(57)【要約】【課題】浸み出し光拡散層を設けたエレクトロルミネッセンス素子における画素滲みを解消し、解像度が高く視認性に優れた、あるいは透明感が高くくっきり感のあるエレクトロルミネッセンス素子を提供する。【解決手段】エレクトロルミネッセンス層、透明電極層、及び透明基板がこの順に配置し、透明電極層と透明基板との間に、特定条件の光拡散層を設けたエレクトロルミネッセンス素子であって、最表層として、反射防止フィルム、偏光フィルム、位相差フィルム及び色素フィルターよりなる群から選ばれる１種又は２種以上を含む画素滲み防止層を有するエレクトロルミネッセンス素子。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
エレクトロルミネッセンス層、透明電極層、及び透明基板がこの順に配置されてなるエレクトロルミネッセンス素子において、該透明電極層と透明基板との間に光拡散層を設けたエレクトロルミネッセンス素子であって、
下記（１）〜（３）のいずれかの条件を満たし、
かつ、最表層として、反射防止フィルム、偏光フィルム、位相差フィルム及び色素フィルターよりなる群から選ばれる１種又は２種以上を含む画素滲み防止層を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子。
（１）複数の光拡散層を有し、該複数の光拡散層のうち最も離れた面の間の距離が画素サイズ以下である。
（２）エレクトロルミネッセンス層の透明電極層と反対側の面に反射電極層を有し、該反射電極層から最も離れた光拡散層の面と反射電極層との間の距離が画素サイズ以下である。
（３）反射電極層がなく、１層の光拡散層が設けられており、該光拡散層の厚さが画素サイズ以下である。
【請求項２】
請求項１において、前記画素滲み防止層は、位相差フィルムと偏光フィルムとを有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項３】
請求項２において、偏光フィルムの出射側の面より上に位相差フィルムが設けられていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項において、下記（１）〜（３）のいずれかの条件を満たすことを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子。
（１）複数の光拡散層を有し、該複数の光拡散層のうち最も離れた面の間の距離が画素サイズの１／２以下である。
（２）エレクトロルミネッセンス層の透明電極層と反対側の面に反射電極層を有し、該反射電極層から最も離れた光拡散層の面と反射電極層との間の距離が画素サイズの１／２以下である。
（３）反射電極層がなく、１層の光拡散層が設けられており、該光拡散層の厚さが画素サイズの１／２以下である。
【請求項５】
請求項４において、下記（１）〜（３）のいずれかの条件を満たすことを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子。
（１）複数の光拡散層を有し、該複数の光拡散層のうち最も離れた面の間の距離が画素サイズの１／１０以下である。
（２）エレクトロルミネッセンス層の透明電極層と反対側の面に反射電極層を有し、該反射電極層から最も離れた光拡散層の面と反射電極層との間の距離が画素サイズの１／１０以下である。
（３）反射電極層がなく、１層の光拡散層が設けられており、該光拡散層の厚さが画素サイズの１／１０以下である。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか1項において、前記光拡散層が、透明電極を導波路として導波する光を拡散させる機能を有する層であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項７】
請求項６において、前記光拡散層が、透明電極を導波路として導波する光の中で特に透明電極からの浸み出し光を拡散させる機能を有する層であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか１項において、前記光拡散層が、低屈折率材料からなるマトリックス中に光を拡散させる粒子を含有させた層であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子。
【請求項９】
