(57)【要約】【課題】  ファンアウト構造部分のテープ基板の変形が小さい半導体装置を提供する。【解決手段】  表面中央部分１１ａより外側の周辺部分１１ｂが肉厚に形成され、中央部分に貫通孔２１が形成され、且つ裏面に配線パターン１６を有するポリイミド樹脂製のテープ基板１０、テープ基板１０の表面中央部分１１ａにフェースダウンで載置され、電極パッド列２６が貫通孔２１内に露出された半導体チップ２５、電極パッド列２６と配線パターン１６を電気的に接続するボンディングワイヤ２８、テープ基板１０の周辺部分１１ｂの裏面に設けられ、配線パターン１６に電気的に接続された外部接続端子２３、及び、外部接続端子２３を露出してテープ基板１０裏面に設けられたソルダレジスト膜１３を備えた。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面中央部分より外側の周辺部分が前記表面中央部分より肉厚に形成され、前記表面中央部分に貫通孔が形成され、且つ裏面に配線パターンを有するポリイミド樹脂製のテープ基板と、
前記テープ基板の表面中央部分にフェースダウンで載置され、電極パッドが前記貫通孔内に露出された半導体チップと、
前記電極パッドと前記配線パターンを電気的に接続する接続手段と、
前記テープ基板の周辺部分の裏面に設けられ、前記配線パターンに電気的に接続された外部接続端子と、
前記外部接続端子を露出して前記テープ基板裏面に設けられたソルダレジスト膜と、
を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
表面中央部分に貫通孔が形成され、且つ裏面に配線パターンを有するポリイミド樹脂製のテープ基板と、
前記テープ基板の表面中央部分にフェースダウンで載置され、電極パッドが前記貫通孔内に露出された半導体チップと、
前記電極パッドと前記配線パターンを電気的に接続する接続手段と、
前記テープ基板の表面中央部分の外側の周辺部分の裏面に設けられ、前記配線パターンに電気的に接続された外部接続端子と、
前記外部接続端子を露出して前記テープ基板裏面に設けられ、裏面中央部分の膜厚が裏面周辺部分より厚いソルダレジスト膜と、
を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記テープ基板は、表面中央部分より周辺部分が肉厚であることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
表面中央部分に貫通孔が形成され、且つ裏面に配線パターンを有するポリイミド樹脂製のテープ基板と、
前記テープ基板の表面中央部分にフェースダウンで載置され、電極パッドが前記貫通孔内に露出された半導体チップと、
前記電極パッドと前記配線パターンを電気的に接続する接続手段と、
前記テープ基板の表面中央部分の外側の周辺部分の裏面に設けられ、前記配線パターンに電気的に接続された外部接続端子と、
前記外部接続端子を露出して前記テープ基板裏面に設けられたソルダレジスト膜と、
前記テープ基板の周辺部分表面に設けられた反り防止膜と、
を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
前記テープ基板は、表面中央部分より周辺部分が肉厚であることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関し、特に、ボールグリッドアレイ（以下、ＢＧＡと称す）型半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化、薄型化に伴い、半導体装置も小型化、薄型化が急速に進んでいる。このような小型化、薄型化の要求を満たすための半導体装置として、例えば、特許文献1に示されるようなＢＧＡ型半導体装置がある。
【０００３】
このＢＧＡ型半導体装置では、ポリイミド樹脂製のテープ基板の中央部分には貫通孔が設けられ、裏面には配線パターンとこの配線パターンに電気的に接続された半田ボール等の外部接続端子が設けられ、この外部接続端子を除いて配線パターンを含みテープ基板裏面がソルダレジスト膜で覆われている。そして、このテープ基板の表面に、接着剤を介して半導体チップがフェースダウン状態で固着され、貫通孔を通じて電極パッドと配線パターンをボンディングワイヤにより接続している。
