(57)【要約】【課題】  危険性の高い薬品を用いずに簡便かつ精密にガラスエッチングを行う。【解決手段】  ガラス基材１の表面２にニッケル層３をパターン形成したのち、得られたニッケル層３付きガラス基材を加熱して、前記ニッケル層３に付着したガラス基材１の表面部分とともにニッケル層３を自然剥離させる。これにより、ガラス基材１の表面２にパターン状の凹部１１が形成される。【選択図】  図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基材の表面にニッケル層をパターン形成したのち、ニッケル層付きガラス基材を加熱して、前記ニッケル層に付着したガラス基材の表面部分とともに前記ニッケル層を自然剥離させることを特徴とするガラスのエッチング方法。
【請求項２】
ガラス基材の表面にニッケル層をパターン形成したのち、ニッケル層付きガラス基材を加熱して、前記ニッケル層に付着したガラス基材の表面部分とともに前記ニッケル層を自然剥離させ、さらに前記自然剥離により前記ガラス基材の表面に形成された凹部に導電体を設けて埋め込み配線となすことを特徴とする透明導電基板の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の透明導電基板の製造方法によって製造された透明導電基板を備えることを特徴とする光電変換素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラスのエッチング方法、透明導電基板の製造方法および光電変換素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
色素増感太陽電池（ＤＳＣ）をはじめとする湿式太陽電池は、光が入射する側に設けられた窓側電極と、この窓側電極に対向して配置された対極との間に、電解質（例えば電解液、電解質ゲル）を挟み込んだ構造を有する。窓側電極は、一般に、ガラス基材の片側に透明導電層が設けられてなる透明導電基板を備える。
通常のＤＳＣの場合には、窓側電極は、色素が担持された酸化物半導体多孔質層が、透明導電基板の透明導電層側に設けられ、ガラス基材／透明導電層／色素担持酸化物半導体多孔質層の順で積層された３層構造を有する。
実験室レベルの湿式太陽電池ではセルサイズを小さくすることにより、特性のばらつきと透明導電基板のシート抵抗の低さによる性能低下が避けられているが、実用的な湿式太陽電池を具現するためには、セルを大型化しても十分な性能が確保される必要がある。
【０００３】
太陽電池を大型化するためには、透明導電基板のシート抵抗を低下させる必要があり、このため、窓側電極として使用される透明導電基板に金属配線が設けられた構成の太陽電池の提案がある（例えば特許文献１〜３参照）。
しかし、窓側電極に金属配線を設けると、以下の（ａ），（ｂ）などの問題が発生する。
（ａ）金属配線の分だけ、窓側電極の透明導電層と対極の導電層との距離が開くため、セルの性能が著しく低下する。
（ｂ）金属配線の上に透明導電層を設ける際に、表面の凹凸が原因で、均一な成膜が難しい。
そこで、特許文献４では、ガラス基材をエッチングして表面に凹部を形成し、この凹部の中に金属配線を設けるようにしている。
【特許文献１】特開２００３−２０３６８１号公報
【特許文献２】特開２００３−２０３６８２号公報
【特許文献３】特開２００３−２０３６８３号公報
【特許文献４】特開２００４−１４６４２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、ガラス表面のエッチングには、従来、以下の（１），（２）の方法が知られている。
（１）フッ酸（ＨＦ）やフッ化水素アンモニウム（ＮＨ４ＨＦ２）などの薬品を用いて化学エッチング処理を行う。
（２）サンドブラスト加工等の物理エッチング処理を行う。
【０００５】
しかし、方法（１）では、微細なパターン形成は可能だが、危険性の高い薬液を用いることから、工程管理を厳しく行う必要があり、簡便性に欠ける。また、方法（２）は、簡便に実施可能であるが、微細な配線パターンを形成することができない。
