(57)【要約】【課題】  実装性に優れた半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】  半導体装置は、積層された複数の絶縁層２２を有する絶縁部２０と導電パターン３０とを含む配線基板１０と、配線基板１０の第１の面１１に搭載された半導体チップ４０とを有する。絶縁部２０は、厚みの中心よりも第１の面１１側の第１の部分２４と、厚みの中心よりも配線基板１０の第２の面１２側の第２の部分２６とを含む。第１の部分２４は、第２の部分２６よりも熱膨張係数が大きい。【選択図】      図１
2006237324.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層された複数の絶縁層を有する絶縁部と導電パターンとを含む配線基板と、
前記配線基板の第１の面に搭載された半導体チップと、
を有し、
前記絶縁部は、厚みの中心よりも前記第１の面側の第１の部分と、前記中心よりも前記配線基板の第２の面側の第２の部分とを含み、
前記第１の部分は、前記第２の部分よりも熱膨張係数が大きい半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、
前記絶縁層は、前記第１の部分を構成する第１の絶縁層と、前記第２の部分を構成する第２の絶縁層とを含み、
前記第１の絶縁層は、前記第２の絶縁層よりも熱膨張係数が大きい半導体装置。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置において、
前記配線基板の第１の面は、前記第１の絶縁層によって構成されてなり、
前記配線基板の第２の面は、前記第２の絶縁層によって構成されてなる半導体装置。
【請求項４】
請求項２記載の半導体装置において、
前記絶縁層は、前記第１の面を構成する第３の絶縁層と、前記第２の面を構成する第４の絶縁層とをさらに含む半導体装置。
【請求項５】
請求項２から請求項４のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第１及び第２の絶縁層は、直接積層されてなる半導体装置。
【請求項６】
請求項２から請求項４のいずれかに記載の半導体装置において、
前記第１及び第２の絶縁層の間には、１つ又は複数の前記絶縁層が配置されてなる半導体装置。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の半導体装置において、
前記配線基板の前記第２の面に搭載された、前記半導体チップよりも小さい第２の半導体チップをさらに有する半導体装置。
【請求項８】
積層された複数の絶縁層を有する絶縁部と導電パターンとを含む配線基板の第１の面に、半導体チップを搭載することを含み、
前記絶縁部は、厚みの中心よりも前記第１の面側の第１の部分と、前記中心よりも前記配線基板の第２の面側の第２の部分とを含み、
前記第１の部分は、前記第２の部分よりも熱膨張係数が大きい半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８記載の半導体装置の製造方法において、
前記絶縁層は、前記第１の部分を構成する第１の絶縁層と、前記第２の部分を構成する第２の絶縁層とを含み、
前記第１の絶縁層は、前記第２の絶縁層よりも熱膨張係数が大きい半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体装置の製造方法において、
前記配線基板の第１の面は、前記第１の絶縁層によって構成されてなり、
前記配線基板の第２の面は、前記第２の絶縁層によって構成されてなる半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項９記載の半導体装置の製造方法において、
前記絶縁層は、前記第１の面を構成する第３の絶縁層と、前記第２の面を構成する第４の絶縁層とをさらに含む半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項９から請求項１１のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１及び第２の絶縁層は、直接積層されてなる半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項９から請求項１１のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１及び第２の絶縁層の間には、１つ又は複数の前記絶縁層が配置されてなる半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項８から請求項１３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記配線基板の前記第２の面に、前記半導体チップよりも小さい第２の半導体チップを搭載することをさらに含む半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板に半導体チップが搭載された構造をなす半導体装置が知られている。