(57)【要約】【課題】ルツボで気化された蒸着物質による噴射ノズルの詰まりまたはスプラッシュ現象を防止して，基板に形成される有機物層の均一度を高めることができる蒸発源の加熱制御方法，蒸発源の冷却制御方法および蒸発源の制御方法を提供すること。【解決手段】バッファー領域と成膜領域とを有する蒸着システムで，蒸着物質を収容するルツボ２２と，上記ルツボで気化された上記蒸着物質を案内する誘導路２４と，上記誘導路に案内された上記蒸着物質を噴射する噴射ノズル部２６と，を具備した蒸発源２０の加熱制御方法において，ａ）上記誘導路および噴射ノズル部を加熱する段階と，ｂ）上記ａ段階の後に，上記ルツボを加熱する段階と，を含む。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
バッファー領域と成膜領域とを有する蒸着システムで，蒸着物質を収容するルツボと，前記ルツボで気化された前記蒸着物質を案内する誘導路と，前記誘導路に案内された前記蒸着物質を噴射する噴射ノズル部と，を具備した蒸発源の加熱制御方法において：
ａ）前記誘導路および噴射ノズル部を加熱する段階と；
ｂ）前記ａ段階の後に，前記ルツボを加熱する段階と；
を含むことを特徴とする，蒸発源の加熱制御方法。
【請求項２】
前記ルツボは，第１加熱体によって加熱され，
前記誘導路および噴射ノズル部は，第２加熱体によって加熱されることを特徴とする，請求項１に記載の蒸発源の加熱制御方法。
【請求項３】
前記ｂ段階は，
ｃ）温度制御方式で前記ルツボを加熱する段階と；
ｄ）蒸発率制御方式で前記ルツボを加熱する段階と；
を含むことを特徴とする，請求項１に記載の蒸発源の加熱制御方法。
【請求項４】
前記ａおよびｂ段階を行う時，前記蒸発源は前記バッファー領域に位置することを特徴とする，請求項１に記載の蒸発源の加熱制御方法。
【請求項５】
バッファー領域と成膜領域とを有する蒸着システムで，蒸着物質を収容するルツボと，前記ルツボで気化された前記蒸着物質を案内する誘導路と，前記誘導路に案内された前記蒸着物質を噴射する噴射ノズル部と，を具備した蒸発源の冷却制御方法において：
ａ）前記ルツボを冷却する段階と；
ｂ）前記ａ段階の後に，前記誘導路および噴射ノズル部を冷却する段階と；
を含むことを特徴とする，蒸発源の冷却制御方法。
【請求項６】
前記ａ段階の後に，蒸発率をモニタリングして前記蒸発率が所定蒸発率以下の場合に前記ｂ段階を行うことを特徴とする，請求項５に記載の蒸発源の冷却制御方法。
【請求項７】
前記ａおよびｂ段階を行う時，前記蒸発源は前記バッファー領域に位置することを特徴とする，請求項５に記載の蒸発源の冷却制御方法。
【請求項８】
バッファー領域と成膜領域とを有する蒸着システムで，蒸着物質を収容するルツボと，前記ルツボで気化された前記蒸着物質を案内する誘導路と，前記誘導路に案内された前記蒸着物質を噴射する噴射ノズル部と，を具備した蒸発源の制御方法において：
ａ）誘導路および噴射ノズル部を加熱する段階と；
ｂ）ルツボを加熱する段階と；
ｃ）蒸着を行う段階と；
ｄ）前記ルツボを冷却する段階と；
ｅ）前記誘導路および噴射ノズル部を冷却する段階と；
を含むことを特徴とする，蒸発源の制御方法。
【請求項９】
前記ｂ段階は，
ｆ）温度制御方式で前記ルツボを加熱する段階と；
ｇ）蒸発率制御方式で前記ルツボを加熱する段階と；
を含むことを特徴とする，請求項８に記載の蒸発源の制御方法。
【請求項１０】
前記ｃ段階は，
ｈ）蒸発率の安定化の要否を判断する段階と；
ｉ）前記ｈ段階で前記蒸発率が安定化されたと判断されれば，蒸発源を前記バッファー領域から前記成膜領域に移動させて蒸着を行う段階と；
を含むことを特徴とする，請求項８に記載の蒸発源の制御方法。
