(57)【要約】【課題】  画像表示モニターに表示された寸法測定パターン画像の倍率誤差に起因する寸法測定誤差を低減し、正確な寸法測定値を得る。【解決手段】  寸法を測定すべき第１のパターンと少なくとも２本のラインパターンを並べて配列された第２のパターン１６，１７とが基板上に形成され、第１のパターンを横切るように電子線を照射し、第１のパターンからの二次電子信号を検出することにより第１のパターンの寸法を測定可能な顕微鏡装置を用いたパターン寸法測定方法であって、顕微鏡装置を用いて第２のパターンのピッチを二次電子信号１８を検出することにより測定するとともに予め第２のパターンの真のピッチを求めるステップと、第１のパターンの寸法を測定するステップと、第１のパターン寸法の測定値、第２のパターンピッチの測定値および真のピッチから第１のパターンの真の寸法を求めるステップとを含む。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
寸法を測定すべき第１のパターンと少なくとも２本のラインパターンを並べて配列された第２のパターンとが基板上に形成され、前記第１のパターンを横切るように電子線を照射し、前記第１のパターンからの二次電子信号を検出することにより前記第１のパターンの寸法を測定可能な顕微鏡装置を用いたパターン寸法測定方法であって、前記顕微鏡装置を用いて前記第２のパターンのピッチ寸法を前記二次電子信号を検出することにより測定するとともに予め前記第２のパターンの真のピッチ寸法を求めるステップと、前記第１のパターンの寸法を測定するステップと、前記第１のパターン寸法の測定値、前記第２のパターンピッチ寸法の測定値および前記真のピッチ寸法から前記第１のパターンの真の寸法を求めるステップとを含むパターン寸法測定方法。
【請求項２】
少なくとも２本のラインパターンを並べて配列された寸法測定パターンが基板上に形成され、前記寸法測定パターンを横切るように電子線を照射し、前記寸法測定パターンからの二次電子信号を検出することにより前記寸法測定パターンの寸法を測定可能な顕微鏡装置を用いたパターン寸法測定方法であって、前記顕微鏡装置を用いて前記寸法測定パターンのピッチ寸法を前記二次電子信号を検出することにより測定するとともに予め前記寸法測定パターンの真のピッチ寸法を求めるステップと、前記寸法測定パターンの２本のラインパターンのうち、一方のラインパターンの寸法を測定するステップと、前記一方のラインパターン寸法の測定値、前記寸法測定パターンピッチ寸法の測定値および前記真のピッチ寸法から前記一方のラインパターンの真の寸法を求めるステップとを含むパターン寸法測定方法。
【請求項３】
前記第２のパターンの真のピッチ寸法は、真の寸法が知られているパターンの、前記顕微鏡装置で測定した寸法と前記真の寸法から前記顕微鏡装置の倍率補正係数を求め、前記第２のパターンピッチ寸法の測定値を前記補正係数によって補正して求める請求項１記載のパターン寸法測定方法。
【請求項４】
前記寸法測定パターンの真のピッチ寸法は、真の寸法が知られているパターンの、前記顕微鏡装置で測定した寸法と前記真の寸法から前記顕微鏡装置の倍率補正係数を求め、前記寸法測定パターンピッチ寸法の測定値を前記補正係数によって補正して求める請求項２記載のパターン寸法測定方法。
【請求項５】
前記顕微鏡装置は電子顕微鏡装置であることを特徴とする請求項１，２，３または４のいずれかに記載のパターン寸法測定方法。
【請求項６】
前記顕微鏡装置は走査型電子顕微鏡装置であることを特徴とする請求項１，２，３または４のいずれかに記載のパターン寸法測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体集積回路など半導体基板上に形成された微細パターンのパターン寸法測定方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路の素子パターンの微細化にともなって、走査型電子顕微鏡を用い、電子線を半導体基板上に照射し、前記半導体基板上からの二次電子を検出し、寸法測定パターンの二次電子信号波形から前記寸法測定パターンの寸法を測定する方法が一般に用いられている。
【０００３】
