(57)【要約】【課題】  半導体モジュールの裏面の金属パターンとヒートシンクとの間から熱伝導性グリースを効率的に押し出して熱伝導性グリースを薄くした半導体モジュールおよびかかる半導体モジュールを有する半導体装置を提供する。【解決手段】  半導体モジュールが、熱伝導性グリースに接する金属パターンが裏面に設けられた絶縁体からなる絶縁基板と、絶縁基板の表面に載置された半導体素子とを含む。金属パターンは、溝部で分けられた複数の島状パターンからなる。半導体モジュールは、熱伝導性グリースを介してヒートシンク上に固定される。【選択図】図３
2006344770.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱伝導性グリースを介してヒートシンク上に固定される半導体モジュールであって、
該熱伝導性グリースに接する金属パターンが裏面に設けられた絶縁体からなる絶縁基板と、
該絶縁基板の表面に載置された半導体素子とを含み、
該金属パターンが、溝部で分けられた複数の島状パターンからなることを特徴とする半導体モジュール。
【請求項２】
上記金属パターンが、マトリックス状に配置された複数の島状パターンからなることを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュール。
【請求項３】
上記金属パターンが、少なくとも上記絶縁板を挟んで上記半導体素子と対向する領域にそれぞれ設けられた複数の島状パターンからなることを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュール。
【請求項４】
上記島状パターンが、中央部と、該中央部を囲むように設けられ該中央部より厚みの薄い段差部とからなることを特徴とする請求項３に記載の半導体モジュール。
【請求項５】
上記島状パターンが、該島状パターンの略中央で厚みが最も厚くなった突起部に覆われたことを特徴とする請求項３に記載の半導体モジュール。
【請求項６】
上記複数の島状パターンを囲むように、リング状パターンが設けられたことを特徴とする請求項３に記載の半導体モジュール。
【請求項７】
上記リング状パターンの厚みが、上記島状パターンの厚みと同等またはそれ以下であることを特徴とする請求項３に記載の半導体モジュール。
【請求項８】
熱伝導性グリースを介してヒートシンク上に固定される半導体モジュールであって、
該熱伝導性グリースに接する金属パターンが裏面に設けられた絶縁体からなる絶縁基板と、
該絶縁基板の表面に載置された半導体素子とを含み、
該金属パターンが略同一膜厚の平坦なパターンからなり、該金属パターンの上に、略中央の厚みが最も厚くなった突起部が、複数設けられたことを特徴とする半導体モジュール。
【請求項９】
上記複数の突起部が、マトリックス状に配置されたことを特徴とする請求項８に記載の半導体モジュール。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の半導体モジュールに、熱伝導性グリースを介してヒートシンクが固定されたことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体モジュール及び半導体モジュールを有する半導体装置に関し、特に熱伝導性グリースを介して半導体モジュールをヒートシンクに固定した半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置では、半導体モジュールの裏面は略平面に仕上げられ、ヒートシンクの上に熱伝導性グリースを介して密着させた後、半導体モジュールをヒートシンクにボルトで締め付けて固定する。かかる固定工程で、余剰の熱伝導性グリースが押し出されて熱伝導性グリースが薄くなり、放熱特性が向上する。
【０００３】
図１７、１８は、全体が２０で表される、従来の半導体モジュールに含まれる絶縁基板の斜視図であり、図１７に表面を、図１８に裏面を、それぞれ示す。絶縁基板２０は、例えばアルミナからなる絶縁板１と、その表面及び裏面に形成された金属パターン２からなる。表面の金属パターン２の上には、ＩＧＢＴ等の半導体素子３が配置される。一方、裏面の金属パターン２は、略一定の厚みで全体に渡って平坦に形成されている。
【０００４】
図１９は、全体が８００で表される、従来の半導体装置の断面図である。半導体装置８００は、半導体モジュール７５０を含む。半導体モジュール７５０では、両面に金属パターン２が形成された絶縁板１の表面に、半田４を介して半導体素子３や引き出し電極５が取り付けられている。絶縁基板２０や半導体素子３等の周囲はケース部６により囲まれ、更にケース部６の上部は、蓋部７により閉じられている。ケース部６内には、半導体素子３等を埋め込むように、シリコンゲル８が充填されている。
