(57)【要約】【課題】  固体撮像素子と半導体記憶素子とを別チップで管理する煩雑さを容易に解消することができると共に、固体撮像素子と対で用いられる結像手段に関する特性情報の管理の煩雑さを解消することのできる半導体装置及び撮影装置を得る。【解決手段】  撮像によって被写体像を示す画像信号を取得するＣＣＤ２４と、ＣＣＤ２４に関する所定特性を示す情報とＣＣＤ２４の撮像位置に被写体像を結像するレンズに関する所定特性を示す情報を記憶するためのメモリ２５を連結部材６０で各々別チップの状態で一体化する。【選択図】        図３
2006245806.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像によって被写体像を示す画像信号を取得する固体撮像素子と、
前記固体撮像素子に関する所定特性を示す情報と前記固体撮像素子の撮像位置に被写体像を結像する結像手段に関する所定特性を示す情報を記憶するための半導体記憶素子と、
前記固体撮像素子と前記半導体記憶素子を各々別チップの状態で一体化する一体化手段と、
を備えた半導体装置。
【請求項２】
前記半導体記憶素子を不揮発性のものとした
請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体記憶素子を電気的に書き換え可能なものとした
請求項１又は請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記固体撮像素子に関する所定特性を示す情報を、前記固体撮像素子の欠陥画素の位置を示す情報、前記固体撮像素子の感度特性を示す情報、前記固体撮像素子のスミア特性を示す情報、及び前記固体撮像素子の駆動電圧を示す情報の少なくとも１つとし、
前記結像手段に関する所定特性を示す情報を、前記結像手段の収差特性を示す情報、及び前記結像手段の透過率特性を示す情報の少なくとも１つとした
請求項１乃至請求項３の何れか１項記載の半導体装置。
【請求項５】
前記一体化手段を、前記固体撮像素子と前記半導体記憶素子を分離可能に構成した
請求項１乃至請求項４の何れか１項記載の半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５の何れか１項記載の半導体装置と、
前記半導体装置の前記固体撮像素子によって取得された画像信号を記録する記録手段と、
前記半導体装置の前記半導体記憶素子に記憶されている情報に基づいて所定処理を実行する処理実行手段と、
を備えた撮影装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及び撮影装置に係り、特に、固体撮像素子及び半導体記憶素子を備えた半導体装置及び当該半導体装置を搭載した撮影装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）エリアセンサ、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）イメージ・センサ等の固体撮像素子の高解像度化に伴い、デジタルカメラ、携帯電話機、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant，携帯情報端末）等の撮影機能を有する情報機器の需要が急増している。
【０００３】
ところで、固体撮像素子には、一般に、光の入射とは無関係に熱的に発生する電荷がフォトダイオードに溜まり込むことに起因して生じる画素欠陥（所謂、白傷）や、フォトダイオード上に塵等が付着して入射光量が低減することに起因して生じる画素欠陥（所謂、黒傷）が存在する。このため、従来、固体撮像素子の画素欠陥のある位置を固体撮像素子とは別のチップの半導体記憶素子に予め記憶しておき、固体撮像素子から出力される映像信号に対して半導体記憶素子に記憶されている位置情報に合致する画素の信号を補正する技術があった。
【０００４】
