(57)【要約】【課題】  複数の情報記録層を備えた光記録媒体の光入射面から最も遠い情報記録層以外の情報記録層に、所望のように、データを記録し、光入射面から最も遠い情報記録層以外の情報記録層から、所望のように、データを再生することができるデータ記録方法を提供する。【解決手段】  本発明にかかるデータ記録方法においては、支持基板１１と、光透過層１３と、光透過層１３と支持基板１１との間に設けられたＬ０層２０およびＬ１層３０とを備えた光記録媒体１０に、光透過層１３の一方の面によって構成される光入射面１３ａを介して、Ｌ０層２０またはＬ１層３０にレーザビームＬを照射して、Ｌ０層２０またはＬ１層３０にデータが記録され、光入射面１３ａに近いＬ１層３０にデータを記録する場合には、そのパワーが、記録パワー、記録パワーよりもレベルが低い中間パワーおよび中間パワーよりもレベルが低い基底パワーを含む３以上のレベルに変調されたレーザビームＬを照射して、Ｌ１層３０にデータが記録される。【選択図】          図１
2006286189.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、保護層と、前記基板と前記保護層との間に、複数の情報記録層を備えた光記録媒体に、前記基板および前記保護層の一方によって構成された光入射面を介して、前記複数の情報記録層にレーザビームを照射することによって、前記複数の情報記録層にデータを記録するデータ記録方法であって、前記複数の情報記録層のうち、前記光入射面から最も遠い情報記録層とは異なる少なくとも１つの情報記録層に、そのパワーが、少なくとも、記録パワー、前記記録パワーよりもレベルが低い中間パワーおよび前記中間パワーよりもレベルが低い基底パワーを含む３以上のレベルに変調されたレーザビームを照射して、前記光入射面から最も遠い情報記録層とは異なる少なくとも１つの情報記録層に、記録マークを形成し、データを記録することを特徴とするデータ記録方法。
【請求項２】
そのパワーが前記記録パワーに設定された前記レーザビームの照射によって、加熱された前記光入射面から最も遠い情報層とは異なる少なくとも１つの情報層の領域が、そのパワーが前記基底パワーに設定された前記レーザビームを照射することによって、冷却されるように、前記基底パワーを設定することを特徴とする請求項１に記載のデータ記録方法。
【請求項３】
各記録マークを形成する際に、前記レーザビームのパワーのレベルを、最後に、前記基底パワーに設定することを特徴とする請求項１または２に記載のデータ記録方法。
【請求項４】
前記光入射面から最も遠い情報層とは異なる少なくとも１つの情報層に形成されるべき隣り合う記録マークの間で、前記レーザビームのパワーを前記中間パワーに設定することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載のデータ記録方法。
【請求項５】
記録線速度が高いほど、各記録マークを形成する際に、前記レーザビームのパワーのレベルが、最後に、前記基底パワーに設定される期間が長くなるように、前記レーザビームのパワーを変調することを特徴とする請求項３または４に記載のデータ記録方法。
【請求項６】
λ／ＮＡ≦６４０ｎｍを満たす開口数ＮＡを有する対物レンズおよび波長λを有するレーザビームを用いて、対物レンズを介して、レーザビームを照射して、データを記録することを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載のデータ記録方法。
【請求項７】
前記保護層が光透過性材料によって形成され、レーザビームが、前記保護層を介して、前記複数の情報層に照射されるように構成されたことを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載のデータ記録方法。
【請求項８】
基板と、保護層と、前記基板と前記保護層との間に、複数の情報層を備えた光記録媒体に、前記基板および前記保護層の一方によって構成される光入射面を介して、前記複数の情報層にレーザビームを照射することによって、前記複数の情報層にデータを記録するデータ記録装置であって、前記複数の情報層のうち、前記光入射面から最も遠い情報層とは異なる少なくとも１つの情報層に、そのパワーが、少なくとも、記録パワー、前記記録パワーよりもレベルが低い中間パワーおよび前記中間パワーよりもレベルが低い基底パワーを含む３以上のレベルに変調されたレーザビームを照射して、前記光入射面から最も遠い情報層とは異なる少なくとも１つの情報層に、記録マークを形成し、データを記録するように構成されたことを特徴とするデータ記録装置。
【請求項９】
そのパワーが前記記録パワーに設定された前記レーザビームの照射によって、加熱された前記光入射面から最も遠い情報層とは異なる少なくとも１つの情報層の領域が、そのパワーが前記基底パワーに設定された前記レーザビームを照射することによって、冷却されるように、前記基底パワーを設定することを特徴とする請求項８に記載のデータ記録装置。
【請求項１０】
各記録マークを形成する際に、前記レーザビームのパワーのレベルを、最後に、前記基底パワーに設定することを特徴とする請求項８または９に記載のデータ記録装置。
【請求項１１】
前記光入射面から最も遠い情報層とは異なる少なくとも１つの情報層に形成されるべき隣り合う記録マークの間で、前記レーザビームのパワーを前記中間パワーに設定することを特徴とする請求項８ないし１０のいずれか１項に記載のデータ記録装置。
【請求項１２】
記録線速度が高いほど、各記録マークを形成する際に、前記レーザビームのパワーのレベルが、最後に、前記基底パワーに設定される期間が長くなるように、前記レーザビームのパワーを変調することを特徴とする請求項１０または１１に記載のデータ記録装置。
【請求項１３】
λ／ＮＡ≦６４０ｎｍを満たす開口数ＮＡを有する対物レンズおよび波長λを有するレーザビームを用いて、対物レンズを介して、レーザビームを照射して、データを記録するように構成されたことを特徴とする請求項８ないし１２のいずれか１項
に記載のデータ記録装置。
【請求項１４】
基板と、保護層と、前記基板と前記保護層との間に、複数の情報層を備え、前記基板および前記保護層の一方によって構成される光入射面を介して、前記複数の情報層にレーザビームを照射することによって、前記複数の情報層にデータが記録されるように構成された光記録媒体であって、前記複数の情報層のうち、前記光入射面から最も遠い情報層とは異なる少なくとも１つの情報層に、記録マークを形成して、データを記録するときに、そのパワーが、少なくとも、記録パワー、前記記録パワーよりもレベルが低い中間パワーおよび前記中間パワーよりもレベルが低い基底パワーを含む３以上のレベルに変調されたレーザビームを、前記光入射面から最も遠い情報層とは異なる少なくとも１つの情報層に照射するのに必要な記録条件設定用データが記録されたことを特徴とする光記録媒体。
【請求項１５】
前記保護層が光透過性材料によって形成され、レーザビームが、前記保護層を介して、前記複数の情報層に照射されるように構成されたことを特徴とする請求項１４に記載の光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光記録媒体へのデータ記録方法、データ記録装置および光記録媒体に関するものであり、さらに詳細には、複数の情報記録層を備えた光記録媒体の光入射面から最も遠い情報記録層以外の情報記録層に、所望のように、データを記録し、光入射面から最も遠い情報記録層以外の情報記録層から、所望のように、データを再生することができるデータ記録方法およびデータ記録装置ならびに複数の情報記録層を備え、光入射面から最も遠い情報記録層以外の情報記録層に、所望のように、データを記録し、光入射面から最も遠い情報記録層以外の情報記録層から、所望のように、データを再生することができる光記録媒体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、デジタルデータを記録するための記録媒体として、ＣＤやＤＶＤに代表される光記録媒体が広く利用されている。このような光記録媒体には、次第に、大きな記録容量が要求されるようになってきており、光記録媒体の記録容量を増大させるために、種々の提案がなされている。
【０００３】
その一つとして、二層の情報記録層を備えた光記録媒体が提案されており、再生専用の光記録媒体であるＤＶＤ−ＶｉｄｅｏやＤＶＤ−ＲＯＭにおいて、すでに実用化されている。
【０００４】
このように、二層の情報記録層を備えた再生専用の光記録媒体は、情報記録層を構成するプレピットが表面に形成された２枚の基板が、中間層を介して、積層された構造を有している。
【０００５】
また、近年、ユーザによるデータの記録が可能な光記録媒体（書き換え型光記録媒体）についても、二層の情報記録層を備えた光記録媒体が提案されている（特開２００１−２４３６５５号公報参照）。
【０００６】
特開２００１−２４３６５５号公報に開示された光記録媒体においては、相変化記録膜と、相変化記録膜を挟んで形成された誘電体膜（保護膜）によって情報記録層が形成され、かかる構造を有する２つの情報記録層が、中間層を介して、積層されている。
【０００７】
ユーザーによるデータの記録が可能な複数の情報記録層を有する光記録媒体にデータを記録する場合には、そのパワーが、再生パワーＰｒよりも高レベルの記録パワーＰｗに変調されたレーザビームをいずれかの情報記録層にフォーカスさせて、照射し、レーザビームが照射された情報記録層に含まれている記録膜の状態を変化させて、記録膜に記録マークを形成する。こうして、記録マークが形成された記録膜の領域の反射率は、記録マークが形成されていない記録膜のブランク領域とは異なるため、そのパワーが、再生パワーＰｒに設定されたレーザビームを、記録膜に照射して、記録膜によって反射されたレーザビームの光量検出することによって、データを再生することができる。
【０００８】
ユーザーによってデータの記録が可能な複数の情報記録層を備えた光記録媒体の光入射面に最も近い情報記録層以外の情報記録層に、データを記録し、光記録媒体の光入射面に最も近い情報記録層以外の情報記録層に記録されたデータを再生する場合には、レーザビームは、その情報記録層よりも光入射面側に位置している情報記録層を介して、その情報記録層に照射されることになる。したがって、所望のように、光入射面に最も近い情報記録層以外の情報記録層にデータを記録し、光入射面に最も近い情報記録層以外の情報記録層からデータを再生するためには、その情報記録層よりも光入射面に側に位置している情報記録層が十分に高い光透過率を有していることが必要であり、そのため、光入射面から最も遠い情報記録層以外の情報記録層は、反射膜を備えていないか、あるいは、きわめて薄い反射膜を備えているのが通常である。
【特許文献１】特開２００１−２４３６５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、積層された複数の情報記録層を有する光記録媒体の光入射面から最も遠い情報記録層以外の情報記録層に、データを記録し、記録されたデータを再生する場合に、良好な信号特性を有する再生信号が得られにくいという問題があった。
【００１０】
したがって、本発明は、複数の情報記録層を備えた光記録媒体の光入射面から最も遠い情報記録層以外の情報記録層に、所望のように、データを記録し、光入射面から最も遠い情報記録層以外の情報記録層から、所望のように、データを再生することができるデータ記録方法を提供することを目的とするものである。
【００１１】
本発明の別の目的は、複数の情報記録層を備えた光記録媒体の光入射面から最も遠い情報記録層以外の情報記録層に、所望のように、データを記録し、光入射面から最も遠い情報記録層以外の情報記録層から、所望のように、データを再生することができるデータ記録装置を提供することにある。
【００１２】
本発明の他の目的は、複数の情報記録層を備え、光入射面から最も遠い情報記録層以外の情報記録層に、所望のように、データを記録し、光入射面から最も遠い情報記録層以外の情報記録層から、所望のように、データを再生することができる光記録媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明のかかる目的は、基板と、保護層と、前記基板と前記保護層との間に、複数の情報記録層を備えた光記録媒体に、前記基板および前記保護層の一方によって構成された光入射面を介して、前記複数の情報記録層にレーザビームを照射することによって、前記複数の情報記録層にデータを記録するデータ記録方法であって、前記複数の情報記録層のうち、前記光入射面から最も遠い情報記録層とは異なる少なくとも１つの情報記録層に、そのパワーが、少なくとも、記録パワー、前記記録パワーよりもレベルが低い中間パワーおよび前記中間パワーよりもレベルが低い基底パワーを含む３以上のレベルに変調されたレーザビームを照射して、前記光入射面から最も遠い情報記録層とは異なる少なくとも１つの情報記録層に、記録マークを形成し、データを記録することを特徴とするデータ記録方法によって達成される。
【００１４】
本発明によれば、光入射面から最も遠い情報層とは異なる少なくとも１つの情報層に、記録マークを形成して、データを記録する場合に、そのパワーが、少なくとも、記録パワー、記録パワーよりもレベルが低い中間パワーおよび中間パワーよりもレベルが低い基底パワーを含む３以上のレベルに変調されたレーザビームが、光入射面から最も遠い情報層とは異なる少なくとも１つの情報層に照射されて、記録マークが形成され、データが記録されるように構成されているから、光入射面から最も遠い情報層とは異なる少なくとも１つの情報層に、データを記録する際に、光入射面から最も遠い情報層とは異なる少なくとも１つの情報層の温度を所望のように制御することができ、したがって、光入射面から最も遠い情報層とは異なる少なくとも１つの情報層が反射膜を備えていないか、あるいは、きわめて薄い反射膜を備えているに過ぎず、放熱特性が低い場合においても、光入射面から最も遠い情報層とは異なる少なくとも１つの情報層に、所望のように、信号特性に優れた信号が再生可能なように、記録マークを形成して、データを記録することが可能になる。
【００１５】
また、本発明によれば、光入射面から最も遠い情報層とは異なる少なくとも１つの情報層に、記録マークを形成して、データを記録する際に、そのパワーが、少なくとも、記録パワー、記録パワーよりもレベルが低い中間パワーおよび中間パワーよりもレベルが低い基底パワーを含む３以上のレベルに変調されたレーザビームが、光入射面から最も遠い情報層とは異なる少なくとも１つの情報層に照射されて、記録マークが形成され、データが記録されるように構成されているから、光入射面から最も遠い情報層とは異なる少なくとも１つの情報層に、過剰な熱が蓄積されないように、基底パワーを低いレベルに設定しても、光入射面から最も遠い情報層とは異なる少なくとも１つの情報層に供給される熱量が不足し、再生信号の特性が悪化することを効果的に防止することが可能になる。
【００１６】
本発明の好ましい実施態様においては、そのパワーが前記記録パワーに設定された前記レーザビームの照射によって、加熱された前記光入射面から最も遠い情報層とは異なる少なくとも１つの情報層の領域が、そのパワーが前記基底パワーに設定された前記レーザビームを照射することによって、冷却されるように、前記基底パワーが設定されている。
【００１７】
本発明の好ましい実施態様によれば、そのパワーが記録パワーに設定されたレーザビームの照射によって、加熱された光入射面から最も遠い情報層とは異なる少なくとも１つの情報層の領域が、そのパワーが基底パワーに設定されたレーザビームを照射することによって、冷却されるように、基底パワーが設定されているから、そのパワーが記録パワーに設定されたレーザビームの照射によって、加熱された光入射面から最も遠い情報層とは異なる少なくとも１つの情報層の領域が、そのパワーが基底パワーに設定されたレーザビームを照射することによって、速やかに冷却され、したがって、光入射面から最も遠い情報層とは異なる少なくとも１つの情報層が反射膜を備えていないか、あるいは、きわめて薄い反射膜を備えているに過ぎず、放熱特性が低い場合においても、光入射面から最も遠い情報層とは異なる少なくとも１つの情報層に、過剰な熱が蓄積されることを効果的に防止することができ、十分に高い変調度を有する信号が再生可能なように、記録マークを形成して、データを記録することが可能になる。
