(57)【要約】【課題】  従来の電圧制御型発振器に比べ、電圧による発振周波数の制御性が良い発振装置を提供する。【解決手段】  発振装置１０は、電圧制御型発振器１と、制御電圧供給回路２とを備える。電圧制御型発振器１は、入力電圧Ｖｉｎのビット数に対応して３個の可変容量ダイオード１４１〜１４３を含み、可変容量ダイオード１４１〜１４３は、ノードＮ４，Ｎ５間に並列に接続される。制御電圧供給回路２は、３ビット［Ａ３Ａ２Ａ１］からなる入力電圧Ｖｉｎに基づいて、３個の可変容量ダイオード１４１〜１４３の３個の容量の和が入力電圧Ｖｉｎに比例するように制御電圧ＶＣＴＬ１，ＶＣＴＬ２，ＶＣＴＬ３を決定し、その決定した制御電圧をそれぞれ可変容量ダイオード１４１〜１４３へ供給する。【選択図】        図１
2006237833.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
並列接続された複数の可変容量素子を含み、入力電圧に応じた発振周波数で発振する電圧制御型発振器と、
前記複数の可変容量素子の全容量が前記入力電圧に略比例して変化するように前記複数の可変容量素子へ供給する複数の制御電圧を決定し、その決定した複数の制御電圧を前記複数の可変容量素子へ供給する制御電圧供給回路とを備える発振装置。
【請求項２】
前記入力電圧は、デジタル値からなり、
前記複数の可変容量素子は、前記デジタル値のビット数に対応して設けられる、請求項１に記載の発振装置。
【請求項３】
前記デジタル値は、ｎ（ｎは正の整数）ビットからなり、
前記複数の可変容量素子は、前記ｎビットに対応して設けられたｎ個の可変容量素子からなり、
前記制御電圧供給回路は、前記ｎ個の可変容量素子のｎ個の容量の配列が前記ｎビットのデジタル値を表わすように前記ｎ個の可変容量素子に供給するｎ個の制御電圧を決定し、その決定したｎ個の制御電圧を前記ｎ個の可変容量素子へ供給する、請求項２に記載の発振装置。
【請求項４】
前記制御電圧供給回路は、前記ｎ個の容量の各々が最小値および最大値によって前記ｎビットの対応する桁の２値を示すように前記ｎ個の制御電圧を決定する、請求項３に記載の発振装置。
【請求項５】
前記制御電圧供給回路は、さらに、前記ｎビットの各桁の２値を示す容量の最大値と最小値との差が低位ビットから上位ビットへ変化するに伴って指数関数的に大きくなるように前記ｎ個の制御電圧を決定する、請求項４に記載の発振装置。
【請求項６】
前記制御電圧供給回路は、前記ｎビットのうち最低位ビットの２値を示す容量の最大値と最小値との差が前記全容量の前記入力電圧に対する変化割合に略等しくなるように前記ｎ個の制御電圧を決定する、請求項５に記載の発振装置。
【請求項７】
前記変化割合をΔとしたとき、
前記制御電圧供給回路は、前記ｎビットのうち第ｎ桁の２値を示す容量の最大値と最小値との差を２ｎ−１×Δによって決定する、請求項５または請求項６に記載の発振装置。
【請求項８】
前記入力電圧がアナログ値からなるとき、前記アナログ値を前記デジタル値に変換し、その変換したデジタル値を前記制御電圧供給回路へ出力する変換回路をさらに備える、請求項３から請求項７のいずれか１項に記載の発振装置。
【請求項９】
前記制御電圧供給回路は、ｍ（ｍはｍ＜ｎを満たす正の整数）ビットのデジタル値からなる入力電圧を受けると、前記ｍビットのデジタル値に基づいてｍ個の制御電圧を決定し、その決定したｍ個の制御電圧を前記ｍビットに対応して設けられたｍ個の可変容量素子へ供給するとともに、容量が略零になるｎ−ｍ個の制御電圧をｎ−ｍ個の可変容量素子へ供給する、請求項３から請求項８のいずれか１項に記載の発振装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、発振装置に関し、特に、電圧による発振周波数の制御性を向上した発振装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、電圧制御型発振器としてハートレー型の発振器が知られている（非特許文献１）。図５は、ハートレー型の発振器の回路図である。図５を参照して、ハートレー型の発振器１００は、ＮＰＮバイポーラトランジスタ１１０と、コイル１２０，１３０と、可変容量ダイオード１４０とを備える。
【０００３】
コイル１２０，１３０は、ノードＮ１，Ｎ２間に直列に接続される。ＮＰＮバイポーラトランジスタ１１０は、ベースがノードＮ１に接続され、コレクタがノードＮ２に接続され、エミッタがノードＮ３に接続される。可変容量ダイオード１４０は、直列接続された２つのコイル１２０，１３０に対して並列にノードＮ１，Ｎ２間に接続される。
【０００４】
コイル１２０，１３０は、それぞれ、インダクタンスＬ１，Ｌ２を有し、コイル１２０とコイル１３０との相互インダクタンスは、Ｍである。可変容量素子１４０は、その両端に負電圧Ｖが印加され、負電圧Ｖの変化に伴って容量が変化する。
【０００５】
可変容量ダイオード１４０の容量をＣＶＡＲとすると、発振器１００の発振周波数ｆ０１は、次式によって表される。
【０００６】
【数１】
2006237833.tif 000003
可変容量ダイオード１４０の拡散電圧をＶｄとすると、容量ＣＶＡＲは、次式によって表される。
【０００７】
【数２】
2006237833.tif 000004
なお、式（２）において、容量Ｃ０は、負電圧ＶがＶ＝０であるときの接合容量である。
