(57)【要約】【課題】  実装される電子機器に適合した光軸位置（光軸高さ）を有する光半導体装置、光半導体装置の製造方法およびこのような光半導体装置を搭載した電子機器を提供する。【解決手段】  配線基板１の第１表面１ｆに、発光素子チップ２、ＩＣチップ３、受光素子チップ４を搭載し、ランナ部１５から樹脂フローＲＦの方向に透光性樹脂を射出（注入）して樹脂成型することにより封止用樹脂成型部５および並行するダミー樹脂成型部６を形成する。第２表面１ｓには、ダミー樹脂成型部６に対応させて接続端子部１６が形成してある。ダミー樹脂成型部６をダイシングラインＤＬでダイシングして第１表面１ｆ（第２表面１ｓ）に垂直に交差する実装用基板端部１ａ、および実装用基板端部１ａと同一平面を構成する実装用樹脂端部７ａを有する実装用樹脂成型部７を形成する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１表面および該第１表面と反対側の第２表面を有し前記第１表面に光半導体素子を搭載した配線基板と、前記光半導体素子を樹脂成型した封止用樹脂成型部とを備える光半導体装置において、
前記第１表面は、前記配線基板の実装用基板端部と同一平面を構成する実装用樹脂端部を有して前記封止用樹脂成型部と並行に配置される実装用樹脂成型部を備え、
前記第２表面は、前記実装用基板端部と交差する接続端子部を備える
ことを特徴とする光半導体装置。
【請求項２】
前記接続端子部は前記実装用樹脂成型部に対応して前記実装用基板端部と交差する方向に延在してあることを特徴とする請求項１に記載の光半導体装置。
【請求項３】
第１表面および該第１表面と反対側の第２表面を有する配線基板の前記第１表面に光半導体素子を搭載する搭載工程と、前記光半導体素子を樹脂成型して封止用樹脂成型部を形成する成型工程と、前記配線基板を切断分離して前記第１表面に交差する実装用基板端部を形成する分離工程とを備える光半導体装置の製造方法において、
前記第２表面には前記実装用基板端部と交差する接続端子部が形成してあり、
前記成型工程は、前記接続端子部に対応するダミー樹脂成型部を前記封止用樹脂成型部と並行して前記第１表面に形成し、
前記分離工程は、前記ダミー樹脂成型部を切断して前記実装用基板端部と同一平面の実装用樹脂端部を有する実装用樹脂成型部を形成する
ことを特徴とする光半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記接続端子部は前記ダミー樹脂成型部に対応して前記実装用基板端部と交差する方向に延在してあることを特徴とする請求項３に記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記封止用樹脂成型部は前記ダミー樹脂成型部を中心に両方向に対称的に配置され、前記分離工程は前記ダミー樹脂成型部を対称的に切断することを特徴とする請求項３または請求項４に記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記封止用樹脂成型部は前記ダミー樹脂成型部を中心に両方向に線対称に配置され、前記分離工程は前記ダミー樹脂成型部を線対称に切断することを特徴とする請求項５に記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記光半導体素子は、発光素子および受光素子であり、前記封止用樹脂成型部で前記ダミー樹脂成型部を中心に点対称に配置してあることを特徴とする請求項６に記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記樹脂成型は射出成型金型によりなされ、前記ダミー樹脂成型部は射出成型金型のランナ部と交差する方向に設けられたクロスランナ部により形成されることを特徴とする請求項３ないし請求項７のいずれか一つに記載の光半導体装置の製造方法。
【請求項９】
