(57)【要約】  【課題】  高い信頼性を備え、高出力化、大光量化に対応した放熱性を有するとともに量産性に優れる発光装置およびこれを用いたＬＥＤランプを提供する。  【解決手段】  放熱性の良好なＣｕからなるＣｕ基板３に絶縁層３０１を介してＣｕ配線層３００Ａ、３００Ｂを設け、プレス加工によってリフレクタ部３０を形成しているので、良好な光反射性を有する。また、ＬＥＤ素子２の発熱に伴う熱をＣｕ基板３を介して速やかに放熱することができ、発光装置１の高出力化、大光量化に伴う発熱量増大に余裕をもって対応することができる。  【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、
前記発光素子の第１および第２の導電型の電極と電気的に接続される第１および第２の配線層を絶縁層を介して一体的に設けられ、前記発光素子の搭載部が成形によって設けられた導電材料からなる基板と、
前記発光素子を封止する封止部とを有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記搭載部は、前記基板に対して前記発光素子を直接搭載するように前記第１および第２の配線層と前記絶縁層とが除去されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記基板は、前記発光素子の発する熱を放熱する放熱部と、前記放熱部と電気的に絶縁されて前記第１および第２の配線層と電気的に接続される導電部とを有することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項４】
前記絶縁層は、前記基板および前記配線層との剥離を生じない熱膨張率を有することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項５】
前記配線層は、前記発光素子から放射される光を反射する光反射性を有することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項６】
前記搭載部は、前記配線層の表面から第１の深さを有して設けられて発光素子を搭載する第１の領域と、前記第１の領域より小なる第２の深さを有して前記発光素子の第１および第２の導電型の電極とワイヤを介して電気的に接続される第２の領域と、前記第１および第２の領域の間に設けられる傾斜部とを有することを請求項１に記載の発光装置。
【請求項７】
前記発光素子は、ＧａＮ系半導体からなるＬＥＤ素子であることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項８】
前記発光素子は、前記第１および第２の導電型の電極が設けられる光取り出し面から光を放射するフェイスアップ型ＬＥＤ素子であることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項９】
前記封止樹脂は、前記発光素子から放射される光によって励起される蛍光体を含むことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項１０】
発光素子と、
前記発光素子の第１および第２の導電型の電極と電気的に接続される第１および第２の配線層を絶縁層を介して一体的に設けられ、前記発光素子の搭載部が成形によって設けられた導電材料からなる基板と、
前記発光素子を封止する封止部と、
前記封止部から入射する光を所望の方向に放射させる光学形状面を有した光学系とを有することを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
前記光学系は、ガラス材料で形成されることを特徴とする請求項１０に記載の発光装置。
【請求項１２】
前記光学系は、樹脂材料で形成されて前記基板を一体的に封止する構成の請求項１０に記載の発光装置。
【請求項１３】
発光素子と、前記発光素子の第１および第２の導電型の電極と電気的に接続される第１および第２の配線層を絶縁層を介して一体的に設けられ、前記発光素子の搭載部が成形によって設けられた導電材料からなる基板と、前記発光素子を封止する封止部とを有する発光装置と、
