(57)【要約】【課題】ワックスを半導体ウェーハの裏面の全域に均一な形状でかつ均一な厚さで塗布することができる半導体ウェーハ接着方法およびその装置を提供する。【解決手段】半導体ウェーハ接着装置１０のワックス塗布部１５でシリコンウェーハＷの裏面にワックスを塗布（Ｓ１０４）する直前に、プリベーク部１４において、シリコンウェーハＷを所定の温度までプリベーク（Ｓ１０３）し、シリコンウェーハＷの温度、ひいてはシリコンウェーハＷに塗布されるワックスの温度（粘度）を管理する。これにより、ワックスをシリコンウェーハＷの裏面全域に均一な形状で、しかも均一な厚さで塗布することができる。【選択図】図１
2006237085.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハの表裏面のうち、デバイスが形成される表面とは反対側の裏面にワックスを塗布するワックス塗布工程と、
該ワックスの塗布後、該ワックスを介して、前記半導体ウェーハをキャリアプレートに加圧して接着するウェーハ接着工程とを備えた半導体ウェーハ接着方法において、
前記ワックス塗布工程の直前に、前記半導体ウェーハを加熱するプリベーク工程を設けた半導体ウェーハ接着方法。
【請求項２】
前記プリベーク工程での半導体ウェーハの加熱温度は、該半導体ウェーハへの塗布直後に、前記ワックスが３０〜４０℃となる温度である請求項１に記載の半導体ウェーハ接着方法。
【請求項３】
前記ワックスは、静止した前記半導体ウェーハの裏面の中央に１点だけ滴下され、
前記ワックスの滴下後、前記半導体ウェーハを高速回転させ、前記ワックスを前記半導体ウェーハの裏面全域にスピン塗布する請求項１または請求項２に記載の半導体ウェーハ接着方法。
【請求項４】
半導体ウェーハの表裏面のうち、デバイスが形成される表面とは反対側の裏面にワックスを塗布するワックス塗布手段と、
塗布された該ワックスを介して、前記半導体ウェーハを前記キャリアプレートに加圧して接着するウェーハ接着手段とを備えた半導体ウェーハ接着装置において、
前記半導体ウェーハにワックスを塗布する直前に、前記半導体ウェーハを加熱するプリベーク手段を設けた半導体ウェーハ接着装置。
【請求項５】
前記プリベーク時の半導体ウェーハの加熱温度は、該半導体ウェーハへの塗布直後に、前記ワックスが３０〜４０℃となる温度である請求項４に記載の半導体ウェーハ接着装置。
【請求項６】
前記ワックスは、静止した前記半導体ウェーハの裏面の中央に１点だけ滴下され、
前記ワックスの滴下後、前記半導体ウェーハを高速回転させ、前記ワックスを前記半導体ウェーハの裏面全域にスピン塗布する請求項４または請求項５に記載の半導体ウェーハ接着装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は半導体ウェーハ接着方法およびその装置、詳しくは半導体ウェーハをキャリアプレートに、ワックスにより接着（ワックス接着）する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコンウェーハ（半導体ウェーハ）の表面に鏡面研磨を行う場合には、まずキャリアプレートにシリコンウェーハを接着して固定する。その後、キャリアプレートを表面研磨装置に投入し、研磨布によりシリコンウェーハの表面を鏡面研磨している。キャリアプレートにシリコンウェーハを接着する場合には、ウェーハ接着装置を用いて、あらかじめシリコンウェーハの裏面にワックスを塗布する。次に、キャリアプレート上にシリコンウェーハを加圧して接着していた。
【０００３】
