(57)【要約】【課題】  サーモパイル型の赤外線センサにおいて、安価な構成にてセンサ自身の温度を精度よく検出できるようにする。【解決手段】  基板１と、この基板１に形成された薄肉部としてのメンブレン３と、温接点部４ａがメンブレン３上に形成され、冷接点部４ｂが基板１上におけるメンブレン３の外側に形成された熱電対４、５と、熱電対４、５における温接点部４ａを被覆するようにメンブレン３上に形成された赤外線吸収膜６とを備え、赤外線を受光したときに熱電対４、５における温接点部４ａと冷接点部４ｂとの間に生じる温度差によって熱電対４、５の起電力を変化させ、変化した起電力に基づいて赤外線を検出するようにした赤外線センサ１００において、基板１には、熱電対４、５を構成する材料と同一の材料を用い、当該材料の電気抵抗の温度依存性を利用して温度検出を行う感温素子９が形成されている。【選択図】        図１
2006047086.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（１）と、
この基板に形成された薄肉部としてのメンブレン（３）と、
温接点部（４ａ）が前記メンブレン（３）上に形成され、冷接点部（４ｂ）が前記基板（１）上における前記メンブレン（３）の外側に形成された熱電対（４、５）と、
前記熱電対（４、５）における前記温接点部（４ａ）を被覆するように前記メンブレン（３）上に形成された赤外線吸収膜（６）とを備え、
赤外線を受光したときに前記熱電対（４、５）における前記温接点部（４ａ）と前記冷接点部（４ｂ）との間に生じる温度差によって前記熱電対（４、５）の起電力を変化させ、変化した起電力に基づいて赤外線を検出するようにした赤外線センサにおいて、
前記基板（１）には、前記熱電対（４、５）を構成する材料と同一の材料を用い、当該材料の電気抵抗の温度依存性を利用して温度検出を行う感温素子（９）が形成されていることを特徴とする赤外線センサ。
【請求項２】
前記熱電対（４、５）の少なくとも一部が前記感温素子（９）として構成されていることを特徴とする請求項１に記載の赤外線センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、赤外線の受光時に生じる温度差によって熱電対に発生する起電力の変化に基づいて赤外線を検出するサーモパイル型の赤外線センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、サーモパイル型の赤外線センサは、基板に形成された薄肉部としてのメンブレンと、温接点部がメンブレン上に形成され冷接点部が基板上におけるメンブレンの外側に形成された熱電対と、該熱電対における温接点部を被覆するようにメンブレン上に形成された赤外線吸収膜とを備える。
【０００３】
そして、赤外線を受光したときに熱電対における温接点部と冷接点部との間に生じる温度差によって熱電対の起電力が変化させ、変化した起電力に基づいて赤外線を検出するようにしている。
【０００４】
このようにサーモパイル型の赤外線センサは、ゼーベック効果を利用するセンサであるが、センサ自身の温度がわからないという欠点がある。そして、それを補うために、温度検出を行うための感温素子を併用するのが一般的である。
【０００５】
つまり、上述したように、赤外線センサ自身により温度差は検出できる。そして、赤外線センサ自身の温度を感温素子にて検出し、この温度と上記温度差とに基づいて、被測定物の温度を求めるようにしている。
【０００６】
従来では、感温素子としては、サーミスタのように抵抗値が温度依存性を持っていること利用する手段が一般的である。その感温素子の形成方法としては、赤外線センサの近傍にセラミックサーミスタを配置することが（たとえば、特許文献１参照）、簡単であるため、同じことがサーモパイル型の赤外線センサにおいても一般的に行われている。
【特許文献１】特開昭６０−１７８３２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、感温素子を赤外線センサの近傍に配置したとしても、赤外線センサ自身に感温素子を形成していないため、応答性が悪く、温度誤差が生じる等の欠点がある。それを回避するため、赤外線センサ上に、温度依存性を持つ抵抗素子を形成する手段が考えられるが、そのための別材料や別工程の追加が必要となり、コスト高となる。
【０００８】
