(57)【要約】【課題】  優れたＳ／Ｎ比を有し、高記録密度化が可能な垂直磁気記録媒体、その製造方法および磁気記憶装置を提供する。【解決手段】  基板１１と、基板１１上に、軟磁性裏打ち層１２、配向制御層１３、下地層１４、中間層１５、記録層１６、保護膜２０、および潤滑層２１が順に積層して構成される。垂直磁気記録媒体１０は、記録層１６が中間層１５側から、第１磁性層１８および第２磁性層１９が順に積層して構成される。第１磁性層１８および第２磁性層１９の各々の基板面に対して垂直方向に沿って磁界を印加したときの磁化曲線の保磁力と同等の印加磁界強度における傾きをα1、α2とし、各々の異方性磁場をＨk1、Ｈk2とすると、α1＜α2、かつＨk1＜Ｈk2の関係を有する。【選択図】  図１
2006286106.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、記録層とを備える垂直磁気記録媒体であって、
前記記録層は、前記基板側から第１の磁性層および第２の磁性層が順次積層されてなり、
前記第１の磁性層および第２の磁性層は、各々、基板面に対して略垂直方向に磁化容易軸を有し、強磁性材料からなる複数の磁性粒子と、該磁性粒子を互いに離隔する非磁性材料からなる非固溶相からなり、
前記第１の磁性層および第２の磁性層の各々の基板面に対して垂直方向に沿って磁界を印加したときの磁化曲線の保磁力と同等の印加磁界強度における傾きをα1、α2とし、前記第１の磁性層および第２の磁性層の各々の異方性磁場をＨk1、Ｈk2とすると、
前記第１の磁性層および第２の磁性層は、α1＜α2、かつＨk1＜Ｈk2の関係を有することを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
前記強磁性材料がＣｏＣｒＰｔまたはＣｏＣｒＰｔ−Ｍからなり、該Ｍは、Ｂ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｕおよびこれらの合金からなる群のうち少なくとも１種の材料からなり、
前記第２の磁性層は、第１の磁性層よりも、Ｐｔ含有量が多く、かつＣｒ含有量が少ないことを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項３】
基板と、記録層とを備える垂直磁気記録媒体であって、
前記記録層は、前記基板側から第１の磁性層および第２の磁性層が順次積層されてなり、
前記第１の磁性層および第２の磁性層は、各々、基板面に対して略垂直方向に磁化容易軸を有し、強磁性材料からなる複数の磁性粒子と、該磁性粒子を互いに離隔する非磁性材料からなる非固溶相からなり、
前記強磁性材料がＣｏＣｒＰｔまたはＣｏＣｒＰｔ−Ｍからなり、該Ｍが、Ｂ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｕおよびこれらの合金からなる群のうち少なくとも１種の材料からなり、
前記第１の磁性層および第２の磁性層はＰｔ含有量が互いに略同等であり、
前記第２の磁性層は、第１の磁性層よりも、Ｃｏ含有量が多く、かつＣｒ含有量が少ないことを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項４】
前記第２の磁性層は、第１の磁性層よりも膜厚が小さいことを特徴とする請求項１〜３のうち、いずれか一項記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項５】
磁気ヘッドを有する記録再生手段と、
請求項１〜４のうち、いずれか一項記載の垂直磁気記録媒体と、を備える磁気記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録媒体および磁気記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記憶装置、例えば、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）装置では、垂直記録ヘッドと２層垂直磁気記録媒体の組合わせによる垂直磁気記録方式が次世代の磁気記録方式として盛んに検討されている。
【０００３】
２層垂直磁気記録媒体は、基板上に軟磁性裏打ち層と垂直磁化膜の記録層からなる２層の磁性層を有する。このような２層垂直磁気記録媒体の開発課題の一つとして、軟磁性裏打ち層と記録層の各々から発生する媒体ノイズの低減が挙げられている。
【０００４】
軟磁性裏打ち層は低保磁力の軟磁性材料から形成されている。軟磁性裏打ち層の媒体ノイズとして、軟磁性裏打ち層に磁区が形成され、磁区の磁壁が移動することで生じるスパイクノイズが問題となっている。スパイクノイズの発生防止のため、例えば、反磁性層あるいは高保磁力の磁性層を軟磁性裏打ち層に隣接して形成する手法が提案されている。
【０００５】
一方、記録層に関しては、近年、ＣｏＰｔ系合金の柱状の結晶粒子が酸化物により離隔された、いわゆる柱状グラニュラ構造の記録層が媒体ノイズを低減し得るものとして注目を浴びている。この柱状グラニュラ構造の記録層を有する２層垂直磁気記録媒体においては、記録層の下地となる中間層を含めて、材料、構造、プロセス等様々な改良手法が試みられている（例えば特許文献１参照。）
【特許文献１】特開２００３−２１７１０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、様々な媒体ノイズ低減手法が提案されてきたが、これまでの手法では媒体ノイズが充分に低減されていないという問題がある。その原因として、グラニュラ構造の記録層では、媒体ノイズを構成するＤＣイレーズノイズと転移性ノイズが、記録層の磁気特性に対し相反する変化傾向を持つ場合がある。このようなことが媒体ノイズの低減を困難化している原因の一つとして挙げられる。なお、ＤＣイレーズノイズは、記録層に直流磁界を印加して一方向に磁化させた場合に発生するノイズであり、記録層の磁気的な一様性が劣るとＤＣイレーズノイズが増加する。また、転移性ノイズは高記録密度で記録した際に顕著に発生するノイズで、互いに反対向きに磁化した隣接する磁化領域の境界（磁化遷移領域）の乱れ等により発生する。転移性ノイズは、磁性粒子間の静磁気的相互作用および交換相互作用が大きい場合、または磁性粒子サイズの分散が大きい場合に増加する。
