(57)【要約】【課題】  フリップチップ構造を具えた発光ダイオード装置の提供。【解決手段】  絶縁基板、発光ダイオードフリップチップ構造、封止樹脂、第１導電装置及び第２導電装置を具えている。本発明はダイオードフリップチップ構造の特色を利用し、それを第１導電装置と第２導電装置を通して、Ｐ型電極とＰ型電極層の間、及び、Ｎ型電極とＮ型電極層の間に電気的接続を形成する。本発明は伝統的なワイヤボンディングのステップを省略し、生産効率を高めるだけでなく、製品サイズのマイクロ化を達成する。【選択図】        図３
2006245156.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フリップチップ構造を具えた発光ダイオード装置において、絶縁基板、第１導電装置、第２導電装置、発光ダイオードフリップチップ構造、封止樹脂、を具え、
該絶縁基板は二側端、上表面、下表面、Ｐ型電極層及びＮ型電極層を具え、各電極層は絶縁基板の二側端面に設置され、並びに絶縁基板の上表面と下表面の一部分まで上下に延伸され、
該第１導電装置はＮ型電極層の上方に位置し、
該第２導電装置はＰ型電極層の上方に位置し、
該発光ダイオードフリップチップ構造は第１導電装置と第２導電装置の上方に形成され、Ｐ型電極とＮ型電極を具え、
該封止樹脂は発光ダイオードフリップチップ構造、第１導電装置、及び第２導電装置を被覆し、
該発光ダイオードフリップチップ構造は第１導電装置と第２導電装置を通して、Ｐ型電極とＰ型電極層の間とＮ型電極とＮ型電極層の間に電気的接続を形成することを特徴とする、フリップチップ構造を具えた発光ダイオード装置。
【請求項２】
請求項１記載のフリップチップ構造を具えた発光ダイオード装置において、該発光ダイオードフリップチップ構造は、透明基板、光発射層、透明導電膜、Ｎ型オームコンタクト層、多層膜光反射層を具え、
該発光ダイオードフリップチップ構造の発光方向が該透明基板を通って外界に射出されるものとされ、
該光発射層は、該透明基板の上に形成され、該光発射層の構造は、下から上に、核生成層、Ｎ型窒化ガリウムクラッド層、窒化インジウムガリウム多重量子井戸、及びＰ型窒化ガリウムクラッド層を具え、
該透明導電膜は、該光発射層の上方に形成され、Ｐ型電極が該透明導電膜の上方に形成され、
該Ｎ型オームコンタクト層は、該Ｎ型窒化ガリウムクラッド層の上方に形成され、Ｎ型電極が該Ｎ型オームコンタクト層の上方に形成され、
該多層膜光反射層は、二種類の異なる屈折係数の材料が連続して交錯するように堆積されてなりＮ型窒化ガリウムクラッド層と透明導電膜の上方を被覆し、Ｐ型電極の一部分と接触し、並びにＮ型電極とＮ型オームコンタクト層の一部分と接触することを特徴とする、フリップチップ構造を具えた発光ダイオード装置。
【請求項３】
請求項１記載のフリップチップ構造を具えた発光ダイオード装置において、絶縁基板がプリント回路板とされたことを特徴とする、フリップチップ構造を具えた発光ダイオード装置。
【請求項４】
請求項１記載のフリップチップ構造を具えた発光ダイオード装置において、導電装置が銀ペースト、錫ペースト、金ボール、錫ボールのいずれかとされたことを特徴とする、フリップチップ構造を具えた発光ダイオード装置。
【請求項５】
フリップチップ構造を具えた発光ダイオード装置の製造方法において、
（ａ）二側端、上表面、下表面を具え、二側端面にＰ型電極層及びＮ型電極層が該上表面と該下表面の一部分まで上下に延伸されるよう形成された絶縁基板を提供するステップ  （ｂ）第１導電装置をＰ型電極層の上方に置き、第２導電装置をＮ型電極層の上方に置くステップ
（ｃ）Ｐ型電極とＮ型電極を具えた発光ダイオードフリップチップ構造を第１導電装置と第２導電装置の上方に設置し、並びにＰ型電極により第１導電装置と接触させ、Ｎ型電極により第２導電装置と接触させるステップ
（ｄ）第１導電装置と第２導電装置をベークするステップ