【０００８】
発振器１００においては、可変容量ダイオード１４０の容量ＣＶＡＲは、印加される電圧Ｖの−１／２乗に比例して変化する。
【０００９】
式（２）を式（１）へ代入することにより、発振周波数ｆ０１は、次式によって表される。
【００１０】
【数３】
2006237833.tif 000005
式（３）から、発振器１００の発振周波数ｆ０１は、Ｖ１／４に比例して変化する。
【００１１】
このように、従来の電圧制御型発振器の発振周波数は、可変容量ダイオードに印加される電圧の１／４乗に比例して変化する。
【非特許文献１】稲葉  保著，「発振回路の設計と応用」，ＣＱ出版社，ｐ１３４，１９９６年
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上述したように、従来の電圧制御型発振器の発振周波数は、可変容量ダイオードに印加される電圧の１／４乗に比例して変化するので、電圧による発振周波数の制御性が悪いという問題がある。
【００１３】
そこで、この発明は、かかる問題を解決するためになされたものであり、その目的は、従来の電圧制御型発振器に比べ、電圧による発振周波数の制御性が良い発振装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
この発明によれば、発振装置は、電圧制御型発振器と、制御電圧供給回路とを備える。電圧制御型発振器は、並列接続された複数の可変容量素子を含み、入力電圧に応じた発振周波数で発振する。制御電圧供給回路は、複数の可変容量素子の全容量が入力電圧に略比例して変化するように複数の可変容量素子へ供給する複数の制御電圧を決定し、その決定した複数の制御電圧を複数の可変容量素子へ供給する。
【００１５】
好ましくは、入力電圧は、デジタル値からなり、複数の可変容量素子は、デジタル値のビット数に対応して設けられる。
【００１６】
好ましくは、デジタル値は、ｎ（ｎは正の整数）ビットからなり、複数の可変容量素子は、ｎビットに対応して設けられたｎ個の可変容量素子からなる。そして、制御電圧供給回路は、ｎ個の可変容量素子のｎ個の容量の配列がｎビットのデジタル値を表わすようにｎ個の可変容量素子に供給するｎ個の制御電圧を決定し、その決定したｎ個の制御電圧をｎ個の可変容量素子へ供給する。
【００１７】
好ましくは、制御電圧供給回路は、ｎ個の容量の各々が最小値および最大値によってｎビットの対応する桁の２値を示すようにｎ個の制御電圧を決定する。
【００１８】
好ましくは、制御電圧供給回路は、さらに、ｎビットの各桁の２値を示す容量の最大値と最小値との差が低位ビットから上位ビットへ変化するに伴って指数関数的に大きくなるようにｎ個の制御電圧を決定する。
【００１９】
好ましくは、制御電圧供給回路は、ｎビットのうち最低位ビットの２値を示す容量の最大値と最小値との差が全容量の入力電圧に対する変化割合に略等しくなるようにｎ個の制御電圧を決定する。
【００２０】
好ましくは、変化割合をΔとしたとき、制御電圧供給回路は、ｎビットのうち第ｎ桁の２値を示す容量の最大値と最小値との差を２ｎ−１×Δによって決定する。
【００２１】
好ましくは、発振装置は、変換回路をさらに備える。変換回路は、入力電圧がアナログ値からなるとき、アナログ値をデジタル値に変換し、その変換したデジタル値を制御電圧供給回路へ出力する。
【００２２】
好ましくは、制御電圧供給回路は、ｍ（ｍはｍ＜ｎを満たす正の整数）ビットのデジタル値からなる入力電圧を受けると、ｍビットのデジタル値に基づいてｍ個の制御電圧を決定し、その決定したｍ個の制御電圧をｍビットに対応して設けられたｍ個の可変容量素子へ供給するとともに、容量が略零になるｎ−ｍ個の制御電圧をｎ−ｍ個の可変容量素子へ供給する。
【発明の効果】
【００２３】
この発明による発振装置においては、電圧制御型発振器に含まれる複数の可変容量素子の全容量は入力電圧に略比例するように制御される。その結果、発振装置の発振周波数は、入力電圧の−１／２乗に略比例する。
【００２４】
従って、この発明によれば、従来の電圧制御型発振器に比べ、電圧による発振周波数の制御性を向上できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰返さない。
【００２６】
図１は、この発明の実施の形態による発振装置の概略図である。図１を参照して、この発明の実施の形態による発振装置１０は、電圧制御型発振器１と、制御電圧供給回路２とを備える。
【００２７】
電圧制御型発振器１は、ＮＰＮバイポーラトランジスタ１１と、コイル１２，１３と、端子１４〜１９と、可変容量ダイオード１４１〜１４３とを含む。ＮＰＮバイポーラトランジスタ１１は、ベースがノードＮ４に接続され、コレクタがノードＮ５に接続され、エミッタがノードＮ６に接続される。
【００２８】
コイル１２は、ノードＮ４とノードＮ６との間に接続され、コイル１３は、ノードＮ５とノードＮ６との間に接続される。その結果、コイル１２，１３は、ノードＮ４とノードＮ５との間に直列に接続される。
【００２９】
可変容量ダイオード１４１〜１４３の各々は、例えば、バラクタダイオードからなる。そして、可変容量ダイオード１４１は、直列接続されたコイル１２，１３に対して並列にノードＮ４，Ｎ５間に接続される。可変容量ダイオード１４２は、ノードＮ４，Ｎ５間に可変容量ダイオード１４１に並列に接続され、可変容量ダイオード１４３は、ノードＮ４，Ｎ５間に可変容量ダイオード１４１，１４２に並列に接続される。その結果、３個の可変容量ダイオード１４１〜１４３は、ノードＮ４，Ｎ５間に並列に接続される。
