(57)【要約】【課題】１００ｎｍ以下程度の、より薄い磁性層を真空薄膜形成技術により成膜する磁気記録媒体において、良好な記録再生特性を保持し、特に保磁力及び信号出力の向上を図る。【解決手段】非磁性支持体１上に、少なくとも１つのシード層８、９が形成され、このシード層８、９上に真空薄膜形成技術により磁性層３１が形成され、この磁性層３１の結晶粒の長軸と短軸との比によるアスペクト比を、２以上５以下として構成する。【選択図】図１
2006146995.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性支持体上に、少なくとも１つのシード層が形成され、
上記シード層上に真空薄膜形成技術により磁性層が形成され、
上記磁性層の結晶粒の長軸と短軸との比で示すアスペクト比が、２以上５以下とされて成る
ことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
上記シード層の上記磁性層と接する面が、１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下の波長の波状構造が形成されて成る
ことを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
上記磁性層の膜厚が、１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下とされた
ことを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
上記磁性層の膜厚が、１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下とされた
ことを特徴とする請求項２記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
非磁性支持体上に、少なくとも１つ以上のシード層を成膜した後、
上記シード層を成膜した真空槽と同一の真空槽内で、引き続き真空薄膜形成技術により磁性層の成膜を行う
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
非磁性支持体上に、少なくとも１つ以上のシード層を成膜した後、
上記シード層を成膜した真空槽とは異なる真空槽内で、真空薄膜形成技術により磁性層の成膜を行う
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体、特に蒸着テープ型の磁気記録媒体及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録媒体の記録密度の向上に伴い、磁気テープは塗布型から蒸着型に移行している。塗布型の磁気テープは、磁性粉末を結合樹脂に分散させた磁性塗料を、非磁性支持体上に塗布して形成された磁性層を有する。一方、蒸着型の磁気テープ（いわゆる蒸着テープ、金属薄膜型磁気テープ）は、真空薄膜形成技術によって形成された磁性層を有する。真空薄膜形成技術としては、蒸着、スパッタ等の物理的形成方法（ＰＶＤ：Physical vapor deposition）の他、化学的気相成長（ＣＶＤ：Chemical vapor deposition）やエピタキシャル成長も含む。
蒸着テープの磁性層は、塗布型の磁気テープと比較して極めて薄く形成される。このため、短波長領域での電磁変換特性に優れる。更に、蒸着テープは、記録減磁が極めて少ないという特長も有する。このように、蒸着テープは塗布型テープに対し利点が多く、高密度磁気記録用の磁気記録媒体として、近年益々その開発が進められている。
【０００３】
高密度磁気記録対応の蒸着テープは、この数年工業的に発達してきている。蒸着テープの磁性層は、可撓性を有する非磁性支持体を走行させながら、非磁性支持体上に磁性材料を堆積させて形成される。非磁性支持体としては、通常、ポリエステルフィルム、ポリアミドフィルム、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムなどの高分子フィルムが用いられる。
【０００４】
蒸着テープの磁性層の構造は、磁性金属の結晶粒がカラム状に連なり、このようなカラムが磁性層全面に整列したいわゆる斜方柱状構造を呈する。このカラムは、非磁性支持体表面の法線から例えば３０°程度斜めに傾いた方向に成長する。
またこの磁性層は、Ｃｏ等の強磁性体を主成分とし、ＣｏＯ等の非磁性材料を一部含む材料より構成される。非磁性材料の濃度を変化させることにより、保磁力をある程度調整することができる。
