(57)【要約】【課題】振動子に作用するローレンツ力を発生させる磁性体に磁性薄膜を用いることで、装置の薄型化、小型化を可能とするとともに、磁束を効率よく電流路に与えることを可能とする。【解決手段】磁束を発生させる磁性薄膜１１２４と、前記磁性薄膜１１２４より発生するローレンツ力が作用される振動子１１０１（第１振動子１１０１−１）とを備え、前記ローレンツ力により前記振動子１１０１（第１振動子１１０１−１）を振動運動させるものである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁束を発生させる磁性薄膜と、
前記磁性薄膜より発生するローレンツ力が作用される振動子とを備え、
前記ローレンツ力により前記振動子を運動させる
ことを特徴とする角速度検出装置。
【請求項２】
前記請求項１記載の角速度検出装置であって、
基板と、
前記基板の表面に設けられた支持部と、
前記支持部に一方端が接続された支持弾性体と、
前記基板の表面からある一定の間隔を有して浮遊した状態で前記支持弾性体の他方端に支持され、前記基板に対して変位可能な振動子と、
前記振動子を一定の励振方向に振動させる励振手段と、
前記励振手段により、前記振動子を励振方向に振動させた状態で外部から角速度が作用したときに、前記角速度に対して、前記振動子が励振方向と直交する方向の変位を検出する変位検出手段とを備え、
前記振動子もしくは前記振動子を含む角速度検出部を電磁駆動により励振させる手段として磁性薄膜を備えた
ことを特徴とする角速度検出装置。
【請求項３】
前記振動子の運動は振動運動である
ことを特徴とする請求項１記載の角速度検出装置。
【請求項４】
前記角速度検出装置はジャイロセンサーである
ことを特徴とする請求項１記載の角速度検出装置。
【請求項５】
前記磁性薄膜は、前記振動子を励振させるための励震用導電路に対して力を作用させたい向きと垂直な方向に磁束を発生させるもので、１方向もしくは複数の方向に配された１層もしくは複数層に形成された磁性薄膜からなる
ことを特徴とする請求項３記載の角速度検出装置。
【請求項６】
前記磁性薄膜は、前記角速度検出装置が構成されるチップより狭い領域に前記ローレンツ力が作用される部分が限定されているものからなる
ことを特徴とする請求項１記載の角速度検出装置。
【請求項７】
前記磁性薄膜は、前記振動子に対して垂直方向に磁化したものからなる
ことを特徴とする請求項１記載の角速度検出装置。
【請求項８】
前記振動子に形成された電流路が前記磁性薄膜から発生する磁界中を横切るコレクタ取り出しによって発生する誘導起電力により、前記振動子の動きを電気信号に変換して、前記振動子の動きの制御にフィードバックする
ことを特徴とする請求項１記載の角速度検出装置。
【請求項９】
前記角速度検出装置はジャイロセンサーであり、
前記誘導起電力の発生する電流路に対して、１層もしくは複数層からなる前記磁性薄膜が配置されている
ことを特徴とする請求項１記載の角速度検出装置。
【請求項１０】
磁束を発生させる磁性体と、
前記磁性体より発生するローレンツ力が作用される振動子とを備え、
前記ローレンツ力により前記振動子を運動させる角速度検出装置の製造方法であって、
前記磁性体を磁性薄膜で形成する
ことを特徴とする角速度検出装置の製造方法。
【請求項１１】
前記請求項１０記載の角速度検出装置の製造方法であって、
第１基板上に絶縁層を介して形成されたシリコン層上に、絶縁膜を介して振動子を励振させる駆動電極と振動子の変位を検出する検出電極とを形成する工程と、
前記シリコン層を用いて、振動子と、前記振動子を浮遊状態に支持する支持弾性体とを形成する工程と、
前記支持弾性体の前記振動子を支持する側とは反対側の端部を支持する支持部を前記絶縁層で形成するとともに、前記支持弾性体と前記振動子とが前記第１基板に対して浮遊する状態となるように前記絶縁層を除去する工程と、
前記振動子上に配設されている前記駆動電極上および前記検出電極上のそれぞれの対向する位置に配置される電極を第２基板に形成する工程と、
前記電極が前記駆動電極上および前記検出電極上のそれぞれの対向する位置に配置されるように、前記第１基板と前記第２基板とを接合する工程と、
励磁手段としての磁性体を前記第１基板および前記第２基板の少なくとも一方に配置する工程とを備え、
前記磁性体を磁性薄膜で形成する
ことを特徴とする角速度検出装置の製造方法。
【請求項１２】
前記磁性薄膜は、前記振動子を励振させるための励震用導電路に対して力を作用させたい向きと垂直な方向に磁束を発生させるもので、１方向もしくは複数の方向に配された１層もしくは複数層に形成された磁性薄膜で形成される
ことを特徴とする請求項１０記載の角速度検出装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高い検出感度で２軸方向の角速度の同時検出が可能でかつ薄型の角速度検出装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の振動型ジャイロセンサーの一例として、図２７に示すような構成が開示されている。図２７（ａ）に斜視図を示し、図２７（ｂ）に模式的平面図を示す。図２７に示すように、基板１０には振動子１が配置されている。この振動子１はその両側から梁８に支持されてアンカー１３によって基板１０に取り付けられている。振動子１には櫛歯電極９Ａ、９Ｂが設けられている。また櫛歯電極９Ｂと間隔を介して櫛歯状の駆動電極２が基板１０に固定されて設けられている。さらに櫛歯電極９Ａと間隔を介して櫛歯状のモニタ電極３が基板１０に固定されて設けられている。駆動電極２は振動子１を基板１０に対して励振駆動させる電極であり、このような振動型ジャイロセンサでは、駆動電極２に印加されるＡＣ励振電圧によって振動子１を励振振動させる方式となっている。また、上記振動子１には、その中央側に櫛歯状の移動電極１１Ａ、１１Ｂが設けられている。これらの移動電極１１Ａ、１１Ｂと間隔を介して、基板１０に固定された櫛歯状の固定電極１２Ａ、１２Ｂが設けられている（例えば、特許文献１、２参照。）。
【０００３】
