(57)【要約】【課題】  リードフレーム若しくは放熱板等の金属部材と樹脂の密着性がよく、樹脂の剥離しない半導体装置及びその製造方法並びに金属部材およびその製造方法を提供する。【解決手段】  少なくとも一面が樹脂封止される金属部材（５４）と、金属部材（５４）に電気的あるいは熱的に接続される半導体素子（５８）と、前記金属部材の一面側に設けられた凸部を押圧して形成された突条部、前記金属部材を貫通する孔部を前記金属部材の一面とは反対の面から押圧して前記一面側に形成された突条部（５６）、または少なくとも一辺が前記金属部材と接続され且つ他辺が金属部材から切断されてなる突条部を備える半導体装置および半導体装置の製造方法並びに金属部材およびその製造方法。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一面が樹脂封止される金属部材と、
前記金属部材に電気的あるいは熱的に接続される半導体素子と、
前記金属部材の一面側に設けられた凸部を押圧して形成された突条部と、を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
少なくとも一面が樹脂封止される金属部材と、
前記金属部材に電気的あるいは熱的に接続される半導体素子と、
前記金属部材を貫通する孔部を前記金属部材の一面とは反対の面から押圧して前記一面側に形成された突条部とを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
少なくとも一面が樹脂封止される金属部材と、
前記金属部材に電気的あるいは熱的に接続される半導体素子と、
前記金属部材の一面とは反対の面からの押圧により前記一面側に形成された、少なくとも一辺が前記金属部材と接続され、且つ他辺が金属部材から切断されてなる突条部を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
前記金属部材は、前記半導体素子と電気的に接続されるリード部、あるいは前記半導体素子を搭載するダイパッド部、あるいは放熱板であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の半導体装置。
【請求項５】
前記金属部材の一面側とは反対の面は、前記樹脂封止がなされない露出面となることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の半導体装置。
【請求項６】
前記突条部は、前記金属部材に複数設けられることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の半導体装置。
【請求項７】
少なくとも一面が樹脂封止される金属部材であって、
前記金属部材の一面側に設けられた凸部を押圧して形成された突条部を備えることを特徴とする金属部材。
【請求項８】
少なくとも一面が樹脂封止される金属部材であって、
前記金属部材を貫通する孔部を前記金属部材の一面とは反対の面から押圧して前記一面側に形成された突条部を備えることを特徴とする金属部材。
【請求項９】
少なくとも一面が樹脂封止される金属部材であって、
前記金属部材の一面とは反対の面からの押圧により前記一面側に形成された、少なくとも一辺が前記金属部材と接続され、且つ他辺が金属部材から切断されてなる突条部を備えることを特徴とする金属部材。
【請求項１０】
前記金属部材は、前記半導体素子と電気的に接続されるリード部、あるいは前記半導体素子を搭載するダイパッド部、あるいは放熱板であることを特徴とする請求項７から９のいずれか一項記載の金属部材。
【請求項１１】
前記金属部材の一面側とは反対の面は、前記樹脂封止がなされない露出面であることを特徴とする請求項７から９のいずれか一項記載の金属部材。
【請求項１２】
前記突条部が複数設けられてなることを特徴とする請求項７から９のいずれか一項記載の金属部材。
【請求項１３】
一面側に設けられた凸部を押圧して形成された突条部を備える金属部材と半導体素子を電気的あるいは熱的に接続する工程と、
前記突条部を含む前記金属部材の少なくとも一面側および前記半導体素子を樹脂封止する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
