(57)【要約】【課題】パッケージの伝送特性の劣化を防止する安価な高周波用パッケージを提供する。【解決手段】半導体素子載置部を有する金属製の基体１３と、これに載置部を囲繞するように接合される枠体１１からなり、この一側壁に穿設された取付部１５にアダプター１６を接合すると共に、これに枠体外側で大きい開口径となる段差部２０を有する挿通孔２１に同軸コネクター１９がコネクター芯線支持部２２の一方の端面を段差部２０に当接して接合される高周波用パッケージ１０において、コネクター芯線支持部２２の一方の端面から突出するコネクター芯線２４の一方の端部を接続するための導体配線パターンからなる信号線２６を、コネクター芯線２４と並行する方向に相対向する端面の稜線まで備えた伝送基板２５が、一方の端面と枠体内側に露出するアダプター１６の側壁部１７の壁面との間に隙間２７を有してアダプター１６に備えられた台座部１８上に設けられている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を搭載するための載置部を有する金属製の基体と、該基体に前記載置部を囲繞するように接合される金属製の枠体からなり、該枠体の一側壁に穿設された切り欠きからなる取付部に金属製のアダプターを接合して有すると共に、該アダプターに前記枠体外側で大きい開口径となる段差部を有する挿通孔に同軸コネクターがコネクター芯線支持部の一方の端面を前記段差部に当接して位置決め固定して接合される高周波用パッケージにおいて、
前記コネクター芯線支持部の一方の端面から突出するコネクター芯線の一方の端部を接触させて接続するための導体配線パターンからなる信号線を、前記コネクター芯線と並行する方向に相対向する端面の稜線まで備えた誘電体部材製の矩形状の伝送基板が、一方の前記端面と前記枠体内側に露出する前記アダプターの側壁部の壁面との間に隙間を有して前記アダプターに備えられた台座部上に設けられていることを特徴とする高周波用パッケージ。
【請求項２】
請求項１記載の高周波用パッケージにおいて、前記隙間に前記誘電体部材の誘電率より低い値を有する部材が設けられていることを特徴とする高周波用パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光通信用の半導体素子を収容して高周波信号を流すための高周波用パッケージに係り、より詳細には、高周波信号を流す同軸コネクターを接合して有する高周波用パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
大容量通信が可能となる光通信モジュールでは、パッケージに高周波信号を流すことができる形態のものが必要となる。このような高周波用パッケージには、本体がセラミック製や、金属製からなるのものが用いられている。図３（Ａ）〜（Ｃ）を参照しながら、例えば、本体が金属製の従来の高周波用パッケージ５０を説明する。ここに、図３（Ａ）は高周波用パッケージ５０の平面図、図３（Ｂ）はＣ−Ｃ’線拡大縦断面図、図３（Ｃ）はＤ−Ｄ’線拡大横断面図である。図３（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、高周波用パッケージ５０は、基体５１が放熱性に優れた金属部材で、枠体５２がセラミックと熱膨張係数が近似する金属部材で形成されている。基体５１と枠体５２とで形成されるキャビティ部５３は、例えば、レーザーダイオード等の発光素子からの光波を搬送波として用いるような半導体素子を搭載するために設けられている。また、高周波用パッケージ５０は、枠体５２の一側壁に穿設された貫通孔に、金属部材からなり光ファイバーの光の入出口となる金属製固定部材５４を挿入してろう付け接合している。更に、高周波用パッケージ５０は、金属製固定部材５４が接合された枠体５２の側壁に隣接する側壁に穿設された窓枠状切り欠き部に、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等のセラミック材からなるフィードスルー基板５６を接合している。このフィードスルー基板５６は、キャビティ部５３側から枠体５２の外側にかけて導通して形成される導体パターン５５、５５ａを備えている。枠体５２の外側部分の導体パターン５５ａには、外部からの電気的接続をするための金属部材からなる外部接続端子５７をろう付け接合している。
【０００３】
