(57)【要約】【課題】コンデンサを内蔵する配線基板において、支持基体の表裏両側の主表面にコンデンサを形成することにより、一方の主表面にのみコンデンサを形成した場合と比較して形成容量を倍増させる。【解決手段】支持基体である基板コア部２の表裏両側の主表面に誘電体層と導体層とが積層された配線積層部６が形成され、配線積層部６には基板コア部２から高分子材料誘電体層３Ａと導体層４Ｂとセラミック誘電体層５とがこの順序で互いに接して積層された複合積層部８を有する配線基板において、基板コア部２の表裏両側の主表面に複合積層部８をそれぞれ形成する。【選択図】図１
2006237132.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基体の表裏両側の主表面に誘電体層と導体層とが積層された配線積層部がそれぞれ形成され、これら配線積層部には前記支持基体側から高分子材料誘電体層と導体層とセラミック誘電体層とがこの順序で互いに接して積層された複合積層部が含まれてなり、
前記複合積層部において、前記導体層は面内方向に層の一部が切り欠かれた導体層側切欠部を有し、また、前記セラミック誘電体層は面内方向に層の一部が切り欠かれたセラミック側切欠部を有し、該セラミック側切欠部と前記導体層側切欠部とが互いに連通した連通切欠部が形成され、前記高分子材料誘電体層を構成する高分子材料が、前記連通切欠部において、前記導体層側切欠部を経て前記セラミック側切欠部に至る形で充填されてなることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
支持基体の一方の主表面に誘電体層と導体層とが積層された配線積層部が形成され、該配線積層部には前記支持基体側から高分子材料誘電体層と導体層とセラミック誘電体層とがこの順序で互いに接して積層された複合積層部が２段以上に含まれてなり、
前記複合積層部において、前記導体層は面内方向に層の一部が切り欠かれた導体層側切欠部を有し、また、前記セラミック誘電体層は面内方向に層の一部が切り欠かれたセラミック側切欠部を有し、該セラミック側切欠部と前記導体層側切欠部とが互いに連通した連通切欠部が形成され、前記高分子材料誘電体層を構成する高分子材料が、前記連通切欠部において、前記導体層側切欠部を経て前記セラミック側切欠部に至る形で充填されてなることを特徴とする配線基板。
【請求項３】
支持基体の表裏両側の主表面に誘電体層と導体層とが積層された配線積層部がそれぞれ形成され、前記配線積層部の一方には前記支持基体側から高分子材料誘電体層と導体層とセラミック誘電体層とがこの順序で互いに接して積層された複合積層部が１段以上含まれ、前記配線積層部の他方には前記支持基体側から高分子材料誘電体層と導体層とセラミック誘電体層とがこの順序で互いに接して積層された複合積層部が２段以上含まれてなり、
前記複合積層部において、前記導体層は面内方向に層の一部が切り欠かれた導体層側切欠部を有し、また、前記セラミック誘電体層は面内方向に層の一部が切り欠かれたセラミック側切欠部を有し、該セラミック側切欠部と前記導体層側切欠部とが互いに連通した連通切欠部が形成され、前記高分子材料誘電体層を構成する高分子材料が、前記連通切欠部において、前記導体層側切欠部を経て前記セラミック側切欠部に至る形で充填されてなることを特徴とする配線基板。
【請求項４】
前記複合積層部に含まれる前記導体層を第一導体層として、前記セラミック誘電体層に対して前記第一導体層とは反対側から積層される第二導体層を有し、それら第一導体層、セラミック誘電体層及び第二導体層がコンデンサを形成する請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項５】
支持基体の表裏両側の主表面に誘電体層と導体層とが積層された配線積層部が形成され、該配線積層部には前記支持基体側から高分子材料誘電体層と導体層とセラミック誘電体層とがこの順序で互いに接して積層された複合積層部を有する配線基板の製造方法において、
転写元基板の一方の主表面上に前記セラミック誘電体層と前記導体層とをこの順序で形成して第一積層体を製造する第一積層体製造工程と、
前記支持基体の表裏両側の主表面上に前記高分子材料誘電体層を形成して第二積層体を製造する第二積層体製造工程と、
前記第二積層体の表裏両側の前記高分子材料誘電体層に前記第一積層体の前記導体層をそれぞれ貼り合わせる貼り合わせ工程と、
前記転写元基板を前記セラミック誘電体層から除去する転写元基板除去工程と、
をこの順序で実施することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項６】
支持基体の一方の主表面に誘電体層と導体層とが積層された配線積層部が形成され、該配線積層部には前記支持基体側から高分子材料誘電体層と導体層とセラミック誘電体層とがこの順序で互いに接して積層された複合積層部を有する配線基板の製造方法において、
転写元基板の一方の主表面上に前記セラミック誘電体層と前記導体層とをこの順序で形成して第一積層体を製造する第一積層体製造工程と、
前記支持基体の一方の主表面上に前記高分子材料誘電体層を形成して第二積層体を製造する第二積層体製造工程と、
前記第二積層体の前記高分子材料誘電体層に前記第一積層体の前記導体層を貼り合わせる第一貼り合わせ工程と、
前記第二積層体に貼り合わされた前記第一積層体の前記セラミック誘電体層から前記転写元基板を除去する第一転写元基板除去工程と、
前記第二積層体に貼り合わされた前記第一積層体の上にさらに第一積層体を貼り合わせる第二貼り合わせ工程と、
前記第一積層体の上に貼り合わされた前記第一積層体の前記セラミック誘電体層から前記転写元基板を除去する第二転写元基板除去工程と、
をこの順序で実施することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項７】
支持基体の表裏両側の主表面に誘電体層と導体層とが積層された配線積層部が形成され、該配線積層部には前記支持基体側から高分子材料誘電体層と導体層とセラミック誘電体層とがこの順序で互いに接して積層された複合積層部を有する配線基板の製造方法において、
転写元基板の一方の主表面上に前記セラミック誘電体層と前記導体層とをこの順序で形成して第一積層体を製造する第一積層体製造工程と、
前記支持基体の表裏両側の主表面上に前記高分子材料誘電体層を形成して第二積層体を製造する第二積層体製造工程と、
前記第二積層体の表裏両側の前記高分子材料誘電体層に前記第一積層体の前記導体層をそれぞれ貼り合わせる第一貼り合わせ工程と、
前記第二積層体の表裏両側に貼り合わされた前記第一積層体の前記セラミック誘電体層から前記転写元基板を除去する第一転写元基板除去工程と、
前記第二積層体の表裏両側に貼り合わされた前記第一積層体の少なくとも一方の上にさらに第一積層体を貼り合わせる第二貼り合わせ工程と、
前記第一積層体の少なくとも一方の上に貼り合わされた前記第一積層体の前記セラミック誘電体層から前記転写元基板を除去する第二転写元基板除去工程と、
をこの順序で実施することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記複合積層部に含まれる前記導体層を第一導体層として、前記セラミック誘電体層に対して前記第一導体層とは反対側から積層される第二導体層を有し、それら第一導体層、セラミック誘電体層及び第二導体層がコンデンサを形成する請求項５ないし請求項７のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は配線基板及び配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
