(57)【要約】【課題】  安定した発振特性が得られる電圧制御発振回路およびそれを用いた半導体集積装置、無線通信装置を提供する。【解決手段】  コイルＬと、第１可変容量ダイオードＤ１のアノードが第１コンデンサＣ１を介してコイルＬの一端ａに接続され、第２可変容量ダイオードＤ２のアノードが第２コンデンサＣ２を介してコイルＬの他端ｂに接続され、可変容量ダイオードＤ１、Ｄ２のカソードが共通接続された可変容量部１１と、可変容量ダイオードＤ１のアノードにアノードが接続され、カソードが接地された第３ｐｎ接合ダイオードＤ３と、可変容量ダイオードＤ２のアノードにアノード接続され、カソードが接地された第４ｐｎ接合ダイオードＤ４とを具備している。  コイルＬと可変容量ダイオードＤ１、Ｄ２で並列共振回路１２を構成し、ｐｎ接合ダイオードＤ３、Ｄ４が並列共振回路１２の共振ループの外に配置されている。【選択図】  図１
2006101135.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コイルと、
前記コイルの一端に第１可変容量ダイオードのアノードが第１コンデンサを介して接続され、前記コイルの他端に第２可変容量ダイオードのアノードが第２コンデンサを介して接続され、前記第１および第２可変容量ダイオードのカソードが共通接続された可変容量部と、
前記第１可変容量ダイオードのアノードにアノードが接続され、カソードが接地された第３ｐｎ接合ダイオードと、
前記第２可変容量ダイオードのアノードにアノードが接続され、カソードが接地された第４ｐｎ接合ダイオードと、
前記コイルの一端に一方の端子が接続され、前記コイルの他端に他方の端子が接続された増幅回路と
を有することを特徴とする電圧制御発振回路。
【請求項２】
前記第１および第２可変容量ダイオードのキャパシタンスが、それぞれ前記第１および第２コンデンサのキャパシタンスより小さく、且つ前記第３および第４ｐｎ接合ダイオードのキャパシタンスより大きいことを特徴とする請求項１に記載の電圧制御発振回路。
【請求項３】
コイルと、前記コイルの一端に第１可変容量ダイオードのアノードが第１コンデンサを介して接続され、前記コイルの他端に第２可変容量ダイオードのアノードが第２コンデンサを介して接続され、前記第１および第２可変容量ダイオードのカソードが共通接続された可変容量部と、前記第１可変容量ダイオードのアノードにアノードが接続され、カソードが接地された第３ｐｎ接合ダイオードと、前記第２可変容量ダイオードのアノードにアノードが接続され、カソードが接地された第４ｐｎ接合ダイオードと、前記コイルの一端に一方の端子が接続され、前記コイルの他端に他方の端子が接続された増幅回路とが、同一半導体チップ上に集積して形成されていることを特徴とする半導体集積装置。
【請求項４】
前記第１および第２可変容量ダイオード、ならびに前記第３および第４ｐｎ接合ダイオードが同一平面上に形成され、前記第１および第２コンデンサが前記平面と異なる平面上にそれぞれ前記第１および第２可変容量ダイオードと離間して対向配置されていることを特徴とする請求項３に記載の半導体集積装置。
【請求項５】
請求項１に記載の電圧制御発振回路からなる第１電圧制御発振回路を備え、前記第１電圧制御発振回路の出力信号に基づいて外部から入力された入力信号を変調し、変調された前記出力信号をアンテナから送信する信号送信手段と、
請求項１に記載の電圧制御発振回路からなる第２電圧制御発振回路を備え、アンテナで受信した受信信号を、前記第２電圧制御発振回路の出力信号を用いて復調し、復調された前記受信信号を外部へ出力する信号受信手段と、