従来のウェーハ接着装置として、例えば特許文献１が知られている。これは、シリコンウェーハの供給部と、シリコンウェーハの芯だしを行う第１の芯だし部と、シリコンウェーハの裏面にワックスをスピン塗布するスピン塗布部と、ワックス塗布後のシリコンウェーハを８０℃前後に加熱してワックス中の有機溶剤（トルエン）を蒸発させるホットベーク部と、ホットベーク後のシリコンウェーハを芯だしする第２の芯だし部と、２回目の芯だし後のシリコンウェーハをキャリアプレートに供給する供給機構と、シリコンウェーハをキャリアプレートに上方から加圧して接着する接着部とを備えている。
【０００４】
以下、特許文献１の装置によるキャリアプレートへのウェーハ接着方法を説明する。
まず、ロボットアームによりシリコンウェーハを供給部から取り出し、これを第１の芯だし部に移送してシリコンウェーハを芯だしする（以下、各工程間でのウェーハ移送は個別に配置されたロボットアームによる）。次に、シリコンウェーハをスピン塗布部に移送し、シリコンウェーハの裏面にワックスをスピン塗布する。その後、シリコンウェーハをホットベーク部に移送し、ここでシリコンウェーハを８０℃前後に加熱し、ワックス中の有機溶剤を蒸発させる。それから、ホットベーク後のシリコンウェーハを第２の芯だし部に移送し、２回目の芯だしを行う。次に、芯だし後のシリコンウェーハを供給機構によって保持し、接着部に配置されたキャリアプレート上に移送して載置する。それから、シリコンウェーハを上方から押し付け、ワックスによってシリコンウェーハをキャリアプレートに接着して固定する。
【特許文献１】特開平５−９０４０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１では、シリコンウェーハへの塗布直前に、ウェーハの温度管理を行っていなかった。そのため、ワックスをウェーハに滴下したときに、その温度によってワックスに含まれる揮発溶剤の蒸発量が変化し、スピン塗布時の乾燥状態が変化する。その結果、ワックスのスピン塗布時に、ワックスをシリコンウェーハの裏面の全域に均一な形状で、かつ均一な厚さで塗布することはできなかった。
しかも、シリコンウェーハのキャリアプレートへの接着後、ワックスの塗布形状およびウェーハ面内でのバラツキがシリコンウェーハの表面に転写されてしまい、鏡面研磨後のシリコンウェーハの表面の平坦度を低下させていた。さらには、シリコンウェーハの表裏面において、ナノメートルレベルの微細な凹凸であるナノトポグラフィが悪化していた。
【０００６】
そこで、発明者は鋭意研究の結果、ワックス塗布工程の直前に半導体ウェーハを所定の温度に加熱し、半導体ウェーハの温度、ひいてはワックス塗布後のワックスの温度（粘度）を管理するようにすれば、ワックスを半導体ウェーハの裏面全域に均一な形状および均一な厚さで塗布できることを知見し、この発明を完成させた。
【０００７】
この発明は、ワックスを半導体ウェーハの裏面の全域に均一な形状でかつ均一な厚さで塗布することができる半導体ウェーハ接着方法およびその装置を提供することを目的としている。
また、この発明は、半導体ウェーハの表面の平坦度を高めるとともに、半導体ウェーハの表裏面のナノトポグラフィを改善することができる半導体ウェーハ接着方法およびその装置を提供することを目的としている。
さらに、この発明は、半導体ウェーハの裏面に対するワックスの塗布量を低減させることができ、ワックスの塗布厚の均一性をさらに高めることができる半導体ウェーハ接着方法およびその装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に記載の発明は、半導体ウェーハの表裏面のうち、デバイスが形成される表面とは反対側の裏面にワックスを塗布するワックス塗布工程と、該ワックスの塗布後、該ワックスを介して、前記半導体ウェーハをキャリアプレートに加圧して接着するウェーハ接着工程とを備えた半導体ウェーハ接着方法において、前記ワックス塗布工程の直前に、前記半導体ウェーハを加熱するプリベーク工程を設けた半導体ウェーハ接着方法である。
