(57)【要約】【課題】鉛を含まない接合材料を用いて、半導体素子の表面電極に配線用導体を面接合させるとともに、半導体素子を高い位置精度で導体基板に接合すること。【解決手段】半導体素子１４の表面電極と配線用導体１６が金属微粒子の焼結体１７を介して接合され、半導体素子１４の裏面電極と導体基板１２が鉛フリーはんだ材料１５を介して接合された半導体装置を製造するにあたって、まず、半導体素子１４の表面電極と配線用導体１６を、金属微粒子を含むペーストを介して貼り合わせ、加熱して金属微粒子を焼結させることにより接合する。その後、半導体素子１４の裏面電極と導体基板１２を鉛フリーはんだペーストを介して貼り合わせ、加熱してはんだ接合する。【選択図】        図２
2006269682.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子の裏面電極と導体基板が金属微粒子の焼結体を介して接合され、前記半導体素子の表面電極と配線用導体がはんだ材料を介して接合されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体素子の表面電極と配線用導体が金属微粒子の焼結体を介して接合され、前記半導体素子の裏面電極と導体基板がはんだ材料を介して接合されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
半導体素子の裏面電極と導体基板、および前記半導体素子の表面電極と配線用導体が、ともに金属微粒子の焼結体を介して接合されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
半導体素子の表面電極と配線用導体がはんだ材料を介して接合され、前記半導体素子の裏面電極と、絶縁基板の表面に設けられた導体基板が金属微粒子の焼結体を介して接合され、前記絶縁基板の裏面に設けられた熱伝導体と熱伝導部材がはんだ材料を介して接合されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
半導体素子の表面電極と配線用導体が金属微粒子の焼結体を介して接合され、前記半導体素子の裏面電極と、絶縁基板の表面に設けられた導体基板がはんだ材料を介して接合され、前記絶縁基板の裏面に設けられた熱伝導体と熱伝導部材がはんだ材料を介して接合されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
前記金属微粒子は、前記はんだ材料の溶融温度よりも高い耐熱性を有するＡｇ、ＣｕおよびＮｉのうちの１または２以上の金属を含む合金よりなることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記はんだ材料は、鉛を含まないＳｎＡｇ系、ＳｎＳｂ系またはＳｎＣｕ系のはんだ材料であることを特徴とする請求項１、２、４または５に記載の半導体装置。
【請求項８】
半導体素子の裏面電極と導体基板が金属微粒子の焼結体を介して接合され、前記半導体素子の表面電極と配線用導体がはんだ材料を介して接合された半導体装置を製造するにあたって、
前記裏面電極と前記導体基板を、金属微粒子を含むペーストを介して貼り合わせ、加熱して前記金属微粒子を焼結させることにより接合した後に、前記表面電極と前記配線用導体をはんだ材料を介して貼り合わせ、加熱して接合することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
半導体素子の表面電極と配線用導体が金属微粒子の焼結体を介して接合され、前記半導体素子の裏面電極と導体基板がはんだ材料を介して接合された半導体装置を製造するにあたって、
前記表面電極と前記配線用導体を、金属微粒子を含むペーストを介して貼り合わせ、加熱して前記金属微粒子を焼結させることにより接合した後に、前記裏面電極と前記導体基板をはんだ材料を介して貼り合わせ、加熱して接合することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
半導体素子の裏面電極と導体基板、および前記半導体素子の表面電極と配線用導体が、ともに金属微粒子の焼結体を介して接合された半導体装置を製造するにあたって、
前記裏面電極と前記導体基板、および前記表面電極と配線用導体を、それぞれ金属微粒子を含むペーストを介して貼り合わせ、加熱して前記金属微粒子を焼結させることにより接合することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
半導体素子の表面電極と配線用導体がはんだ材料を介して接合され、前記半導体素子の裏面電極と、絶縁基板の表面に設けられた導体基板が金属微粒子の焼結体を介して接合され、前記絶縁基板の裏面に設けられた熱伝導体と熱伝導部材がはんだ材料を介して接合された半導体装置を製造するにあたって、
