(57)【要約】【課題】モデルベースで補正を行ったエリアとルールベースで補正を行ったエリアの境界で発生する不要パターンを除去することができる設計パターン補正装置を提供する。【解決手段】  本発明に係る設計パターン補正装置は、半導体装置内部の設計パターンを分割して形成される複数のエリア毎に、ルールベース及びモデルベースのいずれで光近接効果の補正処理を行うかを定義するデータを保持する補正定義保持部２ａと、補正定義保持部２ａが保持するデータに従って、複数のエリアそれぞれ毎に、ルールベース又はモデルベースで光近接効果の補正処理を行う第１の補正処理部２と、ルールベースで補正処理が行われたエリアと、モデルベースで補正処理が行われたエリアの境界を認識し、該境界で生じる不要パターンを除去する第２の補正処理部８とを具備する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置内部の設計パターンを分割して形成される複数のエリア毎に、ルールベース及びモデルベースのいずれで光近接効果の補正処理を行うかを定義するデータを保持する補正定義保持部と、
前記補正定義保持部が保持するデータに従って、前記複数のエリアそれぞれ毎に、ルールベース又はモデルベースで光近接効果の補正処理を行う第１の補正処理部と、
ルールベースで補正処理が行われた前記エリアと、モデルベースで補正処理が行われた前記エリアの境界を認識し、該境界で生じる不要パターンを除去する第２の補正処理部と、
を具備する設計パターン補正装置。
【請求項２】
前記第２の補正処理部は、前記境界を一辺とする略長方形の凸部又は凹部を前記不要パターンと判断する請求項１に記載の設計パターン補正装置。
【請求項３】
前記第２の補正処理部は、幅が基準値以下又は未満である凸部又は凹部を、前記不要パターンと判断する請求項２に記載の設計パターン補正装置。
【請求項４】
前記第２の補正処理部は、前記境界を一辺とする鋭角な凸部を、前記不要パターンと判断する請求項１に記載の設計パターン補正装置。
【請求項５】
前記第２の補正処理部は、前記境界から第１の距離の範囲内に位置するパターンである第１の部分パターンを、前記第１の補正処理部が処理した後の前記設計パターンから切り出す第１の切出部と、
前記第１の部分パターンから前記不要パターンを除去する欠陥除去部と、
前記不要パターンが除去された前記第１の部分パターンから、前記境界から第２の距離の範囲内に位置するパターンである第２の部分パターンを切り出す第２の切出部と、
前記第２の部分パターンを、前記第１の補正処理部が処理した後の前記設計パターンに合成する合成部と、
を具備する請求項１〜４のいずれか一項に記載の設計パターン補正装置。
【請求項６】
前記第２の補正処理部は、前記境界から第１の距離の範囲内に位置するパターンである第１の部分パターンを、前記第１の補正処理部が処理した後の前記設計パターンから切り出す第１の切出部と、
前記第１の部分パターンから前記不要パターンを除去する欠陥除去部と、
前記不要パターンが除去された前記第１の部分パターンから、前記境界から第２の距離の範囲内に位置するパターンである第２の部分パターンを切り出す第２の切出部と、
前記第２の部分パターンを、前記第１の補正処理部が処理した後の前記設計パターンに合成する合成部と、
を具備し、
前記第２の距離と前記第１の距離の差は、前記基準値超又は以下である請求項３に記載の設計パターン補正装置。
【請求項７】
前記第２の距離は、前記基準値超である請求項６に記載の設計パターン補正装置。
【請求項８】
半導体装置内部の設計パターンを分割することで形成された複数のエリア毎に、ルールベース及びモデルベースのいずれで光近接効果の補正処理を行うかを定義し、
コンピュータが、前記定義したデータに従って、前記複数のエリアそれぞれ毎に、ルールベース又はモデルベースで光近接効果の補正処理を行い、
コンピュータが、ルールベースで補正処理が行われた前記エリアと、モデルベースで補正処理が行われた前記エリアの境界を認識し、該境界で生じる不要パターンを除去する設計パターン補正方法。
【請求項９】
コンピュータにより実行され、半導体装置内部の設計パターンに対して光近接効果の補正処理を行うプログラムであって、
