(57)【要約】      （修正有）【課題】      ２重マトリクス方式の液晶装置において、表示ムラが発生するのを防止する。【解決手段】  この液晶表示装置は、１つの走査線で複数行の画素電極を駆動する、２重マトリクス方式の液晶表示装置である。素子基板は、データ線、ＴＦＤ素子、ダミーＴＦＤ素子、画素電極等を有している。各ＴＦＤ素子は、その画素電極の偶数番目と奇数番目とで左右対称となるように千鳥状に配置されている。本液晶表示装置では、ＴＦＤ素子とダミーＴＦＤ素子を設けており、ダミーＴＦＤ素子は、画素電極の幅方向の中心を通る直線に対して、ＴＦＤ素子と対称的な位置に配置されている。このため、この液晶表示装置では、全ての画素電極が同一形状になっている。よって、画素電極の行単位で表示ムラが生じるのを防止できる。【選択図】    図７
2006189671.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
列方向に配列された複数の画素電極と、
前記画素電極の両側に設けられた複数のデータ線と、
前記データ線及び前記画素電極に接続された複数の第１のスイッチング素子と、
前記画素電極に対応して設けられた第２のスイッチング素子と、
２行分に対応する前記画素電極の単位毎に前記画素電極を駆動する駆動部と、を備え、
前記第１のスイッチング素子は、前記列方向に配列された前記複数の画素電極に対して千鳥状に配置されており、
前記第２のスイッチング素子は、前記第１のスイッチング素子と略同一の形状を有し、前記画素電極の幅方向の略中心を通る直線に対して前記第１のスイッチング素子と対称的な位置に配置されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記第２のスイッチング素子は、隣接する前記データ線に接続されていないことを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記画素電極に対する前記第１のスイッチング素子及び前記第２のスイッチング素子の配置は、前記画素電極の行単位毎に左右対称に入れ替っていることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記画素電極の各列を平面的に見たときに、前記第１のスイッチング素子及び前記第２のスイッチング素子は当該前記画素電極の各列において千鳥状に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記画素電極は略矩形状の形状をなしていると共に、当該画素電極の左右下隅にはＬ字状の切り欠きが形成されており、
前記第１のスイッチング素子及び前記第２のスイッチング素子は、各々当該画素電極の左下隅又は右下隅の切り欠き部分に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記複数のデータ線並びに前記複数の第１のスイッチング素子及び前記第２のスイッチング素子と前記画素電極の間には絶縁膜が形成されており、
前記複数の第１のスイッチング素子及び第２のスイッチング素子は、各々前記絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、対応する前記画素電極の各々と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記複数の走査線は、ストライプ状に形成されており、前記複数行に対応する前記画素電極に対向していることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項８】
前記対向基板は、少なくとも列方向に相隣接する前記画素電極の間に対応する位置に遮光層を有していることを特徴とする請求項７に記載の液晶装置。
【請求項９】
前記複数の走査線は、列方向に相隣接する前記画素電極の間に対応する位置に開口を有していることを特徴とする請求項７又は８に記載の液晶装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項に記載の液晶装置を表示部として備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種情報の表示に用いて好適な液晶装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、データ線等を有する基板と、走査線を有する対向基板の間に液晶を封入してなる多重マトリクス方式の液晶装置が知られている（例えば、特許文献１を参照）。この方式は、１つの走査線に対応するデータ線（信号線）の数を２倍（２重マトリクス）、３倍（３重マトリクス）、・・・、Ｎ（Ｎ重マトリクス：Ｎは２以上の自然数）倍というように多重化して、各画素への駆動電圧の印加期間をＮ倍にする技術である。これにより、各画素を表示する期間をＮ倍にすることができるため、画面の明るさやコントラスト比を向上させることができるという利点を有している。また、この方式では、データ線の多重化に対応して、各走査線の幅が大きく形成されるため、各走査線の配線抵抗Ｒを小さくすることができる。このため、この方式を適用した液晶装置では、各走査線の配線抵抗Ｒと液晶の容量Ｃとの積（時定数）を小さくすることができ、いわゆる横クロストークの発生を防止することができるという利点も有している。ここで、横クロストークとは、画素レベルが特定の階調に集中したラインと、そうでないラインとにおいて、同一階調を表示しているにも拘わらず、表示画像上では表示レベルが異なってしまうことをいう。なお、データ線ではなく、走査線を多重マトリクス構造にした液晶装置の一例が特許文献２に記載されている。
【０００３】
また、このような多重マトリクス方式を、例えば三端子素子としてのＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子を有する液晶装置に適用した一例が特許文献３に記載されている。この特許文献３にかかる液晶装置は、画素電極毎に一対のＴＦＴ素子を設けて、当該各ＴＦＴのゲート電極を夫々異なるゲートラインに接続するなどして構成されている。これにより、ゲートラインの選択期間が短くても、画素容量に書き込み電圧を十分に充電できる。また、その他にも、この多重マトリクス方式を、例えば二端子素子としてのＴＦＤ（Thin Film Diode）素子を用いることが可能な液晶装置に適用した一例が特許文献４に記載されている。
【０００４】
【特許文献１】特開昭６０−６８３７１号公報
【特許文献２】特開昭５８−１４３３７３号公報
【特許文献３】特開２００１−１８３６９８号公報
【特許文献４】特開２００４−４６１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、以上の点に鑑みてなされたものであり、全ての画素電極が同一形状となるようにして、画素電極の行単位で表示ムラが発生するのを防止することが可能な２重マトリクス方式の液晶装置及び電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の１つの観点では、液晶装置は、列方向に配列された複数の画素電極と、前記画素電極の両側に設けられた複数のデータ線と、前記データ線及び前記画素電極に接続された複数の第１のスイッチング素子と、前記画素電極に対応して設けられた第２のスイッチング素子と、２行分に対応する前記画素電極の単位毎に前記画素電極を駆動する駆動部と、を備え、前記第１のスイッチング素子は、前記列方向に配列された前記複数の画素電極に対して千鳥状に配置されており、前記第２のスイッチング素子は、前記第１のスイッチング素子と略同一の形状を有し、前記画素電極の幅方向の略中心を通る直線に対して前記第１のスイッチング素子と対称的な位置に配置されている。
