(57)【要約】【課題】  減衰特性をより一層向上することが可能な積層型フィルタを提供すること。【解決手段】  積層型フィルタは、複数の非磁性体１１〜２７が積層された素体１と、素体１内に複数の非磁性体１１〜２７の積層方向に配された複数の第１の内部導体３１〜３９が互いに電気的に接続されることにより構成されるコイルとを備えている。素体１には、コイルの一端と電気的に接続される第１の端子電極と、コイルの他端と電気的に接続される第２の端子電極とが形成されている。複数の第１の内部導体３１〜３９のうち積層方向に隣り合う第１の内部導体３２〜３８間には、当該第１の内部導体３１〜３９との間で浮遊容量を発生させる第２の内部導体７１〜７６が配されている。第２の内部導体７１〜７６は、第２の端子電極と電気的に接続されている。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の非磁性体が積層された積層体と、
前記積層体内に前記非磁性体の積層方向に配された複数の第１の内部導体が互いに電気的に接続されることにより構成されるコイルと、
前記積層体に形成され、前記コイルの一端と電気的に接続される第１の端子電極と、
前記積層体に形成され、前記コイルの他端と電気的に接続される第２の端子電極と、
前記複数の第１の内部導体のうち前記積層方向に隣り合う第１の内部導体間に配され、当該第１の内部導体との間で浮遊容量を発生させる第２の内部導体と、を備え、
前記第２の内部導体は、前記第１及び第２の端子電極のうちいずれか一方の端子電極と電気的に接続されていることを特徴とする積層型フィルタ。
【請求項２】
前記第２の内部導体が、前記積層方向から見て前記第１の内部導体と沿うように形成されていることを特徴とする請求項１に記載の積層型フィルタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層型フィルタに関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の積層型フィルタとして、絶縁体が積層された積層体と、積層体内に配されるコイル（インダクタ）及びコンデンサ（キャパシタ）と、積層体に形成されると共にコイル及びキャパシタに電気的に接続される端子電極と、を備えるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載された積層型フィルタでは、積層体内に絶縁体の積層方向に配された複数のコイル導体が互いに電気的に接続されることにより構成される。コンデンサは、積層体内に絶縁体の積層方向に対向するように配されたキャパシタ導体により構成される。コイルとコンデンサは、並列接続されている。
【特許文献１】特開２００５−５０９７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
特許文献１に記載された積層型フィルタのように、コイルとコンデンサとが並列接続された積層型フィルタでは、共振周波数での減衰が浅く、且つ、所定の挿入損失（例えば、２０ｄＢ）での周波数帯域（遮断帯域）が狭い減衰特性を示す。これは、コイルとコンデンサとの並列共振にて減衰が生じるものの、並列共振周波数より高い周波数帯域でのコンデンサのインピーダンスが低いため、並列共振周波数より高い周波数帯域では、入力信号がコンデンサのみを通過して出力されるためである。減衰特性において減衰が浅く且つ遮断帯域が狭い場合、除去したいノイズの周波数帯域のみを選択的に除去する回路設計技術が確立されていても、積層型フィルタ毎における減衰特性のばらつきや、実装時の部品配置による発生ノイズの帯域ばらつき等により、ノイズを十分に除去できないという問題が生じる懼れがある。
【０００４】
本発明は、減衰特性をより一層向上することが可能な積層型フィルタを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る積層型フィルタは、複数の非磁性体が積層された積層体と、積層体内に非磁性体の積層方向に配された複数の第１の内部導体が互いに電気的に接続されることにより構成されるコイルと、積層体に形成され、コイルの一端と電気的に接続される第１の端子電極と、積層体に形成され、コイルの他端と電気的に接続される第２の端子電極と、複数の第１の内部導体のうち積層方向に隣り合う第１の内部導体間に配され、当該第１の内部導体との間で浮遊容量を発生させる第２の内部導体と、を備え、第２の内部導体は、第１及び第２の端子電極のうちいずれか一方の端子電極と電気的に接続されていることを特徴とする。
【０００６】
本発明に係る積層型フィルタでは、上記構成を有することにより、減衰が深く且つ遮断帯域が広くなり、減衰特性をより一層向上することができる。
【０００７】
減衰が深く且つ遮断帯域が広くなり、減衰特性をより一層向上する要因については、本発明者等は以下の通り考えている。第１の内部導体との間で浮遊容量を発生させる第２の内部導体が第１及び第２の端子電極のうちいずれか一方の端子電極と電気的に接続されているので、複数の第１の内部導体により構成されるコイルは、第２の内部導体との間で浮遊容量を発生させ得る部分と、第２の内部導体との間で浮遊容量を発生させ得ない部分とを含むこととなる。このため、本発明の積層型フィルタでは、コイルのうち第２の内部導体との間で浮遊容量を発生させ得る部分と当該浮遊容量とが並列接続された並列共振回路と、コイルのうち第２の内部導体との間で浮遊容量を発生させ得ない部分と上記浮遊容量とが直列接続された直列共振回路とが構成される。そして、並列共振回路による減衰特性と直列共振回路による減衰特性とが合成されることにより、減衰が深く且つ遮断帯域が広い減衰特性が実現する。
【０００８】
好ましくは、第２の内部導体が、積層方向から見て第１の内部導体と沿うように形成されている。この場合、第２の内部導体がコイルに発生するフラックスを阻害するのを抑え、高周波特性を高めることができる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、減衰特性をより一層向上することが可能な積層型フィルタを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。また、説明中、「上」及び「下」なる語を使用することがあるが、これは各図の上下方向に対応したものである。
