(57)【要約】【課題】発光素子が実装されるキャビティ内に封止用樹脂が強固に密着し、上記発光素子からの光を効率良く反射できると共に、製造容易な発光素子実装用配線基板を提供する。【解決手段】表面３および裏面４を有し且つセラミック（絶縁材）からなる基板本体２と、かかる基板本体２の表面３に開口し且つ底面７に発光ダイオード（発光素子）８が実装されるキャビティ５と、かかるキャビティ５の円筒形の側面６に形成される光反射層１２と、かかる側面６に形成され、光反射層１２を上記基板本体２の厚み方向に沿って分割し且つ上記セラミックが露出する一対の溝１０と、を含む、発光素子実装用配線基板１。【選択図】  図２
2006237049.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面および裏面を有し且つ絶縁材からなる基板本体と、
上記基板本体の表面に開口し且つ底面に発光素子が実装されるキャビティと、
上記キャビティの側面に形成される光反射層と、
上記キャビティの側面に形成され、上記光反射層を上記基板本体の厚み方向に沿って分割し且つ上記絶縁材が露出する溝と、を含む、
ことを特徴とする発光素子実装用配線基板。
【請求項２】
前記キャビティは、円柱形、長円柱形、または楕円柱形を呈すると共に、かかるキャビティの側面に形成される前記溝は、前記基板本体の厚み方向に沿って同じ断面形状により形成されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の発光素子実装用配線基板。
【請求項３】
前記キャビティは、ほぼ円錐形、ほぼ長円錐形、または、ほぼ楕円錐形を呈すると共に、キャビティの側面に形成される前記溝は、前記基板本体の厚み方向に沿って階段状に形成されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の発光素子実装用配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば発光ダイオードのような発光素子を実装するための発光素子実装用配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光素子を実装する配線基板においては、かかる発光素子を底面に実装するキャビティの側面に金属からなる光反射層を形成すると共に、当該キャビティ内に封止用樹脂を表面が平坦になるようにして充填することで、上記発光素子から発光された光を鮮明なものとすることができる。
ところで、キャビティに充填する封止用樹脂は、金属製の光反射層との密着強度が低いため、当該キャビティから剥離することに伴って、実装された発光素子やこれに接続したボンディングワイヤが引き剥がされる、という問題があった。
上記問題を解決し、封止用樹脂がキャビティから剥離せず、当該キャビティに強固に密着させるため、ほぼ円錐形のキャビティとなる貫通孔の中間位置にリング形状の段差を設けると共に、かかる段差の上側に突起および外向きに凹む溝を形成した発光素子取付用パッケージが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−３２７５０４号公報（第１〜１０頁、図１〜６）
【０００４】
しかしながら、前記発光素子取付用パッケージでは、貫通孔の内周面に被覆した金属製の光反射層のうち、セラミックなどの絶縁材が露出する上記段差の直上部分では、発光素子からの光が反射せず、反射効率が低下する。しかも、上記突起や溝の形成が困難で且つ煩雑な製造工程を要する、という問題点があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、前記背景技術における問題点を解決し、発光素子が実装されるキャビティ内に封止用樹脂が強固に密着し、上記発光素子からの光を効率良く反射できると共に、製造容易な発光素子実装用配線基板を提供する、ことを課題とする。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００６】
