(57)【要約】【課題】  裏打ち層に必要な条件である磁区の安定性、磁気異方性の制御および低保磁力化といった条件を満足させ、垂直磁気記録媒体の記録再生特性の向上と共にノイズを減少できる裏打ち層を有する垂直磁気記録媒体を提供する。【解決手段】  垂直磁気記録層の下側に軟磁性裏打ち層を有する垂直磁気記録媒体であって、軟磁性裏打ち層が軟磁性膜と非磁性膜とを交互に積層してなり、軟磁性裏打ち層の最上層と最下層とに軟磁性膜を有し、軟磁性膜と非磁性膜とが無電解メッキによって作製されたものである。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
垂直磁気記録層の下側に軟磁性裏打ち層を有する垂直磁気記録媒体であって、
当該軟磁性裏打ち層が軟磁性膜と非磁性膜とを交互に積層してなり、
当該軟磁性裏打ち層の最上層と最下層とに軟磁性膜を有し、
当該軟磁性膜と非磁性膜とが無電解メッキによって作製されたものである、
垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
前記最上層の軟磁性膜が高い異方性磁界（Ｈｋ）および低い保磁力（Ｈｃ）を有し、前記最下層の軟磁性膜が低いＨｋおよび高いＨｃを有する、請求項１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項３】
前記最上層の軟磁性膜のＨｋが１０Ｏｅ以上であり、Ｈｃが５Ｏｅ以下である、請求項２に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項４】
前記最下層の軟磁性膜のＨｋが５Ｏｅ以下であり、Ｈｃが３Ｏｅ以上である、請求項２または３に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体の製造方法において、
無電解メッキにおける、メッキ液濃度、付与する磁界およびメッキ浴の撹拌条件からなる群から選ばれた少なくとも一つの条件を変更して、前記最上層の軟磁性膜と前記最下層の軟磁性膜とを作製する、
垂直磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録層の下側に裏打ち層が形成された垂直磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録の高密度化を実現するための技術として、従来の長手磁気記録方式に代えて、垂直磁気記録方式が注目されつつある（たとえば非特許文献１参照。）特に、情報記録を担う垂直磁気記録層の下側に、磁気ヘッドから発生する磁束を通しやすい軟磁性裏打ち層と呼ばれる軟磁性膜を付与した垂直磁気記録媒体は２層垂直磁気記録媒体と呼ばれることがあり、磁気ヘッドから発生する磁界の強度とその勾配を増大でき、記録分解能を向上させ得るとともに媒体からの漏洩磁束も増加させ得ることから、高密度記録が可能な垂直磁気記録媒体として好適である。
【特許文献１】特開平６−１８０８３４号公報（特許請求の範囲）
【特許文献２】特開平１０−２１４７１９号公報（特許請求の範囲）
【非特許文献１】先端デバイス材料ハンドブック，電子情報通信学会編，オーム社，１９９３年，ｐ．３３４−３３８
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上記のごとく、垂直磁気記録媒体に裏打ち層として軟磁性膜を付与することは記録再生特性の向上に非常に効果的であるが、その適当とされる膜厚は約２００〜４００ｎｍ以上と記録層と比較して倍以上の厚さが必要であり、従来の媒体各層の成膜に用いられるスパッタリング法でそのすべてを形成すると生産コストが非常に割高となり、量産化が困難である。
【０００４】
これに対し、無電解メッキ法は、成膜スピードが速く、容易に厚膜を得ることができ、なおかつバッチ処理が可能であるため非常に生産性に優れる。しかしながら、従来の無電解メッキ法により、軟磁性膜を、単層でもしくは単一の条件で成膜して裏打ち層に用いようとした場合、裏打ち層に必要な条件である磁区の安定性、磁気異方性の制御および低保磁力化といった条件を全て満足させることは困難であり、裏打ち層起因のノイズが低減できないという課題があった。
【０００５】