【０００５】
半導体モジュール７５０の裏面には、熱伝導性グリース９を介してヒートシンク１０が取り付けられている。具体的には、ある程度の厚みの熱伝導性グリース９をヒートシンク１０上に塗布した後、例えばボルト（図示せず）を用いて、半導体モジュール７５０をヒートシンク１０に締め付けて固定する。この時、半導体モジュール７５０の裏面の金属パターン２とヒートシンク１０との間から余剰の熱伝導性グリース９が流動して周囲に押し出されて、熱伝導性グリース９は薄くなる。金属パターン２やヒートシンク１０に比較して熱伝導性グリース９の熱伝導率は大きいため、熱伝導性グリース９を薄くするほど放熱効率は向上する。
【０００６】
かかる半導体装置８００では、金属パターン２とヒートシンク１０の間の熱伝導性グリース９は、膜厚が略一定の平坦な層となる。半導体素子３で生じた熱は、表面の金属パターン２、絶縁基板１、裏面の金属パターン２、更に熱伝導性グリース９を通ってヒートシンク１０に伝わり、ヒートシンク１０から外部に放出される。これにより、半導体素子３が所定の温度以下になるように冷却される（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】第２７８１３２９号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、一般に、熱伝導性グリース９は、熱伝導率が大きくなるほど粘度も大きくなる傾向にある。このため、熱伝導率の大きな熱伝導性グリース９を用いるほど、半導体モジュール７５０の裏面の金属パターン２とヒートシンク１０との間から余剰の熱伝導性グリース９を押し出すことが困難になり、熱伝導性グリース９の膜厚が厚くなるという問題があった。
一方、絶縁基板２０には、材料としてアルミナやＡｌＮ等のセラミックが用いられるが、一般にセラミックは脆性材料であるため、半導体モジュール７５０をヒートシンク１０に押し付ける力を大きくした場合、絶縁基板２０が破損するという問題もあった。
【０００８】
そこで、本発明は、半導体モジュールの裏面の金属パターンとヒートシンクとの間から余剰な熱伝導性グリースを効率的に押し出して熱伝導性グリースを薄くする半導体モジュールおよびかかる半導体モジュールを有する半導体装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、熱伝導性グリースを介してヒートシンク上に固定される半導体モジュールであって、熱伝導性グリースに接する金属パターンが裏面に設けられた絶縁体からなる絶縁基板と、絶縁基板の表面に載置された半導体素子とを含み、金属パターンが、溝部で分けられた複数の島状パターンからなることを特徴とする半導体モジュールである。
【００１０】
また、本発明は、上記半導体モジュールに、熱伝導性グリースを介してヒートシンクが固定されたことを特徴とする半導体装置でもある。
【発明の効果】
【００１１】
以上のように、本発明にかかる半導体モジュールを含む半導体装置では、金属パターンとヒートシンクとの間の熱伝導性グリースの厚みを、ボイドを発生させることなく薄くでき、放熱特性の高い半導体装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１にかかる半導体モジュール５０の一部の断面図であり、図２は、裏面を表す斜視図である。図１、２中、図１７〜１９と同一符合は、同一又は相当箇所を示す。
【００１３】
半導体モジュール５０は、絶縁基板２０を含む。絶縁基板２０は、絶縁板１と、その表面および裏面に設けられた金属パターン２からなる。絶縁板１は、例えば厚みが０．６３５ｍｍ、外形が４０ｍｍ×２５ｍｍのアルミナ、ＡｌＮ、ＳｉＮ等のセラミックからなる。金属パターン２は、厚みが略０．１ｍｍ〜略０．４ｍｍの銅やアルミニウム等からなる。
絶縁基板２０の表面の金属パターン２の上には、ＩＧＢＴ等の半導体素子３が、半田４により取り付けられている。
一方、絶縁基板２０の裏面の金属パターン２は、マトリックス状に縦横に配置された複数の島状パターンからなる。島状パターンの間は、絶縁板１の裏面が露出した溝部３０となっている。
【００１４】
図３は、全体が１００で表される本実施の形態１にかかる半導体装置であり、図３中、図１、２と同一符合は同一又は相当箇所を示す。
