(57)【要約】【課題】  処理液の帯電を十分に防止することができる基板処理装置を提供する。【解決手段】  流体ボックス部２ａ〜２ｄの構成において、処理液の流路を構成する処理液貯留タンク２１、温度調節器２２、ポンプ２３、フィルタボックス２４、マニホールド２５、配管３１，３２，３３，３４，３５，３６およびバルブ４１，４２は、その処理液との接触部が耐薬品性に優れたフッ素樹脂により形成されている。処理液貯留タンク２１、温度調節器２２、フィルタボックス２４、マニホールド２５には、それぞれ高純度の炭素により形成された炭素電極ＣＥが取り付けられている。各炭素電極ＣＥは、その一部が処理液に接触するとともに、接地されている。【選択図】        図２
2006269677.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に処理液を用いた処理を行う処理部と、
前記処理部の基板に処理液を供給するための処理液供給系とを備え、
前記処理液供給系は、
耐薬品性の材料により形成され、処理液が流動する流路と、
前記流路内の処理液を接地する一または複数の導電性部材とを含むことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記導電性部材は炭素により形成されたことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記流路は、処理液を流動させる配管を含み、
前記導電性部材の少なくとも一つは、前記配管を流動する処理液を接地するように設けられたことを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記処理液供給系は、
前記配管に設けられ、処理液の所定の物理量を検出するためのセンサをさらに含み、
前記導電性部材の少なくとも一つは、前記センサの上流側で前記配管を流動する処理液を接地するように設けられたことを特徴とする請求項３記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記センサは温度センサであり、
前記処理液供給系は、
前記温度センサにより検出された処理液の温度に基づいて処理液を加熱するヒータをさらに含むことを特徴とする請求項４記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記処理液供給系は、処理液を貯留する貯留槽をさらに含み、
前記導電性部材の少なくとも一つは、前記貯留槽に貯留された処理液を接地するように設けられたことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記処理液供給系は、処理液を濾過する濾過手段をさらに含み、
前記導電性部材の少なくとも一つは、前記濾過手段に導入された処理液を接地するように設けられたことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記流路は、
複数の配管と、
前記複数の配管を連結するマニホールドとを含み、
前記導電性部材の少なくとも一つは、前記マニホールドに導入された処理液を接地するように設けられたことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記流路は、処理液を循環させる循環流路と、前記循環流路から前記処理部に処理液を供給する供給流路とを含み、
前記導電性部材の少なくとも一つは、
前記循環流路を流動する処理液を接地するように設けられたことを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理液を用いて基板に種々の処理を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等の基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
【０００３】
基板に対する種々の処理として、基板に処理液を供給することにより基板を洗浄する洗浄処理がある。洗浄処理では、処理液として洗浄液およびリンス液が用いられる。
【０００４】
