(57)【要約】【課題】  ダークスポットが発生し難い有機ＥＬパネル及びその有機ＥＬパネルの製造方法を提供する。【解決手段】  少なくとも第一電極と有機層と第二電極とを有する積層体をガラス基板に形成する。有機層を形成する工程は、電子輸送性材料及び前記電子輸送性材料よりも高い結晶化温度を有する耐熱性材料を含む電子輸送層を形成する工程と、電子輸送層を加熱処理する工程とを有する。加熱処理は、電子輸送性材料の結晶化温度よりも高い温度で行われる。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも第一電極と有機層と第二電極とを有する積層体をガラス基板に形成した有機ＥＬパネルであって、
前記有機層は、電子輸送性材料と前記電子輸送性材料よりも高い結晶化温度を有する耐熱性材料とを含む電子輸送層を有することを特徴とする有機ＥＬパネル。
【請求項２】
少なくとも第一電極と有機層と第二電極とを有する積層体をガラス基板に形成した有機ＥＬパネルであって、
前記有機層は、正孔輸送性材料と前記正孔輸送性材料よりも高い結晶化温度を有する耐熱性材料とを含む正孔輸送層を有することを特徴とする有機ＥＬパネル。
【請求項３】
少なくとも第一電極と有機層と第二電極とを有する積層体をガラス基板に形成する有機ＥＬパネルの製造方法であって、
前記有機層を形成する工程は、電子輸送性材料及び前記電子輸送性材料よりも高い結晶化温度を有する耐熱性材料を含む電子輸送層を形成する工程と、前記電子輸送層を加熱処理する工程と、を有することを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項４】
前記加熱処理は、前記電子輸送性材料の結晶化温度よりも高い温度で行われることを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項５】
少なくとも第一電極と有機層と第二電極とを有する積層体をガラス基板に形成する有機ＥＬパネルの製造方法であって、
前記有機層を形成する工程は、正孔輸送性材料及び前記正孔輸送性材料よりも高い結晶化温度を有する耐熱性材料を含む正孔輸送層を形成する工程と、前記正孔輸送層を加熱処理する工程と、を有することを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項６】
前記加熱処理は、前記正孔輸送性材料の結晶化温度よりも高い温度で行われることを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、第一電極と有機層と第二電極とを有する積層体をガラス基板に形成した有機ＥＬパネルと、その有機ＥＬパネルの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、有機ＥＬパネルが種々提案されており、例えば特許文献１に開示されている。有機ＥＬパネル１は、ガラス基板２上に積層体３を形成したものであり、この積層体３は、第一電極４，絶縁層５，有機層６，アルミニウム（Al）からなる第二電極７を有する（図７参照）。第一電極４は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなるものである。有機層６は、蒸着等の方法によって正孔輸送層６ａ，発光層６ｂ，電子輸送層６ｃ及び電子注入層６ｄを順次形成したものである（図８参照）。
【特許文献１】特開２００３−２８８９８４号公報
【０００３】
有機層６は封止ガラス８に覆われており、この封止ガラス８はガラス基板２に紫外線硬化性の接着剤９で固着されている。封止ガラス８によって形成された気密空間内に湿気があると有機層６が劣化するため、封止ガラス８にゲル状の吸湿剤１０を塗布して、気密空間内の湿気を吸収している。第一電極４は、陽極部４ａと、陰極端子部４ｂとを有している。有機層６は、陽極部４ａと第二電極７に挟持されており、第二電極７は、陰極端子部４ｂに電気的に接続されている。陽極部４ａ及び陰極端子部４ｂに電源を接続し、陽極部４ａと第二電極７の間に駆動電圧を印加することにより、有機層６の発光層６ｂが発光する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、例えば、電子輸送層６ｃの表面粗さが大きい場合、その電子輸送層６ｃ上に形成される電子注入層６ｄの膜厚が不均一になり、第二電極７と電子輸送層６ｃが短絡することがあり、その箇所がダークスポットと称される非発光部分になる虞があった。
