(57)【要約】      （修正有）【課題】ブリッジの発生が起こることが無く絶縁信頼性に優れた、プリント配線基板（マザーボード、半導体チップ搭載基板、多層配線基板）と半導体パッケージ及びそれらの製造方法を提供する。【解決手段】銅配線１と銅配線の間に絶縁物３が形成され、前記銅配線１間の絶縁物３の一部が除去されて銅配線１の一部が露出し、前記露出した銅配線の表面にニッケルめっき皮膜４、金めっき皮膜６の順序、あるいはニッケルめっき皮膜４、パラジウムめっき皮膜５、金めっき皮膜６の順序で形成した構造からなる銅配線を有するプリント配線基板、前記プリント配線基板の一方の表面には半導体チップ接続端子が、他方の表面には外部接続端子が形成されている半導体チップ搭載基板及び半導体チップ搭載基板と、前記半導体チップ搭載基板に搭載された半導体チップと、前記半導体チップを封止する樹脂から構成される半導体パッケージ及びそれらの製造方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の銅配線間に絶縁物を形成する工程と、
前記絶縁物を形成した後、前記複数の銅配線上に、ニッケルめっき皮膜及び金めっき皮膜を順に形成するか又はニッケルめっき皮膜、パラジウムめっき皮膜及び金めっき皮膜を順に形成する工程と、
を含む、プリント配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記絶縁物を形成する工程は、
前記複数の銅配線を覆う絶縁物を形成するステップと、
前記複数の銅配線の一部が露出するように前記絶縁物の一部を除去するステップと、
を含む、請求項１に記載のプリント配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記絶縁物の一部を除去する際には、ドライエッチングプロセス、ウェットエッチングプロセス及び機械研磨によるプロセスのうち少なくとも１つを用いる、請求項２に記載のプリント配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記ドライエッチングプロセスでは、異方性エッチングを行う、請求項３に記載のプリント配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記ウェットエッチングプロセスでは、クロム酸、クロム酸塩、重クロム酸塩、マンガン酸塩、過マンガン酸塩、オゾン、過酸化水素／硫酸、及び硝酸のうち少なくとも１種類以上を含む溶液を用いる、請求項３に記載のプリント配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記機械研磨によるプロセスでは、バフロール、サンドペーパー及びサンドブラストのうち少なくとも１つを用いる、請求項３に記載のプリント配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記絶縁物が、熱硬化性の有機絶縁材料を主成分とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載のプリント配線基板の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載のプリント配線基板の製造方法によって製造されたプリント配線基板の一方の面上に設けられた前記複数の銅配線が、半導体チップに接続するための半導体チップ接続端子であり、
前記プリント配線基板の他方の面上に設けられた前記複数の銅配線が、外部接続端子である、半導体チップ搭載基板の製造方法。
【請求項９】
複数の銅配線と、
前記複数の銅配線上に順に設けられたニッケルめっき皮膜及び金めっき皮膜、又は前記複数の銅配線上に順に設けられたニッケルめっき皮膜、パラジウムめっき皮膜及び金めっき皮膜と、
前記複数の銅配線間に配置された絶縁物と、
を備える、プリント配線基板。
【請求項１０】
前記絶縁物が、熱硬化性の有機絶縁材料を主成分とする、請求項９に記載のプリント配線基板。
【請求項１１】
請求項９又は１０に記載のプリント配線基板を備え、
前記プリント配線基板の一方の面上に設けられた前記複数の銅配線が、半導体チップに接続するための半導体チップ接続端子であり、
前記プリント配線基板の他方の面上に設けられた前記複数の銅配線が、外部接続端子である、半導体チップ搭載基板。
【請求項１２】
請求項１１に記載の半導体チップ搭載基板と、
前記半導体チップ搭載基板に搭載された前記半導体チップと、
を備える、半導体パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント配線基板、半導体チップ搭載基板、半導体パッケージ、プリント配線基板の製造方法、及び半導体チップ搭載基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の情報化社会の発展は目覚しく、民生機器ではパソコン、携帯電話などの小型化、軽量化、高性能化、高機能化が進められ、産業用機器としては無線基地局、光通信装置、サーバ、ルータなどのネットワーク関連機器など、大型、小型を問わず、同じように機能の向上が求められている。また、情報伝達量の増加に伴い、年々扱う信号の高周波化が進む傾向にあり、高速処理および高速伝送技術の開発が進められている。
【０００３】
実装関係についてみると、ＣＰＵ、ＤＳＰや各種のメモリなどのＬＳＩの高速化、高機能化と共に、新たな高密度実装技術としてシステムオンチップ（ＳｏＣ）、システムインパッケージ（ＳｉＰ）などの開発が盛んに行われている。このために、半導体チップ搭載基板やマザーボードも、高周波化、高密度配線化、高機能化に対応するために、ビルドアップ方式の多層配線基板が使用されるようになってきた。
【０００４】
電子機器メーカ各社は、製品の小型・薄型・軽量化を実現するために競って高密度実装に取り組み、パッケージの多ピン狭ピッチ化の急速な技術進歩がなされ、プリント配線板への実装は従来のＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）からエリア表面実装のＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）／ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）実装へと進化した。半導体チップと半導体実装基板との接続方法は金ワイヤボンディングが一般的であり、基板側の端子には金ワイヤの接着層である金めっきが必要である。半導体チップの高速化、高集積化に伴い、基板の配線が微細化してきており、従来の電気めっきでの導体配線の引き回し等が困難なため、独立パターンへのめっきが可能な無電解めっきへの要求が強まっている。
【０００５】
しかしながら、銅配線へ無電解ニッケル／金めっきを行った場合、無電解ニッケルめっき工程において、銅の配線部のみならず、その周辺の樹脂部にも無電解ニッケルめっきが析出する「ブリッジ」という現象が発生し、配線のショート不良の原因となる。そのため、無電解ニッケルめっき後において、銅配線間の絶縁信頼性を確保することが重要である。この特性を満足するため、従来の方法として、下記に示した方法が行われてきた。
【０００６】
無電解ニッケル前処理工程の直前に、チオ硫酸塩を含んだ溶液に基材を浸漬することにより「ブリッジ」を防止する方法（特許文献１）がある。また銅配線形成後にＯ２プラズマを施した後に、水洗工程を追加することによって、「ブリッジ」を防止する方法（特許文献２）がある。
【特許文献１】特許第３３８７５０７号公報
【特許文献２】特開平１１−４０９５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
半導体チップの高速化、高集積化に伴い、基板の配線が微細化してきており、表面に比較的薄いめっき層を形成しておき、その上にめっきレジストを形成して、電気めっきで配線を必要な厚さに形成し、めっきレジストを剥離後に、比較的薄いめっき層をソフトエッチングで除去するというセミアディティブ法が使用され始め、配線幅／配線間隔（以下、Ｌ／Ｓという。）＝３５μｍ／３５μｍレベルの微細配線を有する製品が量産化されてきている。前記無電解ニッケル前処理工程の直前に、チオ硫酸塩を含んだ溶液に基材を浸漬する方法、前記銅配線形成後にＯ２プラズマを施した後に、水洗工程を行う方法のいずれの方法においても、ブリッジ抑制効果が弱く、無電解ニッケルめっきの異常析出が発生する問題がある。
【０００８】
本発明の目的は、上記従来技術の問題点を改善するためになされたものであり、ブリッジの発生が起こることが無く絶縁信頼性に優れた、プリント配線基板（例えばマザーボード、多層配線基板）、半導体チップ搭載基板、半導体パッケージ、プリント配線基板の製造方法、及び半導体チップ搭載基板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明のプリント配線基板の製造方法は、複数の銅配線間に絶縁物を形成する工程と、前記絶縁物を形成した後、前記複数の銅配線上に、ニッケルめっき皮膜及び金めっき皮膜を順に形成するか又はニッケルめっき皮膜、パラジウムめっき皮膜及び金めっき皮膜を順に形成する工程とを含む。
【００１０】
ここで、ニッケルめっき皮膜を形成した後、ニッケルめっき皮膜上に金めっき皮膜を形成してもよい。また、ニッケルめっき皮膜を形成した後、ニッケルめっき皮膜上に、パラジウムめっき皮膜、金めっき皮膜を順に形成してもよい。
【００１１】
本発明のプリント配線基板の製造方法では、絶縁物が銅配線間に配置された状態でニッケルめっき皮膜及び金めっき皮膜、又はニッケルめっき皮膜、パラジウムめっき皮膜及び金めっき皮膜を形成するので、銅配線間にブリッジが発生し難く、銅配線間の絶縁性が向上したプリント配線板を製造することができる。ブリッジが発生し難い理由は、例えば以下のように考えられる。
【００１２】
複数の銅配線間に例えばＣｕ、Ｃｒ、Ｐｄ等の金属残渣が存在していると、当該金属残渣を核としてニッケルの異常析出が生じることが考えられる。これに対して本発明のプリント配線基板の製造方法では、このような金属残渣が絶縁物によって覆われるため、ニッケルの異常析出に起因するブリッジの発生を抑制できる。
【００１３】
また、ニッケルめっきを行う際に、複数の銅配線間においてめっき液の攪拌効率が悪いために例えば水素ガスが溜まることによって、ニッケルの異常析出が生じることも考えられる。これに対して本発明のプリント配線基板の製造方法では、絶縁物によって銅配線間に水素ガスが溜まり難くなっているので、ニッケルの異常析出に起因するブリッジの発生を抑制できる。
【００１４】
また、前記絶縁物を形成する工程は、前記複数の銅配線を覆う絶縁物を形成するステップと、前記複数の銅配線の一部が露出するように前記絶縁物の一部を除去するステップとを含むことが好ましい。これにより、複数の銅配線間に絶縁物を容易に形成することができる。
【００１５】
また、前記絶縁物の一部を除去する際には、ドライエッチングプロセス、ウェットエッチングプロセス及び機械研磨によるプロセスのうち少なくとも１つを用いることが好ましい。これにより、絶縁物の一部を簡便に除去することができる。
【００１６】
また、前記ドライエッチングプロセスでは、異方性エッチングを行うことが好ましい。この場合、銅配線の側面上に絶縁物が残存し易くなる。
【００１７】
また、前記ウェットエッチングプロセスでは、クロム酸、クロム酸塩、重クロム酸塩、マンガン酸塩、過マンガン酸塩、オゾン、過酸化水素／硫酸、及び硝酸のうち少なくとも１種類以上を含む溶液を用いることが好ましい。この場合、絶縁物のエッチング速度が大きくなるので、絶縁物の一部を短時間で除去することができる。
【００１８】
また、前記機械研磨によるプロセスでは、バフロール、サンドペーパー及びサンドブラストのうち少なくとも１つを用いることが好ましい。これにより、絶縁物の一部を簡便に除去することができる。
【００１９】
また、前記絶縁物が、熱硬化性の有機絶縁材料を主成分とすることが好ましい。これにより、絶縁物を簡便に形成することができる。
【００２０】
本発明の半導体チップ搭載基板の製造方法では、本発明のプリント配線基板の製造方法によって製造されたプリント配線基板の一方の面上に設けられた前記複数の銅配線が、半導体チップに接続するための半導体チップ接続端子であり、前記プリント配線基板の他方の面上に設けられた前記複数の銅配線が、外部接続端子である。
【００２１】
本発明の半導体チップ搭載基板の製造方法では、上述した本発明のプリント配線基板の製造方法を用いている。このため、得られる半導体チップ搭載基板において、銅配線間にブリッジが発生し難く、銅配線間の絶縁性が向上する。
【００２２】
本発明のプリント配線基板は、複数の銅配線と、前記複数の銅配線上に順に設けられたニッケルめっき皮膜及び金めっき皮膜、又は前記複数の銅配線上に順に設けられたニッケルめっき皮膜、パラジウムめっき皮膜及び金めっき皮膜と、前記複数の銅配線間に配置された絶縁物とを備える。
【００２３】
ここで、ニッケルめっき皮膜上に金めっき皮膜が設けられていてもよい。また、ニッケルめっき皮膜と金めっき皮膜との間にパラジウムめっき皮膜が設けられていてもよい。
【００２４】
本発明のプリント配線基板では、銅配線間にブリッジが発生し難く、銅配線間の絶縁性が向上する。
【００２５】
また、前記絶縁物が、熱硬化性の有機絶縁材料を主成分とすることが好ましい。これにより、絶縁物を簡便に形成することができる。
【００２６】
本発明の半導体チップ搭載基板は、本発明のプリント配線基板を備え、前記プリント配線基板の一方の面上に設けられた前記複数の銅配線が、半導体チップに接続するための半導体チップ接続端子であり、前記プリント配線基板の他方の面上に設けられた前記複数の銅配線が、外部接続端子である。
