(57)【要約】  【課題】多様な被処理体に対して多様な膜を形成することのできる触媒ＣＶＤ装置を提供する。  【解決手段】加熱した触媒体１０を用いる触媒ＣＶＤ処理が基板ホルダー１８上の基板５に対して行なわれるときは、（ａ）に示すように、プラズマ生成手段３１を備えたプラズマ生成ユニット３０は真空収納室１２に退避している。プラズマ生成手段３１は、高周波電源２５に接続された高周波電極３３と接地電極３４とを備える。高周波電極３３の上側には接地されたシールド板３２が取り付けられている。プラズマ生成手段３１だけを用いるプラズマＣＶＤ処理あるいは加熱した触媒体１０とプラズマ生成手段３１とを併用するプラズマエンハンスト触媒ＣＶＤ処理が行われるときは、（ｂ）に示すように、プラズマ生成手段３１が触媒体１０と基板５との間に位置する。上記の３つのＣＶＤ処理は、基板５の材質や成膜する膜種に応じて使い分けられる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空処理室内に導入された原料ガスを加熱した触媒体によって分解・活性化することにより被処理体に成膜を行なう触媒ＣＶＤ装置において、
前記触媒体と前記被処理体との距離を変える距離変更手段と、
前記触媒体と前記被処理体との間に挿脱可能であって、気体が通過可能なプラズマ生成手段と、を備えることを特徴とする触媒ＣＶＤ装置。
【請求項２】
請求項１に記載の触媒ＣＶＤ装置において、
前記プラズマ生成手段は、前記加熱した触媒体だけが用いられる触媒ＣＶＤ処理が行われるときは、前記触媒体と前記被処理体との間から退避し、プラズマ生成手段だけが用いられるプラズマＣＶＤ処理もしくはプラズマエッチング処理、あるいは前記加熱した触媒体とプラズマ生成手段とが併用されるプラズマエンハンスト触媒ＣＶＤ処理もしくはプラズマエンハンスト触媒エッチング処理が行われるときは、前記触媒体と前記被処理体との間に位置することを特徴とする触媒ＣＶＤ装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の触媒ＣＶＤ装置において、
前記プラズマ生成手段は、複数の貫通口を有する板状の第１電極と、第１電極の一方の側に対向配置された複数の貫通口を有する板状の第２電極とを備え、両電極間に高周波電圧が印加されることを特徴とする触媒ＣＶＤ装置。
【請求項４】
請求項３に記載の触媒ＣＶＤ装置において、
第１電極の他方の側に対向配置された複数の貫通口を有するシールド板を備え、第１電極には高周波電圧が印加され、第２電極とシールド板とは接地されることを特徴とする触媒ＣＶＤ装置。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の触媒ＣＶＤ装置において、
前記真空処理室の開口を介して連設された、前記プラズマ生成手段を収納する真空収納室と、プラズマ生成手段が通過可能な前記開口を塞ぐ閉塞手段と、を備えることを特徴とする触媒ＣＶＤ装置。
【請求項６】
真空処理室内に配置した被処理体に成膜を行なう成膜方法において、
前記真空処理室内に成膜ガスとプラズマ増強ガスとを導入し、
加熱した触媒体によって前記成膜ガスからラジカルを生成し、
前記触媒体と前記被処理体との間に配置したプラズマ生成手段によって前記プラズマ増強ガスをプラズマ化し、このプラズマ中で前記ラジカルの密度を高めることを特徴とする成膜方法。
【請求項７】
真空処理室内に導入された原料ガスを加熱した複数の直線状の触媒体によって分解・活性化することにより被処理体に成膜を行なう触媒ＣＶＤ装置において、
前記触媒体は、両端が反対方向に引っ張られるように支持されることを特徴とする触媒ＣＶＤ装置。
【請求項８】
請求項７に記載の触媒ＣＶＤ装置において、
前記触媒体の一端は第１の固定部材に固定され、他端は第２の固定部材に対して前記触媒体の直線状の線に沿って移動自在な移動体に固定され、
前記移動体は第２の固定部材に取り付けられた弾性体の収縮力または伸張力によって第１の固定部材とは反対の方向に引っ張られ、
前記触媒体への給電は第１の固定部材および前記移動体を介して行われることを特徴とする触媒ＣＶＤ装置。
【請求項９】
請求項７または請求項８に記載の触媒ＣＶＤ装置において、
前記複数の直線状の触媒体と平行な面に複数のガス吹き出し口を有するシャワーヘッドを備え、
前記原料ガスは前記複数のガス吹き出し口から前記複数の触媒体に向けて真空処理室内に導入され、
前記シャワーヘッドは、複数の貫通孔を有するシャワー板と、シャワー板の下流側に配置され、前記複数のガス吹き出し口を有する熱遮蔽板とを備え、
前記シャワー板は、その前後で圧力差が生じるように構成されることを特徴とする触媒ＣＶＤ装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の触媒ＣＶＤ装置を用いて行なう成膜方法において、
前記触媒体と前記被処理体との距離を１００ｍｍ以上にし、前記真空処理室の圧力を０．２Ｐａ以下にして前記被処理体に成膜を行なうことを特徴とする成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、加熱した触媒体によって原料ガスを分解・活性化させることにより基板上に膜を成膜する触媒ＣＶＤ装置および成膜方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板を１０００℃程度に加熱し、基板表面での化学反応によって成膜を行なう熱ＣＶＤ装置が多く利用されていた。近年、半導体製造プロセスの低温化を実現するために、あるいは軟化温度の低いプラスチック基板などに膜を成膜するために、低温処理の可能な触媒ＣＶＤ装置やプラズマＣＶＤ装置が広く用いられている。触媒ＣＶＤ装置は成膜レートが高いという特長を有し、プラズマＣＶＤ装置は成膜された膜の膜質が良いという特長を有することから、基板の材質や成膜する膜種などに応じて両者は使い分けられている。
【０００３】