【０００７】
そこで、本発明は上記問題点に鑑みてなされたもので、本発明の目的は、優れたＳ／Ｎ比を有し、高記録密度化が可能な垂直磁気記録媒体および磁気記憶装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一観点によれば、基板と、記録層とを備える垂直磁気記録媒体であって、前記記録層は、前記基板側から第１の磁性層および第２の磁性層が順次積層されてなり、前記第１の磁性層および第２の磁性層は、各々、基板面に対して略垂直方向に磁化容易軸を有し、強磁性材料からなる複数の磁性粒子と、該磁性粒子を互いに離隔する非磁性材料からなる非固溶相からなり、前記第１の磁性層および第２の磁性層は、前記第１の磁性層および第２の磁性層の各々の基板面に対して垂直方向に沿って磁界を印加したときの磁化曲線の保磁力と同等の印加磁界強度における傾きをα1、α2とし、前記第１の磁性層および第２の磁性層の各々の異方性磁場をＨk1、Ｈk2とすると、Ｈk1＜Ｈk2、かつα1＜α2の関係を有することを特徴とする垂直磁気記録媒体が提供される。
【０００９】
本発明によれば、第１の磁性層の磁化曲線の傾きα1を第２磁性層の磁化曲線の傾きα2よりも小さく設定することにより、第１の磁性層は第２の磁性層よりも媒体ノイズが低い特性を有するので、記録層全体の媒体ノイズを低減できる。
【００１０】
さらに、α1＜α2の関係のみでは上述のように媒体ノイズを低減できるが、再生分解能が低下し、さらに記録層に記録された磁化の熱安定性が低下する傾向がある。そこで、Ｈk1＜Ｈk2の関係、すなわち、第２の磁性層の異方性磁場Ｈk2を第１の磁性層の異方性磁場Ｈk1よりも大きく設定する。これにより低媒体ノイズの好ましい特性を維持しつつ、良好な再生分解能と、記録された磁化の優れた熱安定性を合わせ備えることができる。すなわち、第２の磁性層の異方性磁場Ｈk2を第１の磁性層の異方性磁場Ｈk1よりも大きく設定することで、第２の磁性層自体の磁化遷移領域長さが短くなる。そして、第１の磁性層の磁性粒子は各々、第２の磁性層の磁性粒子と強磁性結合しているので、第２の磁性層の磁性粒子の各々の磁化方向に平行に第１の磁性層の磁性粒子の磁化方向が決まる。したがって、第１の磁性層の磁化遷移領域長さは、第２の磁性層の磁化遷移領域長さと同程度となる。したがって、再生分解能は低下せずむしろ向上する。また、記録された磁化の熱安定性については、Ｈk1＜Ｈk2の関係より、第２の磁性層単体の記録された磁化の熱安定性は第１の磁性層単体の記録された磁化の熱安定よりも優れている。第１の磁性層の磁性粒子は各々、第２の磁性層の磁性粒子と強磁性結合しているので、第１の磁性層の記録された磁化の熱安定性も向上し、記録層全体の記録された磁化の熱安定が高まる。
【００１１】
よって、本発明の垂直磁気記録媒体は、優れたＳ／Ｎ比を有し、高記録密度において良好な再生分解能と記録された磁化の優れた熱安定性を合わせ備える。したがって、高記録密度化が可能な垂直磁気記録媒体が実現できる。
【００１２】
本発明の他の観点によれば、磁気ヘッドを有する記録再生手段と、上記いずれかの垂直磁気記録媒体とを備える磁気記憶装置が提供される。
【００１３】
本発明によれば、優れたＳ／Ｎ比を有し、高記録密度化が可能な磁気記憶装置が実現できる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、優れたＳ／Ｎ比を有する垂直磁気記録媒体、その製造方法および磁気記憶装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下図面を参照しつつ実施の形態を説明する。
【００１６】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る第１例の垂直磁気記録媒体の概略断面図である。
【００１７】
図１を参照するに、第１例の垂直磁気記録媒体１０は、基板１１と、基板１１上に、軟磁性裏打ち層１２、配向制御層１３、下地層１４、中間層１５、記録層１６、保護膜２０、および潤滑層２１が順に積層して構成される。垂直磁気記録媒体１０は、記録層１６が中間層１５側から、第１磁性層１８および第２磁性層１９が順に積層して構成される。
【００１８】
基板１１は、例えば、プラスチック基板、結晶化ガラス基板、強化ガラス基板、Ｓｉ基板、アルミニウム合金基板などから構成され、垂直磁気記録媒体１０がテープ状である場合はポリエステル（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、耐熱性に優れたポリイミド（ＰＩ）などのフィルムを用いることができる。
【００１９】
軟磁性裏打ち層１２は、例えば、膜厚が１０ｎｍ〜２μｍであり、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃ、Ｂから選択された少なくとも１種類の元素を含む非晶質もしくは微結晶の軟磁性材料からなる。このような軟磁性材料としては、ＦｅＳｉ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＴａＣ、ＣｏＮｂＺｒ、ＣｏＺｒＴａ、ＣｏＣｒＮｂ、ＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＮｂ等が挙げられる。軟磁性裏打ち層１２は１層に限定されず、複数層を積層してもよい。
【００２０】