洗浄液としては、ＢＨＦ（バッファードフッ酸）、ＤＨＦ（希フッ酸）、フッ酸、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、シュウ酸およびアンモニア等の薬液が用いられる。リンス液としては、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等の有機溶剤または純水、炭酸水、水素水、電解イオン水等が用いられる。
【０００５】
処理液として薬液を用いる場合には、処理液用の配管を耐薬品性に優れた材料により形成する。例えば、特許文献１の基板処理装置においては、薬液が流れる薬液混合部の下流側と、処理液供給ノズルの上流側とを接続する配管が、耐薬品性に優れたフッ素樹脂からなるチューブにより形成されている。
【０００６】
なお、フッ素樹脂としては、例えばＰＴＦＥ（四フッ化エチレン樹脂）およびＰＦＡ（四フッ化エチレン・パーフルオロアルコキシエチレン共重合体）がある。
【０００７】
処理液の流路として、上記の配管の他、例えば、ノズル、継ぎ手、溶接部、ポンプ、タンク、フィルタおよび各種センサにも耐薬品性に優れた材料が用いられる。これにより、基板処理装置内で、基板に供給される処理液が清浄に保たれるとともに、処理液の流路の長寿命化が実現される。
【特許文献１】特開２００２−１７０８０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、処理液の流路に用いられるフッ素樹脂は、絶縁性材料である。これにより、処理液がその流路（例えば、配管等）を移動すると、処理液と流路の内表面との間の摩擦により静電気が発生し、処理液が帯電する。処理液が基板処理装置内でフッ素樹脂からなる流路を循環すると、処理液の帯電量が増加する。
【０００９】
帯電量の大きい処理液が基板に供給されると、処理対象となる基板が処理液により帯電したり、処理液が放電して基板に損傷を与える場合がある。特に、帯電量の大きい処理液は着火源にもなり得る。
【００１０】
また、帯電量の大きい処理液がさらに基板処理装置内の流路を循環すると、流路に設けられた種々のセンサ（例えば、温度センサまたは圧力センサ等）が誤動作したり、故障したりする場合がある。
【００１１】
これらのセンサは、例えば基板の処理条件の管理および維持のために用いられる。したがって、センサの誤動作および故障は、基板の処理不良を引き起こす。
【００１２】
本発明の目的は、処理液の帯電を十分に防止することができる基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明に係る基板処理装置は、基板に処理液を用いた処理を行う処理部と、処理部の基板に処理液を供給するための処理液供給系とを備え、処理液供給系は、耐薬品性の材料により形成され、処理液が流動する流路と、流路内の処理液を接地する一または複数の導電性部材とを含むものである。
【００１４】
この発明に係る基板処理装置においては、処理液供給系により処理部の基板に処理液が供給され、処理部により処理液を用いた処理が行われる。この場合、耐薬品性の材料により形成された処理液供給系の流路を処理液が流動するので、処理液供給系の流路内の処理液が清浄に保たれるとともに、流路の長寿命化が実現される。
【００１５】
また、流路内の処理液が一または複数の導電性部材により接地されるので、処理液が帯電している場合でも、処理液が導電性部材を通して除電される。それにより、処理液供給系の流路を流れる処理液の帯電が十分に防止される。
【００１６】
その結果、処理部における処理液を用いた基板の処理時に、処理液による基板の帯電および処理液の放電による基板の損傷が防止される。また、処理液が着火源になることが防止される。
【００１７】
導電性部材は炭素により形成されてもよい。この場合、導電性部材は耐薬品性を有する。したがって、処理液が薬液である場合でも導電性部材が腐食することがないので、導電性部材の交換等のメンテナンスが不要となる。
【００１８】
流路は、処理液を流動させる配管を含み、導電性部材の少なくとも一つは、配管を流動する処理液を接地するように設けられてもよい。この場合、配管を流動する処理液が導電性部材により接地される。これにより、処理液が導電性部材を通して除電される。それにより、配管を流動する処理液の帯電が十分に防止される。
【００１９】
処理液供給系は、配管に設けられ、処理液の所定の物理量を検出するためのセンサをさらに含み、導電性部材の少なくとも一つは、センサの上流側で配管を流動する処理液を接地するように設けられてもよい。
