(57)【要約】【課題】  この発明は、既存の半導体レーザ装置の構成とは異にして、実用性に適する程のＴＥ偏光成分を有する（つまり、実用性に適する程に、ＴＥ偏光の光強度が大きい）光を発振することができる半導体レーザ装置を提供することを目的とする。【解決手段】  本発明の一実施例に係る半導体レーザ装置１００は、ＧａＡｓＰ活性層５、ＩｎＧａＰガイド層４，６、およびＡｌＧａＩｎＰクラッド層３，７を備えている。ＧａＡｓＰ活性層５は、発光を行う層である。ＩｎＧａＰガイド層４，６は、ＧａＡｓＰ活性層５を挟持している。ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３，７は、ＩｎＧａＰガイド層４，６を両側から挟持している。また、ＴＥ偏光の光強度に対するＴＭ偏光の光強度である偏光比が２．３未満である。【選択図】  図１
2006269581.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光を行うＧａＡｓＰ活性層と、
前記ＧａＡｓＰ活性層を両側から挟持している、ＩｎＧａＰガイド層と、
前記ＩｎＧａＰガイド層を両側から挟持している、ＡｌＧａＩｎＰクラッド層とを、備えており、
ＴＥ偏光の光強度に対するＴＭ偏光の光強度である偏光比が２．３未満である、
ことを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記ＧａＡｓＰ活性層の厚さと、
前記ＩｎＧａＰガイド層の合計の厚さおよび前記ＡｌＧａＩｎＰクラッド層の合計の厚さの和との、
積が、３６．０ｎｍμｍ未満とすることにより、
前記偏光比を２．３未満とする、
ことを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記ＡｌＧａＩｎＰクラッド層の合計の厚さは、
１．０μｍ以上である、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記ＩｎＧａＰガイド層の合計厚さは、
２．０μｍ以下である、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記ＩｎＧａＰガイド層の合計厚さは、
０．８μｍ以上である、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
前記ＧａＡｓＰ活性層の厚さは、
５ｎｍ以上、１２ｎｍ以下であり、
前記ＧａＡｓＰ活性層の組成比は、
Ａｓ：Ｐ＝９：１、である、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項７】
前記ＧａＡｓＰ活性層、前記ＩｎＧａＰガイド層、および前記ＡｌＧａＩｎＰクラッド層を含む積層体が上面に形成されている、ＧａＡｓ基板を、さらに備えており、
前記ＧａＡｓ基板の表面の面方位は、
（１００）面に対して、略１０°のオフ角を有している、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項８】
一方の前記ＡｌＧａＩｎＰクラッド層と電極との間に形成される、コンタクト層を、さらに備えており、
前記コンタクト層の表面から、前記ＡｌＧａＩｎＰクラッド層の表面から所定の深さまでの部分において、水平方向に所定の間隔を隔てて、プロトンが注入されている領域が形成されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項９】
前記ＧａＡｓＰ活性層、前記ＩｎＧａＰガイド層、および前記ＡｌＧａＩｎＰクラッド層を含む積層体は、
サブマウント基板上に、ジャンクションダウン実装されている、
ことを特徴とする請求項８に記載の半導体レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体レーザ装置に係る発明であり、特に、ＴＥ偏光の光強度がより大きい光を発振することができる半導体レーザ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＴＭ（＝Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ）偏光（活性層に垂直な電界ベクトルを持った偏光）で発振する半導体レーザ装置として、例えば特許文献１に記載されているものがある。当該特許文献１に係る半導体レーザ装置は、ｎ電極からｐ電極にかけて、以下に示す積層構造を有する。
【０００３】
つまり、ｎ電極、ｎ−ＧａＡｓ基板、ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層、（ＡｌＧａ）0.5Ｉｎ0.5Ｐガイド層、ＧａＡｓＰ活性層、（ＡｌＧａ）0.5Ｉｎ0.5Ｐガイド層、ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層、ｎ−ＧａＡｓ電流狭窄層、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層、およびｐ電極からなる積層構造である。
【０００４】
ＧａＡｓＰ活性層は、引張り歪を有しており、ＧａＡｓＰ活性層からは、６００ｎｍ以上のＴＭ偏光の光が発振する。
【０００５】
【特許文献１】米国特許第５４３８５８４号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、ＴＭ偏光に特化したロッドや光ファイバを作製することは、困難である。しかし、ＴＥ（＝Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ  Ｅｌｅｃｔｒｉｃ）偏光（活性層に平行な電界ベクトルを持った偏光）に特化したロッドや光ファイバにＴＭ偏光の光を入射させても、励起効率が低下する。
【０００７】
なお、ＴＭ偏光の光を出射する半導体レーザ装置と、ロッド等の間に、偏光角を変換する（つまり、ＴＭ偏光をＴＥ偏光に変換する）装置を設けることも考えられるが、装置構成が複雑となる。
【０００８】
以上により、ＴＥ偏光の光を出射する半導体レーザ装置の方が、ＴＭ偏光の光を出射する半導体レーザ装置よりも実用的である。また、ＴＥ偏光の光強度が、より大きくなればなる程、半導体レーザ装置の実用性が向上する傾向にあることも分かっている。
【０００９】
