(57)【要約】【課題】表面層における短波長の像露光の吸収を最小限にとどめつつ、解像力を初めとする電子写真特性を良好に保つ事が可能な電子写真感光体を提供する。【解決手段】光導電層上に積層した周期表第１３族元素を含有した少なくともシリコン原子と窒素原子を母材とする非単結晶窒化シリコン膜からなる表面領域層を有し、前記表面領域層がシリコン原子と窒素原子の組成比が変化している変化層と組成比が一定な表面層からなる電子写真感光体において、前記変化層が、厚さ方向において構成原子の総数に対する周期表第１３族元素の含有率の極大値を少なくとも一つ持ち、更に前記表面層が、厚さ方向において構成原子の総数に対する周期表第１３族元素の含有率の極大値を少なくとも一つ持つ。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性基体上に、少なくともシリコン原子を母材とする非単結晶シリコン膜で構成される光導電層と、前記光導電層上に積層されたシリコン原子と窒素原子を母材とし、少なくとも一部に周期表第１３族元素を含有する非単結晶窒化シリコン膜からなる表面領域層とを有し、
前記表面領域層が、厚さ方向において構成原子の総数に対する周期表第１３族元素の含有率の極大値を少なくとも二つ持つことを特徴とする電子写真感光体。
【請求項２】
導電性基体上に、少なくともシリコン原子を母材とする非単結晶シリコン膜で構成される光導電層と、前記光導電層上に積層されたシリコン原子と窒素原子を母材とし、少なくとも一部に周期表第１３族元素を含有する非単結晶窒化シリコン膜からなる表面領域層とを有し、
前記表面領域層が、シリコン原子と窒素原子の組成比が変化している変化層とシリコン原子と窒素原子の組成比が一定な表面層を有する電子写真感光体であって、
前記変化層が、厚さ方向において構成原子の総数に対する周期表第１３族元素の含有率の極大値を少なくとも一つ持ち、更に前記表面層が、厚さ方向において構成原子の総数に対する周期表第１３族元素の含有率の極大値を少なくとも一つ持つことを特徴とする電子写真感光体。
【請求項３】
前記表面層における窒素原子の平均濃度（原子％）が、３０原子％≦Ｎ／（Ｓｉ＋Ｎ）≦７０原子％を満たすことを特徴とする請求項１または２に記載の電子写真感光体。
【請求項４】
前記表面領域層内の周期表第１３族元素の隣接する２つの極大値が、膜の厚さ方向において１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の距離範囲にあることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の電子写真感光体。
【請求項５】
前記表面領域層内の周期表第１３族元素の極大値の内、最も光導電層側に位置する極大値が最大であることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の電子写真感光体。
【請求項６】
前記表面領域層内の周期表第１３族元素の最も光導電層側に位置する極大値が、５．０×１０18個／ｃｍ3以上、および／または、隣接する２つの極大値の間に存在する周期表第１３族元素の最小値が、２．５×１０18個／ｃｍ3以下であることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の電子写真感光体。
【請求項７】
前記表面領域層が、厚さ方向において構成原子の総数に対する酸素原子および／またはフッ素原子の含有率の極大値を少なくとも一つ持つことを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の電子写真感光体。
【請求項８】
前記表面領域層が、厚さ方向において構成原子の総数に対する窒素原子の含有率の極大値を少なくとも二つ持つことを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の電子写真感光体。
【請求項９】
前記表面領域層が、厚さ方向において窒素原子の含有率の極大値と周期表第１３族元素の含有率の極大値を、交互に有することを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の電子写真感光体。
【請求項１０】
前記表面領域層が、厚さ方向において窒素原子の含有率の極大値と周期表第１３族元素の含有率の極大値とを、前記光導電層から自由表面側に向かって、周期表第１３族元素の含有率の極大値、窒素原子の含有率の極大値の順に有することを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載の電子写真感光体。
【請求項１１】
前記表面領域層が、窒素原子の含有率の厚さ方向における隣接する２つの極大値のうち光導電層側の極大値と、２つの極大値間の最小値が、４０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の距離にあることを特徴とする請求項１から１０のいずれかに記載の電子写真感光体。
【請求項１２】
前記表面領域層において、窒素原子の含有率の厚さ方向における極大値が、N/(Si+N)≧30atm%であり、かつ最小値に対して（極大値／最小値）110%以上であることを特徴とする請求項１から１１のいずれかに記載の電子写真感光体。
【請求項１３】
波長３５０ｎｍから６８０ｎｍの範囲の反射率（％）の最小値（Ｍｉｎ）と最大値（Ｍａｘ）が、０％≦Ｍａｘ（％）≦２０％かつ０≦（Ｍａｘ−Ｍｉｎ）／（１００−Ｍａｘ）≦０．１５を満たすことを特徴とする請求項１から１２のいずれかに記載の電子写真感光体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子写真感光体に関し、特に波長が３８０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の比較的短い波長の光を露光に用いたプリンタ、ファクシミリ、複写機などに最適な電子写真感光体に関する。
【背景技術】
【０００２】
像形成分野において、感光体における光導電材料としては、
１．高感度で、ＳＮ比（光電流（Ｉｐ）／暗電流（Ｉｄ））が高い。
２．照射する電磁波のスペクトル特性に適合した吸収スペクトルを有する。
３．光応答性が早く、所望の暗抵抗値を有する。
４．使用時において人体に対して無害である。
等の特性が要求される。
【０００３】
特に、事務機としてオフィスで使用される電子写真装置内に組み込まれる電子写真感光体の場合、使用時における無公害性は重要な点である。
【０００４】
上述の特性を満足する優れた特性を示す光導電材料にアモルファスシリコン（以下、ａ−Ｓｉと略す）があり、電子写真感光体の光受容部材として注目されている。
【０００５】
ａ−Ｓｉからなる光導電層を有する感光体は、一般的には、５０℃〜３５０℃に加熱した導電性基体上に真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、熱ＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等の成膜法により形成される。なかでも、原料ガスを高周波あるいはマイクロ波グロー放電によって分解し、基体上にａ−Ｓｉ堆積膜を形成するプラズマＣＶＤ法が好適なものとして実用に付されてる。
【０００６】
例えば、特許文献１には、ａ−Ｓｉ系感光体の表面層として、窒素、炭素、酸素のうち、少なくとも１つを含むａ−Ｓｉで構成されており、ａ−Ｓｉ中のその含有量を最表面に向かって連続的に増大させる技術が開示されている。
【０００７】
また、特許文献２には、先端径が直径０．８ｍｍのダイヤモンド針に荷重を加えて感光体の表面を引っ掻いた場合、感光体表面には何ら外観上の傷は観察されないにも関わらず、その部分の暗部電位保持能力が著しく低下する。画像上で画像欠陥を生ずる圧傷と称する画像欠陥を防止する目的で、光導電層上に積層したシリコンを母材とする非晶質層領域内の周期表第１３族元素の含有率が、層領域の厚さ方向において極大値を少なくとも２つ持った分布をとる技術が開示されている。
【０００８】
しかしながら、上述のような表面層を光導電層上に堆積させた電子写真感光体を用いて画像を出力しても、像露光によって静電潜像を形成する際に干渉が発生し、画質を低下させる場合がある。この欠点を改善するために、特許文献３には、光導電層と表面層をプラズマＣＶＤによって形成する際に、組成を光導電層から表面層に向かって連続的に変化させることによって、明確な反射面を作らないようにして干渉を防止する技術が開示されている。
【０００９】
これらの技術により、電子写真感光体の電気的、光学的、光導電的特性及び使用環境特性が向上し、それに伴って画像品質も向上してきた。
【００１０】
また、近年の高画質化に対する要求から、トナーの小粒径化と並んで、静電潜像の高精細化がますます求められるようになってきている。そのためには、例えばデジタル複写方式であれば、像露光に用いられるレーザーのスポット径を絞るなどの方法が挙げられ、そのためにはレーザーの短波長化が求められてきた。
【００１１】
画像露光の際、従来一般的に用いられている、６００〜８００ｎｍの発振波長を有するレーザー光に対して、３８０ｎｍ〜４５０ｎｍに主たる発振波長を有する紫外青紫色レーザー光発振器を用いてａ−Ｓｉからなる感光層に露光する技術が、例えば、特許文献４等に開示されている。
【特許文献１】特開平７−３０６５３９号公報
【特許文献２】特開２００４−１３３３９９号公報
【特許文献３】特開平６−２４２６２４号公報
【特許文献４】特開２０００−２５８９３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
従来のａ−Ｓｉ系の電子写真感光体は、暗抵抗値、光感度、光応答性等の電気的、光学的、光導電特性、及び使用環境特性の点、さらには経時安定性および耐久性の点で特性の向上が図られてはいる。しかし、総合的な特性向上を図る上でさらに改良する余地が存在するのが実状である。
【００１３】
特に、近年急速にデジタル化、カラー化へのシフトが進み、電子写真装置への高画質化（高解像であること、高精細であること、濃度ムラがないこと、画像欠陥（白抜けや黒点など）がない等）の要求は以前に増して高まっている。
【００１４】
画像の解像度を高めるためには、像形成用のレーザー光のスポット径を小さくすることが有効である。レーザー光のスポット径を小さくする手段としては、レーザー光を光導電層に照射する光学系の精度を向上させたり、結像レンズの開口率を大きくしたりすること等が挙げられる。しかし、このスポット径はレーザー光の波長と結像レンズの開口率で決まる回折限界までしか小さくすることはできない。このため、レーザー光の波長を一定にして、スポット径を小さくすることは、レンズの大型化や機械精度の向上等を行なう必要があり、装置の大型化やコスト上昇が避け難かった。
【００１５】
このため、近年、レーザー光のスポット径の下限がレーザー光の波長に正比例することに着目し、レーザー光の波長を短くすることでスポット径を小さくし、静電潜像の解像度を高めるという技術が注目されている。
【００１６】
従来の電子写真装置においては、画像露光の際に６００〜８００ｎｍの発振波長を有するレーザー光が一般的に用いられており、この波長をさらに短くすることで画像の解像度を高めることができる。近年、発振波長の短い半導体レーザーの開発が急速に進んでおり、４００ｎｍ近辺に発振波長を有する半導体レーザーの実用化がなされている。
【００１７】
このような手法によって画像の解像度を高めるためには、感光体がそのような短波長帯の光に対応できるよう、特に表面層の材質や層構成にもさらなる改善が求められる。すなわち、像露光波長に関して感光層が十分な感度を有することが必要であるとともに、表面層において露光された光がほとんど吸収されない必要がある。更に、光導電層と表面層との反射面による短波長帯のレーザー光の干渉も最小限に抑制する必要がある。
【００１８】
例えばａ−Ｓｉ系の感光層は、感度のピークが６００〜７００ｎｍ付近であるため、ピーク感度に比べればやや劣るものの、条件を工夫すれば４００〜４１０ｎｍ付近でも感度は有しているので、例えば、４０５ｎｍの短波長レーザーを用いた場合でも使用可能である。ただし、感度的にはピークに比べて半分前後となる場合もあり、表面領域における光の吸収が殆どないことが好ましいことになる。
【００１９】
本発明者らが、アモルファス窒化シリコン（以降ａ−ＳｉＮとも記載）を表面層とした電子写真感光体について検討を行ったところ、条件を最適化することにより４００〜４１０ｎｍ付近の吸収係数を下げられることが判った。しかし、近年のデジタルフルカラー複写機の高画質化に対する要求に対して、これまで以上の高画質化に対応した感光体特性の総合的な向上が必要となってきている。具体的には、従来以上にドット再現性の向上が求められ、それと同時に所望の特性を維持できるような表面層に如何に改善させるかが重要である。
【００２０】
このように、４００〜４１０ｎｍ付近の短波長の光に対する吸収が殆どない膜であって、且つ、電子写真特性を損なうことなく、高解像が可能な表面層材料が求められ、更には高安定性の表面層を含む電子写真感光体が強く望まれてきた。
【００２１】
すなわち、１つ目には、表面領域にて４００〜４１０ｎｍ付近の短波長の露光がほとんど吸収されないことが必要である。２つ目には、表面からの負電荷の注入を阻止する機能を十分に持つこと、３つ目として、小スポット径＆小粒径トナーを活かせる高解像度を持つことである。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
本発明者らは上記の諸問題を解決し、高画質、高耐久、高速の複写プロセスに好適に使用でき、短波長露光に対して実用上十分な感度を持ち、帯電能が高く高コントラストな複写プロセスを実現するために、鋭意検討した。その結果、表面層として窒化シリコン系材料を採用し、更には光導電層と表面層との反射による干渉を最小限に低減しながら表面領域層内の周期表第１３族元素の含有率の分布を制御することで、上記の目的を良好に達成しうることを見出し、本発明に至った。
【００２３】
即ち、本発明は、導電性基体上に、少なくともシリコン原子を母材とする非単結晶シリコン膜で構成される光導電層と、前記光導電層上に積層されたシリコン原子と窒素原子を母材とし、少なくとも一部に周期表第１３族元素を含有する非単結晶窒化シリコン膜からなる表面領域層とを有し、前記表面領域層が、膜の厚さ方向において構成原子の総数に対する周期表第１３族元素の含有率の極大値を少なくとも二つ持つことを特徴とする電子写真感光体である。
【００２４】
また、本発明は、導電性基体上に、少なくともシリコン原子を母材とする非単結晶シリコン膜で構成される光導電層と、前記光導電層上に積層されたシリコン原子と窒素原子を母材とし、少なくとも一部に周期表第１３族元素を含有する非単結晶窒化シリコン膜からなる表面領域層とを有し、前記表面領域層が、シリコン原子と窒素原子の組成比が変化している変化層とシリコン原子と窒素原子の組成比が一定な表面層を有する電子写真感光体であって、前記変化層が、膜の厚さ方向において構成原子の総数に対する周期表第１３族元素の含有率の極大値を少なくとも一つ持ち、更に前記表面層が、膜の厚さ方向において構成原子の総数に対する周期表第１３族元素の含有率の極大値を少なくとも一つ持つことを特徴とする電子写真感光体である。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、表面層における短波長の像露光の吸収を最小限にとどめつつ、解像力をはじめとする電子写真特性を良好にする事が可能な電子写真感光体を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
