(57)【要約】【課題】  低周波帯において遮蔽性能が改善されてノイズの侵入を防止し、ワイヤーハーネスとの統合化を図ることができる同軸ケーブル及び手間をかけずに低費用で遮蔽性能を評価することができる同軸ケーブルの遮蔽性能評価方法を提供する。【解決手段】  絶縁体４で被覆された内部導体３の外周に外部導体層１７が設けられ、その外周にシース７が設けられた同軸ケーブル１５において、前記外部導体層１７が、絶縁体４の外周に設けられ、遮蔽抵抗が３５ｍΩ／ｍ以下に設定された１層の主導体層１８と、その外周に設けられ、外部導体層１７全体の遮蔽抵抗を３ｍΩ／ｍ〜６．５ｍΩ／ｍまで低減させる１層の補助導体層１９とからなる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体で被覆された内部導体の外周に外部導体層が設けられた同軸ケーブルにおいて、前記外部導体層の遮蔽抵抗が３ｍΩ／ｍ〜６．５ｍΩ／ｍに設定されていることを特徴とする同軸ケーブル。
【請求項２】
前記外部導体層が複数層設けられていることを特徴とする請求項１記載の同軸ケーブル。
【請求項３】
前記外部導体層が、絶縁体の外周に設けられ、遮蔽抵抗が３５ｍΩ／ｍ以下に設定された１層又は複数層の主導体層と、その外周に設けられ、外部導体層全体の遮蔽抵抗を３ｍΩ／ｍ〜６．５ｍΩ／ｍまで低減させる１層又は複数層の補助導体層とからなることを特徴とする請求項２記載の同軸ケーブル。
【請求項４】
前記補助導体層を形成する素線の径が０．５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項３記載の同軸ケーブル。
【請求項５】
前記補助導体層が素線又は撚線の撚り合わせ体からなり、前記撚り合わせ体のピッチが遮蔽層外径の６倍〜６０倍であることを特徴とする請求項３記載の同軸ケーブル。
【請求項６】
前記撚り合わせ体のピッチが遮蔽層外径の７倍〜４０倍であることを特徴とする請求項５記載の同軸ケーブル
【請求項７】
絶縁体で被覆された内部導体の外周に外部導体層が設けた同軸ケーブルの遮蔽性能評価方法において、前記外部導体層の遮蔽抵抗を測定又は算出することにより遮蔽性能を評価することを特徴とする同軸ケーブルの遮蔽性能評価方法。
【請求項８】
前記外部導体層の遮蔽抵抗を測定又は算出し、得られた遮蔽抵抗が６．５ｍΩ／ｍ以下であるか否かを基準にして遮蔽性能を評価することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の同軸ケーブルの遮蔽性能評価方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、自動車等の車両内の信号伝送（例えば、ラジオ、モニター画像等）に使用される同軸ケーブル及びその遮蔽性能評価方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の一般的な同軸ケーブルは、図１０、１１に示すような構成になっている。図１１に示す同軸ケーブル１は、絶縁体４で被覆された内部導体（中心導体）３の外周に、１層の外部導体層（遮蔽層）５が設けられ、その外周にシース（外被）７が設けられたものである。また、図１０に示す同軸ケーブル２は、絶縁体４で被覆された内部導体３の外周に、遮蔽性能を改善するために、２層の外部導体層５、６が設けられ、その外周にシース７が設けられたものである。外部導体層５、６は、複数本の金属素線を網目状に編組したもの、複数本の金属素線を横巻きしたもの、金属箔、金属テープ又はプラスチックテープの片面に金属蒸着層をラミネートした複合テープを縦添え又は横巻きしたもの等が使用される（特許文献１参照）。
【０００３】
