(57)【要約】【課題】電子放出素子の作用時，ゲート電極の周囲に平坦な電位分布を具現して電子ビーム広がりを抑制し，表示品質を向上させることができる電子放出素子を提供する。【解決手段】互いに対向配置される第１基板および第２基板と，上記第１基板上に形成されるカソード電極と，上記カソード電極上に形成される電子放出部と，上記電子放出部を露出させるそれぞれの開口部を有し，上記カソード電極上に形成される絶縁層およびゲート電極と，上記第２基板上に形成される蛍光層と，上記蛍光層の一面に形成されるアノード電極とを含み，上記カソード電極とアノード電極との間の距離（ｚ）が数式１を満足する。2006286618.tif 000012  【選択図】図１
2006286618.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向配置される第１基板および第２基板と；
前記第１基板上に形成されるカソード電極と；
前記カソード電極上に形成される電子放出部と；
前記電子放出部を露出させるそれぞれの開口部を有し，前記カソード電極上に形成される絶縁層およびゲート電極と；
前記第２基板上に形成される蛍光層と；
前記蛍光層の一面に形成されるアノード電極と；
を含み，
前記カソード電極とアノード電極との間の距離（ｚ）が数式１を満足することを特徴とする，電子放出素子。
【数１】
2006286618.tif 000010
ここで，Ｖｃは前記カソード電極に印加される電圧，Ｖｇは前記ゲート電極に印加される電圧，Ｖａは前記アノード電極に印加される電圧，ｄは前記カソード電極と前記ゲート電極との間の距離を示し，Ｖｃ，ＶｇおよびＶａの単位はボルト（Ｖ），ｄとｚの単位はマイクロメートル（μｍ）である。
【請求項２】
前記カソード電極とゲート電極は互いに直交する方向に形成され，カソード電極とゲート電極の交差領域ごとに一つ以上の電子放出部が配置されることを特徴とする，請求項１に記載の電子放出素子。
【請求項３】
前記電子放出部は，カーボンナノチューブ，黒鉛，黒鉛ナノファイバー，ダイヤモンド，ダイヤモンド状カーボン，Ｃ６０，およびシリコンナノワイヤからなる群から選択される少なくとも１種の物質を含むことを特徴とする，請求項１または２に記載の電子放出素子。
【請求項４】
前記アノード電極は，前記第１基板に向かう前記蛍光層の一面に形成され，金属膜からなることを特徴とする，請求項１〜３のいずれかに記載の電子放出素子。
【請求項５】
互いに対向配置される第１基板および第２基板と；
前記第１基板上に形成されるカソード電極と；
前記カソード電極上に形成される電子放出部と；
前記電子放出部を露出させるそれぞれの開口部を有し，前記カソード電極上に形成される絶縁層およびゲート電極と；
前記第２基板に形成される蛍光層と；
前記蛍光層の一面に形成されるアノード電極と；
を含み，
前記第１基板と第２基板との間の間隔（ｚ’）が数式２を満足することを特徴とする，電子放出素子。
【数２】
2006286618.tif 000011
ここで，Ｖｃは前記カソード電極に印加される電圧，Ｖｇは前記ゲート電極に印加される電圧，Ｖａは前記アノード電極に印加される電圧，ｄは前記カソード電極とゲート電極との間の距離を示し，Ｖｃ，ＶｇおよびＶａの単位はボルト（Ｖ），ｄとｚ’の単位はマイクロメートル（μｍ）である。
【請求項６】
前記カソード電極とゲート電極は互いに直交する方向に形成され，カソード電極とゲート電極の交差領域ごとに一つ以上の電子放出部が配置されることを特徴とする，請求項５に記載の電子放出素子。
【請求項７】
前記電子放出部は，カーボンナノチューブ，黒鉛，黒鉛ナノファイバー，ダイヤモンド，ダイヤモンド状カーボン，Ｃ６０，およびシリコンナノワイヤからなる群から選択される少なくとも１種の物質を含むことを特徴とする，請求項５または６に記載の電子放出素子。
【請求項８】
前記アノード電極は，金属膜からなり前記第１基板に向かう前記蛍光層の一面に形成されることを特徴とする，請求項５〜７のいずれかに記載の電子放出素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子放出素子に係り，特に電子放出部から放出される電子を制御するカソード電極およびゲート電極と上記電子を加速させるアノード電極とを含む電子放出素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に，電子放出素子は，電子源の種類によって，熱陰極（Ｈｏｔ Ｃａｔｈｏｄｅ）を用いる方式と，冷陰極（Ｃｏｌｄ Ｃａｔｈｏｄｅ）を用いる方式とに分類することができる。