配向制御層１３は金属材料からなり、非晶質状態、微結晶状態、および結晶質状態のいずれでもよい。金属材料は、特に、結晶質状態で面心立方（ｂｃｃ）構造を有する材料であることが好ましい。このような金属材料としては、Ｔａ、Ｗ、Ｎｂ、Ｍｏ、およびこれらの金属元素を主成分とする材料が挙げられる。このような金属材料を用いることで、この上の下地層１４の結晶配向性を向上させる。すなわち、面心立方（ｆｃｃ）構造を有する下地層１４は（１１１）結晶面が基板面に平行に配向しその配向性が向上する。
【００２１】
下地層１４は、ｆｃｃ構造を有する結晶質の金属材料から構成される。ｆｃｃ構造は細密充填構造であるので、この上に形成される六方細密充填（ｈｃｐ）構造の中間層１５がエピタキシャル成長する際に格子整合性が良好となる。すなわち、下地層１４の（１１１）結晶面上に中間層１５の（００１）面が整合し、中間層１５は結晶性が良好な状態で成長する。
【００２２】
下地層１４の金属材料としては、ｆｃｃ構造を有するＮｉを主成分とする金属材料が好ましく、さらに、ＮｉとＦｅを含む材料が特に好ましい。このような材料としては、例えば、ＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＮｂが挙げられる。また、下地層１４の膜厚は、３ｎｍ〜１０ｎｍの範囲に設定されることが好ましい。
【００２３】
中間層１５は、ｈｃｐ構造を有する非磁性の金属材料から構成される。このような金属材料としては、Ｒｕ、Ｒｕを主成分とするＲｕ−Ｘ合金（Ｘ＝Ｃｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、およびＭｎのうち少なくとも１種の元素）、ＣｏＣｒ、ＣｏＣｒ合金が挙げられる。このような材料を用いることで、下地層１４との格子整合性が良好となり、良好な結晶性、（００１）結晶面の良好な配向性、および結晶粒子の均一性を有する。したがって、この上に形成される記録層１６の磁性粒子の結晶性、結晶配向性および磁性粒子の均一性を向上する。
【００２４】
また、ＲｕあるいはＲｕ−Ｘ合金は、その格子定数が第１磁性層１８に用いられるｈｃｐ構造を有するＣｏを主成分とする合金の格子定数と近接しているので、格子整合性が良好である。このため、中間層１５との界面付近の第１磁性層１８の磁性粒子の初期成長部の結晶性が良好となり、第１磁性層１８を薄膜化してもＳ／Ｎ比が劣化し難い。また、第１磁性層１８の磁性粒子の結晶性が良好となるので、その上の第２磁性層１９の磁性粒子の結晶性が向上する。
【００２５】
中間層１５の膜厚は、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲に設定されることが好ましい。中間層１５は厚い程、中間層１５の表面の結晶性が良好になるが、２０ｎｍを超えるといわゆるスペーシングロスが大きくなるため、再生出力が低下する傾向にある。
【００２６】
記録層１６は、中間層１５上に、第１磁性層１８および第２磁性層１９がこの順に積層されてなる。第１磁性層１８および第２磁性層１９は、柱状構造を有する磁性粒子と、磁性粒子を囲み、隣り合う磁性粒子を物理的に離隔する非磁性材料からなる非固溶相から構成される。すなわち、第１磁性層１８および第２磁性層１９は、いわゆる柱状グラニュラ構造を有する。磁性粒子は基板面に対して略垂直方向に延びている。また、非固溶相は、多数の磁性粒子の各々の間を充填するように形成されている。このような柱状グラニュラ構造は、スパッタ法等により強磁性材料と非磁性材料との複合材からなるスパッタターゲットを使用して自己組織的に形成される。なお、一つの磁性粒子は、その全体が単結晶領域からなることが理想的であるが、複数の単結晶領域を有してもよく、結晶粒界や結晶欠陥を有していてもよい。
【００２７】
第１磁性層１８および第２磁性層１９の強磁性材料は、Ｃｏ、ＣｏＣｒ、ＣｏＰｔ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔ、およびＣｏＣｒＰｔ−Ｍから選択される材料からなる。ここで、Ｍは、Ｂ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｕおよびこれらの元素の合金から選択される。このような強磁性材料を用いることにより、磁性粒子は基板面に対して略垂直方向に沿って磁化容易軸を有する。例えば、強磁性材料がｈｃｐ構造を有する場合は、磁性粒子はｃ軸が基板面に対して略垂直方向になるように結晶配向する。
【００２８】
非固溶相は、上記の強磁性材料と固溶しない、あるいは化合物を形成しない非磁性材料から構成される。このような非磁性材料は、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｙ、Ｔｉ、およびＭｇから選択されるいずれか１種の元素と、Ｏ、Ｎ、およびＣから選択される少なくともいずれか１種の元素との化合物からなる。このような非磁性材料としては、例えば、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5、ＺｒＯ2、Ｙ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＭｇＯなどの酸化物や、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮ、ＴａＮ、ＺｒＮ、ＴｉＮ、Ｍｇ3Ｎ2などの窒化物や、ＳｉＣ、ＴａＣ、ＺｒＣ、ＴｉＣなどの炭化物が挙げられる。このような非磁性材料からなる非固溶相によって、隣り合う磁性粒子が互いに物理的に離隔される。したがって、磁性粒子間に働く相互作用、例えば静磁気的相互作用および交換相互作用が低減され、媒体ノイズを低減することができる。また、非固溶相を構成する非磁性材料は、絶縁性材料であることが好ましい。これにより、強磁性を担う電子のトンネル効果を抑制でき、磁性粒子間の交換相互作用を低減することができる。
【００２９】
