(57)【要約】【課題】  適切な観察を行うために、特に試料汚染及びパターン収縮を抑えるために、操作者にかかる負担を軽減することができる電子顕微鏡を提供する。【解決手段】  電子線の照射が開始されると、警告値比較部５が警告値入力部３に入力された警告値とドーズ量測定部１が測定した累積ドーズ量とを比較し、許容値比較部４が累積ドーズ量と許容値入力部２に入力された許容値とを比較する。これらの比較の結果、累積ドーズ量が警告値に達している場合、累積ドーズ量が許容値に近づいている旨の警告を警告部８が発し、累積ドーズ量が許容値に達している領域が存在する場合、通知部６がその旨を通知する。また、累積ドーズ量が許容値に達している領域が存在する場合には、照射遮断部７が当該領域への電子線の照射を遮断する。特に、チップ全体で累積ドーズ量が許容値に達している場合には、照射対象変更部９が他のチップへ電子線を照射するようにステージ等の制御を行う。【選択図】  図１
2006004661.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料に照射された電子線の累積ドーズ量を測定するドーズ量測定手段と、
前記試料に照射される電子線の累積ドーズ量の許容値を使用者に入力させる許容値入力手段と、
前記累積ドーズ量と前記許容値とを比較する許容値比較手段と、
前記許容値比較手段による比較の結果、前記累積ドーズ量が前記許容値に達している領域が存在する場合に、使用者に対してその旨を通知する通知手段と、
を有することを特徴とする電子顕微鏡。
【請求項２】
前記累積ドーズ量が前記許容値に達している領域が存在する場合に、当該領域への電子線の照射を遮断する照射遮断手段を有することを特徴とする請求項１に記載の電子顕微鏡。
【請求項３】
前記累積ドーズ量が前記許容値に達している領域が存在する場合に、電子線の照射対象を変更する照射対象変更手段を有することを特徴とする請求項１に記載の電子顕微鏡。
【請求項４】
自動測長プログラムを登録する際に、当該自動測長プログラムを実行する際の累積ドーズ量を推測し、測長の対象パターンに対する累積ドーズ量が前記許容値に達する場合には、当該自動測長プログラムの登録を拒否することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電子顕微鏡。
【請求項５】
前記自動測長プログラムの実行中に、前記測長の対象パターンに対する累積ドーズ量が前記許容値に達した場合、電子線の照射対象を、前記試料内に存在し前記測長の対象パターンと同じ条件で形成されたパターンに変更することを特徴とする請求項４に記載の電子顕微鏡。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の測長に好適な電子顕微鏡に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス等の微細加工装置のパターン測長やパターンの概観検査を行うために、走査型電子顕微鏡等の電子顕微鏡が用いられている。しかし、観察対象であるパターンに電子線を照射すると、試料汚染が生じる。この試料汚染は、試料から放出されたガス又は試料の周囲の雰囲気中に存在する微量のＣＯ2若しくはＨ2Ｏが電子線照射によって分解・再結合し、カーボンや炭化水素の皮膜となって試料表面に堆積することによるものであると考えられている。この電子線照射による試料汚染が、例えば半導体集積回路のフォトレジストパターン上に生じると、次工程の露光及びエッチング等の障害となり、集積回路としては不良品となることがある。また、観測すべきパターンの外形も試料汚染によって変化してしまうため、計測値が不正確になってしまうという問題がある。更に、ＡｒＦレジストパターンは電子線に対して非常に弱く、数秒でパターン線幅が変動してしまうパターン収縮の問題が知られている。
【０００３】
この試料汚染及びパターン収縮を抑制するためには、特にプロセスに悪影響を及ぼすことない範囲にとどめるためには、次式で表させる電子照射量（以下、ドーズ量という）を最小限に抑える必要性がある。
ドーズ量＝単位面積当たりの照射電流×照射時間
【０００４】
