(57)【要約】【課題】  ガス放電パネルに使用できる電極、ガス放電パネル用基板、ガス放電パネルおよびガス放電パネル表示装置について、新たな技術を提供する。【解決手段】  ガス放電パネル用基板のリブ形成面に自己組織化膜を形成し、自己組織化膜の一部分を、メッキ触媒となる物質が付着できるように活性化し、この活性化した一部分にメッキ触媒となる物質を付着させてメッキ触媒となし、メッキ触媒を利用する無電解メッキ法により、自己組織化膜の上記一部分の上部に無電解メッキ層を形成することによりアドレス電極を形成する。【選択図】      なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガス放電パネル用基板のリブ形成面に自己組織化膜を形成し、
当該自己組織化膜の一部分を、メッキ触媒となる物質が付着できるように活性化し、
当該活性化した一部分に当該メッキ触媒となる物質を付着させてメッキ触媒となし、
当該メッキ触媒を利用する無電解メッキ法により、自己組織化膜の当該一部分の上部に無電解メッキ層を形成する
ことを含むガス放電パネル用基板の製造方法。
【請求項２】
一対の対向する基板を有するガス放電パネルであって、
当該一対の基板のいずれか一方が他方の基板に面する側にリブを有し、
当該リブを有する基板のリブ形成面に自己組織化膜を形成し、当該自己組織化膜の一部分を、メッキ触媒となる物質が付着できるように活性化し、当該活性化した一部分に当該メッキ触媒となる物質を付着させてメッキ触媒となし、当該メッキ触媒を利用する無電解メッキ法により、自己組織化膜の当該一部分の上部に無電解メッキ層を形成した、
ガス放電パネル。
【請求項３】
前記自己組織化膜を形成するための化合物が、ハロゲン基および、フェニル基とアルキル基との少なくともいずれか一方を有する化合物である、請求項２に記載のガス放電パネル。
【請求項４】
フォトマスクを介する紫外線照射により、前記自己組織化膜の一部分を、メッキ触媒となる物質が付着できるように活性したものである、請求項２または３に記載のガス放電パネル。
【請求項５】
前記メッキ触媒がパラジウム触媒である、請求項２〜４のいずれかに記載のガス放電パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、たとえばプラズマディスプレイ（ＰＤＰ）のようなガス放電パネルに関するものである。より詳しくは、ガス放電パネルの背面基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、面放電型ＰＤＰの作製プロセスが確立され、大画面のＰＤＰ表示装置が製品化されるに至っている。しかしながら、量産プロセスが確立されたものの、依然としてパネル作製プロセスの低コスト化への要求がある。
【０００３】
プロセスの低コスト化を達成するパネル製造方法として、ガラス基板を直接切削してガス放電を仕切るためのリブ（隔壁）を形成する方式が提案された（たとえば特許文献１，２参照。）。
【０００４】
本方式では、従来行っていた工程から、低融点ガラスの印刷工程、焼成工程が無くなり、低融点ガラス材料費も不要なため低コスト化が実現される。しかしながら、従来ではリブ形成の前に形成していたアドレス電極を、本方式では、ガラス基板を直接切削加工してリブを形成した後に形成する必要がある。
【特許文献１】特開２０００−３４８６０６号公報（特許請求の範囲）
【特許文献２】特開２００１−６５３７号公報（特許請求の範囲）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記の、ガラス基板を直接切削加工してリブを形成する方式では、アドレス電極をリブの間の領域に形成する。ところが、ガラス基板を直接切削加工して形成されたリブの間の領域に電極を形成することは、従来のフォトリソグラフィとエッチングとを用いた方法では、総合歩留まりが悪い問題があった。
【０００６】
歩留まりが悪い理由としては、基板にリブとリブ間の凹み部分との凹凸があることから、従来のフォトリソグラフィとエッチングを用いた方法では、レジスト塗布時に、泡がかみやすい部分や、レジストをはじいたりする部分が多く、断線につながる確率が高くなるためである。
【０００７】