【特許文献１】特開２００３−１４２６２４号公報
【０００３】
ＣＰＵやその他のＬＳＩなどの高速動作する集積回路デバイスにおいては、集積回路内の複数の回路ブロックに対し、共通の電源から分岐する形で電源線が割り振られているが、回路ブロック内の多数の素子が同時に高速でスイッチングすると、電源から一度に大きな電流が引き出され、電源電圧の変動が一種のノイズとなり、電源線を介して各回路ブロックに伝播してしまう問題がある。そこで、各回路ブロック毎に電源インピーダンスを下げるためのデカップリングコンデンサを設けることが、電源電圧変動によるブロック間ノイズ伝播を抑制する上で有効である。
【０００４】
ところで、ＣＰＵなどの大規模な集積回路の場合、作り込まれる回路ブロックの数も多く、電源端子やグランド端子の数も増加する傾向にあり、端子間距離もどんどん縮小しつつある。デカップリングコンデンサは各回路ブロックに向かう電源線毎に接続する必要があり、多数の端子が密集した集積回路にコンデンサを個別接続するのが実装技術的に困難であるばかりでなく、小型化等の流れにも逆行する。
【０００５】
そこで、特許文献１には、強誘電体膜と金属膜とを積層し、密集した集積回路側端子に個別に接続される多数のコンデンサ端子を作り込んだデカップリングコンデンサが開示されている。高速スイッチング時の電源電圧変動によるノイズ問題が特に表面化しやすい高周波領域（特に１００ＭＨｚ以上）においては、電源インピーダンスに占める誘導性リアクタンス項の比重が大きくなるため、デカップリングコンデンサに導通する電源端子とグランド端子との距離をなるべく接近させることが、電源インピーダンスの低減に効果的である。また、端子部分のインダクタンスが増加すると、デカップリングコンデンサの容量成分と結合して共振点が生じ、十分なインピーダンス低減効果が得られる帯域幅が縮小する問題もある。従って、上記のように端子間距離の小さいコンデンサを作製することは、単に素子の小型化だけでなく、本来の目的である電源インピーダンスの低減とその広帯域化にも寄与する利点がある。
【０００６】
しかし、前述の特許文献１においては、電子部品と配線基板との間に設けられる中間基板にコンデンサを組み込んだ構成となっており、中間基板が介在する分だけ電子部品の配線基板への組み付け工数が増える上、配線基板と電子部品とのアセンブリを低背化しにくくなる問題がある。
【０００７】
そこで、本発明者らは、誘電体層として高分子材料からなるビルドアップ樹脂絶縁層を用いたいわゆるオーガニック配線基板において、高誘電体セラミック層を用いたコンデンサを上記のビルドアップ樹脂絶縁層の一部を置き換える形で組み込むことを検討した。これによれば、中間基板を用いる構成と比較して、アセンブリの低背化を実現することができるが、次のような課題が浮上した。
（１）高分子材料誘電体層、例えば、ビルドアップ樹脂絶縁層や配線層とコンデンサ部分との密着強度が低下しやすく、特に電子部品をフリップチップ接続するリフロー処理などの熱サイクルが加わると、ビルドアップ樹脂絶縁層と高誘電体セラミック層との線膨張係数差による層間の剪断熱応力レベルが高くなり、剥がれ等の問題も生じやすくなる。
（２）高誘電体セラミックの薄層を用いるコンデンサは、配線用のビルドアップ配線層に接合する際のハンドリングが難しく、製造能率が悪い問題がある。
【０００８】
そこで、本発明者らは、セラミック誘電体層と高分子材料誘電体層とが複合積層された構造を有する配線基板を容易に製造できる配線基板の製造方法として転写法を採用し、層間の密着強度を高めることができ、ひいてはリフロー処理時等における剥がれ等の問題も生じにくい配線基板を製造可能とすることをさらに検討した。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところが、転写法を用いて、オーガニック基板の一方の主表面（例えば、表側の主表面）のみにコンデンサを形成した場合には、所望の容量値を満足することができない場合が生じる可能があるという問題がある。
【００１０】
また、転写法を用いて、オーガニック基板の一方の主表面（例えば、表側の主表面）のみにコンデンサを形成した場合には、オーガニック基板の表裏両側の応力の違いによってパネル反りが生じるおそれがあるという問題がある。
【００１１】
本発明の第１の課題は、所望の容量値を得ると同時にパネルの反りを抑制するように、オーガニック基板の表裏両側の主表面にコンデンサを形成するようにした配線基板を提供することにある。
【００１２】
本発明の第２の課題は、所望の容量値が得られるように、オーガニック基板の一方の主表面に多段にコンデンサを形成するようにした配線基板を提供することにある。
【００１３】
本発明の第３の課題は、所望の容量値を得ると同時にパネルの反りを抑制するように、オーガニック基板の一方の主表面にコンデンサを１段以上形成し、オーガニック基板の他方の主表面にコンデンサを２段以上形成するようにした配線基板を提供することにある。
【００１４】
本発明の第４の課題は、オーガニック基板の表裏両側の主表面にコンデンサを形成するようにして、所望の容量値を得ると同時にパネルの反りを抑制するようにした配線基板の製造方法を提供することにある。
【００１５】
本発明の第５の課題は、オーガニック基板の一方の主表面に多段にコンデンサを形成して、所望の容量値が得られるようにした配線基板の製造方法を提供することにある。
【００１６】
本発明の第６の課題は、オーガニック基板の一方の主表面にコンデンサを１段以上形成し、オーガニック基板の他方の主表面にコンデンサを２段以上形成するようにして、所望の容量値を得ると同時にパネルの反りを抑制するようにした配線基板の製造方法を提供することにある。
【発明を解決するための手段及び発明の効果】
【００１７】
上記の課題を解決するために、本発明の配線基板は、支持基体の表裏両側の主表面に誘電体層と導体層とが積層された配線積層部がそれぞれ形成され、これら配線積層部には前記支持基体側から高分子材料誘電体層と導体層とセラミック誘電体層とがこの順序で互いに接して積層された複合積層部が含まれてなり、前記複合積層部において、前記導体層は面内方向に層の一部が切り欠かれた導体層側切欠部を有し、また、前記セラミック誘電体層は面内方向に層の一部が切り欠かれたセラミック側切欠部を有し、該セラミック側切欠部と前記導体層側切欠部とが互いに連通した連通切欠部が形成され、前記高分子材料誘電体層を構成する高分子材料が、前記連通切欠部において、前記導体層側切欠部を経て前記セラミック側切欠部に至る形で充填されてなることを特徴とする。
【００１８】
また、本発明の配線基板の製造方法は、支持基体の表裏両側の主表面に誘電体層と導体層とが積層された配線積層部が形成され、該配線積層部には前記支持基体側から高分子材料誘電体層と導体層とセラミック誘電体層とがこの順序で互いに接して積層された複合積層部を有する配線基板の製造方法において、転写元基板の一方の主表面上に前記セラミック誘電体層と前記導体層とをこの順序で形成して第一積層体を製造する第一積層体製造工程と、前記支持基体の表裏両側の主表面上に前記高分子材料誘電体層を形成して第二積層体を製造する第二積層体製造工程と、前記第二積層体の表裏両側の前記高分子材料誘電体層に前記第一積層体の前記導体層をそれぞれ貼り合わせる貼り合わせ工程と、前記転写元基板を前記セラミック誘電体層から除去する転写元基板除去工程と、をこの順序で実施することを特徴とする。
【００１９】