【０００７】
上記の液晶装置は、列方向に配列された複数の画素電極と、画素電極の両側に設けられた複数のデータ線と、データ線及び画素電極に電気的に接続された複数の第１のスイッチング素子と、画素電極に対応して設けられた第２のスイッチング素子と、駆動部と、を備えている。第１のスイッチング素子及び第２のスイッチング素子としては、ＴＦＤ素子などの二端子素子やＴＦＴなどの三端子素子が挙げられる。ここで、第１のスイッチング素子は、データ線及び画素電極に電気的に接続されているので、駆動用素子としての機能を有する。一方、第２のスイッチング素子は、隣接するデータ線に電気的に接続されていないのが好ましい。これにより、第２のスイッチング素子は、駆動用素子として機能しないダミースイッチング素子となる。この液晶装置は、駆動部が２行分に対応する画素電極の単位毎に画素電極を駆動する方式、いわゆる２重マトリクス方式の液晶装置を構成している。
【０００８】
好適な例では、前記画素電極は略矩形状の形状をなしていると共に、当該画素電極の左右下隅にはＬ字状の切り欠きが形成されており、前記第１のスイッチング素子及び前記第２のスイッチング素子は、各々当該画素電極の左下隅又は右下隅の切り欠き部分に配置されている。
【０００９】
この液晶装置において、第２のスイッチング素子は、第１のスイッチング素子と略同一の形状を有し、画素電極の幅方向の略中心を通る直線に対して第１のスイッチング素子と対称的な位置に配置されている。これにより、全ての画素電極が同一の形状となり、画素電極の行単位で表示ムラなどが生じるのを防止できる。
【００１０】
また、この液晶装置は二重マトリクス方式を適用しているため、前記画素電極に対する前記第１のスイッチング素子及び前記第２のスイッチング素子の配置は、前記画素電極の行単位毎に左右対称に入れ替っているのが好ましい。また、前記画素電極の各列を平面的に見たときに、前記第１のスイッチング素子及び前記第２のスイッチング素子は当該前記画素電極の各列において千鳥状に配置されているのが好ましい。
【００１１】
上記の液晶装置の一つの態様では、前記複数のデータ線並びに前記複数の第１のスイッチング素子及び前記第２のスイッチング素子と前記画素電極の間には絶縁膜が形成されており、前記複数の第１のスイッチング素子及び前記第２のスイッチング素子は、各々前記絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、対応する前記画素電極の各々と電気的に接続されている。
【００１２】
この態様によれば、複数のデータ線、並びに複数の第１のスイッチング素子及び第２のスイッチング素子と、画素電極の間には絶縁膜が形成されている。また、複数の第１のスイッチング素子及び第２のスイッチング素子は、各々絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、対応する画素電極の各々と電気的に接続されている。このため、この態様の素子基板は、いわゆるオーバーレイヤー構造をなしている。よって、この態様では、オーバーレイヤー構造を有しないものと比較して、画素電極を、データ線及び隣接する画素電極等にできる限り近づけることができ、当該画素電極の面積を大きくすることができる。よって、開口率を向上させることができる。
【００１３】
上記の液晶装置の他の態様では、前記複数の走査線は、ストライプ状に形成されており、前記複数行に対応する前記画素電極に対向している。これにより、１つの走査線で、複数行分、即ち２行分に対応する画素電極を駆動することができる。
【００１４】
上記の液晶装置の他の態様では、前記対向基板は、少なくとも列方向に相隣接する前記画素電極の間に対応する位置に遮光層を有している。一般に、走査線に対向し、且つ、列方向に相隣接する画素電極の間付近では、液晶の駆動時に、斜め電界が生じて液晶の配向異常が生じる虞がある。この点、この態様では、少なくとも列方向に相隣接する画素電極の間に対応する位置に遮光層を有しているので、その部分で液晶の配向異常が生じたとしても、その部分は遮光層によって遮光される。よって、表示品質が低下するのを防止することができる。好適な例では、前記複数の走査線において、列方向に相隣接する前記画素電極の間に対応する位置に開口を設けることができる。これにより、列方向に相隣接する画素電極の間において、斜め電界が生じるのを防止でき、液晶の配向異常が生じるのを防止することができる。これにより、表示品質を向上させることができる。
【００１５】
また、上記の液晶装置を表示部として備える電子機器を構成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図面を参照して本発明を実施するための最良の形態について説明する。尚、以下の各種実施形態は、本発明を液晶表示装置に適用したものである。
【００１７】
[第１実施形態]
（液晶表示装置の構成）
まず、本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置の構成について説明する。図１は、本発明の液晶表示装置１００の概略構成を模式的に示す平面図である。図１では、主として、液晶表示装置１００の電極及び配線の構成を平面図として示している。ここに、本発明の液晶表示装置１００は、ＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクス駆動方式の液晶表示装置であると共に、いわゆる２重マトリクス方式の液晶表示装置である。また、この液晶表示装置１００は、バックライトなどの照明装置を用いた透過型の液晶表示装置でもある。
【００１８】
まず、図２及び図３を参照して、液晶表示装置１００の断面構成について説明する。そして、その後、素子基板９１の電極及び配線の構成並びに液晶表示装置１００の等価回路の構成について説明する。図２は、図１の液晶表示装置１００において、１つの横列をなす複数の画素電極１０を通る切断線Ａ−Ａ’に沿った概略断面図である。一方、図３は、図１の液晶表示装置１００における切断線Ｂ−Ｂ’に沿った断面図であり、具体的には、図２に対応する複数の画素電極１０に接続された複数のＴＦＤ素子２１（第１のスイッチング素子）及びダミーＴＦＤ素子２２（第２のスイッチング素子）を通る位置で切断したときの断面図である。なお、図２及び図３では、説明の便宜上、各画素電極１０を区別するために、画素電極１０ｓ、１０ｔ、１０ｕのように符号を異ならせているが、以下の説明において、画素電極の構成等を問わずにそれを特定する場合は単に「画素電極１０」と表記する。
【００１９】
図２において、液晶表示装置１００は、素子基板９１と、その素子基板９１に対向して配置されるカラーフィルタ基板９２とが枠状のシール部材３を介して貼り合わされ、その内部に液晶が封入されて液晶層４が形成されてなる。この枠状のシール部材３には、複数の金属粒子などの導通部材７が混入されている。また、この液晶表示装置１００では、素子基板９１とカラーフィルタ基板９２の間に図示しないスペーサが封入されており、このスペーサにより両基板が一定の間隔に規定されている。
【００２０】
