(57)【要約】【課題】安定で高出力かつ高効率なレーザビームを発生させることができる半導体レーザ励起固体レーザ装置を得る。【解決手段】活性媒質を含む固体レーザ素子２、固体レーザ素子を光励起する半導体レーザ１、半導体レーザに電力を供給する電源８、光励起された固体レーザ素子よりレーザ光を取り出す光共振器９、１０を備え、半導体レーザ１をパルス動作させ固体レーザ素子をパルス励起する際、半導体レーザに流す電流を、１パルス内で変化させる。【選択図】図１
2006245608.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性媒質を含む固体レーザ素子と、
前記固体レーザ素子を光励起する半導体レーザと、
前記半導体レーザに電力を供給する電源と、
光励起された固体レーザ素子よりレーザ光を取り出す光共振器と
を備えた半導体レーザ励起固体レーザ装置において、
前記半導体レーザをパルス動作させ前記固体レーザ素子をパルス励起する際、前記光共振器からレーザ出力値が得られる１パルス時間内で前記電源から前記半導体レーザに流す電流値を変化させる
ことを特徴とする半導体レーザ励起固体レーザ装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体レーザ励起固体レーザ装置において、
前記半導体レーザに流す電流の変化は、ステップ状である
ことを特徴とする半導体レーザ励起固体レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、安定で効率よくレーザビームを発生させることができる半導体レーザ励起固体レーザ装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図１７（ａ），（ｂ）及び図１８は、例えば特許文献１に示された従来の半導体レーザ励起固体レーザ装置の構成を示す側面図と横断面図、及び半導体レーザに流す入力電流波形とレーザ出力波形を示す図である。図１７（ａ），（ｂ）において、１は励起光源である半導体レーザ、２は固体レーザ素子としてのスラブ形状のＮｄ：ＹＡＧである。３は励起光である半導体レーザ光、４はフローチューブである。
【０００３】
上記固体レーザ素子２は、フローチューブ４に挿入され、固体レーザ素子２とフローチューブ４の間には、固体レーザ素子２を冷却するために、冷却媒体５として冷水が流されいる。半導体レーザ１は、フローチューブ４外部に設置され、出射された半導体レーザ光３は、金製のミラー６により反射、導光されて、フローチューブ４を介して固体レーザ素子２を励起する。また、フローチューブ４の周囲は、半導体レーザ光３が入射する領域を除き、金製のミラー６で覆われている。これにより、フローチューブ４内部に半導体レーザ光３を閉じ込める効果を得、励起効率の向上を図っている。９と１０は共振器を構成する主反射ミラーと部分反射ミラーであり、１１は共振器外部に放出されるレーザ光である。
【０００４】
次に、半導体レーザ１のパルス励起による固体レーザ装置の動作について説明する。半導体レーザ１に電流を流すと、発光部より半導体レーザ光が出射する。従来は、半導体レーザをパルス動作させる際、図１８に示す入力電流波形のように、１パルス内の電流値を常に一定に保っていた。半導体レーザ内部では、電流による入力エネルギーに対して、半導体レーザ光として取り出される出力エネルギーとの差は半導体レーザの発熱となり、ここでは図示されていないが、冷却装置により、この熱量を除去している。
【０００５】
出射された半導体レーザ光は、固体レーザ素子２を励起し、固体レーザ素子２より自然放出光が発生する。その際、図１７（ａ）に示すように、ミラー９、１０により構成された光共振器を備えることで、自然放出光が共振器間を往復する間に増幅され、指向性のよいレーザ光となる。そして、一定以上の大きさに達すると、レーザ光１１として共振器外部に放出される。
【０００６】
【特許文献１】Advanced High-Power Lasers, SPIE Vol.3889, pp. 182-189
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、半導体レーザ１に電流を流し始めてから、入力エネルギー、半導体レーザ光として取り出される出力エネルギー、および冷却装置による廃熱とが熱平衡に達するまでには時間を要する。このため、従来の技術のように、半導体レーザ１に常に一定値の電流を流した場合には、半導体レーザ１の内部で熱平衡に達するまでの間は経時的に内部温度が変化していた。