それを貫通する孔部を一面とは反対の面から押圧して前記一面側に形成された突条部を備える金属部材と半導体素子を電気的あるいは熱的に接続する工程と、
前記突条部を含む前記金属部材の少なくとも一面側および前記半導体素子を樹脂封止する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
その一面とは反対の面からの押圧により前記一面側に形成された、少なくとも一辺が前記金属部材と接続され、且つ他辺が金属部材から切断されてなる突条部を備える金属部材と半導体素子を電気的あるいは熱的に接続する工程と、
前記突条部を含む前記金属部材の少なくとも一面側および前記半導体素子を樹脂封止する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記金属部材はリードであり、前記半導体素子とワイヤボンディングがなされることを特徴とする請求項１３から１５のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記金属部材はダイパッドであり、前記半導体素子がダイボンディングされることを特徴とする請求項１３から１５のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記金属部材は放熱板であり、前記半導体素子と直接あるいは前記半導体素子を搭載するダイパッドを介して熱的に接続されることを特徴とする請求項１３から１５のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
少なくとも一面が樹脂封止される金属部材の製造方法であって、
前記金属部材の一面側に設けられた凸部を形成する工程と、
前記凸部を押圧して突条部を形成する工程と、
を備えることを特徴とする金属部材の製造方法。
【請求項２０】
前記凸部の押圧は、前記凸部を割り込む押圧であることを特徴とする請求項１９記載の金属部材の製造方法。
【請求項２１】
少なくとも一面が樹脂封止される金属部材の製造方法であって、
前記金属部材を貫通する孔部を形成する工程と、
前記金属部材の一面とは反対の面から前記孔部を押圧して前記一面側に突条部を形成する工程と、
備えることを特徴とする金属部材の製造方法。
【請求項２２】
前記孔部の押圧は、前記孔部の径よりも大なる金型によってなされることを特徴とする請求項２１記載の金属部材の製造方法。
【請求項２３】
少なくとも一面が樹脂封止される金属部材の製造方法であって、
前記金属部材の一面とは反対の面からの押圧により、少なくとも一辺が前記金属部材と接続され、且つ他辺が金属部材から切断されてなる突条部を前記一面側に形成する工程を備えることを特徴とする金属部材の製造方法。
【請求項２４】
前記押圧は、その先端の一部の角の曲率が大きい金型によってなされることを特徴とする請求項２３記載の金属部材の製造方法。
【請求項２５】
前記金属部材は、半導体素子と電気的に接続されるリード部、あるいは半導体素子を搭載するダイパッド部、あるいは放熱板であることを特徴とする請求項１９、２１または２３のいずれか一項記載の金属部材の製造方法。
【請求項２６】
前記突条部は複数設けられることを特徴とする請求項１９、２１または２３のいずれか一項記載の金属部材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置およびその製造方法並びに金属部材および金属部材の製造方法に関する。特に、半導体素子を樹脂封止した半導体装置およびその製造方法並びに金属部材および金属部材の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子を樹脂封止した半導体装置は、大量に安価に製造可能であることから、家電分野等の幅広い分野で用いられている。半導体素子を樹脂封止した半導体装置は、例えば、少なくとも一面が樹脂封止部により樹脂封止される金属部材と、リードフレーム若しくは放熱板等の金属部材と、リードフレームや放熱板等の金属部材上に電気的あるいは熱的に接続される半導体素子とを有している。半導体素子を樹脂封止部で樹脂封止し樹脂を被覆することにより半導体素子を保護することができる。樹脂封止した半導体装置においては、金属部材と樹脂封止部の樹脂の密着が悪い場合、金属部材と樹脂の界面から樹脂が剥離する場合があった。樹脂が剥離すると、半導体素子が損傷を受ける、あるいは割れることもあった。