しかしながら、固体撮像素子で発生する画素欠陥の位置は固体撮像素子毎に異なるため、画素欠陥の発生位置を記録する半導体記憶素子は固体撮像素子毎に専用に準備する必要があった。このため、固体撮像素子と半導体記憶素子とを対（ペア）で管理する必要があり、在庫管理から出荷後のカメラ実装までの管理が極めて煩わしいものであった。
【０００５】
この問題を解決するために、特許文献１には、固体撮像素子が設けられる同一チップ上に当該固体撮像素子で発生する画素欠陥の位置情報を記憶するためのメモリを設けた技術が開示されている。
【０００６】
この技術によって、別チップのメモリを用いる必要がなく、従って固体撮像素子とメモリをペアで管理する必要もなくなる。
【特許文献１】特開平１０−２１０３７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記特許文献１に開示されている技術では、固体撮像素子と半導体記憶素子を同一チップ上に形成する必要があり、当該チップの製造が極めて難しい、という問題点があった。特に、固体撮像素子がＣＣＤエリアセンサである場合には、固体撮像素子と半導体記憶素子を同一チップ上に形成することは、著しく困難である。
【０００８】
一方、固体撮像素子は、当該固体撮像素子の撮像位置に被写体像を結像させる結像手段と組み合わせられた状態で用いられる。このため、結像手段の特性情報は当該結像手段と組み合わせられる固体撮像素子の特性情報と対で管理されることが好ましい。
【０００９】
これに対し、上記特許文献１に開示されている技術では、固体撮像素子と組み合わせられる結像手段の特性情報の管理に関しては考慮されておらず、当該特性情報の管理が極めて煩わしい、という問題点もあった。
【００１０】
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであり、固体撮像素子と半導体記憶素子とを別チップで管理する煩雑さを容易に解消することができると共に、固体撮像素子と対で用いられる結像手段に関する特性情報の管理の煩雑さを解消することのできる半導体装置及び撮影装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、請求項１記載の半導体装置は、撮像によって被写体像を示す画像信号を取得する固体撮像素子と、前記固体撮像素子に関する所定特性を示す情報と前記固体撮像素子の撮像位置に被写体像を結像する結像手段に関する所定特性を示す情報を記憶するための半導体記憶素子と、前記固体撮像素子と前記半導体記憶素子を各々別チップの状態で一体化する一体化手段と、を備えている。
【００１２】
請求項１に記載の半導体装置では、固体撮像素子による撮像によって被写体像を示す画像信号が取得されると共に、半導体記憶素子により、前記固体撮像素子に関する所定特性を示す情報と前記固体撮像素子の撮像位置に被写体像を結像する結像手段に関する所定特性を示す情報が記憶される。なお、上記固体撮像素子には、ＣＣＤエリアセンサ及びＣＭＯＳイメージ・センサが含まれる。また、上記半導体記憶素子には、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable and Programmable ROM）、フラッシュメモリ（Flash Memory）、バッテリ・バックアップされたＲＡＭ（Random Access Memory）が含まれる。
【００１３】
ここで、本発明の半導体装置では、一体化手段により、前記固体撮像素子と前記半導体記憶素子が各々別チップの状態で一体化される。なお、上記一体化手段による固体撮像素子と半導体記憶素子の一体化は、接着剤を用いた接着による一体化や、各素子を機械的に結合する結合部材による一体化の他、各素子を同一モールド内に封止することによる一体化が含まれる。
【００１４】
このように、請求項１に記載の半導体装置によれば、撮像によって被写体像を示す画像信号を取得する固体撮像素子と、前記固体撮像素子に関する所定特性を示す情報と前記固体撮像素子の撮像位置に被写体像を結像する結像手段に関する所定特性を示す情報を記憶するための半導体記憶素子を各々別チップの状態で一体化しているので、固体撮像素子と半導体記憶素子とを別チップで管理する煩雑さを容易に解消することができると共に、固体撮像素子と対で用いられる結像手段に関する特性情報の管理の煩雑さを解消することができる。