本発明は、上記した問題に鑑みてなされたものであり、サーモパイル型の赤外線センサにおいて、安価な構成にてセンサ自身の温度を精度よく検出できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、鋭意検討した結果、サーモパイル型の赤外線センサにおいては、熱電対を構成する材料が電気抵抗の温度依存性を有することに着目した。本発明は、このことを利用して創出されたものである。
【００１０】
すなわち、請求項１に記載の発明では、基板（１）と、この基板に形成された薄肉部としてのメンブレン（３）と、温接点部（４ａ）がメンブレン（３）上に形成され、冷接点部（４ｂ）が基板（１）上におけるメンブレン（３）の外側に形成された熱電対（４、５）と、熱電対（４、５）における温接点部（４ａ）を被覆するようにメンブレン（３）上に形成された赤外線吸収膜（６）とを備え、赤外線を受光したときに熱電対（４、５）における温接点部（４ａ）と冷接点部（４ｂ）との間に生じる温度差によって熱電対（４、５）の起電力を変化させ、変化した起電力に基づいて赤外線を検出するようにした赤外線センサにおいて、基板（１）には、熱電対（４、５）を構成する材料と同一の材料を用い、当該材料の電気抵抗の温度依存性を利用して温度検出を行う感温素子（９）が形成されていることを特徴としている。
【００１１】
それによれば、赤外線センサを構成する基板（１）自身、すなわち赤外線センサ（１００）自身に感温素子（９）を形成しているため、赤外線センサ（１００）自身の温度検出を精度よく行うことができる。
【００１２】
また、感温素子（９）は、熱電対（４、５）を構成する材料と同一の材料を用いて形成されているため、製造プロセスにおいても熱電対の形成工程において、熱電対（４、５）と同時に形成することができ、また、感温素子（９）用に別材料を用いることが不要になる。
【００１３】
したがって、本発明によれば、サーモパイル型の赤外線センサにおいて、安価な構成にてセンサ自身の温度を精度よく検出することができる。
【００１４】
ここで、請求項２に記載の発明では、請求項１に記載の赤外線センサにおいて、熱電対（４、５）の少なくとも一部が感温素子（９）として構成されていることを特徴としている。
【００１５】
このように、熱電対（４、５）の少なくとも一部を感温素子（９）として構成することにより、熱電対（４、５）が感温素子（９）を兼用した構成とすることができる。
【００１６】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００１８】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る複数の熱電対の起電力を利用したサーモパイル型の赤外線センサ１００の概略平面構成を示す図であり、図２は、図１中のＡ−Ａ断面に沿った模式的断面図である。
【００１９】
なお、図１中のハッチングは、各部の識別を容易にするために施したもので断面を示すものではなく、また、図１と図２では、各膜の厚さや配線の寸法等は多少、違えて示してある。
【００２０】
また、図３は、本赤外線センサ１００における熱電対４、５および感温素子９の概略断面構成を示す図であり、図４は、本赤外線センサ１００における当該感温素子９の長手方向に沿った概略断面構成を示す図である。
【００２１】
本赤外線センサ１００は、基板１として、主面の面方位が（１００）面や（１１０）面であるシリコン基板（シリコンチップ、本例では矩形板状）１を備え、このシリコン基板１の表面１ａ側に、各種配線や膜等を積層してセンシングに必要な素子部を形成すると共に、シリコン基板１の裏面１ｂ側からウェットエッチングを行い空洞部８を形成してなる。なお、図１では、空洞部８の外形は一点鎖線にて示してある。
【００２２】
図２〜図４に示されるように、このシリコン基板１の表面１ａ上の空洞部８上を含むほぼ全域には、ＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法等により成膜されたシリコン窒化膜やシリコン酸化膜等よりなる絶縁薄膜２が形成されている。
【００２３】
ここで、空洞部８以外のシリコン基板１を厚肉部（例えば厚さ４００μｍ程度）としたとき、シリコン基板１の表面１ａ上のうち空洞部８の上に位置する絶縁薄膜２の部分は、薄肉部（例えば厚さ２μｍ程度）、つまりメンブレン３として構成されている。
【００２４】