の少なくともいずれかを有することを特徴とする無線通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電圧制御発振回路に係り、特に安定した発振特性が得られ、集積化するのに最適な構造を備えた電圧制御発振回路およびそれを用いた半導体集積装置、無線通信装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話に代表される移動体通信端末等の無線通信装置は、ＲＦ（無線周波）信号処理部に外部からの印加電圧により発振周波数が可変できる電圧制御発振回路（ＶＣＯ：Voltage Controlled Oscillator）を有している。
【０００３】
電圧制御発振回路には周囲温度の変化に対して発振周波数が安定し、且つ低雑音で発振出力が安定していることが要求される。
【０００４】
従来、周囲温度の変化に対して発振周波数の安定化を図った電圧制御発振回路が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
特許文献１に開示された電圧制御発振回路は、発振周波数制御電圧に対して逆方向バイアスとなるように発振周波数制御電圧が印加される可変容量ダイオードと、可変容量ダイオードと直列に、且つ発振周波数制御電圧に対して順方向バイアスとなるように接続され、可変容量ダイオードと温度変化に対する端子電圧の変化が等しい特性を備えたｐｎ接合ダイオードとを有している。
【０００６】
即ち、可変容量ダイオードとｐｎ接合ダイオードとの接続点には電源から抵抗を介して所要の直流正電圧が印加され、可変容量ダイオードとｐｎ接合ダイオードとの直列回路の両端に発振周波数制御電圧が印加されている。
【０００７】
これにより、周囲温度の変動により可変容量ダイオードのキャパシタンスが変化しても、このキャパシタンスの変化を補償するようにｐｎ接合ダイオードの端子電圧が変化するので、発振周波数の温度変動が抑制されている。
【０００８】
然しながら、特許文献１に開示された電圧制御発振回路は、可変容量ダイオードとｐｎ接合ダイオードとの直列回路とコイルとが並列共振回路を構成しているので、ｐｎ接合ダイオードの直列抵抗成分によって共振回路のＱ値の悪化を招く問題がある。
【０００９】
その結果、十分なＱ値の並列共振回路が得られないので、電圧制御発振回路にノイズが発生し、位相雑音特性の良好な純度の高い発振特性が得られない恐れがある。
【００１０】
並列共振器のＱ値とは、並列共振回路の共振周波数と半値帯域幅との比をいい、Ｑ値が大きいほど純度の高い発振周波数スペクトルと十分な発振強度が得られる。
【００１１】
更に、可変容量ダイオードのキャパシタンスの可変範囲を確保するためには、可変容量ダイオードのキャパシタンスより十分大きなキャパタンスを有するｐｎ接合ダイオードが必要である。
【００１２】
その結果、ｐｎ接合ダイオードの占有面積が可変容量ダイオードの占有面積より大きくなるので、電圧制御発振回路を１チップに集積する場合に、チップサイズが大きくなる問題がある。
【特許文献１】特開平８−８６４３号公報（２頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は、安定した発振特性が得られる電圧制御発振回路およびそれを用いた半導体集積装置、無線通信装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために、本発明の一態様の電圧制御発振回路は、コイルと、第１可変容量ダイオードのアノードが第１コンデンサを介して前記コイルの一端に接続され、第２可変容量ダイオードのアノードが第２コンデンサを介して前記コイルの他端に接続され、前記第１および第２可変容量ダイオードのカソードが共通接続された可変容量部と、前記第１可変容量ダイオードのアノードにアノード接続され、カソードが接地された第３ｐｎ接合ダイオードと、前記第２可変容量ダイオードのアノードにアノード接続され、カソードが接地された第４ｐｎ接合ダイオードと、前記コイルの一端に一方の端子が接続され、前記コイルの他端に他方の端子が接続された増幅回路と、を有することを特徴としている。