そこで、従来、ドーズ量を少なくするために、ビームブランキングを用いて不要な電子線照射を避たり、画像処理によりＳ／Ｎ比を向上させて高画像を得る等の方法が採られている。また、近年のパターン幅測長機能を有する電子顕微鏡では、高度の画像処理技術を用いて、視野選択、像調整、測長等をＣＰＵに行わせることによって、ドーズ量を小さくすることができるようになってきている。例えば、操作者が手動で像調整をする場合や、外観検査装置として電子顕微鏡を使用する場合は、Ｓ／Ｎ比を損なわない程度に照射電流を小さくすることでドーズ量を少なくしている。
【０００５】
しかし、照射電流を小さくしただけでは、総ドーズ量を許容範囲内に抑えることができないことがあり、試料汚染及びパターン収縮を十分に抑制することができない。
【０００６】
また、特許文献１（特開平９−５０７７８号公報）には、観察を開始してからのドーズ量を演算して操作者に表示する電子顕微鏡や、計時を行って電子線の照射時間が許容時間に到達すると照射を停止する電子顕微鏡が開示されている。
【０００７】
しかしながら、特許文献１に開示された電子顕微鏡においても、試料汚染及びパターン収縮を十分に抑制することができない。また、操作者は、常にタイマ等でドーズ量を気にかけながら観察を行う必要がある。
【０００８】
【特許文献１】特開平９−５０７７８号公報
【特許文献２】特開平９−６９３４９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、適切な観察を行うために、特に試料汚染及びパターン収縮を抑えるために、操作者にかかる負担を軽減することができる電子顕微鏡を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本願発明者は、従来の電子顕微鏡によっても十分にパターン収縮等を抑制することができない原因を究明すべく鋭意検討を重ねた結果、オートフォーカスの際のドーズ量やパターンマッチングの際のドーズ量が考慮されていないことを見出した。例えば、オートフォーカスにおいて焦点を合わせにくい場合及びパターンマッチングが困難な場合には、測定スキャンが複数回行われ、その間にもドーズ量が上昇している。従って、これらの操作の間にも測定パターンに悪影響が及んでいるのである。このような現象は、特に自動測長でパターンを測長する場合に顕著である。
【００１１】
そして、本願発明者は、前記見解に基づき更に鋭意検討を重ねた結果、以下に示す発明の諸態様に想到した。
【００１２】
本願発明に係る電子顕微鏡には、試料に照射された電子線の累積ドーズ量を測定するドーズ量測定手段が設けられている。更に、この電子顕微鏡には、前記試料に照射される電子線の累積ドーズ量の許容値を使用者に入力させる許容値入力手段と、前記累積ドーズ量と前記許容値とを比較する許容値比較手段と、前記許容値比較手段による比較の結果、前記累積ドーズ量が前記許容値に達している領域が存在する場合に、使用者に対してその旨を通知する通知手段と、が設けられている。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、ある領域の累積ドーズ量が、予め定められた許容値に達すると、その旨が使用者に通知されるため、使用者は、それまで観察中に照射時間等を気にかけていなくても、その時点で行っている観察及び測長では、比較的大きな試料汚染又はパターン収縮が生じていることを認識することができる。また、その領域への電子線の照射を遮断するか、又は電子線の照射対象を変更することにより、試料汚染及びパターン収縮に伴う問題を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について添付の図面を参照して具体的に説明する。
【００１５】
（第１の実施形態）
先ず、本発明の第１の実施形態について説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）の主な機能構成を示す機能ブロック図である。
【００１６】