本発明は、前記課題を解決するため、キャビティの側面に基板本体を形成する絶縁材が露出する溝を、かかる基板本体の厚み方向に沿って形成する、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明の発光素子実装用配線基板（請求項１）は、表面および裏面を有し且つ絶縁材からなる基板本体と、かかる基板本体の表面に開口し且つ底面に発光素子が実装されるキャビティと、かかるキャビティの側面に形成される光反射層と、上記キャビティの側面に形成され、上記光反射層を上記基板本体の厚み方向に沿って分割し且つ上記絶縁材が露出する溝と、を含む、ことを特徴とする。
【０００７】
これによれば、前記キャビティの側面に光反射層を基板本体の厚み方向に沿って分割し且つ前記絶縁材が露出する溝が形成されている。このため、追ってキャビティの底面に発光素子を実装し且つ当該キャビティ内に封止用樹脂を充填して固化した際に、かかる固化した封止用樹脂と上記溝内に露出する絶縁材とが強固に密着する。また、上記溝は、光反射層を少ない面積で分割できるため、発光素子からの光の反射効率が低下しない。しかも、かかる溝は、基板本体のうち、前記キャビティを形成するための単層または複層の絶縁層（例えば、グリーンシート）を得るに際し、かかる絶縁層を打ち抜き加工する時に、同時に形成することも可能である。
従って、追って充填される封止用樹脂が強固にキャビティ内に密着し、上記発光素子からの光を効率良く反射できると共に、製造も容易となる。
【０００８】
尚、前記基板本体を形成する絶縁材は、例えばアルミナを主成分とするセラミック、低温焼成セラミックの１つであるガラス−セラミック、あるいエポキシ系樹脂をはじめとする各種の樹脂である。
また、前記キャビティは、貫通孔の側面に光反射層を備える上側絶縁層と、追ってキャビティの底面となる上面を含む下側絶縁層との２部材により形成される。かかるキャビティには、円筒形、楕円筒形、または長円筒形の側面（周面）を有する全体が円柱形、楕円柱形、または長円柱形の形態のほか、円形、楕円形、または長円形の底面の周囲から傾斜して基板本体の表面に向けて広がる側面（周面）を有する全体がほぼ円錐形、ほぼ楕円錐形、あるいは、ほぼ長円錐形を呈する形態も含まれる。
更に、前記溝には、断面コ字形の凹溝、断面ほぼ半円形の円弧溝、あるいは、側面視で複数の直角三角形で且つ各斜辺が上下に連続する形態が含まれる。
また、前記光反射層は、少なくともその表層に光を反射するＡｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈなどのメッキ層や薄膜層を含んでいる。加えて、前記発光素子には、発光ダイオードのほか、半導体レーザも含まれる。
【０００９】
また、本発明には、前記キャビティは、円柱形、長円柱形、または楕円柱形を呈すると共に、かかるキャビティの側面に形成される前記溝は、前記基板本体の厚み方向に沿って同じ断面形状により形成されている、発光素子実装用配線基板（請求項２）も含まれる。
これによれば、キャビティの底面に発光素子を実装し且つ当該キャビティ内に封止用樹脂を充填して固化した際に、かかる固化した封止用樹脂と上記溝内に露出する絶縁材とが強固に密着する。また、上記溝は、光反射層を少ない面積で分割できるため、発光素子からの光の反射効率が低下しない。しかも、かかる溝は、前記基板本体のうち、キャビティを形成するための単層または複層の絶縁層を得る際に、かかる絶縁層に施す打ち抜き加工と同時に形成できる。従って、封止用樹脂が強固にキャビティ内に密着し、発光素子の光を効率良く反射できると共に、製造も容易且つ確実に行うことができる。
【００１０】
更に、本発明には、前記キャビティは、ほぼ円錐形、ほぼ長円錐形、または、ほぼ楕円錐形を呈すると共に、キャビティの側面に形成される前記溝は、前記基板本体の厚み方向に沿って階段状に形成されている、発光素子実装用配線基板（請求項３）も含まれる。
これによれば、キャビティの底面に発光素子を実装し且つ当該キャビティ内に封止用樹脂を充填して固化した際に、かかる固化した封止用樹脂と上記溝内に露出する絶縁材とが強固に密着する。また、上記溝は、ほぼ円錐形などのキャビティを形成するための複層の絶縁層に階段状に形成されているため、各絶縁層の間に配置する内部配線のスペースを確保することもできる。従って、封止用樹脂が強固にキャビティ内に密着し、発光素子の光を効率良く反射でき、製造も容易である。
