(57)【要約】【課題】  極めて薄いＩＣチップであっても、糊残りすることなく、高い生産性で製造することができるＩＣチップの製造方法を提供する。【解決手段】  基材の少なくとも一方の面に刺激により気体を発生する気体発生剤と刺激によりラジカル重合して架橋する架橋成分とを含有する粘着剤層が形成された両面粘着テープを介してウエハを支持板に固定する工程１と、両面粘着テープを介して支持板に固定した状態でウエハを研削する工程２と、架橋成分を架橋させる刺激を与えた後、気体発生剤から気体を発生させる刺激を与えることにより支持板と研削済みのウエハとを分離する工程３とを有するＩＣチップの製造方法であって、工程１において、両面粘着テープとウエハとを貼り合わせる際に、ウエハの表面に設けられたダイシング用の溝に対して斜め方向から両面粘着テープの気体発生剤及び架橋成分を含有する粘着剤層を貼り付けるＩＣチップの製造方法。【選択図】    図２
2006013000.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の少なくとも一方の面に刺激により気体を発生する気体発生剤と刺激によりラジカル
重合して架橋する架橋成分とを含有する粘着剤層が形成された両面粘着テープを介してウ
エハを支持板に固定する工程１と、
前記両面粘着テープを介して前記支持板に固定した状態で前記ウエハを研削する工程２と
、
前記架橋成分を架橋させる刺激を与えた後、前記気体発生剤から気体を発生させる刺激を
与えることにより前記支持板と研削済みのウエハとを分離する工程３とを有するＩＣチッ
プの製造方法であって、
前記工程１において、前記両面粘着テープと前記ウエハとを貼り合わせる際に、前記ウエ
ハの表面に設けられたダイシング用の溝に対して斜め方向から前記両面粘着テープの前記
気体発生剤及び前記架橋成分を含有する粘着剤層を貼り付ける
ことを特徴とするＩＣチップの製造方法。
【請求項２】
工程１において、加熱しながら両面粘着テープとウエハとを貼り合わせることを特徴とす
る請求項１記載のＩＣチップの製造方法。
【請求項３】
基材の少なくとも一方の面に刺激により気体を発生する気体発生剤と刺激によりラジカル
重合して架橋する架橋成分とを含有する粘着剤層が形成された両面粘着テープを介してウ
エハを支持板に固定する工程１と、
前記両面粘着テープを介して前記支持板に固定した状態で前記ウエハを研削する工程２と
、
前記架橋成分を架橋させる刺激を与えた後、前記気体発生剤から気体を発生させる刺激を
与えることにより前記支持板と研削済みのウエハとを分離する工程３とを有するＩＣチッ
プの製造方法であって、
前記工程１において、前記両面粘着テープと前記ウエハとを貼り合わせる際に、真空条件
下にて前記ウエハに前記両面粘着テープの前記気体発生剤及び前記架橋成分を含有する粘
着剤層を貼り付ける
ことを特徴とするＩＣチップの製造方法。
【請求項４】
基材の少なくとも一方の面に刺激により気体を発生する気体発生剤と刺激によりラジカル
重合して架橋する架橋成分とを含有する粘着剤層が形成された両面粘着テープを介してウ
エハを支持板に固定する工程１と、
前記両面粘着テープを介して前記支持板に固定した状態で前記ウエハを研削する工程２と
、
前記架橋成分を架橋させる刺激を与えた後、前記気体発生剤から気体を発生させる刺激を
与えることにより前記支持板と研削済みのウエハとを分離する工程３とを有するＩＣチッ
プの製造方法であって、
前記工程１において、前記両面粘着テープと前記ウエハとを貼り合わせる際に、窒素雰囲
気下にて前記ウエハに前記両面粘着テープの前記気体発生剤及び前記架橋成分を含有する
粘着剤層を貼り付ける
ことを特徴とするＩＣチップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、厚さ５０μｍ以下の極めて薄いＩＣチップであっても、糊残りすることなく、
高い生産性で製造することができるＩＣチップの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路（ＩＣチップ）は、通常棒状の純度の高い半導体単結晶をスライスしてウ
エハとしたのち、フォトレジストを利用してウエハ表面に所定の回路パターンを形成して
、次いでウエハ裏面を研削機により研削して、ウエハの厚さを１００〜６００μｍ程度ま
で薄くし、最後にダイシングしてチップ化することにより、製造されている。
【０００３】
このようなＩＣチップの製造方法においては、特にウエハの研削時やダイシング時にウエ
ハが破損しやすいことから、上記研削を行う際にはウエハ表面に両面粘着シートを介して
支持板を貼り付けたりすることにより、また、ダイシングを行う際にはウエハ裏面側にダ
イシングテープを貼り付けたりすることにより、ウエハの破損を防止している。しかし、
このように両面粘着シートやダイシングテープを貼り付けたり、剥離したりする工程は煩
雑であり、ＩＣチップの生産性の上で問題となっていた。
【０００４】
近年、ＩＣチップの用途が広がるにつれて、ＩＣカード類に用いたり、積層して使用した
りすることができる厚さ５０μｍ以下、例えば２５〜３０μｍ程度の薄いＩＣチップも要
求されている。しかし、このような極薄の半導体ウエハは、従来の厚さが１００〜６００
μｍ程度のウエハに比べて反りが大きく衝撃により割れやすくなることから取扱い性に劣
り、従来の厚さの半導体ウエハと同様の方法で加工しようとすると、破損してしまう場合
があった。そこで、厚さ５０μｍ以下の薄い半導体ウエハからＩＣチップを製造する過程
におけるウエハの取扱い性の向上が重要な課題となっていた。
【０００５】
これに対して、特許文献１には、片面又は両面に刺激により気体を発生する気体発生剤と
刺激により架橋する架橋成分とを含有する粘着剤層を有する両面粘着テープを介してウエ
ハを支持板に固定し、この状態でウエハの研削等の工程を行うＩＣチップの製造方法が開
示されている。支持板に固定することにより厚さ５０μｍ以下の薄さにまでウエハを研削
してもウエハが破損することがない。更に、このＩＣチップの製造方法では、両面粘着テ
ープに架橋成分を架橋させる刺激を与えた後、気体を発生させる刺激を与えることにより
、容易にかつ破損させることなくウエハから両面粘着テープを剥離することができる。こ
れは、架橋成分を架橋させることにより粘着剤層の弾性率の上昇させて粘着力を低減させ
ると同時に、弾性率が上昇した粘着剤層中で気体発生剤から気体を発生させることにより
、発生した気体が粘着剤層から放出されウエハと両面粘着テープとの接着面の少なくとも
一部を剥がし接着力を低下させるためである。
【０００６】
この方法によれば、厚さ５０μｍ以下、例えば２５〜３０μｍ程度の極めて薄いＩＣチッ
プを高い生産性で製造することができる。しかしながら、この方法によりＩＣチップの生
