(57)【要約】【課題】局所加熱と外部磁界印加を組み合わせて磁気記録媒体に磁化パターンを形成する際、微細な磁化パターンを効率よく、精度よく形成する磁化パターン形成方法に用いるマスクを提供する。【解決手段】基板上に磁性層を有してなる磁気記録媒体(1)に対し、マスク(2)を介してエネルギー線を照射し前記磁性層の被照射部を局所的に加熱する工程と、磁性層に外部磁界を印加する工程とを含む磁化パターン形成方法に用いるマスク(2)であって、マスク(2)は、形成すべき磁化パターンに応じてエネルギー線の透過部と非透過部からなるパターン領域を有し、前記パターン領域外の内周部及び外周部に突起(8,9)を有してなり、かつ、内周部の突起(8)より外周部の突起(9)が高い。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に磁性層を有してなる磁気記録媒体に対し、マスクを介してエネルギー線を照射し前記磁性層の被照射部を局所的に加熱する工程と、磁性層に外部磁界を印加する工程とを含む磁化パターン形成方法に用いるマスクであって、
前記マスクは、形成すべき磁化パターンに応じてエネルギー線の透過部と非透過部からなるパターン領域を有し、前記パターン領域外の内周部及び外周部に突起を有してなり、かつ、内周部の突起より外周部の突起が高く、
前記パターン領域におけるパターンは、内周における周方向の最小線幅より外周における周方向の最小線幅が広いことを特徴とするマスク。
【請求項２】
前記突起の内周部と外周部の高さの差が０．３μｍ以上、１０μｍ以下である請求項１に記載のマスク。
【請求項３】
基板上に磁性層を有してなる磁気記録媒体に対し、マスクを介してエネルギー線を照射し前記磁性層の被照射部を局所的に加熱する工程と、磁性層に外部磁界を印加する工程とを含む磁化パターン形成方法に用いるマスクであって、
前記マスクは、形成すべき磁化パターンに応じてエネルギー線の透過部と非透過部からなるパターン領域を有し、前記パターン領域外の内周部に突起を有さず外周部に突起を有し、
前記パターン領域におけるパターンは、内周における周方向の最小線幅より外周における周方向の最小線幅が広いことを特徴とするマスク。
【請求項４】
前記突起の高さが１０μｍ以下である請求項１〜３のいずれかに記載のマスク。
【請求項５】
前記パターン領域におけるパターンは、最小線幅が１μｍ以下である請求項１〜４のいずれかに記載のマスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録装置に用いられる磁気ディスクなどの磁気記録媒体の磁化パターン形成方法に使用するマスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク装置（ハードディスクドライブ）に代表される磁気記録装置はコンピュータなどの情報処理装置の外部記憶装置として広く用いられ、近年は動画像の録画装置やセットトップボックスのための記録装置としても使用されつつある。
【０００３】
磁気ディスク装置は、通常、磁気ディスクを１枚或いは複数枚を串刺し状に固定するシャフトと、該シャフトにベアリングを介して接合された磁気ディスクを回転させるモータと、記録及び／又は再生に用いる磁気ヘッドと、該ヘッドが取り付けられたアームと、ヘッドアームを介してヘッドを磁気記録媒体上の任意の位置に移動させることのできるアクチュエータとからなる。記録再生用ヘッドは通常浮上型ヘッドで、磁気記録媒体上を一定の浮上量で移動している。
【０００４】
また、浮上型ヘッドの他に媒体との距離をより縮めるために、コンタクトヘッド（接触型ヘッド）の使用も提案されている。
【０００５】
磁気ディスク装置に搭載される磁気記録媒体は、一般にアルミニウム合金などからなる基板の表面にＮｉＰ層を形成し、所要の平滑化処理、テキスチャリング処理などを施した後、その上に、金属下地層、磁性層（情報記録層）、保護層、潤滑層などを順次形成して作製されている。あるいは、ガラスなどからなる基板の表面に金属下地層、磁性層（情報記録層）、保護層、潤滑層などを順次形成して作製されている。磁気記録媒体には面内磁気記録媒体と垂直磁気記録媒体とがある。面内磁気記録媒体は、通常、長手記録が行われる。
【０００６】
磁気記録媒体の高密度化は年々その速度を増しており、これを実現する技術には様々なものがある。例えば磁気ヘッドの浮上量をより小さくしたり、磁気ヘッドとしてＧＭＲヘッドを採用したり、また磁気ディスクの記録層に用いる磁性材料を保磁力の高いものにするなどの改良や、磁気ディスクの情報記録トラックの間隔を狭くするなどが試みられている。例えば１００Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ2を実現するには、トラック密度は１００ｋｔｐｉ以上が必要とされる。
【０００７】
各トラックには、磁気ヘッドを制御するための制御用磁化パターンが形成されている。例えば、磁気ヘッドの位置制御に用いる信号や同期制御に用いる信号である。情報記録トラックの間隔を狭めてトラック数を増加させると、データ記録／再生用ヘッドの位置制御に用いる信号（以下、「サーボ信号」と言うことがある。）もそれに合わせてディスクの半径方向に対して密に、すなわちより多く設けて精密な制御を行えるようにしなければならない。
【０００８】
また、データ記録に用いる以外の領域、即ちサーボ信号に用いる領域や該サーボ領域とデータ記録領域の間のギャップ部を小さくしてデータ記録領域を広くし、データ記録容量を上げたいとの要請も大きい。このためには、サーボ信号の出力を上げたり同期信号の精度を上げる必要がある。
【０００９】
従来広く製造に用いられている方法は、ドライブ（磁気記録装置）のヘッドアクチュエータ近傍に穴を開け、その部分にエンコーダ付きのピンを挿入し、該ピンでアクチュエータを係合し、ヘッドを正確な位置に駆動してサーボ信号を記録するものである。しかしながら、位置決め機構とアクチュエータの重心が異なる位置にあるため、高精度のトラック位置制御ができず、サーボ信号を正確に記録するのが困難であった。
【００１０】
一方、レーザビームを磁気ディスクに照射してディスク表面を局所的に変形させ物理的な凹凸を形成することで、凹凸サーボ信号を形成する技術も提案されている。しかし、凹凸により浮上ヘッドが不安定となり記録再生に悪影響を及ぼす、凹凸を形成するために大きなパワーをもつレーザビームを用いる必要がありコストがかかり、凹凸を１ずつ形成するために時間がかかる、といった問題があった。
【００１１】
このため新しいサーボ信号形成法が提案されている。
【００１２】
一例は、高保磁力の磁性層を持つマスターディスクにサーボパターンを形成し、マスターディスクを磁気記録媒体に密着させるとともに、外部から補助磁界をかけて磁化パターンを転写する方法である（特許文献１）。
【００１３】
他の例は、媒体を予め一方向に磁化しておき、マスターディスクに高透磁率で低保磁力の軟磁性層などをパターニングし、マスターディスクを媒体に密着させるとともに外部磁界をかける方法である。軟磁性層がシールドとして働き、シールドされていない領域に磁化パターンが転写される（特許文献２〜３、非特許文献１）。
【００１４】
本技術はマスターディスクを用い、強力な磁界によって磁化パターンを媒体に形成している。
【００１５】
一般に磁界の強度は距離に依存するので、磁界によって磁化パターンを記録する際には、漏れ磁界によってパターン境界が不明瞭になりやすい。そこで、漏れ磁界を最小にするためにマスターディスクと媒体を密着させることが不可欠である。そしてパターンが微細になるほど、隙間なく完全に密着させる必要があり、通常、両者は真空吸着などにより圧着される。
【００１６】
また、媒体の保磁力が高くなるほど転写に用いる磁界も大きくなり、漏れ磁界も大きくなるため、更に完全に密着させる必要がある。
【００１７】
従って上記技術は、保磁力の低い磁気ディスクや圧着しやすい可撓性のフレキシブルディスクには適用しやすいが、硬質基板を用いた、高密度記録用の保磁力が３０００Ｏｅ以上もあるような磁気ディスクへの適用が非常に難しい。
【００１８】
即ち、硬質基板の磁気ディスクは、密着の際に微小なゴミ等を挟み込み媒体に欠陥が生じたり、或いは高価なマスターディスクを痛めてしまう恐れがあった。
特にガラス基板の場合、ゴミの挟み込みで密着が不十分になり磁気転写できなかったり、磁気記録媒体にクラックが発生したりするという問題があった。
【００１９】
また、特許文献２に記載されたような技術では、ディスクのトラック方向に対して斜めの角度を有したパターンは、記録は可能であるが信号強度の弱いパターンしか作れないという問題があった。保磁力が２０００〜２５００Ｏｅ以上の高保磁力の磁気記録媒体に対しては、転写の磁界強度を確保するために、マスターディスクのパターン用強磁性体（シールド材）は、パーマロイあるいはセンダスト等の飽和磁束密度の大きい軟磁性体を使わざるを得ない。
【００２０】
しかし、斜めのパターンでは、磁化反転の磁界はマスターディスクの強磁性層が作るギャップに垂直方向となってしまい所望の方向に磁化を傾けることができない。その結果、磁界の一部が強磁性層に逃げてしまい磁気転写の際に所望の部位に十分な磁界がかかりにくく、十分な磁化反転パターンを形成できず高い信号強度が得にくくなってしまう。こうした斜めの磁化パターンは、再生出力が、トラックに垂直のパターンに対してアジマスロス以上に大きく減ってしまう。
【００２１】
これに対して、特願２０００−１３４６０８号及び特願２０００−１３４６１１号の明細書に記載された技術は、局所加熱と外部磁界印加を組み合わせて磁気記録媒体に磁化パターンを形成する。例えば、媒体を予め一方向に磁化しておき、パターニングされたマスクを介してエネルギー線等を照射し局所的に加熱し、前記加熱領域の保磁力を下げつつ外部磁界を印加し、加熱領域に外部磁界による記録を行い、磁化パターンを形成する。
【００２２】
本技術によれば、加熱により保磁力を下げて外部磁界を印加するので、外部磁界が媒体の保磁力より高い必要はなく、弱い磁界で記録できる。そして、記録される領域が加熱領域に限定され、加熱領域以外には磁界が印加されても記録されないので、媒体にマスク等を密着させなくても明瞭な磁化パターンが記録できる。このため圧着によって媒体やマスクを傷つけることなく、媒体の欠陥を増加させることもない。
【００２３】
また、本技術では斜めの磁化パターンも良好に形成できる。従来のようにマスターディスクの軟磁性体によって外部磁界をシールドする必要がないためである。
【特許文献１】米国特許５，９９１，１０４号明細書
【特許文献２】特開昭５０−６０２１２号公報（米国特許3,869,711号明細書）
【特許文献３】特開平１０−４０５４４号公報（EP915456号明細書）
【非特許文献１】"Readback Properties of Novel Magnetic Contact Duplication Signals with High Recording Density FD"(Sugita,R et.al, Digest of InterMag 2000, GP-06, IEEE発行)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２４】
このように、特願２０００−１３４６１１号の明細書に記載された磁化パターン形成技術は、各種の微細な磁化パターンを効率よく精度よく形成でき、しかも媒体やマスクを傷つけることなく媒体の欠陥を増加させることもない優れた技術である。
【００２５】
ところで、磁気ディスク（ディスク状の磁気記録媒体）の磁化パターンは、一般に角速度一定で記録再生するため、外周に行くほど線速度が高く、内周と外周で同じ信号を記録する場合、外周ほど物理的長さが長くなる。つまり、内周から外周に行くほど、記録すべき磁化パターンの周方向の幅であるパターン線幅は増加していく傾向にある。例えば直径３．５インチのハードディスクでは、内周（半径２０ｍｍ）で１μｍのパターン線幅が、外周（半径４５ｍｍ）では２〜３μｍ程となり、ディスクの位置によってパターン線幅は大きく相違する。
【００２６】
しかしながら本技術においては、磁化パターンはその線幅によって形成の最適条件が異なり、特に最小線幅（単に最小幅と称することもある。）１μｍ以下の微細なパターンは良好に形成されにくい場合があった。
