(57)【要約】  【課題】反応管に設けられた細管の破損を防ぐことができる基板処理装置を提供する。  【解決手段】基板処理装置１は、ウエハ２００を加熱するヒータ２０７と、ウエハ２００を収容する反応管２０３であって、この反応管２０３は、反応管２０３の外壁から外側に突出する少なくとも一つのポート部３００と、反応管２０３に処理ガスを供給する供給系と、反応管２０３内の雰囲気を排気する排気系とを備える。さらに、反応管２０３のポート部３００の近傍に、ポート部３００の破損を防止するための突起部３０２を設けた。【選択図】図５
2006286765.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を加熱する加熱手段と、
前記基板を収容する処理管であって、該処理管の外壁から外側に突出する少なくとも一つの細管が設けられた前記処理管と、
前記処理管に処理ガスを供給する供給系と、
前記処理管内の雰囲気を排気する排気系と、を備え、
前記処理管の前記細管の近傍に、前記細管の破損を防止するための細管破損防止部を設けたことを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に対して成膜処理などを行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板等の成膜処理には、縦型熱処理装置が広く用いられている。この熱処理装置に用いられる反応管（処理管）には、反応ガスの供給や熱電対の挿入などのために、ポート部（細管）が設けられている。これらのポート部は、小さな直径（例えば１／４〜１／２インチ程度）で構成されているものが広く知られている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、図８に示すように、反応管２０３を洗浄する際などに、反応管２０３のポート部３００へ外力が加わると、このポート部３００が破損してしまう恐れがあった。また、反応管２０３の外周に断熱材を巻く場合、この断熱材が落下し、反応管２０３に設けられたポート部３００に負荷を掛ける恐れがあった。
【０００４】
本発明の目的は、反応管に設けられた細管の破損を防ぐことができる基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の特徴とするところは、基板を加熱する加熱手段と、前記基板を収容する処理管であって、該処理管の外壁から外側に突出する少なくとも一つの細管が設けられた前記処理管と、前記処理管に処理ガスを供給する供給系と、前記処理管内の雰囲気を排気する排気系とを備え、前記処理管の前記細管の近傍に、前記細管の破損を防止するための細管破損防止部を設けた基板処理装置にある。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、反応管の細管の近傍に細管の破損を防止するための細管破損防止部を設けたことにより、反応管に設けられた細管の破損を防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
次に本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
図１及び図２において本発明が適用される基板処理装置１の一例である半導体製造装置についての概略を説明する。
【０００８】
筐体１０１の前面側には、図示しない外部搬送装置との間で基板収納容器としてのカセット１００の授受を行う保持具授受部材としてのカセットステージ１０５が設けられ、該カセットステージ１０５の後側には昇降手段としてのカセットエレベータ１１５が設けられ、該カセットエレベータ１１５には搬送手段としてのカセット移載機１１４が取り付けられている。また、前記カセットエレベータ１１５の後側には、前記カセット１００の載置手段としてのカセット棚１０９が設けられると共に、前記カセットステージ１０５の上方にも、予備カセット棚１１０が設けられている。前記予備カセット棚１１０の上方にはクリーンユニット１１８が設けられ、クリーンエアを前記筐体１０１の内部に流通させるように構成されている。
【０００９】
