(57)【要約】【課題】スルーゲート方式等の樹脂封止ができないパッケージであっても、外部の端子やフィン部等に樹脂フラッシュが発生するのを防止でき、２次モールド部に１次の樹脂を巻き込むことのないリードフレームおよびそのリードフレームを用いた特性の良好な光半導体装置を提供する。【解決手段】  ゲート領域を所定の間隔をあけて挟む２つの第１ゲート部材１２,１３と、その２つの第１ゲート部材１２,１３をさらに外側から挟む２つの第２ゲート部材１４,１５とを有する二重構造のゲート部９を備える。上記ゲート部９により形成されたゲート領域を除いて、内側樹脂部２０が形成される第１モールド領域を囲うように第１タイバー１０を設ける。さらに、上記第１タイバー１０の外側かつ内側樹脂部２０を囲む外側樹脂部が形成される第２モールド領域を囲うように第２タイバー６,７を設ける。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を搭載するヘッダー部と、
上記ヘッダー部を囲む内側樹脂部と外側樹脂部が形成される領域に外部から樹脂を注入するためのゲート領域を形成するゲート部とを備え、
上記ゲート部は、上記ゲート領域を所定の間隔をあけて挟む２つの第１ゲート部材と、その２つの第１ゲート部材をさらに外側から挟む２つの第２ゲート部材とを有する二重構造をしていることを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
請求項１に記載のリードフレームにおいて、
上記ゲート部により形成された上記ゲート領域を除いて、上記内側樹脂部が形成される第１モールド領域を囲うように設けられた第１タイバーと、
上記第１タイバーの外側かつ上記内側樹脂部を囲む上記外側樹脂部が形成される第２モールド領域を囲うように設けられた第２タイバーとを備えたことを特徴とするリードフレーム。
【請求項３】
請求項２に記載のリードフレームにおいて、
上記ヘッダー部または内部リード部の少なくとも一方と上記第１タイバーを接続する吊りピンを備えたことを特徴とするリードフレーム。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１つに記載のリードフレームを用いた二重モールドタイプの光半導体装置の製造方法であって、
上記リードフレームのヘッダー部に光半導体素子を搭載する工程と、
上記リードフレームの第１ゲート部材により挟まれたゲート領域から樹脂を注入して、上記光半導体素子が搭載された上記ヘッダー部を覆う内側樹脂部を形成する１次モールド工程と、
上記１次モールド工程の後、上記内側樹脂部の樹脂バリと上記リードフレームの上記第１ゲート部材を除去する除去工程と、
上記除去工程の後、上記リードフレームの第２ゲート部材により挟まれたゲート領域から樹脂を注入して、上記内側樹脂部を囲む外側樹脂部を形成する２次モールド工程と
を有することを特徴とする光半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の光半導体装置の製造方法において、
上記リードフレームは、上記ゲート部により形成された上記ゲート領域を除いて、上記内側樹脂部が形成される第１モールド領域を囲うように第１タイバーが設けられたものであり、
上記１次モールド工程の後でかつ上記２次モールド工程の前に、上記リードフレームの第１タイバーを打ち抜く工程を有することを特徴とする光半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の光半導体装置の製造方法において、
上記リードフレームの第１タイバーを打ち抜く工程において、上記ヘッダー部と上記第１タイバーとを接続する吊りピンを打ち抜くことを特徴とする光半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至３のいずれか１つに記載のリードフレームを用いた光半導体装置または請求項４乃至６のいずれか１つに記載の光半導体装置の製造方法により製造された光半導体装置を用いたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、リードフレームおよび光半導体装置の製造方法および電子機器に関し、光半導体チップを封止した半導体装置等に使用するリードフレームおよびそれを用いた光半導体装置の製造方法に関するものであり、その光半導体装置を用いた電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、光半導体装置としては、発光ダイオードとフォトダイオードあるいはフォトトランジスタ等を１つのパッケージ内で結合させたフォトカプラがある。