【０００３】
冷陰極を用いる方式の電子放出素子としては，電界放出アレイ（ＦＥＡ：Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｔｔｅｒ Ａｒｒａｙ）型，表面伝導エミッション（ＳＣＥ：Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ・Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）型，金属−絶縁層−金属（ＭＩＭ：Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｍｅｔａｌ）型，および金属−絶縁層−半導体（ＭＩＳ：Ｍｅｔａｌ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型などが知られている。
【０００４】
上記電子放出素子のうち，ＦＥＡ型電子放出素子は，仕事関数（Ｗｏｒｋ Ｆｕｎｃｔｉｏｎ）が低いか縦横比が大きい物質を電子源として使用する場合，真空中で電界によって容易に電子が放出される原理を用いるものであり，モリブデン（Ｍｏ）またはシリコン（Ｓｉ）などを主材質とする，先端の尖ったチップ構造物，またはカーボンナノチューブ，黒鉛およびダイヤモンド状カーボンのようなカーボン係物質を電子源として適用した例が開発されている。
【０００５】
通常のＦＥＡ型電子放出素子は，真空容器を構成する二つの基板のうち，第１基板上に電子放出部が形成され，画素別電子放出量を制御する駆動電極としてカソード電極とゲート電極が形成され，第１基板に対向する第２基板の一面に蛍光層とともに蛍光層を高電位状態に維持させるアノード電極が設けられた構成を持っている。
【０００６】
カソード電極は，電子放出部と電気的に連結され，電子放出部に電子放出に必要な電流を供給する役目をし，ゲート電極は，カソード電極との電圧差を用いて電子放出部の周囲に電界を形成する役目をする。このようなカソード電極とゲート電極および電子放出部の構造に関連して，ゲート電極が絶縁層を介在してカソード電極上部に位置し，ゲート電極と絶縁層に開口部が形成されてカソード電極の一部表面を露出させ，開口部の内側でカソード電極上に電子放出部が位置する構造が知られている。
【０００７】
前述した構造においては，カソード電極とゲート電極およびアノード電極に所定の電圧を印加して電子放出部から電子を放出させる実質的な作用をするとき，電子放出部の上側のゲート電極の周囲に平坦な電位分布を具現する場合にだけ，電子が広がらないで優れた直進性を維持し第２基板に向かって進行することができる。
【０００８】
この際，平坦な電位分布とは，カソード電極とゲート電極および電子放出部を側断面で見たとき，カソード電極とゲート電極との間に存在する等電位線が第１基板の上面と平行状態を維持し，実質的に互いに均一な間隔を置いて位置することを意味する。この条件を満足することができない等電位線は，どの一方向に膨らんでいるかまたは凹んでいるため，平坦な電位分布を成すことができなくなる。
【０００９】
公知の電子レンズ動作原理によれば，電子が電場内部を通過するときには，電子の移動方向と力の方向（電場の方向と反対方向）のベクトル合成によって，実際の電子の移動方向が決定される。これを考慮すると，ゲート電極の周囲で電子放出部に対して凹んでいる電位分布が形成されれば，電子はゲート電極の開口部を通過しながら相当なビーム広がり
発生することになり，ゲート電極の周囲で電子放出部に対して膨らんでいる電位分布が形成されれば，電子はゲート電極の開口部を通過しながら集束されるが，以後の進行経路でオーバーフォーカスされ相当なビーム広がりが発生することになる。
【００１０】
したがって，通常のＦＥＡ型電子放出素子の分野では，ゲート電極の周囲にできるだけ平坦な電位分布を具現することが重要な技術的課題となっている。
【００１１】
しかし，このような電位分布の具現には相当な技術的難しさがある。これは，電位分布がカソード電極とゲート電極およびアノード電極に印加される電圧と，内部構造物の形状特性など複数の要因に依存するからである。
【００１２】
