(57)【要約】【課題】  長寿命化を図ると共に、容易に製造・管理できる有機ＥＬ装置及び有機ＥＬ装置の製造方法を提供すること。【解決手段】  １つの画素領域Ｋあたりに設けられる発光領域１４Ｒの数と、発光領域１４Ｇの数と、発光領域１４Ｂの数とに差をつけることで、発光領域１４Ｒ全体、発光領域１４Ｇ全体、発光領域１４Ｂ全体から射出される光の光量に差をつけることができる。発光領域の数が多い色、例えば発光領域１４Ｒ、発光領域１４Ｂについては、実質的に開口率を上げたのとほぼ同様の状態であるから、当該発光領域１４Ｒ、発光領域１４Ｂの一つ一つから射出される光の光量を低く抑えても、発光領域１４Ｒ全体、発光領域１４Ｂ全体では十分な光量を射出することができる。これにより、発光領域１４Ｇよりも寿命が短い発光領域１４Ｒ、発光領域１４Ｂへのストレスを抑え、長寿命化を図ることができる。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に画素領域を有する有機ＥＬ装置であって、
前記画素領域内に設けられ、第１の色の光を発光する第１発光部と、
前記画素領域内に前記第１発光部とは異なる数設けられ、前記第１の色とは異なる第２の色の光を発光し、前記第１の発光部とほぼ同じ形状でありほぼ同じ大きさである第２発光部と
を具備することを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２】
前記第１発光部及び前記第２発光部が、等間隔に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項３】
前記第１発光部の平面形状及び前記第２発光部の平面形状が円形であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項４】
前記第１発光部及び前記第２発光部の平面形状が多角形であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項５】
基板上に画素領域を有する有機ＥＬ装置の製造方法であって、
第１の色の光を発光する発光材料を含む液体材料を前記画素領域内に滴下して第１発光部を形成する第１発光部形成工程と、
前記第１の色とは異なる第２の色を発光する発光材料を含む液体材料を、前記画素領域内に、前記第１発光部とほぼ同一の形状、ほぼ同一の大きさになるように滴下し、前記第１発光部とは異なる数の第２発光部を形成する第２発光部形成工程と、
前記第１発光部と前記第２発光部とを同時に乾燥する乾燥工程と
を具備することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１発光部形成工程が、
前記第１発光部の形成される領域の外周に沿って前記液体材料を滴下する工程と、
前記滴下された液体材料に囲まれた領域に前記液体材料を滴下する工程と
を有することを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２発光部形成工程が、
前記第２発光部の形成される領域の外周に沿って前記液体材料を滴下する工程と、
前記滴下された液体材料に囲まれた領域に前記液体材料を滴下する工程と
を有することを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ装置及び有機ＥＬ装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ装置は、基板上に画素領域が設けられた構成になっている。１つの画素領域内には、例えば、赤色、緑色、青色の光を発光する発光部が形成されており、各発光部の平面領域を、一般にサブ画素領域（発光領域）と呼んでいる。発光部は、例えば発光材料を含んだ液体材料を基板上に滴下し（液滴吐出法）、乾燥することで形成される。
【０００３】
各発光部は発光する光の色によってそれぞれ異なる発光材料を含んでおり、含まれる発光材料により発光部の寿命が異なる。寿命が短い発光部の長寿命化を図るため、１つの発光部の平面形状を大きくし、発光領域を広くして開口率を上げるようにした技術が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。特許文献１によれば、発光領域が広く開口率を上げることで低輝度であっても十分な光量を得るようにし、寿命の短い発光部の負担を軽くし、ストレスを緩和して長寿命化を図ることができる。  