下側基板１の内面上には、サブ画素領域ＳＧ毎に、透明導電材料、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などからなる画素電極１０ｓ、１０ｔ、１０ｕが形成されている。また、下側基板１の内面上において、画素電極１０ｓの両側、画素電極１０ｔの両側、及び画素電極１０ｕの両側には、それぞれクロムなどからなるデータ線３２ａ、３２ｂが形成されている。即ち、この素子基板９１は、図１に示すように、Ｙ方向に列をなす画素電極１０群毎に１組のデータ線３２ａ及び３２ｂが設けられており、いわゆる２重マトリクス構造をなす。また、下側基板１の内面上の左右周縁部には、クロムなどからなる走査線３１（「配線」又は「引き回し配線」とも称される）が形成されている。この走査線３１の一端側はシール部材３内に延在しており、そのシール部材３内に混入された導通部材７と電気的に接続されている。下側基板１、データ線３２ａ及び３２ｂ、画素電極１０並びに走査線３１の内面上には、図示しない配向膜が形成されている。
【００２１】
一方、上側基板２の内面上には、サブ画素領域ＳＧ毎にＲ、Ｇ、Ｂの三色のいずれかからなる着色層６Ｒ、６Ｇ、及び６Ｂが形成されている。このため、着色層６Ｒ、６Ｇ、及び６Ｂは、対応する画素電極１０に各々対向している。着色層６Ｒ、６Ｇ及び６Ｂによりカラーフィルタが構成される。画素領域Ｇは、Ｒ、Ｇ、Ｂのサブ画素から構成されるカラー１画素分の領域を示している。なお、以下の説明において、色を問わずに着色層を特定する場合は単に「着色層６」と記し、色を区別して着色層を特定する場合は「着色層６Ｒ」などと記す。
【００２２】
また、各着色層６の間に対応する上側基板２の内面上には、隣接するサブ画素領域ＳＧを隔て、一方のサブ画素領域ＳＧから他方のサブ画素領域ＳＧへの光の混入を防止するため黒色遮光層ＢＭが形成されている。この黒色遮光層ＢＭは、黒色の樹脂材料、例えば黒色の顔料を樹脂中に分散させたもの等を用いることが好ましい。なお、本発明では、これに代えて、Ｒ、Ｇ、Ｂの着色層が相互に重ね合わされて形成された重ね遮光層（図示略）を用いてもよい。
【００２３】
着色層６及び黒色遮光層ＢＭの内面上には、アクリル樹脂等からなるオーバーコート層１８が形成されている。このオーバーコート層１８は、液晶表示装置１００の製造工程中に使用される薬剤等による腐食や汚染から、着色層６等を保護する機能を有している。オーバーコート層１８の内面上には走査電極８が形成されている。
【００２４】
下側基板１の外面上には、偏光板１４が配置されている一方、上側基板２の外面上には、偏光板１２が配置されている。また、偏光板１４の下側には、照明装置としてのバックライト１５が配置されている。バックライト１５は、例えば、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等といった点状光源や、冷陰極蛍光管等といった線状光源と導光板を組み合わせたものなどが好適である。
【００２５】
続いて、図３を参照して、図２に対応する各画素電極１０に接続された複数のＴＦＤ素子２１及びダミーＴＦＤ素子２２を通る位置で切断したときの液晶表示装置１００の断面構成について説明する。なお、以下では、図２で説明した要素については同一の符号を付し、その説明は省略又は簡略化する。
【００２６】
下側基板１の内面上には、図２に対応する画素電極１０の一部（下側部分）が適宜の間隔をおいて形成されている。ここで、下側基板１の内面上であって、且つ、画素電極１０の紙面右側にはＴＦＤ素子２１が、また、その画素電極１０の紙面左側にはＴＦＤ素子２１と略同一形状をなすダミーＴＦＤ素子２２が夫々形成されている。さらに、下側基板１の内面上において、ＴＦＤ素子２１の紙面右側にはデータ線３２ｂが形成されていると共に、ダミーＴＦＤ素子２２の紙面左側にはデータ線３２ａが形成されている。ＴＦＤ素子２１は、画素電極１０及びデータ線３２ｂに電気的に接続されている。なお、当該ＴＦＤ素子２１の１つ上側又は下側に位置するＴＦＤ素子２１は、データ線３２ｂではなくデータ線３２ａに電気的に接続されている（図１又は図４を参照）。一方、ダミーＴＦＤ素子２２は、画素電極１０に電気的に接続されているが、データ線３２には電気的に接続されていない。即ち、ダミーＴＦＤ素子２２は、画素電極１０にのみ電気的に接続されている。つまり、ＴＦＤ素子２１は駆動用素子として機能するのに対し、ダミーＴＦＤ素子２２は駆動用素子として機能しない。下側基板１、画素電極１０、ＴＦＤ素子２１、ダミーＴＦＤ素子２２、及びデータ線３２等の内面上には、図示しない配向膜が形成されている。
【００２７】
一方、上側基板２の内面上には黒色遮光層ＢＭが形成されていると共に、当該黒色遮光層ＢＭはＴＦＤ素子２１及びダミーＴＦＤ素子２２等に対向している。黒色遮光層ＢＭの内面上にはオーバーコート層１８が形成されていると共に、オーバーコート層１８の内面上には、図２に対応する走査電極８が形成されている。
【００２８】
さて、第１実施形態の液晶表示装置１００において透過型表示がなされる場合、バックライト１５から出射した照明光は、図２に示す経路Ｔに沿って進行し、画素電極１０及び着色層６等を通過して観察者に至る。この場合、その照明光は、着色層６を透過することにより所定の色相及び明るさを呈する。こうして、所望のカラー表示画像が観察者により視認される。
【００２９】
（電極及び配線構成）
先ず、図４を参照して、素子基板９１の電極及び配線の構成などについて説明する。図４は、素子基板９１を正面方向（即ち、図２及び図３における上方）から観察したときの素子基板９１の電極及び配線などの構成を平面図として示す。また、図４において、電極や配線以外のその他の要素は説明の便宜上図示を省略している。
【００３０】
図１において、１つの画素電極１０と、それに対向する走査電極８との交差する領域が、表示の最小単位であるサブ画素領域ＳＧを構成する。そして、このサブ画素領域ＳＧが紙面縦方向及び紙面横方向に複数個、マトリクス状に並べられた領域が有効表示領域Ｖ（２点鎖線により囲まれる領域）である。この有効表示領域Ｖに、文字、数字、図形等の画像が表示される。なお、図１及び図４において、液晶表示装置１００の外周と、有効表示領域Ｖとによって区画された領域は、画像表示に寄与しない額縁領域３８である。
【００３１】
素子基板９１は、ＴＦＤ素子２１、ダミーＴＦＤ素子２２、画素電極１０、複数の走査線３１、複数のデータ線３２ａ及び３２ｂ、ＹドライバＩＣ３３、ＸドライバＩＣ３４、並びに複数の外部接続用端子３５などを備えている。
【００３２】
素子基板９１の張り出し領域３６上には、ＹドライバＩＣ３３及びＸドライバＩＣ３４が例えばＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）を介して、それぞれ実装されている。なお、図４において、素子基板９１の張り出し領域３６側の辺９１ａから反対側の辺９１ｃへ向かう方向をＹ方向とし、辺９１ｄから辺９１ｂへ向かう方向をＸ方向とする。
【００３３】
張り出し領域３６上には、複数の外部接続用端子３５が形成されている。ＹドライバＩＣ３３及びＸドライバＩＣ３４の各入力端子（図示略）は、導電性を有するバンプを介して、その複数の外部用接続端子３５にそれぞれ接続されている。外部接続用端子３５は、ＡＣＦや半田などを介して、図示しない配線基板、例えばフレキシブルプリント基板に接続されている。これにより、例えば携帯電話や情報端末などの電子機器から液晶表示装置１００へ信号や電力が供給される。
【００３４】
各ＹドライバＩＣ３３の出力端子（図示略）は、導電性を有するバンプを介して、複数の走査線３１に接続されている。一方、各ＸドライバＩＣ３４の出力端子（図示略）は、導電性を有するバンプを介して、複数のデータ線３２ａ及び３２ｂに接続されている。