本発明は、この問題に鑑みなされたものであり、ダークスポットが発生し難い有機ＥＬパネル及びその有機ＥＬパネルの製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、請求項１に記載したように、少なくとも第一電極と有機層と第二電極とを有する積層体をガラス基板に形成した有機ＥＬパネルであって、前記有機層は、電子輸送性材料と前記電子輸送性材料よりも高い結晶化温度を有する耐熱性材料とを含む電子輸送層を有するものである。
【０００６】
本発明は、請求項２に記載したように、少なくとも第一電極と有機層と第二電極とを有する積層体をガラス基板に形成した有機ＥＬパネルであって、前記有機層は、正孔輸送性材料と前記正孔輸送性材料よりも高い結晶化温度を有する耐熱性材料とを含む正孔輸送層を有するものである。
【０００７】
また、本発明は、請求項３に記載したように、少なくとも第一電極と有機層と第二電極とを有する積層体をガラス基板に形成する有機ＥＬパネルの製造方法であって、前記有機層を形成する工程は、電子輸送性材料及び前記電子輸送性材料よりも高い結晶化温度を有する耐熱性材料を含む電子輸送層を形成する工程と、前記電子輸送層を加熱処理する工程と、を有するものである。
【０００８】
また、本発明は、請求項４に記載したように、前記加熱処理は、前記電子輸送性材料の結晶化温度よりも高い温度で行われるものである。
【０００９】
また、本発明は、請求項５に記載したように、少なくとも第一電極と有機層と第二電極とを有する積層体をガラス基板に形成する有機ＥＬパネルの製造方法であって、前記有機層を形成する工程は、正孔輸送性材料及び前記正孔輸送性材料よりも高い結晶化温度を有する耐熱性材料を含む正孔輸送層を形成する工程と、前記正孔輸送層を加熱処理する工程と、を有するものである。
【００１０】
また、本発明は、請求項６に記載したように、前記加熱処理は、前記正孔輸送性材料の結晶化温度よりも高い温度で行われるものである。
【発明の効果】
【００１１】
電子輸送層または正孔輸送層を高温で加熱処理することができ、電子輸送層または正孔輸送層の平滑度が向上するため、第二電極と電子輸送層の短絡または正孔輸送層と電子輸送層の短絡が発生する虞が少ない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の一実施形態を添付の図面に基づいて説明する。図１乃至図５は、第一実施形態を示すものである。
有機ＥＬパネル１１は、ガラス基板１２上に積層体１３を形成すると共に、封止ガラス１４を設けたものである。積層体１３は、第一電極１７，絶縁層１８，リブ部１９，有機層２０，第二電極２１を有している。
【００１３】
第一電極１７は、酸化インジウム（In２O３）と酸化スズ（SnO２）の混合物であるＩＴＯ（Indium
Tin Oxide）からなるものであり、スパッタリング等の手段によって基板１２に形成されている。第一電極１７は、所定間隔をあけて配置された縦方向のストライプ状の陽極部１７ａと、第二電極２１の陰極部２１ａに導通される陰極端子部１７ｂとを有している。
【００１４】
絶縁層１８は、ポリイミド系の絶縁材料からなるものであり、フォトリソグラフィー法等の手段によって形成されている。絶縁層１８は、有機層２０よりも広い領域に形成されており、マトリクス状に配置された画素に対応する矩形の開口１８ａと、陰極端子部１７ｂと陰極部２１ａを電気的に接続させるコンタクトホール１８ｂとを有している。
【００１５】
リブ部１９は、フェノール系の絶縁材料からなるものであり、フォトリソグラフィー法等の手段によって形成されている。リブ部１９は、絶縁層１８上に形成されており、逆テーパ形状になっている。リブ部１９は、陽極部１７ａと直交する方向に平行線状に設けられており、有機層２０及び第二電極２１をストライプ状に分断する。
【００１６】
有機層２０は、トリフェニルジアミン誘導体（ＴＰＤ）等の正孔輸送性材料からなる正孔輸送層２０ａと、出光興産株式会社製の商品名「IDE120」等の発光層材料からなる発光層２０ｂと、トリキノリノレートアルミニウム（Alq3）等の電子輸送性材料及びチッソ株式会社製の商品名「Chisso
