(57)【要約】【課題】自発光素子への劣化因子の伝達防止を図ること。【解決手段】自発光パネル１００は、電極対の間に発光層を有する複数の自発光素子１０２が設けられた基板１０１に設けられて、電極対における少なくとも一方の電極２０１および発光層を自発光素子１０２毎に絶縁する絶縁膜１０３と、基板１０１に対向配置され、当該基板１０１との間に自発光素子１０２を外気から遮断する封止領域２０８を形成する封止部材２０６と、自発光素子１０２の配列面内で最も外側に位置する自発光素子１０２ａより外側に設けられて、基板１０１と封止部材２０６との対向方向に沿って絶縁膜１０３を分離するサイプ１０４と、を備える。これによって、外気に含まれる水分などの劣化因子が接着剤２０７中を伝わって封止領域２０８内に入り込んだ場合にも、この劣化因子が絶縁膜１０３中を伝わることをサイプ１０４によって阻害することができる。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極対の間に発光層を有する複数の自発光素子が設けられた基板と、
前記基板に設けられて、前記電極対における少なくとも一方の電極および前記発光層を前記自発光素子毎に絶縁する絶縁膜と、
前記基板に対向配置され、当該基板との間に前記自発光素子を外気から遮断する封止領域を形成する封止部材と、
前記自発光素子の配列面内で最も外側に位置する自発光素子より外側に設けられて、前記基板と前記封止部材との対向方向に沿って前記絶縁膜を分離するサイプと、
を備えることを特徴とする自発光パネル。
【請求項２】
前記サイプは、前記基板と前記封止部材との対向方向に沿って前記絶縁膜を完全に分離するように設けられていることを特徴とする請求項１に記載の自発光パネル。
【請求項３】
前記サイプは、前記基板と前記封止部材との対向方向に沿って前記絶縁膜を途中まで分離するように設けられていることを特徴とする請求項１に記載の自発光パネル。
【請求項４】
前記サイプは、前記自発光素子の配列面内で外側へ向かう方向に沿って複数設けられていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の自発光パネル。
【請求項５】
前記サイプは、前記基板と前記封止部材との対向方向に沿った深さが、それぞれ異なっていることを特徴とする請求項４に記載の自発光パネル。
【請求項６】
前記サイプは、前記基板と前記封止部材との接着位置に対する距離が前記自発光素子の配列面内で最も短い位置に設けられた前記自発光素子より外側に設けられていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の自発光パネル。
【請求項７】
前記サイプは、前記基板と前記封止部材との接着位置に対する距離が、所定距離よりも短い位置に設けられた前記自発光素子より外側に設けられていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の自発光パネル。
【請求項８】
前記自発光素子の配列面内で最も外側に位置する自発光素子は、モニタ用の自発光素子であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一つに記載の自発光パネル。
【請求項９】
前記自発光素子は、有機ＥＬ素子であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一つに記載の自発光パネル。
【請求項１０】
電極対の間に発光層を有する複数の自発光素子を基板上に形成する自発光素子形成工程と、
前記自発光素子形成工程に際して、前記電極対における少なくとも一方の電極および前記発光層を前記自発光素子毎に絶縁する絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記絶縁膜形成工程によって形成された絶縁膜のうち、前記自発光素子の配列面内で最も外側に位置する自発光素子より外側に、前記絶縁膜の厚さ方向に沿って当該絶縁膜を分離するサイプを形成するサイプ形成工程と、
前記基板との間に前記自発光素子を外気から遮断する封止領域を形成する封止部材を前記基板に対向配置する封止領域形成工程と、
を含んだことを特徴とする自発光パネルの製造方法。
【請求項１１】
前記サイプ形成工程は、前記基板と前記封止部材との対向方向に沿って前記絶縁膜を完全に分離するサイプを形成することを特徴とする請求項１０に記載の自発光パネルの製造方法。
【請求項１２】
前記サイプ形成工程は、前記基板と前記封止部材との対向方向に沿って前記絶縁膜を途中まで分離するサイプを形成することを特徴とする請求項１０に記載の自発光パネルの製造方法。
【請求項１３】
前記サイプ形成工程は、前記自発光素子の配列面内で外側へ向かう方向に沿って複数のサイプを形成することを特徴とする請求項１０〜１２のいずれか一つに記載の自発光パネルの製造方法。
【請求項１４】
前記サイプ形成工程は、前記基板と前記封止部材との対向方向に沿った深さが、それぞれ異なる複数のサイプを形成することを特徴とする請求項１３に記載の自発光パネルの製造方法。
【請求項１５】
前記サイプ形成工程は、前記基板と前記封止部材との接着位置に対する距離が最も短い位置に設けられた前記自発光素子より外側にサイプを形成することを特徴とする請求項１０〜１４のいずれか一つに記載の自発光パネルの製造方法。
【請求項１６】
前記サイプ形成工程は、前記基板と前記封止部材との接着位置に対する距離が、所定距離よりも短い位置に設けられた前記自発光素子より外側にサイプを形成することを特徴とする請求項１０〜１５のいずれか一つに記載の自発光パネルの製造方法。
【請求項１７】
前記自発光素子の配列面内で最も外側に位置する自発光素子は、モニタ用の自発光素子であることを特徴とする請求項１０〜１６のいずれか一つに記載の自発光パネルの製造方法。
【請求項１８】
前記自発光素子は、有機ＥＬ素子であることを特徴とする請求項１０〜１７のいずれか一つに記載の自発光パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、自発光パネルおよび自発光パネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