本実施形態には、試料に照射された電子線の累積ドーズ量を測定するドーズ量測定部１、操作者に対して累積ドーズ量の許容値（許容ドーズ量）を入力させる許容値入力部２、操作者（使用者）に対して累積ドーズ量の警告値（警告ドーズ量）を入力させる警告値入力部３、累積ドーズ量と許容値との比較を行う許容値比較部４、及び、累積ドーズ量と警告値との比較を行う警告値比較部５が設けられている。本実施形態には、累積ドーズ量が許容値に達している領域が存在する場合に、操作者に対してその旨を通知する通知部６、当該領域への電子線の照射を遮断する照射遮断部７、及び、累積ドーズ量が警告値に達している領域が存在する場合に、操作者に対して警告を発する警告部８も設けられている。更に、本実施形態には、チップ全体で累積ドーズ量が許容値に達している場合に、試料のステージ又は電子銃等を制御することにより、電子線を照射する対象を隣のチップに変更する照射対象変更部９が設けられている。これらの各部は、例えば、ＣＰＵ（コンピュータ）、プログラム及びメモリ等により構成される。
【００１７】
ドーズ量測定部１には、試料に対して電子線の照射を開始してからの経過時間を計測する計時部１１、試料に対して照射されている電子線の照射電流を測定する電流測定部１２、及び、設定されている倍率を認識する倍率認識部１３が設けられている。このように構成されたドーズ量測定部１は、手動による焦点合わせ時、オートフォーカスによる焦点合わせ時及びパターンマッチング時を含む、試料に電子線が照射されている時間において、試料に照射された累積ドーズ量を測定する。
【００１８】
許容値入力部２及び警告値入力部３は、例えば、操作者が操作可能なテンキー及びダイヤル等、並びに入力された値を表示する表示装置等から構成される。許容値入力部２及び警告値入力部３は、テンキー等を共用してもよい。この場合、スイッチ等により入力項目を切り換えればよい。ここで、累積ドーズ量の許容値とは、操作者が経験等に基づいて入力する値であり、その値を超えて電子線が照射された場合には所望の観察及び測長を行うことができないと判断する値である。また、累積ドーズ量の警告値とは、操作者が経験等に基づいて入力する値であり、累積ドーズ量が許容値に近づいてきていることを警告する際の基準とする値である。従って、警告値は許容値よりも低い。
【００１９】
許容値比較部４及び警告値比較部５は、夫々、ドーズ量測定部１により測定された累積ドーズ量と、許容値及び警告値とを比較し、累積ドーズ量が許容値又は警告値に達しているか否かの判断を行う。
【００２０】
通知部６及び警告部８は、例えばＣＲＴ等の表示装置（図示せず）に表示を行うことにより通知、警告を行う。警告部８による警告の方法としては、警告前の状態では、表示画面の外枠の部分を青色としておき、警告を発する際に、その色を青色から黄色に変化させるという方法、及び、累積ドーズ量が警告値に達した領域を黄色の枠で囲んで表示するという方法等が挙げられる。また、通知部６による通知の方法としては、通知前の状態では、警告部８による警告のために、外枠の色が黄色となっているところ、その色を黄色から赤色に変化させるという方法、及び、累積ドーズ量が許容値に達した領域を赤色の枠で囲んで表示するという方法等が挙げられる。また、これらの色の変化に合わせて、アラーム音を用いた警告及び通知を行ってもよい。
【００２１】
照射遮断部７は、許容値比較部４から累積ドーズ量が許容値に達している領域が存在する旨の通知を受けると、当該領域には電子線が照射されないような制御を行う。このような制御としては、例えばビームブランキングを行うことが挙げられる。照射遮蔽部７は、例えばＣＰＵ、プログラム及びメモリ等により構成される。
【００２２】
照射対象変更部９は、チップ全体で累積ドーズ量が許容値に達している場合には、電子線を照射できる領域が存在しないため、試料のステージ又は電子銃等を制御することにより、電子線を照射する対象を隣のチップに変更する。
【００２３】
次に、上述のように構成されたＳＥＭの動作について説明する。図２−１及び図２−２は、本発明の第１の実施形態に係るＳＥＭの動作を示すフローチャートである。ここでは、同じパターンが形成された複数のチップが１個の試料として同時にＳＥＭに挿入されるものとする。
【００２４】