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、ｐｎ接合ダイオードを並列共振回路の共振ループの外に配置したので、ｐｎ接合ダイオードの直列抵抗成分による共振器のQ値の悪化がなく、ｐｎ接合ダイオードのキャパシタンスを可変容量ダイオードのキャパシタンスより小さくすることができる。
【００１６】
従って、十分なＱ値を有する並列共振回路が得られるので、位相雑音特性の良好な純度の高い発振特性が得られる。その結果、小型で高精度な無線通信装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。
【実施例１】
【００１８】
図１は本発明の実施例１に係る電圧制御発振回路を示す回路図である。  
図１に示すように、本実施例の電圧制御発振回路１０は、コイルＬと可変容量部１１とがコンデンサＣ１、Ｃ２を介して並列接続された並列共振回路１２と、可変容量部１１に接続された温度補償部１３と、並列共振回路１２とグランド間に接続された差動アンプ１４と、並列共振回路１２と定電流源１６を介して電源Ｖｃｃ間に接続された差動アンプ１５とを有している。
【００１９】
可変容量部１１は、第1および第2可変容量ダイオードＤ１、Ｄ２を有し、第2可変容量ダイオードＤ１のアノードＡ１は第1コンデンサＣ１を介してコイルＬの一端ａに接続され、第2可変容量ダイオードＤ２のアノードＡ２は第2コンデンサＣ２を介してコイルＬの他端ｂに接続されている。
【００２０】
第1および第2可変容量ダイオードＤ１、Ｄ２のカソードＫ１、Ｋ２は入力端子Ｖｉｎに共通接続され、第1および第2可変容量ダイオードＤ１、Ｄ２がそれぞれ逆方向バイアスとなるように発信周波数制御電圧Ｖｃｔｒｌが印加される。発信周波数制御電圧Ｖｃｔｒｌにより第1および第2可変容量ダイオードＤ１、Ｄ２のキャパシタンスが変化する。
【００２１】
これにより、コイルＬと可変容量部１１とを含み、温度補償部１３を含まない並列共振回路１２が構成されている。
【００２２】
第1および第2コンデンサＣ１、Ｃ２は、例えば誘電体膜を電極で挟んだコンデンサで、そのキャパシタンスは第1および第2可変容量ダイオードＤ１、Ｄ２のキャパンタンスより大きく、例えば十乃至百倍程度大きくすることができ、その直列抵抗成分は並列共振回路１２の電力損失が無視できる程度に十分小さくすることができる。
【００２３】
従って、第1および第2可変容量ダイオードＤ１、Ｄ２のキャパンタンスの可変範囲が確保され、且つ十分なＱ値を有する並列共振回路１２を得ることが可能である。
【００２４】
温度補償部１３は、第1および第2可変容量ダイオードＤ１、Ｄ２と温度変化に対する端子電圧の変化が等しい特性のｐｎ接合を備えた第３および第４ダイオート（以下、これをｐｎ接合ダイオードという）Ｄ３、Ｄ４を有し、第３および第４ｐｎ接合ダイオートＤ３，Ｄ４のアノードＡ３、Ａ４は第1および第2可変容量ダイオードＤ１、Ｄ２のアノードＡ１、Ａ２にそれぞれ接続され、第３および第４ダイオートＤ３，Ｄ４のカソードＫ３、Ｋ４はそれぞれ接地されている。
【００２５】
第1可変容量ダイオードＤ１のアノードＡ１と第３ｐｎ接合ダイオートＤ３のアノードＡ３の接続点は定電流源１７を介して電源Ｖｃｃに接続され、第２可変容量ダイオードＤ２のアノードＡ２と第４ｐｎ接合ダイオートＤ４のアノードＡ４の接続点は定電流源１８を介して電源Ｖｃｃに接続されている。
【００２６】
定電流源１７、１８により、第３および第４ｐｎ接合ダイオードＤ３、Ｄ４はそれぞれ順方向バイアスとなるようにバイアス電流Ｉｂｉａｓが供給されるので、第３および第４ｐｎ接合ダイオードＤ３、Ｄ４のアノードＡ３、Ａ４と接地端の間にそれぞれバイアス電圧が生じる。