【００２７】
その原因の一つとして、エネルギー線の回折による影響がある。一般的に、エネルギー線はスリット状の隙間を通過する際に回折を起こすが、隙間が狭いほど回折角が大きくなる傾向がある。このため、パターン線幅が狭くなると、マスクの透過部を通過したエネルギー線は大きく回折され、照射範囲が広がってしまう。従って単位面積あたりのエネルギー線の照射量は小さくなってしまい、加熱部が十分に加熱されず、保磁力の低下が不十分で、磁化が十分におこなわれにくくなってしまう。
【００２８】
このため内外周で線幅の異なるパターンを同一磁気ディスク上に良好に形成したいとの要請があった。
【００２９】
この要請に応えるための方法として、例えば、内周と外周でエネルギー線のパワーを変える方法がある。しかしながら、エネルギー線のパワーを精度良く調整することは困難であり、またパワーを上げると広がった照射範囲全体が加熱されるため、意図した以上の領域が磁化されてしまい、例えば再生信号のタイミングアシンメトリ値が悪化するという課題もある。
【００３０】
或いは、回折の影響も考慮し内周と外周でマスクのパターン線幅を微調整する方法が考えられる。マスクの透過部をやや広めに形成しておくことにより、エネルギー線照射量を大きくしたり、回折角を小さくしたりすることができると考えられる。しかしこれは複雑な計算を必要とし、加工精度にも問題が残る。また、微細なパターンの場合は、あまり透過部を大きくすると、隣接する透過部からのエネルギー線同士が重なり磁化パターンが正確に形成されないおそれもある。
【００３１】
そこで、線幅の異なるパターンを同一磁気ディスク上に、精度良くかつ簡便に形成したいとの要請があった。
【００３２】
上記課題に鑑み、本発明は、局所加熱と外部磁界印加を組み合わせて磁気記録媒体に磁化パターンを形成する技術において、微細な磁化パターンを効率よく、更に精度よく形成する磁化パターン形成方法に用いるマスクを提供する。
【課題を解決するための手段】
【００３３】
本発明のマスクは、基板上に磁性層を有してなる磁気記録媒体に対し、マスクを介してエネルギー線を照射し前記磁性層の被照射部を局所的に加熱する工程と、磁性層に外部磁界を印加する工程とを含む磁化パターン形成方法に用いるマスクであって、前記マスクは、形成すべき磁化パターンに応じてエネルギー線の透過部と非透過部からなるパターン領域を有し、前記パターン領域外の内周部及び外周部に突起を有してなり、かつ、内周部の突起より外周部の突起が高く、前記パターン領域におけるパターンは、内周における周方向の最小線幅より外周における周方向の最小線幅が広いことを特徴とする。
【００３４】
本発明の別のマスクは、基板上に磁性層を有してなる磁気記録媒体に対し、マスクを介してエネルギー線を照射し前記磁性層の被照射部を局所的に加熱する工程と、磁性層に外部磁界を印加する工程とを含む磁化パターン形成方法に用いるマスクであって、前記マスクは、形成すべき磁化パターンに応じてエネルギー線の透過部と非透過部からなるパターン領域を有し、前記パターン領域外の内周部に突起を有さず外周部に突起を有し、前記パターン領域におけるパターンは、内周における周方向の最小線幅より外周における周方向の最小線幅が広いことを特徴とする。
【発明の効果】
【００３５】
本発明によれば、ディスク状の磁気記録媒体に対して、内周と外周で異なる線幅の磁化パターンを精度よく且つ簡便に形成できるので、媒体全面で良好な磁化パターンが得られる。しかも、照射するエネルギー線のパワーやマスク上のパターン線幅を磁化パターンの周方向線幅に応じて微調整する必要がない。従って微細な磁化パターンを効率よく精度よく形成する磁化パターン形成方法に用いるマスクを提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
本発明において、マスクのパターン領域の非透過部の表面と媒体との距離を、マスクと媒体の間隔と称する。スペーサとしての突起がマスクに設けられてなる場合も同様であって、突起表面と媒体との距離ではない。
【００３７】
本発明は、磁気記録媒体に加熱工程と磁界印加工程により磁化パターンを形成するにあたり、使用するマスクがエネルギー線の透過部と非透過部からなるパターン領域を有してなり、パターン領域のエネルギー線非透過部と磁気記録媒体の間隔を、前記媒体の内周より外周で大きいものとする。
【００３８】
なお、本発明に用いるマスクは、形成すべき磁化パターンに応じてエネルギー線の透過部と非透過部からなるパターン領域を有してなるマスクであればよく、フォトマスク、ホログラムマスクなど何れの方式のマスクも使用可能である。但しフォトマスクは簡便かつ安価に作成できる点で好ましい。以下ではフォトマスクを例に説明を行う。
【００３９】
図を用いて詳しく説明する。図１は、本発明に係る磁化パターン形成方法の一例を説明するための図である。面内磁気ディスク１は外部磁界により予め周方向の一方向に一様に磁化されている。そののち磁気ディスク１上にフォトマスク３を載せ、図示しない留めネジにより固定する。フォトマスク２は石英からなる透明基材３上に、クロム層４と酸化クロム層５からなる非透過部が形成されており、さらにパターン領域外の内周部と外周部にスペーサとしての突起８、９が複数設けられている。
【００４０】
突起は内周部よりも外周部の方が高くなっており、これにより磁気ディスクとフォトマスクとの間隔は内周から外周にいくほど徐々に大きくなる。ここにレーザビーム７が照射され、同時に外部磁界６を印加する。この外部磁界は、先に一様に磁化した際の外部磁界とは逆方向である。
【００４１】
以上の方法によれば、パターン線幅が比較的広くエネルギー線の回折の影響が小さい外周部に比べて、パターン線幅が狭くエネルギー線の回折の影響が大きい内周部で磁気ディスクとフォトマスクの間隔を小さくする。従って、内周部でも、回折したエネルギー線が広がり過ぎず、外周部と同程度の適度な広がりで磁気ディスクに照射される。これによりディスク全面においてエネルギー線の回折の影響を同程度に制御できるので、エネルギー線の照射面積を適切に調整でき、全域で良好な磁化パターンが形成できる。また再生信号のタイミングアシンメトリも良好となる。
【００４２】
また、回折による影響を抑えることができるため、回折の影響が特に大きい最小線幅１μｍ程度以下の微細なパターンが形成可能となる。
【００４３】
本発明に関わる方法は、パターンの線幅によってエネルギー線のパワーやマスクのパターン線幅の微調整を行う必要がなく、スペーサの高さを調節するだけであるため非常に簡便である。これによりマスクの製造コストを削減することができると共にレーザービーム照射用の光学系も簡易な装置で可能となるため、設備コストを大きく削減することができる。
【００４４】
磁気記録媒体とマスクの最適な間隔は形成したい磁化パターンの線幅によって異なるが、あまり大きすぎると、エネルギー線の回折が大きくなり磁化パターンがぼやけてしまい再生信号品質が悪化したり、加熱領域が広がり加熱が不十分になったり、逆にタイミングアシンメトリ（対称性）が悪化するおそれがある。これらを良好にするためには、磁気記録媒体とマスクの間隔の最大値は通常、１０μｍ以下とするのが好ましい。より好ましくは５μｍ以下であり、さらに好ましくは３μｍ以下である。
【００４５】
下限は特になく一部接触していても良いが、磁気記録媒体とマスク間のゴミの影響を受けにくく非接触転写方式の利点を生かすためには０．１μｍ以上とするのが好ましい。
【００４６】
上記間隔の、内周と外周における差は、媒体の直径や媒体内のパターン配置位置（半径位置）、内周と外周におけるパターン線幅の差を考慮して決めることが望ましい。例えば、媒体のパターン領域が半径方向に大きいほど内周と外周の間隔差も大きくするのが好ましく、小さいほど間隔差も小さくするのが好ましい。
【００４７】
ただし、回折の影響を考慮して、媒体全域で信号の対称性良く、微細な磁化パターンを得るためには内周部と外周部の間隔差は０．３μｍ以上が好ましい。より好ましくは０．５μｍ以上であり、１μｍ以上がさらに好ましい。ただし、あまり間隔差が大きいと精密な間隔制御がしにくいため、通常、１０μｍ以下が好ましく、より好ましくは５μｍ以下である。
【００４８】
磁気記録媒体の磁化パターン形成領域とマスクの間隔を保つ方法としては、その間隔を一定に保てる方法であれば何れの方法であっても良い。例えばマスクと媒体とを特定の装置により保持して一定距離を保っても良く、磁気記録媒体とマスク間の磁化パターン形成領域以外の場所にスペーサを挿入してもよいが、エネルギー線の回折による影響を抑え、微細な磁化パターンを得るためにはマスク自体に、スペーサの機能を持つ突起を一体形成するのが望ましい。
【００４９】
突起を設ける位置としては、マスクのパターン領域内のエネルギー線非透過部及びパターン領域外があり得る。ただしパターン領域外の内周部や外周部に突起を設けると、マスクと媒体とがパターン領域で接触しないので、媒体やマスクを傷つけることがなく、媒体の欠陥を増加させる虞れもなく好ましい。また、マスクと媒体がパターン領域で接触しないので、加熱工程において意図しない熱伝導が起こる虞もなく、好ましい。
【００５０】
スペーサの材質としては、間隔保持機能の観点から硬質のものが好ましく、例えばステンレス、銅などの金属やセラミック、ガラス、樹脂などである。より好ましくは磁化されない材質のものである。
【００５１】
以下、マスクに突起を形成する方法について説明する。例えば以下のような方法を取りうる。
【００５２】
［方式１］
マスクにポリイミドなどの放射線硬化性又は熱硬化性の樹脂層を形成し、この樹脂層にフォトリソグラフィーにより突起を形成する。この方法では樹脂層の厚さが突起高さにほぼ等しくなるので、樹脂層の厚さを制御することで突起高さを精度良く均一に、かつ容易に制御できるという利点がある。また樹脂層の塗布形成やエッチング液による除去は短時間で行えるという利点もある。
【００５３】
ポリイミド樹脂が感光性ポリイミド樹脂である場合は、樹脂層形成後にそのままフォトリソグラフィー、エッチングを行えばよいが、非感光性ポリイミド樹脂である場合は、樹脂層上にフォトレジスト層を形成した後、フォトリソグラフィー、現像、エッチングなどを行う。
【００５４】
樹脂層の形成法としては塗布によるのが一般的であり、ディップ法、スピンコート法などがある。続いて、形成すべき突起に応じたパターンを有する突起形成用マスクを介して、樹脂層付きマスクにレーザー光などを照射し、潜像を形成する。次いで有機溶剤などにより不要部分をエッチング除去し、突起を形成する。
【００５５】
この後に、突起の硬度を上げ、かつ突起の耐溶剤性を向上させるために、加熱処理または紫外線照射処理などを行い架橋を促進させるのが好ましい。加熱処理としては、オーブンを使用したり、赤外線ランプを使用するなどの方法がある。この際、樹脂の材質によっては硬化時のヒケが大きく、突起の中央部が選択的に縮小しクレータ状になる場合がある。このような硬化時のヒケの大きい樹脂を使用する場合は、突起高さを均一にするために突起の形状は略円形であることが好ましい。
【００５６】
本方法は、高い突起を形成するには樹脂層を厚く塗布すればよい反面、非常に薄い樹脂層は通常形成しにくいので、例えば突起高さが０．３μｍ以上１０μｍ以下の比較的高い突起の形成に適する。
【００５７】
高さの異なる突起の作り方としては、種々の方法を採ることができる。スピンコートによる場合は、スピンコートの回転数やコート時間を変え、内外速度差や遠心力を利用することで内周と外周とで任意の異なる高さの突起を作ることができる。レーザーによる場合は、レーザーパワーを内周部に比べ外周部で強くすることにより作ることができる。
【００５８】
［方式２］
マスクに、いわゆるリフトオフ法により無機物からなる突起を形成する。すなわちマスク上のフォトレジスト層をフォトリソグラフィーにより凹凸を形成し、この上に無機物層を成膜したのちフォトレジスト層を除去すると、フォトレジストの無かった部分のみ無機物層が突起として残るのである。
【００５９】