【０００８】
半導体レーザ１の発振スペクトルは温度依存性を有し、高温化するほど長波長へ変化する。従来の半導体レーザ１のパルス動作では、温度変化に対応し、１パルス内での発振スペクトルも経時的に変化していた。そのため、１パルス全体でも半導体レーザ１の発振スペクトルと固体レーザ素子２の吸収スペクトルとの整合性が低下し、半導体レーザ光の吸収率の低下等を引き起こしていた。
【０００９】
例えば熱平衡時に半導体レーザ１の発振スペクトルが固体レーザ素子２の吸収スペクトルよりも長い場合、励起開始直後は、固体レーザ素子２における半導体レーザ光の吸収率は高くなるものの、温度上昇による経時的な波長変化のために、１パルス内における半導体レーザ光の吸収率は逐次減少する。この結果、１パルス継続時間内におけるレーザ出力も逐次低下し、加工用途等へ使用した場合、加工品質が劣化するという問題があった。
【００１０】
さらに、励起開始直後の励起光吸収率が高くなるため、図１８にも現れているように、緩和発振によるレーザパルス先頭のスパイクが顕著になり、加工品質を低下させる原因になるばかりでなく、共振器ミラー等の光学部品損傷を引き起こす一因ともなっていた。
【００１１】
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたものであり、パルス動作させる半導体レーザにおいて、１パルス内での半導体レーザの発振スペクトルの変化を抑制し、効率良く固体レーザ媒質を励起し、安定かつ高出力にレーザ光を発生させることができる半導体レーザ励起固体レーザ装置を得ることを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
この発明に係る半導体レーザ励起固体レーザ装置は、活性媒質を含む固体レーザ素子と、前記固体レーザ素子を光励起する半導体レーザと、前記半導体レーザに電力を供給する電源と、光励起された固体レーザ素子よりレーザ光を取り出す光共振器とを備えた半導体レーザ励起固体レーザ装置において、前記半導体レーザをパルス動作させ前記固体レーザ素子をパルス励起する際、前記光共振器からレーザ出力値が得られる１パルス時間内で前記電源から前記半導体レーザに流す電流値を変化させることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
この発明によれば、半導体レーザをパルス動作させ、固体レーザ素子をパルス励起する際、光共振器からレーザ出力値が得られる１パルス時間内で電源から半導体レーザに流す電流値を変化させるようにしたので、１パルス内で半導体レーザの発振スペクトルおよび出力を制御することができ、安定で効率のよい半導体レーザ励起固体レーザ装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１による半導体レーザ励起固体レーザ装置を説明するための図である。
図１において、図１７に示す従来例と同一符号は同一部分もしくは相当部分を示す。本実施の形態１において、活性媒質を含む固体レーザ素子２は、例えばＮｄ：ＹＡＧ（Nd:Yttrium Aluminum Garnet）からなり、断面が円形のロッド状の形をしている。固体レーザ素子２には、これを囲むようにフローチューブ４が設けられ、このフローチューブ４と固体レーザ素子２の間には冷却媒体５が流されている。半導体レーザ１は、フローチューブ４の外部に設置され、フローチューブ４は、ガラスや石英等のように、半導体レーザ１から発せられた半導体レーザ光３を透過する媒質で製作されている。
【００１５】
半導体レーザ１は、温度制御装置７に接続され、温度制御装置７は、半導体レーザ１から発せられる半導体レーザ光３のスペクトルが固体レーザ素子２の吸収スペクトルにほぼ一致するように、半導体レーザ１の温度を制御している。
また、半導体レーザ１は、電源８に接続し、電流が供給される。電源８によって半導体レーザ１に電流が流されると、半導体レーザ１から半導体レーザ光３が出射され、固体レーザ素子２に吸収されて、固体レーザ素子２内の活性媒質を励起する。
【００１６】
全反射ミラー９、部分反射ミラー１０は、固体レーザ素子２を挟んで光軸上に設けられている。全反射ミラー９は、レーザ光１１に対してほとんど全反射する高い反射率を持ち、部分反射ミラー１０は、レーザ光１１の一部を反射するような反射率を有し、これらによって、光励起された固体レーザ素子２からレーザ光１１を取り出す光共振器を構成する。