【００２７】
周囲温度が高くなると第１および第２可変容量ダイオードＤ１、Ｄ２のキャパシタンスが増加する。同時に、第３および第４ｐｎ接合ダイオードＤ３、Ｄ４のバイアス電圧は低下し、第１および第２可変容量ダイオードＤ１、Ｄ２の逆方向バイアス電圧が増加する。
【００２８】
これにより、第１および第２可変容量ダイオードＤ１、Ｄ２のキャパシタンスの増加分と逆方向バイアス電圧の増加によるキャパシタンスの減少分が互いに打ち消しあうので、キャパシタンスは一定になり発振周波数の変動が防止される。
【００２９】
第３および第４ｐｎ接合ダイオードＤ３、Ｄ４のキャパシタンスは、並列共振回路１２を流れる高周波電流が接地端へバイパスされるのを防止するために、第１および第２可変容量ダイオードＤ１、Ｄ２のキャパシタンスより小さく、例えば十乃至百分の一程度小さく設定されている。
【００３０】
差動アンプ１４は、ドレイン（第１電極）、ソース（第２電極）およびゲート（制御電極）を有する第１および第２のｎ型ＭＯＳトランジスタ（以下、単にトランジスタという）Ｍ１、Ｍ２を有し、第１トランジスタＭ１のドレインｄ１は第２トランジスタＭ２のゲートｇ２およびコイルＬの一端ａに接続され、第２トランジスタＭ２のドレインｄ２は第１トランジスタＭ１のゲートｇ１およびコイルＬの他端ｂに接続され、第１および第２トランジスタＭ１，Ｍ２のソースｓ１、ｓ２はそれぞれ接地されている。
【００３１】
差動アンプ１５は、ドレイン（第１電極）、ソース（第２電極）およびゲート（制御電極）を有する第１および第２のｐ型ＭＯＳトランジスタＭ３、Ｍ４を有し、第３トランジスタＭ３のソースｓ３が第４トランジスタＭ４のゲートｇ４およびコイルＬの一端ａに接続され、第４トランジスタＭ４のソースｓ４が第３トランジスタＭ３のゲートｇ３およびコイルＬの他端ｂに接続され、第３および第４トランジスタＭ３、Ｍ４のドレインｄ３、ｄ４が定電流源１６に共通接続されている。定電流源１６からのバイアス電流により差動アンプ１４、１５が駆動される。
【００３２】
これにより、コイルＬと可変容量部１１とを有する並列共振回路１２と正帰還用差動アンプ１４、１５とで発振回路が構成され、並列共振周波数で発振する。  
入力端子Ｖｉｎから発振周波数制御電圧Ｖｃｔｒｌが入力されると、コイルＬの一端ａと他端ｂに接続された出力端子Ｖｏｕｔ１、Ｖｏｕｔ２から発振特性の安定した発振周波数Ｆｏｓｃが外部に出力される。
【００３３】
図２乃至図３は電圧制御発振回路１０が半導体基板上に集積された半導体集積装置を示す図で、図２はその平面図、図３はその断面図で、図３（ａ）は図２のＡ−Ａ線に沿って切断し、矢印方向に眺めた断面図、図３（ｂ）は図２のＢ−Ｂ線に沿って切断し、矢印方向に眺めた断面図である。
【００３４】
図２に示すように、半導体集積装置２０は、ループ状のコイルＬと、コンデンサＣ１、Ｃ２と、可変容量部１１と、温度補償部１３と、差動アンプ１４、１５とを有する電圧制御発振回路１０が半導体基板、例えばｐ型シリコン基板２１上に集積して形成されている。
【００３５】
可変容量部１１と、温度補償部１３と、差動アンプ１４、１５はｐ型シリコン基板２１の同一平面上に配置されている。  
第１および第２コンデンサＣ１、Ｃ２は可変容量部１１、温度補償部１３、差動アンプ１４、１５が配置された平面とは異なる平面上に、それぞれ可変容量部１１の一方向の縁部を覆うように離間して対向配置されている。
【００３６】
可変容量部１１は平行に配置されたストライプ状のアノード電極２２、２３と、アノード電極２２、２３を取り囲む方形状のカソード電極２４とをそれぞれ複数有している。  
