(57)【要約】  【課題】マルチバンド対応の高周波用半導体スイッチ素子と誘電体基板とを接続するためのボンディングワイヤの誘導性を利用することにより、誘電体基板に内蔵する導体パターンの面積を少なくし、小型、省スペースを図る。  【解決手段】誘電体基板の一主面上に、高周波信号の経路を切り替えるための高周波スイッチ回路素子ＩＣを実装してなり、前記高周波スイッチ回路素子ＩＣの上面に設けられた複数の信号用端子と、誘電体基板２０の主面に設けられた複数の回路端子と、前記高周波スイッチ回路素子の上面又は前記誘電体基板の主面に設けられた中継用端子ＴＲとを有し、前記高周波スイッチ回路素子の上面に設けられたいずれかの信号用端子と、前記中継用端子ＴＲとがボンディングワイヤＷ１で接続され、前記中継用端子ＴＲと、前記回路端子とがボンディングワイヤＷ２で接続されている。【選択図】        図３
2006245707.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体基板の一主面上に、高周波信号の経路を切り替えるための高周波スイッチ回路素子を実装してなる高周波スイッチングモジュールにおいて、
前記高周波スイッチ回路素子の上面に設けられた複数の信号用端子と、
前記誘電体基板の主面に設けられた複数の回路端子と、
前記高周波スイッチ回路素子の上面又は前記誘電体基板の主面に設けられた中継用端子とを有し、
前記高周波スイッチ回路素子の上面に設けられたいずれかの信号用端子と、前記誘電体基板の主面上に設けられたいずれかの前記回路端子とが、前記中継用端子を介してボンディングワイヤで接続されている高周波スイッチングモジュール。
【請求項２】
前記回路端子と高周波送信回路又は高周波受信回路との間に、高周波信号に含まれる高調波を減衰するためのフィルタ回路及び／又はインピーダンス整合をとるためのマッチング回路が介在し、
前記ボンディングワイヤは、前記フィルタ回路及び／又はマッチング回路の分布定数線路の一部を構成する請求項１記載の高周波スイッチングモジュール。
【請求項３】
前記高周波スイッチ回路素子を前記誘電体基板に実装するための接地用パッドが、前記前記誘電体基板の主面上に設けられ、前記ボンディングワイヤと前記接地用パッドとの間で形成される分布容量が、前記フィルタ回路及び／又はマッチング回路の容量の一部を構成する請求項２記載の高周波スイッチングモジュール。
【請求項４】
誘電体基板の一主面上に、高周波信号の経路を切り替えるための高周波スイッチ回路素子を実装してなる高周波スイッチングモジュールにおいて、
前記高周波スイッチ回路素子の上面において、前記高周波スイッチ回路素子の一端辺の近くに設けられた複数の信号用端子と、
前記誘電体基板の主面上に設けられた複数の回路端子とを有し、
前記高周波スイッチ回路素子のいずれかの信号用端子は、前記高周波スイッチ回路素子の反対辺の近くに設けられた前記回路端子とボンディングワイヤを介して接続されている高周波スイッチングモジュール。
【請求項５】
前記回路端子と高周波送信回路又は高周波受信回路との間に、高周波信号に含まれる高調波を減衰するためのフィルタ回路及び／又はインピーダンス整合をとるためのマッチング回路が介在し、
前記ボンディングワイヤは、前記フィルタ回路及び／又はマッチング回路の分布定数線路の一部を構成する請求項４記載の高周波スイッチングモジュール。
【請求項６】
前記高周波スイッチ回路素子を前記誘電体基板に実装するための接地用パッドが、前記前記誘電体基板の主面上に設けられ、前記ボンディングワイヤと前記接地用パッドとの間で形成される分布容量が、前記フィルタ回路及び／又はマッチング回路の容量の一部を構成する請求項５記載の高周波スイッチングモジュール。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の高周波スイッチングモジュールを搭載した無線通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マルチバンド対応移動無線端末機などに好適に使用される、高周波スイッチングモジュール及びそれを搭載した無線通信装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年の携帯電話機は、２つ以上の通信方式を搭載するマルチバンド対応のものがある。通信方式には、例えば、９００ＭHz帯を使用したＧＳＭ(Global System for Mobile communication)方式、１８００ＭＨｚ帯を使用したＤＣＳ(Digital Cellular System)方式、１９００ＭＨｚ帯を使用したＰＣＳ(Personal Communication Services)方式等がある。マルチバンド対応の携帯電話機は、地域性や利用者の使用目的等に合った通信方式を選択できるので、利用者にとって利便性が高い。
【０００３】
複数の通信方式を対応させるために、携帯電話機には、搭載された通信方式の数に比例した高周波送受信回路の収容スペ−スが必要となる。高周波送受信回路の収容スペースが増大すれば、携帯電話機の大型化を招来する。
しかし、携帯電話機の大型化は、近年の傾向として望まれない。よって、１つの高周波送受信回路で更に多くの通信方式に対応する必要が生じた場合でも、高周波送受信回路の小型化が要求される。
【０００４】
図８は、従来の携帯電話機に搭載されているＧＳＭ／ＤＣＳ方式デュアルバンド対応の高周波送受信回路のブロック図である。この高周波送受信回路は、各通信方式に対応した周波数帯域を選択し、送信系Ｔｘと受信系Ｒｘとの送受信を行う回路である。