（ｅ）封止樹脂を注入して発光ダイオードフリップチップ構造、第１導電装置、第２導電装置を被覆し、更に封止樹脂をベークするステップ
以上の（ａ）から（ｅ）のステップを具えたことを特徴とする、フリップチップ構造を具えた発光ダイオード装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載のフリップチップ構造を具えた発光ダイオード装置の製造方法において、絶縁基板の材料は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン（ＢＴ樹脂）、フェノール樹脂、四フッ化樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、シアン化エステル樹脂、或いはポリオレフィン樹脂のいずれかとされたことを特徴とする、フリップチップ構造を具えた発光ダイオード装置の製造方法。
【請求項７】
請求項５記載のフリップチップ構造を具えた発光ダイオード装置の製造方法において、封止樹脂の材料が透明樹脂、エポキシ樹脂、半透明エポキシ樹脂のいずれかとされたことを特徴とする、フリップチップ構造を具えた発光ダイオード装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は発光ダイオード（ＬＥＤ）装置に係り、特に、フリップチップ構造を具えた発光ダイオード装置とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１は周知の表面実装デバイス（ＳＭＤ）発光ダイオード装置の構造図である。
【０００３】
一般に周知のＳＭＤ発光ダイオード装置のパッケージ方法によると、発光ダイオードダイ（Ｄｉｅ）１３をパッケージ基板（ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）１１上に接着し、別にダイ１３上の正負の電極（ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）を金線或いはアルミ線でそれぞれパッケージ基板の正、負極１１１、１１２に接続する。更に、透明樹脂１４でダイ１３と金線１２を被覆し、外界と隔離し、僅かに電源外接時に必要な金属パッド或いはピン１１１、１１２のみ保留する。そのうち、発光ダイオードダイ１３の最上層は鈍化保護層１３３とされる。
【０００４】
一般に周知のＳＭＤ発光ダイオード装置はいずれもワイヤボンディングの工程を必要とし、並びにその厚さ（図１中ＡからＡ’の距離）は０．６ｍｍにも達し、生産効率が下がるだけでなく、ワイヤボンディングの空間が浪費を形成し、サイズのマイクロ化に十分不利である。
【０００５】
図２はもう一つの周知の発光ダイオード装置の構造図である。この周知の表面実装可能で並びにフリップチップパッケージ構造を具えた発光ダイオード装置２００は特許文献１に記載されている。発光ダイオード装置２００は二つの部分を具え、その一つはフリップチップ構造を具えた発光ダイオード２１０であり、もう一つは発光ダイオード２１０が取り付けられる絶縁基板２２０である。この発光ダイオード装置２００は第１ソルダー部２１１と第２ソルダー部２１２により、ソルダー方式を利用し、発光ダイオード２１０の表面が絶縁基板２２０の第１電極層２２１と第２電極層２２２に接合される。発光ダイオード装置２００の発光ダイオード２１０はフリップチップ構造を具え、良好な輝度を有する。このほか、発光ダイオード２１０は表面実装技術で絶縁基板２２０に実装され、ゆえに伝統的な発光ダイオード装置のパッケージ工程中のワイヤボンディングの工程を省略できる。
【０００６】
しかし、発光ダイオード装置２００は独立金属反射層２１３、２１４と、オームコンタクト層（図示せず）が別個に形成され、最後に鈍化保護層（図示せず）の形成を必要とする。このような製造工程は複雑であり、製造時間が長い。また、発光ダイオード装置２００は一般に周知の技術に較べればマイクロ化を達成できるものの、効果は有限である。
