(57)【要約】【課題】  色分離に優れ、感度の高い光電変換膜積層型固体撮像素子を提供する。【解決手段】  共通電極膜１４と画素対応の画素電極膜１１とによって挟まれた光電変換膜１３が半導体基板１の上に積層され、画素電極膜１１と半導体基板１に形成された電荷蓄積部２とが柱状電極２５で接続される光電変換膜積層型固体撮像素子において、光電変換膜１３を多孔質シリコン層で構成する。多孔質シリコン層は、気相で形成したナノシリコン膜に比べてナノシリコン同士が比較的近接して並んでおり、キャリアの弾道現象とそれに伴うアバランシェ増幅が起き易く、量子効率の向上を図れる。このため、感度が高く高度の色分離が可能となる。【選択図】  図１
2006245284.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共通電極膜と画素対応の画素電極膜とによって挟まれた光電変換膜が半導体基板の上に積層され、前記画素電極膜と前記半導体基板に形成された電荷蓄積部とが柱状電極で接続される光電変換膜積層型固体撮像素子において、前記光電変換膜を多孔質シリコン層で構成したことを特徴とする光電変換膜積層型固体撮像素子。
【請求項２】
共通電極膜と画素対応の画素電極膜とによって挟まれた光電変換膜が絶縁層を介して半導体基板の上に少なくとも３層積層され、各層毎の光電変換膜に夫々被着される前記画素電極膜と前記半導体基板に形成された電荷蓄積部とが柱状電極で接続される光電変換膜積層型固体撮像素子において、第１層の前記光電変換膜の吸収ピークが４２０ｎｍ〜５００ｎｍ、第２層の前記光電変換膜の吸収ピークが５００ｎｍ〜５８０ｎｍ、第３層の前記光電変換膜の吸収ピークが５８０ｎｍ〜６６０ｎｍとなるように各光電変換膜を多孔質シリコン層で構成したことを特徴とする光電変換膜積層型固体撮像素子。
【請求項３】
前記多孔質シリコン層は、ポリシリコン層を陽極酸化することで製造したものであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の光電変換膜積層型固体撮像素子。
【請求項４】
前記画素電極膜は、対応の前記光電変換膜の前記半導体基板側に設けられることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の光電変換膜積層型固体撮像素子。
【請求項５】
前記画素電極膜は、対応の前記光電変換膜の光入射側に設けられることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の光電変換膜積層型固体撮像素子。
【請求項６】
信号読出回路が形成された半導体基板の上に絶縁層を介して電極膜を形成し、該電極膜の上にポリシリコン層を製膜し、フッ酸を含む溶液中で前記電極膜と前記溶液との間に電流を流し前記ポリシリコン層を陽極酸化して前記多孔質シリコン層を形成することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の光電変換膜積層型固体撮像素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電変換膜を半導体基板上に積層して構成した光電変換膜積層型固体撮像素子に係り、特に、半導体結晶のナノ粒子を光電変換膜として用い色分離が優れた感度の高い光電変換膜積層型固体撮像素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の単板式カラー固体撮像素子は、画素毎に、赤色（Ｒ），緑色（Ｇ），青色（Ｂ）のいずれかのカラーフィルタを設け、各画素は、Ｒ，Ｇ，Ｂのいずれかの波長域の光しか受光することができない構造になっている。このため、光の利用効率が低く、色像の解像度も低く、また、ＲＧＢ３色を異なる位置で検出するため偽色が生じ易いので光学的ローパスフィルタが必要となり、このフィルタによる光損失も生じていた。
【０００３】
さらに、同一平面上にフォトダイオード（光電変換部）と信号読出回路（ＣＭＯＳ型イメージセンサの場合にはＭＯＳトランジスタ回路、ＣＣＤ型イメージセンサの場合には電荷転送部）とを配置し、入射光をマイクロレンズによって光電変換部に集光しているため、マイクロレンズによる光損失が避けられないという問題がある。
