(57)【要約】 【課題】  被処理物の電気的特性に関らず処理を可能にし、また被処理物の電気的ダメージを低減し、処理能力向上を実現するウェット処理装置を提供する。【解決手段】  ウェット処理装置３０は、第２流路４２内に設けられるラジカル生成手段４８に第２電界印加手段３５で周期的に電界を印加することによって、第２流路４２を流れる処理液にラジカル種を生成し、該ラジカル種を含有する処理液を第１流路４１に合流させて第１流路４１を流れる処理液に混合し、ノズル口４３から吐出して被処理物３１に供給する。第１流路４１を流れる処理液に対しても第１電界印加手段３４によって電界が印加されるので、ラジカル生成手段４８で生成されたラジカル種の濃度減少が抑制され、高濃度のラジカル種を含有する処理液３２を被処理物３１に供給することができ、高い効率でウェット処理を行うことができる。【選択図】      図２
2006269529.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理物と対向して配置されるノズルのノズル口から吐出される処理液によって被処理物を処理するウェット処理装置において、
ノズル内に形成されて処理液が流過する流路であって、流路の一端部が外方空間に臨んで開口して成るノズル口を有する第１流路と、
ノズル内に形成されて処理液が流過する流路であって、流路の一端部において第１流路に連通する第２流路と、
第１流路を流過する処理液と第２流路を流過する処理液とに接するように設けられて、第１および第２流路の内壁の少なくとも一部を成す共通電極と、
共通電極に対向するように設けられて第１流路の内壁の少なくとも一部を成す第１電極と、
共通電極に対向するように設けられて第２流路の内壁の少なくとも一部を成す第２電極と、
共通電極と第２電極とに挟持される電解促進触媒を有し、第２流路内に設けられて第２流路を流過する処理液を電気分解してラジカル種を生成し、処理液をラジカル種含有液とするラジカル生成手段と、
共通電極と第１電極との間に周期的に変化する電界を印加する第１電界印加手段と、
共通電極と第２電極との間に周期的に変化する電界を印加する第２電界印加手段とを含み、
ラジカル生成手段が第２流路を流過する処理液をラジカル種含有液とし、該ラジカル種含有液が第１流路を流過する処理液と混合されてノズル口から被処理物に対して供給されることを特徴とするウェット処理装置。
【請求項２】
第２電界印加手段は、
第２流路に供給される処理液の圧力変動に同期し、処理液の圧力が増加するとき、共通電極と第２電極との間に電界を印加することを特徴とする請求項１記載のウェット処理装置。
【請求項３】
第１電極および第２電極のいずれか一方または両方が、複数の電極を含んで成り、
複数の電極それぞれに第１または第２電界印加手段が接続され、共通電極との間に電界が印加されることを特徴とする請求項１または２記載のウェット処理装置。
【請求項４】
被処理物に対して供給される処理液がノズル口から吐出される吐出方向は、
被処理物が処理される被処理面の法線方向に対して傾斜角を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載のウェット処理装置。
【請求項５】
電解促進触媒が、
強酸性カチオン交換能または強塩基性アニオン交換能を有するイオン交換物質であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載のウェット処理装置。
【請求項６】
共通電極ならびに第１および第２電極のいずれか１つまたは２以上が、
金、白金、炭素、チタン、パラジウムおよびニッケルからなる群より選択される１種または２種以上を含んで成ることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載のウェット処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェット処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体用シリコン基板、液晶用ガラス基板などの洗浄には、ＲＣＡ洗浄法が用いられている。ＲＣＡ洗浄法は、ベースとする過酸化水素の高濃度水溶液中に、さらに硫酸、塩酸などの酸またはアンモニアなどのアルカリを高濃度で添加溶解し、高温に加熱した濃厚薬液に基板を浸漬することによって、基板に付着するパーティクル、有機物、金属、酸化膜などの除去対象物質を除去洗浄する方法である。
【０００３】
このＲＣＡ洗浄法では、除去対象物質の除去後に、基板に付着する薬液を洗い流すために用いるリンス水の廃水が発生する。この廃水の中には、薬液中に含まれる酸、アルカリ、基板表面から除去される汚染物などが含まれる。また洗浄装置中では、揮発成分、酸性ガスなどが発生する。これらは自然環境にとって好ましくない物質であることが多く、そのまま外部環境に廃棄できないので、これらを処理するための設備が必要になる。このように、ＲＣＡ洗浄法では、廃水の処理費用および廃水を処理するための設備の保守点検費用を要し、ランニングコストが増大するという問題がある。
【０００４】
最近では、半導体ウエハおよび液晶パネルのマザー基板の大型化が進むのに伴って洗浄工程において発生する廃液の量が増加する傾向にあり、廃液処理費用の高騰および環境負荷の増大が問題となっている。その一方で、半導体および液晶における回路のデザインルールが一層微細化し、半導体においては０．１μｍ以下のレベル、液晶においてもサブミクロンレベルまで実用化がなされている。回路のデザインルールが微細化されている半導体および液晶において、その製造歩留を向上させるには、洗浄工程における洗浄力のさらなる向上が必要とされる。
【０００５】
このような問題を解決し、低環境負荷かつ高洗浄力を両立する手段として、水分子を構成する酸素原子および水素原子から導かれるラジカル種を用いる方法がある。この方法は、洗浄水中でラジカル種を発生させ、ラジカル種を含む洗浄水を被処理物の表面に吐出して、被処理物の洗浄を実施するものである。酸素原子および水素原子から導かれるラジカル種としては、水素ラジカル（原子状水素）、酸素ラジカル（原子状酸素）、水酸基ラジカル、スーパーオキサイドラジカルなどが挙げられる。これらのラジカル種の特徴は、反応性が非常に高く、反応種と瞬時に反応し、水、水素ガス、酸素ガスなどに変化するので、環境への負荷がほとんどなく、また反応性が非常に高いので、数十ｐｐｍ程度の濃度でも充分な洗浄力を有することである。ラジカル種は、主に、水を電気分解することによって得られるので、薬液を使用する必要がなく、特別な処理を要する廃水および有害ガスが発生しないので、これらを処理する設備を必要としない。したがって、ラジカル種を用いる方法は、全般的に、クリーンでかつコストが低いという利点を有する。
