(57)【要約】【課題】  電界発光ディスプレイ装置を提供する。【解決手段】  第１電極層、第２電極層、及びそれらの間に配置される電界発光部を有するディスプレイ領域が形成された基板と、少なくとも前記ディスプレイ領域を密封する密封部材と、密封部材と第２電極層との間に、少なくとも前記ディスプレイ領域と重畳される遮断層と、を備えることを特徴とする電界発光ディスプレイ装置。【選択図】    図３
2006004910.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極層、第２電極層、及びそれらの間に配置される電界発光部を有するディスプレイ領域が形成された基板と、
少なくとも前記ディスプレイ領域を密封する密封部材と、
前記密封部材の少なくとも一部と前記第２電極層との間に、少なくとも前記ディスプレイ領域と重畳される遮断層と、
を備えることを特徴とする電界発光ディスプレイ装置。
【請求項２】
前記密封部材は、１層以上の密封層よりなることを特徴とする請求項１に記載の電界発光ディスプレイ装置。
【請求項３】
前記遮断層は、前記第２電極層の一面上に形成されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電界発光ディスプレイ装置。
【請求項４】
前記密封部材は、複数の密封層より構成され、前記遮断層は前記複数の密封層間に配されることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の電界発光ディスプレイ装置。
【請求項５】
前記密封部材は、密封基板であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の電界発光ディスプレイ装置。
【請求項６】
前記遮断層は、前記密封基板の前記ディスプレイ領域に向かう一面上に形成されることを特徴とする請求項５に記載の電界発光ディスプレイ装置。
【請求項７】
前記遮断層は、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ、ＣａＦ２、ＭｇＦ２のうちいずれか１つ以上を含むことを特徴とする請求項１に記載の電界発光ディスプレイ装置。
【請求項８】
前記遮断層の厚さは、１０Å〜５０Åであることを特徴とする請求項７に記載の電界発光ディスプレイ装置。
【請求項９】
前記密封部材は、１層以上の層よりなる密封層と密封基板とを含むことを特徴とする請求項１に記載の電界発光ディスプレイ装置。
【請求項１０】
前記遮断層は、前記密封基板の前記ディスプレイ領域に向かう一面上に形成されることを特徴とする請求項９に記載の電界発光ディスプレイ装置。
【請求項１１】
一体型基板の一面上に１つ以上の画素よりなる１つ以上のディスプレイ領域を形成する工程と、
前記ディスプレイ領域の少なくとも一部の上部に遮断層を形成する工程と、
前記遮断層の上部に１層以上の密封層を形成する工程と、
前記密封層を硬化させる工程と、
前記一体型基板をスクライビングする工程と、
を含むことを特徴とする電界発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１２】
前記遮断層は、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ、ＣａＦ２、ＭｇＦ２のうちいずれか１つ以上を含むことを特徴とする請求項１１に記載の電界発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１３】
前記密封層を硬化させる段階は、ＵＶエネルギーまたは熱エネルギーを用いることを特徴とする請求項１１に記載の電界発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１４】
一体型基板の一面上に１つ以上の画素よりなる１つ以上のディスプレイ領域を形成する工程と、
前記ディスプレイ領域の少なくとも一部の上部に前記ディスプレイ領域を密封させるための複数の密封層を形成する工程と、
前記密封層の少なくとも一部を硬化させる工程と、
前記一体型基板をスクライビングする工程と、を備え、
前記複数の密封層の形成工程において、前記複数の密封層間の少なくとも一部に遮断層を形成する工程をさらに備えることを特徴とする電界発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１５】
前記遮断層は、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ、ＣａＦ２、ＭｇＦ２のうちいずれか１つ以上を含むことを特徴とする請求項１４に記載の電界発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１６】
