(57)【要約】【課題】  スペーサの帯電を抑制して、スペーサの帯電による電子ビームの経路の歪曲及び画質の低下を予防することができる、電子放出素子及びその製造方法を提供すること。【解決手段】  本発明による電子放出素子は、互いに対向配置される第１基板及び第２基板と、第１基板上に形成される電子放出部と、第１基板上に形成され、電子放出部の電子の放出を制御する駆動電極と、絶縁層を間に置いて駆動電極の上部に形成され、電子ビームの通過のための開口部を有する集束電極と、第２基板の、第１基板との対向面に設けられる発光ユニットと、第１基板と第２基板との間に配置され、表面に導電層が形成された複数のスペーサと、を含む。この時、集束電極及び絶縁層はスペーサローディング部を具備してスペーサの下端部を収納し、スペーサローディング部に導電性接着層が充填されてスペーサの導電層及び集束電極を電気的に連結する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の間隔をおいて互いに対向配置される第１基板及び第２基板と；
前記第１基板上に形成される電子放出部と；
前記第１基板上に形成され、前記電子放出部の電子の放出を制御する駆動電極と；
絶縁層を間に置いて前記駆動電極の上部に形成され、電子ビームの通過のための開口部が形成された集束電極と；
前記第２基板の、前記第１基板との対向面に設けられる発光ユニットと；
前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、表面に導電層が形成された複数のスペーサと；を含み、
前記集束電極及び絶縁層はスペーサローディング部を有して前記スペーサの下端部を収納し、前記スペーサローディング部に導電性接着層が充填されて前記スペーサの導電層及び集束電極を電気的に連結する、電子放出素子。
【請求項２】
前記スペーサローディング部は前記絶縁層を貫通して形成される、請求項１に記載の電子放出素子。
【請求項３】
前記スペーサローディング部は前記駆動電極の間の部位に対応して位置づけられる、請求項２に記載の電子放出素子。
【請求項４】
前記集束電極は前記スペーサローディング部の底面及び側面に亘って形成される、請求項１に記載の電子放出素子。
【請求項５】
前記駆動電極は互いに絶縁されて位置づけられるカソード電極及びゲート電極を含み、
前記電子放出部は前記カソード電極に電気的に連結される、請求項１に記載の電子放出素子。
【請求項６】
前記電子放出部は、カーボンナノチューブ、黒鉛、黒鉛ナノファイバー、ダイヤモンド、ダイヤモンド状カーボン、Ｃ６０、及びシリコンナノワイヤーからなる群から選択される少なくとも一つの物質を含む、請求項５に記載の電子放出素子。
【請求項７】
前記発光ユニットが互いに隣接するように形成される蛍光層及び黒色層と、蛍光層及び黒色層の一面に形成されるアノード電極と、を含む、請求項１に記載の電子放出素子。
【請求項８】
所定の間隔をおいて互いに対向配置される第１基板及び第２基板と；
前記第１基板上に形成される電子放出ユニットと；
前記第２基板の、前記第１基板との対向面に設けられる発光ユニットと；
前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、表面に導電層が形成された複数のスペーサと；を含み、
前記電子放出ユニットは、
電子放出部と；
前記電子放出部の電子の放出を制御する第１電極及び第２電極と；
前記電子放出部から放出された電子の経路を制御して直流電圧が印加される第３電極と；
前記第３電極の下部で第３電極を支持する絶縁層と；を含み、
前記第３電極及び絶縁層はスペーサローディング部を有して前記スペーサの下端部を収納し、
前記スペーサローディング部に導電性接着層が充填されて前記スペーサの導電層及び第３電極を電気的に連結する電子放出素子。
【請求項９】
前記スペーサローディング部は前記絶縁層を貫通して形成される、請求項８に記載の電子放出素子。
【請求項１０】
前記第３電極は前記スペーサローディング部の底面及び側面に亘って形成される、請求項８に記載の電子放出素子。
【請求項１１】
（ａ）第１基板上に駆動電極、絶縁層、及び集束電極を形成する段階と；
（ｂ）前記集束電極及び絶縁層をエッチングして電子ビームの通過のための開口部及びスペーサローディング部を同時に形成する段階と；