【００３０】
コイル１２，１３は、それぞれ、インダクタンスＬ１，Ｌ２を有し、コイル１２とコイル１３との相互インダクタンスは、Ｍである。
【００３１】
可変容量ダイオード１４１は、その両端が端子１４，１５に接続され、可変容量ダイオード１４２は、その両端が端子１６，１７に接続され、可変容量ダイオード１４３は、その両端が端子１８，１９に接続される。
【００３２】
端子１４，１５は、制御電圧供給回路２から制御電圧ＶＣＴＬ１を受け、その受けた制御電圧制御電圧ＶＣＴＬ１を可変容量ダイオード１４１の両端に印加する。端子１６，１７は、制御電圧供給回路２から制御電圧ＶＣＴＬ２を受け、その受けた制御電圧ＶＣＴＬ２を可変容量ダイオード１４２の両端に印加する。端子１８，１９は、制御電圧供給回路２から制御電圧ＶＣＴＬ３を受け、その受けた制御電圧ＶＣＴＬ３を可変容量ダイオード１４３の両端に印加する。
【００３３】
その結果、可変容量ダイオード１４１〜１４３は、制御電圧供給回路２から制御電圧ＶＣＴＬ１，ＶＣＴＬ２，ＶＣＴＬ３をそれぞれ受ける。そして、可変容量ダイオード１４１〜１４３の容量Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３は、それぞれ、制御電圧ＶＣＴＬ１，ＶＣＴＬ２，ＶＣＴＬ３によって変化する。
【００３４】
制御電圧供給回路２は、入力電圧Ｖｉｎを受ける。入力電圧Ｖｉｎは、３ビットのデジタル値［Ａ３Ａ２Ａ１］からなる。この場合、Ａ１は、３ビットの第１桁のビット（最低位ビット）を表し、Ａ２は、３ビットの第２桁のビットを表し、Ａ３は、３ビットの第３桁のビット（最上位ビット）を表す。
【００３５】
制御電圧供給回路２は、［Ａ３Ａ２Ａ１］からなる入力電圧Ｖｉｎに基づいて、後述する方法によって制御電圧ＶＣＴＬ１，ＶＣＴＬ２，ＶＣＴＬ３を決定し、その決定した制御電圧ＶＣＴＬ１，ＶＣＴＬ２，ＶＣＴＬ３をそれぞれ電圧制御型発振器１の端子１４，１５間、端子１６，１７間、および端子１８，１９間に供給する。
【００３６】
制御電圧供給回路２における制御電圧ＶＣＴＬ１，ＶＣＴＬ２，ＶＣＴＬ３の決定方法について説明する。
【００３７】
表１は、入力電圧Ｖｉｎを構成するデジタル値［Ａ３Ａ２Ａ１］と、容量Ｃ１〜Ｃ３，Ｃｔｏｔａｌとの関係を示す表である。
【００３８】
【表１】
2006237833.tif 000006
なお、全容量Ｃｔｏｔａｌは、３個の容量Ｃ１〜Ｃ３の和を表す。
【００３９】
表１において、入力電圧Ｖｉｎは、［０００］から［１１１］まで変化する。すなわち、入力電圧Ｖｉｎは、アナログ値において“０”Ｖから“７”Ｖまで変化する。
【００４０】
容量Ｃ１は、“０．３ｐＦ”または“０．４ｐＦ”からなり、容量Ｃ２は、“０．３ｐＦ”または“０．５ｐＦ”からなり、容量Ｃ３は、“０．１ｐＦ”または“０．５ｐＦ”からなる。
【００４１】
容量Ｃ１〜Ｃ３は、それぞれ、デジタル値［Ａ３Ａ２Ａ１］のＡ１，Ａ２，Ａ３を表すように設定される。そして、容量Ｃ１は、“０．３ｐＦ”でＡ１の“０”を表し、“０．４ｐＦ”でＡ１の“１”を表す。また、容量Ｃ２は、“０．３ｐＦ”でＡ２の“０”を表し、“０．５ｐＦ”でＡ２の“１”を表す。更に、容量Ｃ３は、“０．１ｐＦ”でＡ３の“０”を表し、“０．５ｐＦ”でＡ３の“１”を表す。
【００４２】
そうすると、制御電圧供給回路２は、入力電圧Ｖｉｎ＝［Ａ３Ａ２Ａ１］に基づいて、３個の容量Ｃ１〜Ｃ３の配列［Ｃ３Ｃ２Ｃ１］がデジタル値［Ａ３Ａ２Ａ１］を表すように制御電圧ＶＣＴＬ１，ＶＣＴＬ２，ＶＣＴＬ３を決定する。すなわち、制御電圧供給回路２は、デジタル値［Ａ３Ａ２Ａ１］のＡ１（“０”および“１”のいずれか）を容量Ｃ１（“０．３ｐＦ”および“０．４ｐＦ”のいずれか）によって表し、デジタル値［Ａ３Ａ２Ａ１］のＡ２（“０”および“１”のいずれか）を容量Ｃ２（“０．３ｐＦ”および“０．５ｐＦ”のいずれか）によって表し、デジタル値［Ａ３Ａ２Ａ１］のＡ３（“０”および“１”のいずれか）を容量Ｃ３（“０．１ｐＦ”および“０．５ｐＦ”のいずれか）によって表すように制御電圧ＶＣＴＬ１，ＶＣＴＬ２，ＶＣＴＬ３を決定する。
【００４３】
具体的に説明すると、制御電圧供給回路２は、入力電圧Ｖｉｎ＝［Ａ３Ａ２Ａ１］＝［０００］を受けると、デジタル値［０００］の第１桁Ａ１が“０”であるので、容量Ｃ１を“０．３ｐＦ”および“０．４ｐＦ”のうち、“０”を表す“０．３ｐＦ”に設定し、デジタル値［０００］の第２桁Ａ２が“０”であるので、容量Ｃ２を“０．３ｐＦ”および“０．５ｐＦ”のうち、“０”を表す“０．３ｐＦ”に設定し、デジタル値［０００］の第３桁Ａ３が“０”であるので、容量Ｃ３を“０．１ｐＦ”および“０．５ｐＦ”のうち、“０”を表す“０．１ｐＦ”に設定するように、制御電圧ＶＣＴＬ１，ＶＣＴＬ２，ＶＣＴＬ３を決定する。
【００４４】