前記密封層を硬化させる段階は、ＵＶエネルギーまたは熱エネルギーを用いることを特徴とする請求項１４に記載の電界発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１７】
一体型基板の一面上に１つ以上の画素よりなる１つ以上のディスプレイ領域を形成する工程と、
前記ディスプレイ領域上に遮断層を形成する工程と、
密封材を通じて密封基板と共に前記ディスプレイ領域を密封させる工程と、
少なくとも前記密封材を硬化させる工程と、
前記一体型基板をスクライビングする工程と、
を含むことを特徴とする電界発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１８】
前記遮断層は、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ、ＣａＦ２、ＭｇＦ２のうちいずれか１つ以上を含むことを特徴とする請求項１７に記載の電界発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項１９】
前記密封材を硬化させる段階は、ＵＶエネルギーまたは熱エネルギーを用いることを特徴とする請求項１７に記載の電界発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項２０】
一体型基板の一面上に１つ以上の画素よりなる１つ以上のディスプレイ領域を形成する工程と、
密封基板の一面に、前記ディスプレイ領域の対応領域に遮断層を形成する工程と、
密封材を通じて密封基板と共に前記ディスプレイ領域を密封させる工程と、
少なくとも前記密封材を硬化させる工程と、
前記一体型基板をスクライビングする工程と、
を含むことを特徴とする電界発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項２１】
前記遮断層は、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ、ＣａＦ２、ＭｇＦ２のうちいずれか１つ以上を含むことを特徴とする請求項２０に記載の電界発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項２２】
前記密封材を硬化させる段階は、ＵＶエネルギーまたは熱エネルギーを用いることを特徴とする請求項２０に記載の電界発光ディスプレイ装置の製造方法。
【請求項２３】
前記ディスプレイ領域を密封させる工程において、
前記密棒基板側と前記遮断層との間に接着剤を介在させる工程をさらに含むことを特徴とする請求項２０に記載の電界発光ディスプレイ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電界発光ディスプレイ装置に係り、より詳細には、製造過程で発生する電界発光部の損傷を防止できる構造の電界発光ディスプレイ装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイ装置、有機電界発光ディスプレイ装置、無機電界発光ディスプレイ装置など平板ディスプレイ装置はその駆動方式によって、受動駆動方式のパッシブマトリクス（Ｐａｓｓｉｖｅ  Ｍａｔｒｉｘ：ＰＭ）型と、能動駆動方式のアクティブマトリクス（Ａｃｔｉｖｅ  Ｍａｔｒｉｘ：ＡＭ）型とに区分される。前記パッシブマトリクス型は、単純にアノードとカソードとが各々カラムとローで配列されてカソードにはロー駆動回路からスキャニング信号が供給され、この際、複数のローのうち何れか１つのローだけが選択される。また、カラム駆動回路には、各画素にデータ信号が入力される。一方、前記アクティブマトリクス型は、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；ＴＦＴ）を用いて各画素当り入力される信号を制御するものであって、膨大な量の信号の処理に適して動画像を表示するためのディスプレイ装置として多用されている。
【０００３】
これらの平板ディスプレイ装置のうち、有機電界発光ディスプレイ装置は、アノード電極とカソード電極との間に有機物よりなる有機発光層を有する。この有機電界発光ディスプレイ装置は、それらの電極にアノード及びカソード電圧が各々印加されることによって、アノード電極から注入された正孔が正孔輸送層を経て有機発光層に移動し、電子はカソード電極から電子輸送層を経て有機発光層に注入され、この有機発光層で電子とホールとが再結合して励起子を生成し、この励起子が励起状態から基底状態に変化されて、有機発光層の蛍光性分子が発光することによって画像を形成する。フルカラー有機電界発光ディスプレイ装置の場合には、有機電界発光素子として赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の三色を発光する画素を具備させてフルカラーでの表示を可能とする。
