(57)【要約】【課題】情報の長期保存性に優れた情報記憶媒体を提供すること。【解決手段】情報記憶媒体は、記録又は再生用の光ビームを入射する光入射面と、前記光入射面から入射された光ビームを反射する反射層と、前記光入射面と前記反射層の間に設けられた記録層と、前記記録層と前記反射層の間に設けられ、前記記録層に形成される記録マークによる反射率変化成分を含む再生信号を強調するための再生信号強調層とを備えている。【選択図】図１
2006344282.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録又は再生用の光ビームを入射する光入射面と、
前記光入射面から入射された光ビームを反射する反射層と、
前記光入射面と前記反射層の間に設けられた記録層と、
前記記録層と前記反射層の間に設けられ、前記記録層に形成される記録マークによる反射率変化成分を含む再生信号を強調するための再生信号強調層と、
を備え、
前記記録層は、第１のレーザパワー及びこの第１のレーザパワーより大きい第２のレーザパワーの前記光入射面からのパルス照射を受けた領域において記録マークを形成し、
前記再生信号強調層は、前記第１のレーザパワーより大きく前記第２のレーザパワーより小さい第３のレーザパワーの前記光入射面からの連続照射を受けることにより、前記記録層の未記録マーク領域に対向する第１の領域が変化し、この第１の領域の反射率と前記記録層の記録マーク領域に対向する第２の領域の反射率が異なる反射率になる、
ことを特徴とする情報記憶媒体。
【請求項２】
再生用の光ビームを入射する光入射面と、
予め形成されたピットにより、入射される光ビームの反射率を変化させる反射層と、
前記光入射面と前記反射層の間に設けられ、前記ピットによる反射率変化成分を含む再生信号を強調するための再生信号強調層と、
を備え、
前記再生信号強調層は、所定のレーザパワーの前記光入射面からの連続照射を受けることにより、前記ピットの未形成領域に対向する第１の領域が変化し、この第１の領域の反射率と前記ピットの形成領域に対向する第２の領域の反射率が異なる反射率になる、
ことを特徴とする情報記憶媒体。
【請求項３】
前記記録層と前記再生信号強調層の間に設けられた光学干渉層を備えたことを特徴とする請求項１に記載の情報記憶媒体。
【請求項４】
前記再生信号強調層は、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｂｉ、Ｓｎ、Ｉｎ、Ａｇの中の少なくとも一つの材料を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の情報記憶媒体。
【請求項５】
前記第１のレーザパワーは４ｍＷ、前記第２のレーザパワーは１０ｍＷ、前記第３のレーザパワーは５ｍＷであることを特徴とする請求項１に記載の情報記憶媒体。
【請求項６】
前記第１のレーザパワーは０．５ｍＷ、前記第２のレーザパワーは１０ｍＷ、前記第３のレーザパワーは１ｍＷであることを特徴とする請求項１に記載の情報記憶媒体。
【請求項７】
情報記憶媒体は、記録又は再生用の光ビームを入射する光入射面と、前記光入射面から入射された光ビームを反射する反射層と、前記光入射面と前記反射層の間に設けられた記録層と、前記記録層と前記反射層の間に設けられ、前記記録層に形成される記録マークによる反射率変化成分を含む再生信号を強調するための再生信号強調層とを備え、前記記録層は、第１のレーザパワー及びこの第１のレーザパワーより大きい第２のレーザパワーの前記光入射面からのパルス照射を受けた領域において記録マークを形成し、前記再生信号強調層は、前記第１のレーザパワーより大きく前記第２のレーザパワーより小さい第３のレーザパワーの前記光入射面からの連続照射を受けることにより、前記記録層の未記録マーク領域に対向する第１の領域が変化し、この第１の領域の反射率と前記記録層の記録マーク領域に対向する第２の領域の反射率が異なる反射率になり、前記情報記憶媒体を処理する媒体処理装置であって、
前記光入射面に対して、光ビームを照射する照射手段と、
前記第３のレーザパワーの光ビームの連続照射を制御する制御手段と、
を備えたことを特徴とする媒体処理装置。
【請求項８】
情報記憶媒体は、記録又は再生用の光ビームを入射する光入射面と、前記光入射面から入射された光ビームを反射する反射層と、前記光入射面と前記反射層の間に設けられた記録層と、前記記録層と前記反射層の間に設けられ、前記記録層に形成される記録マークによる反射率変化成分を含む再生信号を強調するための再生信号強調層とを備え、前記記録層は、第１のレーザパワー及びこの第１のレーザパワーより大きい第２のレーザパワーの前記光入射面からのパルス照射を受けた領域において記録マークを形成し、前記再生信号強調層は、前記第１のレーザパワーより大きく前記第２のレーザパワーより小さい第３のレーザパワーの前記光入射面からの連続照射を受けることにより、前記記録層の未記録マーク領域に対向する第１の領域が変化し、この第１の領域の反射率と前記記録層の記録マーク領域に対向する第２の領域の反射率が異なる反射率になり、前記情報記憶媒体を処理する媒体処理方法であって、
前記光入射面に対して、前記第３のレーザパワーの光ビームを連続照射する、
ことを特徴とする媒体処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、書き換え可能な情報記憶媒体、１回記録可能な情報記憶媒体、及び再生専用の情報記憶媒体に関する。また、本発明は、これら情報記憶媒体を処理する媒体処理装置及び媒体処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、光を使って情報を高密度に記録できる光ディスクが普及している（特許文献１、２参照）。何度でも書き換え可能な相変化光記録媒体や一度だけ記録可能な追記型光記録媒体が主流となっている。
【０００３】