前記設計パターンを分割することで形成された複数のエリア毎に、ルールベース及びモデルベースのいずれで光近接効果の補正処理を行うかを定義するデータを保持するルール定義保持機能と、
前記保持されたデータに従って、前記複数のエリアそれぞれ毎に、ルールベース又はモデルベースで光近接効果の補正処理を行う第１の補正処理機能と、
ルールベースで補正処理が行われた前記エリアと、モデルベースで補正処理が行われた前記エリアの境界を認識し、該境界で生じる不要パターンを除去する第２の補正処理機能と、
を具備するプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、設計パターン補正装置、設計パターン補正方法、及びプログラムに関する。特に本発明は、モデルベースで補正を行ったエリアとルールベースで補正を行ったエリアの境界で発生する不要パターンを除去することができる設計パターン補正装置、設計パターン補正方法、及びプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置内部のレイアウトパターン（例えば配線パターン）が、露光に用いられる光源の波長より細かくなってきている。このため、露光による転写の解像度が低下するが、これを防ぐために、変形照明技術のような特殊な転写技術が必要となる。しかし、このような特殊な転写技術を用いると、転写されたパターンに寸法変動等が生じる。
【０００３】
寸法変動等を防ぐための技術として、光近接効果補正（Optical Proximity Effect Correction：以下、ＯＰＣと記載）がある。ＯＰＣは、転写の際の寸法変動等を予め考慮して、設計パターンを予め変形させておくことにより、転写後に所望のレイアウトパターンが得られるようにするものである。
【０００４】
ＯＰＣには、ルールベースによる補正処理と、モデルベースによる補正処理がある。ルールベースによる補正処理は、予め定められたルールに従って、設計パターンの線幅を増減させる方法であり、計算量が少ないという利点がある反面、高い精度が期待できないという欠点がある。
【０００５】
モデルベースによる補正処理は、シミュレーションにより転写後のレイアウトパターンを算出し、この算出したパターンが所望のパターンに近づくように、設計パターンの変更及びシミュレーションを繰り返し行う方法である。モデルベースによる補正処理は、精度が高いという利点がある反面、計算量が多いという欠点がある。
【０００６】
このため、ＯＰＣを行うに際し、設計パターンは複数のエリアに分割され、それぞれのエリアごとに、いずれの補正処理が適用されるか決定される（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特表２００３−５２５４７０号公報（第１４段落乃至第７５段落）
【０００７】
図１０は、設計パターンの一例を示す図である。実線で示す設計パターン１００は、直角に屈曲する屈曲部を有している。この屈曲部の内周部には、凸部１００ａが形成されている。凸部１００ａが形成されることにより、点線で示すように露光後のパターン１００ｂが滑らかになる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
設計パターンは、デザインルールを満たしている必要がある。図１１（Ａ）は、直角に屈曲する屈曲部におけるデザインルールの一例を示す図である。設計パターンが、斜線部１０１からはみ出している場合、設計パターンが転写されたレチクルがデザインルールを満たしているかをチェックすると、レチクル不良として検出される。
【０００９】
一方、モデルベースで補正されたエリアとルールベースで補正されたエリアの境界には、図１１（Ｂ）の符号１０２で示すように、凸部が形成されることがある。この凸部が図１１（Ａ）に示したデザインルールを満たしていない場合、この設計パターンが転写されたレチクルは不良となる。このため、境界で生じる凸部等の微細なパターンは予め消去されるのが望ましい。