【００１７】
次に、従来の技術を比較例に用いて、本実施の形態１による半導体レーザ励起固体レーザ装置の動作を詳しく説明する。
図２は、本実施の形態１と比較例による、電源８から半導体レーザ１に供給される電流波形を示している。
１パルスを通して半導体レーザ１に流される電流値は、比較例では一定であるが（図２（ａ）参照）、本実施の形態１では、パルス初期に最も高く、パルス継続時間とともに逐次減少するように制御している（図２（ｂ）参照）。すなわち、電源８は、１パルス内での電流波形を制御するパルス電流波形制御手段を備えている。
【００１８】
前述したように、半導体レーザ１の発振スペクトルは温度に依存する。
図３に、半導体レーザ１の発振スペクトルと温度との関係を表した例を示す。図３に示すように、半導体レーザ１の発振スペクトルは、温度が高いほど長くなる。
【００１９】
半導体レーザ１に電流を流すと、半導体レーザ１は発熱し、内部温度が上昇を始める。半導体レーザ１の発熱量と温度制御装置７の廃熱量とが熱平衡に達すると、半導体レーザ１の温度が一定になる。しかし、温度制御装置７には応答時間が存在し、また、半導体レーザ１内部が熱平衡に達し、発振スペクトルが一定に定まるまでには時間を要する。したがって、１パルスの継続時間内において、半導体レーザ１内部で熱平衡に達するまでの間は、発振スペクトルが随時変化する。
【００２０】
図４は、本実施の形態１と比較例による半導体レーザの温度変化の様子を表している。
パルス開始と同時に急激に電流が立ち上がるために、半導体レーザ１の内部では発熱量が廃熱量を上回り、半導体レーザ１に蓄熱され、温度が上昇する。この温度上昇は、半導体レーザ１の内部が熱平衡に達するまで継続するが、比較例では、常に同じエネルギーが入力され続けるために、熱平衡に達するまでには長時間必要になる（図４（ａ）参照）。
一方、本実施の形態１では、パルス開始時から時間とともに入力エネルギーが減少するため、過熱による温度上昇を抑制することができ、熱平衡に達するまでの時間を短縮することができる（図４（ｂ）参照）。
【００２１】
半導体レーザ１の発振スペクトルは、この温度変化に対応して変化し、１パルス動作の時間内で熱平衡に達しなければ、半導体レーザ１の発振スペクトルは１パルス中で常に変化しつづける。図２に示したパルス動作に対する半導体レーザ１の発振スペクトルの変化を、初期（パルス立ち上がり開始より０１００μｓｅｃ）、中期（４００５００μｓｅｃ）、後期（９００１０００μｓｅｃ）の３期間について図示すると、比較例では図５（ａ）、本実施の形態１では図５（ｂ）のように示される。ここでは、例として、熱平衡時に半導体レーザ１の発振スペクトルが固体レーザ素子２の吸収スペクトルにほぼ一致するものについて示している。
【００２２】
固体レーザ素子２としてＮｄ：ＹＡＧの場合について、その吸収スペクトルを図６に示すと、スペクトル吸収率は８０８ｎｍ付近をピークとして、その前後の波長では急激に低下する。比較例では、励起光である半導体レーザ光の１パルス内での発振スペクトルの変化が大きく、パルス全体に渡っての固体レーザ素子２の吸収スペクトルと半導体レーザ１の発振スペクトルの整合がとれないことが示されている。
【００２３】
図７は、比較例および本実施の形態１による励起効率を示している。
発振スペクトルの変化が原因となり、比較例ではパルス初期に励起効率が大きく低下する（図７（ａ）参照）。一方、本実施の形態１では、パルス全体を通して高く、ほぼ一定の励起効率を維持することができている（図７（ｂ）参照）。
【００２４】
最終的に得られるレーザ出力波形を図示すると、比較例では図８（ａ）、本実施の形態１では図８（ｂ）のようになる。比較例による大きな出力波形の崩れに対し、本実施の形態１では、パルス全体を通して一定の高い出力が得られている。これは、励起効率を主に反映したものであるが、さらに、本実施の形態１では、パルス初期は大きな電流を流すために、半導体レーザ１の出力が高く、励起効率の低下を補い、レーザ出力を一層安定化する効果も上げている。また、電流を逐次減少させているため、消費電力を削減する効果もある。
【００２５】
これらのレーザを加工に用いる場合には、比較例では、加工性能が劣化し、１パルスあたりのレーザ出力も低いため、加工効率も低下する。一方、本実施の形態１では、レーザ出力波形もほぼ矩形状を維持しており、また、パルス全体としても高い出力が得られているため、性能、効率ともに良好な加工を行うことができる。
【００２６】