産を行った場合、時折、得られたＩＣチップの表面に両面粘着テープの粘着剤層が糊残り
することがあった。このような糊残りが発生した場合には、ＩＣチップの表面を洗浄して
糊を除去したり、歩留りが低下したりすることがあり、ＩＣチップの生産性の向上のうえ
での課題となっていた。
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−２３１８７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記現状に鑑み、厚さ５０μｍ以下の極めて薄いＩＣチップであっても、糊残
りすることなく、高い生産性で製造することができるＩＣチップの製造方法を提供するこ
とを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明１は、基材の少なくとも一方の面に刺激により気体を発生する気体発生剤と刺激に
よりラジカル重合して架橋する架橋成分とを含有する粘着剤層が形成された両面粘着テー
プを介してウエハを支持板に固定する工程１と、前記両面粘着テープを介して前記支持板
に固定した状態で前記ウエハを研削する工程２と、前記架橋成分を架橋させる刺激を与え
た後、前記気体発生剤から気体を発生させる刺激を与えることにより前記支持板と研削済
みのウエハとを分離する工程３とを有するＩＣチップの製造方法であって、前記工程１に
おいて、前記両面粘着テープと前記ウエハとを貼り合わせる際に、前記ウエハの表面に設
けられたダイシング用の溝に対して斜め方向から前記両面粘着テープの前記気体発生剤及
び前記架橋成分を含有する粘着剤層を貼り付けるＩＣチップの製造方法である。
【００１０】
本発明２は、基材の少なくとも一方の面に刺激により気体を発生する気体発生剤と刺激に
よりラジカル重合して架橋する架橋成分とを含有する粘着剤層が形成された両面粘着テー
プを介してウエハを支持板に固定する工程１と、前記両面粘着テープを介して前記支持板
に固定した状態で前記ウエハを研削する工程２と、前記架橋成分を架橋させる刺激を与え
た後、前記気体発生剤から気体を発生させる刺激を与えることにより前記支持板と研削済
みのウエハとを分離する工程３とを有するＩＣチップの製造方法であって、前記工程１に
おいて、前記両面粘着テープと前記ウエハとを貼り合わせる際に、真空条件下にて前記ウ
エハに前記両面粘着テープの前記気体発生剤及び前記架橋成分を含有する粘着剤層を貼り
付けるＩＣチップの製造方法である。
【００１１】
本発明３は、基材の少なくとも一方の面に刺激により気体を発生する気体発生剤と刺激に
よりラジカル重合して架橋する架橋成分とを含有する粘着剤層が形成された両面粘着テー
プを介してウエハを支持板に固定する工程１と、前記両面粘着テープを介して前記支持板
に固定した状態で前記ウエハを研削する工程２と、前記架橋成分を架橋させる刺激を与え
た後、前記気体発生剤から気体を発生させる刺激を与えることにより前記支持板と研削済
みのウエハとを分離する工程３とを有するＩＣチップの製造方法であって、前記工程１に
おいて、前記両面粘着テープと前記ウエハとを貼り合わせる際に、窒素雰囲気下にて前記
ウエハに前記両面粘着テープの前記気体発生剤及び前記架橋成分を含有する粘着剤層を貼
り付けるＩＣチップの製造方法である。
以下に本発明を詳述する。
【００１２】
本発明のＩＣチップの製造方法は、基材の少なくとも一方の面に刺激により気体を発生す
る気体発生剤と刺激によりラジカル重合して架橋する架橋成分とを含有する粘着剤層が形
成された両面粘着テープを介してウエハを支持板に固定する工程１と、上記両面粘着テー
プを介して支持板に固定した状態でウエハを研削する工程２と、上記架橋成分を架橋させ
る刺激を与えた後、気体発生剤から気体を発生させる刺激を与えることにより支持板と研
削済みのウエハとを分離する工程３とを有する。
本発明者らは、このようなＩＣチップの製造方法を実施するにあたって、工程３において
支持板とウエハとを剥離させる際に確実に糊残りが生じない条件を検討した。このなかで
、本発明者らは、糊残りが生じる原因のひとつが上記粘着剤層の架橋不良にあることを見
出し、更に、この架橋不良が両面粘着テープの粘着剤層とウエハとの間に残存する空気に
起因することをつきとめた。即ち、剥離にあたっては、まず、上記粘着剤層中に含有され
る架橋成分をラジカル重合架橋して架橋することにより粘着剤層の弾性率を上昇させ粘着
力を低減させるのであるが、このラジカル重合は酸素により阻害されることから、粘着剤
層とウエハとの間に大量の空気が残存すると架橋が充分に進行しなくなる。不充分な架橋
により充分に粘着力が低減していない状態で剥離を行ったときには、得られるＩＣチップ
の表面に糊残りが生じるものと考えられる。
【００１３】
通常のウエハの裏面には、図１に示したように、ダイシングのガイドのために幅８０〜２
００μｍ、深さ３〜１０μｍの溝が形成されている。そして、ウエハと両面粘着テープと
を貼り合わせたときに、この溝中に空気、即ち酸素が残存しやすい。
本発明者らは、更に鋭意検討の結果、工程１において両面粘着テープを介してウエハと支
持板とを貼り合わせる工程を工夫することにより、粘着剤層とウエハとの間の空気（酸素
）の残存量を減らして、より確実に糊残りの発生を抑制できることを見出し本発明を完成
するに至った。
【００１４】
本発明のＩＣチップの製造方法は、両面粘着テープを介してウエハを支持板に固定する工
程１を有する。
上記両面粘着テープは、基材の少なくとも一方の面に、刺激により気体を発生する気体発
生剤と刺激によりラジカル重合して架橋する架橋成分とを含有する粘着剤層を有する。こ
のような両面粘着テープは、架橋成分を架橋させる刺激を与えた後、気体を発生させる刺
激を与えることにより、発生した気体が粘着剤層外に放出され接着面の少なくとも一部を
剥がすので、接着力が低下して被着体を容易に剥離することができる。
【００１５】
上記気体発生剤から気体を発生させる刺激としては、例えば、光、熱、超音波による刺激
が挙げられる。なかでも光又は熱による刺激が好ましい。上記光としては、例えば、紫外
線、可視光線等が挙げられる。上記刺激として光による刺激を用いる場合には、気体発生
剤を含有する粘着剤は、光が透過又は通過できるものであることが好ましい。
【００１６】
上記刺激により気体を発生する気体発生剤としては特に限定されないが、例えば、アゾ化
合物、アジド化合物が好適に用いられる。
上記アゾ化合物としては、例えば、２，２’−アゾビス（Ｎ−シクロヘキシル−２−メチ
ルプロピオンアミド）、２，２’−アゾビス［Ｎ−（２−メチルプロピル）−２−メチル
プロピオンアミド］、２，２’−アゾビス（Ｎ−ブチル−２−メチルプロピオンアミド）
