(57)【要約】【課題】より合理的で，かつ科学的な単結晶インゴットの切断位置及びサンプリング位置を決められるサンプリング規則が提供できる結晶成長されたインゴットの品質評価方法を提供する。【解決手段】切断位置とサンプリング位置決定ステップ及びサンプル評価ステップを含む単結晶インゴットの品質評価方法であって，前記切断位置とサンプリング位置決定ステップは，ａ）装備別，製品別に切断位置，サンプリング位置，及びプライム位置決定に対する基本情報を入力するステップと，ｂ）前記基本情報によって，切断位置，プライム位置，及びサンプリング位置を予定するステップと，ｃ）インゴット成長過程をモニタリングし，インゴットの成長と関連したＸ因子を分析・格納するステップと，ｄ）前記基本情報と前記Ｘ因子を反映して切断位置とサンプリング位置を確定するステップとを含むことを特徴とする。【選択図】図１
2006352131.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
切断（cropping）位置とサンプリング位置の決定ステップ，及びサンプル評価ステップを含む単結晶インゴットの品質評価方法であって，
前記切断位置とサンプリング位置の決定ステップは，
ａ）装備別，製品別に切断位置，サンプリング位置，及びプライム位置決定に対する基本情報を入力するステップと，
ｂ）前記基本情報によって，切断位置，プライム位置，及びサンプリング位置を予定するステップと，
ｃ）インゴット成長過程をモニタリングし，インゴットの成長と関連したＸ因子を分析・格納するステップと，
ｄ）前記基本情報と前記Ｘ因子を反映して切断位置とサンプリング位置を確定するステップと，
を含むことを特徴とする結晶成長されたインゴットの品質評価方法。
【請求項２】
前記（ｄ）ステップは，プライムスタート位置及びエンド位置を確定するステップであって，
ｄ−１）前記Ｘ因子に対する管理限界を設定するステップと，
ｄ−２）前記Ｘ因子が管理限界内にあるかどうかを確認するステップと，
ｄ−３）前記Ｘ因子が前記管理限界を外れる前・後位置をプライムスタート位置及びエンド位置に確定するステップと，
を含むことを特徴とする請求項１記載の結晶成長されたインゴットの品質評価方法。
【請求項３】
前記（ｃ）ステップのＸ因子は，インゴットの直径，シード結晶の引上げ速度及び回転速度，磁場強さの中から選択される１つ以上のものであることを特徴とする請求項１に記載の結晶成長されたインゴットの品質評価方法。
【請求項４】
抵抗予測のために成長されたインゴットの重さ及び直径を測定するステップを更に含むことを特徴とする請求項１記載の結晶成長されたインゴットの品質評価方法。
【請求項５】
前記サンプル評価ステップは，
ｅ）前記（ｄ）ステップで確定された位置においてインゴットを切断してスラグ及びブロックを形成するステップと，
ｆ）前記スラグを評価するステップと，
ｇ）前記スラグ評価結果及び切断位置データを格納するステップと，
ｈ）前記サンプルの品質を評価するステップと，
を含むことを特徴とする請求項１記載の結晶成長されたインゴットの品質評価方法。
【請求項６】
前記（ｅ）ステップは，
ｅ−１）テール位置でインゴットを切断してテールエンドスラグを形成するステップと，
ｅ−２）前記テールエンドスラグを採取して抵抗を測定するステップと，
ｅ−３）ショルダー位置でインゴットを切断し，前記ショルダーの重さを測定するステップと，
ｅ−４）前記（ｄ）ステップで確定されたプライムスタート位置でインゴットを切断し，前記プライムスタートスラグを採取して抵抗を測定するステップと，
を含むことを特徴とする請求項５記載の結晶成長されたインゴットの品質評価方法。
【請求項７】
前記（ｆ）ステップは，
ｆ−１）前記インゴットの重さ及び位置別の直径，プライムスタート位置及びテール位置スラグの比抵抗値を利用して分配係数値（Ｋ）を計算するステップと，
ｆ−２）前記で測定されたショルダーの重さと前記分配係数値を利用して初期比抵抗値（Ｒ０）を計算するステップと，
ｆ−３）前記初期比抵抗値と分配係数値から固化率（ｇ）を計算するステップと，
ｆ−４）前記インゴットの位置に係る直径を利用して位置別累積固化率値を計算するステップと，
