(57)【要約】【課題】  工程を簡略化し得る半導体基板および太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】  基板表面及び／または裏面の一部に不純物を含む成長阻止層２を形成し、成長阻止層２以外の基板表面上に半導体層３をエピタキシャル成長させ、このエピタキシャル成長の際に基板へ加えられた熱によって成長阻止層２より基板内部に不純物４を拡散させる。【選択図】      図１
2006237181.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも基板表面及び／または裏面の一部に不純物を含む成長阻止層を形成する工程と、該成長阻止層以外の基板表面上にエピタキシャル成長させると共に該成長阻止層より基板内部に不純物を拡散させる工程と、を有することを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項２】
第一の導電型を有する基板表面の一部に第二の導電型の不純物を含む成長阻止層と、基板裏面の一部に第一の導電型の不純物を含む成長阻止層を形成する工程と、該成長阻止層以外の基板表面上にエピタキシャル成長させると共に該成長阻止層より基板内部に不純物を拡散させる工程と、を有することを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項３】
前記成長阻止層材料は前記不純物の酸化物であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項４】
前記成長阻止層材料は前記不純物を含有したシリコン酸化物であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項５】
少なくとも基板表面及び／または裏面の一部に不純物を含む成長阻止層を形成する工程と、該成長阻止層以外の基板表面上にエピタキシャル成長させると共に該成長阻止層より基板内部に不純物を拡散させる工程と、を有することを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項６】
第一の導電型を有する基板表面の一部に第二の導電型の不純物を含む成長阻止層と、基板裏面の一部に第一の導電型の不純物を含む成長阻止層を形成する工程と、該成長阻止層以外の基板表面上にエピタキシャル成長させると共に該成長阻止層より基板内部に不純物を拡散させる工程と、を有することを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項７】
基板表面に第一の半導体膜を形成する工程と、不純物を含む成長阻止層を形成する工程と、該成長阻止層を電極形状のパターンに加工する工程と、成長阻止層以外の第一の半導体膜上に表面がテキスチャ形状を有する第二の半導体膜を形成する工程と、前記電極パターンの成長阻止層を除去する工程と、少なくとも前記第一の半導体膜の上に電極を形成する工程と、を有することを特徴とする太陽電池の製造方法。
【請求項８】
前記成長阻止層材料は前記不純物の酸化物であることを特徴とする請求項５乃至７のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
【請求項９】
前記成長阻止層材料は前記不純物が含有したシリコン酸化物であることを特徴とする請求項５乃至７のいずれかに記載の太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスなどを製造するのに利用出来る半導体基板の製造方法及び太陽電池の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＭＯＳトランジスタを作成する際に、液相エピタキシャル成長においてＳｉＯ2層を成長阻止層として使用する技術が特許文献１に記載されている。特許文献１に記載の方法はフィールド酸化膜などのＳｉＯ2層により液相成長の成膜を防ぐ為、ＭＯＳ構造を形成する場合には好適であるが、他の素子へ適用すると成長阻止層を使った成膜と基板への不純物拡散を別の工程として実施しなければならず、プロセスが複雑になりスループットが低下していた。
【０００３】