【００１８】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、各記録マークを形成する際に、前記レーザビームのパワーのレベルを、最後に、前記基底パワーに設定するように構成されている。
【００１９】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記光入射面から最も遠い情報層とは異なる少なくとも１つの情報層に形成されるべき隣り合う記録マークの間で、前記レーザビームのパワーを前記中間パワーに設定するように構成されている。
【００２０】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、記録線速度が高いほど、各記録マークを形成する際に、前記レーザビームのパワーのレベルが、最後に、前記基底パワーに設定される期間が長くなるように、前記レーザビームのパワーを変調するように構成されている。
【００２１】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、λ／ＮＡ≦６４０ｎｍを満たす開口数ＮＡを有する対物レンズおよび波長λを有するレーザビームを用いて、対物レンズを介して、レーザビームを照射して、データを記録するように構成されている。
【００２２】
本発明のさらに好ましい実施態様においては、前記保護層が光透過性材料によって形成され、レーザビームが、前記保護層を介して、前記複数の情報層に照射されるように構成されている。
【００２３】
本発明の前記目的はまた、基板と、保護層と、前記基板と前記保護層との間に、複数の情報層を備えた光記録媒体に、前記基板および前記保護層の一方によって構成される光入射面を介して、前記複数の情報層にレーザビームを照射することによって、前記複数の情報層にデータを記録するデータ記録装置であって、前記複数の情報層のうち、前記光入射面から最も遠い情報層とは異なる少なくとも１つの情報層に、そのパワーが、少なくとも、記録パワー、前記記録パワーよりもレベルが低い中間パワーおよび前記中間パワーよりもレベルが低い基底パワーを含む３以上のレベルに変調されたレーザビームを照射して、前記光入射面から最も遠い情報層とは異なる少なくとも１つの情報層に、記録マークを形成し、データを記録するように構成されたことを特徴とするデータ記録装置によって達成される。
【００２４】
本発明の前記目的はまた、基板と、保護層と、前記基板と前記保護層との間に、複数の情報層を備え、前記基板および前記保護層の一方によって構成される光入射面を介して、前記複数の情報層にレーザビームを照射することによって、前記複数の情報層にデータが記録されるように構成された光記録媒体であって、前記複数の情報層のうち、前記光入射面から最も遠い情報層とは異なる少なくとも１つの情報層に、記録マークを形成して、データを記録するときに、そのパワーが、少なくとも、記録パワー、前記記録パワーよりもレベルが低い中間パワーおよび前記中間パワーよりもレベルが低い基底パワーを含む３以上のレベルに変調されたレーザビームを、前記光入射面から最も遠い情報層とは異なる少なくとも１つの情報層に照射するのに必要な記録条件設定用データが記録されたことを特徴とする光記録媒体によって達成される。
【００２５】
本発明において、好ましくは、前記光入射面から最も遠い情報層とは異なる前記少なくとも１つの情報層が、銅（Ｃｕ）、リコン（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、炭素（Ｃ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、ホウ素（Ｂ）、マグネシウム（Ｍｇ）、チタン（Ｔｉ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、ガリウム（Ｇａ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、銀（Ａｇ）、ビスマス（Ｂｉ）および白金（Ｐｔ）よりなる群から選ばれる一種の元素を主成分として含む第一の記録膜と、前記第一の記録膜の近傍に設けられ、銅（Ｃｕ）、リコン（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、炭素（Ｃ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、ホウ素（Ｂ）、マグネシウム（Ｍｇ）、チタン（Ｔｉ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、ガリウム（Ｇａ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、銀（Ａｇ）、ビスマス（Ｂｉ）および白金（Ｐｔ）よりなる群から選ばれ、第一の記録膜に主成分として含まれる元素とは異なる一種の元素を主成分として含む第二の記録膜とによって構成され、前記レーザビームが照射されたときに、前記第一の記録膜に主成分として含まれた元素と、前記第二の記録膜に主成分として含まれた元素とが混合して、記録マークが形成されるように構成されて、より好ましくは、第一の記録膜がシリコン（Ｓｉ）を主成分として含み、第二の記録膜が銅（Ｃｕ）を主成分として含んでいる。
【００２６】
本明細書において、第一の記録膜が、ある元素を主成分として含むとは、第一の記録膜に含まれる元素のうち、その元素の含有率が最も大きいことをいい、第二の記録膜が、ある元素を主成分として含むとは、第二の記録膜に含まれる元素のうち、その元素の含有率が最も大きいことをいう。
【００２７】
本発明者の研究によれば、複数の情報層のうち、光入射面から最も遠い情報層とは異なる少なくとも一つの情報層を、銅（Ｃｕ）、リコン（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、炭素（Ｃ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、ホウ素（Ｂ）、マグネシウム（Ｍｇ）、チタン（Ｔｉ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、ガリウム（Ｇａ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、銀（Ａｇ）、ビスマス（Ｂｉ）および白金（Ｐｔ）よりなる群から選ばれる一種の元素を主成分として含む第一の記録膜と、第一の記録膜の近傍に設けられ、銅（Ｃｕ）、リコン（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、炭素（Ｃ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、ホウ素（Ｂ）、マグネシウム（Ｍｇ）、チタン（Ｔｉ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、ガリウム（Ｇａ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、銀（Ａｇ）、ビスマス（Ｂｉ）および白金（Ｐｔ）よりなる群から選ばれ、第一の記録膜に主成分として含まれる元素とは異なる一種の元素を主成分として含む第二の記録膜とによって構成した場合には、データを記録する際に、レーザビームによって、第一の記録膜に主成分として含まれている元素と、第二の記録膜に主成分として含まれている元素とが混合して、記録マークが形成され、反射率を大きく変化させることができ、データを良好な感度で記録することが可能になるとともに、記録マークが形成された領域とブランク領域との３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長のレーザビームに対する光透過率の差が小さくなり、とくに、第一の記録膜がシリコン（Ｓｉ）を主成分として含み、第二の記録膜が銅（Ｃｕ）を主成分として含んでいる場合には、記録マークが形成された領域とブランク領域との３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長のレーザビームに対する光透過率の差が４％以下となり、この情報層を介して、３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長のレーザビームレーザビームを照射して、光入射面から最も遠い情報層にデータを記録し、光入射面から最も遠い情報層から、データを再生するときに、所望のように、光入射面から最も遠い情報層にデータを記録し、光入射面から最も遠い情報層から、データを再生することができることが見出されている。
【００２８】
さらに、本発明者の研究によれば、これらの元素は、環境に対する負荷が小さく、これらの元素を用いて、成膜された記録膜は優れた表面平滑性を有していることが判明している。
【００２９】
本発明において、第二の記録膜は、レーザビームの照射を受けたときに、第一の記録膜に主成分として含まれている元素と、第二の記録膜に主成分として含まれている元素とが混合した領域が形成されるように、第一の記録膜の近傍に位置していればよく、第二の記録膜が、第一の記録膜に接触していることは必ずしも必要でなく、第一の記録膜と第二の記録膜の間に、誘電体膜などが介在していてもよい。
【００３０】
本発明において、好ましくは、前記第二の記録膜が、前記第一の記録膜に接するように、形成されている。
【００３１】
本発明において、第二の記録膜に、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｎ、ＭｇおよびＡｕよりなる群から選ばれ、前記第二の記録膜に主成分として含まれた元素とは異なる少なくとも一種の元素が添加されていることが好ましい。
【００３２】
このように、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｎ、ＭｇおよびＡｕよりなる群から選ばれ、第二の記録膜に主成分として含まれた元素とは異なる少なくとも一種の元素を、第二の記録膜に添加することにより、再生信号のノイズレベルをより低く抑えることができるとともに、長期間の保存に対する信頼性を高めることが可能となる。
【発明の効果】
【００３３】
本発明によれば、複数の情報記録層を備えた光記録媒体の光入射面から最も遠い情報記録層以外の情報記録層に、所望のように、データを記録し、光入射面から最も遠い情報記録層以外の情報記録層から、所望のように、データを再生することができるデータ記録方法を提供することが可能になる。
【００３４】
また、本発明によれば、複数の情報記録層を備えた光記録媒体の光入射面から最も遠い情報記録層以外の情報記録層に、所望のように、データを記録し、光入射面から最も遠い情報記録層以外の情報記録層から、所望のように、データを再生することができるデータ記録装置を提供することが可能になる。
【００３５】
さらに、本発明によれば、複数の情報記録層を備え、光入射面から最も遠い情報記録層以外の情報記録層に、所望のように、データを記録し、光入射面から最も遠い情報記録層以外の情報記録層から、所望のように、データを再生することができる光記録媒体を提供することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下、添付図面に基づいて、本発明の好ましい実施態様につき、詳細に説明を加える。
【００３７】
図１（ａ）は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体の略斜視図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡで示された部分の略拡大断面図である。
【００３８】
図１（ａ）に示されるように、本実施態様にかかる光記録媒体１０は、円盤状に形成され、約１２０ｍｍの外径と、約１．２ｍｍの厚さを有している。
【００３９】
図１（ｂ）に示されるように、本実施態様にかかる光記録媒体１０は、支持基板１１と、透明中間層１２と、光透過層（保護層）１３と、支持基板１１と透明中間層１２との間に設けられたＬ０層２０と、透明中間層１２と光透過層１３との間に設けられたＬ１層３０とを備えている。Ｌ０層２０およびＬ１層３０は、データを記録する情報記録層であり、本実施態様にかかる光記録媒体１０は、二層の情報記録層を有している。
【００４０】
Ｌ０層２０は、光入射面１３ａに遠い情報記録層を構成し、支持基板１１側から、反射膜２１、第四の誘電体膜２２、Ｌ０記録膜２３および第三の誘電体膜２４が積層されて、構成されている。
【００４１】
一方、Ｌ１層３０は、光入射面１３ａに近い情報記録層を構成し、支持基板１１側から、第二の誘電体膜３２、Ｌ１記録膜３３および第一の誘電体膜３４が積層されて、構成されている。このように、Ｌ１層３０は、光入射面１３ａに近い情報記録層を構成し、Ｌ０層２０にデータを記録し、Ｌ０層２０に記録されたデータを再生する際に、レーザビームＬが、Ｌ１層３０を介して、Ｌ０層２０に照射される。したがって、Ｌ１層３０は高い光透過率を有していることが要求されるため、Ｌ１層３０は反射膜を有していない。
【００４２】
支持基板１１は、光記録媒体１０に求められる厚み（約１．２ｍｍ）を確保するために用いられる円盤状の基板であり、その一方の面には、その中心部近傍から外縁部に向けて、グルーブ１１ａおよびランド１１ｂが螺旋状に形成されている。これらグルーブ１１ａおよび／またはランド１１ｂは、Ｌ０層２０にデータを記録する場合およびＬ０層２０からデータを再生する場合において、レーザビームＬのガイドトラックとして、機能する。
【００４３】
グルーブ１１ａの深さは、とくに限定されるものではないが、１０ｎｍないし４０ｎｍに設定することが好ましく、グルーブ１１ａのピッチは、とくに限定されるものではないが、０．２μｍないし０．４μｍに設定することが好ましい。
【００４４】
支持基板１１を形成するための材料はとくに限定されるものではないが、支持基板１１は、たとえば、ガラス、セラミックス、樹脂などによって、形成することができる。これらのうち、成形の容易性の観点から、樹脂が好ましく使用される。このような樹脂としては、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素系樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられる。これらの中でも、加工性、光学特性などの点から、ポリカーボネート樹脂やポリオレフィン樹がとくに好ましく、本実施態様においては、支持基板２１は、ポリカーボネート樹脂によって形成されている。本実施態様においては、レーザビームＬは、支持基板１１とは反対側に位置する光入射面１３ａを介して、照射されるから、支持基板１１が、光透過性を有していることは必要でない。
【００４５】
透明中間層１２は、Ｌ０層２０とＬ１層３０とを物理的および光学的に十分な距離をもって離間させる機能を有している。
【００４６】
図１（ｂ）に示されるように、透明中間層１２の表面には、交互に、グルーブ１２ａおよびランド１２ｂが設けられている。透明中間層１２の表面に形成されたグルーブ１２ａおよび／またはランド１２ｂは、Ｌ１層３０にデータを記録する場合およびＬ０層２０からデータを再生する場合において、レーザビームＬのガイドトラックとして、機能する。
【００４７】
グルーブ１２ａの深さおよびピッチは、支持基板１１の表面に設けられたグルーブ１１ａの深さおよびピッチと同程度に設定することができる。
【００４８】