【０００３】
図８は上記フォトカプラの内部構造図を示している。図８に示すように、まず、素子を搭載するヘッダー部を設けたリードフレームＡ１０３に発光素子１０１をダイボンド(接着)し、リードフレームＢ１０３に受光素子１０２をダイボンドする。そして、発光素子および受光素子と外部リードを金線１０４にて接続するワイヤボンディングを施した後、発光素子には応力緩和のためにシリコーン樹脂１０５にてコーティングを施す。その後、発光素子と受光素子の光軸を一致させるよう双方のリードフレームを対向させる。そして、透光性エポキシ樹脂１０６にて1次モールドを行い、さらにその後、全体を遮光性エポキシ樹脂１０７にてトランスファーモールドを行う。そして、外装めっき、リードフォーミング(外部リード加工)、絶縁耐圧試験(１次と２次との間の絶縁性検査)、電気特性検査(電気的諸特性の測定)、マーキング、外観検査、梱包の工程を経て製品となる。
【０００４】
ここで説明した通り、フォトカプラに関しては、発光素子からの光を受光素子に効率的に伝達するための透光性樹脂と、外乱光が受光素子に伝わらないように遮光するための遮光性樹脂の二重モールド構造が必要である。
【０００５】
このような二重モールド構造の場合は、1層目の樹脂封止を実施したときに発生する樹脂フラッシュおよびリード間やキャビティ間の厚バリを除去する必要があるため、1層目の樹脂封止用の第１タイバーとその外側に２層目の樹脂封止用の第２タイバーを設けることによって、品質向上および工程の簡素化を図る方法が知られている(例えば、特開平３−１４１６７７号公報(特許文献１)参照)。ここで、「樹脂フラッシュ」とは、リードフレームと金型の押さえ部との間に隙間が生じて、樹脂充填時にその隙間部に樹脂がはみ出した状態のものをいう。
【０００６】
上記二重モールド構造の光半導体装置の製造方法は、スルーゲート方式の樹脂封止が可能なパッケージ(例えばＤＩＰパッケージ)には適用されるが、４方向にリードがあるパッケージや放熱フィン,取り付け用フィンがあるようなパッケージでは適用できない。
【０００７】
図９に従来のフォトカプラにおける２重モールドの工程説明図を示している。まず、図９(a)に示すように、１次樹脂注入箇所(矢印Ｒ２)より透光性樹脂を注入して、内側樹脂部２０３を形成する。注入された樹脂は１次タイバー２０１でせき止められ、外部リード２０２まで樹脂が広がることはない。１次封止された後、図９(b)の１次タイバーカット工程に示すように１次タイバー２０１(図９(a)に示す)および厚バリ(図９(a)の斜線部)を金型で除去する。次に、２次樹脂注入箇所(１次の場合と同じ箇所)より遮光性樹脂を注入して、図９(c)に示すように、内側樹脂部２０３を囲む外側樹脂部２０４を形成して２次モールド工程が完了となる。
【０００８】
上記フォトカプラ以外に、光ファイバー等の光伝送媒体を介して光信号を送受信する光通信装置のうち、信頼性向上のために透光性樹脂で２重モールドされた光半導体装置も知られている。この光半導体装置の場合、基板への取り付け精度を向上させるためにパッケージ左右に取り付け用のフィンがついている。さらに、光通信装置は、フォトカプラの場合と違って１次樹脂を２次樹脂に巻き込むことは、光の送信および受信効率の低減を招くので、できるだけ避けなければならない(フォトカプラの場合は、２次樹脂を黒樹脂で封止するため、１次樹脂を多少巻き込んでも特性に影響はない)。また、この場合、フォトカプラと違ってスルーゲート方式による樹脂封止ができず、各パッケージに樹脂を注入する必要がある。
【０００９】
図１０にこの場合の２重モールド説明図を示す。まず、図１０(a)の樹脂注入箇所(矢印Ｒ３)より１次透光性樹脂を注入して、内側樹脂部３０１が形成される。注入された１次透光性樹脂は、フィン部や外部端子まで広がってしまう。１次封止された後、図１０(b)に示す厚バリ除去工程において厚バリを金型で除去するが、機械的に完全に除去することは不可能であり、例えばフィン部に１次の樹脂が付着したままとなる。この状態で次に同じ注入箇所より２次樹脂を注入して、外側樹脂部３０２を形成すると、１次樹脂を巻き込み２次樹脂の透明性が損なわれることになる。１次樹脂を薬品やブラシ、液体ホーニングの手段で削除することも可能であるが、信頼性に著しい悪影響を与えることは明らかである。
【００１０】