【特許文献１】特開２００３−１６８５６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、発光部の大きさが異なると、液滴を吐出する工程では液体材料に含まれる発光材料の濃度や液体材料の吐出量を発光部の大きさによって区別して吐出する必要があり、当該工程を管理する際には大きな負担を強いられることになる。加えて、濃度及び吐出量の異なる液体材料を乾燥する場合、乾燥時間や乾燥温度等の条件も異なってくるため、一括して乾燥することが困難である。このように、製造・管理の面で問題がある。
【０００５】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、長寿命化を図ると共に、容易に製造・管理できる有機ＥＬ装置及び有機ＥＬ装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明に係る有機ＥＬ装置は、基板上に画素領域を有する有機ＥＬ装置であって、前記画素領域内に設けられ、第１の色の光を発光する第１発光部と、前記画素領域内に前記第１発光部とは異なる数設けられ、前記第１の色とは異なる第２の色の光を発光し、前記第１の発光部とほぼ同じ形状でありほぼ同じ大きさである第２発光部とを具備することを特徴とする。
【０００７】
本発明では、第１発光部と第２発光部との形状・大きさを同じにしたまま、１つの画素領域あたりに設けられる第１発光部の数と第２発光部の数とに差をつけるようにしたので、例えば多いほうの発光部では、発光部一つ一つからの発光量を低く抑えても、発光部全体では十分な光量を得ることができる。例えば第１発光部及び第２発光部のうち寿命の短い方を多数設けると、当該寿命の短い発光部の一つ一つの発光量を低く抑えることができので、負担を軽減できる。これにより、長寿命化を図ることができる。
【０００８】
また、第１発光部と第２発光部とは同じ形状及び同じ大きさであるため、例えば液滴吐出法で第１発光部及び第２発光部を形成する場合には、液体材料に含まれる発光材料の濃度及び液体材料の吐出量を同じにすることができる。当該濃度及び吐出量が同じであれば、当該液体材料を乾燥させるときの乾燥温度や乾燥時間等についても同じ条件とすることができる。したがって、第１発光部及び第２発光部の両方について同じ乾燥条件で同時に乾燥を行うことができる。これにより、有機ＥＬ装置の製造・管理が容易になる。なお、液体材料の吐出量が同じであることから、第１発光部と第２発光部の両方について液体材料を同時に吐出することも可能である。
【０００９】
また、前記第１発光部及び前記第２発光部が、等間隔に設けられていることが好ましい。  
第１発光部及び第２発光部を等間隔に設けると、当該第１発光部及び第２発光部のうち設けられた数が多い方の発光部が広い範囲にわたって配置されることになる。発光部が広い範囲に配置されると、当該発光部による発光領域が広くなる、すなわち、開口率が高い状態になる。これにより、発光部一つ一つからの発光量を低く抑えても、十分な光量を得ることができる。
【００１０】
また、前記第１発光部及び前記第２発光部の平面形状が円形になっていることが好ましい。  
本発明では、第１発光部及び第２発光部の平面形状が円形であるため、例えば液滴吐出法で第１発光部及び第２発光部を形成する場合には、当該第１発光部及び第２発光部の径方向の表面張力が均一になる。これにより、液体材料を吐出したときの第１発光部及び第２発光部の形状を安定させることができる。
【００１１】
また、前記第１発光部及び前記第２発光部の平面形状が多角形になっていることが好ましい。  
本発明によれば、隣接する発光領域の境界が、多角形の辺部分により明確に区切られることになる。これにより、隣接する発光領域間での混色を防ぐことができる。多角形としては、例えば矩形や八角形、六角形等が挙げられる。正方形、正八角形、正六角形等の正多角形であっても良い。
【００１２】
本発明の別の観点に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、基板上に画素領域を有する有機ＥＬ装置の製造方法であって、第１の色の光を発光する発光材料を含む液体材料を前記画素領域内に滴下して第１発光部を形成する第１発光部形成工程と、前記第１の色とは異なる第２の色を発光する発光材料を含む液体材料を、前記画素領域内に、前記第１発光部とほぼ同一の形状、ほぼ同一の大きさになるように滴下し、前記第１発光部とは異なる数の第２発光部を形成する第２発光部形成工程と、前記第１発光部と前記第２発光部とを同時に乾燥する乾燥工程とを具備することを特徴とする。
