(57)【要約】【課題】  実装時に負荷される高温高荷重による実装位置ずれによる接続信頼性不良や半導体素子上の電極パッド部直下にあるトランジスタ部や層間膜へのダメージを低減する。【解決手段】  回路形成面に配列された複数のパッド電極部２を有する半導体素子１と、複数の配線電極部７を有する半導体キャリア基板６と、半導体素子１と半導体キャリア基板６の間に介在されるシート状の封止樹脂材３とを備え、パッド電極２の配置に応じて封止樹脂材３の中に複数の金属バンプ４を埋め込み、半導体素子１のパッド電極部２と金属バンプ４の一端部にある接触部位５、および半導体キャリア基板６の配線電極部７と金属バンプ４の他端部にある接触部位５とが導電性接着剤８で硬化接続されている。これにより、金属バンプ４を用いて、低温低荷重で電気的に接続させることが実現でき、高い接続信頼性を確保できる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路形成面に配列された複数のパッド電極部を有する半導体素子と、複数の配線電極部を有する半導体キャリア基板と、前記半導体素子と前記半導体キャリア基板の間に介在されるシート状の封止樹脂材とを備え、前記パッド電極の配置に応じて前記封止樹脂材の中に複数の金属バンプを埋め込み、前記半導体素子のパッド電極部と前記金属バンプの一端部にある接触部位、および前記半導体キャリア基板の配線電極部と前記金属バンプの他端部にある接触部位とが導電性接着剤で硬化接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記金属バンプは剛性を有し、前記封止樹脂材の内部に貫通し、両端部に設けた接触部位を前記封止樹脂材から露出させた請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記封止樹脂材は、シート形状を有するエポキシ系で熱硬化特性を有する樹脂成分から構成されている請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】
半導体素子上にある複数のパッド電極部は、半導体素子の外周部に直列に配列されたペリフェラルのパッド配列、または外周部の内側にも複数存在するエリアパッド配列とした請求項１，２または３記載の半導体装置。
【請求項５】
半導体素子の回路形成面に存在する複数の電極パッド部の酸化膜を除去する工程と、シート状のエポキシ系の封止樹脂材の中に金属バンプを埋め込み、前記金属バンプの一端部にある接触部位と前記電極パッド部とを導電性接着剤を介して熱硬化接続するとともに、前記金属バンプの他端部にある接触部位と半導体キャリア基板上の複数の配線電極部とを導電性接着剤を介して熱硬化接続する工程とを含む半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記導電性接着剤で硬化接続させる温度管理範囲で同時に前記封止樹脂材も熱硬化する請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
半導体素子上にある複数のパッド電極部の配置に応じて機械的なツールで複数の金属バンプを吸着し、前記封止樹脂材に対して上面から垂直に前記複数の金属バンプを一括方式で埋め込んでいく請求項５または６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
半導体素子上にある複数のパッド電極部は、半導体素子の外周部に直列に配列されたペリフェラルのパッド配列、または外周部の内側にも複数存在するエリアパッド配列とする請求項５，６または７記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、フリップチップ実装方式で且つ小型半導体装置に関するもの、また、トランジスタ−などを構成する半導体素子上に電極パッドを形成させたパッドオンエレメント（ＰＯＥ）と称する半導体素子(ＰＯＥ半導体素子)についての半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
