(57)【要約】【課題】  第１支持基板から第２支持基板に転写する際に、アクティブマトリクス素子の構造や機能を破壊することがなく、信頼性の高いアクティブマトリクス基板の製造方法及びこの製造方法によって得られるアクティブマトリクス基板を提供する。【解決手段】  第１支持基板２１と、この第１支持基板２１上に設けられた、この第１支持基板２１とは材質及び組成の少なくとも一方が異なる第１成膜層２２と、この第１成膜層２２上に設けられた、この第１成膜層２２とは材質及び組成の少なくとも一方が異なる第２成膜層１３と、この第２成膜層１３上に設けられた、この第２成膜層１３とは材質及び組成の少なくとも一方が異なる第３成膜層１４と、この第３成膜層１４上に設けられた薄膜トランジスタ（１５Ｓ，１５Ｃ，１５Ｄ，１６，１７，１９，２０）を有する画素のマトリクスとを備える。【選択図】      図１１
2006245067.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１支持基板と、
該第１支持基板上に設けられた、該第１支持基板とは材質及び組成の少なくとも一方が異なる第１成膜層と、
該第１成膜層上に設けられた、該第１成膜層とは材質及び組成の少なくとも一方が異なる第２成膜層と、
該第２成膜層上に設けられた、該第２成膜層とは材質及び組成の少なくとも一方が異なる第３成膜層
とを備えることを特徴とするアクティブマトリクス基板用中間生成物。
【請求項２】
前記第２成膜層の内部応力が圧縮応力であり、前記第１成膜層及び前記第３成膜層の内部応力よが引っ張り圧縮応力であることを特徴とする請求項１に記載のアクティブマトリクス基板用中間生成物。
【請求項３】
前記第１支持基板のエッチング液に対する表面エネルギーが、前記第１支持基板と前記第１成膜層とで異なることを特徴とする請求項１又は２に記載のアクティブマトリクス基板用中間生成物。
【請求項４】
第１支持基板の上に第１成膜層、第２成膜層及び第３成膜層を、この順に積層する工程と、
該第３成膜層上に配向膜、保護層及び仮着層を、この順に積層する工程と、
該仮着層上に仮支持基板を接着する工程と、
前記第１支持基板を除去する工程と、
前記第１成膜層を除去し前記第２成膜層を露出させる工程と、
前記第２成膜層の露出した面に樹脂層を介して第２支持基板を接着する工程
とを含むことを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項５】
前記第１支持基板を除去する工程は、前記基板の残留領域の間に前記第１成膜層の面が部分的に露出する箇所を、自己整合的に自己整合保護部で被覆しながら行うことを特徴とする請求項４に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項６】
前記第１支持基板と前記第１支持基板をエッチングするエッチング液との接触角が、前記第１成膜層と前記エッチング液との接触角より小さくなるように選択され、前記第１成膜層の表面に前記第１支持基板が島状に残留した状態において、前記エッチング液が前記島状の第１支持基板の表面に選択的に凝集させて、前記第１支持基板を除去することを特徴とする請求項４に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項７】
前記第１支持基板の表面に接する前記エッチング液の液層界面を、前記第１支持基板の表面に対し、相対的に移動し、前記島状の第１支持基板の表面に選択的に凝集する前記エッチング液を補充することを特徴とする請求項６に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項８】
第２支持基板と、
該第２支持基板上に設けられた樹脂層と、
該樹脂層を介し、前記第２支持基板に接着された、内部応力が圧縮応力となる材料からなる第２成膜層と、
該第２成膜層上に設けられた第３成膜層
とを備え、前記第２支持基板と前記樹脂層からなる下部構造の全体の引っ張り応力と、前記第３成膜層を含み、前記前記第３成膜層より上部の上部構造の全体の引っ張り応力との和が、前記内部応力と平衡していることを特徴とするアクティブマトリクス基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はアクティブマトリクス基板に係り、特にアクティブマトリクス基板用中間生成物、アクティブマトリクス基板の製造方法及びアクティブマトリクス基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在広く用いられているアクティブマトリクス型の液晶表示装置は、例えば無アルカリガラス基板などの、アクティブマトリクス素子を形成するのに耐え得る支持基板を、アクティブ素子群の形成時に用いている。例えば、チャネルを形成する半導体層にポリシリコンを用いた薄膜トランジスタを形成する場合には、各機能膜の形成時の処理温度などを考慮して、以下のような手順で製造されることになる：
（イ）先ず、第１支持基板としての無アルカリガラス基板上に、エッチングストッパ層として、酸化アルミニウムや酸化タンタル、シリコン窒化膜、フッ素樹脂などの有機膜を形成する。そして、エッチングストッパ層の上に、バリア層を形成し、更にその上に非晶質シリコン膜を形成する。
【０００３】
（ロ）その後、非晶質シリコン層を多結晶化するために、エキシマレーザを用いた局所短時間加熱を行い、固相又は液相成長による結晶化させた後、多結晶シリコン層の形状加工を行う。
【０００４】
（ハ）そして、その上にゲート絶縁膜となる薄膜を堆積させた後、ゲート電極及びゲート配線を形成する金属膜を成膜・形状加工する。更に、半導体層に接合面を形成するために、イオンドーピング法（イオン注入法）によりゲート電極をマスクとしてイオンの注入を行った後、活性化のための熱処理等を行う。その後、信号線等とゲート線との層間をとるための層間絶縁膜の成膜を行った後、半導体層へのコンタクトホールを形成し、金属膜を成膜後ソース及びドレイン電極となる形状加工を行って、薄膜トランジスタや配線等が形成し、アクティブマトリクス素子を形成する。
【０００５】
（ニ）その後、第１支持基板を、エッチングストッパ層でアクティブマトリクス素子を保護しながら、取り除く。
【０００６】
（ホ）その後、例えばプラスチック基板のような軽量薄型で形状自由度に優れた第２支持基板にアクティブマトリクス素子を移す。
【０００７】
第１支持基板としての無アルカリガラス基板は、ポリシリコンによる薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリクス素子群を形成する際には有効な支持基板となりうるが、材料としての比重や剛性が比較的高いため、例えばＴＦＴ−ＬＣＤなど表示装置としては重量や厚みの増加や形状自由度の制限などアプリケーションに大きな負荷を与える要因となっている。このため、支持基板の機能分離を行い、アクティブマトリクス素子群形成の際には高温プロセス耐性に優れた第１支持基板上にアクティブマトリクス素子を形成し、その後、第１支持基板を取り除いた後、軽量薄型で形状自由度に優れた第２支持基板に移すのである。第１支持基板を取り除く方法としては、液相エッチャントを用いた手法が提案されている（特許文献１及び２参照。）。
【特許文献１】特開２００１−７３４０号公報
【特許文献２】特開２００４−１１９９３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
アクティブマトリクス素子群を含む層群の総厚が１μｍ程度であるのに対して、第１支持基板は、数百倍程度ある。アクティブ素子群を形成するための積層膜応力や電極などの形状起因の局所応力は、第１支持基板が存在する場合には、第１支持基板による支持機能により保持できている。しかし、第１支持基板を取り除けば、形状起因の局所応力が顕在化するので、アクティブマトリクス素子群に、局地的な構造破壊や機能低下などの影響を与えずに、第１支持基板を取り除くことが課題となっている。
【０００９】