なお、ＴＥ偏光の光強度が大きい光を出射することができる半導体レーザ装置として、非特許文献１（Ｋ．Ｓｈｉｇｉｈａｒａ  ｅｔ．ａｌ．，"Ｈｉｇｈ  Ｐｏｗｅｒ  ９８０ｎｍ  Ｒｉｄｇｅ  Ｗａｖｅｇｕｉｄｅ  Ｌａｓｅｒ  Ｄｉｏｄｅｓ  Ｃｏｎｓｉｓｔｉｎｇ  ｏｆ  Ｅｘｐａｎｄｅｄ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｆｉｅｌｄ  Ｎｏｒｍａｌ  ｔｏ  Ｔｈｅ  Ａｃｔｉｖｅ  Ｌａｙｅｒ"、ＩＥＥＥ  Ｊ．Ｑｕａｎｔｕｍ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ、Ｖｏｌ．３８、Ｎｏ．８、ｐｐ．１０８１−１０８８、Ａｕｇｕｓｔ  ２００２）に記載されているものがある。
【００１０】
上記のように、ＴＥ偏光の光強度が大きい光を出射することができる半導体レーザ装置は、以前より存在する。しかし、他の構成により、実用性に適する程に、ＴＥ偏光の光強度が多く含まれる光を出射することができる半導体レーザ装置の要望もある。
【００１１】
そこで、本発明は、既存の半導体レーザ装置の構成（例えば、非特許文献１）とは異にして、実用性に適する程に、ＴＥ偏光の光強度が大きい光を発振することができる半導体レーザ装置を見出し、これを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の目的を達成するために、本発明に係る請求項１に記載の半導体レーザ装置は、発光を行うＧａＡｓＰ活性層と、前記ＧａＡｓＰ活性層を両側から挟持している、ＩｎＧａＰガイド層と、前記ＩｎＧａＰガイド層を両側から挟持している、ＡｌＧａＩｎＰクラッド層とを、備えており、ＴＥ偏光の光強度に対するＴＭ偏光の光強度である偏光比が２．３未満である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の請求項１に記載の半導体レーザ装置は、発光を行うＧａＡｓＰ活性層と、前記ＧａＡｓＰ活性層を両側から挟持している、ＩｎＧａＰガイド層と、前記ＩｎＧａＰガイド層を両側から挟持している、ＡｌＧａＩｎＰクラッド層とを、備えており、ＴＥ偏光の光強度に対するＴＭ偏光の光強度である偏光比が２．３未満であるので、既存の半導体レーザ装置の構成（例えば、非特許文献１）とは異にして、実用性に適する程に、ＴＥ偏光の光強度が大きい（つまり、実用性に適する程のＴＥ偏光成分を有する）光を発振することができる半導体レーザ装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、この発明をその実施の形態を示す図面に基づいて具体的に説明する。
【００１５】
＜実施の形態１＞
図１は、本実施の形態に係る半導体レーザ装置の構成を示す断面斜視図である。
【００１６】
図１に示すように、本実施の形態に係る半導体レーザ装置１００は、ｎ電極からｐ電極にかけて、以下に示す積層構造を有する。
【００１７】
つまり、ｎ電極１、ｎ型のＧａＡｓ基板２、ｎ型の（Ａｌ0.3Ｇａ0.7）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層３、アンドープであるＩｎ0.49Ｇａ0.51Ｐガイド層４、アンドープであるＧａＡｓ0.88Ｐ0.12活性層５、アンドープであるＩｎ0.49Ｇａ0.51Ｐガイド層６、ｐ型の（Ａｌ0.3Ｇａ0.7）0.5Ｉｎ0.5Ｐクラッド層７、ｐ型のＧａＡｓコンタクト層８、およびｐ電極９からなる積層構造である。なお、以下の記載では、組成比は省略する。
【００１８】
図１から分かるように、ＩｎＧａＰガイド層４，６は、ＧａＡｓＰ活性層５を挟持している。また、ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３，７は、ＩｎＧａＰガイド層４，６を両側から挟持している。
【００１９】
ここで、ＧａＡｓ基板２の表面（特に、ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３形成側表面）の面方位は、（１００）面に対して、略１０°のオフ角を有している。これにより、結晶成長により得られるＡｌＧａＩｎＰクラッド層３等は、結晶性が良好となる。
【００２０】
また、ＧａＡｓＰ活性層５は、発光を行う層である。また、ＩｎＧａＰガイド層４，６は、ＧａＡｓＰ活性層５より大きなバンドギャップを有している。また、ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３，７は、ＩｎＧａＰガイド層４，６よりも大きなバンドギャップを有している。
【００２１】
さて上記構成の半導体レーザ装置１００において、以下の条件の下、半導体レーザ装置１００から出射される光の偏光特性を調べた。
【００２２】
つまり、ＩｎＧａＰガイド層４，６の厚さが０．５μｍ、ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３，７の厚さが０．７μｍの場合において（つまり、ＩｎＧａＰガイド層４，６の合計厚さと、ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３，７の合計厚さとの和が、２．４μｍの場合において）、ＧａＡｓＰ活性層５の厚さを８ｎｍ、１０ｎｍおよび１２ｎｍと変化させたときの、半導体レーザ装置１００から出射される光の偏光特性を調べた。
【００２３】
上記構成の半導体レーザ装置１００は、以下の実験データが示すように、実用性に適する程に、ＴＥ偏光の光強度が大きい光を発振することができる。
【００２４】
半導体レーザ装置１００から出射される光の偏光特性を評価する実験装置として、図２に示すシステムを用いた。図２に示すように、偏光特性を評価する実験装置は、レンズ１０１、偏光子１０２、およびフォトダイオード１０３から構成されている。
【００２５】
半導体レーザ装置１００から出射された光は、レンズ１０１により、平行光線となる。その後、当該平行光線は、回転している偏光子１０２を経て、フォトダイオード１０３に入射する。フォトダイオード１０３に入射した光は、当該フォトダイオード１０３において、電流に変換される。
【００２６】
上記実験装置において、フォトダイオード１０３において変換された電流を観測する。当該観測結果により、半導体レーザ装置１００から出射された光において、どの方向に偏光した光量が多いかを、判断することができる。