上記本発明の配線基板及び配線基板の製造方法によれば、転写法を用いたコンデンサを内蔵する配線基板の製造方法において、支持基体の表裏両側の主表面に複合積層部を形成することにより、所望の容量値が得られると同時に、形成容量の増大に伴う配線基板の反りを抑制することができる。詳しくは、コンデンサを内蔵したオーガニック基板の構造について、一方の主表面（例えば表側の主表面）のみに複合積層部を形成することも可能であるが、裏側の主表面にも同じものを形成し、表裏対象の構造とすることによって配線基板の反りを軽減し、かつ形成できる容量値も倍増できる。加えて、配線基板の表裏両側の高分子材料誘電体層における高分子材料（樹脂）粗化の通過回数差に伴う不具合を抑制することもできる。
【００２０】
本発明の配線基板は、支持基体の一方の主表面に誘電体層と導体層とが積層された配線積層部が形成され、該配線積層部には前記支持基体側から高分子材料誘電体層と導体層とセラミック誘電体層とがこの順序で互いに接して積層された複合積層部が２段以上に含まれてなり、前記複合積層部において、前記導体層は面内方向に層の一部が切り欠かれた導体層側切欠部を有し、また、前記セラミック誘電体層は面内方向に層の一部が切り欠かれたセラミック側切欠部を有し、該セラミック側切欠部と前記導体層側切欠部とが互いに連通した連通切欠部が形成され、前記高分子材料誘電体層を構成する高分子材料が、前記連通切欠部において、前記導体層側切欠部を経て前記セラミック側切欠部に至る形で充填されてなることを特徴とする。
【００２１】
また、本発明の配線基板の製造方法は、支持基体の一方の主表面に誘電体層と導体層とが積層された配線積層部が形成され、該配線積層部には前記支持基体側から高分子材料誘電体層と導体層とセラミック誘電体層とがこの順序で互いに接して積層された複合積層部を有する配線基板の製造方法において、転写元基板の一方の主表面上に前記セラミック誘電体層と前記導体層とをこの順序で形成して第一積層体を製造する第一積層体製造工程と、前記支持基体の一方の主表面上に前記高分子材料誘電体層を形成して第二積層体を製造する第二積層体製造工程と、前記第二積層体の前記高分子材料誘電体層に前記第一積層体の前記導体層を貼り合わせる第一貼り合わせ工程と、前記第二積層体に貼り合わされた前記第一積層体の前記セラミック誘電体層から前記転写元基板を除去する第一転写元基板除去工程と、前記第二積層体に貼り合わされた前記第一積層体の上にさらに第一積層体を貼り合わせる第二貼り合わせ工程と、前記第一積層体の上に貼り合わされた前記第一積層体の前記セラミック誘電体層から前記転写元基板を除去する第二転写元基板除去工程と、をこの順序で実施することを特徴とする。
【００２２】
上記本発明の配線基板及び配線基板の製造方法によれば、転写法を用いたコンデンサを内蔵する配線基板の製造方法において、支持基体の一方の主表面に複合積層部を多段に形成することにより、複合積層部を１段形成したる場合と比較して形成容量が倍増する。これにより、必要な容量値に対して余裕が持てるため、それに伴い、（１）セラミック誘電体層の厚みが厚くてもよい、（２）セラミック誘電体層に比誘電率が低い材料が使用できる、（３）配線基板の単位（パッケージ）の外形に対するコンデンサ（セラミック誘電体層，導体層）の引き下がり幅やシグナルを通すための抜きしろが広くとれる等の効果が得られる。
【００２３】
本発明の配線基板は、支持基体の表裏両側の主表面に誘電体層と導体層とが積層された配線積層部がそれぞれ形成され、前記配線積層部の一方には前記支持基体側から高分子材料誘電体層と導体層とセラミック誘電体層とがこの順序で互いに接して積層された複合積層部が１段以上含まれ、前記配線積層部の他方には前記支持基体側から高分子材料誘電体層と導体層とセラミック誘電体層とがこの順序で互いに接して積層された複合積層部が２段以上含まれてなり、前記複合積層部において、前記導体層は面内方向に層の一部が切り欠かれた導体層側切欠部を有し、また、前記セラミック誘電体層は面内方向に層の一部が切り欠かれたセラミック側切欠部を有し、該セラミック側切欠部と前記導体層側切欠部とが互いに連通した連通切欠部が形成され、前記高分子材料誘電体層を構成する高分子材料が、前記連通切欠部において、前記導体層側切欠部を経て前記セラミック側切欠部に至る形で充填されてなることを特徴とする。
【００２４】
また、本発明の配線基板の製造方法は、支持基体の表裏両側の主表面に誘電体層と導体層とが積層された配線積層部が形成され、該配線積層部には前記支持基体側から高分子材料誘電体層と導体層とセラミック誘電体層とがこの順序で互いに接して積層された複合積層部を有する配線基板の製造方法において、転写元基板の一方の主表面上に前記セラミック誘電体層と前記導体層とをこの順序で形成して第一積層体を製造する第一積層体製造工程と、前記支持基体の表裏両側の主表面上に前記高分子材料誘電体層を形成して第二積層体を製造する第二積層体製造工程と、前記第二積層体の表裏両側の前記高分子材料誘電体層に前記第一積層体の前記導体層をそれぞれ貼り合わせる第一貼り合わせ工程と、前記第二積層体の表裏両側に貼り合わされた前記第一積層体の前記セラミック誘電体層から前記転写元基板を除去する第一転写元基板除去工程と、前記第二積層体の表裏両側に貼り合わされた前記第一積層体の少なくとも一方の上にさらに第一積層体を貼り合わせる第二貼り合わせ工程と、前記第一積層体の少なくとも一方の上に貼り合わされた前記第一積層体の前記セラミック誘電体層から前記転写元基板を除去する第二転写元基板除去工程と、をこの順序で実施することを特徴とする。
【００２５】
上記配線基板及び配線基板の製造方法によれば、転写法を用いたコンデンサを内蔵する配線基板の製造方法において、支持基体の一方の主表面に複合積層部を１段以上形成し、他方の主表面に複合積層部を２段以上形成することにより、３段以上の複合積層部が配置される。これにより、所望の形成容量が自由に得られ、それに伴い、（１）セラミック誘電体層の厚みが厚くてもよい、（２）セラミック誘電体層に比誘電率が低い材料が使用できる、（３）配線基板の単位（パッケージ）の外形に対するコンデンサ（セラミック誘電体層、導体層）の引き下がり幅やシグナルを通すための抜きしろが広くとれる、等の効果が得られる。
【００２６】
なお、本発明の配線基板では、前記連通切欠部の少なくとも一つのものにおいて、前記前記セラミック側切欠部に充填された高分子材料でなるセラミック側高分子材料充填部に対し、前記導体層側切欠部に連通しているのと反対側において前記第二導体層の一部をなす導体パターンが接して配置され、該導体パターンと前記充填部との境界面が、前記セラミック誘電体層の第二導体層側の主表面と面一に形成されているようにすることができる。このようにすれば、セラミック誘電体層の第二導体層側の主表面の平坦度が向上し、配線積層部の表面の平坦度にもこれが引き継がれることで、例えば配線積層部の最表層部に形成された電子部品接続用のパッドのコプラナリティを良好にすることができる。
【００２７】
また、本発明の配線基板では、前記高分子材料誘電体層に対し前記第一導体層とは反対側からこれと接する第三導体層が形成され、前記第二導体層をなす前記導体パターンと前記第三導体層とが、前記セラミック誘電体層、前記第一導体層及び前記高分子材料誘電体層をこの順序で貫くビア導体によって導通接続され、かつ、前記第一導体層と該ビア導体との間が前記導体層側切欠部を充填する高分子材料により互いに絶縁されるとともに、前記セラミック側切欠部において前記ビア導体を形成するための貫通孔が該前記セラミック側切欠部に充填された高分子材料でなるセラミック側高分子材料充填部に形成されているようにすることができる。このようにすれば、本来的には絶縁機能を有するセラミック誘電体層にビア導体用の貫通孔を直接穿孔するのではなく、その内側のセラミック側高分子材料充填部に該貫通孔を形成するようにしたので、貫通孔の形成が容易になるという利点がある。具体的には、セラミック側高分子材料充填部に対し、転写元基板の除去により露出した主表面側から、ビア導体を形成するための貫通孔をレーザー穿孔により簡単に形成することができる。
