(57)【要約】【課題】  開口率を向上させることが可能な発光表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】  有機発光表示装置において，行方向に伸びている選択走査線を共有する少なくとも２つの副画素が一つの単位画素を形成し，単位画素内の少なくとも２つの副画素は列方向に配置される。１フィールドを複数の副フィールドに分割するとき，単位画素内の各副画素が対応する副フィールドで発光する。このようにすると，１副フィールドの一部行で発光が行われ，次の副フィールドの他の行で発光が行われて一つの画面を表示する。そして，選択走査線に印加される選択信号と各副フィールドで発光のための発光信号を一つの走査駆動部から出力することができる。【選択図】図１
2006189756.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１副フィールド及び第２副フィールドを含む複数の副フィールドを有するフィールドの間に画像を表示し，それぞれ列方向に配列される複数の発光素子を有する複数の単位画素と，
前記列方向に伸びており，前記単位画素に前記発光素子の画像表示のためのデータ信号を伝達する複数のデータ線と，
前記単位画素に選択信号を伝達し，それぞれ複数の行の単位画素のうち対応する行の単位画素に接続される複数の選択走査線と，
前記単位画素に発光信号を伝達し，それぞれ前記複数の行の単位画素のうち対応する行の単位画素に接続される複数の発光走査と，
前記各副フィールドで前記複数の選択走査線に前記選択信号を順次印加し，前記複数の発光走査線に前記発光信号を順次印加する走査駆動部と，
を含み，
前記単位画素は，前記選択信号の第１パルスに応答してデータ信号を書き込んだ後，各発光素子が前記発光信号の発光パルスに応答して該当副フィールドで発光し始めることを特徴とする，表示装置。
【請求項２】
前記単位画素は，
前記各副フィールドで前記選択信号の第１パルスに応答して前記データ信号を格納し，前記データ信号に対応する駆動電流を出力する画素駆動部と，
前記画素駆動部からの前記駆動電流を前記各副フィールドで前記複数の発光素子のうち少なくとも１つの発光素子へ選択的に伝達するスイッチング部と，
をさらに含むことを特徴とする，請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記単位画素に形成される前記複数の発光素子は同一色相の光を発光することを特徴とする，請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記スイッチング部は，前記画素駆動部の出力端と前記複数の発光素子との間にそれぞれ接続され，前記発光信号の発光パルスに応答してターンオンされる複数の第１トランジスタを含み，
前記複数の第１トランジスタが選択的にターンオンされて前記駆動電流が前記複数の発光素子へ選択的に伝達されることを特徴とする，請求項２に記載の表示装置。
【請求項５】
前記画素駆動部は，
第１電極と第２電極との間にかかる電圧に対応する電流を第３電極を介して前記駆動電流として出力する第２トランジスタと，
前記データ信号に対応する電圧を蓄積する第１キャパシタと，
前記選択信号に応答して前記データ信号を前記第１キャパシタへ伝達する第３トランジスタと，
を含むことを特徴とする，請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記画素駆動部は，前記第２トランジスタのしきい値電圧に対応する電圧を蓄積する第２キャパシタをさらに含み，
前記第２トランジスタの前記第１電極と前記第２電極間の電圧は，前記第１キャパシタと前記第２キャパシタに蓄積された電圧によって決定されることを特徴とする，請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記各発光信号は，第２パルスを前記発光パルスとして有する第１発光信号と，第３パルスを前記発光パルスとして有する第２発光信号とを含み，
前記各発光走査線は，前記第１副フィールドで前記第１発光信号を伝達する第１発光走査線と，前記第２副フィールドで前記第２発光信号を伝達する第２発光走査線とを含むことを特徴とする，請求項１に記載の表示装置。
【請求項８】
前記走査駆動部は，
前記各副フィールドで前記選択信号を順次出力する第１シフトレジスタと，
前記各副フィールドで前記第１及び第２発光信号を順次出力する第２シフトレジスタと，
を含むことを特徴とする，請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第１シフトレジスタは，
前記各副フィールドで第４パルスを有する第１信号を第１期間だけシフトしながら順次出力する第１駆動部と，
前記第１期間だけシフトされた２つの第１信号が共通に前記第４パルスを有する第２期間の少なくとも一部期間で前記選択信号の第２パルスを生成する第２駆動部と，
を含むことを特徴とする，請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第２駆動部は，第５パルスを前記第１期間の周期で有する第２信号をさらに受信し，前記第２期間から，前記第２信号が前記第５パルスを有する期間を除いた期間で前記選択信号の第１パルスを生成することを特徴とする，請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記第４パルスの幅は前記第１期間の２倍であることを特徴とする，請求項９に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第２シフトレジスタは，
前記１フィールドで第５パルスと第６パルスを交互に有する第２信号を前記第１期間だけシフトしながら順次出力する第１駆動部と，
前記第２信号が第５パルスを有する期間から，前記第１信号が前記第４パルスを有する期間を除いた期間で前記第１発光信号の第２パルスを生成する第２駆動部と，
前記第２信号が第６パルスを有する期間から，前記第１信号が前記第４パルスを有する期間を除いた期間で前記第２発光信号の第３パルスを生成する第３駆動部と，
を含むことを特徴とする，請求項９に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記第２シフトレジスタは，
前記第１発光信号を順次出力する第１駆動部と，
前記第１発光信号を反転して前記第２発光信号を順次出力する第２駆動部と，
を含むことを特徴とする，請求項８に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第２シフトレジスタは，
前記１フィールドで第４パルスと第５パルスを交互に有する第１信号を第１期間だけシフトしながら順次出力する第１駆動部と，
前記第１期間の整数倍だけシフトされた２つの第１信号が共通に前記第４パルスを有する期間で前記第１発光信号の第２パルスを生成する第２駆動部と，
前記第１期間の整数倍だけシフトされた２つの第１信号が共通に前記第５パルスを有する期間で，前記第２発光信号の第３パルスを生成する第３駆動部と，
を含むことを特徴とする，請求項８に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記第１シフトレジスタは，前記各副フィールドで前記選択信号を第１期間だけシフトしながら順次出力し，
前記第２シフトレジスタは，前記各副フィールドで前記発光信号を前記第１期間の２倍に相当する第２期間だけシフトしながら順次出力し，前記第２期間だけシフトされた２選択信号がそれぞれ印加される単位画素に同一の発光信号を印加することを特徴とする，請求項８に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記第１シフトレジスタは，前記第２期間の周期を有し，第４パルスと第５パルスを交互に有する第１信号を入力し，
前記第１シフトレジスタは，
前記各副フィールドで第６パルスを有する第２信号を前記第２期間だけシフトしながら順次出力する第１駆動部と，
前記第２期間だけシフトされた２つの第２信号が共通に前記第６パルスを有する第３期間と前記第１信号が前記第４パルスを有する期間との共通期間の少なくとも一部期間で前記選択信号の前記第１パルスを生成する第２駆動部と，
前記第３期間と前記第１信号が前記第５パルスを有する期間との共通期間の少なくとも一部期間で前記選択信号の前記第１パルスを生成する第３駆動部と，
を含むことを特徴とする，請求項１５に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記第２シフトレジスタは，
前記１フィールドで第７パルスと第８パルスを交互に有する第３信号を前記第２期間だけシフトしながら順次出力する第４駆動部と，
前記第３信号が前記第７パルスを有する期間から，前記第２信号が前記第６パルスを有する期間を除いた期間で前記第１発光信号の第２パルスを生成する第５駆動部と，
前記第３信号が前記第８パルスを有する期間から，前記第２信号が前記第６パルスを有する期間を除いた期間で前記第２発光信号の第３パルスを生成する第６駆動部と，
を含むことを特徴とする，請求項１６に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記走査駆動部は，
前記各副フィールドで前記選択信号を順次出力し，前記発光信号を順次出力するシフトレジスタを含むことを特徴とする，請求項７に記載の表示装置。
【請求項１９】
前記シフトレジスタは，
前記１フィールドで第４パルスと第５パルスを交互に有する第１信号を第１期間だけシフトしながら順次出力する第１駆動部と，
前記各副フィールドで前記第１期間だけシフトされた２つの第１信号がお互い異なるパルスを有する期間の少なくとも一部期間で前記選択信号の第１パルスを生成する第２駆動部と，
を含むことを特徴とする，請求項１８に記載の表示装置。
【請求項２０】
前記シフトレジスタは，
前記第１信号の第４パルスに応答して前記第１発光信号の第２パルスを生成する第３駆動部と，
前記第１信号の第５パルスに応答して前記第２発光信号の第３パルスを生成する第４駆動部と，
をさらに含むことを特徴とする，請求項１９に記載の表示装置。
【請求項２１】
前記シフトレジスタは，
前記第１期間の整数倍だけシフトされた２つの第１信号が共通に前記第４パルスを有する期間で前記第１発光信号の第２パルスを生成する第３駆動部と，
前記第１期間の整数倍だけシフトされた２つの第１信号が共通に前記第５パルスを有する期間で前記第２発光信号の第３パルスを生成する第４駆動部と，
をさらに含むことを特徴とする，請求項１９に記載の表示装置。
【請求項２２】
前記シフトレジスタは，
前記１フィールドで第４パルスと第５パルスを交互に有する第１信号を第１期間だけシフトしながら順次出力する第１駆動部と，
前記第１期間だけシフトされた２つの第１信号が共通に前記第４パルスを有する期間で前記第１発光信号の第２パルスを生成する第２駆動部と，
前記第１期間だけシフトされた２つの第１信号が共通に前記第５パルスを有する期間で前記第２発光信号の第２パルスを生成する第３駆動部と，
前記各副フィールドで前記第１発光信号が第６パルスを有する期間と前記第２発光信号が第７パルスを有する期間との共通期間の少なくとも一部期間で前記選択信号の第１パルスを生成する第４駆動部と，
を含むことを特徴とする，請求項１８に記載の表示装置。
【請求項２３】
前記シフトレジスタは，
前記１フィールドで第４パルスと第５パルスを交互に有する第１信号を第１期間だけシフトしながら順次出力する第１駆動部と，
前記第１期間だけシフトされた２つの第１信号が共通に前記第４パルスを有する期間で，第６パルスを有する第２信号を生成する第２駆動部と，
前記第１期間だけシフトされた２つの第１信号が共通に前記第５パルスを有する期間で，第７パルスを有する第３信号を生成する第３駆動部と，
前記第１期間の整数倍だけシフトされた２つの第２信号が共通に前記第６パルスを有する期間で前記第１発光信号の第２パルスを生成する第４駆動部と，
前記第１期間の整数倍だけシフトされた２つの第３信号が共通に前記第７パルスを有する期間で前記第２発光信号の第３パルスを生成する第５駆動部と，
を含むことを特徴とする，請求項１８に記載の表示装置。
【請求項２４】
前記シフトレジスタは，
前記各副フィールドで前記第１期間だけシフトされた２つの第１信号がお互い異なるパルスを有する期間の少なくとも一部期間で前記選択信号の第１パルスを生成する第６駆動部をさらに含むことを特徴とする，請求項２３に記載の表示装置。
【請求項２５】
前記シフトレジスタは，
前記各副フィールドで前記第２信号が第８パルスを有する期間と前記第３信号が第９パルスを有する期間との共通期間の少なくとも一部期間で前記選択信号の第１パルスを生成する第６駆動部をさらに含むことを特徴とする，請求項２３に記載の表示装置。
【請求項２６】
前記走査駆動部は前記表示部の一側面に形成されることを特徴とする，請求項１〜２５のいずれかに記載の表示装置。
【請求項２７】
前記発光素子は有機物質の発光を利用することを特徴とする，請求項１〜２５のいずれかに記載の表示装置。
【請求項２８】
第１副フィールド及び第２副フィールドを含む複数の副フィールドを有する１フィールドの間に画像を表示し，それぞれ列方向に配列される複数の発光素子を有する複数の単位画素と，
前記列方向に伸びており，前記単位画素に前記発光素子の画像表示のためのデータ信号を伝達する複数のデータ線と，