同様に、温度補償部１３は可変容量部１１と分離絶縁されたストライプ状のアノード電極２５、２６と、アノード電極２５、２６を取り囲む方形状のカソード電極２７とを有している。
【００３７】
図３に示すように、可変容量ダイオードＤ１、Ｄ２はｐ型シリコン基板２１に形成されたｎ型ウェル２８内形成され、ｐｎ接合ダイオードＤ３、Ｄ４はｎ型ウェル２９内に形成されている。
【００３８】
ｎ型ウェル２８にはアノード電極２２、２３となるｐ＋拡散領域と、カソード電極２４となるｎ＋拡散領域とが、ｎ＋／ｐ＋／ｐ＋／ｎ＋／・・・／ｎ＋となるように周期的に、それぞれ複数形成されている。
【００３９】
複数のアノード電極２２が並列接続されてアノードＡ１を構成し、複数のアノード電極２３が並列接続されてアノードＡ２を構成し、複数のカソード電極２４が並列接続されてカソードＫ１、Ｋ２を構成している。
【００４０】
これにより、アノードＡ１とカソードＫ１を有し、キャパシタンスが１０ｐＦ程度の可変第１可変容量ダイオードＤ１、およびアノードＡ２とカソードＫ２を有し、キャパシタンスが１０ｐＦ程度の第２可変容量ダイオードＤ２がそれぞれ形成される。
【００４１】
ｎ型ウェル２９にはアノード電極２５、２６となるｐ＋拡散領域と、カソード電極２７となるｎ＋拡散領域とが形成され、アノード電極２５がアノードＡ３、アノード電極２６がアノードＡ４、カソード電極２７がカソードＫ３、Ｋ４となる。
【００４２】
これにより、アノードＡ３とカソードＫ３を有し、キャパシタンスが０．２ｐＦ程度の第３ｐｎ接合ダイオードＤ３、およびアノードＡ４とカソードＫ４を有し、キャパシタンスが０．２ｐＦ程度の第４ｐｎ接合ダイオードＤ４がそれぞれ形成される。
【００４３】
第１および第２コンデンサＣ１、Ｃ２はｎウェル２８上に、例えばシリコン酸化膜の絶縁膜３１を介してＡｌ（アルミ）電極３２と、例えばシリコン窒化膜の誘電体膜３３と、Ａｌ電極３４とが積層され、キャパシタンスが２０ＰＦ程度に形成されている。
【００４４】
電極３２はビア３５を介してアノード電極２２に接続され、電極３４はコイルＬに接続されている。
【００４５】
誘電体膜３３は特に限定されないが、第１および第２コンデンサＣ１、Ｃ２のキャパシタンスの大きさあるいは第１および第２コンデンサＣ１、Ｃ２の占有面積によっては、比誘電率が約９のシリコン窒化膜よりも更に比誘電率の大きな誘電体膜がより好ましい。
【００４６】
コイルＬは絶縁膜３１上にＡｌ配線により、例えば線幅２０μｍ程度、膜厚３μｍ程度、直径２５０μｍ程度、インダクタンス１．５ｎＨ程度のループ状に形成されている。
【００４７】
これにより、ループ状のコイルＬと、第１および第２コンデンサＣ１、Ｃ２と、可変容量部１１と、温度補償部１３と、差動アンプ１４、１５とを同一チップ上に集積して形成することが可能である。
【００４８】
これにより、発振回路１２のＱ値は発振周波数Ｆｏｓｃのスペクトルから従来の方法に比べて向上していることが認められ、位相雑音特性の良好な発振特性が得られた。  
また、図４は電圧制御発振器１０の発振周波数制御電圧Ｖｃｔｒｌをパラメータとした発振周波数の温度依存性を示したもので、図中の実線ａ、ｃが本実施例による場合、破線ｂ、ｄは比較として、温度補償部１３を有しない場合の例である。
【００４９】
図から明らかなように、本実施例によれば発振周波数の温度係数は１８０ＫＨｚ／℃であり、温度補償部１３を有しない場合の温度計数８００ＫＨｚ／℃に比べて約１／４に低減している。
【００５０】
図５は、図１に示す電圧制御発振回路１０を用いた無線通信装置の構成を示すブロック図である。
【００５１】
図５に示すように、本実施例の無線通信装置４０は、電波信号を送信または受信するアンテナ４１と、アンテナ４１が電波信号を送信するかまたは受信するかを選択する切り替え器４２と、外部から入力された入力信号を処理した電波信号をアンテナ４１に出力する信号送信手段４３と、アンテナ４１が受信した電波信号を処理して外部に出力する信号受信手段４４とを有している。