筐体１０１の後部上方には、処理炉２０２が設けられ、該処理炉２０２の下方には基板としてのウエハ２００を水平姿勢で多段に保持する基板保持手段としてのボート２１７を該処理炉２０２に昇降させる昇降手段としてのボートエレベータ１２１が設けられ、該ボートエレベータ１２１に取り付けられた昇降部材１２２の先端部には蓋体としてのシールキャップ２１９が取り付けられ、該ボート２１７を垂直に支持している。前記ボートエレベータ１２１と前記カセット棚１０９との間には、昇降手段としての移載エレベータ１１３が設けられ、該移載エレベータ１１３には基板搬送手段としてのウエハ移載機１１２が取り付けられている。また、前記ボートエレベータ１２１の横には、開閉機構を持ち前記処理炉２０２の下面を塞ぐ遮蔽部材としての炉口シャッタ１１６が設けられている。
【００１０】
前記ウエハ２００が装填された前記カセット１００は、図示しない外部搬送装置から前記カセットステージ１０５に該ウエハ２００が上向きの姿勢で搬入され、該ウエハ２００が水平の姿勢になるよう該カセットステージ１０５で９０°回転させられる。更に、前記カセット１００は、前記カセットエレベータ１１５の昇降動作、横行動作及び前記カセット移載機１１４の進退動作、回転動作の協働により前記カセットステージ１０５から前記カセット棚１０９又は前記予備カセット棚１１０に搬送される。
【００１１】
前記カセット棚１０９には前記ウエハ移載機１１２の搬送対象となる前記カセット１００が収納される移載棚１２３があり、前記ウエハ２００が移載に供される該カセット１００は前記カセットエレベータ１１５、前記カセット移載機１１４により該移載棚１２３に移載される。
【００１２】
前記カセット１００が前記移載棚１２３に移載されると、前記ウエハ移載機１１２の進退動作、回転動作及び前記移載エレベータ１１３の昇降動作の協働により該移載棚１２３から降下状態の前記ボート２１７に前記ウエハ２００を移載する。
【００１３】
前記ボート２１７に所定枚数の前記ウエハ２００が移載されると、前記ボートエレベータ１２１により該ボート２１７が前記処理炉２０２に挿入され、前記シールキャップ２１９により前記処理炉２０２が気密に閉塞される。気密に閉塞された前記処理炉２０２内では前記ウエハ２００が加熱されると共に処理ガスが該処理炉２０２に供給され、前記ウエハ２００に処理がなされる。
【００１４】
前記ウエハ２００への処理が完了すると、該ウエハ２００は上述した動作と逆の手順により、前記ボートから前記移載棚１２３の前記カセット１００に移載され、該カセット１００は前記カセット移載機１１４により該移載棚１２３から前記カセットステージ１０５に移載され、図示しない外部搬送装置により前記筐体１０１の外部に搬出される。なお、前記炉口シャッタ１１６は、前記ボート２１７が降下状態の際に前記処理炉２０２の下面を塞ぎ、外気が該処理炉２０２内に巻き込まれるのを防止している。
【００１５】
前記カセット移載機１１４等の搬送動作は、搬送制御手段１２４により制御される。
【００１６】
次に、上述した処理炉２０２について図３及び図４に基づいて詳細に説明する。
【００１７】
図３は、本実施の形態にかかる縦型の基板処理炉の概略構成図であり、処理炉２０２部分を縦断面で示し、図４は本実施の形態にかかる縦型の基板処理炉の概略構成図であり、処理炉２０２部分を図３のＡ−Ａ線断面図で示す。加熱手段であるヒータ２０７の内側に、基板であるウエハ２００を処理する反応管としての反応管２０３が設けられ、この反応管２０３の下端開口は蓋体であるシールキャップ２１９により気密部材であるＯリング２２０を介して気密に閉塞され、少なくとも、このヒータ２０７、反応管２０３、及びシールキャップ２１９により処理炉２０２を形成している。シールキャップ２１９には石英キャップ２１８を介して基板保持手段であるボート２１７が立設され、前記石英キャップ２１８はボートを保持する保持体となっている。そして、ボート２１７は処理炉２０２に挿入される。ボート２１７にはバッチ処理される複数のウエハ２００が水平姿勢で管軸方向に多段に積載される。前記ヒータ２０７は処理炉２０２に挿入されたウエハ２００を所定の温度に加熱する。
【００１８】