【０００６】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、微細なパターンを簡便に形成することが可能なガラスのエッチング方法ならびにこれを用いた透明導電基板の製造方法および光電変換素子を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、ガラス基材の表面にニッケル層をパターン形成したのち、ニッケル層付きガラス基材を加熱して、前記ニッケル層に付着したガラス基材の表面部分とともに前記ニッケル層を自然剥離させることを特徴とするガラスのエッチング方法を提供する。
また、本発明は、ガラス基材の表面にニッケル層をパターン形成したのち、ニッケル層付きガラス基材を加熱して、前記ニッケル層に付着したガラス基材の表面部分とともに前記ニッケル層を自然剥離させ、さらに前記自然剥離により前記ガラス基材の表面に形成された凹部に導電体を設けて埋め込み配線となすことを特徴とする透明導電基板の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【０００８】
ニッケルは、常温では立方最密構造をとり、高温では六方最密構造をとることが知られている。そこで、ニッケルを結晶変態温度の約３００℃以上に加熱すれば、結晶変態を起こすことになる。
本発明のガラスのエッチング方法によれば、ガラス表面に設けたニッケル層が加熱によって結晶変態を起こし、ニッケル層に内部応力が生じる。その結果、ガラスの表面がニッケル層とともに自然に剥離する。ニッケル層を所望のパターンに形成して加熱すれば、ニッケル層のパターンに対応してガラスを局所的に剥離させることができる。これにより、危険性の高い薬品を用いることなく、微細なパターンを簡便かつ精密に形成することが可能となる。
【０００９】
本発明の透明導電基板の製造方法によれば、ニッケル層をパターン状に形成すれば、ニッケル層のパターンに対応してガラス基材の表面を局所的に剥離させることができる。そして、基板表面が自然剥離してできた凹部に導電体を設けて埋め込み配線となすことにより、透明導電層を設ける前の基板表面の凹凸段差を大きくせずに済む。これにより、均一な透明導電層を成膜することが容易になる。また、透明導電層の上に埋め込み配線が突出しないので、この透明導電基板の透明導電層と該透明導電基板に対向される電極（対極）の導電層との距離を増大させることなく、透明導電基板に埋め込み配線を設けることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、最良の形態に基づき、図面を参照して本発明を説明する。
本発明で使用されるガラス基材１としては、光透過性が高く、ニッケル層の加熱処理に耐えることができる無機ガラスが使用され、このようなガラスとしては、例えば、ホウケイ酸ガラス、ソーダガラス、耐熱ガラス、石英ガラスなどのガラスが挙げられる。
図１（ａ）に示すように、エッチング前のガラス基材１は、エッチングされる側の表面２が平滑になっていれば、板状に限定されることなく、適当な寸法と形状のガラス基材を使用することができる。ここでは、ガラス基材１として、透明導電基板の基板として好適な平板状のガラス板を例示して説明する。このガラス基材１は、厚さが例えば０．３〜５ｍｍ程度のガラス板である。
なお、このガラス基材１としては、金属酸化物半導体等からなる透明導電層（図示略）が表面２に設けられたものを用いることもできる。透明導電層の構成に使用可能な金属酸化物半導体としては、特に制限されないが、例えばスズ添加酸化インジウム（ＩＴＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、フッ素添加酸化スズ（ＦＴＯ）などが挙げられる。透明導電層は、できるだけ光透過率が高いものを材料の組み合わせや用途に応して適宜選定することが好ましい。透明導電層の形成方法としては、使用する材料に応じて例えばスパッタ法、蒸着法などから適切な方法を用いればよい。
【００１１】
本形態例のエッチング方法では、図９，図１０に示すように、ガラス基材の表面にニッケル層３をパターン形成して、ニッケル層付きガラス基材４を得る必要がある。
図９に示すニッケル層付きガラス基材４では、ニッケル層３は、縦横に直交した井桁状の格子をなしており、ニッケル層３の線に囲まれた部分には、ガラス基材の表面が露出されてなる開口部５が多数形成されている。この例における開口部５は、縦４５０〜２０００μｍ、横２０００〜２００００μｍの長方形状である。ニッケル層付きガラス基材４の一辺には、集電用の幅広の集電極６が縦方向に伸びて形成されている。集電極６を除くニッケル層３の線幅は、例えば１０〜１０００μｍである。