この高周波用パッケージ５０は、フィードスルー基板５６を設けた側壁と対向する枠体５２の側壁に穿設された取付部に、同軸コネクター５８を接合するための挿通孔５９を側壁部に備えたアダプター６０を接合している。同軸コネクター５８は、外周が金属製筒体からなるコネクター芯線支持部６１の軸線中心部にコネクター芯線６２を絶縁体で固定して有している。挿通孔５９には、内部に段差部６３を有し、この段差部６３にコネクター芯線支持部６１の端面を当接させて、コネクター芯線支持部６１の外周を覆っている金属製筒体の外表面とアダプター６０の挿通孔５９の外表面との間にろう材を加熱、溶融させて、アダプター６０に同軸コネクター５８をろう付け接合している。キャビティ部５３の内部に延設する同軸コネクター５８のコネクター芯線６２の先端部分は、アダプター６０の台座部６４上に接合されたアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等のセラミックや、樹脂等の誘電体部材からなる伝送基板６５上に形成された導体配線パターンの信号線６６に半田等で接合している。この信号線６６は、コネクター芯線６２の延設方向に沿って並行に伝送基板６５の対向する２辺間上面に設けられている。
【０００４】
また、高周波用パッケージ５０は、枠体５２の上方に接合し、半導体素子を実装した後、蓋体を接合してキャビティ部５３内を気密に封止するための金属製のシールリング６７を有している。そして、この高周波用パッケージ５０には、キャビティ部５３に半導体素子が搭載され、半導体素子とフィードスルー基板５６のキャビティ部５３側の導体パターン５５とボンディングワイヤ等で接続し、外部接続端子５７と半導体素子とを導通状態にする。また、半導体素子と伝送基板６５の信号線６６や、グランドパターン（図示せず）等をボンディングワイヤ等で接続し、同軸コネクター５８と半導体素子とを導通状態にする。更に、光ファイバー部材を金属製固定部材５４に接続した後、シールリング６７の上面に金属板等からなる蓋体をろう付け接合することで光半導体モジュールが形成され、この光半導体モジュールは、固定用孔６８を介してねじでボード等にねじ止め固定される。
【０００５】
大量の、例えば、４０Ｇｂｐｓの情報量を流すような光半導体モジュールでは、パッケージに４０ＧＨｚ相当の高周波信号を流す必要があり、このような高周波信号を取り扱う高周波用パッケージ５０には、同軸コネクター５８と伝送基板６５の装着の必要性がより高くなっている。そして、この高周波用パッケージ５０は、信号通過時の損失を少なくするために、伝送基板６５の１辺をアダプター６０壁面に当接して接合すると同時に、アダプター６０の段差部６３の開口径ｃを、開口部に比誘電率１の空気等が満たされるいる場合で、通常の特性インピーダンス計算式を用いて、これに必要とする特性インピーダンス値を代入して逆算することで算出している。なお、この開口径ｃは、例えば、所望する特性インピーダンスが５０Ω系、且つ開口部に比誘電率１の空気等が満たされるいる場合で、信号線６６端と開口径ｃ端部との距離ｄに関係なく、通常、同軸コネクター５８のコネクター芯線６２直径の７／３倍になっている。
【０００６】
高周波用パッケージには、高周波信号の入出力時における伝送効率を向上させるために、反射損失を小さくすることを目的としてアダプターと同軸コネクターとの間に空間部を設けることが提案されている（例えば、特許文献１参照）。また、高周波用パッケージには、高周波信号の入出力時における伝送効率を向上させるために、反射損失を小さくすることを目的として同軸コネクターのコネクター芯線先端部の厚さを薄くすることが提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００３−１００９２７号公報
【特許文献２】特開２００３−１３３４５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、前述したような従来の高周波用パッケージにおいては、次のような問題がある。
（１）伝送基板の一側面をアダプター壁面に当接し、アダプターの段差部開口径ｃ（図３（Ｃ）参照）を特性インピーダンス計算式から求められる直径とし、開口部が比誘電率１の物質で満たされる高周波用パッケージは、伝送基板上の信号線端とアダプターの挿通孔の段差部の開口径端部との距離ｄ（図３（Ｃ）参照）が近接しすぎて余分な結合容量を持つようになり、伝送特性が劣化するという問題を有している。
（２）アダプターと同軸コネクターとの間に空間部を設ける場合の高周波用パッケージは、伝送基板上の信号線端とアダプター開口部端との距離の変化はなく、従来のように近接しすぎて余分な結合容量を持つようになり、伝送特性が劣化するという問題を有している。また、伝送基板を載置するための台座部がアダプターより独立して基体上に設けられているので、コネクター芯線との接続位置合せが難しい問題を有している。