前記裏面電極と前記導体基板を、金属微粒子を含むペーストを介して貼り合わせ、加熱して前記金属微粒子を焼結させることにより接合した後に、前記表面電極と前記配線用導体、および前記熱伝導体と前記熱伝導部材を、それぞれはんだ材料を介して貼り合わせ、加熱して接合することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
半導体素子の表面電極と配線用導体が金属微粒子の焼結体を介して接合され、前記半導体素子の裏面電極と、絶縁基板の表面に設けられた導体基板がはんだ材料を介して接合され、前記絶縁基板の裏面に設けられた熱伝導体と熱伝導部材がはんだ材料を介して接合された半導体装置を製造するにあたって、
前記表面電極と前記配線用導体を、金属微粒子を含むペーストを介して貼り合わせ、加熱して前記金属微粒子を焼結させることにより接合した後に、前記裏面電極と前記導体基板、および前記熱伝導体と前記熱伝導部材を、それぞれはんだ材料を介して貼り合わせ、加熱して接合することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記金属微粒子は、前記はんだ材料の溶融温度よりも高い耐熱性を有するＡｇ、ＣｕおよびＮｉのうちの１または２以上の金属を含む合金よりなることを特徴とする請求項８〜１２のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記はんだ材料は、鉛を含まないＳｎＡｇ系、ＳｎＳｂ系またはＳｎＣｕ系のはんだ材料であることを特徴とする請求項８、９、１１または１２に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、特に半導体素子の表面電極および裏面電極にそれぞれ配線用導体および導体基板を面接合させる接合技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置を構成する部材同士の接合部には、信頼性、導電性および熱伝導性が要求される。図１１は、従来のパワー半導体装置の要部を示す正面図である。図１１において、符号１は、その表面に電気回路を兼ねる導体基板２が接合され、かつその裏面に図示しない冷却部材への熱伝導を担う熱伝導体３が接合された絶縁基板である。
【０００３】
従来は、この導体基板２の表面に半導体素子４の裏面電極（図示省略）がはんだ材料５を用いて接合されている。半導体素子４の表面電極（図示省略）は、ボンディングワイヤ６を介して導体基板２に電気的に接続されている。また、熱伝導体３と図示しない冷却部材との接合にもはんだ材料が用いられている。
【０００４】
半導体素子４は、通電時に熱を発生する。そして、半導体素子４と導体基板２の接合部が面接合であるため、その接合部には大きな熱ひずみが発生する。それによって、その接合部を構成するはんだ材料は、過酷な使用環境下に置かれることになるので、そのはんだ材料には、高熱伝導性と熱疲労強度に優れた特性が要求される。そのような特性を備えたはんだ材料として、従来、鉛入りの高温はんだ材料（溶融点２９０℃）が使用されている。
【０００５】
しかし、近時、環境上の配慮から、鉛を含まない（鉛フリー）はんだ材料を用いることが要求されている。この温度に対応可能な鉛フリーはんだ材料としてＡｕ−Ｓｎ合金があるが、高価であるため、実用的ではない。実用性の点から、鉛フリーはんだ材料としてＳｎＡｇはんだ材料（溶融点２２０℃）が適当である。
【０００６】
ところで、一般的なはんだ材料に代えて、金属の微粒子を用いた接合技術が公知である。例えば、多数の電極を有する電極配設基体の電極と、他の基体に設けた電極との接合に、平均直径が１００ｎｍ程度以下の金属核の周囲を有機物で結合・被覆することによって生成した複合型金属ナノ粒子を主材とする接合材料を用いることが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００７】
また、２つ以上の部材を、金属の焼結組織からなる金属焼結部を含む接合部でもって接合することが提案されている（例えば、特許文献２参照。）。これらはいずれも、金属微粒子のサイズが１００ｎｍ以下であれば、金属微粒子同士を互いに接触させた状態で２５０℃程度以下の温度で焼成することにより、金属微粒子の集合体が焼結して、被接合部材同士を接合することができるということを利用している。
【０００８】
【特許文献１】特開２００４−１２８３５７号公報
【特許文献２】特開２００４−１３０３７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
近時、半導体パッケージの小型化、半導体素子の面積低減化に伴い、電流密度の増加が望まれている。また、半導体基板と導体基板の接合部の熱疲労信頼性および熱伝導性の一層の向上が望まれている。一方、従来のワイヤボンディング技術では、負荷電流レベルの限界にきており、パワーサイクル寿命の点でも、ボンディングワイヤと半導体素子の接合部の熱疲労が一層、厳しいものとなっている。これらの対策として、半導体素子の表面の電流密度を均一化して温度分布の均一化を図るとともに、半導体素子の裏面側に加えて表面側からも熱を逃がす構造として、半導体素子の表面電極に配線用導体を面接合させてその接合面積を大きくすることが考えられる。