又、エッチングストッパ層として、酸化アルミニウムや酸化タンタル、シリコン窒化膜、フッ素樹脂などの有機膜を用い、第１のガラス基板をエッチング除去する際には、いくつかの問題点が生じている。酸化アルミニウムや酸化タンタル、シリコン窒化膜等は、ある程度のエッチングストッパ機能はあるものの、第２成膜層が長時間エッチング液に露出した場合には、エッチングストッパ層もエッチング液に徐々に侵食されていく。これは、比較的面積の小さいアクティブマトリクス基板ならば第２成膜層のエッチング液中への暴露時間が短いため対応可能であるが、比較的面積の大きいアクティブマトリクス基板については面内全域に渡り第１支持基板が除去される前に、エッチング液中に暴露される第２成膜層が侵食されてしまう。
【００１０】
一方、第２成膜層にフッ素樹脂などの有機膜を用いた場合には、第２成膜層としての機能は比較的面積の大きいアクティブマトリクス基板についても対応可能であるが、アクティブ素子群の形成の際に、第２成膜層の耐熱性の低さや熱履歴による伸縮などのために、充分な機能を有するアクティブ素子群の形成が困難になっている。
【００１１】
上記課題を鑑み、本発明は、第１支持基板から第２支持基板に転写する際に、アクティブマトリクス素子群の構造や機能を破壊することがなく、信頼性の高いアクティブマトリクス基板の製造可能なアクティブマトリクス基板用中間生成物、アクティブマトリクス基板の製造方法及びアクティブマトリクス基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明の第１の特徴は（イ）第１支持基板と、（ロ）この第１支持基板上に設けられた、この第１支持基板とは材質及び組成の少なくとも一方が異なる第１成膜層と、（ハ）この第１成膜層上に設けられた、この第１成膜層とは材質及び組成の少なくとも一方が異なる第２成膜層と、（ニ）この第２成膜層上に設けられた、この第２成膜層とは材質及び組成の少なくとも一方が異なる第３成膜層とを備えるアクティブマトリクス基板用中間生成物であることを要旨とする。
【００１３】
本発明の第１の特徴は、（イ）第１支持基板の上に第１成膜層、第２成膜層及び第３成膜層を、この順に積層する工程と、（ロ）この第３成膜層上に、配向膜、保護層及び仮着層を、この順に積層する工程と、（ハ）この仮着層上に仮支持基板を接着する工程と、（ニ）第１支持基板を除去する工程と、（ホ）第１成膜層を除去し第２成膜層を露出させる工程と、（ヘ）第２成膜層の露出した面に樹脂層を介して第２支持基板を接着する工程とを含むアクティブマトリクス基板の製造方法であることを要旨とする。
【００１４】
本発明の第１の特徴は、（イ）第２支持基板と、（ロ）この第２支持基板上に設けられた樹脂層と、（ハ）この樹脂層を介し、第２支持基板に接着された、内部応力が圧縮応力となる材料からなる第２成膜層と、（ニ）この第２成膜層上に設けられた第３成膜層とを備え、第２支持基板と樹脂層からなる下部構造の全体の引っ張り応力と、第３成膜層を含み、第３成膜層より上部の上部構造の全体の引っ張り応力との和が、内部応力と平衡しているアクティブマトリクス基板であることを要旨とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、第１支持基板から第２支持基板に転写する際に、アクティブマトリクス素子群の構造や機能を破壊することがなく、信頼性の高いアクティブマトリクス基板の製造が可能なアクティブマトリクス基板用中間生成物、アクティブマトリクス基板の製造方法及びアクティブマトリクス基板を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
次に、図面を参照して、本発明の第１及び第２の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【００１７】
又、以下に示す第１及び第２の実施の形態は、本発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、本発明の技術的思想は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。本発明の技術的思想は、特許請求の範囲に記載された技術的範囲内において、種々の変更を加えることができる。
【００１８】
（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板は、図１（ａ）に示ように、行方向に延伸する複数の走査線Ｗ1，Ｗ2，Ｗ3，・・・・・，Ｗi，・・・・・，Ｗmと、列方向に延伸する複数の信号線Ｂ1，Ｂ2，Ｂ3，・・・・・，Ｂj，・・・・・，Ｂmとで２次元マトリクスを構成し、マトリクスの交点に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）Ｔij （ｍ，ｎをそれぞれ正の整数としてｉ＝１〜ｍ；ｊ＝１〜ｎ）と、薄膜トランジスタＴijにそれぞれ接続される画素電極Ｑijが画素を（Ｔij ；Ｑij）構成して配置されている。
【００１９】
図１（ｂ）は、第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板のひとつの画素（Ｔij ；Ｑij）の部分を例示したものであり、走査線Ｗiと信号線Ｂjの交差箇所の付近に薄膜トランジスタＴijが配置されている。薄膜トランジスタＴijのゲート電極１７は走査線Ｗiに接続され、ソース電極１９は信号線Ｂjに接続されている。そして、薄膜トランジスタのドレイン電極２０は、画素の大部分を占める画素電極Ｑijに接続されている。画素電極Ｑijの下には、これと略対向して蓄積容量電極（図示せず）が配置され、蓄積容量線（図示せず）に接続されている。
【００２０】
＜アクティブマトリクス基板における応力＞ 
図２は、図１（ｂ）に示した画素（Ｔij ；Ｑij）のＡ−Ａ方向から見たアクティブマトリクス基板の要部断面構造を表す模式図で、第２支持基板１１の上に樹脂層１２、第２成膜層１３，第３成膜層１４を順に積層した積層基体（１１，１２，１３，１４）の上に、半導体層（１５Ｓ，１５Ｃ，１５Ｄ）が活性領域を形成するように、パターニングされている。半導体層（１５Ｓ，１５Ｃ，１５Ｄ）は、ｐ型のチャネル領域１５Ｃと、ｐ型のチャネル領域１５Ｃの両側のｎ型のソース領域１５Ｓとｎ型のドレイン領域１５Ｄを備える。チャネル領域１５Ｃを構成する半導体は、キャリアを円滑に走行させるために結晶性であることが望ましく、多結晶又は単一の結晶粒からなるものとすることが望ましい。一方、ソース領域１５Ｓ及びドレイン領域１５Ｄは、結晶性でも良く、非結晶性でも良い。具体的には、半導体層（１５Ｓ，１５Ｃ，１５Ｄ）は、シリコンやその他各種の半導体からなり、例えば、ポリシリコン（多結晶シリコン）により形成できる。そして、半導体層（１５Ｓ，１５Ｃ，１５Ｄ）の上に、ゲート絶縁膜１６が形成され、ゲート絶縁膜１６の上にゲート電極１７が配置されている。更に、ゲート電極１７の上を層間絶縁膜１８が被覆し、層間絶縁膜１８を貫通し、ソース領域１５Ｓ及びドレイン領域１５Ｄの一部を露出するコンタクトホールを介して、ソース領域１５Ｓ及びドレイン領域１５Ｄには、それぞれソース電極１９及びドレイン電極２０が接続されている。  
更に、図２に示したような、所望する諸特性を有する第２支持基板１１上に、アクティブ素子群を移しかえたアクティブマトリクス基板においては、応力状態がアクティブマトリクス基板としての性能を大きく左右する。例えば第２支持基板１１として柔軟性に富んだものを用いた場合には、応力の不均一による変形などを生じやすい。したがって、図２に示される通り、圧縮応力（σ2）である第２成膜層１３に対して、第２支持基板１１接合面側の応力状態（σ1）とアクティブ素子群形成側の応力状態（σ3）が補償されているような状態：
σ2＝σ1＋σ3                 ・・・・・（１）
又はそれに近い状態であることが望ましい。
【００２１】