以下に、従来の微細パターンの寸法測定方法を、図を用いて説明する。図１、図２は、微細パターンの寸法測定方法について示した図で、図１は、走査型電子顕微鏡の構成概略図である。電子銃１より放射された電子線２は、コンデンサレンズ３で収束され、対物レンズ５により試料ホルダ７上の半導体基板６上に微小スポットとして照射される。前記電子線２は、偏向レンズ４により前記半導体基板６上を二次元的に走査される。前記電子線２の照射にて、半導体基板６上に形成されている寸法測定パターンより生じた二次電子８は、二次電子検出器９で検出され、画像処理装置１０を経て画像表示モニター１１に寸法測定パターン画像として表示される。それとともに、寸法測定パターン画像のコントラスト情報に基づいて形成された二次電子信号波形が画像表示モニター１１に同時に表示されるのが一般的である。
【０００４】
図２は、画像表示モニター１１に表示された寸法測定パターンの平面形画像１２と、寸法測定パターン画像１２のコントラスト情報に基づいて形成された二次電子信号波形１３の一例を示した図である。二次電子信号波形１３において、ピーク１４は寸法測定パターン画像１２の左側のパターンエッジに対応する信号であり、ピーク１５は寸法測定パターン画像１２の右側のパターンエッジに対応する信号である。画像表示モニター１１に表示された寸法測定パターン画像１２の設定上の倍率と二次電子信号波形１３のピーク１４とピーク１５の距離の関係により、寸法測定パターンの寸法が求められる。例えば、画像表示モニター１１に表示された寸法測定パターン画像１２の設定上の倍率が１０万倍、画像表示モニター１１に表示された表示上の二次電子信号波形１３のピーク１４とピーク１５の距離が１０ｍｍとなった場合、寸法測定パターンの、図１に示す測長装置による寸法は１００ｎｍとなる。以上の述べたような走査型電子顕微鏡を用いた測長機の例は特許文献１に記載されている。
【特許文献１】特開平６−３４７２４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の寸法測定方法では以下のような課題があった。画像表示モニター１１に表示された寸法測定パターン画像１２の倍率は、設定上の表示倍率であり、実際の倍率との間に何らかの誤差を含んでいるのが普通である。画像表示モニター１１に表示された寸法測定パターン画像１２の倍率は、コンデンサレンズ３と対物レンズ５によって制御されるが、設定上の倍率と実際の倍率とを完全に一致させることは技術的に困難であり、必ず誤差を生じることとなる。この誤差のため、例えば、真の寸法１００ｎｍを有する寸法測定パターンを測定したとき、画像表示モニター１１上に表示される設定上の倍率が１０万倍であっても実際の倍率が１０．１万倍であった場合、画像表示モニター１１に表示された二次電子信号波形１３のピーク１４とピーク１５の距離は１０．１ｍｍになるため、画像表示モニター１１上の倍率を用いると測定値は１０１ｎｍとなり、真の測定値１００ｎｍに対し１ｎｍの誤差を生じることとなる。
【０００６】
半導体集積回路装置の素子パターン微細化が進むにつれ、こうした少しの測定精度の低下も加工寸法のずれ、トランジスタなどの素子特性のばらつき原因となり無視できなくなってきている。
【０００７】
したがって、この発明の目的は、走査型電子顕微鏡を用い、パターンの寸法を測定する微細パターンの寸法測定方法において、画像表示モニターに表示された寸法測定パターン画像には、設定表示上の倍率と実際の倍率との間に誤差があるため、寸法測定パターン測定値には誤差を含むが、その画像表示モニターに表示された寸法測定パターン画像の倍率誤差に起因する寸法測定誤差を低減し、正確な寸法測定値を得ることのできるパターン寸法測定方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記の目的を達成するためにこの発明の請求項１記載のパターン寸法測定方法は、寸法を測定すべき第１のパターンと少なくとも２本のラインパターンを並べて配列された第２のパターンとが基板上に形成され、前記第１のパターンを横切るように電子線を照射し、前記第１のパターンからの二次電子信号を検出することにより前記第１のパターンの寸法を測定可能な顕微鏡装置を用いたパターン寸法測定方法であって、前記顕微鏡装置を用いて前記第２のパターンのピッチ寸法を前記二次電子信号を検出することにより測定するとともに予め前記第２のパターンの真のピッチ寸法を求めるステップと、前記第１のパターンの寸法を測定するステップと、前記第１のパターン寸法の測定値、前記第２のパターンピッチ寸法の測定値および前記真のピッチ寸法から前記第１のパターンの真の寸法を求めるステップとを含む。
