(57)【要約】【課題】  誘電体膜の段差被覆性がよく、かつ誘電体物質の廃棄量を少なくする。【解決手段】  下地膜８上に、パターニングされた下部電極１１を形成する工程と、インクジェット方式の塗布機構を用いて、下部電極１１上に誘電体物質を塗布する工程と、塗布された誘電体物質を加熱することにより、下部電極１１上に誘電体膜１２を形成する工程と、誘電体膜１２上に上部電極を形成する工程とを具備する。上部電極を形成する工程は、下地膜８上及び誘電体膜１２上に層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜に、誘電体膜上に位置する開口部を形成する工程と、開口部の中及び層間絶縁膜上に導電体を堆積する工程と、層間絶縁膜上から導電体を除去することにより上部電極を形成する工程とを具備する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
下地膜上に下部電極を形成する工程と、
インクジェット方式の塗布機構を用いて、前記下部電極上に誘電体物質を塗布する工程と、
塗布された前記誘電体物質を加熱することにより、前記下部電極上に誘電体膜を形成する工程と、
前記誘電体膜上に上部電極を形成する工程と
を具備する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記上部電極を形成する工程は、
前記下地膜上及び前記誘電体膜上に第１の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の層間絶縁膜に、前記誘電体膜上に位置する開口部を形成する工程と、
前記開口部の中及び前記第１の層間絶縁膜上に導電体を堆積する工程と、
前記第１の層間絶縁膜上から前記導電体を除去することにより、上部電極を形成する工程と
を具備する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第1の層間絶縁膜上から前記導電体を除去する工程は、前記導電体を、エッチバックする工程又はＣＭＰにより前記導電体を研磨除去する工程である請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記上部電極を形成する工程の後に、
前記第１の層間絶縁膜上及び前記上部電極上に、第２の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の層間絶縁膜に、前記上部電極上に位置する接続孔を形成する工程と、
前記接続孔の中及び前記第２の層間絶縁膜上に、導電膜を形成する工程と、
前記導電膜をパターニングすることにより、前記上部電極に接続する配線を形成する工程と
を更に具備する請求項２又は３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記上部電極を形成する工程において、前記上部電極を、平面形状において前記誘電体膜より小さくし、平面配置において該誘電体膜の内側に位置させる、請求項２又は３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記誘電体膜はＴａ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5、ＺｒＯ2、又はＭｇＰｂＮｂＯからなる請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
下地膜上に形成された下部電極と、
前記下部電極上に位置し、インクジェット式の塗布機構を用いて塗布された誘電体物質を加熱することにより形成された誘電体膜と、
前記誘電体膜上に形成された上部電極と
を具備する半導体装置。
【請求項８】
半導体基板を載置するステージと、
誘電体物質が溶解した溶液を前記半導体基板に吐出するノズルヘッドと、
前記ノズルヘッドと前記ステージの相対位置を変化させる移動機構と
を具備し、
前記ノズルヘッドは、
前記溶液を収容する圧力発生室と、
前記圧力発生室の壁に設けられ、前記圧力発生室の体積を変動させるピエゾ素子と、
前記圧力発生室の壁に設けられ、該圧力発生室の体積変動に従って、前記溶液を外部に吐出するノズル孔と
を有するインクジェット式の塗布機構。
【請求項９】
半導体基板を載置するステージと、