また、第２磁性層１９の磁性粒子は、各々、第１磁性層１８の磁性粒子の表面にエピタキシャル成長しているので、第１磁性層１８の磁性粒子と第２磁性層１９の磁性粒子とは略１対１に対応するように形成される。したがって、第１磁性層１８の磁性粒子と第２磁性層１９の磁性粒子とは互いに強磁性結合しており、各々の磁化は平行となる。
【００３０】
第１磁性層１８および第２磁性層１９は各々の磁気特性が下式（１）および（２）の関係を有する。
【００３１】
α1＜α2  …  （１）
Ｈk1＜Ｈk2  …  （２）
ここで、α1は第１磁性層１８の磁化曲線の傾き、α2は第２磁性層１９の磁化曲線の傾きである。また、Ｈk1は第１磁性層１８の異方性磁場、Ｈk2は第２磁性層１９の異方性磁場である。
【００３２】
第１磁性層１８および第２磁性層１９は上式（１）および（２）の関係を有することで、以下の作用および効果を有する。
【００３３】
上式（１）に示す磁化曲線の傾きα1、α2は、基板面に対して垂直方向に磁界を印加して、その方向に沿った磁化の大きさを測定した磁化曲線において、保磁力と略同等となる磁界強度での磁化曲線の傾きである。磁化曲線の傾きαは、保磁力と略同等となる磁界強度での磁化Ｍを磁界Ｈで微分したものであり、ＣＧＳ単位系でα＝４π×ｄＭ／ｄＨと表される。磁化曲線の傾きは、その磁性層の磁性粒子間の相互作用の大きさと関係があり、磁化曲線の傾きが小さいほど相互作用が小さく、その磁性層に起因する媒体ノイズが低下する傾向を有する。したがって、上式（１）の関係、すなわち、第１磁性層１８の磁化曲線の傾きα1を第２磁性層１９の磁化曲線の傾きα2よりも小さく設定することにより、第１磁性層１８は第２磁性層１９よりも媒体ノイズが低い特性を有する。その結果、記録層１６はその一部が媒体ノイズの低い層から構成されているので、記録層１６全体の媒体ノイズを低減できる。
【００３４】
さらに、上式（１）の関係のみでは上述のように媒体ノイズを低減できるが、磁化遷移領域長さが増加し再生分解能が低下する傾向にある。磁化遷移領域は、記録により形成された磁化領域と、その隣に形成された磁化領域との間に形成される領域である。磁化遷移領域は磁化方向が変化する領域であり、この領域の長さ（磁化遷移領域長さ）が増大すると、高記録密度での再生出力が低下する。すなわち、このような場合、再生出力の記録密度依存性が劣化し、再生分解能が低下する。
【００３５】
さらに、上式（１）の関係のみでは、記録層１６に記録された磁化の熱安定性が低下する傾向がある。すなわち、第１磁性層１８の磁性粒子内の相互作用が低下するため微視的な磁化の方向が熱によりランダムになり易くなり、全体の磁化の大きさが減少し易くなる。すなわち、磁化の熱安定性が低下する。
【００３６】
そこで、上式（２）の関係、すなわち、第２磁性層１９の異方性磁場を第１磁性層１８の異方性磁場よりも大きく設定する。これにより低媒体ノイズの好ましい特性を維持しつつ、良好な再生分解能と、記録された磁化の優れた熱安定性を合わせ備えることができる。すなわち、第２磁性層１９の異方性磁場Ｈk2を第１磁性層１８の異方性磁場Ｈk1よりも大きく設定することで、第２磁性層１９自体の磁化遷移領域長さが短くなる。そして、上述したように第１磁性層１８の磁性粒子は各々、第２磁性層１９の磁性粒子と強磁性結合しているので、第２磁性層１９の磁性粒子の各々の磁化方向に平行に第１磁性層１８の磁性粒子の磁化方向が決まる。したがって、第１磁性層１８の磁化遷移領域長さは、第２磁性層１９の磁化遷移領域長さと同程度となる。したがって、再生分解能は低下せずむしろ向上する。
【００３７】
また、記録された磁化の熱安定性については、上式（２）の関係により、第２磁性層１９の異方性磁場が第１磁性層１８の異方性磁場よりも大きいので、第２磁性層１９単体の記録された磁化の熱安定性は第１磁性層１８単体の記録された磁化の熱安定よりも優れている。第１磁性層１８の磁性粒子は各々、第２磁性層１９の磁性粒子と強磁性結合しているので、第１磁性層１８の記録された磁化の熱安定性も向上し、記録層１６全体の記録された磁化の熱安定が高まる。
【００３８】
また、第２磁性層１９は第１磁性層１８よりも記録ヘッド（不図示）に近接しているので、印加される記録磁界強度は第２磁性層１９の方が大きくなる。したがって、異方性磁場がより大きい第２磁性層１９を記録ヘッド側に設けることで、第１磁性層１８と第２磁性層１９とを逆に積層した場合よりも再生分解能やオーバーライト特性が向上する。
【００３９】
よって、垂直磁気記録媒体１０は、低媒体ノイズの好ましい特性を維持しつつ、良好な再生分解能と、記録された磁化の優れた熱安定性を合わせ備えることができる。
【００４０】
さらに、第１磁性層１８は、低媒体ノイズの点で、異方性磁場Ｈk1が８ｋＯｅ〜１３ｋＯｅの範囲に設定されることが好ましい。さらに、第１磁性層１８は、低媒体ノイズの点で、磁化曲線の傾きα1が１．０〜２．０の範囲に設定されることが好ましい。
【００４１】
また、第２磁性層１９は、高分解能と、書込み性能および記録された磁化の熱安定性が優れている点で、異方性磁場Ｈk2が１０ｋＯｅ〜１５ｋＯｅの範囲に設定されることが好ましい。さらに、第２磁性層１９は、書込み性能が優れている点で、磁化曲線の傾きα2が１．５〜３．０の範囲に設定されることが好ましい。
【００４２】
上式（１）と（２）の関係は、具体的には、第１磁性層１８および第２磁性層１９の強磁性材料に、以下の組成の関係を有する材料を用いることで具体化される。
【００４３】
磁化曲線の傾きαは、例えば第１磁性層１８および第２磁性層１９の強磁性材料にＣｏＣｒＰｔを含む材料を用いた場合、Ｃｒ含有量を増加させることで低下する。例えば、第１磁性層１８のＣｒ含有量を第２磁性層１９のＣｒ含有量よりも多く設定することで、第１磁性層１８および第２磁性層１９は上式（１）の関係を有するようになる。
【００４４】