【０００９】
請求項２記載のパターン寸法測定方法は、少なくとも２本のラインパターンを並べて配列された寸法測定パターンが基板上に形成され、前記寸法測定パターンを横切るように電子線を照射し、前記寸法測定パターンからの二次電子信号を検出することにより前記寸法測定パターンの寸法を測定可能な顕微鏡装置を用いたパターン寸法測定方法であって、前記顕微鏡装置を用いて前記寸法測定パターンのピッチ寸法を前記二次電子信号を検出することにより測定するとともに予め前記寸法測定パターンの真のピッチ寸法を求めるステップと、前記寸法測定パターンの２本のラインパターンのうち、一方のラインパターンの寸法を測定するステップと、前記一方のラインパターン寸法の測定値、前記寸法測定パターンピッチ寸法の測定値および前記真のピッチ寸法から前記一方のラインパターンの真の寸法を求めるステップとを含む。
【００１０】
請求項３記載のパターン寸法測定方法は、請求項１記載のパターン寸法測定方法において、前記第２のパターンの真のピッチ寸法は、真の寸法が知られているパターンの、前記顕微鏡装置で測定した寸法と前記真の寸法から前記顕微鏡装置の倍率補正係数を求め、前記第２のパターンピッチ寸法の測定値を前記補正係数によって補正して求める。
【００１１】
請求項４記載のパターン寸法測定方法は、請求項２記載のパターン寸法測定方法において、前記寸法測定パターンの真のピッチ寸法は、真の寸法が知られているパターンの、前記顕微鏡装置で測定した寸法と前記真の寸法から前記顕微鏡装置の倍率補正係数を求め、前記寸法測定パターンピッチ寸法の測定値を前記補正係数によって補正して求める。
【００１２】
請求項５記載のパターン寸法測定方法は、請求項１，２，３または４のいずれかに記載のパターン寸法測定方法において、前記顕微鏡装置は電子顕微鏡装置である。
【００１３】
請求項６記載のパターン寸法測定方法は、請求項１，２，３または４のいずれかに記載のパターン寸法測定方法において、前記顕微鏡装置は走査型電子顕微鏡装置である。
【発明の効果】
【００１４】
この発明の請求項１記載のパターン寸法測定方法によれば、顕微鏡装置を用いて第２のパターンのピッチ寸法を二次電子信号を検出することにより測定するとともに予め第２のパターンの真のピッチ寸法を求めるステップと、第１のパターンの寸法を測定するステップと、第１のパターン寸法の測定値、第２のパターンピッチ寸法の測定値および真のピッチ寸法から第１のパターンの真の寸法を求めるステップとを含むので、装置毎に顕微鏡の倍率補正係数を求めなくても、第１のパターンの真の寸法を求めることができる。すなわち、補正係数より寸法を測定すべきパターンの真の寸法を求めることもできるが、装置間で倍率誤差に差があるため、一度ある特定装置の倍率補正係数を求めても異なる装置にはその補正係数を適用できず、装置毎に補正係数を求めなければならないが、上記のように半導体基板上に形成されたピッチパターンの真のピッチ寸法に基づいて真の寸法測定値を求める方法では、装置が変わっても真のピッチ寸法は同じであるから一回真のピッチ寸法を求めれば装置毎に求める必要はない点で有利である。
【００１５】
また、電子線を用いる顕微鏡装置の画像表示モニターに表示された寸法測定パターン画像上、すなわち見かけ上の倍率誤差が、基板上に形成されたパターンのピッチ寸法が形成プロセス条件が変動しても不変であるという性質により、プロセス条件が変動した場合でも同じピッチパターンを用いて、真のパターンピッチ寸法と見かけ上のパターンピッチ寸法に基づいて補正され、正確な寸法測定値を得ることができる。
【００１６】
この発明の請求項２記載のパターン寸法測定方法によれば、顕微鏡装置を用いて寸法測定パターンのピッチ寸法を二次電子信号を検出することにより測定するとともに予め寸法測定パターンの真のピッチ寸法を求めるステップと、寸法測定パターンの２本のラインパターンのうち、一方のラインパターンの寸法を測定するステップと、一方のラインパターン寸法の測定値、寸法測定パターンピッチ寸法の測定値および真のピッチ寸法から一方のラインパターンの真の寸法を求めるステップとを含むので、寸法測定パターンを兼ねたピッチパターンのみで、請求項１と同様の効果が得られる。