【０００９】
請求項１に記載の発明によれば、半導体ウェーハの裏面にワックスを塗布する直前に、半導体ウェーハを所定の温度まで加熱（プリベーク）し、半導体ウェーハの温度、ひいては半導体ウェーハに塗布されるワックスの温度（粘度）を管理する。これにより、ワックスを半導体ウェーハの裏面全域に均一な形状で、しかも均一な厚さで塗布することが可能になる。
【００１０】
半導体ウェーハとしては、例えばシリコンウェーハ、ガリウム砒素ウェーハなどを採用することができる。
キャリアプレートに接着される半導体ウェーハの枚数は、１枚でもよいし（枚葉式）、２枚以上でもよい（バッチ式）。
ワックスとしては、例えば天然樹脂または合成樹脂を有機溶剤に溶解させた非水溶液性の液状のものなどを採用することができる。
【００１１】
ワックスの塗布厚は１．０〜３．０μｍである。１．０μｍ未満ではワックスムラによる接着力不足が発生する。また、３．０μｍを超えると弾性変形量が増大し、ウェーハ外周の平坦度が悪化する。ワックスの好ましい塗布厚は１．０〜２．０μｍである。この範囲であれば研磨後のウェーハの平坦度がさらに安定するというより好適な効果が得られる。
【００１２】
半導体ウェーハをキャリアプレートに加圧する際の圧力は、１０〜５０ｋＰａである。１０ｋＰａ未満では半導体ウェーハとキャリアプレートの接着が不十分となり接着不良が起こる。また、５０ｋＰａを超えるとワックスの分布が不均一になりウェーハの平坦度が悪化する。半導体ウェーハをキャリアプレートに加圧する際の好ましい圧力は、２０〜５０ｋＰａである。この範囲であれば研磨後のウェーハの平坦度がより安定するというさらに好適な効果が得られる。
ワックスの半導体ウェーハへの塗布方法としては、例えばスピン塗布、刷毛塗り、スプレー塗り、ワックスディップなどを採用することができる。
【００１３】
プリベーク工程は、半導体ウェーハの裏面にワックスを塗布するワックス塗布工程の直前に施される。
半導体ウェーハの加熱温度（プリベーク温度）は３０〜８０℃である。３０℃未満では、ワックス塗布直後のワックス温度が下り、ワックス塗布直後のワックスの粘度が低くなり、ワックスが十分に広がらず塗布ムラが生じる。また、８０℃を超えると、ワックス塗布直後のワックス温度が上昇し、ワックス塗布直後のワックスの溶剤が気化し、ワックスが十分に広がらず塗布ムラが生じる。
半導体ウェーハの好ましい加熱温度は３０〜６０℃である。この範囲であれば、半導体ウェーハへの塗布ムラもなく均一性を有したワックス塗布が実現でき、ウェーハ平坦度の向上が図れるというさらに好適な効果が得られる。
【００１４】
半導体ウェーハを加熱する方法としては、例えば、半導体ウェーハをホットプレート上に載置して加熱する方法を採用することができる。その他にも、例えばランプ加熱などを採用することができる。
【００１５】
請求項２に記載の発明は、前記プリベーク工程での半導体ウェーハの加熱温度は、該半導体ウェーハへの塗布直後に、前記ワックスが３０〜４０℃となる温度である請求項１に記載の半導体ウェーハ接着方法である。
【００１６】
請求項２に記載の発明によれば、プリベーク工程での半導体ウェーハの加熱温度を、半導体ウェーハへの塗布直後に、ワックスが３０〜４０℃となる温度としたので、ワックスの粘度（流動性）が、ワックスの塗布作業を行う際に最適な粘度となる。その結果、半導体ウェーハの表面の平坦度を高められるとともに、半導体ウェーハの表裏面のナノトポグラフィを改善することができる。