当該半導体装置を製造する際及び当該半導体装置を回路基板等に実装する際に平坦性を確保することが可能になれば、半導体装置の実装性を高めることができる。
【０００３】
本発明の目的は、実装性の高い半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【特許文献１】特開平１０−２８４５４４号公報
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
（１）本発明に係る半導体装置は、積層された複数の絶縁層を有する絶縁部と導電パターンとを含む配線基板と、
前記配線基板の第１の面に搭載された半導体チップと、
を有し、
前記絶縁部は、厚みの中心よりも前記第１の面側の第１の部分と、前記中心よりも前記配線基板の第２の面側の第２の部分とを含み、
前記第１の部分は、前記第２の部分よりも熱膨張係数が大きい。本発明によると、実装する際や実装後に平坦性を確保することが可能な、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
（２）この半導体装置において、
前記絶縁層は、前記第１の部分を構成する第１の絶縁層と、前記第２の部分を構成する第２の絶縁層とを含み、
前記第１の絶縁層は、前記第２の絶縁層よりも熱膨張係数が大きくてもよい。
（３）この半導体装置において、
前記配線基板の第１の面は、前記第１の絶縁層によって構成されてなり、
前記配線基板の第２の面は、前記第２の絶縁層によって構成されていてもよい。
（４）この半導体装置において、
前記絶縁層は、前記第１の面を構成する第３の絶縁層と、前記第２の面を構成する第４の絶縁層とをさらに含んでもよい。
（５）この半導体装置において、
前記第１及び第２の絶縁層は、直接積層されていてもよい。
（６）この半導体装置において、
前記第１及び第２の絶縁層の間には、１つ又は複数の前記絶縁層が配置されていてもよい。
（７）この半導体装置において、
前記配線基板の前記第２の面に搭載された、前記半導体チップよりも小さい第２の半導体チップをさらに有してもよい。
（８）本発明に係る半導体装置の製造方法は、積層された複数の絶縁層を有する絶縁部と導電パターンとを含む配線基板の第１の面に、半導体チップを搭載することを含み、
前記絶縁部は、厚みの中心よりも前記第１の面側の第１の部分と、前記中心よりも前記配線基板の第２の面側の第２の部分とを含み、
前記第１の部分は、前記第２の部分よりも熱膨張係数が大きい。本発明によれば、平坦性が高く、実装性に優れた半導体装置を製造することができる。
（９）この半導体装置の製造方法において、
前記絶縁層は、前記第１の部分を構成する第１の絶縁層と、前記第２の部分を構成する第２の絶縁層とを含み、
前記第１の絶縁層は、前記第２の絶縁層よりも熱膨張係数が大きくてもよい。
（１０）この半導体装置の製造方法において、
前記配線基板の第１の面は、前記第１の絶縁層によって構成されてなり、
前記配線基板の第２の面は、前記第２の絶縁層によって構成されていてもよい。
（１１）この半導体装置の製造方法において、
前記絶縁層は、前記第１の面を構成する第３の絶縁層と、前記第２の面を構成する第４の絶縁層とをさらに含んでもよい。
（１２）この半導体装置の製造方法において、
前記第１及び第２の絶縁層は、直接積層されていてもよい。
（１３）この半導体装置の製造方法において、
前記第１及び第２の絶縁層の間には、１つ又は複数の前記絶縁層が配置されていてもよい。
（１４）この半導体装置の製造方法において、
前記配線基板の前記第２の面に、前記半導体チップよりも小さい第２の半導体チップを搭載することをさらに含んでもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００５】
以下、本発明を適用した実施の形態について図面を参照して説明する。なお、本発明は、以下に説明する内容を自由に組み合わせたものを含むものとする。ただし、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではない。