【００２７】
本発明の半導体チップ搭載基板は、上記プリント配線基板を備える。このため、本発明の半導体チップ搭載基板では、銅配線間にブリッジが発生し難く、銅配線間の絶縁性が向上する。
【００２８】
本発明の半導体パッケージは、本発明の半導体チップ搭載基板と、前記半導体チップ搭載基板に搭載された前記半導体チップとを備える。
【００２９】
本発明の半導体パッケージは、上記半導体チップ搭載基板を備える。このため、本発明の半導体パッケージでは、銅配線間にブリッジが発生し難く、銅配線間の絶縁性が向上する。
【００３０】
また、上記目的を達成するために、銅配線と銅配線の間に絶縁物を形成し、前記銅配線間の絶縁物の一部を除去して銅配線の一部を露出させ、その露出させた銅配線の上にニッケルめっき皮膜、金めっき皮膜の順序、あるいはニッケルめっき皮膜、パラジウムめっき皮膜、金めっき皮膜の順序でこれらを形成することを基本とし、本発明は例えば次のように構成される。
【００３１】
（１）銅配線と銅配線の間に絶縁物が形成され、前記銅配線間の絶縁物の一部が除去されて銅配線の一部が露出し、前記露出した銅配線の表面にニッケルめっき皮膜、金めっき皮膜の順序、あるいはニッケルめっき皮膜、パラジウムめっき皮膜、金めっき皮膜の順序で形成した構造からなる銅配線を有するプリント配線基板。
（２）前記銅配線間絶縁物の一部の除去が、ドライエッチングプロセス、ウェットエッチングプロセスあるいは機械研磨によるプロセスの少なくともいずれかのプロセスにより行われたことを特徴とする（１）に記載のプリント配線基板。
【００３２】
（３）前記ドライエッチングプロセスが、異方性エッチングプロセスであることを特徴とする（２）に記載のプリント配線基板。
（４）前記ウェットエッチングプロセスが、クロム酸、クロム酸塩、重クロム酸塩、マンガン酸塩、過マンガン酸塩、オゾン、過酸化水素／硫酸、硝酸の酸化剤を少なくとも１種類以上含んだ溶液により処理を行うことを特徴とする（２）に記載のプリント配線基板。
（５）前記機械研磨によるプロセスが、バフロール、サンドペーパー、サンドブラストを用いることによることを特徴とする（２）に記載のプリント配線基板。
【００３３】
（６）前記絶縁物は、熱硬化性の有機絶縁材料が主成分であることを特徴とする（１）〜（５）のいずれかに記載のプリント配線基板。
（７）（１）〜（６）のいずれかに記載のプリント配線基板であって、前記プリント配線基板の一方の表面には半導体チップ接続端子が、他方の表面には外部接続端子が形成されていることを特徴とする半導体チップ搭載基板。
（８）銅配線と銅配線の間に絶縁物を形成する工程、前記銅配線間の絶縁物の一部を除去し銅配線の一部を露出する工程、前記露出した銅配線の表面にニッケルめっき皮膜、金めっき皮膜の順序、あるいはニッケルめっき皮膜、パラジウムめっき皮膜、金めっき皮膜の順序で形成する工程からなるプリント配線基板の製造方法。
【００３４】
（９）前記銅配線間絶縁物の一部の除去工程が、ドライエッチングプロセス、ウェットエッチングプロセスあるいは機械研磨によるプロセスの少なくともいずれかのプロセスであることを特徴とする（８）に記載のプリント配線基板の製造方法。
（１０）前記ドライエッチングプロセスが、異方性エッチングプロセスであることを特徴とする（９）に記載のプリント配線基板の製造方法。
（１１）前記ウェットエッチングプロセスが、クロム酸、クロム酸塩、重クロム酸塩、マンガン酸塩、過マンガン酸塩、オゾン、過酸化水素／硫酸、硝酸の酸化剤を少なくとも１種類以上含んだ溶液により処理を行うことを特徴とする（９）に記載のプリント配線基板の製造方法。
【００３５】
（１２）前記機械研磨によるプロセスが、バフロール、サンドペーパー、サンドブラストを用いることによることを特徴とする（９）に記載のプリント配線基板の製造方法。
（１３）前記絶縁物は、熱硬化性の有機絶縁材料が主成分であることを特徴とする（８）〜（１２）のいずれかに記載のプリント配線基板の製造方法。
（１４）（８）〜（１３）のいずれかに記載のプリント配線基板であって、前記プリント配線基板の一方の表面には半導体チップ接続端子を、他方の表面には外部接続端子を形成する工程をさらに有することを特徴とする半導体チップ搭載基板の製造方法。
（１５）（７）に記載の半導体チップ搭載基板または（１４）に記載の半導体チップ搭載基板の製造方法で製造された半導体チップ搭載基板と、前記半導体チップ搭載基板に搭載された半導体チップと、前記半導体チップを封止する樹脂から構成される半導体パッケージ。
【発明の効果】
【００３６】
本発明によれば、ブリッジの発生が起こることが無く絶縁信頼性に優れた、プリント配線基板、半導体チップ搭載基板、半導体パッケージ、プリント配線基板の製造方法及び半導体チップ搭載基板の製造方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
以下、図面を用いて本発明の実施の形態を説明する。ここでは、主として半導体チップ搭載基板について説明するが、銅配線と銅配線の間に絶縁物を形成する方法、前記銅配線間の絶縁物の一部を除去し銅配線の一部を露出する方法、配線表面処理方法や層間絶縁層（ビルドアップ層）形成方法等は多層配線基板でも同様に行うことができる。なお、図面の説明において、同一又は同等の要素には同一符号を用い、重複する説明を省略する。
【００３８】
（プリント配線基板の製造方法）
以下、実施形態に係るプリント配線基板の製造方法について説明する。本実施形態に係るプリント配線基板の製造方法は、複数の銅配線間に絶縁物を形成する工程と、その絶縁物を形成した後、その複数の銅配線上に、ニッケルめっき皮膜及び金めっき皮膜を順に形成するか又はニッケルめっき皮膜、パラジウムめっき皮膜及び金めっき皮膜を順に形成する工程とを含む。絶縁物を形成する工程は、複数の銅配線を覆う絶縁物を形成するステップと、その複数の銅配線の一部が露出するように絶縁物の一部を除去するステップとを含むことが好ましい。
【００３９】
（絶縁物）
絶縁物としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、またはそれらの混合樹脂が使用できる。特に熱硬化性の有機絶縁材料を主成分とするのが好ましい。熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、アクリル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、ポリベンゾイミダゾール樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、シリコーン樹脂、シクロペンタジエンから合成した樹脂、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌラートを含む樹脂、芳香族ニトリルから合成した樹脂、３量化芳香族ジシアナミド樹脂、トリアリルトリメタリレートを含む樹脂、フラン樹脂、ケトン樹脂、キシレン樹脂、縮合多環芳香族を含む熱硬化性樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂等を用いることができる。熱可塑性樹脂としては、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、アラミド樹脂、液晶ポリマ等が挙げられる。
【００４０】
複数の銅配線を覆う絶縁物を形成するステップは、例えば以下のように実施される。
【００４１】
（絶縁物塗布および硬化方法）
絶縁物の塗布は、ロールコーター、スリットダイコーター、ディップコーター、スピンコーター、スクリーン印刷等の塗布装置を用いた基板上への塗布、スプレー噴霧による基板上への塗布が可能であり、これらの方法に限定されるものではない。熱硬化性樹脂を使用する場合は、絶縁物を塗布した後、硬化するのが通常の方法であるが、真空状態に置いた後もしくは真空状態において硬化することがより好ましい。
【００４２】
絶縁物の形成は、塗布→乾燥の工程を数回繰り返すことも可能である。絶縁物を塗布した後に半硬化し、ラミネート法等によりキャリアフィルムまたは銅箔を貼り合わせ、プレスにより硬化することも可能である。キャリアフィルムまたは銅箔の貼り合わせは、真空ロールラミネート法であることが好ましく、さらに、真空プレスで硬化することがより好ましい。
【００４３】
また、未硬化または半硬化の絶縁物をキャリアフィルムまたは銅箔の片面に塗布したものを、ラミネート法等により基板に貼り合わせ、絶縁物を基板へ接着することが可能である。キャリアフィルムとしては、耐熱性の点からポリイミドフィルムが好ましく、特に、表面に銅が蒸着もしくはスパッタにより形成されているポリイミドフィルムが好ましい。また、銅箔については、シャイニー面側と絶縁物とを接触させることが好ましく、また、防錆金属の無いものがより好ましい。
【００４４】
絶縁物の一部を除去するステップは、例えば以下のように実施される。
【００４５】
（絶縁物除去プロセス）
銅配線間の絶縁物の一部を除去する方法として、ドライエッチングプロセス、ウェットエッチングプロセスあるいは機械研磨によるプロセスの少なくともいずれかのプロセスにより除去することが可能で、これらのプロセスは適宜組み合わせて行うことがより好ましい。絶縁物の一部を除去する際には、ドライエッチングプロセス、ウェットエッチングプロセス及び機械研磨によるプロセスのうち少なくとも１つを用いることが好ましい。
【００４６】
（ドライエッチングプロセス）
銅配線間の絶縁物の一部を除去するためのドライプロセスとしては、プラズマエッチング法、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法、反応性イオンビームエッチング（ＲＩＢＥ）法、大気圧プラズマエッチング法であればよい。特に好ましくは、異方性エッチング法である。すなわち、ドライエッチングプロセスでは、異方性エッチングを行うことが好ましい。プラズマエッチング法に用いる装置としては、バレル型、平行平板型、ダウンフロー型装置などがあり、特に限定はしない。反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法に用いる装置としては、平行平板型、マグネトロン型、２周波型、ＥＣＲ型、へリコン型、ＩＣＰ型装置などがあり、特に限定はしない。反応性イオンビームエッチング（ＲＩＢＥ）法に用いる装置としては、ＥＣＲ型、カウフマン型、ＩＣＰ型装置などがあり、特に限定はしない。いずれもエッチングガスを適宜選択することが可能で、無機ガス、有機化合物蒸気あるいはこれらの混合物のいずれでも用いることができる。
【００４７】
無機ガスとしては、たとえば、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｎ２、ＮＯ、Ｎ２Ｏ、ＣＯ、ＣＯ２、ＮＨ３、ＳＯ２、Ｃｌ２、フレオンガス（ＣＦ４、ＣＨ２Ｆ２、Ｃ４Ｆ６、Ｃ５Ｆ８、ＣＨＦ３、ＣＨ３など）、あるいはこれらの混合ガス、およびこれらのガスへＯ２あるいはＯ３を混入した混合ガス等が挙げられる。なかでもＡｒは安定した樹脂表面を得ることができるので、より好ましいガスである。また、有機化合物蒸気は特に限定されるものではないが、例えば、有機珪素化合物、アクリル酸等の不飽和化合物、有機窒素化合物、有機フッ素化合物、一般有機溶媒などが挙げられる。Ａｒガス中に、適当な蒸気圧になるように適量の有機化合物蒸気を混合することも好ましく用いられる。
【００４８】
（ウェットエッチングプロセス）
銅配線間の絶縁物の一部を除去するためのウェットエッチングプロセスとしては、アルカリ性の溶液あるいは酸化剤を含有する溶液さらにはそれらを組み合わせた溶液により処理する方法があげられ、絶縁物を１μｍ以上エッチングする溶液による処理であればよい。特に、クロム酸、クロム酸塩、重クロム酸塩、マンガン酸塩、過マンガン酸塩、オゾン、過酸化水素／硫酸、硝酸等の酸化剤を少なくとも一種類以上含んだ溶液がより好ましい。すなわち、ウェットエッチングでは、クロム酸、クロム酸塩、重クロム酸塩、マンガン酸塩、過マンガン酸塩、オゾン、過酸化水素／硫酸（過酸化水素と硫酸とを含む溶液）、及び硝酸のうち少なくとも１種類以上を含む溶液を用いることが好ましい。アルカリ性の溶液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム等のアルカリ金属やアルカリ土類金属の水酸化物、エチレンジアミン、メチルアミン、２−アミノエタノール等のアミノ基を含有した化合物を少なくとも一種以上含んだ溶液を用いることが可能で、さらに錯化剤を含んだ溶液であることが好ましい。
【００４９】
（機械研磨によるプロセス）
機械研磨によるプロセスとして、バフロール、サンドペーパー、サンドブラスト等を用いるプロセスが可能で、機械的な研磨であればよく特に限定はしなくてもよい。機械研磨によるプロセスでは、バフロール、サンドペーパー及びサンドブラストのうち少なくとも１つを用いることが好ましい。機械研磨を行った後の銅配線の表面粗さが、Ｒａで１．５μｍ未満であることが好ましく、さらに１．０μｍ未満であることが好ましく、またさらに０．４μｍ未満であることがより好ましい。機械研磨を行い、銅配線の上部が露出した後に、化学研磨を行うことがより好ましい。この化学研磨液としては、硝酸−硫酸−塩酸系研磨液、硝酸−硫酸−塩酸−クロム酸系研磨液、硝酸系研磨液、リン酸系研磨液、クロム酸系研磨液、硫酸系研磨液、過酸化水素酸系研磨液、硫酸・過酸化水素系研磨液、塩化銅系研磨液、塩化鉄系研磨液、過硫酸アンモニア系研磨液、アンモニア・アルカリ系研磨液などを使用することができる。
【００５０】
（ニッケルめっき皮膜）