第１の面に前記発光装置と電気的に接続される配線パターンを有し、前記第１の面に複数の前記発光装置を所定の配列で実装し、前記発光装置の発光に基づく光を前記第１の面から第２の面に取り出して外部放射させる開口部を前記所定の配列で複数設けられる実装基板と、
複数の前記発光装置の実装面と反対側の面に取り付けられる放熱部とを有することを特徴とするＬＥＤランプ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）素子を光源として用いた発光装置およびこれを用いたＬＥＤランプに関し、特に、高い信頼性を備え、高出力化、大光量化に対応した放熱性を有するとともに量産性に優れる発光装置およびＬＥＤランプに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の発光装置として、表面に導電体層を有するセラミックス基板にＬＥＤ素子を実装したものがある。このような発光装置では、セラミックス基板上に実装されたＬＥＤ素子の第１の電極と第２の電極を導電体層にそれぞれ電気的に接続し、エポキシ樹脂等の封止樹脂によってＬＥＤ素子およびセラミックス基板を封止することによりパッケージ化している。
【０００３】
ＬＥＤ素子の発光に基づく光を効率良く取り出すために、ＬＥＤ素子が搭載される搭載面に光反射性を付与することが知られている。例えば、導電体層の表面にＡｇめっきを施すことによりＬＥＤ素子から放射される光の反射性が高められる。また、光反射性をより高めるものとして、ＬＥＤ素子の搭載部を凹状に形成し、その側壁を傾斜面とすることで素子側面方向に放射された光を反射して放射させる発光装置がある（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
特許文献１に記載された発光装置では、導体配線が形成されたセラミックスグリーンシートにＬＥＤ素子を載置する凹部であるキャビティーをプレス加工によって形成しており、キャビティーの側面部は開口方向に広くなるように傾斜面で形成されている。また、キャビティー側面の導体配線にはＡｇ等が被覆されて光反射層を構成している。
【特許文献１】特開平９−４５９６５号公報（[００１８]〜[００２２]、図２、図３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１のＬＥＤ素子によると、以下の問題がある。
（１）セラミックスからなる基板を用いているため、熱伝導性が十分でなく、近年のＬＥＤの高出力化、大光量化に伴って生じる発熱に対して放熱性に限界がある。
（２）放熱性についてはＡｌＮ等のセラミックスを用いることもできるが、高価なため、発光装置のコストアップを招くという問題がある。
（３）セラミックスと封止樹脂との熱膨張率差が大であるため、封止樹脂がセラミックス基板との封止界面で剥離を生じ、パッケージの信頼性を低下させるという問題がある。
【０００６】
従って、本発明の目的は、高い信頼性を備え、高出力化、大光量化に対応した放熱性を有するとともに量産性に優れる発光装置およびこれを用いたＬＥＤランプを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記目的を達成するため、発光素子と、前記発光素子の第１および第２の導電型の電極と電気的に接続される第１および第２の配線層を絶縁層を介して一体的に設けられ、前記発光素子の搭載部が成形によって設けられた導電材料からなる基板と、前記発光素子を封止する封止部とを有することを特徴とする発光装置を提供する。
【０００８】
また、本発明は、上記目的を達成するため、発光素子と、前記発光素子の第１および第２の導電型の電極と電気的に接続される第１および第２の配線層を絶縁層を介して一体的に設けられ、前記発光素子の搭載部が成形によって設けられた導電材料からなる基板と、前記発光素子を封止する封止部と、前記封止部から入射する光を所望の方向に放射させる光学形状面を有した光学系とを有することを特徴とする発光装置を提供する。
【０００９】
