(57)【要約】【課題】  従来の半導体量子ドットに対し、より製造可能な発光或いは受光波長範囲が広く、かつ、より欠陥が少なく光学特性に優れ、作成上の制約も少ない半導体量子ドットを均一性、再現性良く作成する。【解決手段】  半導体基板１０１上に量子ドット１０５が形成される構造において、量子ドット１０５が、少なくとも２種類の、組成或いは構成元素の少なくとも一部が異なる半導体材料により構成され、自己組織化量子ドットからなる第一領域１０５ａと、薄膜層１０６の成長中に第一領域１０５ａによる歪場に誘起された組成変調によって第一領域１０５ａ上に選択的に形成された第二領域１０５ｂとを有し、更に量子ドット１０５を構成する少なくとも１種類の半導体材料中にビスマスまたはアンチモン、或いはその双方が添加される半導体量子ドット構造及びその製造方法とした。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に半導体量子ドットが形成される構造において、前記半導体量子ドットが、少なくとも２種類の、組成或いは構成元素の少なくとも一部が異なる半導体材料から構成され、少なくとも１種類の前記半導体材料中にビスマスまたはアンチモン、或いはその双方が添加されていることを特徴とする半導体量子ドット構造。
【請求項２】
半導体基板上に半導体量子ドットが形成される構造において、前記半導体量子ドットがバッファ層となる半導体薄膜層上に形成されており、かつ、前記半導体量子ドットが、少なくとも２種類の、組成或いは構成元素の少なくとも一部が異なる半導体材料から構成され、かつ、前記バッファ層中、或いは前記バッファ層中かつ少なくとも１種類の前記半導体材料中にビスマスまたはアンチモン、或いはその双方が添加されていることを特徴とする半導体量子ドット構造。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の半導体量子ドット構造において、前記半導体量子ドットが、前記半導体基板に対して圧縮歪を有する半導体材料からなり、かつ、結晶成長時に自己組織化によってドット形状が形成された領域である第一領域と、前記第一領域と対比して、基板に対する歪みが、無歪状態を含むより小さな圧縮歪、或いは伸張歪を有する少なくとも１種類以上の半導体材料により構成されている領域である第二領域によって構成されていることを特徴とする半導体量子ドット構造。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体量子ドット構造において、前記第二領域が、半導体混晶からなる薄膜層中において、歪場に誘起されて生じる混晶組成の変調によって形成されていることを特徴とする半導体量子ドット構造。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体量子ドット構造において、前記第二領域を内包する薄膜層の、前記半導体基板に対する歪量の絶対値が、前記薄膜層全体を平均化して計算した場合に１％以下であることを特徴とする半導体量子ドット構造。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体量子ドット構造において、前記第二領域を内包する前記薄膜層の膜厚が１０ｎｍより大きいことを特徴とする半導体量子ドット構造。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６に記載のいずれかの半導体量子ドット構造において、前記半導体基板、前記半導体量子ドット並びに前記薄膜半導体層がＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、或いはＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体混晶であることを特徴とする半導体量子ドット構造。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体量子ドット構造において、前記半導体基板がＧａＡｓ又はＩｎＧａＡｓであり、かつ前記第一領域の主成分がＩｎＡｓ、ＩｎＧａＡｓ又はＩｎＧａＡｓＰであり、かつ前記第二領域の主成分がＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＧａＮＡｓ、ＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＡｓ又はＧａＩｎＮＡｓＰであり、かつ請求項２で規定される前記バッファ層を有する場合には前記バッファ層の主成分がＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＧａＮＡｓ、ＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＡｓ又はＧａＩｎＮＡｓＰであることを特徴とする半導体量子ドット構造。
【請求項９】
請求項７に記載の半導体量子ドット構造において、前記半導体基板がＩｎＰであり、かつ前記第一領域の主成分がＩｎＡｓ、ＩｎＧａＡｓ又はＩｎＧａＡｓＰであり、かつ前記第二領域の主成分がＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＮＰ、ＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＡｓ又はＧａＩｎＮＡｓＰであり、かつ請求項２で規定される前記バッファ層を有する場合には前記バッファ層の主成分がＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＮＰ、ＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＡｓ又はＧａＩｎＮＡｓＰであることを特徴とする半導体量子ドット構造。
【請求項１０】
請求項７における半導体量子ドット構造において、前記半導体基板がＧａＡｓ又はＩｎＧａＡｓであり、かつ前記第一領域の主成分がＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＡｓ又はＧａＩｎＮＡｓＰであり、かつ前記第二領域の主成分がＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＧａＮＡｓ、ＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＡｓ又はＧａＩｎＮＡｓＰであり、かつ請求項２で規定される前記バッファ層を有する場合には前記バッファ層の主成分がＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＧａＮＡｓ、ＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＡｓ又はＧａＩｎＮＡｓＰであることを特徴とする半導体量子ドット構造。
【請求項１１】
