(57)【要約】【課題】  記録磁界を効果的に主磁極先端部に誘導することができるとともに、サイドフリンジングを抑制できる垂直磁気記録ヘッドを提供する。【解決手段】  第１の磁性部である補助磁極層２１と、前記補助磁極層２１から間隔を空けて形成された第２の磁性部である主磁極層２４とが設けられ、前記補助磁極層２１と主磁極層２４との間隔内に記録磁界を与えるコイル層が設けられている。前記主磁極層２４に接してヨーク層１３５が形成されており、前記ヨーク層１３５は、ハイト方向後方に向かって、段階的または連続的に幅寸法が広がるとともに、上面から下面に向って段階的または連続的に幅寸法が広がる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の磁性部と、前記第１の磁性部から間隔を空けて形成された第２の磁性部とが設けられ、前記第１の磁性部と第２の磁性部との前記間隔内に位置し前記第１の磁性部と前記第２の磁性部とに記録磁界を与えるコイル層が設けられ、記録媒体に磁気データを記録する垂直磁気記録ヘッドにおいて、
前記第２の磁性部に接してヨーク層が形成されており、前記ヨーク層の前端のハイト方向と直交する方向の幅寸法が、ハイト方向後方に向かうにつれて段階的または連続的に広がるとともに、前記第２の磁性部から離れるほど段階的または連続的に広くなることを特徴とする垂直磁気記録ヘッド。
【請求項２】
前記ヨーク層は、膜厚寸法がハイト方向後方に向かうにつれて段階的または連続的に大きくなる領域を有する請求項１記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項３】
前記ヨーク層は前記第２の磁性層よりも透磁率が大きい請求項１または２記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項４】
前記ヨーク層の飽和磁束密度は、前記第２の磁性部に近づくにつれて大きくなっている請求項１ないし３のいずれかに記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項５】
前記第２の磁性部は、前記第１の磁性部よりもリーディング側に形成されている請求項１ないし４のいずれかに記載の垂直磁気記録ヘッド。
【請求項６】
前記第２の磁性部は、前記第１の磁性部よりもトレーリング側に形成されている請求項１ないし４のいずれかに記載の垂直磁気記録ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばハード面を有するディスクなどの記録媒体に対して垂直磁界を与えて記録を行う垂直磁気記録ヘッドに係り、特に記録パターンにフリンジングが発生するのを抑制すると共に、記録効率を向上させることが可能な垂直磁気記録ヘッドを提供することを目的としている。
【背景技術】
【０００２】
ディスクなどの記録媒体に磁気データを高密度で記録する装置として、垂直磁気記録方式を利用した垂直磁気記録ヘッドがある。この垂直磁気記録ヘッドの一般的な構造は、強磁性材料からなる補助磁極層と、この補助磁極層から間隔を空けて形成される強磁性材料からなる主磁極層とを有して構成される。
【０００３】
前記補助磁極層の先端と前記主磁極層の先端とは記録媒体との対向面に現れており、ハイト方向後方で磁気的に接続されている。前記補助磁極層と前記主磁極層との間にはコイル層が形成されている。このコイル層に通電されることによって前記補助磁極層と前記主磁極層とに記録磁界が誘導されると、記録媒体との対向面において、前記補助磁極層と前記主磁極層との間で漏れ記録磁界が発生し、この漏れ記録磁界が、記録媒体を通過することにより、記録媒体に記録信号が記録される。
【０００４】
ここで、主磁極層に使用される強磁性材料は高飽和磁束密度を有している反面、一般的に透磁率が低いため、主磁極層に誘導された記録磁界が前記主磁極層の先端に誘導され難い。そのため、透磁率が大きな材料からなるヨーク層を前記主磁極層に接して形成し、記録磁界が主磁極先端に誘導され易くなるように意図された垂直磁気記録ヘッドも存在する。
【０００５】
このようにヨーク層が形成された垂直磁気記録ヘッドでは、記録磁界を主磁極の先端に効果的に誘導させるためには、前記ヨーク層を記録媒体との対向面に近づけることが効果的である。しかし、前記ヨーク層を記録媒体との対向面に近づけすぎると、このヨーク層の先端からも記録磁界が記録媒体へ流れ易くなってしまい、いわゆるサイドフリンジングの問題が発生する。
【０００６】
このようなサイドフリンジングの問題を抑制できる垂直磁気記録ヘッドとして、以下に示す特許文献１の図１および図１０や、図３および図１４には、ヨーク層の前端面３５ａが、下面から上面に向けて記録媒体との対向面に近づく傾斜面あるいは湾曲面で形成された垂直磁気記録ヘッドが開示されている。
【０００７】
この特許文献１に開示された垂直磁気記録ヘッドでは、主磁極層２４に接して透磁率が大きい材料からなるヨーク層３５が形成されているため、記録磁界を主磁極層２４の先端に誘導させることができるとともに、前記ヨーク層３５の前端面３５ａが傾斜面などとして形成されて断面積が減少させられているため、記録媒体との対向面付近でヨーク層３５の磁気的ボリュームが抑えられていることから、ヨーク層３５の前端面から記録磁界が記録媒体へ流れることを抑制できるため、サイドフリンジングを抑制することが可能となっている。
【特許文献１】特開２００２−１９７６１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、前記特許文献１に開示された垂直磁気記録ヘッドでは、ヨーク層３５の前端面３５ａが形成された領域では厚さ寸法がハイト方向後方に向かうに従って連続的に大きくなるように形成されているが、この前端面３５ａよりもハイト方向後方側では厚さ寸法が一定に形成されている。また、前記ヨーク層３５の上面から下面にかけて幅寸法が一定なのか否かについて明確な記載はされていないが、図１や図１０の記載などからは、前記ヨーク層３５の前端面の膜厚が変化（傾斜）している領域で、幅寸法が連動して変化しているか否かは明確にされていない。
【０００９】
したがって、特許文献１の前記ヨーク層３５では、全体として磁気的ボリュームを大きくするには限界があるため、記録磁界を主磁極層２４に効果的に誘導するには未だ不十分であった。
【００１０】
本発明は前記従来の課題を解決するものであり、記録磁界を効果的に主磁極先端部に誘導することができるとともに、サイドフリンジングを抑制できる垂直磁気記録ヘッドを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、第１の磁性部と、前記第１の磁性部から間隔を空けて形成された第２の磁性部とが設けられ、前記第１の磁性部と第２の磁性部との前記間隔内に位置し前記第１の磁性部と前記第２の磁性部とに記録磁界を与えるコイル層が設けられ、記録媒体に磁気データを記録する垂直磁気記録ヘッドにおいて、
前記第２の磁性部に接してヨーク層が形成されており、前記ヨーク層の前端のハイト方向と直交する方向の幅寸法が、ハイト方向後方に向かうにつれて段階的または連続的に幅寸法が広がるとともに、前記第２の磁性部から離れるほど段階的または連続的に幅寸法が広くなることを特徴とするものである。
【００１２】
この場合、前記ヨーク層は、膜厚寸法がハイト方向後方に向うにつれて段階的または連続的に大きくなる領域を有するものとして構成することが好ましい。
【００１３】
また、前記ヨーク層は前記第２の磁性層よりも透磁率が大きいものとして構成することが好ましい。
【００１４】
この場合、前記ヨーク層の飽和磁束密度は、前記第２の磁性部に近づくにつれて大きくなっているものとして構成すると、第２の磁性部に磁束を集中させ易くできるため好ましい。
【００１５】
また、前記第２の磁性部は、前記第１の磁性部よりもリーディング側に形成されているものとして構成することや、前記第２の磁性部は、前記第１の磁性部よりもトレーリング側に形成されているものとして構成することができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の垂直磁気記録ヘッドは、ヨーク層の幅寸法が、ハイト方向後方に向かうにしたがって段階的、または連続的に大きくなるように構成され、かつ主磁極層から離れるにつれて大きくなるように構成されている。すなわち、ヨーク層の幅寸法は、記録媒体との対向面に向かうにしたがって小さくなり、かつ主磁極層に近づくにつれて小さくなる。このため、前記ヨーク層の磁気的ボリュームを前記主磁極層に向かうにしたがって小さくすることができる。したがって、前記ヨーク層から記録磁界が前記記録媒体に流れ難く、サイドフリンジングの発生を抑制できる。
【００１７】
また、ヨーク層の幅寸法が、ハイト方向後方（図示Ｙ２方向）に向かうにしたがって大きくなるように構成されており、記録媒体との対向面から離れるにしたがって、前記ヨーク層の磁気的ボリュームが大きくなる。したがって、ヨーク層全体としての磁気的ボリュームを大きくすることが可能となるため、主磁極層に記録磁界を誘導し易くできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
図１は本発明の第１実施形態の垂直磁気記録ヘッドの構造を示す縦断面図である。
図１に示す垂直磁気記録ヘッドＨ１は記録媒体Ｍに垂直磁界を与え、記録媒体Ｍのハード面Ｍａを垂直方向に磁化させるものである。
【００１９】
前記記録媒体Ｍはディスク状であり、その表面に残留磁化の高いハード面Ｍａを有しており、内方に磁気透過率の高いソフト面Ｍｂを有しており、ディスクの中心が回転軸中心となって回転させられる。
【００２０】
前記垂直磁気記録ヘッドＨ１のスライダ１１はＡｌ２Ｏ３・ＴｉＣなどのセラミック材料で形成されており、スライダ１１の記録媒体との対向面１１ａが前記記録媒体Ｍに対向し、記録媒体Ｍが回転すると、表面の空気流によりスライダ１１が記録媒体Ｍの表面から浮上し、またはスライダ１１が記録媒体Ｍに摺動する。図１においてスライダ１１に対する記録媒体Ｍの移動方向は図示矢印Ａに示す方向（図示Ｚ１方向）である。垂直磁気記録ヘッドＨはスライダ１１のトレーリング側端面に設けられている。
【００２１】
前記スライダ１１の側端面１１ｂには、Ａｌ２Ｏ３またはＳｉＯ２などの無機材料による非磁性絶縁層５４が形成されて、この非磁性絶縁層５４の上に読取り部ＨＲが形成されている。
【００２２】
前記読取り部ＨＲは、下から下部シールド層５２、ギャップ層５５、磁気抵抗効果素子５３、および上部シールド層５１から成る。前記磁気抵抗効果素子５３は、異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ）素子、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）素子、トンネル型磁気抵抗効果（ＴＭＲ）素子などである。
【００２３】
前記上部シールド層５１の上には、Ａｌ２Ｏ３またはＳｉＯ２などの無機材料による非磁性絶縁層１２が形成されて、前記非磁性絶縁層１２の上に本発明の記録用の垂直磁気記録ヘッドＨ１が設けられている。そして垂直磁気記録ヘッドＨ１は無機非磁性絶縁材料などで形成された保護層１３により被覆されている。そして前記垂直磁気記録ヘッドＨ１の記録媒体との対向面Ｈａは、前記スライダ１１の対向面１１ａとほぼ同一面である。
【００２４】
前記垂直磁気記録ヘッドＨ１では、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｆｅ−Ｎｉ（Ｆｅ−ｒｉｃｈ）、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｒｈ、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉなどがメッキされて、第１の磁性部である補助磁極層２１が形成されている。
【００２５】
前記非磁性絶縁層１２は、前記補助磁極層２１の下（補助磁極層２１とスライダ１１の側端面１１ｂとの間）および前記補助磁極層２１の周囲に形成されている。そして図１に示すように、補助磁極層２１の表面（上面）２１ａと前記非磁性絶縁層１２の表面（上面）１２ａとは同一の平面上に位置している。
【００２６】
図１に示すように、前記対向面Ｈａよりもハイト方向後方（図示Ｙ２方向）側では、前記補助磁極層２１の表面２１ａ上にＮｉ−Ｆｅなどの接続層２５が形成されている。
【００２７】