【０００３】
その解決方法として、特許文献１には、放熱板上に逆テーパ面を有する溝を設け樹脂の剥離を防止する半導体装置（従来技術１）が開示されている。また、特許文献２には、放熱板上に溝と突条を設け樹脂の剥離を防止する半導体装置(従来技術２)が開示されている。
【特許文献１】特開昭６０−６５５５３号公報
【特許文献２】特開平７−１３０９１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来技術１においては、Ｕ溝を形成した後にＵ溝の横にさらにＶ溝を形成するという複雑な形成方法が必要である。また、従来技術２においては、段差のある放熱板を使用する場合にのみ適用できる技術である。このように、金属板との密着性を上げるため、溝や突条を設ける場合、その形成方法が容易ではない。さらに、金属部材と樹脂樹脂の密着性も十分でなく、樹脂の剥離が生じることがある。
【０００５】
本発明は、金属部材と樹脂の密着性がよく、樹脂の剥離しない半導体装置およびその製造方法並びに金属部材およびその製造方法を提供することを目的とする。なお、前記密着性とは、金属部材と樹脂との剥がれ難さのことである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、少なくとも一面が樹脂封止される金属部材と、前記金属部材に電気的あるいは熱的に接続される半導体素子と、前記金属部材の一面側に設けられた凸部を押圧して形成された突条部と、を備えることを特徴とする半導体装置である。また、本発明は、少なくとも一面が樹脂封止される金属部材と、前記金属部材に電気的あるいは熱的に接続される半導体素子と、前記金属部材を貫通する孔部を前記金属部材の一面とは反対の面から押圧して前記一面側に形成された突条部とを備えることを特徴とする半導体装置である。さらに、本発明は、少なくとも一面が樹脂封止される金属部材と、前記金属部材に電気的あるいは熱的に接続される半導体素子と、前記金属部材の一面とは反対の面からの押圧により前記一面側に形成された、少なくとも一辺が前記金属部材と接続され、且つ他辺が金属部材から切断されてなる突条部を備えることを特徴とする半導体装置である。本発明によれば、金属部材と樹脂の密着性がよく、樹脂の剥離しない半導体装置を提供することができる。
【０００７】
本発明は、前記金属部材は、前記半導体素子と電気的に接続されるリード部、あるいは前記半導体素子を搭載するダイパッド部、あるいは放熱板であることを特徴とする半導体装置とすることができる。また、本発明は、前記金属部材の一面側とは反対の面は、前記樹脂封止がなされない露出面となることを特徴とする半導体装置とすることができる。さらに、本発明は、前記突条部は、前記金属部材に複数設けられることを特徴とする半導体装置とすることができる。
【０００８】
本発明は、少なくとも一面が樹脂封止される金属部材であって、前記金属部材の一面側に設けられた凸部を押圧して形成された突条部を備えることを特徴とする金属部材である。また、本発明は、少なくとも一面が樹脂封止される金属部材であって、前記金属部材を貫通する孔部を前記金属部材の一面とは反対の面から押圧して前記一面側に形成された突条部を備えることを特徴とする金属部材である。さらに、本発明は、少なくとも一面が樹脂封止される金属部材であって、前記金属部材の一面とは反対の面からの押圧により前記一面側に形成された、少なくとも一辺が前記金属部材と接続され、且つ他辺が金属部材から切断されてなる突条部を備えることを特徴とする金属部材である。本発明によれば、金属部材と樹脂の密着性がよく、樹脂の剥離しない金属部材を提供することができる。
【０００９】
本発明は、前記金属部材は、前記半導体素子と電気的に接続されるリード部、あるいは前記半導体素子を搭載するダイパッド部、あるいは放熱板であることを特徴とする金属部材とすることができる。本発明は、前記金属部材の一面側とは反対の面は、前記樹脂封止がなされない露出面であることを特徴とする金属部材とすることができる。本発明は、前記突条部が複数設けられてなることを特徴とする金属部材とすることができる。
【００１０】
