(57)【要約】【課題】  半導体装置における開発期間の短縮化を図る。【解決手段】  第１多層配線基板４に半導体チップ１やチップ部品２を搭載してパワーアンプモジュール７を形成し、一方、第２多層配線基板５にダイオード１３やチップ部品２を搭載してアンテナスイッチモジュール８を形成し、パワーアンプモジュール７の電気的特性検査とアンテナスイッチモジュール８の電気的特性検査をそれぞれ別々に行った後に、パワーアンプモジュール７とアンテナスイッチモジュール８をそれぞれの段差部４ｅ，５ｅで結合することにより、それぞれ単体のモジュールで検査や評価を行って特性の切り分けができてからパワーアンプモジュール７とアンテナスイッチモジュール８を結合するため、１モジュール化後の特性出しを容易に行うことができる。【選択図】  図３
2006245500.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップが搭載された第１多層配線基板と、前記第１多層配線基板の係合部に設けられた第１接続用端子とを有する第１構造体と、
電子部品が搭載された第２多層配線基板と、前記第１接続用端子と電気的に接続されか
つ前記第２多層配線基板の係合部に設けられた第２接続用端子とを有する第２構造体と、
前記第１および第２多層配線基板に設けられた複数の外部端子とを有し、
前記第１多層配線基板と前記第２多層配線基板とがそれぞれの前記係合部で接続し、前記第１多層配線基板の層数と前記第２多層配線基板の層数とが異なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
係合部を有する第１多層配線基板に半導体チップを搭載して第１構造体を形成する工程と、
係合部を有する第２多層配線基板に電子部品を搭載して第２構造体を形成する工程と、
前記第１構造体において前記半導体チップを封止する工程と、
前記第２構造体において前記電子部品を封止する工程と、
前記第１構造体の特性検査を行う工程と、
前記第２構造体の特性検査を行う工程と、
それぞれ前記特性検査で良品と判定された前記第１および第２構造体において、前記第１多層配線基板の係合部に設けられた第１接続用端子と前記第２多層配線基板の係合部に設けられた第２接続用端子とを電気的に接続してそれぞれの係合部で前記第１構造体と第２構造体を結合する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
係合部を有する第１多層配線基板に半導体チップを搭載して第１構造体を形成する工程と、
係合部を有する第２多層配線基板に電子部品を搭載して第２構造体を形成する工程と、
前記第１構造体において前記半導体チップを封止する工程と、
前記第２構造体において前記電子部品を封止する工程と、
前記第１構造体の特性検査を行う工程と、
前記第２構造体の特性検査を行う工程と、
それぞれ前記特性検査で良品と判定された前記第１および第２構造体において、前記第１多層配線基板の係合部に設けられた第１接続用端子と前記第２多層配線基板の係合部に設けられた第２接続用端子とを電気的に接続してそれぞれの係合部で前記第１構造体と第２構造体を結合する工程とを有し、
前記第１多層配線基板の層数と前記第２多層配線基板の層数とが異なっていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
係合部を有する第１多層配線基板に半導体チップを搭載して第１構造体であるパワーアンプモジュールを形成する工程と、
係合部を有する第２多層配線基板に電子部品を搭載して第２構造体であるアンテナスイッチモジュールを形成する工程と、
前記パワーアンプモジュールにおいて前記半導体チップを封止する工程と、
前記アンテナスイッチモジュールにおいて前記電子部品を封止する工程と、
前記パワーアンプモジュールの電気的特性検査を行う工程と、
前記アンテナスイッチモジュールの電気的特性検査を行う工程と、
それぞれ前記電気的特性検査で良品と判定された前記パワーアンプモジュールおよびアンテナスイッチモジュールにおいて、前記第１多層配線基板の係合部に設けられた第１接続用端子と前記第２多層配線基板の係合部に設けられた第２接続用端子とを電気的に接続してそれぞれの係合部で前記パワーアンプモジュールと前記アンテナスイッチモジュールを結合する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
係合部を有する第１多層配線基板に半導体チップを搭載して第１構造体を形成する工程と、
係合部を有する第２多層配線基板に電子部品を搭載して第２構造体を形成する工程と、
