(57)【要約】【課題】         本発明の目的は、取り扱いが簡便で生産性に優れた温度補償型水晶発振器を提供することである。【解決手段】         絶縁性基体の表主面に空間部が設けられており、先の空間部には発振回路を組み込んだ集積回路素子、或いは該集積回路素子、及び電子部品素子を搭載させ、先の絶縁性基体の空間部上面に、圧電振動素子が収容されている容器体を載置させて成る圧電発振器であって、前記の絶縁性基体の裏主面には段差箇所が設けられ、この段差箇所には特性制御データ書込端子が形成されていることによって目的を達成する。【選択図】図１
2006101241.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基体の表主面には空間部が設けられており、該空間部には発振回路を組み込んだ集積回路素子、或いは該集積回路素子、及び電子部品素子を搭載させ、該絶縁性基体の空間部上面に圧電振動素子が収容されている容器体を載置させて成る圧電発振器であって、
前記絶縁性基体の裏主面には段差箇所が設けられ、該段差箇所には特性制御データ書込端子が形成されていることを特徴とする圧電発振器。
【請求項２】
矩形状の発振器基板領域の表主面には、空間部が設けられており、該発振器基板領域の裏主面には段差箇所が設けられ、該段差箇所には該空間部に搭載する集積回路素子に電気的に接続した特性制御データ書込端子を設け、前記特性制御データ書込端子を設けた捨てしろ領域を形成し、該捨てしろ領域を外周に形成した該発振器基板領域が複数個マトリックス状に配列されて一体に構成されている母基板を形成する工程Ａと、
前記発振器基板領域に圧電振動素子が収容されている容器体と前記圧電振動素子の温度特性を補償する発振特性制御データに基づいて発振出力を制御する集積回路素子或いは該集積回路素子、及び電子部品素子とを取着させる工程Ｂと、
前記段差箇所に設けられている特性制御データ書込端子より集積回路素子に発振特性制御データを入力し、該集積回路素子内のメモリに発振特性制御データを格納する工程Ｃと、
前記母基板を各々の前記発振器基板領域の外周に沿って切断して、各発振器基板領域をその発振器基板領域内に搭載した前記集積回路素子、及び前記電子部品素子と電気的に接続した前記特性制御データ書込端子が設けられている各捨てしろ領域から切り離し、複数個の圧電発振器を同時に得る工程Ｄとを含む圧電発振器の製造方法。
【請求項３】
前記工程Ｂにおいて、前記母基板を形成する各発振器基板領域に前記集積回路素子を搭載することによって、前記段差箇所並びに前記捨てしろ領域に形成されている前記特性制御データ書込端子と該発振器基板領域、及び該母基板の表面または／及び内部に形成した配線導体を介して、電気的に接続されることを特徴とする請求項２に記載の圧電発振器の製造方法。
【請求項４】
前記工程Ａにおいて、前記母基板の捨てしろ領域の内層に前記特性制御データ書込端子が設けられており、前記捨てしろ領域の表面には前記前記特性制御データ書込端子表面に達する貫通孔が形成されていることを特徴とする請求項２に記載の圧電発振器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、通信機器や電子機器等のタイミングデバイスとして用いられる圧電発振器とその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、携帯用通信機器等のタイミングデバイスとして水晶発振器が用いられている。かかる従来の水晶発振器としては、例えば図４に示す如く、内部に水晶振動素子２４が収容されている容器体２３を、上面の中央域に凹部２５を下面に複数個の外部端子２２を有した実装用基体２１上に取着させるとともに、前記容器体２１の下面と前記凹部２５の内面とで囲まれる領域内に、水晶振動素子２４の振動に基づいて発振出力を制御する集積回路素子２６を収容させた構造のものが知られている。
【０００３】
