(57)【要約】【課題】  記録密度を向上させながら、ポールイレージャーの発生を防止することが可能な構造を備えた薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置を提供する。【解決手段】  薄膜磁気ヘッドは記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして磁極端部に対向するライトシールド層と、少なくともライトシールド層の一部の周りに巻回された薄膜コイルとが積層された構成を有している。主磁極層は、ライトシールド層に接続されない縮長構造を有する磁極端部と、磁極端部よりも大きさが大きい上部ヨーク磁極部または／および下部ヨーク磁極部とを有し、かつ、磁極端部に上部ヨーク磁極部または／および下部ヨーク磁極部が接合された接合構造を有している。【選択図】  図１
2006004603.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、前記媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして前記磁極端部に対向するライトシールド層と、少なくとも前記ライトシールド層の一部の周りに巻回された薄膜コイルとが積層された構成を有し、
前記主磁極層は、前記ライトシールド層に接続されない縮長構造を有する前記磁極端部と、該磁極端部よりも大きさが大きいヨーク磁極部とを有し、かつ、前記磁極端部に前記ヨーク磁極部が接合された接合構造を有する薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記磁極端部が前記媒体対向面から離れるにしたがい、漸次幅の広がる可変幅構造のつなぎ部を有し、該つなぎ部に前記ヨーク磁極部が接合されている請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記つなぎ部と前記ヨーク磁極部との間に配置された非磁性材からなる非磁性薄膜を更に有する請求項２記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記磁極端部と、前記ヨーク磁極部とが互いに飽和磁束密度の異なる磁性材を用いて形成され、前記ヨーク磁極部の飽和磁束密度よりも、前記磁極端部の飽和磁束密度が高く設定されている請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記ライトシールド層と、前記ヨーク磁極部とが互いに飽和磁束密度の異なる磁性材を用いて形成され、前記ヨーク磁極部の飽和磁束密度よりも、前記ライトシールド層の飽和磁束密度が低く設定されている請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
前記磁極端部と前記ヨーク磁極部のいずれか少なくとも一方に接し、Ｔａ，Ｗ，Ｍｏ，ＴｉＷ，ＴｉＮ，Ｃｒ，ＮｉＣｒ，Ｍｏ，Ｒｕ，ＳｉＮからなる高引張力膜を更に有する請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、前記媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして前記磁極端部に対向するライトシールド層と、少なくとも前記ライトシールド層の一部の周りに巻回された薄膜コイルとが互いに積層された構成を有し、
前記主磁極層は、前記ライトシールド層に接続されない縮長構造を有する前記磁極端部と、該磁極端部よりも大きさが大きく、前記磁極端部よりも前記薄膜コイルに近い位置に配置された上部ヨーク磁極部と、前記磁極端部よりも大きさが大きく、前記磁極端部よりも前記薄膜コイルから離れた位置に配置された下部ヨーク磁極部とを有し、かつ、前記磁極端部に、前記上部ヨーク磁極部および下部磁極部が接合された接合構造を有する薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
前記磁極端部が前記媒体対向面から離れるにしたがい、漸次幅の広がる可変幅構造のつなぎ部を有し、該つなぎ部に前記上部ヨーク磁極部および下部ヨーク磁極部が接合されている請求項７記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】
前記磁極端部と、前記上部ヨーク磁極部および下部ヨーク磁極部とが互いに飽和磁束密度の異なる磁性材を用いて形成され、前記上部ヨーク磁極部および下部ヨーク磁極部の飽和磁束密度よりも、前記磁極端部の飽和磁束密度が高く設定されている請求項７記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１０】
前記磁極端部と前記下部ヨーク磁極部のいずれか少なくとも一方に接する高引張力膜を更に有する請求項７記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１１】
記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、前記媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして前記磁極端部に対向するライトシールド層と、少なくとも前記ライトシールド層の一部の周りに巻回された薄膜コイルとを積層して薄膜磁気ヘッドを製造する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記媒体対向面から離れた側に絶縁部が形成されるようにして、絶縁層上における前記媒体対向面の側に前記磁極端部を形成する工程と、
前記磁極端部における前記媒体対向面から離れた側の部分が露出するようにして、前記磁極端部上に前記記録ギャップ層を形成する工程と、
前記磁極端部における前記記録ギャップ層で被覆されない箇所に接合し、かつ前記絶縁部に接触するように上部ヨーク磁極部を形成して、前記主磁極層を形成する工程と、
前記主磁極層における前記上部ヨーク磁極部に絶縁膜を介して接触するようにして前記薄膜コイルを形成する工程と、
前記記録ギャップ層を介して前記磁極端部と対向し、かつ前記上部ヨーク磁極部に接続するようにして、前記ライトシールド層を形成する工程とを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１２】
記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、前記媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして前記磁極端部に対向するライトシールド層と、少なくとも前記ライトシールド層の一部の周りに巻回された薄膜コイルとを積層して薄膜磁気ヘッドを製造する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記媒体対向面の側に絶縁部が形成されるようにして、絶縁層上に下部ヨーク磁極部を形成する工程と、
前記媒体対向面の側に配置され、前記絶縁部に接触し、かつ前記下部ヨーク磁極部における前記媒体対向面の側に接合するように前記磁極端部を形成して、前記主磁極層を形成する工程と、
前記媒体対向面から離れた側の部分が露出するようにして、前記主磁極層上に前記記録ギャップ層を形成する工程と、
前記記録ギャップ層に絶縁膜を介して接触するようにして、前記薄膜コイルを形成する工程と、
前記記録ギャップ層を介して前記磁極端部と対向するようにして、前記ライトシールド層を形成する工程とを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１３】
記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、前記媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして前記磁極端部に対向するライトシールド層と、少なくとも前記ライトシールド層の一部の周りに巻回された薄膜コイルとを積層して薄膜磁気ヘッドを製造する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記媒体対向面の側に第1の絶縁部が形成されるようにして、絶縁層上に下部ヨーク磁極部を形成する工程と、
前記媒体対向面の側に配置され、前記第1の絶縁部に接触し、かつ前記下部ヨーク磁極部における前記媒体対向面の側に接合し、前記媒体対向面から離れた側に第２の絶縁部が形成されるようにして、前記磁極端部を形成する工程と、
前記磁極端部における媒体対向面から離れた側の部分が露出するようにして、前記磁極端部上に前記記録ギャップ層を形成する工程と、
前記磁極端部における前記記録ギャップ層で被覆されない箇所に接合し、かつ前記第２の絶縁部に接触するように上部ヨーク磁極部を形成して、前記主磁極層を形成する工程と、
前記主磁極層における前記上部ヨーク磁極部に絶縁膜を介して接触するようにして前記薄膜コイルを形成する工程と、
前記記録ギャップ層を介して前記磁極端部と対向し、かつ前記上部ヨーク磁極部に接続するようにして、前記ライトシールド層を形成する工程とを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１４】
前記磁極端部の表面に対するアニールを行う工程を更に有する請求項１１記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１５】
前記磁極端部の表面に対するアニールを行う工程を更に有する請求項１２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１６】