【請求項１１】
前記ｈ段階において，前記蒸発率が所定範囲内に属すれば前記蒸発率が安定化されたと判断することを特徴とする，請求項１０に記載の蒸発源の制御方法。
【請求項１２】
前記ｈ段階において，前記蒸発率が所定期間中継続して所定範囲内に属すれば前記蒸発率が安定化されたと判断することを特徴とする，請求項１０に記載の蒸発源の制御方法。
【請求項１３】
前記ｄ段階の後に，前記蒸発率をモニタリングして前記蒸発率が所定蒸発率以下の場合に前記ｅ段階を行うことを特徴とする，請求項８に記載の蒸発源の制御方法。
【請求項１４】
前記ａ，ｂ，ｄ，ｅ段階を行う時，前記蒸発源は前記バッファー領域に位置することを特徴とする，請求項８に記載の蒸発源の制御方法。
【請求項１５】
前記ルツボは，第１加熱体によって加熱され，
前記誘導路および噴射ノズル部は，第２加熱体によって加熱されることを特徴とする，請求項８に記載の蒸発源の制御方法。
【請求項１６】
バッファー領域と成膜領域とを有する蒸着システムで，蒸着物質を収容するルツボと，前記ルツボで気化された前記蒸着物質を案内する誘導路と，前記誘導路に案内された前記蒸着物質を噴射する噴射ノズル部と，を具備した蒸発源の制御方法において：
ａ）温度制御方式で蒸発源を加熱する段階と；
ｂ）前記ａ段階の後に，蒸発率制御方式で前記蒸発源を加熱する段階と；
ｃ）蒸着を行う段階と；
を含むことを特徴とする，蒸発源の制御方法。
【請求項１７】
前記ａ段階は，
ｄ）所定の第１温度を目標温度に設定し，温度制御方式で前記蒸発源を加熱する段階と；
ｅ）所定の第２温度を目標温度に設定し，温度制御方式で前記蒸発源を加熱する段階と；
を含むことを特徴とする，請求項１６に記載の蒸発源の制御方法。
【請求項１８】
前記第２温度は，前記第１温度より高いことを特徴とする，請求項１７に記載の蒸発源の制御方法。
【請求項１９】
前記ｂ段階以後，
ｆ）蒸発率の安定化の要否を判断して前記蒸発率が安定化された場合に，ｃ段階を行うようにする段階を追加的に含むことを特徴とする，請求項１６に記載の蒸発源の制御方法。
【請求項２０】
前記ｆ段階において，前記蒸発率が所定範囲内に属すれば前記蒸発率が安定化されたと判断することを特徴とする，請求項１９に記載の蒸発源の制御方法。
【請求項２１】
前記ｆ段階において，前記蒸発率が所定期間中継続して所定範囲内に属すれば前記蒸発率が安定化されたと判断することを特徴とする，請求項１９に記載の蒸発源の制御方法。
【請求項２２】
ａおよびｂ段階を行う時には，前記蒸発源は前記バッファー領域に位置し，ｃ段階を行う時には，前記蒸発源は前記成膜領域に移動することを特徴とする，請求項１６に記載の蒸発源の制御方法。
【請求項２３】
前記ｃ段階において，前記蒸発源は前記成膜領域で上下に移動することを特徴とする，請求項１６に記載の蒸発源の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，蒸発源の加熱制御方法，蒸発源の冷却制御方法および蒸発源の制御方法に関し，特に，蒸発源において，材料の変性，ノズル部の詰まりおよびスプラッシュを防止することができる蒸発源の加熱制御方法，蒸発源の冷却制御方法および蒸発源の制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に，平板ディスプレイのうちの一つである電界発光ディスプレイ装置は，発光層として使用する物質に応じて，無機電界発光ディスプレイ装置と有機電界発光ディスプレイ装置に分けられ，有機電界発光ディスプレイ装置は低電圧で駆動が可能であり，軽量かつ薄型で視野角が広いだけでなく，応答速度も速いという長所を具備しているため，脚光を浴びている。