装置基板に光半導体装置を実装した電子機器において、前記光半導体装置は請求項１または請求項２に記載の光半導体装置であることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の第１表面に光半導体素子を搭載して樹脂成型した光半導体装置、光半導体装置の製造方法、およびこのような光半導体装置を搭載した電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板の第１表面に半導体素子チップを搭載し、半導体素子チップを樹脂成型した後、樹脂成型部および配線基板をダイシングすることにより個々の半導体装置として分離する半導体装置の製造方法が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
特許文献１に記載された技術はスクリーン印刷法により樹脂成型することから例えばレンズ部の形成ができないので、光半導体素子（発光素子または受光素子）を搭載した光半導体装置への適用は困難であるという問題があった。
【０００４】
そこで、図８ないし図１２に示すような光半導体装置およびその製造方法が提案されている。
【０００５】
図８は、配線基板の第１表面に発光素子チップ、ＩＣチップ、受光素子チップを搭載した状態の光半導体装置の平面図である。
【０００６】
配線基板１の第１表面１ｆに、発光用の発光素子チップ２、信号処理用の集積回路であるＩＣチップ３、受光用の受光素子チップ４を導電性樹脂によりダイボンディングし、発光素子チップ２、ＩＣチップ３、受光素子チップ４の各端子を適宜形成されたパターンに金線などによりワイヤボンディングすることにより、発光素子チップ２、ＩＣチップ３、受光素子チップ４を配線基板１に搭載する（搭載工程）。
【０００７】
配線基板１の第１表面１ｆに後工程で個々の光半導体装置に切断分離される例えば９個の光半導体装置に対応する発光素子チップ２、ＩＣチップ３、受光素子チップ４が搭載されている。
【０００８】
図９は、配線基板の第１表面に搭載した発光素子チップ、ＩＣチップ、受光素子チップを樹脂成型して樹脂成型部を形成した状態を示す従来の光半導体装置の成型工程後の正面図である。図１０は、図９の配線基板を第１表面と反対側の第２表面から見た平面図である。
【０００９】
封止用樹脂成型部５０は、配線基板１の第１表面１ｆに搭載した発光素子チップ２、ＩＣチップ３、受光素子チップ４を透光性樹脂で樹脂成型して形成される（成型工程）。封止用樹脂成型部５０は、基本形としての直方体状で構成された適宜の金型を用いて形成され、樹脂成型後の金型の離型を容易にするため、直方体状の壁面に対応させて適宜の傾斜部５１が形成してある。
【００１０】
封止用樹脂成型部５０は、配線基板１の第１表面１ｆと平行な面を有する平面部５２を備え、平面部の一部に発光素子チップ２、受光素子チップ４に対応させてレンズ部５３、５３を形成してある。レンズ部５３の中心が光軸位置Ｌａｘとなる。
【００１１】
樹脂成型は、射出成型技術を用いて行う。射出成型金型のランナ部５５から透光性樹脂を樹脂フローＲＦ（破線矢印）の方向に射出（注入）することにより、キャビティ部に封止用樹脂成型部５０を形成する。
【００１２】
配線基板１の第１表面１ｆの反対側には第２表面１ｓがあり、第２表面１ｓには、封止用樹脂成型部５０に対応させて接続端子部６０、６０が形成してあり、各接続端子部６０はめっき用連結導体６１で相互に接続されている。
【００１３】
樹脂成型後、配線基板１はダイシングラインＤＬで切断され個々の受発光一体型の光半導体装置に分離される（分離工程）。
【００１４】
図１１は、個別の従来の光半導体装置を説明する説明図であり、（Ａ）は、光半導体装置をレンズ部の側から見た正面図であり、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｘ方向から見た側面図であり、（Ｃ）は（Ａ）の矢符Ｙ方向から見た底面図である。
【００１５】
配線基板１はダイシングラインＤＬで平面に対して垂直に切断されていることから、傾斜部５１に隣接して配線基板１の第１表面１ｆに垂直の実装用基板端部１ａを、反対側にも同様に第１表面１ｆに垂直の基板端部１ｂを有する。
【００１６】
また、光半導体装置は横方向にレンズ部５３を向けて調整用基板６５（装置基板７０）（図１２参照）に実装されることから、実装用基板端部１ａには外部（例えば調整用基板６５、装置基板７０）と接続をするための接続端子部６０が導出され配置してある。
【００１７】