前記磁極端部の表面に対するアニールを行う工程を更に有する請求項１３記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１７】
基台上に形成された薄膜磁気ヘッドと、前記基台を固定するジンバルとを備え、
前記薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、前記媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして前記磁極端部に対向するライトシールド層と、少なくとも前記ライトシールド層の一部の周りに巻回された薄膜コイルとが積層された構成を有し、
前記主磁極層は、前記ライトシールド層に接続されない縮長構造を有する前記磁極端部と、該磁極端部よりも大きさが大きいヨーク磁極部とを有し、かつ、前記磁極端部に前記ヨーク磁極部が接合された接合構造を有するヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項１８】
薄膜磁気ヘッドを有するヘッドジンバルアセンブリと、前記薄膜磁気ヘッドに対向する記録媒体とを備え、
前記薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、前記媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして前記磁極端部に対向するライトシールド層と、少なくとも前記ライトシールド層の一部の周りに巻回された薄膜コイルとが積層された構成を有し、
前記主磁極層は、前記ライトシールド層に接続されない縮長構造を有する前記磁極端部と、該磁極端部よりも大きさが大きいヨーク磁極部とを有し、かつ、前記磁極端部に前記ヨーク磁極部が接合された接合構造を有するハードディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直記録方式で磁気記録動作を行う薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ハードディスク装置の面記録密度が著しく向上している。特に最近ではハードディスク装置の面記録密度は、１６０〜２００ギガバイト／プラッタに達し、更にそれを超える勢いである。これに伴い、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められている。
【０００３】
薄膜磁気ヘッドは、記録方式により大別すると、ハードディスク（記録媒体）の記録面内（長手）方向に情報を記録する長手記録方式と、ハードディスクに形成する記録磁化の向きを記録面の垂直方向に形成してデータを記録する垂直記録方式とに分けることができる。このうち、垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドは長手記録方式に比べて格段に高い記録密度を実現できる上に、記録済のハードディスクが熱揺らぎの影響を受けにくいので、長手記録方式よりも有望視されている。
従来の垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドは、例えば、特許文献１、特許文献２、特許文献３、特許文献４などに開示されている。
【０００４】
ところで、垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドはハードディスクの内周や外周の領域にデータを記録するときに、データを記録するトラックに対して、記録媒体（ハードディスク）に対向する媒体対向面（エアベアリング面、ＡＢＳともいう）の側に配置された磁極端部がある角度での傾き(Ｓｋｅｗ  Ａｎｇｌｅ）を生じる。垂直記録方式の磁気ヘッド（ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ  ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｒｅｃｏｒｄｉｎｇ  ｈｅａｄ：以下「ＰＭＲ」ともいう）で書き込み能力が高い場合は、このＳｋｅｗ  Ａｎｇｌｅが生じることによって、隣接するトラック同士の間に余分なデータを記録してしまう、いわゆる書きにじみと呼ばれる問題があった。この書きにじみが生じると、サーボ信号の検出や、再生波形のＳ／Ｎ比に悪影響を及ぼす。そのため、従来のＰＭＲは、主磁極層におけるＡＢＳ側の磁極端部を一方向に向って漸次幅の狭まるベベル形状にしている（この点に関しては、例えば、特許文献５、特許文献６参照）。
【特許文献１】米国特許第６，５０４，６７５号明細書
【特許文献２】米国特許第４，６５６，５４６号明細書
【特許文献３】米国特許第４，６７２，４９３号明細書
【特許文献４】特開２００４−９４９９７号公報
【特許文献５】特開２００３−２４２６０７号公報
【特許文献６】特開２００３−２０３３１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来のＰＭＲの中には、例えば図３１（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）に示すような構造を有する薄膜磁気ヘッド４００があった。この薄膜磁気ヘッド４００は、絶縁層４０１上に形成され、ＡＢＳ４０３の側に配置された磁極端部がベベル形状を有する主磁極層４０２と、主磁極層４０２と磁気的に連結され、ＡＢＳ４０３の側で記録ギャップ層４０４を挟んで、主磁極層４０２と対向するライトシールド（Ｗｒｉｔｅ  ｓｈｉｅｌｄ）層４０５と、薄膜コイル４０６とを有している。また、薄膜コイル４０６がフォトレジスト４０７により互いに絶縁され、主磁極層４０２と、ライトシールド層４０５とを連結する連結部４０８の周りに平面渦巻き状に巻回されている。
薄膜磁気ヘッド４００では、記録ギャップ層４０４により、データの記録が行われる。また、磁極端部のＡＢＳ４０３における薄膜コイル４０６に近い方の横幅Ｗ４１がトラック幅になり、その横幅Ｗ４１に対応して、ハードディスクの記録密度が決まるようになっている。
【０００６】
この薄膜磁気ヘッド４００のように、主磁極層４０２と対向するライトシールド層を有するＰＭＲはフォトレジスト４０７とライトシールド層４０５のＡＢＳ４０３からの距離によりスロートハイトＴＨが決まるようになっている。また、この薄膜磁気ヘッド４００はライトシールド層４０５によって、ハードディスクからの磁気のリターンを吸収でき、しかも、オーバーライト特性（記録媒体に記録されているデータに別のデータを上書きしてしまう特性）を良好にできることから、近年におけるＰＭＲに数多く採用されている。
【０００７】
一方、ＰＭＲでは、記録密度を向上させるためトラック幅をより狭くしたものが求められ、オーバーライト特性が良好なものが望ましい。しかも、上述したＳｋｅｗ  Ａｎｇｌｅの問題に対応する必要もあったことから、薄膜磁気ヘッド４００のようにベベル形状の主磁極層４０２をフォトリゾグラフィにより、フレームめっきで設けるようにしていた。
【０００８】
しかしながら、薄膜磁気ヘッド４００のほか、従来のＰＭＲには、高密度で情報記録を行うと、既にハードディスクに書き込まれているデータを消去してしまう、ポールイレージャー（Ｐｏｌｅ  Ｅｒａｓｕｒｅ）とよばれる現象が生じるという問題があった。このポールイレージャーとは、最大保持力(Ｃｏｅｒｃｉｖｉｔｙ）Ｈｃの大きい記録媒体（ハードディスク）にデータを書込みした後、薄膜コイルに記録電流（ｗｒｉｔｅ  ｃｕｒｒｅｎｔ）を流していないにもかかわらず、漏れ磁束がＡＢＳ４０３からハードディスクに流れて他のデータを消去してしまう現象である。
【０００９】
薄膜磁気ヘッド４００は、図３１（Ｃ）に示すように、磁化ｍｓの方向がＡＢＳ４０３に沿った方向を向くように磁性材を磁化して、主磁極層４０２を形成している。
しかし、薄膜磁気ヘッド４００のような構造を有する従来のＰＭＲでは、磁化ｍｓの方向をＡＢＳ４０３に沿った方向に揃えても、書き込み終了後における主磁極層４０２の内部の残留磁化（ｒｅｓｉｄｕａｌ  ｍａｇｎｅｔｉｚａｔｉｏｎ）ｍｒの方向がＡＢＳ４０３側を向き、磁化ｍｓとは異なる方向を向いてしまう（以下、ＡＢＳに沿った方向と異なる方向を「異方向」という）。そのため、薄膜磁気ヘッド４００によってデータの書き込みを行うと、記録電流（ｗｒｉｔｅ  ｃｕｒｒｅｎｔ）を流していないにも関わらず、残留磁化ｍｒによる漏れ磁束によって、既にハードディスクに書き込まれているデータが消去されたり、書き込まれたデータの信号が弱められてしまうというわけである。
【００１０】
一般に、薄膜磁気ヘッド４００のほか、従来のＰＭＲの場合、主磁極層は、最大保持力Ｈｃが小さく（２〜１０Ｏｅ程度）、磁歪（Ｍａｇｎｅｔｏｓｔｒｉｃｔｉｏｎ）λが小さい（１〜３×１０−６）磁性材が望ましいとされており、上述したポールイレージャーを解消するにも、磁歪（Ｍａｇｎｅｔｏｓｔｒｉｃｔｉｏｎ）λが小さい磁性材が望ましいとされている。
しかし、記録密度が向上するようにトラック幅を狭めても、磁束の飽和に伴うオーバーライト特性の悪化が生じないようにするには、主磁極層４０２の磁性材を飽和磁束密度の高い磁性材で形成するのが望ましく、そうすると、主磁極層４０２の磁歪λを小さくすることが難しくなる。そのため、薄膜磁気ヘッド４００をはじめとする従来のＰＭＲでは、記録密度の向上とポールイレージャーの発生を防止することとの両立を図ることが困難であった。それ故、従来のＰＭＲでは、記録密度を向上させながら、ポールイレージャーの発生を防止しえるような構造上の工夫が求められていた。