本発明者らは、表面層として好適なａ−ＳｉＮ系材料の薄膜を作成したが、作成条件によっては短波長の光、例えば４００〜４１０ｎｍの光に対する吸収を抑えることが可能となることを見出した。そのような表面層をもつ感光体では、波長が４００〜４１０ｎｍ付近の光に対しては感度が十分であることがわかった。具体的には、原料ガス種、原料ガスの流量とそれらの比率、投入電力とガス量に対する比などを適正化することで吸収の少ない膜が得られる。
【００２７】
このような条件で作成した膜をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光法）、ＲＢＳ（ラザフォード後方散乱分光法）、ＳＩＭＳ（二次イオン質量分析法）などで分析した。その結果、窒素の含有範囲としては、実用膜厚における吸収が許容できる値として、Ｎ／（Ｓｉ＋Ｎ）と表記した場合で３０原子％以上であることが好ましいことが分かった。
【００２８】
また、上限としては、膜の歩留まりの関係から、７０原子％以下とすることが好ましいことがわかった。７０原子％以下であれば、膜厚、硬度および抵抗などのムラが発生しにくく、更に、膜の強度が保て、且つ、安定して高歩留まりで製造できる。７０原子％以下であれば、表面層として使用するに好ましい特性を備えるが、７０ａｔｍ％を超えると、膜厚や硬度、抵抗などのムラが発生しやすくなり、歩留まりが大きく低下する場合がある。原因は、窒素が多くなりすぎると膜の結合が非常に不安定になるためではないかと予想される。更に、７０原子％以下の範囲であれば、膜の強度が保て、表面層として使用する際には好ましいことが判った。
【００２９】
上述のように、作成条件の最適化により短波長の光吸収の少ないａ−ＳｉＮ膜が得られるが、そのような膜は、膜自体の体積抵抗が高く残留電位が大きくなる場合があり、フルカラーに対応した高画質を達成する上で阻害要因になる場合があった。更に、光導電層と表面層との反射による干渉を最小限に低減する必要がある。
【００３０】
表面層内に周期表第１３族元素の含有率が膜の厚さ方向で極大値を少なくとも一つ持った分布を持たせることで、
１．残留電位の低減が可能となり、画質の更なる向上が可能となる。
２．帯電性が向上し、さらには光メモリも抑制される電子写真特性が得られる。
３．最表面からの電荷注入を阻止する能力が向上し、帯電能がより向上する。
ことが判った。
【００３１】
これらの効果が得られる理由は明らかではないが、周期表第１３族元素を添加することで、本来膜応力な大きなａ−ＳｉＮ膜中で結合の緩和が起き、結果として欠陥が減少することで、キャリアの走行性が増し、残留電位の低下が得られたものと推察している。
【００３２】
このように残留電位の低下が可能となるような表面層膜の低欠陥化が実現すると、膜中にある浅いトラップが減り、例えば帯電後にトラップに束縛されたキャリアが、現像までの間に再励起して出てくることがなくなる。本来、このような浅いトラップから出てくるキャリアは、潜像形成によって生じた電位差を埋めるようにドリフトすると考えられるので、潜像をなまらせたり、潜像の深さを浅くしたりしてしまうと考えられる。よって、トラップの低減が図れれば、潜像をなまらせる原因が減り、解像度が高まると考えている。
【００３３】
また、光導電層と表面層との反射による干渉を最小限に低減するためには、シリコン原子と窒素原子の組成比が連続的に変化する変化層を設けることが効果的である。具体的には、波長３５０ｎｍから６８０ｎｍの範囲の反射率（％）の最小値（Ｍｉｎ）と最大値（Ｍａｘ）が０％≦Ｍａｘ（％）≦２０％かつ０≦（Ｍａｘ−Ｍｉｎ）／（１００−Ｍａｘ）≦０．１５を満たすように、変化層を設けることが好ましい。ここで、反射率とは、分光光度計（大塚電子社製ＭＣＰＤ−２０００）を用いて測定した反射率（百分率）の値をさす。具体的には、分光器の光源の分光発光強度Ｉ（ｏ）をとり、次いで感光体の分光反射光度Ｉ（Ｄ）をとり、反射率Ｒ＝Ｉ（Ｄ）／Ｉ（ｏ）を求めたものである。
【００３４】
本発明のように、光導電層と表面層との反射による干渉を最小限に低減することで、表面層の削れによる画像濃度ムラの出現を防止することが可能である。
【００３５】
さらに、本発明者らは、帯電能や画像欠陥に着目して、表面領域層の作成条件の様々な見直しを行った。その結果、表面領域層内の構成原子の総数に対する窒素元素の含有率が、膜の厚さ方向において極大値を少なくとも二つ持つことにより、表面領域層の500nm以下の波長光の吸収係数を小さく抑えながら帯電能を向上させ画像欠陥を抑制することができた。この効果は、膜の厚さ方向において、窒素原子の含有率の２つの極大値と周期表１３族元素の含有率の２つの極大値とが交互に配置された場合、顕著に得られることが分かった。更に、光導電層側から自由表面に向かって周期表１３族元素の含有率の極大値、窒素原子の含有率の極大値と順に配置された場合、より顕著に得られることが分かった。これは、周期表１３族元素を添加する領域の窒素濃度を低くしたことにより、荷電子制御性が向上し、最表面からの電荷注入を阻止する能力の更なる向上が得られたためであると考えられる。また、画像欠陥の抑制については、電荷注入を阻止する能力の更なる向上が得られ、堆積膜の突起部と正常堆積部との界面を通って基体側に抜けてしまう帯電電荷を阻止する能力が向上したためであると考えられる。また、構成原子の総数に対する窒素原子の含有率の厚さ方向における隣接する２つの極大値のうち光導電層側の極大値と、２つの極大値間の最小値との距離が、４０ｎｍ以上であれば帯電能の向上や画像欠陥の抑制といった効果を得ることができる。更に、その距離が300nm以下の範囲であれば、短波長露光に対する感度を十分に有することができる。
【００３６】
さらに、本発明者らは、ａ−ＳｉＮの膜構造に着目して、表面層の作成条件の様々な見直しを行ったところ、酸素原子および／またはフッ素原子を添加することにより、クリーニング性を向上させることが可能であることがわかった。
【００３７】
ａ−ＳｉＮ膜は、作成条件により比較的柱状構造を示しやすいが、こういった柱状構造が多い状態では、表面に現れる構造境界が多いと考えられ、そのような状態では転写残やクリーニング残が生じやすい。しかし、酸素原子および／またはフッ素原子の添加により、転写残やクリーニング残が減少したのは、上記のように低欠陥化がすすみ、柱状構造が低減することで、表面に現れる構造境界が減少したと考えている。
【００３８】
さらに、本発明者らは酸素原子および／またはフッ素原子の添加に関して検討を重ねたところ、表面層中で極大値を持つように含有させる方が、硬度低下や残留電位増大といった弊害が全く見られず、転写残やクリーニング残のクリーニング性に効果的であった。このように表面層中で極大値を持たせるように添加する酸素原子あるいはフッ素原子は、各々単独で添加しても効果が得られるが、加えて、酸素原子とフッ素原子が共に極大値を持つように添加すると、更に好ましいことがわかった。
【００３９】
次に、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。
【００４０】
図１は本発明における電子写真感光体の層構成の一例について示した模式図である。
【００４１】
図１（ａ）に示す電子写真感光体は、導電性基体１０１上に光導電層１０２および表面領域層１０３がこの順に形成されている。図１（ｂ）に示す電子写真感光体は、導電性基体１０１上に下部注入阻止層１０４、光導電層１０２および表面領域層１０３がこの順に形成されている。  図１（ｃ）に示す電子写真感光体は、導電性基体１０１上に下部注入阻止層１０４、光導電層１０２および、変化層１０９及び表面層１０８ａからなる表面領域層１０３ａがこの順に形成されている。
【００４２】
下部注入阻止層１０４は、必須ではないが、導電性基体側からの電荷の注入を阻止するために設けられていることが好ましい。
【００４３】
表面領域層１０３は、第一の上部注入阻止層１０５（ＴＢＬ-１）、中間層１０６、第二上部注入阻止層１０７（ＴＢＬ-２）、表面保護層（ＳＬ）１０８がこの順に形成されている。
【００４４】
ここで、表面領域層１０３ａには、光導電層１０２との間で、屈折率の変化が連続的になるように、光導電層１０２側に変化層１０９を設けることが好ましい。
【００４５】
表面層１１０と光導電層１０２との間の屈折率に差があると、層界面で干渉が生じ削れによる感度の変動が起こりやすく、ほんの少しの削れムラによっても画像濃度の顕著なムラが表れてしまう。これを防ぐために、変化層１０９は、膜の組成変化をなだらかに行うことで屈折率をなだらかに変化させ、表面層１１０と光導電層１０２との屈折率の差をなだらか接続している。この結果、表面領域層１０３ａと光導電層１０２との屈折率の差に起因する層界面における光の反射が抑えられ、可干渉光を露光に用いた場合の界面での干渉を防いでいる。
【００４６】
ここで、前述した各層について詳細に説明する。
【００４７】
＜表面領域層＞
本発明における表面領域層１０３、１０３ａは、主に短波長光透過性、高解像度、連続繰り返し使用耐性、耐湿性、使用環境耐性、良好な電気特性などに関して良好な特性を得るために設けられている。正帯電用電子写真感光体の場合には帯電保持層としての役割も有している。負帯電用電子写真感光体の場合にも、それ自体が帯電保持層としての役割を持ってもよいが、後述する変化層に帯電保持の機能を持たせる方が、表面層の設計自由度の点から好ましい。
【００４８】
本発明における表面領域層１０３ａは、表面層１１０と変化層１０９を有しており、その材質は、シリコン原子と窒素原子を母体とし、少なくとも一部分に周期表第１３族元素を適宜含有した非単結晶材料からなる。また、水素原子、酸素原子及び／またはフッ素原子を膜中に適宜含んでいることが好ましい。このとき、表面層１１０に含まれる窒素量は、シリコン原子と窒素原子の原子の数の和に対して３０原子％から７０原子％の範囲が好ましい。
【００４９】
本発明の表面領域層１０３ａにおいて、変化層１０９と表面層１１０の各層内に周期表第１３族元素の含有率が膜の厚さ方向に極大値を少なくとも１つずつ持つようにすることが重要である。
【００５０】
ここで、周期表第１３族元素含有率の極大値のうち、変化層の最も光導電層側に位置する極大値が一番大きいことが、電気特性の向上の点で好ましい。
【００５１】
また、帯電能などの電気特性や、ドット再現性などの解像度向上のためには、周期表第１３族元素含有率の隣接する２つの極大値間距離が、膜の厚さ方向において１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の範囲となるようにすることが好ましい。
【００５２】
また、帯電能などの電気特性や、ドット再現性などの解像度向上のためには、周期表第１３族元素の最も光導電層側に位置する極大値が、５．０×１０18個／ｃｍ3以上であり、
の隣接する２つの極大値の間に存在する周期表第１３族元素の最小値が、２．５×１０18個／ｃｍ3以下となることも好ましい。
【００５３】
図４は、表面領域層の各元素の模式的濃度プロファイルである。図４に示すように、表面領域層でのボロン（周期表１３族原子）、炭素、フッ素および酸素原子は、最表面側にボロン（周期表１３族原子）、炭素、フッ素および酸素原子の極大値が、更に深い、光導電層側に近い位置にボロンの極大値が形成されている。つまり、炭素、フッ素および酸素原子の極大値は１ヶ所で観測され、ボロンの極大値は２ヶ所で観測されている。
【００５４】
また、表面領域層１０３、１０３ａにおいて、厚さ方向において構成原子の総数に対する上記周期表第１３族元素の含有率の極大値に加えて、窒素原子の含有率の極大値を少なくとも二つ持つことことが好ましい。周期表第１３族元素の含有率の極大値や窒素原子の含有率の極大値の数は、それぞれ少なくとも２つ以上であればよく、例えば、各２つ、各３つ、あるいは一方が２つ他方が３つ若しくは４つなど、異なる数であってもよい。これらの極大値は表面領域層の厚さ方向におけるいずれに位置していてもよく、例えば、図８の周期表第１３族元素および窒素原子の含有量を表すグラフに示すように、それぞれの原子の極大値が厚さ方向において、同じ位置に存在してもよい。また、図９〜図１３の周期表第１３族元素および窒素原子の含有量を表すグラフに示すように、交互に位置することが好ましい。この場合光導電層側に周期表第１３族元素の含有率の極大値を有すると、帯電能を高くすることができ好ましく、自由表面側に窒素原子の含有率の極大値を有すると、感光体の耐傷性、耐磨耗性の点から特に好ましい。このような極大値を有する表面領域層として、厚さ方向において周期表第１３族元素の含有率の極大値を１つずつ有する上部注入阻止層を２以上、例えば、第1の上部注入阻止層１０５、第２の上部注入阻止層１０７とすることができる。また、厚さ方向において窒素原子の含有率の極大値を１つずつ有する１または２以上の中間層１０６とが光導電層上に交互に設けられ、最外層として自由表面を有し、厚さ方向において窒素原子の含有率の極大値を１つ有する表面保護層１０８が設けられていてもよい。
【００５５】
本発明において、周期表第１３族元素の含有率が膜の厚さ方向で極大値を形成するには、表面領域層１０３を形成している途中で、周期表第１３族元素供給を制御して得ることができる。周期表第１３族元素供給の制御は、周期表第１３族元素供給ガスの流量・濃度、母材となるシリコン・窒素原子供給ガスの流量および成長温度等の成長条件を適宜変化させて行なうことができる。
【００５６】
ここで、周期表第１３族元素としては、具体的には、硼素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特に硼素が好適である。また、周期表第１３族元素の供給ガスとしては具体的には、Ｂ2Ｈ6、Ｂ4Ｈ10、Ｂ5Ｈ9、Ｂ5Ｈ11、Ｂ6Ｈ10、Ｂ6Ｈ12、Ｂ6Ｈ14等の水素化ホウ素、ＢＦ3、ＢＣｌ3、ＢＢｒ3等のハロゲン化ホウ素等が挙げられる。この他、ＡｌＣｌ3、ＧａＣｌ3、Ｇａ（ＣＨ3）3、ＩｎＣｌ3、ＴｌＣｌ3等も挙げることができる。
【００５７】
ここで、図７を用いて本発明の極大値の例について説明する。
【００５８】
図７は、表面領域層の変化層と表面層との各々に１箇所に周期表第１３族元素の含有率分布の極大値がある状態の例を模式的に示している。
【００５９】
本発明において、周期表第１３族元素の含有率の極大値は、図７に示されるように含有量の極大値に頂部が存在する形状が望ましいが、含有率が一定領域を持つ分布でもよい。また、極大値間距離は、図７中に示した距離を示す。
【００６０】
尚、含有率が一定領域を持つ場合は、一定領域の中央を極大値の位置とする。
【００６１】
酸素原子および／またはフッ素原子の含有量の極大値についても、図７に示される周期表第１３族元素の含有率の極大値と同様に、一定領域を持たない形状を示すことが好ましい。応力の大きなａ−ＳｉＮなどの膜では、含有率分布に一定領域を持たない形状のほうが、一定領域を持った形状よりも応力を効果的に緩和する局所的な領域ができる。結果として膜全体の応力緩和が効率的に進むと考えられるので、含有率分布に一定領域が発生しないように制御することが好ましい。
【００６２】
また、含有率分布に一定領域を持たない形状のほうが、像露光によるフォトキャリアの移動において、ドット再現性や細線再現性を低下させるキャリアの拡がりやすい領域をなるべく局所的に設けることで、拡がりを小さく押さえられると考える。
【００６３】
表面層１１０中の酸素原子あるいはフッ素原子の含有量は、構成原子の総数に対して、
膜中の平均濃度が０．０１原子％以上２０原子％以下であることが好ましい。０．１原子％以上１０原子％以下であることがより好ましく、０．５原子％以上８原子％であることが更に好ましい。このような範囲で含有量を調整するためには、例えばＮＯあるいはＳｉＦ4のような酸素原子あるいはフッ素原子含有ガスをＨ2、Ｈｅ、ＮｅおよびＡｒ等のガスで希釈したものを、マスフローコントローラーを介して流量制御して添加すればよい。
