(57)【要約】  【課題】  端面がへきかいによって形成され、従来よりも基板面の利用率が高く容易に製造可能な半導体発光素子およびその製造方法を提供すること。  【解決手段】  結晶性の基板１１１と、基板１１１の一方の基板面上に設けられた、活性層を含む半導体層１１２と、基板１１１の半導体層１１２が設けられた基板面と反対側の基板面上に設けられた複数の第２の電極１３１ａ、１３１ｂと、半導体層１１２上の各第２の電極１３１ａ、１３１ｂに対向する位置に設けられた複数の第１の電極１２１ａ、１２１ｂとを備え、各第２の電極１３１ａ、１３１ｂが、へきかい位置を設定するへきかい位置指定領域１３４が隣り合う第２の電極１３１ａ、１３１ｂ間に形成される形状を有し、へきかい位置指定領域１３４が、基板１１１の端の部分であるスクライブ領域１３２、１３３で広がり、へきかい位置指定領域１３４内に基板の一部が除去された溝を有する構成を有している。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性層を含み発光素子として機能する半導体層（１１２）を結晶性の基板（１１１）の一方の基板面である表面上に形成する半導体層形成工程と、
前記半導体層形成工程で形成された前記半導体層上に第１の電極（１２１ａ、１２１ｂ）を形成する第１の電極形成工程と、
前記基板の前記表面に対向する基板面である裏面上の各前記第１の電極と対向する各位置に複数の第２の電極（１３１ａ、１３１ｂ）を形成する第２の電極形成工程と、
前記第２の電極形成工程で形成された各前記第２の電極間の領域であって、所定の方向の領域であるへきかい位置指定領域（１３４）の少なくとも一部をエッチングしてエッチング溝を形成する溝形成工程と、
前記溝形成工程で形成された前記エッチング溝に沿って前記基板をへきかいして半導体発光素子が並んだバー状成形体にするへきかい工程と、
前記バー状成形体中の半導体発光素子を分離する分割工程とを備え、
前記第２の電極形成工程で、前記へきかい位置指定領域の一部が所定の隣り合う前記第２の電極間で広がった領域であるスクライブ領域（１３２、１３３）を有するように、前記第２の電極を形成することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項２】
前記スクライブ領域が、幅が連続的に狭まって前記へきかい位置指定領域に接続される領域を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項３】
前記へきかい位置指定領域内の前記エッチング溝に垂直な面における前記エッチング溝の断面形状が、Ｖ字形状をなすことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載の半導体発光素子の製造方法によって作製されたことを特徴とする半導体発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子およびその製造方法に関し、特に、半導体レーザ、スーパールミネッセントダイオード、ＬＥＤ等の半導体発光素子およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体発光素子は、通常、基板上に複数形成され、所定のへきかい面が得られるようにへきかいされ各素子に分割される。従来、半導体発光素子に分割するへきかいの技術（以下、単に「へきかい技術」という。）としては、例えば半導体基板表面にエッチング溝を設け、このエッチング溝に沿ってへきかいさせるものがある（例えば、特許文献１、特許文献２および特許文献３参照。）。
【０００３】
特許文献１に開示されたへきかい技術は、図７（ａ）に示すように、半導体基板１の半導体層２０側から不連続に窪み５１〜５３、６１〜６３を形成し、この窪みに沿って半導体基板１をへきかいするものである。また、特許文献２に開示されたへきかい技術は、図７（ｂ）に示すように、半導体基板１の半導体層３〜５、７側に連続的なエッチング溝（破線Ｓの部分）を形成し、このエッチング溝と対向する半導体基板１の裏面位置１ａ'にスクライブし半導体基板１をへきかいするものである。
【０００４】
そして、特許文献３に開示されたへきかい技術は、図７（ｃ）に示すように、サファイヤ基板１０の半導体層２０をサファイヤ基板１０に達するまで、ダイヤモンド砥粒を含むブレードで削って溝１４を形成し、その後この溝１４の部分をエッチングし、このエッチング溝に沿ってへきかいするものである。