相変化記録媒体は光の照射によって相変化を生じ反射率が変化する材料を記録層としている。Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅ、Ｉｎ、Ａｇなどを主成分とする相変化記録層は高パワー短パルスの光を照射すると溶融し冷却時にアモルファス化され記録マークとなる。これに低パワー長パルスの光を照射すると結晶化温度以上に昇温された後徐冷されるためアモルファスマークが結晶化して消去される。相変化記録層を用いた記録媒体はこの動作を繰り返すことでデータの書き換えが可能となる。アモルファス化された記録マーク部と結晶スペース部の反射率差を検出することでデータを再生することができる。このため相変化に伴う上記材料の光学定数の変化が反射率差の大きさを決定することになる。現在用いられている上記材料系は長年の研究の結果見出されたもので、相変化に伴う光学変化が非常に大きな材料系である。しかし今後更なる高記録密度化が進んだ場合、記録マークはますます小さくなり上記材料系でも反射率変化の検出が困難になると予想される。
【０００４】
一方、追記型の光記録媒体としては、Ｔｅ化合物を始めてとしてカルコゲナイト元素などの無機系材料を記録層としたものや、シアニン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、金属ポルフィリン誘導体などの色素を溶媒中に分散させた記録材料を記録層としたものが知られている。前者の無機系記録層は真空蒸着法、スパッタ法などのドライプロセススで代表される成膜法で形成され、後者の有機系記録層はスピンコーティング法、電解法などのウェットプロセスで作製される。このうち、スピンコーティング法はジクロロメタンのような溶媒に溶かした有機系色素の溶液を基板の上に滴下し、基板を回転させることでその上に薄膜を作製するものであり、一般に安価な方法として定着している。すでに赤色ＬＤを利用した現世代の追記型光ディスクはＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒとして市場に定着している。これらの追記型光ディスクは全て上述の有機系色素を記録層に用いたもので、製造コストが安価なウェットプロセスで作製されている。有機系色素を記録層として用いた追記型光ディスクの記録メカニズムは局所的な記録層の破壊によるものがほとんどである。すなわち対物レンズによって直径1μm程度に記録層に集光、吸収された光は熱となって色素を局所的に蒸発あるいは色素に接した物質を変形させる。結果として再生時にこの部分に集光された光は散乱されるため反射率が低下して記録マークとして認識される。しかし一方で光源波長に対して吸収が大きすぎると再生光を照射しただけでも色素の分解が起こってしまい記録データが失われることになる。このため吸収された光を効率的に熱に換えるために光源波長に対して大きな吸収率が必要とされる一方で、再生時のデータ破壊を避けるためにある程度吸収を抑制する必要もある。そこでＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒなどの追記型光ディスクには光源である７８０ｎｍや６５０ｎｍの波長近傍に吸収ピークを持つシアニン系やフタロシアニン系の有機系色素が用いられている。
【特許文献１】特開２００２−１４１６６４
【特許文献２】特開２００３−４１９２１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
かように記録型光ディスクの大容量化は日々進められている一方で、記録した情報の保存安定性に関しては明確な保証がない。記録型ＤＶＤを例に見ると、ＤＶＤ−ＲとＤＶＤ−ＲＡＭは１０年以上、ＤＶＤ−ＲＷは数１０年〜１００年、など甚だあいまいな保存寿命が示されている。このような状況の中で記録型光ディスクの保存寿命を延ばすことは光ディスク産業上非常に有効と考えられる。
【０００６】
さて追記型光ディスクの記録情報劣化は主に記録層材料として使われている有機色素の光退色によって起こる。例えば変形型の記録ピットが記録層に形成されている場合、長時間の光照射によって未記録部分の色素が分解され、結果として記録・未記録の反射率差や位相差が小さくなり再生不能に陥る。また化学変化によって記録ピットが形成されている場合は、光照射によって未記録部も同様の化学変化を起こして記録・未記録の区別がなくなり再生不能となる。その他反射層として用いられているAg合金層にピンホールが生じることで再生エラーが増える現象もある。この場合薄膜の内部応力によってピンホールが形成されていると考えられる。一方、書き換え型光ディスクの記録情報劣化はアモルファス記録マークの再結晶化や薄膜内部の欠陥発生によって起こる。前者は相変化材料の結晶化温度を高くすることで改善できるが、過剰に高くすると書き換え時の消去が困難になるため完全に解決することはできない。後者は膜内部の応力に誘起される現象で、内部応力が大きな誘電体を多層化した一般的な書き換え型ディスクでは欠陥発生を完全になくすことは困難である。このように追記型、書き換え型とも情報の長期保存性に問題を抱えており、問題解決はユーザーにとって非常に有益である。
【０００７】
本発明の目的は、上記課題を解決するためになされたものであり、情報の長期保存性に優れた情報記憶媒体を提供することにある。また、本発明の目的は、情報記憶媒体上の情報の長期保存を可能にする処理、又は長時間経過した記録情報からの再生信号を強調するための処理が可能な媒体処理装置及び媒体処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明の情報記憶媒体、媒体処理装置、及び媒体処理方法は、以下のように構成されている。
【０００９】
（１）この発明の情報記憶媒体は、記録又は再生用の光ビームを入射する光入射面と、前記光入射面から入射された光ビームを反射する反射層と、前記光入射面と前記反射層の間に設けられた記録層と、前記記録層と前記反射層の間に設けられ、前記記録層に形成される記録マークによる反射率変化成分を含む再生信号を強調するための再生信号強調層とを備え、
前記記録層は、第１のレーザパワー及びこの第１のレーザパワーより大きい第２のレーザパワーの前記光入射面からのパルス照射を受けた領域において記録マークを形成し、