【００１３】
本発明では、液体材料を滴下して第１発光部及び第２発光部をほぼ同じ形状、同じ大きさに形成することにより、同一の乾燥条件で同時に乾燥することができる。これにより、乾燥及び乾燥工程の管理が容易になり、生産性が向上する。
【００１４】
また、前記第１発光部形成工程が、前記第１発光部の形成される領域の外周に沿って前記液体材料を滴下する工程と、前記滴下された液体材料に囲まれた領域に前記液体材料を滴下する工程とを有することが好ましい。  
本発明では、最初に第１発光部が形成される領域の外周に沿って液体材料を滴下することで、当該第１発光部の輪郭を明確にすることができる。輪郭を明確にすることで、例えば液体材料の表面張力等により第１発光部が変形するのを防ぐことができる。
【００１５】
また、前記第２発光部形成工程が、前記第２発光部の形成される領域の外周に沿って前記液体材料を滴下する工程と、前記滴下された液体材料に囲まれた領域に前記液体材料を滴下する工程とを有することが好ましい。  
これにより、第２発光部についても同様に、変形を防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。以下の図では、各部材を認識可能な大きさとするため、縮尺を適宜変更している。  
図１は、有機ＥＬ装置１の全体構成を概略的に示す斜視図である。  
有機ＥＬ装置１は、基板２に配線や絶縁層等が形成された基体１０と、この基体１０上に形成された有機ＥＬ素子部３と、基体１０の端部２ａに取り付けられた駆動部４とを有しており、駆動部４から供給される電気信号に応じて有機ＥＬ素子部３が発光することで、画像や動画等を表示できるようになっている。また、有機ＥＬ素子部３及び基体１０を覆うように封止部５が形成されている。本実施形態では、薄膜トランジスタ（Thin film Transistor：ＴＦＴ）が形成されたアクティブマトリクス型であり、有機ＥＬ素子部３により発生した光が基体１０を透過して取り出されるボトムエミッション型である有機ＥＬ装置１を例に挙げて説明する。
【００１７】
図２は、有機ＥＬ装置１の平面図である。この図では、有機ＥＬ素子部３及び封止部５を省略している。  
同図に示すように、基体１０は、画素部７（一点鎖線内の領域）と周縁部８（当該一点鎖線の外の領域）とに区画されており、画素部７内では、実表示領域Ｐ（二点鎖線内の領域）とダミー領域Ｑ（一点鎖線と二点鎖線との間の領域）とに更に区画されている。画素部７の実表示領域Ｐは、当該発光領域１４からの光が通過する画素領域Ｋを有している。
【００１８】
画素領域Ｋ内には、発光領域１４が９つ、例えば縦横に等間隔に配列されている。画素領域Ｋは、等間隔に配列された発光領域１４を三角配置になるように区画している。１つの画素領域Ｋが１つの画素（ピクセル）を構成している。
【００１９】
各発光領域１４は円状になっており、各発光領域１４の面積はほぼ同一になっている。発光領域１４には、赤色に発光する領域（１４Ｒ）と、緑色に発光する領域（１４Ｇ）と、青色に発光する領域（１４Ｂ）とがある。１つの画素領域Ｋあたり、発光領域１４Ｒが２つ、発光領域１４Ｇが１つ、発光領域１４Ｂが６つずつ設けられている。
【００２０】
各発光領域１４の間の領域には、Ｘ方向に走査線１５、Ｙ方向にデータ線１７が格子状に形成されている。走査線１５とデータ線１７との交点には、発光領域１４ごとにスイッチング素子（ＴＦＴ）が設けられている。
【００２１】
図３は、有機ＥＬ装置１のＡ−Ａ断面を概略的に示す図である。図４は、隙間有機ＥＬ装置１のＢ−Ｂ断面を概略的に示す図である。  
図３及び図４に示すように、基体１０の構成要素である基板２は、例えば、ガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）等からなる透明基板である。本実施形態に係る有機ＥＬ装置１はボトムエミッション型のものであり、光を取り出すには基板２を透明にする必要がある。基板２の表面２ｂには、下地として例えばＳｉＯ２等の透明な下地保護層１１が形成されている。
【００２２】