【００１７】
ワックス塗布直後のワックス温度が３０℃未満となる半導体ウェーハの加熱温度では、ワックスが十分に広がらず塗布ムラが生じる。また、ワックス塗布直後のワックス温度が４０℃を超える半導体ウェーハの加熱温度では、ワックスが十分に広がらず塗布ムラが生じる。半導体ウェーハの好ましい加熱温度は、半導体ウェーハへの塗布直後のワックスが３５℃程度となる温度である。この範囲であれば半導体ウェーハへの塗布ムラもなく均一性を有したワックスの塗布を実現でき、ウェーハ平坦度の向上が図れるというさらに好適な効果が得られる。
【００１８】
請求項３に記載の発明は、前記ワックスは、静止した前記半導体ウェーハの裏面の中央に１点だけ滴下され、前記ワックスの滴下後、前記半導体ウェーハを高速回転させ、前記ワックスを前記半導体ウェーハの裏面全域にスピン塗布する請求項１または請求項２に記載の半導体ウェーハ接着方法である。
【００１９】
請求項３に記載の発明によれば、静止した半導体ウェーハの裏面の中央に１点だけワックスを滴下した後、半導体ウェーハを高速回転させることで、ワックスを半導体ウェーハの裏面全域にスピン塗布する。これにより、ワックスが半導体ウェーハの裏面の全域に均一に薄く延ばされる。その結果、ワックスの塗布量を低減させることができるとともに、ワックスの塗布厚の均一性をさらに高めることができる。
【００２０】
ワックスの滴下方法としては、例えばウェーハを回転させながらワックスを塗布する回転滴下法などを採用することができる。
ワックスの滴下量は、半導体ウェーハの大きさにより適宜変更される。例えば２００ｍｍウェーハの場合には、１〜３ｍｌである。
半導体ウェーハの回転速度は５００〜５０００ｒｐｍである。５００ｒｐｍ未満ではワックスが十分に広がらず塗布ムラが生じる。また、５０００ｒｐｍを超えるとワックスが半導体ウェーハ上から飛び散り塗布ムラが生じる。半導体ウェーハの好ましい回転速度は、１０００〜４０００ｒｐｍである。この範囲であれば、半導体ウェーハへの塗布ムラもなく均一性を有したワックスの塗布を実現でき、ウェーハ平坦度が高まり安定するというさらに好適な効果が得られる。
【００２１】
請求項４に記載の発明は、半導体ウェーハの表裏面のうち、デバイスが形成される表面とは反対側の裏面にワックスを塗布するワックス塗布手段と、塗布された該ワックスを介して、前記半導体ウェーハを前記キャリアプレートに加圧して接着するウェーハ接着手段とを備えた半導体ウェーハ接着装置において、前記半導体ウェーハにワックスを塗布する直前に、前記半導体ウェーハを加熱するプリベーク手段を設けた半導体ウェーハ接着装置である。
【００２２】
ワックス塗布手段としては、例えばスピン塗布機、などを採用することができる。
ウェーハ接着手段としては、例えば弾性体を用いて上方から半導体ウェーハをキャリアプレートに加圧して接着するウェーハ接着機、真空状態でキャリアプレートに加圧して半導体ウェーハをキャリアプレートに接着するウェーハ接着機などを採用することができる。
プリベーク手段としては、例えばホットプレート、ランプ加熱などを採用することができる。
【００２３】
請求項５に記載の発明は、前記プリベーク時の半導体ウェーハの加熱温度は、該半導体ウェーハへの塗布直後に、前記ワックスが３０〜４０℃となる温度である請求項４に記載の半導体ウェーハ接着装置である。
【００２４】
請求項６に記載の発明は、前記ワックスは、静止した前記半導体ウェーハの裏面の中央に１点だけ滴下され、前記ワックスの滴下後、前記半導体ウェーハを高速回転させ、前記ワックスを前記半導体ウェーハの裏面全域にスピン塗布する請求項４または請求項５に記載の半導体ウェーハ接着装置である。