【０００４】
一方、電界発光ディスプレイ装置、特に有機電界発光ディスプレイ装置の場合、ディスプレイ領域に配置される有機電界発光部に対する防湿効能は、ディスプレイ装置の耐久年限を決定する重要な因子の１つである。
【０００５】
従来の技術としては、発光基板のエッジに紫外線密封材を形成し、密封基板と発光基板を組立てた後、紫外線を加えて密封材を硬化させる有機電界発光素子の封止方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００６】
このような従来の技術によれば、有機電界発光部の密封過程中に紫外線のようなエネルギーを加える工程が備わるが、紫外線のようなエネルギーは、有機電界発光部の上部に形成された層を貫通して有機電界発光部に損傷を加えやすいという問題点を伴う。
【０００７】
また、他の従来の技術としては、陰極と発光層との間にＬｉＦ層を備えて色相効率を改善する構造の有機電界発光ディスプレイ装置が開示されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００８】
さらに、他の従来の技術としては、カソードと有機層との間に電子注入層としてのＬｉＦ層が介在される構造の有機電界発光ディスプレイ装置が開示されている（例えば、特許文献３参照）。
【０００９】
ところが、このようにカソード電極と有機電界発光部との間に介在される電子注入層としてのＬｉＦ層は、構造的に設定厚さには制約が伴う。したがって、このような層は紫外線のような外部エネルギーから有機電界発光部を効率よく保護できないという問題点がある。
【特許文献１】大韓民国特許公開公報第２００２−００６５１２５号
【特許文献２】大韓民国特許公開公報第２０００−００６５６９４号
【特許文献３】特開第２０００−２００６８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
そこで、本発明は、上述の問題点を解消するためになされたものであって、より効果的な密封機能を有し、耐久年限を延長できる構造の電界発光ディスプレイ装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の特徴は、電界発光ディスプレイ装置であって、第１電極層、第２電極層、及びそれらの間に配置される電界発光部を有するディスプレイ領域が形成された基板と、少なくとも前記ディスプレイ領域を密封する密封部材と、前記密封部材の少なくとも一部と前記第２電極層との間に、少なくとも前記ディスプレイ領域と重畳される遮断層と、を備えることを要旨とする。
【００１２】
本発明の他の特徴は、電界発光ディスプレイ装置の製造方法であって、一体型基板の一面上に１つ以上の画素よりなる１つ以上のディスプレイ領域を形成する工程と、前記ディスプレイ領域の少なくとも一部の上部に遮断層を形成する工程と、前記遮断層の上部に１層以上の密封層を形成する工程と、前記密封層を硬化させる工程と、前記一体型基板をスクライビングする工程と、を含むことを要旨とする。
【００１３】
本発明のさらに他の特徴は、電界発光ディスプレイ装置の製造方法であって、一体型基板の一面上に１つ以上の画素よりなる１つ以上のディスプレイ領域を形成する工程と、前記ディスプレイ領域の少なくとも一部の上部に前記ディスプレイ領域を密封させるための複数の密封層を形成する工程と、前記密封層の少なくとも一部を硬化させる工程と、前記一体型基板をスクライビングする工程と、を含み、前記複数の密封層の形成工程において、前記複数の密封層間の少なくとも一部に遮断層を形成する工程をさらに備えることを要旨とする。
【００１４】
本発明のさらに他の特徴は、電界発光ディスプレイ装置の製造方法であって、一体型基板の一面上に１つ以上の画素よりなる１つ以上のディスプレイ領域を形成する工程と、前記ディスプレイ領域の上部に遮断層を形成する工程と、密封材を通じて密封基板と共に前記ディスプレイ領域を密封させる工程と、少なくとも前記密封材を硬化させる工程と、前記一体型基板をスクライビングする工程と、を含むことを要旨とする。
【００１５】
本発明のさらに他の特徴は、電界発光ディスプレイ装置の製造方法であって、一体型基板の一面上に１つ以上の画素よりなる１つ以上のディスプレイ領域を形成する工程と、密封基板の一面に、前記ディスプレイ領域の対応領域に遮断層を形成する工程と、密封材を通じて密封基板と共に前記ディスプレイ領域を密封させる工程と、少なくとも前記密封材を硬化させる工程と、前記一体型基板をスクライビングする工程と、を含むことを要旨とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、次のような効果が得られる。