ｆ−５）前記位置と固化率の関係を利用して正確なプライム位置を予測するステップと，
を含んで構成されることを特徴とする請求項５記載の結晶成長されたインゴットの品質評価方法。
【請求項８】
前記（ｈ）ステップは，
ｈ−１）前記インゴットをスライスしてサンプルを形成するステップと，
ｈ−２）前記サンプルの品質を評価するステップと，
を含んで構成されることを特徴とする請求項５記載の結晶成長されたインゴットの品質評価方法。
【請求項９】
前記（ｈ−２）ステップの品質評価結果が不満足な場合にはサンプリング位置を更に決定してサンプリングした後に品質を再評価することを特徴とする請求項８記載の結晶成長されたインゴットの品質評価方法。
【請求項１０】
前記（ｈ−２）ステップの品質評価結果を基本情報に入力するステップを更に含むことを特徴とする請求項８または９記載の結晶成長されたインゴットの品質評価方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，結晶成長されたインゴットの品質評価方法に関し，より詳しくは，結晶成長工程でモニタリングしたインゴットの品質に影響を与える要素（Ｘ因子）などを選別した後，これを統合的に比較／分析した結果に基づいて，より合理的で，かつ科学的な単結晶インゴットの切断（cropping）位置及びサンプリング位置を決定できるサンプリング規則を作り，これによって，剰余テストや不用プライムの量を最小化し，前記インゴットの切断及びサンプリング活動を自動化システムで構築し，インゴット切断位置に対する客観的なデータ算出とデータベース化によって業務の生産性及び効率を向上することができる単結晶インゴットの品質評価方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体などの電子部品を生産するための基板素材として使われるシリコンなどのウエハ（wafer）は単結晶シリコンインゴット（ingot）を薄い厚さに切断（slice）して作る。単結晶インゴットは多結晶シリコンをチョクラルスキ方法（Czochralski method：以下，ＣＺ方法と称する）または溶融帯域法（Float Zone；以下，ＦＺ方法と称する）などで棒形状の単結晶ボディーを形成した後に，この単結晶ボディーを外部表面加工して一定の直径を有するようにし，一定の長さで切断することによって製造完了される。以下，ＣＺ方法により単結晶を形成する方法を簡略に説明する。
【０００３】
ＣＺ方法は，まず，多結晶シリコンの溶融液に種子結晶（seed crystal）を浸漬（dipping）した後に，引上げ（pull）て種子結晶から細くて長い単結晶を成長させるネッキング（necking）ステップを進行する。そして，単結晶を種子結晶と直交する直径方向に成長させるショルダリング（shouldering）ステップを進行して成長された単結晶が所定の大きさ以上の直径を有するようにし，引続きボディー成長（body growing）ステップにより成長された部分はウエハが作られる部分になる。そして，単結晶ボディーを所定の長さだけ成長させた後には，単結晶ボディーの直径を減少させて，最終的に成長された単結晶ボディーをシリコンの溶融液部分と分離するテーリング（tailing）ステップを経て結晶成長過程を完了する。
【０００４】
次に，前記結晶成長された単結晶ボディーを切断（cropping）してボディー成長された部分だけ残留するようにした後，この棒形状の残留する部分が所定の直径を有するように外部表面を加工（grinding）する。そして，この所定直径を有する棒形状の単結晶ボディーを一定の長さを有するように切断して所定の長さを有する単結晶インゴットの製造を完了する。
【０００５】
最後に，前記単結晶インゴットを内周または外周ブレード，またはワイヤーを利用して，一定の厚さで薄くスライシング（slicing）してウエハを製造した後に，一連の複雑な形状化工程とポリッシング工程を遂行して半導体素子の製造に適当なウエハを形成する。
【０００６】