【００１５】
なお、本発明は、請求項２に記載の発明のように、前記半導体記憶素子を不揮発性のものとしてもよい。これによって、固体撮像素子及び結像手段に関する所定特性を示す情報を半導体記憶素子に保持することができ、利便性を向上させることができる。
【００１６】
また、本発明は、請求項３に記載の発明のように、前記半導体記憶素子を電気的に書き換え可能なものとしてもよい。これによって、半導体記憶素子に対する情報の記憶を簡易に行うことができると共に、固体撮像素子及び結像手段に関する所定特性の経時変化に対応することができる。
【００１７】
また、本発明は、請求項４に記載の発明のように、前記固体撮像素子に関する所定特性を示す情報を、前記固体撮像素子の欠陥画素の位置を示す情報、前記固体撮像素子の感度特性を示す情報、前記固体撮像素子のスミア特性を示す情報、及び前記固体撮像素子の駆動電圧を示す情報の少なくとも１つとし、前記結像手段に関する所定特性を示す情報を、前記結像手段の収差特性を示す情報、及び前記結像手段の透過率特性を示す情報の少なくとも１つとしてもよい。これによって、適用した情報に基づく処理を実行することが可能となる。
【００１８】
更に、本発明は、請求項５に記載の発明のように、前記一体化手段を、前記固体撮像素子と前記半導体記憶素子を分離可能に構成してもよい。これによって、固体撮像素子と半導体記憶素子の組み合わせを適宜変更することが可能となり、固体撮像素子及び半導体記憶素子の汎用性を向上させることができる。
【００１９】
一方、上記目的を達成するために、請求項６記載の撮影装置は、請求項１乃至請求項５の何れか１項記載の半導体装置と、前記半導体装置の前記固体撮像素子によって取得された画像信号を記録する記録手段と、前記半導体装置の前記半導体記憶素子に記憶されている情報に基づいて所定処理を実行する処理実行手段と、を備えている。
【００２０】
請求項６に記載の撮影装置には、本発明の半導体装置が備えられている。
【００２１】
そして、本発明では、前記半導体装置の固体撮像素子によって取得された画像信号が記録手段によって記録されると共に、処理実行手段により、前記半導体装置の半導体記憶素子に記憶されている情報に基づいて所定処理が実行される。
【００２２】
このように、請求項６に記載の撮影装置によれば、本発明の半導体装置を備えているので、当該半導体装置と同様に、固体撮像素子と半導体記憶素子とを別チップで管理する煩雑さを容易に解消することができると共に、固体撮像素子と対で用いられる結像手段に関する特性情報の管理の煩雑さを解消することができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、撮像によって被写体像を示す画像信号を取得する固体撮像素子と、前記固体撮像素子に関する所定特性を示す情報と前記固体撮像素子の撮像位置に被写体像を結像する結像手段に関する所定特性を示す情報を記憶するための半導体記憶素子を各々別チップの状態で一体化しているので、固体撮像素子と半導体記憶素子とを別チップで管理する煩雑さを容易に解消することができると共に、固体撮像素子と対で用いられる結像手段に関する特性情報の管理の煩雑さを解消することができる、という効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。なお、ここでは、本発明の半導体装置及び撮影装置をデジタル電子スチルカメラ（以下、「デジタルカメラ」という。）に適用した場合について説明する。
【００２５】
まず、図１を参照して、本実施の形態に係るデジタルカメラ１０の外観上の構成を説明する。
【００２６】
