(57)【要約】【課題】  高線速度（具体的にはおよそ２５ｍ／ｓ以上）で、即ち、光学的情報記録用媒体の消去可能な線速度よりも高い線速度で初期結晶化を行なえるようにして、良好な初期結晶化状態を有する光学的情報記録用媒体を得ることができるようにする。【解決手段】  ディスク状の基板上に相変化型の記録層を有する光学的情報記録用媒体の製造方法であって、記録層を成膜した記録媒体を得る工程と、集束光を記録層に照射することによって形成される光スポットを記録媒体の周方向に走査させて記録層を初期結晶化する初期結晶化工程とを含み、初期結晶化工程において、光スポットを周方向に走査させる際の線速度を記録媒体の外周部ほど大きくし、走査線速度が速くなるにしたがって集束光の強度を上げて初期結晶化領域の全面を初期結晶化する。【選択図】        図２
2006004595.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスク状の基板上に相変化型の記録層を有する光学的情報記録用媒体の製造方法であって、
前記記録層を成膜した記録媒体を得る工程と、
集束光を前記記録層に照射することによって形成される光スポットを前記記録媒体の周方向に走査させて前記記録層を初期結晶化する初期結晶化工程とを含み、
前記初期結晶化工程において、前記光スポットを周方向に走査させる際の走査線速度を前記記録媒体の外周部ほど大きくし、前記走査線速度が速くなるにしたがって前記集束光の強度を上げて初期結晶化領域の全面を初期結晶化する
ことを特徴とする光学的情報記録用媒体の製造方法。
【請求項２】
前記初期結晶化工程において、前記記録媒体の単位時間当たりの回転数Ｒ０を一定にすることを特徴とする請求項１に記載の光学的情報記録用媒体の製造方法。
【請求項３】
前記初期結晶化工程において、前記回転数Ｒ０を下記の条件を満たすように設定することを特徴とする請求項２に記載の光学的情報記録用媒体の製造方法。
（ｉ）記録媒体を複数用意し、そのうちの１つの記録媒体を任意の回転数で回転させて、少なくとも前記記録媒体の記録領域の最内周のトラック上に成膜された記録層を初期結晶化する。
（ｉｉ）前記最内周トラックに２回記録を行なう。
（ｉｉｉ）２回目の記録後に形成された記録マークのジッタ値Ｊ２を測定する。
（ｉｖ）さらに８回記録を行ない、８回目の記録後に形成された記録マークのジッタ値Ｊ１０を測定する。
（ｖ）別の記録媒体に対し、前記（ｉ）の回転数とは異なる回転数で初期結晶化を行なった後、前記（ｉｉ）〜（ｉｖ）を行なう。
（ｖｉ）記録媒体を変えて（ｖ）の操作を繰り返す。
（Ｖｉｉ）それぞれの回転数で初期結晶化した記録媒体で得られた前記ジッタ値Ｊ２，Ｊ１０から求められるＪ２／Ｊ１０と初期結晶化の際の回転数との関係を求める。そして、Ｒ０を、Ｊ２／Ｊ１０を１．６以下とするような回転数に設定する。
【請求項４】
前記初期結晶化工程において、前記記録媒体の径方向に沿って前記初期結晶化領域を複数のゾーンに分け、前記各ゾーンにおいて照射する集束光の強度を一定とし、前記記録媒体の外周側のゾーンほど集束光の強度を上げることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の光学的情報記録用媒体の製造方法。
【請求項５】
前記初期結晶化工程において、前記記録媒体の径方向に沿って前記初期結晶化領域を複数のゾーンに分け、それぞれのゾーンにおける最内周の位置における回転数を一定とし、それぞれのゾーンにおいて最内周から最外周まで前記走査線速度を一定とすることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の光学的情報記録用媒体の製造方法。
【請求項６】
前記複数のゾーン中の隣接する２つのゾーンのうち、内周側に位置するゾーンをゾーンＡ、外周側に位置するゾーンをゾーンＢ、前記ゾーンＡの集束光強度をＰｉｎ、前記ゾーンＢの集束光強度をＰｏｕｔとして、
前記ゾーンＡの集束光強度Ｐｉｎの取りうる最小値をＰｉｎｍｉｎ、最大値をＰｉｎｍａｘとし、前記ゾーンＢの集束光強度Ｐｏｕｔの取りうる最小値をＰｏｕｔｍｉｎ、最大値をＰｏｕｔｍａｘとし、
前記ゾーンＡで外周側へ向かうにつれて集束光強度Ｐｉｎを前記Ｐｉｎｍｉｎから前記Ｐｉｎｍａｘまでの範囲内で徐々に大きくしていき、前記ゾーンＡの最外周における集束光強度Ｐｉｎの値をPinzoneAoutとし、
前記ゾーンＢで外周側へ向かうにつれて集束光強度Ｐｏｕｔを前記Ｐｏｕｔｍｉｎから前記Ｐｏｕｔｍａｘまでの範囲内で徐々に大きくしていき、前記ゾーンＢの最内周における集束光強度Ｐｏｕｔの値をPoutzoneBinとした場合に、
前記PoutzoneBinと前記PinzoneAoutとの関係が、
PoutzoneBin＝PinzoneAout
となるようにすることを特徴とする請求項５記載の光学的情報記録用媒体の製造方法。
【請求項７】
前記複数のゾーン中の隣接する２つのゾーンのうち、内周側に位置するゾーンをゾーンＡ、外周側に位置するゾーンをゾーンＢ、前記ゾーンＡの集束光強度をＰｉｎ、前記ゾーンＢの集束光強度をＰｏｕｔとして、
前記ゾーンＡの集束光強度Ｐｉｎの取りうる最小値をＰｉｎｍｉｎ、最大値をＰｉｎｍａｘとし、前記ゾーンＢの集束光強度Ｐｏｕｔの取りうる最小値をＰｏｕｔｍｉｎ、最大値をＰｏｕｔｍａｘとし、
前記ゾーンＡで外周側へ向かうにつれて集束光強度Ｐｉｎを前記Ｐｉｎｍｉｎから前記Ｐｉｎｍａｘまでの範囲内で徐々に大きくしていき、前記ゾーンＡの最外周における集束光強度Ｐｉｎの値をPinzoneAoutとし、
前記ゾーンＢで外周側へ向かうにつれて集束光強度Ｐｏｕｔを前記Ｐｏｕｔｍｉｎから前記Ｐｏｕｔｍａｘまでの範囲内で徐々に大きくしていき、前記ゾーンＢの最内周における集束光強度Ｐｏｕｔの値をPoutzoneBinとした場合に、
前記PoutzoneBinと前記PinzoneAoutとの関係が、
PoutzoneBin＞PinzoneAout
となるようにし、前記PoutzoneBinと前記PinzoneAoutとの差が最小になるようにすることを特徴とする請求項５記載の光学的情報記録用媒体の製造方法。
【請求項８】
前記初期結晶化工程において、前記記録媒体の前記初期結晶化領域の最内周の位置から前記記録媒体の外周側へ向かって所定の径方向位置に達するまでは、前記記録媒体の単位時間当たりの回転数Ｒ０を一定とし、前記所定の径方向位置から前記初期結晶化領域の最外周の位置までは前記走査線速度を一定することを特徴とする請求項１に記載の光学的情報記録用媒体の製造方法。
【請求項９】
前記初期結晶化工程において、前記所定の径方向位置における線速度を最大線速度Ｖｍａｘとし、前記最大線速度Ｖｍａｘを、下記の条件を満たすように設定することを特徴とする請求項８記載の光学的情報記録用媒体の製造方法。
（ｉ）前記初期結晶化領域内の任意のトラック上に成膜された記録層を、任意の線速度で初期結晶化する。
（ｉｉ）前記トラックに２回記録を行なう。
（ｉｉｉ）２回目の記録後に形成された記録マークのジッタ値Ｊ２を測定する。
（ｉｖ）さらに８回記録を行ない、８回目の記録後に形成された記録マークのジッタ値Ｊ１０を測定する。
（ｖ）線速度を変化させて前記（ｉ）〜（ｉｖ）を繰り返す。
（ｖｉ）それぞれの線速度で得られたジッタ値Ｊ２，Ｊ１０から求められるＪ２／Ｊ１０を１．６以下にするような線速度を最大線速度Ｖｍａｘとする。
【請求項１０】
前記集束光がレーザ光であることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の光学的情報記録用媒体の製造方法。
【請求項１１】
前記初期結晶化工程において、前記記録層を初期結晶化する際に用いる最大線速度を、光学的情報記録用媒体に形成される非晶質状態の記録マークの消去が可能な最大線速度以上とすることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の光学的情報記録用媒体の製造方法。
【請求項１２】
ディスク状の基板上に相変化型の記録層を有する記録媒体の前記記録層を初期結晶化する初期化装置であって、
前記記録層上に集束光を照射させて形成される光スポットを前記記録媒体の周方向に走査させる制御部を備え、
前記制御部が、光スポットを周方向に走査させる際の線速度を記録媒体の外周部ほど大きくし、前記走査線速度が速くなるにしたがって前記集束光の強度を上げて初期結晶化領域の全面を初期結晶化するように構成されることを特徴とする初期化装置。
【請求項１３】
前記制御部が、前記記録媒体の単位時間当たりの回転数Ｒ０を一定にするように構成されることを特徴とする請求項１２に記載の初期化装置。
【請求項１４】
前記制御部が、下記の条件を満たすように設定された回転数Ｒ０に基づいて前記記録媒体を回転させるように構成されることを特徴とする請求項１３記載の初期化装置。
（ｉ）記録媒体を複数用意し、そのうちの１つの記録媒体を任意の回転数で回転させて、少なくとも前記記録媒体の記録領域の最内周のトラック上に成膜された記録層を初期結晶化する。
（ｉｉ）前記最内周トラックに２回記録を行なう。
（ｉｉｉ）２回目の記録後に形成された記録マークのジッタ値Ｊ２を測定する。
（ｉｖ）さらに８回記録を行ない、８回目の記録後に形成された記録マークのジッタ値Ｊ１０を測定する。
（ｖ）別の記録媒体に対し、前記（ｉ）の回転数とは異なる回転数で初期結晶化を行なった後、前記（ｉｉ）〜（ｉｖ）を行なう。
（ｖｉ）記録媒体を変えて（ｖ）の操作を繰り返す。
（Ｖｉｉ）それぞれの回転数で初期結晶化した記録媒体で得られた前記ジッタ値Ｊ２，Ｊ１０から求められるＪ２／Ｊ１０と初期結晶化の際の回転数との関係を求める。そして、Ｒ０を、Ｊ２／Ｊ１０を１．６以下とするような回転数に設定する。
【請求項１５】
前記記録媒体の径方向に沿って前記初期結晶化領域が複数のゾーンに分けられ、前記制御部が、前記各ゾーンにおいて照射する集束光の強度を一定とし、前記記録媒体の外周側のゾーンほど集束光の強度を上げるように構成されることを特徴とする請求項１２〜１４のいずれか１項に記載の初期化装置。
【請求項１６】
前記記録媒体の径方向に沿って前記初期結晶化領域が複数のゾーンに分けられ、前記制御部が、それぞれのゾーンにおける最内周の位置における回転数を一定とし、それぞれのゾーンにおいて最内周から最外周まで前記走査線速度が一定となるように構成されることを特徴とする請求項１２〜１４のいずれか１項に記載の初期化装置。
【請求項１７】
前記複数のゾーン中の隣接する２つのゾーンのうち、内周側に位置するゾーンをゾーンＡ、外周側に位置するゾーンをゾーンＢ、前記ゾーンＡの集束光強度をＰｉｎ、前記ゾーンＢの集束光強度をＰｏｕｔとして、
前記ゾーンＡの集束光強度Ｐｉｎの取りうる最小値をＰｉｎｍｉｎ、最大値をＰｉｎｍａｘとし、前記ゾーンＢの集束光強度Ｐｏｕｔの取りうる最小値をＰｏｕｔｍｉｎ、最大値をＰｏｕｔｍａｘとし、
前記ゾーンＡで外周側へ向かうにつれて集束光強度Ｐｉｎを前記Ｐｉｎｍｉｎから前記Ｐｉｎｍａｘまでの範囲内で徐々に大きくしていき、前記ゾーンＡの最外周における集束光強度Ｐｉｎの値をPinzoneAoutとし、
前記ゾーンＢで外周側へ向かうにつれて集束光強度Ｐｏｕｔを前記Ｐｏｕｔｍｉｎから前記Ｐｏｕｔｍａｘまでの範囲内で徐々に大きくしていき、前記ゾーンＢの最内周における集束光強度Ｐｏｕｔの値をPoutzoneBinとした場合に、
前記PoutzoneBinと前記PinzoneAoutとの関係が、
PoutzoneBin＝PinzoneAout
となるように設定された集束光の強度に基づいて集束光の強度を制御するように、前記制御部が構成されることを特徴とする請求項１６記載の初期化装置。
【請求項１８】
前記複数のゾーン中の隣接する２つのゾーンのうち、内周側に位置するゾーンをゾーンＡ、外周側に位置するゾーンをゾーンＢ、前記ゾーンＡの集束光強度をＰｉｎ、前記ゾーンＢの集束光強度をＰｏｕｔとして、
前記ゾーンＡの集束光強度Ｐｉｎの取りうる最小値をＰｉｎｍｉｎ、最大値をＰｉｎｍａｘとし、前記ゾーンＢの集束光強度Ｐｏｕｔの取りうる最小値をＰｏｕｔｍｉｎ、最大値をＰｏｕｔｍａｘとし、
前記ゾーンＡで外周側へ向かうにつれて集束光強度Ｐｉｎを前記Ｐｉｎｍｉｎから前記Ｐｉｎｍａｘまでの範囲内で徐々に大きくしていき、前記ゾーンＡの最外周における集束光強度Ｐｉｎの値をPinzoneAoutとし、
前記ゾーンＢで外周側へ向かうにつれて集束光強度Ｐｏｕｔを前記Ｐｏｕｔｍｉｎから前記Ｐｏｕｔｍａｘまでの範囲内で徐々に大きくしていき、前記ゾーンＢの最内周における集束光強度Ｐｏｕｔの値をPoutzoneBinとした場合に、
前記PoutzoneBinと前記PinzoneAoutとの関係が、
PoutzoneBin＞PinzoneAout 
となるようにし、前記PoutzoneBinと前記PinzoneAoutとの差が最小になるように設定された集束光の強度に基づいて集束光の強度を制御するように、前記制御部が構成されることを特徴とする請求項１６記載の初期化装置。
【請求項１９】
前記制御部が、
前記記録媒体の前記初期結晶化領域の最内周の位置から前記記録媒体の外周側へ向かって所定の径方向位置に達するまでは、前記記録媒体の単位時間当たりの回転数Ｒ０を一定とし、前記所定の径方向位置から前記初期結晶化領域の最外周の位置までは前記走査線速度を一定するように構成されることを特徴とする請求項１２に記載の初期化装置。
【請求項２０】
前記所定の径方向位置における最大線速度Ｖｍａｘを、下記の条件を満たすように設定することを特徴とする請求項１９記載の初期化装置。
（ｉ）前記初期結晶化領域内の任意のトラック上に成膜された記録層を、任意の線速度で初期結晶化する。
（ｉｉ）前記トラックに２回記録を行なう。
（ｉｉｉ）２回目の記録後に形成された記録マークのジッタ値Ｊ２を測定する。
（ｉｖ）さらに８回記録を行ない、８回目の記録後に形成された記録マークのジッタ値Ｊ１０を測定する。
（ｖ）線速度を変化させて前記（ｉ）〜（ｉｖ）を繰り返す。
（ｖｉ）それぞれの線速度で得られたジッタ値Ｊ２，Ｊ１０から求められるＪ２／Ｊ１０を１．６以下にするような線速度を最大線速度Ｖｍａｘとする。
【請求項２１】
前記集束光がレーザ光であることを特徴とする請求項１２〜２０のいずれか１項に記載の初期化装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、生産性の高い光学的情報記録用媒体の製造方法及び高速初期化が可能な初期化装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、書換が可能な相変化型の記録層を有する平面円環形状の光学的情報記録用媒体（例えば、ＣＤ−ＲＷやリライタブルＤＶＤ、本明細書では、光学的情報記録用媒体を単に光ディスク、ディスク、相変化型ディスク等の呼び方で呼ぶ場合がある。）が実用化されている。このような光学的情報記録用媒体は、結晶状態と非晶質状態との間で記録層を可逆的に相変化させることによって情報の書き換えを行っている。具体的には、記録層の結晶状態を未記録又は消去状態とし、この記録層に非晶質の記録マークを形成して情報を記録する方法が一般的に用いられる。非晶質の記録マークは、該非晶質マークが完全に再結晶化されることにより消去される。このため、上記非晶質の記録マークが完全に再結晶化するために必要な時間の長さにより、消去可能な線速度の上限、ひいては書き換え可能な記録線速度の上限が決まる。
【０００３】
近年、記録線速度向上の要求に伴い、この消去可能な線速度上限を高めた記録媒体が開発されている。具体的には、ＣＤ−ＲＷでは、２４〜３２倍速の線速度において書き換え可能な光学的情報記録用媒体が実現又は開発中である。また、リライタブルＤＶＤでは、４倍速以上の線速度において書き換え可能な光学的情報記録用媒体が実現又は開発中である。
【０００４】
このような光学的情報記録用媒体の製造工程には、記録層を成膜して得られた記録媒体（本発明においては、基板上に記録層を成膜した状態の媒体を記録媒体と呼ぶ。そして、この記録媒体に対し、後述の初期化工程を得た媒体を光学的情報記録用媒体と呼ぶ。）に対し、初期化（未記録状態）する初期化工程を行なうことが通常必要である。具体的には、成膜後の記録層は通常非晶質の状態にあるため、初期化工程において記録層を結晶状態とする必要がある（このような初期化を初期結晶化という場合がある）。
【０００５】
初期結晶化は、記録媒体を確実に結晶化するために、記録媒体の全ての半径位置における線速度が一定になるようにして初期結晶化が行なわれている（特許文献１、２）。具体的には、全ての半径位置において線速度を一定とするように記録媒体を回転させた状態（Constant Linear Velocity；ＣＬＶ方式）で初期結晶化用のレーザ光を記録媒体に照射する。そして、このレーザ光によって記録媒体上に形成される光スポットを記録媒体の径方向に相対的に移動させて、記録層が結晶化される。
【特許文献１】特開２００１−２３６６９５号公報
【特許文献２】特開２００３−２７２１７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記従来の初期結晶化方法においては、初期化装置の高速回転速度制御とそれにともなうフォーカスサーボ制御が困難で、装置に多大な負担がかかる場合がある。
すなわち、上記従来の初期化結晶化方法は、平面円環形状の記録媒体の記録層における最内周から最外周までを一定の線速度（ＣＬＶ方式）で回転させることが必要となる。このために、初期化領域の最内周での最大回転数によって定まる線速度が、その装置の初期化条件の最大線速度となっていた。しかしながら、本発明者等の検討によれば、高速の記録線速度で書き換えを行なう光学的情報記録用媒体においては、さらなる高線速（具体的にはおよそ２５ｍ／ｓ以上）による初期化条件を用いることにより、媒体性能を向上させることが可能な場合があることが判明した。
【０００７】
上記初期結晶化条件は、光学的情報記録用媒体の消去可能な線速度よりも高い線速度で初期化する場合があることを意味する。そして、このような初期結晶化条件を用いて良い記録特性を得ようとすると、初期化装置に多大な負担等がかかる場合がある。なぜなら、そのような場合において従来通りのＣＬＶ方式で線速度の向上をはかろうとすると、ディスクの機械的耐久性が不十分となる、初期化装置が大型化する、及び初期化装置のコストが上昇する、等の問題が発生するからである。
【０００８】
すなわち、ディスクの機械的耐久性の点からは以下の問題が発生する。例えば、ＣＤやＤＶＤでは、基板にポリカーネート樹脂が用いられるのが一般的である。そして、このポリカーボネート樹脂基板の機械的強度の限界から、ＣＤやＤＶＤにおける記録時の回転速度の上限は、通常、１００００ｒｐｍ程度（ディスクの記録領域最内周の線速度は２０−２５ｍ／ｓ）となる。つまり、ポリカーボネート樹脂基板の機械的強度の限界から、２５ｍ／ｓ以上の高線速度でディスク全面を初期化することが困難となる。
【０００９】
一方、光学的情報記録用媒体の記録・消去・再生を行なう記録装置（例えば、ＣＤ−ＲＷやＤＶＤ用のドライブ）側では、いわゆるＰ−ＣＡＶ（Partial Angular velocity）、ＺＣＬＶ（Zoned CLV）といった手法により、外周部ほど、高線速度で書き換えを行なうようになっている。そのような手法の採用は、光学的情報記録媒体の半径位置における記録（消去）線速度の変化を意味する。このため、本来であれば、半径方向の異なる記録（消去）線速度に対して最適な記録特性が得られるように光学的情報記録用媒体を設計してもよい。しかし、実際の光学的情報記録用媒体においては、このような径方向の媒体特性を意図的に変化させるような設計は行わず、最外周部の最も速い書き換え線速度（実際上、２０−２５ｍ／ｓ以上）に対して、記録領域全面が書き換え可能（非晶質マークの消去が可能）なように設計される。従って、このような光学的情報記録用媒体の製造工程において記録媒体を初期結晶化する場合には、高線速度でレーザ光を照射しながら記録媒体を全面的に初期化する必要がある。
【００１０】
このため、初期化装置の回転数の限界等から発生するＣＬＶ方式での初期化線速度の上限の問題を回避できる初期化方法、ひいては光学的情報記録用媒体の製造方法、及び初期化装置が求められている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記実情に鑑み、本発明者等は、従来の線速度一定の初期化方法ではなく、初期化用レーザ光スポットと記録媒体との相対的な線速度を外周部ほど高くする初期化方法を見出した。より具体的には、本発明者等は、記録領域全面に渡って回転速度一定とするＣＡＶ方式（Constant Angular Velocity）、Ｐ−ＣＡＶ方式（Partial CAV方式）を用いて、記録媒体の外周部ほど線速度を高くする初期化方法を見出した。また、本発明者等は、記録媒体を複数のゾーンに分けて各ゾーンの最内周部分においては回転数一定としつつも、各ゾーン内においては線速度を一定とするＺＣＬＶ方式（Zoned CLV方式）を用いて、記録媒体の外周部ほど線速度を高くする初期化方法を見出した。
そして、これらの初期化方法を用いることによって、初期化装置への負担や複雑な制御が不要となることを見出した。
【００１２】
すなわち、本発明の要旨は、ディスク状の基板上に相変化型の記録層を有する光学的情報記録用媒体の製造方法であって、前記記録層を成膜した記録媒体を得る工程と、集束光を前記記録層に照射することによって形成される光スポットを前記記録媒体の周方向に走査させて前記記録層を初期結晶化する初期結晶化工程とを含み、前記初期結晶化工程において、前記光スポットを周方向に走査させる際の走査線速度を前記記録媒体の外周部ほど大きくし、前記走査線速度が速くなるにしたがって前記集束光の強度を上げて初期結晶化領域の全面を初期結晶化することを特徴とする光学的情報記録用媒体の製造方法に存する。
【００１３】
また、本発明の別の要旨は、ディスク状の基板上に相変化型の記録層を有する記録媒体の前記記録層を初期結晶化する初期化装置であって、前記記録層上に集束光を照射させて形成される光スポットを前記記録媒体の周方向に走査させる制御部を備え、前記制御部が、光スポットを周方向に走査させる際の線速度を記録媒体の外周部ほど大きくし、前記走査線速度が速くなるにしたがって前記集束光の強度を上げて初期結晶化領域の全面を初期結晶化するように構成されることを特徴とする初期化装置に存する。
【００１４】
本発明は、特に高速記録用の相変化型の記録材料を有する光学的情報記録用媒体（例えば、２４倍速以上の線速度で記録を行なうＣＤ−ＲＷや、６〜８倍速以上の線速度で記録を行なうリライタブルＤＶＤ）に適用すると、良好な初期化状態を有する光学的情報記録用媒体を得ることができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、従来とは異なる初期結晶化方法により良好な初期結晶化状態を有する光学的情報記録用媒体を得ることができるという利点がある。つまり、高線速度（例えば、およそ２５ｍ／ｓ以上のような、光学的情報記録用媒体の消去可能な線速度よりも高い線速度）で、初期結晶化を行なえるようになる。これにより、良好な記録特性が得られるようになり、媒体性能を向上させることが可能となる。さらに、初期結晶化時間を大幅に短縮することができるようになり、光学的情報記録用媒体の生産性を向上させることが可能となる。
【００１６】
特に、高い記録線速度で書き換えを行なう光学的情報記録用媒体を初期結晶化する場合に、良好な記録特性が得られるようになる。この場合、ディスクの機械的耐久性が不十分となったり、初期化装置が大型化したり、初期化装置のコストが上昇したりする等の問題が発生することもない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面により、本発明の実施の形態について説明する。但し、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することができる。
