(57)【要約】【課題】  導電性プラグのコンタクト不良を防止することができる半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】  シリコン基板１０上のコンタクトプラグ２２ａの上に酸化防止膜２５を形成する工程と、酸化防止膜２５上にキャパシタQを形成する工程と、キャパシタQを覆う第２層間絶縁膜４４を形成する工程と、第１ホール４４ａを第２層間絶縁膜４４に形成する工程と、第２層間絶縁膜４４をブラシスクラバ処理する工程と、第２層間絶縁膜４４をウエット処理する工程と、酸化防止膜２５をストッパにして第２層間絶縁膜４４に第２ホール４４ｃを形成する工程と、第２ホール４４ｃ下の酸化防止膜２５をエッチングして除去すると共に、第１ホール４４ａ下の上部電極３３ａを清浄化する工程と、第１、第２ホール４４ａ、４４ｃ内に第１、第２導電性プラグ５０ａ、５０ｃを形成する工程とを有する半導体装置の製造方法による。【選択図】  図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板にMOSトランジスタを形成する工程と、
前記MOSトランジスタの上に第１層間絶縁膜を形成する工程と、
前記MOSトランジスタのソース／ドレイン領域の上の前記第１層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、
前記ソース／ドレイン領域と電気的に接続されるコンタクトプラグを前記コンタクトホール内に形成する工程と、
前記第１層間絶縁膜と前記コンタクトプラグのそれぞれの上に酸化防止膜を形成する工程と、
前記酸化防止膜の上に、下部電極、キャパシタ誘電体膜、及び上部電極を有するキャパシタを形成する工程と、
前記キャパシタを覆う第２層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第２層間絶縁膜をパターニングすることにより、前記上部電極に至る深さの第１ホールを前記第２層間絶縁膜に形成する工程と、
前記第２層間絶縁膜をパターニングした後に、該第２層間絶縁膜の表面に対してブラシスクラバ処理を施す工程と、
前記ブラシスクラバ処理の後に、前記第２層間絶縁膜の表面をウエット処理する工程と、
前記ウエット処理の後に、前記酸化防止膜をエッチングストッパにしながら前記第２層間絶縁膜をパターニングすることにより、前記コンタクトプラグの上の前記第２層間絶縁膜に第２ホールを形成する工程と、
前記第１、第２ホールの内面をエッチング雰囲気に曝すことにより、前記第２ホールの下に露出する前記酸化防止膜をエッチングして除去し、前記コンタクトプラグの上面を露出させると共に、前記第１ホールに露出する前記上部電極の表面を清浄化する工程と、
前記上部電極と電気的に接続される第１導電性プラグを前記第１ホール内に形成する工程と、
前記コンタクトプラグと電気的に接続される第２導電性プラグを前記第２ホール内に形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２層間絶縁膜として、アルミナ膜を含む積層膜を形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記ウエット処理において、前記第２層間絶縁膜の表面を温水に曝すことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記温水の温度を４０℃以上７０℃以下に設定することを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記ウエット処理において、前記第２層間絶縁膜の表面を硝酸に曝すことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記ウエット処理の後に、前記第２層間絶縁膜の表面を再びブラシスクラバ処理することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記酸化防止膜として、酸窒化シリコン膜を形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記上部電極として、貴金属膜又は酸化貴金属膜を採用することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記キャパシタを形成する工程において、前記下部電極のコンタクト領域を前記キャパシタ誘電体膜からはみ出して形成し、
前記第２層間絶縁膜に前記第１ホールを形成する工程において、前記下部電極の前記コンタクト領域に至る深さの第３ホールを前記第２層間絶縁膜に形成すると共に、
前記下部電極と電気的に接続される第３導電性プラグを前記第３ホール内に形成する工程を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記下部電極として貴金属膜を採用することを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電源を切っても情報を記憶することができる不揮発性メモリとして、フラッシュメモリや強誘電体メモリが知られている。
【０００３】
このうち、フラッシュメモリは、絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（IGFET）のゲート絶縁膜中に埋め込んだフローティングゲートを有し、記憶情報を表す電荷をこのフローティングゲートに蓄積することによって情報を記憶する。しかし、このようなフラッシュメモリでは、情報の書き込みや消去の際に、ゲート絶縁膜にトンネル電流を流す必要があり、比較的高い電圧が必要であるという欠点がある。
【０００４】
これに対し、強誘電体メモリは、FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory)とも呼ばれ、強誘電体キャパシタが備える強誘電体膜のヒステリシス特性を利用して情報を記憶する。その強誘電体膜は、キャパシタの上部電極と下部電極の間に印加される電圧に応じて分極を生じ、その電圧を取り去っても自発分極が残留する。印加電圧の極性を反転すると、この自発分極も反転し、その自発分極の向きを「１」と「０」に対応させることで、強誘電体膜に情報が書き込まれる。この書き込みに必要な電圧はフラッシュメモリにおけるよりも低く、また、フラッシュメモリよりも高速で書き込みができるという利点がFeARMにはある。
【０００５】