【００１１】
尚、上記溝は、ほぼ円錐形などのキャビティを形成するための複層の絶縁層を得る際に、各絶縁層ごとに所要幅のクリアランスを介した打ち抜き加工し、得られた円錐形状などの貫通孔をその軸方向に沿って切り欠いた後に、各絶縁層を積層することで形成できる。あるいは、各絶縁層ごとに最小限クリアランスを介した打ち抜き加工、得られた円柱形の各貫通孔に円錐形などの金型を挿入して押圧する成形工程、および、円錐形状などの各貫通孔をその軸方向に沿って切り欠いた後に、各絶縁層を積層することで形成できる。しかも、上記積層に際し、切り欠きにより形成された上側の溝と下側の溝とが、位置合わせの目印ともなる。
【００１２】
付言すれば、本発明には、前記キャビティの側面に形成される溝は、かかる側面に一対が形成されている、発光素子実装用配線基板も含まれ得る。更に、本発明には、前記キャビティの側面に形成される溝は、かかる側面に一対がほぼ対称に形成されている、発光素子実装用配線基板も含まれ得る。
これらによる場合、キャビティの底面に形成され且つ発光素子に個別に導通される一対の導体層（例えば、パッド）と、上記一対の溝により分割された一対の光反射層とを導通させることも可能となる。上記一対の導体層が、互いに異なる回路の一部である場合、分割された一対の光反射層は、一対の溝により互いの絶縁が確保される。その結果、光反射層と導体層との絶縁を取るためのスペースを設ける必要がなくなり、発光素子実装用配線基板自体の小型化が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下において、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
図１は、本発明による発光素子実装用配線基板（以下、単に配線基板と称する）１を示す平面図、図２は、図１中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った断面図である。
配線基板１は、図１，図２に示すように、表面３および裏面４を有する基板本体２と、かかる基板本体２の表面３に開口し且つ底面７に発光ダイオード（発光素子）８を実装するキャビティ５と、かかるキャビティ５の側面６に形成される光反射層１２と、キャビティ５の側面６に形成される一対の凹溝（溝）１０と、を備えている。
【００１４】
上記基板本体２は、一体に積層された例えばアルミナ系のセラミック（絶縁材）からなる上側絶縁層Ｓ１および下側絶縁層Ｓ２からなり、平面視が約５ｍｍ×約５ｍｍの正方形で且つ約１ｍｍの厚みを有する。上側絶縁層Ｓ１と下側絶縁層Ｓ２とは、単層または複層のグリーンシートを焼成したものである。上側絶縁層Ｓ１と下側絶縁層Ｓ２とは、それらの内部および両者の間に、図示しない所要パターンの配線層を有している。
尚、基板本体２を形成する絶縁材は、低温焼成セラミックの１つであるガラス−セラミック、あるいエポキシ系樹脂をはじめとする各種の樹脂としても良い。
図１，図２に示すように、キャビティ５は、平面視が円形の底面７と、かかる底面７の周囲から垂直に立設しつつ上側絶縁層Ｓ１を貫通し且つ基板本体２の表面３に開口する円筒形の側面６と、を有し、全体がほぼ円柱形を呈する。
【００１５】
また、キャビティ５の側面６のほぼ全面には、一対の光反射層１２が全体をほぼ円柱形にして形成されている。かかる光反射層１２は、側面６に接するＷ、Ｍｏ、Ａｇ、またはＣｕからなる金属層と、その上にＮｉメッキ層およびＡｕメッキ層を介して形成され且つ表層となるＡｇメッキ層など（何れも図示せず）と、からなる。
図１，図２に示すように、キャビティ５の側面６に形成され且つ一対の光反射層１２を基板本体２の厚み方向に沿って分割するように、一対の凹溝１０がキャビティ５に対して対称に形成されている。かかる一対の凹溝１０は、断面コ字形を呈し、基板本体２の厚み方向に沿って、同じ矩形の断面形状を有し、その底面と一対の側面とには、基板本体２の前記セラミックが露出している。