ET」等の耐熱性材料からなる電子輸送層２０ｃと、フッ化リチウム（LiF）からなる電子注入層２０ｄとから構成されている（図４参照）。第二電極２１は、アルミニウム（Al）からなるものであり、リブ部１９によって、第一電極１７の陽極部１７ａに直交する方向のストライプ状に分断され、陰極部２１ａが形成されている。
【００１７】
封止ガラス１４は、エッチング等の方法によって形成された凹部１４ａを有しており、紫外線硬化性の接着剤２２によって、ガラス基板１２に接合されている。封止ガラス１４の凹部１４ａには、酸化カルシウム，活性アルミナ等の吸湿粉粒体をフッ素系オイル等の不活性液体中に混合してなるゲル状の吸湿剤２５が塗布されている。
【００１８】
次に、図５に基づいて、積層体１３の製造方法について説明する。先ず、ガラス基板１２上にスパッタリング法で形成されたＩＴＯ（Indium Tin Oxide）をパターニングすることによって、陽極部１７ａ及び陰極端子部１７ｂからなる第一電極１７を形成する（ステップＳ１０）。次に、フォトリソグラフィー法等の手段によって、開口１８ａ及びコンタクトホール１８ｂのパターンを有する絶縁層１８を形成する（ステップＳ２０）。次に、絶縁層１８上に形成された絶縁材料をフォトリソグラフィー法等の手段によってパターニングすることによってリブ部１９を形成する（ステップＳ３０）。
【００１９】
次に、正孔輸送層２０ａ，発光層２０ｂ，電子輸送層２０ｃ及び電子注入層２０ｄを順次蒸着することによって有機層２０を形成する（ステップ４０）。有機層形成工程（ステップ４０）は、正孔輸送層形成工程（ステップＳ４１），発光層形成工程（ステップＳ４２），電子輸送層形成工程（ステップＳ４３），加熱処理工程（ステップＳ４４），電子注入層形成工程（ステップＳ４５）からなっている。加熱処理工程（ステップＳ４４）は、電子輸送層２０ｃを形成した後に電子輸送層２０ｃを加熱処理するものであり、前記電子輸送性材料の結晶化温度よりも高い温度（例えば８０℃）で所定時間（例えば１０分間）行われる。次に、アルミニウム（Al）を蒸着して、第二電極２１を形成する（ステップＳ５０）。
【００２０】
図６は第二実施形態を示すフロー図である。第二実施形態は、正孔輸送層２０ａの材料及び有機層２０の製造工程が異なるだけであり、有機ＥＬパネル１１の構造は第一実施形態と同様である。
【００２１】
正孔輸送層２０ａは、トリフェニルジアミン誘導体（ＴＰＤ）等の正孔輸送性材料及びアリールアミン誘導体（α−ＮＰＤ）等の耐熱性材料からなるものである。有機層形成工程（ステップＳ６０）は、正孔輸送層形成工程（ステップＳ６１），加熱処理工程（ステップＳ６２），発光層形成工程（ステップＳ６３），電子輸送層形成工程（ステップＳ６４），電子注入層形成工程（ステップＳ６５）からなっている。加熱処理工程は、正孔輸送層２０ａを形成した後に正孔輸送層２０ａを加熱処理するものであり、前記正孔輸送性材料の結晶化温度よりも高い温度で行われる。
【００２２】
第一，第二実施形態によれば、電子輸送層２０ｃまたは正孔輸送層２０ａを高温で加熱処理し、電子輸送層２０ｃまたは正孔輸送層２０ａの表面粗さを良好にすることができ、陰極部２１ａと電子輸送層６ｃの短絡または正孔輸送層６ａと電子輸送層６ｃの短絡が発生する虞が少ない。
なお、本発明は、本実施形態に限定されるものではなく、例えば、電子輸送層２０ｃ及び正孔輸送層２０ａの材料は適宜選択することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の第一実施形態を示す正面図。
【図２】同上実施形態を示す断面図。
【図３】同上実施形態を示す断面図。
【図４】同上実施形態を示す有機層の拡大正面図。
【図５】同上実施形態を示すフロー図。
【図６】本発明の第二実施形態を示すフロー図。
【図７】従来例を示す断面図。
【図８】同上従来例を示す有機層の拡大断面図。
【符号の説明】
【００２４】
１１    有機ＥＬパネル
１２    ガラス基板
１３    積層体
１４    封止ガラス
１７    第一電極
１７ａ  陽極部
１７ｂ  陰極端子部
２０    有機層
２０ａ  正孔輸送層
２０ｂ  発光層
２０ｃ  電子輸送層
２０ｄ  電子注入層
２１    第二電極
２１ａ  陰極部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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