報を割り当てるので、保護シートにウェーハを任意の位置で貼り合わせることで、ウェーハ上で区切られた識別情報を得ることができる。
【００１６】
本発明の請求項３記載の半導体装置の製造方法によれば、ウェーハを検査し、デバイス側表面にウェーハ毎に識別情報を付けた保護シートを貼り、裏面研磨・バックグラインド作業を行い、ウェーハの裏面をＩＤ付フレームに貼り合わせ、ＩＤ付フレームのＩＤと保護シートの識別情報を関連付けするので、ウェーハ裏面に存在するウェーハＩＤが裏面研磨・バックグラインドされることで消失しても、ウェーハ表面にレーザマーキングでウェーハＩＤを再刻印することなく拡散工程から中間検査工程、更には組立工程へとウェーハＩＤを引き継ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態を図１〜図３に基づいて説明する。図１は本発明の第１の実施形態のウェーハ識別方法に用いるテープの概略平面図、図２（ａ）はその使用状態の平面図、（ｂ）は正面図である。
【００１８】
図１において、１はテープ（保護シート）である。２はウェーハ（図示せず）の個体識別に使う任意の識別番号（識別情報）である。図２において、３はウェーハである。
【００１９】
図１および図２に示すように、ウェーハ３のデバイス側表面にテープを貼り、ウェーハ３の裏面を研磨しウェーハ厚みを薄くする工程を含む半導体製造工程でウェーハ３を識別する際に、テープ１にウェーハ３毎に識別番号２を付け、識別番号２によりウェーハ３を個体識別する。この場合、個体識別に使う任意の識別番号２がちょうどウェーハ３上に位置するように重ね合わせて貼り合わせる。
【００２０】
第１の実施形態によると、個体識別に使う任意の識別番号２をテープ１にあらかじめ付番しておくことで、ウェーハ３上に識別番号２を位置合わせて貼り合わせることでウェーハ３毎の個体識別に使用できる。
【００２１】
更に詳しく図３を用いて説明をする。図３は本発明の実施形態のウェーハ識別方法を用いた半導体装置の製造工程の概略を示す工程図である。
【００２２】
図３において、工程番号Ｉは拡散工程、工程番号III〜VIIは中間検査工程、VIIIは組立工程である。図３に示すように、ウェーハ３裏面にウェーハＩＤを刻印し、拡散工程での処理が行われる訳であるが、工程番号Ｉにおいて、裏面にウェーハＩＤ、例えば「１２３４５６７」と刻印されたウェーハ３が拡散工程を終了したとする。次に工程番号IIIへ、ウェーハ３表面にレーザマーカ（図示せず）で、ウェーハ裏面と同じ番号を再刻印することなく、進捗する。
【００２３】
工程番号IIIにおいて、検査が終了すると、工程番号IVにてデバイス面側表面にテープ１を貼る。これは、工程番号Ｖでの裏面研磨・バックグラインドの為の準備工程に相当する。次工程の裏面研磨・バックグラインド作業においてウェーハが破損した際の飛び散りやデバイス面へのチャッキング時の汚染転写防止の為に行うものである。
【００２４】
この工程番号Ｖで裏面にウェーハ刻印されていたウェーハＩＤは、研磨されて消失してしまう。しかし、中間検査工程IVにおいてテープ１を貼り合わせた際に、裏面ウェーハＩＤとこのテープ１にある識別番号２が関連付けできるため、次の工程番号VIで、ＩＤ付フレームと呼ばれる組立工程で使用する冶具１０に裏面研磨・バックグラインドしたウェーハ３を貼り合わせた際、テープ１の識別番号２とこのフレームＩＤが関連付けされることで、工程番号VIIのテープ剥がしにおいて、ウェーハ３とテープ１が分離しても、フレームＩＤと拡散工程で使用していたウェーハＩＤは関連付け出来ることになる。
【００２５】
このとき個体識別に使う番号の付番体系は、例えば出来るだけ桁数を多くし、貼り付けるウェーハの枚数が１０万枚で一巡するような規格、つまり１０万個の唯一無二の識別番号を刻印しておくなど運用と合わせて生産管理できるように行う。尚本実施形態ではアルファベットのみで番号体系を形成しているが、数字でも構わない。また、数字やアルファベットの混在した文字列でも構わない。またバーコードといったものに変換したものでも構わない。
【００２６】
（第２の実施形態）
本発明の第２の実施形態を図４および図５に基づいて説明する。図４は本発明の第２の実施形態のウェーハ識別方法に用いるテープの概略平面図、図５はその使用状態の平面図である。第１の実施形態と同一部材には同一符号を付して説明を省略する。
【００２７】
図４において、４は連続して配置された連続識別情報である。この連続識別情報４は、例えば乱数の文字列とする。図５に示すように、連続識別情報４を刻印したテープ１にウェーハ３を重ね合わせる。５ａ及び５ｂは識別情報部分であり、ちょうどウェーハ３によってウェーハ３上に区切られ、連続識別情報４が識別番号２と同じ役割を果たす事が分かる。これら個別の識別情報部分５ａ及び５ｂとなった文字列の作用は、上記第１の実施形態で説明したものと同じである。
【００２８】
第２の実施形態によると、連続識別情報４の刻印されたテープ１にウェーハ３を任意の位置で貼り合わせることで、ウェーハ３上で区切られた識別情報部分５ａ及び５ｂに変えることが出来、ウェーハ３を個体識別出来、拡散工程でのウェーハＩＤを中間検査工程から組立工程に引き継ぐことができるのである。
【００２９】
このとき連続識別情報４に使う番号の付番体系は、アルファベットのみで番号体系を形成しているが、数字でも構わない。また、数字やアルファベットの混在した文字列でも構わない。また大きさや位置も任意に設定して構わない。
【産業上の利用可能性】
【００３０】
本発明に係るウェーハ識別方法および半導体装置の製造方法によると、ウェーハ裏面に存在するウェーハＩＤが裏面研磨・バックグラインドされることで消失しても、ウェーハ表面にレーザマーキングでウェーハＩＤを再刻印することなく拡散工程から中間検査工程、更には組立工程へとウェーハＩＤを引き継ぐことができ、半導体ウェーハ製造におけるウェーハ管理方法として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るウェーハ識別方法に用いるテープの概略平面図である。
【図２】（ａ）は本発明の第１の実施形態に係るウェーハ識別方法の作用を示す概略平面図、（ｂ）は正面図である。
【図３】本発明の実施形態のウェーハ識別方法を用いた半導体装置の製造工程の概略を示す工程図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係るウェーハ識別方法に用いるテープの概略平面図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係るウェーハ識別方法の作用を示す概略平面図である。
【図６】従来例のウェーハ識別方法を用いた半導体装置の製造工程の概略を示す工程図である。
【符号の説明】
【００３２】
１  テープ
２  識別番号
３  ウェーハ
４  連続識別情報
５  識別情報部分
５ａ  識別情報
５ｂ  識別情報
【図１】
2006269490.tif 000003
【図２】
2006269490.tif 000004
【図３】
2006269490.tif 000005
【図４】
2006269490.tif 000006
【図５】
2006269490.tif 000007
【図６】
2006269490.tif 000008