絶縁薄膜２の上には、メンブレン３の中央部からメンブレン３外側のシリコン基板１の厚肉部に渡って、ＣＶＤ法等にて成膜されたポリシリコンよりなるポリシリコン配線（図１中、斜線ハッチングにて図示）４とスパッタ法や蒸着法等により形成されたアルミニウムよりなるアルミ配線５とが、それぞれ複数本、放射状に形成されている。
【００２５】
ここで、図３に示されるように、ポリシリコン配線４の上およびポリシリコン配線４が形成されていない絶縁薄膜２の上には、ＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法等により成膜されたシリコン窒化膜やシリコン酸化膜等よりなる層間絶縁膜２ａが形成され、アルミ配線５は、この層間絶縁膜２ａの上に形成されている。
【００２６】
そして、図示しないが、アルミ配線５は、この層間絶縁膜２ａに形成された開口部（コンタクトホール）を介して各ポリシリコン配線４の端部間を接続している。
【００２７】
それにより、複数本のポリシリコン配線４およびアルミ配線５は直列に接続されて赤外線センサ１００の熱電対４、５を構成しており、この熱電対４、５は、図１に示されるように、複数回折り返された折り返し形状を有している。
【００２８】
そして、これら複数個の折り返し部４ａ、４ｂの各々が、両配線４、５の接合部となっており、この異種材料同士の接合部にてゼーベック効果によって起電力が発生するようになっている。
【００２９】
そして、熱電対４、５の両端部のアルミ配線５には、図１に示されるように、外部回路とボンディングワイヤなどによって電気的に接続するための両アルミパッド５ａ、５ｂが導通されている。
【００３０】
そして、メンブレン３上に位置する折り返し部４ａが温接点部、メンブレン３外側のシリコン基板１の厚肉部に位置する折り返し部４ｂが冷接点部となり、両接点部４ａ、４ｂの温度差に基づく熱電対４、５の電圧が、上記両アルミパッド５ａと５ｂとの間に出力されるようになっている。
【００３１】
つまり、隣接して直列接続されたポリシリコン配線４およびアルミ配線５の２本が、１個の熱電対として構成され、各熱電対４、５において、温接点部４ａがメンブレン３上に形成され、冷接点部４ｂがシリコン基板１上におけるメンブレン３の外側（厚肉部）に形成されている。そして、本例では、このような熱電対４、５が複数個直列接続されて、出力の増大が図られている。
【００３２】
また、図３に示されるように、アルミ配線５の上およびアルミ配線５が形成されていない層間絶縁膜２ａの上には、ＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法等により成膜されたシリコン窒化膜やシリコン酸化膜等よりなる保護膜２ｂが形成されている。
【００３３】
そして、メンブレン３上の中央部において保護膜２ｂの上には、上記温接点部である折り返し部４ａを覆うように、赤外線吸収膜６が形成されている。ここで、本例においては、赤外線吸収膜６は、メンブレン３の外周端部から離間してメンブレン３の内側に位置している。
【００３４】
この赤外線吸収膜６は、ポリエステル樹脂にカーボン（Ｃ）を含有させたものを、スクリーン印刷等の印刷法により塗布して焼き固めたものであり、赤外線を吸収して温接点部の温度を効率よく上昇させるためのものである。なお、図１においては、赤外線吸収膜６の外形は破線にて示されている。
【００３５】
このような構成を有する赤外線センサ１００においては、熱容量の小さいメンブレン３上に位置する温接点部４ａは、熱容量の大きい厚肉部上に位置する冷接点部４ｂよりも熱引き性が小さい。つまり、シリコン基板１の厚肉部がヒートシンクの役目を果たすようになっている。
【００３６】
そのため、被測定物である人体などから赤外線が照射され、シリコン基板１の表面１ａ側にてこの赤外線を受光すると、赤外線吸収膜６に赤外線が吸収され温度上昇が起こる。その結果、赤外線吸収膜６に覆われた折り返し部（温接点部）４ａの温度が上昇するようになっている。
【００３７】
シリコン基板１の厚肉部上に位置する折り返し部（冷接点部）４ｂは、シリコン基板１がヒートシンクとなるため、温度上昇はほとんど起きない。結果として、温接点部４ａの方が冷接点部４ｂよりも高温となり、両接点部４ａ、４ｂ間に温度差が生じるため、ゼーベック効果により起電力が発生する。
【００３８】
そして、両接点部４ａ、４ｂの温度差に応じた複数本の熱電対４、５の電圧の総和Ｖｏｕｔ（サーモパイル出力、センサ出力）が、両アルミパッド（センサ出力端子）５ａと５ｂから上記外部回路など出力されることで、赤外線の検出が可能となっている。
