(57)【要約】【課題】  半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子から得られるレーザ光の第２高調波を出力する波長変換素子とがベース部材に配置され、半導体レーザ素子からのレーザ光を波長変換素子に導く光ファイバの一部に、特定波長の光を反射する回折格子部が設けられ、ベース部材に光ファイバを収納する収納溝が形成されている半導体レーザ光源装置を、半導体レーザ素子と波長変換素子を接続する光ファイバ、及び、光ファイバの一部に設けた回折格子部からなる導波系モジュールの製造歩留まりが比較的高くなるように改良する。【解決手段】  半導体レーザ素子２と波長変換素子４ａとの少なくとも一方が、温調素子によって温調されたマウント３３を介してベース部材２１に設置されており、マウント３３の表面に、回折格子部３を含む光ファイバＦの部位を巻き回して取り付け可能な凸曲面状の光ファイバ支持部３４を設けた。【選択図】        図３
2006344893.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子から得られるレーザ光の第２高調波を出力する波長変換素子とがベース部材に配置され、前記半導体レーザ素子からのレーザ光を前記波長変換素子に導く光ファイバの一部に、特定波長の光を反射する回折格子部が設けられており、前記半導体レーザ素子と前記波長変換素子との少なくとも一方が、温調素子によって温調されたマウントを介して前記ベース部材に搭載されている半導体レーザ光源装置であって、
前記ベース部材に前記光ファイバを収納する環状の収納溝が形成されており、且つ、
前記マウントの表面に、前記光ファイバの部位を巻き回すことで、前記回折格子部を押付け保持可能な光ファイバ支持部が設けられている半導体レーザ光源装置。
【請求項２】
前記マウントは、前記ベース部材に沿って延設された板状基部を含み、前記板状基部の端面に前記光ファイバ支持部が設けられている請求項１に記載の半導体レーザ光源装置。
【請求項３】
前記光ファイバ支持部は、前記光ファイバを巻き回し可能な周面と、前記周面の上下から径方向外向きに突出した一対のフランジ部とを有する請求項２に記載の半導体レーザ光源装置。
【請求項４】
前記周面は、前記ベース部材と略平行な平面内において外部に向かって膨らむ凸曲面を呈している請求項３に記載の半導体レーザ光源装置。
【請求項５】
前記マウントは、前記波長変換素子としての非線形光学結晶を嵌め込む取り付け溝を上面に備えた金属製ホルダであり、前記金属製ホルダの下部に前記光ファイバ支持部が一体成形されている請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体レーザ光源装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子から得られるレーザ光の第２高調波を出力する波長変換素子とがベース部材に配置され、前記半導体レーザ素子からのレーザ光を前記波長変換素子に導く光ファイバの一部に、特定波長の光を反射する回折格子部が設けられており、前記半導体レーザ素子と前記波長変換素子との少なくとも一方が、温調素子によって温調されたマウントを介して前記ベース部材に搭載されている半導体レーザ光源装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の半導体レーザ光源装置としては、近赤外線からなるレーザ光を基本波として発振する半導体レーザ素子と、この基本波の第２高調波としてＧ（緑色）光或いはＢ（青色）光の可視光を出力する波長変換素子とを用いることで、印画紙などにＲＧＢの３色からなるカラー画像を露光する写真処理装置における露光エンジン用に使用されているものがある。尚、半導体レーザ光源装置を写真処理装置における印画紙の露光エンジンとして用い、装置で得られるレーザ光の出力を高めるために、特定波長の光を反射するファイバ・ブラッグ・グレーティング（ＦＢＧ）を半導体レーザ素子と波長変換部との間に設けた場合、光ファイバの基準長さは、例えば緑色光（Ｇ）用では、半導体レーザ光源装置からＦＢＧまでが１０６０ｍｍ、ＦＢＧから波長変換部までが５３８ｍｍとされている。そして、半導体レーザ素子とＳＨＧ素子などからなる波長変換部とは、板状などのベース部材の上に設置され、両素子の間を光学的に接続する一般に１メートル以上に及ぶ長尺の光ファイバは、光源装置を小型化するために、何重かに巻き回されたループ状にして、半導体レーザ素子及び波長変換素子を取り囲むようにベース部材上にバンド等で仮止めする手法が考えられる。
