(57)【要約】【課題】  電極パターンに迂回路を形成しても高い精度で座標検出を行えるようにした静電容量式の座標検出装置を提供する。【解決手段】  コモン電極１ｋと複数の迂回路２６を有するＸ検出電極２ｘとの間の合成容量ＣＲは小さい一方で、Ｘ検出電極１ｘの平行電極２３ａ、２３ｂの長さ寸法を長く設定することにより、前記コモン電極１ｋとＸ検出電極１ｘの間の合成容量ＣＬを大きくすることにより、総合的な合成容量Ｃ（＝ＣＲ＋ＣＬ）が一定に維持されるように設定されている。このため、電極パターンに迂回路２６を形成しても、精度の高い座標位置を検出することが可能となる。【選択図】図７
2006012110.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材シートに、Ｙ方向に延びるとともにＸ方向へ間隔を開けて配置されてそれぞれに電圧が与えられる複数の検出電極と、隣り合う前記検出電極の間に位置して前記Ｙ方向に延びる複数のコモン電極とが形成され、
前記基材シートに導電体である接触体が接触または近接したときに、それぞれの前記検出電極とこれに対向する前記コモン電極との間の容量の変化を検出して前記接触体が接触又は近接した箇所のＸＹ座標平面上の位置が検出される静電容量式の座標検出装置において、
いずれかの前記コモン電極を基準コモン電極とし、前記検出電極のうち前記基準コモン電極の一方の側に隣接するのを第１の検出電極、他方の側に隣接するのを第２の検出電極としたときに、
特定箇所において、前記基準コモン電極と前記第１の検出電極、および前記基準コモン電極と第２の検出電極の少なくとも一方には、他方に接近する迂回路が形成されていることを特徴とする静電容量式の座標検出装置。
【請求項２】
前記基材シートに穴が形成されており、前記穴の側方に前記迂回路が形成されている請求項１記載の静電容量式の座標検出装置。
【請求項３】
前記基材シートの一方の側に操作部材が、他方の側に前記操作部材で操作される電子部品が設けられており、前記操作部材の一部が前記穴を通過して前記電子部品を操作可能とされている請求項２記載の静電容量式の座標検出装置。
【請求項４】
前記基材シートの穴に照明用の光源が配置され、または前記穴が前記光源から発せられた光の通路とされている請求項２記載の静電容量式の座標検出装置。
【請求項５】
前記基準コモン電極と前記第１の検出電極との間の容量をＣＲとし、前記基準コモン電極と前記第２の検出電極との間の容量をＣＬとしたときに、
一方の容量が、他方の容量の増減を補完し合うことにより、前記容量ＣＲと容量ＣＬとの合成容量が一定に維持されるように前記各電極のパターンが設定されている請求項１ないし４のいずれかに記載の静電容量式の座標検出装置。
【請求項６】
前記基準コモン電極には、Ｙ方向に間隔を開けてＸ方向の両側に延びるコモン枝電極が形成され、前記第１の検出電極には、Ｘ方向に延びて前記コモン枝電極に対向する第１の補助電極が、前記第２の検出電極には、Ｘ方向に延びて前記コモン枝電極に対向する第２の補助電極がそれぞれ形成されており、
前記迂回路または前記迂回路の近傍に、前記コモン枝電極と前記第１の補助電極とが設けられ、前記迂回路または前記迂回路の近傍では、前記コモン枝電極と前記第２の補助電極とが対向していない請求項１ないし６のいずれかに記載の静電容量式の座標検出装置。
【請求項７】
前記基準コモン電極には、Ｙ方向に間隔を開けてＸ方向の両側に延びるコモン枝電極が形成され、前記第１の検出電極には、Ｘ方向に延びて前記コモン枝電極に対向する第１の補助電極が、前記第２の検出電極には、Ｘ方向に延びて前記コモン枝電極に対向する第２の補助電極がそれぞれ形成されており、
前記迂回路または前記迂回路の近傍では、前記コモン枝電極と前記第１の補助電極との対向長さ寸法が、前記コモン枝電極と前記第２の補助電極との対向長さ寸法よりも長く形成されている請求項１ないし６のいずれかに記載の静電容量式の座標検出装置。
【請求項８】
前記Ｘ方向に代えてＹ方向とし、前記Ｙ方向に代えてＸ方向とした請求項１ないし７のいずれかに記載の静電容量式の座標検出装置。
【請求項９】
請求項１ないし請求項７記載のものと、請求項８に記載のものとを備えて、接触体の接触箇所のＸ方向の座標位置とＹ方向の座標位置の双方の入力を可能としたことを特徴とする静電容量式の座標検出装置。
【請求項１０】
複数の穴が形成された基材シートと、前記基材シートの一方の面にＹ方向に延びるとともにＸ方向へ所定の間隔を開けて配置されてそれぞれに電圧が与えられる複数のＸ検出電極と、前記基材シートの他方の面にＸ方向に延びるとともにＹ方向へ所定の間隔を開けて配置されてそれぞれに電圧が与えられる複数のＹ検出電極と、いずれか一方の面に設けられ且つ隣り合うＸ検出電極および隣り合うＹ検出電極の双方に対向する複数のコモン電極と、前記Ｘ検出電極と前記コモン電極との間および前記Ｙ検出電極と前記コモン電極との間に所定のタイミングで前記電圧を印加する制御手段と、個々のＸ検出電極およびＹ検出電極と制御手段との間を接続する複数の引き出し線と、を有する静電容量式の座標検出装置において、
いずれかの端部に位置するＸ検出電極又はＹ検出電極の外側近傍には前記引き出し線が集中的に配線されるとともに、このＸ又はＹ検出電極の内側近傍には前記穴が対向配置されており、
前記基材シートを挟んで対向するＸ検出電極又はＹ検出電極と前記コモン電極の一方には、前記Ｘ検出電極又はＹ検出電極とコモン電極とを面対向させることにより、Ｘ検出電極又はＹ検出電極と前記コモン電極間の静電容量の調整を図る第１の調整電極が形成されていることを特徴とする静電容量式の座標検出装置。
【請求項１１】
前記基材シートを挟んで対向するＸ検出電極又はＹ検出電極と前記コモン電極の一方には、前記第１の調整電極に隣接し且つ前記基材シートを挟んで互いに重ならない位置で対向する第２の調整電極が形成されている請求項１０記載の静電容量式の座標検出装置。
【請求項１２】
前記コモン電極には、前記隣り合う一対のＸ検出電極および隣り合う一対のＹ検出電極の双方に対向し且つ前記穴を迂回して延びるコモン対向電極が設けられている請求項１０または１１記載の静電容量式の座標検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話機やＰＤＡなどの情報端末機器に搭載される座標検出装置に係わり、特に基材シートの表裏両面に複数のＸ電極とＹ電極とが互いに交差するようにそれぞれ配列される静電容量式の座標検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
本願発明に関する先行技術としては、例えば下記に示すような特許文献１が存在する。
特許文献１では、下部側に反転板１０を供えたスイッチ素子１１が設けられ、その上部側に静電容量式の座標検出装置（平板型入力装置４）が設けられている。前記スイッチ素子１１は、中心部の電極１３ａ１と、その周囲に設けられたリング状の電極１３ａ２とが樹脂シート１２上に設けられており、前記リング状の電極１３ａ２の表面に金属製のダイヤフラム型反転板１５が設けられている。一方、平板型入力装置４は、上下両面にＸ方向検出電極とＹ方向検出電極とがマトリックス状に対向配置された可撓性を有する樹脂シートを有している。前記樹脂シートの表面には文字、記号あるいは図形などが印字された表示シート７が積層されている。
【０００３】
前記表示シート７の触れた指を強く押し込むと、前記反転板１５が反転し、前記中心部の電極１３ａ１とリング状の電極１３ａ２が導通させられることにより、スイッチとしての入力ができるようになっている。またスイッチ操作の際には前記反転板１５が反転することにより、操作者にクリック感を与えることが可能とされている。