先ず、図２−１に示すように、操作者に対して許容値（許容ドーズ量）及び警告値（警告ドーズ量）を入力させる（ステップＳ１）。次に、ＳＥＭ内に設定されているビーム電流及びランディング電圧を取得する（ステップＳ２）。次いで、操作者に対して測定対象の確認を行わせる（ステップＳ３）。ここでは、測長対象が、（１）エッチング後の窒化膜等のパターン、（２）ｉ線レジスト若しくはＫｒＦレジストのパターン、又は（３）ＡｒＦレジスト若しくはＦ2レジストのパターンのいずれであるかの確認を行う。これらの３種のパターンでは、電子線照射による試料汚染及びパターン収縮の程度が大きく相違する。従って、これらの３種のパターンを選択可能にしておくことが好ましい。以下の説明では、試料がＡｒＦレジストのパターンであるものとする。
【００２５】
そして、観察を開始する（ステップＳ４）。ここから、電子線がチップに照射される。パターンの測長を行う場合には、例えば、低倍率にて測長対象であるパターンの凡その位置を探し出した後、そのパターン又はその周囲のパターンを用いて焦点の調整を行う。その後、高倍率にて測長対象であるパターンの位置を探し出し、所望の位置の測長を行う。
【００２６】
本実施形態では、電子線のチップへの照射が開始されると、ドーズ量測定部１が累積ドーズ量を測定する（ステップＳ５）。従って、上述のような測長が行われる場合であっても、低倍率での探索から測長までの間、ドーズ量測定部１が、常に累積ドーズ量を測定する。なお、初期状態では、パターン１０２等の観察像を表示するディスプレイの表示画面の外枠部分１０１は、図３−１に示すように、青色となっている。
【００２７】
また、ドーズ量測定部１による測定に追随して、警告値比較部５が警告値と累積ドーズ量との比較を行う（ステップＳ６）。この比較の結果、いずれかの領域で累積ドーズ量が警告値に達している場合には、警告部８が警告表示を行う（ステップＳ７）。警告表示としては、例えば、図３−２に示すように、ディスプレイの表示画面の外枠部分１０１を青色から黄色に変化させる。このとき、警告領域１０３を表示してもよい。
【００２８】
その後、許容値比較部４が許容値と累積ドーズ量との比較を行う（ステップＳ８）。この比較の結果、いずれかの領域で累積ドーズ量が許容値に達している場合には、照射遮断部７がその許容値に達した領域への電子線の照射を遮断する（ステップＳ９）。また、一部の領域に対する電子線照射を遮断した旨の表示として、例えば、図３−３に示すように、ディスプレイの表示画面の外枠部分１０１を黄色から赤色に変化させる。このとき、警告領域１０３を表示してもよい。
【００２９】
続いて、許容値比較部４が、チップ全体で累積ドーズ量が許容値に達しているか否かの判断を行う（ステップＳ１０）。この比較の結果、チップ全体で累積ドーズ量が許容値に達していなければ、ステップＳ５に戻る。なお、ステップＳ５に戻った後には、既に警告表示（ステップＳ７）がなされている場合、ステップＳ６及びＳ７を省略することが好ましい。
【００３０】
ステップＳ１０において、チップ全体で累積ドーズ量が許容値に達している場合には、図２−２に示すように、電子線の照射を中止する（ステップＳ１１）。次いで、電子線の照射を中止した旨をディスプレイに表示する（ステップＳ１２）。続いて、照射対象変更部９が、試料のステージ又は電子銃を制御することにより、電子線を照射する対象を隣のチップに変更し（ステップＳ１３）、再度、観察を可能とする（ステップＳ４）。
【００３１】
このような第１の実施形態では、累積ドーズ量が許容値に達すると、その旨が操作者に知らされると共に、強制的にその領域への電子線の照射が遮断されるため、操作者は、観察時間等を気にせずに観察に集中することができる。また、累積ドーズ量が許容値よりも小さい警告値に達すると、警告が発せられるため、操作者は、観察に集中していたとしても、間もなく許容値に達することを認識することができる。特に、これらの通知及び警告を、観察像を表示する表示画面に表示することにより、操作者が認識しやすくなる。
【００３２】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。第２の実施形態は、パターンの測長を自動的に行う自動測長プログラム（自動測長レシピ）を登録可能な電子顕微鏡において、プログラムを登録する際に、累積ドーズ量の類推を行い、登録の可否の判断を行う。
【００３３】