【００１０】
この場合、半導体素子の表面電極と配線用導体の接合、および半導体素子の裏面電極と導体基板の接合にはんだ材料を用いることが考えられる。しかし、両接合部にＳｎＡｇ系はんだ材料を用いると、ＳｎＡｇ系はんだ材料の接合作業温度である２５０℃に加熱して接合する際、半導体素子の上下ではんだ材料が同時に溶融する。そのため、はんだの表面張力によって半導体素子が回転するなど動いてしまい、半導体素子の接合位置の精度が低くなるという問題点がある。
【００１１】
この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、鉛を含まない接合材料により、半導体素子の表面電極に配線用導体が面接合され、かつ半導体素子が高い位置精度で導体基板に接合された半導体装置を提供することを目的とする。また、この発明は、鉛を含まない接合材料を用いて、半導体素子の表面電極に配線用導体を面接合させるとともに、半導体素子を高い位置精度で導体基板に接合させることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上述した課題を解決し、目的を達成するため、請求項１の発明にかかる半導体装置は、半導体素子の裏面電極と導体基板が金属微粒子の焼結体を介して接合され、前記半導体素子の表面電極と配線用導体がはんだ材料を介して接合されていることを特徴とする。この請求項１の発明によれば、金属を微粒子にすることによって、金属微粒子の表面エネルギーが増加し、金属微粒子が活性化する。それによって、例えば純Ａｇの溶融温度が９６０℃であるにもかかわらず、焼結開始温度が低下する。例えばＡｇ微粒子の場合、そのサイズが１００ｎｍ以下であれば、２５０℃付近以下の温度で焼結される。
【００１３】
その焼結によってできた金属微粒子の焼結体が被接合面に接合された状態では、その焼結体の溶融点は金属本来の溶融点となる。金属本来の溶融点は、鉛フリーはんだ材料の溶融点よりも高い。従って、焼結体は、高い耐熱性を有することになる。以上の理由により、半導体素子の裏面電極と導体基板を、金属微粒子を含むペースト（以下、金属微粒子ペーストとする）を用いて接合した後に、半導体素子の表面電極と配線用導体を鉛フリーはんだ材料を用いて接合するようにすれば、半導体素子の表面電極と配線用導体を接合する際に半導体素子が動くのを抑制することができる。従って、半導体素子の接合位置精度の高い半導体装置が得られる。
【００１４】
また、請求項２の発明にかかる半導体装置は、半導体素子の表面電極と配線用導体が金属微粒子の焼結体を介して接合され、前記半導体素子の裏面電極と導体基板がはんだ材料を介して接合されていることを特徴とする。この請求項２の発明によれば、請求項１と同様の理由により、半導体素子の表面電極と配線用導体を金属微粒子ペーストを用いて接合した後に、半導体素子の裏面電極と導体基板を鉛フリーはんだ材料を用いて接合するようにすれば、半導体素子の裏面電極と導体基板を接合する際に半導体素子が動くのを抑制することができる。従って、半導体素子の接合位置精度の高い半導体装置が得られる。
【００１５】
また、請求項３の発明にかかる半導体装置は、半導体素子の裏面電極と導体基板、および前記半導体素子の表面電極と配線用導体が、ともに金属微粒子の焼結体を介して接合されていることを特徴とする。この請求項３の発明によれば、接合にはんだ材料を用いていないので、はんだ材料が溶融したときのはんだの表面張力が原因で半導体素子が動くという現象が起こるのを防ぐことができる。また、金属微粒子の焼結による接合では、はんだ材料のように金属微粒子が溶融した状態になるわけではないので、半導体素子の動きは抑制される。従って、半導体素子の接合位置精度の高い半導体装置が得られる。
【００１６】
また、請求項４の発明にかかる半導体装置は、半導体素子の表面電極と配線用導体がはんだ材料を介して接合され、前記半導体素子の裏面電極と、絶縁基板の表面に設けられた導体基板が金属微粒子の焼結体を介して接合され、前記絶縁基板の裏面に設けられた熱伝導体と熱伝導部材がはんだ材料を介して接合されていることを特徴とする。この請求項４の発明によれば、半導体パッケージの外部冷却体への熱導体でもある熱伝導部材の上に絶縁基板が接合され、絶縁基板の上に半導体素子が接合され、半導体素子の上に配線用導体が接合された構造を有する半導体装置の場合に、請求項１と同様に、先に半導体素子の裏面電極と導体基板を金属微粒子ペーストを用いて接合しておけば、半導体素子の表面電極と配線用導体を接合する際に半導体素子が動くのを抑制することができるので、半導体素子の接合位置精度の高い半導体装置が得られる。
【００１７】
