(57)【要約】 【課題】  塗布膜における転写痕の発生を抑制することができるステージ装置、およびこのステージ装置を備えた塗布処理装置を提供する。【解決手段】  レジスト塗布装置２３ａは、基板Ｇを浮上搬送するための小ステージ２０１〜２０３からなるステージ２００と、ステージ２００上で基板ＧをＸ方向に搬送する基板搬送機構１３と、ステージ２００上を浮上搬送される基板Ｇにレジスト液を塗布するレジストノズル１４を備えている。レジスト液を塗布する位置には小ステージ２０２が配置されており、小ステージ２０２は、その表面から一定の高さに基板Ｇを略水平姿勢で浮上させるための複数のガス噴射口１６ａと複数の吸気口１６ｂとを備え、ガス噴射口１６ａと吸気口１６ｂをそれぞれ、基板搬送方向における所定距離内において基板搬送方向と平行に直線的に並ばないように設けた。【選択図】  図５
2006237097.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板をステージ上で一方向に浮上搬送するためのステージ装置であって、
前記ステージは、その表面から一定の高さに基板を略水平姿勢で浮上させるための複数のガス噴射口と、前記ガス噴射口から噴射されたガスを吸気するための複数の吸気口と、を備え、
前記複数のガス噴射口と前記複数の吸気口はそれぞれ、基板搬送方向における所定距離内において、基板搬送方向と平行に直線的に並ばないように設けられていることを特徴とするステージ装置。
【請求項２】
前記ガス噴射口の隣接間隔は１ｃｍ〜５ｃｍであり、前記吸気口の隣接間隔は１ｃｍ〜５ｃｍであり、前記複数のガス噴射口と前記複数の吸気口がそれぞれ基板搬送方向と平行に直線的に並んでいない距離は、０．２ｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載のステージ装置。
【請求項３】
前記ステージは、
ガス噴射孔と吸気孔とが所定の位置に形成された基台と、
前記ガス噴射口を備えた多孔質材料からなる第１のブロックと、
前記吸気口を備えた多孔質材料からなる第２のブロックと、を具備し、
前記第１のブロックに形成されたガス噴射口が前記基台に形成されたガス噴射孔と連通し、前記第２のブロックに形成された吸気口が前記基台に形成された吸気孔と連通するように、前記基台上に配置されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のステージ装置。
【請求項４】
前記ステージの表面にはさらに、前記ガス噴射口から噴射されたガスを前記ステージの側面に逃がすための直線状の溝部が形成され、
前記溝部の長さ方向は基板搬送方向と所定角度ずれていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のステージ装置。
【請求項５】
前記ステージは、
ガス噴射孔と吸気孔とが所定の位置に形成された基台と、
前記ガス噴射口を備えた多孔質材料からなる第１のブロックと、
前記吸気口を備えた多孔質材料からなる第２のブロックと、を具備し、
前記第１のブロックに形成されたガス噴射口が前記基台に形成されたガス噴射孔と連通し、前記第２のブロックに形成された吸気口が前記基台に形成された吸気孔と連通し、前記第１，第２のブロックの間に前記溝部が形成されるように、前記第１のブロックと前記第２のブロックが前記基台上に配置されていることを特徴とする請求項４に記載のステージ装置。
【請求項６】
前記溝部の長さ方向と基板搬送方向とがなす角は、１５度以上９０度以下であることを特徴とする請求項４または請求項５に記載のステージ装置。
【請求項７】
基板をステージ上で一方向に浮上搬送するためのステージ装置であって、
前記ステージは、その表面から一定の高さに基板を略水平姿勢で浮上させるための複数のガス噴射口と、前記ガス噴射口から噴射されたガスを前記ステージの側面に逃がすための直線状の溝部と、を有し、
前記複数のガス噴射口は基板搬送方向に一列に並ばないように設けられ、かつ、前記溝部の長さ方向は基板搬送方向と所定角度ずれていることを特徴とするステージ装置。
【請求項８】
前記ガス噴射口の隣接間隔は１ｃｍ〜５ｃｍであり、前記複数のガス噴射口が基板搬送方向と平行に直線的に並んでいない距離は、０．２ｍ以上であることを特徴とする請求項７に記載のステージ装置。
【請求項９】
前記ステージは、
ガス噴射孔が所定の位置に形成された基台と、
前記ガス噴射口を備えた多孔質材料からなるブロックと、を具備し、
前記ブロックに形成されたガス噴射口が前記基台に形成されたガス噴射孔と連通し、前記ブロックの間に前記溝部が形成されるように、前記ブロックが前記基台上に配置されていることを特徴とする請求項７または請求項８に記載のステージ装置。
【請求項１０】
前記溝部の長さ方向と基板搬送方向とがなす角は、５度以上３０度以下であることを特徴とする請求項７から請求項９のいずれか１項に記載のステージ装置。
【請求項１１】
基板を搬送しながら当該基板に塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布処理装置であって、
その表面から一定の高さに基板を略水平姿勢で浮上させるための複数のガス噴射口および前記ガス噴射口から噴射されたガスを吸気するための複数の吸気口を備えたステージと、
前記ステージ上で浮上した基板を搬送させるための基板搬送機構と、
前記基板搬送機構により前記ステージ上を搬送される基板の表面に塗布液を塗布する塗布ノズルと、
を具備し、
前記ステージは、その表面から一定の高さに基板を略水平姿勢で浮上させるための複数のガス噴射口と、前記ガス噴射口から噴射されたガスを吸気するための複数の吸気口とを具備し、少なくとも前記塗布ノズルが塗布液を吐出する位置よりも基板搬送方向の前方の所定距離内において、前記複数のガス噴射口と前記複数の吸気口はそれぞれ、基板搬送方向と平行に直線的に並ばないように設けられていることを特徴とする塗布処理装置。
【請求項１２】
基板を搬送しながら当該基板に塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布処理装置であって、
その表面から一定の高さに基板を略水平姿勢で浮上させるための複数のガス噴射口および前記ガス噴射口から噴射されたガスを前記ステージの側面に逃がすための直線状の溝部を備えたステージと、
前記ステージ上で浮上した基板を搬送させるための基板搬送機構と、
前記基板搬送機構により前記ステージ上を搬送される基板の表面に塗布液を塗布する塗布ノズルと、
を具備し、