詳しく説明する。マスクにフォトレジストを薄く塗布し、形成したい突起の位置と形状に応じてレーザー光を照射し現像し、一部のフォトレジストを除去し凹凸を形成する。この上に形成したい突起の高さに応じて金属層を成膜したのち、例えばフォトレジスト除去液に浸漬する。するとフォトレジスト層が除去されるとともにその上に成膜された金属層が除去されるので、フォトレジストの無い場所に成膜された金属層のみが突起として残る。
【００６０】
この方法では金属層の厚さが突起高さにほぼ等しくなるので、金属層の厚さを制御することで突起高さを精度良く均一に、かつ容易に制御できるという利点がある。
【００６１】
無機物層は十分な硬度と耐候性があれば特に材質は限定されないが、磁化されない材質であると、印加される外部磁界による影響が少ないため好ましい。
【００６２】
クロムや酸化クロムを用いると、マスクの非透過部の形成と共通の工程で突起が形成でき好ましい。無機物層の成膜法としてはスパッタリング、蒸着、ＣＶＤ、メッキなどが一般的である。
【００６３】
フォトレジスト除去液としては例えば強アルカリ液などが用いられる。
【００６４】
本手法では突起形状はフォトレジスト層に形成する凹凸の形状によってコントロールでき、帯状であってもよいし不連続であってもよい。フォトリソグラフィーを行うので比較的底面積の小さい突起の形成に適している。底面積の小さい突起とは例えば円形なら直径０．２ｍｍ未満、四角形なら一辺が０．２ｍｍ未満である。
【００６５】
小さい突起は形成できる場所の自由度が高く、狭い領域にも形成できる点が好ましい。パターン領域とディスク外周端との距離が例えば０．３μｍ以下と非常に狭いハードディスクの周縁部にも設けることができる。
【００６６】
またフォトリソグラフィーで突起を形成するためパターンとのアライメントが正確に取りやすい。場合によってはパターンと突起を同時に形成することもでき、工程を大幅に短くできる。更に、リフトオフ法によれば側面が切り立った形状の突起が形成しやすい。従って同じ底面積でも頂部の面積がより大きな突起が形成しやすい。
【００６７】
本方式によれば、無機物層の厚さをコントロールすることで形成する突起の高さを任意に変えられるので、様々な突起高さに適用できる。例えば０．００１μｍ以上１０μｍ以下である。また、無機物層は樹脂に比べて薄く形成することが容易なので、樹脂を使う方式では形成しにくい０．００１μｍ以上３μｍ以下の低い突起も作りやすい。
【００６８】
リフトオフ法を何度か繰り返すことによって、場所により突起の高さを変えることもできる。また無機物層のエッチング工程が不要で厚く成膜するだけで高い突起が容易に形成できる点が好ましい。
【００６９】
高さの異なる突起の作り方としては、スパッターによる場合は、内周部と外周部とで成膜時間を変えることにより、内周と外周とで任意の異なる高さの突起を作ることができる。
【００７０】
以上述べたごとく本発明によれば、磁気ディスクに対して内周における周方向の最小線幅より外周における周方向の最小線幅が広い磁化パターンを精度良く、かつ簡便に形成できる。内外周における最小線幅の違いが大きい磁化パターンに適用すると効果が高く、例えば内周における周方向の最小線幅より外周における周方向の最小線幅が０．５μｍ以上広い磁化パターンに適用すると効果が高い。
【００７１】
更に、エネルギー線の回折の影響が特に大きい最小線幅１μｍ程度以下の微細な磁化パターンに適用すると効果が高い。
【００７２】
次に本発明のマスクについて説明する。
【００７３】
本発明のマスクは、前述したように、形成すべき磁化パターンに応じてエネルギー線の透過部と非透過部からなるパターン領域を有してなるマスクであれば、何れの方式のマスクも使用可能である。このマスクにエネルギー線を照射し、エネルギー線の強度分布を形成すべき磁化パターンに対応して変化させ、磁気ディスク面上にエネルギー線の濃淡（強度分布）を形成する。これにより、複数又は広い面積の磁化パターンを一度に形成することができるため、磁化パターン形成工程が短時間かつ簡便なものとなる。これらのマスクの中でも、フォトマスクは簡単かつ安価に作成できる点で最も好ましい。また、マスクは磁気ディスク全面を覆うものでなくてもよい。磁化パターンの繰り返し単位を含む大きさがあれば、それを移動させて使用することができる。
【００７４】
マスクの材質は限定されないが、本発明においてマスクを非磁性材料で構成すると、どのようなパターン形状でも均一な明瞭さで磁化パターンが形成でき、均一で強い再生信号が得られる。強磁性体を含むマスクを使用した場合は、磁化で磁界分布が乱される虞がある。強磁性の性質上、磁気ディスクの半径方向或いは、半径方向に延びた円弧状のパターンから斜傾したパターン形状の場合は、磁化遷移部分で磁区が互いに十分対抗しないので良質の信号が得にくい。
【００７５】
本発明に用いるフォトマスクは、所望の磁化パターンに相当する透過部と非透過部を備えているマスクであればよいが、石英ガラス、ソーダライムガラス等の透明原盤上にクロム、酸化クロム等をスパッタリング形成し、その上にフォトレジストを塗布し、エッチング等によって、所望の透過部と非透過部を作成することができる。この場合は原盤上にクロム層、酸化クロム層を有する部分がエネルギー線非透過部、原盤のみの部分が透過部となる。酸化クロム層成膜時に、クロムを酸化させるために酸素と反応させながら成膜してもよい。
【００７６】
このように形成したマスクは通常凹凸を有しており、凸部がエネルギー線に対して非透過で、凸部を媒体に近接させ、或いは略接触させる。或いはまた、このようなマスクを形成した後に凹部にエネルギー線に透明である材料を埋め込み、媒体との略接触面を平坦にして使用することもできる。
【００７７】
フォトマスクは、前述の如く透明基材にエネルギー線の非透過層を形成することにより、透過部と非透過部とを設けたものが用いられる。透明基材としては、エネルギー線を十分透過するものであれば良いが、石英を主とする材料で構成されているのが好ましい。石英ガラスは比較的高価ではあるが、紫外域のエネルギー線に対して透過性が高いため、特に微細加工がしやすい３００ｎｍ以下の短波長のエネルギー線を使用することができるという利点がある。これより長い波長のエネルギー線を使用する場合は、コストの点から光学ガラスを使うのがよい。
透明基材の厚さは制限されないが基材のたわみが生じず、安定的に平坦度をだすためには、通常１〜１０ｍｍ程度が好ましい。
【００７８】
また、フォトマスクの非透過層は、クロム層と酸化クロム層との積層膜であることが好ましく、石英ガラス基材上に、クロム層と酸化クロム層を形成して非透過層を形成したフォトマスクとするのが好ましい。即ち、透過部の石英ガラスは反射率は概ね５％程度であり、一方でクロムは非常に反射率が高いので、その表面を反射率の低い他の層で覆うのが好ましい。例えば、非透過部表面を反射率約１６％の酸化クロムで覆う。媒体面で反射したエネルギー線が再度マスク面で反射して媒体に戻ることを防止することができ好ましい。酸化クロム層は反射率が低い上にクロムを酸化させるのみで形成することができ、また、クロム層への密着性にも優れる点においても好ましい。
【００７９】
なお、クロムと酸化クロムとの積層膜で形成される非透過層の各膜の膜厚は、十分な非透過性（エネルギー線の遮光性）と所望の反射率、エネルギー線耐久性が得られる程度であれば良く、膜の緻密性、即ち成膜方法によっても異なるが、概ね４０ｎｍ以上が好ましい。エネルギー線耐久性を重視すれば厚いほど好ましく、例えば１６０ｎｍ以上が好ましく、より好ましくは２００ｎｍ以上である。但しあまり厚いと成膜時間が長くなりすぎるため、５００ｎｍ以下が好ましい。クロム膜と酸化クロム膜の両方を付ける場合には、クロム膜の膜厚が２０〜２００ｎｍ、酸化クロム膜の膜厚が２０〜２００ｎｍの範囲であることが好ましい。
【００８０】
このようにして非透過層を形成したフォトマスクは、この非透過層による凸部が形成されたものとなる。このフォトマスクは一般に非透過層の形成面が磁気ディスクに対面するように配置する。なお、非透過層間の凹部に、エネルギー線を透過する材料を埋め込み、フォトマスクの非透過層の形成面を平坦にして使用しても良い。
【００８１】
次に本発明の加熱方法について説明する。
【００８２】
本発明における加熱手段は、磁性層表面を部分的に加熱できる機能を備えていればよいが、不要な部分への熱拡散防止やコントロール性を考えると、パワーコントロール、加熱する部位の大きさが制御しやすいレーザ等のエネルギー線を利用する。本発明においては、エネルギー線はマスクを介して照射し、複数の磁化パターンを一度に形成することができるため、磁化パターン形成工程が短時間となりかつ簡便である。
【００８３】
また、エネルギー線は連続照射よりもパルス状にして加熱部位の制御や加熱温度の制御を行うのが好ましい。特にパルスレーザ光源の使用が好適である。パルスレーザ光源はレーザをパルス状に断続的に発振するものであり、連続レーザを音響光学素子（ＡＯ）や電気光学素子（ＥＯ）などの光学部品で断続させパルス化するのに比して、パワー尖頭値の高いレーザをごく短時間に照射することができ熱の蓄積が起こりにくく非常に好ましい。
【００８４】
連続レーザを光学部品によりパルス化した場合、パルス内ではそのパルス幅に亘ってほぼ同じパワーを持つ。一方パルスレーザ光源は、例えば光源内で共振によりエネルギーをためて、パルスとしてレーザを一度に放出するため、パルス内では尖頭のパワーが非常に大きく、その後小さくなっていく。本発明では、コントラストが高く精度の高い磁化パターンを形成するために、ごく短時間に急激に加熱しその後急冷させるのが好ましいため、パルスレーザ光源の使用が適している。
【００８５】
磁化パターンが形成される媒体面は、パルス状エネルギー線の照射時と非照射時で温度差が大きい方が、パターンのコントラストを上げ、或いは記録密度を上げるために好ましい。従ってパルス状エネルギー線の非照射時には室温以下程度になっているのが好ましい。室温とは２５℃程度である。
【００８６】
なお、パルス状エネルギー線を使用する際に、外部磁界は連続的に印加してもパルス状に印加しても良い。
【００８７】
エネルギー線の波長は、１１００ｎｍ以下であることが好ましい。これより波長が短いと回折作用が小さく分解能が上がるため、微細な磁化パターンを形成しやすい。更に好ましくは、６００ｎｍ以下の波長である。高分解能であるだけでなく、回折が小さいため間隙によるマスクと磁気記録媒体のスペーシングも広くとれハンドリングがしやすく、磁化パターン形成装置が構成しやすくなるという利点が生まれる。また、波長は１５０ｎｍ以上であるのが好ましい。１５０ｎｍ未満では、マスクに用いる合成石英の吸収が大きくなり、加熱が不十分となりやすい。波長を３５０ｎｍ以上とすれば、光学ガラスをマスクとして使用することもできる。
【００８８】
具体的には、エキシマレーザ（１５７，１９３，２４８，３０８，３５１ｎｍ）、ＹＡＧのＱスイッチレーザ（１０６４ｎｍ）の２倍波（５３２ｎｍ）、３倍波（３５５ｎｍ）、或いは４倍波（２６６ｎｍ）、Ａｒレーザ（４８８ｎｍ、５１４ｎｍ）、ルビーレーザ（６９４ｎｍ）などである。
【００８９】
エネルギー線のパワーは、外部磁界の大きさによって最適な値を選べばよいが、パルス状エネルギー線の１パルス当たりのパワーは通常１０００ｍＪ／ｃｍ2以下とすることが好ましい。これより大きなパワーをかけると、パルス状エネルギー線によって前記磁気記録媒体表面が損傷を受け変形を起こす可能性がある。変形により媒体の粗度Ｒａが３ｎｍ以上やうねりＷａが５ｎｍ以上に大きくなると、浮上型／接触型ヘッドの走行に支障を来すおそれがある。
【００９０】
より好ましくは５００ｍＪ／ｃｍ2以下であり、更に好ましくは２００ｍＪ／ｃｍ2以下である。この領域であると比較的熱拡散の大きな基板を用いた場合でも分解能の高い磁化パターンが形成しやすい。また、パワーは１０ｍＪ／ｃｍ2以上とするのが好ましい。これより小さいと、磁性層の温度が上がりにくく磁気転写が起こりにくい。なお、エネルギー線の最適なパワーは、回折等の影響によりパターン線幅によって異なる場合がある。また、エネルギー線の波長が短いほど、印加可能なパワーの上限値は低下する傾向にある。
【００９１】
