(57)【要約】      （修正有）【課題】迅速に、かつ、容易に露光データを作成できる半導体装置の製造方法、及び、電子ビームの露光方法を提供する。【解決手段】電子ビーム露光プロセスは、露光データを作成する露光データ作成工程と、ブロックマスクにより露光データ作成工程で作成された露光データに基づいて電子ビームを整形する電子ビーム整形工程と、露光データ作成工程で作成された露光データに基づいて電子ビーム整形工程で整形された電子ビームを目標物に照射する照射工程とを有し、露光データ作成工程は、露光パターンを定義するデータが階層構造に格納されたライブラリを作成するライブラリ作成手順と、ライブラリ作成手順で作成されたライブラリに格納されたデータに基づいて露光パターンを作成する露光パターン作成手順と、露光パターン作成手順で作成された露光パターンに基づいて露光データを生成する露光データ作成手順とを有することを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子ビーム露光プロセスを用いた半導体装置の製造方法において、
前記電子ビーム露光プロセスは、
露光データを作成する露光データ作成工程と、
ブロックマスクにより前記露光データ作成工程で作成された前記露光データに基づいて電子ビームを整形する電子ビーム整形工程と、
前記露光データ作成工程で作成された前記露光データに基づいて前記電子ビーム整形工程で整形された前記電子ビームを目標物に照射する照射工程とを有し、
前記露光データ作成工程は、前記露光パターンを定義するデータが階層構造に格納されたライブラリを作成するライブラリ作成手順と、
前記ライブラリ作成手順で作成された前記ライブラリに格納されたデータに基づいて露光パターンを作成する露光パターン作成手順と、
前記露光パターン作成手順で作成された前記露光パターンに基づいて前記露光データを生成する露光データ作成手順とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
半導体装置の製造方法において、
設計データから露光データを作成する露光データ作成工程と、
ブロックマスクにより前記露光データ作成工程で作成された前記露光データに基づいて電子ビームを整形する電子ビーム整形工程と、
前記露光データ作成工程で作成された前記露光データに基づいて前記電子ビーム整形工程で整形された前記電子ビームを目標物に照射する照射工程とを有し、
前記露光データ作成工程は、前記設計データから図形群を抽出する図形群抽出手順と、
前記図形群抽出手順で抽出された図形群から複数の図形を抽出する図形抽出手順と、
前記図形抽出手順で抽出された図形に基づいて露光データを作成する露光データ作成手順とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記図形群抽出手順は、前記図形群のうち図形の繰り返し性の高い図形群を抽出することを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記図形群抽出手順は、前記図形群のうち前記図形群を構成する図形数が多い図形群を抽出することを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記図形群抽出手順は、前記図形群のうち前記図形の存在範囲が露光時の偏向の大きさに応じた図形群を抽出することを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記図形群抽出手順は、前記図形群のうち前記図形の存在範囲が前記露光時のビームのサイズに応じた図形群を抽出することを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記図形群抽出手順は、前記図形群のうち互いに重複する図形群を抽出することを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記図形群抽出手順は、前記複数の図形群のうち互いに重複する図形群を削除することを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記図形群抽出手順は、前記図形抽出手順で、前記図形を抽出した後、抽出された図形の数が最小となる図形群を抽出することを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記図形抽出手順は、前記図形群抽出手順で抽出された前記図形群を複数の領域に分割し、分割された複数の領域からそれぞれ図形を抽出することを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記図形抽出手順は、前記図形群抽出手順で抽出された前記図形群のうち図形を含む部分に領域を設定し、図形を抽出することを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記図形抽出手順は、既に抽出された図形と同じ図形を抽出することを特徴とする請求項２乃至１１のいずれか一項記載の露光データ作成方法。
【請求項１３】
前記図形抽出手順は、予め設定された条件に一致する図形を抽出することを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記図形抽出手順は、複数の図形抽出方法を有し、
該複数の図形抽出方法から所定の図形抽出方法を選択して、
図形の抽出を行うことを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記図形抽出手順は、前記図形抽出方法を露光時のレイヤに応じて選択することを特徴とする請求項１４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記図形抽出手順は、前記図形抽出方法を前記図形群の形状に応じて選択することを特徴とする請求項１４又は１５記載の露光データ作成方法。
【請求項１７】
前記図形抽出手順は、前記図形抽出方法を、前記図形群中の図形の配置に応じて選択することを特徴とする請求項１４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記図形抽出手順は、前記図形抽出方法を、前記図形群の図形の密集度に応じて選択することを特徴とする請求項１４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
前記図形抽出手順は、前記図形群中での前記図形の占有率が所定の値となるように前記図形を抽出することを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
前記図形抽出手順は、前記図形群中に設定される領域の数に応じて前記図形を抽出することを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
前記図形抽出手順は、前記図形の種類に応じて図形を抽出することを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
前記図形抽出手順は、露光時のビームの照射面積に応じて前記図形を抽出することを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２３】
前記図形抽出手順は、前記図形群毎に並列に処理が行われることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２４】
前記露光データ作成工程は、露光パターンを、前記電子ビームのブロックマスクを微小パターンの集合で構成する手順を含むことを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２５】
前記露光データ作成工程は、露光パターンによって生じる露光パターンのひずみを評価し、
前記評価結果に応じて歪みを補償するように前記露光データを補正する手順とを有することを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２６】
前記露光データを補正する手順は、前記露光パターンの周囲で前記電子ビームの照射位置をずらせて再照射することにより補正することを特徴とする請求項２５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２７】
露光パターンを露光方法に応じて表示するパターンを変更する手順を有することを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２８】
露光パターンを露光単位毎に異なる表示を行う手順を有することを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２９】
前記露光データに基づいて露光時のスループットを算出するスループット算出手順と、
前記スループット算出手順で算出されたスループットを表示するスループット表示手順とを有することを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３０】
前記露光データを所定の露光条件でシミュレートした結果の露光パターンを表示する露光パターン表示手順を有することを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３１】
前記露光パターン表示手順は、前記露光条件を設定する露光条件設定表示が行われ、
該露光条件設定表示により所望の露光条件を設定した後、該露光条件設定表示により設定された露光条件で再びシミュレーションが行われ、
該再シミュレートの結果の露光パターンを表示することを特徴とする請求項３０記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３２】
前記露光データを所定の露光条件でシミュレートした結果の露光パターンに前記露光データに応じた露光パターンを重ねて表示することを特徴とする請求項３１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３３】
前記シミュレーションした結果の露光パターンと前記露光データに応じた露光パターンとの差異を検出し、
前記シミュレーションした結果の露光パターンと前記露光データに応じた露光パターンとの差異が所定の許容範囲以上の部分を前記シミュレーションした結果の露光パターンと前記露光データに応じた露光パターンとの差異が所定の許容範囲内の部分とで異なる表示とすることを特徴とする請求項３２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３４】
前記露光データを補正する手順は、前記露光パターンの周囲で前記電子ビームの照射位置をずらせて再照射することにより補正することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３５】
前記露光データは、前記ブロックマスク上に形成されたビーム形状パターンを含むことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３６】
半導体装置を製造するための電子ビーム露光方法において、
露光データを作成する露光データ作成工程と、
ブロックマスクにより前記露光データ作成工程で作成された前記露光データに基づいて電子ビームを整形する電子ビーム整形工程と、
前記露光データ作成工程で作成された前記露光データに基づいて前記電子ビーム整形工程で整形された前記電子ビームを目標物に照射する照射手段とを有し、
前記露光データ作成工程は、前記露光パターンを定義するデータが階層構造に格納されたライブラリを作成するライブラリ作成手順と、
前記ライブラリ作成手順で作成された前記ライブラリに格納されたデータに基づいて露光パターンを作成する露光パターン作成手順と、
前記露光パターン作成手順で作成された前記露光パターンに基づいて前記露光データを生成する露光データ作成手順とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３７】
半導体装置の製造方法を製造するための電子ビーム露光方法において、
設計データから露光データを作成する露光データ作成工程と、
ブロックマスクにより前記露光データ作成工程で作成された前記露光データに基づいて電子ビームを整形する電子ビーム整形工程と、
前記露光データ作成工程で作成された前記露光データに基づいて前記電子ビーム整形工程で整形された前記電子ビームを目標物に照射する照射手段とを有し、
前記露光データ作成工程は、前記設計データから図形群を抽出する図形群抽出手順と、
前記図形抽出手順で抽出された図形群から複数の図形を抽出する図形抽出手順と、
前記図形抽出手順で抽出された図形に基づいて露光データを作成する露光データ作成手順とを有することを特徴とする電子ビーム露光方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置の製造方法及び電子ビーム露光方法に係り、特に、電子線を使ったリソグラフィー技術によるＬＳＩの製造に用いられる半導体装置の製造方法及び電子ビーム露光方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光露光方式では、マスクからの一括転写のため、高スループットであり量産ラインの主力露光技術と位置づけられている。しかし、近年益々高まる微細化、大容量化の中で、ＬＳＩの量産化を支えてきた光露光技術では、設計の最小寸法の転写に用いられる光の波長と同程度になり、これ以上の微細化を行うためには、さらに短波長の光を用いる技術や、変形照明法や位相シフト法などの超解像技術の検討がなされている。また、大領域の一括転写が精度の面で困難になってきておりスループットの低下を招いている。２５６ＭＤＲＡＭ規模の実露光スループットは１時間にウェハ３０枚程度と予想される。
【０００３】
光露光に代わる露光方式として電子ビーム露光が注目されている。ＥＢ露光は、パターンの中を細い電子ビームで塗り潰していく方法でパターンを１つ１つ描画していくためスループットの点では劣っているが、０．１μｍ以下の微細加工が可能である。さらに、ＥＢ直接描画法は、光露光に比べて、マスクがいらないために短手番でコストダウンとなり、少量多品種製品の製造技術として注目されている。
【０００４】
現在、電子ビーム露光は、微細パターン形成が可能であることやパターン発生が可能であることからＬＳＩ開発ツールまたはマスク作成ツールとして広く使用されている。しかし、電子ビーム露光方法はガウシアンビームや可変ビームによってパターンを一つ一つ塗りつぶしていく、いわゆる一筆書き法であり、パターンが微細になればなるほどスループットが低下するため、微細ＬＳＩ製品の量産には不向きであった。
【０００５】
電子ビーム露光方式としては、現在、可変矩形ビーム露光方式と部分一括露光方式とがある。
【０００６】
可変矩形ビーム露光方式は、図４９（Ａ）に示すように、第１マスクＭ１、第２マスクＭ２の２枚のマスクを通過するビームＢＭを、偏向させ任意のサイズの矩形にビームを成形するものである。従って、露光パターンは矩形で設定しておく必要があり、例えば三角形などの斜辺を持つパターンは図４９（Ｂ）に示すように斜辺部分を階段近似する、いわゆる矩形分解を露光データ作成処理で行なう。１つの矩形ビームを発生させて露光することを１ショットといい、パターンを露光するためには、発生する矩形の数だけショットしなければならないため、露光時間はショット数で決まる。このため、可変矩形ビーム露光方式では、露光スループットが１時間に１，２枚という現状である。
【０００７】
