(57)【要約】【課題】  信頼性の高い半導体装置を効率よく製造する方法を提供する。【解決手段】  半導体装置の製造方法は、以下の工程を含む。配線パターン１４と、配線パターン１４の一部を露出させる開口２２が形成されてなるレジスト層２０とを含む配線基板１０と、電極４２が配線パターン１４と対向するように配線基板１０に搭載された半導体チップ４０とを有する半導体モジュール１００を用意する。配線基板１０と半導体チップ４０との間に樹脂ペースト５０を充填し、樹脂ペースト５０を硬化させて、配線基板１０と半導体チップ４０との間に樹脂部５２を形成する。レジスト層２０は、半導体チップ４０とオーバーラップする領域の側方に配置された少なくとも１つの穴３０を有する。樹脂ペースト５０を充填する工程で、樹脂ペースト５０を、穴３０の少なくとも一部を覆うように流動させる。【選択図】      図３
2006245187.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線パターンと、前記配線パターンの一部を露出させる開口が形成されてなるレジスト層とを含む配線基板と、電極を有し、前記電極が前記配線パターンと対向するように前記配線基板に搭載された半導体チップとを有する半導体モジュールを用意すること、及び、
前記配線基板と前記半導体チップとの間に樹脂ペーストを充填し、前記樹脂ペーストを硬化させて、前記配線基板と前記半導体チップとの間に樹脂部を形成することを含み、
前記レジスト層は、前記半導体チップとオーバーラップする領域の側方に配置された少なくとも１つの穴を有し、
前記樹脂ペーストを充填する工程で、前記樹脂ペーストを、前記穴の少なくとも一部を覆うように流動させる半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記穴は、前記半導体チップの向かい合う一組の対辺のそれぞれの側方に配置されてなる半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂ペーストを、前記対辺以外の辺と前記配線基板との間から供給する半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記穴は、前記半導体チップのすべての辺の側方に配置されてなる半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂ペーストを、前記穴から前記半導体チップの中央部に向けて供給する半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置の製造方法において、
前記ペーストを、前記半導体チップの外周における前記穴とオーバーラップする部分と接触しないように供給する半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記穴は、前記半導体チップとオーバーラップする領域に至るように形成されてなる半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記穴は、前記半導体チップとオーバーラップする領域よりも外側のみに形成されてなる半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１から請求項８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記穴は、前記開口に連通されてなる半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１から請求項８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記穴は、前記開口に連通されていない半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記穴は、前記レジスト層を貫通するように形成されてなる半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１から請求項１０のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記穴は、前記レジスト層を貫通しないように形成されてなる半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１から請求項１２のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記配線基板は、前記レジスト層の前記開口の中央領域に配置された第２のレジスト層をさらに含む半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２のレジスト層の表面は平坦面である半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板に半導体チップが搭載された半導体装置が知られている。そして、配線基板と半導体チップとの間に樹脂部を形成することが知られている。当該樹脂部は、配線基板と半導体チップとを接着して半導体装置の機械的な強度を高める役割を果たすとともに、配線やチップ電極を封止してこれらの劣化を防止する役割を果たすものである。信頼性の高い半導体装置を製造するためには、樹脂部を、内部に気泡を有しない様に形成することが重要である。