上記したFeRAMのキャパシタは層間絶縁膜で覆われ、上部電極や下部電極の上の層間絶縁膜上には、これらの電極と電気的なコンタクトをとるためのホールが開口される。また、キャパシタから離れた部分の層間絶縁膜にも、例えば半導体基板上のMOSトランジスタのソース／ドレイン領域とコンタクトをとる目的でホールが形成される。これらのホール内に異物が存在したり、或いはホール自身が未開口であったりすると、ホール内に形成される導電性プラグとその下の電極等との間でコンタクト不良が発生する。こうなると、キャパシタに所望の電圧を印加することができず、FeRAMが不良となってその歩留まりが低下する。
【０００６】
なお、本発明に関連する技術が下記の特許文献１〜３に開示されている。
【０００７】
そのうち、特許文献１では、プラズマエッチングによって発生したポリマをブラシスクラバ処理により除去している。
【０００８】
また、特許文献２、３では、CMP(Chemical Mechanical Polishing)の後にブラシスクラバ処理をしている。
【特許文献１】特開２００１−２３７２３６号公報
【特許文献２】特開２００２−３７３８７９号公報
【特許文献３】特許第３３３２８３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、導電性プラグのコンタクト不良を防止することができる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一観点によれば、半導体基板にMOSトランジスタを形成する工程と、前記MOSトランジスタの上に第１層間絶縁膜を形成する工程と、前記MOSトランジスタのソース／ドレイン領域の上の前記第１層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、前記ソース／ドレイン領域と電気的に接続されるコンタクトプラグを前記コンタクトホール内に形成する工程と、前記第１層間絶縁膜と前記コンタクトプラグのそれぞれの上に酸化防止膜を形成する工程と、前記酸化防止膜の上に、下部電極、キャパシタ誘電体膜、及び上部電極を有するキャパシタを形成する工程と、前記キャパシタを覆う第２層間絶縁膜を形成する工程と、前記第２層間絶縁膜をパターニングすることにより、前記上部電極に至る深さの第１ホールを前記第２層間絶縁膜に形成する工程と、前記第２層間絶縁膜をパターニングした後に、該第２層間絶縁膜の表面に対してブラシスクラバ処理を施す工程と、前記ブラシスクラバ処理の後に、前記第２層間絶縁膜の表面をウエット処理する工程と、前記ウエット処理の後に、前記酸化防止膜をエッチングストッパにしながら前記第２層間絶縁膜をパターニングすることにより、前記コンタクトプラグの上の前記第２層間絶縁膜に第２ホールを形成する工程と、前記第１、第２ホールの内面をエッチング雰囲気に曝すことにより、前記第２ホールの下に露出する前記酸化防止膜をエッチングして除去し、前記コンタクトプラグの上面を露出させると共に、前記第１ホールに露出する前記上部電極の表面を清浄化する工程と、前記上部電極と電気的に接続される第１導電性プラグを前記第１ホール内に形成する工程と、前記コンタクトプラグと電気的に接続される第２導電性プラグを前記第２ホール内に形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。
【００１１】
本発明によれば、第１ホールの形成時に発生したエッチング生成物がブラシスクラバ処理によって物理的に掻き落とされるので、ウエット処理のように化学的にエッチング生成物を溶解する場合と比較して、エッチング生成物を確実に除去することが可能となる。そのため、第２層間絶縁膜をパターニングして第２ホールを形成する際に、エッチング生成物に起因してパターン不良が発生するのが防止されるので、第２ホールが未開口とならず、その第２ホール内に形成される第２導電性プラグとその下のコンタクトプラグとの間でコンタクト不良が発生するのが抑止され、最終的に完成する半導体装置が不良となるのを防ぐことができる。
【００１２】
しかも、コンタクトプラグの上に酸化防止膜を形成するようにしたので、半導体装置の製造時にコンタクトプラグが酸化するのを防ぐことができ、酸化に伴うコンタクト不良を抑止することができる。
【００１３】
その酸化防止膜は、第１、第２ホールの内面をエッチング雰囲気に曝すことで除去される。このとき、第１ホールに露出する上部電極の表面が清浄化されるため、第１ホール内に形成される第１導電性プラグと上部電極とを電気的に良好に接続することができる。
【００１４】
上記した第２層間絶縁膜としては、水素等の還元性物質をブロックし、キャパシタ誘電体膜が還元されるのを防止する機能に優れたアルミナ膜を含む積層膜を形成するのが好ましい。
【００１５】
その場合、第１ホール形成時のエッチング生成物にはアルミナが含まれることになる。このアルミナは、ブラシスクラバ処理の後のウエット処理において、第２層間絶縁膜の表面を温水に曝すことにより、温水中に溶解して容易に除去することが可能である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、層間絶縁膜のホール形成時に発生するエッチング生成物をブラシスクラバ処理によって物理的に掻き落とすので、化学処理によってのみエッチング生成物を除去する場合と比較して、除去の効率が極めて高い。従って、ブラシスクラバ処理の後に層間絶縁膜に別のホールを形成する場合であっても、エッチング生成物に起因してそのホールが未開口となるのを防止できる。これにより、ホール内に形成される導電性プラグと下層とのコンタクト不良を防止でき、ひいては半導体装置の歩留まりを向上させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
（１）予備的事項の説明
本発明の実施の形態に先立ち、本発明の予備的事項について説明する。
【００１８】
図１〜図６は、本願発明者が作成したFeRAMの製造途中の断面図である。
【００１９】
このFeRAMは次のようにして作成される。
【００２０】
まず、図１（ａ）に示す断面構造を得るまでの工程を説明する。
【００２１】
最初に、n型又はp型のシリコン（半導体）基板１０表面に、トランジスタの活性領域を画定するSTI(Shallow Trench Isolation)用の溝を形成し、その中に酸化シリコン等の絶縁膜を埋め込んで素子分離絶縁膜１１とする。なお、素子分離構造はSTIに限られず、LOCOS(Local Oxidation of Silicon)法で素子分離絶縁膜１１を形成してもよい。