【００２０】
この場合、センサの上流側で配管を流動する処理液が導電性部材により接地される。これにより、配管を流動する処理液が導電性部材を通して除電され、除電された処理液の所定の物理量がセンサにより正確に検出される。また、センサが帯電した処理液の影響を受けないので、帯電した処理液によるセンサの誤動作および故障が防止される。
【００２１】
センサは温度センサであり、処理液供給系は、温度センサにより検出された処理液の温度に基づいて処理液を加熱するヒータをさらに含んでもよい。この場合、温度センサの上流側で配管を流動する処理液が導電性部材により接地される。これにより、配管を流動する処理液が導電性部材を通して除電され、除電された処理液の温度が温度センサにより正確に検出される。
【００２２】
さらに、検出された処理液の温度に基づいて、処理液の温度がヒータにより調整される。これにより、処理液供給系を流れる処理液の温度を正確に調整することができる。
【００２３】
処理液供給系は、処理液を貯留する貯留槽をさらに含み、導電性部材の少なくとも一つは、貯留槽に貯留された処理液を接地するように設けられてもよい。この場合、貯留層に貯留された処理液が導電性部材により接地される。これにより、処理液が導電性部材を通して除電される。それにより、貯留層に貯留された処理液の帯電が十分に防止される。
【００２４】
処理液供給系は、処理液を濾過する濾過手段をさらに含み、導電性部材の少なくとも一つは、濾過手段に導入された処理液を接地するように設けられてもよい。この場合、濾過手段に導入された処理液が導電性部材により接地される。これにより、処理液が導電性部材を通して除電される。それにより、濾過手段に導入された処理液の帯電が十分に防止される。
【００２５】
流路は、複数の配管と、複数の配管を連結するマニホールドとを含み、導電性部材の少なくとも一つは、マニホールドに導入された処理液を接地するように設けられてもよい。この場合、マニホールドに導入された処理液が導電性部材により接地される。これにより、処理液が導電性部材を通して除電される。それにより、マニホールドに導入された処理液の帯電が十分に防止される。
【００２６】
流路は、処理液を循環させる循環流路と、循環流路から処理部に処理液を供給する供給流路とを含み、導電性部材の少なくとも一つは、循環流路を流動する処理液を接地するように設けられてもよい。
【００２７】
この場合、循環流路を循環する処理液が、供給流路を通して処理部に供給される。そして、循環流路を流動する処理液が導電性部材により接地される。これにより、処理液が導電性部材を通して除電される。それにより、循環流路を循環する処理液および供給流路を流動する処理液の帯電が十分に防止される。
【発明の効果】
【００２８】
本発明に係る基板処理装置においては、処理液供給系により処理部の基板に処理液が供給され、処理部により処理液を用いた処理が行われる。この場合、耐薬品性の材料により形成された処理液供給系の流路を処理液が流動するので、処理液供給系の流路内の処理液が清浄に保たれるとともに、流路の長寿命化が実現される。
【００２９】
また、流路内の処理液が一または複数の導電性部材により接地されるので、処理液が帯電している場合でも、処理液が導電性部材を通して除電される。それにより、処理液供給系の流路を流れる処理液の帯電が十分に防止される。
【００３０】
その結果、処理部における処理液を用いた基板の処理時に、処理液による基板の帯電および処理液の放電による基板の損傷が防止される。また、処理液が着火源になることが防止される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
本発明の一実施の形態に係る基板処理装置について説明する。以下の説明において、基板とは、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等をいう。
【００３２】
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。図１に示すように、基板処理装置１００は、処理領域Ａ，Ｂを有し、処理領域Ａ，Ｂ間に搬送領域Ｃを有する。
【００３３】
処理領域Ａには、制御部４、流体ボックス部２ａ，２ｂおよび回転処理部５ａ，５ｂが配置されている。
【００３４】