以上のように、フォトカプラの場合、１次タイバーは１次の樹脂止めが主たる目的であり、多少２次樹脂に１次樹脂が回り込んでも外部からの遮光が目的であるために特性へ影響はない。しかしながら、発光出力や受信感度が主たる特性である光通信用の光半導体装置では、２次樹脂への１次樹脂の回り込みは特性に大きな影響を及ぼすという問題がある。
【特許文献１】特開平３−１４１６７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
そこで、この発明の目的は、スルーゲート方式等の樹脂封止ができないパッケージであっても、外部の端子やフィン部等に樹脂フラッシュが発生するのを防止できると共に、２次モールド部に１次樹脂を巻き込むことのないリードフレームおよびそのリードフレームを用いた特性の良好な光半導体装置の製造方法を提供するものである。
【００１２】
また、この発明のもう１つ目的は、上記光半導体装置を用いた性能がよくかつ信頼性の高い電子機器を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するため、この発明のリードフレームは、
半導体素子を搭載するヘッダー部と、
上記ヘッダー部を囲む内側樹脂部と外側樹脂部が形成される領域に外部から樹脂を注入するためのゲート領域を形成するゲート部とを備え、
上記ゲート部は、上記ゲート領域を所定の間隔をあけて挟む２つの第１ゲート部材と、その２つの第１ゲート部材をさらに外側から挟む２つの第２ゲート部材とを有する二重構造をしていることを特徴とする。
【００１４】
上記構成のリードフレームによれば、上記ヘッダー部を囲む内側樹脂部を形成するとき、上記ゲート部の第１ゲート部材により挟まれたゲート領域から１次の樹脂を注入して、内側樹脂部を形成した後、上記第１ゲート部材を除去して、ゲート部の第２ゲート部材により挟まれたゲート領域から２次の樹脂を注入して、外側樹脂部を形成することが可能となる。したがって、スルーゲート方式等の樹脂封止ができないパッケージであっても、上記ゲート部近傍において外側樹脂部に１次の樹脂を巻き込むことがなく、光通信用の光半導体装置に最適なリードフレームを実現する。
【００１５】
また、一実施形態のリードフレームは、
上記ゲート部により形成された上記ゲート領域を除いて、上記内側樹脂部が形成される第１モールド領域を囲うように設けられた第１タイバーと、
上記第１タイバーの外側かつ上記内側樹脂部を囲む上記外側樹脂部が形成される第２モールド領域を囲うように設けられた第２タイバーとを備えたことを特徴とする。
【００１６】
上記実施形態のリードフレームによれば、上記第１タイバーによりヘッダー部を囲む内側樹脂部が形成される第２モールド領域を囲い、内側樹脂部の形成時にリード端子やフィン部等に樹脂フラッシュが発生するのを防止でき、外側樹脂部の形成時に第２タイバーやリード端子,フィン部等に１次の樹脂が回り込まないようにできる。上記第１タイバーだけで第１モールド領域の全周を囲むものではなく、第１タイバーとリード端子やフィン部とが連なって第１モールド領域を囲み、また、上記第２タイバーだけで第２モールド領域の全周を囲むものではなく、第２タイバーとリード端子やフィン部とが連なって第２モールド領域を囲む。
【００１７】
また、一実施形態のリードフレームは、上記ヘッダー部または内部リード部の少なくとも一方と上記第１タイバーを接続する吊りピンを備えたことを特徴とする。
【００１８】
上記実施形態のリードフレームによれば、上記吊りピンによりヘッダー部または内部リード部の少なくとも一方を保持することができ、半導体素子のヘッダー部へのダイボンドやワイヤボンディング時に変形しないようにできる。
【００１９】
また、この発明の光半導体装置の製造方法は、
上記のいずれか１つに記載のリードフレームを用いた二重モールドタイプの光半導体装置の製造方法であって、
上記リードフレームのヘッダー部に光半導体素子を搭載する工程と、
上記リードフレームの第１ゲート部材により挟まれたゲート領域から樹脂を注入して、上記光半導体素子が搭載された上記ヘッダー部を覆う内側樹脂部を形成する１次モールド工程と、
上記１次モールド工程の後、上記内側樹脂部の樹脂バリと上記リードフレームの上記第１ゲート部材を除去する除去工程と、
上記除去工程の後、上記リードフレームの第２ゲート部材により挟まれたゲート領域から樹脂を注入して、上記内側樹脂部を囲む外側樹脂部を形成する２次モールド工程と
を有することを特徴とする。
【００２０】