【０００４】
前記の装置では、前記表示シート７の表面に軽く触れた指などを移動させて文字を描くと、前記平板型入力装置４がＸ電極およびＹ電極との間の静電容量の変化から前記指の移動軌跡をＸＹ座標軸上の時間ごとの位置データとして検出することができるため、前記文字を入力することが可能となっている。
【０００５】
このような、静電容量式の座標検出装置としては例えば、以下の特許文献２などの先行技術が存在している。
【特許文献１】特開２００２−１２３３６３号公報
【特許文献２】特開平０８−１３７６０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記のような情報端末型の装置では、暗闇の中でも、操作者にスイッチの位置（文字等の位置）を認識することができるようにする必要がある。このためには、例えばスイッチ釦の表面に印字された文字、記号あるいは図形等を明るく表示させるＬＥＤなどの光源を前記装置内に設け、装置内から表示シート７の背面を照光することが好ましい。
【０００７】
しかし、前記光源と表示シート７の間には前記平板型入力装置４が設けられており、前記平板型入力装置４に設けられた多数のＸ電極およびＹ方電極が前記光源から発せられた光を遮断するため、前記表示シート７が暗くなりやすいという問題がある。
【０００８】
この点、例えばＸ電極およびＹ電極を透明電極（ＩＴＯ）により形成すれば、光源から発せられた光は前記ＩＴＯを通過して前記文字等を明るく表示させることが可能となり上記のよう問題は解決されるが、前記ＩＴＯは高価であるため、製造コストが高騰しやすいという問題がある。
【０００９】
また前記平板型入力装置４に前記光源の光が直接通り抜けるための穴を形成しておくことができれば、表示シート７の背面を明るく照光すること可能となる。
【００１０】
しかし、平板型入力装置４に穴を形成した場合には、前記Ｘ電極およびＹ電極は前記穴の位置を避けながら迂回するように配設しなければならなくなる。この場合、前記穴の形成位置によっては、迂回路を有する線路（Ｘ、Ｙ電極）と有さない線路（Ｘ、Ｙ電極）が混在してしまい、前記静電容量が各線路間で大きく異なってしまうため、座標位置を正しく検出することができなくなるという問題が生じる。
【００１１】
また特許文献２に示される静電容量式の座標検出装置では、複数のＸ電極とＹ電極のうち、一方の電極を接地状態（−電極）にしたときに他方の電極に＋側の電圧を印加する
構成であり、Ｘ電極とＹ電極はそのときどきの状況に応じて−電極になったり、＋電極
になったりする。前記Ｘ電極及びＹ電極には、他の回路に接続するための複数の引き出し線からなる配線パターンが形成されるが、近年の携帯端末機器の小型化に伴い、特に外側に配置された前記Ｘ電極またはＹ電極の近傍に密集する状態で配置しなければならなくなっている。
【００１２】
しかし、配線パターンを、外側のＸ電極やＹ電極の近傍に密集配置すると、外側のＸ電極やＹ電極に対する前記静電容量が不安定となり座標位置を正しく検出することが困難になるという問題も生じる。
【００１３】
本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、座標位置を検出するＸ電極およびＹ電極に基板上の穴などを避けるための迂回路を形成しなければならないような場合であっても、座標位置を正しく検出することを可能とした静電容量式の座標検出装置を提供することを目的としている。
【００１４】
また本発明は外側のＸ電極またはＹ電極の近傍に引き出し線が密集配置された場合であっても座標位置を正しく検出することを可能とした静電容量式の座標検出装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は、基材シートに、Ｙ方向に延びるとともにＸ方向へ間隔を開けて配置されてそれぞれに電圧が与えられる複数の検出電極と、隣り合う前記検出電極の間に位置して前記Ｙ方向に延びる複数のコモン電極とが形成され、
前記基材シートに導電体である接触体が接触または近接したときに、それぞれの前記検出電極とこれに対向する前記コモン電極との間の容量の変化を検出して前記接触体が接触又は近接した箇所のＸＹ座標平面上の位置が検出される静電容量式の座標検出装置において、
いずれかの前記コモン電極を基準コモン電極とし、前記検出電極のうち前記基準コモン電極の一方の側に隣接するのを第１の検出電極、他方の側に隣接するのを第２の検出電極としたときに、
特定箇所において、前記基準コモン電極と前記第１の検出電極、および前記基準コモン電極と第２の検出電極の少なくとも一方には、他方に接近する迂回路が形成されていることを特徴とするものである
例えば、前記基材シートに穴が形成されており、前記穴の側方に前記迂回路が形成されているものである。
【００１６】
また前記基材シートの一方の側に操作部材が、他方の側に前記操作部材で操作される電子部品が設けられており、前記操作部材の一部が前記穴を通過して前記電子部品を操作可能とされているものとして構成される。
【００１７】
あるいは、前記基材シートの穴に照明用の光源が配置され、または前記穴が前記光源から発せられた光の通路とされているものとして構成される。
【００１８】
上記において、前記基準コモン電極と前記第１の検出電極との間の容量をＣＲとし、前記基準コモン電極と前記第２の検出電極との間の容量をＣＬとしたときに、
一方の容量が、他方の容量の増減を補完し合うことにより、前記容量ＣＲと容量ＣＬとの合成容量が一定に維持されるように前記各電極のパターンが設定されているものが好ましい。
【００１９】
例えば、前記基準コモン電極には、Ｙ方向に間隔を開けてＸ方向の両側に延びるコモン枝電極が形成され、前記第１の検出電極には、Ｘ方向に延びて前記コモン枝電極に対向する第１の補助電極が、前記第２の検出電極には、Ｘ方向に延びて前記コモン枝電極に対向する第２の補助電極がそれぞれ形成されており、
前記迂回路または前記迂回路の近傍に、前記コモン枝電極と前記第１の補助電極とが設けられ、前記迂回路または前記迂回路の近傍では、前記コモン枝電極と前記第２の補助電極とが対向していないものとして構成できる。
【００２０】
あるいは、前記基準コモン電極には、Ｙ方向に間隔を開けてＸ方向の両側に延びるコモン枝電極が形成され、前記第１の検出電極には、Ｘ方向に延びて前記コモン枝電極に対向する第１の補助電極が、前記第２の検出電極には、Ｘ方向に延びて前記コモン枝電極に対向する第２の補助電極がそれぞれ形成されており、
前記迂回路または前記迂回路の近傍では、前記コモン枝電極と前記第１の補助電極との対向長さ寸法が、前記コモン枝電極と前記第２の補助電極との対向長さ寸法よりも長く形成されているものが好ましい。
【００２１】
なお、前記Ｘ方向に代えてＹ方向とし、前記Ｙ方向に代えてＸ方向とした構成とすることもできる。
【００２２】
上記の記載のものと、前記記載のものとを備えて、接触体の接触箇所のＸ方向の座標位置とＹ方向の座標位置の双方の入力を可能としたことを特徴とするものである。
【００２３】