上記振動型ジャイロセンサでは、振動子１が前記駆動電極２によって図のＸ方向に励振駆動させられてＺ軸を中心として回転し、これら回転軸方向および励振方向の２方向に直交するＹ方向にコリオリ力が発生する。移動電極１１Ａ、１１Ｂと固定電極１２Ａ、１２Ｂとの組は、このコリオリ力を、移動電極１１Ａ、１１Ｂと固定電極１２Ａ、１２Ｂとの間の静電容量の変化に対応させて検出する検出電極として機能するものである。
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−１８３１７８号公報
【特許文献２】特開２０００−２９２１７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
解決しようとする問題点は、振動型ジャイロスコープの場合、検出感度を大きく取るためには、駆動振動の振動振幅を大きくとる必要があるが、櫛歯電極を用いた静電容量検出型のジャイロスコ−プの場合、櫛歯動作の制限から大きな変位が取れないため、検出感度の向上には限界があることであり、検出感度を大きく取るために、駆動振動の振動振幅を大きく取ることができない点である。また櫛歯電極を用いた静電容量検出では構造上、１軸方向の角速度検出しかできないため、２軸方向以上の角速度検出が困難な点である。さらに、Ｚ軸方向の駆動振幅でＸ、Ｙ軸周りの角速度を検出する場合、振動子と、振動子に対抗するように設置された検出用電極間のギャップを少なくとも駆動振幅以上取る必要があるため、検出感度の低下が懸念される点である。
【０００６】
上記問題を解決するのに、電磁駆動を使った振動型ジャイロスコープが考えられるが、電磁駆動方式の場合は、磁性体（例えば磁石）を必要とする。この場合、磁性体の厚みによって、ジャイロの小型化の妨げとなる。また、一般的に、焼結等で作成されたバルク磁石は、０．５ｍｍをきるような厚さになると、磁気特性が劣化してくる。このため、バルク磁石を薄くして用いることには限界がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の角速度検出装置は、磁束を発生させる磁性薄膜と、前記磁性薄膜より発生するローレンツ力が作用される振動子とを備え、前記ローレンツ力により前記振動子を運動させることを最も主要な特徴とする。
【０００８】
本発明の角速度検出装置の製造方法は、磁束を発生させる磁性体と、前記磁性体より発生するローレンツ力が作用される振動子とを備え、前記ローレンツ力により前記振動子を運動させる角速度検出装置の製造方法であって、前記磁性体を磁性薄膜で形成することを最も主要な特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の角速度検出装置は、磁束を発生させる磁性体が磁性薄膜で形成されているため、磁性体の厚さを薄くできる分だけ角速度検出装置の厚さを薄くできるので、角速度検出装置の小型化が図れるという利点がある。また、磁性薄膜では、焼結等で作製されたバルク磁石が０．５ｍｍをきるような厚さになると磁気特性が劣化するというような問題は発生しないという利点がある。
【００１０】
本発明の角速度検出装置の製造方法は、磁束を発生させる磁性体を磁性薄膜で形成するため、磁性体の厚さを薄くできる分だけ角速度検出装置の厚さを薄くできるので、角速度検出装置の小型化が図れるという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
角速度検出装置の薄型化という目的を、振動子にローレンツ力を作用させる磁性体を磁性薄膜で形成することで実現した。
【実施例１】
【００１２】
本発明の角速度検出装置（ジャイロセンサー）に係る一実施例を、図１の要部平面レイアウト図、図２の図１におけるＡ−Ａ’線断面図、図３の図１におけるＢ−Ｂ’線断面図、図４の図１におけるＣ−Ｃ’線断面図および図５の要部拡大図によって説明する。なお、図２〜図５の各断面図は概略構成を示すものであり、図１の平面レイアウト図の縮尺と一致させてはいない。
【００１３】
図１〜図５に示すように、角速度検出装置１００１は、第１振動子１１０１−１と第２振動子１１０１−２を並行に備えている。この第１振動子１１０１−１、第２振動子１１０１−２はともに矩形の薄膜からなり、一例としてシリコン層で形成されている。上記第１振動子１１０１−１と第２振動子１１０１−２とは、互いに向かい合う側の角部が支持弾性体１１０２−５、１１０２−６とによって連結され、第１振動子１１０１−１の第２振動子１１０１−２とは反対側の角部分には支持弾性体１１０２−１、１１０２−２の一端側によって支持されている。また支持弾性体１１０２−１、１１０２−２の他端側は、それぞれ支持部１１０３−１、１１０３−２に支持固定されている。また、第２振動子１１０１−２の第１振動子１１０１−１とは反対側の角部分には支持弾性体１１０２−３、１１０２−４の一端側によって支持されている。また支持弾性体１１０２−３、１１０２−４の他端側は、それぞれ支持部１１０３−３、１１０３−４に支持固定されている。上記支持弾性体１１０２−１〜１１０２−６は、それぞれが例えば板バネで構成され、例えばシリコン層からなり、平面レイアウト的に見て例えばコ字形状、Ｕ字形状もしくは矩形波形状に形成されている。上記支持部１１０３−１、１１０３−２、１１０３−３、１１０３−４は、それぞれ絶縁体１１３１を介して第１基板１１００に固定されている。したがって、第１振動子１１０１−１および第２振動子１１０１−２は支持弾性体１１０２−１、１１０２−２、１１０２−３、１１０２−４によって支持されていて、第１基板１１００に対して完全に浮動状態に配置されている。
【００１４】
また、上記支持部１１０３−１上から支持弾性体１１０２−１上、第１振動子１１０１−１の端辺部上、支持弾性体１１０２−２上を通り支持部１１０３−２上に至るもので、上記第１振動子１１０１−１を電磁駆動させるための電極１１０６−１が絶縁膜１１０５−１を介して導電性の配線として形成されている。同様に、上記支持部１１０３−３上から支持弾性体１１０２−３上、第２振動子１１０１−２の端辺部上、支持弾性体１１０２−４上を通り支持部１１０３−４上に至るもので、上記電磁駆動で第２振動子１１０１−２が動作したときに発生する誘導起電力を検出するためのモニタ電極となる電極１１０６−２が絶縁膜１１０５−２を介して導電性の配線として形成されている。さらに、角速度を検出する電極として上記第１振動子１１０１−１、第２振動子１１０１−２を用いるために、例えば、第２振動子１１０１−２にシリコンからなる支持弾性体１１０２−３を介して接続される導電性パッド１１０６−３が支持部１１０３−３上に形成されている。この導電性パッド１１０６−３は同支持部１１０３−３上に形成される電極１１０６−２とは絶縁膜１１０５−２によって電気的に絶縁されている。