透明中間層１２は、５μｍないし５０μｍの厚さを有するように形成されることが好ましく、さらに好ましくは、１０μｍないし４０μｍの厚さを有するように、形成される。
【００４９】
透明中間層１２を形成するための材料は、とくに限定されるものではないが、紫外線硬化性アクリル樹脂を用いることが好ましい。
【００５０】
透明中間層１２は、Ｌ０層２０にデータを記録し、Ｌ０層２０からデータを再生する場合に、レーザビームＬが通過するため、十分に高い光透過性を有している必要がある。
【００５１】
光透過層１３は、レーザビームを透過させる層であり、その一方の表面によって、光入射面１３ａが構成されている。
【００５２】
光透過層１３は、３０μｍないし２００μｍの厚さを有するように形成されることが好ましい。
【００５３】
光透過層１３を形成するための材料は、とくに限定されるものではないが、透明中間層１２と同様に、紫外線硬化性アクリル樹脂を用いることが好ましい。
【００５４】
光透過層１３は、光記録媒体１０に、データを記録し、光記録媒体１０から、データを再生する場合に、レーザビームＬが通過するため、十分に高い光透過性を有していることが必要である。
【００５５】
図２（ａ）は、Ｌ０層２０またはＬ１層３０の略一部拡大断面図である。
【００５６】
図２に示されるように、Ｌ０層２０に含まれるＬ０記録膜２３は、支持基板１１側に位置する第一の無機反応膜５１と光透過層１３側に位置する第二の無機反応膜５２とが積層されて構成され、Ｌ１層３０に含まれるＬ１記録膜３２は、支持基板１１側に位置する第一の無機反応膜５１と光透過層１３側に位置する第二の無機反応膜５２とが積層されて構成されている。
【００５７】
第一の無機反応膜５１は、Ｃｕを主成分として含み、第二の無機反応膜５２は、Ｓｉを主成分として含んでいる。
【００５８】
再生信号のノイズレベルを低下させ、保存信頼性を向上させるために、第一の無機反応膜５１に、Ａｌ、Ｚｎ、Ｓｎ、ＭｇおよびＡｕよりなる群から選ばれ１または２以上の元素が添加されていることが好ましい。
【００５９】
図２（ｂ）は、図２（ａ）に示された光記録媒体のＬ０層２０またはＬ１層３０にレーザビームが照射された後の状態を示す略一部拡大断面図である。
【００６０】
図２（ｂ）に示されるように、光入射面１３ａを介して、光記録媒体１０のＬ０層２０またはＬ１層３０に、３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長を有するレーザビームＬがフォーカスされると、レーザビームＬからＬ０層２０またはＬ１層３０に与えられた熱によって、第一の無機反応膜５１に主成分として含まれているＣｕと、第二の無機反応膜５２に主成分として含まれているＳｉとが速やかに混合して、記録マークＭが形成される。
【００６１】
第一の無機反応膜５１に主成分として含まれているＣｕと、第二の無機反応膜５２に主成分として含まれているＳｉとが速やかに混合して、記録マークＭが形成されると、記録マークＭが形成された領域の反射率が大きく変化するから、こうして記録マークＭが形成された領域の再生用レーザビームＬに対する反射率は、記録マークＭの周囲のＬ０層２０またはＬ１層３０の領域の再生用レーザビームＬに対する反射率と大きく異なることになる。したがって、光入射面１３ａを介して、Ｌ０記録膜２３またはＬ１記録膜３２にレーザビームＬを照射し、Ｌ０記録膜２３またはＬ１記録膜３２によて反射されたレーザビームＬの反射光量を測定することによって、Ｌ０層２０またはＬ１層３０に記録されたデータを再生し、Ｃ／Ｎ比の高い再生信号を得ることが可能になる。
【００６２】
Ｌ１層３０は、Ｌ０層２０にデータを記録し、Ｌ０層２０からデータを再生する場合に、レーザビームＬが透過するから、Ｌ１層３０の記録マークＭが形成された領域の再生用レーザビームＬに対する光透過率と、Ｌ１層３０の記録マークＭが形成されていないブランク領域の再生用レーザビームＬに対する光透過率の差が大きいと、Ｌ０層２０にデータを記録する際に、レーザビームＬが透過するＬ１層３０の領域が、記録マークＭが形成された領域であるか、ブランク領域であるかによって、Ｌ０層２０に照射されるレーザビームＬの光量が大きく変化するとともに、Ｌ０層２０からデータを再生する際に、Ｌ０層２０で反射され、Ｌ１層３０を透過して、検出されるレーザビームＬの光量が大きく変化し、その結果、レーザビームＬが通過するＬ１層３０の領域が記録マークＭが形成された領域であるか、ブランク領域であるかによって、Ｌ０層２０に対する記録特性やＬ０層２０から再生される信号の振幅が大きく変化してしまうという問題が生じる。
【００６３】
本発明者の研究によれば、所望のように、Ｌ０層２０にデータを記録し、Ｌ０層２０から、データを再生するためには、Ｌ１層３０の記録マークＭが形成された領域の再生用レーザビームＬに対する光透過率と、ブランク領域の再生用レーザビームＬに対する光透過率の差が、４％以下であることが必要であり、２％以下であることが好ましいことが見出されている。
【００６４】
また、本発明者の研究によれば、ＳｉとＣｕとが混合して、形成された記録マークＭの領域の３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長のレーザビームＬに対する光透過率と、Ｌ１層３０のブランク領域の３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長のレーザビームＬに対する光透過率との差は４％以下であり、約４０５ｎｍの波長のレーザビームＬに対しては、記録マークＭが形成されたＬ１層３０の領域の光透過率と、Ｌ１層３０のブランク領域の光透過率との差は１％以下であることが見出されている。
【００６５】
したがって、本実施態様においては、Ｌ１層３０の第一の無機反応膜５１がＣｕを主成分として含むとともに、第二の無機反応膜５２がＳｉを主成分として含み、光透過層１３を介して、レーザビームＬが照射されたときに、第一の無機反応膜５１に主成分として含まれたＣｕと、第二の無機反応膜５２に主成分として含まれたＳｉとが混合して、記録マークＭが形成されるように構成されているから、Ｌ１層３０を介して、Ｌ０層２０に再生用レーザビームＬを照射することによって、所望のように、Ｌ０層２０にデータを記録し、Ｌ０層２０に記録されたデータを再生することが可能になる。
【００６６】
また、銅（Ｃｕ）およびシリコン（Ｓｉ）が主成分元素として用いられているから、環境負荷を抑制することも可能になる。
【００６７】
なお、Ｌ０記録膜２３を構成する無機反応膜５１および無機反応膜５２については、記録の前後における光透過率差を考慮する必要はないが、Ｌ１記録膜３２と同様の材料を用いた場合には、高い変調度が得られるとともに、環境負荷を抑制することが可能になり、好ましい。
【００６８】
Ｌ１記録膜３２は、Ｌ０層２０にデータを記録し、Ｌ０層２０からデータを再生する場合に、レーザビームＬが透過するから、高い光透過性を有していることが必要であり、そのためには、Ｌ１記録膜３２は、その膜厚が、Ｌ０記録膜２３の膜厚よりも、薄くなるように形成されることが好ましい。
【００６９】
具体的には、Ｌ０記録膜２３は、２ｎｍないし４０ｎｍの膜厚を有するように形成されることが好ましく、Ｌ１記録膜３３は、２ｎｍないし１５ｎｍの膜厚を有するように、形成されることが好ましい。
【００７０】
Ｌ０記録膜２３の膜厚およびＬ１記録膜３３の膜厚が、２ｎｍ未満である場合には、レーザビームＬを照射する前後の反射率の変化が少なくなり、高い強度の再生信号（Ｃ／Ｎ比）を得ることができなくなる。
【００７１】
一方、Ｌ０記録膜２３の膜厚およびＬ１記録膜３３の膜厚が１５ｎｍを越えると、Ｌ１層３０の光透過率が低下し、Ｌ０層２０へのデータの記録特性およびＬ０層２０からのデータの再生特性が悪化してしまう。
【００７２】
また、Ｌ０記録膜２３の膜厚が４０ｎｍを越えると、Ｌ０層２０の記録感度が悪化してしまう。
【００７３】
さらに、無機反応膜５１の膜厚と無機反応膜５２の膜厚との比（無機反応膜５１の膜厚／無機反応膜５２の膜厚）は、０．２ないし５．０であることが好ましい。
【００７４】
第三の誘電体膜２４および第四の誘電体膜２２は、Ｌ０記録膜２３を保護する保護膜として機能し、第一の誘電体膜３４および第二の誘電体膜３２は、Ｌ１記録膜３３を保護する保護膜として機能する。
【００７５】
第三の誘電体膜２４、第四の誘電体膜２２、第一の誘電体膜３４および第三の誘電体膜３２の厚さは、とくに限定されるものではないが、１ｎｍないし１５０ｎｍの厚さを有していることが好ましい。これら誘電体膜の厚さが１ｎｍ未満である場合には、保護膜としての機能が十分でなくなり、その一方で、これら誘電体膜の厚みが１５０ｎｍを超えている場合には、成膜に要する時間が長くなって、生産性が低下したり、内部応力によって、Ｌ０層２０のＬ０記録膜２３およびＬ１層３０のＬ１記録膜３３にクラックが発生するおそれがある。
【００７６】
第一の誘電体膜２２、第二の誘電体膜２４、第三の誘電体膜３２および第四の誘電体膜３４は、一層の誘電体膜からなる単層構造であってもよいし、二層以上の誘電体膜からなる積層構造であってもよい。
【００７７】
第一の誘電体膜２２、第二の誘電体膜２４、第三の誘電体膜３２および第四の誘電体膜３４を形成するための材料は、とくに限定されるものではないが、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＣｅＯ２、ＺｎＳ、ＴａＯ、ＴｉＯ２など、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｅ、Ｚｎ、Ｔａ、Ｔｉなどの酸化物、窒化物、硫化物、炭化物あるいはそれらの混合物を用いて、第一の誘電体膜２２、第二の誘電体膜２４、第三の誘電体膜３２および第四の誘電体膜３４を形成することが好ましい。とくに、第二の誘電体膜２４、第三の誘電体膜３２および第四の誘電体膜３４が、ＺｎＳとＳｉＯ２との混合物（モル比：８０：２０）によって形成され、第一の誘電体膜２２が、ＺｎＳとＳｉＯ２との混合物よりも熱伝導率の高いＴｉＯ２によって形成されていることが、反射膜を備えていないＬ１層３０の放熱特性を向上させる上で、好ましい。
【００７８】
反射膜２１は、光入射面１３ａから、入射したレーザビームＬを反射し、光透過層１３から出射させるとともに、Ｌ０記録膜２３に生成された熱を効果的に放熱させる機能を有している。
【００７９】
反射膜２１の厚さは、とくに限定されるものではないが、２０ｎｍないし２００ｎｍの厚さを有するように、反射膜２１が形成されることが好ましい。反射膜２１の厚さが２０ｎｍ未満の場合には、Ｌ０記録膜２３に生成された熱を、所望のように放熱することが困難になり、一方、反射膜２１の厚さが２００ｎｍを越えている場合には、成膜に要する時間が長くなり、光記録媒体１０の生産性が低下するおそれがあり、さらに、内部応力によって、反射膜２１にクラックが発生するおそれがある。
【００８０】
反射膜２１を形成するための材料は、とくに限定されるものではなく、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）または金（Ａｕ）などによって、反射膜２１を形成することができる。これらのうち、高い反射率を有しているアルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）またはこれらの合金が、反射膜２１を形成するために、好ましく用いられる。
【００８１】
図３は、光記録媒体１０のＬ０層２０あるいはＬ１層３０に、レーザビームＬを照射して、データを記録する場合に、レーザビームＬのパワーを変調する第一のパルス列パターンを示す波形図であり、図３（ａ）は、１，７ＲＬＬ変調方式を用いて、２Ｔ信号を記録する場合の第一のパルス列パターン、図３（ｂ）は、３Ｔ信号を記録する場合の第一のパルス列パターン、図３（ｃ）は、４Ｔ信号を記録する場合の第一のパルス列パターン、図３（ｄ）は、５Ｔ信号ないし８Ｔ信号のいずれかを記録する場合の第一のパルス列パターンを、それぞれ、示している。
【００８２】
図３（ａ）ないし図３（ｄ）に示されるように、第一のパルス列パターンを用いて、レーザビームＬのパワーを変調するときは、レーザビームＬのパワーは、記録パワーＰｗ１、記録パワーＰｗ１よりもレベルが低い中間パワーＰｍ１および中間パワーＰｍ１よりもレベルが低い基底パワーＰｂ１の３つのレベルの間で、変調される。
【００８３】
以下、光記録媒体１０のＬ０層２０にデータを記録する場合のレーザビームＬの記録パワーＰｗ１をＰｗ１０、中間パワーＰｍ１をＰｍ１０、基底パワーＰｂ１をＰｂ１０といい、一方、光記録媒体１０のＬ１層３０にデータを記録する場合のレーザビームＬの記録パワーＰｗ１をＰｗ１１、中間パワーＰｍ１をＰｍ１１、基底パワーＰｂ１をＰｂ１１という。
【００８４】
本実施態様においては、記録パワーＰｗ１０は、Ｌ０層２０に、そのパワーが、記録パワーＰｗ１０に設定されたレーザビームＬを照射することによって、Ｌ０記録膜２３を構成する無機反応膜５１および無機反応膜５２が溶融混合して、記録マークＭが形成されるような高いレベルに設定され、一方、中間パワーＰｍ１０は、Ｌ０層２０に、そのパワーが、中間パワーＰｍ１０に設定されたレーザビームＬが照射されても、Ｌ０記録膜２３を構成する無機反応膜５１および無機反応膜５２が溶融混合しないような低いレベルに設定される。
【００８５】
これに対して、基底パワーＰｂ１０は、そのパワーが、記録パワーＰｗ１０に設定されたレーザビームＬの照射によって加熱されたＬ０記録膜２３が、そのパワーが、基底パワーＰｂ１０に設定されたレーザビームＬを照射することによって、冷却されるようなきわめて低いレベルに設定される。
【００８６】
同様に、記録パワーＰｗ１１は、Ｌ１層３０に、そのパワーが、記録パワーＰｗ１１に設定されたレーザビームＬを照射することによって、Ｌ１記録膜３２を構成する無機反応膜５１および無機反応膜５２が溶融混合して、記録マークＭが形成されるような高いレベルに設定され、一方、中間パワーＰｍ１１は、Ｌ１層３０に、そのパワーが、中間パワーＰｍ１１に設定されたレーザビームＬが照射されても、Ｌ１記録膜３２を構成する無機反応膜５１および無機反応膜５２が溶融混合しないような低いレベルに設定される。
【００８７】
これに対して、基底パワーＰｂ１１は、そのパワーが、記録パワーＰｗ１１に設定されたレーザビームＬの照射によって加熱されたＬ１記録膜３２、そのパワーが、基底パワーＰｂ１０に設定されたレーザビームＬを照射することによって、冷却されるようなきわめて低いレベルに設定される。
【００８８】
記録パワーＰｗ１０と記録パワーＰｗ１０との関係および中間パワーＰｍ１０と中間パワーＰｍ１１との関係は、とくに限定されない。
【００８９】
同様に、基底パワーＰｂ１０と基底パワーＰｂ１１との関係も、とくに限定されない。
【００９０】
図３（ａ）に示されるように、光記録媒体１０のＬ０層２０あるいはＬ１層３０に、２Ｔ信号を記録する場合には、第一のパルス列パターンの記録パルスの数、すなわち、変調レベルが記録パワーＰｗ１０あるいはＰｗ１１まで高められた回数が「１」に設定される。本明細書においては、レーザビームＬの記録パルスのうち、先頭の記録パルスをトップパルス、最後の記録パルスをラストパルス、トップパルスとラストパルスの間に存在する記録パルスをマルチパルスという。図３（ａ）に示されるように、記録パルスの数が「１」である場合には、その記録パルスはトップパルスとなる。
【００９１】
図３（ａ）に示されるように、光記録媒体１０のＬ０層２０あるいはＬ１層３０に、２Ｔ信号を記録する場合には、第一のパルス列パターンは、変調レベルが、記録パワーＰｗ１０あるいはＰｗ１１に設定された記録パルスと、記録パルスの直後に、変調レベルが基底パワーＰｂ１０あるいはＰｂ１１に設定された冷却期間ｔｃｌを備えている。
【００９２】