【０００４】
しかし、上記構造のＢＧＡ型半導体装置では、外部接続端子数が比較的少ない場合には、外部接続端子は、半導体チップが存在するテープ基板裏面部に配置（以下、ファンイン構造と称す。）することができるが、外部接続端子数が比較的多い場合には、外部接続端子は、半導体チップが存在しない周辺部分のテープ基板裏面にも配置（以下、ファンアウト構造と称す。）することが必要となる。
【０００５】
ところが、テープ基板は、厚さが比較的薄く、フレキシブルであるために、ファンアウト構造にすると、テープ基板に働く比較的小さな応力によって、テープ基板の変形が起こり、半導体装置を実装基板に実装した際、外部接続端子が実装基板に均等に接続できないという問題があった。
【特許文献１】特開２００２−２８０５１６号公報  （第２頁、図９）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、ファンアウト構造部分のテープ基板の変形が小さい半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様の半導体装置は、表面中央部分より外側の周辺部分が前記表面中央部分より肉厚に形成され、前記表面中央部分に貫通孔が形成され、且つ裏面に配線パターンを有するポリイミド樹脂製のテープ基板と、前記テープ基板の表面中央部分にフェースダウンで載置され、電極パッドが前記貫通孔内に露出された半導体チップと、前記電極パッドと前記配線パターンを電気的に接続する接続手段と、前記テープ基板の周辺部分の裏面に設けられ、前記配線パターンに電気的に接続された外部接続端子と、前記外部接続端子を露出して前記テープ基板裏面に設けられたソルダレジスト膜とを備えたことを特徴とする。
【０００８】
また、本発明の別の態様の半導体装置は、表面中央部分に貫通孔が形成され、且つ裏面に配線パターンを有するポリイミド樹脂製のテープ基板と、前記テープ基板の表面中央部分にフェースダウンで載置され、電極パッドが前記貫通孔内に露出された半導体チップと、前記電極パッドと前記配線パターンを電気的に接続する接続手段と、前記テープ基板の表面中央部分より外側の周辺部分の裏面に設けられ、前記配線パターンに電気的に接続された外部接続端子と、前記外部接続端子を露出して前記テープ基板裏面に設けられ、裏面中央部分の膜厚が裏面周辺部分より厚いソルダレジスト膜とを備えたことを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の別の態様の半導体装置は、表面中央部分に貫通孔が形成され、且つ裏面に配線パターンを有するポリイミド樹脂製のテープ基板と、前記テープ基板の表面中央部分にフェースダウンで載置され、電極パッドが前記貫通孔内に露出された半導体チップと、前記電極パッドと前記配線パターンを電気的に接続する接続手段と、前記テープ基板の表面中央部分より外側の周辺部分の裏面に設けられ、前記配線パターンに電気的に接続された外部接続端子と、前記外部接続端子を露出して前記テープ基板裏面に設けられたソルダレジスト膜と、前記テープ基板の周辺部分表面に設けられた反り防止膜とを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、ファンアウト構造部分のテープ基板の変形が小さい半導体装置を提供することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明者等は、図５に示すようなファンアウト構造を有するＢＧＡ型半導体装置を試作し、ファンアウト構造部分のテープ基板の変形とその原因について究明を行った。
【００１２】
すなわち、このＢＧＡ型半導体装置１０１では、図５に示すように、ポリイミド樹脂製のテープ基板１１０は、半導体チップ１２５より広面積を有し、その中央部分には貫通孔１２１が形成され、裏面には配線パターン１１６が形成されている。このテープ基板１１０表面の中央部分には、半導体チップ１２５がフェースダウンにて固着され、貫通孔１２１を通じて電極パッド１２６と配線パターン１１６とがボンディングワイヤ１２８で接続されている。そして、配線パターン１１６に電気的に接続された外部接続端子１２３が、半導体チップ１２５に対応するテープ基板１１０の裏面中央部分に留まらず、半導体チップの外側の周辺部分に対応するテープ基板の裏面周辺部分にもファンアウト構造に配置されている。また、この外部接続端子１２３を除いた配線パターン１１６を含むテープ基板１１０裏面は、耐温度サイクル特性を確保するために均一、且つ所定の膜厚のソルダレジスト膜１１３で覆われている。