本発明は、このような欠点のある方法を回避する新たな技術を提供することを目的としている。本発明のさらに他の目的および利点は、以下の説明から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様によれば、ガス放電パネル用基板のリブ形成面に自己組織化膜を形成し、自己組織化膜の一部分を、メッキ触媒となる物質が付着できるように活性化し、活性化した一部分にメッキ触媒となる物質を付着させてメッキ触媒となし、メッキ触媒を利用する無電解メッキ法により、自己組織化膜の上記一部分の上部に無電解メッキ層を形成することを含むガス放電パネル用基板の製造方法が提供される。
【０００９】
本発明の他の態様によれば、一対の対向する基板を有するガス放電パネルであって、一対の基板のいずれか一方が他方の基板に面する側にリブを有し、
リブを有する基板のリブ形成面に自己組織化膜を形成し、自己組織化膜の一部分を、メッキ触媒となる物質が付着できるように活性化し、活性化した一部分にメッキ触媒となる物質を付着させてメッキ触媒となし、メッキ触媒を利用する無電解メッキ法により、自己組織化膜の上記一部分の上部に無電解メッキ層を形成したガス放電パネルや、一対の対向する基板を有するガス放電パネルであって、一対の基板のいずれか一方が他方の基板に面する側にリブを有し、リブを有する基板のリブ形成面のリブ間に、ポリシロキサン構造を有する自己組織化膜と、メッキ触媒層と、無電解メッキ層とをこの順に有してなるガス放電パネルが提供される。
【００１０】
本発明の更に他の態様によれば、一対の対向する基板を有するガス放電パネル表示装置であって、一対の基板のいずれか一方が他方の基板に面する側にリブを有し、リブを有する基板のリブ形成面に自己組織化膜を形成し、自己組織化膜の一部分を、メッキ触媒となる物質が付着できるように活性化し、活性化した一部分にメッキ触媒となる物質を付着させてメッキ触媒となし、メッキ触媒を利用する無電解メッキ法により、自己組織化膜の上記一部分の上部に無電解メッキ層を形成したガス放電パネル表示装置や、一対の対向する基板を有するガス放電パネル表示装置であって、一対の基板のいずれか一方が他方の基板に面する側にリブを有し、リブを有する基板のリブ形成面のリブ間に、ポリシロキサン構造を有する自己組織化膜と、メッキ触媒層と、無電解メッキ層とをこの順に有してなるガス放電パネル表示装置が提供される。
【００１１】
これらの発明態様により、ガス放電パネルに使用できる電極、ガス放電パネル用基板、ガス放電パネルおよびガス放電パネル表示装置について、新たな技術を提供できる。
【００１２】
これらの態様において、可能な場合には、無電解メッキ層形成後に、無電解メッキ層を電極として電解メッキを行い、無電解メッキ層上に電解メッキ層を形成すること、自己組織化膜を形成するための化合物が、基板表面に結合可能な基と、メッキ触媒となる物質が付着できるように活性化することのできる基とを有する、枝分かれしていてもよい有機シラン化合物であること、基板表面に結合可能な基が、ヒドロキシ基または加水分解によりヒドロキシ基を生じ得る基であること、加水分解によりヒドロキシ基を生じ得る基がハロゲン基であること、メッキ触媒となる物質が付着できるように活性化することのできる基がフェニル基とアルキル基との少なくともいずれか一方であること、フォトマスクを介する紫外線照射により、自己組織化膜の一部分を、メッキ触媒となる物質が付着できるように活性化すること、メッキ触媒がパラジウム触媒であること、無電解メッキ層の厚さが０．２〜０．３μmの範囲にあること、無電解メッキ層と電解メッキ層の厚さとの合計が２〜４μmの範囲にあること、リブの高さが１００〜２５０μｍの範囲にあり、リブの相互間隔が５０〜３３０μｍの範囲にあることが好ましい態様である。
【発明の効果】
【００１３】
ガス放電パネルに使用できる電極、ガス放電パネル用基板、ガス放電パネルおよびガス放電パネル表示装置について、新たな技術を提供できる。従来の欠点ある方法を回避することもできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下に、本発明の実施の形態を図、実施例等を使用して説明する。なお、これらの図、実施例等および説明は本発明を例示するものであり、本発明の範囲を制限するものではない。本発明の趣旨に合致する限り他の実施の形態も本発明の範疇に属し得ることは言うまでもない。図中、同一の符号は同一の要素を表す。
【００１５】