また、本発明は、上記目的を達成するため、発光素子と、前記発光素子の第１および第２の導電型の電極と電気的に接続される第１および第２の配線層を絶縁層を介して一体的に設けられ、前記発光素子の搭載部が成形によって設けられた導電材料からなる基板と、前記発光素子を封止する封止部とを有する発光装置と、第１の面に前記発光装置と電気的に接続される配線パターンを有し、前記第１の面に複数の前記発光装置を所定の配列で実装し、前記発光装置の発光に基づく光を前記第１の面から第２の面に取り出して外部放射させる開口部を前記所定の配列で複数設けられる実装基板と、複数の前記発光装置の実装面と反対側の面に取り付けられる放熱部とを有することを特徴とするＬＥＤランプを提供する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によると、発光素子を搭載する基板が導電材料で形成されていることにより、高い放熱性を確保できるとともに電気的な配線を材料の特性に基づいて容易に形成することができる。基板と第１および第２の配線層との間には絶縁層を介在させることで絶縁性を確保でき、発光素子への給電に必要な配線層の形成を可能にしている。また、封止樹脂、配線層、および基板との熱膨張差をセラミック基板を用いた場合と比べて小にできることから、封止樹脂との剥離を生じにくいものとでき、信頼性の向上を図れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る発光装置を示し、（ａ）は発光装置の中央部における断面図、（ｂ）は発光装置の平面図である。
【００１２】
この発光装置１は、発光に基づいて青色光を放射するＬＥＤ素子２と、ＬＥＤ素子２を搭載するＣｕ基板３と、ＬＥＤ素子２の第１および第２の電極とＣｕ基板３上に設けられるＣｕ配線層３００Ａ、３００Ｂとを電気的に接続するＡｕからなるワイヤ４と、Ｃｕ基板３の素子搭載部分を封止するエポキシ樹脂等の透光性樹脂材料である封止樹脂５とを有する。
【００１３】
ＬＥＤ素子２は、ＧａＮ系半導体からなる。ＧａＮ系半導体は、例えば、下地基板であるサファイア基板上に、ＡｌＮからなるバッファ層と、Ｓｉをドープしたｎ−ＧａＮ層と、ＩｎＧａＮからなる発光層と、Ｍｇをドープしたｐ−ＧａＮ層を順次、積層させたものである。そして、ＬＥＤ素子２は、サファイア基板側がＣｕ基板３に接するように所謂フェイスアップ型素子として搭載されている。このＬＥＤ素子２は、ｎ−ＧａＮ層に接続されるｎ側電極とｐ−ＧａＮ層に接続されるｐ側電極から電圧を印加することによって発光層で発光中心波長約４７０ｎｍの青色光を発する。この青色光は、サファイア基板側とは反対側の電極形成側である光取り出し面から外部放射される。
【００１４】
Ｃｕ基板３は、Ｃｕ合金材料からなり、表面にＳｉＯ２からなる絶縁層３０１を接着剤として薄膜状のＣｕ配線層３００Ａ、３００Ｂを一体的に有する。Ｃｕ配線層３００Ａ、３００Ｂの表面は、Ａｇめっきが施されて光反射性を有している。なお、絶縁層３０１は、Ｃｕ基板３とＣｕ配線層３００Ａ、３００Ｂとの剥離を防ぐためにフィラーを含有させて熱膨張率の調整を図ることが好ましい。また、Ｃｕ基板３は、熱伝導性および電気的特性に優れる材料であればアルミニウム（Ａｌ）等の他の材料で形成された基板であっても良い。
【００１５】
また、Ｃｕ基板３は、図１（ａ）に示すようにＬＥＤ素子２を搭載する凹状の窪みをプレス加工によって成形された形状を有する。この窪みは、底面から開口部にかけて広がりを有するすり鉢状のリフレクタ部３０を構成し、リフレクタ部３０は光反射面を形成する傾斜部３０ＡとＬＥＤ素子２を搭載する素子搭載部３０Ｂとを有する。ＬＥＤ素子２は、素子搭載部３０ＢのＣｕ配線層３００Ａ上にＡｇペースト等の接着剤によって接着固定されており、ｎ側電極およびｐ側電極は、ワイヤ４を介して素子搭載部３０Ｂの対応するＣｕ配線層３００Ａ、３００Ｂに接続されている。
【００１６】
封止樹脂５は、エポキシ樹脂からなり、リフレクタ部３０の開口部から素子搭載部３０Ｂにかけてを封止している。この封止樹脂５についてもエポキシ樹脂以外にシリコン樹脂を用いても良く、青色光によって励起される蛍光体を含有させることも可能である。
【００１７】
図２（ａ）から（ｄ）は、第１の実施の形態の発光装置の製造プロセスを示す工程図である。以下に、発光装置１の製造プロセスについて説明する。
【００１８】
（基板準備工程）
図２（ａ）は、基板準備工程を示す。絶縁層３０１を介して表面にＣｕ配線層３００Ａ、３００Ｂを設けられたＣｕ基板３を用意し、エッチング等の配線パターン形成加工を行ってＬＥＤ素子の実装に応じた配線パターンを形成する。なお、別工程で予め配線パターンを形成したＣｕ基板３を用いても良い。