また、請求項５の発明にかかる半導体装置は、半導体素子の表面電極と配線用導体が金属微粒子の焼結体を介して接合され、前記半導体素子の裏面電極と、絶縁基板の表面に設けられた導体基板がはんだ材料を介して接合され、前記絶縁基板の裏面に設けられた熱伝導体と熱伝導部材がはんだ材料を介して接合されていることを特徴とする。この請求項５の発明によれば、半導体パッケージの外部冷却体への熱導体でもある熱伝導部材の上に絶縁基板が接合され、絶縁基板の上に半導体素子が接合され、半導体素子の上に配線用導体が接合された構造を有する半導体装置の場合に、請求項２と同様に、先に半導体素子の表面電極と配線用導体を金属微粒子ペーストを用いて接合しておけば、半導体素子の裏面電極と導体基板を接合する際に半導体素子が動くのを抑制することができるので、半導体素子の接合位置精度の高い半導体装置が得られる。
【００１８】
また、請求項６の発明にかかる半導体装置は、請求項１〜５のいずれか一つに記載の発明において、前記金属微粒子は、前記はんだ材料の溶融温度よりも高い耐熱性を有するＡｇ、ＣｕおよびＮｉのうちの１または２以上の金属を含む合金よりなることを特徴とする。この請求項６の発明によれば、Ａｇ、ＣｕおよびＮｉのうちの１または２以上の金属を含む合金よりなる焼結体を介して半導体素子が他の部材に接合されているので、半導体素子の接合位置精度の高い半導体装置が得られる。
【００１９】
また、請求項７の発明にかかる半導体装置は、請求項１、２、４または５に記載の発明において、前記はんだ材料は、鉛を含まないＳｎＡｇ系、ＳｎＳｂ系またはＳｎＣｕ系のはんだ材料であることを特徴とする。この請求項７の発明によれば、鉛フリーはんだ材料を用いた半導体素子の接合が実現される。また、半導体素子の接合位置精度の高い半導体装置が得られる。
【００２０】
また、請求項８の発明にかかる半導体装置の製造方法は、半導体素子の裏面電極と導体基板が金属微粒子の焼結体を介して接合され、前記半導体素子の表面電極と配線用導体がはんだ材料を介して接合された半導体装置を製造するにあたって、前記裏面電極と前記導体基板を、金属微粒子を含むペーストを介して貼り合わせ、加熱して前記金属微粒子を焼結させることにより接合した後に、前記表面電極と前記配線用導体をはんだ材料を介して貼り合わせ、加熱して接合することを特徴とする。この請求項８の発明によれば、請求項１と同様の理由により、半導体素子の表面電極と配線用導体を接合する際に半導体素子が動くのを抑制することができるので、半導体素子の接合位置精度の高い半導体装置が得られる。
【００２１】
また、請求項９の発明にかかる半導体装置の製造方法は、半導体素子の表面電極と配線用導体が金属微粒子の焼結体を介して接合され、前記半導体素子の裏面電極と導体基板がはんだ材料を介して接合された半導体装置を製造するにあたって、前記表面電極と前記配線用導体を、金属微粒子を含むペーストを介して貼り合わせ、加熱して前記金属微粒子を焼結させることにより接合した後に、前記裏面電極と前記導体基板をはんだ材料を介して貼り合わせ、加熱して接合することを特徴とする。この請求項９の発明によれば、請求項１と同様の理由により、半導体素子の裏面電極と導体基板を接合する際に半導体素子が動くのを抑制することができるので、半導体素子の接合位置精度の高い半導体装置が得られる。
【００２２】
また、請求項１０の発明にかかる半導体装置の製造方法は、半導体素子の裏面電極と導体基板、および前記半導体素子の表面電極と配線用導体が、ともに金属微粒子の焼結体を介して接合された半導体装置を製造するにあたって、前記裏面電極と前記導体基板、および前記表面電極と配線用導体を、それぞれ金属微粒子を含むペーストを介して貼り合わせ、加熱して前記金属微粒子を焼結させることにより接合することを特徴とする。この請求項１０の発明によれば、請求項３と同様に、接合時に半導体素子の動きが抑制されるので、半導体素子の接合位置精度の高い半導体装置が得られる。
【００２３】
また、請求項１１の発明にかかる半導体装置の製造方法は、半導体素子の表面電極と配線用導体がはんだ材料を介して接合され、前記半導体素子の裏面電極と、絶縁基板の表面に設けられた導体基板が金属微粒子の焼結体を介して接合され、前記絶縁基板の裏面に設けられた熱伝導体と熱伝導部材がはんだ材料を介して接合された半導体装置を製造するにあたって、前記裏面電極と前記導体基板を、金属微粒子を含むペーストを介して貼り合わせ、加熱して前記金属微粒子を焼結させることにより接合した後に、前記表面電極と前記配線用導体、および前記熱伝導体と前記熱伝導部材を、それぞれはんだ材料を介して貼り合わせ、加熱して接合することを特徴とする。この請求項１１の発明によれば、請求項１と同様の理由により、半導体素子の表面電極と配線用導体を接合する際に半導体素子が動くのを抑制することができるので、半導体素子の接合位置精度の高い半導体装置が得られる。
【００２４】