本発明は、一面側に設けられた凸部を押圧して形成された突条部を備える金属部材と半導体素子を電気的あるいは熱的に接続する工程と、前記突条部を含む前記金属部材の少なくとも一面側および前記半導体素子を樹脂封止する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法である。本発明は、それを貫通する孔部を一面とは反対の面から押圧して前記一面側に形成された突条部を備える金属部材と半導体素子を電気的あるいは熱的に接続する工程と、前記突条部を含む前記金属部材の少なくとも一面側および前記半導体素子を樹脂封止する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法である。本発明は、その一面とは反対の面からの押圧により前記一面側に形成された、少なくとも一辺が前記金属部材と接続され、且つ他辺が金属部材から切断されてなる突条部を備える金属部材と半導体素子を電気的あるいは熱的に接続する工程と、前記突条部を含む前記金属部材の少なくとも一面側および前記半導体素子を樹脂封止する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法である。本発明によれば、金属部材と樹脂の密着性がよく、樹脂の剥離しない半導体装置の製造方法を提供することができる。
【００１１】
本発明は、前記金属部材はリードであり、前記半導体素子とワイヤボンディングがなされることを特徴とする半導体装置の製造方法とすることができる。前記金属部材はダイパッドであり、前記半導体素子がダイボンディングされることを特徴とする半導体装置の製造方法とすることができる。本発明は、前記金属部材は放熱板であり、前記半導体素子と直接あるいは前記半導体素子を搭載するダイパッドを介して熱的に接続されることを特徴とする半導体装置の製造方法とすることができる。
【００１２】
本発明は、少なくとも一面が樹脂封止される金属部材の製造方法であって、前記金属部材の一面側に設けられた凸部を形成する工程と、前記凸部を押圧して突条部を形成する工程と、を備えることを特徴とする金属部材の製造方法である。本発明は、前記凸部の押圧は、前記凸部を割り込む押圧であることを特徴とする金属部材の製造方法とすることができる。本発明によれば、金属部材と樹脂の密着性がよく、樹脂の剥離しない金属部材の製造方法を提供することができる。
【００１３】
本発明は、少なくとも一面が樹脂封止される金属部材の製造方法であって、前記金属部材を貫通する孔部を形成する工程と、前記金属部材の一面とは反対の面から前記孔部を押圧して前記一面側に突条部を形成する工程と、備えることを特徴とする金属部材の製造方法である。本発明は、前記孔部の押圧は、前記孔部の径よりも大なる金型によってなされることを特徴とする金属部材の製造方法とすることができる。本発明によれば、金属部材と樹脂の密着性がよく、樹脂の剥離しない金属部材の製造方法を提供することができる。
【００１４】
本発明は、少なくとも一面が樹脂封止される金属部材の製造方法であって、前記金属部材の一面とは反対の面からの押圧により、少なくとも一辺が前記金属部材と接続され、且つ他辺が金属部材から切断されてなる突条部を前記一面側に形成する工程を備えることを特徴とする金属部材の製造方法である。本発明は、前記押圧は、その先端の一部の角の曲率が大きい金型によってなされることを特徴とする金属部材の製造方法とすることができる。本発明は、前記金属部材は、半導体素子と電気的に接続されるリード部、あるいは半導体素子を搭載するダイパッド部、あるいは放熱板であることを特徴とする金属部材の製造方法とすることができる。本発明は、前記突条部は複数設けられることを特徴とする金属部材の製造方法とすることができる。本発明によれば、金属部材と樹脂の密着性がよく、樹脂の剥離しない金属部材の製造方法を提供することができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、金属部材と樹脂の密着性がよく、樹脂の剥離しない半導体装置およびその製造方法並びに金属部材およびその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、図面を参照に実施例について説明する。
【実施例１】
【００１７】
