(57)【要約】【課題】  電子放出の妨げを低減することができる電子放出素子基板及び電子放出素子基板の製造方法、並びに表示装置及び電子機器を提供する。【解決手段】  絶縁性の基板３２と、基板３２上に形成されたＸ方向配線８８及びＹ方向配線８９と、両配線８８，８９に接続された一対の素子電極８１，８２と、素子電極８１，８２間に接続された導電性膜８５と、導電性膜８５の一部に形成された電子放出部８７と、Ｘ方向配線８８及びＹ方向配線８９によって区画された領域において、電子放出部８７を除く部分に形成された抵抗膜９０とで構成されている。【選択図】      図５
2006269254.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性の基板と、
前記基板上に形成された信号配線と、
前記信号配線に接続された一対の素子電極と、
前記一対の素子電極間に接続された導電性膜と、
前記導電性膜の一部に形成された電子放出部と、
前記信号配線の形成によって区画された領域において、前記電子放出部を除く部分に形成された抵抗膜と、を有することを特徴とする電子放出素子基板。
【請求項２】
絶縁性の基板と、
前記基板上に形成された信号配線と、
前記信号配線に接続された一対の素子電極と、
前記一対の素子電極間に接続された導電性膜と、
前記導電性膜の一部に形成された電子放出部と、
前記信号配線の形成によって区画された領域に形成される抵抗膜とを有し、
前記電子放出部上に形成された前記抵抗膜は、他の部分よりも薄いことを特徴とする電子放出素子基板。
【請求項３】
絶縁性の基板に一対の素子電極を形成する素子電極形成工程と、
前記素子電極と接続するために信号配線を形成する信号配線形成工程と、
前記一対の素子電極間を接続するために導電性膜を形成する導電性膜形成工程と、
前記導電性膜に撥液処理を施す撥液処理工程と、
前記信号配線の形成によって区画された領域に抵抗膜の材料を含む機能液を液滴として吐出して液膜を形成する液滴吐出工程と、
前記抵抗膜とするために前記液膜を乾燥する乾燥工程と、
前記導電性膜に電子放出部を形成する電子放出部形成工程と、を有することを特徴とする電子放出素子基板の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の電子放出素子基板の製造方法において、
前記撥液処理工程は、前記導電性膜の接触角を８０°よりも大きくすることを特徴とする電子放出素子基板の製造方法。
【請求項５】
絶縁性の基板に一対の素子電極を形成する素子電極形成工程と、
前記素子電極と接続するために信号配線を形成する信号配線形成工程と、
前記一対の素子電極間を接続するために導電性膜を形成する導電性膜形成工程と、
前記基板に抵抗膜の材料を含む機能液を液滴として吐出して液膜を形成する液滴吐出工程と、
前記抵抗膜とするために前記液膜を乾燥する乾燥工程と、
前記導電性膜に電子放出部を形成する電子放出部形成工程とを有し、
前記液滴吐出工程は、前記導電性膜に前記液滴を吐出する吐出ピッチが、他の部分よりも広いことを特徴とする電子放出素子基板の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の電子放出素子基板の製造方法において、
前記液滴吐出工程の前に、前記導電性膜に親液処理を施す親液処理工程を有することを特徴とする電子放出素子基板の製造方法。
【請求項７】
請求項３〜６のいずれか一項に記載の電子放出素子基板の製造方法において、
前記液滴吐出工程の前に、前記導電性膜の壁面と前記信号線の壁面に親液処理を施す親液処理工程を有することを特徴とする電子放出素子基板の製造方法。
【請求項８】
請求項１または２に記載の電子放出素子基板を備えた表示装置。
【請求項９】
請求項８に記載の表示装置を搭載した電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子放出素子基板及び電子放出素子基板の製造方法、並びに表示装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、絶縁性基板の上に形成された電子放出素子は、動作中に絶縁性基板の表面が帯電すると、その帯電の影響を受け動作状態が変化したり、動作が不安定になるという問題があった。そこで、基板の表面を抵抗膜で被覆することによって、基板表面の帯電を防止することが考えられる。しかし、抵抗膜を流れる電流によっては、消費電力が増大したり、逆に、消費電力を低減しようとすると帯電防止が不十分となってしまう。特に、電子放出部及びその近傍における抵抗膜の形状は、電子放出特性に大きく関るため、抵抗膜の形成には細心の注意が必要である。また、素子電極と該電極が接続される信号配線との接合領域は、十分な電気的導通が可能なように比較的低抵抗であり、機械強度的にも確実に接触するために、比較的厚い抵抗膜を形成することが望ましい。このような問題を解決するために、特許文献１に記載の電子デバイスでは、スプレー法を用いて、帯電防止のための抵抗膜を形成している。