また、請求項１２の発明にかかる半導体装置の製造方法は、半導体素子の表面電極と配線用導体が金属微粒子の焼結体を介して接合され、前記半導体素子の裏面電極と、絶縁基板の表面に設けられた導体基板がはんだ材料を介して接合され、前記絶縁基板の裏面に設けられた熱伝導体と熱伝導部材がはんだ材料を介して接合された半導体装置を製造するにあたって、前記表面電極と前記配線用導体を、金属微粒子を含むペーストを介して貼り合わせ、加熱して前記金属微粒子を焼結させることにより接合した後に、前記裏面電極と前記導体基板、および前記熱伝導体と前記熱伝導部材を、それぞれはんだ材料を介して貼り合わせ、加熱して接合することを特徴とする。この請求項１２の発明によれば、請求項１と同様の理由により、半導体素子の裏面電極と導体基板を接合する際に半導体素子が動くのを抑制することができるので、半導体素子の接合位置精度の高い半導体装置が得られる。
【００２５】
また、請求項１３の発明にかかる半導体装置の製造方法は、請求項８〜１２のいずれか一つに記載の発明において、前記金属微粒子は、前記はんだ材料の溶融温度よりも高い耐熱性を有するＡｇ、ＣｕおよびＮｉのうちの１または２以上の金属を含む合金よりなることを特徴とする。この請求項１３の発明によれば、Ａｇ、ＣｕおよびＮｉのうちの１または２以上の金属を含む合金よりなる焼結体を介して半導体素子を他の部材に接合することができるので、半導体素子の接合位置精度の高い半導体装置が得られる。
【００２６】
また、請求項１４の発明にかかる半導体装置の製造方法は、請求項８、９、１１または１２に記載の発明において、前記はんだ材料は、鉛を含まないＳｎＡｇ系、ＳｎＳｂ系またはＳｎＣｕ系のはんだ材料であることを特徴とする。この請求項１４の発明によれば、鉛フリーはんだ材料を用いた半導体素子の接合を実現することができる。また、半導体素子の接合位置精度の高い半導体装置が得られる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明にかかる半導体装置およびその製造方法によれば、鉛を含まない接合材料により、半導体素子の表面電極に配線用導体が面接合され、かつ半導体素子が高い位置精度で導体基板に接合された半導体装置が得られるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下に添付図面を参照して、この発明にかかる半導体装置およびその製造方法の好適な実施の形態を詳細に説明する。以下の実施の形態の説明および添付図面において、同様の構成には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００２９】
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１にかかる半導体装置の要部を示す正面図である。図１に示すように、半導体素子１４の裏面電極（図示省略）は、導体基板１２の表面に金属微粒子の焼結体１７よりなる接合部材を介して接合されている。その半導体素子１４の表面電極（図示省略）には、配線用導体１６が鉛フリーはんだ材料１５を介して接合されている。ここで、配線用導体１６と半導体素子１４の表面電極（図示省略）は面接合しており、その接合面積は、従来のワイヤボンディング法によるワイヤの接着面積よりも大きい。
【００３０】
金属微粒子の焼結体１７は、例えばＡｇ、ＣｕおよびＮｉのうちの１または２以上の金属の微粒子を焼結したものである。この焼結体１７の溶融点は、焼結体を構成する金属の本来の溶融点と同じであるので、鉛フリーはんだ材料の溶融点よりも高い。鉛フリーはんだ材料１５は、例えばＳｎＡｇ系、ＳｎＳｂ系またはＳｎＣｕ系のはんだ材料である。例えばＳｎＡｇはんだ材料１５の溶融点は２２０℃である。
【００３１】
次に、本発明の実施の形態１にかかる半導体装置の製造方法について説明する。特に限定しないが、ここでは、金属微粒子の焼結体１７を構成する金属をＡｇとし、鉛フリーはんだ材料１５をＳｎ３．５Ａｇ０．５Ｃｕはんだ材料とする。図２は、本発明の実施の形態１にかかる半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【００３２】
図２に示すように、まず、導体基板１２の表面にＡｇ微粒子を含むペースト（以下、Ａｇ微粒子ペーストとする）を塗布する（ステップＳ１）。このＡｇ微粒子ペーストは、直径が１〜１００ｎｍ程度のＡｇ微粒子と、このＡｇ微粒子に対して配位的結合により安定した保護皮膜を形成する有機溶媒を混合したものである。微粒子の表面が活性化しており、微粒子同士が凝集しやすい状態にあるため、微粒子を有機溶媒中に分散させて安定化させる必要がある。
【００３３】
その後、半導体素子１４の裏面電極が導体基板１２上のＡｇ微粒子ペーストに接触するように、導体基板１２の上に半導体素子１４を置く（ステップＳ２）。そして、例えば２５０℃に加熱した状態で半導体素子１４を導体基板１２に押し付けるように加圧する（ステップＳ３）。これにより、有機溶媒が気化し、Ａｇ微粒子が焼結され、導体基板１２と半導体素子１４がそのＡｇ微粒子の焼結体１７を介して接合される。
【００３４】
