(57)【要約】【課題】半導体メモリに物理的な異常が発生した場合にその異常を精度よく判定することができる半導体メモリの管理装置を提供する。【解決手段】この装置は、電子制御ユニット２０に設けられて所定のデータを書き込み可能なＥＥＰＲＯＭ２５に適用される。ＥＥＰＲＯＭ２５の三つの記憶領域イ，ロ，ハに同一の特定データが書き込まれる。各記憶領域イ，ロ，ハに書き込まれたデータをそれぞれ読み込んで比較し、それらデータの全てが一致している場合あるいは二つのみが一致している場合には、ＥＥＰＲＯＭ２５が正常であると判定する。それらデータの全てが不一致である場合には、ＥＥＰＲＯＭ２５が異常であると判定する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子制御ユニットに設けられて所定のデータを書き込み可能な半導体メモリの管理装置において、
前記半導体メモリの記憶領域を三つ以上の領域に分割しそれら分割された記憶領域に同一のデータを書き込む書き込み手段と、
それら書き込まれたデータを各記憶領域から読み込み、同一の記憶内容を示すデータの数が前記記憶領域の分割数よりも小さい所定の判定値未満であることに基づいて半導体メモリが異常である旨判定する異常判定手段と
を備えることを特徴とする半導体メモリの管理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体メモリの管理装置において、
前記異常判定手段は前記判定値を前記記憶領域の分割数の半数よりも大きい値に設定する
ことを特徴とする半導体メモリの管理装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の半導体メモリの管理装置において、
前記半導体メモリは不揮発性の半導体メモリであり、前記電子制御ユニットは揮発性半導体メモリを備え、
前記書き込み手段は前記揮発性半導体メモリに記憶されているデータを前記半導体メモリに書き込むとともに、前記異常判定手段により異常がない旨の判定がなされていることを条件に前記半導体メモリに記憶されている前記同一の記憶内容を示すデータを前記揮発性半導体メモリに書き込む
ことを特徴とする半導体メモリの管理装置。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体メモリの管理装置において、
前記電子制御ユニットは車両に搭載されて同車両のバッテリから前記揮発性半導体メモリに常時給電してその記憶内容を保持し、
前記書き込み手段は前記車両の走行履歴に関する情報を前記データとして前記各メモリに書き込むものであり、
前記異常判定手段によって前記半導体メモリに異常がある旨の判定がなされたときにその異常を報知する報知手段を更に備える
ことを特徴とする半導体メモリの管理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体メモリの管理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、種々の製品に電子制御ユニットが搭載されており、この電子制御ユニットは必要に応じてデータを一時的に記憶する半導体メモリ（例えばＲＡＭやＥＥＰＲＯＭ、フラッシュメモリ等）を備えている。
【０００３】
こうした半導体メモリの異常を判定する方法として、例えば特許文献１に記載されるパリティチェックといった方法を挙げることができる。その他の異常判定方法として、半導体メモリの記憶領域を二つの領域に区分してそれら各領域に同一のデータをそれぞれ書き込むとともに、それらを読み込み、そのデータの示す記憶内容が異なっている場合には半導体メモリが異常であると判定する等の異常判定手法も従来から採用されている。
【特許文献１】特開２００１−７３８６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ここで、半導体メモリの異常としては、同メモリに物理的な異常が生じているため、正常な記憶機能が失われている場合（物理的異常）と、書き込みエラーや読み込みエラー、或いは正常に書き込まれたデータがノイズ等の影響により破損する、いわゆるデータ化け等によって記憶されているデータの信頼性が一時的に低下しているものの、その記憶機能は正常である場合（記憶内容異常）とがある。当然ながら、後者の場合にあっては再び半導体メモリにデータを書き込むことにより、その後は同半導体メモリを支障なく使用することができ、これを交換する必要もない。
