(57)【要約】【課題】ＦＥＴスイッチをＳＡＷフィルタに接続する際に、ブロッキングキャパシタの不要な構成を実現させ、これにより、アンテナスイッチモジュールとＳＡＷフィルタとのインピーダンスマッチングを容易にし、挿入損失の改善や製品の歩留りを向上させる。【解決手段】ＦＥＴスイッチ２と、ＦＥＴスイッチ２が受信部側へ切り換えられた際、ＦＥＴスイッチ２を介してアンテナ１に接続されるＳＡＷフィルタ３を有し、ＳＡＷフィルタ３の入力部（入力端子）と接地部（ＧＮＤ端子）間にインダクタ１４を接続すると共に、ＳＡＷフィルタ３の接地部をキャパシタ１５を介して接地電位に接続した。【選択図】図１
2006311612.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電界効果型トランジスタをスイッチ素子として用い、外部から供給されるコントロール電圧により前記スイッチ素子を制御してアンテナを送信部側と受信部側とに切り換えるためのＦＥＴスイッチと、該ＦＥＴスイッチが受信部側へ切り換えられた際、前記ＦＥＴスイッチを介してアンテナに接続される弾性表面波フィルタを有するアンテナスイッチ回路において、
前記弾性表面波フィルタの入力部と接地部間にインダクタを接続すると共に、前記弾性表面波フィルタの接地部をキャパシタを介して接地電位に接続したことを特徴とするアンテナスイッチ回路。
【請求項２】
電界効果型トランジスタをスイッチ素子として用い、外部から供給されるコントロール電圧により前記スイッチ素子を制御してアンテナを送信部側と受信部側とに切り換えるためのＦＥＴスイッチと、該ＦＥＴスイッチが受信部側へ切り換えられた際、前記ＦＥＴスイッチを介してアンテナに接続される弾性表面波フィルタを有し、
前記弾性表面波フィルタの入力部と接地部間にインダクタを接続すると共に、前記弾性表面波フィルタの接地部をキャパシタを介して接地電位に接続した回路構成の各部品を多層基板に実装したアンテナスイッチモジュールであって、
前記弾性表面波フィルタとＦＥＴスイッチとキャパシタを前記多層基板の表面に搭載し、前記インダクタを含む他の部品を前記多層基板に内蔵すると共に、
前記多層基板内の導体により、前記弾性表面波フィルタの入力端子と接地端子間にインダクタを接続し、前記弾性表面波フィルタの接地端子を前記キャパシタを介して多層基板の接地端子に接続したことを特徴とするアンテナスイッチモジュール。
【請求項３】
電界効果型トランジスタをスイッチ素子として用い、外部から供給されるコントロール電圧により前記スイッチ素子を制御してアンテナを送信部側と受信部側とに切り換えるためのＦＥＴスイッチと、該ＦＥＴスイッチが受信部側へ切り換えられた際、前記ＦＥＴスイッチを介してアンテナに接続される弾性表面波フィルタを有し、
前記弾性表面波フィルタの入力部と接地部間にインダクタを接続すると共に、前記弾性表面波フィルタの接地部をキャパシタを介して接地電位に接続した回路構成の各部品を多層基板に実装したアンテナスイッチモジュールであって、
前記弾性表面波フィルタとＦＥＴスイッチを前記多層基板の表面に搭載し、前記インダクタとキャパシタを含む他の部品を前記多層基板に内蔵すると共に、
前記多層基板内の導体により、前記弾性表面波フィルタの入力端子と接地端子間にインダクタを接続し、前記弾性表面波フィルタの接地端子を前記キャパシタを介して多層基板の接地端子に接続したことを特徴とするアンテナスイッチモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話機や、無線通信機能を有する携帯情報端末（ＰＤＡ）等の各種移動体通信機器に用いられるアンテナスイッチ回路及びアンテナスイッチモジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
以下、従来例について説明する。
【０００３】
従来、デジタル（ＴＤＭＡ）方式の携帯電話機において、１本のアンテナで送受信を切り換えるために高周波スイッチを用いたアンテナスイッチモジュール（以下「ＡＳＭ」とも記す）が知られていた（特開２００１−１０２９５７公報参照）。
