(57)【要約】【課題】  アスペクト比の高いピラーを正確に形成できると共にピラーの密度を非常に緻密に形成でき、且つ数段階の密度を持ったピラーの疎密領域を任意に形成可能で、しかも溝中にピラーの形成を効率良く短時間で行なうことが可能な成分分離素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】成分分離用の泳動溝１１が形成された断面凹状体中に、高さの異なるピラー１２をそれぞれ一定の間隔で設け、断面凹状体とピラー１２を全てＳｉＯ２で形成する。【選択図】      図１−２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
泳動溝が流路方向に連続的に形成された断面凹状体内にアスペクト比の異なるピラーを２種類以上形成して流路断面中で疎領域、密領域を設け、被分析物を電気泳動させて該被分析物の成分を分離する成分分離素子において、前記ピラー及び前記断面凹状体をＳｉＯ２で形成したことを特徴とする成分分離素子。
【請求項２】
前記断面凹状体と前記ピラーとが一体的に形成されていることを特徴とする請求項１記載の成分分離素子。
【請求項３】
ＳｉＯ２を堆積した基板上に、ピラー形成用ドライエッチマスク材料を堆積する工程と、該ピラー形成用ドライエッチマスクをピラーの平面形状にパターニングする工程と、該ピラー形成用ドライエッチングマスク上にＳｉＯ２を更に堆積する工程と、該ＳｉＯ２表面に溝加工用ドライエッチマスク材料を堆積する工程と、該溝加工用ドライエッチマスクをパターニングする工程と、該溝加工用マスクをエッチングマスクとして前記ピラー形成用マスクの位置よりも深い位置までＳｉＯ２をエッチングする工程とを備えることを特徴とする成分分離素子の製造方法。
【請求項４】
前記溝加工用ドライエッチマスク材料を堆積する工程の前に、前記ピラー形成用ドライエッチマスクを堆積する工程と、該ピラー形成用ドライエッチマスクをピラーの平面形状にパターニングする工程と、該ピラー形成用ドライエッチングマスク上にＳｉＯ２を更に堆積する工程とを所定回数繰り返すことを特徴とする請求項３記載の成分分離素子の製造方法。
【請求項５】
前記ピラー形成用ドライエッチマスクのパターニング及び前記溝加工用ドライエッチマスクのパターニングは、フォトリソグラフィ法または電子ビーム描画法とドライエッチング法またはウェットエッチング法を組み合わせて行うことを特徴とする請求項３記載の成分分離素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、たんぱく質やＤＮＡ等を電気泳動させて成分分離する成分分離素子およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
たんぱく質やＤＮＡの分析用途に、平面基板上に設けた数十ミクロンオーダーの幅、深さを持つ溝中に、電気泳動技術を用いて被分析物質を移動、分離させる方法が広く用いられている。
【０００３】
電気泳動を用いて被分析物質を分離する技術として、例えば特許文献１に、多数の障害物をアレイ状に溝中に配置した分離装置が開示されており、細胞やウイルス、巨大分子、微小粒子等が分析対象として例示されている。
【特許文献１】米国特許５，８３７，１１５号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記装置では、巨大分子や粒子が原因となって目詰まりが生じる場合があり、スループットの向上に限界があった。さらに、上記方法では、アレイ状の多数の障害物の寸法が一定なため、被分析物質のサイズの違いによる分離を行うことが困難であった。
【０００５】
サイズの違いによる被分析物質の分離を行うためには、柱状の障害物（以下、ピラーと記す）のアスペクト比を変化させ、流路断面中で疎領域、密領域を設ける方法がある。この方法によれば、サイズの大きい物質はピラーの疎の部分のみを移動するため早く移動し、サイズの小さい物質はピラーの密な部分にもトラップされながら移動するため移動が遅くなる。このようにしてサイズによる分離を行うことができる。このようなサイズの違いによる分離の効果を高めるためには、ピラーのアスペクト比を高くし、流路断面中で疎領域、密領域の領域比を任意に変化できることが望ましい。即ち、ピラーのアスペクト比が低いと、ピラーの上の領域は全て疎領域となってしまい、密領域の領域比はピラーのアスペクト比によって制限されてしまうことになる。また、この密領域中のピラーの密度は数段階で任意に変化可能である方が、なお望ましい。