ニッケルめっき皮膜とは、Ｎｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｐ−Ｃｕ、Ｎｉ−Ｂ、Ｎｉ−Ｐ−Ｂ−Ｗなどのニッケル合金や純Ｎｉであり、ニッケルを含んでいればよく、合金の種類は特に限定しない。また、ニッケルまたはニッケルを含んだ合金の皮膜は電気めっきにより形成してもよく、無電解めっきで形成することがより好ましい。ニッケルめっき皮膜の厚みは、０．５μｍ〜１０μｍまでであることが好ましい。０．５μｍ未満であると、加熱処理後のワイヤボンディングの成功率が低下する傾向がある。また、上限は、Ｌ／Ｓによって決定されるが、１０μｍまでとするのが好ましい。
【００５１】
（パラジウムめっき皮膜）
パラジウムめっき皮膜は、置換パラジウムめっきまたは無電解パラジウムめっきあるいはそれらを組み合わせて形成したものでよい。また、パラジウム皮膜は電気めっきにより形成してもよい。パラジウムめっき皮膜の厚さは、０．０５μｍ〜２μｍであることが好ましい。０．０５μｍ未満であると、加熱処理後のワイヤボンディングの成功率が低下する傾向がある。また、上限は、ほとんど経済的な理由によってのみ制限され、通常は２μｍまでとするのが好ましい。
【００５２】
（金めっき皮膜）
金めっき皮膜は、置換金めっきまたは置換金めっきを行った後に無電解金めっきを行い形成したものでよい。また、金めっき皮膜は、電気めっきにより形成してもよい。金めっき皮膜の厚さは、０．０４μｍ〜２μｍであることが好ましい。０．０４μｍ未満であると、加熱処理後のワイヤボンディングの成功率が低下する傾向がある。また、上限は、ほとんど経済的な理由によってのみ制限され、通常は２μｍまでとするのが好ましい。
【００５３】
（プリント配線基板）
（銅配線と銅配線の間に絶縁物が形成され、前記銅配線間の絶縁物の一部を除去して形成
した絶縁物の構造）
銅配線と銅配線の間に絶縁物が形成され、前記銅配線間の絶縁物の一部を除去して形成した絶縁物の構造は、特に問わないが、図１（ｂ）、図２（ｂ）、図３（ｂ）、図４（ｃ）に示した様な構造であることが好ましい。
【００５４】
実施形態に係るプリント配線基板は、図１（ｃ）、図２（ｃ）、図３（ｃ）、図４（ｄ）に示されるように、複数の銅配線１と、複数の銅配線１上に順に設けられたニッケルめっき皮膜４、パラジウムめっき皮膜５及び金めっき皮膜６と、複数の銅配線１間に配置された絶縁物３とを備える。銅配線１はコア基板２上に設けられている。また、ニッケルめっき皮膜４上にはパラジウムめっき皮膜５が設けられていることが好ましく、パラジウムめっき皮膜５上には金めっき皮膜６が設けられていることが好ましい。このようなプリント配線基板では、銅配線１間にブリッジが発生し難く、銅配線１間の絶縁性が向上する。
【００５５】
以下、図１〜図４を参照しながら、実施形態に係るプリント配線基板の製造方法について詳細に説明する。
【００５６】
（銅配線間の絶縁物の一部を除去する方法）
図１を用いて、銅配線と銅配線の間に絶縁物を形成し、銅配線間の絶縁物の一部を除去して銅配線の一部を露出させる第１の方法を説明する。
熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、またはそれらの混合樹脂のワニスを、ロールコーター、スリットダイコーター、ディップコーター、スピンコーター、スクリーン印刷等の塗布装置もしくはスプレー噴霧により銅配線上に塗布し、硬化し、図１（ａ）に示したような断面形状の絶縁物を形成する。これにより、複数の銅配線を覆う絶縁物を形成する。この際、銅配線上部の絶縁物の皮膜の厚みが銅配線間の樹脂上の絶縁物の厚みよりも十分に薄くなるように絶縁物の粘度、塗布回数を適宜選択することが好ましい。次に、異方性エッチング法により、図１（ｂ）に示したように銅配線間の絶縁物の一部を除去して銅配線の一部を露出させる。これにより、複数の銅配線の一部が露出するように絶縁物の一部を除去する。
【００５７】
図２を用いて、銅配線と銅配線の間に絶縁物を形成し、銅配線間の絶縁物の一部を除去して銅配線の一部を露出させる第２の方法を説明する。
硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、またはそれらの混合樹脂のワニスを、ロールコーター、スリットダイコーター、ディップコーター、スピンコーター、スクリーン印刷等の塗布装置もしくはスプレー噴霧により銅配線上に塗布し、半硬化する。次に、ロールラミネート法によりキャリアフィルムまたは銅箔を貼り合わせ、プレスにより硬化し、図２（ａ）に示したような銅配線上部の絶縁物の皮膜の厚みが銅配線間の樹脂上の絶縁物よりも十分に薄い断面形状の絶縁物を形成する。これにより、複数の銅配線を覆う絶縁物を形成する。
【００５８】
キャリアフィルムの張り合わせは、真空ロールラミネート法であることが好ましく、さらに、真空プレスにより硬化することがより好ましい。キャリアフィルムとしては、耐熱性の点からポリイミドフィルムが好ましく、特に、表面に銅が蒸着もしくはスパッタにより形成されているポリイミドフィルムが好ましい。また、銅箔については、シャイニー面側と絶縁物とを接触させることが好ましく、また、防錆金属の無いものがより好ましい。次に、ドライエッチングプロセス、ウェットエッチングプロセスまたはそれらを組み合わせたプロセスにより、図２（ｂ）に示したように銅配線間の絶縁物の一部を除去して銅配線の一部を露出させる。これにより、複数の銅配線の一部が露出するように絶縁物の一部を除去する。
【００５９】
図３を用いて、銅配線と銅配線の間に絶縁物を形成し、銅配線間の絶縁物の一部を除去して銅配線の一部を露出させる第３の方法を説明する。
硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、またはそれらの混合樹脂のワニスを、ロールコーター、スリットダイコーター、ディップコーター、スピンコーター、スクリーン印刷等の塗布装置もしくはスプレー噴霧により銅配線上に塗布するか、未硬化または半硬化の絶縁物をキャリアフィルムまたは銅箔の片面に塗布したものを、ロールラミネート法により基板に貼り合わせ、絶縁物を基板へ接着することによって、図３（ａ）に示したような断面形状の絶縁物を形成する。これにより、複数の銅配線を覆う絶縁物を形成する。次に、バフロール、サンドペーパー、サンドブラスト等の機械的な研磨によるプロセスによって、絶縁物を研磨し、最終的に銅配線の上部と銅配線間の樹脂の一部を研磨し、図３（ｂ）に示したように銅配線の一部を露出させる。これにより、複数の銅配線の一部が露出するように絶縁物の一部を除去する。
【００６０】
図４を用いて、銅配線と銅配線の間に絶縁物を形成し、銅配線間の絶縁物の一部を除去して銅配線の一部を露出させる第４の方法を説明する。
硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、またはそれらの混合樹脂のワニスを、ロールコーター、スリットダイコーター、ディップコーター、スピンコーター、スクリーン印刷等の塗布装置もしくはスプレー噴霧により銅配線上に塗布するか、未硬化または半硬化の絶縁物をキャリアフィルムまたは銅箔の片面に塗布したものを、ロールラミネート法により基板に貼り合わせ、絶縁物を基板へ接着することによって、図４（ａ）に示したような断面形状の絶縁物を形成する。これにより、複数の銅配線を覆う絶縁物を形成する。
【００６１】
次に、バフロール、サンドペーパー、サンドブラスト等の機械的な研磨によるプロセスによって、絶縁物を研磨し、銅配線の上部に１μｍ〜３０μｍの膜厚、好ましくは１μｍ〜２０μｍの膜厚、より好ましくは１μｍ〜１０μｍの膜厚を形成することによって、最終的に図４（ｂ）に示したような断面形状となるように絶縁物を研磨する。次に、ドライエッチングプロセス、ウェットエッチングプロセスまたはそれらを組み合わせたプロセスにより、図４（ｃ）に示したように、銅配線間の絶縁物の一部を除去して銅配線の一部を露出させる。これにより、複数の銅配線の一部が露出するように絶縁物の一部を除去する。
【００６２】
（銅配線間の絶縁物の一部が除去されて露出した銅配線表面に形成するめっき皮膜）
銅配線間の絶縁物の一部が除去されて露出した銅配線表面に形成するめっき皮膜としては、ニッケルめっき皮膜、金めっき皮膜の順序、あるいはニッケルめっき皮膜、パラジウムめっき皮膜、金めっき皮膜の順序で形成することが可能で、形状は特に問わないが、図１（ｃ）、図２（ｃ）、図３（ｃ）、図４（ｄ）に示した様な形状であることが好ましい。これにより、複数の銅配線上にニッケルめっき皮膜等を形成する。
【００６３】
（絶縁物形成前の銅配線表面の前処理）
絶縁物形成前の銅配線表面の処理として、銅配線表面の凹凸形成処理、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉの形成処理、カップリング剤処理、光触媒粒子付与処理、密着性改良剤処理、腐食抑制剤処理等の処理を行うことが可能である。
【００６４】
（銅配線表面の凹凸形成法）
銅配線表面の凹凸の形成方法としては、酸性溶液を用いる方法、アルカリ性溶液を用いる方法、酸化剤または還元剤を有する処理液を用いる方法がある。
【００６５】
（酸性溶液）
酸性溶液としては、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、蟻酸、塩化第二銅、硫酸第二鉄などの鉄化合物、アルカリ金属塩化物、過硫酸アンモニウムなどから選ばれる化合物、またはこれらを組み合わせた水溶液、または、クロム酸、クロム酸−硫酸、クロム酸−フッ酸、重クロム酸、重クロム酸−ホウフッ酸などの酸性の６価クロムを含む水溶液で処理してもよい。これらの処理液の濃度および処理時間については、表面粗さがＲａで０．０１μｍ〜０．４μｍとなるように適宜条件を選択して用いることが好ましい。
【００６６】
（アルカリ性溶液）
アルカリ性溶液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、等のアルカリ金属やアルカリ土類金属の水酸化物溶液が使用でき、また、これらの溶液は、有機酸、キレート剤等を加えて用いることも可能である。これらの処理液の濃度および処理時間については、表面粗さがＲａで０．０１μｍ〜０．４μｍとなるように適宜条件を選択して用いることが好ましい。
【００６７】
（酸化剤または還元剤を有する処理液）
酸化剤を含む水溶液に銅配線を浸漬し、銅表面に酸化銅皮膜を形成し、次いで、還元処理により酸化銅皮膜を還元し、銅配線表面に微細な凹凸形状を形成しても良い。その場合、前記酸性もしくはアルカリ性溶液を用いて処理を行った後に、組み合わせて処理を行うことが可能であり、表面粗さがＲａで０．０１μｍ〜０．４μｍとなるように処理をすればよい。前記酸化剤を含む水溶液としては、亜塩素酸ナトリウムなどの酸化剤が使用でき、更にＯＨ陰イオン源およびリン酸三ナトリウムなどの緩衝剤を含むものが好ましい。
【００６８】
また、還元処理を行う水溶液としては、ｐＨ９．０から１３．５に調整したアルカリ性溶液中にホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、芳香族アルデヒド化合物を添加した水溶液、または次亜リン酸および次亜リン酸塩などを含んだ水溶液が使用できる。
また、これらの処理の前処理として、溶剤、酸性水溶液またはアルカリ性水溶液を用いて配線表面の清浄化を行う脱脂処理を行うことが好ましい。脱脂処理は、アルカリ性および酸性の水溶液を用いればよく、特に限定はしないが、前記の酸性水溶液またはアルカリ性水溶液であることが好ましい。さらに１〜５Ｎの硫酸水溶液で配線表面を洗浄することが好ましい。脱脂処理及び硫酸洗浄は適宜組み合わせて行っても良い。
【００６９】
（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉの形成）
Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を有する化合物としては、シリカガラス、ラダー構造を含む化合物
などが好ましい。
【００７０】
（シリカガラス）
シリカガラス（ＳｉＯ２）は、厚さが０．００２μｍ〜５μｍ、好ましくは０．００５μｍ〜１μｍ、またさらに０．０１μｍ〜０．２μｍであることがより好ましい。シリカガラスの厚みが５．０μｍ以上では、バイアホール形成工程のレーザー等によるビア加工が困難となる傾向にあり、０．００２μｍより薄くなると、シリカガラス層の形成が困難になる傾向にある。
【００７１】
（ラダー構造を含む化合物）
ラダー構造を含む化合物は、一般式（１）で表されるラダー構造を含む化合物であって、式中、Ｒはそれぞれが単独に、水素原子、反応性基、親水性基、疎水性基から選ばれるものでよい。反応性基としては、アミノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、エポキシ基、メルカプト基、チオール基、オキサゾリン基、環状エステル基、環状エーテル基、イソシアネ−ト基、酸無水物基、エステル基、アミノ基、ホルミル基、カルボニル基、ビニル基、ヒドロキシ置換シリル基、アルコキシ置換シリル基、ハロゲン置換シリル基等があげられる。
【００７２】
親水性基としては、多糖基、ポリエーテル基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、硫酸基、スルホン酸基、リン酸基、ホスホニウム塩基、複素環基、アミノ基、これらの塩およびエステル等があげられる。疎水性基としては、炭素数が１〜６０の脂肪族炭化水素基、炭素数が６〜６０の芳香族炭化水素基、複素環基およびポリシロキサン残渣から選択された化合物等があげられる。これらの中で、反応性基であることが最も好ましい。
【００７３】
【化１】
2006344920.tif 000003
（式中、Ｒはそれぞれが単独に、水素原子、反応性基、親水性基または疎水性基から選択されたもの）