以下、記録マークを形成する際に、レーザビームＬのパワーが、最後に、記録パワーＰｗ１０あるいはＰｗ１１から、基底パワーＰｂ１０あるいはＰｂ１１に低下され、基底パワーＰｂ１０あるいはＰｂ１１に保持されている期間を冷却期間といい、トップパルスが立ち上がってから冷却期間が始まるまでの期間、すなわち、記録マークの形成にあたって、レーザビームＬのパワーが、中間パワーＰｍ１０あるいはＰｍ１１から、記録パワーＰｗ１０あるいはＰｗ１１まで増大されてから、冷却期間ｔｃｌが開始されるまでの期間を加熱期間という。
【００９３】
光記録媒体１０のＬ０層２０あるいはＬ１層３０に、２Ｔ信号を記録する場合には、レーザビームＬのパワーは、時刻ｔ１１以前においては、中間パワーＰｍ１０あるいはＰｍ１１に設定され、時刻ｔ１１から時刻ｔ１２までの期間ｔｔｏｐにおいては、記録パワーＰｗ１０あるいはＰｗ１１に設定され、時刻ｔ１２から時刻ｔ１３までの期間ｔｃｌにおいては、基底パワーＰｂ１０あるいはＰｂ１１に設定され、時刻ｔ１３以降においては、再び中間パワーＰｍ１０あるいはＰｍ１１に設定される。したがって、時刻ｔ１１から時刻ｔ１２までの期間、すなわち、期間ｔｔｏｐが加熱期間に相当し、時刻ｔ１２から時刻ｔ１３までの期間ｔｃｌが冷却期間に相当する。
【００９４】
一方、光記録媒体１０のＬ０層２０あるいはＬ１層３０に、３Ｔ信号を記録する場合には、図３（ｂ）に示されるように、第一のパルス列パターンの記録パルスの数は「２」に設定され、第一のパルス列パターンは、２番目の記録パルスの直後に、変調レベルが基底パワーＰｂ１０あるいはＰｂ１１に設定された冷却期間ｔｃｌを備えている。
【００９５】
すなわち、光記録媒体１０のＬ０層２０あるいはＬ１層３０に、３Ｔ信号を記録する場合には、レーザビームＬのパワーは、時刻ｔ２１以前においては、中間パワーＰｍ１０あるいはＰｍ１１に設定され、時刻ｔ２１から時刻ｔ２２までの期間ｔｔｏｐおよび時刻ｔ２３から時刻ｔ２４までの期間ｔｌｐにおいては、記録パワーＰｗ１０あるいはＰｗ１１に設定され、時刻ｔ２２から時刻ｔ２３までの期間ｔｏｆｆおよび時刻ｔ２４から時刻ｔ２５までの期間ｔｃｌにおいては、基底パワーＰｂ１０あるいはＰｂ１１に設定され、時刻ｔ２５以降においては再び中間パワーＰｍ１０あるいはＰｍ１１に設定される。言い換えれば、３Ｔ信号に対応する記録マークの形成前は、レーザビームＬのパワーは、中間パワーＰｍ１０あるいはＰｍ１１に保持され、時刻ｔ２１において、中間パワーＰｍ１０あるいはＰｍ１１から、記録パワーＰｗ１０あるいはＰｗ１１に増大し、所定の期間ｔｔｏｐ経過後、時刻ｔ２２において、記録パワーＰｗ１０あるいはＰｗ１１から、基底パワーＰｂ１０あるいはＰｂ１１に低下し、所定の期間ｔｏｆｆ経過後、時刻ｔ２３において、基底パワーＰｂ１０あるいはＰｂ１１から、記録パワーＰｗ１０あるいはＰｗ１１に増大し、所定の期間ｔｌｐ経過後、時刻ｔ２４において、記録パワーＰｗ１０あるいはＰｗ１１から、基底パワーＰｂ１０あるいはＰｂ１１に低下し、所定の冷却期間ｔｃｌ経過後、時刻ｔ２５において、基底パワーＰｂ１０あるいはＰｂ１１から、中間パワーＰｍ１０あるいはＰｍ１１に増大するように、変調される。
【００９６】
したがって、光記録媒体１０のＬ０層２０あるいはＬ１層３０に、３Ｔ信号を形成する場合には、時刻ｔ２１から時刻ｔ２４までの期間が加熱期間に相当し、時刻ｔ２４から時刻ｔ２５までの期間が冷却期間に相当する。
【００９７】
また、光記録媒体１０のＬ０層２０あるいはＬ１層３０に、４Ｔ信号を記録する場合には、図３（ｃ）に示されるように、第一のパルス列パターンの記録パルスの数は「３」に設定され、第一のパルス列パターンは、３番目の記録パルスの直後に、変調レベルが基底パワーＰｂ１０あるいはＰｂ１１に設定された冷却期間ｔｃｌを備えている。
【００９８】
すなわち、光記録媒体１０のＬ０層２０あるいはＬ１層３０に、４Ｔ信号を記録する場合には、レーザビームＬのパワーは、時刻ｔ３１以前においては、中間パワーＰｍ１０あるいはＰｍ１１に設定され、時刻ｔ３１から時刻ｔ３２までの期間ｔｔｏｐ、時刻ｔ３３から時刻ｔ３４までの期間ｔｍｐ及び時刻ｔ３５から時刻ｔ３６までの期間ｔｌｐにおいては、記録パワーＰｗ１０あるいはＰｗ１１に設定され、時刻ｔ３２から時刻ｔ３３までの期間ｔｏｆｆ、時刻ｔ３４から時刻ｔ３５までの期間ｔｏｆｆ及び時刻ｔ３６から時刻ｔ３７までの期間ｔｃｌにおいては基底パワーＰｂ１０あるいはＰｂ１１に設定され、時刻ｔ３７以降においては再び中間パワーＰｍ１０あるいはＰｍ１１に設定される。言い換えれば、４Ｔ信号に対応する記録マークの形成前は、レーザビームＬのパワーは、中間パワーＰｍ１０あるいはＰｍ１１に保持され、時刻ｔ３１において、中間パワーＰｍ１０あるいはＰｍ１１から、記録パワーＰｗ１０あるいはＰｗ１１に増大し、所定の期間ｔｔｏｐ経過後、時刻ｔ３２において、記録パワーＰｗ１０あるいはＰｗ１１から、基底パワーＰｂ１０あるいはＰｂ１１に低下し、所定の期間ｔｏｆｆ経過後、時刻ｔ３３において、基底パワーＰｂ１０あるいはＰｂ１１から、記録パワーＰｗ１０あるいはＰｗ１１に増大し、所定の期間ｔｍｐ経過後、時刻ｔ３４において、記録パワーＰｗ１０あるいはＰｗ１１から、基底パワーＰｂ１０あるいはＰｂ１１に低下し、所定の期間ｔｏｆｆ経過後、時刻ｔ３５において、基底パワーＰｂ１０あるいはＰｂ１１から、記録パワーＰｗ１０あるいはＰｗ１１に増大し、所定の期間ｔｌｐ経過後、時刻ｔ３６において、記録パワーＰｗ１０あるいはＰｗ１１から、基底パワーＰｂ１０あるいはＰｂ１１に低下し、所定の冷却期間ｔｃｌ経過後、時刻ｔ３７において、基底パワーＰｂ１０あるいはＰｂ１１から、中間パワーＰｍ１０あるいはＰｍ１１に増大するように、変調される。
【００９９】
したがって、光記録媒体１０のＬ０層２０あるいはＬ１層３０に、４Ｔ信号を記録する場合には、時刻ｔ３１から時刻ｔ３６までの期間が加熱期間に相当し、時刻ｔ３６から時刻ｔ３７までの期間が冷却期間に相当する。
【０１００】
これに対して、光記録媒体１０のＬ０層２０あるいはＬ１層３０に、５Ｔ信号ないし８Ｔ信号のいずれかを記録する場合には、図３（ｄ）に示されるように、第一のパルス列パターンの記録パルスの数は、それぞれ、「４」ないし「７」に設定され、「４」ないし「７」の記録パルスの直後に、変調レベルが基底パワーＰｂ１０あるいはＰｂ１１に設定された冷却期間ｔｃｌを備えている。したがって、マルチパルスの数は、それぞれ、「２」ないし「５」に設定される。
【０１０１】
すなわち、図３（ｄ）に示されるように、レーザビームＬのパワーは、ｔｔｏｐ（時刻ｔ４１から時刻ｔ４２までの期間）、ｔｍｐ（時刻ｔ４３から時刻ｔ４４までの期間、時刻ｔ４５から時刻ｔ４６までの期間等）及びｔｌｐの期間（時刻ｔ４７から時刻ｔ４８までの期間）においては記録パワーＰｗ１０あるいはＰｗ１１に設定され、期間ｔｏｆｆ（時刻ｔ４２から時刻ｔ４３までの期間、時刻ｔ４６から時刻ｔ４７までの期間等）及び冷却期間ｔｃｌ（時刻ｔ４８から時刻ｔ４９までの期間）においては基底パワーＰｂ１０あるいはＰｂ１１に設定され、その他の期間においては中間パワーＰｍ１０あるいはＰｍ１１に設定される。言い換えれば、記録マークの形成前は、レーザビームＬのパワーは、中間パワーＰｍ１０あるいはＰｍ１１に保持され、時刻ｔ４１から時刻ｔ４２までの期間ｔｔｏｐ、時刻ｔ４３から時刻ｔ４４までの期間ｔｍｐ、時刻ｔ４５から時刻ｔ４６までの期間ｔｍｐおよび時刻ｔ４７から時刻ｔ４８の期間ｔｌｐにおいては、記録パワーＰｗ１０あるいはＰｗ１１に保持され、時刻ｔ４２から時刻ｔ４３までの期間ｔｏｆｆ、時刻ｔ４４から時刻ｔ４５までの期間ｔｏｆｆ、時刻ｔ４６から時刻ｔ４７までの期間ｔｏｆｆおよび時刻ｔ４８から時刻ｔ４９までの期間ｔｃｌにおいては、基底パワーＰｂ１０あるいはＰｂ１１に保持され、時刻ｔ４９において、基底パワーＰｂ１０あるいはＰｂ１１から、中間パワーＰｍ１０あるいはＰｍ１１に増大するように、変調される。
【０１０２】
したがって、光記録媒体１０のＬ０層２０あるいはＬ１層３０に、５Ｔ信号ないし８Ｔ信号のいずれかを記録する場合には、時刻ｔ４１から時刻ｔ４８までの期間が加熱期間に相当し、時刻ｔ４８から時刻ｔ４９までの期間ｔｃｌが冷却期間に相当する。
【０１０３】
以上のように、第一のパルス列パターンを用いて、レーザビームＬのパワーを変調することによって、２Ｔ信号ないし８Ｔ信号を形成すべき領域においては、そのパワーが、記録パワーＰｗ１０あるいはＰｗ１１に設定されたレーザビームＬが照射されて、Ｌ０記録膜２３またはＬ１記録膜３２を構成する無機反応膜５１および無機反応膜５２が溶融混合し、所望の長さを持った記録マークＭが形成される。
【０１０４】
このように、第１のパルス列パターンにおいては、記録マークＭを形成するための記録パルスが（ｎ−１）個（ｎはＴの倍数であり、１，７ＲＬＬ変調方式を用いた場合においては２ないし８の整数である。）に分割され、加熱期間においては、レーザビームＬのパワーが記録パワーＰｗ１０あるいはＰｗ１１と基底パワーＰｂ１０あるいはＰｂ１１に交互に設定され、前記加熱期間に続く冷却期間ｔｃｌにおいては、レーザビームの強度が基底パワーＰｂ１０あるいはＰｂ１１に設定される。また、冷却期間ｔｃｌが終了してから、次の記録マークＭを形成するためのトップパルスが立ち上がるまでの期間においては、レーザビームＬの強度が中間パワーＰｍ１０あるいはＰｍ１１に設定される。
【０１０５】
図３（ａ）ないし図３（ｄ）に示されるように、第一のパルス列パターンを用いて、レーザビームＬのパワーを変調し、光記録媒体１０のＬ１層３０にデータを記録する場合には、レーザビームＬのパワーが記録パワーＰｗ１１に設定された直後に、レーザビームＬのパワーが基底パワーＰｂ１１に変調され、基底パワーＰｂ１１は、そのパワーが、記録パワーＰｗ１１に設定されたレーザビームＬの照射によって加熱された無機反応膜５１および無機反応膜５２の領域が、そのパワーが、基底パワーＰｂ１１に設定されたレーザビームＬを照射することによって、冷却されるようなきわめて低いレベルに設定されているから、反射膜が設けられておらず、反射膜による放熱効果が得られないＬ１層３０にデータを記録するときにも、そのパワーが記録パワーＰｗ１１に設定されたレーザビームＬが照射されて、加熱された無機反応膜５１および無機反応膜５２の領域が、そのパワーが基底パワーＰｂ１１に設定されたレーザビームＬが照射されることによって、速やかに冷却される。
【０１０６】
したがって、Ｌ１層３０に、熱が過剰に蓄積されることを効果的に防止することができるから、Ｌ１層３０に、反射膜が形成されていないにもかかわらず、Ｌ１層３０に記録されたデータを再生したときに、無機反応膜５１および無機反応膜５２に生成された熱に起因して、再生信号の特性が悪化することを効果的に防止することが可能になる。
【０１０７】
一方、第一のパルス列パターンは、レーザビームＬのパワーを、記録パワーＰｗ１０あるいはＰｗ１１、記録パワーＰｗ１０あるいはＰｗ１１よりもレベルが低い中間パワーＰｍ１０あるいはＰｍ１１および中間パワーＰｍ１０あるいはＰｍ１１よりもレベルが低い基底パワーＰｂ１０あるいはＰｂ１１の３つのレベルの間で、変調するように構成され、隣り合った記録マークの間のＬ１層３０には、そのパワーが、基底パワーＰｂ１０あるいはＰｂ１１よりもレベルが高い中間パワーＰｍ１０あるいはＰｍ１１に設定されたレーザビームＬが照射されるから、基底パワーＰｂ１０あるいはＰｂ１１がきわめて低いレベルに設定されていても、Ｌ０層３０あるいはＬ１層３０に供給される熱量が不足するということがない。
【０１０８】
したがって、第一のパルス列パターンは、反射膜が形成されていないＬ１層３０に、レーザビームＬを照射して、記録マークを形成し、データを記録する場合に、好ましく使用される。
【０１０９】
一方、光記録媒体１０のＬ０層２０は、反射膜２１を備え、無機反応膜５１および無機反応膜５２に生成された熱は、反射膜２１によって速やかに放熱されるから、無機反応膜５１および無機反応膜５２が溶融混合して、記録マークＭが形成されるのに十分な熱量が供給されれば足り、したがって、第一のパルス列パターンを用いて、レーザビームＬのパワーを変調し、光記録媒体１０のＬ０層２０に、記録マークを形成して、データを記録することができる。
【０１１０】
また、第一のパルス列パターンにおいては、トップパルスのパルス幅ｔｔｏｐは、２Ｔ信号ないし８Ｔ信号のいずれを記録する場合にも、一定に設定することができ、ラストパルスのパルス幅ｔｌｐは、３Ｔ信号ないし８Ｔ信号のいずれを記録する場合にも、一定に設定することができ、マルチパルスのパルス幅ｔｍｐは、４Ｔ信号ないし８Ｔ信号のいずれを記録する場合にも、一定に設定することができ、冷却期間ｔｃｌは、２Ｔ信号ないし８Ｔ信号のいずれを記録する場合にも、一定に設定することができ、オフ期間ｔｏｆｆは、３Ｔ信号ないし８Ｔ信号のいずれを記録する場合にも、一定に設定することができるから、レーザビームＬのパワー制御を簡略化することが可能になる。
【０１１１】
しかしながら、光記録媒体１０のＬ１層３０に、データを記録する場合には、第一のパルス列パターンの冷却期間ｔｃｌは、記録線速度が高いほど、長くなるように設定することが好ましい。
【０１１２】
記録線速度を高くすると、一般に、記録感度が低下する傾向があるため、マルチパルスのパルス幅ｔｍｐなどを長くして、記録感度の低下を防止する必要が生じることがあるが、このような場合にも、記録線速度が高いほど、冷却期間ｔｃｌを長く設定することによって、記録感度を向上させつつ、良好な記録特性を得ることが可能になる。
【０１１３】
図４は、光記録媒体１０のＬ０層２０に、レーザビームＬを照射して、データを記録する場合に、レーザビームＬのパワーを変調する第二のパルス列パターンを示す波形図であり、図４（ａ）は、１，７ＲＬＬ変調方式を用いて、２Ｔ信号を記録する場合の第二のパルス列パターン、図４（ｂ）は、３Ｔ信号を記録する場合の第二のパルス列パターン、図４（ｃ）は、４Ｔ信号を記録する場合の第二のパルス列パターン、図４（ｄ）は、５Ｔ信号ないし８Ｔ信号のいずれかを記録する場合の第二のパルス列パターンを、それぞれ、示している。
【０１１４】
図４（ａ）ないし図４（ｄ）に示されるように、第二のパルス列パターンを用いて、レーザビームＬのパワーを変調するときは、レーザビームＬのパワーは、記録パワーＰｗ２および記録パワーＰｗ２りもレベルが低い基底パワーＰｂ２の２つのレベルの間で、変調される。
【０１１５】
記録パワーＰｗ２は、Ｌ０層２０に、そのパワーが、記録パワーＰｗ２に設定されたレーザビームＬを照射することによって、Ｌ０記録膜２３を構成する無機反応膜５１および無機反応膜５２が溶融混合して、記録マークＭが形成されるような高いレベルに設定され、一方、基底パワーＰｂ２は、Ｌ０層２０に、そのパワーが、基底パワーＰｂ２に設定されたレーザビームＬが照射されても、Ｌ０記録膜２３を構成する無機反応膜５１および無機反応膜５２が溶融混合することがないような低いレベルに設定される。この場合、基底パワーＰｂ２は、レーザビームＬの照射によって、Ｌ０記録膜２３に与える熱的な影響がほとんどなく、そのパワーが、記録パワーＰｗ２に設定されたレーザビームＬの照射により加熱されたＬ０記録膜２３が冷却されるようなきわめて低いレベルに設定することもできる。
【０１１６】
図４（ａ）に示されるように、光記録媒体１０のＬ０層２０に、２Ｔ信号を記録する場合には、第二のパルス列パターンの変調レベルが記録パワーＰｗ２に設定された記録パルスの数が「１」に設定される。
【０１１７】
すなわち、第二のパルスレーザルパターンを用いて、レーザビームＬのパワーを変調し、光記録媒体１０のＬ０層２０に、２Ｔ信号を記録する場合には、レーザビームＬのパワーは、時刻ｔ５１から時刻ｔ５２までの期間ｔｔｏｐにおいては、記録パワーＰｗ２に設定され、時刻ｔ５２以降においては、再び基底パワーＰｂ２に設定される。換言すれば、レーザビームＬのパワーは、２Ｔ信号に対応する記録マーク形成前は、基底パワーＰｂ２に保持され、時刻ｔ５１において、基底パワーＰｂ２から、記録パワーＰｗ２に増大し、所定の期間ｔｔｏｐ経過後、時刻ｔ５２において、記録パワーＰｗ２から、基底パワーＰｂ２に低下するように変調される。
【０１１８】