【０００３】
このような有機電界発光ディスプレイ装置の有機電界発光素子は，基板上に積層式に形成される陽極有機物層および陰極で構成される。有機電界発光素子は，正孔と電子が再結合して光を放出する有機発光層の有機物層を含む。また，正孔と電子を有機発光層に円滑に輸送して発光効率を高めるために，陰極と有機発光層の間に電子注入層と電子輸送層の有機物層を介在させながら，陽極と有機発光層の間に正孔注入層と正孔輸送層の有機物層を介在させる。
【０００４】
上述された構造でなる有機電界発光素子は，一般に真空蒸着法，イオンプレーティング法およびスパッタリング法のような物理的気相蒸着法，またはガス反応による化学的気相蒸着法によって製作される。
【０００５】
特に，有機電界発光素子の有機物層を形成するためには，真空中で蒸発させた有機物質を基板に蒸着させる真空蒸着法が広く使用されており，このような真空蒸着法には真空チャンバ内で蒸発される有機物質を基板に噴射する蒸発源（ｅｆｆｕｓｉｏｎ  ｃｅｌｌ）が使用される。
【０００６】
蒸発源は，蒸着物質が収容されているルツボと，ルツボを加熱させる加熱手段で構成される。また，蒸発源にはルツボで気化された蒸着物質を噴射する噴射ノズルと，ルツボから噴射ノズルまで気化された蒸着物質を案内する誘導路が含まれる。
【０００７】
基板が真空チャンバ内に装着された状態のとき，加熱手段によって加熱されて蒸発された蒸着物質は，誘導路を経由し，噴射ノズルを通じて基板に噴射されて蒸着される。
【０００８】
なお，従来の蒸着システムの蒸発源の制御方法に関する技術を記載した文献としては，下記の特許文献１および２などがある。
【０００９】
【特許文献１】米国特開第６，９１４，０１６Ｂ２公報
【特許文献２】米国特開第６，６９５，９５４Ｂ２公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら，誘導路または噴射ノズルにおいて，ルツボで気化された蒸着物質が凝縮現象などによって液体化または固体化されるため，蒸発源は，噴射ノズルの詰まり，スプラッシュ現象などが生ずる問題点がある。その結果，噴射ノズルを通過する気化された蒸着物質の噴射は，ばらつきを誘発させるため，基板に形成される有機物層の均一性を低下させる問題点がある。
【００１１】
また，蒸発源を加熱するとき，初期段階から蒸発率制御方式によって加熱する場合，蒸発源の温度が急に上昇する，または，オーバシュット（ｏｖｅｒ  ｓｈｏｏｔ）が過度に発生して材料の変性またはスプラッシュ現象などが発生するおそれがあるという問題点がある。
【００１２】
そこで，本発明は，上記問題に鑑みてなされたものであり，本発明の目的とするところは，ルツボで気化された蒸着物質による噴射ノズルの詰まりまたはスプラッシュ現象を防止して，基板に形成される有機物層の均一度を高めることが可能な，新規かつ改良された蒸発源の加熱制御方法，蒸発源の冷却制御方法および蒸発源の制御方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，バッファー領域と成膜領域とを有する蒸着システムで，蒸着物質を収容するルツボと，上記ルツボで気化された上記蒸着物質を案内する誘導路と，上記誘導路に案内された上記蒸着物質を噴射する噴射ノズル部と，を具備した蒸発源の加熱制御方法において：ａ）上記誘導路および噴射ノズル部を加熱する段階と；ｂ）上記ａ段階の後に，上記ルツボを加熱する段階と；を含むことを特徴とする，蒸発源の加熱制御方法が提供される。
【００１４】
上記ルツボは，第１加熱体によって加熱され，上記誘導路および噴射ノズル部は，第２加熱体によって加熱されてもよい。
