(57)【要約】【課題】薄膜トランジスタの劣化を防止できる表示装置及びその駆動方法を提供する。【解決手段】本発明の表示装置は、発光素子に電流を供給する第１及び第２駆動トランジスタを各画素に備える。２つの駆動トランジスタは同じ活性半導体を共有し、特に各制御端子電極が活性半導体の表側と裏側とに配置されている。２つの駆動トランジスタの制御端子に対しては、同じ制御電圧が同時に印加されても良い。その他に、逆極性の制御電圧が印加され、更に各制御電圧の極性がフレーム毎に反転しても良い。【選択図】図２
2006189871.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子、及び、
同じ活性半導体を共有し、前記発光素子に電流を供給する第１駆動トランジスタと第２駆動トランジスタ、
を備える表示装置であり、前記第１駆動トランジスタの制御端子（以下、第１制御端子という）が前記活性半導体の一方の表面に対向するように配置され、
前記第２駆動トランジスタの制御端子（以下、第２制御端子という）が前記活性半導体の他方の表面に対向するように配置されている、
表示装置。
【請求項２】
前記第１及び第２制御端子に対して印加される制御電圧が同一である、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１及び第２制御端子の両方に接続された端子を含むキャパシタ、並びに、
走査信号に従ってデータ電圧を前記キャパシタに伝達するスイッチングトランジスタ、
をさらに備える、請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１制御端子に対して印加される第１制御電圧の極性が、前記第２制御端子に対して印加される第２制御電圧の極性と逆である、請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１及び第２制御電圧の極性がフレーム毎に反転する、請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１制御端子に接続され、前記第１制御端子に対して印加される第１制御電圧を保持する第１キャパシタ、及び、
前記第２制御端子に接続され、前記第２制御端子に対して印加される第２制御電圧を保持する第２キャパシタ、
をさらに備える、請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
走査信号に従って前記第１キャパシタに第１データ電圧を伝達する第１スイッチングトランジスタ、及び、
前記走査信号に従って前記第２キャパシタに第２データ電圧を伝達する第２スイッチングトランジスタ、
をさらに備える、請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１及び第２データ電圧は極性が逆である請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第１及び第２データ電圧の極性がフレーム毎に反転する、請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
第１走査信号に従って前記第１キャパシタに第１データ電圧を伝達する第１スイッチングトランジスタ、
前記第１走査信号に従って前記第２キャパシタに第２データ電圧を伝達する第２スイッチングトランジスタ、
第２走査信号に従って前記第１キャパシタに前記第２データ電圧を伝達する第３スイッチングトランジスタ、及び、
前記第２走査信号に従って前記第２キャパシタに前記第１データ電圧を伝達する第４スイッチングトランジスタ、
をさらに備える請求項６に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記第１及び第２データ電圧は極性が逆である、請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第１及び第２走査信号を異なるフレームでアクティブにする、請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記第１及び第２駆動トランジスタが非晶質シリコン薄膜トランジスタである、請求項１乃至請求項１２のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第１及び第２駆動トランジスタがｎＭＯＳ薄膜トランジスタである、請求項１乃至請求項１２のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記発光素子が有機発光層を含む、請求項１乃至請求項１２のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項１６】
基板、
前記基板の上に形成されている第１制御端子電極、
前記第１制御端子電極の上に形成されている絶縁膜、
前記絶縁膜を挟んで前記第１制御端子電極の上に形成されている活性半導体、
前記活性半導体の上に形成されている入力電極と出力電極、
前記活性半導体、前記入力電極、及び前記出力電極、の上に形成されている保護膜、並びに、
前記保護膜を挟んで、前記活性半導体、前記入力電極、及び前記出力電極、の上に形成されている第２制御端子電極、
を備える表示装置。
【請求項１７】
前記第１及び第２制御端子電極に対して印加される制御電圧が同一である、請求項１６に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記第１制御端子電極に対して印加される第１制御電圧の極性が、前記第２制御端子電極に対して印加される第２制御電圧の極性と逆である、請求項１６に記載の表示装置。
【請求項１９】
前記第１及び第２制御電圧の極性がフレーム毎に反転する、請求項１８に記載の表示装置。
【請求項２０】
前記活性半導体と前記保護膜との間に形成されているエッチングストッパ、をさらに備える、請求項１６に記載の表示装置。
【請求項２１】
発光素子、
前記発光素子に接続されている第１及び第２駆動トランジスタ、
前記第１駆動トランジスタに接続されている第１キャパシタ、並びに、
前記第２駆動トランジスタに接続されている第２キャパシタ、
を備える表示装置、を駆動する方法であって、
第１フレームで前記第１駆動トランジスタの制御端子に対して正極性の制御電圧を印加する段階、
前記第１フレームで前記第２駆動トランジスタの制御端子に対して負極性の制御電圧を印加する段階、
第２フレームで前記第１駆動トランジスタの制御端子に対して負極性の制御電圧を印加する段階、及び、
前記第２フレームで前記第２駆動トランジスタの制御端子に対して正極性の制御電圧を印加する段階、
を含む、表示装置の駆動方法。
【請求項２２】
前記第１フレームで前記第１キャパシタに対して正極性のデータ電圧を印加する段階、
前記第１フレームで前記第２キャパシタに対して負極性のデータ電圧を印加する段階、
前記第２フレームで前記第１キャパシタに対して負極性のデータ電圧を印加する段階、及び、
前記第２フレームで前記第２キャパシタに対して正極性のデータ電圧を印加する段階、