【００１１】
（第１実施形態）
図１〜図３を参照して、第１実施形態に係る積層型フィルタＦの構成を説明する。図１は、第１実施形態に係る積層型フィルタを示す斜視図である。図２は、第１実施形態に係る積層型フィルタに含まれる、素体を分解して示した構成図である。図３は、第１実施形態に係る積層型フィルタの等価回路を説明するための図である。
【００１２】
積層型フィルタＦは、図１及び図２に示されるように、直方体形状の素体１と、コイル３０と、素体１の側面に形成された第１及び第２の端子電極３，５とを備えている。コイル３０は、素体１内に配されている。コイル３０は、第１の端子電極３と第２の端子電極５とに電気的に接続される。
【００１３】
素体１は、図２に示すように、複数（本実施形態においては、１７層）の非磁性体１１〜２７が積層されることにより構成される積層体である。実際の積層型フィルタＦは、非磁性体１１〜２７間の境界が視認できない程度に一体化されている。非磁性体１１〜２７は、非磁性体グリーンシートが焼成されることにより、構成される。
【００１４】
コイル３０は、複数の第１の内部導体３１〜３９を含んでいる。第１の内部導体３１，３９は、略Ｊ字状を呈している。第１の内部導体３２〜３８は、略Ｌ字状を呈している。すなわち、第１の内部導体３２〜３８は、第１の内部導体３１が引き出される側面と第１の内部導体３９が引き出される側面との対向方向（以下、単に「側面対向方向」と称する）に伸びる第１の部分と、当該第１の部分に連続し且つ側面対向方向と積層方向とに垂直な方向に伸びる第２の部分とを含んでいる。
【００１５】
第１の内部導体３１は、非磁性体１１上に位置する。第１の内部導体３１の一端部は、素体１の側面まで引き出されて当該側面に露出しており、第１の端子電極３に接続される。第１の内部導体３１は、コイル３０の一端に位置することとなる。第１の内部導体３１、すなわちコイル３０の一端は、第１の端子電極３に電気的に接続される。第１の内部導体３１は、引き出し導体として機能する。
【００１６】
非磁性体１１における第１の内部導体３１の他端部に対応する位置には、非磁性体１１を厚み方向に貫通するスルーホール導体４１が形成されている。第１の内部導体３１は、その他端部においてスルーホール導体４１に電気的に接続されている。
【００１７】
第１の内部導体３２は、非磁性体１２上に位置し、コイル３０の略１／２ターンに相当する。第１の内部導体３２は、当該第１の内部導体３２の一端部に、非磁性体１１，１２が積層された状態でスルーホール導体４１と電気的に接続される領域を含んでいる。非磁性体１２における第１の内部導体３２の他端部に対応する位置には、非磁性体１２を厚み方向に貫通するスルーホール導体４２が形成されている。スルーホール導体４２は、第１の内部導体３２の他端部と電気的に接続されている。
【００１８】
非磁性体１３上には、スルーホール導体４２に対応するように、ランド状の内部導体６１が位置している。非磁性体１３における内部導体６１に対応する位置には、非磁性体１３を厚み方向に貫通するスルーホール導体４３が形成されている。スルーホール導体４３は、内部導体６１に電気的に接続されている。内部導体６１は、非磁性体１２，１３が積層された状態でスルーホール導体４２と電気的に接続される。内部導体６１は、スルーホール接続導体として機能する。
【００１９】
第１の内部導体３３は、非磁性体１４上に位置し、コイル３０の略１／２ターンに相当する。第１の内部導体３３は、当該第１の内部導体３３の一端部に、非磁性体１３，１４が積層された状態でスルーホール導体４３と電気的に接続される領域を含んでいる。非磁性体１４における第１の内部導体３３の他端部に対応する位置には、非磁性体１４を厚み方向に貫通するスルーホール導体４４が形成されている。スルーホール導体４４は、第１の内部導体３３の他端部と電気的に接続されている。
【００２０】
非磁性体１５上には、スルーホール導体４４に対応するように、ランド状の内部導体６２が位置している。非磁性体１５における内部導体６２に対応する位置には、非磁性体１５を厚み方向に貫通するスルーホール導体４５が形成されている。スルーホール導体４５は、内部導体６２に電気的に接続されている。内部導体６２は、非磁性体１４，１５が積層された状態でスルーホール導体４４と電気的に接続される。内部導体６２は、スルーホール接続導体として機能する。
【００２１】
第１の内部導体３４は、非磁性体１６上に位置し、コイル３０の略１／２ターンに相当する。第１の内部導体３４は、当該第１の内部導体３４の一端部に、非磁性体１５，１６が積層された状態でスルーホール導体４５と電気的に接続される領域を含んでいる。非磁性体１６における第１の内部導体３４の他端部に対応する位置には、非磁性体１６を厚み方向に貫通するスルーホール導体４６が形成されている。スルーホール導体４６は、第１の内部導体３４の他端部と電気的に接続されている。
【００２２】
非磁性体１７上には、スルーホール導体４６に対応するように、ランド状の内部導体６３が位置している。非磁性体１７における内部導体６３に対応する位置には、非磁性体１７を厚み方向に貫通するスルーホール導体４７が形成されている。スルーホール導体４７は、内部導体６３に電気的に接続されている。内部導体６３は、非磁性体１６，１７が積層された状態でスルーホール導体４６と電気的に接続される。内部導体６３は、スルーホール接続導体として機能する。
【００２３】
第１の内部導体３５は、非磁性体１８上に位置し、コイル３０の略１／２ターンに相当する。第１の内部導体３５は、当該第１の内部導体３５の一端部に、非磁性体１７，１８が積層された状態でスルーホール導体４７と電気的に接続される領域を含んでいる。非磁性体１８における第１の内部導体３５の他端部に対応する位置には、非磁性体１８を厚み方向に貫通するスルーホール導体４８が形成されている。スルーホール導体４８は、第１の内部導体３５の他端部と電気的に接続されている。
【００２４】
非磁性体１９上には、スルーホール導体４８に対応するように、ランド状の内部導体６４が位置している。非磁性体１９における内部導体６４に対応する位置には、非磁性体１９を厚み方向に貫通するスルーホール導体４９が形成されている。スルーホール導体４９は、内部導体６４に電気的に接続されている。内部導体６４は、非磁性体１８，１９が積層された状態でスルーホール導体４８と電気的に接続される。内部導体６４は、スルーホール接続導体として機能する。
