(57)【要約】【課題】基板を安定させて支持することができる加熱処理装置を提供する。【解決手段】熱処理板１４１の上面に，基板Ｗの下面を支持する複数の支持部材１４６を備えた。各支持部材１４６は，基板Ｗの下面中央部Ｃから外側に離隔したものほど，熱処理板１４１の上面から高く突出するように備えた。かかる加熱処理装置によれば，加熱により基板Ｗが下に凸状に反ったとき，基板Ｗの下面が支持部材１４６から離れすぎず，基板Ｗを安定させて支持することができる。【選択図】  図７
2006237262.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を熱処理板上に支持して加熱処理する装置であって，
前記熱処理板の上面に，基板の下面を支持する複数の支持部材を備え，
前記各支持部材は，基板の下面中央部から外側に離隔したものほど，前記熱処理板の上面から高く突出するように備えられたことを特徴とする，加熱処理装置。
【請求項２】
前記各支持部材をそれぞれ昇降させる昇降機構を備えたことを特徴とする，請求項１に記載の加熱処理装置。
【請求項３】
基板を熱処理板によって加熱処理する装置であって，
基板を前記熱処理板上に受け渡す際に基板の下面を支持して昇降する複数の昇降ピンと，
基板を熱処理する際に前記熱処理板上で基板の下面を支持する複数の支持部材とを備え，
前記各支持部材をそれぞれ昇降させる昇降機構を備えたことを特徴とする，加熱処理装置。
【請求項４】
前記支持部材の上端部が基板の下面に接触したことを検出するセンサを備えたことを特徴とする，請求項２又は３に記載の加熱処理装置。
【請求項５】
前記各支持部材を予め測定した基板の反りに基づいて昇降させることを特徴とする，請求項２，３又は４に記載の加熱処理装置。
【請求項６】
前記各支持部材の上端部が基板の下面に接触した際の前記各支持部材の昇降量により，基板の反りを測定することを特徴とする，請求項２，３，４又は５に記載の加熱処理装置。
【請求項７】
前記各支持部材は，基板の下面中央部以外の部分を支持することを特徴とする，請求項１〜６のいずれかに記載の加熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，基板を加熱処理する加熱処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造におけるフォトレジスト処理工程においては，半導体ウエハ（以下，「ウェハ」）の表面にレジスト液を塗布した後の加熱処理（プリベーキング）や，パターンの露光を行った後の加熱処理（ポストエクスポージャーベーキング）等，種々の加熱処理が行われている。
【０００３】
これらの加熱処理は，通常，加熱処理装置によって行われる。この加熱処理装置は，処理容器内にアルミニウムからなる厚みのある円盤状の熱板を有しており，この熱板の上面に備えられた複数の支持部材に，円盤状のウェハの下面を当接させて支持し，熱板に内蔵されている発熱体によって熱板を所定温度に加熱することで，ウェハを加熱処理していた（例えば，特許文献１参照。）。
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−１８３０７１号公報
【０００５】
ところで，通常の基板は薄い平板状になっているが，熱板によって基板を下面から加熱すると，熱応力により基板の周縁部が上昇し，基板が中央部を頂部として下に凸状に，僅かに反り返った状態に変形する。しかしながら従来の加熱処理装置にあっては，基板が反ってしまうと，基板の下面が上昇して支持部材から離れてしまい，基板が中央部だけで支持部材に支持された状態になり，基板が不安定になる問題があった。さらに，バランスが悪くなって基板が傾いてしまうおそれがあった。