【０００６】
（第１の実施の形態）
図１（Ａ）及び図１（Ｂ）は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置について説明するための図である。なお、図１（Ａ）は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置１の断面図である。また、図１（Ｂ）は、半導体装置１の配線基板１０のみを示す図である。
【０００７】
本実施の形態に係る半導体装置は、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示す、配線基板１０を有する。配線基板１０は、フレキシブル基板であってもよく、リジッド基板であってもよい。あるいは、配線基板１０は、テープ基板であってもよい。また、配線基板１０の外形も特に限定されるものではない。
【０００８】
配線基板１０は、第１の面１１及び第２の面１２を含む。ここで、第１の面１１は、後述する半導体チップ４０が搭載される面である（図１（Ａ）参照）。そして、第２の面１２は、第１の面１１とは反対側を向く面である。
【０００９】
配線基板１０は、絶縁部２０を含む。絶縁部２０の材料は特に限定されず、既に公知となっているいずれかの材料を利用してもよい。例えば、絶縁部２０は、樹脂等の有機系の材料で構成されていてもよい。あるいは、絶縁部２０は、セラミックやガラス等の無機系の材料で構成されていてもよい。あるいは、絶縁部２０は、有機系の材料及び無機系の材料の複合材で構成されていてもよい。絶縁部２０は、積層された複数の絶縁層２２を有する。絶縁部２０は、異なる材料で構成された複数の種類の絶縁層２２を含んでいてもよい。あるいは、絶縁部２０は、材料の含有率が異なる複数の種類の絶縁層２２を含んでいてもよい。本実施の形態に係る半導体装置では、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、絶縁部２０は、積層された３つの絶縁層２２で構成されていてもよい。ただし、絶縁部２０は、２層に積層された絶縁層によって構成されていてもよい。あるいは、絶縁部２０は、３層以上に積層された絶縁層によって構成されていてもよい。なお、それぞれの絶縁層２２の厚みについては特に限定されるものではない。例えば、絶縁層２２は、それぞれ、同じ厚みをなしていてもよい。あるいは、絶縁層２２は、それぞれ、厚みが異なっていてもよい。
【００１０】
絶縁部２０は、図１（Ｂ）に示すように、第１の部分２５と第２の部分２７とを含む。ここで、第１の部分２５は、絶縁部２０の厚みの中心よりも第１の面１１側の部分である。また、第２の部分２７は、絶縁部２０の厚みの中心よりも第２の面１２側の部分である。そして、本実施の形態に係る半導体装置では、第１の部分２５は、第２の部分２７よりも熱膨張係数が大きい。第１及び第２の部分２５，２７が、それぞれ、一層の絶縁層で構成されている場合、該絶縁層の熱膨張係数を、第１及び第２の部分２５，２７の熱膨張係数とすることができる。また、第１及び第２の部分２５，２７の少なくとも一方が、熱膨張係数の異なる複数の絶縁層からなる複合材である場合には、その熱膨張係数αは、以下の式を利用して算出することができる。ここで、Ｖｉは各層の体積分率、Ｅｉは各層の弾性率、αｉは各層の熱膨張係数である。また、ｉは層の数で、ｉ＝１，２，３・・・ｎである。
【００１１】
【数１】
2006237324.tif 000003
【００１２】
すなわち、本実施の形態に係る半導体装置では、上記式で算出される第１の部分２５の熱膨張係数が、第２の部分２７の熱膨張係数よりも大きくなっていてもよい。
【００１３】
第１の部分２５が第１の絶縁層２４を有し、第２の部分２７が第２の絶縁層２６を有する場合、第１の絶縁層２４は、第２の絶縁層２６よりも熱膨張係数が大きくてもよい。すなわち、第１及び第２の樹脂層２４，２６の熱膨張係数を調整することで、第１の部分２５の熱膨張係数を、第２の部分２７の熱膨張係数よりも大きくしてもよい。このとき、配線基板１０の第１の面１１は、第１の絶縁層２４によって構成されていてもよい。すなわち、半導体チップ４０は、第１の絶縁層２４上に搭載されていてもよい。また、第２の面１２は、第２の絶縁層２６によって構成されていてもよい。このとき、第２の半導体チップ５０（後述）は、第２の絶縁層２６上に搭載されていてもよい。そして、第１及び第２の絶縁層２４，２６の間には、１つの絶縁層２２が配置されていてもよい。なお、絶縁部２０が３層以上の複数の絶縁層２２によって構成されている場合、第１及び第２の絶縁層２４，２６の間には、複数の絶縁層が配置されていてもよい（図示せず）。