尚、上記従来技術について開示した公報は、本発明の出願時点で該当するものが見当たらない。
【０００３】
尚、このような半導体レーザ光源装置を写真処理装置における露光エンジンとして用いた場合、光ファイバの基準長さは、例えば緑色光（Ｇ）用では、半導体レーザ光源装置から回折格子部までが１０６０ｍｍ、回折格子部から波長変換部までが５３８ｍｍとされているが、全くこれらの基準値通りの長さの光ファイバを備えた導波系モジュール（先端に半導体レーザ素子が取り付けられ、後端に波長変換部が取り付けられ、中間の所定位置にＦＢＧが配置された光ファイバからなるモジュール）を製造ラインで製造することは事実上不可能であるため、±数ｍｍ程度の許容範囲を設定して、光ファイバの長さがその範囲内に収まる導波系モジュールであれば合格品として採用される。
【０００４】
ところで、図６に示すように、従来技術の半導体レーザ光源装置１０１では、半導体レーザ素子２は第１温調素子Ｐ１１によって温調されたマウントＭ１１を介して、そして、波長変換素子を構成する光導波路４ａは、第２温調素子Ｐ１２によって温調された別のマウントＭ１２を介してベース部材１２１上に設置されている。また、光ファイバＦの一部に形成された回折格子部３は、半導体レーザ素子２用のマウントＭ１１に形成した水平で直線状の貫通孔ｈに光ファイバＦを挿通させて、回折格子部３を貫通孔ｈ内に設けられた狭隘部に接触維持させることで、半導体レーザ素子２と回折格子部３とを同じ一つの第１温調素子Ｐ１１によって温調させる構成を実現している。
【０００５】
また、実際に半導体レーザ光源装置１０１を製造する際には、既に半導体レーザ素子２用のマウントを設置済みのベース部材１２１と導波系モジュールとを用意しておき、先ず半導体レーザ素子を同マウントに固定し、半導体レーザ素子２から延びた光ファイバＦをループ状に巻き回し樹脂バンド等で束ねた状態でベース部材の上に仮止めし、回折格子部３が丁度マウントの狭隘部に来るように導波系モジュールを配置することになる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、上記の従来技術による半導体レーザ光源装置では、ループ状に束ねられた長尺の光ファイバはベース部材上に仮止めする他ないため、装置の組立て時やメンテナンス時などに光ファイバが傷付けられ易いという問題があった。また、光ファイバの位置が不安定なため、環境温度の変動によって光ファイバの曲率が変化し、光ファイバの終端部における偏光面が回転して、波長変換部に用いられる結晶の偏光面との相対関係が変化して、波長変換部による波長変換効率に影響を及ぼし、光源装置からの出力が不安定となる虞があるという問題があった。
【０００７】
そこで、本発明の目的は、上に例示した従来技術による半導体レーザ光源装置の持つ前述した欠点に鑑み、装置の組立て時やメンテナンス時などに光ファイバが傷付けられ難く、また、環境温度が変動しても出力が不安定となり難い半導体レーザ光源装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の特徴構成は、半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子から得られるレーザ光の第２高調波を出力する波長変換素子とがベース部材に配置され、前記半導体レーザ素子からのレーザ光を前記波長変換素子に導く光ファイバの一部に、特定波長の光を反射する回折格子部が設けられており、前記半導体レーザ素子と前記波長変換素子との少なくとも一方が、温調素子によって温調されたマウントを介して前記ベース部材に搭載されている半導体レーザ光源装置であって、
