(57)【要約】【課題】  欠陥画素を引き起こすリーク個所を電気的に切り離すことによって欠陥画素を発光画素への修復を実現可能とする有機発光表示装置及びその欠陥画素の修復方法を提供する。【解決手段】  メイン基板ＳＵＢ１上に形成された陽極ＡＤと有機発光層ＯＬＥとの間に剥離抑制層ＥＣを有し、メイン基板ＳＵＢ１と剥離抑制層ＥＣとの間にレーザ光ＬＥの吸収によって蒸発させた空洞部ＣＡを形成することにより、欠陥個所を電気的に切り離し、黒点欠陥画素を発光画素に修復する。【選択図】  図２
2006269108.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板と対向して周縁部に封止部材を介在させて気密封止された透光性基板の主面内に画素を形成する複数の有機発光素子を有し、前記有機発光素子の各々は前記透光性基板の主面上に形成された複数の第１の電極と、前記複数の第１の電極を覆って形成され、且つ発光能を有する有機発光層と、前記有機発光層上に前記複数の有機発光素子に共通に形成された第２の電極とを含み、前記有機発光層からの発光を前記第１の電極を介して前記透光性基板側に出射する有機発光表示装置であって、
前記第１の電極と前記有機発光層との間に剥離抑制層を有し、当該剥離抑制層と前記透光性基板との間に近紫外線の吸収によって蒸発させた空洞部を有することを特徴とする有機発光表示装置。
【請求項２】
絶縁性基板と対向して周縁部に封止部材を介在させて気密封止された透光性基板の主面内に画素を形成する複数の有機発光素子を有し、前記有機発光素子の各々は前記透光性基板の主面上に形成された複数の第１の電極と、前記複数の第１の電極を覆って形成され、且つ発光能を有する有機発光層と、前記有機発光層上に前記複数の有機発光素子に共通に形成された第２の電極とを含み、前記有機発光層からの発光を前記第１の電極を介して前記透光性基板側に出射する有機発光表示装置であって、
前記第１の電極と前記有機発光層との間に熱膨張層を有し、当該熱膨張層と前記第１の電極との間に近紫外線の吸収によって蒸発させた空洞部を有することを特徴とする有機発光表示装置。
【請求項３】
前記第１の電極の膜厚が５０〜２００ｎｍの範囲とすることを特徴とする請求項１または請求項２に記載に有機発光表示装置。
【請求項４】
前記第２の電極の上面に封止膜を設けたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
絶縁性基板と対向して周縁部に封止部材を介在させて気密封止された透光性基板の主面内に画素を形成する複数の有機発光素子を有し、前記有機発光素子の各々は前記透光性基板の主面上に形成された複数の第１の電極と、前記複数の第１の電極を覆って形成され、且つ発光能を有する有機発光層と、前記有機発光層上に前記複数の有機発光素子に共通に形成された第２の電極とを含み、前記有機発光層からの発光を前記第１の電極を介して前記透光性基板側に出射する有機発光表示装置の欠陥画素の修復方法において、
前記第１の電極と前記有機発光層との間に剥離抑制層を形成し、前記第１の電極に近紫外線を照射して前記第１の電極の前記近紫外線照射部分を蒸発させることを特徴とする有機発光表示装置の欠陥画素の修復方法。
【請求項６】
絶縁性基板と対向して周縁部に封止部材を介在させて気密封止された透光性基板の主面内に画素を形成する複数の有機発光素子を有し、前記有機発光素子の各々は前記透光性基板の主面上に形成された複数の第１の電極と、前記複数の第１の電極を覆って形成され、且つ発光能を有する有機発光層と、前記有機発光層上に前記複数の有機発光素子に共通に形成された第２の電極とを含み、前記有機発光層からの発光を前記第１の電極を介して前記透光性基板側に出射する有機発光表示装置の欠陥画素の修復方法において、
前記第１の電極と前記有機発光層との間に熱膨張層を形成し、前記第１の電極に近紫外線を照射して前記第１の電極上の前記近紫外線照射部分を空洞化させることを特徴とする有機発光表示装置の欠陥画素の修復方法。
【請求項７】