前記接続層２５の周囲において、前記補助磁極層２１の表面２１ａおよび前記非磁性絶縁層１２の表面１２ａ上に、Ａｌ２Ｏ３などの非磁性絶縁層２６が形成されて、この非磁性絶縁層２６の上にＣｕなどの導電性材料によりコイル層２７が形成されている。このコイル層２７はフレームメッキ法などで形成されたものであり、前記接続層２５の周囲に所定の巻き数となるように螺旋状にパターン形成されている。コイル層２７の巻き中心側の接続端２７ａ上には同じくＣｕなどの導電性材料で形成された底上げ層３１が形成されている。
【００２８】
前記コイル層２７および底上げ層３１は、レジスト材料などの有機材料の絶縁層３２で被覆されており、さらに絶縁層３３で覆われている。
【００２９】
前記絶縁層３３は無機絶縁材料で形成されることが好ましく、前記無機絶縁材料としては、ＡｌＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ３、ＢＮ、ＣｒＮ、ＳｉＯＮのうち少なくとも１種以上を選択できる。
【００３０】
そして前記接続層２５の表面（上面）２５ａ、底上げ層３１の表面（上面）３１ａ、および絶縁層３３の表面（上面）３３ａは、平坦化された同一面となるように加工されている。このような平坦化された同一面は、ＣＭＰ（ケミカル・メカニカル・ポリッシング）技術などを用いて形成される。
【００３１】
図１に示す実施形態の垂直磁気記録ヘッドでは、前記絶縁層３３の上に、パーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）などの高透磁率材料からなるヨーク層１３５が形成されている。このヨーク層１３５は、後記する主磁極層２４よりも透磁率が高く形成されている。前記ヨーク層１３５の基端部は前記接続層２５の表面２５ａに磁気的に接続されている。
【００３２】
図１に示すように、前記ヨーク層１３５の周囲は、絶縁層５７によって埋められ、前記絶縁層５７が前記記録媒体との対向面Ｈａから現れており、前記ヨーク層１３５の前端を構成する符号１３５ａ１の部分が前記対向面Ｈａからハイト方向後方に位置している。本発明では、前記絶縁層５７の上面と前記ヨーク層１３５の上面はＣＭＰ技術などを用いて同一の平坦化面とされている。
【００３３】
前記絶縁層５７は無機絶縁材料で形成されることが好ましく、前記無機絶縁材料としては、ＡｌＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ３、ＢＮ、ＣｒＮ、ＳｉＯＮのうち少なくとも１種以上を選択できる。
【００３４】
そして本発明では前記平坦化された前記絶縁層５７上からヨーク層１３５上にかけて、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｒｈ、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉなどの高飽和磁束密度材料からなる第２の磁性部である主磁極層２４が形成されている。図１に示すように、前記主磁極層２４は、前記補助磁極層２１の上方向側（図示Ｚ１方向側）であるトレーリング側に位置して形成されている。
【００３５】
図１に示すように、前記底上げ層３１の表面３１ａにはリード層３６が形成され、リード層３６から前記底上げ層３１およびコイル層２７に記録電流の供給が可能となっている。そして、前記ヨーク層１３５および前記リード層３６が前記保護層１３に覆われている。
【００３６】
図２は、図１に示す垂直磁気記録ヘッドを真上（図１に示す図示Ｚ１方向）から見た平面図である。また、図３は、図１に示す前記垂直磁気記録ヘッドＨ１の前記主磁極層２４と前記ヨーク層１３５とを、記録媒体との対向面Ｈａ側（図１に示す図示Ｙ１側）から見た部分正面図である。図２および図３に示すように、前記主磁極層２４は、一定の幅寸法（＝トラック幅Ｔｗ）を有する先端部Ｃと、前記先端部Ｃの側面に対し所定角度を有し、前記先端部Ｃから後方にかけて緩やかに幅寸法が広がる中間部Ｄと、前記先端部Ｃの側面に対しさらに所定角度を有し、前記中間部Ｄから後方にかけて形成された後端部Ｅとで構成されている。
【００３７】
以下に本発明の特徴点について説明する。
図１ないし図３に示すように、前記垂直磁気記録ヘッドＨ１は、前記ヨーク層１３５が、上から第１の層１３５ａ、第２の層１３５ｂ、および第３の層１３５ｃの３層が積層されて構成されている。したがって、前記ヨーク層１３５は、第１の層１３５ａの上面１３５ａ２がヨーク層１３５の上面となり、第３の層１３５ｃの下面１３５ｃ３がヨーク層１３５の下面となる。
【００３８】
また、前記第１の層１３５ａの前端面１３５ａ１が、ヨーク層１３５の前端として構成される。
【００３９】
図２に示すように、前記第１の層１３５ａは、所定の最大幅寸法Ｗ１を有してハイト方向後方に延びる前方部１３５ａＡと、この前方部１３５ａＡからハイト方向後方に延びる後方部１３５ａＢとを有して構成されている。
【００４０】
前記第２の層１３５ｂは、所定の最大幅寸法Ｗ２を有してハイト方向後方に延びる前方部１３５ｂＡと、この前方部１３５ｂＡからハイト方向後方に延びる後方部１３５ｂＢとを有して構成されている。
【００４１】
前記第３の層１３５ｃは、所定の最大幅寸法Ｗ３を有してハイト方向後方に延びる前方部１３５ｃＡと、この前方部１３５ｃＡからハイト方向後方に延びる後方部１３５ｃＢとを有して構成されている。
【００４２】
図２に示すように、前記第１の層１３５ａの前記前方部１３５ａＡは、前記前端面１３５ａ１からハイト方向後方に向かって、前記第１の層１３５ａの側縁部１３５ａ４が膜厚方向（図示Ｚ１−Ｚ２方向）で前記主磁極層２４と対向する位置まで延びている。そして、この前記第１の層１３５ａの側縁部１３５ａ４が主磁極層２４と膜厚方向で対向する位置からハイト方向後方に向かって、前記後方部１３５ａＢが構成される。図２に示すように、前記後方部１３５ａＢは、真上から見た平面形状が、前記主磁極層２４の周縁２４ｄに沿う形状で形成されている。
【００４３】
同様に、前記第２の層１３５ｂの前記前方部１３５ｂＡは、前記第２の層１３５ｂの前端面１３５ｂ１からハイト方向後方に向かって、前記第２の層１３５ｂの側縁部１３５ｂ４が膜厚方向で前記主磁極層２４と対向する位置まで延びている。そして、この前記第２の層１３５ｂの側縁部１３５ｂ４が主磁極層２４と膜厚方向で対向する位置からハイト方向後方に向かって、前記後方部１３５ｂＢが構成される。図２に示すように、前記後方部１３５ｂＢは、真上から見た平面形状が、前記主磁極層２４の周縁２４ｄに沿う形状で形成されている。
【００４４】
同様に、前記第３の層１３５ｃの前記前方部１３５ｃＡは、前記第３の層１３５ｃの前端面１３５ｃ１からハイト方向後方に向かって、前記第３の層１３５ｃの側縁部１３５ｃ４が膜厚方向で前記主磁極層２４と対向する位置まで延びている。そして、この前記第３の層１３５ｃの側縁部１３５ｃ４が主磁極層２４と膜厚方向で対向する位置からハイト方向後方に向かって、前記後方部１３５ｃＢが構成される。図２に示すように、前記後方部１３５ｃＢは、真上から見た平面形状が、前記主磁極層２４の周縁２４ｄに沿う形状で形成されている。
【００４５】
このように、前記第１の層１３５ａの前記後方部１３５ａＢと、前記第２の層１３５ｂの前記後方部１３５ｂＢと、前記第３の層１３５ｃの前記後方部１３５ｃＢとの前記平面形状が、前記主磁極層２４の周縁２４ｄに沿うように形成されていると、前記第１の層１３５ａ、前記第２の層１３５ｂ、および前記第３の層１３５ｃの磁気的ボリュームを全体として大きくでき、主磁極に記録磁界を誘導させ易くできる。
【００４６】
図１および図３に示すように、前記第１の層１３５ａの上面１３５ａ２は前記主磁極層２４の下面２４ｂと接して形成されている。前記第２の層１３５ｂは、前記第１の層１３５ａの下に接触して形成されている。前記第２の層１３５ｂの前端面１３５ｂ１は、前記第１の層１３５ａの前端面１３５ａ１から所定距離Ｌ２離れた位置に形成されている。また前記第３の層１３５ｃの前端面１３５ｃ１は、前記第２の層１３５ｂの前端面１３５ｂ１から所定距離Ｌ３離れた位置に形成されている。したがって、図１および図２に示すように、前記第１の層１３５ａの前端面１３５ａ１が前記ヨーク層１３５の前端面として構成される。また、前記ヨーク層１３５をハイト方向後方（図示Ｙ２方向）側について見てみると、前記第１の層１３５ａのみが形成された領域Ｒ１、前記第１の層１３５ａと前記第２の層１３５ｂの２層が形成されている領域Ｒ２、および前記第１の層１３５ａと前記第２の層１３５ｂと前記第３の層１３５ｃの３層が形成されている領域Ｒ３を有している。例えば、前記距離Ｌ２は０．０１〜１００μｍ、前記距離Ｌ３は０．０１〜１００μｍである。
【００４７】
図２に示すように、前記第１の層１３５ａの前端面１３５ａ１は、前記主磁極層２４の前端面２４ａ（記録媒体との対向面Ｈａ）よりもハイト方向後方（図１に示す図示Ｙ２方向）側に所定距離Ｌ１離れて位置するように形成されており、前記第１の層１３５ａの前端面１３５ａ１より記録媒体との対向面Ｈａ側（図示Ｙ１方向、すなわちハイト方向後方と反対側）は前記絶縁層５７によって埋められ、前記第１の層１３５ａの前端面１３５ａ１は、記録媒体との対向面Ｈａには現われていない。前記ヨーク層１３５では、前記主磁極層２４の前端面２４ａ（記録媒体との対向面Ｈａ）から、前記第１の層１３５ａの前端面１３５ａ１までの前記距離Ｌ１が、リセスとなる。例えば、前記距離Ｌ１は０〜１０μｍである。
【００４８】
図２および図３に示すように、前記第１の層１３５ａの前記前方部１３５ａＡの最大幅寸法Ｗ１は、前記第２の層１３５ｂの前記前方部１３５ｂＡの最大幅寸法Ｗ２よりも小さく形成されている。また前記第２の層１３５ｂの前記前方部１３５ｂＡの最大幅寸法Ｗ２は、前記第３の層１３５ｃの前記前方部１３５ｃＡの最大幅寸法Ｗ３よりも小さく形成されている。したがって、前記ヨーク層１３５を前記前方部１３５ａＡ、１３５ｂＡ、１３５ｃＡについて見てみると、ハイト方向後方（図示Ｙ２方向）に向かって、段階的に幅寸法がＷ１からＷ２、そしてＷ３へと広がるように構成されている。例えば、前記幅寸法Ｗ１、前記幅寸法Ｗ２および前記幅寸法Ｗ３の関係は、０．０１μｍ≦Ｗ１≦Ｗ２≦Ｗ３≦１００μｍである。
【００４９】
そして、図２に示すように、前記ヨーク層１３５の前端である前記第１の層１３５ａの前端面１３５ａ１のハイト方向（図示Ｙ１−Ｙ２方向）と直交する方向（図示Ｘ１−Ｘ２方向）の幅寸法Ｗ４が、ハイト方向後方（図示Ｙ２方向）に向うにつれて、前記幅寸法Ｗ１へ、そして前記幅寸法Ｗ２から前記幅寸法Ｗ３へと広がっている。
【００５０】
図１に示すように、前記ヨーク層１３５は、前記領域Ｒ１では前記第１の層１３５ａの膜厚寸法と同じ膜厚寸法ｔ１で構成されている。また前記領域Ｒ２では、前記第１の層１３５ａと前記第２の層１３５ｂの膜厚寸法の合計膜厚であるｔ２で構成されている。また前記領域Ｒ３では、前記第１の層１３５ａと前記第２の層１３５ｂと前記第３の層１３５ｃの合計膜厚寸法であるｔ３で構成されている。即ち、前記ヨーク層１３５は、ハイト方向後方（図示Ｙ２方向）に向かうにしたがって、膜厚寸法がｔ１からｔ２、そしてｔ３へと段階的に大きくなるように構成されている。例えば、前記膜厚寸法ｔ１、前記膜厚寸法ｔ２、前記膜厚寸法ｔ３は、０．０１〜１０μｍの範囲内で、段階的に大きくなるように構成される。
【００５１】
また図３に示すように、前記ヨーク層１３５を、前記前方部１３５ａＡ、１３５ｂＡ、１３５ｃＡについて見てみると、最も上層（図示Ｚ１方向側の層）に位置する第１の層１３５ａの前記前方部１３５ａＡの前記幅寸法Ｗ１が最も小さく、第１の層１３５ａの下に形成されて中間に位置する第２の層１３５ｂの前記前方部１３５ｂＡの前記幅寸法Ｗ２が前記第１の層１３５ａの前記前方部１３５ａＡの前記幅寸法Ｗ１よりも大きな幅寸法で形成され、最も下層（図示Ｚ２方向）に位置する第３の層１３５ｃの幅寸法Ｗ３が、第１の層１３５ａおよび第２の層１３５ｂの前記前方部１３５ａＡおよび１３５ｂＡの前記幅寸法Ｗ１およびＷ２よりも大きく形成されている。即ち、前記ヨーク層１３５を前記前方部１３５ａＡ、１３５ｂＡ、１３５ｃＡについて見てみると、上面である第１の層１３５ａの上面１３５ａ２から、下面となる第３の層１３５ｃの下面１３５ｃ３に向かうにしたがって（下方向である図示Ｚ２方向に向かうにしたがって）、段階的に前記幅寸法がＷ１からＷ２、そしてＷ３へと広がるように構成されている。
【００５２】
本願発明の前記垂直磁気記録ヘッドＨ１では、前記主磁極層２４が高飽和磁束密度の材料で形成されている。しかし、高飽和磁束密度の材料は一般的に透磁率が低いため、主磁極層２４に誘導された記録磁界が前記主磁極層の前端面２４ａに誘導され難い。そのため、透磁率が大きな材料からなる前記ヨーク層１３５を前記主磁極層２４に接して形成し、記録磁界が主磁極層２４の前端面２４ａに誘導され易くなるようにしている。