画素部７の実表示領域Ｐでは、下地保護層１１上に、シリコン膜１２、第１絶縁層（ゲート絶縁層）１３、ゲート電極１５ａ、第２絶縁層１６、ソース電極１７ａ、ドレイン電極１８、第３絶縁層１９が形成されている。また、画素部７のダミー領域Ｑでは、下地保護層１１上に、走査駆動回路２０、検査回路２２等が形成されており、駆動部４に接続されるように電源線（図示せず）が形成されている。データ駆動回路は、駆動部４に直接設けられており、例えば配線等によりデータ線１７に接続されている。
【００２３】
シリコン膜１２は、チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域を有する駆動用トランジスタである。シリコン膜１２のうち、ゲート絶縁層１３を挟んでゲート電極１５ａと重なる領域がチャネル領域１２ａである。チャネル領域１２ａのソース側には、低濃度ソース領域１２ｂ及び高濃度ソース領域１２ｓが形成され、チャネル領域１２ａのドレイン側には、低濃度ドレイン領域１２ｃ及び高濃度ドレイン領域１２ｄが形成されている。このようにシリコン膜１２は、ＬＤＤ（Light Doped Drain）構造になっている。
【００２４】
高濃度ソース領域１２ｓ及び高濃度ドレイン領域１２ｄには、ゲート絶縁層１３と第２絶縁層１６とを連通して開孔されたコンタクトホール２３、２４が形成されている。一方、高濃度ドレイン領域１２ｄ側には、ドレイン電極１８に接続されるように、第３絶縁層１９を貫通してコンタクトホール２５が形成されている。  
ゲート絶縁層１３は、例えばＳｉＯ２やＳｉＮ等で形成された透明な層であり、シリコン膜１２とゲート電極１５ａとを絶縁している。
【００２５】
ゲート電極１５ａは、例えばアルミニウムや銅等により形成されており、走査線１５に接続されている。ソース電極１７ａは、ゲート電極１５ａと同様にアルミニウムや銅等により形成されており、データ線１７に接続されている。ソース電極１７ａは、コンタクトホール２３を介して高濃度ソース領域１２ｓに接続されている。また、ドレイン電極１８は、高濃度ドレイン領域１２ｄに接続されている。
【００２６】
第２絶縁層１６は、主にＳｉＯ２からなる透明な層であり、ゲート電極１５ａ、ソース電極１７ａ及びドレイン電極１８をそれぞれ絶縁している。  
第３絶縁層１９は、例えばアクリル系の樹脂成分を主体とし、ソース電極１７ａとドレイン電極１８及びコンタクトホール２５とを絶縁している。なお、アクリル系の絶縁膜以外の材料、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ２などを用いることもできる。
【００２７】
また、ダミー領域Ｑに設けられる走査駆動回路２０は、シフトレジスタ等のメモリや信号レベルを変換するレベルシフタ等の回路を有しており、走査線１５に接続されている。データ駆動回路は、このシフトレジスタ、レベルシフタの他、ビデオラインやアナログシフタ等の回路を有しており、データ線１７に接続されている。走査駆動回路２０及びデータ駆動回路は、駆動制御信号線２８ａ、２８ｂを介して駆動部４に接続されており、当該駆動部４の制御により走査線１５及びデータ線１７に電気信号を出力するようになっている。検査回路２２は、有機ＥＬ装置１の作動状況を検査するための回路であり、例えば検査結果を外部に出力する検査情報出力手段（図示せず）等を備え、製造途中や出荷時の表示装置の品質、欠陥の検査を行うことができるように構成されている。また、走査駆動回路２０及び検査回路２２は、駆動電源線２９ａ、２９ｂを介して電源に接続されている。
【００２８】
周縁部８には、有機ＥＬ素子３に接続する接続用配線２７が形成されている。この接続用配線２７は駆動部４に接続されており、当該接続用配線２７を介して駆動部４からの電気信号を有機ＥＬ素子３に供給することができるようになっている。
【００２９】
一方、有機ＥＬ素子３は、陽極３１と、正孔注入層３２と、発光部３３と、共通電極（陰極）３４と、画素開口膜３５と、有機バンク層３６とを有している。これらは上述した基体１０上に積層されている
陽極３１は、正孔注入層３２に正孔を注入する透明な電極であり、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等から形成されている。当該陽極３１は、コンタクトホール２５を介してドレイン電極１８に接続されている。
【００３０】