ところで，このようなそれぞれの要因も電子放出部の放出電流特性と画面輝度および工程能力などに大きく左右されるので，それぞれの要因を最適化して平坦な電位分布を得るのには大きな技術的限界がある。
【００１３】
その結果，従来のＦＥＡ型電子放出素子は，その作用時，ゲート電極の周囲に平坦でない電位分布，すなわち電子放出部に対して凹んでいるかまたは膨らんでいる電位分布を具現している。これにより，電子放出部から放出された電子は第２基板に向かって進行しながら発散されるため，対応する蛍光層に完全に到逹することができず，黒色層または隣り合う他色蛍光層に到逹することになるので，画面の表示品質を低下させる問題を抱いている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
そこで，本発明はこのような問題点に鑑みてなされたもので，その目的は，電子放出素子の作用時，ゲート電極の周囲に平坦な電位分布を具現して電子ビーム広がりを抑制し，その結果，表示品質を向上させることが可能な新規かつ改良された電子放出素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，互いに対向配置される第１基板および第２基板と，上記第１基板上に形成されるカソード電極と，上記カソード電極上に形成される電子放出部と，上記電子放出部を露出させるそれぞれの開口部を有し，上記カソード電極上に形成される絶縁層およびゲート電極と，上記第２基板上に形成される蛍光層と，上記蛍光層の一面に形成されるアノード電極とを含み，下記の条件を満足することを特徴とする，電子放出素子が提供される。
【００１６】
【数１】
2006286618.tif 000003
【００１７】
【数２】
2006286618.tif 000004
【００１８】
ここで，ｚはカソード電極とアノード電極との間の距離，ｚ’は第１基板と第２基板との間の間隔を示し，Ｖｃは上記カソード電極に印加される電圧，Ｖｇは上記ゲート電極に印加される電圧，Ｖａは上記アノード電極に印加される電圧，ｄは上記カソード電極とゲート電極との間の距離を示し，Ｖｃ，ＶｇおよびＶａの単位はボルト（Ｖ），ｄ，ｚおよびｚ’の単位はマイクロメートル（μｍ）である。
【００１９】
上記カソード電極と上記ゲート電極は互いに直交する方向に形成され，カソード電極とゲート電極の交差領域ごとに一つ以上の電子放出部が配置されることができる。
【００２０】
上記電子放出部は，カーボンナノチューブ，黒鉛，黒鉛ナノファイバー，ダイヤモンド，ダイヤモンド状カーボン，Ｃ６０，およびシリコンナノワイヤからなる群から選択される少なくとも１種の物質を含むことができる。
【発明の効果】
【００２１】
以上説明したように，本発明によればカソード電極とアノード電極との間の距離を最適化することにより，電子放出素子の作用時，実質的に平坦な電位分布を具現することができる。
【００２２】
上記結果により，電子放出部から放出される電子はビーム広がりを最小化しつつ第２基板に向かって直進し，その結果，対応する蛍光層に完全に到逹して蛍光層を発光させる。
【００２３】
したがって，本発明による電子放出素子は，表示品質が高くなり，高解像度の具現に有利な効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２５】
図１および図２はそれぞれ本発明の一実施形態による電子放出素子を部分分解して示した斜視図および部分断面して示した説明図である。
【００２６】
図１および図２に示すように，電子放出素子は，内部空間部を介在して互いに平行に対向配置される第１基板２と第２基板４を含む。この基板のうち，第１基板２には，電子放出のための構造物が提供され，第２基板４には，電子によって可視光を放出して任意の発光または表示を行うための構造物が提供される。
【００２７】
まず，第１基板２上には，カソード電極６が第１基板の一方向（図面のｙ軸方向）にストライプパターンで形成され，カソード電極６を覆うように第１基板２の全面に絶縁層８が形成される。絶縁層８上には，ゲート電極１０がカソード電極６と直交する方向（図面のｘ軸方向）にストライプパターンで形成される。
【００２８】
本実施形態において，カソード電極６とゲート電極１０の交差領域を画素領域と定義すると，カソード電極６上に各画素領域に一つ以上の電子放出部１２が形成され，絶縁層８とゲート電極１０には，各電子放出部１２に対応する開口部８ａ，１０ａが形成されることにより，第１基板２上の電子放出部１２が露出されるようにする。