図１２は、電子機器の装置基板に従来の光半導体装置を実装した状態を説明する説明図であり、（Ａ）は光半導体装置をレンズ部側から見た正面図であり、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｘ方向から見た側面図であり、（Ｃ）は装置基板を省略して（Ａ）の矢符Ｙ方向から見た底面図である。
【００１８】
電子機器の装置基板７０には適宜の配線パターン（不図示）が形成してあり、通常は、この配線パターンに実装用基板端部１ａの接続端子部６０を接続することにより光半導体装置を装置基板７０に実装する。
【００１９】
しかし、光半導体装置の光軸位置Ｌａｘを装置基板７０から光軸高さＨの位置にする必要がある場合には、調整用基板６５を用いて光軸位置Ｌａｘを調整しなければならない。したがって、接続端子部６０を調整用基板６５の接続電極６６に接続し、接続電極６６を装置基板の配線パターンに接続することにより、光半導体装置を装置基板７０に実装している。
【００２０】
つまり、光半導体装置のみでは光軸位置Ｌａｘの調整をすることができないことから、電子機器として必要な光軸高さＨを得るために、光軸高さＨに応じた形状の調整用基板６５が必要になり、部品点数、実装工程共に増加することになり、製造コストが増加するという問題がある。また接続箇所が増えることから信頼性の問題が生じる恐れがある。
【特許文献１】特開平１１−２０４５５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】
本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、光半導体素子を搭載した配線基板の第１表面に封止用樹脂成型部とは別に実装用樹脂成型部を設けることにより、封止用樹脂成型部と実装用樹脂成型部との間隔（光軸高さ）を調整して光半導体装置が実装される電子機器に適合した光軸位置を有する光半導体装置を提供することを目的とする。
【００２２】
また、本発明は、実装用樹脂成型部に対応して配線基板の第２表面に配置された接続端子部を実装用基板端部と交差する方向に延在させ、実装用樹脂成型部（実装用基板端部）の位置を予め調整（延長）することにより、光軸位置の調整を容易にすることができる光半導体装置を提供することを他の目的とする。
【００２３】
また、本発明は、光半導体素子を搭載した配線基板の第１表面に封止用樹脂成型部とは別にダミー樹脂成型部を形成し、ダミー樹脂成型部を切断して実装用樹脂成型部を形成することにより、封止用樹脂成型部と実装用樹脂成型部（実装用基板端部）との間隔（光軸高さ）を調整して光半導体装置が実装される電子機器に適合した光軸位置を有する光半導体装置を容易に製造できる光半導体装置の製造方法を提供することを他の目的とする。
【００２４】
また、本発明は、本発明に係る光半導体装置を搭載した電子機器とすることにより、光軸調整が不要となり、光半導体装置の実装が容易で信頼性の高い安定した電子機器を提供することを他の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２５】
本発明に係る光半導体装置は、第１表面および該第１表面と反対側の第２表面を有し前記第１表面に光半導体素子を搭載した配線基板と、前記光半導体素子を樹脂成型した封止用樹脂成型部とを備える光半導体装置において、前記第１表面は、前記配線基板の実装用基板端部と同一平面を構成する実装用樹脂端部を有して前記封止用樹脂成型部と並行に配置される実装用樹脂成型部を備え、前記第２表面は、前記実装用基板端部と交差する接続端子部を備えることを特徴とする。
【００２６】
この構成により、実装用樹脂成型部を封止用樹脂成型部から離して形成でき、光半導体素子（光半導体装置）の光軸位置と実装用基板端部との間隔（装置基板からの光半導体素子の光軸の高さ：光軸高さ）を調整することができるので、光半導体装置を電子機器の装置基板へ実装するときに光半導体素子の光軸位置を予め電子機器に適合させた光半導体装置とすることができる。
【００２７】
本発明に係る光半導体装置では、前記接続端子部は前記実装用樹脂成型部に対応して前記実装用基板端部と交差する方向に延在してあることを特徴とする。
【００２８】