【００１５】
上記ｂ段階は，ｃ）温度制御方式で上記ルツボを加熱する段階と；ｄ）蒸発率制御方式で上記ルツボを加熱する段階と；を含んでもよい。
【００１６】
上記ａおよびｂ段階を行う時，上記蒸発源は上記バッファー領域に位置してよい。
【００１７】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，バッファー領域と成膜領域とを有する蒸着システムで，蒸着物質を収容するルツボと，上記ルツボで気化された上記蒸着物質を案内する誘導路と，上記誘導路に案内された上記蒸着物質を噴射する噴射ノズル部と，を具備した蒸発源の冷却制御方法において：ａ）上記ルツボを冷却する段階と；ｂ）上記ａ段階の後に，上記誘導路および噴射ノズル部を冷却する段階と；を含むことを特徴とする，蒸発源の冷却制御方法が提供される。
【００１８】
上記ａ段階の後に，蒸発率をモニタリングして上記蒸発率が所定蒸発率以下の場合に上記ｂ段階を行ってもよい。
【００１９】
上記ａおよびｂ段階を行う時，上記蒸発源は上記バッファー領域に位置してよい。
【００２０】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，バッファー領域と成膜領域とを有する蒸着システムで，蒸着物質を収容するルツボと，上記ルツボで気化された上記蒸着物質を案内する誘導路と，上記誘導路に案内された上記蒸着物質を噴射する噴射ノズル部と，を具備した蒸発源の制御方法において：ａ）誘導路および噴射ノズル部を加熱する段階と；ｂ）ルツボを加熱する段階と；ｃ）蒸着を行う段階と；ｄ）上記ルツボを冷却する段階と；ｅ）上記誘導路および噴射ノズル部を冷却する段階と；を含むことを特徴とする，蒸発源の制御方法が提供される。
【００２１】
上記ｂ段階は，ｆ）温度制御方式で上記ルツボを加熱する段階と；ｇ）蒸発率制御方式で上記ルツボを加熱する段階と；を含んでもよい。
【００２２】
上記ｃ段階は，ｈ）蒸発率の安定化の要否を判断する段階と；ｉ）上記ｈ段階で上記蒸発率が安定化されたと判断されれば，蒸発源を上記バッファー領域から上記成膜領域に移動させて蒸着を行う段階と；を含んでもよい。
【００２３】
上記ｈ段階において，上記蒸発率が所定範囲内に属すれば上記蒸発率が安定化されたと判断してもよい。
【００２４】
上記ｈ段階において，上記蒸発率が所定期間中継続して所定範囲内に属すれば上記蒸発率が安定化されたと判断してもよい。
【００２５】
上記ｄ段階の後に，上記蒸発率をモニタリングして上記蒸発率が所定蒸発率以下の場合に上記ｅ段階を行ってもよい。
【００２６】
上記ａ，ｂ，ｄ，ｅ段階を行う時，上記蒸発源は上記バッファー領域に位置してもよい。
【００２７】
上記ルツボは，第１加熱体によって加熱され，上記誘導路および噴射ノズル部は，第２加熱体によって加熱されてもよい。
【００２８】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，バッファー領域と成膜領域とを有する蒸着システムで，蒸着物質を収容するルツボと，上記ルツボで気化された上記蒸着物質を案内する誘導路と，上記誘導路に案内された上記蒸着物質を噴射する噴射ノズル部と，を具備した蒸発源の制御方法において：ａ）温度制御方式で蒸発源を加熱する段階と；ｂ）上記ａ段階の後に，蒸発率制御方式で上記蒸発源を加熱する段階と；ｃ）蒸着を行う段階と；を含むことを特徴とする，蒸発源の制御方法が提供される。
【００２９】
上記ａ段階は，ｄ）所定の第１温度を目標温度に設定し，温度制御方式で上記蒸発源を加熱する段階と；ｅ）所定の第２温度を目標温度に設定し，温度制御方式で上記蒸発源を加熱する段階と；を含んでもよい。
【００３０】