【０００５】
しかしながら、半導体メモリの二つの記憶領域に書き込まれているデータの示す記憶内容が異なっていることをもって、半導体メモリが異常であると判定する従来の異常判定手法にあっては、上述したような二つの半導体メモリの異常について峻別することができない。すなわち、従来の異常判定手法では、単に読み込んだ二つのデータの示す記憶内容が異なっていることをもって異常であると判定するものであるため、半導体メモリの記憶機能が正常に機能していないために二つのデータの示す記憶内容がいずれも真値と異なっている物理異常と、二つのデータのうちの一方がデータ化け等によって真値と異なっている記憶内容異常とを区別することができず、したがってそれら各異常に応じてこれを適切に対応することもできない。
【０００６】
本発明は、そうした実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、半導体メモリに物理的な異常が発生した場合にその異常を精度よく判定することができる半導体メモリの管理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
以下、上記目的を達成するための手段及びその作用効果について説明する。
先ず、請求項１に記載の発明は、電子制御ユニットに設けられて所定のデータを書き込み可能な半導体メモリの管理装置において、前記半導体メモリの記憶領域を三つ以上の領域に分割しそれら分割された記憶領域に同一のデータを書き込む書き込み手段と、それら書き込まれたデータを各記憶領域から読み込み、同一の記憶内容を示すデータの数が前記記憶領域の分割数よりも小さい所定の判定値未満であることに基づいて半導体メモリが異常である旨判定する異常判定手段とを備えることをその要旨とする。
【０００８】
上記構成によれば、仮に書き込みエラーや読み込みエラー、或いは正常に書き込まれたデータがノイズ等の影響により破損する、いわゆるデータ化け等が発生したとしても、これが限られた記憶領域にのみ発生しており、残りの記憶領域に書き込まれたデータの記憶内容が一致している場合には、半導体メモリには物理的な異常が生じておらず、その記憶機能は維持されていると判断することができる。したがって、半導体メモリに記憶されているデータの信頼性が一時的に低下したことをもって、それが異常であると誤判定されるのを好適に回避することができ、同半導体メモリの記憶機能が失われるような物理的な異常が発生した場合にこれを精度よく判定することができるようになる。
【０００９】
なお、異常を判定する時期としては、例えば、半導体メモリにデータの書き込み処理を行う必要が生じた場合においてその書き込み直後、或いは半導体メモリに記憶されているデータを読み込む処理を行う必要が生じた際にそれに併せて行うようにするのが望ましい。また、こうしたデータの書き込み処理や読み込み処理とは別に所定期間が経過する毎に異常判定を行うようにすることもできる。
【００１０】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の半導体メモリの管理装置において、前記異常判定手段は前記判定値を前記記憶領域の分割数の半数よりも大きい値に設定することをその要旨とする。
【００１１】
ここで、上記判定値を大きな値に設定し、同一の記憶内容を示すデータの数が相対的に多い場合であっても半導体メモリが異常である旨判定するようにした場合には、実際に半導体メモリに物理的な異常が発生している場合にはこれを早期に判定することができるものの、上述したようなデータ化け等による誤判定の可能性は高くなる。一方、上記判定値を小さな値に設定し、同一の記憶内容を示すデータの数が相対的に少ない場合にのみ半導体メモリが異常である旨判定するようにした場合には、上述したようなデータ化け等による誤判定を回避することができるようになるものの、実際に半導体メモリに物理的な異常が発生している場合にはその判定が遅れるようになる。