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−０２７９４２号公報
【特許文献２】特開平１０−２７５９３６号公報
【特許文献３】特開２００１−２１７４９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、このような従来の半導体発光素子の製造方法では、以下に記載するような問題があった。まず、特許文献１に開示されたものでは、不連続な窪み５１〜５３、６１〜６３に沿ってへきかいさせるため、へきかい性が悪いという問題があった。そして、へきかい性が悪いことの影響を回避すべく半導体層２０側に設けられた窪み５１〜５３、６１〜６３の周囲に素子がない領域を設けているため、基板面の利用率が低いという問題があった。特許文献２および特許文献３に開示されたものでは、半導体層３〜５、７、２０をエッチングして除去するため、へきかい面の様な結晶欠陥の少ない面を形成することはできず、レーザ発振を起こさせることが困難であるという問題があった。さらに、特許文献２に開示されたものでは、半導体基板１の両方の基板面に溝が形成されているため、製造工程中に割れてしまう場合が多くなるという問題があった。
【０００７】
本発明はこのような問題を解決するためになされたもので、端面がへきかいによって形成され、基板面の利用率と歩留まりの向上が可能な半導体発光素子およびその製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
以上の点を考慮して、請求項１に係る発明は、活性層を含み発光素子として機能する半導体層を結晶性の基板の一方の基板面である表面上に形成する半導体層形成工程と、前記半導体層形成工程で形成された前記半導体層上に第１の電極を形成する第１の電極形成工程と、前記基板の前記表面に対向する基板面である裏面上の各前記第１の電極と対向する各位置に複数の第２の電極を形成する第２の電極形成工程と、前記第２の電極形成工程で形成された各前記第２の電極間の領域であって、所定の方向の領域であるへきかい位置指定領域の少なくとも一部をエッチングしてエッチング溝を形成する溝形成工程と、前記溝形成工程で形成された前記エッチング溝に沿って前記基板をへきかいして半導体発光素子が並んだバー状成形体にするへきかい工程と、前記バー状成形体中の半導体発光素子を分離する分割工程とを備え、前記第２の電極形成工程で、前記へきかい位置指定領域の一部が所定の隣り合う前記第２の電極間で広がった領域であるスクライブ領域を有するように、前記第２の電極を形成する構成を有している。
【０００９】
この構成により、スクライブ領域内でスクライブすることによって、へきかい位置指定領域に沿ったへきかいを容易に発生させることができると共にへきかい位置指定領域近傍にまで及ぶように電極を形成できるため、端面がへきかいによって形成され、基板面の利用率と歩留まりの向上が可能な半導体発光素子の製造方法を実現することができる。
【００１０】
また、請求項２に係る発明は、請求項１において、前記スクライブ領域が、幅が連続的に狭まって前記へきかい位置指定領域に接続される領域を有する構成をなす。
【００１１】
この構成により、請求項１の効果に加え、スクライブ領域が連続的に狭まってへきかい位置指定領域に接続される領域を有するため、へきかい位置指定領域の延長線からずれてスクライブがなされる場合でもへきかいを良好に発生させることができ、より容易に製造可能な半導体発光素子を実現できる。
【００１２】
また、請求項３に係る発明は、請求項１または請求項２において、前記へきかい位置指定領域内の前記溝に垂直な面における前記溝の断面形状が、Ｖ字形状をなす構成を有している。
【００１３】
この構成により、請求項１または２の効果に加え、へきかい位置指定領域内の溝の断面形状がＶ字形状をなすため、へきかいの際の力を溝の底部に集中させることができ、さらに容易に製造可能な可能な半導体発光素子を実現できる。
【００１４】
また、請求項４に係る発明は、請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載の半導体発光素子の製造方法によって作製された構成を有している。
【００１５】