以下、図面を参照にして従来の半導体装置の構造とその製造方法に関して説明する。図７には、従来の半導体装置を示す断面図を、図８には、従来の半導体装置の製造工程を示す断面図を示している。図７に示すように、従来の半導体装置は半導体素子１上に形成した複数のＡＬ（アルミニウム）パッド電極部２に、Ａｕ等の金属バンプ４ａを形成する（レベリング不要）。そして、半導体キャリア基板６の上層面に設けた複数個の配線電極部７と、前記半導体素子１上のＡＬパッド電極部２に形成したＡｕ等の金属バンプ４ａとがフリップチップ接続され、シート形状のエポキシ系樹脂である封止シート材3-1を介して電気的に接続された半導体装置である。尚、半導体キャリア基板６上層面にあるの複数個の配線電極部７と裏面側にある裏面ランド部９は内層ビア１０で連結された構造である。
【０００３】
次に、図８の（ａ）〜（ｅ）に従来の半導体装置の製造工程を示す断面図を記している。図８（ａ）では、複数の半導体素子１を有する半導体ウエハー１２から複数の半導体素子１に切断するダイシング工程と、図８（ｂ）に示す半導体素子上に設けた複数のＡＬパッド電極部２にＡｕ等の金属バンプ４ａを形成する（レベリング不要）バンプ形成工程と、図８（ｃ）に示す前記半導体素子１を支持する半導体キャリア基板６の上面にシート状のエポキシ系封止樹脂3-1を貼付ける工程と、図８（ｄ）に示すように、前記図８（ｃ）工程で前記シート状のエポキシ系封止樹脂3-1を貼り付けた半導体キャリア基板６上に、前記図８（ｂ）工程で、Ａｕ等の金属バンプ４ａを形成した半導体素子１をフェースダウンさせ、半導体素子１上の複数のＡＬパッド電極部２に形成した金属バンプ部４ａと半導体キャリア基板６上の配線電極部７とが、実装認識位置合わせを行い、熱圧着ツール１３を用いて、高温高荷重（２３０℃／５０〜６０ｇｆ／Ｂ）を同時に数分間だけ負荷を与える熱圧着フリップチップ実装工程と樹脂硬化工程を同時一括方式で生産できる製造工程から構成されている（図８（ｅ））。以上、フリップチップ実装した生産能力が非常に高いとされている従来の半導体装置とその製造方法である（特許文献１，２参照）。
【０００４】
以上説明したように、従来の半導体装置とその製造方法では、トランジスタ−などを構成する半導体素子上に電極パッドを形成させたパッドオンエレメント（ＰＯＥ）と称する半導体素子(ＰＯＥ半導体素子)では、図９に示すように、高温高荷重（２３０℃／５０〜６０ｇｆ／Ｂ）を同時に負荷させることで、ＡＬパッド電極部２直下にあるトランジスタ部１４の特性変動や層間膜１５でのクラック１６が発生し、ＰＯＥ構造を有する半導体素子１へのダメージが頻繁に発生し、生産ラインへの製造導入が困難であった。
【特許文献１】特開平０６−１０４３１１号公報
【特許文献２】特開平１１−２０４５７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のように、従来の半導体装置の製造方法では、ＰＯＥ構造を有する半導体素子を用いた場合、高温高荷重（２３０℃／５０〜６０ｇｆ／Ｂ）を同時に負荷させるフリップチップ実装工程においては、ＡＬパッド電極部直下にあるトランジスタ部の特性変動や層間膜でのクラックが発生し、ＰＯＥ構造を有する半導体素子へのダメージが頻繁に発生し、生産ラインへの製造導入だけでなく、半導体装置の製品化さえ困難であった。
【０００６】
一方、高温で且つ高い荷重量を同時に負荷しなければ、安定した接続信頼性を確保できる半導体装置の製造実現が非常に厳しかった。従来の半導体装置の接続構造においては、Ａｕ等のバンプ高さは、接続信頼性の寿命に大きく影響を与える（バンプ高さが高いと接続寿命は短い傾向にある）。従来の半導体装置では、高温と高荷重を同時に負荷させる熱圧着工程の生産条件の最適化が半導体装置の重要なファクターと成っていた。前記熱圧着工程で、半導体素子上の複数のＡＬパッド電極部に形成したＡｕ等の金属バンプと半導体キャリア基板上の複数の配線電極部とが電気的に接続される生産プロセスであるが、Ａｕ等の金属バンプのボンディング精度や、半導体素子と半導体キャリア基板の実装位置精度、また高温高荷重を負荷させる熱圧着ツールの平坦精度等に不具合が発生すると、従来の半導体装置の電気的接続を保持しているＡｕ等の金属バンプが半導体キャリア基板の配線電極部からずれ、位置ずれ不良による、隣接端子間との接触不良が発生する。また、ＴＨＢ試験などの信頼性試験においては、完全に接触されていない場合でも、金属イオン（Ｃｌ-）などによるリークパスが形成される電気的な接触であるショート不良が発生した。
【０００７】
前述でも説明したが、ＰＯＥ半導体素子を用いた場合、前記の熱圧着工程で負荷される高温高荷重を負荷するため、ＡＬパッド電極部の直下にあるトランジスタ部の特性変動や層間膜でのクラックが発生し、デバイス特性に大きな影響を与える致命的課題も発生している状況であった。