【０００３】
【特許文献１】特開２００４―２２１０７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記の発明は、抵抗膜が電子放出部の上に形成されているので、電子放出の妨げとなり、十分な電子放出量を得られないという問題があった。
【０００５】
本発明の目的は、上記問題を解決するためになされたものであって、電子放出の妨げを低減することができる電子放出素子基板及び電子放出素子基板の製造方法、並びに表示装置及び電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明では、絶縁性の基板と、基板上に形成された信号配線と、信号配線に接続された一対の素子電極と、一対の素子電極間に接続された導電性膜と、導電性膜の一部に形成された電子放出部と、信号配線の形成によって区画された領域において、電子放出部を除く部分に形成された抵抗膜とを有することを要旨とする。
【０００７】
これによれば、絶縁性基板の表面は、抵抗膜の形成によって電気的導通が図られるので、帯電を防止することができる。さらに、電子放出部には、抵抗膜が形成されないので、電子放出の妨げを防止することができる。
【０００８】
本発明では、絶縁性の基板と、基板上に形成された信号配線と、信号配線に接続された一対の素子電極と、一対の素子電極間に接続された導電性膜と、導電性膜の一部に形成された電子放出部と、信号配線の形成によって区画された領域に形成される抵抗膜とを有し、電子放出部上に形成された抵抗膜は、他の部分よりも薄いことを要旨とする。
【０００９】
これによれば、電子放出部上に形成された抵抗膜は、他の部分よりも薄く形成されるので、電子放出量の低減を最小限に抑えることができる。
【００１０】
本発明では、絶縁性の基板に一対の素子電極を形成する素子電極形成工程と、素子電極と接続するために信号配線を形成する信号配線形成工程と、一対の素子電極間を接続するために導電性膜を形成する導電性膜形成工程と、導電性膜に撥液処理を施す撥液処理工程と、信号配線の形成によって区画された領域に抵抗膜の材料を含む機能液を液滴として吐出して液膜を形成する液滴吐出工程と、抵抗膜とするために液膜を乾燥する乾燥工程と、導電性膜に電子放出部を形成する電子放出部形成工程とを有することを要旨とする。
【００１１】
これによれば、基板と、基板に形成された素子電極と、信号配線と、導電性膜の上に抵抗膜の材料を含む機能液を吐出したときに、導電性膜には撥液処理が施されているために、機能液は、弾かれてしまい導電性膜上に形成されない。その後乾燥して抵抗膜を形成する。従って、導電性膜に通電処理して形成される電子放出部の上には、抵抗膜が形成されないので、基板の帯電を防止することができると共に電子放出の妨げを防止することができる。
【００１２】
本発明の電子放出素子基板の製造方法の撥液処理工程は、導電性膜の接触角を８０°よりも大きくしてもよい。
【００１３】
これによれば、導電性膜に接触角８０°よりも大きくするように撥水処理を施すことにより、吐出した液滴を効率良く弾くことができる。
【００１４】
本発明は、絶縁性の基板に一対の素子電極を形成する素子電極形成工程と、素子電極と接続するために信号配線を形成する信号配線形成工程と、一対の素子電極間を接続するために導電性膜を形成する導電性膜形成工程と、基板に抵抗膜の材料を含む機能液を液滴として吐出して液膜を形成する液滴吐出工程と、抵抗膜とするために液膜を乾燥する乾燥工程と、導電性膜に電子放出部を形成する電子放出部形成工程とを有し、液滴吐出工程は、導電性膜に液滴を吐出する吐出ピッチが、他の部分よりも広いことを要旨とする。
【００１５】
これによれば、導電性膜では、吐出ピッチを広くすることにより液滴量が少なくなるので、他の部分よりも薄い抵抗膜を形成することができる。よって、基板の帯電を防止することができると共に電子放出の妨げを低減することができる。
【００１６】
本発明の電子放出素子基板の製造方法は、液滴吐出工程の前に、導電性膜に親液処理を施す親液処理工程を有してもよい。
【００１７】
これによれば、導電性膜には親液処理が施され、液滴を吐出したときに、液滴は、導電性膜の表面に濡れ広がる。従って、導電性膜に効率良く、均一な薄い抵抗膜を形成することができる。
【００１８】
本発明の電子放出素子基板の製造方法は、液滴吐出工程の前に、導電性膜の壁面と信号線の壁面に親液処理を施す親液処理工程を有してもよい。
【００１９】
これによれば、吐出された液滴は、親液処理された導電性膜の壁面と信号配線の壁面に馴染み、該壁面に這い上がった液膜を形成する。従って、乾燥して形成された抵抗膜は、該壁面との接触面積が大きくなることにより、機械的強度を向上させると共に電気的導通が可能となる低抵抗を図り、基板上の帯電を防止することができる。
【００２０】
本発明の表示装置は、上記に記載の電子放出素子基板を備えたことを要旨とする。