図１０に示すニッケル層付きガラス基材４では、ニッケル層３は、横方向に延びる多数の平行線と、これらの平行線に対して左右の二辺で直交する縦方向に延びる線とを有する横格子（見る向きを９０°変えれば縦格子）をなしている。横方向に延在する線は、例えば４５０〜２０００μｍの間隔をあけて形成されており、その間はガラス基材の表面が露出されてなる開口部５となっている。縦方向に延びる線のうち１本は、集電用の幅広の集電極６となっている。集電極６を除くニッケル層３の線幅は、例えば１０〜１０００μｍである。
これらのニッケル層付きガラス基材４の開口率は、望ましくは９０〜９９％である。ここでの開口率とは、ガラス基材１の全面積（ニッケル層３の面積と開口部５の面積との和）に対する開口部５の面積の比として定義される。
なお、ニッケル層３のパターン形状は、図２および図３に示した直交格子に限られるものではない。直交格子や斜交格子などの格子状の他、基板の１辺に設けられた集電極６に交差して延びる多数の平行線を有する櫛歯状など、各種パターンを採用できることは言うまでもない。
【００１２】
ここで、ニッケル層付きガラス基材４を作製する手順の例示として、ガラス基材１の表面２にレジストをパターニングしてから、Ｎｉメッキによりニッケル層３をパターン状に形成する方法の一例を説明する。
まず、図２に示すように、ガラス基材１の表面２の直上にＲＦスパッタ法などの薄膜形成手法を用いて、Ｎｉメッキのシード層７となる金属薄膜を設ける。シード層７を設ける場合、必ずしもシード層７をニッケルから構成する必要はなく、例えばニッケルやクロムなどから形成することができる。シード層７の厚さは、例えば数十〜数百ｎｍである。
【００１３】
次いで、図３に示すように、シード層７の上にレジスト８を積層した後、写真法やスクリーン印刷等を用いてレジスト８をパターニングして、ニッケル層３が設けられるべき部分のレジスト８が開口され、シード層７が露出された開口部９を形成する。
ここで用いるレジスト８は特に限定されず、例えばネガ型またはポジ型のレジスト材料の中から、後工程として行われるＮｉメッキの条件に耐えるものを適宜選択して使用することができる。レジスト８の厚みは、レジスト材料の種類にもよるが、例えばドライフィルムレジストの場合、５μｍ〜５０μｍである。
レジスト８に開口部９を形成する方法としては、例えば光硬化性のレジストを用いて、紫外線照射などにより開口部９が形成される箇所を除いてレジスト８を硬化させる。次いで、未硬化のレジスト８を除去することにより、開口部９が形成される。
【００１４】
次いで、図４に示すように、レジスト８付きのガラス基材１を、例えばスルファミン酸タイプのＮｉメッキ浴などの適当なＮｉメッキ浴に浸漬し、無電解ニッケルメッキを施す。これにより、ニッケルメッキはシード層７上に選択的に施され、レジスト８の開口部９を埋めるようにニッケル層３が形成される。ニッケル層３の厚さは、望ましくは２μｍ以上であり、より好ましくは２〜２０μｍである。
【００１５】
次いで、図５に示すように、Ｎｉメッキ浴から取り出した後、洗浄し、必要に応じて乾燥後、レジスト８を全て除去するとともに、レジスト８の下の余分なシード層７をエッチングにより除去する。これによって、ガラス基材１の片側に所望のパターン状にニッケル層３が形成される。
以上、ニッケル層３の形成方法として、ガラス基材１の表面２にシード層７を設けてからＮｉメッキを行う方法を例示したが、本発明は特にこれに限定されるものではない。ニッケル層３は、ガラス基材１の表面２に直接ニッケル層３を形成する方法を採用することもできる。ニッケル層３をメッキ以外の方法で形成しても構わない。
【００１６】
次に、ニッケル層付きガラス基材４を恒温炉などを用いて加熱する。加熱温度は、ニッケルの結晶変態温度の約３００℃以上である。また、ガラス基材１が変形しないためには、ガラス基材１を構成するガラスの軟化温度以下（例えば約６００℃以下）で熱処理を行う。処理時間としては、例えば５〜３０分程度である。
これにより、ガラス表面に設けたニッケル層３が加熱によって結晶変態を起こし、ニッケル層３に内部応力が生じる。その結果、図６に示すように、ガラス基材１の表面がニッケル層３とともに自然に剥離し、ガラス基材１の表面２に凹部１１が形成される。これらの剥離片１０をブラシ等で除去することにより、表面２に凹部１１を有するガラス基材１を製造することができる。