【００２２】
次いで、シリコン基板１０の活性領域にp型不純物を導入してpウェル１２を形成した後、その活性領域の表面を熱酸化することにより、ゲート絶縁膜１８となる熱酸化膜を形成する。
【００２３】
続いて、シリコン基板１０の上側全面に非晶質又は多結晶のシリコン膜及びタングステンシリサイド膜を順に形成し、これらの膜をフォトリソグラフィによりパターニングしてゲート電極１５ａ、１５ｂを形成する。
【００２４】
pウェル１２上には、上記の２つのゲート電極１５ａ、１５ｂが間隔をおいてほぼ平行に配置され、それらのゲート電極１５ａ、１５ｂはワード線の一部を構成する。
【００２５】
次いで、ゲート電極１５ａ、１５ｂをマスクにするイオン注入により、各ゲート電極１５ａ、１５ｂの横のシリコン基板１０にn型不純物を導入し、第１〜第３ソース／ドレインエクステンション１４ａ〜１４ｃを形成する。
【００２６】
その後に、シリコン基板１０の上側全面に絶縁膜を形成し、その絶縁膜をエッチバックしてゲート電極１５ａ、１５ｂの横に絶縁性サイドウォール１６として残す。その絶縁膜として、例えばCVD法により酸化シリコン膜を形成する。
【００２７】
続いて、絶縁性サイドウォール１６とゲート電極１５ａ、１５ｂをマスクにしながら、シリコン基板１０にn型不純物を再度イオン注入することにより、各ゲート電極１５ａ、１５ｂの側方のシリコン基板１０に第１〜第３ソース／ドレイン領域１３ａ〜１３ｃを形成する。
【００２８】
ここまでの工程により、シリコン基板１０の活性領域には、ゲート絶縁膜１８、ゲート電極１５ａ、１５ｂ、及び第１〜第３ソース／ドレイン領域１３ａ〜１３ｃによって構成される第１、第２MOSトランジスタTR1、TR2が形成されたことになる。
【００２９】
次に、シリコン基板１０の上側全面に、スパッタ法によりコバルト層等の高融点金属層を形成した後、この高融点金属層を加熱してシリコンと反応させ、シリコン基板１０上に高融点金属シリサイド層１７を形成する。その高融点金属シリサイド層１７はゲート電極１５ａ、１５ｂの表層部分にも形成され、それにより各ゲート電極１５ａ、１５ｂが低抵抗化されることになる。
【００３０】
その後、素子分離絶縁膜１１の上等で未反応となっている高融点金属層をウエットエッチングして除去する。
【００３１】
続いて、プラズマCVD法により、窒化シリコン（SiN）膜１９を厚さ約２０nmに形成する。次いで、この窒化シリコン膜１９の上に、シランガスを使用するプラズマCVD法により酸化シリコン膜２０を厚さ約８０nmに形成し、更にその上にTEOSガスを使用するプラズマCVD法により犠牲酸化シリコン膜を約１０００nmに形成する。そして、その犠牲酸化シリコン膜の上面をCMP(Chemical Mechanical Polishing)法により研磨して平坦化し、残された酸化シリコン膜２０と窒化シリコン膜１９とを第１層間絶縁膜２１とする。上記のCMPの結果、第１層間絶縁膜２１の厚さは、シリコン基板１０の平坦面上で約７００nmとなる。
【００３２】
次に、フォトリソグラフィにより第１層間絶縁膜２１をパターニングして、第１〜第３ソース／ドレイン領域１３ａ〜１３ｃのそれぞれの上に第１〜第３コンタクトホール２１ａ〜２１ｃを形成する。そして、各コンタクトホール２１ａ〜２１ｃの内面と第１層間絶縁膜２１の上面に、スパッタ法により厚さ約３０nmのチタン膜と厚さ約２０nmの窒化チタン膜とをこの順にグルー膜として形成する。更に、六フッ化タングステンガスを使用するCVD法により、上記のグルー膜の上にタングステン膜を形成し、そのタングステン膜でコンタクトホール２１ａ〜２１ｃを完全に埋め込む。その後に、第１層間絶縁膜２１上の余分なタングステン膜とグルー膜とをCMP法により研磨して除去し、上記の膜をコンタクトホール２１ａ〜２１ｃの中に第１〜第３コンタクトプラグ２２ａ〜２２ｃとして残す。これら第１〜第３コンタクトプラグ２２ａ〜２２ｃは、その下の第１〜第３ソース／ドレイン領域１３ａ〜１３ｃと電気的に接続されることになる。
【００３３】
ところで、その第１〜第３コンタクトプラグ２２ａ〜２２ｃは、タングステンを主に構成されるが、タングステンは非常に酸化され易く、プロセス中で酸化されるとコンタクト不良を引き起こす。
【００３４】
そこで、次の工程では、図１（ｂ）に示すように、上記の第１〜第３コンタクトプラグ２２ａ〜２２ｃを酸化雰囲気から保護するための酸化防止膜２５として、プラズマCVD法により酸窒化シリコン(SiON)膜を厚さ約１００nmに形成する。更に、この酸化防止膜２５の上に、TEOSガスを使用するプラズマCVD法により酸化シリコン膜を厚さ約１３０nmに形成し、それを絶縁性密着膜２６とする。
【００３５】
次いで、図１（ｃ）に示すように、後述の強誘電体キャパシタの下部電極の結晶性を高め、最終的にはキャパシタ誘電体膜の結晶性を改善するために、スパッタ法により第１アルミナ膜２７を厚さ約２０nmに形成する。
【００３６】
次に、図２（ａ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
【００３７】
まず、スパッタ法により貴金属膜、例えばプラチナ膜を厚さ約１５０nmに形成し、それを第１導電膜３１とする。
【００３８】
次いで、強誘電体膜３２として、PZT膜をスパッタ法により第１導電膜３１上に厚さ約１５０nmに形成する。その強誘電体膜３２の成膜方法としては、スパッタ法の他に、MOCVD(Metal Organic CVD)法やゾル・ゲル法もある。更に、強誘電体膜３２の材料は上記のPZTに限定されず、SrBi2Ta2O9、SrBi2(Ta, Nb)2O9等のBi層状構造化合物や、PZTにランタンをドープしたPLZT、或いはその他の金属酸化物強誘電体で強誘電体膜３２を構成してもよい。
【００３９】
続いて、酸素が１％でアルゴンが９９％の雰囲気中において、強誘電体膜３２を構成するPZTをRTA(Rapid Thermal Anneal)により結晶化する。そのRTAの条件は、例えば、基板温度７２０℃、処理時間１２０秒、昇温速度１００〜１５０℃／秒である。
【００４０】
その後に、強誘電体膜３２の上に、スパッタ法により酸化イリジウム(IrO2)膜を厚さ約２５０nmに形成し、それを第２導電膜３３とする。なお、第２導電膜３３は貴金属膜又は酸化貴金属膜で構成さればよく、上記の酸化イリジウム膜に代えて、イリジウム膜やプラチナ膜等の貴金属膜を第２導電膜３３として形成してもよい。
【００４１】
