(57)【要約】【課題】  上部に形成された膜を除去した後においても、上部に形成された膜を除去する前と同様の状態が保持された膜を評価することができる、膜の評価方法および強誘電体膜の評価方法を提供する。【解決手段】  本発明の膜の評価方法は、酸化物を含む第１の膜と、前記第１の膜上に配置された第２の膜とを含む被評価試料から、酸素イオンを用いたスパッタリングによって前記第２の膜を除去する工程と、前記第１の膜を評価する工程と、を含む。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物を含む第１の膜と、前記第１の膜上に配置された第２の膜とを含む被評価試料から、酸素イオンを用いたスパッタリングによって前記第２の膜を除去する工程と、
前記第１の膜を評価する工程と、
を含む、膜の評価方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の膜は、強誘電体膜である、膜の評価方法。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第１の膜を評価する工程は、前記第１の膜に励起光を照射して、該励起光に応じて前記第１の膜から放射されるラマン散乱光を検出する工程を含む、膜の評価方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、
前記第２の膜を除去する工程は、元素をモニタしながら行なう、膜の評価方法。
【請求項５】
強誘電体膜と、前記強誘電体膜上に配置された電極とを含む強誘電体キャパシタから、酸素イオンを用いたスパッタリングによって前記電極を除去する工程と、
前記強誘電体膜に励起光を照射して、該励起光に応じて前記強誘電体膜から放射されるラマン散乱光を検出する工程と、
を含む、強誘電体膜の評価方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記電極を除去する工程は、元素をモニタしながら行なう、強誘電体膜の評価方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、膜の評価方法および強誘電体膜の評価方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の評価においては、積層構造中の内部の膜の特性を評価したい場合がある。例えば、強誘電体キャパシタに含まれる強誘電体膜の特性を評価する場合、一般に、強誘電体膜の上には電極が形成されているため、使用する分析法によっては、強誘電体膜の特性を評価するために、強誘電体膜上に形成された電極を除去しなければならない場合がある。
【０００３】
例えば、ラマン分光法を用いた測定においては、評価対象膜の表面にレーザ光を照射して、反射したラマン散乱光を検出する。このラマン分光法のように、評価対象膜の表面を分析する分析法において、評価対象膜の表面が他の膜（被覆膜）で覆われているため、評価対象膜の分析が不可能である場合、この被覆膜を除去しなければならない。しかしながら、この場合、被覆膜を除去する際に、評価対象膜にダメージが加わるため、膜本来の特性を知ることができない場合があった。このため、評価対象膜のかわりに、評価対象膜と同じ材料を用いて別の領域にＴＥＧ（テスト・エレメント・グループ）を形成し、このＴＥＧについて特性の評価を行なう場合があった。
【０００４】
しかしながら、ＴＥＧは通常、評価対象膜とは別の領域に形成されるため、ＴＥＧの特性は、評価対象膜の特性と異なる場合があるため、評価対象膜自体の特性を知ることができない場合があった。
【特許文献１】特開平１０−２１８６６７公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、評価対象膜の上部に形成された膜を除去した後においても、上部に形成された膜を除去する前と同様の状態が保持された評価対象膜を評価することができる、膜の評価方法および強誘電体膜の評価方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の膜の評価方法は、
酸化物を含む第１の膜と、前記第１の膜上に配置された第２の膜とを含む被評価試料から、酸素イオンを用いたスパッタリングによって前記第２の膜を除去する工程と、
前記第１の膜を評価する工程と、
を含む。
【０００７】