【００１１】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、記録密度を向上させながら、ポールイレージャーの発生を防止することが可能な構造を備えた薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するため、本発明は、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして磁極端部に対向するライトシールド層と、少なくともライトシールド層の一部の周りに巻回された薄膜コイルとが積層された構成を有し、主磁極層は、ライトシールド層に接続されない縮長構造を有する磁極端部と、その磁極端部よりも大きさが大きいヨーク磁極部とを有し、かつ、磁極端部にヨーク磁極部が接合された接合構造を有する薄膜磁気ヘッドを特徴とする。
この薄膜磁気ヘッドは、主磁極層が磁極端部と、磁極端部よりも大きさの大きいヨーク磁極部が接合された接合構造を有している。
また、薄膜磁気ヘッドは、磁極端部が媒体対向面から離れるにしたがい、漸次幅の広がる可変幅構造のつなぎ部を有し、そのつなぎ部にヨーク磁極部が接合されているようにすることができる。
【００１３】
さらに、薄膜磁気ヘッドは、つなぎ部とヨーク磁極部との間に配置された非磁性材からなる非磁性薄膜を更に有するようにするとよい。
この非磁性薄膜によって、書き込み終了後における磁極端部の残留磁化の方向を媒体対向面に沿った方向に保つことができる。
【００１４】
磁極端部と、ヨーク磁極部とが互いに飽和磁束密度の異なる磁性材を用いて形成され、ヨーク磁極部の飽和磁束密度よりも、磁極端部の飽和磁束密度が高く設定されていることが好ましい。
こうすると、磁極端部の飽和磁束密度を高く設定でき、磁極端部におけるトラック幅を狭めても、磁束の飽和を生じ難くすることができる。
また、ライトシールド層と、ヨーク磁極部とが互いに飽和磁束密度の異なる磁性材を用いて形成され、ヨーク磁極部の飽和磁束密度よりも、ライトシールド層の飽和磁束密度が低く設定されているとよい。
【００１５】
磁極端部とヨーク磁極部のいずれか少なくとも一方に接し、Ｔａ，Ｗ，Ｍｏ，ＴｉＷ，ＴｉＮ，Ｃｒ，ＮｉＣｒ，Ｍｏ，Ｒｕ，ＳｉＮからなる高引張力膜を更に有することが好ましい。
この高引張力膜によって、書き込み終了後における磁極端部とヨーク磁極部のいずれか少なくとも一方の残留磁化の方向を媒体対向面に沿った方向に保つことができる。
【００１６】
また、本発明は、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして磁極端部に対向するライトシールド層と、少なくともライトシールド層の一部の周りに巻回された薄膜コイルとが互いに積層された構成を有し、主磁極層は、ライトシールド層に接続されない縮長構造を有する磁極端部と、その磁極端部よりも大きさが大きく、磁極端部よりも薄膜コイルに近い位置に配置された上部ヨーク磁極部と、磁極端部よりも大きさが大きく、磁極端部よりも薄膜コイルから離れた位置に配置された下部ヨーク磁極部とを有し、かつ、磁極端部に、上部ヨーク磁極部および下部磁極部が接合された接合構造を有する薄膜磁気ヘッドを提供する。
【００１７】
この薄膜磁気ヘッドも、磁極端部が媒体対向面から離れるにしたがい、漸次幅の広がる可変幅構造のつなぎ部を有し、そのつなぎ部に上部ヨーク磁極部および下部ヨーク磁極部が接合されているようにすることができる。
また、磁極端部と、上部ヨーク磁極部および下部ヨーク磁極部とが互いに飽和磁束密度の異なる磁性材を用いて形成され、上部ヨーク磁極部および下部ヨーク磁極部の飽和磁束密度よりも、磁極端部の飽和磁束密度が高く設定されているようにするとよい。
また、磁極端部と下部ヨーク磁極部のいずれか少なくとも一方に接する高引張力膜を更に有することが好ましい。
【００１８】
そして、本発明は、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして磁極端部に対向するライトシールド層と、少なくともライトシールド層の一部の周りに巻回された薄膜コイルとを積層して薄膜磁気ヘッドを製造する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、以下の（１）〜（５）に示す各工程を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。
（１）媒体対向面から離れた側に絶縁部が形成されるようにして、絶縁膜上における媒体対向面の側に磁極端部を形成する工程と、
（２）磁極端部における媒体対向面から離れた側の部分が露出するようにして磁極端部上に記録ギャップ層を形成する工程と、
（３）磁極端部における記録ギャップ層で被覆されない箇所に接合し、かつ絶縁部に接触するように上部ヨーク磁極部を形成して、主磁極層を形成する工程と、
（４）主磁極層における上部ヨーク磁極部に絶縁膜を介して接触するようにして薄膜コイルを形成する工程と、
（５）記録ギャップ層を介して磁極端部と対向し、かつ上部ヨーク磁極部に接続するようにして、ライトシールド層を形成する工程。
【００１９】
また、本発明は上記（１）〜（５）までの各工程の代わりに、以下の（６）〜（１０）までの各工程を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。
（６）媒体対向面の側に絶縁部が形成されるようにして、絶縁膜上に下部ヨーク磁極部を形成する工程と、
（７）媒体対向面の側に配置され、絶縁部に接触し、かつ下部ヨーク磁極部における媒体対向面の側に接合するように磁極端部を形成して、主磁極層を形成する工程と、
（８）媒体対向面から離れた側の部分が露出するようにして、主磁極層上に記録ギャップ層を形成する工程と、
（９）記録ギャップ層に絶縁膜を介して接触するようにして、薄膜コイルを形成する工程と、
（１０）記録ギャップ層を介して磁極端部と対向するようにして、ライトシールド層を形成する工程。
【００２０】
さらに、本発明は上記（１）〜（５）までの各工程の代わりに、以下の（１１）〜（１６）までの各工程を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。
（１１）媒体対向面の側に第1の絶縁部が形成されるようにして、絶縁膜上に下部ヨーク磁極部を形成する工程と、
（１２）媒体対向面の側に配置され、第1の絶縁部に接触し、かつ下部ヨーク磁極部における媒体対向面の側に接合し、媒体対向面から離れた側に第２の絶縁部が形成されるようにして、磁極端部を形成する工程と、
（１３）磁極端部における媒体対向面から離れた側の部分が露出するようにして、磁極端部上に記録ギャップ層を形成する工程と、
（１４）磁極端部における記録ギャップ層で被覆されない箇所に接合し、かつ第２の絶縁部に接触するように上部ヨーク磁極部を形成して、主磁極層を形成する工程と、
（１５）主磁極層における上部ヨーク磁極部に絶縁膜を介して接触するようにして薄膜コイルを形成する工程と、
（１６）記録ギャップ層を介して磁極端部と対向し、かつ上部ヨーク磁極部に接続するようにして、ライトシールド層を形成する工程。
【００２１】
これらの各工程を経ることにより、主磁極層が磁極端部と、磁極端部よりも大きさの大きいヨーク磁極部が接合された接合構造を有する薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
【００２２】
上記各薄膜磁気ヘッドの製造方法では、磁極端部の表面に対するアニールを行う工程を更に有するようにするとよい。
このアニールを行うことにより、書き込み終了後における磁極端部内部の残留磁化の影響を低減することができる。
【００２３】
そして、本発明は基台上に形成された薄膜磁気ヘッドと、基台を固定するジンバルとを備え、薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして磁極端部に対向するライトシールド層と、少なくともライトシールド層の一部の周りに巻回された薄膜コイルとが積層された構成を有し、主磁極層は、ライトシールド層に接続されない縮長構造を有する磁極端部と、その磁極端部よりも大きさが大きいヨーク磁極部とを有し、かつ、磁極端部にヨーク磁極部が接合された接合構造を有するヘッドジンバルアセンブリを提供する。
【００２４】
また、本発明は、薄膜磁気ヘッドを有するヘッドジンバルアセンブリと、薄膜磁気ヘッドに対向する記録媒体とを備え、薄膜磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面の側に磁極端部を有する主磁極層と、媒体対向面の側において、記録ギャップ層を形成するようにして磁極端部に対向するライトシールド層と、少なくともライトシールド層の一部の周りに巻回された薄膜コイルとが積層された構成を有し、主磁極層は、ライトシールド層に接続されない縮長構造を有する磁極端部と、その磁極端部よりも大きさが大きいヨーク磁極部とを有し、かつ、磁極端部にヨーク磁極部が接合された接合構造を有するハードディスク装置を提供する。
【発明の効果】
【００２５】
以上詳述したように、本発明によれば、記録密度を向上させながら、ポールイレージャーの発生を防止することが可能な構造を備えた薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、同一要素には同一符号を用い、重複する説明は省略する。
【００２７】
第１の実施の形態
（薄膜磁気ヘッドの構造）
まず、図１〜図４を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構造について説明する。ここで、図１（Ａ）は本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド３００の薄膜コイルに交差する方向の断面図、図１（Ｂ）はＡＢＳを示す正面図である。図２は薄膜磁気ヘッド３００における主磁極層１０と、第1のシールド部４１を示した平面図、図３は主磁極層１０を内部の磁化の方向とともに示す平面図である。図４は主磁極層１０における磁極端部１１と上部ヨーク磁極部２０の接合部分を示す斜視図である。