陰極３４は、駆動部４からの電気信号に応じて発光部３３に電子を注入する層であり、例えばカルシウム等の金属により形成されている。陰極３４は、実表示領域Ｐおよびダミー領域Ｑの総面積より広い面積を備え、それぞれの領域を覆うように形成されたもので、有機ＥＬ素子３の外側を覆った状態で基体１０上に形成されている。この陰極３４は、接続用配線２７に接続されており、当該接続用配線２７を介して駆動部４に接続されている。製造時の陰極３４の腐食防止のため、陰極３４の上層部に例えばアルミニウム等の保護層を形成してもよい。
【００３１】
画素開口膜３５は、例えばＳｉＯ２等からなる絶縁膜である。この画素開口膜３５は、壁面３５ｂで囲まれた開口部３５ａにおいて陽極３１からの正孔の移動を可能にすると共に、開口部３５ａが設けられない部位での正孔の移動が起こらないようにしている。
【００３２】
有機バンク層３６は、正孔注入層３２や発光部３３をインクジェット法等の液滴吐出法で形成する際の隔壁であり、また、隣接する正孔注入層３２及び発光部３３の間で電子の移動が起こらないようにする絶縁層である。有機バンク層３６は、例えばアクリルやポリイミド等で形成されており、壁部３６ｃによって各正孔注入層３２及び発光部３３を遮断している。
【００３３】
発光部３３は、正孔注入層３２からの正孔と陰極３４からの電子とが結合して光を発する層であり、例えば低分子材料や高分子材料等により形成されている。発光部３３には、赤色光を発する層（３３Ｒ）、緑色光を発する層（３３Ｇ）、青色光を発する層（３３Ｂ）の３種類がある。
【００３４】
発光部３３Ｒに含まれる発光材料としては、例えばＭＥＨＰＰＶ（ポリ（３−メトキシ６−（３−エチルヘキシル）パラフェニレンビニレン）を用いることができ、発光部３３Ｇに含まれる発光材料としては、例えばポリジオクチルフルオレンとＦ８ＢＴ（ジオクチルフルオレンとベンゾチアジアゾールの交互共重合体）の混合溶液を用いることができ、発光部３３Ｂに含まれる発光材料としては、ポリジオクチルフルオレンや、ポリフルオレン系又はポリパラフェニレン系の共役系高分子を用いることができる。このような形成材料からなる発光部３３のうち、最も寿命が長いのは発光部３３Ｇであり、最も寿命が短いのは発光部３３Ｂである。
【００３５】
発光部３３は、各発光領域１４について１つずつ設けられている。発光領域１４Ｒには発光部３３Ｒが設けられており、発光領域１４Ｇには発光部３３Ｇが設けられており、発光領域１４Ｂには発光部３３Ｂが設けられている。各発光部３３は、形状及び大きさがほぼ同一になるように設けられている。このような発光部３３からの光が正孔注入層３２、陽極３１及び基体１０を透過することで、基板２の実表示領域Ｐに画像や動画等が表示されるようになっている。
【００３６】
図５は、発光部３３及び有機バンク層３６の平面形状を示している。  
有機バンク層３６の壁部３６ｃは円筒形に形成されており、この円筒部分の空間を埋めるように発光部３３が設けられている。したがって、発光部３３の平面形状は、図５に示すように円形になっている。各発光部３３の径ｌは、例えば４０μｍ程度になっている。
【００３７】
各発光部３３は、図５中のＸ方向及びＹ方向に等間隔に配列されており、当該間隔ｍは、例えば２０μｍ程度になっている。発光部３３Ｒ、発光部３３Ｇ、発光部３３Ｂの配列は、図２における発光領域１４Ｒ、発光領域１４Ｇ、発光領域１４Ｂの配列と同一であり、発光部３３の占める領域が、それぞれ発光領域１４となっている。
【００３８】
次に、このように構成された有機ＥＬ装置１を製造する工程を説明する。  
図６は、有機ＥＬ装置１の製造工程を示すフローチャートである。ここでは、基体１０及び有機ＥＬ素子３の画素部７の領域を形成する工程を中心に説明し、周縁部８を形成する工程の説明は省略する。
【００３９】
まず、基板２にＴＦＴ素子や絶縁膜等を形成することにより、基体１０を形成する工程について説明する（ＳＴ１）。  
公知の方法により、基板２に下地保護層１１を形成し、その上にシリコン膜１２を形成し、レーザーアニールしてポリシリコン化する。シリコン膜１２をゲート絶縁層１３で覆った後、ゲート電極１５ａを形成し、その上に再びゲート絶縁層１３を形成する。また、ソース側のコンタクトホール２３をパターニングして形成する。
【００４０】
次に、第２絶縁層１６を形成し、コンタクトホール２４及びこのコンタクトホール２４に接続するソース電極１７ａをパターニングして形成する。また、第２絶縁層１６上にソース電極１７ａ及びドレイン電極１８をパターニングして形成する。ソース電極１７ａ及びドレイン電極１８上に第３絶縁層１９を形成し、ドレイン側のコンタクトホール２５をパターニングして形成する。なお、コンタクトホール２５は、陽極３１と接続させるため画素領域Ｋに形成する。このように、基体１０が形成される。