デジタルカメラ１０の正面には、被写体像を結像させるためのレンズ２１と、撮影時に必要に応じて被写体に照射する光を発するストロボ４４と、撮影する被写体の構図を決定するために用いられるファインダ２０と、が備えられている。また、デジタルカメラ１０の上面には、撮影を実行する際に押圧操作されるレリーズスイッチ（所謂シャッター）５６Ａと、電源スイッチ５６Ｂと、モード切替スイッチ５６Ｃと、が備えられている。
【００２７】
なお、本実施の形態に係るデジタルカメラ１０のレリーズスイッチ５６Ａは、中間位置まで押下される状態（以下、「半押し状態」という。）と、当該中間位置を超えた最終押下位置まで押下される状態（以下、「全押し状態」という。）と、の２段階の押圧操作が検出可能に構成されている。
【００２８】
そして、デジタルカメラ１０では、レリーズスイッチ５６Ａを半押し状態にすることによりＡＥ（Automatic Exposure、自動露出）機能が働いて露出状態（シャッタースピード、絞りの状態）が設定された後、ＡＦ（Auto Focus、自動合焦）機能が働いて合焦制御され、その後、引き続き全押し状態にすると露光（撮影）が行われる。
【００２９】
また、モード切替スイッチ５６Ｃは、撮影を行うモードである撮影モード及び被写体像を後述するＬＣＤ３８に再生するモードである再生モードの何れかのモードに設定する際に回転操作される。
【００３０】
一方、デジタルカメラ１０の背面には、前述のファインダ２０の接眼部と、撮影された被写体像やメニュー画面等を表示する液晶ディスプレイ（以下、「ＬＣＤ」という。）３８と、十字カーソルスイッチ５６Ｄと、が備えられている。なお、十字カーソルスイッチ５６Ｄは、ＬＣＤ３８の表示領域における上・下・左・右の４方向の移動方向を示す４つの矢印キーを含んで構成されている。
【００３１】
更に、デジタルカメラ１０の背面には、ＬＣＤ３８にメニュー画面を表示させるときに押圧操作されるメニュースイッチと、それまでの操作内容を確定するときに押圧操作される決定スイッチと、直前の操作内容をキャンセルするときに押圧操作されるキャンセルスイッチと、ストロボ４４の発光状態を設定するときに押圧操作されるストロボスイッチと、マクロ撮影を行うときに押圧操作されるマクロ撮影スイッチと、が備えられている。
【００３２】
次に、図２を参照して、本実施の形態に係るデジタルカメラ１０の電気系の要部構成を説明する。
【００３３】
デジタルカメラ１０は、前述のレンズ２１を含んで構成された光学ユニット２２と、レンズ２１の光軸後方に配設された電荷結合素子（以下、「ＣＣＤ」という。）２４を有する半導体装置２３と、入力されたアナログ信号に対して各種のアナログ信号処理を行うアナログ信号処理部２６と、を含んで構成されている。なお、本発明に特に関係する半導体装置２３の構成については後に詳述する。
【００３４】
また、デジタルカメラ１０は、入力されたアナログ信号をデジタルデータに変換するアナログ／デジタル変換器（以下、「ＡＤＣ」という。）２８と、入力されたデジタルデータに対して各種のデジタル信号処理を行うデジタル信号処理部３０と、を含んで構成されている。
【００３５】
なお、デジタル信号処理部３０は、所定容量のラインバッファを内蔵し、入力されたデジタルデータを後述するメモリ４８の所定領域に直接記憶させる制御も行う。
【００３６】
ＣＣＤ２４の出力端はアナログ信号処理部２６の入力端に、アナログ信号処理部２６の出力端はＡＤＣ２８の入力端に、ＡＤＣ２８の出力端はデジタル信号処理部３０の入力端に、各々接続されている。従って、ＣＣＤ２４から出力された被写体像を示すアナログ信号はアナログ信号処理部２６によって所定のアナログ信号処理が施され、ＡＤＣ２８によってデジタル画像データに変換された後にデジタル信号処理部３０に入力される。
【００３７】
一方、デジタルカメラ１０は、被写体像やメニュー画面等をＬＣＤ３８に表示させるための信号を生成してＬＣＤ３８に供給するＬＣＤインタフェース３６と、デジタルカメラ１０全体の動作を司るＣＰＵ（中央処理装置）４０と、撮影により得られたデジタル画像データ等を一時的に記憶するメモリ４８と、メモリ４８に対するアクセスの制御を行うメモリインタフェース４６と、を含んで構成されている。