【発明の効果】
【００２５】
請求項１に記載の半導体ウェーハ接着方法および請求項４に記載の半導体ウェーハ接着装置によれば、半導体ウェーハの裏面にワックスを塗布する直前に、半導体ウェーハを所定の温度に加熱し、半導体ウェーハの温度を管理するので、ワックスを半導体ウェーハの裏面全域に均一な形状で、しかも均一な厚さで塗布することができる。
【００２６】
特に、請求項２に記載の半導体ウェーハ接着方法および請求項５に記載の半導体ウェーハ接着装置によれば、プリベーク温度を、半導体ウェーハへの塗布直後のワックスが３０〜４０℃となる温度としたので、半導体ウェーハの表面の平坦度を高めるとともに、半導体ウェーハの表裏面のナノトポグラフィを改善することができる。
【００２７】
さらに、請求項３に記載の半導体ウェーハ接着方法および請求項６に記載の半導体ウェーハ接着装置によれば、静止した半導体ウェーハの裏面の中央にワックスを１点だけ滴下し、その後、半導体ウェーハを高速回転させるようにしたので、少量のワックスをウェーハの裏面全域に薄くかつ均一に塗布することができる。その結果、ワックスのウェーハ塗布量を低減させることができるとともに、ワックスの塗布厚の均一性をさらに高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、この発明の実施例を具体的に説明する。
【実施例１】
【００２９】
図１に示すフローシートにおいて、この発明の実施例１に係る半導体ウェーハ接着方法では、エッチング後の直径２００ｍｍ、厚さ７４０μｍのシリコンウェーハ（半導体ウェーハ）に対して、順次、芯だし工程（Ｓ１０１）、ウェーハ裏面の洗浄工程（Ｓ１０２）、プリベーク工程（Ｓ１０３）、ウェーハ裏面へのワックス塗布工程（Ｓ１０４）、ホットベーク工程（Ｓ１０５）、オリエンテーションフラット部を基準とした位置決め工程（Ｓ１０６）、そしてキャリアプレートへのウェーハ接着工程（Ｓ１０７）が施される。
【００３０】
以下、図２に示す半導体ウェーハ接着装置を参照しながら、これらの工程を詳細に説明する。
図２において、１０はこの発明の実施例１に係る半導体ウェーハ接着装置で、この半導体ウェーハ接着装置１０は、シリコンウェーハＷの処理の順に、以下に示す各機器が、シリコンウェーハＷの移送経路の両側に１つずつ並列して配備されている。
【００３１】
すなわち、半導体ウェーハ接着装置１０は、図示しないウェーハ供給部からシリコンウェーハＷを引き出して所定位置まで移送する第１のウェーハ移載ロボット１１と、引き出されたシリコンウェーハＷを芯だしする芯だし部１２と、芯だし後のシリコンウェーハＷの裏面を洗浄する洗浄部１３と、洗浄後のシリコンウェーハＷを、ワックス塗布の直前に加熱（以下、プリベーク）するプリベーク部（プリベーク手段）１４と、プリベーク後にシリコンウェーハＷの裏面にワックスをスピン塗布するワックス塗布部（ワックス塗布手段）１５と、ワックス塗布後のシリコンウェーハＷを加熱し、ワックス中の有機溶剤を蒸発させるホットベーク部１６と、キャリアプレートへの接着のために、シリコンウェーハＷの位置決めを行う位置決め部１７と、位置決めされたシリコンウェーハＷを図示しないキャリアプレートに移載する第２のウェーハ移載ロボット１８と、シリコンウェーハＷを洗浄部１３からホットベーク部１６まで、順次、直線的に間欠移動させるウェーハ移送部１９とを備えている。また、この半導体ウェーハ接着装置１０は、仮接着された４枚のシリコンウェーハＷをキャリアプレートに上方から加圧して本接着する１台のウェーハ接着部２０を有している（図３）。
【００３２】