、２，２’−アゾビス［Ｎ−（２−メチルエチル）−２−メチルプロピオンアミド］、２
，２’−アゾビス（Ｎ−ヘキシル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２’−アゾビス
（Ｎ−プロピル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２’−アゾビス（Ｎ−エチル−２
−メチルプロピオンアミド）、２，２’−アゾビス｛２−メチル−Ｎ−［１，１−ビス（
ヒドロキシメチル）−２−ヒドロキシエチル］プロピオンアミド｝、２，２’−アゾビス
｛２−メチル−Ｎ−［２−（１−ヒドロキシブチル）］プロピオンアミド｝、２，２’−
アゾビス［２−メチル−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）プロピオンアミド］、２，２’−
アゾビス［Ｎ−（２−プロペニル）−２−メチルプロピオンアミド］、２，２’−アゾビ
ス［２−（５−メチル−２−イミダゾリン２−イル）プロパン］ジハイドロクロライド、
２，２’−アゾビス［２−（２−イミダゾリン２−イル）プロパン］ジハイドロクロライ
ド、２，２’−アゾビス［２−（２−イミダゾリン２−イル）プロパン］ジサルフェイト
ジハイドロレート、２，２’−アゾビス［２−（３，４，５，６−テトラハイドロピリミ
ジン−２−イル）プロパン］ジハイドロクロライド、２，２’−アゾビス｛２−［１−（
２−ヒドロキシエチル）−２−イミダゾリン２−イル］プロパン｝ジハイドロクロライド
、２，２’−アゾビス［２−（２−イミダゾリン２−イル）プロパン］、２，２’−アゾ
ビス（２−メチルプロピオンアミジン）ハイドロクロライド、２，２’−アゾビス（２−
アミノプロパン）ジハイドロクロライド、２，２’−アゾビス［Ｎ−（２−カルボキシア
シル）−２−メチル−プロピオンアミジン］、２，２’−アゾビス｛２−［Ｎ−（２−カ
ルボキシエチル）アミジン］プロパン｝、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオンア
ミドオキシム）、ジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）、ジメチル
２，２’−アゾビスイソブチレート、４，４’−アゾビス（４−シアンカルボニックアシ
ッド）、４，４’−アゾビス（４−シアノペンタノイックアシッド）、２，２’−アゾビ
ス（２，４，４−トリメチルペンタン）等が挙げられる。
これらのアゾ化合物は、主に波長３６５ｎｍ程度の紫外線領域の光を照射することにより
窒素ガスを発生する。
【００１７】
上記アゾ化合物は、１０時間半減期温度が８０℃以上であることが好ましい。１０時間半
減期温度が８０℃未満であると、基材上にキャストにより粘着剤層を形成して乾燥する際
に発泡を生じてしまったり、経時的に分解反応を生じて分解残渣がブリードアウトしてし
まったり、経時的に気体を発生して貼り合わせた被着体との界面に浮きを生じさせてしま
ったりすることがある。１０時間半減期温度が８０℃以上であれば、耐熱性に優れている
ことから、高温での使用及び安定した貯蔵が可能である。
【００１８】
１０時間半減期温度が８０℃以上であるアゾ化合物としては、下記一般式（１）で表され
るアゾアミド化合物等が挙げられる。下記一般式（１）で表されるアゾアミド化合物は、
耐熱性に優れていることに加え、後述するアクリル酸アルキルエステルポリマー等の粘着
性を有するポリマーへの溶解性にも優れ、粘着剤層中に粒子として存在しないものとする
ことができる。
【００１９】
【化１】
2006013000.tif 000003
式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ低級アルキル基を表し、Ｒ３は、炭素数２以上の
飽和アルキル基を表す。なお、Ｒ１とＲ２は、同一であっても、異なっていてもよい。
【００２０】
上記一般式（１）で表されるアゾアミド化合物としては、例えば、２，２’−アゾビス（
Ｎ−シクロヘキシル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２’−アゾビス［Ｎ−（２−
メチルプロピル）−２−メチルプロピオンアミド］、２，２’−アゾビス（Ｎ−ブチル−
２−メチルプロピオンアミド）、２，２’−アゾビス［Ｎ−（２−メチルエチル）−２−
メチルプロピオンアミド］、２，２’−アゾビス（Ｎ−ヘキシル−２−メチルプロピオン
アミド）、２，２’−アゾビス（Ｎ−プロピル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２
’−アゾビス（Ｎ−エチル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２’−アゾビス｛２−
メチル−Ｎ−［１，１−ビス（ヒドロキシメチル）−２−ヒドロキシエチル］プロピオン
アミド｝、２，２’−アゾビス｛２−メチル−Ｎ−［２−（１−ヒドロキシブチル）］プ
ロピオンアミド｝、２，２’−アゾビス［２−メチル−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）プ
ロピオンアミド］、２，２’−アゾビス［Ｎ−（２−プロペニル）−２−メチルプロピオ
ンアミド］等が挙げられる。なかでも、２，２’−アゾビス（Ｎ−ブチル−２−メチルプ
ロピオンアミド）及び２，２’−アゾビス［Ｎ−（２−プロペニル）−２−メチルプロピ
オンアミド］は、溶剤への溶解性に特に優れていることから好適に用いられる。
【００２１】
上記アジド化合物としては、例えば、３−アジドメチル−３−メチルオキセタン、テレフ
タルアジド、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルベンズアジド；３−アジドメチル−３−メチルオキセ
タンを開環重合することにより得られるグリシジルアジドポリマー等のアジド基を有する
ポリマー等が挙げられる。これらのアジド化合物は、主に波長３６５ｎｍ程度の紫外線領
域の光を照射することにより窒素ガスを発生する。
【００２２】
これらの気体発生剤のうち、上記アジド化合物は衝撃を与えることによっても容易に分解
して窒素ガスを放出することから、取扱いが困難であるという問題がある。更に、上記ア
ジド化合物は、いったん分解が始まると連鎖反応を起こして爆発的に窒素ガスを放出しそ
の制御ができないことから、爆発的に発生した窒素ガスによって被着体が損傷することが
あるという問題もある。このような問題から上記アジド化合物の使用量は限定されるが、
限定された使用量では充分な効果が得られないことがある。
【００２３】
一方、上記アゾ化合物は、アジド化合物とは異なり衝撃によっては気体を発生しないこと