【００３８】
更に、デジタルカメラ１０は、可搬型のメモリカード５２をデジタルカメラ１０でアクセス可能とするための外部メモリインタフェース５０と、デジタル画像データに対する圧縮処理及び伸張処理を行う圧縮・伸張処理回路５４と、を含んで構成されている。
【００３９】
なお、本実施の形態のデジタルカメラ１０では、メモリ４８としてフラッシュ・メモリ（Flash Memory）が用いられ、メモリカード５２としてスマートメディア（Smart Media（登録商標））が用いられている。
【００４０】
デジタル信号処理部３０、ＬＣＤインタフェース３６、ＣＰＵ４０、メモリインタフェース４６、外部メモリインタフェース５０及び圧縮・伸張処理回路５４はシステムバスＢＵＳを介して相互に接続されている。従って、ＣＰＵ４０は、デジタル信号処理部３０及び圧縮・伸張処理回路５４の作動の制御、ＬＣＤ３８に対するＬＣＤインタフェース３６を介した各種情報の表示、メモリ４８及びメモリカード５２へのメモリインタフェース４６ないし外部メモリインタフェース５０を介したアクセスを各々行うことができる。
【００４１】
一方、デジタルカメラ１０には、主としてＣＣＤ２４を駆動させるためのタイミング信号を生成してＣＣＤ２４に供給するタイミングジェネレータ３２が備えられており、ＣＣＤ２４の駆動はＣＰＵ４０によりタイミングジェネレータ３２を介して制御される。
【００４２】
更に、デジタルカメラ１０にはモータ駆動部３４が備えられており、光学ユニット２２に備えられた図示しない焦点調整モータ、ズームモータ及び絞り駆動モータの駆動もＣＰＵ４０によりモータ駆動部３４を介して制御される。
【００４３】
すなわち、本実施の形態に係るレンズ２１は複数枚のレンズを有し、焦点距離の変更（変倍）が可能なズームレンズとして構成されており、図示しないレンズ駆動機構を備えている。このレンズ駆動機構に上記焦点調整モータ、ズームモータ及び絞り駆動モータは含まれるものであり、これらのモータは各々ＣＰＵ４０の制御によりモータ駆動部３４から供給された駆動信号によって駆動される。
【００４４】
更に、前述のレリーズスイッチ５６Ａ、電源スイッチ５６Ｂ、モード切替スイッチ５６Ｃ、十字カーソルスイッチ５６Ｄ、メニュースイッチ等の各種スイッチ（同図では、「操作部５６」と総称。）はＣＰＵ４０に接続されており、ＣＰＵ４０は、これらの操作部５６に対する操作状態を常時把握できる。
【００４５】
また、デジタルカメラ１０には、ストロボ４４とＣＰＵ４０との間に介在されると共に、ＣＰＵ４０の制御によりストロボ４４を発光させるための電力を充電する充電部４２が備えられている。更に、ストロボ４４はＣＰＵ４０にも接続されており、ストロボ４４の発光はＣＰＵ４０によって制御される。
【００４６】
次に、図３を参照して、本実施の形態に係る半導体装置２３の構成を説明する。
【００４７】
本実施の形態に係る半導体装置２３は、図３（Ａ）、（Ｂ）に示されるように、各々ＤＩＰ（Dual Inline Package）として構成されたＣＣＤ２４及びメモリ２５と、ＣＣＤ２４及びメモリ２５を各々別チップの状態で一体化する連結部材６０と、を備えている。
【００４８】
連結部材６０には、図３における一方の側面にＣＣＤ２４のリード・フレームが出ていない一端部を嵌合する開口部が設けられると共に、他方の側面にメモリ２５のリード・フレームが出ていない一端部を嵌合する開口部が設けられており、ＣＣＤ２４とメモリ２５を接合するものとされている。
【００４９】
半導体装置２３は、図３（Ａ）に示されるように、連結部材６０に対して一方の側面にＣＣＤ２４の一端部が挿入されると共に、他方の側面にメモリ２５の一端部が挿入されることにより、図３（Ｂ）に示されるようにＣＣＤ２４とメモリ２５が一体化されたものとして構成されている。
【００５０】
そして、半導体装置２３のメモリ２５には、当該半導体装置２３として一体化されたＣＣＤ２４に関する所定特性を示す情報と、当該半導体装置２３が搭載されるデジタルカメラ１０で用いられているレンズ２１に関する所定特性を示す情報が記憶される。