【００３５】
ＴＦＤ素子２１は、画素電極１０の右下隅の位置又は左下隅の位置に配置されている一方、ダミーＴＦＤ素子２１は、それに対応して当該画素電極１０の左下隅の位置又は右下隅の位置に配置されている。即ち、図１及び図４において、ＴＦＤ素子２１は、データ線３２ａ又は３２ｂに接続されている矩形状の領域であると共に、ダミーＴＦＤ素子２２は、データ線３２ａ及び３２ｂに接続されていない矩形状の領域である。このため、Ｙ方向に列をなす１つの画素電極１０群に着目した場合、ＴＦＤ素子２１及びダミーＴＦＤ素子２２はそれぞれ当該１つの画素電極１０群に対して千鳥状に配列されている。
【００３６】
複数のデータ線３２ａ及び３２ｂは、それぞれＹ方向に延在する直線状の配線であり、張り出し領域３６から有効表示領域ＶにかけてＹ方向に形成されている。Ｙ方向に列をなす１つの画素電極１０群に着目した場合、１つのデータ線３２ａは、ＴＦＤ素子２１を介して、当該１つの画素電極１０群のうち偶数番目の画素電極１０に電気的に接続されている一方、１つのデータ線３２ｂは、ＴＦＤ素子２１を介して、当該１つの画素電極１０群のうち奇数番目の画素電極１０に電気的に接続されている。なお、本発明では、この構成に代えて、１つのデータ線３２ａは、ＴＦＤ素子２１を介して、当該１つの画素電極１０群のうち奇数番目の画素電極１０に電気的に接続されるようにしても構わないし、１つのデータ線３２ｂは、ＴＦＤ素子２１を介して、当該１つの画素電極１０群のうち偶数番目の画素電極１０に電気的に接続するようにしても構わない。
【００３７】
複数の走査線３１は、本線部分３１ａと、その本線部分３１ａに対して略直角に折れ曲がる折れ曲がり部分３１ｂとにより構成されている。各本線部分３１ａは、額縁領域３８内を張り出し領域３６からＹ方向に形成されている。また、各本線部分３１ａは、各データ線３２に対して略平行で、且つ、一定の間隔を隔てて形成されている。各折れ曲がり部分３１ｂは、額縁領域３８内において、左右に位置するシール部材３内までＸ方向に延在している。そして、その折れ曲がり部分３１ｂの終端部は、シール部材３内で導通部材７に電気的に接続されている。
【００３８】
次に、カラーフィルタ基板９２の電極の構成について説明する。図５に示すように、カラーフィルタ基板９２において、走査電極８は適宜の間隔をおいてＸ方向に延在するように形成されている。第１実施形態の液晶表示装置１００では、いわゆる２重マトリクス方式を採用しているため、各走査電極８の幅Ｄ１（Ｙ方向の長さ）は、図１及び図５に示すように、１つの画素電極１０のＹ方向の長さＤ２を約２倍した値に設定されている。また、各走査電極８の左端部或いは右端部は、図１及び図５に示すように、シール部材３内まで延在しており、且つ、シール部材３内の導通部材７に電気的に接続されている。
【００３９】
以上に述べた、カラーフィルタ基板９２と素子基板９１とをシール部材３を介して貼り合わせた状態が図１に示されている。図示のように、カラーフィルタ基板９２の各走査電極８は、素子基板９１の各データ線３２に対して直交している。また、各走査電極８は、Ｘ方向に横列をなす１つの画素電極１０群と、当該１つの画素電極１０群にＹ方向に隣接する他の１つの画素電極１０群と平面的に重なり合っている。つまり、各走査電極８は、Ｙ方向に相隣接する２つの横列をなす画素電極１０群と対向している。
【００４０】
また、カラーフィルタ基板９２の走査電極８（換言すれば、カラーフィルタ基板９２側の走査線）と、素子基板９１の走査線３１とは、図示のように左辺側と右辺側との間で交互に重なり合っており、その走査電極８と走査線３１とは、シール部材３内の導通部材７を介して上下導通している。つまり、走査電極８たるカラーフィルタ基板９２の各走査線と、素子基板９１の各走査線３１との導通は、図示のように左辺側と右辺側との間で交互に実現されている。これにより、カラーフィルタ基板９２の走査電極８は、素子基板９１の走査線３１を介して、紙面左右に夫々位置する各ＹドライバＩＣ３３に電気的に接続されている。
【００４１】
（等価回路の構成）
次に、図６を参照して、液晶表示装置１００の電気的な構成、即ち等価回路の構成について説明する。図６は、液晶表示装置１００の等価回路を示すブロック図である。
【００４２】
この液晶表示装置１００では、Ｙ１、Ｙ２、・・・、Ｙｍ（本）の走査線３１及び走査電極８（以下、便宜上、単に「走査線」とも呼ぶ）が紙面横方向に延在して形成される。このうち、Ｙ１（本）に対応する走査線は２つの走査線Ｙ１１及びＹ１２を、Ｙ２（本）に対応する走査線は２つの走査線Ｙ２１及びＹ２２を、・・・、Ｙｍ（本）に対応する走査線は２つの走査線Ｙｍ１及びＹｍ２を夫々有して構成される。一方、Ｘ１、Ｘ２、・・・、Ｘｎ+１（本）のデータ線３２が紙面縦方向に延在して形成される。このうち、Ｘ１、Ｘ３、・・・、Ｘｎの奇数列のデータ線３２は、データ線３２ａに対応している一方、Ｘ２、Ｘ４、・・・、Ｘｎ+１の偶数列のデータ線３２は、データ線３２ｂに対応している。そして、１つの走査線と、一対のデータ線３２、即ち１組のデータ線３２ａ及び３２ｂとの各交差に対応して、２つのサブ画素領域ＳＧ（破線にて囲まれる領域）が形成される。
【００４３】
ここで、１つの走査線Ｙ１１と、Ｘ１に対応するデータ線３２ａ及びＸ２に対応するデータ線３２ｂとの間のサブ画素領域ＳＧに着目した場合、ＴＦＤ素子２１（実線部分に相当）はデータ線３２ａ及び画素電極１０に直列に接続されていると共に、当該画素電極１０は液晶層４を介して当該走査線Ｙ１１に直列に接続されている。このため、ＴＦＤ素子２１は、走査線Ｙ１１とデータ線３２ａとの電位差にしたがってオンオフが制御される。また、ダミーＴＦＤ素子２２（破線部分に相当）は、当該画素電極１０のみに直列に接続されているが、データ線３２ｂには接続されていない。つまり、ダミーＴＦＤ素子２２は駆動用素子として機能しない。
【００４４】
また、１つの走査線Ｙ１１の下側に位置する、１つの走査線Ｙ１２と、Ｘ１に対応するデータ線３２ａ及びＸ２に対応するデータ線３２ｂとの間のサブ画素領域ＳＧに着目した場合、ＴＦＤ素子２１はデータ線３２ｂ及び画素電極１０に直列に接続されていると共に、当該画素電極１０は液晶層４を介して当該走査線Ｙ１２に直列に接続されている。このため、ＴＦＤ素子２１は、走査線Ｙ１２とデータ線３２ｂとの電位差にしたがってオンオフが制御される。なお、走査線Ｙ１１と走査線Ｙ１２は、１つの走査線Ｙ１から構成されるものであり、その両者にはＹドライバＩＣ３３から同一の走査信号等が付与される。同様に、走査線Ｙｍ１と走査線Ｙｍ２も１つの走査線Ｙｍから構成されるものであり、その両者にはＹドライバＩＣ３３から同一の走査信号等が付与される。また、ダミーＴＦＤ素子２２は、当該画素電極１０のみに直列に接続されているが、データ線３２ａには接続されていない。つまり、ダミーＴＦＤ素子２２は駆動用素子として機能しない。この液晶表示装置１００の等価回路において、上記した電気的構成は、一般に、走査線Ｙｍと、Ｘｎに対応するデータ線３２ａ及びＸｎ+１に対応するデータ線３２ｂとの間のサブ画素領域ＳＧにおける電気的な構成にも相当する。
【００４５】
ＹドライバＩＣ３３は、Ｙ１、Ｙ２、・・・、Ｙｍに対応する走査線の駆動を担う。すなわち、ＹドライバＩＣ３３によって、１垂直走査期間において走査線が順次排他的に１本ずつ選択されるとともに、選択された走査線には、選択電圧の走査信号が供給される一方、他の非選択の走査線には、非選択電圧の走査信号が供給される構成となっている。