冷却後、半導体素子１４の表面電極の表面にＳｎ３．５Ａｇ０．５Ｃｕはんだペーストを例えば１００μｍの厚さに塗布する（ステップＳ４）。そして、そのはんだペーストに配線用導体１６の被接合面が接触するように、半導体素子１４の上に配線用導体１６を置く（ステップＳ５）。その状態で、導体基板１２、半導体素子１４および配線用導体１６を電気炉に入れ、例えば２５０℃に加熱してはんだペーストを溶融する（ステップＳ６）。その後、冷却して、溶けたはんだペーストを凝固させる。それによって、配線用導体１６が半導体素子１４に鉛フリーはんだ材料１５により接合され、図１に示す構成の半導体装置が得られる。
【００３５】
実施の形態１によれば、はんだ接合する際、Ａｇ微粒子の焼結体１７の溶融点が２５０℃よりも高いので、Ａｇ微粒子の焼結体１７は溶けない。従って、はんだペーストが溶けた状態のときに半導体素子１４が導体基板１２に固定されているので、半導体素子１４の動きが抑制され、半導体素子１４の接合位置精度の高い半導体装置が得られる。また、半導体素子１４と導体基板１２をＡｇ微粒子ペーストを用いて接合することにより、それらをはんだ材料を用いて接合する場合よりも熱伝導性が向上するので、半導体素子１４の温度が上昇するのを抑制することができる。
【００３６】
実施の形態２．
図３は、本発明の実施の形態２にかかる半導体装置の要部を示す正面図である。図３に示すように、実施の形態２では、導体基板１２の表面と半導体素子１４の裏面電極（図示省略）が鉛フリーはんだ材料１５を介して接合されており、半導体素子１４の表面電極（図示省略）と配線用導体１６が金属微粒子の焼結体１７を介して接合されている。その他の構成については、実施の形態１と同じであるので、説明を省略する。
【００３７】
次に、本発明の実施の形態２にかかる半導体装置の製造方法について説明する。特に限定しないが、実施の形態１と同様に、金属微粒子の焼結体１７を構成する金属をＡｇとし、鉛フリーはんだ材料１５をＳｎ３．５Ａｇ０．５Ｃｕはんだ材料とする。図４は、本発明の実施の形態２にかかる半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【００３８】
図４に示すように、まず、半導体素子１４の表面電極の表面に実施の形態１と同様のＡｇ微粒子ペーストを塗布する（ステップＳ１１）。そして、そのＡｇ微粒子ペーストに配線用導体１６の被接合面が接触するように、半導体素子１４の上に配線用導体１６を置く（ステップＳ１２）。次いで、例えば２５０℃に加熱した状態で配線用導体１６を半導体素子１４に押し付けるように加圧する（ステップＳ１３）。これにより、有機溶媒が気化し、Ａｇ微粒子が焼結され、半導体素子１４と配線用導体１６がＡｇ微粒子の焼結体１７を介して接合される。
【００３９】
冷却後、導体基板１２の表面にＳｎ３．５Ａｇ０．５Ｃｕはんだペーストを例えば１００μｍの厚さに塗布する（ステップＳ１４）。そして、そのはんだペーストに半導体素子１４の裏面電極が接触するように、導体基板１２の上に半導体素子１４を置く（ステップＳ１５）。その状態で、実施の形態１と同様に、電気炉で例えば２５０℃に加熱してはんだペーストを溶融する（ステップＳ１６）。その後、冷却して、溶けたはんだペーストを凝固させる。それによって、半導体素子１４が導体基板１２に鉛フリーはんだ材料１５により接合され、図３に示す構成の半導体装置が得られる。
【００４０】
実施の形態２によれば、はんだペーストが溶けた状態のときに半導体素子１４が配線用導体１６に固定されているので、半導体素子１４の動きが抑制され、半導体素子１４の接合位置精度の高い半導体装置が得られる。また、半導体素子１４と配線用導体１６をＡｇ微粒子ペーストを用いて接合することにより、それらをはんだ材料を用いて接合する場合よりも熱伝導性が向上するので、半導体素子１４の温度が上昇するのを抑制することができる。
【００４１】
実施の形態３．
図５は、本発明の実施の形態３にかかる半導体装置の要部を示す正面図である。図５に示すように、実施の形態３では、導体基板１２の表面と半導体素子１４の裏面電極（図示省略）、および半導体素子１４の表面電極（図示省略）と配線用導体１６がともに金属微粒子の焼結体１７を介して接合されている。その他の構成については、実施の形態１と同じであるので、説明を省略する。
【００４２】
次に、本発明の実施の形態３にかかる半導体装置の製造方法について説明する。特に限定しないが、実施の形態１と同様に、金属微粒子の焼結体１７を構成する金属をＡｇとし、鉛フリーはんだ材料１５をＳｎ３．５Ａｇ０．５Ｃｕはんだ材料とする。図６は、本発明の実施の形態３にかかる半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【００４３】
図６に示すように、まず、導体基板１２の表面に実施の形態１と同様のＡｇ微粒子ペーストを塗布する（ステップＳ２１）。そして、半導体素子１４の裏面電極が導体基板１２上のＡｇ微粒子ペーストに接触するように、導体基板１２の上に半導体素子１４を置く（ステップＳ２２）。続いて、半導体素子１４の表面電極の表面にＡｇ微粒子ペーストを塗布する（ステップＳ２３）。
【００４４】