（３）同軸コネクターのコネクター芯線先端部の厚さを薄くする場合の高周波用パッケージは、伝送基板上の信号線端とアダプター開口部端との距離の変化はなく、従来のように近接しすぎて余分な結合容量を持つようになり、伝送特性が劣化するという問題を有している。また、コネクター芯線の先端部を薄く加工したり、薄くなったコネクター芯線先端部を信号線に対して水平に位置合わせして接合させるのが難しく、高周波用パッケージのコストアップとなっている。
本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであって、パッケージの伝送特性の劣化を防止する安価な高周波用パッケージを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記目的に沿う本発明に係る高周波用パッケージは、半導体素子を搭載するための載置部を有する金属製の基体と、基体に載置部を囲繞するように接合される金属製の枠体からなり、枠体の一側壁に穿設された切り欠きからなる取付部に金属製のアダプターを接合して有すると共に、アダプターに枠体外側で大きい開口径となる段差部を有する挿通孔に同軸コネクターがコネクター芯線支持部の一方の端面を段差部に当接して位置決め固定して接合される高周波用パッケージにおいて、コネクター芯線支持部の一方の端面から突出するコネクター芯線の一方の端部を接触させて接続するための導体配線パターンからなる信号線を、コネクター芯線と並行する方向に相対向する端面の稜線まで備えた誘電体部材製の矩形状の伝送基板が、一方の端面と枠体内側に露出するアダプターの側壁部の壁面との間に隙間を有してアダプターに備えられた台座部上に設けられている。
ここで、高周波用パッケージは、隙間に誘電体部材の誘電率より低い値を有する部材が設けられているのがよい。
【発明の効果】
【０００９】
請求項１又はこれに従属する請求項２記載の高周波用パッケージは、コネクター芯線支持部の一方の端面から突出するコネクター芯線の一方の端部を接触させて接続するための導体配線パターンからなる信号線を、コネクター芯線と並行する方向に相対向する端面の稜線まで備えた誘電体部材製の矩形状の伝送基板が、一方の端面と枠体内側に露出するアダプターの側壁部の壁面との間に隙間を有してアダプターに備えられた台座部上に設けられているので、伝送基板上の信号線端とアダプター開口部端との距離を調整する調整部を伝送基板とアダプター側壁部の壁面との間の隙間によって設けることができ、余分な結合容量を低減して、伝送特性を改善することができる。また、伝送基板を載置するため台座部がアダプターに一体的に設けられているので、伝送基板とアダプター壁面との間に隙間を設けてコネクター芯線を信号線上に正確に接続することができる。
特に、請求項２記載の高周波用パッケージは、隙間に誘電体部材の誘電率より低い値を有する部材が設けられているので、低い値の誘電率によってアダプター開口部との余分な結合容量を低減でき、伝送特性を改善することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施の形態について説明し、本発明の理解に供する。
ここに、図１（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ本発明の一実施の形態に係る高周波用パッケージの平面図、Ａ−Ａ’線拡大縦断面図、図２は同高周波用パッケージのＢ−Ｂ’線拡大横断面図である。
【００１１】
図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本発明の一実施の形態に係る高周波用パッケージ１０は、金属製の枠体１１と、ボード等に取り付けるための固定用孔１２（本実施の形態では４個）を備えた金属製の基体１３とを高温ろう材でろう付け接合して、内部の基体１３上に高周波用の半導体素子の載置部であるキャビティ部１４を有している。枠体１１の一側壁には、キャビティ部１４に連通し、切り欠いて形成した取付部１５が設けられている。この取付部１５には、金属部材からなるアダプター１６の側壁部１７が高温ろう材を用いてろう付け接合されている。このアダプター１６には、側壁部１７に一体化されてキャビティ部１４に配置される台座部１８が設けられている。また、側壁部１７には、同軸コネクター１９を接合するための内部に段差部２０を設けた円柱状からなる挿通孔２１が設けられている。挿通孔２１には、同軸コネクター１９が挿入されており、同軸コネクター１９のコネクター芯線支持部２２の一方の端面を段差部２０に当接して位置決め固定されている。コネクター芯線支持部２２を外周から覆っている金属製筒体２３の側面外周部と、挿通孔２１の壁面とは、ろう材等で接合されている。