第１のウェーハ移載ロボット１１は、多関節アームを旋回および伸縮させてシリコンウェーハＷをウェーハ供給部から引き出し、シリコンウェーハＷを芯だし部１２に載置し、さらに芯だし後のシリコンウェーハＷを洗浄部１３に移送する。また、第２のウェーハ移載ロボット１８も、第１のウェーハ移載ロボット１１と同じ構造を有し、ホットベーク部１６、位置決め部１７およびキャリアプレートとの間でアームを３次元的に移動させる。
芯だし部１２は、シリコンウェーハＷの芯だしを行う芯だしプレートを有する。芯だしプレートの上面には、１対の芯だしピンが離間して配設されている。両芯だしピンを使用し、芯だしプレートに載置されたシリコンウェーハＷを芯だしする。
【００３３】
洗浄部１３は、回転モータの駆動により、回転軸を中心にして回転するウェーハ保持板２１を有している。ウェーハ保持板２１にシリコンウェーハＷの表面の中心部を真空吸着し、回転モータによりシリコンウェーハＷを４０００ｒｐｍで１０秒間高速回転させながら、超純水をノズルよりウェーハの裏面に噴射して洗浄する。
プリベーク部１４は、洗浄後のシリコンウェーハＷが載置され、裏面側に熱電対が配置されたホットプレート２２を有している。ホットプレート２２上に、裏面を上にしてシリコンウェーハＷを載置することで、シリコンウェーハＷの水分が除去されるとともに、ワックス塗布の直前のシリコンウェーハＷが６０℃にプリベークされる。このプリベーク温度（６０℃）は、ワックス塗布直後のワックスの温度が４０℃となる温度である。プリベークの時間は１０秒である。
【００３４】
ワックス塗布部１５は、回転モータの駆動により、回転軸を中心にして回転するウェーハ保持板２３を有している。ウェーハ保持板２３にシリコンウェーハＷの表面の中心部を真空吸着し、ディスペンサによりシリコンウェーハＷの裏面の中心に１滴（１．８ｍｌ）だけワックス（常温で液状のリキッドワックス）を滴下する。その後、回転モータによりシリコンウェーハＷを４０００ｒｐｍで５秒間だけ高速回転させ、プリベーク後のシリコンウェーハＷの裏面全域にワックスをスピン塗布する。
ワックスには、トルエンおよびメチルエチルケトン、メタノールの混合液（有機溶剤）に２０％のロジンを溶解したものを使用している。塗布時のワックス温度は室温、ワックス粘度は１．０ｃｐである。
【００３５】
ホットベーク部１６は、シリコンウェーハＷが載置され、裏面側に熱電対が配置されたホットプレート２４を有している。ホットプレート２４上に、裏面を上にしてシリコンウェーハＷを載置し、シリコンウェーハＷを８０℃で１５秒間加熱する。これにより、ワックスに含まれた有機溶剤が蒸発する。
位置決め部１７は、シリコンウェーハＷを、そのオリエンテーションフラット部がキャリアプレートの外周側に向くように位置決めする装置である。このように、キャリアプレートへのシリコンウェーハＷの配置を考慮することで、研磨装置（バッチ式）の特性によりキャリアプレートの外側が研磨され易くなる「面だれ」を抑制することができる。
【００３６】
位置決め部１７は、ロータリーエンコーダ付きの回転モータの駆動により、回転軸を中心にして回転するウェーハ保持板２５を有している。ウェーハ保持板２５にシリコンウェーハＷの表面の中心部を真空吸着し、シリコンウェーハＷを低速で回転させながら、レーザセンサによりオリエンテーションフラット（ＯＦ）部を検出する。
ウェーハ移送部１９は、シリコンウェーハＷをそれぞれ把持する複数のウェーハハンド２６が連結された長尺なビーム２７を有している。ビーム２７は、リニヤガイド２８によりシリコンウェーハＷの移送経路に沿って移動する。これにより、対応するウェーハハンド２６によりシリコンウェーハＷを把持し、この把持状態を維持して、シリコンウェーハＷを洗浄部１３からプリベーク部１４、プリベーク部１４からワックス塗布部１５、ワックス塗布部１５からホットベーク部１６、ホットベーク部１６から位置決め部１７に、順次、直線的に移送する。
