(57)【要約】【課題】  薄型化を適切に図ることが可能な半導体発光装置を提供すること。【解決手段】  複数のＬＥＤチップ２と、複数のＬＥＤチップ２が搭載された導通支持部材と、を備える半導体発光装置Ａ１であって、上記導通支持部材は、第１および第２のリード１Ａ，１Ｂを含んでおり、複数のＬＥＤチップ２は、いずれも第１のリード１Ａに搭載されている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体発光素子と、
上記複数の半導体発光素子が搭載された導通支持部材と、を備える半導体発光装置であって、
上記導通支持部材は、第１および第２のリードを含んでおり、かつ
上記複数の半導体発光素子は、いずれも上記第１のリードに搭載されていることを特徴とする、半導体発光装置。
【請求項２】
上記第１のリードには、凹部が形成されており、
上記第２のリードには、上記凹部に進入する凸部が形成されている、請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
上記複数の半導体発光素子は、上記凹部を囲うように配置されている、請求項２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
上記各半導体素子と上記第２のリードの上記凸部とは、ワイヤにより接続されている、請求項２または３に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
上記第２のリードの上記凸部には、その厚さ方向に突出するチップが設けられており、かつ上記ワイヤは、上記チップに接続されている、請求項４に記載の半導体発光装置。
【請求項６】
上記チップは、Ｓｉ製の本体と、この本体を覆うＡｇまたはＡｌ製の導体膜とからなる、請求項５に記載の半導体発光装置。
【請求項７】
上記チップは、金属製である、請求項５に記載の半導体発光装置。
【請求項８】
上記複数の半導体発光素子のそれぞれを囲うリフレクタをさらに備える、請求項１ないし７のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項９】
上記リフレクタの表面には、ＡｇメッキまたはＡｌメッキが形成されている、請求項８に記載の半導体発光装置。
【請求項１０】
上記第１および第２のリードの間に介在する絶縁樹脂をさらに備えており、かつ
上記リフレクタの少なくとも一部は、上記絶縁樹脂の一部により形成されている、請求項８または９に記載の半導体発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＥＤチップなどの半導体発光素子を複数用いて構成され、たとえばデジタルカメラや携帯電話機のフラッシュなどの照明装置においていわゆる面状光源として用いられる半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体発光装置の一例としては、図６に示すものがある（たとえば、特許文献１参照）。本図に示された半導体発光装置Ｘは、導通支持部材としてのプリント配線基板９１に搭載された複数のＬＥＤチップ９２と、各ＬＥＤチップ９２を囲うリフレクタ９３とを備えている。プリント配線基板９１は、金属板９１ａ上に樹脂製の絶縁層９１ｂ，９１ｃおよび配線９１ｄが積層された構成とされている。リフレクタ９３は、たとえばＡｌ製であり、その内向き側面が、反射面９３ａとなっている。複数のＬＥＤチップ９２およびリフレクタ９３は、透明樹脂９４により覆われている。複数のＬＥＤチップ９２は、配線９１ｄを介して電力供給されることにより一斉に発光する。これにより、半導体発光装置Ｘは、いわゆる面状光源として構成されている。
【０００３】