【００１２】
図２に示すように、この高周波用パッケージ１０には、コネクター芯線支持部２２の一方の端面から突出するコネクター芯線２４のキャビティ部１４内に突出する一方の端部を接触させて接続するためのセラミックや樹脂等の誘電体部材製の矩形状の伝送基板２５をアダプター１６の台座部１８上に有している。この伝送基板２５には、コネクター芯線２４の一方の端部を接触させて接続するために、導体配線パターンからなる信号線２６を、コネクター芯線２４と並行する方向に相対向する端面の稜線まで備えている。しかも、伝送基板２５は、コネクター芯線２４の一方の端部を接続する側の端面と、枠体１１内側に露出するアダプター１６の側壁部１７の壁面との間に隙間２７を有して台座部１８上に設けられている。高周波用パッケージ１０は、この隙間２７によって、信号線２６端と、アダプター１６の挿通孔２１に設けられた段差部２０の開口径ａ端部との距離ｂが調整されて余分な結合容量を低減することができるので、伝送特性を向上させることができる。この隙間２７には、伝送基板２５に用いられる誘電体部材の誘電率より低い値の誘電率を有する部材を設けるのがよい。これにより、更に効率的に余分な結合容量を低減することができるので、伝送特性を向上させることができる。
なお、開口径ａの算出方法は、下記の数１で示される特性インピーダンス計算式に所望する特性インピーダンス値を代入して逆算することから算出することができるが、通常、この開口径ａは、例えば、所望する特性インピーダンスが５０Ω系、且つ開口部に比誘電率１の空気等が満たされるいる場合で、信号線２６端と開口径ａ端部との距離ｂに関係なく、同軸コネクター１９のコネクター芯線２４直径の７／３倍になっている。
【００１３】
【数１】
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【００１４】
高周波用パッケージ１０は、コネクター芯線支持部２２の他方の端面からパッケージ外部に突出するコネクター芯線２４の他方の端部を、アダプター１６に一体的に形成されている筒体部２８内部に露出している。この筒体部２８は、コネクター芯線２４の他方の端部と接続するリード線との接続時の取付固定用として設けられている。
また、高周波用パッケージ１０は、アダプター１６が接合される枠体１１の側壁に対向する側壁に、セラミックからなるフィードスルー基板２９を有する。フィードスルー基板２９は、パッケージの内、外部を導通する導体配線パターン３０、３０ａを備え、枠体１１に設けられたキャビティ部１４に連通する窓枠状切り欠き部３１に嵌入され、高温ろう材でろう付け接合されている。枠体１１の外側の導体配線パターン３０ａには、外部と電気的接続を行うための外部接続端子３２がバタフライ型に高温ろう材でろう付け接合されている。キャビティ部１４側の導体配線パターン３０は、半導体素子とボンディングワイヤで接続するために用いられている。
【００１５】
更に、アダプター１６、及びフィードスルー基板２９が接合されていない枠体１１の一側壁には、キャビティ部１４に連通する貫通孔３３が設けられており、この貫通孔３３に、光ファイバーの光の入出口となる金属製固定部材３４が挿入され、高温ろう材でろう付け接合されている。また、枠体１１の上方には、高温ろう材でろう付け接合した金属部材からなるシールリング３５が設けられている。このシールリング３５は、半導体素子を実装した後、蓋体（図示せず）を接合してキャビティ部１４内を気密に封止するために用いられている。
【００１６】
この高周波用パッケージ１０は、キャビティ部１４内に高周波用の半導体素子が実装され、金属製固定部材３４に光ファイバー部材が取付けられ、金属部材から形成される蓋体をシールリング３５に低温ろう材でろう付け接合し、封止することで光通信用の高周波用半導体モジュールとして使用される。
【００１７】
次いで、本発明の一実施の形態に係る高周波用パッケージ１０の製造方法を説明する。枠体１１は、セラミックと熱膨張係数が近似するＫＶ（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金、商品名「Ｋｏｖａｒ（コバール）」）や、４２アロイ（Ｆｅ−Ｎｉ系合金）等の金属塊を切削したり、パイプ状を輪切りにしてから押し曲げて形成する。この枠体１１の側壁には、上端部から切り欠いたキャビティ部１４に連通する実質的に矩形状の取付部１５を形成する。また、取付部１５に対向する枠体１１の側壁には、上端部から切り欠いたキャビティ部１４に連通する実質的に矩形状の窓枠状切り欠き部３１を形成する。更に、取付部１５、及び窓枠状切り欠き部３１が形成されていない枠体１１の一側壁には、キャビティ部１４に連通する実質的に円形からなる貫通孔３３を穿孔して形成する。