【００２１】
これによれば、帯電防止された信頼性の高い電子放出素子基板を備えた表示装置を製造することができる。この場合、表示装置は、例えば、ＳＥＤ（表面電界ディスプレイ）等がこれに該当する。
【００２２】
本発明の電子機器は、上記に記載の表示装置を搭載したことを要旨とする。
【００２３】
これによれば、帯電防止された信頼性の高い表示装置を備えた電子機器を製造することができる。この場合、電子機器は、例えば、上記ＳＥＤを搭載したテレビ受像機、パーソナルコンピュータの他、各種の電子製品がこれに該当する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明を具体化した第１実施形態および第２実施形態について説明する。
【００２５】
[第１実施形態]
まず、液滴吐出装置について説明する。図１は、液滴吐出装置の構成を示す斜視図である。
【００２６】
液滴吐出装置１０は、基板３２の所定位置に対して機能液７０を液滴６３として吐出して付着させるための装置である。基板３２は、電子放出素子基板８０が複数個形成される大型の基板である。
【００２７】
図１において、液滴吐出装置１０は、吐出ヘッド１５を備えたキャリッジ１８と、吐出ヘッド１５の位置を制御するヘッド位置制御装置１１と、基板３２を所定位置に吸着する吸着テーブル１９と、吸着テーブル１９に載置された基板３２の位置を補正させる基板位置制御装置１２と、吐出ヘッド１５に対して基板３２を主走査移動させる主走査駆動装置１３と、基板３２に対して吐出ヘッド１５を副走査移動させる副走査駆動装置１４と、基板３２を液滴吐出装置１０内の所定の作業位置へ供給する基板供給装置１６と、液滴吐出装置１０の全般の制御を司るコントロール装置１７で構成されている。
【００２８】
ヘッド位置制御装置１１、基板位置制御装置１２、主走査駆動装置１３、副走査駆動装置１４の各装置はベース３０の上に設置される。また、それらの装置は必要に応じてカバー３１によって覆われている。
【００２９】
基板供給装置１６は、基板３２を収容する基板収容部２０と、基板３２を搬送するロボット２１を有している。ロボット２１は、床、地面等といった設置面に置かれる基台２２と、基台２２に対して昇降移動する昇降軸２３と、昇降軸２３を中心として回転する第１アーム２４と、第１アーム２４に対して回転する第２アーム２５と、第２アーム２５の先端下面に設けられた吸着パッド２６とを有する。吸着パッド２６は、エアー吸引力によって基板３２を吸着できる。
【００３０】
副走査駆動装置１４によって駆動されて移動する吐出ヘッド１５の軌道下にあって主走査駆動装置１３の一方の脇位置に、キャッピング装置４５およびクリーニング装置４６が配置される。また、他方の脇位置に電子天秤４７が配置されている。クリーニング装置４６は吐出ヘッド１５を洗浄するための装置である。電子天秤４７は、吐出ヘッド１５に設けられた図３で説明するノズル５０から吐出される機能液の液滴重量を測定する機器である。そして、キャッピング装置４５は吐出ヘッド１５が待機状態にあるときノズル５０の乾燥および目詰まりを防止するための装置である。
【００３１】
吐出ヘッド１５の近傍には、その吐出ヘッド１５と一体に移動するヘッド用カメラ４８が配置されている。また、ベース３０上に設けられた支持装置（図示せず）に支持された基板用カメラ４９が基板３２を撮影できる位置に配置される。
【００３２】
コントロール装置１７は、プロセッサを収容したコンピュータ本体部２７と、入力装置としてのキーボード２８と、表示装置としてのＣＲＴ等のディスプレイ２９とを有する。
【００３３】
図２は、液滴吐出装置１０の電気制御ブロック図である。図２において、プロセッサとして各種の演算処理を行うＣＰＵ（演算処理装置）４０と、各種情報を記憶するメモリ４１とを有する。
【００３４】
ヘッド位置制御装置１１、基板位置制御装置１２、主走査駆動装置１３、副走査駆動装置１４、吐出ヘッド１５を駆動するヘッド駆動回路４２の各機器は、入出力インターフェース４３およびバス４４を介してＣＰＵ４０およびメモリ４１に接続されている。さらに、基板供給装置１６、入力装置２８、ディスプレイ２９、電子天秤４７、クリーニング装置４６およびキャッピング装置４５の各機器も入出力インターフェース４３およびバス４４を介してＣＰＵ４０およびメモリ４１に接続されている。
【００３５】
メモリ４１は、ＲＡＭ、ＲＯＭ等といった半導体メモリや、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭといった外部記憶装置を含む概念であり、機能的には、液滴吐出装置１０の動作の制御手順が記述されたプログラムソフトを記憶する記憶領域や、基板３２内における吐出位置を座標データとして記憶するための記憶領域や、副走査方向Ｙへの基板３２の副走査移動量を記憶するための記憶領域や、ＣＰＵ４０のためのワークエリアやテンポラリファイル等として機能する記憶領域やその他各種の記憶領域が設定される。
【００３６】
