(57)【要約】【課題】  マスクと基板との相対的な移動を不要とし、３次元の微細構造体を容易に形成することが可能な微細構造体の形成方法を提供する。【解決手段】  光源からの露光光Ｒを透過させる第１露光光透過領域ｒ１と、露光光の透過率が第１露光光透過領域ｒ１よりも低い第２露光光透過領域ｒ２とを備える露光マスク３００を用いることで、レジスト膜２が形成された基板１と、露光マスク３００とを相対的移動させることなく、露光光の露光量（光エネルギ）分布を連続的に変化するように制御でき、レジスト層２の露光領域ｄ１と露光領域ｄ２との間で露光光の露光量（光エネルギ）分布に応じた深さの露光を可能とする。【選択図】        図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源からの露光光に対し、高い吸収率を持った遮光材でパターニングされた第１領域と、前記第１領域よりも低い吸収率をもった遮光材でパターニングされた第２領域とを備える露光マスクを準備する工程と、
基板上にレジスト層を形成する工程と、
前記露光マスクを用いて、前記基板上に形成された前記レジスト層を露光することにより、前記第１領域を透過した露光光によって第１の深さにまで達する第１露光領域と、前記第２領域を透過した露光光によって前記第１露光領域よりも浅い第２の深さにまで達する第２露光領域とを形成する工程と、
前記レジスト層から前記第１露光領域および前記第２露光領域を除去し、微細構造体を形成する工程と、
を備える、微細構造体の形成方法。
【請求項２】
前記露光光を形成する光源は、シンクロトロン放射光、レーザ光、および、電子ビーム光のいずれかである、請求項１に記載の微細構造体の形成方法。
【請求項３】
前記露光マスクは、第１露光マスクと第２露光マスクとが重ね合わされており、
前記第１露光マスクは、第１透過領域と、前記第１透過領域を取囲む第１遮光領域とを有し、
前記第２露光マスクは、第２透過領域と、前記第２透過領域を取囲み前記第１遮光領域よりも吸収率が低い第２遮光領域とを有し、
前記第１露光マスクの前記第１透過領域および前記第２露光マスクの第２透過領域を通過する露光光の経路により前記第１露光光透過領域が形成され、
前記第１露光マスクの前記第１透過領域および前記第２露光マスクの第２遮光領域を通過する露光光の経路により前記第２露光光透過領域が形成される、請求項１または２に記載の微細構造体の形成方法。
【請求項４】
前記露光マスクは、前記第１透過領域と、この第１透過領域を取囲む前記第１遮光領域との上に、前記第２透過領域と、この第２透過領域を取囲む前記第２遮光領域とが形成された構造を有することを特徴とする、請求項１または２に記載の微細構造体の形成方法。
【請求項５】
前記第１遮光領域に使われる材料は、Ｔａ，Ｗ，Ｐｔ，ＡｕおよびＡｇからなる群より選択される材料であり、
前記第２遮光領域に使われる材料は、Ｔｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｕ，ＡｌおよびＳｉからなる群より選択される材料である、ことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の微細構造体の形成方法。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の微細構造体の形成方法を用いて形成された微細構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は微細構造体の形成方法および微細構造体に関し、特に、３次元の微細構造体を容易に形成することが可能な微細構造体の形成方法および微細構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路装置の製造技術を応用して、極めて微細な構造体を形成する微細加工技術の研究が近年活発になってきている。その中で、Ｘ線を使った深いリソグラフィと電解メッキで高アスペクト比の微細構造体を形成するＬＩＧＡ（Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈ  Ｇａｌｖａｎｆｏｒｍｕｎｇ  ｕｎｄ  Ａｂｆｏｒｍｕｎｇ）法は、特に注目されているところである。下記特許文献１には、このＬＩＧＡ法に基づいた微細構造体の形成方法の一例が開示されている。
【０００３】