驚くべきことに、この方法によって１０μｍ程度のガラスを剥離させることができる上、凹部１１のパターン形状は、ニッケル層３のパターン形状にほとんど一致しており、精密なエッチングが達成されることがわかった。このように、ガラス基材１上にニッケル層３を所望のパターンに形成してガラス基材１ごと加熱すれば、ニッケル層３のパターンに対応してガラスを局所的に剥離させることができる。これにより、危険性の高い薬品を用いることなく、微細なパターンを簡便かつ精密に形成することが可能となる。
【００１７】
このようにして本発明のエッチング方法により、表面２に凹部１１を有するガラス基材１（特に区別して符号１Ａを付す）を製造することができる。このエッチング済みガラス基材１Ａは、透明導電基板の基材として好適に使用することができる。
すなわち、図７に示すように、ガラス基材１の表面２に形成された凹部１１に導電体を設けて埋め込み配線１２とした後、図８に示すように、ガラス基材１の表面２および埋め込み配線１２の上に透明導電層１３を設けることにより、透明導電基板１４を製造することができる。
【００１８】
この透明導電基板１４において、埋め込み配線１２は、ガラス基材１にパターン状に形成された凹部１１に設けられている。埋め込み配線１２は、その上面１５がガラス基材１の表面２とほぼ面一になっていることが望ましいが、透明導電層１３の形成に支障のない範囲で、埋め込み配線１２の上面１５の一部または全部が、ガラス基材１の表面２よりも上または下に位置していてもよい。
埋め込み配線１２の上面１５は、顕著な凹凸、陰になる潜り込みやボイドなどが極力ない滑らかな形状であることが望ましい。埋め込み配線１２の上面１５とガラス基材１の表面２との段差は、なるべく小さいほうが好ましい。
【００１９】
埋め込み配線１２を構成する導電体としては、不透明な材料や透明性が低い材料であってもよく、特に制限はないが、透明導電層１３を構成する透明導電体よりも導電性が高い材料が望ましい。埋め込み配線１２は、例えば金、銀、白金、アルミニウム、ニッケル、チタンなどの金属から構成することができる。埋め込み配線１２を形成する方法としては、例えば、スクリーン印刷、メタルマスク、インクジェットといった印刷法をはじめ、めっき法、スパッタ法、蒸着法など特に制限されることなく、種々の手法を用いることができる。特に好適には、めっき法、印刷法の少なくともいずれかを含む手法が選ばれる。また、必要に応じて、埋め込み配線１２の形成後に、研磨などにより埋め込み配線１２の上面の高さを調整して、ガラス基材１の表面２との段差を縮小することもできる。
なお、埋め込み配線１２を構成する導電体として、有機導電性ポリマーなどを用いることも可能である。
【００２０】
透明導電層１３を形成する材料としては、特に制限されないが、例えばスズ添加酸化インジウム（ＩＴＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、フッ素添加酸化スズ（ＦＴＯ）などの透明性を有する酸化物半導体を例示することができる。透明導電層１３は、できるだけ光透過率が高いものを材料の組み合わせや用途に応して適宜選定することが好ましい。透明導電層１３の形成方法としては、使用する材料に応じて例えばスパッタ法、蒸着法などから適切な方法を用いればよい。
なお、ガラス基材１が表面２に透明導電層を有するものである場合は、埋め込み配線１２形成後に透明導電層１３に形成することを省略することもできる。あるいは、凹部１１の形成によって失われた透明導電層を補うため、少なくとも埋め込み配線１２上に透明導電層１３を設けることにより、埋め込み配線１２の露出のない透明導電基板１４を得ることもできる。
さらに、本発明の透明導電基板１４においては、必要に応じて、透明導電層１３の上に、さらに遮蔽層や保護層など、他の層を付加することもできる。
【００２１】
このような透明導電基板１４の全表面における埋め込み配線１２と透明導電層１３とを加味した全体のシート抵抗は、１〜０．０１Ω／□となり、ＩＴＯ、ＦＴＯなどの透明導電層のみを設けた透明導電ガラスに比べて、約１０〜１００分の１に抑制されている。このため、極めて導電性の高い透明導電基板と言うことができる。
さらに、このような透明導電基板では、全表面で平均した光線透過率を高くできるという効果も得られる。すなわち、埋め込み配線１２の存在により導電性が格段に向上するので、透明導電層１３の厚さを薄くすることができる。さらに、埋め込み配線１２の開口率を９０〜９９％とすれば、埋め込み配線１２の存在による入射光の遮断もほとんどない。