【００１２】
この点に鑑み、請求項２に記載の構成では、上記判定値が記憶領域の分割数の半数よりも大きい値に設定されているため、データ化け等による誤判定を極力抑制しつつ、半導体メモリに物理的な異常が生じた場合にその異常を極力早期に判定することができるようになる。
【００１３】
また、請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の半導体メモリの管理装置において、前記半導体メモリは不揮発性の半導体メモリであり、前記電子制御ユニットは揮発性半導体メモリを備え、前記書き込み手段は前記揮発性半導体メモリに記憶されているデータを前記半導体メモリに書き込むとともに、前記異常判定手段により異常がない旨の判定がなされていることを条件に前記半導体メモリに記憶されている前記同一の記憶内容を示すデータを前記揮発性半導体メモリに書き込むことをその要旨とする。
【００１４】
同構成によれば、揮発性半導体メモリに記憶されているデータが消失する、或いはそのデータの信頼性が低下することがあっても、そのデータは不揮発性の半導体メモリに記憶されているため、そのデータを再度、揮発性半導体メモリに書き込むことによりデータの回復を図ることができる。またこの際、仮に半導体メモリの限られた記憶領域にデータ化け等が生じていたとしても、異常判定手段により異常がない旨判定されている場合には、半導体メモリの各記憶領域に書き込まれているデータのうち同一の記憶内容を示すデータを揮発性半導体メモリに記憶するようにしている。このため、例えば、半導体メモリを二つの記憶領域に区分し両記憶領域に記憶されているデータの示す記憶内容が異なることをもって半導体メモリが異常である旨判定するようにした構成とは異なり、高い信頼性をもってデータの回復を行うことができるようになる。
【００１５】
また、請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の半導体メモリの管理装置において、
前記電子制御ユニットは車両に搭載されて同車両のバッテリから前記揮発性半導体メモリに常時給電してその記憶内容を保持し、前記書き込み手段は前記車両の走行履歴に関する情報を前記データとして前記各メモリに書き込むものであり、前記異常判定手段によって前記半導体メモリに異常がある旨の判定がなされたときにその異常を報知する報知手段を更に備えることをその要旨とする。
【００１６】
同構成によれば、半導体メモリに異常が生じた場合、これが報知手段を通じて報知されるため、それに基づいて適切な対処が可能になる。例えば、異常が報知されたとき、揮発性半導体メモリに保持されているデータを別の記憶媒体に複写するとともに、半導体メモリを正常なものに交換し、その後、その正常な半導体メモリに上記記憶媒体からデータを複写するなど、車両走行履歴情報を適切に保持することが可能になる。なお、こうした車両走行履歴情報としては、例えば、車両の総走行距離、排気浄化触媒の劣化履歴、総燃料噴射量、総機関回転数、車両状態に関する各種学習結果等々を挙げることができる。また、異常を報知する際の具体的態様としては、警告灯の点灯、警告ブザーの吹聴、或いは車両に関する情報を表示する画面を有したシステムを備える車両にあっては、その表示画面に異常がある旨の表示させる、といった方法を挙げることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明にかかる半導体メモリの管理装置を具体化した一実施の形態について説明する。
先ず、本実施の形態にかかる管理装置の適用される電子制御ユニットの概略構成について説明する。
【００１８】
図１に示すように、電子制御ユニット２０は車載の内燃機関１０に設けられて、例えば燃料噴射制御などの各種の機関制御を実行する。なお、内燃機関１０の排気通路１１には、排気を浄化するための排気浄化触媒１２、及び同排気浄化触媒１２の温度を検出するための温度センサ１３が設けられている。温度センサ１３の検出信号は電子制御ユニット２０に取り込まれている。車室内には、後述するＥＥＰＲＯＭ２５の異常時に点灯する報知手段としての警告灯１８が設けられている。