【００１０】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、モデルベースで補正を行ったエリアとルールベースで補正を行ったエリアの境界で発生する不要パターンを除去することができる設計パターン補正装置、設計パターン補正方法、及びプログラムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するため、本発明に係る設計パターン補正装置は、半導体装置内部の設計パターンを分割して形成される複数のエリア毎に、ルールベース及びモデルベースのいずれで光近接効果の補正処理を行うかを定義するデータを保持する補正定義保持部と、
前記補正定義保持部が保持するデータに従って、前記複数のエリアそれぞれ毎に、ルールベース又はモデルベースで光近接効果の補正処理を行う第１の補正処理部と、
ルールベースで補正処理が行われた前記エリアと、モデルベースで補正処理が行われた前記エリアの境界を認識し、該境界で生じる不要パターンを除去する第２の補正処理部とを具備する。
【００１２】
この設計パターン補正装置によれば、第２の補正処理部が行う処理により、ルールベースで補正処理が行われたエリアと、モデルベースで補正処理が行われたエリアの境界を認識し、該境界で生じる不要パターンを除去することができる。
【００１３】
前記第２の補正処理部は、例えば、境界を一辺とする略長方形の凸部又は凹部を前記不要パターンと判断する。この場合、前記第２の補正処理部は、幅が基準値以下又は未満である凸部又は凹部を不要パターンと判断するのが好ましい。このようにすると、除去すべきでない凸部又は凹部が除去されることを抑制できる。
また、前記第２の補正処理部は、境界を一辺とする鋭角な凸部を不要パターンと判断してもよい。
【００１４】
前記第２の補正処理部は、前記境界から第１の距離の範囲内に位置するパターンである第１の部分パターンを、前記第１の補正処理部が処理した後の前記設計パターンから切り出す第１の切出部と、
前記第１の部分パターンから前記不要パターンを除去する欠陥除去部と、
前記不要パターンが除去された前記第１の部分パターンから、前記境界から第２の距離の範囲内に位置するパターンである第２の部分パターンを切り出す第２の切出部と、
前記第２の部分パターンを、前記第１の補正処理部が処理した後の前記設計パターンに合成する合成部と、
を具備してもよい。
【００１５】
このようにすると、第１の部分パターンに含まれているが、第２の部分パターンには含まれていない領域に、不要パターンと同じ形状を有しているパターンが存在しても、このパターンを誤って除去することを防止できる。
【００１６】
前記第２の補正処理部が、幅が基準値以下又は未満である凸部又は凹部を不要パターンと判断する場合、
前記第２の補正処理部は、前記境界から第１の距離の範囲内に位置するパターンである第１の部分パターンを、前記第１の補正処理部が処理した後の前記設計パターンから切り出す第１の切出部と、
前記第１の部分パターンから前記不要パターンを除去する欠陥除去部と、
前記不要パターンが除去された前記第１の部分パターンから、前記境界から第２の距離の範囲内に位置するパターンである第２の部分パターンを切り出す第２の切出部と、
前記第２の部分パターンを、前記第１の補正処理部が処理した後の前記設計パターンに合成する合成部と、
を具備してもよい。この場合、前記第２の距離と前記第１の距離の差は、前記基準値超又は以下である。また、前記第２の距離は、前記基準値超であるのが好ましい。
【００１７】
本発明に係る設計パターン補正方法は、半導体装置内部の設計パターンを分割することで形成された複数のエリア毎に、ルールベース及びモデルベースのいずれで光近接効果の補正処理を行うかを定義し、
コンピュータが、前記定義したデータに従って、前記複数のエリアそれぞれ毎に、ルールベース又はモデルベースで光近接効果の補正処理を行い、
コンピュータが、ルールベースで補正処理が行われた前記エリアと、モデルベースで補正処理が行われた前記エリアの境界を認識し、該境界で生じる不要パターンを除去する方法である。
【００１８】
本発明に係るプログラムは、コンピュータにより実行され、半導体装置内部の設計パターンに対して光近接効果の補正処理を行うプログラムであって、
前記設計パターンを分割することで形成された複数のエリア毎に、ルールベース及びモデルベースのいずれで光近接効果の補正処理を行うかを定義するデータを保持するルール定義保持機能と、
前記保持されたデータに従って、前記複数のエリアそれぞれ毎に、ルールベース又はモデルベースで光近接効果の補正処理を行う第１の補正処理機能と、