請求項８において、該光拡散層と前記透明基板との間に低屈折率層が設けられており、該光拡散層のマトリックスの屈折率は、該低屈折率層の屈折率と同等であって、前記透明電極層の屈折率より低い屈折率を有することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子に係り、特にエレクトロルミネッセンス層からの光の取り出し効率が高く、かつ画素滲みが少なく、解像度が高く視認性に優れたエレクトロルミネッセンスディスプレイ素子、あるいは透明感が高く、透明感、くっきり感のあるエレクトロルミネッセンス面照明素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＥＬディスプレーに用いられるエレクトロルミネッセンス素子は、ボトムエミッションタイプにおいては、図５（ａ）に示すように、少なくとも透明基板５、透明電極層３、エレクトロルミネッセンス層２及び反射電極層１を有する。この透明電極層、反射電極層は目的と構成に応じてどちらが陰極であっても陽極であっても構わないが、通常のボトムエミッションタイプにおいては透明電極層が陽極、反射電極層が陰極に相当する。トップエミッションタイプにおいては、図５（ｃ）に示すように、基板５、透明電極層３、エレクトロルミネッセンス層２及び反射電極層１、必要に応じて透光体層５Ａを有する。
【０００３】
このエレクトロルミネッセンス素子は、陽極である透明電極層３から注入された正孔に反射電極層１から注入された電子とがエレクトロルミネッセンス層２で再結合し、その再結合エネルギーによって発光中心が励起され、発光するという発光原理を有する。
【０００４】
従来、このようなエレクトロルミネッセンス素子において、光の取り出し効率を改善したものとして、図６（ａ）に示す如く、透明基板５と透明電極層３との間に低屈折率材料からなるマトリックス中に光を散乱させる粒子を含有させた浸み出し光拡散層６を設けたエレクトロルミネッセンス素子が提案されている（特許文献１）。
【０００５】
このように透明電極層３と透明基板５との間に、低屈折率材料からなるマトリックス中に光を散乱させる粒子を含有させた浸み出し光拡散層６を設けると、エレクトロルミネッセンス層２、透明電極層３と浸み出し光拡散層６との界面に入射した光の全反射量が低減される。
【０００６】
この理由については次の通り考えられる。即ち、エレクトロルミネッセンス層２から透明電極層３を通って低屈折率材料からなるマトリックス中に光を散乱させる粒子を含有させた光拡散層６との界面に光が臨界角よりも大きな入射角で入射した場合、この光は該界面で全反射される。しかし、図６（ｂ）に示すように、この全反射に際しては、光の一部が該界面よりも低屈折率層側（低屈折率材料からなる層側）に浸み出す如き現象が生じる（この浸み出し光は、エバネッセント波、あるいは近接場光と呼ぶことがある）。即ち、入射光の電界及び磁界が界面よりも低屈折率層側にまで存在することになる。
【０００７】
この浸み出し現象を利用し、光の浸み出し距離（深さ）内に低屈折率材料からなるマトリックスと屈折率の異なる粒子を存在させることにより、低屈折率層側に浸み出した光の一部が該粒子によって散乱され、最早透明電極層内の全反射光に戻ることなく散乱後、直接、もしくは反射電極層の例えばアルミ反射膜で反射された後、低屈折率層中に拡散するようになる。このようにして、光を散乱させる粒子（以下「光散乱粒子」と称す場合がある。）を透明電極層に接する低屈折率層に含有させることにより、全反射の反射率が低下し、より多くの光が透明電極層から低屈折率層側に侵入するようになり、この結果として、エレクトロルミネッセンス素子の光取り出し効率が向上する。
【０００８】
なお、特許文献１においては、図７に示す如く、反射電極層１、エレクトロルミネッセンス層２、透明電極層３、浸み出し光拡散層６ａ、低屈折率層４及び透明基板５の順で積層し、浸み出し光拡散層６ａのマトリックスの屈折率が低屈折率層４の屈折率と同等であって、透明電極層３の屈折率より低い屈折率を有するものとした態様も提案されている。
【０００９】
この態様にあっても、透明電極層３と低屈折率層４との間に設けられた浸み出し光拡散層６ａの界面では、図６の場合と同様にして粒子を含有する浸み出し光拡散層６ａの光拡散作用により、透明電極層３から低屈折層４側に浸み出した光の全反射を低減させる。即ち、透明電極層３と浸み出し光拡散層６ａとの界面で全反射が生じる場合、全反射時に粒子含有浸み出し光拡散層６ａに浸み出した光が粒子含有浸み出し光拡散層６ａ中の粒子によって散乱され、粒子含有浸み出し光拡散層６ａ側に取り出される。これにより、透明電極層から直接、あるいは反射電極の例えばアルミ反射膜で反射された後、透明電極層３の浸み出し光拡散層６ａ側の界面で全反射せずに浸み出し光拡散層６ａに進入する光量が増加する。
【００１０】
この粒子含有浸み出し光拡散層６ａのマトリックスと低屈折率層４とは屈折率が同等であるので、粒子含有浸み出し光拡散層６ａと低屈折率層４との界面では全反射が生じにくい。この結果、透明電極層３から粒子含有浸み出し光拡散層６ａに進入し、粒子含有浸み出し光拡散層６ａと低屈折率層４との界面に達した光は、ほとんどがそのまま低屈折率層４に進入する。このようにして、エレクトロルミネッセンス素子からの光取り出し効率が向上する。
【００１１】