【０００４】
また、小型、低背化のため、ＡＳＭを構成するキャパシタ及びインダクタなどの素子を多層基板内に積層し、高周波スイッチにダイオードスイッチ回路が用いられてきたが、構成する部品点数が多く、加えて消費電力が大きい。そこで、近年、ＦＥＴスイッチを用いたモジュールも開発されており、これにより、部品点数削減、小型化、低消費電力化を実現したものが知られていた（特開２００１−１８５９０２公報参照）。
【０００５】
ところで、ＡＳＭの受信部には、弾性表面波フィルタ（以下「ＳＡＷフィルタ」と記す）が搭載又は外付けされることが多く、送受信の切り換えにダイオードスイッチ回路を使用する場合、そのコントロール電圧がＳＡＷフィルタにかかると、静電破壊や信頼性特性の劣化を起こすため、これを遮断するためにブロッキングキャパシタを挿入する。
【０００６】
ＦＥＴスイッチの場合、負電圧駆動の構成であればコントロール電圧がスイッチ出力に現れることはないが、多くのＦＥＴスイッチは正電圧駆動であり、この場合はＦＥＴスイッチの入出力にコントロール電圧と略等しい電圧が現れるため、ダイオードスイッチ回路と同様、ＳＡＷフィルタの入力部にブロッキングキャパシタを挿入する必要がある。
【０００７】
前記のようなブロッキングキャパシタを多層基板内に積層する場合、限られた空間で素子を形成するため、他の内蔵素子との相互干渉及び寄生容量によって、ＡＳＭとＳＡＷフィルタとのインピーダンスマッチングに影響を与える。これによって挿入損失が劣化し、歩留りも悪くなることが知られている（“ベアチップＳＡＷフィルタのセラミック積層アンテナスイッチモジュールへの応用”日本学術振興会弾性波素子技術第１５０委員会第７３回研究会資料、ｐｐ１３、２００１参照）。
【０００８】
また、高周波スイッチにダイオードスイッチ回路を用いたＡＳＭに関しては、ＳＡＷフィルタと直列に接続するブロッキングキャパシタの要らない構成が提案されていた（特開平１１−１５４８０４号公報参照）。しかしながら、前記提案のようなダイオードスイッチ回路を用いた構成では、部品点数が多い、消費電力が大きいなどの課題が残る。
【０００９】
次に、従来のＡＳＭの回路構成の１例を具体的に説明する。図６は従来例の説明図であり、Ａ図はアンテナスイッチ回路、Ｂ図はＦＥＴスイッチの構成図である。
【００１０】
図６に示した例では、アンテナ（ＡＮＴ）１をＦＥＴスイッチ２に接続し、該ＦＥＴスイッチ２の切り換えにより、ＳＡＷフィルタ３−１、３−２やローパスフィルタ（以下「ＬＰＦ」と記す）４−１、４−２を介して送信部と受信部の切り換えを行うように構成されている。
【００１１】
この場合、図６のＡ図に示したように、外部から印加するコントロール電圧の制御でＦＥＴスイッチ２を切り換えることにより、アンテナ１を、(a) ＳＡＷフィルタ３−１を介してＥＧＳＭ／Ｒｘ（ＥＧＳＭの受信部）へ接続する、(b) ：ＬＰＦ４−１を介してＥＧＳＭ／Ｔｘ（ＥＧＳＭの送信部）へ接続する、(c) ：ＳＡＷフィルタ３−２を介してＤＣＳ／Ｒｘ（ＤＣＳの受信部）へ接続する、(d) ＬＰＦ４−２を介してＤＣＳ／Ｔｘ（ＤＣＳの送信部）へ接続する、の４通りの切り換えができるようになっている。
【００１２】
また、ＦＥＴスイッチ２は、図６のＢ図に示したように構成されている。この例では、ＦＥＴスイッチ２は、ＦＥＴＱ１、Ｑ２、Ｑ３、Ｑ４、キャパシタＣ１、Ｃ２、抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４等で構成されており、外部の制御手段からコントロール電圧Ｖｃ１の反転電圧、Ｖｃ１、Ｖｃ２、Ｖｃ２の反転電圧を図示のように印加することでＦＥＴＱ１〜Ｑ４をＯＮ／ＯＦＦ制御するようになっている。
【００１３】
このように制御を行い、アンテナ１を、送信部（Ｔｘ）と受信部（Ｒｘ）とに接続切り換えをする。この場合、キャパシタＣ１、Ｃ２は、印加されたコントロール電圧により、ＦＥＴのゲート−ソース間容量を介して該コントロール電圧に略等しい電圧で充電される。
【００１４】