【０００８】
したがって、この発明の目的は、フリップチップ実装時に負荷される高温高荷重による実装位置ずれによる接続信頼性不良やＰＯＥ半導体素子上の電極パッド部直下にあるトランジスタ部や層間膜へのダメージを大きく低減することである。また、半導体装置を組立する製造工程で、最も時間を費やすＡｕ等の金属バンプを形成するバンプ形成工程を削減することが可能な方法を採用することで、従来のフリップチップ実装構造の半導体装置よりも、高い生産歩留の実現と生産工程の短縮化による生産性の向上を実現可能にする。更に、従来の半導体装置の構造でも大きな課題であった実装位置ずれの技術的課題も無く、高い接続信頼性の確保や、狭パッドピッチにも対応でき高信頼性をも確保した半導体装置およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記課題を解決するためにこの発明の請求項１記載の半導体装置は、回路形成面に配列された複数のパッド電極部を有する半導体素子と、複数の配線電極部を有する半導体キャリア基板と、前記半導体素子と前記半導体キャリア基板の間に介在されるシート状の封止樹脂材とを備え、前記パッド電極の配置に応じて前記封止樹脂材の中に複数の金属バンプを埋め込み、前記半導体素子のパッド電極部と前記金属バンプの一端部にある接触部位、および前記半導体キャリア基板の配線電極部と前記金属バンプの他端部にある接触部位とが導電性接着剤で硬化接続されている。
【００１０】
請求項２記載の半導体装置は、請求項１記載の半導体装置において、前記金属バンプは剛性を有し、前記封止樹脂材の内部に貫通し、両端部に設けた接触部位を前記封止樹脂材から露出させた。
【００１１】
請求項３記載の半導体装置は、請求項１または２記載の半導体装置において、前記封止樹脂材は、シート形状を有するエポキシ系で熱硬化特性を有する樹脂成分から構成されている。
【００１２】
請求項４記載の半導体装置は、請求項１，２または３記載の半導体装置において、半導体素子上にある複数のパッド電極部は、半導体素子の外周部に直列に配列されたペリフェラルのパッド配列、または外周部の内側にも複数存在するエリアパッド配列とした。
【００１３】
請求項５記載の半導体装置の製造方法は、半導体素子の回路形成面に存在する複数の電極パッド部の酸化膜を除去する工程と、シート状のエポキシ系封止樹脂材の中に金属バンプを埋め込み、前記金属バンプの一端部にある接触部位と前記電極パッド部とを導電性接着剤を介して熱硬化接続するとともに、前記金属バンプの他端部にある接触部位と半導体キャリア基板上の複数の配線電極部とを導電性接着剤を介して熱硬化接続する工程とを含む。
【００１４】
請求項６記載の半導体装置の製造方法は、請求項５記載の半導体装置の製造方法において、前記導電性接着剤で硬化接続させる温度管理範囲で同時に前記封止樹脂材も熱硬化する。
【００１５】
請求項７記載の半導体装置の製造方法は、請求項５または６記載の半導体装置の製造方法において、半導体素子上にある複数のパッド電極部の配置に応じて機械的なツールで複数の金属バンプを吸着し、前記封止樹脂材に対して上面から垂直に前記複数の金属バンプを一括方式で埋め込んでいく。
【００１６】
請求項８記載の半導体装置の製造方法は、請求項５，６または７記載の半導体装置の製造方法において、半導体素子上にある複数のパッド電極部は、半導体素子の外周部に直列に配列されたペリフェラルのパッド配列、または外周部の内側にも複数存在するエリアパッド配列とする。
【発明の効果】
【００１７】
この発明の請求項１記載の半導体装置によれば、パッド電極の配置に応じて封止樹脂材の中に複数の金属バンプを埋め込み、半導体素子のパッド電極部と金属バンプの一端部にある接触部位、および半導体キャリア基板の配線電極部と金属バンプの他端部にある接触部位とが導電性接着剤で硬化接続されているので、高温高荷重を負荷しないで、低温低荷重で電気的に接続させることが可能となる。これにより高温高荷重を同時に負荷させる熱圧着工程での、半導体素子上の電極パッド部直下にあるトランジスタ部の特性変動や層間膜クラックの発生を防止し、また実装位置ずれによる隣接端子間による接触ショート不良などを防止することができる。つまり、狭パッドピッチ接続で、且つ高い接続信頼性を確保できる。
【００１８】