前記ステージは、その表面から一定の高さに基板を略水平姿勢で浮上させるための複数のガス噴射口と、前記ガス噴射口から噴射されたガスを前記ステージの側面に逃がすための直線状の溝部とを有し、少なくとも前記塗布ノズルが塗布液を吐出する位置よりも基板搬送方向の前方の所定距離内において、前記複数のガス噴射口は基板搬送方向に一列に並ばないように設けられ、かつ、前記溝部の長さ方向は基板搬送方向と所定角度ずれていることを特徴とする塗布処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置（ＬＣＤ）等のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）に用いられるガラス基板等の基板を搬送するためのステージ装置およびこのステージ装置を備えた塗布処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、液晶表示装置（ＬＣＤ）の製造工程においては、フォトリソグラフィー技術を用いて、ガラス基板に所定の回路パターンを形成している。すなわち、ガラス基板にレジスト液を供給して塗布膜を形成し、これを乾燥、熱処理した後に、露光処理、現像処理を逐次行っている。
【０００３】
ここで、ガラス基板にレジスト液を供給して塗布膜を形成する装置としては、ガラス基板を水平に真空吸着する載置台と、この載置台に保持された基板にレジスト液を供給するレジストノズルと、載置台とレジストノズルとを水平方向で相対的に移動させる移動機構と、を有する塗布膜形成装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
しかしながら、ガラス基板を真空吸着保持すると、載置台に設けられた吸気孔がガラス基板の表面に転写されやすく、また、基板の裏面に多くのパーティクルが付着するという不都合がある。さらにレジストノズルまたは載置台の一方を移動させなければならないので、装置が大型で複雑な構造のものとなり、しかも、動力コストが高くなるという問題がある。
【特許文献１】特開平１０−１５６２５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
発明者らは、このような不都合を解決するために、ガラス基板を載置台に吸着保持することなく略水平姿勢で搬送しながら、このガラス基板の表面にレジスト液を供給して塗布膜を形成する装置について検討し、例えば、特願２００４−４４３３０や特願２００４−２１８１５６において、基板を浮上搬送させながら、その基板の表面にレジスト液を塗布する浮上式基板搬送処理装置を開示している。
【０００６】
この浮上式基板搬送処理装置に用いられる基板浮上用ステージとしては、図１２（ａ）の概略平面図に示すステージ３０１のように、ガス噴射口３１１と吸気口３１２が形成され、ガス噴射量と吸気量とをバランスさせることによって基板をステージ表面から一定の高さに浮上させるタイプのものや、図１２（ｂ）に示すステージ３０５のように、ガス噴射口３１１と溝３１３とが形成され、ガス噴射量と溝３１３からの排気量とをバランスさせることによって基板をステージ表面から一定の高さに浮上させるタイプのものがある。
【０００７】
これらのステージ３０１，３０５においては、ガス噴射口３１１と吸気口３１２はそれぞれ基板搬送方向および基板搬送方向と直交する方向において一定の間隔で直線上に並ぶように交互に形成され（図１２（ａ））、また、ガス噴射口３１１は基板搬送方向および基板搬送方向と直交する方向において一定の間隔で形成され、溝３１３はその長手方向が基板搬送方向と一致するように、基板搬送方向と直交する方向に一定間隔で形成されている（図１２（ｂ））。
【０００８】
しかしながら、このようにガス噴射口３１１や吸気口３１２、溝３１３が設けられていると、基板の一定領域は常に溝３１３上を通過し、また別の部分はガス噴射口３１１（および吸気口３１２）上を通過するために、このようなガス噴射口３１１や吸気口３１２、溝３１３の配置に依存して、レジスト膜に縞状の転写痕（つまり、レジスト膜の厚みむら）が発生する。このような転写痕は、最終的に画質にばらつきを生じさせる原因となる。
【０００９】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、塗布膜形成に用いた場合に、塗布膜に転写痕が発生することを抑制することができるステージ装置を提供することを目的とする。また、本発明は、このようなステージ装置を備えた塗布処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の第１の観点によれば、基板をステージ上で一方向に浮上搬送するためのステージ装置であって、
前記ステージは、その表面から一定の高さに基板を略水平姿勢で浮上させるための複数のガス噴射口と、前記ガス噴射口から噴射されたガスを吸気するための複数の吸気口と、を備え、
前記複数のガス噴射口と前記複数の吸気口はそれぞれ、基板搬送方向における所定距離内において、基板搬送方向と平行に直線的に並ばないように設けられていることを特徴とするステージ装置、が提供される。
【００１１】
このステージ装置においては、ガス噴射口の隣接間隔を１ｃｍ〜５ｃｍとし、吸気口の隣接間隔を１ｃｍ〜５ｃｍとし、複数のガス噴射口と複数の吸気口がそれぞれ基板搬送方向と平行に直線的に並んでいない距離を０．２ｍ以上とすることが好ましい。これにより基板に塗布膜を形成した場合に、塗布膜に転写痕が発生することを効果的に抑制することができる。
【００１２】
また、ステージは、ガス噴射孔と吸気孔とが所定の位置に形成された基台と、ガス噴射口を備えた多孔質材料からなる第１のブロックと、吸気口を備えた多孔質材料からなる第２のブロックとを具備し、第１のブロックに形成されたガス噴射口が基台に形成されたガス噴射孔と連通し、第２のブロックに形成された吸気口が基台に形成された吸気孔と連通するように、第１，第２のブロックが基台上に配置された構成とすることも好ましい。
【００１３】
ステージの表面にはさらにガス噴射口から噴射されたガスをステージの側面に逃がすための直線状の溝部を形成することも好ましく、その場合、溝部の長さ方向を基板搬送方向と所定角度ずらすことが好ましく、その溝部の長さ方向と基板搬送方向とがなす角は１５度以上９０度以下とすることが好ましい。溝部を有するステージ装置を、前記基台と第１，第２のブロックで構成する場合には、第１，第２のブロックの間に溝部が形成されるように、第１，第２のブロックを基台上に配置すればよい。
【００１４】
本発明の第２の観点によれば、基板をステージ上で一方向に浮上搬送するためのステージ装置であって、
前記ステージは、その表面から一定の高さに基板を略水平姿勢で浮上させるための複数のガス噴射口と、前記ガス噴射口から噴射されたガスを前記ステージの側面に逃がすための直線状の溝部と、を有し、
前記複数のガス噴射口は基板搬送方向に一列に並ばないように設けられ、かつ、前記溝部の長さ方向は基板搬送方向と所定角度ずれていることを特徴とするステージ装置、が提供される。