この高周波送受信回路は、各通信方式ＧＳＭ／ＤＣＳでの送信信号に対して搬送波を供給するための電圧制御発振器ＶＣＯと、各通信方式の受信系での、低雑音増幅器ＡＭＰ１００及びＡＭＰ４００、帯域通過フィルタＢＰＦ１００及びＢＰＦ４００と、各通信方式の送信系での、電力増幅回路ＡＭＰ２００及びＡＭＰ３００、整合回路ＭＡＴ２００及びＭＡＴ３００、方向性結合機ＣＯＰ２００及びＣＯＰ３００と、周波数帯域の異なる２つの方式ＧＳＭ／ＤＣＳの送信系と受信系との切り替えを行う高周波選択回路ＲＦＭ１００と、無線電波を送受信するためのアンテナＡＮＴとを備えている。
【０００５】
ＧＳＭ−Ｒｘでは、アンテナＡＮＴで受信された無線電波は、高周波選択回路ＲＦＭ１００で選択されると、帯域通過フィルタＢＰＦ１００にて受信帯域近傍の周波数以外の信号が除去される。帯域通過フィルタＢＰＦ１００を通過した信号は、低雑音増幅器ＡＭＰ１００にて増幅され、信号処理系（図示せず）に入力される。
また、同様にＤＣＳ−Ｒｘでは、アンテナＡＮＴで受信された無線電波は、高周波選択回路ＲＦＭ１００で選択されると、帯域通過フィルタＢＰＦ４００にて受信帯域近傍の周波数以外の不要信号が除去される。帯域通過フィルタＢＰＦ４００を通過した信号は、低雑音増幅器ＡＭＰ４００にて増幅され、信号処理系（図示せず）に入力される。
【０００６】
一方、ＤＣＳ−Ｔｘでは、ＤＣＳの送信信号が、電力増幅回路ＡＭＰ２００で増幅され、低域通過フィルタからなる整合回路ＭＡＴ２００を通過し、方向性結合器ＣＯＰ２００を介して高周波選択回路ＲＦＭ１００に供給される。高周波選択回路ＲＦＭ１００で選択された高周波信号は、アンテナＡＮＴから無線電波として送信される。
また、同様にＧＳＭ−Ｔｘでは、ＧＳＭの送信信号が、電力増幅回路ＡＭＰ３００で増幅され、低域通過フィルタからなる整合回路ＭＡＴ３００を通過し、方向性結合器ＣＯＰ３００を介して高周波選択回路ＲＦＭ１００に供給される。高周波選択回路ＲＦＭ１００で選択された高周波信号は、アンテナＡＮＴから無線電波として送信される。
【特許文献１】特開２００２−２９０２５７号公報
【特許文献２】特開２００２−９３８４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、今後の市場動向をふまえると、携帯電話端末機を用いた高品質の音声や画像等のデータ伝送が行なわれることが予想され、これらに対応するために、符号分割多重接続方式であるＣＤＭＡ(Code Division Multiple Access)や、高速データ伝送レートや通信チャネルの多重化を特徴とした次世代通信システムＵＭＴＳ（Universal Mobile Telecommunication System）といった大容量データ伝送可能な通信システムの構築が進みつつある。
【０００８】
このように複数の通信システムへ対応するため、１つのモジュールでさらに多くのバンドに対応する必要が生じている。
このようにマルチバンド化が進み、１つのモジュールでさらに多くのバンドに対応する必要が生じた場合、バンド数に比例した表層スペースが必要となる。特に送受信信号の伝送経路を適宜切り替えるための高周波選択回路には更なる小型化が要求されている。
【０００９】
また、従来は誘電体多層基板内部にスパイラル形状のインダクタ、対向電極で形成されるコンデンサから成る内蔵型高調波減衰用フィルタで対応してきた。
しかしながら、マルチバンド化が進むと、それぞれの経路に設ける高調波用フィルタの数が多くなり、限られた基板スペースでは配置できなくなる。
従って、本発明は、複数の通信システムへ対応したマルチバンド対応の高周波用半導体スイッチ素子と該高周波用半導体スイッチ素子搭載用誘電体基板とを接続するためのボンディングワイヤの誘導性、あるいは前記ボンディングワイヤとグランドパターン間の寄生容量を積極的に利用することにより、誘電体基板に内蔵する導体パターンの面積を少なくし、小型、省スペースを実現できる高周波スイッチングモジュール及び無線通信装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の高周波スイッチングモジュールは、誘電体基板の一主面上に、高周波信号の経路を切り替えるための高周波スイッチ回路素子を実装してなり、前記高周波スイッチ回路素子の上面に設けられた複数の信号用端子と、前記誘電体基板の主面に設けられた複数の回路端子と、前記高周波スイッチ回路素子の上面又は前記誘電体基板の主面に設けられた中継用端子とを有し、前記高周波スイッチ回路素子の上面に設けられたいずれかの信号用端子と、前記誘電体基板の主面上に設けられたいずれかの前記回路端子とが、前記中継用端子を介してボンディングワイヤで接続されているものである。
【００１１】
このように、本発明の回路配置によれば、２本のボンディングワイヤを、中継用端子を介して設けることにより、ボンディングワイヤの長さを長くすることができるので、従来と比較してボンディングワイヤに大きなインダクタンスを与えることができる。
したがって、前記ボンディングワイヤを、誘電体基板に形成されるフィルタ回路及び／又はマッチング回路のインダクタとして利用することができる。これにより、前記フィルタ回路及び／又はマッチング回路のインダクタ用パターンを小型化するか、あるいは省くことができる。
【００１２】
また、前記ボンディングワイヤとグランド間の寄生容量を利用して、前記フィルタ回路及び／又はマッチング回路のコンデンサ形成用パターン面積を小型化することができる。これにより、小型で省スペースの高周波スイッチングモジュールを実現することができる。