【０００６】
このラジカル反応を利用したウェット処理に係る先行技術として、純水をラジカル活性化またはイオン形成し、被洗浄基板に噴射して洗浄する装置が提案されている（特許文献１参照）。
【０００７】
図８は、従来の洗浄装置１の構成を簡略化して示す図である。従来の洗浄装置１は、大略、純水をラジカル活性化またはイオン形成する電解イオン発生部２と、純水に超音波振動を印加する超音波発生手段３とを含んで構成される。洗浄装置１は、洗浄液を吐出するノズル４が備えられ、ノズル４の内部空間が２枚のＨ＋イオン交換膜５ａ，５ｂによって、２枚のＨ＋イオン交換膜５ａ，５ｂのそれぞれとノズル４の内壁とで形成される２つの第１空間６ａ，６ｂと、２枚のＨ＋イオン交換膜５ａ，５ｂの間に位置する第２空間７とに分けられる。
【０００８】
各Ｈ＋イオン交換膜５ａ，５ｂには、その両側にそれぞれ第１電極８と第２電極９とが配置される。この第１電極８をプラス（＋）電極１０に接続し、第２電極９をマイナス（−）電極１１に接続し、第１電極８と第２電極９との間に電界を印加し、液供給管１２を通じて第１および第２空間６，７へ供給される純水を電気分解することによってラジカル活性化またはイオン形成を行う。
【０００９】
洗浄装置１においては、第１空間６では、水の電気分解で発生する水酸基ラジカルを含む液が生成されるけれども、この水酸基ラジカルを含む液は洗浄に使用されることなく、送液管１３から排水される。一方第１空間７では、水の電気分解で発生する水素ラジカルを含む液が生成される。この水素ラジカルを含む液は、超音波発生手段３によって超音波振動が印加された後、ノズル４から被洗浄基板に対して噴射される洗浄液１４になる。
【００１０】
従来の洗浄装置１において、電解イオン発生部２では、たとえば水素ラジカルが生成されるが、水素ラジカルは非常に反応性に富むので、洗浄液中で他の水素ラジカルと反応して水素ガスなどの安定な物質として溶存し水素水となる。水素水は、超音波を印加することによって、再び水素ラジカルに分解されることが知られており、超音波を印加することによって生成する水素ラジカルを用いた微粒子除去効果を期待することができる。
【００１１】
しかしながら、たとえば１．２ｐｐｍの水素濃度に対し、水素ラジカル生成に利用されている水素は含有水素の１／１０程度でしかない。さらに、大気圧下における水素の飽和溶解濃度は１．６ｐｐｍ程度であること、また高い水素濃度の水素水を用いると、超音波の伝播効率の低下する現象が支配的となり、水素ラジカル濃度が逆に低下してしまうことなどから、水素水を用いた洗浄能力には一定の限界がある。
【００１２】
また、従来の洗浄装置１のような構成では、ノズル４から噴射された洗浄液が被洗浄物の表面に滞留する場合、滞留する洗浄液を除去することができないので、滞留する洗浄液に阻害されて新鮮な洗浄液が被洗浄物へ到達する割合が減少し、洗浄効率が低下するという問題がある。
【００１３】
図９は、もう一つの従来技術における電解加工装置２０による加工の概要を示す図である。ウェット処理に関するもう一つの従来技術では、被加工物２１である金属と加工電極２２との間にイオン交換体２３ａ、２３ｂを配置し、純水を供給しながらパルス電圧を印加して水を電気分解し、被加工物２１の表面を電解加工する装置および方法が開示されている（特許文献２参照）。
【００１４】
電解加工装置２０は、被加工物２１と、被加工物２１の加工面２１ａと反対側に被加工物２１に接して設けられる給電電極２４と、被加工物２１の加工面２１ａに対して所定の間隔を置いて対向する加工電極２２と、被加工物２１と加工電極２２との間に純水のイオン解離を促進するとともに通水性を有するイオン交換体２３ａ、２３ｂとを備える。
【００１５】
電解加工装置２０では、被加工物２１と加工電極２２との間に純水を供給しながら、給電電極２４を介して被加工物２１と加工電極２２との極間に電圧をパルス状に印加し、イオン交換体２３ａ，２３ｂ内に純水の流れを形成することによって、純水中の水分子を電気分解し、生成されたイオンまたはラジカル種を被加工物２１の表面に供給し、電気化学的反応によって、被加工物２１表面の加工を行なう。
【００１６】
しかしながら、電圧が印加される一方の電極が被加工物２１で構成されるので、ラジカル反応の処理対象物が金属の場合には有用であるけれども、該被加工物２１が半導体基板または液晶パネルなどの場合、電気的に破壊されてしまうなどの問題がある。
【００１７】
また、半導体基板または液晶パネル基板上の除去対象物、すなわち汚染微粒子、レジスト残渣、有機物由来の付着物などは、被洗浄物の部位および特性、たとえば導電電極、半導体膜、絶縁膜などに関らず付着するので、必ずしも電気的導電性を有するとは限らない。また、半導体および液晶パネルの製造工程において、洗浄対象である基板は必ずしも導電体、半導体であるとは限らない。さらに、半導体基板の電極部分は、一様な素材から成るのではなく、フォトリソグラフィーによって金属、半導体、絶縁体などが錯綜して形成された複雑な形状を有する。したがって、絶縁体基板、パターニングされた半導体および金属基板上の洗浄処理、レジスト残渣等の有機物除去処理に、従来の洗浄装置２０を適用することは困難である。
【００１８】
【特許文献１】特開平１０−１２８２４９号公報
【特許文献２】特開２００４−２１６５４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
本発明の目的は、被処理物の電気的特性に関らず処理を可能にし、また被処理物の電気的ダメージを低減し、処理能力向上を実現するウェット処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明は、被処理物と対向して配置されるノズルのノズル口から吐出される処理液によって被処理物を処理するウェット処理装置において、
ノズル内に形成されて処理液が流過する流路であって、流路の一端部が外方空間に臨んで開口して成るノズル口を有する第１流路と、
ノズル内に形成されて処理液が流過する流路であって、流路の一端部において第１流路に連通する第２流路と、
第１流路を流過する処理液と第２流路を流過する処理液とに接するように設けられて、第１および第２流路の内壁の少なくとも一部を成す共通電極と、
共通電極に対向するように設けられて第１流路の内壁の少なくとも一部を成す第１電極と、
共通電極に対向するように設けられて第２流路の内壁の少なくとも一部を成す第２電極と、
共通電極と第２電極とに挟持される電解促進触媒を有し、第２流路内に設けられて第２流路を流過する処理液を電気分解してラジカル種を生成し、処理液をラジカル種含有液とするラジカル生成手段と、