また、太陽電池においては基板表面と電極とのコンタクト抵抗を下げる為に、電極直下は高濃度の不純物が必要となる。このため、従来は、光受光面と電極直下のそれぞれに対して最適な不純物濃度を達成する様に拡散工程を２回行っているため、やはりスループットが低下していた。
【０００４】
その上、太陽電池では従来より裏面の少数キャリアの再結合速度を低下させる為に裏面電界層（ＢＳＦ層）を形成するが、従来の太陽電池セルの製造方法ではＡｌペーストを全面に印刷焼成を行わないと、十分な効果が得られない。
【０００５】
しかし、シリコン基板厚を２００μｍ程度まで薄くするとＡｌとＳｉの熱膨張係数の差に起因した内部応力の発生により、Ｓｉ基板の反りや割れが発生する為、基板の反り、割れを回避する方法として裏面に前もって不純物を拡散しＢＳＦ層を形成しておき、金属電極は熱応力が小さくなる様に低温にて形成する方法がある。しかし裏面への不純物拡散の工程を追加することでスループットの低下、コストアップにつながっていた。
【０００６】
【特許文献１】特公平５−４６０９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明はこのような現状に鑑みなされたものであって、従来の製造方法と比較して工程が簡略化する半導体基板の製造方法を提供し、太陽電池に使用してもコンタクト抵抗が低いグリッド電極が形成可能かつＢＳＦ構造が形成された基板を、複雑な工程を使用せずに提供する事を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の半導体基板の製造方法は、少なくとも基板表面及び／または裏面の一部に不純物を含む成長阻止層を形成する工程と、該成長阻止層以外の基板表面上にエピタキシャル成長させると共に該成長阻止層より基板内部に不純物を拡散させる工程とを有することを特徴とする。
また本発明の半導体基板の製造方法は、第一の導電型を有する基板表面の一部に第二の導電型の不純物を含む成長阻止層と、基板裏面の一部に第一の導電型の不純物を含む成長阻止層を形成する工程と、該成長阻止層以外の基板表面上にエピタキシャル成長させると共に該成長阻止層より基板内部に不純物を拡散させる工程とを有することを特徴とする。
また、これら本発明の半導体基板の製造方法おいて、更に、前記成長阻止層材料は前記不純物の酸化物もしくは前記不純物を含有したシリコン酸化物であることを特徴とする。
【０００９】
本発明の太陽電池の製造方法は、少なくとも基板表面及び／または裏面の一部に不純物を含む成長阻止層を形成する工程と、該成長阻止層以外の基板表面上にエピタキシャル成長させると共に該成長阻止層より基板内部に不純物を拡散させる工程とを有することを特徴とする。
また本発明の太陽電池の製造方法は、第一の導電型を有する基板表面の一部に第二の導電型の不純物を含む成長阻止層と、基板裏面の一部に第一の導電型の不純物を含む成長阻止層を形成する工程と、該成長阻止層以外の基板表面上にエピタキシャル成長させると共に該成長阻止層より基板内部に不純物を拡散させる工程とを有することを特徴とする。
また本発明の太陽電池の製造方法は、基板表面に第一の半導体膜を形成する工程と、不純物を含む成長阻止層を形成する工程と、該成長阻止層を電極形状のパターンに加工する工程と、成長阻止層以外の第一の半導体膜上に表面がテキスチャ形状を有する第二の半導体膜を形成する工程と、前記電極パターンの成長阻止層を除去する工程と、少なくとも前記第一の半導体膜の上に電極を形成する工程とを有することを特徴とする。
また、これら本発明の太陽電池の製造方法おいて、更に、前記成長阻止層材料は前記不純物の酸化物もしくは前記不純物が含有したシリコン酸化物であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の半導体基板の製造方法によれば、基板表面、裏面の一部に不純物を含有した成長阻止層を形成した後にエピタキシャル成長することで、所望の部分に選択的な結晶成長が可能であるのと同時に、成長阻止層により基板内部に所望の導電型の不純物が拡散した半導体基板を作成することが可能になり、工程を減らすことが出来、スループットの向上、コストダウンが可能となる。
【００１１】