【００１８】
キャビティ部１４の底部を形成し、ボード等の取付部材にねじで取り付けるための固定用孔１２を備えた基体１３は、半導体素子からの発熱を放熱するのに優れるＣｕ−Ｗ（ポーラス状のタングステンに銅を含浸させたりして形成したもの）や、Ｃｕ−Ｍｏ−Ｃｕ（銅、モリブデン、銅の３層を接合して形成したもの）等の金属板から形成する。
【００１９】
枠体１１と基体１３は、Ｎｉめっきを施した後、接合部に高温ろう材の一例であるＡｇ−Ｃｕろう等を挟んで加熱し、ろう付け接合する。これにより、レーザーダイオード、フォトダイオード等の高周波用の半導体素子を内部に搭載するためのキャビティ部１４が形成される。
【００２０】
取付部１５には、ＫＶや４２アロイ等からなる金属製のアダプター１６を、その表面にＮｉめっきを施した後、Ａｇ−Ｃｕろう等の高温ろう材を接合部に挟んで加熱し、ろう付け接合する。ここで接合されるアダプター１６は、金属材を切削加工等によって、側壁部１７と台座部１８が直角に交わる角部を有するように一体的に形成される。また、側壁部１７には、同軸コネクター１９を接合するための小径孔と大径孔からなる段差部２０を設け、キャビティ部１４に連通する挿通孔２１が形成される。
【００２１】
一方、窓枠状切り欠き部３１には、セラミックからなるフィードスルー基板２９との接合面に形成された導体パターンにＮｉめっきを施した後、Ａｇ−Ｃｕろう等の高温ろう材を接合部に挟んで加熱し、フィードスルー基板２９をろう付け接合する。ここで接合されるフィードスルー基板２９を形成するセラミックには、セラミックの一例であるアルミナ等を用いることができる。このアルミナセラミックを作製するには、先ず、アルミナ粉末にマグネシア、シリカ、カルシア等の焼結助剤を適当量加えた粉末に、ジオクチルフタレート等の可塑剤と、アクリル樹脂等のバインダー、及びトルエン、キシレン、アルコール類等の溶剤を加え、十分に混練し、脱泡して粘度２０００〜４００００ｃｐｓのスラリーを作製する。次いで、ドクターブレード法等によって、例えば、厚み０．２５ｍｍのロール状のシートを形成し、適当な大きさに切断した矩形状の複数枚のセラミックグリーンシートを作製する。この複数枚のセラミックグリーンシートには、タングステンやモリブデン等の高融点金属からなる導体ペーストを用いてスクリーン印刷して導体配線パターン３０、３０ａ等が形成され、複数枚を積層し、約１５５０℃の還元雰囲気中で、セラミックと高融点金属を同時焼成してフィードスルー基板２９が作製される。
【００２２】
また、貫通孔３３には、ＫＶや、４２アロイ等からなる金属製固定部材３４との接合面にＮｉめっきを施した後、接合部にＡｇ−Ｃｕろう等の高温ろう材を挟んで加熱し、金属製固定部材３４をろう付け接合する。ここで接合される金属製固定部材３４は、金属塊から切削加工等によって外形部分と空洞孔を形成して作製される。この金属製固定部材３４には、キャビティ部１４に半導体素子が実装された後、半導体素子と光信号の授受を行う光ファイバー部材（図示せず）がＡｕ−Ｓｎ等の低温ろう材で接合されたり、ＹＡＧ等のレーザー溶接等で接合される。
【００２３】
枠体１１の上方には、ＫＶや４２アロイ等の金属製からなり、プレス加工や、切削加工等で形成されるシールリング３５にＮｉめっきを施した後、Ａｇ−Ｃｕろう等の高温ろう材を接合部に挟んで加熱し、ろう付け接合する。
なお、上記のそれぞれの高温ろう材を用いたろう付け接合は、一度、又は複数回に分けてろう付けすることができる。
【００２４】
同軸コネクター１９は、アダプター１６に形成された挿通孔２１にＡｕ−Ｓｎろうや、Ａｕ−Ｇｅろう等からなる低温ろう材を介して挿入され、同軸コネクター１９のガラスや樹脂等の誘電体からなるコネクター芯線支持部２２の一方の端部の端面を小径孔と大径孔からなる段差部２０に当接して位置決め固定している。また、同軸コネクター１９は、コネクター芯線支持部２２の他方の端部をアダプター１６の側壁部１７の表面から露出させて載置されている。そして、加熱されることで、アダプター１６と同軸コネクター１９は、アダプター１６の挿通孔２１の壁面と、同軸コネクター１９の金属製筒体２３の外周面とでろう付け接合される。
【００２５】