具体的には、３次元構造を有する微細構造体を基板上に形成する場合には、微細構造体の形状に対応した鋳型を、基板上に成膜された被露光材料に対してリソグラフィ技術を用いて形成し、被露光材料からなる鋳型内に電解メッキ技術によりメッキ処理を施し、鋳型を除去することにより、メッキ材料からなる３次元構造を有する微細構造体を基板上に形成している。
【０００４】
下記の特許文献１に開示された微細構造体の形成方法によれば、複雑な形状を有する鋳型を形成するに際しては、Ｘ線マスクを基板に対して相対的に移動させることにより、最終的に鋳型となる被露光材料の平面と平行な平面内におけるＸ線のエネルギ分布が連続的に変化するように制御し、被露光材料の各部でのＸ線のエネルギ分布に応じた深さの加工を可能としている。
【特許文献１】特開２０００−３５５００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１に開示の鋳型の形成方法によれば、Ｘ線マスクを基板に対して相対的に移動させるための機構が必要となる。そのため、装置構成の複雑化、およびＸ線マスクと基板との位置決め制御の煩雑さがともない、微細構造体の形成におけるコスト上昇を避けることができない。
【０００６】
したがって、この発明は上記課題を解決するためになされたものであり、マスクと基板との相対的な移動を不要とし、３次元の微細構造体を容易に形成することが可能な微細構造体の形成方法および微細構造体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、この発明に基づいた微細構造体の形成方法においては、光源からの露光光に対し、高い吸収率を持った遮光材でパターニングされた第１領域と、上記第１領域よりも低い吸収率をもった遮光材でパターニングされた第２領域とを備える露光マスクを準備する工程と、基板上にレジスト層を形成する工程と、上記露光マスクを用いて、上記基板上に形成された上記レジスト層を露光することにより、上記第１領域を透過した露光光によって第１の深さにまで達する第１露光領域と、上記第２領域を透過した露光光によって上記第１露光領域(d1)よりも浅い第２の深さにまで達する第２露光領域とを形成する工程と、上記レジスト層から上記第１露光領域および上記第２露光領域を除去し、微細構造体を形成する工程とを備えている。また、この発明に基づいた微細構造体においては、上述した微細構造体の形成方法を用いて形成されている。
【０００８】
このように、第１領域と、露光光の透過率が第１領域よりも低い第２領域とを備える露光マスクを用いて、レジスト層の露光を行なうことで、最終的に微細構造体となるレジスト層の平面と平行な平面内における露光光の露光量（光エネルギ）分布が連続的に変化するように制御でき、レジスト層の各部での露光光の露光量（光エネルギ）分布に応じた深さの露光を可能としている。その結果、基板と露光マスクとを相対的に移動させるための装置が不要となり、微細構造体の形成におけるコスト上昇を避けることを可能としている。
【発明の効果】
【０００９】
この発明に基づいた微細構造体の形成方法および微細構造体によれば、マスクと基板との相対的な移動を行なうことなく、３次元の微細構造体を容易に形成することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、この発明に基づいた実施の形態における微細構造体の形成方法について、図を参照しながら説明する。まず、図１〜図５を参照して、本実施の形態における微細構造体の形成方法に用いるマスクの製造方法について説明する。なお、図１〜図５は、マスクの製造工程を示す第１〜第５図（断面図）である。
【００１１】
（マスクの製造方法）
まず、図１を参照して、シリコン（Ｓｉ）基板１０１の上に、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いて、厚さ約２μｍの窒化シリコン（ＳｉＮ）膜１０２を成膜する。次に、窒化シリコン膜１０２の上に、厚さ約０．１μｍのアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）膜１０３、厚さ約３μｍの窒化タングステン（ＷＮ）膜１０４、および厚さ約０．１μｍのアルミ（Ａｌ）膜１０５を、順次スパッタリング法により成膜する。
【００１２】
次に、図２を参照して、アルミナ膜１０３、窒化タングステン膜１０４、およびアルミ膜１０５を、フォトリソグラフィ技術を用いてエッチングによりパターニングを行ない、窒化シリコン膜１０２の表面が露出する開口領域ｈ１（開口領域幅Ｗ１）を形成する。その後、シリコン基板１０１に対してＫＯＨ等のアルカリのエッチャントを用いて裏面加工を行ない、第１露光マスク１００を完成させる。この第１露光マスク１００は、露光光を透過させる第１透過領域ｈ１と、この第１透過領域ｈ１を取囲む第１遮光領域ｓ１とを有することとなる。
