(57)【要約】【課題】電子部品の接点どうしをはんだを用いずに直接接合する実用的な技術を提供する。【解決手段】この接合装置は、気密な処理室１０と、互いに接合部位４６を持つ２以上の被処理物体Ｗを処理室内において保持する保持手段３０，３２と、処理室内に接合部位を清浄化する処理ガスを導くガス導入手段と、処理室内を所定の圧力に制御する圧力制御手段２０と、処理室内において前記被処理物体を加熱する加熱手段３８と、処理室内において被処理物体の接合部位どうしを互いに圧接して接合する接合手段３６とを有する。これにより、清浄化した同じ処理室内において接合部位どうしを圧接して接合するので、接合部位の清浄化された表面の酸化や汚染による劣化を防ぎつつ、強固で耐用性の高い接合を行うことができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
気密な処理室と、
互いに接合部位を持つ２以上の被処理物体を前記処理室内において保持する保持手段と、
該処理室内に前記接合部位を清浄化する処理ガスを導くガス導入手段と、
前記処理室内を所定の圧力に制御する圧力制御手段と、
前記処理室内において前記被処理物体を加熱する加熱手段と、
前記処理室内において前記被処理物体の接合部位どうしを互いに圧接して接合する接合手段とを有することを特徴とする接合装置。
【請求項２】
前記処理室内に、前記接合部位どうしを位置合わせするための位置合わせ手段が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の接合装置。
【請求項３】
前記位置合わせ手段は、前記保持手段に保持された前記被処理物体の位置を検出する位置検出手段と、その検出位置情報に基づき、被処理物体の位置を補正する位置補正手段とを有することを特徴とする請求項２に記載の接合装置。
【請求項４】
前記処理室に隣接し、前記処理室を大気雰囲気に曝さずに前記被処理物体を大気雰囲気と前記処理室の間で出し入れ可能にする１もしくは複数の予備室が設けられていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の接合装置。
【請求項５】
前記処理室の外に、前記接合部位どうしを位置合わせするための位置合わせ手段が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の接合装置。
【請求項６】
気密な処理室内において互いに接合部位を持つ２以上の被処理物体を保持し、処理ガスを前記処理室内に導入して前記接合部位を清浄化する清浄化部と、
前記処理室内において前記被処理物体の接合部位どうしを互いに圧接して接合する接合部と、
前記処理室内において前記被処理物体を前記清浄化部から前記接合部に搬送する搬送部とを有することを特徴とする接合装置。
【請求項７】
前記処理ガスは、蟻酸ガスもしくは酢酸ガス等の有機酸ガスであり、前記接合部位を清浄化する時の処理温度は、１００〜３００℃であり、前記接合部位どうしを圧接する時の処理温度は、１２０〜３００℃であることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の接合装置。
【請求項８】
前記接合部位を清浄化する時の前記処理室内の処理圧力は、４０Ｐａ以上であることを特徴とする請求項７に記載の接合装置。
【請求項９】
前記処理ガスは、有機酸ガスと不活性ガスであり、前記接合部位を清浄化する時の前記処理室内の処理圧力は、有機酸ガス圧力が４０Ｐａ以上、残余は不活性ガスであって全圧力がほぼ大気圧であることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の接合装置。
【請求項１０】
前記接合部位を清浄化する時の処理温度と前記接合部位どうしを圧接する時の処理温度は、略同一であることを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載の接合装置。