この場合，基板の傾斜により熱板に近づいた側には熱が多く伝達し，熱板から離れた側に伝達する熱は少なくなるため，基板が不均一に加熱されてしまい，その結果，処理むらが生じるおそれがあった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は，基板を安定させて支持することができる加熱処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため，本発明によれば，基板を熱処理板上に支持して加熱処理する装置であって，前記熱処理板の上面に，基板の下面を支持する複数の支持部材を備え，前記各支持部材は，基板の下面中央部から外側に離隔したものほど，前記熱処理板の上面から高く突出するように備えられたことを特徴とする，加熱処理装置が提供される。かかる加熱処理装置によれば，加熱により基板が下に凸状に反ったとき，基板の下面が支持部材から離れすぎず，基板を安定させて支持することができる。さらに，前記各支持部材をそれぞれ昇降させる昇降機構を備えても良い。
【０００８】
また，本発明によれば，基板を熱処理板によって加熱処理する装置であって，基板を前記熱処理板上に受け渡す際に基板の下面を支持して昇降する複数の昇降ピンと，基板を熱処理する際に前記熱処理板上で基板の下面を支持する複数の支持部材とを備え，前記各支持部材をそれぞれ昇降させる昇降機構を備えたことを特徴とする，加熱処理装置が提供される。かかる加熱処理装置によれば，加熱により基板が下に凸状に反ったとき，基板の下面に合わせて支持部材の位置を調節することができる。従って，基板を安定させて支持することができる。
【０００９】
さらに，前記支持部材の上端部が基板の下面に接触したことを検出するセンサを備えても良い。前記各支持部材を予め測定した基板の反りに基づいて昇降させるようにしても良い。また，前記各支持部材の上端部が基板の下面に接触した際の前記各支持部材の昇降量により，基板の反りを測定するようにしても良い。前記各支持部材は，基板の下面中央部以外の部分を支持することとしても良い。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば，基板が下に凸状に反っても，基板を安定させて支持することができ，基板が熱処理板に対して傾くことを防止できる。従って，熱処理の均一性が悪化することを防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下，本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は，本実施の形態にかかる熱処理板の温度設定装置が備えられた塗布現像処理システム１の構成の概略を示す平面図であり，図２は，塗布現像処理システム１の正面図であり，図３は，塗布現像処理システム１の背面図である。
【００１２】
塗布現像処理システム１は，図１に示すように例えば２５枚の略円盤状のウェハＷをカセット単位で外部から塗布現像処理システム１に対して搬入出したり，カセットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットステーション２と，フォトリソグラフィー工程の中で枚葉式に所定の処理を施す複数の各種処理装置を多段に配置している処理ステーション３と，この処理ステーション３に隣接して設けられている図示しない露光装置との間でウェハＷの受け渡しをするインターフェイス部４とを一体に接続した構成を有している。
【００１３】
カセットステーション２には，カセット載置台５が設けられ，当該カセット載置台５は，複数のカセットＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在になっている。カセットステーション２には，搬送路６上をＸ方向に向かって移動可能なウェハ搬送体７が設けられている。ウェハ搬送体７は，カセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）にも移動自在であり，Ｘ方向に配列された各カセットＣ内のウェハＷに対して選択的にアクセスできる。
【００１４】
ウェハ搬送体７は，Ｚ軸周りのθ方向に回転可能であり，後述する処理ステーション３側の第３の処理装置群Ｇ３に属する温調装置６０やトランジション装置６１に対してもアクセスできる。