【００４６】
ＸドライバＩＣ３４は、ＹドライバＩＣ３３により選択された走査線に位置する画素電極１０に対し、表示内容に応じたデータ信号を、それぞれ対応するデータ線３２を介して供給するものである。
【００４７】
そして、走査線とデータ線３２とに印加される電位差に基づきＴＦＤ素子２１の電流値が変化して、液晶層４が充放電される結果、当該液晶層４の表示状態、即ち非表示状態またはその中間表示状態に切り替えられる。これにより、液晶層４の表示動作が制御されることとなる。
【００４８】
（素子基板の構成）
次に、図７を参照して、本発明の特徴をなす素子基板９１の構成について説明する。なお、以下において、上記で説明した素子基板９１の要素は同一の符号を付し、その説明は省略又は簡略化する。図７は、素子基板９１を正面方向（即ち、図２における上方）から観察したときの、４画素分に対応する素子基板９１を拡大して示す部分平面図である。また、図７では、説明の便宜上、カラーフィルタ基板９２の主要な要素等も図示する。図８（ａ）は、図７における切断線Ｘ１−Ｘ２に沿った断面図であり、具体的にはＴＦＤ素子２１の構成を示す断面図である。図８（ｂ）は、図７における切断線Ｘ３−Ｘ４に沿った断面図であり、具体的にはダミーＴＦＤ素子２２の構成を示す断面図である。
【００４９】
図７において、下側基板１上には、略矩形状をなす画素電極１０がマトリクス状に形成されている。各画素電極１０の４隅には略Ｌ字状の切り欠き領域が形成されている。また、図７においてＹ方向に列をなす１つの画素電極１０ａ、１０ｂ、１０ｃ及び１０ｄの群（以下、単に「Ｙ方向画素電極群」とも呼ぶ）に着目したとき、当該Ｙ方向画素電極群の左右側には、夫々データ線３２ａ及び３２ｂがＹ方向に延在するように形成されている。このため、１つのＹ方向画素電極群と、それに隣接する他のＹ方向画素電極群の間には、２つのデータ線３２、即ちデータ線３２ｂ及び３２ａが形成されている。また、画素電極１０ａ及び１０ｃの左下隅の切り欠き領域の位置、及び、画素電極１０ｂ及び１０ｄの右下隅の切り欠き領域の位置には夫々ＴＦＤ素子２１が配置されており、その各ＴＦＤ素子２１は、それぞれ対応する画素電極１０と電気的に接続されている。また、画素電極１０ａ及び１０ｃの左下隅の切り欠き領域の位置に配置された各ＴＦＤ素子２１は、それぞれデータ線３２ａに電気的に接続されている一方、画素電極１０ｂ及び１０ｄの右下隅の切り欠き領域の位置に配置された各ＴＦＤ素子２１は、それぞれデータ線３２ｂに電気的に接続されている。このように、ＴＦＤ素子２１は、平面視したときにＹ方向画素電極群に対して千鳥状に配置されている。
【００５０】
また、画素電極１０ａ及び１０ｃの右下隅の切り欠き領域の位置、及び、画素電極１０ｂ及び１０ｄの左下隅の切り欠き領域の位置には夫々ダミーＴＦＤ素子２２が配置されており、その各ダミーＴＦＤ素子２２は、それぞれ対応する画素電極１０と電気的に接続されている。ダミーＴＦＤ素子２２は、画素電極１０に電気的に接続されているが、データ線３２ａ及び３２ｂには電気的に接続されていない。即ち、ダミーＴＦＤ素子２２は、画素電極１０にのみ電気的に接続され、駆動用素子として機能しない。このように、ダミーＴＦＤ素子２２は、平面視したときにＹ方向画素電極群に対して千鳥状に配置されている。また、ダミーＴＦＤ素子２２は、画素電極１０の幅方向の中心を通る直線Ｌ１に対して、ＴＦＤ素子２１と対称的な位置に配置されている。
【００５１】
ここで、図８（ａ）及び（ｂ）を参照して、ＴＦＤ素子２１及びダミーＴＦＤ素子２２の断面構成について説明する。
【００５２】
まず、ＴＦＤ素子２１は、図８（ａ）に示すように、第１のＴＦＤ素子２１ａ及び第２のＴＦＤ素子２１ｂにより構成される。第１のＴＦＤ素子２１ａ及び第２のＴＦＤ素子２１ｂは、Ｔａ（タンタル）などからなる島状の第１金属膜３２２と、この第１金属膜３２２の表面を陽極酸化することによって形成されたＴａ２Ｏ５等からなる絶縁膜３２３と、この表面に形成されて相互に離間した第２金属膜３１６、３３６とを有する。このうち、第２金属膜３１６、３３６は、クロム等の同一導電膜をパターニングしたものであり、前者の第２金属膜３１６は、データ線３２ｂからＴ字状に分岐したものが用いられる一方、後者の第２金属膜３３６の一端側は、画素電極１０と電気的に接続される。ＴＦＤ素子２１のうち、第１のＴＦＤ素子２１ａは、データ線３２ｂ側からみると順番に、第２金属膜３１６／絶縁膜３２３／第１金属膜３２２となって、金属／絶縁体／金属の構造を採るため、その電流−電圧特性は正負双方向にわたって非線形となる。一方、第２のＴＦＤ素子２１ｂは、データ線３２ｂ側からみると順番に、第１金属膜３２２／絶縁膜３２３／第２金属膜３３６となって、第１のＴＦＤ素子２１ａとは逆向きの構造を採る。このため、第２のＴＦＤ素子２１ｂの電流−電圧特性は、第１のＴＦＤ素子２１ａの電流−電圧特性を、原点を中心に点対称化したものとなる。その結果、ＴＦＤ素子２１は、２つのＴＦＤを互いに逆向きに直列接続した形となるため、１つの素子を用いる場合と比べると、電流−電圧の非線形特性が正負双方向にわたって対称化されることになる。
【００５３】
一方、ダミーＴＦＤ素子２２は、図８（ｂ）に示すように、第１のダミーＴＦＤ素子２２ａ及び第２のダミーＴＦＤ素子２２ｂにより構成される。図８（ｂ）において、第２金属膜３１６がデータ線３２ｂに電気的に接続されていない点を除けば、ダミーＴＦＤ素子２２の構成は、上記したＴＦＤ素子２１と同一の構成になっている。
【００５４】
図７に戻り、下側基板１、データ線３２ａ及び３２ｂ、ＴＦＤ素子２１、ダミーＴＦＤ素子２２並びに画素電極１０上には、図示しない配向膜が形成されている。
【００５５】
かかる構成を有する素子基板９１とカラーフィルタ基板９２とが貼り合わされた状態において、上側基板２の内面上であって且つＹ方向に相隣接する画素電極１０の間には、黒色遮光層ＢＭが形成されている。このため、ＴＦＤ素子２１及びダミーＴＦＤ素子２２は、黒色遮光層ＢＭと平面的に重なり合っており、その領域は表示に寄与しない領域となっている。また、この液晶表示装置１００は、いわゆる２重マトリクス方式を採用しているので、１つの走査電極８は、Ｙ方向に相隣接し且つＸ方向に列をなす２つのＸ方向画素電極群と対向しており、各画素電極１０に駆動電圧を印加する期間を２倍にすることが可能となっている。
【００５６】
次に、比較例と比較したときの、本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置１００の作用効果について説明する。
【００５７】
まず、比較例の構成について説明する。比較例の平面構成は、第１実施形態と略同様であるが、次の点が第１実施形態と若干異なっている。即ち、図７において、比較例は、ダミーＴＦＤ素子２２に対応する画素電極の部分には切り欠きが形成されておらず、且つ、その部分にダミーＴＦＤ素子２２を有しない構成になっている（図示略）。例えば、１つの画素電極１０ａと、それにＹ方向に隣接する他の画素電極１０ｂとに着目した場合、前者の画素電極１０ａは、その左下隅の位置に切り欠きが形成されており、その部分にはＴＦＤ素子２１が配置されている。また、当該画素電極１０ａの右下隅の位置には、切り欠きが形成されておらず、且つその部分にはダミーＴＦＤ素子２２を有しない構成となっている。一方、後者の画素電極１０ｂは、前者の画素電極１０ａの左右を反転させた構成となっている。即ち、後者の画素電極１０ｂは、その右下隅の位置に切り欠きが形成されており、その部分にはＴＦＤ素子２１が配置されている。また、当該画素電極１０ｂの左下隅の位置には、切り欠きが形成されておらず、且つその部分にはダミーＴＦＤ素子２２を有しない構成となっている。このため、比較例では、画素電極１０の行単位で、即ち１つの横列をなすＸ方向画素電極群毎に画素電極１０の形状が異なり、これに起因して、液晶の駆動時、Ｘ方向画素電極群毎に縞状の表示ムラが生じてしまう虞がある。