【００１７】
請求項３では、請求項１記載のパターン寸法測定方法において、第２のパターンの真のピッチ寸法は、真の寸法が知られているパターンの、顕微鏡装置で測定した寸法と真の寸法から顕微鏡装置の倍率補正係数を求め、第２のパターンピッチ寸法の測定値を補正係数によって補正して求めることが望ましい。
【００１８】
請求項４では、請求項２記載のパターン寸法測定方法において、寸法測定パターンの真のピッチ寸法は、真の寸法が知られているパターンの、顕微鏡装置で測定した寸法と真の寸法から顕微鏡装置の倍率補正係数を求め、寸法測定パターンピッチ寸法の測定値を補正係数によって補正して求めることが望ましい。
【００１９】
請求項５では、請求項１，２，３または４のいずれかに記載のパターン寸法測定方法において、顕微鏡装置は電子顕微鏡装置であることが望ましい。
【００２０】
請求項６では、請求項１，２，３または４のいずれかに記載のパターン寸法測定方法において、顕微鏡装置は走査型電子顕微鏡装置であることが望ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
この発明の第１の実施の形態による微細パターン寸法測定方法を図１〜図５に基づいて説明する。本発明の実施形態による寸法測定方法を適用する測長用走査型電子顕微鏡の構成概略は、図１に示した従来の測長装置と装置自体は変わりはない。
【００２２】
すなわち図１に示すように、電子銃１より放射された電子線２は、コンデンサレンズ３で収束され、対物レンズ５により試料ホルダ７上の半導体基板６上に微小スポットとして照射される。電子線２は、偏向レンズ４により半導体基板６上を二次元的に走査される。電子線２の照射にて、半導体基板６上に形成されている寸法測定パターンより生じた二次電子８は、二次電子検出器９で検出され、画像処理装置１０を経て画像表示モニター１１に寸法測定パターン画像として表示されるとともに、寸法測定パターン画像のコントラスト情報に基づいて形成された二次電子信号波形が画像表示モニター１１に表示される。
【００２３】
上記測長装置を用いて、画像表示モニターに表示された寸法測定パターン画像と寸法測定パターン画像のコントラスト情報に基づいて形成された二次電子信号波形は、従来の測長装置による図２と同様である。
【００２４】
すなわち図２に示すように、二次電子信号波形１３において、ピーク１４は寸法測定パターン画像１２の左側のパターンエッジに対応し、ピーク１５は寸法測定パターン画像１２の右側のパターンエッジに対応する。画像表示モニター１１に表示された寸法測定パターン画像１２の設定表示上の倍率と二次電子信号波形１３のピーク１４とピーク１５の距離の関係により、寸法測定パターンの測定値を求める。例えば、画像表示モニター１１に表示された寸法測定パターン画像１２の設定表示上の倍率が１０万倍、画像表示モニター１１に表示された二次電子信号波形１３のピーク１４とピーク１５の距離が１０ｍｍの場合、寸法測定パターンの測定値は１００ｎｍとなる。このように本発明の実施形態においても寸法測定の基本は従来と同様である。
【００２５】
次に、本発明の実施形態の具体的な寸法測定方法について述べる。図３は、画像表示モニターに表示された、二つのラインパターン画像よりなるピッチパターン画像とピッチパターン画像のコントラスト情報に基づいて形成された二次電子信号波形を示す図である。
【００２６】
本発明の第１の実施形態による方法では図３に示すように、図２の寸法測定用パターン（第１のパターン）１２を少なくとも２本平行に並べたピッチパターン（第２のパターン）１６，１７を用いる。なお、パターンとその画像は同じ符号とする。ピッチパターン１６，１７は寸法測定パターン１２と共にその近辺に形成されているが、まずこれに電子線を照射、走査し、ピッチパターン１６，１７より生じた二次電子を、二次電子検出器で検出し、画像処理装置を経て画像表示モニターにピッチパターンを画像として表示する。それとともに、ピッチパターン画像１６，１７のコントラスト情報に基づいて形成された二次電子信号波形１８を画像表示モニターに表示する。そして、画像表示モニター１１に表示された、ピッチパターン画像１６，１７のコントラスト情報に基づいて形成された二次電子信号波形１８のピーク１９とピーク２０の距離を測定する。ここで、ピーク１９はラインパターン画像１６の左側のパターンエッジに対応する信号であり、ピーク２０はラインパターン画像１７の左側のパターンエッジに対応する信号である。