前記近紫外線の波長帯域を３１５ｎｍ〜３８０ｎｍの範囲とすることを特徴とする請求項５または請求項６に記載に有機発光表示装置の欠陥画素の修復方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一対の電極間に有機発光層を設け、一対の電極により有機発光層に電界を印加させて発光させる有機発光表示装置に係り、特に表示領域内に有する黒点欠陥画素または輝点欠陥画素を発光画素へと修復可能にする有機発光表示装置及びその欠陥画素の修復方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、フラットパネル型の表示装置として液晶表示装置（ＬＣＤ）やプラズマ表示装置（ＰＤＰ）、電界放出型表示装置（ＦＥＤ）、有機発光表示装置（ＯＬＥＤ）などが実用化ないし実用化研究段階にある。その中でも、有機発光表示装置は、薄型・軽量の自発光型表示装置の典型としてこれからの表示装置として極めて有望な表示装置である。有機発光表示装置には、所謂ボトムエミッション型とトップエミッション型とがある。
【０００３】
ボトムエミッション型の有機発光表示装置は、ガラス基板を好適とする絶縁性基板上に第１の電極または一方の電極としてのＩＴＯ（Ｉｎ−Ｔｉ−Ｏ）やＩＺＯ（Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ）などの透明導電性薄膜と、電界の印加により発光する有機多層膜（有機発光層とも言う）と、第２の電極または他方の電極としての反射性の金属電極とを順次積層した発光機構により有機発光素子が構成される。この有機発光素子をマトリクス状に多数配列し、それらの積層構造を覆って封止缶とも称する他の基板を設け、上記発光構造を外部の雰囲気から遮断している。
【０００４】
そして、例えば透明電極を陽極とし、金属電極を陰極として両者の電極間に電界を印加することにより、有機多層膜にキャリア（電子と正孔）が注入され、当該有機多層膜が発光する。この発光をガラス基板側から外部に出射する構成となっている。
【０００５】
一方、トップエミッション型の有機発光表示装置は、上述した一方の電極を反射性を有する金属電極とし、他方の電極をＩＴＯ等の透明電極として両者の電極間に電界を印加することにより、有機多層膜が発光し、この発光を上述した他方の電極側から出射する構成となっている。トップエミッション型では、ボトムエミッション型における封止缶としてガラス板を好適とする透明板が使用される。
【０００６】
有機発光素子は、下層電極と上層電極で有機発光層を挟み、上下の電極から供給される電流で該有機発光層が発光する現象である。この発光現象を利用した有機発光表示装置は、多数の画素をマトリクス状に配置して２次元画像を表示するものであり、駆動方式により単純マトリクス型とアクティブ・マトリクス型とに分類される。単純マトリクス型は、絶縁基板の主面の一方向に延在してほぼ平行に並設された多数の走査線と、該一方向と交叉する他方向に延在してほぼ平行に並設された多数の信号線との各交差部に有機発光層を介在させて画素を形成したものである。
【０００７】
一方、アクティブ・マトリクス型の有機発光表示装置は、絶縁基板の主面の一方向に延在して並設された多数の走査線と、該一方向と交叉する他方向に延在して並設された多数の信号線、および電源線を備え、走査線と信号線との各交叉部に薄膜トランジスタ等のアクティブ素子（スイッチング素子、以下薄膜トランジスタと言う）を有し、この薄膜トランジスタで駆動される下層電極（画素電極）と前記信号線から供給される表示信号に応じた電流を供給する前記電源線に接続した上層電極との間に有機発光層（以下、ＯＬＥＤとも称する）を介在させて構成される。アクティブ・マトリクス型の有機発光表示装置は、画素間のクロストークがなく、高精細で多階調表示が可能である。
【０００８】