実施例１は金属部材として、リードフレームに突条部を形成した例である。図１は実施例１に係る半導体装置の断面図である。リードフレーム５４(金属部材)は、半導体素子５８とワーヤ５１で電気的に接続されるリード部５０と半導体素子５８を搭載するダイパッド部５２と、表面に形成された突条部５６を有している。半導体素子５８はダイパッド部５２上に電気的あるいは熱的に接続されている。突条部５６と半導体素子５８上には、樹脂封止部６０が形成されている。樹脂封止部６０により半導体素子が被覆され保護されている。すなわち、リードフレーム５４(金属部材)は、少なくとも一面が樹脂封止されている。また、突条部５６により樹脂封止部６０の樹脂とリードフレーム５４の密着が強化されている。実施例１ではダイパッド部５２とリード部５０は分離しているが、ダイパッド部５２がリード部５０の一部となる場合もある。また、突条部５６はリード部５０に形成されているが、樹脂封止部６０が形成される領域であれば、リード部５０以外に形成しても良い。リードフレーム６０(金属部材)の裏面は、樹脂封止がなされない露出面であってもよい。ここで、リードフレーム５４(金属部材)の表面とは樹脂封止された面(一面)示し、裏面とは表面と反対の面（一面側とは反対の面）を示す。
【００１８】
リードフレーム５４は、例えば、Ｃｕ、Ｃｕ合金およびＦｅ合金のいずれかの金属を主に含んでいる。また、半導体素子５８はダイパッド部５２上に、例えばＡｕＳｉ、ＡｇペーストまたはＡｕＳｎを用い固着されている。さらに、半導体素子５８は、例えば、トランジスタ、トランジスタを含むＩＣチップであり、例えば、発光素子または受光素子等の光半導体素子である。さらに、樹脂封止部６０は、例えば、シリコン樹脂またはエポキシ樹脂を主に含んでいる。突条部５６の形状については後述する。
【００１９】
実施例１に係る半導体装置の製造方法は以下である。リードフレーム５４(金属部材)の例えばリード部５０に突条部５６を形成する。突条部５６の形成方法は後述する。ダイパッド部５２上に半導体素子５８を、例えばＡｕＳｉ、ＡｇペーストまたはＡｕＳｎを用い固着（ダイボンディング）する。これにより、リードフレーム５４(金属部材)と半導体素子５８は電気的あるいは熱的に接続される。リードフレーム５４のリード部５０と半導体素子５８にワーヤ５１をワーヤボンディングする。モールド金型を用い、突条部５６および半導体素子５８上に、例えば、シリコン樹脂またはエポキシ樹脂を主に含んだ樹脂を注入する。樹脂が硬化した後、リードフレーム５４をモールド金型から外す。これにより樹脂封止部６０が形成される。すなわち、リードフレーム５４（金属部材）の少なくとも一面側（表面）および半導体素子５８を樹脂封止する。
【００２０】
次に、リードフレーム(金属部材)に、リードフレーム(金属部材)を貫通する孔部をリードフレームの裏面（樹脂封止した面とは反対の面）から押圧してリードフレーム部材の表面(樹脂封止した面)に突条部を形成する方法を説明する。図２（ａ）において、リードフレーム２０を保持する。図２（ｂ）において、リードフレーム２０の表面、裏面どちらかの面から、リードフレーム２０の一部に、例えば鋭角な先端部を有する金型２８で、リードフレーム２０を貫通する孔部２２を形成する。図２（ｃ）において、リードフレーム２０の裏面（樹脂封止した面とは反対の面）から、孔部２２に、例えば金型２８(孔部２２の径)より先端径が大きい金型２９を押圧する。これにより、リードフレーム２０の表面に突条部２６が形成される。突条部２６は概リング状であり、中心部側に孔部２２を有し、中心部側の面が逆テーパであり、外側の面が順テーパである。突条部２６は異なる方向の逆テーパ面２３ａ、２３ｂを有する。逆テーパ面とは、リードフレーム２０の樹脂封止された面（樹脂形成面）に対し鋭角を有する面であり、順テーパ面とは、リードフレーム２０の樹脂封止され面(樹脂形成面)に対し鈍角を有する面である。
【００２１】
以上のように、２つの金型を押圧することにより簡単に突条部２６を形成することができる。さらに、突条部２６の逆テーパ面２３ａ、２３ｂが一方向ではないため、リードフレーム２０と樹脂の密着を増すことができる。これは、一方向の逆テーパ面のみの突条部では特定方向の応力に対しては樹脂の密着強度が低いためである。例えば、従来技術１においては、２回の溝形成で一方向の逆テーパ面しか形成できないのに比べ、実施例１においては、２回の押圧で、１つの突条部に複数方向の逆テーパ面が形成できる。複数方向の逆テーパ面を有する突条部により、リードフレームと樹脂の密着を強くすることができる。さらに、従来技術２のようにリードフレームに段差は必要ない。よって、簡単な製造方法で、より樹脂の密着の強い、すなわち樹脂の剥離しにくい半導体装置が得られる。