【００５８】
このような表示ムラの発生を防止するためには、全ての画素電極１０の形状が同一となるようにすればよい。
【００５９】
そこで、本発明の第１実施形態では、駆動用素子として機能せず且つＴＦＤ素子２１と略同一形状をなすダミーＴＦＤ素子２２を、画素電極１０の幅方向の中心を通る直線Ｌ１に対して、ＴＦＤ素子２１と対称的な位置に配置するようにしている。このため、画素電極１０の右下隅の位置にＴＦＤ素子２１が配置される場合には、当該画素電極１０の左下隅の位置にダミーＴＦＤ素子２２が配置される一方、画素電極１０の左下隅の位置にＴＦＤ素子２１が配置される場合には、当該画素電極１０の右下隅の位置にダミーＴＦＤ素子２２が配置される。このような構成により、本発明の第１実施形態では、全ての画素電極１０の形状が同一となり、液晶の駆動時に、上記した表示ムラが画素電極１０の行単位で生じるのを防止することができる。
【００６０】
[第２実施形態]
次に、図９及び図１０を参照して、本発明の第２実施形態に係る液晶表示装置２００の構成等について説明する。図９は、１つの横列をなす複数の画素電極１０、ＴＦＤ素子２１及びダミーＴＦＤ素子２２を通る位置で切断したときの、第２実施形態に係る液晶表示装置２００の概略断面図である。図１０（ａ）は、第２実施形態の素子基板９３の一部を拡大して示す部分平面図であり、図７の破線領域Ｅ１に略対応する部分平面図でもある。また、説明の便宜上、図１０（ｂ）に、図１０（ａ）に対応する第１実施形態の部分平面図も示す。即ち、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）に対応する第１実施形態の素子基板９１の一部を拡大して示す部分平面図である。図１０（ａ）及び（ｂ）において、破線領域にて囲まれる領域は１つのサブ画素領域ＳＧを示している。
【００６１】
第２実施形態と第１実施形態とを比較すると、両者は、素子基板の構成のみが異なっており、カラーフィルタ基板９２の構成は共通している。よって、以下では、第１実施形態と異なる要素等を中心に説明すると共に、第１実施形態と同様の要素については同一の符号を付し、その説明は省略又は簡略化する。
【００６２】
第２実施形態に係る液晶表示装置２００は、第１実施形態と同様に２重マトリクス方式を採用している。また、液晶表示装置２００は、透過型の表示装置であり、尚且つアクティブマトリクス方式の液晶表示装置である。この液晶表示装置２００は、素子基板９３において、画素電極１０と、データ線３２ａ及び３２ｂ並びにＴＦＤ素子２１及びダミーＴＦＤ素子２２とが絶縁膜にて離隔された、いわゆるオーバーレイヤー構造を適用している点に特徴を有している。このため、第２実施形態では、第１実施形態と比較して各画素電極１０の面積が相対的に大きくなっているが、この点については後述する。
【００６３】
図９において、下側基板１の内面上には、サブ画素領域ＳＧ毎に、１つのＴＦＤ素子２１及びダミーＴＦＤ素子２２が形成されている。図９の断面図では、ＴＦＤ素子２１は、サブ画素領域ＳＧの左端付近に形成されている一方、ダミーＴＦＤ素子２２は、サブ画素領域ＳＧの右端付近に形成されている。下側基板１の内面上であって且つＴＦＤ素子２１の左側にはデータ線３２ａが形成されていると共に、ＴＦＤ素子２１はデータ線３２ａに電気的に接続されている。また、下側基板１の内面上であって且つダミーＴＦＤ素子２２の右側にはデータ線３２ｂが形成されている。ダミーＴＦＤ素子２２は、データ線３２には電気的に接続されていない。このため、ダミーＴＦＤ素子２２は、ＴＦＤ素子２１と異なり、駆動用素子として機能しない。データ線３２ａ及び３２ｂ、並びにＴＦＤ素子２１及びダミーＴＦＤ素子２２の内面上には、絶縁膜、即ちオーバーレイヤー１７が一定の膜厚を有するように形成されている。オーバーレイヤー１７は、ＴＦＤ素子２１及びダミーＴＦＤ素子２２に対応する位置に開口、即ちコンタクトホール１７ａを有している。また、オーバーレイヤー１７の内面上には、サブ画素領域ＳＧ毎に、画素電極１０が形成されている。各画素電極１０は、対応するコンタクトホール１７ａ内まで形成されており、対応するＴＦＤ素子２１及びダミーＴＦＤ素子２２に電気的に接続されている。オーバーレイヤー１７及び画素電極１０の内面上には、図示しない配向膜が形成されている。
【００６４】
かかる構成を有する素子基板９３と、第１実施形態と同様の構成を有するカラーフィルタ基板９２とが貼り合わされた状態において、データ線３２ａ及び３２ｂは黒色遮光層ＢＭと対向していると共に、着色層６は画素電極１０に対向している。これにより、液晶表示装置２００では、その駆動時に、第１実施形態と同様の原理によりカラー表示がなされる。
【００６５】
次に、図１０（ａ）を参照して、第２実施形態の素子基板９３の平面構成について説明する。
【００６６】
図１０（ａ）において、下側基板１上であって、且つ、サブ画素領域ＳＧの左右側には、それぞれデータ線３２ａ及び３２ｂがＹ方向に延在するように形成されている。下側基板１上であって、且つ、紙面上側に位置するサブ画素領域ＳＧの右上隅近傍及び左下隅近傍、並びに、当該サブ画素領域ＳＧの下側に位置するサブ画素領域ＳＧの右下隅近傍には、それぞれＴＦＤ素子２１が形成されている。即ち、ＴＦＤ素子２１は、下側基板１上においてＹ方向に千鳥状の配列で形成されている。そして、各ＴＦＤ素子２１は、データ線３２ａ又は３２ｂに電気的に接続されている。
【００６７】
また、下側基板１上であって、且つ、紙面上側に位置するサブ画素領域ＳＧの左上隅近傍及び右下隅近傍、並びに、当該サブ画素領域ＳＧの下側に位置するサブ画素領域ＳＧの左下隅近傍には、それぞれダミーＴＦＤ素子２２が形成されている。即ち、ダミーＴＦＤ素子２２は、下側基板１上においてＹ方向に千鳥状の配列で形成されている。また、各ダミーＴＦＤ素子２２は、Ｘ方向に適宜の間隔をおいて、対応する各ＴＦＤ素子２１と平面的に対向している。各ダミーＴＦＤ素子２２は、各ＴＦＤ素子２１と異なり、データ線３２ａ及び３２ｂには電気的に接続されていない。そして、下側基板１、データ線３２ａ及び３２ｂ、並びにＴＦＤ素子２１及びダミーＴＦＤ素子２２の上には、オーバーレイヤー１７が一定の膜厚にて形成されている。オーバーレイヤー１７は、各ＴＦＤ素子２１及び各ダミーＴＦＤ素子２２に対応する位置に図示しないコンタクトホール１７ａを有する。オーバーレイヤー１７上には、サブ画素領域ＳＧ毎に、矩形状の形状をなす画素電極１０、即ち同図では画素電極１０ｆ、１０ｇが形成されている。特に、第２実施形態では、画素電極１０は、サブ画素領域ＳＧと略同サイズに形成されている。画素電極１０ｆ、１０ｇは、夫々図示しないコンタクトホール１７ａを介して、対応するＴＦＤ素子２１及びダミーＴＦＤ素子２２に電気的に接続されている。以上のように、第２実施形態の素子基板９３は、画素電極１０と、データ線３２ａ及び３２ｂ並びにＴＦＤ素子２１及びダミーＴＦＤ素子２２とがオーバーレイヤー１７にて絶縁された構造、すなわちオーバーレイヤー構造をなしている。
【００６８】