図８は有機発光表示装置の一画素付近の構成例を模式的に説明する断面図である。図８に示した有機発光表示装置はアクティブ・マトリクス型であり、ガラスを好適とする透明なメイン基板ＳＵＢ１の主面（内面）に薄膜トランジスタＴＦＴを有し、この薄膜トランジスタＴＦＴで駆動される一方の電極（ここでは陽極）ＡＤと、他方の電極（ここでは陰極）ＣＤの間に有機発光層ＯＬＥを挟んで発光部を構成している。なお、薄膜トランジスタＴＦＴは、ポリシリコン半導体層ＰＳＩと、ゲート絶縁層ＩＳ１と、ゲート線（ゲート電極）ＧＬと、ソース・ドレイン電極ＳＤと、層間絶縁層ＩＳ２，層間絶縁層ＩＳ３とで構成される。
【０００９】
画素電極である陽極ＡＤは、パッシベーション層ＰＳＶの上層に成膜された透明導電層ＩＴＯで構成され、パッシベーション層ＰＳＶと層間絶縁層ＩＳ３との間に穿設されたコンタクトホールでソース・ドレイン電極ＳＤに電気的に接続されている。また、有機発光層ＯＬＥは陽極ＡＤ上に塗布した絶縁層で構成されたバンクＢＮＫで囲まれた凹部に蒸着法またはインクジェット法等の塗布手段により形成される。そして、この有機発光層ＯＬＥとバンクＢＮＫとを覆って陰極ＣＤがアルミニウム薄膜やクロム薄膜などの導電性のベタ膜で形成されている。
【００１０】
この有機発光表示装置は、所謂ボトムエミッション型と称するものであり、発光層からの発光光Ｌはメイン基板ＳＵＢ１の表面から外部に矢印で示したように出射される。したがって、陰極ＣＤは光反射能を有するものとされる。メイン基板ＳＵＢ１の主面側には、封止缶とも称される封止ガラス基板ＳＵＢ２が貼り合わされ、図示しない周辺部を周回するシール内部を窒素を封入して封止される。
【００１１】
このように構成される有機発光表示装置においては、図９に表示領域を第１の電極（透明電極：陽極）側から見た要部平面図で示すようにメイン基板ＳＵＢ１上に多数個の画素ＰＸ（有機発光素子ＥＬ）を形成する過程において何らかの原因によって画素開口部内にリーク個所ＬＫが存在し、このリーク個所ＬＫに発光に寄与する電流が流れ、その有機発光素子が短絡してパネル点灯時に発光しない非発光領域となる黒点欠陥画素ＢＰＸが発生する場合がある。
【００１２】
なお、黒点欠陥画素ＢＰＸとは、パネル点灯時に常に発光する発光領域となる発光画素ＰＸに対して常に発光していない画素のことを意味する。なお、図中、ＰＣは画素回路、ＰＬは電源配線、ＧＬはゲート線である。
【００１３】
このよう構成される有機発光表示装置において、表示領域内で発生する黒点欠陥画素ＢＰＸの修復方法としてレーザリペア法が提案されている。このレーザリペア法により対策を施したものとしては、金属電極（陰極）の欠陥対応部分にレーザ光を照射して削除することにより、欠陥画素の欠陥部分を除く残余に電流を流すことによって欠陥画素に対する修復を可能にした手段が下記特許文献１に開示されている。また、有機材料層のうち、透明基板に接する層をレーザ光の吸収により、蒸発するリーク防止機能層とし、金属電極と透明電極（陽極）を離間させることによりリークの発生を解消させた手段が下記特許文献２に開示されている。さらに、滅点画素または輝点欠陥画素の有機発光素子の全面にレーザ光を照射して絶縁化させることにより、滅点画素または輝点欠陥画素に対する補修を可能する製造方法及びその装置が下記特許文献３に開示されている。
【００１４】
【特許文献１】特開２００１−１１８６８４号公報
【特許文献２】特開２０００−３３１７８２号公報
【特許文献３】特開２００３−１７８８７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかしながら、このように構成された有機発光表示装置では、特許文献１に記載の金属電極の欠陥対応部分にレーザ光を照射して削除することにより、欠陥画素の欠陥部分を除く残余に電流を流すことによって欠陥画素に対する修復を可能にした構造では、レーザ光の照射により有機発光層も同時に剥ぎ出されるので、気密封止の効果が低下した場合には、外部の水分や酸素等が吸収され易くなり、非発光領域が拡大されるという課題があった。
【００１６】