エネルギー線による磁気記録媒体の磁性層、保護層、潤滑層の損傷が心配される場合は、パルス状エネルギー線のパワーを小さくして、前記パルス状エネルギー線と同時に印加される磁界強度を上げるといった手段を取ることもできる。例えば、磁気記録媒体の常温での保磁力の２５〜７５％の範囲でできるだけ大きな磁界をかけ、照射エネルギーを下げる。なお、保護層と潤滑層を介してパルス状エネルギー線を照射するにあたり、潤滑剤の受けるダメージ（分解、重合）等も考慮し、照射後に再塗布するなどの必要がある場合がある。
【００９２】
パルス状エネルギー線のパルス幅は、１μｓｅｃ以下であることが望ましい。これよりパルス幅が広いと磁気記録媒体に与えたエネルギーによる発熱が分散して、分解能が低下しやすい。１パルス当たりのパワーが同じ場合、パルス幅を短くし一度に強いエネルギーを照射した方が、熱拡散が小さく磁化パターンの分解能が高くなる傾向にある。より好ましくは１００ｎｓｅｃ以下である。この領域であるとＡｌなど金属の比較的熱拡散の大きな基板を用いた場合でも分解能の高い磁化パターンが形成しやすい。最小幅が２μｍ以下のパターンを形成する際には、パルス幅を２５ｎｓｅｃ以下とするのがよい。即ち、分解能を重視すれば、パルス幅は短いほど良い。また、パルス幅は１ｎｓｅｃ以上であるのが好ましい。磁性層の磁化反転が完了するまでの時間、加熱を保持しておくのが好ましいからである。
【００９３】
なお、本発明においてパターンの最小線幅（最小幅）とは、パターン中の最も狭い長さを言う。四角形のパターンであれば短辺、円形ならば直径、楕円形ならば短径である。
【００９４】
なお、パルス状レーザの一種として、モードロックレーザのようにピコ秒、フェムト秒レベルの超短パルスを高周波で発生できるレーザがある。超短パルスを高周波で照射している期間においては、各々の超短パルス間のごく短い時間はレーザが照射されないが非常に短い時間であるため加熱部はほとんど冷却されない。すなわち、一旦キュリー温度以上に昇温された領域はキュリー温度以上に保たれる。
【００９５】
従ってこのような場合、連続照射期間（超短パルス間のレーザが照射されない時間も含めた連続照射期間）を１パルスとする。また連続照射期間の照射エネルギー量の積分値を１パルス当たりのパワー（ｍＪ／ｃｍ2）とする。
【００９６】
また、レーザなどのエネルギー線は、一般にビームスポット内で強度分布（エネルギー密度分布）を有しており、エネルギー線を照射して局部加熱した場合もエネルギー密度による温度上昇の違いが生じる。このため加熱ムラにより局部的に転写の強度の違いが起こる。そこで好ましくは、エネルギー線に予め強度分布の均一化処理をなす。照射した領域の加熱状態の分布を小さく抑えられ、磁化パターンの磁気的強さの分布を小さく抑えることができる。従って磁気ヘッドを使用して信号強度を読み取る際に、信号強度の均一性の高い磁化パターンを形成することができる。
【００９７】
強度分布の均一化処理としては、例えば以下のような処理が挙げられる。ホモジナイザやコンデンサレンズを用いて均一化したり、遮光板やスリットなどでエネルギー線の強度分布の小さい部分だけを透過し必要に応じて拡大する、などである。
【００９８】
好ましくは、エネルギー線を、一旦光学分割したのち重ね合わせることによって均一化処理すると、エネルギー線を無駄なく使用でき使用効率が良い。本発明においては、磁性層の加熱には、高強度のエネルギー線を短時間に照射するのがよく、このためにはエネルギーを無駄なく使用するのが好ましい。
【００９９】
エネルギー線の強度分布の均一化処理の一例を説明する。例えば、ビーム形状が楕円形のエネルギー線が、短軸方向分布及び長軸方向分布を持つ。このとき、プリズムアレイ（多シリンドリカルレンズ）等でビームの短軸方向の長さを、例えば３分割したのち重ね合わせることで、強度の違いを分散でき、短軸方向の強度分布をある程度均一化できる。また、同じくプリズムアレイ（多シリンドリカルレンズ）等でビームの長軸方向の長さを例えば７分割したのち重ね合わせることで、長軸方向の強度分布をある程度均一化できる。両方を併せて行えば、全体として均一性の増した、強度分布の小さいビームが得られる。ただし必要に応じて１軸方向だけ行っても良い。強度分布が大きいときは、分割数が多くすることにより均一性を増すことができる。これらをホモジナイザと称することもある。
【０１００】
同じ軸方向のプリズムアレイを２枚以上通すと、分割数を増したのと同じ効果を得ることができる。あるいは、２軸方向にレンズが多数形成されたフライアイレンズなどを用いて２軸方向を一度に分割しても良い。
【０１０１】
或いはまた、エネルギー線をシリンドリカルレンズなどの非球面レンズを通すことでも、簡易に強度分布が均一化できる。特に、エネルギー線が小径のビームの場合には、本手法でも十分に均一化できることが多く、光学系を簡素化でき好ましい。尚、小径とは直径０．０５〜１ｍｍ程度を言う。
【０１０２】
上記処理だけでは均一化が不十分な場合には、遮光板を併用することにより、ビームの周辺部分をカットしたり絞り込むことによって更なる均一化を図っても良い。
【０１０３】
エネルギー線を照射する光学系には、形成すべき磁化パターンに応じた強度分布を有するパターン化エネルギー線を縮小して媒体表面に結像させる、縮小結像技術を用いるのが好ましい。これによれば、エネルギー線を対物レンズで絞った後マスクを介する場合、すなわち近接露光の場合に比較して、マスクのパターニング精度やアライメント精度により磁化パターンの精度が制限されることがなく、より微細な磁化パターンを精度良く形成することができる。また、マスクと媒体が離間しているため、媒体上のゴミの影響も受けにくい。以下、本技術を縮小結像技術（結像光学系）と称することがある。
【０１０４】
光源から出射したエネルギー線は、マスクを介して強度分布を変化させ、結像レンズなどの結像手段を通して媒体表面に縮小結像させる。なお、結像レンズは投影レンズと、縮小結像を縮小投影と称することもある。
【０１０５】
磁化パターンが形成される媒体面は、パルス状エネルギー線の照射時と非照射時で温度差が大きい方が、パターンのコントラストを上げ、或いは記録密度を上げるために好ましい。従ってパルス状エネルギー線の非照射時には媒体面は室温以下程度が好ましい。室温とは２５℃程度である。
【０１０６】
また、マスクの前にコンデンサレンズを通すと、エネルギー線の強度分布を均一にでき、かつエネルギー線を効率よく結像レンズに集めることができ、好ましい。
【０１０７】
縮小結像技術は、エネルギー線のビーム径と外部磁界強度が許す限り、どのような大きさ或いは形状の磁化パターンにも適用できるが、磁化パターンが微細なほど効果が高い。磁化パターンの最小幅が２μｍ以下になると、媒体とマスクのアライメントが特に難しくなるので、本技術の適用効果が高い。より好ましくは１μｍ以下である。形成可能なパターンの下限はなく、理論的にエネルギー線の波長限界程度までの微細なパターンが形成できる。例えばエキシマレーザ等で百ｎｍ程度である。
【０１０８】
また本技術は、縮小結像することでより細かい磁化パターンが形成できるので、データ記録／再生用ヘッドの制御に用いる制御用パターンの形成に適用すると効果が大きい。
【０１０９】
磁気ディスクはディスクの主両面に磁性層が形成されている場合があるが、その場合、本発明の磁化パターン形成は片面づつ、逐次に行ってもよいし、マスク、エネルギー照射系および外部磁界を印加する手段を磁気ディスクの両面に設置して、両面同時に磁化パターン形成を行うこともできる。
【０１１０】
一面に二層以上の磁性層が形成されており、それぞれに異なるパターンを形成したい場合は、照射するエネルギー線の焦点を各層に合わせることにより、各層を個別に加熱し、個別のパターンを形成できる。
【０１１１】
磁化パターンを形成する際には、エネルギー線の光源とマスクとの間、又はマスクと前記媒体との間の照射をしたくない領域に、エネルギー線を部分的に遮光可能な遮光板を設けて、エネルギー線の再照射を防ぐ構造とするのが好ましい。
【０１１２】
遮光板としては、使用するエネルギー線の波長を透過しないものであればよく、エネルギー線を反射又は吸収すればよい。ただし、エネルギー線を吸収すると加熱し磁化パターンに影響を与えやすいため、熱伝導率がよく反射率の高いものが好ましい。例えば、Ｃｒ、Ａｌ、Ｆｅなどの金属板である。
【０１１３】
次に本発明の局所加熱と外部磁界印加を組み合わせて磁気記録媒体に磁化パターンを形成する方法について説明する。
【０１１４】
本発明の磁化パターン形成方法においては、例えば、第１の外部磁界を印加し磁性層を予め所望の方向に均一に磁化したのち、磁性層を局所的に加熱すると同時に第２の外部磁界を印加し加熱部を前記所望の方向とは逆方向に磁化して磁化パターンを形成する。これにより、互いに逆向きの磁区が明りょうに形成されるので、信号強度が強くＣ／Ｎ及びＳ／Ｎが良好な磁化パターンが得られる。
【０１１５】
まず、磁気記録媒体に強い第１外部磁界を印加して、磁性層全体を所望の磁化方向に均一に磁化する。第１外部磁界を印加する手段は、磁気ヘッドを用いてもよいし、電磁石または永久磁石を、所望の磁化方向に磁界が生じるよう配置して用いてもよい。更にそれら手段を組み合わせて使用してもよい。なお、所望の磁化方向とは、磁化容易軸が面内方向にある媒体の場合には、データの記録／再生ヘッドの走行方向（媒体とヘッドの相対移動方向）と同一又は逆方向であり、磁化容易軸が面内方向に垂直にある場合には、垂直方向のいずれか（上向き、下向き）である。従ってそのように磁化されるように、第１外部磁界を印加する。媒体が円板形状である場合、第１外部磁界の印加方向は、周方向、半径方向、板面に垂直方向のいずれかをとるのが好ましい。
【０１１６】
また、磁性層全体を所望の方向に均一に磁化するとは、磁性層の全部をほぼ同一方向に磁化することを言うが、厳密に全部ではなく、少なくとも磁化パターンを形成すべき領域が同一方向に磁化されていればよい。
【０１１７】
第１外部磁界の強さは磁性層の保磁力に合わせて設定すればよいが、磁性層の室温での保磁力（静的保磁力）の２倍以上の磁界によって磁化することが好ましい。これより弱いと磁化が不十分となる可能性がある。ただし、通常、磁界印加に用いる着磁装置の能力上、磁性層の室温での保磁力の５倍以下程度である。室温とは例えば２５℃である。また磁気記録媒体の保磁力は、磁性層（記録層）の保磁力とほぼ同じである。
【０１１８】
磁性層は一般に静的保磁力（単に保磁力と称することもある。）と動的保磁力を有するが、局所加熱については、少なくとも磁性層の動的保磁力がある程度低下する温度まで加熱できればよい。勿論、静的保磁力が低下する温度まで加熱してもよい。好ましくは１００℃以上に加熱する。加熱温度が１００℃未満で外部磁界の影響を受ける磁性層は、室温での磁区の安定性が低い傾向がある。
【０１１９】
ただし、加熱温度は所望の保磁力の低下が得られる範囲で低いことが望ましい。例えば磁性層の磁化消失温度やキュリー温度の近傍までである。加熱温度が高すぎると加熱したい領域以外への熱拡散が起こりやすく、パターンがぼやけてしまう虞がある。また、磁性層が変形してしまう可能性がある。更に、通常、磁気記録媒体の表面には潤滑剤からなる潤滑層が形成されており、加熱による潤滑剤の劣化等の悪影響を防止するためにも、加熱温度は低いほど好ましい。加熱により潤滑剤が分解などの劣化を起こしたり気化して減少したりする虞があるほか、特に近接露光の場合には気化した潤滑剤がマスク等に付着する虞もある。従って本発明の磁化パターン形成法を、潤滑層を備えた磁気記録媒体に工業的に適用可能にするためにも、加熱温度はできるだけ低いことが望ましい。
【０１２０】
このため加熱温度は磁性層のキュリー温度以下とするのが好ましい。例えば３００℃以下とするのが好ましく、より好ましくは２５０℃以下であり、更に好ましくは２００℃以下である。次に、加熱と同時に印加する第２の外部磁界の方向は、一般に、第１外部磁界と逆方向である。媒体が円板形状である場合、第２の外部磁界の印加方向は、周方向、半径方向、板面に垂直方向のいずれかをとるのが好ましい。
【０１２１】
なお、加熱のためにパルス状エネルギー線を使用する際には、第２外部磁界は連続的に印加してもパルス状に印加しても良い。また第２外部磁界がパルス状磁界である場合は、パルス状磁界成分のみであってもよいし、パルス状磁界成分と静磁界成分の組合せであってもよい。このとき、パルス状磁界成分と静磁界成分の合計を第２外部磁界の強度とする。