このような裏打ち層起因のノイズとしては、スパイクノイズや消磁時のノイズ及び広域イレーズ現象を挙げることができる。スパイクノイズとは、磁区の形成により生じるノイズで、軟磁性裏打ち層に形成された磁壁により生じるものであることが知られている。消磁時のノイズとは、ＤＣイレーズ等の消磁時に残存するノイズである。また広域イレーズ現象は、情報の記録時に本来記録されるべきビットから離れた広い範囲のビットの磁化が減磁あるいは消磁されてしまう現象であり、その原因は不明確ではあるものの裏打ち層の存在による不良書き込みアシストが一因であると推測される。これらのノイズが加わることにより媒体全体のノイズが増大し、垂直記録媒体の、Ｓ／Ｎ比を悪化させる原因となる。
【０００６】
このような軟磁性裏打ち層の磁壁形成の制御については、軟磁性裏打ち層を多層化し、その上層や下層に、Ｃｏ合金等の強磁性層を形成しこれを所望の方向に磁化させるように着磁する方法や、同様に、反強磁性薄膜を形成し層間の交換結合を利用して磁化を一方向に固定する方法（たとえば特許文献１，２参照。）などが提案されているが、構成が複雑であったり、高コストである等の問題があり、更に、高品質化への強い要請もあって、ノイズを低減させる技術へのニーズは強い。
【０００７】
本発明は、上記ニーズに応え、裏打ち層に必要な条件である磁区の安定性、磁気異方性の制御および低保磁力化といった条件を満足させ、垂直磁気記録媒体の記録再生特性の向上と共にノイズを減少できる新規な技術を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様によれば、垂直磁気記録層の下側に軟磁性裏打ち層を有する垂直磁気記録媒体であって、軟磁性裏打ち層が軟磁性膜と非磁性膜とを交互に積層してなり、軟磁性裏打ち層の最上層と最下層とに軟磁性膜を有し、軟磁性膜と非磁性膜とが無電解メッキによって作製されたものである、垂直磁気記録媒体が提供される。
【０００９】
本発明態様により、裏打ち層に必要な条件である磁区の安定性、磁気異方性の制御および低保磁力化といった条件を満足させ、垂直磁気記録媒体の記録再生特性の向上と共にノイズを減少できる裏打ち層を有する垂直磁気記録媒体が得られる。
【００１０】
最上層の軟磁性膜が高い異方性磁界（Ｈｋ）および低い保磁力（Ｈｃ）を有し、最下層の軟磁性膜が低いＨｋおよび高いＨｃを有すること、より具体的には、最上層の軟磁性膜のＨｋが１０Ｏｅ以上であり、Ｈｃが５Ｏｅ以下であること、更に最下層の軟磁性膜のＨｋが５Ｏｅ以下であり、Ｈｃが３Ｏｅ以上であることが好ましい。層構成としては、軟磁性裏打ち層が、最下層から軟磁性膜／非磁性膜／軟磁性膜の三層構造または、最下層から軟磁性膜／非磁性膜／軟磁性膜／非磁性膜／軟磁性膜の五層構造を有することが好ましい。膜厚としては、最下層の軟磁性膜については０．０５〜０．５０μｍの範囲、非磁性膜については０．５〜５．０ｎｍの範囲、最上層の軟磁性膜については０．２〜１．０μｍの範囲にあることが好ましい。組成については、軟磁性膜が、Ｆｅ，ＣｏおよびＮｉからなる群から選ばれた少なくとも一つの材料を含むこと、軟磁性膜がさらにＢを含むこと、非磁性膜が、Ｃｒ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｍｎ，ＺｎおよびＲｅからなる群から選ばれた少なくとも一つの材料を含むこと、特に、非磁性膜がＮｉとＰとを含むことが好ましい。
【００１１】
本発明の他の一態様によれば、上記の垂直磁気記録媒体を製造する方法において、無電解メッキにおける、メッキ液濃度、付与する磁界およびメッキ浴の撹拌条件からなる群から選ばれた少なくとも一つの条件を変更して、最上層の軟磁性膜と最下層の軟磁性膜とを作製する、垂直磁気記録媒体の製造方法が提供される。
【００１２】
本発明態様により、上記裏打ち層を有する垂直磁気記録媒体を低コストで容易に作製することができる。
【００１３】
軟磁性膜製造用のめっき液として、Ｆｅ，ＣｏおよびＮｉからなる群から選ばれた少なくとも一つの材料の塩を含むめっき液を使用すること、Ｃｒ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｍｎ，ＺｎおよびＲｅからなる群から選ばれた少なくとも一つの材料の塩を含むメッキ液を使用して非磁性膜を作製すること、上記いずれのメッキについてもその還元剤としてＰまたはＢを含有する化合物を使用すること、が好ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明により、裏打ち層に必要な条件である磁区の安定性、磁気異方性の制御および低保磁力化といった条件を満足させ、垂直磁気記録媒体の記録再生特性の向上と共にノイズを減少できる裏打ち層を有する垂直磁気記録媒体が得られる。また、このような裏打ち層を有する垂直磁気記録媒体を低コストで容易に作製することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下に、本発明の実施の形態を図、表、実施例等を使用して説明する。なお、これらの図、表、実施例等および説明は本発明を例示するものであり、本発明の範囲を制限するものではない。本発明の趣旨に合致する限り他の実施の形態も本発明の範疇に属し得ることは言うまでもない。図中、同一の符号は同一の要素を表す。