【００１６】
前記キャビティ５、一対の凹溝１０、および一対の光反射層１２は、次のようにして形成される。
先ず、焼成により追って上側絶縁層Ｓ１となる単層または複層のグリーンシート、あるいは大版のグリーンシートにより得られた上側グリーンシート（積層体）に、最小限のクリアランスを介するパンチおよびダイによる打ち抜き加工により、円柱形の貫通孔を形成する。予め、円柱形のパンチおよびダイの受入孔には、一対の凸条や凹溝が上記クリアランスを含んで形成されている。次いで、かかる上側グリーンシートにおける一対の凹溝１０を有する貫通孔の側面（内周面）に、Ｗ、Ｍｏ、Ａｇ、またはＣｕからなる金属層を、導電性ペーストでコーティングする。この際、一対の凹溝１０の開口部は、マスキングで覆われている。
【００１７】
次に、上側グリーンシート（上側絶縁層）の下に、追って焼成により下側絶縁層Ｓ２となる平坦な下側グリーンシート（積層体）を積層して、キャビティ５を形成する。更に、上記金属層の上に、Ｎｉメッキ、Ａｕメッキ、およびＡｇメッキなどを施すことで、キャビティ５、凹溝１０、および光反射層１２を、煩雑な工数を要さず容易に形成できる。
尚、前記打ち抜き加工を凸条などのない円柱形のパンチとダイの受入孔とを用いて、円柱形の貫通孔を上側グリーンシート（積層体）に形成し、かかる貫通孔の側面にＷなどからなる金属層を形成した後、かかる金属層を含めてバイトおよび受け型により、貫通孔の側面を切除した後、前記各メッキを施すことで、前記キャビティ５、凹溝１０、および光反射層１２を形成することも可能である。
【００１８】
図１，図２に示すように、キャビティ５の底面７上には、Ｗ、Ｍｏ、Ａｇ、またはＣｕからなり且つ互いに異なる回路を形成する一対のパッド（導体層）１４，１５が、底面７の中央に位置する発光ダイオード８の実装エリアを挟みつつ離間して形成される。
また、キャビティ５の底面７の上方には、追って、ロウ材９またはエポキシ系樹脂の接着剤を介して、発光ダイオード８が実装される。その際に、発光ダイオード８と一対のパッド１４，１５との間でボンディングワイヤｗが個別に結線される。かかるキャビティ５内には、図２中の一点鎖線で示すように、固化前の封止用樹脂ｊが充填され、その表面が基板本体２の表面３と面一にして固化される。尚、上記ロウ材９は、例えば、Ｓｎ−Ａｇ系などの低融点合金からなる。
【００１９】
更に、図１，２に示すように、パッド１４，１５には、下側絶縁層Ｓ２を貫通するビア導体１６，１７が個別に接続され、各ビア導体１６，１７は、上側・下側絶縁層Ｓ１，Ｓ２の内部に形成される図示なしい配線層と個別に接続される。また、ビア導体１６，１７は、基板本体２の裏面４に形成される一対の裏面電極１８，１９に個別にも接続されている。
尚、図２で左側に位置するパッド１４、配線層（図示せず）、ビア導体１６、および裏面電極１８は、例えば接地回路を形成する。また、図２で右側に位置するパッド１５、配線層（図示せず）、ビア導体１７、および裏面電極１９は、例えば信号回路を形成する。上記パッド１４，１５、配線層、ビア導体１６，１７、および裏面電極１８，１９は、Ｗ、Ｍｏ、Ａｇ、またはＣｕからなる。
【００２０】
以上のような配線基板１によれば、ほぼ円柱形のキャビティ５の側面６に光反射層１２を基板本体２の厚み方向に沿って分割し且つセラミックが露出する一対の凹溝１０が形成されている。このため、追ってキャビティ５の底面７に発光ダイオード８を実装し且つキャビティ５内に封止用樹脂ｊを充填して固化した際に、かかる固化した封止用樹脂ｊと各凹溝１０内に露出するセラミックとが強固に密着する。また、一対の凹溝１０は、光反射層１２を少ない面積で分割するため、光の反射効率を低下させない。しかも、上記凹溝１０は、基板本体２のうち、キャビティ５を形成するための単層または複層の絶縁層を得るに際し、かかる絶縁層を打ち抜き加工する時に、同時に形成することも可能である。
従って、追って充填される封止用樹脂ｊが強固にキャビティ５内に密着し、実装した発光ダイオード８からの光を効率良く反射できると共に、製造も容易となる。
【００２１】
図３は、前記配線基板１の変形形態である配線基板１ａを示す平面図である。