をさらに含む、請求項２１に記載の表示装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置及びその駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、パーソナルコンピュータやテレビなどの軽量化及び薄形化に伴い、それらに搭載される表示装置の軽量化及び薄形化が進んでいる。特に、従来の陰極線管（ＣＲＴ）が平板表示装置で代替されている。平板表示装置には、液晶表示装置（ＬＣＤ）、電界放出表示装置（ＦＥＤ）、有機発光（有機ＥＬ）表示装置、プラズマ表示装置（ＰＤＰ）などがある。平板表示装置では一般に、複数の画素がマトリックス状に配列されている。平板表示装置は、外部から与えられた画像情報に応じて各画素の輝度を制御することによって画像を表示する。特に、有機発光表示装置は、各画素に内蔵されている蛍光性有機物質を電気的に励起することで、各画素を発光させる。このように、有機発光表示装置は自己発光型であるので、消費電力が小さく、視野角が広く、輝度が高く、かつ応答が速い。
【０００３】
有機発光表示装置では、各画素が有機発光素子（ＯＬＥＤ）とそれを駆動する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）とを備える。薄膜トランジスタは活性層の種類によって多結晶シリコン薄膜トランジスタと非晶質シリコン薄膜トランジスタとに大別される。多結晶シリコン薄膜トランジスタを採用した有機発光表示装置は様々な長所を持つので、一般に広く使用されている。一方、非晶質シリコン薄膜トランジスタを採用した有機発光表示装置は、多結晶シリコン薄膜トランジスタを採用した有機発光表示装置に比べ、更なる大画面化が容易であり、製造工程数が少ないので製造コストの更なる削減が容易である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の有機発光表示装置では、薄膜トランジスタが有機発光素子に対する電流の供給を長時間持続させるので、そのしきい値電圧が変動しやすい。その変動量が過大である場合、薄膜トランジスタの特性が劣化するおそれがある。その場合、特に、一定のデータ電圧の印加時に有機発光素子を流れる電流のバラツキが過大になるので、画素の輝度の更なる高精細化が困難である。その結果、有機発光表示装置の更なる高画質化が困難である。
本発明の目的は、薄膜トランジスタの劣化を防止することで、更なる高画質化を可能にする表示装置、及びその駆動方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一つの観点による表示装置は、発光素子、及び、その発光素子に駆動電流を供給する第１及び第２駆動トランジスタ、を備える。特に、第１及び第２駆動トランジスタは同じ活性半導体を共有し、第１駆動トランジスタの制御端子（以下、第１制御端子という）がその活性半導体の一方の表面に対向するように配置され、第２駆動トランジスタの制御端子（以下、第２制御端子という）がその活性半導体の他方の表面に対向するように配置されている。ここで、好ましくは、第１及び第２駆動トランジスタが非晶質薄膜トランジスタである。その他に、ｎＭＯＳ薄膜トランジスタであっても良い。一方、上記の発光素子は好ましくは、有機発光層を含む。
【０００６】
好ましくは、第１及び第２制御端子に対して印加される制御電圧が同一である。その場合、本発明による上記の表示装置が、更に好ましくは、第１及び第２制御端子の両方に接続された端子を含むキャパシタ、並びに、走査信号に従ってデータ電圧をそのキャパシタに伝達するスイッチングトランジスタ、をさらに備える。第１制御端子に対して印加される第１制御電圧の極性が、第２制御端子に対して印加される第２制御電圧の極性と逆であっても良い。その場合、好ましくは、第１及び第２制御電圧の極性がフレーム毎に反転する。
【０００７】
本発明による上記の表示装置は、好ましくは、第１制御端子に接続されて第１制御電圧を保持する第１キャパシタと、第２制御端子に接続されて第２制御電圧を保持する第２キャパシタと、をさらに備える。更に好ましくは、その表示装置が、走査信号に従って第１キャパシタに第１データ電圧を伝達する第１スイッチングトランジスタと、同じ走査信号に従って第２キャパシタに第２データ電圧を伝達する第２スイッチングトランジスタと、をさらに備える。その場合、好ましくは、第１及び第２データ電圧は極性が逆である。更に好ましくは、第１及び第２データ電圧の極性がフレーム毎に反転する。
【０００８】
本発明による上記の表示装置が上記の第１及び第２キャパシタを備える場合、第１走査信号に従って第１キャパシタに第１データ電圧を伝達する第１スイッチングトランジスタ、第１走査信号に従って第２キャパシタに第２データ電圧を伝達する第２スイッチングトランジスタ、第２走査信号に従って第１キャパシタに第２データ電圧を伝達する第３スイッチングトランジスタ、及び、第２走査信号に従って第２キャパシタに第１データ電圧を伝達する第４スイッチングトランジスタ、をさらに備えても良い。その場合、好ましくは、第１及び第２データ電圧は極性が逆である。一方、第１及び第２走査信号が異なるフレームでアクティブにされる。
【０００９】
本発明の他の観点による表示装置は、基板、その基板の上に形成されている第１制御端子電極、その第１制御端子電極の上に形成されている絶縁膜、その絶縁膜を挟んで第１制御端子電極の上に形成されている活性半導体、その活性半導体の上に形成されている入力電極と出力電極、その活性半導体、入力電極、及び出力電極の上に形成されている保護膜、並びに、その保護膜を挟んで、上記の活性半導体、入力電極、及び出力電極の上に形成されている第２制御端子電極、を備える。ここで、好ましくは、第１及び第２制御端子電極に対して印加される制御電圧が同一である。その他に、第１制御端子電極に対して印加される第１制御電圧の極性が、第２制御端子電極に対して印加される第２制御電圧の極性と逆であっても良い。その場合、好ましくは、第１及び第２制御電圧の極性がフレーム毎に反転する。一方、上記の活性半導体と保護膜との間にはエッチングストッパが形成されても良い。
【００１０】
本発明による駆動方法を適用可能である表示装置は、発光素子、その発光素子に接続されている第１及び第２駆動トランジスタ、第１駆動トランジスタに接続されている第１キャパシタ、並びに、第２駆動トランジスタに接続されている第２キャパシタ、を備える。そのような表示装置に対し、本発明による駆動方法は、第１フレームで第１駆動トランジスタの制御端子に対して正極性の制御電圧を印加する段階、同じ第１フレームで第２駆動トランジスタの制御端子に対して負極性の制御電圧を印加する段階、第２フレームで第１駆動トランジスタの制御端子に対して負極性の制御電圧を印加する段階、及び、同じ第２フレームで第２駆動トランジスタの制御端子に対して正極性の制御電圧を印加する段階、を含む。この駆動方法は更に好ましくは、第１フレームで第１キャパシタに対して正極性のデータ電圧を印加する段階、第１フレームで第２キャパシタに対して負極性のデータ電圧を印加する段階、第２フレームで第１キャパシタに対して負極性のデータ電圧を印加する段階、及び、第２フレームで第２キャパシタに対して正極性のデータ電圧を印加する段階、をさらに含む。
【発明の効果】
【００１１】