【０００７】
このため、周知の発光ダイオード装置に対して製造コストを下げることができ、生産効率を高めることができ、厚さを減らせ、更には発光輝度を高めることができる発光ダイオード装置を提供することが必要である。
【０００８】
【特許文献１】台湾特許第５４８８５７号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は上述の伝統的な発光ダイオード装置の欠点を克服する。本発明の主要な目的は、一種のフリップチップ構造を具えた発光ダイオード装置を提供することにあり、それは、絶縁基板、発光ダイオードフリップチップ構造、封止樹脂、第１導電装置及び第２導電装置を具えている。絶縁基板は二側端、上表面、下表面、Ｐ型電極層及びＮ型電極層を具え、各電極層は絶縁基板の二側端面に設置され、並びに絶縁基板の上表面と下表面の一部分まで上下に延伸される。第１導電装置はＮ型電極層の上方に位置し、第２導電装置はＰ型電極層の上方に位置する。
【００１０】
発光ダイオードフリップチップ構造は第１導電装置と第２導電装置の上方に形成され、Ｐ型電極とＮ型電極を共に具えている。封止樹脂は発光ダイオードフリップチップ構造、第１導電装置、及び第２導電装置を被覆する。そのうち、発光ダイオードフリップチップ構造は第１導電装置と第２導電装置を通して、Ｐ型電極とＰ型電極層の間とＮ型電極とＮ型電極層の間に電気的接続を形成する。
【００１１】
本発明のもう一つの目的は、一種のフリップチップ構造を具えた発光ダイオード装置の製造方法を提供することにある。この方法は以下の（ａ）から（ｅ）のステップを具えている。
（ａ）二側端、上表面、下表面を具え、二側端面にＰ型電極層及びＮ型電極層が形成され、並びに該Ｐ型電極層及び該Ｎ型電極層が該上表面と該下表面の一部分まで上下に延伸された絶縁基板を提供する。
（ｂ）第１導電装置をＰ型電極層の上方に置き、第２導電装置をＮ型電極層の上方に置く。
（ｃ）Ｐ型電極とＮ型電極を具えた発光ダイオードフリップチップ構造を第１導電装置と第２導電装置の上方に設置し、Ｐ型電極により第１導電装置と接触させ、Ｎ型電極により第２導電装置と接触させる。
（ｄ）第１導電装置と第２導電装置をベークする。
（ｅ）封止樹脂を注入して発光ダイオードフリップチップ構造、第１導電装置、第２導電装置を被覆し、更に封止樹脂をベークする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
請求項１の発明は、フリップチップ構造を具えた発光ダイオード装置において、絶縁基板、第１導電装置、第２導電装置、発光ダイオードフリップチップ構造、封止樹脂、を具え、
該絶縁基板は二側端、上表面、下表面、Ｐ型電極層及びＮ型電極層を具え、各電極層は絶縁基板の二側端面に設置され、並びに絶縁基板の上表面と下表面の一部分まで上下に延伸され、
該第１導電装置はＮ型電極層の上方に位置し、
該第２導電装置はＰ型電極層の上方に位置し、
該発光ダイオードフリップチップ構造は第１導電装置と第２導電装置の上方に形成され、Ｐ型電極とＮ型電極を具え、
該封止樹脂は発光ダイオードフリップチップ構造、第１導電装置、及び第２導電装置を被覆し、
該発光ダイオードフリップチップ構造は第１導電装置と第２導電装置を通して、Ｐ型電極とＰ型電極層の間とＮ型電極とＮ型電極層の間に電気的接続を形成することを特徴とする、フリップチップ構造を具えた発光ダイオード装置としている。
請求項２の発明は、請求項１記載のフリップチップ構造を具えた発光ダイオード装置において、該発光ダイオードフリップチップ構造は、透明基板、光発射層、透明導電膜、Ｎ型オームコンタクト層、多層膜光反射層を具え、
該発光ダイオードフリップチップ構造の発光方向が該透明基板を通って外界に射出されるものとされ、
該光発射層は、該透明基板の上に形成され、該光発射層の構造は、下から上に、核生成層、Ｎ型窒化ガリウムクラッド層、窒化インジウムガリウム多重量子井戸、及びＰ型窒化ガリウムクラッド層を具え、