異方性磁場は、例えば、第１磁性層１８および第２磁性層１９の強磁性材料にＣｏＣｒＰｔを含む材料を用いた場合、Ｐｔ含有量を増加させることで増加できる。例えば第２磁性層１９のＰｔ含有量を第１磁性層１８のＰｔ含有量よりも多く設定することで、第１磁性層１８および第２磁性層１９は上式（２）の関係を有するようになる。
【００４５】
また、異方性磁場は、第１磁性層１８および第２磁性層１９の強磁性材料にＣｏＣｒＰｔを含む材料を用いた場合、Ｐｔ含有量を略同等に設定し、Ｃｏ含有量を増加させることで増加できる。すなわち、第１磁性層１８および第２磁性層１９のＰｔ含有量を略同等に設定し、かつ第２磁性層１９のＣｏ含有量を第１磁性層１８のＣｏ含有量よりも多く設定することで、第１磁性層１８および第２磁性層１９は上式（２）の関係を有するようになる。なお、異方性磁場は、第１磁性層１８および第２磁性層１９における非磁性材料の含有率（モル分率）によっても制御可能である。非磁性材料の含有率を低減することで、異方性磁場を増加できる。
【００４６】
第１磁性層１８および第２磁性層１９の強磁性材料がＣｏＣｒＰｔあるいはＣｏＣｒＰｔ−Ｍからなる場合は、例えば、Ｃｏ含有量が５０原子％〜８０原子％、Ｐｔ含有量が１２原子％〜３０原子％、Ｍ濃度が０原子％よりも多くかつ２０原子％以下、残りがＣｒ含有量となるように設定する。
【００４７】
特に、第１磁性層１８および第２磁性層１９の強磁性材料は以下のような組成がより好ましい。第２磁性層１９のＰｔ含有量を１５原子％〜２５原子％に設定し、第１磁性層１８のＰｔ含有量を第２磁性層１９よりも少なく設定する。そして、第１磁性層１８のＣｒ含有量を第２磁性層１９よりも多く設定する。このように設定することで、第１磁性層１８および第２磁性層１９は上式（１）および（２）の関係を有し、低媒体ノイズ、高再生分解能、および記録された磁化の優れた熱安定性を合わせ備えることができる。
【００４８】
第１磁性層１８および第２磁性層１９の非固溶相の非磁性材料はモル分率が４モル％〜１６モル％の範囲に設定されることが好ましく、６モル％〜１６モル％の範囲に設定されることがより好ましい。非磁性材料のモル分率が４モル％未満では、磁性粒子同士が結合し易くなり磁性粒子同士が充分に離隔されないので媒体ノイズが増加する。また、非磁性材料のモル分率が１６モル％を超えると、単位体積当たりの飽和磁化の減少により再生出力の低下が著しくなり、さらにエピタキシャル成長を阻害するようになる。
【００４９】
第１磁性層１８および第２磁性層１９の膜厚は、３ｎｍ〜２０ｎｍの範囲に設定されることが好ましく、６ｎｍ〜１２ｎｍの範囲に設定されることがより好ましい。
【００５０】
また、第２磁性層１９は、第１磁性層１８よりも膜厚が小さい方が好ましい。第２磁性層１９は第１磁性層１８よりも異方性磁場が大きいため、転移性ノイズが増加する傾向があるが、第２磁性層１９の膜厚を薄くすることで、転移性ノイズを低減し媒体ノイズをさらに低減できる。
【００５１】
保護膜２０は、例えば膜厚が０．５ｎｍ〜１５ｎｍであり、アモルファスカーボン、水素化カーボン、窒化カーボン、および酸化アルミニウム等から選択される材料により構成される。なお、保護膜２０はその材料に特に制限はない。
【００５２】
潤滑層２１は、例えば膜厚が０．５ｎｍ〜５ｎｍのパーフルオロポリエーテルが主鎖の潤滑剤などにより構成される。潤滑剤としては、例えば、末端基が−ＯＨやピペロニル基等からなるパーフルオロポリエーテルを用いることができる。なお、潤滑層２１は、保護膜２０の材料に応じて設けてもよく、設けなくともよい。
【００５３】
第１例の垂直磁気記録媒体は、記録層１６の第１磁性層１８と第２磁性層１９とが、上式（１）および（２）の関係を有するので、媒体ノイズが低く、優れたＳ／Ｎ比を有する。また、記録層１６は、高記録密度において良好な再生分解能と、記録された磁化の優れた熱安定性を合わせ備える。したがって、高記録密度化が可能な垂直磁気記録媒体が実現できる。
【００５４】
次に、図１を参照しつつ、第１の実施の形態に係る垂直磁気記録媒体の製造方法を説明する。
【００５５】
最初に、基板１１の表面を洗浄・乾燥後、基板１１上に上述した軟磁性裏打ち層１２を、無電解めっき法、電気めっき法、スパッタ法、真空蒸着法等により形成する。具体的には、ＤＣマグネトロン法によりＡｒガス雰囲気中で、例えば圧力０．５Ｐａに設定して成膜する。成膜の際、基板１１の加熱は行わない方が好ましい。
【００５６】
次いで、軟磁性裏打ち層１２上に、スパッタ装置を用いて、配向制御層１３、下地層、中間層１５を順次形成する。具体的には、ＤＣマグネトロン法によりＡｒガス雰囲気中で、例えば圧力０．５Ｐａに設定して成膜する。成膜の際、基板１１の加熱は行わない方が好ましい。
【００５７】
次いで、中間層１５上に、スパッタ装置を用いて、上述した強磁性材料と非磁性材料からなるスパッタターゲットを用いて、第１磁性層１８および第２磁性層１９を形成する。具体的には、ＤＣあるいはＲＦマグネトロン法により、上述した磁性材料と非磁性材料を複合化したスパッタターゲットを用い、不活性ガス雰囲気で、例えば圧力２．００Ｐａ〜８．００Ｐａ（好ましくは２．００Ｐａ〜３．９９Ｐａ）に設定して第１磁性層１８および第２磁性層１９を順次成膜する。なお、第１磁性層１８および第２磁性層１９の成膜の際、非磁性材料が酸素を含む場合は不活性ガスに酸素を添加してもよく、非磁性材料が窒素を含む場合は不活性ガスに窒素を添加してもよい。
【００５８】
なお、第１磁性層１８および第２磁性層１９の形成は、磁性材料からなるスパッタターゲットと、非磁性材料からなるスパッタターゲットを用いて、これらのスパッタターゲットを同時にスパッタして行ってもよい。
【００５９】
次いで、第２磁性層１９上に、スパッタ法、ＣＶＤ法、ＦＣＡ（Ｆｉｌｔｅｒｅｄ  Ｃａｔｈｏｄｉｃ  Ａｒｃ）法等を用いて保護膜２０を形成する。なお、ＣＶＤ法により保護膜を形成する場合は、材料ガスとして、メタンガスやエチレンガス等の炭化水素ガスを用いる。