【００５１】
図４には、本実施の形態に係る半導体装置２３のメモリ２５に記憶される情報のデータ構造が模式的に示されている。
【００５２】
同図に示すように、本実施の形態では、上記ＣＣＤ２４に関する所定特性を示す情報（以下、「ＣＣＤ特性情報」という。）として、ＣＣＤ２４の画素欠陥の位置を示す情報、ＣＣＤ２４の感度特性を示す情報、ＣＣＤ２４のスミア特性を示す情報、及びＣＣＤ２４の駆動電圧を示す情報がメモリ２５に記憶される。また、上記レンズ２１に関する所定特性を示す情報（以下、「レンズ特性情報」という。）として、レンズ２１の収差特性（歪曲収差及び色収差を含む。）を示す情報、及びレンズ２１の透過率特性を示す情報がメモリ２５に記憶される。
【００５３】
なお、これらの情報は如何なるタイミングでメモリ２５に記憶してもよいが、本実施の形態では、ＣＣＤ２４とメモリ２５を一体化するタイミングでＣＣＤ特性情報を記憶し、半導体装置２３をデジタルカメラ１０に組み込むタイミングでレンズ特性情報を記憶するものとされている。これにより、メモリ２５の記憶内容と、当該メモリ２５に一体化されているＣＣＤ２４及びレンズ２１との対応の不一致の発生を防止することができる。
【００５４】
また、本実施の形態では、メモリ２５として不揮発性で、かつ電気的に書き換え可能なもの（具体的には、フラッシュメモリ）を適用している。これにより、ＣＣＤ特性情報及びレンズ特性情報を保持することができ、利便性を向上させることができると共に、メモリ２５に対する情報の記憶を簡易に行うことができ、かつＣＣＤ２４及びレンズ２１に関する上記各特性の経時変化に対応することができる。
【００５５】
メモリ２５はＣＰＵ４０に電気的に接続されており、ＣＰＵ４０はメモリ２５にアクセスすることができる。
【００５６】
次に、本実施の形態に係るデジタルカメラ１０の撮影時における作用を説明する。
【００５７】
まず、ＣＣＤ２４は、光学ユニット２２を介した撮像を行い、被写体像を示すＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）毎のアナログ信号をアナログ信号処理部２６に順次出力する。アナログ信号処理部２６は、ＣＣＤ２４から入力されたアナログ信号に対して相関二重サンプリング処理等のアナログ信号処理を施した後にＡＤＣ２８に順次出力する。
【００５８】
ＡＤＣ２８は、アナログ信号処理部２６から入力されたＲ、Ｇ、Ｂ毎のアナログ信号を各々１２ビットのＲ、Ｇ、Ｂの信号（デジタル画像データ）に変換してデジタル信号処理部３０に順次出力する。デジタル信号処理部３０は、内蔵しているラインバッファにＡＤＣ２８から順次入力されるデジタル画像データを蓄積して一旦メモリ４８の所定領域に直接格納する。
【００５９】
メモリ４８の所定領域に格納されたデジタル画像データは、ＣＰＵ４０による制御に応じてデジタル信号処理部３０により読み出され、所定の物理量に応じたＲ，Ｇ，Ｂ毎のデジタルゲインをかけることでホワイトバランス調整を行うと共に、ガンマ処理及びシャープネス処理を行って８ビットのデジタル画像データを生成する。
【００６０】
また、デジタル信号処理部３０は、生成した８ビットのデジタル画像データに対して、半導体装置２３のメモリ２５に記憶されているＣＣＤ特性情報に基づいて、ＣＣＤ２４の欠陥画素補正（一例として、特許文献１に記載されている補正）、ＣＣＤ２４の感度特性に応じた感度補正、及びＣＣＤ２４のスミア特性に応じた画像補正を行うと共に、レンズ特性情報に基づいて、レンズ２１の収差特性に応じた収差補正、及びレンズ２１の透過率特性に応じた画像補正を行う。なお、これらの補正処理は何れも従来既知の技術を用いて行うことができるので、これ以上のここでの説明は省略する。
【００６１】
そして、デジタル信号処理部３０は、以上の各種補正処理後のデジタル画像データに対しＹＣ信号処理を施して輝度信号Ｙとクロマ信号Ｃｒ、Ｃｂ（以下、「ＹＣ信号」という。）を生成し、ＹＣ信号をメモリ４８の上記所定領域とは異なる領域に格納する。
【００６２】