これを改善する画期的な方法として部分一括露光方式が提案されている。部分一括露光方式は、図５０に示すように、第２マスクＭ２上にパターン形状Ｐの開孔を形成しておき、これにビームＢＭを通過させて成形する。図４９の可変矩形ビーム露光方式では、三角形パターンを露光する場合、図４９（Ｂ）に示すように可変矩形Ｂ１〜Ｂ６の６ショットが必要であるのに対し、図５０に示す部分一括露光では三角形のパターンＰａを用いることにより１ショットで行なえるためショット数の圧縮が可能となり、スループットを向上することができる。部分一括露光法により２５６ＭＤＲＡＭ規模の露光スループットが１時間２０枚以上となり、大規模ＬＳＩ製品の製造技術となる可能性がでてきた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかるに、部分一括露光法は小規模なマスクが必要であり、また、ＥＢ直接描画であってもマスク作成のための工数やコストが必要である。さらに、部分一括露光は図５０に示すように、ブロック内に電子線が通るパターン形状の開口が形成されているため、図５１（Ａ）に示すようなパターンであれば、ブロックとして正しく形成出来るのであるが、図５１（Ｃ）にしめすようなドーナツ形状のパターンでは、開口部に囲まれた中の部分が、支えがないために欠落してしまい正常なブロックを作成できない。
【０００９】
また、ブロック露光は図５０に示すように、第２マスクＭ２上にパターン形状の開孔を形成しておき、これにビームを通過させて、それを数１０分の１または数１００分の１に縮小し、成形している。図４９の可変矩形ビーム露光方式に比べ、ショット当たりの電流量が大きいために、クーロン相互作用の影響により微細パターンの解像度が劣化する。
【００１０】
また、図５０に示す部分一括露光方式では、スポットビームや可変ビームを用いた通常の電子ビーム露光に比べて、はるかに高スループットが期待できる技術であるが、そのためには、ブロック内に多くのパターンを含み、しかも使用頻度の高いブロックを第２マスク上に形成しなければならなかった。第２マスクに搭載できるブロック図形群の数は有限個であり、サイズも限られている。このため、膨大な量のパターンの中から繰り返し出現率が高く、かつ、なるべく多くのパターンをブロック内に含むようにする必要がある。このため、パターンを抽出する作業を人手で行うのは困難である。
【００１１】
また、露光装置では、評価パターンを作成し、実際の露光の評価を行っており、この評価パターンを作成するには、偏向領域間のショットの繋ぎ、ブロック同士、可変矩形露光同士、ブロックと可変矩形露光の繋ぎ調整、チップ内やブロックマスクの精度ばらつき等の複雑な精度劣化要素を解決していきながら立ち上げを行なっていく必要がある。これら描画の調整やプロセス条件の洗い出しなどの作業を人手で行うのは非常に困難であり、立ち上げの遅延を招いていてしまう。
【００１２】
さらに、電子ビームリソグラフィーにおいて微細パターン形成を行なう場合、電子ビームがレジスト中および基板で散乱を生じることにより、設計どおりのパターンが得られないという近接効果の問題点がある。通常露光では、そのパターンの延在する周囲からの影響を考慮して、パターン毎に照射量を変えたり、パターン幅を変えたりなどの近接効果の補正を行なうのであるが、ブロック露光では、一括に露光されるパターン群が複数カ所で使用されるため周囲の影響度合も一定ではなく、パターン毎の近接効果の補正を行なうことが出来ない。
【００１３】
また、電子ビーム露光方式は、微細加工に優れており高集積ＬＳＩ製品に適用される技術である。従って図形処理で扱うデータ量も膨大であり、処理時間も数時間または数日を費やす場合があり、生産性の低下を招いている。ウェハ上のパターンを見てもどの部分がブロック露光されていて、どこが可変矩形露光部であるか分からない。またブロック露光のためにはマスクを作成しなければいけないのであるが、そのブロックパターンの形状が効果的であるが、問題無いものなのかを作ってから判断するのであると、非常に工数やコストがかかる。
【００１４】
本発明の上記の点に鑑みてなされたもので、迅速に、かつ、容易に露光データを作成できる半導体装置の製造方法、及び、電子ビームの露光方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の請求項１、３６は、電子ビーム露光プロセスを用いた半導体装置の製造方法において、電子ビーム露光プロセスは、露光データを作成する露光データ作成工程と、ブロックマスクにより露光データ作成工程で作成された露光データに基づいて電子ビームを整形する電子ビーム整形工程と、露光データ作成工程で作成された露光データに基づいて電子ビーム整形工程で整形された電子ビームを目標物に照射する照射工程とを有し、露光データ作成工程は、露光パターンを定義するデータが階層構造に格納されたライブラリを作成するライブラリ作成手順と、ライブラリ作成手順で作成されたライブラリに格納されたデータに基づいて露光パターンを作成する露光パターン作成手順と、露光パターン作成手順で作成された露光パターンに基づいて露光データを生成する露光データ作成手順とを有することを特徴とする。
【００１６】
請求項２、３７は、半導体装置の製造方法において、設計データから露光データを作成する露光データ作成工程と、ブロックマスクにより露光データ作成工程で作成された露光データに基づいて電子ビームを整形する電子ビーム整形工程と、露光データ作成工程で作成された露光データに基づいて電子ビーム整形工程で整形された電子ビームを目標物に照射する照射工程とを有し、露光データ作成工程は、設計データから図形群を抽出する図形群抽出手順と、図形群抽出手順で抽出された図形群から複数の図形を抽出する図形抽出手順と、図形抽出手順で抽出された図形に基づいて露光データを作成する露光データ作成手順とを有することを特徴とする。
【００１７】
請求項２によれば、設計データから図形群を抽出し、図形群から露光を行う図形を抽出して、抽出した図形毎に露光データを作成することにより、図形群、図形の抽出を効率よく行うことにより、露光データの作成を効率よく行える。
【００１８】
請求項３は、請求項２において、前記図形群抽出手順が、前記図形群のうち図形の繰り返し性の高い図形群を抽出することを特徴とする。請求項３によれば、図形群のうち図形の繰り返し性の高い図形群を抽出することにより、よく使用する図形を含む図形群が抽出され、露光データを効率よく作成できる図形群を抽出できる。
【００１９】
請求項４は、請求項２又は３において、前記図形群抽出手順が、前記図形群のうち前記図形群を構成する図形数が多い図形群を抽出することを特徴とする。請求項４によれば、図形数が多い図形群を抽出することにより、よく使用する図形を含む図形群が抽出され、露光データを効率よく作成できる図形群を抽出できる。
【００２０】
請求項５は、請求項２〜４において、前記図形群抽出手順が、前記図形群のうち前記図形の存在範囲が露光時の偏向の大きさに応じた図形群を抽出することを特徴とする。請求項５によれば、図形の存在範囲が露光時の偏向の大きさに応じた図形群を抽出することにより、偏向に応じた図形群を抽出でき、図形抽出が容易に行える。
【００２１】
請求項６は、請求項２〜５において、前記図形群抽出手順が、前記図形群のうち前記図形の存在範囲が前記露光時のビームのサイズに応じた図形群を抽出することを特徴とする。請求項６によれば、図形の存在範囲が露光時のビームのサイズに応じた図形群を抽出することにより、ビームサイズに応じた図形群を抽出でき、図形抽出が容易に行える。
【００２２】
請求項７は、請求項２〜６において、前記図形群抽出手順が、前記図形群のうち互いに重複する図形群を抽出することを特徴とする。請求項７によれば、重複する図形群を抽出することにより、不要な処理を行わなくて済むので、処理時間を短縮できる。
【００２３】
請求項８は、請求項２〜６において、前記図形群抽出手順が、前記複数の図形群のうち互いに重複する図形群を削除することを特徴とする。請求項８によれば、互いに重複する図形群を削除することにより、不要な処理を行わなくて済むので、処理時間を短縮できる。
【００２４】
請求項９は、請求項２〜８において、前記図形群抽出手段が、前記図形抽出手順で、前記図形を抽出した後、抽出された図形の数が最小となる図形群を抽出することを特徴とする。請求項９によれば、抽出された図形の数が最小となる図形群を抽出することにより、抽出する図形が少ないので、露光データの作成数を減少できる。
【００２５】
請求項１０は、請求項２〜９において、前記図形抽出手順が、前記図形群抽出手順で抽出された前記図形群を複数の領域に分割し、分割された複数の領域からそれぞれ図形を抽出することを特徴とする。請求項１０によれば、図形群を複数の領域に分割し、分割された複数の領域からそれぞれ図形を抽出することにより、図形群を抽出可能な図形を抽出できる。
【００２６】
請求項１１は、請求項２〜１０において、前記図形抽出手順が、前記図形群抽出手順で抽出された前記図形群のうち図形を含む部分に領域を設定し、図形を抽出することを特徴とする。請求項１１によれば、図形群のうち図形を含む部分に領域を設定し、図形を抽出することにより、不要な部分をデータにすることがないので、効率よく露光データを作成できる。
【００２７】
請求項１２は、請求項２〜１１において、前記図形抽出手順は、既に抽出された図形と同じ図形を抽出することを特徴とする。請求項１２によれば、既に抽出された図形と同じ図形を抽出することにより不要なデータを作成する必要がなく、効率よく露光データを作成できる。請求項１３は、請求項２〜１２において、前記図形抽出手順が、予め設定された条件に一致する図形を抽出することを特徴とする。請求項１３によれば、所望の条件に応じた図形を抽出できる。
【００２８】
請求項１４は、請求項２〜１３において、前記図形抽出手順が、複数の図形抽出方法を有し、該複数の図形抽出方法から所定の図形抽出方法を選択して、図形の抽出を行うことを特徴とする。請求項１４によれば、複数の図形抽出方法から所定の図形抽出方法を選択して、図形の抽出を行うことにより、抽出された図形群に対して最適な図形抽出を行える。
【００２９】
請求項１５は、請求項１４において、前記図形抽出手順が、前記図形抽出方法を露光時のレイヤに応じて選択することを特徴とする。請求項１５によれば、露光時のレイヤに対して最適な図形抽出を行える。
【００３０】
請求項１６は、請求項１４又は１５において、前記図形抽出手順が、前記図形抽出方法を前記図形群の形状に応じて選択することを特徴とする。請求項１６によれば、図形群の形状に応じて図形抽出方法を選択することにより、抽出された図形群に対して最適な図形抽出を行える。
【００３１】
請求項１７は、請求項１４〜１６において、前記図形抽出手順が、前記図形抽出方法を前記図形群中の図形の配置に応じて選択することを特徴とする。請求項１７によれば、図形群中の図形の配置に応じて図形抽出方法を選択することにより、図形が存在しない無駄な部分を抽出することがなく、抽出図形数を減少できる。
【００３２】
請求項１８は、請求項１４〜１７において、前記図形抽出手順が、前記図形抽出方法を前記図形群の図形の密集度に応じて選択することを特徴とする。請求項１８によれば、図形の密集度に応じて図形抽出方法を選択することにより、有効に図形を抽出できる。
【００３３】
請求項１９は、請求項２〜１７において、前記図形抽出手順は、前記図形群中での前記図形の占有率が所定の値となるように前記図形を抽出することを特徴とする。請求項１９によれば、図形の占有率が所定の値となるように図形を抽出することにより、バラツキなく図形を抽出できる。
【００３４】
請求項２０は、請求項２〜１９において、前記図形抽出手順が、前記図形群中に設定される領域の数に応じて前記図形を抽出することを特徴とする。請求項２０によれば、図形群中に設定される領域の数に応じて図形を抽出することにより、抽出される図形を含む領域を所定のサイズ、数とすることができる。
【００３５】
請求項２１は、請求項２〜２０において、前記図形抽出手順が、前記図形の種類に応じて図形を抽出することを特徴とする。請求項２１によれば、図形の種類に応じて図形を抽出することにより、図形を重複することがなく抽出できる。
【００３６】
請求項２２は、請求項２〜２１において、前記図形抽出手順は、露光時のビームの照射面積に応じて前記図形を抽出することを特徴とする。請求項２２によれば、ビームの照射面積に応じて図形を抽出することにより、ビームの照射面積が最適になるように図形を抽出できる。
【００３７】
請求項２３は、請求項２〜２２において、前記図形群毎に並列に処理を行うことを特徴とする。請求項２３によれば、図形群毎に並列に処理を行うことにより高速に処理を行える。
【００３８】
請求項２４は、露光パターンに応じた露光マスクを作成する露光マスク作成方法において、前記露光マスクのうち、ビームの透過パターンを微小パターンの集合で構成することを特徴とする。請求項２４によれば、ビームの透過パターンを微小パターンの集合で構成することにより、ビームの非透過パターンが透過パターンに囲まれている場合でも、非透過パターンが露光パターンを作成したときに、非透過パターンが欠落することがない。
【００３９】
請求項２５は、露光パターンに応じた露光データを作成する露光データ作成方法において、前記露光マスクの互いに近接するパターンで透過するビームの影響を補正することを特徴とする。請求項２５によれば、互いに近接するパターンで透過するビームの影響が補正されるので、ビーム散乱による影響を防止できる。
【００４０】
請求項２６、３４は、前記露光マスクの周囲でビームをずらして再照射することにより補正することを特徴とする。請求項２６、３４によれば、露光マスクの周囲でビームをずらして再照射することにより、露光マスクの周囲でのビーム強度の低下を補償して、全体で均一にビームを照射することができる。
【００４１】
請求項２７は、露光データに応じたパターンを表示する露光データ表示方法において、前記露光パターンを露光方法に応じて異なる表示とすることを特徴とする。請求項２７によれば、露光パターンを露光方法に応じて異なる表示とすることにより、位置に応じて露光方式を認識できる。
【００４２】
請求項２８は、露光データに応じたパターンを表示する露光データ表示方法において、前記露光パターンを露光単位毎に異なる表示を行うことを特徴とする。請求項２８によれば、露光パターンを露光単位毎に異なる表示を行うことにより、露光パターン上の各露光単位の配置を直観的に認識できる。
【００４３】
請求項２９は、露光データに応じたデータを表示する露光データ表示方法において、前記露光データに基づいて露光時のスループットを算出するスループット算出手順と、前記スループット算出手順で算出されたスループットを表示するスループット表示手順とを有することを特徴とする。請求項２９によれば、露光データからスループットを算出して、表示できるので、作成した露光データのスループットを即座に認識でき、必要に応じて訂正できる。
【００４４】
請求項３０は、露光データに応じた露光パターンを表示する露光データ表示方法において、前記露光データを所定の露光条件でシミュレートした結果の露光パターンを表示することを特徴とする。請求項３０によれば、露光データを所定の露光条件でシミュレートした結果の露光パターンを表示することにより、作成した露光データに応じて作成されるであろう露光パターンを直感的に認識できる。
【００４５】
請求項３１は、請求項３０において、前記露光条件を設定する露光条件設定表示を行い、該露光条件設定表示により所望の露光条件を設定した後、該露光条件設定表示により設定された露光条件で再びシミュレーションが行い、該再シミュレートの結果の露光パターンを表示することを特徴とする。請求項３１によれば、露光設定表示に所望の露光条件を設定することにより、再シミュレーションが実行され、そのシミュレート結果が表示されるので、露光条件に応じたシミュレーション結果を容易に得ることができ、所望の露光結果を容易に認識できる。
【００４６】