前記第１構造体の特性検査を行う工程と、
前記第２構造体の特性検査を行う工程と、
それぞれ前記特性検査で良品と判定された前記第１および第２構造体において、前記第１多層配線基板の係合部に設けられた第１接続用端子と前記第２多層配線基板の係合部に設けられた第２接続用端子とを電気的に接続してそれぞれの係合部で前記第１構造体と第２構造体を結合する工程と、
前記第１および第２構造体を結合する工程の後、前記第１および前記第２構造体において前記半導体チップと前記電子部品を一括して封止する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造技術に関し、特に、高周波モジュールに適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
高周波用電力増幅器は、ガラスを主成分とする多層基板と、基板内に形成されたストリップ線路と、基板上に実装された接続導体を介してストリップ線路に電気的に接続された電力用トランジスタならびにチップ部品と、基板の側面に設けられた凹部に形成されストリップ線路に電気的に接続された端子電極と、電力用トランジスタ下部に形成された放熱用ビアホールとを具備している（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平９−２８３７００号公報（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
携帯用通信機器などに組み込まれる高周波用のモジュール（半導体装置）の一例として、ＲＦモジュールと呼ばれる半導体パッケージが知られている。近年、ＲＦモジュールでは、モジュールの複合化の要求が高まっている。例えば、パワーアンプモジュールとアンテナスイッチモジュールの複合モジュールなどであり、このような複合モジュールでは、同一基板上にそれぞれのモジュールが形成されて１モジュール化された構造となっている。
【０００４】
したがって、複合モジュールとしての電気的特性は１モジュール化された構造にて出さなければならず、１モジュール化後の電気的特性検査で不具合が発生した際に、同一基板上での２種類のモジュールに対しての不具合箇所の特定などは非常に困難であり、その結果、特性評価に時間がかかって開発期間が長くなるという問題が起こる。
【０００５】
さらに、個々のモジュールでは配線の層数が異なったそれぞれの基板にて各モジュールを形成しているが、複合モジュールでは同一基板上に２種類のモジュールを形成するため、必然的に層数の多い方に合わせた多層配線基板を用いることになる。
【０００６】
これにより、層数の異なった２種類の多層配線基板を用いてそれぞれのモジュールを形成する場合に比較してコストが高くなるという問題が発生する。
【０００７】
本発明の目的は、開発期間の短縮化を図ることができる技術を提供することにある。
【０００８】
また、本発明の他の目的は、コストの低減化を図ることができる技術を提供することにある。
【０００９】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１１】
すなわち、本発明は、半導体チップが搭載された第１多層配線基板と、前記第１多層配線基板の係合部に設けられた第１接続用端子とを有する第１構造体と、電子部品が搭載された第２多層配線基板と、前記第１接続用端子と電気的に接続されかつ前記第２多層配線基板の係合部に設けられた第２接続用端子とを有する第２構造体と、前記第１および第２多層配線基板に設けられた複数の外部端子とを有し、前記第１多層配線基板と前記第２多層配線基板とがそれぞれの前記係合部で接続し、前記第１多層配線基板の層数と前記第２多層配線基板の層数とが異なっているものである。
【００１２】
また、本発明は、係合部を有する第１多層配線基板に半導体チップを搭載して第１構造体を形成する工程と、係合部を有する第２多層配線基板に電子部品を搭載して第２構造体を形成する工程と、前記第１構造体において前記半導体チップを封止する工程と、前記第２構造体において前記電子部品を封止する工程と、前記第１構造体の特性検査を行う工程と、前記第２構造体の特性検査を行う工程と、それぞれ前記特性検査で良品と判定された前記第１および第２構造体において、前記第１多層配線基板の係合部に設けられた第１接続用端子と前記第２多層配線基板の係合部に設けられた第２接続用端子とを電気的に接続してそれぞれの係合部で前記第１構造体と第２構造体を結合する工程とを有するものである。
【発明の効果】