【００１４】
配線基板１０は、導電パターン３０を含む。導電パターン３０は、その一部が絶縁部２０の表面に露出するように設けられていてもよい。また、導電パターン３０は、絶縁部２０の内部を通るように形成されていてもよい。このとき、導電パターン３０は、絶縁層２２を貫通するように形成されていてもよい。導電パターン３０の構造や材料は、特に限定されず、既に公知となっているいずれかの配線を利用してもよい。例えば、導電パターン３０は、銅（Ｃｕ）、クローム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタンタングステン（Ｔｉ−Ｗ）、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、ニッケルバナジウム（ＮｉＶ）、タングステン（Ｗ）のうちのいずれかを積層して、あるいはいずれかの一層で形成されていてもよい。
【００１５】
本実施の形態に係る半導体装置は、図１（Ａ）に示すように、半導体チップ４０を有する。半導体チップ４０は、例えばシリコンチップであってもよい。半導体チップ４０は、集積回路４２を有していてもよい。集積回路４２の構成は特に限定されないが、例えば、トランジスタ等の能動素子や、抵抗、コイル、コンデンサ等の受動素子を含んでいてもよい。また、半導体チップ４０は、複数の電極４４を有していてもよい。電極４４は、半導体チップ４０の内部と電気的に接続されていてもよい。電極４４は、集積回路４２と電気的に接続されていてもよい。あるいは、集積回路４２に電気的に接続されていない電極を含めて、電極４４と称してもよい。電極４４は、薄く平らに形成されたパッドと、該パッド上に形成されたバンプとを含んでいてもよい。このとき、パッド及びバンプの材料は特に限定されないが、例えば、パッドとしてアルミニウムや銅を、バンプとして金を、それぞれ利用してもよい。
【００１６】
半導体チップ４０は、図１（Ａ）に示すように、配線基板１０に搭載されてなる。半導体チップ４０は、配線基板１０の第１の面１１に搭載されてなる。すなわち、配線基板１０における半導体チップ４０が搭載された面を、第１の面１１と称してもよい。半導体チップ４０は、図１（Ａ）に示すように、電極４４が導電パターン３０と対向するように搭載されていてもよい。このとき、電極４４と導電パターン３０とが対向して電気的に接続されていてもよい。電極４４と導電パターン３０とは、図１（Ａ）に示すように、接触して電気的に接続されていてもよい。このとき、電極４４と導電パターン３０とは固着されていてもよい。例えば、電極４４と導電パターン３０とは、共晶合金を介して接合（共晶合金接合）されていてもよい。ただし、これとは別に、電極４４と導電パターン３０とは、導電粒子（図示せず）を介して電気的に接続されていてもよい。
【００１７】
本実施の形態に係る半導体装置は、図１（Ａ）に示すように、第２の半導体チップ５０を有していてもよい。第２の半導体チップ５０は、半導体チップ４０よりも小さい半導体チップである。第２の半導体チップ５０は、配線基板１０の第２の面１２に搭載されてなる。第２の半導体チップ５０の構成は、半導体チップ４０の説明で挙げたいずれかの内容を適用してもよい。第２の半導体チップ５０は、集積回路５２を有していてもよい。また、第２の半導体チップ５０は、電極５４を有していてもよい。第２の半導体チップ５０は、電極５４が導電パターン３０と対向するように、配線基板１０に搭載されていてもよい。このとき、電極５４と導電パターン３０とは固着されていてもよい。なお、第２の半導体チップ５０は、半導体チップ４０とオーバーラップするように配置されていてもよい。このとき、半導体チップ４０，５０は、中心が配線基板１０の厚み方向に一致するように配置されていてもよい。すなわち、半導体チップ４０に第２の半導体チップ５０を投影した投影面において、半導体チップ４０，５０の中心が一致していてもよい。
【００１８】
本実施の形態に係る半導体装置は、外部端子６０を有してもよい。外部端子６０は、図１（Ａ）に示すように、配線基板１０の第２の面１２に設けられていてもよい。外部端子６０が配置される領域は特に限定されない。外部端子６０は、例えば、半導体チップ４０とオーバーラップする領域内のみに配置されていてもよい（Fan−Inタイプ）。あるいは、外部端子６０は、半導体チップ４０とオーバーラップする領域よりも外側のみに配置されていてもよい（Fan−Outタイプ）。あるいは、外部端子６０は、半導体チップ４０とオーバーラップする領域の内側及び外側に設けられていてもよい（Fan−In／Outタイプ）。
