(57)【要約】【課題】錯体に対して施す脱ガス処理に要する時間を短縮する。【解決手段】錯体の１種である金属−有機骨格構造体を有機溶媒中で合成し、その後、被膜となる物質を前記有機溶媒中に添加して、金属−有機骨格構造体が大気に曝露する前に被膜を形成する。この被膜が存在することによって、金属−有機骨格構造体を大気に露呈しても、該金属−有機骨格構造体に水蒸気等が吸着することが回避される。被膜は、例えば、水素透過性バインダからなり、このため、金属−有機骨格構造体の成形体を収容した容器に水素ガスを導入すると、水素ガスは、被膜を通過して金属−有機骨格構造体に吸着される。また、水素透過性バインダの結合作用を介して、金属−有機骨格構造体が凝集する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
錯体が被膜で被覆された有被膜錯体を凝集させて凝集体とする有被膜錯体凝集体の製造方法であって、
水素ガスを吸着可能な錯体を有機溶媒中で合成する工程と、
水素ガス分子が透過可能な水素透過性バインダを前記有機溶媒に添加し、前記水素透過性バインダで前記錯体を被覆して有被膜錯体を形成する工程と、
前記有被膜錯体と前記有機溶媒とを分離するとともに、前記水素透過性バインダを介して前記有被膜錯体同士を結合させて凝集体を得る工程と、
を有することを特徴とする有被膜錯体凝集体の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の製造方法において、前記水素透過性バインダの添加量を、前記錯体１ｇに対して０．１〜０．３ｇとすることを特徴とする有被膜錯体凝集体の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載の製造方法において、前記水素透過性バインダとして、ポリビニルピロリドン、ポリイミド、ポリスルホンからなる被膜を設けることを特徴とする有被膜錯体凝集体の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の製造方法において、前記凝集体として成形体を設けることを特徴とする有被膜錯体凝集体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被膜を有する有被膜錯体を凝集させて凝集体とする有被膜錯体凝集体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年における環境保護への関心の高まりから、燃料電池を搭載した燃料電池車が着目されている。燃料電池車は燃料電池を走行駆動源とするので、ガソリンや軽油を燃焼させる必要がなく、従って、炭化水素ガスやＮＯｘ、ＳＯｘ等を排出することがないからである。
【０００３】
燃料電池には、水素を含有する燃料ガスと、酸素を含有する酸化剤ガスとを供給する必要がある。酸化剤ガスとしては、例えば、大気を使用することができるが、燃料ガスは、例えば、水素ガス貯蔵タンク等の燃料ガス供給源から供給しなければならない。このため、燃料電池車には、燃料電池の他、燃料ガス供給源が搭載される。
【０００４】
このように水素ガス貯蔵タンクを燃料ガス供給源とする場合、その内部に水素吸着材が収容されることが検討されている。この場合、水素吸着材が水素を吸着保持するので、水素吸着材が収容されていない場合に比して多くの水素を貯留することができるからである。
【０００５】
この種の水素吸着材としては、錯体、活性炭、カーボンナノチューブ、アモルファスカーボン、グラファイト、ゼオライト又はメソポーラスシリケート等が例示される。この中、錯体の１種である、金属原子又は金属イオンを有機分子又は有機イオンが囲繞するように配位結合した構造の金属−有機骨格構造体が特に着目されている。金属−有機骨格構造体は、ゲスト分子が存在しない場合であっても安定な多孔性骨格構造を維持するからである。なお、水素ガスは、この多孔性骨格構造内に吸着される。
【０００６】
具体的な金属−有機骨格構造体及びその製造方法は、例えば、特許文献１に開示されており、また、特許文献２には、粉末状の金属−有機骨格構造体をバインダや増粘剤の存在下で成形して成形体とすることが提案されている。