配線基板１ａは、図３に示すように、前記と同様な基板本体２ａ、かかる基板本体２ａの表面３に開口し且つ底面７ａに発光ダイオード８が実装されるキャビティ５ａ、かかるキャビティ５ａの長円筒形を呈する側面６ａのほぼ全面に形成される光反射層１２ａ、および側面６ａの各長辺中央に形成される一対の凹溝（溝）１０ａと、を備えている。以下においては、前記配線基板１と相違する部分を説明する。
図３に示すように、キャビティ５ａは、平面視が長円形の底面７ａと、かかる底面７ａの周囲から垂直に立設しつつ前記上側絶縁層Ｓ１を貫通し且つ基板本体２ａの表面３に開口する長円筒形の側面６ａと、を有し、全体がほぼ長円柱形を呈する。
【００２２】
図３に示すように、キャビティ５ａの側面６ａに形成され且つ一対の光反射層１２ａを基板本体２ａの厚み方向に沿って分割するように、一対の凹溝１０ａが側面６ａの各長辺中央の位置で且つキャビティ５ａに対して対称に形成されている。かかる一対の凹溝１０ａも、基板本体２ａの厚み方向に沿って、同じ矩形の断面形状を有し、その底面と一対の側面とには、基板本体２の前記セラミックが露出している。以上のようなキャビティ５ａ、一対の光反射層１２ａ、および一対の凹溝１０ａは、前記と同様な方法で形成される。
【００２３】
以上のような配線基板１ａによれば、ほぼ長円柱形のキャビティ５ａの側面６ａに光反射層１２ａを分割し且つセラミックが露出する一対の凹溝１０ａが形成されている。このため、追ってキャビティ５ａの底面７ａに発光ダイオード８を実装し且つ封止用樹脂ｊを充填・固化した際に、かかる封止用樹脂ｊと各凹溝１０ａ内に露出するセラミックとが強固に密着する。また、一対の凹溝１０ａは少面積のため、光反射層１２ａの反射効率を低下させない。更に、上記凹溝１０ａも、前記と同様に容易に形成することができる。
従って、充填される封止用樹脂ｊが強固にキャビティ５ａ内に密着し、実装した発光ダイオード８からの光を効率良く反射できると共に、製造も容易となる。
【００２４】
図４は、前記配線基板１の異なる変形形態である配線基板１ｂを示す平面図である。
配線基板１ｂは、図４に示すように、前記と同様な基板本体２ｂ、かかる基板本体２ｂの表面３に開口し且つ底面７ｂに発光ダイオード８が実装されるキャビティ５ｂ、かかるキャビティ５ｂの楕円筒形を呈する側面６ｂのほぼ全面に形成される光反射層１２ｂ、および側面６ｂの各長円弧辺の中央に形成される一対の凹溝（溝）１０ｂと、を備えている。以下においては、前記配線基板１と相違する部分を説明する。
図４に示すように、キャビティ５ｂは、平面視が楕円形の底面７ｂと、かかる底面７ｂの周囲から垂直に立設しつつ前記上側絶縁層Ｓ１を貫通し且つ基板本体２ｂの表面３に開口する長円筒形の側面６ｂと、を有し、全体がほぼ楕円柱形を呈する。
【００２５】
図４に示すように、キャビティ５ｂの側面６ｂに形成され且つ一対の光反射層１２ｂを基板本体２ｂの厚み方向に沿って分割するように、一対の凹溝１０ｂが側面６ａの各長円弧辺中央の位置で且つキャビティ５ｂに対して対称に形成されている。かかる一対の凹溝１０ｂも、基板本体２ｂの厚み方向に沿って、同じ矩形の断面形状を有し、その底面と一対の側面とには、基板本体２の前記セラミックが露出している。以上のようなキャビティ５ｂ、一対の光反射層１２ｂ、および一対の凹溝１０ｂは、前記と同様な方法で形成される。
【００２６】
以上のような配線基板１ｂによれば、ほぼ楕円柱形のキャビティ５ｂの側面６ｂに光反射層１２ｂを分割し且つセラミックが露出する一対の凹溝１０ｂが形成されている。このため、追ってキャビティ５ｂの底面７ｂに発光ダイオード８を実装し且つ封止用樹脂ｊを充填・固化した際に、この封止用樹脂ｊと各凹溝１０ｂ内で露出するセラミックとが強固に密着する。また、一対の凹溝１０ｂは少面積のため、光反射層１２ｂの反射効率を低下させない。更に、上記凹溝１０ｂも、前記と同様に容易に形成することができる。
従って、充填される封止用樹脂ｊが強固にキャビティ５ｂ内に密着し、実装した発光ダイオード８からの光を効率良く反射できると共に、製造も容易となる。
【００２７】
