(57)【要約】【課題】受光部と拡散遮蔽用領域との間に入射する光に起因する裾引きを低減できるフォトダイオードを提供する。【解決手段】パッシベーション膜１５は、半導体領域１３の主面１３ａ上に設けられている。反射膜１７は、パッシベーション膜１５の反射率より大きい反射率を有しており、半導体領域１３の主面１３ａ上に設けられている。第２導電型半導体領域２９は、第２導電型半導体領域２７の周囲に第２導電型半導体領域２７から離間して設けられている。第２導電型半導体領域２７は主面１３ａの第１のエリア１４ａに現れている。第２導電型半導体領域２９は主面１３ａの第１のエリア１４ａを囲む第２のエリア１４ｂに現れている。第２導電型半導体領域２９は半導体領域１３の側面１３ｂに現れている。反射膜１７は、第１のエリア１４ａと第２のエリア１４ｂとの間に位置する第３のエリア１４ｃ上に位置する。【選択図】図１
2006245432.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の波長帯内の信号光を受光するためのフォトダイオードであって、
第１導電型の半導体基板上に設けられており第１のIII−Ｖ化合物半導体から成る第１導電型の受光層と、前記受光層上に設けられており第２のIII−Ｖ化合物半導体から成る第１導電型の窓層とを含み主面を有する半導体領域と、
前記半導体領域の前記主面上に設けられたパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜の反射率より大きい反射率を有しており前記半導体領域の前記主面上に設けられた反射膜と
を備え、
前記半導体領域は、前記受光層および前記窓層内に設けられた第１の第２導電型半導体領域と、前記第１の第２導電型半導体領域の周囲に前記第１の第２導電型半導体領域から離間して前記受光層および前記窓層内に設けられた一又は複数の第２の第２導電型半導体領域とを含み、
前記第２の第２導電型半導体領域は前記半導体領域の側面に設けられており、
前記第１の第２導電型半導体領域は前記主面の第１のエリアに設けられており、
前記第２の第２導電型半導体領域は前記主面の前記第１のエリアを囲む第２のエリアに設けられており、
前記反射膜は、前記第１のエリアと前記第２のエリアとの間に位置する第３のエリア上に位置している、フォトダイオード。
【請求項２】
前記反射膜の反射率は、前記所定の波長帯において９０％以上である、ことを特徴とする請求項１に記載されたフォトダイオード。
【請求項３】
前記主面は、前記半導体領域のエッジに沿って伸びる第４のエリアを有しており、
前記第２の第２導電型半導体領域は前記第４のエリアに設けられており、
前記パッシベーション膜および前記反射膜は前記第４のエリアよりも内側のエリアに設けられている、ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載されたフォトダイオード。
【請求項４】
前記パッシベーション膜は、前記半導体領域の前記主面におけるｐｎ接合を覆うシリコン窒化膜を含む、ことを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載されたフォトダイオード。
【請求項５】
前記反射膜は、前記パッシベーション膜上に設けられた誘電体多層膜からなる、ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載されたフォトダイオード。
【請求項６】
前記誘電体多層膜はアルミナ層と非晶質シリコン層を含み、
前記アルミナ層と前記非晶質シリコン層は交互に配列されている、ことを特徴とする請求項５に記載されたフォトダイオード。
【請求項７】
前記受光層は、ＩｎＧａＡｓ半導体から成り、