［１］光学的情報記録用媒体の構成及びその製造方法（記録層を成膜した記録媒体を得る工程）
相変化型の記録層を有する記録媒体の具体例としては、ディスク状の基板上に、第一保護層（下部保護層）、記録層（相変化型記録層）、第二保護層（上部保護層）、反射層、及び保護コート層をこの順に有する層構成をとり、基板を通してレーザ光を照射することにより信号の記録再生を行なう記録媒体（初期化後、基板面入射型の光学的情報記録用媒体として用いられる）を挙げることができる。
【００１８】
また、相変化型の記録層を有する光学的情報記録用媒体の他の具体例としては、ディスク状の基板上に、反射層、第二保護層（下部保護層）、記録層（相変化型記録層）、第一保護層（上部保護層）、及び保護コート層をこの順に有する層構成をとり、上部保護層を通じてレーザ光を照射することにより信号の記録再生を行なう記録媒体（初期化後、膜面入射型の光学的情報記録用媒体として用いられる。）を挙げることができる。この膜面入射型の光学的情報記録用媒体では、基板を通さずに上部保護層側からレーザ光を照射することにより信号の記録再生を行なう。このため、記録層と光ヘッドの距離を数百ミクロン以下に接近させることが可能となる。そして、開口数が０．７以上の対物レンズを使用することで、媒体の記録密度を向上させることが出来る。
【００１９】
尚、上記基板面入射型の光学的情報記録用媒体及び膜面入射型の光学的情報記録用媒体それぞれの層構成は例示である。例えば、基板面入射型の光学的情報記録用媒体及び膜面入射型の光学的情報記録用媒体のいずれにおいても、保護層と反射層との間に界面層を設けることができる。膜面入射型の光学的情報記録用媒体において、基板と反射層との間に下地層を設けてもよい。
【００２０】
本発明において好ましいのは、高データ転送レートを可能とする、結晶化速度の速い記録材料を記録層に用いた記録媒体を用いることである。
以下、基板、記録層、その他の層（保護層、反射層、保護コート層）の各層について説明する。
（１）基板
基板には、例えば、ポリカーボネート、アクリル、ポリオレフィンなどの樹脂、あるいはガラスを用いることができる。なかでもポリカーボネート樹脂は、ＣＤ−ＲＯＭ等において最も広く用いられている実績もあり、かつ、安価でもあるので、最も好ましい。基板の厚さは、通常０．１ｍｍ以上、好ましくは０．３ｍｍ以上であり、一方、通常２０ｍｍ以下、好ましくは１５ｍｍ以下である。一般的には０．６ｍｍ〜１．２ｍｍ程度とされる。基板面入射型の光学的情報記録用媒体においては、基板はレーザ光を透過する必要があるため、レーザ光に対して透明である必要がある。一方、膜面入射型の光学的情報記録用媒体においては、基板は必ずしも透明である必要はない。
【００２１】
基板には、通常、同心円状又はスパイラル状のトラック（グルーブ）が形成されている。また、基板の形状はディスク状とするが、ここで、「ディスク状」とは、回転可能な形状をいい、通常は平面円盤形状をいうが、平面円盤形状に限られるものではない。例えば、光学的情報記録用媒体の意匠を魅力的にするために、平面楕円形状や平面四角形状としてもよいことはいうまでもない。
（２）記録層
記録層としては、例えば、ＧｅＳｂＴｅ、ＩｎＳｂＴｅ、ＡｇＳｂＴｅ、及びＡｇＩｎＳｂＴｅといった系列の化合物が繰り返し記録可能な材料として選ばれる。これらの中で、Ｓｂ2Ｔｅ3とＧｅＴｅの疑似２元合金を主成分とする組成、より具体的には、｛（Ｓｂ2Ｔｅ3）1-α（ＧｅＴｅ）α｝1-βＳｂβ組成（ただし、０．２≦α≦０．９、０≦β≦０．１）、あるいは、Ｓｂを主成分とする組成のいずれかであることが多い。
【００２２】
本発明に用いる初期化方法（初期化用の光スポットが記録媒体の外周に向かうに連れて、走査線速度を大きくする初期化方法）は、結晶化速度の速い材料を記録層に用いた記録媒体に適用することが好ましい。結晶化速度を高めるために、前記記録層にＳｂを主成分とする組成を用いることがより好ましい。なお、本発明において、「Ｓｂを主成分とする」とは、記録層全体のうち、Ｓｂの含有量が５０原子％以上であることを意味する。Ｓｂを主成分とする理由は、Ｓｂの非晶質は、非常に高速で結晶化できるため、非晶質マークを短時間で結晶化することが可能となる。このため、非晶質状態の記録マークの消去が容易となる。この点から、Ｓｂの含有量は６０原子％以上であることが好ましく、７０原子％以上であることがより好ましい。しかし、一方で、非晶質形成を促進させ、かつ非晶質状態の経時安定性を高めるための添加元素をＳｂと共に併用することが好ましい。記録層の非晶質形成を促進させ、かつ非晶質状態の経時安定性を高めるためには、上記添加元素の含有量は、通常１原子％以上、好ましくは５原子％以上、より好ましくは１０原子％以上とし、一方、通常３０原子％以下とする。
【００２３】
非晶質形成を促進させ、かつ非晶質状態の経時安定性を高める上記添加元素は、結晶化温度を高める効果もある。このような添加元素としては、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｉ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｕ、希土類元素、Ｔａ、Ｎｂ、Ｖ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｃｏ、窒素、酸素、及びＳｅ等を用いることができる。これら添加元素のうち、非晶質形成の促進、非晶質状態の経時安定性の向上、及び結晶化温度を高める観点から、好ましいのはＧｅ、Ｔｅ、Ｉｎ、Ｇａ、及びＳｎからなる群から選ばれる少なくとも１つとすることである。特に好ましいのは、Ｇｅ及び／又はＴｅを用いるか、Ｉｎ、Ｇａ、及びＳｎの少なくとも１つを用いることである。
【００２４】
上述の通り、初期化方法に用いる記録媒体の記録層においては、高速での結晶化や非晶質の形成及び非晶質状態の経時安定性向上のために、記録層の材料として、ＳｂとＧｅ及び／又はＴｅとを併用することが特に好ましい。Ｇｅ及び／又はＴｅをＳｂに添加する際に、記録層中におけるＧｅ又はＴｅそれぞれの含有量を、１原子％以上３０原子％以下とすることが好ましい。つまり、Ｇｅ及びＴｅは、それぞれ単独で１原子％以上３０原子％以下ずつ含有されていることが好ましい。但し、記録層の主成分をＳｂとした場合にＳｂの含有量は５０原子％以上となるため、Ｓｂと共にＧｅ及びＴｅを記録層に含有させる場合、Ｇｅ及びＴｅの合計量は５０原子％よりは少なくなる。
【００２５】
記録層中におけるＧｅ又はＴｅのそれぞれの含有量は、より好ましくは３原子％以上、さらに好ましくは５原子％以上とする。この範囲とすれば、非晶質マークを安定化する効果が十分に発揮されるようになる。一方、記録層中におけるＧｅ又はＴｅのそれぞれの含有量は、より好ましくは２０原子％以下、さらに好ましくは１５原子％以下とする。この範囲とすれば、非晶質が安定になりすぎて逆に結晶化が遅くなるという傾向を抑制できる。また、上記範囲とすれば、結晶粒界での光散乱によるノイズを抑制することができるようになる。
【００２６】
上記Ｓｂを主成分とする組成は、記録層中に含有されるＴｅの量によって、２種類に分類することができる。一つは、Ｔｅを１０原子％以上含有する組成であり、もう一つはＴｅを１０原子％未満含有する組成（Ｔｅを含有しない場合を含む）である。
そのひとつは、記録層材料を、Ｔｅを概ね１０原子％以上含みつつ、Ｓｂ70Ｔｅ30共晶組成よりも過剰のＳｂを含有する合金を主成分とすることである。この記録層材料を、以下において、ＳｂＴｅ共晶系と呼ぶ。ここで、Ｓｂ／Ｔｅは３以上とすることが好ましく、４以上とすることがより好ましい。
【００２７】
記録層中に含有されるＴｅの量によって分類することができる、上記Ｓｂを主成分とするもう一つの組成としては以下のものをあげることができる。すなわち、記録層の組成を、Ｓｂを主成分としつつ、Ｔｅを１０原子％未満とし、さらにＧｅを必須成分として含有するようにするのである。上記記録層の組成の具体例としては、Ｓｂ90Ｇｅ10近傍組成の共晶合金を主成分とし、Ｔｅを１０原子％未満含有する合金（本明細書においては、この合金をＳｂＧｅ共晶系と呼ぶ。）を好ましく挙げることができる。
【００２８】
Ｔｅ添加量が１０原子％未満の組成は、ＳｂＴｅ共晶系ではなく、ＳｂＧｅ共晶系としての性質を有するようになる。このＳｂＧｅ共晶系の合金は、Ｇｅ含有量が１０原子％程度と高くても、初期結晶化後の多結晶状態の結晶粒径は比較的微細なために結晶状態が単一相となりやすく、ノイズが低い。ＳｂＧｅ共晶系の合金においては、Ｔｅは、付加的に添加されるにすぎず必須元素とはならない。
【００２９】
ＳｂＧｅ共晶系合金では、Ｓｂ／Ｇｅ比を相対的に高くすることで、結晶化速度を速めることができ、再結晶化による非晶質マークの再結晶化が可能である。
記録層にＳｂを主成分とする組成を用い、結晶状態を未記録・消去状態とし、非晶質マークを形成して記録を行なう場合、冷却効率を良くすることが非常に重要となる。これは以下の理由による。
【００３０】
すなわち、上記ＳｂＴｅ共晶系又はＳｂＧｅ共晶系等のＳｂを主成分とする記録層は、高速記録に対応するために、Ｓｂ70Ｔｅ30共晶点あるいはＳｂ90Ｇｅ10共晶点近傍よりもさらにＳｂを過剰に添加して、結晶核生成速度ではなく結晶成長速度を高めることにより結晶化速度を高めている。このため、これら記録層においては、記録層の冷却速度を速くして、再結晶化による非晶質マークの変化（非晶質マークが所望のサイズよりも小さくなること）を抑制することが好ましい。従って、記録層を溶融した後に非晶質マークを確実に形成するために記録層を急冷することが重要となり、記録層の冷却効率を良くすることが非常に重要となるのである。そのため、上記記録層組成においては、反射層に放熱性の高いＡｇ又はＡｇ合金を用いることが特に好ましい。そして、このような記録時の冷却効率を上げる必要がある記録層を有する記録媒体に対して、本発明の初期化方法を用いる意義が大きい。
【００３１】
上記、ＳｂＴｅ共晶系又はＳｂＧｅ共晶系等のＳｂを主成分とする組成を用いる記録層において、さらに、Ｉｎ、Ｇａ、及びＳｎの少なくとも１つを含有し、前記記録層中におけるＩｎ、Ｇａ、及びＳｎのそれぞれの含有量が１原子％以上３０原子％以下であることが特に好ましい。
以下、Ｓｂを主成分とする組成の具体例についてさらに説明する。
【００３２】
Ｓｂを主成分とする組成としては、まず、（ＳｂxＴｅ1-x）1-yＭy（ただし、０．６≦ｘ≦０．９、０≦ｙ≦０．３、ＭはＧｅ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｐｂ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｖ、Ｎｂ、及びＴａより選ばれる少なくとも１種）合金を主成分とするＳｂＴｅ共晶系の組成を好ましく挙げることができる。なお、上記組成式は、原子数比で組成を表している。従って、例えばｘ＝０．６は、６０原子％を意味する。
【００３３】
上記（ＳｂxＴｅ1-x）1-yＭy組成においては、Ｍとしては、Ｇｅ、Ｇａ、Ａｇ又はＩｎを単独又は併用して用いることが、オーバーライト特性等の記録特性の観点から特に好ましい。
上記（ＳｂxＴｅ1-x）1-yＭy組成においては、ｘは、通常０．６以上、好ましくは０．７以上、より好ましくは０．７５以上であり、一方、通常０．９以下とする。また、ｙは、通常０以上、好ましくは０．０１以上、より好ましくは０．０３以上であり、一方、通常０．３以下、好ましくは０．２以下、より好ましくは０．１以下である。ｘ、ｙを上記範囲とすれば、高速記録に対応可能な記録層を得ることができるようになる。
【００３４】
上記（ＳｂxＴｅ1-x）1-yＭy組成においてＭとしてＧｅを用いる組成について更に説明する。この組成としては、Ｓｂ70Ｔｅ30共晶点組成を基本として大幅に過剰のＳｂを含むＳｂ70Ｔｅ30合金を母体とし、さらにＧｅを含む、Ｇｅy（ＳｂxＴｅ1-x）1-y（ただし、０．０１≦ｙ≦０．０６、０．７≦ｘ≦０．９）であらわされる組成を用いることが好ましい。Ｇｅ量は、Ｇｅy（ＳｂxＴｅ1-x）1-yにおけるｙの値として０．０１以上、特に、０．０２以上であることが好ましい。一方、このようにＳｂ含有量が多いＳｂＴｅ共晶組成では、Ｇｅ量が多すぎると、ＧｅＴｅやＧｅＳｂＴｅ系の金属間化合物が析出するとともに、ＳｂＧｅ合金も析出しうるために、記録層中に光学定数の異なる結晶粒が混在すると推定される。そして、この結晶粒の混在により、記録層のノイズが上昇しジッタが増加することがある。また、Ｇｅをあまりに多く添加しても非晶質マークの経時安定性の効果が飽和する。このため、通常Ｇｅの含有量は、Ｇｅy（ＳｂxＴｅ1-x）1-yにおけるｙの値として、０．０６以下、好ましくは０．０５以下、より好ましくは０．０４以下である。
【００３５】
上記ＧｅＳｂＴｅ共晶系の組成においては、さらにＩｎ、Ｇａ、Ｓｎを含有させることが特に好ましい。すなわち、Ｍ１zＧｅy（ＳｂxＴｅ1-x）1-y-z（０．０１≦ｚ≦０．４、０．０１≦ｙ≦０．０６、０．７≦ｘ≦０．９であり、Ｍ１は、Ｉｎ、Ｇａ及びＳｎからなる群から選ばれた少なくとも一種の元素を表す。）で表される組成を用いることが特に好ましい。上記Ｍ１をＩｎ、Ｇａ及びＳｎで示される一群の元素のうちの少なくとも１種とすることにより、さらに特性が改善される。Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｎの元素は、結晶状態と非晶質状態の光学的コントラストを大きくでき、ジッタを低減する効果もある。Ｍ１の含有量を示すｚは、通常０．０１以上、好ましくは０．０２以上、より好ましくは０．０５以上、一方、通常０．１５以下、好ましくは０．１以下とする。この範囲とすれば、上記特性改善の効果が良好に発揮されるようになる。
【００３６】
上記、Ｉｎ，Ｓｎを含むＧｅＳｂＴｅ合金において、好ましい別の組成範囲として、Ｇｅx（ＩｎwＳｎ1-w）yＴｅzＳｂ1-x-y-zを挙げることができる。ここで、Ｓｂの含有量は、Ｇｅの含有量、Ｉｎの含有量、Ｓｎの含有量、及びＴｅの含有量のいずれよりも多く、原子数比を表すｘ、ｙ、ｚ、及びｗは下記（ｉ）から（vi）を満たすようにする。
（ｉ）０≦ｘ≦０．３
（ii）０．０７≦ｙ−ｚ
（iii）ｗ×ｙ−ｚ≦０．１
（iv）０＜ｚ
（ｖ）（１−ｗ）×ｙ≦０．３５
（vi）０．３５≦１−ｘ−ｙ−ｚ
上記記録層組成では、２０ｍ／ｓ以上の線速度で良好にオーバーライトを行うことが可能になる。以下、上記記録層組成における、各元素含有量と特性との関係を詳細に説明する。
（Ｓｂ、式（vi））
Ｓｂの含有量は、Ｇｅの含有量、Ｉｎの含有量、Ｓｎの含有量、及びＴｅの含有量のいずれよりも多い。すなわち、本発明の記録材料はＳｂを主体とする。具体的には、Ｓｂ含有量は３５原子％以上であり他の含有元素のどれよりも含有量が多い。本発明の効果を十分に得るためには、Ｓｂ含有量は、４０原子％以上であることが好ましく、４５原子％以上であることがより好ましい。
（Ｓｎ、式（ii）、（ｖ））
Ｓｎ含有量が結晶状態の反射率や結晶と非晶質の反射率差（信号振幅）に与える影響と、Ｉｎ含有量が結晶状態の反射率や結晶と非晶質の反射率差（信号振幅）に与える影響とはほぼ同等である。このため、上記記録層組成にはＳｎ又はＩｎの一方を含有させる。そして、Ｓｎ含有量とＩｎ含有量との合計を、Ｔｅ量より一定量の範囲内で多くすることにより結晶の反射率や信号振幅を大きくできる。一方、Ｔｅ含有量が多くなると結晶の反射率や信号振幅が低下する。したがって、所望する結晶状態の反射率及び信号振幅を得るためには、Ｓｎ及び／又はＩｎの含有量とＴｅの含有量との関係を制御することが重要となる。
【００３７】
このため、上記一般式における（ｙ−ｚ）の値は０．０７以上とし、好ましくは０．１以上、より好ましくは０．１３以上、特に好ましくは０．１５以上とする。ｙの値が大きくなると最適パワーが小さくなり好ましい。
また、Ｓｎが多すぎる場合にはジッタ特性が悪化する傾向にあるため、上記一般式における（１−ｗ）×ｙの値は、０．３５以下とし、好ましくは０．３以下とする。したがって、Ｔｅを多く含有させる場合、信号振幅を制御する観点からＩｎ含有量とＳｎ含有量との合計を多くする必要がある。一方、ジッタ特性を考慮するとＳｎはあまり多くすることができないため、Ｔｅの含有量を多くするときは、Ｓｎに加えＩｎも含むようにすることが好ましくなる。具体的には、Ｓｎを３５原子％を超えて含有させないとＴｅによる結晶の反射率や信号振幅の低下を抑えきれないほどＴｅ含有量を多くするような場合は、Ｉｎを含有させればよい。
（Ｉｎ、式（iii））
Ｉｎを用いることにより、結晶状態の反射率や結晶と非晶質との反射率差（信号振幅）を大きくすることができる。このため、記録層に含有させる元素としてＩｎを用いることが好ましい。
【００３８】
Ｉｎを用いることにより、結晶状態の反射率や結晶と非晶質の反射率差（信号振幅）を大きくすることができる上、Ｓｎに比べてジッタ特性への影響を少なくできるという利点がある。Ｓｎ，Ｔｅよりは、結晶粒界ノイズを低下させる機能があるものと推定される。一方で、Ｉｎは準安定結晶状態に由来すると思われる、長期保存による反射率の低下を引き起こす。これに対し、Ｔｅは長期保存による反射率低下を抑える傾向にある。したがって、長期保存における光学的情報記録用媒体の反射率の低下を抑制する観点から、Ｉｎ含有量とＴｅ含有量とを所定の関係とすることが重要となる。すなわち、上記一般式において、（Ｉｎ含有量−Ｔｅ含有量）の値を所定の範囲内とすることで、長期保存による反射率の低下を抑制できるようになる。具体的には、上記一般式におけるｗ×ｙ−ｚの値が小さいと長期保存による反射率の低下率が小さくなるので、ｗ×ｙ−ｚの値は０．１以下が好ましく、０．０５以下がより好ましく、０以下とすることがさらに好ましい。ここで、ｗ×ｙ−ｚ＝０はＩｎ含有量とＴｅ含有量とが同一となることを意味する。したがって、Ｉｎ含有量がＴｅ含有量と同一か、又はＩｎ含有量がＴｅ含有量よりも少ないことが本発明では更に好ましいのである。
【００３９】
このように長期保存による反射率低下をなるべく小さくしようとすると、ＩｎをＴｅに対して過度に多く含有させることができないので、前述の関係式０．０７≦ｙ−ｚを満たすためには、上記記録層組成において、Ｉｎに加えＳｎも含むようにすることが好ましい。具体的には、ｗ×ｙ−ｚ＜０．０７となった場合には、Ｉｎに加えＳｎも含有させないと０．０７≦ｙ−ｚを満たすことができなくなる。また、Ｓｎを含有させずにＩｎとＴｅの含有量を多くすると高速記録に適した結晶化速度を得にくくなるという点でもＩｎとＳｎの両方を含有することが好ましくなる。すなわち、０＜ｗ＜１とするのが好ましい。
【００４０】
なお、Ｉｎが過度に多いと、光学的情報記録用媒体の長期保存における信号品質が劣化する傾向にある。また、Ｓｎを含まずＩｎを多くするとＩｎ−Ｓｂ系で見られる低反射率の安定結晶層が出現する場合がある。このため、Ｉｎ含有量すなわちｗ×ｙの値は、０．３５以下とすることが好ましい。
（Ｔｅ、式（iv））
上記記録層組成においてはＴｅを含有させる。Ｔｅは繰り返し記録耐久性を向上させることができる。このためＴｅ含有量はある程度多くすることが好ましいが、上述のとおり、Ｉｎ及び／又はＳｎとＴｅとの関係、及びＩｎとＴｅとの関係を所定の範囲内に制御する必要がある。具体的には、上記一般式におけるＴｅの含有量を示すｚを、０＜ｚとするが、好ましくは０．０１≦ｚ、より好ましくは０．０５≦ｚ、さらに好ましくは０．０８≦ｚ、特に好ましくは０．１≦ｚ、最も好ましくは０．１＜ｚとする。
【００４１】
Ｔｅ含有量を表わすｚは通常０．２９未満となるが、これは上記一般式に規定された他の関係式により必然的に決まる値である。上述のようにＩｎ、Ｔｅはある程度含有量を多くすることが好ましいが、特にＴｅは結晶化速度を遅くするはたらきがある。このため、高速記録に適した結晶化速度を得るためにはＴｅ含有量を表わすｚは、０．２５以下とすることが好ましく、０．２０以下とすることがより好ましい。
（Ｇｅ、式（ｉ））
結晶化速度を調整するため、Ｇｅを用いることができる。すなわち、Ｇｅは、反射率、信号振幅（結晶と非晶質との反射率差）、媒体の長期保存による反射率低下等の特性には大きくは関係しない。このため、Ｇｅは、使用したい記録条件に適した結晶化速度を得るために用いることができる。Ｇｅが多くなると結晶化速度は遅くなるため、例えばより高速記録用の光学的情報記録用媒体ではＧｅ含有量を少なくし、結晶化速度を調整することもできる。ただし、結晶化速度は他の元素含有量にも関係し、Ｓｎが多くなると結晶化速度は速くなり、Ｉｎ、Ｔｅが多くなると結晶化速度は遅くなる。したがって、前述の諸特性を考慮してＧｅ以外の元素の含有量比を決めた後、Ｇｅの含有量を調整することにより記録条件に応じた結晶化速度の調整を行うことが好ましい。Ｇｅ含有量が多すぎると結晶化速度は遅くなりすぎるので、上記一般式におけるｘは０．３以下とし、好ましくは０．２５以下とし、より好ましくは０．２以下とする。なお、含有量が結晶化速度に与える影響は、ＧｅとＴｅが特に大きい。
【００４２】
また、Ｇｅ含有量が多いと、記録された非晶質マークを長期保存した場合に、保存前における記録直後よりも非晶質マークを結晶化しにくくなる傾向にある。この現象が顕著になると、記録された光学的情報記録用媒体を長期保存した後にオーバーライトを行う場合に、重ね書きした記録信号の信号品質が不十分となってしまう。つまり、長期保存後の古いマークが十分に消えないため新しい記録マークの信号品質を悪化させるのである。この結晶化がしにくくなる現象は、長期保存後の第一回目の記録においてのみ問題となり、長期保存後に新たに記録される非晶質マークは正常な結晶化速度をもつようになる。いずれにせよ、Ｇｅ含有量を少なくすることによりこの現象は軽減される。この意味において、Ｇｅ含有量は少ない方が好ましく、上記一般式におけるｘの値を０．１以下とすることが特に好ましく、０．０７以下とすることが最も好ましい。
【００４３】
上述のように、ＴｅやＩｎは結晶化速度を遅くする効果があるので、結晶化速度を遅くする場合に同一の結晶化速度を得るにはＴｅ、Ｉｎの含有量が多い方がＧｅ含有量を少なくできる。この意味においてＴｅ含有量、すなわちｚの値は、０．０５以上であることが好ましく、０．０８以上がより好ましく、０．１以上であることが最も好ましい。さらにこのとき、Ｉｎ含有量、すなわちｗ×ｙの値は、０．０５以上が好ましく０．０８以上がより好ましい。また、前記のようにＴｅ含有量が多い場合はＩｎとＳｎの両方を含むことが好ましくなる。すなわち、最も好ましい組成ではＧｅ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｔｅすべてを含有することとなる。
【００４４】
一方、Ｇｅ含有量が少なすぎると、非晶質マークの保存安定性が悪化し長期保存により結晶化する傾向にある。非晶質マークの保存安定性はＩｎを多くすることによっても改善される傾向にあるが、Ｇｅの影響の方が強い傾向にある。一方、他の元素の影響により、Ｇｅ含有量がゼロであっても非晶質マークの保存安定性が比較的良い場合もある。したがって、上記一般式におけるｘの値は０以上とするが、０より大きいことが好ましく、０．０１以上がより好ましく、０．０２以上がさらに好ましい。
【００４５】
上記ＧｅＳｂＴｅ共晶系の組成においてＩｎ、Ｇａ、Ｓｎ以外に含みうる元素としては、窒素、酸素及び硫黄を挙げることができる。これら元素は、繰返しオーバーライトにおける偏析の防止や光学特性の微調整ができるという効果がある。窒素、酸素及び硫黄の含有量は、Ｓｂ、Ｔｅ及びＧｅの合計量に対して５原子％以下であることがより好ましい。