から取扱いが極めて容易である。また、連鎖反応を起こして爆発的に気体を発生すること
もないため被着体を損傷することもなく、紫外線の照射を中断すれば気体の発生も中断で
きることから、用途に合わせた接着性の制御が可能であるという利点もある。従って、上
記気体発生剤としては、アゾ化合物を用いることがより好ましい。
【００２４】
上記気体発生剤は、上記粘着剤層中に粒子として存在しないことが好ましい。なお、本明
細書において、気体発生剤が粒子として存在しないとは、電子顕微鏡により上記粘着剤層
を観察したときに気体発生剤を確認することができないことを意味する。上記粘着剤層中
に気体発生剤が粒子として存在すると、気体を発生させる刺激として光を照射したときに
粒子の界面で光が散乱して気体発生効率が低くなってしまったり、粘着剤層の表面平滑性
が悪くなったりすることがある。
【００２５】
上記気体発生剤を粒子として存在しないようにするには、通常、上記粘着剤層を構成する
粘着剤に溶解する気体発生剤を選択するが、粘着剤に溶解しない気体発生剤を選択する場
合には、例えば、分散機を用いたり、分散剤を併用したりすることにより粘着剤層中に気
体発生剤を微分散させる。粘着剤層中に気体発生剤を微分散させるためには、気体発生剤
は、微小な粒子であることが好ましく、更に、これらの微粒子は、例えば、分散機や混練
装置等を用いて必要に応じてより細かい微粒子とすることが好ましい。即ち、電子顕微鏡
により上記粘着剤層を観察したときに気体発生剤を確認することができない状態まで分散
させることがより好ましい。
【００２６】
上記両面粘着テープでは、上記気体発生剤から発生した気体は粘着剤層の外へ放出される
ことが好ましい。これにより、上記両面粘着テープの接着面に紫外線等を照射すると気体
発生剤から発生した気体が接着面の少なくとも一部を剥がし接着力を低下させるため、容
易に剥離することができる。この際、気体発生剤から発生した気体の大部分は粘着剤層の
外へ放出されることが好ましい。上記気体発生剤から発生した気体の大部分が粘着剤層の
外へ放出されないと、粘着剤層が気体発生剤から発生した気体により全体的に発泡してし
まい、接着力を低下させる効果を充分に得ることができず、また、糊残りを生じさせてし
まうことがある。なお、糊残りを生じさせない程度であれば、気体発生剤から発生した気
体の一部が粘着剤層中に溶け込んでいたり、気泡として粘着剤層中に存在していたりして
もかまわない。
【００２７】
上記刺激によりラジカル重合して架橋する架橋成分を架橋させる刺激は、上記気体発生剤
から気体を発生させる刺激と同一であってもよいし、異なっていてもよい。
上記刺激によりラジカル重合して架橋する架橋成分としては、例えば、分子内にラジカル
重合性の不飽和結合を有してなるアクリル酸アルキルエステル系及び／又はメタクリル酸
アルキルエステル系の重合性ポリマーと、ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマ
ーとを主成分とし、必要に応じて光重合開始剤を含んでなる光硬化型粘着剤や、分子内に
ラジカル重合性の不飽和結合を有してなるアクリル酸アルキルエステル系及び／又はメタ
クリル酸アルキルエステル系の重合性ポリマーと、ラジカル重合性の多官能オリゴマー又
はモノマーとを主成分とし、熱重合開始剤を含んでなる熱硬化型粘着剤等からなるものが
挙げられる。
【００２８】
このような光硬化型粘着剤又は熱硬化型粘着剤等の後硬化型粘着剤は、光の照射又は加熱
により粘着剤の全体が均一にかつ速やかにラジカル重合架橋して一体化するため、重合硬
化による弾性率の上昇が著しくなり、粘着力が大きく低下する。また、硬い硬化物中で気
体発生剤から気体を発生させると、発生した気体の大半は外部に放出され、放出された気
体は、ウエハ又は支持板から粘着剤の接着面の少なくとも一部を剥がし粘着力を低下させ
る。
【００２９】
上記重合性ポリマーは、例えば、分子内に官能基を持った（メタ）アクリル系ポリマー（
以下、官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーという）をあらかじめ合成し、分子内に上
記の官能基と反応する官能基とラジカル重合性の不飽和結合とを有する化合物（以下、官
能基含有不飽和化合物という）と反応させることにより得ることができる。
【００３０】
上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーは、常温で粘着性を有するポリマーとして、
一般の（メタ）アクリル系ポリマーの場合と同様に、アルキル基の炭素数が通常２〜１８
の範囲にあるアクリル酸アルキルエステル及び／又はメタクリル酸アルキルエステルを主
モノマーとし、これと官能基含有モノマーと、更に必要に応じてこれらと共重合可能な他
の改質用モノマーとを常法により共重合させることにより得られるものである。上記官能
基含有（メタ）アクリル系ポリマーの重量平均分子量は通常２０万〜２００万程度である
。
【００３１】
上記官能基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸等のカルボキシル
基含有モノマー；アクリル酸ヒドロキシエチル、メタクリル酸ヒドロキシエチル等のヒド
ロキシル基含有モノマー；アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル等のエポキシ
基含有モノマー；アクリル酸イソシアネートエチル、メタクリル酸イソシアネートエチル
等のイソシアネート基含有モノマー；アクリル酸アミノエチル、メタクリル酸アミノエチ
ル等のアミノ基含有モノマー等が挙げられる。
【００３２】
上記共重合可能な他の改質用モノマーとしては、例えば、酢酸ビニル、アクリロニトリル
、スチレン等の一般の（メタ）アクリル系ポリマーに用いられている各種のモノマーが挙
げられる。
【００３３】
上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーに反応させる官能基含有不飽和化合物として
は、上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの官能基に応じて上述した官能基含有モ
ノマーと同様のものを使用できる。例えば、上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマー
の官能基がカルボキシル基の場合はエポキシ基含有モノマーやイソシアネート基含有モノ
マーが用いられ、同官能基がヒドロキシル基の場合はイソシアネート基含有モノマーが用
いられ、同官能基がエポキシ基の場合はカルボキシル基含有モノマーやアクリルアミド等
のアミド基含有モノマーが用いられ、同官能基がアミノ基の場合はエポキシ基含有モノマ