【００１３】
そして、このファンアウト構造のＢＧＡ型半導体装置１０１は、組立工程、バーインテスト、及び高温特性評価等の熱処理工程を経るため、半導体チップ１２５の周辺部分おけるテープ基板１１０が、外部接続端子１２３側に傾斜する反りを発生する。この反りは、テープ基板１１０の表面側における半導体チップ１２５の熱膨張係数に比べて裏面側におけるソルダレジスト膜１１３の熱膨張係数が大きく、テープ基板１１０の周辺部分を裏面側に押す応力が、テープ基板１１０の元に戻ろうとする応力に優るために起こると考えられる。
【００１４】
ところで、テープ基板１１０の厚さを厚くすれば、反りを抑制することが可能であるが、テープ基板１１０の吸湿量が大きくなり、吸排湿を繰り返すことにより、半導体チップ１２５とテープ基板１１０との密着性が悪化し、半導体装置１０１の信頼性を損なう恐れがある。
【００１５】
また、ソルダレジスト膜１１３の厚さを薄くすれば、反りを抑制することが可能であるが、半導体チップが載置されているために厳しい温度サイクルにさらされる裏面中央部分のソルダレジスト膜の耐温度サイクル特性が損なわれ、半導体装置の信頼性を損なう恐れがある。
【００１６】
そこで、半導体チップの載置される中央部分のテープ基板１１０の厚さ、または中央部分のソルダレジスト膜の厚さを変更することなく、テープ基板１１０の周辺部分の反りを抑制する構造の追求の結果、本発明のＢＧＡ型半導体装置の完成に至った。
【００１７】
以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら説明する。各図では、同一の構成要素には同一の符号を付す。
【実施例１】
【００１８】
本発明の実施例１に係るＢＧＡ型半導体装置について、図１を参照しながら説明する。図１はＢＧＡ型半導体装置の概略を示すもので、図１（ａ）はＢＧＡ型半導体装置を外部接続端子側から見た模式的な平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図である。本実施例は、ソルダレジスト膜を従来と同様に均一、且つ所定の膜厚とし、テープ基板の厚みを中央部分と周辺部分とで変えることにより、テープ基板の周辺部分の反りを抑制するようにしたものである。
【００１９】
図１に示すように、ＢＧＡ型半導体装置１は、ポリイミド樹脂製のテープ基板１０と、テープ基板１０の表面の中央部分に固着された半導体チップ２５と、テープ基板１０の裏面に設けられた外部接続端子２３と、外部接続端子２３等を除いたテープ基板１０の裏面を覆うソルダレジスト膜１３を有している。
【００２０】
テープ基板１０は、ポリイミド樹脂からなり、半導体チップ２５が固着される中央部分１１ａとその中央部分１１ａの外側の周辺部分１１ｂとに分けられる。
【００２１】
本明細書で言う「中央部分」とは、半導体チップ２５が固着される領域を意味し、「周辺部分」とは、テープ基板１０の中央部分１１ａの外側で、且つ外部接続端子２３をファンアウト構造に配置することが可能な面積を有する領域を意味し、この実施例においては、図中のＢ−Ｂ線の左右両側の領域を周辺部分１１ｂと言う。
【００２２】
また、テープ基板１０の中央部分１１ａは、ポリイミド樹脂の吸排湿による半導体装置の信頼性の劣化を招来しないように、従来と同様の厚さに形成され、周辺部分１１ｂは、中央部分１１ａに比べて肉厚に形成されている。
【００２３】
この中央部分１１ａに比べて周辺部分１１ｂが肉厚なテープ基板１０は、例えば、肉厚のテープ基板の中央部分１１ａを、従来のウェットエッチングあるいはドライエッチング技術により選択的に薄くすることにより簡単に形成することができる。また、従来のテープ基板の周辺部分１１ｂに、所定厚のテープ基板を貼り付けることにより形成することもできる。
【００２４】
本実施例では、半導体チップ２５は、Ｂ−Ｂ線に沿う方向の長さが約１８ｍｍ、Ａ−Ａ線に沿う方向の幅が約８ｍｍ、厚みが約０．５ｍｍで、これに対して、テープ基板１０は、長さが約２０ｍｍ、幅が約１５ｍｍで、周辺部分１１ｂの幅が約３．５ｍｍ、中央部分１１ａの厚みが約５０〜１００μｍ、周辺部分１１ｂの厚みが中央部分１１ａの厚みの１．５〜２．０倍、例えば７５〜２００μｍに形成している。