【００１５】
また、上記電極１１０６−１、１１０６−２の両端に連続して、上記電極１１０６−１、１１０６−２の両端における上記支持部１１０３−１、１１０３−２、１１０３−３、１１０３−４上のそれぞれには、電極パッド１１０７−１、１１０７−２、１１０７−３、１１０７−４が形成されている。
【００１６】
なお、図面では、第１基板１１００と第２基板１２００とを陽極接合により接合する際に用いる陽極接合フレーム１１２１、同電位配線１１２２、１１２３が形成されている。また、上記第１、第２振動子１１０１−１、１１０１−２には、空気ダンピングを緩和するための貫通孔（図示せず）が複数設けられていてもよい。この貫通孔は、第１、第２振動子１１０１−１、１１０１−２上方に設けられる第２基板１２００との狭ギャップによるスクイーズ効果を低減させる。したがって、第１、第２振動子１１０１−１、１１０１−２のバランスがとれるように均一に分布されるように形成されることが好ましい。
【００１７】
上記のような構成が第１基板１１００に形成されている。
【００１８】
次に、上記第２基板１２００について説明する。上記第２基板１２００は、例えばガラス基板で形成されている。
【００１９】
この第２基板１２００には、容量変化を検出するための電極が形成されている。上記第２基板１２００の上記第１基板１１００と対向する面の上記第１振動子１１０１−１、第２振動子１１０１−２に対向する位置に検出電極１２０１−１、１２０１−２が形成されている。また、上記第２基板１２００の上記第１基板１１００と対向する面の上記支持弾性体１１０２−１、１１０２−２、１１０２−３、１１０２−４、１１０２−５、１１０２−６に対向する位置に検出電極１２０２−１、１２０２−２、１２０２−３、１２０２−４、１２０２−５、１２０２−６が形成されている。
【００２０】
また、上記第２基板１２００には、検出電極１２０１−１、１２０１−２、検出電極１２０２−１、１２０２−３、１２０２−５、および上記第１基板１１００と第２基板１２００を接合したときに上記電極パッド１１０７−１、１１０７−３、上記導電性パッド１１０６−３に対向する上記第２基板１２００の位置から、それぞれ上記第１基板１１００側に形成された同電位配線１１２２側に引き出される引き出し電極１２１１−１、１２１１−１１２１２−１、１１１２３、１２１２−５、および引き出し電極１２１７−１、１２１７−３、引き出し電極１２１６が形成されている。
【００２１】
さらに、上記第２基板１２００には、検出電極１２０２−２、１２０２−４、１２０２−６、および上記第１基板１１００と第２基板１２００を接合したときに上記電極パッド１１０７−２、１１０７−４に対向する上記第２基板１２００の位置から、それぞれ上記第１基板１１００側に形成された同電位配線１１２３側に引き出される引き出し電極１２１２−１１２１２−４、１２１２−６、および引き出し電極１２１７−１１２１７−４が形成されている。
【００２２】
上記陽極接合フレーム１１２１には、第１基板１１００と第２基板１２００とを対向させて接合させた際に、上記陽極接合フレーム１１２１と上記引き出し電極１２１１−１、１２１１−１１２１２−１〜６、１２１６、１２１７−１〜１２１７−４が接触しないように、窪み１１２１−１が形成されている。この窪み１１２１−１は各引き出し電極に対応して形成されるが、引き出し電極１２１６、１２１７−３のように接近して形成されている場合には、一つの窪みに二つの引き出し電極１２１６、１２１７−３を配置している。また上記窪み１１２１−１は陽極接合フレーム１１２１を完全に除去して形成することもでき、また引き出し電極が形成される位置を部分的に除去して形成することもできる。図面では完全に除去した場合を示した。
【００２３】
上記引き出し電極１２１７−１、１２１７−１１２１７−３、１２１７−４の電極パッド１１０７−１、１１０７−２、１１０７−３、１１０７−４側の端部および上記引き出し電極１２１６の導電性パッド１１０６−３側の端部には、それぞれ支柱電極１２１８−１、１２１８−１１２１８−３、１２１８−４、１２１８−５が形成されている。上記支柱電極１２１８−１、１２１８−１１２１８−３、１２１８−４、１２１８−５は、例えば金メッキにより形成される。上記支柱電極１２１８−１、１２１８−１１２１８−３、１２１８−４、１２１８−５は、単体であってもよく、もしくは一つの電極パッドもしくは導電性パッドに対して複数個形成されたものであってもよい。
【００２４】
上記のような構成が第２基板１２００に形成されている。
【００２５】
上記第１基板１１００と上記第２基板１２００とは、例えば、陽極接合法によって、陽極接合フレーム１１２１と第２基板１２００とを陽極接合されている。その際、シリコンで形成されている同電位配線１１２２、１１２３も第２基板１２００と陽極接合されている。
【００２６】
しかし、上記陽極接合後は陽極接合フレーム１１２１と同電位配線１１２２、１１２３間は、例えばダイシングによって切断され、同電位配線１１２２、１１２３に共通に接続されたそれぞれの引き出し電極１２１１−１、１２１１−１１２１２−１〜１２１２−６、１２１６、１２１７−１〜１２１７−４を完全に電気的に独立にされている。
【００２７】
上記第１基板１１００の下面（振動子が形成されている側とは反対側の面）には、磁性薄膜１１２４が配設されている。この磁性薄膜１１２４には、例えば、０．５ｍｍ以下程度の厚さに形成されるものを用いることができる。また、上記磁性薄膜１１２４には、コバルトニッケルリン（ＣｏＮｉＰ）合金、コバルトニッケルクロム（ＣｏＮｉＣｒ）、コバルトクロムタンタル（ＣｏＣｒＴａ）、コバルトクロム白金（ＣｏＣｒＰｔ）等、硬磁性材料を用いることができる。さらに、材料と組成を制御することによって、膜面に垂直にも、面内にも磁化することが可能である。
【００２８】