前記単位画素に選択信号を伝達し，それぞれ複数の行の単位画素のうち対応する行の単位画素に接続される複数の選択走査線と，
前記単位画素に発光信号を伝達し，それぞれ前記複数の行の単位画素のうち対応する行の単位画素に接続される複数の発光走査線と，
前記複数の行を第１及び第２グループに分けるとき，前記各副フィールドで第１グループの行の選択走査線に前記選択信号を順次印加し，前記第１グループの行の前記発光走査線に前記発光信号を順次印加する第１走査駆動部と，
前記各副フィールドで第２グループの行の選択走査線に前記選択信号を順次印加し，前記第２グループ行の発光走査線に前記発光信号を順次印加する第２走査駆動部と，
を含み，
前記単位画素は，前記選択信号の第１パルスに応答してデータ信号を書き込んだ後，各発光素子が前記発光信号の発光パルスに応答して該当副フィールドで発光し始めることを特徴とする，表示装置。
【請求項２９】
前記単位画素は，
前記各副フィールドで前記選択信号の第１パルスに応答して前記データ信号を格納し，前記データ信号に対応する駆動電流を出力する画素駆動部と，
前記画素駆動部からの前記駆動電流を前記各副フィールドで前記複数の発光素子の少なくとも１つへ選択的に伝達するスイッチング部と，
をさらに含むことを特徴とする，請求項２８に記載の表示装置。
【請求項３０】
前記スイッチング部は，前記画素駆動部の出力端と前記複数の発光素子との間にそれぞれ接続され，前記発光信号の発光パルスに応答してターンオンされる複数のトランジスタを含み，
前記複数のトランジスタが選択的にターンオンされ，前記駆動電流が前記複数の発光素子へ選択的に伝達されることを特徴とする，請求項２９に記載の表示装置。
【請求項３１】
前記各発光信号は，
第２パルスを前記発光パルスとして有する第１発光信号と，
第３パルスを前記発光パルスとして有する第２発光信号と，
を含み，
前記各発光走査線は，
前記第１副フィールドで前記第１発光信号を伝達する第１発光走査線と，
前記第２副フィールドで前記第２発光信号を伝達する第２発光走査線と，
を含むことを特徴とする，請求項２８に記載の表示装置。
【請求項３２】
前記第１グループの行は奇数番目の行グループであり，前記第２グループの行は偶数番目の行グループであることを特徴とする，請求項３１に記載の表示装置。
【請求項３３】
前記第１走査駆動部は，
前記各副フィールドで選択信号の第１パルスを第１期間だけシフトしながら順次出力する第１シフトレジスタと，
前記第１発光信号の第２パルスと前記第２発光信号の第３パルスをそれぞれ前記第１期間だけシフトしながら順次出力する第２シフトレジスタと，
を含み，
前記第２走査駆動部は，
前記各副フィールドで選択信号の第１期間だけシフトしながら順次出力する第３シフトレジスタと，
前記第１発光信号の第２パルスと前記第２発光信号の第３パルスをそれぞれ前記第１期間だけシフトしながら順次出力する第４シフトレジスタと，
を含み，
前記第３シフトレジスタから出力される選択信号の第１パルスは，前記第１シフトレジスタから出力される選択信号の第１パルスに対して前記第１期間の半分に相当する第２期間だけシフトされていることを特徴とする，請求項３２に記載の表示装置。
【請求項３４】
前記第１シフトレジスタは，前記第１期間の周期を有し，第４パルスと第５パルスを交互に有する第１信号を入力し，
前記第１シフトレジスタは，
前記各副フィールドで第６パルスを有する第２信号を前記第１期間だけシフトしながら順次出力する第１駆動部と，
前記第１期間だけシフトされた２つの第２信号が共通に前記第６パルスを有する期間と前記第１信号が前記第４パルスを有する期間との共通期間の少なくとも一部期間で前記選択信号の前記第１パルスを生成する第２駆動部と，
を含むことを特徴とする，請求項３３に記載の表示装置。
【請求項３５】
前記第３シフトレジスタは，
前記各副フィールドで前記第６パルスを有する前記第３信号を前記第１期間だけシフトしながら順次出力する第３駆動部と，
前記第１期間だけシフトされた２つの第３信号が共通に前記第６パルスを有する期間と前記第１信号が前記第４パルスを有する期間との共通期間の少なくとも一部期間で前記選択信号の前記第１パルスを生成する第４駆動部と，
を含むことを特徴とする，請求項３４に記載の表示装置。
【請求項３６】
前記第２及び第４シフトレジスタそれぞれは，
１フィールドで第７パルスと第８パルスを交互に有する第４信号を前記第１期間だけシフトしながら順次出力する第５駆動部と，
前記第４信号が前記第７パルスを有する期間から，前記第２信号が前記第５パルスを有する期間を除いた期間で前記第１発光信号の第２パルスを生成する第６駆動部と，
前記第４信号が前記第８パルスを有する期間から，前記第２信号が第５パルスを有する期間を除いた期間で前記第２発光信号の第３パルスを生成する第７駆動部と，
を含むことを特徴とする，請求項３５に記載の表示装置。
【請求項３７】
前記第１走査駆動部は，前記各副フィールドで選択信号の第１パルスを第１期間だけシフトしながら順次出力し，前記第１発光信号の第２パルスと前記第２発光信号の第３パルスを前記第１期間だけシフトしながら順次出力する第１シフトレジスタを含み，
前記第２走査駆動部は，前記各副フィールドで選択信号の第１パルスを前記第１期間だけシフトしながら順次出力し，前記第１発光信号の第２パルスと前記第２発光信号の第３パルスを前記第１期間だけシフトしながら順次出力する第２シフトレジスタを含み，
前記第２シフトレジスタから出力される選択信号の第１パルスは，前記第１シフトレジスタから出力される選択信号の第１パルスに対して前記第１期間の半分に相当する第２期間だけシフトされていることを特徴とする，請求項３４に記載の表示装置。
【請求項３８】
前記第１走査駆動部は前記表示部の一側面に形成され，前記第２走査駆動部は前記第１走査駆動部が形成された側面の反対側面に形成されることを特徴とする，請求項２８〜３７のいずれかに記載の表示装置。
【請求項３９】
前記発光素子は有機物質の発光を利用することを特徴とする，請求項２８〜３７のいずれかに記載の表示装置。
【請求項４０】
第１方向に伸びている複数のデータ線と，第２方向に伸びている複数の選択走査線と，前記データ線及び前記選択走査線によってそれぞれ定義される複数の単位画素とを含み，前記単位画素は，複数の副画素を含む表示装置を駆動する方法において，
１フィールド中の第１副フィールドで前記複数の選択走査線に順次選択信号を印加し，前記複数の選択走査線に前記選択信号を印加されるときに前記複数のデータ線にデータ信号を印加する段階と，
前記第１副フィールドで前記選択信号と前記データ信号が印加された前記単位画素に第１発光信号を印加して，前記複数の副画素のうち第１副画素の発光を開始させる段階と，
前記１フィールド中の第２副フィールドで前記複数の選択走査線に順次選択信号を印加し，前記複数の選択走査線に前記選択信号が印加されるときに前記複数のデータ線にデータ信号を印加する段階と，
前記第２副フィールドで前記選択信号と前記データ信号が印加された前記単位画素に第２発光信号を印加して，前記複数の副画素のうち前記第１副画素に対して実質的に前記第１方向に配列された第２副画素の発光を開始させる段階と，
を含み，
前記第２発光信号は前記第１発光信号を生成する第１信号から生成されることを特徴とする，表示装置の駆動方法。
【請求項４１】
前記各副画素は，少なくとも一つの発光素子を含み，
前記単位画素は，
前記選択信号の第１パルスに応答して前記データ信号を格納し，前記データ信号に対応する駆動電流を出力する画素駆動部と，
前記画素駆動部と前記複数の副画素との間にそれぞれ接続される複数のスイッチと，
を含むことを特徴とする，請求項４０に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項４２】
前記複数のスイッチは，
前記第１発光信号の第２パルスに応答してターンオンされる第１スイッチと，
前記第２発光信号の第３パルスに応答してターンオンされる第２スイッチと，
を含むことを特徴とする，請求項４１に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項４３】
前記各副フィールドで第４パルスを有する第２信号を第１期間だけシフトしながら順次出力する段階と，
前記第１期間だけシフトされた２つの第２信号が共通に前記第４パルスを有する期間の少なくとも一部期間で前記選択信号の第１パルスを生成する段階と，
をさらに含むことを特徴とする，請求項４２に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項４４】
前記１フィールドで第５パルスと第６パルスを交互に有する前記第１信号を前記第１期間だけシフトしながら順次出力する段階と，
前記第１信号の第５パルスに応答して前記第１発光信号の第２パルスを生成する段階と，
前記第１信号の第６パルスに応答して前記第２発光信号の第３パルスを生成する段階と，
をさらに含むことを特徴とする，請求項４３に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項４５】
前記１フィールドで第５パルスと第６パルスを交互に有する前記第１信号を前記第１期間だけシフトしながら順次出力する段階と，
前記第１期間の整数倍だけシフトされた２つの第１信号が共通に前記第５パルスを有する期間で前記第１発光信号の第２パルスを生成する段階と，
前記第１期間の整数倍だけシフトされた２つの第１信号が共通に前記第６パルスを有する期間で前記第２発光信号の第３パルスを生成する段階と，
をさらに含むことを特徴とする，請求項４３に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項４６】
前記１フィールドで第４パルスと第５パルスを交互に有する前記第１信号を第１期間だけシフトしながら順次出力する段階と，
前記第１期間だけシフトされた２つの第１信号がお互い異なるパルスを有する期間の少なくとも一部期間で前記選択信号の第１パルスを生成する段階と，
をさらに含むことを特徴とする，請求項４２に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項４７】
前記第１信号の第４パルスに応答して前記第１発光信号の第２パルスを生成する段階と，
前記第１信号の第５パルスに応答して前記第２発光信号の第３パルスを生成する段階と，
をさらに含むことを特徴とする，請求項４６に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項４８】
前記第１期間の整数倍だけシフトされた２つの第１信号が共通に前記第４パルスを有する期間で前記第１発光信号の第２パルスを生成する段階と，
前記第１期間の整数倍だけシフトされた２つの第１信号が共通に前記第５パルスを有する期間で前記第２発光信号の第３パルスを生成する段階と，
をさらに含むことを特徴とする，請求項４６に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項４９】
前記１フィールドで第４パルスと第５パルスを交互に有する前記第１信号を第１期間だけシフトしながら順次出力する段階と，
前記第１期間だけシフトされた２つの第１信号が共通に前記第４パルを有する期間で前記第１発光信号の第２パルスを生成する段階と，
前記第１期間だけシフトされた２つの第１信号が共通に前記第５パルスを有する期間で前記第２発光信号の第３パルスを生成する段階と，
前記第１発光信号が第６パルスを有する期間と前記第２発光信号が第７パルスを有する期間との共通期間の少なくとも一部期間で前記選択信号の第１パルスを生成する段階と，
をさらに含むことを特徴とする，請求項４２に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項５０】
前記１フィールドで第４パルスと第５パルスを交互に有する前記第１信号を第１期間だけシフトしながら順次出力する段階と，
前記第１期間だけシフトされた２つの第１信号が共通に前記第４パルスを有する期間で第２信号の第６パルスを生成する段階と，
前記第１期間だけシフトされた２つの第１信号が共通に前記第５パルスを有する期間で第３信号の第７パルスを生成する段階と，
前記第１期間の整数倍だけシフトされた２つの第２信号が共通に前記第６パルスを有する期間で前記第１発光信号の第２パルスを生成する段階と，
前記第１期間の整数倍だけシフトされた２つの第３信号が共通に前記第７パルスを有する期間で前記第２発光信号の第３パルスを生成する段階と，
をさらに含むことを特徴とする，請求項４２に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項５１】
前記第１期間だけシフトされた２つの第１信号がお互い異なるパルスを有する期間の少なくとも一部期間で前記選択信号の第１パルスを生成する段階をさらに含むことを特徴とする，請求項５０に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項５２】
前記第２信号が第８パルスを有する期間と前記第３信号が第９パルスを有する期間との共通期間の少なくとも一部期間で前記選択信号の第１パルスを生成する段階をさらに含むことを特徴とする，請求項５０に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項５３】