ＣＰＵ４０は、メモリ４１内に記憶されたプログラムソフトに従って、基板３２の表面の所定位置に機能液を液滴吐出するための制御を行うものであり、具体的な機能実現部として、クリーニング処理を実現するための演算を行うクリーニング演算部４０１と、キャッピング処理を実現するためのキャッピング演算部４０２と、電子天秤４７を用いた重量測定を実現するための演算を行う重量測定演算部４０３と、吐出ヘッド１５によって機能液を吐出するための演算を行う吐出演算部４０６を有する。
【００３７】
吐出演算部４０６を詳しく分割すれば、吐出ヘッド１５を液滴吐出のための初期位置へセットするための吐出開始位置演算部４０７と、基板３２を主走査方向Ｘへ所定の速度で走査移動させるための制御を演算する主走査制御演算部４０８と、吐出ヘッド１５を副走査方向Ｙへ所定の副走査量を移動するための制御を演算する副走査制御演算部４０９と、吐出ヘッド１５内の複数あるノズルのうちのいずれを作動させて機能液を吐出するかを制御するための演算を行うノズル吐出制御演算部４１０等といった各種の機能演算部を有する。
【００３８】
なお、本実施形態では、上記の各機能がＣＰＵ４０を用いてプログラムソフトで実現することとしたが、上記の各機能がＣＰＵを用いない単独の電子回路によって実現できる場合には、そのような電子回路を用いることも可能である。
【００３９】
次に、液滴吐出装置１０に備えられた吐出ヘッド１５について説明する。図３（ａ）は、吐出ヘッド１５の一部破断した斜視図であり、図３（ｂ）は、吐出ヘッド１５の一部を示した側断面図である。
【００４０】
図３（ａ）において、吐出ヘッド１５は、例えば、ステンレス製のノズルプレート５１と、それの対向面に振動板５２と、それらを互いに接合する複数の仕切部材５３とを有する。ノズルプレート５１と振動板５２との間には、仕切部材５３によって複数の機能液室５４と機能液溜り部５５とが形成されている。複数の機能液室５４と機能液溜り部５５とは通路５８を介して互いに連通している。機能液室５４は、仕切部材５３によって区画され、均等間隔で配列して形成されている。
【００４１】
振動板５２の適所には機能液供給孔５６が形成され、この機能液供給孔５６に管路６４を介して機能液７０を貯留する供給タンク５７が接続される。供給タンク５７は、機能液を機能液供給孔５６へ供給する。供給された機能液７０は機能液溜り部５５に充満し、さらに通路５８を通って機能液室５４に充満する。
【００４２】
ノズルプレート５１には、機能液室５４から機能液７０をジェット状に噴射するためのノズル５０が設けられている。また、振動板５２の機能液室５４を形成する面の裏面には、該機能液室５４に対応させて機能液加圧体５９が取り付けられている。この機能液加圧体５９は、図３（ｂ）に示すように、圧電素子材６０とこれを挟持する一対の電極６１ａおよび６１ｂを有する。圧電素子材６０は、電極６１ａおよび６１ｂへの通電によって矢印Ａで示す外側へ突出するように撓み変形し、これにより機能液室５４の容積が増大する。すると、増大した容量分に相当する機能液７０が機能液溜り部５５から通路５８を通って機能液室５４へ流入する。
【００４３】
次に、圧電素子材６０への通電を解除すると、該圧電素子材６０と振動板５２は共に元の形状へ戻る。これにより、機能液室５４も元の容積に戻るため機能液室５４の内部にある機能液７０の圧力が上昇し、ノズル５０から基板３２へ向けて機能液７０が液滴６３となって噴射する。なお、ノズル５０の周辺部には、液滴６３の飛行曲がりやノズル５０の孔詰まり等を防止するために、例えばＮｉ−テトラフルオロエチレン共析メッキ層からなる撥機能液層６２が設けられている。
【００４４】
次に、図４を用いて液滴吐出装置１０の基本動作を説明する。まず、オペレータによる電源投入によって液滴吐出装置１０が作動すると、初期設定が実行される（ステップＳ１）。具体的には、キャリッジ１８や基板供給装置１６やコントロール装置１７等が予め決められた初期状態にセットされる。
【００４５】
次に、重量測定タイミングが到来すれば（ステップＳ２でＹＥＳ）、吐出ヘッド１５を副走査駆動装置１４によって電子天秤４７の所まで移動させ（ステップＳ３）、ノズル５０から吐出される機能液７０の液滴６３の量を電子天秤４７を用いて測定させる（ステップＳ４）。そして、個々のノズル５０の機能液７０の吐出特性に合わせて、各ノズル５０に対応する圧電素子材６０に印加する電圧を調節させる（ステップＳ５）。
【００４６】
次に、クリーニングタイミングが到来すれば（ステップＳ６でＹＥＳ）、吐出ヘッド１５を副走査駆動装置１４によってクリーニング装置４６の所まで移動させ（ステップＳ７）、そのクリーニング装置４６によって吐出ヘッド１５をクリーニングさせる（ステップＳ８）。
【００４７】
重量測定タイミングやクリーニングタイミングが到来しない場合（ステップＳ２及びＳ６でＮＯ）、あるいはそれらの処理が終了した場合には、ステップＳ１からステップＳ９へ移行する。ステップＳ９において、基板供給装置１６により基板３２が供給される。