従って、例えば、Ｖｃ１の反転電圧＝０Ｖ、Ｖｃ１＝＋Ｖ、Ｖｃ２＝０、Ｖｃ２の反転電圧＝＋Ｖとなるコントロール電圧が印加すると、Ｑ１がＯＦＦ、Ｑ２がＯＮ、Ｑ３がＯＦＦ、Ｑ４がＯＮになり、アンテナ１が送信部（Ｔｘ）側に切り換わる。この時、Ｖｃ２の反転電圧＝＋Ｖにより充電されたキャパシタＣ２の電圧（略コントロール電圧と同じ電圧）が、ＦＥＴスイッチ２から現れ、この電圧がＳＡＷフィルタ３−１、又は３−２に入力する。
【００１５】
そのため、図７に示したように、ＳＡＷフィルタ３の入力部に前記電圧をブロックするためのブロッキングキャパシタ７を接続する必要がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
前記のような従来のものにおいては、次のような課題があった。
【００１７】
前記のように、ＦＥＴスイッチの切り換えによりＳＡＷフィルタやＬＰＦを介して送信部と受信部との切り換えを行うアンテナスイッチ回路では、コントロール電圧の印加によりＦＥＴスイッチの切り換えを行うが、このＦＥＴスイッチの切り換え動作に伴って該ＦＥＴスイッチの入出力側にコントロール電圧と略等しい電圧が発生し、この電圧がＳＡＷフィルタに印加することがある。そこで、従来はＳＡＷフィルタの入力部にブロッキングキャパシタを接続することが行われていた。
【００１８】
また、ＡＳＭを製作するため、前記ブロッキングキャパシタをセラミック多層基板内に積層しようとすると、限られた空間で素子を形成するため、他の内蔵素子との相互干渉及び寄生容量によって、ＡＳＭとＳＡＷフィルタとのインピーダンスマッチングに影響を与える。これによって挿入損失が劣化し、歩留りも悪くなる、という課題があった。
【００１９】
本発明は、このような従来の課題を解決し、ＦＥＴスイッチをＳＡＷフィルタに接続する際に、ブロッキングキャパシタが不要な構成を実現させ、これにより、ＡＳＭとＳＡＷフィルタとのインピーダンスマッチングを容易にし、挿入損失の改善や製品の歩留りを向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明は前記の目的を達成するため、次のように構成した。
【００２１】
すなわち、電界効果型トランジスタをスイッチ素子として用い、外部から供給されるコントロール電圧により前記スイッチ素子を制御してアンテナを送信部側と受信部側とに切り換えるためのＦＥＴスイッチと、該ＦＥＴスイッチが受信部側へ切り換えられた際、前記ＦＥＴスイッチを介してアンテナに接続される弾性表面波フィルタを有するアンテナスイッチ回路において、前記弾性表面波フィルタの入力部と接地部間にインダクタを接続すると共に、前記弾性表面波フィルタの接地部をキャパシタを介して接地電位に接続した。
【００２２】
また、電界効果型トランジスタをスイッチ素子として用い、外部から供給されるコントロール電圧により前記スイッチ素子を制御してアンテナを送信部側と受信部側とに切り換えるためのＦＥＴスイッチと、該ＦＥＴスイッチが受信部側へ切り換えられた際、前記ＦＥＴスイッチを介してアンテナに接続される弾性表面波フィルタを有し、前記弾性表面波フィルタの入力部と接地部間にインダクタを接続すると共に、前記弾性表面波フィルタの接地部をキャパシタを介して接地電位に接続した回路構成の各部品を多層基板に実装したアンテナスイッチモジュールであって、前記弾性表面波フィルタとＦＥＴスイッチとキャパシタを前記多層基板の表面に搭載し、前記インダクタを含む他の部品を前記多層基板に内蔵すると共に、前記多層基板内の導体により、前記弾性表面波フィルタの入力端子と接地端子（ＧＮＤ端子）間にインダクタを接続し、前記弾性表面波フィルタの接地端子（ＧＮＤ端子）をキャパシタを介して多層基板の接地端子に接続した。
【００２３】