共通電極と第１電極との間に周期的に変化する電界を印加する第１電界印加手段と、
共通電極と第２電極との間に周期的に変化する電界を印加する第２電界印加手段とを含み、
ラジカル生成手段が第２流路を流過する処理液をラジカル種含有液とし、該ラジカル種含有液が第１流路を流過する処理液と混合されてノズル口から被処理物に対して供給されることを特徴とするウェット処理装置である。
【００２１】
また本発明は、第２電界印加手段は、第２流路に供給される処理液の圧力変動に同期し、処理液の圧力が増加するとき、共通電極と第２電極との間に電界を印加することを特徴とする。
【００２２】
また本発明は、第１電極および第２電極のいずれか一方または両方が、複数の電極を含んで成り、
複数の電極それぞれに第１または第２電界印加手段が接続され、共通電極との間に電界が印加されることを特徴とする。
【００２３】
また本発明は、被処理物に対して供給される処理液がノズル口から吐出される吐出方向は、被処理物が処理される被処理面の法線方向に対して傾斜角を有することを特徴とする。
【００２４】
また本発明は、電解促進触媒が、強酸性カチオン交換能または強塩基性アニオン交換能を有するイオン交換物質であることを特徴とする。
【００２５】
また本発明は、共通電極ならびに第１および第２電極のいずれか１つまたは２以上が、
金、白金、炭素、チタン、パラジウムおよびニッケルからなる群より選択される１種または２種以上を含んで成ることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、第２流路を流過する処理液が、ラジカル生成手段に対する第２電界印加手段による電界印加によってラジカル種含有液となり、該ラジカル種含有液が、第１流路を流過する処理液と混合されて第１流路を通過する際、第１電界印加手段によって電界が印加されるので、ラジカル生成時点におけるラジカル濃度の低下を抑制し、高濃度のラジカル種含有液を処理液としてノズル口から吐出することが可能になる。なお、処理液として純水を用いることによって、水素ラジカル、水酸基ラジカル等純水由来のラジカル種を被処理物表面に供給してウェット処理することができるので、特別な薬液を用いることなく、高い処理能力を有し、環境負荷の小さいウェット処理装置を提供することができる。
【００２７】
また本発明によれば、第２電界印加手段は、第２流路に供給される処理液の圧力変動に同期し、処理液の圧力が増加するとき、共通電極と第２電極との間に電界を印加するので、ラジカル生成手段によるラジカル生成効率を向上することができる。
【００２８】
また本発明によれば、第１電極および第２電極のいずれか一方または両方が、複数の電極を含んで成り、複数の電極それぞれに第１または第２電界印加手段が接続され、共通電極との間に電界が印加される。このことによって、ラジカル生成手段を構成する電極の位置を、ノズル内において比較的自由に設定できるので、ノズル口から吐出される高速の水流を維持したまま、ラジカル種を被処理物に供給できる。さらに、ノズル口設計の自由度が高いので、ノズル口から吐出される処理液の吐出方向を、被処理物の処理に最適な状態に傾斜させることが可能になり、反応性が非常に高く寿命が短いラジカル種を、速やかに被処理物表面に供給することができる。
【００２９】
また本発明によれば、被処理物に対して供給される処理液がノズル口から吐出される吐出方向は、被処理物が処理される被処理面の法線方向に対して傾斜角を有する。このようにノズルを配置することによって、たとえば洗浄処理において、被処理面上から洗浄除去された除去対象物が被処理面上に再付着することを防止し、洗浄処理効果を高めることが可能になる。
【００３０】
また本発明によれば、電解促進触媒が、強酸性カチオン交換能または強塩基性アニオン交換能を有するイオン交換物質であるので、処理液の電離が一層促進され、ラジカル種の生成量をさらに増加させることができ、処理能力の一層の向上を実現することができる。
【００３１】
また本発明によれば、共通電極ならびに第１および第２電極のいずれか１つまたは２以上が、金、白金、炭素、チタン、パラジウムおよびニッケルから選ばれる１種または２種以上を含んで成るので、処理液の電気分解効率が一層向上し、ラジカル種の生成量をさらに増加させることができ、処理能力の一層の向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
図１は本発明の実施の第１形態であるウェット処理装置３０の全体構成を簡略化して示す図であり、図２は図１に示すウェット処理装置３０に備わるノズル３３を切断面線ＩＩ−ＩＩから見た断面図であり、図３はノズル３３の要部を拡大して示す拡大図である。
【００３３】
ウェット処理装置３０は、被処理物３１と対向して配置され処理液３２を吐出するノズル３３と、ノズル３３に対して電界を印加する第１および第２電界印加手段３４，３５と、被処理物３１を搬送する搬送手段３６と、ノズル３３に処理液を供給する不図示の処理液供給手段とを含む。被処理物３１としては、シリコンウエハ等の半導体基板、液晶パネルに用いられるガラス基板などが挙げられる。ウェット処理装置３０は、ノズル３３から処理液３２を被処理物３１に向けて吐出し、被処理物３１をウェット処理することに用いられる。
【００３４】
ここで、ウェット処理とは、ノズルに対向して設置される被処理物の表面（被処理面）に対して処理液を吐出することによって、被処理物上に存在する除去対象物質を除去、溶解、剥離あるいは分解し、または被処理物自体を溶解、剥離あるいは分解し、被処理物を洗浄、研削、加工、表面改質等の処理を施すことである。本実施の形態では、ウエット処理として、被処理物からたとえば有機物および／または無機物を除去する洗浄処理を例示するけれども、洗浄処理はウェット処理の一例を示すに過ぎず、本発明が用いられるウェット処理が洗浄に限定されるものではない。また、ここで洗浄とは、被処理物の表面上に存在する有機物または無機物を、処理液によって除去、溶解、剥離または分解して清浄化することを意味する。
【００３５】
搬送手段３６は、予め定める間隔を有して同一方向に延びて平行に配置される複数の搬送ローラ３７と、搬送ローラ３７を矢符３８方向に回転駆動させる不図示の回転駆動手段とを含む。搬送ローラ３７は、軸受によって回転自在に支持され、たとえば歯車列を介して個々に回転駆動手段に接続されて回転駆動されても良く、また１つ乃至数個の搬送ローラ３７のみが上記のように回転駆動され、残余の搬送ローラ３７は駆動される搬送ローラ３７とチェーンなどで接続されて従動回転するように構成されても良い。いずれの構成であっても、矢符３８方向に回転する搬送ローラ３７上に被処理物３１が載置され、被処理物３１が矢符３９方向に搬送移動される。搬送される被処理物３１が、ノズル３３に臨む側の面（図１（ａ）では、上方に臨む側の面）を被処理面３１ａと呼ぶ。