また、有機材料層のうち、透明基板に接する層をレーザ光の吸収により、蒸発するリーク防止機能層とし、金属電極と透明電極を離間させることによりリークの発生を解消させた構造では、レーザ光の吸収により有機発光層を損傷させ、発光領域の劣化を促進させるという課題があった。
【００１７】
したがって、本発明は前述した従来の課題を解決するためになされたものであり、その目的は、黒点欠陥画素を引き起こすリーク個所を電気的に切り離すことによって黒点欠陥画素を発光画素への修復を実現可能とする有機発光表示装置及びその黒点欠陥画素の修復方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
このような目的を達成するために本発明による有機発光表示装置は、第１の電極と有機発光層との間に剥離抑制層を有し、この剥離抑制層と透光性基板との間に近紫外線のレーザ光の吸収によって剥離抑制膜を蒸発させた空洞部を形成することにより、欠陥個所が電気的に切り離されるので、背景技術の課題が解決される。
【００１９】
また、本発明による他の有機発光表示装置は、第１の電極と有機発光層との間に熱膨張層を有し、この熱膨張層と第１の電極との間に近紫外線のレーザ光の吸収によって発生した熱による熱変形で生じた空洞部を形成することにより、欠陥個所が電気的に切り離されるので、背景技術の課題が解決される。
【００２０】
また、本発明による有機発光表示装置の欠陥画素の修復方法は、第１の電極と有機発光層との間に剥離抑制層を形成し、第１の電極に近紫外線のレーザ光を照射して第１の電極の近紫外線レーザ光照射部分を蒸発させることにより、欠陥個所が電気的に切り離されるので、背景技術の課題が解決される。
【００２１】
また、本発明による他の有機発光表示装置の黒点欠陥画素の修復方法は、第１の電極と有機発光層との間に熱膨張層を形成し、第１の電極に近紫外線のレーザ光を照射して第１の電極上の近紫外線レーザ光照射部分を空洞化させることにより、欠陥個所が電気的に切り離されるので、背景技術の課題が解決される。
【００２２】
なお、本発明は、上記各構成及び後述する実施の形態に記載される構成に限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱することなく、種々の変更が可能であることは言うまでもない。
【発明の効果】
【００２３】
本発明による有機発光表示装置によれば、空洞部を設けることにより、欠陥画素を引き起こす部位を電気的に切り離すことができるので、欠陥画素としての黒点欠陥画素または輝点欠陥画素を画素全体にわたってほぼ均一発光画素へと容易に修復することができる等の極めて優れた効果が得られる。
【００２４】
また、本発明による有機発光表示装置の欠陥画素の修復方法によれば、多少の黒点欠陥画素または輝点欠陥画素が存在しても目立ち難い発光画素への修復を容易に行うことができるので、歩留まりを大幅に向上させることができる等の極めて優れた効果が得られる。
【００２５】
また、本発明による有機発光表示装置の欠陥画素に修復方法によれば、黒点欠陥画素または輝点欠陥画素の何れの画素欠陥を同時または個々に修復することができる等の極めて優れた効果が得られる。
【００２６】
また、本発明による有機発光表示装置の欠陥画素の修復方法によれば、第１の電極に吸収させる近紫外線の波長帯域を選択することにより、有機発光層の損傷を大幅に軽減させることができるので、欠陥画素の修復を容易に行うことができる等の極めて優れた効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の具体的な実施の形態について、実施例の図面を参照して詳細に説明する。なお、ここでは、アクティブ・マトリクス型ボトムエミッションタイプの有機発光表示装置を例とする。
【実施例１】
【００２８】
図１は、本発明による有機発光表示装置の実施例１による構成を模式的に示すアクティブ・マトリクス型の有機発光表示装置の図であり、図１（ａ）は表示領域を第１の電極（透明電極：陽極）側から見た要部平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の発光画素ＰＸの拡大断面図、図１（ｃ）は図１（ａ）のリーク個所ＬＫの拡大断面図である。