【００６４】
また、表面層１１０中に水素原子が含有されることが好ましいが、水素原子はシリコン原子の未結合手を補償し、層品質の向上、特に光導電性特性および電荷保持特性を向上させる。水素含有量は、構成原子の総量に対して通常の場合、膜中の平均値として５〜７０原子％含むことが好ましく、好適には８〜６０原子％含むことがより好ましく、１０〜５０原子％含むことがより好ましい。
【００６５】
表面層１１０の形成において使用されるシリコン（Ｓｉ）供給用ガスとなり得る物質としては、ＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6、Ｓｉ3Ｈ8およびＳｉ4Ｈ10等のガス状物、またはガス化し得る水素化ケイ素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げられる。層作製時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6が好ましいものとして挙げられる。また、これらのＳｉ供給用の原料ガスを必要に応じてＨ2、Ｈｅ、Ａｒ、Ｎｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。
【００６６】
窒素または酸素供給用ガスとなり得る物質としては、Ｎ2、ＮＨ3、ＮＯ、Ｎ2Ｏ、ＮＯ2、Ｏ2、ＣＯおよびＣＯ2等のガス状物、またはガス化し得る化合物が有効に使用されるものとして挙げられる。中でも、窒素供給用ガスとしては窒素が最も良好な特性が得られるため、好ましい。また、酸素供給用ガスとしては同様にＮＯが好ましい。また、これらの窒素、酸素供給用の原料ガスを必要に応じてＨ2、Ｈｅ、ＡｒおよびＮｅ等のガスにより希釈して使用してもよい。特に酸素を微量添加する場合、例えばＮＯガスをＨｅガスで予め希釈して供給する事で、流量の正確な制御が可能となる。
【００６７】
また、フッ素原子供給のために、ＳｉＦ4、Ｓｉ2Ｆ6等のフッ化ケイ素やフッ素ガス（Ｆ2）、ＢｒＦ、ＣｌＦ、ＣｌＦ3、ＢｒＦ3、ＢｒＦ5、ＩＦ3およびＩＦ7等のハロゲン間化合物を導入してもよい。
【００６８】
また、酸素原子およびフッ素原子供給用ガスとしては、上記ガスを複数種混合してもよい。特に、酸素原子供給用ガスとしてはＮＯ、またはＮＯを含み適宜Ｈｅなどの希釈ガスにて希釈した混合ガスが最も好ましい。フッ素原子供給用ガスとしてはＳｉＦ4が最も好ましい例として挙げられる。これらのガスを用いて作成した場合、トータルで見た電子写真特性が最も好ましい結果が得られた。
【００６９】
表面領域層１０３ａを形成するには、反応容器のガス圧、放電電力、ならびに基体の温度を適宜設定することが必要である。基体温度は、層設計に従って最適範囲が適宜選択されるが、通常の場合、１５０℃以上３５０℃以下であることが好ましく、１８０℃以上３３０℃以下であることがより好ましく、２００℃以上３００℃以下であることが更に好ましい。
【００７０】
反応容器内の圧力も同様に層設計にしたがって最適範囲が適宜選択されるが、通常の場合１×１０-2Ｐａ以上１×１０3Ｐａ以下であることが好ましい。５×１０-2Ｐａ以上５×１０2Ｐａ以下であることがより好ましく、１×１０-1Ｐａ以上１×１０2Ｐａ以下であることが更に好ましい。
【００７１】
表面層１１０の層厚としては、０．１〜３μｍであることが好ましく、０．１５〜２μｍであることがより好ましく、０．２〜１μｍであることが更に好ましい。
【００７２】
層厚が０．０１μｍよりも厚ければ光受容部材を使用中に磨耗等の理由により表面側層領域が失われることがなく、３μｍを越えなければ残留電位の増加等の電子写真特性の低下が発生することがない。
【００７３】
本発明においては、表面領域層１０３ａを形成するための導電性基体の温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙げられるが、条件は通常は独立的に別々に決められるものではなく、相互的且つ有機的関連性に基づいて最適値を決めるのが好ましい。
【００７４】
本発明において、変化層は、膜の組成変化をなだらかに行うことで屈折率をなだらかに変化させ、表面層１１０と光導電層１０２との屈折率の差をなだらか接続している。この結果、光導電層１０２と表面層１１０の界面での光の反射による干渉の影響を低減でき、更には周期表第１３族元素を添加させることで上部から（即ち表面層側から）の電荷の侵入を阻止し、帯電能を向上させる効果も得られる。
【００７５】
また、本発明で、変化層１０９は、光導電層１０２と表面層１１０の界面での光の波長
３５０ｎｍから６８０ｎｍの範囲で、反射率（％）の最小値（Ｍｉｎ）と最大値（Ｍａｘ）とが、０％≦Ｍａｘ（％）≦２０％かつ０≦（Ｍａｘ−Ｍｉｎ）／（１００−Ｍａｘ）≦０．１５を満たすように、光学的に連続するように設けることが好ましい。
【００７６】
変化層の層厚は所望の電子写真特性が得られること、及び経済的効果等の点から、５ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることが好ましく、１０ｎｍ以上８００ｎｍ以下であることがより好ましく、１５ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが更に好ましい。層厚が５ｎｍ以上であれば、表面側からの電荷の注入阻止能は充分であり、充分な帯電能が得られるので電子写真特性の低下を招くことはなく、１０００ｎｍ以下であれば電子写真特性の向上が期待でき、感度等の特性の低下を招くこともない。
【００７７】
反応容器内の圧力も同様に層設計にしたがって最適範囲が適宜選択されるが、１×１０-2Ｐａ以上１×１０3Ｐａ以下であることが好ましく、５×１０-2Ｐａ以上５×１０2Ｐａ以下であることがより好ましく、１×１０-1Ｐａ以上１×１０2Ｐａ以下であることが更に好ましい。
【００７８】
さらに、基体の温度は、層設計にしたがって最適範囲が適宜選択されるが、通常の場合、１５０℃以上３５０℃以下であることが好ましく、１８０℃以上３３０℃以下であることがより好ましく、２００℃以上３００℃以下であることが更に好ましい。
【００７９】
＜上部注入阻止層(TBL)＞
本発明における表面領域層に設けられる上部注入阻止層はシリコン原子と窒素原子を母材とする非単結晶窒化シリコン膜からなり、周期表第１３族元素の厚さ方向における含有率の極大値を１つ有することが好ましい。周期表第１３族元素が含有されることにより、感光体が負帯電処理をその自由表面に受けた際、表面側より第１の層側に電荷が注入されるのを阻止する機能を有する。かかる周期表第１３族元素としては、具体的には、ボロン(B)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、インジウム(In)、タリウム(Tl)等があり、特に硼素が取り扱い易さなどの点から好適である。
【００８０】
かかる極大値の形状としては、図９（a）、図１０、図１１(a)及び(b)、図１３に示すように、ピークを持つものでもよいが、また、図９(b)、図１２のように、厚さ方向の一定長において一定の値を持つもの(極大領域と呼ぶ)でもよい。かかる極大領域においては、図１４(a)、(b)に示すように、極大領域を有する厚さの１／２の位置における値を極大値とする（以下おなじ）。上部注入阻止層(TBL-1、TBL-2、TBL-3)は、図１５(b)に示すように、中間層を挟んで２層設けられてもよいが、図１５(a)に示すように、それぞれ中間層を挟んで３層設けられてもよい。各上部注入阻止層に１つずつ設けられる周期表第１３族元素の含有率の厚さ方向における極大値は、最も自由表面側に位置する極大値が一番大きいことが、感度、電位ムラ、光メモリー、透過性、クリーニング性の点で好ましい。かかる極大値として、上部注入阻止層の構成原子の総数に対して50atmppm以上3000atmppm以下であることが好ましく、より好ましくは100atmppm以上1500atmppm以下である。最も大きい極大値における周期表第１３族元素の含有量としては、具体的に、5.0×１０18個/cm3以上であることを例示することができる。この厚さ方向における周期表第１３族元素の含有率の最大値に対し、周期表第１３族元素の含有率が低い後述する中間層における周期表第１３族元素の最も小さい極小値における含有量が、具体的に2.5×１０18個/ cm3以下であることが感度特性の点から好ましい。但し、厚さ方向において極大値を有し不均一な分布をもって含有される周期表第１３族元素は、基体の表面と平行面内においては、均一な分布で満遍なく含有されることが同一面内における特性の均一化を図る点から好ましい。
【００８１】
このような周期表第１３族元素の極大値は、隣接する周期表第１３族元素の極大値と100以上1000nm以下の距離にあることが、感光体における解像度や帯電能、残留電位、感度の点から好ましい。
【００８２】
上部注入阻止層には、必要に応じて酸素原子を含有させることが好ましい。上部注入阻止層に含有される窒素原子または酸素原子は、該層中に満遍なく均一に分布されてもよく、また、厚さ方向に不均一に分布されてもよい。しかしながら、いずれの場合にも基体の表面と平行面内においては、これらの原子が均一な分布で満遍なく含有されることが同一面内における特性の均一化を図る点からも必要である。
【００８３】
本発明における上部注入阻止層の各層に含有される窒素原子の含有率は、本発明の目的が効果的に達成されるように適宜決定されるが、酸素原子が含有されない場合はシリコン原子と窒素原子の総数に対して10atm%以上70atm%以下の範囲とするのが好ましい。より好ましくは15atm%以上65atm%以下、更に好ましくは20atm%以上60atm%以下である。また、酸素原子を含有する場合は、窒素原子または酸素原子の含有率は、それぞれ窒素原子、酸素原子およびシリコン原子の総数に対して10atm%以上70atm%以下の範囲とするのが好ましい。より好ましくは15atm%以上65atm%以下、更に好ましくは20atm%以上60atm%以下である。
【００８４】
また、上記上部注入阻止層には、水素原子および/またはハロゲン原子が含有されることが好ましいが、これはシリコン原子の未結合手と結合し、層品質の向上、特に光導電性特性および電荷保持特性を向上させるためである。水素原子の含有率は、構成原子の総量に対して例えば30atm%以上70atm%以下、好適には35atm%以上65atm%以下、より好ましくは40atm%以上60atm%以下である。また、ハロゲン原子の含有率として、例えば0.01atm%以上15atm%以下、好適には0.1atm%以上10atm%以下、より好ましくは0.5atm%以上5atm%以下である。
【００８５】
上部注入阻止層１０５、１０７は光導電層１０２から表面保護層１０８に向かって組成を連続的に変化させることも好ましく、密着性の向上や干渉防止等に効果がある。
【００８６】
上記上部注入阻止層の各々の層厚は、所望の電子写真特性が得られること、及び効率的製造などの経済的効果等の点から、また、後述する中間層の層厚や、窒素原子の含有率の厚さ方向の隣接する２つの極大値間の最小値と、光導電層側の極大値との距離に関連する。上部注入阻止層の厚さとして、具体的には、隣接する上部注入阻止層の厚さ方向における周期表第１３族原子の含有率の極大値間の距離を適切とするため、例えば10nm以上1000nm以下とすることができる。好ましくは30nm以上800nm以下、より好ましくは50nm以上500nm以下である。層厚が10nm以上であると、表面側からの電荷の注入を阻止する充分な帯電能が得られ、良好な電子写真特性を得ることができる。また、層厚が1000nm以下であると電子写真特性の向上が期待でき、良好な感度特性を得ることができる。また、第2の上部注入阻止層(TBL-2)１０７の膜厚は、10nm以上300nm以下であるのが感光体の電位特性の向上や、感度特性を向上させる上で好ましい。
【００８７】
このような上部注入阻止層を形成するには、プラズマＣＶＤ法などによることができる。かかるプラズマＣＶＤ法による上部注入阻止層の形成としては、導電性基体を設置した反応容器に、Si供給用のガスとN供給用ガスと周期表第１３族元素の供給用ガスと、必要に応じてO供給用のガスなどの原料ガスを供給し堆積膜を成膜する方法を挙げられる。このとき原料ガスの混合比、反応容器内のガス圧、放電電力ならびに基体の温度を適宜設定することができる。反応容器内の圧力も同様に層設計にしたがって最適範囲が適宜選択されるが、例えば1.0×１０-2Pa以上1.0×１０3Pa以下、好ましくは5.0×１０-2Pa以上5.0×１０2Pa以下、より好ましくは1.0×１０-1Pa以上1.0×１０2Pa以下である。さらに、基体の温度は、層設計にしたがって最適範囲が適宜選択されるが、例えば150℃以上350℃以下、好ましくは180℃以上330℃以下、より好ましくは200℃以上300℃以下である。周期表第１３族元素の含有率の厚さ方向における極大値を設けるには、第１３族元素を含有する第１３族元素の原料ガスの導入量を変化させる方法によればよい。
【００８８】
＜中間層＞
本発明における表面領域層に１または２以上設けられる中間層はシリコン原子と窒素原子を母材とする非単結晶窒化シリコン膜からなり、窒素原子の厚さ方向における含有率の極大値を１つ有するものである。かかる中間層を、第1の上部注入阻止層(TBL-1)と第2の上部注入阻止層(TBL-2)の間、第2の上部注入阻止層(TBL-2)と第3の上部注入阻止層(TBL-3)の間に設けることで、表面領域層において、構成原子の総数に対する周期表第１３族元素の含有率が、表面領域層の厚さ方向において極大値を2つ以上持ち、かかる２つの極大値間に必然的に形成される極小値をもち、更に、後述する表面保護層に有する窒素原子の含有率の極大値と共に、窒素原子の含有率が、表面領域層の厚さ方向において極大値を２つ以上持った分布が形成される。
【００８９】
窒素原子の含有率の極大値の形状としては、図１０、図１１(a)、(b)に示すように、ピーク状でもよく、また、図９(a)、(b)のように、極大領域でもよい。かかる極大値として、中間層の構成原子の総数に対して、N/(Si+N)≧30atm%であることが好ましい。この厚さ方向における窒素原子の含有率の極大値に対し、窒素原子の含有率が低い上部注入阻止層における窒素原子の最も小さい極小値との比（極大値／最小値）が、1.10以上であることが好ましい。但し、厚さ方向において極大値を有し不均一な分布をもって含有される窒素原子は、基体の表面と平行面内においては、均一な分布で満遍なく含有されることが同一面内における特性の均一化を図る点から好ましい。
【００９０】
このような窒素原子の光導電層側の極大値と、隣接する窒素原子の極大値間の最小値とが４０nm以上３００nm以下の距離にあることが、画像欠陥の抑制効果の点から好ましい。
【００９１】
図１４(a)〜（d）に表面領域層における、構成原子の総数に対する窒素原子の含有率の厚さ方向における隣接する２つの極大値のうち光導電層側の極大値と、２つの極大値間の最小値の距離を模式的に示した。
【００９２】
中間層には、必要に応じて酸素や周期表第１３族元素を含有させることができる。中間層に含有される窒素原子または酸素原子は、各中間層において構成原子総数に対して平均の含有率として10atm%以上90atm%以下をもって含有されるのが感度特性や電気的特性の点から好ましい。より好ましくは15atm%以上85atm%以下であり、更に好ましくは20atm%以上80atm%以下である。中間層に含有される酸素原子は、該層中に満遍なく均一に分布されてもよく、または層厚方向に不均一に分布されてもよい。しかしながら、いずれの場合にも基体の表面と平行面内においては、均一な分布で満遍なく含有されることが面内における特性の均一化を図る点からも好ましい。