前記複数の選択信号は，
前記複数の選択走査線のうち奇数番目の選択走査線からなる第１グループの選択走査線に印加される複数の第１選択信号と，
前記複数の選択走査線のうち偶数番目の選択走査線からなる第２グループの選択走査線に印加される複数の第２選択信号と，
を含み，
前記複数の第１選択信号の第１パルスと前記複数の第２選択信号の第１パルスは，それぞれ第１期間だけシフトされながら順次出力され，前記第２選択信号の第１パルスは，前記第１選択信号の第１パルスに対して前記第１期間の半分に相当する第２期間だけシフトされていることを特徴とする，請求項４２に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項５４】
前記第１期間の周期で第４パルスと第５パルスを交互に有する第２信号を出力する段階と，
前記各副フィールドで第６パルスを有する第３信号を前記第１期間だけシフトしながら順次出力する段階と，
前記第１期間だけシフトされた２つの第３信号が共通に前記第６パルスを有する第３期間と前記第２信号が前記第４パルスを有する期間との共通期間の少なくとも一部期間で前記第１選択信号の第１パルスを生成する段階と，
前記第３期間と前記第２信号が前記第５パルスを有する期間との共通期間の少なくとも一部期間で前記第２選択信号の第１パルスを生成する段階と，
をさらに含むことを特徴とする，請求項５３に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項５５】
前記１フィールドで第７パルスと第８パルスを交互に有する第４信号を前記第１期間だけシフトしながら順次出力する段階と，
前記第４信号が前記第７パルスを有する期間から，前記第３信号が前記第６パルスを有する期間を除いた期間で，前記第１発光信号の第２パルスを生成する段階と，
前記第４信号が前記第８パルスを有する期間から，前記第３信号が前記第６パルスを有する期間を除いた期間で，前記第２発光信号の第３パルスを生成する段階と，
をさらに含み，
前記第１選択信号が印加される第１単位画素と，前記第１選択信号に対して前記第２期間だけシフトされた前記第２選択信号が印加される第２単位画素には，同一の前記第１発光信号及び同一の前記第２発光信号が印加されることを特徴とする，請求項５４に記載の表示装置の駆動方法。
【請求項５６】
前記第１選択信号は前記選択走査線の第１端に入力され，前記第２選択信号は前記選択走査線の第２端に入力されることを特徴とする，請求項５３〜５５のいずれかに記載の表示装置の駆動方法。
【請求項５７】
前記副画素は有機物質の発光を利用することを特徴とする，請求項４０〜５５のいずれかに記載の表示装置の駆動方法。
【請求項５８】
第１方向に伸びている複数のデータ線と，第２方向に伸びている複数の選択走査線と，前記データ線及び前記選択走査線によって定義される複数の単位画素とを含み，前記単位画素は，実質的に前記第１方向に配列された複数の副画素を有する表示部と，
１フィールドを形成する複数の副フィールドそれぞれで前記複数の選択走査線に順次選択信号を伝達し，前記各副フィールドで前記単位画素の前記複数の副画素のうち前記各副フィールドに該当する副画素に発光信号を伝達して前記該当副画素の発光を開始させる第１駆動部と，
前記複数のデータ線に選択信号が伝達される選択走査線に接続される単位画素に対応するデータ信号を印加する第２駆動部と，
を含み，
前記第１駆動部は，第１信号から前記複数の副フィールドの各発光信号を生成することを特徴とする，発光表示装置。
【請求項５９】
前記第１駆動部は前記第１信号から前記選択信号を生成することを特徴とする，請求項５８に記載の発光表示装置。
【請求項６０】
前記第１駆動部は，
前記選択走査線の中の奇数番目の選択走査線に接続される副画素に前記選択信号及び前記発光信号を伝達する第２駆動部と，
前記選択走査線の中の偶数番目の選択走査線に接続される副画素に前記選択信号及び前記発光信号を伝達する第３駆動部と，
を含むことを特徴とする，請求項５８または５９に記載の発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，表示装置及びその駆動方法に係り，特に有機物質の発光を用いた表示装置及びその駆動方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に，有機発光表示装置は，蛍光性有機物質を電気的に励起させて発光させる表示装置であって，複数の有機発光セルを電圧駆動或いは電流駆動して画像を表現することができるようになっている。このような有機発光セルは，アノード，有機薄膜，カソードレーヤの構造をもっている。有機薄膜は，電子と正孔のバランスを良くして発光効率を向上させるために，発光層，電子輸送層および正孔輸送層を含んだ多層構造からなり，且つ別途の電子注入層と正孔注入層を含むことができる。
【０００３】
このような有機発光セルを駆動する方式の中でも，アクティブマトリックス方式は，キャパシタに電圧を書き込んで維持させるために印加される信号の形態によって，電圧書き込み方式と電流書き込み方式に分けられる。
【０００４】
有機発光表示装置は，それぞれの色相を有する複数の副画素から発光する色相の組み合わせで様々な色相が表現される。一般に，赤色Ｒを表示する副画素，緑色Ｇを表示する副画素，および青色Ｂを表示する副画素によって一つの色相を表現することが可能な画素が定義される。通常，このようなＲ，Ｇ，Ｂの副画素は行方向に連続して配置されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら，このような副画素を駆動するためには，副画素別に有機発光素子を駆動するための駆動回路が必要であり，データ信号を伝達するためのデータ線，走査信号を伝達するための走査線，および電源電圧を伝達するための電源線が設けられなければならない。よって，一つの画素において形成されるトランジスタ，キャパシタ，および電圧または信号を伝達するための配線が多く必要となり，画素の内部にこれらを配置するのに困難さがあった。さらに，画素において発光する領域に該当する開口率が減少するという問題点もあった。
【０００６】
そこで，本発明は，このような問題点に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，開口率を向上させることが可能な発光表示装置を提供することにある。
【０００７】
本発明の他の目的は，画素の内部に含まれる素子の構成及び配線を単純化することが可能な発光表示装置を提供することにある。
【０００８】
本発明の別の目的は，信号線の数を減らすことが可能な発光表示装置を提供することにある。
【０００９】
本発明の別の目的は，フリップフロップの数を減らすことが可能な走査駆動部を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために，本発明は，２つ以上の副画素が選択走査線を共有するようにする。
【００１１】
本発明のある観点によれば，複数の単位画素，複数のデータ線，複数の選択走査線，複数の発光走査線及び走査駆動部を含む表示装置が提供される。前記単位画素は，第１及び第２副フィールドを含む複数の副フィールドを有するフィールドの間に画像を表示し，列方向に配列される複数の発光素子を有する。複数のデータ線は，前記列方向に伸びており，前記単位画素に前記発光素子の画像表示のためのデータ信号を伝達する。複数の選択走査線は，前記単位画素に選択信号を伝達し，それぞれ複数の行の単位画素のうち対応する行の単位画素に接続され，複数の発光走査線は，前記単位画素に発光信号を伝達し，それぞれ前記複数の行の単位画素のうち対応する行の単位画素に接続される。走査駆動部は，前記各副フィールドで前記複数の選択走査線に前記選択信号を順次印加し，前記複数の発光走査線に前記発光信号を順次印加する。ここで，前記単位画素は，前記選択信号の第１パルスに応答してデータ信号を書き込んだ後，各発光素子が前記発光信号の発光パルスに応答して該当副フィールドで発光し始める。
【００１２】
本発明の他の観点によれば，複数の単位画素，複数のデータ線，複数の選択走査線，複数の発光走査線，第１走査駆動部及び第２走査駆動部を含む表示装置が提供される。単位画素は，第１及び第２副フィールドを含む複数の副フィールドを有する１フィールドの間に画像を表示し，列方向に配列される複数の発光素子を有する。複数のデータ線は，前記列方向に伸びており，前記単位画素に前記発光素子の画像表示のためのデータ信号を伝達する。複数の選択走査線は，前記単位画素に選択信号を伝達し，それぞれ複数の行の単位画素のうち対応する行の単位画素に接続される。複数の発光走査線は，前記単位画素に発光信号を伝達し，それぞれ前記複数の行の単位画素のうち対応する行の単位画素に接続される。第１走査駆動部は，前記各副フィールドで第１グループの行の選択走査線に前記選択信号を順次印加し，前記第１グループの行の前記発光走査線に前記発光信号を順次印加する。第２走査駆動部は，前記各副フィールドで第２グループの行の選択走査線に前記選択信号を順次印加する。ここで，前記単位画素は，前記選択信号の第１パルスに応答してデータ信号を書き込んだ後，各発光素子が前記発光信号の発光パルスに応答して該当副フィールドで発光し始める。
【００１３】
本発明の別の観点によれば，第１方向に伸びている複数のデータ線と，第２方向に伸びている複数の選択走査線と，前記データ線及び前記選択走査線によってそれぞれ定義される複数の単位画素とを含み，前記単位画素は，複数の副画素を含む表示装置を駆動する方法が提供される。この駆動方法によれば，１フィールド中の第１副フィールドで前記複数の選択走査線に順次選択信号が印加され，前記複数の選択走査線に前記選択信号が印加されるときに前記複数のデータ線にデータ信号が印加される。そして，前記第１副フィールドで前記選択信号と前記データ信号の印加された前記単位画素に第１発光信号が印加され，前記複数の副画素の中の第１副画素の発光が始まる。また，前記１フィールド中の第２副フィールドで前記複数の選択走査線に順次選択信号が印加され，前記複数の選択走査線に前記選択信号が印加されるときに前記複数のデータ線にデータ信号が印加される。そして，前記第２副フィールドで前記選択信号と前記データ信号の印加された前記単位画素に第２発光信号が印加され，前記複数の副画素の中の前記第１副画素に対して実質的に前記第１方向に配列された第２副画素の発光が始まる。ここで，前記第２発光信号は前記第１発光信号を生成する第１信号から生成される。
【００１４】
本発明の別の観点によれば，表示部，第１駆動部及び第２駆動部を含む表示装置が提供される。表示部は，第１方向に伸びている複数のデータ線と，第２方向に伸びている複数の選択走査線と，前記データ線及び前記選択走査線によって定義される複数の単位画素を含み，前記単位画素は，実質的に前記第１方向に配列された複数の副画素を有する。第１駆動部は，１フィールドを形成する複数の副フィールドそれぞれで前記複数の選択走査線に順次選択信号を伝達し，前記各副フィールドで前記単位画素の前記複数の副画素のうち前記各副フィールドに該当する副画素に発光信号を伝達して前記該当副画素の発光を開始させる。第２駆動部は，前記複数のデータ線に選択信号が伝達される選択走査線に接続される単位画素に対応するデータ信号を印加する。ここで，前記第１駆動部は，第１信号から前記複数の副フィールドの各発光信号を生成する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば，複数の副画素が選択走査線及び画素駆動部を共有することにより，各副画素の素子配置を簡単にして開口率を増加させることができる。また，選択走査線の数を副画素が配置される行ラインの数より減らすことができるので，選択走査信号駆動部の出力を減少させることができる。また，選択信号駆動部の面積を減らすことができるので，選択信号駆動部が表示部と同一の基板上に形成される場合に非発光領域を減らすことができる。
【００１６】
その上，選択信号，第１副フィールドの発光信号及び第２副フィールドの発光信号を生成する走査駆動部におけるフリップフロップの数を減らすことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００１８】
図面において，本発明を明確に説明するために，説明と関係のない部分は省略した。ある部分が他の部分に接続されているとするとき，これは直接接続されている場合のみならず，その間に他の素子を挟んで電気的に接続されている場合も含む。
【００１９】
本発明の実施形態では，表示装置として有機物質の発光を用いる有機発光表示装置を例として説明する。
【００２０】
図１は本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置の概略平面図である。
【００２１】
図１に示すように，本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置は，表示部１００，走査駆動部２００及びデータ駆動部３００を含む。
【００２２】