しかしながら、近年、半導体発光装置Ｘに対しては、高輝度化の要請が強くなっている。これは、デジタルカメラの高画質化に対応することや、さらには自動車のヘッドライトなどへの適用が想定されていることなどによる。半導体発光装置Ｘの高輝度化を図る方策としては、より大きな電流を流して高出力化を図ることが考えられる。ところが、ＬＥＤチップ９２に大電流が流されると、これに比例してＬＥＤチップ９２からの発熱量が増大する。そうすると、透明樹脂９４が変質し透光性が低下する、あるいは、半導体発光装置Ｘ全体が撓んで破壊に至るおそれが大きい、などの不具合が生じる。このため、ＬＥＤチップ９２からの熱を適切に放散させることが必要となる。しかし、ＬＥＤチップ９２は、図中上方および側方において比較的熱伝導率の小さい透明樹脂９４により覆われている。また、ＬＥＤチップ９２の図中下方についても、導通支持部材としてプリント配線基板９１が用いられているために、絶縁樹脂９１ｂ、９１ｃが熱抵抗となり、ＬＥＤチップ９２と金属板９１ａとの間の熱伝達係数が比較的小さくなっている。したがって、ＬＥＤチップ９２からの放熱が適切になされず、高輝度化の要請に十分に応えられない場合があった。特に、高輝度化とともに小型化を図る場合には、複数のＬＥＤチップ９２がより高密度に搭載される。このような場合、ＬＥＤチップ９２の高密度化が上記放熱をさらに困難とさせる、という問題もあった。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−２４１５０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、放熱性を高めることにより高輝度化を適切に図ることが可能な半導体発光装置を提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明では、次の技術的手段を講じている。
【０００７】
本発明によって提供される半導体発光装置は、複数の半導体発光素子と、上記複数の半導体発光素子が搭載された導通支持部材と、を備える半導体発光装置であって、上記導通支持部材は、第１および第２のリードを含んでおり、かつ上記複数の半導体発光素子は、いずれも上記第１のリードに搭載されていることを特徴としている。なお、本発明において、導通支持部材とは、上記半導体発光素子などへの電力供給を可能とする導電性を備えるとともに、上記半導体発光素子を機械的に支持可能な部材をいう。また、リードとは、一般的に、ＣｕまたはＣｕ合金などの金属板を加工して形成されたものであり、上記半導体発光素子と電気的に導通しつつ、この半導体発光素子を支持可能な剛性を有するものをいう。
【０００８】
このような構成によれば、上記複数の半導体発光素子は、たとえば絶縁樹脂などを介さずに上記第１のリードに直接搭載される。上記第１のリードは、樹脂などと比べて比較的熱伝導率の大きい金属製とすることができる。このため、上記半導体発光素子から発生する熱が上記第１のリードを介して放散されやすくなる。これにより、たとえば上記半導体発光素子を覆う透明樹脂が過度に高温となって変質し透光性が低下することや、この半導体発光装置全体が熱応力により不当に撓むことなどを回避可能である。したがって、放熱を促進して、高出力化および高輝度化を図るのに好適である。
【０００９】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１のリードには、凹部が形成されており、上記第２のリードには、上記凹部に進入する凸部が形成されている。このような構成によれば、上記第１のリードと上記第２のリードとが互いに向かい合う部分を大きくして、ワイヤなどの上記半導体発光素子への給電手段を設けやすくするとともに、全体の小型化を図ることができる。
【００１０】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記複数の半導体発光素子は、上記凹部を囲うように配置されている。このような構成によれば、上記複数の半導体発光素子を比較的コンパクトに配置することができる。
【００１１】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記各半導体素子と上記第２のリードの上記凸部とは、ワイヤにより接続されている。このような構成によれば、上記半導体発光素子と上記第２のリードとが離間した位置関係であっても、これらを適切に接続することができる。