【００２８】
第１の実施の形態にかかる薄膜磁気ヘッド３００は、垂直記録方式の磁気ヘッドであって、記録媒体（ハードディスク）に対向する媒体対向面としてのＡＢＳ３０を有し、基板と、その基板に積層され、ＭＲ素子（磁気抵抗効果素子）等を備えた再生ヘッドと、記録ヘッドとを有している。なお、図１（Ａ），（Ｂ）では絶縁層１に積層されている記録ヘッドを示しているが、基板と再生ヘッドとは図示を省略している。また、以下では薄膜磁気ヘッド３００の主要部の構造について説明し、その他の部分の構造については後述する製造工程において説明する。
【００２９】
記録ヘッドは、主磁極層１０、記録ギャップ層２４、ライトシールド（Ｗｒｉｔｅ  ｓｈｉｅｌｄ）層４０、バック磁極層５０および薄膜コイル１００を有し、これらが図示しない基板上の絶縁層１に積層された構成を有している。
主磁極層１０は、磁極端部１１と上部ヨーク磁極部２０とを有し、その磁極端部１１に上部ヨーク磁極部２０が接合されることによって段差付きとなった段差接合構造を有している。
【００３０】
磁極端部１１は、ライトシールド層４０に接続されない縮長構造を有し、上部ヨーク磁極部２０よりも飽和磁束密度の高い磁性材（Ｈｉ-Ｂｓ材）を用いてＡＢＳ３０に沿った方向に磁化されている（図３参照）。
磁極端部１１は、ＡＢＳ３０の側に配置され、トラック幅を規定する一定の幅を有するトラック幅規定部１１ａと、つなぎ部１２とを有している。トラック幅規定部１１ａは、図１Ｂに示すように、ＡＢＳ３０において、ＡＢＳ３０に沿った方向における薄膜コイル１００に近いほうの横幅がＷ１で、薄膜コイル１００から離れたほうの横幅がＷ２であり、横幅が薄膜コイル１００から離れるにしたがい漸次狭まるベベル形状になっている（Ｗ１＞Ｗ２であり、横幅Ｗ１がトラック幅になる）。そして、図２〜図４に示すように、トラック幅規定部１１ａの奥行き（ＡＢＳ３０からの距離）がスロートハイトＴＨに対応するようになっている（本実施の形態では、スロートハイトＴＨは０．１〜０．３μｍ程度、好ましくは０．２５μｍになっている）。
【００３１】
磁極端部１１は、薄膜磁気ヘッド３００によるデータの記録密度を高くするため、横幅Ｗ１を狭めた狭トラック幅構造になっているが、狭トラック幅構造にしても、磁束の飽和が起きないように、上部ヨーク磁極部２０よりも、飽和磁束密度の高い磁性材が用いられている（詳しくは後述する）。
【００３２】
つなぎ部１２は磁極端部１１と同じ磁性材を用いて一体に形成され、ライトシールド層４０に接続されないようにＡＢＳ３０からの奥行きを短くして形成されている。このつなぎ部１２は、磁極端部１１を上部ヨーク磁極部２０につなげるために形成され、図２〜図４、特に図３に示すように、ＡＢＳ３０から離れるにしたがい、ＡＢＳ３０に沿った方向の横幅がトラック幅規定部１１ａよりも大きくて漸次広がる可変幅構造を有している。また、つなぎ部１２はＡＢＳ３０から離れた側のある程度の大きさの部分に上部ヨーク磁極部２０に接合されている。
【００３３】
そして、磁極端部１１は、ＡＢＳ３０からつなぎ部１２の後端部までの奥行きＤ２をＡＢＳ３０から上部ヨーク磁極部２０の後端部までの奥行きＤ１よりも短くしており、このようにして、ライトシールド層４０に接続されない縮長構造を有するようになっている。
【００３４】
上部ヨーク磁極部２０は、磁極端部１１よりも大きさ（面積）が大きく形成されており、記録ギャップ層２４よりも奥側に配置されている。また、上部ヨーク磁極部２０は磁極端部１１よりも薄膜コイル１００に近い位置（上部）に配置されている。この上部ヨーク磁極部２０は、ＡＢＳ３０に沿った方向の横幅がＡＢＳ３０から離れるにしたがい漸次広がる可変幅領域２１と横幅が一定の定幅領域２２とを有している。
【００３５】
可変幅領域２１は、ＡＢＳ３０側におけるある程度の大きさの領域が、磁極端部１１のつなぎ部１２に接合された領域（図２の破線部分、以下この領域を「Ｓｔｉｔｃｈｅｄ  ＡＲＥＡ」という）２３になっている。定幅領域２２は、バック磁極層５０に対応した位置において、ライトシールド層４０と磁気的に連結されており、ライトシールド層４０とともに連結部４４を形成している。
また、上部ヨーク磁極部２０は、可変幅領域２１と定幅領域２２に跨るようにして絶縁膜３１を介して薄膜コイル１００が形成されている。なお、Ｓｔｉｔｃｈｅｄ  ＡＲＥＡ２３は奥行きＤ３が０．５〜１．５μｍ程度であり（図２参照）、つなぎ部１２よりも外側にはみ出す部分の横幅Ｗ３が０．５μｍ程度になっている。
【００３６】
記録ギャップ層２４は、主磁極層１０とライトシールド層４０の後述する第１のシールド部４１との間に形成されている。
ライトシールド層４０は第１のシールド部４１と、第２のシールド部４２と、第３のシールド部４３とを有している。第１のシールド部４１は、ＡＢＳ３０において、記録ギャップ層２４を挟んで主磁極層１０の磁極端部１１と対向しており、ＡＢＳ３０に交差する方向の奥行きによって、スロートハイトＴＨが決まるようにして形成されている。第２のシールド部４２は、第１のシールド部４１と上部ヨーク磁極部２０とに薄膜コイル１００に近い側から接続するように形成され、薄膜コイル１００の厚さと同等の高さを有している。第３のシールド部４３は第２のシールド部４２に接続され、絶縁層３２を介して薄膜コイル１００およびフォトレジスト１０１を被覆するようにして形成されている。
【００３７】
バック磁極層５０は、ＡＢＳ３０から離れ、連結部４４に対応した位置において薄膜コイル１００から離れた側から上部ヨーク磁極部２０に接続されている。
薄膜コイル１００は、それぞれ絶縁層３１，３２を介して、上部ヨーク磁極部２０およびライトシールド層４０に対して絶縁された状態で、ライトシールド層４０の回りに平面渦巻き状に巻回されている。
【００３８】
以上のような構成を有する薄膜磁気ヘッド３００は、記録ヘッドが上述した主磁極層１０を有し、この主磁極層１０は、縮長構造の磁極端部１１に上部ヨーク磁極部２０に接合されて段差付となった段差接合構造を有している。
そして、データの記録密度を高くするため、磁極端部１１におけるトラック幅規定部１１ａの横幅Ｗ１を狭めて狭トラック幅構造とし、さらに磁束の飽和が起きないように、その磁極端部１１を上部ヨーク磁極部２０よりも、飽和磁束密度の高い磁性材を用いて形成している。その関係で磁極端部１１では、磁性材の飽和磁束密度が上部ヨーク磁極部２０よりも高く、磁歪λを小さくすることが難しい。そのため、磁化の方向がＡＢＳ３０に沿った方向に揃えてあっても、書き込み終了後における残留磁化の向きがＡＢＳ３０側を向き、磁化の方向とは異なる異方向を向いてしまいやすい。
【００３９】
しかし、薄膜磁気ヘッド３００では、磁極端部１１の磁性材を飽和磁束密度の高い磁性材にしながらも、奥行きの短い縮長構造とする一方、大きさの大きい上部ヨーク磁極部２０は飽和磁束密度の低い磁性材を用いている。そして、その磁極端部１１に上部ヨーク磁極部２０を接合することによって、段差接合構造を有する主磁極層１０が形成されている。上部ヨーク磁極部２０は磁極端部１１よりも、飽和磁束密度の低い磁性材が用いられ、磁歪λが小さくなっているため、磁化ｍｓの方向をＡＢＳ３０に沿った方向に揃えると、書き込み終了後における残留磁化の方向が異方向を向かないようになっている。
【００４０】
そして、このような上部ヨーク磁極部２０におけるＳｔｉｔｃｈｅｄ  ＡＲＥＡ２３が、磁極端部１１に接合されているため、図３に示すように、書き込み終了後におけるつなぎ部１２内部の残留磁化ｍｒの方向が上部ヨーク磁極部２０における磁化ｍｓによって矯正され、異方向を向かないようになっている。
【００４１】
つまり、Ｓｔｉｔｃｈｅｄ  ＡＲＥＡ２３をつなぎ部１２に接合することによって、あたかも磁極端部１１に上部ヨーク磁極部２０を縫い合わせる(Ｓｔｉｔｃｈ)ようにして、書き込み終了後における磁極端部１１の残留磁化ｍｒの方向を磁化ｍｓによって矯正し、残留磁化ｍｒの方向を磁化ｍｓと同じ方向に揃えるようにしている。これにより、薄膜磁気ヘッド３００は、記録密度を向上させながら、ポールイレージャーの発生を効果的に防止することができるようになっている。
【００４２】
また、磁極端部１１が縮長構造を有し、上部ヨーク磁極部２０よりも大きさ（面積）が小さいため、磁極端部１１の磁気量（ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｃｈａｒｇｅ、磁気ボリュームともいう）は、上部ヨーク磁極部２０の磁気量よりも小さくなっている。そのため、磁極端部１１における残留磁化ｍｒが上部ヨーク磁極部２０よりも少なくなっており、書き込み終了後における残留磁化ｍｒの漏れ磁束も少なくなっている。この点でも、ポールイレージャーの発生が効果的に防止されるようになっている。
【００４３】
（変形例１）
次に、薄膜磁気ヘッド３００は、図２０（Ａ），（Ｂ）に示すように、絶縁層１と磁極端部１１との間に、テンシル膜５１を有してもよい。このテンシル膜５１はＴａ，Ｗ，Ｍｏ，ＴｉＷ，ＴｉＮ，Ｃｒ，ＮｉＣｒ，Ｍｏ，Ｒｕ，ＳｉＮ等からなり、２００ＭＰａ以上の高い引張力を加えて形成された高引張力膜である。テンシル膜５１を設けると、磁極端部１１の書き込み終了後における残留磁化ｍｒの方向をＡＢＳ３０に沿った方向に保つことができ、異方向を向かないようにすることができる。よって、薄膜磁気ヘッド３００は、記録密度を向上させながら、ポールイレージャーの発生を一層効果的に防止することができるようになっている。
【００４４】
（変形例２）