また本発明は、複数の穴が形成された基材シートと、前記基材シートの一方の面にＹ方向に延びるとともにＸ方向へ所定の間隔を開けて配置されてそれぞれに電圧が与えられる複数のＸ検出電極と、前記基材シートの他方の面にＸ方向に延びるとともにＹ方向へ所定の間隔を開けて配置されてそれぞれに電圧が与えられる複数のＹ検出電極と、いずれか一方の面に設けられ且つ隣り合うＸ検出電極および隣り合うＹ検出電極の双方に対向する複数のコモン電極と、前記Ｘ検出電極と前記コモン電極との間および前記Ｙ検出電極と前記コモン電極との間に所定のタイミングで前記電圧を印加する制御手段と、個々のＸ検出電極およびＹ検出電極と制御手段との間を接続する複数の引き出し線と、を有する静電容量式の座標検出装置において、
いずれかの端部に位置するＸ検出電極又はＹ検出電極の外側近傍には前記引き出し線が集中的に配線されるとともに、このＸ又はＹ検出電極の内側近傍には前記穴が対向配置されており、
前記基材シートを挟んで対向するＸ検出電極又はＹ検出電極と前記コモン電極の一方には、前記Ｘ検出電極又はＹ検出電極とコモン電極とを面対向させることにより、Ｘ検出電極又はＹ検出電極と前記コモン電極間の静電容量の調整を図る
第１の調整電極が形成されていることを特徴とするものである。
【００２４】
上記発明では、外側に設けられたＹ検出電極またはＸ検出の近傍に引き出し線が密集配
置され、あるいは穴が形成されることにより、外側の検出電極との間で静電容量を形成するコモン電極を対向配置することができないような場合であっても、静電容量の不足分を補充することができるため、座標位置を正しく検出することができる。
【００２５】
さらには前記基材シートを挟んで対向するＸ検出電極又はＹ検出電極と前記コモン電極の一方には、前記第１の調整電極に隣接し且つ前記基材シートを挟んで互いに重ならない位置で対向する第２の調整電極が形成されているものが好ましい。
【００２６】
上記手段では、静電容量の不足分をさらに補充することができる。
前記コモン電極には、前記隣り合う一対のＸ検出電極および隣り合う一対のＹ検出電極の双方に対向し且つ前記穴を迂回して延びるコモン対向電極が設けられているものとして構成できる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の静電容量式の座標検出装置は、座標検出装置を構成する基材シートに穴を自由に開けることが可能となる。このため、ステムを有するキーを使用することが可能となり、前記ステムがダイヤフラムを操作できるようになるため、操作者に心地よいクリック感を与えることができるようになる。
【００２８】
また光源の光をキーの背面に導きやすくなるため、より明るい照光が可能となる。
さらに各電極間の静電容量の増減を補完し合うように電極パターンを形成することにより、基材シートに迂回路を形成しても、精度の高い座標位置を検出することが可能となる。
【００２９】
また外側に設けられたＹ検出電極またはＸ検出の近傍に引き出し線が密集配置され、あるいは穴が形成されることにより、外側の検出電極との間で静電容量を形成するコモン電極を対向配置することができず静電容量が不足するような場合であっても、構成伝教によりこの不足分を補充することができるため、座標位置を正しく検出することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下本発明の実施の形態について図面を参照にしつつ説明する。
図１は本発明の座標検出装置が搭載される情報端末機器としての携帯電話機を示す平面図、図２は図１のＩＩ−ＩＩ線断面図、図３は本発明の第１の実施の形態として座標検出装置を構成する基材シートと電極パターンを示す平面図、図４は図３の基材シートの一方の面に形成されたＸ検出電極とコモン電極とを示す平面図、図５は基材シートの一方の面に形成されたコモン電極と他方の面に形成されたＹ検出電極とを図４と同じ方向から見た場合の平面図である。なお、図３ないし図５ではステム１２ｂを通過させるための挿通穴２１ａのみを示し、光を通過させるための通路穴２１ｂは省略している。
【００３１】
図１は、主として情報端末機器としての携帯電話機１０の操作部１１を示している。図１に示すように操作部１１には一般的なキー配列からなる複数の操作キー（操作部材）１２が配列されている。図２に示すように、前記操作部１１は前記上部ケース１１Ａと下部ケース１１Ｂとが一体的に組み合わされている。前記上部ケース１１Ａには複数の開口穴１１ａ，１１ａ，・・・が形成されており、前記操作キー１２の表面であるキートップ１２ａがこれらの開口穴１１ａ，１１ａ，・・から外部に露出されている。前記キートップ１２ａには、文字、記号あるいは図形などが印字されている。
【００３２】
前記操作キー１２は透明または半透明な合成樹脂で形成されており、例えば各操作キー１２がフープ部（図示せず）を介して一体的に連結されたキーマットとして形成されてい
る。したがって、各操作キー１２は、前記本体側となるキーマットに対し、前記フープ部を介して図示Ｚ１−Ｚ２方向に弾性変形可能な状態で連結されている。各操作キー１２の背面（Ｚ２側の面）には、円柱形状からなるステム（押圧凸部）１２ｂが一体に突出形成されており、装置内部方向（Ｚ２方向）に延びている。
【００３３】
前記下部ケース１１Ｂには回路基板１３が固定されており、この回路基板１３には複数の電子部品１５と、光源１４が設けられている。前記操作キー１２は、前記ステム１２ｂの先端が各電子部品１５に対向するように配置されている。
【００３４】
前記電子部品１５は、例えばドーム形状からなる金属製の反転板と接触電極と有している。前記反転板の基端部は回路基板１３に設けられたリング状の電極に固定されており、反転板の内面が接触電極に対向している。前記反転板が反転し、反転板の内面が前記接触電極に接触することにより、前記接触電極とリング状電極とが導通させるスイッチ構造となっている。また前記光源１４はＬＥＤなどで構成されており、前記電子部品１５の周囲に設けられている。
【００３５】
図２に示すように、操作部１１の内部には座標検出装置２０が設けられており、座標検出装置２０は接着剤１６を介して前記キーマットの下面に固定されている。
【００３６】
前記座標検出装置２０は可撓性に優れたフィルム状の基材シート２１を有している。前記基材シート２１は誘電体で形成されているものが好ましい。図４に示すように、基材シート２１の一方の面には、Ｙ方向に延びるとともにＸ方向へ所定の間隔を開けて配置された複数のＸ検出電極１ｘ，２ｘ，３ｘ，４ｘ，５ｘ，６ｘと、同じくＹ方向に延びるとともにＸ方向へ所定の間隔を開け、且つ前記個々のＸ検出電極の間に配置された複数のコモン電極１ｋ，２ｋ，３ｋ，４ｋ，５ｋとが互いに接触しないように配線されている。前記各コモン電極１ｋ，２ｋ，３ｋ，４ｋ，５ｋはＹ２側の端部で一つに接続されており、コモン電極Ｋとして基材シート２１の外部に引き出されている。
【００３７】
また図５に点線で示すように、基材シート２１の他方の面には、Ｘ方向に延びるとともにＹ方向へ所定の間隔を開けて配置された複数のＹ検出電極１ｙ，２ｙ，３ｙ，４ｙ，５ｙ，６ｙ，７ｙ，８ｙが設けられている。なお、図５では基材シート２１の一方の面に設けられた前記コモン電極１ｋ，２ｋ，３ｋ，４ｋ，５ｋを実線で示している。
【００３８】
基材シート２１の一方に設けられた複数のＸ検出電極１ｘ，２ｘ，３ｘ，４ｘ，５ｘ，６ｘと、他方に設けられた複数のＹ検出電極１ｙ，２ｙ，３ｙ，４ｙ，５ｙ，６ｙ，７ｙ，８ｙとは、前記基材シート２１の両面において互いに垂直に交差するように配置されている。
【００３９】
図４および図５に示すように、前記コモン電極１ｋ，２ｋ，３ｋ，４ｋ，５ｋには、Ｘ方向の両側に向かって所定の長さ寸法で直線状に延びるコモン枝電極２２が複数形成されている。個々のコモン枝電極２２は、Ｙ方向に一定の間隔を開けて前記各コモン電極１ｋ，２ｋ，３ｋ，４ｋ，５ｋに交差するように設けられており、両側（Ｘ１およびＸ２）方向の先端は基本的に前記Ｘ検出電極１ｘ，２ｘ，３ｘ，４ｘ，５ｘ，６ｘに交差する寸前の位置まで延びている。
