(57)【要約】      （修正有）【課題】  発光効率（光の取出効率）を向上することができる発光ダイオード及び発光ダイオードの製造方法を提供する。【解決手段】  発光ダイオード１は、サファイア基板１０上に、発光部として機能するための各層が積層されている。サファイア基板１０の各面のうち、発光部が形成された面の反対面（裏面）の端部１０ａが凹凸状に粗面化されている。したがって、発光部からの出射光のうちの端部１０ａに導光された光は、この端部１０ａにて散乱させられ、サファイア基板１０の外側へ出射される。発光ダイオード１は、例えば、まず複数の発光部を形成した後に、サファイア基板を分割（ダイシング）して個々の発光部に個片化することにより製造される。その場合、まずダイヤモンドスクライブ法、レーザスクライブ法などで基板を切削して溝を形成した後、基板に研磨粒子を噴射することにより、表面を切削して粗面化する。【選択図】        図１
2006245066.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明板の一面に発光部が形成された発光ダイオードにおいて、
前記透明板の他面の端部が粗面化されていること
を特徴とする発光ダイオード。
【請求項２】
透明板の一面に発光部が形成された発光ダイオードにおいて、
前記透明板の他面及び／又は前記透明板の側面が粗面化されていること
を特徴とする発光ダイオード。
【請求項３】
複数の発光部が形成された透明板から個々の発光部に分割することで個々の発光ダイオードを製造する発光ダイオードの製造方法において、
前記透明板の分割すべき箇所に溝を形成する溝形成工程と、
該溝形成工程にて形成された溝の表面を粗面化する粗面化工程と
を含むことを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
【請求項４】
複数の発光部が形成された透明板から個々の発光部に分割することで個々の発光ダイオードを製造する発光ダイオードの製造方法において、
前記透明板の分割すべき箇所に溝を形成する溝形成工程と、
該溝形成工程にて形成された溝を含む前記透明板の表面を粗面化する粗面化工程と
を含むことを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
【請求項５】
前記溝形成工程は、
ダイヤモンドスクライブ法又はレーザスクライブ法を用いること
を特徴とする請求項３又は請求項４に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項６】
前記粗面化工程は、
前記透明板に研磨粒子を噴射することにより前記表面を切削して粗面化すること
を特徴とする請求項３乃至請求項５のいずれかに記載の発光ダイオードの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光ダイオード及び発光ダイオードの製造方法に関し、より具体的には、発光効率が優れた発光ダイオード及び発光ダイオードの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオードは、小型、薄型、低消費電力及び長寿命などの特徴を持つために様々な用途に用いられている。発光ダイオードは、半導体の一種であり、各種半導体プロセスと同様に、サファイア基板のような透明板上に、それ自体公知の技術を利用して複数の層を積層した構成をしている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
図６は従来の発光ダイオードの一例を示す構造断面図である。
従来の発光ダイオード１００は、透明基板（ここでは、サファイア基板）１１０上に、ＡｌＮバッファ層１１１（厚み：略２００Å）、ＳｉドープＧａＮ層１１２（厚み：略１．２μｍ）、Ｎ型ＧａＮとＮ型ＩｎＧａＮとの積層構造である多重量子井戸（ＭＱＷ）からなる活性層１１３（厚み：略４００Å）、ＡｌＮ及びＰ型ＧａＮの超格子からなるキャップ層１１４（厚み：略２００Å）、ＭｇドープＧａＮ層１１５（厚み：略０．２μｍ）、Ｚｎ膜１１６（厚み：数十Å）、ＩＴＯ膜１１７（厚み：略０．５μｍ）が積層された構成をしている。また、ＩＴＯ膜１１７の上面の一部には、Ｐ型電極１１８が形成されるとともに、ＩＴＯ膜１１７の一部がエッチングされてＳｉドープＧａＮ層１１２の一部が露出されており、その露出部にＮ型電極１１９が形成されている。そして、Ｐ型電極１１８，Ｎ型電極１１９間に電圧を印加することによって発光現象が起こる。
【０００４】