【０００４】
また、特許文献１や特許文献２では、シリコン（Ｓｉ）の光吸収係数の波長依存性を利用して、Ｓｉ基板の深さ方向に青色光用のＰＮ接合部と緑色光用のＰＮ接合部と赤色光用ＰＮ接合部とを設け、色分離を行う固体撮像素子を提案している。
【０００５】
しかし、シリコンの光吸収係数の波長依存性を利用した固体撮像素子では、原理的に十分な色分離ができないという問題を抱えている。
【０００６】
そこで、特許文献３では、キャリアのトンネル伝導が可能な絶縁膜で覆われた粒径数ナノメートルのナノシリコン結晶を堆積させて光電変換膜とした光電変換膜積層型固体撮像素子を提案している。また、特許文献４では、超微粒子が実質的に均質な媒質中に分散された光電変換膜を用いた光電変換膜積層型固体撮像素子を提案している。
【０００７】
しかし、どちらも、気相で形成したナノシリコン結晶がランダムに並ぶため、アバランシェ増幅を起こすのに重要なキャリアの弾道現象が起こりにくく、量子効率を上げにくいという問題がある。この問題を解決するために、特許文献５では、ナノシリコン粒子を光電変換膜の膜厚方向に整列して形成しているが、性能が十分でない。
【０００８】
【特許文献１】特開平７−３８１３６公報
【特許文献２】米国特許第５９６５８７５号明細書
【特許文献３】特開２００１−７３８１号公報
【特許文献４】特開平１０−１６０５７４公報
【特許文献５】特開２００３―５１６０８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
光電変換膜積層型固体撮像素子で用いる光電変換膜を、絶縁膜で被覆された半導体ナノ粒子を堆積させて構成する場合、従来は気相で形成したナノシリコン結晶では、アバランシェ増幅を起こすのに重要なキャリアの弾道現象が起こりにくく、量子効率を十分に向上させることができないため、色分離性能や感度が不十分であるという問題がある。
【００１０】
本発明の目的は、色分離に優れ、感度の高い光電変換膜積層型固体撮像素子及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の光電変換膜積層型固体撮像素子は、共通電極膜と画素対応の画素電極膜とによって挟まれた光電変換膜が半導体基板の上に積層され、前記画素電極膜と前記半導体基板に形成された電荷蓄積部とが柱状電極で接続される光電変換膜積層型固体撮像素子において、前記光電変換膜を多孔質シリコン層で構成したことを特徴とする。
【００１２】
本発明の光電変換膜積層型固体撮像素子は、共通電極膜と画素対応の画素電極膜とによって挟まれた光電変換膜が絶縁層を介して半導体基板の上に少なくとも３層積層され、各層毎の光電変換膜に夫々被着される前記画素電極膜と前記半導体基板に形成された電荷蓄積部とが柱状電極で接続される光電変換膜積層型固体撮像素子において、第１層の前記光電変換膜の吸収ピークが４２０ｎｍ〜５００ｎｍ、第２層の前記光電変換膜の吸収ピークが５００ｎｍ〜５８０ｎｍ、第３層の前記光電変換膜の吸収ピークが５８０ｎｍ〜６６０ｎｍとなるように各光電変換膜を多孔質シリコン層で構成したことを特徴とする。
【００１３】
本発明の光電変換膜積層型固体撮像素子の前記多孔質シリコン層は、ポリシリコン層を陽極酸化することで製造したものであることを特徴とする。
【００１４】
本発明の光電変換膜積層型固体撮像素子の前記画素電極膜は、対応の前記光電変換膜の前記半導体基板側に設けられ、または、光入射側に設けられることを特徴とする。
【００１５】
本発明の光電変換膜積層型固体撮像素子の製造方法は、信号読出回路が形成された半導体基板の上に絶縁層を介して電極膜を形成し、該電極膜の上にポリシリコン層を製膜し、フッ酸を含む溶液中で前記電極膜と前記溶液との間に電流を流し前記ポリシリコン層を陽極酸化して前記多孔質シリコン層を形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、光電変換膜を多孔質シリコン層で構成したため、気相で形成したナノシリコン膜に比べてナノシリコン同士が比較的近接して並んでおり、キャリアの弾道現象とそれに伴うアバランシェ増幅が起き易く、量子効率の向上を図ることができる。このため、感度が高く高度の色分離が可能な光電変換膜積層型固体撮像素子を得ることができる。また、１画素で赤色，緑色，青色の３色の信号を同時に検出する構成のため、ナイキスト周波数成分以上の空間周波数の折返し歪みが色毎に異なることがなくなるため、光学的ローパスフィルタを用いなくても色モアレの発生がなくなり、シェーディングも抑制可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の一実施形態について、図面を参照して説明する。