【００５３】
ここで、記録磁界を主磁極層２４の前端面２４ａに効果的に誘導させるためには、前記ヨーク層１３５を記録媒体との対向面Ｈａに近づけることが効果的である。しかし、前記ヨーク層１３５を記録媒体との対向面Ｈａに近づけすぎると、このヨーク層１３５からも記録磁界が記録媒体Ｍへ流れ易くなってしまい、いわゆるサイドフリンジングの問題が発生する。
【００５４】
本願発明の垂直磁気記録ヘッドＨ１では、前記ヨーク層１３５の前端となる前記第１の層１３５ａの前端面１３５ａ１の前記幅寸法Ｗ４と厚さ寸法とが、ともにハイト方向後方（図示Ｙ２方向）に向かうにしたがって段階的に大きくなるように（広がるように）構成されている。すなわち、前記ヨーク層１３５は記録媒体との対向面Ｈａに向かうにしたがって幅寸法および厚さ寸法とが、ともに小さくなるように構成されているため、前記ヨーク層１３５の磁気的ボリュームを記録媒体との対向面Ｈａに向かうにしたがって段階的に小さくすることができる。したがって、前記主磁極層２４に記録磁界を効果的に誘導させるために、前記ヨーク層１３５を前記記録媒体との対向面Ｈａに近づけても、前記ヨーク層１３５から記録磁界が前記記録媒体Ｍに流れ難く、サイドフリンジングの発生を抑制できる。
【００５５】
また、前記ヨーク層１３５の幅寸法と厚さ寸法とが、ともにハイト方向後方（図示Ｙ２方向）に向かうにしたがって大きくなるように構成されているため、記録媒体との対向面Ｈａから離れるにしたがって、磁気的ボリュームが大きくなる。したがって、前記ヨーク層１３５全体としての磁気的ボリュームを大きくすることが可能となるため、前記主磁極層２４に記録磁界を誘導し易くできる。
【００５６】
さらに、前記ヨーク層１３５は、上面を構成する第１の層１３５ａの上面１３５ａ２から、下面を構成する第３の層１３５ｃの下面１３５ｃ３に向かうにしたがって、幅寸法Ｗ４が大きくなるように、すなわち前記主磁極層２４から離れるにしたがって幅寸法Ｗ４が広がるように構成されている。従って、前記ヨーク層１３５全体としての磁気的ボリュームをより大きくすることが可能となるため、記録磁界を前記主磁極層２４に効果的に誘導し易くできる。
【００５７】
このように本発明の垂直磁気記録ヘッドＨ１では、主磁極層２４に効果的に記録磁界を誘導させるために前記ヨーク層１３５を記録媒体との対向面Ｈａに近づけても、記録媒体との対向面Ｈａに向かうに従って前記ヨーク層１３５の磁気的ボリュームを減少させているため、サイドフリンジングを抑制することが可能である。また、ヨーク層１３５の磁気的ボリュームが全体として大きくなるように構成しているため、前記主磁極層２４に記録磁界を効果的に誘導させ易くできる。
【００５８】
図４は本発明の第２の実施形態の垂直磁気記録ヘッドの構造を示す縦断面図、図５は図４に示す垂直磁気記録ヘッドを真上（図１に示す図示Ｚ１方向）から見た平面図、図６は図４に示す前記垂直磁気記録ヘッドＨ１の前記主磁極層２４と前記ヨーク層１３５とを、記録媒体との対向面Ｈａ側（図４に示す図示Ｙ１側）から見た部分正面図である。
【００５９】
図４ないし図６に示す垂直磁気記録ヘッドＨ２は、図１ないし図３に示す垂直磁気記録ヘッドＨ１と同じ構成要素を有して構成されている。したがって、前記垂直磁気記録ヘッドＨ２のうち、前記垂直磁気記録ヘッドＨ１と同じ構成要素には同じ符号を付して、その詳しい説明を省略する。
【００６０】
図４ないし図６に示す前記垂直磁気記録ヘッドＨ２が、図１ないし図３に示す垂直磁気記録ヘッドＨ１と異なるのは、ヨーク層１３５が形成された位置である。図４および図６に示すように、前記ヨーク層１３５は主磁極層２４の上に位置するように形成されている。また、前記垂直磁気記録ヘッドＨ２では、前記ヨーク層１３５が、下から第１の層１３５ａ、第２の層１３５ｂ、および第３の層１３５ｃの３層が積層されて構成されている。したがって、前記垂直磁気記録ヘッドＨ２では、第３の層１３５ｃの上面１３５ｃ２がヨーク層１３５の上面となり、第１の層１３５ａの下面１３５ａ３がヨーク層１３５の下面となる。
【００６１】
図４および図６に示すように、前記ヨーク層１３５を構成する第１の層１３５ａの下面１３５ａ３が前記主磁極層２４の上面２４ｃに接して形成されている。前記第２の層１３５ｂは、前記第１の層１３５ａの上に接触して形成されている。前記第２の層の前端面１３５ｂ１は、前記第１の層１３５ａの前端面１３５ａ１から所定距離Ｌ２離れた位置に形成されている。また前記第３の層１３５ｃの前端面１３５ｃ１は、前記第２の層１３５ｂの前端面１３５ｂ１から所定距離Ｌ３離れた位置に形成されている。したがって、図４および図５に示すように、前記第１の層１３５ａの前端面１３５ａ１が前記ヨーク層１３５の前端面として構成される。また、前記ヨーク層１３５をハイト方向後方（図示Ｙ２方向）について見てみると、前記第１の層１３５ａのみが形成された領域Ｒ１、前記第１の層１３５ａと前記第２の層１３５ｂの２層が形成されている領域Ｒ２、および前記第１の層１３５ａと前記第２の層１３５ｂと前記第３の層１３５ｃの３層が形成されている領域Ｒ３を有している。例えば、前記距離Ｌ２は０．１〜１０μｍ、前記距離Ｌ３は０．１〜１０μｍである。
【００６２】
図４に示すように、前記第１の層１３５ａの前端面１３５ａ１は、前記主磁極層２４の前端面２４ａよりもハイト方向後方（図１に示す図示Ｙ２方向）側に所定距離Ｌ１離れて位置するように形成されており、前記第１の層１３５ａの前端面１３５ａ１より記録媒体との対向面Ｈａ側（図示Ｙ１方向、すなわち後方と反対側）は前記絶縁層５７によって埋められ、前記ヨーク層１３５の前端を構成する前記第１の層１３５ａの前端面１３５ａ１は、記録媒体との対向面Ｈａには現われていない。前記ヨーク層１３５では、前記主磁極層２４の前端面２４ａ（記録媒体との対向面Ｈａ）から、前記第１の層１３５ａの前端面１３５ａ１までの前記距離Ｌ１が、リセスとなる。例えば、前記距離Ｌ１は０〜１０μｍである。
【００６３】
図５および図６に示すように、前記第１の層１３５ａの前方部１３５ａＡの最大幅寸法Ｗ１は、前記第２の層１３５ｂの前方部１３５ｂＡの最大幅寸法Ｗ２よりも小さく形成されている。また前記第２の層１３５ｂの前記前方部１３５ｂＡの最大幅寸法Ｗ２は、前記第３の層１３５ｃの前方部１３５ｃＡの最大幅寸法Ｗ３よりも小さく形成されている。したがって、前記ヨーク層１３５を前記前方部１３５ａＡ、１３５ｂＡ、１３５ｃＡについて見てみると、ハイト方向後方（図示Ｙ２方向）に向かって、段階的に前記幅寸法がＷ１からＷ２、そしてＷ３へと広がるように構成されている。例えば、例えば、前記幅寸法Ｗ１、前記幅寸法Ｗ２および前記幅寸法Ｗ３の関係は、０．０１μｍ≦Ｗ１≦Ｗ２≦Ｗ３≦１００μｍである。
【００６４】
そして、図５に示すように、前記ヨーク層１３５の前端である前記第１の層１３５ａの前端面１３５ａ１のハイト方向（図示Ｙ１−Ｙ２方向）と直交する方向（図示Ｘ１−Ｘ２方向）の幅寸法Ｗ４が、ハイト方向後方（図示Ｙ２方向）に向うにつれて、前記幅寸法Ｗ１へ、そして前記幅寸法Ｗ２から前記幅寸法Ｗ３へと広がっている。
【００６５】
図４に示すように、前記ヨーク層１３５は、前記領域Ｒ１では前記第１の層１３５ａの膜厚寸法と同じ膜厚寸法ｔ１で構成されている。また前記領域Ｒ２では、前記第１の層１３５ａと前記第２の層１３５ｂの膜厚寸法の合計膜厚であるｔ２で構成されている。また前記領域Ｒ３では、前記第１の層１３５ａと前記第２の層１３５ｂと前記第３の層１３５ｃの合計膜厚寸法であるｔ３で構成されている。即ち、前記ヨーク層１３５は、ハイト方向後方（図示Ｙ２方向）に向かうにしたがって、膜厚寸法がｔ１からｔ２、そしてｔ３へと段階的に大きくなるように構成されている。例えば、前記膜厚寸法ｔ１、前記膜厚寸法ｔ２、前記膜厚寸法ｔ３は、０．０１〜１０μｍの範囲内で、段階的に大きくなるように構成される。
【００６６】
また図６に示すように、前記ヨーク層１３５を前記前方部１３５ａＡ、１３５ｂＡ、１３５ｃＡについて見てみると、最も下層（図示Ｚ２方向側の層）に位置する第１の層１３５ａの前記前方部１３５ａＡの最大幅寸法Ｗ１が最も小さく、第１の層１３５ａの上に形成されて中間に位置する第２の層１３５ｂの前記前方部１３５ｂＡの最大幅寸法Ｗ２が、前記第１の層１３５ａの前記前方部１３５ａＡの最大幅寸法Ｗ１よりも大きな幅寸法で形成され、最も上層（図示Ｚ１方向）に位置する第３の層１３５ｃの前記前方部１３５ｃＡの最大幅寸法Ｗ３が、第１の層１３５ａおよび第２の層１３５ｂの前記前方部１３５ａＡおよび１３５ｂＡの前記最大幅寸法Ｗ１およびＷ２よりも大きく形成されている。即ち、前記ヨーク層１３５を前記前方部１３５ａＡ、１３５ｂＡ、１３５ｃＡについて見てみると、下面である第１の層１３５ａの下面１３５ａ３から、上面となる第３の層１３５ｃの上面１３５ｃ２に向かうにしたがって（上方向である図示Ｚ１方向に向かうにしたがって）、段階的に前記幅寸法がＷ１からＷ２、そしてＷ３へと広がるように構成されている。
【００６７】
図４ないし図６に示す前記垂直磁気記録ヘッドＨ２でも、前記ヨーク層１３５の前端となる前記第１の層１３５ａの前端面１３５ａ１の前記幅寸法Ｗ４と厚さ寸法とが、ともにハイト方向後方（図示Ｙ２方向）に向かうにしたがって段階的に大きくなるように（広がるように）構成されている。すなわち、前記ヨーク層１３５は記録媒体との対向面Ｈａに向かうにしたがって幅寸法および厚さ寸法とが、ともに小さくなるように構成されているため、前記ヨーク層１３５の磁気的ボリュームを記録媒体との対向面Ｈａに向かうにしたがって段階的に小さくすることができる。したがって、前記主磁極層２４に記録磁界を効果的に誘導させるために、前記ヨーク層１３５を前記記録媒体との対向面Ｈａに近づけても、前記ヨーク層１３５から記録磁界が前記記録媒体Ｍに流れ難く、サイドフリンジングの発生を抑制できる。
【００６８】
また、前記ヨーク層１３５の幅寸法と厚さ寸法とが、ともにハイト方向後方（図示Ｙ２方向）に向かうにしたがって大きくなるように構成されているため、記録媒体との対向面Ｈａから離れるにしたがって、磁気的ボリュームが大きくなる。したがって、前記ヨーク層１３５全体としての磁気的ボリュームを大きくすることが可能となるため、前記主磁極層２４に記録磁界を誘導し易くできる。
【００６９】
さらに、前記ヨーク層１３５は、下面を構成する第１の層１３５ａの下面１３５ａ３から、上面を構成する第３の層１３５ｃの上面１３５ｃ２に向かうにしたがって、幅寸法Ｗ４が大きくなるように、すなわち主磁極層２４から離れるにしたがって幅寸法Ｗ４が広がるように構成されている。従って、前記ヨーク層１３５全体としての磁気的ボリュームをより大きくすることが可能となるため、記録磁界を前記主磁極層２４に効果的に誘導し易くできる。
【００７０】
このように本発明の垂直磁気記録ヘッドＨ２でも、主磁極層２４に効果的に記録磁界を誘導させるために前記ヨーク層１３５を記録媒体との対向面Ｈａに近づけても、記録媒体との対向面Ｈａに向かうに従って前記ヨーク層１３５の磁気的ボリュームを減少させているため、サイドフリンジングを抑制することが可能である。また、ヨーク層１３５の磁気的ボリュームが全体として大きくなるように構成しているため、前記主磁極層２４に記録磁界を効果的に誘導させ易くできる。
【００７１】
なお、図１ないし図３に示す垂直磁気記録ヘッドＨ１、および図４ないし図６に示す垂直磁気記録ヘッドＨ２では、前記ヨーク層１３５が第１の層１３５ａ、第２の層１３５ｂ、および第３の層１３５ｃの３層で構成される実施形態を例にして説明したが、前記垂直磁気記録ヘッドＨ１および前記垂直磁気記録ヘッドＨ２では、前記ヨーク層１３５が３層で構成されているものに限られず、例えば前記ヨーク層１３５が２層、または４層以上で構成されていても良い。
【００７２】
また、前記ヨーク層１３５は、前記主磁極層２４に近づくにつれて飽和磁束密度が大きくなるように構成することが好ましい。例えば、前記第１の層１３５ａと前記第２の層１３５ｂと前記第３の層１３５ｃの材質をそれぞれ変えることによって、前記主磁極層２４に近づくにつれて飽和磁束密度が大きくなるように構成することができる。このように構成すると、前記主磁極層２４の先端に磁束を集中させ易くすることができるため、記録密度の向上を図ることができる。
【００７３】
また、図１ないし３に示す前記垂直磁気記録ヘッドＨ１の前記ヨーク層１３５を、図７ないし図９に示す第３の実施形態のように一体的なヨーク層２３５としても良い。
【００７４】
図７および８に示すように、ヨーク層２３５は絶縁層５７によって埋められ、前記絶縁層５７が前記記録媒体との対向面Ｈａから現れており、前記ヨーク層２３５の前端２３５ｆが前記対向面Ｈａからハイト方向後方に位置している。