ーが用いられる。
【００３４】
上記多官能オリゴマー又はモノマーとしては、分子量が１万以下であるものが好ましく、
より好ましくは加熱又は光の照射による粘着剤の三次元網状化が効率よくなされるように
、その分子量が５０００以下でかつ分子内のラジカル重合性の不飽和結合の数が２〜２０
個のものである。このようなより好ましい多官能オリゴマー又はモノマーとしては、例え
ば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレ
ート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレー
ト、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトー
ルヘキサアクリレート又は上記同様のメタクリレート類等が挙げられる。その他、１，４
−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリ
エチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレート、上記同様のメ
タクリレート類等が挙げられる。これらの多官能オリゴマー又はモノマーは、単独で用い
られてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００３５】
上記光重合開始剤としては、例えば、２５０〜８００ｎｍの波長の光を照射することによ
り活性化されるものが挙げられ、このような光重合開始剤としては、例えば、メトキシア
セトフェノン等のアセトフェノン誘導体化合物；ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾイ
ンイソブチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール、ア
セトフェノンジエチルケタール等のケタール誘導体化合物；フォスフィンオキシド誘導体
化合物；ビス（η５−シクロペンタジエニル）チタノセン誘導体化合物、ベンゾフェノン
、ミヒラーケトン、クロロチオキサントン、トデシルチオキサントン、ジメチルチオキサ
ントン、ジエチルチオキサントン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−
ヒドロキシメチルフェニルプロパン等の光ラジカル重合開始剤が挙げられる。これらの光
重合開始剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００３６】
上記熱重合開始剤としては、熱により分解し、重合硬化を開始する活性ラジカルを発生す
るものが挙げられ、例えば、ジクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、
ｔ−ブチルパーオキシベンゾエール、ｔ−ブチルハイドロパーオキサイド、ベンゾイルパ
ーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオ
キサイド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド等が挙
げられる。なかでも、熱分解温度が高いことから、クメンハイドロパーオキサイド、パラ
メンタンハイドロパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド等が好適である。これ
らの熱重合開始剤のうち市販されているものとしては特に限定されないが、例えば、パー
ブチルＤ、パーブチルＨ、パーブチルＰ、パーメンタＨ（以上いずれも日本油脂製）等が
好適である。これら熱重合開始剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されても
よい。
【００３７】
上記光重合開始剤又は重合開始剤の配合量としては特に限定されないが、上記後硬化型粘
着剤１００重量部に対する好ましい下限は３重量部である。３重量部未満であると、本発
明のＩＣチップの製造方法において刺激を与えても充分に硬化せずに糊残りを生じること
がある。なお、上記後硬化型粘着剤１００重量部に対して上記光重合開始剤又は重合開始
剤を８重量部以上配合する場合には、後述する工程３においてより確実に糊残りをさせず
に剥離を行うことができる。
【００３８】
上記後硬化型粘着剤には、以上の成分のほか、粘着剤としての凝集力の調節を図る目的で
、所望によりイソシアネート化合物、メラミン化合物、エポキシ化合物等の一般の粘着剤
に配合される各種の多官能性化合物を適宜配合してもよい。また、可塑剤、樹脂、界面活
性剤、ワックス、微粒子充填剤等の公知の添加剤を加えることもできる。
【００３９】
上記両面粘着テープの基材としては特に限定されないが、上記気体発生剤から気体を発生
させる刺激や上記架橋成分を架橋させる刺激が光による刺激である場合には、光を透過又
は通過するものであることが好ましく、例えば、アクリル、オレフィン、ポリカーボネー
ト、塩化ビニル、ＡＢＳ、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ナイロン、ウレタン
、ポリイミド等の透明な樹脂からなるシート、網目状の構造を有するシート、孔が開けら
れたシート等が挙げられる。
【００４０】
上記ウエハとしては、例えば、シリコン、ガリウム砒素等の半導体からなるものが挙げら
れる。
上記ウエハの厚さとしては特に限定されないが、ウエハが薄いほど本発明のＩＣチップの
製造方法の効果が発揮されやすく、研削後の厚さが５０μｍ以下、例えば、２５〜３０μ
ｍ程度の極薄の半導体ウエハである場合に優れた効果が得られる。
【００４１】
上記支持板としては特に限定されないが、上記気体発生剤から気体を発生させる刺激や上
記架橋成分を架橋させる刺激が光である場合には透明であることが好ましく、例えば、ガ
ラス板；アクリル、オレフィン、ポリカーボネート、塩化ビニル、ＡＢＳ、ポリエチレン
テレフタレート（ＰＥＴ）、ナイロン、ウレタン、ポリイミド等の樹脂からなる板状体等
が挙げられる。
上記支持板の厚さの好ましい下限は５００μｍ、好ましい上限は３ｍｍであり、より好ま
しい下限は１ｍｍ、より好ましい上限は２ｍｍである。また、上記支持板の厚さのばらつ
きは、１％以下であることが好ましい。
【００４２】
工程１においては、上記両面粘着テープを介してウエハを支持板に固定する。この工程１
は、更に、両面粘着テープとウエハとを貼り合わせる工程と、両面粘着テープと支持板と
を貼り合わせる工程とに分解できる。この２つの工程はどちらを先に行ってもよい。
後述する工程３において常に確実に糊残りを生じさせないためには、特に、両面粘着テー