【００３９】
このような赤外線センサ１００において、本実施形態では、図３、図４に示されるように、基板１には、熱電対４、５を構成する材料と同一の材料を用い、当該材料の電気抵抗の温度依存性を利用して温度検出を行う感温素子９が形成されている独自の構成を採用している。
【００４０】
ここでは、感温素子９は、シリコン基板１の厚肉部において、熱電対４、５のうちポリシリコン配線４と同一の材料すなわちポリシリコン材料からなる。そして、感温素子９は、絶縁薄膜２の上においてポリシリコン配線４と同一平面上に、ＣＶＤ法等にて成膜されたものである。なお、この感温素子９は、図１においては、ポリシリコン配線４と同様に、斜線ハッチングにて示してある。
【００４１】
また、図４に示されるように、感温素子９は層間絶縁膜２ａおよび保護膜２ｂにより被覆されているが、感温素子９の両端部においては、層間絶縁膜２ａおよび保護膜２ｂには、開口部（コンタクトホール）が形成されている。
【００４２】
そして、図４に示されるように、この開口部にアルミニウムなどからなる感温素子用のパッド９ａ、９ａが形成されており、これら各パッド９ａ、９ａと感温素子９とが電気的に接続されている。各パッド９ａ、９ａにはボンディングワイヤなどが接続され、感温素子９は外部回路と導通可能になっている。
【００４３】
なお、本実施形態の変形例として、図示しないが、感温素子は、熱電対４、５のうちアルミ配線５と同一の材料すなわちアルミニウムからなるものであってもよい。
【００４４】
この場合、感温素子は、層間絶縁膜２ａの上においてアルミ配線５と同一平面上に、スパッタ法や蒸着法等にて成膜されたものになる。そして、当該アルミニウムからなる感温素子は、保護膜２ｂに形成されたコンタクトホールを介して、外部回路と電気的に接続可能とできる。
【００４５】
上記した赤外線センサ１００は、最終的にチップ単位に分断されて上記シリコン基板１となるシリコンウェハに対して、周知の半導体製造技術を施すことにより製造することができる。
【００４６】
具体的には、まず、上記シリコンウェハ表面の各チップ形成領域に対して、ＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法等によりシリコン窒化膜やシリコン酸化膜等よりなる絶縁薄膜２を形成する。
【００４７】
その上に、ＣＶＤ法などの成膜技術やフォトリソグラフ法等によるパターニング技術を用いてポリシリコンよりなるポリシリコン配線４および感温素子９を形成する。つまり、本実施形態では、感温素子９を熱電対４、５と同一材料により形成しているため、同一材料であるポリシリコン配線４と感温素子９とを、同一工程にて、同時に形成することができる。
【００４８】
次に、その上に、ＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法等によりシリコン窒化膜やシリコン酸化膜等よりなる層間絶縁膜２ａを形成する。その上に、スパッタ法や蒸着法等の成膜技術やフォトリソグラフ法等によるパターニング技術を用いて、アルミニウムよりなるアルミ配線５を形成する。
【００４９】
なお、上述した変形例にて述べたように、感温素子を熱電対４、５のうちアルミ配線５と同一の材料すなわちアルミニウムからなるものとした場合には、層間絶縁膜２ａ上に、同一材料であるアルミ配線５と感温素子９とを同時に形成することができる。
【００５０】
次に、その上に、ＣＶＤ法、スパッタ法、蒸着法等によりシリコン窒化膜やシリコン酸化膜等よりなる保護膜２ｂを形成する。そして、層間保護膜２ａおよび保護膜２ｂに対してエッチングを行い、感温素子用のパッド９ａ、９ａを形成するための上記開口部を形成する。
【００５１】
そして、この開口部に対して、スパッタ法や蒸着法などにより、アルミニウムなどからなる上記感温素子用のパッド９ａ、９ａを形成する。
【００５２】
その後、上記シリコンウェハの裏面側からウェットエッチングすることにより、空洞部８を形成しメンブレン３を形成する。その後、スクリーン印刷等の印刷法により赤外線吸収膜６を形成し、ダイシングカット等を行って、上記シリコンウェハをチップ単位に分断する。それにより、上記赤外線センサ１００ができあがる。
【００５３】
このような赤外線センサ１００においては、感温素子９は、熱電対４、５を構成する材料が電気抵抗の温度依存性を有する。たとえば、図５は、当該熱電対４、５を構成する材料をｎ＝３にて、温度と抵抗との関係を調べた結果を示す図である。