【００１５】
カセットステーション２に隣接する処理ステーション３は，複数の処理装置が多段に配置された，例えば５つの処理装置群Ｇ１〜Ｇ５を備えている。処理ステーション３のＸ方向負方向（図１中の下方向）側には，カセットステーション２側から第１の処理装置群Ｇ１，第２の処理装置群Ｇ２が順に配置されている。処理ステーション３のＸ方向正方向（図１中の上方向）側には，カセットステーション２側から第３の処理装置群Ｇ３，第４の処理装置群Ｇ４及び第５の処理装置群Ｇ５が順に配置されている。第３の処理装置群Ｇ３と第４の処理装置群Ｇ４の間には，第１の搬送装置１０が設けられている。第１の搬送装置１０は，第１の処理装置群Ｇ１，第３の処理装置群Ｇ３及び第４の処理装置群Ｇ４内の各処理装置に選択的にアクセスしてウェハＷを搬送できる。第４の処理装置群Ｇ４と第５の処理装置群Ｇ５の間には，第２の搬送装置１１が設けられている。第２の搬送装置１１は，第２の処理装置群Ｇ２，第４の処理装置群Ｇ４及び第５の処理装置群Ｇ５内の各処理装置に選択的にアクセスしてウェハＷを搬送できる。
【００１６】
図２に示すように第１の処理装置群Ｇ１には，ウェハＷに所定の液体を供給して処理を行う液処理装置，例えばウェハＷにレジスト液を塗布するレジスト塗布装置２０，２１，２２，露光処理時の光の反射を防止する反射防止膜を形成するボトムコーティング装置２３，２４が下から順に５段に重ねられている。第２の処理装置群Ｇ２には，液処理装置，例えばウェハＷに現像液を供給して現像処理する現像処理装置３０〜３４が下から順に５段に重ねられている。また，第１の処理装置群Ｇ１及び第２の処理装置群Ｇ２の最下段には，各処理装置群Ｇ１，Ｇ２内の液処理装置に各種処理液を供給するためのケミカル室４０，４１がそれぞれ設けられている。
【００１７】
例えば図３に示すように第３の処理装置群Ｇ３には，温調装置６０，ウェハＷの受け渡しを行うためのトランジション装置６１，精度の高い温度管理下でウェハＷを温度調節する高精度温調装置６２〜６４及びウェハＷを高温で加熱処理する高温度熱処理装置６５〜６８が下から順に９段に重ねられている。
【００１８】
第４の処理装置群Ｇ４では，例えば高精度温調装置７０，レジスト塗布処理後のウェハＷを加熱処理するプリベーキング装置７１〜７４及び現像処理後のウェハＷを加熱処理するポストベーキング装置７５〜７９が下から順に１０段に重ねられている。
【００１９】
第５の処理装置群Ｇ５では，ウェハＷを熱処理する複数の熱処理装置，例えば高精度温調装置８０〜８３，露光後のウェハＷを加熱処理する複数のポストエクスポージャーベーキング装置（以下「ＰＥＢ装置」とする。）８４〜８９が下から順に１０段に重ねられている。
【００２０】
図１に示すように第１の搬送装置１０のＸ方向正方向側には，複数の処理装置が配置されており，例えば図３に示すようにウェハＷを疎水化処理するためのアドヒージョン装置９０，９１，ウェハＷを加熱する加熱装置９２，９３が下から順に４段に重ねられている。図１に示すように第２の搬送装置１１のＸ方向正方向側には，例えばウェハＷのエッジ部のみを選択的に露光する周辺露光装置９４が配置されている。
【００２１】
インターフェイス部４には，例えば図１に示すようにＸ方向に向けて延伸する搬送路１００上を移動するウェハ搬送体１０１と，バッファカセット１０２が設けられている。ウェハ搬送体１０１は，Ｚ方向に移動可能でかつθ方向にも回転可能であり，インターフェイス部４に隣接した図示しない露光装置と，バッファカセット１０２及び第５の処理装置群Ｇ５に対してアクセスしてウェハＷを搬送できる。
【００２２】
次に，上述したＰＥＢ装置８４の構成について説明する。ＰＥＢ装置８４は，図４及び図５に示すように筐体１２０内に，ウェハＷを加熱処理する加熱部１２１と，ウェハＷを冷却処理する冷却部１２２を有している。
【００２３】
加熱部１２１は，図４に示すように上側に位置して上下動自在な蓋体１３０と，下側に位置して蓋体１３０と一体となって処理室Ｓを形成する熱板収容部１３１を有している。