また、制御電圧供給回路２は、入力電圧Ｖｉｎ＝［Ａ３Ａ２Ａ１］＝［００１］を受けると、デジタル値［００１］の第１桁Ａ１が“１”であるので、容量Ｃ１を“０．３ｐＦ”および“０．４ｐＦ”のうち、“１”を表す“０．４ｐＦ”に設定し、デジタル値［００１］の第２桁Ａ２が“０”であるので、容量Ｃ２を“０．３ｐＦ”および“０．５ｐＦ”のうち、“０”を表す“０．３ｐＦ”に設定し、デジタル値［００１］の第３桁Ａ３が“０”であるので、容量Ｃ３を“０．１ｐＦ”および“０．５ｐＦ”のうち、“０”を表す“０．１ｐＦ”に設定するように、制御電圧ＶＣＴＬ１，ＶＣＴＬ２，ＶＣＴＬ３を決定する。
【００４５】
更に、制御電圧供給回路２は、入力電圧Ｖｉｎ＝［Ａ３Ａ２Ａ１］＝［０１０］を受けると、デジタル値［０１０］の第１桁Ａ１が“０”であるので、容量Ｃ１を“０．３ｐＦ”および“０．４ｐＦ”のうち、“０”を表す“０．３ｐＦ”に設定し、デジタル値［０１０］の第２桁Ａ２が“１”であるので、容量Ｃ２を“０．３ｐＦ”および“０．５ｐＦ”のうち、“１”を表す“０．５ｐＦ”に設定し、デジタル値［０１０］の第３桁Ａ３が“０”であるので、容量Ｃ３を“０．１ｐＦ”および“０．５ｐＦ”のうち、“０”を表す“０．１ｐＦ”に設定するように、制御電圧ＶＣＴＬ１，ＶＣＴＬ２，ＶＣＴＬ３を決定する。
【００４６】
更に、制御電圧供給回路２は、入力電圧Ｖｉｎ＝［Ａ３Ａ２Ａ１］＝［１００］を受けると、デジタル値［１００］の第１桁Ａ１が“０”であるので、容量Ｃ１を“０．３ｐＦ”および“０．４ｐＦ”のうち、“０”を表す“０．３ｐＦ”に設定し、デジタル値［１００］の第２桁Ａ２が“０”であるので、容量Ｃ２を“０．３ｐＦ”および“０．５ｐＦ”のうち、“０”を表す“０．３ｐＦ”に設定し、デジタル値［１００］の第３桁Ａ３が“１”であるので、容量Ｃ３を“０．１ｐＦ”および“０．５ｐＦ”のうち、“１”を表す“０．５ｐＦ”に設定するように、制御電圧ＶＣＴＬ１，ＶＣＴＬ２，ＶＣＴＬ３を決定する。
【００４７】
制御電圧供給回路２は、その他のデジタル値からなる入力電圧Ｖｉｎ＝［Ａ３Ａ２Ａ１］を受けたときも、上述した方法と同じ方法によって制御電圧ＶＣＴＬ１，ＶＣＴＬ２，ＶＣＴＬ３を決定する。
【００４８】
このように、制御電圧供給回路２は、入力電圧Ｖｉｎ＝［Ａ３Ａ２Ａ１］に基づいて、可変容量ダイオード１４３〜１４１の容量Ｃ３〜Ｃ１の配列［Ｃ３Ｃ２Ｃ１］がデジタル値［Ａ３Ａ２Ａ１］を表すように制御電圧ＶＣＴＬ１，ＶＣＴＬ２，ＶＣＴＬ３を決定する。
【００４９】
なお、可変容量ダイオード１４１の容量Ｃ１を０．３ｐＦに設定するための制御電圧ＶＣＴＬ１は、例えば、−１８Ｖであり、容量Ｃ１を０．４ｐＦに設定するための制御電圧ＶＣＴＬ１は、例えば、−１７Ｖである。また、可変容量ダイオード１４２の容量Ｃ２を０．３ｐＦに設定するための制御電圧ＶＣＴＬ２は、例えば、−１８Ｖであり、容量Ｃ２を０．５ｐＦに設定するための制御電圧ＶＣＴＬ２は、例えば、−１６Ｖである。さらに、可変容量ダイオード１４３の容量Ｃ３を０．１ｐＦに設定するための制御電圧ＶＣＴＬ３は、例えば、−２０Ｖであり、容量Ｃ３を０．５ｐＦに設定するための制御電圧ＶＣＴＬ３は、例えば、−１６Ｖである。
【００５０】
したがって、制御電圧供給回路２は、入力電圧Ｖｉｎ＝［Ａ３Ａ２Ａ１］＝［０００］を受けると、制御電圧ＶＣＴＬ１，ＶＣＴＬ２，ＶＣＴＬ３を、それぞれ、−１８Ｖ，−１８Ｖ，−２０Ｖに決定し、その決定した制御電圧ＶＣＴＬ１，ＶＣＴＬ２，ＶＣＴＬ３をそれぞれ可変容量ダイオード１４１〜１４３に印加する。
【００５１】
そうすると、可変容量ダイオード１４３〜１４１の容量Ｃ３〜Ｃ１は、それぞれ、０．１ｐＦ，０．３ｐＦ，０．３ｐＦに設定される。その結果、配列［Ｃ３Ｃ２Ｃ１］は、デジタル［０００］を表し、全容量Ｃｔｏｔａｌは、０．１ｐＦ＋０．３ｐＦ＋０．３ｐＦ＝０．７ｐＦとなる。
【００５２】
また、制御電圧供給回路２は、入力電圧Ｖｉｎ＝［Ａ３Ａ２Ａ１］＝［００１］を受けると、制御電圧ＶＣＴＬ１，ＶＣＴＬ２，ＶＣＴＬ３を、それぞれ、−１７Ｖ，−１８Ｖ，−２０Ｖに決定し、その決定した制御電圧ＶＣＴＬ１，ＶＣＴＬ２，ＶＣＴＬ３をそれぞれ可変容量ダイオード１４１〜１４３に印加する。
【００５３】
そうすると、可変容量ダイオード１４３〜１４１の容量Ｃ３〜Ｃ１は、それぞれ、０．１ｐＦ，０．３ｐＦ，０．４ｐＦに設定される。その結果、配列［Ｃ３Ｃ２Ｃ１］は、デジタル［００１］を表し、全容量Ｃｔｏｔａｌは、０．１ｐＦ＋０．３ｐＦ＋０．４ｐＦ＝０．８ｐＦとなる。
【００５４】
更に、制御電圧供給回路２は、入力電圧Ｖｉｎ＝［Ａ３Ａ２Ａ１］＝［０１０］を受けると、制御電圧ＶＣＴＬ１，ＶＣＴＬ２，ＶＣＴＬ３を、それぞれ、−１８Ｖ，−１６Ｖ，−２０Ｖに決定し、その決定した制御電圧ＶＣＴＬ１，ＶＣＴＬ２，ＶＣＴＬ３をそれぞれ可変容量ダイオード１４１〜１４３に印加する。
【００５５】
そうすると、可変容量ダイオード１４３〜１４１の容量Ｃ３〜Ｃ１は、それぞれ、０．１ｐＦ，０．５ｐＦ，０．３ｐＦに設定される。その結果、配列［Ｃ３Ｃ２Ｃ１］は、デジタル［０１０］を表し、全容量Ｃｔｏｔａｌは、０．１ｐＦ＋０．５ｐＦ＋０．３ｐＦ＝０．９ｐＦとなる。
【００５６】
更に、制御電圧供給回路２は、入力電圧Ｖｉｎ＝［Ａ３Ａ２Ａ１］＝［０１１］を受けると、制御電圧ＶＣＴＬ１，ＶＣＴＬ２，ＶＣＴＬ３を、それぞれ、−１７Ｖ，−１６Ｖ，−２０Ｖに決定し、その決定した制御電圧ＶＣＴＬ１，ＶＣＴＬ２，ＶＣＴＬ３をそれぞれ可変容量ダイオード１４１〜１４３に印加する。
【００５７】