請求項３２は、請求項３１において、前記露光データを所定の露光条件でシミュレートした結果の露光パターンに前記露光データに応じた露光パターンを重ねて表示することを特徴とする。請求項３２によれば、露光データを所定の露光条件でシミュレートした結果の露光パターンに露光データに応じた露光パターンを重ねて表示することにより、作成した露光データに応じて作成されるであろう露光パターンと露光データに応じた露光パターンとの差異を直感的に認識できる。
【００４７】
請求項３３は、請求項３２において、前記シミュレーションした結果の露光パターンと前記露光データに応じた露光パターンとの差異を検出し、前記シミュレーションした結果の露光パターンと前記露光データに応じた露光パターンとの差異が所定の許容範囲以上の部分を前記シミュレーションした結果の露光パターンと前記露光データに応じた露光パターンとの差異が所定の許容範囲内の部分とで異なる表示とすることを特徴とする。請求項３３によれば、シミュレーションした結果の露光パターンと露光データに応じた露光パターンとの差異が所定の許容範囲以上の部分と所定の許容範囲内の部分とで異なる表示とすることにより、エラーが発生する部分を容易に認識できる。
【００４８】
また、請求項３５は、露光データがブロックマスク上に形成されたビーム形状パターンを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００４９】
上述の如く、本発明の請求項１、３６によれば、露光パターンを定義するデータが階層構造に格納されたライブラリを作成し、作成されたライブラリに格納されたデータに基づいて露光パターンを作成し、作成された露光パターンに基づいて露光データを生成することにより、露光データをパターンとして作成でき、露光データの作成が容易に行える等の特長を有する。
【００５０】
請求項２、３７によれば、設計データから図形群を抽出し、抽出された図形群から複数の図形を抽出し、抽出された図形に基づいて露光データを作成することにより、図形群、図形の抽出を効率よく行うことにより、露光データの作成を効率よく行える等の特長を有する。
【００５１】
請求項３によれば、図形群のうち図形の繰り返し性の高い図形群を抽出することにより、よく使用する図形を含む図形群が抽出され、露光データを効率よく作成できる図形群を抽出できる等の特長を有する。
【００５２】
請求項４によれば、図形数が多い図形群を抽出することにより、よく使用する図形を含む図形群が抽出され、露光データを効率よく作成できる図形群を抽出できる等の特長を有する。
【００５３】
請求項５によれば、図形の存在範囲が露光時の偏向の大きさに応じた図形群を抽出することにより、偏向に応じた図形群を抽出でき、図形抽出が容易に行える等の特長を有する。
【００５４】
請求項６によれば、図形の存在範囲が露光時のビームのサイズに応じた図形群を抽出することにより、ビームサイズに応じた図形群を抽出でき、図形抽出が容易に行える等の特長を有する。
【００５５】
請求項７によれば、重複する図形群を抽出することにより、不要な処理を行わなくて済むので、処理時間を短縮できる等の特長を有する。
【００５６】
請求項８によれば、互いに重複する図形群を削除することにより、不要な処理を行わなくて済むので、処理時間を短縮できる等の特長を有する。
【００５７】
請求項９によれば、抽出された図形の数が最小となる図形群を抽出することにより、抽出する図形が少ないので、露光データの作成数を減少できる等の特長を有する。
【００５８】
請求項１０によれば、図形群を複数の領域に分割し、分割された複数の領域からそれぞれ図形を抽出することにより、図形群を抽出可能な図形を抽出できる等の特長を有する。
【００５９】
請求項１１によれば、図形群のうち図形を含む部分に領域を設定し、図形を抽出することにより、不要な部分をデータにすることがないので、効率よく露光データを作成できる等の特長を有する。
【００６０】
請求項１２によれば、既に抽出された図形と同じ図形を抽出することにより不要なデータを作成する必要がなく、効率よく露光データを作成できる等の特長を有する。請求項１３によれば、所望の条件に応じた図形を抽出できる等の特長を有する。
【００６１】
請求項１４によれば、複数の図形抽出方法から所定の図形抽出方法を選択して、図形の抽出を行うことにより、抽出された図形群に対して最適な図形抽出を行える等の特長を有する。
【００６２】
請求項１５によれば、露光時のレイヤに対して最適な図形抽出を行える等の特長を有する。
【００６３】
請求項１６によれば、図形群の形状に応じて図形抽出方法を選択することにより、抽出された図形群に対して最適な図形抽出を行える等の特長を有する。
【００６４】
請求項１７によれば、図形群中の図形の配置に応じて図形抽出方法を選択することにより、図形が存在しない無駄な部分を抽出することがなく、抽出図形数を減少できる等の特長を有する。
【００６５】
請求項１８によれば、図形の密集度に応じて図形抽出方法を選択することにより、有効に図形を抽出できる等の特長を有する。
【００６６】
請求項１９によれば、図形の占有率が所定の値となるように図形を抽出することにより、バラツキなく図形を抽出できる等の特長を有する。
【００６７】
請求項２０によれば、図形群中に設定される領域の数に応じて図形を抽出することにより、抽出される図形を含む領域を所定のサイズ、数とすることができる等の特長を有する。
【００６８】
請求項２１によれば、図形の種類に応じて図形を抽出することにより、図形を重複することがなく抽出できる等の特長を有する。
【００６９】
請求項２２によれば、ビームの照射面積に応じて図形を抽出することにより、ビームの照射面積が最適になるように図形を抽出できる等の特長を有する。
【００７０】
請求項２３によれば、図形群毎に並列に処理を行うことにより高速に処理を行える等の特長を有する。
【００７１】
請求項２４によれば、ビームの透過パターンを微小パターンの集合で構成することにより、ビームの非透過パターンが透過パターンに囲まれている場合でも、非透過パターンが露光パターンを作成したときに、非透過パターンが欠落することがない等の特長を有する。
【００７２】
請求項２５によれば、互いに近接するパターンで透過するビームの影響が補正されるので、ビーム散乱による影響を防止できる等の特長を有する。
【００７３】
請求項２６、３４によれば、露光マスクの周囲でビームをずらして再照射することにより、露光マスクの周囲でのビーム強度の低下を補償して、全体で均一にビームを照射することができる等の特長を有する。
【００７４】
請求項２７によれば、露光パターンを露光方法に応じて異なる表示とすることにより、位置に応じて露光方式を認識できる等の特長を有する。
【００７５】
請求項２８によれば、露光パターンを露光単位毎に異なる表示を行うことにより、露光パターン上の各露光単位の配置を直観的に認識できる等の特長を有する。
【００７６】
請求項２９によれば、露光データからスループットを算出して、表示できるので、作成した露光データのスループットを即座に認識でき、必要に応じて訂正できる等の特長を有する。
【００７７】
請求項３０によれば、露光データを所定の露光条件でシミュレートした結果の露光パターンを表示することにより、作成した露光データに応じて作成されるであろう露光パターンを直感的に認識できる等の特長を有する。
【００７８】
請求項３１によれば、露光設定表示に所望の露光条件を設定することにより、再シミュレーションが実行され、そのシミュレート結果が表示されるので、露光条件に応じたシミュレーション結果を容易に得ることができ、所望の露光結果を容易に認識できる等の特長を有する。
【００７９】
請求項３２によれば、露光データを所定の露光条件でシミュレートした結果の露光パターンに露光データに応じた露光パターンを重ねて表示することにより、作成した露光データに応じて作成されるであろう露光パターンと露光データに応じた露光パターンとの差異を直感的に認識できる等の特長を有する。
【００８０】
請求項３３によれば、シミュレーションした結果の露光パターンと露光データに応じた露光パターンとの差異が所定の許容範囲以上の部分と所定の許容範囲内の部分とで異なる表示とすることにより、エラーが発生する部分を容易に認識できる等の特長を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００８１】
図１に本発明の一実施例のブロック構成図を示す。
【００８２】
本実施例の露光データ作成装置１は、処理の指示やデータの設定を行うためのキーボード２、処理データの表示を行うディスプレイ３、データ処理を行うＣＰＵ４、設計データをファイルする設計データファイル５、最適化データをファイルする最適化データファイル６、露光データをファイルする露光データファイル７、設計データファイル５に格納された設計データからパターンに応じて最適化した設計データを編集する編集処理を行う設計データ最適化エディタ８、設計データ最適化エディタ８で最適化され、最適化データファイル６に格納された最適化データから露光データを作成する処理を行う露光データ作成エディタ９、露光データ作成エディタ９で作成され、露光データファイル７に格納された露光データを解析する処理を行う露光データ解析エディタ１０から構成される。
【００８３】
図２に本発明の一実施例の機能ブロック図を示す。露光データ作成装置１の処理機能としては、主に、露光データ作成機能１１、及び、露光データ検証機能１２がある。露光データ作成機能１１は、評価用露光データを作成するとともに、設計データファイル５に予めファイルされた設計データから設計データに応じた露光データを作成する。露光データ検証機能１２は、露光データ作成機能１１で作成された露光データをシミュレーションして、露光データの解析を行う。このとき、露光データ作成機能１１と露光データ検証機能１２とは並列・分散処理手段１３により並列的に処理が実行される。
【００８４】
露光データ作成機能１１は、評価用露光データを作成する評価用露光データ作成手段１４、設計データファイル５に格納された設計データを解析する設計データ解析手段１５、設計データ解析手段１５での解析結果に応じて設計データを露光データ作成に最適な状態に最適化する設計データ最適化手段１６、設計データを分割するブロックを抽出するブロック抽出手段１７、ブロック抽出手段１７の抽出モードを切り替えるブロック抽出モード自動切替手段１８、ブロック抽出手段１７で抽出されたブロックを露光データ作成に最適な状態に最適化するブロック最適化手段１９を有する。
【００８５】
また、露光データ検証機能１２は、パターンデータを表示するためのパターンデータ表示手段２０、露光データ作成機能１１で作成された露光データの解析を行う露光データ解析手段２１、露光データ作成機能１１で作成された露光データにおけるスループットを算出する露光スループット算出手段２２、露光データ作成機能１１により作成された露光データに基づいて露光シミュレーションを行う露光シミュレーション手段２３を有する。
【００８６】
まず、請求項１の実施例に相当する評価用露光データ作成手段１４について説明する。図３に本発明の一実施例の評価用露光データ作成手段の処理フローチャート、図４に本発明の一実施例の評価用露光データ作成手段による評価用露光データ作成時のデータの流れを示す図を示す。
【００８７】
本実施例の評価用露光データ作成手段１４は、主に、ライブラリ作成工程Ｓ１−１、パターン作成作業工程Ｓ１−２、露光データ出力工程Ｓ１−３の３段階の処理を実行する。ライブラリ作成工程Ｓ１−１は、ビーム変更サイズ、露光スキャン順序、最大ビームサイズ、ブロック個数など露光データ作成に必要な条件を与えることにより、図４に示す、この後のパターン作成作業工程Ｓ１−２でパターン作成する下地となるライブラリ２４を作成する。作成されるライブラリのファイル構造は高圧縮な露光データを作成することが出来るように階層構造になっている。ライブラリ作成工程Ｓ１−１で作られるデータはパターンデータではなく、指定された条件による階層構造とそれぞれのサイズを表す枠のデータから構成される。
【００８８】
図４に本発明の一実施例の評価用露光データのライブラリ構造図、図５に本発明の一実施例の評価用露光データ作成における評価パターンデータの構成図を示す。ライブラリデータベースのファイル構成は、図４に示すように、トップ階層Ｔ下にウェハ露光データ階層Ｗとブロックマスク作成用階層Ｍがある。また、ウェハ露光階層Ｗの下の階層には、露光装置が備える偏向機構数分、例えば、２つの偏向機構を有する露光装置であれば、第１、第２偏向階層Ｆ、Ｓがある。第１偏向階層Ｆ、及び、第２偏向階層Ｓには、各偏向階層Ｆ、Ｓでの偏向状態を指示する偏向データｆ１〜ｆｎ、ｓ１〜ｓｍが配置される。偏向データｆ１〜ｆｎ、ｓ１〜ｓｍの下に各偏向状態で露光されるパターンのデータが格納される階層Ｐが配置される。パターン階層Ｐには、ショットの形状サイズを指定するショット形状データｐや、ブロックパターンデータｂが配置される。
【００８９】
ショット形状データｐにより矩形や三角形等の図形データを配置させることにより、可変矩形露光によって露光されるパターンを定義することが出来る。また、ブロックパターンデータｂによりブロック露光により露光されるパターンを定義することが出来る。
【００９０】
パターン作成作業工程Ｓ１−２は、図４に示すようにコンピュータのグラフィック画面からの図形作成手段２５によりライブラリ作成工程Ｓ１−１で得られたライブラリファイル２４を読み込ませ、そこに追加していくように評価用データを作成していく。図形作成手段２５としては、例えば、ＣＡＤ、すなわち、コンピュータ援用製図システムを用いることができる。
【００９１】
露光データ出力工程Ｓ１−３は、パターン作成作業工程Ｓ１−２で作成された評価パターンデータＤ１を露光スキャン順序にソートするなど露光データの書式に変換し、露光データＤ２を作成する。この際、露光データの規則として違反があるかのチェックを行ない違反がある場合は違反箇所をグラフィック画面で表示する。ここで得られた評価用露光データはブロック露光用検証処理、解析処理に入カ可能となる。
【００９２】
以上のように、本実施例の評価用露光データ作成手段１４では、ビーム変更サイズ、露光スキャン順序、最大ビームサイズ、ブロック個数など露光データ作成に必要な条件を与えることにより、容易に評価用露光パターン作成に必要なライブラリ２４を作成することができる。また、作成されたライブラリ２４を用いてＣＡＤ等により評価用パターンを作成することができるので、評価用パターンの作成を容易に行える。
【００９３】
さらに、作成された評価用パターンデータＤ１を露光スキャン順序にソートするなどの変換処理を行って露光データＤ２とすることにより、自動的に露光データＤ２を得ることができる。次に、設計データから露光データを作成するときの露光データ作成機能１１の動作について説明する。露光データ作成機能１１では、ブロック露光用データを作成し、ショット数が少なくするとともに、露光データサイズを小さくすることにより、露光時間が少なくなるように露光データの作成を行う。このとき、露光データ作成機能１１では、露光データ作成時間を最小にするにはどの図形群をブロック露光の対象に、露光圧縮単位に、作成処理単位にするべきか、ＬＳＩレイアウトデータ、すなわち、設計データの構成を解析し、またはその解析結果から露光データ作成に最適になるようにデータの変更を行なう。
【００９４】
例えば、一つの図形群が露光データ作成をする際に、処理マシンの記憶容量では不足するほどに膨大な量の場合は、その図形群をパターン存在範囲の領域で分割し、１図形群の量を処理できる程度の大きさに組み直す。その結果から露光データ作成を行なう際のブロック露光用データ群、繰り返し出翼図形群、分割処理可能図形群の情報を出力する。露光データ作成処理ではこの最適化後のデータから露光データ作成情報に従って、ブロックパターン抽出、露光データ圧縮処理、図形群単位処理、または分敵処理、並列処理を行ない露光データであるブロックマスク作成用データとウェハ露光用データを作成する。