同様な応力への留意は、本発明の第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法におけるアクティブマトリクス基板用中間生成物について必要であり、アクティブマトリクス素子群などに構造破壊や機能低下をもたらさないように、応力制御に充分な配慮が必要となる。これは、アクティブマトリクス素子群形成時だけでなく、第１支持基板２１の除去時や第２支持基板１１上に移しかえた際にも、そのプロセスマージンや構造体としての信頼性を大きく左右するためである。
【００２２】
先ず、第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法において、第１支持基板２１上にアクティブ素子群を形成する際、第２成膜層１３ａまで形成したアクティブマトリクス基板用中間生成物の応力状態を模式的に示したものが図３（ａ）である。アクティブマトリクス基板の製造方法においては、第２成膜層１３ａは、第２成膜層１３ａの下の第１成膜層２２ａ及び第２成膜層１３ａの上に形成される第３成膜層１４（図４参照。）に比較して圧縮応力σc2が大きいことが重要である。
【００２３】
例えば、図３（ａ）のように、第１成膜層２２ａと第２成膜層１３ａが相反する応力状態、即ち、第１成膜層２２が引張応力σt1であり、第２成膜層１３が圧縮応力σc2であるとすると、第１支持基板２１に対しては、第１成膜層２２ａと第２成膜層１３ａが、それぞれ異なる応力を与えることになり、結果として、第１支持基板２１に掛かる応力を低減することが可能となる。
【００２４】
一方、例えば、図３（ｂ）のように、第１成膜層２２ｂ及び第２成膜層１３ｂがともに圧縮応力σc1，σc2の場合、第１支持基板２１には第１成膜層２２ｂと第２成膜層１３ｂの応力の和が印加されることとなるため、第１支持基板２１のソリなどを誘発する原因となり、第３成膜層１４の形成やアクティブ素子群形成の際などに支障をきたすことになる。
【００２５】
又、逆に、図３（ｃ）のように、第１成膜層２２ｃ及び第２成膜層１３ｃがともに圧縮応力σt1，σt2の場合、第１支持基板２１には第１成膜層２２ａと第２成膜層１３ａの応力の和が印加されることとなるため、第１支持基板２１のソリなどを誘発する原因となり、第３成膜層１４の形成やアクティブ素子群形成の際などに支障をきたすことになる。
【００２６】
図３（ｄ）のように、第１成膜層２２ｄと第２成膜層１３ｄが相反する応力状態、即ち、第１成膜層２２が圧縮応力σc1であり、第２成膜層１３が引張応力σt2であるとすると、第１支持基板２１に対しては、第１成膜層２２ａと第２成膜層１３ａが、それぞれ異なる応力を与えることになり、図３（ａ）と同様に、この状態では、第１支持基板２１に掛かる応力が低減されている。しかし、図２３を用いて後述するように、図３（ｄ）に示すような、第２成膜層１３ｄが引張応力状態である場合には、アクティブマトリクス基板の製造工程において、第１支持基板２１及び第１成膜層２２ａを除去した段階において、第２成膜層１３ｄの表面の欠陥（キズ）３５ａ，３５ｂが、成長する方向になり、容易に構造破壊をもたらすため好ましくない。一方、図３（ａ）に示す応力関係であれば、第１支持基板２１及び第１成膜層２２を除去した状態では、第２支持基板１１への接合面となる第２成膜層１３ａの表面は圧縮状態となっているため、図２３のような微小な欠陥（キズ）３５ａ，３５ｂなどが存在した場合でも、微小な欠陥（キズ）３５ａ，３５ｂの進展を抑える方向となるため、不良が顕在化することを抑えることが可能になる。
【００２７】
このように、図３（ａ）〜（ｄ）に示したアクティブマトリクス基板用中間生成物における４つの応力関係の態様の比較・検討から明らかなように、図３（ａ）に示すような第２成膜層１３ａには第１支持基板２１や第１成膜層２２ａと比較して圧縮応力σc2の大きい材質や組成比の膜質のものを用い、第１成膜層２２ａには引張応力σt1を有する材料系を用いることが好ましいと結論できる。
【００２８】
応力状態の検討は、アクティブマトリクス基板の製造工程全般に渡る種々のアクティブマトリクス基板用中間生成物について検討する必要があり、例えば、以下に説明する第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法において説明する図４の段階のアクティブマトリクス基板用中間生成物のように、第３成膜層１４まで形成したときには、第２成膜層１３には、第１成膜層２２や第３成膜層１４と比較して圧縮応力σc2の大きい材質や組成比の膜質のものを用い、第１成膜層２２及び第３成膜層１４には引張応力σt1，σt3を有する材料系を用いることが好ましい。
【００２９】
更に、アクティブマトリクス基板の製造工程において後述する図１１の段階のアクティブマトリクス基板用中間生成物のように、アクティブ素子群を形成したときまで、同様な検討をすれば、第１成膜層２２と第３成膜層１４に引張応力の膜質を、第２成膜層１３に圧縮応力σc2の膜質を選択した場合には、第１支持基板２１への応力による変形を低減することができ、アクティブ素子（１５Ｓ，１５Ｃ，１５Ｄ，１６，１７，１８，１９，２０）を形成する際に変形量の少ない状態での形成が可能になる。
【００３０】
そして、図２２の段階のアクティブマトリクス基板用中間生成物に示すように、第１支持基板２１除去時に、第１支持基板２１とアクティブ素子（１５Ｓ，１５Ｃ，１５Ｄ，１６，１７，１８，１９，２０）を構成する間に３層の積層膜構造（第１成膜層２２、第２成膜層１３、第３成膜層１４）を有することが好ましいことが理解できる。このとき、第１成膜層２２、第２成膜層１３、第３成膜層１４は、それぞれ異なる材質や組成比（図３４参照。）であり、かつ第１成膜層２２及び第２成膜層１３は、第１支持基板２１除去時に使用するエッチング液に対して、第１支持基板２１よりもエッチング耐性があれば良く、無限大又はそれに近い耐性は必須とされない。
【００３１】
＜３層積層膜の各層材料の選択＞
このような検討から、アクティブマトリクス基板用中間生成物の積層膜（２２，１３，１４）に用いることができる材料は、表１に示すような選択幅で、広く取ることができ、更に、アクティブ素子（１５Ｓ，１５Ｃ，１５Ｄ，１６，１７，１８，１９，２０）を形成する際に従来の製造方法を大きく変更することなく対応可能になる。
【表１】
2006245067.tif 000003
【００３２】
（ａ）第１成膜層２２を構成する材料としては、
・第１支持基板２１のエッチング液に対して、第１支持基板２１よりエッチング耐性があること；
・第１支持基板２１のエッチング液に対して、接触角（濡れ性）が異なること、
等が要求される材料的条件である。このような材料的条件からは、モリブデン（Ｍｏ）に代表される金属膜、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）に代表される半導体膜、シリコン窒化膜（ＳｉＮx）に代表される金属窒化膜、フッ化カルシウム（ＣａＦx）に代表される金属フッ化物、シリコン窒化膜に代表される金属酸化膜などの材料が挙げられる。ここで、第１成膜層２２としては、エッチングストッパ機能を考慮すれば、非晶質又はマイクロクリスタル（μＣ）の膜質が望ましい。これは、結晶質の膜質では結晶粒界部が選択的に侵されて、アクティブ素子（１５Ｓ，１５Ｃ，１５Ｄ，１６，１７，１８，１９，２０）などに影響を与えやすいためである。即ち、第１支持基板２１とこの第１支持基板２１のエッチング液との接触角をθsub、第１成膜層２２とエッチング液との接触角をθsacとしたとき、
θsub ＜  θsac                            ・・・・・（２）
となるような表面エネルギーの差ΔＵが生じるような材質又は組成比を用いれば良い。第１支持基板２１と第１成膜層２２との材質又は組成比の組み合わせを選択することにより、後述するような、エッチング液への接触角（濡れ性）の違いを利用した選択的なエッチング方法が可能になる。第１支持基板２１の表面エネルギーＵsubと第１成膜層２２の表面エネルギーＵsacの差ΔＵを大きくするのは、第１成膜層２２の膜質を変更することによっても対応可能である。例えば、第１成膜層２２としてアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）を採用した場合、通常のアモルファスシリコンは、水素を含有（ａ−Ｓｉ：Ｈ）しており、この水素含有量を調整することによりエッチング液に対する接触角（濡れ性）を変更することが可能となる。