また、同軸ケーブル１、２の遮蔽性能評価方法としては、一般に国際標準ＩＥＣ６１１９６に定められた伝達インピーダンス法が用いられている。この方法は、図１３に示すような伝達インピーダンス測定装置８を用い、その金属パイプ９内に、規定長さｌの同軸ケーブル１、２を挿入し、発信器１０側から電流を流し、外部導体層５、６を流れる外部電磁界との結合により発生した内部導体３の電圧を測定し、その出力電圧Ｕ２と入力電圧Ｕ１との比を演算し、スペクトラムアナライザ１１で周波数に対する伝達インピーダンスを読み取る方法である。この伝達インピーダンスが小さいほど、外部導体層５、６の遮蔽性能が改善されることを意味する。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−２１４１３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
自動車等の車両内の信号伝送（例えば、ラジオ、モニター画像等）に使用される同軸ケーブル１、２は、車両内に配索されたワイヤーハーネスやオルタネータ、モータ等のノイズ源から生じるノイズの影響を受けやすい。ノイズの影響は、ラジオ、テレビ、ナビゲーション等の音声、画像信号を乱し、雑音、画像のちらつき等となってあらわれるため、従来の同軸ケーブル１、２はノイズ源となるワイヤーハーネス（Ｗ／Ｈ）から離れた別の経路に配索させていた。
【０００６】
近年、車両室内の拡大化の傾向に伴い、配線材の配索経路が制限されたり、配索スペースが削減されたりする傾向にあり、同軸ケーブルをワイヤーハーネスに隣接配置して、同軸ケーブル１、２とワイヤーハーネスとの統合化が求められている。両者の統合化を行うと、従来、問題視されなかった低周波帯であるＬＷ帯（１５３〜２７９ｋＨｚ）、ＡＭラジオで使用されるＡＭ帯（５２２〜１７１０ｋＨｚ）、ＳＷ帯（２．９４〜２１．９７５ＭＨｚ）、ＦＭ帯（７６〜１０８ＭＨｚ）にもノイズ源からノイズが侵入してくる恐れがあり、このため、低周波帯（ＬＷ帯〜ＦＭ帯）において同軸ケーブルの遮蔽性能を改善することが必要になってくる。
【０００７】
しかしながら、現在、低周波帯において遮蔽性能が改善された同軸ケーブルを開発する設計方法が確立されていない。このため、従来の同軸ケーブル１、２は、低周波帯において遮蔽性能が改善されておらず、低周波帯において、ノイズが侵入する恐れがあり、同軸ケーブルをワイヤーハーネスに隣接配置（併設）してワイヤーハーネスとの統合化を図ることが困難であった。また、このような同軸ケーブルを開発する場合には、同軸ケーブルの遮蔽性能を評価する必要があるが、従来の伝達インピーダンス法による遮蔽性能評価方法は、伝達インピーダンス測定装置８が高価なこと、同軸ケーブルのサンプルを試行錯誤で多数試作する必要があること、伝達インピーダンスの測定に手間（労力、時間）がかかること等により、遮蔽性能評価方法に費用がかかるという問題があった。
【０００８】
本発明は上記課題を解決し、低周波帯において遮蔽性能が改善されてノイズの侵入を防止し、ワイヤーハーネスとの統合化を図ることができる同軸ケーブル及び手間をかけずに低費用で遮蔽性能を評価することができる同軸ケーブルの遮蔽性能評価方法の提供を目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の請求項１記載の発明は、絶縁体で被覆された内部導体の外周に外部導体層が設けられた同軸ケーブルにおいて、前記外部導体層の遮蔽抵抗が３ｍΩ／ｍ〜６．５ｍΩ／ｍに設定されていることを特徴とするものである。
【００１０】
本発明の請求項２記載の発明は、請求項１記載の同軸ケーブルにおいて、前記外部導体層が複数層設けられていることを特徴とするものである。
【００１１】
本発明の請求項３記載の発明は、請求項２記載の同軸ケーブルにおいて、前記外部導体層が、絶縁体の外周に設けられ、遮蔽抵抗が３５ｍΩ／ｍ以下に設定された１層又は複数層の主導体層と、その外周に設けられ、外部導体層全体の遮蔽抵抗を３ｍΩ／ｍ〜６．５ｍΩ／ｍまで低減させる１層又は複数層の補助導体層とからなることを特徴とするものである。
【００１２】
本発明の請求項４記載の発明は、請求項３記載の同軸ケーブルにおいて、前記補助導体層を形成する素線の径が０．５ｍｍ以下であることを特徴とするものである。
【００１３】