表示部１００は，複数の選択走査線Ｓ１〜Ｓｎ，複数の発光走査線Ｅｍ１１〜Ｅｍ１ｎ，Ｅｍ２１〜Ｅｍ２ｎ，複数のデータ線Ｄ１〜Ｄｍ及び複数の単位画素１１０を含む。各単位画素１１０には列方向に配列された２つの副画素１１１，１１２が形成される。複数のデータ線Ｄ１〜Ｄｍは，列方向に伸びており，画像を示すデータ信号を単位画素へ伝達する。複数の選択走査線Ｓ１〜Ｓｎは，行方向に伸びており，単位画素にデータ信号が印加できるように，単位画素を選択することが可能な選択信号を伝達する。複数の発光走査線Ｅｍ１１〜Ｅｍ１ｍ，Ｅｍ２１〜Ｅｍ２ｎは，行方向に伸びており，単位画素で各副画素の発光を制御することが可能な発光信号を伝達する。走査線とデータ線との交差領域で単位画素１１０が定義される。図１を参照すると，選択走査線Ｓ１〜Ｓｎはそれぞれ列方向に配列されている単位画素１１０をそれぞれ通過する。単位画素において，各選択走査線は２つの副画素１１１，１１２に接続されている。
【００２３】
走査駆動部２００は，１フィールドを２つの副フィールドに分割して駆動し，各副フィールドで複数の選択走査線Ｓ１〜Ｓｎに選択信号を順次印加する。また，走査駆動部２００は，第１副フィールドで複数の発光走査線Ｅｍ１１〜Ｅｍ１ｎに発光信号を順次印加し，第２副フィールドで複数の発光走査線Ｅｍ２１〜Ｅｍ２ｎに発光信号を順次印加する。データ駆動部３００は，データ線Ｄ１〜Ｄｍにデータ信号を印加し，第１副フィールドでは単位画素１００の副画素１１１に対応するデータ信号を印加し，第２副フィールドでは単位画素１１０の副画素１１２に対応するデータ信号を印加する。
【００２４】
このような走査駆動部２００及びデータ駆動部３００は，それぞれ表示部１００の形成された基板に電気的に接続できる。これとは異なり，走査駆動部２００及び／またはデータ駆動部３００を，表示部１００の基板上に直接装着することもでき，表示部１００の基板に走査線，データ線及びトランジスタと同一の層で形成されている駆動回路で代替することもできる。あるいは，走査駆動部２００及び／またはデータ駆動部３００を，表示部１００の基板に接着されて電気的に接続されたＴＣＰ（ｔａｐｅ ｃａｒｒｉｅｒ ｐａｃｋａｇｅ），ＦＰＣ（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）またはＴＡＢ（ｔａｐｅ ａｕｔｏｍａｔｉｃ ｂｏｎｄｉｎｇ）にチップ等の形で装着することもできる。
【００２５】
次に，図２を参照して本発明の第１実施形態に係る単位画素について詳細に説明する。
【００２６】
図２は本発明の第１実施形態に係る単位画素の概略回路図である。図２では，説明の便宜上，第ｉ行の選択走査線Ｓｉと第ｊ列〜第（ｊ＋２）列のデータ線Ｄｊ，Ｄｊ＋１，Ｄｊ＋２にそれぞれ形成される３つの単位画素，すなわち６つの副画素を代表的に示した（ここで，ｉは１〜ｎの整数，ｊは１〜（ｍ−２）の整数である）。図２では行方向にＲ，Ｇ，Ｂの順に副画素が配置され，列方向に同じ色相の副画素が配置されるものと仮定する。また，データ駆動部３００は，電圧形態のデータ信号（以下「データ電圧」という）をデータ線に印加するものとする。
【００２７】
図２に示すように，本発明の第１実施形態において，一つの単位画素に形成された２つの副画素は１本の選択走査線と画素駆動部１１５を共有し，画素駆動部１１５は駆動トランジスタＭ１，スイッチングトランジスタＭ２及びキャパシタＣ１を含む。
【００２８】
具体的に，選択走査線Ｓｉとデータ線Ｄｊに接続される単位画素１００ｉｊは，画素駆動部１１５，スイッチング部Ｍ３ａ，Ｍ３ｂ及び２つの有機発光素子ＯＬＥＤＲ１，ＯＬＥＤＲ２を含む。２つの有機発光素子ＯＬＥＤＲ１，ＯＬＥＤＲ２は，Ｒ色相の光を発光し，スイッチング部Ｍ３ａ，Ｍ３ｂは，画素駆動部１１５からの出力電流を２つの有機発光素子ＯＬＥＤＲ１，ＯＬＥＤＲ２へ選択的に伝達するために，２つの発光制御用トランジスタＭ３ａ，Ｍ３ｂを含む。有機発光素子ＯＬＥＤＲ１，ＯＬＥＤＲ２によって単位画素１１０ｉｊでそれぞれ副画素１１１ｉｊ，１１２ｉｊが定義される。
【００２９】
選択走査線Ｓｉとデータ線Ｄｊ＋１に接続される単位画素１１０ｉ（ｊ＋１）も，単位画素１１０ｉｊと同様の構造を有し，Ｇ色相の光を発光する有機発光素子ＯＬＥＤＧ１，ＯＬＥＤＧ２によってそれぞれ副画素１１１ｉ（ｊ＋１），１１２ｉ（ｊ＋１）が定義される。また，選択走査線Ｓｉとデータ線Ｄｊ＋２に接続される単位画素１１０ｉ（ｊ＋２）も，単位画素１１０ｉｊと同様の構造を有し，Ｂ色相の光を発光する有機発光素子ＯＬＥＤＢ１，ＯＬＥＤＢ２によってそれぞれ副画素１１１ｉ（ｊ＋２），１１２ｉ（ｊ＋２）が定義される。
【００３０】
単位画素１１０ｉｊにおいて，トランジスタＭ１のソースが電源電圧ＶＤＤに接続され，トランジスタＭ１のゲートとソースとの間にキャパシタＣ１が接続されている。トランジスタＭ２は，データ線ＤｊとトランジスタＭ１のゲートとの間に接続され，選択走査線Ｓｉからの低レベルの選択信号に応答してデータ線Ｄｊからのデータ電圧をトランジスタＭ１のゲートへ伝達する。すると，トランジスタＭ１のソースとゲートとの間には電源電圧ＶＤＤとデータ電圧との差に相当する電圧ＶＳＧがかかり，且つこの電圧ＶＳＧがキャパシタＣ１に蓄えられる。トランジスタＭ１のドレインと有機発光素子ＯＬＥＤＲ１，ＯＬＥＤＲ２のアノードとの間にはそれぞれトランジスタＭ３ａ，Ｍ３ｂが接続されており，有機発光素子ＯＬＥＤＲ１，ＯＬＥＤＲ２のカソードには電源電圧ＶＳＳが接続されている。電源電圧ＶＳＳは，電源電圧ＶＤＤより低い電圧であって，一般に陰の電圧，接地電圧などが使用される。図２に示すように，残り２つの単位画素１１０ｉ（ｊ＋１），１１０ｉ（ｊ＋２）も，単位画素１１０ｉｊと同様の接続構造を有する。
【００３１】
単位画素１１０ｉｊ，１１０ｉ（ｊ＋１），１１０ｉ（ｊ＋２）において，有機発光素子ＯＬＥＤＲ１，ＯＬＥＤＧ１，ＯＬＥＤＢ１にそれぞれ接続されるトランジスタＭ３ａのゲートにはｉ番目の２つの発光走査線Ｅｍ１ｉ，Ｅｍ２ｉのうち一方の発光走査線Ｅｍ１ｉが接続され，有機発光素子ＯＬＥＤＲ２，ＯＬＥＤＧ２，ＯＬＥＤＢ２にそれぞれ接続されるトランジスタＭ３ｂのゲートにはもう一方の発光走査線Ｅｍ２ｊが接続される。
【００３２】
このような接続構造において，１フィールドを形成する２つの副フィールドで発光走査線Ｅｍ１ｉ，Ｅｍ２ｉにそれぞれ低レベルの発光信号が印加される。発光走査線Ｅｍ１ｉに低レベルの発光信号が印加されると，トランジスタＭ３ａがターンオンされ，トランジスタＭ１から有機発光素子ＯＬＥＤＲ１，ＯＬＥＤＧ１，ＯＬＥＤＢ１に数式１のような電流ＩＯＬＥＤが供給されて有機発光素子ＯＬＥＤＲ１，ＯＬＥＤＧ１，ＯＬＥＤＢ１が電流ＩＯＬＥＤの大きさに対応する光の強さで発光する。発光走査線Ｅｍ２ｉに低レベルの発光信号が印加されると，トランジスタＭ３ｂがターンオンされて有機発光素子ＯＬＥＤＲ２，ＯＬＥＤＧ２，ＯＬＥＤＢ２が発光する。
【００３３】
【数１】
2006189756.tif 000003
【００３４】
式中，βは定数，ＶＧＳはトランジスタＭ１のソースとゲート間の電圧，ＶＴＨはトランジスタＭ１のしきい値電圧をそれぞれ示す。
【００３５】
例えば，図１に示すように，選択信号線Ｓｉを基準として，有機発光素子ＯＬＥＤＲ１，ＯＬＥＤＧ１，ＯＬＥＤＢ１によって形成されるラインを上部ラインＬ１とし，有機発光素子ＯＬＥＤＲ２，ＯＬＥＤＧ２，ＯＬＥＤＢ２によって形成されるラインを下部ラインＬ２とするとき，１フィールド中の１副フィールドでは上部ラインＬ１の有機発光素子が発光を開始し，次の副フィールドでは下部ラインＬ２の有機発光素子が発光を開始する。
【００３６】
次に，図３を参照して本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置の駆動方法について詳細に説明する。図３は本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置の駆動タイミング図である。図３において，選択走査線Ｓｉにそれぞれ印加される選択信号をｓｅｌｅｃｔ［ｉ］で表示し，発光走査線Ｅｍ１ｉ，Ｅｍ２ｉに印加される発光信号をそれぞれｅｍｉｔ１［ｉ］及びｅｍｉｔ２［ｉ］で表示した（ここで，ｉは１〜ｎの整数）。
【００３７】
図３に示すように，本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置は，１フィールドが２つの副フィールド１Ｆ，２Ｆに分割されて駆動され，各副フィールド１Ｆ，２Ｆで選択走査線Ｓ１〜Ｓｎに低レベルの選択信号ｓｅｌｅｃｔ［１］〜ｓｅｌｅｃｔ［ｎ］が順次印加される。画素駆動部を共有する２画素の２つの有機発光素子は，それぞれ１副フィールドに相当する期間の間発光する。また，図３では，発光信号ｅｍｉｔ１［ｉ］，ｅｍｉｔ２［ｉ］の低レベルパルス幅をそれぞれ第１副フィールド１Ｆ及び第２副フィールド２Ｆに相当する期間と同一の期間で表示した。
【００３８】
第１副フィールド１Ｆにおいて，第１行の選択走査線Ｓ１の選択信号が低レベルパルスとなり，第１行の各単位画素１１０の有機発光素子ＯＬＥＤＲ１，ＯＬＥＤＧ１，ＯＬＥＤＢ１に対応するデータ電圧がデータ線Ｄ１〜Ｄｍに伝達される。そして，発光走査線Ｅｍ１１の発光信号ｅｍｉｔ１［１］が低レベルパルスとなってトランジスタＭ３ａがターンオンされる。すると，第１行の単位画素でデータ電圧に対応する電流がトランジスタＭ３ａを介して有機発光素子ＯＬＥＤＲ１，ＯＬＥＤＧ１，ＯＬＥＤＢ１に伝達され，第１行の上部ラインＬ１で発光し始める。ここで，発光は，発光信号ｅｍｉｔ１［１］が低レベルパルスを有する期間の間行われる。
【００３９】
次いで，第２行の選択走査線Ｓ２の選択信号ｓｅｌｅｃｔ［２］が低レベルパルスとなり，第２行の各単位画素１１０の有機発光素子ＯＬＥＤＲ１，ＯＬＥＤＧ１，ＯＬＥＤＢ１に対応するデータ電圧がデータ線Ｄ１〜Ｄｍに印加される。そして，発光走査線Ｅｍ１２の発光信号ｅｍｉｔ１［２］が低レベルパルスとなってトランジスタＭ３ａがターンオンされる。すると，第２行の上部ラインＬ１に形成された有機発光素子ＯＬＥＤＲ１，ＯＬＥＤＧ１，ＯＬＥＤＢ１が発光信号ｅｍｉｔ１［２］によって発光し始めて発光信号ｅｍｉｔ１［２］の低レベルパルスの期間に発光する。
【００４０】
このような方式で，第１行〜第ｎ行の選択走査線Ｓ１〜Ｓｎに，低レベルパルスを有する選択信号ｓｅｌｅｃｔ［１］〜ｓｅｌｅｃｔ［ｎ］が順次印加される。また，第ｉ行の選択走査線Ｓｉの選択信号ｓｅｌｅｃｔ［ｉ］が低レベルパルスを有する間，第ｉ行の各単位画素の有機発光素子ＯＬＥＤＲ１，ＯＬＥＤＧ１，ＯＬＥＤＢ１に対応するデータ電圧がデータ線Ｄ１〜Ｄｍに印加される。第ｉ行の２本の発光走査線Ｅｍ１ｉ，Ｅｍ２ｉのうち発光走査線Ｅｍ１ｉの発光信号ｅｍｉｔ１［ｉ］が低レベルパルスになる。すると，各行では，発光信号ｅｍｉｔ１［ｉ］の低レベルパルス幅に相当する期間だけ各行の上部ラインＬ１に形成された有機発光素子ＯＬＥＤＲ１，ＯＬＥＤＧ１，ＯＬＥＤＢ１が発光する。
【００４１】
第２副フィールド２Ｆにおいて，第１行の選択走査線Ｓ１の選択信号ｓｅｌｅｃｔ［１］がさらに低レベルパルスとなり，第１行の各単位画素の有機発光素子ＯＬＥＤＲ２，ＯＬＥＤＧ２，ＯＬＥＤＢ２に対応するデータ電圧がデータ線Ｄ１〜Ｄｍに印加される。そして，発光走査線Ｅｍ２１の発光信号ｅｍｉｔ２［１］が低レベルパルスとなってトランジスタＭ３ｂがターンオンされる。すると，第１行の下部ラインＬ２に形成された有機発光素子ＯＬＥＤＲ２，ＯＬＥＤＧ２，ＯＬＥＤＢ２が発光信号ｅｍｉｔ２［１］の低レベルパルス期間に発光する。
【００４２】
次に，第２行の選択走査線Ｓ２の選択信号ｓｅｌｅｃｔ［２］がさらに低レベルパルスとなり，第２行の各単位画素の有機発光素子ＯＬＥＤＲ２，ＯＬＥＤＧ２，ＯＬＥＤＢ２に対応するデータ電圧がデータ線Ｄ１〜Ｄｍに印加され，第２行の発光走査線Ｅｍ２２の発光信号ｅｍｉｔ２[２]が低レベルパルスとなってトランジスタＭ３ｂがターンオンされる。すると，第２行の下部ラインＬ２に形成された有機発光素子ＯＬＥＤＲ２，ＯＬＥＤＧ２，ＯＬＥＤＢ２が発光信号ｅｍｉｔ２［２］の低レベルパルス期間の間に発光する。
【００４３】
このような方式で，第２副フィールド２Ｆにおいても，第１行〜第ｎ行の選択走査線Ｓ１〜Ｓｎの選択信号の選択信号ｓｅｌｅｃｔ［１］〜ｓｅｌｅｃｔ［ｎ］が順次低レベルパルスになる。第ｉ行の選択走査線Ｓｉの選択信号ｓｅｌｅｃｔ［ｉ］が低レベルパルスの間，各単位画素の有機発光素子ＯＬＥＤＲ２，ＯＬＥＤＧ２，ＯＬＥＤＢ２に対応するデータ電圧がデータ線Ｄ１〜Ｄｍに印加される。そして，第ｉ行の２つの発光走査線Ｅｍ１ｉ，Ｅｍ２ｉのうち一方の発光走査線Ｅｍ２ｉの発光信号ｅｍｉｔ２［ｉ］が低レベルパルスになる。すると，各行では発光信号ｅｍｉｔ２［ｉ］の低レベルパルス幅に相当する期間の間，各行の下部ラインＬ２に形成された有機発光素子ＯＬＥＤＲ２，ＯＬＥＤＧ２，ＯＬＥＤＢ２が発光する。
【００４４】
このように，本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置は，１フィールドが２つの副フィールドに分割されて駆動され，１副フィールドの各行で上部ラインＬ１に形成された副画素の有機発光素子のみが発光し始める。そして，次の副フィールドの各行で下部ラインＬ２に形成された副画素の有機発光素子が発光し始めて，１フィールドで２ｎ本のラインに形成された全ての副画素の有機発光素子が発光可能である。また，本発明の第１実施形態では，２副画素が画素駆動部（トランジスタ，キャパシタなど）と選択走査線Ｓｉを共有することにより，選択走査線Ｓｉと駆動素子の数を従来の技術に比べて半分に減らすことができる。すなわち，２ｎ本の行ラインをｎ本の選択走査線で駆動することができるので，副画素が形成される行ラインの数に比べて選択走査線の数を半分に減らすことができる。したがって，選択走査線Ｓｉを駆動するための集積回路の数を減らすことができ，単位画素で素子の配置を簡単にすることができる。