また、本発明の太陽電池の製造方法によれば、基板表面の電極とのコンタクトに最適な不純物濃度が結晶成長時に同時に形成される。さらに基板裏面のＢＳＦ構造も形成することが可能となる為、太陽電池セル形成においてスループットが向上し、コストダウンが可能となる。さらにエピタキシャル成長における温度プロファイルはＢＳＦ効果を十分に引き出すのに好適である為、太陽電池の変換効率を向上せしめることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明の一実施形態を図１を用いて説明する。図１は本発明の半導体基板及び太陽電池の製造方法の一例を模式的に示した断面図である。
【００１３】
図１（ａ）において、半導体基板１を用意する。基板の材料はシリコンだけでなく、ＧａＡｓ、ＧａＰなどの化合物半導体であっても良い。
【００１４】
図１（ｂ）において、半導体基板１の表面に結晶成長を阻害する表面成長阻止層２ａを形成する。成長阻止層２ａとしては不純物を含んだ酸化膜を形成する。
成長阻止層２ａの形成方法は不純物がドープされた有機シリカ塗布剤を基板上にスピン又はスプレーコートする。この際の不純物の濃度は３％以上が好ましい。
また、ＣＶＤ法によりＰＳＧ，ＢＳＧなどの不純物を含んだシリコン酸化膜を表面に形成しても良い。成長阻止層に含有する不純物としては、Ｐ，Ｓｂ，Ａｓ，Ｂ，Ａｌ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｓｅ，Ｓｎ、等が挙げられる。また、ＰＯＣｌ3、ＢＢｒ3等より基板上に形成される不純物の酸化物としてのＢ2Ｏ5、Ｐ2Ｏ5などを使用しても良い。
【００１５】
図１（ｃ）において半導体基板１の裏面にも上記手法により結晶成長を阻害する裏面成長阻止層２ｂを形成する。
【００１６】
図１（ｄ）において、表面成長阻止層２ａを所望の電極パターン形状に整形する。この方法としては例えばフォトレジストインクをスクリーン印刷などで電極パターン形状に塗布した後、弗酸溶液に浸漬する。するとフォトレジストインクで被覆された部分の成長阻止層は保護され、その他の部分は成長阻止層がエッチングされて半導体基板１が露出する。しかるのち電極パターン形状に残存しているフォトレジストインクをアルカリ溶液で除去する。
【００１７】
表面成長阻止層２ａを所望の電極パターン形状に形成する別の方法としては図１（ｂ）において、該表面成長阻止層２ａを半導体基板１の全面に形成するかわりにはじめから電極パターン形状に形成することも出来る。その方法は電極パターン形状のマスクを使用する方法、スクリーン印刷法あるいはインクジェットによる描画などの方法を適用することが出来る。この方法では図１（ｄ）に示した表面成長阻止層２ａを電極パターン形状に整形する工程を省略することが出来る。
【００１８】
図１（ｅ）において、成長阻止層２ａに覆われていない半導体基板１の表面に液層成長法又はＣＶＤ法等の気相成長法により半導体層３をエピタキシャル成長させる。この形成時に微量のドーパントを混入させることにより半導体層３をｐ-型（あるいはｎ-型）に制御することが可能である。
【００１９】
エピタキシャル成長とは基板の結晶方位を引き継いで成長することであり、ホモエピタキシャル、ヘテロエピタキシャルを問わない。さらに基板は単結晶、多結晶に限定されない。
【００２０】
この半導体層３を成長する際に基板へ加えられた熱により成長阻止層２から半導体基板１内に不純物４が熱拡散していく（図１（ｆ））。
【００２１】
図１（ｇ）において、残存している成長阻止層２を弗酸溶液などで除去すると半導体基板１上に半導体層３が成長した箇所と基板内に不純物４が拡散している箇所を有する半導体基板が出来上がる。
【００２２】
以上のようにして得られた半導体基板を用いて太陽電池を製造するには、まず図１（ｈ）に示すように半導体層３の表面に別途拡散によってｐｎ接合５が形成される。なお、この際に、表面成長阻止層２ａからの不純物拡散とは異なる拡散条件にて行うことが出来る為、それぞれ最適な条件にて不純物拡散が行うことが可能である。
【００２３】
次に図１（ｉ）において、半導体層３表面に反射防止膜６を形成する。さらに図１（ｊ）において、表面の電極パターン形状部及び半導体基板１の裏面には電極７が形成される。これらの電極を形成するには印刷、蒸着、スパッタなどの方法を用いることが出来る。
【００２４】
以上説明した本発明の実施形態によれば、基板表面、裏面の一部に不純物を含有した成長阻止層を形成した後にエピタキシャル成長することで、所望の部分に選択的な結晶成長が行われ、これと同時に成長阻止層より基板内部に所望の導電型の不純物を拡散せしめることができる。また、太陽電池の製造においては、電極とのコンタクトに最適な不純物濃度が結晶成長時に同時に形成され、さらに基板裏面のＢＳＦ構造も同時に形成することが可能となる。