この構成により、実装用基板端部となる位置を接続端子部が延在する範囲で適宜調整（延長）することができ、実装用基板端部から光半導体素子の光軸位置までの間隔を調整（延長）することができるので、光半導体装置を電子機器の装置基板へ実装するときに光半導体素子の光軸位置を最適化することが可能な光半導体装置とすることができる。
【００２９】
本発明に係る光半導体装置の製造方法は、第１表面および該第１表面と反対側の第２表面を有する配線基板の前記第１表面に光半導体素子を搭載する搭載工程と、前記光半導体素子を樹脂成型して封止用樹脂成型部を形成する成型工程と、前記配線基板を切断分離して前記第１表面に交差する実装用基板端部を形成する分離工程とを備える光半導体装置の製造方法において、前記第２表面には前記実装用基板端部と交差する接続端子部が形成してあり、前記成型工程は、前記接続端子部に対応するダミー樹脂成型部を前記封止用樹脂成型部と並行して前記第１表面に形成し、前記分離工程は、前記ダミー樹脂成型部を切断して前記実装用基板端部と同一平面の実装用樹脂端部を有する実装用樹脂成型部を形成することを特徴とする。
【００３０】
この構成により、ダミー樹脂成型部を封止用樹脂成型部から離して形成し、ダミー樹脂成型部を切断して実装用樹脂成型部を形成するので、光半導体素子の光軸位置と実装用基板端部との間隔（装置基板からの光半導体素子の光軸の高さ：光軸高さ）を調整して光半導体装置を電子機器の装置基板へ実装するときに光半導体素子の光軸位置を予め電子機器に適合させた光半導体装置を製造することができる。
【００３１】
本発明に係る光半導体装置の製造方法では、前記接続端子部は前記ダミー樹脂成型部に対応して前記実装用基板端部と交差する方向に延在してあることを特徴とする。
【００３２】
この構成により、実装用基板端部とする位置を接続端子部が延在する範囲で適宜調整（延長）することができ、実装用基板端部から光半導体素子の光軸位置までの間隔を調整（延長）することができるので、光半導体装置を電子機器の装置基板へ実装するときに光半導体素子の光軸位置を最適化することが可能な光半導体装置を製造することができる。
【００３３】
本発明に係る光半導体装置の製造方法では、前記封止用樹脂成型部は前記ダミー樹脂成型部を中心に両方向に対称的に配置され、前記分離工程は前記ダミー樹脂成型部を対称的に切断することを特徴とする。
【００３４】
この構成により、ダミー樹脂成型部を対称的に切断して対称的に配置された複数（両方向に配置された２個で１組）の光半導体装置を分離、形成するので、切断箇所（ダイシングラインの数）を低減して分離工程を簡略化し、また、ダミー樹脂成型部の占有面積を有効に利用して搭載工程、成型工程での光半導体装置の配置密度を向上することができ、製造コストを低減できる光半導体装置の製造方法とすることができる。
【００３５】
本発明に係る光半導体装置の製造方法では、前記封止用樹脂成型部は前記ダミー樹脂成型部を中心に両方向に線対称に配置され、前記分離工程は前記ダミー樹脂成型部を線対称に切断することを特徴とする。
【００３６】
この構成により、両方向に配置された封止用樹脂成型部および実装用樹脂成型部は同一形状となるので、同一の光半導体装置を容易に製造することが可能となる。
【００３７】
本発明に係る光半導体装置の製造方法では、前記光半導体素子は、発光素子および受光素子であり、前記封止用樹脂成型部で前記ダミー樹脂成型部を中心に点対称に配置してあることを特徴とする。
【００３８】
この構成により、封止用樹脂成型部に光半導体素子を複数配置した場合でも、同一の素子配置とした光半導体装置を製造することができる。
【００３９】
本発明に係る光半導体装置の製造方法では、前記樹脂成型は射出成型金型によりなされ、前記ダミー樹脂成型部は射出成型金型のランナ部と交差する方向に設けられたクロスランナ部により形成されることを特徴とする。
【００４０】
この構成により、成型樹脂の流れを簡略化することができ、成型不良を低減することができる。
【００４１】
本発明に係る電子機器は、装置基板に光半導体装置を実装した電子機器において、前記光半導体装置は本発明に係る光半導体装置であることを特徴とする。
【００４２】