【００３３】
特に、第１支持基板２１と第１成膜層２２表面のエッチング液３１に対する接触角（濡れ性）を式（２）を満たすように選択することにより、図１６〜図２０を用いて後述するような、第１支持基板２１の除去時のエッチング速度の分布に対して、第１成膜層２２が不均一に暴露した部分に、自己整合的にエッチング液を保護する自己整合保護部３２ａ，３２ｂを形成することが可能になる。自己整合保護部３２ａ，３２ｂは、気相、又は、液相による層で形成可能である。例えば、第１支持基板２１として無アルカリガラス基板を、第１成膜層２２としてアモルファスシリコンを、エッチング液としてフッ酸系水溶液を用いた場合、第１支持基板２１とエッチング液との接触角θsubが小さい（濡れ性が良い）が、第１成膜層２２とエッチング液との接触角θsacが非常に大きい（濡れ性が非常に悪い）。このため、気相又は液相からなる自己整合保護部３２ａ，３２ｂを、図１６〜図１９に示すように、選択的に第１成膜層２２の表面に凝集・付着することにより、第１成膜層２２の暴露面が自己整合保護部３２ａ，３２ｂに覆れ、自己整合保護部３２ａ，３２ｂがエッチング液から第１成膜層２２を遠ざけることになるため、自己整合保護部３２ａ，３２ｂが自己整合的なエッチングストッパ層として機能することになる。
【００３４】
（ｂ）第２成膜層１３を構成する材料としては、
・第１支持基板２１エッチング液に対して、第１支持基板２１よりエッチング耐性があること；
・可視光域の波長において、およそ８０％以上透過であること；
・圧縮応力であること；
・絶縁性に優れていること、
等が要求される材料的条件である。このような材料的条件からは、シリコン窒化膜（ＳｉＮx）に代表される金属窒化膜、フッ化カルシウム（ＣａＦx）に代表される金属フッ化物、
シリコン窒化膜に代表される金属酸化膜などの材料が挙げられる。
【００３５】
（ｃ）第３成膜層１４を構成する材料としては、
・アクティブ素子群への不純物拡散防止効果のあること；
・可視光域の波長において、およそ８０％以上透過であること；
・圧縮応力であること；
・絶縁性に優れていること、
等が要求される材料的条件である。このような材料的条件からは、第２成膜層１３と同様な、シリコン窒化膜（ＳｉＮx）に代表される金属窒化膜、フッ化カルシウム（ＣａＦx）に代表される金属フッ化物、シリコン窒化膜に代表される金属酸化膜などの材料が挙げられる。
【００３６】
＜アクティブマトリクス基板の製造方法＞
このように、応力状態の検討は、アクティブマトリクス基板の製造工程全般に渡る種々の段階のアクティブマトリクス基板用中間生成物について詳細に検討する必要があるが、図４〜図２７を用いて、本発明の第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法を説明する。なお、以下に述べるアクティブマトリクス基板の製造方法は、一例であり、この変形例を含めて、これ以外の種々の製造方法により、実現可能であることは勿論である。第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板は、アクティブ素子として低温ポリシリコンを用いた薄膜トランジスタＴijを採用した場合である。
【００３７】
（イ）先ず、第１支持基板２１上に、第１成膜層２２となるアモルファスシリコン層を、例えばシランガスなどを原料に用いたプラズマ励起気相堆積法（ＰＥＣＶＤ法）などを用いて、５０ｎｍ程度成膜する。第１支持基板２１としては、例えば、板厚が約０．７ｍｍのアルミノホウケイ酸塩などに代表される無アルカリガラス基板を用いることが可能である。無アルカリガラス基板は、アモルファス薄膜トランジスタや多結晶シリコン薄膜トランジスタを製造するときに広く用いられている第１支持基板２１である。このときの第１成膜層２２としては、非晶質性が高いことが重要である。
【００３８】
（ロ）第１成膜層２２を成膜後、第１成膜層２２表面にあるゴミなどを取り除くために、ブラシと界面活性剤を用いて充分に洗浄を行う。更に、第１成膜層２２表面にできる自然酸化シリコン膜除去のために希フッ酸処理を行う。この希フッ酸処理は、第１成膜層２２上に成膜する第２成膜層１３の成膜直前に行う。その後、第２成膜層１３として、シラン（ＳｉＨ4）ガスや窒素（Ｎ2）ガスなどを原料に用いたＰＥＣＶＤ法などを用いて、シリコン窒化膜を５０ｎｍ成膜する。このときシリコン窒化膜の膜質としては、Ｓｉ／Ｎ＝３／４というストイキオメトリに近い組成比をもつ膜質を選択した。これは、シリコン窒化膜はＳｉ／Ｎ比が比較的広い範囲で形成することができるが、Ｓｉ／Ｎ比がストイキオメトリに近い組成比の方が、エッチング液として採用するフッ酸系水溶液に対して耐性が高いこと、膜応力が圧縮応力側になる（図３４参照。）ことなどから、第２成膜層１３としての機能が発現しやすいことになる。
【００３９】
（ハ）その後、図４に示すように、第３成膜層１４として、シランガスや酸素（Ｏ2）ガスなどを原料に用いたＰＥＣＶＤ法などを用いて、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2膜）を３５０ｎｍ成膜する。第３成膜層１４の機能としては、アクティブマトリクス素子群を支持する機能と全体の応力調整機能であるため、絶縁膜であればこれらの条件を満たすことができる材料及び膜質で問題ない。又、第３成膜層１４の膜厚についても自由度が高いため、膜質によって任意に変更が可能である。第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法においては、図４に示すように、第２成膜層１３に大きな圧縮応力σc2をかけ、第１成膜層２２と第３成膜層１４には引張応力σt1，σt3となる膜質及び成膜条件を選んでいる。
【００４０】
（ニ）次に、第３成膜層１４の上に、ＰＥＣＶＤ法を用い、図５に示すように、ｐ型のアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜２３を成長させる。その後、図６に示すように、ＫｒＦエキシマレーザ光等の光ｈνを照射して、アモルファスシリコン膜２３瞬間的に溶融後結晶化させてｐ型の多結晶シリコン層２４を生成する。そして、フォトレジストを多結晶シリコン層２４の上全面に塗布後、フォトリソグラフィ技術によりフォトレジストをパターニングし、このフォトレジストをマスクとして、例えば、フッ素系ガスによる反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ法）を用いた異方性エッチング法により、ｐ型の多結晶シリコン層２４の素子分離を行い、島構造のｐ型の活性領域２５を、図７に示すように形成する。
【００４１】
（ホ）次に、例えばＰＥＣＶＤ法などを用いて、ゲート絶縁膜１６となるシリコン酸化膜やシリコン窒化膜を成膜する。そして、例えばスパッタリング法などを用いて、ゲート絶縁膜１６上にモリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、又はその合金など金属膜を堆積させる。その後、金属膜上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィ法を用いてレジストパターンを形成し、例えば、溶剤に含侵させて選択的にレジストパターンのない部分の金属膜を除去する方法を用いることにより、ゲート電極１７及びゲート線群の形状を、図８に示すように形成する。
【００４２】