なお、前記容器体２３、及び前記実装用基体２１は、通常、アルミナセラミックス等のセラミック材料から成り、その内部、及び表面には配線導体が形成され、従来から周知のグリーンシート積層法等を採用することによって製作されている。そして、このような容器体２３の下面や実装用基体２１の上面には、それぞれ対応する箇所に接合電極が複数個ずつ設けられており、これらの接合電極同士を導電性接合材を介して接合することにより容器体２３が実装用基体２１の上面に固定されていた。
【０００４】
また、前記集積回路素子２６の内部には、水晶振動素子２４の温度特性に応じて作成された発振特性制御データに基づいて水晶発振器の発振出力を補正するための温度補償回路が設けられており、このような発振特性制御データを集積回路素子２６内のメモリに格納するために実装用基体２１の外側面には特性制御データ書込端子２７が設けられ、水晶発振器を組み立てた後、この特性制御データ書込端子２７に発振特性制御データ書込装置のプローブ針を当てて発振特性制御データを集積回路素子２６へ入力することによって発振特性制御データを集積回路素子２６内のメモリに格納していた。
【０００５】
【特許文献１】特開平１０―９８１５１号公報
【０００６】
なお、出願人は前記した先行技術文献情報で特定される先行技術文献以外には、本発明に関連する先行技術文献を、本件出願時までに発見するに至らなかった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述した従来の圧電発振器においては、実装用基体２１の外側面に発振特性制御データを書き込むための特性制御データ書込端子２７が設けられており、かかる実装用基体２１を製作するために、実装用基体２１が切り出されるセラミック製の母基板に貫通穴を開けて、その内面に導体ペーストを塗布して焼き付けたり、更には金属メッキを施す等して膜状の特性制御データ書込端子２７を被着させておく必要があり、このような複雑な加工プロセスが不可欠と成ることによって圧電発振器の生産性を著しく低下させるといった問題があった。
【０００８】
そこで上述の問題を解消するために、特性制御データ書込端子２７を実装用基体２１の下面に配置させることが考えられる。
【０００９】
しかしながら、特性制御データ書込端子２７を実装用基体２１の下面に配置させた場合には温度補償型水晶発振器が実装されるマザーボードの配線と、上述の特性制御データ書込端子２７とが対向していると、マザーボードの配線と特性制御データ書込端子２７との間で浮遊容量を発生することがあり、その場合、温度補償型水晶発振器が組み込まれる通信機器や電子機器の電気的特性に多大な影響を与える恐れがある上に、温度補償型水晶発振器を半田付け等によってマザーボード上に搭載した際、溶融した半田の一部が特性制御データ書込端子２７に接触して短絡を起こすといった危険性があり、圧電発振器の取り扱いの簡便性を欠くといった問題があった。
【００１０】
本発明は上記欠点に鑑み案出されたもので、従ってその目的は、取り扱いが簡便で生産性に優れた圧電発振器、及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の圧電発振器は絶縁性基体の表主面に空間部が設けられており、先の空間部には発振回路を組み込んだ集積回路素子、或いは該集積回路素子、及び電子部品素子を搭載させ、絶縁性基体の空間部上面に圧電振動素子が収容されている容器体を載置させて成る圧電発振器であって、前記の絶縁性基体の裏主面には段差箇所が設けられ、前記段差箇所には特性制御データ書込端子が形成されていることを特徴とするものである。
【００１２】
また、本発明の圧電発振器の製造方法は、矩形状の発振器基板領域の表主面に、空間部が設けられており、先の発振器基板領域の裏主面には段差箇所が設けられ、この段差箇所には、前記の空間部に搭載する集積回路素子に電気的接続した特性制御データ書込端子を設け、前記の特性制御データ書込端子を設けた捨てしろ領域を形成し、捨てしろ領域を外周に形成した該発振器基板領域が複数個マトリックスに配列されて一体に構成されている母基板を形成する工程Ａと、
前記の発振器基板領域に圧電振動素子が収容されている容器体と前記圧電振動素子の温度特性を補償する発振特性制御データ基づいて発振出力を制御する集積回路素子或いは先の集積回路素子、及び電子部品素子とを取着させる工程Ｂと、