【００７５】
図８に示すように、前記ヨーク層２３５の前端２３５ｆが、主磁極層２４の前端面２４ａ（記録媒体との対向面Ｈａ）よりもハイト方向後方側（図示Ｙ２方向側）へ所定距離Ｌ４だけ離れて位置するように形成されている。この前記主磁極層２４の前端面２４ａ（記録媒体との対向面Ｈａ）から、前記ヨーク層２３５の前記前端２３５ｆまでの前記距離Ｌ４が、リセスとなる。例えば、前記距離Ｌ４は０μｍより大きく１０μｍ以下である。
【００７６】
このように、前記垂直磁気記録ヘッドＨ８では、前記ヨーク層２３５の前端２３５ｆが前記主磁極層２４の前記前端面２４ａから前記距離Ｌ４だけハイト方向後方（図示Ｙ２方向）へ離れた位置に形成されているため、前記ヨーク層２３５からの漏れ磁界を記録媒体Ｍへ流れ難くすることができるため、サイドフリンジングを効果的に抑制することが可能となる。
【００７７】
図８に示すように、前記ヨーク層２３５は、前端２３５ｆから徐々に幅寸法が広がりながらハイト方向後方に延びる前方部２３５Ａと、この前方部２３５Ａからハイト方向後方に延びる後方部２３５Ｂとを有して構成されている。
【００７８】
また、前記ヨーク層２３５の前記前方部２３５Ａは、前記前端２３５ｆからハイト方向後方に向かって、前記ヨーク層２３５の側縁部２３５ａ４が膜厚方向（図示Ｚ１−Ｚ２方向）で前記主磁極層２４と対向する位置まで延びている。そして、この前記ヨーク層２３５の側縁部２３５ａ４が主磁極層２４と膜厚方向で対向する位置からハイト方向後方に向かって、前記後方部２３５Ｂが構成される。図８に示すように、前記後方部２３５Ｂは、真上から見た平面形状が、前記主磁極層２４の周縁２４ｄに沿う形状で形成されている。
【００７９】
このヨーク層２３５は、図８に示すように、前記ヨーク層２３５の前端２３５ｆのハイト方向と直交する方向の幅寸法Ｗ５が、ハイト方向後方（図示Ｙ２方向）に向かって、連続的に広がるように構成されている。
【００８０】
また、図９に示すように、前記ヨーク層２３５の前記前方部２３５Ａには、前記前方部２３５Ａの上面２３５Ａ１に、前記ヨーク層２３５の両側端面２３５ｇ、２３５ｇに近づくにしたがって下方向側（図示Ｚ２方向側）に下がる上傾斜面２３５Ａ２が形成されている。また、前記前方部２３５Ａの前端面２３５ｄに、前記ヨーク層２３５の両側端面２３５ｇ、２３５ｇに近づくにしたがって下方向側に下がる下傾斜面２３５ｄ１が形成されている。また、前記ヨーク層２３５の前端２３５ｆの両側端部から、前記両側端面２３５ｇ、２３５ｇでの膜厚寸法ｔ５となるように、前記膜厚寸法が徐々に厚くなるように形成されている。
【００８１】
したがって、前記ヨーク層２３５の前端２３５ｆのハイト方向と直交する方向の幅寸法Ｗ５が、上面２３５ｂから、下面２３５ｃに向かうにしたがって（下方向である図示Ｚ２方向に向かうにしたがって）、連続的に広がるように、すなわち前記主磁極層２４から離れるにしたがって前記幅寸法Ｗ５が広がるように構成されている。
【００８２】
一方、前記後方部２３５Ｂは、一定の膜厚寸法で形成されており、前記後方部２３５Ｂの膜厚寸法ｔ６は、前記前方部２３５Ａの前記前端２３５ｆよりも大きく形成することが好ましい。このように前記後方部２３５Ｂの膜厚を構成すると、前記ヨーク層２３５の磁気的ボリュームを全体として大きくでき、主磁極層２４に記録磁界を誘導させ易くできる。
【００８３】
また図７に示すように、前記ヨーク層２３５の前端面２３５ｄは、下面２３５ｃから上面２３５ｂに向けて前記対向面Ｈａに近づく傾斜面で形成されている。したがって、傾斜面として形成されている前記前端面２３５ｄでは、ハイト方向後方（図示Ｙ２方向）に向かうにしたがって、膜厚寸法が連続的に大きくなるように構成されている。前記ヨーク層２３５の上に形成される主磁極層２４の下面２４ｂと前記ヨーク層２３５の前端面２３５ｄ間の内角θ１は０〜１５０°の範囲であることが好ましい。このように前記前端面２３５ｄを傾斜面として形成し、しかも前記内角θ１を前記範囲内とすることによって、前記ヨーク層２３５から記録磁界が記録媒体Ｍに流れてしまうことを抑制し易くでき、サイドフリンジングの抑制を図ることができる。
【００８４】
なお、前記前端面２３５ｄを記録媒体との対向面Ｈａ側（図７に示す図示Ｙ１方向側）に向かって突出する湾曲面とすることや、ハイト方向後方側（図７に示す図示Ｙ２方向側）に凹む湾曲面として形成しても良い。
【００８５】
また、図４ないし６に示す前記垂直磁気記録ヘッドＨ２の前記ヨーク層１３５を、図１０ないし図１２に示す第４の実施形態の垂直記録磁気ヘッドＨ４のように一体的なヨーク層３３５としても良い。
【００８６】
図１０および図１１に示すように、前記垂直記録磁気ヘッドＨ４は、ヨーク層３３５が絶縁層５７によって埋められ、前記絶縁層５７が前記記録媒体との対向面Ｈａから現れており、前記ヨーク層３３５の前端３３５ｆが前記対向面Ｈａからハイト方向後方に位置している。
【００８７】
図１１に示すように、前記ヨーク層３３５の前端３３５ｆが、主磁極層２４の前端面２４ａ（記録媒体との対向面Ｈａ）よりもハイト方向後方側（図示Ｙ２方向側）へ所定距離Ｌ５だけ離れて位置するように形成されている。この前記主磁極層２４の前端面２４ａ（記録媒体との対向面Ｈａ）から、前記ヨーク層３３５の前記前端３３５ｆまでの前記距離Ｌ５が、リセスとなる。例えば、前記距離Ｌ５は０μｍより大きく１０μｍ以下である。
【００８８】
図１１に示すように、前記ヨーク層３３５は、前端３３５ｆから徐々に幅寸法が広がりながらハイト方向後方に延びる前方部３３５Ａと、この前方部３３５Ａからハイト方向後方に延びる後方部３３５Ｂとを有して構成されている。
【００８９】
また、前記ヨーク層３３５の前記前方部３３５Ａは、前記前端３３５ｆからハイト方向後方に向かって、前記ヨーク層３３５の側縁部３３５ａ４が膜厚方向（図示Ｚ１−Ｚ２方向）で前記主磁極層２４と対向する位置まで延びている。そして、この前記ヨーク層３３５の側縁部３３５ａ４が主磁極層２４と膜厚方向で対向する位置からハイト方向後方に向かって、前記後方部３３５Ｂが構成される。図１１に示すように、前記後方部３３５Ｂは、真上から見た平面形状が、前記主磁極層２４の周縁２４ｄに沿う形状で形成されている。
【００９０】
このヨーク層３３５は、図１１に示すように、前記ヨーク層３３５の前端３３５ｆのハイト方向と直交する方向の幅寸法Ｗ６が、ハイト方向後方（図示Ｙ２方向）に向かって、連続的に広がるように構成されている。
【００９１】
また、図１２に示すように、前記ヨーク層３３５の前記前方部３３５Ａには、前記前方部３３５Ａの下面３３５Ａ１に、前記ヨーク層３３５の両側端面３３５ｇ、３３５ｇに近づくにしたがって上方向側（図示Ｚ１方向側）に上がる下傾斜面３３５Ａ２が形成されている。また、前記前方部３３５Ａの前端面３３５ｄに、前記ヨーク層３３５の両側端面３３５ｇ、３３５ｇに近づくにしたがって上方向側に上がる上傾斜面３３５ｄ１が形成されている。また、前記ヨーク層３３５の前端３３５ｆの両側端部から、前記両側端面３３５ｇ、３３５ｇでの膜厚寸法ｔ８となるように、前記膜厚寸法が徐々に厚くなるように形成されている。
【００９２】
したがって、前記ヨーク層２３５の前端３３５ｆのハイト方向と直交する方向の幅寸法Ｗ６が、下面３３５ｃから、上面３３５ｂに向かうにしたがって（上方向である図示Ｚ１方向に向かうにしたがって）、連続的に広がるように、すなわち前記主磁極層２４から離れるにしたがって前記幅寸法Ｗ６が広がるように構成されている。
【００９３】
一方、前記後方部３３５Ｂは、一定の膜厚寸法で形成されており、前記後方部３３５Ｂの膜厚寸法ｔ９は、前記前方部３３５Ａの前記前端３３５ｆよりも大きく形成することが好ましい。このように前記後方部３３５Ｂの膜厚を構成すると、前記ヨーク層３３５の磁気的ボリュームを全体として大きくでき、主磁極層２４に記録磁界を誘導させ易くできる。
【００９４】
また図１０に示すように、前記ヨーク層３３５の前端面３３５ｄは、上面３３５ｂから下面３３５ｃに向けて前記対向面Ｈａに近づく傾斜面で形成されている。したがって、傾斜面として形成されている前記前端面３３５ｄでは、ハイト方向後方（図示Ｙ２方向）に向かうにしたがって、膜厚寸法が連続的に大きくなるように構成されている。前記ヨーク層３３５の下に形成される主磁極層２４の上面２４ｃと前記ヨーク層３３５の前端面３３５ｄ間の内角θ２は０〜１５０°の範囲であることが好ましい。このように前記前端面３３５ｄを傾斜面として形成し、しかも前記内角θ２を前記範囲内とすることによって、前記ヨーク層３３５から記録磁界が記録媒体Ｍに流れてしまうことを抑制し易くでき、サイドフリンジングの抑制を図ることができる。
【００９５】
なお、前記前端面３３５ｄを記録媒体との対向面Ｈａ側（図１０に示す図示Ｙ１方向側）に向かって突出する湾曲面とすることや、ハイト方向後方側（図１０に示す図示Ｙ２方向側）に凹む湾曲面として形成しても良い。
【００９６】
また、図７ないし９に示す前記垂直磁気記録ヘッドＨ３および図１０ないし図１２に示す前記垂直磁気記録ヘッドＨ４でも、記録密度の向上をはかるため、前記ヨーク層１３５は、前記主磁極層２４に近づくにつれて飽和磁束密度が大きくなるように構成することが好ましい。
【００９７】
図１７は本発明の第５の実施形態の垂直磁気記録ヘッドＨ５の構造を示す縦断面図である。
【００９８】
図１７に示す垂直磁気記録ヘッドＨ５も記録媒体Ｍに垂直磁界を与え、記録媒体Ｍのハード面Ｍａを垂直方向に磁化させるものである。
【００９９】
前記記録媒体Ｍはディスク状であり、その表面に残留磁化の高いハード面Ｍａを有しており、内方に磁気透過率の高いソフト面Ｍｂを有しており、ディスクの中心が回転軸中心となって回転させられる。
【０１００】
前記垂直磁気記録ヘッドＨ５のスライダ１１はＡｌ２Ｏ３・ＴｉＣなどのセラミック材料で形成されており、スライダ１１の記録媒体との対向面１１ａが前記記録媒体Ｍに対向し、記録媒体Ｍが回転すると、表面の空気流によりスライダ１１が記録媒体Ｍの表面から浮上し、またはスライダ１１が記録媒体Ｍに摺動する。図１７においてスライダ１１に対する記録媒体Ｍの移動方向は図示矢印Ａに示す方向（図示Ｚ１方向）である。垂直磁気記録ヘッドＨはスライダ１１のトレーリング側端面に設けられている。
【０１０１】
前記スライダ１１の側端面１１ｂには、Ａｌ２Ｏ３またはＳｉＯ２などの無機材料による非磁性絶縁層５４が形成されて、この非磁性絶縁層５４の上に読取り部ＨＲが形成されている。
【０１０２】
前記読取り部ＨＲは、下から下部シールド層５２、ギャップ層５５、磁気抵抗効果素子５３、および上部シールド層５１から成る。前記磁気抵抗効果素子５３は、異方性磁気抵抗効果（ＡＭＲ）素子、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）素子、トンネル型磁気抵抗効果（ＴＭＲ）素子などである。
【０１０３】
前記上部シールド層５１の上には、Ａｌ２Ｏ３またはＳｉＯ２などの無機材料による非磁性絶縁層１２が形成されて、前記非磁性絶縁層１２の上に本発明の記録用の垂直磁気記録ヘッドＨ５が設けられている。そして垂直磁気記録ヘッドＨ５は無機非磁性絶縁材料などで形成された保護層１３により被覆されている。そして前記垂直磁気記録ヘッドＨ５の記録媒体との対向面Ｈａは、前記スライダ１１の対向面１１ａとほぼ同一面である。
【０１０４】
図１７に示す実施形態の垂直磁気記録ヘッドでは、前記非磁性絶縁層１２の上に、パーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ）などの高透磁率材料からなるヨーク層１３５が形成されている。このヨーク層１３５は、後記する主磁極層２４よりも透磁率が高く形成されている。
【０１０５】
図１７に示すように、前記ヨーク層１３５の下（前記ヨーク層１３５と前記上部シールド層５１の間）、および前記ヨーク層１３５の周囲は、非磁性絶縁層１２によって埋められ、前記非磁性絶縁層１２が前記記録媒体との対向面Ｈａから現れており、前記ヨーク層１３５の前端を構成する符号１３５ａ１の部分が前記対向面Ｈａからハイト方向後方に位置している。本発明では、前記ヨーク層１３５の上面はＣＭＰ（ケミカル・メカニカル・ポリッシング）技術などを用いて同一の平坦化面とされている。
【０１０６】
前記非磁性絶縁層１２は無機絶縁材料で形成されることが好ましく、前記無機絶縁材料としては、ＡｌＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ３Ｎ４、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ３、ＢＮ、ＣｒＮ、ＳｉＯＮのうち少なくとも１種以上を選択できる。