【００７４】
（カップリング剤）
銅配線表面の処理として、カップリング剤を含む溶液を用いて処理を行うことが可能である。更に、前記のＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を有する化合物を銅配線表面に形成した後、カップリング剤を含む溶液を用いて処理を行うことが可能である。前記カップリング剤の含有量は、溶液全体に対して、０．０１重量％〜５重量％が好ましく、０．１重量％〜１．０重量％がさらに好ましい。カップリング剤を用いることによって、銅配線と絶縁物との密着強度が向上できる。
【００７５】
使用するカップリング剤はシラン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、チタン系カップリング剤、ジルコニウム系カップリング剤が挙げられ、中でもシラン系カップリング剤が好ましく、例えば、シラン系カップリング剤は、エポキシ基、アミノ基、メルカプト基、イミダゾール基、ビニル基、またはメタクリル基等の官能基を分子中に有し、これらのシラン系カップリング剤の少なくとも１種もしくは２種以上の混合物を含有する溶液を使用することができる。シラン系カップリング剤溶液の調整に使用される溶媒は、水或いはアルコール、ケトン類等を用いることが可能である。また、カップリング剤の加水分解を促進するために、少量の酢酸や塩酸等の酸を添加することもできる。
【００７６】
前記カップリング剤の含有量は、溶液全体に対して、０．０１重量％〜５重量％が好ましく、０．１重量％〜１．０重量％がさらに好ましい。カップリング剤による処理は、前記のように調整したカップリング剤溶液に浸漬、スプレー噴霧、塗布等の方法により処理を行うことができる。前記のシラン系カップリング剤で処理した基板は、自然乾燥、加熱乾燥、または真空乾燥により乾燥を行うが、使用するカップリング剤の種類によって、乾燥前に水洗または超音波洗浄を行うことも可能である。
【００７７】
（光触媒粒子）
前記記載のＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を有する化合物が形成された後、ＴｉＯ２、ＺｎＯ、ＳｒＴｉＯ３、ＣｄＳ、ＧａＰ、ＩｎＰ、ＧａＡｓ、ＢａＴｉＯ３、ＢａＴｉ４Ｏ９、Ｋ２ＮｂＯ３、Ｎｂ２Ｏ５、Ｆｅ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｋ３Ｔａ３Ｓｉ２Ｏ３、ＷＯ３、ＳｎＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、ＢｉＶＯ４、ＮｉＯ、Ｃｕ２Ｏ、ＳｉＣ、ＭｏＳ２、ＩｎＰｂ、ＲｕＯ２、ＣｅＯ２等、さらにはＴｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖから選ばれた少なくとも一種類の元素を有する層状酸化物である光触媒粒子を塗布することも可能である。これらの触媒の中で、無害であり、なおかつ化学的安定性にも優れるＴｉＯ２が最も好ましい。ＴｉＯ２としては、アナタ−ゼ、ルチル、ブルッカイトのいずれも使用することが可能である。
【００７８】
一般式（１）で表されるラダー構造を含む化合物においては、前記の光触媒粒子を混合して塗布することも可能である。また、前記の光触媒粒子を前記シランカップリング剤による処理の前、後、若しくは前後、さらにはシランカップリング剤中に混合して用いることも可能である。光触媒粒子を塗布し、乾燥した後、必要に応じて熱処理、さらには光照射することが可能である。光照射の種類としては、紫外光、可視光、赤外光が使用できるが、紫外光を用いるのが最も好ましい。
【００７９】
（密着性改良剤）
密着性改良剤としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、またはそれらの混合樹脂が使用できるが、熱硬化性の有機絶縁材料が主成分であることが好ましい。密着性改良剤としては、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、アクリル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、ポリベンゾイミダゾール樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、シリコーン樹脂、シクロペンタジエンから合成した樹脂、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌラートを含む樹脂、芳香族ニトリルから合成した樹脂、３量化芳香族ジシアナミド樹脂、トリアリルトリメタリレートを含む樹脂、フラン樹脂、ケトン樹脂、キシレン樹脂、縮合多環芳香族を含む熱硬化性樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、フッ素樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、アラミド樹脂、液晶ポリマ等が使用できる。
【００８０】
（腐食抑制剤）
銅配線表面の少なくとも一部に、腐食抑制剤を塗布することが可能であり、前記腐食抑制剤は、Ｓ含有有機化合物またはＮ含有有機化合物を少なくとも１種以上含んでいるものであればよい。ここでいう腐食抑制剤を具体的にあげると、メルカプト基、スルフィド基、又はジスルフィド基のようなイオウ原子を含有する化合物もしくは、分子内に−Ｎ＝またはＮ＝Ｎまたは−ＮＨ２を含むＮ含有有機化合物を少なくとも１種以上含む化合物であり、前記記載の酸性溶液またはアルカリ性溶液またはカップリング剤溶液に加えて用いることも可能であり、カップリング剤を含む溶液による処理の前または後に、前記腐食抑制剤を含む溶液を用いて処理を行うことが可能である。
【００８１】
（メルカプト基、スルフィド基、又はジスルフィド基のようなイオウ原子を含有する化合
物）
メルカプト基、スルフィド基、又はジスルフィド基のようなイオウ原子を含有する化合物としては、脂肪族チオール（ＨＳ−（ＣＨ２）ｎ−Ｒ（但し、式中、ｎは１から２３までの整数、Ｒは一価の有機基、水素基またはハロゲン原子を表す）で表される構造を有し、Ｒはアミノ基、アミド基、カルボキシル基、カルボニル基、ヒドロキシル基のいずれかであることが好ましいが、これに限定したものではなく、炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、アシルオキシ基、ハロアルキル基、ハロゲン原子、水素基、チオアルキル基、チオール基、置換されていても良いフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、複素環などが挙げられる。
【００８２】
また、Ｒ中のアミノ基、アミド基、カルボキシル基、ヒドロキシル基は、１個あればよく、好ましくは１個以上、他に上記のアルキル基等の置換基を有していても良い。式中、ｎが１から２３までの整数で示される化合物を用いることが好ましく、さらに、ｎが４から１５までの整数で示される化合物がより好ましく、またさらにｎが６から１２までの整数で示される化合物であることが特に好ましい。これらの化合物としては、チアゾール誘導体（チアゾール、２−アミノチアゾール、２−アミノチアゾール−４−カルボン酸、アミノチオフェン、ベンゾチアゾール、２−メルカプトベンゾチアゾール、２−アミノベンゾチアゾール、２−アミノ−４−メチルベンゾチアゾール、２−ベンゾチアゾロール、２，３−ジヒドロイミダゾ〔２，１−ｂ〕ベンゾチアゾール−６−アミン、２−（２−アミノチアゾール−４−イル）−２−ヒドロキシイミノ酢酸エチル、２−メチルベンゾチアゾール、２−フェニルベンゾチアゾール、２−アミノ−４−メチルチアゾール等）、チアジアゾール誘導体（１，２，３−チアジアゾール、１，２，４−チアジアゾール、１，２，５−チアジアゾール、１，３，４−チアジアゾール、２−アミノ−５−エチル−１，３，４−チアジアゾール、５−アミノ−１，３，４−チアジアゾール−２−チオール、２，５−メカプト−１，３，４−チアジアゾール、３−メチルメルカプト−５−メルカプト−１，２，４−チアジアゾール、２−アミノ−１，３，４−チアジアゾール、２−（エチルアミノ）−１，３，４−チアジアゾール、２−アミノ−５−エチルチオ−１，３，４−チアジアゾール等）、メルカプト安息香酸、メルカプトナフトール、メルカプトフェノール、４−メルカプトビフェニル、メルカプト酢酸、メルカプトコハク酸、３−メルカプトプロピオン酸、チオウラシル、３−チオウラゾール、２−チオウラミル、４−チオウラミル、２−メルカプトキノリン、チオギ酸、１−チオクマリン、チオクモチアゾン、チオクレゾール、チオサリチル酸、チオチアヌル酸、チオナフトール、チオトレン、チオナフテン、チオナフテンカルボン酸、チオナフテンキノン、チオバルビツル酸、チオヒドロキノン、チオフェノール、チオフェン、チオフタリド、チオフテン、チオールチオン炭酸、チオルチドン、チオールヒスチジン、３−カルボキシプロピルジスルフィド、２−ヒドロキシエチルジスルフィド、２−アミノプロピオン酸、ジチオジグリコール酸、Ｄ−システイン、ジ−ｔ−ブチルジスルフィド、チオシアン、チオシアン酸等があげられる。
【００８３】
（分子内に−Ｎ＝またはＮ＝Ｎまたは−ＮＨ２を含むＮ含有有機化合物を少なくとも１種
以上含む化合物）
分子内に−Ｎ＝またはＮ＝Ｎまたは−ＮＨ２を含むＮ含有有機化合物を少なくとも１種以上含む化合物として好ましい化合物は、トリアゾール誘導体（１Ｈ−１，２，３−トリアゾール、２Ｈ−１，２，３−トリアゾール、１Ｈ−１，２，４−トリアゾール、４Ｈ−１，２，４−トリアゾール、ベンゾトリアゾール、１−アミノベンゾトリアゾール、３−アミノ−５−メルカプト−１，２，４−トリアゾール、３−アミノ−１Ｈ−１，２，４−トリアゾール、３，５−ジアミノ−１，２，４−トリアゾール、３−オキシ−１，２，４−トリアゾール、アミノウラゾール等）、テトラゾール誘導体（テトラゾリル、テトラゾリルヒドラジン、１Ｈ−１，２，３，４−テトラゾール、２Ｈ−１，２，３，４−テトラゾール、５−アミノ−１Ｈ−テトラゾール、１−エチル−１，４−ジヒドロキシ５Ｈ−テトラゾール−５−オン、５−メルカプト−１−メチルテトラゾール、テトラゾールメルカプタン等）、オキサゾール誘導体（オキサゾール、オキサゾリル、オキサゾリン、ベンゾオキサゾール、３−アミノ−５−メチルイソオキサゾール、２−メルカプトベンゾオキサゾール、２−アミノオキサゾリン、２−アミノベンゾオキサゾール等）、オキサジアゾール誘導体（１，２，３−オキサジアゾール、１，２，４−オキサジアゾール、１，２，５−オキサジアゾール、１，３，４−オキサジアゾール、１，２，４−オキサジアゾロン−５、１，３，４−オキサジアゾロン−５等）、オキサトリアゾール誘導体（１，２，３，４−オキサトリアゾール、１，２，３，５−オキサトリアゾール等）、プリン誘導体（プリン、２−アミノ−６−ヒドロキシ−８−メルカプトプリン、２−アミノ−６−メチルメルカプトプリン、２−メルカプトアデニン、メルカプトヒポキサンチン、メルカプトプリン、尿酸、グアニン、アデニン、キサンチン、テオフィリン、テオブロミン、カフェイン等）、イミダゾール誘導体（イミダゾール、ベンゾイミダゾール、２−メルカプトベンゾイミダゾール、４−アミノ−５−イミダゾールカルボン酸アミド、ヒスチジン等）、インダゾール誘導体（インダゾール、３−インダゾロン、インダゾロール等）、ピリジン誘導体（２−メルカプトピリジン、アミノピリジン等）、ピリミジン誘導体（２−メルカプトピリミジン、２−アミノピリミジン、４−アミノピリミジン、２−アミノ−４，６−ジヒドロキシピリミジン、４−アミノ−６−ヒドロキシ−２−メルカプトピリミジン、２−アミノ−４−ヒドロキシ−６−メチルピリミジン、４−アミノ−６−ヒドロキシ−２−メチルピリミジン、４−アミノ−６−ヒドロキシピラゾロ〔３，４−ｄ〕ピリミジン、４−アミノ−６−メルカプトピラゾロ〔３，４−ｄ〕ピリミジン、２−ヒドロキシピリミジン、４−メルカプト−１Ｈ−ピラゾロ〔３，４−ｄ〕ピリミジン、４−アミノ−２，６−ジヒドロキシピリミジン、２，４−ジアミノ−６−ヒドロキシピリミジン、２，４，６−トリアミノピリミジン等）、チオ尿素誘導体（チオ尿素、エチレンチオ尿素、２−チオバルビツール酸等）、アミノ酸（グリシン、アラニン、トリプトファン、プロリン、オキシプロリン等）、１，３，４−チオオキサジアゾロン−５、チオクマゾン、２−チオクマリン、チオサッカリン、チオヒダントイン、チオピリン、γ−チオピリン、グアナジン、グアナゾール、グアナミン、オキサジン、オキサジアジン、メラミン、２，４，６−トリアミノフェノール、トリアミノベンゼン、アミノインドール、アミノキノリン、アミノチオフェノール、アミノピラゾール等があげられる。
【００８４】
（腐食抑制剤の溶液）
腐食抑制剤を含む溶液の調整には、水および有機溶媒を使用することができる。有機溶媒の種類は、特に限定はしないが、メタノール、エタノール、ｎ−プロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコールなどのアルコール類、ジ−ｎ−プロピルエーテル、ジ−ｎ−ブチルエーテル、ジアリルエーテルなどのエーテル類、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ノナンなどの脂肪族炭化水素、ベンゼン、トルエン、フェノールなどの芳香族炭化水素などを用いることができ、これらの溶媒を１種類ないし２種類以上組み合わせて用いることもできる。
【００８５】
（腐食抑制剤溶液の濃度および処理時間）