【００２２】
次に、実施例１の変形例として、リードフレームの裏面（樹脂封止した面とは反対の面）からの押圧によりリードフレームの表面（樹脂封止した面）に形成された、少なくとも一辺が金属部材と接続され、かつ他辺が金属部材から切断されてなる突条部を形成する方法を示す。図３（ａ）において、リードフレーム４０を保持し、リードフレームの表面（一面）から、リードフレーム４０の一部に、例えば下から見た形状が例えば四角状の凹部４７を有する金型２５を当接する。図３（ｂ）において、凹部４７下のリードフレーム４０の裏面（樹脂封止した面とは反対の面）から、凹部４７よりやや小さく上から見た形状が例えば四角状の先端面を有し先端面と側面のなす辺の曲率が大きい辺４５ａと小さい辺４５ｂを有する金型４９ａを、押圧する。図３（ｃ）において、リードフレーム４０の表面に、曲率の大きな辺４５ａを押圧した部分は突条部４６ａが形成され、曲率の小さな辺４５ｂを押圧した部分はリードフレーム４０が切断され孔部４２ａが形成される。突条部４６は逆テーパ面４３ａを有する。
【００２３】
この突条部は、一辺だけがリードフレームと接続され、他辺は切断されているが、これにかぎるものではない。例えば、図３（ｄ）のように先端面の両側の辺４５ａの曲率が大きく、図３（ｄ）の手前と奥行き側の辺(図示せず)の曲率が小さな金型４９ｂを用いた場合を説明する。図３（ｃ）と同様に金型４９ｂを押圧する。これにより、図３（ｅ）のように、リードフレーム４０の表面に、側面から見た形状が半円孤状の突条部４６ｂが形成され、手前側と奥行き側のリードフレーム４０は切断され孔部４２ｂが形成される。
【００２４】
以上のように、実施例１の変形例においては、先端面と側面のなす辺のうち一部の辺の曲率（先端面と側面のなす曲率）が大きい金型(言い換えれば、先端部の一部の角の曲率が大きい金型)を押圧することにより、先端面と側面のなす曲率の大きな辺４５aを押圧した部分では突条部４６が形成され、曲率の小さな辺４５ｂを押圧した部分では孔部４２が形成される。言い換えれば、少なくとも一辺がリードフレーム（金属部材）と接続され、かつ他辺がリードフレーム（金属部材）から切断されてなる突条部が形成される。このように、実施例１の変形例においては、金型を１回押圧することで、簡単に突条部４６を形成することができる。また、曲率の大きな辺４５aの配置によっては、１つの突条部に複数方向の逆テーパ面４３ａ、４３ｂが形成できる。複数方向の逆テーパ面を有する突条部により、リードフレームと樹脂の密着を強くすることができる。さらに、従来技術２のようにリードフレームに段差は必要ない。よって、簡単な製造方法で、より樹脂の密着の強い、すなわち樹脂の剥離しにくい半導体装置が得られる。このように、突条部はリードフレームと接続される辺は複数であっても、本発明が目指す突条部とすることができる。
【００２５】
また、実施例１およびその変形例にかかるリードフレーム５４は、リード部５０と、半導体素子５８が固着されるべきダイパッド部５２と、樹脂封止部６０が形成されるべきリードフレーム５４の表面に形成された突条部５６と、を具備している。このリードフレーム５４を用い、ダイパッド部５２に半導体素子５８を固着し、突条部５６および半導体素子５８上に樹脂封止部６０を形成する。これにより、リードフレーム５４と樹脂の密着の強い、すなわち樹脂の剥離しにくい半導体装置を製造することができる。
【実施例２】
【００２６】