【００４０】
図４に示すように、個々のＸ検出電極１ｘ，２ｘ，３ｘ，４ｘ，５ｘ，６ｘには、Ｘ方向の両側に平行に延びる第１の補助電極２３が複数形成されている。前記第１の補助電極２３は、基本的には一対の平行電極２３ａ，２３ｂで形成されており、Ｙ方向に一定の間隔を開けるとともに前記Ｘ検出電極１ｘ，２ｘ，３ｘ，４ｘ，５ｘ，６ｘに交差するように配置されている。そして、前記第１の補助電極２３を形成する一方の平行電極２３ａと
他方の平行電極２３ｂ間には前記コモン枝電極２２の先端部が挿入されており、前記コモン枝電極２２の先端部が前記平行電極２３ａ，２３ｂに対して部分的に対向するように配置されている。
【００４１】
また図５に示すように個々のＹ検出電極１ｙ，２ｙ，３ｙ，４ｙ，５ｙ，６ｙ，７ｙ，８ｙには、Ｙ方向の両側に平行に延びる第２の補助電極２４が形成されている。前記第２の補助電極２４も、基本的には一対の平行電極２４ａ，２４ｂで形成されており、Ｘ方向に一定の間隔を開けて前記Ｙ検出電極１ｙ，２ｙ，３ｙ，４ｙ，５ｙ，６ｙ，７ｙ，８ｙに交差するように配置されている。図５に示すように、基材シート２１の他方の面に設けられた前記コモン電極１ｋ，２ｋ，３ｋ，４ｋ，５ｋは、前記基材シート２１の他方の面に設けられ且つ前記第２の補助電極２４を形成する一方の平行電極２４ａと他方の平行電極２４ｂの間を通るように配置されている。
【００４２】
なお、前記座標検出装置２０は、図４に示す前記Ｘ検出電極およびコモン電極が配線された基材シート２１の一方の面上には、前記Ｘ検出電極およびコモン電極を覆う表面シート（図示せず）が積層され、また図５に示す前記Ｙ検出電極が配線された基材シート２１の他方の面上にも前記Ｙ検出電極を覆う裏面シート（図示せず）が積層されている。
【００４３】
なお、前記基材シート２１は誘電体で形成されている場合には、前記表面シートおよび裏面シートは透明な絶縁シートであるものが好ましい。また前記基材シート２１は誘電体で形成されてない場合には、前記表面シートおよび裏面シートは誘電性を有する透明なシートが好ましい。
【００４４】
図２に示すように、上記基材シート２１（表面シートおよび裏面シートも同様）には、前記ステム１２ｂを通過させるための挿通穴２１ａや、光源１４が発した光を操作キー１２の背面に導く通路として機能する通路穴２１ｂが形成されている。よって、操作キー１２を押下したときに、前記ステム１２ｂが前記電子部品１５の反転板を反転動作させることができるため、操作者に心地よいクリック感を与えることができる。
【００４５】
また光源１４から発せられた光は、前記通路穴２１ｂを通路として通過することができるため、前記キー（操作部材）１２の背面を明るく照らし出すことができる。この場合、前記照明用の光源１４を前記基材シート２１に形成された通路穴２１ｂに対向させて配置すると、暗闇の中でもキートップ１２ａに印字等されている前記文字、記号あるいは図形をはっきりと認識させることが可能である。
【００４６】
以下には前記座標検出装置の動作について説明する。
最初に、前記コモン電極Ｋ、コモン枝電極２２、Ｘ検出電極およびＹ検出電極だけが設けられている場合、すなわち前記第１の補助電極２３および第２の補助電極２４を有しない場合の座標検出装置の動作について説明する。
【００４７】
図６は基準となるコモン電極とこれに隣接する２つのＸ検出電極を示す拡大して示す平面図、図７は基準となるコモン電極に設けられたコモン枝電極と隣接するＸ検出電極に設けられた平行電極との関係を拡大して示す平面図である。
【００４８】
図６に示すように、複数のコモン電極１ｋ，２ｋ，３ｋ，４ｋ，５ｋのうちのいずれか１つ、例えばコモン電極３ｋを基準コモン電極とすると、この基準コモン電極３ｋに隣接する一方の側（例えば右側）に位置するＸ検出電極は４ｘ、他方（左側）に位置するＸ検出電極は３ｘとなる。
【００４９】
前記基準コモン電極３ｋとＸ検出電極３ｘとの間は静電容量Ｃ１で結合され、および前
記基準コモン電極３ｋとＸ検出電極４ｘと間は静電容量Ｃ２で結合された状態にある。このため、図示しない発振手段などを用いて前記基準コモン電極３ｋに対してパルス状の電圧Ｖinを印加すると、前記Ｘ検出電極３ｘには静電容量Ｃ１を通して前記電圧Ｖinが印加され、同じくＸ検出電極４ｘには静電容量Ｃ２を通して前記電圧Ｖinが印加される。
【００５０】
なお、基準コモン電極３ｋとＸ検出電極３ｘとの間の電極間距離ｄおよび電極間の対向長さ寸法が、基準コモン電極３ｋとＸ検出電極４ｘとの間の電極間距離ｄおよび電極間の対向長さ寸法等しい場合には、両静電容量はＣ１＝Ｃ２となり、両電極間はバランス調整された状態にある。
【００５１】
この状態から、前記基準コモン電極３ｋを覆う前記表面シート上に指など接地状態にあって導電体である接触体を接触又は近接させると、前記基準コモン電極３ｋと前記Ｘ検出電極３ｘ、４ｘ間に生じている誘電束の一部が前記接触体側に引き抜かれるため、前記静電容量Ｃ１，Ｃ２が減少させられる。このため、前記Ｘ検出電極３ｘ、４ｘからは前記静電容量Ｃ１，Ｃ２の変化に応じた検出電圧Ｖoutが出力される。前記検出電圧Ｖoutは、接触体とＸ検出電極との距離が近いほどが小さな電圧値として出力される。すなわち、Ｘ検出電極３ｘ，４ｘから出力される電圧値が最も小さく、それ以外のＸ検出電極１ｘ，２ｘ，５ｘから出力される電圧値は大きいままである。このため、Ｘ検出電極１ｘ，２ｘ，３ｘ，４ｘ，５ｘ，６ｘの電圧値を、一定の周期で順次検出することにより、接触体のＸ方向の座標位置を決定することが可能となっている。
【００５２】
一方、図３ないし図に５示すものでは、前記コモン電極１ｋ，２ｋ，３ｋ，４ｋ，５ｋには、Ｘ方向に延びる複数のコモン枝電極２２がＹ方向に所定のピッチで７列形成されている。すなわち、Ｘ方に一列に並ぶ１組のコモン枝電極２２が全部で７組形成されている。前記Ｙ方向に所定のピッチで並ぶ７組のコモン枝電極２２と、その間に設けられた前記Ｙ検出電極１ｙ，２ｙ，３ｙ，４ｙ，５ｙ，６ｙ，７ｙ，８ｙとは互いに対向している。
【００５３】
前記７組のコモン枝電極２２のうちの１組を基準コモン電極とすると、前記基準コモン電極とＹ方向に隣接する２つのＹ検出電極との間にも上記同様の静電容量Ｃ１，Ｃ２がそれぞれ形成されている。よって、Ｘ検出電極の場合同様に、コモン電極Ｋ側に所定周期のパルス電圧Ｖinを与えるとともに、前記Ｙ検出電極１ｙ，２ｙ，３ｙ，４ｙ，５ｙ，６ｙ，７ｙ，８ｙから出力される検出電圧Ｖoutを所定の周期で順次検出することにより、接
触体のＹ方向の座標位置を決定することが可能である。
【００５４】
そして、座標検出装置２０は、このようなＸ方向の座標位置とＹ方向の座標位置を取得することにより、接触体の座標情報を携帯電話機１０に入力することが可能となっている。
【００５５】
しかしながら、図２に示すように、上記基材シート２１（表面シートおよび裏面シートも同様）には、前記ステム１２ｂを通過させるための挿通穴２１ａや、光源１４が発した光を操作キー１２の背面に導く通路として機能する通路穴２１ｂが形成されている。このため、前記コモン電極、コモン枝電極２２、Ｘ検出電極およびＹ検出電極を、前記基材シート２１上に直線的に形成することができず、前記挿通穴２１ａを避けた迂回路２６が部分的に形成されている。
【００５６】