本実施例の容量検出型センサの角速度検出装置１００１は、上記磁性薄膜１１２４により電磁的に駆動される。したがって、上記磁性薄膜１１２４は、後述する第２基板１２００側に設けることもできる。この場合も、第１基板１１００下面側に設けた場合と同様なる動作が得られる。
【００２９】
次に、本発明の角速度検出装置１００１の動作原理を説明する。
【００３０】
上記角速度検出装置１００１は、電極１１０６−１にはある周期を持った電流が流れる。例えばある時点で電流Ｉ1が電極１１０６−１を電極パッド１１０７−１から電極パッド１１０７−２に向かって流れているとする。その際、電極１１０６−２に位相が１８０°ずれた電流Ｉ2を流す。電流Ｉ1、Ｉ2は周期性を持っているので、別の時点では、流れる方向が逆になることもある。電極１１０６−１に電流が流れると、第１基板１１００の下部に設けられた磁性薄膜１１２４からの磁界により、ローレンツ力ＦLがｘ方向に発生する。
【００３１】
ローレンツ力ＦLは下記の式で現され、配線に直交する方向にその力が誘起される。
【００３２】
ＦL＝ＩＢＬ  …（１）
【００３３】
上記（１）式中、Ｉは駆動電極となる電極１１０６−１に流れる電流、Ｂは磁束密度、Ｌは電極１１０６−１の長さである。
【００３４】
ロ−レンツ力ＦLは印加される電流Ｉ1、Ｉ2と同じ周期性をもって第１、第２振動子１１０１−１、１１０１−２に印加され、第１振動子部１１０１−１は、支持弾性体１１０２−１および支持弾性体１１０２−２に接続されている支持部１１０３−１および支持部１１０３−２を固定点とし、振幅運動を繰り返す。もう一方の第２振動子１１０１−２は支持弾性体１１０２−３および支持弾性体１１０２−４に接続されている支持部１１０３−３および支持部１１０３−４を固定点とし、１８０°の位相ずれを持ちながら振幅運動を繰り返す。その際、外部からＹ軸まわりに角速度Ωが与えられると、振動方向に直行した方向にコリオリ力ＦCが発生する。このコリオリ力ＦCは（２）式で表される。
【００３５】
ＦC＝２ｍｖΩ  …（２）
【００３６】
上記（２）式中、ｍは振動子の質量、ｖは駆動方向の振動速度、Ωは外部から印加される角速度である。
【００３７】
コリオリ力ＦCで発生した変位を大きく取るためには、質量ｍ、駆動角振動数ωＸ、駆動変位Ｘｍ（ωＸおよびＸｍは駆動振動速度ｖの対応パラメタ−）を大きく取る必要がある。電磁駆動の場合、従来技術のような静電駆動で必要な櫛歯電極を必要としないため、大きな変位を取ることが可能となる。
【００３８】
コリオリ力ＦCが発生すると第１、第２振動子１１０１−１、１１０１−２がＺ軸方向に振動する。その際、第２基板１２００側に設置された検出電極１２０１−１と第１振動子１１０１−１および検出電極１２０１−２と第２振動子１１０１−２との間に容量の変化が現れる。一方は第２基板１２００に近づく方向に振動子が傾き、もう一方は遠ざかる方向に振動子が傾く。その容量差分を検出することで、印加される角速度を算出する。
【００３９】
ここで重要なことは、角速度Ωが印加されたときには検出電極１２０１−１と第１振動子１１０１−１および検出電極１２０１−２と第２振動子１１０１−２に発生する容量変化量が異なるが、並進加速度が印加された際には、発生する容量変化量は異ならないため、差分を取っても容量差が生じない。よって、角速度印加の時に発生する加速度成分を除去できる構造となっている。
【００４０】
また、ローレンツ力ＦLを発生させた際、第２振動子１１０１−２上に形成された電極１１０６−２には誘導起電力が発生する。この誘導起電力は、ローレンツ力ＦLと同じ周期を持って発生している。容量変化を読み取る際、検出電極１２０１−１、１２０１−２と第１、第２振動子１１０１−１、１１０１−２間に搬送波を乗せ、容量変化により発生した電流を増幅することにより実際の信号を取り出す。搬送波は同期検波により除去され、また駆動波に関しても誘導起電力の周期成分で検波することにより、角速度に対応した直流信号を取り出すことができる。
【００４１】
次に、磁性薄膜の形成位置に係わる実施例について、図６〜図８の概略構成断面図によって説明する。
【実施例２】
【００４２】
図６に示すように、前記図１〜図５によって説明した角速度検出装置１００１において、磁性薄膜１１２４は第２基板１２００の第１基板１１００とは反対側の面に配置されている。上記磁性薄膜１１２４以外の構成は前記図１〜図５によって説明したのと同様である。
【実施例３】
【００４３】
図７に示すように、前記図１〜図５によって説明した角速度検出装置１００１において、磁性薄膜１１２４は、第１振動子１１０１−１、第２振動子１１０１−２と第１基板１１００との間で、第１基板１１００面上に形成されている。その際、上記磁性薄膜１１２４は、実際にローレンツ力を作用させようとする導電路、すなわち、電極１１０６−１、電極１１０６−２の図面上における下部のみに設置することもでき、また、第１基板１１００の第２基板１１００側全面に配置することもできる。なお、電極１１０６−１、電極１１０６−２は、例えば、どちらか一方が電磁駆動させるための電極として用い、他方が誘導起電力を検出するためのモニタ電極として用いることができるので、両電極１１０６−１、電極１１０６−２の下部に磁性薄膜１１２４を配置している。
【実施例４】
【００４４】
図８に示すように、前記図１〜図５によって説明した角速度検出装置１００１において、磁性薄膜１１２４は、第１振動子１１０１−１、第２振動子１１０１−２と第２基板１２００との間で、第２基板１２００面のスペース領域に形成されている。その際、上記磁性薄膜１１２４は、実際にローレンツ力を作用させようとする導電路、すなわち、電極１１０６−１、電極１１０６−２の図面上における上部のみに設置することもでき、また、第２基板１２００の第１基板１１００側のスペース領域全面に配置することもできる。なお、電極１１０６−１、電極１１０６−２は、例えば、どちらか一方が電磁駆動させるための電極として用い、他方が誘導起電力を検出するためのモニタ電極として用いることができるので、両電極１１０６−１、電極１１０６−２の上部に磁性薄膜１１２４を配置している。
【００４５】