誘電体物質が溶解した溶液を前記半導体基板に吐出するノズルヘッドと、
前記ノズルヘッドと前記ステージの相対位置を変化させる移動機構と、
を具備し、
前記ノズルヘッドは、
前記溶液を収容する圧力発生室と、
前記圧力発生室の壁に設けられ、前記溶液の一部分を気化させて体積膨張させるヒータと、
前記圧力発生室の壁に設けられ、前記溶液の体積膨張に従って、前記溶液を外部に吐出するノズル孔と
を有するインクジェット式の塗布機構。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、誘電体膜を有する容量素子を具備する半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。特に本発明は、誘電体膜の段差被覆性がよく、かつ誘電体物質の廃棄量を少なくすることができる半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップ中に形成される容量素子には、上部電極及び下部電極の間に誘電体膜を挟んだ構造を有するものがある。この容量素子を形成するためには、下部電極上に誘電体膜を成膜する必要がある。誘電体膜の成膜方法には、スピンコート法、誘電体物質をミスト化して成膜する方法などがある。
【０００３】
スピンコート法の場合、誘電体膜は以下のようにして形成される。まず、誘電体物質を含む有機溶液を下地膜上全面に塗布し、回転による遠心力を用いて不要な有機溶液を除去する。次いで、３００℃以下の温度によってソフトベークし、更に高温で焼結して結晶化させることにより、誘電体膜を形成する。スピンコート法においては、塗布する溶液の粘度、及び不要な有機溶液を除去するときの回転数により、成膜される誘電体膜の膜厚を調節することが可能である。しかし、成膜される誘電体膜の段差被覆性は、いずれのパラメータにもほとんど影響されない（例えば特許文献１参照）。
【０００４】
誘電体物質をミスト化して成膜する方法は、例えば以下のようにして行われる。まず、誘電体物質を含む有機溶液と希釈用の揮発性溶液を混合する。そして、シリコン基板等を設置したチャンバー内を減圧した上で、有機溶液と揮発性溶液の混合液を、ミスト化してチャンバー内に噴出させる。これにより、シリコン基板上全面には誘電体物質が堆積し、薄膜が形成される。この方法で成膜される誘電体膜は、スピンコート法により成膜される誘電体膜と比べて段差被覆性がよい。なお、チャンバー内に噴出されたがシリコン基板上に堆積しなかった誘電体物質は、チャンバー外部に排気される（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平１０−２６５２０３号公報（第３〜４段落）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
誘電体物質には鉛等の有害物質を含む場合があるため、なるべく誘電体物質が廃棄されない方法で誘電体膜を成膜するのが望ましい。また、誘電体膜には段差被覆性が求められる場合がある。
このような要求に対し、上述した誘電体膜の形成方法には、以下の課題がある。
【０００６】
まず、スピンコート法により成膜される誘電体膜は、段差被覆性がそれほどよくない。このため、下地膜に大きな段差がある場合には、場所によって誘電体膜の膜厚に差が生じてしまう。また遠心力により除去された大量の有機溶液を廃棄する必要がある。
【０００７】
また、誘電体物質をミスト化して成膜する方法により成膜される誘電体膜は、段差被覆性が、ミスト化した溶液の粘度に影響される。しかし、誘電体物質を含む有機溶液と希釈用の揮発性溶液に粘度差があるため、これらの混合比が段差被覆性に大きな影響を与える。そして、これらの混合比の調整が難しいため、所望の段差被覆性を得られない場合がある。さらに、成膜後に残った混合液は粘度が変化しているため再利用できず、廃棄せざるを得ない。
【０００８】
また上述したいずれの方法も、全面に誘電体膜を成膜するものであり、成膜された誘電体膜をエッチングしてパターニングする必要がある。このため、誘電体物質に、エッチングによる廃棄損が生じる。