本発明の膜の評価方法によれば、評価対象膜の上部に形成された膜を除去した後においても、上部に形成された膜を除去する前と同様の状態が保持された評価対象膜を評価することができる。
【０００８】
上記本発明の膜の評価方法において、前記第１の膜は、強誘電体膜であることができる。
【０００９】
上記本発明の膜の評価方法において、前記第１の膜を評価する工程は、前記第１の膜に励起光を照射して、該励起光に応じて前記第１の膜から放射されるラマン散乱光を検出する工程を含むことができる。
【００１０】
上記本発明の膜の評価方法において、前記第２の膜を除去する工程は、元素をモニタしながら行なうことができる。
【００１１】
本発明の強誘電体膜の評価方法は、強誘電体膜と、前記強誘電体膜上に配置された電極とを含む強誘電体キャパシタから、酸素イオンを用いたスパッタリングによって前記電極を除去する工程と、前記強誘電体膜に励起光を照射して、該励起光に応じて前記強誘電体膜から放射されるラマン散乱光を検出する工程と、を含むことができる。
【００１２】
上記本発明の強誘電体膜の評価方法において、前記電極を除去する工程は、元素をモニタしながら行なうことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明に好適な実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１４】
本発明の膜の評価方法は、酸化物を含む第１の膜と、前記第１の膜上に配置された第２の膜とを含む被評価試料から、酸素イオンを用いたスパッタリングによって前記第２の膜を除去する工程と、前記第１の膜を評価する工程と、を含む。ここで、酸素イオンによるスパッタリングによって、被評価試料（第２の膜）がエッチングされる。また、酸化物を含む第１の膜は、その一部に酸化物を含んでいてもよいし、または全体に酸化物を含んでいてもよい。
【００１５】
本実施の形態においては、被評価試料が半導体装置１００（より具体的には、強誘電体キャパシタ１００Ｃ）であり、第１の膜が強誘電体膜３０であり、第２の膜が上部電極２２である場合を例にとり説明する。
【００１６】
１．被評価試料
図１は、本実施の形態の膜の評価方法における被評価試料（半導体装置１０００、より具体的には強誘電体キャパシタ１００Ｃ）を模式的に示す断面図である。半導体装置１０００は、図１に示すように、強誘電体キャパシタ１００Ｃを含む強誘電体メモリ装置１００を含む。
【００１７】
強誘電体メモリ装置１００は、ＤＲＡＭセルと同様に、情報としての電荷を蓄積容量にため込む構造を有する。
【００１８】
より具体的には、強誘電体メモリ装置１００は、半導体基板１０に形成されたトランジスタ１２および強誘電体キャパシタ１００Ｃを含む。トランジスタ１２としては、例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、ＭＯＳＦＥＴであることができる。図１においては、トランジスタ１２はＭＯＳＦＥＴであり、ソース／ドレイン領域である第１および第２不純物領域１４，１６と、ゲート電極１８とを有する。なお、本実施形態においては、メモリセルが１つのトランジスタ１２および１つの強誘電体キャパシタＣ１００を有する、いわゆる１Ｔ／１Ｃ型のメモリセルについて説明するが、本発明が適用されるのは、１Ｔ／１Ｃ型のメモリセルに限定されない。
【００１９】
第１不純物領域１４上には電極１５が形成され、第２不純物領域１６上にはプラグ導電層２６が形成されている。プラグ導電層２６は、必要に応じてバリア層（図示せず）を介して強誘電体キャパシタＣ１００の上部電極２０に接続されている。そして、強誘電体メモリ装置１００はそれぞれ、例えばＬＯＣＯＳまたはトレンチアイソレーションなどの素子分離領域１７によって分離されている。トランジスタ１２などが形成された半導体基板１０上には、酸化シリコンなどの絶縁物からなる層間絶縁膜１９が形成されている。
【００２０】
強誘電体キャパシタ１００Ｃは主に、下部電極２０と、下部電極２０の上に形成された強誘電体膜（第１の膜）３０と、強誘電体膜３０の上に形成された上部電極（第２の膜）２２とから構成される。強誘電体膜３０は、本実施の形態の膜の評価方法における評価対象膜である。
【００２１】
強誘電体キャパシタ１００Ｃは、プラグ導電層２６の上に形成されており、プラグ導電層２６は、第２不純物領域１６の上に形成されている。
【００２２】