前記の段差箇所に設けられている特性制御データ書込端子より集積回路素子に発振特性制御データを入力し、先の集積回路素子内のメモリに発振特性制御データを格納する工程Ｃと、
前記の母基板を各々の前記発振器基板領域の外周に沿って切断し、各発振器基板領域をその発振器基板領域内に搭載した前記集積回路素子、及び前記の電子部品素子と電気的に接続した前記特性制御データ書込端子が設けられている各捨てしろ領域から切り離し、複数個の圧電発振器を同時に得る工程Ｄとを含むことを特徴とするものである。
【００１３】
更に、本発明の圧電発振器の製造方法は、前記の工程Ｂにおいて、母基板を形成する各発振器基板領域に集積回路素子を搭載することによって、先の段差箇所並びに捨てしろ領域に形成されている特性制御データ書込端子と発振器基板領域、及び先の母基板の表面または／及び内部に形成した配線導体を介して、電気的に接続されることを特徴とするものである。
【００１４】
また、更に本発明の圧電発振器の製造方法は、前記工程Ａにおいて、前記の母基板の捨てしろ領域の内層に特性制御データ書込端子が設けられており、捨てしろ領域の表面には、先の特性制御データ書込端子表面に達する貫通孔が形成されていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の圧電発振器によれば、絶縁基体の裏主面に段差箇所が設けられ、先の段差箇所には特性制御データ書込端子が形成されていることにより、圧電発振器をマザーボード等の外部電気回路に搭載する際、両者の接合に用いられている導電性接合材の一部が前記の特性制御データ書込端子に付着してショートを起こすといった不都合を発生することが無く、製品の取り扱いを著しく簡便とすることが出来る。
【００１６】
また、本発明の圧電発振器の製造方法によれば、発振特性制御データを集積回路素子に書き込むのに使用される特性制御データ書込端子を母基板の捨てしろ領域にも設けておき、発振特性制御データの書き込みを完了した後、切り離すようにしたことから、発振器基板領域には特性制御データ書込端子を配置させるための最小限のスペースを必要として圧電発振器の全体構造を著しく小型化することが出来る。
【００１７】
しかもこの場合、圧電発振器の製造プロセスをより簡素とすることが出来る上に、個々の圧電発振器に発振特性制御データを書き込むためのソケット等の設備は一切不要であり、これによって圧電発振器の生産性を著しく高く維持することが出来る。
【００１８】
更に、本発明の圧電発振器の製造方法によれば、先の母基板は集積回路素子を搭載した後で分割されるように成っており、集積回路素子の搭載時、母基板自体が集積回路素子搭載用のキャリアとして機能することから、集積回路素子搭載用のキャリアを不要
とすることが出来、母基板の分割によって得られた個々の基板をキャリアに搭載するといった煩雑な作業も一切不要と成る。これによっても、圧電発振器の生産性を著しく向上させることが出来る。
【００１９】
また、更に本発明の圧電発振器の製造方法によれば、先の基板領域に形成されている第１の特性制御データ書込端子を介して、再度集積回路素子に発振特性制御データを入力し、集積回路素子内のメモリに発振特性制御データを格納する工程を含むことにより、母基板上で発振特性制御データを入力ミスなったものについて、分割後の個片状態と成っても再調整することが出来る為、圧電発振器の生産歩留まりを著しく改善させることが可能と成る。
【００２０】
また、更に本発明の圧電発振器の製造方法によれば、先の母基板の捨てしろ領域の内層に前記の特性制御データ書込端子が設けられており、また、捨てしろ領域の表面には前記の特性制御データ書込端子表面に達する貫通孔が形成されていることにより、プローブをあてる際に、これらの貫通孔がガイドラインとなる為、プローブの接触不良等を無くし著しく生産性を向上させることを可能とする効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明を添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、各図においての同一の符号は同じ対象を示すものとする。
【００２２】