【０１２２】
第２外部磁界の最大強度は、強いほど磁化パターンが形成しやすい。磁気記録媒体の磁性層の特性によって最適強度は異なるが、第２外部磁界が静磁界の場合は、室温の保磁力（静的保磁力）の１／８以上であることが好ましい。これより弱いと、加熱部が、冷却時に周囲の磁区からの磁界の影響をうけて再び周囲と同じ方向に磁化されてしまう可能性がある。ただし、磁性層の室温での保磁力の２／３以下とするのが好ましく、１／２倍以下とするのがより好ましい。これより大きいと、加熱部の周囲の磁区も影響を受けてしまう可能性がある。
【０１２３】
第２外部磁界がパルス状磁界の場合は、室温の保磁力（静的保磁力）の２／３以上であることが好ましい。あまり弱いと加熱領域が良好に磁化されない虞がある。さらに好ましくは室温の静的保磁力の３／４以上である。室温での静的保磁力より強い磁界をかけてもよい。ただし、磁性層の室温での動的保磁力より小さい磁界とする。第２外部磁界がこれより大きいと、非加熱領域の磁化に影響を与えてしまうからである。
【０１２４】
なお本発明において、磁界強度の値Ｈ（Ｏｅ）は磁束密度の値Ｂ（Ｇａｕｓｓ）でそのまま代用できる。一般にＢ＝μＨ（ただし、μは透磁率を表す）の関係があるが、通常磁化パターンの形成は空気中で行われるため、透磁率は１であって、Ｂ＝Ｈの関係が成り立つからである。
【０１２５】
第２外部磁界を印加する手段は、磁気ヘッドを用いてもよいし、電磁石または、永久磁石を所望の磁化方向に磁界が生じるよう複数個配置して用いてもよい、更にそれらの異なる手段を組み合わせて使用してもよい。高密度記録に適した高保磁力媒体を効率よく磁化するためには、フェライト磁石、ネオジム系希土類磁石、サマリウムコバルト系希土類磁石などの永久磁石が好適である。
【０１２６】
第２外部磁界がパルス状磁界である場合は、パルス状磁界印加手段のみであってもよいし、パルス状磁界印加手段と静磁界印加手段の組合せであってもよい。例えば前者では、電磁石などでパルス状磁界のみを発生する。例えば後者では、永久磁石または電磁石によってある程度の大きさの静磁界を与えておき、それ以上の磁界を電磁石でパルス状に印加する。インダクタンスの小さな空芯コイルを用いると、パルス幅を狭くでき磁界印加時間を短くできるため好ましい。また、永久磁石のかわりに他のヨーク型などの電磁石を用いてもよい。
【０１２７】
静磁界とパルス状磁界を組み合わせると、パルス状に印加する磁界を小さくすることができる。一般に電磁石は磁界が大きくなるほどパルス幅を短くすることが困難になるので、それだけパルス幅を短くしやすい。
【０１２８】
或いはパルス状磁界は、常時磁界を発生する磁石を短時間のみ磁気記録媒体に接近させる方式によって印加することもできる。例えば、磁気記録媒体の一部に永久磁石によって磁界を印加しつつ、媒体を所定以上の速度で回転させればよい。
【０１２９】
また、第２外部磁界が静磁界とパルス状磁界の組み合わせの場合は、静磁界の磁界強度を磁性層の室温での静的保磁力より小さくする。好ましくは静的保磁力の２／３以下とし、より好ましくは１／２倍以下とする。あまり大きいと、形成した磁化パターンに影響を与えてしまい出力が落ちるだけでなく、モジュレーションが悪化する。下限は特にないが、あまり弱いと静磁界を用いる意味が小さくなるので、例えば磁性層の室温での静的保磁力の１／８以上とする。
【０１３０】
次に、第２外部磁界がパルス状磁界である場合のパルス幅について説明する。本発明では第２外部磁界のパルス状磁界成分のパルス幅を、単に第２外部磁界のパルス幅と称する。ここで、磁界のパルス幅とは半値幅を指す。
【０１３１】
第２外部磁界のパルス幅は通常１００ｍｓｅｃ以下とする。好ましくは１０ｍｓｅｃ以下とする。第２外部磁界のパルス幅を短くするほど印加できる磁界の上限値が大きくなる。動的保磁力の値は磁界の印加時間によって変化し、第２外部磁界のパルス幅を短くするほど磁性層の室温での動的保磁力が大きくなるからである。より好ましくは１ｍｓｅｃ以下とする。
【０１３２】
ただし好ましくは１０ｎｓｅｃ以上とする。あまり短いとそれだけ動的保磁力が大きくなるため、加熱領域を磁化するために必要な第２外部磁界が大きくなってしまう。また、磁界の大きさにもよるが、電磁石の特性上磁界の立上がり、立下がりには時間を要するので、パルス幅を短くするのには限界がある。より好ましくは１００ｎｓｅｃ以上とする。ここで、磁界のパルス幅は半値幅を指す。
【０１３３】
局所加熱にパルス状エネルギー線を使用する場合は、第２外部磁界のパルス幅はパルス状エネルギー線のパルス幅以上とする。これ以下であると、局所加熱中に磁界が変化してしまうので磁化パターンが良好に形成されないためである。
【０１３４】
またパルス状エネルギー線とパルス状の第２外部磁界を同期させ、同時に印加するのが好ましい。通常、エネルギー線のパルス幅より磁界のパルス幅のほうが長いと考えられるが、このときは第２外部磁界のパルスを印加し、磁界が最大になるところでエネルギー線のパルスが印加されるよう制御するのが好ましい。
【０１３５】
動的保磁力を高めた磁気記録媒体やＡＦＣ媒体には、第２外部磁界としてパルス状磁界を適用すると特に効果が高い。例えば、記録用の磁性層とともに熱的に安定性を保つための安定化磁性層を有する、２層の磁性層を備えた磁気記録媒体が挙げられる。安定化磁性層が記録用磁性層の瞬時の磁化反転を抑えるように働くため、動的保磁力が高く、従来法では磁化パターンが形成しにくい。このような媒体に静的保磁力近傍或いはそれ以上の外部磁界を、パルス状に与えると良好な磁化パターンが形成できる。
【０１３６】
第２の外部磁界は、外部磁界も前記加熱された広い領域に亘って印加することで、複数の磁化パターンを一度に形成することができる。
【０１３７】
局所加熱が磁気記録媒体全面に一度に行える場合は、加熱と同時に第２の外部磁界も媒体全面に印加し磁化パターンを形成することが望ましい。これにより、より短時間での磁化パターン形成が可能となり大きくコストを削減できる。また、磁界を媒体の一部分にのみ印加するには、それ以外の領域への磁界が及ばないよう磁石配置を工夫したり特定の手段を講じることが多いが、全面に印加する場合はその必要がない。なおかつ、回転機構或いは移動機構が不要となるので、装置構成も簡単になり磁気記録媒体が安価に得られる。
【０１３８】
例えば、媒体が直径が２．５インチ以下の小径のディスク状磁気記録媒体であると、簡単な配置や手段によってディスク全面へのエネルギー線照射、磁界印加が行え好ましい。より好ましくは直径１インチ以下である。
【０１３９】
また、ディスク状磁気記録媒体に対し、円周方向に磁界を印加したい場合は、媒体の中心に垂直方向の大きなパルス電流を流すことによって、簡便に円周方向の磁界を発生させることができる。これは特に、直径１インチ以下の小径のディスク状磁気記録媒体に適用すると好ましい。
【０１４０】
本発明は、記録再生用磁気ヘッドを制御するための制御用情報を持つ磁化パターンの形成に好適である。例えばヘッドの位置に対応した信号を発生するパターンである。
【０１４１】
制御用情報は、その情報を用いて磁気ヘッドなどの記録再生手段を制御するものであるが、例えば、磁気ヘッドをデータトラックに位置決めするためのサーボ情報や、媒体上での磁気ヘッドの位置を示すアドレス情報、磁気ヘッドによる記録再生速度を制御するための同期情報などが含まれる。或いは、サーボ情報を後で書込むための、基準情報も含まれる。
【０１４２】
これら制御用磁化パターンは高精度で形成される必要があり、特にサーボパターンは、データトラックの位置制御用パターンであるため、サーボパターンの精度が悪いとヘッドの位置制御も粗くなるため、サーボパターン以上に高い位置精度をもったデータパターンは理論的に記録できず、従って媒体の記録密度が高くなるほどサーボパターンは高精度に形成される必要がある。
【０１４３】
本発明では精度の高いサーボパターン又は基準パターンが得られるため、特にトラック密度が４０ｋＴＰＩ以上であるような高密度記録用の磁気記録媒体に適用すると効果が高い。
【０１４４】
次に、本発明の磁気記録媒体の構成について説明する。
【０１４５】
本発明の磁気記録媒体における基板としては、高速記録再生時に高速回転させても振動しない必要があり、通常、硬質基板が用いられる。振動しない十分な剛性を得るため、基板厚みは一般に０．３ｍｍ以上が好ましい。但し厚いと磁気記録装置の薄型化に不利なため、３ｍｍ以下が好ましい。例えば、Ａｌを主成分とした例えばＡｌ−Ｍｇ合金等のＡｌ合金基板や、Ｍｇを主成分とした例えばＭｇ−Ｚｎ合金等のＭｇ合金基板、通常のソーダガラス、アルミノシリケート系ガラス、非結晶ガラス類、シリコン、チタン、セラミックス、各種樹脂のいずれかからなる基板やそれらを組み合わせた基板などを用いることができる。中でもＡｌ合金基板や強度の点では結晶化ガラス等のガラス製基板、コストの点では樹脂製基板を用いることが好ましい。
【０１４６】
本発明は硬質基板を有する媒体に適用すると効果が高い。従来の磁気転写法では硬質基板を有する媒体はマスター（マスターディスク）との密着が不十分になり傷や欠陥が発生したり転写された磁区の境界が不明確でＰＷ５０が広がりやすい傾向があったが本発明ではマスクと媒体とを圧着しないのでそのような問題がない。特に、ガラス製基板のようにクラックの入りやすい基板を有する媒体には効果的である。
【０１４７】
磁気記録媒体の製造工程においては、まず基板の洗浄・乾燥が行われるのが通常であり、本発明においても各層の密着性を確保する見地からもその形成前に洗浄、乾燥を行うことが望ましい。
【０１４８】
本発明の磁気記録媒体の製造に際しては、基板表面にＮｉＰ、ＮｉＡｌ等の金属層を形成してもよい。
【０１４９】
金属層を形成する場合に、その手法としては、無電解めっき法、スパッタリング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法など薄膜形成に用いられる方法を利用することができる。導電性の材料からなる基板の場合であれば電解めっきを使用することが可能である。金属層の膜厚は５０ｎｍ以上が好ましい。ただし、磁気記録媒体の生産性などを考慮すると２０μｍ以下であることが好ましい。さらに好ましくは１０μｍ以下である。
【０１５０】
また、金属層を成膜する領域は基板表面全域が望ましいが、一部だけ、例えばテキスチャリングを施す領域のみでも実施可能である。
【０１５１】
また、基板表面、又は基板に金属層が形成された表面に同心状テキスチャリングを施してもよい。本発明において同心状テキスチャリングとは、例えば遊離砥粒とテキスチャーテープを使用した機械式テキスチャリングやレーザ光線などを利用したテキスチャリング、又はこれらを併用することによって、円周方向に研磨することによって基板円周方向に微小溝を多数形成した状態を指す。
【０１５２】
ヘッド浮上量ができるだけ小さいことが高密度磁気記録の実現には有効であり、またこれら基板の特長のひとつが優れた表面平滑性にあることから、基板表面の粗度Ｒａは２ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは１ｎｍ以下である。特に０．５ｎｍ以下が好ましい。なお、基板表面粗度Ｒａは、触針式表面粗さ計を用いて測定長４００μｍで測定後、ＪＩＳ  Ｂ０６０１に則って算出した値である。このとき測定用の針の先端は半径０．２μｍ程度の大きさのものが使用される。
【０１５３】
次に基板上には、磁性層との間に下地層等を形成してもよい。下地層は、結晶を微細化し、かつその結晶面の配向を制御することを目的とし、Ｃｒを主成分とするものが好ましく用いられる。
【０１５４】
Ｃｒを主成分とする下地層の材料としては、純Ｃｒのほか、記録層との結晶マッチングなどの目的で、ＣｒにＶ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｇｅ、Ｎｂ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ｂから選ばれる１又は２以上の元素を添加した合金や酸化Ｃｒなども含む。
【０１５５】