たとえば、各種の情報機器の表示ディスプレイやライトなどの照明などにおいては、有機エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：以下、ＥＬと略す）素子を自発光素子として利用した自発光パネルが用いられるようになってきている。
【０００３】
有機ＥＬ素子では、外気に含まれる水分などが、有機ＥＬ素子を劣化させる劣化因子として想定される。このような劣化因子から有機ＥＬ素子の劣化を防ぐため、有機ＥＬ素子を外気から遮断する封止方法がある。封止方法には、各種の技術があるが、その一つに気密封止法がある。これは、有機ＥＬ素子が設けられた基板に、当該基板との間に有機ＥＬ素子を外気から遮断する封止領域を形成するように封止部材を対向配置する（たとえば、下記特許文献１参照。）。気密封止法は、有機ＥＬ素子を利用した自発光パネルを、簡単かつ低コストで製造することができる。
【０００４】
図１２は、従来の自発光パネルの一例を示す縦断側面図である。図１２に示すように、従来の自発光パネル１２００は、電極対１２０１の間に発光層１２０２を有する複数の自発光素子１２０３が設けられた基板１２０４と、この基板１２０４との間に自発光素子１２０３を外気から遮断する封止領域１２０５を形成するように基板１２０４に対向配置された封止部材１２０６と、を備えている。
【０００５】
基板１２０４には、電極対１２０１における一方の電極１２０１ａおよび発光層１２０２を自発光素子１２０３毎に絶縁する絶縁膜１２０７が設けられている。基板１２０４と封止部材１２０６とは、接着剤１２０８を介して接着されている。これによって、封止領域１２０５内に劣化因子が入り込むことを防止するようにしている。
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−２１５６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、たとえば、上述した特許文献１に記載された技術では、自発光素子１２０３として有機ＥＬ素子を用いた場合に、基板１２０４と封止部材１２０６とを接着剤１２０８を介して接着しても、外気に含まれる水分が接着剤１２０８中を伝わって、有機ＥＬ素子を劣化させてしまうことがある。
【０００８】
そこで、本発明は、このような問題に対処することを課題の一例とするものである。すなわち、自発光パネルにおける自発光素子への劣化因子の伝達防止を図ること、自発光パネルの表示品質の劣化を防ぐことなどを発明の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した課題を解決し、目的を達成するため、請求項１の発明にかかる自発光パネルは、電極対の間に発光層を有する複数の自発光素子が設けられた基板と、前記基板に設けられて、前記電極対における少なくとも一方の電極および前記発光層を前記自発光素子毎に絶縁する絶縁膜と、前記基板に対向配置され、当該基板との間に前記自発光素子を外気から遮断する封止領域を形成する封止部材と、前記自発光素子の配列面内で最も外側に位置する自発光素子より外側に設けられて、前記基板と前記封止部材との対向方向に沿って前記絶縁膜を分離するサイプと、を備えることを特徴とする。
【００１０】
また、請求項１０の発明にかかる自発光パネルの製造方法は、電極対の間に発光層を有する複数の自発光素子を基板上に形成する自発光素子形成工程と、前記自発光素子形成工程に際して、前記電極対における少なくとも一方の電極および前記発光層を前記自発光素子毎に絶縁する絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記絶縁膜形成工程によって形成された絶縁膜のうち、前記自発光素子の配列面内で最も外側に位置する自発光素子より外側に、前記絶縁膜の厚さ方向に沿って当該絶縁膜を分離するサイプを形成するサイプ形成工程と、前記基板との間に前記自発光素子を外気から遮断する封止領域を形成する封止部材を前記基板に対向配置する封止領域形成工程と、を含んだことを特徴とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下に添付図面を参照して、この発明にかかる自発光パネルおよび自発光パネルの製造方法の好適な実施の形態を詳細に説明する。
【００１２】
（自発光パネルの概略構成）
図１は、本実施の形態における自発光パネルを示す平面図である。本実施の形態における自発光パネル１００は、基板１０１上に設けられた複数の自発光素子１０２を有している。本実施の形態の自発光素子１０２は、有機ＥＬ素子によって実現されている。
【００１３】
有機ＥＬ素子は、各種機能を有する層を複数積層した構造である。特に図示を省略するが、有機ＥＬ素子における各層の積層構造としては、「下部電極（陽極）／正孔注入層／正孔輸送層／有機ＥＬ発光層／電子輸送層／電子注入層／上部電極（陰極）」という順序で積層された構造が一般的であり、このような積層構造でも単層構造でも構わない。
【００１４】
有機ＥＬ素子における各層は、いずれも、低分子有機材料でも高分子有機材料でもよく、単一の有機材料で形成されてもよいし、複数の材料を混ぜ合わせることによって形成されていてもよいし（混合層）、高分子バインダーの中に有機系あるいは無機系の機能材料を分散させたものでもよい。なお、機能材料としては、電子輸送機能、発光機能、電子ブロッキング機能、光学機能などが挙げられる。
【００１５】
また、有機ＥＬ素子における各層には、スパッタ法によって、発光層の上側に電極を形成する際に、発光層がダメージを受けないようにするためのバッファ機能や、発光層の成膜プロセスによって発生する発光層表面の凹凸を防止するための平坦化機能を有する層が含まれていてもよい。
【００１６】
加えて、有機ＥＬ素子は、発光層の上側に位置する電極を陽極とし、発光層の下側に位置する電極を陰極としたものや、複数の層によって発光層を構成したもの、発光色の異なる複数の発光層を積層させたもの（ＳＯＬＥＤ：Ｓｔａｃｋｅｄ  ＯＬＥＤ）、カソードとアノードの間に図示しない電子発生層を介在させたもの（マルチフォトン素子）、正孔輸送層などの層を省略したものや複数積層させたもの、有機層１層のみの素子構成のもの（各機能層を連続的に形成させる、層境界をなくしたもの）などであってもよい。なお、本実施の形態は、有機ＥＬ素子の構成を限定するものではない。