【００２８】
さらに、本発明の配線基板では、前記第二導体層には、面内方向に層の一部が切り欠かれた第二導体層側切欠部が、前記連通切欠部の一部のものと連通する形で形成され、該第二導体層側切欠部を充填する第二導体層側高分子材料充填部は、前記連通切欠部との連通領域において前記前記セラミック側切欠部に充填された高分子材料でなるセラミック側高分子材料充填部と接合されるとともに、該連通切欠部の周縁から前記セラミック誘電体層の主表面側に一部が回り込む形で形成されているようにすることができる。このようにすれば、連通切欠部の内部及び表裏が高分子材料により一体的につながった構造が得られ、また連通切欠部の周縁からセラミック誘電体層の主表面側に第二導体層側高分子材料充填部が回り込むことで、セラミック誘電体層の、連通切欠部の側面を含む縁部が高分子材料中に埋設される形となる。その結果、セラミック誘電体層の主表面を境界とした剥離等が極めて生じにくくなる。
【００２９】
さらにまた、本発明の配線基板では、前記連通切欠部と前記第二導体層側切欠部とが、前記セラミック誘電体層の外周縁に沿って形成されているようにすることができる。このようにすれば、連通切欠部と第二導体層側切欠部とがセラミック誘電体層の外周縁に沿って形成されているので、セラミック誘電体層の主表面を境界とした剥離等が生じにくくなるという効果がより顕著となる。
【００３０】
一方、本発明の配線基板の製造方法では、前記貼り合せ工程において、前記支持基体を含む前記第二積層体は、製造すべき配線基板の単位が複数個面内に一体化されたものであり、前記第一積層体は、含まれる前記単位が該第二積層体よりも少なく形成されたものが複数個、前記第二積層体上に組み合わせて配置されるようにすることができる。このようにすれば、複数個の第一積層体を一括して第二積層体に貼り合わせることができるので、第一積層体の焼成及び第二積層体の製作の両方における可能最大ワークサイズを生かして生産効率の向上が図れるという効果がある。
【００３１】
また、本発明の配線基板の製造方法では、前記第一積層体製造工程は、転写元基板の一方の主表面上に形成された前記セラミック誘電体層に、前記セラミック側切欠部をパターニング形成するセラミック側切欠部パターニング工程と、該パターニング後のセラミック誘電体層上に前記導体層を形成する導体層形成工程と、該導体層に対し前記導体層側切欠部を前記セラミック側切欠部に連通するようにパターニング形成する導体層側切欠部パターニング工程とを含み、前記貼り合せ工程において、前記セラミック側切欠部と、これに連通する前記導体層側切欠部が形成された複数の前記第一積層体に対し、当該導体層側切欠部の開口側の主表面に、前記高分子材料誘電体層が未硬化又は半硬化の状態の前記第二積層体を、当該高分子材料誘電体層の主表面を重ね合わせ、その状態で複数の第一積層体及び第二積層体を積層方向に加圧して、前記高分子材料誘電体層を構成する未硬化又は半硬化の状態の高分子材料を前記連通切欠部に圧入充填し、その後に該高分子材料を硬化させるようにすることができる。このようにすれば、支持基体側から高分子材料誘電体層と導体層とセラミック誘電体層とがこの順序で互いに接して積層された複合積層部において、高分子材料誘電体層を構成する高分子材料が、導体層及びセラミック誘電体層側に形成された連通切欠部側に充填されるので、そのアンカー効果によって層間の密着強度を高めることができ、ひいてはリフロー処理時等における剥がれ等の問題も生じにくくすることができる。
【００３２】
さらに、本発明の配線基板の製造方法では、前記貼り合せ工程において前記連通切欠部に前記高分子材料を圧入し硬化させることにより、前記セラミック側高分子材料充填部を、前記転写元基板の主表面により前記セラミック誘電体層と面一化した形で形成し、その後に前記転写元基板除去工程を実施するようにすることができる。このようにすれば、セラミック誘電体層の第二導体層側の主表面の平坦度が向上し、配線積層部の表面の平坦度にもこれが引き継がれることで、例えば配線積層部の最表層部に形成された電子部品接続用のパッドのコプラナリティが良好になるという効果が得られる。
【００３３】
また、本発明の適用対象となる配線基板は、例えば支持基体としての基板コア部の少なくとも一方の主表面に誘電体層と導体層とが積層された配線積層部が形成され、該配線積層部には基板コア部側から高分子材料誘電体層（いわゆるビルドアップ樹脂絶縁層）と導体層とセラミック誘電体層とがこの順序で互いに接して積層された複合積層部を有するものとして構成できるが、コアを有さない、いわゆるコアレス基板等に本発明を適用することももちろん可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、本発明の実施の形態を、図面を用いて説明する。
【実施例１】
【００３５】
図１は、本発明の実施例１に係る配線基板１の断面構造を模式的に示すものである。該配線基板１は、耐熱性樹脂板（例えばビスマレイミド−トリアジン樹脂板）や、繊維強化樹脂板（例えばガラス繊維強化エポキシ樹脂）等で構成された板状コア２Ｃの表裏両側の主表面（図中、上下側に表れている主表面）に、所定のパターンに配線金属層をなすコア導体層４Ｙ，４Ｙがそれぞれ形成される。これらコア導体層４Ｙ，４Ｙは板状コア２Ｃの表裏両側の主表面の大部分を被覆する面導体パターンとして形成され、電源層（図中符号４１）又はグランド層（図中符号４０）として用いられるものである。他方、板状コア２Ｃには、ドリル等により穿設されたスルーホール１１２が形成され、その内壁面にはコア導体層４Ｙ，４Ｙを互いに導通させるスルーホール導体３０が形成されている。また、スルーホール１１２は、エポキシ樹脂等の樹脂製穴埋め材３１により充填されている。
【００３６】
また、コア導体層４Ｙ，４Ｙの上層には、エポキシ樹脂等の高分子材料（及び誘電率や絶縁耐圧調整用のシリカ粉末等からなる無機フィラー：他の高分子材料誘電体層についても同様）からなる第一ビア層（ビルドアップ樹脂絶縁層：誘電体層）３Ｙ，３Ｙがそれぞれ形成されている。さらに、その表面には第三導体層４Ａ，４ＡがＣｕメッキにより形成されている。なお、コア導体層４Ｙ，４Ｙと第三導体層４Ａ，４Ａとは、それぞれビア３４により層間接続がなされている。同様に、第三導体層４Ａ，４Ａの上層には、高分子材料誘電体層３Ａ，３Ａがそれぞれ形成されている。基板コア部（支持基体）２は、板状コア２Ｃ、コア導体層４Ｙ，４Ｙ及び第一ビア層３Ｙ，３Ｙよりなる。
【００３７】
基板コア部２の表裏両側の主表面においては、第三導体層４Ａ，４Ａ上に、第一高分子材料誘電体層３Ａ，３Ａ、Ｃｕメッキ層からなる第一導体層４Ｂ，４Ｂ、セラミック誘電体層５，５、Ｃｕメッキ層からなる第二導体層４Ｃ，４Ｃ、第二高分子材料誘電体層３Ｂ，３Ｂ及び電子部品接続用の金属端子パッド１０，１０が複数形成される第四導体層４Ｄ，４Ｄがこの順序で積層され、配線積層部６，６を形成している。第一導体層４Ｂ，４Ｂ、第二導体層４Ｃ，４Ｃ及び第四導体層４Ｄ，４Ｄは、それぞれ中間パッド１２，１２を介して、Ｃｕのフィルドメッキ部として形成されたビア導体３４，３４にて積層方向に導通接続されている。一方の主表面側の金属端子パッド１０は、配線基板１自体をマザーボード等にピングリッドアレイ（ＰＧＡ）あるいはボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）により接続するための裏面パッドとして利用されるものである。
【００３８】