ルールベースで補正処理が行われた前記エリアと、モデルベースで補正処理が行われた前記エリアの境界を認識し、該境界で生じる不要パターンを除去する第２の補正処理機能とを具備する。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図１は、本発明の実施形態に係る設計パターン補正装置の構成を説明する為のブロック図である。この設計パターン補正装置は、半導体装置内部の設計パターンを複数のエリアに分割し、それぞれのエリアに対して、ルールベースによるＯＰＣ補正処理又はモデルベースによるＯＰＣ補正処理を行い、さらに、ルールベースによる補正処理が行われたエリアと、モデルベースによる補正処理が行われたエリアの境界に生じる不要パターンを除去する装置である。
【００２０】
この設計パターン補正装置は、第１の補正処理部２、補正定義データベース４、入力部６、及び、第２の補正処理部８を有している。第１の補正処理部２にはルールデータベース２ａが接続されており、第１の補正処理部２は、このルールデータベース２ａを用いて設計パターンにＯＰＣ補正処理を行う。第２の補正処理部８は、境界に生じる不要パターンを除去し、補正後の設計パターンを生成する。それぞれの構成又は機能の詳細については、図３〜図９を用いて後述する。
【００２１】
図２の各図は、ルールベースによる補正処理が行われたエリアと、モデルベースによる処理が行われたエリアの境界で、不要パターンが生じる例を説明する為の図である。第２の補正処理部８は、例えば図２の各図に示す不要パターンを除去する。
【００２２】
図２（Ａ）に示す設計パターン５０は、図中下方に延伸した後、時計回り方向に９０°曲がり、図中横方向に延伸している。その後、同一方向に９０°曲がることにより、図中上方に延伸している。
【００２３】
設計パターン５０の左半分のエリアには、ルールベースによる補正処理が行われ、横方向に延伸している部分の上方の辺５２ａが、下方すなわち設計パターン５０の内側に移動している。一方、設計パターン５０の右半分のエリアには、下方に延伸している部分の内側の辺５１が、左側すなわち設計パターン５０の外側に移動しているが、横方向に延伸している部分の上側の辺５２ｂはそのままである。
この結果、左半分のエリアには、不要パターンであり、境界を一辺とする略長方形の凹部５４が形成される。
【００２４】
図２（Ｂ）に示す設計パターン６０は、図中横方向に延伸している。設計パターン６０の左半分のエリアにはルールベースによる補正処理が行われるが、本例では特に変形処理は行われていない。一方、設計パターン６０の右半分のエリアにはモデルベースによる補正処理が行われ、上側の辺６１ｂのうち境界に近接する部分が、上方すなわち設計パターン６０の外側に移動している。
この結果、右半分のエリアには、不要パターンであり、境界を一辺とする略長方形の凸部６２が形成される。
【００２５】
図２（Ｃ）に示す設計パターン６０及び適用される補正処理の種類は、図２（Ｂ）に示した例と略同一である。ただし、設計パターン６０の右半分のエリアでは、モデルベースによる補正処理により、上側の辺６１ｂのうち境界に近接する部分が、下方すなわち設計パターン６０の内側に移動している。
この結果、右半分のエリアには、不要パターンであり、境界を一辺とする略長方形の凹部６３が形成される。
【００２６】
図２（Ｄ）に示す設計パターン８０は、図中右方向に延伸した後、時計回り方向に４５°曲がり、右斜め下方向に延伸している。屈曲部分より左側のエリアでは、ルールベースによる補正処理が行われるが、本例では特に変形処理は行われていない。一方、屈曲部分より右半分のエリアでは、モデルベースによる補正処理が行われ、上側の辺８１ｂが下方に移動している。
この結果、屈曲部分には、不要パターンであり、境界を一辺とする鋭角な凸部８２が形成される。
【００２７】
図３は、ルールデータベース２ａのデータ構成を説明する為のテーブルである。ルールデータベース２ａには、ルールベースによる補正処理を行うための補正ルールが格納されている。例えばルールベースによる補正処理がパターン幅を変更する処理である場合、ルールデータベース２ａには、パターンの幅及びパターン間のスペースの組み合わせごとに、パターン幅の変更量が格納されている。
【００２８】