前記再生信号強調層は、前記第１のレーザパワーより大きく前記第２のレーザパワーより小さい第３のレーザパワーの前記光入射面からの連続照射を受けることにより、前記記録層の未記録マーク領域に対向する第１の領域が変化し、この第１の領域の反射率と前記記録層の記録マーク領域に対向する第２の領域の反射率が異なる反射率になる。
【００１０】
（２）この発明の情報記憶媒体は、再生用の光ビームを入射する光入射面と、予め形成されたピットにより、入射される光ビームの反射率を変化させる反射層と、前記光入射面と前記反射層の間に設けられ、前記ピットによる反射率変化成分を含む再生信号を強調するための再生信号強調層とを備え、前記再生信号強調層は、所定のレーザパワーの前記光入射面からの連続照射を受けることにより、前記ピットの未形成領域に対向する第１の領域が変化し、この第１の領域の反射率と前記ピットの形成領域に対向する第２の領域の反射率が異なる反射率になる。
【００１１】
（３）この発明の媒体処理装置が処理する情報記憶媒体は、記録又は再生用の光ビームを入射する光入射面と、前記光入射面から入射された光ビームを反射する反射層と、前記光入射面と前記反射層の間に設けられた記録層と、前記記録層と前記反射層の間に設けられ、前記記録層に形成される記録マークによる反射率変化成分を含む再生信号を強調するための再生信号強調層とを備え、前記記録層は、第１のレーザパワー及びこの第１のレーザパワーより大きい第２のレーザパワーの前記光入射面からのパルス照射を受けた領域において記録マークを形成し、  前記再生信号強調層は、前記第１のレーザパワーより大きく前記第２のレーザパワーより小さい第３のレーザパワーの前記光入射面からの連続照射を受けることにより、前記記録層の未記録マーク領域に対向する第１の領域が変化し、この第１の領域の反射率と前記記録層の記録マーク領域に対向する第２の領域の反射率が異なる反射率になり、
この発明の媒体処理装置は、前記光入射面に対して、光ビームを照射する照射手段と、前記第３のレーザパワーの光ビームの連続照射を制御する制御手段とを備えている。
【００１２】
（４）この発明の媒体処理方法が処理する情報記憶媒体は、記録又は再生用の光ビームを入射する光入射面と、前記光入射面から入射された光ビームを反射する反射層と、前記光入射面と前記反射層の間に設けられた記録層と、前記記録層と前記反射層の間に設けられ、前記記録層に形成される記録マークによる反射率変化成分を含む再生信号を強調するための再生信号強調層とを備え、前記記録層は、第１のレーザパワー及びこの第１のレーザパワーより大きい第２のレーザパワーの前記光入射面からのパルス照射を受けた領域において記録マークを形成し、前記再生信号強調層は、前記第１のレーザパワーより大きく前記第２のレーザパワーより小さい第３のレーザパワーの前記光入射面からの連続照射を受けることにより、前記記録層の未記録マーク領域に対向する第１の領域が変化し、この第１の領域の反射率と前記記録層の記録マーク領域に対向する第２の領域の反射率が異なる反射率になり、
この発明の媒体処理方法は、前記光入射面に対して、前記第３のレーザパワーの光ビームを連続照射する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、情報の長期保存性に優れた情報記憶媒体を提供できる。また、本発明によれば、情報記憶媒体上の情報の長期保存を可能にする処理、又は長時間経過した記録情報からの再生信号を強調するための処理が可能な媒体処理装置及び媒体処理方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図面を参照し、本発明の実施形態について説明する。
【００１５】
図１は、本発明の第１の形態の書き換え型光記録媒体（情報記憶媒体）を基板上に作製した状態を示す断面図である。
【００１６】
本発明の第１の形態の書き換え型光記録媒体１は、記録又は再生用の光ビームを入射する光入射面Ｓ１、樹脂及び／又はガラス等の基板２、光学干渉層３、記録層４、光学干渉層５、再生信号拡大層（再生信号強調層）６、光学干渉層７、及び反射層８を備えている。図１に示すように、記録層４は、光入射面Ｓ１と反射層８の間に設けられている。また、再生信号拡大層６は、記録層４と反射層８の間に設けられ、記録層４に形成される記録マークによる反射率変化成分を含む再生信号を強調するための層である。
【００１７】
記録層４は、第１のレーザパワー（例えば４ｍＷ又は５ｍＷ）及びこの第１のレーザパワーより大きい第２のレーザパワー（例えば１０ｍＷ）の光入射面Ｓ１からのパルス照射を受けた領域においてアモルファス記録マーク４ａを形成する。再生信号拡大層６は、第１のレーザパワーより大きく第２のレーザパワーより小さい第３のレーザパワー（例えば５ｍＷ又は６ｍＷ）の光入射面Ｓ１からの連続照射を受けることにより、記録層４の未記録マーク領域に対向する領域６ａが変化（相変化）し、この領域６ａの反射率と記録層４のアモルファス記録マーク４ａの領域に対向する領域６ｂの反射率が異なる反射率になる。つまり、領域６ａと領域６ｂの反射率に差が生じる。
【００１８】
図１は、ハイトゥーロー（以下ＨｔｏＬ）極性を例にしたものである。なお光学設計や熱設計の都合上、学干渉層３、５、７は複数層からなっても良い。
【００１９】
図２は、本発明の第２の形態の追記型光記録媒体（情報記憶媒体）を基板上に作製した状態を示す断面図である。
【００２０】
本発明の第２の形態の追記型光記録媒体１１は、記録又は再生用の光ビームを入射する光入射面Ｓ１１、樹脂及び／又はガラス等の基板１２、記録層１３、光学干渉層１４、再生信号拡大層（再生信号強調層）１５、及び反射層１６を備えている。図２に示すように、記録層１３は、光入射面Ｓ１１と反射層１６の間に設けられている。また、再生信号拡大層１５は、記録層１３と反射層１６の間に設けられ、記録層１３に形成される記録マークによる反射率変化成分を含む再生信号を強調するための層である。
【００２１】
記録層１３は、第１のレーザパワー（例えば０．５ｍＷ）及びこの第１のレーザパワーより大きい第２のレーザパワー（例えば１０ｍＷ）の光入射面Ｓ１１からのパルス照射を受けた領域において記録マーク１３ａを形成する。再生信号拡大層１５は、第１のレーザパワーより大きく第２のレーザパワーより小さい第３のレーザパワー（例えば１ｍＷ）の光入射面Ｓ１１からの連続照射を受けることにより、記録層１３の未記録マーク領域に対向する領域１５ａが変化（相変化）し、この領域１５ａの反射率と記録層１３の記録マーク１３ａの領域に対向する領域１５ｂの反射率が異なる反射率になる。つまり、領域１５ａと領域１５ｂの反射率に差が生じる。