【実施例】
【００２５】
以下に本発明の実施例を示すが、以下の実施例で本発明の内容が限定されるものではない。
【００２６】
（実施例１）
本実施例は、２Ω・ｃｍのｐ型単結晶シリコン基板裏面上に成長阻止層を形成後、気相成長により基板表面にシリコン膜を成膜すると共に、基板裏面に不純物を拡散した半導体基板を製造した例である。
【００２７】
まず、単結晶シリコン基板８を用意する（図２（ａ））。図２（ｂ）にて単結晶シリコン基板８の裏面上に成長阻止層２を形成する方法としては、Ｂを含有するスピンオンドーパント剤をスピンコートにて裏面に塗布、乾燥させ不純物（Ｂ）を含んだ有機シリカ膜を形成する。
【００２８】
次に基板表面にｎ型シリコン層９をＣＶＤ法によりエピタキシャル成長する。ソースガスＳｉＨ4、キャリアガスＨ2、温度１０５０℃×３０秒、ドーパントガスＰＨ3を加えることで０．５μｍ厚のｎ型のシリコン層９が得られる（図２（ｃ））。この時、裏面の成長阻止層２の上には成膜されずに、ＣＶＤ工程にて基板に加わる熱により成長阻止層２より基板内にＢが熱拡散していき、Ｂが拡散した領域１０が形成される（図２（ｄ））。
【００２９】
次にＣＶＤ装置より取り出し、１０％弗酸溶液に浸漬して裏面の成長阻止層２を除去する。これにより表面にｎ型のシリコン層９が積層し、裏面にＢが厚さ０．８μｍ拡散した領域１０を有する半導体基板が形成された(図２（ｅ）)。
【００３０】
本実施例で示した半導体基板の製造方法によれば、基板裏面の不純物拡散を単独で行う必要は無く、結晶成長と拡散を兼ねる事ができ工程が簡略化されスループットが向上した。
【００３１】
（実施例２）
本実施例は、実施例１で形成した半導体基板を使用し太陽電池を製造した例である。
【００３２】
まず実施例１と同様の工程にて表面にｎ型シリコン層９が積層し、かつ裏面にＢが拡散した領域１０を有する単結晶シリコン基板８を準備する（図３（ａ））。
【００３３】
次にｎ型シリコン層９の表面にＴｉＯ2を８０ｎｍの厚さにプラズマＣＶＤ装置で形成して反射防止膜６とする（図３（ｂ））。
【００３４】
次に図３（ｃ）に示す様にＴｉＯ2の電極部を開口した後に蒸着法を用いて表面Ａｇ電極１１を堆積する。次にＢが拡散した領域１０の裏面にも裏面Ａｇ電極１２を形成し太陽電池を得る（図３（ｄ））。
【００３５】
本実施例の太陽電池においては、ｐ型基板裏面のＢが拡散した領域１０はＢＳＦ層として機能する。一方、従来はＡｌペーストの印刷焼成にて裏面電極を形成していたが、薄い基板ではそりが発生してしまうことがある為、別途不純物を拡散することでＢＳＦ層形成する必要があった。
【００３６】
本実施例で示した太陽電池の製造方法によれば、ＢＳＦ層の拡散を単独で行う必要は無く、エピタキシャル成長と拡散を兼ねる事ができ工程が簡略化されスループットが向上した。その上、エピタキシャル成長における温度プロファイルは１０５０℃と高温である為、裏面にＢを通常より深く拡散させることができＢＳＦ効果を十分に引き出すことが可能となった。
【００３７】
（実施例３）
本実施例は、金属級多結晶シリコン基板上に、液相成長によりシリコン層を成膜した後、表面に成長阻止層を形成してさらにシリコン層を成膜し太陽電池を製造した例である。
【００３８】
まず図４（ａ）に示す、金属級多結晶シリコン基板１３を用意する。次に金属級多結晶シリコン基板１３の上に第一のシリコン半導体層１４を液相エピタキシャル成長する。具体的には、メルトとしてのインジウムにシリコン原料を９３０℃で飽和溶解したもので、これを９２７℃に降温して過飽和状態としてから金属級多結晶シリコン基板１３を該過飽和メルト中に浸漬し、温度を一定に保って１５分維持すると８μｍの厚さが有り比較的平坦な第一のシリコン層１４が得られる（図４（ｂ））。
【００３９】
その後、液体不純物であるＰＯＣｌ3を使い第一のシリコン半導体層１４上に不純物の酸化物のＰ2Ｏ5を堆積する。その後レジストによりパターニングすることにより、成長阻止層２としてのＰ2Ｏ5膜を電極パターン形状に形成する（図４（ｃ））。
【００４０】