（ヘ）次に、活性領域２５に接合面を形成するために薄膜トランジスタＴijの不純物をｐ型の活性領域２５に対し選択的に導入する。第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板用中間生成物では、ｎ型不純物イオンとしてリンイオン（31Ｐ+）を用いている。このとき、図９に示すようにゲート電極１７をマスクとして、イオンドーピング法（イオン注入法）によりイオン濃度が１０22ｃｍ-3程度になるように導入する。その後、この導入されたリンイオン（31Ｐ+）が電気的に活性化するように熱処理を行い、図１０に示すように、ｐ型のチャネル領域１５Ｃの両側に、ｎ型のソース領域１５Ｓとｎ型のドレイン領域１５Ｄを形成する。
【００４３】
（ト）そして、例えば常圧化学気相堆積法（ＡＰＣＶＤ法）により層間絶縁膜１８となるシリコン酸化膜やシリコン窒化膜を成膜する。その後、新たなフォトレジストを層間絶縁膜１８の上全面に塗布後、フォトリソグラフィ技術により新たなフォトレジストをパターニングし、この新たな新たなフォトレジストをマスクとして、ＲＩＥを行い、図１０に示すように、層間絶縁膜１８を貫通し、ｎ型のソース領域１５Ｓ及びｎ型のドレイン領域１５Ｄの上部の一部を露出するソースコンタクトホール（スルーホール）２６Ｓ及びドレインコンタクトホール（スルーホール）２６Ｄを形成する。
【００４４】
（チ）そして、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）などの金属、又はその合金や積層膜などを、例えばスパッタリング法などを用いて堆積させる。その後、新たなフォトレジストを金属膜の上全面に塗布後、フォトリソグラフィ技術により新たなフォトレジストをパターニングし、この新たな新たなフォトレジストをマスクとして、ＲＩＥを行い、図１１に示すように、ソース電極１９、ドレイン電極２０及び信号配線群の形成を行う。図１１では、ソース電極１９に接続される信号配線群の一部が示されているが、他の信号配線群は、図示を省略している。更に、ドレイン電極２０と接続されるように画素電極Ｑijを形成する（図１（ｂ）参照。）。この一連の薄膜トランジスタＴij及び配線形成プロセスにおいては、例えば、エキシマレーザによる局所加熱やアニール程が存在するが、積層膜（２２，１３，１４）の構成や膜質に大きな影響なく、又、アクティブマトリクス構造を形成する際にも顕著な問題は現れない。
【００４５】
（リ）次に、アクティブマトリクス素子群側で液晶の配向性を制御として、例えばポリイミドを用いたスピンコート法によりアクティブ素子群上に配向膜２７の成膜を行う。更に、配向膜２７の成膜後、配向処理の手段であるラビング処理を行う。配向膜２７成膜及び配向処理は、通常、第２支持基板１１に移しかえた後に行うことが多いが、この場合、配向膜２７の処理における熱処理温度や配向処理の際の衝撃などによる構造破壊や使用できる第２支持基板１１に制限が生じるため、第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法では、第１支持基板２１上においてラビング処理を実施する。ただし、ラビング処理は、このような熱衝撃や構造破壊に対して耐性のある第２支持基板１１などを用いる場合には、この時点で行う必要はない。次に、この配向膜２７を保護する目的として、例えばノボラック樹脂からなる塗布型レジストを、スピンコート法を用いて成膜して、図１２に示すように、保護層２８を形成する。このとき、保護層２８としては、保護層２８除去の際に配向膜２７との選択性に優れたものであること、事前の配向処理効果の低減を防ぐものであることが望ましい。
【００４６】
（ヌ）次に、第１支持基板２１を除去する際にアクティブ素子群の構造などを維持するために仮の支持を取るための仮支持基板３０を、図１３に示すように、第１支持基板２１の対向側に仮着層２９を介して設置する。即ち、保護層２８上に、例えばＵＶ照射などの方法にて粘着性を変化させることが可能な接着剤を仮着層２９として、例えばスピンコート法を用いて塗布し、その上に例えば片面をフッ素樹脂コートした石英ガラスやポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）などのプラスチック基板などを仮支持基板３０として、第１支持基板２１と対向するように貼り付ける。このとき、気泡混入や貼付ムラがあると第１支持基板２１を取り除く際に、アクティブ素子群や成膜層群に影響を与えるため、充分な注意が必要である。
【００４７】
（ル）図１３の構造を作製することにより、図１４〜図２０に示すような第１支持基板２１の除去工程が可能にある。第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板用中間生成物では、第１支持基板２１を除去する方法として、フッ酸系水溶液をエッチング液としたウェットエッチング法を採用している。これは、第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板用中間生成物では第１支持基板２１として無アルカリガラス基板を採用したためであり、ガラス材料はフッ酸系水溶液で可溶であるためである。なお、第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法ではフッ酸系エッチング液として塩酸を添加したフッ酸水溶液を採用している。これは、第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板用中間生成物で用いた第１成膜層２２や第２成膜層１３の材料が強酸性下ではフッ酸に対する耐性が向上するためである。又、強酸性にするためには、硫酸や硝酸を用いる場合が多いが、第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板用中間生成物では有機系材料を多用しているため、硫酸や硝酸を用いた場合には、これらが酸化や分解する懸念があるためである。図１４は、第１支持基板２１をエッチング除去する途中段階での状況を模式的に示したものである。図１４で示されるように、第１支持基板２１除去時には、面内において厚みが均一にエッチングされる訳ではなく、エッチングの進展が早い部分と遅い部分のムラが出てしまう。これは、第１支持基板２１の表面状態や基板内部の組成分布や応力状態、エッチング液３１の対流状態などが起因している。これらは、すべてを制御することが難しいため、分布が発生することは避けることができない。したがって、第１支持基板２１を除去する際に、先行して除去される部分、即ち、第１成膜層２２の表面が暴露する部分と、未だ、第１支持基板２１が残る、即ち、第１支持基板２１がエッチングされている途中の部分とが現れてくる。この際に、積層膜（２２，１３，１４）がエッチング液３１に対して、侵食されない、即ち、無限大の選択比がある場合には問題ない。しかし、本発明で用いるような材料系の場合はフッ酸系水溶液に程度の差はあれども侵されるので、図１５に模式的に示されるように、アクティブ素子群まで破壊されてしまう。特に、液晶表示装置のような占有面積の大きいデバイスでは、面積全体に渡るエッチングが終了するまでの耐性を得るためには、積層膜（２２，１３，１４）が侵食される分を見越して、積層膜（２２，１３，１４）をそれぞれ多層にすることや膜厚を厚くするなど、生産性を大きく低下させる対策が必要になる。そこで、第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法では、図１６に模式的に示されるような、第１成膜層２２面が露出した部分に選択的に自己整合保護部３２ａ，３２ｂを形成する手法を用いる。第１支持基板２１の除去時に第１成膜層２２が露出する部分やその広がりはあらかじめ決めることができない。自己整合保護部３２ａ，３２ｂを生成する機能を備えたバブラ３３を有するエッチングバスの構造例を図１７〜図２０に示す。図１７〜図２０に示したエッチングバスは、内部に空気や窒素などの気泡を導入できるバブラ３３を設置し、第１支持基板２１除去時の、第１成膜層２２表面が現れた直後に気泡３４を、導入量を調整しながらエッチング液３１中に導入していく。このとき、仮支持基板３０に支持された構造体は揺動させておく。