【００９３】
また、中間層１０６の厚さは、上部注入阻止層の層厚とも関連する。中間層の厚さとしては、隣接する上部注入阻止層における周期表第１３族元素含有率の極大値間距離を100nm以上1000nm以下になるように選択することが、感光体における解像度や帯電能、残留電位、感度の点からより好ましい。
【００９４】
このような中間層を形成するには、上記上部注入阻止層と同様の方法、即ちプラズマＣＶＤ法などによることができる。かかるプラズマＣＶＤ法による中間層の形成においては、原料ガスの混合比、反応容器内のガス圧、放電電力ならびに基体の温度を適宜設定することができる。反応容器内の圧力も同様に層設計にしたがって最適範囲を適宜選択することができ、窒素原子の含有率の極大値も、窒素原子を含有する原料ガスの導入量を変化させることにより形成することができる。
【００９５】
＜表面保護層＞
本発明における表面領域層に設けられる表面保護層１０８は自由表面を有し、シリコン原子と窒素原子を母材とする非単結晶窒化シリコン膜からなることが好ましい。表面保護層は窒素原子の厚さ方向における含有率の極大値を１つ有し、周期表第１３族元素の含有率が低く、感光体に耐湿性、連続繰り返し使用特性、電気的耐圧性、使用環境特性、耐久性を付与する。窒素原子の含有率の厚さ方向における極大値、その形状、極大値と、上部注入阻止層における窒素原子の含有率の最小値との関係、窒素原子の平均含有量などについては、中間層と同様である。
【００９６】
また、かかる表面保護層には、必要に応じて酸素原子、水素原子、ハロゲン原子などを含有させてもよい。水素原子や、ハロゲン原子は、シリコンなどの構成原子の未結合手と結合し、層品質の向上、特に光導電性特性および電荷保持特性を向上させる。このような観点から、水素原子の含有率は、構成原子の総量に対して好ましくは30atm%以上70atm%以下、より好ましくは35atm%以上65atm%以下、更に好ましくは40atm%以上60atm%以下である。また、ハロゲンとしては例えばフッ素原子の含有率は、例えば0.01atm%以上15atm%以下とすることができ、好適には0.1atm%以上10atm%以下、より好ましくは0.6atm%以上4atm%以下である。
【００９７】
表面保護層の層厚としては、例えば10nm以上3000nm以下とすることができ、好適には50nm以上2000nm以下、より好ましくは100nm以上1000nm以下である。層厚が10nm以上であると感光体を使用中に摩耗等の理由により表面保護層１０８が失われることがなく、3000nm以下であると残留電位増加が抑制される電子写真特性が維持される。
【００９８】
このような表面保護層を形成するには、プラズマＣＶＤ法などによることができ、かかるプラズマＣＶＤ法による表面保護層の形成は、基体の温度、反応容器内のガス圧を所望により適宜設定して行なうことができる。基体温度(Ts)は、層設計にしたがって最適範囲が適宜選択されるが、好ましくは150℃以上350℃以下、より好ましくは180℃以上330℃以下、更に好ましくは200℃以上300℃以下である。反応容器内の圧力も同様に層設計にしたがって最適範囲が適宜選択されるが、例えば1.0×10-2Pa以上1.0×103Pa以下とすることができ、好ましくは5.0×10-2Pa以上5.0×102Pa以下、より好ましくは1.0×10-1Pa以上1.0×102Pa以下である。表面保護層を形成するための基体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙げられるが、これらの条件は独立的に別々に決められるものではなく、所望の特性を有する感光体を形成すべく相互的且つ有機的関連性に基づいて最適値を決めるのが好ましい。
【００９９】
このような層構造を有する表面領域層においては、窒素原子の平均濃度(atm%)が、30atm%≦N/(Si+N)≦70atm%であるのが、感度の点から好ましい。
【０１００】
また、表面領域層内に、構成原子の総数に対する酸素原子及び／またはフッ素原子の含有率が膜の厚さ方向において極大値を少なくとも１つ有することは、画像品質や電位特性を向上させる上でより好ましい。
【０１０１】
尚、本明細書記載の酸素、窒素、シリコン、周期表第１３族元素、水素またはハロゲン等の各元素の含有率は、二次イオン質量分析法(SIMS)によって測定を行ない、上記第１の上部注入阻止層(TBL-1)、中間層、第２の上部注入阻止層(TBL-2)、表面保護層などの構成する原子の総量に対する酸素、窒素、シリコン、周期表第１３族元素、水素、ハロゲン原子の割合を算出することによって求めた値である。
【０１０２】
＜基体＞
本発明において使用される基体は、導電性材料で作られた基体あるいは電気絶縁性の少なくとも光受容層を形成する側の表面に導電性処理が行われた基体のいずれでも構わない。
【０１０３】
導電性基体の材料としては、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｔｅ、Ｖ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｆｅ等の金属、およびこれらの合金、例えばステンレス等を挙げることができる。
【０１０４】
また、電気絶縁性基体の材料としては、ポリエステル、ポリエチレン、ポリカーボネート、セルロースアセテート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルムまたはシート、ガラス、セラミック等を挙げることができる。
基体に電気絶縁性材料を用いる場合、基体の少なくとも光受容層を形成する側の表面は、導電処理されている必要がある。
【０１０５】
基体の形状は平滑表面または凹凸表面の円筒状または無端ベルト状等であってよい。その厚さは、所望通りの光受容部材を形成し得るように適宜決定される。無端ベルト状の基体のように光受容部材としての可撓性が要求される場合には、基体としての機能が充分発揮できる範囲内で可能な限り薄くすることができるが、基体は製造上および取り扱い上、機械的強度等の点から通常は１０μｍ以上とされる。
【０１０６】
＜光導電層＞
基体上に例えばグロー放電法によって光導電層を形成するには、内部を減圧できる反応容器内に所望の原料をガス状態で導入して、反応容器内にグロー放電を生起させ、あらかじめ所定の位置に設置されている所定の基体上にａ−Ｓｉ：Ｈ，Ｘからなる層を形成する。原料のガスとしては、シリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ供給用の原料ガスと、水素原子（Ｈ）を供給し得るＨ供給用の原料ガスと、必要に応じてハロゲン原子（Ｘ）を供給し得るＸ供給用の原料ガスを用いることができる。
【０１０７】
光導電層中の水素原子、更に必要に応じて添加されるハロゲン原子は、シリコン原子の未結合手を補償し、層品質の向上、特に光導電性および電荷保持特性を向上させる機能を有している。
【０１０８】
水素原子の含有量は、特に制限はないが、シリコン原子と水素原子の和に対して１０〜４０原子％とされるのが好ましい。また、その分布形状に関しても、露光系の波長に合わせて含有量を変化させるなど、適宜調整することが好ましい。特に、水素原子やハロゲン原子の含有量をある程度多くすると、光学的バンドギャップが大きくなり、感度のピークが短波長側にシフトすることが知られている。このような光学的バンドギャップの拡大は、短波長の露光を用いる際には好ましく、その場合にはシリコンと水素原子の和に対して１５％以上とすることが好ましい。
【０１０９】
Ｓｉ供給用ガスとなり得る物質としては、ＳｉＨ4、Ｓｉ2Ｈ6、Ｓｉ3Ｈ8、Ｓｉ4Ｈ10等のガス状態の、またはガス化し得る水素化ケイ素（シラン類）が有効に使用されるものとして挙げられ、更に層作製時の取り扱い易さ、Ｓｉ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ4およびＳｉ2Ｈ6が好ましいものとして挙げられる。なお、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混合してもよい。
【０１１０】
そして、膜の物性の制御性、ガスの供給の利便性などを考慮し、これらのガスに更に、Ｈ2、Ｈｅ及び水素原子を含むケイ素化合物から選ばれる１種以上のガスを所望量混合して層形成することもできる。ハロゲン原子供給用の原料ガスとしては、具体的には、フッ素ガス（Ｆ2）、ＢｒＦ、ＣｌＦ、ＣｌＦ3、ＢｒＦ3、ＢｒＦ5、ＩＦ3、ＩＦ7等のハロゲン間化合物、ＳｉＦ4、Ｓｉ2Ｆ6等のフッ化ケイ素が好ましいものとして挙げることができる。
【０１１１】
光導電層中に含有されるハロゲン元素の量を制御するには、例えば、基体の温度、ハロゲン元素を含有させるために使用される原料ガスの反応容器内へ導入する量、放電空間の圧力、放電電力等を制御すればよい。
【０１１２】
加えて、光導電層には伝導性を制御する原子を光導電層の層厚方向に負均一な分布状態で含有することが好ましい。これは、光導電層のキャリアの走行性を調整し、また或は補償して走行性を高次でバランスさせることにより、帯電能の向上、光メモリ効果の低減、感度の向上のために有効である。
【０１１３】
伝導性を制御する原子の含有量は、特に制限されないが、一般には０．０５〜５原子ｐｐｍとするのが望ましい。また、光の到達する範囲においては、伝導性を制御する原子を実質的に含有しないように制御を行う（積極的な添加を行わない）とすることもできる。
【０１１４】
この伝導性制御原子は、膜厚方向に連続的に、又は段階的に変化する領域を含んでいてもよく、一定の領域を含んでいてもよい。
【０１１５】
伝導性を制御する原子としては、半導体分野における、いわゆる不純物を挙げることができ、周期表第１３族に属する原子（第１３族原子とも略記する）、又は周期表第１５族に属する原子（第１５族原子とも略記する）を用いることができる。
【０１１６】
第１３族原子としては、具体的には、ホウ素（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、タリウム（Ｔｌ）等があり、特にＢ、Ａｌ、Ｇａが好適である。
【０１１７】
そのような第１３族原子導入用の原料物質としては具体的には、ホウ素原子導入用としては、Ｂ2Ｈ6、Ｂ4Ｈ10、Ｂ5Ｈ9、Ｂ5Ｈ11、Ｂ6Ｈ10、Ｂ6Ｈ12およびＢ6Ｈ14等の水素化ホウ素、ＢＦ3、ＢＣｌ3およびＢＢｒ3等のハロゲン化ホウ素等が挙げられる。この他、ＡｌＣｌ3、ＧａＣｌ3、Ｇａ（ＣＨ3）3、ＩｎＣｌ3およびＴｌＣｌ3等も挙げることができる。
【０１１８】
第１５族原子として、具体的には、窒素（Ｎ）、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）等があり、特にＰ、Ａｓ、Ｓｂが好適である。
【０１１９】
第１５族原子導入用の原料物質として有効に使用されるのは、リン原子導入用としては、ＰＨ3およびＰ2Ｈ4等の水素化リン、ＰＨ4Ｉ、ＰＦ3、ＰＦ5、ＰＣｌ5、ＰＢｒ3、ＰＢｒ5およびＰＩ3等のハロゲン化リンが挙げられる。この他、ＡｓＨ3、ＡｓＦ3、ＡｓＣｌ3、ＡｓＢｒ3、ＡｓＦ5、ＳｂＨ3、ＳｂＦ3、ＳｂＦ5、ＳｂＣｌ3、ＳｂＣｌ5、ＢｉＨ3、ＢｉＣｌ3およびＢｉＢｒ3等も第１５族原子導入用の原料ガスとして有効なものとして挙げることができる。
【０１２０】
また、これらの伝導性を制御する原子導入用の原料ガスを必要に応じてＨ2および／またはＨｅにより希釈して使用してもよい。
【０１２１】
光導電層の層厚は所望の電子写真特性が得られること及び経済的効果等の点から適宜所望にしたがって決定され、５〜５０μｍであることが好ましく、１０〜４５μｍであることがより好ましく、２０〜４０μｍであることが更に好ましい。層厚が５μｍ以上であれば、実用上十分な帯電能や感度等の電子写真特性が得られ、５０μｍ以下であれば、光導電層の作製時間が長くなって製造コストが高くなることがない。
【０１２２】
所望の膜特性を有する光導電層を形成するには、Ｓｉ供給用、ハロゲン添加用等のガスと希釈ガスとの混合比、反応容器内のガス圧、放電電力ならびに基体温度を適宜設定することが望ましい。
【０１２３】
希釈ガスとして使用するＨ2および／またはＨｅの流量は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用ガスに対し、３〜３０倍であることが好ましく、４〜１５倍であることがより好ましく、５〜１０倍の範囲に制御することが更に好ましい。反応容器内のガス圧も同様に層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、１×１０-2〜１×１０3Ｐａであることが好ましく、５×１０-2〜５×１０2Ｐａであることがより好ましく、１×１０-1〜２×１０2Ｐａであることが更に好ましい。
【０１２４】
放電電力もまた同様に層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、Ｓｉ供給用のガスの流量（ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ））に対する放電電力（Ｗ）の比を、０．５〜８の範囲に設定することが好ましく、２〜６の範囲に設定することがさらに好ましい。
【０１２５】
さらに、基体の温度は、層設計にしたがって適宜最適範囲が選択されるが、好２００〜３５０℃の範囲に設定することが好ましく、２１０〜３３０℃の範囲に設定することがより好ましく、最適には２２０〜３００℃の範囲に設定することがさらに好ましい。
【０１２６】
光導電層を形成するための基体温度、ガス圧の望ましい数値範囲として前記した範囲が挙げられるが、条件は通常は独立的に別々に決められるものではなく、所望の特性を有する光受容部材を形成すべく相互的かつ有機的関連性に基づいて最適値を決めるのが好ましい。
【０１２７】
＜下部注入阻止層＞
本発明において、図１に示すように、導電性基体１０１の上層には、基体１０１側からの電荷の注入を阻止する働きのある下部注入阻止層１０４を設けるのが効果的である。下部注入阻止層１０４は感光層が一定極性の帯電処理をその自由表面に受けた際、基体１０１側より光導電層１０２側に電荷が注入されるのを阻止する機能を有している。
【０１２８】
下部注入阻止層１０４には、シリコン原子を母材に導電性を制御する不純物を、光導電層１０２に比べて比較的多く含有させる。下部注入阻止層１０４に含有される不純物元素としては、周期表第１５族元素を用いることができる。本発明においては下部注入阻止層１０４中に含有される不純物元素の含有量率は、本発明の目的が効果的に達成できるように適宜所望にしたがって決定されるが、好ましくは下部注入阻止層中の構成原子の総数に対して１０原子ｐｐｍ以上１００００原子ｐｐｍ以下である。５０原子ｐｐｍ以上７０００原子ｐｐｍ以下であることがより好ましく、１００原子ｐｐｍ以上５０００原子ｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。
【０１２９】
更に、下部注入阻止層１０４には、窒素及び酸素を含有させることによって、下部注入阻止層１０４と基体１０１との間の密着性の向上を図ることが可能となる。
【０１３０】
電荷注入阻止能は、下部注入阻止層１０４に不純物元素を含有させなくても窒素および酸素を最適に含有させることで得ることもできる。具体的には、下部注入阻止層１０４の全層領域に含有される窒素原子および酸素原子の和を下部注入阻止層中の構成原子の原子総量に対して、０．１原子％以上４０原子％以下にすることで優れた電荷注入阻止能を得ることができる。この場合、下部注入阻止層１０４の全層領域に含有される窒素原子および酸素原子の和を下部注入阻止層中の構成原子の原子総数に対して、１．２原子％以上２０原子％以下とすることがより好ましい。
【０１３１】