【００１３】
次に、図３を参照して、シリコン（Ｓｉ）基板２０１の上に、ＣＶＤ法を用いて、厚さ約２μｍの窒化シリコン（ＳｉＮ）膜２０２を成膜する。次に、窒化シリコン膜２０２の上に、厚さ約０．１μｍのアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）膜２０３、厚さ約２μｍのチタン（Ｔｉ）膜２０４、および厚さ約０．１μｍのアルミ（Ａｌ）膜２０５を、順次スパッタリング法により成膜する。
【００１４】
次に、図４を参照して、アルミナ膜２０３、チタン膜２０４、およびアルミ膜２０５を、フォトリソグラフィ技術を用いてエッチングによりパターニングを行ない、窒化シリコン膜２０２の表面が露出する開口領域ｈ２（開口領域幅Ｗ２：Ｗ１＞Ｗ２））を形成する。その後、シリコン基板２０１に対してＫＯＨ等のアルカリのエッチャントを用いて裏面加工を行ない、第２露光マスク２００を完成させる。
【００１５】
この第２露光マスク２００は、露光光を透過させる第２透過領域ｈ２と、この第２透過領域ｈ２を取囲み第１遮光領域ｒ１よりも吸収率が低い第２遮光領域ｓ２とを有することとなる。
【００１６】
次に、図５を参照して、第１露光マスク１００の、シリコン基板１０１の裏面側の所定位置に、第２露光マスク２００のアルミ膜２０５側を貼り合わせる。これにより、本実施の形態における露光マスク３００が完成する。なお、第１露光マスク１００と第２露光マスク２００との貼り合わせにおいては、図５に示すように、第１露光マスク１００の第１透過領域ｈ１および第２露光マスク２００の第２透過領域ｈ２を通過する露光光の経路により第１領域ｒ１が形成され、第１露光マスク１００の第１透過領域ｈ１および第２露光マスク２００の第３透過領域ｈ３を通過する露光光の経路により第２領域ｒ２が形成されるように、第１露光マスク１００と第２露光マスク２００との位置決めを行なう。
【００１７】
（露光ステップ）
次に、上記構成からなる露光マスク３００を用いたレジスト膜の露光ステップについて、図６および図７を参照して説明する。なお、図６および図７は、レジスト膜の露光ステップを示す第１および第２図（断面図）である。
【００１８】
まず、図６を参照して、基板１の上にレジスト膜２を形成する。その後、レジスト膜２に対して露光マスク３００の位置決めを行なう。次に、露光マスク３００を通過した露光光Ｒを基板１の上にレジスト膜２に照射露光する。露光光としては、様々な光源を用いることができるが、光源から照射される光は広がらない方が好ましいため、シンクロトロン放射光(SR)、レーザ光、および、電子ビーム光(EB)等を用いることが好ましい。本実施の形態においては、シンクロトロン放射光(SR)を用いた。
【００１９】
ここで、露光マスク３００を通過した露光光は、第１領域ｒ１を通過した露光光Ｒ１と、第２領域ｒ２を通過した露光光Ｒ２とに分けることができる。第２領域ｒ２の透過率は、第１領域ｒ１の透過率よりも低いため、露光光Ｒ２の露光量（光エネルギ）は露光光Ｒ１の露光量（光エネルギ）よりも低くなるという強度分布が形成される。
【００２０】
その結果、図６に示すように、第１領域ｒ１を通過した露光光Ｒ１により露光されたレジスト膜２の露光領域ｄ１は、基板１の表面に達する深さ位置（Ｌ１）まで露光されることになる。一方、第２領域ｒ２を通過した露光光Ｒ２により露光されたレジスト膜２の露光領域ｄ２は、基板１の表面に達する深さ位置（Ｌ１）まで露光されることなく、レジスト膜２の中間深さ位置（Ｌ２）まで露光されることになる。次に、図７に示すように、レジスト膜２に対して現像処理を行なって、露光領域ｄ１およびｄ２の除去を行なうことで微細構造体としての開口部２ａを有するレジスト構造体３が完成する。これにより、複雑な形状の微細構造体を得ることができる。ここで、図８を参照して、この段階で、基板１をＫＯＨ水溶液により除去し、レジスト層のみからなる微細構造体としてのレジスト構造体３を得ることで、このレジスト構造体３を、ネブライザーやインクジェットプリンタノズルの試作テストモデルとして用いることができる。
【００２１】
（微細金型の形成工程）
次に、上記レジスト構造体３を用いた微細構造体としての微細金型の形成工程について、図９および図１０を参照して説明する。なお、図９および図１０は、微細金型の形成工程を示す第１図（断面図）および第２図（斜視図）である。
【００２２】