【００１８】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の一実施形態に係る光電変換層積層型固体撮像素子の１画素分の断面模式図である。図１に示す光電変換膜積層型固体撮像素子では、ｎ型半導体基板１の表面部にＰウェル層が形成されている。そして、１画素に３つの信号電荷蓄積領域（ｎ領域）２，３，４が、Ｐウェル層の表面に形成されている。図示する例では、領域２を赤色光の入射光量に応じた信号電荷を蓄積する領域、領域３を緑色光の入射光量に応じた信号電荷を蓄積する領域、領域４を青色光の入射光量に応じた信号電荷を蓄積する領域としている。
【００１９】
この半導体基板１のウェル層表面部には、更に図示しない信号読出回路が形成されるが、この信号読出回路は、従来のＣＭＯＳ型イメージセンサの様にＭＯＳトランジスタ回路で構成しても、また、従来のＣＣＤ型イメージセンサの様に電荷転送路で構成してもよい。
【００２０】
信号電荷蓄積領域２，３，４と図示しない信号読出回路とが形成された半導体基板１の上には絶縁層７が積層され、この絶縁層７の上には、絶縁材料でなる平坦化層８が積層される。
【００２１】
平坦化層８の上には、画素毎に区画された赤色用の画素電極膜１１が積層される。この画素電極膜１１は、透明材料で形成されても、また、不透明材料で形成されてもよい。各画素電極膜１１の上には、ブロッキング層１２が積層され、その上に、赤色の入射光を光電変換する光電変換膜１３が積層される。そして、光電変換膜１３の上に、透明の共通電極膜（画素電極膜１１の対向電極膜）１４が各画素共通に一枚構成で積層される。
【００２２】
共通電極膜１４の上には、透明の絶縁層１５が積層され、更にその上に、画素毎に区画された緑色用の透明の画素電極膜１６が積層される。そして、各画素電極膜１６の上に、ブロッキング層１７が積層され、更にその上に、緑色の入射光を光電変換する光電変換膜１８が積層され、光電変換膜１８の上に、透明の共通電極膜（画素電極膜１６の対向電極）１９が各画素共通に一枚構成で積層される。
【００２３】
共通電極膜１９の上には、透明の絶縁層２０が積層され、更にその上に、画素毎に区画された青色用の透明の画素電極膜２１が積層される。そして、各画素電極膜２１の上にブロッキング層２２が積層され、その上に、青色の入射光を光電変換する光電変換膜２３が積層される。光電変換膜２３の上には、透明の共通電極膜（画素電極膜２１の対向電極膜）２４が各画素共通に一枚構成で積層される。更にその上に保護膜が形成される場合もあるが、これは図示を省略する。
【００２４】
赤色用の画素電極膜１１は、赤色用の信号電荷蓄積領域２と縦配線（柱状電極）２５により電気的に接続され、緑色用の画素電極膜１６は、緑色用の信号電荷蓄積領域３と縦配線（柱状電極）２６により電気的に接続され、青色用の画素電極膜２１は、青色用の信号電荷蓄積領域４と縦配線（柱状電極）２７により電気的に接続される。
【００２５】
各縦配線２５，２６，２７は、対応する画素電極膜１１，１６，２２及び信号電荷蓄積領域２，３，４以外とは絶縁される。即ち、縦配線が貫通する画素電極膜，共通電極膜，ブロッキング層，光電変換膜には貫通孔が穿設され、縦配線周りは絶縁材料で埋められる。
【００２６】
本実施形態の光電変換膜積層型固体撮像素子に光が入射すると、入射光の内の青色の波長領域以下の光は光電変換膜２３に吸収され、吸収された光量に応じた電荷が発生し、この電荷が画素電極膜２１から縦配線２７を通って信号電荷蓄積領域４に流れ込む。
【００２７】
同様に、入射光の内の緑色の波長領域以下の光は、光電変換膜１８によって吸収され、吸収された光量に応じた電荷が発生し、この電荷が画素電極膜１６から縦配線２６を通って信号電荷蓄積領域３に流れ込む。
【００２８】