【００１７】
自発光素子１０２は、すべての自発光素子１０２を自発光パネル１００の表示素子としてもよいし、一部の自発光素子１０２をいわゆるモニタ素子としてもよい。表示素子とは、自発光パネル１００が表示する文字や記号、画像、映像などといった情報表示、または、照明や各種インテリアなどの表示に利用する自発光素子１０２である。モニタ素子とは、前述の表示に利用しない自発光素子１０２である。より詳細には、モニタ素子は、たとえば自発光素子１０２の駆動に関わるパラメータを取得するために用いられることがある。
【００１８】
モニタ素子としての自発光素子１０２から取得されたパラメータは、表示素子としての自発光素子１０２の駆動に際して、各表示素子にフィードバックされる。表示素子としての自発光素子１０２の駆動に関わるパラメータとしては、たとえば、駆動電圧、電流、輝度などが挙げられる。モニタ素子としては、自発光素子１０２の配列面内で最も外側に位置する自発光素子を利用する。
【００１９】
自発光素子１０２は、それぞれ絶縁膜１０３によって絶縁されている。絶縁膜１０３は、自発光素子１０２の配列面内の全域および当該配列面の外周部分を覆うように設けられている。この絶縁膜１０３には、スリットや溝であるサイプ１０４が設けられており、本発明の実施の形態では「サイプ」と定義する。詳細は後述するが、本実施の形態におけるサイプ１０４は、自発光素子１０２の配列面の外周を囲むように連続して設けられている。絶縁膜１０３の材料としてはポリイミド、ポリイミド、アクリル、ＳｉＯ2などを利用して形成されている。本実施形態の説明においてサイプを中空に形成しているが、劣化因子の伝達の遅くなる材料、たとえばＩＴＯなどを充填しても構わない。
【００２０】
基板１０１上には、絶縁膜１０３の外側を囲むようにして、封止部材（図２の２０６）と基板１０１とを接着する接着剤（図２の２０７）が塗布される接着領域１０５が確保されている。図１中では図示を省略するが、封止部材は基板１０１に対向配置され、当該基板１０１との間に自発光素子１０２を外気から遮断する封止領域（図２の２０８）を形成する。
【００２１】
図１中、ａ、ｂ、ｃ、ｄは、それぞれ、自発光素子１０２の配列面内で最も外側に位置する自発光素子１０２から接着領域１０５までの距離を示している。また、図１中、符号Ｉ、ＩＩ、ＩＩＩ、ＩＶ、Ｖ、ｉ、ｉｉ、ｉｉｉ、ｉｖは、自発光素子１０２の配列面内における各自発光素子１０２の位置を示すために便宜上付した符号である。図１中、符号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４も同様に、自発光素子１０２の配列面内における各サイプ１０４の位置を示すために便宜上付した符号である。
【００２２】
図２は、自発光パネル１００を示す縦断側面図である。図２には、図１に示す自発光パネル１００をＡ−Ａ線に沿って切断し、側方から見た状態が示されている。図２に示すように、自発光パネル１００においては、基板１０１の一面側に、複数の自発光素子１０２が設けられている。上述したように自発光素子１０２としての有機ＥＬ素子の構成は限定されるものではないが、図２においては、ドレイン電極２０２を備える薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：以下、ＴＦＴと略す）２０３と下部電極２０１、有機層２０４、および上部電極２０５を備える有機ＥＬ素子が、自発光素子１０２として示されている。ドレイン電極２０２と下部電極２０１が直接または他の導電材料を介して接続されており、ＴＦＴ２０３により自発光素子１０２のＯＮ／ＯＦＦを制御している。
【００２３】
本実施の形態において、上部電極２０５は、すべての自発光素子１０２に対して共通であり、すべての自発光素子１０２を覆う単一の電極層として設けられている。下部電極２０１と上部電極２０５とによって電極対が実現されている。図示しないが、上部電極２０５を隔壁などで区切って分割させた構成を有していても構わない。
【００２４】
下部電極２０１は、電源における陽極側に接続されて、対応する有機層２０４に対して正の電圧を印加し、逆に上部電極２０５はアースに接続されている。ＴＦＴ２０３のドレイン電極２０２から接続した下部電極２０１を介して自発光素子１０２に対して電流が供給される。
【００２５】
本実施の形態の自発光パネル１００では、自発光素子１０２をアクティブ駆動するための駆動素子としての一例を示しているが、ＴＦＴ２０３の数や回路構成、定電圧駆動や定電流駆動などの駆動方法は、自発光パネル１００の利用形態によって各自設計選択可能である。なお、公知の技術であるため、ＴＦＴ２０３の構成などの詳細についての説明は省略する。
【００２６】
有機ＥＬ素子は、たとえば、有機層２０４を下部電極２０１と上部電極２０５の間に正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などの各有機層を積層することによって実現される。有機層は、単層でもよく、用いる材料は高分子材料でも低分子材料でも構わない。
【００２７】
また、高分子材料中に低分子材料や無機材料を分散させて形成しても構わない。発光層を形成する発光材料としては、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（蛍光）を利用する蛍光材料や三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（りん光）を利用するりん光材料などを自発光パネル１００の利用形態によって各自設計選択可能である。なお、公知技術であるため、有機ＥＬ素子の構成などの詳細についての説明は省略する。
【００２８】
封止部材２０６は、基板１０１における自発光素子１０２が設けられている側に設けられている。封止部材２０６は、一方が開口された容器形状を有しており、すべての自発光素子１０２を覆うように設けられている。封止部材２０６は、接着剤２０７を介して基板１０１に接着されている。基板１０１と封止部材２０６と接着剤２０７とによって封止領域２０８が形成されている。封止部材２０６には、自発光素子１０２に対向する位置に、乾燥剤２０９が設けられている。
【００２９】