このような構成により、第２実施形態は、第１実施形態と比較して次のような有利な作用効果を有している。なお、第２実施形態に係る本発明のその他の作用効果は、第１実施形態と同様である。
【００６９】
即ち、第１実施形態では、同一の下側基板１上に、データ線３２ａ及び３２ｂ、ＴＦＤ素子２１及びダミーＴＦＤ素子２２、並びに画素電極１０を設ける必要があるため、各画素電極１０（同図では画素電極１０ａ、１０ｂ）の面積を大きくするのにはある程度限界がある。これに対し、第２実施形態では、下側基板１上に、データ線３２ａ及び３２ｂ並びにＴＦＤ素子２１及びダミーＴＦＤ素子２２を設け、下側基板１上ではなくオーバーレイヤー１７上に、画素電極１０（同図では画素電極１０ｆ、１０ｇ）を設けるようにしているので、画素電極１０の面積をサブ画素領域ＳＧと略同サイズまで大きくすることができる。即ち、図１０において、第２実施形態の各画素電極１０のＸ方向の長さ（幅）Ｄ１及びＹ方向の長さＤ２は、それぞれ第１実施形態の各画素電極１０のＸ方向の長さ（幅）Ｄ３及びＹ方向の長さＤ４に比較して大きくなっている。これにより、第２実施形態では、第１実施形態と比較して開口率の向上を図ることができる。
【００７０】
[液晶表示装置の製造方法]
次に、図１１乃至図１５を参照して、本発明の液晶表示装置の製造方法について説明する。図１１は、本発明の液晶表示装置の製造方法のフローチャートを示す。
【００７１】
まず、素子基板９１を作製する（工程Ｓ１）。図１２は、図１１における工程Ｓ１に対応する素子基板の製造方法を示すフローチャートである。図１３乃至図１５は、図１２における工程Ｐ１〜Ｐ６に対応する素子基板の各製造工程を示す部分平面図を示す。尚、図１３乃至図１５において、一点鎖線にて囲まれる領域は１つのサブ画素領域ＳＧを示している。
【００７２】
まず、素子基板９１の製造方法について説明する。図１３に示すように、ガラスやプラスチック等の材料からなる下側基板１上に、図示しないタンタル膜を一様に成膜し（工程Ｐ１）、当該タンタル膜をフォトリソグラフィー技術によってエッチングすることにより図示の形状にパターニングする（工程Ｐ１）。これにより、所定形状にパターニングされたタンタル膜３２２ｘが形成される。こうして形成されたタンタル膜３２２ｘは、Ｙ方向に凹凸状に延在する本線部３２２ｘｘと、その本線部３２２ｘｘから紙面左方向又は紙面右方向に分岐し且つＬ字状の平面形状をなす支線部３２２ｘｙとを有している。即ち、支線部３２２ｘｙは、Ｙ方向に列をなすサブ画素領域ＳＧ毎に、本線部３２２ｘｘの凹側から紙面左方向又は紙面右方向に交互に分岐している。このため、１つのサブ画素領域ＳＧに対応する支線部３２２ｘｙと、それにＹ方向に隣接する他の支線部３２２ｘｙとに着目した場合、両者は左右対称をなしている。
【００７３】
次に、陽極酸化を実行する(工程Ｐ２)。具体的には、図１３において、陽極酸化法にて、所定形状にパターニングされたタンタル膜３２２ｘ上に、Ｔａ２Ｏ５膜よりなる絶縁膜（図示略）を形成する。
【００７４】
次に、クロム膜を形成する（工程Ｐ３）。具体的には、図１４に示すように、下側基板１上、及び表面に絶縁膜が形成されたタンタル膜３２２ｘ上に、図示しないクロム膜を一様に成膜し、続いて、そのクロム膜をパターニングする。これにより、サブ画素領域ＳＧの紙面左右側に、それぞれデータ線３２ａ及び３２ｂがＹ方向に延在するように形成される。また、これにより、ＴＦＤ素子２１の要素となる第２金属膜３１６、３３６が、Ｙ方向に適宜の間隔をおいて、表面に絶縁膜が形成された支線部３２２ｘｙの一部を横断するように形成される。ここで、ＴＦＤ素子２１の要素となる第２金属膜３１６は、データ線３２ａ又は３２ｂと一体的に形成されている。また、これにより、ダミーＴＦＤ素子２２の要素たる第２金属膜３１６、３３６が、表面に絶縁膜が形成された本線部３２２ｘｘの一部を横断するように、且つ、ＴＦＤ素子２１の要素となる第２金属膜３１６、３３６と夫々平面的に対向するように形成される。ここで、ダミーＴＦＤ素子２２の要素となる第２金属膜３１６は、データ線３２ａ及び３２ｂとは独立に形成されており、当該第２金属膜３１６はデータ線３２ａ及び３２ｂと接続されていない。
【００７５】
次に、タンタル膜３２２ｘの分離パターニングを実行する（工程Ｐ４）。これにより、陽極酸化するために使用していた余分なタンタル膜３２２ｘを除去する。具体的には、ＴＦＤ素子２１の要素である第１金属膜３２２が形成される予定の領域に存在するタンタル膜３２２ｘｙを×印の部分（１箇所）で切断して、そのタンタル膜３２２ｘｙを島状に形成する。また、ダミーＴＦＤ素子２２の要素である第１金属膜３２２が形成される予定の領域に存在するタンタル膜３２２ｘｘを×印の部分（２箇所）で切断して、当該タンタル膜３２２ｘｘを島状に形成する。これにより、図１５に示すように、ＴＦＤ素子２１及びダミーＴＦＤ素子２２の要素たる、表面に絶縁膜が形成された第１金属膜３１２が夫々形成され、ＴＦＤ素子２１及びダミーＴＦＤ素子２２が形成される。
【００７６】
次に、画素電極１０を形成する（工程Ｐ５）。具体的には、図１５に示すように、下側基板１上に透明導電材料、例えばＩＴＯを一様に成膜し、それをサブ画素領域ＳＧ毎に略矩形状にパターニングする。これにより、サブ画素領域ＳＧ内に、略矩形状の画素電極１０が形成される。また、これにより、画素電極１０は、ＴＦＤ素子２１及びダミーＴＦＤ素子２２の各第２金属膜３３６と電気的に接続される。
【００７７】
次に、図１５において、下側基板１、データ線３２ａ及び３２ｂ、ＴＦＤ素子２１、ダミーＴＦＤ素子２２、並びに画素電極１０の上に、図示しない配向膜を形成すると共に、その他の構成要素、具体的には、図示しない偏光板１４及びバックライト１５等（図２等を参照）を取り付ける（工程Ｐ６）。こうして、図１乃至図４等に示される、第１実施形態に係る素子基板９１が製造される。
【００７８】
なお、上記した素子基板の製造方法において、上記の工程Ｐ４の後で且つ工程Ｐ５を実行する前に絶縁膜たるオーバーレイヤー等を形成すれば、上記した第２実施形態の素子基板９３が製造される。
【００７９】
次に、図１１に戻り、図１、図２、図３及び図５に示されるカラーフィルタ基板９２を既知の方法にて作製する（工程Ｓ２）。
【００８０】
次に、素子基板９１とカラーフィルタ基板９２とを、図示しないスペーサ及びシール部材３を介して貼り合せ（工程Ｓ３）、その両基板間に形成された開口（図示略）より、その内部に液晶を注入して当該開口の封止処理をする（工程Ｓ４）。次に、その他の構成要素を実装することにより（工程Ｓ５）、図１又は図９等に示される本発明の第１実施形態又は第２実施形態に係る液晶表示装置１００、２００が製造される。こうして製造された液晶表示装置１００、２００は、上記した本発明の作用効果を得ることができる。
【００８１】
また、本発明の液晶表示装置の製造方法では、特に、上記の工程Ｐ１において、ＴＦＤ素子２１の要素たる第１金属膜３２２を形成するために、タンタル膜３２２のうち、本線部３２２ｘｘから分岐したＬ字状の支線部３２２ｘｙを用いることにしている。これにより、タンタル膜３２２の分離パターニング工程Ｐ４において、支線部３２２ｘｙの１箇所を切断するだけで、ＴＦＤ素子２１の要素たる第１金属膜３２２を形成することができる。このため、タンタル膜３２２の２箇所を切断しなければＴＦＤ素子２１の要素たる第１金属膜３２２を形成することができないものと比べ、工程の削減を図ることができると共に、歩留まりの向上を図ることができる。
【００８２】
［電子機器］
次に、本発明による液晶表示装置１００又は２００を電子機器の表示装置として用いる場合の実施形態について説明する。