同様に、入射光の内の赤色の波長領域以下の光は、光電変換膜１３によって吸収され、吸収された光量に応じた電荷が発生し、この電荷が画素電極膜１１から縦配線２５を通って信号電荷蓄積領域２に流れ込む。
【００２９】
各信号電荷蓄積領域２，３，４からの信号取出は、従来のＣＣＤ型イメージセンサやＣＭＯＳ型イメージセンサにおける受光部からの信号取出に準じた手法で行うことができる。例えば、一定量のバイアス電荷を信号電荷蓄積領域２，３，４に注入し（リフレッシュモード）ておき、光入射による電荷を蓄積後、信号電荷を読み出す。
【００３０】
このように、本実施形態に係る光電変換膜積層型固体撮像素子は、夫々が共通電極膜と画素電極膜とによって挟まれた３層の光電変換膜を、最上層の光電変換膜２３をＢ光およびＢ光より短波の光を吸収する層、中間層の光電変換膜１８をＧ光およびＧ光より短波の光を吸収する層、最下層の光電変換膜１３をＲ光およびＲ光より短波の光を吸収する層にすることにより、可視光を青色（Ｂ）光，緑色（Ｇ）光，赤色（Ｒ）光に色分離する。
【００３１】
本実施形態では、各光電変換膜１３，１８，２３を、多孔質シリコンを用いて形成することを特徴とする。多孔質シリコンで構成した光電変換膜中のナノシリコン結晶粒は、量子閉じ込め効果により、バルクのシリコンより大きなバンドギャップを有し、その直径が小さくなるほど吸収端の波長は短くなる。この効果を利用し、光入射側の上層から順にナノシリコン直径の小さい光電変換膜とすることで、色分離された信号を得ることができる。
【００３２】
また、ナノシリコン結晶粒の表面は薄い数ナノメートルの酸化膜（絶縁膜）で覆われており、この酸化膜はキャリアを閉じ込めて量子閉じ込め効果を発現させる役割を担う他、誘電率がシリコンより小さいため、共通電極膜にバイアス電源を印加した時に生じる光電変換膜内の電界を表面の酸化膜に集中させて弾道的にキャリアを輸送しアバランシェ増幅を起こさせる役割も期待できる。
【００３３】
均質な透明電極（画素電極膜，共通電極膜）としては、酸化錫（ＳｎＯ２）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化インジウム（ｌｎＯ２）、酸化インジウムー錫（ＩＴＯ）薄膜を用いてもよい。その形成方法としては、レーザアブレージョン法、スパッタ法などを採用できる。この透明電極の上に、電子がトンネル可能なＳｉＣ膜を積層する。これを下地としてナノシリコン層を積層する。絶縁膜はＳｉＯ２などの透明材料で形成し、スパッタ法などで形成できる。
【００３４】
図２，図３，図４は、図１に示す光電変換膜積層型固体撮像素子の製造工程図であり、夫々（ａ）図が（ｂ）図に示すＡ―Ａ線断面模式図であり、（ｂ）図が上面図である。
【００３５】
先ず、図２に示す様に、信号読出回路や電荷蓄積領域２，３，４が形成された半導体基板１の上に、絶縁膜７を通常のスパッタ法等で成膜し、通常のレジストとドライエッチング法等により信号電荷蓄積領域２，３，４に接続されるタングステンプラグ２５，２６，２７を形成し、その上全面にＡｌ膜を成膜する。このＡｌ膜をエッチングすることで、タングステンプラグ２５，２６，２７端面の接続膜３１，３２，３３を残し、更にその上に平坦化層８を製膜する。そして再び通常のレジストとドライエッチング法などによりタングステンプラグ２５を上方に延ばす。
【００３６】
次に、平坦化層８の上面に画素電極膜１１となるＡｌ電極膜（まだ、画素毎に分離はしない。）を製膜する。Ａｌ電極膜を、後述の陽極酸化で用いるフッ酸による耐食から守るために、Ａｌ電極膜上にスパッタ法でＳｉＣを成膜する。このとき、キャリアのトンネル伝導が十分可能になるようにＳｉＣの厚みを数ナノメートル程度とするか、もしくはＰ型のＳｉＣを用いて正孔ブロッキング層１２としても働く膜とするのがよい。
【００３７】
次に、プラズマＣＶＤ法により数μｍのポリシリコン層を成膜する。続いて、このポリシリコン層の陽極酸化を行う。図５は、陽極酸化法の模式図である。４フッ化エチレン樹脂製の容器５０内にフッ酸とエタノールの混合溶液を入れ、この容器５０の底部分に、ポリシリコン層を上面側とした基板５１を載置する。そして、タングステンランプ５２の照射のもと、ポリシリコン層と混合溶液との間に電流を流して陽極酸化する。
【００３８】