図４（Ａ）は、設計パターンのエリア分割例の一例を示す図である。図４（Ｂ）は、図４（Ａ）に示したエリア分割例に対応する、補正定義データベース４のデータ構成を説明する為のテーブルである。
本例において、設計パターンの各エリアは正方形又は長方形であり、それぞれに予め番号が振られている。補正定義データベース４は、エリアの番号毎に、このエリアがモデルベース及びルールベースのいずれで補正されるべきかを示す補正定義情報を、格納している。
【００２９】
また、補正定義データベース４は、エリアの番号ごとに、このエリアの右辺と接するエリアの番号、及びこのエリアの上辺と接するエリアの番号それぞれを格納している。このため、補正定義データベース４を参照することにより、ルールベースで補正されたエリアとモデルベースで補正されたエリアの境界の位置を知ることができる。
なお、補正定義情報は、例えば、図１に示した入力部６を介して、作業者によって補正定義データベース４に入力される。
【００３０】
図５は、設計パターン補正装置を用いたＯＰＣを説明する為のフローチャートである。まず、補正定義データベース４に、補正定義情報を各エリア別に格納する（Ｓ２）。次いで、第１の補正処理部２が、補正定義データベース４に格納された補正定義情報に従って、エリア別に補正処理を行う（Ｓ４）。その後、第２の補正処理部８が、補正定義データベース４に格納された上方を用いて、エリアの境界で発生した不要パターンを除去する（Ｓ６）。以下、各処理の詳細を説明する。
【００３１】
図６は、図５のＳ２に示した処理の詳細を説明する為のフローチャートである。まず、作業者は、対象となるエリアの補正方法としてルールベース及びモデルベースのいずれが適切であるかを判断する（Ｓ２２）。例えば、半導体チップのメモリセルエリアは、パターンの密度が高いため、精度が高い必要がある。また、同一のパターンが繰り返されているため、あるエリアの補正結果を他のエリアに転用できる。このため、メモリセルエリアでは、モデルベースによる補正処理が適切であると判断される場合が多い。また、他のエリアは、ランダムパターンが多く、かつ、パターンの密度が比較的低いため、ルールベースが適切であると判断される場合が多い。
【００３２】
次いで、作業者は、入力部６を介して、Ｓ２２で判断した方法を示す補正定義情報を、補正定義データベース４に格納する（Ｓ２４）。作業者は、上記した作業をすべてのエリアに対して行う（Ｓ２６）。
【００３３】
図７は、図５のＳ４に示した処理の詳細を説明する為のフローチャートである。まず、第１の補正処理部２は、補正定義データベース４に格納されている補正定義情報を用いて、ルールベースで補正すべきエリアすべてを特定し、これらエリアのすべてに対し、ルールデータベース２ａに格納されているルールに従って補正処理を行う（Ｓ４２）。
【００３４】
次に、第１の補正処理部２は、補正定義データベース４に格納されている補正定義情報を用いて、モデルベースで補正すべきエリアすべてを特定する。次いで、これらのエリアそれぞれに対して以下の処理を行う。
【００３５】
まず、処理対象となっているエリアに含まれる設計パターンに対してシミュレーションを行い、予想される露光パターンの形状を算出する（Ｓ４４）。この露光パターンの形状と設計パターンとの差分が許容範囲内である場合（Ｓ４６：Ｙｅｓ）、このエリアに対する補正処理を終了する。基準範囲外である場合（Ｓ４６：Ｎｏ）、設計パターンの形状を変形し（例えば全体的に幅を狭くする等）、再び予想される露光パターンの形状を算出する（Ｓ４４）。露光パターンの形状と設計パターンとの差分が許容範囲内になるまで、Ｓ４４〜Ｓ４８に示した処理を繰り返す。
上記した処理を、処理対象となっているすべてのエリアに対して行う（Ｓ５０）。
【００３６】
図８は、図５のＳ６で示した処理の詳細を説明する為のフローチャートである。図９は、図８を補足するための設計パターンの図である。まず、第２の補正処理部８は、補正定義データベース４を参照し、モデルベースで補正処理が行われたエリアと、ルールベースで補正処理が行われたエリアの境界のすべてを特定する。次いで、これらの境界それぞれに対して以下の処理を行う。
【００３７】