触媒ＣＶＤ装置は、処理室内に８００〜２０００℃程度に加熱した触媒体を配し、触媒体による触媒作用あるいは熱作用によって処理室内に導入された原料ガスを分解・活性化させることにより、基板上に膜を成膜する（特許文献１）。この装置は、加熱したタングステンなどのワイヤを触媒体として用いることから、ホットワイヤＣＶＤ装置とも呼ばれる。また、触媒体が発熱することから発熱体ＣＶＤ装置とも呼ばれる。ワイヤは、コイル状に形成されたり（特許文献１）、あるいは窓枠状の絶縁部材の内部にジグザグ状にまたは平行に張られたりする（特許文献４）。また、ワイヤ以外のものとして、網目状の触媒体や筒状平板の触媒体が用いられることもある（特許文献４）。
【０００４】
プラズマＣＶＤ装置は、高周波電極と接地電極としての基板ホルダーとの間に印加した高周波電界によって原料ガスをプラズマ励起させることにより基板上に膜を成膜する（特許文献２，３）。このとき、反応生成物が高周波電極などに付着する。特許文献２の装置は、加熱した触媒体を高周波電極・基板ホルダー間に配置し、触媒体によって生成された水素ガスの活性種でクリーニングを行う（付着した反応生成物を除去する）。上記触媒体は、成膜処理時には高周波電極・基板ホルダー間から退避しており、クリーニング時に高周波電極・基板ホルダー間に移動する。一方、特許文献３の装置は、プラズマによる処理に加えて触媒による処理も同時に行うことができ、高周波電極としてのシャワー電極内に設けた触媒体を加熱するとともに、シャワー電極・基板ホルダー間にプラズマを発生させる。また、シャワー電極内のガス流路をガスごとに分離し、所定のガス（水素ガス）の流路にだけ触媒体を設けることも提案されている。
【０００５】
【特許文献１】特開昭６３−０４０３１４号公報（請求項１、請求項２０、第１図）
【特許文献２】特開２００４−０４３８４７号公報（要約、段落００３８〜００４１）
【特許文献３】特開２００１−３１３２７２号公報（段落０００１〜００３１）
【特許文献４】特開２００４−０９１８２１号公報（段落００５８〜００６４、図３、図４）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
最近では、樹脂フィルム上に半導体デバイスや表示デバイスが形成されるなど、基板の材質および成膜する膜種が多様化している。かかる状況下では、触媒ＣＶＤ処理だけ、あるいはプラズマＣＶＤ処理だけでは多様化した成膜処理を実現するのが難しくなっており、このような状況に応えることのできる装置が望まれている。また、触媒ＣＶＤ装置では高い成膜レートが得られることから、この特長を生かした装置が望ましい。特許文献２のプラズマＣＶＤ装置は、加熱した触媒体を用いたクリーニング処理は行えるが、触媒体が高周波電極・基板ホルダー間に配置されるので、触媒体およびプラズマの双方を利用したＣＶＤ処理は行えない。また、かかるＣＶＤ処理は想定すらされていない。
【０００７】
特許文献３のプラズマＣＶＤ装置では、シャワー電極内の加熱した触媒体によって原料ガスが予め活性化されるので、比較的低パワーの高周波電力によるプラズマＣＶＤ処理が可能であり、基板に対するプラズマダメージが小さくなる。しかしながら、ガス流が均一であるとはいえないシャワー電極内に触媒体が設けられるので、上記の活性化が効率的に行なわれるとはいえない。また、シャワー電極から吹き出るガスの活性化率も吹き出し位置ごとに異なると思われる。したがって、基板面内で膜質や膜厚が均一とならないおそれがある。また、プラズマがシャワー電極・基板ホルダー間に発生するので、すなわち基板とプラズマが接するので、僅かなプラズマダメージが問題となるような場合には使用できないと考えられる。尚、この装置では、触媒体だけを用いた触媒ＣＶＤ処理は想定すらされていない。
【０００８】
ところで、加熱した触媒体は熱膨張によって変形する。真空処理室の圧力が高く、ガス分子の平均自由行程が短い場合は、触媒体の近傍にガス分子が滞在する時間が長く、ガス分子が繰返し触媒体に接触するので、上記の変形は成膜特性に大きな影響を与えない。それに対し、圧力が低く、ガス分子の平均自由行程が長い場合は、触媒体に接触したガス分子は直ちに下流側（基板の方）に移動してしまう。このため、触媒体が変形すると、シャワー電極のガスの吹き出し口と触媒体との位置関係がずれてしまい、基板面内で膜厚が均一にならないという問題が生じる。しかしながら、従来のものでは熱膨張による触媒体の変形については何ら考慮されていない。
【０００９】
本発明は、上記問題点を解決するものであって、その課題とするところは、多様な被処理体に対して多様な膜を形成することのできる触媒ＣＶＤ装置、触媒体の熱膨張の影響を受けない触媒ＣＶＤ装置、および当該装置を用いた成膜方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
第１の発明では、真空処理室内に導入された原料ガスを加熱した触媒体によって分解・活性化することにより被処理体に成膜を行なう触媒ＣＶＤ装置において、触媒体と被処理体との距離を変える距離変更手段と、触媒体と被処理体との間に挿脱可能であって、気体が通過可能なプラズマ生成手段と、を備える。
【００１１】
このようにすることで、プラズマ生成手段に入った原料ガスがプラズマ化や分解・活性化され、あるいは加熱した触媒体によって生成されたラジカルが活性化され、プラズマ生成手段で生成されたあるいは活性化されたラジカルなどが被処理体に供給されるので、加熱した触媒体だけが用いられる触媒ＣＶＤ処理に加えて、プラズマ生成手段だけが用いられるプラズマＣＶＤ処理（もしくはプラズマエッチング処理）、または加熱した触媒体とプラズマ生成手段とが併用されるプラズマエンハンスト触媒ＣＶＤ処理（もしくはプラズマエンハンスト触媒エッチング処理）を行うことができる。これにより、被処理体の材質（軟化温度の高低など）や成膜する膜種に応じて、最適なＣＶＤ処理を選択して被処理体に成膜を行うことが可能となる。また、特許文献３に示される如くシャワー電極・基板ホルダー間にプラズマが発生するのではなく、プラズマ生成手段自体で規定される領域にプラズマが発生し、しかも距離変更手段（実施形態に示す昇降可能な基板ホルダーに相当するもの）によってプラズマ領域と被処理体との距離を自由に設定できるので、基板の材質や成膜する膜種に応じて、プラズマダメージが極めて小さい処理や成膜レートの高い処理などを実現することができる。さらに、特許文献３に示される如くシャワー電極内に触媒体が配置されるのではなく、真空処理室内に原料ガスが導入された後に、例えば実施形態に示すようにシャワーヘッドのガス吹き出し口から原料ガスが出た後に、原料ガスが加熱した触媒体に満遍なく均一に接触するので、被処理体面内で膜厚や膜質が均一になる。さらに、被処理体に成膜を行なう前に、上記のプラズマエッチング処理あるいはプラズマエンハンスト触媒エッチング処理によって被処理体の表面の自然酸化膜などを除去することもできる。