図３に示すように、半導体モジュール５０は、絶縁基板２０を含む。絶縁基板２０の表面の金属パターン２には、半導体素子３や金属ピン５が半田４により接続されている。半導体素子３と金属パターン２との間は、ボンディングワイヤ（図示せず）で電気的に接続されている。金属ピン５は、図示しない配線基板に、例えばスルーホール実装で固着されている。
また、絶縁基板２０の周囲にはケース部６が接着剤で固定され、その上部は蓋部７により閉じられている。ケース部６や蓋部７は、例えばＰＰＳやＰＢＴを射出成型して形成される。ケース部６の外形は例えば４０ｍｍ×３０ｍｍで、高さは例えば１０ｍｍである。更に、ケース部６内には、半導体素子３等を埋め込むように、シリコンゲル８が充填されている。
【００１５】
半導体モジュール５０の裏面には、熱伝導性グリース９を介してヒートシンク１０が接続されている。熱伝導性グリース９には、シリコーンオイルにアルミナや酸化亜鉛、ＡｌＮ、ＢＮなどの良熱伝導率のフィラーを含侵させたものが用いられる。例えばフィラーにアルミナを用いる場合は、シリコーンオイルの熱伝導率が０．１Ｗ／ｍＫ以下であるのに対して、アルミナの熱伝導率は２０Ｗ／ｍＫ程度である。このため、アルミナフィラーの割合を大きくすれば、熱伝導性グリースの熱伝導率が高くなる。例えば重量比で８０％程度のアルミナフィラーを混ぜることにより、１Ｗ／ｍＫ程度の熱伝導率が得られる。
【００１６】
ヒートシンク１０は、例えば、外形が５０ｍｍ×４０ｍｍ×高さ３０ｍｍで、アルミニウムや銅などの金属から形成される。例えば銅から形成される。ヒートシンク１０と半導体モジュール５０とは、例えばボルト（図示せず）により、締め付けるように固定される。
【００１７】
このような熱伝導性グリース９を用いる理由として、ヒートシンク１０と半導体モジュール５０を単に重ねただけでは、ヒートシンク１０の表面と、半導体モジュール５０の裏面の金属パターン２が点接触となり、放熱面のほとんどが有効に機能しないことが挙げられる。即ち、熱伝導性グリース９が金属パターン２とヒートシンク１０との間を埋めることにより、半導体モジュール５０の裏面とほぼ同じ面積で放熱面が確保でき、放熱特性を大幅に向上させることができる。
【００１８】
図４は、ヒートシンク１０を半導体モジュール５０に取り付ける前の状態を示す。図４に示すように、熱伝導性グリース９は、例えばスクリーン印刷などの技術により、１００μｍ程度の厚みでヒートシンク１０の上に塗布される。ヒートシンク１０の表面の反りや半導体モジュール５０の反りを１００μｍよりも十分に小さくすることで、半導体モジュール５０の裏面とヒートシンク１０とを熱伝導性グリース９を介して密着させることができる。
【００１９】
この場合、絶縁板１の熱伝導率は、例えば絶縁板１がアルミナであれば２０ｗ／ｍＫであり、熱伝導性グリース１０の熱伝導率は１ｗ／ｍＫ程度である。このため、熱伝導性グリース９の熱抵抗が、良好な放熱特性を得る上で問題となる。
【００２０】
一般に熱抵抗は、下記式（１）で表される。
【００２１】
熱抵抗＝（厚み／面積）／熱伝導率                                式（１）
【００２２】
式（１）から分かるように、熱伝導性グリース１０の熱抵抗を小さくするには、厚みを小さくすることが必要となる。上述のように、例えばフィラーが８０重量％も含有するようなオイルは粘度が高いため、単に加圧しただけでは熱伝導性グリース９は印刷した厚みからほとんど薄くならない。このため、熱伝導性グリース９の熱抵抗が大きくなり、良好な放熱特性が得られない。
【００２３】
これに対して、本実施の形態１にかかる半導体装置１００では、絶縁基板２０の裏面の金属パターン２は、図２に示すように、例えば数ｍｍ程度のピッチの、島状パターンに分割されている。かかる構造の絶縁基板２０を有する半導体モジュール５０では、島状の金属パターン２の面積が、図１９に示す従来の構造に比べて約５０％程度となる。このため、一定の力で半導体モジュール５０をヒートシンク１０に向けて押し付けた場合、金属パターン２の表面にかかる面圧は、従来の構造の略２倍となり、熱伝導性グリース９を容易に流動させることができる。また、熱伝導性グリース９は、島状の金属パターン２の間の溝部３０にも入ることができる。
【００２４】
この結果、絶縁基板２０の裏面の金属パターン２とヒートシンク１０との間の熱導電性グリース９の厚みが薄くなり、両者の距離が小さくなるため、半導体装置１００の放熱特性を向上させることができる。
【００２５】
また、フィラーの含有率が高く、熱伝導率の大きな熱伝導性グリース９では、粘度が高くなるため、ヒートシンク１０の上に薄く印刷または塗布すると、かすれが発生するなどの問題もあった。