図１の流体ボックス部２ａ，２ｂの各々は、回転処理部５ａ，５ｂへの処理液の供給および回転処理部５ａ，５ｂからの排液等に関する配管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器、処理液貯留タンク等の流体関連機器を収納する。以下、上記流体関連機器における処理液の経路を流路と称する。
【００３５】
回転処理部５ａ，５ｂでは、基板Ｗを回転させることにより洗浄処理および乾燥処理が行われる。洗浄処理の洗浄液としては、ＢＨＦ（バッファードフッ酸）、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、シュウ酸およびアンモニア等の薬液が用いられる。リンス液としては、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等の有機溶剤または純水、炭酸水、水素水、電解イオン水等が用いられる。以下、基板Ｗの洗浄処理時に用いられる洗浄液およびリンス液を処理液と総称する。
【００３６】
図１の流体ボックス部２ａ，２ｂの各々において、処理液は上記流体関連機器を循環する。処理液の流路において、流体関連機器は耐薬品性に優れた材料により形成されている。また、流体関連機器の一部には内部を循環する処理液に直接接触するように炭素電極が設けられている。この炭素電極は、その一部が処理液に接触するとともに、接地されている。
【００３７】
耐薬品性に優れた材料としては、フッ素樹脂がある。フッ素樹脂としては、例えば、ＰＴＦＥ（四フッ化エチレン樹脂）およびＰＦＡ（四フッ化エチレン・パーフルオロアルコキシエチレン共重合体）がある。詳細は後述する。
【００３８】
処理領域Ｂには、流体ボックス部２ｃ，２ｄおよび回転処理部５ｃ，５ｄが配置されている。流体ボックス部２ｃ，２ｄおよび回転処理部５ｃ，５ｄの各々は、上記流体ボックス部２ａ，２ｂおよび回転処理部５ａ，５ｂと同様の構成を有し、回転処理部５ｃ，５ｄは回転処理部５ａ，５ｂと同様の処理を行う。
【００３９】
以下、回転処理部５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄを処理ユニットと総称する。搬送領域Ｃには、基板搬送ロボットＣＲが設けられている。
【００４０】
処理領域Ａ，Ｂの一端側には、基板Ｗの搬入および搬出を行うインデクサＩＤが配置されており、インデクサロボットＩＲはインデクサＩＤの内部に設けられている。インデクサＩＤには、基板Ｗを収納するキャリア１が載置される。
【００４１】
インデクサＩＤのインデクサロボットＩＲは、矢印Ｕの方向に移動し、キャリア１から基板Ｗを取り出して基板搬送ロボットＣＲに渡し、逆に、一連の処理が施された基板Ｗを基板搬送ロボットＣＲから受け取ってキャリア１に戻す。
【００４２】
基板搬送ロボットＣＲは、インデクサロボットＩＲから渡された基板Ｗを指定された処理ユニットに搬送し、または、処理ユニットから受け取った基板Ｗを他の処理ユニットまたはインデクサロボットＩＲに搬送する。
【００４３】
本実施の形態においては、回転処理部５ａ〜５ｄのいずれかにおいて基板Ｗに洗浄処理および乾燥処理が行われた後に、基板搬送ロボットＣＲにより基板Ｗが回転処理部５ａ〜５ｄから搬出され、インデクサロボットＩＲを介してキャリア１に搬入される。
【００４４】
制御部４は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）を含むコンピュータ等からなり、処理領域Ａ，Ｂの各処理ユニットの動作、搬送領域Ｃの基板搬送ロボットＣＲの動作、インデクサＩＤのインデクサロボットＩＲおよび流体ボックス部２ａ〜２ｄの動作を制御する。
【００４５】
図２は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置１００の回転処理部５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄおよび流体ボックス部２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄの構成を説明するための図である。
【００４６】