【００２５】
このテープ基板１０の中央部分１１ａの幅方向の中心部には、半導体チップ２５の電極パッド列を露出するための細長い貫通孔２１がテープ基板１０の長さ方向に形成されている。
【００２６】
このテープ基板１０の表面には、半導体チップ２５を固着するための接着層１５が貼着されている。更に、半導体チップ２５は、封止樹脂３１によって周辺部分が固着されている。
【００２７】
一方、テープ基板１０の裏面には、例えば、代表的に示したように、Ｃｕからなる配線パターン１６が形成されている。この配線パターン１６の一端部には、ボンディングパッド１７が設けられ、他端部には外部接続パッド１８が形成されている。また、配線パターン１６は、一般的に中央部分１１ａで密に、周辺部分１１ｂで中央部分１１ａに比べて粗に設けられている。
【００２８】
このボンディングパッド１７は、貫通孔２１に近接し、且つ沿って配置され、また外部接続パッド１８は、テープ基板１０の中央部分１１ａに対応する裏面中央部分及び周辺部分１１ｂに対応する裏面周辺部分にマトリックス状に配置されている。
【００２９】
この外部接続パッド１８には、例えば、半田ボールからなる外部接続端子２３がそれぞれ固着されている。
【００３０】
また、ソルダレジスト膜１３は、従来と同様に耐温度サイクル特性を確保するために、テープ基板１０の中央部分１１ａの数分の１程度、例えば、１５〜３０μｍと比較的厚い膜厚で、ボンディングパッド１７及び外部接続端子２３を除いて配線パターン１７を含むテープ基板１０の裏面全面を均一に覆っている。
【００３１】
半導体チップ２５は、回路素子が形成された表面の中央部分に、複数の電極パッド列２６が形成されている。この半導体チップ２５は、電極パッド列２６がテープ基板１０の貫通孔２１より露出するようにテープ基板１０の中央部分１１ａにフェースダウンにて載置され、接着層１５により固着されている。
【００３２】
この電極パッド列２６は、貫通孔２１を通じて接続部材である、例えば、Ａｕのボンディングワイヤ２８によりテープ基板１０のボンディングパッド１７に接続されている。
【００３３】
そして、封止樹脂３３により貫通孔２１内、ボンディングワイヤ２８及びボンディングパッド１７部分は封止されている。
【００３４】
以上のような本発明の実施例１のＢＧＡ型半導体装置１では、外部接続端子２３をファンアウト構造に配置するテープ基板１０の周辺部分１１ｂを中央部分１１ａに比べて肉厚にして剛性を大きくしている。従って、従来と同様な組立工程、バーインテスト及び高温特性評価等の熱処理工程を経ても、ソルダレジスト膜１３の熱変化による応力に抗するため、テープ基板１０の周辺部分の反りは殆どなく、実装基板への実装において外部接続端子２３を実装基板に均等に接続可能なＢＧＡ半導体装置１を提供することができる。
【００３５】
なお、本実施例では、テープ基板１０の幅方向、即ち図中のＢ−Ｂ線の左右両側の周辺部分１１ｂに外部接続端子２３をファンアウト構造に配置した例を説明したが、テープ基板１０の長さ方向、即ちＡ−Ａ線の上下両側に外部接続端子２３をファンアウト構造に配置するための周辺部分１１ｂを設けてもよい。また、テープ基板１０の幅及び長さ方向の両方に外部接続端子２３をファンアウト構造に配置するための周辺部分１１ｂを設けても差し支えない。いずれの場合にも、周辺部分１１ｂのテープ基板１０の肉厚を中央部分１１ａに比べて厚くすることは勿論である。
【実施例２】
【００３６】
本発明の実施例２に係るＢＧＡ型半導体装置について、図２を参照しながら説明する。図２は、ＢＧＡ型半導体装置の概略を示す断面図である。本実施例は、テープ基板を均一な肉厚とし、且つテープ基板の中央部分におけるソルダレジスト膜の中央部分の膜厚を従来と同様に厚くし、外部接続端子をファンアウト構造に配置する周辺部分におけるソルダレジスト膜の膜厚さを薄くすることにより、テープ基板の周辺部分の反りを抑制するようにした点が上記実施例１と異なる。以下では、上記実施例１と同一構成部分には同一の符号を付し、その説明は省略し、異なる構成部分について説明する。
【００３７】