【００１９】
（プレス加工工程）
図２（ｂ）は、プレス加工工程を示す。基板準備工程で配線パターンの形成されたＣｕ基板３に対し、Ｃｕ配線層３００Ａ、３００Ｂ側から図示しないプレス加工機でプレス加工を施すことによりリフレクタ部３０を形成し、Ｃｕ配線層３００Ａ、３００ＢにＡｇめっきを施す。
【００２０】
（ＬＥＤ素子搭載工程）
図２（ｃ）は、ＬＥＤ素子搭載工程を示す。Ａｇめっきの施されたＣｕ配線層３００Ａ上にＬＥＤ素子２をＡｇペーストで接着固定し、ｎ側電極とＣｕ配線層３００Ａ、ｐ側電極とＣｕ配線層３００Ｂとをワイヤ４で電気的に接続する。
【００２１】
（樹脂封止工程）
図２（ｄ）は、樹脂封止工程を示す。リフレクタ部３０にエポキシ樹脂を注入して素子搭載部３０Ｂからリフレクタ部３０の開口部にかけてを封止する。
【００２２】
（第１の実施の形態の効果）
上記した第１の実施の形態によると、以下の効果が得られる。
（１）放熱性の良好なＣｕからなるＣｕ基板３に絶縁層３０１を介してＣｕ配線層３００Ａ、３００Ｂを設け、プレス加工によってリフレクタ部３０を形成しているので、良好な光反射性を有する。また、ＬＥＤ素子２の発熱に伴う熱をＣｕ基板３を介して速やかに放熱することができ、発光装置１の高出力化、大光量化に伴う発熱量増大に余裕をもって対応することができる。
（２）基板材料が入手の容易な金属で構成され、かつ安価であることにより発光装置１のコストアップを抑えることができる。また、板状の基板から複数のＬＥＤ素子２を同時に製造することが可能であるので、量産性に優れる。
（３）封止樹脂５とＣｕ配線層３００Ａ、３００Ｂとが界面接合する構成を有するので、熱膨張差に基づく封止樹脂５の剥離を生じにくくなり、パッケージの信頼性が向上する。
【００２３】
なお、第１の実施の形態では、フェイスアップ型のＬＥＤ素子２を搭載した発光装置１を説明したが、これに限定されず、サファイア基板側を光取り出し側とするフリップチップ型のＬＥＤ素子２を用いても良い。この場合、ＬＥＤ素子２の底面と素子搭載部３０Ｂとの間に気泡を生じないようにフィラーを充填することが好ましい。
【００２４】
また、ＬＥＤ素子２の発光色についても青色に限定されず、赤色光、緑色光、又は紫外光を発するＬＥＤ素子２を用いても良い。
【００２５】
（第２の実施の形態）
図３は、本発明の第２の実施の形態に係る発光装置の中央部における断面図である。以下の説明では、第１の実施の形態と同じ構成および機能を有する部分については共通する引用数字を付している。
【００２６】
この発光装置１は、第１の実施の形態で説明した封止樹脂５に代えて、蛍光体を含有した蛍光体含有封止樹脂５Ａをリフレクタ部３０に注入しており、そのことによって素子搭載部３０Ｂからリフレクタ部３０の開口部にかけてを封止している構成において第１の実施の形態と相違している。
【００２７】
蛍光体含有封止樹脂５Ａは、ＬＥＤ素子２から放射される青色光の照射に基づいて励起されて黄色光を発する蛍光体であるＹＡＧ(Yttrium Aluminum Garnet)をエポキシ樹脂に混合することによって形成されており、青色光と黄色光とを混合することで補色の関係によって白色光を生じる。
【００２８】
（第２の実施の形態の効果）
上記した第２の実施の形態によると、第１の実施の形態の好ましい効果に加えて、蛍光体含有封止樹脂５ＡによってＬＥＤ素子２を含むリフレクタ部３０を封止することにより青色ＬＥＤ素子２を用いた波長変換型の発光装置１を形成することができる。
【００２９】
このような白色型の発光装置１では、近年では照明、ランプ等の光源用途として需要が高まっており、大光量であることが望ましいが、大光量化に伴う発熱による封止樹脂の劣化、ＬＥＤ素子２の寿命低下が問題となっている。これに対して熱伝導性に優れるＣｕ基板３を用いているので、良好な放熱性が確保されて大光量化に対応することができる。
【００３０】
（第３の実施の形態）
図４は、本発明の第３の実施の形態に係る発光装置の中央部における断面図である。
【００３１】