このとき、採用する材料や成膜条件から表面エネルギーの差ΔＵが大きいため、第１支持基板２１は親水性に優れており、露出する第１成膜層２２表面は撥水性にすることができる。この場合、気泡３４は、選択的に第１成膜層２２露出面に集めることができる。これを模式的に示したものが、図１６〜図２０になる。このとき、第１成膜層２２の露出面に選択的に集合した気泡３４は、あたかも、フッ酸系エッチング液から第１成膜層２２を保護する自己整合保護部３２ａ，３２ｂとしての役割を果たすことになる。又、第１支持基板２１の除去が進行するに従って、第１成膜層２２の露出部の面積割合や形状が変化していくが、気泡３４も供給量を制御することにより任意形状に変形や面積を変えていくので、第１成膜層２２露出部の成長に応じて、図１６〜図１９に示すように自己整合保護部３２ａ，３２ｂが次第に大きな領域に成長可能になる。最終的には第１支持基板２１は完全に除去されることになるが、このとき、図２０に示すように、分離していた自己整合保護部３２ａ，３２ｂも第１成膜層２２露出部全体に渡る大きな自己整合保護部３２に集合し、第１成膜層２２が侵食されることがほとんどない状態での第１支持基板２１除去が可能になる。
【００４８】
（ヲ）図２１は、アクティブマトリクス基板用中間生成物から第１支持基板２１を完全に除去した後の断面構造例である。第１支持基板２１除去後は第１成膜層２２が露出した状態の新たなアクティブマトリクス基板用中間生成物となっている。続いて、図２２に示すように、新たなアクティブマトリクス基板用中間生成物から更に第１成膜層２２を除去し、第２成膜層１３を露出させる。これは、第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板における液晶表示装置が透過型であるためである。即ち、第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板で用いた第１成膜層２２はアモルファスシリコンを用いており、赤色系の色づきがあるため、透過光が色づくためである。第１成膜層２２の除去は水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いれば良い。これは、第１成膜層２２を除去できるとともに、第２成膜層１３は無限大に近い耐性があるためである。このため、比較的良好な状態で、図２２に示すような第２成膜層１３の露出面が形成できる。第２成膜層１３が露出した構造のアクティブマトリクス基板用中間生成物では、図２３に示すように、第２成膜層１３が圧縮応力であることが不良低減では重要である。即ち、図２３のように、第２成膜層１３の暴露面側に先天的に欠陥（キズ）３５ａ，３５ｂなどの不良部がある場合や、第１成膜層２２の剥離時や第２成膜層１３の暴露後の工程において、後天的に細かい欠陥（キズ）３５ａ，３５ｂなどが発生する可能性がある場合、第２成膜層１３に圧縮応力σcを与えていれば、欠陥（キズ）３５ａ，３５ｂは、その成長を抑える方向に圧力を受けることになり容易に進展することがない。これに対して、第２成膜層１３が引張応力状態である場合には、欠陥（キズ）３５ａ，３５ｂは成長する方向に応力を受けることになるため、容易に構造破壊をもたらすことになる。
【００４９】
（ワ）次に、図２４に示すように、露出した第２成膜層１３に樹脂層１２を塗布し、樹脂層１２を介して第２支持基板１１を貼り付ける。このとき、樹脂層１２としては、２液混合により硬化するアクリル系樹脂を用い、第２支持基板１１としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）を用いることが可能である。これは、第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板は、配向膜２７の形成や配向処理などの比較的高温を必要とする工程を既に終了しているためである。したがって、ＰＥＴのような耐熱性の劣るプラスチックフィルムを用いても、高性能な液晶表示装置が作製可能になる。
【００５０】
（カ）次に、仮支持基板３０側から例えばＵＶ光照射などの方法を用いて、仮着層２９の接着性又は粘着性を低減させる。そして、アクティブ素子群が移し代えられた第２支持基板１１側に構造破壊や応力印加を与えないように注意しながら、図２５及び図２６に示すように仮支持基板３０と仮着層２９を除去する。その後、図２７に示すようにアクティブ素子群表面の保護層２８を、レジストリムーバを用いて除去する。これにより図２に示したように、第１支持基板２１上と同等の性能をもつアクティブ素子群を、第２支持基板１１上へ移しかえ、アクティブマトリクス基板の製造作業が完了する。
【００５１】
なお、第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法においては、ウェットプロセスを多用する場合、基板端面の影響を無視することはできない。特に、端面からのエッチング液３１や水分の染み込みにより素子の破壊や膜剥離現象などが起こる場合がある。これを防止するためには、図２８に示されるように、端部保護膜４１で、端部を保護することが最も適当である。第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板では、４辺の端部をそれぞれ、フッ素系接着剤に５ｍｍ程度含侵させた後乾燥させて、端部保護膜４１とする。又、このように端部保護膜４１で端部の保護を行った場合、保護領域にかかる第１支持基板２１はエッチング除去されないため、第１支持基板２１除去の際に急激な基板厚の変化をもたらすことになる。これを防止するため、図２９に示すように、保護されている端部から階段状に第１支持基板２１の厚みの分布を設けても良い。このとき、段差をつけるための方法としては、第１支持基板２１の除去を何回かに分けて行い、段差を設けたい部分に保護シールを貼るなどの方法がある。
【００５２】
この後の、アクティブマトリクス基板を液晶表示装置化については、プラスチックフィルムを用いた製造工程がそのまま転用できるので、説明を省略する。
【００５３】
以上のように、本発明の第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法によれば、第１支持基板２１上に、低温ポリシリコン薄膜トランジスタＴijのアレイを配列してアクティブ素子（１５Ｓ，１５Ｃ，１５Ｄ，１６，１７，１８，１９，２０）形成して、アクティブマトリクス基板用中間生成物を製造した後、アクティブ素子（１５Ｓ，１５Ｃ，１５Ｄ，１６，１７，１８，１９，２０）の構造破壊や機能低下をもたらすことなく、アクティブマトリクス基板用中間生成物から第１支持基板２１を取り除くことが可能である。
【００５４】
更に、第１支持基板２１を除去後、第１支持基板２１の除去時にダメージの大きい第１成膜層２２を更にを除去しているので、第１支持基板２１除去後、第２支持基板１１にアクティブ素子（１５Ｓ，１５Ｃ，１５Ｄ，１６，１７，１８，１９，２０）を移す際に、表面平滑性に優れており、かつ、第２支持基板１１と接合する際に適当な表面状態である第２成膜層１３の表面を実現できる。この結果、アクティブマトリクス基板の性能、更にはこのアクティブマトリクス基板を用いた液晶表示装置の性能の向上と信頼性の向上、製造歩留まりの向上を実現することが可能になる。
【００５５】
（第２の実施の形態）
第２の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法では、第１の実施の形態とは異なる方法を用いて、アクティブマトリクス基板用中間生成物から第１支持基板２１の除去を行う。即ち、第２の実施の形態では、第１支持基板２１の完全除去前、即ち、第１の実施の形態における図１４に示す工程段階までは、第１の実施の形態と同様の手法を用いてアクティブマトリクス基板用中間生成物からを製造している。
【００５６】