【００１２】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第２のリードの上記凸部には、その厚さ方向に突出するチップが設けられており、かつ上記ワイヤは、上記チップに接続されている。このような構成によれば、上記ワイヤのボンディング作業において、上記チップを利用していわゆるステッチボンドを行うことができる。このため、上記ボンディング作業に用いられるボンディングツールが上記半導体発光装置内に進入する深さを浅くすることが可能であり、上記ボンディングツールと上記半導体発光装置の各部との干渉を回避することができる。したがって、高密度化および小型化を図りつつ、この半導体発光装置を容易に製造することができる。
【００１３】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記チップは、Ｓｉ製の本体と、この本体を覆うＡｇまたはＡｌ製の導体膜とからなる。このような構成によれば、上記チップは、比較的熱伝達性のよいものとなる。したがって、上記半導体発光素子を覆う透明樹脂が設けられた場合などには、この透明樹脂に伝わってきた熱を上記チップを介して上記第２のリードへと逃がすことが可能である。したがって、上記半導体発光装置からの放熱をさらに促進することができる。
【００１４】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記チップは、金属製である。このような構成によっても、この半導体発光装置の製造を容易とし、かつ放熱の促進を図ることができる。
【００１５】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記複数の半導体発光素子のそれぞれを囲うリフレクタをさらに備える。このような構成によれば、上記半導体発光素子からの光を有効に活用して、この半導体発光装置の高輝度化を図るのに有利である。
【００１６】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記リフレクタの表面には、ＡｇメッキまたはＡｌメッキが形成されている。このような構成によれば、上記リフレクタの表面を高光反射率を有する面とすることが可能であり、上記半導体発光素子からの光の無駄を少なくすることができる。
【００１７】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１および第２のリードの間に介在する絶縁樹脂をさらに備えており、かつ上記リフレクタの少なくとも一部は、上記絶縁樹脂の一部により形成されている。このような構成によれば、上記半導体発光装置の製造工程において、上記第１および第２のリードどうしを上記絶縁樹脂を用いて接合する際に、上記リフレクタの一部を形成しておくことが可能であり、製造効率を向上させることができる。
【００１８】
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
【００２０】
図１〜図３は、本発明に係る半導体発光装置の一例を示している。本実施形態の半導体発光装置Ａ１は、第１および第２のリード１Ａ，１Ｂ、複数のＬＥＤチップ２、リフレクタ３、透明樹脂５Ａ、軟質樹脂５Ｂ、および絶縁樹脂７を備えている。なお、図１においては、透明樹脂５Ａおよび軟質樹脂５Ｂは省略されている。半導体発光装置Ａ１は、図１において複数のＬＥＤチップ２が配置された領域がたとえば１ｍｍ角程度とされた、いわゆる面状光源として構成されている。
【００２１】