また、電界効果型トランジスタをスイッチ素子として用い、外部から供給されるコントロール電圧により前記スイッチ素子を制御してアンテナを送信部側と受信部側とに切り換えるためのＦＥＴスイッチと、該ＦＥＴスイッチが受信部側へ切り換えられた際、前記ＦＥＴスイッチを介してアンテナに接続される弾性表面波フィルタを有し、前記弾性表面波フィルタの入力部と接地部間にインダクタを接続すると共に、前記弾性表面波フィルタの接地部をキャパシタを介して接地電位に接続した回路構成の各部品を多層基板に実装したアンテナスイッチモジュールであって、前記弾性表面波フィルタとＦＥＴスイッチを前記多層基板の表面に搭載し、前記インダクタとキャパシタを含む他の部品を前記多層基板に内蔵すると共に、前記多層基板内の導体により、前記弾性表面波フィルタの入力端子と接地端子（ＧＮＤ端子）間にインダクタを接続し、前記弾性表面波フィルタの接地端子（ＧＮＤ端子）をキャパシタを介して多層基板の接地端子に接続した。
【００２４】
（作用）
前記のように、弾性表面波フィルタ（ＳＡＷフィルタ）の入力部（入力端子）と接地部（ＧＮＤ端子）間にインダクタを接続すると共に、弾性表面波フィルタの接地部（ＧＮＤ端子）をキャパシタを介して接地電位に接続している。
【００２５】
このようにすれば、ＦＥＴスイッチで発生したコントロール電圧と略等しい電圧が、インダクタを介して弾性表面波フィルタの接地部（ＧＮＤ端子）にも掛かるので、弾性表面波フィルタの入力部（入力端子）と接地部（ＧＮＤ端子）間に殆ど電位差が生じない。
【００２６】
また、弾性表面波フィルタの接地部（ＧＮＤ端子）は、キャパシタにより高周波的に接地されているので、弾性表面波フィルタの高周波信号処理に悪影響を与えない。また、部品を多層基板に内蔵している分、アンテナスイッチモジュールの小型、低背化が実現できる。
【００２７】
このように、ブロッキングキャパシタが不要な構成を実現させ、これにより、アンテナスイッチモジュールと弾性表面波フィルタとのインピーダンスマッチングを容易にし、挿入損失の改善や製品の歩留りを向上させることが可能になる。
【００２８】
また、コントロール電圧を印加するためのＦＥＴスイッチのコントロール電圧入力部（入力端子）と、弾性表面波フィルタの接地部（ＧＮＤ端子）間を直結している。
【００２９】
このため、弾性表面波フィルタが選択接続された場合には、弾性表面波フィルタの接地部（ＧＮＤ端子）にはコントロール電圧が印加するので、ＦＥＴスイッチでコントロール電圧と略等しい電圧が発生しても、弾性表面波フィルタの入力部（入力端子）と接地部（ＧＮＤ端子）間に殆ど電位差が生じない。
【００３０】
従って、従来のようなブロッキングキャパシタが不要な構成を実現させ、アンテナスイッチモジュールの小型、低背化が実現できる。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によれば次のような効果がある。
【００３２】
(1) ：アンテナスイッチ回路又はアンテナスイッチモジュールにおいて、弾性表面波フィルタの入力部（入力端子）と接地部（ＧＮＤ端子）間にインダクタを接続すると共に、弾性表面波フィルタの接地部（ＧＮＤ端子）をキャパシタを介して接地電位に接続している。
【００３３】
このようにすれば、ＦＥＴスイッチで発生したコントロール電圧と略等しい電圧が、インダクタを介して弾性表面波フィルタの接地部（ＧＮＤ端子）にも掛かるので、弾性表面波フィルタの入力部（入力端子）と接地部（ＧＮＤ端子）間に殆ど電位差が生じない。また、弾性表面波フィルタの接地部（ＧＮＤ端子）は、キャパシタにより高周波的に接地されているので、弾性表面波フィルタの高周波信号処理に悪影響を与えない。
【００３４】
また、弾性表面波フィルタの帯域内の入出力インピーダンスは容量性であることが多いので、前記インダクタの接続により、インピーダンスマッチングが容易であり、特性が改善される。
【００３５】
このように、従来のようなブロッキングキャパシタが不要な構成を実現させ、これにより、アンテナスイッチモジュールと弾性表面波フィルタとのインピーダンスマッチングを容易にし、挿入損失の改善や製品の歩留りを向上させることが可能になる。
【００３６】
(2) ：アンテナスイッチモジュールにおいて、弾性表面波フィルタとＦＥＴスイッチとキャパシタを多層基板の表面に搭載し、インダクタを含む他の部品を多層基板に内蔵すると共に、多層基板内の導体により、弾性表面波フィルタの入力端子とＧＮＤ端子間にインダクタを接続し、前記弾性表面波フィルタのＧＮＤ端子を前記キャパシタを介して多層基板のＧＮＤ端子に接続した。