図５は、異なる形態の配線基板２０を示す平面図、図６は、図５中のＹ−Ｙ線の矢視に沿った断面図である。
配線基板２０は、図５，図６に示すように、表面２３および裏面２４を有する基板本体２２と、かかる基板本体２２の表面２３に開口し且つ底面２７に発光ダイオード（発光素子）８を実装するキャビティ２５と、かかるキャビティ２５の側面２６に形成される光反射層３２と、キャビティ２５の側面２６に形成される一対の凹溝（溝）３０と、を備えている。
基板本体２２は、前記基板本体２と同様なサイズで且つ前記同様のセラミック（絶縁材）からなる上側絶縁層Ｓ１および下側絶縁層Ｓ２からなると共に、上側絶縁層Ｓ１は、２層のセラミック層ｓ１，ｓ２を積層したものである。
【００２８】
図５，図６に示すように、キャビティ２５は、平面視が円形の底面２７と、かかる底面２７の周囲から斜め上方に傾斜しつつ上側絶縁層Ｓ１を貫通し且つ基板本体２２の表面２３に開口するほぼ円錐形の側面２６と、を有し、全体がほぼ円錐形を呈する。かかるキャビティ２５の側面２６のほぼ全面には、前記同様の一対の光反射層３２が、全体をほぼ円錐形にして形成されている。
図５，図６に示すように、キャビティ２５の側面２６に形成され且つ一対の光反射層３２を基板本体２２の厚み方向に沿って分割するように、一対の凹溝３０がキャビティ２５に対して対称に形成されている。かかる一対の凹溝３０は、基板本体２２の厚み方向に沿って、２つの同じ直角三角形を各斜辺で上下に連ねた階段状に形成され、中間の段部３１を含む内面には、基板本体２２の前記セラミックが露出している。
【００２９】
前記キャビティ２５、一対の凹溝３０、および一対の光反射層３２は、次のようにして形成される。
先ず、焼成により追って上側絶縁層Ｓ１となる２層のグリーンシートごとに、所要のクリアランスを介するパンチおよびダイによる打ち抜き加工により、ほぼ円錐形の貫通孔を、各グリーンシートごとに異なる内径で形成する。あるいは、最小限のクリアランスを介する打ち抜き加工により、円柱形で内径の異なる貫通孔を形成した後、各貫通孔ごとに専用の円錐形の金型を押し込むことで、ほぼ円錐形の貫通孔を、各グリーンシートごとに異なる内径で形成する。
次に、各グリーンシートにおけるほぼ円錐形の各貫通孔の側面（内周面）に、前記同様の金属層をコーティングする。
【００３０】
次いで、２層の上記グリーンシートごとに、各貫通孔の金属層を含む傾斜した側面に対し、バイトおよび受け型により、かかる貫通孔の側面の一部を個別に切除して、一定幅で且つ側面視が直角三角形の切り欠きを個別に形成する。
更に、２層の前記グリーンシートを、ほぼ円錐形の各貫通孔を同心で積層し、上側グリーンシート（上側絶縁層）を得る。この際、各グリーンシートの切り欠きも位置合わせの目印となる。
【００３１】
そして、上側グリーンシートの下に、追って焼成により下側絶縁層Ｓ２となる平坦な下側グリーンシート（積層体）を積層して、ほぼ円錐形のキャビティ２５を形成する。最後に、前記金属層の上に、Ｎｉメッキ、Ａｕメッキ、およびＡｇメッキなどを施す。
この結果、キャビティ２５、段部３１を含む階段形である一対の凹溝３０、および一対の光反射層３２を、煩雑な工数を要さずに形成できる。
図５，図６に示すように、キャビティ２５の底面２７には、前記同様のパッド１４，１５が、基板本体２２の内部には、前記同様のビア導体１６，１７および配線層（図示せず）が、基板本体２２の裏面２４には、前記同様の裏面導体１８，１９がそれぞれ形成されている。
【００３２】
以上のような配線基板２０によれば、ほぼ円錐形のキャビティ２５の側面２６に光反射層３２を基板本体３２の厚み方向に沿って分割し且つセラミックが露出する一対の凹溝３０が形成されている。このため、追ってキャビティ２５の底面２７に発光ダイオード８を実装し且つキャビティ２５内に封止用樹脂ｊを充填・固化した際に、固化した封止用樹脂ｊと階段状の各凹溝３０内に露出するセラミックとが強固に密着する。また、凹溝３０が階段状であるため、基板本体２２において、上側絶縁体Ｓ１のセラミック層ｓ１，ｓ２間と、上側絶縁体Ｓ１と下側絶縁層Ｓ２との間に形成する配線層のスペースを確保できる。更に、凹溝３０は少面積のため、光反射層３２の反射効率を低下させない。しかも、上記凹溝３０は、基板本体２のうち、キャビティ３５を形成するための２層のセラミック層ｓ１，ｓ２からなる上側絶縁体Ｓ１を得るに際し、２層のグリーンシートを個別に打ち抜き加工し且つ切削加工した後、積層することで形成可能である。