また、下部注入阻止層１０４は水素原子を含有させるのが好ましく、この場合、含有される水素原子は、層内に存在する未結合手を補償し膜質の向上に効果を奏する。下部注入阻止層１０５中に含有される水素原子の含有量は、下部注入阻止層中の構成原子の総量に対して１原子％以上５０原子％以下が好ましく、５原子％以上４０原子％以下がより好ましく、１０原子％以上３０原子％以下が更に好ましい。
【０１３２】
本発明において、下部注入阻止層１０４層厚は所望の電子写真特性が得られること、及び経済的効果等の点から１００ｎｍ以上５０００ｎｍ以下が好ましく、３００ｎｍ以上４０００ｎｍ以下がより好ましく、５００ｎｍ以上３０００ｎｍ以下とすることがさらに好ましい。層厚を１００ｎｍ以上５０００ｎｍ以下とすることにより、基体１０１からの電荷の注入阻止能が充分となり、充分な帯電能が得られると共に電子写真特性の向上が期待でき、残留電位の上昇などの弊害が発生しない。
【０１３３】
下部注入阻止層１０４形成するには、反応容器内のガス圧、放電電力ならびに基体の温度を適宜設定することが必要である。導電性基体温度（Ｔｓ）は、層設計にしたがって最適範囲が適宜選択されるが、１５０℃以上３５０℃以下が好ましく、１８０℃以上３３０℃以下がより好ましく、２００℃以上３００℃以下であることがより好ましい。
【０１３４】
反応容器内の圧力も同様に層設計にしたがって最適範囲が適宜選択されるが、１×１０-2Ｐａ 上１×１０3Ｐａ以下が好ましく、５×１０-2Ｐａ以上５×１０2Ｐａ以下より好ましく、１×１０-1Ｐａ以上１×１０2以下とすることがさらに好ましい。
【０１３５】
＜電子写真感光体の製造装置＞
次に、本発明の感光層を作製するための装置及び膜形成方法について詳述する。
【０１３６】
図２は、電源周波数としてＲＦ帯を用いた高周波プラズマＣＶＤ法（ＲＦ−ＰＣＶＤとも略記する）による電子写真感光体の製造装置の一例を示す模式的な構成図である。図２に示す製造装置の構成は以下の通りである。
【０１３７】
この装置は大別すると、堆積装置（２１００）、原料ガスの供給装置（２２００）、反応容器（２１１１）内を減圧にするための排気装置（図示せず）から構成されている。堆積装置（２１００）中の反応容器（２１１１）内には円筒状基体（２１１２）、基体加熱用ヒーター（２１１３）、原料ガス導入管（２１１４）が設置され、さらに高周波マッチングボックス（２１１５）が接続されている。
【０１３８】
原料ガス供給装置（２２００）は、ＳｉＨ4、ＧｅＨ4、Ｈ2、ＣＨ4、Ｂ2Ｈ6、ＰＨ3等の原料ガスのボンベ（２２２１〜２２２６）とバルブ（２２３１〜２２３６、２２４１〜２２４６、２２５１〜２２５６）及びマスフローコントローラー（２２１１〜２２１６）から構成され、各原料ガスのボンベは補助バルブ（２２６０）を介して反応容器（２１１１）内のガス導入管（２１１４）に接続されている。
【０１３９】
この装置を用いた堆積膜の形成は、例えば以下のように行なうことができる。
【０１４０】
先ず、反応容器（２１１１）内に円筒状基体（２１１２）を設置し、不図示の排気装置（例えば真空ポンプ）により反応容器（２１１１）内を排気する。続いて、基体加熱用ヒーター（２１１３）により円筒状基体（２１１２）の温度を１５０℃から３５０℃の所定の温度に制御する。
【０１４１】
堆積膜形成用の原料ガスを反応容器（２１１１）に流入させるには、ガスボンベのバルブ（２２３１〜２２３６）、反応容器のリークバルブ（２１１７）が閉じられていることを確認し、又、ガス流入バルブ（２２４１〜２２４６）、流出バルブ（２２５１〜２２５６）、補助バルブ（２２６０）が開かれていることを確認して、まずメインバルブ（２１１８）を開いて反応容器（２１１１）及び原料ガス配管内（２１１６）を排気する。
【０１４２】
次に、真空計（２１１９）の読みが約０．１Ｐａ以下になった時点で補助バルブ（２２６０）、ガス流出バルブ（２２５１〜２２５６）を閉じる。その後、ガスボンベ（２２２１〜２２２６）より各ガスを原料ガスボンベバルブ（２２３１〜２２３６）を開いて導入し、圧力調整器（２２６１〜２２６６）により各ガス圧を０．２ＭＰａに調整する。次に、ガス流入バルブ（２２４１〜２２４６）を徐々に開けて、各ガスをマスフローコントローラー（２２１１〜２２１６）内に導入する。
【０１４３】
以上のようにして成膜の準備が完了した後、以下の手順で各層の形成を行う。
【０１４４】
円筒状基体（２１１２）が所定の温度になったところで流出バルブ（２２５１〜２２５６）のうちの必要なもの及び補助バルブ（２２６０）を徐々に開き、ガスボンベ（２２２１〜２２２６）から所定のガスを、原料ガス導入管（２１１４）を介して反応容器（２１１１）内に導入する。次にマスフローコントローラー（２２１１〜２２１６）によって各原料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、反応容器（２１１１）内の圧力が１×１０2Ｐａ以下の所定の圧力になるように真空計（２１１９）を見ながらメインバルブ（２１１８）の開口を調整する。内圧が安定したところで、周波数１３．５６ＭＨｚのＲＦ電源（不図示）を所望の電力に設定して、高周波マッチングボックス（２１１５）を通じて反応容器（２１１１）内にＲＦ電力を導入し、グロー放電を生起させる。この放電エネルギーによって反応容器内に導入された原料ガスが分解され、円筒状基体（２１１２）上に所定のシリコンを主成分とする堆積膜が形成されるところとなる。所望の膜厚の形成が行われた後、ＲＦ電力の供給を止め、流出バルブを閉じて反応容器へのガスの流入を
止め、堆積膜の形成を終える。
【０１４５】
同様の操作を複数回繰り返すことによって、所望の多層構造の光受容層が形成される。
それぞれの層を形成する際には必要なガス以外の流出バルブはすべて閉じられていることは言うまでもなく、また、それぞれのガスが反応容器（２１１１）内、流出バルブ（２２５１〜２２５６）から反応容器（２１１１）に至る配管内に残留することを避けるために、流出バルブ（２２５１〜２２５６）を閉じ、補助バルブ（２２６０）を開き、さらにメインバルブ（２１１８）を全開にして系内を一旦高真空に排気する操作を必要に応じて行う。
【０１４６】
また、膜形成の均一化を図るために、層形成を行なっている間は、円筒状基体（２１１２）を駆動装置（不図示）によって所定の速度で回転させることも有効である。
【０１４７】
さらに、上述のガス種及びバルブ操作は各々の層の作製条件に従って変更を加えることができる。
【０１４８】
基体の加熱方法は、真空仕様である発熱体であればよく、より具体的にはシース状ヒーターの巻き付けヒーター、板状ヒーター、セラミックヒーター等の電気抵抗発熱体、ハロゲンランプ、赤外線ランプ等の熱放射ランプ発熱体、液体、気体等を温媒とした熱交換手段による発熱体等が挙げられる。加熱手段の表面材質は、ステンレス、ニッケル、アルミニウム、銅等の金属類、セラミックス、耐熱性高分子樹脂等を使用することができる。
【０１４９】
それ以外にも、反応容器以外に加熱専用の容器を設け、加熱した後、反応容器内に真空中で基体を搬送する方法が用いられる。
【０１５０】
＜電子写真装置＞
図３には、本発明の電子写真感光体を好適に使用できる画像形成装置の模式図を示した。
【０１５１】
図３は、フィルム状の誘電体ベルトからなる中間転写ベルト３０５を用いて転写を行う電子写真プロセスを利用したカラー画像形成装置（複写機またはレーザービームプリンター）の一例である。
【０１５２】
この画像形成装置は、表面に静電潜像が形成され、この静電潜像上にトナーが付着されてトナー像が形成される第１の画像担持体である、繰り返し使用される電子写真感光体からなる、回転ドラム型の感光体ドラム３０１を有している。感光体ドラム３０１の周りには、感光体ドラム３０１の表面を所定の極性・電位に一様に帯電させる１次帯電器３０２と、帯電された感光体ドラム３０１の表面に画像露光３０３を行って静電潜像を形成する、不図示の画像露光装置とが配置されている。また、形成された静電潜像上にトナーを付着させて現像する現像器として、回転型の第２の現像器３０４ｂとが配置されている。回転型の第２の現像器３０４ｂには、ブラックトナー（Ｂ）を付着させる第１現像器３０４ａと、イエロートナー（Ｙ）を付着させる現像器と、マゼンタトナー（Ｍ）を付着させる現像器と、シアントナー（Ｃ）を付着させる現像器とが内蔵されている。さらに、中間転写ベルト３０５にトナー像を転写した後、感光体ドラム３０１上をクリーニングする感光体クリーナー３０６、及び、感光体ドラム３０１の除電を行う除電露光３０７が設けられている。
【０１５３】
中間転写ベルト３０５は、感光体ドラム３０１に当接ニップ部を介して駆動するように配置されており、内側には感光体ドラム３０１上に形成されたトナー像を中間転写ベルト３０５に転写するための一次転写ローラ３０８が配備されている。一次転写ローラ３０８には、感光体ドラム３０１上のトナー像を中間転写ベルト３０５に転写するための一次転写バイアスを印加するバイアス電源（不図示）が接続されている。中間転写ベルト３０５の周りには、中間転写ベルト３０５に転写されたトナー像を記録材３１３にさらに転写するための二次転写ローラ３０９が、中間転写ベルト３０５の下面部に接触するように設けられている。二次転写ローラ３０９には、中間転写ベルト３０５上のトナー像を記録材３１３に転写するための二次転写バイアスを印加するバイアス電源が接続されている。また、中間転写ベルト３０５上のトナー像を記録材３１３に転写した後、中間転写ベルト３０５の表面上に残留した転写残トナーをクリーニングするための中間転写ベルトクリーナー３１０が設けられている。
【０１５４】
また、この画像形成装置は、画像が形成される複数の記録材３１３を保持する給紙カセット３１４と、記録材３１３を給紙カセット３１４から中間転写ベルト３０５と二次転写ローラ３０９との当接ニップ部を介して搬送する搬送機構とが設けられている。記録材３１３の搬送経路上には、記録材３１３上に転写されたトナー像を記録材３１３上に定着させる定着器３１５が配置されている。
【０１５５】
一次帯電器３０２としては磁気ブラシ方式の帯電器などが用いられる。画像露光装置としては、カラー原稿画像の色分解・結像露光光学系や、画像情報の時系列電気デジタル画素信号に対応して変調されたレーザービームを出力するレーザースキャナによる走査露光系などが用いられる。
【０１５６】
次に、この画像形成装置の動作について説明する。
【０１５７】
まず、図３に矢印で示すように、感光体ドラム３０１が、時計方向に所定の周速度（プロセススピード）で回転駆動され、中間転写ベルト３０５が、反時計方向に、感光体ドラム３０１と同じ周速度で回転駆動される。
【０１５８】
感光体ドラム３０１は、回転過程で、一次帯電器３０２により所定の極性・電位に一様に帯電処理され、次いで、画像露光３０３を受け、これにより感光体ドラム３０１の表面上には、目的のカラー画像の第１の色成分像（例えばマゼンタ成分像）に対応した静電潜像が形成される。次いで、第２現像器が回転し、マゼンタトナー（Ｍ）を付着させる現像器が所定の位置にセットされ、その静電潜像が第１色であるマゼンタトナー（Ｍ）により現像される。この時、第１現像器３０４ａ、及び、は、作動オフになっていて感光体ドラム３０１には作用せず、第１色のマゼンタトナー像に影響を与えることはない。
【０１５９】
このようにして、感光体ドラム３０１上に形成担持された第１色のマゼンタトナー像は、感光体ドラム３０１と中間転写ベルト３０５とのニップ部を通過する過程で、一次転写バイアスがバイアス電源（不図示）から一次転写ローラ３０８に印加されることによって形成される電界により、中間転写ベルト３０５外周面に順次中間転写される。
【０１６０】
中間転写ベルト３０５に第１色のマゼンタトナー像を転写し終えた感光体ドラム３０１の表面は、感光体クリーナー３０６によりクリーニングされる。次に、感光体ドラム３０１の清掃された表面上に、第１色のトナー像の形成と同様に、第２色のトナー像（例えばシアントナー像）が形成され、この第２色のトナー像が、第１色のトナー像が転写された中間転写ベルト３０５の表面上に重畳転写される。以下同様に、第３色のトナー像（例えばイエロートナー像）、第４色のトナー像（例えばブラックトナー像）が中間転写ベルト３０５上に順次重畳転写され、目的のカラー画像に対応した合成カラートナー像が形成される。
【０１６１】
次に、給紙カセット３１４から中間転写ベルト３０５と二次転写ローラ３０９との当接ニップ部に所定のタイミングで記録材３１３が給送される。二次転写ローラ３０９が中間転写ベルト３０５に当接され、二次転写バイアスがバイアス電源から二次転写ローラ３０９に印加されることにより、中間転写ベルト３０５上に重畳転写された合成カラートナー像が、第２の画像担持体である記録材３１３に転写される。記録材３１３へのトナー像の転写終了後、中間転写ベルト３０５上の転写残トナーは中間転写ベルトクリーナー３１０によりクリーニングされる。トナー像が転写された記録材３１３は定着器３１５に導かれ、ここで記録材３１３上にトナー像が加熱定着される。
【０１６２】
本画像形成装置の動作において、感光体ドラム３０１から中間転写ベルト３０５への第１〜第４色のトナー像の順次転写実行時には、二次転写ローラ３０９および中間転写ベルトクリーナー３１０は中間転写ベルト３０５から離間させるようにしてもよい。
【０１６３】
このような中間転写ベルトを用いた電子写真によるカラー画像形成装置は、以下に示す特徴を有している。
【０１６４】
第一に、重ね合わせ時に各色のトナー像の形成位置がずれる色ズレが少ない。また、図３に示すように、記録材３１３をなんら加工、制御（例えばグリッパーに把持する、吸着する、曲率を持たせるなど）する必要なしに、中間転写ベルト３０５からトナー像を転写させることができ、記録材３１３として多種多様なものを用いることができる。例えば、薄い紙（４０ｇ／ｍ2紙）から厚い紙（２００ｇ／ｍ2紙）までの種々の厚みのものを選択して記録材３１３として使用可能である。また、幅の広狭または長さの長短によらず種々の大きさのものを記録材３１３として使用可能である。さらには、封筒、ハガキ、ラベル紙などを記録材３１３として使用可能である。
【０１６５】
また、中間転写ベルト３０５は、柔軟性に優れており、感光体ドラム３０１や記録材３１３とのニップを自由に設定することができるため、設計の自由度が高く、転写効率などを最適化しやすいといった特徴がある。
【０１６６】
このように、中間転写ベルト３０５を用いた画像形成装置には種々の利点がある。
【実施例】
【０１６７】
以下、実施例および比較例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらにより何ら限定されるものではない。
【０１６８】
＜実施例１＞
図２に示したプラズマＣＶＤ装置を用い、直径８４ｍｍ、長さ３８１ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上に、表１に示した条件で堆積膜を順次積層し、下部注入阻止層、光導電層、及び変化層、表面層からなる感光体を製作した。下部注入阻止層、光導電層および変化層は、共通条件としてすべて表１に示した条件で作製した。表面層に関しては、表２に挙げたようにＳｉＨ4のガス流量を１０〜５０ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）、Ｎ2のガス流量を２０〜１０００ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）およびＲＦ電力を１５０〜３００Ｗの間で流量と電力量の条件を変えて作製した。表面層中の窒素原子濃度が異なる感光体１−ａ〜１−ｈを製作した。
【０１６９】
このようにして製作した感光体１−ａ〜１−ｈに対し、以下の評価を行った。
【０１７０】