また、本発明の高周波スイッチングモジュールは、前記高周波スイッチ回路素子の上面において、前記高周波スイッチ回路素子の一端辺の近くに設けられた複数の信号用端子と、前記誘電体基板の主面上に設けられた複数の回路端子とを有し、前記高周波スイッチ回路素子のいずれかの信号用端子は、前記高周波スイッチ回路素子の反対辺の近くに設けられた前記回路端子とボンディングワイヤを介して接続されているものであってもよい。
【００１３】
この構成では、ボンディングワイヤは、前記高周波スイッチ回路素子の信号用端子から、中継用端子を介するのでなく、前記誘電体基板の主面上に設けられた回路端子に、直接接続されている。しかし、高周波スイッチ回路素子を跨ぐ形で配線されるため、その長さは長くなり、ある程度のインダクタンスを持つようになる。
したがって、誘電体基板に形成されるフィルタ回路及び／又はマッチング回路のインダクタとして利用できるので、本来のインダクタパターンを小さくするか、あるいは省くことができる。
【００１４】
また、前記ボンディングワイヤとグランド間の寄生容量を利用して、前記フィルタ回路及び／又はマッチング回路コンデンサ形成用パターン面積を小型化することができる。
更に、本発明の無線通信装置は、前述した高周波スイッチングモジュールを搭載することにより、小型化、省電力化、低コストを実現できる。これにより、装置全体を大型化することなくさらに多くの通信方式に対応することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態を、添付図面を参照しながら詳細に説明する。
図１は、携帯電話機などに搭載されているマルチバンド対応高周波スイッチング回路２のブロック図である。
この高周波スイッチング回路２は、１つの共通のアンテナ端子ＡＮＴに接続され、ＧＳＭ８５０（８５０ＭＨｚ帯）、ＧＳＭ９００（９００ＭＨｚ帯）、ＤＣＳ（１８００ＭＨｚ帯）、ＰＣＳ（１９００ＭＨｚ帯）、ＵＭＴＳ８００（８５０ＭＨｚ帯）、ＵＭＴＳ２１００（２０００ＭＨｚ帯）の６つの通信システムの送受信系の伝送経路を切り替える回路である。
【００１６】
以下、送信系を"Ｔｘ"と表し、受信系を"Ｒｘ"と表すものとする。
この高周波スイッチング回路２は、通過帯域の異なる２組の送受信系、ＧＳＭ８５０／９００−Ｔｘ及びＤＣＳ／ＰＣＳ−Ｔｘ、ＧＳＭ８５０−Ｒｘ及びＤＣＳ−Ｒｘ、更にＧＳＭ９００−Ｒｘ及びＰＣＳ−Ｒｘ、ＵＭＴＳ２１００、ＵＭＴＳ８００を切り替える高周波スイッチ回路素子ＳＷ１００、ＳＷ２００と、それらのスイッチの状態を制御するデコーダＤＥＣ１０とを備えている。
【００１７】
前記高周波スイッチ回路素子ＳＷ１００、ＳＷ２００は、ＧａＡｓ（ガリウム砒素）化合物、Ｓｉ（シリコン）又はＡｌ2Ｏ3（サファイア）を主成分とする集積回路基板上に、回路パターンを形成したものである。
前記送受信系のＧＳＭ８５０／９００−Ｔｘ、ＤＣＳ／ＰＣＳ−Ｔｘ、ＧＳＭ８５０−Ｒｘ及びＤＣＳ−Ｒｘの信号は、共通のＡＮＴ端子に接続された高周波スイッチ回路素子ＳＷ１００により各伝送経路に切り替えられる。同様に、ＧＳＭ９００−ＲｘとＰＣＳ−Ｒｘ、ＵＭＴＳ２１００、ＵＭＴＳ８００は高周波スイッチ回路素子ＳＷ２００により各伝送経路に切り替えられる。
【００１８】
更に、前記高周波スイッチ回路素子ＳＷ１００には、送受信信号に含まれる高調波減衰用フィルタＬＰＦ１０〜ＬＰＦ４０が、前記高周波スイッチ回路素子ＳＷ２００には高調波減衰用フィルタＬＰＦ５０〜ＬＰＦ８０がそれぞれ接続されている。
図２は、図１に示す高周波スイッチング回路の詳細な回路図である。
まずＧＳＭ８５０／９００−Ｔｘの信号経路について説明する。
【００１９】
ＧＳＭ８５０／９００−Ｔｘ信号は、高周波電力増幅器で増幅された後、信号に含まれる高調波を減衰させるためのフィルタＬＰＦ１０に接続され、高周波スイッチ回路素子ＳＷ１００の信号用端子パッドＴ３に接続される。
この送信信号は、デコーダＤＥＣ１０の制御信号によって高周波スイッチ回路素子ＳＷ１００の信号用端子パッドＴ１とＴ３をＯＮ状態にすることにより、アンテナ端子ＡＮＴを通り送信される。このとき、高周波スイッチ回路素子ＳＷ２００の信号用端子パッドＴ７〜Ｔ１０はいずれもＯＦＦ状態になるようにし、Ｔ１に現れた信号がＧＳＭ９００−Ｒｘ、ＰＣＳ−Ｒｘ、ＵＭＴＳ２１００、ＵＭＴＳ８００端子に漏れないようにする。
【００２０】
フィルタＬＰＦ１０は分布定数線路ＳＬ１０とグランドとの間に接続されたコンデンサＣ１０とＣ１１、更に分布定数線路ＳＬ１０に並列に接続されたコンデンサＣ１２で構成される。
前記分布定数線路ＳＬ１０は、高周波スイッチ回路素子ＳＷ１００と基板とを接続するためのボンディングワイヤ又は誘電体多層基板内に設けられた導体パターンのインダクタ、いずれで実現してもよい。
【００２１】
一方、コンデンサＣ１０、Ｃ１１は、前記誘電体多層基板に設けられた内蔵コンデンサとすることが望ましい。更にボンディングワイヤと高周波スイッチ回路素子を搭載するために基板表面に設けられたグランドパターンとの間に発生する寄生容量も、Ｃ１０、Ｃ１１の一部として積極的に利用する。
ＤＣＳ／ＰＣＳ−Ｔｘ信号は、高周波電力増幅器で増幅された後、信号に含まれる高調波を減衰させるためのフィルタＬＰＦ２０に接続され、次に高周波スイッチ回路素子ＳＷ１００の信号用端子パッドＴ４に接続される。デコーダＤＥＣ１０の制御信号によって高周波スイッチ回路素子ＳＷ１００の信号用端子パッドＴ１とＴ４をＯＮ状態にすることによりアンテナ端子ＡＮＴを通り送信される。
【００２２】