サイプ１０４は、自発光素子１０２の配列面内で最も外側に位置する自発光素子１０２ａの外側に設けられている。本実施の形態におけるサイプ１０４は、基板１０１と封止部材２０６との対向方向（図２中矢印Ｘ方向）において、当該対向方向に沿って絶縁膜１０３を貫通するように設けられている。
【００３０】
サイプ１０４は、単一のサイプ１０４に限るものではなく、自発光素子１０２の配列面内で外側へ向かう方向に沿って複数設けられていてもよい。この場合、サイプ１０４の数は、いくつでもよい。ただし、サイプ１０４の数が増えるほど絶縁膜１０３の基板に対する接着力が低下することが考えられるため、最も外側の絶縁膜１０３の基板１０１に対する接着力が、要求される接着力を満足する程度とするのが望ましい。
【００３１】
ところで、図１からも分かるように、自発光素子１０２の配列面内で最も外側に位置する自発光素子（図２における１０２ａ）としては複数が該当する。このため、自発光素子１０２の配列面内で最も外側に位置する自発光素子１０２ａであっても、自発光素子１０２の配列パターンによっては、接着領域１０５に対する距離が異なることがある。特に図示を省略するが、このような場合、サイプ１０４は、基板１０１と封止部材２０６との接着位置、すなわち、接着領域１０５に対する距離が自発光素子１０２の配列面内で最も短い位置に設けられた自発光素子１０２ａより外側に設けるようにしてもよい。
【００３２】
たとえば、図１に示すような接着領域１０５に対する距離ａ、ｂ、ｃ、ｄの関係がａ＜ｂ＜ｃ＜ｄであった場合、Ｉで示す列に配列された自発光素子１０２が、接着領域１０５に対する距離が自発光素子１０２の配列面内で最も短い位置に設けられた自発光素子１０２ａとなり、符号Ｓ１で示されるサイプ１０４を設ける。
【００３３】
また、自発光素子１０２の配列面内で最も外側に位置する自発光素子１０２ａのうち、接着領域１０５に対する距離が、所定距離よりも短い位置に設けられた自発光素子１０２ａより外側にサイプ１０４を設けるようにしてもよい。この所定距離は、劣化因子による影響を受け易い距離を、実験などによって予め把握しておくことで適宜設定することができる。
【００３４】
たとえば、所定距離ｒに対し、図１に示すような接着領域１０５に対する距離ａ、ｂ、ｃ、ｄの関係がａ＜ｂ＜ｃ＜ｒ＜ｄであった場合、Ｉ、ｉ、ｉｖで示す列に配列された自発光素子１０２が、接着領域１０５に対する距離が所定距離よりも短い位置に設けられた自発光素子１０２ａとなり、符号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ４で示されるサイプ１０４を設ける。
【００３５】
図３は、別の実施の形態における自発光パネルを示す縦断側面図である。図３に示す自発光パネル３００では、絶縁膜１０３に設けられたサイプ３０１の形状が、上述した図１および図２に示す自発光パネル１００とは異なる。図３に示す自発光パネル３００におけるサイプ３０１は、基板１０１と封止部材２０６との対向方向において、絶縁膜１０３を途中まで分離するように設けられている。なお、別の実施の形態における自発光パネル３００においては、図１および図２に示す自発光パネル１００と同一部分は同一符号で示し、説明も省略する。以下、同様とする。
【００３６】
図４は、別の実施の形態における自発光パネルを示す縦断側面図である。図４に示す自発光パネル４００では、基板１０１と封止部材２０６との対向方向において、当該対向方向に沿って絶縁膜１０３を貫通するように設けられた第１のサイプ４０１と、絶縁膜１０３を途中まで分離するように設けられた第２のサイプ４０２と、の２種類のサイプが設けられている。第２のサイプ４０２は、第１のサイプ４０１よりも、自発光素子１０２の配列面内で外側へ向かう方向に沿って外側に設けられている。
【００３７】
図５は、別の実施の形態における自発光パネルを示す縦断側面図である。図５に示す自発光パネル５００では、基板１０１と封止部材２０６との対向方向において、絶縁膜１０３を途中まで分離するように設けられた第１のサイプ５０１と、当該対向方向に沿って絶縁膜１０３を貫通するように設けられた第２のサイプ５０２と、の２種類のサイプが設けられている。第２のサイプ５０２は、第１のサイプ５０１よりも、自発光素子１０２の配列面内で外側へ向かう方向に沿って外側に設けられている。
【００３８】
なお、自発光素子１０２の配列面内で外側へ向かう方向に沿って複数のサイプ（たとえば、第１のサイプ４０１と第２のサイプ４０２、あるいは、第１のサイプ５０１と第２のサイプ５０２）を設ける場合、すべてのサイプの形状が同じであってもよいし、各サイプの形状がそれぞれ異なっていてもよい。自発光素子１０２の配列面内で外側へ向かう方向に沿って複数のサイプを設ける場合、少なくとも一つのサイプは、基板１０１と封止部材２０６との対向方向において、当該対向方向に沿って絶縁膜１０３を貫通していることが好ましい。
【００３９】
モニタ素子は、自発光素子１０２の駆動に関わるパラメータを取得するために用いられることがあるために、モニタ素子が劣化すると自発光パネルの表示不良を起こしてしまう。本実施の形態における自発光パネル１００、３００、４００、５００において、モニタ素子の劣化を防ぐことによって、自発光パネル１００、３００、４００、５００の表示品質の劣化を防ぐことが可能になる。
【００４０】
（自発光パネルの製造方法１）
つぎに、本実施の形態における自発光パネル１００（自発光パネル３００、自発光パネル４００あるいは自発光パネル５００でもよい）の製造方法１を用いたパッシブ駆動型の自発光パネル１００の製造プロセスの一例について説明する。自発光パネル１００の製造プロセスは、前処理工程と、蒸着装置（図１０を参照）を用いた成膜工程と、封止部材２０６を用いた封止工程とからなる。前処理工程は、電極材料成膜工程、金属導電膜のパターニング工程、透明導電膜のパターニング工程および絶縁膜形成工程を含んでいる（図６〜図９参照）。
【００４１】