【００２２】
図２は、ＨｔｏＬ極性を例にしたものである。なお基板１２と記録層１３の間や再生信号拡大層１５と反射層１６の間に適宜光学干渉層を挿入しても良い。また上述の書き換え型光記録媒体の場合と同様の理由で光学干渉層は複数層からなっても良い。
【００２３】
図３は、本発明の第３の形態の再生専用光ディスク（情報記憶媒体）を示す断面図である。
【００２４】
本発明の第３の形態の再生専用光ディスク２１は、再生用の光ビームを入射する光入射面Ｓ２１、樹脂及び／又はガラス等の基板２２、再生信号拡大層（再生信号強調層）２３、及び反射層２４を備えている。図１に示すように、反射層２４は、予め形成されたピットにより、入射される光ビームの反射率を変化させる。再生信号拡大層２３は、光入射面Ｓ２１と反射層２４の間に設けられ、ピットによる反射率変化成分を含む再生信号を強調するための層である。
【００２５】
再生信号拡大層２３は、所定のレーザパワーの光入射面Ｓ２１からの連続照射を受けることにより、ピットの未形成領域に対向する領域２３ａが変化し、この領域２３ａの反射率とピットの形成領域に対向する領域２３ｂの反射率が異なる反射率になる。つまり、領域２３ａと領域２３ｂの反射率に差が生じる。
【００２６】
なお基板２２と再生信号拡大層２３の間や再生信号拡大層２３と反射層２４の間に適宜光学干渉層を挿入しても良い。また上述の書き換え型光記録媒体の場合と同様の理由で光学干渉層は複数層からなっても良い。
【００２７】
以下に、具体例を示し、本発明をさらに詳細に説明する。
【００２８】
第１の具体例は、以下の通りである。
【００２９】
図４に示すように、トラックピッチ０．６２μｍ、深さ７０ｎｍの溝が形成された厚さ０．６ｍｍのポリカーボネイト（ＰＣ）基板３１（基板２に対応）に光学干渉層３２（光学干渉層３に対応）としてＺｎＳ−ＳｉＯ２をＲＦマグネトロンスパッタ１ｋＷで３０ｎｍ成膜した後、記録層３３（記録層４に対応）としてＧｅ２２Ｓｂ２２Ｔｅ５６をＲＦマグネトロンスパッタ０．２ｋＷで１０ｎｍ成膜した。引き続き光学干渉層３４（光学干渉層５に対応）としてＺｎＳ−ＳｉＯ２をＲＦマグネトロンスパッタ１ｋＷで１０ｎｍ成膜した後、再生信号拡大層３５（再生信号拡大層６に対応）としてＧｅ４０Ｓｂ８Ｔｅ５２をＲＦマグネトロンスパッタ０．２ｋＷで１５ｎｍ成膜した。その後、光学干渉層３６（光学干渉層７に対応）としてＺｎＳ−ＳｉＯ２をＲＦマグネトロンスパッタ１ｋＷで４０ｎｍ、反射層３７（反射層８に対応）としてＡｇ９８Ｐｄ１Ｃｕ１をＤＣマグネトロンスパッタ１ｋＷで５０ｎｍ成膜した。成膜後の基板は成膜面にＵＶ硬化樹脂を塗布して厚さ０．６ｍｍのダミー用ＰＣ基板３８を貼り合わせ書き換え型光ディスクとして完成させた。
【００３０】
完成した光ディスクは、レーザー初期化装置を使って記録層３３のみを初期結晶化した。このとき初期化後の反射率は１８％であった。
【００３１】
図１２に示す評価条件を使ってこの書き換え型光ディスクに記録パワー１１ｍＷ／消去パワー６ｍＷでランダムデータを記録した後、８５℃、相対湿度８５％の条件で加速試験を行った。加速試験４００時間後にジッタは７．２％から１８．９％へ、反射率は１８％から９．７％へと変化し満足なデータ再生ができなくなったディスクに対して連続光を照射したときの反射率とジッタの変化を図５に示す。照射パワー３ｍＷ以上でジッタ、反射率とも改善の兆候が見られ、３．０〜４．５ｍＷの範囲で劣化前の特性に戻っている。このような再生信号の回復現象は再生信号拡大層３５が未記録部に対応して選択的に結晶化されたために起こったと考えられる。５．０ｍＷ以上でジッタが増加しているのは記録層のアモルファス記録マークが結晶化したためと考えられる。なお加速試験を行う前に連続光を照射したディスクは６％以下のジッタと２４％以上の未記録部反射率を示し４００時間の加速試験後も反射率は低下したものの再生可能であった。
【００３２】
第２の具体例は、以下の通りである。
【００３３】
図６に示すように、トラックピッチ０．７４μｍ、深さ１７０ｎｍの溝が形成された厚さ０．６ｍｍのポリカーボネイト（ＰＣ）基板４１（基板１２に対応）に、アゾ金属錯体をスピンコーターで約８０ｎｍ塗布し記録層４２（記録層１３に対応）を形成した。引き続き光学干渉層４３（光学干渉層１４に対応）としてＺｒＯ２をＲＦマグネトロンスパッタ１ｋＷで１５ｎｍ成膜した後、再生信号拡大層４４（再生信号拡大層１５に対応）としてＧｅ３１Ｓｂ１４Ｔｅ５５をＲＦマグネトロンスパッタ０．２ｋＷで１０ｎｍ成膜した。その後、光学干渉層４５としてＺｒＯ２をＲＦマグネトロンスパッタ１ｋＷで５０ｎｍ、反射層４６（反射層１６に対応）としてＡｌ９９Ｍｏ１をＤＣマグネトロンスパッタ１ｋＷで１００ｎｍ成膜した。成膜後の基板は成膜面にＵＶ硬化樹脂を塗布して厚さ０．６ｍｍのダミー用ＰＣ基板４７を貼り合わせ追記型光ディスクとして完成させた。このとき未記録部の反射率は７５％であった。
【００３４】
図１２に示す評価条件を使ってこの追記型光ディスクに記録パワー１２．５ｍＷ／ボトムパワー０．１ｍＷでランダムデータを記録した後、８５℃、相対湿度８５％の条件で加速試験を行った。加速試験４００時間後にジッタは６．８％から２０．０％へ、反射率は７５％から４２％へと変化し満足なデータ再生ができなくなったディスクに対して連続光を照射したときの反射率とジッタの変化を図７に示す。照射パワー５ｍＷ以上でジッタ、反射率とも改善の兆候が見られ、５．５ｍＷ以上でほぼ劣化前の特性に戻っている。このような再生信号の回復現象は再生信号拡大層が未記録部に対応して選択的に結晶化されたために起こったと考えられる。７．５ｍＷ以上でわずかにジッタが増加しているのは過剰な温度上昇によって記録層の記録マークが光学的に変化したためである。なお加速試験を行う前に連続光を照射したディスクは６％以下のジッタと８０％以上の未記録部反射率を示し４００時間の加速試験後も再生可能であった。
【００３５】