腐食抑制剤溶液の濃度は、０．１〜５０００ｐｐｍの濃度が好ましい。さらに、０．５〜３０００ｐｐｍがより好ましく、またさらに１〜１０００ｐｐｍであることが特に好ましい。腐食抑制剤の濃度が０．１ｐｐｍ未満では、マイグレーション抑制効果が十分でなく、また銅配線と絶縁物との十分な密着強度を得ることもできない傾向にある。腐食抑制剤の濃度が５０００ｐｐｍを超えると、マイグレーション抑制効果は得られるが、銅配線と絶縁物との十分な密着強度を得ることができない傾向にある。銅配線表面を、腐食抑制剤を含んだ溶液により処理する時間については特に限定はせず、腐食抑制剤の種類および濃度に応じて適宜変化させることが好ましい。
【００８６】
（半導体チップ搭載基板）
図５に、本発明の半導体チップ搭載基板の一実施例（片面ビルドアップ層２層）の断面模式図を示した。ここでは、ビルドアップ層を片面にのみ形成した実施形態で説明するが、必要に応じて図１２に示すようにビルドアップ層は両面に形成しても良い。
【００８７】
図５に示される半導体チップ搭載基板では、半導体チップが搭載される側の絶縁層であるコア基板１００上に、半導体チップ接続端子及び第１の層間接続端子１０１を含む第１の配線１０６ａが形成される。コア基板１００の他方の側には、第２の層間接続端子１０３を含む第２の配線１０６ｂが形成され、第１の層間接続端子１０１と第２の層間接続端子１０３は、コア基板１００の第１の層間接続用ＩＶＨ（インタースティシャルバイアホール）１０２を介して電気的に接続される。コア基板１００の第２の配線１０６ｂ側には、ビルドアップ層１０４が形成され、ビルドアップ層１０４上には第３の層間接続端子を含む第３の配線１０６ｃが形成され、第２の層間接続端子１０３と第３の層間接続端子は、第２の層間接続用ＩＶＨ１０８を介して電気的に接続される。配線１０６ａの間に絶縁物を形成して、銅配線間の絶縁物の一部を除去して銅配線の一部を露出し、最終的に絶縁物１１０が形成される。
【００８８】
図５に示される半導体チップ搭載基板は、実施形態に係るプリント配線基板を備える。そのプリント配線基板の一方の面上に設けられた複数の銅配線は、半導体チップに接続するための半導体チップ接続端子である。第１の配線１０６ａは、銅配線及び半導体チップ接続端子を含む。プリント配線基板の他方の面上に設けられた複数の銅配線は、外部接続端子１０７である。この半導体チップ搭載基板では、配線１０６ａ間にブリッジが発生し難く、配線１０６ａ間の絶縁性が向上する。
【００８９】
ビルドアップ層１０４が複数形成される場合は、同様の構造を積層し、最外層のビルドアップ層１０４上には、マザーボードと接続される外部接続端子１０７が形成される。外部接続端子１０７は、第３の層間接続用ＩＶＨ１０５によって第３の配線１０６ｃに電気的に接続される。配線の形状や各々の接続端子の配置等は特に制限されず、搭載する半導体チップや目的とする半導体パッケージを製造するために、適宜設計可能である。また、半導体チップ接続端子と第１の層間接続端子１０１等を共用することも可能である。更に、最外層には、必要に応じてソルダレジスト等の絶縁被覆１０９を設けることもできる。
【００９０】
（コア基板）
コア基板１００の材質は特に問わないが、有機基材、セラミック基材、シリコン基材、ガラス基材などが使用できる。熱膨張係数や絶縁性を考慮すると、セラミックや、ガラスを用いることが好ましい。ガラスのうち非感光性ガラスとしては、ソーダ石灰ガラス（成分例：ＳｉＯ２  ６５〜７５ｗｔ％、Ａｌ２Ｏ３  ０．５〜４ｗｔ％、ＣａＯ  ５〜１５ｗｔ％、ＭｇＯ  ０．５〜４ｗｔ％、Ｎａ２Ｏ  １０〜２０ｗｔ％）、ホウ珪酸ガラス（成分例：ＳｉＯ２  ６５〜８０ｗｔ％、Ｂ２Ｏ３  ５〜２５ｗｔ％、Ａｌ２Ｏ３  １〜５ｗｔ％、ＣａＯ  ５〜８ｗｔ％、ＭｇＯ  ０．５〜２ｗｔ％、Ｎａ２Ｏ  ６〜１４ｗｔ％、Ｋ２Ｏ  １〜６ｗｔ％）等が挙げられる。また、感光性ガラスとしては、Ｌｉ２Ｏ−ＳｉＯ２系結晶化ガラスに感光剤として金イオン及び銀イオンを含むものが挙げられる。
【００９１】
有機基板としては、ガラス布に樹脂を含浸させた材料を積層した基板や樹脂フィルムが使用できる。使用する樹脂としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、またはそれらの混合樹脂が使用できるが、熱硬化性の有機絶縁材料が好ましい。熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、アクリル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、ポリベンゾイミダゾール樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、シリコーン樹脂、シクロペンタジエンから合成した樹脂、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌラートを含む樹脂、芳香族ニトリルから合成した樹脂、３量化芳香族ジシアナミド樹脂、トリアリルトリメタリレートを含む樹脂、フラン樹脂、ケトン樹脂、キシレン樹脂、縮合多環芳香族を含む熱硬化性樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂等を用いることができる。熱可塑性樹脂としては、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、アラミド樹脂、液晶ポリマ等が挙げられる。
【００９２】
これらの樹脂には充填材を添加しても良い。充填材としては、シリカ、タルク、水酸化アルミニウム、ホウ酸アルミニウム、窒化アルミニウム、アルミナ等が挙げられる。
コア基板１００の厚さは、ＩＶＨ形成性の点で１００〜８００μｍであるのが好ましく、更に１５０〜５００μｍであるのがより好ましい。
【００９３】
（ビルドアップ層）
層間絶縁層（ビルドアップ層）１０４は、絶縁材料からなり、絶縁材料としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、またはそれらの混合樹脂が使用できる。またビルドアップ層１０４は熱硬化性の有機絶縁材料を主成分とするのが好ましい。熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、アクリル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、ポリベンゾイミダゾール樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、シリコーン樹脂、シクロペンタジエンから合成した樹脂、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌラートを含む樹脂、芳香族ニトリルから合成した樹脂、３量化芳香族ジシアナミド樹脂、トリアリルトリメタリレートを含む樹脂、フラン樹脂、ケトン樹脂、キシレン樹脂、縮合多環芳香族を含む熱硬化性樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂等を用いることができる。熱可塑性樹脂としては、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、アラミド樹脂、液晶ポリマ等が挙げられる。
【００９４】
絶縁材料には充填材を添加しても良い。充填材としては、シリカ、タルク、水酸化アルミニウム、ホウ酸アルミニウム、窒化アルミニウム、アルミナ等が挙げられる。
【００９５】
（熱膨張係数）
半導体チップの熱膨張係数とコア基板１００の熱膨張係数とが近似していて、かつコア基板１００の熱膨張係数とビルドアップ層１０４の熱膨張係数とが近似していることが好ましいが、これに限定したものではない。さらに、半導体チップ、コア基板１００、ビルドアップ層１０４の各々の熱膨張係数をα１、α２、α３（ｐｐｍ／℃）としたとき、α１≦α２≦α３であることがより好ましい。
【００９６】
具体的には、コア基板１００の熱膨張係数α２は、好ましくは７〜１３ｐｐｍ／℃、更に好ましくは９〜１１ｐｐｍ／℃である。ビルドアップ層１０４の熱膨張係数α３は、好ましくは１０〜４０ｐｐｍ／℃、更に好ましくは１０〜２０ｐｐｍ／℃、特に好ましくは１１〜１７ｐｐｍ／℃である。
【００９７】
（ヤング率）
ビルドアップ層１０４のヤング率は、１〜５ＧＰａであるのが熱ストレスに対する応力緩和の点で好ましい。ビルドアップ層１０４中の充填材は、ビルドアップ層１０４の熱膨張係数が１０〜４０ｐｐｍ／℃、ヤング率が１〜５ＧＰａになるように添加量を適宜調整して添加するのが好ましい。
【００９８】
（半導体チップ搭載基板の製造方法）
以下、実施形態に係る半導体チップ搭載基板の製造方法について説明する。本実施形態に係る半導体チップ搭載基板の製造方法では、本実施形態に係るプリント配線基板の製造方法によって製造されたプリント配線基板の一方の面上に設けられた複数の銅配線は、半導体チップに接続するための半導体チップ接続端子である。また、そのプリント配線基板の他方の面上に設けられた複数の銅配線は、外部接続端子である。
【００９９】
半導体チップ搭載基板は、以下の製造方法の組み合わせで製造することができる。製造工程の順番は、本発明の目的を逸脱しない範囲では、特に限定しない。
【０１００】
（配線形成方法）
配線の形成方法としては、コア基板１００表面またはビルドアップ層１０４上に金属箔を形成し、金属箔の不要な箇所をエッチングで除去する方法（サブトラクト法）、コア基板１００表面またはビルドアップ層１０４上の必要な箇所にのみめっきにより配線を形成する方法（アディティブ法）、コア基板１００表面またはビルドアップ層１０４上に薄い金属層（シード層）を形成し、その後、電解めっきで必要な配線を形成した後、薄い金属層をエッチングで除去する方法（セミアディティブ法）がある。
【０１０１】
（エッチングによる配線形成）
金属箔の配線となる箇所にエッチングレジストを形成し、エッチングレジストから露出した箇所に、化学エッチング液をスプレー噴霧して、不要な金属箔をエッチング除去し、配線を形成することができる。例えば、金属箔として銅箔を用いる場合、エッチングレジストは、通常の配線板に用いることのできるエッチングレジスト材料を使用できる。例えばレジストインクをシルクスクリーン印刷してエッチングレジストを形成したり、またエッチングレジスト用ネガ型感光性ドライフィルムを銅箔の上にラミネートして、その上に配線形状に光を透過するフォトマスクを重ね、紫外線で露光し、露光しなかった箇所を現像液で除去してエッチングレジストを形成する。化学エッチング液には、塩化第二銅と塩酸の溶液、塩化第二鉄溶液、硫酸と過酸化水素の溶液、過硫酸アンモニウム溶液など、通常の配線板に用いる化学エッチング液を用いることができる。
【０１０２】
（めっきによる配線形成）
また、配線は、コア基板１００またはビルドアップ層１０４上の必要な箇所にのみ、めっきを行うことで形成することも可能であり、通常のめっきによる配線形成技術を用いることができる。例えば、コア基板１００に無電解めっき用触媒を付着させた後、めっきが行われない表面部分にめっきレジストを形成して、無電解めっき液に浸漬し、めっきレジストに覆われていない箇所にのみ、無電解めっきを行い配線を形成する。
【０１０３】
（セミアディティブ法による配線形成）
コア基板１００表面またはビルドアップ層１０４上に、セミアディティブ法のシード層を形成する方法は、蒸着またはめっきによる方法と、金属箔を貼り合わせる方法がある。また同様の方法で、サブトラクト法の金属箔を形成することもできる。
【０１０４】
（蒸着またはめっきによるシード層の形成）
コア基板１００表面またはビルドアップ層１０４上に蒸着またはめっきによってシード層を形成することができる。例えば、シード層として、スパッタリングにより下地金属と薄膜銅層を形成する場合、薄膜銅層を形成するために使用されるスパッタリング装置は、２極スパッタ、３極スパッタ、４極スパッタ、マグネトロンスパッタ、ミラートロンスパッタ等を用いることができる。スパッタに用いるターゲットは、密着を確保するために、例えばＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｎｉ／Ｃｒ、Ｎｉ／Ｃｕ等の金属を下地金属として用い、５〜５０ｎｍスパッタリングする。その後、銅をターゲットにして２００〜５００ｎｍスパッタリングしてシード層を形成できる。
【０１０５】
また、コア基板１００表面またはビルドアップ層１０４上にめっき銅を、０．５〜３μｍ無電解銅めっきし、形成することもできる。
【０１０６】
（金属箔を貼り合わせる方法）
コア基板１００またはビルドアップ層１０４に接着機能がある場合は、金属箔をプレスやラミネートによって貼り合わせることによりシード層を形成することもできる。しかし、薄い金属層を直接貼り合わせるのは非常に困難であるため、厚い金属箔を張り合わせた後にエッチング等により薄くする方法や、キャリア付金属箔を貼り合わせた後にキャリア層を剥離する方法などがある。例えば前者としてはキャリア銅／ニッケル／薄膜銅の三層銅箔があり、キャリア銅をアルカリエッチング液で、ニッケルをニッケルエッチング液で除去する。例えば後者としてはアルミ、銅、絶縁樹脂などをキャリアとしたピーラブル銅箔などが使用でき、５μｍ以下のシード層を形成できる。また、厚み９〜１８μｍの銅箔を貼り付け、５μｍ以下になるように、エッチングにより均一に薄くし、シード層を形成してもかまわない。
【０１０７】
（セミアディティブによる配線形成）
前述の方法で形成されたシード層上に、めっきレジストを必要なパターンに形成し、シード層を介して電解銅めっきにより配線を形成する。その後、めっきレジストを剥離し、最後にシード層をエッチング等により除去し、配線が形成できる。
【０１０８】
（配線の形状）