【００２７】
まず、比較のために、予め偏光特性が判明している非特許文献１に係る半導体レーザ装置について、実験を行った。図３は、非特許文献１に係る半導体レーザ装置２００である。当該半導体レーザ装置２００は、ファイバアンプ励起用の装置であり、９８０ｎｍの光を出力する。
【００２８】
また、図３に示すように、半導体レーザ装置２００は、ｎ型ＧａＡｓ基板１４、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層１５、アンドープであるＡｌＧａＡｓガイド層１６、アンドープであるＧａＡｓガイド層１７、アンドープであるＩｎＧａＡｓウエル１８、アンドープであるＧａＡｓバリア層１９、アンドープであるＩｎＧａＡｓウエル２０、アンドープであるＧａＡｓガイド層２１、アンドープであるＡｌＧａＡｓガイド層２２、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層２３、およびｐ型ＧａＡｓコンタクト層２４から構成されている。
【００２９】
半導体レーザ装置２００において、活性層は、ＧａＡｓ基板１４よりも格子定数の大きいＩｎＧａＡｓウエルで構成されている。したがって、当該活性層には、圧縮歪がかかることになる。
【００３０】
非特許文献２（Ｓ．Ｗ．Ｃｏｒｚｉｎｅ  ｅｔ，ａｌ．、"Ｔｈｅｏｒｅｔｉｃａｌ  ｇａｉｎ  ｉｎ  ｓｔｒａｉｎｅｄ−ｌａｙｅｒ  ｑｕａｎｔｕｍ  ｗｅｌｌｓ"、Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ  ｏｆ  ＳＰＩＥ、Ｖｏｌ．１８５０、ｐｐ．１７７−１８８、１９９３）に示されているように、活性層に圧縮歪がかかると、半導体レーザ装置はＴＥ偏光の光を発振する。
【００３１】
したがって、半導体レーザ装置２００は、ＴＥ偏光の光を発振することが分かる。
【００３２】
さて、上記半導体レーザ装置２００の偏光特性を、図２に示す実験装置を用いて測定した。結果、図４に示す実験結果が得られた。ここで、図３において、半導体レーザ装置２００からｚ軸方向に沿って進む光について、上記実験を行った。
【００３３】
図４は、半導体レーザ装置２００に対して５００ｍＡの電流を流したときに出射される光の、偏光子１０２の回転角依存性（つまり、偏光特性）を示したものである。図４において、縦軸は、光強度（ａｒｂ．ｕｎｉｔ）であり、横軸は、偏光子の回転角（ｄｅｇ）である。図４に示すように、偏光子１０２の１０°間隔の回転角で、０°〜３６０°に亘って測定を行った。
【００３４】
ここで、ｘ軸方向に偏光した光が、偏光子１０２を通過し、フォトダイオード１０３に入射するときの当該偏光子１０２の回転角を、０°と設定した。したがって、回転角１８０°の場合も、ｘ軸方向に偏光した光が、偏光子１０２を通過し、フォトダイオード１０３に入射する。これに対して、回転角が９０°および２７０°の場合には、ｙ軸方向に偏光した光が、偏光子１０２を通過し、フォトダイオード１０３に入射する。
【００３５】
図４の測定結果から分かるように、半導体レーザ装置２００から出射される光において、偏光子１０２の回転角が９０°および２７０°のときに、光強度が極小となっている。また、偏光子１０２の回転角が０°および１８０°のときに、光強度は極大となっている。
【００３６】
当該実験結果は、図３のｘ軸方向に偏光した光が多いこと、つまり、上述の考察の通り、半導体レーザ装置２００は、ＴＥ偏光の光を発振していることを意味する。
【００３７】
図２に示す実験装置を用いて、非特許文献１に係る半導体レーザ装置２００が、ＴＥ偏光特性を有することが確認されたところで、次に、図１で示した本実施の形態に係る半導体レーザ装置１００の偏光特性の実験を行った。ここで、図１において、半導体レーザ装置１００からｚ軸方向に沿って進む光について、上記実験を行った。
【００３８】
はじめに、次の層厚条件で構成された半導体レーザ装置１００Ａについて、実験を行った。
【００３９】
各ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３，７の厚さが０．７μｍ（合計厚さが１．４μｍ）、各ＩｎＧａＰガイド層４，６の厚さが０．５μｍ（合計厚さが１．０μｍ）、かつ、ＧａＡｓＰ活性層５の厚さが８ｎｍの条件で構成された半導体レーザ装置１００Ａについて、実験を行った。
【００４０】
つまり、ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３，７の合計厚さと、ＩｎＧａＰガイド層４，６の合計の厚さとの和が２．４μｍ、ＧａＡｓＰ活性層５の厚さが８ｎｍ、言い換えると、（ＧａＡｓＰ活性層５の厚さ）×｛（ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３，７の合計厚さ）＋（ＩｎＧａＰガイド層４，６の合計の厚さ）｝＝８ｎｍ×２．４μｍ＝１９．２ｎｍ・μｍ、の条件で構成された半導体レーザ装置１００Ａについて、実験を行った。
【００４１】
上記厚さ条件を有する半導体レーザ装置１００Ａに、５００ｍＡの電流を流し、偏光特性を調べた結果が図５である。
【００４２】
図５において、縦軸は、光強度（ａｒｂ．ｕｎｉｔ）であり、横軸は、偏光子の回転角（ｄｅｇ）である。図５に示すように、偏光子１０２の１０°間隔の回転角で、０°〜３６０°に亘って測定を行った。なお、当該実験は、２つの半導体レーザ装置１００Ａを用いて行われた。
【００４３】
図５の測定結果から分かるように、半導体レーザ装置１００Ａから出射される光において、偏光子１０２の回転角が１５０°および３２０°のときに、光強度が極大となっている。つまり、０°または１８０°の近傍において極大値を有している。このことより、半導体レーザ装置１００Ａから出射される光は、他の偏光成分（特に、ＴＭ偏光成分）と比べて、ＴＥ偏光成分が多いことが分かる。
【００４４】
ここで、極大値の現れる回転角が、０°および１８０°から若干ずれている。これは、その割合が小さいもののＴＭ偏光成分が、半導体レーザ装置１００Ａから出射される光に含まれているからである。
【００４５】
なお、図５において、ピークの光強度と、ボトムの光強度から明らかなように、ＴＭ偏光成分よりも、ＴＥ偏光成分の方が圧倒的に多い。
【００４６】
次に、以下の層厚条件で構成された半導体レーザ装置１００Ｂについて、実験を行った。
【００４７】
各ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３，７の厚さが０．７μｍ（合計厚さが１．４μｍ）、各ＩｎＧａＰガイド層４，６の厚さが０．５μｍ（合計厚さが１．０μｍ）、かつ、ＧａＡｓＰ活性層５の厚さが１０ｎｍの条件で構成された半導体レーザ装置１００Ｂについて、実験を行った。
【００４８】
つまり、ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３，７の合計厚さと、ＩｎＧａＰガイド層４，６の合計の厚さとの和が２．４μｍ、ＧａＡｓＰ活性層５の厚さが１０ｎｍ、言い換えると、（ＧａＡｓＰ活性層５の厚さ）×｛（ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３，７の合計厚さ）＋（ＩｎＧａＰガイド層４，６の合計の厚さ）｝＝１０ｎｍ×２．４μｍ＝２４．０ｎｍ・μｍ、の条件で構成された半導体レーザ装置１００Ｂについて、実験を行った。
【００４９】
半導体レーザ装置１００Ａと半導体レーザ装置１００Ｂとの比較から分かるように、ＧａＡｓＰ活性層５の厚さのみが異なっている。
【００５０】
上記厚さ条件を有する半導体レーザ装置１００Ｂに、５００ｍＡの電流を流し、偏光特性を調べた結果が図６である。
【００５１】
図６において、縦軸は、光強度（ａｒｂ．ｕｎｉｔ）であり、横軸は、偏光子の回転角（ｄｅｇ）である。図６に示すように、偏光子１０２の１０°間隔の回転角で、０°〜３６０°に亘って測定を行った。なお、当該実験は、２つの半導体レーザ装置１００Ｂを用いて行われた。
【００５２】
図６の測定結果から分かるように、半導体レーザ装置１００Ｂから出射される光において、偏光子１０２の回転角が１５０°および３２０°付近のときに、光強度が極大となっている。つまり、１８０°または３６０°（０°）の近傍において極大値を有している。このことより、半導体レーザ装置１００Ｂから出射される光は、他の偏光成分（特に、ＴＭ偏光成分）と比べて、ＴＥ偏光成分が多いことが分かる。
【００５３】
ここで、極大値の現れる回転角が、０°および１８０°から若干ずれている。これは、上述の通り、その割合が小さいもののＴＭ偏光成分が、半導体レーザ装置１００Ｂから出射される光に含まれているからである。
【００５４】
なお、図５，６の比較から分かるように、ピークの光強度と、ボトムの光強度との差が、図６の方が小さくなっている。これは、ＴＭ偏光成分の割合が増したからである。しかし、図６から明らかなように、ＴＭ偏光成分よりも、ＴＥ偏光成分の方が多い。
【００５５】
次に、以下の層厚条件で構成された半導体レーザ装置１００Ｃについて、実験を行った。
【００５６】
各ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３，７の厚さが０．７μｍ（合計厚さが１．４μｍ）、各ＩｎＧａＰガイド層４，６の厚さが０．５μｍ（合計厚さが１．０μｍ）、かつ、ＧａＡｓＰ活性層５の厚さが１２ｎｍ、の条件で構成された半導体レーザ装置１００Ｃについて、実験を行った。
【００５７】
つまり、ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３，７の合計厚さと、ＩｎＧａＰガイド層４，６の合計の厚さとの和が２．４μｍ、ＧａＡｓＰ活性層５の厚さが１２ｎｍ、言い換えると、（ＧａＡｓＰ活性層５の厚さ）×｛（ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３，７の合計厚さ）＋（ＩｎＧａＰガイド層４，６の合計の厚さ）｝＝１２ｎｍ×２．４μｍ＝２８．８ｎｍ・μｍ、の条件で構成された半導体レーザ装置１００Ｃについて、実験を行った。
【００５８】
半導体レーザ装置１００Ａと半導体レーザ装置１００Ｃとの比較から分かるように、ＧａＡｓＰ活性層５の厚さのみが異なっている。
【００５９】
上記厚さ条件を有する半導体レーザ装置１００Ｃに、５００ｍＡの電流を流し、偏光特性を調べた結果が図７である。
【００６０】
図７において、縦軸は、光強度（ａｒｂ．ｕｎｉｔ）であり、横軸は、偏光子の回転角（ｄｅｇ）である。図７に示すように、偏光子１０２の１０°間隔の回転角で、０°〜３６０°に渡って測定を行った。なお、当該実験は、２つの半導体レーザ装置１００Ｃを用いて行われた。
【００６１】
図７の測定結果から分かるように、半導体レーザ装置１００Ｃから出射される光において、光強度のピークと光強度のボトムとの差は、ほとんどない。このことより、半導体レーザ装置１００Ｃから出射される光は、ＴＥ偏光成分とＴＭ偏光成分との割合が等しい、または、ＴＥ偏光成分よりもＴＭ偏光成分の方が若干多い、無偏光状態であることが分かる。
【００６２】
ここで、図７の実験データで示したデータＡでは、光強度のピークと光強度のボトムとの差は、２０ａｒｂ．ｕｎｉｔである。しかし、当該値は、測定誤差の範囲内であり、半導体レーザ装置１００Ｃから出射される光は、十分に、無偏光状態とみなすことができる。
【００６３】
なお、上記の半導体レーザ装置１００Ａ〜１００Ｃが発振する光を、ＴＥ偏光に特化したロッドや光ファイバに入射させても、励起効率の低下は、ほとんど見られなかった。つまり、当該半導体レーザ装置１００Ａ〜１００Ｃは、実用性に適する程に、ＴＥ偏光の光強度が大きい光を発振することができる、半導体レーザ装置であると言える。
【００６４】
さて、膜厚条件を徐々に変化させて、上記実験を行った結果、以下の層厚条件で構成された半導体レーザ装置１００Ｘについて、以下のしきい値的な実験結果が得られた。
【００６５】
つまり、各ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３，７の厚さが１．０μｍ（合計厚さが２．０μｍ）、各ＩｎＧａＰガイド層４，６の厚さ０．５μｍ（合計厚さが、１．０μｍ）、かつ、ＧａＡｓＰ活性層５の厚さが１２ｎｍ、の条件で構成された半導体レーザ装置１００Ｘについて、実験を行った。
【００６６】
つまり、ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３，７の合計厚さと、ＩｎＧａＰガイド層４，６の合計の厚さとの和が３．０μｍ、ＧａＡｓＰ活性層５の厚さが１２ｎｍ、言い換えると、（ＧａＡｓＰ活性層５の厚さ）×｛（ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３，７の合計厚さ）＋（ＩｎＧａＰガイド層４，６の合計の厚さ）｝＝１２ｎｍ×３．０μｍ＝３６．０ｎｍ・μｍ、の条件で構成された半導体レーザ装置１００Ｘについて、実験を行った。