また、薄膜磁気ヘッド３００は、図２３に示すように、磁極端部１１と上部ヨーク磁極部２０との間に、非磁性膜６１を有するとよい。非磁性膜６１はＲｕ，Ｔａ，Ｗ，Ｃｒ等からなっている。この非磁性膜６１を設けても、磁極端部１１における残留磁化ｍｒの方向が異方向を向くことを防止することができる。よって、薄膜磁気ヘッド３００は、記録密度を向上させながら、ポールイレージャーの発生を一層効果的に防止することができるようになっている。
【００４５】
（薄膜磁気ヘッドの製造方法）
次に、上述の図１（Ａ），（Ｂ）〜図４と、図５（Ａ），（Ｂ）〜図９（Ａ），（Ｂ）を参照して、上述の構造を有する第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド３００の製造方法について説明する。
【００４６】
ここで、図５（Ａ），（Ｂ）〜図９（Ａ），（Ｂ）は、それぞれ図１（Ａ），（Ｂ）に対応する各製造工程における断面を示している。
本実施の形態に係る製造方法では、まず、例えばアルミニウムオキサイド・チタニウムカーバイド（Ａｌ２Ｏ３・ＴｉＣ）よりなる図示しない基板の上に、ＭＲ素子（磁気抵抗効果素子）等を備えた再生ヘッドを積層した上で、その再生ヘッドと記録ヘッドとを分離する絶縁層１を例えば約０．２〜０．３μｍの厚さで形成する。
【００４７】
次に、絶縁層１にフォトレジストを塗布した上で、所定のフォトマスクを用いたパターニングを行い、ＡＢＳ３０において、５〜１２°のテーパー角を備えたレジストパターンを形成する。そのレジストパターンを用いて、約０．６〜０．８μｍの厚さで、飽和磁束密度が２．３Ｔ〜２．４Ｔの高い飽和磁束密度を有するＣｏＦｅまたはＣｏＮｉＦｅを磁性材に用いてめっきを行い、磁極端部１１およびバック磁極層５０を形成する。続いて、めっきを行うために形成した電極膜（図示せず）を除去すると、図５（Ａ），（Ｂ）に示すようになる。
【００４８】
次に、積層体の全面にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる絶縁部３３を例えば０．５〜１．０μｍの厚さで形成し、図６（Ａ），（Ｂ）に示すように、磁極端部１１の高さ（絶縁部３３の厚さ）が０．２〜０．３μｍ程度になるように、その表面を例えば化学機械研摩（以下「ＣＭＰ」という）により研摩して、表面の平坦化処理を行う。すると、図６（Ａ），（Ｂ）に示すように、ＡＢＳ３０から離れた側に絶縁部３３が得られ、磁極端部１１とバック磁極層５０の存在しない箇所に絶縁部３３が入り込んだ状態が得られる。
【００４９】
ここで、ＣＭＰにより研摩した後、またはＣＭＰにより研摩する前に、２００〜２６０℃で、磁極端部１１の表面に対するアニール（ａｎｎｅａｌ）を行うとよい。このアニールを行うことにより、書き込み終了後における磁極端部１１内部の残留磁化ｍｒの影響を低減することができる。なお、このアニールは、後述する記録ギャップ層２４の形成後に行ってもよい。
【００５０】
続いて、積層体の上面全体を覆うように、記録ギャップ層２４を形成するための被膜を４００〜５００Åで形成する。この被膜の材料は、アルミナ等の絶縁材料でもよいし、Ｒｕ，ＮｉＣｕ，Ｔａ，Ｗ，Ｃｒ，Ａｌ２Ｏ３，Ｓｉ２Ｏ３等の非磁性金属材料でもよい。そして、ＡＢＳ３０側の領域を残し、かつ磁極端部１１におけるＡＢＳ３０から離れた側の部分が露出するようにして、その被膜を選択的にエッチングする。すると、図７（Ａ），（Ｂ）に示すように記録ギャップ層２４が形成される。
【００５１】
また、積層体の全面にめっき法により、飽和磁束密度が１．０〜１．６ＴのＮｉＦｅまたは飽和磁束密度が１．９〜２．１Ｔで、磁歪λおよび最大保持力Ｈｃが小さいＣｏＮｉＦｅを磁性材に用いて、０．３〜１．０μｍ程度の厚さで上部ヨーク磁極部２０を形成する。上部ヨーク磁極部２０は磁極端部１１の記録ギャップ層２４で被覆されない箇所とバック磁極層５０とに接合し、絶縁部３３に接触するように形成する。この上部ヨーク磁極部２０を形成することによって、主磁極層１０が形成される。
【００５２】
上部ヨーク磁極部２０を形成するときに、ＡＢＳ３０において記録ギャップ層２４を挟んで磁極端部１１と対向するようにして、第１のシールド部４１をスロートハイトＴＨを決める位置に形成する。この第１のシールド部４１は上部ヨーク磁極部２０と同様のＣｏＮｉＦｅや、ＮｉＦｅを磁性材に用いて、めっき法で形成すればよい。また、ＦｅＮ，ＦｅＣｏＺｒＯ，ＦｅＡｌＮ等の磁性材（各磁性材は磁歪λおよび最大保持力Ｈｃが小さく、飽和磁束密度が１．９〜２．０Ｔ）を用いてスパッタ法により被膜を形成した上で、その被膜に反応性イオンエッチング（以下「ＲＩＥ」という）またはイオンビームエッチング（以下「ＩＢＥ」という）を施して形成してもよい。
【００５３】
次に、図８（Ａ），（Ｂ）に示すように、積層体の全面にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる絶縁膜３４を例えば１．０〜１．５μｍの厚さで形成する。また、第１のシールド部４１と上部ヨーク磁極部２０の厚さが０．３〜０．８μｍ程度になるように、その表面をＣＭＰにより研摩して、表面の平坦化処理を行う。
続いて、積層体の全面にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる絶縁膜を０．２μｍ程度の厚さで形成し、第２のシールド部４２を形成すべき箇所に開口部を設ける。これによって、薄膜コイル１００と、上部ヨーク磁極部２０とがショートしないように絶縁するための絶縁膜３１が得られる。
【００５４】
さらに続いて、絶縁膜３１の上に、導電性材料からなる電極膜（図示せず）およびフォトリゾグラフィにより、フレームを形成した上で、電極膜を用いた電気めっきを行い、Ｃｕよりなるめっき層を形成する。このめっき層およびその下の電極膜が薄膜コイル１００になる。薄膜コイル１００は、絶縁膜３１を介して上部ヨーク磁極部２０に接触するように形成される。
次に、図示しないが、フォトリゾグラフィによって、フレームを形成し、フレームめっき法によって、第２のシールド部４２を形成する。第２のシールド部４２は、第１のシールド部４１と同じ磁性材を用いる。なお、この第２のシールド部４２と、薄膜コイル１００とは、順序を逆にして形成してもよい。
【００５５】
さらに、図９（Ａ），（Ｂ）に示すように、積層体の全面を覆うようにフォトレジスト１０１を塗布して、さらにその上に、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる絶縁膜を形成した後、表面全体をＣＭＰにより研摩して、表面の平坦化処理を行う。この場合、薄膜コイル１００と第２のシールド部４２の厚さを２．０〜２．５μｍ程度になるように、その表面をＣＭＰにより研摩する。
【００５６】
さらに続いて、積層体の全面を覆うようにアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる絶縁膜を０．２μｍ程度の厚さで形成したのち、第２のシールド部４２が形成されている箇所に開口部を設ける。これによって、薄膜コイル１００と、第３のシールド部４３とがショートしないように絶縁するための絶縁膜３２が得られる。
次に、第３のシールド部４３を２〜３μｍ程度の厚さで形成すると、記録ギャップ層２４を介して磁極端部１１と対向し、上部ヨーク磁極部２０に接続されるようにして、ライトシールド層４０が形成され、図１（Ａ）、（Ｂ）に示す薄膜磁気ヘッド３００が得られる。こうして得られる薄膜磁気ヘッド３００は上述の構成を有するから、記録密度を向上させながら、ポールイレージャーの発生を効果的に防止することができるようになっている。
【００５７】
（変形例）
上述の製造工程は、次のように変更することができる。すなわち、図７（Ａ），（Ｂ）に示すように、第１のシールド部４１と上部ヨーク磁極部２０を形成した後で、第２のシールド部４２よりも先に、絶縁膜３１を介して薄膜コイル１００を形成する。次に、薄膜コイル１００を被覆するようにしてフォトレジスト１０１を形成する。さらに、第１のシールド部４１およびフォトレジスト１０１を被覆し、上部ヨーク磁極部２０に接続されるようにして、第２のシールド部４２を形成する。すると、図２５（Ａ），（Ｂ）に示すように、第１のシールド部４１と第２のシールド部４２とを有し、第３のシールド部４３を備えないライトシールド層４０を有する薄膜磁気ヘッド３０１が得られる。
【００５８】
この薄膜磁気ヘッド３０１は、第３のシールド部４３を備えない点で薄膜磁気ヘッド３００と異なるが、他は同じ構成を有し、薄膜磁気ヘッド３００と同様の作用効果を奏する。また、第３のシールド部４３を第２のシールド部４２とは別に製造するための工程を要しないため、製造工程を簡略化することができる。
【００５９】
第２の実施の形態
次に、図１０（Ａ），（Ｂ）を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドについて説明する。図１０（Ａ）は本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド３１０の薄膜コイルに交差する方向の断面図、図１０（Ｂ）はＡＢＳを示す正面図である。
【００６０】
（薄膜磁気ヘッドの構造）
第２の実施の形態にかかる薄膜磁気ヘッド３１０は、上述した薄膜磁気ヘッド３００と比較して、主に、主磁極層１０が上部ヨーク磁極部２０ではなく下部ヨーク磁極部２６を有する点で相違している。また、絶縁膜３１、３４の代わりに絶縁膜３５、３６を有する点およびライトシールド層４０の形状が異なる点でも異なり、その他は一致している。なお、以下の説明は相違点について行い、共通点についての説明は省略ないし簡略化する。
【００６１】