そうすると、可変容量ダイオード１４３〜１４１の容量Ｃ３〜Ｃ１は、それぞれ、０．１ｐＦ，０．５ｐＦ，０．３ｐＦに設定される。その結果、配列［Ｃ３Ｃ２Ｃ１］は、デジタル［０１１］を表し、全容量Ｃｔｏｔａｌは、０．１ｐＦ＋０．５ｐＦ＋０．４ｐＦ＝１．０ｐＦとなる。
【００５８】
更に、制御電圧供給回路２は、入力電圧Ｖｉｎ＝［Ａ３Ａ２Ａ１］＝［１００］を受けると、制御電圧ＶＣＴＬ１，ＶＣＴＬ２，ＶＣＴＬ３を、それぞれ、−１８Ｖ，−１８Ｖ，−１６Ｖに決定し、その決定した制御電圧ＶＣＴＬ１，ＶＣＴＬ２，ＶＣＴＬ３をそれぞれ可変容量ダイオード１４１〜１４３に印加する。
【００５９】
そうすると、可変容量ダイオード１４３〜１４１の容量Ｃ３〜Ｃ１は、それぞれ、０．５ｐＦ，０．３ｐＦ，０．３ｐＦに設定される。その結果、配列［Ｃ３Ｃ２Ｃ１］は、デジタル［１００］を表し、全容量Ｃｔｏｔａｌは、０．５ｐＦ＋０．３ｐＦ＋０．３ｐＦ＝１．１ｐＦとなる。
【００６０】
更に、制御電圧供給回路２は、入力電圧Ｖｉｎ＝［Ａ３Ａ２Ａ１］＝［１０１］を受けると、制御電圧ＶＣＴＬ１，ＶＣＴＬ２，ＶＣＴＬ３を、それぞれ、−１７Ｖ，−１８Ｖ，−１６Ｖに決定し、その決定した制御電圧ＶＣＴＬ１，ＶＣＴＬ２，ＶＣＴＬ３をそれぞれ可変容量ダイオード１４１〜１４３に印加する。
【００６１】
そうすると、可変容量ダイオード１４３〜１４１の容量Ｃ３〜Ｃ１は、それぞれ、０．５ｐＦ，０．３ｐＦ，０．４ｐＦに設定される。その結果、配列［Ｃ３Ｃ２Ｃ１］は、デジタル［１０１］を表し、全容量Ｃｔｏｔａｌは、０．５ｐＦ＋０．３ｐＦ＋０．４ｐＦ＝１．２ｐＦとなる。
【００６２】
更に、制御電圧供給回路２は、入力電圧Ｖｉｎ＝［Ａ３Ａ２Ａ１］＝［１１０］を受けると、制御電圧ＶＣＴＬ１，ＶＣＴＬ２，ＶＣＴＬ３を、それぞれ、−１８Ｖ，−１６Ｖ，−１６Ｖに決定し、その決定した制御電圧ＶＣＴＬ１，ＶＣＴＬ２，ＶＣＴＬ３をそれぞれ可変容量ダイオード１４１〜１４３に印加する。
【００６３】
そうすると、可変容量ダイオード１４３〜１４１の容量Ｃ３〜Ｃ１は、それぞれ、０．５ｐＦ，０．５ｐＦ，０．３ｐＦに設定される。その結果、配列［Ｃ３Ｃ２Ｃ１］は、デジタル［１１０］を表し、全容量Ｃｔｏｔａｌは、０．５ｐＦ＋０．５ｐＦ＋０．３ｐＦ＝１．３ｐＦとなる。
【００６４】
更に、制御電圧供給回路２は、入力電圧Ｖｉｎ＝［Ａ３Ａ２Ａ１］＝［１１１］を受けると、制御電圧ＶＣＴＬ１，ＶＣＴＬ２，ＶＣＴＬ３を、それぞれ、−１７Ｖ，−１６Ｖ，−１６Ｖに決定し、その決定した制御電圧ＶＣＴＬ１，ＶＣＴＬ２，ＶＣＴＬ３をそれぞれ可変容量ダイオード１４１〜１４３に印加する。
【００６５】
そうすると、可変容量ダイオード１４３〜１４１の容量Ｃ３〜Ｃ１は、それぞれ、０．５ｐＦ，０．５ｐＦ，０．４ｐＦに設定される。その結果、配列［Ｃ３Ｃ２Ｃ１］は、デジタル［１１１］を表し、全容量Ｃｔｏｔａｌは、０．５ｐＦ＋０．５ｐＦ＋０．４ｐＦ＝１．４ｐＦとなる。
【００６６】
上述したように、入力電圧Ｖｉｎ＝［Ａ３Ａ２Ａ１］が［０００］から［１１１］まで変化すると、全容量Ｃｔｏｔａｌが０．７ｐＦから１．４ｐＦまで変化する。この場合、デジタル値［Ａ３Ａ２Ａ１］の隣接する２つの値間における全容量Ｃｔｏｔａｌの変化割合Δは、０．１ｐＦであり、一定である。
【００６７】
そして、デジタル値［Ａ３Ａ２Ａ１］が［０００］から［１１１］まで変化することは、アナログ値が０〜７まで変化することに相当するので、制御電圧供給回路２は、入力電圧Ｖｉｎの絶対値が大きくなるに伴って、全容量Ｃｔｏｔａｌが０．１ｐＦの割合で大きくなるように制御電圧ＶＣＴＬ１，ＶＣＴＬ２，ＶＣＴＬ３を決定し、その決定した制御電圧ＶＣＴＬ１，ＶＣＴＬ２，ＶＣＴＬ３をそれぞれ可変容量ダイオード１４１〜１４３へ供給する。
【００６８】
このように、制御電圧供給回路２は、全容量Ｃｔｏｔａｌが入力電圧Ｖｉｎに略比例するように制御電圧ＶＣＴＬ１，ＶＣＴＬ２，ＶＣＴＬ３を決定し、その決定した制御電圧ＶＣＴＬ１，ＶＣＴＬ２，ＶＣＴＬ３をそれぞれ可変容量ダイオード１４１〜１４３へ供給する。
【００６９】
表１においては、容量Ｃ１は、“０．３ｐＦ”または“０．４ｐＦ”に設定され、容量Ｃ２は、“０．３ｐＦ”または“０．５ｐＦ”に設定され、容量Ｃ３は、“０．１ｐＦ”または“０．５ｐＦ”に設定される。
【００７０】
従って、容量Ｃ１の最小値および最大値をそれぞれＣ１ＭＩＮ，Ｃ１ＭＡＸとし、容量Ｃ２の最小値および最大値をそれぞれＣ２ＭＩＮ，Ｃ２ＭＡＸとし、容量Ｃ３の最小値および最大値をそれぞれＣ３ＭＩＮ，Ｃ３ＭＡＸとすると、Ｃ１ＭＩＮ＝０．３ｐＦであり、Ｃ１ＭＡＸ＝０．４ｐＦであり、Ｃ２ＭＩＮ＝０．３ｐＦであり、Ｃ２ＭＡＸ＝０．５ｐＦであり、Ｃ３ＭＩＮ＝０．１ｐＦであり、Ｃ３ＭＡＸ＝０．５ｐＦである。
【００７１】
そうすると、Ｃ１ＭＡＸ−Ｃ１ＭＩＮ＝０．４ｐＦ−０．３ｐＦ＝０．１ｐＦであり、Ｃ２ＭＡＸ−Ｃ２ＭＩＮ＝０．５ｐＦ−０．３ｐＦ＝０．２ｐＦであり、Ｃ３ＭＡＸ−Ｃ３ＭＩＮ＝０．５ｐＦ−０．１ｐＦ＝０．４ｐＦである。
【００７２】
上述したように、全容量Ｃｔｏｔａｌの入力電圧Ｖｉｎに対する変化割合Δは、０．１ｐＦであるので、Ｃ１ＭＡＸ−Ｃ１ＭＩＮ＝Δ＝２０×Δとなり、Ｃ２ＭＡＸ−Ｃ２ＭＩＮ＝２×Δ＝２１×Δとなり、Ｃ３ＭＡＸ−Ｃ３ＭＩＮ＝４×Δ＝２２×Δとなる。
【００７３】