【０００３】
本発明の目的は、信頼性の高い半導体装置を製造する方法を提供することにある。
【特許文献１】特開平１１−１１１８９４号公報
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
（１）本発明に係る半導体装置の製造方法は、配線パターンと、前記配線パターンの一部を露出させる開口が形成されてなるレジスト層とを含む配線基板と、電極を有し、前記電極が前記配線パターンと対向するように前記配線基板に搭載された半導体チップとを有する半導体モジュールを用意すること、及び、
前記配線基板と前記半導体チップとの間に樹脂ペーストを充填し、前記樹脂ペーストを硬化させて、前記配線基板と前記半導体チップとの間に樹脂部を形成することを含み、
前記レジスト層は、前記半導体チップとオーバーラップする領域の側方に配置された少なくとも１つの穴を有し、
前記樹脂ペーストを充填する工程で、前記樹脂ペーストを、前記穴の少なくとも一部を覆うように流動させる。本発明によれば、半導体チップの外周に沿って進む樹脂ペーストの流動速度を遅くすることができる。そのため、樹脂ペーストが半導体チップ中央領域に充填される前に、樹脂ペーストが半導体チップの外周を囲んでしまうことを防止することができる。そのため、配線基板と半導体チップとの間に、ボイドが残らないように、樹脂ペーストを充填させることができる。これにより、内部にボイドを有しない様に樹脂部を形成することができるため、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
（２）この半導体装置の製造方法において、
前記穴は、前記半導体チップの向かい合う一組の対辺のそれぞれの側方に配置されていてもよい。
（３）この半導体装置の製造方法において、
前記樹脂ペーストを、前記対辺以外の辺と前記配線基板との間から供給してもよい。
（４）この半導体装置の製造方法において、
前記穴は、前記半導体チップのすべての辺の側方に配置されていてもよい。
（５）この半導体装置の製造方法において、
前記樹脂ペーストを、前記穴から前記半導体チップの中央部に向けて供給してもよい。これによると、樹脂ペーストを、半導体チップの中央領域から充填させることができる。そのため、ボイドが残らないように、配線基板と半導体チップとの間に樹脂ペーストを充填させることができる。
（６）この半導体装置の製造方法において、
前記ペーストを、前記半導体チップの外周における前記穴とオーバーラップする部分と接触しないように供給してもよい。
（７）この半導体装置の製造方法において、
前記穴は、前記半導体チップとオーバーラップする領域に至るように形成されていてもよい。
（８）この半導体装置の製造方法において、
前記穴は、前記半導体チップとオーバーラップする領域よりも外側のみに形成されていてもよい。
（９）この半導体装置の製造方法において、
前記穴は、前記開口に連通されていてもよい。
（１０）この半導体装置の製造方法において、
前記穴は、前記開口に連通されていなくてもよい。
（１１）この半導体装置の製造方法において、
前記穴は、前記レジスト層を貫通するように形成されていてもよい。
（１２）この半導体装置の製造方法において、
前記穴は、前記レジスト層を貫通しないように形成されていてもよい。
（１３）この半導体装置の製造方法において、
前記配線基板は、前記レジスト層の前記開口の中央領域に配置された第２のレジスト層をさらに含んでもよい。これによると、半導体チップの中央領域を進む樹脂ペーストの流動速度を速くすることができる。そのため、内部にボイドが残らないように、配線基板と半導体チップとの間に樹脂ペーストを充填させることができる。
（１４）この半導体装置の製造方法において、
前記第２のレジスト層の表面は平坦面であってもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００５】
以下、本発明を適用した実施の形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではない。また、本発明は、以下に説明する実施の形態及び変形例を自由に組み合わせたものであってもよい。
【０００６】
（第１の実施の形態）