図２に示すように、ＢＧＡ型半導体装置２は、ポリイミド樹脂製のテープ基板５０と、テープ基板５０の表面の中央部分１１ａに固着された半導体チップ２５と、テープ基板５０の裏面に設けられた外部接続端子２３と、外部接続端子２３等を除いたテープ基板５０の裏面を覆い、且つ中央部分５４ａの膜厚が従来と同様に厚く、周辺部分５４ｂの膜厚が中央部分５４ａの膜厚より薄いソルダレジスト膜５３とを有している。
【００３８】
テープ基板５０は、ポリイミド樹脂からなり、半導体チップ２５が固着される中央部分１１ａとその中央部分１１ａの外側で、図中のＢ−Ｂ線の左右両側に設けられ、且つ外部接続端子２３をファンアウト構造に配置することが可能な大きさの周辺部分１１ｂとに分けられる。ここでは、テープ基板５０の中央部分１１ａと周辺部分１１ｂとは、同じ厚さに形成されている。例えば、ポリイミド樹脂の吸排湿による半導体装置の信頼性の劣化を招来しないように、従来と同様の５０〜１００μｍに形成されている。
【００３９】
ソルダレジスト膜５３の中央部分５４ａの膜厚は、従来と同様に、テープ基板５０の中央部分１１ａの数分の１程度、例えば、１５〜３０μｍと厚く、一方、ソルダレジスト膜５３の周辺部分５４ｂの膜厚は、ソルダレジスト膜５３の中央部分５４ａの膜厚の１／２から１／４程度、例えば、４〜１５μｍと薄く形成され、ボンディングパッド１７及び外部接続端子２３を除いて配線パターン１６を含むテープ基板５０の裏面を覆っている。
【００４０】
このソルダレジスト膜５３の周辺部分５４ｂは、次の理由で薄く形成することが可能である。一般に、ソルダレジスト膜５３の中央部分５４ａは、半導体チップ２５に接近し、また、配線パターン１６が周辺部分１１ｂより密に形成されている中央部分１１ａ上に設けられているために、半導体装置の動作中の温度は周辺部分５４ｂより高くなり、周辺部分５４ｂに比較して厳しい温度サイクルにさらされる。そのために、ソルダレジスト膜５３の中央部分５４ａは、耐温度サイクル性を確保するために、従来と同様の厚さが必要であるが、周辺部分５４ｂは緩い温度サイクルのために薄くすることが可能である。
【００４１】
異なる厚さのソルダレジスト膜５３は、例えば、最初に、薄い周辺部分５４ｂに相当する層を、ボンディングパッド１７及び外部接続パッド１８等を除く全面に塗布した後、マスク等を用いて、ソルダレジスト膜５３の中央部分５４ａに相当する位置に、所望の厚さの層を重ねて塗布することによって形成することができる。また、ソルダレジスト膜５３は、感光性の材料であってもよく、この場合、まず、中央部分５４ａに相当する厚さを形成し、次に、パターニング露光を行い、周辺部分５４ｂの一部を除去して所望の厚さとして、次に、同様にして、ボンディングパッド１７及び外部接続パッド１８の接続に必要な部分を開口しても差し支えない。
【００４２】
以上のような本発明の実施例２のＢＧＡ型半導体装置２では、テープ基板５０を均一な肉厚に形成し、ソルダレジスト膜５３の周辺部分５４ｂの膜厚を中央部分５４ａに比べて薄くして、テープ基板５０の剛性で抗することができるように構成している。
【００４３】
従って、従来と同様な組立工程、バーインテスト及び高温特性評価等の熱処理工程を経ても、テープ基板５０はソルダレジスト膜５３の周辺部分５４ｂの熱変化による応力に抗するため、テープ基板５０の周辺部分１１ｂの反りは殆どなく、実装基板（図示略）への実装において外部接続端子２３を実装基板に均等に接続可能なＢＧＡ半導体装置２を提供することができる。その他に、ソルダレジスト膜５３の中央部分５４ａ及び周辺部分５４ｂの厚さの変更は、実施例１のテープ基板１０の中央部分１１ａ及び周辺部分１１ｂの厚さの変更に比較して、より簡単な工程で実現することが可能である。
【００４４】
なお、本実施例では、テープ基板５０の幅方向、即ち図１のＢ−Ｂ線の左右両側の周辺部分１１ｂに外部接続端子２３をファンアウト構造に配置した例を説明したが、テープ基板５０の長さ方向、即ちＡ−Ａ線の上下両側に外部接続端子２３をファンアウト構造に配置するための周辺部分１１ｂを設けてもよい。また、テープ基板５０の幅及び長さ方向の両方に部接続端子２３をファンアウト構造に配置するための周辺部分１１ｂを設けても差し支えない。いずれの場合にも、テープ基板５０の中央部分１１ａの裏面におけるソルダレジスト膜５３の中央部分５４ａの膜厚は、従来と同様に厚く、ソルダレジスト膜５４の周辺部分５４ｂの膜厚は中央部分５４ａの膜厚に比べて薄くすることは勿論である。