本発明による表示装置では上記の通り、２つの駆動トランジスタが同じ活性半導体を共有し、更に、それぞれの制御端子がその活性半導体の表側と裏側とに配置されている。それにより、２つの駆動トランジスタの総面積が十分に小さいので、各画素の開口率を高く維持したまま、各画素に駆動トランジスタを２つずつ設置できる。２つの駆動トランジスタの制御端子に対して同じ制御電圧を同時に印加する場合、発光素子に供給される電流量を一定に維持したまま、必要な制御電圧を低減できる。従って、高電圧によるストレスが軽減されるので、駆動トランジスタの劣化が遅い。一方、２つの駆動トランジスタ間で各制御端子に対して印加される制御電圧の極性をフレームごとに交互に反転させる場合、正極性の制御電圧に起因するストレスが負極性の制御電圧により除去される。従って、駆動トランジスタの劣化が遅い。このように、本発明による表示装置は、上記のいずれの駆動方法を採用する場合でも、寿命が長く、かつ信頼性が高い。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の好ましい実施形態による表示装置及びその駆動方法について、添付した図面を参照しながら詳細に説明する。
≪実施形態１≫
図６は本発明の実施形態１による有機発光表示装置を示すブロック図である。図７はその有機発光表示装置に含まれている一つの画素を示す等価回路図である。図６に示されているように、本発明の実施形態１による有機発光表示装置は、表示パネル300、走査駆動部400、データ駆動部500、及び、信号制御部600を備える。
【００１３】
表示パネル300は、複数の走査信号線G1−Gn、複数のデータ線D1−Dm、複数の駆動電圧線（図示せず）、及び複数の画素Pを有する。走査信号線G1−Gnは表示パネル300の行方向に平行に延び、走査信号を伝達する。データ線D1−Dmは表示パネル300の列方向に平行に延び、データ信号を伝達する。駆動電圧線は駆動電圧Vddを伝達し、行方向に、または列方向に延びている。画素Pは、走査信号線G1−Gnとデータ線D1−Dmとで分けられた表示パネル300内の領域に一つずつ設置され、マトリックスを形成している。各画素Pは最寄りの走査信号線G1−Gnの一つとデータ線D1−Dmの一つとに接続されている（詳細は後述参照）。
【００１４】
走査駆動部400は表示パネル300の走査信号線G1−Gnに接続され、走査信号を走査信号線G1−Gnに対して順番に印加する。ここで、走査信号は所定の上限Vonと下限Voffとを持つ電圧パルスである。データ駆動部500は表示パネル300のデータ線D1−Dmに接続され、信号制御部600から供給される映像信号DATに対応するレベルでデータ電圧を生成し、そのデータ電圧をデータ線D1−Dmに対して印加する。信号制御部600は、外部のグラフィック制御部（図示せず）から、入力映像信号R、G、B、垂直同期信号Vsync、水平同期信号Hsync、メインクロックMCLK、データイネーブル信号DEを受信し、それらに基づいて、走査制御信号CONT1、データ制御信号CONT2、及び映像信号DATを生成する。信号制御部600は、走査制御信号CONT1により走査駆動部400の動作を制御し、データ制御信号CONT2と映像信号DATとによりデータ駆動部500の動作を制御する。
【００１５】
走査駆動部400、データ駆動部500、及び信号制御部600は好ましくはいずれも複数の集積回路を含む。ここで、データ駆動部500と信号制御部600とが一つの複合ＩＣ（ワンチップ）に集積されても良い。更に、走査駆動部400がその複合ＩＣに集積されても良い。それらの集積回路は好ましくは、表示パネル300上に実装されたチップ群である。その他に、それらの集積回路が、表示パネル300の周縁部に接着されたフレキシブルプリント回路フィルム（図示せず）の上にＴＣＰ（Tape Carrier Package）方式で実装されても良い。更にその他に、走査駆動部400及びデータ駆動部500が表示パネル300上に直接、集積されても良い。
【００１６】
図７に示されているように各画素は、有機発光部100、スイッチングトランジスタQs、及びキャパシタCstを有する。有機発光部100は、図１、７に示されているように、第１及び第２駆動トランジスタQd1、Qd2と有機発光素子OLEDとを備える。
第１及び第２駆動トランジスタQd1、Qd2は好ましくはｎＭＯＳトランジスタであり、更に好ましくは、非晶質シリコンまたは多結晶シリコンを活性層に含む。その他に、第１及び第２トランジスタQd1、Qd2がｐＭＯＳトランジスタであっても良い。但し、ｐＭＯＳトランジスタはｎＭＯＳトランジスタに対して相補的であるので、ｐＭＯＳトランジスタに与えられるべき電圧と電流との各極性がｎＭＯＳトランジスタに与えられるべき電圧と電流との極性とは逆である。
【００１７】
有機発光素子OLEDは好ましくはアノードとカソードとの間に、正孔注入層HIL、正孔輸送層HTL、発光層EML、電子輸送層ETL、及び電子注入層EILを順番に含む。それにより、アノードとカソードとの間には図３に示されているようなバンド構造が構成されている。アノードの電位がカソードの電位より所定のしきい値電圧以上高いとき、アノードからは正孔が発光層EMLに移動し、カソードからは電子が発光層EMLに移動する。発光層EMLではそれらの正孔と電子とが再結合する。そのとき、放出されるエネルギーにより発光層EML内の有機物質が励起され、発光する。ここで、その有機物質の種類によって、発光色が三原色（赤、緑、青）のいずれにも設定可能である。
【００１８】
有機発光部100では図１に示されているように、第１及び第２駆動トランジスタQd1、Qd2の入力端子がいずれも駆動電圧線に接続されて駆動電圧Vddの印加を受ける。第１及び第２駆動トランジスタQd1、Qd2の出力端子がいずれも、有機発光素子OLEDのアノードに接続されている。第１駆動トランジスタQd1の制御端子（以下、第１制御端子という）は第１制御電圧Vg1の印加を受ける。第２駆動トランジスタQd2の制御端子（以下、第２制御端子という）は第２制御電圧Vg2の印加を受ける。有機発光素子OLEDのカソードは共通電圧Vssに維持されている。ここで、駆動電圧Vddと共通電圧Vssとの間の差は有機発光素子OLEDのしきい値電圧以上に設定されている。従って、第１または第２駆動トランジスタQd1、Qd2のいずれかがオンになるとき、有機発光素子OLEDのアノードとカソードとの間にしきい値電圧以上の電圧Vdd−Vssが印加されるので、有機発光素子OLEDが発光する。更に、その発光の強度が、第１及び第２駆動トランジスタQd1、Qd2から供給される電流ILDの総量に応じて変化する。その電流ILDの総量は、第１及び第２制御電圧Vg1、Vg2のそれぞれと共通電圧Vssとの間の差で調節される。こうして、有機発光素子OLEDの輝度が第１及び第２制御電圧Vg1、Vg2で調節される。
【００１９】