【０００５】
磁気記録密度を更に向上させるためには、磁気記録媒体と磁気ヘッド双方の特性を向上させることが重要である。
例えば上述の蒸着テープ型の磁気記録媒体は、磁性層を極めて薄くできるため、記録波長が短い領域での電磁変換特性に優れ、高記録密度化が可能である。また、磁性層を薄くすることにより、記録密度を高くできるだけでなく、磁性材料のコストの低減や、磁性層の堆積に要する時間の短縮も可能となる。
一方、高密度記録に対応する磁気ヘッドとして、磁気抵抗（ＭＲ：Magneto-Resistive）ヘッド（巨大磁気抵抗効果、異方性磁気抵抗効果、トンネル磁気抵抗効果を利用するヘッドを含む）は、磁性層からの微小な漏洩磁束を高感度に検出できるという利点を有する。したがって、ＭＲヘッドは、蒸着テープにおける極めて薄い磁性層からの信号の検出に用いることによってより短波長の記録が可能となり、磁気記録における超高密度化を達成するヘッドとして有力である。
【０００６】
ところで、蒸着テープの磁性層を１００ｎｍより薄くした場合、磁性層を薄くするほど保磁力が低下することが問題となる。そこで、薄膜が積層されたヘテロ構造を採ることが不可欠となる。ヘテロ構造を制御することによって、保磁力を調整することができればより有利となる。
また、磁性層を薄くする場合、非磁性支持体を通して磁性層の腐食が進行することが問題となる。この問題は、特に磁気テープをしばらく使用した後で顕著となる。
蒸着テープにおいて磁性層の腐食を防止する方法としては、非磁性支持体と磁性層との間に金属下地膜を形成する方法が知られている（例えば特許文献１参照。）。
【０００７】
このように下地層を設ける場合、図８にその一例の概略断面構成を示すように、非磁性支持体１の一方の表面上に、下地層２を介して磁性層３、この磁性層３を保護する非磁性材料より成る保護層４、更に有機潤滑材料等より成る潤滑剤層５がこの順に被着され、他方の面には、バックコート６及び潤滑剤層７がこの順に被着されて構成される。
【０００８】
また、磁性層の耐久性向上のため、高分子フィルムなどの非磁性支持体上に、スパッタリング法で下地層を高速形成し、異常析出突起を分散させる構成も提案されている（例えば特許文献２参照。）。
【０００９】
【特許文献１】特開平５−２０６６２号公報
【特許文献２】特開平１−１８９０２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、上述の図８に示す構成の磁気記録媒体において、更に高記録密度化を図るために、磁性層を１００ｎｍ以下の例えば４０ｎｍ程度以下とする場合において、より良好な磁気記録特性を保持する下地層の材料、構成についての検討は十分行われていない。
また、上記特許文献２に記載されているような異常析出突起を分散して設ける場合、磁性層のカラムの成長に影響を及ぼす恐れがあり、良好な磁気記録特性が得られない可能性がある。
【００１１】
本発明は、以上の問題に鑑みて、特に１００ｎｍ以下程度の、より薄い磁性層を有する磁気記録媒体において、良好な記録再生特性を保持し、特に保磁力及び信号出力の向上を図った磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するため、本発明は、非磁性支持体上に、少なくとも１つのシード層が形成され、上記シード層上に真空薄膜形成技術により磁性層が形成され、この磁性層の結晶粒の長軸と短軸との比で示すアスペクト比が、２以上５以下とされて成ることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明による磁気記録媒体の製造方法は、非磁性支持体上に、少なくとも１つ以上のシード層を成膜した後、上記シード層を成膜した真空槽と同一の真空槽内で、引き続き真空薄膜形成技術により磁性層の成膜を行うことを特徴とする。
更に、本発明による磁気記録媒体の製造方法は、非磁性支持体上に、少なくとも１つ以上のシード層を成膜した後、上記シード層を成膜した真空槽とは異なる真空槽内で、真空薄膜形成技術により磁性層の成膜を行うことを特徴とする。
【００１４】
上述したように、本発明による磁気記録媒体は、非磁性支持体上に少なくとも１つのシード層を設け、その上に、結晶粒の長軸と短軸との比で示すアスペクト比が、２以上５以下とされて成る磁性層を真空薄膜形成技術により形成する構成とするものである。