【０００７】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００３／０１４８１６５号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第２００３／０２２２０２３号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
金属−有機骨格構造体は、一般的には、Ｎ，Ｎ’−ジエチルフォルムアミド、ジメチルフォルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン等の有機溶媒中で合成される。この金属−有機骨格構造体から特許文献２に記載されているように成形体を作製する場合、成形作業は、有機溶媒から分離された金属−有機骨格構造体を大気中に露呈して行われる。
【０００９】
この成形作業の際、金属−有機骨格構造体には、大気中に存在する水蒸気等が吸着してしまい、このためにガス吸着能が乏しくなる。そこで、吸着した水蒸気を脱離してガス吸着能を回復するべく、成形体を水素ガス貯蔵タンク内に収容した後、加熱しながらの真空排気によって脱ガス処理が施されるのが通例となっている。
【００１０】
しかしながら、この脱ガス処理には長時間を有するという不具合が顕在化している。
【００１１】
本発明は上記した問題を解決するためになされたもので、脱ガス処理に要する時間を著しく短縮することが可能な有被膜錯体凝集体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記の目的を達成するために、本発明は、錯体が被膜で被覆された有被膜錯体を凝集させて凝集体とする有被膜錯体凝集体の製造方法であって、
水素ガスを吸着可能な錯体を有機溶媒中で合成する工程と、
水素ガス分子が透過可能な水素透過性バインダを前記有機溶媒に添加し、前記水素透過性バインダで前記錯体を被覆して有被膜錯体を形成する工程と、
前記有被膜錯体と前記有機溶媒とを分離するとともに、前記水素透過性バインダを介して前記有被膜錯体同士を結合させて凝集体を得る工程と、
を有することを特徴とする。
【００１３】
すなわち、本発明においては、錯体が大気に曝露される前に該錯体に対して被膜が形成される。このようにして作製された有被膜錯体は、その表面に被膜が形成されているため、大気に曝露されても、大気中の水蒸気等を吸着することがほとんどない。このため、脱ガス処理が短時間で終了する。
【００１４】
また、水素透過性バインダがバインダとしての結合作用を有するため、有被膜錯体同士を容易に凝集させることができる。
【００１５】
しかも、被膜である水素透過性バインダは、水素ガスを透過するので、有被膜錯体が水素ガスを吸着することが妨げられることもない。
【００１６】
なお、水素透過性バインダの添加量は、錯体１ｇに対して０．１〜０．３ｇとすれば十分である。０．１ｇ未満であると水蒸気等が吸着されることを回避する効果に乏しく、０．３ｇを超えると、錯体の水素ガス吸着サイトが水素透過性バインダで埋没する箇所が生じることがあり、このために水素ガス吸着量が低下することがある。
【００１７】
なお、水素透過性バインダの好適な例としては、ポリビニルピロリドン、ポリイミド、ポリスルホンを挙げることができる。
【００１８】
いずれの場合においても、有被膜錯体を所定の形状で凝集させるようにしてもよい。これにより、大気中の水蒸気等がほとんど吸着されていない有被膜錯体の成形体を容易に得ることもできる。換言すれば、水素ガス吸着能を有する成形体を効率よく製造することが可能となる。
【００１９】
なお、錯体は、水素ガス吸着能を有する物質であれば特に限定されるものではないが、金属−有機骨格構造体を好適な例として挙げることができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、錯体が大気に露呈する前に、該錯体を、水素透過性バインダからなる被膜で被覆して、有被膜錯体とするようにしている。この有被膜錯体が大気に露呈されても、被膜が存在するために、大気中の水蒸気等が吸着されることはほとんどない。このため、脱ガス処理に要する時間を著しく短縮することができる。
【００２１】