【００１２】
第１の発明の実施形態においては、プラズマ生成手段は、加熱した触媒体だけが用いられる触媒ＣＶＤ処理が行われるときは、触媒体と被処理体との間から退避し、プラズマ生成手段だけが用いられるプラズマＣＶＤ処理もしくはプラズマエッチング処理、あるいは加熱した触媒体とプラズマ生成手段とが併用されるプラズマエンハンスト触媒ＣＶＤ処理もしくはプラズマエンハンスト触媒エッチング処理が行われるときは、触媒体と被処理体との間に位置する。このようにすることで、触媒ＣＶＤ処理においてプラズマ生成手段が悪影響を与えるのを防止することができる。
【００１３】
また、第１の発明の実施形態においては、プラズマ生成手段は、複数の貫通口を有する板状の第１電極と、第１電極の一方の側に対向配置された複数の貫通口を有する板状の第２電極とを備え、両電極間に高周波電圧が印加される。このようにすることで、第１電極（または第２電極）の貫通孔から入った原料ガスが高周波電圧によってプラズマ化され、あるいは分離・活性化され、活性化されたラジカルなどが第２電極（または第１電極）の貫通孔から出て被処理体に向かい、被処理体表面で成膜が行なわれる。
【００１４】
さらに、第１の発明の実施形態においては、第１電極の他方の側に対向配置された複数の貫通口を有するシールド板を備え、第１電極には高周波電圧が印加され、第２電極とシールド板とは接地される。このようにすることで、導電性のシャワーヘッド等が接地されていても、プラズマ生成手段とシャワーヘッド等の間に高周波放電が発生せず、接地されたシールド板と第２電極との間にプラズマを閉じ込めることができるので、低電力で効率よく原料ガスをプラズマ化、あるいは分解・活性化することができる。
【００１５】
さらに、第１の発明の実施形態においては、真空処理室の開口を介して連設された、プラズマ生成手段を収納する真空収納室と、プラズマ生成手段が通過可能な上記開口を塞ぐ閉塞手段と、を備える。このようにすることで、触媒ＣＶＤ処理が真空処理室で行われているときは、プラズマ生成手段を真空収納室に収納でき、しかも閉塞手段（実施形態に示すプラズマ生成手段の先端に取り付けられたカバーに相当するもの）が開口を塞ぐので、プラズマ生成手段に反応生成物が付着するのを防止できる。また、上記のカバーに代えて開口の位置に閉塞手段としてのゲートバルブを設けるようにすれば、多数の被処理体に対して触媒ＣＶＤ処理だけが繰返し行われるような場合には、真空処理室の真空引き時間が短縮され、スループットが向上する。
【００１６】
第２の発明では、真空処理室内に配置した被処理体に成膜を行なう成膜方法において、真空処理室内に成膜ガスとプラズマ増強ガスとを導入し、加熱した触媒体によって成膜ガスからラジカルを生成し、触媒体と被処理体との間に配置したプラズマ生成手段によってプラズマ増強ガスをプラズマ化し、このプラズマ中でラジカルの密度を高める。上記のプラズマ増強ガスとは低電力でプラズマが発生するガスのことであり、Ａｒ、Ｈｅなどの不活性ガスやＮ２ガスなどがプラズマ増強ガスとして好適に使用される。
【００１７】
このようにすることで、加熱した触媒体によって生成されたラジカルが被処理体に到達するまでに再結合しても、これらがプラズマ中で分解されてラジカルの密度が高まるので、被処理体の表面でのラジカル密度が所望の密度に維持される。これにより、低温で成膜処理を行うために被処理体を加熱した触媒体から遠ざけても、所望の成膜レートで成膜を行なうことができる。
【００１８】
第３の発明では、真空処理室内に導入された原料ガスを加熱した複数の直線状の触媒体によって分解・活性化することにより被処理体に成膜を行なう触媒ＣＶＤ装置において、触媒体は、両端が反対方向に引っ張られるように支持される。
【００１９】
このようにすることで、触媒体の取り付けに不手際があっても、あるいは触媒体が加熱されて熱膨張して延びても、触媒体の両端が反対方向に引っ張られるので、触媒体は常に直線状に保たれる。これにより触媒体と触媒体に接触する原料ガスの流れとが常に一定の関係になるので、触媒体の取り付けの不手際や触媒体の熱膨張に関係なく、同じ条件で触媒ＣＶＤ処理を行うことができる。つまり、取り付けの不手際や熱膨張に起因する触媒体の撓み（弛み）によって発生する、成膜レートの面内均一性の悪化を防止できる。
【００２０】
第３の発明の実施形態においては、触媒体の一端は第１の固定部材に固定され、他端は第２の固定部材に対して触媒体の直線状の線に沿って移動自在な移動体に固定され、移動体は第２の固定部材に取り付けられた弾性体の収縮力または伸張力によって第１の固定部材とは反対の方向に引っ張られ、触媒体への給電は第１の固定部材および移動体を介して行われる。ここで第１の固定部材は、実施形態に示す電源バー７２（図５）または導電板９１（図７）に相当するものである。第２の固定部材は、電源バー７３およびバネ支持棒７６（図６（ａ））または枠部材９０（図７）に相当するものである。上記のように簡単な構造によって触媒体が直線状に保たれるので、装置のコストアップを抑えることができる。また、弾性体としてバネなどを使用すれば、特別な熱対策を講じる必要もない。
【００２１】