しかしながら，このような単結晶シリコンインゴットの成長工程のうち，ネッキング，ショルダリング，ボディーグローイング，テーリング工程は，種子結晶をポリシリコン融液と接触させた状態で目的とする単結晶インゴットの直径及び長さまで成長させる工程であるので，工程進行中，種々なる工程変数を考慮しなければならない。
【０００７】
したがって，前記切断されたボディーを薄くスライシングしてウエハを製造するに先立ち，上記のように結晶成長されたインゴットを切断して生成されたスラグ（slug）の品質を評価することによって，前記インゴットが使用者（user）の要求する比抵抗を始めとするその他の品質を満足するかどうかを確認しなければならない。
【０００８】
従来では前記単結晶インゴットの切断及びサンプリング位置を経験値により決めていたが，例えば，１０ｃｍなど，一定間隔毎に切断して生成されたスラグやウエハの品質を評価する等間隔評価を遂行していたので，インゴット１個当たり品質評価費用が過多にかかる問題があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は，このような問題を勘案したものであって，結晶成長工程でモニタリングしたインゴットの品質に影響を与える要素（Ｘ因子）などを選別した後，これを統合的に比較／分析した結果を基にして，より合理的で，かつ科学的な単結晶インゴットの切断（cropping）位置及びサンプリング位置を決定できるサンプリング規則を提供できる結晶成長されたインゴットの品質評価方法を提供することをその目的とする。
【００１０】
また，本発明は，剰余テストや不用プライムの量を最小化し，前記インゴットの切断及びサンプリング活動を自動化システムで構築し，インゴット切断位置に対する客観的なデータ算出とデータベース化によって，業務の生産性及び効率を向上することができる単結晶インゴットの品質評価方法を提供することをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記目的を達成するために，本発明は，切断（cropping）位置とサンプリング位置の決定ステップ，及びサンプル評価ステップを含む単結晶インゴットの品質評価方法であって，
前記切断位置とサンプリング位置の決定ステップは，
ａ）装備別，製品別に切断位置，サンプリング位置，及びプライム位置決定に対する基本情報を入力するステップと，
ｂ）前記基本情報によって，切断位置，プライム位置，及びサンプリング位置を予定するステップと，
ｃ）インゴット成長過程をモニタリングし，インゴットの成長と関連したＸ因子を分析・格納するステップと，
ｄ）前記基本情報と前記Ｘ因子を反映して切断位置とサンプリング位置を確定するステップと，を含むことを特徴とする結晶成長されたインゴットの品質評価方法を提供する。
【００１２】
前記（ｄ）ステップは，プライムスタート位置及びエンド位置を確定するステップであって，
ｄ−１）前記Ｘ因子に対する管理限界を設定するステップと，
ｄ−２）前記Ｘ因子が管理限界内にあるかどうかを確認するステップと，
ｄ−３）前記Ｘ因子が前記管理限界を外れる前・後位置をプライムスタート位置及びエンド位置に確定するステップと，を含むことを特徴とする。
【００１３】
前記（ｃ）ステップのＸ因子は，インゴットの直径，シード結晶の引上げ速度及び回転速度，磁場強さの中から選択される１つ以上のものであることを特徴とする。
【００１４】
抵抗予測のために成長されたインゴットの重さ及び直径を測定するステップを更に含むことを特徴とする。
【００１５】
また，前記サンプル評価ステップは，
ｅ）前記（ｄ）ステップで確定された位置においてインゴットを切断してスラグ及びブロックを形成するステップと，
ｆ）前記スラグを評価するステップと，
ｇ）前記スラグ評価結果及び切断位置データを格納するステップと，
ｈ）前記サンプルの品質を評価するステップと，を含むことを特徴とする。
【００１６】
前記（ｅ）ステップは，
ｅ−１）前記（ｄ）ステップで確定されたテール位置でインゴットを切断してテールエンドスラグを形成するステップと，
ｅ−２）前記テールエンドスラグを採取して抵抗を測定するステップと，
ｅ−３）前記（ｄ）ステップで確定されたショルダー位置でインゴットを切断し，前記ショルダーの重さを測定するステップと，