図１（Ａ）〜図４（Ｂ）は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【０００７】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体モジュール１００を用意することを含む。半導体モジュール１００を形成する方法は特に限定されるものではないが、以下、図１（Ａ）〜図２（Ｂ）を参照して、半導体モジュール１００を形成する方法について説明する。
【０００８】
半導体モジュール１００を形成する方法は、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示す、配線基板１０を用意することを含んでいてもよい。なお、図１（Ａ）は、配線基板１０の上視図であるが、説明のため、半導体チップ４０を搭載するための領域４１を一点鎖線で示している。また、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）のIB−IB線断面の一部拡大図である。配線基板１０は、ベース基板１２を含む（図１（Ｂ）参照）。ベース基板１２の材料や構造は特に限定されず、既に公知となっているいずれかの基板を利用してもよい。ベース基板１２は、フレキシブル基板であってもよく、リジッド基板であってもよい。ベース基板１２は、積層型の基板であってもよく、あるいは、単層の基板であってもよい。ベース基板１２は、有機系又は無機系のいずれの材料で構成されていてもよく、これらの複合構造からなるものであってもよい。ベース基板１２として、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）からなる基板又はフィルムを使用してもよい。あるいは、ベース基板１２としてポリイミド樹脂からなるフレキシブル基板を使用してもよい。フレキシブル基板としてFPC(Flexible Printed Circuit)や、TAB(Tape Automated Bonding)技術で使用されるテープを使用してもよい。また、無機系の材料から形成されたベース基板１２として、例えばセラミックス基板やガラス基板が挙げられる。有機系及び無機系の材料の複合構造として、例えばガラスエポキシ基板が挙げられる。ベース基板１２の外形も特に限定されるものではない。
【０００９】
配線基板１０は、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、配線パターン１４を有する。配線パターン１４は、ベース基板１２に設けられてなる。１つのベース基板１２には、１つの配線パターン１４が設けられていてもよく、複数の配線パターン１４が設けられていてもよい。配線パターン１４は、電気的接続部１５を有していてもよい。電気的接続部１５は、電子部品の電極（例えば、後述する半導体チップ４０の電極４２）との電気的な接続に利用される部分である。配線パターン１４の構造及び材料は特に限定されない。配線パターン１４は、例えば、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタンタングステン（Ｔｉ−Ｗ）のうちのいずれかが積層した構成をなしていてもよい。配線パターン１４は、異なる構成をなす複数の部分を有していてもよい。例えば、後述するレジスト層２０に覆われている領域では、配線パターン１４は銅によって形成されていてもよい。そして、配線パターン１４は、レジスト層２０から露出した領域（例えば電気的接続部１５）で、銅によって形成された下地配線に金メッキがなされた構造をなしていてもよい。配線パターン１４は、ベース基板１２の表面のみに設けられていてもよいが、ベース基板１２の内部を通るように設けられていてもよい（図示せず）。また、電気的接続部１５は、ベース基板１２の両面に設けられていてもよい。配線パターン１４が形成される領域も特に限定されるものではない。例えば、配線パターン１４は、半導体チップ４０を搭載するための領域４１の中央領域（レジスト層２０の開口２２の中央領域）を含む範囲に引き回されていてもよい（図示せず）。このとき、開口２２の中央の領域に、図示しない電気的接続部が設けられていてもよい。
【００１０】
配線基板１０は、レジスト層２０を含む。レジスト層２０は、配線パターン１４を部分的に覆うように形成されていてもよい。レジスト層２０には、配線パターン１４の一部を露出させる開口２２が形成されてなる。開口２２は、配線パターン１４の電気的接続部１５を露出させるように形成されていてもよい。開口２２は、半導体チップ４０を搭載するための領域４１の内側に形成されていてもよい。すなわち、開口２２は、後述する半導体チップ４０から露出しないように形成されていてもよい。ただし、開口２２と半導体チップ４０（領域４１）との位置関係は、これに限られるものではない。例えば、レジスト層２０には、半導体チップ４０（領域４１）よりも大きい開口が形成されていてもよい（図示せず）。また、開口２２の平面形状も特に限定されるものではない。開口２２の平面形状は、矩形（正方形又は長方形）であってもよい。例えば、開口２２の平面形状は、半導体チップ４０と（ほぼ）同じ形状をなしていてもよい。なお、レジスト層２０の材料は特に限定されず、既に公知となっているいずれかの材料を適用してもよい。