中でも純Ｃｒ、又はＣｒにＴｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｎｂ、Ｚｒ及びＨｆから選ばれる１又は２以上の元素を添加した合金が好ましい。これら第二、第三元素の含有量はそれぞれの元素によって最適な量が異なるが、一般には１原子％〜５０原子％が好ましく、より好ましくは５原子％〜３０原子％、さらに好ましくは５原子％〜２０原子％の範囲である。
【０１５６】
下地層の膜厚はこの異方性を発現させ得るに十分なものであればよいが、好ましくは０．１〜５０ｎｍであり、より好ましくは０．３〜３０ｎｍ、さらに好ましくは０．５〜１０ｎｍである。Ｃｒを主成分とする下地層の成膜時は基板加熱を行っても行わなくてもよい。
【０１５７】
下地層の上には、記録層との間に、場合により軟磁性層を設けても良い。特に磁化遷移ノイズの少ないキーパー媒体、或いは磁区が媒体の面内に対して垂直方向にある垂直記録媒体には、効果が大きく、好適に用いられる。
【０１５８】
軟磁性層は透磁率が比較的高く損失の少ないものであればよいが、ＮｉＦｅや、それに第３元素としてＭｏ等を添加した合金が好適に用いられる。最適な透磁率は、データの記録に利用されるヘッドや記録層の特性によっても大きく変わるが、概して、最大透磁率が１０〜１００００００（Ｈ／ｍ）程度であることが好ましい。
【０１５９】
或いはまた、Ｃｒを主成分とする下地層上に必要に応じ中間層を設けてもよい。例えばＣｏＣｒ系中間層を設けると、磁性層の結晶配向が制御しやすく好ましい。
【０１６０】
次に記録層（磁性層）を形成する。記録層と軟磁性層の間には下地層と同一材料の層又は他の非磁性材料が挿入されていてもよい。記録層の成膜時は、基板加熱を行っても行わなくてもよい。
【０１６１】
記録層としては、Ｃｏ合金磁性層、ＴｂＦｅＣｏを代表とする希土類系磁性層、ＣｏとＰｄの積層膜を代表とする遷移金属と貴金属系の積層膜等が好ましく用いられる。
【０１６２】
Ｃｏ合金磁性層としては、通常、純ＣｏやＣｏＮｉ、ＣｏＳｍ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＮｉＣｒ、ＣｏＣｒＰｔなどの磁性材料として一般に用いられるＣｏ合金磁性材料を用いうる。これらのＣｏ合金に更にＮｉ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｗ、Ｂなどの元素やＳｉＯ2等の化合物を加えたものでも良い。例えばＣｏＣｒＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰｔＢ、ＣｏＮｉＰｔ、ＣｏＮｉＣｒＰｔＢ等が挙げられる。Ｃｏ合金磁性層の膜厚は任意であるが、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上である。また、好ましくは５０ｎｍ以下、より好ましくは３０ｎｍ以下である。また、本記録層は、適当な非磁性の中間層を介して、或いは直接２層以上積層してもよい。その時、積層される磁性材料の組成は、同じであっても異なっていてもよい。
【０１６３】
希土類系磁性層としては、磁性材料として一般的なものを用いうるが、例えばＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＦｅなどが挙げられる。これらの希土類合金にＴｂ、Ｄｙ、Ｈｏなどを添加してもよい。酸化劣化防止の目的からＴｉ、Ａｌ、Ｐｔが添加されていてもよい。希土類系磁性層の膜厚は、任意であるが、通常５〜１００ｎｍ程度である。また、本記録層は、適当な非磁性の中間層を介して、或いは直接２層以上積層してもよい。その時、積層される磁性材料の組成は、同じであっても異なっていてもよい。特に希土類系磁性層は、アモルファス構造膜であり、かつメディア面内に対して垂直方向に磁化を持つため高記録密度記録に適し、高密度かつ高精度に磁化パターンを形成できる本発明の方法がより効果的に適用できる。
【０１６４】
同様に垂直磁気記録が行える、遷移金属と貴金属系の積層膜としては、磁性材料として一般的なものを用いうるが、例えばＣｏ／Ｐｄ、Ｃｏ／Ｐｔ、Ｆｅ／Ｐｔ、Ｆｅ／Ａｕ、Ｆｅ／Ａｇなどが挙げられる。これらの積層膜材料の遷移金属、貴金属は、特に純粋なものでなくてもよく、それらを主とする合金であってもよい。積層膜の膜厚は、任意であるが、通常５〜１０００ｎｍ程度である。また、必要に応じて３種以上の材料の積層であってもよい。
【０１６５】
また最近、磁区の熱安定性を高めるためにＡＦＣ(Anti-Ferromagnetic coupled)媒体が提案されている。数オングストロームのＲｕ層等を介して２層以上の磁性層（主磁性層と下引き磁性層）を積層し、Ｒｕ層の上下で磁気的にカップリングさせて主磁性層の熱的安定性を高めた媒体である。この媒体は見かけ上の保磁力が大きくなり、磁化の反転には大きな磁界が必要となる。
【０１６６】
本発明においては、記録層は薄い方が好ましい。記録層が厚いと、記録層を加熱したときの膜厚方向の熱の伝わりが悪く、良好に磁化されないおそれがあるためである。このため記録層膜厚は２００ｎｍ以下が好ましい。ただし、磁化を保持するために、記録層膜厚は５ｎｍ以上が好ましい。
【０１６７】
本発明において、記録層としての磁性層は、室温において磁化を保持し、加熱と同時に外部磁界を印加されて消磁されるか逆方向に磁化される。
【０１６８】
磁性層の室温での保磁力（静的保磁力）は、室温において磁化を保持し、かつ適当な外部磁界により均一に磁化されるものである必要がある。磁性層の室温での保磁力を２０００Ｏｅ以上とすることで、小さな磁区が保持でき高密度記録に適した媒体が得られる。より好ましくは３０００Ｏｅ以上である。
【０１６９】
従来の磁気転写法では、あまり保磁力が高い媒体には転写が困難であったが、本発明においては磁性層を加熱し保磁力を十分に下げて磁化パターンを形成するため、保磁力の大きい媒体への適用が好ましい。
【０１７０】
ただし、好ましくは２０ｋＯｅ以下とする。２０ｋＯｅを超えると、一括磁化のために大きな外部磁界が必要となり、また通常の磁気記録が困難となる可能性がある。より好ましくは１５ｋＯｅ以下とし、更に好ましくは１０ｋＯｅ以下とする。
【０１７１】
磁性層の保磁力と局所加熱温度、第２外部磁界強度について説明すると、例えば室温において保磁力が３５００〜４０００Ｏｅの媒体は、通常、温度上昇に伴い、１０〜１５Ｏｅ／℃の割合で保磁力が線形に減少し、例えば１５０℃で２０００Ｏｅ程度になる。３０００Ｏｅ程度であれば外部磁界印加手段で容易に発生させることができるので、１５０℃程度の加熱でも十分に磁化パターンが形成できる。
【０１７２】
さて、磁性層の動的な保磁力は、高密度に記録した情報を安定に保持するためには大きいものとなる。動的保磁力は通常、磁界強度を１ｓｅｃ以下の短時間で変化させたときに測定される保磁力、つまりパルス幅が１ｓｅｃ以下の磁界に対する保磁力である。但しその値は磁界や熱の印加時間によって変わる。
【０１７３】
好ましくは、１ｓｅｃでの動的保磁力が静的保磁力の２倍以上である。但し、あまり大きいと第２外部磁界による磁化のために大きな磁界強度が必要になるので２０ｋＯｅ以下が好ましい。
【０１７４】
以下に、磁気記録媒体の動的保磁力（記録層としての磁性層の保磁力）の測定手順の一例を示す。
【０１７５】
１．印加時間ｔ＝１０ｓｅｃにおける媒体の保磁力を求める。
１．１  最大磁界強度（２０ｋＯｅ）まで磁界を印加し，媒体を飽和させる。
１．２  負の方向（飽和方向と反対向き）に所定強度の磁界Ｈ１を印加する。
１．３  その磁界下で１０ｓｅｃ保持する。
１．４  磁界をゼロに戻す。
１．５  １．４の時の磁化値を読みとると、残留磁化値Ｍ１が得られる。
１．６  １．２とは少し印加磁界強度を変えて同じ測定（１．１〜１．５）を繰り返す。合計４点の磁界強度Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３，Ｈ４での残留磁化値Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３，Ｍ４が得られる。
１．７  この４点から残留磁化Ｍが０となる印加磁界強度Ｈを求める。これが印加時間ｔ＝１０ｓｅｃにおける媒体の保磁力となる。
【０１７６】
２．印加時間ｔを６０ｓｅｃ、１００ｓｅｃ、６００ｓｅｃについて同じ測定を行い、それぞれの印加時間での保磁力を求める。
【０１７７】
３．以上で得られた１０ｓｅｃ、６０ｓｅｃ、１００ｓｅｃ、６００ｓｅｃでの保磁力の値から外挿して、より短い印加時間での保磁力を求めることができる。
【０１７８】
例えば印加時間１ｎｓｅｃでの動的保磁力も求められる。
【０１７９】
磁性層は、室温において磁化を保持しつつ、適当な加熱温度では弱い外部磁界で磁化されるものである必要がある。また室温と磁化消失温度との差が大きい方が磁化パターンの磁区が明瞭に形成しやすい。このため磁化消失温度は高いほうが好ましく、１００℃以上が好ましくより好ましくは１５０℃以上である。例えば、キュリー温度近傍（キュリー温度のやや下）や補償温度近傍に磁化消失温度がある。
【０１８０】
キュリー温度は、好ましくは１００℃以上である。１００℃未満では、室温での磁区の安定性が低い傾向がある。より好ましくは１５０℃以上である。また好ましくは７００℃以下である。磁性層をあまり高温に加熱すると、変形してしまう可能性があるためである。
【０１８１】
なお、本発明においては、ＡＦＣ(Anti-Ferromagnetic coupled)媒体のキュリー温度とは、主磁性層のキュリー温度ではなく媒体全体の見かけ上のキュリー温度を言う。
【０１８２】
磁気記録媒体が面内磁気記録媒体である場合、高密度用の高い保磁力を持った磁気記録媒体に対しては従来の磁気転写法では飽和記録が難しく、磁界強度の高い磁化パターン生成が困難となり、半値幅も広がってしまう。このような高記録密度に適した面内記録媒体でも、本方法によれば良好な磁化パターン形成が可能となる。特に、前記磁性層の飽和磁化が５０ｅｍｕ／ｃｃ以上である場合は、反磁界の影響が大きいので本発明を適用する効果が大きい。
【０１８３】
１００ｅｍｕ／ｃｃ以上だとより効果が高い。ただしあまり大きいと磁化パターンの形成がしにくいため、５００ｅｍｕ／ｃｃ以下が好ましい。
【０１８４】
磁気記録媒体が垂直磁気記録媒体であり、磁化パターンが比較的大きく１磁区の単位体積が大きい場合は、飽和磁化が大きくなり、磁気的な減磁作用で磁化反転が起こりやすいためそれがノイズとなり半値幅を悪化させる。しかし、本発明では、軟磁性を使用した下地層の併用で、これらの媒体にも良好な記録が可能となる。
【０１８５】
これら記録層は、記録容量増大などのために、二層以上設けてもよい。このとき、間には他の層を介するのが好ましい。
【０１８６】
本発明においては、磁性層上に保護層を形成するのが好ましい。すなわち、媒体の最表面を硬質の保護層により覆う。保護層はヘッドや衝突や塵埃・ゴミ等のマスクとの挟み込みによる磁性層の損傷を防ぐ働きをする。本発明のようにマスクを用いた磁化パターン形成法を適用する際には、マスクとの接触から媒体を保護する働きもある。
【０１８７】
また、本発明において保護層は、加熱された磁性層の酸化を防止する効果もある。磁性層は一般に酸化されやすく、加熱されると更に酸化されやすい。本発明では磁性層をエネルギー線などで局所的に加熱するため、酸化を防ぐための保護層を磁性層上に予め形成しておくのが望ましい。
【０１８８】
磁性層が複数層ある場合には、最表面に近い磁性層の上に保護層を設ければよい。保護層は磁性層上に直接設けても良いし、必要に応じて間に他の働きをする層をはさんでも良い。
【０１８９】
エネルギー線の一部は保護層でも吸収され、熱伝導によって磁性層を局所的に加熱する働きをする。このため保護層が厚すぎると横方向への熱伝導により磁化パターンがぼやけてしまう可能性があるので、膜厚は薄い方が好ましい。また記録再生時の磁性層とヘッドとの距離を小さくするためにも薄い方が好ましい。従って５０ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは３０ｎｍ以下、さらに好ましくは２０ｎｍ以下である。ただし、充分な耐久性を得るためには０．１ｎｍ以上が好ましく、より好ましくは１ｎｍ以上である。
【０１９０】