前記ベース部材に前記光ファイバを収納する環状の収納溝が形成されており、且つ、
前記マウントの表面に、前記光ファイバの部位を巻き回すことで、前記回折格子部を押付け保持可能な光ファイバ支持部が設けられている点にある。
【０００９】
すなわち、本発明の第１の特徴構成による半導体レーザ光源装置では、光ファイバの少なくとも大半部分をベース部材上の環状の収納溝内に収納し、ループのうちの数箇所を接着剤などで収納溝の内面に固定することができるので、装置のメンテナンス時などに光ファイバが傷付けられ難く、しかも、長尺の光ファイバを用いるにも関わらず装置自身をよりコンパクトなものにできる。また、光ファイバの少なくとも大半部分については、位置がより安定となるため、環境温度の変動によって光ファイバの曲率が変化し難くなり、光源装置からの出力が安定化する、という効果が得られる。
【００１０】
ところで、半導体レーザ素子用のマウントは、装置自身の高さ寸法を出来るだけ低く抑えられるように小型化する必要があり、上記従来技術の半導体レーザ光源装置における狭隘部の長さも約１８ｍｍと比較的短いため、光ファイバの大半部分を規定の寸法の収納溝内に収納する形態を取った場合、光ファイバの位置が収納溝によって規制されるので、回折格子部を丁度マウントの狭隘部に配置するためには、半導体レーザ光源装置から回折格子部までの長さを１０６０ｍｍ±５ｍｍという比較的狭い許容範囲内に収める必要が生じ、導波系モジュールの製造歩留まりが著しく低くなり、その結果、半導体レーザ光源装置のコストが高くなり易いという問題が出てくる。しかし、本発明の第１の特徴構成による半導体レーザ光源装置では、半導体レーザ素子と前記波長変換素子との少なくとも一方を搭載するためのマウントの表面に、回折格子部を含む前記光ファイバの部位を巻き回して取り付け可能な光ファイバ支持部が設けられているので、導波系モジュールの組み付けに際しては、回折格子部を含む光ファイバの部位を、マウントに形成された光ファイバ支持部に巻き回せば、回折格子部がマウントの表面に押付け保持されるので、マウントを介して温調素子と回折格子部との間の熱伝達が可能となり、回折格子部の温調が達成される。その結果、半導体レーザ光源装置から回折格子部までの光ファイバ長さであれば１０６０ｍｍ±２０ｍｍ、回折格子部から波長変換素子までの光ファイバ長さであれば５３８ｍｍ±１５ｍｍという比較的広い許容範囲内に収めるだけで、回折格子部を曲面状の光ファイバ支持部に配置可能となった。そのため、導波系モジュールの製造歩留まりが高くなり、その結果、半導体レーザ光源装置の製造コストを低下させることができた。また、ベース部材に形成された光ファイバ用の収納溝を、光ファイバに加える張力の反力を預けるために利用すると、回折格子部を光ファイバ支持部に押付ける操作を容易に行うことができる。
【００１１】
本発明の第２の特徴構成は、前記マウントは、前記ベース部材に沿って延設された板状基部を含み、前記板状基部の端面に前記光ファイバ支持部が設けられている点にある。
【００１２】
本構成であれば、導波系モジュールを組み付ける際に、回折格子部を含む光ファイバの部位を、ベース部材から余り高くないレベルの領域に、湾曲した光ファイバが略水平な面内に位置する状態で収納できるので、ベース部材から垂直に立設されたマウントの上方に形成された水平な貫通孔に回折格子部が挿通された従来の構成などに比して、装置のメンテナンス時などに光ファイバが傷付けられ難いという効果が得られる。また、光ファイバの高さ方向での位置変動が小さく抑えられるので、光ファイバの捩れなどによって光ファイバ内を通過する光の偏光面が回転する等の支障が生じ難くなる。
【００１３】
本発明の第３の特徴構成は、前記光ファイバ支持部は、前記光ファイバを巻き回し可能な周面と、前記周面の上下から径方向外向きに突出した一対のフランジ部とを有する点にある。
【００１４】
本構成であれば、導波系モジュールを組み付ける際に、回折格子部を含む光ファイバの部位を、周面と一対のフランジ部とからなる溝内に係入させるように、巻き回すだけで回折格子部の温調素子に対する密着状態が得られ、且つ、光ファイバの周面からの脱落が周面から突出した上下のフランジによって防止されるので、導波系モジュールの正しい組み付け操作が容易になる。