まず、図９を参照して、レジスト構造体３に電解メッキ技術によりメッキ４を施す。その後、図１０を参照して、ＫＯＨ水溶液を用いて、基板１を除去し、さらに、レジスト膜２をアッシングにより除去して、メッキ４からなる微細構造体としての微細金型４を完成させる。なお、本実施の形態における微細金型４は、高さ（Ｈ）約８０μｍ程度、細い側の直径（Ｄ１）は、約３〜５μｍ、太い側の直径（Ｄ２）は、約６０μｍ程度である。
【００２３】
（作用・効果）
以上、本実施の形態における微細構造体の形成方法によれば、光源からの露光光Ｒを透過させる第１領域ｒ１と、露光光の透過率が第１領域ｒ１よりも低い第２領域ｒ２とを備える露光マスク３００を用いることで、レジスト膜２が形成された基板１と露光マスク３００とを相対的移動させることなく、露光光の露光量（光エネルギ）分布を連続的に変化するように制御でき、レジスト層２の露光領域ｄ１と露光領域ｄ２との間で露光光の露光量（光エネルギ）分布に応じた深さの露光を可能としている。
【００２４】
なお、上記実施の形態においては、微細金型４の断面形状の一例としてきのこ型の場合を示しているが、台形形状、三角形状等様々な形状の微細金型を形成することが可能である。
【００２５】
また、露光マスク３００において、第１領域ｒ１の周りを取囲むように第２領域ｒ２を設ける場合について説明しているが、第１領域ｒ１と第２領域ｒ２との配置関係は、得ようとする微細構造体（レジスト構造体、微細金型）の形状に応じて適宜変更されるものである。
【００２６】
（他の露光マスクの形態）
上記露光マスク３００の構成として、第１露光マスク１００と第２露光マスク２００とを貼り合せた構成を示しているが、他の露光マスクとして、以下に示す露光マスク４００および露光マスク６００を用いることも可能である。まず、図１１から図１６を参照して、露光マスク４００の製造方法について説明する。
【００２７】
図１１を参照して、厚さ約１ｍｍのシリコン（Ｓｉ）基板４０１の上に、ＣＶＤ法を用いて、厚さ約２μｍの窒化シリコン（ＳｉＮ）膜４０２を成膜する。次に、窒化シリコン膜４０２の上に、厚さ約０．１μｍのアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）膜４０３、厚さ約３μｍの窒化タングステン（ＷＮ）膜４０４、および厚さ約０．１μｍのアルミ（Ａｌ）膜４０５を、順次スパッタリング法により成膜する。
【００２８】
次に、アルミナ膜４０３、窒化タングステン膜４０４、およびアルミ膜４０５を、フォトリソグラフィ技術とドライエッチング法によりパターニングを行ない、窒化シリコン膜４０２の表面が露出する開口領域ｈ１（開口領域幅Ｗ１）を形成する。
【００２９】
次に、図１２を参照して、アルミナ膜４０３、窒化タングステン膜４０４、および、アルミ膜４０５のパターニング面に、厚さ約０．１μｍのアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）膜４０６、厚さ約２．０μｍのチタン（Ｔｉ）膜４０７、および、厚さ約０．１μｍのアルミ（Ａｌ）膜４０８を、順次スパッタリング法により成膜する。
【００３０】
次に、図１３を参照して、アルミナ膜４０６、チタン膜４０７、および、アルミ（Ａｌ）膜４０８を、フォトリソグラフィ技術とドライエッチング法によりパターニングを行ない、窒化シリコン膜４０２の表面が露出する開口領域ｈ２（開口領域幅Ｗ２：Ｗ１＞Ｗ２）を形成する。
【００３１】
次に、図１４を参照して、シリコン基板４０１に対してＫＯＨ等のアルカリエッチャントを用いて裏面加工を行ない、第１領域ｒ１と第２領域ｒ２とを有する露光マスク４００が完成する。なお、露光光に対して、窒化タングステン膜４０４が高い吸収率を有する第１吸収体を構成し、チタン膜４０７が低い吸収率を有する第２吸収体を構成する。
【００３２】
次に、図１５を参照して、シリコン基板上にＰＭＭＡを塗布してレジスト基板５００を作り、このレジスト基板５００に対して、約１００μｍのギャップを取り、上記露光マスク４００を設置し、垂直方向からＳＲ光を露光する。適度な光量露光を行なった後、ＭｉＢＫ現像液を用いてレジスト基板５００を現像すると、図１６に示すような、厚さ方向に異なったパターンを有するレジスト構造体５００Ａが形成される。
【００３３】
次に、他の形態における露光マスク６００の製造方法について説明する。まず、図１７を参照して、厚さ約１ｍｍのシリコン（Ｓｉ）基板５０１の上に、ＣＶＤ法を用いて、厚さ約２μｍの窒化シリコン（ＳｉＮ）膜５０２を成膜する。次に、窒化シリコン膜５０２の上に、厚さ約０．１μｍのアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）膜５０３、厚さ約３μｍの窒化タングステン（ＷＮ）膜５０４、および厚さ約０．１μｍのアルミ（Ａｌ）膜５０５を、順次スパッタリング法により成膜する。