表裏両側の主表面の金属端子パッド１０，１０間をつなぐ、ビア導体３４、中間パッド１２及びスルーホール導体３０からなる導通経路は、信号用導通経路ＳＬ、電源用導通経路ＰＬ及びグランド用導通経路ＧＬの３種類がある。なお、信号用導通経路ＳＬに含まれるスルーホール導体３０は、絶縁用空隙部４０ｉ，４１ｉにより電源層４１あるいはグランド層４０と絶縁されている。また、電源用導通経路ＰＬに含まれるスルーホール導体３０は、絶縁用空隙部４０ｉによりグランド層４０と、グランド用導通経路ＧＬに含まれるスルーホール導体３０は、絶縁用空隙部４１ｉにより電源層４１と、それぞれ絶縁されている。
【００３９】
上記のごとく配線基板１は、基板コア部２の表裏両側の主表面に誘電体層と導体層とが積層された配線積層部６，６が形成され、該配線積層部６，６には基板コア部２側から高分子材料誘電体層３Ａ，３Ａと導体層４Ｂ，４Ｂとセラミック誘電体層５，５（切欠部１６を含む概念とする）とがこの順序で互いに接して積層された複合積層部８を有する。
【００４０】
このような配線基板１を製造するための本発明の方法の要旨は、以下の通りである。
（１）転写元基板５０の一方の主表面上にセラミック誘電体層５と導体層４Ｂとをこの順序で形成して第一積層体６０を製造する（第一積層体製造工程：図４〜図５、工程１〜９）。
（２）基板コア部２の表裏両側の主表面上に高分子材料誘電体層３Ａ，３Ａを形成して第二積層体７０を製造する（第二積層体製造工程：図６、工程１０〜１１）。
（３）第一積層体６０の導体層４Ｂ，４Ｂと、第二積層体７０の表裏両側の主表面の高分子材料誘電体層３Ａ，３Ａとをそれぞれ貼り合わせる（貼り合わせ工程：図７〜図９、工程１２〜１３）。
（４）転写元基板５０をセラミック誘電体層５から除去する（転写元基板除去工程：図１０、工程１４，１５）。
【００４１】
上記本発明の配線基板の製造方法によると、転写元基板５０の一方の主表面上にセラミック誘電体層５と導体層４Ｂとをこの順序で形成して第一積層体６０を製造し、第一積層体６０を基板コア部２の表裏両側の主表面上に高分子材料誘電体層３Ａ，３Ａを形成した第二積層体７０に重ね合わせて貼り合わせた後、転写元基板５０を除去する。すなわち、薄くて脆いセラミック誘電体層５は、転写元基板５０で補強した形で貼り合せ工程に供すればよく、これを単独でハンドリングする必要がなくなるので、上記のごとく高分子材料誘電体層３Ａと導体層４Ｂとセラミック誘電体層５とが積層された複合積層部８を基板コア部２の表裏両側の主表面上に有した配線基板１の製造能率及び歩留まりを劇的に向上させることができる。
【００４２】
貼り合せ工程においては、図７〜図９に示すごとく、第一積層体６０及び第二積層体７０に各々形成されたガイド貫通孔５０ｈ，７０ｈに位置決め用のピン９０を挿通することにより、第一積層体６０及び第二積層体７０を互いに位置決めしつつ貼り合わせることができる。これにより、第一積層体６０側のセラミック誘電体層５及びこれに接して積層される導体層４Ｂと、第二積層体７０側の高分子材料誘電体層３Ａとのパターンずれ等を効果的に防止することができる。本実施形態では、転写元基板５０は、図２に示すごとく、ガイド貫通孔５０ｈをドリル穿孔等により形成したものを使用する。
【００４３】
転写元基板５０としては、セラミック誘電体層５を構成するセラミックの焼成温度よりも高融点の金属基板５０を使用することができる。この場合、上記の第一積層体製造工程は、転写元基板５０の主表面上に、セラミック誘電体層５の焼成前素材からなる未焼成セラミック素材層１５ｇを形成する未焼成セラミック素材層形成工程（図４：工程１〜工程３）と、未焼成セラミック素材層１５ｇを金属基板５０とともに焼成する焼成工程（図５：工程４）とを有するものとして実施できる。
【００４４】
セラミック誘電体層５は結晶質層として構成することが、誘電率の向上（特に強誘電性セラミックの場合）において重要であり、焼成セラミックの採用が効果的である。セラミック誘電体層５を構成するセラミックの焼成温度よりも高融点の金属基板５０を転写元基板５０として使用すれば、未焼成セラミック素材層１５ｇの焼成に際しても転写元基板５０をハンドリングに活用でき、かつ、セラミック誘電体層５とともに転写元基板５０を焼成の熱履歴にさらしても何ら問題はないので、取り扱いが極めて簡単である。
【００４５】
なお、セラミック誘電体層５は、スパッタ法などの気相成膜法やゾルゲル法などの化学溶液成膜法によっても形成できる。ただし、気相成膜法を採用する場合は、板状基体を加熱しながら成膜することにより結晶化を促進することが重要であり、化学溶液成膜法を採用する場合は、乾燥後の焼成処理にて膜の結晶化を進行させる必要がある。
【００４６】
例えばコンデンサに使用するセラミック誘電体層５は、静電容量向上のため、ペロブスカイト型結晶構造を有した複合酸化物、例えばチタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム及びチタン酸鉛の１種又は２種以上にて構成されたものが特に高誘電率であり、また、製造も比較的容易であるため本発明に好適に採用できる。この場合、上記の金属基板５０は、Ｆｅ系あるいはＮｉ系の金属板や、さらに高融点のものとしてＭｏ系、Ｗ系、Ｔａ系などの金属板を採用することも可能である。
【００４７】
未焼成セラミック素材層１５ｇは、セラミック原料粉末を結合用高分子材料（いわゆるバインダ）と混練してシート状に成形したセラミックグリーンシート１５ｇとすることができる。セラミックグリーンシート１５ｇの薄層は、ドクターブレード法等により簡単に製造でき、また、可撓性が大きいのでハンドリングも容易である。その焼成により得られるセラミック誘電体層５の厚さは、例えば１μｍ以上１００μｍ以下である。セラミック誘電体層５は、比誘電率が１０以上の高誘電率セラミックからなる。
【００４８】
セラミック誘電体層５は、後述のビア形成や、コンデンサの容量調整等のために適当な形状にパターニングする必要がある。しかし、セラミック誘電体は化学的にも安定なので、ケミカルエッチングによるパターニングは容易ではなく、また、高融点のため焼成により緻密化した状態ではレーザー等によるパターニングも困難となる。しかし、次のような方法を講ずれば、上記のパターニングを非常に容易に実施できる。すなわち、セラミックグリーンシート１５ｇを金属基板５０上に貼り合せ（図４：工程１）、次いで該セラミックグリーンシート１５ｇを得るべきセラミック誘電体層１５の形状にパターニングした後（工程２）、焼成工程（図５：工程４）を実施する。セラミックグリーンシート１５ｇの状態であれば、結合用高分子材料によりセラミック粉末が結合されているだけの状態なので、レーザー光照射によりシートの不要部分を簡単に焼き飛ばすことができる。なお、同様の手法は、ゾルゲル法により得られる未焼成のセラミック乾燥塗付層の焼成によりセラミック誘電体層５を形成するにおいても、同様の効果を達成できる。
【００４９】
図３に示すごとく、セラミックグリーンシート１５ｇは、高分子材料からなるキャリアシート５１（例えばポリエチレンテレフタレート樹脂シート）上に形成することができる。この方法では、周知のドクターブレード法等によりセラミックグリーンシート１５ｇを高能率で製造できる。キャリアシート５１とセラミックグリーンシート１５ｇとの積層体５２にもガイド貫通孔５２ｈを形成しておく。また、図２に示すように、金属基板５０にも、対応する位置にガイド貫通孔５０ｈを形成しておく。
【００５０】