上記第２温度は，上記第１温度より高いとしてもよい。
【００３１】
上記ｂ段階以後，ｆ）蒸発率の安定化の要否を判断して上記蒸発率が安定化された場合に，ｃ段階を行うようにする段階を追加的に含んでもよい。
【００３２】
上記ｆ段階において，上記蒸発率が所定範囲内に属すれば上記蒸発率が安定化されたと判断してもよい。
【００３３】
上記ｆ段階において，上記蒸発率が所定期間中継続して所定範囲内に属すれば上記蒸発率が安定化されたと判断してもよい。
【００３４】
ａおよびｂ段階を行う時には，上記蒸発源は上記バッファー領域に位置し，ｃ段階を行う時には，上記蒸発源は上記成膜領域に移動してもよい。
【００３５】
上記ｃ段階において，上記蒸発源は上記成膜領域で上下に移動してもよい。
【発明の効果】
【００３６】
以上説明したように本発明によれば，ルツボで気化された蒸着物質による噴射ノズルの詰まりまたはスプラッシュ現象を防止して，基板に形成される有機物層の均一度を高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書および図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００３８】
図１は，本発明の一実施形態が適用される真空蒸着システムを示す斜視図であり，蒸発源がバッファー領域にある場合の図面である。図２は，蒸発源が成膜領域にある場合の真空蒸着システムを示す斜視図である。
【００３９】
以下，図１および図２を参照して説明する。真空蒸着システム１００は，真空チャンバ１０，蒸発源２０，チャック５０を具備する。蒸着される基板３０は，真空チャンバ１０内部で蒸発源２０に対面する状態でチャック５０に積載される。なお，マスク４０は，基板３０に形成しようとする所定のパターンを有する。
【００４０】
真空チャンバ１０には，真空蒸着システム１００の内部を真空状態に維持するための排気手段（図示せず）が設けられる。真空チャンバ１０は，蒸発源２０が移動する垂直方向に沿って，マスク４０および基板３０の設置位置に対応する成膜領域Ｂと，成膜領域Ｂ以外の位置に対応するバッファー領域Ａに区分される。
【００４１】
蒸発源２０は，蒸着物質を気化させて，蒸着物質を基板３０に供給する機能を有する。大面積の蒸着ができるようにするために，蒸発源２０は移動手段（図示せず）の作動によって，真空チャンバ１０内で垂直上下方向に移動する。
【００４２】
本発明の実施形態によれば，蒸発源２０において蒸着材料の変性およびスプラッシュを防止するために，蒸発源２０は初期段階では温度制御方式によって制御され，その後，蒸発率制御方式によって制御される。
【００４３】
本発明の他の実施形態によれば，蒸発源２０の噴射ノズル部２６および誘導路２４（図３参照）の詰まりおよびスプラッシュを防止するために，蒸発源２０の加熱過程では噴射ノズル部２６および誘導路２４を加熱した後，ルツボ２２（図３参照）を加熱する。また，蒸発源２０の冷却過程ではルツボ２２を冷却した後，噴射ノズル部２６および誘導路２４を冷却する。
【００４４】
本発明のさらに他の実施形態によれば，蒸発率の安定的制御によって均一な蒸発率を得るために，蒸発源２０は初期段階では温度制御方式で動作し，その後，蒸発率制御方式を実施し，蒸発率が所定蒸発率の範囲内にある場合，蒸着が実施される方式で動作する。
【００４５】
チャック５０は，基板３０およびマスク４０を積載する機能を有する。また，チャック５０は，マスク４０と基板３０をアルラインする機能を有する。
【００４６】
基板３０およびマスク４０は，蒸発源２０から離隔して設置される。マスク４０は，基板３０に形成しようとするパターンが形成されているパターン形成部（図１，図２には破線で表示されている）と，マスクフレーム（図示せず）に溶接によって固定される固定部とで構成される。