【０１０７】
そして本発明では前記平坦化されたヨーク層１３５上にかけて、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｒｈ、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉなどの高飽和磁束密度材料からなる第２の磁性部である主磁極層２４が形成されている。図１７に示すように、前記主磁極層２４は、前記補助磁極層２１の上方向側（図示Ｚ１方向側）であるトレーリング側に位置して形成されている。
【０１０８】
また、前記主磁極層２４の上面２４ｃと前記非磁性絶縁層１２の上面は、ＣＭＰ技術などを用いて、同一の平坦化面とされている。
【０１０９】
前記垂直磁気記録ヘッドＨ５では、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｆｅ−Ｎｉ（Ｆｅ−ｒｉｃｈ）Ｆｅ−Ｃｏ−Ｒｈ、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉなどがメッキされて、第１の磁性部である補助磁極層５２１が形成されている。
【０１１０】
図１７に示すように、前記対向面Ｈａよりもハイト方向後方（図示Ｙ２方向）側では、前記主磁極層２４の上面２４ｃ上に接して補助磁極層５２１の接続部５２１ｂが形成され、磁気的に接続されている。
【０１１１】
前記接続部５２１ｂの周囲において、前記主磁極層２４の上面２４ｃおよび前記非磁性絶縁層１２の表面１２ａ上に、Ａｌ２Ｏ３などの非磁性絶縁層２６が形成されて、この非磁性絶縁層２６の上にＣｕなどの導電性材料によりコイル層２７が形成されている。このコイル層２７はフレームメッキ法などで形成されたものであり、前記接続層２５の周囲に所定の巻き数となるように螺旋状にパターン形成されている。コイル層２７の巻き中心側の接続端２７ａ上には同じくＣｕなどの導電性材料で形成された底上げ層３１が形成されている。
【０１１２】
前記コイル層２７および底上げ層３１は、レジスト材料などの有機材料の絶縁層３２１で覆われている。
【０１１３】
図１７に示すように、前記底上げ層３１の表面３１ａにはリード層３６が形成され、リード層３６から前記底上げ層３１およびコイル層２７に記録電流の供給が可能となっている。そして、前記ヨーク層１３５および前記リード層３６が前記保護層１３に覆われている。
【０１１４】
図１８は、図１７に示す垂直磁気記録ヘッドを真上（図１７に示す図示Ｚ１方向）から見た平面図である。また、図１９は、図１７に示す前記垂直磁気記録ヘッドＨ５の主磁極層２４とヨーク層１３５とを、記録媒体との対向面Ｈａ側（図１に示す図示Ｙ１側）から見た部分正面図である。図１８および図１９に示すように、前記主磁極層２４は、一定の幅寸法（＝トラック幅Ｔｗ）を有する先端部Ｃと、前記先端部Ｃの側面に対し所定角度を有し、前記先端部Ｃから後方にかけて緩やかに幅寸法が広がる中間部Ｄと、前記先端部Ｃの側面に対しさらに所定角度を有し、前記中間部Ｄから後方にかけて形成された後端部Ｅとで構成されている。
【０１１５】
図１７に示す前記垂直磁気記録磁気ヘッドＨ５では、前記上部シールド層５１の上に非磁性絶縁層１２およびヨーク層１３５が形成され、この非磁性絶縁層１２およびヨーク層１３５の上に前記主磁極層２４が形成されている。
【０１１６】
図１７に示すように、前記ヨーク層１３５は第１の層１３５ａ、第２の層１３５ｂおよび第３の層１３５ｃが積層されて構成されており、前記ヨーク層１３５の上面を構成する前記第１の層１３５ａの上面１３５ａ２は、前記主磁極層２４の下面２４ｂと接して形成されており、前記ヨーク層１３５が前記主磁極層２４の下方向側（図示Ｚ２方向側）であるリーディング側に位置するように形成されている。
【０１１７】
図１８に示すように、前記第１の層１３５ａは、所定の最大幅寸法Ｗ１を有してハイト方向後方に延びる前方部１３５ａＡと、この前方部１３５ａＡからハイト方向後方に延びる後方部１３５ａＢとを有して構成されている。
【０１１８】
前記第２の層１３５ｂは、所定の最大幅寸法Ｗ２を有してハイト方向後方に延びる前方部１３５ｂＡと、この前方部１３５ｂＡからハイト方向後方に延びる後方部１３５ｂＢとを有して構成されている。
【０１１９】
前記第３の層１３５ｃは、所定の最大幅寸法Ｗ３を有してハイト方向後方に延びる前方部１３５ｃＡと、この前方部１３５ｃＡからハイト方向後方に延びる後方部１３５ｃＢとを有して構成されている。
【０１２０】
図１８に示すように、前記第１の層１３５ａの前記前方部１３５ａＡは、前記前端面１３５ａ１からハイト方向後方に向かって、前記第１の層１３５ａの側縁部１３５ａ４が膜厚方向（図示Ｚ１−Ｚ２方向）で前記主磁極層２４と対向する位置まで延びている。そして、この前記第１の層１３５ａの側縁部１３５ａ４が主磁極層２４と膜厚方向で対向する位置からハイト方向後方に向かって、前記後方部１３５ａＢが構成される。図１８に示すように、前記後方部１３５ａＢは、真上から見た平面形状が、前記主磁極層２４の周縁２４ｄに沿う形状で形成されている。
【０１２１】
同様に、前記第２の層１３５ｂの前記前方部１３５ｂＡは、前記第２の層１３５ｂの前端面１３５ｂ１からハイト方向後方に向かって、前記第２の層１３５ｂの側縁部１３５ｂ４が膜厚方向で前記主磁極層２４と対向する位置まで延びている。そして、この前記第２の層１３５ｂの側縁部１３５ｂ４が主磁極層２４と膜厚方向で対向する位置からハイト方向後方に向かって、前記後方部１３５ｂＢが構成される。図１８に示すように、前記後方部１３５ｂＢは、真上から見た平面形状が、前記主磁極層２４の周縁２４ｄに沿う形状で形成されている。
【０１２２】
同様に、前記第３の層１３５ｃの前記前方部１３５ｃＡは、前記第３の層１３５ｃの前端面１３５ｃ１からハイト方向後方に向かって、前記第３の層１３５ｃの側縁部１３５ｃ４が膜厚方向で前記主磁極層２４と対向する位置まで延びている。そして、この前記第３の層１３５ｃの側縁部１３５ｃ４が主磁極層２４と膜厚方向で対向する位置からハイト方向後方に向かって、前記後方部１３５ｃＢが構成される。図１８に示すように、前記後方部１３５ｃＢは、真上から見た平面形状が、前記主磁極層２４の周縁２４ｄに沿う形状で形成されている。
【０１２３】
このように、前記第１の層１３５ａの前記後方部１３５ａＢと、前記第２の層１３５ｂの前記後方部１３５ｂＢと、前記第３の層１３５ｃの前記後方部１３５ｃＢとの前記平面形状が、前記主磁極層２４の周縁２４ｄに沿うように形成されていると、前記第１の層１３５ａ、前記第２の層１３５ｂ、および前記第３の層１３５ｃの磁気的ボリュームを全体として大きくでき、主磁極に記録磁界を誘導させ易くできる。
【０１２４】
図１８および図１９に示すように、前記第１の層１３５ａの上面１３５ａ２は前記主磁極層２４の下面２４ｂと接して形成されている。前記第２の層１３５ｂは、前記第１の層１３５ａの下に接触して形成されている。前記第２の層の前端面１３５ｂ１は、前記第１の層１３５ａの前端面１３５ａ１から所定距離Ｌ２離れた位置に形成されている。また前記第３の層１３５ｃの前端面１３５ｃ１は、前記第２の層１３５ｂの前端面１３５ｂ１から所定距離Ｌ３離れた位置に形成されている。したがって、図１７および図１８に示すように、前記第１の層１３５ａの前端面１３５ａ１が前記ヨーク層１３５の前端面として構成される。また、前記ヨーク層１３５をハイト方向後方（図示Ｙ２方向）側について見てみると、前記第１の層１３５ａのみが形成された領域Ｒ１、前記第１の層１３５ａと前記第２の層１３５ｂの２層が形成されている領域Ｒ２、および前記第１の層１３５ａと前記第２の層１３５ｂと前記第３の層１３５ｃの３層が形成されている領域Ｒ３を有している。例えば、前記距離Ｌ２は０．０１〜１００μｍ、前記距離Ｌ３は０．０１〜１００μｍである。
【０１２５】
図１８に示すように、前記第１の層１３５ａの前端面１３５ａ１は、前記主磁極層２４の前端面２４ａ（記録媒体との対向面Ｈａ）よりもハイト方向後方（図１に示す図示Ｙ２方向）側に所定距離Ｌ１離れて位置するように形成されており、前記第１の層１３５ａの前端面１３５ａ１より記録媒体との対向面Ｈａ側（図示Ｙ１方向、すなわちハイト方向後方と反対側）は前記絶縁層１２によって埋められ、前記第１の層１３５ａの前端面１３５ａ１は、記録媒体との対向面Ｈａには現われていない。前記ヨーク層１３５では、前記主磁極層２４の前端面２４ａ（記録媒体との対向面Ｈａ）から、前記第１の層１３５ａの前端面１３５ａ１までの前記距離Ｌ１が、リセスとなる。例えば、前記距離Ｌ１は０〜１０μｍである。
【０１２６】
図１８および図１９に示すように、前記第１の層１３５ａの前記前方部１３５ａＡの最大幅寸法Ｗ１は、前記第２の層１３５ｂの前記前方部１３５ｂＡの最大幅寸法Ｗ２よりも小さく形成されている。また前記第２の層１３５ｂの前記前方部１３５ｂＡの最大幅寸法Ｗ２は、前記第３の層１３５ｃの前記前方部１３５ｃＡの最大幅寸法Ｗ３よりも小さく形成されている。したがって、前記ヨーク層１３５を前記前方部１３５ａＡ、１３５ｂＡ、１３５ｃＡについて見てみると、ハイト方向後方（図示Ｙ２方向）に向かって、段階的に幅寸法がＷ１からＷ２、そしてＷ３へと広がるように構成されている。例えば、前記幅寸法Ｗ１、前記幅寸法Ｗ２および前記幅寸法Ｗ３の関係は、０．０１μｍ≦Ｗ１≦Ｗ２≦Ｗ３≦１００μｍである。
【０１２７】
そして、図１８に示すように、前記ヨーク層１３５の前端である前記第１の層１３５ａの前端面１３５ａ１のハイト方向（図示Ｙ１−Ｙ２方向）と直交する方向（図示Ｘ１−Ｘ２方向）の幅寸法Ｗ４が、ハイト方向後方（図示Ｙ２方向）に向うにつれて、前記幅寸法Ｗ１へ、そして前記幅寸法Ｗ２から前記幅寸法Ｗ３へと広がっている。
【０１２８】
図１７および図１８に示すように、前記ヨーク層１３５は、前記領域Ｒ１では前記第１の層１３５ａの膜厚寸法と同じ膜厚寸法ｔ１で構成されている。また前記領域Ｒ２では、前記第１の層１３５ａと前記第２の層１３５ｂの膜厚寸法の合計膜厚であるｔ２で構成されている。また前記領域Ｒ３では、前記第１の層１３５ａと前記第２の層１３５ｂと前記第３の層１３５ｃの合計膜厚寸法であるｔ３で構成されている。即ち、前記ヨーク層１３５は、ハイト方向後方（図示Ｙ２方向）に向かうにしたがって、膜厚寸法がｔ１からｔ２、そしてｔ３へと段階的に大きくなるように構成されている。例えば、前記膜厚寸法ｔ１、前記膜厚寸法ｔ２、前記膜厚寸法ｔ３は、０．０１〜１０μｍの範囲内で、段階的に大きくなるように構成される。
【０１２９】
また図１９に示すように、前記ヨーク層１３５を、前記前方部１３５ａＡ、１３５ｂＡ、１３５ｃＡについて見てみると、最も上層（図示Ｚ１方向側の層）に位置する第１の層１３５ａの前記前方部１３５ａＡの前記幅寸法Ｗ１が最も小さく、第１の層１３５ａの下に形成されて中間に位置する第２の層１３５ｂの前記前方部１３５ｂＡの前記幅寸法Ｗ２が前記第１の層１３５ａの前記前方部１３５ａＡの前記幅寸法Ｗ１よりも大きな幅寸法で形成され、最も下層（図示Ｚ２方向）に位置する第３の層１３５ｃの幅寸法が、第１の層１３５ａおよび第２の層１３５ｂの前記前方部１３５ａＡおよび１３５ｂＡの前記幅寸法Ｗ１およびＷ２よりも大きく形成されている。即ち、前記ヨーク層１３５を前記前方部１３５ａＡ、１３５ｂＡ、１３５ｃＡについて見てみると、上面である第１の層１３５ａの上面１３５ａ２から、下面となる第３の層１３５ｃの下面１３５ｃ３に向かうにしたがって（下方向である図示Ｚ２方向に向かうにしたがって）、段階的に前記幅寸法がＷ１からＷ２、そしてＷ３へと広がるように構成されている。
【０１３０】
本願発明の前記垂直磁気記録ヘッドＨ５では、前記主磁極層２４が高飽和磁束密度の材料で形成されている。しかし、高飽和磁束密度の材料は一般的に透磁率が低いため、主磁極層２４に誘導された記録磁界が前記主磁極層の前端面２４ａに誘導され難い。そのため、透磁率が大きな材料からなる前記ヨーク層１３５を前記主磁極層２４に接して形成し、記録磁界が主磁極層２４の前端面２４ａに誘導され易くなるようにしている。
【０１３１】
ここで、記録磁界を主磁極層２４の前端面２４ａに効果的に誘導させるためには、前記ヨーク層１３５を記録媒体との対向面Ｈａに近づけることが効果的である。しかし、前記ヨーク層１３５を記録媒体との対向面Ｈａに近づけすぎると、このヨーク層１３５からも記録磁界が記録媒体Ｍへ流れ易くなってしまい、いわゆるサイドフリンジングの問題が発生する。
【０１３２】