ｅ−４）前記（ｄ）ステップで確定されたプライムスタート位置でインゴットを切断し，前記プライムスタートスラグを採取して抵抗を測定するステップと，を含むことを特徴とする。
【００１７】
前記（ｆ）ステップは，
ｆ−１）前記インゴットの重さ及び位置別の直径，プライムスタート位置及びテール位置スラグの比抵抗値を利用して分配係数値（Ｋ）を計算するステップと，
ｆ−２）前記で測定されたショルダーの重さと前記分配係数値を利用して初期比抵抗値（Ｒ０）を計算するステップと，
ｆ−３）前記初期比抵抗値と分配係数値から固化率（ｇ）を計算するステップと，
ｆ−４）前記インゴットの位置に係る直径を利用して位置別累積固化率値を計算するステップと，
ｆ−５）前記位置と固化率の関係を利用して正確なプライム位置を予測するステップと，を含んで構成されることを特徴とする。
【００１８】
前記（ｈ）ステップは，
ｈ−１）前記インゴットをスライスしてサンプルを形成するステップと，
ｈ−２）前記サンプルの品質を評価するステップと，を含んで構成されることを特徴とする。
【００１９】
前記（ｈ−２）ステップの品質評価結果が不満足な場合にはサンプリング位置を更に決定してサンプリングした後に品質を再評価することを特徴とする。
【００２０】
前記（ｈ−２）ステップの品質評価結果を基本情報に入力するステップを更に含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
このように本発明による結晶成長されたインゴットの品質評価方法によれば，次のような効果がある。
【００２２】
まず，本発明は，結晶成長工程でモニタリングしたインゴットの品質に影響を与える要素（Ｘ因子）を選別した後，これを統合的に比較／分析した結果を基にして，単結晶インゴットの切断（cropping）位置及びサンプリング位置，サンプリング数を決定するための規則を作ることによって，サンプル数の過剰の問題を解決する。
【００２３】
また，本発明はプライムスタート位置及びエンドの位置を計算した後に切断を行うので，剰余テストや不用プライムの量を最小化する。
【００２４】
これによって，従来の等間隔評価の場合，同一顧客製品の場合，切断位置及びサンプリング位置が同一であるので，サンプルによる評価費用が多大なものとなっていたが，本発明によれば，サンプル評価費用が最小化できる。
【００２５】
また，本発明は，前記モニタリングされたＸ因子の異常成長位置，スラグ評価によるプライム抵抗予測位置，及び品質関連データであるＹ因子を各々分析した後に，前記各々のデータを入力・格納して切断（cropping）及びサンプリング位置とサンプル数を決める活動に反映する。
【００２６】
これによって，インゴット切断位置及びサンプリング位置などに対する客観的なデータが算出でき，これをデータベース化して，業務の生産性及び効率を向上することができる。
【００２７】
また，本発明は，切断及びサンプリング業務を自動化システムで構築して，工程の自動化が可能であり，これによって，作業者及び現場業務量を減少させることができるという優れる効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下，添付の図面を参照しつつ本発明の好ましい実施形態を詳細に説明する。
【００２９】
本発明の結晶成長されたインゴットの品質評価方法は，切断（cropping）位置とサンプリング位置を決めるステップ，そしてサンプル評価ステップに大別される。
【００３０】
この際，前記切断位置とサンプリング位置を決定するステップは，
ａ）装備別，製品別に切断位置，サンプリング位置，及びプライム位置決定に対する基本情報を入力するステップと，
ｂ）前記基本情報によって，切断位置，プライム位置，及びサンプリング位置を予定するステップと，
ｃ）インゴット成長工程をモニタリングし，インゴットの成長と関連したＸ因子を分析・格納するステップと，
ｄ）前記基本情報とインゴット成長と関連したＸ因子を反映して切断位置とサンプリング位置を確定するステップとから構成される。
【００３１】