（ｃ）感光性物質が含まれた導電ペーストを第１基板上に塗布した後、第１基板の後面からスペーサローディング部に紫外線を照射し、スペーサローディング部に充填された導電ペーストを選択的に硬化して導電性接着層を形成する段階と；
（ｄ）表面に導電層が形成されたスペーサを前記スペーサローディング部に嵌合して固定する段階と；
（ｅ）前記第１基板上に第２基板を整列した後、第１基板及び第２基板を接合させる段階と；を含む電子放出素子の製造方法。
【請求項１２】
前記開口部は前記駆動電極上に形成され、
前記スペーサローディング部は前記駆動電極の間の部位に形成される、請求項１１に記載の電子放出素子の製造方法。
【請求項１３】
（ａ）第１基板上に駆動電極及び絶縁層を形成する段階と；
（ｂ）前記絶縁層をエッチングしてスペーサローディング部を形成する段階と；
（ｃ）前記絶縁層の表面に導電物質をコーティングして前記スペーサローディング部の底面、側面、及び絶縁層の上面に集束電極を形成する段階と；
（ｄ）前記集束電極及び絶縁層をエッチングして電子ビームの通過のための開口部を形成する段階と；
（ｅ）前記スペーサローディング部に導電ペーストを充填して導電性接着層を形成する段階と；
（ｆ）表面に導電層が形成されたスペーサを前記スペーサローディング部に嵌合して固定する段階と；
（ｇ）前記第１基板上に第２基板を整列した後、第１基板及び第２基板を接合させる段階と；を含む電子放出素子の製造方法。
【請求項１４】
前記開口部は前記駆動電極上に形成され、
前記スペーサローディング部は前記駆動電極の間の部位に形成される、請求項１３に記載の電子放出素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子放出素子に関し、より詳しくは、スペーサのチャージングによる電子ビームの経路の歪曲を抑制するために、スペーサの支持構造を改善した、電子放出素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、電子放出素子は、電子源の種類によって、熱陰極（hot cathode）を利用する方式及び冷陰極（cold cathode）を利用する方式に分類することができる。
【０００３】
ここで、冷陰極を利用する方式の電子放出素子としては、電界放出アレイ（field emitter array；ＦＥＡ）型、表面電導エミッション（surface-conduction emission；ＳＣＥ）型、金属-絶縁層-金属（metal-insulator-metal；ＭＩＭ）型、及び金属-絶縁層-半導体（metal-insulator-semiconductor；ＭＩＳ）型などが知られている。
【０００４】
前記ＭＩＭ型及びＭＩＳ型電子放出素子は、各々金属-絶縁層-金属（ＭＩＭ）及び金属-絶縁層-半導体（ＭＩＳ）構造からなる電子放出部を有し、絶縁層を間に置いて位置する二つの金属または金属と半導体との間に電圧を印加する時に、高い電子電位を有する金属または半導体側から低い電子電位を有する金属側に電子が移動及び加速されて放出される原理を利用する。
【０００５】
前記ＳＣＥ型電子放出素子は、基板上に離隔して配置された第１電極と第２電極との間に導電薄膜を形成し、この導電薄膜に微細亀裂を形成することによって電子放出部を形成し、第１及び第２電極に電圧を印加して導電薄膜の表面から電流が流れる時に電子放出部から電子が放出される原理を利用する。
【０００６】
そして、前記ＦＥＡ型電子放出素子は、仕事関数（work function）が低かったり縦横比の大きい物質を電子源として使用する場合に、真空中で電界によって容易に電子が放出される原理を利用するものであって、モリブデン（Ｍｏ）またはシリコン（Ｓｉ）などを主材質とする先端がとがったチップ構造物で電子放出部を形成したり、カーボン系物質を利用して電子放出部を形成する実例が開発されている。
【０００７】
前記電子放出素子は、種類によって細部の構造は異なるが、共通して、密封材により互いに接合されて真空容器を構成する第１基板及び第２基板と、第１基板上に形成される電子放出部及び電子放出部の電子の放出を制御する駆動電極と、第２基板のうちの第１基板との対向面に形成される蛍光層及び電子放出部から放出された電子が蛍光層に向かって良好に加速されるようにするアノード電極とを含んで、所定の発光または表示作用をする。