実施例２は、金属部材として放熱板７２に突条部７６を形成した例である。図４は実施例２に係る半導体装置を示した図である。図４（ａ）は上視図、図４（ｂ）は左半分がＡ−Ｂ断面図、右半分が正面図、図４（ｃ）は下半分がＢ−Ｃ断面図、上半分が側面図である。放熱板７２(金属部材)は、表面に形成された突条部７６を有し、表面に半導体素子７８を固着し、半導体素子７８よりワーヤを接続するリードフレーム７０を固着している。これにより半導体素子７８は放熱板７２に電気的あるいは熱的に接続される。突条部７６と半導体素子７８上に樹脂封止部８０が形成されている。樹脂封止部８０により半導体素子が保護されている。すなわち、放熱板７２(金属部材)は、少なくとも一面が樹脂封止されている。また、突条部７６により樹脂封止部８０の樹脂と放熱板７２の密着が強化されている。放熱板７２は半導体素子７８からの発熱を放熱するため、半導体素子７８を固着する板である。ここで、放熱板７２の表面とは樹脂封止した面（一面）を示し、裏面とは表面と反対の面(一面とは反対の面)を示す。
【００２７】
リードフレーム７０および放熱板７２は、例えば、Ｃｕ、Ｃｕ合金およびＦｅ合金のいずれかの金属を主に含んでいる。また、半導体素子７８は放熱板７２上に、例えばＡｕＳｉ、ＡｇペーストまたはＡｕＳｎを用い固着されている。さらに、半導体素子７８は、例えば、トランジスタ、トランジスタを含むＩＣチップであり、例えば、発光素子または受光素子等の光半導体素子である。さらに、樹脂封止部８０は、例えば、シリコン樹脂またはエポキシ樹脂を主に含んでいる。放熱板７２はリードフレーム７０と一体化し形成されていてもよい。リードフレーム７０は実施例１のようにダイバッド部がなくてもよい。なお、放熱板７２にダイパッド部を設け半導体素子７８が固着されていても良い。突条部７６の形状については後述する。
【００２８】
実施例２に係る半導体装置の製造方法は以下である。放熱板７２に突条部７６を形成する。突条部７６の形成方法は後述する。放熱板７２上に半導体素子７８を、例えばＡｕＳｉ、ＡｇペーストまたはＡｕＳｎを用い固着する。これにより、放熱板７２(金属部材)と半導体素子７８は電気的あるいは熱的に接続される。リードフレーム７０と半導体素子７８にワーヤをワーヤボンディングする。モールド金型を用い、突条部７６および半導体素子７８上に、例えば、シリコン樹脂またはエポキシ樹脂を主に含んだ樹脂を注入する。樹脂が硬化した後、放熱板７２をモールド金型から外す。これにより樹脂封止部８０が形成される。すなわち、放熱板７２（金属部材）の少なくとも一面側（表面）および半導体素子７８を樹脂封止する。以上により実施例２に係る半導体装置が完成する。
【００２９】
次に、放熱板(金属部材)に、表面(一面側)に設けられた凸部を押圧して突条部を形成する方法を説明する。図５（ａ）において、放熱板１０を保持する。図５（ｂ）において、放熱板１０の裏面（半導体素子を固着する面と反対の面）から、放熱板１０の一部に、例えば概半球状の先端部を有する金型１８を押圧する。これにより放熱板の裏面には、概金型先端部形状の凹部１２が形成され、放熱板１０の表面（樹脂封止した面）には凸部１４が形成される。すなわち、放熱板１０の表面(樹脂封止した面)に設けられた凸部１４を形成する。図５（ｃ）において、放熱板１０の表面から、凸部１４に、例えば金型１８より鋭角の先端部を有する金型１９を押圧する。すなわち、凸部１４を押圧して突条部１６を形成する。また、凸部１４の押圧は凸部１４を割り込む押圧である。これにより、放熱板１０の表面に突条部１６が形成される。突条部１６は概リング状であり、中心部側の面が順テーパであり、外側の面が逆テーパである。突条部１６は異なる方向の逆テーパ面１３ａ、１３ｂを有する。逆テーパ面とは、放熱板１０の表面に対し鋭角を有する面であり、順テーパ面とは、放熱板１０の表面に対し鈍角を有する面である。また、突条部１６の裏面には凹部１２が形成されている。
【００３０】
以上のように、２つの金型を押圧することにより簡単に突条部を形成することができる。さらに、１つの突条部１６が複数方向の逆テーパ面１３ａ、１３ｂを有するため、放熱板と樹脂の密着を増すことができる。よって実施例１同様、簡単な製造方法で、より樹脂の密着の強い、すなわち樹脂の剥離しにくい半導体装置が得られる。
【００３１】
実施例２の変形例として、放熱板(金属部材)に、表面(樹脂封止した面)に設けられた凸部を押圧して突条部を形成方法の異なる例を示す。図６（ａ）において、放熱板３０を保持する。図６（ｂ）において、放熱板３０の表面（樹脂封止した面）から、放熱板３０の一部に、に例えば先端部に複数の凸部を有する金型３８を押圧し、放熱板３０の表面に複数の凹部３２に挟まれた凸部３４を形成する。図６（ｃ）において。放熱板３０の表面（樹脂封止した面）から、凸部３４に、鋭角な先端を有する金型３９を押圧することによって、割り込みを形成する。これにより、放熱板３０の表面に突条部３６が形成される。突条部３６は、複数の凹部に挟まれ、中心部側の面が順テーパであり、外側の面が逆テーパである。突条部３６は異なる方向の逆テーパ面３３ａ、３３ｂを有する。