電子写真特性の評価には、キヤノン製電子写真装置ｉＲ  Ｃ６８００を実験用に帯電器を磁気ブラシ方式に改造し、帯電極性を変更可能に改造し、画像露光方式をＩＡＥ方式に改造したものを使用した。このとき、画像露光の光源を発振波長が４０５ｎｍの青色発光半導体レーザーに改造したものと、６６０ｎｍの発光半導体レーザー改造したものの二種類の改造機を用いて評価した。測定結果は表２に示した。
（１）表面層中における実際の窒素原子濃度
ＳＩＭＳ（二次イオン質量分析法、ＣＡＭＥＣＡ社製：ＩＭＳ−４Ｆ）により分析した。
（２）表面層膜厚
干渉膜厚計（大塚電子製ＭＣＰＤ−２０００）によって軸方向１０点、周方向６点の６０点に対して測定し、（最大値）−（最小値）の値を平均膜厚で割った値を膜厚ムラ（単位％）と定義した。
【０１７１】
膜厚ムラが３０％を超えてくると、硬度や抵抗のムラも大きくなってくるが、実用上は問題なかった。さらに膜厚ムラが４０％を超えると硬度、抵抗ムラも大きく、連続使用で部分的にスジ上に削れる現象が起こり、好ましくない。
（３）４０５ｎｍ光の透過性
分光感度特性は、一定暗部電位から一定明部電位まで光減衰させるのに必要な光量の逆数により評価した。即ち、光の単位エネルギー量当たりの電位減衰量をその露光波長に対する分光感度とし、露光波長を変化させた時の各波長における分光感度を測定して、分光感度が最大になる波長の分光感度（分光感度のピーク値）によって規格化した数値によって評価を行った。より具体的には、４０５ｎｍ光の透過性を評価するために、４０５ｎｍ光の分光感度によって透過性の評価を行った。
【０１７２】
ここでいう分光感度とは、感光体の表面を一定電位、例えば４５０Ｖに帯電させ、その後さまざまな波長の光を当てたとき、単位光量（単位面積）あたりの表面電位減衰分（単位はＶ・ｃｍ2／μＪ）を指している。図５は、横軸に波長、縦軸に電位減衰分の最大値で規格化した値でプロットしたものである。
【０１７３】
ここで、この表面電位減衰分の測定は、梶田ら（電子写真学会誌、第２２巻、第１号、１９８３）の方法と同様の方法で行なった。表面電位減衰分の測定は、複写機内での挙動を再現するため、感光体表面にＩＴＯ電極など透明な電極を密着させ、複写機内のシーケンスを模して露光や電圧印加を行い、表面の電位変化を測定する。表面の電位を測定する場合には、感光体をコンデンサーと見なし、既知の容量と直列接続して電位を印加することで、感光体の帯電能の情報を得る事も可能となるので、好ましい。梶田らの方法では透明絶縁膜を感光体とＩＴＯ電極の間に挟む方法を用いているが、電気回路を工夫することで固定コンデンサーを用いてもよい。
【０１７４】
まず除電光（例えば５０ｍＷ／ｃｍ2）を一定時間（例えば０．１秒）照射したあと、一定時間（例えば０．０１秒）経過後、電圧を印加（例えば２０ｍｓｅｃ程度）して表面を帯電させる。電圧付与をなくしてから一定時間（０．１〜０．５秒程度、例えば０．２５秒）経てから、ＩＴＯ電極につないだ導電体の表面を電位計で測定する。この時間は複写機内で感光体の電位を付与した部分が現像器に到達するタイミングに相当するので、現像器位置における電位に相当する。次に、同様のシーケンスで電圧付与と電位測定の間に様々な波長の光を露光（例えば電圧付与から０．１秒後）し、同様に現像器位置に相当するタイミングの電位を測定し、光を当てる場合と当てない場合との差分を計算する。これは、現像器位置での、露光光による電位減衰分を測定していることに相当する。
【０１７５】
本発明の電子写真感光体は、以上のような測定方法により得られる感度として、好ましくは３００Ｖ・ｃｍ2／μＪ以上が好ましく、４００Ｖ・ｃｍ2／μＪ以上とすることがより好ましい。
【０１７６】
更に、図６に、表面層中における窒素原子濃度と４０５ｎｍの光に対する分光感度との相関についてプロットしたグラフを示す。
【０１７７】
図６から明らかなように、窒素原子濃度と４０５ｎｍの光に対する分光感度との間には、明確な相関が見られ、概ね窒素原子濃度が高くなるにつれて、４０５ｎｍの光に対する分光感度がよくなり、即ち、青色発光半導体レーザー光に対する適応性が向上する傾向を示すことがわかる。
【０１７８】
電子写真プロセスにおいて必要とされる感度の値に関しては、使用するレーザー素子や光学系の性能に依存するものであり、一概に、その絶対値を言及することは難しいが、本発明者らは、作製した感光体１−ｂを、評価用の画像形成装置に設置した。現像器位置における表面電位が−４５０Ｖ（暗電位）になるように帯電器を調整した後、４０５ｎｍの像露光を照射し、像露光光源の光量を調整して、表面電位が−１００Ｖ（明電位）となるようにし、そのときの露光量を基準感度とした。
【０１７９】
その他の感光体については、同様に評価用の画像形成装置に設置し、４０５ｎｍの像露光を基準感度で照射し、その時の電位が−１００Ｖ以下にならない場合は、感度不足と判断した。
【０１８０】
このようにして、感度について本発明者らのさまざまな検討の結果、図６に示したような分光感度のピーク値で規格化した指標で、３０％以上の感度を有することが好ましく、４０％以上の感度を有することがより好ましい。従って、そのような感度を得るためには、表面層中の窒素原子濃度は、３０原子％以上、より好ましくは３５原子％以上とする。これにより、青色発光半導体レーザーのような４０５ｎｍ付近の短波長レーザー光に対する感度を有するという更なる効果を有することが図６より明らかとなった。
【０１８１】
その一方、表２から明らかなように、感光体１−ｇでは膜厚ムラが大きく、表面層として使用する際には窒素濃度が高すぎないことが好ましいことが分かった。このような観点において、表面層中の窒素原子濃度は、好ましくは７０原子％以下、より好ましくは６０原子％以下が好適であることがわかった。
【０１８２】
【表１】
2006189823.tif 000003
【０１８３】
【表２】
2006189823.tif 000004
＜実施例２＞
図２に示したプラズマＣＶＤ装置を用い、図１に示した層構成となるように、直径８４ｍｍ、長さ３８１ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上に、表３に示した条件で堆積膜を順次積層した。下部注入阻止層、光導電層、及び変化層、表面層からなる感光体を製作した。
【０１８４】
このとき、変化層の極大値形成後領域の形成において、ＲＦ電力を変化させて変化層の組成変化を一部不連続にし、反射率のＭａｘ（％）、Ｍｉｎ（％）を変化させた感光体２−ａ〜２−hを作製した。このとき、ＲＦ電力を大きくすると窒素の含有量も大きくなる傾向であった。
【０１８５】
このようにして作製した感光体２−ａ〜２−hをキヤノン製電子写真装置ｉＲ  Ｃ６８００を実験用に改造した機械にセットし、ハーフトーン画像を１００万枚の通紙耐久を行い、画像濃度ムラを評価した。上記機械の改造は、帯電器を磁気ブラシ方式に改造し、帯電極性を変更可能に改造し、画像露光方式をＩＡＥ方式に改造し、画像露光の光源を発振波長４０５ｎｍの青色発光半導体レーザー改造し、ドラム面照射スポット径が調整可能に画像露光の光学系を改造した。
【０１８６】
得られた結果は、初期画像の濃度ムラレベルをリファレンスとし、以下に示す判断基準によってランク判定を行った。結果を表４に示した。
【０１８７】
○：初期画像の濃度ムラレベルを維持しており、非常に良いレベル
△：初期画像の濃度ムラレベルより少し濃度ムラの悪化があるが、実用上問題なし
表４から、反射率の最大値と最小値が０％≦Ｍａｘ（％）≦２０％かつ０≦（Ｍａｘ−
Ｍｉｎ）／（１００−Ｍａｘ）≦０．１５を満たすことで、削れによる画像濃度ムラが低減できることがわかった。
【０１８８】
【表３】
2006189823.tif 000005
【０１８９】
【表４】
2006189823.tif 000006
＜実施例３＞
図２に示したプラズマＣＶＤ装置を用い、図１に示した層構成となるように、直径８４ｍｍ、長さ３８１ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上に、表５に示した条件で堆積膜を順次積層した。下部注入阻止層、光導電層、変化層、表面層からなる感光体を製作した。このとき、表５にあるように、変化層と表面層の形成途中でＢ2Ｈ6ガスを導入することで周期表第１３族元素のホウ素原子濃度が極大値を持つようにした。
【０１９０】
表５の極大値形成領域におけるガスの導入方法としては、一定値のＢ2Ｈ6ガスを所定時間導入した。その結果、ホウ素原子が図７にあるような極大値を持つことがＳＩＭＳ測定によって確かめられた。
【０１９１】
また、本実施例における周期表第１３族元素（ホウ素原子）の極大値は、光導電層側から、５．３×１０19ｃｍ3、１．１×１０19ｃｍ3であった。また、周期表第１３族元素（ホウ素原子）の極大値間の距離は、２４０ｎｍであった。
【０１９２】
また、窒素原子の量はＮ／（Ｓｉ＋Ｎ）の表記で５５原子％であった。
また、波長３５０ｎｍから６８０ｎｍの範囲の反射率（％）の最小値（Ｍｉｎ）と最大値（Ｍａｘ）が各々Ｍｉｎ＝８％、Ｍａｘ＝１５％であり、０％≦Ｍａｘ（％）≦２０％かつ０≦（Ｍａｘ−Ｍｉｎ）／（１００−Ｍａｘ）≦０．１５の関係を満足する。
【０１９３】
【表５】
2006189823.tif 000007
＜比較例１＞
図２に示したプラズマＣＶＤ装置を用い、図１に示した層構成となるように、直径８４ｍｍ、長さ３８１ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上に、堆積膜を順次積層した。下部注入阻止層、光導電層、上部阻止層、表面層からなる感光体を製作した。この際、下部注入阻止層、光導電層までは、実施例１の表５と同様の条件で作製し、表６に示した条件で上部注入阻止層、表面層を作製した。上部注入阻止層中にＢ2Ｈ6ガスを導入する事で周期表第１３族元素のホウ素原子濃度が極大値を持つようにした。そのときの周期表第１３族元素（ホウ素原子）の極大値は、２．１×１０18ｃｍ3 であった.
なお、本比較例では、変化層を形成せず、更には表面層内に周期表第１３族元素の極大値を形成しなかった。
【０１９４】
また、波長３５０ｎｍから６８０ｎｍの範囲の反射率（％）の最小値（Ｍｉｎ）と最大値（Ｍａｘ）が各々Ｍｉｎ＝8％、Ｍａｘ＝30％で、０％≦Ｍａｘ（％）≦２０％かつ０≦（Ｍａｘ−Ｍｉｎ）／（１００−Ｍａｘ）≦０．１５の関係を満足していない。
【０１９５】
【表６】
2006189823.tif 000008
実施例３、比較例１で得られた感光体を、前述の画像露光の光源を発振波長４０５ｎｍの青色発光半導体レーザーとした画像形成装置にセットし、以下に示す評価項目について評価を行った。
（１）解像度
パソコンで、２ポイントサイズ、及び、３ポイントサイズのアルファベット（Ａ〜Ｚ）、及び、複雑な漢字（電、驚など）を１２００ｄｐｉの解像度で配列したテストチャートを作成した。そのテストチャートをプリントアウトした画像によって感光体の解像度の評価
を行った。具体的には、出力画像をスキャナー（キヤノン製ＣａｎｏＳｃａｎ９９００Ｆ）を使って１６００ｄｐｉの解像度で読み取り、読み取った画像データとテストチャートの元データを比較した。テスト原稿の文字からのズレ部分（太り、細り）の面積を算出し、その数値によって感光体の解像度の評価を行った。得られた結果は、比較例１の感光体の値をリファレンス、即ち、１００％とした場合の相対評価でランク判定を行った。
◎：８０％未満で、リファレンスに比べて、非常に良いレベル
○：８０％以上、９５％未満で、リファレンスに比べて、良いレベル
△：ファレンスと同等レベル
（２）帯電能
作製した電子写真感光体を電子写真装置に設置して帯電を行ない、現像器位置に設置した表面電位計により電子写真感光体の暗部表面電位を測定し帯電能とした。このとき、比較のために帯電条件（帯電器へのＤＣ印加電圧、重畳ＡＣ振幅、周波数など）は一定とした。得られた結果は、比較例１の感光体をリファレンスとし、以下に示す判断基準によってランク判定を行った。
◎：リファレンスに比べて１０％以上向上し、非常に良いレベル
○：リファレンスに比べて５％以上向上し、良いレベル
△：ファレンスと同等レベル
（３）残留電位
作製した電子写真感光体を、現像器位置における表面電位が−４５０Ｖ（暗電位）になるように帯電器を調整した後、像露光光源の光量を最大になるように調整し、像露光を照射した。現像器位置に設置した表面電位計により電子写真感光体の表面電位を測定し残留電位とした。得られた結果は、比較例１の感光体をリファレンスとし、以下に示す判断基準によってランク判定を行った。
◎：リファレンスに比べて１０％以上向上し、非常に良いレベル
○：リファレンスに比べて５％以上向上し、良いレベル
△：ファレンスと同等レベル
（４）感度
作製した電子写真感光体を、現像器位置における表面電位が−４５０Ｖ（暗電位）になるように帯電器を調整した後、像露光を照射した。像露光光源の光量を調整して、表面電位が−１００Ｖ（明電位）となるようにし、そのときの露光量を感度とした。得られた結果は、比較例１の感光体をリファレンスとし、以下に示す判断基準によってランク判定を行った。
◎：リファレンスに比べて１０％以上向上し、非常に良いレベル
○：リファレンスに比べて５％以上向上し、良いレベル
△：ファレンスと同等レベル
（５）電位ムラ
作製した電子写真感光体を、現像器位置における暗部電位が−４５０Ｖになるように帯電器を調整し、現像器位置における明部電位が−１００Ｖになるように像露光光源の光量を調整した状態において、暗部電位と明部電位の面内分布を測定した。その最大値と最小値の差を電位ムラとした。得られた結果は、比較例１の感光体をリファレンスとし、以下に示す判断基準によってランク判定を行った。
◎：リファレンスに比べて１０％以上向上し、非常に良いレベル
○：リファレンスに比べて５％以上向上し、良いレベル
△：ファレンスと同等レベル
（６）光メモリ
光メモリ電位は、現像器位置における暗部電位が−４５０Ｖになるように帯電器を調整し、現像器位置における明部電位が−１００Ｖになるように像露光光源の光量を調整した状態で感光体の表面電位を電位センサーで測定して求めた。非像露光状態での表面電位と一旦像露光した後に再度帯電した時との電位差を測定し、光メモリとした。得られた結果は、比較例１の感光体をリファレンスとし、以下に示す判断基準によってランク判定を行った。
◎：リファレンスに比べて１０％以上向上し、非常に良いレベル
○：リファレンスに比べて５％以上向上し、良いレベル
△：ファレンスと同等レベル
（７）４０５ｎｍ光の透過性
分光感度特性は、一定暗部電位から一定明部電位まで光減衰させるのに必要な光量の逆数によって評価した。即ち、光の単位エネルギー量当たりの電位減衰量をその露光波長に対する分光感度とし、露光波長を変化させた時の各波長における分光感度を測定して、分光感度が最大になる波長の分光感度（分光感度のピーク値）によって規格化した数値によって評価を行った。より具体的には、４０５ｎｍ光の透過性を評価するために、４０５ｎｍ光の分光感度によって透過性の評価を行った。
（８）クリーニング性
クリーニング性は、クリーニング残トナーが発生し始めるクリーニングブレード圧力によって評価を行った。具体的には、Ａ４コピー紙１０００枚の通紙耐久を行った後の、感光体表面を観察し、クリーニング残トナーの有無を、クリーニングブレード圧力を徐々に低くしながら繰り返し観察して、クリーニング残トナーが発生し始めるクリーニングブレード圧力を調べた。得られた結果は、比較例１の感光体の値をリファレンス、即ち、１００％とした場合の相対評価でランク付けを行った。クリーニング残トナーが発生し始めるクリーニングブレード圧力は、低い方がクリーニングのラチチュードが広く、クリーニング性に優れると解釈することができる。
◎：８０％未満で、リファレンスに比べて、非常に良いレベル
○：８０％以上、９５％未満で、リファレンスに比べて、良いレベル
△：ファレンスと同等レベル