従って、デジタル値［Ａ３Ａ２Ａ１］のうち、第１桁のビット（最低位ビットＡ１）を表す容量Ｃ１の最大値と最小値との差Ｃ１ＭＡＸ−Ｃ１ＭＩＮは、全容量Ｃｔｏｔａｌの入力電圧Ｖｉｎに対する変化割合Δに等しく（＝Δの２０倍）設定され、デジタル値［Ａ３Ａ２Ａ１］のうち、第２桁のビット（Ａ２）を表す容量Ｃ２の最大値と最小値との差Ｃ２ＭＡＸ−Ｃ２ＭＩＮは、変化割合Δの２１倍に設定され、デジタル値［Ａ３Ａ２Ａ１］のうち、第３桁のビット（最上位ビットＡ３）を表す容量Ｃ３の最大値と最小値との差Ｃ３ＭＡＸ−Ｃ３ＭＩＮは、変化割合Δの２２倍に設定される。
【００７４】
その結果、３ビット［Ａ３Ａ２Ａ１］の各桁の２値を示す容量Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３の最大値と最小値との差は、低位ビットから上位ビットへ変化するに伴って指数関数的に大きくなる。
【００７５】
上述したように、可変容量ダイオード１４１〜１４３の各容量Ｃ１〜Ｃ３を表１に従って設定することにより、可変容量ダイオード１４１〜１４３の全容量Ｃｔｏｔａｌが入力電圧Ｖｉｎに略比例して変化するようになる。
【００７６】
その結果、発振装置１０における発振周波数ｆ０２は、次式によって表される。
【００７７】
【数４】
2006237833.tif 000007
このように、発振装置１０における発振周波数ｆ０２は、入力電圧Ｖｉｎの−１／２乗に比例して変化する。
【００７８】
図２は、発振周波数と入力電圧との関係を示す図である。図２において、縦軸は、発振周波数を表し、横軸は、入力電圧を表す。なお、入力電圧Ｖｉｎは、負の電圧であるが、図２においては、正の電圧として示されている。
【００７９】
曲線ｋ１は、式（４）に従って計算された発振周波数ｆ０２と入力電圧Ｖｉｎとの関係を示し、曲線ｋ２は、式（３）に従って計算された発振周波数ｆ０１と入力電圧Ｖｉｎとの関係を示す。
【００８０】
なお、発振周波数ｆ０１，ｆ０２の計算においては、インダクタンスＬ１，Ｌ２は、それぞれ、１ｎＨ，５ｎＨに設定され、相互インダクタンスＭは、−０．１ｎＨに設定され、拡散電位Ｖｄは、１．０Ｖに設定され、入力電圧Ｖｉｎは、０〜−１０Ｖの範囲に設定された。
【００８１】
発振装置１０における発振周波数ｆ０２は、入力電圧Ｖｉｎが１．０Ｖから１０Ｖまで変化すると、約６．５×１０８Ｈｚから約２．０×１０８Ｈｚまで変化するのに対し（曲線ｋ１参照）、従来の発振器１００における発振周波数ｆ０１は、入力電圧Ｖｉｎが１．０Ｖから１０Ｖまで変化すると、約４．８×１０９Ｈｚから約７．３×１０９Ｈｚまで変化する（曲線ｋ２参照）。
【００８２】
従って、発振装置１０における発振周波数ｆ０２は、入力電圧Ｖｉｎの変化に対して、従来の発振器１００における発振周波数ｆ０１よりも大きく変化する。特に、発振装置１０における発振周波数ｆ０２は、１．０〜３．０Ｖの入力電圧Ｖｉｎに対して約６．５×１０８Ｈｚから約３．７×１０８Ｈｚまで変化し、入力電圧Ｖｉｎに対する変化割合Δｆ１は、−０．９０×１０８Ｈｚ／Ｖである。一方、従来の発振器１００における発振周波数ｆ０１は、１．０〜３．０Ｖの入力電圧Ｖｉｎに対して約４．８×１０９Ｈｚから約５．８×１０８Ｈｚまで変化し、入力電圧Ｖｉｎに対する変化割合Δｆ２は、０．３３×１０９Ｈｚ／Ｖである。
【００８３】
その結果、発振装置１０は、従来の発振器１００に比べ、入力電圧Ｖｉｎの変化によって発振周波数ｆ０２をより大きく変えることができる。
【００８４】
このように、この発明による発振装置１０においては、全容量Ｃｔｏｔａｌが入力電圧Ｖｉｎに対して略比例するように可変容量ダイオード１４１〜１４３の容量Ｃ１〜Ｃ３を設定した結果、従来の発振器１００に比べ、電圧による発振周波数の制御性を約３倍に向上できる。
【００８５】
図３は、この発明の実施の形態による発振装置の他の概略図である。図３を参照して、この発明の実施の形態による発振装置１０Ａは、図１に示す発振装置１０に変換回路３を追加したものであり、その他は、発振装置１０と同じである。
【００８６】
変換回路３は、アナログ値からなる入力電圧ＶｉｎＡを受け、その受けた入力電圧ＶｉｎＡをアナログ値からデジタル値［Ａ３Ａ２Ａ１］に変換して制御電圧供給回路２へ出力する。
【００８７】
従って、発振装置１０Ａにおいては、アナログ値からなる入力電圧ＶｉｎＡに対して発振周波数ｆ０２を（ＶｉｎＡ）−１／２に比例するように変化させることができる。
【００８８】
上記においては、入力電圧Ｖｉｎの３ビットのデジタル値［Ａ３Ａ２Ａ１］を表すために、３個の可変容量ダイオード１４１〜１４３の３個の容量Ｃ１〜Ｃ３を用いたが、この発明においては、これに限らず、入力電圧Ｖｉｎのｎ（ｎは正の整数）ビットのデジタル値［Ａｎ・・・Ａ３Ａ２Ａ１］を表すために、ｎ個の可変容量ダイオードのｎ個の容量Ｃ１〜Ｃｎを用いてもよい。この場合、発振装置は、図４に示す概略図からなる。
【００８９】
図４は、この発明の実施の形態による発振装置の更に他の概略図である。図４を参照して、発振装置１０Ｂは、電圧制御型発振器１Ａと、制御電圧供給回路２Ａとを備える。電圧制御型発振器１Ａは、電圧制御型発振器１に可変容量ダイオード１４４〜１４ｎを追加し、電圧制御型発振器１の端子１４〜１９を端子１５１〜１５ｎ，１６１〜１６ｎに代えたものであり、その他は、電圧制御型発振器１と同じである。
【００９０】