本発明の実施形態１による表示装置では特に、図７に示されているように、第１制御端子と第２制御端子とが互いに接続されているので、第１制御電圧Vg1と第２制御電圧Vg2とが等しい。更に、それらの制御端子がスイッチングトランジスタQsとキャパシタCstとに接続されている。スイッチングトランジスタQsは好ましくは、第１及び第２駆動トランジスタQd1、Qd2と同様なｎＭＯＳトランジスタであり、更に好ましくは、非晶質シリコンまたは多結晶シリコンを活性層に含む。スイッチングトランジスタQsの制御端子は走査信号線の一つGi（i＝1、2、…、n）に接続されている。スイッチングトランジスタQsの入力端子はデータ線の一つDj（j＝1、2、…、m）に接続されている。スイッチングトランジスタQsの出力端子は、第１及び第２制御端子、並びにキャパシタCstの一端に接続されている。スイッチングトランジスタQsは、制御端子に入力される走査信号に従ってオンオフし、データ線Djから印加されるデータ電圧を、第１及び第２制御端子、並びにキャパシタCstに伝達する。ここで、走査信号の上限VonはスイッチングトランジスタQsのしきい値電圧より十分に高く、走査信号の下限Voffはそのしきい値電圧より十分に低い。キャパシタCstはスイッチングトランジスタQsの出力端子と駆動電圧線との間に接続され、スイッチングトランジスタQsの出力端子から出力されるデータ電圧により充電される。それにより、第１制御電圧Vg1（＝Vg2）が駆動電圧Vddに対して適切なレベルに維持される。そのとき、第１及び第２駆動トランジスタQd1、Qd2は、第１制御電圧Vg1（＝Vg2）と出力電圧との間の差で決まる電流をそれぞれ出力する。一方、有機発光素子OLEDは、それらの電流の和ILDの量に対応する輝度で発光する。
【００２０】
有機発光素子OLED、第１及び第２駆動トランジスタQd1、Qd2は好ましくは図２に示されている構造で集積化される。
図２に示されているように、絶縁基板110の上に第１制御端子電極124が形成されている。第１制御端子電極124は好ましくは、アルミニウム系金属（アルミニウムまたはアルミニウム合金）、銀系金属（銀または銀合金）、銅系金属（銅または銅合金）、モリブデン系金属（モリブデンまたはモリブデン合金）、クロム、チタニウム、またはタンタルを含む。第１制御端子電極124の側面は好ましくは絶縁基板110の表面に対して20°〜80°の角度で傾斜している。
【００２１】
絶縁基板110と第１制御端子電極124との上には絶縁膜140が形成されている。絶縁膜140は好ましくは窒化ケイ素SiNxを含む。絶縁膜140を挟んで第１制御端子電極124の上には活性半導体154が形成されている。活性半導体154は好ましくは、水素化非晶質シリコン（a−Si：H）、または多結晶シリコンを含む。活性半導体154の上部にはオーミック接触部材163、165が形成されている。オーミック接触部材163、165は好ましくは、シリサイド、またはｎ＋水素化非晶質シリコン（ｎ型不純物が高濃度にドーピングされた水素化非晶質シリコン）を含む。活性半導体154とオーミック接触部材163、165との各側面は好ましくは、絶縁基板110の表面に対して30°〜80°の角度で傾斜している。
【００２２】
活性半導体154、オーミック接触部材163、165、及び絶縁膜140の上には入力端子電極173と出力端子電極175とが形成されている。それらの端子電極173、175は好ましくは耐熱性の高い金属（クロム、モリブデン系金属、タンタル、またはチタニウム等）を含む。入力端子電極173と出力端子電極175との側面は、活性半導体154の側面と同様に、絶縁基板110の表面に対して30°〜80°の角度で傾斜している。入力端子電極173と出力端子電極175とは互いから分離され、特に第１制御端子電極124に対して対称的に配置されている。第１制御端子電極124、入力端子電極173、出力端子電極175、及び活性半導体154が第１駆動トランジスタQd1を構成する（図１参照）。ここで、入力端子電極173に対しては駆動電圧Vddが印加され、第１制御端子電極124に対しては第１制御電圧Vg1が印加される。従って、第１駆動トランジスタQd1のチャンネルは活性半導体154のうち、入力端子電極173と出力端子電極175との間に挟まれている部分の、特に第１制御端子電極124に近い下側の表面付近に形成される。
【００２３】
絶縁膜140、入力端子電極173、出力端子電極175、及び活性半導体154の上には保護膜180が形成されている。特に、入力端子電極173と出力端子電極175との間に露出している活性半導体154の部分が保護膜180で覆われている。保護膜180は好ましくは、有機物質、低誘電率絶縁物質（好ましくは、a−Si：C：O若しくはa−Si：O：F）、または窒化ケイ素（SiNx）を含む。保護膜180を構成する物質は更に好ましくは、平坦性に優れ、または感光性を有する。保護膜180にはコンタクトホール185が形成され、それを通して出力端子電極175が保護膜180の上部に露出している。保護膜180の上には画素電極190が形成され、コンタクトホール185を介して出力端子電極175に接続されている。表示パネル300が背面発光方式である場合、画素電極190は透明な導電物質（好ましくはＩＴＯ（Indium Tin Oxide）またはＩＺＯ（Indium Zinc Oxide））で形成される。一方、表示パネル300が前面発光方式である場合、画素電極190は好ましくは反射性に優れた物質（アルミニウムまたは銀合金等）で形成される。
【００２４】
保護膜180の上には更に、第２制御端子電極126が形成されている。第２制御端子電極126は好ましくは画素電極190と同一の物質を含む。第２制御端子電極126の側面は好ましくは絶縁基板110の表面に対して20°〜80°の角度で傾斜している。第２制御端子電極126は特に、入力端子電極173と出力端子電極175との間に挟まれている活性半導体154の部分の上方に位置する。第２制御端子電極126、入力端子電極173、出力端子電極175、及び活性半導体154が第２駆動トランジスタQd2を構成する。こうして、第２駆動トランジスタQd2が第１駆動トランジスタQd1と同じ活性半導体154を共有する。ここで、第２制御端子電極126に対しては第２制御電圧Vg2が印加される。従って、第２駆動トランジスタQd2のチャンネルが活性半導体154のうち、入力端子電極173と出力端子電極175との間に挟まれている部分の、特に第２制御端子電極126に近い上側の表面付近に形成される。
【００２５】
保護膜180と第２制御端子電極126との上には隔壁803が形成されている。隔壁803は好ましくは有機絶縁物質または無機絶縁物質を含む。隔壁803は特に、画素電極190の周縁を囲んで画素電極190の上の領域を他の領域から分離している。隔壁803で囲まれた画素電極190の上の領域には有機発光層70が充填されている。有機発光層70では好ましくは、画素電極190に近い順に、正孔注入層HIL、正孔輸送層HTL、発光層EML、電子輸送層ETL、及び電子注入層EILが積層されている（図３参照）。隔壁803の上には補助電極272が形成されている。補助電極272のパターンは好ましくは隔壁803のパターンと同一である。補助電極272は、比抵抗が低い導電物質（好ましくは金属）を含む。隔壁803、有機発光層70、及び補助電極272の上には共通電極270が形成されている。共通電極270は特に補助電極272に接触する。それにより、共通電極270に伝達される信号の歪みが抑えられる。表示パネル300が前面発光方式である場合、共通電極270は透明な導電物質（好ましくはＩＴＯまたはＩＺＯ）で形成される。一方、表示パネル300が背面発光方式である場合、共通電極270は好ましくは、カルシウム（Ca）、バリウム（Ba）、アルミニウム（Al）等を含む金属から形成される。こうして、画素電極190、有機発光層70、及び共通電極270が有機発光素子OLEDを構成する。特に、画素電極190がアノードに相当し、共通電極270がカソードに相当する。更に、共通電極270には共通電圧Vssが印加される。尚、第１及び第２駆動トランジスタQd1、Qd2がｐＭＯＳトランジスタとして構成される場合は、有機発光層70に含まれている各層の順序が逆転し、画素電極190がカソードに相当し、共通電極270がアノードに相当する。