【００４７】
図３は，図１および２の真空蒸着システムに採用された蒸発源の一例を図示する断面図である。図３を参照すると，蒸発源２０は，ルツボ２２，誘導路２４，噴射ノズル部２６，第１加熱体２１ａおよび第２加熱体２１ｂを具備することが分かる。
【００４８】
ルツボ２２には蒸着物質が収容され，第１加熱体２１ａの加熱作用によって蒸着物質は気化される。誘導路２４は，ルツボ２２と噴射ノズル部２６の間を蒸着物質が通過可能なように連結する通路である。噴射ノズル部２６は，ルツボで気化された蒸着物質が噴射される部分である。誘導路２４および噴射ノズル部２６は，第２加熱体２１ｂによって加熱される。この時，第１加熱体２１ａと第２加熱体２１ｂは，たとえば熱線のように通電などによって熱を発散させる部材であるが，本発明の実施形態においては，これに限定されない。
【００４９】
第１加熱体２１ａの加熱作用によって，ルツボ２２が加熱されることで，ルツボ２２に収容されている蒸着物質は気化される。そして，第２加熱体２１ｂの加熱作用によって，噴射ノズル部２６および誘導路２４が加熱されることで，ルツボ２２から蒸発した有機ガス物質は，凝縮現象なしに誘導路２４と噴射ノズル部２６を気体状態で通過して，基板に蒸着される。
【００５０】
図４は，本発明の実施形態にかかる真空蒸着システムの制御方法の流れ図である。
【００５１】
図１〜図４を参照して，真空蒸着システム１００の制御方法を説明する。まず，蒸発源２０を温度制御方式で加熱する（Ｓ１０）。この段階Ｓ１０で，蒸発源２０の温度が蒸発源２０に設けられた温度センサー（図示せず）によって測定され，測定された温度を利用して蒸発源２０に供給される電力を変更する方式で蒸発率の制御が行われる。
【００５２】
この段階Ｓ１０は，再度複数の副段階に分けられる。各副段階では所定の目標温度を設定して温度制御を行う。
【００５３】
一例として，温度制御方式によって加熱する段階Ｓ１０が，二つの副段階を具備する場合には，二つの副段階のうち，第１副段階では目標蒸発率の約１０％の蒸発率に対応する温度を目標温度に設定して温度制御方式で加熱し，第２副段階では目標蒸発率の約７０％の蒸発率に対応する温度を目標温度に設定して温度制御方式で加熱する。
【００５４】
その後，蒸発源２０を蒸発率制御方式で加熱する（Ｓ２０）。この段階Ｓ２０で，蒸発率が蒸発率センサーによって測定され，測定された蒸発率を利用して蒸発源２０に供給される電力を変更する方式で蒸発率の制御が行われる。
【００５５】
蒸発率は，蒸発率センサー（図示せず）によって測定することができ，蒸発率センサーは，蒸発源２０の前面に設けられ，蒸発源２０に固定されたクリスタルセンサーが使用されうる。
【００５６】
その後，蒸発率が安定化されたどうかを判断する（Ｓ３０）。一例として，蒸発率が所定範囲内に属するかどうかを判断して蒸発率の安定化の要否を判断することができ，または所定期間中継続して蒸発率が所定範囲内に属するかどうかを判断して蒸発率の安定化の要否を判断することができる。
【００５７】
上記の所定範囲は，一例として目標蒸発率の上下約５％以内の範囲にすることができる。蒸発率が安定化しない場合には，蒸発源２０を蒸発率制御方式で引き続き加熱しながら蒸発率をモニタリングする。
【００５８】
蒸発率が安定化すれば蒸着を行う（Ｓ４０）。この段階より前の段階（Ｓ１０〜Ｓ３０）では蒸発源２０をバッファー領域Ａに位置させるが，Ｓ４０段階では蒸発源２０を成膜領域Ｂに移動させて蒸着を行うようにすることができる。
【００５９】