請求項７における半導体量子ドット構造において、前記半導体基板がＩｎＰであり、かつ前記第一領域の主成分がＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＡｓ又はＧａＩｎＮＡｓＰであり、かつ第二領域の主成分がＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＮＰ、ＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＡｓまたはＧａＩｎＮＡｓＰであり、かつ請求項２で規定される前記バッファ層を有する場合には前記バッファ層の主成分がＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＮＰ、ＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＡｓ又はＧａＩｎＮＡｓＰであることを特徴とする半導体量子ドット構造。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１に記載のいずれかの半導体量子ドット構造を製造する方法において、前記第一領域並びに前記第二領域の成長温度が、５００℃以下であり、かつ前記第一領域並びに前記第二領域の少なくとも一方の成長時、又は請求項２で規定される前記バッファ層を有する場合には少なくとも前記バッファ層の成長時にビスマスまたはアンチモン、或いはその両方を供給することを特徴とする半導体量子ドット構造の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２による半導体量子ドット構造の製造方法において、ガリウムの原料としてトリイソプロピルガリウムを用いることを特徴とする半導体量子ドット構造の製造方法。
【請求項１４】
請求項１２による半導体量子ドット構造の製造方法において、ビスマスの原料としてトリメチルビスマスを用いることを特徴とする半導体量子ドット構造の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体量子ドット構造及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の構造による半導体量子ドットは、その多くが半導体基板上に該基板とは格子定数が一定の値以上に異なる半導体層を特定の条件下で成長した時に生じる量子ドットの自己形成の現象を利用して作成されているため、半導体量子ドットの大きさや密度、ドットが他の半導体層に埋め込まれた場合の歪等を狙い通りに制御することが難しい、という問題点があった。
【０００３】
例えばＧａＡｓ基板上にＩｎＡｓ量子ドットを作成する場合を例にあげると、量子ドットの大きさを大きくして発光波長を長波にしようとした場合には面内のドットの密度が下がり、ドットの密度を上げようとした場合には量子ドットの大きさが小さくなる、といった制約があった。
【０００４】
また、上記ＩｎＡｓ量子ドットをＧａＡｓで埋め込んだ場合にはＩｎＡｓ量子ドット中に大きな圧縮歪が残留することにより、その発光波長はＩｎＡｓ本来のバンドギャップによるものに比べ、大幅に短波となっていた。
【０００５】
上記問題を解決するために従来から各種の半導体量子ドット構造並びに製造方法が考案されており、例えば再度ＧａＡｓ基板上にＩｎＡｓ量子ドットを作成する場合を例にあげると、ＩｎＡｓ量子ドット上又は上下に圧縮歪を有するＩｎＧａＡｓ層を積層し、ＩｎＡｓ量子ドット中の残留歪を弾性的に緩和して小さくする方法（例えば、非特許文献１）、或いは圧縮歪を有するＩｎＧａＡｓ層の代わりに伸張歪を有するＧａＡｓＮ層を積層して同様の効果を得る方法（例えば、非特許文献２）などが用いられている。
【０００６】
また、面内のドットの密度を下げずにその大きさを大きくする方法としては上記ＩｎＧａＡｓ層を積層する際に一定の条件下で発生する相分離現象を利用して系の歪場に対応した混晶組成の変調を意図的に発生させ、ＩｎＡｓ量子ドットの周囲に選択的にＩｎ組成の高いＩｎＧａＡｓを成長することにより、実効的なドット体積を大きくする手法も一部で用いられている（例えば、非特許文献３参照）。この相分離現象は混晶成長における混合不安定領域以外においても系の歪場に誘起されて発生するものであり、非特許文献３の筆者らはこの現象を活性化スピノーダル分解と呼んでいることから、本明細書中でも同様とする。
【０００７】
また、従来ＧａＡｓ基板上のＩｎＡｓ量子ドットを用いた半導体レーザーの発振波長は１．３μｍ前後、あるいはそれ以下が主であったが、一部の試みとして同量子ドットの発光波長を１．５μｍ以上にまで長波長化できたことが報告されている。一つの手法は上記圧縮歪を有するＩｎＧａＡｓ層の積層による残留歪の緩和方法として、ＩｎXＧａ1-XＡｓの組成を３％以上の圧縮歪が生じるＸ＝０．４５まで高くするものであり、１．５２μｍフォトルミネッセンス（ＰＬ）発光が得られている（例えば、非特許文献４）。また、他の手法としては、横方向に結合した量子ドット構造を低温成長により作成し、１．７μｍのＰＬ発光を得た例（例えば、非特許文献５）がある。
【０００８】
また一方、半導体薄膜の成長時にビスマス、アンチモン、タリウム等の材料を供給し、表面改質剤（サーファクタントと呼ばれる）として用いることにより平坦性の良い結晶を得る試み（例えば特許文献１、非特許文献６参照）や、ＩｎＡｓ量子ドットの成長時にビスマスをサーファクタントとして用いた例（例えば、非特許文献７）もある。
【０００９】
【特許文献１】特許第３２３９８２１号公報
【非特許文献１】K.Nishi他、“A narrow photoluminescence linewidth of 21 meV at 1.35μm from strain-reduced InAs quantum dots covered by In0.2Ga0.8As grown on GaAs substrates", Applied Physics Letters, Vol.74, p.1111, 1999.
【非特許文献２】X.Q.Zhang他、“Photoluminescence study of InAs quantum dots embedded in GaNAs strain compensating layer grown by metalorganic-morecular-beam epitaxy", Journal of Applied Physics, Vol.92, p.6813, 2002.
【非特許文献３】M.V．Maximov他、“GaAs-Based 1.3μm InGaAs Quantum Dot Lasers：A status Report ”, Journal of Electronic Materials, Vol.29 p.476, 2000.
【非特許文献４】J.Tatebayashi他、“Over 1.5μm light emission from InAs quantum dots embedded in InGaAs strain-reducing layer grown by metalorganic chemical vapor deposition", Applied Physics Letters, Vol.78, p.3469, 2001.
【非特許文献５】M.V．Maximov他、“Optical and structural properties of InAs quantum dots in a GaAs matrix for a spectral range up to 1.7μm", Applied Physics Letters, Vol.75, p.2347, 1999.
【非特許文献６】S.Tixier他、“Surfactant enhanced  growth of GaNAs and InGaNAs using bismuth”, Journal of Crystal Growth, VoL.251, p.449, 2003.
【非特許文献７】B.N.Zvonkov他、“Surfactant effect of bismuth in the MOVPE grown of the InAs quantum dots on GaAs”, Nanotechnology, Vol.11, p.221, 2000.