強誘電体膜３０は、強誘電体物質を含む。この強誘電体物質は、ペロブスカイト型の結晶構造を有し、Ａ１−ｂＢ１−ａＸａＯ３の一般式で示されることができる。Ａは、Ｐｂを含む。Ｂは、ＺｒおよびＴｉのうちの少なくとも１つからなる。Ｘは、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、およびＷのうちの少なくとも１つからなる。強誘電体膜１０２は、強誘電体膜として使用可能な公知の材料を使用することができ、例えば、（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３）（ＰＺＴ）、ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９（ＳＢＴ）、（Ｂｉ，Ｌａ）４Ｔｉ３Ｏ１２（ＢＬＴ）が挙げられる。すなわち、本実施の形態において、強誘電体膜３０は、酸化物を含む第１の膜に相当する。
【００２３】
なお、本実施の形態においては、酸化物を含む第１の膜として、強誘電体キャパシタ１００Ｃに使用される強誘電体膜３０を例にとり説明したが、強誘電体膜３０が使用されるのは強誘電体キャパシタ１００Ｃに限定されるわけではなく、例えばマイクロアクチュエータやインクジェットのプリントヘッドに使用される圧電素子にも使用できる。また、酸化物を含む第１の膜は強誘電体膜３０に限定されない。
【００２４】
２．膜の評価方法
次に、本実施の形態の膜の評価方法について、図２〜図４を参照して説明する。図２は、本実施の形態の膜の一形成工程を模式的に示す断面図であり、図３は、本実施の形態の膜の一形成工程を模式的に示す断面図であり、図４は、本実施の形態の膜の評価方法の手順を示すフローチャートである。なお、図２および図３において、強誘電体キャパシタ１００Ｃの構成要素以外の構成要素については図示を省略する。
【００２５】
２．１．膜の形成（図２）
まず、評価対象となる膜（強誘電体膜３０）を形成する。本実施の形態においては、強誘電体膜３０を含む強誘電体キャパシタ１００Ｃの製造工程について説明する。
【００２６】
最初に、下部電極２０を形成する（図４のステップＳ１）。下部電極２０は、例えば、Ｐｔ、Ｉｒ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｒｕ、Ｓｒ等の金属や、酸化物導電体（例えば、ＩｒＯｘ等）や、窒化物導電体（例えば、ＴｉＮ等）などを材料としてスパッタ法を用いて形成することができる。また、下部電極２０は、単層膜でもよいし、または積層した多層膜でもよい。
【００２７】
次に、下部電極２０の上に、強誘電体膜（第１の膜）３０を形成する（図４のステップＳ２）。強誘電体膜３０の形成は、例えば、塗布法によって形成することができる。この場合、強誘電体材料の原料液を用いて、スピンコート法、ディッピング法などの塗布法により、強誘電体材料膜を形成する。この原材液は、ゾルゲル原料およびＭＯＤ原料を含むことができる。例えば、原料液として、ＰＺＴ（Lead  Zirconate  Titanate）や、ＳＢＴなどの強誘電体材料を含むものを用いることができる。次いで、この強誘電体材料膜を乾燥および焼成することにより、強誘電体膜３０が得られる。
【００２８】
次いで、強誘電体膜３０の上に上部電極（第２の膜）２２を形成する（図４のステップＳ３）。上部電極２２は、下部電極２０と同様の材質からなることができる。また、上部電極２２は、下部電極２０と同様の方法により形成可能である。その後、一般的なリソグラフィおよびエッチング技術により、下部電極２０、強誘電体膜３０、および上部電極２２を所定の形状にパターニングする。以上の工程により、強誘電体キャパシタ１００Ｃが得られる（図２参照）。
【００２９】
２．２．膜の評価（図３）
次いで、強誘電体膜３０および上部電極２２を含む被評価試料（強誘電体キャパシタ１００Ｃ）から、酸素イオンを用いたスパッタリングによって上部電極２２を除去した後（図４のステップＳ４）、強誘電体膜３０を評価する（図４のステップ５）。本実施の形態においては、強誘電体膜３０の評価方法として、ラマン分光法を用いる場合について説明する。
【００３０】
ラマン分光法は、強誘電体の評価方法として多く用いられており、測定時間が短く、かつ微小領域を測定できることから、特に微細領域の測定に有効である。
【００３１】
上部電極２２の除去において、スパッタリングに使用するイオン種は、酸素イオンと他のイオンとの組み合わせであってもよいし、または酸素イオンのみを使用してもよい。上部電極２２を除去することにより、被評価試料２００が得られる（図３参照）。