【００３７】
このように、インダクタを含む他の部品を多層基板に内蔵しているので、その分、アンテナスイッチモジュールの小型化を実現できる。
【００３８】
(3) ：アンテナスイッチモジュールにおいて、弾性表面波フィルタとＦＥＴスイッチを多層基板の表面に搭載し、インダクタとキャパシタを含む他の部品を多層基板に内蔵すると共に、多層基板内の導体により、弾性表面波フィルタの入力端子とＧＮＤ端子間にインダクタを接続し、弾性表面波フィルタのＧＮＤ端子をキャパシタを介して多層基板のＧＮＤ端子に接続した。
【００３９】
このように、インダクタとキャパシタを含む他の部品を多層基板に内蔵しているので、その分、アンテナスイッチモジュールの小型化を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の説明では、弾性表面波フィルタを「ＳＡＷフィルタ」、接地部（又は接地端子）をＧＮＤ部（又はＧＮＤ端子）、電界効果型トランジスタを「ＦＥＴ」と記す。
【００４１】
§１：例１の説明
(1) ：例１のアンテナスイッチ回路
図１は例１のアンテナスイッチ回路を示した図である。アンテナスイッチ回路は、アンテナを受信部と送信部とに切り換えるための回路であり、切り換え用のスイッチ素子として、ＧａＡｓＦＥＴ（以下、単に「ＦＥＴ」と記す）を使用したＦＥＴスイッチ２が使用される。
【００４２】
このＦＥＴスイッチ２には、コントロール電圧１及びコントロール電圧２を入力する第１のコントロール電圧入力端子１１と、第２のコントロール電圧入力端子１２が設けてある。そして、ＦＥＴスイッチ２では、前記第１のコントロール電圧入力端子１１と、第２のコントロール電圧入力端子１２に入力するコントロール電圧１及びコントロール電圧２の制御により、ＦＥＴスイッチ２のＦＥＴを切り換え制御するように構成されている。なお、ＦＥＴスイッチ２の詳細な構成と動作は、図６のＢ図に示したものと同じであり、このようなＦＥＴスイッチ２は市販されているので、ここでの詳細な説明は省略する。
【００４３】
また、ＦＥＴスイッチ２の出力側には、受信部へ接続されたＳＡＷフィルタ３と、送信部へ接続されたローパスフィルタ４が接続されており、従来例と同様に、ＦＥＴスイッチ２の切り換え制御により送受信の切り換えを行うように構成されている。なお、前記ＳＡＷフィルタ３はバンドパスフィルタとして機能するものである。
【００４４】
このような構成の回路において、ＦＥＴスイッチ２の切り換え制御が行われた際、ＦＥＴスイッチ２の出力側にはコントロール電圧に略等しい電圧（直流電圧）が発生することは従来例で述べた通りである。
【００４５】
そこで、例１では、ＳＡＷフィルタ３の入力部（入力端子）１３と接地部（ＧＮＤ端子）１６間にインダクタ１４を接続すると共に、ＳＡＷフィルタ３の接地部（ＧＮＤ端子）をキャパシタ１５を介して接地電位に接続する。このようにすれば、ＦＥＴスイッチ２で発生した電圧（コントロール電圧に略等しい電圧）が、インダクタ１４を介してＳＡＷフィルタ３の入力部（入力端子）と接地部（ＧＮＤ端子）１６に印加するが、入力部と接地部間の電位差は殆ど無く、ＳＡＷフィルタ３に悪影響を与えない。
【００４６】
また、キャパシタ１５は、高周波接地用のキャパシタであり、高周波信号に対しては、極めて低インピーダンスであり、ＳＡＷフィルタ３のＧＮＤ部（ＧＮＤ端子）をＧＮＤ電位にする。このような構成により、ＳＡＷフィルタ３の入力部（入力端子）からインダクタ１４を介して、ＳＡＷフィルタ３の接地部（ＧＮＤ端子）にコントロール電圧をかけることができる。
【００４７】
このようにすれば、コントロール電圧１、又はコントロール電圧２がＯＮ制御の電圧である場合、ＳＡＷフィルタ３の入力部と接地部に略等しい電圧がかかるので、ＳＡＷフィルタ３の入力部と接地部間には、実質的に電位差が生じない。従って、従来例のようなブロッキングキャパシタの不要なアンテナスイッチ回路が実現できる。