【００６７】
上記厚さ条件を有する半導体レーザ装置１００Ｘに、５００ｍＡの電流を流し、偏光特性を調べた結果が図８である。なお、図８の実験データの見方は、上記図５〜７と同じである。
【００６８】
図８の測定結果から分かるように、半導体レーザ装置１００Ｘから出射される光において、偏光子１０２の回転角が７０°および２５０°のときに、光強度が極大となっている。つまり、９０°または２７０°の近傍において極大値を有している。このことより、半導体レーザ装置１００Ｘから出射される光は、他の偏光成分（特に、ＴＥ偏光成分）と比べて、ＴＭ偏光成分がより多いことが分かる。
【００６９】
なお、上記の半導体レーザ装置１００Ｘが発振する光を、ＴＥ偏光に特化したロッドや光ファイバに入射させた場合には、励起効率の低下が著しくなった。つまり、当該半導体レーザ装置１００Ｘから発振される光には、実用性に適する程の、ＴＥ偏光成分が含まれていないと言える。
【００７０】
以上の実験結果から、以下のことが分かる。
【００７１】
ここで、偏光特性の判断基準として、以下のものを偏光比として定義する。つまり、偏光子の回転角が１８０°のときの光強度に（つまり、ＴＥ偏光の光強度）対する、偏光子の回転角が９０°のときの光強度（つまり、ＴＭ偏光の光強度）の比を、偏光比と定義して用いることにする。
【００７２】
図９は、図５〜８に示した実験結果の対象である各半導体レーザ装置１００Ａ〜１００Ｃ，１００Ｘの偏光比（縦軸）と、活性層５の厚さ（横軸）との関係を示したものである。
【００７３】
ここで、図９の実線は、半導体レーザ装置１００Ａ〜１００Ｃの上記実験データ（図５〜７）から得られる近似線である。言い換えると、上記各層の厚さ条件から分かるように、ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３，７の合計厚さと、ＩｎＧａＰガイド層４，６の合計厚さとの和が、２．４μｍである、半導体レーザ装置１００Ａ〜１００Ｃの上記実験データから得られる近似線である。
【００７４】
また、点線は、半導体レーザ装置１００Ｘの上記実験データ（図８）から得られる近似線である。言い換えると、上記各層の厚さ条件から分かるように、ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３，７の合計厚さと、ＩｎＧａＰガイド層４，６の合計厚さとの和が、３．０μｍである、半導体レーザ装置１００Ｘの上記実験データから得られる近似線である。
【００７５】
なお、図５〜８の上記考察から分かるように、図９中の黒丸は、無偏光状態若しくはＴＥ偏光成分がＴＭ偏光成分より大きい場合のデータである（つまり、上記の通り、実用性を有する半導体レーザ装置のデータである）。また、図９中の白丸は、ＴＥ偏光成分がＴＭ偏光成分よりもかなり小さい場合のデータである（つまり、上記の通り、実用性に乏しい半導体レーザ装置のデータであり、しきい値的実験結果示した半導体レーザ装置である）。
【００７６】
図９の結果から分かるように、偏光比２．３を境にして、半導体レーザ装置の実用性の良し悪しが判断される（つまり、実用性に適する程に、ＴＥ偏光成分が多く含まれる光を発振することができる、半導体レーザ装置であるか否かの判断がされる）。
【００７７】
したがって、図５〜８の実験の考察および図９の結果より、偏光比が２．３未満の場合には、当該偏光比を有する半導体レーザ装置１００は、実用性に適する程に、ＴＥ偏光成分が多く含まれる光を発振することができる、半導体レーザ装置であると言える。
【００７８】
さらに、図９を参酌すると、次のことが言える。
【００７９】
例えば、ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３，７の合計厚さと、ＩｎＧａＰガイド層４，６の合計厚さとの和が、２．４μｍである場合には、図９から、ＧａＡｓＰ活性層５の厚さが、約１６．５ｎｍ以上となると、偏光比が２．３以上となることが分かる。
【００８０】
つまり、（ＧａＡｓＰ活性層５の厚さ）×｛（ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３，７の合計厚さ）＋（ＩｎＧａＰガイド層４，６の合計の厚さ）｝＝１６．５ｎｍ×２．４μｍ＝３９．６ｎｍ・μｍ、以上となると偏光比が２．３以上であることが分かる。
【００８１】
一方、例えば、ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３，７の合計厚さと、ＩｎＧａＰガイド層４，６の合計厚さとの和が、３．０μｍである場合には、図９から、ＧａＡｓＰ活性層５の厚さが、約１２ｎｍ以上となると、偏光比が２．３以上となることが分かる。
【００８２】
つまり、（ＧａＡｓＰ活性層５の厚さ）×｛（ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３，７の合計厚さ）＋（ＩｎＧａＰガイド層４，６の合計の厚さ）｝＝１２ｎｍ×３．０μｍ＝３６．０ｎｍ・μｍ、以上となると偏光比が２．３以上となることが分かる。
【００８３】
また、上記図９を用いた考察および、その他の各層の層厚条件を変化させた考察より、以下の結果が得られた。
【００８４】
つまり、図１で示した構成の半導体レーザ装置１００において、偏光比が２．３未満であるか否かは、（ＧａＡｓＰ活性層５の厚さ）×｛（ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３，７の合計厚さ）＋（ＩｎＧａＰガイド層４，６の合計の厚さ）｝の値が、所定の値であるか否かで判断できる。
【００８５】
図９を含む実験結果により、（ＧａＡｓＰ活性層５の厚さ）×｛（ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３，７の合計厚さ）＋（ＩｎＧａＰガイド層４，６の合計の厚さ）｝の値が、３６．０ｎｍ・μｍ未満の場合には、偏光比が２．３未満であると確実に判断できた。
【００８６】