【００１６】
無電解メッキでは、基板をメッキ浴に浸漬する時間により膜厚の制御が可能である。従来の無電解メッキによる軟磁性膜の作製は磁気ヘッド用の開発に主眼が置かれており、その膜厚は少なくとも１００ｎｍを超えるものであった。また、非磁性薄膜の作製は、その用途として防食や配線、装飾などであるため、やはり１００ｎｍを超えるものであった。
【００１７】
本発明では、活性の低いメッキ液を用い、１〜１００秒程度の時間でメッキを行うことにより、従来考慮されていなかった１〜１００ｎｍといった極薄膜厚の作製も可能となることを利用し、裏打ち層へのメッキの応用を計ったものである。
【００１８】
１〜１００ｎｍと極薄の非磁性膜を成膜できるため、上下の磁性層間の相互作用を十分確保でき、これにより各層に相反する機能を持たせても、その相互作用
によりそれぞれの機能を複合的に発現できる多層のメッキ膜が得られる。
【００１９】
本発明に係る垂直磁気記録媒体は、図１に例示するように、垂直磁気記録層の下側に軟磁性裏打ち層を有し、軟磁性裏打ち層が軟磁性膜と非磁性膜とを交互に積層してなり、軟磁性裏打ち層の最上層と最下層とに軟磁性膜を有し、軟磁性膜が無電解メッキによって作製されたものである。非磁性膜はどのような方法によって作成してもよいが、無電解メッキによって簡便に作製することができ、好ましい。
【００２０】
図１には、基板１の上に第１軟磁性膜（最下層の軟磁性膜）２，非磁性層３，第２軟磁性膜（最上層の軟磁性膜）４，第１中間層（ＮｉＦｅ）５，第２中間層（Ｔａ）６，第３中間層（Ｒｕ）７，垂直磁気記録層（ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ2）８を積層した断面構造が示されている。第１軟磁性膜２と非磁性層３と第２軟磁性膜４とで軟磁性裏打ち層９が構成される。なお、図１はあくまで例示である。本発明に係る垂直磁気記録媒体は、本発明の趣旨に反しない限り、上記と異なる構成でもよく、その他の層を含んでいてもよい。
【００２１】
このような裏打ち層の構造は、メッキ浴を使用し、メッキ液の組成、濃度、付与する磁界およびメッキ浴の撹拌条件を適宜変更することにより、容易に得ることができる。この際、使用される軟磁成膜、特に最上層と最下層の軟磁性層の磁気的性質を適宜選択することにより、裏打ち層に必要な条件である磁区の安定性、磁気異方性の制御および低保磁力化といった条件を満足させることが可能となり、この結果、ノイズの低減を計ることができる。なお、本発明において、最上層や最下層と言う場合は、図１の紙面の下側から矢印方向に見て決められる順序に従っている。
【００２２】
このような構成例を図２に示す。図２は基板１の上に、０．１μｍ厚のＣｏＮｉＦｅＢ組成のメッキ膜（高いＨｃと低いＨｋを有する軟磁性膜）２と１．５ｎｍ厚のＮｉＰ組成のメッキ膜（非磁性膜）３と０．５μｍ厚のＣｏＮｉＦｅＢ組成のメッキ膜（低いＨｃと高いＨｋとを有する軟磁性膜）４とを積層した構造を示す。
【００２３】
最上層と最下層とに使用される軟磁性膜については、最上層の軟磁性膜が高いＨｋおよび低いＨｃを有し、最下層の軟磁性膜が低いＨｋおよび高いＨｃを有することが好ましい。
【００２４】
この効果を磁気光学Ｋｅｒｒ効果による観察結果を示す、図３の写真によって説明する。図３において、メッキ液Ａ，Ｂは、いずれも、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｂ系のメッキ液であって、その濃度のみを変更したものである。メッキ浴の温度は６０℃であった。基板（ディスク）は図３中に示す回転数で、ディスクの回転軸（すなわち、ディスクの中心を通り、ディスク面に垂直な軸）を中心に回転させた。図中、「μｍ」および「ｎｍ」で示すのは層厚である。また、「ｃｉｒ］とはディスクの周方向を、「ｒａｄ」とは径方向を意味する。
【００２５】
三層構造を作製する場合には、表１の条件を採用した。メッキ液Ａ，Ｂは図３の場合と同様である。非磁性層には、めっき液ＣによるＮｉＰメッキ膜を使用した。
【００２６】
【表１】