【００６０】
なお、上述したシード層１２を形成する工程から保護膜２０を形成する工程までは、工程間は真空あるいは不活性ガス雰囲気中に保持することが、成膜した層の表面の清浄性を保持できる点で好ましい。
【００６１】
次いで、保護膜２０の表面に潤滑層２１を形成する。潤滑層２１は、浸漬法、スピンコート法等を用いて、潤滑剤を溶媒で希釈した希釈溶液を塗布する。以上により、第１例の垂直磁気記録媒体が形成される。
【００６２】
次に第１の実施の形態に係る第２例の垂直磁気記録媒体について説明する。第２例の垂直磁気記録媒体は第１例の垂直磁気記録媒体の変形例である。
【００６３】
図２は、第１の実施の形態に係る第２例の垂直磁気記録媒体の概略断面図である。図中、先に説明した部分に対応する部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。
【００６４】
図２を参照するに、第２例の垂直磁気記録媒体３０は、基板１１と、基板１１上に、軟磁性裏打ち層３２、配向制御層１３、下地層１４、中間層１５、第１磁性層１８および第２磁性層１９からなる記録層１６、保護膜２０、および潤滑層２１が順に積層して構成される。垂直磁気記録媒体３０は、軟磁性裏打ち層３２が基板１１側から第１軟磁性層３３、非磁性結合層３４、第２軟磁性層３５が順に積層して構成される。垂直磁気記録媒体３０は、軟磁性裏打ち層３２が異なる以外は、第１例の垂直磁気記録媒体と同様に構成される。
【００６５】
軟磁性裏打ち層３２の第１軟磁性層３３および第２軟磁性層３５は、図１に示す軟磁性裏打ち層と同様の材料から選択されて構成される。また、非磁性結合層３４は、例えばＲｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｕ系合金、Ｒｈ系合金、Ｉｒ系合金等のいずれから構成される。非磁性結合層３４の膜厚は、０．５ｎｍ〜１．０ｎｍの範囲に設定される。非磁性結合層３４がこの膜厚の範囲に設定されることにより、第１軟磁性層３３と第２軟磁性層３５とは非磁性結合層３４を介して、各々の磁化が互いに反強磁性的に交換結合している。軟磁性裏打ち層３２がこのようないわゆる積層フェリ構造を有するので、第１軟磁性層３３および第２軟磁性層３５中に磁区の形成が抑制され、磁壁移動に起因するスパイクノイズを抑制できる。なお、図示を省略するが基板と第１軟磁性層３３との間にＣｒ、Ｔａ等の密着膜を設けてもよい。
【００６６】
第２例の垂直磁気記録媒体３０は、第１例の垂直磁気記録媒体と同様の効果を有し、さらにスパイクノイズを低減することによりいっそう媒体ノイズが低減され、優れたＳ／Ｎ比を有する。
【００６７】
なお、図１および図２に示す第１例および第２例の垂直磁気記録媒体１０、３０では、上述したように下地層１４を設けた方が好ましいが、省略してもよい。次に本実施の形態に係る垂直磁気記録媒体の実施例について説明する。
【００６８】
［実施例１］
実施例１の垂直磁気記録媒体は、図２に示す第２例の垂直磁気記録媒体と略同様の構成を有する。以下に具体的な構成を基板側から順に示す。
【００６９】
基板：ガラス基板
密着膜：Ｃｒ膜（５ｎｍ）
第１軟磁性層：ＣｏＮｂＺｒ膜（３０ｎｍ）
非磁性結合層：Ｒｕ膜（０．７ｎｍ）
第２軟磁性層：ＣｏＮｂＺｒ膜（３０ｎｍ）
配向制御層：Ｔａ膜（３ｎｍ）
下地層：ＮｉＦｅ膜（５ｎｍ）
中間層：Ｒｕ膜（１５ｎｍ）
第１磁性層：（Ｃｏ67Ｃｒ18Ｐｔ15）９０モル％−（ＳｉＯ2）１０モル％膜（８ｎｍ）
第２磁性層：（Ｃｏ70Ｃｒ15Ｐｔ15）９０モル％−（ＳｉＯ2）１０モル％膜（８ｎｍ）
保護膜：アモルファスカーボン膜（４ｎｍ）
潤滑層：パーフルオロポリエーテル（１ｎｍ）
なお、括弧内の数値は膜厚を示す。また、記録層の組成は、スパッタターゲットの組成を示している。
【００７０】
実施例１の垂直磁気記録媒体（Ｓ／Ｎ比測定用）の作製は以下のようにして行った。ＤＣマグネトロンスパッタ装置を用いて、洗浄したガラス基板を使用し、アルゴンガス雰囲気中で、圧力を密着膜から下地層の成膜では０．５Ｐａに設定し、中間層、第１磁性層、および第２磁性層の成膜では４Ｐａに設定し、成膜を行った。その際基板の加熱は行わなかった。次いで、保護膜はプラズマＣＶＤ装置によりエチレンガスとアルゴンガスを供給して形成し、潤滑層は浸漬法により形成した。
【００７１】
また、第１磁性層と第２磁性層の各々の磁気特性（異方性磁場、磁化曲線の傾き）を測定するため、以下の構成の垂直磁気記録媒体を作製した。上記の実施例１の垂直磁気記録媒体の構成のうち、密着膜〜第２軟磁性層を省略し、第１磁性層あるいは第２磁性層を有する構成とした。磁気特性測定用の垂直磁気記録媒体の作成条件は上記のＳ／Ｎ比測定用の垂直磁気記録媒体と同様である。また、次に説明する実施例２〜３、および比較例の垂直磁気記録媒体についても上記と同様の構成の磁気特性測定用の垂直磁気記録媒体を作製した。
【００７２】
［実施例２］
実施例２の垂直磁気記録媒体は、以下に示す第１磁性層および第２磁性層が異なる以外は、実施例１と同様の構成を有する。作製方法は実施例１と同様とした。
【００７３】
第１磁性層：（Ｃｏ67Ｃｒ18Ｐｔ15）９０モル％−（ＳｉＯ2）１０モル％膜（１１ｎｍ）
第２磁性層：（Ｃｏ77Ｃｒ8Ｐｔ15）９０モル％−（ＳｉＯ2）１０モル％膜（８ｎｍ）
［実施例３］
実施例３の垂直磁気記録媒体は、以下に示す第１磁性層および第２磁性層が異なる以外は、実施例１と同様の構成を有する。作製方法は実施例１と同様とした。
【００７４】
第１磁性層：（Ｃｏ65Ｃｒ20Ｐｔ15）９０モル％−（ＳｉＯ2）１０モル％膜（１１ｎｍ）
第２磁性層：（Ｃｏ75Ｃｒ10Ｐｔ15）９０モル％−（ＳｉＯ2）１０モル％膜（４ｎｍ）
［比較例］
本発明によらない比較例の垂直磁気記録媒体は、第１磁性層および第２磁性層の代わりに１層の記録層とした以外は、実施例１と同様の構成を有する。作製方法は実施例１と同様とした。