【００４８】
次に、基板用カメラ４９によって基板３２を観察しながら基板位置制御装置１２にあるθモータの出力軸を回転させることにより吸着テーブル１９に固定された基板３２の位置決めを行う（ステップＳ１０）。ヘッド用カメラ４８によって吐出ヘッド１５の位置合わせを行い、吐出を開始する位置を演算によって決定し（ステップＳ１１）、主走査駆動装置１３および副走査駆動装置１４を適宜に作動させて吐出ヘッド１５を吐出開始位置へ移動させる（ステップＳ１２）。
【００４９】
次に、Ｘ方向への主走査が開始され、同時に機能液７０の吐出を開始させる（ステップＳ１３）。具体的には、主走査駆動装置１３を作動させることにより基板３２が主走査方向Ｘへ一定の速度で直線的に走査移動し、その移動途中でノズル５０が吐出位置に到達したときに、ノズル吐出制御演算部４１０によって演算された機能液吐出信号に基づいてそのノズル５０から液滴６３を吐出させる。
【００５０】
１回の主走査が終了すると、副走査駆動装置１４によって駆動された副走査方向Ｙへ予め決められた副走査方向Ｙ成分だけ移動させる（ステップＳ１４）。次に、主走査およびインク吐出が繰返し行われる（ステップＳ１５でＮＯ、ステップＳ１３へ移行）。
【００５１】
以上のような吐出ヘッド１５による機能液７０の吐出作業が基板３２の全領域に対して完了すると（ステップＳ１５でＹＥＳ）、基板３２が外部に排出される（ステップＳ１６）。その後、オペレータによって処理終了の指示がなされない限り（ステップＳ１７でＮＯ）、ステップＳ２へ戻って別の基板３２に対する機能液７０の吐出作業を繰り返して行う。
【００５２】
オペレータから作業終了の指示があると（ステップＳ１７でＹＥＳ）、吐出ヘッド１５は副走査駆動装置１４によってキャッピング装置４５の所まで搬送され、そのキャッピング装置４５によって吐出ヘッド１５に対してキャッピングする（ステップＳ１８）。
【００５３】
次に、本実施形態における電子放出素子基板８０の構成について図５を用いて説明する。図５（ａ）は、電子放出素子基板８０の平面図であり、図５（ｂ）は、一部断面図である。
【００５４】
図５（ａ）において、基板３２には、複数の平行した信号配線としてのＸ方向配線８８と、Ｘ方向配線８８に対して直交するように複数の平行した信号配線としてのＹ方向配線８９とが形成されている。Ｘ方向配線８８とＹ方向配線８９によって区画された領域内には、一対の素子電極８１，８２と、導電性膜８５を有している。素子電極８１は、接続端子９２を介してＸ方向配線８８に接続され、素子電極８２は、Ｙ方向配線８９に接続されている。素子電極８１,８２の間は導電性膜８５によって接続され、導電性膜８５の一部に電子放出部８７が形成されている。なお、Ｘ方向配線８８とＹ方向配線８９とが接続しないように前記配線間には絶縁膜９１が形成されている。
【００５５】
Ｘ方向配線８８とＹ方向配線８９によって区画された領域には、基板３２の帯電を防止するための抵抗膜９０が形成されている。抵抗膜９０は、図５（ｂ）に示すように、導電性膜８５を除く他の部分に形成されている。
【００５６】
基板３２の材料としては、石英ガラス、Ｎａ等の不純物含有量を減少させたガラス、青板ガラス、青板ガラスにスパッタ法等により形成したＳｉ０2を積層したガラス等、アルミナ等のセラミックス、およびＳｉ基板等を用いることができる。
【００５７】
Ｘ方向配線８８及びＹ方向配線８９の材料としては、導電材料を用いることができ、一般的にはＡｇを含むペーストを用いて印刷法によって形成される。
【００５８】
素子電極８１，８２の材料としては、一般的な導体材料を用いることができる。例えば、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｗ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｄ等の金属もしくは合金等を用いることができる。
【００５９】
導電性膜８５の材料としては、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｔｉ、Ｉｎ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｂ等の金属、ＰｄＯ、ＳｎＯ2、Ｉｎ2Ｏ3、ＰｂＯ、Ｓｂ2Ｏ3等の金属酸化物等を用いることができる。
【００６０】
抵抗膜９０の材料としては、例えば、スズ―アンチモン系酸化物、インジウム―スズ系酸化物、メタルコート繊維等を用いることができる。
【００６１】
図６は、上記電子放出素子基板８０を備えた表示装置の一例としてのＳＥＤ（表面電界ディスプレイ）１００の一部断面図である。図６において、ＳＥＤ１００は、複数個の基板３２を固定するリアプレート１０１と、フェイスプレート１０２とを有する。リアプレート１０１とフェイスプレート１０２は、図示しないスペーサを介して封着されている。フェイスプレート１０２は、ガラス基板１０３と蛍光膜１０４とメタルバック１０５等を有する。