【００２５】
第１の内部導体３６は、非磁性体２０上に位置し、コイル３０の略１／２ターンに相当する。第１の内部導体３６は、当該第１の内部導体３６の一端部に、非磁性体１９，２０が積層された状態でスルーホール導体４９と電気的に接続される領域を含んでいる。非磁性体２０における第１の内部導体３６の他端部に対応する位置には、非磁性体２０を厚み方向に貫通するスルーホール導体５０が形成されている。スルーホール導体５０は、第１の内部導体３６の他端部と電気的に接続されている。
【００２６】
非磁性体２１上には、スルーホール導体５０に対応するように、ランド状の内部導体６５が位置している。非磁性体２１における内部導体６５に対応する位置には、非磁性体２１を厚み方向に貫通するスルーホール導体５１が形成されている。スルーホール導体５１は、内部導体６５に電気的に接続されている。内部導体６５は、非磁性体２０，２１が積層された状態でスルーホール導体５０と電気的に接続される。内部導体６５は、スルーホール接続導体として機能する。
【００２７】
第１の内部導体３７は、非磁性体２２上に位置し、コイル３０の略１／２ターンに相当する。第１の内部導体３７は、当該第１の内部導体３７の一端部に、非磁性体２１，２２が積層された状態でスルーホール導体５１と電気的に接続される領域を含んでいる。非磁性体２２における第１の内部導体３７の他端部に対応する位置には、非磁性体２２を厚み方向に貫通するスルーホール導体５２が形成されている。スルーホール導体５２は、第１の内部導体３７の他端部と電気的に接続されている。
【００２８】
非磁性体２３上には、スルーホール導体５２に対応するように、ランド状の内部導体６６が位置している。非磁性体２３における内部導体６６に対応する位置には、非磁性体２３を厚み方向に貫通するスルーホール導体５３が形成されている。スルーホール導体５３は、内部導体６６に電気的に接続されている。内部導体６６は、非磁性体２２，２３が積層された状態でスルーホール導体５２と電気的に接続される。内部導体６６は、スルーホール接続導体として機能する。
【００２９】
第１の内部導体３８は、非磁性体２４上に位置し、コイル３０の略１／２ターンに相当する。第１の内部導体３８は、当該第１の内部導体３８の一端部に、非磁性体２３，２４が積層された状態でスルーホール導体５３と電気的に接続される領域を含んでいる。非磁性体２４における第１の内部導体３８の他端部に対応する位置には、非磁性体２４を厚み方向に貫通するスルーホール導体５４が形成されている。スルーホール導体５４は、第１の内部導体３８の他端部と電気的に接続されている。
【００３０】
第１の内部導体３９は、非磁性体２５上に位置する。第１の内部導体３９の一端部は、素体１の側面（第１の内部導体３１の一端部が引き出される側面に対向する側面）まで引き出されて当該側面に露出しており、第２の端子電極５に接続される。第１の内部導体３９は、当該第１の内部導体３９の他端部に、非磁性体２４，２５が積層された状態でスルーホール導体５４と電気的に接続される領域を含んでいる。第１の内部導体３９は、コイル３０の他端に位置することとなる。第１の内部導体３９、すなわちコイル３０の他端は、第２の端子電極５に電気的に接続される。第１の内部導体３９は、引き出し導体として機能する。
【００３１】
上述したように、第１の内部導体３１〜３９は、スルーホール導体４１〜５４及び内部導体６１〜６６を通して電気的に接続されている。これにより、第１の内部導体３１〜３９は、相互に電気的に接続されることで、コイル３０を構成することとなる。
【００３２】
積層型フィルタＦは、図２に示されるように、第２の内部導体７１〜７６を更に備えている。第２の内部導体７１〜７５は、略Ｌ字状を呈している。第２の内部導体７６は、略Ｊ字状を呈している。第２の内部導体７１〜７６は、非磁性体１１〜２７の積層方向（以下、単に「積層方向」と称する）から見て、第１の内部導体３１〜３９と沿うように形成されている。
【００３３】
第２の内部導体７１は、非磁性体１３上に位置している。これにより、第２の内部導体７１は、複数の第１の内部導体３１〜３９のうち積層方向に隣り合う第１の内部導体３２と第１の内部導体３３との間に配されることとなる。非磁性体１３における第２の内部導体７１の一端部に対応する位置には、非磁性体１３を厚み方向に貫通するスルーホール導体８１が形成されている。スルーホール導体８１は、第２の内部導体７１の一端部と電気的に接続されている。
【００３４】
第２の内部導体７１の側面対向方向に伸びる部分は、第１の内部導体３２の第１の部分と積層方向から見て重なり合うと共に、積層方向で隣り合っている。第２の内部導体７１の側面対向方向と積層方向とに垂直な方向に伸びる部分は、第１の内部導体３３の第２の部分と積層方向から見て重なり合うと共に、積層方向で隣り合っている。
【００３５】
非磁性体１４上には、スルーホール導体８１に対応するように、ランド状の内部導体９１が位置している。非磁性体１４における内部導体９１に対応する位置には、非磁性体１４を厚み方向に貫通するスルーホール導体８２が形成されている。スルーホール導体８２は、内部導体９１に電気的に接続されている。内部導体９１は、非磁性体１３，１４が積層された状態でスルーホール導体８１と電気的に接続される。内部導体９１は、スルーホール接続導体として機能する。
【００３６】
第２の内部導体７２は、非磁性体１５上に位置している。これにより、第２の内部導体７２は、複数の第１の内部導体３１〜３９のうち積層方向に隣り合う第１の内部導体３３と第１の内部導体３４との間に配されることとなる。第２の内部導体７２は、当該第２の内部導体７２の一端部に、非磁性体１４，１５が積層された状態でスルーホール導体８２と電気的に接続される領域を含んでいる。非磁性体１５における第２の内部導体７２の他端部に対応する位置には、非磁性体１５を厚み方向に貫通するスルーホール導体８３が形成されている。スルーホール導体８３は、第２の内部導体７２の他端部と電気的に接続されている。
【００３７】