【００２２】
次に、本発明の透明導電基板１４を用いた光電変換素子の一例として、色素増感太陽電池（太陽電池セル）について概略的に説明する。
色素増感太陽電池は、作用極と対極との間に電解質層を設けることにより構成することができる。ここで前記作用極は、透明電極基板の導電層の上に、酸化物半導体微粒子に光増感色素が担持されてなる色素担持酸化物半導体多孔質膜が設けられた構造を有する。
【００２３】
酸化物半導体多孔質膜の材料としては、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化タングステン（ＷＯ３）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）などの金属酸化物半導体が挙げられる。酸化物半導体多孔質膜は、これら金属酸化物半導体のうち１種または２種以上を複合させた平均粒径１〜１０００ｎｍの酸化物半導体微粒子を主成分とし、厚さが０．５〜５０μｍ程度の多孔質の薄膜である。また、市販の微粒子や、ゾル−ゲル法により得られるコロイド溶液などから得ることもできる。
【００２４】
酸化物半導体多孔質膜を形成する方法としては、例えば、市販の酸化物半導体微粒子を所望の分散媒に分散させた分散液、あるいは、ゾル−ゲル法により調製できるコロイド溶液を、必要に応じて所望の添加剤を添加した後、スクリーンプリント法、インクジェットプリント法、ロールコート法、ドクターブレード法、スピンコート法、スプレー塗布法など公知の塗布により塗布するほか、コロイド溶液中に透明導電基板１４を浸漬して電気泳動により酸化物半導体微粒子を透明導電基板１４上に付着させる泳動電着法、コロイド溶液や分散液に発泡剤を混合して塗布した後、焼結して多孔質化する方法、ポリマーマイクロビーズを混合して塗布した後、このポリマーマイクロビーズを加熱処理や化学処理により除去して空隙を形成させ多孔質化する方法などを適用することができる。
【００２５】
酸化物半導体多孔質膜に担持される光増感色素は、特に制限されるものではなく、例えば、ビピリジン構造、ターピリジン構造などを含む配位子を有するルテニウム錯体や鉄錯体、ポルフィリン系やフタロシアニン系の金属錯体をはじめ、エオシン、ローダミン、メロシアニン、クマリンなどの有機色素などから、用途や酸化物半導体多孔質膜の材料に応じて適宜選択して用いることができる。
【００２６】
電解質層を形成する電解質としては、有機溶媒、イオン性液体、ゲル化剤、金属塩類等の１種類または複数種類を配合して調整される液状またはゲル状（疑固体状であってもよい）のものを、特に制限なく用いることができる。電解質にはヨウ素／ヨウ化物イオン、臭素／臭化物イオンなどの酸化還元対が添加される。さらに、必要に応じて、ｔｅｒｔ−ブチルピリジンなど種々の添加物を電解質層に添加することができる。
【００２７】
対極としては、例えば、ガラスなどの非導電性材料からなる基板上に、ＩＴＯやＦＴＯ等の導電性酸化物半導体からなる薄膜を形成したもの、あるいは、基板上に、金、白金、炭素系材料などの導電性材料を蒸着、塗布などすることにより電極を形成したものを用いることができる。また、ＩＴＯやＦＴＯ等の導電性酸化物半導体の薄膜上に白金、カーボンなどの層を形成したものとすることもできる。
対極の作製方法としては、例えば、塩化白金酸の塗布後に熱処理することにより、白金層を形成する方法が挙げられる。または、蒸着法やスパッタ法によって電極を基板上に形成する方法でもよい。
【００２８】
本発明の色素増感太陽電池は、上述した透明導電基板を有するため、電解質中の成分による金属導電層の腐食や、金属導電層から電解質への逆電子移動が抑制され、高い出力特性が得られる。
【実施例】
【００２９】
（実施例１）
洗浄したガラス基材（１００ｍｍ角のホウケイ酸ガラス、品名：ＴＥＭＰＡＸ＃８３３０）の上に、ドライフィルムレジストを積層し、写真法によって格子状のパターンを形成した。パターンの線幅は約６０μｍとした。
レジストがパターン状に除去された箇所に無電解ニッケルメッキにより、厚さ２μｍのニッケル層を設けた。その後、４５０℃で３０分間焼成し、剥離したニッケル層およびガラスをブラシで除去し、表面に凹部（深さは約１０μｍ）を有するエッチング済みガラス基材を得た。