このとき、高周波スイッチ回路素子ＳＷ２００の信号用端子パッドＴ７〜Ｔ１０はいずれもＯＦＦ状態になるようにし、Ｔ１に現れた信号がＧＳＭ９００−Ｒｘ、ＰＣＳ−Ｒｘ、ＵＭＴＳ２１００、ＵＭＴＳ８００端子に漏れないようにする。
フィルタＬＰＦ２０は、フィルタＬＰＦ１０と同様、分布定数線路ＳＬ２０とグランドとの間に接続されたコンデンサＣ２０とＣ２１、更に分布定数線路ＳＬ２０に並列に接続されたコンデンサＣ２２で構成される。前記分布定数線路ＳＬ２０は高周波スイッチ回路素子と基板とを接続するためのボンディングワイヤ又は誘電体多層基板内に設けられたインダクタのいずれで実現してもよい。
【００２３】
一方、コンデンサＣ２０、Ｃ２１は、前記誘電体多層基板に設けられた内蔵コンデンサとすることが望ましい。更にボンディングワイヤと高周波スイッチ回路素子を搭載するために基板表面に設けられたグランドパターンとの間に発生する寄生容量も、Ｃ２０、Ｃ２１の一部として積極的に利用する。
ＧＳＭ８５０−Ｒｘ信号は、共通のＡＮＴ端子で受信され、高周波スイッチ回路素子ＳＷ１００の信号用端子パッドＴ１及びＳＷ２００の信号用端子パッドＴ２に現れる。ＧＳＭ８５０−Ｒｘ信号は、デコーダＤＥＣ１０の制御信号によって高周波スイッチ回路素子ＳＷ１００の信号用端子パッドＴ１とＴ５をＯＮ状態にすることにより、高調波減衰用フィルタＬＰＦ３０を通り、ＧＳＭ８５０−Ｒｘ端子へと接続される。このとき高周波スイッチ回路素子ＳＷ２００の信号用端子パッドＴ７〜Ｔ１０はいずれもＯＦＦ状態になるようにし、Ｔ１に現れた信号がＧＳＭ９００−Ｒｘ、ＰＣＳ−Ｒｘ、ＵＭＴＳ２１００、ＵＭＴＳ８００端子に漏れないようにする。
【００２４】
フィルタＬＰＦ３０は、分布定数線路ＳＬ３０とグランドとの間に接続されたコンデンサＣ３０で構成される。前記分布定数線路ＳＬ３０は高周波スイッチ回路素子と基板を接続するためのボンディングワイヤ又は誘電体多層基板内に設けられたインダクタのいずれで実現してもよい。
一方、コンデンサＣ３０は、前記誘電体多層基板に設けられた内蔵コンデンサとすることが望ましい。更にボンディングワイヤと高周波スイッチ回路素子を搭載するために基板表面に設けられたグランドパターンとの間に発生する寄生容量も、Ｃ３０の一部として積極的に利用する。
【００２５】
ＤＣＳ−Ｒｘ信号は、共通のＡＮＴ端子で受信され、高周波スイッチ回路素子ＳＷ１００の信号用端子パッドＴ１及びＳＷ２００の信号用端子パッドＴ２に現れる。ＤＣＳ−Ｒｘ信号は、外部制御信号によって高周波スイッチ回路素子ＳＷ１００の信号用端子パッドＴ１とＴ６をＯＮ状態にすることにより、高調波減衰用フィルタＬＰＦ４０を通り、ＤＣＳ−Ｒｘ端子へと接続される。
【００２６】
このとき、高周波スイッチ回路素子ＳＷ２００の信号用端子パッドＴ７〜Ｔ１０はいずれもＯＦＦ状態になるようにし、Ｔ１に現れた信号がＧＳＭ９００−Ｒｘ、ＰＣＳ−Ｒｘ、ＵＭＴＳ２１００、ＵＭＴＳ８００端子に漏れないようにする。
フィルタＬＰＦ４０は、分布定数線路ＳＬ４０とグランドとの間に接続されたコンデンサＣ４０で構成される。前記分布定数線路ＳＬ４０は高周波スイッチ回路素子と基板を接続するためのボンディングワイヤ又は誘電体多層基板内に設けられたインダクタのいずれで実現してもよい。
【００２７】
一方、コンデンサＣ４０は、前記誘電体多層基板に設けられた内蔵コンデンサとすることが望ましい。更にボンディングワイヤと高周波スイッチ回路素子を搭載するために基板表面に設けられたグランドパターンとの間に発生する寄生容量も、Ｃ４０の一部として積極的に利用する。
ＧＳＭ９００−Ｒｘ信号は、共通のＡＮＴ端子で受信され、高周波スイッチ回路素子ＳＷ１００の信号用端子パッドＴ１及びＳＷ２００の信号用端子パッドＴ２に現れる。ＧＳＭ９００−Ｒｘ信号は、デコーダＤＥＣ１０の制御信号によって高周波スイッチ回路素子ＳＷ２００の信号用端子パッドＴ２とＴ７をＯＮ状態にすることにより、高調波減衰用フィルタＬＰＦ５０を通り、ＧＳＭ９００−Ｒｘ端子へと接続される。
【００２８】
このとき、高周波スイッチ回路素子ＳＷ１００の信号用端子パッドＴ３〜Ｔ６はいずれもＯＦＦ状態になるようにし、Ｔ２に現れた信号がＧＳＭ８５０／９００−Ｔｘ、ＤＣＳ／ＰＣＳ−Ｔｘ、ＧＳＭ８５０−Ｒｘ、ＤＣＳ−Ｒｘ端子に漏れないようにする。
フィルタＬＰＦ５０は、分布定数線路ＳＬ５０とグランドとの間に接続されたコンデンサＣ５０で構成される。前記分布定数線路ＳＬ５０は高周波スイッチ回路素子と基板を接続するためのボンディングワイヤ又は誘電体多層基板内に設けられたインダクタのいずれで実現してもよい。
【００２９】
一方、コンデンサＣ５０は、前記誘電体多層基板に設けられた内蔵コンデンサとすることが望ましい。更にボンディングワイヤと高周波スイッチ回路素子を搭載するために基板表面に設けられたグランドパターンとの間に発生する寄生容量も、Ｃ５０の一部として積極的に利用する。
ＰＣＳ−Ｒｘ信号は、共通のＡＮＴ端子で受信され、高周波スイッチ回路素子ＳＷ１００の信号用端子パッドＴ１及びＳＷ２００の信号用端子パッドＴ２に現れる。ＰＣＳ−Ｒｘ信号は、外部制御信号によって高周波スイッチ回路素子ＳＷ２００の信号用端子パッドＴ２とＴ８をＯＮ状態にすることにより高調波減衰用フィルタＬＰＦ６０を通り、ＰＣＳ−Ｒｘ端子へと接続される。
【００３０】
このとき、高周波スイッチ回路素子ＳＷ１００の信号用端子パッドＴ３〜Ｔ６はいずれもＯＦＦ状態になるようにし、Ｔ２に現れた信号がＧＳＭ８５０／９００−Ｔｘ、ＤＣＳ／ＰＣＳ−Ｔｘ、ＧＳＭ８５０−Ｒｘ、ＤＣＳ−Ｒｘ端子に漏れないようにする。