上記実施形態の光半導体装置の製造方法によれば、スルーゲート方式等の樹脂封止ができないパッケージであっても、外部の端子やフィン部に樹脂フラッシュ等の発生を防止でき、２次モールド部に１次の樹脂を巻き込むことがなく、光通信用に適した光半導体装置を実現できる。
【００２１】
また、一実施形態の光半導体装置の製造方法は、上記リードフレームが、上記ゲート部により形成された上記ゲート領域を除いて、上記内側樹脂部が形成される第１モールド領域を囲うように第１タイバーが設けられたものであり、上記１次モールド工程の後でかつ上記２次モールド工程の前に、上記リードフレームの第１タイバーを打ち抜く工程を有することを特徴とする。
【００２２】
上記実施形態の光半導体装置の製造方法によれば、１次モールド工程の後でかつ２次モールド工程の前に、リードフレームの第１タイバーを打ち抜くことによって、１次モールド工程で発生した樹脂フラッシュを第１タイバーと共に除去できる。
【００２３】
また、一実施形態の光半導体装置の製造方法は、上記リードフレームの第１タイバーを打ち抜く工程において、上記ヘッダー部と上記第１タイバーとを接続する吊りピンを打ち抜くことを特徴とする。
【００２４】
上記実施形態の光半導体装置の製造方法によれば、２次モールド工程が完了したときに吊りピンが上記外側樹脂部から外部に露出しないので、そのような露出部から水分等が侵入することがなく、信頼性を向上できる。
【００２５】
また、この発明の電子機器は、上記のいずれか１つに記載のリードフレームを用いた光半導体装置または請求項４乃至６のいずれか１つに記載の光半導体装置の製造方法により製造された光半導体装置を用いたことを特徴とする。
【００２６】
上記構成の電子機器によれば、リードフレームを用いた特性の良好な光半導体装置を用いることによって、性能がよくかつ信頼性の高い電子機器を実現できる。
【発明の効果】
【００２７】
以上より明らかなように、この発明のリードフレームおよび光半導体装置の製造方法によれば、外部フィン等を装備した二重モールドタイプの光半導体装置において、樹脂フラッシュのない高信頼性の光半導体装置を実現することができる。
【００２８】
また、この発明の電子機器によれば、リードフレームを用いた特性の良好な光半導体装置を用いることによって、性能がよくかつ信頼性の高い電子機器を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、この発明のリードフレームおよび光半導体装置の製造方法および電子機器を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００３０】
図１(a)はこの発明の実施の一形態のリードフレーム１の外観図を示しており、８,８は所定の間隔をあけて略平行に配置された２つのクレドール部、２,３は取り付け用フィン、４はヘッダー部、５はリード端子、６は上記リード端子５間を連結する第２タイバー、７は支持枠を兼ねる第２タイバーである。また、９は樹脂を注入するゲート部、１０は１次モールド工程において１次樹脂をせき止めるための第１タイバーである。
【００３１】
このリードフレーム１は、図１(b)に示すように、１次モールド領域Ｓ１に１次樹脂からなる内側樹脂部が形成され、２次モールド領域Ｓ２に２次樹脂からなる外側樹脂部が形成される。
【００３２】
図２(a)〜(d)は上記リードフレーム１を用いた光半導体装置の製造方法を説明するための図を示している。
【００３３】
図２(a)〜(d)に示すように、パッケージとなる領域の左右(図２(a)〜(d)では上下)に取り付け用フィンがあるため、樹脂封止する場合は、図２(a)のゲート部９より樹脂を注入する。
【００３４】
まず、図２(a)で１次モールド工程を実施して内側樹脂部２０を形成し、図２(b)で１次タイバーカット工程を行った後、図２(c)で２次モールド工程を実施して外側樹脂部３０を形成し、さらに図２(d)で第２ゲート部材カット工程を実施する。
【００３５】
また、図３は図２(a)に示す製造工程の要部拡大図、図４は図２(b)に示す製造工程の要部拡大図、図５は図２(c)に示す製造工程の要部拡大図、図６は図２(d)に示す製造工程の要部拡大図である。
【００３６】
