(57)【要約】【課題】  ＳｉＣ基板に発生するマイクロパイプ等な貫通孔を簡便な手段で、非破壊且つ正確に検査することを可能にし、高品質のＧａＮ系ＨＥＭＴなどの製造に寄与しようとする。【解決手段】  ＳｉＣ基板２１の略中央を含んで基板径の半分の径をもつ周で囲まれた真空吸引領域２３を裏面側から真空吸引し、次いで、ＳｉＣ基板２１の表面側から水或いは水と同等の粘度をもつ液を塗布し、その液が裏面側に抜けないＳｉＣ基板を良品として選別することを特徴とする。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳｉＣ基板の略中央を含んで基板径の半分以上４／５以下の径をもつ周で囲まれた領域を裏面側から真空吸引し、
次いで、ＳｉＣ基板の表面側から水或いは水と同等の粘度をもつ液を塗布し、その液が裏面側に抜けないＳｉＣ基板を良品として選別すること
を特徴とするＳｉＣ基板の検査方法。
【請求項２】
真空吸引する領域の形状がＳｉＣ基板の略中央を含んで基板径の半分以上４／５以下の径をもつ円形或いは同心円をなすこと
を特徴とする請求項１記載のＳｉＣ基板の検査方法。
【請求項３】
真空吸引する領域の形状がＳｉＣ基板の略中央を含んで基板径の半分以上４／５以下の径をもつ周で囲まれた領域内に在って十字形状をなすこと
を特徴とする請求項１記載のＳｉＣ基板の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばＧａＮ系高電子移動度トランジスタ（ｈｉｇｈ  ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｍｏｂｉｌｉｔｙ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＨＥＭＴ）を作製する基板として好適なＳｉＣ基板の良否を検査する方法の改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、高出力用として期待されているＧａＮ系ＨＥＭＴでは、基板としてＳｉＣ基板が多用されている。
【０００３】
ところが、ＳｉＣ基板にはマイクロパイプと呼ばれる貫通孔が発生し、デバイス製造プロセスの進行を妨げることが知られている。
【０００４】
図２はＳｉＣ基板１１に生成された巨大なマイクロパイプ１２を表すＳｉＣ基板表面の顕微鏡写真であり、写真面の左上方、及び、略中央下方にそれぞれマイクロパイプ１２が存在していることが看取できる。
【０００５】
そのようなマイクロパイプ等の貫通孔１２が発生しているＳｉＣ基板１１を用い、例えばＨＥＭＴの製造プロセスを実施する場合、ＳｉＣ基板１１の表面に形成したレジストが裏面に抜けてしまう旨の問題を生ずる。
【０００６】
図３はマイクロパイプ等の貫通孔が発生しているＳｉＣ基板１１の表面にレジストを塗布した際、そのレジストが裏面に抜けてしまうことを説明する為のＳｉＣ基板１１の裏面に於ける微細な面を表す写真であり、円で囲み矢示した箇所にレジストが抜けた跡が見られる。
【０００７】
図４は工程途中に在る標準的なＧａＮ系ＨＥＭＴを表す要部切断側面図であって、１はＳｉＣ基板、２はＧａＮチャネル層、３はｎ−ＡｌＧａＮバリア層（電子供給層）、４はＳｉＮからなるゲート絶縁膜、５はソース電極、６はドレイン電極、７はレジスト膜、７Ａはレジスト膜７に形成したゲート形成用開口をそれぞれ示している。
【０００８】
図４に於いては、レジスト膜７に形成されたゲート形成用開口７Ａが必要な形状を正確に維持しているが、図３について説明したようなマイクロパイプに起因するレジストの抜けが発生する場合、図４に見られるような正確な形状を維持したゲート形成用開口７Ａを実現することはできず、崩れてしまうことになる。
【０００９】
従って、そのようなマイクロパイプ等の貫通孔をもつＳｉＣ基板は予め排除し、良品のＳｉＣ基板のみを採用してＨＥＭＴを製造することが望ましいのであるが、ＳｉＣ基板に関しては、デバイスを製造する側で選別することには問題があり、一般的には、殆ど全て基板を製造する側に任せる他なかった。
【００１０】
然しながら、基板製造業者では、マイクロパイプの密度を低減する為の努力はできるのであるが、その分布をコントロールすることまではできない。ところが、本発明者の知見に依れば、マイクロパイプ分布の如何、即ち、マイクロパイプ等の貫通孔がＳｉＣ基板の何処に存在しているかは、デバイス製造上から見て重要な意味をもっている。これについては「本発明の開示」中で説明する。
【００１１】