【００４８】
(2) ：例１のアンテナスイッチモジュール
図２は例１、例２のアンテナスイッチモジュールを示した図であり、Ａ図は例１のアンテナスイッチモジュール、Ｂ図は例２のアンテナスイッチモジュールを示す。図２に示した例１、例２のアンテナスイッチモジュールは、図１に示した例１のアンテナスイッチ回路の各構成部品をセラミック多層基板に実装した例であり、以下、具体的に説明する。
【００４９】
(a) ：例１のアンテナスイッチモジュール
図２のＡ図に示した例１のアンテナスイッチモジュールは、低温焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）によるセラミック多層基板（以下、単に「多層基板」と記す）に、図１に示したアンテナスイッチ回路を構成する部品である、ＦＥＴスイッチ２、ＳＡＷフィルタ３、インダクタ１４、キャパシタ１５、ローパスフィルタ４等を実装したものであり、前記キャパシタ１５として、チップコンデンサを外付けした例である。
【００５０】
図２のＡ図に示したように、多層基板２７の内部層には、インダクタ１４（図のＬで示した点線内）、ローパスフィルタ４の構成部品や必要な配線等が、導体パターンにより形成され、多層基板２７に内蔵されている。また、多層基板２７の表面には、ＳＡＷフィルタ３、ＦＥＴスイッチ２、チップコンデンサからなるキャパシタ１５が搭載されると共に、部品間を接続するための電極パッド１７が形成されている。
【００５１】
また、多層基板２７の裏面には、アンテナスイッチモジュールから外部へ接続するための各種の裏面側電極が設けてある。この裏面側電極としては、ＧＮＤ電位に接続するためのＧＮＤ電極２１、受信部へ接続するための受信部側電極（Ｒｘ）２２、アンテナへ接続するためのアンテナ側電極２３、送信部へ接続するための送信部側電極（Ｔｘ）２４等が設けてある。
【００５２】
そして、多層基板２７の表面に搭載した部品と、多層基板２７に内蔵した部品や内部配線１８と多層基板２７の裏面に設けた裏面電極とを、電極パッド１７や内部配線１８、ビア１９等を介して接続する。また、多層基板２７の表面側の上には、シールドケース２６を被せて多層基板２７に固定しアンテナスイッチモジュールとする。
【００５３】
(b) ：例２のアンテナスイッチモジュール
図２のＢ図に示した例２のアンテナスイッチモジュールは、多層基板２７に、図１に示したアンテナスイッチ回路を構成する部品である、ＦＥＴスイッチ２、ＳＡＷフィルタ３、インダクタ１４、キャパシタ１５、ローパスフィルタ４等を搭載したものであり、インダクタ１４やキャパシタ１５を多層基板２７に内蔵した例である。
【００５４】
図２のＢ図に示したように、多層基板２７の内部層には、インダクタ１４（図のＬで示した点線内）、キャパシタ１５（図のＣで示した点線内）、ローパスフィルタ４の構成部品や必要な配線等が、導体パターンにより形成され、多層基板２７に内蔵されている。また、多層基板２７の表面には、ＳＡＷフィルタ３、ＦＥＴスイッチ２が搭載されると共に、部品間を接続するための電極パッド１７が形成されている。
【００５５】
また、多層基板２７の裏面には、アンテナスイッチモジュールから外部へ接続するための各種の裏面側電極が設けてある。この裏面側電極としては、ＧＮＤ電位に接続するためのＧＮＤ電極２１、受信部へ接続するための受信部側電極（Ｒｘ）２２、アンテナへ接続するためのアンテナ側電極２３、送信部へ接続するための送信部側電極（Ｔｘ）２４等が設けてある。
【００５６】
そして、多層基板２７の表面に搭載した部品と、多層基板２７に内蔵した部品や内部配線１８と多層基板２７の裏面に設けた裏面電極とを、電極パッド１７や内部配線１８、ビア１９等を介して接続する。また、多層基板２７の表面側の上には、シールドケース２６を被せて多層基板２７に固定しアンテナスイッチモジュールとする。
【００５７】