前記窓層はＩｎＰ半導体から成る、ことを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載されたフォトダイオード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトダイオードに関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１にはフォトダイオードチップが記載されている。このフォトダイオードチップは、エピタキシャル層内に設けられたｐ型アノード領域と、アノード領域の周囲に設けられたｐ型領域とを有する。第１のｐｎ接合領域は、ｐ型アノード領域とエピタキシャル層との界面に形成される。第２のｐｎ接合領域は、ｐ型領域とエピタキシャル層との界面に形成される。第１のｐｎ接合領域は受光部であり、その上には光電流を出力するための電極が設けられている。第２のｐｎ接合領域上に電極はない。第２の接合領域はフォトダイオードチップの端面にまで達している。第１の受光領域の周囲に入射した光により発生するキャリアは、第２のｐｎ接合の界面近傍又はチップ端面に露出した部分で消滅してしまう。このため、裾引き現象が抑制され、フォトダイオードチップの光応答速度が向上される。
【特許文献１】特開２００２−５７３６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
このようなフォトダイオードチップでは、光通信のための信号光は、受光部だけでなく、受光部以外の領域に入射する。受光部以外の領域に入射した光も電子正孔対を生成するけれども、このキャリアは、受光部の周囲を取り囲むように設けられた拡散遮蔽領域（例えば、ｐ＋領域）により構成されておりチップ端面に露出する第２のｐｎ接合領域において再結合する。これによって、上記キャリアが受光部に流れ込むことを防止して、出力信号に裾引きが生じることを抑制している。
【０００４】
しかしながら、発明者の観察によれば、これだけでは裾引きを充分に低減できずに微小な裾引きが残っている。この裾引きは、特に、高速応答（例えば２．５ＧＨｚや１０ＧＨｚなど１ＧＨｚ以上の高速応答）が求められるとき顕在化する。
【０００５】
この裾引きを検討した結果、ｐ＋半導体から成る受光部と該受光部周囲に設けられた拡散遮蔽用ｐ＋領域との間の窓層に入射した光が原因であることを見いだした。このフォトダイオードでは、受光部とｐ＋領域は、２つのｐ＋領域を分離するためのマスクを用いて単一の不純物導入工程で形成される。つまり、受光部とｐ＋領域との間には、このマスクの幅に相当する窓層の隙間がある。この隙間部分に入射した光も電子正孔対を生成し、このキャリアは拡散して受光部に流れ込み、結果として光電流として検出される。発明者は、受光部に流れ込むこの余分な光電流が裾引き成分として観測されることを見いだした。
【０００６】
マスクには、最低でも１０μｍ程度の幅が必要である。この幅は、受光部にバイアス電圧を印加して空乏層が広がった時に、空乏層が拡散遮蔽用ｐ＋領域に到達しないように決定される。受光部の空乏層が周囲のｐ＋領域に到達すると、拡散遮蔽用ｐ＋領域から受光部へキャリアが流れ込んでしまう。受光部と拡散遮蔽用ｐ＋領域が短絡状態となりチップ端面に露出したｐｎ接合を通じて電流がリークしてしまう。
【０００７】
本発明は、このような事情を鑑みてなされたものであり、受光部と拡散遮蔽用領域との間に入射する光に起因する裾引きを低減できるフォトダイオードを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一側面は、所定の波長帯内の信号光を受光するためのフォトダイオードに係る。このフォトダイオードは、（ａ）第１導電型の半導体基板上に設けられており第１のIII−Ｖ化合物半導体から成る受光層と、前記受光層上に設けられており第２のIII−Ｖ化合物半導体から成る窓層とを含み主面を有する半導体領域と、（ｂ）前記半導体領域の前記主面上に設けられたパッシベーション膜と、（ｃ）前記パッシベーション膜の反射率より大きい反射率を有しており前記半導体領域の前記主面上に設けられた反射膜とを備え、前記半導体領域は、前記受光層および前記窓層内に設けられた第１の第２導電型半導体領域と、前記第１の第２導電型半導体領域の周囲に前記第１の第２導電型半導体領域から離間して前記受光層および前記窓層内に設けられた一又は複数の第２の第２導電型半導体領域とを含み、前記第１の第２導電型半導体領域は前記主面の第１のエリアに設けられており、前記第２の第２導電型半導体領域は前記主面の前記第１のエリアを囲む第２のエリアに設けられており、前記第２の第２導電型半導体領域は前記半導体領域の側面に設けられており、前記反射膜は、前記第１のエリアと前記第２のエリアとの間に位置する第３のエリア上に位置している。
【０００９】