配線の形状は特に問わないが、少なくとも半導体チップが搭載される側には半導体チップ接続端子１６（ワイヤボンド端子等）、その反対面にはマザーボードと電気的に接続される外部接続端子１９（はんだボール等が搭載される箇所）及びそれらを繋ぐ展開配線２０、層間接続端子等から構成される（図９及び図１０参照）。また、配線の配置も特に問わないが、図９に示したように（内層配線、層間接続端子等は省略）、半導体チップ接続端子１６より内側に外部接続端子１９を形成したファン−インタイプや、図１０に示したような半導体チップ接続端子１６の外側に外部接続端子１９を形成したファン−アウトタイプ、またはこれらを組み合わせたタイプでもよい。図９に、ファン−インタイプ半導体チップ搭載基板の平面図を、図１０にファン−アウトタイプ半導体チップ搭載基板の平面図を示した。なお、半導体チップ接続端子１６の形状は、ワイヤボンド接続やフリップチップ接続などが、可能であれば、特に問わない。また、ファン−アウト、ファン−インどちらのタイプでも、ワイヤボンド接続やフリップチップ接続などは、可能である。フリップチップ接続では、半導体パッケージ領域１３にダイボンドフィルム接着領域１４及び半導体チップ搭載領域１５が設定される。ワイヤボンド接続では、半導体パッケージ領域１３にダイボンドフィルム接着領域１７及び半導体チップ搭載領域１８が設定される。さらに必要に応じて、半導体チップと電気的に接続されないダミーパターン２１（図１０参照）を形成してもかまわない。ダミーパターン２１の形状や配置も特には問わないが、半導体チップ搭載領域１５又は１８に均一に配置するのが好ましい。これによって、ダイボンド接着剤で半導体チップを搭載する際に、ボイドが発生しにくくなり、信頼性を向上できる。
【０１０９】
（バイアホール）
半導体チップ搭載基板は、複数の配線層を有してもよい。この場合、各層の配線を電気的に接続するためのバイアホールを設けることができる。バイアホールは、コア基板１００またはビルドアップ層１０４に接続用の穴を設け、この穴を導電性ペーストやめっき等で充填し形成できる（図５参照）。穴の加工方法としては、パンチやドリルなどの機械加工、レーザ加工、薬液による化学エッチング加工、プラズマを用いたドライエッチング法などがある。
【０１１０】
また、ビルドアップ層１０４のバイアホール形成方法としては、予めビルドアップ層１０４に導電性ペーストやめっきなどで導電層を形成し、これをコア基板１００にプレス等で積層する方法などもある。
【０１１１】
（絶縁被覆の形成）
半導体チップ搭載基板の外部接続端子側には絶縁被覆を形成することができる。パターン形成は、ワニス状の材料であれば印刷で行うことも可能であるが、より精度を確保するためには、感光性のソルダレジスト、カバーレイフィルム、フィルム状レジストを用いるのが好ましい。材質としては、エポキシ系、ポリイミド系、エポキシアクリレート系、フルオレン系の材料を用いることができる。
【０１１２】
このような絶縁被覆は硬化時の収縮があるため、片面だけに形成すると基板に大きな反りを生じやすい。そこで、必要に応じて半導体チップ搭載基板の両面に絶縁被覆を形成することもできる。さらに、反りは絶縁被覆の厚みによって変化するため、両面の絶縁被覆の厚みは、反りが発生しないように調整することがより好ましい。その場合、予備検討を行い、両面の絶縁被覆の厚みを決定することが好ましい。また、薄型の半導体パッケージとするには、絶縁被覆の厚みが５０μｍ以下であることが好ましく、３０μｍ以下がより好ましい。
【０１１３】
以下、図６を参照しながら、実施形態に係る半導体チップ搭載基板の製造方法について詳細に説明する。
このような半導体チップ搭載基板は、以下のような工程で製造することができる。図６（ａ）〜（ｉ）に、本発明の半導体チップ搭載基板の製造方法の実施形態の一例を断面模式図で示した。ただし、製造工程の順番は、本発明の目的を逸脱しない範囲では、特に限定しない。
【０１１４】
（工程ａ）
（工程ａ）は、図６（ａ）に示したようにコア基板１００上に第１の配線１０６ａを作製する工程である。
例えば片面に銅層が形成されたコア基板１００に第１の配線１０６ａ形状にエッチングレジストを形成し、塩化銅や塩化鉄などのエッチング液を用いて配線１０６ａを作製することができる。基板（コア基板１００）上に銅層を作製するには、スパッタリング、蒸着、めっき等により薄膜を形成した後、電気銅めっきで膜厚を所望の厚みまでめっきすることにより、銅層を得ることができる。
【０１１５】
なお、第１の配線１０６ａは、第１の層間接続端子１０１及び半導体チップ接続端子（半導体チップと電気的に接続される部分）を含んでおり、微細配線の形成方法としてはセミアディティブ法を用いても良い。
【０１１６】
（工程ｂ）
（工程ｂ）は、図６（ｂ）に示したように、第１の層間接続端子１０１と、後述する第２の配線１０６ｂとを接続するための第１の層間接続用ＩＶＨ１０２（バイアホール）を形成する工程である。
【０１１７】
バイアホールの形成は、コア基板１００が非感光性基材の場合、レーザ光を用いることができる。非感光性基材としては、前述した非感光性ガラスなどが挙げられるが、これに限定したものではない。この場合、使用するレーザ光は限定されるものではなく、ＣＯ２レーザ、ＹＡＧレーザ、エキシマレーザ等を用いることができる。また、コア基板１００が感光性基材の場合、バイアホール以外の領域をマスクし、バイアホール部に紫外光を照射する。なお感光性基材としては、前述した感光性ガラスなどが挙げられるが、これに限定したものではない。この場合、紫外光を照射後、熱処理とエッチングによりバイアホールを形成する。また、コア基板１００が、有機溶剤等の薬液による化学エッチング加工が可能な基材の場合は、化学エッチングによってバイアホールを形成することもできる。形成されたバイアホールは層間を電気的に接続するために、導電性のペーストやめっきなどで充填して層間接続のための導電層を形成することができる。
【０１１８】
（工程ｃ）
（工程ｃ）は、図６（ｃ）に示したように、コア基板１００の第１の配線１０６ａと反対側の面に第２の配線１０６ｂを形成する工程である。コア基板１００の第１の配線１０６ａと反対の面に（工程ａ）と同様に銅層を形成し、その銅層を必要な配線形状にエッチングレジストを形成し、塩化銅や塩化鉄等のエッチング液を用いて第２の配線１０６ｂを形成する。銅層の形成方法としては、（工程ａ）と同様にスパッタリング、蒸着、無電解めっきなどで銅薄膜を形成した後、電気銅めっきを用いて所望の厚みまで銅めっきすることにより銅層が得られる。
【０１１９】
なお、第２の配線１０６ｂは第２の層間接続端子１０３を含んでおり、微細配線の形成方法としてはセミアディティブ法を用いても良い。
【０１２０】
（工程ｄ）
（工程ｄ）は、図６（ｄ）に示すように第２の配線１０６ｂを形成した面にビルドアップ層（層間絶縁層）１０４を形成する工程である。まず、第２の配線１０６ｂ表面を、前記脱脂処理または硫酸洗浄を行う。酸性あるいはアルカリ性あるいは酸化剤を含む水溶液に浸漬し、銅配線表面のＲａ（平均粗さ）が０．０１〜０．４μｍとなるように処理を行う。酸化剤を含む水溶液に浸漬した場合は、さらに、還元剤を含む水溶液に浸漬し、前記酸化銅皮膜を還元処理することによって、銅配線表面のＲａが０．０１〜０．４μｍとなるように処理を行う。
【０１２１】
次に、コア基板１００表面及び第２の配線１０６ｂ表面に、ビルドアップ層１０４を形成する。ビルドアップ層１０４の絶縁材料としては、前記したように熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、またはそれらの混合樹脂が使用できるが、熱硬化性材料を主成分とするのが好ましい。ワニス状の材料の場合、印刷やスピンコートで、またはフィルム状の絶縁材料の場合、ラミネートやプレスなどの手法を用いてビルドアップ層１０４を得ることができる。絶縁材料が熱硬化性材料を含む場合は、さらに加熱硬化させることが望ましい。
【０１２２】
（工程ｅ）
（工程ｅ）は、図６（ｅ）に示したように、ビルドアップ層１０４に第２の層間接続用のＩＶＨ（バイアホール）１０８を形成する工程であり、バイアホールの形成手段としては、一般的なレーザ穴あけ装置を使用することができる。レーザ穴あけ機で用いられるレーザの種類はＣＯ２レーザ、ＹＡＧレーザ、エキシマレーザ等を用いることができるが、ＣＯ２レーザが生産性及び穴品質の点で好ましい。また、ＩＶＨ径が３０μｍ未満の場合は、レーザ光を絞ることが可能なＹＡＧレーザが適している。また、ビルドアップ層１０４が有機溶剤等の薬液による化学エッチング加工が可能な材料の場合は、化学エッチングによってバイアホールを形成することもできる。
【０１２３】
（工程ｆ）
（工程ｆ）は、図６（ｆ）に示したように、前記第２のバイアホールが形成されたビルドアップ層１０４上に、第３の配線１０６ｃを形成する工程である。またＬ／Ｓ＝３５μｍ／３５μｍ以下の微細な配線を形成するプロセスとしては、前記したセミアディティブ法が好ましい。ビルドアップ層１０４上に、蒸着またはめっきによる方法や金属箔を貼り合わせる方法などにより、シード層を形成する。前述の方法で形成されたシード層上に、めっきレジストを必要なパターンに形成し、シード層を介して電解銅めっきにより配線を形成する。その後、めっきレジストを剥離し、最後にシード層をエッチング等により除去し、微細な配線１０６ｃが形成できる。
【０１２４】
（工程ｇ）
（工程ｄ）から（工程ｆ）までを繰り返して、図６（ｇ）に示すようにビルドアップ層１０４を２層以上作製してもよい。この場合、最外のビルドアップ層１０４に形成された層間接続端子が、外部接続端子１０７となる。
【０１２５】
（工程ｈ）
（工程ｈ）は、図６（ｈ）に示したように配線１０６ａ間に絶縁物１１０を形成し、樹脂（絶縁物）の一部を除去して銅配線の一部を露出させる工程である。
【０１２６】
配線１０６ａ間に形成する絶縁物１１０は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、またはそれらの混合樹脂のワニスを硬化することにより形成が可能である。熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、またはそれらの混合樹脂のワニスの塗布は、ロールコーター、スリットダイコーター、ディップコーター、スピンコーター、スクリーン印刷等の塗布装置を用いた基板上への塗布、スプレー噴霧による基板上への塗布が可能であり、これらの方法に限定されるものではない。熱硬化性樹脂に限定すると、塗布した後、硬化するのが通常の方法であるが、真空状態に置いた後に硬化することがより好ましい。
【０１２７】
絶縁物の形成は、塗布→乾燥の工程を数回繰り返すことによっても可能である。熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、またはそれらの混合樹脂のワニスを塗布した後に半硬化し、ロールラミネート法によりキャリアフィルムまたは銅箔を貼り合わせ、プレスにより硬化することも可能である。キャリアフィルムまたは銅箔の貼り合わせは、真空ロールラミネート法であることが好ましく、さらに、真空プレスで硬化することがより好ましい。
【０１２８】
また、未硬化または半硬化の絶縁物をキャリアフィルムまたは銅箔の片面に塗布したものを、ラミネート法またはロールラミネート法により基板に貼り合わせ、絶縁物を基板へ接着することが可能である。キャリアフィルムとしては、耐熱性の点からポリイミドフィルムが好ましく、特に、表面に銅が蒸着もしくはスパッタにより形成されているポリイミドフィルムが好ましい。また、銅箔については、シャイニー面側と絶縁物とを接触させることが好ましく、また、防錆金属の無いものがより好ましい。
【０１２９】
樹脂（絶縁物）の一部を除去して銅配線の一部を露出させる方法として、ドライエッチングプロセス、ウェットエッチングプロセスあるいは機械研磨によるプロセスの少なくともいずれかのプロセスにより形成することが可能で、これらのプロセスは適宜組み合わせて行うことがより好ましい。
【０１３０】
（工程ｉ）
（工程ｉ）は、図６（ｉ）に示したように、半導体チップ接続端子及び外部接続端子１０７以外の配線等を保護するための絶縁被覆１０９を形成する工程である。絶縁被覆材としては、ソルダレジストが一般的に用いられ、熱硬化型や紫外線硬化型のものが使用できるが、レジスト形状を精度良く仕上げることができる紫外線硬化型のものが好ましい。
【０１３１】
（工程ｊ）
（工程ｊ）では、絶縁被覆１０９が形成された基板を水洗することが好ましい。
【０１３２】
（工程ｋ）
（工程ｋ）では、例えば無電解めっき法を用いて配線上にニッケルめっき皮膜及び金めっき皮膜を順に形成する。また、配線上にニッケルめっき皮膜、パラジウムめっき皮膜及び金めっき皮膜を順に形成してもよい。
【０１３３】
（半導体チップ搭載基板の形状）
半導体チップ搭載基板２２の形状は、特に問わないが、図１１に示したようなフレーム形状にすることが好ましい。半導体チップ搭載基板２２の形状をこのようにすることで、半導体パッケージの組立てを効率よく行うことができる。以下、好ましいフレーム形状について詳細に説明する。
【０１３４】
図１１に示したように、半導体パッケージ領域１３（１個の半導体パッケージとなる部分）を行及び列に各々複数個等間隔で格子状に配置したブロック２３を形成する。さらに、このようなブロック２３を複数個行及び列に形成する。図１１では、２個のブロック２３しか記載していないが、必要に応じて、ブロック２３も格子状に配置してもよい。ここで、半導体パッケージ領域１３間のスペース部の幅は、５０〜５００μｍが好ましく、１００〜３００μｍがより好ましい。さらに、後に半導体パッケージを切断するときに使用するダイサーのブレード幅と同じにするのが最も好ましい。
【０１３５】