【００６２】
図７は、上記表示装置としてのＳＥＤ１００を搭載した電子機器の一例としてのテレビ受像機１１０を示した斜視図である。図７において、テレビ受像機１１０のディスプレイ部１１１には、ＳＥＤ１００が組み込まれている。電子機器は、この他に、例えば、パーソナルコンピュータの他、各種の電子製品が挙げられる。
【００６３】
また、前記表示装置以外の、電子の波動性を利用して、固体より放出する電子ビームの本数、放出方向、電子密度分布、輝度を制御することを特徴とするコヒーレント電子源および前記コヒーレント電子源を適用した、コヒーレント電子ビーム収束装置、電子線ホログラフィー装置、単色化型電子銃、電子顕微鏡、多数本コヒーレント電子ビーム作成装置、電子ビーム露光装置等の電子源として利用することもできる。
【００６４】
次に、電子放出素子基板８０の製造方法について図８を用いて説明する。
図８（ａ）において、基板３２の上に、素子電極８１,８２、Ｘ方向配線８８、Ｙ方向配線８９、層間絶縁膜９１及び導電性膜８５を形成する。
【００６５】
具体的には、基板３２を純水、および有機溶剤等を用いて洗浄した後に、素子電極８１,８２を形成する。素子電極８１，８２の形成方法としては、導電体材料のペーストを印刷法により所望の形状とした後、これを加熱処理する方法や導電体材料を含む機能液７０を液滴吐出装置１０によって基板に吐出した後に加熱処理する方法や真空蒸着、スパッタ法等により素子電極材を堆積後、フォトリソグラフィー法を用いて所定の形状の電極を形成する方法等を採用することができる。
【００６６】
次に、Ａｇペーストを所定の形状にスクリーン印刷し、これを加熱焼成してＹ方向配線８９を形成する。Ｙ方向配線８９は、素子電極８２と接続するように形成する（図５（ａ）参照）。
【００６７】
次に、ガラスペーストを所定位置に印刷し、これを加熱焼成して層間絶縁膜９１を形成する。層間絶縁膜９１は、Ｙ方向配線８９とＸ方向配線８８とが電気的に絶縁するための膜である。
【００６８】
次に、層間絶縁膜９１の上にＡｇペーストを印刷し、これを加熱焼成してＸ方向配線８８を形成する。
【００６９】
次に、液滴吐出装置１０の吐出ヘッド１５から素子電極８１，８２間に向けて機能液７０を液滴６３として吐出する。機能液７０としては、水または溶剤に前述した金属などの導電性材料の材料等が用いられる。そして、吐出した液滴６３を加熱および焼成して導電性膜８５を形成する。また、前記吐出と同期して、素子電極８１とＸ方向配線８８間に向けて液滴６３を吐出する。そして、前記同様に加熱および焼成して接続端子９２を形成する。
【００７０】
以上により、Ｘ方向配線８８とＹ方向配線８９によってマトリクス状の区画領域が形成され、該区画領域内に、素子電極８１,８２および導電性膜８５が形成される。
【００７１】
次に、導電性膜８５の表面に表面処理を施す。表面処理は、例えば、撥液処理を行う。撥水処理は、導電性膜８５において接触角８０°よりも大きくなるように処理される。
【００７２】
さらに、導電性膜８５の壁面、Ｘ方向配線８８およびＹ方向配線８９の壁面に親液処理を行う。
【００７３】
図８（ｂ）において、Ｘ方向配線８８とＹ方向配線８９によって区画された領域に向けて抵抗膜９０の材料を含む機能液７０を液滴６３として吐出する。抵抗膜９０は、例えば、スズ―アンチモン系酸化物、酸化スズ／スズ―アンチモン系酸化物等の酸化物微粒子をエタノール等の溶媒で構成されたものを用いることができる。
【００７４】
吐出された液滴６３は、液滴６３同士が結合して液膜８３を形成する。液膜８３は、導電性膜８５に撥液処理されているので、導電性膜８５の部分から弾かれて、他の部分に形成される。また、液膜８３は、導電性膜８５の壁面、Ｘ方向配線８８およびＹ方向配線８９の壁面に親液処理されているで、該壁面への濡れ性が向上され、這い上がった形状に形成される。
【００７５】
図８（ｃ）において、液膜８３を乾燥処理する。乾燥処理によって、液膜８３の成分中の溶媒分が蒸発して、固化した抵抗膜９０が形成される。抵抗膜９０は、導電性膜８５には形成されず、導電性膜８５を除いた他の部分に形成される。抵抗膜９０は、Ｘ方向配線８８、Ｙ方向配線８９の壁面部に形成された抵抗膜９０の厚みが最も厚く形成される。
【００７６】
図８（ｄ）において、電子放出部を形成する。電子放出部の形成は、例えば、通電処理によって行う。通電処理は、一対の素子電極８１，８２の間に電圧を印加し、導電性膜８５に電流を流すことによって行う。素子電極８１，８２間に電圧を印加して電流を流すと、導電性膜８５の一部に電子放出部８７が形成される。通電処理によれば導電性膜８５の局所部に破壊、変形もしくは変質等の構造の変化した部位が形成される。これは、導電性膜の一部がジュール熱の発生により局所的に高温となり、導電性膜８５の材料である金属等が溶融などする。通電処理によれば導電性膜８５の局所部に破壊、変形もしくは変質等の構造の変化した部位にナノメートル（ｎｍ）オーダーのギャップが形成される。なお、ナノメートル（ｎｍ）オーダーのギャップは、導電性膜８５の一部における金属溶融後の冷却過程での熱収縮によって形成される場合もある。