第３の具体例は、以下の通りである。
【００３６】
図８に示すように、ディスク半径方向に０．７４μｍのピッチで深さ１００ｎｍの情報ピットが形成された厚さ０．６ｍｍのポリカーボネイト（ＰＣ）基板５１（基板２２に対応）に再生信号拡大層５２（再生信号拡大層２３に対応）としてＧｅ２２Ｓｂ２２Ｔｅ５６をＲＦマグネトロンスパッタ０．２ｋＷで２０ｎｍ成膜し、光学干渉層５３としてＡｌ２Ｏ３をＲＦマグネトロンスパッタ１ｋＷで１０ｎｍ、反射層５４（反射層２４に対応）としてＡｌ９９Ｔｉ１をＤＣマグネトロンスパッタ１ｋＷで５０ｎｍ成膜した。成膜後の基板は成膜面にＵＶ硬化樹脂を塗布して厚さ０．６ｍｍのダミー用ＰＣ基板５５を貼り合わせ再生専用光ディスクとして完成させた。ピットが形成されていない、いわゆるミラー部の反射率は７８％であった。
【００３７】
このディスクを８５℃、相対湿度８５％の恒温槽に保存して加速試験を行った。加速試験４００時間後にジッタは６．０％から１７．０％へ、反射率は７８％から４３％へと変化し満足なデータ再生ができなくなったディスクに対して連続光を照射したときの反射率とジッタの変化を図９に示す。照射パワー５ｍＷ以上でジッタ、反射率とも改善の兆候が見られ、５．５ｍＷ以上でほぼ劣化前の特性に戻っている。このような再生信号の回復現象は再生信号拡大層がピット未形成部に対応して選択的に結晶化されたために起こったと考えられる。なお加速試験を行う前に連続光を照射したディスクは６％以下のジッタと８０％以上の未記録部反射率を示し４００時間の加速試験後も再生可能であった。
【００３８】
以下に、比較例を示し、本発明をさらに詳細に説明する。
【００３９】
第１の具体例と同じ層構成にして光学干渉層３４の膜厚を０ｎｍ、１０ｎｍ、３０ｎｍと変化させた３種類のディスクＡ、Ｂ、Ｃを作製した。完成した光ディスクはレーザー初期化装置を使って記録層のみ初期結晶化を試みたが、ディスクＡは再生信号拡大層も同時に初期化された。
【００４０】
図１２に示す評価条件を使ってこの書き換え型光ディスクに記録パワー１１ｍＷ／消去パワー５ｍＷでランダムデータを記録した後、８５℃、相対湿度８５％の条件で加速試験を行った。３００時間の加速試験後再生不能になった３種類のディスクに連続光を照射しこの時の未記録部規格化反射率とジッタのレーザパワー依存性を図１０、図１１にそれぞれ示す。ディスクＢ、Ｃは５．５ｍＷ以上の連続光照射で反射率が増加しジッタが改善されている。これに対してディスクＡは反射率に変化はなく４ｍＷ以上のパワーでジッタが増加している。このように記録層と再生信号拡大層が隔てられているディスクＢとＣは加速劣化後も連続光照射により再生が可能になったが、両層が接触しているディスクＡは加速劣化後の連続光照射でも信号は復元できなかった。
【００４１】
以上具体例と比較例を使って本発明の効果を実証したが、記録再生装置の光源波長や光学系によって本発明の効果が低下することはない。例えば次世代光ディスクで予定されている光源波長４０５ｎｍ、対物レンズの開口率０．６５あるいは０．８５のシステムでも媒体の各層膜厚を最適化することで本具体例と同様の効果が得られる。
【００４２】
以下に本発明の光記録媒体についてまとめる。
【００４３】
本発明の書き換え型光記録媒体及び追記型光記録媒体は、光照射によって情報の蓄積を担う記録層と、同記録層から得られる再生信号を拡大させる再生信号拡大層を有する。よって、再生信号拡大層による再生信号の強調が可能であり、記録層に記録された情報（記録マーク）が経年劣化しても、安定して再生することができる。
【００４４】
本発明の再生専用光記録媒体は、再生信号を拡大させる再生信号拡大層を有する。よって、再生信号拡大層による再生信号の強調が可能であり、記録された情報（ピット）が経年劣化しても、安定して再生することができる。
【００４５】
本発明の第１の形態の書き換え型光記録媒体は、基板上に積層された、干渉層、記録層、再生信号拡大層、及び反射層、から成る。干渉層は記録層と再生信号拡大層を隔てるためや再生信号を光学的に増幅させるために必要で、ＺｎＳ、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＺｎＯ、ＨｆＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、から選ばれる少なくとも１種以上の材料から成る。記録層には光ビームの照射を受けて結晶状態と非晶質状態を可逆的に遷移し、両状態間で光学特性が異なる材料が用いられる。例えば、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｇｅ−Ｂｉ−Ｔｅ，Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ等３元系材料が挙げられる。またこれらの材料にＣｏ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ａｕ，Ａｇ，Ｉｒ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｖ，Ｗ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｂｉ，Ｓｎ，Ｓｂ等を１種以上微量添加しても記録層として良好な特性が得られる。再生信号拡大層にはＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｇｅ−Ｂｉ−Ｔｅ，Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ等３元系材料、及びこれらの材料にＣｏ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ａｕ，Ａｇ，Ｉｒ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｖ，Ｗ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｂｉ，Ｓｎ，Ｓｂ等を１種以上微量添加したものが用いられる。このとき再生信号拡大層の結晶化温度は記録層のそれよりも高い。また反射層にはＡｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕを主成分とする合金が用いられる。