まず、第２の補正処理部８は、設計パターンから、境界から第１の距離の範囲内に位置するパターンである、第１の部分パターンを切り出す（Ｓ６２）。このとき、図９に示すように、第１の部分パターンが、補正対象ではないパターン７０の端部７０ａを含むことがある。なお、第１の距離は、後述する第１の基準値の２倍超又は以上である。
【００３８】
次いで、第２の補正処理部８は、第１の部分パターンから不要パターンを除去する。不要パターンの例は、図２に示したとおりである。例えば第２の補正処理部８は、幅が第１の基準値以下又は未満である凸部又は凹部を、不要パターンと認識する。そして、凸部を除去する処理又は凹部を埋める処理を行う。第１の基準値は、例えば７０ｎｍであるが、作業者が自由に設定することができる。また、第２の補正処理部８は角度が４５°であり、高さが第２の基準値以下又は未満である凸部を不要パターンと認識し、この凸部を除去する処理を行う。第２の基準値も作業者が自由に設定することができる。
【００３９】
なお、第２の補正処理部８は、境界を一辺とする凸部又は凹部を選択した後、幅が第１の基準幅以下である凸部又は凹部、及び角度が４５°であり高さが第２の基準値以下である凸部それぞれを、不要パターンと認識してもよい。
この選択を行わず、かつパターン７０の端部７０ａの幅が第１の基準値以下又は未満である場合、第２の補正処理部８は、除去する必要がない端部７０ａも除去してしまう。
【００４０】
次いで、第２の補正処理部８は、第１の部分パターンから第２の部分パターンを切り出す（Ｓ６８）。第２の部分パターンは、境界から第２の距離の範囲内に位置するパターンである。第２の距離は、上記した第１の基準値以上である。従って、第２の部分パターンには、確実に不要パターンが除去された領域が含まれる。また、第１の距離と第２の距離の差分は、上記した第１の基準値以上である。このため、第２の部分パターンからは、除去する必要がないパターン（例えば端部７０ａ）が存在した領域が、確実に除去される。
【００４１】
そして、第２の部分パターンを、第１の補正処理部２が補正した後の設計パターンに合成する（Ｓ７０）。第２の部分パターンは、不要パターンが除去された領域を含んでおり、かつ、除去する必要がないパターンが存在した領域を含んでいない。このため、合成後は、不要パターンが精度よく除去された設計パターンを得ることができる。
【００４２】
上記した処理を、すべての境界に対して行う（Ｓ７０）。このようにして、補正後の設計パターンが得られる。
【００４３】
以上、本発明の実施形態によれば、ルールベースによる補正処理が行われたエリアと、モデルベースによる処理が行われたエリアの境界に生じる不要パターンのみを、除去することができる。このため、設計パターンを転写してレチクルを製造した場合、製造したレチクルが不良になる確率が低くなり、レチクル製造に必要な時間が短くなるとともに、レチクルの製造コストが低くなる。
【００４４】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】実施形態に係る設計パターン補正装置の構成を説明する為のブロック図。
【図２】各図は、エリアの境界で、不要パターンが生じる例を説明する為の図。
【図３】ルールデータベース２ａのデータ構成を説明する為のテーブル。
【図４】（Ａ）は設計パターンのエリア分割例の一例を示す図、（Ｂ）は補正定義データベース４のデータ構成を説明する為のテーブル。
【図５】設計パターン補正装置を用いたＯＰＣを説明する為のフローチャート。
【図６】図５のＳ２に示した処理の詳細を説明する為のフローチャート
【図７】図５のＳ４に示した処理の詳細を説明する為のフローチャート
【図８】図５のＳ６に示した処理の詳細を説明する為のフローチャート
【図９】図８を補足するための設計パターンの図。
【図１０】設計パターンの一例を示す図
【図１１】（Ａ）はデザインルールの一例を示す図、（Ｂ）はデザインルールを満たさないパターンが境界部分に生成する例を示す図。
【符号の説明】
【００４６】
２…第１の補正処理部、２ａ…ルールデータベース、４…補正定義データベース、６…入力部、８…第２の補正処理部、５０、６０、８０、１００…設計パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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