また、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｃｏを上記ＧｅＳｂＴｅ共晶系の組成に含有させることもできる。これらの元素は、ごく微量の添加により、結晶成長速度を低下させることなく、結晶化温度を上昇させ、さらなる経時安定性の改善に効果がある。ただし、これら元素の量が多すぎると特定の物質の経時的偏析や繰返しオーバーライトによる偏析が起こりやすくなるため、添加量は５原子％以下、特に３原子％以下とするのが好ましい。偏析が生じると、記録層が初期に有する非晶質の安定性や再結晶化速度等が変化して、オーバーライト特性が悪化することがある。
【００４６】
一方、Ｓｂを主成分とする組成であるＳｂＧｅ共晶系組成としては、ＳｂＧｅ共晶系にＴｅを添加するＴｅＧｅＳｂ系を主成分とする組成、ＳｂＧｅ共晶系にＩｎ、Ｇａ又はＳｎを添加した、ＩｎＧｅＳｂ系、ＧａＧｅＳｂ系、又はＳｎＧｅＳｂ系３元合金を主成分とする組成を挙げることができる。ＳｂＧｅ共晶系の合金に、Ｔｅ、Ｉｎ、Ｇａ、又はＳｎを添加することにより、結晶状態と非晶質状態の光学的特性差を大きくする効果を顕著とすることができるが、特にＳｎを添加することが好ましい。
【００４７】
このようなＳｂＧｅ共晶系合金の好ましい組成としては、ＴｅγＭ２δ（ＧｅεＳｂ1-ε）1-δ-γ（ただし、０．０１≦ε≦０．３、０≦δ≦０．３、０≦γ＜０．１、２≦δ／γ、０＜δ＋γ≦０．４であり、Ｍ２はＩｎ、Ｇａ、及びＳｎからなる群から選ばれる一つである。）を挙げることができる。ＳｂＧｅ共晶系合金に、Ｉｎ、Ｇａ、又はＳｎを添加することにより、結晶状態と非晶質状態との光学的特性差を大きくできる効果を顕著とすることができる。
【００４８】
元素Ｍ２としてＩｎ、Ｇａを用いることで、超高速記録におけるジッタが改善され、光学的なコントラストも大きくすることができるようになる。このため、Ｉｎ及び／又はＧａの含有量を示すδは、通常０以上、好ましくは０．０１以上、より好ましくは０．０５以上とする。ただし、Ｉｎ又はＧａが過度に多いと、消去状態として使用する結晶相とは別に、非常に低反射率のＩｎ−Ｓｂ系、又はＧａ−Ｓｂ系の他の結晶相が形成される場合がある。従って、δは、通常０．３以下、好ましくは、０．２以下とする。尚、ＩｎとＧａとを比較すると、Ｉｎの方がより低ジッタを実現できるため、上記Ｍ２はＩｎとすることが好ましい。
【００４９】
一方、元素Ｍ２としてＳｎを用いることで、超高速記録におけるジッタが改善され、光学的なコントラスト（結晶状態と非晶質状態の反射率差）が大きくとれるようになる。このため、Ｓｎの含有量を示すδは、通常０以上、好ましくは０．０１以上、より好ましくは０．０５以上とする。ただし、Ｓｎが過度に多いと、記録直後の非晶質相が、低反射率の他の非晶質相に変化する場合がある。特に、長時間保存した場合に、この安定化非晶質相が析出して消去性能が低下する傾向がある。従って、δは、通常０．３以下、好ましくは０．２以下とする。
【００５０】
元素Ｍ２として、Ｉｎ、Ｇａ、及びＳｎのうち複数の元素を用いることもできるが、特に、Ｉｎ及びＳｎを含有させることが好ましい。Ｉｎ及びＳｎを含有させる場合、これら元素の合計含有量は、通常１原子％以上、好ましくは５原子％以上とし、通常４０原子％以下、好ましくは３０原子％以下、より好ましくは２５原子％以下とする。
上記ＴｅＭ２ＧｅＳｂ系の組成においては、Ｔｅを含有することで超高速記録における消去比の経時的変化を改善することができるようになる。このため、Ｔｅの含有量を示すγは、通常０以上とするが、好ましくは０．０１以上、特に好ましくは０．０５以上とする。ただし、Ｔｅが過度に多いと、ノイズが高くなる場合があるため、γは、通常０．１より小とする。
【００５１】
尚、上記ＴｅＭ２ＧｅＳｂ系の組成において、Ｔｅと元素Ｍ２とを含有させる場合は、これらの合計含有量を制御することが有効である。従って、Ｔｅ及び元素Ｍ２の含有量を示すδ＋γは、通常０より大きくするが、好ましくは０．０１以上、より好ましくは０．０５以上とすることである。δ＋γを上記範囲とすることで、Ｔｅ及び元素Ｍ２を同時に含有させる効果が良好に発揮されるようになる。一方、ＧｅＳｂ系共晶合金を主成分とする効果を良好に発揮されるために、δ＋γは、通常０．４以下、好ましくは０．３５以下、より好ましくは０．３以下とする。一方、元素Ｍ２とＴｅとの原子数比を表すδ／γは２以上とするのが好ましい。Ｔｅを含有させることによって光学的コントラストが低下する傾向にあるため、Ｔｅを含有させた場合には、元素Ｍ２の含有量を若干多くする（δを若干大きくする）ことが好ましい。
【００５２】
上記ＴｅＭ２ＧｅＳｂ系の組成に添加しうる元素としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｓｉ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｖ、Ｍｏ、希土類元素、Ｎ、Ｏ等があり、光学特性や結晶化速度の微調整等に使われるが、その添加量は、最大で１０原子％程度である。
以上において最も好ましい組成の一つは、ＩｎpＳｎqＴｅrＧｅsＳｂt（０≦ｐ≦０．３、０≦ｑ≦０．３、０＜ｐ＋ｑ≦０．３、０≦ｒ＜０．１、０＜ｓ≦０．２、０．５≦ｔ≦０．９、ｐ＋ｑ＋ｒ＋ｓ＋ｔ＝１）なる合金系を主成分とする組成である。ＴｅとＩｎ及び／又はＳｎとを併用する場合は、（ｐ＋ｑ）／ｒ≧２とするのが好ましい。
【００５３】
記録層の膜厚は、十分な光学的コントラストを得、また結晶化速度を速くし短時間での記録消去を達成するためには５ｎｍ以上あるのが好ましい。また反射率を十分に高くするために、より好ましくは１０ｎｍ以上とする。
一方、クラックを生じにくく、かつ十分な光学的コントラストを得るためには、記録層膜厚は１００ｎｍ以下とするのが好ましいが、より好ましくは５０ｎｍ以下とする。これは、熱容量を小さくし記録感度を上げるためである。また、上記範囲とすれば相変化に伴う体積変化を小さくできる。このため、上下の保護層に対する、繰り返しオーバーライトによる繰り返し体積変化の影響を小さくすることもできる。ひいては、不可逆な微視的変形の蓄積が抑えられノイズが低減され、繰り返しオーバーライト耐久性が向上する。
【００５４】
書き換え可能型ＤＶＤのような高密度記録用媒体では、ノイズに対する要求が一層厳しいため、より好ましくは記録層膜厚を３０ｎｍ以下とする。
上記記録層は、通常、所定の合金ターゲットを不活性ガス、特にＡｒガス中でＤＣまたはＲＦスパッタリングして得ることができる。
また、記録層の密度は、バルク密度の通常８０％以上、好ましくは９０％以上とする。ここでいうバルク密度ρとは、通常下記（１）式による近似値を用いるが、記録層を構成する合金組成の塊を作成して実測することもできる。
【００５５】
ρ＝Σｍiρi・・・（１）
（ここで、ｍiは各元素ｉのモル濃度であり、ｍiρiは元素ｉの原子量である。）
スパッタ成膜法においては、成膜時のスパッタガス（通常、Ａｒ等の希ガス。以下、Ａｒの場合を例に説明する。）の圧力を低くしたり、ターゲット正面に近接して基板を配置するなどして、記録層に照射される高エネルギーＡｒ量を多くすることによって、記録層の密度を上げることができる。高エネルギーＡｒは、通常スパッタのためにターゲットに照射されるＡｒイオンが一部跳ね返されて基板側に到達するものか、プラズマ中のＡｒイオンが基板全面のシース電圧で加速されて基板に達するものかのいずれかである。
【００５６】
このような高エネルギーの希ガスの照射効果をAtomic peening効果というが、一般的に使用されるＡｒガスでのスパッタではAtomic peening効果により、Ａｒがスパッタ膜に混入される。膜中のＡｒ量により、Atomic peening効果を見積もることができる。すなわち、Ａｒ量が少なければ、高エネルギーＡｒ照射効果が少ないことを意味し、密度の疎な膜が形成されやすい。
【００５７】
一方、Ａｒ量が多ければ、高エネルギーＡｒの照射が激しくなり、膜の密度は高くなるものの、膜中に取り込まれたＡｒが繰り返しオーバーライト時にｖｏｉｄとなって析出し、繰り返しの耐久性を劣化させやすい。従って、適度な圧力、通常は１０-2〜１０-1Ｐａのオーダーの範囲で放電を行なう。
（３）その他の層
（保護層）
記録層の相変化に伴う蒸発・変形を防止し、その際の熱拡散を制御するため、通常記録層の上下一方または両方、好ましくは両方に保護層が形成される。保護層の材料は、屈折率、熱伝導率、化学的安定性、機械的強度、密着性等に留意して決定される。一般的には透明性が高く高融点である金属や半導体の酸化物、硫化物、窒化物、炭化物やＣａ、Ｍｇ、Ｌｉ等のフッ化物等の誘電体を用いることができる。
【００５８】
この場合、これらの酸化物、硫化物、窒化物、炭化物、フッ化物は必ずしも化学量論的組成をとる必要はなく、屈折率等の制御のために組成を制御したり、混合して用いることも有効である。繰り返し記録特性を考慮すると誘電体の混合物が好ましい。より具体的には、ＺｎＳや希土類硫化物等のカルコゲン化合物と酸化物、窒化物、炭化物、フッ化物等の耐熱化合物の混合物が挙げられる。例えば、ＺｎＳを主成分とする耐熱化合物の混合物や、希土類の硫酸化物、特にＹ2Ｏ2Ｓを主成分とする耐熱化合物の混合物は好ましい保護層組成の一例である。
【００５９】
保護層の材料としては、通常、誘電体材料を挙げることができる。誘電体材料としては、例えば、Ｓｃ、Ｙ、Ｃｅ、Ｌａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｂ、及びＴｅ等の酸化物、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｂ、及びＰｂ等の窒化物、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、及びＳｉ等の炭化物、又はこれらの混合物を挙げることができる。また、誘電体材料としては、Ｚｎ、Ｙ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、及びＢｉ等の硫化物、セレン化物もしくはテルル化物、Ｍｇ、Ｃａ、Ｌｉ等のフッ化物、又はこれらの混合物を挙げることができる。
【００６０】
さらに誘電体材料の具体例としては、ＺｎＳ−ＳｉＯ2、ＳｉＮ、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＣｒＮ、ＴａＳ2、Ｙ2Ｏ2Ｓ等を挙げることができる。これら材料の中でも、ＺｎＳ−ＳｉＯ2は、成膜速度の速さ、膜応力の小ささ、温度変化による体積変化率の小ささ、及び優れた耐候性から広く利用される。ＺｎＳ−ＳｉＯ2を用いる場合、ＺｎＳとＳｉＯ2との組成比ＺｎＳ：ＳｉＯ2は、通常０：１〜１：０、好ましくは０．５：０．５〜０．９５：０．０５、より好ましくは０．７：０．３〜０．９：０．１とする。最も好ましいのはＺｎＳ：ＳｉＯ2を０．８：０．２とすることである。
【００６１】
より具体的には、Ｌａ，Ｃｅ，Ｎｄ，Ｙ等の希土類の硫化物、硫酸化物を５０ｍｏｌ％以上９０ｍｏｌ％以下含む複合誘電体や、ＺｎＳ，ＴａＳ2を７０ｍｏｌ％以上９０ｍｏｌ％以下含有する複合誘電体が望ましい。
繰り返し記録特性を考慮すると、保護層の膜密度はバルク状態の８０％以上であることが機械的強度の面から望ましい。誘電体の混合物を用いる場合には、バルク密度として上述の一般式（１）の理論密度を用いる。
【００６２】
保護層の厚さは、一般的に通常１ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。１ｎｍ以上とすることで、基板や記録層の変形防止効果を十分確保することができ、保護層としての役目を十分果たすことができる。また、５００ｎｍ以下とすれば、保護層としての役目を十分果たしつつ、保護層自体の内部応力や基板との弾性特性の差等が顕著になって、クラックが発生するということを防止することができる。
【００６３】
特に、記録層からみて光の入射側に位置する第一保護層を設ける場合、第一保護層は、熱による基板変形を抑制する必要があるため、その厚さは通常１ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上、さらに好ましくは２０ｎｍ以上、特に好ましくは４０ｎｍ以上である。このようにすれば、繰り返し記録中の微視的な基板変形の蓄積が抑制され、再生光が散乱されてノイズ上昇が著しくなるということがなくなる。
【００６４】
一方、第一保護層の厚みは、成膜に要する時間の関係から、通常４００ｎｍ以下、好ましくは３００ｎｍ以下、より好ましくは２００ｎｍ以下、さらに好ましくは１５０ｎｍ以下、特に好ましくは１００ｎｍ以下である。このようにすれば、記録層平面で見た基板の溝形状が変わるということがなくなる。すなわち、溝の深さや幅が、基板表面で意図した形状より小さくなったりする現象が起こりにくくなる。
【００６５】
一方、記録層からみて光に入射側と反対側に位置する第二保護層を設ける場合、第二保護層は、記録層の変形抑制のために、通常その厚さは１ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上、さらに好ましくは１５ｎｍ以上である。また、繰り返し記録に伴って発生する上部保護層内部の微視的な塑性変形の蓄積を防止し、再生光の散乱によるノイズ上昇を抑制するため、第二保護層の膜厚は、好ましくは２００ｎｍ以下、より好ましくは１５０ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以下、さらに好ましくは６０ｎｍ以下、特に好ましくは５０ｎｍ以下、最も好ましくは３０ｎｍ以下である。
【００６６】
なお、記録層及び保護層の厚みは、機械的強度、信頼性の面からの制限の他に、多層構成に伴う干渉効果も考慮して、レーザ光の吸収効率がよく、記録信号の振幅が大きくなるように選ばれる（すなわち記録状態と未記録状態のコントラストが大きくなるように選ばれる）。
保護層は通常スパッタ法で形成されるが、ターゲットそのものの不純物量や、成膜時に混入する水分や酸素量も含めて全不純物量を２原子％未満とするのが好ましい。このために保護層をスパッタリングによって形成する際、プロセスチャンバの到達真空度は１×１０-3Ｐａ未満とすることが望ましい。
（反射層）
光学的情報記録用媒体においては、さらに反射層を設けることができる。反射層の設けられる位置は、通常再生光の入射方向に依存し、入射側に対して記録層の反対側に設けられる。すなわち、基板側から再生光を入射する場合は、基板に対して記録層の反対側に反射層を設けるのが通常であり、記録層側から再生光を入射する場合は記録層と基板との間に反射層を設けるのが通常である。
【００６７】
反射層に使用する材料は、反射率の大きい物質が好ましく、特に放熱効果も期待できるＡｕ、ＡｇまたはＡｌ等の金属が好ましい。その放熱性は膜厚と熱伝導率で決まるが、熱伝導率は、これら金属ではほぼ体積抵抗率に比例するため、放熱性能を面積抵抗率で表すことができる。面積抵抗率は、通常０．０５Ω／□以上、好ましくは０．１Ω／□以上、一方、通常０．６Ω／□以下、好ましくは０．５Ω／□以下とする。
【００６８】
これは、特に放熱性が高いことを保証するものであり、上記記録層に用いる組成のように、非晶質マーク形成において非晶質化と再結晶化の競合が顕著である場合に、再結晶化をある程度抑制するために必要なことである。反射層自体の熱伝導度制御や耐腐蝕性の改善のために、上記の金属にＴａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｇ、Ｖ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｓｉ等を少量加えてもよい。添加量は通常０．０１原子％以上２０原子％以下である。
【００６９】
本発明に適した反射層の材料をより具体的に述べると、ＡｌにＴａ，Ｔｉ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｓｉ，Ｓｃ，Ｈｆ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｍｇ，Ｚｒ，Ｍｏ及びＭｎからなる群から選ばれた少なくとも１種の元素を含むＡｌ合金を挙げることができる。これらの合金は、耐ヒロック性が改善されるため、耐久性，体積抵抗率，成膜速度等を考慮して用いることができる。上記元素の含有量は、通常０．１原子％以上、好ましくは０．２原子％以上、一方、通常２原子％以下、好ましくは１原子％以下である。Ａｌ合金に関しては、添加不純物量が少なすぎると、成膜条件にもよるが、耐ヒロック性は不十分であることが多い。また、添加不純物量が多すぎると十分な放熱効果が得られにくい。
【００７０】
アルミニウム合金の具体例としては、Ｔａ及びＴｉの少なくとも一方を１５原子％以下含有するアルミニウム合金は、耐腐蝕性に優れている。このため、このＡｌ合金は、光学的情報記録用媒体の信頼性を向上させる上で特に好ましい反射層材料である。
反射層材料の好ましい例としては、純ＡｇまたはＡｇにＴｉ，Ｖ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｗ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｓｃ，Ｈｆ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｍｇ，Ｚｒ，Ｍｏ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｎ、及び希土類元素からなる群から選ばれた少なくとも１種の元素を含むＡｇ合金を挙げることができる。経時安定性をより重視する場合には添加成分としてはＴｉ，Ｍｇ又はＰｄが好ましい。上記元素の含有量は、通常０．０１原子％以上、好ましくは０．２原子％以上、一方、通常１０原子％以下、好ましくは５原子％以下である。
【００７１】
特に、ＡｇにＭｇ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｚｎ、Ｃｒ、Ｓｉ、Ｇｅ、希土類元素のいずれか一種を０．０１原子％以上１０原子％以下含むＡｇ合金は、反射率、熱伝導率が高く、耐熱性も優れていて好ましい。
なお、上部保護層の膜厚を４０ｎｍ以上５０ｎｍ以下とする場合には特に、反射層を高熱伝導率にするため、含まれる添加元素を２原子％以下とするのが好ましい。
【００７２】
反射層の材料として特に好ましいのは、Ａｇを主成分とすることであり、最も好ましいのは純Ａｇとすることである。Ａｇを主成分とすることが好ましい理由は以下のとおりである。すなわち、長期保存した記録マークを再度記録すると、保存直後の第一回目の記録だけ、相変化記録層の再結晶化速度が速くなる現象が発生する場合がある。このような現象が発生する理由は不明であるが、この保存直後における記録層の再結晶化速度の増加により、保存直後の第一回目の記録で形成した非晶質マークの大きさが所望するマークの大きさよりも小さくなるのではないかと推測される。したがって、このような現象が発生する場合には、反射層に放熱性が非常に高いＡｇを用いて記録層の冷却速度を上げることにより、保存直後における第一回目の記録時の記録層の再結晶化を抑制して非晶質マークの大きさを所望の大きさに保つことができるようになる。
【００７３】
反射層の膜厚は、透過光がなく完全に入射光を反射させるために、通常１０ｎｍ以上とするが、２０ｎｍ以上とすることが好ましく、４０ｎｍ以上とすることがより好ましく、５０ｎｍ以上とすることがさらに好ましい。また、あまりに厚すぎても、放熱効果に変化はなくいたずらに生産性を悪くし、また、クラックが発生しやすくなるので、反射層の膜厚は、通常は５００ｎｍ以下とするが、４００ｎｍ以下とすることが好ましく、３００ｎｍ以下とすることがより好ましく、２００ｎｍ以下とすることがさらに好ましい。
【００７４】
なお、反射層は通常スパッタ法や真空蒸着法で形成される。反射層は、ターゲットや蒸着材料そのものの不純物量や、成膜時に混入する水分や酸素量も含めて全不純物量を２原子％未満とするのが好ましい。このために反射層をスパッタリングによって形成する際、プロセスチャンバの到達真空度は１×１０3Ｐａ未満とすることが望ましい。
また、１０4Ｐａより悪い到達真空度で成膜するなら、成膜レートを１ｎｍ／秒以上、好ましくは１０ｎｍ／秒以上として不純物が取り込まれるのを防ぐことが望ましい。あるいは、意図的な添加元素を１原子％より多く含む場合は、成膜レートを１０ｎｍ／秒以上として付加的な不純物混入を極力防ぐことが望ましい。
【００７５】
さらなる高熱伝導と高信頼性を得るために反射層を多層化することも有効である。この場合、少なくとも１層は全反射層膜厚の５０％以上の膜厚を有する上記の材料とするのが好ましい。この層は実質的に放熱効果を司り、他の層が耐食性や保護層との密着性、耐ヒロック性の改善に寄与するように構成される。特に、純ＡｇまたはＡｇを主成分とする反射層を、硫黄を含むＺｎＳ等を含む保護層と接して設ける場合には、Ａｇの硫黄との反応による腐食を防ぐために、通常、硫黄を含まない界面層を設ける。この場合、界面層が、反射層として機能するような金属であることが好ましい。界面層の材料としては、Ｔａ、Ｎｂを挙げることができる。
【００７６】
各層の成膜は、記録層用ターゲット、保護層用ターゲット、必要な場合には反射層材料用ターゲットを同一真空チャンバー内に設置したインライン装置で行なうことが、各層間の酸化や汚染を防ぐ点で望ましい。また、生産性の面からも優れている。
（保護コート層）
光学的情報記録用媒体の最表面側には、空気との直接接触を防いだり、異物との接触による傷を防ぐため、紫外線硬化樹脂や熱硬化型樹脂からなる保護コート層を設けるのが好ましい。保護コート層は通常１μｍから数百μｍの厚さである。また、硬度の高い誘電体保護層をさらに設けたり、その上にさらに樹脂層を設けることもできる。
（その他）
なお、ここでは、ＣＤ−ＲＷのような１層構造のものを例に説明したが、これに限られるものではなく、他の構造のもの（例えば２層構造のものやそれ以上の多層構造のもの、２層構造で片面入射型のものや両面入射型のものなど）にも本発明を適用することができる。
【００７７】
また、一般的には、記録媒体には、実際にデータの記録再生が行われる記録領域があり、該記録領域に、記録再生用光ビームを案内するための凹凸が設けられ、該凹凸がトラックとして機能する。たとえば、ＣＤ／ＤＶＤでは、内側の半径２３ｍｍ程度から、外周部の半径５８ｍｍ程度までが、記録領域である。記録媒体においては、該記録領域全面とその外側に若干はみ出した領域（これを成膜領域という場合がある。）に上記層構成の薄膜を形成する。
【００７８】
初期化は、通常、成膜領域の全面もしくは、その端を除く全面に対して行われる。初期化操作が行われる領域を初期結晶化領域（初期化領域）と呼ぶことにすると、通常、成膜領域≧初期結晶化領域≧記録領域、という関係になる。
［２］光学的情報記録用媒体の製造方法における初期結晶化工程
［Ａ］初期結晶化工程の意義
記録層は通常スパッタリング法等の真空中の物理蒸着法で成膜される。成膜直後の状態（as−deposited状態）では、記録層は通常非晶質である。このため、記録層を結晶化させて未記録消去状態とする必要がある。この工程を初期化工程（または初期結晶化工程、初期結晶化操作）と称する。
【００７９】
初期結晶化操作は、結晶化温度（通常１５０〜３００℃）以上で集束エネルギービーム（特に光エネルギー）を局所的に極短時間照射して、記録層をその層構成が物理的に破壊されないような非常に短い時間昇温することによって達成される（以下この初期化方法を「バルクイレーズ」と称することがある）。