【０００９】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、成膜時に廃棄される誘電体物質の量が少なく、かつ成膜された誘電体膜の段差被覆性がよい半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため、本発明にかかる、半導体装置の製造方法は、
下地膜上に下部電極を形成する工程と、
インクジェット方式の塗布機構を用いて、前記下部電極上に誘電体物質を塗布する工程と、
塗布された前記誘電体物質を加熱することにより、前記下部電極上に誘電体膜を形成する工程と、
前記誘電体膜上に上部電極を形成する工程と
を具備する。
【００１１】
この半導体装置の製造方法によれば、誘電体物質（誘電体物質を含有する溶液を含む）は、インクジェット式の塗布機構を用いて下部電極上に塗布されている。このため、誘電体膜をエッチングによりパターニングする必要がない。また塗布時に廃棄される誘電体物質の量を、極めて少なくすることができる。
また下部電極の上面から誘電体物質を塗布しているため、誘電体膜の段差被覆性を高くすることができる。
【００１２】
上部電極を形成する工程は、下地膜上及び誘電体膜上に第１の層間絶縁膜を形成する工程と、第１の層間絶縁膜に、誘電体膜上に位置する開口部を形成する工程と、開口部の中及び第１の層間絶縁膜上に導電体を堆積する工程と、第１の層間絶縁膜上から導電体を除去することにより上部電極を形成する工程とを具備していてもよい。
【００１３】
この場合、第1の層間絶縁膜上から導電体を除去する工程は、導電体をエッチバックする工程又はＣＭＰにより、導電体を研磨除去する工程であってもよい。
また、上部電極を形成する工程の後に、第１の層間絶縁膜上及び上部電極上に第２の層間絶縁膜を形成する工程と、第２の層間絶縁膜に、上部電極上に位置する接続孔を形成する工程と、接続孔の中及び第２の層間絶縁膜上に導電膜を形成する工程と、導電膜をパターニングすることにより、上部電極に接続する配線を形成する工程とを更に具備していてもよい。
また、上部電極を形成する工程において、上部電極を、平面形状において誘電体膜より小さくし、平面配置において該誘電体膜の内側に位置させてもよい。
【００１４】
なお誘電体膜は、例えばＴａ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5、ＺｒＯ2、又はＭｇＰｂＮｂＯからなる。
【００１５】
本発明に係る半導体装置は、
下地膜上に形成された下部電極と、
前記下部電極上に位置し、インクジェット式の塗布機構を用いて塗布された誘電体物質を加熱することにより形成された誘電体膜と、
前記誘電体膜上に形成された上部電極と
を具備する。
【００１６】
本発明に係るインクジェット式の塗布機構は、
半導体基板を載置するステージと、
誘電体物質が溶解した溶液を前記半導体基板に吐出するノズルヘッドと、
前記ノズルヘッドと前記ステージの相対位置を変化させる移動機構と
を具備し、
前記ノズルヘッドは、
前記溶液を収容する圧力発生室と、
前記圧力発生室の壁に設けられ、前記圧力発生室の体積を変動させるピエゾ素子と、
前記圧力発生室の壁に設けられ、該圧力発生室の体積変動に従って、前記溶液を外部に吐出するノズル孔と
を有する。
【００１７】
本発明に係る他のインクジェット式の塗布機構は、
半導体基板を載置するステージと、
誘電体物質が溶解した溶液を前記半導体基板に吐出するノズルヘッドと、
前記ノズルヘッドと前記ステージの相対位置を変化させる移動機構と、
を具備し、
前記ノズルヘッドは、
前記溶液を収容する圧力発生室と、
前記圧力発生室の壁に設けられ、前記溶液の一部分を気化させて体積膨張させるヒータと、
前記圧力発生室の壁に設けられ、前記溶液の体積膨張に従って、前記溶液を外部に吐出するノズル孔と
を有する。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図１及び図２それぞれの各図は、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図であり、図３は、図２（Ｂ）の状態における半導体装置の平面概略図である。本実施例は、誘電体膜を含む容量素子を有する半導体装置を形成する方法であるが、誘電体膜はインクジェット方式の塗布機構を用いて形成される。
【００１９】