【００２７】
画像表示モニター１１に表示されたピッチパターン画像の設定表示上の倍率と二次電子信号波形１８のピーク１９とピーク２０の距離（すなわちパターン１６，１７のピッチ寸法）の関係により、ピッチ寸法を測定する。例えば、画像表示モニター１１に表示されたピッチパターン画像の設定上の倍率が１０万倍、画像表示モニター１１に表示された二次電子信号波形１８のピーク１９とピーク２０の距離が２０．２ｍｍの場合、ピッチパターンの測定値は２０２ｎｍとなる。以上の測定ではラインパターン画像それぞれの左側エッジに対する信号波形のピークを測定するものであるが、反対に右側のパターンエッジに対する信号波形のピークを測定してもよい。
【００２８】
ここで、ピッチパターンの寸法には以下に示す特徴がある。図４、図５はそれぞれ同一のフォトマスクを用いて例えば半導体基板上に形成されたピッチパターンの画像であり、図４と図５とでラインパターン１６，１７の幅が加工条件などにより異なって形成されている。例えばピッチパターン画像を形成する二つのラインパターン画像１６，１７の寸法が、図４、図５のようにリソグラフィ工程あるいはエッチング工程のばらつきにより変化した場合でも、二つのラインパターン画像１６，１７で形成されたピッチパターン画像の寸法を示す二次電子信号波形１８のピーク１９とピーク２０の距離、すなわちピッチ寸法は変化しないという特徴がある。
【００２９】
そこで本発明の実施形態の寸法測定方法では、まず半導体基板上に形成されたピッチパターンのピッチ寸法を、寸法が正確にわかっており、その測定値が保証されているサンプル、例えばＶＬＳＩスタンダード株式会社製のナノラティス・ピッチスタンダードとの比較により、あらかじめ正確に測定しておく。ナノラティス・ピッチスタンダードは、約１ｍｍ角の基板上に一定のパターン幅のラインパターンが多数一定のピッチ寸法で配列されたパターンを有するものであり、そのピッチ寸法が正確にわかっているものである。これを測長機にセットし、予め決めておいた数種類の設定表示倍率でピッチ寸法を測定し、倍率の補正係数を求め、各表示倍率に対する真の倍率を求める。そして半導体基板上に形成したピッチパターンを測定し、補正した真の倍率と画像表示モニター上の寸法とからそのパターンの正確なピッチ寸法を求める。
【００３０】
以下、このようにして求めた半導体基板上に形成したピッチパターンの正確なピッチ寸法を２００ｎｍとして、半導体基板上に形成された本来の寸法測定パターンの正確な寸法を求める方法の説明を進める。
【００３１】
半導体基板上に形成された本来の寸法測定パターンをある倍率で測定したときの見かけ上の測定値をＴ１、その寸法測定パターンの近辺に形成されているピッチパターンの見かけ上の測定値をＰ１、ピッチパターンの正確な寸法をＰＳとしたとき、寸法測定パターンの真の寸法Ｔは、
Ｔ＝Ｔ１×ＰＳ／Ｐ１
で示される。Ｔ１＝１００ｎｍ、ＰＳ＝２００ｎｍ、Ｐ１＝２０２ｎｍのとき、この式に各値をあてはめると寸法測定パターンの真の寸法Ｔは、
Ｔ＝１００×２００／２０２＝９９
となる。つまり、寸法測定パターンの測定値を、（ピッチパターンの正確な寸法）／（ピッチパターンの測定値）で計算される値で補正することにより、寸法測定パターンの真の寸法９９ｎｍを得ることができる。また、画像表示モニター１１に表示された寸法測定パターン画像の設定上の倍率をＭＳとすると、実際の倍率ＭＬは、
ＭＬ＝ＭＳ×Ｐ１／ＰＳ
となる。画像表示モニターに表示された見かけの倍率を１０万倍とすると実際の倍率ＭＬは、
ＭＬ＝１０万×２０２／２００＝１０．１万倍
となる。これは、設定上の倍率が１０万倍であるのに対し、実際の倍率が１０．１万倍であり、０．１万倍の誤差を含んでいたことを示す。寸法測定を一定の固定された倍率で常に測定しようとする場合は、ＰＳ、Ｐ１を用いてまず倍率を補正し、次に寸法測定パターンのＴ１を倍率補正して真の寸法Ｔを求めてもよい。
【００３２】
この発明の第２の実施の形態による微細パターン寸法測定方法を図６に基づいて説明する。以上の第１の実施形態では寸法測定パターンとピッチパターンとに別々のパターンを用いたが、寸法測定パターンのみを用いてもよい。