本願発明の垂直磁気記録ヘッドＨ５では、前記ヨーク層１３５の前端となる前記第１の層１３５ａの前端面１３５ａ１の前記幅寸法Ｗ４と厚さ寸法とが、ともにハイト方向後方（図示Ｙ２方向）に向かうにしたがって段階的に大きくなるように（広がるように）構成されている。すなわち、前記ヨーク層１３５は記録媒体との対向面Ｈａに向かうにしたがって幅寸法および厚さ寸法とが、ともに小さくなるように構成されているため、前記ヨーク層１３５の磁気的ボリュームを記録媒体との対向面Ｈａに向かうにしたがって段階的に小さくすることができる。したがって、前記主磁極層２４に記録磁界を効果的に誘導させるために、前記ヨーク層１３５を前記記録媒体との対向面Ｈａに近づけても、前記ヨーク層１３５から記録磁界が前記記録媒体Ｍに流れ難く、サイドフリンジングの発生を抑制できる。
【０１３３】
また、前記ヨーク層１３５の幅寸法と厚さ寸法とが、ともにハイト方向後方（図示Ｙ２方向）に向かうにしたがって大きくなるように構成されているため、記録媒体との対向面Ｈａから離れるにしたがって、磁気的ボリュームが大きくなる。したがって、前記ヨーク層１３５全体としての磁気的ボリュームを大きくすることが可能となるため、前記主磁極層２４に記録磁界を誘導し易くできる。
【０１３４】
さらに、前記ヨーク層１３５は、上面を構成する第１の層１３５ａの上面１３５ａ２から、下面を構成する第３の層１３５ｃの下面１３５ｃ３に向かうにしたがって、幅寸法Ｗ４が大きくなるように、すなわち前記主磁極層２４から離れるにしたがって幅寸法Ｗ４が広がるように構成されている。従って、前記ヨーク層１３５全体としての磁気的ボリュームをより大きくすることが可能となるため、記録磁界を前記主磁極層２４に効果的に誘導し易くできる。
【０１３５】
このように本発明の垂直磁気記録ヘッドＨ５では、主磁極層２４に効果的に記録磁界を誘導させるために前記ヨーク層１３５を記録媒体との対向面Ｈａに近づけても、記録媒体との対向面Ｈａに向かうに従って前記ヨーク層１３５の磁気的ボリュームを減少させているため、サイドフリンジングを抑制することが可能である。また、ヨーク層１３５の磁気的ボリュームが全体として大きくなるように構成しているため、前記主磁極層２４に記録磁界を効果的に誘導させ易くできる。
【０１３６】
前記主磁極層２４の上には、磁気ギャップ層として機能する非磁性絶縁層２６を介して、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｒｈ、Ｆｅ−Ｃｏ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉなどがメッキ形成されて補助磁極層５２１が形成されている。
【０１３７】
前記補助磁極層５２１の前端面５２１ｃは、記録媒体との対向面Ｈａに露出している。また、対向面Ｈａよりも奥側で、前記補助磁極層５２１に形成された接続部５２１ｂと前記主磁極層２４とが接続されている。これにより、前記補助磁極層５２１と主磁極層２４とを結ぶ磁路が形成されている。
【０１３８】
図１７に示すように、前記補助磁極層５２１に形成された接続部５２１ｂの周囲において、コイル絶縁下地層５６０が形成されている。このコイル絶縁下地層５６０の上にＣｕなどの導電性材料によりコイル層２７が形成されている。このコイル層２７はフレームメッキ法などで形成されたものであり、前記接続部５２１ｂの周囲に所定の巻き数となるようにスパイラル（螺旋）状にパターン形成されている。前記コイル層２７の巻き中心側の接続端２７ａ上には同じくＣｕなどの導電性材料で形成された底上げ層３１が形成されている。
【０１３９】
前記コイル層２７および前記底上げ層３１は、レジスト材料などの有機材料の絶縁層３２１で被覆されている。
【０１４０】
また、前記底上げ層３１の上面は、前記絶縁層３２の表面に露出しており、リード層３６に接続されている。前記リード層３６から前記底上げ層３１および前記コイル層２７に記録電流の供給が可能となっている。
【０１４１】
そして、前記補助磁極層５２１および前記リード層３６が、無機非磁性絶縁材料などで形成された保護層１３に覆われている。
【０１４２】
ここで、図１７に示す前記垂直磁気記録ヘッドＨ５が、図１ないし図３に示す垂直磁気記録ヘッドＨ１と異なるのは、前記主磁極層２４と補助磁極層５２１との相対位置、および補助磁極層５２１の形態である。
【０１４３】
すなわち、図１７に示す前記垂直磁気記録磁気ヘッドＨ５では、前記主磁極層２４の上に、磁気ギャップ層として機能する非磁性絶縁層２６を介して、補助磁極層５２１が形成されている。すなわち図１７に示す前記垂直磁気記録ヘッドＨ５では、前記補助磁極層５２１がトレーリング側（図示Ｚ１方向側）に位置し、前記主磁極層２４がリーディング側（図示Ｚ２方向側）に位置するように形成されており、この点において図１ないし図３に示す前記垂直磁気記録磁気ヘッドＨ１とは異なる構成である。また、前記補助磁極層５２１の先端には前記主磁極層２４の方向へ向って延びる先端部５２１ａが形成されている点で、図１ないし図３に示す前記垂直磁気記録磁気ヘッドＨ１とは異なっている。
【０１４４】
このような構造で構成される前記垂直磁気記録ヘッドＨ５は、いわゆるシールデッド・ポール・タイプ（Ｓｈｉｅｌｄｅｄ  Ｐｏｌｅ  Ｔｙｐｅ）と呼ばれる構造の垂直磁気記録ヘッドである。
【０１４５】
図１７に示すように、前記垂直磁気記録ヘッドＨ５には、図１ないし図３に示した前記垂直磁気記録ヘッドＨ１と同じ構造の前記ヨーク層１３５が形成されている。
【０１４６】
図１ないし図３に示す前記垂直磁気記録ヘッドＨ１の説明において記載したように、前記ヨーク層１３５は、前記ヨーク層１３５の前端となる前記第１の層１３５ａの前端面１３５ａ１の前記幅寸法Ｗ４と厚さ寸法とが、ともにハイト方向後方（図示Ｙ２方向）に向かうにしたがって段階的に大きくなるように（広がるように）構成されている。すなわち、前記ヨーク層１３５は記録媒体との対向面Ｈａに向かうにしたがって幅寸法Ｗ４および厚さ寸法とが、ともに小さくなるように構成されているため、前記ヨーク層１３５の磁気的ボリュームを記録媒体との対向面Ｈａに向かうにしたがって段階的に小さくすることができる。
【０１４７】
したがって図１７に示す垂直磁気記録ヘッドＨ５でも、前記ヨーク層１３５から記録磁界が前記記録媒体Ｍに流れ難く、サイドフリンジングの発生を抑制できる。
【０１４８】
また、前記ヨーク層１３５の幅寸法Ｗ４と厚さ寸法とが、ともにハイト方向後方（図示Ｙ２方向）に向かうにしたがって大きくなるように（広がるように）構成されているため、記録媒体との対向面Ｈａから離れるにしたがって、磁気的ボリュームが大きくなる。したがって、前記ヨーク層１３５全体としての磁気的ボリュームを大きくすることが可能となるため、前記主磁極層２４に記録磁界を誘導し易くできる。
【０１４９】
さらに、前記ヨーク層１３５は、上面を構成する第１の層１３５ａの上面１３５ａ２から、下面を構成する第３の層１３５ｃの下面１３５ｃ３に向かうにしたがって幅寸法Ｗ４が広がるように、すなわち主磁極層２４から離れるにしたがって幅寸法Ｗ４が広がるように構成されている。従って、前記ヨーク層１３５全体としての磁気的ボリュームをより大きくすることが可能となるため、記録磁界を前記主磁極層２４に効果的に誘導し易くできる。
【０１５０】
このように本発明の垂直磁気記録ヘッドＨ５では、記録媒体との対向面Ｈａに向かうに従って前記ヨーク層１３５の磁気的ボリュームを減少させているため、サイドフリンジングを抑制することが可能である。また、ヨーク層１３５の磁気的ボリュームが全体として大きくなるように構成しているため、前記主磁極層２４に記録磁界を効果的に誘導させ易くできる。
【０１５１】
また図１７に示す垂直磁気記録ヘッドＨ５では、前記主磁極層２４が前記補助磁極層５２１に対してリーディング側（図示Ｚ２方向側）に位置するように構成されている。したがって、図１７に示す垂直磁気記録ヘッドＨ５では、主磁極層２４のトレーリング側に前記補助磁極層５２１を位置させることができることから、主磁極層２４からの記録磁界をトレーリング側に集中させることができる。
【０１５２】
図２０は本発明の第６の実施形態の垂直磁気記録ヘッドＨ６の構造を示す縦断面図、図２１は図２０に示す垂直磁気記録ヘッドを真上（図２０に示す図示Ｚ１方向）から見た平面図、図２２は図２０に示す前記垂直磁気記録ヘッドＨ６の主磁極層２４とヨーク層１３５とを、記録媒体との対向面Ｈａ側（図２０に示す図示Ｙ１側）から見た部分正面図である。
【０１５３】
図２０ないし図２２に示す垂直磁気記録ヘッドＨ６は、図１７ないし図１９に示す垂直磁気記録ヘッドＨ５と同じ構成要素を有して構成されている。したがって、前記垂直磁気記録ヘッドＨ６のうち、前記垂直磁気記録ヘッドＨ５と同じ構成要素には同じ符号を付して、その詳しい説明を省略する。
【０１５４】
図２０ないし図２２に示す前記垂直磁気記録ヘッドＨ６が、図１７ないし図１９に示す垂直磁気記録ヘッドＨ５と異なるのは、ヨーク層１３５が形成された位置である。図２０および図２２に示すように、前記ヨーク層１３５は主磁極層２４の上（トレーリング側）に位置するように形成されている。また、前記垂直磁気記録ヘッドＨ６では、前記ヨーク層１３５が、下から第１の層１３５ａ、第２の層１３５ｂ、および第３の層１３５ｃの３層が積層されて構成されている。したがって、前記垂直磁気記録ヘッドＨ６では、第３の層１３５ｃの上面１３５ｃ２がヨーク層１３５の上面となり、第１の層１３５ａの下面１３５ａ３がヨーク層１３５の下面となる。
【０１５５】
図２１および図２２に示すように、前記ヨーク層１３５を構成する第１の層１３５ａの下面１３５ａ３が前記主磁極層２４の上面２４ｃに接して形成されている。前記第２の層１３５ｂは、前記第１の層１３５ａの上に接触して形成されている。前記第２の層の前端面１３５ｂ１は、前記第１の層１３５ａの前端面１３５ａ１から所定距離Ｌ２離れた位置に形成されている。また前記第３の層１３５ｃの前端面１３５ｃ１は、前記第２の層１３５ｂの前端面１３５ｂ１から所定距離Ｌ３離れた位置に形成されている。したがって、図２１および図２２に示すように、前記第１の層１３５ａの前端面１３５ａ１が前記ヨーク層１３５の前端面として構成される。また、前記ヨーク層１３５をハイト方向後方（図示Ｙ２方向）について見てみると、前記第１の層１３５ａのみが形成された領域Ｒ１、前記第１の層１３５ａと前記第２の層１３５ｂの２層が形成されている領域Ｒ２、および前記第１の層１３５ａと前記第２の層１３５ｂと前記第３の層１３５ｃの３層が形成されている領域Ｒ３を有している。例えば、前記距離Ｌ２は０．１〜１０μｍ、前記距離Ｌ３は０．１〜１０μｍである。
【０１５６】
図２１に示すように、前記第１の層１３５ａの前端面１３５ａ１は、前記主磁極層２４の前端面２４ａよりもハイト方向後方（図１に示す図示Ｙ２方向）側に所定距離Ｌ１離れて位置するように形成されており、前記第１の層１３５ａの前端面１３５ａ１より記録媒体との対向面Ｈａ側（図示Ｙ１方向、すなわち後方と反対側）は前記絶縁層３２１によって埋められ、前記ヨーク層１３５の前端を構成する前記第１の層１３５ａの前端面１３５ａ１は、記録媒体との対向面Ｈａには現われていない。前記ヨーク層１３５では、前記主磁極層２４の前端面２４ａ（記録媒体との対向面Ｈａ）から、前記第１の層１３５ａの前端面１３５ａ１までの前記距離Ｌ１が、リセスとなる。例えば、前記距離Ｌ１は０〜１０μｍである。
【０１５７】
図２１および図２２に示すように、前記第１の層１３５ａの前方部１３５ａＡの最大幅寸法Ｗ１は、前記第２の層１３５ｂの前方部１３５ｂＡの最大幅寸法Ｗ２よりも小さく形成されている。また前記第２の層１３５ｂの前記前方部１３５ｂＡの最大幅寸法Ｗ２は、前記第３の層１３５ｃの前方部１３５ｃＡの最大幅寸法Ｗ３よりも小さく形成されている。したがって、前記ヨーク層１３５を前記前方部１３５ａＡ、１３５ｂＡ、１３５ｃＡについて見てみると、ハイト方向後方（図示Ｙ２方向）に向かって、段階的に前記幅寸法がＷ１からＷ２、そしてＷ３へと広がるように構成されている。例えば、例えば、前記幅寸法Ｗ１、前記幅寸法Ｗ２および前記幅寸法Ｗ３の関係は、０．０１μｍ≦Ｗ１≦Ｗ２≦Ｗ３≦１００μｍである。
【０１５８】
そして、図２１に示すように、前記ヨーク層１３５の前端である前記第１の層１３５ａの前端面１３５ａ１のハイト方向（図示Ｙ１−Ｙ２方向）と直交する方向（図示Ｘ１−Ｘ２方向）の幅寸法Ｗ４が、ハイト方向後方（図示Ｙ２方向）に向うにつれて、前記幅寸法Ｗ１へ、そして前記幅寸法Ｗ２から前記幅寸法Ｗ３へと広がっている。
【０１５９】