【００２６】
図２では、入力端子電極173と出力端子電極175との間に挟まれている活性半導体154の部分が直接、保護膜180で覆われている。その他に、図４に示されているように、活性半導体154のその部分の上にエッチングストッパ142が形成されても良い。エッチングストッパ142は好ましくは窒化ケイ素を含む。エッチングストッパ142は特に後述のように、活性半導体154のパターニング時に活性半導体154の表面を覆って活性半導体154の上部を保護する。それにより、活性半導体154の損傷が回避される。
【００２７】
図２、４に示されている有機発光部100の構造は具体的には次の工程で形成される。まず、絶縁基板110の上に、好ましくはスパッタリングで導電膜を形成する。次に、フォトエッチング工程で導電膜をエッチングして第１制御端子電極124を形成する。続いて、好ましくはプラズマ化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ：Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）で絶縁膜140と水素化非晶質シリコン膜とを順番に積層し、第１制御端子電極124を覆う。図４に示されている構造の形成工程では、更にその上にエッチングストッパ膜を積層してパターニングし、エッチングストッパ142を形成する。
【００２８】
絶縁膜140と水素化非晶質シリコン膜（更にエッチングストッパ142）の上には、ｎ＋水素化非晶質シリコン膜を積層する。その後、水素化非晶質シリコン膜とｎ＋水素化非晶質シリコン膜とをパターニングし、活性半導体154とオーミック接触部材163、165とを形成する。図４に示されている構造の形成工程では更に、エッチングストッパ142が露出する。続いて、導電膜（クロム、モリブデン系金属、タンタル、またはチタニウム等、耐熱性の高い金属）を好ましくはスパッタリングで積層し、フォトエッチング工程でその導電膜をエッチングして入力端子電極173と出力端子電極175とを形成する。
【００２９】
入力端子電極173と出力端子電極175との上には、好ましくはＰＥＣＶＤで保護膜180を積層する。その後、フォトエッチング工程でコンタクトホール185を形成する。ここで、感光性を持つ有機膜で保護膜180を形成する場合は、フォト工程のみでコンタクトホール185を形成できる。次に、保護膜180の上に、透明な導電物質（ＩＴＯ若しくはＩＺＯ）または反射性に優れた金属（アルミニウムまたは銀合金）を蒸着してパターニングし、第２制御端子電極126と画素電極190とを形成する。そのとき特に、画素電極190がコンタクトホール185を介して出力端子電極175に接続される。
【００３０】
第２制御端子電極126、画素電極190、及び保護膜180の上に、黒色顔料を含む有機膜を塗布してパターニングし、隔壁803を形成する。ここで、その有機膜が感光性を持つ場合は、フォトエッチング工程のみで隔壁803を形成できる。隔壁803で仕切られた各画素領域（画素電極180を覆う領域）に有機発光層70を形成する。ここで、有機発光層70に含まれている上記の多層構造が好ましくは、マスキングした上での蒸着、またはインクジェットプリンティングで形成される。一方、隔壁803の上には低抵抗物質を蒸着し、補助電極272を形成する。その後、有機発光層70と補助電極272との上に、反射性に優れた金属（好ましくはアルミニウム若しくは銀合金）、または透明な導電物質（ＩＴＯ若しくはＩＺＯ）を蒸着し、共通電極270を形成する。この時、有機発光層70と共通電極270との間に伝導性有機物質を塗布してバッファー層（図２、４には示されていない）を形成しても良い。
【００３１】
以上の工程により、図２、４に示されている構造が形成される。こうして、本発明の実施形態１による有機発光部100では、第１及び第２制御端子電極124、126がそれぞれ、活性半導体154の裏側と表側とに配置される。それにより、２つの駆動トランジスタQd1、Qd2の面積が小さく抑えられるので、画素電極190の面積が十分に大きく確保される。こうして、画素の開口率が高く維持されたまま、各画素に２つずつ、駆動トランジスタが設置される。
【００３２】
本発明の実施形態１による有機発光表示装置は表示動作を次のように行う（図６、７参照）。
まず、信号制御部600が、外部のグラフィック制御部から、入力映像信号R、G、B、垂直同期信号Vsync、水平同期信号Hsync、メインクロックMCLK、データイネーブル信号DEを受信する。信号制御部600は、垂直同期信号Vsyncと水平同期信号Hsyncとに同期して入力映像信号R、G、Bを適切に処理し、表示パネル300の動作条件（例えばガンマ値）に合った映像信号DATを生成する。信号制御部600は更に、同期信号Vsync、Hsyncに基づいて走査制御信号CONT1とデータ制御信号CONT2とを生成し、走査制御信号CONT1を走査駆動部400に送出し、データ制御信号CONT2と映像信号DATとをデータ駆動部500に送出する。ここで、走査制御信号CONT1は垂直同期開始信号とクロック信号とを含む（図示せず）。垂直同期開始信号がフレームごとに最初の走査信号の出力タイミングを示し、クロック信号が一フレームでの各走査信号の出力タイミングを示す。データ制御信号CONT2は水平同期開始信号、ロード信号、及びデータクロック信号を含む（図示せず）。水平同期開始信号は、画素Pのマトリックス（すなわち表示パネル300）の各行に対するデータ電圧の出力開始のタイミングを示す。ロード信号とデータクロック信号とは、データ線D1−Dmに対する各データ電圧の印加タイミングを示す。
【００３３】
データ駆動部500は、信号制御部600からのデータ制御信号CONT2に従い、表示パネル300の一つの行に含まれている画素に対する映像信号DATを受信し、その映像信号DATに対応するデータ電圧を生成してデータ線D1−Dmに対して同時に印加する。一方、走査駆動部400は、信号制御部600からの走査制御信号CONT1に従って走査信号を走査信号線G1−Gnに対して順番に出力し、各走査信号線G1−Gnに接続されたスイッチングトランジスタQsを順番にターンオンさせる。そのとき、ターンオンされたスイッチングトランジスタQsを通じ、データ電圧がデータ線D1−DmからキャパシタCstに対して印加される。キャパシタCstはデータ電圧を１フレームの間、維持する。第１及び第２制御電圧Vg1、Vg2がいずれも、キャパシタCstにより維持されているデータ電圧と等しく維持されているので、第１及び第２駆動トランジスタQd1、Qd2には、そのデータ電圧と出力端子電圧との間の差に対応する量の電流が流れる。
【００３４】