本発明の請求項５記載の発明は、請求項３記載の同軸ケーブルにおいて、前記補助導体層が素線又は撚線の撚り合わせ体からなり、前記撚り合わせ体のピッチが遮蔽層外径の６倍〜６０倍であることを特徴とするものである。
【００１４】
本発明請求項６記載の発明は、請求項３記載の同軸ケーブルにおいて、前記補助導体層が素線又は撚線の撚り合わせ体からなり、前記撚り合わせ体のピッチが遮蔽層外径の７〜４０倍であることを特徴とするものである。
【００１５】
本発明の請求項７記載の発明は、絶縁体で被覆された内部導体の外周に外部導体層が設けた同軸ケーブルの遮蔽性能評価方法において、前記外部導体層の遮蔽抵抗を測定又は算出することにより遮蔽性能を評価することを特徴とするものである。
【００１６】
本発明の請求項８記載の発明は、請求項１乃至６のいずれかに記載の同軸ケーブルの遮蔽性能評価方法であって、請求項７記載の評価方法において、前記外部導体層の遮蔽抵抗を測定又は算出し、得られた遮蔽抵抗が６．５ｍΩ／ｍ以下であるか否かを基準にして遮蔽性能を評価することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の請求項１記載の同軸ケーブルによると、外部導体層の遮蔽抵抗が３ｍΩ／ｍ〜６．５ｍΩ／ｍに設定されているので、低周波帯において遮蔽性能が改善されて、ノイズの侵入を防止し、ワイヤーハーネスとの統合化を図ることができる。また外部導体層の遮蔽性能の評価が簡単になるので、遮蔽性能の優れた同軸ケーブルを容易に設計して開発することができる。
【００１８】
本発明の請求項２記載の同軸ケーブルによると、前記外部導体層が複数層設けられているので、外部導体層の遮蔽抵抗を容易に低減させ、遮蔽性能の改善を図ることができる。
【００１９】
本発明の請求項３記載の同軸ケーブルによると、外部導体層が主導体層と補助導体層からなるので、外部導体層の遮蔽抵抗を調整する場合には、外側に位置する補助導体層の遮蔽抵抗を変更して、外部導体層の遮蔽抵抗を測定又は算出すればよい。従って、遮蔽抵抗の調整が容易になり、外部導体層の遮蔽抵抗を所望の抵抗値に的確に、且つ、速やかに設定することができる。また、主導体層の遮蔽抵抗が３５ｍΩ／ｍ以下に設定されているので、主導体層が絶縁体の外周に一様にむらなく被覆されて遮蔽性能がばらつかず安定し、遮蔽性能を改善し易くなる。更に、補助導体層の遮蔽抵抗の調整幅を広く取れるので、外部導体層全体の遮蔽抵抗を６．５ｍΩ／ｍ以下に調整することが容易になる。
【００２０】
本発明の請求項４記載の同軸ケーブルによると、０．５ｍｍ以下の導体径の導体を用いて補助導体層を形成することにより遮蔽性能をさらに向上させることが可能となる。補助導体層の素線径に拠らず、遮蔽抵抗値を６．５ｍΩ／ｍ以下にすることだけで、ワイヤーハーネスへの組み込みが可能になるが、０．５ｍｍ以下とすることで目標値に対してさらに１０％の遮蔽性能を改善することが可能となる。遮蔽性能改善により、さらに信頼性が高く、ノイズに強いケーブルを得ることができる。
【００２１】
本発明の請求項５記載の同軸ケーブルによると、遮蔽層外径Ｄ（図９（ｂ）参照）の３〜６０倍のピッチで補助導体層を形成することにより生産効率が確保でき、補助導体層の不良を防止することができる。さらに、請求項６記載の同軸ケーブルのように、遮蔽外径の７〜４０倍のピッチで補助導体層を形成することにより、可撓性を向上させるとともに、高周波帯(数ＭＨｚ以上)遮蔽性能をさらに向上させることが可能となる。また、長ピッチ化により作製速度が向上するため、作製コストを削減することができる。しかし、製作コストが抑えられる一方、大幅にピッチを長くすると、ケーブル自体の可撓性が悪化するだけでなく、屈曲時に撚りピッチの乱れや隙間が発生し特性が悪化するという欠点があるが、遮蔽層外径の７倍〜４０倍のピッチとすることで、Ｗ／Ｈ組込に必要な可撓性を維持したままケーブルを作成することが出来、高周波での遮蔽性能を向上させるだけでなく作製コストを削減することが可能となる。
【００２２】
