(57)【要約】【課題】本発明は、主に高周波用途で使用されるセラミックデバイスおよびその製造方法に関して、セラミックデバイスの製造過程における特性劣化を抑制することを目的とする。【解決手段】大判のセラミック基板８を小片分割することで複数のセラミックデバイス１を一括生産するにあたり、大判のセラミック基板８を分割するために設けられた上部分割溝９および下部分割溝１０とを設け、下部分割溝１０の開口幅および深さを上部分割溝９のものより大きく設定し、分割応力を大判のセラミック基板８が下面側に向けて突出するように撓ませる方向に加えることにした。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内層部分において所定の電子回路を形成する内部電極を有する大判のセラミック基板と、この大判のセラミック基板を小片分割するために前記大判のセラミック基板の上面側に設けられた上部分割溝と、前記大判のセラミック基板の下面側に設けられ前記上部分割溝と対峙する下部分割溝とを備え、前記下部分割溝の開口幅および深さを前記上部分割溝のものより大きく設定し、前記大判のセラミック基板を小片分割するにあたり分割応力を前記大判のセラミック基板が下面側に向けて突出するように撓ませる方向に加えることを特徴とするセラミックデバイスの製造方法。
【請求項２】
内層部分において所定の電子回路を形成する内部電極を有する大判のセラミック基板と、この大判のセラミック基板を小片分割するために前記大判のセラミック基板の上面側に設けられた上部分割溝と、前記大判のセラミック基板の下面側に設けられ前記上部分割溝と対峙する下部分割溝とを備え、前記下部分割溝の開口幅および深さを前記上部分割溝のものより大きく設定し、前記大判のセラミック基板が前記下面側に向けて突出するように撓む方向に分割応力を加えて前記大判のセラミック基板を小片に分割することにより形成されたセラミックデバイスであって、前記セラミックデバイスの下面と側面とで形成される下部稜線部分を前記下部分割溝を形成する切り込み面で下部切り欠き部を形成し、前記セラミックデバイスの上面と前記側面とで形成される上部稜線部分を前記上部分割溝を形成する切り込み面で上部切り欠き部を形成するとともに、下部切り欠き部を上部切け欠き部より大きくしたことを特徴とするセラミックデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主に高周波用途で使用されるセラミックデバイスおよびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、セラミック基板を用いた電子部品の形態として、セラミック基板の内層部分に高周波フィルタなどの所定の電子回路を形成する内部電極を適宜配置したセラミックデバイスが知られている。
【０００３】
また、このようなセラミックデバイスは、大判のセラミックグリーンシートに内部電極を印刷したものを適宜積層し大判のセラミック基板を形成し、この大判のセラミック基板を小片分割することで多数個のセラミックデバイスを一括生産する手法が用いられている。
【０００４】
そして、この大判のセラミック基板を小片分割するにあたっては、従来、大判のセラミック基板の分割ラインに予め分割溝を形成しておき、この分割溝に応力を加えることで分割していた。
【０００５】
なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開平７−９９２６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、このような小片分割方法においては、分割時の大判のセラミック基板に大きな応力が加わることになり、この応力により大判のセラミック基板内に設けられた所定の回路を形成する内部電極に影響を及ぼし、これにより小片化されたセラミックデバイスの電気特性を劣化させてしまうという問題を有していた。
【０００７】
そこで、本発明はこのような問題を解決し、セラミックデバイスの製造過程における特性劣化を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この目的を達成するために本発明は、特に内層部分において所定の電子回路を形成する内部電極を有する大判のセラミック基板を小片分割するにあたり、大判のセラミック基板の上面側に設けられた上部分割溝と、大判のセラミック基板の下面側に設けられ上部分割溝と対峙する下部分割溝とを設け、下部分割溝の開口幅および深さを上部分割溝のものより大きく設定し、分割応力を大判のセラミック基板が下面側に向けて突出するように撓ませる方向に加えることにしたのである。
【発明の効果】
【０００９】
このようにしてセラミックデバイスを製造することで、小片分割時に大判のセラミック基板に加わる応力を抑制でき、結果として小片化されたセラミックデバイスにおける製造過程での電気特性の劣化を抑制することが出来るのである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の一実施形態について図面を用いて説明する。
【００１１】
図１は、本発明のセラミックデバイス１を模式的に示した断面図である。