図２に示すように、回転処理部５ａ〜５ｄは、基板Ｗを水平に保持するとともに基板Ｗの中心を通る鉛直な軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック５１を備える。スピンチャック５１は、モータ５３によって回転される回転軸５２の上端に固定されている。基板Ｗは、洗浄処理および乾燥処理時に、スピンチャック５１により水平に保持された状態で回転する。
【００４７】
モータ５３は、図１の制御部４に接続されている。これにより、回転処理部５ａ〜５ｄにおける基板Ｗの回転動作は、制御部４により制御される。
【００４８】
スピンチャック５１により保持される基板Ｗと対向するように、スピンチャック５１の上方にノズル５４が配置されている。ノズル５４には、流体ボックス部２ａ〜２ｄから延びる配管３６が接続されている。
【００４９】
ノズル５４は、流体ボックス部２ａ〜２ｄから配管３６を通じて供給される処理液を、回転する基板Ｗの表面へ吐出する。これにより、基板Ｗの洗浄処理が行われる。また、ノズル５４から基板Ｗへの処理液の供給が停止されることにより、基板Ｗの乾燥処理が行われる。
【００５０】
図２に示すように、流体ボックス部２ａ〜２ｄは、処理液貯留タンク２１、温度調節器２２、ポンプ２３、フィルタボックス２４、マニホールド２５、配管３１，３２，３３，３４，３５，３６およびバルブ４１，４２を備える。
【００５１】
処理液貯留タンク２１、温度調節器２２、ポンプ２３、フィルタボックス２４、マニホールド２５、配管３１，３２，３３，３４，３５，３６、バルブ４１，４２およびノズル５４が処理液供給系３００を構成する。
【００５２】
処理液貯留タンク２１には、基板Ｗに供給される処理液が貯留されている。処理液貯留タンク２１は、配管３１を介して温度調節器２２に接続されている。
【００５３】
温度調節器２２は、内部に配管を有し、その配管を通る処理液の温度を所定の温度に調節する。温度調節器２２は、配管３２を介してポンプ２３に接続されている。
【００５４】
ポンプ２３は、さらに配管３３を介してフィルタボックス２４に接続されている。ポンプ２３は、処理液貯留タンク２１に貯留された処理液を配管３１、温度調節器２２および配管３２を通じて吸引し、フィルタボックス２４へ供給する。本実施の形態において、ポンプ２３は基板処理装置１００の電源がオン状態である間、常に処理液の吸引および供給動作を行う。
【００５５】
フィルタボックス２４にはフィルタＦ（図４参照）が内蔵されている。これにより、フィルタボックス２４は、ポンプ２３から供給される処理液の濾過を行う。フィルタボックス２４は、配管３４を介してマニホールド２５に接続されている。フィルタボックス２４により濾過された処理液は、マニホールド２５に供給される。
【００５６】
マニホールド２５は、さらに配管３５を介して処理液貯留タンク２１に接続されている。また、マニホールド２５は、さらに配管３６を介して回転処理部５ａ〜５ｄのノズル５４に接続されている。配管３５，３６の各々にはバルブ４１，４２が介挿されている。バルブ４１，４２の各々は、図１の制御部４に接続されている。これにより、バルブ４１，４２の各々の開閉動作が制御部４により制御される。
【００５７】
制御部４によりバルブ４１が開かれ、バルブ４２が閉じられた場合、処理液は図２の矢印ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅの順に流れる。それにより、処理液は流体ボックス部２ａ〜２ｄ内で循環する。
【００５８】
一方、制御部４によりバルブ４１が閉じられ、バルブ４２が開かれた場合、処理液は図２の矢印ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｆの順に流れる。それにより、処理液は流体ボックス部２ａ〜２ｄから回転処理部５ａ〜５ｄのノズル５４に供給され、基板Ｗへ吐出される。
【００５９】
流体ボックス部２ａ〜２ｄの構成において、処理液の流路を構成する処理液貯留タンク２１、温度調節器２２、ポンプ２３、フィルタボックス２４、マニホールド２５、配管３１，３２，３３，３４，３５，３６およびバルブ４１，４２は、その処理液との接触部が耐薬品性に優れたフッ素樹脂により形成されている。
【００６０】
図示しない配管３１〜３６と処理液貯留タンク２１、温度調節器２２、ポンプ２３、フィルタボックス２４およびマニホールド２５との接続部（溶接部）においても、処理液との接触部が耐薬品性に優れたフッ素樹脂により形成されている。
【００６１】