【００７７】
上記工程が終了すると、電気的特性検査等の所定の工程を経て、電子放出素子基板８０が完成する。
【００７８】
したがって、第１実施形態の電子放出素子基板８０の製造方法によれば以下に示す効果がある。
【００７９】
（１）導電性膜８５には撥液処理が施されており、抵抗膜９０の材料を含む機能液７０をＸ方向配線８８とＹ方向配線８９によって区画された領域に向かって液滴６３を吐出したとき、導電性膜８５の部分では弾かれ、他の部分に液膜を形成する。よって、抵抗膜９０は、導電性膜８５以外の部分に形成されるので、基板３２の帯電を防止することができると共に導電性膜８５の一部に形成された電子放出部８７からの電子放出の妨げを防止することができる。
【００８０】
（２）導電性膜８５に接触角８０°よりも大きくするように撥水処理を施しているので、液滴６３を効率良く弾くことができる。
【００８１】
（３）導電性膜８５の壁面とＸ方向配線８８およびＹ方向配線８９の壁面に親液処理を施したので、液膜８３は該壁面に這い上がった液膜を形成する。従って、乾燥して形成された抵抗膜は、該壁面との接触面積が大きくなるので、機械的強度を向上させると共に電気的導通が可能となる低抵抗を図り、基板上の帯電を防止することができる。
【００８２】
[第２実施形態]
次に、第２実施形態について説明する。なお、液滴吐出装置１０の構成および電気制御ブロック図、吐出ヘッド１５の構成は、第１実施形態と同様なので説明を省略する。また、表示装置１００、電子機器１１０についても第１実施形態と同様なので説明を省略する。また、電子放出素子基板８０の構成についても第１実施形態と同じなので説明を省略する。
【００８３】
本実施形態の電子放出素子基板８０の製造方法について図９を用いて説明する。
図９（ａ）において、基板３２の上に、素子電極８１,８２、Ｘ方向配線８８、Ｙ方向配線８９、層間絶縁膜９１及び導電性膜８５を形成する。
【００８４】
具体的には、基板３２を純水、および有機溶剤等を用いて洗浄した後に、素子電極８１,８２を形成する。素子電極８１，８２の形成方法としては、導電体材料のペーストを印刷法により所望の形状とした後、これを加熱処理する方法や導電体材料を含む機能液７０を液滴吐出装置１０によって基板に吐出した後に加熱処理する方法や真空蒸着、スパッタ法等により素子電極材を堆積後、フォトリソグラフィー法を用いて所定の形状の電極を形成する方法等を採用することができる。
【００８５】
次に、Ａｇペーストを所定の形状にスクリーン印刷し、これを加熱焼成してＹ方向配線８９を形成する。Ｙ方向配線８９は、素子電極８２と接続するように形成する（図５（ａ）参照）。
【００８６】
次に、ガラスペーストを所定位置に印刷し、これを加熱焼成して層間絶縁膜９１を形成する。層間絶縁膜９１は、Ｙ方向配線８９とＸ方向配線８８とが電気的に絶縁するための膜である。
【００８７】
次に、層間絶縁膜９１の上にＡｇペーストを印刷し、これを加熱焼成してＸ方向配線８８を形成する。
【００８８】
次に、液滴吐出装置１０の吐出ヘッド１５から素子電極８１，８２間に向けて機能液７０を液滴６３として吐出する。機能液７０としては、水または溶剤に前述した金属などの導電性材料の材料等が用いられる。そして、吐出した液滴６３を加熱および焼成して導電性膜８５を形成する。また、前記吐出と同期して、素子電極８１とＸ方向配線８８間に向けて液滴６３を吐出する。そして、前記同様に加熱および焼成して接続端子９２を形成する。
【００８９】
以上により、Ｘ方向配線８８とＹ方向配線８９によってマトリクス状の区画領域が形成され、該区画領域内に、素子電極８１,８２および導電性膜８５が形成される。
【００９０】
次に、導電性膜８５の表面に表面処理を施す。表面処理は、例えば、親液処理を行う。
さらに、導電性膜８５の壁面、Ｘ方向配線８８およびＹ方向配線８９の壁面にも親液処理を行う。
【００９１】
図９（ｂ）において、Ｘ方向配線８８とＹ方向配線８９によって区画された領域に向けて抵抗膜９０の材料を含む機能液７０を液滴６３として吐出して、液膜８３ａ，８３ｂを形成する。機能液７０は、例えば、酸化スズに酸化アンチモンをドープした酸化物微粒子をエタノール等の溶媒で構成されたものを用いることができる。
【００９２】
液滴６３を吐出する吐出ピッチは、被吐出位置よって異なり、導電性膜８５に向けて吐出する吐出ピッチは、他の部分よりも広くなっている。例えば、図８（ｂ）に示すように、導電性膜８５を除く部分では、吐出ピッチａで吐出し、導電性膜８５の部分では、吐出ピッチｂで吐出したときに、吐出ピッチｂが吐出ピッチａよりも広くなるように規定される。
【００９３】
さらに、導電性膜８５には親液処理が施されているので、液滴６３が導電性膜８５の上に到達すると、濡れ広がって薄い液膜８３ｂを形成する。
【００９４】