【００９５】
次に、本実施例における露光データ作成機能１１の動作について詳細に説明する。
【００９６】
図７に本発明の一実施例の露光データ作成時の処理フローチャートを示す。
【００９７】
設計データから露光データを作成する場合の露光データ作成機能１１の処理は、主に、設計データ最適化処理Ｓ２−１、露光データ作成処理Ｓ２−２、露光データ解析処理Ｓ２−３から構成される。
【００９８】
設計データ最適化処理Ｓ２−１では、設計データ最適化手段１６により設計データファイル５に格納された設計データの階層等を最適化する処理が行われる。
【００９９】
ここで、設計データ最適化処理Ｓ２−１について詳細に説明する。
【０１００】
図８に本発明の一実施例の設計データ最適化処理の処理フローチャートを示す。
【０１０１】
設計データ最適化処理Ｓ２−１では、まず、設計データファイル５から設計データを入力する（ステップＳ３−１）。次に、ステップＳ３−１で入力された設計データから所望のデータを抽出及びサイジングを行う（ステップＳ３−２）。次に、ステップＳ３−２でサイジングされたデータから階層構造を解析する（ステップＳ３−３）。
【０１０２】
ステップＳ３−３の解析構造解析結果に基づいて階層データを最適化する（ステップＳ３−４）。次に、ステップＳ３−４で最適化されたデータから階層処理用有効ストラクチャリストを作成し、出力する（ステップＳ３−５）。次に、ステップＳ３−４で、最適化されたデータを最適化処理済データとして最適化データファイル６に格納する（ステップＳ３−６）。
【０１０３】
ここで、ステップＳ３−３の階層構造解析及びステップＳ３−４の階層データ最適化処理について詳細に説明する。図９に本発明の一実施例の階層構造解析及び階層データ最適化処理の処理フローチャートを示す。
【０１０４】
ＬＳＩの設計データ、例えば、メモリ等においてはある単位毎あるいは回路部分毎に、また、その特性毎にデータを固まりとして設定してある。ステップＳ４−１〜Ｓ４−４では、設計データのフォーマットに記述されている構造を解析し、露光データ処理にとって不必要または不都合な図形群や図形群の構成をまとめたり、分割したり、図形群同士の重なり部分を除去するなどの修正を行ない、図形群を再構成する処理を行う。
【０１０５】
このため、まず、設計データファイル５から供給された設計データ中の図形群を探索する（ステップＳ４−１）。次に、ステップＳ４−１で探索された図形群を部分修正する（ステップＳ４−２）。次に、ステップＳ４−２で、部分修正された図形群間の重なり、接触を検出する（ステップＳ４−３）。
【０１０６】
ステップＳ４−３で、図形群間に重なりがある場合には重なりを除去する（ステップＳ４−４）。次に図形群のデータ量と装置のメモリ量とを比較する（ステップＳ４−５）。ステップＳ４−５での比較結果、図形群のデータ量が装置のメモリ量より大きければ図形群を分割し、並列・分散処理手段１３により並列処理で次の処理が行われ、図形群のデータ量が装置のメモリ量より小さければそのまま通常の処理状態で次の処理が行われる（ステップＳ４−６）。
【０１０７】
ステップＳ４−４で重なりが除去された図形群は、次に、各図形群の有効性を評価するための評価点を算出するための処理が行われる。まず、図形群の繰り返し数、パターン数を算出し、各図形群の情報を格納する図形群情報テーブルに設定する（ステップＳ４−７、Ｓ４−８）。また、各図形群のパターン形状を解析し、形状複雑度に応じたポイントを図形群情報テーブルに設定する（ステップＳ４−９）。例えば、図形群の形状が多角形図形、４５。角の斜辺を合む、４５°以外の斜辺を含む図形ほど、露光データを得る上で有効となるので、ポイントを高くする。
【０１０８】
さらに、各図形群のサイズを算出して、同様に図形群情報テーブルに設定する（ステップＳ４−１０）。上記ステップＳ４−７〜Ｓ４−１０が図形群のデータ量が装置のメモリ量より大きい場合には、並列・分散処理手段１３により並列・分散処理され、高速処理を可能としている。
【０１０９】
次にステップＳ４−７〜Ｓ４−１０で作成された図形群情報テーブルに設定された図形群を図形群情報テーブルに設定された各設定情報に応じて評価し、評価点を算出し、評価点順にソートする（ステップＳ４−１１）。なお、ステップＳ４−１０で求められたパターン存在範囲の大きさの情報は、露光偏向範囲の単位でデータの圧縮を行うために有効なので、評価点が大きくなり、特に、この大きさが露光時の偏向サイズの整数倍と同程度のものには更に大きなポイントを与える。さらに、ステップＳ４−７で算出された繰り返し数ａ、ステップＳ４−８で算出されたパターン数ｂの積（ａ×ｂ）が大きい図形群は出現頻度が多いため、全体のショット数を減少させるのに有効であるため、高い評価点となる。
【０１１０】
ステップＳ４−１１で図形群情報テーブルが評価点順にソートされると、次に評価点が高い順位に図形群に仮定的にブロックを抽出するブロック抽出仮定処理が実行され、結果が評価される（ステップＳ４−１２、Ｓ４−１３）。ステップＳ４−１２、Ｓ４−１３では、この数とポイントの大きい図形群の名前を表示し、これら評価結果の高い図形群の順に、ブロックパターン抽出の結果ショット数がどのくらい滅少するかシミュレーションを行ない、ブロック搭載個数内のブロック抽出を行なうのにはどの図形群が最も有効であるかを判断し、有効な図形群を選び出す。
【０１１１】
ステップＳ４−１３の評価結果により選び出された図形群名リストが図８のステップＳ３−５の出力結果となり、また、有効な図形群名リストが最適化処理済データとして最適化データファイル１６に格納される。以上により、設計データから抽出された最適化データを保持した最適化データファイル１６が作成される。
【０１１２】
露光データ作成処理Ｓ２−２は、最適化データファイル１６に保持された最適化データ１６により実施される。なお、図形群の分割が明確でない、すなわち、階層が明確でない場合には、全体を一つのデータとして、上記図形群、すなわち、ブロックの抽出処理を行えばよい。
【０１１３】
ここで、露光データ作成処理Ｓ２−２について説明する。
【０１１４】
図１０に本発明の一実施例の露光データ作成処理の処理フローチャートを示す。
【０１１５】
露光データ作成処理Ｓ１−２では、まず、図７の設計データ最適化処理Ｓ２−１で最適化された設計データの所望の階層を展開／マージする（ステップＳ５−１）。
【０１１６】
次に、各階層の最適化された設計データから後述するようにブロックを抽出する（ステップＳ５−２）。
【０１１７】
ステップＳ５−２でブロックが抽出されると、次に、抽出されたブロックが効率よく作成できるようにブロックの最適化が行われる（ステップＳ５−３）。
【０１１８】
ステップＳ５−３で、ブロックが最適化されると、次に、最適化された各ブロックを矩形分割する（ステップＳ５−４）。
【０１１９】
ステップＳ５−４で矩形分割されると、次に、ステップＳ５−４で分割された矩形を所望の偏向領域のデータとして設定する（ステップＳ５−５）。上記ステップＳ５−１〜Ｓ５−５は、処理するデータ量が多ければ、並列・分散処理される。ステップＳ５−５で、ブロック及び矩形が設定されると、設定されたブロック及び矩形に関するデータを露光データにフォーマッティングして、露光データファイル７に格納する（ステップＳ５−６）。
【０１２０】
以上の処理により露光データが作成される。
【０１２１】
ここで、図１０のステップＳ５−２のブロックパターン抽出処理について詳細に説明する。図１１に本発明の一実施例のブロックパターン抽出処理の処理フローチャートを示す。
【０１２２】
ステップＳ５−２のブロックパターン抽出処理では、パターンに適した条件でブロックパターンを抽出できるように指定された条件により抽出モードが切り替えられる。
【０１２３】
なお、抽出条件の指定がない場合でも既存のブロックパターンに対応するようにブロックパターンの抽出が可能である。
【０１２４】
このため、ブロックパターン抽出処理では、まず、条件抽出指定を行うか否かの判定が行われる（ステップＳ６−１、Ｓ６−２）。ステップＳ６−１でブロックパターン抽出の条件の指定がない場合には、抽出モードを認識する処理が実行される。抽出モード認識では、まず、抽出モードの指定があるか否かが判断される（ステップＳ６−３）。ステップＳ６−３で抽出モードの指定がある場合には、指定された抽出モードによりブロック抽出が行われる（ステップＳ６−４〜Ｓ６−６）。
【０１２５】
また、ステップＳ６−３で抽出モードが指定されていない場合には、次に、処理階層指定があるか否かが判断される（ステップＳ６−７）。ステップＳ６−７で、処理階層の指定がある場合には、指定された処理階層に対してブロック抽出が行われる（ステップ６−４〜Ｓ６−６）。なお、ステップＳ６−７で、処理階層の指定もない場合には、次に、パターンの形状、配置、密集度を判定して（ステップＳ６−８）、自動的に最適化抽出方法が判定され抽出が行われる（ステップＳ６−４〜Ｓ６−６）。
【０１２６】
また、ステップＳ６−１で、条件抽出を行う場合には、抽出条件が既存ブロックからの抽出指示があるか、否かを判定する（ステップＳ６−９）。ステップＳ６−９で、抽出条件として既存ブロックからの抽出が指示されている場合には、次に、既存ブロックパターンデータを条件テーブルに格納する（ステップＳ６−１０）。 また、既存ブロックパターンを新た登録するブロックパターンの形状、線幅等のブロックパターンの条件を条件テーブルに新たに登録する（ステップＳ６−１１、Ｓ６−１２）。
【０１２７】
ステップＳ６−１０、Ｓ６−１２で条件テーブルが設定されると、次に、条件テーブルに設定されたブロックパターンに対応してブロック抽出が行われる（ステップＳ６−１３）。次に、ステップＳ６−１３でブロックの抽出が行われた結果、抽出ブロック数と搭載ブロック数とが比較される（ステップＳ６−１４）。ステップＳ６−１４で、抽出ブロック数が搭載ブロック数より小さければ、既存ブロックにより効率よくブロック抽出が行われたと判断できるので、ブロック抽出を終了する。
【０１２８】
また、ステップＳ６−１４で、抽出ブロック数が搭載ブロック数より大きければ、効率が低いと判断できるので、条件テーブルをクリアする（ステップＳ６−１５）。ステップＳ６−１５で条件テーブルをクリアすると、次に、ステップＳ６−２に戻って、抽出条件を指定して、手動で条件テーブルを設定して、ブロック抽出を行うか（ステップＳ６−１６）、又は、ステップＳ６−８により自動的に抽出条件を設定して、ブロックパターンの抽出を行う（ステップＳ６−４〜Ｓ６−６）。
【０１２９】
次に、ブロックパターン抽出処理のステップＳ６−６の領域抽出処理動作について説明する。図１２〜図１７に本発明の一実施例の領域抽出処理の動作説明図を示す。ステップＳ６−６の領域抽出処理動作では、例えば、ブロックパターンを抽出しようとするブロックが図１２に示すようなパターンであるとすると、図１２に示すようなブロックは、例えば、図１３に示すように所定のブロックサイズ（Ｘ１×Ｙ１）及び（Ｘ１×Ｙ２）からなる１６個のブロックのブロックＢ１〜Ｂ１６に分割される。
【０１３０】
その領域上を通過するパターンはその矩形枠上で切断し、矩形領域上に存在するパターン群をブロックパターンとして抽出することにより、図１４に示すような分割結果が得られる。図１４に示すようなブロック抽出によれば、ブロックＢ５〜Ｂ７、及び、ブロックＢ９〜Ｂ１１で同一のパターンを得ることができる。このため、抽出すべきブロック数は、１０ブロックで済む。
【０１３１】
このとき、単純にブロックサイズの枠を発生させると、例えば、図１５に示すように図形群のパターン存在範囲内にとびとびに同一のパターンが延在している場合、図１３に示すブロックと同様に単純にブロック枠を発生させてしまうと、図１６に示すようにパターン存在範囲内にブロック内のパターン数が少ない無駄なブロックＢ２、Ｂ３、ブロックＢ６、Ｂ７、ブロックＢ１０、Ｂ１１、ブロックＢ１４、Ｂ１５が発生してしまい、効率的なショットを行うことはできない。これを防止するために、図１７に示すようにブロックＢ１、Ｂ５、Ｂ９、Ｂ１３をパターン存在範囲内の端（例えば左下）から行ない、次のブロックＢ２'、Ｂ６'、Ｂ１０'、Ｂ１４'を、矩形領域内をパターンが通り過ぎず、かつ、出来るだけ多くのパターンが含まれる位置まで（例えば右方向や上方向に）ずらして、次の矩形領域を発生させていく。これをパターン存在範囲内で行い、パターン存在範囲内の全てのパターンを網羅するように矩形領域を発生させながら図１７に示すようなブロックパターン抽出を行なう。
【０１３２】
図１７に示すようなブロック抽出方法によれば、パターンが存在しない部分にはショットが行われないので、ショット数を低減できる。
【０１３３】
また、図１７に示されるようにパターンが周期的に現れるようなパターンでは、ブロックＢ１、Ｂ２'、Ｂ４のパターン対応するブロックパターンＰ１、ブロックＢ５、Ｂ６'、Ｂ８、Ｂ９、Ｂ１０'、Ｂ１２のパターンに対応するブロックパターンＰ２、ブロックＢ１３、Ｂ１４'、Ｂ１６のパターン対応するブロックパターンＰ３の３種類のブロックパターンで構成できる。
【０１３４】
次に、ステップＳ６−１３の条件抽出処理の処理動作について説明する。条件抽出処理では、ブロックマスク作成用露光データを入力、また、ユーザが線幅、角度、形状、パターン群を指定することにより、これらの条件のパターンを入カデータの中から見つけ出し 既存のブロックマスクで引用できるようなブロックパターンを抽出する。
【０１３５】
図１８に本発明の一実施例の条件抽出処理の処理フローチャートを示す。ステップＳ６−１３の条件抽出処理では、最適化データファイル６から供給された最適化データを小領域に分割する（ステップＳ７−１、Ｓ７−２）。次にステップＳ７−２で、分割された小領域の図形に対応した図形を条件テーブルに設定された既存のブロックパターンデータからサーチし、抽出する（ステップＳ７−３）。対応する図形の抽出が終了すると（ステップＳ７−４）、露光データとして出力する（ステップＳ７−５）。
【０１３６】
本実施例によれば、既存のブロックパターンデータを用いることにより、既に対応するブロックパターンマスクが作成されていれば、新規にブロックパターンマスクを作成する必要がないので、余分な作業を短縮できる。なお、抽出方法を選択する条件として、露光時のレイヤに応じて選択することにより、露光時のレイヤに対して最適な図形抽出を行える。
【０１３７】
また、ブロック抽出方法をブロックの形状に応じて選択することにより、ブロック形状に対応した最適な図形抽出を行える。さらに、パターンの密集度に応じて選択することにより、有効にパターンを抽出できる。また、パターンの占有率が所定の値となるようにパターンを抽出することにより、ブロックで平均してパターンを抽出できる。
【０１３８】
また、設定されるブロック領域の数により抽出パターンを制御することにより、ブロック内での各パターンのサイズ、数を所定のサイズ、数にすることができる。パターンの種類に応じてパターンを抽出することにより、パターンを重複することがなく抽出できる。また、露光時のビームの照射面積に応じて領域を設定することにより、ビームの照射面積が最適になるようにパターンを抽出できる。
【０１３９】
なお、ステップＳ７−３、Ｓ７−４の図形のサーチはブロック数が多い場合には、後述するような構成の並列・分散処理手段１３により並列・分散処理を行えば、処理時間を短縮できる。また、ブロックパターンマスクを新規に作成する時には、ブロック欠落防止処理、近接効果補正等の処理が実施される。
【０１４０】
まず、ブロック欠落防止処理について説明する。
【０１４１】
図１９に本発明の一実施例のブロック欠落防止処理の処理フローチャート、図２０〜図２２に本発明の一実施例のブロック欠落防止処理の動作説明図を示す。
【０１４２】
ブロック欠落防止処理は、ブロックの欠落が認識されると実施され、梁入れ又は微小パターン分割により対処する。例えば、図２０（Ａ）に示すようなブロックパターンでは、ビームを遮断すべきパターンの端部がブロック枠に接触しているので、パターンをマスクにしたときでもパターンが切断されることがない。