図３において、樹脂を注入するためのゲート部９は、ゲート領域を所定の間隔をあけて挟む２つの第１ゲート部材１２,１３と、その２つの第１ゲート部材１２,１３をさらに外側から挟む２つの第２ゲート部材１４,１５とを有する二重構造をしている。また、第１タイバー１０は、内側樹脂部２０となる１次モールド領域Ｓ１を囲うように設けられた部分１０a〜１０fからなり、この部分１０a〜１０fとその間のリード端子５や第２ゲート部材１４,１５および取り付け用フィン３がゲート部９のゲート領域を除いて連続することにより、１次樹脂をせき止める。
【００３７】
２重モールドタイプの場合、図２(a)に示すように、まずトランスファーモールドにより１次樹脂を樹脂注入部(矢印Ｒ１)より注入して、内側樹脂部２０を形成する。このとき、図３に示すように、第１ゲート部材１２,１３で形成されたゲート領域から注入された樹脂は、第１タイバー１０でせき止められて、第１タイバー１０と内側樹脂部２０との間のキャビティに厚バリ１０ができるが、リード端子５や取り付け用フィン２,３に１次樹脂が回り込むことはない。
【００３８】
さらにその後、図４に示すように、図３に示す厚バリ１０と第１タイバー１０を金型で除去して、第２ゲート部材１４,１５を残す。この１次タイバーカット工程において、内部リード部に接続された吊りピン(例えば図３の１６)を全てカットすることにより外部への吊りピンの露出がなくなり、さらに信頼性の向上を達成することが可能となる。図２(c)の２次モールド工程が完了したときに吊りピンが外部に露出していると、ここから水分等が入り易くなる。
【００３９】
図４に示す状態で、トランスファーモールドにより第２ゲート部材１４,１５で形成されたゲート領域から２次樹脂を注入して、図５に示すように、内側樹脂部２０を囲む外側樹脂部３０を形成する。このとき、２次樹脂は、第２タイバー６,７でせき止められる。また、リード端子５や取り付け用フィン２,３に１次樹脂が付着していないので、２次樹脂が１次樹脂を巻き込むことはない。さらに、上記ゲート部９は、第１,第２ゲート部材１２〜１５を有する二重構造としているため、ここからの１次樹脂の回り込みもなくすことが可能となる。
【００４０】
そして、図６に示すように、第２ゲート部材１４,１５(図５に示す)をカットする。
【００４１】
その結果、透明性が高く特性の良好な光半導体装置の提供が可能となる。
【００４２】
上記実施形態の光半導体装置の製造方法を用いて光通信用の光半導体装置を製造する場合は、まず、リードフレーム１のヘッダー部に、図示しない発光素子および受光素子を各々個別にダイボンド(接着)する。
【００４３】
そして、発光素子,受光素子の各電極とリード端子との間を金線を介して接続するワイヤボンディングを施した後、発光素子と受光素子にシリコーン樹脂にてコーティングを施す。これにより、１次モールド工程後に光を透過する窓を設ける。
【００４４】
その後、１次樹脂の一例としての透光性エポキシ樹脂にて1次モールドを行い、さらにその後、全体を２次樹脂の一例としての透光性エポキシ樹脂にてトランスファーモールドを行う。
【００４５】
そうして、トランスファーモールドされた光半導体装置は、外装めっき、リードフォーミング(外部リード加工)、電気特性検査(電気的諸特性の測定)、マーキング、外観検査、梱包の工程を経て製品となる。このときの成型手段として、トランスファーモールド以外に、インジェクションモールドや注型モールド等により成型してもよい。
【００４６】
この光通信用の光半導体装置においても、１次樹脂封止を実施したときに発生する樹脂フラッシュおよびリード間,キャビティティ間の厚バリを、金型にてダミーリードと共に除去する。
【００４７】
図７(a)は上記光半導体装置の製造方法により製造された取り付け用フィンが１つの光半導体装置の外観図を示している。なお、取り付け用フィンがパッケージの左右に２つある場合は、図７(b)の外観図に示す光半導体装置の形態となる。
【００４８】
上記構成のリードフレーム１によれば、ゲート部９の第１ゲート部材１２,１３により挟まれたゲート領域から１次の樹脂を注入して、ヘッダー部４を囲む内側樹脂部２０を形成した後、第１ゲート部材１２,１３を除去して、ゲート部９の第２ゲート部材１４,１５により挟まれたゲート領域から２次の樹脂を注入して、外側樹脂部３０を形成することが可能となる。したがって、スルーゲート方式等の樹脂封止ができないパッケージであっても、ゲート部９近傍において外側樹脂部３０に１次の樹脂を巻き込むことがなく、光通信用の光半導体装置に使用する最適なリードフレームを実現する。
【００４９】
また、上記第１タイバー１０によりヘッダー部４を囲む内側樹脂部２０が形成される第２モールド領域を囲い、内側樹脂部２０の形成時にリード端子やフィン部等に樹脂フラッシュが発生するのを防止でき、外側樹脂部３０の形成時に第２タイバー６,７やリード端子,フィン部等に樹脂が回り込まないようにできる。
