(57)【要約】【課題】  半導体装置を構成する各要素を被覆する封止樹脂１７と、金属板３１との分離を容易にする。【解決手段】  本発明の半導体装置の製造方法は、先ず、導電被膜１９が表面に形成された金属板３１をプレス加工して、ダイパッド１１およびボンディングパッド１２となる領域を凸状に突出させる。次に、ダイパッド１１に半導体素子１３を固着した後に、金属再演１６を介して半導体素子１３とボンディングパッド１２とを接続する。次に、半導体素子１３等が封止されるように封止樹脂１７を金属板３１の表面に形成する。最後に、金属板３１の裏面から、ダイパッド１１およびボンディングパッド１２を押圧することにより、封止樹脂１７を金属板３１から分離する。金属板３１の表面は、封止樹脂１７との密着性が悪いニッケルから成る金属被膜１９が形成されているので、封止樹脂１７の分離は容易に行われる。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、
前記半導体素子と電気的に接続される複数の電極と、
前記半導体素子と前記電極とを電気的に接続する接続手段と、
前記電極の裏面を露出した状態で全体を一体に支持する封止樹脂とを具備し、
前記電極の上端部には、周囲に突出する突出部が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記複数の電極は、ダイパッドまたはボンディングパッドであり、前記突出部は、前記ダイパッドおよび前記ボンディングパッドとの上端部全域に渡り形成されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
表面に導電被膜が形成された金属板をプレスすることにより、複数の電極となる領域の前記金属板を凸状に突出させる工程と、
前記電極に半導体素子を電気的に接続する工程と、
前記半導体素子および前記電極が被覆されるように前記金属板を被覆する前記導電被膜の表面に封止樹脂を形成する工程と、
前記電極を裏面から押圧することにより、前記封止樹脂を前記導電被膜から分離させる工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記導電被膜の材料としてメッキ処理により形成されたニッケル膜を採用することを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記電極の上端部を、プレス加工により周囲に突出させて、突出部を設けることを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記金属板を凸状に突出させる工程では、
前記電極を、前記金属板よりも浅く打ち抜くことを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記金属板を凸状に突出させる工程では、
完全に打ち抜かれた前記電極を、前記金属板に嵌合させることを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置およびその製造方法に関するものであり、特に半導体素子および前記半導体素子と電気的に接続される電極を封止樹脂により一体に封止する半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子機器にセットされる混成集積回路装置は、例えばプリント基板、セラミック基板または金属基板の上に導電パターンが形成され、この上には、ＬＳＩまたはディスクリートＴＲ等の能動素子、チップコンデンサ、チップ抵抗またはコイル等の受動素子が実装されて構成される。そして、前記導電パターンと前記素子が電気的に接続されて所定の機能の回路が実現されている。
【０００３】
これらの混成集積回路装置に配置される回路素子の幾つかは、金属細線を介して接続される。また、要求される電流容量等に応じて、径や材料が異なる金属細線が用いられていた。このことから、実装の工程に於いて、これらの回路素子のワイヤボンディングを行うことが工数を増加させて、コストを高くしていた。
【０００４】
上記の課題を解決するために、金属細線により接続される半導体素子を封止樹脂にて一体に封止した半導体装置が開発されている（下記特許文献１を参照）。
【０００５】
図７を参照して、この半導体装置の製造方法を説明する。
【０００６】
図７（Ａ）を参照して、先ず、銅等の金属から成る金属板１００を用意して、ボンディングパッド１０１およびダイパッド１０２となる領域を、プレス加工により厚み方向に突出させる。このプレス加工は、ダイパッド１０２およびボンディングパッド１０１が、金属板１００から分離しない程度に行われる。
【０００７】