本発明の請求項７記載の同軸ケーブルの遮蔽性能評価方法によると、外部導体層の遮蔽性能を評価する基準として、伝達インピーダンスではなく、遮蔽抵抗（導体電気抵抗）を用いるので、その遮蔽抵抗を安価な測定装置を用いて簡単、且つ、正確に測定することができる。また、必ずしも同軸ケーブルのサンプルを試作して測定する必要がなく、外部導体層のサンプルだけ試作して測定することもできる。また、同軸ケーブル又は外部導体層のサンプルを試作する代わりに、数式計算により算出することもできる。更に、同軸ケーブル又は外部導体層のサンプルを試作する場合でも、数式計算により予測される遮蔽抵抗のサンプルを試作すればよいので、サンプルを試行錯誤して多数試作する必要がなくなる。従って、同軸ケーブルの遮蔽性能の評価を従来の伝達インピーダンス法よりも手間をかけることなく能率よく低費用で行うことができる。
【００２３】
本発明の請求項８記載の同軸ケーブルの遮蔽性能評価方法によると、前記外部導体層の遮蔽抵抗を測定又は算出し、得られた遮蔽抵抗が６．５ｍΩ／ｍ以下であるか否かを基準にして遮蔽性能を評価するようにしたので、低周波帯において同軸ケーブルの遮蔽性能が改善されているかどうかの評価を的確に行うことができ、低周波帯において遮蔽性能が改善された同軸ケーブルの設計、開発、試験、検査等に大きく寄与することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
次に本発明の好ましい実施形態を図面に基づき詳細に説明する。図１は本発明に係る同軸ケーブル１５の１実施形態を示す斜視図である。なお、従来の同軸ケーブルと同一構成のものには同一符号が付してある。
【００２５】
本実施形態の同軸ケーブル１５は、絶縁体４で被覆された内部導体（中心導体）３の外周に、外部導体層１７が設けられ、その外周にシース７が設けられている。外部導体層１７は、絶縁体４の外周に、これを一様に、即ち、後記金属素線、金属テープ等の間に隙間が出来ないように密着させて設けられ、遮蔽抵抗が３５ｍΩ／ｍ以下に設定された１層の主導体層１８と、その外周に設けられ、外部導体層１７全体の遮蔽抵抗を３ｍΩ／ｍ〜６．５ｍΩ／ｍまで低減させる１層の補助導体層１９とから構成されている。補助導体層１９は、外部導体層１７の遮蔽抵抗を調整する機能を備えるものであるから、主導体層１８に示すように一様に覆うのではなく、金属素線、テープ等の間に周方向に１箇所又は複数箇所にわたり隙間が形成されるように設けてもよい。また、さらに遮蔽性能を改善させるためには、補助導体層を形成する導体の径を０．５ｍｍ以下にすることでワイヤーハーネスに組み入れるために必要な遮蔽性能よりも１０％性能向上させることが可能となる。性能向上により、信頼性が高くノイズに強いケーブルを得ることができる。さらに、補助導体層のピッチを遮蔽層外径の７〜４０倍程度とすることで、高周波の遮蔽性能を改善させるだけでなく、低コストで可撓性にも優れるケーブルを得ることが出来る。
【００２６】
外部導体層１７を構成する主導体層１８及び補助導体層１９は、複数本の金属素線を網目状に編組したもの、複数本の金属素線を同方向若しくは交互に横巻きし（撚り合わせ）たもの、又は内部導体３の長手方向に沿って縦添えしたもの、金属箔、金属テープ又はプラスチックテープの片面に金属蒸着層をラミネートした複合テープを縦添え又は横巻きし（撚り合わせ）たもの等で構成される。主導体層１８及び補助導体層１９は前記したような１層ではなく、複数層設けるようにしてもよい。
【００２７】
低周波帯において遮蔽性能が改善された同軸ケーブル１５の設計、開発、試験、検査等のために、その外部導体層１７の遮蔽性能を評価する場合には、その基準として伝達インピーダンスではなく遮蔽抵抗を用いる。その遮蔽抵抗を３ｍΩ／ｍ〜６．５ｍΩ／ｍに設定する場合には、内側に位置する主導体層１８の遮蔽抵抗を３５ｍΩ／ｍ以下の所定値に予め設定し、次に、外側に位置する補助導体層１９の遮蔽抵抗を適宜選択した同軸ケーブル１５又は外部導体層１７のサンプルを試作し、外部導体層１７の遮蔽抵抗を測定して遮蔽性能を評価する。その遮蔽抵抗の測定値が６．５ｍΩ／ｍよりも大きい場合には、その補助導体層１９を別の遮蔽抵抗を有する補助導体層１９に取り換えた同軸ケーブル１５又は外部導体層１７のサンプルを再度試作し、外部導体層１７の遮蔽抵抗を測定して遮蔽性能を再評価する。このような操作を必要回数行って、外部導体層１７の遮蔽抵抗を３ｍΩ／ｍ〜６．５ｍΩ／ｍに設定する。