本発明者等の鋭意考察研究の結果、磁性層を真空薄膜形成技術により形成するいわゆる蒸着型の磁気記録媒体においては、シード層の表面粗さによって、その上の磁性層の結晶粒の形状、具体的には断面略楕円形状の結晶粒の長軸と短軸との比（これをアスペクト比とする）が変化することを究明した。特に、磁性層の厚さが略１００ｎｍ以下、特に４０ｎｍ以下の場合に、このアスペクト比が、シード層の表面粗さの形状に影響を受けて成膜されるものと思われる。
本発明は、このことを利用して、シード層の表面形状を調整して形成し、その上に磁性層を成膜することによって、所望の磁気特性、例えば保磁力を有する磁気記録媒体を容易に得ることができる磁気記録媒体及びその製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１５】
以上説明したように、本発明によれば、真空薄膜形成技術により磁性層を形成する磁気記録媒体において、磁性層の膜厚を薄くし、かつ保磁力を良好に保持又は高めることができる。
また、本発明の磁気記録媒体において、シード層の磁性層と接する面を、１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下の波長の波状構造とすることによって、高い保磁力を有する磁気記録媒体を提供することができる。
更に、本発明の磁気記録媒体において、磁性層の膜厚を、１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下として構成することにより、高記録密度でかつ保磁力の高い磁気記録媒体を提供することができる。
さらに、本発明の磁気記録媒体の製造方法によれば、シード層の構造を調整して、磁性層における結晶粒のアスペクト比を制御して、所望の磁気特性の磁気記録媒体を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下本発明を実施するための最良の形態の例を説明するが、本発明は以下の例に限定されるものではない。
図１は、本発明による磁気記録媒体の一例の要部の概略断面構成図である。図１に示すように、本発明による磁気記録媒体は、非磁性支持体１の上に、少なくとも１つのシード層、図示の例においては第１及び第２のシード層８及び９を介して磁性層３が形成される構成とする。この例においては、磁性層３の上に、磁性層３を保護する非磁性材料より成る保護層４、潤滑剤層５が順次被着形成される。非磁性支持体１の他方の面（裏面）には、バックコート６及び潤滑剤層７がこの順に形成される。
【００１７】
非磁性支持体１としては、従来の磁気記録媒体に用いられる公知の非磁性支持体材料を用いることができる。例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル類、ポリエチレンやポリプロピレン等のポリオレーザフィン類、セルローストリアセテート等のセルロース誘導体、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド等のプラスティック類が挙げられる。
【００１８】
第２のシード層９の上に形成する磁性層３は、周知の真空薄膜形成技術、例えば真空蒸着法により形成する。図２は、磁性層を成膜する際に用いて好適な製造装置、この場合真空蒸着装置の一例の概略構成図を示す。図２に示す蒸着装置の真空管３０内は、排気口２１、２２を介して１×１０−３Ｐａ程度に排気される。真空管３０内の送りロール１３と巻き取りロール１４はそれぞれ定速で回転する。非磁性支持体１は、破線矢印Ａ１で示す方向に送り出され、冷却キャン１５の周面に沿って走行した後、破線矢印Ａ２で示すように巻き取りロール１４に巻き取られる。
【００１９】
冷却キャン１５は、矢印Ｂで示す方向に定速で回転する。冷却キャン１５の内部に設けられた冷却装置により、冷却キャン１５は例えば−２０℃程度に冷却される。これにより、非磁性支持体１の熱変形等が防止される。非磁性支持体１の走行経路に設けられたガイドロール１６、１７によって非磁性支持体１の張力が調整される。
【００２０】
真空管３０内には冷却キャン１５と対向するように蒸着源であるルツボ１８が配置されている。ルツボ１８内には、磁性層を形成するためのＣｏ等の金属磁性材料１９が充填されている。真空管３０の側壁には、蒸着源のルツボ１８を加熱し、蒸発させるための電子銃２０が取り付けられている。電子銃２０から放出された破線Ｅで示す電子線が、ルツボ１８に照射されると、ルツボ１８から蒸発した金属磁性材料１９が、冷却キャン１５上の非磁性支持体１に堆積することにより、磁性層３が形成される。
【００２１】