図１は本発明の一実施形態に係る圧電発振器の概略の分解斜視図であり、図２は図１の圧電発振器の製造方法を示した概略の外観斜視図であり、これらの図に示される圧電発振器は、圧電振動素子としての水晶振動素子５が収容される容器体と、絶縁性基体の表主面に集積回路素子７が収容される凹部状の空間部とを有する構造と成っている。
【００２３】
容器体１は、例えばガラス−セラミック、アルミナセラミックス等のセラミック材料から成る基板２と、４２アロイやコバール，リン青銅等の金属から成るシールリング３と、シールリング３と同様の金属から成る蓋体４とから成り、前記の基板２の上面にシールリング３を取着させ、その上面に蓋体４を載置して固定させることによって容器体１が構成され、シールリング３の内側に位置する基板２の上面に水晶振動素子５が実装される。
【００２４】
前記の容器体１はその内部に、具体的には、基板２の表主面とシールリング３の内面と蓋体４の下面とで囲まれる空間部内に水晶振動素子５を収容して気密封止する構造と成っており、基板２の上面には水晶振動素子５の振動電極に接続される一対の搭載パッド等がそれぞれ設けられ、これらのパッド等は基板表面の配線導体や基板内部に埋設されているビアホール導体等を介して、対応するもの同士が相互に電気的に接続されている。
【００２５】
なお、前記容器体１の基板２は、ガラス−セラミック等のセラミック材料から成る場合、例えば、セラミック材料粉末に適当な有機溶剤等を添加して混合して得たセラミックグリーンシートの表面等に配線導体となる導体ペーストを従来から周知のスクリーン印刷等によって塗布するとともに、これを複数枚積層してプレス成形した後に高温で焼成することによって製作される。
【００２６】
また、前記の容器体１のシールリング３、及び蓋体４は従来から周知の金属加工法を採用し、４２アロイ等の金属を所定形状に成形することによって製作され、得られたシールリング３を基板２の上面に予め被着させておいた導体層にロウ付けし、続いて水晶振動素子５を、導電性接着剤を用いて基板２の上面に実装して固定した後、上述の蓋体４をこれも従来から周知の抵抗溶接等によってシールリング３の上面に接合することによって容器体１が組み立てられる。このようにシールリング３と蓋体４とを抵抗溶接によって接合する場合、シールリング３や蓋体４の表面には予めＮｉメッキ層やＡｕメッキ層等が被着される。
【００２７】
一方、前記の容器体１の内部に収容される水晶振動素子５は、所定の結晶軸でカットした水晶片の両主面に一対の振動電極を被着して形成されており、外部からの変動電圧が一対の振動電極を介して水晶片に印加されると、所定の周波数で厚みすべり振動を起こす。
【００２８】
前記の水晶振動素子５は、一対の振動電極を導電性接着剤を介して基板上面の対応する搭載パッドに電気的に接続させることによって基板２の上面に搭載され、これによって水晶振動素子５と容器体１との電気的接続、及び機械的接続が同時に成される。
【００２９】
ここで容器体１の蓋体４を容器体１や、絶縁性基体１の配線導体を介して絶縁性基体下面に配されるグランド端子用の外部端子９に接続させておけば、その使用時に蓋体４がアースされることによりシールド機能が付与されることと成るため、水晶振動素子５や後述する集積回路素子７を外部からの不要な電気的作用より良好に保護することが出来るといった効果も奏するものである。従って、蓋体４は絶縁性基体１の配線導体を介してグランド端子用の外部端子９に接続させておくことが好ましい。
【００３０】
前記の絶縁性基体６は、ガラス布基材エポキシ樹脂やポリカーボネイト，エポキシ樹脂，ポリイミド樹脂等の樹脂材料やガラス−セラミック，アルミナセラミックス等のセラミック材料等によって断面凹状を成すように形成され、その上面には容器体下面の対応する第１接合電極に電気的に接続される複数個の接合電極が、また前記の絶縁性基体の裏主面には４つの外部端子９（電源電圧端子、グランド端子、発振出力端子、発振制御端子の４つ）が設けられており、これらの外部端子９は、圧電発振器をマザーボード等の外部電気回路に搭載する際、半田付け等によって外部電気回路の回路配線と電気的に接続されることと成る。
【００３１】
また、前記の絶縁性基体の裏主面には、段差箇所８が形成されており、前記の段差箇所８には、特性制御データ書込端子１０が設けられている。