この構成により、端面がへきかいによって形成され、基板面の利用率と歩留まりの向上が可能な半導体発光素子を実現できる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明は、スクライブ領域内でスクライブすることによって、へきかい位置指定領域に沿ったへきかいを容易に発生させることができると共にへきかい位置指定領域近傍にまで及ぶように電極を形成できるため、端面がへきかいによって形成され、基板面の利用率と歩留まりを向上することができるという効果を有する半導体発光素子およびその製造方法を提供することができるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。
（実施の形態）
図１は、本発明の実施の形態に係る半導体発光素子が形成された素子基板の端部を模式的に示す図である。図１において、素子基板１００は、結晶性の基板（以下、化合物半導体等の半導体の基板を例にとり説明し、半導体基板という。）１１１と半導体基板１１１の一方の基板面（以下、半導体基板１１１の表面といい、反対側の面を裏面という。）に堆積された半導体層１１２とからなるエピ基板１１０、半導体層１１２上に形成された複数の電極（以下、第１の電極という。）１２１ａ、１２１ｂ、および、半導体基板１１１の裏面に形成された複数の電極（以下、第２の電極という。）１３１ａ、１３１ｂを備える。
【００１８】
ここで、半導体基板１１１は導電性を有するものとする。また、半導体層１１２は、活性層を含む発光素子として機能するための層が複数積層された構成をなす。なお、半導体層１１２は特定の構成のものに限定されるものではない。半導体層１１２の構成については周知であるため、その説明を省略する。第１の電極１２１ａ、１２１ｂと第２の電極１３１ａ、１３１ｂとを介して、素子を発光（半導体レーザの場合は発振。）させる駆動電流が流されるようになっている。
【００１９】
第２の電極１３１ａ、１３１ｂは、図１に示すように、エピ基板１１０の半導体層１１２が設けられた基板面（以下、エピ基板１１０の表面という。反対側の面を裏面という。）上の第１の電極１２１ａ、１２１ｂと対向する位置に設けられる。また、第２の電極１３１ａ、１３１ｂは、へきかい位置を設定するへきかい位置指定領域（図１において、第２の電極１３１ａ、１３１ｂの辺１３４ａ、１３４ｂによって挟まれた領域をいい、符号１３４を付す。）と、へきかい位置指定領域１３４に接続されたスクライブ領域とが第２の電極１３１ａ、１３１ｂ間に形成される形状を有する。
【００２０】
スクライブ領域は、へきかい位置指定領域１３４よりも幅が広いスクライブ部分（図１において、第２の電極１３１ａ、１３１ｂの辺１３２ａ、１３２ｂによって挟まれた領域をいい、符号１３２を付す。）と、スクライブ部分１３２とへきかい位置指定領域１３４とを接続する部分であって、接続部分に向けて連続的に幅が狭くなる部分（以下、ガイド部分という。）（図１において、第２の電極１３１ａ、１３１ｂの辺１３３ａ、１３３ｂによって挟まれた領域をいい、符号１３３を付す。）とによって構成される。スクライブ部分１３２は、スクライバ等を用いてスクライブできる程度の幅を有する領域である。
【００２１】
半導体発光素子は、へきかいがへきかい位置指定領域１３４に沿って発生するように構成される。そのため、半導体発光素子の導波路の長手方向とへきかい位置指定領域１３４は、へきかい位置指定領域１３４でへきかいが容易に起こる結晶軸（以下、へきかい容易軸という。）方向に平行になるように形成される。具体的には、（１００）面が基板面のＩｎＰ基板を用いる場合、例えば、半導体発光素子の導波路は長手方向が＜０１１＞軸方向を向き、へきかい位置指定領域１３４が＜０−１１＞軸方向に向くように構成される。
【００２２】
図２（ａ）は、本発明の実施の形態に係る半導体発光素子を構成する第２の電極の形状の例を示す説明図である。第２の電極は、図２（ａ）に示すほぼ一定の幅のスクライブ部分を有する形状Ａ１のみならず、へきかい位置指定領域に向かってスクライブ領域の幅が単調に狭まる形状Ａ２を有するように構成されるのでもよい。この場合、スクライブ部分はガイド部分と同じ割合で広がるように構成されている。
【００２３】
ただし、スクライブ部分はスクライブできる程度の幅を有するのであればよく、樽状等、その他の形状でもよく、上記の形状に限定されるものではない。同様に、ガイド部分も、一定の割合で幅が狭まる形状である必要はなく、へきかい位置指定領域に向けて連続的幅が狭まる形状であればよい。
【００２４】