図１に示すように，まず，作業者は既存のデータを基にして，装備別，製品別にインゴットの切断位置，サンプリング方法（サンプリング位置及びサンプリング数），及びプライム位置選定方法に対する基本情報を入力する（ａステップ）。前記基本情報とは，従来の経験値による切断位置とサンプリング位置及びサンプリング数などをいう。
【００３２】
また，後述するサンプルの品質評価のための評価項目及びサンプル数を最小限にして基本サンプル規則で表せば次の通りである。
【００３３】
【表１】
2006352131.tif 000003
【００３４】
前記において，Ｒｅｓ（Resistivity）は比抵抗値，ＯＩは酸素濃度，ＯＩＳＦ（Oxidation Induced Stacking Fault）は酸化有機積層欠陥，Ｃｓは炭素濃度，ＦＰＤ（Flow Pattern Defects）はバカンシータイプの欠陥であってウエハの表面に対するセコエッチング後に現れる欠陥，ＬＤＰ（Loop Dislocation Pit）はループ電位ピットであってインタースティシャルタイプの欠陥を意味する。
【００３５】
次に，前記入力された基本情報によって，切断位置とサンプリング位置を予定する（ｂステップ）。
【００３６】
次に，インゴット成長工程をモニタリングし，インゴットの成長と関連した主要因子（以下，「Ｘ因子」という）を分析・格納する（ｃステップ）。この際，Ｘ因子はインゴット成長過程で希望するインゴットの直径と結晶欠陥の少ない高純度の単結晶インゴットを成長させるための主要工程変数であって，大きく磁場強さ，インゴットの直径，引上げ速度及び回転速度などを意味する。特に，シード結晶の引上げ速度はプラーのホットゾーン（hot zone）構造により決まる温度条件と共に成長される単結晶インゴットの直径と成長速度及び品質を左右する。
【００３７】
これは前記切断及びサンプリング位置に対する基本情報だけでなく，前記モニタリングされたシード結晶の引上げ速度のようなＸ因子を追加することにより，インゴットの切断位置及びサンプリング位置を最適化して，サンプリング数を最小化しようとしたのである。
【００３８】
より具体的に考察すれば，単結晶インゴットの直径は引上げ速度に反比例するのでインゴットの直径を増加させるために，引上げ速度を減少させることは経済的側面で一定の限界を有し，シード結晶の引上げ速度が充分に高くない場合には，単結晶成長過程で発生する点欠陥が拡散移動して大規模の電位ループ（dislocation loop）が形成される，いわゆるラージディスロケーション（large dislocation）というインゴットの品質的な問題を誘発する。
【００３９】
一方，シード結晶の引上げ速度を増加させれば，希望するインゴットの直径が充分に確保できないだけでなく，結晶成長の際，固体化する領域の冷却が急激になされて，過度に存在する点欠陥がインゴットの縁部に充分に抜け出ていないまま，結晶内に固着するという問題がある。
【００４０】
結晶欠陥発生と関連して，より具体的に考察すれば，シード結晶の引上げ速度がターゲット引上げ速度範囲より高くなれば，バカンシータイプの欠陥であるＦＰＤが発生することになり，その反対の場合には，インタースティシャルタイプの欠陥であるＬＤＰ（ループ電位ピット）が発生することになる。
【００４１】
したがって，前記Ｘ因子として単結晶の生産性と品質を大きく左右するシード結晶の引上げ速度を選択することがより好ましい。
【００４２】
また，後述する抵抗予測のために，上記のように成長されたインゴットの重さを測定し，サンプルの追加のために，前記インゴットの直径を測定することがより好ましい。
【００４３】
次に，前記基本情報とインゴット成長と関連したＸ因子を反映して切断位置とサンプリング位置を確定するステップ（ｄステップ）であって，ｄステップでプライムスタート位置及びエンド位置を確定した後にブロックを切断する。
【００４４】
即ち，前記（ｄ）ステップは，
前記（ｃ）ステップで分析された主要Ｘ因子に基づいて，プライムスタート位置及びエンド位置を確定するステップであって，前記Ｘ因子に対する管理限界を設定するステップ（ｄ−１）と，
前記Ｘ因子が管理限界内にあるかどうかを確認するステップ（ｄ−２）と，