しかし、コモン電極１ｋ，２ｋ，３ｋ，４ｋ，５ｋ、コモン枝電極２２、Ｘ検出電極およびＹ検出電極に部分的な迂回路を形成すると、前記コモン電極１ｋ，２ｋ，３ｋ，４ｋ，５ｋと、これに隣接するＸ検出電極１ｘ，２ｘ，３ｘ，４ｘ，５ｘ，６ｘとの間の個々の静電容量、および前記Ｙ方向に所定のピッチで並ぶ７組のコモン枝電極２２とこれに隣接する前記Ｙ検出電極１ｙ，２ｙ，３ｙ，４ｙ，５ｙ，６ｙ，７ｙ，８ｙとの間の個々の
静電容量は、互いの電極間距離の違いにより異なる大きさで形成される。すなわち基準コモン電極と、これに隣接するＸ検出電極（またはＹ検出電極）との間に形成される前記静電容量Ｃ１，Ｃ２が一定の大きさではないため、前記前記Ｘ検出電極またはＹ検出電極から検出される電圧値からでは前記接触体のＸ座標およびＹ座標を正しく検出することができない。
【００５７】
そこで、本願発明では上記のように、前記Ｘ検出電極１ｘ，２ｘ，３ｘ，４ｘ，５ｘ，６ｘに複数の第１の補助電極２３を形成し、またＹ検出電極１ｙ，２ｙ，３ｙ，４ｙ，５ｙ，６ｙ，７ｙ，８ｙに複数の第２の補助電極２４を形成することで対処しており、以下にその動作を説明する。
【００５８】
図７に示すように、複数のコモン電極１ｋ，２ｋ，３ｋ，４ｋ，５ｋのうちのいずれか一つを基準コモン電極ＢＫとし、この基準コモン電極ＢＫに隣接する一方の側（例えば右側）に位置するＸ検出電極を第１の検出電極ＸＲ、他方（左側）に位置するＸ検出電極を第２の検出電極ＸＬとする。なお、前記第１の検出電極ＸＲおよび第２の検出電極ＸＬは、前記Ｘ検出電極１ｘ，２ｘ，３ｘ，４ｘ，５ｘ，６ｘのうち隣接するいずれか２つである。
【００５９】
また前記基準コモン電極ＢＫからＸ１方向に延びるコモン枝電極２２の先端が、前記第１の検出電極ＸＲからＸ２方向に延びる一対の平行電極（第１の補助電極）２３ａ，２３ｂ間に対向配置される箇所を第１の容量調整部２５Ａ、同様に前記基準コモン電極ＢＫからＸ２方向に延びるコモン枝電極２２の先端が、前記第２の検出電極ＸＬからＸ１方向に延びる一対の平行電極（第２の補助電極）２３ａ，２３ｂ間に対向配置される箇所を第２の容量調整部２５Ｂとする。
【００６０】
第１，第２の補助電極における前記平行電極２３ａ，２３ｂとコモン枝電極２２とが対向する部分の長さ寸法（対向長さ寸法）をＬ、前記平行電極２３ａ，２３ｂとコモン枝電極２２との電極間距離をｄ、基材シート２１の誘電率をεとし、各電極のＺ方向の膜厚寸法をδ（図示せず）すると、第１の容量調整部２５Ａにおける静電容量ＣＡは以下の数１となる。
【００６１】
【数１】
2006012110.tif 000003
【００６２】
同様に、第２の容量調整部２５Ｂにおける静電容量ＣＢは以下の数２で表わせる。
【００６３】
【数２】
2006012110.tif 000004
【００６４】
前記誘電率ε、各電極の膜厚寸法δは一定値とみなすことができるため、結果として前
記静電容量ＣＡ，ＣＢはともに電極間の対向長さ寸法Ｌに比例する。
【００６５】
そして、このような第１，第２の容量調整部２５Ａ，２５Ｂは、一つの基準コモン電極ＢＫの左右両側に複数（図３ないし図５に示す例ではそれぞれ７箇所だが、ここではｎ箇所とする）設けられている。また元から前記基準コモン電極ＢＫと第１の検出電極ＸＲ間に存在している静電容量をＣ１、元から前記基準コモン電極ＢＫと第２の検出電極ＸＬ間に存在する静電容量をＣ２とすると、
前記基準コモン電極ＢＫと第１の検出電極ＸＲの間には、前記静電容量Ｃ１と前記ｎ箇所の第１の容量調整部２５Ａに形成される前記静電容量ＣＡとが並列接続された状態で存在するのと等価であるため、この間の合成容量ＣＲはＣＲ＝Ｃ１＋ｎ・ＣＡである。同様に、前記基準コモン電極ＢＫと第２の検出電極ＸＬの間には、前記静電容量Ｃ２とｎ箇所の第２の容量調整部２５Ｂに形成される前記静電容量ＣＢとが並列接続された状態で存在するのと等価であるため、この間の合成容量ＣＬはＣＬ＝Ｃ２＋ｎ・ＣＢである。
【００６６】
ところで、コモン電極１ｋ，２ｋ，３ｋ，４ｋ，５ｋに所定の電圧Ｖinを印加して、前記Ｘ検出電極１ｘ，２ｘ，３ｘ，４ｘ，５ｘ，６ｘから検出電圧Ｖoutを取得する場合、
１つのＸ検出電極にはその両側に位置する２つのコモン電極から電圧Ｖinが与えられる。例えば、Ｘ検出電極２ｘから電圧を検出する場合、前記Ｘ検出電極２ｘには隣接するコモン電極１ｋとコモン電極２ｋの双方から電圧Ｖinが作用するため、前記Ｘ検出電極２ｘに対する合成容量Ｃは、コモン電極１ｋとＸ検出電極２ｘとの間の静電容量Ｃ１と、コモン電極２ｋとＸ検出電極２ｘとの間の静電容量Ｃ２とが並列接続された値（Ｃ＝Ｃ１＋Ｃ２）となる。
【００６７】
よって、前記基準コモン電極ＢＫと第１，第２の検出電極ＸＲ，ＸＬとの間の総合的な合成容量Ｃは以下の数３となる。
【００６８】
【数３】
2006012110.tif 000005
【００６９】
すなわち、複数の第１，第２の容量調整部２５Ａ，２５Ｂを形成することにより、基準コモン電極ＢＫと第１，第２の検出電極ＸＲ，ＸＬとの間の静電結合を高め、総合的な合成容量Ｃを大きくすることにより、接触体が接近または近接したときの静電容量の変動を大きくすることができる。このため、各Ｘ検出電極およびＹ検出電極から検出される電圧値の変化を確実に捕らえることができ、座標検出装置の検出精度を高めることが可能となる。
【００７０】
しかも、数３はｎ・（ＣＡ＋ＣＢ）に相当する静電容量を有することにより、総合的な合成容量Ｃの調整の幅を広げることが可能である。すなわち、前記ｎ・（ＣＡ＋ＣＢ）に相当する静電容量は複数の第１，第２の容量調整部２５Ａ，２５Ｂにより形成されているため、これらを適正に調整することにより、前記総合的な合成容量Ｃの変動を低く抑えること、すなわち各電極間に形成される合成容量Ｃを一定に維持することができる。
【００７１】
次に、合成容量Ｃの調整手法の一例について説明する。
まず図７に示す関係を有する状態、すなわち元々の基準コモン電極ＢＫと第１の検出電極ＸＲとの間の静電容量Ｃ１と、元々の基準コモン電極ＢＫと第２の検出電極ＸＬとの間の静電容量Ｃ２とが同じ大きさ（Ｃ１＝Ｃ２）にあり、かつ複数の第１の容量調整部２５
Ａの静電容量ｎ・ＣＡと複数の第２の容量調整部２５Ｂの静電容量ｎ・ＣＢとが同じ大きさ（ｎ・ＣＡ＝ｎ・ＣＢ）にある場合（ＣＬ（＝Ｃ１＋ｎ・ＣＡ）＝ＣＲ（＝Ｃ２＋ｎ・ＣＢ））を、バランス調整が維持された基準状態とする。なお、基準状態における総合的な合成容量Ｃは上記数３となる。
【００７２】
次に、図４を参考に、コモン電極１ｋを基準コモン電極ＢＫとし、Ｘ１側のＸ検出電極２ｘを第１の検出電極ＸＲ、Ｘ２側のＸ検出電極１ｘを第２の検出電極ＸＬとした場合について説明する。
【００７３】
図４に示すように、Ｘ検出電極２ｘが延びるＹ方向の途中には、「ＯＦＦ」，「１」、「４」、「７」、「＊」等の文字が印字された操作キー１２のステム１２ｂが挿通されるための５つの挿通穴２１ａが所定のピッチで形成されている。そして、この挿通穴２１ａの側方には、前記Ｘ検出電極２ｘを形成する５つの迂回路２６（個別に２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅで示す。）が形成されている。前記各迂回路２６は前記挿通穴２１ａを避けるように略円弧形状に形成されており、すべての迂回路２６は前記基準コモン電極ＢＫであるコモン電極１ｋから見て図示Ｘ１方向に凸状に突出するように形成されている。また各挿通穴２１ａに隣接し且つ前記第１の検出電極ＸＲ（Ｘ検出電極２ｘ）の右側に設けられる複数の第１の容量調整部２５Ａのほとんどは、平行電極２３ａ，２３ｂの一方または双方をＸ２方向に延ばすことができない状態にある。