プとウエハとを貼り合わせる工程において、両面粘着テープの粘着剤層とウエハとの間に
空気（酸素）が残留しないようにすることが重要である。
なお、両面粘着テープと支持板とを貼り合わせる工程が後になる場合には、ウエハに貼り
付けられた両面粘着テープ（剛体）と支持板（剛体）とを貼り合わせることになることか
ら両面粘着テープと支持板との間に空気が残存しやすくなる。両面粘着テープと支持板と
の間に空気が残存した場合には均一な研削等ができなくなることがあることから、両面粘
着テープと支持板との貼り合わせを真空条件下にて行うことが好ましい。
【００４３】
本発明１のＩＣチップの製造方法においては、両面粘着テープとウエハとを貼り合わせる
際に、ウエハの表面に設けられたダイシング用の溝に対して斜め方向から両面粘着テープ
の気体発生剤及び架橋成分を含有する粘着剤層を貼り付ける。この貼り合わせ方法を説明
する模式図を図２に示した。即ち、ローラー７を用いて押さえながら、ウエハ１のダイシ
ング用溝１２に対して斜め方向から両面粘着テープ２を貼り付ける。この方法によれば、
粘着剤層とウエハとの間に空気（酸素）が残留するのを防止することができる。
両面粘着テープをウエハに貼り付ける際に、ウエハの表面に設けられたダイシング用の溝
に沿った方向に貼り合わせた場合、貼り合わせ方向と反対側の溝部分には粘着剤層が充分
に追従できず、そこに空気溜まりが生じてしまう（図３）。一方、ウエハの表面に設けら
れたダイシング用の溝に対して斜め方向から貼り合わせた場合、溝部分の空気を追い出す
ように粘着剤層が溝部分に追従しながら貼り合わされるため、このような空気溜まりが生
じることがない。
【００４４】
上記貼り付けの際、ダイシング用の溝と貼り付け方向との角度の好ましい範囲は１５°〜
７５°である。この範囲外であると、充分な空気の押出効果が得られずに空祈溜まりが生
じてしまうことがある。より好ましくは３０°〜６０°である。
なお、通常のウエハでは、図１に示したようにノッチと呼ばれる切り欠き１３があり、ダ
イシング用の溝１２はこのノッチに対して垂直及び平行に切られている。従って、実際の
工程においてはこのノッチを基準に角度を決定すればよい。
【００４５】
本発明１のＩＣチップの製造方法において、上記両面粘着テープをウエハに貼り付ける際
に加熱することが好ましい。上記粘着剤層は温度が高いほど柔軟になり、溝部分への追従
性が向上して空気の追い出し効果が高くなる。
上記加熱の温度としては特に限定されないが、上記気体発生剤から気体を発生させず、か
つ、上記架橋成分を架橋させない範囲内において、できる限り高い温度であることが好ま
しい。
【００４６】
なお、本発明１のＩＣチップの製造方法においては、工程１において、まず上記方法によ
り両面粘着テープとウエハとを貼り合わせる工程を行った後、真空下にて両面粘着テープ
と支持板とを貼り合わせる工程を行うことが好ましい。このような手順により操作を行う
ことにより、両面粘着テープとウエハとの間に空気（酸素）が残留するのを防止すること
ができ、かつ、両面粘着テープとウエハとの間に空気が残留するのを防止することができ
る。
【００４７】
本発明２のＩＣチップの製造方法においては、両面粘着テープとウエハとを貼り合わせる
際に、真空条件下にてウエハに両面粘着テープの気体発生剤及び架橋成分を含有する粘着
剤層を貼り付ける。具体的には、例えば、貼り付け工程を遠隔操作で行うようにし、これ
を真空容器内に設置して、充分に脱気してから行うことが挙げられる。
真空条件下で貼り付けることにより、粘着剤層とウエハとの間に空気（酸素）が残留する
のを防止することができる。
なお、本明細書において真空条件下とは、圧力が５００Ｐａ以下、好ましくは３００Ｐａ
であることを意味する。
【００４８】
なお、本発明２のＩＣチップの製造方法においては、工程１において、まず真空下又は大
気圧下において両面粘着テープと支持板とを貼り合わせる工程を行った後、真空下にて両
面粘着テープとウエハとを貼り合わせる工程を行うことが好ましい。このような手順によ
り操作を行うことにより、両面粘着テープとウエハとの間に空気（酸素）が残留するのを
防止することができ、かつ、両面粘着テープとウエハとの間に空気が残留するのを防止す
ることができる。
【００４９】
本発明３のＩＣチップの製造方法においては、両面粘着テープとウエハとを貼り合わせる
際に、窒素雰囲気下にてウエハに両面粘着テープの気体発生剤及び架橋成分を含有する粘
着剤層を貼り付ける。具体的には、例えば、貼り付け工程を遠隔操作で行うようにし、こ
れを真空容器内に設置して、脱気と窒素ガスの送り込みとを繰り返して所定の窒素雰囲気
としてから行うことが挙げられる。
なお、本明細書において窒素雰囲気下とは、酸素濃度が１０体積％以下、好ましくは１体
積％以下であることを意味する。このような窒素雰囲気は、両面粘着テープとウエハとを
真空容器中に入れ脱気−窒素ガス封入を繰り返すことにより達成してもよいし、より簡易
的には、窒素ガスを流しながらその窒素ガス流下にて貼り合わせ操作を行うことによって
達成してもよい。
【００５０】
なお、本発明３のＩＣチップの製造方法においては、工程１において、まず上記方法によ
り両面粘着テープとウエハとを貼り合わせる工程を行った後、真空下にて両面粘着テープ
と支持板とを貼り合わせる工程を行うことが好ましい。このような手順により操作を行う
ことにより、両面粘着テープとウエハとの間に空気（酸素）が残留するのを防止すること
ができ、かつ、両面粘着テープとウエハとの間に空気が残留するのを防止することができ
る。
【００５１】
本発明１のＩＣチップの製造方法と本発明２又は本発明３のＩＣチップの製造方法とは、
単独で行ってもよいが、併用してもよい。併用することにより、より確実に後述する工程
３において糊残りすることなくウエハと支持板とを剥離することができる。
【００５２】
なお、工程１のウエハと支持板との貼り合わせの際には、まず両面粘着テープ５の気体発
生剤及び架橋成分を含有する粘着剤層５３をウエハ４に貼り付け、次いで、両面粘着テー
プ５の他方の面の粘着剤層５１と支持板６とを貼り合わせてもよいし（図４）、又は、ま
ず両面粘着テープ５の一方の面の粘着剤層５１を支持板６に貼り付け、次いで、両面粘着
テープ５の気体発生剤及び架橋成分を含有する粘着剤層５３とウエハ４とを貼り合わせて
もよい（図５）。
【００５３】
本発明のＩＣチップの製造方法は、上記両面粘着テープを介して支持板に固定した状態で
ウエハを研削する工程２を有する。
上記研削の方法としては特に限定されず、通常のＩＣチップの製造方法において用いられ
る方法を用いることができ、例えば、支持板を固定し、高速回転する研削用砥石を用いて
切削水をかけながら完成時のチップの厚さにまでウエハを研削する方法等が挙げられる。