【００５２】
信号送信手段４３は、外部から入力された信号を処理する入力信号処理回路４５と、電圧制御発信回路１０からなる第１電圧制御発振回路４６の出力信号に基づいて入力信号処理回路４５の出力信号を変調する変調回路４７と、変調回路４７の出力信号を増幅してアンテナ４１へ出力するパワーアンプ４８とを有している。
【００５３】
信号受信手段４４は、アンテナ４１が受信した電波信号を増幅するローノイズアンプ４９と、ローノイズアンプ４９の出力と電圧制御発信回路１０からなる第２電圧制御発振回路５０の出力信号を混合して電波信号を復調するミキサー５１と、復調された信号を処理して外部に出力する出力信号処理回路５２とを有している。
【００５４】
これにより、外部からの入力信号、例えば音声／画像信号を所定の圧縮方式で圧縮してエンコードした信号の送信、あるいは受信された信号をデコードして元の音声／画像信号の再生をノイズによる誤動作等がなく、安定しておこなうことが可能である。
【００５５】
以上説明したように、本実施例によれば、温度補償部１３の第３および第４ｐｎ接合ダイオードＤ３、Ｄ４を並列共振回路１２の共振ループの外に配置したので、第３および第４ｐｎ接合ダイオードＤ３、Ｄ４の直列抵抗成分による共振器のＱ値の悪化がなく、且つ第３および第４ｐｎ接合ダイオードＤ３、Ｄ４のキャパシタンスを第１および第２可変容量ダイオードＤ１、Ｄ２のキャパシタンスより小さくすることができる。
【００５６】
その結果、十分なＱ値を有する並列共振回路１２が得られるので、位相雑音特性の良好な発振特性が得られる。従って、小型で高精度な無線通信装置を提供することができる。
【００５７】
ここでは、正帰還増幅器として差動アンプ１４、１５の両方を用いた場合について説明したが、いずれか一方、好ましくは差動アンプ１４だけであっても構わない。
【００５８】
また、トランジスタＭ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４として、ＭＯＳトランジスタ（絶縁ゲート型電界効果トランジスタ）を用いた場合について説明したが、コレクタ（第１電極）、エミッタ（第２電極）およびベース（制御電極）を有するバイポーラトランジスタであっても構わない。
【００５９】
更に、無線通信装置４０は信号送信手段４３と信号受信手段４４の両方を有する場合について説明したが、いずれか一方だけであっても構わない。
【実施例２】
【００６０】
図６は本発明の実施例２に係る電圧制御発振回路を示す回路図である。本実施例において、上記実施例１と同一の構成部分には同一符号を付してその部分の説明は省略し、異なる部分について説明する。
【００６１】
本実施例が実施例１と異なる点は、第１および可変容量ダイオードＤ１、Ｄ２を逆向きに接続し、温度補償部６３を可変容量部６１と電源Ｖｃｃとの間に接続したことにある。
【００６２】
即ち、本実施例の電圧制御発振回路６０は、第１可変容量ダイオードＤ１のカソードＫ１が第１コンデンサＣ１を介してコイルＬの一端ａに接続され、第２可変容量ダイオードＤ２のカソードＫ２が第２コンデンサＣ２を介してコイルＬの他端ｂに接続され、第１および第２可変容量ダイオードＤ１、Ｄ２のアノードＡ１、Ａ２が入力端子Ｖｉｎに接続された可変容量部６１と、第３および第４ｐｎ接合ダイオードＤ３、Ｄ４のアノードＡ３、Ａ４がそれぞれ電源Ｖｃｃに接続され、カソードＫ３、Ｋ４が第１および第２可変容量ダイオードＤ１、Ｄ２のカソードＫ１、Ｋ２にそれぞれ接続された温度補償部６３を有している。
【００６３】