まず，蒸発源２０の噴射ノズル部２４から噴射される気化された蒸着物質は，真空空間を飛び，次に，蒸着物質は，マスク４０のパターン形成部を通過した後，基板３０に付着して凝縮される。その結果，基板３０に所定パターンの蒸着物質が形成される方式で蒸着が行われる。
【００６０】
基板３０に蒸着された蒸着物質の厚さを均一にさせるために，蒸着が実施される間，蒸発源２０は上下移動する。この段階においても，蒸発源２０は蒸発率制御方式で加熱される。基板３０を交換して蒸着を行う場合には，まず蒸発源２０を再度バッファー領域Ａに移動させる。その後，基板３０を交換して，蒸発率の安定化の要否をチェックした後，蒸発源２０を蒸着領域Ｂに移動させて蒸着を行う。
【００６１】
図４に図示した本発明の一実施形態にかかる真空蒸着システムの制御方法は，上記のように蒸発源を加熱する場合において，まず，温度制御方式で加熱した後，蒸発率制御方式で加熱するため，材料の変性およびスプラッシュ現象を防止することができる。
【００６２】
図５は，本発明の他の実施形態にかかる真空蒸着システムの制御方法の流れ図である。図１〜図３および図５を参照して真空蒸着システム１００の制御方法を説明する。まず，蒸発源２０のうち，誘導路２４および噴射ノズル部２６を加熱する（Ｓ１１０）。誘導路２４および噴射ノズル部２６は，第２加熱体２１ｂによって加熱される。
【００６３】
誘導路２４と噴射ノズル部２６をルツボ２２より先に加熱する理由は，ルツボ２２で気化された蒸着物質が誘導路２４または噴射ノズル部２６で液化または固化されることを防止することにより，ノズルの詰まりまたはスプラッシュ現象を防止するためである。
【００６４】
その後，ルツボ２２を温度制御方式で加熱する（Ｓ１２０）。この段階で，ルツボ２２の温度が蒸発源に設けられた温度センサー（図示せず）によって測定され，測定された温度を利用して第１加熱体２１ａに供給される電力を変更する方式で蒸発率の制御が行われる。
【００６５】
この時，第２加熱体２１ｂも測定された温度によって制御されることができ，第２加熱体２１ｂには測定された温度と無関係に所定の電力が供給されうる。
【００６６】
その後，ルツボ２２を蒸発率制御方式で加熱する（Ｓ１３０）。この段階で，蒸発率が蒸発率センサーによって測定されて，測定された蒸発率を利用して第１加熱体２１ａに供給される電力を変更する方式で蒸発率の制御が行われる。
【００６７】
この時，第２加熱体２１ｂも測定された蒸発率によって制御されることができ，第２加熱体２１ｂには測定された蒸発率と無関係に所定の電力を供給することができる。
【００６８】
蒸発率は蒸発率センサー（図示せず）によって測定されることができ，蒸発率センサーは蒸発源の前面に設けられ，蒸発源に固定されたクリスタルセンサーを使用することができる。
【００６９】
その後，蒸発率が安定化されたどうかを判断する（Ｓ１４０）。一例として，蒸発率が所定範囲内に属するかどうかを判断して蒸発率の安定化の要否を判断することができ，または，所定期間中継続して蒸発率が所定範囲内に属するかどうかを判断して蒸発率の安定化の要否を判断することができる。
【００７０】
上記の所定範囲は，一例として目標蒸発率の上下約５％以内の範囲にすることができる。蒸発率が安定化されない場合には，ルツボ２２を蒸発率制御方式で引き続き加熱しながら蒸発率をモニタリングする。
【００７１】
蒸発率が安定化されれば蒸着を行う（Ｓ１５０）。この段階より前の段階（Ｓ１１０〜Ｓ１４０）では蒸発源２０をバッファー領域Ａに位置させるが，この段階Ｓ１５０では，蒸発源２０を成膜領域Ｂに移動させて蒸着を行う。
【００７２】