処理炉２０２へは複数種類、ここでは２種類の処理ガスを供給する供給管としての２本のガス供給管（第１のガス供給管２３２ａ，第２のガス供給管２３２ｂ）が設けられている。本例では、第１のガス供給管２３２ａからは、流量制御手段である第１のマスフローコントローラ２４１ａおよび開閉弁である第１のバルブ２４３ａを介し、更に後述する処理炉２０２内に形成されたバッファ室２３７を介して処理炉２０２に反応ガスが供給される。第２のガス供給管２３２ｂからは流量制御手段である第２のマスフローコントローラ２４１ｂ、開閉弁である第２のバルブ２４３ｂ、ガス溜め２４７および開閉弁である第３のバルブ２４３ｃを介し、さらに後述するガス供給部２４９を介して処理炉２０２に反応ガスが供給されている。
【００１９】
処理炉２０２は、ガスを排気する排気管であるガス排気管２３１により第４のバルブ２４３ｄを介して排気手段である真空ポンプ２４６に接続され、真空排気されるようになっている。なお、この第４のバルブ２４３ｄは、弁を開閉して処理炉２０２の真空排気・真空排気停止ができ、更に弁開度を調整して圧力調整が可能になっている開閉弁である。
【００２０】
処理炉２０２を構成している反応管２０３の内壁とウエハ２００との間における円弧状の空間には、反応管２０３の下部から上部の内壁にウエハ２００の積載方向に沿って、ガス分散空間であるバッファ室２３７が設けられており、このバッファ室２３７におけるウエハ２００と隣接する壁面の端部にはガスを供給する供給孔である第１のガス供給孔２４８ａが設けられている。この第１のガス供給孔２４８ａは、反応管２０３の中心へ向けて開口している。この第１のガス供給孔２４８ａは、下部から上部にわたってそれぞれ同一の開口面積を有し、さらに同一の開口ピッチで設けられている。
【００２１】
バッファ室２３７における第１のガス供給孔２４８ａが設けられた端部と反対側の端部には、ノズル２３３が、反応管２０３の下部から上部にわたりウエハ２００の積載方向に沿って配設されている。このノズル２３３には複数のガスを供給する供給孔である第２のガス供給孔２４８ｂが設けられている。この第２のガス供給孔２４８ｂの開口面積は、バッファ室２３７と処理炉２０２の差圧が小さい場合には、上流側から下流側まで同一の開口面積で同一の開口ピッチとすると良いが、差圧が大きい場合には上流側から下流側に向かって開口面積を大きくするか、開口ピッチを小さくすると良い。
【００２２】
このように、第２のガス供給孔２４８ｂの開口面積や開口ピッチを上流側から下流にかけて調整することで、各第２のガス供給孔２４８ｂより噴出するガスにおいて、流速差は生ずるが、流量がほぼ同一となる。さらに、各第２のガス供給孔２４８ｂより噴出するガスをバッファ室２３７に噴出させて一旦導入し、ガスの流速差の均一化をおこなう。
【００２３】
すなわち、バッファ室２３７において、各第２のガス供給孔２４８ｂより噴出したガスはバッファ室２３７で各ガスの粒子速度が緩和された後、第１のガス供給孔２４８ａより処理炉２０２に噴出する。各第２のガス供給孔２４８ｂより噴出したガスが、第１のガス供給孔２４８ａより噴出する際には、均一な流量と流速とを有するガスとなる。
【００２４】
バッファ室２３７に、細長い構造を有する第１の棒状電極２６９および第２の棒状電極２７０が上部から下部にわたって電極を保護する電極保護管２７５に保護されて配設され、この第１の棒状電極２６９または第２の棒状電極２７０のいずれか一方は、整合器２７２を介して高周波電源２７３に接続され、他方は基準電位であるアースに接続されている。これにより、第１の棒状電極２６９および第２の棒状電極２７０間のプラズマ生成領域２２４にプラズマが生成されるようになっている。
【００２５】
電極保護管２７５は、第１の棒状電極２６９および第２の棒状電極２７０のそれぞれをバッファ室２３７の雰囲気と隔離した状態でバッファ室２３７に挿入できる構造となっている。ここで、電極保護管２７５の内部は、外気（大気）と同一雰囲気であると、電極保護管２７５にそれぞれ挿入された第１の棒状電極２６９および第２の棒状電極２７０はヒータ２０７の加熱で酸化されてしまう。そこで、電極保護管２７５の内部は窒素などの不活性ガスを充填あるいはパージし、酸素濃度を低く抑えて第１の棒状電極２６９または第２の棒状電極２７０の酸化を防止するための不活性ガスパージ機構が設けられている。
【００２６】
また、第１のガス供給孔２４８ａの位置より、反応管２０３の内周を例えば１２０°程度回った内壁に、ガス供給部２４９が設けられている。このガス供給部２４９は、例えば後述するＡＬＤ法による成膜においてウエハ２００に対し、複数種類のガスを１種類ずつ交互に供給する際に、バッファ室２３７とガス供給種を分担するものである。