そのとき、図２、４に示されている実際の構造では、電流が図５に示されている破線に沿って流れる。活性半導体154の下側の表面付近では、チャンネルが、第１制御端子電極124に対して印加される第１制御電圧Vg1に応じて形成される。そのチャンネルに沿って流れる電流が、第１駆動トランジスタQd1を流れる電流に相当する。一方、活性半導体154の上側の表面付近では、チャンネルが、第２制御端子電極126に対して印加される第２制御電圧Vg2に応じて形成される。そのチャンネルに沿って流れる電流が、第２駆動トランジスタQd2を流れる電流に相当する。このように、活性半導体154では電流が、上下の表面付近に形成された２つのチャンネルに分かれて流れる。従って、チャンネルを一つだけ形成する従来の駆動トランジスタとは異なり、活性半導体154を流れる電流の総量が一定に維持されたまま、個々のチャンネルの形成に必要な各制御電圧Vg1、Vg2が低減する。それにより、特に、各制御端子電極124、126と活性半導体154との間の電圧に起因する各部のストレスが軽減する。ここで、図４に示されている構造では、エッチングストッパ142が活性半導体154を保護しているので、活性半導体154の上部の界面特性が更に良好である。従って、第２駆動トランジスタQd2の電圧・電流特性が更に高い。
【００３５】
有機発光素子OLEDには、第１及び第２駆動トランジスタQd1、Qd2からの電流の総和ILDが流れる（図７参照）。その結果、有機発光素子OLEDはその電流ILDの量に対応する輝度で発光する。
走査駆動部400とデータ駆動部500とは表示パネル300の各行に対し、上記の動作を１水平周期（水平同期信号Hsyncとデータイネーブル信号DEとの周期）間隔で繰り返す。その結果、１フレームの間に、表示パネル300に含まれている全ての画素Pに対してデータ電圧が印加され、各データ電圧に対応する輝度で各画素Pが発光する。その結果、映像信号DATの表す画像が表示パネル300に表示される。
【００３６】
本発明の実施形態１による有機発光表示装置では上記の通り、従来の有機発光表示装置とは異なり、各画素に駆動トランジスタが２つずつ設置される。ここで、２つの駆動トランジスタの面積が上記の通り、小さく抑えられるので、画素の開口率は十分に高く維持される。更に、各画素の有機発光素子OLEDには２つの駆動トランジスタから電流がパラレルに供給される。従って、各駆動トランジスタに対して印加されるべきデータ電圧が従来の駆動トランジスタに対するデータ電圧より低くくても、有機発光素子OLEDに対して供給されるべき電流ILDの量を、従来の駆動トランジスタによる出力電流と同量に維持できる。その結果、高電圧に起因するストレスが軽減されるので、第１及び第２駆動トランジスタQd1、Qd2の劣化が防止される。
【００３７】
≪実施形態２≫
本発明の実施形態２による有機発光表示装置は、図８、９に示されているように、一画素当たり、走査信号線とデータ線とをそれぞれ２本ずつ、キャパシタを２つずつ、更にスイッチングトランジスタを４つずつ含む点を除き、上記の実施形態１による有機発光表示装置（図６、７参照）と同様な構成を有する。従って、図８、９では図６、７に示されている構成要素と同様な構成要素に対し、図６、７に示されている符号と同じ符号を付す。更に、それら同様な構成要素の詳細についての説明は、上記の実施形態１についての説明を援用する。
【００３８】
走査信号線Go1−Genは表示パネル300の行方向に平行に延びている。走査信号線は第１走査信号線Go1−Gonと第２走査信号線Ge1−Genとに分けられる。走査駆動部400は、奇数番目のフレームでは第１走査信号線Go1−Gonに第１走査信号を出力し、偶数番目のフレームでは第２走査信号線Ge1−Genに第２走査信号を出力する。データ線Dp1−Dnmは表示パネル300の列方向に平行に延びている。データ線は第１データ線Dp1−Dpmと第２データ線Dn1−Dnmとに分けられる。データ駆動部500は、共通電圧Vssに対して正極性のデータ電圧を第１データ線Dp1−Dpmに対して印加し、共通電圧Vssに対して負極性のデータ電圧を第２データ線Dn1−Dnmに対して印加する。各画素Pは最寄りの第１走査信号線Go1−Gonの一つ、第２走査信号線Ge1−Genの一つ、第１データ線Dp1−Dpmの一つ、及び第２データ線Dn1−Dnmの一つに接続されている。
【００３９】
図９に示されているように、各画素が、有機発光部100、第１及び第２キャパシタCst1、Cst2、並びに、第１乃至第４スイッチングトランジスタQs1−Qs4を有する。第１乃至第４スイッチングトランジスタQs1−Qs4は好ましくは、第１及び第２駆動トランジスタQd1、Qd2と同様なｎＭＯＳトランジスタであり、更に好ましくは、非晶質シリコンまたは多結晶シリコンを活性層に含む。第１及び第２スイッチングトランジスタQs1、Qs2の各制御端子は第１走査信号線の一つGoiに接続されている。第３及び第４スイッチングトランジスタQs3、Qs4の各制御端子は第２走査信号線の一つGeiに接続されている。第１及び第３スイッチングトランジスタQs1、Qs3の各入力端子は第２データ線の一つDnjに接続されている。第２及び第４スイッチングトランジスタQs2、Qs4の各入力端子は第１データ線の一つDpjに接続されている。第１及び第４スイッチングトランジスタQs1、Qs4の各出力端子は、第１駆動トランジスタQd1の第１制御端子と第１キャパシタCst1とに接続されている。第２及び第３スイッチングトランジスタQs2、Qs3の各出力端子は、第２駆動トランジスタQd2の第２制御端子と第２キャパシタCst2とに接続されている。
【００４０】
第１スイッチングトランジスタQs1は第１走査信号に従い、第２データ線Dnjから印加される負極性のデータ電圧を第１制御端子と第１キャパシタCst1とに伝達する。第２スイッチングトランジスタQs2は第１走査信号に従い、第１データ線Dpjから印加される正極性のデータ電圧を第２制御端子と第２キャパシタCst2とに伝達する。第３スイッチングトランジスタQs3は第２走査信号に従い、第２データ線Dnjから印加される負極性のデータ電圧を第２制御端子と第２キャパシタCst2とに伝達する。第４スイッチングトランジスタQs4は第２走査信号に従い、第１データ線Dpjから印加される正極性のデータ電圧を第１制御端子と第１キャパシタCst1とに伝達する。ここで、第１走査信号の上限は第１及び第２スイッチングトランジスタQs1、Qs2の各しきい値電圧より十分に高く、第１走査信号の下限はそれらのしきい値電圧より十分に低い。同様に、第２走査信号の上限は第３及び第４スイッチングトランジスタQs3、Qs4の各しきい値電圧より十分に高く、第２走査信号の下限はそれらのしきい値電圧より十分に低い。
【００４１】
第１キャパシタCst1は、第１及び第４スイッチングトランジスタQs1、Qs4の各出力端子と駆動電圧線との間に接続され、第１及び第４スイッチングトランジスタQs1、Qs4の各出力端子から出力される第１及び第２データ電圧により充電される。それにより、第１制御端子の電圧（第１制御電圧）が駆動電圧Vddに対して適切なレベルに調節される。第２キャパシタCst2は、第２及び第３トランジスタQs2、Qs3の各出力端子と駆動電圧Vddとの間に接続され、第２及び第３スイッチングトランジスタQs2、Qs3から出力される第１及び第２データ電圧により充電される。それにより、第２制御端子の電圧（第２制御電圧）が駆動電圧Vddに対して適切なレベルに調節される。