このような浸み出し光拡散層あるいは透明電極層を導波路とする導波光を拡散させる層を設けたエレクトロルミネッセンス素子としては、特許文献１の他にも次のようなものが提案されている。  
(1)  透明電極層の透明基板側の表面を光散乱性の凹凸面としたもの（特許文献２）。
(2)  透明電極層の透明基板側の表面に透明電極層と同等の屈折率を有する高屈折率層を設け、この高屈折率層の透明基板側の表面を光散乱性の凹凸面としたもの（特許文献２）。  
(3)  透明電極層にエレクトロルミネッセンス層からの光を散乱させる粒子を含有させたもの（特許文献３）。  
(4)  透明電極層と透明基板との間に、マトリックス中にエレクトロルミネッセンス層からの光を散乱させる粒子を分散させた粒子含有層を設けたもの（このマトリックスの屈折率は透明電極層の屈折率と同等である。）（特許文献３）。  
(5)  透明電極層と透明基板との間に、エレクトロルミネッセンス層からの光を散乱させる粒子を含有する低屈折率層を設け、低屈折率層と透明電極層との間に、低屈折率層内の物質が透明電極層側へ拡散することを防止するバリア層を設けたもの（特許文献４）。
(6)  透明電極層と透明基板との間に、低屈折率層を設け、透明電極層と低屈折率層との間に、マトリックス中にエレクトロルミネッセンス層からの光を散乱させる粒子を分散させた粒子含有層を設け（このマトリックスの屈折率は低屈折率層の屈折率と同等である。）、粒子含有層と透明電極層との間に、粒子含有層内の物質が透明電極層側へ拡散することを防止するためのバリア層を設けたもの（特許文献４）。
【特許文献１】特開２００４−２９６４３７号公報
【特許文献２】特開２００４−２９６４３８号公報
【特許文献３】特開２００４−３０３７２４号公報
【特許文献４】特開２００４−３１９３３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、浸み出し光拡散層を設けた先願のエレクトロルミネッセンス素子、或いはダークスポットや輝度ムラを紛わせる拡散層を設けたエレクトロルミネッセンス素子、或いはマイクロレンズやグレーティング、フォトニクス結晶など可視光線を拡散、散乱、屈折させるサイズの凹凸形状を有する光学界面を設けたエレクトロルミネッセンス素子では、次の理由により、画素滲みの問題が起こる（以下、上記の例示した層をまとめて拡散層と記載する）。
【００１３】
以下に、このような拡散層を設けた従来のエレクトロルミネッセンス素子の画素滲み発生メカニズムについて、図８を参照して説明する。
【００１４】
図８（ａ）〜（ｃ）は、ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子を示す。有機ＥＬ素子では、ＥＬ発光層で発光した光が直接もしくは反射陰極で反射された後、視認側へ向かうが、この際、拡散層を設けた有機ＥＬ素子では、次のような光の散乱が起きる。
【００１５】
（１）メカニズム１
図８（ａ）に示す如く、透明基板と空気との界面で全反射された光（図８（ａ）中Ａ）は一度拡散層まで戻り、そこで一部の光線が拡散され、ある光線はそのまま眼に入ってくる角度で出射される。つまりＥＬ層のある一箇所の位置（一画素：図８（ａ）中※１の位置）が発光したにもかかわらず２箇所以上（例えば図８（ａ）中※１と※２）の位置で発光したのと同じように視認される。  
これが画素滲みの原因の一つである。
【００１６】
（２）メカニズム２
図８（ａ）に示す如く、透明基板から空気へと出射する光線において部分反射された光（図８（ａ）中Ｂ）は一度拡散層まで戻り、そこで一部の光線が拡散され、ある光線はそのまま眼に入ってくる角度で出射される。つまりＥＬ層のある一箇所の位置（一画素：図８（ａ）中※１の位置）が発光したにもかかわらず２箇所以上の位置（例えば、図８（ａ）中※１と※３）で発光したのと同じように視認される。  
これが画素滲みの原因の一つである。ただし、メカニズム１に比較すると、通常透明基板と空気との界面で反射する割合が小さいので、画素滲みに寄与する割合は小さい。
【００１７】
（３）メカニズム３
図８（ｂ）に示す如く、拡散層が反射陰極から画素サイズに対して十分に離れている場合は、拡散層で拡散された光の一部が直接、又はさらに反射陰極で反射された後出射され、眼に入ってくる（図８（ｂ）中、Ｂ，Ｃ）。すなわち※１の一箇所の位置（画素）が発光したにも関わらず、複数の位置が発光（例えば、図８（ｂ）の※１に加えて※２、※３）が発光したのと同じように見えるため滲んで視認される。これも画素滲みの原因となる。
【００１８】
（４）メカニズム４
図８（ｃ）に示す如く、拡散層の厚さが画素サイズに対して十分に厚い場合には、拡散層で拡散された光の一部が直接、または拡散層内で面方向へ伝播後、もしくはさらに反射陰極で反射された後出射され、眼に入ってくる（図８（ｃ）中、Ｂ，Ｃ，Ｄ）。すなわち図８（ｃ）の※１の一箇所の位置（画素）が発光したにも関わらず、複数の位置が発光（例えば、図８（ｃ）の※１に加えて※２、※３、※４）が発光したのと同じように見えるため滲んで視認される。これも画素滲みの原因となる。