このフォトダイオードによれば、第１のエリアにある第１の第２導電型半導体領域へ向けて入射する光は信号電流を生成する。第２のエリアにある第２の第２導電型半導体領域へ向けて入射する光は第２の第２導電型半導体領域のｐｎ接合付近で電子正孔対を生成するけれども、この電子正孔対は、第１の第２導電型半導体領域へ流れ込むこと無く、第２の第２導電型半導体領域が現れている半導体領域の側面で消滅する。これ故に、第２の第２導電型半導体領域へ向けて入射する光によって、フォトダイオードからの光電流に裾引きを生じることはない。また、第１の第２導電型半導体領域と第２の第２導電型半導体領域との間隙にある第３のエリアへ向かう光は、反射膜によって反射されて、実質的に半導体領域に入射しないので、フォトダイオードからの光電流に寄与しない。これ故に、第３のエリアへ向かう光によって生じる裾引きが低減される。
【００１０】
本発明に係るフォトダイオードでは、前記反射膜の反射率は、前記所定の波長帯において９０％以上であることが好ましい。反射膜の反射率が９０％以上であれば、１．３μｍ帯および１．５５μｍ帯の光通信の伝送レートに好適なフォトダイオードが提供される。
【００１１】
本発明に係るフォトダイオードでは、前記主面は、前記半導体領域のエッジに沿って伸びる第４のエリアを有しており、前記第２の第２導電型半導体領域が前記第４のエリアに設けられており、前記パッシベーション膜および前記反射膜は前記第４のエリアよりも内側のエリアに設けられていることが好ましい。
【００１２】
このフォトダイオードによれば、ウエハからフォトダイオードのチップを作製するために、パッシベーション膜を取り除いた第４のエリアの一部または全部をスクライブ領域として利用できる。フォトダイオードの第４のエリアへ入射する光は、第２の第２導電型半導体領域の接合付近で電子正孔対を生成するけれども、この電子正孔対は第１の第２導電型半導体領域へ流れ込まない。
【００１３】
本発明に係るフォトダイオードでは、前記パッシベーション膜は、前記半導体領域の前記主面におけるｐｎ接合を覆うシリコン窒化膜を含むことが好ましい。シリコン窒化膜を用いて接合を覆うので、窓層の表面に生じる可能性のあるリーク電流が低減されることができる。
【００１４】
本発明に係るフォトダイオードでは、前記反射膜は、前記パッシベーション膜上に設けられた誘電体多層膜からなる。誘電体多層膜を用いると、高反射率の反射膜が得られる。
【００１５】
本発明に係るフォトダイオードでは、前記誘電体多層膜はアルミナ層と非晶質シリコン層を含み、前記アルミナ層と前記非晶質シリコン層は交互に配列されていることができる。この誘電体多層膜によれば、所定の波長範囲において９０％以上の反射率を示す反射膜を提供できる。
【００１６】
本発明に係るフォトダイオードでは、前記受光層はＩｎＧａＡｓ半導体から成り、前記窓層はＩｎＰ半導体から成ることができる。１．５５μｍ帯の光通信に好適なフォトダイオードが提供される。
【００１７】
本発明の上記の目的および他の目的、特徴、並びに利点は、添付図面を参照して進められる本発明の好適な実施の形態の以下の詳細な記述から、より容易に明らかになる。
【発明の効果】
【００１８】
以上説明したように、本発明によれば、受光部と拡散遮蔽用領域との間に入射する光に起因する裾引きを低減できるフォトダイオードを提供することを目的とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明の知見は、例示として示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解できる。引き続いて、添付図面を参照しながら、本発明のフォトダイオードに係る実施の形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。
【００２０】
（第１の実施の形態）