【請求項１１】
前記接合部位どうしを圧接する圧力は、１４ＭＰａ以上であることを特徴とする請求項１ないし１０のいずれかに記載の接合装置。
【請求項１２】
前記接合部位は、銅、酸化銅または銅合金により構成されていることを特徴とする請求項１ないし１１のいずれかに記載の接合装置。
【請求項１３】
互いに接合部位を持つ２以上の被処理物体を処理室内に搬入し、
前記処理室内で前記被処理物を加熱しつつ前記処理室内に所定の圧力の処理ガスを導入して前記接合部材を清浄化し、しかる後、
前記処理室内で前記接合部位どうしを互いに圧接して接合することを特徴とする接合方法。
【請求項１４】
前記処理室内で、前記接合部位どうしの位置合わせを行うことを特徴とする請求項１３に記載の接合方法。
【請求項１５】
前記処理室の外で、前記接合部位どうしの位置合わせを行うことを特徴とする請求項１３に記載の接合方法。
【請求項１６】
前記処理ガスは、蟻酸ガスもしくは酢酸ガス等の有機酸ガスであり、前記接合部位を清浄化する時の処理温度は、１００〜３００℃であり、前記接合部位どうしを圧接する時の処理温度は、１２０〜３００℃であることを特徴とする請求項１３ないし１５のいずれかに記載の接合方法。
【請求項１７】
前記接合部位を清浄化する時の前記処理室内の処理圧力は、４０Ｐａ以上であることを特徴とする請求項１６に記載の接合方法。
【請求項１８】
前記処理ガスは、有機酸ガスと不活性ガスであり、前記接合部位を清浄化する時の前記処理室内の処理圧力は、有機酸ガス圧力が４０Ｐａ以上、残余は不活性ガスであって全圧力がほぼ大気圧であることを特徴とする請求項１３ないし１５のいずれかに記載の接合方法。
【請求項１９】
前記接合部位を清浄化する時の処理温度と前記接合部位どうしを圧接する時の処理温度は、略同一であることを特徴とする請求項１３ないし１８のいずれかに記載の接合方法。
【請求項２０】
前記接合部位どうしを圧接する圧力は、１４ＭＰａ以上であることを特徴とする請求項１３ないし１９のいずれかに記載の接合方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、電子部品どうしの電気的な接合を行うための接合装置及び接合方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
高度に集積した半導体デバイスを製造するための１つの方法として、半導体基板とインターポーザ基板とを積層するインターポーザモジュールがある。従来、このようなインターポーザモジュールの電気的接合は、接点にバンプ状の鉛入りはんだを形成して行われていた。しかしながら、環境負荷の低減のために鉛入りはんだの廃止が進められており、さらには、材料や工程の削減によるコスト低減の面からも、はんだを用いない接合が望まれている。
【０００３】
はんだを用いない接合方法として、接合界面を物理的または化学的に清浄化し、表面原子層を活性化した状態で、数１０〜数１００ＭＰａの圧力を付加して圧接しようとする試みが報告されている。物理的な清浄化方法としては、真空中でエネルギ粒子を表面に衝突させるスパッタ法のようなドライプロセスが挙げられる。化学的な清浄化方法としては、無機酸や有機酸等の薬液によるウエットプロセスが挙げられる。
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−２３３９３４号公報
【非特許文献１】須賀唯知、「常温接合の可能性」、溶接学会誌、1992年、第61巻、第2号、98〜106頁
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のような従来の技術においては、以下のような問題点が有った。すなわち、ドライプロセスのうち、真空中でエネルギ粒子を表面に衝突させるスパッタ法は、処理温度が高いため、半導体部品等を劣化させる可能性があるとともに、例えば次工程の圧接工程への移行中に処理表面が再酸化しやすく、更に、高真空中での処理なのでスパッタ工程と圧接工程とを同じ装置で行うことも困難である。