また、半導体素子上のパッド電極部に本来形成するはずであったＡｕ等の剛性を有した金属バンプは、シート状のエポキシ系封止樹脂材の中に、パッド電極部のパッド間距離（パッドピッチ）に応じて、あらかじめ複数個の金属バンプが、機械的に複数個正確に埋め込まれた構造を有している。このように、生産工程で最も時間を有する金属バンプを形成する工程を削減し、金属バンプを先に埋め込んだシート形状のエポキシ系封止樹脂を活用することで、最も時間を要した生産工程の削減化により、生産効率の向上も図ることができるものである。
【００１９】
請求項２では、請求項１記載の半導体装置において、金属バンプは剛性を有し、封止樹脂材の内部に貫通し、両端部に設けた接触部位を封止樹脂材から露出させることが望ましい。
【００２０】
請求項３では、請求項１または２記載の半導体装置において、封止樹脂材は、シート形状を有するエポキシ系で熱硬化特性を有する樹脂成分から構成されていることが望ましい。
【００２１】
請求項４では、半導体素子上にある複数のパッド電極部は、半導体素子の外周部に直列に配列されたペリフェラルのパッド配列、または外周部の内側にも複数存在するエリアパッド配列としたので、このような構成において上記効果が得られる。
【００２２】
この発明の請求項５記載の半導体装置の製造方法によれば、半導体素子の回路形成面に存在する複数の電極パッド部の酸化膜を除去する工程と、シート状のエポキシ系封止樹脂材の中に金属バンプを埋め込み、金属バンプの一端部にある接触部位と電極パッド部とを導電性接着剤を介して熱硬化接続するとともに、金属バンプの他端部にある接触部位と半導体キャリア基板上の複数の配線電極部とを導電性接着剤を介して熱硬化接続する工程とを含むので、請求項１と同様の効果がある。すなわち、半導体装置の組立工程においては、生産時間が最も時間を有するＡｕ等の金属バンプを形成する工程を削減し、Ａｕ等の金属バンプを埋め込んだシート形状のエポキシ系封止樹脂を活用することで、最も時間を要した生産工程の削減により、生産効率の向上を図ることができるものである。
【００２３】
請求項６では、請求項５記載の半導体装置の製造方法において、導電性接着剤で硬化接続させる温度管理範囲で同時に封止樹脂材も熱硬化することが望ましい。金属バンプの両端部にある接触部位が導電性接着剤を介して、半導体素子または半導体キャリア基板と硬化接着される温度領域で、同時にエポキシ系の封止樹脂材が封止硬化されるため、生産効率が向上する。
【００２４】
請求項７では、請求項５または６記載の半導体装置の製造方法において、半導体素子上にある複数のパッド電極部の配置に応じて機械的なツールで複数の金属バンプを吸着し、封止樹脂材に対して上面から垂直に複数の金属バンプを一括方式で埋め込んでいくことが望ましい。このように、複数のＡｕ等の金属バンプを機械的に一括で、シート形状の封止樹脂に埋め込むことにより、多大な時間の削減に貢献でき、生産性の向上を図ることができるものである。
【００２５】
請求項８では、請求項５，６または７記載の半導体装置の製造方法において、半導体素子上にある複数のパッド電極部は、半導体素子の外周部に直列に配列されたペリフェラルのパッド配列、または外周部の内側にも複数存在するエリアパッド配列とすることが望ましい。特に、パッド電極部が、半導体素子の外周部のみでなく、その内側周辺部にもパッド電極部が形成されたエリアパッド配列されたＰＯＥ半導体素子に対しても、正確にシート状のエポキシ系封止樹脂の中に、パッド座標の配置に応じて、機械的に精度よくＡｕ等の金属バンプを埋め込み、前記シート状のエポキシ系樹脂材を用いて、半導体素子上のパッド電極部とＡｕ等の金属バンプの端部、また、半導体キャリア基板上の配線電極部と反対の金属バンプの端部に設けた接続部位を介して、導電性接着剤が硬化接続された構造を得る。このように、従来に比べ非常に低温低荷重なプロセスの実現化により、ＰＯＥ半導体素子へのダメージ発生を防止することができるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
この発明の第１の実施の形態の半導体装置およびその製造方法を図１〜図４に基づいて説明する。図１（ａ）は本発明の第１の実施形態における複数のＡｕ等の金属バンプを埋め込んだ封止シート材とそれを用いた半導体装置の断面図、（ｂ）は半導体素子の平面図、（ｃ）はＡ部の拡大図である。
【００２７】