【００２４】
蓋体１３０は，中心部に向かって次第に高くなる略円錐状の形態を有し，頂上部には，排気部１３０ａが設けられている。処理室Ｓ内の雰囲気は，排気部１３０ａから均一に排気される。
【００２５】
熱板収容部１３１は，円筒状のケース１４０を備えており，ケース１４０の内側には，ウェハＷを加熱する熱処理板としての熱板１４１と，熱板１４１の外周部を保持する環状の保持部材１４２と，その保持部材１４２の外周を囲んで保持する略筒状のサポートリング１４３とが備えられている。サポートリング１４３の上面には，処理室Ｓ内に向けて例えば不活性ガスを噴出する吹き出し口１４４が形成されており，この吹き出し口１４４から不活性ガスを噴出することにより，処理室Ｓ内をパージすることができる。
【００２６】
熱板１４１は，厚みのある略円盤形状をなし，熱板収容部１３１の中央に，上面を略水平にした状態で支持されている。熱板１４１の内部には，給電により発熱するヒータ１４５が内蔵されている。
【００２７】
図６に示すように，熱板１４１の上面には，ウェハＷを熱処理する際に熱板１４１上でウェハＷの下面を支持する複数の支持部材１４６が設けられている。各支持部材１４６は，熱板１４１の上面中央部を囲むように配置され，熱板１４１の上面から上方に向かって突出するように設けられている。例えば図６に示すように，熱板１４１の上面中央部を中心とした円上において，４個の支持部材１４６が等間隔を空けて配置されており，さらにその外側の同心円上において，８個の支持部材１４６が等間隔を空けて配置されている。ウェハＷは，ウェハＷの下面中央部Ｃを囲む４箇所，及び，ウェハＷの下面周縁部の８箇所に，それぞれ支持部材１４６の上端部を接触又は近接させた状態で支持される。また，ウェハＷの下面は熱板１４１の上面から離隔され，ウェハＷの中央部Ｃは熱板１４１の中央部の真上に配置される。このようにウェハＷは各支持部材１４６上に支持されることによって，熱板１４１の上面とウェハＷの下面との間にギャップを形成した状態で載置され，ウェハＷに対していわゆるプロキシミティベークが行われる。
【００２８】
図７に示すように，ウェハＷの下面周縁部を支持する８個の支持部材１４６は，その内側に設けられた４個の支持部材１４６よりも，上方に高く突出している。このように，ウェハＷの下面中央部Ｃから外側に離隔しているものほど，熱板１４１の上面から高く突出させるようにすると，ウェハＷが中央部から周縁側に向かうに従い上昇するように，下に向かって凸状に変形している場合でも，各支持部材１４６がウェハＷの下面に接触又は近接するので，ウェハＷが安定して支持され，ウェハＷが熱板１４１に対して傾斜することを防止できる。なお，各支持部材１４６の高さは，予め熱板１４１による熱処理により変形したウェハＷの下面の平均的な反りを調べ，この平均的な反り形状に沿った位置に各支持部材１４６の上端部が配置されるような高さにしても良い。
【００２９】
図４に示すように熱板１４１の下方には，ウェハＷを熱板１４１上に受け渡す際にウェハＷの下面を支持して昇降させるための第１の昇降ピン１５０が設けられている。第１の昇降ピン１５０は，昇降駆動機構１５１により上下動できる。また，熱板１４１の上面中央部を囲む３箇所に，熱板１４１を厚み方向（上下方向）に貫通する貫通孔１５２が形成されている。各第１の昇降ピン１５０は，昇降駆動機構１５１の駆動により熱板１４１の下方から上昇してそれぞれ貫通孔１５２に挿入され，貫通孔１５２内で上下動可能になっており，貫通孔１５２を通過して熱板１４１の上方に突出したり熱板１４１の下方に退出したりすることができる。
【００３０】
加熱部１２１に隣接する冷却部１２２には，例えばウェハＷを載置して冷却する冷却板１７０が設けられている。冷却板１７０は，例えば図５に示すように略方形の平板形状を有し，加熱部１２１側の端面が円弧状に湾曲している。図４に示すように冷却板１７０の内部には，例えばペルチェ素子などの冷却部材１７０ａが内蔵されており，冷却板１７０を所定の設定温度に調整できる。