【００３６】
ノズル３３は、矢符３９で示す被処理物３３の搬送方向に対して直交する方向であってかつ略水平方向（以後、幅方向と呼ぶことがある）に延び、外観が略直方体形状に形成される。ノズル３３は、ノズル３３内に形成されて処理液が流過する流路であって流路の一端部が外方空間に臨んで開口して成るノズル口４３を有する第１流路４１と、ノズル３３内に形成されて処理液が流過する流路であって流路の一端部において第１流路４１に連通する第２流路４２と、第１流路４１を流過する処理液と第２流路４２を流過する処理液とに接するように設けられて、第１および第２流路４１，４２の内壁の少なくとも一部を成す共通電極４４と、共通電極４４に対向するように設けられて第１流路４１の内壁の少なくとも一部を成す第１電極４５と、共通電極４４に対向するように設けられて第２流路４２の内壁の少なくとも一部を成す第２電極４６と、共通電極４４と第２電極４６とに挟持される電解促進触媒４７を有し、第２流路４２内に設けられて第２流路４２を流過する処理液を電気分解してラジカル種を生成し、処理液をラジカル種含有液とするラジカル生成手段４８とを含む。
【００３７】
ノズル３３を構成する共通電極４４、第１電極４５および第２電極４６は、いずれか１つまたは２以上、好ましくは３つの電極がともに、金、白金、炭素、チタン、パラジウムおよびニッケルからなる群より選択される１種または２種以上を含んで成る化学反応耐性の高い材料を用いた複合材料によって形成される。より好ましくは、たとえば、ニッケルまたはタングステンを５重量％程度ドープした白金などが用いられる。また、日本工業規格（ＪＩＳ）にＳＵＳ記号で規定されるステンレス鋼を母材とし、金または白金をめっきしたものを用いても良い。
【００３８】
ノズル３３には、その内部に、断面形状が裏Ｌ字状の第１流路４１と、同じく裏Ｌ字状の第２流路４２とが形成される。第１流路４１における裏Ｌ字の横棒部分の一端部がノズル３３の外方に臨んで開口し、ノズル口４３を形成する。第２流路４２における裏Ｌ字の横棒部分の一端部が、第１流路４１の裏Ｌ字の横棒部分に連通する。
【００３９】
第１流路４１における裏Ｌ字の縦棒部分は、外方に臨んで共通電極４４に形成される２つの孔５７に連なり、この２つの孔５７を介してノズル３３の外方空間に連通する。該２つの孔５７には、処理液供給手段に連なる２つの第１供給管５１ａ，５１ｂがそれぞれ接続される。また第２流路４２における裏Ｌ字の縦棒部分は、外方に臨んで共通電極４４に形成される２つの孔５８に連なり、この２つの孔５８を介してノズル３３の外方空間に連通する。該２つの孔５８には、処理液供給手段に連なる２つの第２供給管５２ａ，５２ｂがそれぞれ接続される。
【００４０】
共通電極４４は、幅方向に細長く延びるブロック状の部材であり、略３つの構成要素に分けることができる。略３つの構成要素は、第１電極４５に対向して配置され、第１流路４１における裏Ｌ字の縦棒および横棒部分を構成してノズル口４３に連なる流路となる第１端部ブロック５３と、第２電極４６と第１端部ブロック５３とに対向して配置され、第１流路４１の裏Ｌ字の縦棒部分を構成するとともに、第２流路４２を構成する中央ブロック５４と、中央ブロック５４に対向して配置され第２流路４２の裏Ｌ字の縦棒部分を構成する第２端部ブロック５５とを含んで成る。
【００４１】
図４は、第１端部ブロック５３の一部を切出して斜め下方から示す図である。第１端部ブロック５３は、裏Ｌ字状に形成される第１流路４１の横棒部分から垂直に立上がるようにして鋸歯状に断面３角形の切込みが複数形成される。この断面３角形の切込み部分は、送給圧力の付加された処理液が充填されるので、便宜上圧力空間５６と呼ぶ。中央ブロック５４および第２端部ブロック５５は、いずれも幅方向に延びる直方体状を成し、裏Ｌ字状に形成される第１流路４１の縦棒部分に並列して配置され、中央ブロック５４が、第１端部ブロック５３との間で第１流路４１を形成するとともに、第２端部ブロック５５との間で第２流路４２を形成する。第１および第２端部ブロック５３，５５ならびに中央ブロック５４は、孔５７，５８が形成される側において一体化されて、上記のような形状の共通電極４４を構成する。
【００４２】
第１電極４５は、断面形状が略嘴状を有し、幅方向に延びる角棒部材である。第１電極４５の共通電極４４を臨んで配置される側の面には、第１雌ねじ穴６１が形成され。共通電極４４の第１端部ブロック５３には、該第１雌ねじ穴６１に対応してボルト挿通孔が形成される。第１電極４５は、上記ボルト挿通孔を挿通する第１ボルト６３によって、共通電極４４の第１端部ブロック５３に装着される。第１ボルト６３は、たとえばステンレス鋼製であり、第１電極４５と共通電極４４との間の絶縁は、第１ボルト６３の頭部と第１端部ブロック５３との間に挿入され第１ボルト６３が挿通される第４絶縁部材５９、および第１端部ブロック５３と第１電極４５との間に挿入され第１ボルト６３が挿通される第１絶縁部材６２とによって、保たれる。
【００４３】
第２電極４６は、断面形状がＬ字状を有し、幅方向に延びる部材である。第２電極４６の共通電極４４の第２端部ブロック５５を臨んで配置される側の面には、第２雌ねじ穴６４が形成され、第２端部ブロック５５には、該第２雌ねじ穴６４に対応してボルト挿通孔が形成される。第２電極４６は、上記ボルト挿通孔を挿通する第２ボルト６６によって、第２端部ブロック５５に装着される。第２ボルト６６も、ステンレス鋼製であり、第２電極４６と共通電極４４との間の絶縁は、第２ボルト６６の頭部と第２端部ブロック５５との間に挿入され第２ボルト６６が挿通される第５絶縁部材６０、および第２端部ブロック５５と第２電極４６との間に挿入され第２ボルト６６が挿通される第２絶縁部材６５とによって、保たれる。
【００４４】
また、第１電極４５と第２電極４６とは、第１電極４５において、上記第１雌ねじ穴６１が形成される面に隣接し、かつ第１雌ねじ穴６１が形成される面に直交する面に第３雌ねじ穴６７が形成され、第２電極４６には、該第３雌ねじ穴６７に対応してボルト挿通孔が形成される。第１電極４５と第２電極４６とは、上記ボルト挿通孔を挿通するステンレス鋼製の第３ボルト６９によって、互いに装着される。第１電極４５と第２電極４６との間の絶縁は、第３ボルト６９の頭部と第２電極４６との間に挿入され第３ボルト６９が挿通される第６絶縁部材７０、および第１電極４５と第２電極４６との間に挿入され第３ボルト６９が挿通される第３絶縁部材６８とによって、保たれる。
【００４５】