【００４５】
本発明の第１実施形態では，上部ラインＬ１をまず順次走査した後，下部ラインＬ２を順次走査しているので，インタレーススキャン（ｉｎｔｅｒｌａｃｅ ｓｃａｎ）に適用される走査駆動部２００とデータ駆動部３００を本発明の第１実施形態にそのまま適用することができる。そして，本発明の第１実施形態では，シングルスキャン（ｓｉｎｇｌｅ ｓｃａｎ）を例として説明したが，これとは異なり，別途の走査駆動部２００を２つ形成してデュアルスキャン（ｄｕａｌ ｓｃａｎ）を行うこともできる。また，順次走査する方式以外にも，複数の選択走査線に選択的に選択信号が印加できれば，他の走査方式を適用することもできる。
【００４６】
図１及び図２を参照すると，本発明の第１実施形態では，選択走査線を基準として，選択走査線の上側に１つの副画素，すなわち有機発光素子ＯＬＥＤＲ１が形成され，選択走査線の下側に他の副画素，すなわち有機発光素子ＯＬＥＤＲ２が形成される。これとは異なり，図４に示すように，選択走査線の下側（または上側）に２つの副画素が順次形成されるようにすることもできる。図４は本発明の第２実施形態に係る単位画素の概略回路図である。
【００４７】
図４を参照すると，選択走査線Ｓｉに接続された画素駆動部１１５の下方に有機発光素子ＯＬＥＤＲ１，ＯＬＥＤＧ１，ＯＬＥＤＢ１が形成されて上部ラインＬ１を成し，上部ラインＬ１の下方に有機発光素子ＯＬＥＤＲ２，ＯＬＥＤＧ２，ＯＬＥＤＢ２が形成されて下部ラインＬ２を成す。
【００４８】
ところが，図４のように有機発光素子を配置する場合，画素駆動部１１５から有機発光素子ＯＬＥＤＲ２，ＯＬＥＤＧ２，ＯＬＥＤＢ２へ電流が伝達される配線の長さが，画素駆動部１１５から有機発光素子ＯＬＥＤＲ１，ＯＬＥＤＧ１，ＯＬＥＤＢ１へ電流が伝達される配線の長さより長くなる可能性がある。すると，配線に存在する寄生成分の差により，上部ラインＬ１と下部ラインＬ２との間に図２の場合に比べて輝度不均一が発生するおそれがある。
【００４９】
第１及び第２実施形態では，トランジスタＭ１，Ｍ２，Ｍ３ａ，Ｍ３ｂをＰＭＯＳトランジスタとしたが，他の導電型のトランジスタを使用してもよい。他の導電型のトランジスタを使用する場合における接続関係，選択信号及び発光信号のレベルは，本発明の属する技術分野で通常の知識を有する者であれば容易に分かることができるので，その説明を省略する。
【００５０】
また，本発明の第１及び第２実施形態では，発光制御用トランジスタＭ３ａ，Ｍ３ｂにそれぞれ別の発光走査線Ｅｍ１ｉ，Ｅｍ２ｉが接続されると説明したが，これとは異なり，１本の発光走査線で２つの発光制御用トランジスタＭ３ａ，Ｍ３ｂを制御することができる。次に，このような実施形態について図５を参照して説明する。
【００５１】
図５は本発明の第３実施形態に係る単位画素の概略回路図である。
【００５２】
図５に示すように，第３実施形態に係る単位画素は，発光制御用トランジスタＭ３ａ’，Ｍ３ｂ’の導電型がお互い反対であり，トランジスタＭ３ａ’，Ｍ３ｂ’のゲートに１本の発光走査線Ｅｍｉが接続される以外は，図２の単位画素と同様の構造を有する。具体的に，上部ラインの有機発光素子に接続される発光制御用トランジスタＭ３ａ’はＰＭＯＳトランジスタで形成し，下部ラインの有機発光素子に接続される発光制御用トランジスタＭ３ｂ’はＮＭＯＳトランジスタで形成する。図示してはいないが，発光走査線Ｅｍｉに印加される発光信号は，図３に示した発光信号ｅｍｉｔ１［ｉ］と同一の形態を有する。
【００５３】
すると，図２のトランジスタＭ３ａと同導電型のトランジスタＭ３ａ’に接続される有機発光素子ＯＬＥＤＲ１，ＯＬＥＤＧ１，ＯＬＥＤＢ１の発光タイミングは，第１実施形態と同様である。図３を参照すると，発光信号ｅｍｉｔ２［ｉ］は，発光信号ｅｍｉｔ１［ｉ］に対して反転された形態を有し，トランジスタＭ３ｂ’の導電型は図２のトランジスタＭ３ｂと反対なので，トランジスタＭ３ｂ’に接続される有機発光素子ＯＬＥＤＲ２，ＯＬＥＤＧ２，ＯＬＥＤＢ２の発光タイミングも第１実施形態と同様である。
【００５４】
このように第３実施形態によれば，第１及び第２実施形態に比べて発光走査線の数を半分に減らすことができる。
【００５５】
また，本発明の第１実施形態では，２つの副画素が１本の選択走査線を共有すると説明したが，これとは異なり，３つ以上の副画素が１本の選択走査線を共有することもできる。例えば，列方向に配列された３つの副画素（すなわち，３つの有機発光素子）が１本の選択走査線を共有する場合には，３つの有機発光素子に３つの発光制御用トランジスタをそれぞれ接続し，３つの発光制御用トランジスタをそれぞれ制御するために１行で３本の発光走査線を使用すればよい。そして，１フィールドを３つの副フィールドに分けて３本の発光走査線をそれぞれ制御しながら駆動すればよい。すると，１行が３本の行ラインに分割され，各副フィールドで１本の行ラインが発光する。このように３つ以上の副画素が１本の選択走査線を共有する形態の詳細な構造および動作については，前記実施形態から本発明の属する技術分野で通常の知識を有する者であれば容易に分かることができるので，その説明を省略する。
【００５６】
以上，本発明の第１〜第３実施形態によれば，列方向に配列される複数の副画素（有機発光素子）が１本の選択走査線によって駆動される。本発明の実施形態では，１つの画素駆動部１１５に同一色相の副画素が接続されると説明したが，これとは異なり，１つの画素駆動部１１５に異なる色相の副画素が接続されることもできる。例えば，図２の単位画素１１０ｉｊにおいて，画素駆動部１１５の上側にはＲ色相の有機発光素子を接続し，画素駆動部１１５の下側にはＧ色相の有機発光素子を接続することもできる。
【００５７】
ところが，一般にＲ，Ｇ，Ｂ有機発光素子は駆動される電流の範囲で差異があるので，駆動トランジスタＭ１からＲ，Ｇ，Ｂ有機発光素子へ出力される駆動電流の範囲は，それぞれ異なるように設定される必要がある。このため，駆動トランジスタＭ１に印加されるデータ信号の範囲をＲ，Ｇ，Ｂ別に異にすることもでき，あるいは駆動トランジスタＭ１の大きさ（すなわち，チャネル幅とチャネル長さとの比）をＲ，Ｇ，Ｂ別に異にすることもできる。しかし，画素駆動部を共有する複数の副画素の色相が同一でなければ，画素駆動部に接続されるデータ線には副フィールド毎にお互い異なる色相の副画素に対応するデータ電圧が印加される。すると，データ駆動部３００から出力されるデータ電圧の範囲を特定の色相に最適化せず，いろいろの色相の範囲を含むことができるように最適化しなければならないので，データ駆動部３００の出力を最適化することが難しい。
【００５８】
これに対し，図２に示したように画素駆動部を共有する複数の副画素の色相が同一であれば，１本のデータ線には１色相の副画素のみが接続されるので，データ駆動部３００の各出力を１色相に対応するデータ電圧の範囲にのみ最適化すればよい。したがって，データ電圧の範囲を各色相の副画素に対応するように適切に設定することができて，各色相の副画素で所望の輝度が表示できるので，ホワイトバランス（ｗｈｉｔｅ ｂａｌａｎｃｅ）を取ることができる。
【００５９】
また，本発明の第１実施形態では，スイッチングトランジスタと駆動トランジスタのみを使用する電圧書き込み方式の画素回路について説明したが，スイッチングトランジスタと駆動トランジスタ以外に，駆動トランジスタのしきい値電圧を補償するためのトランジスタまたは電圧降下を補償するためのトランジスタなどを使用する電圧書き込み方式の画素回路に対しても適用することができる。すなわち，図２に示した電圧書き込み方式では，画素駆動部１１５から出力される駆動電流が駆動トランジスタＭ１のしきい値電圧に依存するので，単位画素の間で駆動トランジスタのしきい値電圧にバラツキが発生すると，駆動電流でもバラツキが発生する可能性がある。すると，単位画素の位置によって輝度が変わる現象が発生するおそれがある。次に，駆動トランジスタＭ１のしきい値電圧のバラツキを補償することが可能な単位画素について図６を参照して詳細に説明する。
【００６０】
図６は本発明の第４実施形態に係る単位画素の概略回路図である。図６では，説明の便宜上，ｉ番目の選択走査線Ｓｉとｊ番目のデータ線Ｄｊに接続される単位画素１１０ｉｊのみを示した。以下，現在選択信号を伝達する選択走査線を「現在選択走査線」といい，現在選択信号が伝達される前に選択信号を伝達した選択走査線を「直前選択走査線」という。
【００６１】
図６を参照すると，本発明の第４実施形態に係る単位画素は，画素駆動部１１５’が，駆動トランジスタのしきい値電圧のバラツキを補償するためのしきい値電圧補償部をさらに含むという点において本発明の第１実施形態に係る単位画素とは異なる。しきい値電圧補償部は，２つのトランジスタＭ１４，Ｍ１５とキャパシタＣ１２を含む。
【００６２】
具体的に，図６のトランジスタＭ１１，Ｍ１２，Ｍ１３ａ，Ｍ１３ｂはそれぞれ図２のトランジスタＭ１，Ｍ２，Ｍ３ａ，Ｍ３ｂに対応し，図６のキャパシタＣ１１，Ｃ１２は図２のキャパシタＣ１に対応する。キャパシタＣ１１の第１電極は電源電圧ＶＤＤに接続され，キャパシタＣ１１の第２電極はキャパシタＣ１２の第１電極に接続される。キャパシタ１２の第２電極は駆動トランジスタＭ１１のゲートに接続され，キャパシタＣ１２の第１電極にスイッチングトランジスタＭ１２が接続される。トランジスタＭ１４は，トランジスタＭ１１のゲートとドレインとの間に接続され，直前選択走査線Ｓｉ−１の選択信号に応答してトランジスタＭ１１をダイオードで接続する。トランジスタＭ１５は，電源電圧ＶＤＤとキャパシタＣ１２の第１電極との間に接続され，直前選択走査線Ｓｉ−１の選択信号に応答してキャパシタＣ１２の第１電極を電源電圧ＶＤＤに接続する。
【００６３】
次に，図７を参照して図６の単位画素の第１副フィールド１Ｆにおける動作について説明する。すなわち，図７ではトランジスタＭ１３ａがターンオンされて上部ラインに形成される有機発光素子ＯＬＥＤＲ２が発光する副フィールド１Ｆについてのみ説明する。したがって，図７ではトランジスタＭ１３ｂに接続される発光走査線Ｅｍ２ｉに印加される発光信号の波形を示していない。
【００６４】
図７を参照すると，直前選択走査線Ｓｉ−１の選択信号ｓｅｌｅｃｔ［ｉ−１］が低レベルであり且つ発光信号ｅｍｉｔ１［ｉ］’が高レベルである期間で，トランジスタＭ１４，Ｍ１５がターンオンされる。すると，トランジスタＭ１３ａ，Ｍ１３ｂがターンオフされた状態でトランジスタＭ１４がダイオードの形態で接続されるので，駆動トランジスタＭ１１のゲートとソースとの間にはトランジスタＭ１１のしきい値電圧Ｖｔｈがかかる。この際，トランジスタＭ１１のゲートとソースとの間にはキャパシタＣ１２が接続されているので，トランジスタＭ１１のゲート，すなわちキャパシタＣ１２の第２電極電圧は「ＶＤＤ＋Ｖｔｈ」電圧になる。
【００６５】
次に，現在選択走査線Ｓｉの選択信号ｓｅｌｅｃｔ［ｉ］が低レベルであり且つ発光信号ｅｍｉｔ１［ｉ］’が高レベルである期間で，トランジスタＭ１２，Ｍ１３ａがターンオンされ，トランジスタＭ１４，Ｍ１５がターンオフされる。すると，スイッチングトランジスタＭ１２を介してデータ電圧ＶｄａｔａがキャパシタＣ１２の第１電極に印加されるので，キャパシタＣ１２の第２電極電圧はキャパシタＣ１２の第１電極電圧の変化量Ｖｄａｔａ−ＶＤＤだけ変わる。すなわち，キャパシタＣ１２の第２電極電圧は「Ｖｄａｔａ＋Ｖｔｈ」電圧になって，トランジスタＭ１１のゲートとソースとの間には「Ｖｄａｔａ＋Ｖｔｈ−ＶＤＤ」電圧がかかり，この電圧がキャパシタＣ１１，Ｃ１２に蓄えられる。
【００６６】
次いで，発光信号ｅｍｉｔ１［ｉ］’が低レベルになると，駆動トランジスタＭ１１から（数式２）のような電流ＩＯＬＥＤが出力されて有機発光素子ＯＬＥＤＲ１に伝達されて発光が行われる。
【００６７】
【数２】
2006189756.tif 000004
【００６８】
（数式２）から分かるように，有機発光素子ＯＬＥＤＲ１に伝達される電流は，駆動トランジスタＭ１１のしきい値電圧に関係なく決定されるので，単位画素の間に存在するしきい値電圧のバラツキによる輝度不均一は発生しない。
【００６９】
図６および図７に示した単位画素の構造は，一つの一例に過ぎず，図２の構造でトランジスタ及び／またはキャパシタを追加することにより，駆動トランジスタのしきい値電圧を補償することが可能な他の構造も本発明に適用することができる。
【００７０】
本発明の実施形態では，発光信号の低レベル期間を図２とは異なるように設定することもできる。例えば，輝度が明るい場合には，発光信号の低レベル期間を副フィールド期間より短くして発光時間を減らすこともできる。すなわち，発光信号の低レベル開始時点を選択信号の低レベル開始時点より一定の期間だけ遅くし，或いは発光信号の低レベル終了時点を次の副フィールドにおける選択信号の低レベル開始時点より一定の期間だけ速くすることができる。
【００７１】
また，本発明の実施形態では，電圧書き込み方式の有機発光表示装置を例として説明したが，本発明は電流書き込み方式の有機発光表示装置にも適用することができる。
【００７２】
次に，本発明の実施形態に係る有機発光表示装置の走査駆動部２００について図８〜図２５を参照して説明する。
【００７３】
図８は本発明の第５実施形態に係る走査駆動部２００ａの概略図であり，図９は図８の走査駆動部２００ａの信号タイミング図である。図１０は走査駆動部に使用されるフリップフロップの概略図である。図８において，クロックＶＣＬＫの反転信号は／ＶＣＬＫで表示した。図９の信号タイミング図では，／ＶＣＬＫの図示は省略した。