ところで、従来の発光ダイオード１００は、大面積のサファイア基板１１０に複数の発光部を形成した後に、サファイア基板１１０を分割（ダイシング）して個々の発光部に個片化することにより製造される。ダイシング方法としては、従来、ダイヤモンドスクライブ法と呼ばれる手法が用いられてきた。しかしながら、ダイシングソーにダイヤモンド（工業用ダイヤモンド）を利用することから、製造コストが高くつくことが問題となっていた。
【０００５】
そこで、近年、レーザスクライブ法と呼ばれる手法が実用化されている。レーザスクライブ法は、基板にレーザ光を照射し、その熱によって基板を切断する方法であり、従来のダイヤモンドスクライブ法と比較すると、はるかに低コストで発光ダイオードを製造することができる。
【特許文献１】特許第３３９４４８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、レーザスクライブ法を用いてサファイア基板１１０をダイシングする場合、レーザ照射された箇所のサファイア基板１１０が変質してしまうため、図７（ａ）に示すように、切断部近傍の残渣１１０ａで光吸収が生じ、光の取出効率が低下するという問題があった。
【０００７】
また、従来のダイヤモンドスクライブ法を用いて個片化を行った場合であっても、その切断面が極めてシャープであることから、図７（ｂ）に示すように、発光の一部がサファイア基板１１０の側面及び底面で全反射し、その反射光がチップ表面に設けた電極（ここでは、Ｎ型電極１１９）などに吸収され、光の取出効率が低下するという問題があった。
【０００８】
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、透明板上の一面に発光部が形成されている場合に、透明板の他面の端部、すなわち発光部が形成された面の反対面の端部が粗面化された構造とすることにより、発光部から出射された光のうちの透明板に入射した光を端部で拡散し、透明板の外側に取り出すことで、発光効率（光の取出効率）を向上することができる発光ダイオード及び発光ダイオードの製造方法の提供を目的とする。
【０００９】
また本発明は、透明板上の一面に発光部が形成されている場合に、透明板の他面、すなわち発光部が形成された面の反対面及び／又は透明板の側面が粗面化された構造とすることにより、発光部から出射された光を透明板の界面（透明板の他面及び／又は側面）で拡散し、透明板の外側に取り出すことで、光の取出効率を向上することができる発光ダイオード及び発光ダイオードの製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
第１発明に係る発光ダイオードは、透明板の一面に発光部が形成された発光ダイオードにおいて、前記透明板の他面の端部が粗面化されていることを特徴とする。
【００１１】
第１発明にあっては、透明板の各面のうち、発光部が形成された面の反対面の端部が粗面化されているので、透明板上に形成された発光部から出射された光のうちの透明板に入射した光が、端部で散乱されて透明板の外側に出射される。このように、端部を粗面化することで、光の取出効率を向上することができる。
特に、レーザスクライブ法を用いて透明基板であるサファイア基板をダイシングする場合、レーザ照射によってサファイア基板が変質してしまうため、切断部近傍、すなわち粗面化を行おうとする端部で光吸収が生じ、光の取出効率が低下するという問題があったが、粗面化することによって、変質した箇所が除去され、この箇所での光吸収を抑制することができる。
【００１２】
第２発明に係る発光ダイオードは、透明板の一面に発光部が形成された発光ダイオードにおいて、前記透明板の他面及び／又は前記透明板の側面が粗面化されていることを特徴とする。
【００１３】
第２発明にあっては、透明板の各面のうち、発光部が形成された面の反対面（裏面という）及び／又は側面が粗面化されているので、透明板上に形成された発光部から出射された光のうちの透明板に入射した光が、裏面及び／又は側面で散乱されて透明板の外側に出射される。このように、裏面及び／又は側面を粗面化することで、さらに光の取出効率を向上することができる。
【００１４】
第３発明に係る発光ダイオードの製造方法は、複数の発光部が形成された透明板から個々の発光部に分割することで個々の発光ダイオードを製造する発光ダイオードの製造方法において、前記透明板の分割すべき箇所に溝を形成する溝形成工程と、該溝形成工程にて形成された溝の表面を粗面化する粗面化工程とを含むことを特徴とする。
【００１５】