【００１５】
この第２の観点に係るステージ装置において、ガス噴射口と溝部の好ましい配置形態は、第１の観点に係るステージ装置と同じである。
【００１６】
本発明の第３の観点によれば、第１の観点に係るステージ装置を備えた塗布処理装置が提供される。すなわち、基板を搬送しながら当該基板に塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布処理装置であって、
その表面から一定の高さに基板を略水平姿勢で浮上させるための複数のガス噴射口および前記ガス噴射口から噴射されたガスを吸気するための複数の吸気口を備えたステージと、
前記ステージ上で浮上した基板を搬送させるための基板搬送機構と、
前記基板搬送機構により前記ステージ上を搬送される基板の表面に塗布液を塗布する塗布ノズルと、
を具備し、
前記ステージは、その表面から一定の高さに基板を略水平姿勢で浮上させるための複数のガス噴射口と、前記ガス噴射口から噴射されたガスを吸気するための複数の吸気口とを具備し、少なくとも前記塗布ノズルが塗布液を吐出する位置よりも基板搬送方向の前方の所定距離内において、前記複数のガス噴射口と前記複数の吸気口はそれぞれ、基板搬送方向と平行に直線的に並ばないように設けられていることを特徴とする塗布処理装置、が提供される。
【００１７】
本発明の第４の観点によれば、第２の観点に係るステージ装置を備えた塗布処理装置が提供される。すなわち、基板を搬送しながら当該基板に塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布処理装置であって、
その表面から一定の高さに基板を略水平姿勢で浮上させるための複数のガス噴射口および前記ガス噴射口から噴射されたガスを前記ステージの側面に逃がすための直線状の溝部を備えたステージと、
前記ステージ上で浮上した基板を搬送させるための基板搬送機構と、
前記基板搬送機構により前記ステージ上を搬送される基板の表面に塗布液を塗布する塗布ノズルと、
を具備し、
前記ステージは、その表面から一定の高さに基板を略水平姿勢で浮上させるための複数のガス噴射口と、前記ガス噴射口から噴射されたガスを前記ステージの側面に逃がすための直線状の溝部とを有し、少なくとも前記塗布ノズルが塗布液を吐出する位置よりも基板搬送方向の前方の所定距離内において、前記複数のガス噴射口は基板搬送方向に一列に並ばないように設けられ、かつ、前記溝部の長さ方向は基板搬送方向と所定角度ずれていることを特徴とする塗布処理装置、が提供される。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、塗布膜を形成する際に、塗布膜にガス噴射口や吸気口、溝に起因する転写跡の発生を抑制し、膜厚分布の均一性に優れた塗布膜を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。ここでは、本発明をＬＣＤ用のガラス基板（以下「ＬＣＤ基板」という）の表面にレジスト膜を形成する装置および方法に適用した場合について説明することとする。
【００２０】
図１に、ＬＣＤ基板へのレジスト膜の形成と、露光処理後のレジスト膜の現像処理を行うレジスト塗布・現像処理システムの概略平面図を示す。このレジスト塗布・現像処理システム１００は、複数のＬＣＤ基板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーション（搬入出部）１と、ＬＣＤ基板Ｇにレジスト塗布および現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理ステーション（処理部）２と、露光装置４との間でＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェイスステーション（インターフェイス部）３とを備えており、カセットステーション１とインターフェイスステーション３はそれぞれ処理ステーション２の両端に配置されている。なお、図１において、レジスト塗布・現像処理システム１００の長手方向をＸ方向、平面上においてＸ方向と直交する方向をＹ方向とする。
【００２１】
カセットステーション１は、カセットＣをＹ方向に並べて載置できる載置台９と、処理ステーション２との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出を行うための搬送装置１１を備えており、この載置台９と外部との間でカセットＣの搬送が行われる。搬送装置１１は搬送アーム１１ａを有し、カセットＣの配列方向であるＹ方向に沿って設けられた搬送路１０上を移動可能であり、搬送アーム１１ａによりカセットＣと処理ステーション２との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出が行われる。
【００２２】
処理ステーション２は、基本的にＸ方向に伸びるＬＣＤ基板Ｇ搬送用の平行な２列の搬送ラインＡ・Ｂを有しており、搬送ラインＡに沿ってカセットステーション１側からインターフェイスステーション３に向けて、スクラブ洗浄ユニット（ＳＣＲ）２１と、第１の熱的処理ユニットセクション２６と、レジスト塗布ユニット２３と、第２の熱的処理ユニットセクション２７と、が配列されている。
【００２３】
また、搬送ラインＢに沿ってインターフェイスステーション３側からカセットステーション１に向けて、第２の熱的処理ユニットセクション２７と、現像ユニット（ＤＥＶ）２４と、ｉ線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）２５と、第３の熱的処理ユニットセクション２８と、が配列されている。スクラブ洗浄ユニット２１の上の一部にはエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）２２が設けられている。なお、エキシマＵＶ照射ユニット２２はスクラバ洗浄に先立ってＬＣＤ基板Ｇの有機物を除去するために設けられ、ｉ線ＵＶ照射ユニット２５は現像の脱色処理を行うために設けられる。
【００２４】
スクラブ洗浄ユニット２１では、その中でＬＣＤ基板Ｇが略水平姿勢で搬送されながら洗浄処理および乾燥処理が行われるようになっている。現像ユニット２４では、ＬＣＤ基板Ｇが略水平姿勢で搬送されながら、現像液塗布、リンス、乾燥処理が逐次行われるようになっている。これらスクラブ洗浄ユニット２１および現像ユニット２４では、ＬＣＤ基板Ｇの搬送は例えばコロ搬送またはベルト搬送により行われ、ＬＣＤ基板Ｇの搬入口および搬出口は相対向する短辺に設けられている。また、ｉ線ＵＶ照射ユニット２５へのＬＣＤ基板Ｇの搬送は、現像ユニット２４の搬送機構と同様の機構により連続して行われる。