上記実施例３、実施例４において、磁性薄膜１１２４は、ローレンツ力を印可したい電極１１０６−１、電極１１０６−２の上方もしくは下方の領域に限定して配置する場合には、例えば、図９の平面図に示すように、磁性薄膜１１２４は、第１振動子１１０１−１上に配置される電極１１０６−１の上方もしくは下方の領域に限定して配置することができ、また、第２振動子１１０１−２上に配置される電極１１０６−２の上方もしくは下方の領域に限定して配置することができる。
【００４６】
本発明の角速度検出装置は、磁束を発生させる磁性体が磁性薄膜１１２４で形成されているため、磁性体の厚さを薄くできる分だけ角速度検出装置の厚さを薄くできるので、角速度検出装置の小型化が図れるという利点がある。
【００４７】
本発明の角速度検出装置の製造方法は、磁束を発生させる磁性体を磁性薄膜１１２４で形成するため、磁性体の厚さを薄くできる分だけ角速度検出装置の厚さを薄くできるので、角速度検出装置の小型化が図れるという利点がある。特に体積と厚みへの寄与が大きい。
【００４８】
上記角速度検出装置の小型化では、特に体積と厚みへの寄与が大きい。また、磁性薄膜１１２４であるため、狭い空間でも形成することができる。したがって、第１基板１１００と第２基板１２００との間の第１基板１１００側もしくは第２基板１２００側のいずれの面にも、上記磁性薄膜１１２４は形成することができる。したがって、磁束発生部分を駆動部分に近い位置に配置でき、弱い磁束で駆動できるとともに、漏洩磁束を小さく抑えることができ、また、外部からの磁気の影響を小さくすることができる。さらに、駆動対象となる電極１１０６−１、電極１１０６−２により強い磁束を発生できるので、同じ駆動力を得るための電流を小さく抑えられる。また、磁気抵抗効果素子請求項薄膜１１２４は、薄いため、第１基板１１００と第２基板１２００との間の第１基板１１００側の面もしくは第２基板１２００側の面に形成することができる。すなわち、構造体内の所望の部分に、所望の面積で、所望の形状で配置できる。このように配置することにより、必要な部分にだけ磁束を発生させることができ、ローレンツ力も必要な部分にだけ印加することができるようになり、効率が良くなる。したがって、振動型の角速度検出装置（例えばジャイロセンサー）では、不要な誘起起電力を抑えることができる。また、磁化の向きと電流の向きとがローレンツ力を印可する向きと９０度に配置できれば、磁化の向きは、面内でも垂直でも同様なる効果を得ることができる。
【実施例５】
【００４９】
次に、本発明の角速度検出装置の製造方法に係る一実施例を、図１０〜図２２によって説明する。図１０〜図１２、図１８、図２１では、前記図１のＡ−Ａ’線断面と同位置の断面を表し、図１３〜図１７、図１９、図２０、図２２は平面レイアウト図を示す。なお、断面図は平面レイアウト図のＡ−Ａ’線断面を示し、断面図と平面レイアウト図との縮尺は必ずしも一致させていない。
【００５０】
図１０（１）は、前記図１のＡ−Ａ’線断面と同位置の断面を表している。図１０（１）に示すように、第１基板１１００上に絶縁体１１３１を介してシリコン層１１４１が形成されたＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板１１４０を用いる。上記絶縁体１１３１は酸化シリコン（ＳｉＯ2）層で形成される。また、第１基板１１００の裏面にはマスク１１５１を形成しておく。
【００５１】
次に、図１０（２）に示すように、マスク１１５１をエッチングマスクに用いたエッチング加工により、第１基板１１００の裏面側にアライメントマークおよびダイシングライン１１２７を形成する。これは、第１基板１１００と後に説明する第２基板との陽極接合時のアライメントおよび第１、第２基板を切り出す際のマークとなるものである。
【００５２】
次に、図１０（３）に示すように、シリコン層１１４１が所望の膜厚となるよう基板表面をエッチングする。上記エッチング方法は、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）もしくは水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液をエッチング液に用いたウエットエッチによる。もしくは、化学的ドライエッチング、物理的ドライエッチで行うこともできる。また、所望の膜厚が予めわかっているならば、そのようなＳＯＩ基板を用意しても良い。
【００５３】
次に、図１１（４）および図１３の平面レイアウト図に示すように、シリコン層１１４１をエッチング加工して、後に形成される振動子、支持部、支持弾性体等の形成領域を囲むように、陽極接合フレーム１１２１を形成する。このとき、上記シリコン層１１４１を用いて、陽極接合フレーム１１２１の外側に、陽極接合フレーム１１２１と所望の間隔を置いて陽極接合フレーム１１２１を挟むように同電位配線１１２２、１１２３を形成する。次いで、陽極接合フレーム１１２１内の振動子、支持部、支持弾性体等の形成領域のシリコン層１１４１を所望の厚さになるまでエッチング加工する。上記各エッチング加工は、マスクにレジストマスクを用いることができ、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）もしくは水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液をエッチング液に用いたウエットエッチによる。もしくは、化学的ドライエッチング、物理的ドライエッチで行うこともできる。このエッチングによって、後に形成される振動子および支持弾性体の各膜厚が決定される。
【００５４】
次に、図１１（５）および図１４の平面レイアウト図に示すように、上記シリコン層１１４１上で、後に形成される第１、第２振動子上の一部、支持弾性体上および支持部上に絶縁膜１１０５−１、１１０５−２を形成する。絶縁膜１１０５−１、１１０５−２は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ2）、窒化シリコン（ＳｉＮ）もしくはそれらの積層膜で形成される。この絶縁膜は、下地のシリコン層１１４１と絶縁膜１１０５−１、１１０５−２上に形成される電極との絶縁性が保持できるものであれば何でも良い。また、絶縁膜１１０５−１、１１０５−２の形成方法は、リフトオフ方を用いて形成することもでき、または全面に絶縁膜を形成した後にリソグラフィー技術とエッチング技術とによって上記絶縁膜を加工して形成することもできる。