冷却キャン１５とルツボ１８との間の冷却キャン１５近傍には、シャッター２３が設けられている。これにより、金属磁性材料の非磁性支持体１に対する入射角が所定の範囲に制限される。金属磁性材料１９がＣｏの場合、蒸着中に酸素ガス導入管２４から酸素を導入することにより、ＣｏとＣｏＯから成る磁性層が形成される。なお、シャッター２３や酸素ガス導入口２４の位置及び個数は図２の例に限定されない。蒸着源の加熱には、上記のような電子線による加熱手段の他、例えば抵抗加熱手段、高周波加熱手段、レーザ加熱手段等の公知の手段を用いることができる。
【００２２】
磁性層３の強磁性材料としては、公知の各種の金属材料と磁性材料の合金など、通常の蒸着テープ型磁気記録媒体の磁性層として用いられる磁性層材料を用いることが可能である。例えばＣｏやＮｉなどの強磁性材料、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｆｅ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｐｔ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ合金、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｔａ合金、または酸素雰囲気中での成膜により得られる酸化物含有合金、またこれらの材料を少なくとも一つ以上含む各種の材料を適用可能である。
【００２３】
磁性層３の上に形成する保護層４の材料としては、良好な走行性を得ることと、耐腐食性を良好に保持するために、例えばＤＬＣ（Diamond-like carbon）が望ましい。このＤＬＣ保護層の成膜方法としては、例えばプラズマＣＶＤによる連続薄膜形成技術を適用し得る。
また、その他金属メッシュ電極によるＤＣプラズマ法、電子ビーム励起プラズマソース法、冷陰極イオンソース法、イオン付着法や触媒ＣＶＤ法なども適用可能である。炭素化合物のＣＶＤ成膜法においては、ハイドロカーボンベース、ケトンベース、アルコールベースなど周知の各種材料を用いることができる。更に、プラズマ成膜中にＡｒやＨ２などのガスを炭素化合物の分解を促進するために加えても良い。
【００２４】
テープ状の磁気記録媒体において走行性を良好に保持するために、潤滑剤層５を保護層４の上に形成することが望ましい。この潤滑剤層５としては、任意の例えばフッ素系潤滑剤、好適にはパーフルオロポリエーテル系潤滑剤等を溶剤に溶解させ、保護層上に塗布することにより形成できる。潤滑剤の形成により、走行性の他耐久性も良好となる。
【００２５】
非磁性支持体１の磁性層３を形成する側とは反対側の面には、テープ状の磁気記録媒体の走行性を促進する目的と、静電気の蓄積を防止する目的のため、バックコート層６を設けることが望ましい。このバックコート層の厚さとしては、上記目的には０．２μｍ以上０．７μｍ以下程度とすることが適している。成膜方法としては、無機色素などの粉末成分と結合剤を有機溶媒に混合分散させたバックコート用塗料を、非磁性支持体の磁性層を形成する側とは反対側に塗布して形成する方法が一般的である。粉末成分としては、導電性を付与するためのカーボンブラックや、表面粗さの調整と耐久性向上のためのフィラー粒子（例えばα−酸化鉄、α−アルミナ、酸化クロム等が挙げられる。バックコート用の塗料に潤滑剤等の添加剤を添加してもよく、また図１に示す例のように、バックコート層６の上に潤滑剤層７を形成してもよい。この潤滑剤層７としては、磁性層３上の保護層４の上に形成する潤滑剤層５と同様の材料とを用い得る。
【００２６】
次に、本発明において磁気記録媒体の磁性層３と非磁性支持体１との間に設けるシード層について説明する。
本発明においては、このシード層の構造及び表面性を、異なる製造過程を経ることによって変化させ、これによりシード層の上に成膜する磁性層の結晶粒の長軸と短軸との比であるアスペクト比を調整することができ、結果的に磁気記録媒体の磁気特性を変化させることを見出したものである。
以下この製造方法とアスペクト比を変えることによる磁気特性への影響、特に保磁力の変化について説明する。
【００２７】
以下の例においては、ＴｉとＣｕをシード層の材料として選択し、また磁性層の材料としては、一般的なＣｏを金属蒸着により、部分的に酸素を導入して形成した。磁性層は、非磁性支持体上に斜め蒸着により成膜され、非磁性支持体の表面に対し略４０°の角度をもって斜めの柱状結晶粒構造が得られる。
Ｔｉ及びＣｕより成るシード層は、スパッタリングにより、磁性層成膜時と同じ真空槽内で、すなわちいわゆるｉｎ−ｓｉｔｕで成膜する（以下これをインラインと称する）か、或いは磁性層成膜時とは異なる真空槽内で、すなわちいわゆるｅｘ−ｓｉｔｕで成膜する（以下これをオフラインと称する）で形成する。得られる磁性層は、Ｔｉ及びＣｕより成るシード層をインラインで成膜するか、オフラインで成膜するかで構造が異なる。