特に、結晶核生成の少ない相変化記録材料を記録層に用いた記録媒体の場合には、上記初期結晶化操作のうち、短時間に記録層の融点以上に昇温する溶融初期化を用いることが特に好ましい。これは、上記結晶核生成の少ない相変化記録材料においては、固相での結晶化に長時間を有して製造効率が悪いことと、長時間の昇温で成膜領域に熱ダメージを与える場合があること、が理由である。
【００８０】
溶融初期化においては、結晶化の速度が遅すぎると熱平衡を達成するための時間的余裕があるために他の結晶相が形成されることがある。このため、ある程度冷却速度を速めるのが好ましい。また、溶融状態で長時間保持されると、記録層が流動したり、保護層等の薄膜が応力で剥離したり、樹脂基板等が変形するなどして、記録媒体の破壊につながるので好ましくない。
【００８１】
例えば、融点以上に保持する時間は、通常１０μｓ以下、好ましくは１μｓ以下とすることが好ましい。
集束光のエネルギービーム光源としては、短時間のパルス照射動作と高エネルギー密度が同時に得られる点で、レーザ光が好ましい。レーザ光源としては、半導体レーザ、ガスレーザ等各種のものが使用できる。レーザ光のパワーは通常１００ｍＷから１０Ｗ程度である。なお、同等のパワー密度と集束光形状が得られるならば、他の集光光源を使用してもかまわない。具体的にはＸｅランプ光等が挙げられる。記録層面上に集光された集束光の該集束面上での形状を、スポット、光スポット、スポット形状、又は光スポット形状と称する。
【００８２】
集束光の光スポット形状としては、特に、走査方向にほぼ平行に短軸を有する楕円形状が好ましい。以下楕円形状の光スポットを形成するような集束光を単に楕円ビームと呼ぶ場合がある。この場合、長軸の長さは、通常１０〜１０００μｍであり、短軸の長さは、通常０．１〜５μｍである。
なお、ここでいうビームの長軸及び短軸の長さは、ビーム内の光エネルギー強度分布を測定した場合の半値幅から定義される。このビーム形状も短軸方向における局所加熱、急速冷却を実現しやすくするため、短軸長を５μｍ以下、さらには２μｍ以下、より好ましくは１．５μｍ以下とする。短軸長は、焦点深度をある程度維持するために０．１μｍ以上、さらには、０．５μｍ以上とすることが好ましい。
【００８３】
バルクイレーズによる初期化において、例えば円盤状（平面円環形状）の記録媒体を使用する場合、楕円ビームの短軸方向をほぼ円周方向と一致させ、円盤を回転させて短軸を円盤の周方向に走査するとともに、１周（１回転）ごとに長軸を径（半径）方向に移動させて、全面の初期化を行なうことができる。こうすることで、周方向のトラックに沿って走査される記録再生用集束光の光スポットに対して、特定方向に配向した多結晶構造を実現できる（このような装置としては例えば特開２００２−２０８１４３号公報の図２参照）。なお、径方向の移動は一回転中に連続的に行っても良い。また、径方向の移動は、１回転もしくは、周方向の一定の走査距離ごとに行っても良い。
【００８４】
楕円形状の光スポットの生成は、例えば特開２００２−２０８１４３号公報［特に、図１（光スポット生成装置の概念図）及びそれに関する記載を参照］に開示されているような、半導体レーザとシリンドリカルレンズを用いることができる。
半導体レーザは、通常、端面出射タイプであり、超楕円形状にレーザ光を出射する。集光された光スポット内の光強度分布は、図１に示すように、短軸方向では概ねガウシアン分布となり、長軸方向では台形状分布となる。この長軸方向の光スポットのレーザ光強度は、通常、半導体レーザの性質上不可避の強度分布が存在する。この不可避の強度分布を示す図１において、最大値ＩＰｍａｘ、最小値ＩＰｍｉｎとすると、ＩＰｍａｘとＩＰｍｉｎとの関係は、（ＩＰｍａｘ−ＩＰｉｍｎ）／（ＩＰｍａｘ＋ＩＰｍｉｎ）≦０．２であることが好ましく、（ＩＰｍａｘ−ＩＰｉｍｎ）／（ＩＰｍａｘ＋ＩＰｍｉｎ）≦０．１であることがより好ましい。（ＩＰｍａｘ−ＩＰｉｍｎ）／（ＩＰｍａｘ＋ＩＰｍｉｎ）は、理想的にはゼロである。
【００８５】
１回転あたりの径方向の光スポット移動距離は、光スポット長軸より短くしてオーバーラップさせ、同一半径が複数回レーザ光ビームで照射されるようにするのが好ましい。なお、楕円ビームの光軸が径方向に対して、０〜４５度程度傾いていてもよい。この場合には、長軸の径方向における記録媒体上に射影された長さを長軸（径方向）の長さとする。そして、前述の通り、１回転ごとの径方向移動量を径方向の射影された光スポットの長軸の長さ以下とすることにより、前の周回とその次の周回とでスポットの軌跡に重なりができ、隙間による未初期化を防いで確実な初期化が可能となる。さらに、長軸方向のエネルギー分布（通常１０〜２０％）に由来する初期化状態の不均一を回避することができる。一方、１回転ごとの光スポットの径方向の移動量が小さすぎると、同じ個所を数十回も繰り返し光スポットにより照射することになる。この場合、かえって前記他の好ましくない結晶相が形成されやすい場合がある。このため、通常、周回ごとの半径方向の光スポットの移動量は、通常、光スポットの長軸の１／２程度、又は、光スポットの長軸の１／２以上とするのが好ましい。光スポットの径方向の移動量は、光スポットの長軸の１／２程度とすることにより、記録媒体上の同一個所が平均して２回光ビームで照射されることになる。このため、初期化後の結晶状態のむらを抑制できる上、記録媒体上の同一箇所を２回以上照射することによって記録媒体に熱ダメージを与える可能性を少なくすることができる。
【００８６】
また、光スポットの記録媒体に対する相対的な走査線速度（本発明において、初期結晶化における走査線速度（単に線速度という場合もある）とは、周方向の線速度を意味する）は、光学的情報記録用媒体の記録領域の半径位置によって異なるようにする。
つまり、初期結晶化工程において、光スポットを周方向に走査させる際の走査線速度を記録媒体の外周部ほど大きくし、初期結晶化工程において、走査線速度が速くなるにしたがって、集束光の強度を上げる。そして、初期結晶化領域の全面を初期化する。換言すれば、光スポットの径方向移動に伴い、記録媒体に対する光スポットの周方向の相対的な走査線速度を記録媒体の外周部ほど大きくする。「外周部ほど大きくする」とは、ある区間はほぼ一定であっても良いが、少なくとも初期結晶化を行なう記録層上の領域の最内周と初期結晶化を行なう記録層上の領域の最外周とを見ると、外周部の走査線速度が大きくなっていることをいう。なお、最外周における走査線速度としては、２０ｍ／ｓ以上が好ましく、２５ｍ／ｓ以上がより好ましい。
【００８７】
走査線速度は、ディスク初期化領域の全面において、１５ｍ／ｓ以上が好ましく、２０ｍ／ｓ以上がより好ましく、２５ｍ／ｓ以上がさらに好ましい。特に最外周部においては、走査線速度は、２０ｍ／ｓ以上が好ましく、２５ｍ／ｓ以上がより好ましい。
従来の初期化装置では、ＣＬＶ方式を用いていたため、ディスクの回転数の限界（１００００ｒｐｍ程度）から線速度が決まってしまっていたが、本発明によれば、初期結晶化領域最内周の線速度はディスクの回転数の限界によって決まってしまうものの、初期結晶化領域最外周の線速度はより高速にすることができるようになる。この初期結晶化領域最外周の線速度の上限は記録媒体の設計（特に記録層の組成）によって決まることになる。
【００８８】
記録媒体の半径位置と走査線速度との関係を示す具体例として、図２を挙げることができる。図２（ａ）は、ＣＡＶ方式、図２（ｂ）及び（ｃ）は、Ｐ−ＣＡＶ方式、図２（ｄ）は、ＺＣＬＶ方式、図２（ｅ）は、Ｐ−ＣＡＶ方式／ＺＣＬＶ方式の混合を示す。
より詳細には、図２（ａ）は、ＣＡＶ方式の具体例であり、初期化領域全面にわたって、円盤状記録媒体の単位時間当たりの回転数をＲ０で一定とした場合である。
【００８９】
図２（ｂ）は、Ｐ−ＣＡＶ方式の具体例であり、同図（ａ）と同様に走査線速度が半径位置に比例して増加しているものの、その増加率が回転数一定の場合とは異なる場合である。このようなＰ−ＣＡＶ方式は、例えば、同図の拡大図に示されるような方法によって実現される。つまり、記録媒体を半径方向に複数の領域に分ける。そして、一つの領域内においては回転数をほぼ一定としつつ外周方向に位置する次の領域に移るときに回転数（走査線速度）を落とす（図２（ｂ）拡大１参照）。また、このようなＰ−ＣＡＶ方式は、例えば、同図の拡大図に示されるような方法によって実現される。つまり、記録媒体を半径方向に複数の領域に分ける。そして、一つの領域内においては走査線速度を外周に向かうにつれて若干下げて、外周方向に位置する次の領域に移るときに走査線速度を上昇させる（図２（ｂ）拡大２参照）。同図（ｂ）拡大２におけるＰ−ＣＡＶ方式は、Ｚ−ＣＬＶ方式と考えることもできる。
【００９０】
図２（ｃ）は、Ｐ−ＣＡＶ方式の他の具体例であり、内周部領域では、回転数を一定のＣＡＶ方式とし、外周部領域ではある走査線速度で一定のＣＬＶ方式としている。
図２（ｄ）は、Ｚ−ＣＬＶ方式の具体例である。Ｚ−ＣＬＶ方式は、以下の操作を繰り返すことによって実現される。つまり、記録媒体を半径方向に複数の領域に分け、一つの領域内においては走査線速度をほぼ一定とする。そして、外周方向に位置する次の領域に移るときに走査線速度を上昇させて、走査線速度を一定値とする操作を繰り返す。
【００９１】
図２（ｅ）は特殊な例であるが、概ね外周ほど走査線速度が大きくなるという趣旨をより具体的に説明するための一例である。すなわち、本発明における趣旨に反しない限りにおいて、記録媒体の半径方向における所定の範囲内（例えば数ｍｍの範囲）で、走査線速度を若干（例えば、２−３ｍ／ｓ）減少させることは許容される。
光スポットの記録媒体の半径方向における移動は、初期結晶化を行なう記録層上の領域の内周から外周に向かって一方向に移動させるか、又は、初期結晶化を行なう記録層上の領域の外周から内周に向かって一方向に移動させることが、機械的制御を簡便にできる点で好ましい。但し、光スポットの移動において、若干の逆行は当然ながら許容される。例えば、図２（ｃ）のケースにおいて、以下のような方法を行うことができる。つまり、内周部のＣＡＶ領域を内周から外周へ一方向に移動させた後、再度内周に戻って同一の操作を行う。その後、外周部のＣＬＶ領域を、内周から外周に２回操作する。このような２回（あるいは複数回の）操作は、初期化後の結晶状態をより均一にしたい場合に行われる。このような光スポット及びその径方向移動方法が確定されれば、初期化条件は、光スポットの周方向の走査速度と集束光のパワーによって決まる。
【００９２】
本発明においては、光スポットの径方向移動に伴って走査線速度が速くなるに従って、集束光の強度（集束光パワー）を増加させる。
走査線速度が決まると、初期化すべき記録媒体に対して、最適な集束光の強度（本明細書では、集束光の強度を初期化パワーと呼ぶ場合がある）Ｐｏが決まる。Ｐｏの下限Ｐｏｍｉｎは、少なくとも、記録層を結晶化するために記録層を結晶化温度以上、又は、溶融初期化における融点以上に昇温するために必要なパワーである。一方、Ｐｏの上限Ｐｏｍａｘは、当該記録媒体に過剰な熱ダメージを与えないようなパワーである。Ｐｏｍａｘ／Ｐｏｍｉｎは、通常、１以上、１．５以下とし、好ましくは、１．２以下とする。このようにして決まる最適初期化パワーＰｏは、走査線速度にほぼ比例すると考えられる。
【００９３】
Ｐｏは、詳細にはＰｏｍｉｎ以上Ｐｏｍａｘの範囲内において、初期結晶化後の光学的記録用媒体の記録特性を考慮して決められる。Ｐｏを定める際に考慮される光学的情報記録用媒体の記録特性としては、例えば下記（１）〜（３）を挙げることができる。
（１）初期結晶化後における光学的情報記録用媒体の未記録状態の反射率と、数回繰り返し書き換え記録した後における消去部の反射率と、の差ができるだけ小さくするように、Ｐｏが決定される。反射率は、再生用集束光を光学的情報記録用媒体に照射したときに反射して再生光学系に戻ってくる光強度で測定される。反射率は、実際上は、光検出器の電圧出力の大きさにほぼ比例した量となる。また、局所的にも未初期化による反射率の変動がないように、Ｐｏを決めることが好ましい。
（２）初期化後における光学的情報記録用媒体の未記録状態の反射光を上記光検出器で検出する。そして、スペクトラムアナライザ等で測定したノイズができるだけ低くなるようにＰｏが決定される。
（３）２回目の記録（２回目の記録は、１度記録を行った光学的情報記録用媒体に対するオーバーライトとなる）におけるジッタ値を所定の範囲内に制御するように、Ｐｏが決定される。
【００９４】
ここで、ジッタ値とは、いわゆるマーク位置記録におけるマーク位置やマーク長（変調）記録におけるマーク端位置の検出タイミングの時間的ゆらぎである。ジッタ値は、通常は検出タイミングの平均値を中心とする時間的ばらつきの標準偏差σで表される。本発明においては、ジッタ値は、参考書「光ディスク技術」（ラジオ技術社、第１章、１．７節ジッタ）に説明される一般的概念に該当するものである。ジッタ値の測定は、ＣＤ，ＣＤ−Ｒ，ＣＤ−ＲＷ規格書であるオレンジブックや、ＤＶＤ，ＤＶＤ−Ｒ，ＤＶＤ−ＲＷ規格書に開示された標準的な定義と手法に準じて行う。
【００９５】
Ｐｏの範囲を制約する条件は、（１）、（２）、（３）の順に厳しくなる。さらに（３）の測定を具体的に実施するにあたっては、ＣＤやＤＶＤなどより特定の記録フォーマットに依存した決定方法と仕様が用いられる。上記（１）〜（３）によって決まるＰｏの範囲は、通常、前述の物理的制約から決まるＰｏｍｉｎ〜Ｐｏｍａｘより狭い範囲となる。ここで、上記（１）〜（３）によって決まるＰｏの下限値をＰｉｍｉｎ＋、Ｐｏの上限値をＰｉｍａｘ＋と表記することとする。また、ある走査線速度における、Ｐｉｍｉｎ＋とＰｉｍａｘ＋との差で決まる初期化パワー範囲を初期化パワーマージンと称し、δＰｉで表記する。
【００９６】
本発明においては、走査線速度及び集束光の強度を実質的に連続的に変化させることが好ましい。ここで、「走査線速度及び集束光の強度を実質的に連続的に変化させる」とは、走査線速度切り替え前後の走査線速度をそれぞれ、Ｖｉｂ、Ｖｉａとすると、Ｖｉａ＝Ｖｉｂ＋ΔＶｉであって、通常、ΔＶｉ／Ｖｉａ≦０．２の範囲においては、集束光の強度を一定にすることをいう。ここで、ΔＶｉ／Ｖｉａは、好ましくは０．１以下とする。走査線速度を上記のように細かい範囲で変化させることにより、記録媒体の結晶化を均一に行なうことができるようになる。一方、ΔＶｉ／Ｖｉａは、通常０．００１以上となる。
【００９７】
記録媒体上に未初期化部分が残らないように、光スポットの径方向の移動量を光スポットの半径方向における長軸の長さ未満として光スポットの軌跡をオーバーラップさせながら移動させる場合、光スポットの軌跡の重なりは数十μｍ〜数百μｍオーダーとなる。そして、このような数十μｍ〜数百μｍオーダーの微小な領域内において初期化条件が大きく変化すると、記録トラックの途中で初期化状態が大きく異なり、記録品質がトラックの途中で異なる可能性が大きくなる。１回転内の記録トラックにこのような急激な変化があると、記録再生装置（ドライブ）が誤動作（ひいては誤記録）する可能性が大きくなる。このため、上記のように走査線速度を細かい範囲で変化させることが好ましい。
【００９８】
図２（ｄ）のＺＣＬＶ法を用いるとしても、走査線速度の切り替え時には、ΔＶｉが上記条件を満たすように小刻みに変化させることが望ましい。
図３に、走査線速度と初期化パワーとの関係を概念的に示した。同図において、δＰｉで決まる帯状の範囲内において、走査線速度Ｖｉと初期化パワーＰｉを変化させることが好ましい。理想的には、各ＶｉにおいてＰｏ線形に変化させることが好ましい（経路１、同図（ａ））。また、例えば、経路２（同図（ｂ））で示したように、Ｖｉの変化ΔＶｉに対して、Ｐｉを一定とすることも可能であるし、経路３（同図（ｃ））で示したように、ΔＶｉに応じてΔＰｉだけＰｉを変化させても良い。このような経路が同図帯状のδＰｉの範囲に入る限り、経路を自由に選びうるので、経路４（同図（ｄ））のように、Ｖｉに応じてＰｉを変化させることも可能である。
【００９９】
図２と図３とを組み合わせると、記録媒体の半径方向における光スポットの移動に伴う、光スポットの位置、走査線速度、初期化パワーの設定方法（関係）が定まる。例えば、図２（ｃ）のようなＰ−ＣＡＶ方式で記録媒体の半径位置における走査線速度を定め［図４（ａ）参照］、図３（ｂ）に示すように走査線速度に対して初期化パワーを変化させた場合［図４（ｂ）参照］においては、記録媒体の半径位置における初期化パワーは、図４（ｃ）に示すようになる。
【０１００】
以下において、より具体的な初期化工程の方法について説明する。
［Ｂ］ＣＡＶ方式の場合の初期結晶化の具体的な方法
本発明においては、初期化工程において前記記録媒体の単位時間当たりの回転数（回転速度）Ｒ０を一定にすることが好ましい。
Ｒ０は、初期化工程を経て得られる光学的情報記録用媒体の記録特性が所定の性能を有するような回転数であれば特に制限はされない。Ｒ０は、好ましくは下記の条件を満たすように設定される最大回転数Ｒｍａｘとする。
（最大回転数Ｒｍａｘの満たすべき条件・設定方法）
（ｉ）記録媒体を複数用意する。そのうちの１つの記録媒体に対し、記録媒体の記録領域の最内周において、任意の回転数で記録媒体を回転させて初期化を行なう。つまり、記録媒体を複数用意し、そのうちの一つの記録媒体を任意の回転数で回転させて、少なくとも記録領域の最内周のトラック上に成膜された記録層を初期結晶化する。
（ｉｉ）そして、上記初期結晶化された最内周のトラックに２回記録を行なう。ここで、２回目の記録は、１度記録を行った光学的情報記録用媒体に対するオーバーライトとなる。
（ｉｉｉ）２回目記録後における、最内周のトラックに形成された記録マークのジッタ値Ｊ２を測定する。
（ｉｖ）次いで、さらに８回記録（先に行った２回と合計してのべ１０回記録）を行った後における、最内周のトラックに形成された記録マークのジッタ値Ｊ１０を測定する。
（ｖ）別の記録媒体に対し、前記（ｉ）の回転数とは異なる回転数で初期結晶化を行なった後、前記（ｉｉ）〜（ｉｖ）を行なう。
（ｖｉ）記録媒体を変えて（ｖ）の操作を繰り返す。
（Ｖｉｉ）それぞれの回転数で初期結晶化した記録媒体で得られた前記ジッタ値Ｊ２，Ｊ１０から求められるＪ２／Ｊ１０と初期結晶化の際の回転数との関係を求める。そして、Ｒ０を、Ｊ２／Ｊ１０を１．６以下とするような回転数に設定する。
【０１０１】
Ｊ２／Ｊ１０を１．６以下にするような回転数Ｒ０の範囲から、後述のＲｍａｘを選ぶことができる。
上記方法において、記録領域の最内周のトラックにおいてジッタ値の評価を行なうのは、以下の理由による。すなわち、通常、ＣＡＶ方式の初期化においては記録領域の最内周における走査線速度が最も小さくなり、良好な初期結晶化が行われにくくなっている。このため、上記最内周のトラックにおいて初期化後の記録品質が十分であれば、それよりも外周に位置する記録領域（より速い走査線速度で初期化が行われる領域）における記録品質も良好にしやすい。
【０１０２】
最内周のトラックの具体例としては、図５（ａ）のＡ−Ａ'断面に示すような、初期結晶化が行われる領域における記録領域の最内周のトラックを挙げることができる。なお、図５（ｂ）のＡ−Ａ'断面においては最内周のトラック位置をわかりやすくするために、基板の断面のみを示している。
また、上記最内周トラックにおける２回記録後のジッタ値Ｊ２と、１０回記録後のジッタ値Ｊ１０との比率（Ｊ２／Ｊ１０）を評価の指標として用いるのは、以下の理由による。つまり、通常の光学的情報記録用媒体においては、２回目の記録後のジッタ値が高くなる現象が観察される。そして、さらに記録（オーバーライト）の回数を増やしていくにつれてジッタ値が徐々に小さくなり、１０回程度記録を繰り返すとジッタ値が一定値に下がり安定する現象が観察される。このため、実使用上の観点からは、この２回目の記録後において高くなるジッタ値を所定の範囲（具体的にはジッタ値が下がって一旦安定したときの値に対して過度に大きくならないような範囲）内に制御できれば、良好な初期化が行われたと判断することができる。本発明においては、Ｊ２／Ｊ１０が通常１．６以下、好ましくは１．３以下を満たすような回転数Ｒ０の範囲から、初期結晶化工程に用いる最適な回転数Ｒｍａｘが選ばれる。なお、Ｊ２／Ｊ１０は理想的には１になるのが好ましい。
【０１０３】
回転数Ｒ０を変化させて得られる、Ｊ２／Ｊ１０の変化の概念図を図６に示す。図６に示すようにＪ２／Ｊ１０が１．６以下となるようなＲ０の範囲からＲｍａｘを任意にとることができる。最も好ましいのは、図６において、Ｊ２／Ｊ１０が最小値となるようなＲ０をＲｍａｘとすることである。
［Ｃ］ＺＣＡＶ方式の場合の初期結晶化の具体的な方法
ＺＣＡＶ方式で記録媒体の初期化を行なう場合の具体例として、記録媒体の初期結晶化領域の最内周から前記初期結晶化領域の最外周までの領域［図７（ｂ）参照］を記録媒体の径方向に沿って複数のゾーンに分けて、それぞれのゾーンにおいて照射する前記集束光の強度を一定とする。そして、最外周のゾーンに向かうに連れ、集束光の強度を徐々に上昇させる（記録媒体の外周側のゾーンほど集束光の強度を上げる）方法を挙げることができる。つまり、最外周に向かうに連れて走査線速度が徐々に速くなるため、記録層を確実に初期結晶化するために照射する集束光の強度を上昇させることが好ましいのである。
【０１０４】
最外周のゾーンに向かうに連れ、前記レーザ光の強度を徐々に上昇させる方法として、例えば以下の方法を挙げることができる。すなわち、分割されたそれぞれゾーン内で初期化レーザ強度を変化させて初期化を行なう。そして、初期化後のジッタ値や反射率値等を測定することにより、初期化レーザ光の強度と記録品質との関係を確認できる。この結果、各ゾーンの最適初期化レーザ強度と、初期化レーザ強度の上下限値（記録特性を所定の範囲内に制御するための許容幅）が求まる。そして、各ゾーンの最適初期化レーザ強度とその上下限値とから、それぞれのゾーンでの初期化レーザ強度を設定する。各ゾーンの初期化レーザ強度の設定例としては、図７（ａ）を示すことができる。
【０１０５】
本発明においては、上記ＺＣＡＶ方式を用いた初期結晶化を行なうにあたって、前記初期結晶化後に各ゾーン内におけるジッタ値が、下記条件を満たすように、各ゾーンでの集束光の強度を設定することが好ましい。
（ジッタ値の満たすべき条件）
（ｉ）初期結晶化を経て得られた光学的情報記録用媒体において、記録領域内の任意のゾーンを選び出す。そして、前記ゾーンにおける、最内周付近の１トラック、中央部付近の１トラック、及び最外周付近の１トラック、にそれぞれ記録を２回行い、前記最内周付近の１トラックにおける２回記録後のジッタ値J2inzcav、前記最外周付近の１トラックにおける２回記録後のジッタ値J2outzcav、前記中央付近の１トラックにおける２回記録後のジッタ値J2midzcavをそれぞれ測定する。
（ｉｉ）２回の記録を行った前記中央部付近の１トラックに対してさらに８回の記録（先に行った２回と合計してのべ１０回記録）を行い、前記中央付近の１トラックにおける１０回記録後のジッタ値J10midzcavを測定する。
（ｉｉｉ）上記（ｉ），（ｉｉ）で測定されたJ2inzcav，J2outzcav，J2midzcav及びJ10midzcavが、
J2inzcav／J10midzcav≦１．６
J2midzcav／J10midzcav≦１．６
J2outzcav／J10midzcav≦１．６
を満たすようにする。
【０１０６】
上記のように１つのゾーン内の全体に渡って、２回記録後のジッタ値が１０回記録後のジッタ値に対して所定範囲となっていれば、そのゾーン内においては均一な初期化が行なわれていることがわかる。そして、記録領域内に存在するそれぞれのゾーンにおいて上記３つの式が満たされていれば、記録領域内全面に渡って均一な初期化が行われていることがわかる。
【０１０７】
ゾーンの決め方の一例としては、図８（ａ）及び（ｂ）に示すゾーン１〜ゾーンｎを挙げることができる。そして、例えばゾーンｋの最外周付近の１トラック、中央付近の１トラック、及び最内周付近の１トラックにおいて所定の記録を行いジッタ値を測定する（図９参照）。