図７（Ｂ）を参照して、次に、ダイパッド１０２の上面に、半田等の固着材を介して半導体素子１０３を固着する。更に、半導体素子１０３の表面の電極と、ボンディングパッド１０１とを、金属細線１０４により接続する。
【０００８】
図７（Ｃ）を参照して、次に、半導体素子１０３、ダイパッド１０２およびボンディングパッド１０１が被覆されるように封止樹脂１０５を形成する。最後に、金属板１００の裏面からボンディングパッド１０１およびダイパッド１０２を押圧することにより、封止樹脂１０５を金属板１００から分離させて、半導体装置１１０が完成する。
【特許文献１】特開２００３−３０９２３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上述した半導体装置１１０では、ダイパッド１０２およびボンディングパッド１０１と、封止樹脂１０５との接着力が十分でない問題があった。この理由は、プレス加工により形成されるダイパッド１０２およびボンディングパッド１０１の側面は、平滑に近い平面と成っているからである。従って、使用状況下に於いて発生する応力により、ダイパッド１０２またはボンディングパッド１０１が、封止樹脂１０５から剥離してしまう問題があった。
【００１０】
更に、上述した半導体装置の製造方法では、封止樹脂１０５を金属板１００から剥離させる際に、封止樹脂１０５が部分的に金属板１００の表面に残存してしまう問題があった。具体的には、ダイパッド１０２およびボンディングパッド１０１の裏面を、下方から押圧することにより封止樹脂１０５は金属板１００から分離する。ここで、金属板１００の材料である銅と封止樹脂１０５との密着する強度が非常に強いことから、この分離を行う際に、封止樹脂１０５の裏面が金属板１００の表面に残存してしまう。この結果、封止樹脂１０５の裏面には凹凸が形成され、半導体装置１１０の外観が劣化してしまう問題があった。更には、封止樹脂が破損して不良が発生してしまう問題もあった。
【００１１】
本発明は上述した問題点を鑑みてなされ、本発明の目的は、封止樹脂と導電部材との密着力が向上された半導体装置を提供することにある。更に、本発明の目的は、封止樹脂と金属板とを容易に分離することができる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子と電気的に接続される複数の電極と、前記半導体素子と前記電極とを電気的に接続する接続手段と、前記電極の裏面を露出した状態で全体を一体に支持する封止樹脂とを具備し、前記電極の上端部には、周囲に突出する突出部が設けられていることを特徴とする。
【００１３】
更に、本発明の半導体装置では、前記複数の電極は、ダイパッドまたはボンディングパッドであり、前記突出部は、前記ダイパッドおよび前記ボンディングパッドとの上端部全域に渡り形成されることを特徴とする。
【００１４】
本発明の半導体装置の製造方法は、表面に導電被膜が形成された金属板をプレスすることにより、複数の電極となる領域の前記金属板を凸状に突出させる工程と、前記電極に半導体素子を電気的に接続する工程と、前記半導体素子および前記電極が被覆されるように前記金属板を被覆する前記導電被膜の表面に封止樹脂を形成する工程と、前記電極を裏面から押圧することにより、前記封止樹脂を前記導電被膜から分離させる工程とを具備することを特徴とする。
【００１５】
更に、本発明の半導体装置の製造方法では、前記導電被膜の材料としてメッキ処理により形成されたニッケル膜を採用することを特徴とする。
【００１６】
更に、本発明の半導体装置の製造方法では、前記電極の上端部を、プレス加工により周囲に突出させて、突出部を設けることを特徴とする。
【００１７】
更に、本発明の半導体装置の製造方法では、前記金属板を凸状に突出させる工程では、前記電極を、前記金属板よりも浅く打ち抜くことを特徴とする。
【００１８】
更に、本発明の半導体装置の製造方法では、前記金属板を凸状に突出させる工程では、完全に打ち抜かれた前記電極を、前記金属板に嵌合させることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の半導体装置に依れば、電極であるダイパッドおよびボンディングパッドの上端部に、周囲に向かって突出する突出部を設けたのでアンカー効果が発生し、ダイパッドおよびボンディングパッドと封止樹脂との密着強度が向上されている。従って、ダイパッドおよびボンディングパッドに、引張応力等が作用しても、封止樹脂との剥離が防止されている。
【００２０】
更に、本発明の半導体装置の製造方法に依れば、金属板の表面に金属被膜を設けたので、封止樹脂を金属板から容易に分離させることができる。従って、分離の工程に於ける封止樹脂の破損が防止され、歩溜まりを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