第２の内部導体７２の側面対向方向に伸びる部分は、第１の内部導体３３の第１の部分と積層方向から見て重なり合うと共に、積層方向で隣り合っている。第２の内部導体７２の側面対向方向と積層方向とに垂直な方向に伸びる部分は、第１の内部導体３４の第２の部分と積層方向から見て重なり合うと共に、積層方向で隣り合っている。
【００３８】
非磁性体１６上には、スルーホール導体８３に対応するように、ランド状の内部導体９２が位置している。非磁性体１６における内部導体９２に対応する位置には、非磁性体１６を厚み方向に貫通するスルーホール導体８４が形成されている。スルーホール導体８４は、内部導体９２に電気的に接続されている。内部導体９２は、非磁性体１５，１６が積層された状態でスルーホール導体８３と電気的に接続される。内部導体９２は、スルーホール接続導体として機能する。
【００３９】
第２の内部導体７３は、非磁性体１７上に位置している。これにより、第２の内部導体７３は、複数の第１の内部導体３１〜３９のうち積層方向に隣り合う第１の内部導体３４と第１の内部導体３５との間に配されることとなる。第２の内部導体７３は、当該第２の内部導体７３の一端部に、非磁性体１６，１７が積層された状態でスルーホール導体８４と電気的に接続される領域を含んでいる。非磁性体１７における第２の内部導体７３の他端部に対応する位置には、非磁性体１７を厚み方向に貫通するスルーホール導体８５が形成されている。スルーホール導体８５は、第２の内部導体７３の他端部と電気的に接続されている。
【００４０】
第２の内部導体７３の側面対向方向に伸びる部分は、第１の内部導体３４の第１の部分と積層方向から見て重なり合うと共に、積層方向で隣り合っている。第２の内部導体７３の側面対向方向と積層方向とに垂直な方向に伸びる部分は、第１の内部導体３５の第２の部分と積層方向から見て重なり合うと共に、積層方向で隣り合っている。
【００４１】
非磁性体１８上には、スルーホール導体８５に対応するように、ランド状の内部導体９３が位置している。非磁性体１８における内部導体９３に対応する位置には、非磁性体１８を厚み方向に貫通するスルーホール導体８６が形成されている。スルーホール導体８６は、内部導体９３に電気的に接続されている。内部導体９３は、非磁性体１７，１８が積層された状態でスルーホール導体８５と電気的に接続される。内部導体９３は、スルーホール接続導体として機能する。
【００４２】
第２の内部導体７４は、非磁性体１９上に位置している。これにより、第２の内部導体７４は、複数の第１の内部導体３１〜３９のうち積層方向に隣り合う第１の内部導体３５と第１の内部導体３６との間に配されることとなる。第２の内部導体７４は、当該第２の内部導体７４の一端部に、非磁性体１８，１９が積層された状態でスルーホール導体８６と電気的に接続される領域を含んでいる。非磁性体１９における第２の内部導体７４の他端部に対応する位置には、非磁性体１９を厚み方向に貫通するスルーホール導体８７が形成されている。スルーホール導体８７は、第２の内部導体７４の他端部と電気的に接続されている。
【００４３】
第２の内部導体７４の側面対向方向に伸びる部分は、第１の内部導体３５の第１の部分と積層方向から見て重なり合うと共に、積層方向で隣り合っている。第２の内部導体７４の側面対向方向と積層方向とに垂直な方向に伸びる部分は、第１の内部導体３６の第２の部分と積層方向から見て重なり合うと共に、積層方向で隣り合っている。
【００４４】
非磁性体２０上には、スルーホール導体８７に対応するように、ランド状の内部導体９４が位置している。非磁性体２０における内部導体９４に対応する位置には、非磁性体２０を厚み方向に貫通するスルーホール導体８８が形成されている。スルーホール導体８８は、内部導体９４に電気的に接続されている。内部導体９４は、非磁性体１９，２０が積層された状態でスルーホール導体８７と電気的に接続される。内部導体９４は、スルーホール接続導体として機能する。
【００４５】
第２の内部導体７５は、非磁性体２１上に位置している。これにより、第２の内部導体７５は、複数の第１の内部導体３１〜３９のうち積層方向に隣り合う第１の内部導体３６と第１の内部導体３７との間に配されることとなる。第２の内部導体７５は、当該第２の内部導体７５の一端部に、非磁性体２０，２１が積層された状態でスルーホール導体８８と電気的に接続される領域を含んでいる。非磁性体２１における第２の内部導体７５の他端部に対応する位置には、非磁性体２１を厚み方向に貫通するスルーホール導体８９が形成されている。スルーホール導体８９は、第２の内部導体７５の他端部と電気的に接続されている。
【００４６】
第２の内部導体７５の側面対向方向に伸びる部分は、第１の内部導体３６の第１の部分と積層方向から見て重なり合うと共に、積層方向で隣り合っている。第２の内部導体７５の側面対向方向と積層方向とに垂直な方向に伸びる部分は、第１の内部導体３７の第２の部分と積層方向から見て重なり合うと共に、積層方向で隣り合っている。
【００４７】
非磁性体２２上には、スルーホール導体８９に対応するように、ランド状の内部導体９５が位置している。非磁性体２２における内部導体９５に対応する位置には、非磁性体２２を厚み方向に貫通するスルーホール導体９０が形成されている。スルーホール導体９０は、内部導体９５に電気的に接続されている。内部導体９５は、非磁性体２１，２２が積層された状態でスルーホール導体８９と電気的に接続される。内部導体９５は、スルーホール接続導体として機能する。
【００４８】
第２の内部導体７６は、非磁性体２３上に位置する。これにより、第２の内部導体７６は、複数の第１の内部導体３１〜３９のうち積層方向に隣り合う第１の内部導体３７と第１の内部導体３８との間に配されることとなる。第２の内部導体７６の側面対向方向と積層方向とに垂直な方向に伸びる部分は、第１の内部導体３８の第２の部分と積層方向から見て重なり合うと共に、積層方向で隣り合っている。
【００４９】
第２の内部導体７６の一端部は、素体１の側面（第１の内部導体３９の一端部が引き出される側面）まで引き出されて当該側面に露出しており、第２の端子電極５に接続される。第２の内部導体７６は、当該第２の内部導体７６の他端部に、非磁性体２２，２３が積層された状態でスルーホール導体９０と電気的に接続される領域を含んでいる。第２の内部導体７６は、第２の端子電極５に電気的に接続される。第２の内部導体７６は、引き出し導体として機能する。
【００５０】