図１に示すように、回路形成面に配列された複数のパッド電極部２を有する半導体素子１と、複数の配線電極部７を有する半導体キャリア基板６と、半導体素子１と半導体キャリア基板６の間に介在されるシート状のエポキシ系封止樹脂材（封止シート材）３とを備え、パッド電極２の配置に応じて封止シート材３の中に複数の金属バンプ４を埋め込み、半導体素子１のパッド電極部２と金属バンプ４の一端部にある接触部位５、および半導体キャリア基板６の配線電極部７と金属バンプ４の他端部にある接触部位５とが導電性接着剤８で硬化接続されている。
【００２８】
この場合、半導体素子１上面の外周部に直列に配列された複数個あるペリフェラル状のＡＬパッド電極部２のパッド配列とそのパッド座標に従い、シート状のエポキシ系封止樹脂材である封止シート材３の中に、複数のＡｕ等の金属バンプ４を埋め込み、ＡＬパッド電極部２の酸化膜を除去した後、ＡＬパッド電極部２と金バンプ４の端部にある接触部位５とが、また、半導体キャリア基板６上の複数の配線電極部７と、Ａｕ等の金属バンプ４の反対側端部にある接触部位５とが、導電性接着剤８で接続され、樹脂収縮効果を有する前記封止シート材３を介して電気的に接続された構造を有しているものである。
【００２９】
尚、半導体キャリア基板６上面にある複数の配線電極部７と前記半導体キャリア基板６裏面の格子状にある裏面ランド部９とは、ビア１０を通じて配線されている。
【００３０】
また、バンプ４両端部は、ＡＬパッド電極部(ＡＩ)２または半導体キャリア基板６の配線電極部（Ａｕ／Ｎｉ／Ｃｕ）７とが導電性接着剤８等で接続・硬化される為の接続部位５を設けており、電気的接続が可能な構造を有しているものである。また、シート状のエポキシ系封止樹脂材３の中に埋め込んだＡｕ等の金属バンプ４の形状寸法は、パッドピッチ寸法や半導体装置の寸法及び製品信頼性による規定値等の関連に応じて、あらかじめ可変させたＡｕなどの金属バンプを埋め込むことが可能な構造を有しているものである。また、狭パッドピッチ仕様では、Ａｕなどの金属バンプ径の小さいものを選定することも可能である。一方、シート状のエポキシ系樹脂の厚みも半導体装置の寸法規格やその信頼性結果に応じて、可変・選択することも可能な構造を有しているものである。
【００３１】
図２〜図４は複数のＡｕ等の金属バンプを埋め込んだ封止シート材とそれを用いた半導体装置の第１の実施形態の製造方法である。第１の実施形態の製造方法を以下、図２〜図４を用いて説明する。
【００３２】
図２（ａ）、（ｂ）に示すように、半導体素子１上面の外周部に直列に配列された複数個あるペリフェラル状のＡＬパッド電極部２のパッド配列とそのパッド座標に従い、シート状のエポキシ系封止樹脂材である封止シート材３の中に、複数のＡｕ等の金属バンプ４を機械的に機械ツール１１で吸着ピックし、前記封止シート材３に対して垂直に、前記Ａｕ等の金バンプ４を複数個同時に一括に埋め込む。
【００３３】
次に図３（ａ）〜（ｃ）では、半導体キャリア６基板上面の複数の配線電極部７に導電性接着接着剤８を自動塗布し、その上に図２（ｂ）の封止シート材３を位置合わせし、金属バンプ４の先端部の接触部位５と位置合わせを行う。
【００３４】
図４（ａ）〜（ｄ）では、半導体素子１のＡＬパッド電極部２の酸化膜をプローブなどの除去した後、導電性接着剤８をＡＬ電極パッド部２またはＡｕ等の金属パッド４の先端部にある接触部位５に転写させ、半導体素子１をフリップチップで反転させ位置合わせを行い、１００℃〜１５０℃の温度管理範囲で熱硬化させる。荷重は２０ｇｆ／Ｂである。このとき、エポキシ系樹脂から成る封止シート材３の硬化被覆を同時に行わせることができる。
【００３５】
この発明の第２の実施の形態の半導体装置およびその製造方法を図５および図６に基づいて説明する。図５（ａ）は本発明の第２の実施形態における複数のＡｕ等の金属バンプを埋め込んだ封止シート材とそれを用いた半導体装置の断面図、（ｂ）は半導体素子の平面図、（ｃ）はＡ部の拡大図である。
【００３６】
図５に示すように、半導体素子１上面の外周部に直列に配列された複数あるペリフェラル状のＡＬパッド電極部２とその内側にも複数個のＡＬ電極パッド部２が形成されている。このようなエリアパッド配列を有するＰＯＥ半導体素子１を用いた場合も図１同様に、シート状のエポキシ系封止樹脂材である封止シート材３の中に、エリアパッド状に、複数のＡｕ等の金属バンプ４を埋め込み、ＡＬパッド電極部２の酸化膜を除去した後、ＡＬパッド電極部２と金バンプ４の端部にある接触部位５とが、また、半導体キャリア基板６上の複数の配線電極部７とＡｕ等の金属バンプ４の反対側端部にある接触部位５とが、導電性接着剤８で熱硬化接続され、樹脂収縮効果を有する前記封止シート材３を介して電気的に接続された構造を有しているものである。尚、半導体キャリア基板６上面にある複数の配線電極部７と前記半導体キャリア基板６裏面の格子状にある裏面ランド部９とは、ビア１０を通じて配線されている。