【００３４】
次に、アルミナ膜５０３、窒化タングステン膜５０４、およびアルミ膜５０５を、フォトリソグラフィ技術とドライエッチング法によりパターニングを行ない、窒化シリコン膜５０２の表面が露出する開口領域ｈ１（開口領域幅Ｗ１）を形成する。
【００３５】
次に、図１８を参照して、アルミナ膜５０３、窒化タングステン膜５０４、および、アルミ膜５０５のパターニング面に、厚さ約０．１μｍのアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）膜５０６、厚さ約２．０μｍのチタン（Ｔｉ）膜５０７、および、厚さ約０．１μｍのアルミ（Ａｌ）膜５０８を、順次スパッタリング法により成膜する。
【００３６】
次に、図１９を参照して、アルミナ膜５０６、チタン膜５０７、および、アルミ膜５０８を、フォトリソグラフィ技術とドライエッチング法によりパターニングを行ない、窒化シリコン膜５０２の表面が露出する開口領域ｈ２（開口領域幅Ｗ２：Ｗ１＞Ｗ２）を形成する。その後、図２０を参照して、アルミナ膜５０６、チタン膜５０７、および、アルミ膜５０８の上に、厚さ約０．１μｍのアルミ（Ａｌ）膜５０９を、スパッタリング法により成膜する。
【００３７】
次に、図２１を参照して、アルミ（Ａｌ）膜５０９を、フォトリソグラフィ技術とドライエッチング法によりパターニングを行ない、窒化シリコン膜５０２の表面が露出する開口領域ｈ３（開口領域幅Ｗ３：Ｗ１＞Ｗ２＞Ｗ３）を形成する。
【００３８】
次に、図２２を参照して、シリコン基板５０１に対してＫＯＨ等のアルカリエッチャントを用いて裏面加工を行ない、第１領域ｒ１、第２領域ｒ２、および、第３領域ｒ３とを有する露光マスク６００が完成する。なお、露光光に対して、窒化タングステン膜５０４が高い吸収率を有する第１吸収体を構成し、チタン膜５０７が中程度の吸収率を有する第２吸収体を構成し、アルミ膜５０９が低い吸収率を有する第３吸収体を構成する。
【００３９】
次に、図２３を参照して、シリコン基板上にＰＭＭＡを塗布してレジスト基板７００を作り、このレジスト基板７００に対して、約１００μｍのギャップを取り、上記露光マスク６００を設置し、垂直方向からＳＲ光を露光する。適度な光量露光を行なった後、ＭｉＢＫ現像液を用いてレジスト基板７００を現像すると、図２４に示すような、厚さ方向に異なったパターンを有するレジスト構造体７００Ａが形成される。
【００４０】
なお、上記露光マスク３００、４００においては、光源からの露光光に対し、高い吸収率を持った遮光材でパターニングされた第１領域ｒ１と、この第１領域(r1)よりも低い吸収率をもった遮光材でパターニングされた第２領域ｒ２とを形成する構成を示し、上記露光マスク６００においては、光源からの露光光に対し、高い吸収率を持った遮光材でパターニングされた第１領域ｒ１と、この第１領域ｒ１よりも低い吸収率をもった遮光材でパターニングされた第２領域ｒ２、さらに、この第２領域ｒ２よりもさらに低い吸収率をもった遮光材でパターニングされた第３領域ｒ３とを形成する構成を示しているが、内側から外側に向かって徐々に吸収率を低くなるように設定した複数の領域を順次設けることで、上述したレジスト構造体において、円錐形状に近似する開口部を形成することが可能である。
【００４１】
したがって、今回開示した上記実施の形態はすべての点で例示であって、限定的な解釈の根拠となるものではない。本発明の技術的範囲は、上記した実施の形態のみによって解釈されるのではなく、特許請求の範囲の記載に基づいて画定される。また、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
この発明における微細構造体の形成方法および微細構造体により、ネブライザー、インクジェットプリンタノズル等に用いられる微細構造体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明に基づいた実施の形態における微細構造体の形成方法に用いるマスクの製造工程を示す第１図（断面図）である。
【図２】本発明に基づいた実施の形態における微細構造体の形成方法に用いるマスクの製造工程を示す第２図（断面図）である。
【図３】本発明に基づいた実施の形態における微細構造体の形成方法に用いるマスクの製造工程を示す第３図（断面図）である。