【００２９】
電子放出部１２は，真空中で電界が印加されると電子を放出する物質，たとえばカーボン系物質またはナノメートル（ｎｍ）サイズの物質からなる。電子放出部１２として望ましい物質としては，カーボンナノチューブ，黒鉛，黒鉛ナノファイバー，ダイヤモンド，ダイヤモンド状カーボン，Ｃ６０，シリコンナノワイヤおよびこれらの組合せがあり，電子放出部１２の製造法としては，スクリーン印刷，直接成長，化学気象蒸着，またはスパッタリングなどを適用することができる。
【００３０】
上記のような電子放出部１２は，従来のいわゆるスピント（Ｓｐｉｎｄｔ）タイプと呼ばれる先端の尖ったチップ構造物とは異なり，ナノメートルあるいはマイクロメートル単位の微細な電子放出物質が集中した一種の電子放出層であり，チップ構造物と比べて電子放出面積が大きくて製造が容易な利点がある。
【００３１】
図１および図２において，電子放出部１２が円形に形成され，各画素領域でカソード電極６の長手方向に一列に配列される構成を示した。しかし，電子放出部１２の平面形状と，画素領域当たりの電子放出部の数および配列形態などは図示の例に限定されない。
【００３２】
そして，第１基板２に対向する第２基板４の一面には蛍光層１４と黒色層１６が形成され，蛍光層１４および黒色層１６上には，アルミニウムのような金属膜からなるアノード電極１８が形成される。アノード電極１８は，外部から電子ビーム加速に必要な高電圧を受け，蛍光層１４から放射された可視光のうち，第１基板２に向かって放射された可視光を第２基板４側に反射させて画面の輝度を高める役目をする。
【００３３】
一方，アノード電極は，金属膜でないＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）のような透明導電膜からなることができる。この場合，アノード電極は，第２基板に向かう蛍光層と黒色層の一面に位置し，所定のパターンに区分されて複数に形成されることができる。
【００３４】
前述した第１基板２と第２基板４は，その間にスペーサ２０を配置した状態で，低融点ガラスであるガラスフリットのようなシーリング材によって縁部が一体に接合され，内部空間部を排気させて真空状態に維持することで電子放出素子を構成する。この際，スペーサ２０は，黒色層１６が位置する非発光領域に対応して配置される。
【００３５】
このような構成の電子放出素子は，外部からカソード電極６，ゲート電極１０，およびアノード電極１８に所定の電圧を供給することにより駆動する。一例として，カソード電極６とゲート電極１０のいずれか一つの電極には走査信号電圧が，他の一つの電極にはデータ信号電圧が印加され，アノード電極１８には数百〜数千ボルトの（＋）直流電圧が印加される。
【００３６】
したがって，カソード電極６とゲート電極１０との間の電圧差が臨界値以上の画素において，電子放出部１２の周囲に電界が形成され，これから電子が放出され，放出された電子はアノード電極１８に印加された高電圧に引かれ，対応する蛍光層１４に衝突してこれを発光させる。この際，本実施形態の電子放出素子は，電子放出部１２の上側でゲート電極の周囲に実質的に平坦な電位分布を得るように，この電位分布に影響を及ぼす要因を考慮して最適化した内部構造を備える。
【００３７】
前述したように，電位分布は各電極に印加される電圧と内部構造物の形状特性，特に各電極間距離に主に左右される。すなわち，電位分布は主にカソード電圧，ゲート電圧，アノード電圧，カソード電極６とゲート電極１０との間の距離，およびカソード電極６とアノード電極１８との間の距離に依存する。
【００３８】
ところで，電位分布を決定する上記要因のうち，カソード電圧とゲート電圧は，いずれか一つが走査信号電圧を成し，他の一つがデータ信号電圧を成して画素別放出電流量を制御するので，これらの値は駆動面から主に決定され，アノード電圧はその値によって画面の輝度が決定されるので，これは主に輝度面で決定される。そして，カソード電極６とゲート電極１０との間の距離は絶縁層８の厚さにより具現され，絶縁層８の厚さは，二つの電極間の耐電圧確保と，工程の容易性など，主に工程能力によって決定される側面がある。
【００３９】