本実施形態で採用する自動測長プログラムは、ＳＥＭが備えるＣＰＵ（コンピュータ）に、（１）オートフォーカスによる焦点合わせ、（２）低倍率でのパターンマッチング、（３）高倍率でのパターンマッチング、及び、（４）測長を行わせる。そこで、本実施形態では、この自動測長プログラムに、図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、オートフォーカスを行う際に用いる領域１１１、低倍率でのパターンマッチングの際に基準として用いる領域１１２、高倍率でのパターンマッチングの際に基準として用いる領域１１３、及び測長対象とする領域１１４を登録する。
【００３４】
そして、本実施形態では、自動測長プログラムが操作者により作成された後、ＣＰＵが、（１）オートフォーカスによる焦点合わせ時の累積ドーズ量、（２）低倍率でのパターンマッチング時の累積ドーズ量、（３）高倍率でのパターンマッチング時の累積ドーズ量、及び、（４）測長時の累積ドーズ量を、各動作時に要すると見積もられる測定倍率、フレーム数（照射時間）及び照射電流に基づいて、算出し、測長対象とするパターンにおける累積ドーズ量を推定する。
【００３５】
その後、推定した累積ドーズ量と許容値とを比較し、推定した累積ドーズ量が許容値に達する場合には、その自動測長プログラムの登録を拒否すると共に、オートフォーカスを行う際に用いる領域１０１、低倍率でのパターンマッチングの際に基準として用いる領域１０２、及び高倍率でのパターンマッチングの際に基準として用いる領域１０３を変更することを操作者に促す。このとき、アラーム音を発してもよい。
【００３６】
その後、新たな自動測長プログラムが作成されると、上述の手順と同様の手順をＣＰＵが処理し、推定した累積ドーズ量が許容値に達しない場合には、当該自動測長プログラムの登録を許可する。
【００３７】
なお、操作者は、領域１０１〜１０３の変更を促された場合には、図５に示すように、これらの領域を測長対象とする領域１１４から離間した領域に変更すればよい。また、ＣＰＵが領域の変更を促す際に、領域１１４から離間した領域を変更先として同時に推奨してもよい。
【００３８】
このような第２の実施形態では、自動測長プログラムの実行中に累積ドーズ量が許容値を超えて過剰なパターン収縮が発生すること等を未然に抑制することができる。但し、上述のような対策を採用しても、この方法は推測に基づくものであるため、実際の測長中に、累積ドーズ量が許容値に達することを完全に防止することはできない。
【００３９】
そこで、実際の測長中に、累積ドーズ量が許容値に達した場合には、第１の実施形態においてチップ全体で累積ドーズ量が許容値に達した場合と同様にして、電子線の照射を中止し、電子線の照射先を、例えば隣のチップに移動させ、そのチップ内に形成されている同じパターンに対して自動測長を行うようにすればよい。
【００４０】
このように、自動測長プログラムを作成する際及び自動測長プログラムを実行する際にも、累積ドーズ量を考慮して、許容値以上の累積ドーズ量になることが予想される場合や、実際に許容値以上の累積ドーズ量になった場合に、アラーム音を発したり、自動測長プログラムの再作成表示や隣のチップへ移動させた上での再度測定を行ったりすることにより、試料汚染及びパターン収縮に伴う問題を抑制することができる。
【００４１】
なお、第１及び第２の実施形態のいずれにおいても、低倍率のパターンマッチングを省略してもよい。また、電子顕微鏡として、透過型電子顕微鏡を用いてもよい。更に、観察対象及び測長対象は半導体装置に関するものに限定されず、電子顕微鏡で観察又は測長をできるものであれば、どのようなものを対象としてもよい。また、電子線の照射対象を変更する際の単位は、チップ単位に限定されない。
【００４２】
以下、本発明の諸態様を付記としてまとめて記載する。
【００４３】
（付記１）
試料に照射された電子線の累積ドーズ量を測定するドーズ量測定手段と、
前記試料に照射される電子線の累積ドーズ量の許容値を使用者に入力させる許容値入力手段と、
前記累積ドーズ量と前記許容値とを比較する許容値比較手段と、
前記許容値比較手段による比較の結果、前記累積ドーズ量が前記許容値に達している領域が存在する場合に、使用者に対してその旨を通知する通知手段と、
を有することを特徴とする電子顕微鏡。
【００４４】
（付記２）
前記累積ドーズ量が前記許容値に達している領域が存在する場合に、当該領域への電子線の照射を遮断する照射遮断手段を有することを特徴とする付記１に記載の電子顕微鏡。