一方、光記録媒体１０のＬ０層２０に、３Ｔ信号を記録する場合には、図４（ｂ）に示されるように、第二のパルス列パターンの記録パルスの数は「２」に設定され、レーザビームＬのパワーは、時刻ｔ６１から時刻ｔ６２までの期間ｔｔｏｐ及び時刻ｔ６３から時刻ｔ６４までの期間ｔｌｐにおいては記録パワーＰｗ２に設定され、その他の期間においては基底パワーＰｂ２に設定される。言い換えれば、レーザビームＬのパワーは、３Ｔ信号に対応する記録マークの形成前は、基底パワーＰｂ２に保持され、時刻ｔ６１において、基底パワーＰｂ２から、記録パワーＰｗ２に増大し、所定の期間ｔｔｏｐ経過後、時刻ｔ６２において、記録パワーＰｗ２から、基底パワーＰｂ２に低下し、所定の期間ｔｏｆｆ経過後、時刻ｔ６３において、基底パワーＰｂ２から、記録パワーＰｗ２に増大し、所定の期間ｔｌｐ経過後、時刻ｔ６４において、記録パワーＰｗ２から、基底パワーＰｂ２に低下するように変調される。
【０１１９】
また、光記録媒体１０のＬ０層２０に、４Ｔ信号を記録する場合には、図４（ｃ）に示されるように、第二のパルス列パターンの記録パルスの数は「３」に設定され、レーザビームＬのパワーは、時刻ｔ７１から時刻ｔ７２までの期間ｔｔｏｐ、時刻ｔ７３から時刻ｔ７４までの期間ｔｍｐ及び時刻ｔ７５から時刻ｔ７６までの期間ｔｌｐにおいては、記録パワーＰｗ２に設定され、その他の期間においては、基底パワーＰｂ２に設定される。換言すれば、レーザビームＬのパワーは、４Ｔ信号に対応する記録マークの形成前は、基底パワーＰｂ２に保持され、時刻ｔ７１において、基底パワーＰｂ２から、記録パワーＰｗ２に増大し、所定の期間ｔｔｏｐ経過後、時刻ｔ７２において、記録パワーＰｗ２から、基底パワーＰｂ２に低下し、所定の期間ｔｏｆｆ経過後、時刻ｔ７３において、基底パワーＰｂ２から、記録パワーＰｗ２に増大し、所定の期間ｔｍｐ経過後、時刻ｔ７４において、記録パワーＰｗ２から、基底パワーＰｂ２に低下し、所定の期間ｔｏｆｆ経過後、時刻ｔ７５において、基底パワーＰｂ２から、記録パワーＰｗ２に増大し、所定の期間ｔｌｐ経過後、時刻ｔ７６において、記録パワーＰｗ２から、基底パワーＰｂ２に低下するように変調される。
【０１２０】
これに対して、光記録媒体１０のＬ０層２０あるいはＬ１層３０に、５Ｔ信号ないし８Ｔ信号のいずれかを記録する場合には、図４（ｄ）に示されるように、第二のパルス列パターンの記録パルスの数は、それぞれ、「４」ないし「７」に設定され、レーザビームＬのパワーは、ｔｔｏｐ（時刻ｔ８１から時刻ｔ８２までの期間）、ｔｍｐ（時刻ｔ８３から時刻ｔ８４までの期間、時刻ｔ８５から時刻ｔ８６までの期間等）及びｔｌｐの期間（時刻ｔ８７から時刻ｔ８８までの期間）においては、記録パワーＰｗ２に設定され、その他の期間においては、基底パワーＰｂ２に設定される。すなわち、レーザビームＬのパワーは、５Ｔ信号ないし８Ｔ信号のいずれかに対応する記録マークの形成前においては、基底パワーＰｂ２に保持され、時刻ｔ８１において、基底パワーＰｂ２から、記録パワーＰｗ２に増大し、所定の期間ｔｔｏｐ経過後、時刻ｔ８２において、記録パワーＰｗ２から、基底パワーＰｂ２に低下し、所定の期間ｔｏｆｆ経過後、時刻ｔ８３において、基底パワーＰｂ２から、記録パワーＰｗ２に増大し、所定の期間ｔｍｐ経過後、時刻ｔ８４において、記録パワーＰｗ２から、基底パワーＰｂ２に低下し、所定の期間ｔｏｆｆ経過後、時刻ｔ８５において、基底パワーＰｂ２から、記録パワーＰｗ２に増大し、所定の期間ｔｍｐ経過後、時刻ｔ８６において、記録パワーＰｗ２から、基底パワーＰｂ２に低下し、所定の期間ｔｏｆｆ経過後、時刻ｔ８７において、基底パワーＰｂ２から、記録パワーＰｗ２に増大し、所定の期間ｔｌｐ経過後、時刻ｔ８８において、記録パワーＰｗ２から、基底パワーＰｂ２に低下するように変調される。
【０１２１】
以上のように、第二のパルス列パターンを用いて、レーザビームＬのパワーを変調することによって、２Ｔ信号ないし８Ｔ信号を形成すべき領域においては、そのパワーが、記録パワーＰｗ２に設定されたレーザビームＬが照射されて、Ｌ０記録膜２３を構成する無機反応膜５１および無機反応膜５２が溶融混合し、所望の長さを持った記録マークＭが形成される。
【０１２２】
このように構成された第二のパルス列パターンは、Ｌ０層２０にデータを記録する場合には、適用可能であるが、Ｌ１層３０に対するデータの記録には不適切である。以下、その理由について詳述する。
【０１２３】
図５は、第二のパルス列パターンを用いて、レーザビームＬのパワーを変調し、Ｌ１層３０にデータを記録した場合の再生信号の信号特性を示す模式的なグラフであり、基底パワーＰｂ２をきわめて低いレベルに設定した場合、例えば、０．１ｍＷに設定した場合における記録パワーＰｗ２のレベルと２Ｔ信号及び８Ｔ信号のＣ／Ｎ比との関係を示している。
【０１２４】
図５に示されるように、第二のパルス列パターンを用いて、レーザビームＬのパワーを変調するとともに、基底パワーＰｂ２を極めて低いレベルに設定して、Ｌ１層３０にデータを記録した場合において、８Ｔ信号のＣ／Ｎ比が最大となる記録パワーＰｗ２のレベルを「ａ」とし、２Ｔ信号のＣ／Ｎ比が最大となる記録パワーＰｗ２のレベルを「ｂ」とすると、ａ＜ｂとなる。
【０１２５】
したがって、記録パワーＰｗ２のレベルをａに設定したときは、８Ｔ信号のＣ／Ｎ比が最大となる一方で、２Ｔ信号のＣ／Ｎ比が低下し、記録パワーＰｗ２のレベルをｂに設定したときは、２Ｔ信号のＣ／Ｎ比が最大となる一方で、８Ｔ信号のＣ／Ｎ比が低下してしまう。具体的には、記録パワーＰｗ２のレベルをａに設定した場合に得られる２Ｔ信号のＣ／Ｎ比及び８Ｔ信号のＣ／Ｎ比を、それぞれ、「Ａ２」及び「Ａ８」（最大値）とし、記録パワーＰｗ２のレベルをｂに設定した場合に得られる２Ｔ信号のＣ／Ｎ比及び８Ｔ信号のＣ／Ｎ比を、それぞれ、「Ｂ２」（最大値）及び「Ｂ８」とすると、記録パワーＰｗ２の強度をａに設定すれば、２Ｔ信号のＣ／Ｎ比が（Ｂ２−Ａ２）だけ低下し、その一方で、記録パワーＰｗ２の強度をｂに設定すれば、８Ｔ信号のＣ／Ｎ比が（Ａ８−Ｂ８）だけ低下することになる。
【０１２６】
この場合、（Ｂ２−Ａ２）の値又は（Ａ８−Ｂ８）の値が十分に小さければ、記録パワーＰｗ２のレベルをａとｂの間、あるいは、その近傍に設定することにより、２Ｔ信号のＣ／Ｎ比及び８Ｔ信号のＣ／Ｎ比をともに、ある程度高い値とすることができるが、実際に得られるジッタは、８Ｔ信号のＣ／Ｎ比よりも２Ｔ信号のＣ／Ｎ比に大きく依存するため、（Ｂ２−Ａ２）の値がある程度小さい場合であっても、現実的には、記録パワーＰｗ２のレベルをｂの近傍に設定せざるを得ない。このため、（Ｂ２−Ａ２）の値が小さくても、（Ａ８−Ｂ８）の値が大きい場合には、良好なジッタを得ることができなくなってしまう。
【０１２７】
第二のパルス列パターンを用いて、レーザビームＬのパワーを変調するとともに、基底パワーＰｂ２を極めて低いレベルに設定して、Ｌ１層３０にデータを記録した場合においては、（Ａ８−Ｂ８）の値が非常に大きく、約１０ｄＢ以上になるため、良好なジッタが得られなくなってしまう。
【０１２８】
かかる問題は、基底パワーＰｂ２のレベルを高くすることによって解決することができる。つまり、第二のパルス列パターンを用いて、レーザビームＬのパワーを変調するとともに、基底パワーＰｂ２を、そのパワーが、基底パワーＰｂ２に設定されたレーザビームＬを照射したときに、Ｌ１記録膜３２に実質的に熱的影響が与えられるレベルに設定して、Ｌ１層３０にデータを記録すれば、（Ｂ２−Ａ２）の値及び（Ａ８−Ｂ８）の値が小さくなり、結果的に、２Ｔ信号のＣ／Ｎ比及び８Ｔ信号のＣ／Ｎ比をともに、最大にすることが可能になる。
【０１２９】
図６は、これを説明するための模式的なグラフであり、第二のパルス列パターンを用いて、レーザビームＬのパワーを変調するとともに、基底パワーＰｂ２を、そのパワーが、基底パワーＰｂ２に設定されたレーザビームＬを照射したときに、Ｌ１記録膜３２に実質的に熱的影響が与えられるレベル、例えば、２．４ｍＷに設定して、Ｌ１層３０にデータを記録する場合ににおける記録パワーＰｗ２のレベルと２Ｔ信号及び８Ｔ信号のＣ／Ｎ比との関係を示している。
【０１３０】
図６に示されるように、基底パワーＰｂ２のレベルをいわめて低いレベルから、徐々に高くしていくと、記録パワーＰｗ２のレベルと２Ｔ信号及び８Ｔ信号のＣ／Ｎ比との関係が変化し、基底パワーＰｂ２が所定のレベルに達した場合に、８Ｔ信号のＣ／Ｎ比が最大となる記録パワーＰｗ２のレベル及び２Ｔ信号のＣ／Ｎ比が最大となる記録パワーＰｗ２のレベルがいずれも「ｃ」になって、一致する。したがって、記録パワーＰｗ２のレベルをｃに設定すれば、８Ｔ信号のＣ／Ｎ比及び２Ｔ信号のＣ／Ｎ比をともに、最大にすることができる。
【０１３１】
しかしながら、記録パワーＰｗ２のレベルをｃに設定した場合に得られる２Ｔ信号のＣ／Ｎ比及び８Ｔ信号のＣ／Ｎ比を、それぞれ、「Ｃ２」及び「Ｃ８」（いずれも最大値）とすると、図６に示されるように、Ｃ２の値はＢ２の値よりも低くなり、且つ、Ｃ８の値はＡ８の値よりも低くなってしまう。この場合、２Ｔ信号についてＣ／Ｎ比の低下（Ｂ２−Ｃ２）が特に顕著であり、このため、記録パワーＰｗ２のレベルをｃに設定しても、実際には、良好なジッタを得ることができない。これは、上述の通り、実際に得られるジッタが、２Ｔ信号のＣ／Ｎ比に大きく依存するためである。
【０１３２】
以上のように、Ｌ１層３０にデータを記録する際に、第二のパルス列パターンを用いて、レーザビームＬのパワーを変調すると、基底パワーＰｂ２のレベルが低い場合に、（Ａ８−Ｂ８）の値が大きくなるため、良好なジッタを得ることができず、基底パワーＰｂ２のレベルがある程度高い場合には、（Ｂ２−Ｃ２）の値が大きくなるため、やはり良好なジッタを得ることができないという問題が生じる。
【０１３３】
これに対して、Ｌ１層３０にデータを記録するがあいに、図３に示された第一のパルス列パターンを用いて、レーザビームＬｎｏパワーを変調するときは、２Ｔ信号のＣ／Ｎ比及び８Ｔ信号のＣ／Ｎ比を高く保ったまま、８Ｔ信号のＣ／Ｎ比が最大となる記録パワーＰｗ１１のレベル及び２Ｔ信号のＣ／Ｎ比が最大となる記録パワーＰｗ１１のレベルをほぼ一致させることが可能になる。
【０１３４】
図７は、これを説明するための模式的なグラフであり、第一のパルス列パターンを用いて、レーザビームＬのパワーを変調して、Ｌ１層３０にデータを記録する場合における記録パワーＰｗ１１のレベルと２Ｔ信号及び８Ｔ信号のＣ／Ｎ比との関係を示している。
【０１３５】
図７に示されるように、、第一のパルス列パターンを用いて、レーザビームＬのパワーを変調して、Ｌ１層３０にデータを記録するときは、第二のパルス列パターンにおいて、基底パワーＰｂ２を極めて低いレベルに設定した場合に得られる特性がグラフ上で横方向にシフトしたような特性となり、記録パワーＰｗ１１のレベルが「ｄ」である場合に、８Ｔ信号のＣ／Ｎ比及び２Ｔ信号のＣ／Ｎ比をともに、最大にすることができる。
【０１３６】
ここで、記録パワーＰｗ１１のレベルをｄに設定した場合に得られる２Ｔ信号のＣ／Ｎ比及び８Ｔ信号のＣ／Ｎ比を、それぞれ、「Ｄ２」及び「Ｄ８」（いずれも最大値）とすると、図７に示されるように、Ｄ２の値はＢ２の値とほぼ等しくなり、且つ、Ｄ８の値はＡ８の値とほぼ等しくなる。したがって、記録パワーＰｗ１１のレベルをｄに設定すれば、２Ｔ信号のＣ／Ｎ比及び８Ｔ信号のＣ／Ｎ比をともに、高くすることが可能となり、これにより、実際に良好なジッタを得ることが可能となる。
【０１３７】
このような現象が生じるのは、上述の通り、Ｌ１層３０には反射膜が含まれていないため、Ｌ０層２０とは異なり反射膜による放熱効果が得られないことに起因するものである。つまり、第二のパルス列パターンを用いて、レーザビームＬのパワーを変調して、Ｌ１層３０にデータを記録する場合、基底パワーＰｂ２のレベルを低く設定したときには、全体的な熱量不足により、結果的に、（Ａ８−Ｂ８）の値が大きくなる一方で、基底パワーＰｂ２のレベルをある程度高く設定したときには、全体的な熱量過剰により、結果的に、（Ｂ２−Ｃ２）の値が大きくなってしまうが、Ｌ１層３０にデータを記録する際に、第一のパルス列パターンを用いれば、記録パルスの直後において、レーザビームＬのパワーが基底パワーＰｂ１１に設定されるため、記録マークＭが形成される領域において、熱が過剰に蓄積されることがなく、さらに、記録マーク間において、レーザビームＬのパワーが中間パワーＰｍ１１に設定されるため、全体的な熱量不足が解消される。その結果、放熱性が低いＬ１層３０においても、良好な信号特性を得ることが可能となるのである。
【０１３８】
以上のように、Ｌ１層３０にデータを記録する場合には、図４に示される第二のパルス列パターンではなく、図３に示される第一のパルス列パターンを用いることにより、良好な記録特性を得ることが可能となる。
【０１３９】
好ましくは、パルス列パターンを特定するための情報は、「記録条件設定情報」として、光記録媒体１０に記録され、ユーザが実際にデータの記録を行う際に、情報記録装置によってかかる記録条件設定情報が読み出され、これに基づいてパルス列パターンを決定される。
【０１４０】
「記録条件設定情報」としては、パルス列パターンのみならず、光記録媒体１０にデータを記録する場合に必要な各種条件（記録線速度等）を特定するために必要な情報を含んでいることがより好ましい。「記録条件設定情報」は、ウォブルやプレピットの形で、記録されたものでもよく、Ｌ０層２０及び／又はＬ１層３０にデータとして記録されたものでもよい。また、データの記録に必要な各条件を直接的に示すもののみならず、情報記録装置内にあらかじめ格納されている各種条件のいずれかを指定することにより、パルス列パターン等の特定を間接的に行うものであってもよい。
【０１４１】
図８は、光記録媒体１０に、データを記録する情報記録装置のダイアグラムである。
【０１４２】
図８に示されるように、情報記録装置１００は、光記録媒体１０を回転させるスピンドルモータ１０１と、光記録媒体１０にレーザビームＬを照射するとともに、光記録媒体１０により反射されたレーザビームＬ’を受光する光ヘッド１１０と、光ヘッド１１０を光記録媒体１０の径方向に移動させるトラバースモータ１０２と、光ヘッド１１０にレーザ駆動信号を供給するレーザ駆動回路１０３と、光ヘッド１１０レンズ駆動信号を供給するレンズ駆動回路１０４と、スピンドルモータ１０１、トラバースモータ１０２、レーザ駆動回路１０３およびレンズ駆動回路１０４を制御するコントローラ１０５とを備えている。
【０１４３】
光ヘッド１１０は、レーザ駆動信号１０３ａに基づいて、レーザビームＬを発するレーザ光源１１１と、レーザ光源１１１が発するレーザビームＬを平行光線に変換するコリメータレンズ１１２と、レーザビームＬの光路上に配置されたビームスプリッタ１１３と、レーザビームＬを集光する対物レンズ１１４と、レンズ駆動信号に基づいて、対物レンズ１１４を垂直方向および水平方向に移動させるアクチュエータ１１５と、光記録媒体１０により反射されたレーザビームＬ’を受光して、光電変換するフォトディテクタ１１６とを備えている。
【０１４４】
スピンドルモータ１０１は、光記録媒体１０を、所望の回転数で回転するように、コントローラ１０５によって制御されている。
【０１４５】
光記録媒体１０の回転を制御する方法としては、線速度を一定に保って、光記録媒体１０を回転させるＣＬＶ方式と、角速度を一定に保って、光記録媒体１０を回転させるＣＡＶ方式とに大別することができる。
【０１４６】
ＣＬＶ方式を用いて、光記録媒体１０の回転を制御する場合には、データが記録されている光記録媒体１０の径方向の位置あるいはデータが再生されている光記録媒体１０の径方向の位置にかかわらず、データ転送レートを一定に保つことができるとなることから、常に、高いデータ転送レートで、データを記録し、データを再生することができ、高い記録密度で、データを記録することが可能になるが、その一方で、データが記録されている光記録媒体１０の径方向の位置あるいはデータが再生されている光記録媒体１０の径方向の位置に応じて、光記録媒体１０の回転数を変化させる必要があるため、スピンドルモータ１０１の制御が複雑になり、このため、ランダムアクセス速度が遅いという欠点を有している。