なお、（ＧａＡｓＰ活性層５の厚さ）×｛（ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３，７の合計厚さ）＋（ＩｎＧａＰガイド層４，６の合計の厚さ）｝＝３６．０ｎｍ・μｍ未満の関係が成立すれば、ＧａＡｓＰ活性層５の厚さ、ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３，７の厚さ、およびＩｎＧａＰガイド層４，６の厚さは、任意に調整できる。
【００８７】
例えば、｛（ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３，７の合計厚さ）＋（ＩｎＧａＰガイド層４，６の合計の厚さ）｝の値を小さくすればするほど、偏光比が２．３未満となる（つまり、上記関係式の値が３６．０ｎｍ・μｍ未満となる）臨界的なＧａＡｓＰ活性層５の厚さは、厚くできる。
【００８８】
これとは逆に、｛（ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３，７の合計厚さ）＋（ＩｎＧａＰガイド層４，６の合計の厚さ）｝の値を厚くすればするほど、偏光比が２．３未満となる（つまり、上記関係式の値が３６．０ｎｍ・μｍ未満となる）臨界的なＧａＡｓＰ活性層５の厚さは、薄くせざるを得ない。
【００８９】
なお、ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３，７の層厚およびＩｎＧａＰガイド層４，６の層厚がμｍオードとなり、ＧａＡｓＰ活性層５の層厚がｎｍオーダとなるのは、以下の理由に依るものと考えることができる。
【００９０】
ＧａＡｓＰ活性層５の格子定数は、ＧａＡｓ基板２の格子定数よりも小さい。一方、ＩｎＧａＰガイド層４，６およびＡｌＧａＩｎＰクラッド層３，７は、ＧａＡｓ基板２とう同程度の格子定数であるが、厳密に言うと、ＩｎＧａＰガイド層４，６およびＡｌＧａＩｎＰクラッド層３，７の格子定数は、ＧａＡｓ基板２の格子定数よりも大きい。
【００９１】
非特許文献２に示す歪量子井戸成長によると、成長させる結晶の格子定数が基板の格子定数よりも小さい場合は、基板上に成長される結晶の厚さは薄くなる。一方、成長させる結晶の格子定数が基板の格子定数とほぼ同じである場合にあは、基板上に成長される結晶の厚さは厚くなる。各層の層厚オーダは、このことを反映したものである。
【００９２】
以上のように、図１に示した本実施の形態に係る半導体レーザ装置１００において、偏光比が２．３未満の場合には、当該半導体レーザ装置１００は、実用性に適する程に、ＴＥ偏光成分が多く含まれている（つまり、ＴＥ偏光の光強度が大きい）光を発振させることができる。
【００９３】
また、図１で示した構造の半導体レーザ装置１００において、（ＧａＡｓＰ活性層５の厚さ）×｛（ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３，７の合計厚さ）＋（ＩｎＧａＰガイド層４，６の合計の厚さ）｝＝３６．０ｎｍ・μｍ未満、の関係を満たす場合には、当該半導体レーザ装置１００の偏光比の値は確実に、２．３未満となる。
【００９４】
なお、上述したように、（ＧａＡｓＰ活性層５の厚さ）×｛（ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３，７の合計厚さ）＋（ＩｎＧａＰガイド層４，６の合計の厚さ）｝＝３６．０ｎｍ・μｍ未満であれば良く、各層３〜７の層厚は、任意に調整できる。
【００９５】
また、本実施の形態に係る半導体レーザ装置１００は、Ａｌ（アルミニウム）を含まないＧａＡｓＰ活性層５を備えている。したがって、Ａｌを含む活性層とは異なり、Ａｌの酸化等に起因した問題（例えば、長期に渡る動作の安定性が保てない）は解消される。
【００９６】
また、理論計算結果から、各ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３，７の合計厚さは、１．０μｍ以上であることが望ましい。
【００９７】
もし、各ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３，７の合計厚さが１．０μｍ未満であれば、レーザ発振のしきい値電流が大幅に増加し、レーザ発振効率が低下するからである。このような現象が起こるのは、以下の理由のためである。
【００９８】
ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３，７の合計厚さが１．０μｍ未満と薄くなると、当該ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３，７内で、光強度を十分に減衰させることができなくなる。したがって、光の一部は、ＧａＡｓ基板２およびＧａＡｓコンタクト層８にまで達し、ＧａＡｓ基板２およびＧａＡｓコンタクト層８において、当該光の一部が吸収される。よって、ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３，７の合計厚さが１．０μｍ未満の半導体レーザ装置は、レーザ発振のしきい値電流が大幅に増加し、レーザ発振効率が低下する。
【００９９】
なお、ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３，７の合計厚さは、１．０μｍ以上であれば良く、必ずしも、ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３とＡｌＧａＩｎＰクラッド層７の厚さが、同じである必要はない。
【０１００】
また、理論計算結果から、各ＩｎＧａＰガイド層４，６の合計厚さは、２．０μｍ以下であることが望ましい。
【０１０１】
もし、ＩｎＧａＰガイド層４，６の合計厚さが２．０μｍを超えたなら、レーザ発振のしきい値電流が大幅に増加するからである。このような現象が起こるのは、以下の理由のためである。
【０１０２】
ＩｎＧａＰガイド層４，６の合計厚さが２．０μｍを超えるほどに厚くなると、近視野像の光強度分布幅が拡大する。このことにより、ＧａＡｓＰ活性層５の領域と、近視野像の光強度分布との重なる領域が減少する。よって、ＩｎＧａＰガイド層４，６の合計厚さが２．０μｍを超える半導体レーザ装置は、レーザ発振のしきい値電流が増加する。
【０１０３】
なお、ＩｎＧａＰガイド層４，６の合計厚さは、２．０μｍ以下であれば良く、必ずしも、ＩｎＧａＰガイド層４の厚さと，ＩｎＧａＰガイド層６の厚さとが、同じである必要はない。