また、前記電子放出素子は、第１基板と第２基板との間に配置されるスペーサを含む。スペーサは、真空容器に加えられる圧縮力を支持して真空容器の変形及び破損を抑制し、第１基板と第２基板との間隔を一定に維持する役割を果たす。この時、スペーサは、第２基板上の発光領域、つまり蛍光層を侵犯しないように各蛍光層の間に位置する非発光領域、つまり黒色層に対応して配置される。
【０００８】
ところが、電子放出素子の作用時の実際の電子ビームの軌跡を見てみると、電子放出部から放出された電子のうちの一部が対応する画素の蛍光層に向かって直進できずに黒色層や隣接した他の画素の蛍光層に向かって広がって進む。
【０００９】
その結果、スペーサの表面に電子が衝突し、電子の供給を受けたスペーサは、構成材料によってその表面が（＋）または（―）電位に帯電される。帯電されたスペーサは、その周囲を通過する電子ビームの経路を歪曲させるため、電子放出素子の作用時にスペーサの周囲の表示均一度が低下し、意図しない蛍光体が発光して、画面品質が低下する問題点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
したがって、本発明は、前記問題点を解消するためのものであって、本発明の目的は、スペーサの帯電を抑制して、スペーサの帯電による電子ビームの経路の歪曲及び画質の低下を予防することができる、電子放出素子及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一実施例によれば、前記電子放出素子は、所定の間隔をおいて互いに対向配置される第１基板及び第２基板と、第１基板上に形成される電子放出部と、第１基板上に形成され、電子放出部の電子の放出を制御する駆動電極と、絶縁層を間に置いて駆動電極の上部に形成され、電子ビームの通過のための開口部を有する集束電極と、第２基板の、第１基板との対向面に設けられる発光ユニットと、第１基板と前記第２基板との間に配置され、表面に導電層が形成された複数のスペーサと、を含む。この時、集束電極及び絶縁層はスペーサローディング部を有してスペーサの下端部を収納し、スペーサローディング部に導電性接着層が充填されてスペーサの導電層及び集束電極を電気的に連結する。
【００１２】
前記スペーサローディング部は絶縁層を貫通して形成され、駆動電極の間の部位に対応して位置づけられる。前記集束電極はスペーサローディング部の底面及び側面に亘って形成される。前記駆動電極は互いに絶縁されて位置するカソード電極及びゲート電極を含み、電子放出部はカソード電極に電気的に連結される。
【００１３】
本発明の他の実施例によれば、前記電子放出素子は、所定の間隔をおいて互いに対向配置される第１基板及び第２基板と、第１基板上に形成される電子放出ユニットと、第２基板の、前記第１基板との対向面に設けられる発光ユニットと、第１基板と第２基板との間に配置され、表面に導電層が形成された複数のスペーサと、を含む。この時、電子放出ユニットは、電子放出部と、電子放出部の電子の放出を制御する第１電極及び第２電極と、電子放出部から放出された電子の経路を制御して直流電圧が印加される第３電極と、第３電極の下部で第３電極を支持する絶縁層と、を含む。そして、第３電極及び絶縁層はスペーサローディング部を有してスペーサの下端部を収納し、スペーサローディング部に導電性接着層が充填されてスペーサの導電層及び第３電極を電気的に連結する。
【００１４】
本発明の一実施例によれば、前記電子放出素子の製造方法は、第１基板上に駆動電極、絶縁層、及び集束電極を形成する段階と；集束電極及び絶縁層をエッチングして電子ビームの通過のための開口部及びスペーサローディング部を同時に形成する段階と；感光性物質が含まれた導電ペーストを第１基板上に塗布した後、第１基板の後面からスペーサローディング部に紫外線を照射し、スペーサローディング部に充填された導電ペーストを選択的に硬化して導電性接着層を形成する段階と；表面に導電層が形成されたスペーサをスペーサローディング部に嵌合して固定する段階と；第１基板上に第２基板を整列した後、第１基板及び第２基板を接合させる段階と；を含む。
【００１５】
前記開口部は駆動電極上に形成され、スペーサローディング部は駆動電極の間の部位に形成される。
【００１６】