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、非特許文献１、２或いは３による半導体量子ドット構造並びに製造方法による半導体量子ドットは作成における再現性、面内均一性が十分ではない、という問題点があることに加え、更に量子ドットの形成並びに他の半導体層による埋込み成長においては通常より低温の成長が必要となる結果、非発光中心となる欠陥が導入されやすく、十分な光学特性が得られにくい、といった問題点があった。
【００１１】
特に半導体レーザー用等のエピタキシャルウェハ生産に多く用いられる有機金属化合物気相エピタキシャル成長法（ＭＯＶＰＥ法）においては成長原料を熱分解する必要があることから低温成長条件においては良質な半導体層を得ることが困難であった。
【００１２】
また、非特許文献４の手法においては歪量の大きいＩｎＧａＡｓ層を使用することから、光学特性の良い量子ドットを再現性良く作成することが困難であり、非特許文献５の手法においては量子ドット近辺に欠陥が導入されやすく、再現性良い成長が困難である、という問題点があった。更に、特許文献１、非特許文献６によって得た原料を本発明のように組成変調現象の促進に利用した例はない。
【００１３】
非特許文献７においてビスマスはＩｎＡｓ量子ドットの成長時にのみ供給され、ドットサイズの均一化のみに用いられており、本発明における薄膜層へのビスマス添加を含む手法とは構造、製造方法ともに異なるものである。また、非特許文献７ではビスマスの供給は反応炉内に設置した団体ビスマス材料をパルスレーザの照射で昇華させる手法を用いており、本発明におけるＴＭＢｉ添加とは原料の供給方法、即ち製造方法に関しても異なるものである。
【００１４】
従って、本発明は上記のごとき従来の構造並びに製造方法による半導体量子ドットの限界あるいは欠点を解決するためになされたもので、より製造可能な発光或いは受光波長範囲が広く、かつ、より欠陥が少なく光学特性に優れ、作成上の制約も少ない半導体量子ドットを均一性、再現性良く作成することを目的としてなされたものである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決する本発明の請求項１に係る半導体量子ドット構造は、半導体基板上に半導体量子ドットが形成される構造において、前記半導体量子ドットが、少なくとも２種類の、組成或いは構成元素の少なくとも一部が異なる半導体材料から構成され、少なくとも１種類の前記半導体材料中にビスマスまたはアンチモン、或いはその双方が添加されていることを特徴とする。
【００１６】
上記課題を解決する本発明の請求項２に係る半導体量子ドット構造は、半導体基板上に半導体量子ドットが形成される構造において、前記半導体量子ドットがバッファ層となる半導体薄膜層上に形成されており、かつ、前記半導体量子ドットが、少なくとも２種類の、組成或いは構成元素の少なくとも一部が異なる半導体材料から構成され、かつ、前記バッファ層中、或いは前記バッファ層中かつ少なくとも１種類の前記半導体材料中にビスマスまたはアンチモン、或いはその双方が添加されていることを特徴とする。
【００１７】
上記課題を解決する本発明の請求項３に係る半導体量子ドット構造は、請求項１又は請求項２に記載の半導体量子ドット構造において、前記半導体量子ドットが、前記半導体基板に対して圧縮歪を有する半導体材料からなり、かつ、結晶成長時に自己組織化によってドット形状が形成された領域である第一領域と、前記第一領域と対比して、基板に対する歪みが、無歪状態を含むより小さな圧縮歪、或いは伸張歪を有する少なくとも１種類以上の半導体材料により構成されている領域である第二領域によって構成されていることを特徴とする。
【００１８】
上記課題を解決する本発明の請求項４に係る半導体量子ドット構造は、請求項３に記載の半導体量子ドット構造において、前記第二領域が、半導体混晶からなる薄膜層中において、歪場に誘起されて生じる混晶組成の変調によって形成されていることを特徴とする。
【００１９】
上記課題を解決する本発明の請求項５に係る半導体量子ドット構造は、請求項４に記載の半導体量子ドット構造において、前記第二領域を内包する薄膜層の、前記半導体基板に対する歪量の絶対値が、前記薄膜層全体を平均化して計算した場合に１％以下であることを特徴とする。
【００２０】
上記課題を解決する本発明の請求項６に係る半導体量子ドット構造は、請求項５に記載の半導体量子ドット構造において、前記第二領域を内包する前記薄膜層の膜厚が１０ｎｍより大きいことを特徴とする。
【００２１】
上記課題を解決する本発明の請求項７に係る半導体量子ドット構造は、請求項１乃至請求項６に記載のいずれかの半導体量子ドット構造において、前記半導体基板、前記半導体量子ドット並びに前記薄膜半導体層がＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体、或いはＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体混晶であることを特徴とする。
【００２２】
上記課題を解決する本発明の請求項８に係る半導体量子ドット構造は、請求項７に記載の半導体量子ドット構造において、前記半導体基板がＧａＡｓ又はＩｎＧａＡｓであり、かつ前記第一領域の主成分がＩｎＡｓ、ＩｎＧａＡｓ又はＩｎＧａＡｓＰであり、かつ前記第二領域の主成分がＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＧａＮＡｓ、ＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＡｓ又はＧａＩｎＮＡｓＰであり、かつ請求項２で規定される前記バッファ層を有する場合には前記バッファ層の主成分がＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＧａＮＡｓ、ＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＡｓ又はＧａＩｎＮＡｓＰであることを特徴とする。