（半導体装置１０を説明する第１の実施の形態）
図１を参照して半導体装置１０の構造を説明する。図１（Ａ）は半導体装置１０の斜視図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の断面図である。
【００２２】
図１（Ａ）および図１（Ｂ）を参照して半導体装置１０はダイパッド１１と、このダイパッドに接近して設けられた２つのボンディングパッド１２が設けられている。ダイパッド１１の上面には、ロウ材１４を介して半導体素子１３が固着されている。半導体素子１３は、金属細線１６を介してボンディングパッド１２に接続される。更に、本形態では、電極であるダイパッド１１およびボンディングパッド１２の上端部に、周囲に向かって突出する突出部１８を設けている。このような個々の構成要素を以下にて説明する。
【００２３】
ダイパッド１１は、鉄、銅、亜鉛またはスズを含む金属から形成され、いわゆる打ち抜き可能な金属板から形成されている。そして、ダイパッド１１は、半導体装置１０のアイランド電極としての働きを有すると同時に、半導体素子１３から放出される熱を装置外部に積極的に放出させる働きを有する。即ちダイパッド１１は、ヒートシンクのような機能を有する。具体的には、ダイパッド１１は、厚みが０．５〜３．０ｍｍとパッケージの電極としては、非常に厚くパワー系の半導体素子の電極としてなるものである。
【００２４】
図１（Ｂ）に示すように、半導体装置１０の裏面に於いて、封止樹脂１７が形成する面と、ダイパッド１１が形成する面とは、ほぼ同一である。更に、封止樹脂１７の裏面から露出するダイパッド１１の面に関しては、半田等のロウ材２０が塗布される。ダイパッド１１の表面にはニッケルメッキ膜等から成る金属被膜１９が設けられている。また、ダイパッド１１の裏面にも、銀、金またはニッケル等から成る金属被膜が設けられても良い。
【００２５】
ボンディングパッド１２は、上述したように、ダイパッド１１に接近して設けられており、ダイパッド１１と同一の材料から形成されている。ここでは、ダイパッド１１に接近して２つのボンディングパッド１２が設けられている。ボンディングパッド１２は、金属細線１６を介して、ダイパッド１１上に固着された半導体素子１３と電気的に接続されており、電極としての働きを有する。図１（Ｂ）に示すように、半導体装置１０の裏面に於いて、封止樹脂１７が形成する面と、ボンディングパッド１２が形成する面とは、ほぼ同一である。更に、封止樹脂１７の裏面から露出するボンディングパッド１２の面に関しては、半田等のロウ材２０が塗布される。ここで、ボンディングパッド１２の上面の高さは、ダイパッド１１の上面の高さと同等に形成される。また、ボンディングパッド１２の表面は、例えばニッケルから成る金属被膜１９が設けられ、金属細線１６の接着性が向上されている。
【００２６】
ダイパッド１１やボンディングパッド１２の裏面は、封止樹脂１７の裏面から若干突出されて形成されても良い。これは、図６を参照して、ダイパッド１１およびボンディングパッド１２が、金属板３１を半抜き（ハーフプレス）することにより形成されるからである。ダイパッド１１およびボンディングパッド１２が、封止樹脂１７の裏面から突出する量は、ハーフプレスの深さにより決定される。
【００２７】
またここでは、２つのボンディングパッド１２が図示されているが、更に多数個のボンディングパッド１２を設けることも可能である。このことにより、例えば出力端子の多い素子を半導体素子１３として採用することもできる。更には、打ち抜き能力によるが、複数の電極の間を接続するような配線を、打ち抜きにより形成しても良い。このことにより、ダイパッド１１やボンディングパッド１２を、配線により電気的に接続することもできる。
【００２８】
本形態では、ダイパッド１１およびボンディングパッド１２の上端部に、その周囲から外に向かって突出する突出部１８を設けている。突出部１８を設けることにより、突出部１８と封止樹脂１７との間にアンカー効果が発生し、ダイパッド１１およびボンディングパッド１２と、封止樹脂１７との密着強度を向上させることができる。この突出部１８は、ダイパッド１１およびボンディングパッド１２の上端部に部分的に形成されても良いし、全面的に形成されても良い。ダイパッド１１およびボンディングパッド１２の上端部全域に渡り突出部１８が形成されることで、上記した密着強度を更に向上させることができる。
【００２９】
半導体素子１３は、半田等のロウ材１４を介してダイパッド１１の上面に実装される。本実施の形態では、半導体素子１３としてパワー系の半導体素子（トランジスタ）を採用した。しかしながら、パワー系の素子以外のものを半導体素子１３として採用することができる。例えば、パワーＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ、ＳＩＴ、大電流駆動用のＴｒ、大電流駆動用のＩＣ（ＭＯＳ型ＢＩＰ型Ｂｉ−ＣＭＯＳ型）メモリ素子等を使用できる。また、セミパワー半導体素子、小信号半導体素子を用いることも可能である。