上述したように、第２の内部導体７１〜７６は、スルーホール導体８１〜９０及び内部導体９１〜９５を通して電気的に接続されている。これにより、第２の内部導体７１〜７６は、相互に電気的に接続されることとなる。第２の内部導体７１〜７６は、第１の端子電極３に電気的に接続されていない。
【００５１】
非磁性体２６は、非磁性体１１の上に位置しており、第１の内部導体３１を保護するためのベース層として機能する。非磁性体２７は、非磁性体２５の下に位置している。非磁性体２６，２７は、素体１の厚みを所定の寸法に調整するためのものでもある。非磁性体２６の数は、複数層であってもよい。非磁性体２７も、複数層であってもよく、また積層しなくてもよい。
【００５２】
続いて、積層型フィルタＦの作製方法について説明する。
【００５３】
まず、非磁性体１１〜２７を構成することとなる非磁性体グリーンシートを用意する。非磁性体グリーンシートは、例えばＦｅ２Ｏ３とＺｎＯとＣｕＯとの混合粉を原料としたスラリーをフィルム上にドクターブレード法により塗布して形成したものを用いることができる。非磁性体グリーンシートの厚みは、例えば、２０μｍ程度に設定することができる。Ｆｅ２Ｏ３とＺｎＯとＣｕＯとの混合粉の代わりに、誘電体材料（ＴｉＯ２とＣｕＯとＮｉＯとＭｎＣＯとの混合粉等）や、酸化物セラミック材料（Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、フォルステライト、ステアタイト、コージライト等）を用いてもよく、これらの混合粉であってもよい。
【００５４】
次に、非磁性体１１〜２４を構成することとなる各非磁性体グリーンシートの所定の位置、すなわちスルーホール導体４１〜５４，８１〜９０を形成する予定位置に、レーザー加工等によってスルーホールを形成する。
【００５５】
次に、非磁性体１１〜２４を構成することとなる各グリーンシートに、第１の内部導体３１〜３９、第２の内部導体７１〜７６、及び内部導体６１〜６６，９１〜９５に対応する各導体パターンを形成する。各導体パターンは、例えば、銀もしくはニッケルを主成分とする導体ペースト（導電体材料）をスクリーン印刷した後、乾燥することによって形成される。各スルーホールには、各導体パターンを形成する際に、導体ペーストが充填されることとなる。
【００５６】
次に、各グリーンシートを順次積層して圧着し、チップ単位に切断した後に所定温度（例えば、８００〜９００度）にて焼成する。これにより、素体１が形成されることとなる。素体１は、例えば、完成後における長手方向の長さが１．０ｍｍ、幅が０．５ｍｍ、高さが０．５ｍｍとなるようにする。第１の内部導体３１〜３９、第２の内部導体７１〜７６、及び内部導体６１〜６６，９１〜９５の焼成後における厚みは、例えば１２μｍ程度に設定される。第１の内部導体３１〜３９、及び第２の内部導体７１〜７６の焼成後における幅は、例えば７０μｍ程度に設定される。
【００５７】
次に、この素体１に第１及び第２の端子電極３，５を形成する。これにより、積層型フィルタＦが得られることとなる。第１及び第２の端子電極３，５は、素体１の外面に銀、ニッケルもしくは銅を主成分とする電極ペーストを転写した後に所定温度（例えば、７００℃程度）にて焼き付け、更に電気めっきを施すことにより、形成される。電気めっきには、Ｃｕ／Ｎｉ／Ｓｎ、Ｎｉ／Ｓｎ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｇ、又は、Ｎｉ／Ａｇ等を用いることができる。なお、積層型フィルタＦのカットオフ周波数は、例えば１００ＭＨｚに設定することができる。
【００５８】
上述した構成の積層型フィルタＦにおいては、図３に示されるように、コイル３０（第１の内部導体３１〜３９）と第２の内部導体７１〜７６との間で浮遊容量Ｃｓが発生する。図３においては、コイル３０（第１の内部導体３１〜３９）と第２の内部導体７１〜７６とを図面上で差異化するために、第２の内部導体７１〜７６を破線で表している。
【００５９】
以上のように、本第１実施形態に係る積層型フィルタＦでは、上記構成を有することにより、減衰が深く且つ遮断帯域が広くなり、減衰特性をより一層向上することができる。
【００６０】
減衰が深く且つ遮断帯域が広くなり、減衰特性をより一層向上する要因については、本発明者等は以下の通り考えている。第１の内部導体３１〜３９との間で浮遊容量Ｃｓを発生させる第２の内部導体７１〜７６が第２の端子電極５と電気的に接続されているので、複数の第１の内部導体３１〜３９により構成されるコイル３０は、第２の内部導体７１〜７６との間で浮遊容量Ｃｓを発生させ得る部分と、第２の内部導体７１〜７６との間で浮遊容量Ｃｓを発生させ得ない部分とを含むこととなる。このため、積層型フィルタＦでは、コイル３０のうち第２の内部導体７１〜７６との間で浮遊容量Ｃｓを発生させ得る部分と当該浮遊容量Ｃｓとが並列接続された並列共振回路と、コイル３０のうち第２の内部導体７１〜７６との間で浮遊容量Ｃｓを発生させ得ない部分と上記浮遊容量Ｃｓとが直列接続された直列共振回路とが構成される。そして、並列共振回路による減衰特性と直列共振回路による減衰特性とが合成されることにより、減衰が深く且つ遮断帯域が広い減衰特性が実現する。
【００６１】
本第１実施形態において、第２の内部導体７１〜７６が、積層方向から見て第１の内部導体３１〜３９と沿うように形成されている。これにより、第２の内部導体７１〜７６がコイル３０に発生するフラックスを阻害するのを抑え、高周波特性を高めることができる。
【００６２】
また、本第１実施形態において、素体１は、複数の非磁性体１１〜２７が積層されることにより構成されている。これにより、積層型フィルタＦは、高周波帯域（例えば、３００〜２０００ＭＨｚ）におけるノイズを除去することができる。
【００６３】
（第２実施形態）
図４及び図５を参照して、第２実施形態に係る積層型フィルタの構成を説明する。図４は、第２実施形態に係る積層型フィルタに含まれる、素体を分解して示した構成図である。図５は、第２実施形態に係る積層型フィルタの等価回路を説明するための図である。
【００６４】
第２実施形態に係る積層型フィルタは、図１に示された積層型フィルタＦと同じく、直方体形状の素体１と、コイル３０と、素体１の側面に形成された第１及び第２の端子電極３，５とを備えている。素体１は、図４に示すように、複数（本実施形態においては、１７層）の非磁性体１１〜２７が積層されることにより構成される積層体である。