【００３２】
なお、上部電極２２を除去する工程においては、元素をモニタしながら行なうことが好ましい。上部電極２２の除去工程において、スパッタリングされる被評価試料表面近傍の元素をモニタしながら上部電極２２を除去することにより、所望の段階（すなわち、上部電極２２が除去されて強誘電体膜３０の表面３０ａが露出した段階）でエッチングを止めるように制御することができる。具体的には、上部電極２２に含まれる元素の少なくとも１つや、強誘電体膜３０に含まれる元素の少なくとも１つをモニタすることができる。例えば、上部電極２２に含まれる元素の量の減少により、上部電極２２の除去の終了を検出することができる。また、強誘電体膜３０に含まれる元素の検出により、強誘電体膜３０の表面３０ａの露出を検出することができる。
【００３３】
元素のモニタは、上部電極２２の除去が行なわれる領域（スパッタリングされる被評価試料表面近傍）で行なうことが好ましい。また、元素のモニタは元素分析装置を用いて行なうことができる。ここで、元素分析装置としては公知の元素分析装置を用いることができ、特に限定されないが、例えば、ＳＩＭＳ（二次イオン質量分析装置）、ＸＰＳ（光電子分光装置）、ＧＤＳ（グロー放電発光分析装置）、ＧＤＭＳ（グロー放電質量分析装置）、ＡＥＳ（オージェ電子分光装置）が挙げられる。
【００３４】
次いで、強誘電体膜３０に励起光を照射して、該励起光に応じて強誘電体膜３０から放射されるラマン散乱光を検出する（図４のステップＳ５）。
【００３５】
図５は、本実施の形態の膜の評価方法において使用される顕微ラマン分光測定装置３００の構成を模式的に示す図である。この顕微ラマン分光測定装置３００によって、強誘電体膜３０を評価する場合、被評価試料２００をＸ−Ｙ−Ｚステージ５８上に設置する。
【００３６】
ラマン分光測定においては、まず、アルゴンレーザ光源５１から出射したレーザビーム５０がミラー５２で反射された後、さらにホログラフィックミラー５４で反射された後、光学顕微鏡５５中に入射する。入射したレーザビーム５０はハーフミラー５６で反射された後、対物レンズ５７を経て、Ｘ−Ｙ−Ｚステージ５８上に保持された被評価試料２００中の強誘電体膜３０に入射する。
【００３７】
次に、強誘電体膜３０で反射されたレーザビーム６０Ａは、ハーフミラー５６を通過した後、接眼レンズ６１を経てカメラ６２に入射することにより、強誘電体膜３０の像が表示装置６３に表示される。また、表示装置６３に表示された像に基づいて、Ｘ−Ｙ−Ｚステージ５８を駆動することにより、強誘電体膜３０上の所望の位置にレーザビーム５０を照射することが可能になる。
【００３８】
一方、強誘電体膜３０にレーザビーム５０（励起光）を照射させることにより、レーザビーム６０Ａが反射するとともに、後方ラマン散乱光６０Ｂが放射される。反射レーザビーム６０Ａおよびラマン散乱光６０Ｂはハーフミラー５６で反射された後、ホログラフィックミラー５４に入射し、ホログラフィックミラー５４は反射レーザビーム６０Ａを選択的にカットし、ラマン散乱光６０Ｂのみを通過させる。ラマン散乱光６０Ｂはさらに検光子６４を通過し、ＣＣＤ装置６５を備えた分光器６６に入射する。この分光器６６により、強誘電体膜３０のラマン散乱スペクトルが得られる。すなわち、強誘電体膜３０に照射した励起光に応じて強誘電体膜３０から放射されるラマン散乱光を分光器６６にて検出する。
【００３９】
本実施の形態の膜の評価方法によれば、評価対象膜（強誘電体膜３０）の上部に形成された膜（上部電極２２）を除去した後においても、上部に形成された膜（上部電極２２）を除去する前と同様の状態が保持された膜（強誘電体膜３０）を評価することができる。すなわち、本実施の形態の膜の評価方法によれば、強誘電体膜３０のように、上部に膜が形成された膜について、特性を正しく評価することができる。例えば、不良と思われる素子を選択して、該素子に本発明の膜の評価方法を適用することができる。
【００４０】
なお、強誘電体膜３０が、上部電極２２を除去する前と同様の状態を保持しているか否かは、例えば、後述する実施例に示されるように、上部電極２２を形成する前における強誘電体膜３０のラマン散乱スペクトルと、上部電極２２を除去した後における強誘電体膜３０のラマン散乱スペクトルとを比較することにより、確認することができる。
【００４１】