これに対して、本実施の形態１にかかる半導体装置１００では、粘度の高い熱伝導性グリース９をヒートシンク１０上に予め厚く印刷し、その後、半導体モジュール５０をヒートシンク１０に密着させる過程で加圧により熱伝導性グリース９を薄くすることができる。このため、粘度の高い熱伝導性グリース９を、均一に薄く形成することができる。
【００２６】
また、フィラーの含有率が高く、粘度の高い熱伝導性グリース９では、ヒートシンク１０上に印刷する際に気体を巻き込み、熱伝導性グリース９内にボイドが発生する場合がある。本実施の形態１にかかる半導体装置１００では、上述のように、半導体モジュール５０をヒートシンク１０に固定する工程で、熱伝導性グリース９が容易に流動し、かつ熱伝導性グリース９の流動方向が金属パターン２の中央から周囲の溝部３０に向かうため、金属パターン２の中央近傍にはボイドがトラップされない。この結果、金属パターン２とヒートシンク１０との間にボイドが形成されることによる放熱特性の低下を防止できる。
【００２７】
以上のように、本実施の形態１にかかる半導体装置１００では、金属パターン２とヒートシンク１０との間の熱伝導性グリース９の厚みを薄くし、かつボイドの発生をなくすことができるため、熱伝導性グリース９の熱抵抗を小さくできる。この結果、ヒートシンク１０や半導体モジュール５０を小さくでき、半導体装置１００の小型化が可能となる。
【００２８】
また、熱伝導率が高く粘度の高い熱伝導性グリース９を用いても、熱伝導性グリース９の厚みを容易に薄くできるため、半導体装置１００の放熱特性を高くすることができる。
【００２９】
また、ケース部６に取り付けられた金属ピン５の底面を、絶縁基板２０の表面の金属パターン２の表面よりも下方（絶縁板１側）に位置するように設計することで、半導体モジュール５０をヒートシンク１０に取り付けたときに、金属ピン５が絶縁基板２０をヒートシンク１０側に押し付ける作用が働き、より放熱特性を向上させることができる。
【００３０】
実施の形態２．
図５は、本発明の実施の形態２にかかる半導体モジュール１５０の一部の断面図であり、図６は表面、図７は裏面を表す斜視図である。図５〜７中、図１〜３と同一符合は、同一又は相当箇所を示す。
【００３１】
半導体モジュール１５０では、図６に示すように、絶縁基板２０の表面の金属パターン２上に６つの半導体素子３が設けられている。また、図５、７に示すように、絶縁基板２０の裏面の金属パターン２は、絶縁板１を挟んで半導体素子３と対向する領域にそれぞれ設けられている。
【００３２】
図８は、全体が２００で表される、本実施の形態２にかかる半導体装置の断面図であり、図８中に、半導体モジュール１５０とヒートシンク１０との接続部分の拡大図を併せて示す。また図９は、ヒートシンク１０を半導体モジュール５０に取り付ける前の状態を示す。図８、９中、図４と同一符合は、同一又は相当箇所を示す。
【００３３】
図８中の拡大図に示すように、絶縁基板２の裏面の金属パターン２の直下の熱伝導性グリース９の厚みｄ１と、他の部分の熱伝導性グリース９の厚みｄ２は、ｄ１＜ｄ２となっている。一方、図９に示すように、ヒートシンク１０の表面に印刷した状態では、熱伝導性グリース９の厚みｄ３は、ｄ１＜ｄ３の関係にある。即ち、厚みｄ３の熱伝導性グリース９が、半導体モジュール１５０をヒートシンク１０に締め付けたときに、金属パターン２の周囲や溝部３０に流動し、金属パターン２の直下において、厚みはｄ３からｄ１（ｄ１＜ｄ３）となる。このため、上述の式（１）で導かれる熱伝導性グリース９の熱抵抗が小さくなり、放熱特性が向上する。
【００３４】
特に、本実施の形態２にかかる半導体装置２００では、上述の半導体装置１００と同様の効果に加えて、半導体素子３の直下（絶縁板１を挟んで対向する領域）に島状の金属パターン２が設けられているため、半導体素子３で発生した熱が最短距離でヒートシンク１０に達するため、良好な放熱特性を得ることができる。
【００３５】
図１０は、ヒートシンク１０を半導体モジュール５０に取り付ける前の状態であり、熱伝導性グリース９は、半導体モジュール１５０の裏面の金属パターン２に対向する位置に、島状に印刷されている。図１０中、図９と同一符合は、同一又は相当箇所を示す。
【００３６】
図１０に示すように、金属パターン２に対向する位置に、熱伝導性グリース９を部分的に印刷することにより、半導体モジュール１５０をヒートシンク１０に締め付けた時に、金属パターン２の直下の熱伝導性グリース９の厚みｄ１をより薄くすることができる。この結果、半導体装置２００の放熱特性をより向上させることができる。
【００３７】