なお、前記インダクタ１４及びキャパシタ１５について、素子定数を決定するため、各種定数の素子を用いたサンプルで実験を行った結果、以下のことが判った。すなわち、前記実験の結果、インダクタ１４は１ｎＨ〜１００ｎＨの範囲、キャパシタ１５は１０ｐＦ〜１００ｐＦの範囲の素子定数を用いると、良好な特性が得られ、かつモジュールの作製に好適であることが判った。
【００５８】
この場合、インダクタ１４は、１ｎＨ以下の素子を用いるとインピーダンス値が低くなり、インピーダンスマッチングが取れなくなった。また、１００ｎＨ以上の素子を用いると、素子値（インダクタンス値）が大きく、外形寸法も大きくなる。そのため、モジュールの大きさが限られた大きさの場合、多層基板上に搭載若しくは内蔵することが困難となることが判った。
【００５９】
また、キャパシタ１５は１０ｐＦ以下の素子を用いると、キャパシタ１５のインピーダンス値が高くなり、高周波接地がとれなくなる。また、１００ｐＦ以上の素子を用いると、素子値（キャパシタンス値）が大きく、外形寸法も大きくなり、前記多層基板に搭載若しくは内蔵することが困難となることが判った。従って、前記のようにインダクタ１４は１ｎＨ〜１００ｎＨの範囲、キャパシタ１５は１０ｐＦ〜１００ｐＦの範囲の素子定数を用いると、良好な特性が得られ、かつモジュールの作製に好適であることが判った。
【００６０】
図３は、前記範囲の素子定数を用いて実験を行い特性を求めたので、その結果の特性を図３に基づいて説明する。なお、この実験では、比較のため、従来例についても実験を行い、その結果の特性を図３に示してある。
【００６１】
図３は、アンテナ−受信部間挿入損失の周波数特性である。この実験では、例１のアンテナスイッチモジュール（図２参照）において、インダクタ１４を６ｎＨ、キャパシタ１５を２０ｐＦとしたサンプルを用いて実験を行った。
【００６２】
図３において、横軸は周波数（ＭＨZ ）、縦軸はアンテナ−受信部間挿入損失（ｄＢ）を示す。また、図３の(a) の特性は従来例のサンプル、(b) の特性は本発明のサンプルの特性である。また、横軸の周波数は、自動車、携帯電話システム等に使用される通信方式の一種であるＤＣＳ（Digital Cellular System ）の帯域周波数に合わせてある。
【００６３】
図３において、(a) で示した従来例の特性は、帯域内でリップルの大きい特性となっている。これはインピーダンスマッチングが完全にとれていない状態であり、好ましい特性ではない。しかし、(b) で示した本発明の特性は、帯域内でリップルの極めて小さい特性であり、インピーダンスマッチングが取れている状態を示している。このように、本発明のサンプルの特性は、従来例のサンプルの特性よりも改善されていることが明らかである。
【００６４】
§２：例２の説明
(1) ：例２のアンテナスイッチ回路
図４は例２のアンテナスイッチ回路を示した図である。アンテナスイッチ回路は、アンテナを受信部と送信部とに切り換えるための回路であり、切り換え用のスイッチとして、例１と同様のＦＥＴスイッチ２が使用されている。
【００６５】
このＦＥＴスイッチ２には、コントロール電圧１及びコントロール電圧２を入力するための第１のコントロール電圧入力端子１１と、第２のコントロール電圧入力端子１２が設けてある。そして、ＦＥＴスイッチ２では、前記第１のコントロール電圧入力端子１１と、第２のコントロール電圧入力端子１２に入力するコントロール電圧１及びコントロール電圧２の制御により、ＦＥＴスイッチ２のＦＥＴを切り換え制御するように構成されている。
【００６６】
また、ＦＥＴスイッチ２の出力側には、受信部へ接続されたＳＡＷフィルタ３と、送信部へ接続されたローパスフィルタ４が接続されており、前記のように、ＦＥＴスイッチ２の切り換え制御により送受信の切り換えを行うように構成されている。なお、前記ＳＡＷフィルタ３はバンドパスフィルタとして機能するものである。
【００６７】
このような構成の回路において、ＦＥＴスイッチ２の切り換え制御が行われた際、ＦＥＴスイッチ２の出力側には、コントロール電圧に略等しい電圧（直流電圧）が発生することは従来例で述べた通りである。
【００６８】