前記Ｘ因子が前記管理限界を外れる前・後位置をプライムスタート位置及びエンド位置として確定するステップ（ｄ−３）と，を含んで構成される。
【００４５】
図２ａのように，作業者は，まず前記シード結晶の引上げ速度のようなＸ因子に対する管理限界を予め設定し，インゴット成長工程中にモニタリングされた前記シード結晶の引上げ速度が既に設定された管理限界内にあるかどうかを確認した後，前記シード結晶の引上げ速度が前記管理限界を外れる前・後位置を切断位置または／及びサンプリング位置に確定するようにする。
【００４６】
本発明は，前記（ａ）ステップで入力された基本情報によって切断位置とサンプリング位置を予定（ｂステップ）した後，前記シード結晶の引上げ速度のようなインゴット成長条件に影響を及ぼす主要因子も考慮して切断位置とサンプリング位置を確定することにより，従来の経験値による切断位置決定及び等間隔サンプリング（１０ｃｍ）によるサンプル数の過剰による問題を解決する。
【００４７】
即ち，本発明は，プライムスタート位置及びエンド位置を計算した後に切断を行うので，剰余テストの問題を解決し，不用プライムの量が最小化できるようにする。
【００４８】
また，上記のように確定された切断位置は基本情報に入力されてサンプル追加位置に作用するが，これをＸ因子分析によるサンプル追加という。
【００４９】
次に，前記サンプル評価ステップは，
前記（ｄ）ステップで確定された位置によってインゴットを切断してスラグ及びブロックを形成するステップ（ｅステップ）と，
前記スラグを評価するステップ（ｆステップ）と，
前記評価結果及び切断位置データを格納するステップ（ｇステップ）と，を含んで構成される。
【００５０】
前記（ａ）ステップで入力された基本情報と前記（ｃ）ステップでモニタリングされたシード結晶の引上げ速度のようなＸ因子を考慮して切断位置を確定（ｄステップ）した後には，その確定された位置によってインゴットを切断してスラグを形成する（ｅステップ，図２ｂ参照）。
【００５１】
この際，前記スラグ及びブロックを形成する（ｅ）ステップをより具体的に考察すれば，次の通りである。
【００５２】
まず，前記（ｄ）ステップで確定されたテール位置でインゴットを切断してテールエンドスラグを形成（ｅ−１）し，
前記テールエンドスラグを採取して抵抗を測定（ｅ−２）した後，
前記（ｄ）ステップで確定されたショルダー位置でインゴットを切断し，後述する抵抗予測のために，前記ショルダーの重さを測定（ｅ−３）した後，
前記（ｄ）ステップで確定されたプライムスタート位置でインゴットを切断し，前記プライムスタートスラグを採取して抵抗を測定（ｅ−４）する。
【００５３】
次に，上記のように切断されて形成されたスラグを評価するステップ（ｆステップ）は，下記数式を利用してスラグデータを分析するステップであり，前記インゴット重さ及び位置別直径，プライムスタート位置及びテール位置スラグの比抵抗値を利用して分配係数値（Ｋ）を計算するステップ（ｆ−１）と，
前記で測定されたショルダー重さと前記分配係数値を利用して初期比抵抗値（Ｒ０）を計算するステップ（ｆ−２）と，
前記初期比抵抗値と分配係数値（ｋ）から固化率（ｇ）を計算するステップ（ｆ−３）と，
前記インゴットの位置に係る直径を利用して位置別累積固化率値（ｇ）を計算するステップ（ｆ−４）と，
前記位置と固化率の関係を利用して正確なプライム位置を予測するステップ（ｆ−５）と，を含んで構成される（図３参照）。
【００５４】
即ち，前記（ｆ）ステップは，スラグデータを分析して，プライム製品の比抵抗品質を最大に満足させる位置を事前予測することにより，プライムの長さを最大にしようとするステップであり，インゴット成長速度及び前記（ｅ）ステップで測定されたテールエンドスラグの抵抗，ショルダーの重さ，及び下記の基本数式によって前記プライムの比抵抗を予測するステップは，次の通りである。
【００５５】
【表２】
2006352131.tif 000004
【００５６】
まず，スラグを採取した位置での固化率とスラグ比抵抗を使用して，下記数式１を利用してＫ値（分配係数）を計算する。
【００５７】
【数１】
2006352131.tif 000005
【００５８】