【００２３】
上記課題を解決する本発明の請求項９に係る半導体量子ドット構造は、請求項７に記載の半導体量子ドット構造において、前記半導体基板がＩｎＰであり、かつ前記第一領域の主成分がＩｎＡｓ、ＩｎＧａＡｓ又はＩｎＧａＡｓＰであり、かつ前記第二領域の主成分がＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＮＰ、ＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＡｓ又はＧａＩｎＮＡｓＰであり、かつ請求項２で規定される前記バッファ層を有する場合には前記バッファ層の主成分がＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＮＰ、ＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＡｓ又はＧａＩｎＮＡｓＰであることを特徴とする。
【００２４】
上記課題を解決する本発明の請求項１０に係る半導体量子ドット構造は、請求項７における半導体量子ドット構造において、前記半導体基板がＧａＡｓ又はＩｎＧａＡｓであり、かつ前記第一領域の主成分がＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＡｓ又はＧａＩｎＮＡｓＰであり、かつ前記第二領域の主成分がＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＧａＮＡｓ、ＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＡｓ又はＧａＩｎＮＡｓＰであり、かつ請求項２で規定される前記バッファ層を有する場合には前記バッファ層の主成分がＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＧａＮＡｓ、ＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＡｓ又はＧａＩｎＮＡｓＰであることを特徴とする。
【００２５】
上記課題を解決する本発明の請求項１１に係る半導体量子ドット構造は、請求項７における半導体量子ドット構造において、前記半導体基板がＩｎＰであり、かつ前記第一領域の主成分がＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＡｓ又はＧａＩｎＮＡｓＰであり、かつ第二領域の主成分がＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＮＰ、ＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＡｓまたはＧａＩｎＮＡｓＰであり、かつ請求項２で規定される前記バッファ層を有する場合には前記バッファ層の主成分がＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ、ＩｎＮＰ、ＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＡｓ又はＧａＩｎＮＡｓＰであることを特徴とする。
【００２６】
上記課題を解決する本発明の請求項１２に係る半導体量子ドット構造の製造方法は、請求項１乃至請求項１１に記載のいずれかの半導体量子ドット構造を製造する方法において、前記第一領域並びに前記第二領域の成長温度が、５００℃以下であり、かつ前記第一領域並びに前記第二領域の少なくとも一方の成長時、又は請求項２で規定される前記バッファ層を有する場合には少なくとも前記バッファ層の成長時にビスマスまたはアンチモン、或いはその両方を供給することを特徴とする。
【００２７】
上記課題を解決する本発明の請求項１３に係る半導体量子ドット構造の製造方法は、請求項１２による半導体量子ドット構造の製造方法において、ガリウムの原料としてトリイソプロピルガリウムを用いることを特徴とする。
【００２８】
上記課題を解決する本発明の請求項１４に係る半導体量子ドット構造の製造方法は、請求項１２による半導体量子ドット構造の製造方法において、ビスマスの原料としてトリメチルビスマスを用いることを特徴とする半導体量子ドット構造の製造方法。
【発明の効果】
【００２９】
本発明による半導体量子ドット構造は従来の技術による半導体量子ドット構造に比べ、より発光効率等の特性に優れ、より発光波長に関する自由度の高い半導体光源並びに半導体光増幅器の活性層、より発光波長に関する自由度の高い半導体素子の光吸収層として作用する。
【００３０】
更に、本発明による半導体量子ドット構造の製造方法は、上記本発明による半導体量子ドット構造を再現性、歩留まり良く提供することを可能にする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
本発明の最良の実施形態は以下の通りである。
（１）本発明の最良の形態による半導体量子ドット構造は、前記量子ドットが、組成あるいは構成元素が異なる、少なくとも２種類の半導体材料から構成される複合構造であり、前記複合構造を構成する少なくとも１種類の半導体材料にビスマスまたはアンチモン、或いはその双方が添加されていることを特徴とするものである。なお、上記複合構造は自己組織化量子ドットからなる第一領域と、より歪量が小さい第二領域によって構成することができ、さらに上記第二領域は半導体混晶からなる薄膜層中において、歪場に誘起されて生じる混晶組成の変調によって形成されている、という特徴を有する。
【００３２】
ここでビスマスを添加することによって得られる効果は大きく分けて３種類となる。