さらに、エッチング済みガラス基材の凹部内に、スパッタ法によりシード層を形成し、さらにアディティブめっきによりメッキ層（金回路）を設けて、前記シード層およびメッキからなる埋め込み配線（金属導電体）を形成した。ガラス基材の表面全面（埋め込み配線の上を含む）に透明導電層としてＳＰＤ法によりＦＴＯ膜を１０００ｎｍ厚さで形成して、透明導電基板を得た。
【００３０】
透明導電基板の導電層上に、平均粒径２５ｎｍの酸化チタン分散液を塗布及び乾燥し、４５０℃で１時間焼結した。これをルテニウムビピリジン錯体（Ｎ３色素）のエタノール溶液中に一晩浸漬して色素担持し、作用極を得た。
対極用に白金スパッタＦＴＯ基板を用意し、作用極と対極とを向かい合わせ、両極間に５０μｍ厚の熱可塑性ポリオレフィン樹脂シートをスペーサーとして介在させて、樹脂シート部を熱溶融させて両極板を固定した。予め、対極側に電解液の注液口を開けておき、電極間に０．５Ｍのヨウ化塩と０．０５Ｍのヨウ素とを主成分に含むメトキシアセトニトリル溶液を注液した。更に、周辺部及び電解液注液口をエポキシ系封止樹脂を用いて本封止し、集電端子部に銀ペーストを塗布して試験セルとした。ＡＭ１．５の疑似太陽光により、試験セルの光電変換特性を評価したところ、変換効率は３．０％であった。
【００３１】
（比較例１）
１００ｍｍ角のＦＴＯガラス基材上に、アディティブめっき法により金属導電層（金回路）を形成した。金属導電層は基板表面に格子状に形成し、回路幅５０μｍ、回路厚５μｍとした。この表面に厚さ３００ｎｍのＦＴＯ膜を遮蔽層としてＳＰＤ法により形成して透明導電基板とした。この透明導電基板の配線の表面をＳＥＭ−ＥＤＸ（走査電子顕微鏡−エネルギー分散型Ｘ線分析法）により観察したところ、配線底部でめっきレジストの裾引きに起因すると思われる潜り込みがあり、影部分にはＦＴＯが被覆されていなかった。
透明導電基板を用い、実施例１と同様の要領で試験セルを作製した。ＡＭ１．５の疑似太陽光により試験セルの光電変換特性を評価したところ、変換効率は０．３％であった。
【００３２】
（比較例２）
１００ｍｍ角のＦＴＯガラス基材を用い、比較として、金属導電層を設けず、未配線のまま、実施例１と同様の手法により試験セルを作製した。ＡＭ１．５の疑似太陽光により試験セルの光電変換特性を評価したところ、変換効率は０．１１％であった。
【００３３】
以上の結果から、実施例１で得られた試験セルは、凹部に形成された埋め込み配線により透明導電基板の表面抵抗が小さく抑制されているので、優れた光電変換効率を有するものであった。これに対し、比較例１の試験セルは、金属導電層がガラス基材上に突出したものであるためか、変換効率が良くなかった。また、比較例２の試験セルは、配線を備えていないため、さらに比較例１のセルよりも集電効率が低いものであった。
【産業上の利用可能性】
【００３４】
本発明は、色素同感太陽電池などの太陽電池セル、光電変換素子に用いられる透明導電基板の製造に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】ガラス基材を示す断面図である。
【図２】図１のガラス基材の表面にシード層が設けられた状態を示す断面図である。
【図３】図２のガラス基材のシード層の上にレジストが設けられた状態を示す断面図である。
【図４】Ｎｉメッキ後のガラス基材の一例を示す断面図である。
【図５】ニッケル層付きガラス基材の一例を示す断面図である。
【図６】加熱によるニッケル層の自然剥離の結果、表面に凹部が生じたガラス基材の一例を示す断面図である。
【図７】凹部内に埋め込み配線が形成されたガラス基材の一例を示す断面図である。
【図８】透明導電基板の一例を示す断面図である。
【図９】ニッケル層のパターン形状の一例を示すニッケル層付きガラス基材の平面図である。
【図１０】ニッケル層のパターン形状の他の例を示すニッケル層付きガラス基材の平面図である。
【符号の説明】
【００３６】
１…ガラス基材、１Ａ…表面に凹部を有するガラス基材、２…基板表面（ガラス基材の表面）、３…ニッケル層、４…ニッケル層付きガラス基材、１０…剥離片、１１…凹部、１２…埋め込み配線、１３…透明導電層、１４…透明導電基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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