該透明導電膜は、該光発射層の上方に形成され、Ｐ型電極が該透明導電膜の上方に形成され、
該Ｎ型オームコンタクト層は、該Ｎ型窒化ガリウムクラッド層の上方に形成され、Ｎ型電極が該Ｎ型オームコンタクト層の上方に形成され、
該多層膜光反射層は、二種類の異なる屈折係数の材料が連続して交錯するように堆積されてなりＮ型窒化ガリウムクラッド層と透明導電膜の上方を被覆し、Ｐ型電極の一部分と接触し、並びにＮ型電極とＮ型オームコンタクト層の一部分と接触することを特徴とする、フリップチップ構造を具えた発光ダイオード装置としている。
請求項３の発明は、請求項１記載のフリップチップ構造を具えた発光ダイオード装置において、絶縁基板がプリント回路板とされたことを特徴とする、フリップチップ構造を具えた発光ダイオード装置としている。
請求項４の発明は、請求項１記載のフリップチップ構造を具えた発光ダイオード装置において、導電装置が銀ペースト、錫ペースト、金ボール、錫ボールのいずれかとされたことを特徴とする、フリップチップ構造を具えた発光ダイオード装置としている。
請求項５の発明は、フリップチップ構造を具えた発光ダイオード装置の製造方法において、
（ａ）二側端、上表面、下表面を具え、二側端面にＰ型電極層及びＮ型電極層が該上表面と該下表面の一部分まで上下に延伸されるよう形成された絶縁基板を提供するステップ  （ｂ）第１導電装置をＰ型電極層の上方に置き、第２導電装置をＮ型電極層の上方に置くステップ
（ｃ）Ｐ型電極とＮ型電極を具えた発光ダイオードフリップチップ構造を第１導電装置と第２導電装置の上方に設置し、並びにＰ型電極により第１導電装置と接触させ、Ｎ型電極により第２導電装置と接触させるステップ
（ｄ）第１導電装置と第２導電装置をベークするステップ
（ｅ）封止樹脂を注入して発光ダイオードフリップチップ構造、第１導電装置、第２導電装置を被覆し、更に封止樹脂をベークするステップ
以上の（ａ）から（ｅ）のステップを具えたことを特徴とする、フリップチップ構造を具えた発光ダイオード装置の製造方法としている。
請求項６の発明は、請求項５記載のフリップチップ構造を具えた発光ダイオード装置の製造方法において、絶縁基板の材料は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン（ＢＴ樹脂）、フェノール樹脂、四フッ化樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、シアン化エステル樹脂、或いはポリオレフィン樹脂のいずれかとされたことを特徴とする、フリップチップ構造を具えた発光ダイオード装置の製造方法としている。
請求項７の発明は、請求項５記載のフリップチップ構造を具えた発光ダイオード装置の製造方法において、封止樹脂の材料が透明樹脂、エポキシ樹脂、半透明エポキシ樹脂のいずれかとされたことを特徴とする、フリップチップ構造を具えた発光ダイオード装置の製造方法としている。
【発明の効果】
【００１３】
本発明は伝統的なワイヤボンディングのステップを省略し、生産効率を高めるだけでなく、製品サイズのマイクロ化を達成する。
【００１４】
本発明の主要な特徴は、製造工程中のワイヤボンディングのステップを省略でき、これによりワイヤボンディングの空間を節約でき、本発明の発光ダイオード装置を、同規格の製品と較べて厚さを半分以上減らす。このほか、発光ダイオードフリップチップ構造中の多層反射層を大幅に増加して発光輝度を増し、且つ保護層作用の長所を具備させ、ゆえに発光ダイオードフリップチップ構造製造の過程中に、鈍化保護層の形成ステップを省略できる。これにより、本発明は製造コストを減らし、生産効率を高め、製品マイクロ化の長所を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