【００３２】
以上のように実施例２の変形例においては、２つの金型を押圧することにより簡単に突条部を形成することができる。さらに、１つの突条部３６が複数方向の逆テーパ面３３ａ、３３ｂを有するため、放熱板と樹脂の密着を増すことができる。よって実施例１と同様、簡単な製造方法で、より樹脂の密着の強い、すなわち剥離しにくい半導体装置が得られる。
【００３３】
さらに、実施例１またはその変形例と同様の方法で、突条部を形成することもできる。この場合も実施例１またはその
変形例と同様の効果を得ることができる。
【００３４】
また、実施例２およびその変形例に係る放熱板７２は、リードフレーム７０を固着し、樹脂封止部８０を形成されるべき放熱板７２の表面に形成された突条部７６とを具備している。放熱板７２を用い、表面に半導体素子７８が固着され、突条部７６および表面に固着される半導体素子７８上に樹脂封止部８０を形成する。これにより、放熱板７２と樹脂の密着の強い、すなわち樹脂の剥離しにくい半導体装置を製造することができる。
【００３５】
実施例１および実施例２における突条部は、樹脂の剥離を防止するため複数配置することが好ましい。また、突条部を２つ配置する場合はリードフレーム若しくは放熱板の中心線に配置することが好ましい。これにより、より樹脂の密着強度を高めることができる。
【００３６】
実施例１および実施例２においては、モールド金型を用い、樹脂封止部を形成する例を説明したが、モールド金型を使用せず、いわゆるポッテイング法により樹脂封止部を形成しても良い。なお、以上の実施例ではリードフレームのダイパッド部あるいは放熱板に対して本発明の突条部を形成したが、これは樹脂封止がなされ、半導体素子と電気的あるいは熱的に接続される金属部材であれば、同様の効果を発揮することはいうまでもなく、たとえば、リード部に突条部を設けることも可能である。
【００３７】
実施例１のリードフレーム５４および実施例２の放熱板７２、あるいは、同様の突条部を有するリード部（リード）またはダイパッド部（ダイパッド）は、半導体装置を製造するための金属部材として用いることができる。これにより、金属部材と樹脂の密着性がよく、樹脂の剥離しない半導体装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】図1は実施例１の断面図である。
【図２】図２は実施例１に係る突条部の製造方法を示す断面図である。
【図３】図３は実施例１の変形例に係る突条部の製造方法を示す断面図である。
【図４】図４は実施例２の構成を示す図である。（ａ）は上視図、（ｂ）は断面図および正面図、（ｃ）は断面図および側面図である。
【図５】図５は実施例２に係る突条部の製造方法を示す断面図である。
【図６】図６は実施例２の変形例に係る突条部の製造方法を示す断面図である。
【符号の説明】
【００３９】
１０、３０、７２              放熱板
１２、３２                    凹部
１３ａ、１３ｂ、２３ａ、２３ｂ、３３ａ、３３ｂ、４３ａ、４３ｂ
逆テーパ面
１４、３４                    凸部
１６、２６、３６、４６ａ、４６ｂ、５６、７６          突条部
１８、１９、２８、２９、３８、３９、４８、４９ａ、４９ｂ  金型
２０、４０、５４、７０        リードフレーム
２２、４２ａ、４２ｂ          孔部
５０                          リード部
５１                          ワイヤ
５２                          ダイパッド部
５８、７８                    半導体素子
６０、８０                    樹脂封止部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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