また、熱平衡時の発振スペクトルが固体レーザ素子２の吸収スペクトルより短波長である半導体レーザ１を使用する場合においても、常に熱平衡時の状態に近い動作を実現するために、パルス初期の顕著な励起効率の低下を回避して高い励起効率を維持し、本実施の形態１はさらに効果を発する。
【００２７】
以上に述べたように、本実施の形態１によれば、電源８から半導体レーザ１に流す電流を１パルス内で変化させる制御、つまり逐次減少するように制御を行うことにより、消費電力を削減しつつ、固体レーザ素子２を効率良く励起することができ、高出力なレーザビームを安定に得ることができる。また、本実施の形態１は、電流の制御のみで実現することができるため、簡易かつ安価に高性能なレーザ装置を得ることができるという利点もある。
【００２８】
実施の形態２．
前記実施の形態１においては、パルス全体に渡り、電源８から半導体レーザ１に流す電流を、逐次減少させる構成を示したが、電流を減少させる方法はこれに限るものではない。例えば、図９に示すように、パルス初期のみの電流を逐次減少させる構成とすれば、パルス初期の励起効率の低下を抑制し、常に効率良く励起し、安定なレーザビームを得ることができる。
【００２９】
実施の形態３．
図１０は、この発明の実施の形態３による半導体レーザ励起固体レーザ装置の半導体レーザを駆動する電流波形を示した図である。
本実施の形態３では、半導体レーザ１に流す電流を１パルス内で逐次増加させることを特徴としている。
図１０のように、１パルス内で半導体レーザ１に流す電流を増加させることにより、半導体レーザ１の発振スペクトルが、固体レーザ素子２の吸収スペクトルよりも長い場合、パルス全体を通してほぼ一定の発振効率を保つことができる。  
【００３０】
これは次のように説明される。
まず、パルス初期では、電流値が小さく、入力エネルギーが小さいため、半導体レーザ１の発振波長は熱平衡時よりも短く、パルス継続時間とともに、長波長へと変化していく。発振スペクトル変化にともなう励起効率の変化を図１１（ａ）に示す。レーザ出力では、パルス後期に発振スペクトルが長く、低い励起効率となる領域を、電流値が大きいために半導体レーザ出力が大きくなり、これを補い、図１１（ｂ）に示すように、パルス全体を通して、ほぼ一定の出力となる。
【００３１】
さらに、このように半導体レーザ１の発振スペクトルが吸収スペクトルよりも長い場合には、図１２（ａ）に示す比較例では、レーザ発振開始直後の励起光吸収率が高くなる。この場合、図１２（ｂ）のように、レーザの発振開始直後に緩和発振が発生する。しかし、本実施の形態３によれば、パルス初期に電流値を小さくして、吸収率を低下させることができるため、緩和発振を抑制することもできる。また、パルス初期の電流値を下げることにより、消費電力を削減するため、レーザの効率を向上する効果もある。
【００３２】
以上のように、本実施の形態３によれば、半導体レーザ１を用いてパルス励起をする際、半導体レーザ１に流す電流を逐次増加させるので、消費電力を低減しながら、常に一定の発振効率を保つことができるばかりでなく、緩和発振を効果的に抑制することができる。この結果、発振スペクトルの長い半導体レーザを用いる場合でも、１パルスのレーザ出力を一定に保ち、高い加工品質を得ることができる。
【００３３】
実施の形態４．
前記実施の形態３においては、パルス全体に渡り、半導体レーザ１に流す電流を、逐次増加させる構成を示したが、電流を増加させる方法はこれに限るものではない。例えば、図１３に示すように、パルス初期のみの電流を逐次増加させる構成とすれば、発振スペクトルによらず、緩和発振の発生を効果的に抑制し、高い加工品質が得られるばかりでなく、光学部品の損傷を防止することもできる。
【００３４】
実施の形態５．
前記した実施の形態１乃至４においては、連続的に電流を減少または増加させる構成を示したが、電流値の変化をステップ状に行ってもよい。例えば、図１４に示すように、パルスの先頭部分のみをステップ的に電流値を減少させても、実施の形態４と同様の効果が得られるばかりでなく、電流の制御が容易になる。
なお、本実施の形態５では、半導体レーザ１に流す電流をステップ状に１段階変化させるものを示したが、複数段階に分けて変化させてもよい。
【００３５】
実施の形態６．
図１５は、この発明の実施の形態６による半導体レーザ励起固体レーザ装置を説明するための図である。