共通電極４４の中央ブロック５４と第２電極４６とによって形成されるノズル３３内の間隙に、電解促進触媒４７が設けられる。
【００４６】
電解促進触媒４７は、処理液のイオン交換反応を促進し、処理液のイオン積を増大させる機能を有し、それ自体は反応前後において同じ状態で存在し得る物質であれば良い。電解促進触媒４７としては、多孔質状、網目状、繊維状、粒子状または不織布状の基材にイオン交換能を付与したものが好適に用いられる。このような電解促進触媒４７は、適当な空隙率を有する基材に、たとえばγ線を照射した後、グラフト重合を行ういわゆる放射線グラフト重合法によって作製することができる。中でも、不織布を基材とし、これにイオン交換基を導入した電解促進触媒４７が、ノズル組立時の扱いやすさおよび使用中の安定性の問題から最も好ましい。また、イオン交換基の種類または量を変えることによって、ラジカル種の生成濃度を制御することもできる。
【００４７】
イオン交換基を導入した電解促進触媒４７としては、たとえばイオン交換樹脂が好適に用いられる。ここで、イオン交換樹脂は、イオン交換できる酸性基または塩基性基をもつ不溶性の合成樹脂の総称を意味する。通常、イオン交換樹脂は、陽イオン交換樹脂、陰イオン交換樹脂および両性交換樹脂の３種に大別される。これらのイオン交換樹脂の中でも、処理液たとえば純水のイオン積を増大させる機能を付与した強酸性カチオン交換膜または強塩基性アニオン交換膜が好ましく、より好ましくはスルホン酸基または四級アンモニウム基が導入された樹脂であり、特に処理液のイオン積Ｋｗを１４≧−ｌｏｇＫｗの範囲で増大させることのできるものが好ましい。
【００４８】
このような電解促進触媒４７についてより具体的に例示すると、直径０．１ｍｍのフッ素樹脂を基材として、スルホン酸基を導入した強酸性カチオン交換樹脂を不織布状に形成した厚さ０．５〜１．０ｍｍのシートが用いられる。このような電解促進触媒４７のシートは、０．１〜１．０ｍｍの空孔径の網目状構造を有するので、第２流路４２を流過する処理液を容易に透過させることができる。
【００４９】
たとえば１８．２ＭΩ・ｃｍの比抵抗値を有する純水中で触媒を用いずに５０Ｖの電圧を印加した場合には、１０−２ｍＡ／ｃｍ２程度しか電流値が観測されないけれども、上記のようなイオン積増大機能を有するイオン交換樹脂を電解促進触媒４７として用いることによって、水酸基イオンと水素イオンとのイオン濃度を増大することが可能であり、同一条件で電圧印加した場合、１０６倍すなわち１０Ａ／ｃｍ２程度の電流値を得ることができる。
【００５０】
この電流値は、処理液中のラジカル種の生成量に直接的に影響を与える。すなわち電解促進触媒４７を挟持する共通電極４４と第２電極４６とに電圧を印加したときに流れる電流値は、実際に生成するラジカル濃度に影響を与える。ラジカル生成手段４８に供給される処理液の流量をＱ［リットル／ｍｉｎ］とし、両極間に流れる電流値をＩ［Ａ］とすると、生成される処理液中のラジカル濃度：Ｃ［ｍｏｌ／リットル]は、下記式（１）で表される。
Ｃ＝６０Ｉ／９６５００Ｑ                                      …（１）
【００５１】
したがって、電解促進触媒４７を用いることによって、用いない場合に比べて、１０６倍高濃度のラジカル種を含有する処理液を得ることができ、高いウェット処理能力を実現することができる。
【００５２】
電解促進触媒４７は、第１メッシュ電極７１を介して共通電極４４の中央ブロック５４に装着され、また第２メッシュ電極７２を介して第２電極４６に装着される。第１および第２メッシュ電極７１，７２は、第２流路４２を流過する処理液の通水性を確保するためにメッシュ構造としている。また第１および第２メッシュ電極７１，７２は、共通電極４４および第２電極４６と、電解促進触媒４７との電気的な導通を充分に得るために電気伝導性が高く、かつ反応性の高いラジカル種にさらされるので、化学的酸化および還元に対して高い耐性を有する素材であることが好ましく、金、白金、炭素、チタン、パラジウム、またはニッケルからなる群より選択される１種または２以上を含む材料、たとえばニッケルまたはタングステンを５％程度ドープした白金などを用いることがより好ましい。
【００５３】
第１電界印加手段３４は、第１流路４１を形成する共通電極４４と第１電極４５との間に周期的に変化する電界を印加する。すなわち第１電界印加手段３４は、共通電極４４側がグランド電位になるようにして共通電極４４と第１電極４５との間に周期的に変化する電界、本実施形態では繰返し発生されるパルス波を用いた電界を印加する。
【００５４】
第２電界印加手段３５は、第２流路４２を形成する共通電極４４と第２電極４６との間に周期的に変化する電界を印加する。すなわち第２電界印加手段３５は、共通電極４４側がグランド電位になるようにして共通電極４４と第２電極４６との間に周期的に変化する電界、本実施形態では繰返し発生されるパルス波を用いた電界を印加する。
【００５５】
なお、第１および第２電界印加手段３４，３５は、パルス波を用いた電界を周期的に印加する構成であるけれども、これに限定されることなくサイン波など周期的に変化する電界を印加するように構成されても良い。
【００５６】
第２電界印加手段３５による共通電極４４と第２電極４６とに対する電界印加によって、共通電極４４に電気的に接して装着される第１メッシュ電極７１と、第２電極４６に電気的に接して装着される第２メッシュ電極７２との間に電圧が印加されるので、第１メッシュ電極７１と第２メッシュ電極７２との間に挟持されて処理液の電気分解を促進する電界促進触媒４７と、その両側の第１および第２メッシュ電極７１，７２との間で電気分解を起こり、ラジカル種が生成される。すなわち第１メッシュ電極７１は共通電極４４として作用し、第２メッシュ電極７２は第２電極４６として作用する。
【００５７】
したがって、電解促進触媒４７と、第１および第２メッシュ電極７１，７２とがラジカル生成手段４８を構成する。なお、広義には、共通電極４４、第２電極４６および第２電界印加手段３５もラジカル生成手段４８に含まれる。
【００５８】
この第２電界印加手段３５による共通電極４４と第２電極４６に対する周期的な電界印加は、第２流路４２に供給される処理液の圧力変動に同期し、処理液の圧力が増加するとき、たとえば送液ポンプで処理液がノズル３３に供給される場合、送液ポンプの脈動により処理液の流れの圧力が増加したときに行われることが好ましい。電解促進触媒４７による処理液の電解においては、電極と電解促進触媒４７との接触が高まるほど電解が進行する傾向にあるので、供給される処理液の圧力が高いとき、共通電極４４と第２電極４６との間に電界を印加することによって、接触が促進された状態の共通電極４４、第２電極４６と電解促進触媒４７とに電界を印加することになるので、ラジカル生成手段４８によるラジカル生成効率を向上することができる。