第２の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板においても、アクティブマトリクス基板用中間生成物から第１成膜層２２が露出した場合に、図１５に示されるような積層膜群の構造破壊やアクティブ素子群の破壊や機能低下を防止する方法である。
【００５７】
図３０は、第２の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板用中間生成物における、第１支持基板２１の除去直前のエッチング方法を模式的に示したものである。即ち、第１の実施の形態における図１４〜図２０とは異なり、エッチング液３１中に構造体（アクティブマトリクス基板用中間生成物）を含侵させるのではなく、ちょうどアクティブマトリクス基板用中間生成物の第１支持基板２１上にエッチング液４２を滴下したような状態となっている。このとき、第１支持基板２１が第１成膜層２２上の全面に残っているときには、エッチング液４２も第１支持基板２１を覆うように存在するため、第１支持基板２１の除去が全面に渡り進行する。
【００５８】
これに対して、図３１に模式的に示す通り、第１支持基板２１の一部は除去されて第１成膜層２２が露出した状態では、第１支持基板２１とこの第１支持基板２１のエッチング液との接触角θsub、第１成膜層２２とエッチング液との接触角θsacが式（２）を満足するように選択されていることを反映して、第１成膜層２２の露出面がエッチング液４２が弾くのに対して、第１支持基板２１上にエッチング液４２が凝集するようになる。このとき、第１支持基板２１の残部では基板除去が進行するのに対して、第１成膜層２２露出面はエッチング液４２に晒されることがないため第１成膜層２２がエッチング液４２に侵されることがない。又、第１支持基板２１残部はエッチング液４２により順次縮小していくが、この変化に応じて、エッチング液３１は形状を変化させて、新たな第１成膜層２２の露出面からはエッチング液４２は取り除かれて第１支持基板２１残部上にのみエッチング液４２を凝集させることが可能になる。このため、第１成膜層２２の露出面にエッチング液４２をできるだけ触れさせることなく、第１支持基板２１上のみをエッチングすることが可能になる。
【００５９】
しかし、この場合には、第１支持基板２１のエッチングが進むに従い、エッチング液４２による第１支持基板２１のエッチング能力低下が懸念される。このため、ちょうど紙すきのように、アクティブマトリクス基板用中間生成物をエッチング液４２中と大気中とを、往復揺動することにより、新たなエッチング液４２を第１支持基板２１の表面に強制的に供給し、エッチング液４２の交換を行う必要がある。紙すきのような往復揺動の繰り返しにより、第１支持基板２１の表面に気相とエッチング液４２とが交互に繰り返し供給され、島状の第１支持基板２１の表面に選択的に凝集するエッチング液４２を、新鮮なエッチング液４２で補充することができる。気中／液中往復揺動ではなく、エッチング液４２中のみにおける第１支持基板２１の往復揺動による新鮮な液層界面の往復的連続供給によっても、新鮮なエッチング液４２を補充できる。
【００６０】
これらの気中／液中往復揺動、或いは液中のみの往復揺動による新鮮な液層界面の強制的供給の工程においても、接触角θsubと接触角θsacが式（２）を満足するように選択されていれば、第１成膜層２２の露出面はすぐにエッチング液４２を弾いて、第１支持基板２１の残部にのみに選択的にエッチング液４２を凝集させることができるので、第１成膜層２２が侵される時間は極わずかである。更に、第１支持基板２１の残部が面内のどのような位置でどのような形状であっても、エッチング液４２は選択的に追従することができるため、自己整合的に、第１支持基板２１の残部のみを選択的にエッチングすることが可能になる。
【００６１】
以上のように、本発明の第２の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法によれば、第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法と同様に、第１支持基板２１上に、アクティブ素子（１５Ｓ，１５Ｃ，１５Ｄ，１６，１７，１８，１９，２０）の構造破壊や機能低下をもたらすことなく、第１支持基板２１を取り除くことが可能である。
【００６２】
更に、第１支持基板２１を除去後、第１支持基板２１の除去時にダメージの大きい第１成膜層２２を更に除去しているので、第１支持基板２１除去後、第２支持基板１１にアクティブ素子（１５Ｓ，１５Ｃ，１５Ｄ，１６，１７，１８，１９，２０）を移す際に、表面平滑性に優れており、かつ、第２支持基板１１と接合する際に適当な表面状態である第２成膜層１３の表面を実現できる。この結果、アクティブマトリクス基板の性能、更にはこのアクティブマトリクス基板を用いた液晶表示装置の性能の向上と信頼性の向上、製造歩留まりの向上を実現することが可能になる。
【００６３】
（その他の実施の形態）
上記のように、本発明は第１及び第２の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面は本発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
【００６４】
既に述べた第１及び第２の実施の形態の説明においては、例えば低温ポリシリコン薄膜トランジスタをアクティブ素子に用いた場合について説明したが、図３２及び図３３に示すように、アモルファスシリコン薄膜トランジスタをアクティブ素子に用いた場合にも、図３３に示す断面図のような多層膜構造体となっているため、第１及び第２の実施の形態
と同様に、圧縮応力（σ2）である第２成膜層１３に対して、第２支持基板１１接合面側の応力状態（σ1）とアクティブ素子群形成側の応力状態（σ3）が補償されるように、式（１）で示される関係が満たされることが重要となる。
【００６５】
図３２は、第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板のひとつの画素（Ｔij ；Ｑij）の部分を例示したものであり、走査線Ｗiと信号線Ｂjの交差箇所の付近に薄膜トランジスタＴijが配置されている。薄膜トランジスタＴijのゲート電極１７は、走査線配線５３を介して走査線Ｗiに接続され、ソース電極１９は信号線配線５２を介して信号線Ｂjに接続されている。そして、薄膜トランジスタのドレイン電極２０は、画素の大部分を占める画素電極Ｑijに接続されている。画素電極Ｑijの下には、これと略対向して蓄積容量電極（図示せず）が配置され、蓄積容量線（図示せず）に接続されている。 
図３３は、図３２に示した画素（Ｔij ；Ｑij）のＡ−Ａ方向から見た要部断面構造を表す模式図で、第２支持基板１１の上に樹脂層１２、第２成膜層１３，第３成膜層１４を順に積層した積層基体（１１，１２，１３，１４）の上にゲート電極１７がパターニングされている。そして、ゲート電極１７の上に、ゲート絶縁膜１６が形成され、ゲート絶縁膜１６の上に、アモルファスシリコンからなる活性領域５１が形成されている。活性領域５１の上にの一部にチャネル保護絶縁膜１０が選択的に局在し、チャネル保護絶縁膜１０から露出する活性領域５１に対してソース電極１９、ドレイン電極２０が設けられている。更にその上を層間絶縁膜１８が被覆し、層間絶縁膜１８を貫通し、ソース電極１９及びドレイン電極２０の一部を露出するコンタクトホールを介して、ソース電極１９及びドレイン電極２０には、それぞれ信号線配線５２及び画素電極Ｑijが接続されている。  
図３２及び図３３に示したアモルファスシリコン薄膜トランジスタをアクティブ素子の製造方法においても、本発明の第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法において説明したと同様に、アクティブマトリクス素子群などに構造破壊や機能低下をもたらさないように、応力制御に充分な配慮が必要となる。これは、アクティブマトリクス素子群形成時だけでなく、第１支持基板２１の除去時や第２支持基板１１上に移しかえた際にも、そのプロセスマージンや構造体としての信頼性を大きく左右するためである。