【０１４３】
しかし、図２０（Ｂ）に示すようなパターンでは、ビームを遮断すべきパターンがブロック枠の中央部分に位置するときには、そのままパターン通りマスクを形成すると、ビームを遮断すべきパターンが欠落してしまう。よって、ブロック枠中央のビームを遮断すべきパターンが欠落しないように例えば、図２０（Ｃ）に示すようにビームを遮断すべきパターンからブロック枠に梁を形成したり、ビームを通過させるパターン部分に微小な格子状のパターンを形成し、ビームを遮断すべき部分をブロック枠に保持できるようにする。なお、このとき、梁や微小格子をビームの波長に比べて十分に小さく形成することにより、ビームは梁や微小格子部分を回折してウェハに到達し、ビームが梁や微小格子部分の影響を受けることはない。
【０１４４】
欠落ブロック防止処理では、まず、マスクの材料や露光装置のビームの波長などの条件に基づいて梁幅の最小値Ｗmin 及び最大値Ｗmax を求めるとともに、ブロック内の照射面積から予め設定された規定値を減算した値αを求める（ステップＳ８−１）。次に、梁入れによる欠落ブロック防止処理を実施するか、微小図形構成による欠落ブロック防止処理を実施するかを判定するために、ステップＳ８−１で求められたαが０以上か否かを判定する（ステップＳ８−２）。
【０１４５】
ステップＳ８−３で、αが０より小さければ、すなわち、ブロック内の照射面積が規定値より小さければ、まず、ブロックパターンで、ビーム透過パターンを「１」、ビーム遮断パターンを「０」とし、ＯＲ処理を実施する（ステップＳ８−３）例えば、図２１（Ａ）に斜線で示すようなビーム透過パターンのブロックの場合、斜線部分と無地の部分とでＯＲ処理を実施することにより、図２１（Ｂ）に示すように斜線部分と無地の部分との境界線が得られる。
【０１４６】
次に境界線部分の線分化を行う（ステップＳ８−４）。図２１（Ｂ）に示すような境界線が得られた場合、線分化を実施する（ステップＳ８−４）。ステップＳ８−４の線分化処理では、まず、図２１（Ｂ）の境界線から図２１（Ｃ）に示すようなベクトルからなる線分のデータを得る。次に線分化されたベクトルの方向をパターン部分の周囲の線分の始点と終点とが連続するように反転させる（ステップＳ８−５）。図２１（Ｃ）に示すようなベクトル線分は、図２１（Ｄ）に示すようなベクトル線分に変換される。
【０１４７】
次に、線分化されたベクトルパターンをパターン化する（ステップＳ８−６）。図２１（Ｄ）に示すようなパターンは図２１（Ｅ）に示すようなパターンとされる。次にパターン化されたパターンのうちブロック枠に接触するパターンを削除し、ブロック枠に接触しないパターンを検出する（ステップＳ８−７）。
【０１４８】
図２１（Ｅ）に示すようなパターンからは、図２１（Ｆ）に示すようなパターンが検出され、欠落パターンがあることが認識される。
【０１４９】
ステップＳ８−７で、ブロック枠からの離間パターンが存在する場合には（ステップＳ８−８）、次に、図２２（Ａ）に示すように欠落パターンを元のブロックパターンに重ねる（ステップＳ８−９）。
【０１５０】
ステップＳ８−９で欠落パターンに重なる辺を持つパターンのうち面積の最小のパターンを除き、それ以外のパターンを面積が大きいパターン順にソートする（ステップＳ８−１０）。ソートされたパターンの欠落パターンに重なる辺を各パターンの内側に梁幅分シフトする（ステップＳ８−１１）。ステップＳ８−１１の処理を、欠落パターンｐ０を保持するのに充分となるように行う（ステップＳ８−１２）。
【０１５１】
例えば、図２２（Ａ）に示すようなパターンの場合、欠落パターンｐ０に重なる辺を持つパターンとしてパターンｐ１〜ｐ４が検出される。次に、図２２（Ｂ）に示すように、パターンｐ１〜ｐ４のうち、最小面積のパターンｐ１を除く、パターンｐ２〜ｐ４の欠落パターンｐ０に接触する辺を面積の大きい順に梁幅分だけ細らせる。以上により図２２（Ｃ）に示すように欠落パターンｐ０が梁ａ１〜ａ４により周囲のビーム遮断パターンに接続される。よって、欠落パターンｐ０はブロック枠に保持され、ブロックマスクを作成した場合でも欠落することはない。
【０１５２】
また、ステップＳ８−２で、αが０以上、すなわち、ブロック内照射面積が規定値以上の場合には、微小図形構成により欠落ブロックが防止される。ステップＳ８−２でαが０以上の場合、まず、図２２（Ｄ）に示すようにビーム透過パターンｐ１〜ｐ６を検出し、各パターンｐ１〜ｐ６の幅をｘ、高さをｙに設定する（ステップＳ８−１３）。
【０１５３】
次に、ステップＳ８−１３で設定されたｘ、ｙの公約数ｃの大きい順にパターンｐ１〜ｐ６をソートする（ステップＳ８−１４）。このとき、公約数ｃは、図２２（Ｆ）に示すように各パターンｐ１〜ｐ６に等しいサイズの正方形を敷き詰めて構成したときの正方形の一辺に相当する。次に、公約数ｃの２乗であるｓ、すなわち、パターンｐ１〜ｐ４を構成できる正方形の面積を求め、α、公約数ｃ、及び、面積ｓから梁の幅２ｔを求める（ステップＳ８−１５）。梁の幅２ｔは、２ｔ＝２×｛ｃ−√（ｓ×（１−α））｝
で求められる。このとき、ｔは、図２２（Ｇ）に示すように１つの正方形での梁の幅となり、隣接する正方形の梁の幅と合わせて、所定の強度、及び、ビームの透過が可能な幅、すなわち、Ｗmin ≦２ｔ≦Ｗmax が得られる。
【０１５４】
ステップＳ８−１５で求められた梁の幅２ｔから開口パターンの辺の長さ（ｃ−２ｔ）を求める（ステップＳ８−１７）。上記ステップＳ８−１３〜Ｓ８−１７をパターン毎に実行し、開口パターンの辺の長さを求める。各パターンｐ１〜ｐ６にステップＳ８−１７で求めた辺の長さ（ｃ−２ｔ）の正方形の開口を図２２（Ｈ）に斜線で示すように形成する。全体としては、図２２（Ｉ）に示すようなブロックパターンとなる。
【０１５５】
以上により、図２２（Ｉ）に示すように微小な梁により欠落パターンｐ０がブロック枠に保持できる。開口を微小な正方形とすることによりビームの透過強度を安定化できるとともに、電子散乱を平均化できる。上記ステップＳ８−１〜Ｓ８−１７の処理によりブロックパターンマスクを形成したときでも、欠落パターンが発生することがない。
【０１５６】
また、ブロックパターンマスク作成時にはブロックパターン欠落だけでなく、近接効果についても考慮する必要がある。
【０１５７】
次に、ブロックパターンマスクを形成する際の近接効果補正処理について説明する。
【０１５８】
図２３に本発明の一実施例の近接効果補正処理の処理フローチャート、図２４〜図３０に本発明の一実施例の近接効果補正処理の動作説明図を示す。近接効果補正処理は、主に、ブロックパターン補正処理Ｓ９−１、ブロック配置周辺解析処理Ｓ９−２、部分ブロック作成処理Ｓ９−３から構成される。ブロックパターン補正処理Ｓ９−１では、まず、ブロックデータを入力し（ステップＳ９−４）、図２４（Ａ）に示すように入力されたブロックデータにおける散乱飛程サイズよるブロックＢ０の面積密度平均Ａを求める（ステップＳ４−５）。このとき、ビームの後方散乱飛程によりブロックＢ０が受ける面積密度平均値Ａは、露光装置のビームの波長などの条件、図２４（Ｂ）に示すようにブロックＢ０の周囲に配置されるブロックＢ１〜Ｂ８でのビーム照射量などにより算出される。
【０１５９】
次に、ステップＳ９−５で求めたビームの後方散乱飛程サイズの面積密度平均Ａに応じてパターン内補正又はパターン間補正を行う（ステップＳ９−６）。例えば、図２５（Ａ）に示すようなパターンがあったとすると、パターンｐ１とパターンｐ２〜ｐ５とは近接しており、散乱飛程によりパターンｐ１とパターンｐ２〜ｐ５との間隙が消滅するおそれがある。このため、図２５（Ｂ）に示すようにパターンｐ２〜ｐ５のブロック内側の辺をパターンの内側、すなわち、矢印方向に移動させ、図２５（Ｃ）に示すようにパターンｐ１とパターンｐ２〜ｐ５との間隙を補正する、いわゆる、パターン内補正を行うか、または、図２５（Ｄ）に示すように、パターンｐ１のパターンｐ２〜ｐ５に対向する部分を細らせ、図２５（Ｅ）に示すようにパターンｐ１とパターンｐ２〜ｐ５との間隙を補正する、いわゆる、パターン間補正を行う。
【０１６０】
次に、ブロック配置周囲解析処理Ｓ９−２が実行される。ブロック配置周囲解析処理では、まず、露光データから照射量差許容値を読み出し、Ｂに設定する（ステップＳ９−８）。次に、ブロックＢ０及びブロックＢ０の周囲の領域のＢ１〜Ｂ８のパターン照射量を算出する（ステップＳ９−９）。ステップＳ９−９で算出されたブロックＢ０〜Ｂ８のパターン照射量に後方散乱の影響を加えて、各ブロックＢ０〜Ｂ８のパターン照射量を算出する（ステップＳ９−１０）。
【０１６１】
ステップＳ９−１０で求められた後方散乱の影響が加わったパターン照射量からブロックショット照射量Ｄｂを算出する（ステップＳ９−１１）。ステップＳ９−１１で算出されたブロックショット照射量Ｄｂを補正する補正ポイント値ｐを求める（ステップＳ９−１２）。補正ポイント値ｐは、図２５（Ｃ）に示すような補正ポイントテーブルから求められる。ブロックショット照射量Ｄｂが（−Ｂ／２）<（Ｄｂ−２Ｂ）≦（Ｂ／２）
を満たすとき、補正ポイントｐは−２ポイントとし、ブロックショット照射量Ｄｂが（−Ｂ／２）<（Ｄｂ−１Ｂ）≦（Ｂ／２）
を満たすとき、補正ポイントｐは−１ポイントとし、ブロックショット照射量Ｄｂが（−Ｂ／２）<（Ｄｂ）≦（Ｂ／２）
を満たすとき、補正ポイントｐは０ポイントとする。すなわち、ブロックショット照射量Ｄｂが（−Ｂ／２）<（Ｄｂ＋ｐＢ）≦（Ｂ／２）
を満たすとき、補正ポイントをｐポイントする。
【０１６２】
以上のようにして、各ブロックに補正ポイントｐをセットすることにより、ブロック配置周囲解析処理が終了する。次に、ステップＳ９−３の部分ブロック作成処理について説明する。ステップＳ９−３の部分ブロック作成処理では、まず、ブロックＢ０〜Ｂ８のうち補正ポイントｐがマイナスとなるブロックに注目して、部分ブロックの作成を行う。
【０１６３】
例えば、図２６（Ａ）に示すようなパターンがあったとすると、図２６（Ｂ）に示すようなパターンＰを繰り返すことにより図２６（Ｃ）に示すように図２６（Ａ）に示すパターンを形成できる。このとき、図２７（Ａ）に示すように中心部分の領域Ａとその周囲の領域Ｂ〜Ｉでは後方散乱の影響が異なる。この後方散乱の影響は、ステップＳ９−２で、求めた補正ポイントによって認識できる。
【０１６４】
例えば、図２７（Ａ）に示す領域Ａでは、図２７（Ｂ）に×で示すように周囲からの後方散乱の影響が均等となる。また、図２７（Ａ）に示す領域Ｂでは、図２７（Ｂ）に上方向の矢印で示すように上部からの後方散乱の影響が低くなる。図２７（Ａ）に示す領域Ｃでは、図２７（Ｂ）に下方向の矢印で示すように上部からの後方散乱の影響が低くなる。
【０１６５】
図２７（Ａ）に示す領域Ｄでは、図２７（Ｂ）に左方向の矢印で示すように左方向からの後方散乱の影響が低くなる。図２７（Ａ）に示す領域Ｅでは、図２７（Ｂ）に右方向の矢印で示すように右方向からの後方散乱の影響が低くなる。図２７（Ａ）に示す領域Ｆでは、図２７（Ｂ）に左上方の矢印で示すように左上方からの後方散乱の影響が低くなる。図２７（Ａ）に示す領域Ｇでは、図２７（Ｂ）に右上方の矢印で示すように右上方からの後方散乱の影響が低くなる。さらに、図２７（Ａ）に示す領域Ｈでは、図２７（Ｂ）に右下方の矢印で示すように右下方からの後方散乱の影響が低くなる。図２７（Ａ）に示す領域Ｉでは、図２７（Ｂ）に左下方の矢印で示すように左下方からの後方散乱の影響が低くなる。
【０１６６】
このように、パターン周辺では、後方散乱の影響が低くなり、中心部に比べて、露光の程度が低下することになる。均一な露光を実現するため、周辺部分をべつパターンとしたり、パターン周辺部を２度打ちする方法がある。例えば、図２６（Ａ）に示すようなパターンでは、図２８に示すように外周部分のビームを矢印Ｘ１、Ｘ２、Ｙ１、Ｙ２方向にわずかにずらせて２度打ちすることにより、パターン周辺部での露光の程度の低下を防止できる。
【０１６７】
パターンは通常のショットのときには、図２９（Ａ）に示すようにビームＢＭは、第１マスクＭ１から平行に第２マスクＭ２に供給され、第２マスクＭ２のパターン全体に照射され、第２マスクのパターン全てウェハ上に照射する。一方、ビームＢＭをずらせて照射するには、図２９（Ｂ）に示すようにビームＢＭを第２マスクＭ２の一部にだけ照射させる。ブロック周辺部で図２８に示すようなショットを実現するには、図２９（Ｃ）に示すようにビームＢＭを第２マスクＭ２に対して矢印Ｘ１、Ｘ２、Ｙ１、Ｙ２方向にずらして２度打ちればよい。
【０１６８】
なお、上記のような近接効果補正は、例えば、図３０（Ａ）に示すようにブロック周辺部でパターンが細線化する場合に有効となる。
【０１６９】
すなわち、図３０（Ａ）に示すようにブロック周辺部で細線化すると、細線が確実に得られなくなる。
【０１７０】
しかしながら、図３０（Ｂ）に示すように周囲でビームＢＭを第２マスクＭ２から矢印Ｘ１、Ｘ２、Ｙ１、Ｙ２方向にずらせて、２度打ちすることにより周囲の細線を確実に露光できる。
【０１７１】
以上のように、ビームをずらせて２度打ちすることにより、マスク数を増加させることなく、周辺部分での露光を確実に行えるようになる。次に、図７のステップＳ２−３の露光データ解析処理について詳細に説明する。図３１に本発明の一実施例の露光データ解析処理の処理フローチャートを示す。
【０１７２】
露光データ解析処理では、上記露光データ作成処理で作成され、露光データファイル６に格納された露光データを読み出して、シミュレーションや各種解析を行い、解析結果を認識し易いように表示する処理を行う。露光データ作成処理で作成され、露光データファイル７に格納された露光データ及びブロックデータを入力する（ステップＳ１０−１、Ｓ１０−２）。
【０１７３】
次に、ステップＳ１０−１で入力されたブロック露光データ数をカウントすることによりブロック露光データ数を算出し、解析結果格納テーブルに格納する（ステップＳ１０−３）。また、ステップＳ１０−１で入力されたブロック露光データ数、及び、ステップＳ１０−２で入力されたブロックデータ数から可変矩形露光パターン数を算出し、解析結果格納テーブルに格納する（ステップＳ１０−４）。
【０１７４】
次に、ブロック露光データの同一形状のパターンを１つのパターン数として形状別のパターン数を算出し、解析結果格納テーブルに格納する（ステップＳ１０−５）。次に、ステップＳ１０−２で入力されたブロックデータ数から総パターン数、総ショット数を算出し、解析結果格納テーブルに格納する（ステップＳ１０−６）。ステップＳ８−１で入力されたブロック露光データからブロックパターン数を算出し、解析結果格納テーブルに格納する（ステップＳ１０−７）。
【０１７５】
ステップＳ１０−２で入力されたブロックデータからブロックの形状別パターン数を算出し、解析結果格納テーブルに格納する（ステップＳ１０−８）。各形状別のショット数を算出する（ステップＳ１０−９）。次に、ブロック露光部分を可変矩形露光したときのパターン数及びショット数を算出する（ステップＳ１０−１０）。次に、ステップＳ１０−１で入力されたブロック露光データからブロック内面積密度を算出し、解析結果格納テーブルに格納する（ステップＳ１０−１１）。さらに、ショットのクロック値分布と回数を解析結果格納テーブルに格納する（ステップＳ１０−１２）。
【０１７６】
以上により露光データの解析が終了し、解析結果は全て解析結果格納テーブルに格納される。解析結果格納テーブルに格納された解析結果が表及びグラフにより表示される。解析結果の表示としては、例えば、ブロック内パターン情報、全体のショット数解析値、ブロック毎のショット数解析値、ショットクロックヒストグラム等がグラフ及び表により表示される（ステップＳ１０−１３〜Ｓ１０−１６）。
【０１７７】