図１に従来のＰＤＰの一例の分解図を、図２にその横断面図を示す。図１，２において、人は矢印に沿う方向からパネルを見ることになる。ＰＤＰ１は、前面基板２と背面基板３とが対向する構造を有する。この例では、前面基板２の内側（背面基板３に面する側）に表示電極４、誘電体層５、電極保護のための保護層６が順次積層されており、背面基板３の内側（前面基板２に面する側）に、アドレス電極７、誘電体層８が順次積層されており、その上にリブ９と蛍光体層１０がある（図１には、誘電体層８および蛍光体層１０は図示されていない。アドレス電極７は点線で示されている。）。誘電体層８は、図１のように二つの表示電極間に電圧を印加して表示のための維持放電を起こさせる方式の場合は設置しなくても特性上あまり問題が無い。
【００１６】
誘電体層５とリブ９と蛍光体層１０とで囲まれた放電空間１１にネオンガスやキセノンガス等の放電用ガスが封入される。ＰＤＰ１は、二つの表示電極間に電圧を印加して放電を起こさせ、放電用ガスを励起し、元の状態に戻る際に発生する紫外線を利用して蛍光体層１０の蛍光体を発光させることにより、可視光の表示を実現するものである。ＰＤＰにはカラーフィルター、電磁波遮蔽シート、反射防止フイルム等も付設されることが多い。このＰＤＰに電源部やチューナーユニットとのインターフェースを付設することにより、大型テレビジョン装置（プラズマテレビ）のようなガス放電パネル表示装置が得られる。
【００１７】
ＰＤＰの基板には、ソーダライムガラス、高歪点ガラスなどが使用される。アドレス電極には導電性を有する金属ならどのようなものを使用してもよい。通常は、主材料としては、銅や銀等が使用される。誘電体層には低融点ガラスが使用される。リブ９は低融点ガラスから形成されている。
【００１８】
背面基板３の内側に、アドレス電極７、誘電体層８、リブ９、蛍光体層１０を形成する順序は、たとえば次のようにして行う。まず、図３を参照して、ステップＳ３１のように、背面基板３に一様な金属層を形成する、ついで、ステップＳ３２のように、不要な部分を取り除き、所定のパターンを有するアドレス電極７を形成する。ついで、ステップＳ３３のように、誘電体層８を形成する。ついで、ステップＳ３４のように、低融点ガラスの一様な層（乾燥膜）を形成する。その後、ステップＳ３５のように、低融点ガラスの乾燥膜を切削した後、焼成してリブを形成し、ステップＳ３６のように、蛍光体を塗布する。
【００１９】
これに対し、ガラス基板を直接切削加工してリブを形成する方式では、ＰＤＰの横断面構造は図４のようになる。図４では誘電体層８を省略してある。この場合、背面基板３の内側に、アドレス電極７、リブ９、蛍光体層１０を形成する順序は、たとえば次のようにして行うことになる。すなわち、図５を参照して、ステップＳ５１のように、ガラス基板を直接切削加工してリブを形成する。ついで、ステップＳ５２のように、リブの間の領域に電極を形成する。ついで、ステップＳ３３のように、その上に蛍光体を塗布する。リブの間の領域に電極を形成するには、スパッタリング等で全面に金属膜を形成し、フォトリソグラフィにより、電極用レジストパターンを形成し、金属膜の不要部分をエッチングにより除去する方法を採用できる。
【００２０】
このような場合の電極（アドレス電極）は、リブを形成したガス放電パネル用基板（上例では背面基板３に該当する）に対して、リブ形成面に自己組織化膜（以下、ＳＡＭと略称する：ＳＥＬＦ−ＡＳＳＥＭＢＬＥＤ  ＭＯＮＯＬＡＹＥＲまたはＳＥＬＦ−ＡＳＳＥＭＢＬＥＤ  ＭＥＭＢＲＡＮＥ）を形成し、このＳＡＭの一部分を、メッキ触媒となる物質が付着できるように活性化し、ついで、この活性化した一部分にメッキ触媒となる物質を付着させてメッキ触媒となし、このメッキ触媒を利用する無電解メッキ法により、ＳＡＭの上記一部分の上部に無電解メッキ層を形成することにより、容易に作製できる。無電解メッキ層上に電解メッキ層を形成して、これをアドレス電極としてもよい。なお、このとき同時に無電解メッキ層や電解メッキ層の一部をアドレス電極以外の配線層として利用してもよい。
【００２１】
この様子を例示すると図６，図７−Ａ〜Ｄのようになる。まず、ステップＳ６１に従って、図７−Ａのように、リブを有する基板上に一様にＳＡＭ７１を形成する。ついでステップＳ６２に従って、このＳＡＭの一部分を、メッキ触媒となる物質が付着できるように活性化し、図７−Ｂのように活性化領域７２を得る。活性化領域７２は電極パターンと一致したパターンを有する。ついでステップＳ６３に従って、活性化領域７２にメッキ触媒となる物質を付着させて、図７−Ｃのようにメッキ触媒層７３を形成し、ステップＳ６４に従って、図７−Ｄのように、上記「ＳＡＭの一部分」の上部（すなわち、メッキ触媒層７３上）に無電解メッキ層７４を形成する。なお、ＳＡＭ７１、活性化領域７２、メッキ触媒層７３、無電解メッキ層７４は、いずれもきわめて薄い層であるが、分かりやすくするため、図７−Ａ〜Ｄでは厚い層として示してある。さらに、無電解メッキ層形成後に、この無電解メッキ層を電極として電解メッキを行い、無電解メッキ層上に電解メッキ層を形成してもよい。このようにして所望の電極パターンを得ることができる。電極パターンの厚さは、無電解メッキ層だけの場合には、０．２〜０．３μm程度とすれば充分であることが多い。その上に電解メッキ層を積層する場合は、２〜４μm程度とすることができる。