【００５４】
本発明のＩＣチップの製造方法は、上記架橋成分を架橋させる刺激を与えた後、上記気体
発生剤から気体を発生させる刺激を与えることにより支持板と研削済みのウエハとを分離
する工程３を有する。このような順番により刺激を与えることにより、気体発生剤から発
生した気体が粘着剤層とウエハとの界面に放出され、より確実にウエハと支持板とを剥離
することができる。
【００５５】
上記刺激を与える方法としては特に限定されず、例えば、紫外線による刺激により気体を
発生する気体発生剤や架橋する架橋成分を用いている場合には、支持板側から紫外線を照
射する方法等が挙げられる。このときの紫外線強度は３０ｍＷ／ｃｍ２以上であることが
好ましい。３０ｍＷ／ｃｍ２未満であると、充分な剥離圧力が得られずに糊残りしてしま
うことがある。なお、１０００ｍＷ／ｃｍ２の照射強度で紫外線を照射するようにすれば
、粘着剤層の硬化をより完全に進めることができ、より確実に糊残りの発生を抑制するこ
とができる。
【００５６】
このような方法により、厚さ５０μｍ以下の極薄のウエハであっても、損傷することなく
、かつ、糊残りすることなく剥離することができる。
【００５７】
上記ウエハを両面粘着テープから分離する方法としては特に限定されず、例えば、吸着パ
ッドによりウエハ又は支持板を吸着することにより剥離する方法、枠等によりウエハ又は
支持板の周縁部を持ち上げることにより剥離する方法等が挙げられる。
【００５８】
この後の工程については特に限定されないが、例えば、研削されたウエハにダイシングテ
ープを貼付してからダイシングを行なってもよい。工程３の前にダイシングテープを貼付
した場合には、工程３により支持板とウエハとを分離した後には、研削されたウエハがダ
イシングテープ上に残されることになる。
上記ダイシングテープとしては特に限定されないが、例えば、従来公知の光硬化性粘着テ
ープ等を用いることができる。現在市販されている光硬化性粘着テープとしては、例えば
、リンテック社製のＡｄｗｉｌｌ（登録商標）Ｄ−シリーズや、日東電工社製のエレップ
ホルダー（登録商標）ＵＥシリーズ等のテープが挙げられる。
【発明の効果】
【００５９】
本発明によれば、厚さ５０μｍ以下の極めて薄いＩＣチップであっても、糊残りすること
なく、高い生産性で製造することができるＩＣチップの製造方法を提供することができる
。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６０】
以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限
定されるものではない。
【００６１】
（実施例１）
＜粘着剤の調製＞
下記の化合物を酢酸エチルに溶解させ、紫外線を照射して重合を行い、重量平均分子量７
０万のアクリル共重合体を得た。
得られたアクリル共重合体を含む酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、２
−イソシアナトエチルメタクリレート３．５重量部を加えて反応させ、更に、反応後の酢
酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、Ｕ３２４Ａ（新中村化学社製）４０重
量部、光重合開始剤（イルガキュア６５１）５重量部、ポリイソシアネート０．５重量部
を混合し粘着剤（１）の酢酸エチル溶液を調製した。
ブチルアクリレート                ７９重量部
エチルアクリレート                １５重量部
アクリル酸                          １重量部
２−ヒドロキシエチルアクリレート    ５重量部
光重合開始剤                    ０．２重量部
（イルガキュア６５１、５０％酢酸エチル溶液）
ラウリルメルカプタン          ０．０１重量部
【００６２】
また、粘着剤（１）の酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、２，２’−ア
ゾビス−（Ｎ−ブチル−２−メチルプロピオンアミド）３０重量部、及び、２，４−ジエ
チルチオキサントン３．６重量部を混合して、気体発生剤を含有する粘着剤（２）を調製
した。
【００６３】
＜両面粘着テープの作製＞
厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムの一方の面にコロナ処理
を施し、これを基材とした。
粘着剤（１）の酢酸エチル溶液を、基材のコロナ処理を施した側の面に乾燥皮膜の厚さが
約３０μｍとなるようにドクターナイフで塗工し１１０℃、５分間加熱して塗工溶液を乾
燥させた。乾燥後の粘着剤層は乾燥状態で粘着性を示した。次いで、粘着剤（１）層の表
面を離型処理が施されたＰＥＴフィルムでカバーした。
【００６４】
粘着剤（２）の酢酸エチル溶液を、表面に離型処理が施されたＰＥＴフィルムの上に乾燥
皮膜の厚さが約３０μｍとなるようにドクターナイフで塗工し１１０℃、５分間加熱して
溶剤を揮発させ塗工溶液を乾燥させた。乾燥後の粘着剤層は乾燥状態で粘着性を示した。
次いで、粘着剤（２）層の表面を離型処理が施されたＰＥＴフィルムを貼り付けた。その
後、４０℃、３日間静置して養生を行った。
【００６５】
次いで、粘着剤（２）層の両面に貼付された離型処理が施されたＰＥＴフィルムのうちの
一方を剥がし、粘着剤（２）層側を、粘着剤（１）層を設けた基材の粘着剤（１）層のな
い側の面に貼り合わせた。これにより両面に粘着剤層が設けられ、その表面が離型処理が
施されたＰＥＴフィルムで保護された両面粘着テープを得た。その後、４０℃、３日間静
置して養生を行った。
【００６６】
＜ＩＣチップの製造＞
（シリコンウエハとガラス板との貼り合わせ）
シリコンウエハとして、裏面に幅１００μｍ、深さ５μｍの溝が形成されたものを用いた
。
両面粘着テープの粘着剤（２）層を保護するＰＥＴフィルムを剥がし、シリコンウエハの
ノッチ部分を手がかりにして、２０℃、大気圧下でシリコンウエハの裏面に形成されたダ
イシング用溝に対して４５°の角度となるようにしながらラミネートした。次いで、両面
粘着テープの粘着剤（１）層を保護するＰＥＴフィルムを剥がし、真空下において直径２
０．４ｃｍのガラス板に貼り合わせた。
【００６７】
（研削工程）
ガラス板で補強されたシリコンウエハを研削装置に取り付け、シリコンウエハの厚さが約
３０μｍになるまで研削した。
【００６８】
（ＵＶ照射工程）
ガラス板側から真空吸引することによりガラス板を固定した状態で、ガラス板側から超高
圧水銀灯を用いて、３６５ｎｍの紫外線をガラス板表面への照射強度が４０ｍＷ／ｃｍ２
となるよう照度を調節して２分間照射した。これにより、ウエハは両面粘着テープから完