【００１１】
配線基板１０は、第２のレジスト層を有していてもよい（図示せず）。第２のレジスト層は、開口２２の中央領域に配置されていてもよい。第２のレジスト層は、表面が平坦面になるように形成されていてもよい。第２のレジスト層は、レジスト層２０と同じ材料で形成されていてもよい。配線パターン１４が、開口２２の中央領域に配置された電気的接続部を有する場合、第２のレジスト層は、該電気的接続部を露出させる開口を有していてもよい。ただし、配線基板１０は、第２のレジスト層を有していなくてもよい。この場合、配線パターン１４は、開口２２の内側の領域で露出していてもよい。
【００１２】
配線基板１０では、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、レジスト層２０は穴３０を有する。穴３０は、半導体チップ４０を搭載するための領域４１の側方に配置されてなる。穴３０は、レジスト層２０を貫通しない凹部であってもよい（図１（Ｂ）参照）。あるいは、穴３０は、レジスト層２０を貫通する貫通穴であってもよい（図示せず）。穴３０は、領域４１よりも外側の領域のみに形成されていてもよい。言い換えると、穴３０は、領域４１とオーバーラップしないように形成されていてもよい。このとき、穴３０は、開口２２に連通しないように（開口２２から離れて）形成されていてもよい。ただし、穴３０の配置はこれに限られず、領域４１の内側に至るように形成されていてもよい。このとき、穴３０は、開口２２に連通されていてもよい。穴３０は、領域４１の向かい合う一組の対辺４３のそれぞれの側方に配置されていてもよい（図１（Ａ）参照）。このとき、穴３０は、辺４３の中心に配置されていてもよいが、辺４３の中心からずれた位置に配置されていてもよい。あるいは、穴３０は、領域４１のすべての辺のそれぞれの側方に配置されていてもよい（図示せず）。領域４１の１つの辺の側方には、１つの穴３０のみが配置されていてもよく、複数の穴３０が配置されていてもよい（図示せず）。穴３０の平面形状も特に限定されるものではない。穴３０は、溝状に延びていてもよい。このとき、穴３０の幅は、配線パターン１４の配線のピッチよりも広くなっていてもよい。すなわち、穴３０は、複数の配線にまたがるように配置されていてもよい。あるいは、穴３０は、開口２２の辺と同じ幅をなしていてもよい。
【００１３】
半導体モジュール１００を製造する方法は、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示すように、配線基板１０に、電極４２を有する半導体チップ４０を搭載することを含んでいてもよい。なお、図２（Ａ）は、配線基板１０に半導体チップ４０を搭載した状態（半導体モジュール１００）の上視図である。また、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）のIIB−IIB線断面の拡大図である。半導体チップ４０は、図２（Ｂ）に示すように、電極４２が配線パターン１４と対向するように配線基板１０に搭載する。電極４２と電気的接続部１５とは、接触させて電気的に接続してもよい。このとき、電極４２と電気的接続部１５とを、共晶合金接合させてもよい。なお、配線パターン１４の電気的接続部１５がベース基板１２の両面に形成されている場合、ベース基板１２の両面に半導体チップを搭載してもよい（図示せず）。半導体チップ４０は、例えばシリコンチップであってもよい。半導体チップ４０は、集積回路４６を有していてもよい（図２（Ｂ）参照）。集積回路４６の構成は特に限定されないが、例えば、トランジスタ等の能動素子や、抵抗、コイル、コンデンサ等の受動素子を含んでいてもよい。このとき、電極４２は、集積回路４６に電気的に接続されていてもよい。電極４２の構成は特に限定されない。例えば、パッドと該パッドに設けられたバンプとを合わせて、電極４２と称してもよい。電極４２の配置は特に限定されるものではない。例えば、電極４２は、半導体チップ４０の各辺に沿って配列されていてもよい。あるいは、電極４２は、半導体チップ４０の対向する一組の対辺のそれぞれに沿って配置されていてもよい。あるいは、電極４２は、エリアアレイ状に配置されていてもよい。また、電極４２は、集積回路４６が形成された領域とオーバーラップする領域に配置されていてもよい。なお、半導体チップ４０は、領域４１上に搭載される。そのため、半導体チップ４０の外形と穴３０との位置関係は、先に説明した領域４１と穴３０との位置関係と一致する。なお、半導体チップ４０の平面形状は特に限定されるものではない。例えば、半導体チップ４０は正方形をなしていてもよいが、長方形であってもよい。