第一の効果はビスマスまたはアンチモンの添加によって非発光中心となる欠陥が少なく、光学特性に優れた半導体量子ドット並びに上記薄膜半導体層が低温の成長条件においても得られる点、第二にはビスマスまたはアンチモンの添加によって前記薄膜半導体層成長時の組成変調現象が促進される結果、より大きい、即ち、より長波で発光する半導体量子ドットが均一性良く構成される点、第三にはビスマスまたはアンチモンの添加によって半導体量子ドットを構成する材料のバンドギャップが小さくなり、その発光がより長波となる半導体量子ドット構造が得られる点である。
【００３３】
この結果、本実施形態による半導体量子ドット構造においては光学特性に優れ、発光波長に関する自由度が大きく、更にウェハ面内の均一性も高い、という特徴がある。
【００３４】
更に加えて本実施形態による半導体量子ドット構造は、ビスマスまたはアンチモンの添加によって上記薄膜半導体層成長時の組成変調現象が促進される結果、上記薄膜半導体層の歪量を１％以下とした場合にも長波で発光する半導体量子ドットが作成できるため、長波で発光する特性を具備しながらも欠陥が少なく光学特性に優れた半導体量子ドットを均一性、再現性良く作成することが可能である。
【００３５】
更には上記薄膜半導体層の歪量を１％以下とすれば、上記薄膜層の厚さを従来報告されている薄膜（４〜１０ｎｍ）よりも厚くした場合においても欠陥が導入されにくく、良好な光学特性を保つことができるため、例えば１２ｎｍの高さを有する、従来構造よりも大幅に長波で発光する、或いは上記従来構造の長波で発光する量子ドットよりも大幅に発光効率の高い、上記複合型構造を有する半導体量子ドットを製造することが可能となった。
【００３６】
また、半導体量子ドットをバッファ層となる半導体薄膜層上に形成する場合、半導体量子ドットの下地となるバッファ層にビスマスまたはアンチモンを添加することが基本とされるが、この場合には同元素の添加により二つの効果が得られる。一つはバッファ層の結晶性が向上することであり、もう一つはビスマスまたはアンチモンの元素が表面に偏析して生じるサーファクタント効果である。
【００３７】
本実施形態ではこれら二つの効果の相乗作用として、上記バッファ層上への上記複合型半導体量子ドット成長時において供給原料の表面における拡散距離が大きくなることから、前記同様に薄膜半導体層成長時の組成変調現象が促進されるという効果を有する。よって効果の大小の違いはあるものの、上記バッファ層のみにビスマスまたはアンチモンを添加した場合にも上記複合型構造を有する半導体量子ドットを製造することが可能である。
【００３８】
（２）本実施形態による半導体量子ドット構造の製造方法は、半導体量子ドットの第一領域、並びに第二領域を形成するための薄膜半導体層の成長時において、成長温度を５００℃以下とし、かつ上記薄膜半導体層あるいは上記バッファ層の成長時にビスマスまたはアンチモンを供給することにより上記半導体薄膜構造中における自己発生的な組成変調が光学特性の劣化を伴うことなく促進可能であるという特徴を有するものである。
【００３９】
ここで上記薄膜半導体層の成長温度を５００℃以下とした理由は、５００℃を越える温度で半導体量子ドットを埋め込んだ場合には同量子ドットが変形し、光学特性が劣化することに加え、熱力学的に前記組成変調が起こりにくくなり、所望の発光波長、特に長波の発光を得るための制御が困難になるためである。
【００４０】
また、従来低温成長が難しいとされていたＭＯＶＰＥ法による半導体層の成長において、本発明ではビスマスの原料としてＭＯＶＰＥ成長に適している有機Ｖ族材料であるトリメチルビスマスを用いるとともに、トリメチルインジウム等のインジウム原料に比べ分解温度の高いトリメチルガリウムやトリエチルガリウム等のガリウム原料に代え、トリイソプロピルガリウムを用いることにより、低温成長条件においても良質な半導体層の成長が可能になった。
【００４１】
この結果、本実施形態による半導体量子ドット構造の製造方法においては特許文献１の発明による残留歪の緩和手法、或いは従来の組成変調現象を利用したドット体積の拡大手法に比べ、より光学特性に優れ、発光または受光波長に関する自由度が大きく、更にウェハ面内の均一性も高い半導体量子ドット構造をＭＯＶＰＥ法により製造した場合においても再現性、歩留まり良く提供することが可能となった。
【００４２】
ビスマスまたはアンチモンの供給により上記のような作用が得られる理由は今のところ直接的な証明はできないが、前述のようにビスマスまたはアンチモンの供給により成長層表面における表面エネルギーが小さくなり、成長原料の結晶表面における拡散距離がより大きくなることの効果、即ち従来の提案とは結果として得られる効果が全く逆ではあるものの、一種のサーファクタント効果であると考えられる。
【００４３】
ただし、本発明による半導体量子ドット構造の製造方法においては低温の成長条件を用いているため、供給したビスマスまたはアンチモンは純粋なサーファクタントではなく、その一部が結晶内に取り込まれ、バンドギャップを狭小化する作用をも有していること、即ち発光波長を長波長化する作用を有していることについても従来にない特徴がある。
【００４４】
以下に、本実施形態による作用を説明する。
本実施形態による半導体量子ドット構造を前記半導体光源の活性層として使用した場合、従来技術を用いた場合に比べ、出射可能な光出力の波長範囲を大幅に広げられるほか、その発光効率、温度特性を大幅に向上することが可能である。
【００４５】
また、本実施形態による半導体量子ドット構造を前記半導体光増幅器の活性層として使用した場合、従来技術を用いた場合に比べ、増幅できる波長の帯域が広く、飽和光出力が大きく、且つ高速応答特性を兼ね備えた特性を得ることが可能である。更に、本実施形態による半導体量子ドット構造を前記半導体受光素子の光吸収層として使用した場合、従来技術を用いた場合に比べ、受光可能な光出力の波長範囲を大幅に広げることが可能である。
【００４６】