【００５５】
次に、図１１（６）および図１５の平面レイアウト図に示すように、上記絶縁膜１１０５−１上にローレンツ力を印加するのための導電性の配線となる電極１１０６−１、上記絶縁膜１１０５−２上に誘導起電力を検出するための導電性を有する配線となる電極１１０６−２を形成するとともに、シリコン層１１４１上における支持弾性体の電極取り出し位置となる領域に導電性パッド１１０６−３を形成する。また、同時に、電極１１０６−１、１１０６−２の両端となる位置で、後に形成される支持部上に電極パッド１１０７−１〜１１０７−４を形成する。上記電極材料には、金、白金、クロムの三層金属材料を用いる。もしくは、金、白金、チタンの三層金属材料、金とクロム、白金とクロム、金とチタンおよび白金とチタンなどの二層金属材料を用いることができ、また上記チタンの代わりに窒化チタンとチタンとの積層材料を用いることができる。また、上記クロムや上記チタンの代わりに銅を用いることができる。上記電極材料は、例えば電子ビーム蒸着法により形成することができる。また本実施例においては、リフトオフ法により電極を形成したが、金属材料層を成膜した後、ウエットエッチングやドライエッチングによって金属材料層を加工することで電極形成を行っても良い。また、金属材料膜の成膜方法は、電子ビーム蒸着法の他に、スパッタリング法やＣＶＤ法を用いることもできる。
【００５６】
次に、図１２（７）および図１６の平面レイアウト図に示すように、リソグラフィー技術とエッチング技術（例えば反応性イオンエッチング）とを用いて、上記シリコン層１１４１を加工し、第１振動子部１１０１−１、第２振動子１１０１−２、支持弾性体１１０２−１〜１１０２−６、支持部１１０３−１〜１１０３−４を形成するとともに、陽極接合フレーム１１２１、同電位配線１１２２、１１２３等を完成させる。上記第１振動子部１１０１−１、第２振動子１１０１−２、支持弾性体１１０２−１〜１１０２−６、支持部１１０３−１〜１１０３−４を形成するとともに、陽極接合フレーム１１２１、同電位配線１１２２、１１２３等の配置位置は前記図１〜図５によって説明した通りである。
【００５７】
次に、図１２（８）および図１７の平面レイアウト図に示すように、上記支持部１１０３−１〜１１０３−４、陽極接合フレーム１１２１および同電位配線１１２２、１１２３の下部の絶縁体１１３１のみを残して、その他の絶縁体１１３１を、例えばエッチングにより除去する。その結果、第１振動子部１１０１−１、第２振動子１１０１−２および支持弾性体１１０２−１〜１１０２−６が形成される。また、支持部１１０３−１〜１１０３−４は、絶縁体１１３１を介して第１基板１１００に固定される。
【００５８】
次に、第２基板１２００側の作製方法を説明する。
【００５９】
図１８（９）に示すように、ガラス基板からなる第２基板１２００を用意する。次いで、例えば電子ビーム蒸着法により、第２基板１２００に配線電極層１２２０を形成する。配線電極層１２２０には、金、白金、クロムの三層金属材料を用いることができる。もしくは、金、白金、チタンの三層金属材料を用いることができ、または、金とクロム、白金とクロム、金とチタン、白金とチタン等の組み合わせの二層金属材料を用いることができる。上記チタンの代わりに、窒化チタンとチタンとの積層材料を用いることもできる。また、クロムやチタンの代わりに銅を用いることもできる。また、成膜方法は、電子ビーム蒸着法に限定されず、スパッタリング法やＣＶＤ法を採用することもできる。
【００６０】
次に、図１８（１０）および図１９の平面レイアウト図に示すように、無電解めっき法により、配線電極層１２２０表面に支柱電極１２１８−１、１２１８−２、１２１８−３、１２１８−４、１２１８−５を形成する。この支柱電極１２１８−１、１２１８−２、１２１８−３、１２１８−４、１２１８−５は、前記図１５によって説明した第１基板１１００側に形成された電極パッド１１０７−１〜１１０７−４および導電性パッド１１０６−３と、次の工程で形成される引き出し電極とを接続させるためのものである。また、上記支柱電極１２１８−１、１２１８−２、１２１８−３、１２１８−４、１２１８−５は、単体で形成してもよく、もしくは一つの電極パッドもしくは導電性パッドに対して複数個を形成してもよい。上記支柱電極１２１８−１、１２１８−２、１２１８−３、１２１８−４、１２１８−５を一つの電極パッドもしくは導電性パッドに対して複数個を形成した場合、陽極接合時に上記支柱電極１２１８−１、１２１８−２、１２１８−３、１２１８−４、１２１８−５がバネ状に屈曲し、適度な張力をもって電極パッド１１０７−１〜１１０７−４および導電性パッド１１０６−３と接続することができる。引き出し電極と電極パッドおよび導電性パッドとの接続には、スプリングコンタクトや、金バンプを用いる接続方法もあるが、上記支柱電極１２１８−１、１２１８−２、１２１８−３、１２１８−４、１２１８−５を用いる本方法の場合、第２基板に過度な応力をかけることも無く、また、作製方法もきわめて簡単である。本実施例においては、上記支柱電極１２１８−１、１２１８−２、１２１８−３、１２１８−４、１２１８−５の形成に無電解めっき法を用いたが電解めっき法でも形成できる。
【００６１】
次に、図１８（１１）および図２０の平面レイアウト図に示すように、上記配線電極層１２２０をエッチング加工することにより、上記第２基板１２００と上記第１基板１１００とを対向させて接合した際に、上記第１振動子１１０１−１、第２振動子１１０１−２〔前記図１６参照〕と対向する位置に検出電極１２０１−１、１２０１−２を形成するとともに、上記支持弾性体１１０１−１、１１０２−２、１１０２−３、１１０２−４、１１０２−５、１１０２−６〔前記図１６参照〕と対向する位置に検出電極１２０１−１、１２０２−１、１２０２−３、１２０２−４、１２０２−５、１２０２−６を形成する。それと同時に、上記検出電極１２０１−１、１２０１−２、検出電極１２０１−１、１２０２−３、１２０２−５に連続して形成されるもので、上記同電位配線１１２２〔前記図１６参照〕側にそれぞれ引き出される引き出し電極１２１１−１、１２１１−２、１１１１−１、１１１２−３、１２１２−５を形成するとともに、上記電極パッド１１０７−１、１１０７−３、上記導電性パッド１１０６−３と対向する位置から上記同電位配線１１２２側にそれぞれ引き出される引き出し電極１２１７−１、１２１７−３、引き出し電極２２１６を形成する。さらに、検出電極１２０２−１、１２０２−４、１２０２−６に連続して形成されるもので、上記同電位配線１１２３〔前記図１６参照〕側にそれぞれ引き出される引き出し電極１１１２−２、１２１２−４、１２１２−６を形成するとともに、上記電極パッド１１０７−２、１１０７−４と対向する位置から上記同電位配線１１２３側にそれぞれ引き出される引き出し電極１２１７−２、１２１７−４を形成する。