【００１７】
第１に、本発明によれば、密封部材と第２電極層との間に遮断層を備えることによって、外部から印加される紫外線及び／または熱による電界発光部の損傷を防止できる。
【００１８】
第２に、本発明に係る電界発光ディスプレイ装置は適切な厚さの遮断層を備えることによって、外部から印加されるエネルギーによる電界発光部の損傷を防止すると同時に、色座標の変形を防止できる。
【００１９】
第３に、本発明に係る電界発光ディスプレイ装置の遮断層が配される位置は、基板上の第２電極層の一面上に形成され、密封基板のディスプレイ領域に向かう一面に形成されうるなど、設計仕様によって適切に配置できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態に係る電界発光ディスプレイ装置及びその製造方法の詳細を図面に基づいて説明する。
【００２１】
図１は、本発明の実施の形態に係る電界発光ディスプレイ装置を概略的に示す斜視図である。基板１１０の一面上には、１つ以上の画素よりなるディスプレイ領域２００が形成され、ディスプレイ領域２００の外郭の少なくとも一側にはパッド部７００が配置されている。パッド部７００は、１つ以上の端子より構成される端子部６００を含む。
【００２２】
一方、パッド部７００は、駆動ドライバのような駆動回路部を含む電気素子をさらに備えている。すなわち、有機電界発光ディスプレイ領域２００に電気的信号を提供する電気素子、例えばディスプレイ領域２００を構成する画素にスキャン信号及び／またはデータ信号を伝達するスキャンドライバ／データドライバのような垂直／水平駆動回路部がディスプレイ領域２００の外側にも配されている。図１に示すように、水平駆動回路部５００は、ディスプレイ領域２００と端子部６００との間に配置されている。このような垂直／水平駆動回路部は、ＩＣをＣＯＧ（ｃｈｉｐ  ｏｎ  ｇｌａｓｓ）構造で搭載された構成とするか、パッド部７００にＩＣを搭載せずに、ＦＰＣ（フレキシブル基板）などを通じた外部電気要素を接続するなどの多様な構成を採用することができる。
【００２３】
図２は、図１に符号Ａで示す部分を概略的に示す拡大図である。図２では、２つのトップゲート型薄膜トランジスタと１個のキャパシタとを備える構造の一画素領域が図示されているが、本発明はこれような素子構成に限定されるものではない。
【００２４】
画素のＯＮ／ＯＦＦを決定する第１薄膜トランジスタ１のゲート電極５５は、スキャン信号を印加するスキャンラインから延設されている。スキャンラインにスキャン信号のような電気的信号が印加された場合、データラインを通じて入力されるデータ信号が第１薄膜トランジスタ１のソース電極５７ａから、第１薄膜トランジスタ１の半導体活性層５３を通じて第１薄膜トランジスタ１のドレーン電極５７ｂ側へ伝えられる。
【００２５】
第１薄膜トランジスタ１のドレーン電極５７ｂの延長部５７ｃはキャパシタの第１電極５８ａと接続され、キャパシタの第１電極５８ａの他端は駆動薄膜トランジスタとしての第２薄膜トランジスタ２のゲート電極１５０を形成している。キャパシタの第１電極５８ａと対向する第２電極５８ｂは、駆動電源供給ライン（図示せず）と導通する駆動ライン３１と電気的に接続される。
【００２６】
図３は、図２のＩ−Ｉ線に沿って見た部分断面図であって、Ｉ−Ｉ線の（ａ）−（ｄ）で表示された部分は駆動薄膜トランジスタとしての第２薄膜トランジスタ２が配された部分の断面を、（ｅ）−（ｆ）は画素開口部１９４を、（ｇ）−（ｈ）は駆動ラインの断面を示す。第２薄膜トランジスタ２では、基板１１０の一面上に形成されたバッファ層１２０の上に、第２薄膜トランジスタＴＦＴ２の半導体活性層１３０が形成される。半導体活性層１３０は非晶質シリコン層もしくは多結晶シリコン層で形成することができる。図面で詳細には図示されていないが、半導体活性層１３０はＮ＋型またはＰ＋型のドープ剤（不純物）がドーピングされたソース及びドレーン領域と、これらソース領域とドレイン領域との間に位置するチャンネル領域とより構成されている。なお、半導体活性層１３０は、有機半導体材料で形成するなど、多様な構成が可能である。
【００２７】
半導体活性層１３０の上には、第２薄膜トランジスタのゲート電極１５０が配置されている。このゲート電極１５０は、隣接層との密着性、積層される層の表面平坦性、そして加工性などを考慮し、例えばＭｏＷ、Ａｌ／Ｃｕのような物質よりなることが望ましいが、これに限定されるものではない。
【００２８】