この発光装置１は、第１の実施の形態で説明した素子搭載部３０ＢにおけるＣｕ配線層３００Ａ、３００Ｂ、絶縁層３０１を部分的に除去してＣｕ基板３を露出させており、露出させたＣｕ基板３の表面にＬＥＤ素子２を接着固定した構成において第１の実施の形態と相違している。なお、Ｃｕ配線層３００Ａ、３００Ｂおよび素子搭載部３０ＢにおけるＣｕ基板３の露出部にはＡｇめっきが施されている。
【００３２】
（第３の実施の形態の効果）
上記した第３の実施の形態によると、第１の実施の形態の好ましい効果に加えて、ＬＥＤ素子２の発光に基づいて生じる発熱をＣｕ基板３に速やかに熱伝導させることができ、放熱性を向上させることができる。
【００３３】
（第４の実施の形態）
図５は、本発明の第４の実施の形態に係る発光装置を示し、（ａ）は発光装置の中央部における断面図、（ｂ）は発光装置の平面図である。
【００３４】
この発光装置１は、第１の実施の形態で説明したＣｕ基板３の側面にＳｉＯ２からなる絶縁部３Ａと、絶縁部３Ａの外側に設けられるタングステン（Ｗ）からなる導電部３Ｂと、絶縁部３Ａによって導電部３Ｂと絶縁された放熱部３００とを設けて側面配線型のパッケージ構造とした構成において第１の実施の形態と相違している。
【００３５】
絶縁部３Ａおよび導電部３Ｂは、図５（ｂ）に示すように、Ｃｕ基板３の短辺に平行な方向に形成されており、導電部３ＢはＣｕ配線層３００Ａ、３００Ｂに電気的に接続されている。
【００３６】
図６（ａ）から（ｄ）は、第４の実施の形態の発光装置の製造プロセス（絶縁部形成まで）を示す工程図である。なお、図６（ａ）の基板準備工程および図６（ｂ）のプレス加工工程については第１の実施の形態と同様であるので、図６（ｃ）以降について説明する。
【００３７】
（エッチング工程）
図６（ｃ）は、エッチング工程を示す。Ｃｕ基板３の側部近傍に底面側からＣｕ配線層３００Ａ、３００Ｂにかけてエッチングを施すことによって溝３Ｃを形成する。この溝３ＣはＣｕ基板３の短辺に平行な溝形状を有している。
【００３８】
（絶縁部形成工程）
図６（ｄ）は、絶縁部形成工程を示す。エッチング工程で形成された溝３ＣにＳｉＯ２を薄膜状に付着させることによって溝３Ｃの壁面を覆うように絶縁部３Ａを設ける。このとき、Ｃｕ配線層３００Ａ、３００Ｂが絶縁部３Ａによって覆われるが、Ｃｕ基板３との絶縁を損なわないようＣｕ配線層３００Ａ、３００Ｂを絶縁部３Ａから露出させておく。
【００３９】
図７（ａ）から（ｄ）は、第４の実施の形態の発光装置の製造プロセス（導電部形成から完成まで）を示す工程図である。
【００４０】
（導電部形成工程）
図７（ａ）は、導電部形成工程を示す。絶縁部形成工程で絶縁部３Ａを形成された溝３ＣにＷペーストを塗布し、熱処理を施すことによって導電部３Ｂを形成する。この導電部３Ｂは、Ｃｕ配線層３００Ａ、３００Ｂと電気的に接続されるとともにＣｕ基板３の底面に露出する。
【００４１】
（ＬＥＤ素子搭載工程）
図７（ｂ）は、ＬＥＤ素子搭載工程を示す。Ａｇめっきの施されたＣｕ配線層３００Ａ上にＬＥＤ素子２をＡｇペーストで接着固定し、ｎ側電極とＣｕ配線層３００Ａ、ｐ側電極とＣｕ配線層３００Ｂとをワイヤ４で電気的に接続する。
【００４２】
（樹脂封止工程）
図７（ｃ）は、樹脂封止工程を示す。リフレクタ部３０にエポキシ樹脂を注入して素子搭載部３０Ｂからリフレクタ部３０の開口部にかけてを封止する。
【００４３】
（導電部露出工程）
図７（ｄ）は、導電部露出工程を示す。導電部露出工程では、溝３Ｃの部分をダイサーでカットすることにより導電部３ＢがＣｕ基板３の外側に露出させる。なお、ダイサーでカットする代わりにＣｕ基板３を切削によって側面に導電部３Ｂを露出させるようにしても良い。
【００４４】
（第４の実施の形態の効果）
上記した第４の実施の形態によると、第１の実施の形態の好ましい効果に加えて、導電性を有する金属基板の側面にＬＥＤ素子２への給電用の導電部３Ｂを形成できることにより、Ｃｕ基板３の上面だけでなく側面からの給電が可能になる。また、Ｃｕ基板３の底面を実装面としてＬＥＤ素子２を実装できることから、放熱部３００から実装基板に対して優れた放熱性が得られる。
【００４５】
（第５の実施の形態）
図８は、本発明の第５の実施の形態に係る発光装置の断面図である。
【００４６】