【００１９】
従って、本発明は、光拡散層を設けたエレクトロルミネッセンス素子における画素滲みを解消し、解像度が高く視認性に優れた、あるいは透明感が高くくっきり感のあるエレクトロルミネッセンス素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明（請求項１）のエレクトロルミネッセンス素子は、エレクトロルミネッセンス層、透明電極層、及び透明基板がこの順に配置されてなるエレクトロルミネッセンス素子において、該透明電極層と透明基板との間に光拡散層を設けたエレクトロルミネッセンス素子であって、下記（１）〜（３）のいずれかの条件を満たし、かつ、最表層として、反射防止フィルム、偏光フィルム、位相差フィルム及び色素フィルターよりなる群から選ばれる１種又は２種以上を含む画素滲み防止層を有することを特徴とする。  
（１）複数の光拡散層を有し、該複数の光拡散層のうち最も離れた面の間の距離が画素サイズ以下である。  
（２）エレクトロルミネッセンス層の透明電極層と反対側の面に反射電極層を有し、該反射電極層から最も離れた光拡散層の面と反射電極層との間の距離が画素サイズ以下である。  
（３）反射電極層がなく、１層の光拡散層が設けられており、該光拡散層の厚さが画素サイズ以下である。
【００２１】
なお、本発明において、エレクトロルミネッセンス素子の「最表層」とは、透明基板に対して、高度な密着性をもって形成された層のうちの最表層を指し、通常、素子の保護のために用いられるハードコートフィルム、保護フィルム等の光の偏光や位相変調、可視波長の吸収、表面反射の制御等に関与しない、単なる保護カバーは排除される。
【００２２】
従って、本発明のエレクトロルミネッセンス素子にあっては、最表層の画素滲み防止層上に更に保護カバーを設けることができる。
【００２３】
また、本発明において、「反射電極層」とは、光の反射と電極としての機能を担う単一の層に限らず、反射層と電極としての導電層とが積層されたものであっても良い。
【００２４】
請求項２のエレクトロルミネッセンス素子は、請求項１において、前記画素滲み防止層は、位相差フィルムと偏光フィルムとを有することを特徴とする。
【００２５】
請求項３のエレクトロルミネッセンス素子は、請求項２において、偏光フィルムの視認側（出射側の面）に位相差フィルムが設けられていること、即ち、最表面（上述の如く、保護カバーを除く）に位相差フィルムが配置されていることを特徴とする。
【００２６】
請求項４のエレクトロルミネッセンス素子は、請求項１ないし３のいずれか１項において、下記（１）〜（３）のいずれかの条件を満たすことを特徴とする。  
（１）複数の光拡散層を有し、該複数の光拡散層のうち最も離れた面の間の距離が画素サイズの１／２以下である。  
（２）エレクトロルミネッセンス層の透明電極層と反対側の面に反射電極層を有し、該反射電極層から最も離れた光拡散層の面と反射電極層との間の距離が画素サイズの１／２以下である。  
（３）反射電極層がなく、１層の光拡散層が設けられており、該光拡散層の厚さが画素サイズの１／２以下である。
【００２７】
請求項５のエレクトロルミネッセンス素子は、請求項４において、下記（１）〜（３）のいずれかの条件を満たすことを特徴とする。  
（１）複数の光拡散層を有し、該複数の光拡散層のうち最も離れた面の間の距離が画素サイズの１／１０以下である。  
（２）エレクトロルミネッセンス層の透明電極層と反対側の面に反射電極層を有し、該反射電極層から最も離れた光拡散層の面と反射電極層との間の距離が画素サイズの１／１０以下である。  
（３）反射電極層がなく、１層の光拡散層が設けられており、該光拡散層の厚さが画素サイズの１／１０以下である。
【００２８】
請求項６のエレクトロルミネッセンス素子は、請求項１ないし５のいずれか1項において、前記光拡散層が、透明電極を導波路として導波する光を拡散させる機能を有する層であることを特徴とする。
【００２９】
請求項７のエレクトロルミネッセンス素子は、請求項６において、前記光拡散層が、透明電極を導波路として導波する光の中で特に透明電極からの浸み出し光を拡散させる機能を有する層であることを特徴とする。
【００３０】
請求項８のエレクトロルミネッセンス素子は、請求項１ないし７のいずれか１項において、前記光拡散層が、低屈折率材料からなるマトリックス中に光を拡散させる粒子を含有させた層であることを特徴とする。
【００３１】
請求項９のエレクトロルミネッセンス素子は、請求項８において、該光拡散層と前記透明基板との間に低屈折率層が設けられており、該光拡散層のマトリックスの屈折率は、該低屈折率層の屈折率と同等であって、前記透明電極層の屈折率より低い屈折率を有することを特徴とする。