まず、図１（Ａ）に示すように、シリコン基板１に素子分離膜２を形成する。素子分離膜２は、例えばＬＯＣＯＳ法により形成されるが、トレンチアイソレーション法により、シリコン基板１に埋め込まれた状態に形成されてもよい。
次いで、シリコン基板１を熱酸化することにより、素子分離膜２の相互間である素子領域にゲート酸化膜３を形成する。次いで、ゲート酸化膜３を含む全面上にポリシリコン膜を堆積し、このポリシリコン膜をパターニングすることにより、ゲート電極４を形成する。次いで、ゲート電極４をマスクとして不純物イオンをシリコン基板１に注入する。これにより、シリコン基板１には低濃度不純物領域６ａ，６ｂが形成される。
【００２０】
次いで、ゲート電極４上を含む全面上に酸化シリコン膜を形成し、この酸化シリコン膜をエッチバックする。これにより、ゲート電極４の側壁にはサイドウォール５が形成される。次いで、ゲート電極４及びサイドウォール５をマスクとして、不純物イオンをシリコン基板１に注入する。これにより、シリコン基板１には、ソースとなる不純物領域７ｂ及びドレインとなる不純物領域７ａが形成される。
【００２１】
次いで、素子領域上を含む全面上に第１の層間絶縁膜８を形成する。次いで、第１の層間絶縁膜８上にフォトレジスト膜（図示せず）を塗布する。次いで、このフォトレジスト膜を露光及び現像することにより、第１の層間絶縁膜８上にレジストパターンを形成する。次いで、このレジストパターンをマスクとして第１の層間絶縁膜８をエッチングする。これにより、ゲート電極４上に位置するコンタクトホール(図示せず)、不純物領域７ａ上に位置するコンタクトホール８ａ、及び不純物領域７ｂ上に位置するコンタクトホール（図示せず）が形成される。その後、レジストパターンを除去する。
【００２２】
次いで、図１（Ｂ）に示すように、第１の層間絶縁膜８上及びコンタクトホール内にバリア膜９を堆積し、更にバリア膜９の上にタングステン（Ｗ）膜を堆積する。次いで第１の層間絶縁膜８上からバリア膜９及びタングステン膜を除去する。これにより、コンタクトホール８ａ内にバリア膜９及びＷプラグ１０が埋め込まれる。このとき、他の図示しないコンタクトホール内にもバリア膜及びＷプラグが埋め込まれる。
【００２３】
次いで、Ｗプラグ１０上及び第１の層間絶縁膜８上に、Ｐｔ膜を含む積層膜を形成する。次いで、この積層膜上にフォトレジスト膜（図示せず）を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像することにより、積層膜上にレジストパターンを形成する。次いで、このレジストパターンをマスクとして積層膜をエッチングする。これにより、Ｗプラグ１０上には容量素子の下部電極１１が形成される。その後、レジストパターンを除去する。
【００２４】
次いで図１（Ｃ）に示すように、下部電極１１上に、誘電体物質を含む有機溶液を、インクジェット式の塗布機構を用いて塗布する。この塗布機構は、ステージ（図示せず）に載置したシリコン基板１に対し、ノズルヘッド１００から、誘電体物質が溶解した有機溶液の液滴を吐出するものである。シリコン基板１を載置するステージ及びノズルヘッド１００それぞれは、移動機構（図示せず）によって、シリコン基板１と平行な面内を縦横に移動することができる。このため、下部電極１１上のみに有機溶液を塗布することができる。なお有機溶液に含まれる誘電体物質は、例えばＴａ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5、ＺｒＯ2、又はＭｇＰｂＮｂＯであるが、これら以外であってもよい。
【００２５】
次いで、下部電極１１上に塗布した有機溶液を、３００〜８００℃の温度で１０分〜２時間程度加熱処理する。これにより、有機溶液が蒸発すると共に、有機溶液に含まれる誘電体物質が結晶化し、この誘電体物質からなる誘電体膜１２が形成される。なお、本実施形態において誘電体膜１２は、下部電極１１の周縁部には形成されない。
【００２６】
次いで、図２（Ａ）に示すように、第１の層間絶縁膜８上、下部電極１１上及び誘電体膜１２上に、第２の層間絶縁膜１３を形成する。次いで、第２の層間絶縁膜１３上にフォトレジスト膜（図示せず）を塗布する。次いで、このフォトレジスト膜を露光及び現像することにより、第２の層間絶縁膜１３上にレジストパターンを形成する。次いで、このレジストパターンをマスクとして、第２の層間絶縁膜１３をエッチングする。これにより、第２の層間絶縁膜１３には、誘電体膜１２上に位置する開口部１３ａが形成される。開口部１３ａの底面では、誘電体膜１２が、周縁部を除いて露出している。その後、レジストパターンを除去する。