【００３２】
ここで、４個の外部端子９のうち、グランド端子と発振出力端子を近接させて配置するようにすれば、発振出力端子より出力される発振信号にノイズが干渉することを有効に防止することが出来る。従って、グランド端子と発振出力端子は近接させて配置することが好ましい。
【００３３】
更に、上述した絶縁性基体は基板２の表主面と壁部の内面とで囲まれる空間部内の中央域に複数個の電極パッドを被着して形成されており、これら電極パッドの形成領域に上述した集積回路素子７が搭載される。
【００３４】
前記の集積回路素子７としては、例えば下面に絶縁性基体１の電極パッドと１対１に対応する複数個の接続パッドを有した矩形状のフリップチップ型ＩＣ等が用いられ、その下面の回路形成面には、周囲の温度状態を検知するサーミスタといった感温素子、水晶振動素子５の温度特性を補償する発振特性制御データを格納するためのメモリ、発振特性制御データに基づいて水晶振動素子５の振動特性を温度変化に応じて補正する温度補償回路、また先の温度補償回路に接続されて所定の発振出力を生成する発振回路等が設けられ、この発振回路で生成された発振出力は、外部に出力された後に例えばクロック信号等の基準信号として利用することが出来る。
【００３５】
なお、前の記集積回路素子７は、その下面に設けた接続パッドを絶縁性基体上面の対応する電極パッドに半田や金バンプ等の導電性接合材を介して個々に接合させることによって集積回路素子７が実装用基体６に取着され、これによって集積回路素子７内の電子回路が絶縁性基体の配線導体等を介して水晶振動素子５や外部端子９等に電気的に接続される。
【００３６】
そして、先に述べた絶縁性基体１の基板２の裏主面に形成された段差箇所には、集積回路素子７に発振特性制御データを書き込むための特性制御データ書込端子１０が複数個介在されている。        
【００３７】
これらの特性制御データ書込端子１０は、絶縁性基体の裏主面に形成された段差箇所に並設されており、絶縁性基体１の配線導体等を介して集積回路素子７に電気的に接続されている。従って、圧電発振器を組み立てた後に、これらの特性制御データ書込端子１０に下方より発振特性制御データ書込装置のプローブ針を当てて水晶振動素子５の温度特性に応じた発振特性制御データを書き込むことによって集積回路素子７のメモリ内に発振特性制御データが格納されることに成る。
【００３８】
かくして上述した圧電発振器は、マザーボード等の外部配線基板上に半田付け等によって搭載され、集積回路素子７の温度補償回路によって発振出力を補正しながら、水晶振動素子５の共振周波数に応じた所定の発振信号を出力することにより温度補償型水晶発振器として機能する。
【００３９】
また、この場合、圧電発振器を半田付け等によってマザーボード上に搭載する際に、特性制御データ書込端子１０が段差箇所８に形成されていることから、溶融した半田の一部が特性制御データ書込端子１０に接触して短絡を起こすことも無く、その結果、圧電発振器の取り扱いを著しく簡便とする効果を奏するものである。
【００４０】
次に図２の（a）乃至（d）を用いて上述した圧電発振器の製造方法について説明する。
【００４１】
（工程Ａ）まず、図２の（a）に示すように絶縁性基体の表主面に凹形状の空間部と、先の絶縁性基体の裏主面の段差箇所８に設けられている特性制御データ書込端子１０を有する発振器基板領域と、複数個の第２の特性制御データ書込端子を有する捨てしろ領域とを相互に隣接させて、これらをマトリックス状に配置した母基板１３を準備する。
【００４２】
このような母基板１３は、ガラス布基材エポキシ樹脂やポリカーボネイト，エポキシ樹脂，ポリイミド樹脂等の樹脂材料やガラス−セラミック，アルミナセラミックス等のセラミック材料等によって形成されており、例えば、ガラス布基材エポキシ樹脂で形成する場合、ガラス糸を編み込んで形成したガラス布基材にエポキシ樹脂の液状前駆体を含浸させるとともに、この前駆体を高温で重合させることによってベースが形成され、その表面に銅箔等の金属箔を貼着し、これを従来から周知のフォトエッチング等を採用して所定パターンに加工することによって特性制御データ書込端子１０や接合電極や外部端子等を含む所定の配線パターンが形成される。