この構成により、光軸位置が予め調整してある光半導体装置を実装することとなるので、光軸高さの調整が不要で、光半導体装置を実装するときの構成を簡略化でき、また、光半導体装置を容易に実装することができる信頼性の高い安定した電子機器とすることができる。
【発明の効果】
【００４３】
本発明に係る光半導体装置によれば、配線基板の第１表面に封止用樹脂成型部と実装用樹脂成型部とを個別に並行して設けることにより、封止用樹脂成型部と実装用樹脂成型部との間隔（光軸高さ）を予め調整できることから、光半導体装置が実装される電子機器に適合した光軸位置を構成できるという効果を奏する。
【００４４】
本発明に係る光半導体装置によれば、配線基板の第２表面に配置された接続端子部を実装用基板端部と交差する方向に延在させることから、封止用樹脂成型部に対する実装用基板端部の位置を接続端子部の延在方向で調整（延長）することができるので、光軸位置の調整を容易に行うことができるという効果を奏する。
【００４５】
本発明に係る光半導体装置の製造方法によれば、配線基板の第１表面に封止用樹脂成型部とは別にダミー樹脂成型部を形成し、ダミー樹脂成型部を切断して実装用樹脂成型部を形成することから、封止用樹脂成型部と実装用樹脂成型部との間隔（光軸高さ）を予め調整して光半導体装置が実装される電子機器に適合した光軸位置を有する光半導体装置を容易に製造できるという効果を奏する。
【００４６】
本発明に係る光半導体装置の製造方法によれば、接続端子部をダミー樹脂成型部に対応して実装用基板端部と交差する方向に延在させることから、光軸位置を最適化することができるという効果を奏する。
【００４７】
本発明に係る光半導体装置の製造方法によれば、封止用樹脂成型部はダミー樹脂成型部を中心に両方向に対称的に配置され、ダミー樹脂成型部を対称的に切断することから、分離工程を簡略化し、また、ダミー樹脂成型部の占有面積を有効に利用して搭載工程、成型工程での光半導体装置の配置密度を向上できるという効果を奏する。
【００４８】
本発明に係る光半導体装置の製造方法によれば、封止用樹脂成型部はダミー樹脂成型部を中心に両方向に線対称に配置され、ダミー樹脂成型部を線対称に切断することから、同一の光半導体装置を容易に製造できるという効果を奏する。
【００４９】
本発明に係る光半導体装置の製造方法によれば、配線基板に搭載された発光素子および受光素子を、対称的に配置された封止用樹脂成型部でダミー樹脂成型部を中心に点対称に配置することから、両方向に対称的に配置された光半導体装置を同一の素子配置とすることができるという効果を奏する。
【００５０】
本発明に係る光半導体装置の製造方法によれば、ダミー樹脂成型部は射出成型金型のランナ部と交差する方向に設けられたクロスランナ部により形成ことから、成型樹脂の流れを簡略化することができ、成型不良を低減できるという効果を奏する。
【００５１】
本発明に係る電子機器によれば、本発明に係る光半導体装置を搭載した電子機器となるので、光半導体装置の光軸調整が不要となり、実装が容易で高い安定した信頼性を得られるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５２】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００５３】
＜実施の形態１＞
図１は、本発明の実施の形態１に係る光半導体装置の成型工程後の状態を配線基板の第１表面の側から見た平面図である。図２は、図１の配線基板を第１表面と反対側の第２表面から見た平面図である。
【００５４】
本実施の形態に係る光半導体装置は、成型工程前は図８に示した搭載工程と同様に処理される。つまり、図８に示したとおり、配線基板１の第１表面１ｆに、発光用の発光素子チップ２、信号処理用の集積回路であるＩＣチップ３、受光用の受光素子チップ４を導電性樹脂によりダイボンディングし、発光素子チップ２、ＩＣチップ３、受光素子チップ４の各端子を適宜形成されたパターンに金線などによりワイヤボンディングすることにより、発光素子チップ２、ＩＣチップ３、受光素子チップ４を配線基板１に搭載する（搭載工程）。
【００５５】