ゲート電極１５０と半導体活性層１３０との間には、それらを絶縁させるためのゲート絶縁層１４０が位置する。ゲート電極１５０及びゲート絶縁層１４０の上には絶縁層としての中間層（層間絶縁膜）１６０が単層または複数層として形成され、その上には第２薄膜トランジスタ２のソース／ドレーン電極１７０ａ、１７０ｂが形成されている。ソース／ドレーン電極１７０ａ、１７０ｂは、ＭｏＷのような金属よりなり、半導体活性層１３０とのより円滑なオーミックコンタクトをなすために熱処理が施されている。
【００２９】
ソース／ドレーン電極１７０ａ、１７０ｂの上には、保護や平坦化を目的とする保護層１８０が形成されている。この保護膜１８０の上には、第１電極層１９０が形成されている。この第１電極層１９０は、保護層１８０に形成されたビアホール１８１を通じてソース／ドレーン電極１７０ａ、１７０ｂと電気的に導通している。第１電極層１９０は、背面発光型である場合、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）などでなる透明電極より構成され、前面発光型である場合、Ａｌ／Ｃａの反射電極とＩＴＯなどの透明電極で形成すればよく、各種の構成変更が可能である。
【００３０】
ここで、本発明の説明を明確にするために、第１電極層１９０がアノード電極として作用する場合について記述したが、本発明はこれに限定されず、第１電極層がカソード電極としても構成されうるなど多様な構成が可能である。
【００３１】
一方、本発明の実施の形態では、保護層１８０は多様な形態より構成されうるが、無機物または有機物で形成されても良く、単層よりなるか、または下部にＳｉＮｘ層を備えて上部に、例えばＢＣＢ（ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）またはアクリルのような有機物層を備える２重層より構成されうるなど、多様な構成が可能である。
【００３２】
保護層１８０の上部には、第１電極層１９０に対応する領域の画素開口部１９４を除いて画素を定義するための画素定義層１９１が形成される。画素開口部１９４の第１電極層１９０の一面上には発光層を含む有機電界発光部１９２が配される。
【００３３】
有機電界発光部１９２は、低分子または高分子有機膜より構成されうるが、低分子有機膜を使用する場合、ホール注入層（ＨＩＬ：Ｈｏｌｅ  Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ）、ホール輸送層（ＨＴＬ：Ｈｏｌｅ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｌａｙｅｒ）、有機発光層（ＥＭＬ：Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ）、電子輸送層（ＥＴＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  Ｌａｙｅｒ）、電子注入層（ＥＩＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ）などが単一あるいは複合の構造で積層されて形成され、使用可能な有機材料も銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ：ｃｏｐｐｅｒ  ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）、Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−ベンジジン（Ｎ，Ｎ′−Ｄｉ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ−１−ｙｌ）−Ｎ，Ｎ′−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ：ＮＰＢ）、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（ｔｒｉｓ−８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｅ  ａｌｕｍｉｎｕｍ）（Ａｌｑ３）をはじめとして多様な材料を適用しうる。これら低分子有機膜は真空蒸着の方法で形成される。
【００３４】
高分子有機膜の場合には、大体ホール輸送層（ＨＴＬ）及び有機発光層（ＥＭＬ）より備えられた構造を有し、この際、前記ホール輸送層としてＰＥＤＯＴを使用し、発光層としてＰＰＶ（Ｐｏｌｙ−Ｐｈｅｎｙｌｅｎｅｖｉｎｙｌｅｎｅ）系及びポリフルオレン（Ｐｏｌｙｆｌｕｏｒｅｎｅ）系など高分子有機物質を使用し、それをスクリーン印刷やインクジェット印刷方法などで形成するなど多様な構成が可能である。
【００３５】