【０００６】
しかしながら、従来より、ピラーの材料をＳｉとしてナノメートルオーダーのピラーを作成した場合、Ｓｉドライエッチング時の目減りが大きいため、アスペクト比の高いピラーを正確に形成するのは困難であった。この場合、予め目減り量を考慮してフォトマスクパターンのマスク径を大きくしておけばナノメートルオーダーの径を有するピラーを作ることは可能であるが、狭ピッチでピラーを密に配置することはできない。
【０００７】
また、ピラーを溝中に形成する方法としては、溝を形成した後にフォトリソグラフィや電子ビーム描画を行い、ピラーのパターンを形成する方法がある。しかし、この方法では溝とピラーとを別々に形成しているために時間がかかる上、レジストを溝中に均一に塗布することが難しく、均一なピラーのパターン形成が困難になるという問題があった。
【０００８】
従って、本発明の目的は、アスペクト比の高いピラーを正確に形成できると共にピラーの密度を非常に緻密に形成でき、且つ数段階の密度を持ったピラーの疎密領域を任意に形成可能で、しかも溝中にピラーの形成を効率良く短時間で行なうことが可能な成分分離素子及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明の成分分離素子は、泳動溝が流路方向に連続的に形成された断面凹状体内にアスペクト比の異なるピラーを２種類以上形成して流路断面中で疎領域、密領域を設け、被分析物を電気泳動させて該被分析物の成分を分離する成分分離素子において、前記ピラー及び前記断面凹状体をＳｉＯ２で形成したことを特徴とする。
【００１０】
前記断面凹状体と前記ピラーとを一体的に形成することもできる。
【００１１】
また、上記目的を達成するため、本発明の成分分離素子の製造方法は、ＳｉＯ２を堆積した基板上に、ピラー形成用ドライエッチマスク材料を堆積する工程と、該ピラー形成用ドライエッチマスクをピラーの平面形状にパターニングする工程と、該ピラー形成用ドライエッチングマスク上にＳｉＯ２を更に堆積する工程と、該ＳｉＯ２表面に溝加工用ドライエッチマスク材料を堆積する工程と、該溝加工用ドライエッチマスクをパターニングする工程と、該溝加工用マスクをエッチングマスクとして前記ピラー形成用マスクの位置よりも深い位置までＳｉＯ２をエッチングする工程とを備えることを特徴とする。
【００１２】
前記溝加工用ドライエッチマスク材料を堆積する工程の前に、前記ピラー形成用ドライエッチマスクを堆積する工程と、該ピラー形成用ドライエッチマスクをピラーの平面形状にパターニングする工程と、該ピラー形成用ドライエッチングマスク上にＳｉＯ２を更に堆積する工程とを所定回数繰り返すこともできる。
【００１３】
前記ピラー形成用ドライエッチマスクのパターニング及び前記溝加工用ドライエッチマスクのパターニングは、フォトリソグラフィ法または電子ビーム描画法とドライエッチング法またはウェットエッチング法を組み合わせて行うこともできる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の成分分離素子によれば、ピラー及び断面凹状体をＳｉＯ２で形成しているので、アスペクト比の高いピラーを正確に形成できると共に、ピラーの密度を非常に緻密に形成することが可能となる。また、ピラー及び断面凹状体を同一の材料のＳｉＯ２で形成しているので、一体形成が可能となる。
【００１５】
また、本発明の成分分離素子の製造方法によれば、溝加工用マスクをエッチングマスクとしてピラー形成用マスクの位置よりも深い位置までＳｉＯ２をエッチングしているので、溝の形成とピラーの形成とを同時に行うことができ、しかもピラーの密度が非常に緻密な場合でも容易に形成することができる。
【００１６】