図９（ｃ）において、液膜８３を乾燥処理する。乾燥処理によって、液膜８３の成分中の溶媒分が蒸発して、固化した抵抗膜９０が形成される。抵抗膜９０は、導電性膜８５上に薄く形成される。
【００９５】
図９（ｄ）において、電子放出部を形成する。電子放出部の形成は、例えば、通電処理によって行う。通電処理は、一対の素子電極８１，８２の間に電圧を印加し、導電性膜８５に電流を流すことによって行う。素子電極８１，８２間に電圧を印加して電流を流すと、導電性膜８５の一部に電子放出部８７が形成される。通電処理によれば導電性膜８５の局所部に破壊、変形もしくは変質等の構造の変化した部位が形成される。これは、導電性膜の一部がジュール熱の発生により局所的に高温となり、導電性膜８５の材料である金属等が溶融などする。通電処理によれば導電性膜８５の局所部に破壊、変形もしくは変質等の構造の変化した部位にナノメートル（ｎｍ）オーダーのギャップが形成される。なお、ナノメートル（ｎｍ）オーダーのギャップは、導電性膜８５の一部における金属溶融後の冷却過程での熱収縮によって形成される場合もある。
【００９６】
上記工程が終了すると、電気的特性検査等の所定の工程を経て、電子放出素子基板８０が完成する。
【００９７】
したがって、第２実施形態の電子放出素子基板８０の製造方法によれば以下に示す効果がある。
【００９８】
（１）導電性膜８５に対して液滴６３の吐出ピッチを他の部分よりも広くすることにより、液滴６３の量が少なくなって液膜８３の厚みを薄くすることで導電性膜８５上の抵抗膜９０を薄く形成することができる。また、吐出ピッチを狭くして吐出した部分（導電性膜８５を除いた部分）は、液滴６３の量が多くなるので、該部分では抵抗膜９０は厚くなる。従って、導電性膜８５の電子放出部８７においては、抵抗膜９０を薄く形成するので、電子放出部８７からの電子放出の妨げを低減することができる。また、Ｘ方向配線８８、Ｙ方向配線８９の近傍は抵抗膜９０が厚く形成されるので、十分な電気的導通性を向上させ、機械強度的を確保することができる。
【００９９】
本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、以下のように実施してもよい。
【０１００】
（変形例１）
図８において、導電性膜８５の部分を除く部分に液滴６３を吐出したが、これに限定されない。例えば、導電性膜８５に液滴６３に向けて液滴６３を吐出してもよい。この場合でも、導電性膜８５に吐出された液滴６３は、導電性膜８５の撥液処理によって弾かれるので、導電性膜８５に抵抗膜９０を形成することを防止することができる。
【０１０１】
（変形例２）
図９において、液膜８３ａ，８３ｂを形成した後に、乾燥処理を行ったが、これに限定されない。液膜８３ａを形成した後に乾燥し、その後に液膜８３ｂを形成してもよい。この場合でも、液膜８３ｂの厚みを薄くすることができる。
【０１０２】
（変形例３）
図９において、異なる吐出ピッチで順次液滴６３を吐出したが、これに限定されない。例えば、異なる吐出ピッチに対応した複数のノズル５０を有する吐出ヘッド１５を用いて複数滴を同時に吐出してもよい。この場合でも、吐出ピッチに応じて液滴６３が吐出されるので、導電性膜８５上に形成された抵抗膜９０は、他の部分よりも薄くすることができる。
【０１０３】
（変形例４）
第１，第２実施形態において、Ｘ方向配線８８とＹ方向配線８９は、互いに直交するように形成したが、これに限定されない。例えば、Ｘ方向配線８８とＹ方向配線を平行に配線し、各配線に素子電極を接続する構成を採用してもよい。この場合でも、導電性膜８５に相当する領域と他の領域とを区別して上記に挙げた製造方法により抵抗膜９０を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】液滴吐出装置の構成を示す斜視図。
【図２】液滴吐出装置の電気制御ブロック図。
【図３】（ａ）は、液滴吐出ヘッドの構成を示す斜視図であり、（ｂ）は側断面図。
【図４】液滴吐出装置の動作を示すフローチャート。
【図５】（ａ）は、第１実施形態における電子放出素子の平面図であり、（ｂ）は側断面図。
【図６】表示装置の一例のＳＥＤ（表面電界ディスプレイ）を示す側断面図。
【図７】電子機器の一例のテレビ受像機を示す斜視図。
【図８】第１実施形態における電子放出素子の製造過程を模式的に示した断面図。
【図９】第２実施形態における電子放出素子の製造過程を模式的に示した断面図。
【符号の説明】
【０１０５】
３２…基板、１０…液滴吐出装置、１５…吐出ヘッド、６３…液滴、７０…機能液、８１，８２…素子電極、８３（８３ａ，８３ｂ）…液膜、８５…導電性膜、８７…電子放出部、８８…Ｘ方向配線、８９…Ｙ方向配線、９０…抵抗膜、１００…表示装置としてのＳＥＤ、１１０…電子機器としてのテレビ受像機。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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