【００３３】
従って、配線基板２０によれば、追って充填される封止用樹脂ｊが強固にキャビティ２５内に密着し、発光ダイオード８からの光を効率良く反射できると共に、製造も容易となる。
尚、前記上側絶縁体Ｓ１を形成するセラミック層を３層以上とし、段部３１を２つ以上有する凹溝３０としても良い。
また、前述した方法により、キャビティが平面視でほぼ長円錐形または楕円錐形を呈し、こらの各長辺の中央または長円弧辺の中央に、光反射層３２を基板本体２２の厚み方向に沿って分割する階段状の凹溝３０を形成した配線基板を得ることも可能である。かかる配線基板も前記配線基板２０と同様の効果を奏する。
【００３４】
本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
基板本体を形成する前記セラミックの上側・下側絶縁層Ｓ１，Ｓ２に替えて、ガラス−セラミック（絶縁材）層、あるいは例えばＢＴ樹脂やエポキシ系樹脂などの樹脂（絶縁材）層を用いても良い。上記ガラス−セラミックは、焼成温度が１０００℃以下のガラス−アルミナ系などの低温焼成セラミックの１つであるガラス−セラミックである。
また、前記凹溝１０，３０は、前記キャビティ５，２５の側面６，２６に少なくとも１個を形成するか、あるいは、３個以上をほぼ等間隔に形成しても良い。
更に、前記凹溝１０，３０に替えて、断面ほぼ半円形の溝を前記同様に用いても良い。
【００３５】
また、一対の溝をキャビティの側面に対称に形成する場合、かかるキャビティの底面に設けられ且つ互いに異なる回路を形成する一対の導体層と、一対の溝により分割された一対の光反射層とを、並列に導通させても良い。この場合、一対の溝は、異なる回路を形成する一対の光反射層間の絶縁を確保する。上記一対の導体層は、キャビティの底面に左右対称に形成され、当該底面に沿って基板本体の内部に進入して、一部の配線層を形成する形態としても良い。上記一対の導体層の一方または双方は、発光ダイオード（発光素子）８の下側まで延在し、これと直に導通する形態としても良い。
更に、キャビティは、１つの基板本体に複数個を併設して形成しても良い。あるいは、同一の基板本体に異なる形状のキャビティを併設して形成しても良い。
加えて、前記発光素子は、発光ダイオードに替え、半導体レーザとしても良い。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明における一形態の配線基板を示す平面図。
【図２】図１中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った断面図。
【図３】上記配線基板の変形形態を示す図１と同様な平面図。
【図４】上記配線基板の異なる変形形態を示す図１と同様な平面図。
【図５】異なる形態の配線基板を示す平面図。
【図６】図５中のＹ−Ｙ線の矢視に沿った断面図。
【符号の説明】
【００３７】
１，１ａ，１ｂ，２０…………発光素子実装用配線基板
２，２ａ，２ｂ，２２…………基板本体
３，２３…………………………表面
４，２４…………………………裏面
５，５ａ，５ｂ，２５…………キャビティ
６，６ａ，６ｂ，２６…………側面
７，７ａ，７ｂ，２７…………底面
８…………………………………発光ダイオード（発光素子）
１０，３０………………………凹溝（溝）
１２，１２ａ，１２ｂ，３２…光反射層
Ｓ１，Ｓ２………………………上側・下側絶縁層（絶縁材）
ｓ１，ｓ２………………………セラミック層（絶縁材）
【図１】
2006237049.tif 000003
【図２】
2006237049.tif 000004
【図３】
2006237049.tif 000005
【図４】
2006237049.tif 000006
【図５】
2006237049.tif 000007
【図６】
2006237049.tif 000008