第３発明にあっては、複数の発光部が形成された透明板から個々の発光部に分割して発光ダイオードとする場合、まず、透明板の分割すべき箇所に溝を形成した後、形成された溝の表面を粗面化する。
【００１６】
第４発明に係る発光ダイオードの製造方法は、複数の発光部が形成された透明板から個々の発光部に分割することで個々の発光ダイオードを製造する発光ダイオードの製造方法において、前記透明板の分割すべき箇所に溝を形成する溝形成工程と、該溝形成工程にて形成された溝を含む前記透明板の表面を粗面化する粗面化工程とを含むことを特徴とする。
【００１７】
第４発明にあっては、複数の発光部が形成された透明板から個々の発光部に分割して発光ダイオードとする場合、まず、透明板の分割すべき箇所に溝を形成した後、形成された溝を含む透明板の表面を粗面化する。ここで、形成された溝を含む透明板の表面とは、透明板の各面のうち、発光部の形成面（表面）、該形成面の反対面（裏面）、及び／又は側面のことであり、用途に合わせて粗面化したい表面を適宜選択することが好ましい。
【００１８】
第５発明に係る発光ダイオードの製造方法は、第３発明又は第４発明において、前記溝形成工程は、ダイヤモンドスクライブ法又はレーザスクライブ法を用いることを特徴とする。
【００１９】
第５発明にあっては、ダイヤモンドスクライブ法又はレーザスクライブ法で、透明板の分割すべき箇所に溝を形成する。ダイヤモンドスクライブ法又はレーザスクライブ法は、それ自体公知の方法であり、安定して透明板に溝を形成することができる。
【００２０】
第６発明に係る発光ダイオードの製造方法は、第３発明乃至第５発明のいずれかにおいて、前記粗面化工程は、前記透明板に研磨粒子を噴射することにより前記表面を切削して粗面化することを特徴とする。
【００２１】
第６発明にあっては、透明板に研磨粒子を噴射することで透明板の表面を切削して粗面化する。透明板表面の所定の箇所のみを切削する場合には、その箇所に対応した開口パターンが形成されたマスクを介して研磨粒子を噴射するようにする。開口パターンに対応する透明板の表面を選択的に切削することができるので、用途に応じて粗面化を行う箇所を適宜選択できる。また、一般に研磨粒子の噴射による切削には時間がかかることから、表面を切削して粗面化する場合には、その切削量を溝形成工程による切削量より少なくして、製造タクトを向上させることが好ましい。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、透明板上の一面に発光部が形成されている場合に、透明板の他面の端部、すなわち発光部が形成された面の反対面の端部が粗面化された構造としたので、発光部から出射された光のうちの透明板に入射した光を端部で拡散し、透明板の外側に取り出すことで、光の取出効率を向上することができる。
【００２３】
本発明によれば、透明板上の一面に発光部が形成されている場合に、透明板の側面及び／又は透明板の他面、すなわち発光部が形成された面の反対面が粗面化された構造としたので、発光部から出射された光を透明板の界面で拡散し、透明板の外側に取り出すことで、光の取出効率を向上することができる等、優れた効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明をその実施の形態を示す図面に基づいて詳述する。
【００２５】
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１に係る発光ダイオードの一例を示す構造断面図である。
【００２６】
本発明の実施の形態１に係る発光ダイオード１は、可視光領域における透過率が優れた透明基板（ここでは、サファイア基板）１０上に、厚みが略２００ÅのＡｌＮバッファ層１１が形成されている。ＡｌＮバッファ層１１は、例えば、サファイア基板１０の温度を５１０℃とし、キャリアガスに窒素及び水素を用い、アンモニア及びトリメチルアルミニウムを供給することにより形成される。なお、サファイア基板１０は、予めサーマルクリーニング（１０５０℃）が施されているものとする。
【００２７】
ＡｌＮバッファ層１１の上面には、Ｎ型ＧａＮであるＳｉドープＧａＮ層１２が略１．２μｍの厚みで形成されている。ＳｉドープＧａＮ層１２は、サファイア基板１００の温度を１０００℃に上昇させて、上述と同様のキャリアガスを用い、アンモニア、トリメチルガリウムを供給し、Ｎ型不純物として機能するシリコンを用いることで形成される。
【００２８】