比較のために、インライン及びオフラインによる磁気記録媒体をそれぞれ作製し、それぞれの磁性層の結晶粒のアスペクト比を調べた。なお、磁性層の膜厚は全て４０ｎｍとした。
【００２８】
先ず、図１に示すように、磁気記録媒体の非磁性支持体１の上に、Ｔｉより成る第１のシード層８とＣｕより成る第２のシード層９とをスパッタリングにより成膜した。その後、Ｃｏ＋ＣｏＯより成る磁性層３１を、斜め蒸着により成膜した。この斜め蒸着においては、酸素導入口から酸素を導入し、Ｃｏを支持体１の表面から略４５°の角度をもって斜めに蒸着した。各シード層８及び９のスパッタリング及び磁性層３１の蒸着は、同一の真空槽内で行い、すなわちインラインにより製造した。この場合、図２で説明した装置において、送りロール１３と冷却キャン１５との間の中間部分に、図示しない別体の冷却キャンとスパッタリング装置を増設し、同一真空槽内でのシード層のスパッタリングと、磁性層の蒸着とを連続して行えるように改造して使用した。このときの成膜条件を下記の表１に示す。
【００２９】
【表１】
2006146995.tif 000003
【００３０】
そして、図１に示すように、磁性層３１上に保護層４、潤滑剤層５を形成し、また非磁性支持体１の裏面にはバックコート６及び潤滑剤層７をこの順に形成して磁気記録媒体を作製した。
このようにして得られた磁気記録媒体の要部の断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ：Transmission Electron Microscope）により観察した観察写真図を図３に示す。Ｔｉよりなる第１のシード層８がアモルファス構造であり、Ｃｕより成る第２のシード層９が強い（１１１）結晶構造を有していることがわかる。
また、磁性層３１においては、第１のシード層９に近い底部で結晶粒がランダムな方向を向いており、その上部においてやや傾いた結晶粒が形成されていることがわかる。図４に、この磁性層３１の底部における結晶粒がランダムな方向となっている部分の要部の観察写真図を示す。磁性層３１における傾斜した細長い結晶粒の構造は、Ｃｏの斜め蒸着により形成されるものであるが、磁性層３１の底部においては、第２のシード層９の強い（１１１）結晶構造による影響が大きいことがわかる。
このことから、磁性層３１の細長い結晶粒は、底部におけるランダムな方向に向く結晶粒の構造に影響を受けて、その構造がいわば制限されることがわかる。結晶粒のアスペクト比（長軸／短軸）は、図４の写真図から見積もって、２から４程度であることがわかる。
【００３１】
上述のＣｏ＋ＣｏＯより成る磁性層を有する磁気記録媒体において、シード層以外は同様の構成とし、シード層を設けない構成とした場合は、保磁力は約１２００Ｏｅであった。これに対し、上述の構成による磁気記録媒体において、磁性層の膜厚を４０ｎｍ、第１及び第２のシード層８及び９の各厚さをそれぞれ３ｎｍとし、すなわちシード層の全厚さを６ｎｍとした場合は、保磁力が１４００Ｏｅであった。
【００３２】
更に保磁力を高めるためには、結晶粒のアスペクト比を高めることが望ましい。アスペクト比を高める一手法として、シード層のスパッタリング工程と磁性層の蒸着工程とを分離して、異なる真空槽において成膜する方法、すなわち上述のオフライン（ｅｘ−ｓｉｔｕ）によって磁気記録媒体を作製した。このときの成膜条件を下記の表２に示す。
【００３３】
【表２】
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【００３４】
図５は、オフラインにより作製した一実施例の磁気記録媒体の概略断面構成図である。この例においては、非磁性支持体１上に、シード層１２をスパッタリングにより成膜し、その上に磁性層３２を、シード層１２を成膜した真空槽とは異なる真空槽内にて蒸着により形成した。シード層１２は、Ｔｉ及びＣｕを材料とし、それぞれを分けてスパッタリングしたが、スパッタリング終了後、オフラインであるため蒸着工程の原反となるロールを、ロールの状態で、かつ、短時間ではあるが、大気暴露した。その結果、シード層１２は、Ｔｉ及びＣｕが混在した膜となる。この原因は、検討中であるが、真空中で成膜された数ｎｍの薄膜が微小な酸化により構造変化、すなわち、原子移動を伴う変化をするため、層状構造が乱れ、ＴｉとＣｕが混在したものとなると考えられる。なお、他の要因による可能性を否定するものではない。