【００１３】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１４】
第１多層配線基板に半導体チップを搭載して第１構造体を形成し、さらに第２多層配線基板に電子部品を搭載して第２構造体を形成し、第１構造体の特性検査と第２構造体の特性検査をそれぞれ別々に行った後、第１多層配線基板の係合部に設けられた第１接続用端子と第２多層配線基板の係合部に設けられた第２接続用端子とを電気的に接続してそれぞれの係合部で第１構造体と第２構造体を結合することにより、それぞれ単体の構造体（モジュール）で検査や評価を行って特性の切り分けができてからそれぞれの構造体を結合するため、１モジュール化後の特性出しを容易に行うことができる。その結果、複合モジュールの製品開発の期間の短縮化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００１６】
さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。
【００１７】
また、以下の実施の形態において、要素の数など（個数、数値、量、範囲などを含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。
【００１８】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００１９】
（実施の形態）
図１は本発明の実施の形態の半導体装置（高周波複合モジュール）の構造の一例を示す斜視図、図２は図１に示す半導体装置の構造の一例を示す側面図、図３は図１に示すＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図、図４は図１に示すＢ−Ｂ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図、図５は図１に示す半導体装置を形成するパワーアンプモジュール（第１構造体）の構造の一例を示す斜視図、図６は図５に示すパワーアンプモジュールの構造の一例を示す側面図、図７は図５に示すＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図、図８は図５に示すパワーアンプモジュールの構造の一例を示す裏面図、図９は図１に示す半導体装置を形成するアンテナスイッチモジュール（第２構造体）の構造の一例を示す斜視図、図１０は図９に示すアンテナスイッチモジュールの構造の一例を示す側面図、図１１は図９に示すＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図、図１２は図９に示すアンテナスイッチモジュールの構造の一例を示す平面図、図１３は図９に示すアンテナスイッチモジュールの構造の一例を示す裏面図、図１４は本発明の実施の形態の変形例の半導体装置（高周波複合モジュール）の組み立てにおける樹脂封止前の構造を示す断面図、図１５は図１４に示す変形例の半導体装置（高周波複合モジュール）の組み立てにおける樹脂封止後の構造を示す断面図である。
【００２０】
図１〜図４に示す本実施の形態の半導体装置は、主に、携帯用通信機器などに組み込まれる高周波の半導体パッケージであり、本実施の形態では前記半導体装置の一例として、パワーアンプモジュールとアンテナスイッチモジュールを結合したＲＦモジュールである高周波複合モジュールを取り上げて説明する。
【００２１】
高周波複合モジュール１２の構成について説明すると、図２および図３に示すように、主面４ａ上に複数の半導体チップ１が搭載された第１多層配線基板４とこの基板の係合部である段差部４ｅに設けられた第１接続用端子４ｄとを有する第１構造体である図５に示すパワーアンプモジュール７と、主面５ａ上に複数のチップ部品（電子部品）２が搭載された第２多層配線基板５とこの基板の係合部である段差部５ｅに設けられた第２接続用端子５ｄとを有する第２構造体である図９に示すアンテナスイッチモジュール８と、第１多層配線基板４および第２多層配線基板５のそれぞれの主面４ａ，５ａ上に形成された封止体３と、図８および図１３に示すように第１多層配線基板４および第２多層配線基板５のそれぞれの裏面４ｂ，５ｂに設けられた複数の外部端子１１とからなる。
【００２２】
さらに、図４に示すように、それぞれの基板の段差部４ｅ，５ｅにおいて第１接続用端子４ｄと第２接続用端子５ｄとが半田材などの導電性接着材１０を介して電気的に接続されている。
【００２３】