【００１９】
電子制御ユニット２０は、ＲＯＭ２１、ＣＰＵ２２、ＲＡＭ２３、スタンバイＲＡＭ（以下、ＳＲＡＭ）２４、ＥＥＰＲＯＭ２５等を備えている。それらＲＯＭ２１、ＣＰＵ２２、ＲＡＭ２３、ＳＲＡＭ２４及びＥＥＰＲＯＭ２５は、バス２６を介して互いに接続されている。この電子制御ユニット２０にはメインリレー１５を介してバッテリ１６が接続されている。メインスイッチ１７のオン操作によって上記メインリレー１５がオン操作されることにより、バッテリ１６から電子制御ユニット２０に電力が供給される。
【００２０】
ＲＯＭ２１は各種制御プログラムや、それら各種制御プログラムを実行する際に参照されるマップ等が記憶された読み出し専用の半導体メモリである。ＣＰＵ２２はＲＯＭ２１に記憶された各種制御プログラムやマップに基づいて演算処理を実行する。ＲＡＭ２３、ＳＲＡＭ２４及びＥＥＰＲＯＭ２５は書き込み可能な半導体メモリである。これらＲＡＭ２３、ＳＲＡＭ２４及びＥＥＰＲＯＭ２５には、ＣＰＵ２２での演算結果や各種のセンサから入力されたデータ等が一時的に記憶される。
【００２１】
なお、ＲＡＭ２３及びＳＲＡＭ２４は揮発性の半導体メモリであり、ＥＥＰＲＯＭ２５は不揮発性の半導体メモリである。ただし、ＳＲＡＭ２４には上記バッテリ１６が常時接続されて、同バッテリ１６から電力が常時供給されている。これにより、ＳＲＡＭ２４に記憶されたデータはメインスイッチ１７がオフ操作されて機関運転が停止されたときにも保持されるようになっている。
【００２２】
このＳＲＡＭ２４には、車両の走行履歴に関する情報など、長期にわたって更新され続けるデータ（以下、特定データ）が記憶される。車両の走行履歴に関する情報としては、例えば総走行距離や、排気浄化触媒１２の劣化履歴、総燃料噴射量、総機関回転速度、車両状態に関する各種学習値等が挙げられる。ちなみに、上記排気浄化触媒１２の劣化履歴としては、同排気浄化触媒１２の熱劣化にかかる学習値（劣化学習値ΣＲ）が算出されている。具体的には、排気浄化触媒１２の温度に基づいて劣化値Ｒが算出され、同劣化値Ｒを積算した値が劣化学習値ΣＲとして算出される。
【００２３】
また、上記特定データはＥＥＰＲＯＭ２５にも記憶される。これは、上記バッテリ１６が取り外されてＳＲＡＭ２４に電力が供給されなくなったり、ＳＲＡＭ２４の異常時にこれが初期化されたりして、ＳＲＡＭ２４内の特定データが消失した場合に、ＥＥＰＲＯＭ２５に記憶させておいた特定データをＳＲＡＭ２４に書き込むことによって、同ＳＲＡＭ２４の特定データを回復させるためである。
【００２４】
ところで、このように特定データをＥＥＰＲＯＭ２５に記憶しておいても、同ＥＥＰＲＯＭ２５が故障していたのでは意味がない。そのため本実施の形態では、ＥＥＰＲＯＭ２５の異常を判定する異常判定が実行される。そして、この異常判定においてＥＥＰＲＯＭ２５が異常でない旨判定されていることを条件に、ＳＲＡＭ２４に記憶されている特定データの上記ＥＥＰＲＯＭ２５への書き込みや、ＥＥＰＲＯＭ２５に記憶しておいた特定データの上記ＳＲＡＭ２４への書き込みが実行される。
【００２５】
以下、本実施の形態の異常判定にかかる処理の具体的な処理手順について説明する。
なお、本実施の形態では、異常判定にかかる処理として、特定データのＥＥＰＲＯＭ２５への書き込み処理の一環として実行される異常判定処理と、特定データのＥＥＰＲＯＭ２５からの読み込み処理の一環として実行される異常判定処理との二つの処理が実行される。
【００２６】
ここでは先ず、ＥＥＰＲＯＭ２５への書き込み処理の一環として実行される異常判定処理について、図２に示すフローチャートを参照して説明する。
なお、このフローチャートに示される一連の処理は、上記書き込み処理の具体的な処理手順を示しており、所定周期毎の処理として電子制御ユニット２０により実行される。
【００２７】