また、本実施形態による半導体量子ドット構造の製造方法を用いた場合、半導体量子ドット構造を再現性、歩留まり良く提供することが可能である。
【実施例１】
【００４７】
本発明の請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５、請求項６、請求項７、及び請求項８に関する実施例を図１に表す。
【００４８】
図中、１０１は基板（ＧａＡｓ）、１０２はクラッド層（ＡｌＧａＡｓ，膜厚１．５μｍ）、１０３は光閉じ込め層（ＡｌＧａＡｓ，膜厚２００ｎｍ）、１０４は障壁層（ＧａＡｓ、膜厚５０ｎｍ）、１０５は複合構造を有する量子ドット（Ｉｎ（Ｇａ）Ａｓ：Ｂｉ）、１０６は薄膜層（ＩｎＧａＡｓ：Ｂｉ，膜厚１２ｎｍ）、１０７はコンタクト層（ＧａＡｓ，膜厚３００ｎｍ）であり、更に量子ドット１０５中、１０５ａは自己組織化によって形成された第一領域であるＩｎＡｓ：Ｂｉ、１０５ｂは薄膜層１０６の成長中に第一領域１０５ａによる歪場に誘起された組成変調によって第一領域１０５ａ上に選択的に形成された第二領域であるＩｎＧａＡｓ：Ｂｉである。
【００４９】
ここで第二領域１０５ｂにおけるＩｎ組成は薄膜層１０６の平均的Ｉｎ組成に比べて高いため、本実施例においては第一領域１０５ａと第二領域１０５ｂの複合体が実効的な量子ドットとして作用しており、量子ドットの体積が大きくなることによってその発光波長が長波長化している。更に本実施例においては薄膜層１０６の平均歪量を１．０％に抑え、薄膜層１０６の厚さを１２ｎｍとしても欠陥の発生が認められず、発光効率の高い量子ドットが得られた。また、更に加えて第一領域１０５ａと第二領域１０５ｂで構成される量子ドット１０５中にはビスマスが添加されているため、量子ドット１０５発光波長のさらなる長波長化ができた。
【００５０】
ここで本実施例において薄膜層１０６は量子ドット１０５の下部にもバッファ層として存在するが、同下部のバッファ層としての薄膜層１０６を省略しても本発明における効果は同様に得られる。
【００５１】
図１に示した半導体量子ドット構造を種々の成長条件を用いて作成し、レーザダイオード素子を作成した結果、発光波長１．２〜１．６μｍの素子が得られた。
また、上記構造を作成する際、故意に量子ドットの大きさが分布するように成長条件を定め、得られた構造により半導体光増幅器を作成した結果、増幅帯域１．２〜１．６μｍの、広帯域、高飽和出力の素子が得られた。
【００５２】
なお、本実施例ではビスマスを添加する場合の半導体薄膜構造について説明したが、アンチモンの添加時、或いはそれら両方の添加時においても同様の効果が得られる。また、本実施例ではレーザダイオードと半導体光増幅器に関する応用を示したが、その他の光デバイス、例えば発光ダイオード、フォトダイオード、半導体導電型受光器、半導体ショットキー型受光器等においても実施可能であることは言うまでもない。これは以下に述べる実施例についても同様である。
【００５３】
更に、本実施例では半導体工学における慣例に従い、元素の添加をコロンを用いて表記している箇所（例えばビスマスの添加を“：Ｂｉ”と示した）がある。また、本実施例ではｎ型、ｐ型半導体を形成するための不純物ドーピングは図面上から省いているが、ｐｎ接合を含むダイオード構造を有する素子を製造する場合には適宜不純物ドーピングが行われる。これも以下に述べる実施例について同様である。
【００５４】
また、図１は半導体量子ドット構造を模式的に示したものであり、図中量子ドットは規則正しく配列されているが、これに限らない。これは以下に述べる実施例を表す全ての図について同様である。
【実施例２】
【００５５】
本発明の請求項１、請求項２，請求項３、請求項４、請求項５、請求項６、請求項７、及び請求項９に関する実施例を図２に表す。
【００５６】
図中、２０１は基板（ＩｎＰ）、２０２はクラッド層（ＩｎＰ，膜厚１．５μｍ）、２０３は光閉じ込め層（ＩｎＧａＡｓＰ，膜厚２００ｎｍ）、２０４は障壁層（ＩｎＧａＡｓＰ，膜厚５０ｎｍ）、２０５は複合構造を有する量子ドット（Ｉｎ（Ｇａ）Ａｓ：Ｂｉ）、２０６は薄膜層（ＩｎＧａＡｓ：Ｂｉ，膜厚１２ｎｍ）、２０７はコンタクト層（ＩｎＧａＡｓ，膜厚３００ｎｍ）であり、更に量子ドット２０５中、２０５ａは自己組織化によって形成された第一領域であるＩｎＡｓ：Ｂｉ、２０５ｂは薄膜層２０６の成長中に２０５ａによる歪場に誘起された組成変調によって第一領域２０５ａのドット上に選択的に成長した第二領域であるＩｎＧａＡｓ：Ｂｉである。
【００５７】
ここで第二領域２０５ｂのＩｎの組成は薄膜層２０６の平均的Ｉｎ組成に比べて高いため、本実施例においては第一領域２０５ａと第二領域２０５ｂの複合体が実効的な量子ドットとして作用しており、量子ドットの体積が大きくなることによってその発光波長が長波長化している。更に本実施例においては薄膜層２０６の平均歪量を１．０％に抑え、薄膜層２０６の厚さを１２ｎｍとしても欠陥の発生が認められず、発光効率の高い量子ドットが得られた。また、更に加えて第一領域２０５ａと第二領域２０５ｂで構成される量子ドット２０５中にはビスマスが添加されているため、量子ドット２０５発光波長のさらなる長波長化ができた。
【００５８】
ここで本実施例において薄膜層２０６は量子ドット２０５の下部にもバッファ層として存在するが、同下部のバッファ層としての薄膜層２０６を省略しても本発明における効果は同様に得られる。
【００５９】
図２に示した半導体量子ドット構造を種々の成長条件を用いて作成し、レーザダイオード素子を作成した結果、発光波長１．３〜２．４μｍの素子が得られた。
また、上記構造を作成する際、故意に量子ドットの大きさが分布するように成長条件を定め、得られた構造により半導体光増幅器を作成した結果、増幅帯域１．３〜２．４μｍの、広帯域、高飽和出力の素子が得られた。
【実施例３】
【００６０】
本発明の請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５、請求項６、請求項７、及び請求項１０に関する実施例を図３に表す。