すなわち、本実施の形態の高周波複合モジュール１２は、それぞれ別個に組み立てたパワーアンプモジュール７とアンテナスイッチモジュール８において、それぞれのモジュールの電気的特性検査を行って特性出し・評価を行った後に、それぞれの良品を結合することによって１モジュール化したものである。
【００２４】
したがって、第１多層配線基板４と第２多層配線基板５は、それぞれ端部に厚さが基板の１／２程度に薄く形成された段差部４ｅ，５ｅを有しており、パワーアンプモジュール７の第１多層配線基板４の段差部４ｅの下面４ｃには、図６、図８に示すように、他のモジュールと接続可能な接続専用の複数の第１接続用端子４ｄが設けられており、一方、図１０、図１２に示すように、アンテナスイッチモジュール８の第２多層配線基板５の段差部５ｅの上面５ｃには、第１接続用端子４ｄと同様の配列で他のモジュールと接続可能な接続専用の複数の第２接続用端子５ｄが設けられている。
【００２５】
この構造により、パワーアンプモジュール７とアンテナスイッチモジュール８は、第１多層配線基板４と第２多層配線基板５のそれぞれの段差部４ｅ，５ｅにおいて、図４に示すように導電性接着材１０を介して第１接続用端子４ｄと第２接続用端子５ｄとが、電気的かつ機械的に接続されている。
【００２６】
さらに、パワーアンプモジュール７とアンテナスイッチモジュール８を結合した際に形成された両者間の隙間には、図２〜図４に示すようにアンダーフィル樹脂９が埋め込まれている。
【００２７】
なお、高周波複合モジュール１２の外部端子１１は、ランドであるため、図１〜図４に示す本実施の形態の高周波複合モジュール１２は、ＬＧＡ（Land Grid Array)型の半導体装置である。
【００２８】
また、高周波複合モジュール１２では、それぞれのモジュールが別個に組み立てられ、それぞれの電気的特性検査後に両者を結合した構造であるため、第１多層配線基板４の層数と第２多層配線基板５の層数とを合わせる必要がなく、両基板の層数はそれぞれの必要層数に応じた層数となっている。
【００２９】
アンテナスイッチモジュール８では、コンデンサ等を内部に配置した方がより良好な電気的特性が得られるため、層数を増やした方が好ましく、本実施の形態の高周波複合モジュール１２では、アンテナスイッチモジュール８の第２多層配線基板５の層数の方が、パワーアンプモジュール７の第１多層配線基板４の層数より多くなっている。ただし、両者の電気的特性が良好に得られるのであれば、第１多層配線基板４と第２多層配線基板５の層数は同じであってもよい。
【００３０】
高周波複合モジュール１２における第１構造体であるパワーアンプモジュール７には、図３および図７に示すように、半導体チップ１、さらにコンデンサ、抵抗およびコイルなどの複数のチップ部品２が第１多層配線基板４の主面４ａの部品用端子４ｆ上に搭載されている。半導体チップ１は、金線などのワイヤ６によって第１多層配線基板４の部品用端子４ｆと電気的に接続されており、また、チップ部品２は、半田１４によって部品用端子４ｆと電気的に接続されている。
【００３１】
一方、高周波複合モジュール１２における第２構造体であるアンテナスイッチモジュール８には、図３および図１１に示すように、ダイオード１３などの電子部品、さらにコンデンサ、抵抗およびコイルなどの複数のチップ部品２が第２多層配線基板５の主面５ａの部品用端子５ｆ上に半田１４などを介して搭載されている。
【００３２】
なお、第１多層配線基板４および第２多層配線基板５は、例えば、セラミック材やガラス入りエポキシ樹脂材などからなる基板である。
【００３３】
また、第１多層配線基板４および第２多層配線基板５に形成された第１接続用端子４ｄや第２接続用端子５ｄ、さらに外部端子１１や部品用端子４ｆ，５ｆは、例えば、銅合金や銀を含む合金などからなる。
【００３４】
また、封止体３は、例えば、シリコーン樹脂などの低弾性の柔らかな樹脂が好ましく、さらにチョコレートブレーク可能な樹脂が好ましい。
【００３５】
なお、封止体３は、例えば、印刷による樹脂封止によって形成されたものである。
【００３６】
次に、本実施の形態の半導体装置の製造方法について説明する。
【００３７】
まず、図７に示すように端部に段差部４ｅを有し、かつこの段差部４ｅの下面４ｃに複数の第１接続用端子４ｄが設けられた第１多層配線基板４を準備し、その後、この第１多層配線基板４の主面４ａ上に半導体チップ１やチップ部品２を搭載する。
【００３８】
半導体チップ１やチップ部品２は第１多層配線基板４の部品用端子４ｆに半田付けなどで実装する。
【００３９】
その後、ワイヤボンディングを行って半導体チップ１と部品用端子４ｆとをワイヤ６で電気的に接続する。
【００４０】