また、第３の発明の実施形態においては、複数の直線状の触媒体と平行な面に複数のガス吹き出し口を有するシャワーヘッドを備え、原料ガスは複数のガス吹き出し口から複数の触媒体に向けて真空処理室内に導入される。上記シャワーヘッドは、複数の貫通孔を有するシャワー板と、シャワー板の下流側に配置され、複数のガス吹き出し口を有する熱遮蔽板とを備え、シャワー板は、その前後で圧力差が生じるように構成される。このようにすることで、ガス吹き出し口からの原料ガスは上記の圧力差によって触媒体に吹き付けられるので、原料ガスが高い割合で分解・活性化され、真空処理室の圧力を低くしても、生成されるラジカルの密度を所定値以上にすることができる。また、シャワー板の下流側、すなわち触媒体側に設けられた熱遮蔽板によって加熱した触媒体からの輻射熱が遮られ、シャワー板の貫通孔が輻射熱によって変形しないので、常に一定の圧力差が得られる。上記の圧力差は、シャワー板の板厚を厚くし、しかも貫通孔を小さくすることなどによって生じる。
【００２２】
第４の発明では、上記のシャワー板の前後で圧力差が生じるように構成された触媒ＣＶＤ装置を用いて行なう成膜方法において、触媒体と被処理体との距離を１００ｍｍ以上にし、真空処理室の圧力を０．２Ｐａ以下にして被処理体に成膜を行なう。
【００２３】
このようにすることで、加熱した触媒体の温度が１８００℃程度であっても、プラスチックなどの軟化温度の低い被処理体に対しても好適に成膜を行なうことができる。その理由を以下に説明する。第１に、触媒体と被処理体との距離を上記のようにしているので、加熱した触媒体からの輻射熱によって被処理体が変形しない。第２に、上記の圧力差によって原料ガスが触媒体に吹き付けられるので、原料ガスが高い割合で分解・活性化され、圧力を低くしても生成されるラジカルの量（密度）が低下しない。第３に、真空処理室の圧力を上記のように通常の圧力（例えば、１０Ｐａ程度）よりも低くして、ラジカルの平均自由行程が触媒体と被処理体との距離の１／３程度以上になるようにしているので、気相中でのラジカルの再結合が抑制（防止）される。この結果、被処理体と触媒体との距離を長くしても、被処理体近くでのラジカル密度が低下することがなく、実用的な成膜レートで膜が形成される。第４に、触媒体の両端が反対方向に引っ張られ、触媒体が熱膨張の影響を受けずに直線状に保たれるので、膜厚が被処理体の面内で均一になる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、シリコンウエハやプラスチック板、ＰＥＴフィルムなどの多様な被処理体に対して各種の膜を形成することができる。また、触媒体の熱膨張に関係なく、一定の成膜特性が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、図１を参照して本発明の第１の実施形態を説明する。触媒ＣＶＤ装置１（以下、装置１という）は、基板ホルダー１８上の基板５の表面に膜を成膜する真空処理室１１と、真空処理室１１に連設され、プラズマ生成手段３１を収納する真空収納室１２とから構成される。真空処理室１１で加熱した触媒体１０だけを用いる触媒ＣＶＤ処理が行われるときは、図１（ａ）に示すように、プラズマ生成手段３１は真空収納室１２に退避している。プラズマ生成手段３１だけを用いるプラズマＣＶＤ処理、あるいは加熱した触媒体１０およびプラズマ生成手段３１の双方を併用するＣＶＤ処理（以下、プラズマエンハンスト触媒ＣＶＤ処理という）が行われるときは、図１（ｂ）に示すように、プラズマ生成手段３１は触媒体１０と基板５との間に位置する。上記のようにプラズマ生成手段３１が移動可能であるので、３種類のＣＶＤ処理を行えることに加えて、プラズマ生成手段３１による悪影響を受けずに触媒ＣＶＤ処理を行うことができる。また、真空処理室１１と真空収納室１２とは、真空処理室１１の下部の排気口２２に取り付けられた真空ポンプ２３で真空引きされる。
【００２６】
基板５は、ゲートバルブ１７を介して真空処理室１１に搬入され、昇降可能な基板ホルダー１８に載置される。この基板ホルダー１８を昇降させることで、基板５と触媒体１０との距離が所定の距離に設定される。基板ホルダー１８の内部にはヒータ２１と図示しないチラーから供給される冷媒が流れる冷媒流路２０が設けられており、基板ホルダー１８の上面には熱電対１９が設けられている。熱電対１９の発生電圧から得られた温度に基づいてヒータ２１の通電量や冷媒の温度や流量を変えることにより、基板５の温度が所定温度になるように制御される。
【００２７】
シャワーヘッド１４には、ガスボンベや流量調整器、開閉バルブなどからなる図示しない複数のガス供給系から原料ガスが供給され、この原料ガスがシャワーヘッド１４の下面の多数のガス吹き出し口から真空処理室１１に導入される。ここでは、成膜ガスや置換ガスなどを合わせて原料ガスとよんでいる。基板５が真空処理室１１に搬入されると、圧力が１×１０−３Ｐａ程度になるまで真空引きされ、その後、原料ガスを所定の流量で真空処理室１１に導入しつつ圧力が０．１〜１０Ｐａ程度に維持されて以下に述べる成膜処理が行われる。
【００２８】
触媒体１０は、タングステンやタンタルなどの高融点金属のワイヤなどからなり、ＡＣ電源１３からの通電で発熱高温化する。ＡＣ電源１３の代わりにＤＣ電源を用いてもよい。触媒体１０の温度は、基板５の材質や成膜する膜種に応じて最適な温度に設定されるが、石英窓１５を通して放射温度計１６で測定され、所定の温度、例えば１８００℃になるようにＡＣ電源１３の出力レベルが調整される。図１（ａ）に示すように、シャワーヘッド１４から流出した原料ガスは、触媒体１０に接触し、あるいは近傍を通過する。特許文献３に示される如く触媒体１０がシャワーヘッド１４の内部に配置されているのではなく、シャワーヘッド１４の下方に配置されているので、シャワーヘッド１４から流出した原料ガスが触媒体１０全体に満遍なく均一に接触する。この原料ガスと高温の触媒体１０との相互作用（触媒作用あるいは熱的作用）による分解反応によって、化学的に活性なラジカルが生成され、このラジカル同士が基板５の表面で化学反応する。そして、反応生成物が基板５表面に堆積して膜が形成される。
【００２９】