そして、そのＡｇ微粒子ペーストに配線用導体１６の被接合面が接触するように、半導体素子１４の上に配線用導体１６を置く（ステップＳ２４）。その状態で、例えば２５０℃に加熱した状態で配線用導体１６と導体基板１２を半導体素子１４に押し付けるように加圧する（ステップＳ２５）。これにより、有機溶媒が気化し、Ａｇ微粒子が焼結され、半導体素子１４と導体基板１２、および半導体素子１４と配線用導体１６がそれぞれＡｇ微粒子の焼結体１７を介して接合され、図５に示す構成の半導体装置が得られる。
【００４５】
実施の形態３によれば、半導体素子１４と導体基板１２、および半導体素子１４と配線用導体１６の接合にはんだ材料を用いていないので、Ａｇ微粒子ペーストを焼結する際に、はんだ材料が溶融したときのはんだの表面張力が要因で半導体素子が動くという現象が起こるのを防ぐことができる。また、Ａｇ微粒子の焼結による接合では、はんだ材料のようにＡｇ微粒子が溶融した状態になるわけではないので、半導体素子１４の上下のＡｇ微粒子ペーストを同時に焼成しても、半導体素子１４の動きは起こらない。従って、半導体素子１４の接合位置精度の高い半導体装置が得られる。さらに、半導体素子１４と導体基板１２、および半導体素子１４と配線用導体１６をともにＡｇ微粒子ペーストを用いて接合することにより、それらをはんだ材料を用いて接合する場合よりも熱伝導性が向上するので、半導体素子１４の温度が上昇するのを抑制することができる。
【００４６】
実施の形態４．
図７は、本発明の実施の形態４にかかる半導体装置の要部を示す正面図である。図７に示すように、実施の形態４では、半導体パッケージの外部冷却体への熱導体となる例えば金属基板よりなる熱伝導部材１８の表面に、アルミナ等からなる絶縁基板１１の裏面に設けられた熱伝導体１３の裏面が鉛フリーはんだ材料１５を介して接合されている。そして、絶縁基板１１の表面に設けられた導体基板１２の表面に実施の形態１の半導体装置（図１参照）が接合されている。導体基板１２は、絶縁基板１１の表面の電気回路を兼ねている。導体基板１２上の半導体装置の構成については、実施の形態１と同じであるので、説明を省略する。
【００４７】
次に、本発明の実施の形態４にかかる半導体装置の製造方法について説明する。特に限定しないが、実施の形態１と同様に、金属微粒子の焼結体１７を構成する金属をＡｇとし、鉛フリーはんだ材料１５をＳｎ３．５Ａｇ０．５Ｃｕはんだ材料とする。図８は、本発明の実施の形態４にかかる半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【００４８】
図８に示すように、まず、実施の形態１と同様にして、絶縁基板１１の表面、すなわち導体基板１２の表面に実施の形態１と同様のＡｇ微粒子ペーストを塗布する（ステップＳ３１）。そして、そのＡｇ微粒子ペースト上に半導体素子１４を置く（ステップＳ３２）。続いて、例えば２５０℃に加熱した状態で加圧してＡｇ微粒子を焼成し（ステップＳ３３）、そのＡｇ微粒子の焼結体１７を介して絶縁基板１１に半導体素子１４を接合する。
【００４９】
冷却後、熱伝導部材１８の表面にＳｎ３．５Ａｇ０．５Ｃｕはんだペーストを例えば１００μｍの厚さに塗布する（ステップＳ３４）。そして、そのはんだペーストに絶縁基板１１の裏面、すなわち熱伝導体１３が接触するように、熱伝導部材１８の上に絶縁基板１１を置く（ステップＳ３５）。続いて、半導体素子１４の表面電極の表面にＳｎ３．５Ａｇ０．５Ｃｕはんだペーストを例えば１００μｍの厚さに塗布する（ステップＳ３６）。
【００５０】
そして、そのはんだペーストに配線用導体１６の被接合面が接触するように、半導体素子１４の上に配線用導体１６を置く（ステップＳ３７）。その状態で、実施の形態１と同様に、電気炉で例えば２５０℃に加熱してはんだペーストを溶融する（ステップＳ３８）。その後、冷却して、溶けたはんだペーストを凝固させると、図７に示す構成の半導体装置が得られる。
【００５１】
実施の形態４によれば、はんだペーストが溶けた状態のときに半導体素子１４が絶縁基板１１の導体基板１２に固定されているので、半導体素子１４の動きが抑制され、半導体素子１４の接合位置精度の高い半導体装置が得られる。また、半導体素子１４と絶縁基板１１の導体基板１２をはんだ材料を用いて接合する場合よりも熱伝導性が向上するので、半導体素子１４の温度が上昇するのを抑制することができる。
【００５２】
実施の形態５．
図９は、本発明の実施の形態５にかかる半導体装置の要部を示す正面図である。図９に示すように、実施の形態５は、実施の形態４において、絶縁基板１１の導体基板１２の表面に実施の形態２の半導体装置（図３参照）を接合したものである。導体基板１２上の半導体装置の構成については、実施の形態２と同じである。その他の構成は、実施の形態４と同じである。従って、それらの説明を省略する。
【００５３】
次に、本発明の実施の形態５にかかる半導体装置の製造方法について説明する。特に限定しないが、実施の形態１と同様に、金属微粒子の焼結体１７を構成する金属をＡｇとし、鉛フリーはんだ材料１５をＳｎ３．５Ａｇ０．５Ｃｕはんだ材料とする。図１０は、本発明の実施の形態５にかかる半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【００５４】