したがって，本実施形態の電子放出素子は，前述した三つの要因に対しては，前述したそれぞれの側面を考慮してその値を設定する代わり，この三つの要因を考慮してカソード電極６とアノード電極１８との間の距離を最適化することにより，平坦な電位分布を得ることにその特徴がある。
【００４０】
本実施形態の電子放出素子において，カソード電極６とアノード電極１８との間の距離（ｚ）は下記条件を満足する。
【００４１】
【数３】
2006286618.tif 000005
【００４２】
ここで，Ｖｃはカソード電圧，Ｖｇはゲート電圧，Ｖａはアノード電圧を示し，ｄはカソード電極６とゲート電極１０との間の距離を示す。Ｖｃ，ＶｇおよびＶａの単位はボルト（Ｖ）であり，ｄとｚの単位はマイクロメートル（μｍ）である。
【００４３】
上記数式１によれば，カソード電極６とゲート電極１０の駆動条件，および第１基板２に提供される構造物の形状にかかわらず，電子放出素子の駆動時，電子放出部１２上側のゲート電極１０の開口部１０ａに，電子レンズ歪み度２０％以下の実質的に平坦な電位分布を具現することができる。図３に基づいて，これを具体的に説明すれば次のようである。
【００４４】
図３に示した説明図において，縦軸は電子レンズ歪み度で，ゲート電極の周囲で発生する電位差の程度を示す。電子レンズ歪み度は下記数式３により定義される。
【００４５】
【数４】
2006286618.tif 000006
【００４６】
ここで，Ｖｃｅｎｔｅｒはゲート電極の開口部中心の電位を示す。
そして，グラフの横軸はＶｇ／Ｖｇ’と定義されるゲート電圧比であって，理想的なゲート電圧（Ｖｇ’）と実際に印加されるゲート電圧（Ｖｇ）の割合を示す。理想的なゲート電圧（Ｖｇ’）は下記数式により定義される。
【００４７】
【数５】
2006286618.tif 000007
そして，上記数式４から下記数式５を誘導することができる。
【００４８】
【数６】
2006286618.tif 000008
【００４９】
図３の結果から分かるように，カソード電極とアノード電極との間の距離（ｚ）が数式１の条件を満足する範囲，すなわちゲート電圧比（Ｖｇ／Ｖｇ’）が０．７〜１．４の範囲では，電子レンズ歪み度が２０％以下の結果を表している。２０％以下の電子レンズ歪み度では，電子放出部から電子が放出されるとき，電子の発散角（第１基板の法線から測定される角度）がおよそ３゜以内であり，優れた電子ビーム直進性を具現する。
【００５０】
以下，数式１の条件を満足する本実施形態の電子放出素子と，カソード電極とアノード電極との間の距離（ｚ）が１．４ｄ｛（Ｖａ−Ｖｃ）／Ｖｇ｝を超過する比較例１の電子放出素子と，カソード電極とアノード電極との間の距離（ｚ）が０．７ｄ｛（Ｖａ−Ｖｃ）／Ｖｇ｝未満の比較例２の電子放出素子を設定し，これら３種の電子放出素子の電位分布と電子ビーム放出軌跡について説明する。
【００５１】
図４Ａおよび図４Ｂは，それぞれ本実施形態の電子放出素子の駆動時，ゲート電極の周囲に形成される電位分布と電子ビーム放出軌跡を示す概略図である。駆動条件は，カソード電圧（Ｖｃ）が０Ｖ，ゲート電圧（Ｖｇ）が８０Ｖ，アノード電圧（Ｖａ）が８ｋＶ，カソード電極とゲート電極との間の距離（ｄ）は１５μｍ，カソード電極とアノード電極との間の距離は１５００μｍを適用した。
【００５２】
図４Ａを参考すれば，電子放出素子の駆動時，電子放出部の上側に，第１基板の上面と平行を成す等電位線が実質的に互いに均一な間隔を置いて平坦な電位分布を形成していることが分かる。したがって，図４Ｂに示すように，電子放出部から放出される電子は第２基板に向かって進行するとき，ビーム広がりがほとんど起こらなく，優れた直進性を有する。
【００５３】
図５Ａおよび図５Ｂは，それぞれ比較例１の電子放出素子の駆動時，ゲート電極の周囲に形成される電位分布と電子ビーム放出軌跡を示す概略図である。カソード電圧（Ｖｃ），ゲート電圧（Ｖｇ），アノード電圧（Ｖａ），およびカソード電極とゲート電極との間の距離（ｄ）は前述した実施形態の電子放出素子と同一であり，カソード電極とアノード電極との間の距離（ｚ）は２４００μｍを適用した。
【００５４】
図５Ａを参考すれば，比較例１の電子放出素子においては，その作用時，電子放出部の上側に，アノード電極に対して膨らんでいる等電位線が形成される。その結果，図５Ｂに示すように，電子が第２基板に進行するとき，相当なビーム広がりが発生することが分かる。
【００５５】