【００３２】
なお、以下において、
エレクトロルミネッセンス素子が、複数の光拡散層を有する場合の複数の光拡散層のうち最も離れた面の間の距離、
エレクトロルミネッセンス素子がエレクトロルミネッセンス層の透明電極層と反対側の面に反射電極層を有する場合の反射電極層から最も離れた光拡散層の面と反射電極層との間の距離、
或いは、
エレクトロルミネッセンス素子が反射電極層を有さず、１層の光拡散層が設けられている場合の光拡散層の厚さ
を、「光拡散距離」と称す場合がある。
【発明の効果】
【００３３】
本発明よれば、特定の構成の画素滲み防止層を設けることにより、光拡散層を設けたエレクトロルミネッセンス素子における画素滲みを解消し、視認性に優れたエレクトロルミネッセンス素子を提供することができる。このため、このエレクトロルミネッセンス素子を用いて、画素間で滲みのない視認性に優れたディスプレーを実現することができる。また、エレクトロルミネッセンス照明用途においても発光際部分に滲みが無く、透明感、くっきり感のあるエレクトロルミネッセンス素子を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下に本発明のエレクトロルミネッセンス素子の実施の形態を詳細に説明する。
【００３５】
［光拡散層］
本発明のエレクトロルミネッセンス素子は、光拡散層を設けたエレクトロルミネッセンス素子の最表層として、画素滲み防止層を設けたものであり、この光拡散層による前述の光拡散距離が前記（１）〜（３）の条件を満たすものであれば、当該エレクトロルミネッセンス素子に設けられている光拡散層の構成には特に制限はなく、前述の特許文献１〜４に記載されるような、粒子による光の拡散を利用した光拡散層や粗面による光の拡散を利用した光拡散層、その他、気泡を分散させ、気泡による拡散を利用した光拡散層や、プリズム面、半球状面など、光の取り出し率向上、ダークスポットの隠蔽、発光の見掛け均一化、視野角の制御等の目的で設けられた、光を拡散、散乱させる機能を持つ層の全てが含まれる。
【００３６】
［光拡散距離］
本発明のエレクトロルミネッセンス素子は、上述のような光拡散層を有するエレクトロルミネッセンス素子であって、下記（１）〜（３）のいずれかの条件を満たすエレクトロルミネッセンス素子に適用される。  
（１）複数の光拡散層を有し、該複数の光拡散層のうち最も離れた面の間の距離が画素サイズ以下、好ましくは１／２以下、より好ましくは１／１０以下である。例えば図４（ａ）のように複数の光拡散層６Ａ，６Ｂのうちの、光拡散層６Ａの発光光線出射側の面と光拡散層６Ｂの発光光線入射側の面との距離Ｌ１に相当する。  
（２）エレクトロルミネッセンス層の透明電極層と反対側の面に反射電極層を有し、該反射電極層から最も離れた光拡散層の面と反射電極層との間の距離が画素サイズ以下、好ましくは１／２以下、より好ましくは１／１０以下である。この場合、光拡散距離とは、図４（ｂ）のように光拡散層６Ａの発光光線出射側の面と反射電極層１の発光光線入射側の面との距離Ｌ２に相当する。  
（３）反射電極層がなく、１層の光拡散層が設けられており、該光拡散層の厚さが画素サイズ以下、好ましくは１／２以下、より好ましくは１／１０以下である。この場合、光拡散距離とは、図４（ｃ）のように光拡散層６の厚さＬ３に相当する。
【００３７】
光拡散距離が画像サイズより大きいエレクトロルミネッセンス素子では、後述の比較例の結果からも明らかなように本発明に係る画素滲み防止層による画素滲み防止効果を得ることはできない。
【００３８】
なお、エレクトロルミネッセンス照明に用いる場合、この光拡散距離は発光際部のくっきり感や滲み、あるいは照明光の透明感の点で１ｍｍ以下、特に０．５ｍｍ以下であることが好ましい。光拡散距離は薄い程好ましいが、通常発光際部のくっきり感や滲み、照明光の透明感の点から１０μｍ程度である。
【００３９】
［画素滲み防止層］
本発明のエレクトロルミネッセンス素子は、上述のような構成のエレクトロルミネッセンス素子の最表層に反射防止フィルム、偏光フィルム、位相差フィルム及び色素フィルターよりなる群から選ばれる１種又は２種以上を含む画素滲み防止層、好ましくは、下記構成の画素滲み防止層を有する。  
（ｉ）偏光フィルムと位相差フィルムとからなる円偏光フィルム。特に、位相差フィルムが発光光線出射側に対して最表面となるように設ける。  
（ii）反射防止フィルムを発光光線出射側に対して最表面となるように設ける。  
（iii）偏光フィルムもしくは吸収フィルターを単独で発光光線出射側に対して最表面となるように設ける。
【００４０】
以下に、各画素滲み防止層について、図面を参照してその画素滲み防止機構を説明する。  