本発明の他の実施例によれば、前記電子放出素子の製造方法は、第１基板上に駆動電極及び絶縁層を形成する段階と；絶縁層をエッチングしてスペーサローディング部を形成する段階と；絶縁層の表面に導電物質をコーティングしてスペーサローディング部の底面、側面、及び絶縁層の上面に集束電極を形成する段階と；集束電極及び絶縁層をエッチングして電子ビームの通過のための開口部を形成する段階と；スペーサローディング部に導電ペーストを充填して導電性接着層を形成する段階と；表面に導電層が形成されたスペーサをスペーサローディング部に嵌合して固定する段階と；第１基板上に第２基板を整列した後、第１基板及び第２基板を接合させる段階と；を含む。
【発明の効果】
【００１７】
本発明による電子放出素子は、駆動時にスペーサがチャージングされるのを抑制して、スペーサの周囲で電子ビームの歪曲が発生せず、その結果、スペーサの周囲の視認性及び表示均一度を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、添付した図面を参照して、本発明の好ましい実施例をより詳細に説明する。
【００１９】
図１乃至図３を参照すれば、電子放出素子は、所定の間隔をおいて互いに平行に対向配置される第１基板２及び第２基板４を含む。第１基板２及び第２基板４の周縁には側面隔壁（図示せず）が配置されて、両基板と共に真空の内部空間を形成する。
【００２０】
前記第１基板２の、第２基板４との対向面には、第２基板４に向かって電子を放出する電子放出ユニット１００が設けられ、第２基板４の、第１基板２との対向面には、前記電子によって可視光を放出して所定の発光または表示作用を行う発光ユニット２００が設けられる。
【００２１】
まず、第１基板２上には、カソード電極６が第１基板２の一方向に沿ってストライプパターンに形成され、カソード電極６を覆いながら第１基板２全体に第１絶縁層８が形成される。第１絶縁層８上には、ゲート電極１０がカソード電極６と直交する方向に沿ってストライプパターンに形成される。
【００２２】
本実施例で、カソード電極６及びゲート電極１０の交差領域を画素領域と画定すれば、カソード電極６上に各画素領域ごとに電子放出部１２が形成され、第１絶縁層８及びゲート電極１０には、各電子放出部１２に対応する各々の開口部８１、１０１が形成されて、第１基板２上に電子放出部１２が露出されるようにする。電子放出部１２の平面形態、画素領域当りの個数、及び配列形態などは例示したものに限定されず、多様に変形可能である。
【００２３】
前記電子放出部１２は、真空中で電界が加えられると電子を放出する物質、たとえばカーボン系物質またはナノメートルサイズの物質からなる。電子放出部１２は、カーボンナノチューブ、黒鉛、黒鉛ナノファイバー、ダイヤモンド、ダイヤモンド状カーボン、Ｃ６０、及びシリコンナノワイヤーのうちのいずれか一つまたはこれらの組み合わせからなる物質を含むことができる。電子放出部１２の製造法としては、直接成長、スクリーン印刷、化学気相蒸着、またはスパッタリングなどを適用することができる。
【００２４】
本実施例で、カソード電極６及びゲート電極１０は、駆動電極として画素別にオン／オフ及び電子放出量を制御する。つまり、カソード電極６及びゲート電極１０の、一方の電極には走査信号電圧が印加され、他方の電極には走査信号電圧と数乃至数十ボルトの電圧差を有するデータ信号電圧が印加される。したがって、カソード電極６とゲート電極１０との間の電圧差が臨界値以上である画素で電子放出部１２の周囲に電界が形成されて、これから電子が放出される。
【００２５】
一方、前記ではゲート電極１０がカソード電極６の上部に位置しているが、図４に示すように、カソード電極６´及びゲート電極１０´はその位置を変更して形成することもできる。図示した電子放出ユニット１０１において、カソード電極６´は、第１絶縁層８´を間に置いてゲート電極１０´の上部に形成される。
【００２６】
この場合、電子放出部１２´はカソード電極６´の側面と接触して第１絶縁層８´上に形成することができ、ゲート電極１０´と電気的に連結される対向電極１３がカソード電極６´の間で電子放出部１２´と離隔して位置づけることができる。対向電極１３は、ゲート電極１０´の電界を第１絶縁層８´上に押し上げて電子放出部１２´の周囲に強い電界が形成されるようにする役割を果たす。
【００２７】
図１乃至図３を参照すれば、ゲート電極１０及び第１絶縁層８上に第２絶縁層１４及び集束電極１６が形成される。第２絶縁層１４及び集束電極１６にも電子ビームの通過のための各々の開口部１４１、１６１が形成される。集束電極１６は、電子ビームの経路を制御する電極であって、数乃至数十ボルトの（−）直流電圧の印加を受けて開口部１６１を通過する電子に斥力を付与し、その結果、開口部１６１を通過する電子を集束させる。