【００４２】
本発明の実施形態２による有機発光表示装置の表示動作は、上記の実施形態１による表示動作と次のように異なる。
データ駆動部500は、信号制御部600から受信された映像信号DATに基づいて正極性のデータ電圧を生成し、第１データ線Dp1−Dpmに対して印加する。更に、データ駆動部500は負極性のデータ電圧を第２データ線Dn1−Dnmに対して印加する。ここで、負極性のデータ電圧の大きさは好ましくは、直前のフレームで生成された正極性のデータ電圧の大きさに比例する。その他に、負極性のデータ電圧が一定の大きさに設定されても良い。
【００４３】
奇数番目のフレームでは、走査駆動部400が第１走査信号を第１走査信号線Go1−Gonに対して順番に出力し、第１走査信号線Go1−Gonに接続された第１及び第２スイッチングトランジスタQs1、Qs2をターンオンさせる。そのとき、ターンオンされた第２スイッチングトランジスタQs2を介し、第１データ線Dp1−Dpmに対して印加された正極性のデータ電圧が第２キャパシタCst2に対して印加される。一方、ターンオンされた第１スイッチングトランジスタQs1を介し、第２データ線Dn1−Dnmに対して印加された負極性のデータ電圧が第１キャパシタCst1に対して印加される。１フレームの間、第２キャパシタCst2は正極性のデータ電圧を維持し、第１キャパシタCst1は負極性のデータ電圧を維持する。第２制御電圧が、第２キャパシタCst2により維持されている正極性のデータ電圧と等しく維持されているので、第２駆動トランジスタQd2がターンオンする。それにより、正極性のデータ電圧と出力端子電圧との間の差に対応する量の電流ILDが有機発光素子OLEDに供給される。有機発光素子OLEDはその電流ILDの量に応じた輝度で発光する。一方、第１制御電圧が、第１キャパシタCst1により維持されている負極性のデータ電圧と等しく維持されているので、第１駆動トランジスタQd1がターンオフし、更に逆バイアスを受けるので、オフ状態を安定に維持する。
【００４４】
偶数番目のフレームでは、走査駆動部400が第２走査信号を第２走査信号線Ge1−Genに対して順番に出力し、第２走査信号線Ge1−Genに接続された第３及び第４スイッチングトランジスタQs3、Qs4をターンオンさせる。そのとき、ターンオンされた第４スイッチングトランジスタQs4を介し、第１データ線Dp1−Dpmに対して印加された正極性のデータ電圧が第１キャパシタCst1に対して印加される。一方、ターンオンされた第３スイッチングトランジスタQs3を介し、第２データ線Dn1−Dnmに対して印加された負極性のデータ電圧が第２キャパシタCst2に対して印加される。１フレームの間、第１キャパシタCst1は正極性のデータ電圧を維持し、第２キャパシタCst2は負極性のデータ電圧を維持する。第１制御電圧が、第１キャパシタCst1により維持されている正極性のデータ電圧と等しく維持されているので、第１駆動トランジスタQd1がターンオンする。それにより、正極性のデータ電圧と出力端子電圧との間の差に対応する量の電流ILDが有機発光素子OLEDに供給される。有機発光素子OLEDはその電流ILDの量に応じた輝度で発光する。一方、第２制御電圧が、第２キャパシタCst2により維持されている負極性のデータ電圧と等しく維持されているので、第２駆動トランジスタQd2がターンオフし、更に逆バイアスを受けるので、オフ状態を安定に維持する。
【００４５】
図１０に示されているように、第１及び第２制御電圧Vg1、Vg2は極性が常に逆であり、更にフレーム毎に各制御電圧Vg1、Vg2の極性が反転する。ここで、正極性の制御電圧Vdpは正極性のデータ電圧と等しく、負極性の制御電圧Vdnは負極性のデータ電圧と等しい。好ましくは、負極性の制御電圧Vdnが、直前のフレームで印加された正極性の制御電圧Vdpより大きい。従って、負極性の制御電圧Vdnの印加により、直前のフレームで印加された正極性の制御電圧Vdpに起因するストレスが実質上完全に解消されるので、２つの駆動トランジスタQd1、Qd2の劣化が更に確実に防止される。
【００４６】
≪実施形態３≫
本発明の実施形態３による有機発光表示装置は、図１１、１２に示されているように、一画素当たり、データ線を２本ずつ、キャパシタを２つずつ、更にスイッチングトランジスタを２つずつ含む点を除き、上記の実施形態１による有機発光表示装置（図６、７参照）と同様な構成を有する。従って、図１１、１２では図６、７に示されている構成要素と同様な構成要素に対し、図６、７に示されている符号と同じ符号を付す。更に、それら同様な構成要素の詳細についての説明は、上記の実施形態１についての説明を援用する。
【００４７】
データ線D11−D2mは表示パネル300の列方向に平行に延びている。データ線は第１データ線D11−D1mと第２データ線D21−D2mとに分けられる。データ駆動部500は、共通電圧Vssに対して正極性のデータ電圧と負極性のデータ電圧とをそれぞれ生成し、それら２種類のデータ電圧の一方を第１データ線D11−D1mに対して印加し、他方を第２データ線D21−D2mに対して印加する。更に、２種類のデータ電圧の印加先をフレーム毎に切り換える。各画素Pは最寄りの走査信号線G1−Gnの一つ、第１データ線D11−D1mの一つ、及び第２データ線D21−D2mの一つに接続されている。
【００４８】
図１２に示されているように、各画素が、有機発光部100、第３及び第４キャパシタCst3、Cst4、並びに、第５及び第６スイッチングトランジスタQs5、Qs6を有する。第５及び第６スイッチングトランジスタQs5、Qs6は好ましくは、第１及び第２駆動トランジスタQd1、Qd2と同様なｎＭＯＳトランジスタであり、更に好ましくは、非晶質シリコンまたは多結晶シリコンを活性層に含む。第５及び第６スイッチングトランジスタQs5、Qs6の各制御端子は走査信号線の一つGiに接続されている。第５スイッチングトランジスタQs5の入力端子は第１データ線の一つD1jに接続されている。第６スイッチングトランジスタQs6の入力端子は第２データ線の一つD2jに接続されている。第５スイッチングトランジスタQs5の出力端子は、第１駆動トランジスタQd1の第１制御端子と第３キャパシタCst3とに接続されている。第６スイッチングトランジスタQs6の出力端子は、第２駆動トランジスタQd2の第２制御端子と第４キャパシタCst4とに接続されている。
【００４９】
第５スイッチングトランジスタQs5は走査信号に従い、第１データ線D1jから印加されるデータ電圧を第１制御端子と第３キャパシタCst3とに伝達する。第６スイッチングトランジスタQs6は同じ走査信号に従い、第２データ線D2jから印加されるデータ電圧を第２制御端子と第４キャパシタCst4とに伝達する。ここで、走査信号の上限は第５及び第６スイッチングトランジスタQs5、Qs6の各しきい値電圧より十分に高く、走査信号の下限はそれらのしきい値電圧より十分に低い。
【００５０】
第３キャパシタCst3は、第５スイッチングトランジスタQs5の出力端子と駆動電圧線との間に接続され、第５スイッチングトランジスタQs5の出力端子から出力されるデータ電圧により充電される。それにより、第１制御端子の電圧（第１制御電圧）が駆動電圧Vddに対して適切なレベルに調節される。第４キャパシタCst4は、第６スイッチングトランジスタQs6の出力端子と駆動電圧線との間に接続され、第６スイッチングトランジスタQs6の出力端子から出力されるデータ電圧により充電される。それにより、第２制御端子の電圧（第２制御電圧）が駆動電圧Vddに対して適切なレベルに調節される。