【００５９】
なお、共通電極４４に含まれる第１メッシュ電極７１および第２電極４６に含まれる第２メッシュ電極７２の極性は特に限定されないけれども、本実施の形態では、第１メッシュ電極７１を陽極、第２メッシュ電極７２を陰極とし、処理液として純水を用いた事例について説明する。
【００６０】
なお、ここで、純水とは、紫外線照射で微生物類を滅菌し、メンブランフィルタで溶解有機物およびイオン無機物を除去し、比抵抗値１ＭΩ・ｃｍ以上とした水を言い、純水の中でも、１０ＭΩ・ｃｍ以上、１８．３ＭΩ・ｃｍ以下の比抵抗値を有するものを超純水と呼ぶことがある。
【００６１】
第２流路４２内における第１および第２メッシュ電極７１，７２ならびに電解促進触媒４７を、純水が流過する過程において電気分解されてラジカル種が生成される。図５は、ラジカル種生成の概要を示す図である。
【００６２】
図５（ａ）は、陰極である第２メッシュ電極７２側における水素ラジカル７３の生成機構を示す。上述したように、第２電界印加手段３５で共通電極４４と第２電極４６とに印加された電界、すなわち第１メッシュ電極７１と第２メッシュ電極７２との間に印加された電界によって、第２流路４２中であって特に電界促進触媒４７を流過する純水中に多量の水素イオン７４が生成され、この水素イオン７４が、電界によって陰極である第２メッシュ電極７２の近傍へ引寄せられる。さらにこの水素イオン７４は、陰極７２から電子７５を受取り、還元されて水素ラジカル７３が生成される。
【００６３】
図５（ｂ）は、陽極である第１メッシュ電極７１側における水酸基ラジカル７６の生成機構を示す。上述したように、第２電界印加手段３５で第１メッシュ電極７１と第２メッシュ電極７２との間に印加された電界によって、第２流路４２中であって特に電界促進触媒４７を流過する純水中に多量の水酸基イオン７７が生成され、この水酸基イオン７７が、電界によって陽極である第１メッシュ電極７１の近傍へ引寄せられる。さらにこの水酸基イオン７７は、陽極７１によって電子７５を奪われ、酸化されて水酸基ラジカル７７が生成される。
【００６４】
以下の反応式（２）〜（９）は、上記電界印加によるラジカル種の生成と、このラジカル種が、純水と反応することによって派生する種々の純水由来のラジカル種生成機構を示す。
Ｈ２Ｏ          ⇔ＯＨ−＋Ｈ＋                                  …（２）
ＯＨ−          ⇔・ＯＨ＋ｅ−                                  …（３）
Ｈ＋＋ｅ−      ⇔・Ｈ                                       …（４）
・ＯＨ＋・ＯＨ ⇔Ｈ２Ｏ２                                      …（５）
Ｈ２Ｏ＋・ＯＨ  ⇔・ＯＨ＋Ｈ２Ｏ                             …（６）
Ｈ２Ｏ＋・Ｈ    ⇔Ｈ２＋・ＯＨ                               …（７）
・Ｈ＋・Ｈ     ⇒Ｈ２                                        …（８）
・ＯＨ＋・Ｈ   ⇒Ｈ２Ｏ                                     …（９）
【００６５】
反応式（２）〜（４）は、ラジカル生成機構の第一段階である水素イオンおよび水酸基イオンの生成機構、および電極酸化における水酸基ラジカルの生成機構、電極還元における水素ラジカルの生成反応式を、それぞれ示す。反応式（５）〜（９）は、生成したラジカルが純水、ラジカル同士の反応によって、消滅または変化する反応を示す。
【００６６】
ウェット処理に寄与するラジカル種としては、水素ラジカル、水酸基ラジカル以外に、酸素ラジカル、スーパーオキサイドアニオンラジカル、ＨＯ２ラジカル、ＨＯ３ラジカル、オゾン、過酸化水素などがある。また、純水中に、種々のガス、たとえば、酸素、水素、窒素、二酸化炭素などを含有させることによって、含有ガス成分に応じた他のラジカル種を生成することも可能であり、本発明のウェット処理に用いられるラジカル種はここに記載するラジカル種のみに限定されるものではない。
【００６７】
上記のように陰極７２側で生成される水素ラジカル７３と、陽極７１側で生成される水酸基ラジカル７６とを含む純水が、第２流路４２から第１流路４１へ供給される。第１流路４１を構成する共通電極４４と第１電極４５に対しては、第１電界印加手段３４によって周期的に電界が印加されるので、ラジカル生成手段４８によって生成されたラジカル種を含み第１流路４１を流過する処理液に対しても周期的に電界が印加される。このことによって、第１流路４１を流過する処理液におけるラジカル種の消滅が抑制されるので、ラジカル種の濃度減少が抑制される。
【００６８】
第２流路４２に設けられるラジカル生成手段４８によってラジカル種が生成され、第１流路４１を流過する過程において周期的な電界が印加されてラジカル種の濃度減少の抑制された純水は、第１流路４１の外方への開口部であるノズル口４３から、ラジカル種を含有する純水すなわち処理液３２として、被処理物３１に向けて吐出される。
【００６９】
処理液３２中に含有される水素ラジカル７３は陰極７２で生成され、水酸基ラジカル７６は陽極７１で生成されるけれども、水素ラジカル７３の方が水酸基ラジカル７６よりも反応性が高く寿命が短いので、本実施の形態では、被処理物３１に近い側に配置される第２電極４６および第２メッシュ電極７２を陰極としている。
【００７０】
本実施の形態で処理液として用いる純水から生成されるラジカル種は、反応性が高いので、たとえば微粒子表面と、被処理物３１たとえばシリコン基板またはガラス基板の表面とで形成されるシラノール結合を切断すること、またシリコン基板上などの微粒子結合活性サイトであるダングリングボンドを不活性化することによって、微粒子と被処理物３１である基板との付着力を低減し、微粒子を除去する力を向上させることができる。また、ラジカル種は、レジスト残渣、製造工程内由来の有機成分などによる汚染の除去に対しても効果的であり、この場合、有機物は、有機物中の炭素−炭素、炭素−水素の共有結合などの強い結合が切断されて酸化されることによって、低分子の有機分子または二酸化炭素と水に分解され除去される。
【００７１】