その後、半導体チップ１およびチップ部品２を印刷により樹脂封止して第１多層配線基板４上に封止体３を形成し、これにより、図６に示すようなパワーアンプモジュール（第１構造体）７の組み立てを完了する。
【００４１】
その後、パワーアンプモジュール７の電気的特性検査を行って良品のパワーアンプモジュール７を取得する。
【００４２】
一方、図１１に示すように、端部に段差部５ｅを有し、かつこの段差部５ｅの上面５ｃに複数の第２接続用端子５ｄが設けられた第２多層配線基板５を準備し、その後、この第２多層配線基板５の主面５ａ上の部品用端子５ｆにダイオード１３やチップ部品２を半田付けなどで実装する。
【００４３】
その後、半導体チップ１およびチップ部品２を印刷により樹脂封止して第２多層配線基板５上に封止体３を形成し、これにより、図１０に示すようなアンテナスイッチモジュール（第２構造体）８の組み立てを完了する。
【００４４】
その後、アンテナスイッチモジュール８の電気的特性検査を行って良品のアンテナスイッチモジュール８を取得する。
【００４５】
その後、それぞれ前記電気的特性検査で良品と判定されたパワーアンプモジュール７およびアンテナスイッチモジュール８において、それぞれの段差部４ｅと段差部５ｅを重ね合わせ、かつ第１多層配線基板４の段差部４ｅに設けられた第１接続用端子４ｄと第２多層配線基板５の段差部５ｅに設けられた第２接続用端子５ｄとを、図３および図４に示すように半田材などの導電性接着材１０を介して電気的に接続して、図２に示すようにそれぞれの段差部４ｅ，５ｅでパワーアンプモジュール７とアンテナスイッチモジュール８を結合する。
【００４６】
また、パワーアンプモジュール７とアンテナスイッチモジュール８を結合した際に形成された両者間の隙間には、図２に示すようにアンダーフィル樹脂９を充填させ、これによって、高周波複合モジュール１２の組み立てを完了する。
【００４７】
なお、アンテナスイッチモジュール８では、コンデンサ等を内部に配置した方がより良好な電気的特性が得られるため、層数を増やした方が好ましく、したがって、本実施の形態では、アンテナスイッチモジュール８の第２多層配線基板５の層数の方が、パワーアンプモジュール７の第１多層配線基板４の層数より多くなっている。
【００４８】
本実施の形態の半導体装置およびその製造方法によれば、第１多層配線基板４に半導体チップ１やチップ部品２を搭載してパワーアンプモジュール７を形成し、さらに第２多層配線基板５にダイオード１３やチップ部品２を搭載してアンテナスイッチモジュール８を形成し、パワーアンプモジュール７の電気的特性検査とアンテナスイッチモジュール８の電気的特性検査をそれぞれ別々に行い、前記電気的特性検査後に、第１多層配線基板４の段差部４ｅに設けられた第１接続用端子４ｄと、第２多層配線基板５の段差部５ｅに設けられた第２接続用端子５ｄとを電気的に接続してそれぞれの段差部４ｅ，５ｅでパワーアンプモジュール７とアンテナスイッチモジュール８を結合して高周波複合モジュール１２を形成することにより、それぞれ単体のモジュールで検査や評価を行って特性の切り分けができてからそれぞれのモジュールを結合するため、１モジュール化後の高周波複合モジュール１２における特性出しを容易に行うことができる。
【００４９】
これにより、高周波複合モジュール１２の製品開発の期間の短縮化を図ることができる。
【００５０】
また、種々の特性の単体のモジュールをそれぞれの特性切り分けを行ってから組み合わせて製造可能なため、多数の品種に展開することができ、例えば、少量多品種のＲＦモジュールなどに適用することがより有効である。
【００５１】
また、高周波複合モジュール１２において、パワーアンプモジュール７の第１多層配線基板４とアンテナスイッチモジュール８の第２多層配線基板５とがそれぞれの段差部４ｅ，５ｅで接続するとともに、第１多層配線基板４の層数と第２多層配線基板５の層数とが異なっていることにより、層数の多い方に合わせた１種類の多層配線基板を用いて高周波複合モジュール１２を組み立てることが不要になり、層数が異なった２種類の多層配線基板を用いて高周波複合モジュール１２を形成することができる。
【００５２】
これにより、多層配線基板のコストが高くなることを抑制でき、高周波複合モジュール１２のコストの低減化を図ることができる。
【００５３】
次に、本実施の形態の変形例の半導体装置について説明する。
【００５４】