【００４１】
次に、有機ＥＬ素子３を形成する工程を説明する（ＳＴ２〜ＳＴ８）。  
基体１０のほぼ全面を覆うように透明な導電膜を形成し、画素領域Ｋに陽極３１が形成されるようにこの導電膜をパターニングする（ＳＴ２）。同時にダミー領域Ｑのダミーパターン（図示せず）も形成する。画素領域Ｋでコンタクトホール２５と陽極３１とが接続されるので、陽極とドレイン電極１８とが導通する。  
次に、第３絶縁層１９上に画素開口膜３５を形成する（ＳＴ３）。画素開口膜３５は、壁面３５ｂで囲まれた開口部３５ａが形成されるように、例えば陽極３１に重ねて形成する。
【００４２】
次に、図７に示すように、画素開口膜３５上に有機バンク層３６を形成する（ＳＴ４）。アクリル樹脂やポリイミド等の樹脂からなるレジストを溶媒に溶解したものをスピンコート法、ディップコート法などの各種塗布法により塗布して形成する。開口部３５ａの周囲には、当該開口部３５ａよりも開口が大きくなるように壁面３６ｃを形成する。このとき、有機バンク層３６で囲まれた部分の平面形状が円状になるようにし、その面積（Ｓ１〜Ｓ５、…）がほぼ等しくなるように形成する。
【００４３】
次に、全面を所定温度、例えば７０〜８０℃程度に加熱してプラズマ処理を施す（ＳＴ５）。大気圧中で酸素を反応ガスとするＯ２プラズマ処理により、有機バンク層３６の壁面３６ｃ、陽極３１の上面３１ａ（図３参照）及び画素開口膜３５の上面３５ｃ（図３参照）をそれぞれ親液性にする。また、大気圧中で四フッ化メタンを反応ガスとするＣＦ４プラズマ処理により、有機バンク層３６の上面３６ｅ（図３参照）および壁面３６ｃを撥液性にする。その後、各部を室温まで冷却する。
【００４４】
次に、例えばインクジェット法等の液滴吐出法や、スピンコート法などにより、正孔注入層３２を形成する（ＳＴ６）。打ち込まれた液滴は、親液化処理がなされた陽極３１上で広がり、開口部３５ａ内に満たされ、その一方で、撥液化処理された有機バンク層３６の上面では液滴がはじかれて付着しない。なお、本工程以降では、酸化を防止するため、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気などの不活性ガス雰囲気で行うのが好ましい。
【００４５】
正孔注入層３２を形成したら、当該正孔注入層３２上に発光部３３を形成する（ＳＴ７）。
【００４６】
図８に示すように、有機バンク層３６で囲まれた部分３７に、例えばインクジェット法等の液滴吐出法や、スピンコート法などにより深さ（ｔ１〜ｔ５、…）が均一になるように液滴５０を打ち込む。液滴５０は、赤色に発光する発光材料が含まれた液滴（図示せず）、緑色に発光する発光材料が含まれた液滴５０Ｇ及び青色に発光する発光材料が含まれた液滴５０Ｂを、所定の部分３７に一括して打ち込むようにする。液滴５０のうち発光材料を溶解させる溶媒には、同一の溶媒が用いられている。
【００４７】
液滴５０を打ち込んだら、図９に示すように、液滴５０を乾燥処理する。有機バンク層３６で囲まれた部分３７に打ち込まれた各液滴５０の量はほぼ均一になっており、乾燥温度、乾燥時間等の最適条件はほぼ同じであるから、ここでは各液滴５０を一括して乾燥する。液滴５０中の溶媒が蒸発し、図１０に示すように、有機バンク層３６で囲まれた部分３７に発光部３３が形成される。各色の発光部３３を同一工程で形成することから、短い工程で多色の有機ＥＬ表示装置を作製することができる。また、同一工程で形成しても、色に依らず均一な膜厚の発光部３３を形成することができる。
【００４８】
発光部３３を形成したら、例えば蒸着法等の物理的気相蒸着法によりカルシウムを成膜して陰極３４を形成する（ＳＴ８）。陰極３４が、発光部３３、有機バンク層３６の上面３６ｅ、有機バンク層３６の壁面３６ｃの一部を覆い、上述した接続用配線２７に接続されるように形成する。なお、陰極３４上に陰極保護層を形成させる場合には、蒸着法等の物理的気相蒸着法により陰極３４上に例えばアルミニウム等を成膜する。このようにして、有機ＥＬ素子３を形成する。  
基体１０及び有機ＥＬ素子３を形成したら、当該基体１０及び有機ＥＬ素子３のほぼ全体を封止部５により缶封止して有機ＥＬ装置１が完成する（ＳＴ９）。
【００４９】