次に、図２（ｂ）に示すように、上記した第２導電膜３３、強誘電体膜３２、及び第１導電膜３１をこの順に別々フォトリソグラフィによりパターニングして、上部電極３３ａ、キャパシタ誘電体膜３２ａ、及び下部電極３１ａを形成し、これらで強誘電体キャパシタQを構成する。なお、第１導電膜３１は、下部電極３１ａのコンタクト領域CRがキャパシタ誘電体膜３２ａからはみ出るようにパターニングされる。
【００４２】
次に、図２（ｃ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
【００４３】
まず、水素等の還元性雰囲気からキャパシタQを保護し、キャパシタ誘電体膜３２ａの劣化を防止するための第２アルミナ膜４０をシリコン基板１０の上側全面に形成する。その第２アルミナ膜４０は、例えばスパッタ法により厚さ約２０nmに形成する。
【００４４】
そして、エッチングやスパッタリング等によってここまでの工程でキャパシタ誘電体膜３２ａが受けたダメージを回復させるため、ファーネス内の酸素１００%の雰囲気中で基板温度６５０℃、処理時間９０分の条件で回復アニールを行う。
【００４５】
次に、TEOSガスを反応ガスとするプラズマCVD法により、第２アルミナ膜４０の上に酸化シリコン膜４１を厚さ約１５００nmに形成する。その酸化シリコン膜４１の上面には、キャパシタQの形状を反映した凹凸が形成される。そこで、この凹凸を無くすために、酸化シリコン膜４１の上面をCMP法により研磨して平坦化し、第２アルミナ膜４０の平坦面上での酸化シリコン膜４１の厚さを約１０００nmにする。
【００４６】
その後、この酸化シリコン膜４１の脱水処理として、酸化シリコン膜４１の表面をN2Oプラズマに曝す。このようなN2Oプラズマ処理に代えて、炉の中で酸化シリコン膜４１をアニールして脱水してもよい。
【００４７】
次いで、後の工程で発生する水素や水分からキャパシタQを保護するための第３アルミナ膜４２を、酸化シリコン膜４１の上にスパッタ法により厚さ約５０nmに形成する。更に、この第３アルミナ膜４２の上に、プラズマCVD法で酸化シリコン膜４３を厚さ約２００nmに形成する。
【００４８】
ここまでの工程により、キャパシタQの上には、酸化シリコン膜４１、４３と第３アルミナ膜４２とで構成される第２層間絶縁膜４４が形成されたことになる。
【００４９】
続いて、図３（ａ）に示すように、第２層間絶縁膜４４の上にフォトレジストを塗布し、それを露光、現像することにより、ホール形状の第１、第２窓４５ａ、４５ｂを備えた第１レジストパターン４５を形成する。
【００５０】
次に、図３（ｂ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
【００５１】
まず、平行平板型のプラズマエッチングチャンバ内にシリコン基板２０を入れ、基板温度を−１０〜１０℃程度に安定させる。そして、C4F8、Ar、O2、及びCOの混合ガスをエッチングガスとして上記のチャンバ内に導入し、チャンバ内の圧力を約４〜７Paにする。その状態で、周波数が２７．１２MHzでパワーが２２００Wの高周波電力をチャンバ内の上部電極（不図示）に印加することによりチャンバ内にプラズマを発生させる。これにより、第１レジストパターン４５の第１、第２窓４５ａ、４５ｂを通じて第２層間絶縁膜４４とその下の第２アルミナ膜４０とがエッチングされ、上部電極３３ａの上に第１ホール４４ａが形成されると共に、下部電極３１ａのコンタクト領域CR上に第２ホール４４ｂが形成される。
【００５２】
なお、このエッチングにおけるガス流量は特に限定されないが、この例ではC4F8を１０〜２０sccm、Arを３００〜５００sccm、O2を１０〜２０sccm、そしてCOを０〜５０sccmとする。
【００５３】
次に、図４（ａ）に示すように、６０〜７０重量%の硝酸中にシリコン基板２０を約３０秒間浸して第１、第２ホール４４ａ、４４ｂ内を洗浄した後、酸素プラズマを用いるアッシングにより第１レジストパターン４５を除去する。そのアッシングの処理時間は、例えば約９０秒である。
【００５４】
ところで、エッチングにより既述の第１、第２ホール４４ａ、４４ｂを形成する際、これらのホール４４ａ、４４ｂが未開口になるのを防ぐため、上記のエッチングはオーバーエッチング気味に行われる。そのため、上記のエッチングの際、各ホール４４ａ、４４ｂの下の上部電極３３ａや下部電極３１ａの上面が僅かに削れ、各電極３３ａ、３１ａの構成材料がエッチング雰囲気中に放出される。
【００５５】
その結果、図４（ａ）に示されるように、上記の材料、例えば酸化イリジウムやプラチナを含んだエッチング生成物３８が、第１レジストパターン４５を除去した後でも、第１、第２ホール４４ａ、４４ｂの周囲に残ることになる。
【００５６】
図７は、この工程を終了した後における第１、第２ホール４４ａ、４４ｂのSEM(Scanning Electron Microscope)像を元にして描いた図であり、図７の左側が第２ホール４４ｂ、右側が第１ホール４４ａである。
【００５７】
図７に示されるように、上部電極３３ａが露出する第１ホール４４ａ、及び下部電極３１ａが露出する第２ホール４４ｂのいずれの周囲にも、既述のエッチング生成物３８が発生する。
【００５８】
そこで、このようなエッチング生成物３８を除去するため、図４（ｂ）に示すように、６０〜７０重量%の硝酸中にシリコン基板２０を約３０秒間浸す。
【００５９】
ところが、エッチング生成物３８は、上部電極３３ａに由来する反応性に乏しい酸化イリジウムを含んでいるため、上記のような硝酸を用いた化学的なウエット処理ではエッチング生成物３８を完全に溶解して除去することができない。そのため、エッチング生成物３８は、このウエット処理において液中を浮遊し、図４（ｂ）のように第２層間絶縁膜４４上に再び付着する。
【００６０】
なお、このエッチング生成物３８には、第２ホール３８ｂ下に露出する下部電極３１ａの構成材料、例えばプラチナ等の貴金属や、各ホール３８ａ、３８ｂの側面に露出する第３アルミナ膜４２中のアルミナも含まれる。そのアルミナには、各ホール３８ａ、３８ｂの下部の第２アルミナ膜４０に起因するものもある。これらの貴金属やアルミナも、反応性に乏しいため、エッチング生成物３８を化学的に除去するのを困難にしていると考えられる。
【００６１】
図８は、この工程を終了した後の第１ホール４４ａのSEM像を元にして描いた図である。これに示されるように、上記のように硝酸でウエット処理をした後でも、第１ホール４４ａの周囲には一部のエッチング生成物３８が残存する。
【００６２】