図１４および図１５に示す変形例の半導体装置は、高周波複合モジュール１２の組み立てにおいて、パワーアンプモジュール７の電気的特性検査とアンテナスイッチモジュール８の電気的特性検査をそれぞれ樹脂封止工程前に別々に行い、前記電気的特性検査後で、かつ樹脂封止工程前に、図１４に示すように第１多層配線基板４の段差部４ｅに設けられた第１接続用端子４ｄと、第２多層配線基板５の段差部５ｅに設けられた第２接続用端子５ｄとを電気的に接続してそれぞれの段差部４ｅ，５ｅでパワーアンプモジュール７とアンテナスイッチモジュール８を結合し、さらに前記結合後に、一括して印刷による樹脂封止を行って図１５に示すような一括封止体１５を形成して高周波複合モジュール１２を形成するものである。
【００５５】
このようにパワーアンプモジュール７とアンテナスイッチモジュール８を結合した後に、一括して印刷による樹脂封止を行うことにより、アンダーフィル樹脂９の充填が基板部分だけとなり、樹脂封止工程後のアンダーフィル樹脂９の注入工程を省略することができる。
【００５６】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００５７】
例えば、前記実施の形態では、半導体装置である高周波複合モジュール１２がＬＧＡ型の半導体装置の場合について説明したが、前記半導体装置の外部端子１１はボール電極であってもよい。
【００５８】
また、前記実施の形態では、複合モジュール（半導体装置）がパワーアンプモジュール７とアンテナスイッチモジュール８を組み合わせたモジュールの場合を説明したが、前記複合モジュールは、例えば、パワーアンプモジュール７とローパスフィルタモジュールなどを組み合わせたモジュール製品であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明は、電子装置および半導体装置の製造方法に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の実施の形態の半導体装置（高周波複合モジュール）の構造の一例を示す斜視図である。
【図２】図１に示す半導体装置の構造の一例を示す側面図である。
【図３】図１に示すＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図４】図１に示すＢ−Ｂ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図５】図１に示す半導体装置を形成するパワーアンプモジュール（第１構造体）の構造の一例を示す斜視図である。
【図６】図５に示すパワーアンプモジュールの構造の一例を示す側面図である。
【図７】図５に示すＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図８】図５に示すパワーアンプモジュールの構造の一例を示す裏面図である。
【図９】図１に示す半導体装置を形成するアンテナスイッチモジュール（第２構造体）の構造の一例を示す斜視図である。
【図１０】図９に示すアンテナスイッチモジュールの構造の一例を示す側面図である。
【図１１】図９に示すＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図１２】図９に示すアンテナスイッチモジュールの構造の一例を示す平面図である。
【図１３】図９に示すアンテナスイッチモジュールの構造の一例を示す裏面図である。
【図１４】本発明の実施の形態の変形例の半導体装置（高周波複合モジュール）の組み立てにおける樹脂封止前の構造を示す断面図である。
【図１５】図１４に示す変形例の半導体装置（高周波複合モジュール）の組み立てにおける樹脂封止後の構造を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６１】
１  半導体チップ
２  チップ部品（電子部品）
３  封止体
４  第１多層配線基板
４ａ  主面
４ｂ  裏面
４ｃ  下面
４ｄ  第１接続用端子
４ｅ  段差部（係合部）
４ｆ  部品用端子
５  第２多層配線基板
５ａ  主面
５ｂ  裏面
５ｃ  上面
５ｄ  第２接続用端子
５ｅ  段差部（係合部）
５ｆ  部品用端子
６  ワイヤ
７  パワーアンプモジュール（第１構造体）
８  アンテナスイッチモジュール（第２構造体）
９  アンダーフィル樹脂
１０  導電性接着材
１１  外部端子
１２  高周波複合モジュール（半導体装置）
１３  ダイオード（電子部品）
１４  半田
１５  一括封止体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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