【００２９】
図１において、この有機発光表示装置は、透光性ガラス板を好適とするメイン基板ＳＵＢ１上には薄膜トランジスタで駆動される透光性金属薄膜からなる第１の電極（ここでは陽極）ＡＤが形成されている。また、この陽極ＡＤの周縁部には隣接する画素を区画するバンクＢＮＫが形成され、このバンクＢＮＫで囲まれた陽極ＡＤを覆って剥離抑制層ＥＣが形成されている。さらにこの剥離抑制層ＥＣ上には有機発光層ＯＬＥが積層して形成され、この有機発光層ＯＬＥ上には、導電性金属等からなる第２の電極（ここでは陰極）ＣＤが形成される構造となっている。
【００３０】
なお、陽極ＡＤは、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎ−Ｔｉ−Ｏ）またはＩＺＯ（Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ）等を蒸着法またはスパッタ法等による透光性導電膜で形成され、後述するがレーザ波長３１５ｎｍ〜３８０ｎｍの近紫外線に対して吸収率が高く、発光した光に対して吸収率が低い膜厚５０ｎｍ〜２００ｎｍが好適である。なお、この陽極ＡＤの膜厚Ｔとレーザ波長λとの関係は、｛Ｔ≒αλ×（１±０．１）／４｝（αは整数、±０．１は裕度）が成立するように設定する。
【００３１】
また、剥離抑制層ＥＣは、レーザ光を照射した際にメイン基板ＳＵＢ１から陽極ＡＤが発光領域の全域にわたって剥離を防止するために陽極ＡＤと密着性の良い例えば、ＰＥＤＯＴ・ＰＳＳ等の有機導電層から形成され、その層厚はインクジェット法等により、約５０ｎｍ程度の厚さで成膜されている。また、有機発光層ＯＬＥは、複数層の有機材料で構成されており、例えば陽極ＡＤ側から順にホール注入層，ホール輸送層，発光層，電子輸送層の積層構造で例えば蒸着法またはインクジェット法等の塗布手段により積層して形成されている。また、陰極ＣＤは、ＡｌまたはＣｒ等を蒸着法またはスパッタ法などによる導電性のベタ膜で形成されている。
【００３２】
このように構成された有機発光表示装置は、メイン基板ＳＵＢ１上に多数個に画素を形成する過程において、図１（ｃ）に示すように画素開口内の有機発光層ＯＬＥに何らかの原因により、リーク箇所ＬＫが発生し、その画素が図９に示したように黒点欠陥画素ＢＰＸとなっている。
【００３３】
このような状態において、図１（ｃ）に示すようにリーク個所ＬＫに対してメイン基板ＳＵＢ１の外側からレーザ光ＬＥを照射する。このときに用いるレーザ光ＬＥは、メイン基板ＳＵＢ１及び陽極ＡＤで光吸収されるレーザを用いる。例えば、このレーザ光ＬＥは、波長約３５５ｎｍ、単発発振出力約１ｍＪ、照射径φ約１μｍを照射する。
【００３４】
このレーザ光の照射により、リーク個所ＬＫの周囲において、陽極ＡＤがレーザ光ＬＥを吸収して発熱し、この熱によって陽極ＡＤが蒸発することにより、図２に拡大断面図で示すように陽極ＡＤと剥離抑制層ＥＣとの界面で剥離状態となった空洞部ＣＡが形成される。この空洞部ＣＡが形成されることにより、リーク個所ＬＫが電気的に切り離され、図９に示したようなリーク個所ＬＫを有する黒点欠陥画素ＢＰＸが図１（ａ）に示すように発光画素ＰＸへと修復される。
【００３５】
この場合、修復により生じた空洞部ＣＡは、陰極ＣＤに覆われていることにより、有機発光層ＯＬＥを劣化させる水分や酸素から保護されるので、非発光領域が広がり難くなる。また、レーザ光ＬＥは、図１（ａ）及び図１（ｃ）に示すようにリーク個所ＬＫの周辺部のみに照射され、図１（ａ）に示すようにリーク個所ＬＫは非発光であるが、大部分の領域で発光可能となり、黒点欠陥画素ＢＰＸが発光画素ＰＸへ修復される。
【実施例２】
【００３６】