【００５０】
また、上記吊りピン１６に内部リード部を保持することができ、ダイボンドやワイヤボンディング時に変形しないようにできる。また、ヘッダー部に吊りピンが接続されている場合も同様である。
【００５１】
また、上記光半導体装置の製造方法によれば、スルーゲート方式等の樹脂封止ができないパッケージであっても、外部の端子やフィン部等において樹脂フラッシュの発生を防止でき、２次モールド部に１次の樹脂を巻き込むことがなく、光通信用に適した光半導体装置を実現することができる。
【００５２】
また、１次モールド工程の後でかつ２次モールド工程の前に、リードフレームの第１タイバー１０を打ち抜くことによって、１次モールド工程で発生した樹脂フラッシュを第１タイバー１０と共に除去することができる。
【００５３】
また、２次モールド工程が完了したときに吊りピンが外部に露出しないので、ここから水分等が侵入することがなく、信頼性を向上できる。
【００５４】
本発明の光半導体装置は、特に動作温度範囲の広い環境に使用される車載用機器、例えばカーオーディオ、カーナビ、センサーや、工場内のロボットのセンサー、制御用機器等の電子機器に使用され、さらには一般的な環境で使用されるデジタルＴＶ(televisionテレビジョン)、デジタルＢＳ(Broadcasting Satellite：ブロードキャスティング・サテライト)チューナ、ＣＳ(Communication Satellite：コミュニケーション・サテライト)チューナ、ＤＶＤ(Digital Versatile Disc：デジタル多用途ディスク)プレーヤー、スーパーオーディオＣＤ(Compact Disc：コンパクト・ディスク)プレーヤー、ＡＶ(Audio Visual：オーディオ・ビジュアル)アンプ、オーディオ、パソコン、パソコン周辺機器、携帯電話、ＰＤＡ(Personal Digital Assistant：パーソナル・デジタル・アシスタント)等の電子機器にも使用される。この場合、リードフレームを用いた特性の良好な光半導体装置を用いることによって、性能がよくかつ信頼性の高い電子機器を実現することができる。
【００５５】
上記実施の形態では、リードフレームを用いた光半導体装置の製造方法について説明したが、この発明のリードフレームは光半導体装置に限らず、二重モールドタイプの他の半導体装置に適用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】図１(a),(b)はこの発明の実施の一形態のリードフレームの外観図である。
【図２】図２(a)〜(d)は上記リードフレームを用いた光半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図３】図３は図２(a)に示す製造工程の要部拡大図である。
【図４】図４は図２(b)に示す製造工程の要部拡大図である。
【図５】図５は図２(c)に示す製造工程の要部拡大図である。
【図６】図６は図２(d)に示す製造工程の要部拡大図である。
【図７】図７(a)は上記光半導体装置の外観図であり、図７(b)は取り付け用フィンが２つの光半導体装置の外観図である。
【図８】図８は従来のフォトカプラの内部構造図である。
【図９】図９はフォトカプラのスルーゲート方式による製造方法を説明するための工程説明図である。
【図１０】図１０はスルーゲート方式による樹脂注入ができない場合の光半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【符号の説明】
【００５７】
１…リードフレーム
２,３…取り付け用フィン
４…ヘッダー部
５…リード端子
６,７…第２タイバー
８…クレドール部
９…ゲート部
１０…第１タイバー
１１…厚バリ
１２,１３…第１ゲート部材
１４,１５…第２ゲート部材
１６…吊りピン
２０…内側樹脂部
３０…外側樹脂部
Ｓ１…１次モールド領域
Ｓ２…２次モールド領域
１０１…発光素子
１０２…受光素子
１０３…リードフレーム
１０４…金線
１０５…シリコーン樹脂
１０６…透光性エポキシ樹脂
１０７…遮光性エポキシ樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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