【００１４】
以上の工程によって半導体モジュール１００を形成してもよい。半導体モジュール１００は、配線基板１０と、配線基板１０に搭載された半導体チップ４０とを有する。配線基板１０は、配線パターン１４と、配線パターン１４の一部を露出させる開口２２が形成されてなるレジスト層２０とを含む。レジスト層２０は、半導体チップ４０とオーバーラップする領域の側方に配置された、少なくとも１つの穴３０を有する。穴３０は、図２（Ａ）に示すように、半導体チップ４０の向かい合う一組の対辺４３のそれぞれの側方に配置されていてもよい。
【００１５】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図３（Ａ）〜図４（Ｂ）に示すように、配線基板１０と半導体チップ４０との間に樹脂ペースト５０を充填し、その後樹脂ペースト５０を硬化させて、配線基板１０と半導体チップ４０との間に樹脂部５２を形成することを含む。これにより、半導体装置１を製造してもよい（図４（Ｂ）参照）。なお、図３（Ａ）〜図３（Ｄ）は、配線基板１０と半導体チップ４０との間を樹脂ペースト５０が流動する様子を示す図である。ただし、説明のため、半導体チップ４０は、領域４１としてその外形のみを示している。また、図４（Ａ）は、図３（Ｄ）のIVA−IVA線断面の一部拡大図である。また、図４（Ｂ）は、樹脂ペースト５０を硬化させた後の半導体装置１を示す図である。なお、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法では、樹脂ペースト５０を、穴３０の少なくとも一部を覆うように流動させる。
【００１６】
通常、配線基板１０と半導体チップ４０との間に樹脂ペースト５０を供給すると、樹脂ペースト５０は、毛管現象によって配線基板１０と半導体チップ４０との間を流動する。これにより、配線基板１０と半導体チップ４０との間に、樹脂ペースト５０が充填される。その後、樹脂ペースト５０を硬化させることによって樹脂部５２が形成されるが、信頼性の高い半導体装置を製造するためには、樹脂部５２を、内部に気泡を有しないように形成することが重要である。そして、そのためには、樹脂ペースト５０を、内部に気泡を有しないように充填することが重要である。
【００１７】
ところが、配線基板１０と半導体チップ４０との間に樹脂ペースト５０を流動させると、配線基板１０と半導体チップ４０との間に樹脂ペースト５０が充填される前に樹脂ペースト５０が半導体チップ４０の外周を囲んでしまうことがあった。例えば、半導体チップ４０の中央領域では、半導体チップの電極や、配線パターンの凹凸が原因で、樹脂ペーストの流動速度が遅くなることがあった（図３（Ａ）参照）。これにより、半導体チップ４０の外周に沿って進む樹脂ペーストの流動速度が半導体チップ４０の中央領域を進む樹脂ペーストの流動速度よりも速くなり、樹脂ペースト５０が半導体チップ４０の外周を囲んでしまうことがあった。樹脂ペースト５０が半導体チップ４０の外周を囲んでしまうと、その後、半導体チップ４０の中央部を進む樹脂ペースト５０の流動性が下がり、樹脂ペースト５０を充填させにくくなることがあった。また、樹脂ペースト５０が半導体チップ４０の外周を囲んでしまうことで、配線基板１０と半導体チップ４０との間から空気が抜けにくくなり、ボイド残りが発生することがあった。これらの現象の発現を避けることができれば、配線基板１０と半導体チップ４０との間に、樹脂ペースト５０を、ボイドが残らないように充填させることができ、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【００１８】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法では、先に説明したように、レジスト層２０は穴３０を有する。穴３０は、半導体チップ４０の側方に配置されてなる。そして、樹脂ペースト５０を、穴３０の少なくとも一部を覆うように流動させる。これによると、半導体チップ４０の外周に沿って進む樹脂ペーストの流動速度を遅くすることができる。詳しくは、穴３０が半導体チップ４０の側方に配置されることから、半導体チップ４０の外周に沿って進む樹脂ペースト５０は穴３０内に流れ込み（図３（Ｂ）参照）、穴３０の一部を覆う。これによって、樹脂ペースト５０の流動方向が変わるため、半導体チップ４０の外周に沿って進む樹脂ペーストの流動速度が遅くなる。言い換えると、樹脂ペースト５０を穴３０の一部を覆うように（穴３０に流れ込むように）流動させることで、半導体チップ４０の外周（辺４３）に沿って進む樹脂ペーストの流れを阻害することができる。そのため、樹脂ペースト５０が半導体チップ４０の外周を囲むために要する時間を長くすることができる。これにより、樹脂ペースト５０を、半導体チップ４０の外周を囲む前に半導体チップ４０の中央領域に充填させることができる（図３（Ｃ）及び図３（Ｄ）参照）。すなわち、半導体チップ４０の内側から樹脂ペースト５０を充填させることが可能になる。そのため、内部にボイドを有しない様に、配線基板１０と半導体チップ４０との間に樹脂ペースト５０を充填させることができる。これにより、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【００１９】