ＳｉドープＧａＮ層１２の上面には、Ｎ型ＧａＮとＮ型ＩｎＧａＮとの積層構造である多重量子井戸（ＭＱＷ）からなる活性層１３が略４００Åの厚みで形成されている。活性層１３は、トリメチルインジウムを断続的に供給することで、多重量子井戸構造とすることができる。
【００２９】
活性層１３の上面には、ＡｌＮ及びＰ型ＧａＮの超格子からなるキャップ層１４が略２００Åの厚さで形成されている。キャップ層１４は、サファイア基板１０の温度を９５０℃として、適宜、材料を供給することにより形成される。例えば、ＡｌＮを形成する場合には、アンモニア及びトリメチルアルミニウムを供給し、Ｐ型ＧａＮを形成する場合には、アンモニア、トリメチルガリウムを供給するとともにＰ型不純物を用いることで形成される。
【００３０】
キャップ層１４の上面には、厚みが略０．２μｍのＭｇドープＧａＮ層１５が形成されている。ＭｇドープＧａＮ層１５は、キャリアガスにマグネシウムを不純物として添加することで形成される。
【００３１】
ＭｇドープＧａＮ層１５の上面には、膜厚が数十ÅのＺｎ膜１６が形成されている。Ｚｎ膜１６は、ＭｇドープＧａＮ層１５を形成した後、サファイア基板１０の温度を８００℃にし、減圧ＭＯＣＶＤ装置内の圧力を６６５０Ｐａ（５０ｔｏｒｒ）とし、アンモニアのような水素原子を含む混合ガスの雰囲気から、速やかに減圧ＭＯＣＶＤ装置内の雰囲気を不活性ガスである窒素ガスに切り替え、キャリアガスとして窒素ガスを用い、トリメチルジンクを供給することで形成される。
【００３２】
Ｚｎ膜１６の上面には、厚みが略０．５μｍのＩＴＯ膜１７が形成されている。ＩＴＯ膜１７は、真空蒸着装置内で、サファイア基板１０の温度は２００℃とし、ＳｎＯ2 が１０％含有されるＩＴＯを電子銃で加熱、蒸発させることによって形成される。
【００３３】
ＩＴＯ膜１７の上面の一部には、Ｐ型電極１８が形成されているとともに、ＩＴＯ膜１７の一部がエッチングされてＳｉドープＧａＮ層１２の一部が露出されており、その露出部にＮ型電極１９が形成されている。そして、Ｐ型電極１８，Ｎ型電極１９間に電圧を印加することによって発光現象が起こる。
【００３４】
本実施の形態では、発光部が形成された面の反対面（裏面）の端部１０ａが、図２の端部拡大図に示すように、凹凸状に粗面化されている（なお、図においては本発明の特徴である凹凸形状を誇張してある）。したがって、発光部からの出射光のうちの端部１０ａに導光された光は、この端部１０ａにて散乱させられ、サファイア基板１０の外側へ出射されることから、光の取出効率が向上する。
【００３５】
次に、上述した発光ダイオード１の製造方法について説明する。発光ダイオード１は、複数の発光部を基板上に形成した後、個々の発光部に個片化することで製造することができる。
図３は本発明の実施の形態１に係る発光ダイオードの製造方法を説明するための説明図である。なお、基板上に各種積層物を積層することで複数の発光部を形成する方法は、従来と同様であるため、その説明を省略する。
【００３６】
サファイア基板５０には、それ自体公知のフォトリソグラフィ技術を用い、上述した各層が積層されることによって形成された複数の発光部６０，６０，…が形成されている（図３（ａ））。同図破線がチップ分割線（もちろん、仮想的なものである）であり、各分割線で囲まれる領域が個々の発光ダイオードを示し、以下に説明する工程にて個片化される。
【００３７】
まず、発光部６０が形成された面の反対面（裏面）に、有機膜を塗布してマスク７０とする（図３（ｂ））。マスク７０は、サファイア基板５０の裏面全面を被覆するように塗布される。
【００３８】
そして、レーザ照射装置をチップ分割線に沿って可動させながら、サファイア基板５０の裏面からレーザ光を照射する。これにより、まずマスク７０がレーザ光に反応して溝が形成され、さらに、サファイア基板５０がレーザ光と反応して、照射された箇所の材質が変化するとともに、反応箇所が破断して溝５０ａが形成される（図３（ｃ））。この溝５０ａの表面は、光を透過させるという性質のものではなく、逆に光を吸収する性質のもの（以下、残渣という）に変質する。形成する溝５０ａの深さについては限定されるものではないが、例えば、サファイア基板５０の厚みの略２／３程度とする。
【００３９】
ところで、発光部６０からの出射光は残渣に吸収されることになるので、発光ダイオードとしての光の取出効率が低下する。そこで、サファイア基板５０に形成された溝５０ａの表面を粗面化する。具体的には、サンドブラスト法により、アルミナ、ＳｉＣのような研磨粒子を溝５０ａの表面に噴射して、生じた残渣を除去するとともに、溝５０ａの表面を粗面化する（図３（ｄ））。溝５０ａの表面に生じる凹凸の形状は、研磨粒子の種類、並びに研磨粒子の噴射圧及び噴射量などによって調整することができ、所望の形状となるように適宜設定する。