【００６２】
次に、第１基板１１００と第２基板１２００との組立方法を示す。
【００６３】
図２１（１２）および図２２の平面レイアウト図に示すように、陽極接合法により、第２基板１２００と陽極接合フレーム１１２１とを接合させる。その際、ローレンツ力を発生させる電極１１０６−１の両端に形成された電極パッド１１０７−１、１１０７−２および電磁駆動で振動子が動作したときに発生する誘導起電力を検出する電極１１０６−２の両端に形成された電極パッド１１０７−３、１１０７−４および導電性パッド１１０６−３に支柱電極１２１８−１、１２１８−２、１２１８−３、１２１８−４、１２１８−５をそれぞれに接続させる。さらに、上記引き出し電極１２１１−１、１２１１−２、１１１１−１、１１１２−３、１２１２−５、１２１７−１、１２１７−３、１２１６を上記同電位配線１１２２に接続させるとともに、引き出し電極１１１２−２、１２１２−４、１２１２−６、１２１７−２、１２１７−４を上記同電位配線１１２３に接続させる。これによって、陽極接合時には、第１、第２振動子１１０１−１、１１０１−２、支持弾性体１１０２−１〜１１０２−６、検出電極１２０１−１、１２０１−１、１２０２−１〜１２０２−６等が同電位となり、第１、第２振動子１１０１−１、１１０１−２が検出電極１２０１−１、１２０１−２に張り付くのが防止される。
【００６４】
次に、ダイシングによって、第１基板１１００および第２基板１２００を所望の大きさに切断して、個別チップを形成する。この切断は、例えば陽極接合フレーム１１２１の外周に沿って行うことができる。したがって、このダイシング時に、上記同電位配線１１２２に接続される引き出し電極１２１１−１、１２１１−２、１１１１−１、１１１２−３、１２１２−５、１２１７−１、１２１７−３、１２１６は、同電位配線１１２２より切断され、それぞれ別個のものとなる。また、上記ダイシング時には、上記同電位配線１２３に接続される引き出し電極１１１２−２、１２１２−４、１２１２−６、１２１７−２、１２１７−４は、同電位配線１１２３より切断され、それぞれ別個のものとなる。
【００６５】
次に、図２１（１３）に示すように、第１基板１１００の下部に磁性薄膜１１２４を配置する。その後、引き出し電極１２１１−１、１２１１−２、１２１２−１、１２１２−２、１２１２−３、１２１２−４、１２１２−５よりワイヤー（図示せず）を引き出して、角速度検出装置のチップが作製される。上記磁性薄膜１１２４は、前記図６〜図９によって説明した箇所に設けることもできる。例えば、前記図６に示したように形成するには、前記図２１（１３）に示した工程において、第１基板１１００側ではなく、第２基板１２００側に磁性薄膜１１２４を形成すればよい。また、前記図７に示したように形成するには、前記図１０（１）に示した工程において、まず最初に、第１基板１１００に磁性薄膜１１２４を形成し、所望の形状にパターニングしておけばよい。ここでのパターニングには、通常のリソグラフィー技術によるエッチングマスクの形成、そのエッチングマスクを用いたエッチングもしくはイオンミリングによって加工を行うことができる。また、前記図８に示したように形成するには、前記図１８（９）に示した工程において、まず最初に、第２基板１２００に磁性薄膜１１２４を形成し、所望の形状にパターニングしておけばよい。ここでのパターニングには、通常のリソグラフィー技術によるエッチングマスクの形成、そのエッチングマスクを用いたエッチングもしくはイオンミリングによって加工を行うことができる。
【００６６】
上記説明したように、角速度検出装置の製造方法により前記図１〜図５によって説明した角速度検出装置１００１が得られる。
【００６７】
上記磁性薄膜１１２４としては、コバルトニッケルリン（ＣｏＮｉＰ）合金、コバルトニッケルクロム（ＣｏＮｉＣｒ）、コバルトクロムタンタル（ＣｏＣｒＴａ）、コバルトクロム白金（ＣｏＣｒＰｔ）等、硬磁性材料が使用可能である。作製方法としては、メッキ法、スパッタ法、蒸着法のいずれでも作製可能であり、プロセスの特徴と形成される膜の厚み等により、選択可能である。材料と組成をコントロールすれば、膜面に垂直にも、面内にも磁化することが可能である。
【実施例６】
【００６８】
また、前記図９によって説明したように、磁性薄膜１１２４は、第１振動子１１０１−１上に配置される電極１１０６−１の上方もしくは下方の領域に限定して配置することができ、また、第２振動子１１０１−２上に配置される電極１１０６−２の上方もしくは下方の領域に限定して配置することができる。このように、ローレンツ力を印可したい電極１１０６−１および電極１１０６−２の上方もしくは下方の限定した領域に磁性薄膜１１２４を配置するには、磁性薄膜を形成後、リソグラフィー技術によるエッチングマスクのパターニング、そのエッチングマスクを用いた磁性薄膜のエッチングといった工程で作製できる。
【００６９】
また、磁性薄膜１１２４の保磁特性を安定させるために、磁性薄膜１１２４を成膜した後、磁性薄膜１１２４の保磁力のおよそ３倍程度の磁場を所望の方向に印可する着磁処理を行うことも有効である。
【実施例７】
【００７０】
次に、複数の磁性薄膜を用いた一実施例を説明する。まず、磁性薄膜の磁化方向について説明する。図２３には、磁性薄膜１１２４の面内に磁化したものを使用した例を示し、図２４には、磁性薄膜１１２４の膜面に垂直な方向に磁化したものを使用した例を示す。どちらの場合も、振動子１１０１を動かす方向（矢印ａの方向）と電流の流れる方向（矢印ｂの方向、図中紙面に垂直な方向）に垂直に磁束φが交錯するように配置している。上記磁束φは、軟磁性薄膜１１２５によって制御される。この軟磁性薄膜１１２５を第２基板１２００の下面に配置した磁性薄膜１１２４の磁化の向きと同じ方向に磁化した材料とすることで、磁束を増やすことが可能である。上記磁性薄膜１１２４と磁性薄膜１１２５は逆に設けることもできる。