【００６５】
コイル３０は、複数の第１の内部導体１０１〜１１１を含んでいる。第１の内部導体１０１，１１１は、略Ｉ字状を呈している。第１の内部導体１０２〜１１０は、略Ｃ字状を呈している。
【００６６】
第１の内部導体１０１は、非磁性体１１上に位置する。第１の内部導体１０１の一端部は、素体１の側面まで引き出されて当該側面に露出しており、第１の端子電極３に接続される。第１の内部導体１０１は、コイル３０の一端に位置することとなる。第１の内部導体１０１、すなわちコイル３０の一端は、第１の端子電極３に電気的に接続される。第１の内部導体１０１は、引き出し導体として機能する。
【００６７】
非磁性体１１における第１の内部導体１０１の他端部に対応する位置には、非磁性体１１を厚み方向に貫通するスルーホール導体１２１が形成されている。第１の内部導体３１は、その他端部においてスルーホール導体１２１に電気的に接続されている。
【００６８】
第１の内部導体１０２は、非磁性体１２上に位置し、コイル３０の略１／２ターンに相当する。第１の内部導体１０２は、当該第１の内部導体１０２の一端部に、非磁性体１１，１２が積層された状態でスルーホール導体１２１と電気的に接続される領域を含んでいる。非磁性体１２における第１の内部導体１０２の他端部に対応する位置には、非磁性体１２を厚み方向に貫通するスルーホール導体１２２が形成されている。スルーホール導体１２２は、第１の内部導体１０２の他端部と電気的に接続されている。
【００６９】
第１の内部導体１０３は、非磁性体１３上に位置し、コイル３０の略１／２ターンに相当する。第１の内部導体１０３は、当該第１の内部導体１０３の一端部に、非磁性体１２，１３が積層された状態でスルーホール導体１２２と電気的に接続される領域を含んでいる。非磁性体１３における第１の内部導体１０３の他端部に対応する位置には、非磁性体１３を厚み方向に貫通するスルーホール導体１２３が形成されている。スルーホール導体１２３は、第１の内部導体１０３の他端部と電気的に接続されている。
【００７０】
第１の内部導体１０４は、非磁性体１４上に位置し、コイル３０の略１／２ターンに相当する。第１の内部導体１０４は、当該第１の内部導体１０４の一端部に、非磁性体１３，１４が積層された状態でスルーホール導体１２３と電気的に接続される領域を含んでいる。非磁性体１４における第１の内部導体１０４の他端部に対応する位置には、非磁性体１４を厚み方向に貫通するスルーホール導体１２４が形成されている。スルーホール導体１２４は、第１の内部導体１０４の他端部と電気的に接続されている。
【００７１】
非磁性体１５上には、スルーホール導体１２４に対応するように、ランド状の内部導体１４１が位置している。非磁性体１５における内部導体１４１に対応する位置には、非磁性体１５を厚み方向に貫通するスルーホール導体１２５が形成されている。スルーホール導体１２５は、内部導体１４１に電気的に接続されている。内部導体１４１は、非磁性体１４，１５が積層された状態でスルーホール導体１２４と電気的に接続される。内部導体１４１は、スルーホール接続導体として機能する。
【００７２】
第１の内部導体１０５は、非磁性体１６上に位置し、コイル３０の略１／２ターンに相当する。第１の内部導体１０５は、当該第１の内部導体１０５の一端部に、非磁性体１５，１６が積層された状態でスルーホール導体１２５と電気的に接続される領域を含んでいる。非磁性体１６における第１の内部導体１０５の他端部に対応する位置には、非磁性体１６を厚み方向に貫通するスルーホール導体１２６が形成されている。スルーホール導体１２６は、第１の内部導体１０５の他端部と電気的に接続されている。
【００７３】
非磁性体１７上には、スルーホール導体１２６に対応するように、ランド状の内部導体１４２が位置している。非磁性体１７における内部導体１４２に対応する位置には、非磁性体１７を厚み方向に貫通するスルーホール導体１２７が形成されている。スルーホール導体１２７は、内部導体１４２に電気的に接続されている。内部導体１４２は、非磁性体１６，１７が積層された状態でスルーホール導体１２６と電気的に接続される。内部導体１４２は、スルーホール接続導体として機能する。
【００７４】
第１の内部導体１０６は、非磁性体１８上に位置し、コイル３０の略１／２ターンに相当する。第１の内部導体１０６は、当該第１の内部導体１０６の一端部に、非磁性体１７，１８が積層された状態でスルーホール導体１２７と電気的に接続される領域を含んでいる。非磁性体１８における第１の内部導体１０６の他端部に対応する位置には、非磁性体１８を厚み方向に貫通するスルーホール導体１２８が形成されている。スルーホール導体１２８は、第１の内部導体１０６の他端部と電気的に接続されている。
【００７５】
非磁性体１９上には、スルーホール導体１２８に対応するように、ランド状の内部導体１４３が位置している。非磁性体１９における内部導体１４３に対応する位置には、非磁性体１９を厚み方向に貫通するスルーホール導体１２９が形成されている。スルーホール導体１２９は、内部導体１４３に電気的に接続されている。内部導体１４３は、非磁性体１８，１９が積層された状態でスルーホール導体１２８と電気的に接続される。内部導体１４３は、スルーホール接続導体として機能する。
【００７６】
第１の内部導体１０７は、非磁性体２０上に位置し、コイル３０の略１／２ターンに相当する。第１の内部導体１０７は、当該第１の内部導体１０７の一端部に、非磁性体１９，２０が積層された状態でスルーホール導体１２９と電気的に接続される領域を含んでいる。非磁性体２０における第１の内部導体１０７の他端部に対応する位置には、非磁性体２０を厚み方向に貫通するスルーホール導体１３０が形成されている。スルーホール導体１３０は、第１の内部導体１０７の他端部と電気的に接続されている。
【００７７】
非磁性体２１上には、スルーホール導体１３０に対応するように、ランド状の内部導体１４４が位置している。非磁性体２１における内部導体１４４に対応する位置には、非磁性体２１を厚み方向に貫通するスルーホール導体１３１が形成されている。スルーホール導体１３１は、内部導体１４４に電気的に接続されている。内部導体１４４は、非磁性体２０，２１が積層された状態でスルーホール導体１３０と電気的に接続される。内部導体１４４は、スルーホール接続導体として機能する。