図３は本発明のフリップチップ構造を具えた発光ダイオード装置の構造表示図である。図３に示されるように、フリップチップ構造を具えた発光ダイオード装置３００は、絶縁基板３１、発光ダイオードフリップチップ構造３３、封止樹脂３４、第１導電装置３２１、第２導電装置３２２を具えている。絶縁基板３１は、二側端３１５、３１６、上表面３１３、下表面３１４、Ｐ型電極層３１１及びＮ型電極層３１２を具え、各電極層は絶縁基板３１の二側端面に設置され、並びに絶縁基板３１の上表面３１３と下表面３１４の一部分まで上下に延伸される。Ｐ型電極層３１１及びＮ型電極層３１２は電源外接時のピンとされうる。
【００１６】
第１導電装置３２１はＰ型電極層３１１の上方に位置し、第２導電装置３２２はＮ型電極層３１２の上方に位置する。
【００１７】
発光ダイオードフリップチップ構造３３は第１導電装置３２１と第２導電装置３２２の上方に形成され、Ｐ型電極３３１とＮ型電極３３２を共に具えている。発光ダイオードフリップチップ構造３３は第１導電装置３２１と第２導電装置３２２により、Ｐ型電極３３１とＰ型電極層３１１の間及びＮ型電極３３２とＮ型電極層３１２の間に電気的接続を形成する。本発明によると、伝統的なワイヤボンディング方式の代わりに第１導電装置３２１、第２導電装置３２２により発光ダイオードフリップチップ構造３３を固定するため、ワイヤボンディングのステップを省略して製造速度を高めるだけでなく、生産コストを減らすことができる。第１導電装置３２１、第２導電装置３２２は粘状導電物質とされ、加熱後に硬化し、銀ペースト、錫ペースト、金ボール、錫ボール等が包含される。
【００１８】
最後に、封止樹脂３４はモールド成形され、発光ダイオードフリップチップ構造３３、第１導電装置３２１及び第２導電装置３２２を被覆し、上述の装置を外力による侵害、酸化より保護する。
【００１９】
本発明は伝統的なワイヤボンディング方式を放棄し、これにより発光ダイオード装置３００は多くの伝統的なワイヤボンディングの空間を節約できる。伝統的なＳＭＤパッケージ方式で製造された発光ダイオード装置の厚さは、一般的な規格で０．６ｍｍである。本発明の発光ダイオード装置の厚さ（ＢからＢ’の距離）は０．２５ｍｍより小さく、厚さが超薄で、マイクロ化モジュールに応用されうる。
【００２０】
発光ダイオードフリップチップ構造３３は、図４に示されるように、その最下層が透明基板３３３とされる。本発明はその光発射方向が基板を通り外界に発射されるものとされるため、透光性が良好な材料で基板が製造される必要がある。一般に透光性で窒化ガリウムエピタキシャル層の形成に適合する材料はサファイヤ製の透明基板３３３である。
【００２１】
基板３３３の上は厚さ範囲が２００−５００Åの低温窒化ガリウムの核生成層（ｎｕｃｌｅａｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）３３４とされ、その上は厚さ２−５μｍのＮ型窒化ガリウムクラッド層３３５とされ、Ｎ型窒化ガリウムクラッド層３３５の上は厚さ０．０５−０．０７μｍの窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）多重量子井戸（ｍｕｌｔｉｐｌｅ
ｑｕａｎｔｕｍ  ｗｅｌｌ）３３６とされ、窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ）多重量子井戸（ｍｕｌｔｉｐｌｅ  ｑｕａｎｔｕｍ  ｗｅｌｌ）３３６の上は厚さが０．１−０．７μｍのＰ型窒化ガリウムクラッド層３３７とされる。
【００２２】
基板３３３の上の核生成層３３４、Ｎ型窒化ガリウムクラッド層３３５、窒化インジウムガリウム多重量子井戸３３６とＰ型窒化ガリウムクラッド層３３７が光発射層４０を形成する。
【００２３】
Ｐ型窒化ガリウムクラッド層３３７に透明導電膜（ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｌａｙｅｒ；ＴＣＬ）３３８が設けられ、本発明で使用する材料は一般に用いられているＮｉ／Ａｕとされ、並びに高温（摂氏５００−５５０度）でアニールして形成される。