保護層としては、硬質で酸化に強い性質を有していればよい。一般にカーボン、水素化カーボン、窒素化カーボン、アモルファスカーボン、ＳｉＣ等の炭素質層やＳｉＯ2、Ｚｒ2Ｏ3、ＳｉＮ、ＴｉＮなどが用いられる。保護層が磁性を有する材料であっても良い。
【０１９１】
特にヘッドと磁性層の距離を極限まで近づけるためには、非常に硬質の保護層を薄く設けることが好ましい。従って耐衝撃性及び潤滑性の点で炭素質保護膜が好ましく、特にダイヤモンドライクカーボンが好ましい。エネルギー線による磁性層の損傷防止の役割を果たすだけでなく、ヘッドによる磁性層の損傷にも極めて強くなる。本発明の磁化パターン形成法は、炭素質保護層のような不透明な保護層に対しても適用できる。
【０１９２】
また、保護層が２層以上の層から構成されていてもよい。磁性層の直上の保護層としてＣｒを主成分とする層を設けると、磁性層への酸素透過を防ぐ効果が高く好ましい。
【０１９３】
更に保護層上には潤滑層を形成するのが好ましい。媒体のマスク及び磁気ヘッドによる損傷を防ぐ機能を持つ。潤滑層に用いる潤滑剤としては、フッ素系潤滑剤、炭化水素系潤滑剤及びこれらの混合物等が挙げられ、ディップ法、スピンコート法などの常法で塗布することができる。蒸着法で成膜してもよい。磁化パターン形成の妨げとならないために潤滑層は薄い方が好ましく、１０ｎｍ以下が好ましい。より好ましくは４ｎｍ以下である。十分な潤滑性能を得るためには０．５ｎｍ以上が好ましい。より好ましくは１ｎｍ以上である。
【０１９４】
潤滑層上からエネルギー線を照射する場合には、潤滑剤のダメージ（分解、重合）等を考慮し、再塗布などを行ってもよい。
【０１９５】
また、以上の層構成には他の層を必要に応じて加えても良い。
【０１９６】
浮上型／接触型ヘッドの走行安定性を損なわないよう、磁化パターン形成後の前記媒体の表面粗度Ｒａは３ｎｍ以下に保つのが好ましい。なお、媒体表面粗度Ｒａとは潤滑層を含まない媒体表面の粗度であって、触針式表面粗さ計（機種名：Ｔｅｎｃｏｒ  Ｐ−１２  ｄｉｓｋ  ｐｒｏｆｉｌｅｒ（ＫＬＡ  Ｔｅｎｃｏｒ社製））を用いて測定長４００μｍで測定後、ＪＩＳ  Ｂ０６０１に則って算出した値である。より好ましくは１．５ｎｍ以下とする。
【０１９７】
望ましくは磁化パターン形成後の前記媒体の表面うねりＷａを５ｎｍ以下に保つ。Ｗａは潤滑層を含まない媒体表面のうねりであって、触針式表面粗さ計（機種名：Ｔｅｎｃｏｒ  Ｐ−１２  ｄｉｓｋ  ｐｒｏｆｉｌｅｒ（ＫＬＡ  Ｔｅｎｃｏｒ社製））を用いて測定長２ｍｍで測定後、Ｒａ算出に準じて算出した値である。より好ましくは３ｎｍ以下とする。
【０１９８】
ところで、このように構成される磁気記録媒体への磁化パターンの形成は、記録層（磁性層）に対して行う。記録層上に保護層や潤滑層などを形成した後に記述のいずれかの方法で行うのが好ましいが、記録層の酸化のおそれが無い場合は記録層の成膜直後に行っても良い。
【０１９９】
磁気記録媒体の各層を形成する成膜方法としては各種の方法が採りうるが、例えば直流（マグネトロン）スパッタリング法、高周波（マグネトロン）スパッタリング法、ＥＣＲスパッタリング法、真空蒸着法などの物理的蒸着法が挙げられる。
【０２００】
また、成膜時の条件としては、得るべき媒体の特性に応じて、到達真空度、基板加熱の方式と基板温度、スパッタリングガス圧、バイアス電圧等を適宜決定する。例えば、スパッタリング成膜では、通常の場合、到達真空度は５×１０-6Ｔｏｒｒ以下、基板温度は室温〜４００℃、スパッタリングガス圧は１×１０-3〜２０×１０-3Ｔｏｒｒ、バイアス電圧は０〜−５００Ｖが好ましい。
【０２０１】
基板を加熱する場合は下地層形成前から加熱しても良い。或いは、熱吸収率が低い透明な基板を使用する場合には、熱吸収率を高くするため、Ｃｒを主成分とする種子層又はＢ２結晶構造を有する下地層を形成してから基板を加熱し、しかる後に記録層等を形成しても良い。
【０２０２】
記録層が、希土類系の磁性層の場合には、腐食・酸化防止の見地から、ディスク状磁気記録媒体の最内周部及び最外周部を最初マスクして、記録層まで成膜、続く保護層の成膜の際にマスクを外し、記録層を保護層で完全に覆う方法や、保護層が２層の場合には、記録層と第１の保護層までをマスクしたまま成膜し、第２の保護層を成膜する際にマスクを外し、やはり記録層を第２の保護層で完全に覆うようにすると希土類系磁性層の腐食、酸化が防げて好適である。
【０２０３】
次に、本発明の磁気記録装置について説明する。
【０２０４】
本発明の磁気記録装置は、上述の方法で磁化パターンを形成した磁気記録媒体と、磁気記録媒体を記録方向に駆動する駆動部と、記録部と再生部からなる磁気ヘッドと、磁気ヘッドを磁気記録媒体に対して相対移動させる手段と、磁気ヘッドへの記録信号入力と磁気ヘッドからの再生信号出力を行うための記録再生信号処理手段を有する。磁気ヘッドとしては、高密度記録を行うため、通常は浮上型／接触型磁気ヘッドを用いる。
【０２０５】
本発明の方法により微細かつ高精度なサーボパターン等の磁化パターンが形成された磁気記録媒体を用いることで、上記磁気記録装置は高密度記録が可能となる。また、媒体に傷がなく欠陥も少ないため、エラーの少ない記録を行うことができる。
【０２０６】
また、磁気記録媒体を装置に組みこんだ後、上記磁化パターンを磁気ヘッドにより再生し信号を得、前記信号を基準としてサーボバースト信号を前記磁気ヘッドにより記録してなる磁気記録装置に用いることで、簡易に精密なサーボ信号を得ることができる。
【０２０７】
また、磁気ヘッドでのサーボバースト信号記録後にも、ユーザデータ領域として用いられない領域には本発明により磁化パターンとして記録した信号が残っていると何らかの外乱により磁気ヘッドの位置ずれが起きたときにも所望の位置に復帰させやすいので、両者の書き込み方法による信号が存在する磁気記録装置は、信頼性が高い。
【０２０８】
磁気記録装置として代表的な、磁気ディスク装置を例に説明する。
【０２０９】
磁気ディスク装置は、通常、磁気ディスクを１枚或いは複数枚を串刺し状に固定するシャフトと、前記シャフトにベアリングを介して接合された磁気ディスクを回転させるモータと、記録及び／又は再生に用いる磁気ヘッドと、前記ヘッドが取り付けられたアームと、ヘッドアームを介してヘッドを磁気記録媒体上の任意の位置に移動させることのできるアクチュエータとからなり、記録再生用ヘッドが磁気記録媒体上を一定の浮上量で移動している。記録情報は、信号処理手段を経て記録信号に変換されて磁気ヘッドにより記録される。また、磁気ヘッドにより読み取られた再生信号は同信号処理手段を経て逆変換され、再生情報が得られる。
【０２１０】
ディスク上には、情報信号が同心円状のトラックに沿って、セクター単位で記録される。サーボパターンは通常、セクター間に記録される。磁気ヘッドは前記パターンからサーボ信号を読み取り、これによりトラックの中心に正確にトラッキングを行い、そのセクターの情報信号を読み取る。記録時も同様にトラッキングを行う。
【０２１１】
前述の通り、サーボ信号を発生するサーボパターンは、情報を記録する際のトラッキングに使用するという性質上、特に高精度が要求される。また現在多く使用されているサーボパターンは、１トラックあたり、互いに１／２ピッチずれた２組のパターンからなるため、情報信号の１／２のピッチ毎に形成する必要があり、２倍の精度が要求される。
【０２１２】
しかしながら、従来のサーボパターン形成方法では、外部ピンとアクチュエータの重心が異なることから生じる振動の影響でライトトラック幅で０．２〜０．３μｍ程度が限界であり、トラック密度の増加にサーボパターンの精度が追いつかず、磁気記録装置の記録密度向上及びコストダウンの妨げとなりつつある。
【０２１３】
本発明によれば、効率よく精度の高い磁化パターンを形成することができるので、従来のサーボパターン形成方法に比べて格段に低コスト、短時間で精度良くサーボパターンを形成でき、例えば４０ｋＴＰＩ以上に媒体のトラック密度を高めることができる。従って本媒体を用いた磁気記録装置は高密度での記録が可能となる。
【０２１４】
また、位相サーボ方式を用いると連続的に変化するサーボ信号が得られるのでよりトラック密度を上げることができ、０．１μｍ幅以下でのトラッキングも可能となり、より高密度記録が可能である。
【０２１５】
前述のように、位相サーボ方式には、例えば、内周から外周に、半径に対して斜めに直線的に延びる磁化パターンが用いられる。このような、半径方向に連続したパターンや斜めのパターンは、ディスクを回転させながら１トラックずつサーボ信号を記録する従来のサーボパターン形成方法では作りにくく、複雑な計算や構成が必要であった。
【０２１６】
しかし本発明によれば、前記形状に応じたマスクを一旦作成すれば、マスクを介してエネルギー線を照射するだけで前記パターンを容易に形成できるため、位相サーボ方式に用いる媒体を簡単かつ短時間、安価に作成することができる。ひいては、高密度記録が可能な、位相サーボ方式の磁気記録装置を提供できる。
【０２１７】
さて、従来主流のサーボパターン形成方法は、媒体を磁気記録装置（ドライブ）に組み込んだのちに、クリーンルーム内で専用のサーボライターを用いて行う。
【０２１８】
各ドライブをサーボライターに装着し、ドライブ表面あるいは裏面のいずれかにある孔よりサーボライターのピンを差し入れ磁気ヘッドを機械的に動かしながら、トラックに沿って１パターンずつ記録を行う。このためドライブ一台あたり１５〜２０分程度と非常に時間がかかる。専用のサーボライターを用い、またドライブに孔を開けるためこれら作業はクリーンルーム内で行う必要があり、工程上も煩雑でコストアップの要因であった。
【０２１９】
本発明では、予めパターンを記録したマスクを介してエネルギー線を照射することで、サーボパターン或いはサーボパターン記録用基準パターンを一括して記録でき、非常に簡便かつ短時間で媒体にサーボパターンを形成できる。このようにしてサーボパターンを形成した媒体を組み込んだ磁気記録装置は、上記サーボパターン書込み工程は不要となる。
【０２２０】
或いはサーボパターン記録用基準パターンを形成した媒体を組み込んだ磁気記録装置は、前記基準パターンをもとにして装置内で所望のサーボパターンを書込むことができ、上記のサーボライターは不要であり、クリーンルーム内での作業も必要ない。
【０２２１】
また、磁気記録装置の裏側に孔を開ける必要がなく耐久性や安全性の上でも好ましい。
【０２２２】
さらに、本発明においてはマスクと媒体との間を密着させなくてよいので、磁気記録媒体と他の構成部材との接触による損傷や、微小な塵埃やゴミの挟み込みによる媒体の損傷を防ぎ、欠陥の発生を防ぐことができる。
【０２２３】
以上のように、本発明によれば高密度記録が可能な磁気記録装置を、簡便な工程で安価に得ることができる。
【０２２４】
磁気ヘッドとしては、薄膜ヘッド、ＭＲヘッド、ＧＭＲヘッド、ＴＭＲヘッドなど各種のものを用いることができる。磁気ヘッドの再生部をＭＲヘッドで構成することにより、高記録密度においても十分な信号強度を得ることができ、より高記録密度の磁気記録装置を実現することができる。
【０２２５】
また磁気ヘッドを、浮上量が０．００１μｍ以上、０．０５μｍ未満と、低い高さで浮上させると、出力が向上して高い装置Ｓ／Ｎが得られ、大容量で高信頼性の磁気記録装置を提供することができる。
【０２２６】
また、最尤復号法による信号処理回路を組み合わせるとさらに記録密度を向上でき、例えば、トラック密度１３ｋＴＰＩ以上、線記録密度２５０ｋＦＣＩ以上、１平方インチ当たり３Ｇビット以上の記録密度で記録・再生する場合にも十分なＳ／Ｎが得られる。
【０２２７】
さらに磁気ヘッドの再生部を、互いの磁化方向が外部磁界によって相対的に変化することによって大きな抵抗変化を生じる複数の導電性磁性層と、その導電性磁性層の間に配置された導電性非磁性層からなるＧＭＲヘッド、あるいはスピン・バルブ効果を利用したＧＭＲヘッドとすることにより、信号強度をさらに高めることができ、１平方インチ当たり１０Ｇビット以上、３５０ｋＦＣＩ以上の線記録密度を持った信頼性の高い磁気記録装置の実現が可能となる。
【実施例】
【０２２８】
以下、本発明の実施例について説明する。但し、その要旨の範囲を越えない限り、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【０２２９】