【００２７】
このガス供給部２４９もバッファ室２３７と同様にウエハと隣接する位置に同一ピッチでガスを供給する供給孔である第３のガス供給孔２４８ｃを有し、下部では第２のガス供給部２３２ｂが接続されている。
【００２８】
第３のガス供給孔２４８ｃの開口面積は、ガス供給部２４９と処理炉２０２の差圧が小さい場合には、上流側から下流側まで同一の開口面積で同一の開口ピッチとすると良いが、差圧が大きい場合には上流側から下流側に向かって開口面積を大きくするか開口ピッチを小さくすると良い。
【００２９】
反応管２０３内の中央部には複数枚のウエハ２００を多段に同一間隔で載置するボート２１７が設けられており、このボート２１７は、ボートエレベータ１２１（図１）により反応管２０３に出入りできるようになっている。また、処理の均一性を向上する為にボート２１７を回転するためのボート回転機構２６７が設けてあり、ボート回転機構２６７を回転することにより、石英キャップ２１８に保持されたボート２１７を回転するようになっている。
【００３０】
制御手段であるコントローラ１２２は、第１のマスフローコントローラ２４１ａ、第２のマスフローコントローラ２４１ｂ、第１のバルブ２４３ａ、第２のバルブ２４３ｂ、第３のバルブ２４３ｃ、第４のバルブ２４３ｄ、ヒータ２０７、真空ポンプ２４６、ボート回転機構２６７、ボートエレベータ１２１（図１）、高周波電源２７３、整合器２７２に接続されている。また、コントローラ１２２は、第１のマスフローコントローラ２４１ａおよび第２のマスフローコントローラ２４１ｂの流量調整、第１のバルブ２４３ａ、第２のバルブ２４３ｂおよび第３のバルブ２４３ｃの開閉動作、第４のバルブ２４３ｄの開閉および圧力調整動作、ヒータ２０７の温度調整、真空ポンプ２４６の起動・停止、ボート回転機構２６７の回転速度調節、ボートエレベータ１２１（図１）の昇降動作制御、高周波電源２７３の電力供給制御、整合器２７２によるインピーダンス制御を行う。
【００３１】
次に、上述した基板処理装置にて行われる基板へのプロセス処理の一例として、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法の１つであるＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法を用いた成膜処理について簡単に説明する。
【００３２】
ＡＬＤ法は、所定の成膜条件（温度、時間等）の下で、成膜に用いる２種類（または２種類以上）の原料となるガスを１種類ずつ交互に基板上に供給し、１原子層単位で吸着させ、表面反応を利用して成膜を行う手法である。
【００３３】
すなわち、利用する化学反応は、例えばＳｉＮ（窒化珪素）膜形成の場合、ＡＬＤ法ではＤＣＳ（ＳｉＨ２Ｃｌ２、ジクロルシラン）とＮＨ３（アンモニア）を用いて３００〜６００℃の低温で高品質の成膜が可能である。また、ガス供給は、複数種類の反応性ガスを１種類ずつ交互に供給する。そして、膜厚制御は、反応性ガス供給のサイクル数で制御する（例えば、成膜速度が１Å／サイクルとすると、２０Åの膜を形成する場合、処理を２０サイクル行う）。
【００３４】
次に、ＡＬＤ法による成膜例について、ＤＣＳ（ＳｉＨ２Ｃｌ２、ジクロルシラン）及びＮＨ３（アンモニア）ガスを用いてＳｉＮ膜を成膜する例で説明する。
【００３５】
成膜しようとするウエハ２００をボート２１７に装填し、処理炉２０２に搬入する。ウエハ２００を処理炉２０２に搬入後、後述する３つのステップを順次実行する。
【００３６】
[ステップ１]
プラズマ励起の必要なＮＨ３ガスと、プラズマ励起の必要ないＤＣＳガスとを併行して流す。第１のガス供給管２３２ａに設けた第１のバルブ２４３ａ及びガス排気管２３１に設けた第４のバルブ２４３ｄを共に開けて、第１のガス供給管２３２ａから第１のマスフローコントローラ２４３ａにより流量調整されたＮＨ３ガスをノズル２３３の第２のガス供給孔２４８ｂからバッファ室２３７へ噴出させる。また、第１の棒状電極２６９および第２の棒状電極２７０間に高周波電源２７３から整合器２７２を介して高周波電力を印加してＮＨ３ガスをプラズマ励起し、活性種として処理炉２０２に供給しつつガス排気管２３１から排気する。
【００３７】