【００６６】
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。したがって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】図１（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板のアレイ構造の概略を説明する模式的な平面図で、図１（ｂ）は、図１（ａ）に示したアレイの内のひとつの画素に着目し、薄膜トランジスタと画素電極の概略を説明する模式的な平面図である。
【図２】図１（ｂ）に示した画素のＡ−Ａ方向から見た要部断面構造を応力状態と共に表す模式的断面図である。
【図３】第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法において、第１支持基板上に、第１成膜層と第２成膜層を形成した状態における応力状態の４つの態様を説明する図である。
【図４】第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法を説明する模式的な工程断面図である（その１）。
【図５】第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法を説明する模式的な工程断面図である（その２）。
【図６】第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法を説明する模式的な工程断面図である（その３）。
【図７】第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法を説明する模式的な工程断面図である（その４）。
【図８】第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法を説明する模式的な工程断面図である（その５）。
【図９】第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法を説明する模式的な工程断面図である（その６）。
【図１０】第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法を説明する模式的な工程断面図である（その７）。
【図１１】第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法を説明する模式的な工程断面図である（その８）。
【図１２】第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法を説明する模式的な工程断面図である（その９）。
【図１３】第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法を説明する模式的な工程断面図である（その１０）。
【図１４】第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法を説明する模式的な工程断面図である（その１１）。
【図１５】アクティブマトリクス基板の製造方法における問題点を説明する模式的な断面図である。
【図１６】第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法を説明する模式的な工程断面図である（その１２）。
【図１７】第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法を説明する模式的な工程断面図である（その１３）。
【図１８】第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法を説明する模式的な工程断面図である（その１４）。
【図１９】第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法を説明する模式的な工程断面図である（その１５）。
【図２０】第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法を説明する模式的な工程断面図である（その１６）。
【図２１】第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法を説明する模式的な工程断面図である（その１７）。
【図２２】第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法を説明する模式的な工程断面図である（その１８）。
【図２３】第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法を説明する模式的な工程断面図である（その１９）。
【図２４】第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法を説明する模式的な工程断面図である（その２０）。
【図２５】第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法を説明する模式的な工程断面図である（その２１）。
【図２６】第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法を説明する模式的な工程断面図である（その２２）。
【図２７】第１の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法を説明する模式的な工程断面図である（その２３）。
【図２８】第１の実施の形態の変形例に係るアクティブマトリクス基板の製造方法を説明する模式的な工程断面図である（その１）。
【図２９】第１の実施の形態の変形例に係るアクティブマトリクス基板の製造方法を説明する模式的な工程断面図である（その２）。
【図３０】第２の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法を説明する模式的な工程断面図である（その１）。
【図３１】第２の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板の製造方法を説明する模式的な工程断面図である（その２）。
【図３２】本発明のその他の実施の形態に係るアクティブマトリクス基板のアレイの内のひとつの画素に着目し、薄膜トランジスタと画素電極の概略を説明する模式的な平面図である。
【図３３】図３２に示した画素のＡ−Ａ方向から見た要部断面構造を応力状態と共に表す模式的断面図である。
【図３４】シリコン窒化膜の応力とＮ／Ｓｉ比との関係を説明する図である。
【符号の説明】
【００６８】
１０…チャネル保護絶縁膜
１１…第２支持基板
１２…樹脂層
１３，１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄ…第２成膜層
１４…第３成膜層
１５Ｃ…チャネル領域
１５Ｄ…ドレイン領域
１５Ｓ…ソース領域
１６…ゲート絶縁膜
１７…ゲート電極
１８…層間絶縁膜
１９…ソース電極
２０…ドレイン電極
２１…第１支持基板
２２，２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄ…第１成膜層
２３…アモルファスシリコン膜
２４…多結晶シリコン層
２５…活性領域
２７…配向膜
２８…保護層
２９…仮着層
３０…仮支持基板
３１…エッチング液
３２，３２ａ，３２ｂ…自己整合保護部
３３…バブラ
３４…気泡
４１…端部保護膜
４２…エッチング液
５１…活性領域
５２…信号線配線
５３…走査線配線
Ｑij…画素電極
Ｔij…薄膜トランジスタ
Ｗ1，Ｗ2，Ｗ3，・・・・・，Ｗi，・・・・・，Ｗm…走査線
Ｂ1，Ｂ2，Ｂ3，・・・・・，Ｂj，・・・・・，Ｂm…信号線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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