上記のように構成されるノズル３３に処理液であるたとえば純水を供給する処理液供給手段は、不図示であるけれども、処理液貯留槽と、送液ポンプと、処理液貯留槽と送液ポンプとノズル３３とを接続する処理液供給配管とを含んで構成される。図１において、ノズル３３の第１流路４１に接続される第１供給管５１ａ，５１ｂ、および第２流路４２に接続される第２供給管５２ａ，５２ｂは、上記処理液供給手段を構成する処理液供給配管の末端を表すものである。処理液貯留槽に貯留される処理液が、送液ポンプによって加圧送水され、処理液供給配管内を流過してノズル３３に供給される。
【００７２】
以下本実施形態のウェット処理装置３０を用いたウェット処理のうち洗浄処理を例示し、その動作について簡単に説明する。
【００７３】
ウェット処理装置３０を用いて被処理物３１の洗浄処理を行うに際し、ノズル３３は、被処理物３１に対してラジカル供給が可能な位置に配置される。ここで、ラジカル供給が可能な位置とは、処理を実施するのに有効な量および流速で、ノズル３３から被処理物３１に対して処理液３２であるラジカル含有水の供給が可能な位置である。
【００７４】
洗浄処理時、ノズル３３は、被処理物３１の被処理面３１ａの法線方向に対して、処理液３２を吐出する方向が傾斜角を有するように配置されても良い。ノズル３３が傾斜される角度は特に限定されないけれども、矢符３９方向に搬送される被処理物３１に対して、被処理物３１の搬送方向上流側に向って、ノズル３３のノズル口４３が被処理物３１の表面に近づくようにして傾斜させることが好ましい。
【００７５】
なぜならば、被処理面３１ａに供給され、被処理物３１の洗浄に用いられた後の処理液中には、たとえば微粒子、有機物残渣などの除去対象物質が含まれ、このような除去対象物質を含む処理液が、被処理面３１ａの洗浄処理された後の部分に接触すると、除去対象物質が被処理物３１の洗浄済みの表面に再付着するおそれがあるけれども、上記のようにノズル３３を傾斜させて設置することによって、除去対象物質を含む処理液が被処理物３１の洗浄済み表面に接触することなく除去対象物質が再付着することを防止できるからである。
【００７６】
さらに、ノズル口４３から処理液３２が吐出される方向が、上記のように傾斜している、たとえば図１中の矢符７８方向であることによって、処理液３２の液流が有する速度成分のうち被処理物３１の被処理面３１ａに平行方向の速度成分を、被処理物３１の表面に存在する除去対象物に作用させることができる。すなわち、処理液３２の液流によって被処理物３１の表面に存在する除去対象物に対して物理的なせん断力を作用させることができるので、除去対象物を被処理面３１ａから効果的に除去することができる。
【００７７】
また、ノズル３３と被処理物３１との離隔距離は、特に限定されないけれども、たとえば処理液３３の吐出速度を１０〜１００ｍ／秒に設定する場合、ノズル３３に処理液を供給する送液ポンプなどのユーティリティー、被処理物３１の反り、歪みなども考慮すると、５〜１０ｍｍ程度に設定されることが好ましい。
【００７８】
被処理物３１は、矢符３８方向に回転する搬送ローラ３７上に載置され、矢符３９方向に枚葉で搬送される。この搬送過程において被処理物３１は、ノズル３３から吐出される処理液３２によって枚葉で洗浄処理される。
【００７９】
上記のように設定されるウェット処理装置３０の洗浄処理動作においては、まず処理液供給手段から、ノズル３３に対して処理液である純水が供給される。処理液供給手段によってノズル３３の第１および第２流路４１，４２に供給される純水の圧力は、特に限定されないけれども、数ＭＰａ程度であることが好ましい。
【００８０】
第２流路４２に供給される純水は、第２電界印加手段３５で周期的な電界が印加されるラジカル生成手段４８によってラジカル種を含有するラジカル種含有水とされる。ラジカル種含有水は、第２流路４２が第１流路４１に連通する部分から第１流路４１へ流入し、処理液供給手段から第１流路４１に供給される純水に混入される。第１流路４１を流過するラジカル種含有水が混入した純水は、第１電界印加手段３４で共通電極４４と第１電極４５とに印加される周期的電界のために、含有するラジカル種の濃度を大きく低下させることなく、ノズル口４３から矢符７８方向に被処理物３１に向けて吐出される。
【００８１】
このときスリット状に形成されるノズル口４３のノズル間隔が数十μｍ、ノズル３３に供給される処理液の圧力が数ＭＰａであると、ノズル口４３から吐出される処理液３２の流速は、１０〜１００ｍ／秒程度になる。
【００８２】
ラジカル種は反応性が高く寿命が短いけれども、ウェット処理装置３０では、ラジカル生成手段４８で生成されたラジカル種が、第１流路４１への電界印加によって減少しないようにし、ノズル口４３から処理液３２が吐出される速度を高速にし、かつノズル３３と被処理物３１との離隔距離を５〜１０ｍｍと短くしているので、高濃度のラジカル種を含有する処理液３２を被処理物３１の被処理面３１ａに供給することが可能であり、極めて効率的に洗浄することができる。
【００８３】
このようなウェット処理装置３０によれば、被処理物３１が導電体または非導電体に関らず洗浄処理することができ、特に被処理物３１が非導電体であっても電気的破壊を生じることなく、効率的かつ安定的に洗浄することができる。
【００８４】
図６は、本発明の実施の第２形態であるウェット処理装置に備わるノズルを構成する電極の構成を簡略化して示す図である。図６（ｂ）は、図６（ａ）の切断面線Ａ−Ａから見た断面図である。本実施形態のウェット処理装置は、実施の第１形態のウェット処理装置３０に類似するので、全体構成を省略し、特徴部分であるノズルを構成する第１および第２電極部分のみを図示する。
【００８５】
本実施形態のウェット処理装置に備わる電極は、１つのブロック部材である第１電極８１と、第１電極８１上に、絶縁体８２を介し、複数個（本実施の形態では５個）が幅方向に配列して設けられる第２電極８３とを含んで、ノズルの一部を構成する。複数個の第２電極８３には、それぞれ電解促進触媒４７と第１および第２メッシュ電極７１，７２を含むラジカル生成手段４８が、共通電極４４と挟持するようにして設けられる。
【００８６】
複数の電極を含んで成る第２電極８３には、それぞれに個別の第２電界印加手段３５が接続され、それぞれの第２電極８３と共通電極４４との間に電界が周期的に印加される。各第２電極８３に対する第２電界印加手段３５の接続は、各第２電極８３が配置される位置に対応し、第１電極８１と絶縁体８２とを貫通して形成される配線孔８４を通じて行われる。また第１電極８１には第１電界印加手段３４が接続され、第１電極８１と共通電極４４との間に周期的に電界が印加される。なお、第２電極８３と絶縁体８２との当接部、および絶縁体８２と第１電極８１との当接部には、Ｏ（オー）リング８５が挿入され、処理液である純水が漏洩することを防止している。
【００８７】