ＮＨ３ガスをプラズマ励起することにより活性種として流すときは、第４のバルブ２４３ｄを適正に調整して処理炉２０２内圧力を例えば１０〜１００Ｐａ程度の圧力とする。第１のマスフローコントローラ２４１ａで制御するＮＨ３の供給流量は、例えば１０００〜１００００ｓｃｃｍ程度の流量とする。ＮＨ３をプラズマ励起することにより得られた活性種にウエハ２００を晒す時間は、例えば２〜１２０秒程度の時間とする。このときヒータ２０７の温度はウエハが例えば３００〜６００℃程度の温度となるように設定する。ＮＨ３は反応温度が高いため、上述したウエハ温度では反応しないので、プラズマ励起することにより活性種としてから流すようにしており、このためウエハ温度は設定した低い温度のままで行えるようになっている。
【００３８】
ＮＨ３をプラズマ励起することにより活性種として供給しているとき、第２のガス供給管２３２ｂの上流側の第２のバルブ２４３ｂを開け、下流側の第３のバルブ２４３ｃを閉めて、ＤＣＳも流すようにする。これにより第２のバルブ２４３ｂと第３のバルブ２４３ｃとの間に設けたガス溜め２４７にＤＣＳを溜める。このとき、処理炉２０２内に流しているガスはＮＨ３をプラズマ励起することにより得られた活性種であり、ＤＣＳは存在しない。したがって、ＮＨ３は気相反応を起こすことはなく、プラズマにより励起され活性種となったＮＨ３は、ウエハ２００上の下地膜と表面反応する。
【００３９】
[ステップ２]
第１のガス供給管２３２ａの第１のバルブ２４３ａを閉めて、ＮＨ３の供給を止めるが、引き続きガス溜め２４７へ供給を継続する。ガス溜め２４７に所定の圧力で、所定の量のＤＣＳが溜まったら上流側の第２のバルブ２４３ｂも閉めて、ガス溜め２４７にＤＣＳを閉じ込めておく。また、ガス排気管２３１の第４のバルブ２４３ｄは開いたままにし、真空ポンプ２４６により、処理炉２０２を２０Ｐａ以下に排気し、残留ＮＨ３を処理炉２０２から排除する。また、このとき例えばＮ２等の不活性ガスを処理炉２０２に供給すると、さらに残留ＮＨ３を排除する効果が高まる。
【００４０】
ガス留め２４７内には、例えば２０ｋＰａ程度以上の圧力となるようにＤＣＳを溜める。また、ガス溜め２４７と処理炉２０２との間のコンダクタンスが例えば１．５×１０−３ｍ３／ｓ程度となるように装置を構成する。また、必要とするガス溜め２４７の容積は、このガス溜め２４７の容積と反応管２０３の容積との比として考えると、反応管２０３の容積が例えば１００Ｌ（リットル）程度の場合においては、ガス留め２４７の容積は例えば０．１〜０．３Ｌ（リットル）程度であることが好ましい。すなわち、ガス溜め２４７の容積は、反応管２０３の容積の例えば１／１００００〜３／１００００倍程度とすることが好ましい。
【００４１】
[ステップ３]
処理炉２０２の排気が終了したらガス排気管２３１の第４のバルブ２４３ｄを閉じて排気を止める。第２のガス供給管２３２ｂの下流側の第３のバルブ２４３ｃを開く。これにより、ガス溜め２４７に溜められたＤＣＳが一気に処理炉２０２に供給される。このとき、ガス排気管２３１の第４のバルブ２４３ｄが閉じられているので、処理炉２０２内の圧力は急激に上昇して例えば約９３１Ｐａ（７Ｔｏｒｒ）程度の圧力まで昇圧される。ＤＣＳを供給するための時間は、例えば２〜４秒程度の時間に設定し、その後上昇した圧力雰囲気中にウエハ２００を晒す時間は、例えば２〜４秒程度の時間に設定し、合計時間は例えば６秒程度の時間とした。このとき、ウエハ２００の温度は、上述したＮＨ３の供給時と同様に、例えば３００〜６００℃程度の温度となっている。
【００４２】
ＤＣＳの供給により、ウエハ２００の下地膜上のＮＨ３とＤＣＳとが表面反応して、ウエハ２００上にＳｉＮ膜が成膜される。このＳｉＮ膜が成膜された後、第３のバルブ２４３ｃを閉じ、第４のバルブ２４３ｄを開けて処理炉２０２を真空排気し、残留するＤＣＳの成膜に寄与した後のガスを排除する。また、このとき例えばＮ２等の不活性ガスを処理炉２０２に供給すると、さらに残留するＤＣＳの成膜に寄与した後のガスを処理炉２０２から排除する効果が高まる。次に、再度第２のバルブ２４３ｂを開いてガス溜め２４７へのＤＣＳの供給を開始する。
【００４３】
上述したステップ１〜３を１サイクルとし、このサイクルを複数回繰り返すことにより、ウエハ上に所定の膜厚のＳｉＮ膜を成膜する。
【００４４】