【００７８】
第１の内部導体１０８は、非磁性体２２上に位置し、コイル３０の略１／２ターンに相当する。第１の内部導体１０８は、当該第１の内部導体１０８の一端部に、非磁性体２１，２２が積層された状態でスルーホール導体１３１と電気的に接続される領域を含んでいる。非磁性体２２における第１の内部導体１０８の他端部に対応する位置には、非磁性体２２を厚み方向に貫通するスルーホール導体１３２が形成されている。スルーホール導体１３２は、第１の内部導体１０８の他端部と電気的に接続されている。
【００７９】
第１の内部導体１０９は、非磁性体２３上に位置し、コイル３０の略１／２ターンに相当する。第１の内部導体１０９は、当該第１の内部導体１０９の一端部に、非磁性体２２，２３が積層された状態でスルーホール導体１３２と電気的に接続される領域を含んでいる。非磁性体２３における第１の内部導体１０９の他端部に対応する位置には、非磁性体２３を厚み方向に貫通するスルーホール導体１３３が形成されている。スルーホール導体１３３は、第１の内部導体１０９の他端部と電気的に接続されている。
【００８０】
第１の内部導体１１０は、非磁性体２４上に位置し、コイル３０の略１／２ターンに相当する。第１の内部導体１１０は、当該第１の内部導体１１０の一端部に、非磁性体２３，２４が積層された状態でスルーホール導体１３３と電気的に接続される領域を含んでいる。非磁性体２４における第１の内部導体１１０の他端部に対応する位置には、非磁性体２４を厚み方向に貫通するスルーホール導体１３４が形成されている。スルーホール導体１３４は、第１の内部導体１１０の他端部と電気的に接続されている。
【００８１】
第１の内部導体１１１は、非磁性体２５上に位置する。第１の内部導体１１１の一端部は、素体１の側面（第１の内部導体１０１の一端部が引き出される側面に対向する側面）まで引き出されて当該側面に露出しており、第２の端子電極５に接続される。第１の内部導体１１１は、当該第１の内部導体１１１の他端部に、非磁性体２４，２５が積層された状態でスルーホール導体１３４と電気的に接続される領域を含んでいる。第１の内部導体１１１は、コイル３０の他端に位置することとなる。第１の内部導体１１１、すなわちコイル３０の他端は、第２の端子電極５に電気的に接続される。第１の内部導体１１１は、引き出し導体として機能する。
【００８２】
上述したように、第１の内部導体１０１〜１１１は、スルーホール導体１２１〜１３４及び内部導体１４１〜１４４を通して電気的に接続されている。これにより、第１の内部導体１０１〜１１１は、相互に電気的に接続されることで、コイル３０を構成することとなる。
【００８３】
第２実施形態に係る積層型フィルタは、図４に示されるように、第２の内部導体１５１〜１５４を更に備えている。第２の内部導体１５１〜１５４は、略Ｙ字状を呈している。第２の内部導体１５１〜１５４は、非磁性体１１〜２７の積層方向（以下、単に「積層方向」と称する）から見て、第１の内部導体１０１〜１１１と沿うように形成されている。
【００８４】
第２の内部導体１５１は、非磁性体１５上に位置している。これにより、第２の内部導体１５１は、複数の第１の内部導体１０１〜１１１のうち積層方向に隣り合う第１の内部導体１０４と第１の内部導体１０５との間に配されることとなる。第２の内部導体１５１の一端部は、素体１の側面（第１の内部導体１０１の一端部が引き出される側面）まで引き出されて当該側面に露出しており、第１の端子電極３に接続される。第２の内部導体１５１は、第１の内部導体１０４と積層方向から見て重なり合うと共に積層方向で隣り合う部分と、第１の内部導体１０５と積層方向から見て重なり合うと共に積層方向で隣り合う部分とを含んでいる。第２の内部導体１５１は、第２の端子電極５に電気的に接続されていない。
【００８５】
第２の内部導体１５２は、非磁性体１７上に位置している。これにより、第２の内部導体１５２は、複数の第１の内部導体１０１〜１１１のうち積層方向に隣り合う第１の内部導体１０５と第１の内部導体１０６との間に配されることとなる。第２の内部導体１５２の一端部は、素体１の側面（第１の内部導体１１１の一端部が引き出される側面）まで引き出されて当該側面に露出しており、第２の端子電極５に接続される。第２の内部導体１５２は、第１の内部導体１０５と積層方向から見て重なり合うと共に積層方向で隣り合う部分と、第１の内部導体１０６と積層方向から見て重なり合うと共に積層方向で隣り合う部分とを含んでいる。第２の内部導体１５２は、第１の端子電極３に電気的に接続されていない。
【００８６】
第２の内部導体１５３は、非磁性体１９上に位置している。これにより、第２の内部導体１５３は、複数の第１の内部導体１０１〜１１１のうち積層方向に隣り合う第１の内部導体１０６と第１の内部導体１０７との間に配されることとなる。第２の内部導体１５３の一端部は、素体１の側面（第１の内部導体１０１の一端部が引き出される側面）まで引き出されて当該側面に露出しており、第１の端子電極３に接続される。第２の内部導体１５３は、第１の内部導体１０６と積層方向から見て重なり合うと共に積層方向で隣り合う部分と、第１の内部導体１０７と積層方向から見て重なり合うと共に積層方向で隣り合う部分とを含んでいる。第２の内部導体１５３は、第２の端子電極５に電気的に接続されていない。
【００８７】
第２の内部導体１５４は、非磁性体２１上に位置している。これにより、第２の内部導体１５４は、複数の第１の内部導体１０１〜１１１のうち積層方向に隣り合う第１の内部導体１０７と第１の内部導体１０８との間に配されることとなる。第２の内部導体１５４の一端部は、素体１の側面（第１の内部導体１１１の一端部が引き出される側面）まで引き出されて当該側面に露出しており、第２の端子電極５に接続される。第２の内部導体１５２は、第１の内部導体１０７と積層方向から見て重なり合うと共に積層方向で隣り合う部分と、第１の内部導体１０８と積層方向から見て重なり合うと共に積層方向で隣り合う部分とを含んでいる。第２の内部導体１５４は、第１の端子電極３に電気的に接続されていない。
【００８８】
第２実施形態に係る積層型フィルタは、積層型フィルタＦの作製方法と同様の作製方法により作製することができ、ここでの説明を省略する。