【００２８】
外部導体層１７の遮蔽抵抗を測定する場合には、例えば、図２に示すような構造が簡単で安価な遮蔽抵抗測定装置２１を用いて測定することができる。即ち、所定長さの同軸ケーブル１５又は外部導体層１７のサンプルを試作して用意し、その両端をチャック等の把持部材２３で把持し、電源２５から把持部材２３を通して外部導体層１７に電流を流し、電気抵抗計２７で外部導体層１７の遮蔽抵抗（導体電気抵抗）を測定する。そして、得られた測定値が合否判定の基準である６．５ｍΩ／ｍ以下である場合には合格（遮蔽性能が改善されている）、６．５ｍΩ／ｍよりも大きい場合には不合格（遮蔽性能が改善されていない）と判定することにより、外部導体層１７の遮蔽性能を評価する。
【００２９】
外部導体層１７の遮蔽抵抗は、数式計算により算出することもできる。その計算式は式（１）に示す通りである。
【００３０】
ρ×１０２×１０−３    
Ｒ＝――――――――――×Ｌ・・・・・・・・・・・（１）
Ｓ×１０−２      
【００３１】
Ｒは外部導体層１７の遮蔽抵抗（ｍΩ／ｍ）、ρは金属素線の体積固有抵抗値（μΩ・ｃｍ）、Ｓは外部導体層１７の断面積（ｍｍ２）で、金属素線の本数をｎ、外径をｄｍｍ
とすると、ｎπｄ２／４、Ｌは外部導体層１７の長さ（ｍ）である。
【００３２】
そこで、外部導体層１７が、仮に外径０．３２ｍｍの軟銅素線の７本を横巻きし（撚り合わせて)構成された場合を想定すると、軟銅素線の体積固有抵抗値ρが１．７４２μΩ・ｃｍなので、遮蔽抵抗Ｒは式（１）による計算で、３０．９６ｍΩ／ｍとなる。このサイズの外部導体層１７を遮蔽抵抗測定装置２１で測定した場合には、遮蔽抵抗が３０．３４ｍΩ／ｍになるので、遮蔽抵抗Ｒの理論計算値が実測値によく一致する。
【００３３】
外部導体層１７が複数層、例えば、前記主導体層１８と補助導体層１９で構成される場合の遮蔽抵抗Ｒは、各層の遮蔽抵抗、即ち、主導体層１８の遮蔽抵抗Ｒ１と補助導体層１９の遮蔽抵抗Ｒ２を並列に接続した場合の合成抵抗の計算式を適用することができる。その計算式は式（２）に示す通りである。
【００３４】
１            
Ｒ＝―――――――――――・・・・・・・・・（２）
１／Ｒ１  ＋  １／Ｒ２    
【００３５】
前記外部導体層１７の遮蔽抵抗を３ｍΩ／ｍ〜６．５ｍΩ／ｍに設定した理由は次の理由によるものである。
【００３６】
図３は、横軸にノイズ侵入が問題視されている低周波帯、即ち、ＬＷ帯（１５３〜２７９ｋＨｚ）、ＡＭ帯（５２２〜１７１０ｋＨｚ）、ＳＷ帯（２．９４〜２１．９７５ＭＨｚ）の周波数（ＭＨｚ）及びＦＭ帯（７６〜１０８ＭＨｚ）、縦軸に伝達インピーダンス（ｍΩ／ｍ）を取り、周波数をＬＷ帯〜ＦＭ帯まで変化させたとき、外部導体層の伝達インピーダンスの目標性能値（Ｔ）と、外部導体層の異なる遮蔽抵抗（Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄ）に対する伝達インピーダンスとがそれぞれ変化する状態を示すものである。
【００３７】
図３において、Ｔは、従来一般的に用いられている同軸ケーブル（１．５Ｃ２Ｖ）の遮蔽性能に対し、ノイズレベルがＬＷ帯〜ＳＷ帯において２０ｄＢ以上、ＦＭ帯において１０ｄＢ以上低下するような遮蔽性能の改善が望まれるので、周波数をＬＷ帯〜ＦＭ帯まで変化させ、その要件（２０ｄＢ以上、１０ｄＢ以上の低下）を満たすように求めた外部導体層の伝達インピーダンスの目標性能値を示す曲線である。また、Ｒａは遮蔽抵抗が５．５ｍΩ／ｍ、Ｒｂは遮蔽抵抗が１０．１ｍΩ／ｍ、Ｒｃは遮蔽抵抗が１２．６ｍΩ／ｍ、Ｒｄは遮蔽抵抗が１８．３ｍΩ／ｍの場合に、周波数をＬＷ帯〜ＦＭ帯まで変化させ、求めた伝達インピーダンスの曲線である。