【００３１】
冷却板１７０は，加熱部１２１側に向かって延伸するレール１７１に取付けられている。冷却板１７０は，駆動部１７２によりレール１７１上を移動できる。冷却板１７０は，加熱部１２１側の熱板１４１の上方まで移動できる。
【００３２】
冷却板１７０には，例えば図５に示すようにＸ方向に沿った２本のスリット１７３が形成されている。スリット１７３は，冷却板１７０の加熱部１２１側の端面から冷却板１７０の中央部付近まで形成されている。このスリット１７３により，加熱室１２１側に移動した冷却板１７０と，熱板１４１上に突出した第１の昇降ピン１５０との干渉が防止される。図４に示すように冷却部１２２内のスリット１７３の下方には，第２の昇降ピン１７４が設けられている。第２の昇降ピン１７４は，昇降駆動部１７５によって昇降できる。第２の昇降ピン１７４は，冷却板１７０の下方から上昇してスリット１７３を通過し，冷却板１７０の上方に突出できる。
【００３３】
図５に示すように冷却板１７０を挟んだ筐体１２０の両側面には，ウェハＷを搬入出するための搬入出口１８０が形成されている。
【００３４】
以上のように構成されたＰＥＢ装置８４では，先ず，略水平な姿勢に保持されたウェハＷが，搬入出口１８０を通じて冷却部１２２内に搬入され，冷却板１７０上に載置される。そして，蓋体１３０が上昇して処理室Ｓが開放された状態で，冷却板１７０の移動により，冷却板１７０に支持されたウェハＷが熱板収容部１３１の上方に搬送される。ウェハＷが熱板１４１の上方に搬送されると，予め上昇して待機していた３本の第１の昇降ピン１５０の上端部に受け渡される。ウェハＷを受け渡した後，冷却板１７０が退出したら，蓋体１３０が下降して熱板収容部１３１と一体となり，処理室Ｓが閉鎖される。そして，第１の昇降ピン１５０が下降して，ウェハＷが熱板１４１上の支持部材１４６に受け渡される。ウェハＷを受け渡した第１の昇降ピン１５０は，熱板１４１の貫通孔１５２内にそれぞれ収納される。こうしてウェハＷが支持部材１４６の上端部に載せられ，熱板１４１の上面から持ち上げられた状態で支持される。なお，熱板１４１は予め昇温されており，ウェハＷが熱板１４１に近接されることにより，ウェハＷの加熱が開始される。
【００３５】
ところで，ＰＥＢ装置８４に搬入された直後のウェハＷは略平板状になっているが，熱板１４１によって急激に加熱されると，ウェハＷに熱応力が発生し，図７に示すように，ウェハＷが僅かに下に凸状に湾曲する。即ち，ウェハＷの周縁部に向かうに従い中央部Ｃに対して上昇するような反りが生じる。このようにウェハＷが変形しても，下面においてウェハＷの中央部Ｃを囲む３点以上の位置に支持部材１４６が接触するので，ウェハＷは確実に支持される。また，各支持部材１４６は，外側のものが内側のものより高くなっているので，各支持部材１４６の上端部が，下に凸状になったウェハＷの下面に沿ってそれぞれ接触又は近接した状態になり，ウェハＷが安定した状態で支持される。従って，ウェハＷが熱板１４１に対して傾斜することを防止できる。
【００３６】
このようにウェハＷを熱板１４１上に支持して，所定の時間，例えば６０秒〜９０秒程度の熱処理を行う。熱処理時間が経過すると，第１の昇降ピン１５０が上昇して，ウェハＷが第１の昇降ピン１５０により熱板１４１から上昇される。これにより，ウェハＷの加熱が終了する。この後，蓋体１３０が上昇して，処理室Ｓが開放された後，冷却板１７０が移動して，第１の昇降ピン１５０からウェハＷを受け取って退出する。これにより，ウェハＷが加熱部１２１から冷却部１２２に搬出される。そして，冷却部１２２において冷却板１７０上のウェハＷが冷却されたら，搬入出口１８０を通じて冷却部１２２から搬出される。こうして，一連の熱処理が終了する。
【００３７】