【００７５】
記録層：（Ｃｏ70Ｃｒ15Ｐｔ15）９０モル％−（ＳｉＯ2）１０モル％膜（１６ｎｍ）
図３は、実施例および比較例の垂直磁気記録媒体の特性図である。
【００７６】
図３を参照するに、実施例１〜３では、磁化曲線の傾きαは、上式（１）の関係、すなわち、第２磁性層が第１磁性層よりも大きくなっている。これは、実施例１〜３では、Ｃｒ含有量が第１磁性層の方が第２磁性層よりも多くなっているためである。
【００７７】
また、異方性磁場は、上式（２）の関係、すなわち、第２磁性層が第１磁性層よりも大きくなっている。これは、実施例１〜３では、Ｐｔ含有量が第１磁性層と第２磁性層とで同等の場合で、Ｃｏ含有量が第２磁性層の方が第１磁性層よりも多くなっているためである。
【００７８】
Ｓ／Ｎ比については、記録層が１層からなる比較例よりも、実施例１〜実施例３の方が大きく、第１磁性層および第２磁性層が上式（１）および（２）の関係を有することで、Ｓ／Ｎ比が向上することが確認できた。
【００７９】
さらに、実施例１〜実施例３において、実施例２および実施例３が実施例１よりもＳ／Ｎ比が大きい。これは、実施例２および実施例３では、第２磁性層の膜厚が第１磁性層の膜厚よりも小さく設定されているので、媒体ノイズが低減されたためである。
【００８０】
また、実施例２と実施例３とを比較すると、実施例３の方がＳ／Ｎ比が大きい。これは、第１磁性層および第２磁性層のそれぞれの異方性磁場が実施例３の方が実施例２よりも低下しているためである。実施例３の異方性磁場の低下は、実施例３の第１磁性層および第２磁性層のＣｒ含有量を増加させたことによるものである。
【００８１】
なお、異方性磁場の測定は、磁気特性測定用の垂直磁気記録媒体を使用して互いに直交する２軸の方向の磁化量を測定可能な振動試料型磁力計（ＶＳＭ）を用いて、磁化困難軸方向の磁化曲線を測定した。得られた困難軸方向の磁化曲線の略直線状の未飽和部分を原点を通る直線に線形近似し、その直線において磁化が飽和磁化と同等となる磁界強度の絶対値をHkとした。なお、第１磁性層および第２磁性層の異方性磁場の測定は別々に行った。
【００８２】
また、磁化曲線の傾きの測定は、磁気特性測定用の垂直磁気記録媒体を使用して基板面に対して垂直方向に磁界を印加して、これと同じ方向の磁化量を検出して磁化曲線を得た。そして、得られた磁化曲線の磁界強度が保磁力付近の磁化曲線の傾きαを求めた。磁化曲線の傾きαは、α＝４π×ｄＭ／ｄＨと表される。αはＣＧＳ単位系で無次元量である。
【００８３】
また、Ｓ／Ｎ比の測定は、Ｓ／Ｎ比測定用の垂直磁気記録媒体を使用して、市販のスピンスタンドと単磁極型記録素子とＧＭＲ素子からなる複合ヘッドを用いて測定した。線記録密度を７００ｋＦＣＩに設定して平均出力Ｖ（ｍＶ）を測定し、媒体ノイズＮｍ（ｍＶ）は、０．５MHzから記録周波数の２倍までの帯域のノイズ出力を積分し、回路ノイズ及びＧＭＲ素子起因のノイズを除いた条件で測定し、Ｓ／Ｎ比＝２０×ｌｏｇ（Ｖ／Ｎｍ）とした。
【００８４】
（第２の実施の形態）
図４は、本発明の第２の実施の形態に係る磁気記憶装置の要部を示す平面図である。図４を参照するに、磁気記憶装置６０は大略ハウジング６１からなる。ハウジング６１内には、スピンドル（図示されず）により駆動されるハブ６２、ハブ６２に固定され回転される垂直磁気記録媒体６３、アクチュエータユニット６４、アクチュエータユニット６４に取り付けられ垂直磁気記録媒体６３の半径方向に移動するアーム６５およびサスペンション６６、サスペンション６６に支持された磁気ヘッド６８が設けられている。
【００８５】
磁気ヘッド６８は、例えば、単磁極型記録ヘッドとＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ  Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子を備えた再生ヘッドから構成される。
【００８６】
単磁極型記録ヘッドは、垂直磁気記録媒体６３に記録磁界を印加するための、軟磁性材料からなる主磁極と、主磁極に磁気的に接続されたリターンヨークと、主磁極とリターンヨークに記録磁界を誘導するための記録用コイルなどから構成されている。単磁極型記録ヘッドは、主磁極から記録磁界を垂直磁気記録媒体６３に対して垂直方向に印加して、垂直磁気記録媒体６３の記録層に垂直方向の磁化を形成する。
【００８７】
また、再生ヘッドはＧＭＲ素子を備え、ＧＭＲ素子は、垂直磁気記録媒体６３の磁化が漏洩する磁界の方向を抵抗変化として感知して垂直磁気記録媒体６３の記録層に記録された情報を得ることができる。なお、ＧＭＲ素子の替わりにＴＭＲ（Ｆｅｒｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｔｕｎｎｅｌ  Ｊｕｎｃｔｉｏｎ  Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ）素子等を用いることができる。
【００８８】
垂直磁気記録媒体６３は、第１の実施の形態に係る第１例または第２例の垂直磁気記録媒体である。垂直磁気記録媒体６３は優れたＳ／Ｎ比を有し、高記録密度において良好な再生分解能と、記録された磁化の優れた熱安定性を合わせ備えるので、高記録密度化が可能な磁気記憶装置６０が実現する。
【００８９】
なお、本実施の形態に係る磁気記憶装置６０の基本構成は、図４に示すものに限定されるものではなく、磁気ヘッド６８は上述した構成に限定されず、公知の磁気ヘッドを用いることができる。また、本発明で用いる垂直磁気記録媒体６３は、磁気ディスクに限定されず磁気テープであってもよい。
【００９０】
本実施の形態によれば、磁気記憶装置６０は、高記録密度において良好な再生分解能と、記録された磁化の優れた熱安定性を合わせ備えるので、高記録密度化が可能となる。
【００９１】