図１０に示すように、まず、実施の形態２と同様にして、半導体素子１４の表面電極の表面に実施の形態１と同様のＡｇ微粒子ペーストを塗布する（ステップＳ４１）。そして、そのＡｇ微粒子ペースト上に配線用導体１６を置く（ステップＳ４２）。続いて、例えば２５０℃に加熱した状態で加圧してＡｇ微粒子を焼成し（ステップＳ４３）、そのＡｇ微粒子の焼結体１７を介して半導体素子１４に配線用導体１６を接合する。
【００５５】
冷却後、熱伝導部材１８の表面にＳｎ３．５Ａｇ０．５Ｃｕはんだペーストを例えば１００μｍの厚さに塗布し（ステップＳ４４）、そのはんだペースト上に絶縁基板１１を、絶縁基板１１の熱伝導体１３がはんだペーストに接触するように置く（ステップＳ４５）。続いて、絶縁基板１１の導体基板１２の表面にＳｎ３．５Ａｇ０．５Ｃｕはんだペーストを例えば１００μｍの厚さに塗布する（ステップＳ４６）。
【００５６】
そして、そのはんだペースト上に半導体素子１４を、半導体素子１４の裏面電極がはんだペーストに接触するように置く（ステップＳ４７）。その状態で、実施の形態１と同様に、電気炉で例えば２５０℃に加熱してはんだペーストを溶融する（ステップＳ４８）。その後、冷却して、溶けたはんだペーストを凝固させると、図９に示す構成の半導体装置が得られる。
【００５７】
実施の形態５によれば、はんだペーストが溶けた状態のときに半導体素子１４が配線用導体１６に固定されているので、半導体素子１４の動きが抑制され、半導体素子１４の接合位置精度の高い半導体装置が得られる。また、半導体素子１４と配線用導体１６をはんだ材料を用いて接合する場合よりも熱伝導性が向上するので、半導体素子１４の温度が上昇するのを抑制することができる。
【００５８】
以上において本発明は、上述した実施の形態に限らず、種々変更可能である。例えば、金属微粒子は、はんだペーストによるはんだ接合温度で溶融しなければ、Ａｇ以外の金属で構成されていてもよい。例えば、ＣｕやＮｉでもよい。また、はんだ材料は、ＳｎＳｂ系、ＳｎＣｕ系など、Ａｇ等の金属微粒子の焼結状態に悪影響を及ぼさない成分のものであればよい。さらに、はんだ材料は、クリーム状のものでなくてもよく、例えば還元雰囲気中で板材のものでもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
以上のように、本発明にかかる半導体装置およびその製造方法は、半導体素子の表面電極と配線用導体が面接合された構成を有する半導体装置に有用であり、特に、通電時の発熱量が多いパワー半導体装置に適している。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の実施の形態１にかかる半導体装置の要部を示す正面図である。
【図２】本発明の実施の形態１にかかる半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図３】本発明の実施の形態２にかかる半導体装置の要部を示す正面図である。
【図４】本発明の実施の形態２にかかる半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図５】本発明の実施の形態３にかかる半導体装置の要部を示す正面図である。
【図６】本発明の実施の形態３にかかる半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図７】本発明の実施の形態４にかかる半導体装置の要部を示す正面図である。
【図８】本発明の実施の形態４にかかる半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図９】本発明の実施の形態５にかかる半導体装置の要部を示す正面図である。
【図１０】本発明の実施の形態５にかかる半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
【図１１】従来の半導体装置の要部を示す正面図である。
【符号の説明】
【００６１】
１１  絶縁基板
１２  導体基板
１３  熱伝導体
１４  半導体素子
１５  鉛フリーはんだ材料
１６  配線用導体
１７  金属微粒子の焼結体
１８  熱伝導部材
【図１】
2006269682.tif 000003
【図２】
2006269682.tif 000004
【図３】
2006269682.tif 000005
【図４】
2006269682.tif 000006
【図５】
2006269682.tif 000007
【図６】
2006269682.tif 000008
【図７】
2006269682.tif 000009
【図８】
2006269682.tif 000010
【図９】
2006269682.tif 000011
【図１０】
2006269682.tif 000012
【図１１】
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