この際、ポリシリコン層の上面のみがフッ酸とエタノールの混合溶液に浸されるようにすることが必要である。溶液中に白金電極５３を設けてこれを陰極とし、Ａｌ電極膜から導線を引き出して陽極とする。陽極，陰極間に流す電流値を制御しながら陽極酸化を進める。本実施形態の光電変換膜積層型固体撮像素子では、光電変換膜に被着される画素電極膜の元となる電極膜をそのまま陽極酸化の電極として利用するため、陽極酸化が容易にできるという利点がある。
【００３９】
ポリシリコン層の陽極酸化によって得られる多孔質シリコン中には、数ナノメートルの薄い酸化膜で覆われたナノシリコン結晶粒が連なって形成される。陽極酸化時の条件として、電流密度，溶液のフッ酸比率，基板の特性（ポリシリコン層のドープ種やドープ密度等），温度，光照射量等を変えることによって、ナノシリコン粒の平均直径や体積密度，多孔質化の進む速度等の制御が可能である。
【００４０】
また、陽極酸化後に硫酸中で同様に電流を流すことにより、ナノシリコン結晶粒の表面を酸化させて平均直径を制御したり、結晶欠陥を減らすことができる。従って、これらの条件を変えることにより、Ｂ，Ｇ，Ｒそれぞれの光の吸収に適した粒径や密度のナノシリコン結晶粒を含む多孔質シリコン膜を光電変換膜として得ることができる。
【００４１】
次に、図３に示す様に、Ａｌ電極膜を画素毎に分離するため、また、タングステンプラグ２６，２７を更に上方に延ばして夫々の画素電極膜１６，２１に接続するために、光電変換膜１３として形成した多孔質シリコン膜にレジスト塗布してフッ素系のガスにより多孔質シリコン膜１３およびＳｉＣ膜（ブロッキング層１２）をドライエッチングし、更にＡｌ電極膜を塩素系のガスでドライエッチングし、画素間を分離する。
【００４２】
次に、図４に示す様に、エッチングした箇所をスパッタ法によりＳｉＯ２で埋めた後、これを平坦化する。そして、平坦化した表面全面にＩＴＯ電極をスパッタ法により製膜し、このＩＴＯ電極膜を共通電極膜１４とする。
【００４３】
次に、図示は省略するが、信号電荷蓄積領域３，４に立設されるタングステンプラグ２６，２７を更に上層に延ばすためドライエッチングとプラグ埋め込みを行い、上述したと同様の処理を繰り返すことで、緑色光の光電変換を行う光電変換膜１８や青色光の光電変換を行う光電変換膜２３を陽極酸化で形成する。但し、緑色光及び青色光の光電変換膜については、画素電極及び共通電極を共に透明なＩＴＯ膜からなるＩＴＯ電極とする。この場合、陽極酸化の条件を夫々に適した条件とすることで、ナノシリコン結晶粒の粒径を適切な粒径とする。以上の様にして、図１に示す光電変換膜積層型固体撮像素子が製造される。
【００４４】
（第２の実施形態）
図６は、本発明の第２の実施形態に係る光電変換膜積層型固体撮像素子の１画素分の断面模式図であり、図７，図８，図９は、その製造工程図である。第１の実施形態と同一部材には同一符号を付す。尚、最上層２８は、保護膜を兼用した透明絶縁膜である。
【００４５】
前述した第１の実施形態に係る光電変換膜積層型固体撮像素子は、各光電変換膜１３，１８，２３の下側（基板１側）に画素電極膜１１，１６，２１を設け、各光電変換膜１３，１８，２３の上側（光入射側）に共通電極膜１４，１９，２４を設けている。これに対し、本実施形態では、逆に、各光電変換膜１３，１８，２３の下側（基板１側）に共通電極膜１４，１９，２４を設け、上側（光入射側）に画素電極膜１１，１６，２１を設けている。製造工程も第１の実施形態とほぼ同一であり、各タングステンプラグ２５，２６，２７を画素電極膜１１，１６，２１の上側から接続する構成部分が異なる。
【００４６】
第１の実施形態の場合、各光電変換膜１３，１８，２３を形成するためにポリシリコン層を陽極酸化するとき、画素電極膜の元となるＡｌ電極膜を陽極としている。このＡｌ電極膜は、図１に示す様に、夫々、タングステンプラグ（縦配線）を介して信号電荷蓄積領域２，３，４に接続され、また、この信号電荷蓄積領域２，３，４は図示しない信号読出回路に接続されている。このため、Ａｌ電極膜を陽極として電圧を印加して陽極酸化を行うと、この電圧は信号読出回路にも影響を及ぼす構成となっている。
【００４７】
これに対し、本実施形態では、ポリシリコン層を陽極酸化するとき、基板１側の共通電極膜が信号読出回路とは接続されていないため、陽極酸化時の影響が信号読出回路に及ばないという利点がある。