フィルタＬＰＦ６０は分布定数線路ＳＬ６０とグランドとの間に接続されたコンデンサＣ６０で構成される。前記分布定数線路ＳＬ６０は、高周波スイッチ回路素子と基板を接続するためのボンディングワイヤ又は誘電体多層基板内に設けられたインダクタのいずれで実現してもよい。
【００３１】
一方、コンデンサＣ６０は、前記誘電体多層基板に設けられた内蔵コンデンサとすることが望ましい。更にボンディングワイヤと高周波スイッチ回路素子を搭載するために基板表面に設けられたグランドパターンとの間に発生する寄生容量も、Ｃ６０の一部として積極的に利用する。
ＵＭＴＳ８００は、周波数帯域を分けて同時に送受信を行う通信方式の信号である。そのため、デコーダＤＥＣ１０の制御信号によって高周波スイッチ回路素子ＳＷ２００の信号用端子パッドＴ２とＴ９をＯＮ状態にすることにより、高周波電力増幅器で増幅された送信信号は、高調波を減衰させるためのフィルタＬＰＦ７０を通り、高周波スイッチ回路素子ＳＷ２００の信号用端子パッドＴ９に接続された後、Ｔ２を通って共通のＡＮＴ端子に送られて送信される。
【００３２】
一方、ＵＭＴＳ８００の受信信号は、共通のＡＮＴ端子で受信され、高周波スイッチ回路素子ＳＷ２００の信号用端子パッドＴ２及び信号用端子パッドＴ９を通り、高調波減衰用フィルタＬＰＦ７０を経た後、ＵＭＴＳ２１００端子へと接続される。
このとき、高周波スイッチ回路素子ＳＷ１００の信号用端子パッドＴ３〜Ｔ６はいずれもＯＦＦ状態になるようにし、Ｔ１に現れた信号がＧＳＭ８５０／９００−Ｔｘ、ＤＣＳ／ＰＣＳ−Ｔｘ、ＧＳＭ８５０−Ｒｘ、ＤＣＳ−Ｒｘ端子に漏れないようにする。
【００３３】
フィルタＬＰＦ７０は分布定数線路ＳＬ７０とグランドとの間に接続されたコンデンサＣ７０とＣ７１、更に分布定数線路ＳＬ７０に並列に接続されたコンデンサＣ７２で構成される。前記分布定数線路ＳＬ７０は高周波スイッチ回路素子と基板を接続するためのボンディングワイヤ又は誘電体多層基板内に設けられたインダクタのいずれで実現してもよい。
【００３４】
一方、コンデンサＣ７０、Ｃ７１は、前記誘電体多層基板に設けられた内蔵コンデンサとすることが望ましい。更にボンディングワイヤと高周波スイッチ回路素子を搭載するために基板表面に設けられたグランドパターンとの間に発生する寄生容量も、Ｃ７０、Ｃ７１の一部として積極的に利用する。
ＵＭＴＳ２１００は、周波数帯域を分けて同時に送受信を行う通信方式の信号である。そのため、外部制御信号によって高周波スイッチ回路素子ＳＷ２００の信号用端子パッドＴ２とＴ１０をＯＮ状態にすることにより、高周波電力増幅器で増幅された送信信号は、信号に含まれる高調波を減衰させるためのフィルタＬＰＦ８０を通り、高周波スイッチ回路素子ＳＷ２００の信号用端子パッドＴ１０に接続された後、Ｔ２を通って共通のＡＮＴ端子に送られて送信される。
【００３５】
一方、受信信号は、共通のＡＮＴ端子で受信され、高周波スイッチ回路素子ＳＷ２００の信号用端子パッドＴ２及び信号用端子パッドＴ１０を通り、高調波減衰用フィルタＬＰＦ８０を経た後、ＵＭＴＳ２１００端子へと接続される。
このとき、高周波スイッチ回路素子ＳＷ１００の信号用端子パッドＴ３〜Ｔ６はいずれもＯＦＦ状態になるようにし、Ｔ１に現れた信号がＧＳＭ８５０／９００−Ｔｘ、ＤＣＳ／ＰＣＳ−Ｔｘ、ＧＳＭ８５０−Ｒｘ、ＤＣＳ−Ｒｘ端子に漏れないようにする。
【００３６】
フィルタＬＰＦ８０は分布定数線路ＳＬ８０とグランドとの間に接続されたコンデンサＣ８０とＣ８１、更に分布定数線路ＳＬ８０に並列に接続されたコンデンサＣ８２で構成される。前記分布定数線路ＳＬ８０は高周波スイッチ回路素子と基板を接続するためのボンディングワイヤ又は誘電体多層基板内に設けられたインダクタのいずれで実現してもよい。
【００３７】
一方、コンデンサＣ８０、Ｃ８１は、前記誘電体多層基板に設けられた内蔵コンデンサとすることが望ましい。更にボンディングワイヤと高周波スイッチ回路素子を搭載するために基板表面に設けられたグランドパターンとの間に発生する寄生容量は、Ｃ８０、Ｃ８１の一部として積極的に利用する。
以上に説明した構成により、通過帯域の異なる複数の周波数帯に適宜分けることができ、マルチバンド化に対応することができる。
【００３８】
なお、通過帯域の異なる複数の周波数帯の信号用端子パッドＴ１からＴ１０の配置は、上記実施例に限定されたものでなく、端子配置を入れ替えても良い。
また高調波減衰用フィルタＬＰＦ１０〜ＬＰＦ８０の回路構成はこの限りでなく、例えば、上記実施例に示した回路を複数個直列接続して多段にしてもよい。また、ＬＰＦ３０〜ＬＰＦ８０の回路構成をＬＰＦ１０、ＬＰＦ２０のように複雑な回路にしても、ＬＰＦ１０、ＬＰＦ２０の回路構成をＬＰＦ３０〜ＬＰＦ８０のような複雑な回路にしてもよい。
【００３９】
また以上の説明では、高調波減衰用フィルタＬＰＦ１０〜ＬＰＦ８０を例示したが、前記高周波スイッチ回路素子ＳＷ１００と、高周波電力増幅器や低雑音増幅器との間には、高調波減衰用フィルタに代えて、インピーダンス整合用のマッチング回路が接続されている場合であっても、本発明は適用できる。マッチング回路の回路構成は、インダクタ素子やコンデンサ素子の回路定数がインピーダンス整合用に設定されているところが異なっているのみであり、回路構成は、高調波減衰用フィルタの回路構成とほぼ同じである。
【００４０】
次に、フィルタ回路の分布定数線路を高周波スイッチ回路素子と基板を接続するためのボンディングワイヤで実現したボンディングワイヤの配線例を、図３から図６を用いて説明する。