図２に示すように、この処理では先ず、特定データの上記ＥＥＰＲＯＭ２５への書き込みを行うタイミングであるか否かが判断される（ステップＳ１００）。ここでは、例えば前回ＥＥＰＲＯＭ２５への書き込みが行われた後に所定時間が経過したこと等、所定期間が経過したことをもって、書き込みを行うタイミングであると判断される。そして、同タイミングである場合には（ステップＳ１００：ＹＥＳ）、同一の特定データ（例えばＳＲＡＭ２４に記憶されている劣化学習値ΣＲ）がＥＥＰＲＯＭ２５の三つの記憶領域イ，ロ，ハ（図１参照）にそれぞれ書き込まれる（ステップＳ１０２）。本実施の形態では、このステップＳ１０２の処理が、半導体メモリの記憶領域を三つ以上の領域に分割しそれら分割された記憶領域に同一のデータを書き込む書き込み手段として機能する。
【００２８】
その後、各記憶領域イ，ロ，ハに書き込まれたデータをもとに異常判定処理（ステップＳ１０４〜Ｓ１０８）が実行される。本実施の形態では、この異常判定処理が、半導体メモリが異常である旨判定する異常判定手段として機能する。
【００２９】
具体的には先ず、各記憶領域イ，ロ，ハに書き込まれたデータがそれぞれ読み込まれて比較され、それらデータうちの二つ以上のデータが同一の記憶内容を示している、すなわち一致しているか否かが判断される（ステップＳ１０４）。
【００３０】
そして、図３の「パターンａ」に例示するように、全てのデータが一致している場合には（図２のステップＳ１０４：ＹＥＳ）、書き込みが正常に行われており、ＥＥＰＲＯＭ２５が正常であると判定される（ステップＳ１０６）。
【００３１】
また、図３の「パターンｂ」に例示するように、二つのデータのみが一致する場合にも（図２のステップＳ１０４：ＹＥＳ）、ＥＥＰＲＯＭ２５が正常であると判定される（ステップＳ１０６）。
【００３２】
一方、図３の「パターンｃ」に例示するように、全てのデータが不一致である場合には（図２のステップＳ１０４：ＹＥＳ）、データを正常に書き込めない状態になっていると判断され、ＥＥＰＲＯＭ２５が異常であると判定される（ステップＳ１０８）。
【００３３】
このようにＥＥＰＲＯＭ２５が正常であると判定される、或いは異常であると判定された後、本処理は一旦終了される。
なお本処理においてＥＥＰＲＯＭ２５が異常であると判定された場合には、別途の処理を通じて、前記警告灯１８が点灯される。また以後において、ＳＲＡＭ２４に記憶されている特定データの上記ＥＥＰＲＯＭ２５への書き込み、及びＥＥＰＲＯＭ２５に記憶しておいた特定データの上記ＳＲＡＭ２４への書き込みが禁止される。
【００３４】
ちなみに、ＥＥＰＲＯＭ２５が異常であると判定されると、同ＥＥＰＲＯＭ２５は次のような手順で交換される。すなわち先ず、電子制御ユニット２０に記憶媒体としての外部装置が接続され、ＳＲＡＭ２４に保持されている特定データが同外部装置に複写される。次に、ＥＥＰＲＯＭ２５が正常なものに交換され、その後、その正常なＥＥＰＲＯＭ２５に上記外部装置から特定データが複写される。こうした交換作業を通じて特定データが適切に保持される。
【００３５】
次に、ＥＥＰＲＯＭ２５からの読み込み処理の一環として実行される異常判定処理について、図４に示すフローチャートを参照して説明する。
なお、このフローチャートに示される一連の処理は、上記読み込み処理の具体的な処理手順を示しており、所定周期毎の処理として電子制御ユニット２０により実行される。
【００３６】
図４に示すように、この処理では先ず、特定データの上記ＥＥＰＲＯＭ２５からの読み込みを行うタイミングであるか否かが判断される（ステップＳ２００）。ここでは、以下の条件が共に満たされたことをもって、読み込みを行うタイミングであると判断される。
・ＳＲＡＭ２４が初期化された履歴があること。なお、ＳＲＡＭ２４の初期化は、バッテリ１６の交換等によってＳＲＡＭ２４への電力供給が一時的に停止されたり、別途の処理においてＳＲＡＭ２４の異常が判定されたりしたときに実行される。
・ＳＲＡＭ２４が初期化された後に、ＥＥＰＲＯＭ２５に記憶されている特定データを読み込んだ履歴がないこと。
【００３７】
そして、読み込みを行うタイミングである場合には（ステップＳ２００：ＹＥＳ）、ＥＥＰＲＯＭ２５の三つの記憶領域イ，ロ，ハ（図１参照）に記憶されているデータがそれぞれ読み込まれる（ステップＳ２０２）。