次に、図５（ａ）に示すように、第２層間絶縁膜４４の上にフォトレジストを再び塗布し、それを露光、現像して、第１〜第３コンタクトプラグ２２ａ〜２２ｃのそれぞれの上にホール形状の第３〜第５窓４７ｃ〜４７ｅを備えた第２レジストパターン４７を形成する。なお、第１、第２ホール４４ａ、４４ｂは、この第２レジストパターン４７により覆われる。
【００６３】
上記のようにエッチング生成物３８が第２層間絶縁膜４４上に再付着した結果、各窓４７ｃ〜４７ｅの中には、エッチング生成物３８と重なるものが存在する場合がある。図５（ａ）の例では、第３窓４７ｃがエッチング生成物３８と重なって形成されている。
【００６４】
次いで、図５（ｂ）に示すように、第３〜第５窓４７ｃ〜４７ｅを通じて第２層間絶縁膜４４、第１、２アルミナ膜２７、４０、及び絶縁性密着膜２６をエッチングすることにより、各コンタクトプラグ２２ａ〜２２ｃの上に第３〜第５ホール４４ｃ〜４４ｅを形成する。このようなエッチングは、C4F8、Ar、O2、及びCOの混合ガスをエッチングガスとする平行平板プラズマエッチング装置で行われ、酸化防止膜２５がこのエッチングにおけるストッパ膜となり、酸化防止膜２５上でエッチングは停止する。なお、このエッチングにおけるガス流量は特に限定されないが、この例ではC4F8を１０〜２０sccm、Arを３００〜５００sccm、O2を１０〜２０sccm、そしてCOを０〜５０sccmとする。また、基板温度は−３０〜０℃、圧力は４〜７Paに設定される。また、チャンバ内の上部電極（不図示）には、周波数が２７．１２MHzでパワーが１５００〜２２００Wの高周波電力が印加され、それにより上記のエッチングガスがプラズマ化される。
【００６５】
このようにして形成された第３〜第５ホール４４ｃ〜４４ｅのうち、第４、第５ホール４４ｄ、４４ｅは正常に形成される。
【００６６】
しかし、第３ホール４４ｃは、エッチング生成物３８がマスクとなるためその直径が細くなり、下部での直径が異常に小さくなる。
【００６７】
この後に、第２レジストパターン４７は除去される。
【００６８】
次に、図６（ａ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
【００６９】
まず、平行平板プラズマエッチングチャンバ内にシリコン基板１０を入れ、エッチングガスとしてCHF3、Ar、及びO2の混合ガスをそのエッチング装置に供給する。これにより、第３〜第５ホール４４ｃ〜４４ｅの下の酸化防止膜２５がエッチング雰囲気に曝されて除去され、これらのホールの下に第１〜第３コンタクトプラグ２２ａ〜２２ｃが露出すると共に、第１、第２ホール４４ａ、４４ｂ内の異物が除去されて、上部電極３３ａと下部電極３１ａの上面が清浄化される。
【００７０】
なお、このエッチングの条件は特に限定されないが、この例では、CHF3、Ar、及びO2の流量をそれぞれ３０〜５０sccm、３００〜５００sccm、及び１０〜２０sccmに設定する。また、基板温度は０〜２０℃に設定され、チャンバ内の圧力は４〜７Paとされる。更に、チャンバ内においてシャワーヘッドを兼ねる上部電極には、周波数が２７．１２MHzの高周波電力が１０００〜１５００Wのパワーで印加される。
【００７１】
このように、この例では、キャパシタQ上の浅い第１、第２ホール４４ａ、４４ｂを形成する工程とは別の工程において、第１〜第３ソース／ドレイン領域１３ａ〜１３ｃ上の深い第３〜第５ホール４４ｃ〜４４ｅを形成する。
【００７２】
これに対し、全てのホール４４ａ〜４４ｅを同時に形成することも考えられる。しかし、これでは、深い第３〜第５ホール４４ｃ〜４４ｅに合わせてエッチング時間を設定しなければならず、第３〜第５ホール４４ｃ〜４４ｅよりも浅く短時間で開口する第１ホール４４ａの下の上部電極３３ａがエッチング雰囲気に長時間曝されることになる。これでは、上部電極３３ａの下のキャパシタ誘電体膜３２ａがエッチング雰囲気によって劣化するので好ましくない。
【００７３】
一方、本実施形態では、上記のように浅い第１、第２ホール４４ａ、４４ｂと深い第３〜第５ホール４４ｃ〜４４ｅとを別々に形成し、第３〜第５ホール４４ｃ〜４４ｅを形成する際には第１、第２ホール４４ａ、４４ｂが第２レジストパターン４７で覆われているので、キャパシタ誘電体膜３２ａが劣化するのを抑制することが可能となる。
【００７４】
更に、第１〜第３コンタクトプラグ２２ａ〜２２ｃは、本工程が終了するまで酸化防止膜２５によって覆われているので、各コンタクトプラグ２２ａ〜２２ｃを構成するタングステンが酸化してコンタクト不良を起こすのが防止される。
【００７５】
次に、図６（ｂ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
【００７６】
まず、第１〜第５ホール４４ａ〜４４ｅの内面を清浄化するために、高周波電力でプラズマ化されたアルゴン雰囲気に各ホール４４ａ〜４４ｅの内面を曝し、その内面をスパッタエッチングする。そのエッチング量は、例えば、酸化シリコン膜の膜厚換算で約１０nmとされる。その後に、第１〜第５ホール４４ａ〜４４ｅの内面と第２層間絶縁膜４４の上面とに、スパッタ法によりグルー膜として窒化チタン膜を厚さ約７５nmに形成する。
【００７７】
そして、CVD法によりグルー膜の上にタングステン膜を形成し、そのタングステン膜で第１〜第５ホール４４ａ〜４４ｅを完全に埋め込む。
【００７８】
その後に、第２層間絶縁膜４４の上面上の余分なグルー膜とタングステン膜とをCMP法により研磨して除去し、これらの膜を各ホール４４ａ〜４４ｅの中に残す。第１、第２ホール４４ａ、４４ｂ内に残されたこれらの膜は、それぞれ上部電極３３ａと下部電極３１ａコンタクト領域CRに電気的に接続される第１、第２導電性プラグ５０ａ、５０ｂとされる。また、第３〜第５ホール４４ｃ〜４４ｅ内に残されたこれらの膜は、第１〜第３コンタクトプラグ２２ａ〜２２ｃと電気的に接続される第３〜第５導電性プラグ５０ｃ〜５０ｅとされる。
【００７９】
以上により、このFeRAMの基本構造が完成したことになる。
【００８０】
このFeRAMの製造方法によれば、図６（ｂ）に示されるように、エッチング生成物３８によって第３ホール４４ｃの直径が細くなる。そのため、この第３ホール４４ｃ内に形成される第３導電性プラグ５０ｃは、その下の第１コンタクトプラグ２２ａとのコンタクト面積が狭くなり、コンタクト不良となる恐れがある。こうなると、最終的に出来上がったFeRAMが不良となり、FeRAMの歩留まりを低下させることになる。
【００８１】