次に第二のシリコン半導体層１５を液相エピタキシャル成長する。具体的には、メルトにシリコン原料を９３０℃で飽和溶解した後に９２３℃に降温して過飽和状態としてから金属級多結晶シリコン基板１３を該過飽和メルト中に浸漬し、温度を一定に保って３０分維持すると２０μｍ厚の第二のシリコン半導体層１５が得られる（図４（ｄ））。この第二のシリコン半導体層１５はテキスチャ形状の表面を有している。また、電極パターン形状の成長阻止層２としてのＰ2Ｏ5膜の上には成膜されない。
【００４１】
さらに第二のシリコン半導体層１５を成長する際に基板に与えられる熱により成長阻止層２より第一のシリコン半導体層１４内に不純物が熱拡散し、Ｐが拡散した領域１６が形成される（図４（ｅ））。
【００４２】
次に液相成長装置より取り出し、王水に浸漬し金属級多結晶シリコン基板１３に付着したメルトを除去する。続いて１０％弗酸溶液に浸漬して電極パターン形状のＰ2Ｏ5膜を除去する（図４（ｆ））。
【００４３】
次に第二のシリコン半導体層１５の表面にｎ型拡散剤を２００ｎｍの厚さに塗布後８６０℃で焼成して、ｎ+層１７を形成する（図４（ｇ））。
【００４４】
続いてＳｉＮを電極形成部分は開口し８０ｎｍの厚さにプラズマＣＶＤ装置で形成して反射防止膜６とする（図４（ｈ））。
【００４５】
次にスクリーン印刷にて電極形成部分にＡｇペーストを塗布後７３０℃にて焼成して表面Ａｇ電極１１を形成する（図４（ｉ））。最後に、金属級多結晶シリコン基板１３の裏面にＡｌペーストを塗布後、７００℃にて焼成してＡｌ電極１８を形成し、太陽電池を得た（図４（ｊ））。
【００４６】
なお、図においては説明の便宜上第一および第二のシリコン半導体層を区別して示しているが、第二のシリコン半導体層は第一のシリコン半導体層上にホモエピタキシャル成長するので、実際にはこれらの間に素子特性に影響を与えるような界面が形成されることは無い。
【００４７】
本実施例で示した太陽電池の製造方法によれば、単純な工程で基板と電極とのコンタクト抵抗を低く抑えることができスループットが向上した。さらに本実施例の形態では電極が埋め込み構造となるのでシャドウロスも低減され電流を大きくすることが出来る。したがって特性の優れた太陽電池をスループット良く得ることが出来る。
【００４８】
（実施例４）
本実施例は、５Ω・ｃｍのｎ型単結晶シリコン基板裏面上に成長阻止層を形成後、気相成長により基板表面にシリコン膜を成膜すると共に、基板裏面に不純物を拡散しメサ型のバイポーラトランジスタを形成した例である。
【００４９】
まず、ｎ型単結晶シリコン基板１９を用意する（図５（ａ））。次に図５（ｂ）に示す様にｎ型単結晶シリコン基板１９の裏面上に成長阻止層２として、ＣＶＤ法によりＰＳＧ膜を堆積する。
【００５０】
次に基板表面にｐ型シリコン層２０をＣＶＤ法により成長する。ソースガスＳｉＨ4、キャリアガスＨ2、温度１０００℃にて、ドーパントガスＢ2Ｈ6を加えることで２μｍ厚のｐ型シリコン層２０が得られる（図５（ｃ））。この時、裏面の成長阻止層２の上には成膜されずに、ＣＶＤ工程にて基板に加わる熱により成長阻止層２より基板内にＰが熱拡散していき、Ｐが拡散した領域１６が形成される（図５（ｄ））。
【００５１】
次にＣＶＤ装置より取り出し、１０％弗酸溶液に浸漬して裏面の成長阻止層２を除去することで表面にｐ型のシリコン層２０が積層し、裏面に厚さ１μｍのＰが拡散した領域１６を有する半導体基板が形成された（図５（ｅ））。
【００５２】
その後、基板表面に８５０℃にて熱酸化膜を形成した後に、ｎ+領域の形成予定個所の酸化膜２１を開口する（図５（ｆ））。
【００５３】
次に酸化膜２１をマスクにイオンインプラにてＡｓを１００ｋｅＶにて１×１０16ｃｍ-3の打ち込みｎ+層１７を形成した（図５（ｇ））。
【００５４】
その後、ベース電極取り出し用に酸化膜２１を開口し、ベース、エミッタ及びコレクタにスパッタによるＡｌ電極１８を形成しｎｐｎ構造のトランジスタを得た（図５（ｈ））。
【００５５】
通常、高抵抗のｎ型の基板に対してアルミ電極はオーミック接触が形成できない為、裏面を高濃度のｎ型にする必要が有るが、本実施例の製造方法によれば、コレクタとしての基板裏面を高濃度のｎ型にする為の拡散をベース用のエピタキシャル成長時に同時に実施可能となり、単純な工程でメサ型のバイポーラトランジスタを形成でき、スループットが向上した。
【００５６】
（実施例５）
本実施例は、２Ω・ｃｍのｐ型単結晶シリコン基板の表面，裏面に成長阻止層を形成して液相成長によりシリコン層を成膜し基板を製造した例である。