図３は、誘電体多層基板２０上面の高周波スイッチ回路素子ＳＷ１００、ＳＷ２００及びデコーダＤＥＣ１０の実装図を示す。誘電体多層基板２０の上面には高周波スイッチ回路素子ＳＷ１００、ＳＷ２００及びデコーダＤＥＣ１０を搭載するための接地用ダイパッド２８が形成され、接地用ダイパッド２８の上に、導電性あるいは非導電性の接着剤を介して高周波スイッチ回路素子ＳＷ１００、ＳＷ２００及びデコーダＤＥＣ１０が装着されている。
【００４１】
また、高周波スイッチ回路素子ＳＷ１００の上面には、前記信号用端子パッドＴ１、Ｔ３〜Ｔ６に相当するワイヤボンディングパッドが形成されている。
さらに、本発明では、高周波スイッチ回路素子ＳＷ１００の上面に中継用パッドＴＲが設けられている。中継用パッドＴＲは、単に中継のために設けられたものであり、誘電体多層基板２０内部のいかなる回路とも接続されていない（以下、図４から図７においても同様とする）。
【００４２】
中継用パッドＴＲは、高周波スイッチ回路素子ＳＷ１００の前記信号用端子パッドＴ１、Ｔ３〜Ｔ６のいずれかの端子（図３では信号用端子パッドＴ３としている）とワイヤＷ１により接続され、さらに、誘電体多層基板２０に設けられたフィルタＬＰＦ１０の回路端子パッドＦ１０とワイヤＷ２により接続されている。すなわち、中継用パッドＴＲは、高周波スイッチ回路素子ＳＷ１００の信号用端子パッドＴ３と、フィルタＬＰＦ１０の回路端子パッドＦ１０とを接続するワイヤＷ１、Ｗ２の中継端子として構成される。
【００４３】
このような中継端子を介することにより、ワイヤＷ１、Ｗ２の長さを長くすることができ、フィルタＬＰＦ１０の分布定数線路ＳＬ１００を構成することができる。あるいは、誘電体多層基板２０の上面及び／又は内部に分布定数線路ＳＬ１００が形成されているときは、その分布定数線路ＳＬ１００と直列につながることにより、その分布定数線路ＳＬ１００のインダクタンスと合わせてより大きなインダクタンスを持たせることができる。
【００４４】
また、ワイヤＷ１、Ｗ２と、接地用ダイパッド２８との間に容量が形成される。この容量により、前記誘電体多層基板２０に内蔵されたフィルタＬＰＦ１０を構成するコンデンサＣ１０、Ｃ１１の容量を補強することができる。
いままで、高周波スイッチ回路素子ＳＷ１００の信号用端子パッドＴ３を中継する構成例を述べたが、信号用端子パッドＴ３以外に、信号用端子パッドＴ４、Ｔ５又はＴ６とフィルタＬＰＦ２０、３０又は４０とを中継するための中継点を設けてもよい。
【００４５】
以上の構成では、高周波スイッチ回路素子ＳＷ１００又はＳＷ２００に設けられた中継端子は、当該高周波スイッチ回路素子ＳＷ１００又はＳＷ２００の端子を中継するものであった。
しかし、ある高周波スイッチ回路素子ＳＷ１００又はＳＷ２００に設けられた中継端子が、他の高周波スイッチ回路素子ＳＷ２００又はＳＷ１００の端子を中継するものであってもよい。
【００４６】
図４は、誘電体多層基板２０上面の高周波スイッチ回路素子ＳＷ１００、ＳＷ２００及びデコーダＤＥＣ１０の実装図であり、接地用ダイパッド２８の上に、導電性あるいは非導電性の接着剤を介して高周波スイッチ回路素子ＳＷ１００、ＳＷ２００及びデコーダＤＥＣ１０が装着されている。高周波スイッチ回路素子ＳＷ１００の上面には、前記信号用端子パッドＴ１、Ｔ３〜Ｔ６に相当するワイヤボンディングパッドが形成されている。高周波スイッチ回路素子ＳＷ２００の上面には、前記信号用端子パッドＴ２、Ｔ７〜Ｔ１０に相当するワイヤボンディングパッドが形成されている。
【００４７】
さらに、本発明では、高周波スイッチ回路素子ＳＷ２００の上面に中継用パッドＴＲが設けられている。
中継用パッドＴＲは、他の高周波スイッチ回路素子ＳＷ１００の前記信号用端子パッドＴ１、Ｔ３〜Ｔ６のいずれかの端子（図４では信号用端子パッドＴ６としている）とワイヤＷ１により接続され、さらに、誘電体多層基板２０に設けられたフィルタＬＰＦ４０の回路端子パッドＦ４０とワイヤＷ２により接続されている。すなわち、中継用パッドＴＲは、高周波スイッチ回路素子ＳＷ１００の信号用端子パッドＴ３と、フィルタＬＰＦ４０の回路端子パッドＦ４０とを接続するワイヤＷ１、Ｗ２の中継端子として構成される。
【００４８】
このような中継端子を介することにより、ワイヤＷ１、Ｗ２の長さを長くすることができ、フィルタＬＰＦ４０の分布定数線路ＳＬ４００として構成することができる。あるいは、誘電体多層基板２０の上面及び／又は内部に分布定数線路ＳＬ４００が形成されているときは、その分布定数線路ＳＬ４００と直列につながることにより、その分布定数線路ＳＬ４００のインダクタンスと合わせてより大きなインダクタンスを持たせることができる。
【００４９】
また、ワイヤＷ１、Ｗ２と、接地用ダイパッド２８との間に容量が形成される。この容量により、前記誘電体多層基板２０に内蔵されたフィルタＬＰＦ４０のコンデンサＣ４０の容量を補強することができる。
次に、他の実施形態を説明する。いままでの例では、中継端子は、高周波スイッチ回路素子の上面に設けられていた。
【００５０】
しかし、中継端子を高周波スイッチ回路素子でなく、誘電体多層基板２０の上面に配置してもよい。
図５は、誘電体多層基板２０上面の高周波スイッチ回路素子ＳＷ１００、ＳＷ２００及びデコーダＤＥＣ１０の実装図であり、接地用ダイパッド２８の上に、導電性あるいは非導電性の接着剤を介して高周波スイッチ回路素子ＳＷ１００、ＳＷ２００及びデコーダＤＥＣ１０が装着されている。高周波スイッチ回路素子ＳＷ１００の上面には、前記信号用端子パッドＴ１、Ｔ３〜Ｔ６に相当するワイヤボンディングパッドが形成されている。高周波スイッチ回路素子ＳＷ２００の上面には、前記信号用端子パッドＴ２、Ｔ７〜Ｔ１０に相当するワイヤボンディングパッドが形成されている。