これにより、上記の流体ボックス部２ａ〜２ｄにおいては、基板Ｗに供給される処理液が清浄に保たれるとともに、処理液の流路の長寿命化が実現されている。
【００６２】
一方、フッ素樹脂は、絶縁性材料である。これにより、処理液がその流路を移動すると、処理液と流路の内表面との間の摩擦により静電気が発生し、処理液が帯電する。
【００６３】
そこで、本実施の形態に係る流体ボックス部２ａ〜２ｄにおいては、処理液貯留タンク２１、温度調節器２２、フィルタボックス２４、マニホールド２５には、それぞれ高純度の炭素により形成された炭素電極ＣＥが取り付けられている。各炭素電極ＣＥは、その一部が処理液に接触するとともに、接地されている。それにより、処理液が炭素電極ＣＥを通して除電される。
【００６４】
複数種類の処理液が用いられる場合には、流体ボックス部２ａ〜２ｄの各々に、図２に示される処理液供給系３００が処理液の種類ごとに設けられる。
【００６５】
以下、処理液貯留タンク２１、温度調節器２２、フィルタボックス２４、マニホールド２５の構成について説明する。図３は、図２の処理液貯留タンク２１および温度調節器２２の構成を説明するための模式図である。
【００６６】
図３（ａ）に図２の処理液貯留タンク２１の構成が示されている。図３（ａ）に示すように、処理液貯留タンク２１には処理液Ｌが貯留される。
【００６７】
処理液貯留タンク２１の内部には配管３１，３５および炭素電極ＣＥの一端が挿入されている。図２のポンプ２３が駆動されることにより、矢印ａで示すように、処理液貯留タンク２１内の処理液Ｌが図２の温度調節器２２へ送られる。また、処理液Ｌが流体ボックス部２ａ〜２ｄ内で循環する場合には、配管３５からの処理液Ｌが処理液貯留タンク２１内に供給される。
【００６８】
炭素電極ＣＥの一端は、処理液貯留タンク２１内の処理液Ｌに接触するように設けられている。炭素電極ＣＥの他端は接地されている。
【００６９】
これにより、処理液貯留タンク２１内の処理液Ｌが炭素電極ＣＥを通して接地される。それにより、処理液貯留タンク２１に貯留された処理液Ｌが帯電している場合であっても、処理液貯留タンク２１内の処理液Ｌが炭素電極ＣＥを通して除電される。
【００７０】
炭素電極ＣＥは高純度の炭素からなり、耐薬品性を有する。したがって、処理液Ｌが薬液である場合でも腐食されることがないので、炭素電極ＣＥの交換等のメンテナンスが不要となる。
【００７１】
図３（ｂ）に図２の温度調節器２２の構成が示されている。図３（ｂ）に示すように、温度調節器２２は配管３１２、ヒータ２２１およびサーミスタ２２２を備える。
【００７２】
配管３１２は、その一端に処理液導入口３１２ａが形成され、他端に処理液導出口３１２ｂが形成されている。処理液導入口３１２ａには配管３１が接続され、処理液導出口３１２ｂには配管３２が接続されている。
【００７３】
配管３１２の円周面には温度測定用開口部３１２ｃおよび放電用開口部３１２ｄが形成されている。温度測定用開口部３１２ｃにはサーミスタ２２２が挿入され、放電用開口部３１２ｄには、炭素電極ＣＥの一端が配管３１２の内部に突出するように挿入されている。
【００７４】
配管３１２における温度測定用開口部３１２ｃと放電用開口部３１２ｄとの間には、ヒータ２２１が近接して配置されている。
【００７５】
サーミスタ２２２およびヒータ２２１は制御部４に接続されている。炭素電極ＣＥは接地されている。
【００７６】
矢印ａで示すように、温度調節器２２には処理液貯留タンク２１から配管３１を介して処理液Ｌが供給される。ここで、配管３１２に供給された処理液Ｌは、放電用開口部３１２ｄに挿入された炭素電極ＣＥの一端に接触する。これにより、処理液Ｌが帯電している場合でも、処理液Ｌは炭素電極ＣＥを通して除電される。
【００７７】
除電された処理液Ｌは配管３１２内を流れる。そこで、サーミスタ２２２は処理液Ｌの温度を検出し、その温度測定値を制御部４に与える。これにより、制御部４はサーミスタ２２２から与えられる温度測定値に基づいて、ヒータ２２１の温度をフィードバック制御する。それにより、配管３１２を流れる処理液Ｌの温度が所定の温度に調節される。
【００７８】
その後、温度調節された処理液Ｌは、矢印ｂで示すように、処理液導出口３１２ｂを通じて配管３２へ送られる。
【００７９】