この発光装置１は、第４の実施の形態で説明した側面に導電部３Ｂを有する構造に加えてＣｕ基板３の底面に絶縁層３０１を介して底面導電部３Ｄを設けた構成において第４の実施の形態と相違している。
【００４７】
Ｃｕ基板３は、表面だけでなく底面にも絶縁層３０１を有しており、このＣｕ基板３に対して第４の実施の形態で説明した絶縁部３Ａおよび導電部３Ｂの形成を行い、さらに底面に導電部３Ｂと電気的に接続される底面導電部３Ｄをスパッタリングによって形成している。
【００４８】
（第５の実施の形態の効果）
上記した第５の実施の形態によると、第４の実施の形態の好ましい効果に加えて、Ｃｕ基板３の底面に設けられる導電性を有する金属基板の側面にＬＥＤ素子２への給電用の導電部３Ｂを形成できることから、優れた表面実装性を付与することができる。また、電気的接続部の面積を大にできるので、ＬＥＤ素子２に対して安定した給電を行うことができる。
【００４９】
（第６の実施の形態）
図９は、本発明の第６の実施の形態に係る発光装置を示し、（ａ）は発光装置の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ部における断面図である。
【００５０】
この発光装置１は、Ｃｕ基板３にエッチングによって形成される溝３Ｃと、溝３Ｃの内部にＳｉＯ２によって形成される絶縁部３Ａと、絶縁部３Ａの外側のＣｕ基板３に底面からＣｕ配線層３００Ａ、３００Ｂにかけて形成されるスルーホール３Ｅと、スルーホール３Ｅ内にＷによって形成される導電部３Ｂと、Ｃｕ基板３の底面において導電部３Ｂと電気的に接続される底面導電部３Ｄとを有し、絶縁部３Ａは、Ｃｕ基板３の底面より僅かに突出した突起部３０２を設けられている。
【００５１】
（第６の実施の形態の効果）
上記した第６の実施の形態によると、Ｃｕ基板３の底面から絶縁層３０１にかけて溝３Ｃを形成することにより、溝３Ｃの両側で絶縁された領域を形成することができる。このため、Ｃｕ基板３の中央部分を放熱部３００とし、溝３Ｃの外側の領域を導電領域として使用できるので、実装時の自由度に優れる。
【００５２】
（第７の実施の形態）
図１０は、本発明の第７の実施の形態に係る発光装置を示し、（ａ）は発光装置の平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ部における断面図である。
【００５３】
この発光装置１は、リフレクタ部３０の外側にワイヤ４を接続するためのボンディングエリア３０３を設け、そのことによってリフレクタ部３０の小サイズ化を図った構成において第３の実施の形態と相違している。
【００５４】
ボンディングエリア３０３は、図１０（ｂ）に示すように素子搭載部３０Ｂの設けられる深さより浅い位置にプレス加工によって設けられており、そのことによってＬＥＤ素子２とリフレクタ部３０の傾斜部３０Ａとを近接させて素子上方への反射性を高めている。
【００５５】
（第７の実施の形態の効果）
上記した第７の実施の形態によると、素子搭載部３０Ｂの外側にワイヤ４を接続するボンディングエリア３０３を設けたので、素子搭載部３０Ｂの面積を小にでき、パッケージサイズの小なる発光装置１を形成することができる、また、ボンディングエリア３０３を素子搭載部３０Ｂより浅い位置に形成することにより、傾斜部３０Ａによる光反射性を損なうことなく良好なワイヤ接続性を確保することができる。
【００５６】
（第８の実施の形態）
図１１は、本発明の第８の実施の形態に係る発光装置の断面図である。
【００５７】
この発光装置１は、第１の実施の形態で説明した発光装置１のＣｕ配線層３００Ａ、３００Ｂの表面にＣｕからなるリードフレーム６を半田により接合したものである。なお、リードフレーム６を用いる代わりにフレキシブル基板等の配線を接合しても良い。また、接合方法についても半田に代わるものであっても良く、導電性フィラーを含有させた接着剤や、Ａｇペースト等の導電性接着剤であっても良い。
【００５８】
（第８の実施の形態の効果）
上記した第８の実施の形態によると、Ｃｕ配線層３００Ａ、３００Ｂの表面にリードフレーム６を設けたことにより、実装性の向上を図ることができるとともにＣｕ基板３だけでなくリードフレーム６からも放熱させることができ、より放熱性を向上させることができる。
【００５９】
（第９の実施の形態）
図１２は、本発明の第９の実施の形態に係る発光装置の断面図である。