例えば、上部電極２２を形成する前における強誘電体膜３０のラマン散乱スペクトルと、上部電極２２を除去した後における強誘電体膜３０のラマン散乱スペクトルとがほぼ一致する場合、上部電極２２を除去した後の強誘電体膜３０が、上部電極２２を除去する前と同様の状態を保持しているといえる。
【００４２】
一方、上部電極２２を形成する前における強誘電体膜３０のラマン散乱スペクトルと、上部電極２２を除去した後における強誘電体膜３０のラマン散乱スペクトルとが大きく異なる場合、上部電極２２を除去した後の強誘電体膜３０が、上部電極２２を除去する前と同様の状態を保持していないといえる。その原因として、上部電極２２の除去工程によって強誘電体膜３０に何らかのダメージが加わったことが推測できる。
【００４３】
なお、本実施の形態においては、膜の評価方法としてラマン分光法を例にとり説明したが、本発明の膜の評価方法はラマン分光法に限定されない。評価対象膜を評価するために、評価対象膜の上部に形成された膜を除去する必要がある分析法において、本発明の膜の評価方法を適用することができる。
【実施例】
【００４４】
以下、本実施の形態にかかる実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらによって制限されるものではない。
【００４５】
１．実施例１
上述の実施形態に記載した方法にしたがって、ＩｒおよびＰｔからなる膜厚１２０ｎｍの下部電極２０、ＰＺＴからなる膜厚１０００ｎｍの強誘電体膜３０、およびＩｒからなる膜厚５０ｎｍの上部電極２２を順に作製した（図２参照）。強誘電体膜３０はゾルゲル法により作製した。
【００４６】
次に、二次イオン質量分析装置(ＳＩＭＳ)により元素をモニタしながら、酸素ガンを用いることにより、酸素イオンを用いたスパッタリングによって、上部電極２２を除去して、被評価試料２００を作製した（図３参照）。ここで、酸素イオンの加速を２ｋＶとした。ＳＩＭＳにおいては、被評価試料２００の近傍において測定された二次イオンの強度をモニタすることにより、元素をモニタした。
【００４７】
上部電極２２の除去に伴うデプスプロファイルを図６に示す。図６において、「Ａ」はＩｒの強度を示し、「Ｂ」はＰｂの強度を示す。Ｉｒは上部電極２２の構成元素であり、Ｐｂは強誘電体膜３０の構成元素である。これにより、図６においてＡとＢとの交点付近で上部電極２０の除去が完了したことを確認し、エッチングを終了した。
【００４８】
次いで、図５に示されるラマン分光測定装置（ＲＥＮＩＳＨＡＷ製）３００を用いて、被評価試料２００中の強誘電体膜３０に対してラマン分光測定を行なった。また、上部電極２２形成前の強誘電体膜３０に対してもラマン分光測定を行なった。なお、本実施例において、ラマン分光測定装置３００で使用したレーザビームの波長および出力はそれぞれ５１４．５ｎｍおよび１５ｍＷであった。
【００４９】
本実施例の評価方法により得られた強誘電体膜３０のラマン散乱スペクトルを図７に示す。図７において、「Ａ」（灰色）は上部電極２２形成前の強誘電体膜３０のラマン散乱スペクトルを示し、「Ｂ」（黒色）は上部電極２２除去後の強誘電体膜３０（本実施例）のラマン散乱スペクトルを示す。
【００５０】
図７によれば、ＡのスペクトルとＢのスペクトルとはほぼ一致することがわかる。これにより、本実施例の膜の評価方法において、上部電極２２を除去することにより、ラマン分光測定に影響を与えるようなダメージが強誘電体膜３０に加わっていないと推測される。すなわち、本実施の形態の膜の形成方法によれば、上部電極２２を除去した後の強誘電体膜３０は、上部電極２２を除去する前と同様の状態を保持していると推測できる。これにより、本実施例の膜の形成方法によれば、上部電極２２を除去した後においても、上部電極２２を除去する前と同様の状態が保持された強誘電体膜３０を評価することができる。
【００５１】
２．比較例１
上記実施例１において、酸素イオンを使用するかわりにアルゴンイオンを用いた点以外は、上記実施例１と同様の方法を用いて、膜の評価を行なった。なお、本比較例においては、光電子分光装置（ＸＰＳ）により元素をモニタしながら、アルゴンガンを用いたスパッタリングにより、上部電極２２を除去した。ここで、アルゴンイオンの加速を１ｋＶとした。ＸＰＳにおいては、被評価試料の近傍において測定された光電子の強度をモニタすることにより、元素をモニタした。
【００５２】
また、上記実施例１と同様に、上部電極２２形成前の強誘電体膜３０に対してもラマン分光測定を行なった。なお、本比較例において、ラマン分光測定装置３００で使用したレーザビームの波長および出力はそれぞれ５１４．５ｎｍおよび１５ｍＷであった。