【０００６】
また、薬液によるウエットプロセスも同様に、清浄化の後に乾燥工程が必要であり、その過程で処理表面が劣化するおそれが有る。勿論、ウエットプロセスと圧接工程を同じ装置で行うことも困難である。
【０００７】
本発明は、前記事情に鑑みて為されたもので、電子部品の接点どうしをはんだを用いずに直接接合する実用的な接合装置及び接合方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記目的を達成するために、本発明の接合装置は、気密な処理室と、互いに接合部位を持つ２以上の被処理物体を前記処理室内において保持する保持手段と、該処理室内に前記接合部位を清浄化する処理ガスを導くガス導入手段と、前記処理室内を所定の圧力に制御する圧力制御手段と、前記処理室内において前記被処理物体を加熱する加熱手段と、前記処理室内において前記被処理物体の接合部位どうしを互いに圧接して接合する接合手段とを有する。
【０００９】
この発明によれば、気密な処理室で処理ガスにより接合部位の表面を清浄化した後、同じ処理室内において被処理物体の接合部位どうしを互いに圧接して接合するので、接合部位の清浄化された表面の酸化や汚染による劣化を防ぎつつ、強固で耐用性の高い接合を行うことができる。
【００１０】
本発明の好ましい一態様において、前記処理室内には、前記接合部位どうしを位置合わせするための位置合わせ手段が設けられている。これにより、接合部位どうしを最終的に位置合わせした状態で正確に接合させることができる。
【００１１】
本発明の好ましい一態様において、前記位置合わせ手段は、前記保持手段に保持された前記被処理物体の位置を検出する位置検出手段と、その検出位置情報に基づき、被処理物体の位置を補正する位置補正手段を有する。これにより、接合部位どうしの位置を確認した上で接合させることができる。
【００１２】
本発明の好ましい一態様において、前記処理室に隣接し、前記処理室を大気雰囲気に曝さずに前記被処理物体を大気雰囲気と前記処理室の間で出し入れ可能にする１もしくは複数の予備室が設けられている。
【００１３】
前記処理室の外において前記接合部位どうしを位置合わせするための位置合わせ手段が設けられていてもよい。これにより、接合部位どうしの位置合わせ作業をより容易に行うことができる。
【００１４】
本発明の他の接合装置は、気密な処理室内において互いに接合部位を持つ２以上の被処理物体を保持し、処理ガスを前記処理室内に導入して前記接合部位を清浄化する清浄化部と、前記処理室内において前記被処理物体の接合部位どうしを互いに圧接して接合する接合部と、前記処理室内において前記被処理物体を前記清浄化部から前記接合部に搬送する搬送部とを有する。
【００１５】
本発明の一態様において、前記処理ガスは、蟻酸ガスもしくは酢酸ガス等の有機酸ガスであり、前記接合部位を清浄化する時の処理温度は、１００〜３００℃、好ましくは１４０〜３００℃であり、前記接合部位どうしを圧接する時の処理温度は、１２０〜３００℃である。
【００１６】
蟻酸は例えば銅表面の酸化膜を還元する作用があり、また、酢酸はエッチング作用があるので、共に金属表面の酸化膜の除去に有効である。また、処理温度が低いので、温度に敏感な被処理物体を劣化させずに処理することができる。
【００１７】
前記接合部位を清浄化する時の前記処理室内の処理圧力は、４０Ｐａ以上であることが好ましい。
本発明の好ましい一態様において、前記処理ガスは、有機酸ガスと不活性ガスであり、前記接合部位を清浄化する時の前記処理室内の処理圧力は、有機酸ガス圧力が４０Ｐａ以上、残余は不活性ガスであって全圧力がほぼ大気圧である。
【００１８】
