(57)【要約】【課題】  容量値が数〜数十ｆＦ程度の容量素子提供する。  【解決手段】  絶縁基体上に、第１の金属配線に接続する第１の金属導体と、第２の金属配線に接続する第２の金属導体の先端を対向させる。このとき、第１の金属導体と第２の金属配線との間の結合容量及び第２の金属導体と第１の金属配線との間の結合容量が、第１の金属導体と第２の金属導体との間の結合容量より十分小さくなるように、第１の金属導体及び第２の金属導体の対向する先端を、第１の金属配線及び第２の金属配線から離間して配置する。また第１の金属導体と第２の金属導体の先端の幅を広くすることもできる。    【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基体上に、第１の金属配線に接続する第１の金属導体と、第２の金属配線に接続する第２の金属導体とが、それぞれの先端を対向させ、かつ前記第１の金属導体と前記第２の金属配線との間の結合容量及び前記第２の金属導体と前記第１の金属配線との間の結合容量が、前記第１の金属導体と前記第２の金属導体との間の結合容量より十分小さくなるように、前記第１の金属導体及び前記第２の金属導体の対向する先端を、前記第１の金属配線及び前記第２の金属配線から離間して配置していることを特徴とする容量素子。
【請求項２】
請求項１記載の容量素子において、前記第１の金属導体及び前記第２の金属導体の対向する先端が、該第１の金属導体及び前記第２の金属導体の延出方向に垂直方向の幅より広いことを特徴とする容量素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は容量素子に関し、特に非常に小さい容量値を有する容量素子に関する。  
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路上に形成する容量素子として、下層電極７／絶縁膜８／上層電極９の積層構造からなるＭＩＭ構造の容量素子（図５、特許文献１）や、半導体層／絶縁膜／上層電極の積層構造からなるＭＩＳ構造の容量素子が広く用いられている。これらの容量素子は、小面積で大きな容量値を有する容量素子の構造として適している。
【０００３】
一方、絶縁膜上に２つの櫛形導体１０、１１が互いに組み合うように配置したインターディジタルキャパシタは、小さな容量値の容量素子を精度良く、簡単に製作することができる（図６、特許文献２）。
【特許文献１】特開平５−２３５２６３号公報
【特許文献２】特開平７−２８３０７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
容量値の小さい容量素子を形成する方法として従来提案されているインターディジタルキャパシタは、櫛形導体が互いに組み合うように配置されているため、数ｐＦ程度の容量素子を精度良く、簡単に製作するには適しているが、さらに容量値の小さい数〜数十ｆＦ程度の容量素子を形成することには適していなかった。本発明は、従来よりも容量値の小さい容量素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するため、本願請求項１に係る発明は、絶縁基体上に、第１の金属配線に接続する第１の金属導体と、第２の金属配線に接続する第２の金属導体とが、それぞれの先端を対向させ、かつ前記第１の金属導体と前記第２の金属配線との間の結合容量及び前記第２の金属導体と前記第１の金属配線との間の結合容量が、前記第１の金属導体と前記第２の金属導体との間の結合容量より十分小さくなるように、前記第１の金属導体及び前記第２の金属導体の対向する先端を、前記第１の金属配線及び前記第２の金属配線から離間して配置していることを特徴とするものである。
【０００６】
本願請求項２に係る発明は、請求項１記載の容量素子において、前記第１の金属導体及び前記第２の金属導体の対向する先端が、該第１の金属導体及び前記第２の金属導体の延出方向に垂直方向の幅より広いことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００７】
本発明は、第１の金属導体と第２の金属導体の先端部を対向させ、その結合容量により容量素子を形成するため、非常に小さい容量値の容量素子を形成することができる。またその先端部を、第１及び第２の金属導体とそれぞれ接続する第１の金属配線及び第２の金属配線から十分に離間して配置するため、第１及び第２の金属配線が容量素子の容量値に影響を与えることはなく、精度良い容量素子を提供することができる。
【０００８】
また通常の半導体装置の製造工程により形成される第１及び第２の金属導体の幅や離間距離は、ばらつき無く設計通りとすることができるため、容量値がばらつくことはない。
【０００９】