図６は、電極材料成膜工程を示す縦断側面図である。図６には、透明導電膜や金属導電膜などの電極材料を成膜する工程が示されている。電極材料成膜工程においては、まず、バッファ層６０１、透明導電膜６０２、金属導電膜６０３の順に膜が形成された基板１０１を用意する。一般的に、基板１０１には、ガラスまたはプラスチックを用いる。一般的に、バッファ層６０１には、ＳｉＯ2二酸化珪素）、ＴｉＯ2（酸化チタン）などを用いる。一般的に、透明導電膜６０２には、ＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）、ＩＺＯ（インジウム−亜鉛酸化物）などを用いる。一般的に、金属導電膜６０３には、Ｃｒ（クロム）、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）などを用いる。これら、バッファ層６０１、透明導電膜６０２、金属導電膜６０３は、スパッタ、蒸着、スピンコート、ディップコート、塗布などの方法で成膜する。
【００４２】
最も好適な例としては、基板１０１にはガラスを用い、透明導電膜６０２にはＩＴＯを用い、金属導電膜６０３にはＡｌを用いての形成例が挙げられる。また、バッファ層６０１は、基板１０１にアルカリ成分を有するガラスを用いた時、ガラスに不純元素（アルカリ金属、Ｃａ、Ｎａなど）が含有されている場合に、その不純元素の浸透を遮断するために用いる。
【００４３】
図７−１は、金属導電膜のパターニング工程を示す上面図である。図７−２は、金属導電膜のパターニング工程を示す縦断側面図である。図７−２には、図７−１におけるＢ−Ｂ線に沿って切断し、側方から見た状態が示されている。電極材料成膜工程において基板１０１上に形成されたバッファ層６０１、透明導電膜６０２、金属導電膜６０３のうち、最上面の金属導電膜６０３に、フォトリソグラフィー法により下部電極および上部電極の引出配線をパターニングし、引出配線パターンの金属導電膜部分７０３を形成する。
【００４４】
図７−１には、引出配線パターンの金属導電膜部分７０３のパターニング後の基板１０１を上面から見た状態が示されている。図７−１および図７−２に示すように、基板１０１の最上面の金属導電膜６０３が除かれた部分は透明導電膜６０２が露出されている状態となっている。
【００４５】
図８−１は、透明導電膜のパターニング工程を示す上面図である。図８−２は、透明導電膜のパターニング工程を示す縦断側面図である。図８−２には、図８−１におけるＣ−Ｃ線に沿って切断し、側方から見た状態が示されている。第３工程では、第２工程において基板１０１上に露出された透明導電膜６０２にパターニングを施す。パターニングにより、透明導電膜６０２の露出部分は、図８−１に示す網掛け部分８０１（下部電極形成部分）と引出配線パターンの透明導電膜部分８０２（引出配線パターンの金属導電膜部分７０３の透明導電膜６０２）以外すべて除かれる。図８−１および図８−２には、パターニング後の基板１０１の状態が示されている。
【００４６】
下部電極２０１は網掛け部分８０１で形成され、引出配線８０３は引出配線パターンの金属導電膜部分７０３と引出配線パターンの透明導電膜部分８０２とで形成される。このとき網掛け部分８０１における下部電極２０１となる部分の表面を研磨して、下部電極２０１の表面を平滑化させてもよい。また、下部電極２０１の形成に用いたエッチャント（エッチング液）の濃度を低くしたものを用いて下部電極２０１の表面を化学エッチングして、下部電極２０１の表面を平滑化させてもよい。
【００４７】
図９−１は、絶縁膜形成工程を示す上面図である。図９−２は、絶縁膜形成工程を示す縦断側面図である。図９−１には、基板１０１のパターニング後の上面から見た状態が示されている。図９−２には、図９−１におけるＤ−Ｄ線に沿って切断し、側方から見た状態が示されている。絶縁膜形成工程では、下部電極２０１のライン間に、感光性ポリイミドなどの絶縁膜を、フォトリソグラフィー法を用いてパターニング形成を行う。この絶縁膜形成工程により、電極対における少なくとも一方の電極（本実施の形態では下部電極２０１）および発光層（本実施の形態では、有機層２０４に含まれる）を、自発光素子１０２毎に絶縁する絶縁膜が形成される。フォトリソグラフィー法を用いたパターニング形成については、公知の技術であるため説明を省略する。
【００４８】
図９−１および図９−２に示すように、透明導電膜パターニング工程でパターニングを施された下部電極２０１の間に絶縁膜１０３が形成される。絶縁膜１０３の形成後には、上部電極２０５をパターニングするための上部電極隔壁９０１（上部電極セパレータ）を形成してもよい。上部電極２０５は、たとえば、上部電極隔壁９０１を用いずに後述する蒸着装置（図１０を参照）による成膜時に、成膜用マスク（図１０を参照）を用いてパターニングしてもよい。絶縁膜１０３を成膜した後には、基板１０１の表面の有機物や水分を取り除くためにＵＶ（紫外線）洗浄工程を施す。以上述べた第１工程〜第４工程は、有機ＥＬ素子の製造プロセスの前処理工程である。
【００４９】
つづいて、絶縁膜形成工程によって形成された絶縁膜１０３に対してサイプ１０４を形成する。ここに、サイプ形成工程が実現される。このサイプ形成工程によって、基板１０１上における自発光素子１０２の配列面内で最も外側に位置する自発光素子１０２ａより外側に、絶縁膜１０３の厚さ方向に沿って当該絶縁膜１０３を分離するサイプ１０４が形成される。
【００５０】
サイプ形成工程においては、たとえば、ロータリーカッターなどの刃物によって絶縁膜１０３を切断することによってサイプ１０４を形成してもよいし、レーザー光によって絶縁膜１０３を切断することによってサイプ１０４を形成してもよい。サイプ形成工程において、たとえば、刃物によってサイプ１０４を形成する場合、基板１０１と封止部材２０６との対向方向に沿って絶縁膜１０３を完全に分離するサイプ１０４を形成する際には、刃先が基板に到達するまで絶縁膜を切断する。
【００５１】
サイプ形成工程において、たとえば、刃物によってサイプを形成する場合であって、図３に示したような、基板１０１と封止部材２０６との対向方向に沿って絶縁膜１０３を途中まで分離するサイプ３０１を形成する際には、刃先が基板に到達する手前まで絶縁膜１０３を切断する。
【００５２】
サイプ形成工程において、たとえば、図４あるいは図５に示したような、自発光素子１０２の配列面内で外側へ向かう方向に沿って複数のサイプ（たとえば、第１のサイプ４０１と第２のサイプ４０２、あるいは、第１のサイプ５０１と第２のサイプ５０２）を形成する場合には、同様の作業を複数回繰り返す。また、サイプ形成工程において、基板と封止部材との対向方向に沿った深さが、それぞれ異なる複数のサイプ（たとえば、第１のサイプ４０１と第２のサイプ４０２、あるいは、第１のサイプ５０１と第２のサイプ５０２）を形成する場合には、形成するサイプの形状に応じて、同様の作業を複数回繰り返す。