【００７４】
このため、前記基準コモン電極ＢＫであるコモン電極１ｋと、第１の検出電極ＸＲであるＸ１側のＸ検出電極２ｘとの間では、元々の静電容量Ｃ１および複数の第１の容量調整部２５Ａで形成される静電容量ｎ・ＣＡがともに小さく、この間の合成容量ＣＲは前記基準状態よりも小さい状態にある。
【００７５】
一方、前記基準コモン電極ＢＫであるコモン電極１ｋと、第２の検出電極ＸＬであるＸ１側のＸ検出電極１ｘの間では、コモン電極１ｋとＸ検出電極１ｘとが一定の距離が維持されているため、この間の元々の静電容量Ｃ１は前記基準状態の場合とほぼ同じである。ただし、Ｘ検出電極１ｘからＸ１方向に延びる平行電極２３ａ，２３ｂの長さ寸法は前記基準状態における長さ寸法より長めに形成されており、前記平行電極２３ａ，２３ｂとコモン枝電極２２との間の対向長さ寸法Ｌが長くなっている。
【００７６】
すなわち、前記基準コモン電極ＢＫであるコモン電極１ｋと、第２の検出電極ＸＬとの間では、前記複数の第２の容量調整部２５Ｂで形成される静電容量ｎ・ＣＢは大きくなるように形成されており、この間の合成容量ＣＬは前記基準状態よりも大きな状態にある。
【００７７】
そして、総合的な合成容量Ｃ＝ＣＲ＋ＣＬは、前記基準状態に一致するように設定されている。すなわち、基準コモン電極ＢＫに対し右側となる一方の合成容量ＣＲの減少分を、左側となる他方の合成容量ＣＬで補完することにより、全体としての総合的な合成容量（基準コモン電極ＢＫと第１，第２の検出電極ＸＲ，ＸＬ間の合成容量）Ｃが一定値に維持されている。
【００７８】
またコモン電極３ｋが延びるＹ方向の途中には、「２」，「５」、「８」、「０」の文字が印字された操作キー１２のステム１２ｂが挿通されるための４つの挿通穴２１ａが所定のピッチで形成されているが、この場合も上記同様の処置を施すことにより、コモン電極３ｋに対し一方のＸ検出電極４ｘとの間の合成容量ＣＲの減少または増加分を、他方のＸ検出電極３ｘとの間の合成容量ＣＬで補完することにより、全体としての総合的な合成容量（基準コモン電極ＢＫと第１，第２の検出電極ＸＲ，ＸＬ間の合成容量）Ｃが基準状態に一致するように一定に維持されている。
【００７９】
このように、本願発明では、基準コモン電極ＢＫと、その一方に隣接する第１の検出電極ＸＲとの間の前記合成容量ＣＬと、その他方に隣接する第２の検出電極ＸＬとの間の前記合成容量ＣＬうち、一方の合成容量が減少状態にある場合には、他方の合成容量を増加させることにより、あるいは一方の合成容量が増加状態にある場合には、他方の合成容量を減少させることにより、全体としての総合的な合成容量Ｃ（＝ＣＬ＋ＣＲ）が常に一定となるように、前記静電容量ｎ・ＣＡおよびｎ・ＣＢを形成する複数の第１の容量調整部２５Ａおよび第２の容量調整部２５Ｂの調整がなされている。すなわち、一方の合成容量ＣＬが、他方の合成容量ＣＲの増減を補完できるように、各電極パターンが形成されている。
【００８０】
なお、上記のような構成は、Ｙ方向に所定のピッチで並ぶ７組のコモン枝電極２２とＹ検出電極１ｙ，２ｙ，３ｙ，４ｙ，５ｙ，６ｙ，７ｙ，８ｙとの間でもそれぞれ上記同様の処置が施されている。
【００８１】
このため、本発明の座標検出装置２０では、基材シートに穴等が形成さており、各電極を直線状に配線することができない場合でも、コモン電極Ｋと各Ｘ検出電極またはＹ検出電極間の静電容量を場所によらず一定に維持することができる。よって、指など接地状態にある接触体を前記座標検出装置２０の表面に接触又は近接させたときに、接触体が接触または近接したＸ方向の座標位置を高い精度で検出することが可能である。
【００８２】
図８はＸ検出電極側の等価回路とその電圧検出手段の構成を示す概念図である。
図８に示す電圧検出手段では、所定周波数の電圧Ｖinを発振することが可能な発振手段３１などを用いて前記コモン電極Ｋに対して所定の電圧Ｖinを印加すると、各Ｘ検出電極１ｘ，２ｘ，３ｘ，４ｘ，５ｘ，６ｘには前記合成容量ＣＲおよびＣＬに応じた検出電圧Ｖoutが出力される。よって、例えばマルチプレクサ３２などを駆使し、所定のサンプリ
ング周期で前記Ｘ検出電極１ｘ，２ｘ，３ｘ，４ｘ，５ｘ，６ｘを順次選択しつつ、図示しないＡ／Ｄ変換手段を用いて前記Ｘ検出電極１ｘ，２ｘ，３ｘ，４ｘ，５ｘ，６ｘに出力される各検出電圧Ｖoutを高い精度で取得することが可能となっている。
【００８３】
上記実施の形態では、コモン電極Ｋに電圧Ｖinを与え、Ｘ検出電極１ｘ，２ｘ，３ｘ，４ｘ，５ｘ，６ｘ側から検出電圧Ｖoutを検出するようにしたが、本発明はこれに限られ
るものではなく、Ｘ検出電極１ｘ，２ｘ，３ｘ，４ｘ，５ｘ，６ｘ側に電圧Ｖinを与えてコモン電極Ｋから検出電圧Ｖoutを検出するようにしてもよい。
【００８４】
また上記実施の形態では、基材シート２１の一方の面に形成された電極パターンをコモン電極およびＸ検出電極とし、他方の面に形成された電極パターンをＹ検出電極としたものを説明したが、本発明はこれに限られるものではなく、基材シート２１の一方の面に形成された電極パターンをコモン電極とＹ検出電極とし、他方の面に形成された電極パターンをＸ検出電極とて使用するものであってもよい。さらには、前記一方の面に形成された電極パターンをＹ検出電極とし、且つ前記他方の面に形成された電極パターンをＸ検出電極とした構成であってもよい。すなわちＸ検出電極とＹ検出電極を入れ替えた構成であってもよい。
【００８５】
次に、前記操作部１１の内部に図９に示すような座標検出装置４０が設けられた場合について説明する。
【００８６】
図９は本発明の第２の実施の形態として座標検出装置を構成する基材シート２１と電極パターンを示す平面図、図１０Ａは図９を部分的に拡大して示す平面図、図１０Ｂはその断面図である。この場合、前記座標検出装置４０は接着剤１６を介して前記キーマットの下面に固定されている。
【００８７】
なお、図９では主としてハッチング無しの実線が基材シート２１の一方の面に形成されたＸ検出電極１ｘ，２ｘ，３ｘ，４ｘ，５ｘ，６ｘを示し、ハッチング有りの実線が一方の面に形成されたコモン電極１ｋ，２ｋ，３ｋ，４ｋ，５ｋとを示している。また点線は基材シート２１の他方の面に形成されたＹ検出電極１ｙ，２ｙ，３ｙ，４ｙ，５ｙ，６ｙ，７ｙ，８ｙを示している。また太線の正方形が挿通穴２１ａを、同じく太線の長方形が通路穴２１ｂを示し、また丸型の穴は基材シート２１を固定するための取付け穴２１ｃを示している。
【００８８】
前記座標検出装置４０は可撓性に優れたフィルム状の基材シート２１を有している。なお、前記基材シート２１は誘電体で形成されている。図９に示すように、基材シート２１には、前記ステム１２ｂを通過させるための挿通穴２１ａや、光源１４が発した光を操作キー１２の背面に導く通路として機能する通路穴２１ｂが形成されている。よって、操作キー１２を押下したときに、前記ステム１２ｂが前記電子部品１５の反転板を反転動作させることができるため、操作者に心地よいクリック感を与えることができる。
【００８９】
また光源１４から発せられた光は、前記通路穴２１ｂを通路として通過することができるため、前記キー（操作部材）１２の背面を明るく照らし出すことができる。この場合、前記照明用の光源１４を前記基材シート２１に形成された通路穴２１ｂに対向させて配置すると、暗闇の中でもキートップ１２ａに印字等されている前記文字、記号あるいは図形をはっきりと認識させることが可能である。
【００９０】