【００５４】
図５に示されるように、感温素子９においては温度の低下とともに電気抵抗が小さくなっていく。つまり、感温素子９は、赤外線センサ１００自身の温度の変化に伴い、その抵抗値が変化する。
【００５５】
そして、この感温素子９の抵抗変化は、感温素子用のパッド９ａ、９ａから外部回路などに出力される。そのため、この感温素子９の抵抗変化に基づいて赤外線センサ１００自身の温度を検出することができる。
【００５６】
そして、この感温素子９から求められた赤外線センサ１００自身の温度と、上記した赤外線センサ１００から検出される温度差とに基づいて、被測定物の温度を求めることができるようになっている。
【００５７】
ところで、本実施形態によれば、基板１と、この基板１に形成された薄肉部としてのメンブレン３と、温接点部４ａがメンブレン３上に形成され、冷接点部４ｂが基板１上におけるメンブレン３の外側に形成された熱電対４、５と、熱電対４、５における温接点部４ａを被覆するようにメンブレン３上に形成された赤外線吸収膜６とを備え、赤外線を受光したときに熱電対４、５における温接点部４ａと冷接点部４ｂとの間に生じる温度差によって熱電対４、５の起電力を変化させ、変化した起電力に基づいて赤外線を検出するようにした赤外線センサにおいて、基板１には、熱電対４、５を構成する材料と同一の材料を用い、当該材料の電気抵抗の温度依存性を利用して温度検出を行う感温素子９が形成されていることを特徴とする赤外線センサ１００が提供される。
【００５８】
それによれば、赤外線センサ１００を構成する基板１自身、すなわち赤外線センサ１００自身に感温素子９を形成しているため、赤外線センサ１００自身の温度検出を精度よく行うことができる。
【００５９】
また、感温素子９は、熱電対４、５を構成する材料と同一の材料を用いて形成されているため、製造プロセスにおいても熱電対の形成工程において、熱電対４、５と同時に形成することができ、また、感温素子９用に別材料を用いることが不要になる。
【００６０】
したがって、本実施形態によれば、サーモパイル型の赤外線センサにおいて、安価な構成にてセンサ自身の温度を精度よく検出することができる。
【００６１】
（第２実施形態）
図６は、本発明の第１実施形態に係る複数の熱電対の起電力を利用したサーモパイル型の赤外線センサ２００の概略平面図である。上記実施形態との相違点を中心に述べることにする。
【００６２】
上記実施形態では、赤外線センサを構成する基板１すなわちシリコン基板１において、同一材料からなる熱電対４、５と感温素子９とは、互いに別部位に配置されていた。
【００６３】
それに対して、本実施形態の赤外線センサ２００では、図６に示されるように、熱電対４、５の一部が感温素子９として構成されている。熱電対４、５の一部を感温素子９として構成することにより、熱電対４、５の一部が感温素子９を兼用した構成とできる。
【００６４】
図６に示される例では、ポリシリコン配線４の一部の両端から、アルミニウムなどからなる配線９ｂ、９ｂを引き出すことにより、感温素子用のパッド９ａ、９ａに電気的に接続している。もちろん、これと同様にして、アルミ配線５の一部を感温素子９として構成してもよい。
【００６５】
そして、本実施形態によっても、赤外線センサ２００自身に感温素子９を形成しているため、赤外線センサ２００自身の温度検出を精度よく行うことができるとともに、感温素子９は、熱電対４、５と兼用されて熱電対４、５と同一の材料を用いて形成されているため、熱電対４、５との同時形成が可能になる。
【００６６】
したがって、本実施形態によっても、サーモパイル型の赤外線センサにおいて、安価な構成にてセンサ自身の温度を精度よく検出することができる。
【００６７】
（第３実施形態）
図７は、本発明の第３実施形態に係る複数の熱電対の起電力を利用したサーモパイル型の赤外線センサ３００の概略平面図である。上記実施形態との相違点を中心に述べることにする。
【００６８】
本実施形態の赤外線センサ３００では、図７に示されるように、熱電対４、５の全部が感温素子９として構成されている。つまり、熱電対４、５の全部を感温素子９として構成することにより、熱電対４、５が感温素子９を兼用した構成とできる。
【００６９】
図７に示される例では、熱電対４、５の両端部のアルミ配線５からアルミニウムなどからなる配線９ｂ、９ｂを引き出すことにより、感温素子用のパッド９ａ、９ａに電気的に接続している。
【００７０】