このように半導体パッケージ領域１３を配置することで、半導体チップ搭載基板２２の有効利用が可能になる。また、半導体チップ搭載基板２２の端部には、位置決めマーク１１等を形成することが好ましく、貫通穴によるピン穴であることがより好ましい。ピン穴の形状や配置は、形成方法や半導体パッケージの組立て装置に合うように選択すればよい。
【０１３６】
さらに、半導体パッケージ領域１３間のスペース部やブロック２３の外側には補強パターン２４を形成することが好ましい。補強パターン２４は、別途作製し半導体チップ搭載基板２２と貼り合わせてもよいが、半導体パッケージ領域１３に形成される配線と同時に形成された金属パターンであることが好ましく、さらに、その表面には、配線と同様のニッケル、金などのめっきを施すか、絶縁被覆をすることがより好ましい。補強パターン２４が、このような金属の場合は、電解めっきの際のめっきリードとして利用することも可能である。また、ブロック２３の外側には、ダイサーで切断する際の切断位置合わせマーク２５を形成することが好ましい。このようにして、フレーム形状の半導体チップ搭載基板２２を作製することができる。
【０１３７】
（半導体パッケージ）
図７に、本発明の半導体パッケージの実施形態の一例（フリップチップタイプ半導体パッケージ）を断面模式図で示す。図７に示される半導体パッケージは、上記半導体チップ搭載基板に、さらに半導体チップ１１１が搭載されているもので、半導体チップ１１１と半導体チップ接続端子とを接続バンプ１１２を用いてフリップチップ接続することによって電気的に接続して得ることができる。
【０１３８】
さらに、これらの半導体パッケージには、図示するように、半導体チップ１１１と半導体チップ搭載基板の間をアンダーフィル材１１３で封止することが好ましい。アンダーフィル材１１３の熱膨張係数は、半導体チップ１１１及びコア基板１００の熱膨張係数と近似していることが好ましいがこれに限定したものではない。さらに好ましくは（半導体チップの熱膨張係数）（アンダーフィル材の熱膨張係数）≦（コア基板の熱膨張係数）である。さらに、半導体チップ１１１の搭載には異方導電性フィルム（ＡＣＦ）や導電性粒子を含まない接着フィルム（ＮＣＦ）を用いて行うこともできる。この場合は、アンダーフィル材１１３で封止する必要がないため、より好ましい。さらに、半導体チップ１１１を搭載する際に超音波を併用すれば、電気的な接続が低温でしかも短時間で行えるため特に好ましい。
【０１３９】
また、図８には、ワイヤボンドタイプ半導体パッケージの実施形態の断面図を示す。半導体チップ１１１の搭載には、一般のダイボンドペーストも使用できるが、ダイボンドフィルム１１７を用いるのがより好ましい。半導体チップ１１１と半導体チップ接続端子との電気的な接続は金ワイヤ１１５を用いたワイヤボンドで行うのが一般的である。半導体チップ１１１の封止は、半導体用封止樹脂１１６をトランスファモールドで行うことができる。その場合、半導体チップ１１１の少なくともフェース面を半導体用封止樹脂１１６で封止するが、封止領域は、必要な部分だけを封止しても良いが、図８のように半導体パッケージ領域全体を封止するのが、より好ましい。これは、半導体パッケージ領域を行及び列に複数個配列した半導体チップ搭載基板において、基板（半導体チップ搭載基板）と封止樹脂（半導体用封止樹脂１１６）を同時にダイサー等で切断する場合、特に有効な方法である。
【０１４０】
また、マザーボードとの電気的な接続を行うために、外部接続端子１０７（図５参照）には、例えば、はんだボール１１４を搭載することができる。はんだボール１１４には、共晶はんだやＰｂフリーはんだが用いられる。はんだボール１１４を外部接続端子１０７に固着する方法としては、Ｎ２リフロー装置を用いるのが一般的であるがこれに限定したものではない。
【０１４１】
半導体パッケージ領域を行及び列に複数個配列した半導体チップ搭載基板においては、最後に、ダイサー等を用いて個々の半導体パッケージに切断する。
図７及び図８に示される半導体パッケージは、実施形態に係る半導体チップ搭載基板と、その半導体チップ搭載基板に搭載された半導体チップ１１１とを備える。このような半導体パッケージでは、銅配線間にブリッジが発生し難く、銅配線間の絶縁性が向上する。
【実施例】
【０１４２】
以下に、本発明を実施例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
（実施例１）
（工程ａ）
コア基板１００として０．４ｍｍ厚のソーダガラス基板（熱膨張係数１１ｐｐｍ／℃）を用意し、片面にスパッタリングにより２００ｎｍの銅薄膜を形成した後、電気銅めっきで２０μｍの厚さまでめっきを行った。なおスパッタリングは、日本真空技術株式会社製装置型番ＭＬＨ−６３１５を用いて、以下に示した条件１で行った。その後、第１の配線１０６ａとなる部分にエッチングレジストを形成し、塩化第二鉄エッチング液を用いてエッチングしてＬ／Ｓ＝３０μｍ／４０μｍレベルの銅配線を含む、第１の配線１０６ａ（第１の層間接続端子１０１及び半導体チップ接続端子を含む）を形成した（図６（ａ）参照）。
条件１
電流：３．５Ａ
電圧：５００Ｖ
アルゴン流量：３５ＳＣＣＭ
圧力：５×１０−３Ｔｏｒｒ（４．９×１０−２Ｐａ）
成膜速度：５ｎｍ／秒
【０１４３】
（工程ｂ）
第１の配線１０６ａが形成されたガラス基板の第１の配線１０６ａと反対面から第１の層間接続端子１０１に到達するまで、レーザで穴径５０μｍのＩＶＨ穴を形成した。レーザにはＹＡＧレーザＬＡＶＩＡ−ＵＶ２０００（住友重機械工業株式会社製、商品名）を使用し、周波数４ｋＨｚ、ショット数５０、マスク径０．４ｍｍの条件でＩＶＨ穴の形成を行った。
【０１４４】
得られたＩＶＨの穴に導電性ペーストＭＰ−２００Ｖ（日立化成工業株式会社製、商品名）を充填して、１６０℃３０分で硬化し、ガラス基板の第１の層間接続端子１０１と電気的に接続された第１の層間接続用ＩＶＨ（バイアホール）１０２を形成した（図６（ｂ）参照）。
【０１４５】
（工程ｃ）
（工程ｂ）で形成された第１の層間接続用ＩＶＨ（第１のバイアホール）１０２と電気的に接続するために、ガラス基板の、第１の配線１０６ａと反対側の面にスパッタリングにより２００ｎｍの銅薄膜を形成した後、電気銅めっきで１０μｍの厚さまでめっきを行った。スパッタリングは、（工程ａ）と同様に行った。さらに、（工程ａ）と同様に第２の配線１０６ｂの形状にエッチングレジストを形成し、塩化第二鉄エッチング液を用い、エッチングして第２の配線１０６ｂ（第２の層間接続端子１０３を含む）を形成した（図６（ｃ）参照）。
【０１４６】
（工程ｄ）
（工程ｃ）で形成した第２の配線１０６ｂ側の面を、２００ｍｌ／Ｌに調整した酸性脱脂液Ｚ−２００（ワールドメタル社製、商品名）に、液温５０℃で２分間浸漬した後、液温５０℃の水に２分間浸漬することにより湯洗し、さらに１分間水洗した。次いで、３．６Ｎの硫酸水溶液に１分間浸漬し、１分間水洗した。これらの工程を経た後、酢酸によりｐＨ５に調整した水溶液を、γ−アミノプロピルトリエトキシシランＡ−１１００（日本ユニカー株式会社製、商品名）の濃度が０．５重量％となるように調整した溶液に、２５℃で１分間浸漬した。さらに水洗することなく、１２０℃にて３分間乾燥を行った。
【０１４７】
次に、層間絶縁層（ビルドアップ層）１０４を次のように形成した。すなわち、シアネ―トエステル系樹脂組成物の絶縁ワニスをスピンコート法により、条件１５００ｒｐｍで、ガラス基板上に塗布し、厚み２０μｍの絶縁層を形成した後、常温（２５℃）から６℃／ｍｉｎの昇温速度で２３０℃まで加熱し、２３０℃で８０分間保持することにより熱硬化し、１５μｍのビルドアップ層１０４を形成した（図６（ｄ）参照）。
【０１４８】
（工程ｅ）
ビルドアップ層１０４の表面から第２の層間接続用端子１０３に到達するまで、レーザで穴径５０μｍのＩＶＨ穴を形成した。レーザにはＹＡＧレーザＬＡＶＩＡ−ＵＶ２０００（住友重機械工業株式会社製、商品名）を使用し、周波数４ｋＨｚ、ショット数２０、マスク径０．４ｍｍの条件でＩＶＨ穴の形成を行った（図６（ｅ）参照）。
【０１４９】
（工程ｆ）
第３の配線１０６ｃ形成及び第２のバイアホール形成のために、スパッタリングにより、シード層となる下地金属Ｎｉ層２０ｎｍを形成し、さらに薄膜銅層２００ｎｍを形成した。スパッタリングは、日本真空技術株式会社製ＭＬＨ−６３１５を用いて以下に示した条件２で行った。
【０１５０】
条件２
（ニッケル）
電流：５．０Ａ
電流：３５０Ｖ
電圧アルゴン流量：３５ＳＣＣＭ
圧力：５×１０−３Ｔｏｒｒ（４．９×１０−２Ｐａ）
成膜速度：０．３ｎｍ／秒
（銅）
電流：３．５Ａ
電圧：５００Ｖ
アルゴン流量：３５ＳＣＣＭ
圧力：５×１０−３Ｔｏｒｒ（４．９×１０−２Ｐａ）
成膜速度：５ｎｍ／秒
【０１５１】
次に、めっきレジストＰＭＥＲ  Ｐ−ＬＡ９００ＰＭ（東京応化工業株式会社製、商品名）を用いスピンコート法で、シード層上に、膜厚２０μｍのめっきレジスト層を形成した。１０００ｍＪ／ｃｍ２の条件で露光し、ＰＭＥＲ現像液Ｐ−７Ｇを用いて２３℃で６分間浸漬揺動し、Ｌ／Ｓ＝１０μｍ／１０μｍのレジストパターンを形成した。その後、硫酸銅めっき液を用いてパターン銅めっきを約５μｍ行った。めっきレジストの剥離は、メチルエチルケトンを用いて室温（２５℃）で１分間浸漬し除去した。シード層のクイックエッチングには、ＣＰＥ−７００（三菱瓦斯化学株式会社製、商品名）の５倍希釈液を用いて、３０℃で３０秒間浸漬揺動することにより、これらをエッチング除去し、配線１０６ｃを形成した（図６（ｆ）参照）。
【０１５２】
（工程ｇ）
この後、（工程ｄ）〜（工程ｆ）までを再度繰り返し、ビルドアップ層１０４及び外部接続端子１０７を含む最外層の配線をさらに一層形成した（図６（ｇ）参照）。
【０１５３】
（工程ｈ）
次に、絶縁物１１０を次のように形成した（図６（ｈ）参照）。すなわち、シアネ―トエステル系樹脂組成物の絶縁ワニスをスピンコート法により、条件２０００ｒｐｍで、第１の配線１０６ａが形成された面側に塗布し、常温（２５℃）から６℃／ｍｉｎの昇温速度で２３０℃まで加熱し、２３０℃で８０分間保持することにより熱硬化し、図１（ａ）に示した断面形状の絶縁物を形成した。次に、以下に示した条件で、異方性エッチング法により銅配線間の絶縁物の一部を除去し、図１（ｂ）に示したように銅配線の一部を露出させた。
装置名：反応性スパッタエッチング装置（ＵＬＶＡＣ製  ＣＳＥ−１１１０）
パワー：１２５Ｗ
ガスおよび流量：Ａｒ  １７．５ＳＣＣＭ，Ｏ２  ５０ＳＣＣＭ
処理時間：１０ｍｉｎ
（工程ｉ）
次に、絶縁被覆（ソルダーレジスト）１０９を形成した（図６（ｉ）参照）。
【０１５４】
（工程ｊ）
上記基板を、３０ｇ／Ｌの水酸化カリウム溶液に５０℃で３分間浸漬し、５０℃で１分間湯洗した後、５分間水洗した。次に、脱脂液Ｚ−２００（株式会社ワールドメタル製、商品名）に５０℃で３分間浸漬し、２分間水洗した。
【０１５５】
（工程ｋ）
次に、１００ｇ／Ｌの過硫酸アンモニウム溶液に１分間浸漬し、２分間水洗し、１００％の硫酸で１分間浸漬し、２分間水洗した。次に、めっき活性化処理液であるＳＡ−１００（日立化成工業株式会社製、商品名）に２５℃で５分間、浸漬処理し、２分間水洗した。次に、無電解ニッケルめっき液であるＮＩＰＳ−１００（日立化成工業株式会社製、商品名）に８５℃で１５分間浸漬処理した。次に、無電解パラジウムめっき液であるＡＰＰ（石原薬品株式会社製、商品名）に５０℃で２０分間浸漬処理した。次に、置換金めっきであるＨＧＳ−１００（日立化成工業株式会社製、商品名）に８５℃で１０分間浸漬処理した。次に、無電解金めっき液であるＨＧＳ−２０００（日立化成工業株式会社製、商品名）に６５℃で４０分間浸漬処理した。
【０１５６】
（工程ｊ）〜（工程ｋ）を行うことによって、第１の配線１０６ａ（第１の層間接続端子１０１及び半導体チップ接続端子を含む）および外部接続端子１０７を含む最外層の配線に無電解ニッケルめっき皮膜（膜厚：５μｍ）、パラジウムめっき皮膜（膜厚：０．２μｍ）、金めっき皮膜（膜厚：０．４μｍ）を順次形成して、図５（１パッケージ分の断面図）、図９（１パッケージ分の平面図）、及び図１１（半導体チップ搭載基板全体図）に示すようなファン−インタイプＢＧＡ用半導体チップ搭載基板を作製した。
【０１５７】
（工程ｌ）
前記（工程ａ）〜（工程ｋ）により作製された半導体チップ搭載基板の半導体チップ搭載領域１７に、ダイボンドフィルムＤＦ−１００（日立化成工業株式会社製、商品名）を用いて、半導体チップ１１１（図８参照）を必要な数だけ搭載した。次に、ワイヤボンダＵＴＣ２３０（株式会社新川製、商品名）で、半導体チップ１１１上の端子と半導体チップ搭載基板の半導体チップ接続端子とを、直径２５μｍの金ワイヤ１１５で電気的に接続した。さらに、半導体チップを半導体用封止樹脂１１６であるＣＥＬ９２００（日立化成工業株式会社製、商品名）を用いて、圧力１０ＭＰａ、温度１８０℃、時間９０秒で、図１１に示した１ブロック２３を一体にトランスファモールドした。次に、温度１８０℃のオーブンで５時間の熱処理を行い、封止樹脂及びダイボンドフィルムを完全硬化して、外部接続端子１０７に直径０．４５ｍｍの鉛・錫共晶はんだボール１１４をＮ２リフロー装置で融着した。最後に、幅２００μｍのブレードを装着したダイサーで封止樹脂と半導体チップ搭載基板を同時に切断し、図８に示した半導体パッケージを作製した。
【０１５８】
（実施例２）
実施例１に示した（工程ａ）〜（工程ｇ）を行った後、実施例１と同様に（工程ｈ）で、シアネ―トエステル系樹脂組成物の絶縁ワニスをスピンコート法により、条件２０００ｒｐｍで、第１の配線１０６ａが形成された面側に塗布した後、１６０℃で１０分間半硬化を行った。銅スパッタ膜厚０．２５μｍ、ポリイミドフィルム厚１２．５μｍの銅スパッタポリイミドフィルムエッチャーフレックス（三井化学株式会社製、商品名）の銅側の面を前記半硬化した絶縁物と接触させて重ね合わせ、圧力１．０ＭＰａで、常温（２５℃）から６℃／ｍｉｎの昇温速度で２３０℃まで加熱し、２３０℃で８０分間保持することにより熱硬化し、図２（ａ）に示した断面形状の絶縁物を形成した。次に、以下に示した条件で、異方性エッチング法により銅配線間の絶縁物の一部を除去し、図２（ｂ）に示したように銅配線の一部を露出させた。