ところで、基板５がプラスチック板やＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムなどである場合は、基板５の軟化温度（ガラス転移温度）が低いため、触媒体１０からの輻射熱で基板５が変形することがある。基板ホルダー１８を下降させて基板５を触媒体１０から遠ざければ基板５は変形しなくなるが、基板５表面でのラジカル密度が低下するため、成膜レートが低くなるという問題が生じる。本発明では、基板５の軟化温度が低い場合は、図１（ｂ）に示すように、予めプラズマ生成手段３１を触媒体１０と基板５との間にセットしておき、このプラズマ生成手段３１が上記のラジカル密度を高めたり、活性度の低下したラジカルを活性化したり、原料ガスから新たに活性なラジカルを生成したりする。この結果、軟化温度の低い基板５と触媒体１０との距離を長くしても、所望の膜が所望の成膜レートで基板５上に形成される。この場合、触媒体１０と基板５との間にプラズマ生成手段３１が介在する分だけ、基板５から触媒体１０までの距離が長くなり、輻射熱の影響が低減する。
【００３０】
次に、プラズマ生成手段３１を備えたプラズマ生成ユニット３０の構造について説明する。プラズマ生成ユニット３０は、レール２８上を移動する基台３９や、基台３９に取り付けられたプラズマ生成手段３１、プラズマ生成手段３１の先端部に取り付けられたカバー３８などから構成される。プラズマ生成手段３１は、高周波電源２５が接続された高周波電極３３と接地された接地電極３４とから構成され、両電極３３，３４間に印加される高周波電力によってプラズマを生成する。尚、成膜ガス分子をプラズマ化あるいは分解・活性化するのが目的ではなく、触媒体１０によって生成されたラジカルなどの密度を高めることを目的とすることもある。後者では、例えば、触媒体１０によって生成されたラジカルが基板５に到達するまでに再結合し、基板５の表面でのラジカル密度が低下するような場合に、Ａｒ、Ｎ２などの低電力でプラズマが発生するプラズマ増強ガスをプラズマ化し、このプラズマ中で上記の再結合物を分解してラジカルの密度を高めるようにする。図１（ａ）に示すように、触媒ＣＶＤ処理が行われるときは、プラズマ生成ユニット３０は真空収納室１２に収納されている。このとき、真空処理室１１の壁部の開口２４がカバー３８で塞がれるので、真空収納室１２の内壁や待機中のプラズマ生成手段３１に反応生成物などが付着するのが防止される。
【００３１】
プラズマ生成手段３１が真空処理室１１で使用されるとき、すなわちプラズマＣＶＤ処理またはプラズマエンハンスト触媒ＣＶＤ処理が行われるときは、基台３９がレール２８上を真空処理室１１の方向に移動して所定位置で停止する。この状態で、プラズマ生成手段３１がシャワーヘッド１４および触媒体１０の真下に位置し、しかも基板５の真上に位置する。また、隙間はあるものの、基台３９で真空処理室１１の開口２４が塞がれる。ここでは真空処理室１１・真空収納室１２間は真空封止されていないが、開口２４の位置にゲートバルブを介装するとともに、真空収納室１２も真空引き可能な構成としてもよい。このようにすれば、多数の基板５に対して触媒ＣＶＤ処理だけが繰り返し行われる場合に、真空処理室１１の真空引き時間が短縮され、スループットが向上する。
【００３２】
基台３９の前面にはステンレス製の電極取り付け板３７が固定されている。この電極取り付け板３７に、シールド板３２および接地電極３４の基端部が固定され、高周波電極３３の基端部が絶縁部材３６を介して固定されている。シールド板３２、高周波電極３３および接地電極３４は、上記のラジカルや原料ガスが通過する多数の貫通孔を全面に有する、４５０ｍｍ×４５０ｍｍ程度の矩形のステンレス板である。シールド板３２および接地電極３４の先端部にはステンレス製のカバー３８が固定され、カバー３８に対して高周波電極３３の先端部が絶縁部材３５を介して固定されている。シールド板３２、接地電極３４、電極取り付け板３７およびカバー３８は可撓性の接地線２７で接地されている。また、高周波電極３３は可撓性のシールド線２６で高周波電源２５に接続されている。この高周波電源２５の周波数は１３．５６ＭＨｚであるが、他の周波数であってもよい。
【００３３】
上記のシールド板３２の貫通孔は２ｍｍφで、中心間距離が５ｍｍである。高周波電極３３および接地電極３４の貫通孔は２０ｍｍφで、中心間距離が３０ｍｍである。図１では、高周波電極３３および接地電極３４の貫通孔は同じ位置に示されているが、異なる位置に配置するようにしてもよい。また、シールド板３２、高周波電極３３および接地電極３４は、それぞれ５ｍｍ、２０ｍｍの間隔で互いに平行に配置されており、高周波電極３３と接地電極３４とで平行平板型のプラズマ生成手段３１が構成される。ここではプラズマ生成手段３１を高周波方式の平行平板型としているが、高周波電圧に代えて直流電圧を印加するようにしてもよい。また、誘導結合型のものを用いることもできる。
【００３４】
上述のように、高周波電極３３が接地された導電性のシールド板３２、接地電極３４、カバー３８および電極取り付け板３７で囲まれているので、高周波電極３３とステンレス製のシャワーヘッド１４などとの間で高周波放電が起きない。つまり、シールド板３２や接地電極３４などで囲まれた領域にプラズマが閉じ込められるので、低電力密度で効率よくプラズマを生成することができる。但し、接地したシールド板３２を設けることは本発明の必須事項ではない。また、特許文献３に示される如くプラズマがシャワーヘッド１４・基板ホルダー１８間で発生するのではなく、高周波電極３３などのプラズマ生成手段３１自体で規定される領域で発生し、しかも基板ホルダー１８が昇降可能であるので、基板５とプラズマとの距離を自由に設定することができる。したがって、基板５とプラズマとの距離を大きくまたは小さくすることにより、基板５の材質や成膜する膜種に応じて、基板５に与えるプラズマダメージが極めて小さい処理や、成膜レートの高い処理などを行うことができる。
【００３５】
以上で装置１の構成、触媒ＣＶＤ処理およびプラズマエンハンスト触媒ＣＶＤ処理について説明したが、ＡＣ電源１３を切ってプラズマ生成手段３１を作動させることにより、従来から行なわれているプラズマＣＶＤ処理も行うことができる。上記の３つのＣＶＤ処理は、基板５の材質や成膜する膜種に応じて使い分けられる。また、１つの基板５に対して２層の膜を連続して形成する場合に、例えば１層目の膜を触媒ＣＶＤ処理で形成し、２層目の膜をプラズマエンハンスト触媒ＣＶＤ処理で形成することもできる。さらに、ＣＶＤ処理を行う前に、真空処理室１１に導入するガスをエッチング用ガスに変え、加熱した触媒体１０およびプラズマ生成手段３１の一方または双方を用いて、基板５表面の自然酸化膜などを除去するクリーニング処理（エッチング処理）を行うこともできる。これらをそれぞれ触媒エッチング処理、プラズマエッチング処理およびプラズマエンハンスト触媒エッチング処理とよぶ。以下に装置１を用いて行なった成膜処理の実施例を示す。