また、本実施形態の場合、熱電対４、５のアルミパッド５ａ、５ｂと感温素子用のパッド９ａ、９ａとを別々にしなくても、一体のものとしてもよい。この場合、熱電対４、５の電圧出力と抵抗出力とを切り替えるように外部回路などにて調整すればよい。
【００７１】
そして、本実施形態によっても、赤外線センサ３００自身に感温素子９を形成しているため、赤外線センサ３００自身の温度検出を精度よく行うことができるとともに、感温素子９は、熱電対４、５と兼用されて熱電対４、５と同一の材料を用いて形成されているため、熱電対４、５との同時形成が可能になる。
【００７２】
したがって、本実施形態によっても、サーモパイル型の赤外線センサにおいて、安価な構成にてセンサ自身の温度を精度よく検出することができる。
【００７３】
（他の実施形態）
なお、熱電対４、５の構成材料は、上記したポリシリコンやアルミニウムに限定されるものではなく、サーモパイル型の赤外線センサに用いることが可能なものであればよい。そのような材料は、電気抵抗の温度依存性を有するからである。
【００７４】
また、感温素子は、１個の赤外線センサについてすなわち１個の基板上に複数個設けられていてもよい。
【００７５】
たとえば、上記した熱電対４、５のうちポリシリコン配線４と同一の材料からなる感温素子を、絶縁薄膜２の上においてポリシリコン配線４と同一平面上に、複数個設けてもよいし、アルミ配線５と同一の材料からなる感温素子を、層間絶縁膜２ａの上においてアルミ配線５と同一平面上に、複数個設けてもよい。
【００７６】
さらには、上記した熱電対４、５のうちポリシリコン配線４と同一の材料からなる感温素子を、絶縁薄膜２の上においてポリシリコン配線４と同一平面上に設けるとともに、アルミ配線５と同一の材料からなる感温素子を、層間絶縁膜２ａの上においてアルミ配線５と同一平面上に設けることにより、複数個の感温素子が設けられた構成とすることもできる。
【００７７】
また、上記実施形態における赤外線センサは、各図に示されるように、シリコン基板１の裏面１ｂ側からウェットエッチングを行い空洞部８を形成することでメンブレン３を形成する裏面加工型のサーモパイル型の赤外線センサであった。
【００７８】
本発明に適用される赤外線センサとしては、上記の裏面加工型の赤外線センサ以外にも、たとえば、シリコン基板の表面からトレンチエッチングや犠牲層エッチングを利用してメンブレンを形成するようにした表面加工型のサーモパイル型の赤外線センサであってもよい。
【００７９】
要するに、本発明は、基板に形成された薄肉部としてのメンブレンと、温接点部がメンブレン上に形成され冷接点部が基板上におけるメンブレンの外側に形成された熱電対と、該熱電対における温接点部を被覆するようにメンブレン上に形成された赤外線吸収膜とを備えるサーモパイル型の赤外線センサにおいて、基板に対して、熱電対を構成する材料と同一の材料を用い当該材料の電気抵抗の温度依存性を利用して温度検出を行う感温素子を形成したことを要部とするものであり、その他の部分については適宜設計変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】本発明の第１実施形態に係る複数の熱電対の起電力を利用したサーモパイル型の赤外線センサの概略平面図である。
【図２】図１中のＡ−Ａ断面に沿った模式的断面図である。
【図３】上記第１実施形態の赤外線センサにおける熱電対および感温素子の近傍を示す概略断面図である。
【図４】上記第１実施形態の赤外線センサにおける感温素子の長手方向に沿った概略断面図である。
【図５】熱電対を構成する材料について温度と抵抗との関係を示す図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係る複数の熱電対の起電力を利用したサーモパイル型の赤外線センサの概略平面図である。
【図７】本発明の第３実施形態に係る複数の熱電対の起電力を利用したサーモパイル型の赤外線センサの概略平面図である。
【符号の説明】
【００８１】
１…基板としてのシリコン基板、３…メンブレン、
４…熱電対としてのポリシリコン配線、４ａ…温接点部、４ｂ…冷接点部、
５…熱電対としてのアルミ配線、６…赤外線吸収膜、９…感温素子。
【図１】
2006047086.tif 000003
【図２】
2006047086.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2006047086.tif 000009