【００２８】
前記第２絶縁層１４及び集束電極１６の開口部１４１、１６１は、一例として、画素領域当り一つとすることができ、この場合、集束電極１６は、一つの画素領域から放出される電子を包括的に集束させる。
【００２９】
次に、第１基板２に対向する第２基板４の一面には、蛍光層１８及びこれと共に各蛍光層１８の間に位置して画面のコントラストを高める黒色層２０が形成される。そして、蛍光層１８及び黒色層２０上には、アルミニウムのような金属膜からなるアノード電極２２が形成される。図１乃至図３では、蛍光層１８がカソード電極６と対応してストライプパターンに形成され、黒色層２０が蛍光層１８の間でストライプパターンに形成されることを示した。
【００３０】
アノード電極２２は、外部から電子ビームの加速に必要な高電圧（約数百乃至数千ボルトの（＋）直流電圧）の印加を受け、蛍光層１８から放射された可視光のうちの第１基板２側に向かって放射された可視光を第２基板４側に反射させて画面の輝度を高める役割を果たす。
【００３１】
一方、図５に示すように、アノード電極２２´が第２基板４の一面に先に形成され、アノード電極２２´上に蛍光層１８及び黒色層２０が形成することができる。この時、アノード電極２２´は、蛍光層１８から放射された可視光を透過させることができるように、ＩＴＯ（indium tin oxide）のような透明導電膜からなる。図面において、符号２０１は、発光ユニットを示す。
【００３２】
図１乃至図３を参照すれば、第１基板２と第２基板４との間には複数のスペーサ２４が配置され、第１基板２と第２基板４との間隔を一定に維持する。このスペーサ２４は、蛍光層１８を侵犯しないように、各蛍光層２８の間に位置する黒色層２０に対応して位置づけられる。
【００３３】
本実施例で、スペーサ２４は、本体２６及び本体２６の表面に所定の厚さを有して形成される導電層２８からなる。本体２６は、一例として、ガラスまたはセラミックを機械加工したり、感光性ガラスを部分的に結晶化させた後、結晶化された部位をエッチングで除去する段階によって製作することができる。
【００３４】
この時、第１基板２に位置する集束電極１６及び第２絶縁層１４には、スペーサ２４の下端部を嵌合して固定するためのスペーサローディング部３０が形成される。スペーサローディング部３０は、第２絶縁層１４を貫通し、ゲート電極１０の間の部位、つまり第１絶縁層８の上部に位置づけて、後述する導電性接着層によって集束電極１６及びゲート電極１０が互いに通電されるのを防止する。
【００３５】
前記スペーサローディング部３０は、所定の余裕分をおいてスペーサ２４より大きな幅を有するように形成され、その内部にスペーサ２４の下端部を収納する。そして、スペーサローディング部３０の内部には、導電性接着層３２が形成される。この接着層３２は、スペーサ２４を第１基板２上に固着させると共に、集束電極１６及びスペーサ２４の導電層２８を電気的に連結させる。
【００３６】
したがって、スペーサ２４は、その一部がスペーサローディング部３０に嵌合されることによって第１基板２に対する位置固定が確実に行われ、スペーサローディング部３０に嵌合された下端部全体が導電性接着層３２で囲まれることによって集束電極１６との接触抵抗を効果的に減少させることができる。
【００３７】
この時、スペーサ２４は、図１に示す円柱型スペーサ以外に、図６に示す四角柱型スペーサ２４１、図７に示す十字柱型スペーサ２４２、及び図８に示す壁体型スペーサ２４３など多様な形態から構成することができる。図６乃至図８では、符号２６１、２６２、及び２６３が本体を示し、符号２８１、２８２、及び２８３が導電層を示す。
【００３８】
一方、図９に示すように、集束電極１６´は、第２絶縁層１４のスペーサローディング部３０の内面に沿って形成することができる。つまり、本実施例で、集束電極１６´は、スペーサローディング部３０の底面及び側面に亘って形成される。この場合、スペーサ２４の導電層２８と集束電極１６との間の接触抵抗をさらに減少させて、導電層２８と集束電極１６との間の電気的連結をより円滑にすることができる。
【００３９】
前記構造の電子放出素子は、カソード電極６とゲート電極１０との間の電圧差によって電子放出部１２から電子が放出され、放出された電子がアノード電極２２に印加された高電圧に引っ張られて対応する画素の蛍光層１８に衝突してこれを発光させる過程によって所定の発光または表示作用を行う。