【００３６】
（実施例１）
プラズマ生成手段３１を触媒体１０と基板５との間に配置し、以下のようにしてプラズマエンハンスト触媒ＣＶＤ処理によってＳｉ基板５に成膜を行なった。この処理では、成膜ガスとしての分圧６．６５Ｐａのテトラエトキシシランガスとプラズマ増強ガスとしての１０ｓｃｃｍ（分圧６．６５Ｐａ）のＮ２ガスとの混合ガスを真空処理室１１に導入し、真空処理室１１の全圧力を１３．３Ｐａ、触媒体１０の温度を１８００℃、高周波電力を２００Ｗ、触媒体１０とプラズマ生成手段３１の上面との距離を３０ｍｍ、プラズマ生成手段３１の下面とＳｉ基板５との距離を４５ｍｍ、Ｓｉ基板５の温度を１００℃、処理時間を１０分とした。上述のように、プラズマ生成手段３１の厚さが２５ｍｍであるので、触媒体１０とＳｉ基板５との距離は１００ｍｍとなる。上記の処理によってＳｉ基板５上に膜厚が４００ｎｍのアモルファスＳｉ−Ｏ−Ｃ膜が形成されたことが確認された。ここでは、低温処理を行うために触媒体１０と基板５との距離を長くしているが、触媒体１０によって生成されたラジカルが基板５に到達するまでに再結合しても、これらがＮ２ガスのプラズマ中でラジカル化されるので、Ｓｉ基板５表面でのラジカル密度が所望の密度に維持され、所望の成膜レートが得られる。
【００３７】
（実施例２）
まず、プラズマ生成手段３１を触媒体１０と基板５との間に配置してプラズマエッチング処理を行った。この処理では、真空処理室内１１にＮ２ガスを導入し、真空処理室１１の圧力を１６．６Ｐａ、高周波電力を１ｋＷ、処理時間を５分とした。この処理によってＳｉ基板５表面の酸化膜が除去された。次に、プラズマ生成手段３１を真空収納室１２に収納して、触媒ＣＶＤ処理を行った。この処理では、それぞれ３０ｓｃｃｍのモノメチルシラン、Ｈ２ガスおよびＮ２ガスの混合ガスを真空処理室１１に導入し、圧力を０．１５Ｐａ、触媒体１０の温度を２０００℃、触媒体１０とＳｉ基板５との距離を１７０ｍｍ、Ｓｉ基板５の温度を１００℃、処理時間を１０分とした。この処理によってＳｉ基板５上に膜厚が５００ｎｍのアモルファスＳｉ−Ｃ膜が形成されたことが確認された。
【００３８】
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。図２は本実施形態に係る触媒ＣＶＤ装置（以下、装置という）を示す。この装置１ａでは、１８００〜２０００℃程度に加熱した触媒体７１（図４）と基板５との距離は一般的には５０ｍｍ程度に設定される。ところで、基板５が軟化温度の低いプラスチック板などであるときは、加熱した触媒体７１からの輻射熱によって基板５が変形するのを防止するために、上記の距離を大きく（１００〜２００ｍｍに）する必要がある。しかし、距離を大きくすると、加熱した触媒体７１との相互作用で生成されたラジカルが基板５に到達する途中で再結合するため、ラジカル密度が基板５の近くで低下し、成膜レートが低くなるといった問題が生じる。この問題を解決するため、本実施形態では、真空処理室１１の圧力を通常の触媒ＣＶＤ処理での圧力（１０Ｐａ程度）よりも低くして（０．１Ｐａ程度）ラジカルの平均自由行程を長くすることにより、気相中でのラジカルの再結合を減らして基板５近くでのラジカル密度の低下を防止する。以下に、上記のことを実現するための具体的構成について説明する。
【００３９】
図２において、５は基板、１３は触媒体７１に給電するＡＣ電源、１５は石英窓、１６は放射温度計、１７はゲートバルブ、１８は基板ホルダー、１９は熱電対、２０は冷媒流路、２１はヒータ、２２は排気口、２３は真空ポンプである。上記のものは図１に示すものと同一であり、符号も同じである。７０は複数の触媒体７１が取り付けられた触媒体ユニット（図４）である。真空処理室１１は、シャワーヘッド１４などが取り付けられた天板１１ａと容器本体１１ｂとから構成される。この天板１１ａを開けて触媒体ユニット７０を取り外した後、触媒体７１の交換・取り付けが行なわれる。
【００４０】
まず、シャワーヘッド１４について説明する。シャワーヘッド１４は、本体５１と、本体５１に収容・固定されたガスパイプ５２、シャワー板５３および熱遮蔽板５４とから構成され、それぞれステンレス製である。図において、６１は本体５１とシャワー板５３とで囲まれた領域、６２はシャワー板５３と熱遮蔽板５４との間の領域、６３は触媒体ユニット７０の下方の領域を示す。ガスパイプ５２は、中心から４５度間隔で八方に延びており、ガス導入部５２ｂから導入された原料ガスがガスパイプ５２内を流れて穴５２ａから吹き出る。この原料ガスは、シャワー板５３の貫通孔５３ａと熱遮蔽板５４の貫通孔５４ａとを通って触媒体ユニット７０の触媒体７１に吹き付けられる。図４に示すように、触媒体７１は直線のワイヤであり、１８００℃程度に加熱されている。熱遮蔽板５４は、触媒体７１からの輻射熱を遮蔽し、シャワー板５３の貫通孔５３ａが熱膨張で変形する（径が小さくなる）のを防止する。また、シャワー板５３および熱遮蔽板５４は４５０ｍｍ×４５０ｍｍ程度の矩形のステンレス板である。
【００４１】
図３はシャワーヘッド１４と触媒体７１との位置関係を示す。（ａ）は鉛直方向での位置関係を示し、（ｂ）は平面的な位置関係を示す。ここで、シャワー板５３、熱遮蔽板５４および触媒体７１は平行であり、本体５１とシャワー板５３との間隔は１５ｍｍ、シャワー板５３と熱遮蔽板５４との間隔は１０ｍｍ、熱遮蔽板５４から触媒体７１までの距離は１５ｍｍ、シャワー板５３の板厚は２ｍｍ、熱遮蔽板５４の板厚は１ｍｍである。シャワー板５３の貫通孔５３ａは０．５ｍｍφ、熱遮蔽板５４の貫通孔５４ａは２．０ｍｍφである。格子状に配置された貫通孔５３ａ，５４ａの間隔は共に１０ｍｍである。また、貫通孔５３ａ，５４ａは互いに位置がずれている。すなわち、貫通孔５３ａの直下から外れた位置に貫通孔５４ａが配置されており、直線上に並んだ貫通孔５３ａの中間点に貫通孔５４ａが位置する。触媒体７１は、シャワーヘッド１４のガス吹き出し口に相当する貫通孔５４ａの直下に位置する。ここでは全ての貫通孔５４ａの直下に触媒体７１が配置されていないが、これは実験した範囲では触媒体７１の本数を２倍にしても特にこれといった効果が見られなかったことによる。