【００５１】
本発明の実施形態３による有機発光表示装置の表示動作は、上記の実施形態１による表示動作と次のように異なる。
奇数番目のフレームでは、データ駆動部500は映像信号DATに基づいて正極性のデータ電圧を生成し、第１データ線D11−D1mに対して印加する。更に、データ駆動部500は負極性のデータ電圧を第２データ線D21−D2mに対して印加する。ここで、負極性のデータ電圧の大きさは好ましくは、直前の偶数番目のフレームで生成された正極性のデータ電圧の大きさに比例する。その他に、負極性のデータ電圧が一定の大きさに維持されても良い。走査駆動部400が走査信号を走査信号線G1−Gnに対して順番に出力し、走査信号線G1−Gnに接続された第５及び第６スイッチングトランジスタQs5、Qs6をターンオンさせる。そのとき、ターンオンされた第５スイッチングトランジスタQs5を介し、第１データ線D11−D1mに対して印加された正極性のデータ電圧が第３キャパシタCst3に対して印加される。一方、ターンオンされた第６スイッチングトランジスタQs6を介し、第２データ線D21−D2mに対して印加された負極性のデータ電圧が第４キャパシタCst4に対して印加される。１フレームの間、第３キャパシタCst3は正極性のデータ電圧を維持し、第４キャパシタCst4は負極性のデータ電圧を維持する。第１制御電圧が、第３キャパシタCst3により維持されている正極性のデータ電圧と等しいので、第１駆動トランジスタQd1がターンオンする。それにより、正極性のデータ電圧と出力端子電圧との間の差に対応する量の電流ILDが有機発光素子OLEDに供給される。有機発光素子OLEDはその電流ILDの量に応じた輝度で発光する。一方、第２制御電圧が、第４キャパシタCst4により維持されている負極性のデータ電圧と等しく維持されているので、第２駆動トランジスタQd2がターンオフし、更に逆バイアスを受けるので、オフ状態を安定に維持する。
【００５２】
偶数番目のフレームでは、データ駆動部500は映像信号DATに基づいて正極性のデータ電圧を生成し、第２データ線D21−D2mに対して印加する。更に、データ駆動部500は負極性のデータ電圧を第１データ線D11−D1mに対して印加する。ここで、負極性のデータ電圧の大きさは好ましくは、直前の奇数番目のフレームで生成された正極性のデータ電圧の大きさに比例する。その他に、負極性のデータ電圧が一定の大きさに維持されても良い。走査駆動部400が走査信号を走査信号線G1−Gnに対して順番に出力し、走査信号線G1−Gnに接続された第５及び第６スイッチングトランジスタQs5、Qs6をターンオンさせる。そのとき、ターンオンされた第６スイッチングトランジスタQs6を介し、第２データ線D21−D2mに対して印加された正極性のデータ電圧が第４キャパシタCst4に対して印加される。一方、ターンオンされた第５スイッチングトランジスタQs5を介し、第１データ線D11−D1mに対して印加された負極性のデータ電圧が第３キャパシタCst3に対して印加される。１フレームの間、第４キャパシタCst4は正極性のデータ電圧を維持し、第３キャパシタCst3は負極性のデータ電圧を維持する。第２制御電圧が、第４キャパシタCst4により維持されている正極性のデータ電圧と等しいので、第２駆動トランジスタQd2がターンオンする。それにより、正極性のデータ電圧と出力端子電圧との間の差に対応する量の電流ILDが有機発光素子OLEDに供給される。有機発光素子OLEDはその電流ILDの量に応じた輝度で発光する。一方、第１制御電圧が、第３キャパシタCst3により維持されている負極性のデータ電圧と等しく維持されているので、第１駆動トランジスタQd1がターンオフし、更に逆バイアスを受けるので、オフ状態を安定に維持する。
【００５３】
本発明の実施形態３では上述の実施形態２と同様に、第１及び第２制御電圧は極性が常に逆であり、更にフレーム毎に各制御電圧の極性が反転する（図１０参照）。ここで、好ましくは、負極性の制御電圧が、直前のフレームで印加された正極性の制御電圧より大きい。従って、負極性の制御電圧の印加により、直前のフレームで印加された正極性の制御電圧に起因するストレスが実質上完全に解消されるので、２つの駆動トランジスタの劣化が更に確実に防止される。その上、本発明の実施形態３では、上述の実施形態２より１画素当たりのスイッチングトランジスタの数と走査信号線の数とがいずれも少ないので、画素の開口率が更に高く維持される。
【００５４】
以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明の技術的範囲は以上の実施形態に限定されるものではない。実際、当業者には、特許請求の範囲に記載されている本発明の基本概念に基づいて様々な変形や改良が可能であろう。従って、そのような変形や改良も当然に、本発明の技術的範囲に属すると解釈されるべきである。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の実施形態による有機発光部を示す等価回路図
【図２】本発明の実施形態による有機発光部の構造の一例を示す断面図
【図３】有機発光素子のバンド構造を示す模式図
【図４】本発明の実施形態による有機発光部の構造の異なる例を示す断面図
【図５】図４に示されている駆動トランジスタを流れる電流を示す部分断面図
【図６】本発明の実施形態１による有機発光表示装置を示すブロック図
【図７】本発明の実施形態１による有機発光表示装置に含まれている画素を示す等価回路図
【図８】本発明の実施形態２による有機発光表示装置を示すブロック図
【図９】本発明の実施形態２による有機発光表示装置に含まれている画素を示す等価回路図
【図１０】本発明の実施形態２による２つの駆動トランジスタの各制御電圧を示す波形図
【図１１】本発明の実施形態３による有機発光表示装置を示すブロック図
【図１２】本発明の実施形態３による有機発光表示装置に含まれている画素を示す等価回路図
【符号の説明】
【００５６】
70        有機発光層
110        絶縁基板
124        第１制御端子電極
126        第２制御端子電極
140        絶縁膜
142        エッチングストッパ
154        活性半導体
163、165  オーミック接触部材
173      入力端子電極
175      出力端子電極
180      保護膜
185      コンタクトホール
190      画素電極
230      カラーフィルタ
270      共通電極
272      補助電極
300      表示パネル
400      走査駆動部
500      データ駆動部
600      信号制御部
803      隔壁
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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