また、水素透過性バインダの結合作用下に有被膜錯体同士が凝集するので、凝集体を作製することも容易である。この際、所定の形状に凝集させれば、成形体を得ることもできる。すなわち、水素ガス吸着能を有する成形体を効率よく製造することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明に係る有被膜錯体凝集体の製造方法につき好適な実施の形態を挙げ、添付の図面を参照して詳細に説明する。なお、本実施の形態においては、錯体として、金属−有機骨格構造体を例示して説明する。
【００２３】
金属−有機骨格構造体は、金属原子又は金属イオンを有機分子又は有機イオンが囲繞するように配位結合した構造であり、具体例としては、［Ｍ2（４，４’−ビピリジン）3（ＮＯ3）4］（ただし、ＭはＣｏ、Ｎｉ、Ｚｎのいずれか）、［Ｍ2（１，４−ベンゼンジカルボキシレートアニオン）2］（ただし、ＭはＣｕ、Ｚｎのいずれか）、［Ｆｅ2（トランス−４，４’−アゾピリジン）4（ＮＣＳ）4］等が挙げられる。
【００２４】
金属−有機骨格構造体の別の具体例としては、米国特許出願公開２００３／０００４３６４号明細書に記載されているように、その一般式がＭ4Ｏ（芳香族ジカルボキシレートアニオン）3で表されるものが挙げられる。なお、Ｍの好適な例としては、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｐｔが挙げられる。また、芳香族ジカルボキシレートアニオンに代替して芳香族ジカルボキシレートアニオン誘導体で構成されたものであってもよい。
【００２５】
芳香族ジカルボキシレートアニオン又はその誘導体の好適な例としては、１，４−ベンゼンジカルボキシレートアニオン、２−ブロモ−１，４−ベンゼンジカルボキシレートアニオン、２−アミノ−１，４−ベンゼンジカルボキシレートアニオン、２，５−プロピル−１，４−ベンゼンジカルボキシレートアニオン、２，５−ペンチル−１，４−ベンゼンジカルボキシレートアニオン、シクロブテン−１，４−ベンゼンジカルボキシレートアニオン、１，４−ナフタレンジカルボキシレートアニオン、２，６−ナフタレンジカルボキシレートアニオン、４，４’−ビフェニルジカルボキシレートアニオン、４，５，９，１０−テトラヒドロピレン−２，７−ジカルボキシレートアニオン、ピレン−２，７−ジカルボキシレートアニオン、４，４”−テルフェニルジカルボキシレートアニオン等が挙げられる。各々の構造式は、下記の通りである。
【００２６】
【化１】
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【００２７】
【化２】
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【００２８】
【化３】
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【００２９】
【化４】
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【００３０】
【化５】
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【００３１】
【化６】
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【００３２】
【化７】
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【００３３】
【化８】
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【００３４】
【化９】
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【００３５】
【化１０】
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【００３６】
【化１１】
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【００３７】
【化１２】
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【００３８】
以下、本実施の形態に係る製造方法につき、Ｚｎ4Ｏ（２，６−ナフタレンジカルボキシレートアニオン）3に対して被膜を形成する場合を例として説明する。
【００３９】