【００４２】
上記のように構成されたシャワーヘッド１４において、ガスパイプ５２の穴５２ａから吹き出た原料ガスは、矢印で示すように、領域６１、貫通孔５３ａ、領域６２を通って貫通孔５４ａから吹き出し、触媒体７１全体に接触する、あるいは触媒体７１の近傍を通過する。ここではシャワー板５３の板厚を厚く、貫通孔５３ａの径を小さくして貫通孔５３ａのコンダクタンスを小さくしているので、領域６１と６３との間に圧力差が生じる。しかも上述のように真空処理室１１の圧力を低くしている。この結果、原料ガスは貫通孔５４ａから触媒体７１に向かって強く吹き出して高い割合で触媒体７１に接触し、その後は触媒体７１の近傍に滞在することなく基板５に向かって流れる。
【００４３】
また、貫通孔５３ａ，５４ａは互いに位置がずれているので、原料ガスが熱遮蔽板５４の貫通孔５４ａから均等に吹き出して触媒体７１に満遍なく接触する。さらに、熱遮蔽板５４の貫通孔５４ａ、すなわちシャワーヘッド１４のガス吹き出し口の直下にガス吹き出し口に沿って触媒体７１が配置されているので、原料ガスが高い割合で触媒体７１に接触する。尚、ガス導入部５２での圧力の測定値が３０００Ｐａであったので、上記の圧力差は１０００Ｐａ以上、少なくとも１００Ｐａ以上と推測される。
【００４４】
本実施形態では、シャワー板５３で圧力差を生じさせ、しかも真空処理室１１の圧力を通常よりも低くして、加熱した触媒体７１よって生成されたラジカルが基板５に到達する途中で再結合するのを抑制（防止）しているので、真空処理室１１の内壁への膜の付着を抑えて基板５表面に効率よく成膜を行なうことができる。つまり、基板５を触媒体７１から遠ざけても、基板５表面でのラジカル密度は低下せず、所望の成膜レートで基板５表面に成膜が行なわれる。また、ラジカルの平均自由行程が長いため、ラジカルは略直線的に基板に向かって進む。このため、触媒体７１の熱膨張によって触媒体７１と貫通孔５４ａとの位置関係が変わると、基板５表面に膜が均一に形成されなくなる。この位置関係は、後述する触媒体ユニット７０によって一定に保たれるようになっている。さらに、熱遮蔽板５４がシャワー板５３の下方（触媒体７１側）に設けられており、シャワー板５３の貫通孔５３ａが輻射熱によって変形しないので、原料ガスは熱遮蔽板５４の貫通孔５４ａから常に同じ態様で吹き出す。尚、輻射熱によって貫通孔５４ａが変形するおそれがあるが、径が大きいのでガス流に対する影響は小さい。
【００４５】
ところで、輻射熱による基板５の変形を防止するためには、基板５の軟化温度や触媒体７１の温度にもよるが、一般的には、基板５と触媒体７１との距離を１００ｍｍ以上にする必要がある。一方、気体分子の平均自由行程λは下記の式で表される。
λ（ｍｍ）＝Ｃ／Ｐ（Ｐａ）
ここで、Ｐは圧力であり、Ｃは係数であり、気体が空気のときはＣ＝７である。原料ガスの分子やラジカルの種類によってはＣの値が異なるが、目安として考えてＣ＝７と見積もる。また、実用的には、平均自由行程を触媒体７１と基板５との距離の１／３程度以上とすれば、上記のラジカルの再結合を防止して成膜を行なうことが可能と考えられる。上記距離が１００ｍｍのときに平均自由行程を３３ｍｍ以上にするためには、圧力を０．２Ｐａ（Ｐ＝Ｃ／λ＝７／３３＝０．２）以下にする必要がある。
【００４６】
次に、触媒体ユニット７０について説明する。図４は触媒体ユニット７０の概略構造を示す。触媒体ユニット７０は上記のシャワー板５３よりも幾分大きい矩形形状である。図において、７１はタングステン製の０．５φの直線状ワイヤである触媒体、７２，７３は銅製の電源バー、７４，７５はセラミック製の枠形成部材、７６は後述するバネの一端を引っ掛けるバネ支持棒、７７はバネ支持棒７６を電源バー７３に取り付けるための支柱である。上記の各部材はネジなどで互いに固定されている。電源バー７２，７３の凸部７２ａ，７３ａには、それぞれ銅製の給電棒５５，５６が取り付けられており、給電棒５５，５６の他端にＡＣ電源１３が接続されている（図２）。このＡＣ電源１３から電源バー７２，７３に電気的に並列接続された複数の触媒体７１に給電が行なわれ、触媒体７１が発熱高温化する。また、給電棒５５，５６は絶縁部材５７で天板１１ａから絶縁されている。
【００４７】
図５は図４のＡ部の構造の詳細を示す。電源バー７２には触媒体７１ごとに貫通孔７２ｂが設けられており、この貫通孔７２ｂに挿入された触媒体７１の端部がネジ７２ｃで貫通孔７２ｂの内壁に押え付けられて固定される。この固定によって触媒体７１と電源バー７２とが電気的に接続される。
【００４８】
図６は図４のＢ部の構造の詳細を示す。（ａ）は触媒体７１の取り付け構造を示す。（ｂ）は触媒体ユニット７０の外側から電源バー７３を見た図である。電源バー７３には触媒体７１ごとに貫通孔７３ｂが設けられており、この貫通孔７３ｂには銅製の移動体８１が摺動自在（移動自在）に嵌め込まれている。移動体８１の一方の側には、触媒体７１の端部を挿入する穴８１ａが設けられており、この穴８１ａに挿入された触媒体７１が穴８１ａの内壁にネジ８１ｂで押さえ付けられて固定される。この固定によって触媒体７１と移動体８１とが電気的に接続される。
【００４９】
移動体８１の他方の側には、移動体８１が反対側の電源バー７２の方へ抜けるのを防止するフランジ８１ｃ、ナット８２と係合する雄ネジ（図示せず）およびバネ８３の一端を引っ掛けるための引っ掛け穴８１ｄが設けられている。雄ネジに嵌め込まれた圧着端子８４はナット８２でフランジ８１ｃに押え付けて固定されている。この圧着端子８４に導線８５で接続された圧着端子８６は、図６（ｂ）に示すように、電源バー７３にネジ８７で固定される。上記のようにして、触媒体７１が電源バー７３に電気的に接続される。また、移動体８１は、両端がそれぞれ引っ掛け穴８１ｄおよびバネ支持棒７６に引っ掛けられたバネ８３の張力（収縮力）によってバネ支持棒７６の方に引っ張られる。