可変容量ダイオード１４１〜１４ｎは、ノードＮ４とノードＮ５との間に並列に接続される。端子１５１，１６１は、可変容量ダイオード１４１の両端に接続され、端子１５２，１６２は、可変容量ダイオード１４２の両端に接続され、端子１５ｍ，１６ｍ（ｍは、ｍ＜ｎを満たす正の整数）は、可変容量ダイオード１４ｍの両端に接続され、以下、同様にして、端子１５ｎ，１６ｎは、可変容量ダイオード１４ｎの両端に接続される。
【００９１】
制御電圧供給回路２Ａは、ｎビットのデジタル値［ＡｎＡｎ−１・・・Ａｍ・・・Ａ２Ａ１］からなる入力電圧Ｖｉｎを受け、その受けた入力電圧Ｖｉｎに基づいて、上述した方法と同じ方法によって、制御電圧ＶＣＴＬ１，ＶＣＴＬ２，・・・，ＶＣＴＬｍ，・・・ＶＣＴＬｎを決定し、その決定した制御電圧ＶＣＴＬ１，ＶＣＴＬ２，・・・，ＶＣＴＬｍ，・・・ＶＣＴＬｎを、それぞれ、端子１５１，１６１、端子１５２，１６２、・・・端子１５ｍ，１６ｍ、・・・、端子１５ｎ，１６ｎを介して可変容量ダイオード１４１〜１４ｎへ供給する。
【００９２】
可変容量ダイオード１４１〜１４ｎは、それぞれ、端子１５１，１６１、端子１５２，１６２、・・・端子１５ｍ，１６ｍ、・・・、および端子１５ｎ，１６ｎを介して制御電圧ＶＣＴＬ１，ＶＣＴＬ２，・・・，ＶＣＴＬｍ，・・・ＶＣＴＬｎを受け、その受けた制御電圧制御電圧ＶＣＴＬ１，ＶＣＴＬ２，・・・，ＶＣＴＬｍ，・・・ＶＣＴＬｎによって配列［ＣｎＣｎ−１・・・Ｃｍ・・・Ｃ２Ｃ１］がデジタル値［Ａｎ・・・Ａｍ・・・Ａ２Ａ１］を表すように各容量Ｃ１〜Ｃｎが設定される。そして、ｎ個の容量Ｃ１〜Ｃｎの和である全容量Ｃｔｏｔａｌは、入力電圧Ｖｉｎに略比例して変化する。
【００９３】
上述したように、入力電圧Ｖｉｎが３ビットのデジタル値［Ａ３Ａ２Ａ１］からなるとき、Ｃ１ＭＡＸ−Ｃ１ＭＩＮ＝Δ＝２０×Δとなり、Ｃ２ＭＡＸ−Ｃ２ＭＩＮ＝２×Δ＝２１×Δとなり、Ｃ３ＭＡＸ−Ｃ３ＭＩＮ＝４×Δ＝２２×Δとなるので、ｎビットの第ｎ桁の２値を示す容量Ｃｎの最大値ＣｎＭＡＸと最小値ＣｎＭＩＮとの差ＣｎＭＡＸ−ＣｎＭＩＮは、ＣｎＭＡＸ−ＣｎＭＩＮ＝２ｎ−１×Δとなる。
【００９４】
発振装置１０Ｂにおいては、任意のビット数からなる入力電圧に基づいて制御電圧を決定して可変容量ダイオード１４１〜１４ｎへ供給するようにしてもよい。
【００９５】
例えば、制御電圧供給回路２Ａは、ｎビットのデジタル値［ＡｎＡｎ−１・・・Ａｍ・・・Ａ２Ａ１］のうちの、ｍビットのデジタル値［Ａｍ・・・Ａ２Ａ１］からなる入力電圧Ｖｉｎを受けると、ｍビットのデジタル値［Ａｍ・・・Ａ２Ａ１］に基づいて、上述した方法によって制御電圧ＶＣＴＬ１，ＶＣＴＬ２，・・・，ＶＣＴＬｍを決定し、その決定した制御電圧ＶＣＴＬ１，ＶＣＴＬ２，・・・，ＶＣＴＬｍをそれぞれ可変容量ダイオード１４１〜１４ｍへ供給するとともに、ｎ−ｍ個の容量Ｃｍ＋１〜Ｃｎを略零に設定するための制御電圧ＶＣＴＬｍ＋１〜ＶＣＴＬｎをｎ−ｍ個の可変容量ダイオード１４ｍ＋１〜１４ｎへ供給する。
【００９６】
これにより、発振装置１０Ｂは、任意のビット数からなる入力電圧Ｖｉｎを受けても、その受けた入力電圧Ｖｉｎに基づいて、全容量Ｃｔｏｔａｌが入力電圧Ｖｉｎに略比例するように制御電圧ＶＣＴＬ１，ＶＣＴＬ２，・・・，ＶＣＴＬｍ，・・・ＶＣＴＬｎを決定し、その決定した制御電圧ＶＣＴＬ１，ＶＣＴＬ２，・・・，ＶＣＴＬｍ，・・・ＶＣＴＬｎを可変容量ダイオード１４１〜１４ｎへ供給できる。
【００９７】
その結果、従来の発振器１００に比べ、入力電圧Ｖｉｎのビット数が任意のビット数に変化しても、入力電圧Ｖｉｎによる発振周波数ｆ０２の制御性を向上できる。
【００９８】
任意のビット数からなる入力電圧に基づいて制御電圧を決定する場合の例としてｎ＝４の場合について説明する。表２は、入力電圧Ｖｉｎを構成するデジタル値［Ａ４Ａ３Ａ２Ａ１］と、容量Ｃ１〜Ｃ４，Ｃｔｏｔａｌとの関係を示す表である。
【００９９】
【表２】
2006237833.tif 000008
なお、表２におけるＣｔｏｔａｌは、４個の容量Ｃ１〜Ｃ４の和である。
【０１００】
容量Ｃ１〜Ｃ４における最大値および最小値をそれぞれＣ１ＭＡＸ，Ｃ１ＭＩＮ；Ｃ２ＭＡＸ，Ｃ２ＭＩＮ；Ｃ３ＭＡＸ，Ｃ３ＭＩＮ；Ｃ４ＭＡＸ，Ｃ４ＭＩＮとすると、Ｃ１ＭＡＸ−Ｃ１ＭＩＮ＝０．１ｐＦ＝２０×Δであり、Ｃ２ＭＡＸ−Ｃ２ＭＩＮ＝０．２ｐＦ＝２１×Δであり、Ｃ３ＭＡＸ−Ｃ３ＭＩＮ＝０．４ｐＦ＝２２×Δであり、Ｃ４ＭＡＸ−Ｃ４ＭＩＮ＝０．８ｐＦ＝２３×Δである。
【０１０１】
そして、表２においては、容量Ｃ３，Ｃ４の最小値である０ｐＦは、実際には、０．００００１ｐＦである。０．００００１ｐＦの容量は、０．１ｐＦ、０．２ｐＦ、０．３ｐＦ、０．４ｐＦおよび０．８ｐＦに比べ十分に小さいので、全容量Ｃｔｏｔａｌに対して殆ど影響を与えない。
【０１０２】
また、容量Ｃ１を０．２ｐＦに設定するための電圧は、例えば、−１９Ｖであり、容量Ｃ４を０．８ｐＦに設定するための電圧は、例えば、−１０Ｖであり、容量Ｃ３，Ｃ４を０．００００１ｐＦに設定するための電圧は、例えば、−３０Ｖである。
【０１０３】
制御電圧供給回路２Ａは、２ビット［Ａ２Ａ１］からなる入力電圧Ｖｉｎを受けると、−３０Ｖからなる制御電圧ＶＣＴＬ３，ＶＣＴＬ４をそれぞれ可変容量ダイオード１４３，１４４へ供給し続けながら、２ビット［Ａ２Ａ１］を表す配列［Ｃ２Ｃ１］の容量Ｃ１，Ｃ２が表２の領域ＲＧＥ１に示された容量Ｃ１，Ｃ２になるように制御電圧ＶＣＴＬ１，ＶＣＴＬ２を決定し、その決定した制御電圧ＶＣＴＬ１，ＶＣＴＬ２をそれぞれ可変容量ダイオード１４１，１４２へ供給する。