このように構成されるウェット処理装置では、複数の第２電極８３に対応して設けられる個々のラジカル生成手段４８の電極面積を小さくすることができる。このことによって、ラジカル生成手段４８をラジカル生成動作させるための第２電界印加手段３５の負荷が軽減されるので、第２電界印加手段３５を高速動作させることが可能になる。その結果、たとえばパルス波のデューティ比を変えることよる省エネ効果が期待できる。
【００８８】
図７は、本発明の実施の第３形態であるウェット処理装置９０の全体外観を示す図である。図７（ａ）はウェット処理装置９０の側面図であり、図７（ｂ）はウェット処理装置９０の正面図である。本実施の形態のウェット処理装置９０は、実施の第１形態のウェット処理装置３０に類似し、対応する部分については同一の参照符号を付して説明を省略する。
【００８９】
本実施形態のウェット処理装置９０において注目すべきは、被処理物３１である基板が、水平面Ｈに対して角度αを有するようにして搬送ローラ３７で搬送され、その搬送過程において枚葉方式で洗浄処理されることである。
【００９０】
被処理物３１である基板が水平面に対して角度αの傾斜を有するので、基板３１は鉛直方向の下方に落下しないように、ウェット処理装置９０に設けられる基板下部支持部材９１によって、その下端部３１ｂが支持される。基板下部支持部材９１は、搬送ローラ３７と同様に複数個が設けられ、基板３１の下端部３１ｂが、基板下部支持部材９１の表面と摺動するようにして基板３１を支持するタイプでもよく、また基板３１の下端部３１ｂを支持したまま基板３１と共に移動するボート方式のいずれで構成されてもよい。
【００９１】
基板３１を水平面Ｈに対して傾斜角αを有するようにして搬送しながら洗浄処理することによって、基板３１を水平状態にて搬送しながら洗浄処理する場合に比べて、基板３１の被処理面３１ａにおける処理液３２の滞留を防止することができる。被処理面３１ａにおける処理液３２の滞留を防止することによって、処理液の置換効率、ラジカル種の被処理面３１ａに対する供給速度の向上、処理液３２の流れによる物理的洗浄力の伝達効率が向上するので、基板洗浄能力を向上させることができる。
【００９２】
なお、ウェット処理装置９０において、基板３１を水平面Ｈに対して傾斜角αを有するようにして搬送するとき、ノズル３３は、ノズル口４３が基板３１の被処理面３１ａと平行になるように配置される。ノズル３３を被処理面３１ａに対して平行に配置することによって、基板３１の全面にわたって均一に洗浄を行うことができる。
【００９３】
また基板３１を水平面Ｈに対して傾斜角αを有するようにして搬送することによって、基板３１の被処理面３１ａでの処理液３２の滞留が防止されるので、ノズル３３から吐出された処理液３２が被処理面３１ａ上の処理液溜まりによって減速されるのを抑制することができる。このことによって、ノズル３３から供給されるラジカル種が被処理面３１ａへ到達する時間を短くすることができ、被処理面３１ａにおけるラジカル種の濃度を増大し、洗浄効果を向上することができる。
【００９４】
基板３１の水平面Ｈに対する傾斜角度αは、３０度を超え９０度以下であることが好ましい。傾斜角αが３０度以下では、基板３１を水平面に対して平行に搬送する場合に比べて、処理液の置換効率の向上効果を顕著に得ることができない。また傾斜角αが９０度を超えると、基板３１がノズル３３側に倒れるおそれがあり、円滑に洗浄することができない。
【００９５】
基板３１の洗浄効率は、ノズル３３を、矢符９２で示す基板３１の搬送方向に対して傾斜角度βを有するように配置することによってさらに向上することができる。ノズル３３を、基板３１の搬送方向９２に対して傾斜角度βを有するように配置することによって、ノズル３３の幅方向において、基板３１の搬送方向９２上流側寄りであって鉛直方向の上側に位置するノズル部分から吐出された処理液３２の流れが、被処理面３１ａ上をノズル３３が延びる方向に沿って垂れることが防止される。このことによって、基板３１の搬送方向９２下流側寄りであって鉛直方向の下側に位置するノズル部分から吐出される処理液３２の流れが、前記処理液の垂れによって乱されることがなくなるので、その吐出速度は減速されることがなく、洗浄効率が向上される。
【００９６】
さらに、このウェット処理装置９０によれば、ノズル３３から吐出される処理液３２によって洗浄処理された基板３１の被処理面３１ａに、洗浄によって被処理面３１ａから一旦除去された、たとえば微粒子、有機物残渣等の被洗浄除去物が、再付着することを防止できるので、洗浄処理された基板３１の清浄性を一層高めることができる。
【００９７】
このノズル３３の搬送方向９２に対する傾斜角βは、１５度を超え８０度以下であることが好ましい。
【００９８】
傾斜角βが、１５度以下であると、ノズル口４３を長くする必要があり、ノズル３３自体も長くなる。しかし、ノズル３３による洗浄力はそれほどの向上を期待できない。傾斜角βが、８０度を超えると、基板下部（３１ｂ側）を洗浄する際、基板上部からの洗浄液が液膜となって滞留するため、洗浄力の低下を招く。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】本発明の実施の第１形態であるウェット処理装置３０の全体構成を簡略化して示す図である。
【図２】図１に示すウェット処理装置３０に備わるノズル３３を切断面線ＩＩ−ＩＩから見た断面図である。
【図３】ノズル３３の要部を拡大して示す拡大図である。
【図４】第１端部ブロック５３の一部を切出して斜め下方から示す図である。
【図５】ラジカル種生成の概要を示す図である。
【図６】本発明の実施の第２形態であるウェット処理装置に備わるノズルを構成する電極の構成を簡略化して示す図である。
【図７】本発明の実施の第３形態であるウェット処理装置９０の全体外観を示す図である。
【図８】従来の洗浄装置１の構成を簡略化して示す図である。
【図９】もう一つの従来技術における電解加工装置２０による加工の概要を示す図である。
【符号の説明】
【０１００】
３０，９０  ウェット処理装置
３１  被処理物
３２  処理液
３３  ノズル
３４  第１電界印加手段
３５  第２電界印加手段
３６  搬送手段
４１  第１流路
４２  第２流路
４４  共通電極
４５，８１  第１電極
４６，８３  第２電極
４７  電解促進触媒
４８  ラジカル生成手段
７１  第１メッシュ電極
７２  第２メッシュ電極
９１  基板下部支持部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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