前記基材シート２１の一方の面には、Ｙ方向に延びるとともにＸ方向へ所定の間隔を開けて配置された複数のＸ検出電極１ｘ，２ｘ，３ｘ，４ｘ，５ｘ，６ｘが設けられている。また前記基材シート２１に形成されている挿通穴２１ａや通路穴２１ｂを避けながら全体としてＹ方向に延びる複数のコモン電極１ｋ，２ｋ，３ｋ，４ｋ，５ｋ（コモン電極Ｋ）が、Ｘ検出電極１ｘ，２ｘ，３ｘ，４ｘ，５ｘ，６ｘに対して接触しない位置で且つＸ方向へ間隔を開けて配置されている。
【００９１】
前記コモン電極１ｋは図示Ｙ方向に並ぶとともに前記Ｙ検出電極１ｙ，２ｙ，３ｙ，４ｙ，５ｙ，６ｙ，７ｙ，８ｙのそれぞれに対し部分的に平行に対向するコモン対向電極１ｋ２，１ｋ３，１ｋ４，１ｋ５，１ｋ６，１ｋ７，１ｋ８を有し、図示左端側でＹ方向に延びている。同様に前記コモン電極２ｋは、各Ｙ検出電極１ｙないし８ｙのそれぞれに対し部分的に平行に対向するコモン対向電極２ｋ１，２ｋ２，２ｋ３，２ｋ４，２ｋ５，２ｋ６，２ｋ７，２ｋ８を有し、同様に前記コモン電極３ｋは各Ｙ検出電極１ｙないし８ｙのそれぞれに対し部分的に平行に対向するコモン対向電極３ｋ２，３ｋ３，３ｋ４，３ｋ５，３ｋ６，３ｋ７，３ｋ８を有し、同様に前記コモン電極４ｋは各Ｙ検出電極１ｙないし８ｙのそれぞれに対し部分的に平行に対向するコモン対向電極４ｋ１，４ｋ２，４ｋ３，４ｋ４，４ｋ５，４ｋ６，４ｋ７，４ｋ８を有し、同様に前記コモン電極５ｋは各Ｙ検出電極１ｙないし８ｙのそれぞれに対し部分的に平行に対向するコモン対向電極５ｋ２，５ｋ３，５ｋ４，５ｋ５，５ｋ６，５ｋ７，５ｋ８を有している。前記各コモン電極１ｋ，２ｋ，３ｋ，４ｋ，５ｋは、図示Ｙ２側のコモン対向電極１ｋ８，２ｋ８，３ｋ８，４ｋ８，５ｋ８で接続されることにより、等電位に設定されている。コモン電極Ｋ（コモン電極１ｋ，２ｋ，３ｋ，４ｋ，５ｋ）のうちのコモン電極４ｋのＹ２側の端部（コモン対向電極４ｋ１）には接地用の引き出し線２８が設けられており、後述する制御用ＩＣ（制御手段）５０に接続されている。
【００９２】
またコモン電極１ｋでは、Ｙ方向に隣接するコモン対向電極１ｋ８とコモン対向電極１ｋ７とがＹ方向に延びるコモン対向電極１ｋａで連結され、コモン対向電極１ｋ６とコモン対向電極１ｋ５とがコモン対向電極１ｋｂで連結され、コモン対向電極１ｋ４とコモン
対向電極１ｋ３とがコモン対向電極１ｋｃで連結され、コモン対向電極１ｋ５とコモン対向電極１ｋ４とがコモン対向電極１ｋｃで連結されている。そして、コモン対向電極１ｋ２からはＹ方向に延びるコモン対向電極１ｋｄが設けられている。なお、Ｙ方向に延びる前記コモン対向電極１ｋａ，１ｋｂ，１ｋｃおよび１ｋｄとＸ検出電極１ｘとが部分的に対向し、これらの間に静電容量が形成される。
【００９３】
一対のコモン対向電極１ｋ７とコモン対向電極１ｋ６、一対のコモン対向電極１ｋ５とコモン対向電極１ｋ４、および一対のコモン対向電極１ｋ３とコモン対向電極１ｋ２は互いに平行な状態で対向配置されており、上記第１の実施の形態同様の平行電極を形成している。
【００９４】
そして、上記第１の実施形態同様に、前記Ｘ検出電極１ｘにはＸ方向に延びる複数のコモン枝電極２２が形成されており、各コモン枝電極２２はそれぞれ一対のコモン対向電極により形成された平行電極間に対向配置され、第１の容量調整部が形成されている。
【００９５】
またＸ方向電極２ｘにはＸ１およびＸ２方向に延びる複数のコモン枝電極２２が形成されており、各コモン枝電極２２はそれぞれコモン電極１ｋまたはコモン電極２ｋに一対のコモン対向電極で形成された平行電極間に対向配置され、第２の容量調整部が形成されている。
【００９６】
ここで、コモン電極１ｋを基準コモン電極ＢＫとすると、Ｘ検出電極１ｘが第１の検出電極ＸＲ、Ｘ検出電極２ｘが第２の検出電極ＸＬに相当する。このため、第１の実施の形態同様に第１の容量調整部と前記第２の容量調整部とにより、基準コモン電極（コモン電極１ｋ）と第１の検出電極（Ｘ検出電極１ｘ）および第２の検出電極（Ｘ検出電極２ｘ）間の総合的な合成容量Ｃの変動を低く抑えること、すなわち各電極間に形成される合成容量Ｃを一定に維持することができるようになっている。
なお、このような関係は、他のコモン電極と他のＸ検出電極との間でも同様である。
【００９７】
一方、Ｘ方向に直線的に延びるＹ検出電極８ｙでは、前記Ｙ検出電極８ｙの図示Ｙ１側に位置する各コモン対向電極１ｋ８，３ｋ８，５ｋ８との間に静電容量が形成され、前記Ｙ検出電極８ｙの図示Ｙ２側に位置するコモン対向電極２ｋ８，４ｋ８との間に静電容量が形成される。すなわち、５つのコモン対向電極１ｋ８，２ｋ８，３ｋ８，２ｋ８，４ｋ８，５ｋ８が前記Ｙ検出電極８ｙの両側の位置で交互に対向し、これらの間に所定の静電容量が形成される。
【００９８】
同様に、迂回路２６，２６を有するＹ検出電極７ｙにおいても、５つのコモン対向電極１ｋ７，２ｋ７，３ｋ７，２ｋ７，４ｋ７，５ｋ７が前記Ｙ検出電極７ｙの両側の位置で交互に対向し、これらの間に所定の静電容量が形成される。以下同様に、Ｙ検出電極１ｙを除くＹ検出電極６ｙ，５ｙ，４ｙ，３ｙ，２ｙについても５箇所のコモン対向電極を介して所定の静電容量を形成されるようになっている。
【００９９】
ところで、図９に示すように、基材シート２１には各Ｘ検出電極とコモン電極Ｋ間および各Ｙ検出電極とコモン電極Ｋの間に所定のサンプリング周期の電圧を印加し、個々の静電容量の変位を検出するための制御用ＩＣ５０が設けられている。前記基材シート２１の一方の面に形成された各Ｘ検出電極１ｘ，２ｘ，３ｘ，４ｘ，５ｘ，６ｘの図示Ｙ２側の端部には、前記制御用ＩＣ５０の接続端子まで延びる引き出し線２７がそれぞれ接続されている。
【０１００】
また基材シート２１の他方の面では、Ｙ検出電極１ｙ，２ｙ，３ｙ，４ｙが図示Ｘ２側の端部に設けられた各引き出し線２９を介して、Ｙ検出電極５ｙ，６ｙ，７ｙ，８ｙが図
示Ｘ１側の端部に設けられた各引き出し線２９を介して、それぞれ制御用ＩＣ５０に接続されている。
【０１０１】
前記各引き出し線２７，２８，２９は、前記Ｙ検出電極１ｙのＹ２側の側部に密集配置されている。また前記Ｙ検出電極１ｙのＹ１側には、３つの挿通穴２１ａ，２１ａ，２１ａが対向配置されている。前記Ｙ検出電極１ｙについては、挿通穴２１ａを有しない部分のコモン対向電極２ｋ１，４ｋ１が前記Ｙ検出電極１ｙのＹ１側で対向し、この部分で静電容量を形成している、しかしながら、挿通穴２１ａが設けられた部分では前記Ｙ検出電極１ｙに対してコモン対向電極を配置することが物理的に不可能な状態にある。しかも前記Ｙ検出電極１ｙのＹ２側には前記引き出し線２７，２８，２９が密集配置されているため、この部分にもコモン対向電極を配置することができない状態にある。
【０１０２】
よって、Ｙ検出電極１ｙに対する静電容量Ｃ１ｙは、Ｙ１側に設けられた２箇所のコモン対向電極２ｋ１，４ｋ１と前記Ｙ検出電極１ｙとの間で形成され、その他のＹ検出電極２ｙないし８ｙに対する静電容量のように５箇所のコモン対向電極によって形成される静電容量Ｃ２ｙ，Ｃ３ｙ，Ｃ４ｙ，Ｃ５ｙ，Ｃ６ｙ，Ｃ７ｙ，Ｃ８ｙに比較して著しく小さくならざる負えない（Ｃ１ｙ＜Ｃ２ｙ，Ｃ３ｙ，Ｃ４ｙ，Ｃ５ｙ，Ｃ６ｙ，Ｃ７ｙ，Ｃ８ｙ）。このため、Ｙ検出電極１ｙに沿う座標位置を正しく検出することができいおそれがある。
【０１０３】
そこで、本願発明では、前記コモン対向電極１ｋｄ，５ｋｄに面対向可能な第１の調整電極１ｙａ，１ｙｂを、Ｙ検出電極１ｙに設けたことで対処しており、以下にその動作を説明する。
【０１０４】