そこで、例２では、第１のコントロール電圧入力端子１１と、ＳＡＷフィルタ３の接地部１６との間を直結する。このようにすると、ＳＡＷフィルタ３の接地部１６には、第１のコントロール電圧が印加される。このような構成により、ＳＡＷフィルタ３の接地部１６にコントロール電圧をかけることができる。このようにすれば、従来例のようなブロッキングキャパシタの不要なアンテナスイッチ回路が実現できる。
【００６９】
(2) ：例３のアンテナスイッチモジュール
図５は例３のアンテナスイッチモジュールを示した図である。図５に示した例３のアンテナスイッチモジュールは、図４に示した例２のアンテナスイッチ回路を構成する部品を多層基板２７に実装した例であり、以下、具体的に説明する。  このアンテナスイッチモジュールは、例１のアンテナスイッチモジュールと同様に、低温焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）による多層基板（以下、単に「多層基板」と記す）に、図４に示したアンテナスイッチ回路を構成する部品である、ＦＥＴスイッチ２、ＳＡＷフィルタ３、ローパスフィルタ４等を搭載したものである。
【００７０】
図５に示したように、多層基板２７の内部層には、ローパスフィルタ４の構成部品や必要な配線導体等が導体パターンにより形成され、内蔵されている。また、多層基板２７の表面には、ＳＡＷフィルタ３、ＦＥＴスイッチ２が搭載されると共に、部品間を接続するための電極パッド１７が形成されている。
【００７１】
また、多層基板２７の裏面には、アンテナスイッチモジュールから外部へ接続するための各種の裏面側電極が設けてある。この裏面側電極としては、ＧＮＤ電位に接続するためのＧＮＤ電極２１、受信部へ接続するための受信側電極（Ｒｘ）２２、アンテナへ接続するためのアンテナ側電極２３、送信部へ接続するための送信部側電極（Ｔｘ）２４等が設けてある。
【００７２】
そして、多層基板２７の表面に搭載した部品と、多層基板２７に内蔵した部品や内部配線１８と、セラミック多層基板２７の裏面に設けた裏面電極とを、電極パッド１７やビア１９を介して接続する。また、前記セラミック多層基板２７の表面側の上には、シールドケース２６を被せてセラミック多層基板２７に固定し、アンテナスイッチモジュールとする。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】本発明の実施の形態における例１のアンテナスイッチ回路の説明図である。
【図２】本発明の実施の形態における例１、例２のアンテナスイッチモジュールを示した図であり、Ａ図は例１のアンテナスイッチモジュール、Ｂ図は例２のアンテナスイッチモジュールである。
【図３】本発明の実施の形態におけるアンテナ−受信部間挿入損失の周波数特性である。
【図４】本発明の実施の形態における例２のアンテナスイッチ回路である。
【図５】本発明の実施の形態における例２のアンテナスイッチモジュールである。
【図６】従来例の説明図であり、Ａ図はアンテナスイッチ回路、Ｂ図はＦＥＴスイッチの構成図である。
【図７】従来例のアンテナスイッチ回路である。
【符号の説明】
【００７４】
１  アンテナ
２  ＦＥＴスイッチ
３  弾性表面波フィルタ（ＳＡＷフィルタ）
４  ローパスフィルタ（ＬＰＦ）
７  ブロッキングキャパシタ
１１  第１のコントロール電圧入力端子
１２  第２のコントロール電圧入力端子
１４  インダクタ
１５  キャパシタ
１６  ＳＡＷフィルタの接地部（ＧＮＤ端子）
１７  電極パッド
１８  内部配線
１９  ビア
２１  ＧＮＤ電極
２２  受信側電極
２３  アンテナ側電極
２４  送信部側電極
２６  シールドケース
２７  多層基板（セラミック多層基板）
【図１】
2006311612.tif 000003
【図２】
2006311612.tif 000004
【図３】
2006311612.tif 000005
【図４】
2006311612.tif 000006
【図５】
2006311612.tif 000007
【図６】
2006311612.tif 000008
【図７】
2006311612.tif 000009