図３２に本発明の一実施例のブロック内パターン情報の表示例を示す図を示す。図３２に示すようにブロック内パターン情報は、パターンタイプ、位置、サイズ、などの情報が各項目毎にグラフィカルに表示され、クロックコードなどの条件を変更可能な表示とされている。
【０１７８】
なお、図３２に示すように表示されたブロック内パターン情報が所望の結果にならなかった場合には、図３２で、クロックコード変更部分「Changed Clock Code」及びドーズ量変更部分「Changed Dose Value」に所望の数値を設定することにより、再びシミュレーション・各種解析が実行される。再シミュレーション・再解析後、再シミュレーション・再解析の結果が再び図３２に示すように表示される。以上のように図３２の表示例のクロックコード変更部分「Changed ClockCode」及びドーズ量変更部分「Changed Dose Value」の数値を変更することにより、所望の結果が得られる条件を求めることができる。このとき、図表により結果を認識でき、かつ、数値の設定が行えるので、露光条件の設定がように行える。
【０１７９】
図３３に本発明の一実施例の各ブロックパターンのパターン情報の表示例を示す図を示す。図３３に示すように各ブロックパターンのパターン情報は、各ブロック毎に用いられているブロック内パターンの割合がグラフにより表示されている。このため、各ブロックで使用されているパターンの割合を直感的に認識できる。
【０１８０】
図３４に本発明の一実施例のショット数解析結果の表示例を示す図を示す。
【０１８１】
図３４に示すようにショット数解析結果は、ショット数の総計及び使用パターン数等が表で表示されるとともに、全体における使用パターンの割合などがグラフで表示される。このため、ショットの状態を容易に認識できる。
【０１８２】
図３５に本発明の一実施例の各ブロック毎のショット数解析結果の表示例を示す図を示す。
【０１８３】
図３５に示すように各ブロック毎のショット数解析結果は、各ブロックに番号が付与され、番号により各ブロックの位置がグラフィカルに表示されるとともに、各番号毎のそのショット数がグラフにより表示される。このため、各ブロックの位置及びショット数を直観的に認識できる。
【０１８４】
図３６に本発明の一実施例のショットクロックヒストグラムの表示例を示す図を示す。
【０１８５】
図３６に示すようにショットクロックヒストグラムは、クロックコード毎にそのヒストグラムがグラフで表示される。なお、テーブルのボタンをクリックすることにより、表により表示することもできる。図３６に示すような表示方法によれば、ショットクロックヒストグラムを容易に認識可能となる。以上のように解析結果をグラフ又は表により表示することにより、露光状態を容易に認識できるようになる。
【０１８６】
なお、本実施例の露光データ作成装置１では、解析結果だけでなく、作成された露光データもグラフィカルに表示できる。また、解析結果を上記図３２〜図３６に示すように表示した後で、その結果に基づいてブロック数の変更など指示を行うことにより（ステップＳ１０−１７）。設定されたブロック数に応じてステップＳ１０−３〜Ｓ１０−１２で再計算が行われ（ステップＳ１０−１８）、その結果が図３２〜図３６と同様に表示され、直ぐに解析結果を得ることができる。
【０１８７】
また、スループットの算出の指示あると（ステップＳ１０−１９）、スループットを算出するために、まず、総ショット数、偏向回数、レジスト感度、１ショット時間、ジャンプ時間などに基づいて１チップ露光時間が算出される（ステップＳ１０−２０）。次に、チップ面積、ウェハサイズからウェハ上に搭載可能なチップ数を割り出し、１時間当たりのウェハ露光枚数、すなわち、スループットを算出する（ステップＳ１０−２１）。
【０１８８】
以上のようにスループット出力指示があると、ステップＳ１０−２０及びＳ１０−２１によりスループットが算出され、即座に出力される。なお、解析結果の表示は、終了指示があるまで行われる（ステップＳ１０−２２）。次に、露光データ表示処理について説明する。
【０１８９】
図３７に本発明の一実施例の露光データ表示処理の処理フローチャートを示す。
【０１９０】
露光データ表示処理は、露光データファイル７に格納されたブロック露光データに基づいて露光データをグラフィカルに表示する。まず、露光データファイル７からブロック露光データを入力し、ウェハ露光表示用データファイルに格納する（ステップＳ１１−１）。次にステップＳ１１−１で入力されたブロック露光データからブロックデータの種類を検出し、その数をＢＮとする（ステップＳ１１−２）。
【０１９１】
次に、ブロック表示用色又はトーンの設定を行う処理が行われる（ステップＳ１１−３）。ステップＳ１１−３の処理では、まず、ブロック個数に可変矩形露光用ブロック用に１を加算した色数を確保し、確保した色数をＣＮにセットする（ステップＳ１１−４）。ステップＳ１１−４で色数ＣＮが確保できたか否かを判定する（ステップＳ１１−５）。
【０１９２】
ステップＳ１１−５で色数ＣＮが確保できれば、色だけで、ブロックを識別することができるので、次に、ブロックパターンデータとブロック枠データをブロック毎にブロック表示テーブルBTABLEのデータ格納テーブルBTABLE(0,1-BN ) に格納し、色番号格納テーブルBTABLE(1,2-BN ) に色番号２〜ＣＮを格納し、さらに、トーン番号格納テーブルBTABLE(2,1-BN ) に所定のトーンを示すトーン番号「１」を格納する（ステップＳ１１−６）。
【０１９３】
ステップＳ１１−５で色数ＣＮが確保できなければ、色だけでは、ブロックを識別することができないので、次の色にトーン付けることによりブロックを識別できるように色及びトーンをブロック表示テーブルBTABLEにセットする処理を行う。まず、ブロックカウンタBCOUNT、トーンカウンタTCOUNTに１をセットし、色カウンタCCOUNTに２をセットする（ステップＳ１１−７）。
【０１９４】
次に、ブロック表示テーブルBTABLEのデータ格納テーブルBTABLE(0,BCOUNT )にブロック番号BCOUNTのブロックパターンデータとブロック枠データを格納し、色番号格納テーブルBTABLE(1,BCOUNT ) にブロック番号BCOUNTの対応した色番号CCOUNTを格納し、トーン番号格納テーブルBTABLE(2,BCOUNT ) にトーン番号「TCOUNT」を格納した後、ブロック番号BCOUT を「＋１」する（ステップＳ１１−８）。
【０１９５】
上記ステップＳ１１−８を色番号及びトーン番号を変化させながら、ブロック番号がＢＮとなるまで行う（ステップＳ１１−９〜Ｓ１１−１２）。以上の処理によりブロック表示テーブルBTABLEに各ブロックに色又はトーンの組み合わせが異なる表示色が設定される。露光パターンデータは、ブロック表示テーブルBTABLEに従って表示される（Ｓ１１−１３）。ステップＳ１１−１３の露光パターンデータ表示処理では、まず、パターン情報表示要求に従って、表示すべきパターンのパターン種及び配置情報、配置位置、サイズ情報、所属偏向位置番号、形状番号／ブロック番号、クロック値などの露光に必要な情報が読み込まれる（ステップＳ１１−１４〜Ｓ１１−１８）。
【０１９６】
次にステップＳ１１−１４〜Ｓ１１−１８で読み込まれた情報を表示するとともに、ブロック表示テーブルBTABLEに格納されたブロックパターンを設定された色及びトーンで表示する（ステップＳ１１−１９、Ｓ１１−２０）。図３８に本発明の一実施例のブロックパターン表示例を示す図を示す。図３８に示すようブロックパターンは、各ブロック毎に表示色及びトーンが相違するように表示される。よって、パターンに含まれるブロックを容易に認識できる。
【０１９７】
図３９〜図４２に本発明の一実施例の他のブロックパターン表示例を示す図を示す。また、本実施例ではブロック露光方法と可変矩形露光方法とで、色が異なるので、図３９〜図４１に示すようにパターン中のブロック露光方法部分と可変矩形露光方法部分との識別を容易に行える。また、ブロック毎に表示色が異なるため、図４２に示すように一 ブロックショット部分に一ブロックの枠を表示することにより、所望のブロックだけを容易に認識可能となる。また、複数のブロックを組み合わせて表示することもできる。
【０１９８】
また、本実施例の露光データ作成装置１では、露光データに基づいてシミュレーションを行うことができ、このとき、シミュレーションの結果をグラフィカルに表示できる。
【０１９９】
図４３に本発明の一実施例のシミュレーション処理の処理フローチャート、図４４に本発明の一実施例のシミュレーション処理による露光パターン表示例を示す図を示す。
【０２００】
本実施例のシミュレーション処理では、まず、露光データファイル７からブロック露光データを入力する（ステップＳ１２−１）。次に、シミュレーションの条件、すなわち、適応する露光装置の露光条件が入力され、シミュレーションテーブルに格納される（ステップＳ１２−２）。
【０２０１】
ステップＳ１２−２で露光条件が入力されると、ステップＳ１２−１で入力されたブロック露光データに対してステップＳ１２−２でシミュレーションテーブルに格納された露光条件にしたがって、シミュレーションが行われる。
【０２０２】
シミュレーションとして、各グリッド上の露光強度計算が行われる（ステップＳ１２−３）。
【０２０３】
ステップＳ１２−３での各グリッド上の露光強度計算の結果、図４４（Ａ）に示すようなグリッド毎の強度が数値で表示され、さらに、図４４（Ｂ）に示すように同一強度点は同一の色となるように強度毎に着色して表示される（ステップＳ１２−４）。
【０２０４】
さらに、図４４（Ｃ）に示すように露光データのパターンラインＬをステップＳ１２−４での露光強度の表示に重ねてライン表示する（ステップＳ１２−５）。次に、ステップＳ１２−５で表示された露光データのパターンラインＬとステップＳ１２−４で表示された強度分布のうちパターンラインＬに相当する所定の解像エッジとの寸法差を求める（ステップＳ１２−６）。
【０２０５】
ステップＳ１２−６で求められた露光データのパターンラインＬと強度分布のうちパターンラインＬに相当する所定の解像エッジとの寸法差とを比較し、寸法差が所定の許容範囲以上の部分のパターンラインＬ又は解像エッジをブリンク表示する（ステップＳ１２−７）。また、このとき、図３２に示すような表示も選択して表示でき、ステップＳ１２−７の表示結果に応じて露光条件等の変更があると、図３２に示す表示で、クロックコード「Change Clock Code 」、ドーズ量「Change Dose Value 」に所望の変更量を設定することにより、再シミュレーションが行われ、再び、ステップＳ１２−３〜Ｓ１２−７が実行され、変更された露光条件に応じた露光パターンが表示される。上記図４４に示すような露光パターン表示は終了指示があるまで、行われる（ステップＳ１２−９）。
【０２０６】
以上のように、露光パターン上にエラー部分がブリンク表示されるので、エラー部分を容易に認識できる。また、このとき、図３２に示すような図表による表示も可能であり、図３２に示す表示で、クロックコード「Change Clock Code 」、ドーズ量「Change Dose Value 」に所望の変更量を設定することにより容易に露光条件を変更できる。
【０２０７】
また、図４５、図４６に本発明の一実施例のシミュレーション処理による実際の露光パターンの表示例を示す図を示す。図４５に示すように、接続パターンｐ１と他の部分ｐ２との境界ｐ３で強度の変化するようすがグラフィック表示される。また、図４６に示すようにシミュレーション結果のパターンとブロックのラインＬとが重ねて表示され、シミュレーション結果と設定したブロックとの関係を認識できる。
【０２０８】
本実施例によれば、ブロック露光データ作成おいて、階層処理や並列処理、自動ブロック抽出により、高圧縮露光データを高速に作成することができ、また、複数のブロック抽出モードの組合せによりショット数が激減し、高露光スループット化に有効であり、さらに、各種補正機能により高精度な露光パターンの形成が可能、そして、既存のブロックマスクを共通に使用することも可能なため。コストと手番を短縮する効果があり、各種検証機能により作成された露光データ処理へのフィードバックを行なう機能があるので、より高品質、高信頼な露光データを作成出来るので、微細ＬＳＩ製品量産化の実用には極めて有効である。
【０２０９】
なお、図２の並列・分散処理手段１３を実現するには、並列処理マシン構成、及び、分散処理マシン構成が必要となる。図４７に本発明の一実施例の並列処理を実現するためのブロック構成図を示す。図４７に示すように並列処理を実現するためには、露光データ作成処理を統括するホストに複数のプロセッサを接続し、ホストが階層、処理単位毎に処理を複数のプロセッサに渡して、並列に処理を行わせる。
【０２１０】
また、図４８に本発明の一実施例の分散処理を実現するためのブロック構成図を示す。図４８に示すように分散処理を実現するためには、図４７に示すような構成の並列計算機や通常の連続計算機を複数台、ネットワークで接続し、階層、処理単位毎に複数の計算機で分散して処理を行わせる。
【０２１１】
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変形例が考えられることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【０２１２】
【図１】本発明の一実施例のブロック構成図である。
【図２】本発明の一実施例の機能ブロック図である。
【図３】本発明の一実施例の評価用露光データ作成手段の処理フローチャートである。
【図４】本発明の一実施例の評価用露光データ作成手段による評価用露光データ作成時のデータの流れを示す図である。
【図５】本発明の一実施例の評価用露光データのライブラリ構造図である。
【図６】本発明の一実施例の評価用露光データ作成における評価パターンデータの構成図である。
【図７】本発明の一実施例の露光データ作成時の処理フローチャートである。
【図８】本発明の一実施例の設計データ最適化処理の処理フローチャートである。
【図９】本発明の一実施例の階層構造解析及び階層データ最適化処理の処理フローチャートである。
【図１０】本発明の一実施例の露光データ作成処理の処理フローチャートである。
【図１１】本発明の一実施例のブロック抽出処理の処理フローチャートである。
【図１２】本発明の一実施例の領域抽出処理の動作説明図である。
【図１３】本発明の一実施例の領域抽出処理の動作説明図である。
【図１４】本発明の一実施例の領域抽出処理の動作説明図である。
【図１５】本発明の一実施例の領域抽出処理の動作説明図である。
【図１６】本発明の一実施例の領域抽出処理の動作説明図である。
【図１７】本発明の一実施例の領域抽出処理の動作説明図である。
【図１８】本発明の一実施例の条件抽出処理の処理フローチャートである。
【図１９】本発明の一実施例の欠落ブロック防止処理の処理フローチャートである。
【図２０】本発明の一実施例の欠落ブロック防止処理の動作説明図である。
【図２１】本発明の一実施例の欠落ブロック防止処理の動作説明図である。
【図２２】本発明の一実施例の欠落ブロック防止処理方法を説明するための図である。
【図２３】本発明の一実施例の近接効果補正処理の処理フローチャートである。
【図２４】本発明の一実施例の近接効果補正処理の動作説明図である。
【図２５】本発明の一実施例の近接効果補正処理の動作説明図である。
【図２６】本発明の一実施例の近接効果補正処理の動作説明図である。
【図２７】本発明の一実施例の近接効果補正処理の動作説明図である。
【図２８】本発明の一実施例の近接効果補正処理の動作説明図である。
【図２９】本発明の一実施例の近接効果補正処理の部分ブロック生成方法を説明するための図である。
【図３０】本発明の一実施例の近接効果補正処理の動作説明図である。
【図３１】本発明の一実施例の露光データ解析処理の処理フローチャートである。