【００５３】
また、サイプ１０４は、たとえば、フォトリソグラフィー法を用いた絶縁膜１０３のパターニング形成において、基板１０１上に塗布した感光剤（フォトレジスト）を露光する際に用いる遮光材（マスク）のパターンを調整することによって、絶縁膜１０３の形成と同時に形成するようにしてもよい。この場合、絶縁膜形成工程と同時にサイプ形成工程が実現される。
【００５４】
図６〜図９を利用して前処理工程が終了後、図１０で説明する蒸着装置を用いて成膜工程を施す。図１０は、成膜工程に用いる蒸着装置を示す図である。蒸着装置１０００は、バルブ１００１が接続されたチャンバ（成膜室）１００２からなる。チャンバ１００２内には、加熱手段１００３と、マグネットユニット１００４と、成膜用マスク１００５と、成膜モニタ１００６と、が設けられている。上述した第１工程〜第４工程により形成された基板１０１は、蒸着装置１０００に搬送され、真空で維持されるチャンバ（成膜室）１００２内の成膜用マスク１００５の上部に安着される。
【００５５】
基板１０１と成膜用マスク１００５とは、マグネットユニット１００４によって密着される。成膜に際しては、加熱手段１００３に蒸着源１００７が配置され、蒸着源１００７の上部に図示しないマスクフレームに支持された成膜用マスク１００５が設置された状態となる。
【００５６】
そして、加熱手段１００３によって蒸着源１００７を加熱し、成膜材料１００８を昇華または蒸発させることで気体状とし、気体状とされた成膜材料１００８を基板１０１に有機層２０４または上部電極２０５として蒸着させる。このような蒸着装置１０００を利用して、有機層２０４または上部電極２０５を成膜する成膜工程は、有機ＥＬ素子に使われうる有機材料または電極材料であれば、いずれも適用できる。
【００５７】
上述したように、有機層２０４は、正孔輸送層、発光層、電子輸送層などが単一あるいは複合の構造で積層されて形成される。有機層２０４の成膜に際して使用される有機材料は、ＣｕＰｃ、ＮＰＢ、Ａｌｑ3をはじめとして、多用に適用可能である。有機層２０４は、複数の発光色を呈する自発光パネルに有機ＥＬ素子を自発光素子１０２として用いる場合、有機層２０４を各画素のカラーに対応させた、多様なパターンに形成することが可能である。また、有機層２０４の成膜に際しては、正孔輸送層や電子輸送層などを、発光色に対応した膜厚にして成膜を行っても構わない。以上説明した前処理工程および成膜工程によって、基板１０１上に、複数の自発光素子１０２が形成される。
【００５８】
つづいて、図１０に示す蒸着装置１０００を用いた成膜工程を経た後の基板１０１を、真空雰囲気化からＮ2の不活性ガス雰囲気化に施した封止室（図示省略）に搬入する。基板１０１を封止室に搬入する前に、形成した自発光素子１０２が所望の発光輝度を有するか否かを検査する発光検査を行ってもよい。
【００５９】
図１０に示す蒸着装置１０００を利用した成膜工程が終了後、封止工程を施す（図示しない）。上述した自発光素子１０２の形成とは別に、ブラスト処理によって表面に凹部を設けた封止部材２０６を作成しておく。この封止部材２０６には、凹部内にＳｒＯ、ＣａＯ、ＢａＯなどの乾燥剤２０９を設置しておく。基板１０１を封止室に搬入する際には、この封止部材２０６も併せて封止室に搬入する。このとき、粉末状の材料を保護シートによって封止部材２０６内に固定した形状の乾燥剤２０９であっても、シート状に加工した乾燥剤２０９であっても、液状の乾燥材料を封止部材２０６内に塗布形成した後に硬化させることによって固着させた乾燥剤２０９を用いても構わない。
【００６０】
ついで、基板１０１上の封止部材２０６のフランジ部に該当する場所に、接着剤２０７を塗布する。接着剤２０７としては、たとえば、紫外線硬化型エポキシ樹脂製の接着剤を用いることができる。接着剤２０７の塗布に際しては、たとえば、ディスペンサーなどを使用して塗布してもよい。
【００６１】
接着剤２０７を塗布した基板１０１と、封止部材２０６と、を接着剤２０７を介して接合させる。その後、基板１０１側から接着剤２０７に向けて紫外線を照射する。これにより、接着剤が硬化し、基板１０１と封止部材２０６とが接着剤２０７を介して接着される。本実施の形態では、ここに、封止工程が実現される。この封止工程によって、基板１０１との間に自発光素子１０２を外気から遮断する封止領域２０８が形成される。
【００６２】
封止工程においては、接着剤２０７を介して、封止部材２０６と基板１０１との間に隙間ができないようにして、封止部材２０６を基板１０１に接着する。このように、基板１０１と封止部材２０６とを、接着剤２０７を用いて接着することにより、封止領域２０８を完全に外気から遮断することができる。この結果、上述したような自発光パネル１０１（有機ＥＬパネル）を得ることができる。封止工程は、本実施の形態において説明した気密封止だけではなく、固体封止や膜封止などの封止方法を用いて封止領域２０８を封止してもよい。
【００６３】
以上説明したように、本実施の形態における自発光パネル１００によれば、自発光素子１０２の配列面内で最も外側に位置する自発光素子１０２ａより外側に設けられて、基板１０１と封止部材２０６との対向方向に沿って絶縁膜１０３を分離するサイプ１０４を備えるため、外気に含まれる水分などの劣化因子が接着剤２０７中を伝わって封止領域２０８内に入り込んだ場合にも、この劣化因子が絶縁膜１０３中を伝わることをサイプ１０４によって阻害することができる。
【００６４】
また、本実施の形態における自発光パネル１００によれば、サイプ１０４を、基板１０１と封止部材２０６との対向方向に沿って絶縁膜１０３を完全に分離する形状とすることにより、劣化因子が絶縁膜１０３中を伝わることをサイプ１０４によって適切に遮断することができる。
【００６５】
本実施の形態における自発光パネル１００によれば、サイプ１０４を、基板１０１と封止部材２０６との対向方向に沿って絶縁膜１０３を途中まで分離する形状とすることにより、基板１０１に対する絶縁膜１０３の接着面積を低下させることなく、劣化因子が絶縁膜１０３中を伝わる領域を狭めて、劣化因子が絶縁膜１０３中を伝わることをサイプ１０４によって阻害することができる。