【００３８】
その後、記憶領域イ，ロ，ハから読み込まれたデータをもとに、異常判定処理（ステップ２０４，Ｓ２０６，Ｓ２１０）が実行される。具体的には先ず、各記憶領域イ，ロ，ハから読み込まれたデータの二つ以上が一致しているか否かが判断される（ステップＳ２０４）。
【００３９】
そして、図５の「パターンｄ」に例示するように、全てのデータが一致する場合には（図４のステップＳ２０４：ＹＥＳ）、読み込みが正常に行われており、ＥＥＰＲＯＭ２５が正常であると判定される（ステップＳ２０６）。この場合、読み込まれたデータのいずれかがＳＲＡＭ２４の記憶領域に書き込まれる（ステップＳ２０８）。
【００４０】
また、図５の「パターンｅ」に例示するように、二つのデータのみが一致する場合にも（図４のステップＳ２０４：ＹＥＳ）、ＥＥＰＲＯＭ２５が正常であると判定される（ステップＳ２０６）。そして、この場合には一致するデータが正常なデータであるとしてＳＲＡＭ２４の記憶領域に書き込まれる（ステップＳ２０８）。
【００４１】
一方、図５の「パターンｆ」に例示するように、全てのデータが不一致である場合には（図４のステップＳ２０４：ＹＥＳ）、データの読み込みを正常に行えない状態になっていると判断され、ＥＥＰＲＯＭ２５が異常であると判定される（ステップＳ２１０）。そして、この場合には、予め定められた初期値がＳＲＡＭ２４の記憶領域に書き込まれる（ステップＳ２１２）。
【００４２】
このように、一致するデータまたは初期値がＳＲＡＭ２４に書き込まれた後、本処理は一旦終了される。
なお本処理においてＥＥＰＲＯＭ２５が異常であると判定された場合にも、別途の処理を通じて、前記警告灯１８が点灯される。また以後において、ＳＲＡＭ２４に記憶されている特定データの上記ＥＥＰＲＯＭ２５への書き込みや、ＥＥＰＲＯＭ２５に記憶しておいた特定データの上記ＳＲＡＭ２４への書き込みが禁止される。
【００４３】
以下、本実施の形態の異常判定処理を実行することによる作用について説明する。
上記異常判定処理によれば、仮に書き込みエラーや読み込みエラー、或いは正常に書き込まれたデータがノイズ等の影響により破損する、いわゆるデータ化け等が発生したとしても、これが一つの記憶領域のデータについてのみ発生する場合には、残り二つの記憶領域から読み込まれたデータの一致をもって、ＥＥＰＲＯＭ２５に物理的な異常が生じていないと判断することができる。そして、この場合、ＥＥＰＲＯＭ２５に記憶されているデータの信頼性が一時的に低下しているものの、その記憶機能は維持されているとして、同ＥＥＰＲＯＭ２５に正常であると判定することができる。
【００４４】
したがって、ＥＥＰＲＯＭ２５に記憶されているデータの信頼性が一時的に低下したことをもってそれが異常であると誤判定されるのを好適に回避することができるようになり、同ＥＥＰＲＯＭ２５の記憶機能が失われるような物理的な異常が発生した場合にこれを精度よく判定することができるようになる。
【００４５】
また、上記異常判定処理によって正常であると判定されていることを条件に、ＥＥＰＲＯＭ２５の各記憶領域イ，ロ，ハから読み込まれたデータのうちの一致するデータがＳＲＡＭ２４に書き込まれる。これにより、上記データ化け等が一つの記憶領域のデータについてのみ発生する場合には、残り二つの記憶領域から読み込まれた一致するデータが正常なデータとしてＳＲＡＭ２４に書き込まれるようになる。したがって、例えばＥＥＰＲＯＭの二つの記憶領域に同一のデータを書き込んだ後に両領域から読み込んだデータの示す記憶内容が異なることをもってＥＥＰＲＯＭが異常である旨判定するようにした構成とは異なり、ＳＲＡＭ２４への特定データの書き込み、ひいては特定データの回復を高い信頼性をもって行うことができるようになる。
【００４６】
以上説明したように、本実施の形態によれば、以下に記載する効果が得られるようになる。
（１）ＥＥＰＲＯＭ２５の記憶機能が失われるような物理的な異常が発生した場合にこれを精度よく判定することができるようになる。
【００４７】
（２）高い信頼性をもって、ＳＲＡＭ２４の特定データの回復を行うことができるようになる。