【０１０４】
また、制御電圧供給回路２Ａは、３ビット［Ａ３Ａ２Ａ１］からなる入力電圧Ｖｉｎを受けると、−３０Ｖからなる制御電圧ＶＣＴＬ４を可変容量ダイオード１４４へ供給し続けながら、３ビット［Ａ３Ａ２Ａ１］を表す配列［Ｃ３Ｃ２Ｃ１］の容量Ｃ１〜Ｃ３が表２の領域ＲＧＥ２に示された容量Ｃ１〜Ｃ３になるように制御電圧ＶＣＴＬ１，ＶＣＴＬ２，ＶＣＴＬ３を決定し、その決定した制御電圧ＶＣＴＬ１，ＶＣＴＬ２，ＶＣＴＬ３をそれぞれ可変容量ダイオード１４１〜１４３へ供給する。
【０１０５】
さらに、制御電圧供給回路２Ａは、４ビット［Ａ４Ａ３Ａ２Ａ１］からなる入力電圧Ｖｉｎを受けると、４ビット［Ａ４Ａ３Ａ２Ａ１］を表す配列［Ｃ４Ｃ３Ｃ２Ｃ１］の容量Ｃ１〜Ｃ４が表２の領域ＲＧＥ３に示された容量Ｃ１〜Ｃ４になるように制御電圧ＶＣＴＬ１，ＶＣＴＬ２，ＶＣＴＬ３，ＶＣＴＬ４を決定し、その決定した制御電圧ＶＣＴＬ１，ＶＣＴＬ２，ＶＣＴＬ３，ＶＣＴＬ４をそれぞれ可変容量ダイオード１４１〜１４４へ供給する。
【０１０６】
これにより、制御電圧供給回路２Ａは、入力電圧Ｖｉｎを構成するビット数が任意のビット数に変化しても、入力電圧Ｖｉｎに比例するように全容量Ｃｔｏｔａｌを制御できる。その結果、発振装置１０Ｂにおける発振周波数ｆ０２の制御性を従来の発振装置における発振周波数の制御性よりも向上できる。
【０１０７】
上述したように、電圧制御型発振器１Ａに含まれるｎ個の可変容量ダイオードのｎ個の容量Ｃ１〜Ｃｎは、その配列［Ｃｎ・・・Ｃ１］が入力電圧Ｖｉｎのデジタル値［Ａｎ・・・Ａ１］を表すように決定されるので、この発明においては、電圧制御型発振器の可変容量ダイオードの個数は、入力電圧を示すデジタル値のビット数に対応して決定されることを特徴とする。すなわち、入力電圧を示すデジタル値が２ビットであれば、可変容量ダイオードの個数は、２個であり、入力電圧を示すデジタル値がｎビットであれば、可変容量ダイオードの個数は、ｎ個である。
【０１０８】
なお、この発明においては、可変容量ダイオード１４１〜１４３の各容量Ｃ１〜Ｃ３は、Ｃ１ＭＡＸ−Ｃ１ＭＩＮ＝Δ＝２０×Δ、Ｃ２ＭＡＸ−Ｃ２ＭＩＮ＝２×Δ＝２１×Δ、およびＣ３ＭＡＸ−Ｃ３ＭＩＮ＝４×Δ＝２２×Δが成立し、かつ、全容量Ｃｔｏｔａｌが入力電圧Ｖｉｎに比例すれば、表１に示す容量に限らず、別の容量であってもよい。
【０１０９】
また、全容量Ｃｔｏａｔａｌの入力電圧Ｖｉｎに対する変化割合は、“０．１ｐＦ”に限らず、別の値に設定されてもよい。
【０１１０】
さらに、この発明においては、制御電圧供給回路２は、表１をマップとして保持しており、入力電圧Ｖｉｎのデジタル値［Ａ３Ａ２Ａ１］に対応する容量Ｃ３〜Ｃ１を表１を参照して抽出し、その抽出した容量Ｃ３〜Ｃ１になるように制御電圧ＶＣＴＬ１，ＶＣＴＬ２，ＶＣＴＬ３を決定するようにしてもよい。
【０１１１】
さらに、この発明においては、制御電圧供給回路２Ａは、表２をマップとして保持しており、入力電圧Ｖｉｎのデジタル値［Ａｎ・・・Ａｍ・・・Ａ３Ａ２Ａ１］に対応する容量Ｃｎ〜Ｃ１を表２を参照して抽出し、その抽出した容量Ｃｎ〜Ｃ１になるように制御電圧ＶＣＴＬ１〜ＶＣＴＬｎを決定するようにしてもよい。
【０１１２】
さらに、上記においては、ｎビットの各桁の２値を表す容量の最大値と最小値との差が低位ビットから上位ビットへ変化するに伴って２の累乗に従って変化するようにｎ個の容量の最小値と最大値とを決定すると説明したが、この発明においては、これに限られず、ｎビットの各桁の２値を表す容量の最大値と最小値との差は、低位ビットから上位ビットへ変化するに伴って、３以上の任意の値の累乗に従って変化するようにｎ個の容量の最小値と最大値とを決定してもよい。
【０１１３】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施の形態の説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【０１１４】
この発明は、従来の電圧制御型発振器に比べ、電圧による発振周波数の制御性が良い発振装置に適用される。
【図面の簡単な説明】
【０１１５】
【図１】この発明の実施の形態による発振装置の概略図である。
【図２】発振周波数と入力電圧との関係を示す図である。
【図３】この発明の実施の形態による発振装置の他の概略図である。
【図４】この発明の実施の形態による発振装置の更に他の概略図である。
【図５】ハートレー型の発振器の回路図である。
【符号の説明】
【０１１６】
１，１Ａ  電圧制御型発振器、２，２Ａ  制御電圧供給回路、３  変換回路、１０，１０Ａ，１０Ｂ  発振装置、１１，１１０  ＮＰＮバイポーラトランジスタ、１２，１３，１２０，１３０  コイル、１４〜１９，１５１〜１５ｎ，１６１〜１６ｎ  端子、１００  発振器、１４０〜１４ｎ  可変容量ダイオード。
【図１】
2006237833.tif 000009
【図２】
2006237833.tif 000010
【図３】
2006237833.tif 000011
【図４】
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【図５】
2006237833.tif 000013