【００２５】
レジスト塗布ユニット２３は、後に詳細に説明するように、ＬＣＤ基板Ｇを略水平姿勢で搬送しながら、レジスト液を供給し、塗布膜を形成するレジスト塗布装置（ＣＴ）２３ａと、減圧雰囲気にＬＣＤ基板ＧをさらすことによりＬＣＤ基板Ｇ上に形成された塗布膜に含まれる揮発成分を蒸発させて塗布膜を乾燥させる減圧乾燥装置（ＶＤ）２３ｂと、を備えている。
【００２６】
第１の熱的処理ユニットセクション２６は、ＬＣＤ基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３１・３２を有しており、熱的処理ユニットブロック３１はスクラブ洗浄ユニット２１側に設けられ、熱的処理ユニットブロック３２はレジスト塗布ユニット２３側に設けられている。これら２つの熱的処理ユニットブロック３１・３２の間に第１の搬送装置３３が設けられている。
【００２７】
図２の第１の熱的処理ユニットセクション２６の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック３１は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６１と、ＬＣＤ基板Ｇに対して脱水ベーク処理を行う２つの脱水ベークユニット（ＤＨＰ）６２・６３と、ＬＣＤ基板Ｇに対して疎水化処理を施すアドーヒージョンユニット（ＡＤ）６４が４段に積層された構成を有している。また、熱的ユニットブロック３２は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６５と、ＬＣＤ基板Ｇを冷却する２つのクーリングユニット（ＣＯＬ）６６・６７と、ＬＣＤ基板Ｇに対して疎水化処理を施すアドーヒージョンユニット（ＡＤ）６８が４段に積層された構成を有している。
【００２８】
第１の搬送装置３３は、パスユニット６１を介してのスクラブ洗浄ユニット２１からのＬＣＤ基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間のＬＣＤ基板Ｇの搬入出、およびパスユニット６５を介してのレジスト塗布ユニット２３へのＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行う。
【００２９】
第１の搬送装置３３は、上下に延びるガイドレール９１と、ガイドレール９１に沿って昇降する昇降部材９２と、昇降部材９２上を旋回可能に設けられたベース部材９３と、ベース部材９３上を前進後退可能に設けられ、ＬＣＤ基板Ｇを保持する基板保持アーム９４とを有している。昇降部材９２の昇降はモータ９５によって行われ、ベース部材９３の旋回はモータ９６によって行われ、基板保持アーム９４の前後動はモータ９７によって行われる。このように第１の搬送装置３３は、上下動、前後動、旋回動可能であり、熱的処理ユニットブロック３１・３２のいずれのユニットにもアクセスすることができる。
【００３０】
第２の熱的処理ユニットセクション２７は、ＬＣＤ基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３４・３５を有しており、熱的処理ユニットブロック３４はレジスト塗布ユニット２３側に設けられ、熱的処理ユニットブロック３５は現像ユニット２４側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック３４・３５の間に、第２の搬送装置３６が設けられている。
【００３１】
図３の第２の熱的処理ユニットセクション２７の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック３４は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）６９とＬＣＤ基板Ｇに対してプリベーク処理を行う３つのプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７０・７１・７２が４段に積層された構成となっている。また、熱的処理ユニットブロック３５は、下から順にＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）７３と、ＬＣＤ基板Ｇを冷却するクーリングユニット（ＣＯＬ）７４と、ＬＣＤ基板Ｇに対してプリベーク処理を行う２つのプリベークユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）７５・７６が４段に積層された構成となっている。
【００３２】
第２の搬送装置３６は、パスユニット６９を介してのレジスト塗布ユニット２３からのＬＣＤ基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間のＬＣＤ基板Ｇの搬入出、パスユニット７３を介しての現像ユニット２４へのＬＣＤ基板Ｇの受け渡し、および後述するインターフェイスステーション３の基板受け渡し部であるエクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）４４に対するＬＣＤ基板Ｇの受け渡しおよび受け取り、を行う。なお、第２の搬送装置３６は、第１の搬送装置３３と同じ構造を有しており、熱的処理ユニットブロック３４・３５のいずれのユニットにもアクセス可能である。
【００３３】
第３の熱的処理ユニットセクション２８は、ＬＣＤ基板Ｇに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された２つの熱的処理ユニットブロック（ＴＢ）３７・３８を有しており、熱的処理ユニットブロック３７は現像ユニット２４側に設けられ、熱的処理ユニットブロック３８はカセットステーション１側に設けられている。そして、これら２つの熱的処理ユニットブロック３７・３８の間に、第３の搬送装置３９が設けられている。
【００３４】
図４の第３の熱的処理ユニットセクション２８の側面図に示すように、熱的処理ユニットブロック３７は、下から順に、ＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行うパスユニット（ＰＡＳＳ）７７と、ＬＣＤ基板Ｇに対してポストベーク処理を行う３つのポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）７８・７９・８０が４段に積層された構成を有している。また、熱的処理ユニットブロック３８は、下から順に、ＬＣＤ基板Ｇに対してポストベーク処理を行うポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８１と、ＬＣＤ基板Ｇの受け渡しおよび冷却を行うパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）８２と、さらに２つのポストベークユニット（ＰＯＢＡＫＥ）８３・８４が４段に積層された構成を有している。