図１５において、図１に示す実施の形態１と同一部分は同一符号を付してその説明は省略する。新たな符号として、１２は固体レーザ素子２を囲むように配置され、内面が半導体レーザ光３を拡散反射するように構成された、拡散反射集光器であり、半導体レーザ１から発せられた半導体レーザ光３を内部に導光するための開口部（図示せず）が開けられている。また、その開口部には、サファイア、ドープされていないＹＡＧ（Yttrium Aluminum Garnet）、または半導体レーザ光３に対して高屈折率のガラスからなる、半導体レーザ光３を導波する光導波光学素子１４が取り付けられている。
【００３６】
そして、光導波光学素子１４の内部に入射した半導体レーザ光３は、光導波光学素子１４と周囲との屈折率差により、光導波光学素子１４の内部において全反射をくり返すことによって、効率良く導波される。さらに、光導波光学素子１４の端面には、半導体レーザ光３に対する無反射コーティングが施され、半導体レーザ１は、光導波光学素子１４の端面に近接して配置されているため、半導体レーザ光３はほとんど損失無く拡散反射集光器１２の内部に導光される。なお、この実施の形態６に係る半導体レーザ励起固体レーザ装置においても、前記実施の形態１乃至５で述べたようにして、半導体レーザ１に電流を流す。
【００３７】
したがって、実施の形態６によれば、固体レーザ素子２によって吸収されなかった励起光が、固体レーザ素子２を通過後、拡散反射集光器１２の内面で拡散反射し、再び固体レーザ素子２を励起するようにしたので、固体レーザ素子２を均一に効率良く励起することができ、さらに効率よくレーザ光を取り出すことができる。
【００３８】
また、拡散反射集光器１２に光導波光学素子１４を取り付けたので、励起光を効率良く拡散反射集光器１２内部へ導光することができ、さらに効率のよい半導体レーザ励起固体レーザ装置となる。
【００３９】
なお、本実施の形態６においては、集光器の内面が拡散反射面で構成される拡散反射集光器を用いる場合を示したが、集光器内面は、例えば金の内面を鏡面研摩したもの、あるいは、ガラスの内面に半導体レーザ光３に対する全反射コーティングを施したもののように、半導体レーザ光３に対して高反射な内面を有していればよい。
【００４０】
また、本実施の形態６においては、光導波光学素子１４は板状のものを示したが、これは楔形やレンズ効果を有したものなどいかなる形状であってもよい。また、ここでは、光導波光学素子１４を用いる構成を示したが、これを用いずに、集光器１２の開口部に近接して半導体レーザ１を設置してもよい。また、開口部の内壁全面もしくは一部に、半導体レーザ光に対して高反射なコーティングや光学素子により構成すれば、効率良く半導体レーザ光を集光器内部に伝送することができる。
【００４１】
実施の形態７．
上述したいずれの実施の形態においても、固体レーザ素子２として、ロッド状のものについてのみ説明したが、断面が円形に限るものではなく、例えば矩形、楕円等どのような形状でもよい。また、固体レーザ素子２の冷却には、その周囲を取り囲むように設置したフローチューブ４の内部に冷却媒体５を流すことにより行うことを説明したが、冷却手段はこれに限るものではなく、どのような冷却手段を用いてもよい。例えば、図１６に示すように、断面が矩形の固体レーザ素子２を冷却板１５の上に配置すれば、簡単な構成で固体レーザ素子２を冷却することができる。
なお、いずれの実施の形態においても、固体レーザ素子２として、Ｎｄ：ＹＡＧを用いるものについてのみ説明したが、この発明はこれに限るものではなく、半導体レーザで光励起できる固体レーザ素子であればよい。
【００４２】
以上のように、この発明によれば、活性媒質を含む固体レーザ素子、この固体レーザ素子を光励起する半導体レーザ、半導体レーザに電力を供給する電源、光励起された固体レーザ素子よりレーザ光を取り出す光共振器を備えた半導体レーザ励起固体レーザ装置において、半導体レーザをパルス動作させ、固体レーザ素子をパルス励起する際、半導体レーザに流す電流を、１パルス内で変化させるようにしたので、１パルス内で半導体レーザの発振スペクトルおよび出力を制御することができ、安定で効率のよい半導体レーザ励起固体レーザ装置を得ることができる。
【００４３】
また、半導体レーザに流す電流を、１パルス内で逐次減少させるようにしたので、消費電力を削減しながら固体レーザ素子を効率良く励起することができ、半導体レーザの発振スペクトルの変化を低減し、常に一定の発振効率を保ち、安定で効率のよい半導体レーザ励起固体レーザ装置を得ることができる。
【００４４】