前記接合部位を清浄化する時の処理温度と前記接合部位どうしを圧接する時の処理温度は、略同一であることが好ましい。
前記被処理物体どうしを圧接する圧力は、例えば１４ＭＰａ以上であることが好ましい。
前記接合部位は、例えば銅、酸化銅または銅合金により構成されている。
【００１９】
本発明の接合方法は、互いに接合部位を持つ２以上の被処理物体を処理室内に搬入し、前記処理室内で前記被処理物を加熱しつつ前記処理室内に所定の圧力の処理ガスを導入して前記接合部材を清浄化し、しかる後、前記処理室内で前記接合部位どうしを互いに圧接して接合する。
【発明の効果】
【００２０】
この発明によれば、被処理物体の清浄化した接合部位どうしをその表面の酸化や汚染による劣化を防ぎつつ、清浄な状態で接続して圧接させることで、比較的低い温度で、はんだを用いることなく、簡単な工程で、強固で耐用性の高い接合を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図面を参照しつつこの発明の実施の形態を説明する。
図１ないし図３は、この発明の第１の実施の形態の接合装置を示すもので、例えば、半導体チップとインターポーザを接合するために用いられる。
【００２２】
この接合装置は、処理室１０と、ゲートバルブ１２ａ，１２ｂを介して処理室１０の左右に隣接する一対の予備室１４ａ，１４ｂとを有している。ここでは、図１乃至３において、左側を第１の予備室１４ａ、右側を第２の予備室１４ｂとする。これらの処理室１０と予備室１４ａ，１４ｂは、開閉弁１６ａ，１６ｂ，１６ｃを有する排気配管１８ａ，１８ｂ，１８ｃを介して排気装置２０に接続され、図示しない圧力センサの指示値に基づいて室内圧力を所定値に制御できるようになっている。処理室１０には、後述する処理ガス導入配管２２が設けられている。一方、予備室１４ａ，１４ｂには、内部に不活性ガスを供給するガス導入配管２４ａ，２４ｂが設けられている。また、予備室１４ａ，１４ｂには、それぞれゲートバルブ１２ａ，１２ｂを介して被処理物体Ｗを処理室１０に出し入れする搬送アーム２６ａ，２６ｂ（いわゆる直線導入機を揺動可能に取り付けた物）と、外部から搬送アーム２６ａ，２６ｂに被処理物体Ｗを授受するための扉２８ａ，２８ｂが設けられている。
【００２３】
処理室１０内には、被処理物体Ｗを保持する２つの基台３０，３２が設けられている。第１の予備室１４ａに近い側の第１の基台３０は、処理室１０の天板に取り付けられたスライド機構３４の支柱３４ａの下端に取り付けられ、スライド機構３４の作動により水平面内で移動可能になっている。一方、第２の予備室１４ｂに近い側の第２の基台３２は、処理室１０の底部側に底板を挿通して設けられた流体圧シリンダ装置等の押付け機構３６の取付板３６ａに取り付けられ、昇降可能になっている。
【００２４】
この実施の形態では、スライド機構３４によって、第１の基台３０は、第１の予備室１４ａに近い第１の位置と、第２の予備室１４ｂに近い、すなわち第２の基台３２の直上方の第２の位置との間で移動することができる。また、この実施の形態では、スライド機構３４は、第１の基台３０を紙面に対して直交する方向に移動させることができ、これにより、基台３０，３２上の被処理物体Ｗの接合部位の位置を合わせる際の微調整が可能になっている。なお、各基台３０，３２には、被処理物体Ｗを保持するための静電チャック等の固定手段（図示略）と、被処理物体Ｗを所定温度に加熱するための内蔵のヒータ（加熱手段）３８が設けられている。
【００２５】