【００５１】
さらに、本実施例では、誘電体多層基板２０の上面に中継用パッドＴＲが設けられている。
中継用パッドＴＲは、高周波スイッチ回路素子ＳＷ１００又はＳＷ２００のいずれかの端子（図５では高周波スイッチ回路素子ＳＷ２００の信号用端子パッドＴ１０としている）とワイヤＷ１により接続され、さらに、誘電体多層基板２０に設けられたフィルタＬＰＦ８０の回路端子パッドＦ８０とワイヤＷ２により接続されている。すなわち、中継用パッドＴＲは、高周波スイッチ回路素子ＳＷ２００の信号用端子パッドＴ１０と、フィルタＬＰＦ８０の回路端子パッドＦ８０とを接続するワイヤＷ１、Ｗ２の中継端子として構成される。
【００５２】
このような中継端子を介することにより、ワイヤＷ１、Ｗ２の長さを長くすることができ、フィルタＬＰＦ８０の分布定数線路ＳＬ８０として構成することができる。あるいは、誘電体多層基板２０の上面及び／又は内部に分布定数線路ＳＬ８０が形成されているときは、その分布定数線路ＳＬ８０と直列につながることにより、その分布定数線路ＳＬ８０のインダクタンスと合わせてより大きなインダクタンスを持たせることができる。
【００５３】
また、ワイヤＷ１、Ｗ２と、接地用ダイパッド２８との間に容量が形成されるので、前記誘電体多層基板２０に内蔵されたフィルタＬＰＦ８０のコンデンサＣ８０、Ｃ８１の容量を補強することができる。
なお、高周波スイッチ回路素子ＳＷ２００の信号用端子パッドＴ１０を中継する構成例を述べたが、信号用端子パッドＴ１０以外の端子とフィルタとを中継するための中継端子を設けてもよい。
【００５４】
つぎに、さらに他の実施形態を説明する。この実施形態は、中継端子は存在しないが、高周波スイッチ回路素子上の端子と、誘電体多層基板上面に設けられた端子とが、高周波スイッチ回路素子を挟んで反対側にあり、それらの端子をつなぐワイヤが高周波スイッチ回路素子本体をまたいでいる。
図６は、誘電体多層基板２０上面の実装図であり、接地用ダイパッド２８の上に、導電性あるいは非導電性の接着剤を介して高周波スイッチ回路素子ＳＷ１００、ＳＷ２００及びデコーダＤＥＣ１０が装着されている。高周波スイッチ回路素子ＳＷ２００の上面には、前記信号用端子パッドＴ２、Ｔ７〜Ｔ１０に相当するワイヤボンディングパッドが形成されている。
【００５５】
誘電体多層基板２０の上面に回路端子パッドＦ８０が設けられている。
回路端子パッドＦ８０は、高周波スイッチ回路素子ＳＷ１００又はＳＷ２００のいずれかの端子（図５では高周波スイッチ回路素子ＳＷ２００の信号用端子パッドＴ１０としている）とワイヤＷ３により接続されている。ワイヤＷ３は、誘電体多層基板２０に設けられたフィルタＬＰＦ８０の回路端子パッドＦ８０に接続されている。
【００５６】
高周波スイッチ回路素子ＳＷ１００の信号用端子パッドＴ１０と、フィルタＬＰＦ８０の回路端子パッドＦ８０とは、高周波スイッチ回路素子ＳＷ２００の反対側にあり、ワイヤＷ３は、信号用端子パッドＴ１０と、フィルタＬＰＦ８０の回路端子パッドＦ８０とを接続することにより、高周波スイッチ回路素子ＳＷ２００本体をまたいでいる。
このように高周波スイッチ回路素子ＳＷ２００をまたぐことにより、ワイヤＷ３の長さを長くすることができ、ワイヤＷ３を、フィルタＬＰＦ８０の分布定数線路ＳＬ８０として構成することができる。あるいは、誘電体多層基板２０の上面及び／又は内部に分布定数線路ＳＬ８０が形成されているときは、その分布定数線路ＳＬ８０と直列につながることにより、その分布定数線路ＳＬ８０のインダクタンスと合わせてより大きなインダクタンスを持たせることができる。
【００５７】
また、ワイヤＷ３と、接地用ダイパッド２８との間に容量が形成されるので、前記誘電体多層基板２０に内蔵されたフィルタＬＰＦ８０のコンデンサＣ８０、Ｃ８１の容量を補強することができる。
なお以上では、高周波スイッチ回路素子ＳＷ２００の信号用端子パッドＴ１０に接続されるワイヤの例を述べたが、信号用端子パッドＴ１０以外の端子とフィルタとを中継するためのワイヤであっても、高周波スイッチ回路素子ＳＷの本体をまたぐように配置することにより、同様の機能を付与することができる。
【００５８】
次に、前記高周波スイッチング回路を誘電体多層基板２０に搭載した本発明の高周波スイッチングモジュールの内部構造を説明する。
図７は、この高周波スイッチングモジュール１の外観及び内部構造を示す一部切り欠き斜視図である。
高周波スイッチングモジュール１は、高周波スイッチング回路２に含まれる高周波半導体集積回路素子ＩＣと、複数の各誘電体層１ａ〜１ｚが積層されてなる誘電体多層基板２０とを有する。
【００５９】
この高周波スイッチングモジュール１において、高周波スイッチＳＷ１００、ＳＷ２００とデコーダＤＥＣ１０とが、１つの高周波半導体集積回路素子ＩＣに集積されている。なお、高周波スイッチ回路素子ＳＷ１００とデコーダＤＥＣ１０は１つの高周波半導体集積回路素子に集積されてなく、それぞれ別の素子として構成されていても良いのはもちろんである。
【００６０】
高周波半導体集積回路素子ＩＣの信号用端子は、ボンディングワイヤを介して誘電体多層基板２０上の電極パッドに接続されている。
特に、この図７では、誘電体多層基板２０上に、高周波半導体集積回路素子ＩＣの信号用端子と、誘電体多層基板２０に内蔵されるフィルタの端子との間を中継する中継用パッドＴＲが形成されている。
【００６１】
誘電体多層基板２０は、同一寸法形状の各誘電体層１ａ〜１ｚが積層されている。各誘電体層１ａ〜１ｚ間には、所定のパタ−ンからなる導体パターン２６が形成されている。各誘電体層１ａ〜１ｚには、複数の層にわたって、回路を縦に接続するための必要なビアホールＶ１が、縦方向に適宣形成されている。