先ず、Ｚｎ4Ｏ（２，６−ナフタレンジカルボキシレートアニオン）3を合成する。具体的には、１．２ｇの２，６−ナフタレンジカルボン酸と、１１ｇのＺｎ（ＮＯ3）2・４Ｈ2Ｏとを、密閉容器中で１０００ｍｌのジエチルフォルムアミド（ＤＥＦ）に溶解する。
【００４０】
この溶液を密閉容器に貯留し、且つ密閉容器を密閉状態に保ったまま、９５℃で２０時間加熱すれば、多孔性骨格構造にＤＥＦ分子が物理吸着したＺｎ4Ｏ（２，６−ナフタレンジカルボキシレートアニオン）3・（ＤＥＦ）6が生成する。
【００４１】
この作業を繰り返し行い、５０ｇのＺｎ4Ｏ（２，６−ナフタレンジカルボキシレートアニオン）3・（ＤＥＦ）6がＤＥＦに分散した分散溶液とする。
【００４２】
そして、図１に示すように、分散溶液Ｌを開放容器１０に移液する。なお、この開放容器１０の下端面には中空小径部１２が突出形成されており、該中空小径部１２には、バルブ１４が介装されたブロー管１６が接続されている。また、開放容器１０において、中空小径部１２に至る開口にはフィルタ１８が保持されている。
【００４３】
開放容器１０の上方は開口しており、この開口から前記分散溶液Ｌを導入する。しばらくの間静置すると、比重が相違することから、Ｚｎ4Ｏ（２，６−ナフタレンジカルボキシレートアニオン）3・（ＤＥＦ）6が沈殿して沈殿物層２０が形成される。
【００４４】
次に、バルブ１４を若干の開状態とし、ブロー管１６を介して溶媒であるＤＥＦを開放容器１０から徐々に排出する。なお、沈殿物層２０であるＺｎ4Ｏ（２，６−ナフタレンジカルボキシレートアニオン）3・（ＤＥＦ）6の流出は、フィルタ１８によって阻止される。
【００４５】
そして、若干量のＤＥＦが残留している時点でバルブ１４を閉止し、クロロフォルムを加えてＤＥＦとクロロフォルムの混合液とする。この混合液も上記と同様にバルブ１４を若干の開状態として開放容器１０から徐々に排出する。
【００４６】
若干量の混合液が残留している時点でバルブ１４を閉止し、再度、クロロフォルムを加える。この作業を、排出液体のガスクロマトグラフィ分析でＤＥＦが検出されなくなるまで繰り返す。なお、以上の作業中、液面は、沈殿物層２０が露呈しない高さにされる。
【００４７】
ガスクロマトグラフィ分析でクロロフォルムのみが検出されるようになった時点で、ブロー管１６からの排出を停止し、沈殿物層２０がクロロフォルムに沈降した状態として２４時間放置する。この放置の最中に、Ｚｎ4Ｏ（２，６−ナフタレンジカルボキシレートアニオン）3・（ＤＥＦ）6の多孔性骨格構造に物理吸着したＤＥＦ分子がＣＨＣｌ3分子に置換される。すなわち、Ｚｎ4Ｏ（２，６−ナフタレンジカルボキシレートアニオン）3・（ＣＨＣｌ3）6が生成する。
【００４８】
その一方で、水素透過性バインダを有機溶媒に溶解する。ここで、水素透過性バインダとは、水素分子が透過可能であり、且つバインダとして機能し得る物質を指称する。
【００４９】
水素透過性バインダは、このような特性を有する物質であれば特に限定されるものではないが、ポリビニルピロリドン、ポリイミド、ポリスルホンを好適な例として挙げることができる。これらは大半の有機溶媒に可溶であるので、この有機溶媒を金属−有機骨格構造体が分散した有機溶媒と混合することにより、金属−有機骨格構造体に容易に被膜を形成することができる。
【００５０】
水素透過性バインダ自体はガス吸着能がほとんどないため、その添加量は、金属−有機骨格構造体の表面が被覆される程度とすることが好ましい。具体的には、金属−有機骨格構造体１ｇに対して０．１〜０．３ｇとすれば十分である。
【００５１】
例えば、ポリビニルピロリドン９ｇをクロロフォルムに投入後、撹拌して完全に溶解させる。この溶解溶液を開放容器１０内に導入し、Ｚｎ4Ｏ（２，６−ナフタレンジカルボキシレートアニオン）3・（ＣＨＣｌ3）6が沈殿したクロロフォルムと混合した後、撹拌する。この最中にポリビニルピロリドンがＺｎ4Ｏ（２，６−ナフタレンジカルボキシレートアニオン）3・（ＣＨＣｌ3）6の表面を被覆し、その結果、表面にポリビニルピロリドンからなる被膜を有する有被膜錯体としてのＺｎ4Ｏ（２，６−ナフタレンジカルボキシレートアニオン）3・（ＣＨＣｌ3）6が形成される。
【００５２】
すなわち、本実施の形態においては、金属−有機骨格構造体は、大気に曝露される前に、水素透過性バインダによって被覆される。
【００５３】