このような問題点に鑑み、本願発明者は、以下に説明するような本発明の実施の形態に想到した。
【００８２】
（２）本発明の実施の形態
図９〜図１２は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造途中の断面図である。なお、図９〜図１２において、図１〜図６で説明した要素にはこれらと同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。
【００８３】
まず、予備的事項で説明したように、図１（ａ）〜図３（ｂ）の工程を行う。
【００８４】
次に、図９（ａ）に示すように、本体１０１に複数のブラシ１０２を設けてなるブラシスクラバ１００を第２層間絶縁膜４４に押し当てながら移動させ、エッチング生成物３８を物理的に除去する。このような処理はブラシスクラバ処理と呼ばれる。そのブラシスクラバ処理の条件は特に限定されないが、本実施形態では、ブラシ加重を１０gf/cm2とする。
【００８５】
図１３は、この工程を終了した後の第１、第２ホール４４ａ、４４ｂのSEM像を元にして描いた図であり、図１３の左側が第２ホール４４ｂ、右側が第１ホール４４ａである。
【００８６】
図７と図１３とを比較して明らかなように、上記のブラシスクラバ処理によって、エッチング生成物３８の個数が減ると共に、その大きさも小さくなる。
【００８７】
次に、図９（ｂ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
【００８８】
まず、第２層間絶縁膜４４に対するウエット処理の第１ステップとして、６０〜７０重量%の硝酸中にシリコン基板２０を約３０秒間浸し、上記のブラシスクラバ処理で除去しきれなかったエッチング生成物３８を化学的に溶解して除去する。
【００８９】
図１４は、このようなウエット処理の第１ステップを終了した後の第１、第２ホール４４ａ、４４ｂのSEM像を元にして描いた図である。
【００９０】
図１４と先の図１３とを比較すると、硝酸を用いた第１ステップにより、エッチング生成物３８の大部分が消失することが分かる。
【００９１】
ところで、既述のように、エッチング生成物３８には、第１、第２ホール４４ａ、４４ｂ内に露出する第２、第３アルミナ膜４０、４２をエッチングしたときに発生したアルミナも含まれる。
【００９２】
そこで、このアルミナ成分を除去するために、上記の第１ステップを終了した後は、ウエット処理の第２ステップとして、温度が４０℃以上７０℃以下、より好ましくは約５０℃の温水中にシリコン基板２０を約１２０秒間浸す。アルミナは温水に溶解するので、エッチング生成物３８中のアルミナ成分がこの第２ステップにより略完全に除去されることになる。
【００９３】
なお、上記の処理温度の下限を４０℃としたのは、温度がこれよりも低いとアルミナが溶解し難くなり、エッチング生成物３８のアルミナ成分を除去するのが困難になるためである。また、処理温度の上限を７０℃としたのは、これよりも高い温度で処理を行うと、アルミナの溶解の効果が高まりすぎ、第２、第３アルミナ膜４０、４２が溶解してしまうためである。
【００９４】
また、上記の温水に代えて、希フッ酸を用いることも考えられる。しかし、希フッ酸を用いたのでは、第２層間絶縁膜４４を構成する酸化シリコン膜４１、４３が溶解し、第１、第２ホール４４ａ、４４ｂの直径が拡大してしまう。よって、これらのホール４４ａ、４４ｂが拡大するのが望ましくない場合には、希フッ酸ではなく上記の温水を用いるのが好ましい。
【００９５】
ここで、図９（ａ）のブラシスクラバ処理や、図９（ｂ）の２ステップのウエット処理を行っても、第２層間絶縁膜４４上にエッチング生成物３８が未だ残存する場合がある。
【００９６】
そこで、エッチング生成物３８を完全に除去するために、次の工程では、図１０（ａ）に示すように、第２層間絶縁膜４４に対して再びブラシスクラバ処理を施す。そのブラシスクラバ処理の条件は特に限定されないが、本実施形態ではブラシ加重を１０gf/cm2とする。
【００９７】
図１５は、このブラシスクラバ処理を行った後の第１、第２ホール４４ａ、４４ｂのSEM像を元にして描いた図である。
【００９８】
図１５から明らかなように、ブラシスクラバ処理を再度行ったことにより、各ホール４４ａ、４４ｂの周りのエッチング生成物３８がほぼ完全に除去することが可能となる。
【００９９】
この後は、図１０（ｂ）に示すように、第２層間絶縁膜４４の上にフォトレジストを再び塗布し、それを露光、現像して第２レジストパターン４７を形成する。その第２レジストパターン４７は、第１、第２ホール４４ａ、４４ｂを覆うと共に、第１〜第３コンタクトプラグ２２ａ〜２２ｃのそれぞれの上にホール形状の第３〜第５窓４７ｃ〜４７ｅを有する。
【０１００】
図９（ａ）のブラシスクラバ処理により、エッチング生成物３８が第２層間絶縁膜４４の上面から除去されているので、第２レジストパターン４７の各窓４７ｃ〜４７ｅの中にエッチング生成物３８と重なるものは存在しない。
【０１０１】
次いで、図１１（ａ）に示すように、第３〜第５窓４７ｃ〜４７ｅを通じて第２層間絶縁膜４４、第１、２アルミナ膜２７、４０、及び絶縁性密着膜２６をエッチングする。これにより、各コンタクトプラグ２２ａ〜２２ｃの上に、第１、第２ホール４４ａ、４４ｂよりも深い第３〜第５ホール４４ｃ〜４４ｅが形成される。なお、このエッチング条件は図５（ｂ）で説明したのと同様なので省略する。
【０１０２】
このエッチングでは、マスクとなる第２レジストパターン４７の下にエッチング生成物３８が存在しないので、第３〜第５ホール４４ｃ〜４４ｅにパターン不良は発生せず、これらのホールの直径は設計通りの値となる。
【０１０３】
この後に、第２レジストパターン４７は除去される。
【０１０４】
次に、図１１（ｂ）に示すように、第１〜第５ホール４４ａ〜４４ｅの内面をエッチング雰囲気に曝すことにより、第３〜第５ホール４４ｃ〜４４ｅの下に露出する酸化防止膜２５をエッチングし、コンタクトプラグ２２ａ〜２２ｃの上面を露出させると共に、第１、第２ホール４４ａ、４４ｂのそれぞれに露出する上部電極３３ａと下部電極３１ａの表面を清浄化する。このときのエッチング条件としては、例えば、図５（ｂ）で説明したのと同じ条件を採用し得る。
【０１０５】
ところで、既述のように、図９（ａ）のブラシスクラバ処理とその後の図９（ｂ）のウエット処理により、エッチング生成物３８はほぼ完全に除去される。しかし、図１１（ｂ）の点線円内に示すように、そのエッチング生成物３８が除去されずに第３〜第５ホール４４ｃ〜４４ｅ内に残ることがある。