第１および第２のリード１Ａ，１Ｂは、ＣｕまたはＣｕ合金などの熱伝導率が比較的高い金属製であり、絶縁樹脂７を介して絶縁されているとともに、互いに接合されている。絶縁樹脂７は、たとえばエポキシ樹脂製である。第１おより第２のリード１Ａ，１Ｂと絶縁樹脂７とにより、本発明でいう導通支持部材が構成されている。図１に示すように、第１のリード１Ａには、凹部１１Ａが形成されており、第２のリード１Ｂには、凸部１１Ｂが設けられている。第１のリード１Ａと第２のリード１Ｂとは、凹部１１Ａ内に凸部１１Ｂが進入するような配置とされている。図２に示すように、第１および第２のリード１Ａ，１Ｂの一端寄りの部分は、それぞれ端子１２Ａ，１２Ｂとされている。半導体発光装置Ａ１を照明装置などに実装する際には、たとえば図２に示すように、端子１２Ａ，１２Ｂを上記照明装置の給電端子Ｔに接続するとともに、第１および第２のリード１Ａ，１Ｂの図中下面を上記照明装置の放熱板Ｒｄに接触させることが可能である。放熱板Ｒｄのうち半導体発光装置Ａ１と接触させられる面には、絶縁層Ｉｓが形成されている。絶縁層Ｉｓは、たとえばＡｌＮ（窒化アルミニウム）からなり、電気絶縁性とともに金属Ａｌと同程度の良好な熱伝導性を有する。
【００２２】
図１に示すように、第２のリード１Ｂの凸部１１Ｂには、３つのチップ１５が直列状に設けられている。これらのチップ１５は、後述するＬＥＤチップ２を接続するワイヤ４のいわゆるステッチボンディングに用いるためのものであり、図３の部分拡大図に示すように、本体１５ａとこの本体１５ａを覆う導体膜１５ｂからなる。本体１５ａは、たとえばＳｉ製である。導体膜１５ｂは、たとえばＡｇまたはＡｌを蒸着させた薄膜である。なお、本実施形態とは異なり、チップ１５は、ＣｕまたはＣｕ合金などの金属により一体的に形成されたものでもよい。
【００２３】
ＬＥＤチップ２は、半導体発光素子の一例に相当し、略直方体形状であり、たとえば０．３ｍｍ角程度とされる。本実施形態においては、青色光を発光可能な断面略台形状のＬＥＤが、蛍光体粉末を含有する樹脂により略直方体形状にパッケージされたＬＥＤチップ２が用いられている。図１に示すように、半導体発光装置Ａ１には、９つのＬＥＤチップ２が備えられている。９つのＬＥＤチップ２は、いずれも第１のリード１Ａに搭載されており、凹部１１Ａ、凸部１１Ｂ、および３つのチップ１５を囲うように配置されている。これにより、９つのＬＥＤチップ２と３つのチップ１５とが３行４列のマトリクス状に配置されている。
【００２４】
ＬＥＤチップ２は、図２または図３において図中上下面の各々にアノード電極およびカソード電極の一方ずつを備えた、いわゆる両面電極タイプのＬＥＤチップである。ＬＥＤチップ２は、第１のリード１Ａにいわゆるダイボンディングされており、これにより、ＬＥＤチップ２の図中下面の電極と第１のリード１Ａとが導通している。一方、図３に示すように、ＬＥＤチップ２の図中上面は、ワイヤ４を介してチップ１５の図中上面に接続されている。これにより、ＬＥＤチップ２の図中上面の電極と第２のリード１Ｂとが導通している。ＬＥＤチップ２とワイヤ４との接合部は、軟質樹脂５Ｂにより覆われている。軟質樹脂５Ｂは、たとえば蛍光体粉末を含有するシリコーン樹脂製であり、ＬＥＤチップ２の上面から発せられた青色光を白色光に変えるためのものである。
【００２５】
リフレクタ３は、複数の区画壁３１，３２と外枠３３とを有している。区画壁３１，３２は、マトリクス状に配置された９つのＬＥＤチップ２および３つのチップ１５を互いに区画するように配置されている。区画壁３１，３２は、図２および図３それぞれの部分拡大図に示すように、断面山形状であり、その表面にＡｇメッキまたはＡｌメッキなどの導体膜３６が形成されている。これにより、区画壁３１，３２の各斜面は、ＬＥＤチップ２を囲う反射面３ａとなっている。区画壁３１は、図２の部分拡大図に示すように、第１のリード１Ａ上に設けられており、たとえばエポキシ樹脂により形成されている。一方、区画壁３２は、図１および図３に示すように、絶縁樹脂７の一部により形成されている。上述したワイヤ４は、区画壁３１，３２を跨ぐようにして、ＬＥＤチップ２とチップ１５とを接続している。外枠３３は、図１に示すように、９つのＬＥＤチップ２を一括して囲っている。図２および図３に示すように、外枠３３は、内向き面が図中上向きの斜面となっており、図２の部分拡大図に示すように、その表面に導体膜３６が形成されている。これにより、上記斜面は、反射面３ｂとなっている。なお、区画壁３１，３２および外枠３３は、ＴｉＯ２粉末を含有した白色樹脂を用いて形成されていてもよく、その場合、これらの表面には、導体膜３６が形成されていなくてもよい。