有機電界発光部１９２の一面上にはカソード電極としての第２電極層２１０が全面蒸着されるが、第２電極層２１０はこのような全面蒸着形態に限定されず、また発光類型によってＡｌ／Ｃａ、ＩＴＯ、Ｍｇ−Ａｇのような材料より形成されることもあり、単層ではない複層で形成されることもあり、ＬｉＦのようなアルカリまたはアルカリ土金属フルオライド層がさらに備えられるなど、多様な類型より構成されうる。
【００３６】
また、第２電極層２１０の一面上には少なくともディスプレイ領域を保護するための密封層２２０が形成される。密封層２２０はＳｉＯ２、ＳｉＮｘのような無機物であり得、シロキサン、シロキサン系誘導体、アクリレートのような有機物を含むこともあり、図３には２層の密封層２２０ａ、２２０ｂより構成された密封層２２０が図示されているが、これに限定されず、単層でも良く、場合によっては多層でも良いなど、多様な構成を取れる。
【００３７】
一方、本発明に係る有機電界発光ディスプレイ装置は、第２電極層２１０と密封層２２０との間に１層以上の層よりなる遮断層２３０が介在される。しかし、本発明はこれに限定されず、複数の密封層を備える場合、遮断層２３０が複数の密封層の間に介在されることもある。なお、遮断層は、密封層の少なくとも一部と第２電極層２１０との間に、少なくともディスプレイ領域と重畳される。
【００３８】
密封層２２０、特に有機物を含む密封層２２０が形成された後、密封層２２０の活性化のために、硬化過程を経るようになるが、このような硬化過程は紫外線による紫外線照射法、熱による熱硬化法など多様な方法が用いられる。密封層の外側から加えられる熱及び／または紫外線は、第２電極層２１０に向かう。第２電極層２１０と密封層２２０との間に１層以上の層よりなる遮断層２３０が介在されることによって、前面発光型の場合、特に薄い厚さを有する第２電極層２１０を、加えられた熱及び／または紫外線が貫通して、有機電界発光部１９２に損傷を加えることを防止しうる。
【００３９】
このような遮断層２３０は、例えば、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ、ＣａＦ２、ＭｇＦ２のように多様な材料より構成されうる。
【００４０】
遮断層の材料以外にも幾何学的条件、すなわち遮断層の厚さも考慮せねばならない。遮断層２３０が厚いほど、第２電極層２１０の下部の有機電界発光部１９２を保護する機能は増大するが、工程時間が延び、かつ過度な厚さの層が形成される場合に、有機電界発光部１９２から生成されて出射される光の色座標を変動させることもある。また、遮断層２３０が過度に薄い場合、熱／紫外線などが透過されることによって、遮断層としての機能を充実に行えない。したがって、遮断層２３０の厚さは適切に選択せねばならないが、前記の点を考慮して１０Åないし５０Åの範囲で選択することが望ましい。
【００４１】
一方、図４ないし図６には、本発明の他の実施の形態としての有機電界発光ディスプレイ装置を製造する過程が図示されている。図４は、製造過程中の有機電界発光ディスプレイ装置を概略的に示す部分斜視図である。スクライビング過程を通じて個々の有機電界発光ディスプレイ装置で形成される前の大きな一体型基板１１０′の一面上には、１つ以上の画素よりなるディスプレイ領域２００が形成され、ディスプレイ領域２００の外郭に少なくとも一側には、１つ以上の端子より構成されるパッド部６００が配される。ディスプレイ領域２００とパッド部６００との間には大きな一体型基板１１０′と共に密封材３１０を通じて、少なくともディスプレイ領域２００を密封する密封部３００が配される。
【００４２】
一方、本発明における有機電界発光ディスプレイ領域２００に電気的信号を提供する電気素子、例えばディスプレイ領域２００を構成する画素にスキャン信号及び／またはデータ信号を伝達するスキャンドライバー／データドライバーのような垂直／水平駆動回路部が、ディスプレイ領域２００と密封部３００との間で密封領域に配されても、図面のように、密封領域の外側に配されても良いが、このような垂直／水平駆動回路部はＣＯＧの形態や、ＦＰＣなどを通じた外部電気要素より構成されても良いなど、多様な構成が可能であり、ディスプレイ領域を構成する個々の画素についての事項は前述したようである。大きな一体型基板１１０′に形成されたそれぞれの有機電界発光ディスプレイ装置の各部分のそれぞれの密封部３００には密封材３１０が塗布され、その上部に密封部材としての密封基板４００が配される。このような密封基板４００と大きな一体型基板１１０′は密封されて少なくともそれぞれのディスプレイ領域２００を密封させる。密封基板４００と、大きな一体型基板１１０′上に積層された積層部の間には一定の空間（図５参照）が形成され、場合によっては空間の存在による密封基板の陥没などを防止するために接着剤４１０などを通じて接する構造（図６を参照）を採ることもあるが、密封基板４００などの構造もこれに限定されるものではない。