また、溝加工用ドライエッチマスク材料を堆積する工程の前に、ピラー形成用ドライエッチマスクを堆積する工程と、ピラー形成用ドライエッチマスクをピラーの平面形状にパターニングする工程と、ピラー形成用ドライエッチングマスク上にＳｉＯ２を更に堆積する工程とを所定回数繰り返すことにより、数段階の密度を持ったピラーの疎密領域を任意に形成することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に、本発明の成分分離素子およびその製造方法の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００１８】
図１−１、図１−２に、本発明の成分分離素子の一実施形態を示す。図１−１は平面図、図１−２は図１−１のＡ−Ａ’断面図である。この成分分離素子は、成分分離用の泳動溝１１が形成された断面凹状体中に、高さの異なるピラー１２がそれぞれ一定の間隔で形成されている。断面凹状体及びピラー１２の材料は全てＳｉＯ２で同一であるが、図１−１、図１−２において、ピラー１２の高さの異なるものは異なるパターンで表現してある。
【００１９】
図中にて、同一パターンで表現された高さの等しいピラー１２同士はそれほど緻密である必要は無く、例えば１０００ｎｍピッチ程度でも良い。しかし溝１１の底部に於いては高さの異なるピラー１２同士が緻密に隣り合って形成されている。この例では５００ｎｍピッチである。また、それぞれのピラーの高さは任意に設定可能であり、例えば溝深さ１００を５０μｍ、１０１領域の高さを１６μｍ、１０２領域の高さを１６μｍ、１０３領域の高さを２μｍ、１０４領域の高さを１６μｍとしても良いし、溝深さ１００を５０μｍ、１０１領域の高さを１２．５μｍ、１０２領域の高さを１２．５μｍ、１０３領域の高さを１２．５μｍ、１０４領域の高さを１２．５μｍとしても良い。
【００２０】
このように、本実施形態の成分分離素子によれば、泳動溝１１中にピラー１２の密度を非常に緻密に形成でき、またピラー密度の異なる領域（１０１、１０２、１０３および１０４）を任意の占有率で溝中に混在させることができる。このため、電気泳動によりサイズの違いによる被分析物質の分離を効率的に行なうことが可能となる。
【００２１】
次に本実施形態の成分分離素子の製造方法を図２−１〜４、図３−１〜２に基づき説明する。
【００２２】
先ず石英基板１上にピラー形成用マスク２をスパッタリング法、フォトリソグラフィ法、ドライエッチング法を用いて形成する（工程１）。本実施例ではピラー形成用マスク２の材料としてＳｉを用いた。但し、マスク材料としてはＳｉＯ２と密着がよくドライエッチング時にＳｉＯ２との選択性が良いＴａ、Ａｌ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｉあるいはこれらの混合材料（一例としてＷＳｉ等）を用いても良い。また、マスク２の形成方法としては、上記の成膜、露光、エッチング方法の他に、ＣＶＤ法やＥＢ蒸着法、ＥＢ露光、ウェットエッチング等を組み合わせた方法を用いても良い。ここで、フォトリソグラフィ時のマスクパターンは例えば、直径５００ｎｍ、ピッチ１０００ｎｍの円形アレイパターンである。
【００２３】
次に該ピラー形成用マスク２上にＳｉＯ２３をＣＶＤを用いて２μｍ堆積する（工程２）。
【００２４】
次に該ＳｉＯ２３上に前述の方法を用いてピラー形成用マスク４を形成する（工程３）。ここでピラー形成用マスク４は前述のピラー形成用マスク２と同一パターンのものであるが、図２−１、図３−１に示したように、ピラー形成用マスク２とピラー形成用マスク４は所定間隔ずらして形成する。
【００２５】
次に該ピラー形成用マスク４上にＳｉＯ２５をＣＶＤを用いて１６μｍ堆積する（工程４）。次に該ＳｉＯ２５上に前述の方法を用いてピラー形成用マスク６を形成する（工程５）。ここでピラー形成用マスク６は前述のピラー形成用マスク２および４と同一パターンのものであるが、図２−２、図３−１に示したように、ピラー形成用マスク２および４とピラー形成用マスク６は所定間隔ずらして形成する。以下同様にＳｉＯ２７を１６μｍの厚さで形成し（工程６）、ピラー形成用マスク８をピラー形成用マスク同士が重ならないように形成する（工程７）。