そして、上記ゾーンｋでの集束光の強度の決め方の一例として以下の方法を挙げることができる。つまり、複数の記録媒体を用意し、Ｒｍａｘの回転数のもとで、集束光強度を変化させてそれぞれの記録媒体の初期結晶化を行なう。得られた複数の光学的情報記録用媒体のゾーンｋにおける、J2inzcav、J2outzcav、J2midzcav、及びJ10midzcavをそれぞれ測定し、
J2inzcav／J10midzcav
J2outzcav／J10midzcav
J2midzcav／J10midzcav
を算出する（上記３つの式から算出される値をジッタ特性と呼ぶ場合がある。）。以上の測定から、ゾーンｋにおける、集束光の強度（初期化パワー）とジッタ特性との関係を得ることができる。この結果から、
J2inzcav／J10midzcav≦１．６
J2outzcav／J10midzcav≦１．６
J2midzcav／J10midzcav≦１．６
とするような集束光の強度の範囲で、ゾーンｋの初期結晶化工程を行えばよい。
【０１０８】
本発明においては、上記ＺＣＡＶ方式を用いた初期結晶化を行なうにあたって、前記初期結晶化後に各ゾーン内における反射率値が下記条件を満たすように、各ゾーンでの集束光の強度を設定することも好ましい。
（反射率値の満たすべき条件）
（ｉ）初期結晶化を経て得られた前記光学的情報記録用媒体の記録領域における任意のゾーンを選びだし、前記ゾーンにおける、最内周付近の１トラック、中央部付近の１トラック、及び最外周付近の１トラック、にそれぞれ１回記録を行なう。そして、前記１回記録後における、前記最内周付近の１トラックの反射率値Ref1inzcav、前記中央部付近の１トラックの反射率値Ref1midzcav、及び前記最外周付近の１トラックの反射率値Ref1outzcavをそれぞれ測定する。
（ｉｉ）前記１回記録したそれぞれのトラックにさらに９回の記録（先に行った１回と合計してのべ１０回記録）を行なう。そして、前記１０回記録後における、前記最内周付近の１トラックの反射率値Ref10inzcav、前記中央部付近の１トラックの反射率値Ref10midzcav、及び前記最外周付近の１トラックの反射率値Ref10outzcavをそれぞれ測定する。
（ｉｉｉ）上記（ｉ），（ｉｉ）で測定されたRef1inzcav、Ref1midzcav、Ref1outzcav、Ref10inzcav、Ref10midzcav、及びRef10outzcavが
｜Ref1inzcav−Ref1outzcav｜／Ref1midzcav≦０．０５
｜Ref10inzcav−Ref1inzcav|／Ref10inzcav≦０．０５
｜Ref10midzcav−Ref1midzcav|／Ref10midzcav≦０．０５
｜Ref10outzcav−Ref1outzcav|／Ref10outzcav≦０．０５
を満たす。
【０１０９】
上記のように、１回記録後の反射率値が１つのゾーン内全体で比較的近い値をとり、かつ、１回記録後の反射率値と１０回記録後の反射率値とがゾーン全体で比較的近い値をとるようになっていれば、そのゾーン内においては均一な初期化が行われていることがわかる。そして、記録領域内に存在するそれぞれのゾーンにおいて上記４つの式が満たされていれば、記録領域内全面に渡って均一な初期化が行われていることがわかる。
【０１１０】
ゾーンの決め方の一例としては、図８（ａ）及び（ｂ）に示すゾーン１〜ゾーンｎを挙げることができる。そして、例えばゾーンｋの最外周付近の１トラック、中央付近の１トラック、及び最内周付近の１トラックにおいて所定の記録を行い反射率値を測定する（図９参照）。
そして、上記ゾーンｋでの集束光の強度の決め方の一例として以下の方法を挙げることができる。つまり、複数の記録媒体を用意し、Ｒｍａｘの回転数のもとで、集束光強度を変化させてそれぞれの記録媒体の初期結晶化を行なう。得られた複数の光学的情報記録用媒体のゾーンｋにおける、Ref1inzcav、Ref1midzcav、Ref1outzcav、Ref10inzcav、Ref10midzcav、及びRef10outzcavをそれぞれ測定し、
|Ref1inzcav−Ref1outzcav|／Ref1midzcav
|Ref10inzcav−Ref1inzcav|／Ref10inzcav
|Ref10midzcav−Ref1midzcav|／Ref10midzcav
|Ref10outzcav−Ref1outzcav|／Ref10outzcav
を算出する（上記４つの式から算出される値を反射率特性と呼ぶ場合がある。）。以上の測定から、ゾーンｋにおける、集束光の強度（初期化パワー）と反射率特性との関係を得ることができる。この結果から、
|Ref1inzcav−Ref1outzcav|／Ref1midzcav≦０．０５
|Ref10inzcav−Ref1inzcav|／Ref10inzcav≦０．０５
|Ref10midzcav−Ref1midzcav|／Ref10midzcav≦０．０５
|Ref10outzcav−Ref1outzcav|／Ref10outzcav≦０．０５
とするような集束光の強度の範囲で、ゾーンｋの初期結晶化工程を行えばよい。
【０１１１】
なお、ジッタ値による設定と反射率値による設定との双方から決まる初期化条件の重なり部分を使用するのが望ましいが、いずれか一方から決まる初期化条件を用いるようにしても良い。
［Ｄ］ＺＣＡＶ方式による初期結晶化におけるゾーン間のレーザ光の変化
上記ＺＣＡＶ方式の初期化においては、外周のゾーンに向かうに連れて初期化レーザ強度を上昇させることが好ましい。このレーザ強度の上昇は、光スポットが外周方向に向かうに連れて連続的に変化させてもよい（例えば、図３（ａ）参照）。また、このレーザ強度の上昇は、各ゾーンごとで一定の値を取りつつ、外側のゾーンに向かうに連れて徐々に大きくするようにしてもよい（例えば図３（ｂ））。また、各ゾーン間では初期化レーザ強度を所定量上げつつも、各ゾーン内においても連続的にレーザ強度を上げる方法を用いてもよい（例えば図３（ｃ））。そして、各ゾーン間でレーザ強度が変化する場合（例えば図３（ｂ）、（ｃ）の場合）は、下記のように初期化レーザ強度を制御することが好ましい。
【０１１２】
具体的には、例えば、下記２つの方法を挙げることができる。
第１の方法は、記録領域内における隣接する２つのゾーンのうち、内周側に位置するゾーンをゾーンＡ、外周側に位置するゾーンをゾーンＢとする。上記ゾーンＡの初期化レーザ強度をＰｉｎ、上記ゾーンＢの初期化レーザ強度をＰｏｕｔとする。そして、初期結晶化を行なうにあたり、上記Ｐｉｎ及び上記Ｐｏｕｔと、下記方法で測定される最小初期化レーザ強度ＰＪｍｉｎ及び最大初期化レーザ強度ＰＪｍａｘと、が
ＰＪｍｉｎ≦Ｐｉｎ≦Ｐｏｕｔ≦ＰＪｍａｘ
を満たすようにする。
【０１１３】
ここで、ＰＪｍｉｎ、ＰＪｍａｘは、下記方法で設定されることが好ましい。
（最大初期化レーザ強度ＰＪｍａｘ、最小初期化レーザ強度ＰＪｍｉｎの設定方法）
前記光学的情報記録用媒体における前記ゾーンＡ内の最外周付近の１トラックに２回記録を行った時のジッタ値をJ2zoneAout、前記光学的情報記録用媒体における前記ゾーンＡ内の中央部付近の１トラックに１０回記録を行った時のジッタ値をJ10zoneAmid、及び、前記光学的情報記録用媒体における前記ゾーンＢ内の最内周付近の１トラックに２回記録を行ったときのジッタ値をJ2zoneBinとしたときに、
前記J2zoneAout、前記J2zoneBin、及び前記J10zoneAmidが、
J2zoneAout／J10zoneAmid≦１．６
J2zoneBin／J10zoneAmid≦１．６
を満たすようなレーザ強度の最小値をＰＪｍｉｎ、レーザ強度の最大値をＰＪｍａｘとする。
【０１１４】
上記のように、２回記録後のジッタ値が２つのゾーンの境界領域において比較的近い値をとるようになっていれば、両方のゾーン間においてほぼ同一の初期化を行なうことができたと判断することができる。
ゾーンＡ、ゾーンＢ、ゾーンＡの最外周付近のトラック、ゾーンＡの中央部付近のトラック、及びゾーンＢの最内周付近のトラックの具体例として図１０を挙げることができる。上記ＰＪｍｉｎとＰＪｍａｘの設定方法の具体的な方法として、以下の方法をあげることができる。例えば、同一層構成の記録媒体を複数用意し、そのうちの一つの記録媒体におけるゾーンＡ、Ｂを同一の初期化レーザ強度で初期化を行い、光学的情報記録用媒体の「J2zoneAout／J10zoneAmid」、「J2zoneBin／J10zoneAmid」をそれぞれ求める。次に、別の記録媒体に対して、先程の記録媒体とは異なる初期化レーザ強度でゾーンＡ、Ｂの初期化を行い、光学的情報記録用媒体の「J2zoneAout／J10zoneAmid」、「J2zoneBin／J10zoneAmid」をそれぞれ求める。上記作業を繰り返し、それぞれの光学的情報記録用媒体の「J2zoneAout／J10zoneAmid」、「J2zoneBin／J10zoneAmid」を求める作業を行う。そして、初期化レーザ強度と、「J2zoneAout／J10zoneAmid」及び「J2zoneBin／J10zoneAmid」と、の関係をプロットする。そしてこの結果から、「J2zoneAout／J10zoneAmid」及び「J2zoneBin／J10zoneAmid」をともに１．６以下とするような初期化レーザ強度の最小値をＰＪｍｉｎ、最大値をＰＪｍａｘとして、Ｐｉｎ、Ｐｏｕｔは、Ｐｉｎ≦Ｐｏｕｔの関係を保持しつつ、上記ＰＪｍｉｎ〜ＰＪｍａｘの範囲で変化させればよい（図１１（ａ）参照）。
【０１１５】
第２の方法は、記録領域内における隣接する２つのゾーンのうち、内周側に位置するゾーンをゾーンＡ、外周側に位置するゾーンをゾーンＢとする。上記ゾーンＡの初期化レーザ強度をＰｉｎ、上記ゾーンＢの初期化レーザ強度をＰｏｕｔとする。そして、初期結晶化を行なうにあたり、上記Ｐｉｎ及び上記Ｐｏｕｔと、下記方法で測定される最小初期化レーザ強度ＰＲｍｉｎ及び最大初期化レーザ強度ＰＲｍａｘと、が
ＰＲｍｉｎ≦Ｐｉｎ≦Ｐｏｕｔ≦ＰＲｍａｘ
を満たすようにする。
【０１１６】
ここで、ＰＲｍｉｎ、ＰＲｍａｘは、下記の条件を満たすように設定されることが好ましい。
（最大初期化レーザ強度ＰＲｍａｘ、最小初期化レーザ強度ＰＲｍｉｎの満たすべき条件（設定方法））
前記光学的情報記録用媒体における前記ゾーンＡの最外周付近の１トラックに１回記録を行った時の反射率値をRefzoneAout、前記光学的情報記録用媒体における前記ゾーンＡの中央部付近の１トラックに１回記録を行った時の反射率をRefzoneAmid、及び、前記光学的情報記録用媒体における前記ゾーンＢの最内周付近の１トラックに１回記録を行ったときの反射率値をRefzoneBinとしたときに、
｜RefzoneAout−RefzoneBin｜／RefzoneAmid≦０．０５
を満たすようなレーザ強度の最小値をＰＲｍｉｎ、レーザ強度の最大値をＰＲｍａｘとする。
【０１１７】
上記のように、１回記録後の反射率値が２つのゾーンの境界領域において比較的近い値をとるようになっていれば、両方のゾーン間においてほぼ同一の初期化を行なうことができたと判断することができる。
ゾーンＡ、ゾーンＢ、ゾーンＡの最外周付近のトラック、ゾーンＡの中央部付近のトラック、及びゾーンＢの最内周付近のトラック、の具体例として図１０を上げることができる。上記ＰＲｍｉｎとＰＲｍａｘの設定方法の具体的な方法として、以下の方法をあげることができる。例えば、同一層構成の記録媒体を複数用意し、そのうちの一つの記録媒体におけるゾーンＡ、Ｂを同一の初期化レーザ強度で初期化を行い、光学的情報記録用媒体の「｜RefzoneAout−RefzoneBin｜／RefzoneAmid」を求める。次に、別の記録媒体に対して、先程の記録媒体とは異なる初期化レーザ強度でゾーンＡ、Ｂの初期化を行い、光学的情報記録用媒体の「｜RefzoneAout−RefzoneBin｜／RefzoneAmid」を求める。上記作業を繰り返し、それぞれの光学的情報記録用媒体の「｜RefzoneAout−RefzoneBin｜／RefzoneAmid」を求める作業を行う。そして、初期化レーザ強度と、「｜RefzoneAout−RefzoneBin｜／RefzoneAmid」と、の関係をプロットする。そしてこの結果から、「｜RefzoneAout−RefzoneBin｜／RefzoneAmid」を０．０５以下とするような初期化レーザ強度の最小値をＰＲｍｉｎ、最大値をＰＲｍａｘとして、Ｐｉｎ、Ｐｏｕｔは、Ｐｉｎ≦Ｐｏｕｔの関係を保持しつつ、上記ＰＲｍｉｎ〜ＰＲｍａｘの範囲で変化させればよい（図１１（ｂ）参照）。
【０１１８】
なお、上述の通り、初期化レーザは、通常楕円形状で、長軸が半径方向と平行になるように設定され、長軸の長さは複数のトラックをカバーするようになっている。そして、通常、レーザの一回転ごとの半径方向の移動距離は、レーザの長軸の長さよりも短くして、記録媒体の同一の箇所が初期化レーザの照射を複数回受けるようになっている。ここで、記録媒体のトラック位置と初期化レーザの位置制御とが必ずしも同期していない場合がある。このため、レーザ強度をＰｉｎからＰｏｕｔに切り換えるタイミングによっては、外側のゾーンＢにおけるゾーンＡとの境界付近領域がゾーンＡの初期化レーザ強度で初期化されたり、逆に内側のゾーンＡにおけるゾーンＢとの境界付近領域がゾーンＢの初期化レーザ強度で初期化されたりする場合がある。さらに、レーザ強度をＰｉｎからＰｏｕｔに切り換えるタイミングによっては、ゾーンＡ、Ｂの境界領域は、両ゾーンの初期化レーザ強度で初期化される場合がある（図１０参照）。
［Ｅ］ＺＣＬＶ方式における初期結晶化方式、ゾーン内における初期化レーザ強度の決め方
ＺＣＬＶ方式で初期化を行なう場合には、記録媒体における初期結晶化領域の最内周から初期結晶化領域の最外周までの領域［図１２（ｂ）参照］を複数のゾーンに分けて、それぞれのゾーンにおける最内周の位置における回転数を一定となるようにすることが好ましい。つまり、この初期化方法においては、例えば、図１２（ａ）に示すように、記録媒体の径方向に複数のゾーン［図１２（ａ）では、ゾーン１〜ゾーンｎ］を設け、各ゾーンの最内周においては、回転数がＲ０で一定になるように設定している。さらに、それぞれのゾーン内の最内周から最外周までは線速度一定となるように初期結晶化を行なう［図１２（ａ）参照］。
【０１１９】
そして、この初期化方法においては、初期結晶化された光学的情報記録媒体における各ゾーン内におけるジッタ値が下記条件を満たすように各ゾーンでのレーザ光強度を設定することが好ましい。
（ジッタ値の満たすべき条件）
（ｉ）前記光学的情報記録用媒体において、前記記録領域内の任意のゾーンを選び出す。そして、前記ゾーンにおける中央部付近の１トラックに記録を２回行い、２回記録後のジッタ値J2midzclvを測定する。
（ｉｉ）前記中央部付近の１トラックにさらに８回の記録（先に行った２回と合計してのべ１０回記録）を行い、１０回記録後のジッタ値J10midzclvを測定する。
（ｉｉｉ）上記（ｉ）、（ｉｉ）で測定された、J2midzclv及びJ10midzclvが
J2midzclv／J10midzclv≦１．６
を満たす。
【０１２０】
ＺＣＬＶ方式においては、各ゾーン内は一定の線速度で初期化が行われるため、ゾーン内の初期化の均一性を確保しやすい利点がある。このため、各ゾーンの中央部付近のトラックにおいて、２回記録後のジッタ値が１０回記録後のジッタ値に対して所定範囲となっていれば、そのゾーン内においては均一な初期化が行われていると考えることができる。そして、記録領域内のそれぞれのゾーンにおいて上記式が満たされていれば、記録領域内全面に渡って均一な初期化が行われていることがわかる。
【０１２１】
さらに、本発明においては、初期結晶化後の各ゾーン内における反射率値が下記条件を満たすように、各ゾーンでのレーザ光の強度を設定することも好ましい。
（反射率値の満たすべき条件）
（ｉ）前記光学的情報記録用媒体の記録領域における任意のゾーンを選びだす。そして、前記ゾーンにおける、中央部付近の１トラック１回記録を行い、前記中央部付近の１トラックの反射率値Ref1midzclvを測定する。
（ｉｉ）前記中央付近の１トラックにさらに９回の記録（先に行った１回と合計してのべ１０回記録）を行い、１０回記録後における、前記中央部付近の１トラックの反射率値Ref10midzclv測定する。
（ｉｉｉ）上記（ｉ）、（ｉｉ）で測定された、Ref1midzclv及びRef10midzclvが
｜Ref10midzclv−Ref1midzclv|／Ref10midzclv≦０．０５
を満たす。
【０１２２】
前述の通り、ＺＣＬＶ方式においては、各ゾーン内は一定の線速度で初期化が行われるため、ゾーン内の初期化の均一性を確保しやすい利点がある。このため、１回記録後の反射率値と１０回記録後の反射率値とがゾーン中央部で比較的近い値をとるようになっていれば、そのゾーン内においては均一な初期化が行われていると考えることができる。そして、記録領域内に存在するそれぞれのゾーンにおいて上記式が満たされていれば、記録領域内全面に渡って均一な初期化が行われていることがわかる。
【０１２３】
なお、ジッタ値による設定と反射率値による設定との双方から決まる初期化条件の重なり部分を使用するのが望ましいが、いずれか一方から決まる初期化条件を用いるようにしても良い。
［Ｆ］レーザ光の変化方法の具体例１
上記ＺＣＬＶ方式の初期化においては、外周のゾーンに向かうに連れて初期化レーザ強度を上昇させることが好ましい。このレーザ強度の上昇は、光スポットが外周方向に向かうに連れて連続的に変化させてもよい（例えば、図３（ａ）参照）。また、このレーザ強度の上昇は、各ゾーンごとで一定の値を取りつつ、外側のゾーンに向かうに連れて徐々に大きくするようにしてもよい（例えば図３（ｂ））。また、各ゾーン間では初期化レーザ強度を所定量上げつつも、各ゾーン内においても連続的にレーザ強度を上げる方法を用いてもよい（例えば図３（ｃ））。そして、各ゾーン間でレーザ強度が変化する場合（例えば図３（ｂ）の場合）は、下記のように初期化レーザ強度を制御することが好ましい。
【０１２４】
以下、まず図３（ｂ）の場合における各ゾーン間での初期化レーザ強度の変化量を設定する方法の具体例を２つ説明する。
第１の方法は、記録領域内における隣接する２つのゾーンのうち、内周側に位置するゾーンをゾーンＡ、外周側に位置するゾーンをゾーンＢとする。上記ゾーンＡの初期化レーザ強度をＰｉｎ、上記ゾーンＢの初期化レーザ強度をＰｏｕｔとする。そして、初期結晶化を行なうにあたり、上記Ｐｉｎと上記Ｐｏｕｔとが、下記条件を満たすようにすることが好ましい。
（Ｐｉｎ、Ｐｏｕｔの満たすべき条件）
（ｉ）前記記録媒体を２つ用意し、
（ｉｉ）前記２つの記録媒体のうちの、１つの記録媒体において、前記ゾーンＡを初期化レーザ強度Ｐｉｎで初期結晶化し、前記ゾーンＢを初期化レーザ強度Ｐｏｕｔで初期結晶化する。そして、前記ゾーンＡの中央部付近の１トラックを１０回記録した後のジッタ値J10zoneAPin、及び前記ゾーンＢの中央部付近の１トラックを１０回記録した後のジッタ値J10zoneBPoutを測定する。
（ｉｉｉ）前記２つの記録媒体のうちの、もう１つの記録媒体において、前記ゾーンＡを初期化レーザ強度Ｐｏｕｔで初期結晶化し、前記ゾーンＢを初期化レーザ強度Ｐｉｎで初期結晶化する。そして、前記ゾーンＡの中央部付近の１トラックを２回記録した後のジッタ値J2zoneAPout、及び前記ゾーンＢの中央部付近の１トラックを２回記録した後のジッタ値J2zoneBPinを測定する。
（ｉｖ）上記（ｉｉ），（ｉｉｉ）で測定された、J10zoneAPinとJ2zoneAPoutとが、
J2zoneAPout／J10zoneAPin≦１．６
の関係を満たし、
上記（ｉｉ），（ｉｉｉ）で測定された、J10zoneBPoutとJ2zoneBPinとが、
J2zoneBPin／J10zoneBPout≦１．６
の関係を満たす。
【０１２５】
上記のように、レーザ強度をＰｉｎからＰｏｕｔに切り換えるタイミングによっては、外側のゾーンＢにおけるゾーンＡとの境界付近領域がゾーンＡの初期化レーザ強度で初期化されたり、逆に内側のゾーンＡにおけるゾーンＢとの境界付近領域がゾーンＢの初期化レーザ強度で初期化されたりする場合がある。さらに、レーザ強度をＰｉｎからＰｏｕｔに切り換えるタイミングによっては、ゾーンＡ、Ｂの境界領域は、両ゾーンの初期化レーザ強度で初期化される場合がある。
【０１２６】
このため、ゾーンＡとゾーンＢとの境界付近におけるゾーンＡ及びゾーンＢの２回記録後のジッタ値（初期化後の１回目の記録に対して上昇する傾向にある）は、ゾーンＡをＰｉｎのみで初期化した場合のゾーンＡとゾーンＢとの境界付近におけるゾーンＡの２回記録後のジッタ値（所望するゾーンＡの２回記録後のジッタ値）や、ゾーンＢをＰｏｕｔのみで初期化した場合のゾーンＡとゾーンＢとの境界付近におけるゾーンＢの２回記録後のジッタ値（所望するゾーンＢの２回記録後のジッタ値）と比較して、大きくなる可能性がある。
【０１２７】
従って、ゾーンＡをＰｉｎで初期化したときのゾーンＡの中央部付近の１０回記録後のジッタ値（ジッタ値が下がって一旦安定した状態）に対して、ゾーンＡをＰｏｕｔで初期化したときのゾーンＡの中央部付近の２回記録後のジッタ値を所定の範囲内になるようにする。そして、ゾーンＢをＰｏｕｔで初期化したときのゾーンＢの中央部付近の１０回記録後のジッタ値（ジッタ値が下がって一旦安定した状態）に対して、ゾーンＢをＰｉｎで初期化したときのゾーンＢの中央部付近の２回記録後のジッタ値を所定の範囲内になるようにする。このようにすれば、ゾーンＡ、Ｂの両方においてほぼ同一の状態の初期化ができたと判断することができる。
【０１２８】
ゾーンＡ、ゾーンＢ、ゾーンＡの中央部付近のトラック、及びゾーンＢの中央部付近のトラックの具体例として図１３を挙げることができる。上記ＰｉｎとＰｏｕｔの設定方法の具体的な方法として、以下の方法をあげることができる。
まず、上記「［Ｅ］ＺＣＬＶ方式における初期結晶化方式、ゾーン内における初期化レーザ強度の決め方」より、各ゾーンそれぞれにおいて、満たすべき初期化レーザ強度の範囲が求められる。このため、ゾーンＡ、Ｂに対しても所望の初期化レーザ強度Ｐｉｎ、Ｐｏｕｔがそれぞれ一応存在する。ゾーンＡを初期化する一応の（仮の）ＰｉｎをＰｉｎ’、ゾーンＢを初期化する一応の（仮の）ＰｏｕｔをＰｏｕｔ’とする。１つの記録媒体のゾーンＡ、ＢをこのＰｉｎ’、Ｐｏｕｔ’の初期化レーザ強度でそれぞれ初期化し、J10zoneAPinとJ10zoneBPoutの値を定める。
【０１２９】
次に、上記記録媒体と同一層構成の記録媒体を複数用意する。そして、それぞれの記録媒体におけるゾーンＡ、Ｂを同一の初期化レーザ強度で初期化を行った（各々の記録媒体における初期化レーザ強度は異なるようにする）後、ゾーンＡ、Ｂの中央部付近での２回記録後のジッタ値（２回記録後のジッタ値）を測定する。そして、初期化レーザ強度に対する、「２回記録後のジッタ値／J10zoneAPin」、「２回記録後のジッタ値／J10zoneBPout」の値をプロットする（図１４参照）。図１４は、初期化レーザ強度と、「２回記録後のジッタ値／J10zoneAPin」及び「２回記録後のジッタ値／J10zoneBPout」との関係を示す概念図である。ゾーンＡだけを考慮すれば、同図中のβの範囲に初期化レーザ強度を設定することができる。一方、ゾーンＢだけを考慮すれば、同図中のγの範囲に初期化レーザ強度を設定することができる。そして、ゾーンＡ、Ｂをともに良好に初期化することを考慮すれば、同図中のαの範囲内にＰｉｎ、Ｐｏｕｔを設定する必要がでてくるのである（αはＰｉｎ、Ｐｏｕｔが満たすべき範囲を示している）。したがって、上記Ｐｉｎ’、Ｐｏｕｔ’が同図中のαから外れている場合は、αの範囲内に設定してもよい。