得られた結果は、比較例１の結果と共に表７に示す。
【０１９６】
【表７】
2006189823.tif 000009
表７の結果から、青色半導体レーザー（４０５ｎｍ）、１２００ｄｐｉの画像で、解像度が向上した。これは、表面領域層に周期表第１３族元素の極大値を２個持つようにすることで解像度を向上させることができ、本来のスポット径を絞った効果が十分に発揮されることがわかった。
【０１９７】
また、実施例３の表面領域層のように本発明の要件を全て満たすように感光体を作成することで、電位特性の向上が見られ、帯電能、残留電位、に関して特に効果が得られた。
【０１９８】
＜実施例４＞
図２に示したプラズマＣＶＤ装置を用い、図１に示した層構成となるように、直径８４ｍｍ、長さ３８１ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上に、表８に示した条件で堆積膜を順次積層した。下部注入阻止層、光導電層、変化層、表面層からなる感光体を製作した。
【０１９９】
このとき、表８にあるように、変化層と表面層の各々の極大値形成領域に導入するＢ2Ｈ6ガスの流量を変化させて、周期表第１３族元素のホウ素原子濃度の極大値を変化させた。感光体４−aではＢ2Ｈ6ガスの流量をそれぞれ１２０、１００［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］、４−ｂではそれぞれ１１０、１００［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］、４−ｃではそれぞれ１００、１００［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］、４−ｄ〜４−ｇではそれぞれ１３０、８０［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］とした。
【０２００】
更に、変化層の極大値形成後領域と表面層の極大値形成前領域に導入するＢ2Ｈ6ガスを変化させて、隣接する２つの極大値の間に存在する周期律１３族元素の最小値を変化させた。感光体４−a〜４−cではＢ2Ｈ6ガスの流量をそれぞれ３０［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］、４−ｄではそれぞれ７０［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］、４−eではそれぞれ６０［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］、４−fではそれぞれ５０［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］、４−ｇではそれぞれ０［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］とした。
その時の極大値および最小値を表１１に示す。
【０２０１】
作成した感光体は、実施例１と同様の評価を行った。評価結果は、表１２に示す。
【０２０２】
【表８】
2006189823.tif 000010
＜実施例５＞
図２に示したプラズマＣＶＤ装置を用い、図１に示した層構成となるように、直径８４ｍｍ、長さ３８１ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上に、表９に示した条件で堆積膜を順次積層した。下部注入阻止層、光導電層、変化層、表面層からなる感光体を製作した。
【０２０３】
なお、実施例５では、表面層内の極大値形成前領域を形成する堆積時間を変化させた処理を行うことで膜厚を変化させて、変化層内と表面層内に分布される周期表第１３族元素含有率の２つの極大値間距離を８０ｎｍ以上１２００ｎｍ以下にした。表面層内の極大値形成前領域の膜厚は、感光体５−aでは０.０１μｍ、５−ｂでは０.０３μｍ、５−ｃでは０.０５μｍ、５−ｄでは０.８９μｍ、５−eでは０.９３μｍ、５−ｆでは１.１３μｍとした。
【０２０４】
その時の含有量および極大値を表１１に示す。
【０２０５】
作製した感光体は、実施例３と同様の評価を行った。評価結果は、表１２に示す。
【０２０６】
【表９】
2006189823.tif 000011
＜実施例６＞
図２に示したプラズマＣＶＤ装置を用い、図１に示した層構成となるように、直径８４ｍｍ、長さ３８１ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上に、表１０に示した条件で堆積膜を順次積層した。下部注入阻止層、光導電層、変化層、表面層からなる感光体を製作した。
【０２０７】
なお、実施例６では、表面領域層に導入するＢ2Ｈ6ガスの流量を変化させて、実施例３とは逆に表面側の極大値＞光導電層側の極大値となるように作成した。
【０２０８】
その時の含有量および極大値を表１１に示す。
【０２０９】
作成した感光体は、実施例３と同様の評価を行った。評価結果は、表１２に示す。
【０２１０】
【表１０】
2006189823.tif 000012
【０２１１】
【表１１】
2006189823.tif 000013
【０２１２】
【表１２】
2006189823.tif 000014
表１２の実施例４の評価結果から、光導電層側の極大値を５．０×１０18ｃｍ3以上にすることで、帯電能が向上することがわかる。かつ、極大値間の含有量が２．５×１０18個／ｃｍ3以下にすることで、解像度の向上が図れることがわかる。極大値間の含有量が２．５×１０18個／ｃｍ3よりも多くなると、極大値が実質的に１個と同じになり解像度改善の効果が見られない。
【０２１３】
また、実施例５の結果から、極大値間隔が１００ｎｍよりも小さくなると、極大値が実質的に１個と同じになり、そのために解像度、帯電能、残留電位の改善が、ほとんど見られなくなる。さらに、１０００ｎｍよりも大きくなると、解像度や残留電位、感度に改善効果がやや低下してくることがわかる。
【０２１４】
実施例３と実施例６の結果から、表面側の極大値よりも光導電層側の極大値を大きくすることで、解像度が特に良好であることが判った。
【０２１５】
以上から、周期表第１３族元素の極大値を少なくとも２個有するようにすることで、解像度が向上し、さらに光導電層側の極大値を５．０×１０18個／ｃｍ3よりも大きくし、極大値間隔を１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下にすることで、帯電能や残留電位、感度といった電気特性を改善することができる。
【０２１６】
＜実施例７＞
図２に示したプラズマＣＶＤ装置を用い、図１に示した層構成となるように、直径８４ｍｍ、長さ３８１ｍｍの鏡面加工を施したアルミニウムシリンダー（支持体）上に、表１３に示した条件で堆積膜を順次積層した。下部注入阻止層、光導電層、変化層、表面層からなる感光体を製作した。
【０２１７】
なお、実施例では、表面層中の酸素原子及び／またはフッ素原子の含有量が、表面層中の厚さ方向において極大値を持つように、表面層の堆積膜形成中にＮＯガス、ＳｉＦ4ガスを導入した。
【０２１８】
具体的には、ヘリウムガスで希釈したＮＯガスとＳｉＦ4ガスを用い、極大値形成領域内で各々のガス流量を一定の速度で変化させることで、酸素原子の極大値、フッ素原子の極大値、酸素原子およびフッ素原子の極大値をそれぞれ有するように作製した。
【０２１９】
また、周期表第１３族元素のホウ素原料であるＢ2Ｈ6の流量を変えて、変化層内の周期表第１３族元素の極大値は、７．５×１０18個／ｃｍ3、表面層内の周期表第１３族元素の極大値は、４．０×１０18個／ｃｍ3、変化層の極大値と表面層の極大値の間に存在する周期表第１３族元素の最小値は、１．５×１０17個／ｃｍ3である。
【０２２０】
更に、変化層内と表面層内に分布される周期表第１３族元素含有率の２つ極大値間距離は、３００ｎｍである。
【０２２１】
作成した感光体は、実施例３と同様の評価を行った。評価結果は、表１４に示す。
【０２２２】
【表１３】
2006189823.tif 000015
【０２２３】
【表１４】
2006189823.tif 000016
表１４から、表面層中に酸素原子および／またはフッ素原子の極大値を持たせることで、クリーニング性の向上が見られた。
【０２２４】
［実施例８］
図２に示したプラズマCVD装置を用い、直径84mm、長さ381mmの鏡面加工を施したアル
ミニウムシリンダー（支持体）上に、表１５に示した条件で堆積膜を順次積層し、下部注入阻止層、光導電層、及び、表面領域層からなる感光体を製作した。表１５に示すように、表面領域層の形成途中でN2ガスとB2H6ガスの導入量を変化させた。表１５の極大値形成におけるガスの導入方法としては、N2ガスとB2H6ガスを用い、所定時間を掛けて一定値から表１５の値まで直線的に増加させ、その後同じ速度で再び初期の一定値まで直線的に減少させた。
【０２２５】
さらに、NOガス、SiF4ガスの導入量を変化させて同様に、極大値を持つようにした。
【０２２６】
【表１５】
2006189823.tif 000017
作製した感光体の表面領域層について、実施例１と同様にしてSIMS測定を行った。窒素原子とホウ素原子の含有量について、図１１（ｂ）に示す分布を持つことが分かった。さらに、NOガス、SiF4ガスの導入量を変化させて得られた表面領域層の極大値におけるホウ素原子の含有量は、光導電層側から、8.0×１０18個/cm3、4.0×１０18個/cm3、ホウ素原子の極大値間隔は300nm、窒素原子の極大値と最小値との間隔は１５０nmであった。また、窒素原子含有率の極大値は、N/(Si+N)の表記で55atm%であった。
【０２２７】
作製した感光体をiRC6800-405nm改造機にセットして、実施例３と同様の評価を（１）解像度から（８）クリーニング性の各項目について行った。本実施例ではさらに下記の（９）画像欠陥の項目についても評価した。ただし比較例２の感光体をレファレンスとして（１）から（９）の各項目について評価した。評価結果を表２０に示す。
【０２２８】
（９）画像欠陥
画像欠陥は、画素密度100%画像における直径0.1mm以下の白点、及び、画素密度0%画像における直径0.1mm以下の黒点の数によって評価を行った。直径0.1mmを超える大きさの白点、及び、黒点に関しては、感光体の成膜開始前の支持体に付着したダスト等が原因である場合がほとんどである。そのような画像欠陥の発生は、成膜時の条件に対する依存性が小さく、ダスト低減等の工程改善によって画像欠陥をなくしていくことが本質的であると、本発明者らのさまざまな検討結果よりわかっている。このため、今回の評価対象からは除き、成膜時の条件に左右され得る直径0.1mm以下の比較的小さな画像欠陥の数量に着目して評価を行った。得られた結果について、後述する比較例２に示す層構成の感光体の値をリファレンス、即ち、100%とした場合の相対評価で感光体のランク判定を行った。
【０２２９】
◎：60%未満で、リファレンスに比べて、非常に良いレベル
○：60%以上、90%未満で、リファレンスに比べて、良いレベル
△：リファレンスと同等レベル
[比較例２]
実施例８と同様にして、表１６に示した条件で堆積膜を順次積層し、下部注入阻止層、光導電層、及び、上部注入阻止層、表面層からなる感光体を作製した。作製した感光体を、
実施例８と同様にSIMS測定したところ、図１６（ｃ）に示す分布であり、ホウ素原子の極
大値は、8.0×１０18個/cm3であった。そして、窒素原子含有率の極大値は、N/(Si+N)の表記で57atm%であった。
【０２３０】
作製した感光体について、実施例８と同様にして特性について評価した。結果を表１８に示す。
【０２３１】
【表１６】
2006189823.tif 000018
[実施例９]
実施例８と同様にして表１７に示した条件で堆積膜を順次積層し、下部注入阻止層、光導電層、及び、表面領域層からなる感光体を製作した。このとき、表面領域層にNOガス、SiF4ガスを用いなかった他は、実施例８と同様にして感光体を製作した。作製した感光体の表面領域層について、実施例１と同様にしてSIMS測定した。窒素原子とホウ素原子の含有量について、図１１（ｂ）に示す分布を持つこと分かった。ホウ素原子の極大値は、光導電層側から8.0×１０18個/cm3、4.0×１０18個/cm3であった。そして、ホウ素原子の極大値間隔は200nm、窒素原子の極大値と最小値との間隔は、１００nmであった。また、窒素原子含有率の極大値は、N/(Si+N)の表記で65atm%であった。
【０２３２】
作製した感光体について実施例８と同様にして特性の評価を行った。結果を表１８に示す。
【０２３３】
【表１７】
2006189823.tif 000019
【０２３４】
【表１８】
2006189823.tif 000020
結果から明らかなように、青色半導体レーザー（405nm）で、1200dpiの画像では、解像
度が向上した。これは、表面領域層にホウ素原子、窒素原子の極大値を2個持ち、かつ酸
素原子及びフッ素原子の極大値を持つ実施例８のような表面領域層を用いると、ドット再
現性を向上させることができ、本来のスポット径を絞った効果が十分に発揮されることが
わかった。また、実施例８の表面領域層を持つ感光体は優れた光導電特性を有することが分かった。
【０２３５】
さらに、酸素原子及びフッ素原子の極大値を持つと、解像度、残留電位、光メモリー及
びCLN性がさらに向上することが分かった。
【０２３６】
[実施例１０]
実施例８と同様にして表１９に示した条件で堆積膜を順次積層し、下部注入阻止層、光導電層、及び、表面領域層からなる感光体を作製した。表面領域層に導入するＢ2Ｈ6ガスの流量を変化させた他は実施例８と同様にして、6種の感光体８I〜８Nを作製した。作製した感光体をSIMS測定した。窒素原子とホウ素原子の含有量について、図９（ａ）または（ｂ）に示す分布を持つこと分かった。ホウ素原子の極大値は表２０に示すように、光導電層側から、4.5〜5.5×１０18個/cm3、2.4×１０19個/cm3であり、窒素原子含有率の極大値は、N/(Si+N)の表記で50atm%であった。そして、硼素原子の極大値間隔は350nm、窒素原子の極大値と最小値との間隔は、１７５nmであった。
【０２３７】
作製した感光体について実施例８と同様にして特性の評価を行った。結果を表２１に示す。
【０２３８】
【表１９】
2006189823.tif 000021
【０２３９】
【表２０】
2006189823.tif 000022
【０２４０】
【表２１】
2006189823.tif 000023
結果から明らかなように、最も光導電層側に位置する周期表第１３族元素の極大値が、5.0×１０18個/cm3以上であると、解像度や帯電能に於いて、更なる特性の向上が図られ、周期表第１３族元素の隣接する２つの極大値の間に存在する周期表第１３族元素の最小値が、2.5×１０18個/ cm3以下であると、帯電能について、更なる特性の向上が認められた。また、周期表第１３族元素が、極大領域として含まれていても、極大値として含まれている場合と同様の光電特性の効果が得られることが分かった。
【０２４１】
[実施例１１]
実施例８と同様にして、表面領域層に導入する、B2H6ガスの流量を実施例８と変化させて表２２に示した条件で堆積膜を順次積層し、下部注入阻止層、光導電層、及び、表面領域層からなる感光体を製作した。
【０２４２】
表面領域層に導入する、B2H6ガスの流量を変化させた他は実施例８と同様にして感光体を作製した。作製した感光体を実施例１と同様にしてSIMS測定した。窒素原子とホウ素原子の含有量について、図１１（ａ）に示すように2つの周期表第１３族元素極大値のうち、自由表面側の極大値が大きくなる分布を持つこと分かった。ホウ素原子の極大値は、光導電層側から、5.1×１０18個/cm3、6.4×１０18個/cm3であった。ホウ素原子の極大値間隔は180nm、窒素原子の極大値と最小値との間隔は、９０nmであった。窒素原子含有率の極大値は、N/(Si+N)の表記で50atm%であった。