このとき、その表面は、図５に示すように、波状表面となり、その表面の凹凸の周期を波長ととらえた場合、波長は略１０ｎｍである。
この磁気記録媒体の断面の電子顕微鏡による観察写真図を図６に示す。
【００３５】
このように、シード層１２の表面が波状である場合、この上に成膜される磁性層３２の結晶粒の構造は、底部から長軸が長くなっており、磁性層３２の成膜時の初期から長軸方向の成長が促進されていることがわかる。
図７に、このように長軸が長く傾斜した結晶粒を有する磁性層３２のより拡大した電子顕微鏡による観察写真図を示す。図７からも、磁性層３２の結晶粒が、上述の図３及び図４に示す例と比較して細長く、したがってアスペクト比が大となっていることがわかる。
【００３６】
この例においても、磁性層３２上に非磁性材料より成る保護層４、有機材料より成る潤滑剤層５、また非磁性支持体１の裏面に、非磁性材料より成るバックコート６及び有機材料より成る潤滑剤層７を被着して磁気記録媒体を作製した。
【００３７】
これらの結果から、シード層の表面状態とその上に成膜される磁性層の結晶粒の状態とがわかる。つまり、上述のインラインにより製造した比較的表面性の良いシード層を有する磁気記録媒体とは逆に、オフラインにより製造する場合は、シード層の表面が波状となっているにもかかわらず、その上に成膜される磁性層の結晶粒が底部においてランダムな方向に向く効果は小さく、逆に磁性層の材料の例えばＣｏを斜めに蒸着する効果が支配的となり、結晶粒は長軸方向に揃う構造となる。このようにオフラインによる場合は、磁性層３２の結晶粒の長軸と短軸の比であるアスペクト比は、上述の図７に示す写真図から見積もった結果、略４〜５であった。
【００３８】
また、オフラインにより製造した磁気記録媒体の保磁力は、上述の図６及び図７に示す例においては２１００Ｏｅであり、磁気特性が向上している。このことから、磁気記録媒体の保磁力は、アスペクト比を大とすることによって向上させることができることがわかる。
更に、磁気記録媒体の角形比（Ｍｒ／Ｍｓ）もアスペクト比を大とすることによって高められる。上述のインラインにより作製した磁気記録媒体では、角形比は０．７９であるが、オフラインにより作製した磁気記録媒体は、角形比は０．８４であった。なお、シード層以外の構造及び材料を上述の各例と同様として作製した磁気記録媒体においては、角形比は０．６８であった。またこの磁気記録媒体における磁性層の長軸と短軸の比であるアスペクト比は１以上２未満であった。
【００３９】
また、上述の各磁気記録媒体における耐腐食性を調べた。耐腐食性としては、温度６５℃、相対湿度９０％の条件で６日間放置し、その後の飽和磁化の低下率により測定した。シード層を設けない磁気記録媒体では１７％、上述のインラインにより作製した磁気記録媒体では１１％、また上述のオフラインにより作製した磁気記録媒体においては８％であった。
したがって、インライン及びオフラインによりＴｉ及びＣｕより成るシード層を設けた磁気記録媒体においては、シード層を設けない場合と比べて十分な耐腐食性を有する結果が得られることがわかる。
【００４０】
更に、アスペクト比を高める他の手法として、インラインによりシード層を作製する際のスパッタリングの投入電力を変化させ、他の材料及び構成は上述のインラインにより作製した磁気記録媒体と同様として、アスペクト比及び磁気特性の変化を調べた。この結果を、上述のオフラインにより作製した磁気記録媒体及びシード層を設けない比較例と共に、以下の表３に示す。
【００４１】
【表３】
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【００４２】
なお、上記表３において、例１〜例３はインラインによりスパッタ投入電力を変化させてシード層を成膜した例を示し、例４は、オフラインによりシード層を成膜した上述の例による磁気記録媒体を示す。
上記表３から明らかなように、インラインによりシード層及び磁性層を成膜する場合に、シード層のスパッタ投入電力を大とすることによって、その表面状態が変化し、波状の凹凸の周期を波長ととらえると、波長は小さくなることがわかる。そして、表面凹凸の波長が２０ｎｍ以下、１７ｎｍ、１５ｎｍと小さくなると、その上に成膜する磁性層の結晶粒のアスペクト比はそれぞれ２から３、更に４となって増大している。そしてこのアスペクト比の増大に伴って、磁性層の保磁力は向上し、結果的に信号出力が大となることがわかる。
なお、比較例の信号出力を基準とし、比較例を０ｄＢとした。
【００４３】