例えば熱伝導性グリース９の粘度が高く、薄く塗布するとかすれるような場合には、最初の厚みｄ３をかすれが発生しない程度まで厚くしても、半導体モジュール１５０をヒートシンク１０に取り付ける工程で厚みをｄ１まで薄くできるため、良好な放熱特性を得ることができる。
【００３８】
実施の形態３．
図１１は、全体が３００で表される、本実施の形態３にかかる半導体装置の断面図である。図１１中、図３と同一符合は、同一又は相当箇所を示す。
本実施の形態３にかかる半導体装置３００では、図７に示す金属パターン２と同様に、半導体素子３の直下（絶縁板１を挟んで対向する領域）に島状の金属パターン２が設けられている。更に、それぞれの島状の金属パターン２の周囲に段差部１５が設けれ、金属パターン２の略２分の１程度に薄くなっている。
【００３９】
このような段差部１５は、厚み０．３ｍｍ程度の平坦な金属パターンを、二枚のマスクを用いて多段階エッチングして形成できる。例えば、段差は０．１ｍｍ〜０．２ｍｍ程度であり、厚みの薄い段差部１５の幅は略１ｍｍである。なお、多段階エッチングの他に、金属パターン上に金属箔を固着させるなどの方法でも段差部１５が形成できる。
【００４０】
このように、金属パターン２の周囲に厚みの薄い段差部１５を設けることにより、半導体モジュール２５０をヒートシンク１０に押し付けた場合に、熱伝導性グリース９が金属パターン２の周囲に押し出され易くなる。この結果、粘度の高い熱伝導性グリース９を用いても、熱伝導性グリース９の厚みを薄くでき、良好な放熱特性を有する半導体装置３００が得られる。
【００４１】
実施の形態４．
図１２は、全体が４００で表される、本実施の形態４にかかる半導体装置の断面図である。図１２中、図３と同一符合は、同一又は相当箇所を示す。
本実施の形態４にかかる半導体装置４００では、図７に示す金属パターン２と同様に、半導体素子３の直下（絶縁板１を挟んで対向する領域）に島状の金属パターン２が設けられている。更に、それぞれの島状の金属パターン２の上に、中央部の厚みが略０．１ｍｍで最も厚い、ドーム状（半球状）の突起部１１が設けられている。
このようなドーム状の突起部１１は、例えば金属パターン２の裏面に半田を印刷した後、溶融させることにより形成できる。
【００４２】
このように金属パターン２の上にドーム状の突起部１１を設けることにより、上述の半導体装置３００と同様に、半導体モジュール３５０をヒートシンク１０に押し付けた場合に、熱伝導性グリース９が金属パターン２の周囲に押し出され易くなる。加えて、金属パターン２の中央部の直下において熱伝導性グリース９の厚みを最も薄くできる。
【００４３】
ここで、ＩＧＢＴ等の半導体素子３では、半導体素子３の表面に沿って発生した熱が水平方向に広がる。このため、半導体素子３の中央部に最も温度の高い領域が形成され、周囲に行くに従って温度が低くなるという温度分布が形成される。
【００４４】
一般に半導体装置の放熱設計では、半導体素子の、最も温度の高くなる部分が、所定の信頼性を実現できる上限温度を超えないように設計する。そして、半導体素子の中央の温度を下げることができれば、半導体素子が処理できる電力をより大きくすることができる。
【００４５】
図１２に示す半導体装置４００では、上述のような構造を有するため、最も温度が高くなる半導体素子３の中央部からの放熱特性を大きく改善できる。この結果、半導体素子３が処理できる電力をより大きくすることができる。
【００４６】
なお、図１２では、突起部１１はドーム状であるが、半導体素子３の中央部直下の熱伝導性グリース９の厚みを薄くできる構成であれば他の形状でもかまわない。
【００４７】
実施の形態５．
図１３は、全体が５００で表される、本実施の形態にかかる半導体装置の断面図である。図１３中、図３と同一符合は、同一又は相当箇所を示す。
半導体装置５００では、絶縁板１の裏面に、膜厚が略一定の金属パターン２が略全面に設けられている。更に、金属パターン２の上に、例えば数ｍｍピッチでドーム状の突起部１２がマトリックス状に配置されている。
【００４８】
このようなドーム状の突起部１２は、例えば金属パターン２の裏面にソルダレジスト（図示せず）を網目状に配置した後、所定の位置に半田を印刷し、リフロー工程を行って半田を溶融することにより形成できる。
【００４９】
このように金属パターン２の上にドーム状の突起部１２を設けることにより、半導体モジュール４５０をヒートシンク１０に押し付けた場合に、熱伝導性グリース９が金属パターン２の周囲に押し出され易くなる。
【００５０】
実施の形態６．
図１４は、本実施の形態６にかかる半導体モジュール５５０の一部の断面図であり、図１５は、裏面を表す斜視図である。図１４、１５中、図５〜７と同一符合は、同一又は相当箇所を示す。
【００５１】