なお、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法では、樹脂ペースト５０を、半導体チップ４０の辺４４と配線基板１０との間から供給してもよい（図３（Ａ）参照）。ここで、辺４４は、先に説明した対辺４３以外の辺である。言い換えると、辺４４は、対辺４３の隣に配置された辺であってもよい。また、辺４４に対向する辺を、辺４５と称してもよい。樹脂ペースト５０を辺４４から供給することによって、樹脂ペースト５０の流動方向に沿った両辺（辺４３）で樹脂ペースト５０の流速を遅くすることができるため、樹脂ペースト５０が辺４５に至るまでに要する時間を長くすることができる。そのため、半導体チップ４０の外周に沿って流動する樹脂ペースト５０が辺４５と配線基板１０との間をふさぐ前に、半導体チップ４０の中央領域を進む樹脂ペースト５０を辺４５まで流動させることができる（図３（Ｃ）参照）。そのため、配線基板１０と半導体チップ４０との間に、ボイドが残らないように樹脂ペースト５０を充填させることができ（図３（Ｃ）及び図３（Ｄ）参照）、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【００２０】
（変形例）
以下、図面を参照して、本発明を適用した第１の実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法について説明する。なお、以下の変形例では、既に説明した内容を可能な限り適用するものとする。
【００２１】
図５に示す例では、レジスト層２０には穴６０が形成されてなる。穴６０は、半導体チップ４０を搭載するための領域４１の辺とほぼ同じ幅をなしている。これによると、辺４３に沿って進む樹脂ペーストの流動速度を、広い範囲にわたって遅くすることができる。そのため、より確実に、配線基板１０と半導体チップ４０との間に樹脂ペースト５０を充填させることができる。
【００２２】
なお、穴６０は、図５に示すように、基板１０（配線パターン１４）を露出させる貫通穴であってもよい。これによると、ベース基板１２の表面性や配線パターン１４の凹凸が、樹脂ペースト５０の流動に対する抵抗になり、穴６０の内側で、樹脂ペースト５０の流動速度をさらに遅くすることができる。なお、穴６０が貫通穴である場合、樹脂ペースト５０を、穴６０を完全に覆うように流動させてもよい。これにより、配線パターン１４が露出することによる不具合を避けることができる。なお、樹脂ペースト５０の量や粘度を調整することで、かかる制御をしてもよい。
【００２３】
さらに、図５に示す例では、配線基板は、開口２２の中央領域に形成された第２のレジスト層２５を有する。これによると、半導体チップ４０の中央領域で、樹脂ペースト５０の流動速度を速くすることができるため、配線基板１０と半導体チップ４０との間に、樹脂ペースト５０を充填させやすくなる。このとき、第２のレジスト層２５は、表面が平坦面になっていてもよい。これにより、半導体チップ４０の中央領域を進む樹脂ペースト５０の流動速度をさらに速くすることができる。
【００２４】
図６に示す例では、穴６０は、半導体チップ４０（領域４１）の１つの辺４７の側方のみに配置されている。これによっても、半導体チップ４０の周囲を進む樹脂ペースト５０の流動速度を遅くすることができるため、上述と同様の効果を奏することができる。このとき、樹脂ペースト５０を、辺４７の隣の辺と配線基板１０との間から供給してもよい。あるいは、樹脂ペースト５０を、辺４７と対向する辺と配線基板１０との間から供給してもよい。あるいは、樹脂ペースト５０を、辺４７と配線基板１０との間から供給してもよい。
【００２５】
図７に示す例では、穴６２は、半導体チップ４０とオーバーラップする領域に至るように形成されている。すなわち、穴６２は、半導体チップ４０の外周と交差するように形成されている。言い換えると、穴６２は、半導体チップ４０の側方に配置された第１の穴と、半導体チップ４０とオーバーラップする領域に配置されて第１の穴と連通された第２の穴とを有していてもよい。また、図７に示す例では、穴６２は、開口２２に連通するように形成されている。これによっても、同様の効果を奏することができ、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【００２６】