【００６０】
この発光装置１は、第８の実施の形態で説明したリードフレーム６を有する発光装置１に光透過性樹脂材料で形成されたレンズ７を搭載し、リードフレーム６、レンズ７、およびＣｕ基板３とをエポキシ樹脂からなる封止樹脂５で一体的に封止した構成を有する。
【００６１】
Ｃｕ基板３は、底面を半田８によって実装基板９に固定されており、ＬＥＤ素子２の発光に基づいて生じる発熱を実装基板９に放熱する。なお、Ｃｕ基板３の底面は、半田を
【００６２】
リードフレーム６は、第８の実施の形態で説明したようにＣｕ配線層３００Ａ、３００Ｂの表面に接続されるとともに折り曲げられて実装基板９に半田８によって固定されている。
【００６３】
レンズ７は、ＬＥＤ素子２を覆う封止樹脂５と同一のエポキシ樹脂によって形成されて半球状の光学形状面を有しており、リフレクタ部３０で反射された光を所望の照射範囲に集光する。なお、レンズ７は上記したエポキシ樹脂によるもの以外に、例えば、ガラス材料によって形成されたものであっても良い。
【００６４】
（第９の実施の形態の効果）
上記した第９の実施の形態によると、第８の実施の形態の発光装置１の好ましい効果に加えて集光光学系を一体的に設けているので、大光量の光を集光しビーム状の光として所望の方向に照射させることができる。また、ＬＥＤ素子２を大電流で駆動しても実装基板９に半田８を介して放熱部３００が固定されているので、発光に伴う発熱を実装基板９に速やかに伝熱させることができ、光量変化や信頼性に優れる発光装置１が得られる。
【００６５】
なお、第９の実施の形態では、ビーム状の光を照射する集光光学系としてのレンズ７を設けた構成を説明したが、拡散光学系としてのレンズを設けても良い。
【００６６】
（第１０の実施の形態）
図１３は、本発明の第１０の実施の形態に係る発光装置の断面図である。
【００６７】
この発光装置１は、第８の実施の形態で説明したリードフレーム６を有する発光装置１にレンズ状の光学形状面５Ａを有するようにエポキシ樹脂からなる封止樹脂５でＣｕ基板３と、リードフレーム６とを一体的に封止した構成を有する。
【００６８】
（第１０の実施の形態の効果）
上記した第１０の実施の形態によると、第９の実施の形態の発光装置１の好ましい効果に加えて別部材のレンズを用いなくとも集光光学系を一体的に設けることが可能になり、コストダウンを図ることができる。また、封止樹脂５がＣｕ基板３の表面から底面近傍までを広範囲に覆うので、パッケージの水密性が向上し、信頼性の向上を図ることができる。
【００６９】
（第１１の実施の形態）
図１４は、本発明の第１１の実施の形態に係る発光装置の断面図である。
【００７０】
この発光装置１は、第４の実施の形態で説明した導電部３ＢをＣｕ基板３の側面に有する発光装置１にレンズ７を搭載し、エポキシ樹脂からなる封止樹脂５で一体的に固定したものである。レンズ７については第９の実施の形態で説明したものと同一である。
【００７１】
Ｃｕ基板３は、導電部３Ｂが半田８によって実装基板９に固定されており、底面についても半田８によって実装基板９に固定されて放熱性を確保している。
【００７２】
（第１１の実施の形態の効果）
上記した第１１の実施の形態によると、第４の実施の形態の発光装置１の好ましい効果に加えて、導電部３Ｂにおける底面から側面にかけての半田８による電気的接続が可能となるので、優れた実装性を付与することができる。また、集光光学系であるレンズ７を搭載することによって所望の照射位置にビーム状の光を照射することが可能になる。
【００７３】
図１５は、本発明の第１２の実施の形態に係る発光装置の断面図である。
【００７４】
この発光装置１は、第５の実施の形態で説明した底面導電部３Ｄを有する発光装置１にレンズ状の光学形状面５Ａを有するようにエポキシ樹脂からなる封止樹脂５でＣｕ基板３を封止した構成を有する。
【００７５】
（第１２の実施の形態の効果）
上記した第１２の実施の形態によると、第５の実施の形態の発光装置１の好ましい効果に加えて、集光性を付与された発光装置１の実装性が向上する。また、電気的接続部の面積を大にできるので、ＬＥＤ素子２に対して安定した給電を行うことができる。
【００７６】
図１６は、本発明の第１３の実施の形態に係るＬＥＤランプを示し、（ａ）はＬＥＤランプの平面図、（ｂ）はＬＥＤランプの側面図である。