なお画素滲み防止層は、シースルーディスプレイのように光取り出し面（視認する面）が両側になる場合、片面の表面に設けるだけでも効果はあるが、両側の表面に設けることがより好ましい。
【００４１】
（ｉ）偏光フィルムと位相差フィルム（１／４波長フィルム）とからなる円偏光フィルム（偏光フィルムは、視認側、発光層側どちらに配置されても良いが。色滲み防止効果の点で発光層側にある方がより好ましい）を設けた場合の画素滲み防止機構を、図１を参照して説明する。
【００４２】
円偏光フィルムを設けない場合の全反射（図１中、Ａ）あるいは透過光の反射ロス光（図１中、Ｂ）の発生する界面は、円偏光フィルムを設けることによって、透明基板〜空気界面より偏光フィルム〜空気界面へ移動する。
【００４３】
１／４波長フィルムはどちらから入射した光でも時計回りに偏光の向きを４５度回す機能を持つ。従って偏光フィルムを１回通過した後に、１／４波長フィルムを２度通過すると偏光は９０度回る。さらに反射陰極で反射あるいは拡散層で拡散された後、最初に通過した偏光子を再度通過する場合、９０度回っているので、ほぼ全光量が遮断される。従って、図１の右側に示す通り、全反射光（図１中、Ｃ）及び反射ロス光（図１中、Ｄ）は、空気との界面での反射の際、偏光フィルム続いて位相差フィルムを通過し、さらに拡散層で拡散された後、視認側に戻ってくる際、さらに位相差フィルムを透過後、偏光フィルムに進入しこの際ほぼ全光量が吸収され、画素滲みが防止される。
【００４４】
なお、偏光フィルムと位相差フィルムの積層順については、偏光フィルムが発光層側（出射側の面の反対側）にある方が好ましい。  
その理由は、発光層側にあれば最初の空気界面との全反射もしくは透過光の部分反射の際に、偏光フィルム→位相差フィルム２回→偏光フィルムと透過するため、２度目の偏光フィルム透過の際にほぼ全量が吸収されるためである。この順番が逆になると、上記全反射もしくは部分反射後一度拡散層もしくは反射陰極まで戻ってから位相差フィルム、偏光フィルムと透過する際に吸収されるため、偏光フィルムによる吸収が不十分であったり、透明基板や発光層中で偏光状態が複屈折等により変化してしまう場合には、画素滲み防止効果が減少する。
【００４５】
（ii）反射防止フィルム（ＡＲフィルム）を設けた場合の画素滲み防止機構を、図２を参照して説明する。
【００４６】
反射防止フィルムを設けない場合の全反射光（図２中、Ａ）、透過光の部分反射光（反射ロス光。図２中、Ｂ）の発生する界面は、反射防止フィルムを設けることによって、透明基板〜空気よりＡＲフィルム〜空気へ移動する。
【００４７】
図２の右側に示す通り、基板内導波光（全反射光）は抑制できないが（効果が無い。図２中、Ｃ）、基板内部分反射光は抑制できる（図２中、Ｄ）。この結果、このロス光による画素滲みは防止できる。
【００４８】
（iii）偏光フィルム、もしくは吸収フィルター（可視域で光線を吸収するもの）を設けた場合の画素滲み防止機構を、図３を参照して説明する。
【００４９】
偏光フィルム又は吸収フィルターを設けない場合の全反射光（図３中、Ａ）、透過光の部分反射光（反射ロス光。図３中、Ｂ）の発生する界面は、偏光フィルム又は吸収フィルターを設けることによって、基板〜空気より偏光フィルム〜空気へ移動する。
【００５０】
図３の右側に示す通り、偏光フィルム、吸収フィルター共に可視光線をある割合で吸収するため、全反射光、反射ロス光共に３回以上偏光フィルム、吸収フィルター内を通過することで吸収される（図３中、Ｃ，Ｄ）。発光層からそのまま視認側に上がってくる光線は１回しか通過しないので吸収される割合が少ない。従って、その差の分画素滲みが少なくなる。
【実施例】
【００５１】
以下、実施例及び比較例について説明する。
【００５２】
なお、以下の実施例及び比較例で用いた各フィルムの詳細は次の通りである。  
ＡＲフィルム；日本油脂社製「８２０１ＵＶ」を使用した。使用の際には剥離紙を剥がし粘着剤層を介して貼り付けた。  
１／４波長フィルム（位相差フィルム）；ポリカーボネートの延伸フィルム（厚さ２００ｎｍ、位相差１４０±２０ｎｍ）を使用した。使用の際には粘着剤層を介して貼り付けた。  
偏光フィルム；ポリビニルアルコールフィルムにヨウ素をドープした後延伸しさらにトリアセチルセルロースフィルムで挟んだもの（厚さ２００μ、コントラスト２００、偏光透過率４４％）を使用した。使用の際には、粘着剤層を介して貼りつけた。
【００５３】
また、画素滲みは、デジタルカメラの撮像から目視により調べ、下記基準で評価した。
○：フィルムが無い場合に発生した画素滲みが消失した。  
△：フィルムが無い場合に比べて画素滲みが少なくなった。  
×：フィルムが無い場合に対して殆ど変化がない。
【００５４】
各例において、屈折率測定は、原則０５４２に基づきソプラ社のエリプソメーターで実施したが、メソ（ナノ）ポーラス材料あるいは粒子分散材料のマトリクス部分の屈折率はエリプソメーターでは測定が難しい場合、米国メトリコン社のプリズムカプラー・モデル２０１０を用いて波長６３３ｎｍのレーザーにより２５℃で屈折率測定を実施した。