【００１９】
半導体装置１は、以上のように構成されていてもよい。半導体装置は、通常、温度サイクル試験や、回路基板に実装される際、あるいは、実装後の環境の変化により、加熱・冷却されることがある。この加熱・冷却の影響を受けて、配線基板は膨張・収縮することがあった。ところで、半導体チップは、配線基板に較べて熱膨張係数が低いことが多く、加熱・冷却された場合でも、配線基板に較べて大きさが変化しにくい。そのため、配線基板に半導体チップが搭載されている場合、配線基板の表面における半導体チップとオーバーラップする領域は、半導体チップ（あるいは電極）に規制されるため大きさが変化しにくくなる。そして、１つの配線基板の両面のそれぞれに異なる大きさの半導体チップが搭載されている場合（あるいは、１つの配線基板の一方の面のみに半導体チップが搭載されている場合）には、１つの配線基板の両面のそれぞれで膨張・収縮が規制される領域の面積が異なるため、配線基板の両面で、膨張・収縮による大きさの変化量が異なることがあった。具体的には、大きい半導体チップが搭載された面（半導体チップ４０が搭載された第１の面１１）よりも、小さい半導体チップが搭載された面（第２の半導体チップ５０が搭載された第２の面１２）の方が、加熱・冷却による膨張・収縮量が大きくなることがあった。そして、膨張・収縮量の違いが原因となって、配線基板に反りが生じることがあった。
【００２０】
ところで、半導体装置１は配線基板１０を有する。そして、配線基板１０（絶縁部２０）は第１及び第２の部分２５，２７を有し、第１の部分２５は、第２の部分２７よりも熱膨張係数が大きい。そのため、配線基板１０（絶縁部２０）に熱が加えられると、第１の部分２５は、第２の部分２７よりも大きく膨張・収縮する。すなわち、配線基板１０の第１の面１１は、配線基板１０の第２の面１２よりも大きく膨張・収縮する。そのため、第１の面１１に半導体チップ４０を搭載し、第２の面１２に第２の半導体チップ５０を搭載することで、第１及び第２の面１１，１２の膨張・収縮量の差を小さくすることができる。そのため、半導体装置の反りが発生しにくい、実装性に優れた半導体装置を提供することができる。
【００２１】
そして、図２には、半導体装置１が実装された回路基板１０００を示す。また、半導体装置１を有する電子機器として、図３にはノート型パーソナルコンピュータ２０００を、図４には携帯電話３０００を、それぞれ示す。
【００２２】
以下、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。図５（Ａ）〜図６は、本発明を適用した実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【００２３】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、配線基板１０を用意することを含んでいてもよい（図１（Ｂ）参照）。配線基板１０の構成は、既に説明したいずれかの内容を適用してもよい。なお、配線基板１０を形成する方法は特に限定されるものではない。例えば、絶縁層２２の両面に、熱膨張係数の異なる第１及び第２の絶縁層２４，２６を貼り付けることによって、配線基板１０を形成してもよい。このとき、第１及び第２の絶縁層２４，２６は、接着剤を利用することなく、直接貼り付けてもよい。あるいは、第１及び第２の絶縁層２４，２６を接着剤を介して貼り付けて、該接着剤を硬化させることによって、３層の絶縁層２２を有する絶縁部２０を形成してもよい。
【００２４】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、配線基板１０に、半導体チップ４０を搭載することを含む。半導体チップ４０は、配線基板１０の第１の面１１に搭載する。半導体チップ４０を搭載する方法は特に限定されず、既に公知となっているいずれかの方法を適用してもよい。以下、半導体チップ４０を搭載する方法について説明する。はじめに、配線基板１０の第１の面１１に、樹脂材料７２を設けてもよい（図５（Ａ）参照）。樹脂材料７２は、ペースト状で設けてもよくフィルム状で設けてもよい。樹脂材料７２は、内部に導電粒子が分散された異方性導電材料であってもよい。あるいは、樹脂材料７２は、絶縁性の材料であってもよい。そして、図５（Ａ）に示すように、配線基板１０上に半導体チップ４０を配置してもよい。