第３および第４ｐｎ接合ダイオードＤ３、Ｄ４のカソードＫ３、Ｋ４と第１および第２可変容量ダイオードＤ１、Ｄ２のカソードＫ１、Ｋ２のそれぞれの接続点には、定電流源６７、６８がそれぞれ接続され、第３および第４ｐｎ接合ダイオードＤ３、Ｄ４の順方向にバイアス電流Ｉｂｉａｓを供給している。
【００６４】
これによれば、発振周波数制御電圧Ｖｃｔｒｌと発振周波数Ｆｏｓｃの関係が逆になり、発振周波数制御電圧Ｖｃｔｒｌを増大すると発信周波数Ｆｏｓｃが低下する特性を得ることが可能である。
【００６５】
以上説明したように、本実施例の電圧制御発振回路６０は、第１および第２可変容量ダイオードＤ１、Ｄ２を逆向きに接続したので、安定した発振特性とともに発振周波数制御電圧Ｖｃｔｒｌと発振周波数Ｆｏｓｃの逆特性が得られ、電圧制御発振回路６０を使用するＰＬＬ（Phase Locked Loop）回路の設計に自由度が増す利点がある。
【００６６】
上述した実施例においては、バイアス電流Ｉｂｉａｓにより第３および第４ｐｎ接合ダイオードＤ３、Ｄ４の端子間電圧を設定する場合について説明したが、図７に示すように、更に別のバイアス電圧を印加して端子間電圧を任意に設定できるようにしても構わない。
【００６７】
例えば、図７（ａ）に示すように、第３および第４ｐｎ接合ダイオードＤ３、Ｄ４のカソードＫ３、Ｋ４がバイアス電源７０に接続されていてもよい。あるいは、図7（ｂ）に示すように、第３および第４ｐｎ接合ダイオードＤ３、Ｄ４のアノードＡ３、Ａ４がバイアス電源７１に接続されていてもよい。
【００６８】
これによれば、周波数制御電圧Ｖｃｔｒｌと発振周波数Ｆｏｓｃとの関係をバイアス電圧分だけシフトできるので、電圧制御発振回路を使用する回路の設計に自由度が増す利点がある。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明の実施例１に係る電圧制御発振回路を示す回路図。
【図２】本発明の実施例１に係る電圧制御発振回路を示す平面図。
【図３】本発明の実施例１に係る電圧制御発振回路を示す断面図で、図３（ａ）は図２のＡ−Ａ線に沿って切断し、矢印方向に眺めた断面図、図３（ｂ）は図２のＢ−Ｂ線に沿って切断し、矢印方向に眺めた断面図。
【図４】本発明の実施例１に係る電圧制御発振回路の発振特性を示す図。
【図５】本発明の実施例１に係る電圧制御発振回路を有する無線通信装置を示すブロック図。
【図６】本発明の実施例２に係る電圧制御発振回路を示す回路図。
【図７】本発明の実施例に係る電圧制御発振回路の要部を示す回路図。
【符号の説明】
【００７０】
１０、６０  電圧制御発振回路
１１、６１  可変容量部
１２  並列共振回路
１３、６３  温度補償部
１４、１５  差動アンプ
１６、１７、１８、６７、６８  定電流源
２０  半導体集積装置
２１  ｐ型シリコン基板
２２、２３、２５、２６  アノード電極
２４、２７  カソード電極
２８、２９  ｎウェル
３１  絶縁膜
３２、３４  アルミ電極
３５  ビア
４０  無線通信装置
４１  アンテナ
４２  切り替え器
４３  信号送信手段
４４  信号受信手段
４５  入力信号処理回路
４６  第１電圧制御発振回路
４７  変調回路
４８  パワーアンプ
４９  ローノイズアンプ
５０  第２電圧制御発振回路
５１  ミキサー
５２  出力信号処理回路
７０、７１  バイアス電源
Ｌ  コイル
Ｃ１、Ｃ２  コンデンサ
Ｄ１、Ｄ２  可変容量ダイオード
Ｄ３、Ｄ４  ｐｎ接合ダイオード
Ｍ１、Ｍ２  ｎ型ＭＯＳトランジスタ
Ｍ３、Ｍ４  ｐ型ＭＯＳトランジスタ
Ｖｉｎ  入力端子
Ｖｏｕｔ１、Ｖｏｕｔ２  出力端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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