【００８９】
上述した構成の積層型フィルタにおいては、図５に示されるように、コイル３０（第１の内部導体１０１〜１１１）と第２の内部導体１５１〜１５４との間で浮遊容量Ｃｓが発生する。図５においては、コイル３０（第１の内部導体１０１〜１１１）と第２の内部導体１５１〜１５４とを図面上で差異化するために、第２の内部導体１５１〜１５４を破線で表している。
【００９０】
以上のように、本第２実施形態に係る積層型フィルタでは、上記構成を有することにより、減衰が深く且つ遮断帯域が広くなり、減衰特性をより一層向上することができる。
【００９１】
減衰が深く且つ遮断帯域が広くなり、減衰特性をより一層向上する要因については、本発明者等は以下の通り考えている。第１の内部導体１０１〜１１１との間で浮遊容量Ｃｓを発生させる第２の内部導体１５１，１５３が第１の端子電極３と電気的に接続され、第１の内部導体１０１〜１１１との間で浮遊容量Ｃｓを発生させる第２の内部導体１５２，１５４が第２の端子電極５と電気的に接続されているので、複数の第１の内部導体１０１〜１１１により構成されるコイル３０は、第２の内部導体１５１〜１５４との間で浮遊容量Ｃｓを発生させ得る部分と、第２の内部導体１５１〜１５４との間で浮遊容量Ｃｓを発生させ得ない部分とを含むこととなる。このため、第２実施形態に係る積層型フィルタでは、コイル３０のうち第２の内部導体１５１〜１５４との間で浮遊容量Ｃｓを発生させ得る部分と当該浮遊容量Ｃｓとが並列接続された並列共振回路と、コイル３０のうち第２の内部導体１５１〜１５４との間で浮遊容量Ｃｓを発生させ得ない部分と上記浮遊容量Ｃｓとが直列接続された直列共振回路とが構成される。そして、並列共振回路による減衰特性と直列共振回路による減衰特性とが合成されることにより、減衰が深く且つ遮断帯域が広い減衰特性が実現する。
【００９２】
本第２実施形態において、第２の内部導体１５１〜１５４が、積層方向から見て第１の内部導体１０１〜１１１と沿うように形成されている。これにより、第２の内部導体１５１〜１５４がコイル３０に発生するフラックスを阻害するのを抑え、高周波特性を高めることができる。
【００９３】
ここで、本実施形態によって、減衰特性をより一層向上できることを、実施例１，２及び比較例１によって、具体的に示す。実施例１，２及び比較例１では、周波数特性として挿入損失特性を求めている。
【００９４】
実施例１では、第１実施形態の積層型フィルタＦと同じ構成の積層型フィルタを用いた。実施例２では、第２実施形態の積層型フィルタと同じ構成の積層型フィルタを用いた。比較例１では、特許文献１に記載された積層型フィルタと同じ構成の積層型フィルタを用いた。実施例１，２及び比較例１のいずれの積層型フィルタも、カットオフ周波数が１００ＭＨｚとなるように設計されている。
【００９５】
実施例１，２及び比較例１の積層型フィルタの挿入損失特性を、図６に示す。実線ＩＬ１は実施例１の積層型フィルタの挿入損失特性を示しており、破線ＩＬ２は実施例２の積層型フィルタの挿入損失特性を示している。一点差線ＩＬ３は、比較例１の積層型フィルタの挿入損失特性を示している。減衰帯域、例えば−２０ｄＢ減衰を保持する周波数帯域は、実施例１，２の積層型フィルタでは４５０〜５３０ＭＨｚであるのに対し、比較例１の積層型フィルタでは３６０〜６８０ＭＨｚである。以上のことから、本実施形態の有効性が確認された。
【００９６】
以上、本発明の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしもこれらの実施形態に限定されるものではない。
【００９７】
第２の内部導体７１〜７６，１５１〜１５４は、積層方向から見て第１の内部導体３１〜３９，１０１〜１１１と沿うように形成されているが、これに限られない。例えば、第２の内部導体７１〜７６，１５１〜１５４は、ベタ状に形成されていてもよい。第２の内部導体７１〜７６，１５１〜１５４がベタ状に形成された場合、コイル３０に発生するフラックスを阻害する懼れがある。このため、第２の内部導体７１〜７６，１５１〜１５４は、積層方向から見て第１の内部導体３１〜３９，１０１〜１１１と沿うように形成されることが好ましい。
【００９８】
本発明は、図７〜９に示されるように、コイルを複数有する積層型フィルタアレイＦＡにも適用することができる。図７〜９に示された積層型フィルタアレイＦＡにおいても、第１及び第２実施形態に係る積層型フィルタＦと同様に、減衰が深く且つ遮断帯域が広くなり、減衰特性をより一層向上することができる。図８，９においては、図面が見難くなるため、一部の構成要素のみ符号を付している。
【図面の簡単な説明】
【００９９】
【図１】第１実施形態に係る積層型フィルタを示す斜視図である。
【図２】第１実施形態に係る積層型フィルタに含まれる、素体を分解して示した構成図である。
【図３】第１実施形態に係る積層型フィルタの等価回路を説明するための図である。
【図４】第２実施形態に係る積層型フィルタに含まれる、素体を分解して示した構成図である。
【図５】第２実施形態に係る積層型フィルタの等価回路を説明するための図である。
【図６】積層型フィルタの挿入損失特性を示す線図である。
【図７】本実施形態に係る積層型フィルタアレイを示す斜視図である。
【図８】本実施形態に係る積層型フィルタアレイに含まれる、素体を分解して示した構成図である。
【図９】本実施形態に係る積層型フィルタアレイに含まれる、素体を分解して示した構成図である。
【符号の説明】
【０１００】
１…素体、３…第１の端子電極、５…第２の端子電極、１１〜２７…非磁性体、３０…コイル、３１〜３９…第１の内部導体、４１〜５４…スルーホール導体、６１〜６６…内部導体、７１〜７６…第２の内部導体、８１〜９０…スルーホール導体、９１〜９５…内部導体、１０１〜１１１…第１の内部導体、１２１〜１３４…スルーホール導体、１４１〜１４４…内部導体、１５１〜１５４…第２の内部導体、Ｃｓ…浮遊容量、Ｆ…積層型フィルタ、ＦＡ…積層型フィルタアレイ。
【図１】
2006352568.tif 000003
【図２】
2006352568.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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