【００６６】
また、本実施の形態における自発光パネル１００において、自発光素子１００の配列面内で外側へ向かう方向に沿って複数のサイプ１０４を設けた場合には、劣化因子が絶縁膜１０３中を伝わることを複数のサイプ１０４によってより効果的に阻害することができる。
【００６７】
ここで、たとえば、自発光パネル４００あるいは５００に示すように、基板１０１と封止部材２０６との対向方向に沿った深さが、それぞれ異なるように複数のサイプ（たとえば、第１のサイプ４０１と第２のサイプ４０２、あるいは、第１のサイプ５０１と第２のサイプ５０２）を設けた場合には、各形状のサイプが有する複数の効果を発揮させ、劣化因子が絶縁膜１０３中を伝わることをより効果的に阻害することができる。
【００６８】
また、たとえば、接着領域１０５に対する距離が、自発光素子１０２の配列面内で最も短い位置に設けられた自発光素子１０２ａより外側にサイプ１０４を設けた自発光パネルとした場合には、劣化因子による影響を最も受け易い自発光素子１０２の劣化を効果的に防止することができる。
【００６９】
他に、たとえば、自発光素子１０２の配列面内で最も外側に位置する自発光素子１０２ａのうち、接着領域１０５に対する距離が、所定距離よりも短い位置に設けられた自発光素子１０２ａより外側にサイプ１０４を設けた自発光パネルとした場合には、劣化因子による影響を受け易い自発光素子１０２の劣化を効果的に防止することができる。
【００７０】
本実施の形態における自発光パネル１００によれば、有機ＥＬ素子によって自発光素子１０２を実現することにより、外気中に含まれる水分などの影響を受け易い、有機ＥＬ素子を用いた自発光パネル１００の性能低下を防止することができる。
【００７１】
また、本実施の形態における自発光パネル１００の製造方法によれば、絶縁膜形成工程によって形成された絶縁膜１０３のうち、自発光素子１０２の配列面内で最も外側に位置する自発光素子１０２ａより外側に、絶縁膜１０３の厚さ方向に沿って当該絶縁膜１０３を分離するサイプ１０４を形成するサイプ形成工程を含んでいるので、従来の自発光素子（図１２参照）の製造方法と比較して著しい工程変更を行うことなく、上述のサイプ１０４を有する自発光パネル１００を形成することができる。
【００７２】
本実施の形態における自発光パネルの製造方法によれば、基板１０１と封止部材２０６との対向方向に沿って絶縁膜１０３を完全に分離するサイプ（たとえば、サイプ１０４、第１のサイプ４０１、第２のサイプ５０２）であっても、基板１０１と封止部材２０６との対向方向に沿って絶縁膜１０３を途中まで分離するサイプ（たとえば、サイプ３０１、第２のサイプ４０２、第１のサイプ５０１）であっても、基板１０１と封止部材２０６との対向方向に沿ったサイプの深さを調整するだけでよいので、形成するサイプの形状によってサイプ形成工程の内容を大幅に変更することなく、上述のサイプを有する自発光パネル形成することができる。
【００７３】
同様に、本実施の形態における自発光パネルの製造方法によれば、サイプ形成工程において複数のサイプ（たとえば、第１のサイプ４０１と第２のサイプ４０２、あるいは、第１のサイプ５０１と第２のサイプ５０２）を形成する場合にも、形成するサイプの数によってサイプ形成工程の内容を大幅に変更することなく、上述のサイプを有する自発光パネル形成することができる。
【００７４】
上記の点を鑑みれば、本実施の形態における自発光パネルの製造方法によれば、サイプ形成工程において、基板１０１と封止部材２０６との対向方向に沿った深さが、それぞれ異なる複数のサイプ（たとえば、第１のサイプ４０１と第２のサイプ４０２、あるいは、第１のサイプ５０１と第２のサイプ５０２）を形成する場合にも、形成するサイプの形状や数によってサイプ形成工程の内容を大幅に変更することなく、上述のサイプを有する自発光パネル形成することができる。
【００７５】
本実施の形態における自発光パネルの製造方法によれば、サイプ形成工程において、基板１０１と封止部材２０６との接着位置（すなわち、接着領域１０５）に対する距離が最も短い位置に設けられた自発光素子１０２ａより外側にサイプ１０４を形成する場合にも、基板１０１と封止部材２０６との接着位置（すなわち、接着領域１０５）に対する距離が、所定距離よりも短い位置に設けられた自発光素子１０２ａより外側にサイプ１０４を形成する場合にも、サイプを形成する位置によってサイプ形成工程の内容を大幅に変更することなく、上述のサイプを有する自発光パネル形成することができる。
【００７６】
図１１−１は、別の実施の形態における自発光パネルを示す縦断側面図である。図１１−１には、アクティブ駆動型の自発光パネルの一例が示されている。本実施の形態では、パッシブ駆動型の自発光パネル１００（自発光パネル３００、自発光パネル４００あるいは自発光パネル５００）に限るものではなく、アクティブ駆動型の自発光パネル１１００であってもよい。
【００７７】
アクティブ駆動型の自発光パネル１１００は、ゲート絶縁膜１１０１、ゲート電極１１０２、ドレイン電極１１０３、ソース電極１１０４、層間絶縁層１１０５により形成されたＴＦＴ１１１０を備えている。ＴＦＴ１１１０は、基板１１２０上に設置されている。ドレイン電極１１０２と下部電極１１３０とは、コンタクトホール１１４０を通して電気的に接続されている。下部電極１１３０上には、有機層１１５０、上部電極１１６０が順次積層され、自発光素子（有機ＥＬ素子）１１７０が設けられている。
【００７８】
有機ＥＬ素子１１７０は、基板１１２０上において、単数もしくは複数形成されている。自発光パネル１１００においては、絶縁膜１１８０によって自発光素子１１７０の各画素（発光）領域が形成されている。上述したように、自発光素子１１７０の配列面内で最も外側に位置する自発光素子（有機ＥＬ素子）１１７０ａの外側に位置する絶縁膜１１８０には、サイプ１１９０が形成されている。
【００７９】
（自発光パネルの製造方法２）
つぎに、本実施の形態における自発光パネル１１００の製造方法２を用いたアクティブ駆動型の自発光パネル１１００の製造プロセスの一例について説明する。自発光パネル１１００の製造プロセスは、前処理工程と、成膜工程と、封止部材２０６を用いた封止工程とからなる。自発光パネルの製造方法２における成膜工程および封止工程は、上述した自発光パネルの製造方法１と同様の工程であるため、ここでは前処理工程のみについて説明する。自発光パネル１１００の製造プロセスにおける前処理工程は、ＴＦＴ形成工程、下部電極形成工程および絶縁膜形成工程を含んでいる。