コモン対向電極１ｋｄ，５ｋｄは、それぞれ挿通穴２１ａの左側部または右側部の位置で図示Ｙ方向に延びる電極として形成されている。一方、図示Ｘ２およびＸ１側の端部には、前記Ｙ検出電極１ｙからＹ１方向に延びる第１の調整電極１ｙａ，１ｙｂが、前記コモン対向電極１ｋｄ，５ｋｄに面対向させてある。図１０Ａおよび図１０Ｂに示すように、前記第１の調整電極１ｙａ，１ｙｂと前記コモン対向電極１ｋｄ，５ｋｄとは、その間に設けられた誘電体からなる基材シート２１を介して対向しており、両者の間には対向面積に比例する静電容量Ｃａ形成される。
【０１０５】
各電極の対向部分の幅寸法Ｗは電極の膜厚寸法δよりも大きいため、電極の単位長さ当たりの静電容量値は、前記第１の調整電極１ｙａ，１ｙｂと前記コモン対向電極１ｋｄ，５ｋｄとを面対向させた場合の静電容量Ｃａの方が、電極を平行に並べて膜厚寸法δどうしを対向させた場合の静電容量Ｃｂに比較して十分に大きくすることができる。
【０１０６】
すなわち、前記Ｙ検出電極２ｙないし８ｙに対する静電容量Ｃ２ｙ，Ｃ３ｙ，Ｃ４ｙ，Ｃ５ｙ，Ｃ６ｙ，Ｃ７ｙ，Ｃ８ｙなどに比較して、Ｙ検出電極１ｙに対する静電容量Ｃ１ｙの足りない分を、前記第１の調整電極１ｙａ，１ｙｂと前記コモン対向電極１ｋｄ，５ｋｄとを面対向させることにより形成される静電容量Ｃａで補充することができる。よって、Ｙ検出電極１ｙないし８ｙに対する静電容量のすべてを同程度の大きさとすることができる（Ｃ１ｙ≒Ｃ２ｙ≒Ｃ３ｙ≒Ｃ４ｙ≒Ｃ５ｙ≒Ｃ６ｙ≒Ｃ７ｙ≒Ｃ８ｙ）。
【０１０７】
ただし、前記第１の調整電極１ｙａ，１ｙｂと前記コモン対向電極１ｋｄ，５ｋｄとの面対向部分に形成される静電容量Ｃａによっても、足りない分を補充することができない場合には、例えば図９および１０に示すように前記第１の調整電極１ｙａ，１ｙｂと隣接し且つ前記基材シート２１を挟んで互いに重ならない位置で平行に対向する第２の調整電極１ｙｃを形成し、この第２の調整電極１ｙｃとコモン対向電極１ｋｄ，５ｋｄとの間に形成される静電容量Ｃｂで足りない分の静電容量を補充するようにしてもよい。
【０１０８】
またＹ検出電極１ｙに対する静電容量Ｃ１ｙが、その他の各Ｙ検出電極２ｙないし８ｙに対する静電容量Ｃ２ｙ，Ｃ３ｙ，Ｃ４ｙ，Ｃ５ｙ，Ｃ６ｙ，Ｃ７ｙ，Ｃ８ｙよりも大きすぎる場合には、図１０Ａに示すように、第１の調整電極１ｙａ，１ｙｂの長さ寸法を短く切断し、前記第１の調整電極１ｙａ，１ｙｂと前記コモン対向電極１ｋ１，５ｋ１との間の実質的な対向面積を減少させることにより、前記静電容量Ｃ１ｙを前記静電容量Ｃ２ｙ，Ｃ３ｙ，Ｃ４ｙ，Ｃ５ｙ，Ｃ６ｙ，Ｃ７ｙ，Ｃ８ｙと同じ所定の値に調整するようにしてもよい。この場合の調整は、前記のように第１の調整電極１ｙａ，１ｙｂ側を切断してもよいし、コモン対向電極１ｋｄ，５ｋｄ側を切断するものであってもよい。
【０１０９】
なお、前記第１の調整電極１ｙａ，１ｙｂを含むＹ検出電極１ｙ、コモン対向電極１ｋｄ，５ｋｄを含むコモン電極１ｋ，５ｋなどは、基材シート２１の表面に、エッジング処理などを用いて銅箔をパターニングすることにより形成するこことができるため、その切断も容易である。
【０１１０】
また、あらかじめ切断後の第１の調整電極１ｙａ，１ｙｂの長さ寸法または切断後のコモン対向電極１ｋｄ，５ｋｄの長さ寸法が判明している場合には、パターニングの段階で、所定の長さで形成しておくことができる。この場合、調整用の切断作業を不用とすることができる点で好ましい。
【０１１１】
このように、第２の実施の形態に示すものでは、外側に設けられたＹ検出電極１ｙの近傍に引き出し線が密集配置され、あるいは穴が形成されることにより、Ｙ検出電極１ｙに対して静電容量を形成するコモン対向電極を対向配置することができないような場合であっても、静電容量の不足分を補充することができるため、座標位置を正しく検出することができる。
【０１１２】
なお、第２実施の形態では、外側に設けられた電極としてＹ検出電極１ｙを例示して説明したが、本発明はこれに限られるものではなく、外側に設けられた電極であればＹ検出電極８ｙ、またはＸ検出電極１ｘまたは６ｘであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１１３】
【図１】図１は本発明の座標検出装置が搭載される情報端末機器としての携帯電話機を示す平面図、
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線断面図、
【図３】本発明の第１の実施の形態として座標検出装置を構成する基材シートと電極パターンを示す平面図、
【図４】図３の基材シートの一方の面に形成されたＸ検出電極とコモン電極とを示す平面図、
【図５】図３の基材シートの一方の面に形成されたコモン電極と他方の面に形成されたＹ検出電極とを図４と同じ方向から見た場合の平面図、
【図６】基準となるコモン電極とこれに隣接する２つのＸ検出電極を示す拡大して示す平面図、
【図７】基準となるコモン電極に設けられたコモン枝電極と隣接するＸ検出電極に設けられた平行電極との関係を拡大して示す平面図、
【図８】Ｘ検出電極側の等価回路とその電圧検出手段の構成を示す概念図、
【図９】本発明の第２の実施の形態として座標検出装置を構成する基材シートと電極パターンを示す平面図、
【図１０】Ａは図９を部分的に拡大して示す平面図、Ｂはその断面図、
【符号の説明】
【０１１４】
１０  携帯電話機
１１  操作部
１１Ａ  上部ケース
１１Ｂ  下部ケース
１２  操作キー（操作部材）
１２ａ  キートップ
１２ｂ  ステム
１４  光源
１５  電子部品
２０，４０  座標検出装置
２１  基材シート
２１ａ  挿通穴
２１ｂ  通路穴
２２  コモン枝電極
２３  第１の補助電極
２３ａ，２３ｂ  平行電極
２４  第２の補助電極
２４ａ，２４ｂ  平行電極
２５Ａ  第１の容量調整部
２５Ｂ  第２の容量調整部
２６，２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅ  迂回路
２７，２８，２９  引き出し線
３１  発振手段
３２  マルチプレクサ
５０  制御用ＩＣ（制御手段）
Ｃ１  基準コモン電極と第１のＸ検出電極との間の元々の静電容量
Ｃ２  基準コモン電極と第２のＸ検出電極との間の元々の静電容量
ＣＡ  第１の容量調整部における静電容量
ＣＢ  第２の容量調整部における静電容量
ＣＲ  基準コモン電極と第１の検出電極との間の合成容量
ＣＬ  基準コモン電極と第２の検出電極との間の合成容量
Ｃ  基準コモン電極と第１，第２の検出電極との間の総合的な合成容量
Ｋ，１ｋ，２ｋ，３ｋ，４ｋ，５ｋ  コモン電極
１ｋ１〜１ｋ８  コモン電極１ｋに設けられ且つＸ方向に延びるコモン対向電極
２ｋ１〜２ｋ８  コモン電極２ｋに設けられ且つＸ方向に延びるコモン対向電極
３ｋ１〜３ｋ８  コモン電極３ｋに設けられ且つＸ方向に延びるコモン対向電極
４ｋ１〜４ｋ８  コモン電極４ｋに設けられ且つＸ方向に延びるコモン対向電極
５ｋ１〜５ｋ８  コモン電極５ｋに設けられ且つＸ方向に延びるコモン対向電極
１ｋａ〜１ｋｄ  コモン電極１ｋに設けられ且つＹ方向に延びるコモン対向電極
５ｋａ〜５ｋｄ  コモン電極５ｋに設けられ且つＹ方向に延びるコモン対向電極
１ｘ，２ｘ，３ｘ，４ｘ，５ｘ，６ｘ  Ｘ検出電極
１ｙ，２ｙ，３ｙ，４ｙ，５ｙ，６ｙ，７ｙ，８ｙ  Ｙ検出電極
１ｙａ，１ｙｂ  第１の調整電極
１ｙｃ  第２の調整電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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