図２０および図２１に示すように、前記ヨーク層１３５は、前記領域Ｒ１では前記第１の層１３５ａの膜厚寸法と同じ膜厚寸法ｔ１で構成されている。また前記領域Ｒ２では、前記第１の層１３５ａと前記第２の層１３５ｂの膜厚寸法の合計膜厚であるｔ２で構成されている。また前記領域Ｒ３では、前記第１の層１３５ａと前記第２の層１３５ｂと前記第３の層１３５ｃの合計膜厚寸法であるｔ３で構成されている。即ち、前記ヨーク層１３５は、ハイト方向後方（図示Ｙ２方向）に向かうにしたがって、膜厚寸法がｔ１からｔ２、そしてｔ３へと段階的に大きくなるように構成されている。例えば、前記膜厚寸法ｔ１、前記膜厚寸法ｔ２、前記膜厚寸法ｔ３は、０．０１〜１０μｍの範囲内で、段階的に大きくなるように構成される。
【０１６０】
また図２２に示すように、前記ヨーク層１３５を前記前方部１３５ａＡ、１３５ｂＡ、１３５ｃＡについて見てみると、最も下層（図示Ｚ２方向側の層）に位置する第１の層１３５ａの前記前方部１３５ａＡの最大幅寸法Ｗ１が最も小さく、第１の層１３５ａの上に形成されて中間に位置する第２の層１３５ｂの前記前方部１３５ｂＡの最大幅寸法Ｗ２が、前記第１の層１３５ａの前記前方部１３５ａＡの最大幅寸法Ｗ１よりも大きな幅寸法で形成され、最も上層（図示Ｚ１方向）に位置する第３の層１３５ｃの前記前方部１３５ｃＡの最大幅寸法Ｗ３が、第１の層１３５ａおよび第２の層１３５ｂの前記前方部１３５ａＡおよび１３５ｂＡの前記最大幅寸法Ｗ１およびＷ２よりも大きく形成されている。即ち、前記ヨーク層１３５を前記前方部１３５ａＡ、１３５ｂＡ、１３５ｃＡについて見てみると、下面である第１の層１３５ａの下面１３５ａ３から、上面となる第３の層１３５ｃの上面１３５ｃ２に向かうにしたがって（上方向である図示Ｚ１方向に向かうにしたがって）、段階的に前記幅寸法がＷ１からＷ２、そしてＷ３へと広がるように構成されている。
【０１６１】
図２０ないし図２２に示す前記垂直磁気記録ヘッドＨ６でも、前記ヨーク層１３５の前端となる前記第１の層１３５ａの前端面１３５ａ１の前記幅寸法Ｗ４と厚さ寸法とが、ともにハイト方向後方（図示Ｙ２方向）に向かうにしたがって段階的に大きくなるように（広がるように）構成されている。すなわち、前記ヨーク層１３５は記録媒体との対向面Ｈａに向かうにしたがって幅寸法および厚さ寸法とが、ともに小さくなるように構成されているため、前記ヨーク層１３５の磁気的ボリュームを記録媒体との対向面Ｈａに向かうにしたがって段階的に小さくすることができる。したがって、前記主磁極層２４に記録磁界を効果的に誘導させるために、前記ヨーク層１３５を前記記録媒体との対向面Ｈａに近づけても、前記ヨーク層１３５から記録磁界が前記記録媒体Ｍに流れ難く、サイドフリンジングの発生を抑制できる。
【０１６２】
また、前記ヨーク層１３５の幅寸法と厚さ寸法とが、ともにハイト方向後方（図示Ｙ２方向）に向かうにしたがって大きくなるように構成されているため、記録媒体との対向面Ｈａから離れるにしたがって、磁気的ボリュームが大きくなる。したがって、前記ヨーク層１３５全体としての磁気的ボリュームを大きくすることが可能となるため、前記主磁極層２４に記録磁界を誘導し易くできる。
【０１６３】
さらに、前記ヨーク層１３５は、下面を構成する第１の層１３５ａの下面１３５ａ３から、上面を構成する第３の層１３５ｃの上面１３５ｃ２に向かうにしたがって、幅寸法Ｗ４が大きくなるように、すなわち主磁極層２４から離れるにしたがって幅寸法Ｗ４が広がるように構成されている。従って、前記ヨーク層１３５全体としての磁気的ボリュームをより大きくすることが可能となるため、記録磁界を前記主磁極層２４に効果的に誘導し易くできる。
【０１６４】
このように本発明の垂直磁気記録ヘッドＨ６でも、主磁極層２４に効果的に記録磁界を誘導させるために前記ヨーク層１３５を記録媒体との対向面Ｈａに近づけても、記録媒体との対向面Ｈａに向かうに従って前記ヨーク層１３５の磁気的ボリュームを減少させているため、サイドフリンジングを抑制することが可能である。また、ヨーク層１３５の磁気的ボリュームが全体として大きくなるように構成しているため、前記主磁極層２４に記録磁界を効果的に誘導させ易くできる。
【０１６５】
図２０に示すように、前記垂直磁気記録ヘッドＨ６も、前記垂直磁気記録ヘッドＨ５と同様に、前記主磁極層２４が前記補助磁極層５２１に対してリーディング側（図示Ｚ２方向側）に位置して形成されており、前記補助磁極層５２１の先端部５２１ａが前記主磁極層２４の方向へ向って近づく形態で構成されたシールデッド・ポール・タイプと呼ばれるものである。
【０１６６】
したがって、図２０に示す垂直磁気記録ヘッドＨ６でも、前記垂直磁気記録ヘッドＨ５と同様に、前記主磁極層２４が前記補助磁極層５２１に対してリーディング側（図示Ｚ２方向側）に位置するように構成されている。したがって、図１８に示す垂直磁気記録ヘッドＨ６では、主磁極層２４のトレーリング側に前記補助磁極層５２１を位置させることができることから、主磁極層２４からの記録磁界をトレーリング側に集中させることができる。
【０１６７】
なお、図１７ないし１９に示す垂直磁気記録ヘッドＨ５、および図２０ないし２２に示す垂直磁気記録ヘッドＨ６では、前記ヨーク層１３５が第１の層１３５ａ、第２の層１３５ｂ、および第３の層１３５ｃの３層で構成される実施形態を例にして説明したが、前記垂直磁気記録ヘッドＨ５および前記垂直磁気記録ヘッドＨ６では、前記ヨーク層１３５が３層で構成されているものに限られず、例えば前記ヨーク層１３５が２層、または４層以上で構成されていても良い。
【０１６８】
また、前記ヨーク層１３５は、前記主磁極層２４に近づくにつれて飽和磁束密度が大きくなるように構成することが好ましい。例えば、前記第１の層１３５ａと前記第２の層１３５ｂと前記第３の層１３５ｃの材質をそれぞれ変えることによって、前記主磁極層２４に近づくにつれて飽和磁束密度が大きくなるように構成することができる。このように構成すると、前記主磁極層２４の先端に磁束を集中させ易くすることができるため、記録密度の向上を図ることができる。
【０１６９】
図２３は本発明の第７の実施形態の垂直磁気記録ヘッドＨ７の構造を示す縦断面図、図２４は図２３に示す垂直磁気記録ヘッドを真上（図２３に示す図示Ｚ１方向）から見た平面図、図２５は図２３に示す前記垂直磁気記録ヘッドＨ７の主磁極層２４とヨーク層２３５とを、記録媒体との対向面Ｈａ側（図２３に示す図示Ｙ１側）から見た部分正面図である。
【０１７０】
図２３ないし図２５に示す垂直磁気記録ヘッドＨ７は、図７ないし図９に示す前記垂直磁気記録ヘッドＨ３、および図１７ないし図１９に示す前記垂直磁気記録ヘッドＨ５と同じ構成要素を有して構成されている。したがって、前記垂直磁気記録ヘッドＨ７のうち、前記垂直磁気記録ヘッドＨ３およびＨ５と同じ構成要素には同じ符号を付して、その詳しい説明を省略する。
【０１７１】
図２３ないし図２５に示すように、前記垂直磁気記録ヘッドＨ７では、図１７ないし１９に示す前記垂直磁気記録ヘッドＨ５の前記ヨーク層１３５に代えて、図７ないし図９に示す一体的なヨーク層２３５が形成された構造として構成されている。
【０１７２】
図２３および図２４に示すように、前記ヨーク層２３５は絶縁層１２によって埋められ、前記絶縁層１２が前記記録媒体との対向面Ｈａから現れており、前記ヨーク層２３５の前端２３５ｆが前記対向面Ｈａからハイト方向後方に位置している。
【０１７３】
図２４に示すように、前記ヨーク層２３５の前端２３５ｆが、主磁極層２４の前端面２４ａ（記録媒体との対向面Ｈａ）よりもハイト方向後方側（図示Ｙ２方向側）へ所定距離Ｌ４だけ離れて位置するように形成されている。この前記主磁極層２４の前端面２４ａ（記録媒体との対向面Ｈａ）から、前記ヨーク層２３５の前記前端２３５ｆまでの前記距離Ｌ４が、リセスとなる。例えば、前記距離Ｌ４は０μｍより大きく１０μｍ以下である。
【０１７４】
図２４に示すように、前記ヨーク層２３５は、前端２３５ｆから徐々に幅寸法が広がりながらハイト方向後方に延びる前方部２３５Ａと、この前方部２３５Ａからハイト方向後方に延びる後方部２３５Ｂとを有して構成されている。
【０１７５】
また、前記ヨーク層２３５の前記前方部２３５Ａは、前記前端２３５ｆからハイト方向後方に向かって、前記ヨーク層２３５の側縁部２３５ａ４が膜厚方向（図示Ｚ１−Ｚ２方向）で前記主磁極層２４と対向する位置まで延びている。そして、この前記ヨーク層２３５の側縁部２３５ａ４が主磁極層２４と膜厚方向で対向する位置からハイト方向後方に向かって、前記後方部２３５Ｂが構成される。図２３に示すように、前記後方部２３５Ｂは、真上から見た平面形状が、前記主磁極層２４の周縁２４ｄに沿う形状で形成されている。
【０１７６】
このヨーク層２３５は、図２４に示すように、前記ヨーク層２３５の前端２３５ｆのハイト方向と直交する方向の幅寸法Ｗ５が、ハイト方向後方（図示Ｙ２方向）に向かって、連続的に広がるように構成されている。
【０１７７】
また、図２５に示すように、前記ヨーク層２３５の前記前方部２３５Ａには、前記前方部２３５Ａの上面２３５Ａ１に、前記ヨーク層２３５の両側端面２３５ｇ、２３５ｇに近づくにしたがって下方向側（図示Ｚ２方向側）に下がる上傾斜面２３５Ａ２が形成されている。また、前記前方部２３５Ａの前端面２３５ｄに、前記ヨーク層２３５の両側端面２３５ｇ、２３５ｇに近づくにしたがって、下方向側に下がる下傾斜面２３５ｄ１が形成されている。また、前記ヨーク層２３５の前端２３５ｆの両側端部から、前記両側端面２３５ｇ、２３５ｇでの膜厚寸法ｔ５となるように、前記膜厚寸法が徐々に厚くなるように形成されている。したがって、前記ヨーク層２３５の前端２３５ｆのハイト方向と直交する方向の幅寸法Ｗ５が、上面２３５ｂから、下面２３５ｃに向かうにしたがって（下方向である図示Ｚ２方向に向かうにしたがって）、連続的に広がるように、すなわち前記主磁極層２４から離れるにしたがって前記幅寸法Ｗ５が広がるように構成されている。
【０１７８】
一方、前記後方部２３５Ｂは、一定の膜厚寸法で形成されており、前記後方部２３５Ｂの膜厚寸法ｔ６は、前記前方部２３５Ａの前記膜厚寸法ｔ４と同じか、あるいは大きく形成することが好ましい。このように前記後方部２３５Ｂの膜厚を構成すると、前記ヨーク層２３５の磁気的ボリュームを全体として大きくでき、主磁極層２４に記録磁界を誘導させ易くできる。
【０１７９】
また図２３に示すように、前記ヨーク層２３５の前端面２３５ｄは、下面２３５ｃから上面２３５ｂに向けて前記対向面Ｈａに近づく傾斜面で形成されている。したがって、傾斜面として形成されている前記前端面２３５ｄでは、ハイト方向後方（図示Ｙ２方向）に向かうにしたがって、膜厚寸法が連続的に大きくなるように構成されている。前記ヨーク層２３５の上に形成される主磁極層２４の下面２４ｂと前記ヨーク層２３５の前端面２３５ｄ間の内角θ１は０〜１５０°の範囲であることが好ましい。このように前記前端面２３５ｄを傾斜面として形成し、しかも前記内角θ１を前記範囲内とすることによって、前記ヨーク層２３５から記録磁界が記録媒体Ｍに流れてしまうことを抑制し易くでき、サイドフリンジングの抑制を図ることができる。
【０１８０】
なお、前記前端面２３５ｄを記録媒体との対向面Ｈａ側（図７に示す図示Ｙ１方向側）に向かって突出する湾曲面とすることや、ハイト方向後方側（図７に示す図示Ｙ２方向側）に凹む湾曲面として形成しても良い。
【０１８１】
図２３に示すように、前記垂直磁気記録ヘッドＨ７も、図１７に示す前記垂直磁気記録ヘッドＨ５と同様に、前記主磁極層２４が前記補助磁極層５２１に対してリーディング側に位置して形成されており、前記補助磁極層５２１の先端部５２１ａが前記主磁極層２４の方向へ向って近づく形態で構成された、シールデッド・ポール・タイプと呼ばれるものである。
【０１８２】
また、図２３に示す前記垂直磁気記録ヘッドＨ７でも、いわゆるシールデッド・ポール・タイプの構造であるため、前記主磁極層２４が前記補助磁極層５２１に対してリーディング側（図示Ｚ２方向側）に位置するように構成されている。したがって、図２３に示す垂直磁気記録ヘッドＨ７でも、主磁極層２４のトレーリング側に前記補助磁極層５２１を位置させることができることから、主磁極層２４からの記録磁界をトレーリング側に集中させることができる。
【０１８３】
なお、前記前端面２３５ｄを記録媒体との対向面Ｈａ側（図２３に示す図示Ｙ１方向側）に向かって突出する湾曲面とすることや、ハイト方向後方側（図２３に示す図示Ｙ２方向側）に凹む湾曲面として形成しても良い。
【０１８４】
図２６は本発明の第８の実施形態の垂直磁気記録ヘッドＨ８の構造を示す縦断面図、図２７は図２６に示す垂直磁気記録ヘッドを真上（図２６に示す図示Ｚ１方向）から見た平面図、図２８は図２６に示す前記垂直磁気記録ヘッドＨ８の主磁極層２４とヨーク層３３５とを、記録媒体との対向面Ｈａ側（図２６に示す図示Ｙ１側）から見た部分正面図である。
【０１８５】