【００４６】
上記の各層を組み合わせて構成される本発明の第１の形態の書き換え型光記録媒体は、初期化処理によって記録層を結晶化した後情報が記録可能となる。このときレーザー光の集光部が記録層の結晶化温度以上で且つ再生信号拡大層の結晶化温度以下になるよう条件を最適化して初期化する。本発明では記録型ＣＤやＤＶＤで行われている方法と同様にマルチパルスで信号を記録し、記録部と未記録部の反射率差を検出して再生する。さらに長期保存後の再生信号劣化を補う本発明による再生方法を説明する。長期保存後は記録マークの再結晶化や欠陥発生によって記録・未記録部の反射率差が小さくなり再生が困難になる。このような場合に一定パワーの連続光を媒体に照射すると記録層の記録・未記録部に対応して再生信号拡大層が選択的に結晶化され結果として再生信号が増幅される。同様の効果は記録直後に連続光を照射しても得られる。例えば結晶の反射率がアモルファスのそれよりも高い、いわゆるハイトゥーロー（以下ＨｔｏＬ）極性の場合、記録層の結晶化部(未記録部)に対応する再生信号拡大層の一部だけが連続光照射で結晶化する。この媒体に再生光を照射すると未記録部の反射率が増加して記録・未記録の反射率差が拡大するため、長期保存後のディスクでも安定して再生することができる。結晶の反射率がアモルファスのそれよりも低い、いわゆるロートゥーハイ（以下ＬｔｏＨ）極性の場合、記録層のアモルファス記録マークに対応する再生信号拡大層の一部だけが連続光照射で結晶化する。この媒体に再生光を照射すると記録マークの反射率が増加して記録・未記録の反射率差が拡大するため、長期保存後のディスクでも安定して再生することができる。
【００４７】
本発明の第２の形態の追記型光記録媒体は、基板上に積層された、干渉層、記録層、再生信号拡大層、及び反射層、から成る。干渉層は記録層と再生信号拡大層を隔てるためや再生信号を光学的に増幅させるために必要で、ＺｎＳ、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、ＺｎＯ、ＨｆＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、から選ばれる少なくとも１種以上の材料から成る。記録層にはＴｅ化合物を始めてとしてカルコゲナイト元素などの無機系材料や、シアニン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、金属ポルフィリン誘導体などの色素を溶媒中に分散させた記録材料が用いられる。再生信号拡大層にはＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ，Ｇｅ−Ｂｉ−Ｔｅ，Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ等３元系材料、及びこれらの材料にＣｏ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ａｕ，Ａｇ，Ｉｒ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｖ，Ｗ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｚｒ，Ｂｉ，Ｓｎ，Ｓｂ等を１種以上微量添加したものが用いられる。また反射層にはＡｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕを主成分とする合金が用いられる。また反射層にはＡｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕを主成分とする合金が用いられる。
【００４８】
上記の各層を組み合わせて構成される本発明の第２の形態である追記型光記録媒体は、記録ビームの照射によって記録層の一部が変形あるいは化学変化を起こして記録マークが形成される。ここに再生光を照射すると記録部と未記録部の反射率差が生じて再生ができる。次に長期保存後の再生信号劣化を補う本発明による再生方法を説明する。長期保存後や長時間自然光にさらされた後は記録マークの化学変化や欠陥発生によって記録・未記録部の反射率差が小さくなり再生が困難になる。例えば未記録部の反射率が記録部のそれよりも高い、いわゆるＨｔｏＬ極性の場合、一定パワーの連続光を媒体に照射すると記録層の未記録部に対応する再生信号拡大層の一部だけが結晶化する。この媒体に再生光を照射すると未記録部の反射率が増加して記録・未記録の反射率差が拡大するため、長期保存後のディスクでも安定して再生することができる。未記録部の反射率が記録部のそれよりも低い、いわゆるＬｔｏＨ極性の場合、一定パワーの連続光を媒体に照射すると記録層の記録部に対応する再生信号拡大層の一部だけが結晶化する。この媒体に再生光を照射すると記録部の反射率が増加して記録・未記録の反射率差が拡大するため、長期保存後のディスクでも安定して再生することができる。同様の効果は記録直後に連続光を照射しても得られる。
【００４９】
さらにこの技術は本発明の第３の形態の再生専用光ディスクにも応用することができる。一般的な再生専用ディスクを構成する樹脂基板と金属反射層の間に相変化材料からなる再生信号拡大層を挿入することで経年劣化したディスクの再生信号を復元させることができる。再生専用光ディスクに用いられる樹脂基板には光源波長λに対してλ／（４ｎ）に相当する深さのピットが形成されている。ここでｎは樹脂基板の屈折率である。このようなディスクに再生光を照射するとピットの有無によって位相がずれた反射光が戻ってくるためこの位相差を利用して情報を再生する。しかし経年劣化により欠陥が生じたディスクは位相差の検出が難しくなる。そこで本発明による再生信号拡大層を有する再生専用光ディスクに対して連続光を照射すると、ピット以外の部分に対応した再生信号拡大層の一部が結晶化されるためピットの有無による光学コントラストを拡大することができる。この効果により経年劣化後の再生専用光ディスクも問題なく再生することが可能となる。
【００５０】