ＡＬＤ装置では、ガスはウエハ２００の下地膜表面に吸着する。このガスの吸着量は、ガスの圧力およびガスの暴露時間（ウエハ２００をガスに晒す時間）に比例する。よって、所望する一定量のガスを、短時間でウエハ２００の下地膜表面に吸着させるためには、短時間でガスの圧力を大きくする必要がある。この点で、本例では、第４のバルブ２４３ｄを閉めたうえで、ガス溜め２４７内に溜めたＤＣＳを瞬間的に供給するので、処理炉２０２内のＤＣＳの圧力を短時間で急激に上昇させることができ、所望する一定量のガスをウエハ２００の下地膜表面に瞬間的に吸着させることができる。
【００４５】
また、本例では、ガス溜め２４７にＤＣＳを溜めている間に、ＡＬＤ法で必要なステップ（工程）であるＮＨ３ガスをプラズマ励起することにより活性種として供給および処理炉２０２の排気をしているので、ＤＣＳを溜めるための特別なステップ（工程）を必要としない。また、処理炉２０２内を排気してＮＨ３ガスを除去（排除）してＤＣＳを流すので、この両者（ＮＨ３ガス及びＤＣＳ）はウエハ２００に向かう途中で反応を起こさず、供給されたＤＣＳは、ウエハ２００上に吸着しているＮＨ３とのみ有効に反応させることができる。
【００４６】
次に、反応管２０３について説明する。
【００４７】
図５は、本発明の実施形態に係る処理炉２０２の反応管（処理管）２０３を中心に図示した縦断面図である。
【００４８】
上述したように、処理炉２０２は、基板としてのウエハ２００（図２）を加熱する加熱手段であるヒータ２０７と、このヒータ２０７によりウエハ２００を熱処理する処理管としての反応管２０３とを有する。反応管２０３は、この反応管２０３の下部に外壁から外側に突出する細管としての複数のポート部３００を有する。これらのポート部３００は、反応管２０３内部に処理ガス（上述したＤＣＳ（ＳｉＨ２Ｃｌ２、ジクロルシラン）及びＮＨ３（アンモニア）ガスなど）を供給する供給管（上述した第１のガス供給管２３２ａ及び第２のガス供給管２３２ｂなど）が接続される供給系と、反応管２０３内のガスを排気する排気管（上述したガス排気管２３１など）が接続される排気系とを有する。
【００４９】
また、反応管２０３に設けられたポート部３００の近傍（例えば垂直方向上部）には、このポート部３００の破損を防止するための細管破損防止部である突起部３０２が設けられている。この突起部３０２は、ポート部３００の先端部よりも外側に突出するように形成されている。すなわち、反応管２０３の中心からポート部３００の先端部までの距離よりも反応管２０３の中心から突起部３０２の距離の方が長く形成されている。
この突起部３０２は、反応管２０３と一体に反応管２０３の外周に沿って一周（３６０°）にわたって設けられており、反応管２０３と同一の材質（例えば石英）で形成されている。また、突起部３０２の厚さ（垂直方向の厚さ）は、ポート部３００の厚さ（管の肉厚）よりも厚く形成されており、突起部３０２はポート部３００よりも強度（例えば曲げ強度、圧縮強度および衝撃強度など）が高くなっている。
【００５０】
また、反応管２０３の下部には、この反応管２０３の外周に沿って一周（３６０°）にわたって断熱材３０４が巻かれている。この断熱材３０４は、ヒータ２０７の内部に設置される反応管２０３の熱対策として設けられている。また、断熱材３０４は、突起部３０２の上部（垂直方向）に設置され、突起部３０２の上面で断熱材３０４が保持されている。すなわち、突起部３０２により断熱材３０４が落下しないようになっている。
【００５１】
図６に、反応炉２０３の洗浄時の状態を示す。
【００５２】
図６に示すように、反応管２０３を洗浄する際は、反応管２０３を寝かせて洗浄槽に入れ、洗浄液に含浸させる。このとき、洗浄槽の底部や洗浄槽の底部に設けられたトレイなどに、反応管２０３の上部及び反応管２０３の突起部３０２が接触する。このときポート部３００は、洗浄槽の底部や洗浄槽の底部に設けられたトレイなどに接触することがなく、外力による負荷を受けないようになっている。
【００５３】
なお、本実施例において、突起部３０２が反応管２０３と一体に反応管２０３の外周に沿って一周（３６０°）にわたって設けられた実施形態を説明したが、これに限定されるものではなく、反応管２０３のポート部３００近傍にのみ突起部が設けられていてもよい。また反応管２０３と突起部３０２とは別部材で構成されていてもよい。
【００５４】