【００３７】
次に、封止シート材３の中に埋め込んだＡｕ等の金属バンプ４の寸法形状に関しては、図６（ａ）に示すように、例えば、エリアパッド構造の場合では、半導体キャリア基板６の反り形状（凹型）に応じて、封止シート材３に埋め込むＡｕ等の金属バンプ４の高さ寸法をエリア内部の部分だけ大きくすることも可能である。また、図６（ｂ）、（ｃ）に示すように、エリアパッド構造製品の信頼性上、更にＡｕ等の金属バンプ４の太さ（金属バンプ幅）も自在に大きくすること等も充分可能なものである。更に、図６（ｄ）に示すように、狭パッドピッチ化に対応する為、針状に細い金属バンプ４や中央部を細く端部を太く、または、その逆に成っているＡｕ等の金属バンプ４も有り得るものであり、ひとつの半導体装置内でも、金属バンプ４の形状を場所に応じて変えることは可能である。また、同一の金属バンプ４で形成することも可能なものである。更に、半導体装置に用いた封止シート材３に埋め込んだ金属バンプ４は、金属種類の違いに応じて、実装エリアの場所に封止シート材３を意識し、シート状の封止シート材に埋め込む場所を選定することもできるものである。
【００３８】
以上、本発明の実施形態の半導体装置とその製造方法によれば、フリップチップ実装時に負荷される高温高荷重による実装位置ずれによる接続信頼性不良やＰＯＥ半導体素子上の電極パッド部直下にあるトランジスタ部や層間膜へのダメージを大きく低減することができるものである。また、シート形状のエポキシ系封止樹脂にＡｕ等の金属バンプを機械的に一括で埋め込む工程を設けた場合、Ａｕ等の金属バンプを１つの半導体素子のＡＬパッド電極部にＡｕ等の金属バンプを複数個形成する時間よりも、複数のＡｕ等の金属バンプを機械的に一括で、先にシート形状の封止樹脂に埋め込む工程の方が、多大な時間の削減に貢献でき、生産性の向上を図ることが実現できるものである。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
本発明にかかる半導体装置およびその製造方法は、ＰＯＥ半導体素子を用いた小型半導体装置を実現させることが可能となり、金属バンプを通じて、絶縁性のエポキシ樹脂を介して電気的接続を有する構造の手法の全てに適用できる。また関連する産業上の全てものに有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】（ａ）は本発明の第１の実施形態における複数のＡｕ等の金属バンプを埋め込んだ封止シート材とそれを用いた半導体装置の断面図、（ｂ）は半導体素子の平面図、（ｃ）はＡ部の拡大図である。
【図２】本発明の第１の実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態の半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図５】（ａ）は本発明の第２の実施形態における複数のＡｕ等の金属バンプを埋め込んだ封止シート材とそれを用いた半導体装置の断面図、（ｂ）は半導体素子の平面図、（ｃ）はＡ部の拡大図である。
【図６】本発明の実施形態における封止シート材に埋め込んだ金属バンプの形状と配列の例を示す断面図である。
【図７】（ａ）は従来の半導体装置の断面図、（ｂ）はＡ部の拡大図である。
【図８】従来の半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図９】従来の半導体装置の課題を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４１】
１  半導体素子
２  ＡＬ等の電極パッド部
３  封止シート材
４  Ａｕ等の金属バンプ
５  接触部位
６  半導体キャリア基板
７  配線電極部
８  導電性接着剤
９  外部端子
１０  ビア
１１  機械ツール
１２  半導体ウエハ−
１３  熱圧着ツール
１４  トランジスタ部
１５  層間膜
１６  クラック
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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