（３）ＥＥＰＲＯＭ２５が異常であると判定されたときに警告灯１８を点灯させるようにしたために、その点灯によって異常である旨を運転者に認知させることができ、例えばディーラへの車両の持ち込みを促す等、適切な対処が可能になる。
【００４８】
なお、上記実施の形態は、以下のように変更して実施してもよい。
・警告灯１８を点灯させることに代えて、警告ブザーを吹聴させるようにしてもよい。その他、例えばナビゲーションシステム等といった車両に関する情報を表示する画面を有したシステムを備える車両にあって、その表示画面に異常がある旨の表示させることも可能である。要は、ＥＥＰＲＯＭ２５が異常である旨が判定されたときにその異常を報知することができればよい。また、ＥＥＰＲＯＭ２５が異常である旨を報知する構成を省略することも可能である。
【００４９】
・書き込み処理の一環として実行される異常判定処理（図２）、及び読み込み処理の一環として実行される異常判定処理（図４）のうちの何れか一方のみを実行するようにしてもよい。
【００５０】
・異常判定処理を、所定期間が経過する毎に実行される処理として、書き込み処理や読み込み処理とは別に実行するようにしてもよい。
・同一の特定データをＥＥＰＲＯＭ２５の三つの記憶領域イ，ロ，ハに書き込むようにしたが、これを四つ以上の記憶領域に書き込むようにしてもよい。同構成にあっては、同一の特定データが書き込まれる記憶領域数よりも小さい所定の判定値を設定し、各記憶領域から読み込まれるデータのうちの一致するデータの数が同判定値未満であることに基づいてＥＥＰＲＯＭ２５が異常である旨判定するようにすればよい。
【００５１】
この場合、上記判定値を、同一の特定データが書き込まれる記憶領域数の半数よりも大きい値に設定することが望ましい。ここで、上記判定値を大きな値に設定し、一致するデータの数が相対的に多い場合であってもＥＥＰＲＯＭ２５が異常である旨判定するようにした場合には、実際にＥＥＰＲＯＭ２５に物理的な異常が発生している場合にはこれを早期に判定することができるものの、前述したようなデータ化け等による誤判定の可能性は高くなる。一方、上記判定値を小さな値に設定し、一致するデータの数が相対的に少ない場合にのみＥＥＰＲＯＭ２５が異常である旨判定するようにした場合には、データ化け等による誤判定を回避することができるようになるものの、実際にＥＥＰＲＯＭ２５に物理的な異常が発生している場合にはその判定が遅れるようになる。この点、上記構成のように、同一の特定データが書き込まれる記憶領域数の半数よりも大きい値を判定値として設定することにより、データ化け等による誤判定を極力抑制しつつ、ＥＥＰＲＯＭ２５に物理的な異常が生じた場合にその異常を極力早期に判定することができるようになる。
【００５２】
・本発明にかかる管理装置は、ＥＥＰＲＯＭの他、フラッシュメモリなど、他の不揮発性半導体メモリに適用することができる。また不揮発性半導体メモリにも限らず、各種のＲＡＭなどの揮発性の半導体メモリにも、本発明にかかる管理装置は適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の一実施の形態が適用される電子制御ユニットの概略構成図。
【図２】書き込み処理の具体的な処理手順を示すフローチャート。
【図３】各記憶領域に書き込まれたデータと判定結果との関係を示す略図。
【図４】読み込み処理の具体的な処理手順を示すフローチャート。
【図５】各記憶領域から読み込まれたデータと判定結果との関係を示す略図。
【符号の説明】
【００５４】
１０…内燃機関、１１…排気通路、１２…排気浄化触媒、１３…温度センサ、１５…メインリレー、１６…バッテリ、１７…メインスイッチ、１８…警告灯、２０…電子制御ユニット、２１…ＲＯＭ、２２…ＣＰＵ、２３…ＲＡＭ、２４…スタンバイＲＡＭ（ＳＲＡＭ）、２５…ＥＥＰＲＯＭ、２６…バス。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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