次に、図示しない真空エバポレータを使用してクロロフォルムを粘度が上昇するまで揮発させ、濃縮溶液とする。この濃縮溶液を、テトラフルオロエチレンシート上にスポイトで滴下して分散させる。その後、室温で１２時間の真空乾燥を行うことにより、溶媒であるクロロフォルムが揮発するとともに、Ｚｎ4Ｏ（２，６−ナフタレンジカルボキシレートアニオン）3・（ＣＨＣｌ3）6からクロロフォルム分子が離脱してＺｎ4Ｏ（２，６−ナフタレンジカルボキシレートアニオン）3が生成する。
【００５４】
同時に、このＺｎ4Ｏ（２，６−ナフタレンジカルボキシレートアニオン）3の表面にポリビニルピロリドンからなる被膜（水素透過性バインダ）が存在するので、粉末同士が水素透過性バインダを介して凝集する。これにより、Ｚｎ4Ｏ（２，６−ナフタレンジカルボキシレートアニオン）3の凝集体が得られる。勿論、この際に所定の形状に凝集させることにより、成形体とすることもできる。
【００５５】
上記のような操作を行うとともに、例えば、直径が２〜５ｍｍのディスク状成形体を作製した場合、該ディスク状成形体中のＺｎ4Ｏ（２，６−ナフタレンジカルボキシレートアニオン）3は概ね８０重量％程度となる。
【００５６】
次いで、このディスク状成形体に対し、脱ガス処理を施す。すなわち、例えば、図２に示すように、ステンレス鋼であるＳＵＳ３０４製の容積１００ｃｍ3の円筒型高圧容器３０に４０ｇのディスク状成形体３２を収容する。ここで、円筒型高圧容器３０の上端面に形成された円筒状突起部３４には、上流側からコネクタ３５、バルブ３６、コールドトラップ３８、バルブ４０、真空ポンプ４２がこの順序で介装された配管４４を接続する。なお、この配管４４には、ガス採取用の採取部４６が設けられる。また、図２中、参照符号４８は、圧力計を示す。また、円筒状突起部３４には、フィルタ４９が保持されている。
【００５７】
温度を２０℃とし、コールドトラップ３８の温度が十分に低下したことが確認されたら、真空ポンプ４２を付勢する。バルブ４０を開放した後にバルブ３６を開放し、円筒型高圧容器３０内の圧力を１０-3Ｔｏｒｒとする。
【００５８】
このようにして円筒型高圧容器３０内の気体が真空ポンプ４２によって吸引される間、吸引される気体をマイクロシリンジで採取部４６から採取する。この気体につきガスクロマトグラフィ分析を行い、Ｈ2Ｏ分子に基づくピークが出現しなくなった時点で、脱ガス処理が完了したものと判断する。上記のようにして作製された有被膜錯体である４０ｇのＺｎ4Ｏ（２，６−ナフタレンジカルボキシレートアニオン）3のディスク状成形体３２の場合、脱ガス処理に要する時間は１時間である。
【００５９】
脱ガス処理が終了した後、コネクタ３５より下流側が分離される。そして、ディスク状成形体３２を収容した円筒型高圧容器３０には、図３に示す配管５０が連結され、水素ガスが貯留される。
【００６０】
配管５０には、水素ガスを供給するための供給ライン５２と、水素ガスを放出するための排出ライン５４とがコネクタ３５の下流側から分岐して設けられ、このうち、供給ライン５２は、水素ガスボンベ５６から円筒型高圧容器３０にわたって橋架される。供給ライン５２には、水素ガスボンベ５６側から、レギュレータ５８、マニュアルバルブ６０が介装される。
【００６１】
一方、排出ライン５４には真空ポンプ６２が介装され、この真空ポンプ６２に至るまで、円筒型高圧容器３０側からマニュアルバルブ６４、レギュレータ６６、ニードルバルブ６８、マスフローメータ７０、自動バルブ７２が配置される。なお、図３中、参照符号７４、７６は、ともに圧力計を示す。
【００６２】
供給ライン５２と排出ライン５４中のガスを除去するべく、真空ポンプ６２を付勢し、マニュアルバルブ６０、６４をともに開放し、さらに自動バルブ７２を開放して、圧力が１０-3Ｔｏｒｒとなるまで真空引きを継続する。その後、マニュアルバルブ６４及び自動バルブ７２を閉止する。
【００６３】
次に、レギュレータ５８を１０ＭＰａに設定し、マニュアルバルブ６０を開放して、円筒型高圧容器３０に１０ＭＰａの水素ガスを導入する。
【００６４】
その後、マニュアルバルブ６０を閉止して真空ポンプ６２を付勢し、自動バルブ７２を開放する。さらに、マニュアルバルブ６４を開放すれば、円筒型高圧容器３０内の水素ガスが真空ポンプ６２の作用下に放出される。
【００６５】