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図３の（１）はメッキ液Ｂを使用し、２００Ｏｅの磁界を掛けた条件でのメッキ膜の様子、（２）はメッキ液Ａを使用し、２００Ｏｅの磁界を掛けた条件でのメッキ膜の様子、（３）はメッキ液Ａを使用し、１０００Ｏｅの磁界を掛けた条件でのメッキ膜の様子を示す。このことから、（３）では磁区が明瞭に現れ、（１），（２）では、現れないことが分かる。一方、これらの写真の下に示されたＢ−Ｈ特性を見ると、（１），（２）ではＨｃが大きく、Ｈｋが小さく（３）ではＨｃが小さく、Ｈｋが大きい。すなわち、これらの結果から、（３）を使用した場合にはノイズが大きいのに対し、（１），（２）を使用した場合には軟磁性に劣ることが理解される。
【００２７】
これらに対し、図３の（４），（５）は、本発明に係る多層構造を例示している。（４）はその下層として、（１）の条件による軟磁性膜を採用し、中間に非磁性膜（ＮｉＰ）を設け、その上に（３）の条件による軟磁性膜を採用したものである。また、（５）はその下層として、（２）の条件による軟磁性膜を採用し、中間に非磁性膜（ＮｉＰ）を設け、その上に（３）の条件による軟磁性膜を採用したものである。
【００２８】
これらの写真から磁区が抑制されていることが理解できる。また、これらの場合、Ｈｃも小さく、Ｈｋは大きくなっている。すなわち、本発明の構成を採用すれば、低いＨｃと高いＨｋとを確保しつつ、ノイズの低減を計ることができる。本発明に係る膜構成では、さらに、後述するように、ＤＣイレーズ等の消磁時に残存するノイズも低減し得ることが判明している。
【００２９】
なお本発明において、ＨｋとＨｃとにおける「高い」や「低い」は、軟磁性膜同士を、積層しないで単独層とした場合に比較したときの相対的な関係を意味する。具体的には、実際に、個々の軟磁性膜や積層膜を作製してＨｃやＨｋを比較することにより、最適な値を定めることができる。一般的に言えば、最上層の軟磁性膜のＨｋが１０Ｏｅ以上であり、Ｈｃが５Ｏｅ以下であることおよび、最下層の軟磁性膜のＨｋが５Ｏｅ以下であり、Ｈｃが３Ｏｅ以上であることが好ましい。
【００３０】
本発明に係る軟磁性裏打ち層は、上記の条件を満足する限り、何層であってもよい。最下層から軟磁性膜／非磁性膜／軟磁性膜の三層構造を有する場合や、最下層から軟磁性膜／非磁性膜／軟磁性膜／非磁性膜／軟磁性膜の五層構造を有する場合を例示することができる。前者は、特性的にも生産性的にも優れ好ましい。
【００３１】
これらの場合も、最上層の軟磁性膜と最下層の軟磁性膜とのＨｋおよびＨｃの関係は上記のようにすべきである。その間に軟磁性膜が存在する場合のその軟磁性膜のＨｃとＨｋとについては、実際に多層膜構造を作製した時のＨｃ，Ｈｋおよび磁区の発生等を考慮して、定めるべきである。
【００３２】
本発明に係る構成においては、軟磁性膜と非磁性膜の組成および膜厚を適切に選択することにより、上下の軟磁性膜を磁気的に結合させることが可能となる。例えば、三層構造の場合、最上層で良好な軟磁気特性を有し、第二層の非磁性膜は１〜１００ｎｍの極薄膜として、最下層で磁区を制御して外に磁束が漏れないようにすることにより、単一条件での成膜では得られない特性を併せ持つ裏打ち層を成膜することができる。従って、本発明の手法により作製した軟磁性膜を垂直磁気記録媒体の裏打ち層として用いることで、裏打ち層に必要な条件である磁区の安定性、磁気異方性の制御および低保磁力化といった条件を満足させ、垂直磁気記録媒体の記録再生特性の向上と共にノイズを減少できる裏打ち層を有する垂直磁気記録媒体が得られる。
【００３３】
本発明に係る軟磁性膜や非磁性膜の膜厚については特に制限はなく、所望の特性が得られるように選択すればよいが、最下層の軟磁性膜については０．０５〜０．５０μｍの範囲、非磁性膜については０．５〜５．０ｎｍの範囲、最上層の軟磁性膜については０．２〜１．０μｍの範囲が一般的に好ましい。
【００３４】
軟磁性膜の組成については、いずれの軟磁性膜についても、Ｆｅ，ＣｏおよびＮｉからなる群から選ばれた少なくとも一つの材料を含むことが好ましい。これらの材料により、上記のＨｃとＨｋの組み合わせを容易に実現できる。これらの材料は、複数種存在する場合には合金の形態を取るものと考えられる。これらの組成は、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉの塩、たとえば硫酸塩をメッキ液として使用することで容易に作製することができる。この軟磁性膜は、さらにＢを含むことが、結晶粒の微細化による軟磁性の発現の点で好ましい。