【００１５】
本発明の第４の特徴構成は、前記周面は、前記ベース部材と略平行な平面内において外部に向かって膨らむ凸曲面を呈している点にある。
本構成によれば、導波系モジュールの組み付け時、回折格子部が光ファイバ支持部内の任意の位置に来るように光ファイバを周面上に配置し、光ファイバ支持部上の光ファイバに僅かな張力を付与すれば、周面が外部に向かって膨らむ凸曲面であるので、回折格子部の光ファイバ支持部に対する押付け作用がより確実に且つ容易に生じる。
【００１６】
本発明の第５の特徴構成は、前記マウントは、前記波長変換素子としての非線形光学結晶を嵌め込む取り付け溝を上面に備えた金属製ホルダであり、前記金属製ホルダの下部に前記光ファイバ支持部が一体成形されている点にある。
【００１７】
すなわち、波長変換素子用のマウントを構成する金属製ホルダは、その上面に非線形光学結晶を嵌め込む取り付け溝が形成されているので、自由な設定が許される金属製ホルダの下部付近に光ファイバ支持部を一体成形することができる。そして、金属製ホルダの下部付近に形成された光ファイバ支持部は、必然的にベース部材の上面に隣接配置されることになるので、回折格子部を含む光ファイバの部位も、残りの、ループ状に束ねてベース部材の収納溝内に収納された光ファイバの大半部分と同様に、装置のメンテナンス時などに傷付けられ難い状態で配置できる。さらに、波長変換素子の金属製ホルダは、半導体レーザ光源装置の構成部材の中で外形寸法の大きな部材となるため、その下部付近に形成される光ファイバ支持部も大きな寸法に設定でき、結果として、光ファイバ支持部を構成する周面も、例えば約３０ｍｍ等と十分に長いものにでき、半導体レーザ光源装置から回折格子部までの光ファイバ長さの許容範囲を更に緩いものとでき、導波系モジュールの製造歩留まりが更に高くなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下に本発明による最良の実施形態について図面を参照しながら説明する。
図１に示す半導体レーザ光源装置１は、デジタルミニラボ等と称される写真プリント装置に備えられる露光エンジンの光源部を構成する装置である。このような写真プリント装置では、印画紙を搬送機構によって副走査方向に搬送しながら、搬送速度と同期したタイミングで、印画紙に対して半導体レーザ光源装置から前記副走査方向と直交する主走査方向にライン状にレーザビームによって走査露光が行われる。カラー用印画紙に画像を形成するためには、Ｒ・Ｇ・Ｂの各波長の可視光を走査する必要があるが、Ｒ（赤）用の光源装置には、半導体レーザ素子からのレーザビームを直接的に送り出す半導体レーザ型を用い、Ｇ（緑）用とＢ（青）用の光源装置には、半導体レーザ素子から出射される近赤外線を、波長変換素子で波長変換してＧとＢの可視光線を得る形態が知られている。本発明による半導体レーザ光源装置は、後者のＧ（緑）用及びＢ（青）用の光源装置に該当する。
尚、Ｇ（緑）用の半導体レーザ光源装置とＢ（青）用の半導体レーザ光源装置のレーザ光源装置とは基本的に同じ構成を有するので、以下の詳細説明では、半導体レーザ光源装置１を、専らＧ（緑）用の半導体レーザ光源装置として解説する。
【００１９】
半導体レーザ光源装置１は、図１〜図４に示すように、金属製のベース部材２１の上面に、近赤外線を発振する半導体レーザ素子（レーザダイオード）２と、半導体レーザ素子２から得られる近赤外線を第２高調波によって約５３２ｎｍの可視光のレーザビームＬＢに変換する波長変換部４とが配置され、半導体レーザ素子２と波長変換部４とは、近赤外線を導く長尺の光ファイバＦによって光学的に接続されている。そして、光ファイバＦの一部には、特定波長の光を反射することによって、主縦モードのレーザ光を増幅する回折格子部としてのＦＢＧ（ファイバ・ブラッグ・グレーティング）３が介装されている。尚、ベース部材２１の上部には、カバー部材２２がシール用のＯリングを介して被せられ、半導体レーザ素子２、波長変換部４、ＦＢＧ３を含む光ファイバＦなどの各構成部材は、カバー部材２２内に形成された空間内に密閉されて、基本的に外気から遮断される。