薄膜磁気ヘッド３１０では、主磁極層１０が下部ヨーク磁極部２６を有している。この下部ヨーク磁極部２６は、上部ヨーク磁極部２０と比較して、主磁極層１０よりも薄膜コイル１００から離れた位置（下部）に配置されている点で異なるが、その他の構成は一致している。すなわち、下部ヨーク磁極部２６も、可変幅領域２１と定幅領域２２とを有し、ＡＢＳ３０側におけるある程度の大きさの領域が、Ｓｔｉｔｃｈｅｄ  ＡＲＥＡ２３になっている。また、下部ヨーク磁極部２６に対応して、絶縁層３３、第１のシールド部４１およびバック磁極層５０の位置が変更されている。
絶縁膜３５は記録ギャップ層２４と、下部ヨーク磁極部２６との間に形成されている。絶縁膜３６は記録ギャップ層２４と、薄膜コイル１００との間に形成されている。
【００６２】
このような構成を有する薄膜磁気ヘッド３１０も、下部ヨーク磁極部２６におけるＳｔｉｔｃｈｅｄ  ＡＲＥＡ２３が磁極端部１１のつなぎ部１２に接合されているため、薄膜磁気ヘッド３００と同様に、書き込み終了後の磁極端部１１における残留磁化ｍｒの方向を下部ヨーク磁極部２６における磁化ｍｓによって矯正し、残留磁化ｍｒの方向を磁化ｍｓと同じ方向に揃えるようにしている。そのため、薄膜磁気ヘッド３１０も、記録密度を向上させながら、ポールイレージャーの発生を効果的に防止することができるようになっている。
【００６３】
（変形例１）
また、薄膜磁気ヘッド３１０は図２１（Ａ），（Ｂ）に示すように、絶縁層１と下部ヨーク磁極部２６との間に、テンシル膜５２を有してもよい。このテンシル膜５２はテンシル膜５１と同様の材料からなり、テンシル膜５１と同様の高引張力膜である。下部ヨーク磁極部２６は磁極端部１１よりも大きさが大きいため、下部ヨーク磁極部２６の磁気量が磁極端部１１の磁気量よりも大きく、その分、薄膜磁気ヘッド３１０では、下部ヨーク磁極部２６における残留磁化の影響が出やすい。しかし、テンシル膜５２を設けることによって、下部ヨーク磁極部２６の書き込み終了後における残留磁化ｍｒの方向をＡＢＳ３０に沿った方向に保つことができるので、ポールイレージャーの発生を効果的に防止できるようになっている。
なお、図示はしないが、磁極端部１１と、絶縁層３３との間にテンシル膜を設けてもよい。こうすると、磁極端部１１における残留磁化の方向をＡＢＳ３０に沿った方向に保つことができる。
【００６４】
（変形例２）
また、薄膜磁気ヘッド３１０は、図２４に示すように、磁極端部１１と下部ヨーク磁極部２６との間に薄膜磁気ヘッド３００と同様の非磁性膜６１を有するとよい。非磁性膜６１を有することにより、磁極端部１１における残留磁化ｍｒの方向が異方向を向くことを防止することができる。よって、薄膜磁気ヘッド３１０は記録密度を向上させながら、ポールイレージャーの発生を一層効果的に防止することができるようになっている。
【００６５】
（薄膜磁気ヘッドの製造方法）
次に、上述の図１０（Ａ），（Ｂ）とともに、図１１（Ａ），（Ｂ）〜図１５（Ａ），（Ｂ）を参照して、上述の構造を有する第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド３１０の製造方法について説明する。図１１（Ａ），（Ｂ）〜図１５（Ａ），（Ｂ）は、それぞれ図１０（Ａ），（Ｂ）に対応する各製造工程における断面を示している。
本実施の形態でも、第1の実施の形態と同様に、図示しない基板の上に絶縁層１を例えば約０．２〜０．３μｍの厚さで形成する。
【００６６】
続いて、図１１（Ａ），（Ｂ）に示すように、ＡＢＳ３０の側に絶縁部３３が形成されるようにして、絶縁層１の上に下部ヨーク磁極部２６を形成する。この下部ヨーク磁極部２６は、めっき法により、飽和磁束密度が１．６ＴのＮｉＦｅまたは飽和磁束密度が１．９〜２．１Ｔで、磁歪λおよび最大保持力Ｈｃが小さいＣｏＮｉＦｅを磁性材に用いて、０．３〜１．０μｍ程度の厚さで形成する。下部ヨーク磁極部２６は、めっき法でなく、ＦｅＮ，ＦｅＣｏＺｒＯ，ＦｅＡｌＮ等の磁性材（各磁性材は磁歪λおよび最大保持力Ｈｃが小さく、飽和磁束密度が１．９〜２．０Ｔ）を用いてスパッタ法により被膜を形成した上で、その被膜にＲＩＥまたはＩＢＥを施して形成してもよい。
【００６７】
次に、第1の実施の形態と同様にして、５〜１２°のテーパー角を備えたレジストパターンを形成した上で、そのレジストパターンを用いて、約０．６〜０．８μｍの厚さで、飽和磁束密度が２．３Ｔ〜２．４Ｔの高い飽和磁束密度を有するＣｏＦｅＮまたはＣｏＮｉＦｅを磁性材に用いてめっきを行い、磁極端部１１およびバック磁極層５０を形成する。続いてめっきを行うために形成した電極膜（図示せず）を除去すると、図１２（Ａ），（Ｂ）に示すようになる。このとき、磁極端部１１は、ＡＢＳ３０の側に配置し、絶縁部３３に接触し、下部ヨーク磁極部２６におけるＡＢＳ３０の側（Ｓｔｉｔｃｈｅｄ  ＡＲＥＡ２３）に接合するようにして形成する。この下部ヨーク磁極部２６を形成することによって、主磁極層１０が形成される。
【００６８】
続いて、図１３（Ａ），（Ｂ）に示すように、積層体の全面にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる絶縁膜３５を例えば０．５〜１．０μｍの厚さで形成する。さらに、磁極端部１１およびバック磁極層５０の厚さが０．２〜０．３μｍ程度になるように、その表面をＣＭＰにより研摩して、表面の平坦化処理を行う。このＣＭＰにより研摩の前後または、後述する記録ギャップ層２４の形成後、第１の実施の形態と同様のアニールを行うとよい。
さらに、積層体の上面全体を覆うように、第1の実施形態と同じ材料を用いて記録ギャップ層２４を形成するための被膜を４００〜５００Åで形成し、ＡＢＳ３０から離れた側の部分が露出するようにして、その被膜を選択的にエッチングする。すると、記録ギャップ層２４が形成される。
【００６９】
そして、図１４（Ａ），（Ｂ）に示すように、第1の実施の形態と同様の磁性材を用いて、ＡＢＳ３０において記録ギャップ層２４を挟んで磁極端部１１と対向するようにして、第１のシールド部４１をスロートハイトＴＨを決める位置に形成する。さらに、積層体の全面にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる絶縁膜３６を例えば１．０〜１．５μｍの厚さで形成する。また、第１のシールド部４１の厚さが０．３〜０．６μｍ程度になるように、その表面をＣＭＰにより研摩して、表面の平坦化処理を行う。
【００７０】
そして、図１５（Ａ），（Ｂ）に示すように絶縁膜３６の上に、導電性材料からなる電極膜（図示せず）およびフォトリゾグラフィにより、フレームを形成した上で、電極膜を用いた電気めっきを行い、Ｃｕよりなるめっき層を形成する。この工程により、記録ギャップ層２４に絶縁膜３６を介して接触するようにして、めっき層およびその下の電極膜による薄膜コイル１００が形成される。
【００７１】
次に、図示しないが、フォトリゾグラフィによってフレームを形成し、フレームめっき法によって、第２のシールド部４２を形成する。第２のシールド部４２は、第１のシールド部４１と同じ磁性材を用いる。なお、この第２のシールド部４２と、薄膜コイル１００とは、順序を逆にして形成してもよい。
さらに、積層体の全面を覆うようにフォトレジスト１０１を塗布して、さらにその上に、図示しないが、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる絶縁膜を形成した後、表面全体をＣＭＰにより研摩して、表面の平坦化処理を行う。この場合、薄膜コイル１００と第２のシールド部４２の厚さを２．０〜２．５μｍ程度になるように、その表面をＣＭＰにより研摩する。そして、これ以降、第1の実施の形態と同様の手順の工程を行うことにより、図１０（Ａ），（Ｂ）に示すような薄膜磁気ヘッド３１０が得られる。
【００７２】
（変形例）
上述の製造工程は、次のように変更することができる。すなわち、図１４（Ａ），（Ｂ）に示すように、第１のシールド部４１を形成した後で、第２のシールド部４２よりも先に、薄膜コイル１００を形成する。次に、薄膜コイル１００を被覆するようにしてフォトレジスト１０１を形成する。さらに、第１のシールド部４１およびフォトレジスト１０１を被覆するようにして、第２のシールド部４２を形成する。すると、図２６（Ａ），（Ｂ）に示すように、第１のシールド部４１と第２のシールド部４２とを有し、第３のシールド部４３を備えないライトシールド層４０を有する薄膜磁気ヘッド３１１が得られる。
この薄膜磁気ヘッド３１１は、第３のシールド部４３を備えない点で薄膜磁気ヘッド３１０と異なるが、他は同じ構成を有し、薄膜磁気ヘッド３１０と同様の作用効果を奏する。また、第３のシールド部４３を第２のシールド部４２とは別に製造するための工程を要しないため、製造工程を簡略化することができる。
【００７３】
第３の実施の形態
次に、図１６（Ａ），（Ｂ）を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドについて説明する。図１６（Ａ）は本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド３２０の薄膜コイルに交差する方向の断面図、図１６（Ｂ）はＡＢＳを示す正面図である。
【００７４】
（薄膜磁気ヘッドの構造）
第３の実施の形態にかかる薄膜磁気ヘッド３２０は、上述した薄膜磁気ヘッド３００と比較して、第２の実施の形態にかかる薄膜磁気ヘッド３１０と同様の下部ヨーク磁極部２６と、第１、第２の絶縁部３７，３８とを有する点で相違している。なお、以下の説明は相違点について行い、共通点についての説明は省略ないし簡略化する。
【００７５】
第３の実施の形態にかかる薄膜磁気ヘッド３２０は、下部ヨーク磁極部２６を有するので、磁極端部１１に対して、薄膜コイル１００を挟んで近い方と離れた方から、上部ヨーク磁極部２０と下部ヨーク磁極部２６とが接合されることによって、主磁極層１０が形成されている。また、その接合も、上部ヨーク磁極部２０、下部ヨーク磁極部２６の双方について、ＡＢＳ３０側におけるある程度の大きさの領域が、Ｓｔｉｔｃｈｅｄ  ＡＲＥＡ２３になるようにして形成されている。