【００４３】
（工程Ｂ）次に図２の（b）に示すように母基板の発振器基板領域に、水晶振動素子５が収容されている容器体１と、前記水晶振動素子５の温度特性を補償する発振特性制御データに基づいて発振出力を制御する集積回路素子７或いは該集積回路素子７、及び電子部品素子とを取着させる。
【００４４】
前記の容器体１には、先に述べたように基板２とシールリング３と蓋体４とで構成されており、その内部に水晶振動素子５を収容させている。
例えば、得られた基板２の上面に水晶振動素子５を搭載する。このとき、水晶振動素子５の振動電極と基板上面の搭載パッドとは導電性接合材を介して電気的に、かつ機械的に接続される。そして、基板２の上面に、水晶振動素子５を囲繞するようにしてシールリング３を載置して固定し、シールリング３の上面に蓋体４を従来から周知の抵抗溶接等によって接合することにより容器体１が組み立てられる。
【００４５】
なお、シールリング３、及び蓋体４は従来から周知の金属加工法を採用し、４２アロイ等の金属を所定形状に成形することによって製作され、前記シールリング３は、基板２の上面に予め被着させておいた導体層にロウ付けすることによって基板２に固定される。また上述のように、シールリング３と蓋体４とを抵抗溶接によって接合する場合、シールリング３や蓋体４の表面には予めＮｉメッキ層やＡｕメッキ層等が被着される。
【００４６】
前記の集積回路素子７としては、例えば、下面に絶縁性基体の第２の空間に形成されている電極パッドと１対１に対応する複数個の接続パッドを有した矩形状のフリップチップ型ＩＣ等が用いられ、その下面の回路形成面には、周囲の温度状態を検知するサーミスタといった感温素子、水晶振動素子５の温度特性を補償する発振特性制御データを格納するためのメモリ、発振特性制御データに基づいて水晶振動素子５の振動特性を温度変化に応じて補正する温度補償回路や、先の温度補償回路に接続されて所定の発振出力を生成する発振回路等が設けられ、この発振回路で生成された発振出力は、外部に出力された後に、例えばクロック信号等の基準信号として利用される。
【００４７】
なお、前記集積回路素子７は、その下面に設けた接続パッドを絶縁性基体上面の対応する電極パッドに半田や金バンプ等の導電性接合材を介して個々に接合させることによって集積回路素子７が絶縁性基体６に取着され、これによって集積回路素子７内の電子回路が容絶縁性基体１の配線導体等を介して水晶振動素子５や外部端子９等に電気的に接続される。
【００４８】
また、かかる工程Ｂにおいては、前記の母基板を形成する各発振器基板領域Ａに集積回路素子を搭載することによって、先の段差箇所８、並びに前記捨てしろ領域に形成されている特性制御データ書込端子１０と発振器基板領域、及び先の母基板１３の表面または／及び内部に形成した配線導体を介して、電気的に接続されることと成る。
【００４９】
（工程Ｃ）次に、図２の（c）に示すように母基板１３の捨てしろ領域Ｂに設けた複数個の特性制御データ書込端子１０を介して各発振器基板領域Ａ内の集積回路素子７に発振特性制御データを入力し、集積回路素子７内のメモリに発振特性制御データを格納する。
【００５０】
このような発振特性制御データの書込作業は、発振特性制御データ書込装置のプローブ針を特性制御データ書込端子１０に当てて、水晶振動素子５の温度特性に応じて作成された発振特性制御データを集積回路素子７の温度補償回路内に設けられているメモリに入力し、これを記憶させることによって行なわれる。なお、ここで集積回路素子７に書き込まれる発振特性制御データは、水晶振動素子毎の温度特性バラツキを補正するためのものであり、その圧電発振器に使用される水晶振動素子５の温度特性を事前に測定しておくことにより得られるものである。
【００５１】
（工程Ｄ）次に、図２の（d）に示すように母基板１３を各発振器基板領域の外周に沿って切断することにより、各発振器基板領域Ａを捨てしろ領域より切り離す。先の母基板１３の切断は従来から周知のダイシング等によって行なわれ、かかる切断工程を経て母基板１３が個々の発振器基板領域毎に分割される。これにより、容器体１の下面に、発振器基板領域Ａに対応した絶縁性基体と集積回路素子７とを取着させてなる複数個の圧電発振器が同時に得られる。