装置名：反応性スパッタエッチング装置（ＵＬＶＡＣ製  ＣＳＥ−１１１０）
パワー：１２５Ｗ
ガスおよび流量：Ａｒ  １７．５ＳＣＣＭ，Ｏ２  ５０ＳＣＣＭ
処理時間：２ｍｉｎ
これ以降は、実施例１の（工程ｉ）〜（工程ｌ）と同様の工程を行い、ファン−インタイプＢＧＡ用半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージを作製した。
【０１５９】
（実施例３）
実施例１に示した（工程ａ）〜（工程ｇ）を行った後、以下の工程を行った。銅スパッタ膜厚０．２５μｍ、ポリイミドフィルム厚１２．５μｍの銅スパッタポリイミドフィルムエッチャーフレックス（三井化学株式会社製、商品名）の銅側の面にシアネートエステル系樹脂組成物を半硬化した基材を、第１の配線１０６ａが形成された面側と接触するように重ね合わせ、圧力３．０ＭＰａで、常温（２５℃）から６℃／ｍｉｎの昇温速度で２３０℃まで加熱し、２３０℃で８０分間保持することにより熱硬化し、銅スパッタポリイミドフィルムを剥離し、約２５μｍの膜厚の図３（ａ）に示した断面形状の絶縁物を形成した。
【０１６０】
次に、砥粒が酸化アルミニウムである１０００番のバフ（角田ブラシ株式会社製、商品名）で、バフの回転数１２００ｒｐｍ、バフモーター電流値換算押圧１０Ａ、ラインスピード８ｍ／分の条件で、研磨した（１回目の機械研磨）。次に、バフの回転数１２００ｒｐｍ、バフモーター電流値換算押圧２Ａ、ラインスピード８ｍ／分の条件で、研磨し（２回目の機械研磨）、銅配線間の絶縁物の一部を除去し、図３（ｂ）に示したように銅配線の一部を露出させた。さらに、ＣｕＣｌ２、ＨＣｌおよびＨ２Ｏ２の混合水溶液（水：９０Ｖｏｌ％、ＣｕＣｌ２：３Ｖｏｌ％、ＨＣｌ：５Ｖｏｌ％、Ｈ２Ｏ２：２Ｖｏｌ％）に２５℃で３０秒間浸漬し、化学研磨を行った。これ以降は、実施例１の（工程ｉ）〜（工程ｌ）と同様の工程を行い、ファン−インタイプＢＧＡ用半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージを作製した。
【０１６１】
（実施例４）
実施例１に示した（工程ａ）〜（工程ｇ）を行った後、以下の工程を行った。銅スパッタ膜厚０．２５μｍ、ポリイミドフィルム厚１２．５μｍの銅スパッタポリイミドフィルムエッチャーフレックス（三井化学株式会社製、商品名）の銅側の面にシアネ―トエステル系樹脂組成物を半硬化した基材を、第１の配線１０６ａが形成された面側と接触するように重ね合わせ、圧力３．０ＭＰａで、常温（２５℃）から６℃／ｍｉｎの昇温速度で２３０℃まで加熱し、２３０℃で８０分間保持することにより熱硬化し、銅スパッタポリイミドフィルムを剥離し、約２５μｍの膜厚の図４（ａ）に示した断面形状の絶縁物を形成した。
【０１６２】
次に、最終的に図４（ｂ）に示した断面形状となるように、砥粒が酸化アルミニウムである１０００番のバフ（角田ブラシ株式会社製、商品名）で、バフの回転数１２００ｒｐｍ、バフモーター電流値換算押圧１０Ａ、ラインスピード８ｍ／分の条件で絶縁物を研磨した。次に、過マンガン酸塩による酸化力の大きな酸化剤を含有する溶液による処理を行った。処理には、デスミア処理システム（商品名：サーキュポジット２００ＭＬＢ、シプレイ・ファーイースト株式会社製）を用いて行った。具体的には、膨潤処理としてサーキュポジットＭＬＢコンディショナ２１１およびサーキュポジットＺの混合水溶液（水：７０Ｖｏｌ％、コンディショナ２１１：２０Ｖｏｌ％、サーキュポジットＺ：１０Ｖｏｌ％）により７０℃で５分間浸漬処理した。
【０１６３】
次に除去処理としてサーキュポジットＭＬＢプロモータ２１３ＡおよびサーキュポジットＭＬＢプロモータ２１３Ｂの混合水溶液（水：７５Ｖｏｌ％、プロモータ２１３Ａ：１０Ｖｏｌ％、プロモータ２１３Ｂ：１５Ｖｏｌ％）により７０℃で１０分間浸漬処理した。次に、中和処理としてサーキュポジットＭＬＢニュートラライザ２１６−４（水：８０Ｖｏｌ％、ニュートラライザ２１６−４：２０Ｖｏｌ％）により４０℃で５分間浸漬処理し、配線間の絶縁物の一部を除去し、図４（ｃ）に示したように銅配線の一部を露出させた。これ以降は、実施例１の（工程ｉ）〜（工程ｌ）と同様の工程を行い、ファン−インタイプＢＧＡ用半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージを作製した。
【０１６４】
（実施例５）
実施例１に示した（工程ａ）〜（工程ｇ）を行った後、以下の工程を行った。銅スパッタ膜厚０．２５μｍ、ポリイミドフィルム厚１２．５μｍの銅スパッタポリイミドフィルムエッチャーフレックス（三井化学株式会社製、商品名）の銅側の面にシアネ―トエステル系樹脂組成物を半硬化した基材を、第１の配線１０６ａが形成された面側と接触するように重ね合わせ、圧力３．０ＭＰａで、常温（２５℃）から６℃／ｍｉｎの昇温速度で２３０℃まで加熱し、２３０℃で８０分間保持することにより熱硬化し、銅スパッタポリイミドフィルムを剥離し、約２５μｍの膜厚の図４（ａ）に示した断面形状の絶縁物を形成した。
【０１６５】
次に、最終的に図４（ｂ）に示した断面形状となるように、砥粒が酸化アルミニウムである１０００番のバフ（角田ブラシ株式会社製、商品名）で、バフの回転数１２００ｒｐｍ、バフモーター電流値換算押圧１０Ａ、ラインスピード８ｍ／分の条件で絶縁物を研磨した。次に、下に示した条件で、異方性エッチング法により配線間の絶縁物の一部を除去し、図４（ｃ）に示したように銅配線の一部を露出させた。
装置名：反応性スパッタエッチング装置（ＵＬＶＡＣ製  ＣＳＥ−１１１０）
パワー：１２５Ｗ
ガスおよび流量：Ａｒ  １７．５ＳＣＣＭ，Ｏ２  ５０ＳＣＣＭ
処理時間：１５ｍｉｎ
これ以降は、実施例１の（工程ｉ）〜（工程ｌ）と同様の工程を行い、ファン−インタイプＢＧＡ用半導体チップ搭載基板及び半導体パッケージを作製した。
【０１６６】
（比較例１）
実施例１に示した（工程ｈ）以外の同様の工程を行った。
【０１６７】
（比較例２）
実施例１に示した（工程ａ）〜（工程ｇ）を行い、次に（工程ｉ）〜（工程ｊ）を行った。次に、下記組成の処理液に３０℃で３分間浸漬し、５０℃で１分間湯洗した後、５分間水洗した。続いて、実施例１に示した（工程ｋ）〜（工程ｌ）と同様の工程を行った。
チオ硫酸カリウム（関東化学株式会社製、商品名）：５０ｇ／Ｌ
ｐＨ：６
ｐＨ調整剤：クエン酸ナトリウム（関東化学株式会社製、商品名）
【０１６８】
（比較例３）
実施例１に示した（工程ａ）〜（工程ｇ）を行い、次に（工程ｉ）〜（工程ｊ）を行った。次に、下記組成の処理液に３０℃で３分間浸漬し、５０℃で１分間湯洗した後、５分間水洗した。続いて、実施例１に示した（工程ｋ）〜（工程ｌ）と同様の工程を行った。
チオ硫酸ナトリウム（関東化学株式会社製、商品名）：３０ｇ／Ｌ
ｐＨ：９
ｐＨ調整剤：ピロリン酸カリウム（関東化学株式会社製、商品名）
【０１６９】
（比較例４）
実施例１に示した（工程ａ）〜（工程ｇ）を行い、次に（工程ｉ）〜（工程ｊ）を行った。次に、下記組成の処理液に３０℃で３分間浸漬し、５０℃で１分間湯洗した後、５分間水洗した。続いて、実施例１に示した（工程ｋ）〜（工程ｌ）と同様の工程を行った。
チオ硫酸アンモニウム（関東化学株式会社製、商品名）：３０ｇ／Ｌ
ｐＨ：９
ｐＨ調整剤：ピロリン酸カリウム（関東化学株式会社製、商品名）
【０１７０】
（比較例５）
実施例１に示した（工程ａ）〜（工程ｇ）を行った。第１の配線１０６ａ（第１の層間接続端子１０１及び半導体チップ接続端子を含む）の面側にＯ２プラズマエッチング処理を行い、流水中で５分間洗浄した。この処理を行った後、実施例１に示した（工程ｉ）〜（工程ｌ）を行った。
装置：Ｏ２プラズマアッシャー（日電アネルバ製  ＤＥＭ−４５１Ｍ）
パワー：３００Ｗ
ガスおよび流量：Ｏ２  ５０ＳＣＣＭ
ガス圧：１０Ｐａ
自己バイアス：−７００Ｖ
処理時間：１５ｍｉｎ
無電解めっき後の析出性および絶縁信頼性試験結果を表１に示した。
【０１７１】
（無電解めっき析出性）
第１の配線１０６ａ（第１の層間接続端子１０１及び半導体チップ接続端子を含む）および外部接続端子１０７を含む最外層の配線に無電解ニッケルめっき皮膜（膜厚：５μｍ）、パラジウムめっき皮膜（膜厚：０．２μｍ）、金めっき皮膜（膜厚：０．４μｍ）を順次形成した後の、無電解めっきの析出性を評価した（図５参照）。第１の配線１０６ａの一部の半導体チップ接続端子１６を上面から観察し、表１にブリッジの発生の無いものを○（図１３参照）、半導体チップ接続端子１６からの無電解めっきはみ出し２７や、絶縁樹脂２６上への無電解めっき異常析出２８等のブリッジの発生の有るものを×（図１４参照）として評価した。
【０１７２】
（絶縁信頼性試験）
実施例１〜５および比較例１〜５に記載した処理を施した半導体チップ搭載基板を用いて、絶縁信頼性試験を８５℃、８５％、ＤＣ２０Ｖの条件下で１０００時間試験した。また、絶縁抵抗は、アドバンテスト製Ｒ８３４０Ａ  ＵＬＴＲＡ  ＨＩＧＨ  ＲＥＳＩＳＴＡＮＣＥ  ＭＥＴＥＲを用いＤＣ２０Ｖを印加して測定した。表１に絶縁抵抗が１．０×１０−７Ω以上のものを○、１．０×１０−７Ω未満のものを×として評価した。
【０１７３】
【表１】
2006344920.tif 000004
【０１７４】
表１から明らかなように、実施例１から５に係る半導体チップ搭載基板では、無電解めっきのブリッジの発生が無く、絶縁信頼性も極めて良好であった。それに対し、比較例１から５に示しされる比較例のものは、ブリッジが発生し、絶縁信頼性が不十分であった。
【図面の簡単な説明】
【０１７５】
【図１】本発明の一実施形態が適用される絶縁物および無電解めっき皮膜を被覆した銅配線の断面図である。
【図２】本発明の一実施形態が適用される絶縁物および無電解めっき皮膜を被覆した銅配線の断面図である。
【図３】本発明の一実施形態が適用される絶縁物および無電解めっき皮膜を被覆した銅配線の断面図である。
【図４】本発明の一実施形態が適用される絶縁物および無電解めっき皮膜を被覆した銅配線の断面図である。
【図５】本発明の一実施形態が適用される半導体チップ搭載基板の断面図である。
【図６】本発明の半導体チップ搭載基板の製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図７】本発明の一実施形態が適用されるフリップチップタイプ半導体パッケージの断面図である。
【図８】本発明の一実施形態が適用されるワイヤボンドタイプ半導体パッケージの断面図である。
【図９】本発明の一実施形態が適用されるファン−インタイプ半導体チップ搭載基板の平面図である。
【図１０】本発明の一実施形態が適用されるファン−アウトタイプ半導体チップ搭載基板の平面図である。
【図１１】本発明の一実施形態が適用される半導体チップ搭載基板のフレーム形状を表す平面図である。
【図１２】本発明の一実施形態が適用される半導体チップ搭載基板の断面図である。
【図１３】無電解めっき後にブリッジの発生の無い、第１の配線１０６ａの一部である半導体チップ接続端子の平面図である。
【図１４】無電解めっき後にブリッジの発生の有る、第１の配線の一部である半導体チップ接続端子の平面図である。
【符号の説明】
【０１７６】
１  銅配線
２  コア基板
３  絶縁物
４  ニッケルめっき皮膜
５  パラジウムめっき皮膜
６  金めっき皮膜
１１  位置決めマーク（位置合わせ用ガイド穴）
１３  半導体パッケージ領域
１４  ダイボンドフィルム接着領域（フリップチップタイプ）
１５  半導体チップ搭載領域（フリップチップタイプ）
１６  半導体チップ接続端子
１７  ダイボンドフィルム接着領域（ワイヤボンドタイプ）
１８  半導体チップ搭載領域（ワイヤボンドタイプ）
１９  外部接続端子
２０  展開配線
２１  ダミーパターン
２２  半導体チップ搭載基板
２３  ブロック
２４  補強パターン
２５  切断位置合わせマーク
２６  絶縁樹脂
２７  無電解めっきはみ出し
２８  無電解めっき異常析出
１００  コア基板
１０１  第１の層間接続端子
１０２  第１の層間接続用ＩＶＨ（バイアホール）
１０３  第２の層間接続端子
１０４  ビルドアップ層（層間絶縁層）
１０５  第３の層間接続用ＩＶＨ（バイアホール）
１０６ａ  第１の配線
１０６ｂ  第２の配線
１０６ｃ  第３の配線
１０７  外部接続端子
１０８  第２の層間接続用ＩＶＨ（バイアホール）
１０９  絶縁被覆（ソルダレジスト）
１１０  絶縁物
１１１  半導体チップ
１１２  接続バンプ
１１３  アンダーフィル材
１１４  はんだボール
１１５  金ワイヤ
１１６  半導体用封止樹脂
１１７  ダイボンドフィルム
【図１】
2006344920.tif 000005
【図２】
2006344920.tif 000006
【図３】
2006344920.tif 000007
【図４】
2006344920.tif 000008
【図５】
2006344920.tif 000009
【図６】
2006344920.tif 000010
【図７】
2006344920.tif 000011
【図８】
2006344920.tif 000012
【図９】
2006344920.tif 000013
【図１０】
2006344920.tif 000014
【図１１】
2006344920.tif 000015
【図１２】
2006344920.tif 000016
【図１３】
2006344920.tif 000017
【図１４】
2006344920.tif 000018