【００３８】
図３に示す伝達インピーダンスの曲線から分かるように、ＬＷ帯の下限値である１５０ｋＨｚ近傍において、外部導体層の伝達インピーダンスがその目標性能値（Ｔ）である２．７ｍΩ／ｍ以下であれば、低周波帯（ＬＷ帯〜ＦＭ帯）すべてにおいて、遮蔽性能を改善（向上）させることができる。外部導体層の遮蔽抵抗で言えば、遮蔽抵抗（Ｒａ）が５．５ｍΩ／ｍの場合には、ＬＷ帯〜ＦＭ帯のすべてにおいて、伝達インピーダンスが目標性能値（Ｔ）以下になり、遮蔽性能を改善することができる。しかしながら、外部導体層の遮蔽抵抗（Ｒｂ）が１０．１ｍΩ／ｍの場合には、ＡＭ帯〜ＦＭ帯において目標性能値Ｔより低くなり、遮蔽性能を改善することができるが、ＬＷ帯において目標性能値Ｔである２．７ｍΩ／ｍより高くなってしまうため、遮蔽性能を改善することができない。
【００３９】
そこで、上記知見に基づいて、１５０ｋＨｚ近傍における外部導体層の伝達インピーダンスと遮蔽抵抗との関係を実験により調査した結果、図４に示すように、伝達インピーダンスと遮蔽抵抗との間には強い相関関係のあることが分かる。そこで、伝達インピーダンスの目標性能値である２．７ｍΩ／ｍを遮蔽性能の合格ラインの上限とすると、２．７ｍΩ／ｍの伝達インピーダンスに相当する遮蔽抵抗が６ｍΩ／ｍ〜６．５ｍΩ／ｍになるので、６．５ｍΩ／ｍの遮蔽抵抗が遮蔽性能の合格ラインの上限となり、外部導体層の遮蔽抵抗が６．５ｍΩ／ｍ以下に設定されることにより、低周波帯（ＬＷ帯〜ＦＭ帯）において、遮蔽性能が改善され、ノイズ源からのノイズの侵入を確実に防止することができる。
ところで、遮蔽抵抗が低くなるほど遮蔽性能が大きく改善されて好ましいが、外部導体層の肉厚が増大し、同軸ケーブルの外径が大きくなってくる。そこで、経済的な観点から遮蔽抵抗の下限値が３ｍΩ／ｍに設定される。
【００４０】
前記外部導体層１７の主導体層１８の遮蔽抵抗を３５ｍΩ／ｍ以下に設定した理由は次の理由によるものである。即ち、図５に示すように、主導体層１８の遮蔽抵抗が３５ｍΩ／ｍを超えると、主導体層１８を絶縁体４の外周に一様にむらなく被覆するのが難しくなり、遮蔽性能にばらつきが生じて不安定になる。また、外部導体層１７全体の１５０ｋＨｚ近傍における伝達インピーダンスを２．７ｍΩ／ｍ以下、即ち、遮蔽抵抗を６．５ｍΩ／ｍ以下に下げることが難しくなり、遮蔽性能を容易に改善することができなくなる。これに対して、主導体層１８の遮蔽抵抗を３５ｍΩ／ｍ以下に設定すると、主導体層１８が絶縁体４の外周に一様にむらなく被覆されて遮蔽性能がばらつかず安定し、遮蔽性能を改善し易くなる。また、図６に示すように、主導体層１８の遮蔽抵抗に対して、補助導体層１９の遮蔽抵抗の調整幅を広く取れるので、外部導体層１７全体の遮蔽抵抗を６．５ｍΩ／ｍ以下に調整することが容易になる。
【００４１】
前記補助導体層１９の導体径を０．５ｍｍ以下にした理由は次の理由によるものである。図７に補助導体層を形成する素線径の変化に対して、１５０ｋＨｚにおける伝達インピーダンス値がどのように変化するかを示した。図には遮蔽性能２０ｄＢ改善を達成するための合格ライン（伝達インピーダンス値２．７ｍΩ／ｍ）と目標遮蔽性能値からさらに１０％（２２ｄＢ）遮蔽性能を向上させるための合格ライン（伝達インピーダンス値２．０ｍΩ／ｍ）も記載してある。これによると、素線径によらず目標性能値（Ｔ）である２０ｄＢ改善の合格ライン以下にすることができるが、０．５ｍｍ以下にすることにより目標性能値である２０ｄＢ改善よりも１０％の遮蔽性能向上した２２ｄＢ改善を達成することができ、さらに信頼性が高くノイズに強いケーブルを実現することが可能となる。
【００４２】
前記補助導体層（撚り合わせ体）１９のピッチを遮蔽層外径Ｄ（図９（ｂ）参照）の６倍〜６０倍とした理由は、ピッチを遮蔽層外径Ｄの６倍未満とすると製造速度が著しく低下し、生産効率を確保できなくなり、逆に６０倍を超えると製造自体が困難となり不良の発生率が増加するためである。従って、生産効率と不良発生率を両立させるためには前記ピッチは６倍〜６０倍にするのが望ましい。