以上本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明は係る特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【００９２】
なお、以上の説明に関してさらに以下の付記を開示する。
（付記１）基板と、記録層とを備える垂直磁気記録媒体であって、
前記記録層は、前記基板側から第１の磁性層および第２の磁性層が順次積層されてなり、
前記第１の磁性層および第２の磁性層は、各々、基板面に対して略垂直方向に磁化容易軸を有し、強磁性材料からなる複数の磁性粒子と、該磁性粒子を互いに離隔する非磁性材料からなる非固溶相からなり、
前記第１の磁性層および第２の磁性層の各々の基板面に対して垂直方向に沿って磁界を印加したときの磁化曲線の保磁力と同等の印加磁界強度における傾きをα1、α2とし、前記第１の磁性層および第２の磁性層の各々の異方性磁場をＨk1、Ｈk2とすると、
前記第１の磁性層および第２の磁性層は、α1＜α2、かつＨk1＜Ｈk2の関係を有することを特徴とする垂直磁気記録媒体。
（付記２）前記第１の磁性層および第２の磁性層は、前記強磁性材料が、ＣｏＣｒ、ＣｏＰｔ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔ−Ｍを含むＣｏ系合金からなる群のうちいずれか１種の材料からなり、該Ｍは、Ｂ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｕおよびこれらの合金からなる群のうち少なくとも１種の材料からなることを特徴とする付記１記載の垂直磁気記録媒体。
（付記３）前記強磁性材料がＣｏＣｒＰｔまたはＣｏＣｒＰｔ−Ｍからなり、該Ｍは、Ｂ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｕおよびこれらの合金からなる群のうち少なくとも１種の材料からなり、
前記第２の磁性層は、第１の磁性層よりも、Ｐｔ含有量が多く、かつＣｒ含有量が少ないことを特徴とする付記１記載の垂直磁気記録媒体。
（付記４）基板と、記録層とを備える垂直磁気記録媒体であって、
前記記録層は、前記基板側から第１の磁性層および第２の磁性層が順次積層されてなり、
前記第１の磁性層および第２の磁性層は、
各々、基板面に対して略垂直方向に磁化容易軸を有し、強磁性材料からなる複数の磁性粒子と、該磁性粒子を互いに離隔する非磁性材料からなる非固溶相からなり、
前記強磁性材料がＣｏＣｒＰｔまたはＣｏＣｒＰｔ−Ｍからなり、該Ｍが、Ｂ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｕおよびこれらの合金からなる群のうち少なくとも１種の材料からなり、
前記第２の磁性層は、第１の磁性層よりも、Ｐｔ含有量が多く、かつＣｒ含有量が少ないことを特徴とする垂直磁気記録媒体。
（付記５）基板と、記録層とを備える垂直磁気記録媒体であって、
前記記録層は、前記基板側から第１の磁性層および第２の磁性層が順次積層されてなり、
前記第１の磁性層および第２の磁性層は、各々、基板面に対して略垂直方向に磁化容易軸を有し、強磁性材料からなる複数の磁性粒子と、該磁性粒子を互いに離隔する非磁性材料からなる非固溶相からなり、
前記強磁性材料がＣｏＣｒＰｔまたはＣｏＣｒＰｔ−Ｍからなり、該Ｍが、Ｂ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｕおよびこれらの合金からなる群のうち少なくとも１種の材料からなり、
前記第１の磁性層および第２の磁性層はＰｔ含有量が互いに略同等であり、
前記第２の磁性層は、第１の磁性層よりも、Ｃｏ含有量が多く、かつＣｒ含有量が少ないことを特徴とする垂直磁気記録媒体。
（付記６）前記第２の磁性層は、第１の磁性層よりも膜厚が小さいことを特徴とする付記１〜５のうち、いずれか一項記載の垂直磁気記録媒体。
（付記７）前記非磁性材料が、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｙ、およびＭｇからなる群のうちいずれか１種の元素と、Ｏ、Ｃ、およびＮからなる群のうち少なくともいずれか１種の元素との化合物であることを特徴とする付記１〜６のうち、いずれか一項記載の垂直磁気記録媒体。
（付記８）前記基板と記録層との間に軟磁性裏打ち層をさらに備え、
前記軟磁性裏打ち層は、２つの軟磁性層と、該２つの軟磁性層が挟む非磁性結合層を有し、該２つの軟磁性層が反強磁性的に交換結合してなることを特徴とする付記１〜７のうち、いずれか一項記載の垂直磁気記録媒体。
（付記９）磁気ヘッドを有する記録再生手段と、
付記１〜７のうち、いずれか一項記載の垂直磁気記録媒体と、を備える磁気記憶装置。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る第１例の垂直磁気記録媒体の概略断面図である。
【図２】第１の実施の形態に係る第２例の垂直磁気記録媒体の概略断面図である。
【図３】実施例および比較例の垂直磁気記録媒体の特性図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態に係る磁気記憶装置の要部を示す平面図である。
【符号の説明】
【００９４】
１０、６３    垂直磁気記録媒体
１１    基板
１２、３２    軟磁性裏打ち層
１３    配向制御層
１４    下地層
１５    中間層
１６    記録層
１８    第１磁性層
１９    第２磁性層
２０    保護膜
２１    潤滑層
３３    第１軟磁性層
３４    非磁性結合層
３５    第２軟磁性層
６０    磁気記憶装置
【図１】
2006286106.tif 000003
【図２】
2006286106.tif 000004
【図３】
2006286106.tif 000005
【図４】
2006286106.tif 000006