本実施の形態に係る光半導体装置は、配線基板１の第１表面１ｆに搭載した発光素子チップ２、ＩＣチップ３、受光素子チップ４を樹脂成型して封止用樹脂成型部５を形成して図１に示す状態とされる。したがって、本発明に係る光半導体装置は、配線基板１の第１表面１ｆに光半導体素子（発光素子チップ２または受光素子チップ４）を搭載した形態となる。
【００５６】
封止用樹脂成型部５は、基本形としての直方体状で構成された適宜の金型を用いて透光性樹脂で樹脂成型して形成される（成型工程）。樹脂成型後の金型の離型を容易にするため、封止用樹脂成型部５には直方体状の壁面に対応させて傾斜部１１が形成してある。
【００５７】
封止用樹脂成型部５は、配線基板１の第１表面１ｆと平行な面を有する平面部１２を備え、平面部の一部に発光素子チップ２、受光素子チップ４に対応させてレンズ部１３、１３を形成してある。レンズ部１３の中心が光軸位置Ｌａｘとなる。
【００５８】
樹脂成型は、例えば射出成型技術（射出成型金型）を用いて行うことが好ましい。射出成型金型のランナ部１５から樹脂フローＲＦ（破線矢印）の方向に透光性樹脂を射出（注入）することにより、キャビティ部に封止用樹脂成型部５を形成する。
【００５９】
本実施の形態では、封止用樹脂成型部５と並行させてダミー樹脂成型部６を第１表面１ｆに形成してある。封止用樹脂成型部５の１列に対してダミー樹脂成型部６の１列を対応させてある。ダミー樹脂成型部６は封止用樹脂成型部５と同様にキャビティ部の形状を適宜構成することにより形成することができる。
【００６０】
配線基板１の第１表面１ｆの反対側には第２表面１ｓがあり、第２表面１ｓには、ダミー樹脂成型部６（ダイシングラインＤＬ）に対応させて接続端子部１６、１６が形成してあり、各接続端子部１６はめっき用連結導体１７で相互に接続されている。
【００６１】
樹脂成型後、配線基板１はダイシングラインＤＬで切断され個々の受発光一体型の光半導体装置に分離される（分離工程）。封止用樹脂成型部５の傾斜部１１に沿って接続端子部１６の反対側（光半導体装置の外側）がダイシングされ、ダミー樹脂成型部６では接続端子部１６が導出されるようにダイシングされる。
【００６２】
図３は、本発明の実施の形態１に係る光半導体装置を説明する説明図であり、（Ａ）は、光半導体装置をレンズ部の側から見た正面図であり、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｘ方向から見た側面図であり、（Ｃ）は（Ａ）の矢符Ｙ方向から見た底面図である。
【００６３】
配線基板１は、ダイシングラインＤＬで平面（第１表面１ｆ、第２表面１ｓ）に対して垂直に交差して切断（ダイシング）されることから、第１表面１ｆ（第２表面１ｓ）に垂直に交差する実装用基板端部１ａがダミー樹脂成型部６に対応して形成され、第１表面１ｆ（第２表面１ｓ）に垂直に交差する基板端部１ｂが封止用樹脂成型部５の傾斜部１１に隣接、対応して形成される。また、ダミー樹脂成型部６は配線基板１のダイシングと併行してダイシングされることから実装用樹脂成型部７を構成することとなる。
【００６４】
実装用樹脂成型部７は、封止用樹脂成型部５と並行して第１表面１ｆに配置され、実装用基板端部１ａと同一平面を構成する実装用樹脂端部７ａを有する。また、第２表面１ｓに配置、形成された接続端子部１６は実装用基板端部１ａと交差し、実装用基板端部１ａに導出された形態となることから、外部（装置基板２０に形成された配線パターン（不図示））と接続することが可能となる。
【００６５】
光半導体装置は横方向にレンズ部１３を向けて装置基板２０に実装されることから、レンズ部１３の中心に対応する光半導体素子（光半導体装置）の光軸位置Ｌａｘは、実装用基板端部１ａ（装置基板２０の表面）からの間隔、つまり光軸高さＨ（実装用基板端部１ａからの光半導体素子の高さ）により規定される。本実施の形態によれば、実装用樹脂成型部７を封止用樹脂成型部５から離して形成することができるので、実装用樹脂成型部７と封止用樹脂成型部５との距離（ダイシングラインＤＬのピッチ）を調整することにより光軸高さＨを自由に調整することができ、適用する電子機器に応じた光軸高さＨを得ることができる。
【００６６】
＜実施の形態２＞
図４は、本発明の実施の形態２に係る光半導体装置の成型工程後の配線基板を第２表面から見た平面図である。実施の形態１と同様の構成には同一の符号を付して適宜説明を省略する。
【００６７】