【００８３】
図１６は、本実施形態の全体構成を示す概略構成図である。ここに示す電子機器は、上記の液晶表示装置１００又は２００と、これを制御する制御手段４１０とを有する。ここでは、液晶表示装置１００を、パネル構造体４０３と、半導体ＩＣなどで構成される駆動回路４０２とに概念的に分けて描いてある。また、制御手段４１０は、表示情報出力源４１１と、表示情報処理回路４１２と、電源回路４１３と、タイミングジェネレータ４１４と、を有する。
【００８４】
表示情報出力源４１１は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）などからなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスクなどからなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ４１４によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号などの形で表示情報を表示情報処理回路４１２に供給するように構成されている。
【００８５】
表示情報処理回路４１２は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路などの周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫとともに駆動回路４０２へ供給する。駆動回路４０２は、走査線駆動回路、データ線駆動回路及び検査回路を含む。また、電源回路４１３は、上述の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する。
【００８６】
次に、本発明に係る液晶表示装置１００又は２００を適用可能な電子機器の具体例について図１７を参照して説明する。
【００８７】
まず、本発明に係る液晶表示装置１００又は２００を、可搬型のパーソナルコンピュータ（いわゆるノート型パソコン）の表示部に適用した例について説明する。図１７（ａ）は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。同図に示すように、パーソナルコンピュータ７１０は、キーボード７１１を備えた本体部７１２と、本発明に係る液晶表示パネルを適用した表示部７１３とを備えている。
【００８８】
続いて、本発明に係る液晶表示装置１００を、携帯電話機の表示部に適用した例について説明する。図１７（ｂ）は、この携帯電話機の構成を示す斜視図である。同図に示すように、携帯電話機７２０は、複数の操作ボタン７２１のほか、受話口７２２、送話口７２３とともに、本発明に係る液晶表示装置１００を適用した表示部７２４を備える。
【００８９】
なお、本発明に係る液晶表示装置１００を適用可能な電子機器としては、図１７（ａ）に示したパーソナルコンピュータや図１７（ｂ）に示した携帯電話機の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラなどが挙げられる。
【００９０】
［変形例］
上記の第１及び第２実施形態では、各走査電極８をストライプ状に形成した。そのため、走査電極８に対向し且つＹ方向に相隣接する画素電極１０の間及び当該各画素電極のエッジ付近では、液晶の駆動時に斜め電界が生じて、液晶の配向異常が生じる可能性がある。例えば、このとき、いわゆるリバーツィスト現象等が生じて、残像などの表示欠陥が生じる虞がある。そこで、第１及び第２実施形態では、そのような不具合が生じるのを回避するために、そのような部分に対応する位置に黒色遮光層ＢＭを形成して当該部分を遮光するようにした。本発明では、より一層、そのような効果を発揮するべく、図１に示すように、Ｙ方向に相隣接する画素電極１０の間に対応する各走査電極８の部分に開口８ｘを形成するようにしても構わない。即ち、これにより、液晶の駆動時に、開口８ｘに対応する位置において斜め電界が生じるのを防止できる。好適な例では、この開口８ｘは有効表示領域Ｖ内に位置させることができる。
【００９１】
また、上記の第１及び第２実施形態では、カラーフィルタ基板９２の走査電極８と、素子基板９１の走査線３１の導通は、液晶表示装置の左辺側と右辺側との間で交互に実現するように構成した。これに限らず、本発明では、走査電極８と走査線３１の導通は、液晶表示装置の左辺側及び右辺側のいずれか一方にて実現するように構成しても構わない。
【００９２】
また、上記の第１及び第２実施形態では２重マトリクス方式を適用したが、これに限らず、本発明はｎ重マトリクス方式（ｎは３以上の自然数）を適用することも可能である。
【００９３】
また、上記の第１及び第２実施形態では、透過型の液晶表示装置に本発明を適用することとしたが、これに限らず、反射型若しくは半透過反射型の液晶表示装置に本発明を適用することも可能である。
【００９４】
また、上記の第１及び第２実施形態では、ＴＦＤ素子２１やダミーＴＦＤ素子２２などの二端子素子を本発明に適用したが、これに限らず、本発明では、その両者をＴＦＴ素子などの三端子素子に代えて適用しても構わない。但し、この場合、素子基板側に走査線を設けて、各走査線と各行に対応する画素電極群とを共通接続すると共に、カラーフィルタ基板側に共通電極を形成する必要がある。そして、この構成では、列方向に相隣接する２つの走査線が同電位となるようにして、対応する相隣接する画素電極群を駆動する必要がある。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】本発明の第１実施形態の液晶表示装置の電極及び配線の構成を示す平面図。
【図２】図１の切断線Ａ−Ａ’に沿った液晶表示装置の断面図。
【図３】図１の切断線Ｂ−Ｂ’に沿った液晶表示装置の断面図。
【図４】第１実施形態の素子基板の電極及び配線の構成等を示す平面図。
【図５】第１実施形態のカラーフィルタ基板の電極の構成等を示す平面図。
【図６】第１実施形態の液晶表示装置の電気的な構成を示すブロック図。
【図７】第１実施形態の素子基板の一部を拡大して示す平面図。
【図８】ＴＦＤ素子及びダミーＴＦＤ素子の構成を示す断面図。
【図９】本発明の第２実施形態の液晶表示装置の構成を示す断面図。
【図１０】第２実施形態等の素子基板の構成等を拡大して示す平面図。
【図１１】本発明の液晶表示装置の製造方法を示すフローチャート。
【図１２】本発明の素子基板の製造方法を示すフローチャート。
【図１３】図１２における素子基板の各製造工程に対応する平面図。
【図１４】図１２における素子基板の各製造工程に対応する平面図。
【図１５】図１２における素子基板の各製造工程に対応する平面図。
【図１６】本発明の液晶表示装置を適用した電子機器の回路ブロック図。
【図１７】本発明の液晶表示装置を適用した電子機器の例。
【符号の説明】
【００９６】
１  下側基板、  ２  上側基板、  ３  シール部材、  ６  着色層、  ８  走査電極、  １０  画素電極、  １７  オーバーレイヤー、  １８  オーバーコート層、  ２１  ＴＦＤ素子、  ２２  ダミーＴＦＤ素子、  ３２ａ、３２ｂ  データ線、  ３１  走査線、  ９１、９３  素子基板、  ９２  カラーフィルタ基板、  １００、２００  液晶表示装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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