【図３２】本発明の一実施例のブロック内パターン情報の表示例を示す図である。
【図３３】本発明の一実施例の各ブロックパターンのパターン情報の表示例を示す図である。
【図３４】本発明の一実施例のショット数解析結果の表示例を示す図である。
【図３５】本発明の一実施例の各ブロック毎のショット数解析結果の表示例を示す図である。
【図３６】本発明の一実施例のショットクロックヒストグラムの表示例を示す図である。
【図３７】本発明の一実施例のパターン表示処理の処理フローチャートである。
【図３８】本発明の一実施例のブロックパターン表示例を示す図である。
【図３９】本発明の一実施例の他のブロックパターン表示例を示す図である。
【図４０】本発明の一実施例の他のブロックパターン表示例を示す図である。
【図４１】本発明の一実施例の他のブロックパターン表示例を示す図である。
【図４２】本発明の一実施例の他のブロックパターン表示例を示す図である。
【図４３】本発明の一実施例のシミュレーション処理の処理フローチャートである。
【図４４】本発明の一実施例のシミュレーション処理による露光パターン表示例を示す図である。
【図４５】本発明の一実施例によるシミュレーション処理により得られる露光パターンの表示例を示す図である。
【図４６】本発明の一実施例によるシミュレーション処理により得られる露光パターンの表示例を示す図である。
【図４７】本発明の一実施例の並列処理を実現するためのブロック構成図である。
【図４８】本発明の一実施例の分散処理を実現するためのブロック構成図である。
【図４９】可変矩形ビーム露光方式を説明するための図である。
【図５０】部分一括露光方式を説明するための図である。
【図５１】一括露光方式の課題を説明するための図である。
【符号の説明】
【０２１３】
１ 露光データ作成装置
２ キーボード
３ ディスプレイ
４ ＣＰＵ
５ 設計データファイル
６ 最適化データファイル
７ 露光データファイル
８ 設計データ最適化エディタ
９ 露光データ作成エディタ
１０ 露光データ解析エディタ
１１ 露光データ作成機能
１２ 露光データ検証機能
１３ 並列・分散処理手段
１４ 評価用露光データ作成手段
１５ 設計データ解析手段
１６ 設計データ最適化手段
１７ ブロック抽出手段
１８ ブロック抽出モード自動切替手段
１９ ブロック最適化手段
２０ パターンデータ表示手段
２１ 露光データ解析手段
２２ 露光スループット算出手段
２３ 露光シミュレーション手段
【図１】
2006344993.tif 000003
【図２】
2006344993.tif 000004
【図３】
2006344993.tif 000005
【図４】
2006344993.tif 000006
【図５】
2006344993.tif 000007
【図６】
2006344993.tif 000008
【図７】
2006344993.tif 000009
【図８】
2006344993.tif 000010
【図９】
2006344993.tif 000011
【図１０】
2006344993.tif 000012
【図１１】
2006344993.tif 000013
【図１２】
2006344993.tif 000014
【図１３】
2006344993.tif 000015
【図１４】
2006344993.tif 000016
【図１５】
2006344993.tif 000017
【図１６】
2006344993.tif 000018
【図１７】
2006344993.tif 000019
【図１８】
2006344993.tif 000020
【図１９】
2006344993.tif 000021
【図２０】
2006344993.tif 000022
【図２１】
2006344993.tif 000023
【図２２】
2006344993.tif 000024
【図２３】
2006344993.tif 000025
【図２４】
2006344993.tif 000026
【図２５】
2006344993.tif 000027
【図２６】
2006344993.tif 000028
【図２７】
2006344993.tif 000029
【図２８】
2006344993.tif 000030
【図２９】
2006344993.tif 000031
【図３０】
2006344993.tif 000032
【図３１】
2006344993.tif 000033
【図３２】
2006344993.tif 000034
【図３３】
2006344993.tif 000035
【図３４】
2006344993.tif 000036
【図３５】
2006344993.tif 000037
【図３６】
2006344993.tif 000038
【図３７】
2006344993.tif 000039
【図３８】
2006344993.tif 000040
【図３９】
2006344993.tif 000041
【図４０】
2006344993.tif 000042
【図４１】
2006344993.tif 000043
【図４２】
2006344993.tif 000044
【図４３】
2006344993.tif 000045
【図４４】
2006344993.tif 000046
【図４５】
2006344993.tif 000047
【図４６】
2006344993.tif 000048
【図４７】
2006344993.tif 000049
【図４８】
2006344993.tif 000050
【図４９】
2006344993.tif 000051
【図５０】
2006344993.tif 000052
【図５１】
2006344993.tif 000053
【手続補正書】
【提出日】平成18年9月20日(2006.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の製造方法において、
設計データから露光データを作成する露光データ作成工程と、
ブロックマスクにより前記露光データ作成工程で作成された前記露光データに基づいて電子ビームを整形する電子ビーム整形工程と、
前記露光データ作成工程で作成された前記露光データに基づいて前記電子ビーム整形工程で整形された前記電子ビームを目標物に照射する照射工程とを有し、
前記露光データ作成工程は、
前記設計データから図形群を抽出する図形群抽出手順と、
前記図形群抽出手順で抽出された図形群から複数の図形を抽出する図形抽出手順と、
前記図形抽出手順で抽出された図形に基づいて露光データを作成する露光データ作成手順とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記図形群抽出手順は、前記図形群のうちパターンの存在範囲が露光時の偏向の大きさに応じた図形群又は前記図形群のうち前記パターンの存在範囲が前記露光時のビームのサイズに応じた図形群を抽出することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記図形群抽出手順は、前記図形群のうち互いに重複する図形群を一括で抽出し、前記複数の図形群のうち互いに重複する部分を削除することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記図形群抽出手順は、前記図形抽出手順で抽出される前記図形の数が最小となる図形群を抽出することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記図形抽出手順は、前記図形群抽出手順で抽出された前記図形群を複数の領域に分割し、分割された複数の領域からそれぞれ図形を抽出することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記図形抽出手順は、前記図形群抽出手順で抽出された前記図形群のうちパターンを含む部分に領域を設定し、図形を抽出することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記図形抽出手順は、既に抽出された図形と同じ図形を抽出することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記図形抽出手順は、予め設定された条件に一致する図形を抽出することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記図形抽出手順は、露光時のレイヤ、前記図形群の形状、前記図形群中の図形の配置、及び前記図形群の図形の密集度のいずれかに応じて、複数の図形抽出方法から所定の図形抽出方法を選択して、図形の抽出を行うことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記図形抽出手順は、前記図形群中での前記図形の占有率、前記図形群中に設定される領域の数、パターンの種類、及び露光時のビームの照射面積のいずれかに応じて前記図形を抽出することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記露光データ作成工程は、前記電子ビームの透過パターンを微小な正方形の開口の集合で構成する手順を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記露光データ作成工程は、露光パターンによって生じる前記露光パターンの歪みを評価し、前記評価結果に応じて前記歪みを補償するように前記露光データを補正する手順とを有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記露光データを補正する手順は、前記露光パターンの周囲で前記電子ビームの照射位置をずらして再照射することにより前記露光データを補正することを特徴とする請求項１２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
露光パターンを露光方法毎に又は露光単位毎に異なる形式で表示する手順を有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記露光データに基づいて露光時のスループットを算出するスループット算出手順と、
前記スループット算出手順で算出されたスループットを表示するスループット表示手順とを有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記露光データを所定の露光条件でシミュレートした結果の露光パターンを表示する露光パターン表示手順を有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
半導体装置の製造方法を製造するための電子ビーム露光方法において、
設計データから露光データを作成する露光データ作成工程と、
ブロックマスクにより前記露光データ作成工程で作成された前記露光データに基づいて電子ビームを整形する電子ビーム整形工程と、
前記露光データ作成工程で作成された前記露光データに基づいて前記電子ビーム整形工程で整形された前記電子ビームを目標物に照射する照射工程とを有し、
前記露光データ作成工程は、
前記設計データから図形群を抽出する図形群抽出手順と、
前記図形群抽出手順で抽出された図形群から複数の図形を抽出する図形抽出手順と、
前記図形抽出手順で抽出された図形に基づいて露光データを作成する露光データ作成手順とを有することを特徴とする電子ビーム露光方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明における半導体装置の製造方法、電子ビーム露光方法は、以下のように構成される。
（１）半導体装置の製造方法において、設計データから露光データを作成する露光データ作成工程と、ブロックマスクにより前記露光データ作成工程で作成された前記露光データに基づいて電子ビームを整形する電子ビーム整形工程と、前記露光データ作成工程で作成された前記露光データに基づいて前記電子ビーム整形工程で整形された前記電子ビームを目標物に照射する照射工程とを有し、前記露光データ作成工程は、前記設計データから図形群を抽出する図形群抽出手順と、前記図形群抽出手順で抽出された図形群から複数の図形を抽出する図形抽出手順と、前記図形抽出手順で抽出された図形に基づいて露光データを作成する露光データ作成手順とを有することを特徴とする。
（１）によれば、設計データから図形群を抽出し、図形群から露光を行う図形を抽出して、抽出した図形毎に露光データを作成することにより、図形群、図形の抽出を効率よく行うことにより、露光データの作成を効率よく行える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
（２）は、（１）において、前記図形群抽出手順が、前記図形群のうち図形の繰り返し性の高い図形群を抽出することを特徴とする。
（２）によれば、図形群のうち図形の繰り返し性の高い図形群を抽出することにより、よく使用する図形を含む図形群が抽出され、露光データを効率よく作成できる図形群を抽出できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
（３）は、（１）又は（２）において、前記図形群抽出手順が、前記図形群のうち前記図形群を構成する図形数が多い図形群を抽出することを特徴とする。
（３）によれば、図形数が多い図形群を抽出することにより、よく使用する図形を含む図形群が抽出され、露光データを効率よく作成できる図形群を抽出できる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
（４）は、（１）〜（３）において、前記図形群抽出手順が、前記図形群のうち前記図形の存在範囲が露光時の偏向の大きさに応じた図形群を抽出することを特徴とする。
（４）によれば、図形の存在範囲が露光時の偏向の大きさに応じた図形群を抽出することにより、偏向に応じた図形群を抽出でき、図形抽出が容易に行える。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
（５）は、（１）〜（４）において、前記図形群抽出手順が、前記図形群のうち前記図形の存在範囲が前記露光時のビームのサイズに応じた図形群を抽出することを特徴とする。
（５）によれば、図形の存在範囲が露光時のビームのサイズに応じた図形群を抽出することにより、ビームサイズに応じた図形群を抽出でき、図形抽出が容易に行える。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
（６）は、（１）〜（５）において、前記図形群抽出手順が、前記図形群のうち互いに重複する図形群を抽出することを特徴とする。
（６）によれば、重複する図形群を抽出することにより、不要な処理を行わなくて済むので、処理時間を短縮できる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
（７）は、（１）〜（６）において、前記図形群抽出手順が、前記複数の図形群のうち互いに重複する図形群を削除することを特徴とする。
（７）によれば、互いに重複する図形群を削除することにより、不要な処理を行わなくて済むので、処理時間を短縮できる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
（８）は、（１）〜（７）において、前記図形群抽出手段が、前記図形抽出手順で抽出される前記図形の数が最小となる図形群を抽出することを特徴とする。
（８）によれば、抽出された図形の数が最小となる図形群を抽出することにより、抽出する図形が少ないので、露光データの作成数を減少できる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
（９）は、（１）〜（８）において、前記図形抽出手順が、前記図形群抽出手順で抽出された前記図形群を複数の領域に分割し、分割された複数の領域からそれぞれ図形を抽出することを特徴とする。