以上の実施の形態によれば，ウェハＷが熱応力で下に凸状に反ったときに，複数の支持部材１４６がウェハＷの中央部Ｃ以外の個所に接触するように配置したことにより，ウェハＷが熱板１４１に対して傾斜することを防止できる。さらに，これらの支持部材１４６が，ウェハＷの下面中央部Ｃから外側に離隔したものほど上端部の位置が高くなるように備えられていることにより，ウェハＷが下に凸状に反っても，各支持部材１４６がウェハＷの下面から離れすぎず，ウェハＷを安定させ，確実に支持することができる。従って，熱板１４１に対してウェハＷが傾くことを防止でき，それにより熱処理の均一性が悪化することを防止できる。即ち，ＰＥＢ装置８４での熱処理を経て形成されるレジストパターンの線幅のウェハ面内における均一性が悪化することを防止できる。
【００３８】
以上の実施の形態においては，熱板１４１の上面中央部を囲む４個の支持部材１４６が配置され，その外側に８個の支持部材１４６が配置された構成としたが，支持部材の個数や配置は，かかるものに限定されない。例えば，熱板１４１の上面中央部を中心とした３つの同心円上にそれぞれ支持部材を配置し，これら３つの同心円上に並んだ支持部材によって，ウェハＷの下面を支持しても良い。また，以上の実施の形態においては，各支持部材１４６はウェハＷの下面中央部Ｃ以外の部分を支持するように配置されていたが，図８に示すように，熱板１４１の上面中央部に，他の支持部材１４６より低くウェハＷの下面中央部Ｃに接触又は近接可能な支持部材を備えても良い。この場合も，ウェハＷが下に凸状に反ったとき，ウェハＷの下面中央部Ｃより外側において他の支持部材１４６が接触することにより，ウェハＷが傾くことを防止できる。
【００３９】
各支持部材１４６は，ウェハＷの下面位置に合わせて昇降可能にしても良い。図９に示す例では，熱板１４１の下方に，支持部材１４６をそれぞれ昇降させるモータ等の昇降機構１９０が複数備えられている。また，熱板１４１には，熱板１４１を厚み方向に貫通する貫通孔１９１が複数形成されている。各支持部材１４６は棒状に形成され，それぞれ貫通孔１９１内において上下動可能に通されている。各支持部材１４６の下端部は熱板１４１の下方において昇降機構１９０によって支持され，上端部は熱板１４１の上面から突出可能になっている。かかる構成においては，各昇降機構１９０の駆動により各支持部材１４６をそれぞれ熱板１４１に対して個別に昇降させることで，各支持部材１４６の上端部の位置をウェハＷの下面位置に合わせることができる。従って，ウェハＷが反ったとき，各支持部材１４６をウェハＷの下面にそれぞれ当接させ，ウェハＷを安定させることができる。なお，ウェハＷを冷却板１７０から熱板１４１上に受け渡す際は，先ず熱板１４１上から上昇させた３本の第１の昇降ピン１５０によってウェハＷを冷却板１７０から受け取り，各第１の昇降ピン１５０を下降させてウェハＷを熱板１４１に近接させ，第１の昇降ピン１５０から支持部材１４６にウェハＷを受け渡すようにすれば良い。熱処理中は支持部材１４６によってウェハＷの下面を支持し，熱処理後，ウェハＷを熱板１４１上から冷却板１７０に受け渡す際は，３本の第１の昇降ピン１５０によってウェハＷを支持部材１４６から受け取って熱板１４１から離隔させ，その後，第１の昇降ピン１５０から冷却板１７０によってウェハＷを受け取るようにすれば良い。
【００４０】
また，例えば図１０に示すように，各支持部材１４６の上端部に接触センサ１９５をそれぞれ備え，各接触センサ１９５の検出値により，支持部材１４６の上端部がウェハＷの下面に接触したことを検知できるようにしても良い。さらに，各昇降機構１９０の駆動を制御する制御部１９６に，各接触センサ１９５の検出値が送信される構成とし，制御部１９６は各接触センサ１９５の検出値に基づいて各昇降機構１９０の駆動を制御する構成としても良い。
【００４１】
各支持部材１４６の昇降は，予め熱板１４１による熱処理により変形したウェハＷの下面の平均的な反りを調べておき，この平均的な反り形状に沿った位置に上端部がそれぞれ位置決めされるように調節しても良い。また，例えばウェハＷがＰＥＢ装置８４に搬入される前に反っているおそれがある場合等には，予め搬入前のウェハＷについて下面の平均的な反りを調べておき，この平均的な反り形状に沿った位置に上端部が位置決めされるようにしても良い。