以上の結果をまとめると、磁性層の結晶粒の長軸と短軸との比で示すアスペクト比が磁気特性に関係しており、非磁性支持体と磁性層との間に設けるシード層の構造によりこのアスペクト比を制御することが可能であることがわかる。
そしてこのシード層の表面構造は、シード層の成膜条件により変えることができる。
例えば、シード層と磁性層とを同一の真空槽内で成膜するインラインにより成膜されたシード層は、強い結晶構造と平滑な表面を持つため磁性層内の結晶粒のアスペクト比は比較的小さくなり、一方、オフラインにより成膜されたシード層は、１０ｎｍから２０ｎｍ程度の周期（波長）の波状表面を持ち、磁性層内の結晶粒のアスペクト比が増加される。
また、インラインによりシード層を成膜する際に、スパッタ投入電力を大とすると、アスペクト比は増加する傾向がある。
【００４４】
そして特に、磁性層の膜厚を４０ｎｍ上記の程度と薄くする場合においても、上記表３中の各例に示すように、結晶粒のアスペクト比を２から５に増やすことにより、磁性層の保磁力を７５％増加させ、２１００Ｏｅに高めることができる。更に、角形比も同様に増加させることができる。
【００４５】
また、これらのシード層は、その製造方法によることなく、非磁性支持体から磁性層内への酸素の浸入を防ぐか最低限に抑えることができ、磁性層の酸化防止の効果が得られ、磁気記録媒体の耐久性を高める作用を有する。
【００４６】
上述の各例においては、磁性層の膜厚を４０ｎｍとしたが、磁性層の膜厚を更に薄くした場合においても、本発明を適用することによって同様の効果を得ることができる。磁性層の膜厚としては、より薄くすることが望ましいが、１０ｎｍを下回る膜厚でばらつきを抑えて成膜することが難しい場合には、１０ｎｍ以上とすることが望ましい。
【００４７】
また、シード層の膜厚としては、上述の各例においては、全厚さを６ｎｍとしたが、シード層の厚さとしては、目的とする磁性層のアスペクト比に対応して、適切な波長の凹凸を形成し得る厚さとすることが望ましく、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下とすることが望ましい。
【００４８】
また、本発明は、上述の各例に限定されるものではなく、その他本発明構成を逸脱しない範囲において、種々の変形、変更が可能であることはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の磁気記録媒体の一例の要部の概略断面構成図である。
【図２】本発明の磁気記録媒体の製造方法の一例に用いる製造装置の一例の概略構成図である。
【図３】本発明の磁気記録媒体の一例の要部の電子顕微鏡による観察写真図である。
【図４】本発明の磁気記録媒体の一例の要部の電子顕微鏡による観察写真図である。
【図５】本発明の磁気記録媒体の一例の要部の概略断面構成図である。
【図６】本発明の磁気記録媒体の一例の要部の電子顕微鏡による観察写真図である。
【図７】本発明の磁気記録媒体の一例の要部の電子顕微鏡による観察写真図である。
【図８】従来の磁気記録媒体の一例の要部の概略断面構成図である。
【符号の説明】
【００５０】
１．非磁性支持体、２．下地層、３．磁性層、４．保護層、５．潤滑剤層、６．バックコート、７．潤滑剤層、８．第1のシード層、９．第２のシード層、１０．磁気記録媒体、１３．送りロール、１４．巻き取りロール、１５．冷却キャン、１６．ガイドロール、１７．ガイドロール、１８．ルツボ、１９．金属磁性材料、２０．電子銃、２１．排気口、２２．排気口、２３．シャッター、２４．酸素ガス導入管、３０．真空管
【図１】
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【図２】
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【図５】
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【図８】
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【図３】
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【図４】
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【図６】
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【図７】
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