（第２の実施の形態）
以下、本発明を適用した第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。図８〜図９（Ｃ）は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【００２７】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法では、図８に示すように、レジスト層２０は、穴７０を有する。穴７０は、半導体チップ４０の内側の領域に至るように形成されていてもよい。また、穴７０は、レジスト層２０の開口２２に連通されるように形成されていてもよい。穴７０は、半導体チップ４０（半導体チップを搭載するための領域４１）の角部の側方に配置されていてもよい。あるいは、穴７０は、半導体チップ４０のいずれかの辺と交差するように配置されていてもよい。穴７０は、凹部であってもよく、貫通穴であってもよい。
【００２８】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法では、樹脂ペースト５０を、穴７０から半導体チップ４０の中央部に向けて供給する（図９（Ａ）参照）。このとき、樹脂ペースト５０を、半導体チップ４０の外周における穴７０とオーバーラップする部分と接触しないように供給してもよい。言い換えると、角部を構成する２つの辺と接触しないように、樹脂ペースト５０を供給してもよい。樹脂ペースト５０を、半導体チップ４０の外周と接触しないように供給することによって、樹脂ペースト５０が半導体チップ４０の外周に沿って進むことを防止することができる。すなわち、図９（Ａ）及び図９（Ｂ）に示すように、樹脂ペースト５０を、半導体チップ４０の内側から充填していくことができる。そのため、樹脂ペースト５０が半導体チップ４０の外周を囲むように流動することを防止することができる。これにより、図９（Ｃ）に示すように、配線基板と半導体チップ４０との間に、ボイドが残らないように樹脂ペースト５０を充填させることができるため、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。なお、樹脂ペースト５０の量や、粘度、供給速度を調整することによって、半導体チップ４０の外周と接触しないように樹脂ペースト５０を供給することができる。
【００２９】
なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】図１（Ａ）及び図１（Ｂ）は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図２】図２（Ａ）及び図２（Ｂ）は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図３】図３（Ａ）〜図３（Ｄ）は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図４】図４（Ａ）及び図４（Ｂ）は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図５】図５は、本発明を適用した第１の実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図６】図６は、本発明を適用した第１の実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図７】図７は、本発明を適用した第１の実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図８】図８は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図９】図９（Ａ）〜図９（Ｃ）は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【符号の説明】
【００３１】
１０…配線基板、  １２…ベース基板、  １４…配線パターン、  １５…電気的接続部、  ２０…レジスト層、  ２２…開口、  ２５…第２のレジスト層、  ３０…穴、  ４０…半導体チップ、  ４１…半導体チップを搭載するための領域、  ４２…電極、  ４３…辺、  ４４…辺、  ４５…辺、  ４６…集積回路、  ４７…辺、  ５０…樹脂ペースト、  ５２…樹脂部、  ６０…穴、  ６２…穴、  ７０…穴、  １００…半導体モジュール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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