上述したように、反応管２０３に突起部３０２が形成されていることにより、ポート部３００にかかる負荷（洗浄時などの外力による負荷および断熱材３０４の落下による負荷）を防ぐことが可能となる。これにより、反応管２０３に設けられたポート部３００の破損を防ぐことができる。
また、反応管２０３のポート部３００の上部（垂直方向）に反応管２０３と同一の材質の突起部３０２を設けることにより、断熱効果（ポート部３００に接続される継ぎ手類などの保護）を得ることができる。
また、反応管２０３の形状は、従来の反応管とほぼ共通なため、従来の基板処理装置へ適用することができる。
【００５５】
次に本発明に係る第２の実施形態を図７に基づいて説明する。
【００５６】
第２の実施形態に係る反応管２０３は、第１の実施形態の反応管２０３の突起部３０２を突起ジグ３０６に置換した構成である。なお、第１の実施形態で説明した部材には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００５７】
図７（ａ）は、反応管２０３の概略を示す側面図であり、図７（ｂ）は、突起ジグ３０６を示す斜視図である。
【００５８】
図７（ａ）に示すように、反応管２０３に設けられたポート部３００の近傍（例えば垂直方向上部）には、このポート部３００の破損を防止するための細管破損防止部である突起ジグ３０６が設けられている。この突起ジグ３０６は、ポート部３００の先端部よりも外側に突出するように設けられている。すなわち、反応管２０３の中心からポート部３００の先端部までの距離よりも反応管２０３の中心から突起ジグ３０６の距離の方が長くなっている。
【００５９】
この突起ジグ３０６は、反応管２０３とは別部材で、反応管２０３の外周に沿って一周（３６０°）にわたって設けられている。すなわち、図７（ｂ）に示すように、突起ジグ３０６は、リング状に形成され、反応管２０３より取り外し可能となっている。また、この突起ジグ３０６は、反応管２０３と同一の材質（例えば石英）もしくは異なった材質（例えばテフロン（登録商標）など）で形成されている。
また、突起ジグ３０６の厚さ（垂直方向の厚さ）は、ポート部３００の厚さ（管の肉厚）よりも厚く形成されており、突起部３０２はポート部３００よりも強度（例えば曲げ強度、圧縮強度および衝撃強度など）が高くなっている。
【００６０】
なお、本実施例において、突起ジグ３０６は、リング状に形成された実施形態を説明したが、これに限定されるものではなく、突起ジグ３０６は、反応管２０３と同一径の貫通孔を有する板状部材などでもよい。また、突起ジグ３０６は、反応管２０３の洗浄時にのみ反応管２０３に取り付けるようにしてもよい。
【００６１】
このように、反応管２０３と別部材で突起ジグ３０６を設けることにより、従来の反応管に容易に適用することができる。
【００６２】
なお、上記実施形態の説明にあっては、基板処理装置として、複数の基板を処理するバッチ式のものを用いたが、これに限定するものではなく、枚葉式のものであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明の実施形態に係る基板処理装置全体を示す斜視図である。
【図２】本発明の実施形態に係る基板処理装置全体を示す断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る反応炉を示す縦断面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る図３に示す反応炉のＡ−Ａ線断面図である。
【図５】本発明の実施形態に係る反応管を示す縦断面図である。
【図６】本発明の実施形態に係る反応管の洗浄時の状態を示す図である。
【図７】本発明の第２の実施形態に係る反応管を示し、（ａ）は反応管の縦断面図、（ｂ）は突起ジグを示す斜視図である。
【図８】従来の反応管における洗浄時の状態を示す図である。
【符号の説明】
【００６４】
１  半導体処理装置
２００  ウエハ
２０７  ヒータ
３００  ポート部
３０２  突起部
３０４  断熱材
３０６  突起ジグ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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