【００４２】
また，ＰＥＢ装置８４における熱処理前に，各ウェハＷについて反りを測定し，各ウェハＷの反りに合わせて上端部の高さを逐一変更するようにしても良い。例えば図１１に示すように，塗布現像処理システム１に，ウェハＷの反りを測定するレーザ変位計等を備えた反り測定装置２００を設置する。そして，ＰＥＢ装置８４に搬入する前にウェハＷを反り測定装置２００に搬入し，ウェハＷの反りを測定するようにする。測定結果は反り測定装置２００から図１０の制御部１９６に送信する。そして，ウェハＷをＰＥＢ装置８４に搬入し，熱板１４１に近接させる際に，制御部１９６の制御により，反り測定装置２００において測定した反りに基づいて，各支持部材１４６を昇降移動させる。このようにすれば，各ウェハＷの反り形状に合わせて支持部材１４６の上端部が配置され，ウェハＷをより安定的に支持することができる。
【００４３】
また，ウェハＷが熱板１４１上に支持されたとき，上端部がウェハＷの下面に接触する位置まで移動させた際の各支持部材１４６の昇降量により，ウェハＷの反りを測定するようにしても良い。例えば図１０において，各支持部材１４６の接触センサ１９５がウェハＷに接触する位置まで動かしたときの昇降機構１９０の駆動量に基づき，制御部１９６においてウェハＷの反りを計算できるようにしても良い。
【００４４】
以上，本発明の実施の形態の一例について説明したが，本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。例えば上記実施の形態は，ＰＥＢ装置８４の加熱部１２１に関する例であったが，熱板を備えたプリベーキング装置やポストベーキング装置などの他の加熱処理装置にも本発明は適用できる。さらに，本発明は，ウェハ以外の例えばＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ），フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板を熱処理する装置にも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明は，基板を熱板によって加熱する加熱処理装置に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図である。
【図２】図１の塗布現像処理システムの正面図である。
【図３】図１の塗布現像処理システムの背面図である。
【図４】ＰＥＢ装置の構成の概略を示す縦断面の説明図である。
【図５】ＰＥＢ装置の構成の概略を示す横断面の説明図である。
【図６】熱板の平面図である。
【図７】支持部材にウェハを載せた状態を示す縦断面の説明図である。
【図８】熱板の上面中央部にも支持部材を設けた実施形態を示す縦断面の説明図である。
【図９】支持部材を昇降させる昇降機構を備えた実施形態を示す縦断面の説明図である。
【図１０】支持部材の上端部に接触センサを備えた実施形態を示す縦断面の説明図である。
【図１１】塗布現像処理システムに測定装置を設置した実施形態を示す縦断面の説明図である。
【符号の説明】
【００４７】
Ｗ      ウェハ
１      塗布現像処理システム
８４    ＰＥＢ装置
１４１  熱板
１４６  支持部材
１９０  昇降機構
１９５  接触センサ
【図１】
2006237262.tif 000003
【図２】
2006237262.tif 000004
【図３】
2006237262.tif 000005
【図４】
2006237262.tif 000006
【図５】
2006237262.tif 000007
【図６】
2006237262.tif 000008
【図７】
2006237262.tif 000009
【図８】
2006237262.tif 000010
【図９】
2006237262.tif 000011
【図１０】
2006237262.tif 000012
【図１１】
2006237262.tif 000013