【００７４】
図８に示すように，第５実施形態に係る走査駆動部２００ａは，（ｎ＋１）個のフリップフロップＦＦ１１〜ＦＦ１（ｎ＋１）及びｎ個のＮＡＮＤゲートＮＡＮＤ１１〜ＮＡＮＤ１ｎからなるシフトレジスタ２１０ａと，ｎ個のフリップフロップＦＦ２１〜ＦＦ２ｎ及びｎ個のインバータＩＮＶ２１〜ＩＮＶ２ｎからなるシフトレジスタ２２０ａとを含む。
【００７５】
シフトレジスタ２１０ａにおいて，ｉ番目のフリップフロップＦＦ１ｉの出力信号ＳＲ１ｉが（ｉ＋１）番目のフリップフロップＦＦ１（ｉ＋１）の入力信号となり，１番目のフリップフロップＦＦ１１の入力信号は，図９の開始信号ＶＳＰ１である（ｉは１〜ｎの整数）。そして，２つのフリップフロップＦＦ１ｉ，ＦＦ１（ｉ＋１）の出力信号ＳＲ１ｉ，ＳＲ１（ｉ＋１）がｉ番目のＮＡＮＤゲートＮＡＮＤ１ｉの入力信号となり，ＮＡＮＤゲートＮＡＮＤ１ｉの出力信号が選択信号ｓｅｌｅｃｔ［ｉ］になる。
【００７６】
シフトレジスタ２２０ａにおいて，ｉ番目のフリップフロップＦＦ２ｉの出力信号が第２副フィールドの発光信号ｅｍｉｔ２［ｉ］となり，ｉ番目のフリップフロップＦＦ２ｉの出力信号がインバータＩＮＶ２ｉによって反転された信号は第１副フィールドの発光信号ｅｍｉｔ１［ｉ］になる。そして，１番目のフリップフロップＦＦ２ｉの入力信号は図９の開始信号ＶＳＰ２である。
【００７７】
フリップフロップＦＦ１ｉ，ＦＦ２ｉは，クロックｃｌｋが高レベルであれば，入力信号ｉｎをそのまま出力し，クロックｃｌｋが低レベル（反転されたクロック／ｃｌｋが高レベル）であれば，クロックｃｌｋが高レベルのときの入力信号ｉｎをラッチして出力する。すなわち，このようなフリップフロップＦＦ１ｉ，ＦＦ２ｉは，クロックｃｌｋが高レベルのときの入力信号を１クロックの間出力する。
【００７８】
図８を参照すると，シフトレジスタ２１０ａの隣接した２つのフリップフロップＦＦ１ｉ，ＦＦ１（ｉ＋１）でクロックＶＣＬＫ，／ＶＣＬＫが反転されて使用される。すなわち，図８において縦方向に奇数番目に位置するフリップフロップＦＦ１ｉは，クロックＶＣＬＫを内部クロックｃｌｋとして受信し，偶数番目に位置するフリップフロップＦＦ１ｉはクロックＶＣＬＫを反転された内部クロック／ｃｌｋとして受信する。フリップフロップＦＦ１ｉの出力信号ＳＲ１ｉがフリップフロップＦＦ１（ｉ＋１）の入力信号になるので，フリップフロップＦＦ１（ｉ＋１）の出力信号ＳＲ１（ｉ＋１）は直前フリップフロップＦＦ１ｉの出力信号ＳＲ１ｉに対して半クロックＶＣＬＫだけシフトされた信号になる。
【００７９】
図９に示すように，開始信号ＶＳＰ１は，第１及び第２副フィールド１Ｆ，２Ｆの初期にクロックＶＣＬＫが一度高レベルの期間に高レベルパルスなので，フリップフロップＦＦ１１は高レベルパルスを１クロックＶＣＬＫの間出力する。したがって，フリップフロップＦＦ１１〜ＦＦｉ（ｎ＋１）は，高レベルパルスＳＲ１１〜ＳＲ１（ｎ＋１）を半クロックＶＣＬＫだけシフトしながら順次出力する。ＮＡＮＤゲートＮＡＮＤ１ｉは，２つのフリップフロップＦＦ１ｉ，ＦＦ１（ｉ＋１）の出力信号ＳＲ１ｉ，ＳＲ１（ｉ＋１）を否定論理積演算するので，出力信号ＳＲ１ｉ，ＳＲ１（ｉ＋１）が全て高レベルの場合に低レベルパルスを出力する。したがって，ＮＡＮＤゲートＮＡＮＤ１ｉの出力信号ｓｅｌｅｃｔ［ｉ］は，２つの出力信号ＳＲ１ｉ，ＳＲ１（ｉ＋１）が共通に高レベルパルスである期間，すなわち半クロックＶＣＬＫに相当する期間に低レベルパルスを有する。そして，２つの出力信号ＳＲ１（ｉ＋１），ＳＲ１（ｉ＋２）は出力信号ＳＲ１ｉ，ＳＲ１（ｉ＋１）に対してそれぞれ半クロックＶＣＬＫだけシフトされており，ＮＡＮＤゲートＮＡＮＤ１（ｉ＋１）の出力信号ｓｅｌｅｃｔ［ｉ＋１］はＮＡＮＤゲートＮＡＮＤ１ｉの出力信号ｓｅｌｅｃｔ［ｉ］に対して半クロックＶＣＬＫだけシフトされた信号になる。したがって，シフトレジスタ２１０ａは，図９のように第１及び第２副フィールド１Ｆ，２Ｆでそれぞれ半クロックＶＣＬＫの間低レベルパルスを有する選択信号ｓｅｌｅｃｔ［ｉ］を半クロックＶＣＬＫだけシフトしながら順次出力することができる。
【００８０】
シフトレジスタ２２０ａにおいても，シフトレジスタ２１０ａと同様に，隣接した２つのフリップフロップＦＦ２ｉ，ＦＦ２（ｉ＋１）でクロックＶＣＬＫ，／ＶＣＬＫが反転されて使用される。ところが，シフトレジスタ２２０ａとは異なり，奇数番目に位置するフリップフロップＦＦ２ｉがクロックＶＣＬＫを反転された内部クロック／ｃｌｋとして受信し，偶数番目に位置するフリップフロップＦＦ２ｉがクロックＶＣＬＫを内部クロックｃｌｋとして受信する。したがって，フリップフロップＦＦ２（ｉ＋１）の出力信号である発光信号ｅｍｉｔ１［ｉ＋１］は，直前フリップフロップＦＦ２ｉの出力信号ｅｍｉｔ１［ｉ］に対して半クロックＶＣＬＫだけシフトされた信号になる。
【００８１】
また，開始信号ＶＳＰ２は，第１副フィールド１ＦでクロックＶＣＬＫが低レベルのときに高レベルであり，第２副フィールド２ＦでクロックＶＣＬＫが低レベルのときに低レベルなので，発光信号ｅｍｉｔ２［１］は，第２副フィールド２Ｆで選択信号ｓｅｌｅｃｔ［１］が低レベルになるときに低レベルになった後，第１副フィールド１Ｆで選択信号ｓｅｌｅｃｔ［１］が低レベルになるときに高レベルパルスになる。したがって，シフトレジスタ２２０ａは，第２副フィールド２Ｆで選択信号ｓｅｌｅｃｔ［ｉ］と同時に低レベルになる発光信号ｅｍｉｔ２［ｉ］を半クロックＶＣＬＫだけシフトしながら順次出力することができる。
【００８２】
インバータＩＮＶ２ｉの出力信号ｅｍｉｔ１［ｉ］は，発光信号ｅｍｉｔ２［ｉ］に対して反転された信号なので，シフトレジスタ２２０ａは，第１副フィールド１Ｆで選択信号ｓｅｌｅｃｔ［ｉ］と同時に，低レベルになる発光信号ｅｍｉｔ１［ｉ］を半クロックＶＣＬＫだけシフトしながら順次出力することができる。
【００８３】
次に，図１０を参照して図８のフリップフロップＦＦ１ｉの一例について説明する。
【００８４】
図１０を参照すると，フリップフロップＦＦ１ｉは，入力端に位置する３相インバータ２１１，ラッチを形成するインバータ２１２，及び３相インバータ２１３を含む。クロックｃｌｋが高レベルになると，３相インバータ２１１は入力信号ｉｎを反転して出力し，インバータ２１２は３相インバータ２１１の出力信号／ｏｕｔを反転して出力する。クロックｃｌｋが低レベルになると，３相インバータ２１１の出力は遮断され，インバータ２１２の出力は３相インバータ２１３に入力され，３相インバータ２１３の出力／ｏｕｔはインバータ２１２に入力されるラッチが形成される。そして，インバータ２１２の出力信号はフリップフロップＦＦ１ｉの出力信号ｏｕｔになり，インバータ２１２の入力信号／ｏｕｔは出力信号ｏｕｔに対して反転された信号である。このように，フリップフロップＦＦ１ｉはクロックｃｌｋが高レベルであれば，入力信号ｉｎをそのまま出力し，クロックｃｌｋが低レベルであれば，高レベル時の入力信号ｉｎをラッチして出力することができる。
【００８５】
そして，図１０のようにシフトレジスタ２２０ａのフリップフロップＦＦ２ｉから，反転された信号／ｏｕｔが出力され，図１０でインバータＩＮＶ２ｉを除去し，フリップフロップＦＦ２ｉの反転された出力信号／ｏｕｔを第１副フィールド１Ｆの発光信号ｅｍｉｔ１［ｉ］として使用することができる。また，図９では第１副フィールド１Ｆで高レベルを有するパルスが開始信号ＶＳＰ２として使用されたが，図９の開始信号ＶＳＰ２に対して反転された信号が開始信号ＶＳＰ２として使用されることもできる。すると，フリップフロップＦＦ２ｉの出力信号が第１副フィールドの発光信号ｅｍｉｔ１［ｉ］になり，インバータＩＮＶ２ｉの出力信号が第２副フィールドの発光信号ｅｍｉｔ２［ｉ］になる。
【００８６】
以上説明したように，本発明の第５実施形態に係る走査駆動部２００ａは，２つのシフトレジスタを用いて選択信号ｓｅｌｅｃｔ［ｉ］と発光信号ｅｍｉｔ１［ｉ］，ｅｍｉｔ２［ｉ］を出力する。そして，第５実施形態では，選択信号ｓｅｌｅｃｔ［ｉ］が低レベルのとき，発光信号ｅｍｉｔ１［ｉ］またはｅｍｉｔ２［ｉ］も低レベルである。このような駆動波形は，一般に，データ線に電圧形態のデータ信号が伝達されてキャパシタＣｓｔに書き込まれる電圧書き込み方式の有機発光表示装置に適用できる。ところが，電流書き込み方式の有機発光表示装置では，一般にデータが書き込まれるときに駆動トランジスタと有機発光素子ＯＬＥＤ１またはＯＬＥＤ２が電気的に遮断される必要がある。また，図６及び図７で説明したような電圧書き込み方式の有機発光表示装置でも，選択信号ｓｅｌｅｃｔ［ｉ］が低レベルのときに発光信号ｅｍｉｔ１［ｉ］’，ｅｍｉｔ２［ｉ］’を高レベルにすることもできる。特に，図６及び図７の有機発光表示装置では，直前選択信号ｓｅｌｅｃｔ［ｉ−１］が低レベルのときにも，発光信号ｅｍｉｔ１［ｉ］’，ｅｍｉｔ２［ｉ］’は高レベルである。
【００８７】
以下，選択信号ｓｅｌｅｃｔ［ｉ］が低レベルのとき，発光信号ｅｍｉｔ１［ｉ］’，ｅｍｉｔ２［ｉ］’が両方とも高レベルである実施形態について図１１及び図１２を参照して説明する。
【００８８】
図１１は本発明の第６実施形態に係る走査駆動部２００ｂの概略図，図１２は図１１の走査駆動部２００ｂの信号タイミング図である。図１１及び図１２の走査駆動部２００ｂは図８及び図９の走査駆動部２００ａと同一のクロックＶＣＬＫを使用する。
【００８９】
図１１に示すように，走査駆動部２００ｂは，選択信号ｓｅｌｅｃｔ［ｉ］を出力するシフトレジスタ２１０ａと，発光信号ｅｍｉｔ１［ｉ］’，ｅｍｉｔ２［ｉ］’を出力するシフトレジスタ２２０ｂとを含む。そして，シフトレジスタ２２０ｂは，（ｎ＋１）個のフリップフロップＦＦ３１〜ＦＦ３（ｎ＋１），ｎ個のＮＡＮＤゲートＮＡＮＤ３１〜ＮＡＮＤ３ｎ及びｎ個のＯＲゲートＯＲ３１〜ＯＲ３ｎを含む。このようなＯＲゲートＯＲ３ｉはＮＯＲゲートとインバータで具現されることもできる。
【００９０】
フリップフロップＦＦ３ｉには，図８のフリップフロップＦＦ２ｉと同様に，クロックＶＣＬＫが入力される。ＮＡＮＤゲートＮＡＮＤ３ｉは２つのフリップフロップＦＦ３ｉ，ＦＦ３（ｉ＋１）の出力信号ＳＲ３ｉ，ＳＲ３（ｉ＋１）を否定論理積演算して発光信号ｅｉｍｉｔ１［ｉ］’を出力する。ＯＲゲートＯＲ３ｉは，２つのフリップフロップＦＦ３ｉ，ＦＦ３（ｉ＋１）の出力信号ＳＲ３ｉ，ＳＲ３（ｉ＋１）を論理和演算して発光信号ｅｍｉｔ２［ｉ］’を出力する。
【００９１】
図１２に示すように，フリップフロップＦＦ３ｉには図９の開始信号ＶＳＰ２と同一の開始信号が入力される。フリップフロップＦＦ３ｉの出力信号ＳＲ３ｉは，第１副フィールド１Ｆで選択信号ｓｅｌｅｃｔ［ｉ］が低レベルになるときに高レベルになった後，第２副フィールド２Ｆで選択信号ｓｅｌｅｃｅｔ［ｉ］が低レベルになるときに低レベルになる。そして，ＮＡＮＤゲートＮＡＮＤ３ｉは，２つのフリップフロップＦＦ３ｉ，ＦＦ３（ｉ＋１）の出力信号ＳＲ３ｉ，ＳＲ３（ｉ＋１）が両方とも高レベルの場合に低レベルパルスを出力するので，発光信号ｅｍｉｔ１［ｉ］’は，第１副フィールド１Ｆで選択信号ｓｅｌｅｃｔ［ｉ］が高レベルになるときに低レベルになる。また，ＮＯＲゲートＮＯＲ３ｉは，２つのフリップフロップＦＦ３ｉ，ＦＦ３（ｉ＋１）の出力信号ＳＲ３ｉ，ＳＲ３（ｉ＋１）が両方とも低レベルの場合に高レベルパルスを出力するので，発光信号ｅｍｉｔ２［ｉ］’は，第２副フィールド２Ｆで選択信号ｓｅｌｅｃｔ［ｉ］が高レベルになるときに低レベルになる。
【００９２】
このように，本発明の第６実施形態では，選択信号ｓｅｌｅｃｔ［ｉ］が低レベルのときに発光信号ｅｍｉｔ１［ｉ］’，ｅｍｉｔ２［ｉ］’が両方とも高レベルを有する場合について説明した。次に，図１３及び図１４を参照して，直前選択信号ｓｅｌｅｃｔ［ｉ−１］が低レベルのときにも発光信号ｅｍｉｔ１［ｉ］”，ｅｍｉｔ２［ｉ］”が両方とも高レベルを有する実施形態について説明する。
【００９３】
図１３は本発明の第７実施形態に係る走査駆動部２００ｃの概略図である。図１４は図１３の走査駆動部２００ｃの信号タイミング図である。図１３及び図１４の走査駆動部２００ｃは，図８及び図９の走査駆動部２００ａと同一のクロックＶＣＬＫを使用する。
【００９４】
図１３に示すように，走査駆動部２００ｃは，選択信号ｓｅｌｅｃｔ［ｉ］を出力するシフトレジスタ２１０ａと，発光信号ｅｍｉｔ１［ｉ］”，ｅｍｉｔ２［ｉ］”を出力するシフトレジスタ２２０ｃとを含む。シフトレジスタ２２０ｃは，ｎ個のフリップフロップＦＦ４１〜ＦＦ４ｎ，ｎ個のインバータＩＮＶ４１〜ＩＮＶ４ｎ及び２つのＮＯＲゲートＮＯＲ１１〜ＮＯＲ１ｎ，ＮＯＲ４１〜ＮＯＲ４ｎを含む。
【００９５】
フリップフロップＦＦ４１〜ＦＦ４ｎとインバータＩＮＶ４１〜ＩＮＶ４ｎは，クロックＶＣＬＫ，／ＶＣＬＫが逆に使用される以外は，図８のフリップフロップＦＦ２１〜ＦＦ２ｎ及びインバータＩＮＶ２１〜ＩＮＶ２ｎと同様の構造を有する。ＮＯＲゲートＮＯＲ１ｉは，フリップフロップＦＦ１ｉの出力信号ＳＲ１ｉとフリップフロップＦＦ４ｉの反転された出力信号／ＳＲ４ｉを否定論理和演算して第１副フィールド１Ｆの発光信号ｅｍｉｔ１［ｉ］”を出力する。また，ＮＯＲゲートＮＯＲ４ｉは２つのフリップフロップＦＦ１ｉ，ＦＦ４ｉの出力信号ＳＲ１ｉ，ＳＲ４ｉを否定論理和演算して第２副フィールド２Ｆの発光信号ｅｍｉｔ２［ｉ］”を出力する。