次に，ショルダーの重さを測定した後，下記数式２を利用してＲ０値を計算する。
【００５９】
【数２】
2006352131.tif 000006
【００６０】
次に，下記数式３を利用して顧客比抵抗特性に該当するｇ値（固化率）を計算する。
【００６１】
【数３】
2006352131.tif 000007
【００６２】
次に，顧客比抵抗特性に該当するインゴットの位置を計算する。即ち，下記のインゴット直径プロファイラー（Diameter Profiler）を利用してインゴット位置別直径を測定した後，位置別累積ｇ値（固化率）を計算する。
【００６３】
【数４】
2006352131.tif 000008
【００６４】
最後に，前記位置に係る固化率関係（位置ｖｓ．固化率）を利用して正確なプライムの位置を比例式を使用して決める。
【００６５】
また，前記スラグ評価結果及び切断位置データを格納するが（ｇステップ），これは前記（ｆ）ステップのスラグ評価結果を前記切断位置が切断予定位置に設定されたり，削除できるように，前記基本情報に入力する。
【００６６】
即ち，上記のように予測されたプライム抵抗予測位置でサンプルが追加され，これによって最終サンプル位置が確定される。
【００６７】
最後に，前記サンプルの品質を評価するステップ（ｈステップ）は，
前記インゴットをスライスしてサンプルを形成するステップ（ｈ−１ステップ）と，
前記サンプルの品質を評価するステップ（ｈ−２ステップ）とを含んで構成され，前記品質評価結果が満足な場合のみにウエハ製造の次の工程が進行される。
【００６８】
即ち，上記のように追加・確定された位置によって，インゴットをスライスしてサンプルを形成し，サンプリングして前記インゴットの酸素濃度，比抵抗，炭素濃度など，前記した品質評価項目によって，その品質を評価する。
【００６９】
また，前記（ｈ−２）ステップの品質評価結果が不満足な場合には，サンプリング位置を更に決めてサンプリングした後に品質を再評価した後，その結果が満足な場合にはウエハ製造の次の工程が進行される。
【００７０】
この際，前記品質データ（Ｙ因子）を分析して，前記基本情報（ａステップ）に入力することにより，サンプルを追加することが好ましいが，これはＹ因子分析によるサンプル追加という。
【００７１】
本発明は，上述したように，前記モニタリングされたＸ因子の異常成長位置，スラグ評価によるプライム抵抗予測位置，及びＹ因子などを各々分析し，前記データを入力・格納してインゴットの切断（cropping）及びサンプリング工程に反映するようにする。
【００７２】
即ち，インゴットの品質を評価するための工程において，切断位置，サンプリング位置及びサンプリング数などを一律的に定めるのでなく，インゴット成長データ，品質データなどを考慮して柔軟に決めることができるサンプリング規則を作り，前記の規則によって切断及びサンプリング工程を行うことにより，剰余テストや不用プライムの量を最小化するようにする（図４参照）。
【００７３】
以上の説明でのように，本発明は，１つの好ましい具体例に対してのみ記述したが，上記の具体例を基にした本発明の技術思想範囲内での多様な変形及び修正が可能であることは，当業者にとって明白なことであり，また，このような変形及び修正が添付の特許請求範囲に属することは当然なことである。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本発明の結晶成長されたインゴットの品質評価方法を全体的に示す流れ図である。
【図２】図２ａは本発明の一実施形態に係るＸ因子モニタリングの結果を示す図であり，同図ｂは図２ａのモニタリング結果によるサンプリングの例を示す図である。
【図３】本発明の一実施形態に係るプライム比抵抗位置を予測するためのインゴット切断位置を示す断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係るシステムを簡略に示す図である。
【図１】
2006352131.tif 000009
【図２】
2006352131.tif 000010
【図３】
2006352131.tif 000011
【図４】
2006352131.tif 000012