処理ガス導入配管２２には、上流側で図示しない処理ガス源と不活性ガス源に接続され、下流側で処理室１０内の基台３０，３２に対向して配置されたリング状の２つのガス噴射ヘッド４０ａ，４０ｂに接続されている。これらのガス噴射ヘッド４０ａ，４０ｂは、内側面に斜めに複数の噴射口４２が形成されて構成され、処理ガスを基台３０，３２の中心に向けて噴射するようになっている。これらのガス噴射ヘッド４０ａ，４０ｂは、この実施の形態においては、処理室１０の第１の位置および第２の位置に配置されている。第２の位置のガス噴射ヘッド４０ｂは、内径が基台３０，３２よりも大きく設定され、基台３０，３２がガス噴射ヘッド４０ｂの内側を昇降できるようになっている。噴射口４２はスリット状にしてもよく、噴射方向や大きさ等は適宜に設定可能である。
【００２６】
処理室１０には、第２の位置および第１の位置にある基台３０，３２に対向する位置に位置して、例えば、被処理物体Ｗの画像パターンを認識してその位置を検出する位置検出手段４４ａ，４４ｂが設けられている。これらの位置検出手段４４ａ，４４ｂは、図示しない制御手段に接続され、制御手段は、検出された位置に基づいてスライド機構３４を駆動し、２つの被処理物体Ｗを水平方向において位置合わせするようになっている。なお、制御手段は、位置合わせだけでなく、温度、圧力、ガス供給等、装置の全般を制御するものである。
【００２７】
以上のように構成された接合装置の動作を説明する。
この例では、被処理物体Ｗは金属等からなる複数の接合部位４６を有している。
予め、処理室１０は、排気装置２０により排気され、所定の真空に保たれている。基台３０，３２に内蔵されたヒータ３８により、基台３０，３２は、例えば１５０℃に保たれている。
【００２８】
第１の予備室１４ａ内にガス導入配管２４ａにより窒素ガスを導入して該第１の予備室１４ａを大気圧状態にした後、扉２８ａを開いて、被処理物体Ｗを、搬送アーム２６ａのハンド２７上に載置する。この時、被処理物体Ｗの接合部位４６は下向きにする。扉２８ａを閉め、排気装置２０により第１の予備室１４ａを真空排気した後、ゲートバルブ１２ａを開き、搬送アーム２６ａを動作させて、被処理物体Ｗを処理室１０内の第１の基台３０の真下に運ぶ。そして、搬送アーム２６ａを第１の基台３０の方向に揺動させ、第１の基台３０が内蔵する静電チャック等の固定手段により、被処理物体Ｗを第１の基台３０に把持させる。第２の予備室１４ｂからも、同様の工程で被処理物体Ｗを処理室１０内に搬入するが、第２の予備室１４ｂでは、被処理物体Ｗの接合部位４６を上向きにして第２の基台３２に把持させる。
【００２９】
そして、搬送アーム２６ａ，２６ｂを処理室１０から引抜いた後、２個のゲートバルブ１２ａ，１２ｂを閉め、排気装置２０により、処理室１０内を真空排気する。次に、図２に示すように、位置検出手段４４ａ，４４ｂにより、基台３０，３２で把持した被処理物体Ｗの接合部位４６の位置を検出する。そして、検出された位置情報を基に、制御装置は、第１の基台３０を水平面内でＸ，Ｙ、および必要に応じてθ方向（回転方向）に動かし、２つの被処理物体Ｗの接合部位４６が接合に支障ない位置に来るように位置合わせを行う。
【００３０】
次に、処理ガス導入配管２２から処理ガスである有機酸ガスを処理室１０に導入し、排気装置２０を連動させて、処理室１０内を、例えば４００Ｐａに保つ。予め２つの基台３０，３２は１５０℃に保たれていて、被処理物体Ｗは約１５０℃に昇温する。なお、この時、基台３０，３２と被処理物体Ｗとの間の熱抵抗が有る場合には、事前に測定して温度差を調べておき、その温度差の分だけ高い温度に基台３０，３２を保っておくと良い。また、処理ガスの原料の有機酸は、例えば蟻酸や酢酸が好適である。
【００３１】
蟻酸ガスを用いて、基板に設けた銅の接合部位どうしの接合を行う場合について説明すると、発明者等の実験により、銅酸化膜厚さ２０ｎｍに対しては、圧力４００Ｐａ、基板温度１５０℃、処理時間１０分で酸化膜を除去できた。また圧力４０Ｐａ、基板温度３００℃、処理時間０．５分で厚さ２０ｎｍの酸化膜を除去できた。更に、銅酸化膜厚さ数ｎｍ程度の自然酸化膜に対しては、圧力４００Ｐａ、基板温度１００℃、処理時間６０分で除去できることが確認できた。上記圧力より更に高い圧力では、より短い時間で酸化膜を除去できることは明らかである。以上の条件は、真空排気後に蟻酸ガスのみを導入した場合を示す。