へきかい位置指定領域１３４内の半導体基板１１１は、一部が除去されて連続的な溝（以下、エッチング溝という。）が形成されている。図２（ｂ）は、本発明の実施の形態に係る半導体発光素子が形成される素子基板に設けられるエッチング溝の、へきかい位置指定領域に直交する面における断面形状（以下、へきかい位置直交断面形状という。）の例を示す説明図である。へきかい位置直交断面形状は、形状Ｂ１のようにＶ字形状をなすもの、および、形状Ｂ２のように溝の底の部分が少なくとも緩やかなＶ字形状をなすものが、へきかいの際に加えられる力が溝の底の部分に集中しやすくなり、へきかいが容易にできるため、好適である。なおエッチング溝はかならずしも連続的である必要はなく、またへきかいが実行できるだけの長さがあればよい。
【００２５】
ただし、へきかい位置直交断面形状は、形状Ｂ３のように溝の底の部分が丸みを帯びたものでもよい。第２の電極がへきかい位置指定領域の端とほぼ一致するように設けられているため、形状Ｂ３のへきかい位置直交断面形状でもへきかいが容易にできる。また、この場合、エッチング溝の底の部分の曲率半径が所定の範囲内になるようにすることが、へきかいの際の力の集中の観点から好適である。具体的には、形状Ｂ３のへきかい位置直交断面形状を半円とすると、この半円の直径を例えば１０μｍ〜３０μｍとするのが好適である。なお、スクライブ領域１３２、１３３は、エッチング溝と同程度の深さで除去されているのでもよい。
【００２６】
上記のように、第１の電極１２１ａ、１２１ｂと第２の電極１３１ａ、１３１ｂとを対向する位置に設けることによって、エピ基板１１０の表面のへきかい位置の近傍に、電極用金属等の粘りのある金属材料を配置することができ、へきかい位置に電極がないため半導体層１１２を好適にへきかいできる。ただし、第１の電極１２１ａ、１２１ｂと第２の電極１３１ａ、１３１ｂとの対向の位置の精度等を問題とするものではない。
【００２７】
スクライブ部分１３２を、例えば幅が２０μｍ、エッチングされた場合の溝の幅が１０μｍ、溝の深さが１０μｍ程度にするのが、基板面の利用率、歩留まり等の観点から好適である。ここで、へきかい位置指定領域１３４の幅および第１の電極１２１ａ、１２１ｂ間の隙間の幅およびエッチング溝の深さを、エピ基板１１０の厚さに応じて設定することが好適である。ただし、エッチング溝の深さは、所定の場合、へきかい位置指定領域１３４の幅に応じて設定されるため、かかる場合は、へきかい位置指定領域１３４の幅を設定することによって、エッチング溝の深さを設定することになる。
【００２８】
以下、本発明の実施の形態に係る半導体発光素子の製造方法について図面を用いて説明する。図３〜図６は、本発明の実施の形態に係る半導体発光素子の製造方法について説明するための図である。
【００２９】
まず、ＭＯＶＰＥ（ＭｅｔａｌＯｒｇａｎｉｃ  Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｙ）技術を用いて、図３（ａ）に示すように、半導体基板１１１上に、活性層、クラッド層等の半導体層１１２を堆積し、エピ基板１１０を作製する。以下、半導体基板１１１上に半導体層１１２を堆積する工程を半導体層形成工程という。ここで、半導体層１１２の結晶成長技術は、ＭＯＶＰＥ技術に限定されるものではなく、他の方法でもよい。ＭＯＶＰＥ技術を用いることは、半導体層１１２の堆積を短時間に行うことができ、好適である。
【００３０】
次に、フォトリソグラフィ技術を用いて、半導体層１１２上に第１の電極１２１ａ、１２１ｂの電極パターンを有するレジストマスクを形成し、例えば真空蒸着法を用いてレジストマスクをマスクとして第１の電極１２１ａ、１２１ｂ用の電極金属を堆積し、所定の溶剤を用いてレジストマスクを除去して第１の電極１２１ａ、１２１ｂを形成する（図３（ｂ）参照。）。以下、半導体層１１２上にに第１の電極１２１ａ、１２１ｂを形成する工程を第１の電極形成工程という。
【００３１】
次に、エピ基板１１０の裏面を研磨して所定の厚さにし、フォトリソグラフィ技術を用いて、研磨後のエピ基板１１０の裏面に第２の電極１３１ａ、１３１ｂの電極パターンを有するレジストマスクを形成し、例えば真空蒸着法を用いてレジストマスクをマスクとして第２の電極１３１ａ、１３１ｂ用の電極金属を堆積し、所定の溶剤を用いてレジストマスクを除去して第２の電極１３１ａ、１３１ｂを形成する（図３（ｃ）参照。）。以下、エピ基板１１０の裏面に第２の電極１３１ａ、１３１ｂを形成する工程を第２の電極形成工程という。なお、第２の電極形成工程の前にあらかじめ、エピ基板１１０の表面を保護するための窒化膜などの保護膜を形成するのでもよい。
【００３２】