その後、図５（Ｂ）に示すように、配線基板１０に半導体チップ４０を搭載する。半導体チップ４０を配線基板１０に向かって押圧して、配線基板１０に搭載してもよい。このとき、電極４４と導電パターン３０とを対向させて電気的に接続してもよい。また、半導体チップ４０を搭載する工程は、配線基板１０及び半導体チップ４０の少なくとも一方を加熱しながら行ってもよい。なお、本工程によって、電極４４と導電パターン３０とを固着してもよい。例えば、電極４４と導電パターン３０との間に共晶合金層を形成することによって、両者を接合（共晶合金接合）してもよい。そして、樹脂材料７２を硬化させて樹脂部７０を形成してもよい。樹脂材料７２を硬化させる方法は特に限定されず、選択した樹脂材料７２に適したいずれかの方法を適用してもよい。例えば、樹脂材料７２は、加熱することで硬化させてもよい。
【００２５】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図６に示すように、配線基板１０に、第２の半導体チップ５０を搭載することを含んでいてもよい。第２の半導体チップ５０は、配線基板１０の第２の面１２に搭載する。第２の半導体チップ５０を搭載する方法は特に限定されるものではない。例えば、第２の半導体チップ５０は、半導体チップ４０を搭載する方法と同じ方法で搭載してもよい。そして、配線基板１０と第２の半導体チップ５０との間に、樹脂部７４を形成してもよい。
【００２６】
なお、配線基板１０に半導体チップ４０，５０を搭載する方法は上述の内容に限られるものではない。例えば、半導体チップ４０，５０は、同時に搭載してもよい。また、半導体チップ４０，５０を別々に搭載する場合には、半導体チップ４０，５０のいずれを先に搭載してもよい。
【００２７】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、配線基板１０の第２の面１２に外部端子６０を形成することを含んでいてもよい。以上の工程によって、半導体装置１を製造してもよい（図１（Ａ）参照）。
【００２８】
一般的に、半導体装置を製造する際には、配線基板に熱が加えられる。具体的には、配線基板１０に半導体チップ４０，５０を搭載する工程や、樹脂材料を硬化させる工程は、加熱された環境で行われることがある。すなわち、半導体装置を製造する工程で、配線基板は加熱・冷却されることがある。そのため、半導体装置を製造する工程で、配線基板１０が膨張・収縮することがあった。そして、配線基板のそれぞれの面に大きさの異なる半導体チップを搭載する場合（あるいは、配線基板の一方の面のみに半導体チップを搭載する場合）、配線基板の両面で、膨張・収縮量が異なることがあった。具体的には、大きい半導体チップが搭載された面（半導体チップ４０が搭載される第１の面１１）よりも、小さい半導体チップが搭載された面（第２の半導体チップ５０が搭載された第２の面１２）の方が、加熱・冷却による膨張・収縮量が大きくなることがあった。そして、膨張・収縮量の違いが原因となって、半導体装置を製造する工程で、配線基板１０に反りが生じることがあった。ところで、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法では、先に説明したように、第１の部分２５は、第２の部分２７よりも熱膨張係数が大きくなっている。そのため、第１の面１１の膨張・収縮量を大きくすることができる。これにより、配線基板１０の第１及び第２の面１１，１２の膨張・収縮量の差を小さくすることができる。そのため、配線基板１０が平坦な、実装性に優れた半導体装置を製造することができる。
【００２９】
（第２の実施の形態）
図７は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る半導体装置２について説明するための図である。半導体装置２は、配線基板１５を有する。配線基板１５は、図７に示すように、絶縁部１６を含む。そして、絶縁部１６は、第１及び第２の絶縁層２４，２６のみによって構成されてなる。このとき、絶縁部１６は、第１及び第２の絶縁層２４，２６が直接積層されていてもよい。言い換えると、第１及び第２の絶縁層２４，２６は、直接張り合わされた構造をなしていてもよい。ここで、第１の絶縁層２４は、第２の絶縁層２６よりも熱膨張係数が大きい。そのため、半導体装置２によっても、既に説明した効果を達成することができる。なお、絶縁部１６では、第１の部分は第１の絶縁層２４のみで、かつ、第２の部分は第２の絶縁層２６のみで構成されていてもよい。