【００２２】
本発明は、リブを形成したガス放電パネル用基板に電極を形成する場合に適用できるため、たとえば、低融点ガラスによるリブを形成した後に電極を形成する場合にも適用することは可能であるが、基板そのものを直接加工してリブを形成させた基板に電極を形成する場合に特に有用である。ＳＡＭの形成とその表面の部分的活性化により、後に形成される電極パターンの元となるパターンを容易に形成でき、製造工程の簡略化、製品歩留まりの向上に寄与し得る。
【００２３】
一般的にＳＡＭとは、金属や無機表面に、たとえば、その単結晶表面の規則的な原子配列を鋳型として自発的に形成される、たとえば、単分子膜等のきわめて薄い規則性のある膜を意味するが、本発明におけるＳＡＭは、これより広い概念であり、基板を何らかの物質に接触させることによりその物質が表面に付着でき、その物質の表面の一部分（特定の一部分）を活性化して、メッキ触媒となる物質を作用させた場合にその表面の特定の一部分にメッキ触媒を付着させることができ、そのメッキ触媒を利用して、無電解メッキにより、無電解メッキ層が形成できるものであれば、ＳＡＭが形成されたと考えることができる。
【００２４】
上記物質が基板に付着したことは、たとえば適当な溶媒で基板上を洗浄した後、ＦＴ−ＩＲ（フーリエ変換赤外分光法）等で確認できる場合もあるが、敢えて確認する必要はなく、無電解メッキ層が生じたかどうかで確認すれば充分である。基板にどの程度強固に付着したかが問題になる場合は、たとえば、無電解メッキ層の剥離試験で確認することができる。
【００２５】
なお、メッキ触媒層、無電解メッキ層、電解メッキ層等の形成後にあっては、ＳＡＭが化学的あるいは物理的変成を受け、たとえば、ケイ素や炭素等の残滓になっている等、通常の意味でのＳＡＭとして存在しない場合も考えられる。従って、本発明に係る電極、ガス放電パネル用基板、ガス放電パネル、ガス放電パネル表示装置自体が、通常の意味でのＳＡＭを最早有していない場合も本発明の範疇に属すると考えるべきである。たとえば本発明に係るＳＡＭがポリシロキサン構造を有すると言った場合には、分析の結果、ポリシロキサン構造の残滓のみが認められた場合も、本発明の「ポリシロキサン構造を有するＳＡＭ」の範疇に属する。本発明に係る、一対の対向する基板を有するガス放電パネルであって、この一対の基板のいずれか一方が他方の基板に面する側にリブを有し、このリブを有する基板のリブ形成面のリブ間に、ポリシロキサン構造を有する自己組織化膜と、メッキ触媒層と、無電解メッキ層とをこの順に有してなるガス放電パネルの「ポリシロキサン構造を有する自己組織化膜」もこの意味で解釈されるべきである。
【００２６】
本発明における活性化とは、メッキ触媒となる物質を作用させた結果、ＳＡＭの表面の特定の一部分にのみメッキ触媒が付着するようにできることを意味する。メッキ触媒となったかどうかは、実際に無電解メッキを行うことにより容易に確認することができる。
【００２７】
本発明における活性化には、本発明の目的に適う方法であれば、どのような方法を採用してもよい。たとえば、水、空気中の水分、酸、アルカリ等との接触と、紫外線等の活性エネルギー線の照射との組み合わせで、加水分解によりヒドロキシ基を生じるような場合には、フォトマスクを使用して照射部位を基板上の一部分に制限することにより、ＳＡＭの表面の特定の一部分にのみ、ヒドロキシ基を生じさせることができ、この処理の後、ヒドロキシ基と反応してメッキ触媒となる物質を導入すれば、ＳＡＭの表面の特定の一部分にのみメッキ触媒が付着するようにすることができる。
【００２８】
本発明におけるＳＡＭを形成できる化合物としては、本発明の目的に適う限りどのようなものを使用することも可能であるが、基板表面に結合可能な基と、メッキ触媒となる物質が付着できるように活性化することのできる基とを有する化合物を好適に使用することができる。このような化合物としては有機シラン化合物を挙げることができる。有機シラン化合物は枝分かれしていてもしていなくてもよい。有機シラン化合物中のケイ素は、一分子中に二個以上含まれていてもよい。