図２６ないし図２８に示す垂直磁気記録ヘッドＨ８は、図１０ないし図１２に示す前記垂直磁気記録ヘッドＨ４、および図２０ないし図２２に示す前記垂直磁気記録ヘッドＨ６と同じ構成要素を有して構成されている。したがって、前記垂直磁気記録ヘッドＨ８のうち、前記垂直磁気記録ヘッドＨ４およびＨ６と同じ構成要素には同じ符号を付して、その詳しい説明を省略する。
【０１８６】
図２６ないし図２７に示すように、前記垂直磁気記録ヘッドＨ８では、図２０ないし２２に示す前記垂直磁気記録ヘッドＨ６の前記ヨーク層１３５に代えて、図１０ないし図１２に示す一体的なヨーク層３３５が形成された構造として構成されている。
【０１８７】
図２６および図２７に示すように、ヨーク層３３５は絶縁層１２によって埋められ、前記ヨーク層３３５の前端３３５ｆが前記対向面Ｈａからハイト方向後方に位置している。
【０１８８】
図２７に示すように、前記ヨーク層３３５の前端３３５ｆが、主磁極層２４の前端面２４ａ（記録媒体との対向面Ｈａ）よりもハイト方向後方側（図示Ｙ２方向側）へ所定距離Ｌ５だけ離れて位置するように形成されている。この前記主磁極層２４の前端面２４ａ（記録媒体との対向面Ｈａ）から、前記ヨーク層２３５の前記前端３３５ｆまでの前記距離Ｌ５が、リセスとなる。例えば、前記距離Ｌ５は０μｍより大きく１０μｍ以下である。
【０１８９】
このように、前記垂直磁気記録ヘッドＨ８では、前記ヨーク層３３５の前端３３５ｆが前記主磁極層２４の前記前端面２４ａから前記距離Ｌ５だけハイト方向後方（図示Ｙ２方向）へ離れた位置に形成されているため、前記ヨーク層３３５からの漏れ磁界を記録媒体Ｍへ流れ難くすることができるため、サイドフリンジングを効果的に抑制することが可能となる。
【０１９０】
図２７に示すように、前記ヨーク層３３５は、前端３３５ｆから徐々に幅寸法が広がりながらハイト方向後方に延びる前方部３３５Ａと、この前方部３３５Ａからハイト方向後方に延びる後方部３３５Ｂとを有して構成されている。
【０１９１】
また、前記ヨーク層３３５の前記前方部３３５Ａは、前記前端３３５ｆからハイト方向後方に向かって、前記ヨーク層３３５の側縁部３３５ａ４が膜厚方向（図示Ｚ１−Ｚ２方向）で前記主磁極層２４と対向する位置まで延びている。そして、この前記ヨーク層３３５の側縁部３３５ａ４が主磁極層２４と膜厚方向で対向する位置からハイト方向後方に向かって、前記後方部３３５Ｂが構成される。図２７に示すように、前記後方部３３５Ｂは、真上から見た平面形状が、前記主磁極層２４の周縁２４ｄに沿う形状で形成されている。
【０１９２】
このヨーク層３３５は、図２７に示すように、前記ヨーク層３３５の前端３３５ｆのハイト方向と直交する方向の幅寸法Ｗ６が、ハイト方向後方（図示Ｙ２方向）に向かって、連続的に広がるように構成されている。
【０１９３】
また、図２８に示すように、前記ヨーク層３３５の前記前方部３３５Ａには、前記前方部３３５Ａの下面３３５Ａ１に、前記ヨーク層３３５の両側端面３３５ｇ、３３５ｇに近づくにしたがって上方向側（図示Ｚ１方向側）に上がる下傾斜面３３５Ａ２が形成されている。また、前記前方部３３５Ａの前端面３３５ｄに、前記ヨーク層３３５の両側端面３３５ｇ、３３５ｇに近づくにしたがって、上方向側に上がる上傾斜面３３５ｄ１が形成される。また、前記ヨーク層３３５の前端３３５ｆの両側端部から、前記両側端面３３５ｇ、３３５ｇでの膜厚寸法ｔ８となるように、前記膜厚寸法が徐々に厚くなるように形成されている。したがって、前記ヨーク層３３５の前端３３５ｆのハイト方向と直交する方向の幅寸法Ｗ６が、下面３３５ｃから、上面３３５ｂに向かうにしたがって（上方向である図示Ｚ１方向に向かうにしたがって）、連続的に広がるように、すなわち前記主磁極層２４から離れるにしたがって前記幅寸法Ｗ６が広がるように構成されている。
【０１９４】
一方、前記後方部３３５Ｂは、一定の膜厚寸法で形成されており、前記後方部３３５Ｂの膜厚寸法ｔ９は、前記前端３３５ｆよりも大きく形成することが好ましい。このように前記後方部３３５Ｂの膜厚を構成すると、前記ヨーク層３３５の磁気的ボリュームを全体として大きくでき、主磁極層２４に記録磁界を誘導させ易くできる。
【０１９５】
また図２６に示すように、前記ヨーク層３３５の前端面３３５ｄは、上面３３５ｂから下面３３５ｃに向けて前記対向面Ｈａに近づく傾斜面で形成されている。したがって、傾斜面として形成されている前記前端面３３５ｄでは、ハイト方向後方（図示Ｙ２方向）に向かうにしたがって、膜厚寸法が連続的に大きくなるように構成されている。前記ヨーク層３３５の下に形成される主磁極層２４の上面２４ｃと前記ヨーク層３３５の前端面３３５ｄ間の内角θ２は０〜１５０°の範囲であることが好ましい。このように前記前端面３３５ｄを傾斜面として形成し、しかも前記内角θ２を前記範囲内とすることによって、前記ヨーク層３３５から記録磁界が記録媒体Ｍに流れてしまうことを抑制し易くでき、サイドフリンジングの抑制を図ることができる。
【０１９６】
なお、前記前端面３３５ｄを記録媒体との対向面Ｈａ側（図１０に示す図示Ｙ１方向側）に向かって突出する湾曲面とすることや、ハイト方向後方側（図１０に示す図示Ｙ２方向側）に凹む湾曲面として形成しても良い。
【０１９７】
図２６に示すように、前記垂直磁気記録ヘッドＨ８も、図２０に示す前記垂直磁気記録ヘッドＨ６と同様に、前記主磁極層２４が前記補助磁極層５２１に対してリーディング側に位置して形成されており、前記補助磁極層５２１の先端部５２１ａが前記主磁極層２４の方向へ向って近づく形態で構成された、シールデッド・ポール・タイプと呼ばれるものであるため、前記主磁極層２４が前記補助磁極層５２１に対してリーディング側（図示Ｚ２方向側）に位置するように構成されている。したがって、図２６に示す垂直磁気記録ヘッドＨ８でも、主磁極層２４のトレーリング側に前記補助磁極層５２１を位置させることができることから、主磁極層２４からの記録磁界をトレーリング側に集中させることができる。
【０１９８】
なお、前記前端面３３５ｄを記録媒体との対向面Ｈａ側（図２６に示す図示Ｙ１方向側）に向かって突出する湾曲面とすることや、ハイト方向後方側（図２６に示す図示Ｙ２方向側）に凹む湾曲面として形成しても良い。
【０１９９】
また、図２３ないし図２５に示す前記垂直磁気記録ヘッドＨ７、および図２６ないし図２８に示す前記垂直磁気記録ヘッドＨ８でも、記録密度の向上をはかるため、前記ヨーク層２３５、３３５は、前記主磁極層２４に近づくにつれて飽和磁束密度が大きくなるように構成することが好ましい。
【実施例１】
【０２００】
図１３は本発明の実施例と比較例の残留信号率を比較したグラフである。また、図１４は前記実施例と前記比較例の出力を比較したグラフであり、図１５は図１４に示すグラフを、磁化飽和したときの出力を１として規格化して表したグラフである。また、図１６は、前記実施例と前記比較例のオーバーライト（上書き）特性を示すグラフである。なお、図１６に示す縦軸の「ＯＷ（ｄＢ）」とは、「ＯＷ＝２０×ｌｏｇ（オーバライト後の信号強度／オーバライト前の信号強度）」を示すものである。
【０２０１】
ここで、前記実施例は、図１７に示す垂直磁気記録ヘッドＨ５の主磁極層２４の下方向側（図示Ｚ２方向側）に、第１の層および第２の層とで構成されるヨーク層を形成し、さらにその上方向側（図示Ｚ１方向側）に補助磁極層を形成したものであり、前記第１の層の前端面を、記録媒体との対向面から０．２μｍハイト方向後方側に位置させて（すなわちリセスが０．２μｍ）形成し、前記第２の層を記録媒体との対向面から２μｍハイト方向後方側に位置させて（すなわちリセスが２μｍ）形成した。第１の層の膜厚を０．１μｍ、第２の層の膜厚を１．０μｍとした。
【０２０２】
一方、前記比較例は、前記実施例から第１の層を除き、主磁極層の下に第２の層のみを形成した構造のものである。この比較例も、第２の層のリセスは２μｍであり、膜厚を１．０μｍとした。
また、実施例および比較例ともに、主磁極層の膜厚を０．２５μｍとした。
【０２０３】
図１３に示す残留信号率（％）は、記録媒体に記録磁界（電流値４５ｍＡ、周波数６０ＫＦＣＩ）を与えて記録トラックを形成した後、記録トラックの側方に消去磁界（電流値４５ｍＡ、周波数６５ＫＦＣＩ）を与えて消去トラックを形成したときの、前記記録トラックの残留信号率（％）を測定したものである。横軸は、記録トラックの中心と消去トラックの中心間の間隔を「隣接トラックのＯｆｆｓｅｔ幅」とし、これを磁気的トラック幅Ｔｗで除算して規格化したものである。また、主磁極層の保磁力（Ｈｃ）を４５００Ｏｅとし、消去を５０００回行った。
【０２０４】
図１４および図１５に示す出力（μＶ）は、横軸に示す記録電流値、および周波数６０ＫＦＣＩで記録磁界を与えたときの測定値である。
【０２０５】
図１３に示すように、実施例はヨーク層を構成する第１の層のリセスが、比較例のヨーク層を構成する第２の層のリセスよりも小さいにも拘らず、残留信号率はほぼ同等となっている。したがって、実施例はリセスを小さくしても、リセスの大きい比較例と同等のサイドフリンジング特性を有していることが分かる。
【０２０６】
一方、図１４に示すように、出力を比較すると実施例の方が比較例よりも高い出力を得られることが分かる。また、図１５に示すように、実施例では比較例よりも、記録電流値が低くなっても、出力は高い値を維持し易いことが分かる。
【０２０７】
さらに、図１６に示すように、実施例のほうが全体的に絶対値が大きいため、比較例よりもオーバーライト特性が良好であることが分かる。
【０２０８】
すなわち、図１３ないし図１６から、実施例ではリセスが小さくなっても、サイドフリンジング特性を同等に抑えることができ、尚且つ出力およびオーバーライト特性を良好にすることができることが分かる。
【図面の簡単な説明】
【０２０９】
【図１】本発明の第１実施形態の垂直磁気記録ヘッドの構造を示す縦断面図、
【図２】図１に示す垂直磁気記録ヘッドを真上から見た平面図、
【図３】図１に示す前記垂直磁気記録ヘッドを記録媒体との対向面側から見た部分正面図、
【図４】本発明の第２実施形態の垂直磁気記録ヘッドの構造を示す縦断面図、
【図５】図４に示す垂直磁気記録ヘッドを真上から見た平面図、
【図６】図４に示す前記垂直磁気記録ヘッドを記録媒体との対向面側から見た部分正面図、
【図７】本発明の第３実施形態の垂直磁気記録ヘッドを示す縦断面図、
【図８】図７に示す垂直磁気記録ヘッドを真上から見た平面図、
【図９】図７に示す前記垂直磁気記録ヘッドを記録媒体との対向面側から見た部分正面図、
【図１０】本発明の第４実施形態の垂直磁気記録ヘッドを示す縦断面図、
【図１１】図１０に示す垂直磁気記録ヘッドを真上から見た平面図、
【図１２】図１０に示す前記垂直磁気記録ヘッドを記録媒体との対向面側から見た部分正面図、
【図１３】実施例と比較例の残留信号率を比較したグラフ、
【図１４】実施例と前記比較例の出力を比較したグラフ、
【図１５】図１４に示すグラフを、磁化飽和時の出力を１として規格化して表したグラフ、
【図１６】実施例と前記比較例のオーバーライト（上書き）特性を示すグラフ、
【図１７】本発明の第５実施形態の垂直磁気記録ヘッドを示す縦断面図、
【図１８】図１７に示す垂直磁気記録ヘッドを真上から見た平面図、
【図１９】図１７に示す前記垂直磁気記録ヘッドを記録媒体との対向面側から見た部分正面図、
【図２０】本発明の第６実施形態の垂直磁気記録ヘッドを示す縦断面図、
【図２１】図２０に示す垂直磁気記録ヘッドを真上から見た平面図、
【図２２】図２０に示す前記垂直磁気記録ヘッドを記録媒体との対向面側から見た部分正面図、
【図２３】本発明の第７実施形態の垂直磁気記録ヘッドを示す縦断面図、
【図２４】図２３に示す垂直磁気記録ヘッドを真上から見た平面図、
【図２５】図２３に示す前記垂直磁気記録ヘッドを記録媒体との対向面側から見た部分正面図、
【図２６】本発明の第８実施形態の垂直磁気記録ヘッドを示す縦断面図、
【図２７】図２６に示す垂直磁気記録ヘッドを真上から見た平面図、
【図２８】図２６に示す前記垂直磁気記録ヘッドを記録媒体との対向面側から見た部分正面図、
【符号の説明】
【０２１０】
２１，５２１  補助磁極層
２４  主磁極層
２４ａ  前端面
２４ｂ  下面
２４ｃ  上面
２７  コイル層
１３５，２３５，３３５  ヨーク層
１３５ａ  第１の層
１３５ａ１  前端面
１３５ｂ  第２の層
１３５ｃ  第３の層
２３５ｆ，３３５ｆ  前端
Ｈ１，Ｈ２，Ｈ３，Ｈ４，Ｈ５，Ｈ６，Ｈ７，Ｈ８  垂直磁気記録ヘッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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