図３は、本発明による有機発光表示装置の実施例２による構成を模式的に示すアクティブ・マトリクス型の有機発光表示装置の図であり、図３（ａ）は黒点欠陥画素の拡大断面図、図３（ｂ）は黒点欠陥画素の修復後の発光画素の拡大断面図であり、前述した図と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
【００３７】
このように構成された有機発光表示装置は、メイン基板ＳＵＢ１上に多数個に画素を形成する過程において、図３（ａ）に示すように画素開口内の陽極ＡＤ上に異物ＦＢが存在したことにより、剥離抑制層ＥＣで段切れが生じ、短絡部の膜の薄い部分に陰極ＣＤが形成され、結果として陽極ＡＤと陰極ＣＤとの間の間隔が小さくなったことに起因してリーク個所ＬＫとなり、黒点欠陥画素となっている。
【００３８】
このような状態において、陽極ＡＤ上の異物ＦＢを覆う領域に実施例１と同様のレーザ光ＬＥを照射する。このレーザ照射により異物ＦＢの周囲において陽極ＡＤがレーザ光ＬＥを吸収して発熱し、この熱によって陽極ＡＤが蒸発することにより、図３（ｂ）に示すように陽極ＡＤと剥離抑制層ＥＣとの界面で剥離が生じ、メイン基板ＳＵＢ１の表面に連通する開口部ＨＬが形成される。これによって図３（ａ）に示すリーク個所ＬＫが電気的に切り離されて黒点欠陥画素が発光画素へと修復される。
【実施例３】
【００３９】
図４は、本発明による有機発光表示装置の実施例３による構成を模式的に示すアクティブ・マトリクス型の有機発光表示装置の図であり、図４（ａ）は輝点欠陥画素の拡大断面図、図４（ｂ）は輝点欠陥画素の修復後の発光画素の拡大断面図であり、前述した図と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
【００４０】
このように構成された有機発光表示装置において、図４（ａ）に示す画素は、メイン基板ＳＵＢ１上に多数個の画素を形成する過程において、画素回路等の異常により他の画素よりも電流が多く供給されているために輝点欠陥画素となっている。
【００４１】
このような状態において、輝点欠陥画素の開口部の全域または任意の領域に実施例１と同様にレーザ光ＬＥを照射する。このレーザ照射によりレーザ照射された領域において、陽極ＡＤがレーザ光ＬＥを吸収して発熱し、この熱によって陽極ＡＤが蒸発することにより、図４（ｂ）に示すように陽極ＡＤと剥離抑制層ＥＣとの界面で剥離が生じ、メイン基板ＳＵＢ１の表面に連通する空洞部ＣＡが形成される。
【００４２】
この空洞部ＣＡとなった個所では、電気的に切り離されるので、電流が流れずに発光しなくなくなる。これによって発光領域が減ったことにより、画素全体の輝度が低下し、図４（ａ）に示す輝点欠陥画素が目立たない欠陥画素とすることにできる。
【実施例４】
【００４３】
図５は、本発明による有機発光表示装置の実施例４による構成を模式的に示すアクティブ・マトリクス型の有機発光表示装置の図であり、図５（ａ）は黒点欠陥画素の拡大断面図、図５（ｂ）は黒点欠陥画素の修復後の拡大断面図であり、前述した図と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。
【００４４】
この有機発光表示装置は、透光性ガラス板を好適とするメイン基板ＳＵＢ１上には薄膜トランジスタで駆動される透光性金属膜からなる陽極ＡＤが形成されている。また、この陽極ＡＤの周縁部には隣接する画素を区画するバンクＢＮＫが形成され、このバンクＢＮＫで囲まれた陽極ＡＤを覆って熱膨張層ＨＥが形成されている。
【００４５】
なお、この熱膨張層ＨＥは、陽極ＡＤよりも熱膨張係数の大きい例えばポリビニルカルバゾール等から形成され、その層厚はスピン塗布法等により、約３０ｎｍ程度の厚さに成膜されている。さらにこの熱膨張層ＨＥ上には有機発光層ＯＬＥが積層して形成され、この有機発光層ＯＬＥ上には、導電性金属等からなる陰極ＣＤが形成される構造となっている。つまり、図１の構成と異なる点は、図１の剥離抑制層ＥＣに代えて熱膨張層層ＨＥが形成されている構造となっている。
【００４６】