【図４】本発明に基づいた実施の形態における微細構造体の形成方法に用いるマスクの製造工程を示す第４図（断面図）である。
【図５】本発明に基づいた実施の形態における微細構造体の形成方法に用いるマスクの製造工程を示す第５図（断面図）である。
【図６】本発明に基づいた実施の形態における微細構造体の形成方法におけるレジスト膜の露光ステップを示す第１図（断面図）である。
【図７】本発明に基づいた実施の形態における微細構造体の形成方法におけるレジスト膜の露光ステップを示す第２図（断面図）である。
【図８】本発明に基づいた実施の形態における微細構造体の形成方法におけるレジスト構造体を示す図（断面図）である。
【図９】本発明に基づいた実施の形態における微細構造体の形成工程を示す第１図（断面図）である。
【図１０】本発明に基づいた実施の形態における微細構造体の形成工程を示す第２図（斜視図）である。
【図１１】本発明に基づいた他の実施の形態における微細構造体の形成方法に用いるマスクの製造工程を示す第１図（断面図）である。
【図１２】本発明に基づいた他の実施の形態における微細構造体の形成方法に用いるマスクの製造工程を示す第２図（断面図）である。
【図１３】本発明に基づいた他の実施の形態における微細構造体の形成方法に用いるマスクの製造工程を示す第３図（断面図）である。
【図１４】本発明に基づいた他の実施の形態における微細構造体の形成方法に用いるマスクの製造工程を示す第４図（断面図）である。
【図１５】本発明に基づいた他の実施の形態における微細構造体の形成方法におけるレジスト膜の露光ステップを示す図（断面図）である。
【図１６】本発明に基づいた他の実施の形態における微細構造体の形成方法におけるレジスト構造体を示す図（断面図）である。
【図１７】本発明に基づいたさらに他の実施の形態における微細構造体の形成方法に用いるマスクの製造工程を示す第１図（断面図）である。
【図１８】本発明に基づいたさらに他の実施の形態における微細構造体の形成方法に用いるマスクの製造工程を示す第２図（断面図）である。
【図１９】本発明に基づいたさらに他の実施の形態における微細構造体の形成方法に用いるマスクの製造工程を示す第３図（断面図）である。
【図２０】本発明に基づいたさらに他の実施の形態における微細構造体の形成方法に用いるマスクの製造工程を示す第４図（断面図）である。
【図２１】本発明に基づいたさらに他の実施の形態における微細構造体の形成方法に用いるマスクの製造工程を示す第５図（断面図）である。
【図２２】本発明に基づいたさらに他の実施の形態における微細構造体の形成方法に用いるマスクの製造工程を示す第６図（断面図）である。
【図２３】本発明に基づいたさらに他の実施の形態における微細構造体の形成方法に用いるマスクの製造工程を示す第７図（断面図）である。
【図２４】本発明に基づいたさらに他の実施の形態における微細構造体の形成方法に用いるマスクの製造工程を示す第８図（断面図）である。
【符号の説明】
【００４４】
１  基板、２  レジスト膜、２ａ  鋳型、３  微細構造体、１００  第１露光マスク、１０１，２０１，４０１，５０１  シリコン（Ｓｉ）基板、１０２，２０２，４０２，５０２  窒化シリコン（ＳｉＮ）膜、１０３，２０３，４０３，４０６，５０３，５０６  アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）膜、１０４，４０４，５０４  窒化タングステン（ＷＮ）膜、１０５，４０５，４０８，５０５，５０８，５０９  アルミ（Ａｌ）膜、２００  第２露光マスク、３００，４００，６００  露光マスク、４０７，５０７  チタン（Ｔｉ）膜、５００，７００  レジスト基板、５００Ａ，７００Ａ  レジスト構造体、ｄ１，ｄ２  露光領域、ｈ１  第１透過領域（開口領域）、ｈ２  第２透過領域（開口領域）、ｈ３  第３透過領域（開口領域）、ｒ１  第１領域、ｒ２  第２領域、ｒ３  第３領域、Ｒ，Ｒ１，Ｒ２  露光光、ｓ１，ｓ２  遮光領域。
【図１】
2006189581.tif 000003
【図２】
2006189581.tif 000004
【図３】
2006189581.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2006189581.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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