【００３５】
非磁性膜の組成については、Ｃｒ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｍｎ，ＺｎおよびＲｅからなる群から選ばれた少なくとも一つの材料を含むことが好ましい。Ｎｉを含むことがより好ましい。この非磁性膜については、更にＰを含むことが好ましく、Ｎｉ−Ｐの構成であることがより好ましい。
【００３６】
上記軟磁性膜および非磁性膜中の各材料の組成割合については特に制限はなく、裏打ち膜としての所望の特性に応じて任意に選択することができる。
【００３７】
垂直磁気記録媒体の製造において、本発明に係る裏打ち層を作製するには、公知のメッキ技術を採用することができ、上記ＨｃおよびＨｋを含む軟磁性膜の特性は、メッキ条件を変更することにより種々変更することができる。このような条件としては、無電解メッキにおける、メッキ液の組成、メッキ液濃度、付与する磁界およびメッキ浴の撹拌条件を挙げることができる。この内、メッキ液の組成は変更が容易でない場合があるが、その他の条件である、メッキ液濃度、付与する磁界およびメッキ浴の撹拌条件については一般に変更が容易である。従って、垂直磁気記録媒体の製造方法において、無電解メッキにおける、メッキ液濃度、付与する磁界およびメッキ浴の撹拌条件からなる群から選ばれた少なくとも一つの条件を変更して、最上層の軟磁性膜と最下層の軟磁性膜とを作製することは、好ましい特性の裏打ち層を容易に作製でき、従って、好ましい特性を有する垂直磁気記録媒体を容易に作製できるので有用である。これらの条件にメッキ浴の温度およびメッキ液のｐＨを加えてもよい。なお、メッキ浴の撹拌には公知のどのような方法を使用してもよいが、メッキを受ける基体を回転させる方法が再現性よく、好ましい。めっき液自体を撹拌する撹拌装置による撹拌を併用してもよい。
【００３８】
このメッキには、公知のメッキ液組成を使用することができる。たとえば軟磁性膜を製造する場合には、Ｆｅ，ＣｏおよびＮｉからなる群から選ばれた少なくとも一つの材料の塩を含むメッキ液を使用することができる。非磁性膜を製造する場合には、Ｃｒ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｍｎ，ＺｎおよびＲｅからなる群から選ばれた少なくとも一つの材料の塩を含むメッキ液を使用することができる。これらいずれの場合についても、メッキの還元剤としてＰまたはＢを含有する化合物を使用することが好ましい。こうすれば、金属への還元をスムーズに行うことができる。
【００３９】
このようにして、本発明に係る垂直磁気記録媒体の製造方法により、垂直磁気記録媒体の記録再生特性の向上と共にノイズを減少させた垂直磁気記録媒体を低コストで、容易に作製することが可能となる。
【実施例】
【００４０】
次に本発明の実施例を詳述する。ＨｃとＨｋは、理研電子社製のＶＳＭ（Ｖｉｂｒａｔｉｎｇ  Ｓａｍｐｌｅ  Ｍａｇｎｅｔｏｍｅｔｅｒ：試料振動型磁力計）で測定した。
【００４１】
［実施例１］
硫酸鉄、硫酸ニッケル、硫酸コバルトおよび還元剤としてホウ素化合物を含むメッキ液を使用し、表２に示す条件で、軟磁性層および、軟磁性層／非磁性層／軟磁性層の膜を作製した。その結果、表２に示すように、番号１の条件では、相対的に高Ｈｃ、低Ｈｋであり、磁区は観察されず、番号２の条件では、相対的に低Ｈｃ、高Ｈｋであり、磁区は観察されること、本発明に係る膜構成を有する番号３の条件では、相対的に低Ｈｃ、高Ｈｋであり、磁区は観察されないことが判明した。なお、図４には、番号１〜３の各膜の磁気光学Ｋｅｒｒ効果による観察結果を示す。
【００４２】
【表２】
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なお、上記に開示した内容から、下記の付記に示した発明が導き出せる。
【００４３】
（付記１）
垂直磁気記録層の下側に軟磁性裏打ち層を有する垂直磁気記録媒体であって、
当該軟磁性裏打ち層が軟磁性膜と非磁性膜とを交互に積層してなり、
当該軟磁性裏打ち層の最上層と最下層とに軟磁性膜を有し、
当該軟磁性膜と非磁性膜とが無電解メッキによって作製されたものである、
垂直磁気記録媒体。
【００４４】
（付記２）
前記最上層の軟磁性膜が高い異方性磁界（Ｈｋ）および低い保磁力（Ｈｃ）を有し、前記最下層の軟磁性膜が低いＨｋおよび高いＨｃを有する、付記１に記載の垂直磁気記録媒体。
【００４５】
（付記３）
前記最上層の軟磁性膜のＨｋが１０Ｏｅ以上であり、Ｈｃが５Ｏｅ以下である、付記２に記載の垂直磁気記録媒体。