【０２４３】
作製した感光体について実施例８と同様にして特性の評価を行った。結果を表２３に示
す。
【０２４４】
【表２２】
2006189823.tif 000024
【０２４５】
【表２３】
2006189823.tif 000025
結果から明らかなように、表面領域層にホウ素原子、窒素原子の極大値を2個持つよう
にし、かつ酸素原子及びフッ素原子の極大値を持つようにことにより、感度、電位ムラ、
光メモリー、透過性、画像欠陥の点で特性の向上が確認された。しかし、表面領域層に含
まれる2つの周期表第１３族元素極大値のうち、自由表面側の極大値が大きくなるように
含有させたこの実施例１１は、解像度や帯電能、残留電位の点では特性の向上は確認できなかった。
【０２４６】
[実施例１２]
実施例８と同様にして、表面領域層に導入する、B2H6ガスの流量や成膜時間を実施例８とは変化させ、表面領域層に含まれる2つの周期表第１３族元素極大値の極大値間距離を変化させて表２４に示した条件で堆積膜を順次積層した。下部注入阻止層、光導電層、及び、表面領域層からなる5種の感光体を作製した。作製した感光体をSIMS測定した。窒素原子とホウ素原子の含有量について、図１０に示す分布を持つこと分かった。ホウ素原子の極大値は、光導電層側から、6.2×１０18個/cm3、6.2×１０18個/cm3であった。ホウ素原子の極大値間隔は表２５に示すように80〜1070nmであった。窒素原子含有率の極大値は、N/(Si+N)の表記で50atm%であった。
【０２４７】
作製した感光体について実施例８と同様にして特性の評価を行った。結果を表２６に示す。
【０２４８】
【表２４】
2006189823.tif 000026
＊３：０.０１〜１.００
【０２４９】
【表２５】
2006189823.tif 000027
【０２５０】
【表２６】
2006189823.tif 000028
結果から明らかなように、表面領域層に含まれる2つの周期表第１３族元素極大値の極大値間距離は、膜の厚さ方向で100nm以上1000nm以下の範囲にあることが、解像度や帯電能、残留電位、感度の点からより好ましいことが分かった。
【０２５１】
[実施例１３]
実施例８と同様にして、表面領域層に導入する、N2ガスの流量を変化させ、表面領域層に含まれる窒素原子含有率の極大値と最小値との比(極大値/最小値)を変化させて表２７に示した条件で堆積膜を順次積層した。下部注入阻止層、光導電層、及び、表面領域層からなる4種の感光体（１３Ｔ〜１３Ｗ）を作製した。作製した感光体をSIMS測定した。窒素原子とホウ素原子の含有量について、図１２に示す分布を持つこと分かった。ホウ素原子の極大値は、光導電層側から、8.0×１０18個/cm3、8.0×１０18個/cm3であった。硼素原子の極大値間隔は170nm、窒素原子の極大値と最小値との間隔は、８５nmであった。また、窒素原子含有率の極大値は、N/(Si+N)の表記で43〜67atm%であった。窒素原子含有率の最小値に対する極大値を表２８に示す。
【０２５２】
作製した感光体について実施例８と同様にして特性の評価を行った。結果を表２９に示
す。
【０２５３】
【表２７】
2006189823.tif 000029
【０２５４】
【表２８】
2006189823.tif 000030
【０２５５】
【表２９】
2006189823.tif 000031
結果から明らかなように、表面領域層に含まれる窒素原子含有率の最小値に対する極大値の値は、110%以上であることが、画像欠陥の点からより好ましいことが分かる。
【０２５６】
[実施例１４]
表３０に示した条件で第2の上部注入阻止層(TBL-1)の成膜時間を実施例８とは変化させた以外は実施例８と同様にして感光体を作製した。具体的には、表面領域層に含まれる2つの窒素原子極大値の極大値間の最小値と、2つの窒素原子極大値のうちで光導電層側の極大値との距離を変化させて堆積膜を順次積層し、下部注入阻止層、光導電層、表面領域層からなる感光体（１４Ｘ〜１４AC）を製作した。
【０２５７】
表面領域層に導入する、第2の上部注入阻止層(TBL-1)の成膜時間を変化させた他は実施例２と同様にして作製した。作製した感光体をSIMS測定した。窒素原子とホウ素原子の含有量について、図１６（ｂ）に示すピークを持つこと分かった。ホウ素原子の極大値は、光導電層側から、8.0×１０18個/cm3、8.0×１０18個/cm3であった。窒素原子の極大値と最小値との間隔は表３１に示すように、３０〜310nmであった。窒素原子含有率の極大値は、N/(Si+N)の表記で38atm%であった。
【０２５８】
作製した感光体について実施例２と同様にして特性の評価を行った。結果を表３２に示
す。
【０２５９】
【表３０】
2006189823.tif 000032
【０２６０】
【表３１】
2006189823.tif 000033
【０２６１】
【表３２】
2006189823.tif 000034
結果から明らかなように、表面領域層に含まれる2つの窒素原子極大値間の最小値と光導電層側の極大値との距離は、膜の厚さ方向で４０nm以上300nm以下の範囲にあることが、画像欠陥の点からより好ましいことが分かった。
【０２６２】
[実施例１５]
表３３に示した条件で表面領域層のすべてに周期表第１３族元素を含ませた点以外は実施例８と同様にして堆積膜を順次積層し、下部注入阻止層、光導電層、及び、表面領域層からなる感光体を作製した。作製した感光体をSIMS測定した。窒素原子とホウ素原子の含有量について、図１３に示す分布を持つこと分かった。ホウ素原子の極大値は、光導電層側から、8.0×１０18個/cm3、8.0×１０18個/cm3であった。硼素原子の極大値間隔は300nm、窒素原子の極大値と最小値との間隔は、１５０nmであった。窒素原子含有率の極大値は、N/(Si+N)の表記で39atm%であった。
【０２６３】
作製した感光体について実施例８と同様にして特性の評価を行った。結果を表３４に示
す。
【０２６４】
【表３３】
2006189823.tif 000035
【０２６５】
【表３４】
2006189823.tif 000036
結果から明らかなように、表面領域層のすべてに周期表第１３族元素を含ませた上で、
周期表第１３族元素が2つの極大値を持つような場合においても、評価した全項目で特性
の改善が見られることが分かった。
【０２６６】
[実施例１６]
実施例８と同様にして表面領域層において周期表第１３族元素含有率と窒素元素の含有率が同位相で極大値を持つように、実施例８のB2H6ガスの流量、N2ガスの流量を変化させ、表２３に示した条件で堆積膜を順次積層した。下部注入阻止層、光導電層、及び、表面領域層からなる感光体を作製した。作製した感光体をSIMS測定した。窒素原子とホウ素原子の含有量について、図８に示す分布を持つこと分かった。ホウ素原子の極大値は、光導電層側から、5.1×１０18個/cm3、5.1×１０18個/cm3であった。硼素原子の極大値間隔は500nm、窒素原子の極大値と最小値との間隔は、150nmであった。窒素原子含有率の極大値は、N/(Si+N)の表記で39atm%であった。
【０２６７】
作製した感光体について実施例８と同様にして特性の評価を行った。結果を表３６に示
す。
【０２６８】
【表３５】
2006189823.tif 000037
【０２６９】
【表３６】
2006189823.tif 000038
結果から明らかなように、表面領域層において周期表第１３族元素含有率と窒素元素の
含有率が同位相でピークを持つような場合には、画像欠陥以外で特性の改善が見られることが分かった。
【０２７０】
[実施例１７]
下部注入阻止層に導入するN2ガスの流量を実施例８と変化させた以外は実施例８と同様にして、表３７に示した条件で堆積膜を順次積層し、下部注入阻止層、光導電層、及び、表面領域層からなる感光体を作製した。作製した感光体をSIMS測定した。窒素原子とホウ素原子の含有量については、図１１（a）に示す含有量の分布において、窒素原子の２つの極大値が等しく、またホウ素原子の２つの極大値が等しい分布を持つこと分かった。ホウ素原子の極大値は、光導電層側から、6.4×１０18個/cm3、6.4×１０18個/cm3であった。ホウ素原子の極大値間隔は700nm、窒素原子の極大値と最小値との間隔は、350nmであった。窒素原子含有率の極大値は、N/(Si+N)の表記で62atm%であった。
【０２７１】
作製した感光体について実施例８と同様にして特性の評価を行った。結果を表３８に示す。
【０２７２】
【表３７】
2006189823.tif 000039
【０２７３】
【表３８】
2006189823.tif 000040
結果から明らかなように、下部注入阻止層に窒素原子を導入した場合においても、評価
した全項目で特性の改善が見られることが分かった。
【０２７４】
[実施例１８]
表面領域層の初めに変化層を導入した。変化層堆積時に、SiＨ4ガスの流量、B2H6ガスの流量、N2ガスのガス流量を変化させ、光導電層と第1の上部注入阻止層を光学的に連続するようにした点で実施例８とは異なるようにした以外は実施例８と同様にして、表３９に示した条件で堆積膜を順次積層した。下部注入阻止層、光導電層、及び、表面領域層からなる感光体（１８-A〜１８-Ｈ）を作製した。作製した感光体をSIMS測定した。窒素原子とホウ素原子の含有量について、図１６（a）に示すピークを持つこと分かった。ホウ素原子の極大値は、光導電層側から、1.6×１０19個/cm3、4.0×１０18個/cm3であった。ホウ素原子の極大値間隔は810nm、窒素原子の極大値と最小値との間隔は、350nmであった。窒素原子含有率の極大値は、N/(Si+N)の表記で65atm%であった。また、作製した感光ドラムについて、分光反射スペクトルを大塚電子製MCPD-2000を用いて測定した。図１７（ａ）に、感光体１８-A〜１８-Dの分光反射スペクトルを、図１７（ｂ）に、感光体１８-E〜１８-Hの分光反射スペクトルを示す。感光体１８-A〜１８-Dは、波長350nmから680nmの範囲の反射率(%)の最小値(Ｍin)と最大値(Ｍax)が0%≦Ｍax（%）≦20%かつ0≦(Ｍax-Ｍin)/(100-Ｍax)≦0.15を満たしており、感光体１８-E〜１８-Hは、波長350nmから680nmの範囲の反射率(%)の最小値(Ｍin)と最大値(Ｍax)が上記関係を満たしていなかった。なお、図１７（ａ）および図１７（ｂ）に記載されている数値は(Ｍax-Ｍin)/(100-Ｍax)の値である。
【０２７５】
作製した感光体を、実施例８と同様にして光電特性の評価を行った。結果を、表４０に示す。
【０２７６】
【表３９】
2006189823.tif 000041
【０２７７】
【表４０】
2006189823.tif 000042
結果から、光導電層から上部注入阻止層を光学的に連続とし、波長350nmから680nmの範囲の反射率(%)の最小値(Ｍin)と最大値(Ｍax)が上記範囲を満たしている感光体は、電位ムラが向上し、特に、電位ムラの中で露光ムラが向上することが分かった。実施例１〜１８の感光体は、波長350nmから680nmの範囲の反射率(%)の最小値(Ｍin)と最大値(Ｍax)が上記関係を満たしていた。
【図面の簡単な説明】
【０２７８】
【図１】本発明の電子写真感光体の一例を示す模式的な断面図である。
【図２】本発明の電子写真感光体の製造に使用することが可能な、ＲＦ帯の高周波を用いたプラズマＣＶＤ堆積装置の一例を示す模式的構成図である。
【図３】本発明の電子写真感光体を適用可能なカラー電子写真装置の一例を示す模式的構成図である。
【図４】発明の電子写真感光体における表面領域層中の周期表第１３族元素（ホウ素原子）、酸素原子及びフッ素原子含有量の極大値を説明するデプスプロファイルの一例である。
【図５】電子写真感光体の分光感度特性の測定結果の一例を表すグラフである。
【図６】実施例１で作成した電子写真感光体の表面層中における窒素原子濃度と波長４０５ｎｍの光に対する感度との相関を測定した結果を表すグラフである。
【図７】本発明の電子写真感光体における光導電層上の厚さ方向に対する周期表第１３族元素の含有率の分布図である。
【図８】本発明の電子写真感光体の一例の表面領域層の厚さ方向における周期表第１    ３族元素と窒素原子の含有率分布を示す図である。
【図９】（ａ）本発明の電子写真感光体の一例の表面領域層の厚さ方向における周期表第１３族元素と窒素原子の含有率分布を示す図である。（ｂ）本発明の電子写真感光体の一例の表面領域層の厚さ方向における周期表第１３族元素と窒素原子の含有率分布を示す図である。
【図１０】本発明の電子写真感光体の一例の表面領域層の厚さ方向における周期表第１３族元素と窒素原子の含有率分布を示す図である。
【図１１】（ａ）本発明の電子写真感光体の一例の表面領域層の厚さ方向における周期表第１３族元素と窒素原子の含有率分布を示す図である。（ｂ）本発明の電子写真感光体の他の一例の表面領域層の厚さ方向における周期表第１３族元素と窒素原子の含有率分布を示す図である。
【図１２】本発明の電子写真感光体の一例の表面領域層の厚さ方向における周期表第１３族元素と窒素原子の含有率分布を示す図である。
【図１３】本発明の電子写真感光体の一例の表面領域層の厚さ方向における周期表第１３族元素と窒素原子の含有率分布を示す図である。
【図１４】（ａ）本発明の電子写真感光体の一例の表面領域層の厚さ方向における窒素原子の含有率分布を示す図である。（ｂ）本発明の電子写真感光体の一例の表面領域層の厚さ方向における窒素原子の含有率分布を示す図である。
【図１５】（ａ）本発明の電子写真感光体の一例の表面領域層の厚さ方向における周期表第１３族元素の含有率分布を示す図である。（ｂ）本発明の電子写真感光体の一例の表面領域層の厚さ方向における周期表第１３族元素の含有率分布を示す図である。
【図１６】（ａ）および（ｂ）は本発明の電子写真感光体の一例の表面領域層の厚さ    方向における周期表第１３族元素および窒素原子の含有率分布を示す図である。（ｃ）は従来の電子写真感光体の一例の表面領域層の厚さ方向における周期表第１３族元素および窒素原子の含有率分布を示す図である。
【図１７】本発明の電子写真感光体の分光反射スペクトルを示す図である。
【符号の説明】
【０２７９】
１０１  基体
１０２  光導電層
１０３  表面領域層
１０４  下部注入阻止層
１０５  第１の上部注入阻止層(TBL-1)
１０６  中間層
１０７  第２の上部注入阻止層(TBL-2)
１０８  表面保護層(SL)
【図１】
2006189823.tif 000043
【図２】
2006189823.tif 000044
【図３】
2006189823.tif 000045
【図４】
2006189823.tif 000046
【図５】
2006189823.tif 000047
【図６】
2006189823.tif 000048
【図７】
2006189823.tif 000049
【図８】
2006189823.tif 000050
【図９】
2006189823.tif 000051
【図１０】
2006189823.tif 000052
【図１１】
2006189823.tif 000053
【図１２】
2006189823.tif 000054
【図１３】
2006189823.tif 000055
【図１４】
2006189823.tif 000056
【図１５】
2006189823.tif 000057
【図１６】
2006189823.tif 000058
【図１７】
2006189823.tif 000059