【００４８】
尚、図１，図６に示す実施形態では、１画素分のみを示したが、この画素をアレイ状に二次元的に配列することで、デジタルカメラ等に搭載する固体撮像素子が形成される。この場合、画素間の混色を避けるために、素子最上面に透明の絶縁膜（保護膜）を形成し、その上に画素毎に開口を持つ遮光膜を形成するのが好ましい。また、画素毎にマイクロレンズを形成し、集光効率を向上させるのが良い。
【００４９】
更に、最上層の光電変換膜２３で光電変換されてしまう不可視光である紫外線を光電変換膜２３に入射する前にカットする紫外線カットフィルタや、３層の光電変換膜１３，１８，２３のいずれでも光電変換されることなく半導体基板に到達してしまう赤外線を半導体基板の手前でカットする赤外線カットフイルタを設けたり、多孔質シリコン層の上層に形成した絶縁膜中に光吸収されない光を遮光する膜を設けるのも良い。あるいは、最下層の電極膜（図１の画素電極膜１１，図６の共通電極膜１４）を不透明な金属膜とし、上層で吸収されなかった赤外線をカットする構成としてもよい。
【００５０】
以上述べた様に、本実施形態の光電変換膜積層型固体撮像素子で用いる多孔質シリコン層で形成した光電変換膜は、高解像度特性、一様性、また下地基板に対する堆積の容易性を有しながら、結晶材料と同等の熱的安定性、キャリア動特性、アバランシェ増倍の可能性を併せ持ち、さらに、吸収波長を膜厚方向にも基板面内方向にも調節できる利点がある。
【００５１】
また、上述した実施形態では、ナノ粒子としてシリコン粒子を用いたが、バンドギャップを大きく変えるために、シリコンナノ結晶に類似したゲルマニウムやシリコンゲルマニウムやＳｉＣなどその他の半導体のナノ結晶を用いることも可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明の光電変換膜積層型撮像素子は、デジタルカメラ、ビデオカメラ、ファクシミリ、スキャナ、複写機等に用いる撮像素子として利用可能であり、また、バイオセンサや化学センサなどの光センサとしても利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る光電変換膜積層型固体撮像素子の１画素分の断面模式図である。
【図２】図１に示す光電変換膜積層型固体撮像素子の製造工程図である。
【図３】図１に示す光電変換膜積層型固体撮像素子の製造工程図である。
【図４】図１に示す光電変換膜積層型固体撮像素子の製造工程図である。
【図５】図１に示す光電変換膜積層型固体撮像素子の光電変換膜を陽極酸化して製造する陽極酸化模式図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る光電変換膜積層型固体撮像素子の１画素分の断面模式図である。
【図７】図６に示す光電変換膜積層型固体撮像素子の製造工程図である。
【図８】図６に示す光電変換膜積層型固体撮像素子の製造工程図である。
【図９】図６に示す光電変換膜積層型固体撮像素子の製造工程図である。
【符号の説明】
【００５４】
１  半導体基板
２  赤色用の信号電荷蓄積領域
３  緑色用の信号電荷蓄積領域
４  青色用の信号電荷蓄積領域
１１  赤色用の画素電極膜
１３  赤色用の光電変換膜（多孔質シリコン層）
１４  赤色用の共通電極膜
１５  層間絶縁層
１６  緑色用の画素電極膜
１８  緑色用の光電変換膜（多孔質シリコン層）
１９  緑色用の共通電極膜
２０  層間絶縁層
２１  青色用の画素電極膜
２３  青色用の光電変換膜（多孔質シリコン層）
２４  青色用の共通電極膜
２５，２６，２７  縦配線（柱状電極）
【図１】
2006245284.tif 000003
【図２】
2006245284.tif 000004
【図３】
2006245284.tif 000005
【図４】
2006245284.tif 000006
【図５】
2006245284.tif 000007
【図６】
2006245284.tif 000008
【図７】
2006245284.tif 000009
【図８】
2006245284.tif 000010
【図９】
2006245284.tif 000011