【００２９】
基板表面に結合可能な基とは、ＳＡＭを形成すべき化合物が基板表面と結合してＳＡＭを形成する際の結合手を形成するための基を意味する。このような基としては、ヒドロキシ基または加水分解によりヒドロキシ基を生じ得る基を挙げることができる。基板表面に結合可能な基がヒドロキシ基そのものの場合は、ヒドロキシ基により基板表面に結合させ、基板表面に結合可能な基が加水分解によりヒドロキシ基を生じ得る基の場合は、基板表面と接触させる際に加水分解が起こる条件を選択することにより基板表面に結合させることができる。このような基板表面に結合可能な基が加水分解によりヒドロキシ基を生じ得る基としては、ハロゲン基、より具体的には塩素または臭素を挙げることができる。ハロゲン基が有機シラン化合物のケイ素と結合したものである場合は、加水分解が生じやすく、またポリシロキサン構造を介してＳＡＭを形成しやすいので好ましい。活性化領域の形成が妨げられない限り、紫外線等の照射により基板表面との結合を促進することも考えられる。
【００３０】
メッキ触媒となる物質が付着できるように活性化することのできる基は、フェニル基とアルキル基との少なくともいずれか一方であることが好ましい。特に、フェニル基やアルキル基が有機シラン化合物のケイ素と結合したものであることが好ましい。フェニル基やアルキル基は、たとえば紫外線により加水分解が促進され、ヒドロキシ基を生じ、この負の極性により、メッキ触媒となる物質を付着させることができるものと考えられる。このような場合には、基板表面に結合可能な基が加水分解によりヒドロキシ基を生じるような条件下でもフェニル基やアルキル基は加水分解せず、フォトマスクを介する紫外線の併用により、初めて、ＳＡＭ表面の所定の一部分にヒドロキシ基を生じるので、この所定の一部分にメッキ触媒となる物質を付着させることが可能となる。
【００３１】
次に、図７−Ａ〜Ｄと図８−Ａ〜Ｄとを使用して、本発明におけるＳＡＭの形成〜電解メッキ層の形成を模式的に説明する。図８−Ａは、フェニルトリクロロシラン（Ｃ6Ｈ5ＳｉＣｌ3）を使用して、基板上にＳＡＭが形成された様子を示す想像図である。フェニルトリクロロシランの塩素が雰囲気中の水分と反応してヒドロキシ基を生じ、そのヒドロキシ基が基板と結合する。ヒドロキシ基は更に相互に縮合してポリシロキサン結合を生じ、ケイ素同士が酸素を介して相互結合することにより、面状構造体となり、その面上にフェニル基が立ち上がる構造となっているものと推察されている。ＳＡＭ７１は、図７−Ａに示すように、リブ９上にもリブ間７５にも形成される。
【００３２】
このような状態で、ＳＡＭの一部分を、メッキ触媒となる物質が付着できるように活性化する。たとえば、図８−Ｂのように、フォトマスク８１を介して選択的にリブ間７５に、（図８−Ｂ中矢印で示されている）紫外線を照射する。この時雰囲気中の水分を適切に保てば、紫外線が照射された部位ではフェニル基が取れて、図８−Ｃに示すようにヒドロキシ基が生じ、図７−Ｂに示すような活性化領域７２を得ることができる。
【００３３】
ついで、このＳＡＭ上に、たとえば塩化パラジウム水溶液を導入する。この処理により、メッキ触媒（この場合はパラジウム触媒）がＳＡＭ上に付着し、図７−Ｃに示すようなメッキ触媒層７３を得ることができる。このメッキ触媒が化学的にどのような形態をとっているかは明確ではないが、本例の場合には、ＳＡＭのヒドロキシ基の負の極性にパラジウムが引き寄せられているものと推察されている。図８−Ｄでは、Ｐｄ+が引き寄せられ、付着した様子が示されているが、実際には、Ｐｄ+であるのか、正に帯電したＰｄ金属であるのか明らかでない。
【００３４】
なお、本発明の趣旨に反しない限り、塩化パラジウム水溶液以外のどのような化合物を使用してもよい。銀、金、プラチナの化合物を挙げることができる。また、パラジウム、銀、金、プラチナ等の微粒子であって、正に帯電したものをメッキ触媒となるべき物質として利用することもできる。パラジウム、銀、金、プラチナ等の微粒子は溶媒中に分散してＳＡＭ上に導入することができる。
【００３５】
ついで、このＳＡＭ上に無電解メッキ液を導入する。無電解メッキ液としては公知のどのようなものを使用してもよい。コバルト、銅、ニッケルの溶液を例示できる。Ｃｏの溶液が好ましい。これにより、図７−Ｄに示すように、無電解メッキ層７４を形成することができる。この後、公知の方法により電解メッキを行えば、無電解メッキ層７４上に電解メッキ層を形成することができる。
【００３６】