【実施例３】
【００４５】
本発明の実施例３に係る半導体装置について、図３を参照しながら説明する。図３は、半導体装置の概略を示す断面図である。本実施例は、テープ基板の周辺部分の厚さを中央部分に比べて厚くし、且つソルダレジスト膜の周辺部分の厚さを中央部分に比べて薄くした点で上記実施例１あるいは実施例２とは異なる。以下では、上記実施例１あるいは実施例２と同一構成要素部分には同一の符号を付し、その説明は省略し、異なる構成部分について説明する。
【００４６】
図３に示すように、ＢＧＡ型半導体装置３は、ポリイミド樹脂製のテープ基板１０と、テープ基板１０の表面の中央部分１１ａに固着された半導体チップ２５と、テープ基板１０の裏面に設けられた外部接続端子２３と、外部接続端子２３等を除いたテープ基板１０の裏面を覆う、ソルダレジスト膜５３とを有している。
【００４７】
そして、テープ基板１０は、実施例１と同様に、中央部分１１ａに比べて周辺部分１１ｂの厚さが厚く形成されてなり、ソルダレジスト膜５３は、実施例２と同様に、中央部分５４ａに比べて周辺部分５４ｂの厚さが薄く形成されている。
【００４８】
以上のような本発明の実施例３のＢＧＡ型半導体装置３では、外部接続端子２３をファンアウト構造に配置するテープ基板１０の周辺部分１１ｂを中央部分１１ａに比べて肉厚にして剛性を大きくしている。また、テープ基板１０の裏面のソルダレジスト膜５３の周辺部分５４ｂを中央部分５４ａに比べて薄くして、テープ基板１０の剛性で抗することができるように構成している。
【００４９】
従って、実施例１及び実施例２と同様に、テープ基板１０の周辺部分の反りは抑制され、実装基板（図示略）への実装において外部接続端子２３を実装基板に均等に接続可能なＢＧＡ半導体装置３を提供することができる。更に、テープ基板１０の周辺部分１１ｂを厚く、且つ、ソルダレジスト膜５３の周辺部分５４ｂを薄く形成しているために、テープ基板１０の周辺部分１１ａの反りの程度をより低減することが可能であり、例えば、テープ基板１０とソルダレジスト膜５３との熱膨張係数の差が比較的大きな材料に対しても適用することが可能である。
【００５０】
なお、本実施例では、テープ基板１０の幅方向、即ち図１のＢ−Ｂ線の左右両側の周辺部分１１ｂに外部接続端子２３をファンアウト構造に配置した例を説明したが、テープ基板１０の長さ方向、即ち図１のＡ−Ａ線の上下両側に外部接続端子２３をファンアウト構造に配置するための周辺部分１１ｂを設けてもよい。また、テープ基板１０の幅及び長さ方向の両方に外部接続端子２３をファンアウト構造に配置するための周辺部分１１ｂを設けても差し支えない。いずれの場合にも、テープ基板１０の中央部分１１ａを従来と同様の厚さにし、周辺部分１１ｂを中央部分１１ａに比べて厚くし、且つ、ソルダレジスト膜５３の中央部分５４ａの膜厚を従来と同様の膜厚にし、周辺部分５４ｂの肉厚を中央部分５４ａに比べて薄くすることは勿論である。
【実施例４】
【００５１】
本発明の実施例４に係る半導体装置について、図４を参照しながら説明する。図４は、半導体装置の概略を示す断面図である。本実施例は、厚さが一定のテープ基板上の周辺部分の半導体チップと同じ側に、ソルダレジスト膜と同じ厚さ、同じ材質の反り防止膜を形成することにより、テープ基板の周辺部分の反りを抑制するようにした点で上記実施例１あるいは実施例２とは異なる。以下では、上記実施例１あるいは実施例２と同一の構成部分には同一の符号を付し、その説明は省略し、異なる構成部分について説明する。
【００５２】
図４に示すように、ＢＧＡ型半導体装置４は、ポリイミド樹脂製のテープ基板５０と、テープ基板５０の表面の中央部分に固着された半導体チップ２５と、テープ基板５０の周辺部分１１ｂを覆う反り防止膜６３と、テープ基板５０の裏面に設けられた外部接続端子２３と、外部接続端子２３等を除いたテープ基板５０の裏面を覆うソルダレジスト膜１３とを有している。
【００５３】
反り防止膜６３は、ソルダレジスト膜１３と同様な材質及び同様な厚さに形成されている。この反り防止膜６３は、実施例２のソルダレジスト膜１３と同様な方法で形成することが可能である。なお、反り防止膜６３は、配線パターン１６等が反りに及ぼす影響を考慮に入れて、厚さを決めることは差し支えない。また、反り防止膜６３は、ソルダレジスト膜１３と熱膨張係数等の特性が同等であれば、全く同じ材料である必要はないし、類似の特性を有する材料の厚さを適切に選んで使用することは差し支えない。