【００２６】
図２および図３に示すように、ＬＥＤチップ２、チップ１５、ワイヤ４、および区画壁３１，３２は、透明樹脂５Ａにより覆われている。透明樹脂５Ａは、たとえばエポキシ樹脂製であり、ＬＥＤチップ２から発せられる光に対して透光性を有する。透明樹脂５Ａは、ＬＥＤチップ２からの光を出射させつつ、ＬＥＤチップ２やワイヤ４を保護するためのものである。透明樹脂５Ａの形成は、ＬＥＤチップ２などを覆うようにたとえば流動性をもつエポキシ樹脂を充填し、これを硬化させることによりなされる。
【００２７】
次に、半導体発光装置Ａ１の作用について説明する。
【００２８】
本実施形態によれば、半導体発光装置Ａ１の放熱を促進することができる。すなわち、複数のＬＥＤチップ２は、たとえば絶縁樹脂などを介さずに第１のリード１Ａに直接搭載されている。第１のリード１Ａは、比較的熱伝導率の大きいたとえばＣｕまたはＣｕ合金製である。このため、半導体発光装置Ａ１が点灯するときにＬＥＤチップ２から発生した熱は、たとえば図６に示したプリント配線基板が用いられた従来技術の例と比べて、第１のリード１Ａを介して放散されやすくなっている。それゆえ、ＬＥＤチップ２からの熱が透明樹脂５Ａに伝わりにくい。これにより、透明樹脂５Ａが過度に高温となることを回避可能であり、透明樹脂５Ａが変質し、透光性が低下することを防止することができる。また、半導体発光装置Ａ１全体が昇温されることを抑制可能である。このため、半導体発光装置Ａ１が熱応力により撓んで破壊するといったおそれが小さい。以上より、半導体発光装置Ａ１によれば、ＬＥＤチップ２へ供給する電流を大きくして高出力化を図ることが可能であり、高輝度化に好適である。
【００２９】
特に、図２に示すように、本実施形態によれば、第１のリード１Ａの図中下面を、この半導体発光装置Ａ１が実装される照明装置などの放熱板Ｒｄに接触させることができる。このような実装構造を採用すれば、第１のリード１Ａから放熱板Ｒｄへと積極的に熱を逃がすことが可能であり、高出力化に適している。
【００３０】
第１のリード１Ａに形成された凹部１１Ａ内に、第２のリード１Ｂに形成された凸部１１Ｂが進入する構成とすることにより、第１および第２のリード１Ａ，１Ｂがたがいに向かい合う部分が長くなっている。９つのＬＥＤチップ２は、上記向かい合う部分に沿って配置されている。このような配置とすると、ワイヤ４の長さを短くすることが可能であり、ＬＥＤチップ２と第２のリード１Ｂの凸部１１Ｂとの接続が容易となる。したがって、ＬＥＤチップ２の電気接続を合理的に行うことができる。また、９つのＬＥＤチップ２は３つのチップ１５とともにマトリクス状に配置されている。これにより、隣接するＬＥＤチップ２間には、無駄なスペースがほとんどない。したがって、ＬＥＤチップ２を比較的コンパクトに配置することが可能であり、半導体発光装置Ａ１の高密度化および小型化に適している。
【００３１】
本実施形態においては、第２のリード１Ｂにチップ１５を備えることにより、さらに放熱を促進させることが可能である。すなわち、上述したように第１のリード１ＡにすべてのＬＥＤチップ２を搭載することにより、放熱の促進が可能であるが、さらなる高出力化を図るためには、放熱をより促進することが望まれる。チップ１５は、たとえば透明樹脂５Ａなどと比べて比較的熱伝導率が大きいＳｉ製であり、導体膜３６も比較的熱伝導率が大きいＡｇまたはＡｌからなる。このため、ＬＥＤチップ２から透明樹脂５Ａに伝わった熱を、チップ１５を介して第２のリード１Ｂへと逃がすことができる。したがって、半導体発光装置Ａ１の放熱をさらに促進し、高出力化および高輝度化を図るのに有利である。
【００３２】