焼成により得られるセラミック誘電体層５の厚さは、これを高容量のコンデンサ形成等に使用したい場合、１μｍ以上１００μｍ以下となるように厚さ調整することが望ましい。従って、該セラミック誘電体層５の焼成形成に使用するセラミックグリーンシート１５ｇの厚さも、上記焼成後の厚さが得られるように適宜調整する（例えば、２μｍ以上２００μｍ以下）。他方、キャリアシート５１とセラミックグリーンシート１５ｇとの積層体５２は、これを基板（積層体）の製造に供する際に、切断刃を用いて適当な大きさに切断して使用する必要がある。セラミックグリーンシート１５ｇの厚さが上記のように薄く調整される場合、キャリアシート５１が過度に薄いと、切断刃近傍においてセラミックグリーンシート１５ｇに裂け目が生じやすくなるなど、切断の精度に問題を生じやすくなる。このような不具合を回避するために、ポリエチレンテレフタレート樹脂からなるキャリアシート５１の厚さは２０μｍ以上に設定することが望ましい。なお、キャリアシート５１の厚さの上限に特に制限はないが、１００μｍ以下に設定すれば、巻き取り等の利便を図る上での適度な可撓性が発現する。
【００５１】
この場合、図４の工程１のごとく、貼り合せ面と反対側にキャリアシート５１が一体化された状態の該セラミックグリーンシート１５ｇを金属基板５０上に貼り合せ、工程２のように、その状態でキャリアシート５１ともに該セラミックグリーンシート１５ｇをレーザーパターニングし、その後、工程３に示すように、キャリアシート５１を除去して焼成工程を実施することができる。キャリアシート５１ともにセラミックグリーンシート１５ｇをレーザーパターニングすると、被パターニング領域の周囲がキャリアシート５１で保護されているので、焼き飛ばされたセラミックグリーンシート１５ｇの飛沫もキャリアシート５１とともに除去でき、また、パターニング後のセラミックグリーンシート１５ｇ上に該飛沫によるコンタミネーションを生じにくい利点がある。
【００５２】
未焼成セラミック素材層１５ｇを金属基板５０とともに焼成する工程を採用する場合、図６の工程１１に示すごとく、基板コア部２を含む第二積層体７０は製造すべき配線基板１の単位７０ｕが複数個面内に一体化されたものである。図６の工程１０に示すように、第二積層体７０は、予め用意した基板コア部２の表裏両側の主表面に高分子材料誘電体層３Ａ，３Ａを形成し、さらに工程１１に示すごとく、ドリル穿孔によりガイド貫通孔７０ｈを形成する。ガイド貫通孔７０ｈは、各単位７０ｕのそれぞれ四隅に形成する。
【００５３】
貼り合せ工程においては、図７に示すように、第一積層体６０を、含まれる単位７０ｕが該第二積層体７０よりも少なく形成されたものを複数個、第二積層体７０上に組み合わせて配置する工程を採用することが有効である。未焼成セラミック素材層１５ｇは焼成により収縮を起こし、大面積の金属基板５０を用いると、その収縮の影響により得られる第一積層体６０の反りが大きくなる可能性がある。しかし、第二積層体７０に対して複数個の第一積層体６０を分割配置することで、第一積層体６０の全体を一体に形成する場合と比較して、焼成時の反りの影響を少なく留めることができる。この場合、図８に示すように、第一積層体６０のそれぞれの四隅に形成されたガイド貫通孔６０ｈと、これに対応する第二積層体７０側のガイド貫通孔７０ｈに位置決め用のピン９０を挿通することにより、各第一積層体６０を第二積層体７０に位置決めしつつ貼り合せを行なうようにすれば、個々の第一積層体６０の第二積層体７０に対する位置決め精度を向上することができる。
【００５４】
転写元基板除去工程において、金属基板５０は化学エッチングすることにより除去することができる。この方法によれば、薄層のセラミック誘電体層５への機械的なダメージを最小限に留めつつ、金属基板５０を除去することができる。Ｆｅ系ないしＮｉ系の金属基板５０を用いる場合のエッチャントは、例えば塩酸などの酸系エッチャントを採用できる。なお、金属基板５０は全体を化学エッチングしてもよいし、例えばＦｅ系ないしＮｉ系の金属基板５０を用いる場合、該金属基板５０を、本体層と、該本体層よりもＦｅ含有量の高い分離層とを含むものとして構成し、その分離層をエッチングして基板本体部を剥離することにより全体の基板エッチング量を減ずることも可能である。
【００５５】
図１に戻り、配線基板１は、複合積層部８，８において、導体層４Ｂ，４Ｂは面内方向に層の一部が切り欠かれた導体層側切欠部１８を有し、また、セラミック誘電体層５は面内方向に層の一部が切り欠かれたセラミック側切欠部１６を有し、該セラミック側切欠部１６と導体層側切欠部１８とが互いに連通した連通切欠部２１が形成され、高分子材料誘電体層３Ａ，３Ａを構成する高分子材料が、連通切欠部２１において、導体層側切欠部１８を経てセラミック側切欠部１６に至る形で充填されてなる。
【００５６】
上記本発明の配線基板１の構成によると、基板コア部２側から高分子材料誘電体層３Ａ，３Ａと導体層４Ｂ，４Ｂとセラミック誘電体層５，５とがこの順序で互いに接して積層された複合積層部８，８において、高分子材料誘電体層３Ａ，３Ａを構成する高分子材料が、導体層４Ｂ，４Ｂ及びセラミック誘電体層５，５側に形成された連通切欠部２１，２１側に充填されるので、そのアンカー効果によって層間の密着強度を高めることができ、ひいてはリフロー処理時等における剥がれ等の問題も生じにくくすることができる。
【００５７】
上記構造は、第一積層体製造工程を、以下のように実行することで得ることができる。
（５）転写元基板５０の一方の主表面上に形成されたセラミック誘電体層５に、セラミック側切欠部１６をパターニング形成する（セラミック側切欠部パターニング工程：図４、工程３）
（６）該パターニング後のセラミック誘電体層５上に導体層５４（後に４Ｂとなる）を形成する（導体層形成工程：図５、工程５）
（７）該導体層４Ｂに対し導体層側切欠部１８をセラミック側切欠部１６に連通するようにパターニング形成する（導体層側切欠部パターニング工程：工程６〜９）。
【００５８】
図５において、工程５に示すように、導体層５４は転写元基板５０とパターニング及び焼成が施されたセラミック誘電体層１５との全体をくるむＣｕメッキ層として形成される。工程６では感光性のエッチングレジスト層５５を形成し、工程７でこれを露光及び現像することにより、エッチングウィンドウ５５ｐをパターニングする。工程８に示すごとく、このエッチングレジスト層５５用いて導体層５４をエッチング後、工程９に示すように、エッチングレジスト層５５を除去する。
【００５９】
そして、図７及び図８に示すように、貼り合せ工程において、セラミック側切欠部１６と、これに連通する導体層側切欠部１８とからなる連通切欠部２１が形成された第一積層体６０に対し、当該連通切欠部２１の開口側の主表面に、高分子材料誘電体層３Ａが未硬化又は半硬化の状態の第二積層体７０を、当該高分子材料誘電体層３Ａの表裏両側の主表面にて重ね合わせる。ここでは、上側から上ベース８０（ガイド挿通孔８０ｈを有する）、ステンレス鋼等からなる補助プレート８１（ガイド挿通孔８１ｈを有する）、離型フィルム８２（ガイド挿通孔８２ｈを有する）、各第一積層体６０の収容部８３ｗが形成されたスペーサ８３、第一積層体６０、第二積層体７０、第一積層体６０、スペーサ８３、離型フィルム８４（ガイド挿通孔８４ｈを有する）、ステンレス鋼等からなる補助プレート８５（ガイド挿通孔８５ｈを有する）、下ベース８６（位置決め用のピン９０の基端部を保持するピン保持孔８６ｈを有する）、クッションシート８７及びキャリアプレート８８がこの順序で積層されている。
【００６０】
そして、図９に示すように、図示しない周知の油圧プレス装置等を用いて上記の積層体を加圧する。第一積層体６０，第二積層体７０及び第一積層体６０を積層方向に加圧すれば、高分子材料誘電体層３Ａ，３Ａを構成する未硬化又は半硬化の状態の高分子材料が連通切欠部２１，２１に圧入充填される。その後に該高分子材料を、加熱等により硬化させる。高分子材料誘電体層３Ａ，３Ａを構成する未硬化又は半硬化の状態の高分子材料は、加圧貼り合せにより連通切欠部２１，２１に確実に充填でき、上記配線基板１の構造を簡単に得ることができる。