【００５４】
以上のような本発明の実施例４のＢＧＡ型半導体装置４では、テープ基板５０の表面周辺部分１１ｂに、ソルダレジスト膜１３と同様な材質及び同様な厚さの反り防止膜６３を設けてテープ基板５０の表面及び裏面で発生する応力を相殺しているためテープ基板５０の周辺部分１１ｂの反りは抑制され、実装基板（図示略）への実装において外部接続端子２３を実装基板に均等に接続可能なＢＧＡ半導体装置３を提供することができる。しかも、テープ基板５０の表面及び裏面で発生する応力を相殺するために、より簡単な構成で、テープ基板５０の反りの抑制が可能である。
【００５５】
なお、本実施例では、テープ基板５０の幅方向、即ち図１のＢ−Ｂ線の左右両側の周辺部分１１ｂに外部接続端子２３をファンアウト構造に配置した例を説明したが、テープ基板５０の長さ方向、即ち図１のＡ−Ａ線の上下両側に外部接続端子２３をファンアウト構造に配置するための周辺部分１１ｂを設けてもよい。また、テープ基板５０の幅及び長さ方向の両方に外部接続端子２３をファンアウト構造に配置するための周辺部分１１ｂを設けても差し支えない。いずれの場合にも、テープ基板５０の中央部分１１ａを従来と同様の厚さにし、周辺部分１１ｂの表面に、反り防止膜を形成することは勿論である。
【００５６】
また、本実施例では、テープ基板５０は一定の厚さを有している例を説明したが、実施例１で示したように、中央部分１１ａを従来と同様の厚みにし、周辺部分１１ｂの厚さが、中央部分１１ａより厚く形成されたテープ基板５０としても差し支えない。この場合、テープ基板５０の周辺部分１１ｂの反りの程度をより低減することが可能である。
【００５７】
以上、本発明の実施例を説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々変形して実施することができる。
【００５８】
例えば、上述したＢＧＡ型半導体装置では、テープ基板として、ポリイミド樹脂を使用する例を示したが、他のフレキシブルな樹脂を使用することは可能である。
【００５９】
また、ＢＧＡ型半導体装置は、図１のＢ−Ｂ線の左右において鏡対称に形成したが、非鏡対称に形成してもよく、またＡ−Ａ線の上下において鏡対称、または非鏡対称に形成してもよい。
【００６０】
また、上述したＢＧＡ型半導体装置では、半導体チップの電極パッドとテープ基板の内部接続パッドとをワイヤボンディング法による接続を採用したが、これらの接続をワイヤボンディング法以外の接続方法、例えば、ビームリードボンディング法等で行っても差し支えない。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の実施例１に係る半導体装置の概略を示すもので、図１（ａ）は半導体装置を外部接続端子側から見た平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図。
【図２】本発明の実施例２に係る半導体装置の概略を示す断面図。
【図３】本発明の実施例３に係る半導体装置の概略を示す断面図。
【図４】本発明の実施例４に係る半導体装置の概略を示す断面図。
【図５】本発明の検討用に使用した半導体装置の概略を示す断面図。
【符号の説明】
【００６２】
１、２、３、４、１０１  ＢＧＡ型半導体装置
１０、５０、１１０  テープ基板
１１ａ、５４ａ  中央部分
１１ｂ、５４ｂ  周辺部分
１３、５３、１１３  ソルダレジスト膜
１５、１１５  接着層
１６、１１６  配線パターン
１７、１１７  ボンディングパッド
１８、１１８  外部接続パッド
２１、１２１  貫通孔
２３、１２３  外部接続端子
２５、１２５  半導体チップ
２６、１２６  電極パッド列
２８、１２８  ボンディングワイヤ
３１、３３、１３１、１３３  封止樹脂
６３  反り防止膜
【図１】
2006344677.tif 000003
【図２】
2006344677.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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