また、半導体レーザに流す電流を、パルス初期のみの電流を逐次減少させることにより、パルス初期の励起効率の低下を抑制し、常に効率良く励起し、安定なレーザビームを得ることができる。
【００４５】
また、半導体レーザに流す電流を、１パルス内で逐次増加させるように変化させたので、消費電力を削減しながら、常に一定の発振効率を保つことができるばかりでなく、レーザ発振開始直後に発生しうる緩和発振を抑制し、安定で効率のよい半導体レーザ励起固体レーザ装置を得ることができる。
【００４６】
また、半導体レーザに流す電流を、１パルス内でパルス初期のみ逐次増加させるように変化させたので、発振スペクトルによらず、緩和発振の発生を抑制し、高いか高品質が得られるばかりでなく、光学部品の損傷を防止できる。
【００４７】
また、半導体レーザに流す電流を、１パルス内でステップ状に減少するように変化させたので、上記効果に加え、電流の制御が容易で安価な半導体レーザ励起固体レーザ装置を得ることができる。
【００４８】
また、拡散反射集光器と光導波光学素子を備えたので、励起光を効率良く拡散反射集光器内部へ導光することができ、固体レーザ素子を均一に効率良く励起することができ、さらに効率よくレーザ光を取り出せることができる。
【００４９】
さらに、断面が矩形の固体レーザ素子を冷却板の上に配置することにより、簡単な構成で固体レーザ素子を冷却することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】この発明の実施の形態１による半導体レーザ励起固体レーザ装置を示す構成図である。
【図２】実施の形態１および比較例による半導体レーザに流す電流波形を示す図である。
【図３】半導体レーザの発振スペクトルと温度との関係を示す図である。
【図４】実施の形態１および比較例による半導体レーザの温度変化を示す図である。
【図５】実施の形態１および比較例による半導体レーザの発振スペクトル変化を示す図である。
【図６】固体レーザ素子の吸収スペクトルを示した図である。
【図７】実施の形態１と比較例による半導体レーザの励起効率の変化を示す図である。
【図８】実施の形態１および比較例におけるレーザ出力波形を示す図である。
【図９】実施の形態２に係る半導体レーザに流す電流波形を示す図である。
【図１０】実施の形態３に係る半導体レーザに流す電流波形を示す図である。
【図１１】実施の形態３による励起効率とレーザ出力波形を示す図である。
【図１２】実施の形態３における比較例による励起効率とレーザ出力波形を示す図である。
【図１３】実施の形態４に係る半導体レーザに流す電流波形を示す図である。
【図１４】実施の形態５に係る半導体レーザに流す電流波形を示す図である。
【図１５】実施の形態６に係る半導体レーザ励起固体レーザ装置を示す構成図である。
【図１６】実施の形態７に係る半導体レーザ励起固体レーザ装置を示す構成図である。
【図１７】従来の半導体レーザ励起固体レーザ装置を示す構成図である。
【図１８】従来の半導体レーザに流す電流波形を示す図である。
【符号の説明】
【００５１】
１  半導体レーザ、２  固体レーザ素子、３  半導体レーザ光、４  フローチューブ、５  冷却媒体、６  金製ミラー、７  温度制御装置、８  電源、９  全反射ミラー、１０  部分反射ミラー、１１  レーザ光、１２  拡散反射集光器、１３  開口部、１４  光導波光学素子、１５  冷却板。
【図１】
2006245608.tif 000003
【図２】
2006245608.tif 000004
【図３】
2006245608.tif 000005
【図４】
2006245608.tif 000006
【図５】
2006245608.tif 000007
【図６】
2006245608.tif 000008
【図７】
2006245608.tif 000009
【図８】
2006245608.tif 000010
【図９】
2006245608.tif 000011
【図１０】
2006245608.tif 000012
【図１１】
2006245608.tif 000013
【図１２】
2006245608.tif 000014
【図１３】
2006245608.tif 000015
【図１４】
2006245608.tif 000016
【図１５】
2006245608.tif 000017
【図１６】
2006245608.tif 000018
【図１７】
2006245608.tif 000019
【図１８】
2006245608.tif 000020