放出された水素ガスは、レギュレータ６６とニードルバルブ６８の作用下によって圧力が０．１ＭＰａまで低下してマスフローメータ７０に至る。このマスフローメータ７０を通過した水素ガスの積算流量を求める。積算流量の増加が認められなくなった時点で水素ガスがすべて放出されたものと判断し、マニュアルバルブ６４、自動バルブ７２を閉止して真空ポンプ６２を停止する。
【００６６】
以上のようにして求められた放出水素ガスのモル数は、この場合、０．５７ｍｏｌであった。
【００６７】
ここで、被膜が設けられていないＺｎ4Ｏ（２，６−ナフタレンジカルボキシレートアニオン）3についても上記の脱ガス処理を施し、放出水素ガス量の測定を行った。なお、この無被膜Ｚｎ4Ｏ（２，６−ナフタレンジカルボキシレートアニオン）3は、１．２ｇの２，６−ナフタレンジカルボン酸と、１１ｇのＺｎ（ＮＯ3）2・４Ｈ2Ｏとを、密閉容器中で１０００ｍｌのジエチルフォルムアミド（ＤＥＦ）に溶解し、９５℃で２０時間加熱してＺｎ4Ｏ（２，６−ナフタレンジカルボキシレートアニオン）3・（ＤＥＦ）6とし、このＺｎ4Ｏ（２，６−ナフタレンジカルボキシレートアニオン）3・（ＤＥＦ）6をクロロフォルムに２４時間浸漬することによってＤＥＦ分子をクロロフォルム分子に置換し、さらに、真空引きを行ってクロロフォルム分子を離脱させて得られたものである。
【００６８】
この場合、脱ガス処理が終了するまで５時間という長時間を要した。なお、放出水素ガスのモル数は、上記と同じく０．５７ｍｏｌであった。
【００６９】
さらに、ポリビニルピロリドンに代替し、水素がほとんど透過することがないポリビニルアルコールを使用したことを除いては上記と同様にして、ポリビニルアルコール膜を有するＺｎ4Ｏ（２，６−ナフタレンジカルボキシレートアニオン）3を作製し、これについても脱ガス処理を施した後に、放出水素ガス量の測定を行った。この場合、脱ガス処理は１時間で終了したものの、放出水素ガスは０．１１ｍｏｌと著しく低下した。
【００７０】
この理由は、水素がポリビニルアルコール膜を通過することができず、このためにＺｎ4Ｏ（２，６−ナフタレンジカルボキシレートアニオン）3に吸着されなくなり、結局、水素ガスが円筒型高圧容器３０の内部のみにしか貯留されないためであると推察される。
【００７１】
このように、水素透過性バインダに被覆された金属−有機骨格構造体は、水素透過性バインダが存在するために大気に曝露されることがないため、大気中の水蒸気等を吸着することがほとんどない。従って、脱ガス処理に要する時間を著しく短縮することができる。
【００７２】
なお、上記した実施の形態においては、Ｚｎ4Ｏ（２，６−ナフタレンジカルボキシレートアニオン）3を例示して説明したが、例えば、Ｚｎ4Ｏ（１，４−ベンゼンジカルボキシレートアニオン）3等、他の金属−有機骨格構造体であってもよい。また、錯体は、金属−有機骨格構造体に特に限定されるものではなく、どのようなものであってもよい。
【００７３】
さらに、金属−有機骨格構造体に吸着されるガスは水素ガスに限定されるものではなく、メタンガスであってもよい。この場合、メタンガスを透過可能で且つバインダとして機能する物質を選定すればよい。また、物理吸着ではなく化学吸着であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】金属−有機骨格構造体に水素透過性バインダを被覆するための容器の概略縦断面構成図である。
【図２】円筒型高圧容器に収容された金属−有機骨格構造体に対して脱ガス処理を施すためのシステム概要図である。
【図３】円筒型高圧容器に収容された金属−有機骨格構造体の放出水素ガス量を測定するためのシステム概要図である。
【符号の説明】
【００７５】
１０…開放容器                        １６…ブロー管
２０…沈殿物層                        ３０…円筒型高圧容器
３２…ディスク状成形体                ４２、６２…真空ポンプ
４４、５０…配管                      ５２…供給ライン
５４…排出ライン                      ５６…水素ガスボンベ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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