【００２０】
ベース部材２１の上面の一部からは、平板状の第１ペルチエ素子Ｐ１（温調素子の一例）をほぼ垂直な姿勢で収納した調温プレート３１（マウントの一例）が立設されており、半導体レーザ素子２がこの調温プレート３１の前面に密着固定されることで、半導体レーザ素子２が第１ペルチエ素子Ｐ１によって目標温度に維持される構成となっている。
後に詳細説明する図５に示すように、半導体レーザ素子２には光反射面３５と光出射面３６とが形成されており、高出力の主縦モードのレーザ光を光出射面３６から出射させるために、光反射面３５は反射被膜を形成することにより９０％を超える高い反射率を持たせ、他方、光出射面３６は反射防止コーティング（ＡＲコーティング）を施すことなどにより、約０．１％の非常に低い反射率を持たせている。
【００２１】
波長変換部４は、ステンレス等の金属製の素子ホルダ３３（マウントの一例）と、素子ホルダ３３の上面の溝部３３Ｇに嵌め込まれ、レーザ光を透過させる光導波路４ａとからなり、ここでは、光導波路４ａとしては非線形光学結晶の一例である周期分極ニオブ酸リチウム（Ｐｅｒｉｏｄｉｃａｌｌｙ Ｐｏｌｅｄ Ｌｉｔｈｉｕｍ Ｎｉｏｂａｔｅ；ＰＰＬＮ）結晶が用いられている。
素子ホルダ３３の底面とベース部材２１との間には、光導波路４ａを構成するＰＰＬＮを目標温度に維持するための、平板状の第２ペルチエ素子Ｐ２（温調素子の一例）がほぼ水平に配置されている。
また、素子ホルダ３３の下部を構成し、ベース部材２１に沿って延設された板状基部３３ａの端面の一部には、ＦＢＧ３を含む光ファイバＦの部位を巻き回して取り付け可能な光ファイバ支持部３４が切削加工によって一体成形されている。光ファイバ支持部３４は、光ファイバＦを巻き回し可能な凸曲面状の周面３４ａと、周面３４ａの上下から径方向外向きに突出した一対のフランジ部３４ｂとを有する。周面３４ａは、ベース部材２１の底面と略平行な平面内においてベース部材２１の外部に向かって膨らんだ略半円形の凸曲面となっており、周面３４ａの長さは約３０ｍｍである。後に詳述する、光ファイバＦの収納溝３７内への収納操作時に、光ファイバＦ用の収納溝３７に反力を預けながら、光ファイバＦに適度な張力を持たせながら光ファイバ支持部３４に巻き回すと、周面３４ａは滑らかな凸曲面となっているため、ＦＢＧ３が周面３４ａ内のどの位置に来ても、ＦＢＧ３は光ファイバ支持部３４の周面３４ａに密着保持され、第２ペルチエ素子Ｐ２とＦＢＧ３との間の良好な熱伝達が可能となる。このように、波長変換部４を構成する光導波路４ａとＦＢＧ３とが、同じ一つの第２ペルチエ素子Ｐ２によって温調される構成となっている。
【００２２】
尚、Ｇ（緑）用の半導体レーザ光源装置１の場合、安定した高い出力を得るためには、光ファイバＦの長さは、半導体レーザ素子２からＦＢＧ３までの第１光ファイバＦ１の長さＬ１を１０６０ｍｍ、ＦＢＧ３から波長変換部４までの第２光ファイバＦ２の長さＬ２を５３８ｍｍに設定するのが適切であり、これらの値が基準とされている。
図５は、半導体レーザ素子２、第１光ファイバＦ１、ＦＢＧ３、第２光ファイバＦ２、及び、第２光ファイバＦ２の後端に取り付けられたフェルール５からなる導波系モジュールＭの概要を示している。フェルール５は、第２光ファイバＦ２の後端と一体形成されたステンレス鋼製の円筒状部材であり、波長変換部４を構成する素子ホルダ３３の貫通孔内に挿通されて溶接で固定される。
【００２３】
光ファイバＦはこのように長尺であるため、半導体レーザ光源装置１を小型化するために、光ファイバＦを何重かの束になったループ状にして、カバー部材２２内の空間に収納する構成となっている。そして、装置組立て時およびカバー部材２２を取り外して行われるメンテナンス時などに光ファイバＦを損傷することのないように、ループ状にされた光ファイバＦの大半は、ベース部材２１に形成された環状の収納溝３７の中に収納され、ループの周方向における所定の数箇所にて接着剤４０によりベース部材２１に固定されている。