【００３２】
上記とは異なり、処理ガスとして、蟻酸ガスに加えて窒素ガスを代表とする不活性ガスを混入したガスを使用した時、処理室内の圧力を、蟻酸ガス圧力が４０Ｐａで残余が窒素ガス圧力の略大気圧に保った時、基板温度２００℃、処理時間３分で自然酸化膜を除去できることを確認できた。
【００３３】
次に、処理ガスの供給を停止し、処理ガスを処理室１０から排気する。なお、処理ガスとして、蟻酸ガスに窒素ガスを加えたガスを使用した場合は、蟻酸ガスのみの供給を止め処理室内を窒素ガスのみにして接合する場合と、蟻酸、窒素ガスともに供給を止めどちらも排気後に接合する場合とで、接合強度に差は認められないことが確認されている。
【００３４】
次に、スライド機構３４により第１の基台３０を第２の基台３２に正確に向かい合う所定の位置に移動させ、続いて第２の基台３２を押付け機構３６により上昇させ、図３に示すように、被処理物体Ｗの接合部位４６どうしを押付け、接合させる。
【００３５】
発明者は、接合部位４６の材料として銅を用いた一対の材料を用意し、被処理物体Ｗの温度が１２０〜１５０℃の時に、材料に垂直に押付ける押付け力と、押付け後に材料どうしを面に平行に引張った時の破断剪断力との関係を調べたところ、図４のような結果が得られた。したがって、必要な剪断力を４ＭＰａ以上と設定すると、必要な押付け圧力は１４ＭＰａ以上であることが分かる。
【００３６】
上述したように、接合部位表面の清浄化処理温度と、接合処理温度は略同一で良いことが判明した。このことより、清浄化処理部と接合処理部とを同一処理室に配置でき、更には同一基台に被処理物を載置したまま、清浄化と接合処理を連続処理できる。この結果、接合界面の再酸化や汚染の防止、処理時間の短縮、処理室数や搬送機構の省略が可能となり、高品質、高生産性、低コストを達成できる。
【００３７】
以上の動作により接合された２つの被処理物体Ｗを、押付け機構３６を下降させた後、搬送アーム２６ｂにより第２の予備室１４ｂに搬送して降温させ、第２の予備室１４ｂを大気圧状態にしたあと、扉２８ｂを開けて接合装置の外に取り出す。これにより、一連の接合処理を終える。なお、この実施の形態では、２つの被処理物体に対する処理ガスの噴射を異なる位置で行ったが、以下の実施の形態のように同じ位置で行っても良い。
【００３８】
図５ないし図７は、この発明の接合装置の第２の実施の形態を示すもので、被処理物体Ｗどうしの位置決めを、処理室の外で行うようにしたものである。
図５に示すように、処理室１０Ａ内には、上下に対向する支持台５０，５２が設けられている。これらの支持台５０，５２は水平方向には移動せず、下側の支持台５２は、押付け機構３６により上下可能である。また、ガス噴射ヘッド４０Ａは、１つのみが設けられ、その噴射口４２Ａは水平方向に向いている。噴射口４２Ａは、上下の斜め方向に向けて形成してもよい。
【００３９】
この実施の形態では、基台３０Ａ，３２Ａは処理室１０Ａに固定されておらず、処理室１０Ａと左右の予備室１４ａ，１４ｂの間で搬送アーム２６ａ，２６ｂにより移送可能になっている。ヒータ３８Ａは、基台３０Ａ，３２Ａとは別になっており、予備室１４ａ，１４ｂの扉２８ａ，２８ｂの内面に配置されている。各基台３０Ａ，３２Ａの載置面には、被処理物体Ｗを載置する基準となるマークや凹凸が設けられている。また、支持台５０，５２の載置面には、基台３０Ａ，３２Ａを載置する基準となるマークや凹凸が設けられている。これにより、それぞれ位置決めした状態での被処理物体Ｗの基台３０Ａ，３０Ｂへの固定、及び基台３０Ａ，３０Ｂの支持台５０，５２への固定が容易に行えるようになっている。
【００４０】