【０１０６】
このような場合でも、上記のように第３〜第５ホール４４ｃ〜４４ｅの内面をエッチング雰囲気に曝すことで、ホール内のエッチング生成物３８もエッチングされて除去されるので、第３〜第５ホール４４ｃ〜４４ｅ内に残存するエッチング生成物３８に起因してコンタクト不良が発生するのを防止することが可能となる。
【０１０７】
続いて、図１２（ａ）に示すように、第１〜第５ホール４４ａ〜４４ｅのそれぞれに、図示のように第１〜第５導電性プラグ５０ａ〜５０ｅを形成する。これらの導電性プラグ５０ａ〜５０ｅの形成方法は、図６（ｂ）で説明したのと同じなので、ここでは省略する。
【０１０８】
次に、図１２（ｂ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
【０１０９】
まず、第２層間絶縁膜４４と第１〜第５導電性プラグ５０ａ〜５０ｅのそれぞれの上に、厚さが約６０nmのチタン膜と厚さが約３０nmの窒化チタン膜をこの順にスパッタ法により形成し、これらをバリアメタル層とする。次いで、このバリアメタル層の上に、金属積層膜として、スパッタ法により銅含有アルミニウム膜、チタン膜、及び窒化チタン膜をこの順にそれぞれ厚さ約３６０nm、５nm、７０nmに形成する。
【０１１０】
次いで、この金属積層膜の上に、不図示の酸窒化シリコン膜を反射防止膜として形成した後、フォトリソグラフィにより上記の金属積層膜とバリアメタル層とをパターニングして、一層目金属配線５２ａ〜５２ｃと導電性パッド５２ｄとを形成する。
【０１１１】
続いて、第３層間絶縁膜５３としてプラズマCVD法により酸化シリコン膜を形成した後、CMP法によりその第３層間絶縁膜５３を平坦化する。その後に、フォトリソグラフィにより第３層間絶縁膜５３をパターニングして導電性パッド５２ｄの上にホールを形成し、そのホール内にタングステン膜を主に構成される第６導電性プラグ５４を形成する。
【０１１２】
この後は、２層目〜５層目金属配線や、これらの金属配線の間に層間絶縁膜を形成する工程に移るが、その詳細については省略する。
【０１１３】
以上により、本実施形態に係るプレーナ型のFeRAMの基本構造が完成したことになる。
【０１１４】
上記した本実施形態によれば、図９（ａ）に示したように、パターニングにより第１、第２ホール４４ａ、４４ｂを形成した後の第２層間絶縁膜４４に対しブラシスクラバ処理を行う。このブラシスクラバ処理では、上記のパターニングの際に発生したエッチング生成物３８がブラシ１０２によって物理的に掻き落とされるので、ウエット処理のように化学的にエッチング生成物３８を溶解する場合と比較して、エッチング生成物３８を確実に除去することが可能となる。そのため、図１１（ａ）の工程において層間絶縁膜４４に深い第３〜第５ホール４４ｃ〜４４ｅを形成するときに、エッチング生成物３８によって各ホール４４ｃ〜４４ｅが未開口となるのを防止できる。従って、これらのホール４４ｃ〜４４ｅ内に形成される第３〜第５導電性プラグ５０ｃ〜５０ｅ（図１２（ｂ）参照）が、その下の第１〜第３コンタクトプラグ２２ａ〜２２ｃと電気的に確実にコンタクトするようになる。その結果、第３〜第５導電性プラグ５０ｃ〜５０ｅのコンタクト不良を抑止することが可能となり、ひいてはFeRAMの歩留まりを向上させることができる。
【０１１５】
更に、上記のブラシスクラバ処理の後に、図９（ｂ）で説明したように、硝酸による表面処理を第１ステップとするウエット処理を第２層間絶縁膜４４に対して行うことで、スクラバ処理によって除去しれなかったエッチング生成物３８が溶解し、エッチング生成物３８をより一層確実に除去することが可能となる。
【０１１６】
特に、本実施形態のように、第２、３アルミナ膜４０、４２を貫いて第１、第２ホール４４ａ、４４ｂを形成する場合には、エッチング生成物３８の中にアルミナが含まれる。この場合、上記の第１ステップの後に、第２層間絶縁膜４４を温水に曝す第２ステップを行うことで、エッチング生成物３８のアルミナ成分を温水中に溶解して除去することができる。
【０１１７】
更に、図１１（ｂ）の工程において、第１〜第５ホール４４ａ〜４４ｅの内面をエッチング雰囲気に曝す工程では、下部電極３１ａと上部電極３３ａの表面の清浄化と共に、第３〜第５ホール４４ｃ〜４４ｅ内に残存するエッチング生成物３８がエッチングされて除去される。これにより、第３〜第５ホール４４ｃ〜４４ｅ内のエッチング生成物３８によって第３〜第５導電性プラグ５０ｃ〜５０ｅ（図１２（ｂ）参照）にコンタクト不良が発生するのを防止できる。
【０１１８】
なお、上記では、下部電極３１ａのコンタクト領域CR上に第２導電性プラグ５０ｂが形成されるプレーナ型のFeRAMについて説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、下部電極３１ａと電気的に接続される導電性プラグが下部電極の直下に形成されるスタック型のFeRAMに対しても本発明を適用し得る。
【０１１９】
以下に、本発明の特徴を付記する。
【０１２０】
（付記１）  半導体基板にMOSトランジスタを形成する工程と、
前記MOSトランジスタの上に第１層間絶縁膜を形成する工程と、
前記MOSトランジスタのソース／ドレイン領域の上の前記第１層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、
前記ソース／ドレイン領域と電気的に接続されるコンタクトプラグを前記コンタクトホール内に形成する工程と、
前記第１層間絶縁膜と前記コンタクトプラグのそれぞれの上に酸化防止膜を形成する工程と、
前記酸化防止膜の上に、下部電極、キャパシタ誘電体膜、及び上部電極を有するキャパシタを形成する工程と、
前記キャパシタを覆う第２層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第２層間絶縁膜をパターニングすることにより、前記上部電極に至る深さの第１ホールを前記第２層間絶縁膜に形成する工程と、
前記第２層間絶縁膜をパターニングした後に、該第２層間絶縁膜の表面に対してブラシスクラバ処理を施す工程と、
前記ブラシスクラバ処理の後に、前記第２層間絶縁膜の表面をウエット処理する工程と、
前記ウエット処理の後に、前記酸化防止膜をエッチングストッパにしながら前記第２層間絶縁膜をパターニングすることにより、前記コンタクトプラグの上の前記第２層間絶縁膜に第２ホールを形成する工程と、