【０１４７】
一方、ＣＡＶ方式を用いて、光記録媒体１０の回転を制御する場合には、スピンドルモータ１０１の制御が簡単で、ランダムアクセス速度が速いという利点があるが、その一方で、光記録媒体１０の外周部におけるデータ記録密度がやや低くなるという欠点を有している。
【０１４８】
トラバースモータ１０２は、コントローラ１０５によって制御され、光ヘッド１１０を光記録媒体１０の径方向に移動させるように構成され、光記録媒体１０にデータを記録し、光記録媒体１０からデータを再生するときには、光記録媒体１０に設けられた螺旋状のグルーブ１１ｂに沿って、レーザビームＬのスポットが、光記録媒体１０の内周部から外周部へ徐々に移動するよう、光ヘッド１１０を駆動する。
【０１４９】
また、光記録媒体１０にデータを記録し、光記録媒体１０からデータを再生する光記録媒体１０の径方向の位置を変更する場合にも、コントローラ１０５は、トラバースモータ１０２を制御して、レーザビームＬのスポットを光記録媒体１０上の所望の位置に移動させる。
【０１５０】
レーザ駆動回路１０３は、コントローラ１０５によって制御され、レーザ駆動信号を、光ヘッド１１０のレーザ光源１１１に供給する。レーザ光源１１１は、レーザ駆動回路１０３から供給されたレーザ駆動信号に対応するパワーのレーザビームＬを生成する。
【０１５１】
レーザ駆動回路１０３は、光記録媒体１０のＬ０層２０にデータを記録するときは、レーザビームＬのパワーが第一のパルス列パターンあるいは第二のパルス列パターンにしたがって変調されるように、その強度が変調されたレーザ駆動信号を生成して、光ヘッド１１０のレーザ光源１１１に供給し、一方、光記録媒体１０のＬ１層３０にデータを記録するときは、レーザビームＬのパワーが第一のパルス列パターンにしたがって変調されるように、その強度が変調されたレーザ駆動信号を生成して、光ヘッド１１０のレーザ光源１１１に供給する。
【０１５２】
これに対して、光記録媒体１０からデータを再生するときは、レーザ駆動回路１０３は、一定の強度を有するレーザ駆動信号を生成して、光ヘッド１１０のレーザ光源１１１に供給し、レーザ光源１１１から、一定のレベルの再生パワーＰｒを有するレーザビームＬを発せさせる。
【０１５３】
レンズ駆動回路１０４は、コントローラ１０５によって制御され、アクチュエータ１１５にレンズ駆動信号を供給するように構成されている。
【０１５４】
コントローラ１０５は、フォーカス制御回路１０５ａを備えており、フォーカス制御回路１０５ａがオン状態となると、レーザビームＬのスポットが、光記録媒体１０のＬ０層２０あるいはＬ１層３０にフォーカスされた状態で、固定される。また、コントローラ１０５は、トラッキング制御回路１０５ｂを備えており、トラッキング制御回路１０５ｂがオン状態となると、レーザビームＬのスポットが、光記録媒体１０のグルーブ１１ｂあるいはグルーブ１２ｂに対して、自動追従状態とされる。したがって、レーザビームＬのスポットを、光記録媒体１０のＬ０層２０あるいはＬ１層３０に正しくフォーカスさせるとともに、光記録媒体１０のグルーブ１１ｂあるいはグルーブ１２ｂに対して、レーザビームＬのスポットを追従させることができる。
【０１５５】
以上のように構成された情報記録装置１００は、以下のようにして、レーザビームＬを光記録媒体１０に照射する。
【０１５６】
まず、コントローラ１０５は、レーザ駆動回路１０３から、レーザ光源１１１に、レーザ駆動信号を出力させる。
【０１５７】
その結果、レーザ光源１１１から、レーザビームＬが発せられ、レーザ光源１１１から発せられたレーザビームＬは、コリメータレンズ１１２によって平行光線に変換される。
【０１５８】
次いで、ビームスプリッタ１１３を介して、レーザビームＬは、対物レンズ１１４に入射し、光記録媒体１０に形成されたグルーブ１１ｂあるいはグルーブ１２ｂ上に集束される。
【０１５９】
光記録媒体１０に記録されたデータを再生するときは、光記録媒体１０のＬ０層２０あるいはＬ１層３０に照射されたレーザビームＬの反射光Ｌ’は、対物レンズ１１４によって、平行光線に変換された後、ビームスプリッタ１１３によって反射される。ビームスプリッタ１１３によって反射されたレーザビームＬ’は、フォトディテクタ１１６に入射して、光電的に検出され、生成されたデータは、コントローラ１０５に出力される。
【０１６０】
このような構成からなる情報記録装置１００を用いて、光記録媒体１０にデータを記録する場合、上述のとおり、光記録媒体１０に記録されている記録条件設定情報が読み出され、コントローラ１０５の制御にしたがって、読み出された記録条件設定情報に基づき、記録条件が決定されて、光記録媒体１０にデータが記録される。
【０１６１】
すなわち、コントローラ１０５は、Ｌ０層２０にデータを記録する場合には、レーザビームＬの波形が第一のパルス列パターン又は第二のパルス列パターンとなるように、レーザ駆動回路１０３を制御し、Ｌ１層３０にデータを記録する場合には、レーザビームＬの波形が第一のパルス列パターンとなるように、レーザ駆動回路１０３を制御する。
【０１６２】
このように、レーザ駆動回路１０３を制御することによって、Ｌ０層２０に対するデータの記録特性のみならず、放熱性の低いＬ１層３０に対するデータの記録特性も向上させることが可能になる。
【０１６３】
Ｌ１層３０にデータを記録する場合、好ましくは、コントローラ１０５は、記録線速度が高いほど、第一のパルス列パターンの冷却期間ｔｃｌが長くなるように、レーザ駆動回路１０３を制御する。これにより、高い記録線速度で、Ｌ１層３０にデータを記録する場合においても、良好な信号特性を得ることが可能になる。
【実施例】
【０１６４】
以下、本発明の効果をより明瞭なものとするため、実施例および比較例を掲げる。
【０１６５】
実施例１
［サンプルの作製］
以下の方法により、図１に示される光記録媒体１０と同じ構造を有する光記録媒体サンプルを作製した。
【０１６６】
まず、射出成型法により、１．１ｍｍの厚さと、１２０ｍｍの直径を有し、その表面に、トラックピッチ（グルーブピッチ）が０．３２μｍとなるように、グルーブとランドが形成されたディスク状のポリカーボネート基板を作製した。
【０１６７】
次いで、このポリカーボネート基板をスパッタリング装置にセットし、ポリカーボネート基板のグルーブおよびランドが形成された表面上に、Ａｇ、ＰｄおよびＣｕの合金よりなり、１００ｎｍの厚さを有する反射膜、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物を含み、２７ｎｍの厚さを有する第四の誘電体膜、Ｃｕを主成分として含み、２３原子％のＡｌと１３原子％のＡｕを添加物として含む５ｎｍの厚さを有する第二の無機反応膜、Ｓｉを主成分として含み、５ｎｍの厚さを有する第一の無機反応膜およびＺｎＳとＳｉＯ２の混合物を含み、２５ｎｍの厚さを有する第三の誘電体膜を、順次、スパッタリング法によって、形成し、ポリカーボネート基板の表面上に、Ｌ０層を形成した。
【０１６８】
第三の誘電体膜および第四の誘電体膜に含まれたＺｎＳとＳｉＯ２の混合物中のＺｎＳとＳｉＯ２のモル比率は、８０：２０であった。
【０１６９】
さらに、その表面に、Ｌ０層が形成されたポリカーボネート基板をスピンコーティング装置にセットし、ポリカーボネート基板を回転させながら、アクリル系紫外線硬化性樹脂を、溶剤に溶解して、調製した樹脂溶液を、第三の誘電体膜上に塗布して、塗膜を形成し、塗膜の表面に、グルーブおよびランドが形成されたスタンパを載置し、スタンパを介して、塗膜に、紫外線を照射して、アクリル系紫外線硬化性樹脂を硬化させ、スタンパを剥離して、その表面に、トラックピッチ（グルーブピッチ）が０．３２μｍとなるように、グルーブとランドが形成された厚さ２０μｍの透明中間層を形成した。
【０１７０】
次いで、その表面に、Ｌ０層および透明中間層が形成されたポリカーボネート基板をスパッタリング装置にセットし、Ｌ０層上に形成された透明中間層の表面に、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物を含み、２５ｎｍの厚さを有する第二の誘電体膜、Ｃｕを主成分として含み、２３原子％のＡｌと１３原子％のＡｕを添加物として含む５ｎｍの厚さを有する第二の無機反応膜、Ｓｉを主成分として含み、５ｎｍの層厚を有する第一の無機反応膜およびＴｉＯ２を主成分として含み、３０ｎｍの厚さを有する第一の誘電体膜を、順次、スパッタリング法によって、形成し、透明中間層の表面に、Ｌ１層を形成した。
【０１７１】
第二の誘電体膜に含まれたＺｎＳとＳｉＯ２の混合物中のＺｎＳとＳｉＯ２のモル比率は、８０：２０であった。
【０１７２】
さらに、アクリル系紫外線硬化性樹脂を、溶剤に溶解して、調製した樹脂溶液を、第一の誘電体膜上に、スピンコーティング法によって、塗布して、塗膜を形成し、塗膜に、紫外線を照射して、アクリル系紫外線硬化性樹脂を硬化させ、８０μｍの厚さを有する光透過層を形成し、光記録媒体サンプルを作製した。
【０１７３】
［記録特性評価１］
こうして得られた光記録媒体サンプルを、パルステック社製の光記録媒体評価装置「ＤＤＵ１０００」（商品名）にセットし、５．３ｍ／ｓｅｃの線速度で回転させながら、波長が４０５ｎｍのレーザビームを、開口数ＮＡが０．８５の対物レンズを用いて、Ｌ１層に、光透過層を介して、集光させるとともに、レーザビームのパワーを第一のパルス列パターンを用いて、変調し、光記録媒体サンプルのＬ１層に、２Ｔ単一信号および８Ｔ単一信号を記録した。
【０１７４】
第一のパルス列パターンのパルス幅は、ｔｔｏｐが０．５Ｔ、ｔｍｐおよびｔｌｐが０．４Ｔ、ｔｃｌが１．２Ｔになるように設定した。
【０１７５】
レーザビームの中間パワーＰｍ１１は２．４ｍＷに、基底パワーＰｂ１１は０．１ｍＷに固定し、記録パワーＰｗ１１は変化させた。
【０１７６】
次いで、光記録媒体サンプルのＬ１層に記録された２Ｔ単一信号および８Ｔ単一信号を再生し、再生信号のＣ／Ｎ比を測定した。レーザビームのパワーは、０．７ｍＷに設定した。
【０１７７】
測定結果は、図９に示されている。
【０１７８】
図９に示されるように、２Ｔ信号のＣ／Ｎ比が最大となる記録パワーＰｗ１１および８Ｔ信号のＣ／Ｎ比が最大となる記録パワーＰｗ１１は、いずれも、９ｍＷであった。
【０１７９】
また、２Ｔ信号のＣ／Ｎ比の最大値は、４５．７ｄＢ、８Ｔ信号のＣ／Ｎ比の最大値は、６０．３ｄＢであり、十分に高いＣ／Ｎ比を有する信号が再生されることがわかった。
【０１８０】
一方、再生された２Ｔ単一信号および８Ｔ単一信号のクロックジッタが最小になる記録パワーＰｗ１１を求めたところ、それぞれ、８．６ｍＷであり、クロックジッタの最小値は５．３％で、きわめて低くなることが判明した。
【０１８１】
ここに、クロックジッターは、タイムインターバルアナライザにより、再生信号のゆらぎ（σ）を求め、σ／Ｔｗにより算出した。ここに、Ｔｗはクロックの１周期である。
【０１８２】
比較例１
実施例１と同様にして作製した光記録媒体サンプルを、パルステック社製の光ディスク評価装置「ＤＤＵ１０００」（商品名）にセットし、５．３ｍ／ｓｅｃの線速度で回転させながら、波長が４０５ｎｍのレーザビームを、開口数ＮＡが０．８５の対物レンズを用いて、Ｌ１層に、光透過層を介して、集光させるとともに、レーザビームのパワーを第二のパルス列パターンを用いて、変調し、光記録媒体サンプルのＬ１層に、２Ｔ単一信号および８Ｔ単一信号を記録した。
【０１８３】
第二のパルス列パターンのパルス幅は、ｔｔｏｐが０．５Ｔ、ｔｍｐおよびｔｌｐが０．４Ｔになるように設定した。
【０１８４】
レーザビームの基底パワーＰｂ２は０．１ｍＷに固定し、記録パワーＰｗ２は変化させた。
【０１８５】
次いで、光記録媒体サンプルのＬ１層に記録された２Ｔ単一信号および８Ｔ単一信号を再生し、再生信号のＣ／Ｎ比を測定した。レーザビームのパワーは、０．７ｍＷに設定した。
【０１８６】
測定結果は、図１０に示されている。
【０１８７】
図１０に示されるように、２Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比が最大となる記録パワーＰｗ２は１２ｍＷで、８Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比が最大となる記録パワーＰｗ２は１０ｍＷであり、両者は一致しなかった。
【０１８８】
また、記録パワーＰｗ２を１０ｍＷに設定した場合に得られる２Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比は４４．７ｄＢであり、記録パワーＰｗ２の強度を１０ｍＷに設定した場合に得られる８Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比は６０．１ｄＢであった。
【０１８９】
一方、記録パワーＰｗ２を１２ｍＷに設定した場合に得られる２Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比は４６．３ｄＢであり、記録パワーＰｗ２の強度を１２ｍＷに設定した場合に得られる８Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比は４９．６ｄＢであった。
【０１９０】
したがって、２Ｔ単一信号の劣化量、すなわち、記録パワーＰｗ２を１２ｍＷに設定した場合に得られる２Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比と、記録パワーＰｗ２を１０ｍＷに設定した場合に得られる２Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比との差が、１．６ｄＢであったのに対し、８Ｔ単一信号の劣化量、すなわち、記録パワーＰｗ２を１０ｍＷに設定した場合に得られる８Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比と、記録パワーＰｗ２を１２ｍＷに設定した場合に得られる８Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比との差は、１０．５ｄＢであり、非常に大きいことがわかった。
【０１９１】
さらに、再生された２Ｔ単一信号および８Ｔ単一信号のクロックジッタが最小になる記録パワーＰｗ２を求めたところ、それぞれ、１０．２ｍＷであり、クロックジッタの最小値は１３．５％で、実施例１に比して、大幅に悪化することが判明した。したがって、２Ｔ信号の劣化量、すなわち、記録パワーＰｗ２を１２ｍＷに設定した場合に得られる２Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比と、記録パワーＰｗ２を１０ｍＷに設定した場合に得られる２Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比との差が小さくても、８Ｔ信号の劣化量、すなわち、記録パワーＰｗ２を１０ｍＷに設定した場合に得られる８Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比と、記録パワーＰｗ２を１２ｍＷに設定した場合に得られる８Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比との差が大きい場合には、良好な特性が得られないことが確認された。
【０１９２】
比較例２
実施例１と同様にして作製した光記録媒体サンプルを、パルステック社製の光ディスク評価装置「ＤＤＵ１０００」（商品名）にセットし、基底パワーＰｂ２を、１．２ｍＷに固定した点を除き、比較例１と同様にして、光記録媒体サンプルのＬ１層に、２Ｔ単一信号および８Ｔ単一信号を記録し、記録された２Ｔ単一信号および８Ｔ単一信号を再生して、再生信号のＣ／Ｎ比を測定した。
【０１９３】
測定結果は、図１１に示されている。