【００４６】
（付記４）
前記最下層の軟磁性膜のＨｋが５Ｏｅ以下であり、Ｈｃが３Ｏｅ以上である、付記２または３に記載の垂直磁気記録媒体。
【００４７】
（付記５）
前記軟磁性裏打ち層が、最下層から軟磁性膜／非磁性膜／軟磁性膜の三層構造を有する、付記１〜４のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体。
【００４８】
（付記６）
前記軟磁性裏打ち層が、最下層から軟磁性膜／非磁性膜／軟磁性膜／非磁性膜／軟磁性膜の五層構造を有する、付記１〜５のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体。
【００４９】
（付記７）
膜厚が、前記最下層の軟磁性膜については０．０５〜０．５０μｍの範囲、前記非磁性膜については０．５〜５．０ｎｍの範囲、前記最上層の軟磁性膜については０．２〜１．０μｍの範囲にある、付記１〜６のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体。
【００５０】
（付記８）
前記軟磁性膜が、Ｆｅ，ＣｏおよびＮｉからなる群から選ばれた少なくとも一つの材料を含む、付記１〜７のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体。
【００５１】
（付記９）
前記軟磁性膜がさらにＢを含む、付記８に記載の垂直磁気記録媒体。
【００５２】
（付記１０）
前記非磁性膜が、Ｃｒ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｍｎ，ＺｎおよびＲｅからなる群から選ばれた少なくとも一つの材料を含む、付記１〜９のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体。
【００５３】
（付記１１）
前記非磁性膜がＮｉとＰとを含む、付記１〜９のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体。
【００５４】
（付記１２）
付記１〜１１のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体の製造方法において、
無電解メッキにおける、メッキ液濃度、付与する磁界およびメッキ浴の撹拌条件からなる群から選ばれた少なくとも一つの条件を変更して、前記最上層の軟磁性膜と前記最下層の軟磁性膜とを作製する、
垂直磁気記録媒体の製造方法。
【００５５】
（付記１３）
前記めっき液として、Ｆｅ，ＣｏおよびＮｉからなる群から選ばれた少なくとも一つの材料の塩を含むめっき液を使用する、付記１２に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【００５６】
（付記１４）
Ｃｒ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｍｎ，ＺｎおよびＲｅからなる群から選ばれた少なくとも一つの材料の塩を含むメッキ液を使用して前記非磁性膜を作製する、付記１２または１３に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【００５７】
（付記１５）
前記メッキの還元剤としてＰまたはＢを含有する化合物を使用する、付記１２〜１４のいずれかに記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明に係る垂直磁気記録媒体の模式的横断面図である。
【図２】本発明に係る裏打ち層の模式的横断面図である。
【図３】本発明に係る裏打ち層の効果を説明するための図である。
【図４】表２の番号１〜３の各膜の磁気光学Ｋｅｒｒ効果による観察結果を示す写真である。
【符号の説明】
【００５９】
１    基板
２    第１軟磁性膜
３    非磁性層
４    第２軟磁性膜
５    第１中間層
６    第２中間層
７    第３中間層
８    垂直磁気記録層
９    軟磁性裏打ち層
【図１】
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【図２】
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【図３】
2006244645.tif 000007
【図４】
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