（９）によれば、図形群を複数の領域に分割し、分割された複数の領域からそれぞれ図形を抽出することにより、図形群を抽出可能な図形を抽出できる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
（１０）は、（１）〜（９）において、前記図形抽出手順が、前記図形群抽出手順で抽出された前記図形群のうち図形を含む部分に領域を設定し、図形を抽出することを特徴とする。
（１０）によれば、図形群のうち図形を含む部分に領域を設定し、図形を抽出することにより、不要な部分をデータにすることがないので、効率よく露光データを作成できる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
（１１）は、（１）〜（１０）において、前記図形抽出手順は、既に抽出された図形と同じ図形を抽出することを特徴とする。
（１１）によれば、既に抽出された図形と同じ図形を抽出することにより不要なデータを作成する必要がなく、効率よく露光データを作成できる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
（１２）は、（１）〜（１１）において、前記図形抽出手順が、予め設定された条件に一致する図形を抽出することを特徴とする。
（１２）によれば、所望の条件に応じた図形を抽出できる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
（１３）は、（１）〜（１２）において、前記図形抽出手順が、複数の図形抽出方法を有し、該複数の図形抽出方法から所定の図形抽出方法を選択して、図形の抽出を行うことを特徴とする。
（１３）によれば、複数の図形抽出方法から所定の図形抽出方法を選択して、図形の抽出を行うことにより、抽出された図形群に対して最適な図形抽出を行える。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
（１４）は、（１３）において、前記図形抽出手順が、前記図形抽出方法を露光時のレイヤに応じて選択することを特徴とする。
（１４）によれば、露光時のレイヤに対して最適な図形抽出を行える。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
（１５）は、（１３）又は（１４）において、前記図形抽出手順が、前記図形抽出方法を前記図形群の形状に応じて選択することを特徴とする。
（１５）によれば、図形群の形状に応じて図形抽出方法を選択することにより、抽出された図形群に対して最適な図形抽出を行える。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
（１６）は、（１３）〜（１５）において、前記図形抽出手順が、前記図形抽出方法を前記図形群中の図形の配置に応じて選択することを特徴とする。
（１６）によれば、図形群中の図形の配置に応じて図形抽出方法を選択することにより、図形が存在しない無駄な部分を抽出することがなく、抽出図形数を減少できる。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
（１７）は、（１３）〜（１６）において、前記図形抽出手順が、前記図形抽出方法を前記図形群の図形の密集度に応じて選択することを特徴とする。
（１７）によれば、図形の密集度に応じて図形抽出方法を選択することにより、有効に図形を抽出できる。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
（１８）は、（１）〜（１７）において、前記図形抽出手順は、前記図形群中での前記図形の占有率が所定の値となるように前記図形を抽出することを特徴とする。
（１８）によれば、図形の占有率が所定の値となるように図形を抽出することにより、バラツキなく図形を抽出できる。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
（１９）は、（１）〜（１８）において、前記図形抽出手順が、前記図形群中に設定される領域の数に応じて前記図形を抽出することを特徴とする。
（１９）によれば、図形群中に設定される領域の数に応じて図形を抽出することにより、抽出される図形を含む領域を所定のサイズ、数とすることができる。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
（２０）は、（１）〜（１９）において、前記図形抽出手順が、前記図形の種類に応じて図形を抽出することを特徴とする。
（２０）によれば、図形の種類に応じて図形を抽出することにより、図形を重複することがなく抽出できる。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
（２１）は、（１）〜（２０）において、前記図形抽出手順は、露光時のビームの照射面積に応じて前記図形を抽出することを特徴とする。
（２１）によれば、ビームの照射面積に応じて図形を抽出することにより、ビームの照射面積が最適になるように図形を抽出できる。
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
（２２）は、（１）〜（２１）において、前記図形群毎に並列に処理を行うことを特徴とする。
（２２）によれば、図形群毎に並列に処理を行うことにより高速に処理を行える。
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
（２３）は、（１）〜（２２）において、前記露光データ作成工程は、前記電子ビームの透過パターンを微小な正方形の開口の集合で構成する手順を含むことを特徴とする。
（２３）によれば、ビームの透過パターンを微小な正方形の開口の集合で構成することにより、ビームの非透過パターンが透過パターンに囲まれている場合でも、非透過パターンが露光パターンを作成したときに、非透過パターンが欠落することがない。
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
（２４）は、（１）〜（２３）において、前記露光データ作成工程は、露光パターンによって生じる前記露光パターンのひずみを評価し、前記評価結果に応じて歪みを補償するように前記露光データを補正する手順とを有することを特徴とする。
（２４）によれば、互いに近接するパターンで透過するビームの影響が補正されるので、ビーム散乱による影響を防止できる。
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
（２５）は、（１）〜（２４）において、前記露光マスクの周囲でビームをずらして再照射することにより補正することを特徴とする。
（２５）によれば、露光マスクの周囲でビームをずらして再照射することにより、露光マスクの周囲でのビーム強度の低下を補償して、全体で均一にビームを照射することができる。
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
（２６）は、（１）〜（２５）において、露光パターンを露光方法に応じて異なる表示を行う手順を有することを特徴とする。
（２６）によれば、露光パターンを露光方法に応じて異なる表示とすることにより、位置に応じて露光方式を認識できる。
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
（２７）は、（１）〜（２６）において、露光パターンを露光単位毎に異なる表示を行う手順を有することを特徴とする。
（２７）によれば、露光パターンを露光単位毎に異なる表示を行うことにより、露光パターン上の各露光単位の配置を直観的に認識できる。
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
（２８）は、（１）〜（２７）において、前記露光データに基づいて露光時のスループットを算出するスループット算出手順と、前記スループット算出手順で算出されたスループットを表示するスループット表示手順とを有することを特徴とする。
（２８）によれば、露光データからスループットを算出して、表示できるので、作成した露光データのスループットを即座に認識でき、必要に応じて訂正できる。
【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
（２９）は、（１）〜（２８）において、前記露光データを所定の露光条件でシミュレートした結果の露光パターンを表示する露光パターン表示手順を有することを特徴とする。
（２９）によれば、露光データを所定の露光条件でシミュレートした結果の露光パターンを表示することにより、作成した露光データに応じて作成されるであろう露光パターンを直感的に認識できる。
【手続補正３１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
（３０）は、（２９）において、前記露光条件を設定する露光条件設定表示を行い、該露光条件設定表示により所望の露光条件を設定した後、該露光条件設定表示により設定された露光条件で再びシミュレーションが行い、該再シミュレートの結果の露光パターンを表示することを特徴とする。
（３０）によれば、露光設定表示に所望の露光条件を設定することにより、再シミュレーションが実行され、そのシミュレート結果が表示されるので、露光条件に応じたシミュレーション結果を容易に得ることができ、所望の露光結果を容易に認識できる。
【手続補正３２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
（３１）は、（３０）において、前記露光データを所定の露光条件でシミュレートした結果の露光パターンに前記露光データに応じた露光パターンを重ねて表示することを特徴とする。
（３１）によれば、露光データを所定の露光条件でシミュレートした結果の露光パターンに露光データに応じた露光パターンを重ねて表示することにより、作成した露光データに応じて作成されるであろう露光パターンと露光データに応じた露光パターンとの差異を直感的に認識できる。
【手続補正３３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
（３２）は、（３１）において、前記シミュレーションした結果の露光パターンと前記露光データに応じた露光パターンとの差異を検出し、前記シミュレーションした結果の露光パターンと前記露光データに応じた露光パターンとの差異が所定の許容範囲以上の部分を前記シミュレーションした結果の露光パターンと前記露光データに応じた露光パターンとの差異が所定の許容範囲内の部分とで異なる表示とすることを特徴とする。
（３２）によれば、シミュレーションした結果の露光パターンと露光データに応じた露光パターンとの差異が所定の許容範囲以上の部分と所定の許容範囲内の部分とで異なる表示とすることにより、エラーが発生する部分を容易に認識できる。
【手続補正３４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
（３３）は、（２４）において、前記露光データを補正する手順は、前記露光パターンの周囲で前記電子ビームの照射位置をずらせて再照射することにより補正することを特徴とする。
（３４）前記露光データは、前記ブロックマスク上に形成されたビーム形状パターンを含むことを特徴とする。
【手続補正３５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
（３５）半導体装置の製造方法を製造するための電子ビーム露光方法において、設計デ
ータから露光データを作成する露光データ作成工程と、ブロックマスクにより前記露光データ作成工程で作成された前記露光データに基づいて電子ビームを整形する電子ビーム整形工程と、前記露光データ作成工程で作成された前記露光データに基づいて前記電子ビーム整形工程で整形された前記電子ビームを目標物に照射する照射工程とを有し、前記露光データ作成工程は、前記設計データから図形群を抽出する図形群抽出手順と、前記図形群抽出手順で抽出された図形群から複数の図形を抽出する図形抽出手順と、前記図形抽出手順で抽出された図形に基づいて露光データを作成する露光データ作成手順とを有することを特徴とする。
【手続補正３６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
本発明によれば、設計データから図形群を抽出し、図形群から露光を行う図形を抽出して、抽出した図形毎に露光データを作成することにより、図形群、図形の抽出を効率よく行うことにより、露光データの作成を効率よく行える等の特長を有する。
【手続補正３７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
まず、評価用露光データ作成手段１４について説明する。図３に本発明の一実施例の評価用露光データ作成手段の処理フローチャート、図４に本発明の一実施例の評価用露光データ作成手段による評価用露光データ作成時のデータの流れを示す図を示す。
【手続補正６９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
図５に本発明の一実施例の評価用露光データのライブラリ構造図、図６に本発明の一実施例の評価用露光データ作成における評価パターンデータの構成図を示す。ライブラリデータベースのファイル構成は、図５に示すように、トップ階層Ｔ下にウェハ露光データ階層Ｗとブロックマスク作成用階層Ｍがある。また、ウェハ露光階層Ｗの下の階層には、露光装置が備える偏向機構数分、例えば、２つの偏向機構を有する露光装置であれば、第１、第２偏向階層Ｆ、Ｓがある。第１偏向階層Ｆ、及び、第２偏向階層Ｓには、各偏向階層Ｆ、Ｓでの偏向状態を指示する偏向データｆ１〜ｆｎ、ｓ１〜ｓｍが配置される。偏向データｆ１〜ｆｎ、ｓ１〜ｓｍの下に各偏向状態で露光されるパターンのデータが格納される階層Ｐが配置される。パターン階層Ｐには、ショットの形状サイズを指定するショット形状データｐや、ブロックパターンデータｂが配置される。
【手続補正７０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
次に、露光データ作成機能１１の動作について詳細に説明する。
【手続補正７１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１６】
次に、各階層の最適化された設計データから後述するようにブロックパターンを抽出する（ステップＳ５−２）。
【手続補正７２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１７】
ステップＳ５−２でブロックパターンが抽出されると、次に、抽出されたブロックパターンが効率よく作成できるようにブロックパターンの最適化が行われる（ステップＳ５−３）。
【手続補正７３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１８】
ステップＳ５−３で、ブロックパターンが最適化されると、次に、最適化された各ブロックパターンを矩形に分割する（ステップＳ５−４）。
【手続補正７４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１９】
ステップＳ５−４で矩形に分割されると、次に、ステップＳ５−４で分割された矩形を所望の偏向領域のデータとして設定する（ステップＳ５−５）。上記ステップＳ５−１〜Ｓ５−５は、処理するデータ量が多ければ、並列・分散処理される。ステップＳ５−５で、ブロック及び矩形が設定されると、設定されたブロックパターン及び矩形に関するデータを露光データにフォーマッティングして、露光データファイル７に格納する（ステップＳ５−６）。