【０１３０】
第２の方法は、記録領域内における隣接する２つのゾーンのうち、内周側に位置するゾーンをゾーンＡ、外周側に位置するゾーンをゾーンＢとする。上記ゾーンＡの初期化レーザ強度をＰｉｎ、前記ゾーンＢの初期化レーザ強度をＰｏｕｔとする。そして、初期結晶化を行なうにあたり、前記Ｐｉｎ及び前記Ｐｏｕｔが下記条件を満たすようにすることが好ましい。
（Ｐｉｎ、Ｐｏｕｔの満たすべき条件）
（ｉ）前記記録媒体を２つ用意し、
（ｉｉ）前記２つの記録媒体のうちの、１つの記録媒体において、前記ゾーンＡ、Ｂに対して、初期化レーザ強度Ｐｉｎで初期結晶化する。そして、前記ゾーンＡの中央部付近の１トラックを１回記録した後の反射率Ref1zoneAPin、及び前記ゾーンＢの中央部付近の１トラックを１回記録した後の反射率Ref1zoneBPin、を測定する。
（ｉｉｉ）前記２つの記録媒体のうちの、もう１つの記録媒体において、前記ゾーンＡを初期化レーザ強度Ｐｏｕｔで初期結晶化する。そして、前記ゾーンＡの中央部付近の１トラックを１回記録した後の反射率Ref1zoneAPoutを測定する。
（ｉｖ）上記（ｉｉ）、（ｉｉｉ）で測定された、Ref1zoneAPin、Ref1zoneBPinとRef1zoneAPoutとが、
｜Ref1zoneAPout―Ref1zoneBPin｜／Ref1zoneAPin≦０．０５
の関係を満たす。
【０１３１】
上記のように、レーザ強度をＰｉｎからＰｏｕｔに切り換えるタイミングによっては、外側のゾーンＢにおけるゾーンＡとの境界付近領域がゾーンＡの初期化レーザ強度で初期化されたり、逆に内側のゾーンＡにおけるゾーンＢとの境界付近領域がゾーンＢの初期化レーザ強度で初期化されたりする場合がある。さらに、レーザ強度をＰｉｎからＰｏｕｔに切り換えるタイミングによっては、ゾーンＡ、Ｂの境界領域は、両ゾーンの初期化レーザ強度で初期化される場合がある。
【０１３２】
このため、ゾーンＡとゾーンＢとの境界付近におけるゾーンＡ及びゾーンＢの反射率は、ゾーンＡをＰｉｎのみで初期化した場合のゾーンＡとゾーンＢとの境界付近におけるゾーンＡの反射率や、ゾーンＢをＰｏｕｔのみで初期化した場合のゾーンＡとゾーンＢとの境界付近におけるゾーンＢの反射率と比較して、大きくなったり又は小さくなったりする可能性がある。
【０１３３】
従って、ゾーンＡをＰｏｕｔで初期化した場合の反射率とゾーンＢをＰｉｎで初期化した場合の反射率とを、ゾーンＡをＰｉｎで初期化した場合の反射率に対して所定の範囲内になるようにすれば、ゾーンＡとゾーンＢとの境界付近における初期化レーザの強度の変化に伴いゾーンＡ、ゾーンＢの反射率が変動したとしても、ゾーンＡ、Ｂの両方においてほぼ同一の状態の初期化ができたと判断することができる。
【０１３４】
ゾーンＡ、ゾーンＢ、ゾーンＡの中央部付近のトラック、及びゾーンＢの中央部付近のトラック、の具体例として図１３を挙げることができる。上記ＰｉｎとＰｏｕｔの設定方法の具体的な方法として、以下の方法をあげることができる。
まず、上記「［Ｅ］ＺＣＬＶ方式における初期結晶化方式、ゾーン内における初期化レーザ強度の決め方」において各ゾーンそれぞれにおいて、満たすべき初期化レーザ強度の範囲が求められる。このため、ゾーンＡに対しても所定の初期化レーザ強度Ｐｉｎが一応存在する。ゾーンＡを初期化する一応の（仮の）ＰｉｎをＰｉｎ’とする。１つの記録媒体のゾーンＡをこのＰｉｎ’の初期化レーザ強度で初期化し、ゾーンＡの中央部付近のトラックにおける１回記録後の反射率Ref1zoneAPinを測定する。
【０１３５】
次に、上記記録媒体と同一層構成の記録媒体を複数用意する。そして、それぞれの記録媒体に対し、それぞれ異なる初期化レーザ強度で初期化を行う。その後、ゾーンＡ、Ｂの１回記録後の反射率値を、それぞれのゾーンの中央部で測定する。そして、ゾーンＡの初期化レーザ強度に対する、「｜（ゾーンＡの１回記録後の反射率）−（ゾーンＢの１回記録後の反射率）｜／Ref1zoneAPin」の値をプロットする（図１５参照）。図１５は、初期化レーザ強度と、「｜（ゾーンＡの１回記録後の反射率）−（ゾーンＢの１回記録後の反射率）｜／Ref1zoneAPin」との関係を示す概念図である。Ｐｏｕｔは、同図中のαの範囲内で設定する必要がある（αは仮のＰｉｎであるＰｉｎ’に対してＰｏｕｔが満たすべき範囲を示している）。
【０１３６】
なお、上述の通り、初期化レーザは、通常楕円形状で、長軸が半径方向と平行になるように設定される。そして、長軸の長さは複数のトラックをカバーするようになっている。そして、レーザの一回転ごとの半径方向の移動距離は、レーザの長軸の長さよりも短くして記録媒体の同一の箇所が複数回初期化レーザの照射を受けるようになっている。ここで、記録媒体のトラック位置と初期化レーザの位置制御とが必ずしも同期していない場合がある。このため、レーザ強度をＰｉｎからＰｏｕｔに切り換えるタイミングによっては、外側のゾーンＢにおけるゾーンＡとの境界付近領域がゾーンＡの初期化レーザ強度で初期化されたり、逆に内側のゾーンＡにおけるゾーンＢとの境界付近領域がゾーンＢの初期化レーザ強度で初期化されたりする場合がある。さらに、レーザ強度をＰｉｎからＰｏｕｔに切り換えるタイミングによっては、ゾーンＡ、Ｂの境界領域は、両ゾーンの初期化レーザ強度で初期化される場合がある（図１０参照）。これはＺＣＡＶ方式の初期化と同様である。
［Ｇ］レーザ光の変化方法の具体例２
次に、図３（ｃ）の場合における各ゾーン間での初期化レーザ強度の変化量を設定する方法の具体例を２つ説明する。なお、記録層の記録領域内における隣接する２つのゾーンのうち、内周側に位置するゾーンをゾーンＡ、外周側に位置するゾーンをゾーンＢとし、ゾーンＡの集束光（初期化レーザ）強度をＰｉｎ、ゾーンＢの集束光（初期化レーザ）強度をＰｏｕｔとする。
【０１３７】
第１の方法として、Ｐｉｎの取りうる最小値をＰｉｎｍｉｎ、最大値をＰｉｎｍａｘとし、Ｐｏｕｔの取りうる最小値をＰｏｕｔｍｉｎ、最大値をＰｏｕｔｍａｘとする。そして、初期化工程において初期化レーザがゾーンＡ中で外周方向にむかうにつれて、Ｐｉｎを上記Ｐｉｎｍｉｎから上記Ｐｉｎｍａｘまでの範囲内で徐々に大きくしていく。そして、ゾーンＡの最外周におけるＰｉｎの値をPinzoneAoutとする。一方、初期化レーザが前記ゾーンＢ中で外周方向に向かうにつれて、Ｐｏｕｔを上記Ｐｏｕｔｍｉｎから上記Ｐｏｕｔｍａｘまでの範囲内で徐々に大きくしていく。そして、ゾーンＢの最内周におけるＰｏｕｔの値をPoutzoneBinとする。
【０１３８】
そして、前記PoutzoneBinと、前記PinzoneAoutとの関係が、
PoutzoneBin＝PinzoneAout
となるようにすることが好ましい。この制御方法は、各ゾーン間での初期化レーザ強度の変化がなくなるため、各ゾーンの境界領域付近の初期化を均一に行いやすいという利点がある。上記制御の特に好ましい方法としては、図３（ａ）に示すように、走査線速度が上昇するに連れて初期化レーザ強度も連続的（直線的）に変化していく方法を挙げることができる。但し、「PoutzoneBin＝PinzoneAout」とはいっても、PoutzoneBinとPinzoneAoutとの間に、±１０％程度の誤差は許容される。
【０１３９】
上記PoutzoneBinと上記PinzoneAoutとを同一の強度にしない場合においても、PoutzoneBin＞PinzoneAoutとし、上記PoutzoneBinと上記PinzoneAoutとの差を最小にすることが好ましい。このようにPoutzoneBinとPinzoneAoutとの差を最小にすれば、ゾーンＡ、Ｂ間の境界領域の初期化も均一にし易い。
［Ｈ］Ｐ−ＣＡＶ方式における初期結晶化
前述の通り、本発明の初期化方法はＰ−ＣＡＶ方式とすることもできる（図２（ｂ）、（ｃ）、図４参照）。Ｐ−ＣＡＶ方式の具体的な方法としては、例えば、記録媒体の記録層における初期結晶化領域の最内周の位置から外周方向に向かって記録媒体の所定の径方向位置に達するまでは回転数Ｒ０で一定とし、前記所定の径方向位置から記録層の前記初期結晶化領域の最外周の位置までは走査線速度を一定する初期化方法を挙げることができる（図２（ｃ）、図４参照）。
【０１４０】
そして、上記所定の径方向位置における上記光スポットの光学的情報記録用媒体上の線速度Ｖ１が、下記条件を満たすように規定される最大線速度Ｖｍａｘであることが好ましい。
（最大線速度の満たすべき条件）
（ｉ）初期結晶化領域内の任意のトラック上に成膜された記録層を、任意の線速度で初期結晶化する。
（ｉｉ）前記トラックに２回記録を行なう。ここで、２回目の記録は、１度記録を行った光学的情報記録用媒体に対するオーバーライトとなる。
（ｉｉｉ）２回目の記録後に形成された記録マークのジッタ値Ｊ２を測定する。
（ｉｖ）さらに８回記録（先に行った２回と合計してのべ１０回記録）を行ない、８回目の記録後に形成された記録マークのジッタ値Ｊ１０を測定する。
（ｖ）線速度を変化させて前記（ｉ）〜（ｉｖ）を繰り返す。
（ｖｉ）それぞれの線速度で得られたジッタ値Ｊ２，Ｊ１０から求められるＪ２／Ｊ１０を１．６以下にするような線速度を最大線速度Ｖｍａｘとする。
【０１４１】
なお、Ｖｍａｘの設定方法は、上記最大回転数Ｒｍａｘの設定方法に倣って設定することができる。Ｖｍａｘは、Ｊ２／Ｊ１０≦１．６の範囲で、Ｊ２／Ｊ１０が極小となる値に設定することが好ましい。
なお、上記Ｐ−ＣＡＶ方式の具体例として、以下の方法を挙げることができる。すなわち、最内周では初期化装置の最大回転数とし、この回転数をある領域で一定に保つことで、外周に向かって線速度を上昇させていく。ディスクの半径内でＪ２／Ｊ１０を最小にする線速度に到達する場合、その半径位置以後はＣＬＶとして、Ｊ２／Ｊ１０の最小値が保たれるようにする。
［Ｉ］光学的情報記録媒体の消去線速度上限を超える速度での初期結晶化
本発明においては、初期結晶化工程において、記録層を初期結晶化する際に用いる最大線速度を、光学的情報記録用媒体に形成される非晶質状態の記録マークの消去が可能な最大線速度以上とすることが好ましい。つまり、記録媒体を初期結晶化する最大線速度を、その媒体の非晶質マークの消去が可能な最大線速度以上とすることが好ましい。
【０１４２】
初期結晶化時の走査線速度の設定にあたっては、従来、初期化した後の光学的情報記録用媒体の非晶質マークを消去可能な最大線速度ＬＶｍａｘに対して、初期化結晶化時の走査線速度をＬＶｍａｘと同じかそれよりも若干低い値とすることが一般的であった。
ここで、ＬＶｍａｘとは、光学的情報記録用媒体に非晶質マークを記録し、その後、線速度を変化させて消去パワーに設定した記録用集束光ビームを直流的に照射した場合に、消去比が２０ｄＢを超える最大の線速度とする。ＬＶｍａｘより高い記録線速度でオーバーライトを行うと、消え残りが発生して記録品質が著しく低下することとなる。このため、ＬＶｍａｘは、オーバーライト可能な最高線速度であるといえる。
【０１４３】
なお、消え残りとは、非晶質マークが再結晶化しきれずに残る現象、及び消去パワーにより記録層が溶融してしまうために、再結晶化しきれずに非晶質領域が再度形成されてしまう現象、の２つをいう。特に、後者の現象を再非晶質化と呼ぶ。これは、再結晶化による消去を目的とする消去パワーでの記録用集束ビームの照射によって、再結晶化ではなく非晶質が形成されてしまう現象である。
【０１４４】
従来、ディスク状の記録媒体の初期化においては、ディスク全面に渡って、初期結晶化時の走査線速度をＬＶｍａｘ以下とするのが通常であった。溶融初期化においても、この条件を満足している限り、再非晶質化はおきず、すべて再結晶化して良好な初期結晶状態が得られていた。一方、初期結晶化時の走査線速度をＬＶｍａｘより大きくすると、再非晶質化が起きやすい傾向にあった。
【０１４５】
これに対し、本発明記録方法においては、特に、ＬＶｍａｘが概ね２０ｍ／ｓとなるような光学的情報記録用媒体において、初期結晶化時の走査線速度をＬＶｍａｘ以上としても再非晶質化がおきず、より良好な初期結晶状態が得られることがわかった。
上記ＬＶｍａｘが概ね２０ｍ／ｓとなるような光学的情報記録用媒体の具体例としては、記録層の組成を、上述のＧｅx（ＩｎwＳｎ1-w）yＴｅzＳｂ1-x-y-zとする例を挙げることができる。ここで、Ｓｂの含有量は、Ｇｅの含有量、Ｉｎの含有量、Ｓｎの含有量、及びＴｅの含有量のいずれよりも多く、原子数比を表すｘ、ｙ、ｚ、及びｗは下記（ｉ）から（vi）を満たすようにする。
（ｉ）０≦ｘ≦０．３
（ii）０．０７≦ｙ−ｚ
（iii）ｗ×ｙ−ｚ≦０．１
（iv）０＜ｚ
（ｖ）（１−ｗ）×ｙ≦０．３５
（vi）０．３５≦１−ｘ−ｙ−ｚ
［Ｊ］ゾーンの数と幅
以上説明した、ＣＡＶ、ＺＣＡＶ、ＺＣＬＶ方式等においてゾーンを用いて初期化を行なう場合、ゾーンの設定は以下のようにして行なう。
【０１４６】
つまり、ゾーンの数は、通常２以上、好ましくは３以上とする。一方、ゾーンの数は、通常５０以下、好ましくは３０以下、より好ましくは１０以下とする。上記範囲内とすれば、複雑な制御を行なうことなく、初期化を行なうことができる。
また、一つのゾーンの幅は、記録媒体の大きさにもよるが、通常１ｍｍ以上、好ましくは２ｍｍ以上とする、一方、一つのゾーンの幅は、通常２０ｍｍ以下、好ましくは１０ｍｍ以下とする。上記範囲内とすれば、複雑な制御を行なうことなく、初期化を行なうことができる。
【０１４７】
但し、Ｐ−ＣＡＶ方式の場合は、線速度を一定にする領域が存在するため、ゾーンの設定は以下のようにして行なう。
つまり、ゾーンの数は、通常２以上、好ましくは３以上とする。一方、ゾーンの数は、通常５０以下、好ましくは３０以下、より好ましくは１０以下とする。上記範囲内とすれば、複雑な制御を行なうことなく、初期化を行なうことができる。
【０１４８】
また、一つのゾーンの幅は、記録媒体の大きさにもよるが、通常１ｍｍ以上、好ましくは２ｍｍ以上とする、一方、一つのゾーンの幅は、通常３５ｍｍ以下とする。上記範囲内とすれば、複雑な制御を行なうことなく、初期化を行なうことができる。
（３）初期化装置
［Ａ］以下、本発明の初期化装置について、図１６を参照しながら説明する。
【０１４９】
図１６に示すように、本初期化装置１は、ディスク状の基板上に相変化型の記録層を有する記録媒体２の記録層を初期結晶化するための装置であって、記録媒体２を回転駆動するスピンドルモータ３と、スピンドルモータ３を駆動するモータドライバ４と、初期化ヘッド（レーザヘッド）５と、初期化ヘッド５を駆動する初期化ヘッド用ドライバ６と、各デバイスに対する制御を行なう制御部（例えばＣＰＵやメモリを備える）７とを備えて構成される。
【０１５０】
ここで、初期化ヘッド５は、例えばレーザダイオード，フォーカスやトラッキングを行なうために用いられるアクチュエータ等を備えるものとして構成される。また、初期化ヘッド用ドライバ６は、レーザダイオードを駆動するレーザドライバ（レーザダイオードドライバ）と、アクチュエータを駆動するドライバとを含むものとして構成される。
そして、制御部７によって、上述の初期結晶化工程における走査線速度の速度制御、集束光（レーザ光）の強度制御、スピンドルモータの回転数制御などが実行されることになる。
［Ｂ］具体的には、制御部７が、スピンドルモータ３や初期化ヘッド５を制御して、記録層上にレーザ光（集束光）を照射させて形成される光スポットを記録媒体の周方向に走査させるようになっている。特に、本発明では、制御部７が、光スポットを周方向に走査させる際の走査線速度を記録媒体２の外周部ほど大きくするようになっている。
【０１５１】
ここで、制御部７を、走査線速度が速くなるにしたがって、集束光の強度を上げるように構成する。そして初期結晶化領域の全面を初期化する。
さらに、制御部７を、記録媒体の単位時間当たりの回転数Ｒ０を一定にするように構成するもの好ましい。Ｒ０の満たすべき条件については、上述した通りである。
［Ｃ］また、制御部７を、下記の条件を満たすように設定された回転数Ｒ０に基づいて記録媒体を回転させるように構成するのも好ましい。
（ｉ）記録媒体を複数用意し、そのうちの１つの記録媒体を任意の回転数で回転させて、少なくとも前記記録媒体の記録領域の最内周のトラック上に成膜された記録層を初期結晶化する。
（ｉｉ）前記最内周トラックに２回記録を行なう。
（ｉｉｉ）２回目の記録後に形成された記録マークのジッタ値Ｊ２を測定する。
（ｉｖ）さらに８回記録を行ない、８回目の記録後に形成された記録マークのジッタ値Ｊ１０を測定する。
（ｖ）別の記録媒体に対し、前記（ｉ）の回転数とは異なる回転数で初期結晶化を行なった後、前記（ｉｉ）〜（ｉｖ）を行なう。
（ｖｉ）記録媒体を変えて（ｖ）の操作を繰り返す。
（Ｖｉｉ）それぞれの回転数で初期結晶化した記録媒体で得られた前記ジッタ値Ｊ２，Ｊ１０から求められるＪ２／Ｊ１０と初期結晶化の際の回転数との関係を求める。そして、Ｒ０を、Ｊ２／Ｊ１０を１．６以下とするような回転数に設定する。
［Ｄ］また、記録媒体の径方向に沿って初期結晶化領域が複数のゾーンに分けられ、制御部７が、各ゾーンにおいて照射する集束光の強度を一定とし、記録媒体の外周側のゾーンほど集束光の強度を上げるように構成されることが好ましい。そして、記録層の初期結晶化を行なう場合に、下記の条件を満たすように設定された各ゾーンの集束光の強度に基づいて各ゾーンにおける集束光の強度を制御するように構成するのも好ましい。
（ｉ）初期結晶化を経て得られた光学的情報記録用媒体の記録領域内の各ゾーンにおいて、最内周付近の１トラック、中央部付近の１トラック、及び最外周付近の１トラックにそれぞれ２回の記録を行ない、最内周付近の１トラックにおける２回記録後のジッタ値J2inzcav、最外周付近の１トラックにおける２回記録後のジッタ値J2outzcav、前記中央付近の１トラックにおける２回記録後のジッタ値J2midzcavをそれぞれ測定する。
（ｉｉ）中央部付近の１トラックに対してさらに８回の記録を行ない、１０回記録後のジッタ値J10midzcavを測定する。
（ｉｉｉ）前記（ｉ），（ｉｉ）で測定されたJ2inzcav，J2outzcav，J2midzcav及びJ10midzcavが、下記の条件を満たすようにする。
【０１５２】
J2inzcav／J10midzcav≦１．６
J2midzcav／J10midzcav≦１．６
J2outzcav／J10midzcav≦１．６
［Ｅ］また、記録媒体の径方向に沿って初期結晶化領域が複数のゾーンに分けられ、制御部７を、各ゾーンにおいて照射する集束光の強度を一定とし、記録媒体の外周側のゾーンほど集束光の強度を上げるように構成することが好ましい。ここで、下記の条件を満たすように設定された各ゾーンの集束光の強度に基づいて各ゾーンにおける集束光の強度を制御することが好ましい。
（ｉ）初期結晶化を経て得られた光学的情報記録用媒体の記録領域内の各ゾーンにおいて、最内周付近の１トラック、中央部付近の１トラック、及び最外周付近の１トラックにそれぞれ１回の記録を行ない、１回記録後の前記最内周付近の１トラックの反射率値Ref1inzcav、中央部付近の１トラックの反射率値Ref1midzcav、及び最外周付近の１トラックの反射率値Ref1outzcavをそれぞれ測定する。
（ｉｉ）それぞれのトラックにさらに９回の記録を行ない、１０回記録後の最内周付近の１トラックの反射率値Ref10inzcav、中央部付近の１トラックの反射率値Ref10midzcav及び最外周付近の１トラックの反射率値Ref10outzcavをそれぞれ測定する。
（ｉｉｉ）上記（ｉ），（ｉｉ）で測定されたRef1inzcav，Ref1midzcav，Ref1outzcav，Ref10inzcav，Ref10midzcav及びRef10outzcavが、下記の条件を満たすようにする。
【０１５３】
｜Ref1inzcav−Ref1outzcav｜／Ref1midzcav≦０．０５
｜Ref10inzcav−Ref1inzcav|／Ref10inzcav≦０．０５
｜Ref10midzcav−Ref1midzcav|／Ref10midzcav≦０．０５
｜Ref10outzcav−Ref1outzcav|／Ref10outzcav≦０．０５
［Ｆ］また、隣接する２つのゾーンのうち、内周側に位置するゾーンをゾーンＡ、外周側に位置するゾーンをゾーンＢとする。また、ゾーンＡの初期化集束光強度をＰｉｎ、ゾーンＢの初期化集束光強度をＰｏｕｔとする。さらに、上記Ｐｉｎ及び上記Ｐｏｕｔと、下記方法で測定される最小初期化レーザ強度ＰＪｍｉｎ及び最大初期化レーザ強度ＰＪｍａｘと、が
ＰＪｍｉｎ≦Ｐｉｎ≦Ｐｏｕｔ≦ＰＪｍａｘ、
を満たすように集束光の強度を設定する。そして、上記設定に基づいて集束光の強度を制御するように、制御部７を構成するのも好ましい。
（最大初期化レーザ強度ＰＪｍａｘ、最小初期化レーザ強度ＰＪｍｉｎの満たすべき条件）
前記光学的情報記録用媒体における前記ゾーンＡ内の最外周付近の１トラックに２回記録を行った時のジッタ値をJ2zoneAout、前記光学的情報記録用媒体における前記ゾーンＡ内の中央部付近の１トラックに１０回記録を行った時のジッタ値をJ10zoneAmid、及び、前記光学的情報記録用媒体における前記ゾーンＢ内の最内周付近の１トラックに２回記録を行ったときのジッタ値をJ2zoneBinとしたときに、
前記J2zoneAout、前記J2zoneBin、及び前記J10zoneAmidが、
J2zoneAout／J10zoneAmid≦１．６
J2zoneBin／J10zoneAmid≦１．６
を満たすようなレーザ強度の最小値をＰＪｍｉｎ、レーザ強度の最大値をＰＪｍａｘとする。
［Ｇ］また、隣接する２つのゾーンのうち、内周側に位置するゾーンをゾーンＡ、外周側に位置するゾーンをゾーンＢとする。また、ゾーンＡの初期化集束光強度をＰｉｎ、ゾーンＢの初期化集束光強度をＰｏｕｔとする。さらに、上記Ｐｉｎ及び上記Ｐｏｕｔと、下記方法で測定される最小初期化レーザ強度ＰＲｍｉｎ及び最大初期化レーザ強度ＰＲｍａｘと、が
ＰＲｍｉｎ≦Ｐｉｎ≦Ｐｏｕｔ≦ＰＲｍａｘ
を満たすように集束光の強度を設定する。そして、上記設定に基づいて集束光の強度を制御するように、制御部７を構成するのも好ましい。
（最大初期化レーザ強度ＰＲｍａｘ、最小初期化レーザ強度ＰＲｍｉｎが満たすべき条件）
前記光学的情報記録用媒体における前記ゾーンＡの最外周付近の１トラックに１回記録を行った時の反射率値をRefzoneAout、前記光学的情報記録用媒体における前記ゾーンＡの中央部付近の１トラックに１回記録を行った時の反射率をRefzoneAmid、及び、前記光学的情報記録用媒体における前記ゾーンＢの最内周付近の１トラックに１回記録を行ったときの反射率値をRefzoneBinとしたときに、
｜RefzoneAout−RefzoneBin｜／RefzoneAmid≦０．０５
を満たすようなレーザ強度の最小値をＰＲｍｉｎ、レーザ強度の最大値をＰＲｍａｘとする。
［Ｈ］また、記録媒体の径方向に沿って初期結晶化領域が複数のゾーンに分けられ、それぞれのゾーンにおける最内周の位置における回転数を一定とし、それぞれのゾーンにおいて最内周から最外周まで走査線速度を一定にするように、制御部７が構成されることが好ましい。そして、制御部７が、記録層の初期結晶化を行なう場合に、下記の条件を満たすように設定された各ゾーンの集束光の強度に基づいて各ゾーンの集束光の強度を制御するように構成するのも好ましい。
（ｉ）初期結晶化を経て得られた光学的情報記録用媒体の記録領域内の各ゾーンにおいて、中央部付近の１トラックに２回の記録を行ない、２回記録後のジッタ値J2midzclvを測定する。
（ｉｉ）中央部付近の１トラックに対してさらに８回の記録を行ない、１０回記録後のジッタ値J10midzclvを測定する。