【００３７】
図３に示すように、ウェーハ接着部２０は、本体架台２９上に、４枚のシリコンウェーハＷが仮接着されたキャリアプレート３０の台座３１が設けられ、本体架台２９の上方に、各シリコンウェーハＷを一括して本接着する大型のプレス板３２を設けた構成を有している。プレス板３２は、エアシリンダ３３の下向きのロッド３３ａの下端に固着されている。ロッド３３ａには、台座３１の周辺に下端縁部が密着される減圧カバー３４の中央部が、昇降可能に取り付けられている。
図３中、３５は減圧室３６を負圧化する空気吸引ポンプ、３７は空気吸引ポンプ３５と減圧室３６とを連通する配管である。
【００３８】
次に、図１のフローシートに基づき、この半導体ウェーハ接着装置１０を用いて、半導体ウェーハ接着方法を具体的に説明する。
図２に示すように、第１のウェーハ移載ロボット１１により、ウェーハ供給部からシリコンウェーハＷを引き出し、これを芯だし部１２に移送してシリコンウェーハＷの芯だしを行う（Ｓ１０１）。
芯だし後、第１のウェーハ移載ロボット１１により、シリコンウェーハＷを洗浄部１３に移送する。ここでは、ウェーハ保持板２１にシリコンウェーハＷの表面の中心部が真空吸着される。そして、回転モータによりシリコンウェーハＷを５０００ｒｐｍで５秒間高速回転させながら、超純水をノズルからウェーハの裏面に噴射して洗浄する。こうして、シリコンウェーハＷの裏面が超純水により洗浄される（Ｓ１０２）。
【００３９】
次に、洗浄されたシリコンウェーハＷを、ウェーハ移送部１９のウェーハハンド２６により両側から把持し、リニヤガイド２８を用いて、シリコンウェーハＷを、ウェーハの裏面を上にしてプリベーク部１４のホットプレート２２上に載置する。ここでは、シリコンウェーハＷが熱電対により６０℃（ワックス塗布直後のワックス温度が４０℃となる温度）に２０秒間加熱される（Ｓ１０３）。
プリベーク後のシリコンウェーハＷは、第１のウェーハ移送部１９によりワックス塗布部１５に移送される。ここでは、ウェーハ保持板２３にシリコンウェーハＷの表面の中心部が真空吸着される。それから、ディスペンサによりシリコンウェーハＷの裏面の中心に１滴（１．８ｍｌ）だけワックスを滴下する。次いで、回転モータによりシリコンウェーハＷを５０００ｒｐｍで３秒間だけ高速回転させる。これにより、プリベーク後のシリコンウェーハＷの裏面全域にワックスがスピン塗布される（Ｓ１０４）。ワックスの塗布厚は２．０μｍである。
【００４０】
続いて、ワックス塗布後のシリコンウェーハＷは、ウェーハ移送部１９により、ホットベーク部１６に移送される。ここで、シリコンウェーハＷがその裏面を上にしてホットプレート２４上に載置される。そして、熱電対によりシリコンウェーハＷが８０℃に２０秒間加熱される。こうして、ワックス中のトルエンが蒸発する。
次に、ホットベーク後のシリコンウェーハＷは、第２のウェーハ移載ロボット１８により、位置決め部１７に移送される。ここでは、ウェーハ保持板２５にシリコンウェーハＷの表面の中心部が真空吸着される。そして、シリコンウェーハＷを低速で回転させながら、レーザセンサによりオリエンテーションフラット部を検出し、シリコンウェーハＷを位置決めする（Ｓ１０６）。
位置決めされたシリコンウェーハＷは、第２のウェーハ移載ロボット１８により、キャリアプレート３０の上面に、そのオリエンテーションフラット部をキャリアプレート３０の外周側に配置して移載される（仮接着）。この作業は、１枚のキャリアプレート３０に対して、４枚のシリコンウェーハＷが、キャリアプレート３０の周方向に９０度間隔で全て仮接着され終えるまで継続される。