前記第１、第２ホールの内面をエッチング雰囲気に曝すことにより、前記第２ホールの下に露出する前記酸化防止膜をエッチングして除去し、前記コンタクトプラグの上面を露出させると共に、前記第１ホールに露出する前記上部電極の表面を清浄化する工程と、
前記上部電極と電気的に接続される第１導電性プラグを前記第１ホール内に形成する工程と、
前記コンタクトプラグと電気的に接続される第２導電性プラグを前記第２ホール内に形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【０１２１】
（付記２）  前記第２層間絶縁膜として、アルミナ膜を含む積層膜を形成することを特徴とする付記１に記載の半導体装置の製造方法。
【０１２２】
（付記３）  前記ウエット処理において、前記第２層間絶縁膜の表面を温水に曝すことを特徴とする付記２に記載の半導体装置の製造方法。
【０１２３】
（付記４）  前記温水の温度を４０℃以上７０℃以下に設定することを特徴とする付記３に記載の半導体装置の製造方法。
【０１２４】
（付記５）  前記ウエット処理において、前記第２層間絶縁膜の表面を硝酸に曝すことを特徴とする付記１に記載の半導体装置の製造方法。
【０１２５】
（付記６）  前記ウエット処理の後に、前記第２層間絶縁膜の表面を再びブラシスクラバ処理することを特徴とする付記１に記載の半導体装置の製造方法。
【０１２６】
（付記７）  前記酸化防止膜として、酸窒化シリコン膜を形成することを特徴とする付記１に記載の半導体装置の製造方法。
【０１２７】
（付記８）  前記上部電極として、貴金属膜又は酸化貴金属膜を採用することを特徴とする付記１に記載の半導体装置の製造方法。
【０１２８】
（付記９）  前記キャパシタを形成する工程において、前記下部電極のコンタクト領域を前記キャパシタ誘電体膜からはみ出して形成し、
前記第２層間絶縁膜に前記第１ホールを形成する工程において、前記下部電極の前記コンタクト領域に至る深さの第３ホールを前記第２層間絶縁膜に形成すると共に、
前記下部電極と電気的に接続される第３導電性プラグを前記第３ホール内に形成する工程を有することを特徴とする付記１に記載の半導体装置の製造方法。
【０１２９】
（付記１０）  前記下部電極として貴金属膜を採用することを特徴とする付記９に記載の半導体装置の製造方法。
【０１３０】
（付記１１）  前記第２ホールを形成する工程において、前記第１ホールをレジストパターンで覆うことを特徴とする付記１に記載の半導体装置の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【０１３１】
【図１】図１（ａ）〜（ｃ）は、予備的事項におけるFeRAMの製造途中の断面図（その１）である。
【図２】図２（ａ）〜（ｃ）は、予備的事項におけるFeRAMの製造途中の断面図（その２）である。
【図３】図３（ａ）、（ｂ）は、予備的事項におけるFeRAMの製造途中の断面図（その３）である。
【図４】図４（ａ）、（ｂ）は、予備的事項におけるFeRAMの製造途中の断面図（その４）である。
【図５】図５（ａ）、（ｂ）は、予備的事項におけるFeRAMの製造途中の断面図（その５）である。
【図６】図６（ａ）、（ｂ）は、予備的事項におけるFeRAMの製造途中の断面図（その６）である。
【図７】図７は、予備的事項の図４（ａ）の工程を終了した後における、第１ホールと第２ホールのSEM像を元にして描いた図である。
【図８】図８は、予備的事項の図４（ｂ）の工程を終了した後における、第１ホールと第２ホールのSEM像を元にして描いた図である。
【図９】図９（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造途中の断面図（その１）である。
【図１０】図１０（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造途中の断面図（その２）である。
【図１１】図１１（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造途中の断面図（その３）である。
【図１２】図１２（ａ）、（ｂ）は、本発明の実施の形態に係る半導体装置の製造途中の断面図（その４）である。
【図１３】図１３は、図９（ａ）のブラシスクラバ処理を終了した後における、第１ホールと第２ホールのSEM像を元にして描いた図である。
【図１４】図１４は、図９（ｂ）のウエット処理の第１ステップを終了した後における、第１ホールと第２ホールのSEM像を元にして描いた図である。
【図１５】図１５は、図１０（ａ）のブラシスクラバ処理を終了した後における、第１ホールと第２ホールのSEM像を元にして描いた図である。
【符号の説明】
【０１３２】
１０…シリコン基板、１１…素子分離絶縁膜、１２…pウェル、１３ａ〜１３ｃ…第１〜第３ソース／ドレイン領域、１５ａ、１５ｂ…ゲート電極、１６…絶縁性サイドウォール、１７…高融点金属シリサイド層、１８…ゲート絶縁膜、１９…窒化シリコン膜、２０…酸化シリコン膜、２１…第１層間絶縁膜、２２ａ〜２２ｃ…第１〜第３コンタクトプラグ、２５…酸化防止膜、２６…絶縁性密着膜、２７…第１アルミナ膜、３１…第１導電膜、３１ａ…下部電極、３２…強誘電体膜、３２ａ…キャパシタ誘電体膜、３３…第２導電膜、３３ａ…上部電極、３８…エッチング生成物、４０…第２アルミナ膜、４１…酸化シリコン膜、４２…第３アルミナ膜、４３…酸化シリコン膜、４４…第２層間絶縁膜、４４ａ〜４４ｅ…第１〜第５ホール、４５…第１レジストパターン、４５ａ、４５ｂ…第１、第２窓、４７…第２レジストパターン、４７ｃ〜４７ｅ…第３〜第５窓、５０ａ〜５０ｅ…第１〜第５導電性プラグ、５２ａ〜５２ｃ…一層目金属配線、５２ｄ…導電性パッド、５３…第３層間絶縁膜、５４…第６導電性プラグ、１００…ブラシスクラバ、１０１…本体、１０２…ブラシ。
【図１】
2006344749.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2006344749.tif 000010
【図９】
2006344749.tif 000011
【図１０】
2006344749.tif 000012
【図１１】
2006344749.tif 000013
【図１２】
2006344749.tif 000014
【図１３】
2006344749.tif 000015
【図１４】
2006344749.tif 000016
【図１５】
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