各誘電体層１ａ〜１ｚは、例えば、ガラスエポキシ樹脂などの有機系誘電体基板に対して、銅箔などの導体によって導体パターン２６を形成し、積層して熱硬化をさせたもの、または、セラミック材料などの無機系誘電体層に、種々の導体パターン２６を形成し、これらを積層後同時に焼成したものが用いられる。
【００６２】
なお、誘電体多層基板２０を形成する誘電体層の比誘電率が高いことが望ましい。特に、セラミック材料を用いれば、セラミック誘電体の比誘電率は、通常９から２５と、樹脂基板に比べて高いので、誘電体層を薄くでき、誘電体層に内蔵された回路の素子のサイズを小さくでき、素子間距離も狭くすることができる。各誘電体層が高誘電率になることで、比誘電率の平方根に反比例して波長が短縮する。よって、各回路を構成する分布定数線路の長さを短縮することができる。また、比誘電率に反比例してキャパシタ素子の対向面積を減少することができる。したがって、高周波スイッチングモジュールの小型化を実現することが可能となる。
【００６３】
とりわけ、ガラスセラミックスなどの低温で焼成が可能なセラミック材料を用いると、導体パターン２６を低抵抗の銅や銀などによって形成することができるので望ましい。
また、各ビアホールＶ１の導体は、誘電体層に形成した貫通孔にメッキ処理するか、導体ペーストを充填するかして、形成される。
高周波半導体集積回路素子ＩＣは、誘電体多層基板２０の上面に、高周波半導体集積回路素子ＩＣの実装面の面積よりも大きい面積の接地用ダイパッド２８を介して、ＡｇもしくはＡｕＳｎに接着剤を混ぜた導電性の接着剤Ｓを用いて接着されている。また、有機樹脂系の非導電性の接着剤を用いてもよい。
【００６４】
なお、ＧＳＭ−Ｔｘ端子、ＤＣＳ−Ｔｘ端子などに接続される、電力増幅回路ＡＭＰ、整合回路ＭＡＴ、方向性結合器ＣＯＰなどが、本実施例に示す高周波スイッチングモジュール１に搭載されている（図示せず）。同様に、ＧＳＭ−Ｒｘ端子、ＤＣＳ−Ｒｘ端子などに接続される、帯域通過フィルタＢＰＦや低雑音増幅器ＡＭＰなどが、本実施例に示す高周波スイッチングモジュール１に一体化されて搭載されてもよい。
【００６５】
高周波半導体集積回路素子ＩＣ内部の高周波スイッチング回路ＳＷ１００、ＳＷ２００は、小型化、電力の低ロス化を図るために、前述のとおり、ＧａＡｓ（ガリウム砒素）、Ｓｉ（シリコン）又はＡｌ2Ｏ3（サファイア）化合物を主成分とする回路パターンであり、ＧａＡｓ  Ｊ−ＦＥＴ構造を有した高周波モノリシック半導体集積回路素子で形成されている。
【００６６】
また、高周波スイッチング回路ＳＷ１００、ＳＷ２００を備える高周波半導体集積回路素子ＩＣの信号用端子パッドＴ１は、ボンディングワイヤ、ビアホール、そして誘電体多層基板２０の各々の導体パターン２６で構成される、基板内部の回路パターンと接続されている。
前記誘電体多層基板２０の内部には、低域通過フィルタＬＰＦの回路パターンが形成されている。これらの回路パターンを、誘電体多層基板２０の上方からみて重ならないように配置している。これにより、回路間の干渉を防止でき、良好なフィルタ特性を実現でき、低ロス化、高調波成分の低減が期待できる。
【００６７】
また、多層基板２７の上面及び側面は、樹脂により覆われている。この樹脂により、高周波スイッチ回路素子並びにその他の搭載部品の損傷を防ぐとともに、外部からの異物混入などを防止でき、高周波スイッチング回路の信頼性を向上することができる。
なお、本実施例では、樹脂による封止の例を示したが、従来から使用されている金属製キャップによって多層基板２７の上面及び側面を覆っても良い。
【００６８】
以上で、本発明の実施の形態を説明したが、本発明の実施は、前記の形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明に用いるマルチバンド対応高周波スイッチング回路２のブロック図である。
【図２】図１に示す高周波スイッチング回路２の詳細な回路図である。
【図３】誘電体多層基板上面の高周波スイッチ回路素子ＳＷ１００、ＳＷ２００及びデコーダＤＥＣ１０の実装図である。
【図４】誘電体多層基板上面の高周波スイッチ回路素子ＳＷ１００、ＳＷ２００及びデコーダＤＥＣ１０の実装図である。
【図５】誘電体多層基板上面の高周波スイッチ回路素子ＳＷ１００、ＳＷ２００及びデコーダＤＥＣ１０の実装図である。
【図６】誘電体多層基板上面の高周波スイッチ回路素子ＳＷ１００、ＳＷ２００及びデコーダＤＥＣ１０の実装図である。
【図７】本発明の高周波スイッチングモジュール１の外観及び内部構造を示す一部切り欠き斜視図である。
【図８】一般的な高周波送受信回路のブロック図である。
【符号の説明】
【００７０】
１  高周波スイッチングモジュール
２  高周波スイッチング回路
２０  誘電体基板
Ｆ１０，４０，８０  回路端子パッド
ＳＷ１００、ＳＷ２００  高周波スイッチ回路素子
Ｔ３〜Ｔ６，Ｔ７〜Ｔ１０  信号用端子パッド
ＴＲ  中継用端子パッド
Ｗ１，Ｗ２  ボンディングワイヤ
Ｗ３  ボンディングワイヤ
【図１】
2006245707.tif 000003
【図２】
2006245707.tif 000004
【図３】
2006245707.tif 000005
【図４】
2006245707.tif 000006
【図５】
2006245707.tif 000007
【図６】
2006245707.tif 000008
【図７】
2006245707.tif 000009
【図８】
2006245707.tif 000010