図１は、第１の実施の形態に係るフォトダイオードを示す図面である。このフォトダイオード１１は、半導体領域１３と、パッシベーション膜１５と、反射膜１７とを備える。半導体領域１３は、受光層２１および窓層２３を含む。受光層２１は、第１導電型の半導体基板２５上に設けられており、また第１のIII−Ｖ化合物半導体から成る。窓層２３は、受光層２１上に設けられており、また第１のIII−Ｖ化合物半導体の禁制帯幅より大きい禁制帯幅を有する第２のIII−Ｖ化合物半導体から成る。パッシベーション膜１５は、半導体領域１３の主面１３ａ上に設けられている。反射膜１７は、パッシベーション膜１５の反射率より大きい反射率を有しており、半導体領域１３の主面１３ａ上に設けられている。半導体領域１３は、第１の第２導電型半導体領域２７および一又は複数の第２の第２導電型半導体領域２９とを含む。第１の第２導電型半導体領域２７は、受光層２１および窓層２３内に設けられている。第２の第２導電型半導体領域２９は、第１の第２導電型半導体領域２７の周囲に第１の第２導電型半導体領域２７から離間して受光層２１および窓層２３内に設けられている。第１の第２導電型半導体領域２７は主面１３ａの第１のエリア１４ａに現れている。第２の第２導電型半導体領域２９は主面１３ａの第１のエリア１４ａを囲む第２のエリア１４ｂに現れている。第２の第２導電型半導体領域２９は半導体領域１３の側面１３ｂに現れている。反射膜１７は、第１のエリア１４ａと第２のエリア１４ｂとの間に位置する第３のエリア１４ｃ上に位置している。
【００２１】
図２（Ａ）は、所定の波長帯内に信号光を受光するための光通信用フォトダイオードの動作を示す図面である。フォトダイオード１１によれば、第１のエリア１４ａにある第１の第２導電型半導体領域２７へ向けて入射する光Ｌ１は、第１の第２導電型半導体領域２７の接合付近Ｊ１において信号電流を生成する。第２のエリア１４ｂにある第２の第２導電型半導体領域２９へ向けて入射する光Ｌ２は、第２の第２導電型半導体領域２９の接合付近Ｊ２で電子正孔対を生成するけれども、この電子正孔対は、第１の第２導電型半導体領域２７へ流れ込まずに、第２の第２導電型半導体領域２９が現れた半導体領域側面１３ｂにおいて消滅する。これ故に、光Ｌ２（第２の第２導電型半導体領域２９へ向けて入射する）によって、フォトダイオード１１からの光電流に裾引きを生じることはない。また、第１の第２導電型半導体領域と第２の第２導電型半導体領域との間隙にある第３のエリア１４ｃへ向かう光Ｌ３は、パッシベーション膜１５上の反射膜１７によって反射されて反射光ＬＲになるので、光電流に寄与しない。これ故に、光Ｌ３（第３のエリア１４ｃへ向かう）によって、フォトダイオード１１からの光電流に裾引きを生じることはない。
【００２２】
図２（Ｂ）は、本実施の形態に係るフォトダイオードと異なる構造の光通信用フォトダイオードの動作を示す図面である。このフォトダイオードの構成を簡単に説明する。このフォトダイオード４０では、受光層４１および窓層４３は、第１導電型の半導体基板２５上に設けられおり、それぞれ、第１および第２のIII−Ｖ化合物半導体から成る。パッシベーション膜４５は、窓層４３上に設けられている。第１の第２導電型半導体領域４７および第２の第２導電型半導体領域４９は、受光層４１および窓層４３内に設けられている。フォトダイオード４１によれば、第１の第２導電型半導体領域４７へ向けて入射する光Ｌ５は、第１の第２導電型半導体領域４７の接合付近Ｊ３において信号電流を生成する。第２の第２導電型半導体領域４９へ向けて入射する光Ｌ６は、第２の第２導電型半導体領域４９の接合付近Ｊ４で電子正孔対を生成するけれども、この電子正孔対は、第１の第２導電型半導体領域４７へ流れ込まない。また、第１の第２導電型半導体領域４７と第２の第２導電型半導体領域４９との間隙にあるパッシベーション膜４５へ向かう光Ｌ７の一部は、パッシベーション膜４５を透過して、受光層４１と窓層４３との接合付近Ｊ５において電子正孔対を生成する。この電子正孔対の一部は、第１の第２導電型半導体領域４７へ流れ込み、この結果、光電流に裾引きが生じる。
【００２３】
再び図１を参照すると、フォトダイオード１１は、第２導電型半導体領域２７と接続される第１の電極３７（例えば、アノード電極）と、半導体基板２５の裏面に形成される第２の電極３９（例えば、カソード電極）とを備える。また、フォトダイオード１１は、必要に応じて、半導体基板２５上に設けられたＩｎＰバッファ層３５を含むことができる。
【００２４】