蒸発源２０の噴射ノズル部２６から噴射される気化された蒸着物質が真空空間を飛び，マスク４０のパターン形成部を通過した後，蒸着物質は，基板３０に凝縮される。その結果，基板３０に所定パターンの蒸着物質が形成される方式で蒸着が行われる。
【００７３】
基板３０に蒸着された蒸着物質の厚さを均一にさせるために，蒸着が実施される間，蒸発源２０は上下に移動する。この段階においてもルツボ２２は蒸発率制御方式で加熱される。基板３０を交換して蒸着を行う場合には，まず，蒸発源２０を再度バッファー領域Ａに移動させて，基板３０を交換する。その後，蒸発率の安定化の要否をチェックした後，蒸発源２０を蒸着領域Ｂに移動させて蒸着を行う。
【００７４】
蒸着を中断する場合には，加熱体の電力遮断を指示する（Ｓ１６０）。例えば，ルツボ２２に保存されている蒸着物質が全部消耗した場合には蒸着を中断する。
【００７５】
蒸着の中断が要求された場合には，まず，ルツボ２２を冷却する（Ｓ１７０）。ルツボ２２を誘導路２４と噴射ノズル部２６より先に冷却する理由は，ルツボ２２で気化された蒸着物質が誘導路２４または噴射ノズル部２６で液化または固化されることを防止するためであり，ノズルの詰まりまたはスプラッシュ現象を防止するためである。
【００７６】
その後，蒸発率が所定値Ｋ以下に降下したかどうかを判断する（Ｓ１８０）。当該所定値は，一例として約０．１×１０−１０ｍ／ｓである。この段階Ｓ１８０は省略することができる。たとえば，ルツボ２２を冷却した段階Ｓ１７０の後，所定時間が経過した後，誘導路２４および噴射ノズル部２６を冷却する方法で行うこともできる。
【００７７】
蒸発率が所定値Ｋ以下に降下したかどうかを判断し（Ｓ１８０），所定値Ｋ以下に降下したと判断された場合は，誘導路２４および噴射ノズル部２６を冷却する（Ｓ１９０）。
【００７８】
上述したように，本発明による蒸発源の制御方法によれば，蒸発源を加熱することにおいて，初期段階では温度制御方式で作動させて，その後に蒸発率制御方式で作動させることで，材料の変性またはスプラッシュ現象を防止することができる。
【００７９】
また，本発明による蒸発源の制御方法によれば，ルツボで気化された蒸着物質による噴射ノズルの詰まり，またはスプラッシュ現象を防止して基板に形成される有機物層の均一度を高めることができる。
【００８０】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明はかかる例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【００８１】
本発明は，蒸発源の加熱制御方法，蒸発源の冷却制御方法および蒸発源の制御方法に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明の一実施形態にかかる蒸発源の制御方法が実施される真空蒸着システムを図示する概略図である。
【図２】本発明の一実施形態にかかる蒸発源の制御方法が実施される真空蒸着システムにおいて，成膜作業が実施される状態を図示する概略図である。
【図３】本発明の一実施形態にかかる蒸発源の制御方法が実施される蒸発源を図示する概略図である。
【図４】本発明の一実施形態にかかる蒸発源の制御方法の流れ図である。
【図５】本発明の他の実施形態にかかる蒸発源の制御方法の流れ図である。
【符号の説明】
【００８３】
１０      真空チャンバ
２０      蒸発源
３０      基板
４０      マスク
５０      チャック
１００      真空蒸着システム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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