【００４１】
その後、４枚のシリコンウェーハＷが接着完了したキャリアプレート３０は、図示しないプレート移送ロボットのアームを移動させ、ウェーハ接着部２０に移送される（図３）。ここでは、まずシリコンウェーハＷが仮接着されたキャリアプレート３０を台座３１上に載置する。その後、減圧カバー３４を、この台座３１の周囲を密閉するように本体架台２９上に被せて減圧室３６を形成する。それから、配管３７を通して空気吸引ポンプ３５により減圧室３６を負圧化し、次にエアシリンダ３３のロッド３３ａを突出させてプレス板３２を下降することで、各シリコンウェーハＷを上方から一括して加圧する。
これにより、減圧効果により、各シリコンウェーハＷとキャリアプレート３０との接着面が脱気されながら、プレス板３２により、各シリコンウェーハＷがキャリアプレート３０に本接着される。その後、減圧室３６を常圧に戻す。その結果、各シリコンウェーハＷとキャリアプレート３０との間に気泡が存在しないようにする本接着が行われる（Ｓ１０７）。
【００４２】
このように、シリコンウェーハＷの裏面にワックスを塗布する直前に、シリコンウェーハＷを６０℃までプリベークするようにしたので、シリコンウェーハＷの温度、ひいてはワックス塗布工程でシリコンウェーハＷに塗布されるワックスの温度（粘度）を管理することができる。これにより、ワックスをシリコンウェーハＷの裏面の全域に均一な形状で、しかも均一な厚さで塗布することが可能になる。その結果、鏡面研磨後のシリコンウェーハＷの表面の平坦度を高めることができる。しかも、シリコンウェーハＷの表裏面のナノトポグラフィを改善することができる。
【００４３】
また、プリベーク工程での半導体ウェーハの加熱温度を、シリコンウェーハＷへの塗布直後に、ワックスが４０℃となる温度（６０℃）としている。これにより、ワックスの粘度（流動性）が、ワックスの塗布作業を行う際に最適な粘度となる。その結果、シリコンウェーハＷの表面の平坦度がさらに高まるとともに、シリコンウェーハＷの表裏面のナノトポグラフィをさらに改善することができる。
【００４４】
そして、ワックス塗布工程では、静止したシリコンウェーハＷの裏面の中央に１点だけワックスを滴下した後、シリコンウェーハＷを高速回転させることで、ワックスをシリコンウェーハＷの裏面全域にスピン塗布するようにしたので、ワックスがシリコンウェーハＷの裏面の全域に均一に薄く（２．０μｍ）延ばされる。その結果、ワックスの塗布量（使用量）を低減させることができるとともに、ワックスの塗布厚の均一性をさらに高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】この発明の実施例１に係る半導体ウェーハ接着方法を示すフローシートである。
【図２】この発明の実施例１に係る半導体ウェーハ接着装置の要部を示す平面図である。
【図３】この発明の実施例１に係る半導体ウェーハ接着装置に組み込まれたウェーハ接着部を示す縦断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１０  半導体ウェーハ接着装置、
１４  プリベーク部（プリベーク手段）、
１５  ワックス塗布部（ワックス塗布手段）、
２０  ウェーハ接着部（ウェーハ接着手段）、
３０  キャリアプレート、
Ｗ  シリコンウェーハ（半導体ウェーハ）。
【図１】
2006237085.tif 000003
【図２】
2006237085.tif 000004
【図３】
2006237085.tif 000005