以上のように発明の光ディスクでは、経年劣化して再生不能になった記録情報を復元再生することができる。
【００５１】
次に、上記説明した書き換え型光記録媒体、追記型光記録媒体、及び再生専用光記録媒体を処理する媒体処理装置の一例を説明する。上記説明したように、書き換え型光記録媒体及び追記型光記録媒体の記録層は、第１のレーザパワー及びこの第１のレーザパワーより大きい第２のレーザパワーのパルス照射を受けた領域において記録マークを形成する。ここで説明する媒体処理装置は、書き換え型光記録媒体又は追記型光記録媒体の光入射面に対して、第１のレーザパワー及びこの第１のレーザパワーより大きい第２のレーザパワーの光ビームをパルス照射し、記録層に情報を記録する（記録マークを形成する）。また、この媒体処理装置は、書き換え型光記録媒体又は追記型光記録媒体の光入射面に対して、第１のレーザパワーより大きく第２のレーザパワーより小さい第３のレーザパワーの光ビームを連続照射し、記録層の未記録マーク領域に対向する再生信号拡大層上の第１の領域を変化させ、この第１の領域の反射率と記録層の記録マーク領域に対向する再生信号拡大層上の第２の領域の反射率を異なる反射率にする。
【００５２】
また、この媒体処理装置は、再生専用光記録媒体の光入射面に対して、所定のレーザパワーの光ビームを連続照射し、ピットの未形成領域に対向する第１の領域を変化させ、この第１の領域の反射率とピットの形成領域に対向する第２の領域の反射率を異なる反射率にする。
【００５３】
次に、図１３を参照して、上記した光記録媒体（情報記憶媒体）に対してレーザ光を照射し、これら光記録媒体に対して情報を記録したり、これら光記録媒体に記録された情報を再生したり、さらにこれら光記録媒体から得られる再生信号を強調したりする情報記録再生装置について説明する。図１３は、光ディスク装置（媒体処理装置）の概略構成を示すブロック図である。
【００５４】
図１３に示すように、光ディスク装置は、光ピックアップ１１０、変調回路１２１、記録再生制御部１２２、レーザ制御回路１２３、信号処理回路１２４、復調回路１２５、アクチュエータ１２６、フォーカストラッキング制御部１３０を備えている。
【００５５】
また、光ピックアップ１１０は、レーザ１１１、コリメートレンズ１１２、偏光ビームスプリッタ（以下ＰＢＳ）１１３、４分の１波長板１１４、対物レンズ１１５、集光レンズ１１６、光検出器１１７を備えている。
【００５６】
また、フォーカストラッキング制御部１３０は、フォーカスエラー信号生成回路１３１、フォーカス制御回路１３２、トラッキングエラー信号生成回路１３３、トラッキング制御回路１３４を備えている。
【００５７】
まず、この光ディスク装置による光ディスクに対する情報の記録について説明する。変調回路１２１は、所定の変調方式に従ってホストから提供される記録情報（データシンボル）をチャネルビット系列に変調する。記録情報に対応したチャネルビット系列は、記録再生制御部１２２に入力される。さらに、この記録再生制御部１２２には、ホストからの記録再生指示（この場合、記録指示）が入力される。記録再生制御部１２２は、アクチュエータ１２６に制御信号を出力し、目的の記録位置に光ビームが適切に集光されるように光ピックアップを駆動させる。さらに、記録再生制御部１２２は、チャネルビット系列をレーザ制御回路１２３に供給する。レーザ制御回路１２３は、チャネルビット系列をレーザ駆動波形に変換し、レーザ１１１を駆動させる。つまり、レーザ制御回路１２３は、レーザ１１１をパルス駆動させる。これに伴い、レーザ１１１は、所望のビット系列に対応した記録用の光ビームを照射（パルス照射）する。例えば、書き換え型光記録媒体に対しては、第１のレーザパワー（例えば４ｍＷ又は５ｍＷ）及びこの第１のレーザパワーより大きい第２のレーザパワー（例えば１０ｍＷ）の光ビームをパルス照射する。追記型光記録媒体に対しては、第１のレーザパワー（例えば０．５ｍＷ）及びこの第１のレーザパワーより大きい第２のレーザパワー（例えば１０ｍＷ）の光ビームをパルス照射する。
【００５８】
レーザ１１１から照射された記録用の光ビームは、コリメートレンズ１１２で平行光となり、ＰＢＳ１１３に入射し、透過する。ＰＢＳ１１３を透過したビームは、４分の１波長板１１４を透過し、対物レンズ１１５により光ディスクの情報記録面に集光される。集光された記録用の光ビームは、フォーカス制御回路１３２並びにアクチュエータ１２６によるフォーカス制御、及びにトラッキング制御回路１３４並びにアクチュエータ１２６によるトラッキング制御により、記録面上（記録層４又は１３）に最良の微小スポットが得られる状態で維持される。
【００５９】
続いて、この光ディスク装置による光ディスクから得られる再生信号の強調処理について説明する。基本的には、上記したデータの記録処理と同じであり、異なる点は、照射方式とレーザパワーである。
【００６０】
例えば書き換え型光記録媒体に対しては、第１のレーザパワー（例えば４ｍＷ又は５ｍＷ）より大きく前記第２のレーザパワー（例えば１０ｍＷ）より小さい第３のレーザパワー（例えば５ｍＷ又は６ｍＷ）の光ビームが連続照射される。これにより図１を参照して説明したように、記録層４の未記録マーク領域に対向する領域６ａが変化（相変化）し、この領域６ａの反射率と記録層４のアモルファス記録マーク４ａの領域に対向する領域６ｂの反射率が異なる反射率になる。つまり、領域６ａと領域６ｂの反射率に差が生じる。
【００６１】
また、追記型光記録媒体に対しては、第１のレーザパワー（例えば０．５ｍＷ）より大きく第２のレーザパワー（例えば１０ｍＷ）より小さい第３のレーザパワー（例えば１ｍＷ）の光ビームが連続照射される。これにより図２を参照して説明したように、記録層１３の未記録マーク領域に対向する領域１５ａが変化（相変化）し、この領域１５ａの反射率と記録層１３の記録マーク１３ａの領域に対向する領域１５ｂの反射率が異なる反射率になる。つまり、領域１５ａと領域１５ｂの反射率に差が生じる。
【００６２】
また、再生専用光記録媒体に対しては、所定のレーザパワーの光ビームが連続照射される。これにより図３を参照して説明したように、ピットの未形成領域に対向する領域２３ａが変化し、この領域２３ａの反射率とピットの形成領域に対向する領域２３ｂの反射率が異なる反射率になる。つまり、領域２３ａと領域２３ｂの反射率に差が生じる。