なお、ＬＣＤ３８は、ＣＣＤ２４による連続的な撮像によって得られた動画像（スルー画像）を表示してファインダとして使用することができるものとして構成されており、ＬＣＤ３８をファインダとして使用する場合には、生成したＹＣ信号を、ＬＣＤインタフェース３６を介して順次ＬＣＤ３８に出力する。これによってＬＣＤ３８にスルー画像が表示されることになる。
【００６３】
ここで、レリーズスイッチ５６Ａがユーザによって半押し状態とされたタイミングで前述のようにＡＥ機能が働いて露出状態が設定された後、ＡＦ機能が働いて合焦制御され、その後、引き続き全押し状態とされたタイミングで、その時点でメモリ４８に格納されているＹＣ信号を、圧縮・伸張処理回路５４によって所定の圧縮形式（本実施の形態では、ＪＰＥＧ形式）で圧縮した後に外部メモリインタフェース５０を介してメモリカード５２に電子化ファイル（画像ファイル）として記録する。
【００６４】
なお、ＣＣＤ特性情報における駆動電圧情報は、ＣＰＵ４０によりＣＣＤ２４に対する給電制御において適用される。この制御により、ＣＣＤ２４を高い性能で動作させることができる。
【００６５】
以上詳細に説明したように、本実施の形態に係る半導体装置２３では、撮像によって被写体像を示す画像信号を取得する固体撮像素子（ここでは、ＣＣＤ２４）と、前記固体撮像素子に関する所定特性を示す情報（ここでは、ＣＣＤ特性情報）と前記固体撮像素子の撮像位置に被写体像を結像する結像手段（ここでは、レンズ２１）に関する所定特性を示す情報（ここでは、レンズ特性情報）を記憶するための半導体記憶素子（ここでは、メモリ２５）を一体化手段（ここでは、連結部材６０）で各々別チップの状態で一体化しているので、固体撮像素子と半導体記憶素子とを別チップで管理する煩雑さを容易に解消することができると共に、固体撮像素子と対で用いられる結像手段に関する特性情報の管理の煩雑さを解消することができる。
【００６６】
また、本実施の形態に係る半導体装置２３では、前記半導体記憶素子を不揮発性のものとしているので、固体撮像素子及び結像手段に関する所定特性を示す情報を半導体記憶素子に保持することができ、利便性を向上させることができる。
【００６７】
また、本実施の形態に係る半導体装置２３では、前記半導体記憶素子を電気的に書き換え可能なものとしているので、半導体記憶素子に対する情報の記憶を簡易に行うことができると共に、固体撮像素子及び結像手段に関する所定特性の経時変化に対応することができる。
【００６８】
また、本実施の形態に係る半導体装置２３では、前記固体撮像素子に関する所定特性を示す情報を、前記固体撮像素子の欠陥画素の位置を示す情報、前記固体撮像素子の感度特性を示す情報、前記固体撮像素子のスミア特性を示す情報、及び前記固体撮像素子の駆動電圧を示す情報とし、前記結像手段に関する所定特性を示す情報を、前記結像手段の収差特性を示す情報、及び前記結像手段の透過率特性を示す情報としているので、これらの情報に基づく好適な処理を実行することが可能となる。
【００６９】
更に、本実施の形態に係る半導体装置２３では、前記一体化手段を、前記固体撮像素子と前記半導体記憶素子を分離可能に構成しているので、固体撮像素子と半導体記憶素子の組み合わせを適宜変更することが可能となり、固体撮像素子及び半導体記憶素子の汎用性を向上させることができる。
【００７０】
一方、本実施の形態に係るデジタルカメラ１０では、以上のような半導体装置２３を備えているので、当該半導体装置２３と同様に、固体撮像素子と半導体記憶素子とを別チップで管理する煩雑さを容易に解消することができると共に、固体撮像素子と対で用いられる結像手段に関する特性情報の管理の煩雑さを解消することができる。
【００７１】
なお、本実施の形態では、本発明の一体化手段として、固体撮像素子と半導体記憶素子を分離可能に構成した連結部材６０を適用した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、固体撮像素子と半導体記憶素子を分離することができない、一例として図５に示されるような、固体撮像素子（ＣＣＤ）及び半導体記憶素子（メモリ）を一体的に封止するモールドを適用する形態とすることもできる。この場合、上記の固体撮像素子及び半導体記憶素子の汎用性を向上させる効果を除く本実施の形態と同様の効果を奏することができる。