次にフォトリソグラフィ技術を用いて、第２の電極３３１ａ、３３１ｂを覆い、へきかい位置指定領域３３４に少なくとも開口部を有するレジストマスクを形成する（図４（ｅ）参照）。ここで、レジストマスク３０１の開口部は、図４（ｅ）に示すようにスクライブ領域に及ぶのでもよい。
【００３３】
次に所定のエッチング液を用い、レジストマスク３０１をマスクとしてエピ基板１１０の裏面側をエッチングしてエッチング溝を形成する（図４（ｆ）参照）。ここでエッチング液として下記のものを用いるのでもよい。最後に、レジストマスク３０１を所定の溶媒を用いて除去する（図４（ｇ）参照）。以下、エピ基板１１０の裏面にエッチング溝を形成する工程を溝形成工程という。
【００３４】
具体的には、ＩｎＰ基板に対するエッチング液として、例えば硫酸系、塩酸系、臭素系のエッチング液を用いるのでもよい。この場合、ＩｎＰ基板の基板面を（１００）とすると、図５に示すへきかい位置直交断面形状のエッチング溝が形成される。すなわち、硫酸系のエッチング液を用いる場合は（０１１）面での断面形状がＶ字形状が得られやすく、塩酸系のエッチング液を用いる場合は（０１１）面での断面形状がＶ字形状が得られやすく、（０−１１）面での断面形状が基板方向に凸の形状が得られやすく、臭素系のエッチング液を用いる場合は（０１１）面での断面形状がＶ字形状が得られやすく、（０−１１）面での断面形状が基板方向に凸の形状が得られやすい。
【００３５】
また、ＧａＡｓ基板に対するエッチング液としては、例えば硫酸系、臭素系のエッチング液を用いるのでもよい。この場合、ＧａＡｓ基板の基板面を（１００）とすると、図５に示すへきかい位置直交断面形状のエッチング溝が形成される。すなわち、硫酸系のエッチング液を用いる場合は（０１１）面での断面形状がＶ字形状が得られやすく、（０−１１）面での断面形状が基板方向に凸の形状が得られやすく、臭素系のエッチング液を用いる場合は（０１１）面での断面形状がＶ字形状が得られやすく、（０−１１）面での断面形状が基板方向に凸の形状が得られやすい。エッチング液を、基板の材料、基板面方位、エッチング溝を形成する結晶方位等に応じて、Ｖ字形状、基板方向に凸の形状等が得られるように選択するものとする。
【００３６】
次に、エピ基板１１０の表面側のレジストを除去し、溝形成工程で形成されたエッチング溝に沿って素子基板をへきかいして半導体発光素子が並んだバー状成形体にする。具体的には、スクライブ領域１３２、１３３のスクライブ部分１３２にスクライバを用いて、エッチング溝の延長線近傍をスクライブしてへきかいするのでもよい。以下、この工程をへきかい工程という。
【００３７】
最後に、へきかい工程で得られたバー状成形体中の隣り合う第２の電極間の領域を境として各半導体発光素子に分離する。各半導体発光素子への分割は、ダイヤモンド砥粒を含むブレードで一部または全部を削って行うのでも、予め第２の電極間の領域をエッチングで除去しておき、へきかいすることによって行うのでもよい。ただし、これらの方法に限定されるのではなく、各半導体発光素子に分割できる方法であればその他の方法でもよい。以下、この工程を分割工程という。
【００３８】
なお上記では、レジストパターン３０１をマスクとしてエッチング溝を形成する製造方法について説明したが、本発明の適用は、レジストパターン３０１をマスクとしてエッチング溝を形成するものに限定されるものではなく、窒化膜などを用いる方法でもよい。以下にレジストパターン３０１に代えて第２の電極１３１ａ、１３１ｂをマスクとしてエッチング溝を形成する製造方法について説明する。
【００３９】
以下では、本発明の実施の形態に係る半導体発光素子の製造方法における溝形成工程以外の工程は、上記と同様としその説明を省略する。エピ基板１１０の表面側からレジストを塗布し所定のエッチング液を用いてエッチング溝を形成する。その際、第２の電極１３１ａ、１３１ｂをマスクとして用いることにより、エピ基板１１０の裏面側をエッチングする。このときスクライブ領域１３２、１３３のエピ基板１１０も同時にエッチングされる。
【００４０】
図６は、本発明の実施の形態に係る半導体発光素子の製造方法のへきかい工程の終了後に得られるバー状成形体の模式的な斜視図である。図６には、バー状成形体が、スクライブ領域を設けるための第２の電極３３１ａ１を有する半導体発光素子３００１と、スクライブ領域を設けずへきかい位置指定領域を設けるための第２の電極３３１ａ２を有する半導体発光素子３００２とが並んで構成されている様子が示されている。
【００４１】