【００３５】
第３の搬送装置３９は、パスユニット７７を介してのｉ線ＵＶ照射ユニット２５からのＬＣＤ基板Ｇの受け取り、上記熱的処理ユニット間のＬＣＤ基板Ｇの搬入出、パス・クーリングユニット８２を介してのカセットステーション１へのＬＣＤ基板Ｇの受け渡しを行う。なお、第３の搬送装置３９も第１の搬送装置３３と同じ構造を有しており、熱的処理ユニットブロック３７・３８のいずれのユニットにもアクセス可能である。
【００３６】
処理ステーション２では、以上のように２列の搬送ラインＡ・Ｂを構成するように、かつ基本的に処理の順になるように各処理ユニットおよび搬送装置が配置されており、これら搬送ラインＡ・Ｂ間には空間４０が設けられている。そして、この空間４０を往復動可能にシャトル（基板載置部材）４１が設けられている。このシャトル４１はＬＣＤ基板Ｇを保持可能に構成されており、シャトル４１を介して搬送ラインＡ・Ｂ間でＬＣＤ基板Ｇの受け渡しが行われる。シャトル４１に対するＬＣＤ基板Ｇの受け渡しは、上記第１から第３の搬送装置３３・３６・３９によって行われる。
【００３７】
インターフェイスステーション３は、処理ステーション２と露光装置４との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出を行う搬送装置４２と、バッファカセットを配置するバッファステージ（ＢＵＦ）４３と、冷却機能を備えた基板受け渡し部であるエクステンション・クーリングステージ４４とを有しており、タイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露光装置（ＥＥ）とが上下に積層された外部装置ブロック４５が搬送装置４２に隣接して設けられている。搬送装置４２は搬送アーム４２ａを備え、この搬送アーム４２ａにより処理ステーション２と露光装置４との間でＬＣＤ基板Ｇの搬入出が行われる。
【００３８】
このように構成されたレジスト塗布・現像処理システム１００においては、まず、カセットステーション１の載置台９に配置されたカセットＣ内のＬＣＤ基板Ｇが、搬送装置１１により処理ステーション２のエキシマＵＶ照射ユニット２２に直接搬入され、スクラブ前処理が行われる。次いで搬送装置１１によりＬＣＤ基板Ｇがスクラブ洗浄ユニット２１に搬入され、スクラブ洗浄される。スクラブ洗浄処理後、ＬＣＤ基板Ｇは例えばコロ搬送により第１の熱的処理ユニットセクション２６に属する熱的処理ユニットブロック３１のパスユニット６１に搬出される。
【００３９】
パスユニット６１に配置されたＬＣＤ基板Ｇは、最初に、熱的処理ユニットブロック３１の脱水ベークユニット６２・６３のいずれかに搬送されて加熱処理され、次いで熱的処理ユニットブロック３２のクーリングユニット６６・６７のいずれかに搬送されて冷却された後、レジストの定着性を高めるために熱的処理ユニットブロック３１のアドヒージョンユニット６４および熱的処理ユニットブロック３２のアドヒージョンユニット６８のいずれかに搬送され、そこでＨＭＤＳによりアドヒージョン処理（疎水化処理）される。その後、ＬＣＤ基板Ｇは、クーリングユニット６６・６７のいずれかに搬送されて冷却され、さらに熱的処理ユニットブロック３２のパスユニット６５に搬送される。このような一連の処理を行う際のＬＣＤ基板Ｇの搬送処理は、全て第１の搬送装置３３によって行われる。
【００４０】
パスユニット６５に配置されたＬＣＤ基板Ｇは、後述する第１基板搬送アーム１９ａによって、レジスト塗布ユニット２３内へ搬入される。後に詳細に説明するように、レジスト塗布装置２３ａにおいては、ＬＣＤ基板Ｇを水平姿勢で搬送しながらレジスト液を供給して塗布膜を形成し、その後、減圧乾燥装置２３ｂにて塗布膜に減圧乾燥処理が施される。その後、後述する第２基板搬送アーム１９ｂにより、ＬＣＤ基板Ｇはレジスト塗布ユニット２３から第２の熱的処理ユニットセクション２７に属する熱的処理ユニットブロック３４のパスユニット６９に受け渡される。
【００４１】
パスユニット６９に配置されたＬＣＤ基板Ｇは、第２の搬送装置３６により、熱的処理ユニットブロック３４のプリベークユニット７０・７１・７２および熱的処理ユニットブロック３５のプリベークユニット７５・７６のいずれかに搬送されてプリベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック３５のクーリングユニット７４に搬送されて所定温度に冷却される。そして、第２の搬送装置３６により、さらに熱的処理ユニットブロック３５のパスユニット７３に搬送される。
【００４２】
その後、ＬＣＤ基板Ｇは第２の搬送装置３６によりインターフェイスステーション３のエクステンション・クーリングステージ４４へ搬送され、必要に応じて、インターフェイスステーション３の搬送装置４２により外部装置ブロック４５の周辺露光装置（ＥＥ）に搬送されて、そこで、レジスト膜の外周部（不要部分）を除去するための露光が行われる。次いで、ＬＣＤ基板Ｇは、搬送装置４２により露光装置４に搬送されてそこでＬＣＤ基板Ｇ上のレジスト膜に所定パターンで露光処理が施される。なお、ＬＣＤ基板Ｇは、一旦、バッファステージ４３上のバッファカセットに収容され、その後に露光装置４に搬送される場合がある。
【００４３】
露光終了後、ＬＣＤ基板Ｇはインターフェイスステーション３の搬送装置４２により外部装置ブロック４５の上段のタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）に搬入されてＬＣＤ基板Ｇに所定の情報が記された後、エクステンション・クーリングステージ４４に載置される。ＬＣＤ基板Ｇは、第２の搬送装置３６により、エクステンション・クーリングステージ４４から第２の熱的処理ユニットセクション２７に属する熱的処理ユニットブロック３５のパスユニット７３へ搬送される。
【００４４】
パスユニット７３から現像ユニット２４まで延長されている例えばコロ搬送機構を作用させることにより、ＬＣＤ基板Ｇはパスユニット７３から現像ユニット２４へ搬入される。現像ユニット２４では、例えば、基板を水平姿勢で搬送しながら現像液がＬＣＤ基板Ｇ上に液盛りされ、その後、一旦、ＬＣＤ基板Ｇの搬送を停止してＬＣＤ基板を所定角度傾けることにより、ＬＣＤ基板上の現像液を流し落とし、さらにこの状態でＬＣＤ基板Ｇにリンス液を供給して、現像液を洗い流す。その後、ＬＣＤ基板Ｇを水平姿勢に戻して、再び搬送を開始し、乾燥用窒素ガスまたは空気をＬＣＤ基板Ｇに吹き付けることにより、ＬＣＤ基板を乾燥させる。
【００４５】