図６Ａおよび図６Ｂは，それぞれ比較例２の電子放出素子の駆動時，ゲート電極の周囲に形成される電位分布と電子ビーム放出軌跡を示す概略図である。カソード電圧（Ｖｃ），ゲート電圧（Ｖｇ），アノード電圧（Ｖａ），およびカソード電極とゲート電極との間の距離（ｄ）は前述した実施形態の電子放出素子と同一であり，カソード電極とアノード電極との間の距離（ｚ）は７５０μｍを適用した。
【００５６】
図６Ａを参考すれば，比較例２の電子放出素子においては，その作用時，電子放出部の上側に，アノード電極に対して凹んでいる等電位線が形成される。その結果，図６Ｂに示すように，電子はゲート電極を通過しながら集束されるが，その後，オーバーフォーカスされるので，この電子が蛍光層に到逹するときには相当なビーム広がりが発生することになる。図６Ｂは電子が集束された状態のみを示しているが，実際にこの電子が蛍光層に向かってさらに進行すれば，図６Ｃに示すように，所定地点からビーム広がり現象が発生することになる。
【００５７】
上記のように，本実施形態の電子放出素子は，駆動条件または第１基板２に提供される構造物の形状にあまりかかわらず，カソード電極６とアノード電極１８との間の距離を調節するにより，電子放出素子の作用時，平坦な電位分布を得ることができる。
【００５８】
この際，カソード電極６とアノード電極１８との間の距離は，実質的に第１基板２と第２基板４との間隔によって具現される。すなわち，上記数式１から導出した電極間の距離は，実際の電子放出素子の製作時，二つの基板の間隔で具現される。また，カソード電極６，アノード電極１８，および蛍光層１４の厚さはそれぞれ数百〜数千Å程度であって，第１基板２と第２基板４との間隔に比べて極めて小さい値であるため，カソード電極６とアノード電極１８との間の距離（ｚ）は第１基板２と第２基板４との間の間隔に近似した値を有する。したがって，第１基板２と第２基板４との間の間隔をｚ’すると，前述した数式１は下記数式６でも表現できる。
【００５９】
【数７】
2006286618.tif 000009
【００６０】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
本発明は，電子放出素子に適用可能であり，特に電子放出部から放出される電子を制御するカソード電極およびゲート電極と上記電子を加速させるアノード電極とを含む電子放出素子に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の一実施形態による電子放出素子を部分分解して示した斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態による電子放出素子を部分断面して示した説明図である。
【図３】ゲート電圧比による電子レンズ歪み度の変化を示す説明図である。
【図４Ａ】本発明の実施形態による電子放出素子の作用時，電子放出部の周囲の電位分布を示す説明図である。
【図４Ｂ】本発明の実施形態による電子放出素子の作用時，電子ビーム放出軌跡を示す説明図である。
【図５Ａ】本発明の第１比較例による電子放出素子の作用時，電子放出部の周囲の電位分布を示す説明図である。
【図５Ｂ】本発明の第１比較例による電子放出素子の作用時，電子ビーム放出軌跡を示す説明図である。
【図６Ａ】本発明の第２比較例による電子放出素子の作用時，電子放出部の周囲の電位分布を示す説明図である。
【図６Ｂ】本発明の第２比較例による電子放出素子の作用時，電子放出部の周囲の電子ビーム放出軌跡を示す説明図である。
【図６Ｃ】本発明の第２比較例による電子放出素子の作用時，電子ビーム放出軌跡を示す説明図である。
【符号の説明】
【００６３】
２  第１基板
４  第２基板
６  カソード電極
８  絶縁層
１０  ゲート電極
１２  電子放出部
１４  蛍光層
１６  黒色層
１８  アノード電極
２０  スペーサ
【図１】
2006286618.tif 000013
【図２】
2006286618.tif 000014
【図３】
2006286618.tif 000015
【図４Ａ】
2006286618.tif 000016
【図４Ｂ】
2006286618.tif 000017
【図５Ａ】
2006286618.tif 000018
【図５Ｂ】
2006286618.tif 000019
【図６Ａ】
2006286618.tif 000020
【図６Ｂ】
2006286618.tif 000021
【図６Ｃ】
2006286618.tif 000022