【００３０】
（第３の実施の形態）
図８（Ａ）及び図８（Ｂ）は、本発明を適用した第３の実施の形態に係る半導体装置３について説明するための図である。半導体装置３は、配線基板８０を有する。配線基板８０は、第１の面８１と第２の面８２とを含む。そして、配線基板８０は、絶縁部９０を有する。
【００３１】
絶縁部９０は、積層された複数の絶縁層２２を有する。半導体装置３では、絶縁部９０は、図８（Ａ）及び図８（Ｂ）に示すように、積層された４層の絶縁層２２を有していてもよい。絶縁部９０は、図８（Ｂ）に示すように、第１の部分９５と第２の部分９７とを含む。ここで、第１の部分９５は、絶縁部９０の厚みの中心よりも第１の面８１側の部分である。また、第２の部分９７は、絶縁部９０の厚みの中心よりも第２の面８２側の部分である。そして、絶縁部９０では、第１の部分９５は、第２の部分９７よりも熱膨張係数が大きい。これにより、半導体装置１と同様の効果を奏することができる。絶縁層２２は、第１の部分９５を構成する第１の絶縁層２４と、第２の部分９７を構成する第２の絶縁層２６とを含んでいてもよい。なお、第１の絶縁層２４は、第２の絶縁層２６よりも熱膨張係数の大きい絶縁層である。これにより、第１の部分９５の熱膨張係数を、第２の部分９７の熱膨張係数よりも大きくしてもよい。また、絶縁層２２は、第１の面８１を構成する第３の絶縁層２８と、第２の面８２を構成する第４の絶縁層２９とを含んでいてもよい。すなわち、第１及び第２の絶縁層２４，２６は、図８（Ｂ）に示すように、第１及び第２の面８１，８２を構成しない絶縁層であってもよい。このとき、第３の絶縁層２８は、第１の絶縁層２４に積層されていてもよい。また、第４の絶縁層２９は、第２の絶縁層２６に積層されていてもよい。あるいは、第１及び第３の絶縁層２４，２８の間、又は、第２及び第４の絶縁層２６，２９との間には、図示しない絶縁層が配置されていてもよい。また、第１及び第２の絶縁層２４，２６は、図８（Ｂ）に示すように、直接積層されていてもよい。あるいは、第１及び第２の絶縁層２４，２６の間には、図示しない絶縁層がさらに配置されていてもよい。なお、第３及び第４の絶縁層２８，２９は、同じ熱膨張係数をなしていてもよい。あるいは、第３の絶縁層２８と第４の絶縁層２９とは、熱膨張係数が異なっていてもよい。
【００３２】
なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】図１（Ａ）及び図１（Ｂ）は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置について説明するための図である。
【図２】図２は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置が実装された回路基板を示す図である。
【図３】図３は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【図４】図４は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置を有する電子機器を示す図である。
【図５】図５（Ａ）〜図５（Ｃ）は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【図６】図６は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明するための図である。
【図７】図７は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る半導体装置について説明するための図である。
【図８】図８（Ａ）及び図８（Ｂ）は、本発明を適用した第３の実施の形態に係る半導体装置について説明するための図である。
【符号の説明】
【００３４】
１０…配線基板、  １１…第１の面、  １２…第２の面、  ２０…絶縁部、  ２２…絶縁層、  ２４…第１の絶縁層、  ２５…第１の部分、  ２６…第２の絶縁層、  ２７…第２の部分、  ２８…第３の絶縁層、  ２９…第４の絶縁層、  ３０…導電パターン、  ４０…半導体チップ、  ４２…集積回路、  ４４…電極、  ５０…第２の半導体チップ、  ５２…集積回路、  ５４…電極、  ６０…外部端子、  ７０…樹脂部、  ７２…樹脂材料、  ７４…樹脂部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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