【００２７】
次いで、開口部１３ａの中及び第２の層間絶縁膜１３上に、Ｐｔ膜を含む積層膜１４ａを堆積する。
次いで、図２（Ｂ）に示すように、積層膜１４ａをエッチバックする。これにより、積層膜１４ａが第２の層間絶縁膜１３上から除去され、開口部１３ａ内に、誘電体膜１２上に位置する上部電極１４が埋め込まれる。
なお、図２（Ｂ）及び図３に示すように、上部電極１４は、平面形状が、誘電体膜１２より小さく、また平面配置において、誘電体膜１２の内側に位置する。
【００２８】
次いで、図２（Ｃ）に示すように、上部電極１４上及び第２の層間絶縁膜１３上に第３の層間絶縁膜１５を形成する。次いで、第３の層間絶縁膜１５上にフォトレジスト膜（図示せず）を塗布する。次いでこのフォトレジスト膜を露光及び現像することにより、第３の層間絶縁膜１５上にレジストパターンを形成する。次いで、このレジストパターンをマスクとして第３の層間絶縁膜１５をエッチングする。これにより、第３の層間絶縁膜１５には、上部電極１４上に位置するビアホール１５ａが形成される。その後、レジストパターンを除去する。
【００２９】
次いで、ビアホール１５ａ内及び第３の層間絶縁膜１５上にバリア膜を形成し、さらにその上にＡｌ合金膜を形成する。次いで、Ａｌ合金膜上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとしてＡｌ合金膜及びその下層であるバリア膜をエッチングする。これにより、第３の層間絶縁膜１５上には、バリア層１６及び配線１７が形成される。バリア層１６及び配線１７は、一部がビアホール１５ａに埋め込まれることにより、上部電極１４に接続している。
その後、レジストパターンを除去する。
【００３０】
図４は、図１（Ｃ）に示されたノズルヘッド１００の断面概略図である。ノズルヘッド１００の内部には、圧力発生室１０２が設けられている。圧力発生室１０２は、底面に、有機溶液を吐出するためのノズル孔１０２ａが設けられており、また上面に、圧力発生室１０２に有機溶液を供給するための溶液供給路１０２ｂが設けられている。
【００３１】
圧力発生室１０２の側壁面にはピエゾ素子１０４が設けられている。このピエゾ素子１０４は、塗布機構の制御部（図示せず）から信号電圧が入力されると、この信号電圧に従って周期的に伸縮し、圧力発生室１０２の容積を周期的に変動させる。この容積の変動によって有機溶液は、ノズル孔１０２ａから液滴１１０として吐出され、また新たな有機溶液が、溶液供給路１０２ｂを介して圧力発生室１０２に供給される。吐出された液滴１１０は下部電極上に付着し、その後加熱されることにより誘電体膜となる。
またノズルヘッド１００は、図示しない駆動機構により、シリコン基板１と平行な面内を縦横に移動することができる。
【００３２】
このため、ノズルヘッド１００の位置、及びピエゾ素子１０４に入力する信号電圧の周波数及び振幅を制御することにより、インクジェット式の塗布機構は、所望の位置に所望の量ほど、誘電体物質を含む有機溶液を塗布することができる。
【００３３】
なお圧力発生室１０２の側壁面には、ピエゾ素子１０４の代わりにヒータが設けられていてもよい。この場合、塗布機構の制御部（図示せず）からヒータに信号電圧が入力されると、ヒータの周囲に位置する有機溶液が気化し、膨張する。これにより有機溶液は、ノズル孔１０２ａから液滴１１０として吐出される。そして、気化した有機溶液は、周囲の有機溶液により冷却されて液化し、収縮する。これにより新たな有機溶液が溶液供給路１０２ｂを介して圧力発生室１０２に供給される。
【００３４】
以上、本発明の第１の実施形態によれば、インクジェット式の塗布機構を用いて、下部電極１１のみに誘電体物質を含む有機溶液を塗布することにより、誘電体膜のパターニングを不要にしている。また、塗布するに際し、廃棄される有機溶液の量も極めて少なくなる。このように、誘電体物質の廃棄量を極めて少なくすることで、製造コストを下げることができる。また、誘電体物質に有害物質が含まれる場合でも、これら有害物質の排出量を極めて少なくすることができる。
【００３５】