現像処理終了後、ＬＣＤ基板Ｇは現像ユニット２４から連続する搬送機構、例えばコロ搬送によりｉ線ＵＶ照射ユニット２５に搬送され、ＬＣＤ基板Ｇに対して脱色処理が施される。その後、ＬＣＤ基板Ｇはｉ線ＵＶ照射ユニット２５内のコロ搬送機構により第３の熱的処理ユニットセクション２８に属する熱的処理ユニットブロック３７のパスユニット７７に搬出される。
【００４６】
パスユニット７７に配置されたＬＣＤ基板Ｇは、第３の搬送装置３９により熱的処理ユニットブロック３７のポストベークユニット７８・７９・８０および熱的処理ユニットブロック３８のポストベークユニット８１・８３・８４のいずれかに搬送されてポストベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック３８のパス・クーリングユニット８２に搬送されて所定温度に冷却された後、カセットステーション１の搬送装置１１によって、カセットステーション１に配置されている所定のカセットＣに収容される。
【００４７】
次に、レジスト塗布ユニット２３について詳細に説明する。図５にレジスト塗布ユニット２３の概略平面図を示す。レジスト塗布装置２３ａは、ＬＣＤ基板Ｇを浮上搬送するためのステージ２００と、ステージ２００上でＬＣＤ基板ＧをＸ方向に搬送する基板搬送機構１３と、ステージ２００上で浮上搬送されるＬＣＤ基板Ｇの表面にレジスト液を供給するレジストノズル１４と、レジストノズル１４を洗浄等するためのノズル洗浄ユニット１５と、を備えている。熱的処理ユニットブロック３２に設けられたパスユニット６５からレジスト塗布装置２３ａへＬＣＤ基板Ｇを搬送するために、第１基板搬送アーム１９ａが、パスユニット６５とレジスト塗布ユニット２３との間を往復自在に配設されている。
【００４８】
減圧乾燥装置２３ｂは、ＬＣＤ基板Ｇを載置するための載置台１７と、載置台１７および載置台１７に載置されたＬＣＤ基板Ｇを収容するチャンバ１８と、を備えている。レジスト塗布装置２３ａから減圧乾燥装置２３ｂを通って熱的処理ユニットブロック３４に設けられたパスユニット６９へＬＣＤ基板Ｇを搬送するために、第２基板搬送アーム１９ｂが、レジスト塗布ユニット２３とパスユニット６９との間を往復自在に配設されている。
【００４９】
レジスト塗布装置２３ａは、ＬＣＤ基板Ｇの搬送方向の上流から下流に向けて、大略的に、導入ステージ部１２ａ、塗布ステージ部１２ｂ、搬出ステージ部１２ｃに分けられる。導入ステージ部１２ａは、熱的処理ユニットブロック３２のパスユニット６５から塗布ステージ部１２ｂへＬＣＤ基板Ｇを搬送するためのエリアである。塗布ステージ部１２ｂには、レジストノズル１４が配置されており、ここでＬＣＤ基板Ｇにレジスト液が供給されて塗布膜が形成される。搬出ステージ部１２ｃは、塗布膜が形成されたＬＣＤ基板Ｇを減圧乾燥装置２３ｂへ搬出するためのエリアである。
【００５０】
レジスト塗布装置２３ａが具備するステージ２００は、図５に示されるように、Ｘ方向に並べられた３台の小ステージ２０１，２０２，２０３が、それぞれ導入ステージ部１２ａ，塗布ステージ部１２ｂ，搬出ステージ部１２ｃに配置されるように、Ｘ方向に並べられた構成となっている。
【００５１】
導入ステージ部１２ａ，搬出ステージ部１２ｃにそれぞれ配置されている小ステージ２０１，２０３は、先に図１２（ａ）を参照して説明したように、所定のガス（例えば、空気や窒素ガス）を上方（Ｚ方向）に向かって噴射するための多数のガス噴射口１６ａと、吸気を行うための多数の吸気口１６ｂとがそれぞれ、Ｘ方向とＹ方向に一定間隔で直線上に並ぶように交互に設けられた構造を有しており、ガス噴射口１６ａから噴射されるガス噴射量と吸気口１６ｂからの吸気量とをバランスさせる（つまり、圧力負荷を一定とする）ことによって、ＬＣＤ基板Ｇをステージ小２０１，２０３の表面から一定の高さに浮上させる。こうして浮上したＬＣＤ基板ＧのＹ方向端を基板搬送機構１３で保持してＸ方向へ移動させることにより、ＬＣＤ基板Ｇを搬送させることができる。
【００５２】
導入ステージ部１２ａではレジスト膜が形成されておらず、搬出ステージ部１２ｃに搬入されたＬＣＤ基板Ｇでは既にレジスト膜の乾燥がある程度終了しているために転写痕が発生することがないので、導入ステージ部１２ａと搬出ステージ部１２ｃでは、レジスト膜における転写痕の発生を考慮しなくてもよい。なお、図５では、ガス噴射口１６ａと吸気口１６ｂの配置を理解し易いように、ガス噴射口１６ａを白丸で、吸気口１６ｂを黒丸で示しており、その配置が明確となるように、一部のみを示している。
【００５３】
これに対して、塗布ステージ部１２ｂに設けられた小ステージ２０２では、レジスト膜における転写痕の発生が抑制されるように、ガス噴射口１６ａと吸気口１６ｂを配置しなければならない。図６に小ステージ２０２を拡大して示す平面図を示す。小ステージ２０２では、ガス噴射口１６ａと吸気口１６ｂはそれぞれ、基板搬送方向であるＸ方向における一定距離Ｌ内において、Ｘ方向に直線的に並ばないように設けられている。このような構成とすることにより、ＬＣＤ基板Ｇにおいて、ガス噴射口１６ａ（または吸気口１６ｂ）上を通過する頻度の高い部分と、そうでない部分との区別がなくなり、これにより縞状の転写痕の発生を抑制することができる。
【００５４】
より具体的には、ガス噴射口１６ａの隣接間隔を１ｃｍ〜５ｃｍとし、吸気口１６ｂの隣接間隔を１ｃｍ〜５ｃｍとしたときに、ガス噴射口１６ａと吸気口１６ｂがそれぞれ基板搬送方向と平行に直線的に並んでいない距離Ｌを０．２ｍ以上とすることが好ましい。ガス噴射口１６ａどうし、吸気口１６ｂどうしのそれぞれの隣接間隔は、１ｃｍ未満であってもよいが加工コストが高くなる問題があり、また、ＬＣＤ基板Ｇの浮上精度は１ｃｍ以上で十分に確保することができるが、５ｃｍを超えるとＬＣＤ基板Ｇの平坦性が低下する。また、図６に示すように、Ｘ方向と角度θだけずれた方向に直線的にガス噴射口１６ａと吸気口１６ｂを設ける場合、その角度θは、１５度以上９０度以下とすることが好ましい。角度θが１５度の場合には、縞状の転写痕は僅かに発生するものの製品として許容される範囲である。
【００５５】
導入ステージ部１２ａに設けられた小ステージ２０１には、第１基板搬送アーム１９ａによって導入ステージ部１２ａへ搬送されてきたＬＣＤ基板Ｇを支持し、小ステージ２０１上に降下させるためのリフトピン４７ａが設けられている。また、搬出ステージ部１２ｃに設けられた小ステージ２０３には、搬出ステージ部１２ｃへ搬送されてきたＬＣＤ基板Ｇを持ち上げて、第２基板搬送アーム１９ｂに受け渡すためのリフトピン４７ｂが設けられている。
【００５６】