【００４０】
サンドブラスト法を用いる場合、上述した有機膜がマスク７０として機能し、溝以外の箇所が切削されることを防止できる。このように、所定の箇所のみを切削する場合には、その箇所に対応した開口パターンが形成されたマスクを介して研磨粒子を噴射するようにする。また、一般に研磨粒子の噴射による切削には時間がかかることから、溝形成工程で必要量の切削を行い、粗面化工程での切削は残渣を除去する程度にして、製造（切削）に要する時間を短縮して製造タクトを向上させることが好ましい。
【００４１】
なお、マスク７０は、サンドブラスト耐性を有していれば、その材料に限定されるものではなく、例えば、サファイア基板に、サンドブラスト耐性を有するドライフィルムレジストなどの感光性樹脂フィルムを貼付し、貼付した感光性樹脂フィルムを、フォトリソグラフィ法で所望のマスクパターンに形成した後に、レーザ照射による溝形成工程とサンドブラストによる粗面化工程とを行うようにしてもよい。
【００４２】
そして、溝５０ａを介して隣り合う発光部６０，６０が形成されたサファイア基板５０に応力を加えて、サファイア基板５０を分割する（図３（ｅ））。このようにして、サファイア基板５０の各面のうち、発光部６０が形成された面の反対面の端部を粗面化することができる。そして、個々の発光ダイオードに分割された後、マスク７０を適宜除去することで、発光ダイオード１が製造される。
【００４３】
次に、本実施の形態に係る発光ダイオード１の光出力を評価した。
まず、本実施の形態に係る発光ダイオード１と、レーザスクライブ法のみでチップに分割した従来の発光ダイオード、つまり、図３（ｄ）の粗面化工程を省略した発光ダイオード（ｒｅｆ１とする）との光出力の比較を行った。ｒｅｆ１の光出力を１とした場合、発光ダイオード１の光出力が１．１０〜１．１５倍に向上していることを確認した。これは、レーザ照射によって生じた残渣を、粗面化工程で除去することによって、残渣にて吸収されていた光を取り出すことができたものと推定される。また、光吸収が抑制されることから、発光ダイオード自体の温度上昇が抑制され、耐久性が向上する。
【００４４】
また、本実施の形態に係る発光ダイオード１と、ダイヤモンドスクライブ法のみでチップに分割した従来の発光ダイオード（ｒｅｆ２とする）との光出力の比較を行った。ｒｅｆ２の光出力を１とした場合、発光ダイオード１の光出力が略１．０２倍に向上していることを確認した。これは、サファイア基板の各面のうち、発光部が形成された面の反対面の端部を粗面化することによって、その端部で光拡散を生じせしめ、サファイア基板の外側に取り出すことができたものと推定される。
【００４５】
上述した評価結果から、レーザスクライブ法を溝形成工程として用いた場合は、レーザ照射によって生じた残渣を除去することが、光の取出効率を向上に極めて有効であることがわかる。また、上述したレーザスクライブ法の替わりに、残渣が生じることのないダイヤモンドスクライブ法を溝形成工程として用いてもよく、ダイヤモンドスクライブ法を用いた場合であっても、サファイア基板の各面のうち、発光部が形成された面の反対面の端部を粗面化することによって、光の取出効率を向上させることができる。
【００４６】
（実施の形態２）
実施の形態１では、サファイア基板の各面のうち、発光部が形成された面の反対面の端部が粗面化されている構造について説明したが、発光部が形成された面の反対面及び／又はサファイア基板の側面が粗面化されている構造であってもよく、このようにしたものが実施の形態２である。
【００４７】
図４は本発明の実施の形態２に係る発光ダイオードの一例を示す構造断面図である。
本発明の実施の形態２に係る発光ダイオード２は、サファイア基板２０に、実施の形態１と同様の構造物が積層された構成をしている。サファイア基板２０は、発光部が形成された面の反対面（裏面２０ｃ）及び側面２０ｂが凹凸状に粗面化されている（なお、図においては本発明の特徴である凹凸形状を誇張してある）。その他の構成は実施の形態１（図１）と同様であるので、対応する部分には同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。
【００４８】
また、発光ダイオード２は、実施の形態１と同様にレーザスクライブ法又はダイヤモンドスクライブ法とサンドブラスト法とを組み合わせて製造することができる。図５は本発明の実施の形態２に係る発光ダイオードの製造方法を説明するための説明図である。