ここで、半導体発光素子３００１は、必ずしも半導体基板の最も端の領域に設けられる必要はなく、半導体発光素子の製造上適切な位置に設けられるのが好適である。バー状成形体中の各半導体発光素子３００１、３００２の分離は、第２の電極３３１ａ１、３３１ａ２間の領域をへきかいする等の方法によって行われるのでもよい。導波路の長手方向に直交するへきかい面とは異なり、第２の電極３３１ａ１、３３１ａ２間の領域での端面には、通常、高い反射率が求められない。
【００４２】
以下、本発明の実施の形態に係る半導体発光素子の動作について半導体レーザを例にとり説明する。まず、第２の電極１３１ａ、１３１ｂと第１の電極１２１ａ、１２１ｂとを介して、駆動電流を流す。発生した励起光は、へきかい工程で形成されたへきかい面で反射し、導波路を往復する。駆動電流が所定値以上になると、レーザ発振し、所定のへきかい面からレーザ光を出射する。
【００４３】
以上説明したように、本発明の実施の形態に係る半導体発光素子は、スクライブ領域内でスクライブすることによって、へきかい位置指定領域に沿ったへきかいを容易に発生させることができると共にへきかい位置指定領域近傍にまで及ぶように電極を形成できるため、端面がへきかいによって形成され、基板面の利用率と歩留まりを向上することができる。
【００４４】
また、スクライブ領域が連続的に狭まってへきかい位置指定領域に接続される領域を有するため、へきかい位置指定領域の延長線からずれてスクライブがなされる場合でもへきかいを良好に発生させることができ、より容易に製造できる。
【００４５】
また、へきかい位置指定領域内の溝の断面形状がＶ字形状をなすため、へきかいの際の力を溝の底部に集中させることができ、さらに容易に製造できる。
【００４６】
また、本発明の実施の形態に係る半導体発光素子の製造方法は、スクライブ領域内でスクライブすることによって、へきかい位置指定領域に沿ったへきかいを容易に発生させることができると共にへきかい位置指定領域近傍にまで及ぶように電極を形成できるため、端面がへきかいによって形成され、基板面の利用率と歩留まりの向上が可能な半導体発光素子を製造できる。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明に係る半導体発光素子およびその製造方法は、端面がへきかいによって形成され、基板面の利用率と歩留まりを向上することができるという効果を有し、半導体レーザ、スーパールミネッセントダイオード、ＬＥＤ等の半導体発光素子およびその製造方法として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体発光素子が形成された素子基板の端部を模式的に示す図。
【図２】本発明の実施の形態に係る半導体発光素子を構成する第２の電極の形状の例、および、へきかい位置直交断面形状の例を示す説明図。
【図３】本発明の実施の形態に係る半導体発光素子の製造方法の一例について説明するための図。
【図４】本発明の実施の形態に係る半導体発光素子の製造方法における溝形成工程でレジストマスクを用いてエッチング溝を形成する例を説明するための図。
【図５】本発明の実施の形態に係る半導体発光素子の製造方法において用いるエッチング液、半導体基板の材料およびへきかい位置直交断面形状を対応づけて説明するための図。
【図６】本発明の実施の形態に係る半導体発光素子の製造方法のへきかい工程の終了後に得られるバー状成形体の模式的な斜視図。
【図７】従来のへきかい技術について説明するための図。
【符号の説明】
【００４９】
１  半導体基板
１ａ'  ノッチ
３〜７、２０  半導体層
８、９  電極
１０  サファイヤ基板
１１、１２  半導体レーザ
１４  溝
１５'  溝の側面
２１  半導体多層構造
３１、３２  接点領域
４１、４２  接点金属パッド
５１〜５３、６１〜６３  窪み
１００  素子基板
１１０  エピ基板
１１１  半導体基板
１１２  半導体層
１２１、１２１ａ、１２１ｂ  第１の電極
１３０  領域
１３１、１３１ａ、１３１ｂ、３３１ａ、３３１ａ１、３３１ａ２、３３１ｂ  第２の電極
１３２  スクライブ領域のスクライブ部分
１３３  スクライブ領域のガイド部分
１３４、３３４  へきかい位置指定領域
３００１、３００２  半導体発光素子
３０１  レジストマスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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