【００７７】
このＬＥＤランプ１０は、第１の実施の形態で説明した発光装置１を５個×５列で配置して構成されており、各発光装置１はポリイミドの表面に銅箔による配線パターンを設けたフレキシブル基板１１の配線パターン形成面１１１に電気的に接続されている。また、各発光装置１は、底面側に設けられるＣｕからなる放熱板１２に半田によって固定されており、ＬＥＤ素子２の発光に基づいて生じる発熱を速やかに放熱する。
【００７８】
フレキシブル基板１１は、発光装置１の発光に基づく光を放射させる開口部として矩形状の窓１１０を有している。
【００７９】
（第１３の実施の形態の効果）
上記した第１３の実施の形態によると、第１の実施の形態で説明したＣｕ基板にＬＥＤ素子２を搭載した発光装置１を用いることにより、複数光源型のＬＥＤランプとしながらも装置コストを安価にすることができる。また、ＬＥＤ素子２の発光に伴う発熱をＣｕ基板に伝熱し、さらに放熱板１２へ放熱できるため、大光量化、高出力化に余裕をもって対応することが可能となる。
【００８０】
なお、放熱板１２はＣｕ以外に、例えば、Ａｌ等の熱伝導性に優れる他の材料で形成しても良い。また、放熱性を高めるために粗面化加工等の表面加工が施されたものであっても良い。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る発光装置を示し、（ａ）は発光装置の中央部における断面図、（ｂ）は発光装置の平面図である。
【図２】（ａ）から（ｄ）は、第１の実施の形態の発光装置の製造プロセスを示す工程図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態に係る発光装置の中央部における断面図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態に係る発光装置の中央部における断面図である。
【図５】本発明の第４の実施の形態に係る発光装置を示し、（ａ）は発光装置の中央部における断面図、（ｂ）は発光装置の平面図である。
【図６】（ａ）から（ｄ）は、第４の実施の形態の発光装置の製造プロセス（絶縁部形成まで）を示す工程図である。
【図７】（ａ）から（ｄ）は、第４の実施の形態の発光装置の製造プロセス（導電部形成から完成まで）を示す工程図である。
【図８】本発明の第５の実施の形態に係る発光装置の断面図である。
【図９】本発明の第６の実施の形態に係る発光装置を示し、（ａ）は発光装置の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ部における断面図である。
【図１０】（ａ）は、本発明の第７の実施の形態に係る発光装置を示し、（ａ）は発光装置の平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ部における断面図である。
【図１１】本発明の第８の実施の形態に係る発光装置の断面図である。
【図１２】本発明の第９の実施の形態に係る発光装置の断面図である。
【図１３】本発明の第１０の実施の形態に係る発光装置の断面図である。
【図１４】本発明の第１１の実施の形態に係る発光装置の断面図である。
【図１５】本発明の第１２の実施の形態に係る発光装置の断面図である。
【図１６】本発明の第１３の実施の形態に係るＬＥＤランプの断面図である。
【符号の説明】
【００８２】
１…発光装置、２…ＬＥＤ素子、３…Ｃｕ基板、３Ａ…絶縁部、３Ｂ…導電部、３Ｃ…溝、３Ｄ…底面導電部、３Ｅ…スルーホール、４…ワイヤ、５…封止樹脂、５Ａ…光学形状面、６…リードフレーム、７…レンズ、８…半田、９…実装基板、１０…ＬＥＤランプ、１１…フレキシブル基板、１２…放熱板、３０…リフレクタ部、３０Ａ…傾斜部、３０Ｂ…素子搭載部、５０…蛍光体含有封止樹脂、１１０…窓、１１１…配線パターン形成面、３００…放熱部、３００Ａ…Ｃｕ配線層、３００Ｂ…Ｃｕ配線層、３０１…絶縁層、３０２…突起部、３０３…ボンディングエリア
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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