【００４９】
サファイア基板５０には、それ自体公知のフォトリソグラフィ技術を用い、上述した各層が積層されることによって形成された複数の発光部６０，６０，…が形成されている（図５（ａ））。同図破線がチップ分割線（もちろん、仮想的なものである）である。
【００５０】
まず、レーザ照射装置をチップ分割線に沿って可動させながら、サファイア基板５０の裏面からレーザ光を照射する。これにより、サファイア基板５０は、レーザ光と反応して、照射された箇所の材質が変化するとともに、反応箇所が破断して溝５０ａが形成される（図５（ｂ））。
【００５１】
次に、サファイア基板５０の裏面側から、アルミナ、Ｓｉｃなどの研磨粒子をサンドブラスト法により噴射して、溝５０ａの表面、すなわちサファイア基板５０の側面とサファイア基板５０の裏面とを粗面化する（図５（ｃ））。サファイア基板５０の側面及び裏面に生じる凹凸の形状は、研磨粒子の種類、並びに研磨粒子の噴射圧及び噴射量などによって調整することができ、所望の形状となるように適宜設定する。
【００５２】
そして、溝５０ａを介して隣り合う発光部６０，６０が形成されたサファイア基板５０に応力を加えて、サファイア基板５０を分割する（図５（ｄ））。このようにして、サファイア基板５０の各面のうち、発光部６０が形成された面の反対面及び側面を粗面化することができる。
【００５３】
本実施の形態に係る発光ダイオード２は、実施の形態１と同様、溝形成工程としてレーザスクライブ法を用いた場合は、レーザ照射によって生じた残渣を除去することができるので、光の取出効率を向上することができる。また、残渣が生じることのないダイヤモンドスクライブ法を溝形成工程として用いた場合であっても、サファイア基板の各面のうち、発光部が形成された面の反対面（裏面）と側面とを粗面化することによって、裏面及び側面に導光した光を拡散することができ、光の取出効率を向上させることができる。
【００５４】
なお、各実施の形態では、サファイア基板に応力を加えてサファイア基板を分割するようにしたが、溝形成工程又は粗面化工程での切削量を大きくして、溝形成工程又は粗面化工程にてサファイア基板を分割するようにしてもよい。
【００５５】
また、サファイア基板の裏面側からダイシングして、裏面を粗面化するような場合について説明したが、サファイア基板の表面側、つまり発光部の形成面側からダイシングして、表面を粗面化するような場合にも適用できる。その場合は、発光部に対応したマスクを用意し、そのマスクを介してサファイア基板の表面に研磨粒子を噴射することが好ましい。
【００５６】
さらに、透明基板としてサファイア基板を用いた場合について説明したが、可視光領域における透過率が優れた透明基板であれば、例えば、石英基板、窒化ガリウム基板などであってもよく、本発明の作用・効果である光取出効率を向上することができる。また、透明基板上に形成されるデバイス構造についても、限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の実施の形態１に係る発光ダイオードの一例を示す構造断面図である。
【図２】発光ダイオードの端部を拡大した端部拡大図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る発光ダイオードの製造方法を説明するための説明図である。
【図４】本発明の実施の形態２に係る発光ダイオードの一例を示す構造断面図である。
【図５】本発明の実施の形態２に係る発光ダイオードの製造方法を説明するための説明図である。
【図６】従来の発光ダイオードの一例を示す構造断面図である。
【図７】従来の発光ダイオードの出射光の経路を説明するための説明図である。
【符号の説明】
【００５８】
１，２  発光ダイオード
１０，２０，５０  サファイア基板
１１  ＡｌＮバッファ層
１２  ＳｉドープＧａＮ層
１３  活性層
１４  キャップ層
１５  ＭｇドープＧａＮ層
１６  Ｚｎ膜
１７  ＩＴＯ膜
１８  Ｐ型電極
１９  Ｎ型電極
６０  発光部
７０  マスク
５０ａ  溝
【図１】
2006245066.tif 000003
【図２】
2006245066.tif 000004
【図３】
2006245066.tif 000005
【図４】
2006245066.tif 000006
【図５】
2006245066.tif 000007
【図６】
2006245066.tif 000008
【図７】
2006245066.tif 000009