このように、本実施形態では、本発明では、各発光部３３の形状・大きさを同じにしたまま、１つの画素領域Ｋあたりに設けられる発光部３３Ｒの数、発光部３３Ｇの数及び発光部３３Ｂの数に差をつけるようにしたので、例えば数が最も多い発光部３３Ｂでは、発光部一つ一つからの発光量を低く抑えても、発光部全体では十分な光量を得ることができる。このように発光部３３Ｂを多数設けることで、当該発光部３３Ｂの一つ一つの負担を軽くし、ストレスを抑えることができる。発光部３３Ｒについても同様である。これにより、長寿命化を図ることができる。
【００５０】
また、発光部３３がすべて同じ形状・大きさであるため、例えば液滴吐出法で発光部３３を形成する場合には、液体材料に含まれる発光材料の濃度及び液体材料の吐出量を同じにすることができる。当該濃度及び吐出量が同じであれば、当該液体材料を乾燥させるときの乾燥温度や乾燥時間等についても同じ条件とすることができる。したがって、発光部３３Ｒ、発光部Ｇ及び発光部３３Ｂのすべてについて同じ乾燥条件で同時に乾燥を行うことができる。これにより、有機ＥＬ装置１の製造・管理が容易になる。
【００５１】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。  
例えば、図１１に示すように、同じ色の光を発光する発光領域１４（発光領域１４Ｒと発光領域１４Ｂ）同士が接している状態であっても良い。これにより、各発光領域１４Ｒ又は各発光領域１４Ｂ全体から射出される光が密集するので、輝度を高くすることができる。
【００５２】
また、図１２に示すように、各発光領域１４の形状を正八角形にしても良い。隣接して配置される各発光領域１４又の境界が、正八角形の辺１４ａにより明確に区切られることになる。これにより、隣接する発光領域１４間での混色を防ぐことができる。なお、正八角形に限られず、正六角形であっても良いし、図１３に示すように矩形であっても良い。
【００５３】
また、発光部３３（各発光部３３Ｒ、３３Ｇ及び３３Ｂ）を形成する際には、図１４に示すように、まず有機バンク層３６で囲まれた部分３７の外周に沿って液滴５０を滴下し、その後滴下された液滴５０に囲まれた領域に液滴５０を滴下するようにしても良い。  
このようにすれば、発光部３３の輪郭を明確にすることができる。輪郭を明確にすることで、例えば液滴５０の表面張力等により発光部３３が変形するのを防ぐことができる。また、有機バンク層３６との境界に濡れ広がり易くすることができるので、当該有機バンク層３６での塗り残しを安定して防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ装置の全体構成を示す斜視図である。
【図２】本実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を示す平面図である。
【図３】本実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を示す断面図（その１）である。
【図４】本実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を示す断面図（その２）である。
【図５】本実施形態に係る有機ＥＬ装置の一部の構成を示す平面図である。
【図６】本実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造工程を示すフローチャートである。
【図７】有機ＥＬ装置の製造過程を示す図（その１）である。
【図８】有機ＥＬ装置の製造過程を示す図（その２）である。
【図９】有機ＥＬ装置の製造過程を示す図（その３）である。
【図１０】有機ＥＬ装置の製造過程を示す図（その４）である。
【図１１】本実施形態に係る別の有機ＥＬ装置の構成（その１）を示す図である。
【図１２】本実施形態に係る別の有機ＥＬ装置の構成（その２）を示す図である。
【図１３】本実施形態に係る別の有機ＥＬ装置の構成（その３）を示す図である。
【図１４】本実施形態に係る有機ＥＬ装置の別の製造過程を示す図である。
【符号の説明】
【００５５】
１…ＥＬ装置  ２…基板  １４（１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂ）…発光領域  １４ａ…辺  ３３（３３Ｒ、３３Ｇ、３３Ｂ）…発光部  Ｋ…画素領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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