【００２４】
Ｎ型窒化ガリウムクラッド層３３５の上はＮ型オームコンタクト層３３０である。その後、透明導電膜３３８、Ｎ型窒化ガリウムクラッド層３３５とＮ型オームコンタクト層３３０の上が多層膜光反射層３３９で被覆され、光は光発射層４０より非同一方向に発射後、発光ダイオードフリップチップ構造３３がもともと正面方向の光線を多層膜光反射層３３９で透明基板に向けて反射し、この多層膜光反射層３３９は二種類の高い屈折率（Ｈ）と低い屈折率（Ｌ）の媒体材料対であり、各層の工学厚さは４分の１波長（１／４）λであり、（ＨＬ）（ＨＬ）（ＨＬ）・・・（ＨＬ）Ｈのように連続して交替するよう堆積されることにより、良好な反射率を獲得する。その多層膜光反射層の厚さは（λ／４）×（２×Ｎ＋１）とされ、そのうちλは発光ダイオードの波長、Ｎは（ＨＬ）対の数であって５〜１５対とされる。これにより、多層膜光反射層の厚さは（１１／４）λ〜（３１／４）λとされる。本発明の多層膜光反射層３３９の材料はＴｉＯ2 ／ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 ／ＳｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 ／ＳｉＯ2 等とされる。
【００２５】
最後に、透明導電膜３３８とＮ型オームコンタクト層３３０の上方がそれぞれＰ型電極３３１とＮ型電極３３２とされ、多層膜光反射層３３９とＰ型電極３３１の一部が接触し、並びにＮ型電極３３２とＮ型オームコンタクト層３３０の一部が接触する。
【００２６】
本発明によると、多層膜光反射層３３９はもともと透明導電膜３３８に向かう光を透明基板３３３部分に反射し、これにもともと透明基板３３３に向けて発射される光が加わることにより、大幅に発光ダイオードの輝度が高められる。
【００２７】
図５から図８は本発明の発光ダイオード装置３００の製造方法を説明する。まず、絶縁基板３１を提供する。それは二側端３１５、３１６、上表面３１３、下表面３１４を具えている。並びに絶縁基板３１の二側端３１５、３１６面にＰ型電極層３１１及びＮ型電極層３１２を形成し、並びにＰ型電極層３１１とＮ型電極層３１２を該絶縁基板３１の該上表面３１３と該下表面３１４の一部分まで上下に延伸する。これは図５に示されるとおりである。絶縁基板３１の材料は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン（ＢＴ樹脂）、或いはフェノール樹脂、四フッ化樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、シアン化エステル樹脂、或いはポリオレフィン樹脂等とされる。
【００２８】
続いて、第１導電装置３２１がＰ型電極層３１１の上方に置かれ、第２導電装置３２２がＮ型電極層３１２の上方に置かれる。導電装置の設置の方式は導電装置自身の材料特性により異なる。もし導電装置が銀ペーストであれば、エポキシディスペンサー（ｅｐｏｘｙ  ｄｉｓｐｅｎｓｅｒ）で銀ペーストを配設する。もし導電装置が錫ペーストであれば、先にマスクで錫ペーストをコーティングする領域を画定し、さらにコーター（ｃｏａｔｅｒ）で錫ペーストをコーティングする。もし、導電装置が金ボール或いは錫ボールであれば、バンプ形成装置を利用して接合し、これは図６に示されるとおりである。
【００２９】
次のステップでは、発光ダイオードフリップチップ構造３３（図３参照）を第１導電装置３２１と第２導電装置３２２の上方に設置する。発光ダイオードフリップチップ構造３３はＰ型電極３３１を利用し第１導電装置３２１に接触させ、Ｎ型電極３３２を利用して第２導電装置３２２に接触させ、これは図７に示されるとおりである。
【００３０】