フォトダイオード１１では、反射膜１７は、パッシベーション膜１５上に設けられた誘電体多層膜からなることが好ましい。また、パッシベーション膜１５として、拡散マスクのためにシリコン窒化膜を用いることができる。ＳｉＮ膜はパッシベーション膜として好適に機能して、ＩｎＰ窓層表面での電流リークを低減する。ＳｉＮ膜を含むパッシベーション膜により、暗電流の増加を抑えと共に、フォトダイオード素子の信頼性の悪化を防ぐことができる。フォトダイオード１１では、パッシベーション膜１５としても用いられる拡散マスクを高反射膜（ＨＲ膜）で覆い、高反射膜に光が当たっても受光素子内に光が侵入しないようにした。
【００２５】
図１に示されるように、反射膜１７はアルミナ層３１と非晶質シリコン層３３から成る誘電体多層膜を含み、アルミナ層３１と非晶質シリコン層３３は交互に配列されていることができる。この誘電体多層膜によれば、所定の通信波長範帯域において９０％以上の反射率を示す反射膜を提供できる。
一例として、ＳｉＮパッシベーション膜上に順に形成された誘電体多層膜の構造には、下記の構造
Ａｌ２Ｏ３膜：１８０ｎｍ
アモルファスシリコン膜：９０ｎｍ
Ａｌ２Ｏ３膜：１６０ｎｍ
アモルファスシリコン膜：１００ｎｍ
Ａｌ２Ｏ３膜：１８０ｎｍ
を用いることができる。
【００２６】
フォトダイオード１１では、反射膜１７の反射率は、一又は複数の波長成分を含む所定の波長帯において９０％以上であることが好ましい。反射膜１７の反射率が９０％以上であれば、１．３μｍ帯および／または１．５５μｍ帯の光通信の高伝送レートに好適なフォトダイオードが提供される。図３（Ａ）および図３（Ｂ）は、誘電体多層膜構造の反射膜の反射スペクトルの一例を示す図面である。図３（Ｂ）に示されるように、この反射スペクトルによれば、１２００ｎｍ〜１４００ｎｍの波長範囲で９０％以上の反射率が提供される。反射率が９０％以上なので、透過光は１０％以下になる。反射膜が全く無い場合に比べて、入射する光の量を十分の一以下にできるので、裾引きが１０ｄＢ以上改善できる。拡散遮蔽構造により２０ｄＢ、反射膜の効果により１０ｄＢの改善が得られ、合計３０ｄＢ以上の裾引き改善効果がある。
１．３μｍ帯用のフォトダイオードでは、例えば1250ｎｍ〜1350ｎｍの波長範囲で９０％以上の反射率が提供されることが好ましい。また１．５５μｍ帯用のフォトダイオードでは、例えば1500ｎｍ〜1600ｎｍの波長範囲で９０％以上の反射率が提供されることが好ましい。
【００２７】
フォトダイオード１１では、パッシベーション膜１５は半導体領域１３に主面１３ａに現れており第２導電型半導体領域２７と窓層２３とから成る接合Ｊ０を覆い、接合を保護することが好ましい。シリコン窒化膜を用いて接合を覆えば、窓層２３の表面に生じる可能性のあるリーク電流を低減できる。
【００２８】
フォトダイオード１１では、パッシベーション膜１５および反射膜１７は、半導体領域１３のエッジ１３ｃに沿って伸びる第４のエリア１４ｄにはなく、第４のエリア１４ｄには第２導電型半導体領域２９が現れている。このフォトダイオードによれば、ウエハからフォトダイオード１１のチップを作製するために、パッシベーション膜１５を取り除いた第４のエリア１４ｄの一部をスクライブ領域として利用できる。また、フォトダイオード１１の第４のエリア１４ｄへ入射する光は、第２導電型半導体領域２９の接合付近で電子正孔対を生成するけれども、該電子正孔対は第２導電型半導体領域２７へ流れ込まない。
【００２９】
フォトダイオード１１では、受光層２１はＩｎＧａＡｓ半導体から成り、窓層２３はＩｎＰ半導体から成ることができる。１．３μｍ帯および１．５５μｍ帯の光通信に好適なフォトダイオードが提供される。
【００３０】
図４（Ａ）〜図４（Ｄ）を参照しながら、フォトダイオードの一実施例の作製を説明する。図４（Ａ）に示されるように、ｎ型ＩｎＰウエハ（Ｓドープ、厚さ３５０μｍ、キャリア濃度３×１０１８ｃｍ−３）６１上に、ｎ型ＩｎＰバッファ層６３（Ｓｉドープ、厚さ２μｍ、キャリア濃度１×１０１７ｃｍ−３）、ノンドープＩｎＧａＡｓ受光層６５（厚さ３μｍ、キャリア濃度１×１０１５ｃｍ−３）、ノンドープＩｎＰ窓層６７（厚さ１．５μｍ、キャリア濃度１×１０１５ｃｍ−３）を有機金属気相成長（ＭＯＶＰＥ）法でエピタキシャル成長する。
【００３１】
図４（Ｂ）に示されるように、パッシベーション膜を形成するためにＳｉＮ膜７１（厚さ６０ｎｍ）をプラズマＣＶＤ法で作製して、半導体領域６９の全面を被覆する。この後に、誘電体多層膜７３をＳｉＮ膜７１全面に蒸着法で被覆する。誘電体多層膜７３は、