さらに、第１の金属導体及び第２の金属導体の幅の広い先端部を対向させる構造の容量素子とすることで、形成可能な容量値の範囲が広がり好適である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明について詳細に説明する。図１は本発明の容量素子の説明図で、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ’面における断面図を示している。図１に示すように、本発明の容量素子は、半導体基板１上の絶縁体膜２上に形成されるのが一般的であり、第１の金属導体３の先端３ａと、第２の金属導体４の先端４ａが対向するように配置している。第１の金属導体３の他端は、第１の金属配線５に接続し、第２の金属導体４の他端は、第２の金属配線６に接続している。
【００１１】
ここで、第１の金属導体３と第２の金属配線６との間の結合容量と、第２の金属導体４と第１の金属配線５との間の結合容量が、第１の金属導体３と第２の金属導体４との間の結合容量より十分小さくなるように、第１の金属導体３及び第２の金属導体４の対向する先端３ａ、４ａを、第１の金属配線５及び第２の金属配線６から十分に離間して配置している。
【００１２】
このように配置することにより、第１の金属導体３と第２の金属導体４との間の結合容量からなる容量素子を形成することができる。また、第１の金属導体３の先端、第２の金属導体４の先端は、図２に示すように幅の広い先端３ｂ、４ｂとすることができる。以下、具体的に説明する。  
【実施例１】
【００１３】
半絶縁性ＧａＡｓ（誘電率１２．９）からなる半導体基板１上に積層形成された厚さ０．６７μｍの窒化膜（誘電率６．７５）からなる絶縁体膜２上に、容量素子を形成する。厚さ３．４μｍ、幅３μｍの金（Ａｕ）からなる第１の金属導体３、第２の金属導体４、第１の金属配線５、第２の金属配線６を配置する。第１の金属導体３と第２の金属導体４との間の間隔は５μｍとする。第１の金属導体３と第２の金属配線６との間の結合容量と、第２の金属導体４と第１の金属配線５との間の結合容量が、第１の金属導体３と第２の金属導体４との間の結合容量より十分小さくなるように、第１の金属導体３及び第２の金属導体４の対向する先端（３ａ、４ａ）を、第１の金属配線５及び第２の金属配線６から十分に離間して配置する必要がある。この離間寸法は、次のようにして決定する。
【００１４】
説明を簡単にするため、図３（ａ）に第１の金属導体３の延出寸法（Ｌ１）を変化させたとき、第１の金属導体３と第２の金属導体４と結合容量（Ｃ１）、第２の金属導体４と第１の金属配線５の結合容量（Ｃ２）がどのように変化するかについて説明する。なお、第１の金属導体３と第２の金属配線６の結合容量は無視できるほど小さいものと仮定するため、第２の金属導体４の長さは３００μｍ以上とし、当然ながら、第１の金属配線５と第２の金属配線６の結合容量も無視できるほど小さいものと仮定する。
【００１５】
図３（ｂ）は、第１の金属導体３の延出寸法（Ｌ１）を変化させたとき、第１の金属導体３と第２の金属導体４の結合容量（Ｃ１）と第２の金属導体４と第１の金属配線５の結合容量（Ｃ２）の和（Ｃ１＋Ｃ２）、第２の金属導体４と第１の金属配線５の結合容量（Ｃ２）、その比率（Ｃ２／（Ｃ１＋Ｃ２））を示している。第２の金属導体４と第１の金属配線５の結合容量（Ｃ２）は、第１の金属導体３が形成されていない場合の結合容量を示している。
【００１６】
図３（ｂ）に示すように、延出寸法Ｌ１が長くなるに従い、第２の金属導体４と第１の金属配線５の結合容量（Ｃ２）が急激に減少していく。一方、第２の金属導体４と第１の金属導体３及び第１の金属配線５の結合容量（Ｃ１＋Ｃ２）は、ほぼ一定となる。これらの結果から、上記条件では、延出寸法Ｌ１を２００μｍ以上とすることで、４ｆＦ程度の非常に小さい容量値の容量素子を形成することができることがわかる。
【００１７】
上記説明で省略した第１の金属導体３と第２の金属配線６の間の結合容量についても同様に説明できることは言うまでもない。また、金属導体の幅や離間寸法を変えれば、結合容量が変化させることができ、数ｆＦ程度の非常に容量値の小さい容量素子を形成することができる。
【実施例２】
【００１８】
図４は、本発明の第２の実施例である。上記実施例１で説明した条件で、第１の金属導体３と第２の金属導体４それぞれの延出寸法Ｌ１、Ｌ２を３００μｍとし、それぞれの先端３ｂ、４ｂの幅Ｌ３、Ｌ４のみを５０μｍとした場合、８．５ｆＦの容量素子を得ることができた。寸法Ｌ３、Ｌ４及び離間寸法を変えることで、数〜数十ｆＦ程度の容量素子を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の容量素子を説明する図である。
【図２】本発明の別の容量素子を説明する図である。
【図３】本発明の容量素子の第１の実施例を説明する図である。
【図４】本発明の容量素子の第２の実施例を説明する図である。
【図５】従来の容量素子を説明する図である。
【図６】従来の別の容量素子を説明する図である。
【符号の説明】
【００２０】
１；半導体基板、２；絶縁体膜、３；第１の金属導体、４；第２の金属導体、
５；第１の金属配線、６；第２の金属配線、７；下層電極、８；絶縁膜、
９；上層電極、１０、１１；櫛形導体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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