【００５２】
最後に前記の絶縁性基体６に形成されている特性制御データ書込端子１０を介して、再度集積回路素子に発振特性制御データを入力し、集積回路素子内のメモリに発振特性制御データを格納することにより、母基板１３上で発振特性制御データのうち入力ミスなったものについて、分割後の個片状態になっても再調整することが出来る為、歩留まりを著しく改善させることが可能とする効果を奏するものである。
【００５３】
最後に、工程Ａの際に前記の母基板の捨てしろ領域の内層に特性制御データ書込端子１０が設けられており、先の捨てしろ領域の表面には特性制御データ書込端子表面に達する貫通孔１１が形成されていることにより、プローブをあてる際に、貫通孔１１がガイドラインとなる為にプローブの接触不良等を改善できるので、その生産性を著しく向上させることを可能とする。
【００５４】
なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更や改良等が可能であることは言うまでも無い。また、上述した実施形態においては、容器体１と絶縁性基体６とを接合するのに導電性接合材を用いるようにしたが、この導電性接合材は半田等の一般的な導電材料に限られるものではなく、例えば、導電性接合材として異方性導電接着材等を用いるようにしても良く、その場合、絶縁性基体６に対する容器体１の取着作業が極めて簡単になり、圧電発振器の組立工程が更に簡略化されるといった利点もある。
【００５５】
また、更に上述した実施形態においては、容器体１の蓋体４をシールリング３を介して基板２に接合させるようにしたが、これに代えて、基板２の上面に接合用のメタライズパターンを形成しておき、このメタライズパターンに対して蓋体４をダイレクトに溶接するようにしても構わず、この場合においても本発明の技術的範囲に含まれることは言うまでも無い。
【００５６】
また、更に上述した実施形態においては、例えば、シールリング３を用いて蓋体４を容器体１上に取り付けるようにしているが、これに代えて容器体上面のＡｕ−Ｓｎ等の接合用導体に対して蓋体４を直接、接合することにより蓋体４を容器体１上に取り付けるようにしても構わず、この場合も本発明の技術的範囲に含まれることは言うまでも無い。
【００５７】
更に、上述した実施形態においては、容器体１の基板上面に直接シールリング３を取着させるようにしたが、これに代えて、基板２の上面に基板２と同材質のセラミック材料等から成る枠体を一体的に取着させた上、先の枠体の上面にシールリング３を取着させるようにしても構わない。
【００５８】
また、更に上述した実施形態において、壁部間に位置する前記絶縁性基体１の上面にノイズ除去用のチップ状コンデンサ等を配置させても構わず、この場合も本発明の技術的範囲に含まれることは言うまでも無い。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の一実施形態に係る圧電発振器の概略の分解斜視図である。
【図２】（ａ）乃至（ｄ）は本発明の圧電発振器の製造方法を説明するための概略の圧電発振器の外観斜視図である。図（ａ）は本発明の製造方法に用いられる母基板を圧電振動子の搭載される一主面側より見た概略の斜視図であり、また（ｂ）は（ａ）の母基板の内層面の部分だけを見た概略の斜視図である。
【図３】図（ａ）は本発明の圧電発振器の製造方法に用いられる母基板を圧電振動子の搭載される一主面側より見た概略の斜視図であり、また（ｂ）は（a）の母基板の内層面の部分だけを見た概略の斜視図である。
【図４】従来の圧電発振器の概略の分解斜視図である。
【符号の説明】
【００６０】
１・・・容器体
２・・・基板
３・・・シールリング
４・・・蓋体
５・・・水晶振動素子
６・・・絶縁性基体
７・・・集積回路素子
８・・・段差箇所
９・・・外部端子
１０・・特性制御データ書込端子
１１・・貫通孔
１２・・樹脂材
１３・・母基板
【図１】
2006101241.tif 000003
【図２】
2006101241.tif 000004
【図３】
2006101241.tif 000005
【図４】
2006101241.tif 000006