上記において、処理液Ｌを除電する炭素電極ＣＥは、ヒータ２２１およびサーミスタ２２２の上流に位置する。これにより、帯電した処理液Ｌがサーミスタ２２２に接触することが防止されている。それにより、サーミスタ２２２の誤動作および故障が防止され、制御部４によるヒータ２２１のフィードバック制御が正確に行われる。
【００８０】
図４は、図２のフィルタボックス２４およびマニホールド２５の構成を説明するための模式図である。
【００８１】
図４（ａ）に図２のフィルタボックス２４の構成が示されている。図４（ａ）に示すように、フィルタボックス２４は略長方形状の一側面側に処理液導入口２４２、処理液抜き取り口２４３および開口部２４４を備える。また、フィルタボックス２４は他側面側に処理液導出口２４５、気体抜き取り口２４６および放電用開口部２４７を備える。フィルタボックス２４の内部において、その他側面側にはフィルタＦが配置されている。
【００８２】
処理液導入口２４２、処理液抜き取り口２４３および開口部２４４に、それぞれ配管３３，３３ｂ，３３ｃの一端が接続されている。配管３３の他端は図２のポンプ２３に接続され、配管３３ｂの他端は図示しない処理液の排出系等に接続されている。配管３３ｃの他端は閉塞されている。
【００８３】
処理液導出口２４５、気体抜き取り口２４６および放電用開口部２４７に、それぞれ配管３４，３４ｂ，３４ｃの一端が接続されている。配管３４の他端は図２のマニホールド２５に接続され、配管３４ｂの他端は図示しない気体の排出系に接続されている。配管３４ｃの他端は閉塞されるとともに、その他端からフィルタボックス２４内のフィルタＦに接触するように炭素電極ＣＥが挿入されている。炭素電極ＣＥは接地されている。
【００８４】
矢印ｃで示すように、フィルタボックス２４にはポンプ２３から配管３３を介して処理液Ｌが供給される。フィルタボックス２４内に供給された処理液Ｌは、フィルタＦにより濾過される。フィルタボックス２４内に供給された処理液Ｌは、フィルタＦ内の炭素電極ＣＥに接触する。これにより、処理液Ｌが帯電している場合でも、処理液Ｌは炭素電極ＣＥにより除電される。
【００８５】
なお、図４（ａ）において、処理液抜き取り口２４３および配管３３ｂは、処理液Ｌの排出系として、フィルタボックス２４内に供給された処理液Ｌの抜き取りに用いられる。また、気体抜き取り口２４６および配管３４ｂは、気体の排出系としてフィルタボックス２４内に発生された気体の抜き取りに用いられる。
【００８６】
図４（ｂ）に図２のマニホールド２５の構成が示されている。図４（ｂ）に示すように、マニホールド２５には、１つの処理液導入口２５１および２つの処理液導出口２５２，２５３が形成されている。さらに、マニホールド２５には放電用開口部２５４が形成されている。
【００８７】
処理液導入口２５１には配管３４が接続されている。処理液導出口２５２には配管３５が接続され、処理液導出口２５３には配管３６が接続されている。放電用開口部２５４には、炭素電極ＣＥの一端がマニホールド２５内に突出するように挿入されている。炭素電極ＣＥの他端は接地されている。
【００８８】
図２に示したように、配管３５にはバルブ４１が介挿されており、配管３５はマニホールド２５と処理液貯留タンク２１とを接続している。また、配管３６にはバルブ４２が介挿されており、配管３６はマニホールド２５と回転処理部５ａ〜５ｄのノズル５４とを接続している。
【００８９】
矢印ｄで示すように、マニホールド２５にはフィルタボックス２４から配管３４を介して処理液Ｌが供給される。これにより、マニホールド２５内で処理液Ｌが、放電用開口部２５４に挿入された炭素電極ＣＥに接触する。これにより、処理液Ｌが帯電している場合でも、処理液Ｌは炭素電極ＣＥを通して除電される。
【００９０】
その後、マニホールド２５内で除電された処理液Ｌは、矢印ｅ，ｆで示すように、図２のバルブ４１，４２の開閉状態に応じて２つの配管３５，３６のいずれか一方または両方に送られる。
【００９１】
以上のように、本実施の形態に係る流体ボックス部２ａ〜２ｄにおいては、処理液Ｌの流れる流路が耐薬品性に優れたフッ素樹脂により形成されている。これにより、上記の流体ボックス部２ａ〜２ｄにおいては、内部で循環される処理液Ｌおよび基板Ｗに供給される処理液Ｌが清浄に保たれるとともに、処理液Ｌの流路の長寿命化が実現されている。
【００９２】