【００３０】
金属細線１６は、電気的接続手段として、ダイパッド１１上に実装された半導体素子１３の電極と、ボンディングパッド１２とを電気的に接続している。半導体素子１３が大信号用のものであれば、金属細線１６として太線が用いられる。
【００３１】
封止樹脂１７は、ダイパッド１１およびボンディングパッド１２の裏面を露出させて、全体を封止している。具体的には、ダイパッド１１、ボンディングパッド１２、半導体素子１３および金属細線１６を封止している。封止樹脂１７の材料としては、トランスファーモールドにより形成される熱硬化性樹脂や、インジェクションモールドにより形成される熱可塑性樹脂を採用することができる。
【００３２】
図２を参照して、上記した様な構成を有する半導体装置１０が実装基板２２に実装された混成集積回路装置１０Ｂについて説明する。図２（Ａ）は、混成集積回路装置１０Ｂの１部分の平面図である。図２（Ｂ）は半導体装置１０が実装される部分の混成集積回路装置１０Ｂの断面図である。
【００３３】
先ず、実装基板２２について説明する。前述した半導体装置１０を実装する実装基板２２としては、プリント基板、セラミック基板、フレキシブルシート基板または金属基板を採用できる。この実装基板２２は、表面に導電パターン２３が形成されるため、電気的絶縁が考慮されて、少なくとも基板の表面が絶縁処理されている。プリント基板、セラミック基板、フレキシブルシート基板は、基板自身が絶縁材料で構成されているため、そのまま表面に導電パターンを形成すれば良い。
【００３４】
図２（Ａ）および図２（Ｂ）を参照して、半導体装置１０は、導電パターン２３により形成されるパッドに半田等のロウ材を介して実装される。ここでは、ダイパッド１１が半導体素子１３の裏面から導出されるコレクタ電極と接続している。そして、２つのボンディングパッド１２が、エミッタ電極およびベース電極と接続している。
【００３５】
本形態では、金属細線１６が接続するのは、半導体素子１３の電極とボンディングパッド１２の上面である。
【００３６】
（半導体装置の製造方法を説明する第２の実施の形態）
次に、図３〜図６を参照にして、半導体装置１０の製造方法について説明する。
【００３７】
第１工程：図３および図４参照
本工程は、表面に導電被膜１９が形成された金属板３１をプレスすることにより、ダイパッド１１およびボンディングパッド１２と成る領域の金属板３１を凸状に突出させる工程である。図３（Ａ）−（Ｄ）は本工程にて加工される金属板３１の断面を示している。
【００３８】
図３（Ａ）を参照して、先ず、大板の金属板３１を準備する。金属板３１は銅を主材料とする金属から成り、その厚みは、ほぼ０．５〜３．０ｍｍである。また、金属板３１の表面全域には、全面的に厚みが数μｍ程度の金属被膜１９が設けられている。この金属被膜１９は、ニッケルメッキであり、封止樹脂の材料との密着性が悪い所に特徴を有する。従って、後述する封止樹脂を金属板３１から分離させる後の工程（図６）にて、両者の剥離を容易にすることができる。更に、ニッケルから成る金属被膜１９を金属板３１の表面に設けることにより、ダイボンディングおよびワイヤボンディングを容易にできる利点もある。
【００３９】
しかしながら、ダイパッド、ボンディングパッド表面のＮｉメッキは、樹脂との密着性を阻害することにもなる。従って、この密着性の向上のために、Ｎｉメッキは、全面ではなく、スポット状にして、その周囲にＣｕが露出する構造にしても良い。
【００４０】
図３（Ｂ）を参照して、次に、プレス機を用いて金属板３１を加工することにより、ダイパッド１１およびボンディングパッド１２となる領域の金属板３１を凸状にする。
【００４１】
具体的には、前工程において準備した金属板３１をプレス機の台座３２に設置し、ダイパッド１１およびボンディングパッド１２の形成部をプレス機に認識させ、ダイパッド１１およびボンディングパッド１２の形成部をパンチ３３にて半抜き状態にプレス加工する。このとき、金属板３１はその厚み程度抜き出し、できる限り接続部３４が少なくなるようにプレス加工すれば、図６での金属板からの取り外しが容易になる。この接続部３４は、完成した半導体装置の封止樹脂から電極として飛び出す部分となる。この部分が多いほど、ロウ材との接着面積の拡大になり、安定した接続も可能となる。
【００４２】