【００２６】
次に上述の方法でＳｉＯ２９を１６μｍ堆積した後（工程８）、溝形成用マスク１０をピラー形成用マスクと同様の方法で形成する（工程９）。その後、ＳｉＯ２をドライエッチング法により５０μｍエッチングする（工程１０）。この際、各々のピラー形成用マスクは上面のＳｉＯ２が除去された後はＳｉＯ２エッチングマスクとして働き、結果として溝中に高さの異なるピラーが形成される。最後に、エッチングマスクのＳｉをドライエッチングにより除去し完成となる（工程１１）。
【００２７】
本実施形態においては、ＳｉＯ２エッチング後のピラーの直径はエッチング時の目減りにより２００ｎｍ程度であった。また、上述の製造方法においては数回のフォトリソグラフィを行ったが、いずれのフォトリソグラフィ時にも数１０μｍの溝は形成されておらず、レジスト塗布時の膜厚均一性は良好であった。このため、パターン形成時の露光ばらつきは通常半導体プロセス等で用いられるレベルと同様のものであった。
【００２８】
以上説明したように、本実施形態の成分分離素子の製造方法によれば、ピラー形成用の材料としてＳｉＯ２を用いているので、従来のＳｉと比較してドライエッチング時の目減りを減少させることができ、アスペクト比の高いピラーを正確に形成することが可能となる。また、工程１０において、各々のピラー形成用マスクが上面のＳｉＯ２が除去された後はＳｉＯ２エッチングマスクとして働くため、ピラーの密度が非常に緻密な場合でも容易に溝中に高さの異なるピラーを形成することができる。更に、溝とピラーとを同時に形成することができるので、溝中にピラーのパターン形成を効率良く短時間で行なうことが可能である。
【００２９】
なお、本実施形態においては基板として石英基板１を用いたが、溝形成用のＳｉＯ２エッチングを行う領域がドライエッチングを行うに支障のない少量のドーパントを含むあるいは含まないＳｉＯ２であれば問題なく、このため、基板としてＳｉ基板上にＳｉＯ２を堆積したものや、多量のドーパントを含むガラス基板上にＳｉＯ２を堆積したものを用いることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１−１】本発明の成分分離素子の一実施形態を示す平面図ある。
【図１−２】図１−１のＡ−Ａ’断面図である。
【図２−１】本実施形態の成分分離素子の各製造工程を示す断面図である。
【図２−２】本実施形態の成分分離素子の各製造工程を示す断面図である。
【図２−３】本実施形態の成分分離素子の各製造工程を示す断面図である。
【図２−４】本実施形態の成分分離素子の各製造工程を示す断面図である。
【図３−１】本実施形態の成分分離素子の各製造工程を示す平面図である。
【図３−２】本実施形態の成分分離素子の各製造工程を示す平面図である。
【符号の説明】
【００３１】
１  石英基板
２、４、６、８  ピラー形成用マスク
３、５、７、９  ＳｉＯ２
１０  溝形成用マスク
１１  泳動溝
１２  ピラー
１００  溝深さ
１０１、１０２、１０３、１０４  領域
【図１−１】
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【図１−２】
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【図２−１】
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【図２−２】
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【図２−３】
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【図２−４】
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【図３−１】
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【図３−２】
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