また、本実施の形態に係る流体ボックス部２ａ〜２ｄにおいて、処理液貯留タンク２１、温度調節器２２、フィルタボックス２４、マニホールド２５には、それぞれ接地された炭素電極ＣＥが取り付けられている。
【００９３】
これにより、流路を流れることにより帯電した処理液Ｌが、炭素電極ＣＥに接触することにより除電される。それにより、流体ボックス部２ａ〜２ｄの内部を流れる処理液Ｌの帯電が十分に防止される。
【００９４】
したがって、処理液Ｌが除電されているので、基板Ｗの帯電または処理液Ｌの放電による基板Ｗの損傷が防止される。また、処理液Ｌが着火源になることが防止される。
【００９５】
さらに、処理液Ｌの帯電が防止されることにより、処理液Ｌの流路に設けられる種々のセンサの誤動作および故障が防止され、サージアブソーバ等の設置の必要がなくなる。
【００９６】
処理液のうち、ＢＨＦ、ＤＨＦ、フッ酸、酢酸およびＩＰＡは流路との摩擦により静電気が発生し易い。また、薬液はその濃度が薄いものほど流路との摩擦により静電気が発生し易い。さらに、純水、炭酸水、水素水、電解イオン水は流路との摩擦により静電気が帯電し易い。したがって、これらの処理液を用いる際には、処理液の帯電量が大きくなる傾向がある。
【００９７】
しかしながら、上述のように、流体ボックス部２ａ〜２ｄにおいては、処理液が炭素電極ＣＥにより除電されるので、流路との摩擦により静電気が発生し易い処理液を用いる場合でも、その処理液の帯電が十分に防止される。
【００９８】
なお、上記において、炭素電極ＣＥは流体ボックス部２ａ〜２ｄの処理液Ｌの流路において、処理液貯留タンク２１、温度調節器２２、フィルタボックス２４およびマニホールド２５の他、バルブ４１，４２およびポンプ２３に設けられてもよく、各構成部を連結する配管に設けられてもよい。
【００９９】
回転処理部５ａ，５ｂにおいては、処理液として現像液を用いる現像処理が行われてもよい。また、回転処理部５ａ，５ｂにおいては、処理液としてレジスト液を用いるレジスト塗布処理が行われてもよい。これらの場合においても、上記の処理液供給系３００の構成によれば、現像液およびレジスト液等の処理液が炭素電極ＣＥにより除電され、処理液の帯電が十分に防止される。
【０１００】
本実施の形態において、処理液供給系３００に設けられるセンサとしては、サーミスタ２２２（図３（ｂ））等の温度センサの他、圧力センサおよび流量センサが用いられてもよい。なお、処理液供給系３００にセンサを設ける場合には、センサを炭素電極ＣＥの設置箇所の下流に設ける。この場合、除電された処理液に関する物理量（温度、圧力および流量等）を正確に検出することが可能となる。
【０１０１】
以上、本実施の形態においては、回転処理部５ａ〜５ｄが処理部に相当し、炭素電極ＣＥが導電性部材に相当し、サーミスタ２２２がセンサおよび温度センサに相当し、処理液貯留タンク２１が貯留槽に相当し、フィルタボックス２４が濾過手段に相当する。
【０１０２】
また、配管３１，３２，３３，３４，３５は循環流路に相当し、配管３１，３２，３３，３４，３６は供給流路に相当する。
【産業上の利用可能性】
【０１０３】
本発明に係る基板保持装置、および基板飛散防止方法は、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等の基板の製造に有効に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。
【図２】本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の回転処理部および流体ボックス部の構成を説明するための図である。
【図３】図２の処理液貯留タンクおよび温度調節器の構成を説明するための模式図である。
【図４】図２のフィルタボックスおよびマニホールドの構成を説明するための模式図である。
【符号の説明】
【０１０５】
２ａ〜２ｄ  流体ボックス部
５ａ〜５ｄ  回転処理部
２１  処理液貯留タンク
２４  フィルタボックス
２５  マニホールド
３１，３２，３３，３４，３５，３６，３１２  配管
１００  基板処理装置
２２１  ヒータ
２２２  サーミスタ
３００  処理液供給系
ＣＥ  炭素電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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