この実施の形態の接合装置の動作を説明する。まず、予備室１４ａ，１４ｂの扉２８ａ，２８ｂを開いた状態で、搬送アーム２６ａ，２６ｂに支持した基台３０Ａ，３２Ａに、被処理物体Ｗをその接合部位４６が基台３０Ａ，３２Ａと反対の側に来るように取り付ける。この際、被処理物体Ｗを基台３０Ａ，３２Ａの基準位置に対して所定の精度で位置決めして載置する。そして、扉２８ａ，２８ｂを閉めて処理室１０Ａ内を不活性雰囲気にし、接合部位４６をヒータ３８Ａに接近させて、例えば１５０℃に加熱する。この後、ゲートバルブ１２ａ，１２ｂを開き、搬送アーム２６ａ，２６ｂにより基台３０Ａ，３２Ａを処理室１０Ａの内部に移送し、各基台３０Ａ，３２Ａをそれぞれの支持台５０，５２に位置決めした状態で取り付ける。
【００４１】
次に、搬送アーム２６ａ，２６ｂを処理室１０Ａから引抜いた後、先の実施の形態と同じようにして、処理室１０Ａ内に蟻酸ガス等の処理ガスを導入し、所定のガス圧力、被処理物体Ｗの温度、処理時間で接合部位４６の表面の酸化膜を除去する。次に、押付け機構３６により、下側の基台３２Ａを上昇させ、基台３０Ａ，３２Ａに取り付けた被処理物体Ｗの接合部位４６どうしを押圧し、接合する。接合された被処理物体Ｗの取り出しは、先の実施の形態の場合と同じである。
【００４２】
なお、上記した第２の実施の形態では、処理室の外、すなわち、予備室１４ａ，１４ｂの中で、２つの基台３０Ａ，３２Ａのそれぞれの基準位置に被処理物体Ｗを載置した後、処理室１０Ａの中へ２つの基台３０Ａ，３２Ａを搬入する例を述べたが、位置決めの方法はこれに限られるものではなく、例えば、２つの基台３０Ａ，３２Ａに被処理物体Ｗを載置した後に、接合装置の外でこれらの基台３０Ａ，３２Ａどうしを位置決めしてから処理室１０Ａ内に搬送するようにしてもよい。
【００４３】
なお、上記実施の形態では、単一の処理室の中で清浄化処理と圧接処理を行ったが、別々の処理室においてそれぞれの処理を行うようにしてもよい。その場合は、処理室間で被処理物体を真空搬送するか、あるいは湿度や酸素濃度が所定値以下に管理された不活性雰囲気下で搬送するなど、清浄化した接合界面の再酸化を抑制することが必要である。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】この発明の第１の実施の形態の接合装置の準備工程を示す図である。
【図２】この発明の第１の実施の形態の接合装置の清浄化工程を示す図である。
【図３】この発明の第１の実施の形態の接合装置の接合工程を示す図である。
【図４】この発明の第１の実施の形態の装置における接合圧力と剪断破壊力の関係を示すグラフである。
【図５】この発明の第２の実施の形態の接合装置の準備工程を示す図である。
【図６】この発明の第２の実施の形態の接合装置の清浄化工程を示す図である。
【図７】この発明の第２の実施の形態の接合装置の接合工程を示す図である。
【符号の説明】
【００４５】
１０  処理室
１４ａ，１４ｂ  予備室
１８ａ，１８ｂ，１８ｃ  排気配管
２０  排気装置（圧力制御手段）
２２  処理ガス導入配管（処理ガス導入手段）
２６ａ，２６ｂ  搬送アーム（搬送手段）
３０，３２  基台（保持手段）
３４  スライド機構（位置補正手段）
３６  押付け機構（接合手段）
３８  ヒータ（加熱手段）
４０ａ，４０ｂ  ガス噴射ヘッド
４４ａ，４４ｂ  位置検出手段
４６  接合部位
Ｗ  被処理物体
【図１】
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【図２】
2006181641.tif 000004
【図３】
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【図４】
2006181641.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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