【００６１】
図中、３０１は基板（ＧａＡｓ）、３０２はクラッド層（ＡｌＧａＡｓ，膜厚１．５μｍ）、３０３は光閉じ込め層（ＡｌＧａＡｓ，膜厚２００ｎｍ）、３０４は障壁層（ＧａＡｓ，膜厚５０ｎｍ）、３０５は複合構造を有する量子ドット（Ｉｎ（Ｇａ）ＮＡｓ：Ｂｉ）、３０６は薄膜層（ＩｎＧａＮＡｓ：Ｂｉ，膜厚１２ｎｍ）、３０７はコンタクト層（ＧａＡｓ，膜厚３００ｎｍ）であり、更に量子ドット３０５中、３０５ａは自己組織化によって形成された第一領域であるＩｎＮＡｓ：Ｂｉ、３０５ｂは薄膜層３０６の成長中に第一領域３０５ａによる歪場に誘起された組成変調によって第一領域３０５ａのドット上に選択的に成長した第二領域であるＩｎＧａＮＡｓ：Ｂｉである。
【００６２】
ここで第二領域３０５ｂのＩｎ組成は薄膜層３０６の平均的Ｉｎ組成に比べて高いため、本実施例においては第一領域３０５ａと第二領域３０５ｂの複合体が実効的な量子ドットとして作用しており、量子ドットの体積が大きくなることによってその発光波長が長波長化している。更に本実施例においては薄膜層３０６の平均歪量を１．０％に抑え、薄膜層３０６の厚さを１２ｎｍとしても欠陥の発生が認められず、発光効率の高い量子ドットが得られた。また、更に加えて第一領域３０５ａと第二領域３０５ｂで構成される量子ドット３０５中にはビスマスが添加されているため、量子ドット発光波長のさらなる長波長化ができた。
【００６３】
ここで本実施例において薄膜層３０６は量子ドット３０５の下部にもバッファ層として存在するが、同下部のバッファ層としての薄膜層３０６を省略しても本発明における効果は同様に得られる。
【００６４】
図３に示した半導体量子ドット構造を種々の成長条件を用いて作成し、レーザダイオード素子を作成した結果、発光波長１．１〜１．８μｍの素子が得られた。
また、上記構造を作成する際、故意に量子ドットの大きさが分布するように成長条件を定め、得られた構造により半導体光増幅器を作成した結果、増幅帯域１．１〜１．８μｍの、広帯域、高飽和出力の素子が得られた。
【実施例４】
【００６５】
本発明の請求項１、請求項２、請求項３、請求項４、請求項５、請求項６、請求項７、及び請求項１１に関する実施例を図４に表す。
【００６６】
図中、４０１は基板（ＩｎＰ）、４０２はクラッド層（ＩｎＰ，膜厚１．５μｍ）、４０３は光閉じ込め層（ＩｎＧａＡｓＰ，膜厚２００ｎｍ）、４０４は障壁層（ＩｎＧａＡｓＰ，膜厚５０ｎｍ）、４０５は複合構造を有する量子ドット（Ｉｎ（Ｇａ）ＮＡｓ：Ｂｉ）、４０６は薄膜層（ＩｎＧａＮＡｓ：Ｂｉ，膜厚１２ｎｍ）、４０７はコンタクト層（ＩｎＧａＡｓ，膜厚３００ｎｍ）であり、更に量子ドット４０５中、４０５ａは自己組織化によって形成された第一領域であるＩｎＮＡｓ：Ｂｉ、４０５ｂは薄膜層４０６の成長中に４０５ａによる歪場に誘起された組成変調によって４０５ａのドット上に選択的に成長した第二領域であるＩｎＧａＮＡｓ：Ｂｉである。
【００６７】
ここで第二領域４０５ｂのＩｎの組成は薄膜層４０６の平均的Ｉｎ組成に比べて高いため、本実施例においては第一領域４０５ａと第二領域４０５ｂの複合体が実効的な量子ドットとして作用しており、量子ドットの体積が大きくなることによってその発光波長が長波長化している。更に本実施例においては薄膜層４０６の平均歪量を１．０％に抑え、同薄膜層の厚さを１２ｎｍとしても欠陥の発生が認められず、発光効率の高い量子ドットが得られた。また、更に加えて第一領域４０５ａと第二領域４０５ｂで構成される量子ドット４０５中にはビスマスが添加されているため、量子ドット４０５発光波長のさらなる長波長化ができた。
【００６８】
ここで本実施例において薄膜層４０６は量子ドット４０５の下部にもバッファ層として存在するが、同下部のバッファ層としての薄膜層４０６を省略しても本発明における効果は同様に得られる。
【００６９】
また、図４に示した半導体量子ドット構造を種々の成長条件を用いて作成し、レーザダイオード素子を作成した結果、発光波長１．３〜２．８μｍの素子が得られた。
また、上記構造を作成する際、故意に量子ドットの大きさが分布するように成長条件を定め、得られた構造により半導体光増幅器を作成した結果、増幅帯域１．３〜２．８μｍの、広帯域、高飽和出力の素子が得られた。
【実施例５】
【００７０】
本発明の請求項２、請求項３、請求項４、請求項５、請求項６、請求項７、及び請求項８に関する実施例を図５に表す。
【００７１】
図中、５０１は基板（ＧａＡｓ）、５０２はクラッド層（ＡｌＧａＡｓ，膜厚１．５μｍ）、５０３は光閉じ込め層（ＡｌＧａＡｓ，膜厚２００ｎｍ）、５０４は障壁層（ＧａＡｓ，膜厚５０ｎｍ）、５０５は複合構造を有する量子ドット（Ｉｎ（Ｇａ）Ａｓ）、５０６ａは薄膜層（ＩｎＧａＡｓ：Ｂｉ，膜厚４ｎｍ）、５０６ｂは薄膜層（ＩｎＧａＡｓ，膜厚８ｎｍ）、５０７はＧａＡｓコンタクト層（膜厚３００ｎｍ）であり、更に量子ドット５０５中、５０５ａは自己組織化によって形成された第一領域であるＩｎＡｓ、５０５ｂはＩｎＧａＡｓ薄膜層５０６ｂの成長中に第一領域５０５ａによる歪場に誘起された組成変調によって第一領域５０５ａ上に選択的に形成された第二領域であるＩｎＧａＡｓである。
【００７２】
ここで第二領域５０５ｂにおけるＩｎ組成はＩｎＧａＡｓ薄膜層５０６ｂの平均的Ｉｎ組成に比べて高いため、本実施例においては第一領域５０５ａと第二領域５０５ｂの複合体が実効的な量子ドット５０５として作用しており、量子ドット５０５の体積が大きくなることによってその発光波長が長波長化している。更に本実施例においてはＩｎＧａＡｓ：Ｂｉ薄膜層５０６ａ及びＩｎＧａＡｓ薄膜層５０６ｂの平均歪量を１．０％に抑え、ＩｎＧａＡｓ：Ｂｉ薄膜層５０６ａ及びＩｎＧａＡｓ薄膜層５０６ｂの合計厚さを１２ｎｍとしても欠陥の発生が認められず、発光効率の高い量子ドットが得られた。
【００７３】