（ｉｉｉ）上記（ｉ），（ｉｉ）で測定されたJ2midzclv及びJ10midzclvが、下記の条件を満たすように各ゾーンでの集束光の強度を設定する。
【０１５４】
J2midzclv／J10midzclv≦１．６
［Ｉ］また、記録媒体の径方向に沿って初期結晶化領域が複数のゾーンに分けられ、制御部７が、それぞれのゾーンにおける最内周の位置における回転数を一定とし、それぞれのゾーンにおいて最内周から最外周まで走査線速度を一定となる様に構成されることが好ましい。ここで、下記の条件を満たすように設定された各ゾーンの集束光の強度に基づいて各ゾーンの集束光の強度を制御することが好ましい。
（ｉ）初期結晶化を経て得られた光学的情報記録用媒体の記録領域内の各ゾーンにおいて、中央部付近の１トラック１回の記録を行ない、反射率値Ref1midzclvを測定する。
（ｉｉ）中央部付近の１トラックに対してさらに９回の記録を行ない、１０回記録後の反射率値Ref10midzclvを測定する。
（ｉｉｉ）上記（ｉ），（ｉｉ）で測定されたRef1midzclv及びRef10midzclvが、下記の条件を満たすようにする。
【０１５５】
｜Ref10midzclv−Ref1midzclv|／Ref10midzclv≦０．０５
［Ｊ］また、前記複数のゾーンのうち隣接する２つのゾーンにおける内周側に位置するゾーンをゾーンＡ、外周側に位置するゾーンをゾーンＢとする。また、ゾーンＡの初期化集束光強度をＰｉｎ、ゾーンＢの初期化集束光強度をＰｏｕｔとする。そして、下記の条件を満たすように設定された集束光の強度に基づいて集束光の強度を制御するように、制御部７を構成することも好ましい。
（ｉ）記録媒体を２つ用意する。一方の記録媒体において、ゾーンＡを初期化集束光強度Ｐｉｎで初期結晶化し、ゾーンＢを初期化集束光強度Ｐｏｕｔで初期結晶化して光学的情報記録用媒体を得る。そして、前記光学的情報記録用媒体のゾーンＡの中央部付近の１トラックに１０回の記録を行ない、１０回記録後のジッタ値J10zoneAPinを測定するとともに、ゾーンＢの中央部付近の１トラックに１０回の記録を行ない、１０回記録後のジッタ値J10zoneBPoutを測定する。
（ｉｉ）他方の記録媒体において、ゾーンＡを初期化集束光強度Ｐｏｕｔで初期結晶化し、ゾーンＢを初期化集束光強度Ｐｉｎで初期結晶化して光学的情報記録用媒体を得る。そして、前記光学的情報記録用媒体のゾーンＡの中央部付近の１トラックに２回の記録を行ない、２回記録後のジッタ値J2zoneAPoutを測定するとともに、ゾーンＢの中央部付近の１トラックに２回の記録を行ない、２回記録後のジッタ値J2zoneBPinを測定する。
（ｉｉｉ）上記（ｉ），（ｉｉ）で測定されたJ10zoneAPinとJ2zoneAPoutとが、
J2zoneAPout／J10zoneAPin≦１．６
の条件を満たし、
上記（ｉ），（ｉｉ）で測定されたJ10zoneBPoutとJ2zoneBPinとが、
J2zoneBPin／J10zoneBPout≦１．６
の条件を満たすようにする。
［Ｋ］また、前記複数のゾーンのうち隣接する２つのゾーンにおける、内周側に位置するゾーンをゾーンＡ、外周側に位置するゾーンをゾーンＢとする。また、ゾーンＡの初期化集束光強度をＰｉｎ、ゾーンＢの初期化集束光強度をＰｏｕｔとする。そして、下記の条件を満たすように設定された集束光の強度に基づいて集束光の強度を制御するように、制御部７を構成するのも好ましい。
（ｉ）記録媒体を２つ用意し、一方の記録媒体において、ゾーンＡ，Ｂを初期化集束光強度Ｐｉｎで初期結晶化して光学的情報記録用媒体を得る。そして、前記光学的情報記録用媒体のゾーンＡの中央部付近の１トラックに１回の記録を行ない、１回記録後の反射率Ref1zoneAPinを測定するとともに、ゾーンＢの中央部付近の１トラックに１回の記録を行ない、１回記録後の反射率Ref1zoneBPinを測定する。
（ｉｉ）他方の記録媒体において、ゾーンＡを初期化集束光強度Ｐｏｕｔで初期結晶化して光学的情報記録用媒体を得る。そして、前記光学的情報記録用媒体のゾーンＡの中央部付近の１トラックに１回の記録を行ない、１回記録後の反射率Ref1zoneAPoutを測定する。
（ｉｉｉ）上記（ｉ），（ｉｉ）で測定されたRef1zoneAPin，Ref1zoneBPin，Ref1zoneAPoutが、
｜Ref1zoneAPout−Ref1zoneBPin｜／Ref1zoneAPin≦０．０５
の関係を満たすようにする。
［Ｌ］ここで、制御部７を以下のように構成することも好ましい。つまり、ゾーンＡの集束光強度Ｐｉｎの取りうる最小値をＰｉｎｍｉｎ、最大値をＰｉｎｍａｘとし、ゾーンＢの集束光強度Ｐｏｕｔの取りうる最小値をＰｏｕｔｍｉｎ、最大値をＰｏｕｔｍａｘとする。さらに、ゾーンＡで外周側へ向かうにつれて集束光強度ＰｉｎをＰｉｎｍｉｎからＰｉｎｍａｘまでの範囲内で徐々に大きくしていく。そして、ゾーンＡの最外周における集束光強度Ｐｉｎの値をPinzoneAoutとする。同様に、ゾーンＢで外周側へ向かうにつれて集束光強度ＰｏｕｔをＰｏｕｔｍｉｎからＰｏｕｔｍａｘまでの範囲内で徐々に大きくしていく。そして、ゾーンＢの最内周における集束光強度Ｐｏｕｔの値をPoutzoneBinとする。ここで、PoutzoneBinとPinzoneAoutとの関係が、
PoutzoneBin＝PinzoneAout
となるように設定された集束光の強度に基づいて集束光の強度を制御するように、制御部７を構成するのも好ましい。但し、「PoutzoneBin＝PinzoneAout」とはいっても、PoutzoneBinとPinzoneAoutとの間に、±１０％程度の誤差は許容される。
［Ｍ］また、制御部７を以下のように構成することも好ましい。つまり、ゾーンＡの集束光強度Ｐｉｎの取りうる最小値をＰｉｎｍｉｎ、最大値をＰｉｎｍａｘとし、ゾーンＢの集束光強度Ｐｏｕｔの取りうる最小値をＰｏｕｔｍｉｎ、最大値をＰｏｕｔｍａｘとする。さらに、ゾーンＡで外周側へ向かうにつれて集束光強度ＰｉｎをＰｉｎｍｉｎからＰｉｎｍａｘまでの範囲内で徐々に大きくしていく。そして、ゾーンＡの最外周における集束光強度Ｐｉｎの値をPinzoneAoutとする。同様に、ゾーンＢで外周側へ向かうにつれて集束光強度ＰｏｕｔをＰｏｕｔｍｉｎからＰｏｕｔｍａｘまでの範囲内で徐々に大きくしていく。そして、ゾーンＢの最内周における集束光強度Ｐｏｕｔの値をPoutzoneBinとする。ここで、PoutzoneBinとPinzoneAoutとの関係が、
PoutzoneBin＞PinzoneAout
となるようにし、PoutzoneBinとPinzoneAoutとの差が最小になるように設定する。上記設定された集束光の強度に基づいて集束光の強度を制御するように、制御部７を構成しても良い。
［Ｎ］また、制御部７を、初期結晶化領域の最内周の位置から記録媒体の外周側へ向かって所定の径方向位置に達するまでは、単位時間当たりの回転数Ｒ０を一定とし、所定の径方向位置から記録層の初期結晶化領域の最外周の位置までは走査線速度を一定するように構成するのも好ましい。Ｒ０の満たすべき条件については、上述した通りである。
［Ｏ］ここで、上記所定の径方向位置における最大線速度Ｖｍａｘを、以下の条件を満たすように設定することが好ましい。
（ｉ）初期結晶化領域内の任意のトラック上に成膜された記録層を、任意の線速度で初期結晶化する。
（ｉｉ）トラックに２回記録を行なう。
（ｉｉｉ）２回目の記録後に形成された記録マークのジッタ値Ｊ２を測定する。
（ｉｖ）さらに８回記録を行ない、８回目の記録後に形成された記録マークのジッタ値Ｊ１０を測定する。
（ｖ）線速度を変化させて前記（ｉ）〜（ｉｖ）を繰り返す。
（ｖｉ）それぞれの線速度で得られたジッタ値Ｊ２，Ｊ１０から求められるＪ２／Ｊ１０を１．６以下にするような線速度を最大線速度Ｖｍａｘとする。
［Ｐ］また、記録層を初期結晶化する際に用いる最大線速度を、光学的情報記録用媒体の非晶質マークの消去が可能な最大線速度以上とするのも好ましい。
［Ｑ］なお、本発明の初期化装置においては、集束光がレーザ光であることが好ましい。
［Ｒ］その他
上記［Ｃ］〜［Ｍ］，［Ｏ］の回転数の設定、集束光の強度の設定、所定径方向位置における線速度の設定は、初期結晶化工程の前に予め行なっておき、その結果を制御部７のメモリに記憶させておいて、初期結晶化工程において、これらをメモリから読み出して、スピンドルモータの回転数制御、集束光（好ましくはレーザ光）の強度制御、走査線の速度制御を行なうようにすれば良い。
【０１５６】
なお、初期結晶化工程において、上記［Ｃ］〜［Ｍ］，［Ｏ］，［Ｐ］の回転数の設定、集束光の強度の設定、所定径方向位置における線速度の設定は、例えば、以下の方法で行われる。つまり、上記回転数等の設定を評価装置などの他の装置で行ない、この結果を初期化装置に入力する。そして、これに基づいて、制御部７が、スピンドルモータの回転数制御、集束光（レーザ光）の強度制御、走査線の速度制御を行なうようにしても良い。また、他の方法として、例えば、以下の方法も挙げることができる。つまり、評価装置などの他の装置で設定された上記［Ｃ］〜［Ｍ］，［Ｏ］の回転数、集束光の強度、所定径方向位置における線速度が、初期化装置へ送られるように構成する。そして、これに基づいて、制御部７が、スピンドルモータの回転数制御、集束光（レーザ光）の強度制御、走査線の速度制御を行なうようにすることもできる。この場合、評価装置などの他の装置と初期化装置とを連携させることで、自動的に、初期結晶化工程が行なわれることになる。
【実施例】
【０１５７】
次に、実施例によって本発明を更に詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施例によって限定されるものではない。
（実施例１）
（Ａ）記録媒体を得る工程
基板としては、下記形状の円盤状のポリカーボネート基板を用いた。
【０１５８】
トラックピッチ：０．７４μｍ
溝幅：０．３２μｍ
溝深さ：３２ｎｍ、
トラック形状：スパイラル状
厚み：０．６ｍｍ
この基板上に、Ａｒガスを用いたスパッタリング法により、６０ｎｍの（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20保護層、２ｎｍのＹ2Ｏ2Ｓ層、１２ｎｍのＧｅ4.7Ｉｎ10.1Ｓｂ50.1Ｓｎ21.2Ｔｅ13.9記録層、１４ｎｍのＹ2Ｏ2Ｓ層、２ｎｍのＴａ界面層、２００ｎｍのＡｇ反射層、約４μｍの紫外線硬化樹脂層をこの順に形成した。Ｔａ層はＡｇ反射層中へのＳの拡散を防ぐための界面層である。
【０１５９】
各層の成膜は上記基板上に、真空を解除することなく、順にスパッタリング法によって積層した。ただし、紫外線硬化樹脂層はスピンコート法によって塗布した。その後に、未成膜の同様の０．６ｍｍ厚基板を、接着剤を介して上記記録層面が内側になるように貼り合せて１．２ｍｍ厚のディスク（記録媒体）とした。
この記録媒体は、初期結晶化工程後に書き換え型ＤＶＤとした場合において、ＤＶＤの基準線速度３．４９ｍ／ｓ（１倍速）の約８〜１０倍速までオーバーライト可能となるように、組成及び層構成が選ばれている。つまり、消去パワーを直流的に照射した場合の消去比が２０ｄＢ以上となる線速度の上限が８〜１０倍速になっている。
【０１６０】
本実施例では、このような記録媒体を複数用意して様々な初期化条件で初期化を行い、得られた光学的情報記録用媒体の性能を評価した。
（Ｂ）初期化工程
以下の初期化条件、初期化方法を用いた。
＜初期化条件＞
波長が８１０ｎｍ、長軸約７５μｍ、短軸約１μｍの楕円形状のレーザ光を集束光に用いた。初期工程時のレーザ光強度は、１０００〜４０００ｍＷの範囲内で変化させた。なお、用いた初期化装置の最大回転数は８２００ｒｐｍであった。
＜初期化方法＞
ＣＡＶ初期化
半径方向に複数のゾーンに分割した記録媒体に対して、内周から外周まで回転数を一定（Ｒ０）として、それぞれのゾーンに対してレーザヘッドのディスク１回転あたりの送り量を５０μｍとして、レーザ強度を１２００〜３６００ｍＷの間で変えて初期化を行った。
【０１６１】
ＺＣＬＶ初期化
半径方向に複数のゾーンに分割した記録媒体に対して、それぞれのゾーンにおける最内周の回転数がＲ０で一定となるようにした。そして、それぞれのゾーン内での線速は一定とした。それぞれのゾーンに対してレーザヘッドのディスク１回転あたりの送り量を５０μｍとして、レーザ強度を１２００〜３６００ｍＷの間で変えて初期化を行った。
【０１６２】
なお、初期化時の走査線速度Ｖ（ｍ／ｓ）は、ディスク回転数をＲ０（ｒｐｍ）、初期化する半径位置をｒ（ｍｍ）とすると、
Ｖ（ｍ／ｓ）＝（Ｒ０／６０）×２×３．１４×（ｒ／１０００）
で計算できる。
具体例として以下の実施例にあげる条件では、
５０００ｒｐｍ、２３ｍｍでは、１２．３ｍ／ｓ
８２００ｒｐｍ、２３ｍｍでは、１９．７ｍ／ｓ
８２００ｒｐｍ、３５ｍｍでは、１５．０ｍ／ｓ
８２００ｒｐｍ、４０ｍｍでは、３４．３ｍ／ｓ
８２００ｒｐｍ、４３ｍｍでは、３６．９ｍ／ｓ
８２００ｒｐｍ、４８ｍｍでは、４１．２ｍ／ｓ
８２００ｒｐｍ、５０ｍｍでは、４２．９ｍ／ｓ
８２００ｒｐｍ、５８ｍｍでは、４９．８ｍ／ｓ
となる。８２００ｒｐｍの場合、半径約４０ｍｍより外側では、ＤＶＤの基準線速度のほぼ１０倍速以上となる。そして、本記録媒体は、後述のように、ＤＶＤの１０倍速以上の線速度で初期化すれば、良好な記録特性が得られている。
（Ｃ）光学的情報記録用媒体の評価方法
＜評価装置＞
装置名：ＯＤＵ１０００（パルステック社製）
集束光：波長が６５０ｎｍで、ＮＡ＝０．６５のレーザ光
＜評価方法＞
基準線速度をＤＶＤの基準線速度である３．４９ｍ／ｓとし、基準クロック周波数を２６．２ＭＨｚ（クロック周期Ｔs＝３８．２ｎｓ）とし、ＥＦＭ＋変調信号を８倍速で記録した後、基準線速度に於いてクロックジッターを測定した。
【０１６３】
ここで、クロックジッターとは、以下のようにして求められる値である。つまり、再生信号をイコライザとＬＰＦを通過させた後に、スライサにより２値化信号とする。そして、該２値化信号のリーディングエッジとトレーリングエッジのＰＬＬクロックに対する時間のずれの標準偏差（ジッター）を求める。さらに、この標準偏差をクロック周期：Ｔで規格化したものをクロックジッターとする。
【０１６４】
反射率値は以下のようにして求めた。つまり、前記方法によって記録した記録波形をオシロスコープに出力する。そして、基準線速度に於いて、１４Ｔ信号振幅の最大値の平均的値をオシロスコープから直接読み取って、反射率値を求めた。
（Ｄ）最大回転数（Ｒｍａｘ、Ｒ０）の決定
初期化装置の回転数Ｒ０を５０００ｒｐｍとして、記録媒体に対して、ＣＡＶ初期化を実施した。そして、得られた光学的情報記録媒体の半径２３ｍｍのトラック（記録媒体の初期結晶化を行なう初期結晶化領域内にある記録領域の最内周のトラック）における２回記録後のジッタ値（Ｊ２）、１０回記録後のジッタ値（Ｊ１０）を測定した。
【０１６５】
Ｊ２＝Ｄｏｗ１ｊｉｔｔｅｒ＝１５．１９％
Ｊ１０＝Ｄｏｗ１０ｊｉｔｔｅｒ＝８．２６％
Ｊ２／Ｊ１０＝１．８４
次に、別の記録媒体を用意しこの記録媒体に対して、初期化装置の回転数Ｒ０を８２００ｒｐｍ（初期化装置の最大回転数）として、ＣＡＶ初期化を実施した。そして、得られた光学的情報記録媒体の半径２３ｍｍのトラック（記録媒体の初期結晶化を行なう初期結晶化領域内にある記録領域の最内周のトラック）における２回記録後のジッタ値（Ｊ２）、１０回記録後のジッタ値（Ｊ１０）を測定した。
【０１６６】
Ｊ２＝Ｄｏｗ１ｊｉｔｔｅｒ＝１１．０７％
Ｊ１０＝Ｄｏｗ１０ｊｉｔｔｅｒ＝８．２２％
Ｊ２／Ｊ１０＝１．３５
本実施例で用いた初期化装置においては、回転数を８２００ｒｐｍよりも速くすることができなかったが、回転数を８２００ｒｐｍよりも速い回転数の下でＣＡＶ初期化を行えば、さらにＪ２／Ｊ１０の値が小さくなる（光学的情報記録用媒体の記録特性が良好になる）可能性がある。但し、実使用上の記録品質を考慮した場合、Ｊ２／Ｊ１０が１．６以下となれば十分であるため、本発明では、８２００ｒｐｍを最大回転数Ｒｍａｘ（Ｒ０）とした。
（Ｅ）ＺＣＡＶゾーン内の初期化レーザ強度の設定（ジッタ値による設定）
９枚の記録媒体を用意し、初期化装置の回転数Ｒ０：８２００ｒｐｍの条件の下、それぞれの記録媒体に対して異なる初期化レーザ強度でＣＡＶ初期化を行った。ここで、初期化レーザ強度は、１２００〜３６００ｍＷで変化させた。
【０１６７】
得られた９枚の光学的情報記録用媒体（初期化レーザ強度がそれぞれ異なる初期化条件で初期化された記録媒体）における半径４０〜５０ｍｍの位置を１つのゾーンとした。そして、このゾーン内の、
最内周付近の１トラックにおける２回記録後のジッタ値J2inzcav
最外周付近の１トラックにおける２回記録後のジッタ値J2outzcav
中央付近の１トラックにおける２回記録後のジッタ値J2midzcav
を測定した。
【０１６８】
また、上記中央部付近の１トラックにさらに８回の記録（のべ１０回の記録）を行い、１０回記録後のジッタ値J10midzcavを測定した。
そして、それぞれの光学的情報記録用媒体における、
J2inzcav／J10midzcav
J2midzcav／J10midzcav
J2outzcav／J10midzcav
を算出した。
【０１６９】
このようにして得られた算出結果と初期化レーザ強度との関係を図１７に示す。同図において、「inner」で示されている実験結果は、初期化レーザ強度に対する「J2inzcav／J10midzcav」の変化を示す。また、同図において「middle」で示されている実験結果は、初期化レーザ強度に対する「J2midzcav／J10midzcav」の変化を示す。同様に、同図において「outer」で示されている実験結果は、初期化レーザ強度に対する「J2outzcav／J10midzcav」の変化を示している。
【０１７０】
同図の結果から、初期化レーザ強度を１５００〜３０００ｍＷに設定すれば、
J2inzcav／J10midzcav≦１．６
J2midzcav／J10midzcav≦１．６
J2outzcav／J10midzcav≦１．６
が確実に満たされることがわかる。さらに、初期化レーザ強度１８００〜２４００ｍＷに設定すれば、
J2inzcav／J10midzcav≦１．３
J2midzcav／J10midzcav≦１．３
J2outzcav／J10midzcav≦１．３
が確実に満たされることがわかる。
（Ｆ）ＺＣＡＶゾーン内の初期化レーザ強度の設定（反射率値による設定）
９枚の記録媒体を用意し、初期化装置の回転数Ｒ０：８２００ｒｐｍの条件の下、それぞれの記録媒体に対して異なる初期化レーザ強度でＣＡＶ初期化を行った。ここで、初期化レーザ強度は、１２００〜３６００ｍＷで変化させた。
【０１７１】
得られた９枚の光学的情報記録用媒体（初期化レーザ強度がそれぞれ異なる初期化条件で初期化された記録媒体）における半径４０〜５０ｍｍの位置を１つのゾーンとした。そして、このゾーン内の、
１回記録後における、最内周付近の１トラックの反射率値Ref1inzcav
中央部付近の１トラックの反射率値Ref1midzcav
最外周付近の１トラックの反射率値Ref1outzcav
を測定した後、それぞれのトラックにさらに９回記録（のべ１０回記録）を行った後の、
最内周付近の１トラックの反射率値Ref10inzcav
中央部付近の１トラックの反射率値Ref10midzcav
最外周付近の１トラックの反射率値Ref10outzcav
をそれぞれ測定した。
【０１７２】
そして、それぞれの光学的情報記録用媒体における、
｜Ref1inzcav−Ref1outzcav｜／Ref1midzcav
を算出した。このようにして得られた算出結果と初期化レーザ強度との関係を図１８に示す。
同図の結果から、初期化レーザ強度を１８００〜３３００ｍＷに設定すれば、
｜Ref1inzcav−Ref1outzcav｜／Ref1midzcav≦０．０５
が確実に満たされることがわかる。さらに、初期化レーザ強度１８００〜２４００ｍＷに設定すれば、
｜Ref1inzcav−Ref1outzcav｜／Ref1midzcav≦０．０３
が確実に満たされることがわかる。
【０１７３】
さらに、それぞれの光学的情報記録用媒体における、
｜Ref10inzcav−Ref1inzcav|／Ref10inzcav
｜Ref10midzcav−Ref1midzcav|／Ref10midzcav
｜Ref10outzcav−Ref1outzcav|／Ref10outzcav
を算出した。このようにして得られた算出結果と初期化レーザ強度との関係を図１９に示す。同図において、「inner」で示されている実験結果は、初期化レーザ強度に対する「｜Ref10inzcav−Ref1inzcav|／Ref10inzcav」の変化を示す。また、同図において「middle」で示されている実験結果は、初期化レーザ強度に対する「｜Ref10midzcav−Ref1midzcav|／Ref10midzcav」の変化を示す。同様に、同図において「outer」で示されている実験結果は、初期化レーザ強度に対する「｜Ref10outzcav−Ref1outzcav|／Ref10outzcav」の変化を示している。
【０１７４】
同図の結果から、初期化レーザ強度を２１００〜３６００ｍＷに設定すれば、
｜Ref10inzcav−Ref1inzcav|／Ref10inzcav≦０．０５
｜Ref10midzcav−Ref1midzcav|／Ref10midzcav≦０．０５
｜Ref10outzcav−Ref1outzcav|／Ref10outzcav≦０．０５
が確実に満たされることがわかる。
（Ｇ）ＺＣＡＶにおいてゾーン間の初期化レーザ強度の設定（ジッタ値、反射率値による設定）
（Ｇ−１）ジッタ値による設定
９枚の記録媒体を用意し、初期化装置の回転数R０：８２００ｒｐｍの条件の下、それぞれの記録媒体に対して異なる初期化レーザ強度でＣＡＶ初期化を行った。初期化の際、記録媒体の半径４０〜５０ｍｍの位置をゾーンＡとし、半径５０〜５８ｍｍ位置をゾーンＢとした。そして、ゾーンＡでの初期化レーザ強度Ｐｉｎ及びゾーンＢでの初期化レーザ強度Ｐｏｕｔを、１２００〜３６００ｍＷの間で記録媒体ごとに異なるように変化させた。
【０１７５】
得られた９枚の光学的情報記録用媒体のそれぞれにおいて、
ゾーンＡ内の最外周付近の１トラックに２回記録を行った時のジッタ値J2zoneAout、
ゾーンＡ内の中央部付近の１トラックに１０回記録を行った時のジッタ値J10zoneAmid、
ゾーンＢ内の最内周付近の１トラックに２回記録を行ったときのジッタ値J2zoneBin、
をそれぞれ測定した。
【０１７６】
そして、それぞれの光学的情報記録用媒体における、
J2zoneAout／J10zoneAmid
J2zoneBin／J10zoneAmid
を算出した。このようにして得られた算出結果と初期化レーザ強度との関係を図２０に示す。
【０１７７】
同図において「ｚ−ａｏｕｔ」で示されている実験結果は、初期化レーザ強度に対する「J2zoneAout／J10zoneAmid」の変化を示している。同様に、同図において「ｚ−ｂｉｎ」で示されている実験結果は、初期化レーザ強度に対する「J2zoneBin／J10zoneAmid」の変化を示している。
同図の結果から、
J2zoneAout／J10zoneAmid≦１．６
J2zoneBin／J10zoneAmid≦１．６
を確実に満たすようなＰＪｍｉｎは１５００ｍＷであることがわかる。そして、上記条件を確実に満たすようなＰＪｍａｘは３６００ｍＷであることがわかる。
【０１７８】
さらに同図の結果から、
J2zoneAout／J10zoneAmid≦１．３
J2zoneBin／J10zoneAmid≦１．３
を確実に満たすようなＰＪｍｉｎは１８００ｍＷであることがわかる。そして、上記条件を確実に満たすようなＰＪｍａｘは２７００ｍＷであることがわかる。