【００９６】
図１４を参照すると，フリップフロップＦＦ４ｉの入力信号ＶＳＰ２’は，第１副フィールド１ＦでクロックＶＣＬＫが高レベルのときに高レベルであり，第２副フィールド２ＦでクロックＶＣＬＫが高レベルのときに低レベルなので，フリップフロップＦＦ４ｉの出力信号ＳＲ４１は第１副フィールド１Ｆで高レベルパルスを有し，第２副フィールド２Ｆで低レベルパルスを有する。したがって，フリップフロップＦＦ４ｉの出力信号ＳＲ４ｉは，第１副フィールド１ＦでフリップフロップＦＦ１ｉの出力信号ＳＲ１ｉと同時に高レベルになった後，第２副フィールド２ＦでフリップフロップＦＦ１ｉの出力信号ＳＲ１ｉが高レベルになるときに低レベルになる。
【００９７】
ＮＯＲゲートＮＯＲ１ｉは，フリップフロップＦＦ１ｉの出力信号ＳＲ１ｉとインバータＩＮＶ４ｉの出力信号／ＳＲ４ｉが両方とも低レベルの場合に低レベルパルスを出力するので，ＮＯＲゲートＮＯＲ１ｉの出力信号ｅｍｉｔ１［ｉ］”は，第１副フィールド１Ｆで出力信号ＳＲ１ｉと同時に低レベルになった後，第２副フィールド２Ｆで出力信号ＳＲ１ｉが高レベルになるときに高レベルになる。ＮＯＲゲートＮＯＲ４ｉは，２つのフリップフロップＦＦ１ｉ，ＦＦ４ｉの出力信号ＳＲ１ｉ，ＳＲ４ｉが両方とも低レベルの場合に低レベルパルスを出力するので，ＮＯＲゲートＮＯＲ４ｉの出力信号ｅｍｉｔ２［ｉ］”は，第２副フィールド１Ｆで出力信号ＳＲ１ｉと同時に低レベルになった後，第１副フィールド２Ｆで出力信号ＳＲ１ｉが高レベルになるときに高レベルになる。したがって，発光信号ｅｍｉｔ１［ｉ］”，ｅｍｉｔ２［ｉ］”は選択信号ｓｅｌｅｃｔ［ｉ−１］，ｓｅｌｅｃｔ［ｉ］が低レベルのときに高レベルを有する。
【００９８】
図１１及び図１２で説明した実施形態でも，図１４で説明した発光信号ｅｍｉｔ１［ｉ］”，ｅｍｉｔ２［ｉ］”を生成することもできる。このような実施形態について図１５及び図１６を参照して説明する。
【００９９】
図１５は本発明の第８実施形態に係る走査駆動部２００ｄの概略図である。図１６は図１５の走査駆動部２００ｄの信号タイミング図である。
【０１００】
図１５に示すように，走査駆動部２００ｄは，選択信号ｓｅｌｅｃｔ［ｉ］を出力するシフトレジスタ２１０ａと，発光信号ｅｍｉｔ１［ｉ］”，ｅｍｉｔ２［ｉ］”を出力するシフトレジスタ２２０ｄとを含む。シフトレジスタ２２０ｄは，図１１のシフトレジスタ２２０ｂとは異なり，フリップフロップＦＦ３１の直前に１つのフリップフロップＦＦ３０をさらに含み，フリップフロップＦＦ３０に開始信号ＶＳＰ２”が入力される。そして，フリップフロップＦＦ３０はクロックＶＣＬＫを内部クロックｃｌｋとして受信する。
【０１０１】
シフトレジスタ２２０ｄにおいて，ｉ番目のＮＡＮＤゲートＮＡＮＤ３ｉは，（ｉ−１）番目及び（ｉ＋１）番目のフリップフロップＦＦ３（ｉ−１），ＦＦ３（i＋１）の出力信号ＳＲ３（ｉ−１），ＳＲ３（ｉ＋１）を否定論理積演算して発光信号ｅｍｉｔ１［ｉ−１］”を出力する。ｉ番目のＮＯＲゲートＮＯＲ３ｉは，（ｉ−１）番目及び（ｉ＋１）番目のフリップフロップＦＦ３（ｉ−１），ＦＦ３（ｉ＋１）の出力信号ＳＲ３（ｉ−１），ＳＲ３（ｉ＋１）を否定論理和演算して出力し，ｉ番目のインバータＩＮＶ３ｉはＮＯＲゲートＮＯＲ３ｉの出力信号を反転して発光信号ｅｍｉｔ２［ｉ］”を出力する。
【０１０２】
また，図１６を参照すると，開始信号ＶＳＰ２”は，第１副フィールド１ＦでクロックＶＣＬＫが高レベルのときに高レベルであり，第２副フィールド２ＦでクロックＶＣＬＫが高レベルのときに低レベルである。すると，フリップフロップＦＦ３ｉの出力信号ＳＲ３ｉは，図１２の出力信号ＳＲ３ｉと同一になる。したがって，２つの発光信号ｅｍｉｔ１［ｉ］”，ｅｍｉｔ２［ｉ］”は両方とも直前及び現在選択信号ｓｅｌｅｃｔ［ｉ−１］，ｓｅｌｅｃｔ［ｉ］が低レベルのときに高レベルを有する。
【０１０３】
以上，図８〜図１６を参照して２つのシフトレジスタを用いて選択信号と発光信号を生成する実施形態について説明した。次に，前記実施形態よりフリップフロップの数を減らすことが可能な実施形態について説明する。
【０１０４】
図１７は本発明の第９実施形態に係る走査駆動部２００ｅの概略図，図１８は図１７の走査駆動部２００ｅの信号タイミング図である。図１７及び図１８の走査駆動部２００ｅで使用されるクロックＶＣＬＫ’は図８〜図１６のクロックＶＣＬＫに比べて２倍の周期をもつ。図１８の信号タイミング図で反転されたクロック／ＶＣＬＫ’の図示は省略した。
【０１０５】
図１７に示すように，走査駆動部２００ｅは，選択信号ｓｅｌｅｃｔ［ｉ］を出力するシフトレジスタ２１０ｅと，発光信号ｅｍｉｔ１［ｉ］”，ｅｍｉｔ２［ｉ］”を出力するシフトレジスタ２２０ｅとを含む。シフトレジスタ２１０ｅは，（（ｎ／２）＋１）個のフリップフロップＦＦ５１〜ＦＦ５（ｎ／２＋１）とｎ個のＮＡＮＤゲートＮＡＮＤ５１〜ＮＡＮＤ５（ｎ／２），ＮＡＮＤ６１〜ＮＡＮＤ６（ｎ／２）からなり，シフトレジスタ２２０ｅは，（ｎ／２）個のフリップフロップＦＦ６１〜ＦＦ６（ｎ／２）とｎ個のＯＲゲートＯＲ５１〜ＯＲ５（ｎ／２），ＯＲ６１〜ＯＲ６（ｎ／２）からなる（ここで，ｎは偶数と仮定する。）。
【０１０６】
シフトレジスタ２１０ｅの隣接した２つのフリップフロップＦＦ５ｊ，ＦＦ５（ｊ＋１）でクロックＶＣＬＫ’，／ＶＣＬＫ’が反対に使用され，一番目のフリップフロップＦＦ５１の内部クロックｃｌｋにはクロックＶＣＬＫ’が入力される（ｊは１〜ｎ／２の整数）。開始信号ＶＳＰ１’は第１及び第２副フィールド１Ｆ，２Ｆの初期に高レベルパルスを有するので，フリップフロップＦＦ５１〜ＦＦ５（ｎ／２＋１）は，各副フィールドで１クロックの間高レベルパルスを有する出力信号ＳＲ５１〜ＳＲ５（ｎ／２＋１）を半クロックＶＣＬＫ’だけシフトしながら順次出力することができる。
【０１０７】
ｊ番目のＮＡＮＤゲートＮＡＮＤ５ｊは，ｊ番目及び（ｊ＋１）番目のフリップフロップＦＦ５ｊ，ＦＦ５（ｊ＋１）の出力信号ＳＲ５ｊ，ＳＲ５（ｊ＋１）と反転されたクロック／ＶＣＬＫを否定論理積演算して（２ｊ−１）番目の選択信号ｓｅｌｅｃｔ［２ｊ−１］を出力する。したがって，図１８に示すように，選択信号ｓｅｌｅｃｔ［２ｊ−１］は，２つの出力信号ＳＲ５ｊ，ＳＲ５（ｊ＋１）が同時に高レベルを有する期間の中でもクロックＶＣＬＫが低レベルの期間で低レベルパルスを有する。ｊ番目のＮＡＮＤゲートＮＡＮＤ６ｊは，ｊ番目及び（ｊ＋１）番目のフリップフロップＦＦ５ｊ，ＦＦ５（ｊ＋１）の出力信号ＳＲ５ｊ，ＳＲ５（ｊ＋１）とクロックＶＣＬＫを否定論理積演算して２ｊ番目の選択信号ｓｅｌｅｃｔ［２ｊ］を出力する。したがって，図１８に示すように，選択信号ｓｅｌｅｃｔ［２ｊ］は，２つの出力信号ＳＲ５ｊ，ＳＲ５（ｊ＋１）が同時に高レベルを有する期間の中でもクロックＶＣＬＫが高レベルの期間で低レベルパルスを有する。
【０１０８】
シフトレジスタ２２０ｅの隣接した２つのフリップフロップＦＦ６ｊ，ＦＦ６（ｊ＋１）でもクロックＶＣＬＫ’，／ＶＣＬＫ’が逆に使用され，一番目のフリップフロップＦＦ６１の内部クロックｃｌｋには反転されたクロック／ＶＬＣＫ’が入力される。開始信号ＶＳＰ２”は，第１副フィールド１Ｆで高レベルパルスを有するので，フリップフロップＦＦ６１〜ＦＦ６（ｎ／２）は，１フィールド期間の間に高レベルパルスを有する出力信号ＳＲ６１〜ＳＲ６（ｎ／２）を半クロックＶＣＬＫ’だけシフトしながら順次出力することができる。
【０１０９】
ｊ番目のＯＲゲートＯＲ５ｊは，フリップフリップＦＦ５ｊの出力信号ＳＲ５ｊとフリップフロップＦＦ６ｊの反転された出力信号／ＳＲ６ｊを論理和演算して第１副フィールド１Ｆの（２ｊ−１）番目及び２ｊ番目の発光信号ｅｍｉｔ１［２ｊ−１］”，ｅｍｉｔ１［２ｊ］”を出力する。したがって，発光信号ｅｍｉｔ１［２ｊ−１］”，ｅｍｉｔ１［２ｊ］”は，２つの出力信号ＳＲ５ｊ，ＳＲ５（ｊ＋１）が同時に高レベルを有する期間の中でもクロックＶＣＬＫが高レベルの期間で低レベルパルスを有する。また，ｊ番目のＯＲゲートＯＲ６ｊは，２つのフリップフロップＦＦ５ｊ，ＦＦ６ｊの出力信号ＳＲ５ｊ，ＳＲ６ｊを論理和演算して第２副フィールド２Ｆの（２ｊ−１）番目及び２ｊ番目の発光信号ｅｍｉｔ２［２ｊ−１］”，ｅｍｉｔ２［２ｊ］”を出力する。
【０１１０】
図１８に示すように，発光信号ｅｍｉｔ１［２ｊ−１］”，ｅｍｉｔ２［２ｊ−１］”は，選択信号ｓｅｌｅｃｔ［２ｊ−２］，ｓｅｌｅｃｔ［２ｊ−１］が低レベルのときに高レベルを有し，発光信号ｅｍｉｔ１［２ｊ］”，ｅｍｉｔ２［２ｊ］”は，選択信号ｓｅｌｅｃｔ［２ｊ−１］，ｓｅｌｅｃｔ［２ｊ］が低レベルのときに高レベルを有する。
【０１１１】
次に，図１９及び図２６を参照して一つのシフトレジスタを用いて選択信号と発光信号を生成する実施形態について説明する。
【０１１２】
まず，図９で説明した発光信号ｅｍｉｔ１［ｉ］，ｅｍｉｔ２［ｉ］を生成する走査駆動部２００ｆについて図１９及び図２０を参照して説明する。図１９は本発明の第１０実施形態に係る走査駆動部２００ｆの概略図，図２０は図１９の走査駆動部２００ｆの信号タイミング図である。
【０１１３】
図１９に示すように，走査駆動部２００ｆは，（ｎ＋１）個のフリップフロップＦＦ７１〜ＦＦ７（ｎ＋１），ｎ個のＸＮＯＲゲートＸＮＯＲ７１〜ＸＮＯＲ７ｎ及びｎ個のインバータＩＮＶ７１〜ＩＮＶ７ｎを含み，シフトレジスタとして動作する。フリップフロップＦＦ７１〜ＦＦ７（ｎ＋１）とインバータＩＮＶ７１〜ＩＮＶ７ｎは，図１１のフリップフロップＦＦ３１〜ＦＦ３（ｎ＋１）及びインバータＩＮＶ３１〜ＩＮＶ３ｎと同一の接続関係を有する。図２０に示すように，フリップフロップＦＦ７１〜ＦＦ７（ｎ＋１）は図１１の開始信号ＶＳＰ２とクロックＶＣＬＫを使用する。
【０１１４】
すなわち，フリップフロップＦＦ７ｉは，図１１の出力信号ＳＲ３ｉと同一の出力信号ＳＲ７ｉを半クロックＶＣＬＫだけシフトしながら出力することができる。したがって，フリップフロップＦＦ７ｉの出力信号ＳＲ７ｉが第２副フィールド２Ｆの発光信号ｅｍｉｔ２［ｉ］になり，インバータＩＮＶ７ｉの出力信号が第１副フィールド１Ｆの発光信号ｅｍｉｔ１［ｉ］になる。インバータＩＮＶ７ｉの出力信号の代わりに，フリップフロップＦＦ７ｉの反転された出力信号／ｏｕｔを発光信号ｅｍｉｔ１［ｉ］として使用することもできる。
【０１１５】
また，ＸＮＯＲゲートＸＮＯＲ７ｉは，２つのフリップフロップＦＦ７ｉ，ＦＦ７（ｉ＋１）の出力信号ＳＲ７ｉ，ＳＲ７（ｉ＋１）の中のいずれか一つが高レベルの場合に低レベルのパルスを出力するので，選択信号ｓｅｌｅｃｔ［ｉ］は，図２０に示したように出力信号ＳＲ７ｉのレベルが変更される時点から半クロックＶＣＬＫに相当する期間だけ低レベルになる。したがって，発光信号ｅｍｉｔ１［ｉ］，ｅｍｉｔ２［ｉ］はそれぞれ第１及び第２副フィールド１Ｆ，２Ｆで選択信号ｓｅｌｅｃｔ［ｉ］と同時に低レベルになる。
【０１１６】
次に，図１２で説明した発光信号ｅｍｉｔ１［ｉ］’，ｅｍｉｔ２［ｉ］’を生成する走査駆動部２００ｇ，２００ｈについて図２１〜図２３を参照して説明する。
【０１１７】
図２１は本発明の第１１実施形態に係る走査駆動部２００ｇの概略図，図２２は図２１の走査駆動部２００ｇの信号タイミング図である。
【０１１８】
図２１に示すように，走査駆動部２００ｇは，発光信号ｅｍｉｔ１［ｉ］’，ｅｍｉｔ２［ｉ］’をそれぞれＮＡＮＤゲートＮＡＮＤ７ｉとＯＲゲートＯＲ７ｉを用いて生成する以外は，図１９の走査駆動部２００ｆと同様の構造を有する。ｉ番目のＮＡＮＤゲートＮＡＮＤ７ｉは，２つのフリップフロップＦＦ７ｉ，ＦＦ７（ｉ＋１）の出力信号ＳＲ７ｉ，ＳＲ７（ｉ＋１）を否定論理積演算して第１副フィールド１Ｆの発光信号ｅｍｉｔ１［ｉ］’を出力し，ｉ番目のＯＲゲートＯＲ７ｉは２つのフリップフロップＦＦ７ｉ，ＦＦ７（ｉ＋１）の出力信号ＳＲ７ｉ，ＳＲ７（ｉ＋１）を論理和演算して第２副フィールド２Ｆの発光信号ｅｍｉｔ２［ｉ］’を出力する。このようにすると，図２０の発光信号ｅｍｉｔ１［ｉ］，ｅｍｉｔ２［ｉ］で低レベルの選択信号ｓｅｌｅｃｔ［ｉ］に該当する部分が高レベルになるので，図２２のような発光信号ｅｍｉｔ１［ｉ］，ｅｍｉｔ２［ｉ］’が生成できる。
【０１１９】
図２３は本発明の第１２実施形態に係る走査駆動部２００ｈの概略図である。
【０１２０】
図２３に示すように，走査駆動部２００ｈは，選択信号ｓｅｌｅｃｔ［ｉ］をＮＡＮＤゲートＮＡＮＤ８ｉで生成する以外は，図２１の走査駆動部２００ｇと同様の構造を有する。図２２を参照すると，選択信号ｓｅｌｅｃｔ［ｉ］が低レベルを有する期間でのみ，２つの発光信号ｅｍｉｔ１［ｉ］’，ｅｍｉｔ２［ｉ］’がお互い異なるレベルを有する。したがって，２つの発光信号ｅｍｉｔ１［ｉ］’，ｅｍｉｔ２［ｉ］’がＮＡＮＤゲートＮＡＮＤ８ｉによって否定論理積演算されると，選択信号ｓｅｌｅｃｔ［ｉ］が生成できる。
【０１２１】
次に，図１４で説明した発光信号ｅｍｉｔ１［ｉ］”，ｅｍｉｔ２［ｉ］”を生成する走査駆動部２００ｉについて図２４〜図２６を参照して説明する。
【０１２２】
図２４は本発明の第１３実施形態に係る走査駆動部２００ｉの概略図，図２５は図２４の走査駆動部２００ｉの信号タイミング図である。図２４の走査駆動部２００ｉは，図２１の走査駆動部２００ｇに比べて２ｎ個のＯＲゲートＯＲ１１〜ＯＲ１ｎ，ＯＲ２１〜ＯＲ２ｎをさらに含む。図２４でフリップフロップＦＦ７１〜ＦＦ７ｎの図示は省略した。図２４及び図２５において，ＳＲ７（ｉ−１），ＳＲ７ｉ及びＳＲ７（ｉ＋１）はそれぞれ図２１の走査駆動部におけるフリップフロップＦＦ７（ｉ−１），ＦＦ７ｉ，ＦＦ７（i＋１）の出力信号に対応し，２つの信号Ａｉ，Ｂｉはそれぞれ図２１の走査駆動部における２つの発光信号ｅｍｉｔ１［ｉ］’，ｅｍｉｔ２［ｉ］’に対応する。