【００７６】
このような構成を有する薄膜磁気ヘッド３２０も、上部ヨーク磁極部２０および下部ヨーク磁極部２６におけるＳｔｉｔｃｈｅｄ  ＡＲＥＡ２３が、磁極端部１１に接合されているため、薄膜磁気ヘッド３００および薄膜磁気ヘッド３１０と同様に、書き込み終了後の磁極端部１１における残留磁化ｍｒの方向を上部ヨーク磁極部２０および下部ヨーク磁極部２６における磁化ｍｓによって矯正し、残留磁化ｍｒの方向を磁化ｍｓと同じ方向に揃えるようにしている。そのため、薄膜磁気ヘッド３２０も、記録密度を向上させながら、ポールイレージャーの発生を効果的に防止することができるようになっている。
【００７７】
特に、薄膜磁気ヘッド３２０は、磁極端部１１に、上部ヨーク磁極部２０および下部ヨーク磁極部２６の２つが接合されているので、主磁極層１０の両面において、残留磁化ｍｒの方向の磁化ｍｓによる矯正が行われるようになっている。したがって、残留磁化ｍｒの方向の矯正が薄膜磁気ヘッド３００よりも効果的になっている。
（変形例）
また、図２２（Ａ），（Ｂ）に示すように、薄膜磁気ヘッド３２０も、薄膜磁気ヘッド３１０と同様のテンシル膜５２を有してもよい。こうすると、下部ヨーク磁極部２６の書き込み終了後における残留磁化ｍｒの方向をＡＢＳ３０に沿った方向に保つことができるので、ポールイレージャーの発生を効果的に防止できるようになっている。
【００７８】
（薄膜磁気ヘッドの製造方法）
次に、上述の図１６（Ａ），（Ｂ）とともに、図１７（Ａ），（Ｂ）〜図１９（Ａ），（Ｂ）を参照して、上述の構造を有する第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド３２０の製造方法について説明する。図１７（Ａ），（Ｂ）〜図１９（Ａ），（Ｂ）は、それぞれ図１６（Ａ），（Ｂ）に対応する各製造工程における断面を示している。
【００７９】
まず、図１１（Ａ），（Ｂ）〜図１２（Ａ），（Ｂ）に示すまでの工程を第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド３１０と同様に実行する（ただし、絶縁部３３の代わりに本発明における第1の絶縁部３７を形成し、磁極端部１１よりもＡＢＳ３０から離れた側に第２の絶縁部３８を形成している。また、ＣＭＰによる研摩の前後または、後述する記録ギャップ層２４の形成後に、第１，２の実施形態と同様に磁極端部１１の表面に対するアニールを行うとよい。）
次に、図１７（Ａ），（Ｂ）に示すように、積層体の上面全体を覆うように、第1の実施形態と同じ材料を用いて記録ギャップ層２４を形成するための被膜を４００〜５００Åで形成し、磁極端部１１のＡＢＳ３０から離れた側が露出するようにして、その被膜を選択的にエッチングする。すると、磁極端部１１上に記録ギャップ層２４が形成される。
【００８０】
また、図１８（Ａ），（Ｂ）に示すように、積層体の全面にめっき法により、第1の実施の形態の場合と同じ磁性材を用いてめっきを行い、磁極端部１１における記録ギャップ層２４で被覆されない箇所とバック磁極層５０に接触に接合し、かつ第２の絶縁部３８と接触するように上部ヨーク磁極部２０を形成する。この上部ヨーク磁極部２０を形成することによって、主磁極層１０が形成される。
さらに、ＡＢＳ３０において、記録ギャップ層２４を挟んで磁極端部１１と対向するようにして、第１のシールド部４１をスロートハイトＴＨを決める位置に形成する。第１のシールド部４１も第1の実施の形態の場合と同じ磁性材を用いてめっき法で形成すればよいが、スパッタ法により被膜を形成した上で、その被膜にＲＩＥか、ＩＢＥを施して形成してもよい。
【００８１】
次に、第1の実施の形態の場合と同様にして、積層体の全面にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる１．０〜１．５μｍ程度の厚さで絶縁膜３４を形成し、第１のシールド部４１と上部ヨーク磁極部２０の厚さが０．３〜０．６μｍ程度になるように、その表面をＣＭＰにより研摩して、表面の平坦化処理を行う。
続いて、図１９（Ａ），（Ｂ）に示すように、第1の実施の形態の場合と同様にして、積層体の全面にアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）からなる絶縁膜を０．２μｍ程度の厚さで形成するとともに、第２のシールド部４２を形成すべき箇所に開口部を設け、絶縁膜３１を形成する。
【００８２】
これ以降は、第1の実施の形態の場合と同様の手順を実行し、薄膜コイル１００、第２のシールド部４２、絶縁膜３２、第３のシールド部４３を形成すると、図１６（Ａ），（Ｂ）に示すように、薄膜磁気ヘッド３２０が得られる。こうして得られる薄膜磁気ヘッド３２０は上述の構成を有するから、記録密度を向上させながら、ポールイレージャーの発生を効果的に防止することができるようになっている。
【００８３】
第４の実施の形態
次に、図２７を参照して、本発明の第４の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドについて説明する。図２７は本発明の第４の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド３３０の薄膜コイルに交差する方向の断面図である。
【００８４】
（薄膜磁気ヘッドの構造）
第４の実施の形態にかかる薄膜磁気ヘッド３３０は、上述した薄膜磁気ヘッド３００と比較して、絶縁膜３４の代わりに絶縁膜５５、５６を有する点と、第1のシールド部４１の材質が異なる点とで相違し、その他は一致している。なお、以下の説明は相違点について行い、共通点についての説明は省略ないし簡略化する。
上述の薄膜磁気ヘッド３００では、上部ヨーク磁極部２０と、第1のシールド部４１とを同じ磁性材を用いて同じ工程で形成しているため、第1のシールド部４１の磁性材の飽和磁束密度は上部ヨーク磁極層２０の飽和磁束密度と同じになっている。
【００８５】
しかし、書き込み終了後における残留磁化の影響を少なくするには、ＡＢＳ３０側に設けられる第1のシールド部４１の飽和磁束密度を低くすることが望ましい。そこで、第1のシールド部４１と上部ヨーク磁極部２０をそれぞれ別の磁性材を用いて形成し、第1のシールド部４１の飽和磁束密度を少なくとも主磁極層１０よりも、好ましくは上部ヨーク磁極部２０よりも低くするようにしている。
ここで、第1のシールド部４１の磁性材は、飽和磁束密度が１．６ＴのＮｉＦｅのほか、１．０ＴのＮｉＦｅ（８０％：２０％）にするとよい。あるいは第1のシールド部４１の磁性材は、飽和磁束密度が１．９ＴのＣｏＮｉＦｅとし、主磁極層１０の飽和磁束密度を２．３Ｔ〜２．４Ｔの高い飽和磁束密度を有するＣｏＦｅまたはＣｏＮｉＦｅとし、上部ヨーク磁極部２０の飽和磁束密度を主磁極層１０と同じか、少し低く（例えば１．９Ｔ程度）するとよい。
【００８６】
また、絶縁膜５５、５６は記録ギャップ層２４における第1のシールド部４１よりもＡＢＳ３０から離れた位置に形成されている。
【００８７】
（薄膜磁気ヘッドの製造方法）
次に、上述の図２７とともに、図２８，２９を参照して、上述の構造を有する第４の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド３３０の製造方法について説明する。
薄膜磁気ヘッド３３０は、図２８、２９に示すように、第１の実施の形態と同様に、磁極端部１１、バック磁極層５０および絶縁層３３を形成したのち、記録ギャップ層２４を形成する。さらに続いて、上述したとおり、少なくとも主磁極層１０よりも、好ましくは上部ヨーク磁極部２０よりも飽和磁束密度が低い磁性材（例えば、飽和磁束密度が１．０ＴのＮｉＦｅ（８０％：２０％））を用いて、ＡＢＳ３０において記録ギャップ層２４を挟んで磁極端部１１と対向するようにして、スロートハイトＴＨを決める位置に第1のシールド部４１を形成する。
続いて、図２９に示すように、磁極端部１１の記録ギャップ層２４で被覆されない箇所とバック磁極層５０とに接合し、絶縁部３３に接触するようにして、上部ヨーク磁極部２０を形成する。この後の工程は、第１の実施の形態の場合と同様にして行う。
なお、主磁極層１０のうち、少なくとも磁極端部１１の表面に対するアニール（ａｎｎｅａｌ）を行うとよい。
【００８８】
さらに、本発明は、誘導型電磁変換素子のみを有する記録専用のヘッドにも適用することができ、誘導型電磁変換素子によって記録と再生を行う薄膜磁気ヘッドにも適用することができる。
【００８９】
（ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置の実施の形態）
次に、ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置の実施の形態について説明する。
図３０は、上述の薄膜磁気ヘッド３００を備えたハードディスク装置２０１を示す斜視図である。ハードディスク装置２０１は、高速回転するハードディスク（記録媒体）２０２と、ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ：Ｈｅａｄ  Ｇｉｍｂａｌｓ  Ａｓｓｅｍｂｌｙ）２１５とを有している。ハードディスク装置２０１は、ＨＧＡ２１５を作動させて、ハードディスク２０２の記録面に、磁気情報の記録および再生を行う装置である。ハードディスク２０２は、複数枚（図では３枚）のディスクを有している。各ディスクは、それぞれの記録面が薄膜磁気ヘッド１００に対向している。ＨＧＡ２１５は、薄膜磁気ヘッド１００が形成された基台を有するヘッドスライダ２１１を搭載したジンバル２１２と、ジンバル２１２を支えるサスペンションアーム２１３とがディスクの各記録面に配置され、支軸２１４の回りに図示しない例えばボイスコイルモータによって回転可能になっている。そして、ＨＧＡ２１５を回転させると、ヘッドスライダ２１１がハードディスク２０２の半径方向、すなわち、トラックラインを横切る方向に移動する。