【０１０４】
また、理論計算結果から、各ＩｎＧａＰガイド層４，６の合計厚さは、０．８μｍ以上であることが望ましい。
【０１０５】
もし、ＩｎＧａＰガイド層４，６の合計厚さが０．８μｍを未満なら、ＹＡＧロッド等にレーザ光が入射し難くなるからである。これは、ＩｎＧａＰガイド層４，６の合計厚さが０．８μｍ未満と薄くなると、ガイド層内の光閉じ込めが強くなり、ビーム幅が広がるためである。
【０１０６】
なお、ＩｎＧａＰガイド層４，６の合計厚さは、０．８μｍ以上であれば良く、必ずしも、ＩｎＧａＰガイド層４の厚さと，ＩｎＧａＰガイド層６の厚さとが、同じである必要はない。
【０１０７】
さらに、ＧａＡｓＰ活性層５の厚さは、５ｎｍ以上〜１２ｎｍ以下であり、また、ＧａＡｓＰ活性層５の組成比は、Ａｓ：Ｐ＝９：１、であることが望ましい。このようなＧａＡｓＰ活性層５を採用することにより、半導体レーザ装置１００は、７８０ｎｍ〜８２０ｎｍの波長の光を発振することができるからである。
【０１０８】
当該波長範囲の光は、Ｎｄ：ＹＡＧやＮｄ：ＹＬＦといった、固体レーザの励起光源として最適であり、半導体レーザ装置１００の実用性が向上する。
【０１０９】
また、本実施の形態に係る半導体レーザ装置１００では、ＧａＡｓ基板２の表面の面方位は、（１００）面に対して、略１０°のオフ角を有していることが望ましい。
【０１１０】
当該オフ角を有するＧａＡｓ基板２を用いた場合には、ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３，７、ＩｎＧａＰガイド層４，６、およびＧａＡｓＰ活性層５の結晶性が向上するからである。また、当該結晶性の向上により、レーザ発振の際のしきい値電流をより低下させることができるからである。
【０１１１】
なお、本実施の形態に係る半導体レーザ装置１００では、ＧａＡｓＰ活性層５が１層である単一量子井戸構造の場合を示した。しかし、これに限るものではなく、ＧａＡｓＰ活性層５が２層、３層等である多重量子井戸構造でも良い。当該多重量子井戸構造の場合には、上記所定の積算のＧａＡｓＰ活性層５の厚さとしては、合計の層厚を用いる。
【０１１２】
また、ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３，７およびＩｎＧａＰガイド層４，６においても、上記以外の層構造でも良い。例えば、ＡｌＧａＩｎＰクラッド層３や、ＩｎＧａＰガイド層４等は、単層としたが、複層であっても良い。この場合においても、上記所定の積算のＡｌＧａＩｎＰクラッド層３，７の層厚およびＩｎＧａＰガイド層４，６の層厚としては、合計の層厚を用いる。
【０１１３】
＜実施の形態２＞
図１０は、本実施の形態に係る半導体レーザ装置の構成を示す断面斜視図である。また、図１１は、図１０の一部の構成を示した断面斜視図である。具体的に、図１０は、７点アレイの半導体レーザ装置１５０を示した図であり、図１1は、一アレイ分の構成を拡大した図である。
【０１１４】
本実施の形態に係る半導体レーザ装置１５０は、実施の形態１に係る半導体レーザ装置１００と、以下の点を除き、同じ構成である。
【０１１５】
つまり、本実施の形態に係る半導体レーザ装置１５０では、ｐ型のＡｌＧａＩｎＰクラッド層７とｐ電極９との間に形成されている、ｐ型のＧａＡｓコンタクト層８において、プロトンが注入されている。
【０１１６】
図１０，１１に示されているように、ＧａＡｓコンタクト層８の表面から、ＡｌＧａＩｎＰクラッド層７の所定の深さまでの部分において、水平方向に所定の間隔を隔てて、プロトンが注入されている領域（プロトン注入領域２５）が形成されている。
【０１１７】
図１０，１１において、プロトンが注入されていない領域（プロトン非注入領域２６）から、光が出射される。
【０１１８】
その他の構成は、実施の形態１に係る半導体レーザ装置１００と同じであるので、ここでの説明は省略する。
【０１１９】
本実施の形態に係る半導体レーザ装置１５０は、ＧａＡｓコンタクト層８の表面内に、プロトン注入領域２５が形成されているので、図１２に示す構成の半導体レーザ装置と比べて、以下に示す効果を有する。
【０１２０】
ここで、図１２に示すように、半導体レーザ装置３００は、ｎ電極５１、ｎ型ＧａＡｓ基板５２、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層５３、ＡｌＧａＩｎＰガイド層５４、ＧａＡｓＰ活性層５５、ＡｌＧａＩｎＰガイド層５６、ｐ型ＡｌＧａＡｓクラッド層５７、ｎ型ＧａＡｓ電流狭窄層５８、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層２９、およびｐ電極から構成されている。
【０１２１】
ところで、プロトン注入領域２５は、プロトン非注入領域２６と比較して、電気抵抗が上昇する。これは、プロトンが、注入した領域の電気抵抗を上昇させる作用を有しているからである。
【０１２２】
したがって、プロトン注入領域２５は、所定の間隔だけ隔てて形成されているが、ｐ電極９からの電流は、当該プロトン注入領域２５間のプロトン非注入領域２６を流れる（つまり、プロトン注入領域２５には、電流は流れない）。よって、半導体レーザ装置１５０は、図１２に示すような電流狭窄のための電流狭窄層５８を形成すること無く、所望の電流狭窄を行うことができる。
【０１２３】
また、図１２に示す電流狭窄層５８を形成するためには、エッチングや結晶成長等の工程が必要であった。しかし、本実施の形態に係る半導体レーザ装置１５０では、そのような工程を省略することができる。
【０１２４】
以上により、本実施の形態に係る半導体レーザ装置１５０は、電流狭窄層５８を備える半導体レーザ装置よりも、製造が容易で、製造コストが削減できるという効果を有する。
【０１２５】
さらに、電流狭窄層５８を有する半導体レーザ装置３００では、図１２から分かるように、凸状のリッジ部６５を形成する必要がある。したがって、図１２に示す半導体レーザ装置３００では、当該リッジ部６５を有する面において表面は、平坦（つまり、面一）ではなかった。
【０１２６】
このような形状に起因して、当該リッジ部６５付近で応力集中が起こったり、また、ジャンクションダウン実装の際の接合強度が弱くなる等の問題があった。
【０１２７】