【００４０】
前記過程で、電子放出部１２から放出された電子のうちの一部は、集束電極１６の集束作用にもかかわらず対応する画素の蛍光層１８に向かって直進できずに広がって、その一部がスペーサ２４に衝突する。しかし、スペーサ２４に衝突した電子は、スペーサ２４の導電層２８及び導電性接着層３２を通じて集束電極１６に流れて行くので、電子放出素子の作用時にスペーサ２４の表面はチャージングされない。
【００４１】
したがって、本実施例の電子放出素子は、スペーサ２４がチャージングされるのを抑制し、スペーサ２４の周囲で電子ビームの歪曲が発生せず、その結果、スペーサ２４の周囲の視認性及び表示均一度を高めることができる。
【００４２】
以下、スペーサローディング部３０を形成して、ここに導電性接着層３２を塗布する過程を中心に、電子放出素子の製造方法について説明する。下記では、図１０Ａ乃至図１０Ｄを参照して前記第１実施例による電子放出素子の製造方法について説明し、図１１Ａ乃至図１１Ｃを参照して前記第４実施例による電子放出素子の製造方法について説明する。
【００４３】
まず、本発明の第１実施例による電子放出素子の製造方法は下記の通りである。
【００４４】
図１０Ａに示すように、第１基板２上にカソード電極６、第１絶縁層８、及びゲート電極１０を、順次、形成し、ゲート電極１０及び第１絶縁層８上に第２絶縁層１４及び集束電極１６を形成する。
【００４５】
そして、カソード電極６及びゲート電極１０の交差領域ごとに集束電極１６及び第２絶縁層１４をエッチングしてゲート電極１０の一部の表面を露出させ、各々の開口部１６１、１４１を形成する。これと同時に、ゲート電極１０の間にスペーサが位置する部分を共にエッチングして除去してスペーサローディング部３０を形成する。
【００４６】
次に、図１０Ｂに示すように、ゲート電極１０及びその下部の第１絶縁層８をエッチングしてカソード電極１０の一部表面を露出させる各々の開口部１０１、８１を形成し、開口部１０１、８１の内側にカソード電極６上に電子放出部１２を形成する。
【００４７】
電子放出部１２の形成は、電子放出物質及び感光性物質を含むペースト状混合物を第１基板２上の全面に塗布した後、第１基板２の後面に露光マスク（図示せず）を配置した状態で、第１基板２の後面から紫外線を照射して前記混合物を部分的に硬化し、硬化しない混合物を現像によって除去した後に、残った混合物を乾燥及び焼成する段階から構成することができる。この時、カソード電極６は透明導電層から構成される。
【００４８】
そして、図１０Ｃに示すように、スペーサローディング部３０に導電ペーストを充填して導電性接着層３２を形成する。この接着層３２の形成は、感光性物質が含まれた導電ペーストを製造し、導電ペーストを第１基板２の全面に塗布した後、第１基板の後面に露光マスク（図示せず）を配置した状態で、第１基板２の後面から紫外線を照射してスペーサローディング部３０に充填された導電ペーストを選択的に硬化し、硬化しない導電ペーストを現像して除去する段階から構成することができる。
【００４９】
これにより、スペーサローディング部３０の内部にのみ選択的に導電性接着層３２を正確に形成することができる。この時、第１絶縁層８は透明物質からなり、導電性接着層３２はスペーサローディング部３０の一部を満たして形成することができる。
【００５０】
次に、図１０Ｄに示すように、本体２６及び導電層２８からなるスペーサ２４を用意し、導電性接着層３２を溶解した状態で、スペーサローディング部３０にスペーサ２４を嵌合した後、導電性接着層３２を乾燥させる。すると、スペーサ２４は、その下端部がスペーサローディング部３０に嵌合されて第１基板２上に堅固に固定され、スペーサ２４の導電層２８は接着層３２によって集束電極１６と電気的に連結される。
【００５１】
その後、図１に示すように、発光ユニット２００が形成された第２基板４を用意し、第１基板２または第２基板４の周縁に密封材（図示せず）を配置した状態で、第１基板２及び第２基板４を互いに整列し、密封材を焼成して第１基板２及び第２基板４を互いに接合させた後、内部空間を排気させて電子放出素子を完成させる。
【００５２】
次に、本発明の第４実施例による電子放出素子の製造方法は下記の通りである。
【００５３】
図１１Ａに示すように、第１基板２上にカソード電極６、第１絶縁層８、及びゲー電極１０を、順次、形成し、ゲート電極１０及び第１絶縁層８上に第２絶縁層１４を形成する。そして、第２絶縁層１４中のゲート電極１０の間の部位をエッチングしてスペーサローディング部３０を形成する。