また、下部電極１１の上から誘電体物質を含む有機溶液を直接塗布している。このため、下部電極１１の表面に、表面積を増やすための凹凸が形成されている場合、下部電極１１に対する誘電体膜１２の段差被覆性を高くすることができる。
なお本実施形態で形成される半導体装置は、例えば電子機器のドライバが有するロジック回路を構成するが、ＳＲＡＭの一部を構成してもよい。
【００３６】
図５は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。本実施形態において、第１の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
まず、図５（Ａ）に示すように、シリコン基板１に素子分離膜２を形成し、さらに、ゲート酸化膜３、ゲート電極４、サイドウォール５、低濃度不純物領域６ａ，６ｂ、不純物領域７ａ，７ｂ、第１の層間絶縁膜８、コンタクトホール８ａ、バリア膜９、Ｗプラグ１０、及び下部電極１１を形成する。これらの形成方法は、第１の実施形態と同一である。
【００３７】
次いで、インクジェット式の塗布機構を用いて、誘電体物質を含む有機溶液を下部電極１１上に塗布する。次いで、塗布した有機溶液を加熱することにより誘電体物質を結晶化させ、誘電体膜１２を形成する。この工程の詳細も第１の実施形態と同一である。
【００３８】
次いで、誘電体膜１２上、下部電極１１上及び第１の層間絶縁膜８上に第２の層間絶縁膜１３を形成する。次いで第２の層間絶縁膜１３の表面をＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法により研磨し、平坦化する。次いで第２の層間絶縁膜１３上に、誘電体膜１２上に位置する開口部１３ａを形成する。開口部１３ａの形成方法は第１の実施形態と同一である。
【００３９】
次いで、開口部１３ａ内及び第２の層間絶縁膜１３上に積層膜１４ａを堆積する。
次いで、図５（Ｂ）に示すように、積層膜１４ａを、ＣＭＰ法を用いて第２の層間絶縁膜１３上から研磨除去する。これにより、誘電体膜１２上には上部電極１４が形成される。
【００４０】
次いで、図５（Ｃ）に示すように、第３の層間絶縁膜１５、ビアホール１５ａ、バリア層１６及び配線１７を形成する。これらの形成方法も第１の実施形態と同一である。
この第２の実施形態においても、インクジェット式の塗布機構を用いて誘電体膜１２を形成しているため、第１の実施形態と同一の作用及び効果を得ることができる。
【００４１】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】（Ａ）は、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図、（Ｂ）は（Ａ）の次の工程を説明するための断面図、（Ｃ）は（Ｂ）の次の工程を説明するための断面図。
【図２】（Ａ）は図１（Ｃ）の次の工程を説明するための断面図、（Ｂ）は（Ａ）の次の工程を説明するための断面図、（Ｃ）は（Ｂ）の次の工程を説明するための断面図。
【図３】図２（Ｂ）の状態における半導体装置の平面概略図。
【図４】図１（Ｃ）に示されたノズルヘッド１００の断面概略図。
【図５】（Ａ）は、第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図、（Ｂ）は（Ａ）の次の工程を説明するための断面図、（Ｃ）は（Ｂ）の次の工程を説明するための断面図。
【符号の説明】
【００４３】
１…シリコン基板、２…素子分離膜、３…ゲート酸化膜、４…ゲート電極、５…サイドウォール、６a，６ｂ…低濃度不純物領域、７a，７ｂ…不純物領域、８…第１の層間絶縁膜、８a…コンタクトホール、９…バリア膜、１０…Ｗプラグ、１１…下部電極、１２…誘電体膜、１３…第２の層間絶縁膜、１３ａ…開口部、１４…上部電極、１４ａ…積層膜、１５…第３の層間絶縁膜、１５ａ…ビアホール、１６…バリア層、１７…配線、１００…ノズルヘッド、１０２…圧力発生室、１０２ａ…ノズル孔、１０２ｂ…溶液供給路、１０４…ピエゾ素子、１１０…液滴
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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