【００４３】
前記補助導体層１９のピッチを遮蔽層外径Ｄ（図９（ｂ）参照）の７倍〜４０倍とした理由は、図８に示すように、ピッチが７倍以上になると高周波帯（１０ＭＨｚ付近）の遮蔽性能が大幅に改善でき、また製造コストが低減できるためであり、一方、ピッチが４０倍を超えると可撓性が悪化し、ケーブル製造自体も難しくなるためである。即ち、遮蔽性能、可撓性、コスト、作製容易性の４つを向上させるには、ピッチを遮蔽層外径Ｄの７倍〜４０倍にするのが望ましい。
図８は、補助導体ピッチ指数(遮蔽層外径を１とした場合のピッチ)と、Ｕ字屈曲特性、１０ＭＨｚにおける伝達インピーダンス値、及びコスト指数（現行同軸ケーブルの製造コストを１としたときの製造コスト）の関係を示したもので、Ｕ字屈曲特性（可撓性）はピッチ（指数）が低いほど向上することが分かる。
【００４４】
（実施形態１）
本実施形態の同軸ケーブル１５は、図９（ａ）に示すように、ポリエチレンで形成された外径１．６１ｍｍの絶縁体４で被覆された外径（線径）０．２６５ｍｍの軟銅線（単線）で出来た内部導体（中心導体）３の外周に、外部導体層１７が設けられ、その外周に厚さ０．５ｍｍに押出し成形されたポリ塩化ビニル製のシース７が設けられる。外部導体層１７は、絶縁体４の外周に一様に設けられた１層の主導体層１８とその外周に設けられた２層の補助導体層１９とから構成される。主導体層１８は、外径（線径）０．１０ｍｍの錫めっき軟銅線をピッチ１５ｍｍ、編組密度９７％で網目状に編組して構成され、遮蔽抵抗が２９ｍΩ／ｍに設定されている。補助導体層１９は、５８本の外径０．２６ｍｍの錫めっき軟銅線を６０ｍｍのピッチで同方向に内外２層に横巻きして（撚り合わせ)構成され、遮蔽抵抗が５．６４ｍΩ／ｍに設定される。主導体層１８及び補助導体層１９とを合わせた外部導体層１７全体の遮蔽抵抗は４．７４ｍΩ／ｍまで低減させることができた。
【００４５】
（実施形態２）
本実施形態の同軸ケーブル１５は、図９（ｂ）に示すように、補助導体層１９として、１９本の外径０．１８ｍｍの錫めっき軟銅線を撚り合わせた撚線を９本、主導体層１８の外周に６０ｍｍのピッチで同方向に横巻きし、遮蔽抵抗が３．８ｍΩ／ｍに設定されたものを用いる。その他の構成、サイズは実施形態１のものと同じである。この実施形態の外部導体層１７全体の遮蔽抵抗は３．３５ｍΩ／ｍまで低減させることができた。
【００４６】
（実施形態３）
本実施形態の同軸ケーブル１５は、図示省略するが、外部導体層１７が２層の主導体層１８と２層の補助導体層１９の計４層構造になっている。主導体層１８の１層目は、外径０．１ｍｍの錫めっき軟銅線をピッチ１５ｍｍ、編組密度９９％で網目状に編組し、２層目は、外径０．１ｍｍの錫めっき軟銅線をピッチ１５ｍｍ、編組密度９３％で網目状に編組し、補助導体層１９の１層目（主導体層１８の１層目から３層目に相当）は、外径０．１ｍｍの錫めっき軟銅線をピッチ１５ｍｍ、編組密度９３％で網目状に編組し、２層目（主導体層１８の１層目から４層目に相当）は、外径０．１ｍｍの錫めっき軟銅線をピッチ１５ｍｍ、編組密度８８％で網目状に編組したものである。その他の構成は実施形態１のものと同一である。この実施形態の外部導体層１７全体の遮蔽抵抗は６．４７ｍΩ／ｍまで低減させることができた。
【００４７】
本発明の同軸ケーブル１５は、上記実施形態のものから明らかなように、外部導体層１７の遮蔽抵抗が３ｍΩ／ｍ〜６．５ｍΩ／ｍに設定されているので、低周波帯において遮蔽性能が改善されて、ノイズの侵入を防止し、ワイヤーハーネスとの統合化を図ることができる。また外部導体層１７の遮蔽性能の評価が簡単になるので、遮蔽性能の優れた同軸ケーブルを容易に設計して開発することができる。
【００４８】
また、前記外部導体層１７が複数層設けられていると、外部導体層１７の遮蔽抵抗を容易に低減させ、遮蔽性能の改善を図ることができる。
【００４９】