キャビティ部１４内に突出しているコネクター芯線支持部２２で支持されているコネクター芯線２４の一方の端部は、アダプター１６の台座部１８の上にコネクター芯線２４の一方の端部を接続する側の端面と、枠体１１内側に露出するアダプター１６の側壁部１７の壁面との間に隙間２７を有して接合されている伝送基板２５に形成された信号線２６に、Ａｕ−Ｓｎろうや、Ａｕ−Ｇｅろう等からなる低温ろう材でろう付け接合されている。なお、この隙間２７を設ける方法は、例えば、台座部１８上に伝送基板２５を載置した時に隙間２７ができるような複数箇所に出っ張り部を設けておくことで容易に正確な隙間２７を形成することができる。また、この隙間２７には、伝送基板２５に用いられる誘電体部材の誘電率より低い値の誘電率を有する部材を設けることで、容易に正確に伝送基板２５を載置することができる。ここで、伝送基板２５には、セラミックや、樹脂等の誘電体部材が用いられている。例えば、伝送基板２５がアルミナ等のセラミックからなる場合には、フィードスルー基板２９を作製するのに用いられるセラミックグリーンシートと同様なセラミックグリーンシートを使用している。そして、伝送基板２５上に形成される信号線２６は、セラミックグリーンシート上にフィードスルー基板２９を作製するのに用いられる高融点金属と同様な高融点金属でスクリーン印刷で導体配線パターンを形成している。そして、セラミックグリーンシートと、導体配線パターンは、同時焼成されて、伝送基板２５と、この上に信号線２６を形成している。なお、伝送基板２５と、この上に形成される信号線２６は、焼成して形成したセラミック基板上にスパッタ等の薄膜メタライズで導体配線パターンを形成する製造方法で作製される場合もある。
【実施例】
【００２６】
本発明者は、伝送基板がアダプターの台座部の上にコネクター芯線の一方の端部を接続する側の端面と、枠体内側に露出するアダプターの側壁部の壁面との間に隙間を有して接合されている実施例の高周波用パッケージを準備した。併せて、伝送基板が従来と同様のアダプターの壁面に当接して接合されている従来例の高周波用パッケージを準備した。そして、本発明者は、それぞれの高周波用パッケージの伝送特性を有限要素法を使用したＳパラメーターのシミュレーション解析を行った。その結果のグラフを表１に示す。なお、表１に示すＳパラメーターのグラフは、横軸に周波数、縦軸にそれぞれの周波数におけるＳ１１（反射特性）をデシベル（ｄＢ）で表示し、３０ＧＨｚ以上の高周波帯域におけるＳ１１のマイナス（−）値が大きいほど反射が小さく、伝送特性が優れていることを示している。
【００２７】
【表１】
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【００２８】
表１に示すように、実施例のＳ１１は、周波数が３０ＧＨｚ〜５０ＧＨｚの範囲において、−２３．５ｄＢ〜−２５．６ｄＢであり、従来例のＳ１１が、−１４．２ｄＢ〜−１６．５ｄＢであるので、実施例の伝送特性は、従来例の伝送特性より優れていることが判る。
【産業上の利用可能性】
【００２９】
本発明の高周波用パッケージは、高周波の信号を通過させるための高周波用半導体モジュールに用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ本発明の一実施の形態に係る高周波用パッケージの平面図、Ａ−Ａ’線拡大縦断面図である。
【図２】同高周波用パッケージのＢ−Ｂ’線拡大横断面図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ従来の高周波用パッケージの平面図、Ｃ−Ｃ’線拡大縦断面図、Ｄ−Ｄ’線拡大横断面図である。
【符号の説明】
【００３１】
１０：高周波用パッケージ、１１：枠体、１２：固定用孔、１３：基体、１４：キャビティ部、１５：取付部、１６：アダプター、１７：側壁部、１８：台座部、１９：同軸コネクター、２０：段差部、２１：挿通孔、２２：コネクター芯線支持部、２３：金属製筒体、２４：コネクター芯線、２５：伝送基板、２６：信号線、２７：隙間、２８：筒体部、２９：フィードスルー基板、３０、３０ａ：導体配線パターン、３１：窓枠状切り欠き部、３２：外部接続端子、３３：貫通孔、３４：金属製固定部材、３５：シールリング
【図１】
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【図２】
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【図３】
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