基板搬送機構１３は、ステージ２００のＹ方向側面にＸ方向に延在するように配置された直線ガイド５２ａ・５２ｂと、直線ガイド５２ａ・５２ｂと嵌合したスライダ５０と、スライダ５０をＸ方向で往復移動させるための、ベルト駆動機構やエアースライダ等のＸ軸駆動機構（図示せず）と、ＬＣＤ基板ＧのＹ方向端の一部を保持するためにスライダ５０に設けられた吸着パッド等の基板保持部材（図示せず）とを備えている。例えば、この吸着パッドは、ＬＣＤ基板Ｇにおいてレジスト液が塗布されない部分の裏面側のＹ方向端近傍でＬＣＤ基板Ｇを保持する。
【００５７】
レジストノズル１４は、一方向に長い長尺状の形状を有し、Ｙ方向に長い略帯状にレジスト液を吐出する。ノズル移動機構２０は、このレジストノズル１４をその長手方向をＹ方向に一致させた状態で保持し、レジストノズル１４をＺ方向に昇降させる昇降機構３０と、昇降機構３０を保持する支柱部材５４と、支柱部材５４をＸ方向で移動させるためのボールネジ等の水平駆動機構５６とを備えている。このようなノズル移動機構２０によって、レジストノズル１４は、ＬＣＤ基板Ｇにレジスト液を供給する位置とノズル洗浄ユニット１５において洗浄処理等される各位置との間で移動することができるようになっている。
【００５８】
ノズル洗浄ユニット１５は、支柱部材５５に取り付けられて、小ステージ２０２の上方に配置されている。ノズル洗浄ユニット１５は、ＬＣＤ基板Ｇへのレジスト液供給前に予備的にレジストノズル１４からレジスト液を吐出させる、所謂、ダミーディスペンスを行うためのダミーディスペンス部５７と、レジストノズル１４のレジスト吐出口が乾燥しないようにレジスト吐出口を溶剤（例えば、シンナー）の蒸気雰囲気で保持するためのノズルバス５８と、レジストノズル１４のレジスト吐出口近傍に付着したレジストを除去するためのノズル洗浄機構５９と、を備えている。
【００５９】
減圧乾燥装置２３ｂに設けられた載置台１７の表面には、ＬＣＤ基板Ｇを支持するプロキシミティピン（図示せず）が所定位置に設けられている。チャンバ１８は固定された下部容器と昇降自在な上部蓋体からなる上下２分割構造を有している。
【００６０】
上述の通り構成されたレジスト塗布ユニット２３におけるＬＣＤ基板Ｇの処理工程について説明する。まず、スライダ５０を導入ステージ部１２ａの所定位置（例えば、熱的処理ユニットブロック３２側）に待機させ、ステージ２００では各部において所定の高さにＬＣＤ基板Ｇを浮上させることができる状態とする。次いで、熱的処理ユニットブロック３２に設けられたパスユニット６５からＬＣＤ基板Ｇを第１基板搬送アーム１９ａに保持させて、導入ステージ部１２ａに搬入する。そして、リフトピン４７ａを上昇させてＬＣＤ基板Ｇを第１基板搬送アーム１９ａからリフトピン４７ａに受け渡した後、リフトピン４７ａを降下させ、スライダ５０に受け渡す。これにより、ＬＣＤ基板Ｇは小ステージ２０１上において略水平姿勢で浮上保持される。
【００６１】
そして、スライダ５０を搬出ステージ部１２ｃ側に向けて所定の速度でスライドさせると、塗布ステージ部１２ｂにおいて、小ステージ２０２上を浮上搬送されるＬＣＤ基板Ｇがレジストノズル１４の下を通過する際に、レジストノズル１４からレジスト液がＬＣＤ基板Ｇの表面に供給され、塗布膜が形成される。なお、レジストノズル１４を配置する高さは、通常は複数のＬＣＤ基板Ｇの搬送状態は実質的に同じとなるから、最初に処理するＬＣＤ基板Ｇまたはダミー基板でレジストノズル１４の高さを調節し、その位置を昇降機構３０の制御装置に記憶させておけばよい。また、レジストノズル１４からのレジスト液の吐出開始／吐出終了のタイミングは、ＬＣＤ基板Ｇの位置を検出するセンサを設けて、このセンサからの信号に基づいて定めることができる。
【００６２】
塗布膜が形成されたＬＣＤ基板Ｇは搬出ステージ部１２ｃに搬送され、そこで、スライダ５０による保持を解除し、リフトピン４７ｂを上昇させる。次いで、第２基板搬送アーム１９ｂをリフトピン４７ｂによって持ち上げられたＬＣＤ基板Ｇにアクセスさせ、第２基板搬送アーム１９ｂがＬＣＤ基板ＧのＹ方向端でＬＣＤ基板Ｇを把持したら、リフトピン４７ｂを降下させる。
【００６３】
第２基板搬送アーム１９ｂは、把持したＬＣＤ基板Ｇを減圧乾燥装置２３ｂの載置台１７上に載置する。その後、チャンバ１８を密閉してその内部を減圧することにより、塗布膜を減圧乾燥する。一方、ＬＣＤ基板Ｇをリフトピン４７ｂに受け渡した後の基板保持部材５１ａ・５１ｂは、次に処理するＬＣＤ基板Ｇを搬送するために、熱的処理ユニットブロック３２側へ戻される。
【００６４】
ＬＣＤ基板Ｇの減圧乾燥装置２３ｂにおける処理が終了したら、チャンバ１８を開き、第２基板搬送アーム１９ｂを載置台１７に載置されたＬＣＤ基板ＧにアクセスさせてＬＣＤ基板Ｇを把持し、ＬＣＤ基板Ｇを熱的処理ユニットブロック３４のパスユニット６９へ搬送する。
【００６５】
以降、上述したようにＬＣＤ基板Ｇの搬送が繰り返されて、ＬＣＤ基板Ｇに塗布膜が形成されるが、その間に、レジストノズル１４の洗浄処理が、例えば、ダミーディスペンス部５７でのダミーディスペンス、ＬＣＤ基板Ｇへのレジスト膜形成、ノズル洗浄機構５９によるレジストノズル１４の洗浄処理、ノズルバス５８でのレジスト吐出口の乾燥抑制を１セットとして、適宜、行われる。
【００６６】
次に、塗布ステージ部１２ｂに配置される小ステージの別の形態について説明する。図７（ａ），（ｂ）にそれぞれ小ステージ２０２ａ，２０２ｂの概略平面図を示す。小ステージ２０２ａ，２０２ｂは共に、先に図５および図６に示した小ステージ２０２の表面に、さらにガス噴射口１６ａから噴射されたガスを小ステージ２０２ａの側面に逃がすための直線状の溝部１６ｃが形成された構造を有している。ガス噴射口１６ａと吸気口１６ｂとをＸ方向と角度θだけずれた方向に伸びる方向に直線的に設けた場合には、この溝部１６ｃは、図７（ａ）に示すように角度θの方向に延びるように設けてもよいし、図７（ｂ）に示すように角度θの方向と直交する方向に延びるように設けてもよい。
【００６７】
図８に別の小ステージ２０２ｃ・２０２ｄの概略平面図を示す。小ステージ２０２ｃは、図７（ａ）に示した小ステージ２０２ａを、吸気口１６ｂを有していない形態に変形したものであり、同様に小ステージ２０２ｄは、図７（ｂ）に示した小ステージ２０２ｂを、吸気口１６ｂを有していない形態に変形したものである。図７（ａ）に示した小ステージ２０２ａでは、小ステージ２０２ａとＬＣＤ基板Ｇとの間に生ずる空間から逃がすためのガス量は、吸気口１６ｂからの吸気量と溝部１６ｃから小ステージ２０２ａの側面へ逃がすガス量の総和で調整するが、図８に示した小ステージ２０２ｃ・２０２ｄでは、小ステージ２０２ａとＬＣＤ基板Ｇとの間に生ずる空間から逃がすためのガス量は、溝部１６ｃから小ステージ２０２ａの側面へ逃がすガス量の総和で調整する。
【００６８】