【００５５】
膜厚については蒸着膜やスパッタ膜の膜厚は、検量線からの時間管理もしくは水晶発振式膜厚計により確認した。
【００５６】
塗布膜の膜厚は、光干渉式膜厚計もしくは膜に傷をつけて段差測定することにより測定した。ガラス基板等の厚い基材についてはマイクロノギス等により測定した。
【００５７】
また平均粒子径についてはＦＩＢ−ＳＥＭ法により測定した。
【００５８】
また、作成したエレクトロルミネッセンス素子を発光させる際は発光輝度３００ｃｄ／ｍ２に統一して発光状態を比較し、画素サイズは０．４ｍｍ（４００μｍ）角とした。
【００５９】
［光拡散距離≦画素サイズの場合］
（実施例１〜４，比較例１，２）
旭硝子（株）製無アルカリガラスＡＮ１００よりなる厚さ０．７ｍｍ、７５ｍｍ角のガラス基板の表面を０．１Ｎ硝酸に１時間程浸漬して脱脂処理した後、純水で洗浄し、６０℃オーブン中で乾燥した。
【００６０】
一方、三菱化学（株）製ＭＳ５１（テトラメトキシシランのオリゴマー）３０重量％、ブチルアルコール５０重量％、脱塩水８重量％、及びメタノール１２重量％の液に、酸触媒（アルミアセチルアセトナート）を少量加えた。この混合液を６０℃で３時間攪拌し１週間放置して熟成した。
【００６１】
これを上述のガラス基板上にスピンコーターで塗布し、１５分乾燥後、メタノール中に５分浸漬、引き上げて５分乾燥後、１５０℃オーブン中で１５分加熱して低屈折率層を形成した。得られた低屈折率層の厚さは３００ｎｍであった。ソプラ社のエリプソメーターでこの低屈折率層のマトリクス部分の屈折率を測定したところ、波長５５０ｎｍにおいて１．３６であった。また米国メトリコン社のプリズムカプラーモデル２０１０を用いて波長６３３ｎｍのレーザーで屈折率を測定したところ、屈折率は１．３３であった。
【００６２】
次に、三菱化学（株）製ＭＳ５１（テトラメトキシシランのオリゴマー）３０重量％、ブチルアルコール５０重量％、脱塩水８重量％、及びメタノール１２重量％の液に、酸触媒（アルミアセチルアセトナート）を少量加え、さらにブチルアルコール中に平均粒径２００ｎｍのチタニア粒子（６０％重量粒子径は１５０〜２５０ｎｍ）を出来上がった粒子含有浸み出し光拡散層中の重量百分率で１５重量％となるように予め分散させた。この混合液を６０℃で３時間攪拌し１週間放置して熟成した。粒子含有層中の重量百分率は前述の膜中の粒度分布を求めるのと同様の方法で実施した。マトリクスが多孔体である場合の密度はＸ線反射率を求めることまたは屈折率を求めることから実施した。
【００６３】
この塗布液を上述のガラス基板上の低屈折率層の上にディップコーターで塗布、１５分乾燥後メタノール中に５分浸漬、引き上げて５分乾燥後、１５０℃オーブン中で１５分加熱して浸み出し光拡散層を得た。なおディップコート時には裏面に保護フィルムを貼り、塗布後に剥離して、片側にのみ塗膜が形成されるようにした。
【００６４】
得られた散乱粒子含有浸み出し光拡散層は厚さが６００ｎｍ、散乱粒子がほぼ３段分に重なった構造が観察された。
【００６５】
ソプラ社のエリプソメーターで浸み出し光拡散層のマトリクス部分の屈折率を測定したところ、波長５５０ｎｍにおいて１．４０であった。また米国メトリコン社のプリズムカプラーモデル２０１０でも屈折率測定を実施したところ、波長６３３ｎｍのレーザーで屈折率は１．３８であった。
【００６６】
この散乱粒子含有浸み出し光拡散層の表面粗さをケーエルエー・テンコール社製Ｐ−１５型を使用して測定した。０．５μスキャンさせて測定したところＲａ＝８ｎｍ、Ｒｍａｘ＝１２０ｎｍであった。
【００６７】
また散乱粒子含有浸み出し光拡散層の平行光線に対する透過ロス光（散乱ロス光）は、波長５５０ｎｍで５２％であった。測定にはヒューレッドパッカード社の分光光度計を用い、レファレンスとしては塗布膜を形成する前のガラス基板を用いた。
【００６８】
この散乱粒子含有浸み出し光拡散層上にＩＴＯ（インジウムティンオキサイド）を１１５ｎｍ厚で常温スパッタして透明電極層を形成し、さらにＣｕＰＣ（銅フタロシアニン）層２５ｎｍ、ＮＰＢ（ナフチルペンチルベンジジン）層４５ｎｍ、ＡｌＱ３（アルミキノリン錯体、緑色発光色素）６０ｎｍを蒸着により形成し、最後に蒸着によりアルミニウムの反射電極層を８０ｎｍ厚さに形成した。ＩＴＯ層の屈折率を測定したところ２．０４（５５０ｎｍ）であった。得られたエレクトロルミネッセンス素子は、ガラス基板／低屈折率層／浸み出し光拡散層／透明電極層（ＩＴＯ）／エレクトロルミネッセンス層／反射電極層（Ａｌ）の積層体であり、光拡散距離は、８５５ｎｍで画素サイズ４００μｍよりも小さい。
【００６９】
このようにして得られたエレクトロルミネッセンス素子のガラス基板上に表１に示すフィルムを設けて、画素滲みを調べ結果を表１に示した。