図５に示した半導体量子ドット構造を種々の成長条件を用いて作成し、レーザダイオード素子を作成した結果、発光波長１．１〜１．５μｍの素子が得られた。
また、上記構造を作成する際、故意に量子ドットの大きさが分布するように成長条件を定め、得られた構造により半導体光増幅器を作成した結果、増幅帯域１．１〜１．５μｍの、広帯域、高飽和出力の素子が得られた。
【実施例６】
【００７４】
本発明の請求項１２、請求項１３及び請求項１４に関する実施例を以下、実施例１の構造を製造する場合を例に図１に従って説明する。なお、複合型半導体量子ドット構造の成長にはＭＯＶＰＥ法を用いた。
【００７５】
まず、基板１０１を装置内に導入し、通常の成長手順でクラッド層１０２、光閉じ込め層１０３、障壁層１０４を成長する。次に成長を中断し、基板温度を４００℃まで下げた後、量子ドット１０５と薄膜層１０６をトリメチルインジウム、トリイソプロピルガリウム、トリメチルビスマス、ターシャリーブチルアルシンを原料として成長した。
【００７６】
ここで上記薄膜層の成長におけるガリウム材料としてトリイソプロピルガリウムを用いたことにより４００℃という低温においても十分な熱分解が得られたことに加え、ビスマス原料を供給することにより低温成長下においても光学特性の良い結晶が得られた。また更にビスマス原料を供給したことにより歪場によって誘起された組成変調（活性化スピノーダル分解）が促進され、量子ドット１０５の周辺及び上部にＩｎ組成の高いＩｎＧａＡｓ：Ｂｉからなる領域１０５ｂが再現性良く形成できた。
【００７７】
次に再び成長を中断し、基板温度を６００℃まで上げた後、障壁層１０４、光閉じ込め層１０３、クラッド層１０２、コンタクト層１０７を成長し、実施例１の構造を得た。ここで成長温度を６００℃とした理由は量子ドットの変形を避けるためである。なお、一般的にはＡｌＧａＡｓの成長は７５０℃程度で行われるが、ここでは砒素の原料としてターシャリーブチルアルシンを用いているため、６００℃の成長温度においても良好な結晶性が得られている。
【００７８】
なお、本実施例ではＭＯＶＰＥ法を用いた製造方法を例として説明したが、本発明は他の製造方法、例えば分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）、有機金属分子線エピタキシー法（ＭＯＭＢＥ法）等を用いても実施可能であることは言うまでもない。
【００７９】
各層の成長に用いた原料、並びに成長温度を次表に示す。
【００８０】
【表１】
2006237045.tif 000003
【００８１】
なお、表中に略記した原料名は以下の通りである。
ＴＭＡ：トリメチルアルミニウム
ＴＥＧ：トリエチルガリウム
ＡｓＨ３：アルシン
ＴＭＩ：トリメチルインジウム
ＴＩＰＧ：トリイソプロピルガリウム
ＴＭＢｉ：トリメチルビスマス
ＴＢＡｓ：ターシャリーブチルアルシン
【産業上の利用可能性】
【００８２】
本発明は光通信、光計測機器用の半導体光源並びに半導体光増幅器の活性層、或いは半導体受光素子の光吸収層として用いることができる半導体量子ドット構造及びその製造方法に利用可能である。特に従来の発明に関するものよりも、量子ドット構造に自由度が大きく、量子ドットの品質も高いことから、発光波長の選択範囲が広く、発光効率並びに温度特性がより良好な半導体光源、或いは増幅波長の選択範囲が広く、飽和出力の大きい半導体光増幅器、或いは受光波長の選択範囲が広い半導体受光素子を実現できる、という特徴を有する。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】図１（ａ）は本発明の実施例１を表す模式図、図１（ｂ）は同図（ａ）中の一点鎖線で囲んだ範囲Ａの拡大図である。
【図２】図２（ａ）は本発明の実施例２を表す模式図、図２（ｂ）は同図（ａ）中の一点鎖線で囲んだ範囲Ａの拡大図である。
【図３】図３（ａ）は本発明の実施例３を表す模式図、図３（ｂ）は同図（ａ）中の一点鎖線で囲んだ範囲Ａの拡大図である。
【図４】図４（ａ）は本発明の実施例４を表す模式図、図４（ｂ）は同図（ａ）中の一点鎖線で囲んだ範囲Ａの拡大図である。
【図５】図５（ａ）は本発明の実施例５を表す模式図、図５（ｂ）は同図（ａ）中の一点鎖線で囲んだ範囲Ａの拡大図である。
【符号の説明】
【００８４】
１０１，３０１，５０１  ＧａＡｓ基板
１０２，３０２，５０２  ＡｌＧａＡｓクラッド層
１０３，３０３，５０３  ＡｌＧａＡｓ光閉じ込め層
１０４，３０４，５０４  ＧａＡｓ障壁層
１０５  Ｉｎ（Ｇａ）Ａｓ：Ｂｉ量子ドット
１０５ａ  ＩｎＡｓ：Ｂｉ
１０５ｂ  ＩｎＧａＡｓ：Ｂｉ
１０６  ＩｎＧａＡｓ：Ｂｉ薄膜層
１０７，３０７，５０７  ＧａＡｓコンタクト層
２０１，４０１  ＩｎＰ基板
２０２，４０２  ＩｎＰクラッド層
２０３，４０３  ＩｎＧａＡｓＰ光閉じ込め層
２０４，４０４  ＩｎＧａＡｓＰ障壁層
２０５  Ｉｎ（Ｇａ）Ａｓ：Ｂｉ量子ドット
２０５ａ  ＩｎＡｓ：Ｂｉ
２０５ｂ  ＩｎＧａＡｓ：Ｂｉ
２０６  ＩｎＧａＡｓ：Ｂｉ薄膜層
２０７，４０７  ＩｎＧａＡｓコンタクト層
３０５  Ｉｎ（Ｇａ）ＮＡｓ：Ｂｉ量子ドット
３０５ａ  ＩｎＮＡｓ：Ｂｉ
３０５ｂ  ＩｎＧａＮＡｓ：Ｂｉ
３０６  ＩｎＧａＮＡｓ：Ｂｉ薄膜層
４０５  Ｉｎ（Ｇａ）ＮＡｓ：Ｂｉ量子ドット
４０５ａ  ＩｎＮＡｓ：Ｂｉ
４０５ｂ  ＩｎＧａＮＡｓ：Ｂｉ
４０６  ＩｎＧａＮＡｓ：Ｂｉ薄膜層
５０５  Ｉｎ（Ｇａ）Ａｓ量子ドット
５０５ａ  ＩｎＡｓ
５０５ｂ  ＩｎＧａＡｓ
５０６ａ  ＩｎＧａＡｓ：Ｂｉ薄膜層
５０６ｂ  ＩｎＧａＡｓ薄膜層
【図１】
2006237045.tif 000004
【図２】
2006237045.tif 000005
【図３】
2006237045.tif 000006
【図４】
2006237045.tif 000007
【図５】
2006237045.tif 000008