【００４５】
（付記３）
前記累積ドーズ量が前記許容値に達している領域が存在する場合に、電子線の照射対象を変更する照射対象変更手段を有することを特徴とする付記１に記載の電子顕微鏡。
【００４６】
（付記４）
前記通知手段は、前記試料の像を表示する表示装置に、前記累積ドーズ量が前記許容値に達している領域が存在する旨を示す表示を行わせることを特徴とする付記１乃至３のいずれか１項に記載の電子顕微鏡。
【００４７】
（付記５）
前記試料に照射される電子線のドーズ量の警告値を使用者に入力させる警告値入力手段と、
前記累積ドーズ量と前記警告値とを比較する警告値比較手段と、
前記警告値比較手段による比較の結果、前記累積ドーズ量が前記警告値に達している場合に、使用者に対して、前記累積ドーズ量が前記許容値に近づいている旨の警告を発する警告手段と、
を有することを特徴とする付記１乃至４のいずれか１項に記載の電子顕微鏡。
【００４８】
（付記６）
前記警告手段は、前記試料の像を表示する表示装置に、前記累積ドーズ量が前記許容値に近づいている旨を示す表示を行わせることを特徴とする付記５に記載の電子顕微鏡。
【００４９】
（付記７）
前記ドーズ量測定手段は、
前記試料に電子線が照射されている照射時間を計測する計時手段と、
前記電子線の照射電流を測定する電流測定手段と、
を有し、
前記照射時間、前記照射電流及び設定されている倍率に基づいて、累積ドーズ量を測定することを特徴とする付記１乃至６のいずれか１項に記載の電子顕微鏡。
【００５０】
（付記８）
自動測長プログラムを登録する際に、当該自動測長プログラムを実行する際の累積ドーズ量を推測し、測長の対象パターンに対する累積ドーズ量が前記許容値に達する場合には、当該自動測長プログラムの登録を拒否することを特徴とする付記１乃至７のいずれか１項に記載の電子顕微鏡。
【００５１】
（付記９）
試料に照射された電子線の累積ドーズ量を測定するドーズ量測定手段と、
前記試料に照射される電子線の累積ドーズ量の許容値を使用者に入力させる許容値入力手段と、
を有し、
自動測長プログラムを登録する際に、当該自動測長プログラムを実行する際の累積ドーズ量を推測し、測長の対象パターンに対する累積ドーズ量が前記許容値に達する場合には、当該自動測長プログラムの登録を拒否することを特徴とする電子顕微鏡。
【００５２】
（付記１０）
前記自動測長プログラムの実行中に、前記測長の対象パターンに対する累積ドーズ量が前記許容値に達した場合、電子線の照射対象を、前記試料内に存在し前記測長の対象パターンと同じ条件で形成されたパターンに変更することを特徴とする付記８又は９に記載の電子顕微鏡。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）の主な機能構成を示す機能ブロック図である。
【図２−１】本発明の第１の実施形態に係るＳＥＭの動作を示すフローチャートである。
【図２−２】図２−１に引き続き、第１の実施形態に係るＳＥＭの動作を示すフローチャートである。
【図３−１】ディスプレイの表示画面の変遷を示す図である。
【図３−２】図３−１に引き続き、ディスプレイの表示画面の変遷を示す図である。
【図３−３】図３−２に引き続き、ディスプレイの表示画面の変遷を示す図である。
【図４】自動測長プログラムを作成する際の各領域の関係を示す図である。
【図５】変更後の各領域の関係を示す図である。
【符号の説明】
【００５４】
１：ドーズ量測定部
２：許容値入力部
３：警告値入力部
４：許容値比較部
５：警告値比較部
６：通知部
７：照射遮断部
８：警告部
９：照射対象変更部
１１：計時部
１２：電流測定部
１３：倍率認識部
１０１：外枠
１０２：パターン（ＡｒＦレジストパターン）
１０３：警告領域
【図１】
2006004661.tif 000003
【図２−１】
2006004661.tif 000004
【図２−２】
2006004661.tif 000005
【図３−１】
2006004661.tif 000006
【図３−２】
2006004661.tif 000007
【図３−３】
2006004661.tif 000008
【図４】
2006004661.tif 000009
【図５】
2006004661.tif 000010