図９にさらに別の小ステージ２０２ｅの概略平面図を示す。この小ステージ２０２ｅは、図７（ａ）に示した小ステージ２０２ａの変形例であり、レジストノズル１４の配置位置から基板搬送方向の前方側は小ステージ２０２ａと同じ構造を有しているが、レジストノズル１４の配置位置から基板搬送方向の後方側は、ガス噴射口１６ａ，吸気口１６ｂ，溝部１６ｃが基板搬送方向と平行な方向に直線的に並ぶように配置された構造を有している。
【００６９】
これは、レジスト膜に転写痕が発生するのは、レジスト液が塗布された後、レジスト液が乾く前の、ＬＣＤ基板Ｇを浮上させるためのガスの流れによってＬＣＤ基板Ｇに生ずる温度分布が大きく原因しているので、レジスト液が塗布される前の部分では、図示の通りにガス噴射口１６ａ等を配置しても、レジスト膜に転写痕が発生することはないからである。このような小ステージ２０２ｅの構成は、小ステージ２０２，２０２ｂ〜２０２ｄにも適用することができる。
【００７０】
図１０にさらに別の小ステージ２０５の概略平面図および概略側面図を示す。小ステージ２０５は、ガス噴射孔２１１が所定の位置に形成された基台２１０上に、ガス噴射口１６ａを備えた多孔質材料からなるブロック（塊）２１２が、ブロック２１２に形成されたガス噴射口１６ａと基台２１０に形成されたガス噴射孔２１１が連通し、かつ、ブロック２１２間に溝部１６ｃが形成されるように、配置された構造を有している。
【００７１】
これら多孔質材料からなるブロック２１２を用いることで、ガス噴射口１６ａのみからでなく、その周囲からもガスが噴射されるので、ガス噴射圧によって局所的にＬＣＤ基板Ｇが撓むことを回避して、ＬＣＤ基板Ｇ全体の水平度を高めることができる。なお、ガス噴射口１６ａは、Ｙ方向と平行に直線的に設けられているが、Ｘ方向と角度θだけずれた方向と平行に直線的に設けられているので、小ステージ２０２等と同様に、レジスト膜における転写痕発生を抑制することができる。
【００７２】
図１１にさらに別の小ステージ２０６の概略平面図および側面図を示す。この小ステージ２０６は、ガス噴射孔２２１と吸気孔２２２とが所定の位置に形成された基台２２０と、ガス噴射口１６ａを備えた多孔質材料からなる第１ブロック２２３と、吸気口１６ｂを備えた多孔質材料からなる第２ブロック２２４と有しており、第１ブロック２２３に形成されたガス噴射口１６ａが基台２２０に形成されたガス噴射孔２２１と連通し、第２ブロック２２４に形成された吸気口１６ｂが基台２２０に形成された吸気孔２２２と連通するように、第１ブロック２２３と第２ブロック２２４が基台２２０上に配置された構造を有している。
【００７３】
小ステージ２０６も小ステージ２０５と同様に、多孔質材料からなる第１，第２ブロック２２３，２２４を用いることで、ガス噴射圧とガス吸引圧による局所的なＬＣＤ基板Ｇの撓み発生を抑制して、ＬＣＤ基板Ｇ全体の水平度を高めることができ、しかもレジスト膜における転写痕発生を抑制することができる。なお、小ステージ２０６では、ガスの給排気は基台２２０で調整されるため、第１ブロック２２３と第２ブロック２２４は、その機能が異なるだけで、構造物として観ると、これらは同じものである。
【００７４】
これら小ステージ２０５，２０６は、小ステージ２０２ａを小ステージ２０２ｅへと変形したのと同様に、変形することができる。また、小ステージ２０５，２０６に形成される溝部１６ｃの延びる方向は、図７（ｂ），図８（ｂ）に示した小ステージ２０２ｂ，２０２ｄに合わせてもよい。
【００７５】
なお、上記説明においては、小ステージ２０２のみが図６〜図１１に示した形態を有するとして説明したが、小ステージ２０３上のＬＣＤ基板Ｇも完全にはレジスト膜は乾燥していないので、小ステージ２０３も小ステージ２０２に続いた形態としてもよいことは言うまでもなく、これにより縞状の転写痕の発生の可能性をさらに小さなものとすることができる。また、小ステージ２０１，２０３には、ＬＣＤ基板Ｇの浮上精度を小ステージ２０２のように高く維持する必要がないために、吸気孔１６ｂを設けなくともよい。このようにして装置構造を簡略化することで、装置コストを低減し、また装置の信頼性を高めることができる。例えば、吸気系に故障が生じた場合にはＬＣＤ基板Ｇの浮上精度が極端に悪くなるが、吸気系を設けなければ、そのようなトラブルの発生は起こらない。
【００７６】
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明はこのような形態に限定されるものではない。例えば、導入ステージ部１２ａと搬出ステージ部１２ｃにも、塗布ステージ部１２ｂに設けられた小ステージ２０２を配置することは、好ましい。上記説明においては、塗布膜としてレジスト膜を取り上げたが、塗布膜はこれに限定されるものではなく、反射防止膜や感光性を有さない絶縁膜等であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００７７】
本発明はＬＣＤガラス基板等の大型基板に、レジスト膜等の塗布膜を形成するレジスト膜形成装置等に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明の一実施形態であるレジスト塗布装置を具備するレジスト塗布・現像処理システムの概略平面図。
【図２】レジスト塗布・現像処理システムの第１の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。
【図３】レジスト塗布・現像処理システムの第２の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。
【図４】レジスト塗布・現像処理システムの第３の熱的処理ユニットセクションを示す側面図。
【図５】レジスト塗布・現像処理システムが具備するレジスト塗布ユニットの概略平面図。
【図６】レジスト塗布ユニットが具備する小ステージ（２０２）の概略平面図。
【図７】別の小ステージの概略平面図。
【図８】さらに別の小ステージの概略平面図。
【図９】さらに別の小ステージの概略平面図。
【図１０】さらに別の小ステージの概略平面図および側面図。
【図１１】さらに別の小ステージの概略平面図および側面図。
【図１２】ステージに設けられるガス噴射口、吸気口、溝の配置パターンの一例を示す平面図。
【符号の説明】
【００７９】
２；処理ステーション
１６ａ；ガス噴射口
１６ｂ；吸気口
１６ｃ；溝部
２３ａ；レジスト塗布装置
２３ｂ；減圧乾燥装置
２００；ステージ
２０２・２０２ａ〜２０２ｅ・２０５・２０６；小ステージ
２１０・２２０；基台
２１１・２２１；ガス噴射孔
２１２・２２３・２２４；ブロック
２２２；吸気孔
Ｇ；ＬＣＤ基板
【図１】
2006237097.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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