収納溝３７は、概して長円形を呈しており、幅が約１ｍｍの固定用の第１領域３７ａ、及び、幅が約３ｍｍと第１領域３７ａよりも幅広の第２領域３７ｂからなる。収納溝３７の深さは、第１領域３７ａ及び第２領域３７ｂのいずれの箇所でも共通で約２ｍｍとなっている。
収納溝３７の更に外側に形成された環状溝３８は、ベース部材２１とカバー部材２２の間を密閉するためのＯリング（不図示）を嵌め込むためのものである。
【００２４】
光ファイバＦの固定は専ら幅狭の第１領域３７ａにおいて行われ、幅広の第２領域３７ｂは、製造元などから納入された導波系モジュールＭに取り付けられた光ファイバＦの長さに応じて、第２領域内での位置を自由に調整するために用いられる。製造元から納入された導波系モジュールＭの第１光ファイバＦ１が基準よりも短めの場合は、光ファイバＦを径が小さめのループに束ねることで、第２領域３７ｂ内の径方向内側寄りに配置し、逆に、基準よりも長めの場合は、光ファイバＦの束を大きめのループに束ねることで、第２領域３７ｂ内の径方向外側寄りに配置する、という臨機応変の配置方法を取ることが可能になる。すなわち、光ファイバＦの長さに関する目標値からの偏差を吸収する手段として第２領域３７ｂを設けたことで、無理に曲げることなく収納溝３７内にスムースに収納可能な光ファイバＦの長さの許容範囲を従来に比して広げ、導波系モジュールの製造歩留まりを高めることが可能になる。また、導波系モジュールＭは、その個体毎に、第１光ファイバＦ１と第２光ファイバＦ２の実際の長さを記したラベル（不図示）などが付された状態で納入されるので、作業者はこの長さの数値を参考にすることで、各光ファイバＦ１，Ｆ２を適宜、第２領域３７ｂ内の径方向外側寄り、或いは、径方向内側寄りに配置することができる。
【００２５】
より具体的な組み立て方法としては、図３に示すように、用意された導波系モジュールＭのフェルール５を予め素子ホルダ３３に溶接で取り付けておき、先ず、素子ホルダ３３をベース部材２１上にネジで刈り止めし、次に、第２光ファイバＦ２を、そのラベルに記された長さに対応した大きさの径を持つループ状に巻き回して収納溝３７内に収納すると、周面３４ａの長さは約３０ｍｍあるので、ＦＢＧ３からフェルール５までの第２光ファイバＦ２が５３８±１５ｍｍの範囲内であれば、ＦＢＧ３が光ファイバ支持部３４の周面３４ａ内の何処かに来ることになる。そこで、このＦＢＧ３を含む光ファイバＦの部位のみを、収納溝３７内に収納せずに、光ファイバ支持部３４の周面３４ａ上に係止させ、引き続きＦＢＧ３を含む数ｃｍ程度の長さの光ファイバＦに所定の張力を生成させながら、再び残りの第１光ファイバＦ１を、そのラベルに記された長さに対応した大きさの径を持つループ状に巻き回して収納溝３７内に収納すると、半導体レーザ素子２からＦＢＧ３までの第１光ファイバＦ１が１０６０±２０ｍｍの範囲内であれば、半導体レーザ素子２をベース部材２１上の調温プレート３１に配置可能になる。そこで、半導体レーザ素子２を調温プレート３１にネジで密着固定すれば良い。
【００２６】
尚、図２は、ＦＢＧ３が光ファイバ支持部３４の周面３４ａ内における中央部よりも下流側の端部寄りに配置された状態を示しているが、ＦＢＧ３の配置位置は周面３４ａ内であれば任意の箇所で良い。
このようにＦＢＧ３の設置箇所を、波長変換部４を構成する素子ホルダ３３の下部に形成された、長さ約３０ｍｍの周面を有する凸曲面状の光ファイバ支持部３４とし、且つ、光ファイバＦの長さに関する目標値からの偏差を吸収するための幅広の第２領域３７ｂを光ファイバＦの収納溝３７の一部に設けたことで、収納溝３７内にスムースに収納可能な光ファイバＦの長さの許容範囲を、半導体レーザ素子２からＦＢＧ３までの第１光ファイバＦ１が１０６０±２０ｍｍで、ＦＢＧ３からフェルール５までの第２光ファイバＦ２が５３８±１５ｍｍという幅の広い値まで広げることが可能になった。
【００２７】