【００９０】
このようなＨＧＡ２１５およびハードディスク装置２０１はいずれも薄膜磁気ヘッド３００を有するから、記録密度を向上させながら、ポールイレージャーの発生を効果的に防止することができるようになっている。なお、ＨＧＡ２１５およびハードディスク装置２０１が、第２，第３，第４の各実施形態における薄膜磁気ヘッドを有するときも、同様に記録密度を向上させながら、ポールイレージャーの発生を効果的に防止することができるようになっている。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】（Ａ）は本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの薄膜コイルに交差する方向の断面図、（Ｂ）はＡＢＳを示す正面図である。
【図２】薄膜磁気ヘッドにおける主磁極層と、ライトシールド層を示した平面図である。
【図３】主磁極層を内部の磁化の方向とともに示す平面図である。
【図４】主磁極層における磁極端部と上部ヨーク磁極部の接合部分を示す斜視図である。
【図５】（Ａ），（Ｂ）は第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを製造する工程における図１（Ａ），（Ｂ）に対応する断面図である。
【図６】（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ図５（Ａ），（Ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図７】（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ図６（Ａ），（Ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図８】（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ図７（Ａ），（Ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図９】（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ図８（Ａ），（Ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図１０】(Ａ)は本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの薄膜コイルに交差する方向の断面図、（Ｂ）はＡＢＳを示す正面図である。
【図１１】（Ａ），（Ｂ）は、第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを製造する工程における図１０（Ａ），（Ｂ）に対応する断面図である。
【図１２】（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ図１１（Ａ），（Ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図１３】（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ図１２（Ａ），（Ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図１４】（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ図１３（Ａ），（Ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図１５】（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ図１４（Ａ），（Ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図１６】（Ａ）は本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの薄膜コイルに交差する方向の断面図、（Ｂ）はＡＢＳを示す正面図である。
【図１７】（Ａ），（Ｂ）は、第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを製造する工程における図１６（Ａ），（Ｂ）に対応する断面図である。
【図１８】（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ図１７（Ａ），（Ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図１９】（Ａ），（Ｂ）はそれぞれ図１８（Ａ），（Ｂ）の後続の工程を示す断面図である。
【図２０】（Ａ），（Ｂ）は本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの変形例を示す図で、（Ａ）は断面図、（Ｂ）はＡＢＳを示す正面図である。
【図２１】（Ａ），（Ｂ）は本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの変形例を示し、（Ａ）は断面図、（Ｂ）はＡＢＳを示す正面図である。
【図２２】本発明の第３の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの変形例を示し、（Ａ）は断面図、（Ｂ）はＡＢＳを示す正面図である。
【図２３】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの別の変形例を示す断面図である。
【図２４】本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの別の変形例を示す断面図である。
【図２５】（Ａ），（Ｂ）は本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの別の変形例を示し、（Ａ）は断面図、（Ｂ）はＡＢＳを示す正面図である。
【図２６】（Ａ），（Ｂ）は本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの別の変形例を示し、（Ａ）は断面図、（Ｂ）はＡＢＳを示す正面図である。
【図２７】本発明の第４の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの薄膜コイルに交差する方向の断面図である。
【図２８】第４の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを製造する工程における図１７に対応する断面図である。
【図２９】図２８の後続の工程を示す断面図である。
【図３０】本発明の第１の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドを備えたハードディスク装置を示す斜視図である。
【図３１】（Ａ），（Ｂ）は従来の薄膜磁気ヘッドの一例を示し、（Ａ）は断面図、（Ｂ）はＡＢＳを示す正面図である。
【符号の説明】
【００９２】
１０…主磁極層、１１…磁極端部
１２…つなぎ部、２０…上部ヨーク磁極部
２１…可変幅領域、２３…Ｓｔｉｔｃｈｅｄ  ＡＲＥＡ
２４…記録ギャップ層、２６…下部ヨーク磁極部
３０…ＡＢＳ、４０…ライトシールド層
５１、５２…テンシル膜、６１…非磁性膜
１００…薄膜コイル、２０１…ハードディスク装置
２１５…ヘッドジンバルアセンブリ
３００，３１０，３１１…薄膜磁気ヘッド
３２０，３３０…薄膜磁気ヘッド
【図１】
2006004603.tif 000003
【図２】
2006004603.tif 000004
【図３】
2006004603.tif 000005
【図４】
2006004603.tif 000006
【図５】
2006004603.tif 000007
【図６】
2006004603.tif 000008
【図７】
2006004603.tif 000009
【図８】
2006004603.tif 000010
【図９】
2006004603.tif 000011
【図１０】
2006004603.tif 000012
【図１１】
2006004603.tif 000013
【図１２】
2006004603.tif 000014
【図１３】
2006004603.tif 000015
【図１４】
2006004603.tif 000016
【図１５】
2006004603.tif 000017
【図１６】
2006004603.tif 000018
【図１７】
2006004603.tif 000019
【図１８】
2006004603.tif 000020
【図１９】
2006004603.tif 000021
【図２０】
2006004603.tif 000022
【図２１】
2006004603.tif 000023
【図２２】
2006004603.tif 000024
【図２３】
2006004603.tif 000025
【図２４】
2006004603.tif 000026
【図２５】
2006004603.tif 000027
【図２６】
2006004603.tif 000028
【図２７】
2006004603.tif 000029
【図２８】
2006004603.tif 000030
【図２９】
2006004603.tif 000031
【図３０】
2006004603.tif 000032
【図３１】
2006004603.tif 000033