なお、上記は、当初不活性であったＳＡＭの一部分を、メッキ触媒となる物質が付着できるように活性化する例であるが、本発明の範囲は、これに留まらず、当初一様に活性を示すＳＡＭの一部（すなわち、メッキ触媒層を形成しないようにする部分）を紫外線等で不活性化することができる場合にも、結果としてＳＡＭの一部分を活性化できるので、そのような方法も本発明の範疇に属する。
【００３７】
本発明は、リブ間が深く狭い場合にも容易に電極を形成できるため、コスト低減、歩留まり向上が可能となり、ＤＰＤ用の基板のように、リブが高く、リブ間が狭い場合に特に有用である。より具体的には、リブの高さが１００〜２５０μｍの範囲にあり、リブの相互間隔が５０〜３３０μｍの範囲にある場合に有利である。リブの幅はそれほど重要な因子ではない。なお、リブ形状は公知の、ストライプ状、曲がりを有する（ミアンダリング）ストライプ状等を例示することができる。図２にリブの高さをＨで、リブの相互間隔をＷで例示してある。
【００３８】
上記のようにして電極を形成し、ガス放電パネル用基板を作製することができる。このガス放電パネル用基板を使用すれば、所定の構造を有する対向基板と組み合わせ、ＰＤＰ等のガス放電パネルを製造し、さらにフラットディスプレイテレビジョン装置等のガス放電パネル表示装置を製造するに際し、製造コストの低減や歩留まり向上が可能となる。また、製造工程が簡略化され、容易であることから、このような方法で製造したガス放電パネル用基板、ガス放電パネル、ガス放電パネル表示装置は品質の向上が期待される。
【実施例】
【００３９】
次に本発明の実施例および比較例を詳述する。
【００４０】
［実施例１］
ＰＤＰ用ガラス基板（ソーダライムガラス、高歪点ガラスなど）表面に所望のパターンで耐サンドブラスト用のレジスト層（日本合成化学社製：ドライフィルムレジスト）をラミネートし、パターニングする。
【００４１】
その基板に対して、ガラス切削用の研磨剤粒子（不二製作所製：ＷＡ＃６００〜＃１２００、材質：酸化アルミニウム）を吹き付けて切削する。その後、レジスト層を剥離してリブが形成されたガラス基板が形成される。
【００４２】
このガラス基板表面に、メッキ触媒となる物質が付着できるように活性化することのできる材料からなるＳＡＭを形成する。ＳＡＭを形成できる材料として、フェニルトリクロロシラン（以下、ＰＴＣＳ）を例示することができる。
【００４３】
ＰＴＣＳ膜（ＳＡＭ）の形成方法としては、たとえば次の処理方法を採用することができる。まず、基板を純水（＞１７．６ＭΩ・ｃｍ）で超音波洗浄し、ＨＣｌ：ＣＨ3ＯＨ＝１：１（体積比）の溶液に３０分浸漬した後、再び純水で洗浄する。更に、濃硫酸に３０分浸漬した後、沸騰した純水に５分浸漬する。その後、アセトンで洗浄を行う。この基板を１体積％のＰＴＣＳ（Ａｌｄｒｉｃｈ社製）を含む無水トルエン（９９．８％、Ａｌｄｒｉｃｈ社製）溶液に５分、窒素雰囲気下で浸漬する。その後、基板を１２０℃で５分乾燥し、残留溶媒の揮発とＳＡＭの化学吸着とを促進する。これにより、ガラス基板表面にＰＴＣＳ膜を形成できる。
【００４４】
このＰＴＣＳ膜に対して、電極配線を形成すべき部分に開口を持つフォトマスクを介して紫外光を照射することにより、基板上に形成されたＰＴＣＳ膜（ＳＡＭ）の分子中のフェニル基が雰囲気中の水分子と化学反応し、シラノール基に変化する。表面のシラノール基は、親水性であって、水溶液中に浸けると−ＯＨ基からＨ+イオンが脱着して−Ｏ-となり、紫外光が当たったＰＴＣＳ膜表面は負に帯電する。
【００４５】
この負に帯電したパターンを有する基板を、たとえば、塩化パラジウム水溶液に浸漬すると、塩化パラジウムが水に溶けるため、水溶液中のＰｄ2+イオンが、負に帯電したパターン上にクーロン力によって吸着されて、電極配線に応じたパラジウム触媒のパターンが形成される。塩化パラジウムの水溶液としては、たとえば、塩化パラジウム０．２５〜０．４ｇ：塩酸１ｍＬ：水１Ｌの溶液を用い、１５〜６０秒浸漬してパラジウム触媒パターンを形成できる。
【００４６】
このパラジウム触媒パターンが形成された基板を無電解メッキ液に浸漬させると、金属の析出が進行して金属膜がパラジウム触媒パターン上に形成される。たとえば、無電解メッキ液としてコンバス−Ｐ（ワールドメタル社製：コンバス−Ｐ−Ｍとコンバス−Ｐ−Ｋとの１：１（体積比）混合液）を用いれば、パラジウム触媒パターン上にＣｏがメッキされる。
【００４７】
必要に応じて、さらに、このＣｏの導電性パターンを利用して電解メッキにより、Ｃｕを積層してもよい。
【００４８】
［実施例２］