（実施例１）
３．５インチ径のＮｉＰメッキ付きアルミニウム合金基板を洗浄、乾燥し、その上に到達真空度：１×１０-7Ｔｏｒｒ、基板温度：３５０℃、バイアス電圧：−２００Ｖ、スパッタリングガス：Ａｒ、ガス圧：３×１０-3Ｔｏｒｒの条件下で、ＮｉＡｌを６０ｎｍ、Ｃｒ90Ｍｏ10を１０ｎｍ、記録層としてＣｏ64Ｃｒ16Ｐｔ12Ｂ8を１２ｎｍ、保護層としてカーボン（ダイヤモンドライクカーボン）を５ｎｍ成膜した。
【０２３０】
その上には潤滑層としてフッ素系潤滑剤を０．５ｎｍの厚さに塗布し、１００℃で４０分焼成し、室温での静的保磁力３６００Ｏｅ、飽和磁化３１０ｅｍｕ／ｃｃの面内記録用磁気ディスクを得た。記録層のキュリー温度は２５０℃であった。
【０２３１】
このディスクに、電磁石の磁界方向がディスクの回転方向と同じとなるように構成して、約１０ｋＯｅ（約１０ｋガウス）の強度で印加して、ディスク面を一様に（均一に）磁化した。
【０２３２】
フォトマスクは１２７ｍｍ×１２７ｍｍの正方形、２．３ｍｍ厚の石英ガラスを基材とし、ディスクに対する面側に、膜厚７５ｎｍのクロム層及び膜厚２５ｎｍの酸化クロム層からなる非透過層が形成されてなる。半径２０〜４６ｍｍにパターン領域を有し、パターン最小線幅０．８μｍ（最小幅０．８μｍ；ライン、スペースとも０．８μｍ）のパターンを有してなる。最内周でのパターン最小線幅は０．８μｍ、最外周でのパターン最小線幅は約２μｍである。
【０２３３】
なお、エッチング領域（パターン領域）以外の領域は全てクロム層と酸化クロム層が形成された非透過部である。得られたフォトマスクの、波長２４８ｎｍのエキシマパルスレーザに対する反射率は非透過部で１６％、透過部で５％であった。
【０２３４】
この後、スペーサを作成するため、フォトマスクに非感光性ポリイミド樹脂を２．５μｍの厚さで均一に塗布し、さらにフォトレジストを０．２μｍの厚さに塗布した。ここに、突起形成用マスクを介して高圧水銀ランプの光を照射しブロードバンド露光を行い、アルカリ液により現像及びエッチングを行ったのち残ったフォトレジスト層を除去し、突起を形成した。続いて３５０℃で１５分間ベーク（焼成）を行い、ポリイミド樹脂からなる突起を硬化させた。
【０２３５】
突起形成用マスクは、直径約３．５インチのディスク状で、半径４７〜４８ｍｍの領域に、直径５０μｍの円形透過部が１００μｍ間隔に並んでいる。
【０２３６】
以上により、パターン領域が半径１８〜４５ｍｍに形成され、パターン領域の周縁部、つまりパターン領域外の外周部である半径約４７〜４８ｍｍの範囲に、高さ２．５μｍ、直径５０μｍの略円形の突起（スペーサ）が１００μｍ間隔で形成されたフォトマスクを得た。パターン領域外の内周部には突起は形成しなかった。
【０２３７】
このフォトマスクと磁気ディスクを一体として、３．２秒間で１回転の速度で回転させた。ここに波長２４８ｎｍのエキシマパルスレーザをパルス幅：２５ｎｓｅｃ、パワー（エネルギー密度）：１６０ｍＪ／ｃｍ2、ビーム形状：１０ｍｍ×３０ｍｍ（ピークエネルギーの１／ｅ2となる径）に制御しレーザ照射口にビーム形状を角度１２°の扇形に整形する遮光板を設置して、繰り返し周波数１０Ｈｚで３２パルス照射し、同時に図２に示す磁界印加手段を用いて磁界を印加し、磁化パターンの転写を試みた。シミュレーションにより加熱温度を求めたところ、約１７０℃〜２００℃であった。
【０２３８】
即ち、永久磁石１２ａ〜１２ｄによって、磁気ディスクの円周方向で均一磁化とは逆方向に、ディスク内周域（半径２１ｍｍの位置）で約１．７ｋガウス、ディスク外周域（半径４６．５ｍｍの位置）で約１．９ｋガウス程度の磁界が常に印加された。
【０２３９】
同時に、空芯コイル１８ａ、１８ｂに７００Ｖのパルス状電流を流してコイルの周囲に、パルス幅３５０μｓｅｃであって、ディスク内周域（半径２１ｍｍの位置）で約１．７ｋガウス、ディスク外周域（半径４６．５ｍｍの位置）で約１．９ｋガウス程度のパルス状磁界が発生した。
【０２４０】
図２（ｂ）に示すように、空芯コイル１８ａ、１８ｂによる磁界は永久磁石１２ａ〜１２ｄによる磁界を補助するように働くので、合計で、ディスク内周域（半径２１ｍｍの位置）で約３．４ｋガウス、ディスク外周域（半径４６．５ｍｍの位置）で約３．８ｋガウス程度の最大磁界が印加された。
【０２４１】
図３に、実施例１における、磁界パルスとレーザ光用トリガーパルスの時間的関係を示す。なお、レーザ光用トリガーパルスが出された約４μｓｅｃ後にエキシマパルスレーザが照射された。図３から分かるように、磁界強度がほぼ最大となるときにちょうどパルスレーザが照射されるようにタイミングを合わせた。
【０２４２】
なお、ここで用いた、レーザ照射のための光学系の構成は以下のとおりである。エキシマパルスレーザ光源から発振したパルスレーザはプログラマブルシャッターを通過する。プログラマブルシャッターは光源から所望のパルスのみ取り出す役目をする。
【０２４３】
プログラマブルシャッターで選択されたレーザは、所望のパワーに出力調整され次いで、レーザは短軸方向を３分割するためのプリズムアレイと、長軸方向を７分割するためのプリズムアレイを通過し、投影レンズに至る。プリズムアレイは、レーザを分割し重ね合わせ、エネルギー強度分布を均一にする機能を有する。これらをホモジナイザと称することもある。さらに、レーザは必要に応じて遮光板を通して所望のビーム形状とし、フォトマスクにより強度分布を磁化パター
ンに応じて変化させたのち、ディスクに投影される。
【０２４４】
実施例１で得られた磁気ディスクについて、再生素子幅０．４μｍのハードディスク用ＭＲヘッドで磁化パターンを再生し、そのＣ／Ｎ、再生信号のモジュレーションを測定した結果、Ｃ／Ｎは２０．２ｄＢ、モジュレーションは１３％であった。
【０２４５】
なお、モジュレーション（Ｍｏｄ）は信号の均一性の指標であり、同一パターン領域の平均出力をＴＡＡ（トータルアベレージアンプリチュード）、その領域内の最大値と最小値をそれぞれ、ＡＭＰｍａｘ、ＡＭＰｍｉｎとしたとき、Ｍｏｄ＝（ＡＭＰｍａｘ−ＡＭＰｍｉｎ）／ＴＡＡ×１００で表される。ただし、ＴＡＡ、ＡＭＰｍａｘ、ＡＭＰｍｉｎ共にピーク・トゥ・ピークの値である。
【０２４６】
モジュレーションは小さいほど、サーボトラッキング精度が高まり好ましい。通常５０％以下であり、好ましくは２５％以下である。
【０２４７】
（実施例２）
３．５インチ径のＮｉＰメッキ付きアルミニウム合金基板を洗浄、乾燥し、その上に到達真空度：１×１０-7Ｔｏｒｒ、基板温度：３５０℃、バイアス電圧：−２００Ｖ、スパッタリングガス：Ａｒ、ガス圧：３×１０-3Ｔｏｒｒの条件下で、Ｃｒ90Ｍｏ10を１０ｎｍ、記録層としてＣｏ64Ｃｒ24Ｐｔ8Ｂ4を１０ｎｍ、保護層としてカーボン（ダイヤモンドライクカーボン）を５ｎｍ成膜した。
【０２４８】
その上には潤滑層としてフッ素系潤滑剤を０．５ｎｍの厚さに塗布し、１００℃で４０分焼成し、室温での静的保磁力３７５０Ｏｅ、飽和磁化３５０ｅｍｕ／ｃｃの面内記録用磁気ディスクを得た。記録層のキュリー温度は３００℃であった。
【０２４９】
このディスクに、電磁石の磁界方向がディスクの回転方向と同じとなるように構成して、約１０ｋＯｅ（約１０ｋガウス）の強度で印加して、ディスク面を一様に（均一に）磁化した。
【０２５０】
フォトマスクは１２７ｍｍ×１２７ｍｍの正方形、２．３ｍｍ厚の石英ガラスを基材とし、ディスクに対する面側に、膜厚７５ｎｍのクロム層及び膜厚２５ｎｍの酸化クロム層からなる非透過層が形成されてなる。半径２０〜４６ｍｍにパターン領域を有し、パターン最小線幅０．８μｍ（最小幅０．８μｍ；ライン、スペースとも０．８μｍ）のパターンを有してなる。最内周でのパターン最小線幅は０．８μｍ、最外周でのパターン最小線幅は約２μｍである。
【０２５１】
なお、パターン領域外の領域は全てクロム層と酸化クロム層が形成された非透過部である。得られたフォトマスクの、波長２４８ｎｍのエキシマパルスレーザに対する反射率は非透過部で１６％、透過部で５％であった。
【０２５２】
この後、フォトマスクのパターン領域外の内周部及び外周部にスペーサ用突起を形成した。まずフォトマスクにポジ型フォトレジストを３．５μｍの厚さで均一に塗布し、突起形成用マスクを用いて密着露光し、現像した。突起形成用マスクは、直径約３．５インチのディスク状で、外周部に当たる半径４７．０５〜４８ｍｍおよび内周部に当たる半径１３〜１５．５ｍｍの領域に、直径１００μｍの円形透過部が２００μｍ間隔で並んでいる。
【０２５３】
次いで、クロム層を０．５μｍの厚さにスパッタ成膜した後、一度取り出し、内周側突起形成部を遮蔽してから、さらにクロム層を１．５μｍの厚さにスパッタ成膜した。スパッタ終了後、アセトン及びリンス液で、レジスト及び不要なクロム層をリムーブし、フォトマスクを純水及びイソプロピルアルコールを用いて洗浄した。
【０２５４】
以上により、パターン領域が半径２０〜４６ｍｍに形成され、パターン領域の周縁部、つまりパターン領域外の内周部に当たる半径１３〜１５．５ｍｍに、高さ０．５μｍ、直径１００μｍの略円形の突起（スペーサ）が２００μｍ間隔で形成され、パターン領域外の外周部である半径約４７〜４８ｍｍの範囲に、高さ２μｍ、直径１００μｍの略円形の突起（スペーサ）が２００μｍ間隔で形成されたフォトマスクを得た。
【０２５５】
空芯コイル１８ａ、１８ｂに８５０Ｖのパルス状電流を流し、永久磁石との組み合わせによって、磁気ディスクの円周方向で均一磁化とは逆方向に、ディスク内周域（半径２１ｍｍの位置）で約３．６ｋガウス、ディスク外周域（半径４６．５ｍｍの位置）で約４．０ｋガウスの磁界を印加した。加熱に用いたエキシマパルスレーザーがパルス幅：２０ｎｓｃｃ、パワー（エネルギー密度）：８０ｍＪ／ｃｍ2、ビーム形状：６ｍｍ×３５ｍｍ（ピークエネルギーの１／ｅ2となる径）であり、６４パルスにて照射した以外は、実施例１と同様にしてマスクパターンの転写を行った。
【０２５６】
（比較例１）
実施例２と同様に磁気ディスクを作成し、ディスク面を一様に磁化した。
【０２５７】
フォトマスクはパターン領域外の外周部に当たる半径４７．０５〜４８ｍｍ、及びパターン領域外の内周部に当たる半径１３〜１５．５ｍｍの両方に、高さ２μｍ、直径１００μｍの略円形の突起（スペーサ）が２００μｍ間隔で形成されたフォトマスクを得た。
【０２５８】
このフォトマスクを用いて、磁気記録媒体に実施例２と同様にしてマスクパターンの転写を行った。
【０２５９】
［評価］
実施例２及び比較例１で得られた磁気ディスクについて、再生素子幅０．４μｍのハードディスク用ＭＲヘッドで磁化パターンを再生し、半径位置２０．８ｍｍにおけるモジュレーションを測定した結果を表１に示す。
【０２６０】
【表１】
2006286200.tif 000003
【図面の簡単な説明】
【０２６１】
【図１】本発明のフォトマスクを用いた磁化パターン形成方法の実施の形態を示す模式的な断面図である。
【図２】本発明の実施例に係る磁化パターン形成方法を示す平面図と断面図である。
【図３】本発明の実施例における、磁界パルスとレーザー光用トリガーパルスの時間的関係を示す図である。
【符号の説明】
【０２６２】
１  磁気記録媒体（磁気ディスク）
２  フォトマスク
３  透明基材（石英）
４  クロム層
５  酸化クロム層
６  外部磁界
７  入射光（レーザビーム）
８  内周スペーサ（突起）
９  外周スペーサ（突起）
１１  磁気記録媒体
１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ  永久磁石
１３  遮光板
１３ａ  開口部
１４  マスク
１５  エネルギー線
１７  スペーサ
１８ａ，１８ｂ，１９ａ，１９ｂ，１９ｃ，１９ｄ  空芯コイル（電磁石）
２１  直流電源
２２  コンデンサ
２３  サイリスタ
２４  トリガー発生装置
２５  遅延装置（ディレイ）
２６  エネルギー線源
【図１】
2006286200.tif 000004
【図２】
2006286200.tif 000005
【図３】
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