ところで、従来、ＳｉＣ基板に於けるマイクロパイプの検査を行う例がないわけではないが（例えば、特許文献１を参照。）、その検査はＫＯＨを用いた破壊検査、或いは、顕微鏡を使った目視検査であって、一方は検査後に基板は使い物にならず、他方は貫通孔の見落とし率が大きいと云う問題がある。
【特許文献１】特開２００４−２１７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明では、ＳｉＣ基板に発生するマイクロパイプや結晶欠陥に起因した貫通孔を簡便な手段で、非破壊且つ正確に検査することを可能にし、高品質のＧａＮ系ＨＥＭＴなどの製造に寄与しようとする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
一般に、ＳｉＣ基板は、その略中央領域に１個の直径が１０μｍ以上の貫通孔が存在しても、そのＳｉＣ基板を用いてデバイス製造プロセスを実行することは不可能である。その理由は、フォトリソグラフィ工程でレジストを塗布した場合、裏面真空チャック部分では、貫通孔を介してレジストが裏面に抜けるので、レジストの厚みが変動したり、露光や現像の精度が低下するのであるが、周辺部分では真空吸引が行われない為、裏面にレジストが抜け出ることはない。
【００１４】
従って、重要であるのは、略中央領域にマイクロパイプ等の貫通孔が発生しているＳｉＣ基板を正確に認識して排除することである。然しながら、表面を目視検査してマイクロパイプ状のものを発見しても、それが裏面にまで到達しているか否かを判別することは殆ど不可能である。
【００１５】
そこで、本発明に依るＳｉＣ基板の検査方法に於いては、ＳｉＣ基板（例えばＳｉＣ基板２１）の略中央を含んで基板径の半分以上の径をもつ周で囲まれた領域（例えば真空吸引領域２３）を裏面側から真空吸引し、次いで、ＳｉＣ基板の表面側から水或いは水と同等の粘度をもつ液を塗布し、その液が裏面側に抜けないＳｉＣ基板を良品として選別することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
前記手段を採ることに依り、ＳｉＣ基板に於けるマイクロパイプ等の貫通孔の有無を簡便に、そして、非破壊で正確に検査することができ、しかも、それに要する設備は半導体装置の製造設備に既に含まれていて、手近に存在するものを利用することが可能であり、新たな設備投資などは殆ど不要である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明では、ＳｉＣ基板の略中央領域を含む基板直径の約半分以上の領域全体を真空吸引できる真空チャックを用い、ＳｉＣ基板の裏面を引き付けた状態で、表面側から水或いは水と同等の粘度をもつ液体を滴下し、その水、或いは、液体が裏面側に抜けないことをもって、ＳｉＣ基板を良品としている。尚、水と同等の粘度をもつ液体として、例えばイソプロピルアルコールが挙げられる。
【実施例１】
【００１８】
図１は本発明を実施してＳｉＣ基板の検査を行って発見されたマイクロパイプ等の貫通孔を説明する為のＳｉＣ基板裏面の微細領域、即ち、水が抜けた箇所を示す写真である。
【００１９】
図に於いて、２１はＳｉＣ基板、２２は水が抜けた領域（抜けた水そのものが裏面に現れた領域）、２３は真空吸引領域（円で囲んだ領域）を示している。
【００２０】
検査に於いては、ＳｉＣ基板裏面の真空吸引領域２３を吸引力が０．５Ｍｐａ程度の真空チャックで吸引した状態で表面から純水を滴下したところ、マイクロパイプが生成されている不良品のＳｉＣ基板を僅か１０秒で発見することができた。尚、真空チャックの形状としては、円形の窪みの他、同心円形状や十字型などであっても良い。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】ＳｉＣ基板裏面の微細領域を示す写真である。
【図２】ＳｉＣ基板に生成された巨大なマイクロパイプを表すＳｉＣ基板表面の顕微鏡写真である。
【図３】レジストが裏面に抜けてしまうことを説明する為のＳｉＣ基板の微細な面を表す写真である。
【図４】工程途中に在る標準的なＧａＮ系ＨＥＭＴを表す要部切断側面図である。
【符号の説明】
【００２２】
２１  ＳｉＣ基板
２２  水が抜けた領域
２３  真空吸引領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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