【００３３】
すなわち図６に示すように、画像表示モニター１１に表示された１本のラインパターン画像１６を寸法測定パターン画像とし、ラインパターン画像１６のコントラスト情報に基づいて形成された二次電子信号波形１８のピーク１９とピーク２１の距離を測定してＴ１を求め、さらに画像表示モニター１１に表示された、２本のラインパターン画像１６，１７よりなるピッチパターン画像とピッチパターン画像のコントラスト情報に基づいて形成された二次電子信号波形１８のピーク１９とピーク２０の距離を測定してＰ１を求め、予め求めてあるＰＳを用いて真のＴ値を求めてもよい。この場合は、寸法測定パターンを兼ねたピッチパターンのみで、実施形態と同様の微細パターンの寸法測定を実現することができる。
【００３４】
以上説明した本発明の実施の形態においては、半導体基板上に形成されたピッチパターンの真のピッチを予め求めた上で、これを基準として寸法測定パターンの見かけ上の測定値を補正し、真の寸法を得た。これとは別にまず、ナノラティス・ピッチスタンダードを測長機で測定し、その見かけ上のピッチ測定値と真のピッチ寸法より倍率の補正係数を求め、次に半導体基板上の寸法測定パターンの見かけ上の寸法値を補正係数で補正して真の寸法を得ることも可能である。しかしながら真の倍率からのずれ（補正係数）は同じ構成の測長機であっても測長機間で倍率誤差に差があるため、一度ある特定装置の倍率補正係数を求めても異なる装置にはその補正係数を適用できず、装置ごとに補正係数を求めなければならない。これに対して半導体基板に形成されたピッチパターンの真のピッチ寸法に基づいて真の寸法測定値を求める方法では、装置が変わってもピッチ寸法は同じであるから一回真のピッチ寸法を求めれば装置ごとに補正係数を求める必要はない。この点で上記の実施の形態の方法は優れている。
【００３５】
本発明の実施形態の寸法測定方法に用いるピッチパターンのピッチ寸法は、同じピッチ寸法を持つピッチパターンを形成してもフォトマスクごとに異なる仕上がり誤差が存在する。したがって異なるフォトマスクごとに、ナノラティス・ピッチスタンダードと比較して真のピッチ寸法を予め求めておく。具体的には各異なるマスクレイヤーで基板上に形成されたパターンごと、半導体集積回路の各異なる品種のフォトマスクで形成されたパターンごとに真のピッチ寸法を求めておくことが望ましい。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
本発明に係るパターン寸法測定方法は、半導体集積回路の製造工程における微細パターンの寸法測定方法として有益であるだけでなく、その他分野の電子顕微鏡を用いたパターン寸法測定に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の実施形態に用いる一般的な走査型電子顕微鏡を用いた測長装置の構成概略図である。
【図２】寸法測定パターン画像とそれに関する二次電子信号波形を示す図である。
【図３】本発明の第１の実施形態におけるピッチパターン画像とそれに関する二次電子信号波形を示す図である。
【図４】本発明の第１の実施形態におけるピッチパターンを形成するラインパターンの寸法が小さいピッチパターン画像とそれに関する二次電子信号波形を示す図である。
【図５】本発明の第１の実施形態におけるピッチパターンを形成するラインパターンの寸法が大きいピッチパターン画像とそれに関する二次電子信号波形を示す図である。
【図６】本発明の第２の実施形態における寸法測定パターンとピッチパターンとを兼ねたピッチパターン画像とそれに関する二次電子信号波形を示す図である。
【符号の説明】
【００３８】
１  電子銃
２  電子線
３  コンデンサレンズ
４  偏向レンズ
５  対物レンズ
６  半導体基板
７  試料ホルダ
８  二次電子
９  二次電子検出器
１０  画像処理装置
１１  画像表示モニター
１２  寸法測定パターン画像
１３  二次電子信号波形
１４，１５，１９，２０，２１  ピーク
１６，１７  ラインパターン画像
１８  二次電子信号波形
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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