【０１９４】
図１１に示されるように、２Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比が最大となる記録パワーＰｗ２は１１ｍＷで、８Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比が最大となる記録パワーＰｗ２は９ｍＷであり、両者は一致しなかった。
【０１９５】
また、記録パワーＰｗ２を９ｍＷに設定した場合に得られる２Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比は４５．０ｄＢであり、記録パワーＰｗ２の強度を９ｍＷに設定した場合に得られる８Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比は６０．０ｄＢであった。
【０１９６】
一方、記録パワーＰｗ２を１１ｍＷに設定した場合に得られる２Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比は４５．８ｄＢであり、記録パワーＰｗ２の強度を１１ｍＷに設定した場合に得られる８Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比は４９．４ｄＢであった。
【０１９７】
したがって、２Ｔ単一信号の劣化量、すなわち、記録パワーＰｗ２を１１ｍＷに設定した場合に得られる２Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比と、記録パワーＰｗ２を９ｍＷに設定した場合に得られる２Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比との差が、０．８ｄＢであったのに対し、８Ｔ単一信号の劣化量、すなわち、記録パワーＰｗ２を９ｍＷに設定した場合に得られる８Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比と、記録パワーＰｗ２を１１ｍＷに設定した場合に得られる８Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比との差は、１０．６ｄＢであり、非常に大きいことがわかった。
【０１９８】
さらに、再生された２Ｔ信号および８Ｔ信号のクロックジッタが最小になる記録パワーＰｗ２を求めたところ、それぞれ、９．４ｍＷであり、クロックジッタの最小値は１４．３％で、実施例１に比して、大幅に悪化することが判明した。したがって、２Ｔ単一信号の劣化量、すなわち、記録パワーＰｗ２を１１ｍＷに設定した場合に得られる２Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比と、記録パワーＰｗ２を９ｍＷに設定した場合に得られる２Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比との差が小さくても、８Ｔ単一信号の劣化量、すなわち、記録パワーＰｗ２を９ｍＷに設定した場合に得られる８Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比と、記録パワーＰｗ２を１１ｍＷに設定した場合に得られる８Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比との差が大きい場合には、良好な特性が得られないことが確認された。
【０１９９】
比較例３
実施例１と同様にして作製した光記録媒体サンプルを、パルステック社製の光ディスク評価装置「ＤＤＵ１０００」（商品名）にセットし、基底パワーＰｂ２を、２．４ｍＷに固定した点を除き、比較例１と同様にして、光記録媒体サンプルのＬ１層に、２Ｔ単一信号および８Ｔ単一信号を記録し、記録された２Ｔ単一信号および８Ｔ単一信号を再生して、再生信号のＣ／Ｎ比を測定した。
【０２００】
測定結果は、図１２に示されている。
【０２０１】
図１２に示されるように、２Ｔ信号のＣ／Ｎ比が最大となる記録パワーＰｗ２および８Ｔ信号のＣ／Ｎ比が最大となる記録パワーＰｗは、いずれも、８ｍＷであった。
【０２０２】
しかしながら、２Ｔ信号のＣ／Ｎ比の最大値は、４３．９ｄＢ、８Ｔ信号のＣ／Ｎ比の最大値は、５９．６ｄＢであり、実施例１に比して、低くなることがわかった。
【０２０３】
さらに、再生された２Ｔ信号および８Ｔ信号のクロックジッタが最小になる記録パワーＰｗ２を求めたところ、それぞれ、７．０ｍＷであり、クロックジッタの最小値は１５．０％で、実施例１に比して、大幅に悪化することが判明した。
【０２０４】
実施例２
実施例１と同様にして作製した光記録媒体サンプルを、パルステック社製の光ディスク評価装置「ＤＤＵ１０００」（商品名）にセットし、５．３ｍ／ｓｅｃの線速度で回転させながら、波長が４０５ｎｍのレーザビームを、開口数ＮＡが０．８５の対物レンズを用いて、Ｌ０層に、光透過層を介して、集光させるとともに、レーザビームのパワーを第一のパルス列パターンを用いて、変調し、光記録媒体サンプルのＬ０層に、２Ｔ単一信号および８Ｔ単一信号を記録した。
【０２０５】
第一のパルス列パターンのパルス幅は、ｔｔｏｐが０．７Ｔ、ｔｍｐおよびｔｌｐが０．５Ｔ、ｔｃｌが１．０Ｔになるように設定した。
【０２０６】
レーザビームの中間パワーＰｍ１０は２．０ｍＷに、基底パワーＰｂ１０は０．１ｍＷに固定し、記録パワーＰｗ１０は変化させた。
【０２０７】
次いで、光記録媒体サンプルのＬ０層に記録された２Ｔ単一信号および８Ｔ単一信号を再生し、再生信号のＣ／Ｎ比を測定した。レーザビームのパワーは、０．７ｍＷに設定した。
【０２０８】
測定結果は、図１３に示されている。
【０２０９】
図１３に示されるように、２Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比が最大となる記録パワーＰｗ１０は９ｍＷであり、一方、８Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比が最大となる記録パワーＰｗ１０は１１ｍＷで、両者は一致しなかった。
【０２１０】
また、記録パワーＰｗ１０を９ｍＷに設定した場合に得られる２Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比は４６．３ｄＢであり、記録パワーＰｗ１０の強度を９ｍＷに設定した場合に得られる８Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比は５８．９ｄＢであった。
【０２１１】
一方、記録パワーＰｗ１０を１１ｍＷに設定した場合に得られる２Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比は２９．４ｄＢであり、記録パワーＰｗ１０の強度を１１ｍＷに設定した場合に得られる８Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比は６０．１ｄＢであった。
【０２１２】
したがって、２Ｔ単一信号の劣化量、すなわち、記録パワーＰｗ１０を９ｍＷに設定した場合に得られる２Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比と、記録パワーＰｗ１０を１１ｍＷに設定した場合に得られる２Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比との差が、１６．９ｄＢで、きわめて大きかったのに対し、８Ｔ単一信号の劣化量、すなわち、記録パワーＰｗ１０を１１ｍＷに設定した場合に得られる８Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比と、記録パワーＰｗ１０を９ｍＷに設定した場合に得られる８Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比との差は、１．２ｄＢであり、非常に小さいことがわかった。
【０２１３】
さらに、再生された２Ｔ単一信号および８Ｔ単一信号のクロックジッタが最小になる記録パワーＰｗ１０を求めたところ、それぞれ、８．２ｍＷであり、クロックジッタの最小値は５．４％で、きわめて低くなることが判明した。したがって、２Ｔ単一信号の劣化量、すなわち、記録パワーＰｗ１０を１１ｍＷに設定した場合に得られる２Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比と、記録パワーＰｗ１０を９ｍＷに設定した場合に得られる２Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比との差が大きくても、８Ｔ単一信号の劣化量、すなわち、記録パワーＰｗ１０を９ｍＷに設定した場合に得られる８Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比と、記録パワーＰｗ１０を１１ｍＷに設定した場合に得られる８Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比との差が小さい場合には、良好な特性が得られることが確認された。
【０２１４】
実施例３
実施例１と同様にして作製した光記録媒体サンプルを、パルステック社製の光ディスク評価装置「ＤＤＵ１０００」（商品名）にセットし、５．３ｍ／ｓｅｃの線速度で回転させながら、波長が４０５ｎｍのレーザビームを、開口数ＮＡが０．８５の対物レンズを用いて、Ｌ０層に、光透過層を介して、集光させるとともに、レーザビームのパワーを第二のパルス列パターンを用いて、変調し、光記録媒体サンプル＃１のＬ０層に、２Ｔ単一信号および８Ｔ単一信号を記録した。
【０２１５】
第二のパルス列パターンのパルス幅は、ｔｔｏｐが０．７Ｔ、ｔｍｐおよびｔｌｐが０．５Ｔになるように設定した。
【０２１６】
レーザビームの基底パワーＰｂ２は０．１ｍＷに固定し、記録パワーＰｗ２は変化させた。
【０２１７】
次いで、光記録媒体サンプルのＬ１層に記録された２Ｔ単一信号および８Ｔ単一信号を再生し、再生信号のＣ／Ｎ比を測定した。レーザビームのパワーは、０．７ｍＷに設定した。
【０２１８】
測定結果は、図１４に示されている。
【０２１９】
図１４に示されるように、２Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比が最大となる記録パワーＰｗ２は９ｍＷであり、一方、８Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比が最大となる記録パワーＰｗ２は１１ｍＷで、両者は一致しなかった。
【０２２０】
また、記録パワーＰｗ２を９ｍＷに設定した場合に得られる２Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比は４６．５ｄＢであり、記録パワーＰｗ２の強度を９ｍＷに設定した場合に得られる８Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比は５９．１ｄＢであった。
【０２２１】
一方、記録パワーＰｗ２を１１ｍＷに設定した場合に得られる２Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比は４２．７ｄＢであり、記録パワーＰｗ２の強度を１１ｍＷに設定した場合に得られる８Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比は６０．２ｄＢであった。
【０２２２】
したがって、２Ｔ単一信号の劣化量、すなわち、記録パワーＰｗ２を９ｍＷに設定した場合に得られる２Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比と、記録パワーＰｗ２を１１ｍＷに設定した場合に得られる２Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比との差は、３．８ｄＢで、８Ｔ単一信号の劣化量、すなわち、記録パワーＰｗ２を１１ｍＷに設定した場合に得られる８Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比と、記録パワーＰｗ２を９ｍＷに設定した場合に得られる８Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比との差は、１．１ｄＢであり、いずれも、非常に小さいことがわかった。
【０２２３】
さらに、再生された２Ｔ単一信号および８Ｔ単一信号のクロックジッタが最小になる記録パワーＰｗ２を求めたところ、それぞれ、８．６ｍＷであり、クロックジッタの最小値は４．９％で、きわめて低くなることが判明した。
【０２２４】
実施例４
実施例１と同様にして作製した光記録媒体サンプルを、パルステック社製の光ディスク評価装置「ＤＤＵ１０００」（商品名）にセットし、基底パワーＰｂ２を、２．０ｍＷに固定した点を除き、実施例３と同様にして、光記録媒体サンプル＃１のＬ１層に、２Ｔ単一信号および８Ｔ単一信号を記録し、記録された２Ｔ単一信号および８Ｔ単一信号を再生して、再生信号のＣ／Ｎ比を測定した。
【０２２５】
測定結果は、図１５に示されている。
【０２２６】
図１５に示されるように、２Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比が最大となる記録パワーＰｗ２は９ｍＷであり、一方、８Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比が最大となる記録パワーＰｗ２は１１ｍＷで、両者は一致しなかった。
【０２２７】
また、記録パワーＰｗ２を９ｍＷに設定した場合に得られる２Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比は４５．４ｄＢであり、記録パワーＰｗ２の強度を９ｍＷに設定した場合に得られる８Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比は５８．０ｄＢであった。
【０２２８】
一方、記録パワーＰｗ２を１１ｍＷに設定した場合に得られる２Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比は２７．６ｄＢであり、記録パワーＰｗ２の強度を１１ｍＷに設定した場合に得られる８Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比は５９．９ｄＢであった。
【０２２９】
したがって、２Ｔ単一信号の劣化量、すなわち、記録パワーＰｗ２を９ｍＷに設定した場合に得られる２Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比と、記録パワーＰｗ２を１１ｍＷに設定した場合に得られる２Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比との差が、１７．８ｄＢで、きわめて大きかったのに対し、８Ｔ単一信号の劣化量、すなわち、記録パワーＰｗ２を１１ｍＷに設定した場合に得られる８Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比と、記録パワーＰｗ２を９ｍＷに設定した場合に得られる８Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比との差は、１．９ｄＢであり、非常に小さいことがわかった。
【０２３０】
さらに、再生された２Ｔ信号および８Ｔ信号のクロックジッタが最小になる記録パワーＰｗ２を求めたところ、それぞれ、８．２ｍＷであり、クロックジッタの最小値は４．８％で、きわめて低くなることが判明した。したがって、２Ｔ単一信号の劣化量、すなわち、記録パワーＰｗ２を１１ｍＷに設定した場合に得られる２Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比と、記録パワーＰｗ２を９ｍＷに設定した場合に得られる２Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比との差が大きくても、８Ｔ単一信号の劣化量、すなわち、記録パワーＰｗ２を９ｍＷに設定した場合に得られる８Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比と、記録パワーＰｗ２を１１ｍＷに設定した場合に得られる８Ｔ単一信号のＣ／Ｎ比との差が小さい場合には、良好な特性が得られることが確認された。