【００５３】
なお、図８は、上部電極２２の除去に伴うデプスプロファイルを示す。図８において、「Ａ」はＩｒの強度を示し、「Ｂ」はＰｂの強度を示す。また、本比較例の評価方法により得られた強誘電体膜３０のラマン散乱スペクトルを図９に示す。図９において、「Ａ」（灰色）は上部電極２２形成前の強誘電体膜３０のラマン散乱スペクトルを示し、「Ｂ」（黒色）は上部電極２２除去後の強誘電体膜３０（本比較例）のラマン散乱スペクトルを示す。
【００５４】
図７によれば、ＡのスペクトルとＢのスペクトルとは大きく異なることがわかる。これにより、本比較例の膜の評価方法において、アルゴンガンを用いたエッチングによって上部電極２２を除去することにより、ラマン測定に影響を与えるようなダメージが強誘電体膜３０に加わったと推測される。すなわち、本比較例の膜の形成方法によれば、上部電極２２を除去した後の強誘電体膜３０は、上部電極２２を除去する前と同様の状態を保持していない。すなわち、本比較例の膜の形成方法によれば、上部電極２２を除去した後においても、上部電極２２を除去する前と同様の状態が保持されていないため、実際の強誘電体キャパシタ１００Ｃに含まれる強誘電体膜３０を評価していることに相当しない。
【００５５】
上述の実施例および比較例の結果から、本発明の膜の形成方法によれば、酸化物を含む第１の膜（強誘電体膜３０）と、前記第１の膜上に配置された第２の膜（上部電極２２）とを含む被評価試料（強誘電体キャパシタ１００Ｃ）から、酸素イオンを用いたスパッタリングによって前記第２の膜を除去することにより、前記第２の膜を除去した後においても、前記第２の膜を除去する前と同様の状態が保持された前記第１の膜を評価できることが明らかになった。これは、スパッタリングに酸素イオンを用いることにより、酸化物を含む第１の膜の還元を防ぐことができたためである。
【００５６】
上記のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できるであろう。したがって、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の一実施の形態における被評価試料（強誘電体キャパシタ）を模式的に示す断面図。
【図２】本発明の一実施の形態の膜の一形成工程を模式的に示す断面図。
【図３】本発明の一実施の形態の膜の一形成工程を模式的に示す断面図。
【図４】本発明の一実施の形態の膜の評価方法の手順を示すフローチャート。
【図５】本発明の一実施の形態で使用される顕微ラマン分光測定装置の構成を模式的に示す図。
【図６】本発明の一実施の形態の実施例において、上部電極のエッチング時における元素分析の結果を示す図。
【図７】本発明の一実施の形態の実施例において、図５の装置を使用して得られるラマン散乱スペクトルを示す図。
【図８】本発明の一実施の形態の比較例において、上部電極のエッチング時における元素分析の結果を示す図。
【図９】本発明の一実施の形態の比較例において、図５の装置を使用して得られるラマン散乱スペクトルを示す図。
【符号の説明】
【００５８】
１０  半導体基板、  １２  トランジスタ、  １４  第１不純物領域、  １５  電極、  １６  第２不純物領域、  １７  素子分離領域、  １８  ゲート導電層、  １９  絶縁層、  ２０  下部電極、  ２２  上部電極、  ２６  プラグ導電層、  ３０  強誘電体膜、  ３０ａ  強誘電体膜の表面、  ５０  レーザビーム、  ５１  レーザ光源、  ５２  ミラー、  ５４  ホログラフィックミラー、  ５５  光学顕微鏡、  ５６  ハーフミラー、  ５７  対物レンズ、  ５８  Ｘ−Ｙ−Ｚステージ、  ６０Ａ  反射レーザビーム、  ６０Ｂ  後方ラマン散乱光、  ６１  接眼レンズ、  ６２  カメラ、  ６３  表示装置、  ６４  検光子、  ６５  分光器、  ６６  ＣＣＤ装置、  １００  強誘電体メモリ装置、  １００Ｃ  強誘電体キャパシタ、  ２００  被評価試料、  ３００  ラマン分光測定装置、  １０００  半導体装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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