【００４３】
このような密封工程で、密封材３１０及び／または接着剤のさらに円滑な硬化のために図５に示されたように、密封基板４００の上部に紫外線及び／または熱が加えられる。このように印加される紫外線及び／または熱による一体型基板１１０′上の積層部に含まれた有機電界発光部１９２の損傷を防止するために、第２電極層２１０と密封基板４００の間には遮断層２３０が介在される。遮断層２３０の材料及び厚さは、前記実施例で言及されたように、例えば、Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ、ＣａＦ２、ＭｇＦ２のような材料より構成されることもあるが、１０Åないし５０Åの厚さに形成されることが望ましい。
【００４４】
このような密封材及び／または接着剤の硬化過程を経た後、図７に示されたように、スクライビング過程を経て有機電界発光ディスプレイ装置を得られる。
【００４５】
一方、密封基板を備える有機電界発光ディスプレイ装置に備わる遮断層は、上記の実施の形態に限定されず、他の構成を取ってもよい。すなわち、図８に示されたように、密封部材としての密封基板４００のディスプレイ領域２００に向かう一面上に形成されうる。すなわち、密封基板４００のディスプレイ領域２００に向かう一面上に形成される遮断層２３０は、ディスプレイ領域２００の対応領域に配されるが、場合によって、遮断層２３０は密封基板４００の一面上に全面形成しても良いが、密封部３００の密封材３１０と接する部分で緊密な防湿構造をなしうるように、密封基板４００の密封部３００位置には遮断層２３０が排除されることが望ましい。このように、遮断層が密封基板の一面上に形成された後、基板と密封基板とを密封材を通じて密封させ、密封材などの硬化過程を経た後、スクライビング過程を通じて一体型基板に形成された部分は分割過程を経てそれぞれの有機電界発光ディスプレイ装置が製造される。
【００４６】
上記した実施の形態では、本発明を説明するための一例であって、本発明がこれに限定されものではない。また、上記した実施の形態では、アクティブマトリクス駆動型有機電界発光ディスプレイ装置について記述されたが、無機電界発光ディスプレイ装置及びパッシブマトリクス駆動型にも適用されうるなど、多様な設計変更が可能である。
【００４７】
上述した実施の形態の開示の一部をなす論述および図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明による遮断層は、印加される紫外線のような光エネルギーまたは熱エネルギーなどを通じて損傷されやすい有機物層などを備えるロールアップディスプレイ、電子ペーパ、ＰＤＡのような多様な装置に備わるディスプレイ装置に好適に適用される。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の実施の形態に係る有機電界発光ディスプレイ装置の概略的な斜視図である。
【図２】図１の図面符号Ａについての概略的な断面図である。
【図３】図２のＩ−Ｉ線に沿って見た概略的な断面図である。
【図４】本発明の他の実施の形態に係る有機電界発光ディスプレイ装置の製造過程を示す概略的な斜視図である。
【図５】本発明の他の実施の形態に係る有機電界発光ディスプレイ装置の製造過程を示す概略的な断面図である。
【図６】本発明の他の実施の形態に係る有機電界発光ディスプレイ装置の製造過程を示す概略的な断面図である。
【図７】本発明の他の実施の形態に係る有機電界発光ディスプレイ装置の製造過程を示す概略的な断面図である。
【図８】本発明の他の実施の形態に係る有機電界発光ディスプレイ装置の断面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１１０  基板
１２０  バッファ層
１３０  半導体活性層
１４０  ゲート絶縁層
１５０  ゲート電極
１６０  中間層
１７０ａ、１７０ｂ  ソース／ドレーン電極
１８０  保護層
１８１  ビアホール
１９０  第１電極層
１９１  画素定義層
１９２  有機電界発光部
１９４  画素開口部
【図１】
2006004910.tif 000003
【図２】
2006004910.tif 000004
【図３】
2006004910.tif 000005
【図４】
2006004910.tif 000006
【図５】
2006004910.tif 000007
【図６】
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【図７】
2006004910.tif 000009
【図８】
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