更に、外部導体層１７が主導体層１８と補助導体層１９から構成されていると、外部導体層１７の遮蔽抵抗を調整する場合には、外側に位置する補助導体層１９の遮蔽抵抗を変更して、外部導体層１７の遮蔽抵抗を測定又は算出すればよい。従って、遮蔽抵抗の調整が容易になり、外部導体層１７の遮蔽抵抗を所望の抵抗値に的確に、且つ、速やかに設定することができる。また、主導体層１８の遮蔽抵抗が３５ｍΩ／ｍ以下に設定されていると、主導体層１８が絶縁体４の外周に一様にむらなく被覆されて遮蔽性能がばらつかず安定し、遮蔽性能を改善し易くなる。更に、補助導体層１９の遮蔽抵抗の調整幅を広く取れるので、外部導体層１７全体の遮蔽抵抗を６．５ｍΩ／ｍ以下に調整することが容易になる。また、補助導体層の素線径、ピッチを最適化することにより、更なる遮蔽性能の改善が出来ると共に、低コストでＷ／Ｈに組み込むのに充分な可撓性を持つケーブルを得ることが出来る。
【００５０】
本発明の同軸ケーブル１５の遮蔽性能評価方法は、外部導体層１７の遮蔽性能を評価する基準として、伝達インピーダンスではなく、遮蔽抵抗（導体電気抵抗）を用いるので、その遮蔽抵抗を安価な遮蔽抵抗測定装置２１を用いて簡単、且つ、正確に測定することができる。また、必ずしも同軸ケーブル１５のサンプルを試作して測定する必要がなく、外部導体層１７のサンプルだけ試作して測定することもできる。また、同軸ケーブル１５又は外部導体層１７のサンプルを試作する代わりに、数式計算により算出することもできる。更に、同軸ケーブル１５又は外部導体層１７のサンプルを試作する場合でも、数式計算により予測される遮蔽抵抗のサンプルを試作すればよいので、サンプルを試行錯誤して多数試作する必要がなくなる。従って、同軸ケーブル１５の遮蔽性能の評価を従来の伝達インピーダンス法よりも手間をかけずに能率よく低費用で行うことができる。
【００５１】
更に、上記遮蔽性能評価方法を使用する場合、前記外部導体層１７の遮蔽抵抗を測定又は算出し、得られた遮蔽抵抗が６．５ｍΩ／ｍ以下であるか否かを基準にして遮蔽性能を評価するようにすると、低周波帯において同軸ケーブル１５の遮蔽性能が改善されているかどうかの評価を的確に行うことができ、低周波帯において遮蔽性能が改善された同軸ケーブル１５の設計、開発、試験、検査等に大きく寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明に係る同軸ケーブルの１実施形態を示す斜視図である。
【図２】図１に示す同軸ケーブルの遮蔽性能を評価する遮蔽抵抗測定装置の概要図である。
【図３】周波数をＬＷ帯〜ＦＭ帯まで変化させたとき、外部導体層の伝達インピーダンスの目標性能値と、外部導体層の異なる遮蔽抵抗に対する伝達インピーダンスとがそれぞれ変化する状態を示す図である。
【図４】１５０ｋＨｚ近傍における外部導体層の伝達インピーダンスと遮蔽抵抗との関係を示す図である。
【図５】外部導体層の主導体層と伝達インピーダンスとの関係を示す図である。
【図６】外部導体層の主導体層の遮蔽抵抗と補助導体層の遮蔽抵抗との関係を示す図である。
【図７】補助導体層の素線径と伝達インピーダンスとの関係を示す図である。
【図８】補助導体層のピッチと伝達インピーダンス、可撓性、コストとの関係を示す図である。
【図９】（ａ）は本発明の同軸ケーブルの実施形態１を示す断面図、（ｂ）は実施形態２を示す断面図である。
【図１０】従来の同軸ケーブルを示す断面図である。
【図１１】従来の他の同軸ケーブルを示す断面図である。
【図１２】同軸ケーブルの伝達インピーダンス法による遮蔽性能評価方法を示す概要図である。
【符号の説明】
【００５３】
３      内部導体
４      絶縁体
７      シース
１５    同軸ケーブル
１７    外部導体層
１８    主導体層
１９    補助導体層
２１    遮蔽抵抗測定装置
２３    把持部材
２５    電源
２７    電気抵抗計
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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