実施例１では、ＳＡＭ形成用化合物として、フェニル基を有する有機シラン化合物（代表例：ＰＴＣＳ）を用いたが、フェニル基の無いオクタデシルトリクロロシラン（以下、ＯＴＳ）でもＳＡＭを形成できる。
【００４９】
この場合、１体積％のＯＴＳを含むトルエン溶液に洗浄などの前処理を行ったガラス基板を５分浸漬して、ＯＴＳＳＡＭを形成できる。このＳＡＭに所望のパターンの開口を有するフォトマスクを介して紫外線を照射することで、紫外線によりシラノール基のパターンが形成される。未照射領域にはメチル基が残る。以下は、実施例１と同様に処理することができる。
【００５０】
なお、上記に開示した内容から、下記の付記に示した発明が導き出せる。
【００５１】
（付記１）
ガス放電パネル用基板のリブ形成面に自己組織化膜を形成し、
当該自己組織化膜の一部分を、メッキ触媒となる物質が付着できるように活性化し、
当該活性化した一部分に当該メッキ触媒となる物質を付着させてメッキ触媒となし、
当該メッキ触媒を利用する無電解メッキ法により、自己組織化膜の当該一部分の上部に無電解メッキ層を形成する
ことを含むガス放電パネル用基板の製造方法。
【００５２】
（付記２）
前記無電解メッキ層形成後に、当該無電解メッキ層を電極として電解メッキを行い、無電解メッキ層上に電解メッキ層を形成することを含む、付記１に記載のガス放電パネル用基板の製造方法。
【００５３】
（付記３）
前記自己組織化膜を形成するための化合物が、前記基板表面に結合可能な基と、メッキ触媒となる物質が付着できるように活性化することのできる基とを有する、枝分かれしていてもよい有機シラン化合物である、付記１または２に記載のガス放電パネル用基板の製造方法。
【００５４】
（付記４）
前記基板表面に結合可能な基が、ヒドロキシ基または加水分解によりヒドロキシ基を生じ得る基である、付記３に記載のガス放電パネル用基板の製造方法。
【００５５】
（付記５）
前記加水分解によりヒドロキシ基を生じ得る基がハロゲン基である、付記４に記載のガス放電パネル用基板の製造方法。
【００５６】
（付記６）
前記メッキ触媒となる物質が付着できるように活性化することのできる基がフェニル基とアルキル基との少なくともいずれか一方である、付記３〜５のいずれかに記載のガス放電パネル用基板の製造方法。
【００５７】
（付記７）
フォトマスクを介する紫外線照射により、前記自己組織化膜の一部分を、メッキ触媒となる物質が付着できるように活性化する、付記１〜６のいずれかに記載のガス放電パネル用基板の製造方法。
【００５８】
（付記８）
前記メッキ触媒がパラジウム触媒である、付記１〜７のいずれかに記載のガス放電パネル用基板の製造方法。
【００５９】
（付記９）
前記無電解メッキ層の厚さが０．２〜０．３μmの範囲にある、付記１〜８のいずれかに記載のガス放電パネル用基板の製造方法。
【００６０】
（付記１０）
前記無電解メッキ層と電解メッキ層の厚さとの合計が２〜４μmの範囲にある、付記２〜９のいずれかに記載のガス放電パネル用基板の製造方法。
【００６１】
（付記１１）
前記リブの高さが１００〜２５０μｍの範囲にあり、前記リブの相互間隔が５０〜３３０μｍの範囲にある、付記１〜１０のいずれかに記載のガス放電パネル用基板の製造方法。
【００６２】
（付記１２）
一対の対向する基板を有するガス放電パネルであって、
当該一対の基板のいずれか一方が他方の基板に面する側にリブを有し、
当該リブを有する基板のリブ形成面に自己組織化膜を形成し、当該自己組織化膜の一部分を、メッキ触媒となる物質が付着できるように活性化し、当該活性化した一部分に当該メッキ触媒となる物質を付着させてメッキ触媒となし、当該メッキ触媒を利用する無電解メッキ法により、自己組織化膜の当該一部分の上部に無電解メッキ層を形成した、
ガス放電パネル。
【００６３】
（付記１３）
前記無電解メッキ層形成後に、当該無電解メッキ層を電極として電解メッキを行い、無電解メッキ層上に電解メッキ層を形成したものである、付記１２に記載のガス放電パネル。
【００６４】
（付記１４）
前記自己組織化膜を形成するための化合物が、前記基板表面に結合可能な基と、メッキ触媒となる物質が付着できるように活性化することのできる基とを有する、枝分かれしていてもよい有機シラン化合物である、付記１２または１３に記載のガス放電パネル。
【００６５】
（付記１５）
前記基板表面に結合可能な基が、ヒドロキシ基または加水分解によりヒドロキシ基を生じ得る基である、付記１４に記載のガス放電パネル。
【００６６】
（付記１６）