【０１７９】
以上の結果から、ゾーンＡの初期化レーザ強度Ｐｉｎ及びゾーンＢの初期化レーザ強度Ｐｏｕｔを、ＰＪｍｉｎ（１５００ｍＷ、好ましくは１８００ｍＷ）とＰＪｍａｘ（３６００ｍＷ、好ましくは２７００ｍＷ）との間で、Ｐｉｎ≦Ｐｏｕｔとなるように設定すれば、ゾーンＡ、ゾーンＢの境界付近における光学的情報記録媒体の記録品質が良好となることがわかる。
（Ｇ−２）反射率値による設定
９枚の記録媒体を用意し、初期化装置の回転数Ｒ０：８２００ｒｐｍの条件の下、それぞれの記録媒体に対して異なる初期化レーザ強度でＣＡＶ初期化を行った。初期化の際、記録媒体の半径４０〜５０ｍｍの位置をゾーンＡとした。そして、半径５０〜５８ｍｍ位置をゾーンＢとし、ゾーンＡでの初期化レーザ強度Ｐｉｎ及びゾーンＢでの初期化レーザ強度Ｐｏｕｔを、１２００〜３６００ｍＷの間で記録媒体ごとに異なるように変化させた。
【０１８０】
得られた９枚の光学的情報記録用媒体のそれぞれにおいて、
ゾーンＡ内の最外周付近の１トラックに１回記録を行った時の反射率値RefzoneAout、
ゾーンＡ内の中央部付近の１トラックに１回記録を行った時の反射率値RefzoneAmid、
ゾーンＢ内の最内周付近の１トラックに1回記録を行った時の反射率値RefzoneBin、
をそれぞれ測定した。
【０１８１】
そして、それぞれの光学的情報記録用媒体におけるPin≦Poutでの、
|RefzoneAout−RefzoneBin|／RefzoneAmid
を算出した。このようにして得られた算出結果と初期化レーザ強度との関係を図２５に示す。
同図において「Pin＝Pout」で示されている実験結果は、初期化レーザ強度がそれぞれのゾーンで等しい場合の「|RefzoneAout−RefzoneBin|／RefzoneAmid」の変化を示すものである。同様に、同図において、例えば、「Pin＜Pout３．６」で示されている実験結果は、ゾーンＢの初期化レーザ強度が３６００mWに対してPinがそれ以下の初期化レーザ強度となる場合の「|RefzoneAout−RefzoneBin|／RefzoneAmid」の変化を示すものである。
【０１８２】
同図の結果から、Pin＝Poutとした場合においては、１２００〜３６００ｍＷの全ての初期化レーザ強度において
|RefzoneAout−RefzoneBin|／RefzoneAmid≦０．０５
が確実に満たされることがわかる。
またPin＜Poutの場合、
|RefzoneAout−RefzoneBin|／RefzoneAmid≦０．０５
を確実に満たすようなＰＲｍｉｎは２１００ｍＷ以上となることがわかる。
【０１８３】
さらに同図の結果から、
|RefzoneAout−RefzoneBin|／RefzoneAmid≦０．０３
を確実に満たすようなＰＲｍｉｎは３０００ｍＷ以上となることがわかる。
なお、同図の結果からは、ＰＲｍａｘは、３６００ｍＷ以上に存在するように考えられる。但し、ここでは、一応ＰＲｍａｘを３６００ｍＷとして考える。
【０１８４】
以上の結果から、ゾーンＡの初期化レーザ強度Ｐｉｎ及びゾーンＢの初期化レーザ強度Ｐｏｕｔを、Ｐｉｎ＝Ｐｏｕｔとするか、又はＰＲｍｉｎ（２１００ｍＷ、好ましくは３０００ｍＷ）及びＰＲｍａｘ（一応３６００ｍＷとする。）に対して、ＰＲｍｉｎ≦Ｐｉｎ≦Ｐｏｕｔ≦ＰＲｍａｘとなるように設定すれば、ゾーンＡ、ゾーンＢの境界付近における光学的情報記録媒体の記録品質が良好となることがわかる。
（Ｈ）ＺＣＬＶ、ゾーン内の初期化レーザ強度の設定（ジッタ値，反射率値による設定）
９枚の記録媒体を用意し、初期化装置の回転数Ｒ０：８２００ｒｐｍの条件の下、それぞれの記録媒体に対して異なる初期化レーザ強度でＺＣＬＶ初期化を行った。具体的な初期化条件は以下の通りである。
【０１８５】
記録媒体の半径３５〜４３ｍｍをゾーンＡ、半径４３〜４８ｍｍをゾーンＢとした。そして、ゾーンＡを初期化する際の走査線速度を３０ｍ/ｓ、ゾーンＢを初期化する際の走査線速度を３７ｍ/ｓとした。この走査線速度に設定することにより、ゾーンＡの最内周での回転数は８２００ｒｐｍ、ゾーンＢの最内周での回転数も８２００ｒｐｍとなり、各ゾーンの最内周位置での回転数は一定となる。
【０１８６】
用意した９枚の記録媒体のゾーンＡ、Ｂにおける走査線速度を上記のように設定した状態において、それぞれの記録媒体の初期化が、１２００〜３６００ｍＷの間における異なる初期化レーザ強度で行われるようにした。
このようにして得たそれぞれの光学的情報記録用媒体における
各ゾーンの中央部付近での
１回記録後の反射率（Ref1midzclv）、
２回記録後のジッタ値（J2midzclv）、
１０回記録後のジッタ値（J10midzclv）、
１０回記録後の反射率（Ref10midzclv）、
をそれぞれ測定した。
【０１８７】
そして、得られたデータのうち、それぞれの光学的情報記録用媒体における、
J2midzclv／J10midzclv
｜Ref10midzclv−Ref1midzclv|／Ref10midzclv
をそれぞれ算出した。このようにして得られた算出結果と初期化レーザ強度との関係を図２１、図２２に示す。
【０１８８】
図２１の結果から、
J2midzclv／J10midzclv≦１．６
を確実にみたすような初期化レーザ強度が、ゾーンＡでは１２００〜３３００ｍＷの範囲となること、ゾーンＢでは１５００〜３６００ｍＷの範囲となることがわかる。さらに、
J2midzclv／J10midzclv≦１．３
を確実にみたすような初期化レーザ強度は、ゾーンＡでは１２００〜２１００mＷの範囲となること、ゾーンＢでは１５００〜２４００ｍＷの範囲となることがわかる。
【０１８９】
また図２２の結果から、
｜Ref10midzclv−Ref1midzclv|／Ref10midzclv≦０．０５
を確実に満たすような初期化レーザ強度は、ゾーンＡでは１５００〜３６００ｍＷの範囲となること、ゾーンＢでは１８００〜３６００ｍＷの範囲となることがわかる。さらに、
｜Ref10midzclv−Ref1midzclv|／Ref10midzclv≦０．０３
を確実に満たすような初期化レーザ強度は、ゾーンＡでは１５００〜３０００ｍＷの範囲となること、ゾーンＢでは２１００〜３６００ｍＷの範囲となることがわかる。
【０１９０】
図２１、２２の結果から、ゾーンＡの最適な初期化レーザ強度（ジッタの比率を小さくしつつ、反射率比率も小さくできる値）は１５００ｍＷと見積もることができる。同様に、ゾーンＢの最適な初期化レーザ強度（ジッタの比率を小さくしつつ、反射率比率も小さくできる値）は、２１００ｍＷと見積もることができる。
（Ｉ）ＺＣＬＶ、ゾーン間の初期化レーザ強度の設定（ジッタ値による設定）
つぎに、それぞれの光学的情報記録用媒体における、
レーザ強度を変化させたときのゾーンＡの中央部付近の２回記録後のジッタ値（以下、J2zoneAという）／J10zoneAPin、
レーザ強度を変化させたときのゾーンＢの中央部付近の２回記録後のジッタ値（以下、J2zoneBという）／J10zoneBPout
を算出した。ここで、J10zoneAPinは、ゾーンＡを初期化レーザ強度１５００ｍＷ（１５００ｍＷを仮のＰｉｎであるＰｉｎ’とする。）で初期化を行った場合の１０回記録後のジッタ値を用いた。また、J10zoneBPoutは、ゾーンＢを初期化レーザ強度２１００ｍＷ（２１００ｍＷを仮のＰｏｕｔであるＰｏｕｔ’とする。）で初期化を行った場合の１０回記録後のジッタ値を用いた。このようにして得られた算出結果と初期化レーザ強度との関係を図２３に示す。
【０１９１】
同図中の「ｚｏｎｅＡ」は、「J2zoneA／J10zoneAPin」の値を、「ｚｏｎｅＢ」は、「J2zoneB／J10zoneBPout」を示す。
同図の結果から、
J2zoneA／J10zoneAPin≦１．６
J2zoneB／J10zoneBPout≦１．６
を確実に満たすような初期化レーザ強度は、１５００〜２４００ｍＷの範囲であることがわかる。つまり、ゾーンＡをＰｏｕｔ’（２１００ｍＷ）で初期化しても、ゾーンＢをＰｉｎ’（１５００ｍＷ）で初期化しても、J2zoneA／J10zoneAPin≦１．６、J2zoneB／J10zoneBPout≦１．６を達成することができる。
【０１９２】
なお、同図の結果から、
J2zoneA／J10zoneAPin≦１．３
J2zoneB／J10zoneBPout≦１．３
を確実に満たすような初期化レーザ強度は、１５００〜１８００ｍＷの範囲であることがわかる。この場合、Ｐｏｕｔ’（２１００ｍＷ）は１８００ｍＷよりも大きい値となっている。したがって、Ｐｏｕｔを１８００ｍＷと設定したほうが、ゾーンＡ、Ｂの初期化後の特性のバランスが取りやすいと考えることもできる。
（Ｊ）ＺＣＬＶ、ゾーン間の初期化レーザ強度の設定（反射率値による設定）
さらに、それぞれの光学的情報記録用媒体における、 レーザ強度を変化させたときのゾーンＡの中央部付近の1回記録後の反射率値（ここでは、Ref1zoneAと呼ぶ。）、及びレーザ強度を変化させたときのゾーンＢの中央部付近の1回記録後の反射率値（ここでは、Ref1zoneBと呼ぶ。）を測定した。そして、｜Ref1zoneA−Ref1zoneB｜／Ref1zoneAPinを算出した。
【０１９３】
ここで、上記で求められた１５００ｍＷおよび１８００ｍＷをそれぞれＰｉｎ’としてゾーンＡを初期化した場合における、１回記録後の反射率をRef1zoneAPinとした。このようにして得られた算出結果と初期化レーザ強度との関係を図２４に示す。同図において、「Ｐｉｎ１５００」は、Ｐｉｎ’＝１５００ｍＷにおけるRef1zoneAPinを用いた場合の｜Ref1zoneA−Ref1zoneB｜／Ref1zoneAPinを示す。同様に、同図において、「Ｐｉｎ１８００」は、Ｐｉｎ’＝１８００ｍＷにおけるRef1zoneAPinを用いた場合の｜Ref1zoneA−Ref1zoneB｜／Ref1zoneAPinを示す。なお、同図における、「｜１回記録後のｚｏｎｅＡ反射率−１回記録後のｚｏｎｅＢ反射率｜」は、｜Ref1zoneA−Ref1zoneB｜を示す。
【０１９４】
同図の結果から、Ｐｉｎ’を１５００ｍＷとした場合に、
｜Ref1zoneA−Ref1zoneB｜／Ref1zoneAPin≦０．０５
を確実に満たすような初期化レーザ強度は、１２００〜１５００ｍＷの範囲であることがわかる。つまり、ゾーンＡのレーザ強度を１５００ｍＷとした場合、ゾーンＢは１２００〜１５００ｍＷの範囲内で初期化すればよいことがわかる。
【０１９５】
一方、Ｐｉｎ’を１８００ｍＷとした場合に、
｜Ref1zoneA−Ref1zoneB｜／Ref1zoneAPin≦０．０５
を確実に満たすような初期化レーザ強度は、１５００〜２４００ｍＷの範囲であることがわかる。つまり、ゾーンＡのレーザ強度を１８００ｍＷとした場合、ゾーンＢは１５００〜２４００ｍＷの範囲で初期化すればよいことがわかる。
【０１９６】
さらに、同図の結果から、Ｐｉｎ’を１５００ｍＷとした場合に、
｜Ref1zoneA−Ref1zoneB｜／Ref1zoneAPin≦０．０３
を確実に満たすような初期化レーザ強度は１２００ｍＷであることがわかる。つまりゾーンＡのレーザ強度を１５００ｍＷとした場合、ゾーンＢは１２００ｍＷで初期化すればよいことがわかる。
【０１９７】
一方、Ｐｉｎ’を１８００ｍＷとした場合に、
｜Ref1zoneA−Ref1zoneB｜／Ref1zoneAPin≦０．０３
を確実に満たすような初期化レーザ強度は１５００〜２１００ｍＷの範囲であることがわかる。つまり、ゾーンＡのレーザ強度を１８００ｍＷとした場合、ゾーンＢは１５００〜２１００ｍＷの範囲で初期化すればよい。
【０１９８】
ここで、ゾーンＡのレーザ強度を１５００ｍＷとした場合にゾーンＡ＞ゾーンＢとなる。このため、ゾーンＡのレーザ強度を１８００ｍＷとして、ゾーンＢのレーザ強度を１８００〜２１００ｍＷで設定するほうが好ましいと推測される。
（実施例２）
（Ａ）記録媒体を得る工程
基板としては、下記形状の円盤状のポリカーボネート基板を用いた。
【０１９９】
トラックピッチ：０．７４μｍ
溝幅：０．３２μｍ
溝深さ：３２ｎｍ、
トラック形状：スパイラル状
厚み：０．６ｍｍ
この基板上に、Ａｒガスを用いたスパッタリング法により、６０ｎｍの（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ2）20保護層、２ｎｍのＹ2Ｏ2Ｓ層、１２ｎｍのＧｅ4.7Ｉｎ10.1Ｓｂ50.1Ｓｎ21.2Ｔｅ13.9記録層、１４ｎｍのＹ2Ｏ2Ｓ層、２ｎｍのＴａ界面層、２００ｎｍのＡｇ反射層、約４μｍの紫外線硬化樹脂層をこの順に形成した。Ｔａ層はＡｇ反射層中へのＳの拡散を防ぐための界面層である。
【０２００】
各層の成膜は上記基板上に、真空を解除することなく、順にスパッタリング法によって積層した。ただし、紫外線硬化樹脂層はスピンコート法によって塗布した。その後に、未成膜の同様の０．６ｍｍ厚基板を、接着剤を介して上記記録層面が内側になるように貼り合せて１．２ｍｍ厚のディスク（記録媒体）とした。
この記録媒体は、初期結晶化工程後に書き換え型ＤＶＤとした場合において、ＤＶＤの基準線速度３．４９ｍ／ｓ（１倍速）の約８〜１０倍速までオーバーライト可能となるように、組成及び層構成が選ばれている。つまり、消去パワーを直流的に照射した場合の消去比が２０ｄＢ以上となる線速度の上限が８〜１０倍速になっている。
【０２０１】
本実施例では、このような記録媒体を複数用意して様々な初期化条件で初期化を行い、得られた光学的情報記録用媒体の性能を評価した。
（Ｂ）初期化工程
以下の初期化条件、初期化方法を用いた。
＜初期化条件＞
波長が８１０ｎｍ、長軸約７５μｍ、短軸約１μｍの楕円形状のレーザ光を集束光に用いた。初期工程時のレーザ光強度は、１０００〜４０００ｍＷの範囲内で変化させた。なお、用いた初期化装置の最大回転数は８２００ｒｐｍであった。
＜初期化方法＞
Ｐ―ＣＡＶ初期化
最内周より始まる内周側のゾーンを回転数一定（Ｒ０＝８２００ｒｐｍ）として、線速度が３０ｍ／ｓに達した半径より外周側のゾーンを線速度一定として初期化を実施した。
【０２０２】
なお、初期化時の走査線速度Ｖ（ｍ／ｓ）は、ディスク回転数をＲ０（ｒｐｍ）、初期化する半径位置をｒ（ｍｍ）とすると、
Ｖ（ｍ／ｓ）＝（Ｒ０／６０）×２×３．１４×（ｒ／１０００）
で計算できる。
このＰ−ＣＡＶ初期化の各半径における具体的な初期化線速度は、
２３ｍｍ  ８２００ｒｐｍ  １９．７ｍ／ｓ
３０ｍｍ  ８２００ｒｐｍ  ２５．７ｍ／ｓ
３５ｍｍ  ８２００ｒｐｍ  ３０．０ｍ／ｓ
４０ｍｍ  ７１６６ｒｐｍ  ３０．０ｍ／ｓ
５０ｍｍ  ５７３２ｒｐｍ  ３０．０ｍ／ｓ
５８ｍｍ  ４９４２ｒｐｍ  ３０．０ｍ／ｓ
となる。
【０２０３】
ここで、各半径位置と初期化線速度との関係を図２６に示す。図２６において、「ＣＬＶ」は各半径位置における線速度を、「ＣＡＶ」は各半径位置における単位時間当たりの回転数を示す。
（Ｃ）光学的情報記録用媒体の評価方法
＜評価装置＞
装置名：ＯＤＵ１０００（パルステック社製）
集束光：波長が６５０ｎｍで、ＮＡ＝０．６５のレーザ光
＜評価方法＞
基準線速度をＤＶＤの基準線速度である３．４９ｍ／ｓとし、基準クロック周波数を２６．２ＭＨｚ（クロック周期Ｔs＝３８．２ｎｓ）とし、ＥＦＭ＋変調信号を６倍速および８倍速線速度で記録した後、基準線速度に於いてクロックジッターを測定した。
【０２０４】
ここで、クロックジッターとは、以下のようにして求められる値である。つまり、再生信号をイコライザとＬＰＦを通過させた後に、スライサにより２値化信号とする。そして、該２値化信号のリーディングエッジとトレーリングエッジのＰＬＬクロックに対する時間のずれの標準偏差（ジッター）を求める。さらに、この標準偏差をクロック周期：Ｔで規格化したものをクロックジッターとする。
【０２０５】
反射率値は、以下のようにして求めた。つまり、前記方法によって記録した記録波形をオシロスコープに出力する。そして、基準線速度に於いて、１４Ｔ信号振幅の最大値の平均的値をオシロスコープから直接読み取って反射率を求めた。
（Ｄ）初期化条件の決定
実施例１と同様の方法を用いて初期化条件を以下のように決定した。
【０２０６】
最大回転数    Ｒ０＝８２００ｒｐｍ
初期化パワー  ＣＡＶ  ａｒｅａ  １３００−１９００ｍＷ
ＣＬＶ  ａｒｅａ  １９００ｍＷ
なお、ＣＡＶ領域においては、初期化パワーは、初期化線速度に対して、１３００ｍＷから１９００ｍＷの間でほぼ比例するように変化させた。
（Ｅ）Ｐ−ＣＡＶ初期化のジッタ値の測定
前記初期化条件にて記録媒体を初期化後、前記半径位置の２３ｍｍから５８ｍｍの各半径位置で８倍速にて、２回記録および１０回記録のジッタ値を測定した。そして、Ｊ２／Ｊ１０を求めた。
【０２０７】
また、実際のコマーシャルドライブ（実際に市場で販売されているドライブ）では、回転数の制限から８倍速記録を記録媒体の最内周から実施することは出来ない。このため、前記各半径のうち２３，３０，３５ｍｍの位置では６倍速にて、２回記録および１０回記録のジッタ値を測定した。そして、Ｊ２／Ｊ１０を求めた。
ここで、半径位置とＪ２／Ｊ１０との関係を図２７に示す。同図の結果から、本設定のＰ−ＣＡＶ初期化条件にてすべての半径領域の８倍速記録時、および２３，３０，３５ｍｍでの６倍速記録時のＪ２／Ｊ１０は、Ｊ２／Ｊ１０≦１．３という条件を満たしていることがわかる。
【図面の簡単な説明】
【０２０８】
【図１】本発明の一実施形態にかかる光学的情報記録用媒体の製造方法の初期化工程において用いられるレーザ光（集束光）の光スポットを説明するための模式図である。
【図２】（ａ）〜（ｅ）は、本発明の一実施形態にかかる光学的情報記録用媒体の製造方法の初期化工程におけるレーザ光（集束光）の走査線速度と記録媒体の半径位置との関係を示す模式図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施形態にかかる光学的情報記録用媒体の製造方法の初期化工程におけるレーザ光（集束光）の初期化パワーと走査線速度との関係を示す模式図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施形態にかかる光学的情報記録用媒体の製造方法の初期化工程におけるレーザ光（集束光）の走査線速度と記録媒体の半径位置との関係を示す模式図である。
【図５】本発明の一実施形態にかかる光学的情報記録用媒体の製造方法の初期化工程において初期結晶化される記録媒体を示す模式図であって、（ａ）はその斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′矢視断面図である。
【図６】本発明の一実施形態にかかる光学的情報記録用媒体の製造方法の初期化工程における回転数Ｒ０とＪ２／Ｊ１０との関係を示す概念図である。
【図７】（ａ），（ｂ）は、本発明の一実施形態にかかる光学的情報記録用媒体の製造方法の初期化工程における各ゾーンの初期化レーザ強度の設定例を示す模式図である。
【図８】本発明の一実施形態にかかる光学的情報記録用媒体の製造方法の初期化工程において初期結晶化される記録媒体を示す模式図であって、（ａ）はその斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′矢視断面図である。
【図９】本発明の一実施形態にかかる光学的情報記録用媒体の製造方法の初期化工程において初期結晶化される記録媒体を示す模式的断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態にかかる光学的情報記録用媒体の製造方法の初期化工程において初期結晶化される記録媒体を示す模式的断面図である。
【図１１】（ａ），（ｂ）は、本発明の一実施形態にかかる光学的情報記録用媒体の製造方法の初期化工程における初期化レーザ強度の設定方法について説明するための概念図である。
【図１２】（ａ），（ｂ）は、本発明の一実施形態にかかる光学的情報記録用媒体の製造方法の初期化工程における走査線速度と記録媒体の半径位置との関係を説明するための模式図である。
【図１３】本発明の一実施形態にかかる光学的情報記録用媒体の製造方法の初期化工程において初期結晶化される記録媒体を示す模式的断面図である。
【図１４】本発明の一実施形態にかかる光学的情報記録用媒体の製造方法の初期化工程における初期化レーザ強度の設定方法について説明するための概念図である。
【図１５】本発明の一実施形態にかかる光学的情報記録用媒体の製造方法の初期化工程における初期化レーザ強度の設定方法について説明するための概念図である。
【図１６】本発明の一実施形態にかかる初期化装置の構成を示す模式図である。
【図１７】本発明の一実施例にかかる初期化レーザ強度の設定例を説明するための図である。
【図１８】本発明の一実施例にかかる初期化レーザ強度の設定例を説明するための図である。
【図１９】本発明の一実施例にかかる初期化レーザ強度の設定例を説明するための図である。
【図２０】本発明の一実施例にかかる初期化レーザ強度の設定例を説明するための図である。
【図２１】本発明の一実施例にかかる初期化レーザ強度の設定例を説明するための図である。
【図２２】本発明の一実施例にかかる初期化レーザ強度の設定例を説明するための図である。
【図２３】本発明の一実施例にかかる初期化レーザ強度の設定例を説明するための図である。
【図２４】本発明の一実施例にかかる初期化レーザ強度の設定例を説明するための図である。
【図２５】本発明の一実施例にかかる初期化レーザ強度の設定例を説明するための図である。
【図２６】本発明の一実施例にかかる記録媒体の初期化線速度と記録媒体の半径位置との関係を示す図である。
【図２７】本発明の一実施例にかかる光学的情報記録用媒体の半径位置における光記録特性を示す図である。
【符号の説明】
【０２０９】
１  初期化装置
２  記録媒体
３  スピンドルモータ
４  モータドライバ
５  初期化ヘッド（レーザヘッド）
６  初期化ヘッド用ドライバ
７  制御部
【図１】
2006004595.tif 000003
【図２】
2006004595.tif 000004
【図３】
2006004595.tif 000005
【図４】
2006004595.tif 000006
【図５】
2006004595.tif 000007
【図６】
2006004595.tif 000008
【図７】
2006004595.tif 000009
【図８】
2006004595.tif 000010
【図９】
2006004595.tif 000011
【図１０】
2006004595.tif 000012
【図１１】
2006004595.tif 000013
【図１２】
2006004595.tif 000014
【図１３】
2006004595.tif 000015
【図１４】
2006004595.tif 000016
【図１５】
2006004595.tif 000017
【図１６】
2006004595.tif 000018
【図１７】
2006004595.tif 000019
【図１８】
2006004595.tif 000020
【図１９】
2006004595.tif 000021
【図２０】
2006004595.tif 000022
【図２１】
2006004595.tif 000023
【図２２】
2006004595.tif 000024
【図２３】
2006004595.tif 000025
【図２４】
2006004595.tif 000026
【図２５】
2006004595.tif 000027
【図２６】
2006004595.tif 000028
【図２７】
2006004595.tif 000029