図３（Ｃ）を参照して、上記プレスの工程により、ダイパッド１１となる領域は、凸状に突出している。しかしながら、突出するダイパッド１１は接続部３４により金属板３１と連結されており、個別に分離されていない。ここで、ダイパッド１１が完全に分離されない程度にプレスを行うことで、ダイパッド１１が金属板３１に連結された状態を保持させることができる。更には、ダイパッド１１が完全に分離される程度までプレスを行い、その後に金属板３１に部分的にダイパッド１１を嵌合させることでも、両者を連結された状態に維持することもできる。ここでは、ダイパッド１１のみが図示されているが、ボンディングパッド１２についても同様の加工が施される。
【００４３】
図３（Ｄ）を参照して、次に、ダイパッド１１の上端部に突出部１８を設ける。突出部１８の加工もプレスにより行うことができる。具体的には、上面に凹部３７Ａが設けられた下金型３７をダイパッド１１の表面（図では下面）に当接させる。更に、ダイパッド１１の裏面に上金型３６を当接させる。そして、上金型３６および下金型３７により、ダイパッド１１に押圧力を加えることで、凹部３７Ａの周辺部がダイパッド１１の表面（図では下面）周辺部に当接する。このことにより、ダイパッド１１の表面の周辺部が変形して、突出部１８が形成される。同様の加工はボンディングパッド１２に付いても行われる。
【００４４】
具体的には、パンチする際に、ダイパッド１１の下面に下金型３７が配置され、半抜きすると同時に下金型でダイパッド周辺に変形を加える。
【００４５】
図４を参照して、上記工程によりプレス加工された金属板３１を説明する。金属板３１の表面には、１つのダイパッドおよびそれに近接された２つのボンディングパッド１２から成るユニット３５が、マトリックス状に形成されている。ここでは、２行４列の８個のユニット３５が示されているが、更に多数個のユニット３５を金属板３１の表面に設けることも可能である。
【００４６】
第２工程：図５参照
この工程は、ダイパッド１２に半導体素子１３を固着し、半導体素子１３とボンディングパッド１２とを電気的に接続する工程である。図５（Ａ）は各ユニット３５のダイパッド１１に半導体素子１３が固着され、半導体素子１３とボンディングパッド１２との電気的接続が行われた状態を示す斜視図であり、図５（Ｂ）は本工程の断面図である。
【００４７】
具体的には、図５（Ｂ）に示すように、金属板３１に形成された凸状のダイパッド１１に半導体素子１３を、半田等のロウ材１４を介して固着する。そして、固着された半導体素子１３の電極とボンディングパッド１２とを金属細線１６等の電気的接続手段で電気的に接続する。このとき、大電流を流すパワートランジスタ１３を用いる場合、電流容量も大きいので、金属細線１６は、例えば、大径（３００μｍ）のＡｌ線が用いられる。ここでは、電気的接続手段として金属細線を使用したが、パワーリード等を使用することも可能である。またチップサイズにも拠るが、半導体素子１３を、フェイスダウンで実装しても良い。つまり半導体素子のゲート電極とソース電極を直接接続し、表のドレイン電極を板状の電極の一端と接続し、他端を残りの電極と接続しても良い。このような構成にすれば、オン抵抗が低く、しかも大電流を確保できる構造を可能とする。
【００４８】
本形態では、予め金属板３１の表面に、ニッケル等から成る金属被膜１９を形成している。従って、ダイパッド１１およびボンディングパッド１２の表面も金属被膜１９により被覆されているので、上記した素子の固着およびワイヤボンディングが容易になる利点がある。
【００４９】
半導体素子１３としては、上記の他に、パワーＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ、ＳＩＴ、大電流駆動用のＴｒ、大電流駆動用のＩＣ（ＭＯＳ型、ＢＩＰ型、Ｂｉ−ＣＭＯＳ型）メモリ素子等のように大電流で用いられ、放熱を必要とするパワー半導体素子を用いることもできる。
【００５０】
第３工程：図６参照
この工程は、各ユニットを個別に封止樹脂で封止し、更に、各ユニットを金属板３１から分離する工程である。
【００５１】
図６（Ａ）を参照して、先ず、ダイパッド１１、ボンディングパッド１２、半導体素子１３および金属細線１６が被覆されるように封止樹脂１７を形成する。ここでは、各ユニットが個別に封止樹脂１７にて被覆されている。ここで、封止樹脂１７は、半導体装置を構成する各要素を封止すると同時に、金属板３１の表面にも接触している。本形態では、金属板３１の表面は、ニッケルから成る金属被膜１９により被覆されているので、封止樹脂１７は金属被膜１９に接触している。ここで、ニッケルから成る金属被膜１９と封止樹脂１７との密着強度は低いため、後の工程にて金属板３１からの封止樹脂１７の分離が容易になる。
【００５２】
一方、金属板３１の材料である銅と封止樹脂１７とは、比較的密着強度が大きい。従って、プレスにより銅が露出するボンディングパッド１２およびダイパッド１１の側面と、封止樹脂１７とは強固に密着する。従って、ボンディングパッド１２およびダイパッド１１の封止樹脂１７からの剥離が防止されている。