【００５０】
バネ８３は、触媒体７１の両端がそれぞれ電源バー７２および移動体８１に固定された後に取り付けられるが、触媒体７１を固定するときに触媒体７１が撓んでいても、あるいは成膜処理中に発熱高温化した触媒体７１が熱膨張して延びても、触媒体７１の両端が所定以上の力で反対方向に引っ張られているので、触媒体７１は直線形状を保つ。すなわち、常に同じ形状である。したがって、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、直媒体は常に熱遮蔽板５４の貫通孔５４ａの直下に貫通孔５４ａに沿うように位置する。したがって、原料ガスが常に同じ態様で触媒体７１と接触し、あるいは触媒体７１の近傍を通過するので、原料ガスと触媒体７１との相互作用によって生成されるラジカルの基板５表面での分布も常に同じ分布となり、基板５表面に形成される膜の膜厚や膜質の面内均一性が悪化する、あるいは成膜処理の再現性がないといった問題が生じない。
【００５１】
以上で装置１ａの実施形態について説明したが、以下に実施例を示す。
（実施例３）
まず、触媒エッチング処理を行った。この処理では、それぞれ３０ｓｃｃｍのＨ２ガスとＮ２ガスとの混合ガスを真空処理室１１内に導入し、真空処理室１１の圧力を０．１２Ｐａ、触媒体７１の温度を１８００℃、触媒体７１とＰＥＴフィルム基板５との距離を１７０ｍｍ、処理時間を１．５分とした。この水素ラジカルによるエッチング処理によってＰＥＴフィルム基板５表面が清浄化（エッチング）された。次に、触媒ＣＶＤ処理を行った。この処理では、それぞれ３０ｓｃｃｍのモノメチルシラン、Ｈ２ガスおよびＮ２ガスの混合ガスを真空処理室１１内に導入し、圧力を０．２Ｐａ、触媒体の温度を１５００℃、触媒体７１とＰＥＴフィルム基板５との距離を１７０ｍｍ、ＰＥＴフィルム基板５の温度を５０℃、処理時間を１０分とした。この処理によってＰＥＴフィルム基板５上に膜厚が５０ｎｍのアモルファスＳｉ−Ｃ膜が形成されたことが確認された。
【００５２】
以上述べた第２の実施形態においては、複数の触媒体７１を電気的に並列に接続したが、図７に模式的に示すように触媒体７１を直列に接続してもよい。図において、７０ａは触媒体ユニット、９０は絶縁性の枠部材、９１は枠部材９０に固定された銅製の導電部材、８１は枠部材９０の貫通孔（図示せず）に摺動自在に嵌め込まれた移動体、８３はバネ、８５は導線である。移動体８１、バネ８３および導線８５は図６と同様のものである。但し、図６に示すナット８２や導線８５の両端の圧着端子８４，８６などの図示は省略されている。触媒体７１の一端は部材９１に固定され、他端は移動体８１に固定され、触媒体７１の両端がバネ８３によって反対方向に引っ張られる。また、触媒体７１同士は、導電部材９１または導線８５によって直列接続される。この構成ではＡＣ電源１３の電圧は高くなるが電流が小さいので、電源バー７２，７３（図４）を介して触媒体７１に電流を流さなくてもよい。尚、第２の実施形態で示した触媒体ユニット７０，７０ａおよびシャワーヘッド１４は第１の実施形態でも好適に使用できる。
【００５３】
また、上記第２の実施形態では、バネ８３の収縮力によって触媒体７１の両端間に張力がかかるようにしたが、バネの接続方法を変更してバネの伸張力によって触媒体７１の両端間に張力がかかるようにしてもよい。また、つるまきバネ８３に代えて板バネなどの他の構造のバネを用いるようにしてもよい。いずれにしろ、弾性体の収縮力あるいは伸張力によって、直線状の触媒体７１の両端に互いの異なる方向に引っ張る力がかかるようにすればよい。さらに、上記第１、第２の実施形態では、圧力や温度、穴の径、距離などの数値を示したが、これらの数値は実施形態を具体的に説明するためのものであり、これらの数値を適宜変更しても本発明を実施することができる。
【００５４】
さらに、上記第１、第２実施形態では、シャワーヘッド１４を装置１，１ａの上部に、基板ホルダー１８を下部に配置したが、シャワーヘッド１４を下部に、基板ホルダー１８を上部に配置しても本発明を実施することができる。さらに、上記実施形態では、被処理体を基板５としたが、被処理体は板状のものに限定されるものではなく、被処理体が薄いフィルムや長いシート状のものなどであっても本発明を実施することができる。さらに、上記第１、第２実施形態では、基板ホルダー１８を昇降させることにより基板５と触媒体１０，７１との距離を変えるようにしたが、触媒体１０，７１とシャワーヘッド１４とを昇降させることにより上記距離を変えるようにしても本発明を実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】触媒ＣＶＤ装置の第１の実施形態を示す図である。
【図２】触媒ＣＶＤ装置の第２の実施形態を示す図である。
【図３】シャワーヘッドと触媒体との位置関係を示す図である。
【図４】触媒体ユニットの概略構造を示す図である。
【図５】図４のＡ部の構造の詳細を示す図である。
【図６】図４のＢ部の構造の詳細を示す図である。
【図７】触媒体ユニットの他の構造例を示す図である。
【符号の説明】
【００５６】
１，１ａ  触媒ＣＶＤ装置
５    基板（被処理体）
１０  触媒体（第１の実施形態）
１１  真空処理室
１２  真空収納室
１４  シャワーヘッド
１８  基板ホルダー
２３  真空ポンプ
２５  高周波電源
３０  プラズマ生成ユニット
３１  プラズマ生成手段
３２  シールド板
３３  高周波電極（第１電極）
３４  接地電極（第２電極）
３８  カバー（閉塞手段）
５３  シャワー板
５３ａ  シャワー板の貫通孔
５４  熱遮蔽板
５４ａ  熱遮蔽板の貫通孔
７０，７０ａ  触媒体ユニット
７１  触媒体（第２の実施形態）
７２  電源バー（第１の固定部材）
７３  電源バー（第２の固定部材）
７６  バネ支持棒（第２の固定部材）
８１  移動体
８３  バネ（弾性体）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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