かかる半導体モジュール５５０では、上述の実施の形態２にかかる半導体モジュール１５０の絶縁板１の裏面に、更に金属パターン２を囲むリング状パターン１３が外周部に設けられた構造となっている。他の構造は、半導体モジュール１５０と同じである。リング状パターン１３は、金属パターン２と略同じ厚みで、絶縁板１の周囲に沿って形成されている。
【００５２】
従来構造の半導体装置８００では、粘度の高い熱伝導性グリース９を介して、半導体モジュール７５０をヒートシンク１０にボルト（図示せず）で加圧して取り付ける場合、絶縁板１が撓み、割れが生じるなどの問題があった。
【００５３】
これに対して、本実施の形態６にかかる半導体モジュール５５０では、半導体モジュール５５０をヒートシンク１０に取り付ける際に、リング状パターン１３がヒートシンク１０に接することで絶縁板１の撓み量を小さくでき、より大きな力で半導体モジュール５５０を加圧できる。この結果、熱伝導性グリース９の厚みが薄くでき、放熱効率を高くすることができる。
【００５４】
図１６は、本実施の形態６にかかる、他の半導体モジュール６５０の一部の断面図である。半導体モジュール６５０では、リング状パターン１４の厚みが金属パターン２より薄くなっている。それ以外の構造は、半導体モジュール５５０と同じである。
【００５５】
半導体モジュール６５０では、半導体モジュール５５０よりリング状パターン１４の厚みが薄いため、より大きな力で半導体モジュール６５０をヒートシンク１０に向かって加圧できる。この結果、熱伝導性グリース９の厚みが薄くでき、放熱効率を高くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の実施の形態１にかかる半導体モジュールの一部の断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１にかかる絶縁基板の裏面の斜視図である。
【図３】本発明の実施の形態１にかかる半導体装置の断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１にかかる半導体装置の組み立て工程の断面図である。
【図５】本発明の実施の形態２にかかる半導体モジュールの一部の断面図である。
【図６】本発明の実施の形態２にかかる絶縁基板の表面の斜視図である。
【図７】本発明の実施の形態２にかかる絶縁基板の裏面の斜視図である。
【図８】本発明の実施の形態２にかかる半導体装置の断面図である。
【図９】本発明の実施の形態２にかかる半導体装置の組み立て工程の断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態２にかかる半導体装置の他の組み立て工程の断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態３にかかる半導体装置の断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態４にかかる半導体装置の断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態５にかかる半導体装置の断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態６にかかる半導体モジュールの一部の断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態６にかかる絶縁基板の裏面の斜視図である。
【図１６】本発明の実施の形態６にかかる他の半導体モジュールの一部の断面図である。
【図１７】従来の絶縁基板の表面の斜視図である。
【図１８】従来の絶縁基板の裏面の斜視図である。
【図１９】従来の半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
【００５７】
１  絶縁板、２  金属パターン、３  半導体素子、４  半田、５  金属ピン、６  ケース部、７  蓋部、８  シリコンゲル、９  熱伝導性グリース、１０  ヒートシンク、２０  絶縁基板、５０  半導体モジュール、１００  半導体装置。
【図１】
2006344770.tif 000003
【図２】
2006344770.tif 000004
【図３】
2006344770.tif 000005
【図４】
2006344770.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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