【００７０】
【表１】
2006244768.tif 000003
【００７１】
表１より、本発明によれば、浸み出し光拡散層を有するエレクトロルミネッセンス素子の画素滲みを軽減することができることが分かる。
【００７２】
［光拡散距離＞画素サイズの場合］
（比較例３〜８）
実施例１において、浸み出し光拡散層の塗布の際に裏面に保護フィルムを貼らずにディップ塗布を実施した以外は全く同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。得られたエレクトロルミネッセンス素子は、浸み出し光拡散層／ガラス基板／低屈折率層／浸み出し光拡散層／透明電極層（ＩＴＯ）／エレクトロルミネッセンス層／反射電極層（Ａｌ）の積層体である。このエレクトロルミネッセンス素子では、ガラス基板の両側に浸み出し光拡散層が形成されたため、光拡散距離、即ち、浸み出し光拡散層の距離は０．７ｍｍ以上であり、画素の大きさより大きいものとなった。
【００７３】
得られたエレクトロルミネッセンス素子の浸み出し光拡散層上に、表２に示すフィルムを設けて画素滲みを調べ、結果を表２に示した。
【００７４】
【表２】
2006244768.tif 000004
【００７５】
表２より、光拡散距離が画素サイズより大きい場合には、光拡散距離間での導波の割合が多く、本発明に係る画素滲みを設けても、画素滲み抑制効果が得られないことが分かる。
【００７６】
（比較例９〜１３）
実施例１において、浸み出し光拡散層を形成した後、０．５ｍｍ厚のガラス基板を張り合わせ、その上に透明電極層（ＩＴＯ）とエレクトロルミネッセンス層と反射電極層（Ａｌ）を積層したこと以外は同様にしてエレクトロルミネッセンス素子を作製した。なお、ガラス基板の張り合わせにはＵＶ硬化型接着剤を用いた。接着剤の厚さは５μｍであった。このエレクトロルミネッセンス素子は、ガラス基板／浸み出し光拡散層／接着剤層／ガラス基板／透明電極層（ＩＴＯ）／エレクトロルミネッセンス層／反射電極層（Ａｌ）の積層体であり、浸み出し光拡散層とアルミニウム反射電極との間隔は約０．５ｍｍ以上であり画素サイズよりも大きくなった。
【００７７】
得られたエレクトロルミネッセンス素子のガラス基板上に、表３に示すフィルムを設けて画素滲みを調べ、結果を表３に示した。
【００７８】
【表３】
2006244768.tif 000005
【００７９】
表３より、光拡散距離が画素サイズより大きい場合には、光拡散距離間での導波の割合が多く、本発明に係る画素滲みを設けても、画素滲み抑制効果が得られないことが分かる。
【産業上の利用可能性】
【００８０】
本発明のエレクトロルミネッセンス素子は、ディスプレーや照明等に有効であるが、その画素滲み防止効果による視認性の向上の点から、特にディスプレーに有効である。  
また、本発明のエレクトロルミネッセンス素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子、無機エレクトロルミネッセンス素子のいずれであっても良いが、特に有機エレクトロルミネッセンス素子に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】本発明において、最表層に偏光フィルム又は色素フィルターを設けた場合の画素滲み防止機構を説明する模式図である。
【図２】本発明において、最表層に反射防止フィルムを設けた場合の画素滲み防止機構を説明する模式図である。
【図３】本発明において、最表層に円偏光フィルムを設けた場合の画素滲み防止機構を説明する模式図である。
【図４】本発明に係る光拡散距離を示す模式図である。なお、図４において、図６と同一機能を奏する部材には同一符号を付してある。
【図５】従来例に係るエレクトロルミネッセンス素子の断面図である。
【図６】光拡散層を設けたエレクトロルミネッセンス素子の断面図である。
【図７】光拡散層を設けたエレクトロルミネッセンス素子の断面図である。
【図８】光拡散層を設けた従来のエレクトロルミネッセンス素子の画素滲み発生のメカニズムを説明する模式図である。
【符号の説明】
【００８２】
１  反射電極層（陰極）
２  エレクトロルミネッセンス層
３  透明電極層
４  低屈折率層
５  透明基板
６，６ａ  光拡散層
【図１】
2006244768.tif 000006
【図２】
2006244768.tif 000007
【図３】
2006244768.tif 000008
【図４】
2006244768.tif 000009
【図５】
2006244768.tif 000010
【図６】
2006244768.tif 000011
【図７】
2006244768.tif 000012
【図８】
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