Ａｌ２Ｏ３膜：１９０ｎｍ
アモルファスシリコン膜：９０ｎｍ
Ａｌ２Ｏ３膜：２６０ｎｍ
アモルファスシリコン膜：１００ｎｍ
Ａｌ２Ｏ３膜：１６０ｎｍ
からなる。
【００３２】
図４（Ｃ）に示されるように、フォトリソグラフィ法を用いて
マスク７５を形成し、このマスク７５を用いて誘電体多層膜７３およびＳｉＮ膜７１にパターン形成する。パターン形成された誘電体多層膜７３ａおよびＳｉＮ膜７１ａは、受光部を取り囲むように帯形状（例えば、幅２０μｍ）を有する。マスク７５を除去した後に、誘電体多層膜７３ａおよびＳｉＮ膜７１ａを用いて受光径５０μｍの領域およびその外周部に亜鉛（Ｚｎ）を選択拡散して、受光のためのｐ型半導体領域８１と拡散遮蔽のためのｐ型半導体領域８３を形成する。ｐ型ドーパントの亜鉛を熱拡散するので、亜鉛原子は横方向にも拡散して、この結果、図４（Ｄ）に示されるように、パッシベーション膜７１ａの下にもｐ型半導体領域８１およびｐ型半導体領域８３が形成される。この後に、アノード電極７７およびカソード電極７９を形成して、フォトダイオードが完成する。誘電体多層膜７３ａで構成する反射膜の反射率を所望の波長領域において９０％以上とすることによって、裾引きは十分の一程度まで低減されたフォトダイオードが得られる。
【００３３】
以上説明したように、受光部となる第２導電型半導体領域２７と、この外側に間隔をおいて設けられた第２導電型半導体領域２９との間に現れる窓層２３に光が入射すること遮ることによって、窓層２３の第１導電型領域において電子正孔対が発生されることを防止する。これにより、１ＧＨｚ以上の高速信号を受ける際の応答において特に問題となる微小な裾引きを抑えることができる。
【００３４】
一方、第２導電型半導体領域２７にのみ光が入射するように、第１のエリア１４ａの外側のエリア全面を高反射膜（金属膜や誘電体多層膜）で覆ってしまうと、第２導電型半導体領域２９により裾引きとならない入射光まで反射光にしてしまい、不要な反射光が増加してしまう。この余分な反射光は、結果として、光ファイバやパッケージの内壁で乱反射して受光部に再入射することがある。再入射した光により、遅れて発生する光電流は応答波形を乱してしまう。これを防ぐために、受光部を選択的に残して周辺部分のエリア全面を覆うのではなく、第２導電型半導体領域２９を設けることができないエリアに限って、反射膜を用いて、半導体領域内に信号光およびノイズ光の入射を避けている。つまり、受光部に接する外周部の数十マイクロメートル幅のエリアを反射膜で被覆するので、フォトダイオードからの応答波形に乱反射による乱れが低減される。
【００３５】
好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】図１は、第１の実施の形態に係るフォトダイオードを示す図面である。
【図２】図２（Ａ）は、所定の波長帯内に信号光を受光するための光通信用フォトダイオードの動作を示す図面である。図２（Ｂ）は、フォトダイオードと異なる構造の光通信用フォトダイオードの動作を示す図面である。
【図３】図３（Ａ）および図３（Ｂ）は、誘電体多層膜構造の反射膜の反射スペクトルの一例を示す図面である。
【図４】図４（Ａ）〜図４（Ｄ）は、フォトダイオードを作製する方法を説明するための図面である。
【符号の説明】
【００３７】
１１…フォトダイオード、１３…半導体領域、１３ａ…半導体領域主面、１３ｂ…半導体領域側面、１３ｃ…半導体領域エッジ、１４ａ…第１のエリア、１４ｂ…第２のエリア、１４ｃ…第３のエリア、１４ｄ…第４のエリア、１５…パッシベーション膜、１７…反射膜、２１…受光層、２３…窓層、２５…第１導電型の半導体基板、２７…第１の第２導電型半導体領域、２９…第２の第２導電型半導体領域、３５…ＩｎＰバッファ層、３７…第１の電極、３９…第２の電極、Ｊ０、Ｊ１、Ｊ２、Ｊ３、Ｊ４、Ｊ５…接合、Ｌ１…入射する光、Ｌ２…入射する光、Ｌ３…光、Ｌ５…入射する光、Ｌ６…入射する光、Ｌ７…光、４０…フォトダイオード、４１…受光層、４３…窓層、４５…パッシベーション膜、４７、４９…第２導電型半導体領域  
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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