【００７２】
また、本実施の形態では、本発明の一体化手段として、ＣＣＤ２４及びメモリ２５とは別体として構成された連結部材６０を適用した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、ＣＣＤ２４のリード・フレームが出ていない一端部及びメモリ２５のリード・フレームが出ていない一端部に、各々互いに連結可能なコネクタ等の連結部材を設ける形態とすることもできる。この場合、半導体装置を構成するための部材数を削減することができ、半導体装置を構成する部材の管理の煩雑さを低減することができる。
【００７３】
また、本実施の形態では、本発明の固体撮像素子としてＣＣＤを適用した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、ＣＭＯＳイメージ・センサを適用する形態とすることもできる。この場合も、本実施の形態と同様の効果を奏することができる。
【００７４】
また、本実施の形態では、本発明の半導体記憶素子としてフラッシュメモリを適用した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、ＲＯＭ、ＥＥＰＲＯＭ、バッテリ・バックアップされたＲＡＭ等を適用する形態とすることもできる。この場合も、本実施の形態と同様の効果を奏することができる。
【００７５】
その他、本実施の形態に係るデジタルカメラ１０の構成（図１，図２参照。）は一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において適宜変更可能であることは言うまでもない。
【００７６】
また、本実施の形態に係る半導体装置２３の構成（図３参照。）も一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において適宜変更可能であることは言うまでもない。
【００７７】
また、本実施の形態において説明したＣＣＤ特性情報及びレンズ特性情報（図４参照。）も一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において適宜変更可能であることは言うまでもない。
【００７８】
更に、本実施の形態では、本発明をデジタルカメラに適用した場合について説明したが、本発明は、ＰＤＡ、携帯電話機等、固体撮像素子及び当該固体撮像素子の撮像位置に被写体像を結像する結像手段を有する情報機器であれば如何なるものにでも適用できることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】実施の形態に係るデジタルカメラの外観を示す外観図である。
【図２】実施の形態に係るデジタルカメラの電気系の要部構成を示すブロック図である。
【図３】実施の形態に係る半導体装置の構成を示す平面図である。
【図４】実施の形態に係る半導体装置のメモリに記憶されるＣＣＤ特性情報及びレンズ特性情報のデータ構造を示す模式図である。
【図５】半導体装置の変形例の構成を示す平面図である。
【符号の説明】
【００８０】
１０    デジタルカメラ
２１    レンズ（結像手段）
２３    半導体装置
２４    ＣＣＤ（固体撮像素子）
２５    メモリ（半導体記憶素子）
３０    デジタル信号処理部（処理実行手段）
４０    ＣＰＵ（記録手段）
６０    連結部材（一体化手段）
【図１】
2006245806.tif 000003
【図２】
2006245806.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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