【０２３１】
実施例５
実施例１と同様にして作製した光記録媒体サンプルを、パルステック社製の光ディスク評価装置「ＤＤＵ１０００」（商品名）にセットし、５．３ｍ／ｓｅｃの線速度で回転させながら、波長が４０５ｎｍのレーザビームを、開口数ＮＡが０．８５の対物レンズを用いて、Ｌ１層に、光透過層を介して、集光させるとともに、レーザビームのパワーを第一のパルス列パターンを用いて、変調し、光記録媒体サンプルのＬ１層に、２Ｔ信号ないし８Ｔ信号を含むランダム信号を記録した。
【０２３２】
第一のパルス列パターンのパルス幅は、ｔｔｏｐを０．５Ｔに設定するとともに、ｔｍｐおよびｔｌｐが０．６Ｔに設定し、ｔｃｌは変化させた。
【０２３３】
レーザビームの中間パワーＰｍ１１は２．４ｍＷに固定し、基底パワーＰｂ１１は０．１ｍＷに固定したが、記録パワーＰｗ１１は、ｔｃｌの各値ごとに、最も良好なジッタが得られるレベルに設定した。
【０２３４】
測定結果は、図１６に示されている。
【０２３５】
次いで、光記録媒体サンプルのＬ１層に記録されたランダム信号を再生し、再生信号のジッタを測定した。レーザビームのパワーは、０．７ｍＷに設定した。
【０２３６】
さらに、光記録媒体サンプルを、１０．５ｍ／ｓｅｃの線速度で回転させた点を除き、同様にして、光記録媒体サンプルのＬ１層に、２Ｔ信号ないし８Ｔ信号を含むランダム信号を記録し、記録されたランダム信号を再生し、再生信号のジッタを測定した。
【０２３７】
測定結果は、図１６に示されている。
【０２３８】
図１６に示されるように、記録線速度が１０．５ｍ／ｓｅｃである場合には、ｔｃｌが長い方が、再生信号のジッタが向上し記録線速度がが高い場合には、ｔｃｌをより長く設定することが好ましいことがわかった。
【０２３９】
本発明は、以上の実施態様および実施例に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【０２４０】
たとえば、前記実施態様においては、光記録媒体１０は、支持基板１１と、透明中間層１２と、光透過層（保護層）１３と、支持基板１１と透明中間層１２との間に設けられたＬ０層２０と、透明中間層１２と光透過層１３との間に設けられたＬ１層３０とを備え、Ｌ０層２０は、支持基板１１側から、反射膜２１、第四の誘電体膜２２、Ｌ０記録膜２３および第三の誘電体膜２４が積層されて、構成され、Ｌ１層３０は、支持基板１１側から、第二の誘電体膜３２、Ｌ１記録膜３３および第一の誘電体膜３４が積層されて、構成されているが、本発明はかかる構成の光記録媒体に限定されるものではなく、図１に示された光記録媒体１０は、本発明が適用可能な光記録媒体の一例にすぎない。
【０２４１】
さらに、前記実施態様においては、Ｌ１層３０は反射膜を備えていないが、Ｌ１層３０が反射膜を備えていないことは必ずしも必要でなく、Ｌ１層３０が、Ｌ０層２０に含まれた反射膜２１よりも薄い反射膜を備えていてもよい。
【０２４２】
また、前記実施態様においては、Ｌ０記録膜２３及びＬ１記録膜３２がいずれも、無機反応膜５１及び無機反応膜５２からなる二層構造を有しているが、Ｌ０記録膜２３及びＬ１記録膜３２が、無機反応膜５１及び無機反応膜５２からなる二層構造を有していることは必ずしも必要でなく、Ｌ０記録膜２３及びＬ１記録膜３２が、三層以上の無機反応膜を含む積層体によって構成されていてもよく、例えば、銅（Ｃｕ）からなる２つの無機反応膜と、これら２つの無機反応膜の間に配置されたシリコン（Ｓｉ）からなる１つの無機反応膜とからなる三層構造を有していてもよい。
【０２４３】
さらに、前記実施態様においては、無機反応膜５１と無機反応膜５２が、互いに接触するように形成されているが、無機反応膜５１と無機反応膜５２との間に、無機反応膜５１を構成する材料と無機反応膜５２を構成する材料とが混合されてなる混合膜が介在していてもよく、さらに、必要に応じて、これらの間に薄い他の膜（例えば誘電体膜）を介在させてもよい。
【０２４４】
また、前記実施態様においては、無機反応膜５１は、銅（Ｃｕ）を主成分として含み、無機反応膜５２は、シリコン（Ｓｉ）を主成分として含んでいるが、無機反応膜５１が、銅（Ｃｕ），シリコン（Ｓｉ），アルミニウム（Ａｌ），ゲルマニウム（Ｇｅ），炭素（Ｃ），錫（Ｓｎ），金（Ａｕ），亜鉛（Ｚｎ），ホウ素（Ｂ），マグネシウム（Ｍｇ），チタン（Ｔｉ），マンガン（Ｍｎ），鉄（Ｆｅ），ガリウム（Ｇａ），ジルコニウム（Ｚｒ），銀（Ａｇ），ビスマス（Ｂｉ）及び白金（Ｐｔ）からなる群より選ばれた一種の元素を主成分として含み、無機反応膜５２が、銅（Ｃｕ），シリコン（Ｓｉ），アルミニウム（Ａｌ），ゲルマニウム（Ｇｅ），炭素（Ｃ），錫（Ｓｎ），金（Ａｕ），亜鉛（Ｚｎ），ホウ素（Ｂ），マグネシウム（Ｍｇ），チタン（Ｔｉ），マンガン（Ｍｎ），鉄（Ｆｅ），ガリウム（Ｇａ），ジルコニウム（Ｚｒ），銀（Ａｇ），ビスマス（Ｂｉ）及び白金（Ｐｔ）からなる群より選ばれ、無機反応膜５１に主成分として含まれている元素とは異なる一種の元素を主成分として含んでいてもよい。
【０２４５】
さらに、前記実施態様においては、Ｌ０層２０及びＬ１層３０とも、無機反応膜５１、５２の積層体からなる記録膜を有しているが、光入射面１３ａから最も遠い情報記録層であるＬ０層２０は、記録膜を備えず、ピットによって形成された再生専用の情報記録層であってもよい。
【０２４６】
また、前記実施態様においては、光記録媒体１０は、情報記録層として、Ｌ０層２０およびＬ１層３０を備えているが、光記録媒体１０が、情報記録層として、Ｌ０層２０およびＬ１層３０を備えていることは必ずしも必要でなく、光記録媒体１０が、３層以上の情報記録層を備えていてもよい。この場合には、光入射面１３ａから最も遠い情報記録層以外の情報記録層にデータを記録する際に、いずれも、レーザビームＬのパワーを第一のパルス列パターンを用いて、変調することが好ましい。
【０２４７】
さらに、前記実施態様においては、光記録媒体１０は、いわゆる次世代型の光記録媒体として構成され、厚さの薄い光透過層１３側からレーザビームＬが入射されるように構成されているが、本発明は、このような次世代型の光記録媒体に限定されるものではなく、ＤＶＤのように、基板側からレーザビームＬが入射されるタイプの光記録媒体に対しても適用可能である。ＤＶＤ型の光記録媒体においては、光記録媒体１０の支持基板１１に相当する部材は厚さ約０．６ｍｍの光透過性基板となり、光記録媒体１０の光透過層１３に相当する部材は厚さ約０．６ｍｍのダミー基板となる。したがって、本発明において、「基板」とは、ＤＶＤ型の光記録媒体のように、その表面が光入射面となる場合には、光透過性基板であることを意味し、光記録媒体１０のように、その表面が光入射面とならない場合には、支持基板であることを意味する。同様に、本発明において「保護層」とは、光記録媒体１０のように、その表面が光入射面となる場合には、光透過層であることを意味し、ＤＶＤ型の光記録媒体のように、その表面が光入射面とならない場合には、支持基板であることを意味する。
【０２４８】
また、前記実施態様においては、光記録媒体１０にデータを記録するために、３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長を有するレーザビームＬが用いられているが、３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長を有するレーザビームＬを用いることは必ずしも必要でない。ただし、第二のパルス列パターンを用いて、レーザビームＬのパワーを変調し、放熱性が低い情報記録層にデータを記録する場合に生じる問題は、ビームスポットのエネルギー密度が高いほど、顕著となるから、本発明は、３８０ｎｍないし４５０ｎｍの波長を有するレーザビームＬと、０．７以上、好ましくは、０．８５程度の開口数（ＮＡ）を有する対物レンズを用い、λ／ＮＡ≦６４０ｎｍの条件で、データを記録する場合に、より顕著な効果を得ることができる。
【０２４９】
さらに、前記実施態様においては、光記録媒体１０のＬ０層２０にデータを記録する場合に、第一のパルス列パターンあるいは第二のパルス列パターンを用いて、レーザビームＬのパワーを変調しているが、光入射面１３ａから最も遠い情報層であるＬ０層２０にデータを記録する場合には、第一のパルス列パターンあるいは第二のパルス列パターンを用いて、レーザビームＬのパワーを変調することは必ずしも必要でなく、第一のパルス列パターンおよび第二のパルス列パターン以外のパルス列パターンを用いて、レーザビームＬのパワーを変調するようにしてもよい。
【０２５０】
また、前記実施態様においては、前記実施態様の第一のパルス列パターンにおいては、一つの記録マークを形成するために、（ｎ−１）の記録パルスが用いられているが、一つの記録マークを形成するために、（ｎ−１）の記録パルスを用いることは必ずしも必要でなく、１，７ＲＬＬ変調方式を用いる場合には、ｎ個の記録パルスを用いて、一つの記録マークを形成するようにしてもよく、８／１６変調方式を用いる場合には、（ｎ−２）個の記録パルスを用いて、一つの記録マークを形成するようにしてもよい。さらに、１，７ＲＬＬ変調方式を用いる場合には、２Ｔ信号、４Ｔ信号、６Ｔ信号あるいは８Ｔ信号を記録するときに、ｎ／２個の記録パルスを用い、３Ｔ信号、５Ｔ信号あるいは７Ｔ信号を記録するときに、（ｎ−１）／２個の記録パルスを用いるようにしてもよい。
【０２５１】
さらに、前記実施態様においては、第一のパルス列パターンは、レーザビームＬのパワーを３つのレベルに変調するように構成されているが、第一のパルス列パターンが、レーザビームＬのパワーを３つのレベルに変調するように構成されていることは必ずしも必要でなく、レーザビームＬのパワーを４以上のレベルに変調するように構成されていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０２５２】
【図１】図１（ａ）は、本発明の好ましい実施態様にかかる光記録媒体の略斜視図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡで示された部分の略拡大断面図である。
【図２】図２（ａ）は、図１（ａ）および図１（ｂ）に示された光記録媒体のＬ０層またはＬ１層の略一部拡大断面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）に示された光記録媒体のＬ０層またはＬ１層にレーザビームが照射された後の状態を示す略一部拡大断面図である。
【図３】図３は、光記録媒体のＬ０層あるいはＬ１層に、レーザビームを照射して、データを記録する場合に、レーザビームのパワーを変調する第一のパルス列パターンを示す波形図であり、図３（ａ）は、１，７ＲＬＬ変調方式を用いて、２Ｔ信号を記録する場合の第一のパルス列パターン、図３（ｂ）は、３Ｔ信号を記録する場合の第一のパルス列パターン、図３（ｃ）は、４Ｔ信号を記録する場合の第一のパルス列パターン、図３（ｄ）は、５Ｔ信号ないし８Ｔ信号のいずれかを記録する場合の第一のパルス列パターンを、それぞれ、示している。
【図４】図４は、光記録媒体のＬ０層に、レーザビームを照射して、データを記録する場合に、レーザビームのパワーを変調する第二のパルス列パターンを示す波形図であり、図４（ａ）は、１，７ＲＬＬ変調方式を用いて、２Ｔ信号を記録する場合の第二のパルス列パターン、図４（ｂ）は、３Ｔ信号を記録する場合の第二のパルス列パターン、図４（ｃ）は、４Ｔ信号を記録する場合の第二のパルス列パターン、図４（ｄ）は、５Ｔ信号ないし８Ｔ信号のいずれかを記録する場合の第二のパルス列パターンを、それぞれ、示している。
【図５】図５は、第二のパルス列パターンを用いて、レーザビームのパワーを変調し、Ｌ１層にデータを記録した場合の再生信号の信号特性を示す模式的なグラフであり、基底パワーＰｂ２をきわめて低いレベルに設定した場合における記録パワーＰｗ２のレベルと２Ｔ信号及び８Ｔ信号のＣ／Ｎ比との関係を示している。
【図６】図６は、Ｌ１層にデータを記録する際に、第二のパルス列パターンを用いた場合の信号特性を示す模式的なグラフであり、基底パワーＰｂ２のレベルとして照射により、Ｌ１記録膜に対して実質的に熱的な影響が与えられるレベルに設定した場合における記録パワーＰｗ２のレベルと２Ｔ信号及び８Ｔ信号のＣ／Ｎ比との関係を示している。
【図７】図７は、第一のパルス列パターンを用いて、レーザビームＬのパワーを変調して、Ｌ１層にデータを記録する場合における記録パワーＰｗ１１のレベルと２Ｔ信号及び８Ｔ信号のＣ／Ｎ比との関係を示す模式的なグラフである。
【図８】図８は、光記録媒体にデータを記録する情報記録装置のダイアグラムである。
【図９】図９は、実施例１において、光記録媒体サンプルのＬ１層に記録された２Ｔ信号および８Ｔ信号を再生して得た再生信号のＣ／Ｎ比と、記録パワーとの関係を測定した結果を示すグラフである。
【図１０】図１０は、比較例１において、光記録媒体サンプルのＬ１層に記録された２Ｔ信号および８Ｔ信号を再生して得た再生信号のＣ／Ｎ比と、記録パワーとの関係を測定した結果を示すグラフである。である。
【図１１】図１１は、比較例２において、光記録媒体サンプルのＬ１層に記録された２Ｔ信号および８Ｔ信号を再生して得た再生信号のＣ／Ｎ比と、記録パワーとの関係を測定した結果を示すグラフである。
【図１２】図１２は、比較例３において、光記録媒体サンプルのＬ１層に記録された２Ｔ信号および８Ｔ信号を再生して得た再生信号のＣ／Ｎ比と、記録パワーとの関係を測定した結果を示すグラフである。
【図１３】図１３は、実施例２において、光記録媒体サンプルのＬ１層に記録された２Ｔ信号および８Ｔ信号を再生して得た再生信号のＣ／Ｎ比と、記録パワーとの関係を測定した結果を示すグラフである。
【図１４】図１４は、実施例３において、光記録媒体サンプルのＬ１層に記録された２Ｔ信号および８Ｔ信号を再生して得た再生信号のＣ／Ｎ比と、記録パワーとの関係を測定した結果を示すグラフである。
【図１５】図１５は、実施例４において、光記録媒体サンプルのＬ１層に記録された２Ｔ信号および８Ｔ信号を再生して得た再生信号のＣ／Ｎ比と、記録パワーとの関係を測定した結果を示すグラフである。
【図１６】図１６は、実施例５において、光記録媒体サンプルのＬ１層に記録されたランダム信号を再生して得た再生信号のジッタと、冷却期間ｔｃｌとの関係を測定した結果を示すグラフである。
【符号の説明】
【０２５３】
１０  光記録媒体
１１  支持基板
１１ａ、１２ａ  グルーブ
１１ｂ、１２ｂ  ランド
１２  透明中間層
１３  光透過層
１３ａ  光入射面
２０  Ｌ０層
２１  反射膜
２２  第四の誘電体膜
２３  Ｌ０記録膜
２４  第三の誘電体膜
３０  Ｌ１層
３１  第二の誘電体膜
３２  Ｌ１記録膜
３３  第一の誘電体膜
５１、５２  無機反応膜
１００  情報記録装置
１０１  スピンドルモータ
１０２  トラバースモータ
１０３  レーザ駆動回路
１０４  レンズ駆動回路
１０５  コントローラ
１０５ａ  フォーカス制御回路
１０５ｂ  トラッキング制御回路
１１０  光ヘッド
１１１  レーザ光源
１１２  コリメータレンズ
１１３  ビームスプリッタ
１１４  対物レンズ
１１５  アクチュエータ
１１６  フォトディテクタ
Ｌ  レーザビーム
Ｌ’  反射光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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