本実施の形態では、ダミー樹脂成型部６（実装用樹脂成型部７）に対応させて配線基板１の第２表面１ｓに配置された接続端子部１６をダイシングラインＤＬでダイシングして形成される実装用基板端部１ａと交差する方向（光軸高さＨ方向）に延在させている。
【００６８】
接続端子部１６および対応するダミー樹脂成型部６（実装用樹脂成型部７）を実装用基板端部１ａと交差する方向に延長することにより、実装用基板端部１ａの位置（ダイシングラインＤＬの位置）を接続端子部１６が延在する範囲で適宜調整（延長）することができることから、光半導体素子（光半導体装置）の光軸位置Ｌａｘ（光軸高さＨ）を調整して最適化することが可能となる。
【００６９】
本実施の形態によれば単一の配線基板１および単一の射出成型金型で樹脂成型した後、分離工程においてダイシングラインＤＬの位置を適宜変更して光軸高さＨを自由に調整することができるので、適用する電子機器に応じた多種類の光軸高さＨを有する光半導体装置を得ることができるので、製造工程を簡略化し、製造コストを低減することが可能となる。
【００７０】
＜実施の形態３＞
図５は、本発明の実施の形態３に係る光半導体装置の成型工程後の状態を配線基板の第１表面の側から見た平面図である。図６は、図５の配線基板を第１表面と反対側の第２表面から見た平面図である。図７は、本発明の実施の形態３に係る光半導体装置を説明する説明図であり、（Ａ）は、光半導体装置をレンズ部の側から見た正面図であり、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｘ方向から見た側面図であり、（Ｃ）は（Ａ）の矢符Ｙ方向から見た底面図である。実施の形態１、実施の形態２と同様の構成には同一の符号を付して適宜説明を省略する。
【００７１】
本実施の形態では、射出成型金型のランナ部１５に交差する方向にクロスランナ部１５ｃを設けてあり、樹脂フローＲＦ（破線矢印）の方向で透光性樹脂を射出（注入）することによりクロスランナ部１５ｃ（の形状）をそのままダミー樹脂成型部６（の形状）とする構成としたものである。
【００７２】
封止用樹脂成型部５は、それぞれの封止用樹脂成型部５に対応させて形成されたゲート部１５ｇを介してダミー樹脂成型部６から透光性樹脂が注入されキャビティ部に実施の形態１、実施の形態２と同様に形成される。なお、ゲート部１５ｇに対応してブリッジ樹脂成型部５ｇが形成される。
【００７３】
封止用樹脂成型部５をクロスランナ部１５ｃ（ダミー樹脂成型部６）を中心にして両方向に対称的（好ましくは線対称）に複数配置（クロスランナ部１５ｃを挟むように２個で１組の封止用樹脂成型部５を配置）し、クロスランナ部１５ｃ（ダミー樹脂成型部６）を対称的に（好ましくは中心で線対称に）切断することにより、実装用樹脂成型部７を形成する。この配置によれば、切断箇所（ダイシングラインＤＬの個数）を低減できるので、分離工程を簡略化することができる。
【００７４】
このような対照的な配置は実施の形態１のダミー樹脂成型部６によっても可能であることは言うまでもない。接続端子部１６も対称的に配置してあることも言うまでもない。また、同一の光半導体装置を製造するために、発光素子チップ２、ＩＣチップ３、受光素子チップ４の配置はダミー樹脂成型部６を中心にした両方向で点対称に配置しておくことが好ましい。点対称に配置することにより、封止用樹脂成型部５に複数の光半導体素子（発光素子チップ２および受光素子チップ４）を配置した場合でも、同一の光半導体装置とすることができる。
【００７５】
封止用樹脂成型部５をクロスランナ部１５ｃ（ダミー樹脂成型部６）を中心に線対称に配置し、クロスランナ部１５ｃ（ダミー樹脂成型部６）を線対称に切断することにより、分離工程を簡略化して同一の光半導体装置を効率的に製造することができる。
【００７６】
また、隣接する配置となった封止用樹脂成型部５をさらに近づけて２個を一体化して配置し、一体化した中心で封止用樹脂成型部５を分離切断する構成とすれば、ダイシングラインＤＬの個数をさらに低減することとなり、この形態によればさらに製造工程を簡略化することが可能となる。
【００７７】