このように構成された有機発光表示装置において、図５（ａ）に示す画素は、メイン基板ＳＵＢ１上に多数個の画素を形成する過程において、画素開口内の有機発光層ＯＬＥに短絡が生じたことによりリーク個所ＬＫが発生し、黒点欠陥画素となっている。
【００４７】
このような状態において、画素開口内のリーク個所ＬＫに実施例１と同様にレーザ光ＬＥを照射する。ここで、照射するレーザ光ＬＥは陽極ＡＤが蒸発しない程度に実施例１よりも出力の小さいレーザ光とする。このレーザ光ＬＥとしては、例えばレーザ波長約３５５ｎｍ、単発発振出力０．５ｍＪ、照射径φ約１μｍを照射する。このレーザ光ＬＥの照射によって陽極ＡＤが加熱される。
【００４８】
これによって陽極ＡＤと熱膨張層ＨＥとは熱膨張差があるために熱による膨張に差が生じ、熱膨張層ＨＥが剥がれる方向の物理的力が発生し、図５（ｂ）に示すように陽極ＡＤと熱膨張層ＨＥとの界面で剥離状態となり、空洞部ＣＡが形成される。この空洞部ＣＡの形成によって図５（ａ）に示すリーク個所ＬＫが電気的に切り離されるために黒点欠陥画素が発光画素へと修復される。
【実施例５】
【００４９】
図６は、本発明による有機発光表示装置の実施例５による構成を模式的に示すアクティブ・マトリクス型の有機発光表示装置の黒点欠陥画素の拡大断面図であり、前述した図と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。本発明による黒点欠陥画素の修復方法は、まず、メイン基板ＳＵＢ１上に陰極ＣＤを積層形成した後に真空槽内で各画素の点灯検査を行い、黒点欠陥画素を特定する。このとき、メイン基板ＳＵＢ１は、陰極ＣＤ側を下方向に向けた状態で行なう。
【００５０】
この状態において、黒点欠陥画素を真空状態でメイン基板ＳＵＢ１側からレーザ光を照射して修復を行なう。このとき、メイン基板ＳＵＢ１は陰極ＣＤ側を下方向に向けた状態で行なう。レーザ修復時に発生した異物ＦＢは真空状態に保持されているので、下方向へ落下する。このような方法によれば、図６に示すようにレーザ修復により発生した異物ＢＦが元の位置に戻り、短絡を起こしてしまうことを防止することができる。その後、図示しない封止ガラス基板を貼り合わせてその周縁部を周回するシール内部を窒素を封入して封止してパネルを形成する。
【実施例６】
【００５１】
図７は、本発明による有機発光表示装置の実施例６による構成を模式的に示すアクティブ・マトリクス型の有機発光表示装置の黒点欠陥画素の修復後の発光画素の拡大断面図であり、前述した図と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。図７において、図２と異なる点は、陰極ＣＤの上面には封止膜ＳＬを成膜することにより、陰極ＣＤの上部の空間部と剥離により形成された空洞部ＣＡとを確実に隔離することができるので、有機発光層ＯＬＥを劣化させる水分や酸素等から保護する能力がさらに高くなり、修復により発生した非発光領域の広がりをさらに抑制することができる。なお、この封止膜ＳＬは、例えば、ＳｉＮ等から形成され、その層厚はＣＶＤ法等により、約３００ｎｍ程度の厚さに成膜されている。
【００５２】
なお、前述した各実施例において、実施例１乃至実施例４では、陽極ＡＤと有機多層膜ＯＬＥとの間に剥離抑制層ＥＣと熱膨張層ＨＥを用いた場合について説明したが、有機発光層ＯＬＥに同様の機能を持たせても良い。また、実施例１乃至実施例３では、陽極ＡＤを蒸発させた場合について説明したが、陽極ＡＤの発熱により、例えば有機発光層ＯＬＥ等の他の層が蒸発させる構造でも良い。また、実施例４では、陽極ＡＤと熱膨張層ＨＥとの界面で剥離が生じる場合について説明したが、陽極ＡＤから陰極ＣＤまでの何れかの層と層との界面で剥離を生じさせても良い。
【００５３】
また、本発明による有機発光表示装置の欠陥画素の修復方法を、黒点欠陥画素内部のリーク個所を特定するシステム，輝点欠陥画素内部の輝点個所を特定するシステムまたは両機能を有するシステムと組み合わせて併用することより、より速やかに黒点欠陥画素または輝点欠陥画素の修復を行なうことが可能となる。
【００５４】