全に剥離して、剥離したウエハがあたかも両面粘着テープ上に浮かんでいるかのような状
態、即ち自己剥離した状態となった。また、ＩＣチップの表面には糊残りは全く認められ
なかった。
【００６９】
（実施例２）
＜ＩＣチップの製造＞
（シリコンウエハとガラス板との貼り合わせ）
実施例１で作製した両面粘着テープを用い、実施例１と同様のシリコンウエハを用いた。
両面粘着テープの粘着剤（２）層を保護するＰＥＴフィルムを剥がし、シリコンウエハの
ノッチ部分を手がかりにして、５０℃、大気圧下でシリコンウエハの裏面に形成されたダ
イシング用溝に対して４５°の角度となるようにしながらラミネートした。次いで、両面
粘着テープの粘着剤（１）層を保護するＰＥＴフィルムを剥がし、真空下において直径２
０．４ｃｍのガラス板に貼り合わせた。
【００７０】
（研削工程）
ガラス板で補強されたシリコンウエハを研削装置に取り付け、シリコンウエハの厚さが約
３０μｍになるまで研削した。
【００７１】
（ＵＶ照射工程）
ガラス板側から真空吸引することによりガラス板を固定した状態で、ガラス板側から超高
圧水銀灯を用いて、３６５ｎｍの紫外線をガラス板表面への照射強度が４０ｍＷ／ｃｍ２
となるよう照度を調節して２分間照射した。これにより、ウエハは両面粘着テープから完
全に剥離して、剥離したウエハがあたかも両面粘着テープ上に浮かんでいるかのような状
態、即ち自己剥離した状態となった。また、ＩＣチップの表面には糊残りは全く認められ
なかった。
【００７２】
（実施例３）
＜ＩＣチップの製造＞
（シリコンウエハとガラス板との貼り合わせ）
実施例１で作製した両面粘着テープを用い、実施例１と同様のシリコンウエハを用いた。
両面粘着テープの粘着剤（１）層を保護するＰＥＴフィルムを剥がし、大気圧下で直径２
０．４ｃｍのガラス板に貼り付けた。次いで、真空容器中に、シリコンウエハと支持板に
貼り付けた両面粘着テープとを入れ、圧力が３００Ｐａ以下になるまで脱気した。この状
態で、両面粘着テープの粘着剤（２）層を保護するＰＥＴフィルムを剥がし、シリコンウ
エハの裏面に貼り付けた。
【００７３】
（研削工程）
ガラス板で補強されたシリコンウエハを研削装置に取り付け、シリコンウエハの厚さが約
３０μｍになるまで研削した。
【００７４】
（ＵＶ照射工程）
ガラス板側から真空吸引することによりガラス板を固定した状態で、ガラス板側から超高
圧水銀灯を用いて、３６５ｎｍの紫外線をガラス板表面への照射強度が４０ｍＷ／ｃｍ２
となるよう照度を調節して２分間照射した。これにより、ウエハは両面粘着テープから完
全に剥離して、剥離したウエハがあたかも両面粘着テープ上に浮かんでいるかのような状
態、即ち自己剥離した状態となった。また、ＩＣチップの表面には糊残りは全く認められ
なかった。
【００７５】
（実施例４）
＜ＩＣチップの製造＞
（シリコンウエハとガラス板との貼り合わせ）
実施例１で作製した両面粘着テープを用い、実施例１と同様のシリコンウエハを用いた。
真空容器中に、シリコンウエハと両面粘着テープとを入れ、酸素濃度が１体積％以下にな
るまで脱気−窒素ガス封入を繰り返した。この状態で、両面粘着テープの粘着剤（２）層
を保護するＰＥＴフィルムを剥がし、シリコンウエハの裏面に貼り付けた。次いで、両面
粘着テープの粘着剤（１）層を保護するＰＥＴフィルムを剥がし、真空条件下で直径２０
．４ｃｍのガラス板に貼り付けた。
【００７６】
（研削工程）
ガラス板で補強されたシリコンウエハを研削装置に取り付け、シリコンウエハの厚さが約
３０μｍになるまで研削した。
【００７７】
（ＵＶ照射工程）
ガラス板側から真空吸引することによりガラス板を固定した状態で、ガラス板側から超高
圧水銀灯を用いて、３６５ｎｍの紫外線をガラス板表面への照射強度が４０ｍＷ／ｃｍ２
となるよう照度を調節して２分間照射した。これにより、ウエハは両面粘着テープから完
全に剥離して、剥離したウエハがあたかも両面粘着テープ上に浮かんでいるかのような状
態、即ち自己剥離した状態となった。また、ＩＣチップの表面には糊残りは全く認められ
なかった。
【００７８】
（比較例１）
＜ＩＣチップの製造＞
（シリコンウエハとガラス板との貼り合わせ）
実施例１で作製した両面粘着テープを用い、実施例１と同様のシリコンウエハを用いた。
両面粘着テープの粘着剤（２）層を保護するＰＥＴフィルムを剥がし、シリコンウエハの
ノッチ部分を手がかりにして、シリコンウエハの裏面に形成されたダイシング用溝に対し
て平行となるようにしながら貼り付けた。次いで、両面粘着テープの粘着剤（１）層を保
護するＰＥＴフィルムを剥がし、真空下において直径２０．４ｃｍのガラス板に貼り合わ
せた。
なお、貼り合わせ時の温度は２０℃であった。
【００７９】
（研削工程）
ガラス板で補強されたシリコンウエハを研削装置に取り付け、シリコンウエハの厚さが約
３０μｍになるまで研削した。
【００８０】
（ＵＶ照射工程）
ガラス板側から真空吸引することによりガラス板を固定した状態で、ガラス板側から超高
圧水銀灯を用いて、３６５ｎｍの紫外線をガラス板表面への照射強度が４０ｍＷ／ｃｍ２
となるよう照度を調節して２分間照射した。これにより、ウエハは両面粘着テープから剥
離できたが、シリコンウエハの表面に一部糊残りが認められた。
【産業上の利用可能性】
【００８１】
本発明によれば、厚さ５０μｍ以下の極めて薄いＩＣチップであっても、糊残りすること
なく、高い生産性で製造することができるＩＣチップの製造方法を提供することができる
。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】ウエハの裏面形成されたダイシングのガイド溝を説明する模式図である。
【図２】本発明１のＩＣチップの製造方法において、支持板とウエハとを貼り合わせる方法を説明する模式図である。
【図３】従来のＩＣチップの製造方法において、支持板とウエハとを貼り合わせる方法を説明する模式図である。
【図４】工程１におけるウエハと支持板との貼り合わせの手順の一例を説明する模式図である。
【図５】工程１におけるウエハと支持板との貼り合わせの手順の他の一例を説明する模式図である。
【符号の説明】
【００８３】
１  ウエハ
１２  ダイシング用溝
１３  切り欠き（ノッチ）
２  両面粘着テープ
３  空気溜まり
４  ウエハ
５  両面粘着テープ
５１  粘着剤層
５２  基材
５３  気体発生剤及び架橋成分を含有する粘着剤層
６  支持板
７  ローラー
【図１】
2006013000.tif 000004
【図２】
2006013000.tif 000005
【図３】
2006013000.tif 000006
【図４】
2006013000.tif 000007
【図５】
2006013000.tif 000008