また、チップ１５が設けられていることにより、ワイヤ４が形成しやすいものとなっている。すなわち、半導体発光装置Ａ１の製造工程においては、いわゆるワイヤボンディングによりワイヤ４を形成する。具体的には、ボンディングツールをＬＥＤチップ２に押し付けて、いわゆるファーストボンディングを行った後に、第２のリード１Ｂに対していわゆるステッチボンディングを行う。このステッチボンディングがなされる位置が半導体発光装置Ａ１の奥方であるほど、たとえば、上記ボンディングツールが区画壁３１，３２などと干渉することとなる。このことは、半導体発光装置Ａ１の小型化、高密度化を図るほど問題となる。本実施形態においては、チップ１５が第２のリード１Ｂから突出しているため、上記ボンディングツールの進入深さを浅くすることが可能である。したがって、上記ボンディングツールが他の部材と干渉するおそれが少なく、容易に製造することができる。
【００３３】
図２および図３に示すように、リフレクタ３の反射面３ａ，３ｂによりＬＥＤチップ２の側方が囲われていることにより、ＬＥＤチップ２からその側方へと進行する光を図中上方へと反射させることが可能である。したがって、半導体発光装置Ａ１の出射光量を大きくして高輝度化を図ることができる。特に、区画壁３１，３２が各ＬＥＤチップ２を区画するように囲っているため、各ＬＥＤチップ２の光を有効に活用するのに好ましい。図１から理解されるように、本実施形態の第１および第２のリード１Ａ，１Ｂの形状は、高輝度化に適した区画壁３１，３２を十分に配置しつつ、ＬＥＤチップ２に対して適切に電力供給するのに好適である。
【００３４】
さらに、ワイヤ４は、リフレクタ３の区画壁３１，３２を跨ぐようにして、ＬＥＤチップ２と第２のリード１Ｂのチップ１５とを接続している。これにより、ＬＥＤチップ２をマトリクス状に配置し、さらに各ＬＥＤチップ２を囲うように区画壁３１，３２を設けているにもかかわらず、ＬＥＤチップ２の電気接続を適切に行うことが可能である。したがって、本実施形態は、高輝度化と高密度化および小型化との両立に好適である。
【００３５】
リフレクタ３の一部である区画壁３２は、絶縁樹脂７の一部により形成されている。これにより、たとえば、半導体発光装置Ａ１の製造工程において、第１および第２のリード１Ａ，１Ｂを絶縁樹脂７により接合する際に、区画壁３２の基本形状を形成しておくことが可能である。したがって、区画壁３２を合理的に形成することができる。
【００３６】
図４および図５は、本発明の他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。
【００３７】
図４に示す半導体発光装置Ａ２においては、ＬＥＤチップ２およびチップ１５の個数が上述した半導体発光装置Ａ１と異なり、３つのＬＥＤチップ２と１つのチップ１５が備えられている。３つのＬＥＤチップ２は、半導体発光装置Ａ１と同様に、いずれも第１のリード１Ａに搭載されている。また、各ＬＥＤチップ２とチップ１５とは、ワイヤ４により接続されている。
【００３８】
本実施形態から理解されるように、本発明は、ＬＥＤチップ２の個数に応じて、適切なレイアウトとすることが可能である。ＬＥＤチップ２の個数によらず、放熱を促進させて、高出力化および高輝度化を図ることができることは、もちろんである。
【００３９】
図５に示す半導体装置Ａ３においては、上述した実施形態とは異なるタイプのＬＥＤチップ２が用いられている。本実施形態のＬＥＤチップ２は、図中上面にアノード電極およびカソード電極の両方を備える、いわゆる片面電極タイプのＬＥＤチップである。このようなタイプのＬＥＤチップ２を備える場合には、各ＬＥＤチップ２の図中上面に２本のワイヤ４が接続される。このうち、一方のワイヤ４は、上述した実施形態と同様に、第２のリード１Ｂに設けられたチップ１５に接続される。他方のワイヤ４は、第１のリード１Ａに接続される。本図においては、第１のリード１ＡのうちＬＥＤチップ２に隣接する部分に接続されている。このように、本発明は、半導体発光素子として、両面電極タイプのＬＥＤチップだけではなく、片面電極タイプのＬＥＤチップも用いることができる。
【００４０】