【００８０】
図１１−２は、ＴＦＴ形成工程を示す縦断側面図である。ＴＦＴ形成工程では、まず、基板１１２０上にレーザアニールによりｐ−Ｓｉ膜を成膜する。成膜したｐ−Ｓｉ膜を、紫外光のエキシマレーザでパターニングし、その後、ＣＶＤ法によって窒化シリコンなどを設けることで、ゲート絶縁膜１１０１を成膜する。
【００８１】
ついで、ＣＶＤ法により成膜したポリシリコン膜と、スパッタ法やＣＶＤ法により成膜した金属シリサイド膜と、を積層してなるポリサイド構造の材料膜を、エッチングによってパターニングする。エッチングに際しては、リソグラフィー法によって形成したレジストパターンをマスクする。これにより、ゲート電極１１０２が形成される。
【００８２】
ゲート電極１１０２を形成した後、イオンドーピング法によってゲート電極１１０２に対して不純物を注入する。これにより、ドレイン電極１１０３、ソース電極１１０４が形成される。
【００８３】
図１１−３は、下部電極形成工程を示す縦断側面図である。下部電極形成工程においては、ゲート電極１１０２、ドレイン電極１１０３、ソース電極１１０４を覆う状態で、層間絶縁層１１０５を、基板１１２０の上方に形成する。層間絶縁層１１０５には、たとえば、酸化シリコンなどの酸化シリコン系材料を用いる。
【００８４】
その後、ソース電極１１０４とデータ線１１０６とのコンタクトホール１１０７とドレイン電極１１０３と下部電極１１３０とのコンタクトホール１１４０を露光・現像を行い形成する。以上のようにして、コンタクトホール１１０７、１１４０を形成した後、Ａｌなどでデータ線１１０６、ＩＴＯなどで下部電極１１３０をスパッタリングなどでパターニング形成する。
【００８５】
図１１−４に、絶縁膜形成工程を示す縦断側面図である。絶縁膜形成工程においては、スピンコートを用いて、ポリイミドなどを成膜することによって、下部電極２０上に絶縁膜を形成する。その後、フォトリソ法を利用して、有機ＥＬ素子１１７０形成部分を開口させるようにパターニングする。このとき、最も外側に位置する有機ＥＬ素子１１７０ａ（図１１−１参照）に接する絶縁膜１１８０の外側に、フォトリソグラフィー法を利用してサイプ１１９０を形成する。
【００８６】
以上説明したように、本実施の形態における自発光パネル１１００の製造方法によれば、絶縁膜形成工程による絶縁膜１１８０の形成に際して、絶縁膜１１８０の形成（パターニング）と同時にサイプ１１９０を形成することができる。これによって、サイプ１１９０を有する自発光パネル１１００であっても、工程数を増やすことなく製造することができる。
【００８７】
また、本実施の形態における自発光パネル１１００の製造方法によれば、上述した各種の自発光パネル１００，３００，４００，５００が奏する各種効果に加えて、サイプ１１９０を形成に際しての工程の簡易化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】本実施の形態における自発光パネルを示す平面図である。
【図２】自発光パネルを示す縦断側面図である。
【図３】別の実施の形態における自発光パネルを示す縦断側面図である。
【図４】別の実施の形態における自発光パネルを示す縦断側面図である。
【図５】別の実施の形態における自発光パネルを示す縦断側面図である。
【図６】電極材料成膜工程を示す縦断側面図である。
【図７−１】金属導電膜のパターニング工程を示す上面図である。
【図７−２】金属導電膜のパターニング工程を示す縦断側面図である。
【図８−１】透明導電膜のパターニング工程を示す上面図である。
【図８−２】透明導電膜のパターニング工程を示す縦断側面図である。
【図９−１】絶縁膜形成工程を示す上面図である。
【図９−２】絶縁膜形成工程を示す縦断側面図である。
【図１０】成膜工程に用いる蒸着装置を示す図である。
【図１１−１】別の実施の形態における自発光パネルを示す縦断側面図である。
【図１１−２】ＴＦＴ形成工程を示す縦断側面図である。
【図１１−３】下部電極形成工程を示す縦断側面図である。
【図１１−４】絶縁膜形成工程を示す縦断側面図である。
【図１２】従来の自発光パネルの一例を示す縦断側面図である。
【符号の説明】
【００８９】
１００  自発光パネル
１０１  基板
１０２  自発光素子
１０２ａ  自発光素子
１０３  絶縁膜
１０４  サイプ
２０６  封止部材
２０８  封止領域
３００  自発光パネル
３０１  サイプ
４００  自発光パネル
４０１  サイプ（第１のサイプ）
４０２  サイプ（第２のサイプ）
５００  自発光パネル
５０１  サイプ（第１のサイプ）
５０２  サイプ（第２のサイプ）
１１７０  自発光素子
１１７０ａ  自発光素子
１１８０  絶縁膜
１１９０  サイプ
【図１】
2006244933.tif 000003
【図２】
2006244933.tif 000004
【図３】
2006244933.tif 000005
【図４】
2006244933.tif 000006
【図５】
2006244933.tif 000007
【図６】
2006244933.tif 000008
【図７−１】
2006244933.tif 000009
【図７−２】
2006244933.tif 000010
【図８−１】
2006244933.tif 000011
【図８−２】
2006244933.tif 000012
【図９−１】
2006244933.tif 000013
【図９−２】
2006244933.tif 000014
【図１０】
2006244933.tif 000015
【図１１−１】
2006244933.tif 000016
【図１１−２】
2006244933.tif 000017
【図１１−３】
2006244933.tif 000018
【図１１−４】
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【図１２】
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