なお、前述した各実施例においては、ボトムエミッション型の有機発光表示装置について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、トップエミッション型の有機発光表示装置に適用しても同様の作用効果が得られることは勿論である。
【００５５】
また、前述した実施例においては、有機発光素子を搭載する有機発光表示装置について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、有機発光素子を搭載したＴＶ，ＰＣモニタ，ノート型ＰＣ，ＰＤＡ，携帯電話器，デジタルスチルカメラ，デジタルビデオカメラまたはカーナビ用モニタ等の全般に適用できることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明による有機発光表示装置の実施例１の前提の構成を説明するためのアクティブ・マトリクス型有機発光表示装置を示す図であり、図１（ａ）は表示領域の要部平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の発光画素の拡大断面図、図１（ｃ）は図１（ａ）の黒点欠陥画素の拡大断面図である。
【図２】本発明による有機発光表示装置の実施例１の構成を模式的に示すアクティブ・マトリクス型有機発光表示装置の発光画素の拡大断面図である。
【図３】本発明による有機発光表示装置の実施例２の構成を模式的に示すアクティブ・マトリクス型有機発光表示装置の画素の拡大断面図であり、図３（ａ）は黒点欠陥画素の拡大断面図、図３（ｂ）は黒点欠陥画素の修復後の発光画素の拡大断面図である。
【図４】本発明による有機発光表示装置の実施例３の構成を模式的に示すアクティブ・マトリクス型有機発光表示装置の図であり、図４（ａ）は輝点欠陥画素の拡大断面図、図４（ｂ）は輝点欠陥画素の修復後の発光画素の拡大断面図である。
【図５】本発明による有機発光表示装置の実施例４による構成を模式的に示すアクティブ・マトリクス型有機発光表示装置の図であり、図５（ａ）は黒点欠陥画素の拡大断面図、図５（ｂ）は黒点欠陥画素の修復後の発光画素の拡大断面図である。
【図６】本発明による有機発光表示装置の実施例５による構成を模式的に示すアクティブ・マトリクス型有機発光表示装置の黒点欠陥画素の修復方法を説明する拡大断面図である。
【図７】本発明による有機発光表示装置の実施例６による構成を模式的に示すアクティブ・マトリクス型有機発光表示装置の黒点欠陥画素の修復後の発光画素の拡大断面図である。
【図８】有機発光表示装置の一画素付近の構成例を模式的に説明する断面図である。
【図９】有機発光表示装置の表示領域の要部平面図である。
【符号の説明】
【００５７】
ＳＵＢ１・・・メイン基板、ＳＵＢ２・・・封止ガラス基板、ＴＦＴ・・・薄膜トランジスタ、ＡＤ・・・陽極（第１の電極）、ＣＤ・・・陰極（第２の電極）、ＯＬＥ・・・有機発光層、ＥＬ・・・有機発光素子、ＰＳＩ・・・ポリシリコン半導体層、ＩＳ１・・・ゲート絶縁層、ＩＳ２・・・層間絶縁層、ＩＳ３・・・層間絶縁層、ＧＬ・・・ゲート線（ゲート電極）、ＳＤ・・・ソース・ドレイン電極、ＰＳＶ・・・パッシベーション層、ＢＮＫ・・・バンク、ＰＸ・・・画素、ＬＫ・・・リーク個所、ＢＰＸ・・・黒点欠陥画素、ＰＣ・・・画素回路、ＰＬ・・・電源配線、ＥＣ・・・剥離抑制層、ＬＥ・・・レーザ光、ＦＢ・・・異物、ＨＬ・・・開口部、ＨＥ・・・熱膨張層、ＣＡ・・・空洞部、ＳＬ・・・封止膜。
【図１】
2006269108.tif 000003
【図２】
2006269108.tif 000004
【図３】
2006269108.tif 000005
【図４】
2006269108.tif 000006
【図５】
2006269108.tif 000007
【図６】
2006269108.tif 000008
【図７】
2006269108.tif 000009
【図８】
2006269108.tif 000010
【図９】
2006269108.tif 000011