本実施の形態によれば、ダミー樹脂成型部６の占有面積に無駄を生じることがなく有効に利用することができるので、搭載工程、成型工程での光半導体装置の配置密度を向上することができ、光半導体装置の製造コストを低減することができる。
【００７８】
なお、ゲート部１５ｇの長さを両方向で異ならせ、あるいはクロスランナ部１５ｃ（ダミー樹脂成型部６）を線対称とならない位置で切断すれば、異なる光軸高さＨを有する２種類の光半導体装置を同時に製造することも可能となる。
【００７９】
本実施の形態では、実施の形態２と同様に、接続端子部１６を実装用基板端部１ａと交差する方向に延在させることができる。このとき、接続端子部１６に対応させてダミー樹脂成型部６（実装用樹脂成型部７）を実装用基板端部１ａと交差する方向に延長、形成することは言うまでもない。
【００８０】
また、実施の形態１、実施の形態２でのダミー樹脂成型部６（実装用樹脂成型部７）をクロスランナ部１５ｃにより形成する形態とすることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１】本発明の実施の形態１に係る光半導体装置の成型工程後の状態を配線基板の第１表面の側から見た平面図である。
【図２】図１の配線基板を第１表面と反対側の第２表面から見た平面図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る光半導体装置を説明する説明図であり、（Ａ）は、光半導体装置をレンズ部の側から見た正面図であり、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｘ方向から見た側面図であり、（Ｃ）は（Ａ）の矢符Ｙ方向から見た底面図である。
【図４】本発明の実施の形態２に係る光半導体装置の成型工程後の配線基板を第２表面から見た平面図である。
【図５】本発明の実施の形態３に係る光半導体装置の成型工程後の状態を配線基板の第１表面の側から見た平面図である。
【図６】図５の配線基板を第１表面と反対側の第２表面から見た平面図である。
【図７】本発明の実施の形態３に係る光半導体装置を説明する説明図であり、（Ａ）は、光半導体装置をレンズ部の側から見た正面図であり、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｘ方向から見た側面図であり、（Ｃ）は（Ａ）の矢符Ｙ方向から見た底面図である。
【図８】配線基板の第１表面に発光素子チップ、ＩＣチップ、受光素子チップを搭載した状態の光半導体装置の平面図である。
【図９】配線基板の第１表面に搭載した発光素子チップ、ＩＣチップ、受光素子チップを樹脂成型して樹脂成型部を形成した状態を示す従来の光半導体装置の成型工程後の平面図である。
【図１０】図９の配線基板を第１表面と反対側の第２表面から見た平面図である。
【図１１】個別の従来の光半導体装置を説明する説明図であり、（Ａ）は、光半導体装置をレンズ部の側から見た正面図であり、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｘ方向から見た側面図であり、（Ｃ）は（Ａ）の矢符Ｙ方向から見た底面図である。
【図１２】電子機器の装置基板に従来の光半導体装置を実装した状態を説明する説明図であり、（Ａ）は光半導体装置をレンズ部側から見た正面図であり、（Ｂ）は（Ａ）の矢符Ｘ方向から見た側面図であり、（Ｃ）は装置基板を省略して（Ａ）の矢符Ｙ方向から見た底面図である。
【符号の説明】
【００８２】
１  配線基板
１ａ  実装用基板端部
１ｂ  基板端部
１ｆ  第１表面
１ｓ  第２表面
２  発光素子チップ
３  ＩＣチップ
４  受光素子チップ
５  封止用樹脂成型部
５ｇ  ブリッジ樹脂成型部
６  ダミー樹脂成型部
７  実装用樹脂成型部
７ａ  実装用樹脂端部
１１  傾斜部
１２  平面部
１３  レンズ部
１５  ランナ部
１５ｃ  クロスランナ部
１５ｇ  ゲート部
１６  接続端子部
１７  めっき用連結導体
２０  装置基板
Ｈ  光軸高さ
Ｌａｘ  光軸位置
ＲＦ  樹脂フロー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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