【００５４】
次に、図１１Ｂに示すように、第２絶縁層１４上に導電物質をコーティングして集束電極１６´を形成する。そうすると、集束電極１６´がスペーサローディング部３０の底面及び側面にかけて形成される。
【００５５】
そして、カソード電極６及びゲート電極１０の交差領域ごとに集束電極１６´及び第２絶縁層１４をエッチングしてゲート電極１０の一部表面を露出させる各々の開口部１６１、１４１を形成する。そして、ゲート電極１０及びその下部の第１絶縁層８をエッチングしてカソード電極６の一部の表面を露出させる各々の開口部１０１、８１を形成した後、開口部１０１、８１の内側にあるカソード電極６上に電子放出部１２を形成する。
【００５６】
次に、図１１Ｃに示すように、スペーサローディング部３０内に導電ペーストを充填して導電性接着層３２を形成し、本体２６及び導電層２８からなるスペーサ２４を用意した後、スペーサローディング部３０にスペーサ２４を嵌合して固定する。その後の第１基板２及び第２基板４の整列及び接合過程は前記実施例の製造方法と同一である。
【００５７】
前記では、電子放出部が電界によって電子を放出する物質からなる電界放出アレイ（ＦＥＡ）型について説明したが、本発明はこのような電界放出アレイ（ＦＥＡ）型に限定されず、冷陰極電子源、駆動電極、集束電極、及びスペーサを含む他のタイプの電子放出素子にも容易に適用し得る。
【００５８】
また、前記では、本発明の好ましい実施例について説明してきたが、本発明はこれに限定されず、特許請求の範囲、発明の詳細な説明、及び添付した図面の範囲内で多様に変形して実施することが可能であり、これも、当然、本発明の範囲に属する。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の第１実施例による電子放出素子の部分分解斜視図である。
【図２】本発明の第１実施例による電子放出素子の部分断面図であって、図１のＩ−Ｉ線による断面図である。
【図３】本発明の第１実施例による電子放出素子の部分断面図であって、図１のＩＩ−ＩＩ線による断面図である。
【図４】本発明の第２実施例による電子放出素子の部分分解斜視図である。
【図５】本発明の第３実施例による電子放出素子のうちの発光ユニットを示す部分断面図である。
【図６】スペーサの変形例を示す斜視図である。
【図７】スペーサの変形例を示す斜視図である。
【図８】スペーサの変形例を示す斜視図である。
【図９】スペーサの変形例を示す斜視図である。
【図１０Ａ】本発明の第１実施例による電子放出素子の製造方法を説明するために示す各段階別概略図である。
【図１０Ｂ】本発明の第１実施例による電子放出素子の製造方法を説明するために示す各段階別概略図である。
【図１０Ｃ】本発明の第１実施例による電子放出素子の製造方法を説明するために示す各段階別概略図である。
【図１０Ｄ】本発明の第１実施例による電子放出素子の製造方法を説明するために示す各段階別概略図である。
【図１１Ａ】本発明の第４実施例による電子放出素子の製造方法を説明するために示す各段階別概略図である。
【図１１Ｂ】本発明の第４実施例による電子放出素子の製造方法を説明するために示す各段階別概略図である。
【図１１Ｃ】本発明の第４実施例による電子放出素子の製造方法を説明するために示す各段階別概略図である。
【符号の説明】
【００６０】
２  第１基板
４  第２基板
６  カソード電極
８  第１絶縁層
１０  ゲート電極
１２  電子放出部
１３  対向電極
１４  第２絶縁層
１６  集束電極
１８  蛍光層
２０  黒色層
２２  アノード電極
２４  スペーサ
２６  本体
２８  導電層
３０  スペーサローディング部
３２  導電性接着層
８１、１０１、１４１、１６１  開口部
１００  電子放出ユニット
２００  発光ユニット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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【図１０Ｄ】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１１Ｃ】
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