【００５３】
本工程は、トランスファーモールド、インジェクションモールド、またはポッティングや印刷により実現できる。本実施例では、例えば、トランスファーモールドによる封止樹脂１７が、各ユニットを一体にモールドしている。ここで、封止樹脂１７としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド等の熱可塑性樹脂を用いることができる。また封止樹脂１７は、金型を用いて固める樹脂、塗布をして被覆できる樹脂であれば、全ての樹脂が採用できる。本実施の形態では、金属板３１表面に被覆された封止樹脂１７の厚さは、半導体素子１３の最頂部から約１００μｍ程度が被覆されるように調整されている。この厚みは、強度を考慮して厚くすることも、薄くすることも可能である。
【００５４】
図６（Ｂ）を参照して、次に、ユニット３５を金属板３１から分離する。具体的には、金属板３１の裏面から、金型４０を用いて各ユニット３５のダイパッド１１およびボンディングパッド１２の裏面をプレスする。各ユニット３５のダイパッド１１およびボンディングパッド１２と金属板３１とは、接続部３４で一体に成っている。従って、接続部３４が分断される程度の力を金型４０に加えることにより、ユニット３５は金属板３１から分離し、個々の半導体装置となる。
【００５５】
更に本形態では、金属板３１の表面はニッケルから成る金属被膜１９により被覆され、封止樹脂１７は金属被膜１９に接触している。上述したように、金属被膜１９と封止樹脂１７との密着強度は低いので、封止樹脂１７の裏面は、チッピング等を防止して、金属被膜１９から剥離される。
【００５６】
以上の工程により、本形態の半導体装置が製造される。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の半導体装置を示す図であり、（Ａ）は斜視図であり、（Ｂ）は断面図である。
【図２】本発明の半導体装置を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は断面図である。
【図３】本発明の半導体装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）−（Ｄ）は断面図である。
【図４】本発明の半導体装置の製造方法を示す斜視図である。
【図５】本発明の半導体装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は斜視図であり、（Ｂ）は断面図である。
【図６】本発明の半導体装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）および（Ｂ）は断面図である。
【図７】従来の半導体装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）−（Ｃ）は断面図である。
【符号の説明】
【００５８】
１０                    半導体装置
１１                    ダイパッド
１２                    ボンディングパッド
１３                    半導体素子
１４                    ロウ材
１５                    電極
１６                    金属細線
１７                    封止樹脂
１８                    突出部
１９                    金属被膜
２０                    ロウ材
２２                    実装基板
２３                    導電パターン
３１                    金属板
３２                    台座
３３                    パンチ
３４                    接続部
３６                    上金型
３７                    下金型
【図１】
2006237503.tif 000003
【図２】
2006237503.tif 000004
【図３】
2006237503.tif 000005
【図４】
2006237503.tif 000006
【図５】
2006237503.tif 000007
【図６】
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【図７】
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