また、収納溝３７内に収納する際に光ファイバＦが傷付き難いように、第１領域３７ａと第２領域３７ｂとは曲線状の遷移領域３７ｃを介して滑らかに連続している。また、特に、半導体レーザ素子２と波長変換部４とは、収納溝３７が呈する長円形の内部に、同長円形の長軸に沿って並設されており、第２領域３７ｂは半導体レーザ素子２から遠隔側で、波長変換部４に近接した側の短辺に設けられている。このように構成することによって、半導体レーザ素子２付近における光ファイバＦの曲率が大きめに保持され、光ファイバＦの捩れが抑えられるので、第２領域３７Ｂが半導体レーザ素子２に近接した側に位置する形態に比して、光ファイバＦの捩れなどによって光ファイバＦ内を通過する光の偏光面が回転する等の支障が生じ難い。すなわち、もしも一部の光ファイバＦの湾曲率が環境温度変化などによって大きく変動すると、光ファイバＦの終端部における偏光面が回転して、波長変換部４に用いられる結晶の偏光面との相対関係が変化して、波長変換部４によって得られる波長変換効率に影響を及ぼす虞がある。しかし、本発明によるレーザ光源装置では、上記のように光ファイバＦの曲率を大きめに保持することで、光ファイバＦ内を通過するレーザ光の偏光面の回転が抑制されているので、環境温度変化などによる光ファイバＦの湾曲率の変動が抑制され、レーザ光源装置からの出力を安定化させることができる。
【００２８】
波長変換部４でＧ（緑）色の可視光に変換されたレーザビームＬＢは、コリメートレンズ２３、赤外光除去フィルタ２４、ビームスプリッタ２５、集光レンズ２６を介して、カバー部材２２に形成された開口部（不図示）から外部に送り出される。コリメートレンズ２３は波長変換部４から出射されたレーザビームを平行化し、集光レンズ２６は平行化されたレーザビームを集光する。ビームスプリッタ２５は、レーザビームの一部の光線を分岐する機能を有し、このビームスプリッタ２５で分岐されたたレーザビームは光量センサＳで光量が計測され、出力される光量を目標値に維持するためのフィードバック制御に用いられる。尚、図２を除く図では光量センサＳが省略されている。
【００２９】
尚、カバー部材２２から外に送り出された所望の波長を持つ可視光は、レーザビームの強度（光量）を調節する音響光学式変調器（ＡＯＭ）、レーザビームを反射するビームミラー、ビームミラーからのレーザビームを前記主走査方向に走査するためのポリゴンミラー、及び、ポリゴンミラーで反射されたレーザビームを露光位置の印画紙に導くｆθレンズなどを経て、印画紙の乳剤面に到達することになる。これらの、半導体レーザ光源装置１よりも下流側に配置される構成部材は、ここでは図示を省略している。
【産業上の利用可能性】
【００３０】
感光材料を露光するために所定波長のレーザ光を半導体レーザの高調波レーザとして得る写真プリント装置に利用できるが、この他にも、感光ドラムとトナーとを用いた構造の画像形成装置において感光ドラムにレーザビームを照射するための半導体レーザ光源装置としても利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明による半導体レーザ光源装置の構造を示す斜視図
【図２】図１の半導体レーザ光源装置の内部を示す平面図
【図３】図１の半導体レーザ光源装置の組立て方法を示す一部分解斜視図
【図４】図１の半導体レーザ光源装置の内部を示す縦断側面図
【図５】光導波系を模式的に示す略図
【図６】従来の半導体レーザ光源装置の構造を示す斜視図
【符号の説明】
【００３２】
１      半導体レーザ光源装置
２      半導体レーザ素子
３      ＦＢＧ
４      波長変換部
４ａ    光導波路（ＰＰＬＮ結晶）
５      フェルール
２１    ベース部材
３７    収納溝
３７ａ  第１領域
３７ｂ  第２領域
３１    調温プレート
Ｐ１    第１温調素子
Ｐ２    第２温調素子
３３    素子ホルダ
３４    光ファイバ支持部
３４ａ  凸曲面状の周面
３４ｂ  フランジ部
４０    接着剤
Ｆ１    第１光ファイバ
Ｆ２    第２光ファイバ
【図１】
2006344893.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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