【００６３】
続いて、この光ディスク装置による光ディスクからのデータの再生について説明する。記録再生制御部１２２には、ホストからの記録再生指示（この場合、再生指示）が入力される。記録再生制御部１２２は、ホストからの再生指示に従い、レーザ制御回路１２３に再生制御信号を出力する。レーザ制御回路１２３は、再生制御信号に基づきレーザ１１１を駆動させる。これに伴いレーザ１１１は、再生用の光ビームを照射する。
【００６４】
レーザ１１１から照射された再生用の光ビームは、コリメートレンズ１１２で平行光となり、ＰＢＳ１１３に入射し、透過する。ＰＢＳ１１３を透過した光ビームは４分の１波長板１１４を透過し、対物レンズ１１５により光ディスクの情報記録面に集光される。集光された再生用の光ビームは、フォーカス制御回路１３２並びにアクチュエータ１２６によるフォーカス制御、及びトラッキング制御回路１３４並びにアクチュエータ１２６によるトラッキング制御により、記録面上に最良の微小スポットが得られる状態で維持される。このとき、光ディスク上に照射された再生用の光ビームは、反射層により反射される。しかも、再生信号拡大層により、反射光（再生信号）に含まれる記録マーク又はピット成分が強調される。反射光は対物レンズ１１５を逆方向に透過し、再度平行光となる。反射光は４分の１波長板１１４を透過し、入射光に対して垂直な偏光を持ち、ＰＢＳ１１３では反射される。ＰＢＳ１１３で反射されたビームは集光レンズ１１６により収束光となり、光検出器１１７に入射される。光検出器１１７は、例えば、４分割のフォトディテクタから構成されている。光検出器１１７に入射した光束は光電変換されて電気信号となり増幅される。増幅された信号は信号処理回路１２４にて等化され２値化され、復調回路１２５に送られる。復調回路１２５では所定変調方式に対応した復調動作が施されて、再生データが出力される。
【００６５】
また、光検出器１１７から出力される電気信号の一部に基づき、フォーカスエラー信号生成回路１３１によりフォーカスエラー信号が生成される。同様に、光検出器１１７から出力される電気信号の一部に基づき、トラッキングエラー信号生成回路１３３によりトラッキングエラー信号が生成される。フォーカス制御回路１３２は、フォーカスエラー信号に基づきアクチュエータ１２８を制御し、ビームスポットのフォーカスを制御する。トラッキング制御回路１３４は、トラッキングエラー信号に基づきアクチュエータ１２８を制御し、ビームスポットのトラッキングを制御する。
【００６６】
なお、本願発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、各実施形態は可能な限り適宜組み合わせて実施してもよく、その場合組み合わせた効果が得られる。更に、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適当な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の第１の形態の書き換え型光記録媒体（情報記憶媒体）の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の第２の形態の追記型光記録媒体（情報記憶媒体）の一例を示す断面図である。
【図３】本発明の第３の形態の再生専用型光記録媒体（情報記憶媒体）の一例を示す断面図である。
【図４】本発明の第１の具体例の書き換え型光記録媒体の一例を示す断面図である。
【図５】第１の具体例の書き換え型光記録媒体における照射パワーに対するジッタと反射率の変化を説明するための図である。
【図６】本発明の第２の具体例の追記型光記録媒体の一例を示す断面図である。
【図７】第２の具体例の追記型光記録媒体における照射パワーに対するジッタと反射率の変化を説明するための図である。
【図８】本発明の第３の具体例の再生専用型光記録媒体の一例を示す断面図である。
【図９】第３の具体例の再生専用型光記録媒体における照射パワーに対するジッタと反射率の変化を説明するための図である。
【図１０】比較例の各光記録媒体における規格化反射率の照射パワー依存性を説明するための図である。
【図１１】比較例の各光記録媒体におけるジッタの照射パワー依存性を説明するための図である。
【図１２】評価条件の一例を示す図である。
【図１３】光ディスク装置（媒体処理装置）の概略構成の一例を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００６８】
１…書き換え型光記録媒体、２…基板、３…光学干渉層、４…記録層、４ａ…アモルファス記録マーク、５…光学干渉層、６…再生信号拡大層、６ａ…領域（変化部）、６ｂ…領域（非変化部）、７…光学干渉層、８…反射層、１１…追記型光記録媒体、１２…基板、１３…記録層、１３ａ…記録マーク、１４…光学干渉層、１５…再生信号拡大層、１５ａ…領域（変化部）、１５ｂ…領域（非変化部）、１６…反射層、２１…再生専用光ディスク、２２…基板、２３…再生信号拡大層、２３ａ…領域（変化部）、２３ｂ…領域（非変化部）、２４…反射層、３１…ＰＣ基板、３２…ＺｎＳ−ＳｉＯ２光学干渉層、３３…Ｇｅ２２Ｓｂ２２Ｔｅ５６記録層、３４…ＺｎＳ−ＳｉＯ２光学干渉層、３５…Ｇｅ４０Ｓｂ８Ｔｅ５２再生信号拡大層、３６…ＺｎＳ−ＳｉＯ２光学干渉層、３７…Ａｇ９８Ｐｄ１Ｃｕ１反射層、３８…ダミーＰＣ基板、４１…ＰＣ基板、４２…アゾ金属錯体記録層、４３…ＺｒＯ２光学干渉層、４４…Ｇｅ３１Ｓｂ１４Ｔｅ５５再生信号拡大層、４５…ＺｒＯ２光学干渉層、４６…Ａｌ９９Ｍｏ１反射層、４７…ダミーＰＣ基板、５１…ＰＣ基板、５２…Ｇｅ２２Ｓｂ２２Ｔｅ５６再生信号拡大層、５３…Ａｌ２Ｏ３光学干渉層、５４…Ａｌ９９Ｔｉ１記録層、５５…ダミーＰＣ基板
【図１】
2006344282.tif 000003
【図２】
2006344282.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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