また、本実施形態の半導体装置Ａ３には、図中下面に絶縁層８が形成されている。この絶縁層８は、図２において放熱板Ｒｄに形成された絶縁層Ｉｓと同様にたとえばＡｌＮにより形成されており、電気絶縁性と比較的良好な熱伝導性とを有している。図５に示すように、半導体発光装置Ａ３の図中下面は、図中左右方向にわたって絶縁層８により覆われている。一方、図中奥行き方向については、図２における半導体発光装置Ａ１と絶縁層Ｉｓとの関係と同様に、半導体発光装置Ａ３の両端寄りの部分を露出させるように絶縁層８が形成されている。これにより、端子１２Ａ，１２Ｂが露出し、半導体発光装置Ａ３の実装に利用可能となっている。
【００４１】
本発明に係る半導体発光装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係る半導体発光装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
【００４２】
第１および第２のリードの形状は、上述したように凹部および凸部を有するものが、高密度化および小型化に好ましいが、本発明はこれに限定されず、第１のリードに複数の半導体発光素子を搭載しつつ、これらの半導体発光素子と第２のリードとを適切に接続可能な形状であればよい。
【００４３】
半導体発光素子の個数は、必要とされる輝度などに応じて種々に変更可能である。また、半導体発光素子のサイズは、上記実施形態においては０．３ｍｍ角としたが、これに限定されず種々に変更可能である。半導体発光素子としては、ＬＥＤチップを用いれば、比較的省電力であり、かつ高輝度が得られるという利点があるが、これは一例であり、種々の半導体発光素子を用いることができるのはもちろんである。
【００４４】
第２のリードにチップを備える構成とすれば、放熱の促進および製造の容易化に好ましいが、本発明はこれに限定されず、第２のリードに上述したチップを設けない構成としてもよい。
【００４５】
リフレクタとしては、図１に示すように、各半導体発光素子ごとに平面視正方形状領域を区画するものに限定されず、たとえば平面視円形状に区画するものであってもよい。また、図１における外枠を備えない構成としてもよい。このような場合、この半導体発光装置が実装される照明装置に外枠に相当する部材を備えておけば、出射光量の向上を図ることができる。
【００４６】
本発明に係る半導体発光装置は、デジタルカメラや携帯電話機のフラッシュ、さらには自動車のヘッドライトなどに用いられるのに適しているが、これらは一例に過ぎず、その用途はこれらに限定されない。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明に係る半導体発光装置の一例を示す全体平面図である。
【図２】図１のII−II線に沿う断面図、およびその部分拡大図である。
【図３】図１のIII−III線に沿う断面図、およびその部分拡大図である。
【図４】本発明に係る半導体発光装置の他の例を示す全体平面図である。
【図５】本発明に係る半導体発光装置の他の例を示す断面図である。
【図６】従来の半導体発光装置の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４８】
Ａ１，Ａ２，Ａ３  半導体発光装置
１Ａ，１Ｂ      第１および第２のリード
２      ＬＥＤチップ（半導体発光素子）
３      リフレクタ
３ａ，３ｂ  反射面
４      ワイヤ
５Ａ    透明樹脂
５Ｂ    軟質樹脂
７      絶縁樹脂
８      絶縁層
１１Ａ  凹部
１１Ｂ  凸部
１２Ａ，１２Ｂ  端子
１５    チップ（突出部）
１５ａ  本体
１５ｂ  導体膜
３１，３２  区画壁
３３    外枠
３６    導体膜（ＡｇメッキまたはＡｌメッキ）
【図１】
2006237285.tif 000003
【図２】
2006237285.tif 000004
【図３】
2006237285.tif 000005
【図４】
2006237285.tif 000006
【図５】
2006237285.tif 000007
【図６】
2006237285.tif 000008