【００１２】
このセラミックデバイス１はセラミック基板２の内層部分に内部電極３を適宜配置し、高周波フィルタなどの所定の電子回路を形成したものである。また、セラミック基板２の内部にて形成しにくい回路素子例えば半導体素子、ＳＡＷデバイス素子、抵抗素子などは適宜セラミック基板２の上面にディスクリート部品４として搭載されている。
【００１３】
なお、このセラミックデバイス１の下面つまりセラミックデバイス１を回路基板５に実装する実装面には、内部電極３と電気的に接続された端子電極６が設けられた構造となっている。
【００１４】
そして、このようなセラミックデバイス１を形成するにあたっては、図２に示されるよう先ず未焼結状態にある大判のグリーンシート７上に多数個と利用の内部電極３を形成したものを準備し、この内部電極３が印刷された大判グリーンシート７を積層して大判のセラミック基板８を形成し、この大判のセラミック基板８の表面に小片分割用の分割溝９，１０を形成し、この大判のセラミック基板８を焼成した後に必要に応じてディスクリート部品４を実装し、その後先に述べた分割溝９，１０に沿って応力を加えることで個々のセラミックデバイス１に小片分割するのである。
【００１５】
ここで、このセラミックデバイス１の製造方法においては、小片分割用の分割溝９，１０は断面が略Ｖ字状であり、大判のセラミック基板８の上下両側に対峙するように設けられ、かつセラミックデバイス１の実装面となる下面側に設けられた下部分割溝１０の開口幅および深さを、必要に応じてディスクリート部品４が搭載される上面側に設けられた上部分割溝９のものより大きく設定している。
【００１６】
そして、この対峙する上部分割溝９および下部分割溝１０を用いて大判のセラミック基板８を小片分割する際に加える分割応力を矢印１１で示すよう大判のセラミック基板８が下方に向けて撓む方向で加えて小片分割することにより、下部分割溝１０の開口端から頂部に至る辺の長さが大きくなり、これに伴いこの頂部に加わるモーメントが大きくなるため、より小さな分割応力で大判のセラミック基板８を分割できるようになるとともに、隣り合うセラミックデバイス１の連結幅が小さくなることで分割に要する応力を小さなものとでき、この小片分割によりセラミックデバイス１の電気特性の劣化を抑制できるのである。
【００１７】
また、このように大判のセラミック基板８の上下面に上部分割溝９、下部分割溝１０を設けたことにより、これにより製造されたセラミックデバイス１においては図１に示されるように、その側面と上面との上部稜線部分には上部切り欠き部１２が、また側面と下面との下部稜線部分には下部切り欠き部１３が形成されることとなり、この上部切り欠き部１２と下部切り欠き部１３がセラミックデバイス１に対して面取りを施したものと実質的に同じものとなるからセラミックデバイス１の強度を向上させたことになる。
【００１８】
さらに、図２に示される下部分割溝１０の開口幅および深さを上部分割溝９より大きく設定したことにより、図１における下部切り欠き部１３が上部切り欠き部１２より大きなものとなり、この下部切り欠き部１３が設けられたセラミックデバイス１の下面が回路基板５に実装する実装面となるため、落下衝撃などによる回路基板５の撓みによるセラミックデバイス１の角部分の破損などを抑制したものとなっている。
【００１９】
また、上部分割溝９を小さく設定したことにより、セラミック基板２の上面、つまりディスクリート部品４を搭載する面積を有効に確保でき、ディスクリート部品４の実装性も高められた構造となっている。
【００２０】
なお、上述した一実施形態においては図２に示される上部分割溝９および下部分割溝１０の断面形状を略Ｖ字状であるとして説明したが、本発明はこの断面形状にとらわれるものでなく、特に図示はしていないがＶ字状の斜辺を階段状とした形状や、Ｕ字状といった小片分割が可能な形状であれば良く、また、このように上部分割溝９や下部分割溝１０の形状を変えることに伴って図１に示すセラミックデバイス１の上部切り欠き部１２や下部切り欠き部１３の形状も変わることとなるが、下部切り欠き部１３が上部切り欠き部１２より大きく設定されていることには変わりなく先に述べたものと同様の作用効果を奏するものである。
【産業上の利用可能性】
【００２１】
以上のように、本発明のセラミックデバイスにおいては、製造過程における電気特性の劣化を抑制できるという効果を有し、特に携帯電話のように小型化が進められる移動体通信用のセラミックデバイスとして有効である。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の一実施形態におけるセラミックデバイスの断面図
【図２】同セラミックデバイスの製造方法を示す模式図
【符号の説明】
【００２３】
１  セラミックデバイス
２  セラミック基板
３  内部電極
８  大判のセラミック基板
９  上部分割溝
１０  下部分割溝
１２  上部切り欠き部
１３  下部切り欠き部
【図１】
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【図２】
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