【実施例８】
【００７１】
次に、振動子の制御方法について、図２５の要部平面レイアウト図および図２６の制御フローチャートによって説明する。図２５および図２６に示すのは、動作する角速度検出装置の動作する部位（振動子１１０１）に形成されたものでローレンツ力を印可するための電流を流す電流路（電極１１０６−１）および振動子１１０１の動きをモニターするための電流路（電極１１０６−２）が、全面もしくは限定された領域に作製された磁性薄膜１１２４−１、１１２４−２が作る磁界の中を横切ることによって生じる誘導起電力により、その動きを電気信号に変換し、動きの制御にフィードバックして、振動子１１０１の振幅が一定となるように制御する一例である。つまり、電流路（電極１１０６−１）に電流を流すことによってローレンツ力が発生して、振動子１１０１が振動する。すると振動子１１０１に形成された電流路（電極１１０６−２）の動きに応じた誘導起電力が発生する。この誘導起電力が一定になるように電流路（電極１１０６−１）に流す駆動電流を制御すると、振動子１１０１の振幅が一定に制御される。なお、図面矢印は電極１１０６−１、電極１１０６−２の振動方向である。
【００７２】
具体的には、図２６のフローチャートに示すように、「ΔＶ＝｜誘導起電力｜−設定電圧が０か否か」Ｓ１により、誘導区電力の絶対値から設定電圧を差し引いた値、すなわちΔＶ＝０であるか否かを判定する。ΔＶ＝０であれば「Ｙｅｓ」であり、再びＳ１を繰り返し行う。そして、ΔＶ＝０であり続ければ、振動子は安定に振動を続けることになる。しかしながら、振動子は外力によって非安定な振動となることがある。この場合、ΔＶ＝０とはならないので「Ｎｏ」となる。そこで、「ΔＶ＞０か否か」Ｓ２により、ΔＶが０よりも大きいか否かを判定する。この判定で「Ｙｅｓ」、すなわちΔＶ＞０であれば、「駆動電流減（設定電圧減）」Ｓ３を行い、再び「ΔＶ＝｜誘導起電力｜−設定電圧が０か否か」Ｓ１によりΔＶを判定する。また、判定で「Ｎｏ」、すなわちΔＶ＜０であれば、「駆動電流増（設定電圧増）」Ｓ４を行い、再び「ΔＶ＝｜誘導起電力｜−設定電圧が０か否か」Ｓ１によりΔＶを判定する。このようにして、常にΔＶ＝０となるようにすることで、振動子１１０１の振動を安定化させることができる。
【産業上の利用可能性】
【００７３】
本発明の角速度検出装置およびその製造方法は、携帯機器のような小型機器等に省スペースで角速度検出装置を搭載するという用途にも適用できる。また、加速度センサ、圧力センサについても適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本発明の角速度検出装置に係る一実施例を示した要部平面レイアウト図である。
【図２】本発明の角速度検出装置に係る一実施例を示した図１におけるＡ−Ａ’線断面図である。
【図３】本発明の角速度検出装置に係る一実施例を示した図１におけるＢ−Ｂ’線断面図である。
【図４】本発明の角速度検出装置に係る一実施例を示した図１におけるＣ−Ｃ’線断面図である。
【図５】本発明の角速度検出装置に係る一実施例を示した要部拡大図である。
【図６】本発明の角速度検出装置における磁性薄膜の形成位置に係わる実施例を示した概略構成断面図である。
【図７】本発明の角速度検出装置における磁性薄膜の形成位置に係わる実施例を示した概略構成断面図である。
【図８】本発明の角速度検出装置における磁性薄膜の形成位置に係わる実施例を示した概略構成断面図である。
【図９】本発明の角速度検出装置における磁性薄膜の形成位置に係わる実施例を示した要部平面レイアウト図である。
【図１０】本発明の角速度検出装置の製造方法に係る一実施例を示す模式的断面図であり、前記図１のＡ−Ａ’線断面と同位置の断面を表す図面である。
【図１１】本発明の角速度検出装置の製造方法に係る一実施例を示す模式的断面図であり、前記図１のＡ−Ａ’線断面と同位置の断面を表す図面である。
【図１２】本発明の角速度検出装置の製造方法に係る一実施例を示す模式的断面図であり、前記図１のＡ−Ａ’線断面と同位置の断面を表す図面である。
【図１３】本発明の角速度検出装置の製造方法に係る一実施例を示す平面レイアウト図である。
【図１４】本発明の角速度検出装置の製造方法に係る一実施例を示す平面レイアウト図である。
【図１５】本発明の角速度検出装置の製造方法に係る一実施例を示す平面レイアウト図である。
【図１６】本発明の角速度検出装置の製造方法に係る一実施例を示す平面レイアウト図である。
【図１７】本発明の角速度検出装置の製造方法に係る一実施例を示す平面レイアウト図である。
【図１８】本発明の角速度検出装置の製造方法に係る一実施例を示す模式的断面図であり、前記図１のＡ−Ａ’線断面と同位置の断面を表す図面である。
【図１９】本発明の角速度検出装置の製造方法に係る一実施例を示す平面レイアウト図である。
【図２０】本発明の角速度検出装置の製造方法に係る一実施例を示す平面レイアウト図である。
【図２１】本発明の角速度検出装置の製造方法に係る一実施例を示す模式的断面図であり、前記図１のＡ−Ａ’線断面と同位置の断面を表す図面である。
【図２２】本発明の角速度検出装置の製造方法に係る一実施例を示す平面レイアウト図である。
【図２３】本発明の角速度検出装置に係る一実施例を示す模式的断面図である。
【図２４】本発明の角速度検出装置に係る一実施例を示す模式的断面図である。
【図２５】振動子の制御方法に係る一実施例を示す平面レイアウト図である。
【図２６】振動子の制御方法に係る一実施例を示すフローチャートである。
【図２７】従来の角速度検出装置を示す斜視図および模式的断面図である。
【符号の説明】
【００７５】
１００１…角速度検出装置、１１０１−１…第１振動子、１１０１−２…第２振動子、１１２４…磁性薄膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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