【００６１】
複数の第一積層体６０を貼り合わせる（転写プレスする）際、余白となるスペース部分にも第一積層体６０と同じ厚みを有する金属板でなるスペーサ８３を配置することによって段差無く加圧することができ、不必要な高分子材料の流動を抑えることが可能となる。例えば、転写プレス時の第一積層体６０の厚みは、０．１ｍｍｔ以上１ｍｍｔ以下（望ましくは、０．２３５ｍｍｔ以上０．３６０ｍｍｔ以下）であるため、スペーサ８３の厚みとしても、０．１ｍｍｔ以上１ｍｍｔ以下（望ましくは、０．２３５ｍｍｔ以上０．３６０ｍｍｔ以下）の金属板（例えば、ステンレススチール板）を使用する。
【００６２】
図１に戻り、配線基板１は、複合積層部８に含まれる導体層４Ｂを第一導体層４Ｂとして、セラミック誘電体層５に対して第一導体層４Ｂとは反対側から積層される第二導体層４Ｃを有し、それら第一導体層４Ｂ、セラミック誘電体層５及び第二導体層４Ｃがコンデンサを形成することができる。第一導体層４Ｂにコンデンサの第一電極２０が、第二導体層４Ｃに第二電極１１が形成される。第一電極２０及び第二電極１１の一方が電源用導通経路ＰＬに、他方がグランド用導通経路ＧＬに接続される。なお、ビア導体３４等を通すための切欠部の形成により、第一電極２０及び第二電極１１は面内方向に分断され、面内の投影重なり領域も少なく現れているが、実際は切欠部以外の部分では面内方向に連続薄膜を形成しており、投影重なり面積も、断面に表れているよりははるかに大きい。また、誘電体薄膜１３についても同様である。この構成によると、高分子材料誘電体層（ビルドアップ樹脂絶縁層）を含んだ配線積層部６に、デカップリング用等のコンデンサを組み込むことができ、配線基板とこれに搭載される電子部品（図示せず）との間にコンデンサを組み込んだ中間基板を外付けする必要がなくなり、アセンブリの低背化に寄与する。この場合、転写元基板除去工程の終了後に、セラミック誘電体層５の該転写元基板５０が除去された主表面側に第二導体層４Ｃを形成するとよい。
【００６３】
第一導体層４Ｂ、セラミック誘電体層５及び第二導体層４Ｃがコンデンサを形成する構成では、連通切欠部２１の少なくとも一つのものにおいて、セラミック側切欠部１６を充填するセラミック側高分子材料充填部１７に対し、導体層側切欠部１８に連通しているのと反対側において第二導体層４Ｃの一部をなす導体パターン（第二電極）１１が接して配置されている。該導体パターン１１とセラミック側高分子材料充填部１７との境界面は、セラミック誘電体層５の第二導体層４Ｃ側の主表面と面一に形成されている。これにより、セラミック誘電体層５の第二導体層４Ｃ側の主表面の平坦度が向上し、配線積層部６の表面の平坦度にもこれが引き継がれることで、例えば配線積層部６の最表層部に形成された電子部品接続用の中間パッド１２のコプラナリティが良好になる。
【００６４】
このような構造は、上記のごとく、貼り合せ工程において連通切欠部２１に高分子材料を圧入し硬化させることにより、セラミック側高分子材料充填部１７を、転写元基板５０の主表面によりセラミック誘電体層５と面一化される形で形成し（図１０：工程１４）、その後転写元基板除去工程を実施することで簡単に形成できる（工程１５）。
【００６５】
図１に戻り、配線基板１は、高分子材料誘電体層３Ａに対し第一導体層４Ｂとは反対側からこれと接する第二導体層４Ｃが形成され、第二導体層４Ｃをなす導体パターン１１と第二導体層４Ｃとが、セラミック誘電体層５、第一導体層４Ｂ及び高分子材料誘電体層３Ａをこの順序で貫くビア導体３４によって導通接続され、かつ、第一導体層４Ｂと該ビア導体３４との間が導体層側切欠部１８を充填する高分子材料により互いに絶縁されるとともに、セラミック側切欠部１６においてビア導体３４を形成するための貫通孔３４ｈが該セラミック側切欠部１６を充填するセラミック側高分子材料充填部１７に形成された構成とされている。この構成では、本来的には絶縁機能を有するセラミック誘電体層５にビア導体用の貫通孔を直接穿孔するのではなく、その内側のセラミック側高分子材料充填部１７に該貫通孔を形成するようにしたので、貫通孔３４ｈの形成が容易である利点がある。具体的には、図１０の工程１５及び１６に示すごとく、セラミック側高分子材料充填部１７に対し、転写元基板５０の除去により露出した主表面側から、ビア導体３４を形成するための貫通孔（ビア孔３４ｈ）をレーザー穿孔（ＬＢ）により、簡単に形成することができる。
【００６６】
また、配線基板１においては、第二導体層４Ｃに、面内方向に層の一部が切り欠かれた第二導体層側切欠部１８が、連通切欠部２１の一部のものと連通する形で形成されている。該第二導体層側切欠部１８を充填する第二導体層側高分子材料充填部１９Ｓは、連通切欠部２１との連通領域においてセラミック側切欠部１６を充填するセラミック側高分子材料充填部１７と接合されるとともに、該連通切欠部２１の周縁からセラミック誘電体層５の主表面側に一部が回り込む形で形成されている。これによると、連通切欠部２１の内部及び表裏が高分子材料により一体的につながった構造が得られ、また連通切欠部２１の周縁からセラミック誘電体層５の主表面側に第二導体層側高分子材料充填部１９Ｓが回り込むことで、セラミック誘電体層５の、連通切欠部２１の側面を含む縁部が高分子材料中に埋設される形となる。その結果、セラミック誘電体層５の主表面を境界とした剥離等が極めて生じにくくなる。この効果は、連通切欠部２１と第二導体層側切欠部１８とが、セラミック誘電体層５の外周縁に沿って形成されている場合に特に著しい。
【００６７】
上記のような構造は、転写元基板除去工程の終了後に第二導体層４Ｃを形成し、また、第二導体層側切欠部１８を、連通切欠部２１の一部のものと連通する形で形成し（図１１：工程１７〜図１２：工程２１）、次いで別の高分子材料誘電体層３Ｂを、該第二導体層側切欠部１８の形成された第二導体層４Ｃの主表面上に積層形成し（工程２２）、当該高分子材料誘電体層３Ｂを構成する高分子材料を第二導体層側切欠部１８に充填してセラミック側高分子材料充填部１７と接合する方法により、簡単に得ることができる。
【００６８】
工程１７では、セラミック側高分子材料充填部１７の露出表面部及びビア孔３４ｈの内面を、メッキ導通用の無電解Ｃｕメッキ層９１で覆い、工程１８でさらにメッキレジスト層９２を形成する。そして、工程１９では、メッキレジスト層９２に露光及び現像を施し、メッキ付与したい部分に対応するメッキウィンドウ９２ｐを形成する。
【００６９】
図１２の工程２０では、電解Ｃｕメッキによりビア孔３４ｈの内部を充填メッキし、ビア導体３４及び中間パッド１２を形成する。工程２１でメッキレジスト層９２を除去し、工程２２で高分子材料誘電体層３Ｂを形成する。なお、その後、図１３の工程２３で高分子材料誘電体層３Ｂにビア孔３４ｈを形成し、さらに工程２４で該ビア孔３４ｈを埋めるビア導体３４と端子パッド１０とをメッキ形成している。
【００７０】
上記実施例１によれば、転写法を用いたコンデンサを内蔵する配線基板の製造方法において、基板コア部２の表裏両側の主表面に複合積層部８を形成することにより、所望の容量値を得ると同時に、形成容量の増大に伴う配線基板１の反りを抑制することができる。詳しくは、コンデンサを内蔵した配線基板１の構造について、一方の主表面（例えば表側の主表面）のみにコンデンサ（第一電極２０、セラミック誘電体層５、第二電極１１）を形成することも可能であるが、他方の主表面にも同じものを形成し、表裏対象の構造とすることによって配線基板１の反りを軽減し、かつ形成できる容量値も倍増できる。また、基板コア部２の表裏両側の高分子材料誘電体層３Ａにおける高分子材料（樹脂）粗化の通過回数差に伴う不具合を抑制することもできる。