【００５７】
まず図６（ａ）に示す、単結晶シリコン基板８を用意する。
図６（ｂ）にて単結晶シリコン基板８の裏面上に裏面成長阻止層２ｂを形成する。方法としては、Ｂを含有するスピンオンドーパント剤をスピンコートにて裏面に塗布、乾燥させ不純物（Ｂ）を含んだ有機シリカ膜を形成する。
又、図６（c）にて単結晶シリコン基板８の表面上にも表面成長阻止層２ａを形成する。方法としては、Ｐを含有するスピンオンドーパント剤をノズルより塗出させ電極パターン形状に塗布、乾燥させ不純物（Ｐ）を含んだ有機シリカ膜を形成する。
【００５８】
次に成長阻止層２が形成された単結晶シリコン基板８の上に第一のシリコン半導体層１４を液相エピタキシャル成長する。具体的には、メルトとしてのインジウムにシリコン原料を９３０℃で飽和溶解したもので、これを９２７℃に降温して過飽和状態としてから単結晶シリコン基板８を該過飽和メルト中に浸漬し、温度を一定に保って４０分維持すると２０μｍの厚さが有り比較的平坦な第一のシリコン層１４が得られる（図６（ｄ））。電極パターン形状の成長阻止層２上には成膜されない。
【００５９】
さらに第一のシリコン半導体層１４を成長する際に基板に与えられる熱により成長阻止層２より単結晶シリコン基板８内に不純物が熱拡散し、Ｂが拡散した領域１０とＰが拡散した領域１６が形成される。
【００６０】
次に装置より取り出し基板に付着したメルト、成長阻止層２を除去し、表裏面に不純物が拡散した基板を得る（図６（ｅ））。
【００６１】
（実施例６）
本実施例は、実施例５で形成した半導体基板を使用し太陽電池を製造した例である。
まず実施例５と同様の工程にて表面にＰが拡散した領域１６かつ裏面にＢが拡散した領域１０を有する単結晶シリコン基板８を準備する（図７（ａ））。
次に単結晶シリコン基板８表面にシート抵抗１００Ω/□のｎ+層１７を形成する（図７（ｂ））。続いてＳｉＮを８０ｎｍの厚さにプラズマＣＶＤ装置で形成して反射防止膜６とする（図７（ｃ））。
【００６２】
次にＰが拡散した領域１６の反射防止膜６上にスクリーン印刷にてＡｇペーストを塗布後、７３０℃にて焼成し反射防止膜を貫通してＰが拡散した領域１６にコンタクトさせ表面Ａｇ電極１１を形成する（図７（ｄ））。最後に、単結晶シリコン基板８裏面のＢが拡散した領域１０にＡｇペーストを塗布後、６５０℃にて焼成して裏面Ａｇ電極１２を形成し、太陽電池を得る（図７（ｅ））。
【００６３】
本実施例で示した太陽電池の製造方法によれば、電極が埋め込み構造となるのでシャドウロスも低減され電流を大きくすることが出来る。さらに裏面のＢが拡散した領域１０はＢＳＦ層として機能する為特性の優れた太陽電池をスループット良く得ることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の半導体基板及び太陽電池の製造工程の一例を表す断面図である。
【図２】実施例１における半導体基板の製造工程を表す断面図である。
【図３】実施例２における太陽電池の製造工程を表す断面図である。
【図４】実施例３における太陽電池の製造工程を表す断面図である。
【図５】実施例４におけるトランジスタの製造工程を表す断面図である。
【図６】実施例５における半導体基板の製造工程を表す断面図である。
【図７】実施例６における太陽電池の製造工程を表す断面図である。
【符号の説明】
【００６５】
１  半導体基板
２  成長阻止層
２ａ  表面成長阻止層
２ｂ  裏面成長阻止層
３  半導体層
４  不純物
５  ｐｎ接合
６  反射防止膜
７  電極
８  単結晶シリコン基板
９  ｎ型シリコン層
１０  Ｂが拡散した領域
１１  表面Ａｇ電極
１２  裏面Ａｇ電極
１３  金属級多結晶シリコン基板
１４  第一のシリコン半導体層
１５  第二のシリコン半導体層
１６  Ｐが拡散した領域
１７  ｎ+層
１８  裏面Ａｌ電極
１９  ｎ型単結晶シリコン基板
２０  ｐ型シリコン層
２１  酸化膜
【図１】
2006237181.tif 000003
【図２】
2006237181.tif 000004
【図３】
2006237181.tif 000005
【図４】
2006237181.tif 000006
【図５】
2006237181.tif 000007
【図６】
2006237181.tif 000008
【図７】
2006237181.tif 000009