【０１２３】
図２５に示すように，ＯＲゲートＯＲ１ｉは，２つの信号Ａｉ−１，Ａｉを論理和演算することにより，２つの信号Ａｉ−１，Ａｉが両方とも低レベルの期間に低レベルを有する発光信号ｅｍｉｔ１［ｉ］”を出力することができる。同様に，ＯＲゲートＯＲ２ｉは，２つの信号Ｂｉ−１，Ｂｉを論理和演算することにより，２つの信号Ｂｉ−１，Ｂｉが両方とも低レベルの期間に低レベルを有する発光信号ｅｍｉｔ２［ｉ］”を出力することができる。このような発光信号ｅｍｉｔ１［ｉ］”，ｅｍｉｔ２［ｉ］”は，図１４で説明した発光信号ｅｍｉｔ１［ｉ］”，ｅｍｉｔ２［ｉ］”と同一である。
【０１２４】
図２４及び図２５において，（ｉ−ｋ）番目のＮＡＮＤゲートＮＡＮＤ７（ｉ−ｋ）の出力信号Ａｉ−ｋと（ｉ＋ｐ）番目のＮＡＮＤゲートＮＡＮＤ７（ｉ＋ｐ）の出力信号Ａｉ＋ｐを使用すると，発光信号ｅｍｉｔ１［ｉ］”の低レベルパルスの幅を最初と最後でそれぞれ半クロックＶＣＬＫの整数倍だけ調節することができる（ここで，ｋとｐは０以上の整数）。
【０１２５】
図２３で説明したように，図２４の走査駆動部でもＸＮＯＲゲートを使用せずに選択信号ｓｅｌｅｃｔ［ｉ］を生成することができる。次に，このような実施形態について図２６を参照して説明する。
【０１２６】
図２６は本発明の第１４実施形態に係る走査駆動部２００ｊの概略図である。
【０１２７】
図２６を参照すると，走査駆動部２００ｊは，図２４の走査駆動部２００ｉとは異なり，ＸＮＯＲゲートＸＮＯＲ７ｉの代わりにＮＡＮＤゲートＮＡＮＤ８ｉを含む。図２３に説明したように，ｉ番目のＮＡＮＤゲートＮＡＮＤ８ｉは，ｉ番目のＮＡＮＤゲートＮＡＮＤ７ｉの出力信号Ａｉとｉ番目のＯＲゲートＯＲ７ｉの出力信号Ｂｉとを否定論理積演算して選択信号ｓｅｌｅｃｔ［ｉ］を出力する。ＸＮＯＲ７ｉ
【０１２８】
以上，本発明の第５〜第１４実施形態では，選択信号ｓｅｌｅｃｔ［ｉ］の低レベルパルスの幅が半クロックＶＣＬＫの幅と同一であると説明した。すなわち，（ｉ−１）番目の選択信号ｓｅｌｅｃｔ［ｉ−１］番目の選択信号ｓｓｅｌｅｃｔ［ｉ−１］が高レベルになる時点とｉ番目の選択信号ｓｅｌｅｃｔ［ｉ］が低レベルになる時点とが同一である。このような場合，走査線に形成された寄生成分によって選択信号の歪み及び／または遅延が発生する場合，（ｉ−１）番目及びｉ番目の選択信号ｓｅｌｅｃｔ［ｉ−１］，ｓｅｌｅｃｔ［ｉ］が同時に低レベルになれる。以下，選択信号の幅を半クロックＶＣＬＫより短くする実施形態について図２７及び図２８を参照して説明する。
【０１２９】
図２７は本発明の第１５実施形態に係る走査駆動部２００ｋの概略図である。図２８は図２７の走査駆動部２００ｋの信号タイミング図である。図２７及び図２８では，図８及び図９の走査駆動部２００ａで選択信号の幅を減らす方法について説明する。
【０１３０】
図２７及び図２８を参照すると，走査駆動部２００ｋのＮＡＮＤゲートＮＡＮＤ１ｉに切断信号ＣＬＩＰがさらに入力される。この切断信号ＣＬＩＰのクロックＶＣＬＫは低レベルパルスを周期的に有する。切断信号ＣＬＩＰの周期は半クロックＶＣＬＫと同一であり，低レベルパルスの幅は半クロックＶＣＬＫより短い。特に，切断信号ＣＬＩＰが低レベルの期間は，クロックＶＣＬＫのレベルが変更される時点を含む。
【０１３１】
すると，ＮＡＮＤゲートＮＡＮＤ１ｉは，切断信号ＣＬＩＰが高レベルを有する期間に低レベルの選択信号ｓｅｌｅｃｔ［ｉ］を出力する。すなわち，直前選択信号ｓｅｌｅｃｔ［ｉ−１］と現在選択信号ｓｅｌｅｃｔ［ｉ］の低レベルパルスの間に切断信号ＣＬＩＰの低レベルパルスの幅だけの間隔が生ずる。
【０１３２】
図２７及び図２８で説明した切断信号ＣＬＩＰを用いて選択信号の幅を調節する方法は，前述した他の実施形態にも適用することができる。
【０１３３】
図１７及び図１８で説明した２つのクロックＶＣＬＫ，ＶＣＬＫ’を使用する走査駆動部を用いると，奇数行を駆動する走査駆動部と，偶数行を駆動する走査駆動部とを分離することもできる。次に，このような実施形態について図２９〜図３１を参照して説明する。
【０１３４】
図２９は本発明の第１６実施形態に係る有機発光表示装置の概略平面図である。図３０ａ及び図３０ｂはそれぞれ本発明の第１６実施形態に係る奇数行及び偶数行の走査駆動部２０１，２０２の概略図，図３１は図３０ａの奇数行の走査駆動部２０１の信号タイミング図である。
【０１３５】
図２９に示すように，本発明の第１６実施形態に係る有機発光表示装置は，走査駆動部２０１，２０２以外は，図１の有機発光表示装置と同様の構造を有する。
【０１３６】
奇数行の走査駆動部２０１は，表示部１００の一側面に形成され，奇数番目の選択走査線Ｓ２ｊ−１に選択信号ｓｅｌｅｃｔ［２ｊ−１］を順次印加する（ここで，ｊは１〜ｎ／２の整数）。また，奇数行の走査駆動部２０１は，１副フィールドで奇数番目の発光走査線Ｅｍ１（２ｊ−１）に発光信号ｅｍｉｔ１［２ｊ−１］を順次印加し，次の副フィールドで奇数番目の発光走査線Ｅｍ２（２ｊ−１）に発光信号ｅｍｉｔ２［２ｊ−１］を順次印加する。偶数行の走査駆動部２０２は，表示部１００の他の側面に形成され，偶数番目の選択走査線Ｓ２ｊに選択信号ｓｅｌｅｃｔ［２ｊ］を順次印加する。また，偶数行の走査駆動部２０２は，１副フィールドで偶数番目の発光走査線Ｅｍ１（２ｊ）に発光信号ｅｍｉｔ１［２ｊ］を順次印加し，次の副フィールドで偶数番目の発光走査Ｅｍ２（２ｊ）に発光信号ｅｍｉｔ２［２ｊ］を順次印加する。
【０１３７】
図３０ａを参照すると，奇数行の走査駆動部２０１は，図１７で説明した走査駆動部２００ｅから，偶数番目の選択信号を生成するＮＡＮＤゲートを除いた構造を有する。具体的に，奇数行の走査駆動部２０１は，（（ｎ／２）＋１）個のフリッフロップＦＦ８１，ＦＦ８３，・・・，ＦＦ８（ｎ＋１）と（ｎ／２）個のＮＡＮＤゲートＮＡＮＤ９１，ＮＡＮＤ９３，・・・，ＮＡＮＤ９（ｎ−１）からなるシフトレジスタ２１１，及び（ｎ／２）個のフリップフロップＦＦ９１，ＦＦ９３，・・・，ＦＦ９（ｎ＋１）とｎ個のＯＲゲートＯＲ８１，ＯＲ８３，・・・，ＯＲ８（ｎ−１），ＯＲ９１，ＯＲ９３，・・・，ＯＲ９（ｎ−１）からなるシフトレジスタ２１２を含む。
【０１３８】
図３０ｂを参照すると，偶数行の走査駆動部２０２は，図１７で説明した走査駆動部２００ｅから，奇数番目の選択信号を生成するＮＡＮＤゲートを除いた構造を有する。具体的に，偶数行の走査駆動部２０２は，（（ｎ／２）＋１）個のフリッフロップＦＦ８２，ＦＦ８４，・・・，ＦＦ８（ｎ＋２）と（ｎ／２）個のＮＡＮＤゲートＮＡＮＤ９２，ＮＡＮＤ９４，・・・，ＮＡＮＤ９ｎからなるシフトレジスタ２１２，及び（ｎ／２）個のフリップフロップＦＦ９２，ＦＦ９４，・・・，ＦＦ９ｎとｎ個のＯＲゲートＯＲ８２，ＯＲ８４，・・・，ＯＲ８ｎ，ＯＲ９２，ＯＲ９４，・・・，ＯＲ９ｎからなるシフトレジスタ２２２を含む。
【０１３９】
図３０ａ，図３０ｂ及び図３１を参照すると，フリップフロップＦＦ８１，ＦＦ８２には図１８の開始信号ＶＳＰ１’が入力され，フリップフロップＦＦ９１，ＦＦ９２にも図１８の開始信号ＶＳＰ２”が入力される。走査駆動部２０１のＮＡＮＤゲートＮＡＮＤ９（２ｊ−１）は，フリップフロップＦＦ８（２ｊ−１），ＦＦ８（２ｊ＋１）の出力信号ＳＲ８（２ｊ−１），ＳＲ８（２ｊ＋１）とクロックＶＣＬＫとを否定論理積演算して（２ｊ−１）番目の選択信号ｓｅｌｅｃｔ［２ｊ−１］を出力する（ここで，ｊは１〜（ｎ／２）の整数）。走査駆動部２０２のＮＡＮＤゲートＮＡＮＤ９（２ｊ）は，フリップフロップＦＦ８（２ｊ），ＦＦ８（２ｊ＋２）の出力信号ＳＲ８（２ｊ），ＳＲ８（２ｊ＋２）と反転されたクロック／ＶＣＬＫとを否定論理積演算して２ｊ番目の選択信号ｓｅｌｅｃｔ［２ｊ］を出力する。
【０１４０】
ＯＲゲートＯＲ８（２ｊ−１）は，フリップフロップＦＦ８（２ｊ−１）の出力信号ＳＲ８（２ｊ−１）とフリップフロップＦＦ９（２ｊ−１）の反転された出力信号／ＳＲ９（２ｊ−１）とを論理和演算して発光信号ｅｍｉｔ１［２ｊ−１］”を出力し，ＯＲゲートＯＲ９（２ｊ−１）は，２つのフリップフロップＦＦ８（２ｊ−１），ＦＦ９（２ｊ−１）の出力信号ＳＲ８（２ｊ−１），ＳＲ９（２ｊ−１）とを論理和演算して発光信号ｅｍｉｔ２［２ｊ−１］”を出力する。同様に，ＯＲゲートＯＲ８（２ｊ）は，フリップフロップＦＦ８（２ｊ）の出力信号ＳＲ８（２ｊ）とフリップフロップＦＦ９（２ｊ）の反転された出力信号／ＳＲ９（２ｊ）とを論理和演算して発光信号ｅｍｉｔ１［２ｊ］”を出力し，ＯＲゲートＯＲ９（２ｊ）は２つのフリップフロップＦＦ８（２ｊ），ＦＦ９（２ｊ）の出力信号ＳＲ８（２ｊ），ＳＲ９（２ｊ）とを論理和演算して発光信号ｅｍｉｔ２［２ｊ］”を出力する。
【０１４１】
図２９〜図３１で説明したように，２つのクロックＶＣＬＫ，ＶＬＣＫ’を用いて奇数行の走査駆動部２０１と偶数行の走査駆動部２０２とを分離する方法は，前述した他の実施形態にも適用できる。
【０１４２】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【０１４３】
本発明は，表示装置及びその駆動方法に適用可能であり，特に有機物質の発光を用いた表示装置及びその駆動方法に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１４４】
【図１】本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置の概略を示す平面図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る単位画素の概略を示す説明図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る有機発光表示装置の駆動タイミングを示す説明図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係る単位画素の概略を示す説明図である。
【図５】本発明の第３実施形態に係る単位画素の概略を示す説明図である。
【図６】本発明の第４実施形態に係る単位画素の概略を示す説明図である。
【図７】図６の単位画素の駆動タイミングを示す説明図である。
【図８】本発明の第５実施形態に係る走査駆動部の概略を示す説明図である。
【図９】図８の走査駆動部の信号タイミングを示す説明図である。
【図１０】図８のフリップフロップの一例を示す説明図である
【図１１】本発明の第６実施形態に係る走査駆動部の概略を示す説明図である。
【図１２】図１１の走査駆動部の信号タイミングを示す説明図である。
【図１３】本発明の第７実施形態に係る走査駆動部の概略を示す説明図である。
【図１４】図１３の走査駆動部の信号タイミングを示す説明図である。
【図１５】本発明の第８実施形態に係る走査駆動部の概略を示す説明図である。
【図１６】図１５の走査駆動部の信号タイミングを示す説明図である。
【図１７】本発明の第９実施形態に係る走査駆動部の概略を示す説明図である。
【図１８】図１７の走査駆動部の信号タイミングを示す説明図である。
【図１９】本発明の第１０実施形態に係る走査駆動部の概略を示す説明図である。
【図２０】図１９の走査駆動部の信号タイミングを示す説明図である。
【図２１】本発明の第１１実施形態に係る走査駆動部の概略を示す説明図である。
【図２２】図２１の走査駆動部の信号タイミングを示す説明図である。
【図２３】本発明の第１２実施形態に係る走査駆動部の概略を示す説明図である。
【図２４】本発明の第１３実施形態に係る走査駆動部の概略を示す説明図である。
【図２５】図２４の走査駆動部の信号タイミングを示す説明図である。
【図２６】本発明の第１４実施形態に係る走査駆動部の概略を示す説明図である。
【図２７】本発明の第１５実施形態に係る走査駆動部の概略を示す説明図である。
【図２８】図２７の走査駆動部の信号タイミングを示す説明図である。
【図２９】本発明の第１６実施形態に係る有機発光表示装置の概略を示す説明図である。
【図３０ａ】本発明の第１６実施形態に係る奇数行走査駆動部の概略を示す説明図である。
【図３０ｂ】本発明の第１６実施形態に係る偶数行走査駆動部の概略を示す説明図である。
【図３１】図３０ａの奇数行走査駆動部の信号タイミングを示す説明図である。
【符号の説明】
【０１４５】
１００  表示部
１１０  単位画素
１１１，１１２  副画素
１１５  画素駆動部
２００，２００ａ〜２００ｋ，  走査駆動部
２１０ａ，２１１，２１２，２２０ａ〜２２０ｅ，２２１，２２２  シフトレジスタ
２０１  奇数行走査駆動部
２０２  偶数行走査駆動部
２１１  ３相インバータ
２１２  インバータ
２１３  ３相インバータ
３００  データ駆動部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０ａ】
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【図３０ｂ】
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【図３１】
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