前記加水分解によりヒドロキシ基を生じ得る基がハロゲン基である、付記１５に記載のガス放電パネル。
【００６７】
（付記１７）
前記メッキ触媒となる物質が付着できるように活性化することのできる基がフェニル基とアルキル基との少なくともいずれか一方である、付記１４〜１６のいずれかに記載のガス放電パネル。
【００６８】
（付記１８）
フォトマスクを介する紫外線照射により、前記自己組織化膜の一部分を、メッキ触媒となる物質が付着できるように活性したものである、付記１２〜１７のいずれかに記載のガス放電パネル。
【００６９】
（付記１９）
前記メッキ触媒がパラジウム触媒である、付記１２〜１８のいずれかに記載のガス放電パネル。
【００７０】
（付記２０）
一対の対向する基板を有するガス放電パネルであって、
当該一対の基板のいずれか一方が他方の基板に面する側にリブを有し、
当該リブを有する基板のリブ形成面のリブ間に、ポリシロキサン構造を有する自己組織化膜と、メッキ触媒層と、無電解メッキ層とをこの順に有してなるガス放電パネル。
【００７１】
（付記２１）
前記層が、さらに電解メッキ層を有する、付記２０に記載ガス放電パネル。
【００７２】
（付記２２）
前記無電解メッキ層の厚さが０．２〜０．３μmの範囲にある、付記１２〜２１のいずれかに記載のガス放電パネル。
【００７３】
（付記２３）
前記無電解メッキ層と電解メッキ層の厚さとの合計が２〜４μmの範囲にある、付記１３〜２２のいずれかに記載のガス放電パネル。
【００７４】
（付記２４）
前記リブの高さが１００〜２５０μｍの範囲にあり、前記リブの相互間隔が５０〜３３０μｍの範囲にある、付記１２〜２３のいずれかに記載のガス放電パネル。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】従来のＰＤＰの一例の模式的分解図である。
【図２】従来のＰＤＰの一例の模式的横断面図である。
【図３】背面基板上に、アドレス電極、誘電体層、リブ、蛍光体層を形成する順序を示すフロー図である。
【図４】ガラス基板を直接切削加工してリブを形成する方式における、ＰＤＰの横断面構造を示す模式図である。
【図５】背面基板上に、アドレス電極、リブ、蛍光体層を形成する順序を示すフロー図である。
【図６】背面基板上に、ＳＡＭ、メッキ触媒層、無電解メッキ層を形成する順序を示すフロー図である。
【図７−Ａ】リブを有する基板上に一様にＳＡＭを形成した様子を示す、基板部分の模式的断面図である。
【図７−Ｂ】リブを有する基板上に活性化領域を形成した様子を示す、基板部分の模式的断面図である。
【図７−Ｃ】リブを有する基板上にメッキ触媒層を形成した様子を示す、基板部分の模式的断面図である。
【図７−Ｄ】リブを有する基板上に無電解メッキ層を形成した様子を示す、基板部分の模式的断面図である。
【図８−Ａ】フェニルトリクロロシランを使用して、基板上にＳＡＭが形成された様子を示す想像図である。
【図８−Ｂ】フォトマスクを介して紫外線を照射する様子を示す想像図である。
【図８−Ｃ】紫外線が照射された部位にヒドロキシ基が生じ、活性化領域が生じた様子を示す想像図である。
【図８−Ｄ】紫外線が照射された部位に生じたヒドロキシ基に、Ｐｄ+が引き寄せられ、付着した様子を示す想像図である。
【符号の説明】
【００７６】
１    ＰＤＰ
２    前面基板
３    背面基板
４    表示電極
５    誘電体層
６    保護層
７    アドレス電極
８    誘電体層
９    リブ
１０  蛍光体層
１１  放電空間
７１  ＳＡＭ
７２  活性化領域
７３  メッキ触媒層
７４  無電解メッキ層
７５  リブ間
８１  フォトマスク
【図１】
2006012571.tif 000002
【図２】
2006012571.tif 000003
【図３】
2006012571.tif 000004
【図４】
2006012571.tif 000005
【図５】
2006012571.tif 000006
【図６】
2006012571.tif 000007
【図７−Ａ】
2006012571.tif 000008
【図７−Ｂ】
2006012571.tif 000009
【図７−Ｃ】
2006012571.tif 000010
【図７−Ｄ】
2006012571.tif 000011
【図８−Ａ】
2006012571.tif 000012
【図８−Ｂ】
2006012571.tif 000013
【図８−Ｃ】
2006012571.tif 000014
【図８−Ｄ】
2006012571.tif 000015