その後、第１導電装置３２１と第２導電装置３２２をベークする。導電装置のベークの目的は、それを硬化させて発光ダイオードフリップチップ構造３３を固定し、並びに発光ダイオードフリップチップ構造３３に、第１導電装置３２１と第２導電装置３２２によりＰ型電極３３１とＰ型電極層３１１の間及びＮ型電極３３２とＮ型電極層３１２の間にあって電気的接続を形成させることにある。
【００３１】
最後に、封止樹脂３４を注入し、発光ダイオードフリップチップ構造３３、第１導電装置３２１及び第２導電装置３２２を被覆し、さらに封止樹脂３４をベークして全体のモジュールを固定し、これは図８に示されるとおりである。封止樹脂３４にはモールド化合物（ｍｏｌｄｉｎｇ  ｃｏｍｐｏｕｎｄ）、例えば、エポキシ樹脂或いは透明樹脂或いは半透明エポキシ樹脂を使用する。
【００３２】
上述の製造方法の最大の特色はワイヤボンディングのステップを省略したことにあり、これによりワイヤボンディングの空間を節約し、本発明による発光ダイオード装置を同規格の周知の製品より半分以上も厚さを縮小できる。また、発光ダイオードフリップチップ構造中の多層膜光反射層が保護層作用も具備する長所により、鈍化保護層形成のステップを省略できる。これにより、全体として、本発明は製造が簡便で、製造時間が短く、製造コストを節約でき、生産効率を高め、製品厚さを減らし、並びに発光輝度を高めた発光ダイオード装置を提供できる。
【００３３】
以上は本発明の好ましい実施例の説明であって、本発明の範囲を限定するものではなく、本発明に基づきなしうる細部の修飾或いは改変は、いずれも本発明の請求範囲に属するものとする。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】周知の表面実装デバイス（ＳＭＤ）発光ダイオード装置の構造図である。
【図２】もう一つの周知の発光ダイオード装置の構造図である。
【図３】本発明のフリップチップ構造を具えた発光ダイオード装置の構造表示図である。
【図４】本発明の発光ダイオード装置のフリップチップ構造の断面構造図である。
【図５】図３の発光ダイオード装置の製造方法のステップ表示図である。
【図６】図３の発光ダイオード装置の製造方法のステップ表示図である。
【図７】図３の発光ダイオード装置の製造方法のステップ表示図である。
【図８】図３の発光ダイオード装置の製造方法のステップ表示図である。
【符号の説明】
【００３５】
１１  パッケージ基板          １２  金線
１１１  正電極                １１２  負電極
１３  ダイ                    １３１  正電極
１３２  負電極                １３３  鈍化保護層
１４  透明樹脂                ２００  発光ダイオード装置
２１０  発光ダイオード        ２２０  絶縁基板
２１１  第１ソルダー部        ２１２  第２ソルダー部
２２１  第１電極層            ２２２  第２電極層
２１３、２１４  独立金属反射層
３００  発光ダイオード装置    ３１  絶縁基板
３２１  第１導電装置          ３２２  第２導電装置
３３  発光ダイオードフリップチップ構造
３４  封止樹脂
３１１  Ｐ型電極層            ３１２  Ｎ型電極層
３１３  上表面                ３１４  下表面
３１５、３１６  側端          ３３０  Ｎ型オームコンタクト層
３３１  Ｐ型電極              ３３２  Ｎ型電極
３３３  基板                  ３３４  核生成層
３３５  Ｎ型窒化ガリウムクラッド層
３３６  窒化インジウムガリウム多重量子井戸
３３７  Ｐ型窒化ガリウムクラッド層
３３８  透明導電膜
３３９  多層膜光反射層
４０  光発射層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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