【実施例２】
【００７１】
図１４は、本発明の実施例２に係る配線基板１の断面構造を模式的に示すものである。該配線基板１は、耐熱性樹脂板（例えばビスマレイミド−トリアジン樹脂板）や、繊維強化樹脂板（例えばガラス繊維強化エポキシ樹脂）等で構成された板状コア２Ｃの表裏両側の主表面に、所定のパターンに配線金属層をなすコア導体層４Ｙ，４ｙがそれぞれ形成される。これらコア導体層４Ｙ，４ｙは板状コア２Ｃの表面の大部分を被覆する面導体パターンとして形成され、電源層（図中符号４１）又はグランド層（図中符号４０）として用いられるものである。他方、板状コア２には、ドリル等により穿設されたスルーホール１１２が形成され、その内壁面にはコア導体層４Ｙ，４ｙを互いに導通させるスルーホール導体３０が形成されている。また、スルーホール１１２は、エポキシ樹脂等の樹脂製穴埋め材３１により充填されている。
【００７２】
また、コア導体層４Ｙ，４ｙの上層には、エポキシ樹脂等の高分子材料（及び誘電率や絶縁耐圧調整用のシリカ粉末等からなる無機フィラー：他の高分子材料誘電体層についても同様）からなる第一ビア層（ビルドアップ樹脂絶縁層：誘電体層）３Ｙ，３ｙがそれぞれ形成されている。さらに、その表面には第三導体層４Ａ，４ａがＣｕメッキにより形成されている。なお、コア導体層４Ｙ，４ｙと第三導体層４Ａ，４ａとは、それぞれビア導体３４により層間接続がなされている。同様に、第三導体層４Ａ，４ａの上層には、第二ビア層３Ａ，３ａがそれぞれ形成されている。基板コア部２は、板状コア２ｃ、コア導体層４Ｙ，４ｙ及び第一ビア層３Ｙ，３ｙよりなる。
【００７３】
基板コア部２の表側の主表面（図中、上側に表れている主表面）側においては、第三導体層４Ａ上に、第一高分子材料誘電体層３Ａ、Ｃｕメッキ層からなる第一導体層４Ｂ、及びセラミック誘電体層５からなる複合積層部８が２段に形成され、その上にさらにＣｕメッキ層からなる第二導体層４Ｃ、第二高分子材料誘電体層３Ｂ及び電子部品接続用の端子パッド１０が複数形成される第四導体層４Ｄがこの順序で積層されて、第一側配線積層部６を形成している。１段目の複合積層部８の第一導体層４Ｂ及び第二導体層４Ｃ、２段目の複合積層部８の第一導体層４Ｂ及び第二導体層４Ｃ、ならびに第二高分子材料誘電体層３Ｂおよび第四導体層４Ｄは、それぞれ中間パッド１２を介して、Ｃｕのフィルドメッキ部として形成されたビア導体３４にて積層方向に導通接続されている。また、基板コア部２の裏側の主表面（図中、下側に表れている主表面）側においては、第一ビア層３ｙ上に、裏側第三導体層４ａ、高分子材料誘電体層３ａ、及び裏側金属端子パッド１０’を含む裏側第二導体層４ｂがこの順序で積層され、第二側配線積層部７を形成している。裏側金属端子パッド１０’は、配線基板１自体をマザーボード等にピングリッドアレイ（ＰＧＡ）あるいはボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）により接続するための裏面パッドとして利用されるものである。
【００７４】
なお、その他の特に言及しない部分については、実施例１に係る配線基板１における対応部分と同様に構成されているので、対応部分と同様の符号を付して、それらの詳しい説明を省略する。
【００７５】
また、実施例２に係る配線基板１の製造方法については、実施例１に係る配線基板１の製造方法から容易に類推可能であるので、詳しい説明を割愛する。
【００７６】
上記実施例２によれば、転写法を用いたコンデンサを内蔵する配線基板の製造方法において、基板コア部２の一方の主表面に複合積層部８を２段に形成することにより、コンデンサの形成容量は一方の主表面に複合積層部８を１段に形成する場合と比較して倍増する。これにより、必要な容量に対して余裕が持てるため、それに伴い、（１）セラミック誘電体層５の厚みが厚くてもよい、（２）セラミック誘電体層５に比誘電率が低い材料が使用できる、（３）配線基板１の単位（パッケージ）７０ｕの外形に対するコンデンサ（第一電極２０、セラミック誘電体層５、第二電極１１）の引き下がり幅やシグナルを通すための抜きしろが広くとれる、等の自由度が増大する。
【実施例３】
【００７７】
図１５は、本発明の実施例３に係る配線基板１の断面構造を模式的に示すものである。本実施例３に係る配線基板１は、図１に示した実施例１に係る配線基板１における基板コア部２の表側の主表面に形成されている複合積層部８を２段にするようにしたものである。従って、実施例１に係る配線基板１における対応する部分には同一符号を付して、それらの詳しい説明を省略する。
【００７８】
実施例３に係る配線基板１の製造方法についても、実施例１に係る配線基板１の製造方法から容易に類推可能であるので、詳しい説明を割愛する。
【００７９】
上記実施例３によれば、転写法を用いたコンデンサを内蔵する配線基板の製造方法において、基板コア部２の裏側の主表面に複合積層部８を１段形成し、かつ表側の主表面に複合積層部８を２段形成したことにより、コンデンサの形成容量を大幅に増大させることができる。これにより、必要な容量に対して余裕が持てるため、それに伴い、（１）セラミック誘電体層５の厚みが厚くてもよい、（２）セラミック誘電体層５に比誘電率が低い材料が使用できる、（３）配線基板１の単位（パッケージ）７０ｕの外形に対するコンデンサ（第一電極２０、セラミック誘電体層５、第二電極１１）の引き下がり幅やシグナルを通すための抜きしろが広くとれる、等の自由度がより増大する。また、基板コア部２の表裏両側の主表面に複合積層部８をそれぞれ形成したので、パネル反りの不具合も比較的抑制することができる。さらに、基板コア部２の表裏両側の高分子材料誘電体層３Ａにおける高分子材料（樹脂）粗化の通過回数差に伴う不具合をより抑制することもできる。
【００８０】
以上、本発明の各実施例を説明したが、これらはあくまでも例示にすぎず、本発明はこれらに限定されるものではなく、特許請求の範囲の趣旨を逸脱しない限りにおいて、当業者の知識に基づく種々の変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】本発明の配線基板の実施例１を示す断面図。
【図２】図１の配線基板の製造工程を示す第１図。
【図３】同じく第２図。
【図４】同じく第３図。
【図５】同じく第４図。
【図６】同じく第５図。
【図７】同じく第６図。
【図８】同じく第７図。
【図９】同じく第８図。
【図１０】同じく第９図。
【図１１】同じく第１０図。
【図１２】同じく第１１図。
【図１３】同じく第１２図。
【図１４】本発明の配線基板の実施例２を示す断面図。
【図１５】本発明の配線基板の実施例３を示す断面図。
【符号の説明】
【００８２】
１  配線基板
２  基板コア部（支持基体）
３Ａ  高分子材料誘電体層
４Ａ  第三導体層
４Ｂ  第一導体層
４Ｃ  第二導体層
４Ｄ  第四導体層
５  セラミック誘電体層
６  配線積層部
８  複合積層部
１１  第二電極（導体パターン）
１５ｇ  セラミックグリーンシート（未焼成セラミック素材層）
１６  セラミック側切欠部
１７  セラミック側高分子材料充填部
１８  導体層側切欠部
１９Ｓ  第二導体層側高分子材料充填部
２０  第一電極
２１  連通切欠部
５０  転写元基板
５１  キャリアシート
６０  第一積層体
７０  第二積層体
７０ｕ  製造すべき配線基板の単位
５０ｈ，７０ｈ  ガイド貫通孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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