ここで、ジャンクションダウン実装とは、活性層に形成されるＰＮ接合部を、サブマウント基板、ヒートシンクに近づける実装方式のことである。半導体レーザ装置は、図１等の構成から分かるように、活性層を基準として、厚さが大変厚い基板２を有する側と、そうでない側とが存する。したがって、ジャンクションダウン実装とは、基板２が形成されていない側を、サブマウント基板と接合させる方式のことである。
【０１２８】
しかし、本実施の形態に係る半導体レーザ装置１５０では、上記リッジ部を有しておらず、半導体レーザ装置１５０の面（特に、ｐ電極９の配設側の面）は、面一である。したがって、上記のような応力集中が生じることが無い。
【０１２９】
また、本実施の形態に係る半導体レーザ装置１５０を、図１３に示すように、はんだ２７を介して、サブマウント基板２８上に、ジャンクション実装したとする。ところが、半導体レーザ装置１５０のｐ電極９が形成されている面は、平面である。したがって、半導体レーザ装置１５０をジャンクションダウン実装したとしても、サブマウント基板２８と当該半導体レーザ装置１５０との接合強度を向上させることができる。
【０１３０】
なお、図１３では、半導体レーザ装置１５０のｐ電極９は、はんだ２７を介して、サブマウント基板２８にジャンクションダウン実装されている。また、当該サブマウント基板２８は、はんだ２９を介して、銅や銀等が主成分であるブロック（ヒートシンク）３０に接合されている。
【０１３１】
また、プロトン注入領域２５の深さは、ＧａＡｓコンタクト層８の膜厚よりも、少しでも深ければ良い。例えば、ＧａＡｓコンタクト層８の表面から、ＡｌＧａＩｎＰクラッド層７の表面から０．１μｍ程度の深さまで、プロトン注入領域２５が形成されていれば、十分に電流狭窄を行うことができる。
【０１３２】
ところで、ＧａＡｓコンタクト層８の厚さは、０．１μｍ以下でも、その機能（クラッド層７と電極とのオーミックコンタクト機能）を果たすことができる。
【０１３３】
以上のことから、本実施の形態に係る半導体レーザ装置１５０は、以下に示す効果も有する。
【０１３４】
電流狭窄層５８が形成されている図１２に示す構造の場合には、当該電流狭窄層５８の膜厚は１μｍ以上であった。また、当該構成の半導体レーザ装置３００をジャンクションダウン実装したとする。このような場合には、熱発生源となる活性層５５のＰＮ接合部から、サブマウント基板に接合されているｐ電極６０までの距離が長くなり、熱抵抗は大きくならざるを得なかった。
【０１３５】
しかし、本実施の形態に係る半導体レーザ装置１５０では、プロトン注入領域２５を有するＧａＡｓコンタクト層８の層厚は、上述の通り、０．１μｍ程度である。また、ＡｌＧａＩｎＰクラッド層７の表面から０．１μｍ程度の深さまで、プロトン注入領域２５が形成されていれば、十分に電流狭窄を行うことができる。つまり、当該半導体レーザ装置１５０は、ＧａＡｓコンタクト層８の層厚および電流狭窄に寄与する部分が、非常に小さい構成を有する。
【０１３６】
したがって、本実施の形態に係る半導体レーザ装置１５０をジャンクションダウン実装したとしても、熱発生源となるＧａＡｓＰ活性層５のＰＮ接合部から、サブマウント基板２８に接合されているｐ電極９までの距離を短くすることができる。つまり、本実施の形態に係る半導体レーザ装置１５０は、熱抵抗を低減することが可能となる。
【０１３７】
なお、図１０では、７点アレイの半導体レーザ装置１５０を図示した。しかし、光源となる箇所は７点に限定する必要は無く、７点より多くとも少なくても良いということは言うまでも無い。
【図面の簡単な説明】
【０１３８】
【図１】実施の形態１に係る半導体レーザ装置の構成を示す断面斜視図である。
【図２】偏光特性を調べるための実験装置の概念図である。
【図３】非特許文献１に係る半導体レーザ装置の構成を示す断面斜視図である。
【図４】非特許文献１に係る半導体レーザ装置の偏光特性の実験結果を表す図である。
【図５】実施の形態１に係る半導体レーザ装置の偏光特性の実験結果を表す図である。
【図６】実施の形態１に係る半導体レーザ装置の偏光特性の実験結果を表す図である。
【図７】実施の形態１に係る半導体レーザ装置の偏光特性の実験結果を表す図である。
【図８】クラッド層の層厚を厚くした場合における、偏光特性の実験結果を表す図である。
【図９】活性層厚と偏光比の関係を示す図である。
【図１０】実施の形態２に係る半導体レーザ装置の構成を示す断面斜視図である。
【図１１】実施の形態２に係る半導体レーザ装置の構成を示す断面斜視図である。
【図１２】電流狭窄層およびリッジ部を有する半導体レーザ装置の構成を示す断面図である。
【図１３】実施の形態２に係る半導体レーザ装置がジャンクションダウン実装されている様子を示す図である。
【符号の説明】
【０１３９】
１  ｎ電極、２  ＧａＡｓ基板、３  ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、４  ＩｎＧａＰガイド層、５  ＧａＡｓＰ活性層、６  ＩｎＧａＰガイド層、７  ＡｌＧａＩｎＰクラッド層、８  ＧａＡｓコンタクト層、９  ｐ電極、２５  プロトン注入領域、２６  プロトン非注入領域、２７，２８  はんだ、２９  サブマウント基板、３０ブロック（ヒートシンク）、１００，１５０  半導体レーザ装置、１０１  レンズ、１０２  偏光子、１０３  フォトダイオード。
【図１】
2006269581.tif 000003
【図２】
2006269581.tif 000004
【図３】
2006269581.tif 000005
【図４】
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【図５】
2006269581.tif 000007
【図６】
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【図７】
2006269581.tif 000009
【図８】
2006269581.tif 000010
【図９】
2006269581.tif 000011
【図１０】
2006269581.tif 000012
【図１１】
2006269581.tif 000013
【図１２】
2006269581.tif 000014
【図１３】
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