(57)【要約】【課題】  十分な低応力性を有し、耐リフロー性に優れ、良好な接着性を示す樹脂組成物及び本発明を半導体用ダイアタッチ材料あるいはヒートシンクアタッチ材料として使用することで信頼性に優れた半導体装置を提供する。【解決手段】  （Ａ）分子内にアルコール性水酸基を有する（メタ）アクリルアミド化合物と、両末端がアルコール性水酸基である化合物と、ジイソシアネートとを反応させて得られる反応生成物、（Ｂ）銀粉及び（Ｃ）一般式（１）で示される化合物を含むことを特徴とする樹脂組成物。【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を支持体に接着する導電性接着剤であって、（Ａ）分子内にアルコール性水酸基を有する（メタ）アクリルアミド化合物と、両末端がアルコール性水酸基である化合物と、ジイソシアネートとを反応させて得られる反応生成物、（Ｂ）銀粉及び（Ｃ）一般式（１）で示される化合物を含むことを特徴とする樹脂組成物。
【化１】
2006137841.tif 000005
【請求項２】
上記分子内にアルコール性水酸基を有する（メタ）アクリルアミド化合物が２−ヒドロキシエチルアクリルアミドである請求項１に記載の樹脂組成物。
【請求項３】
上記両末端がアルコール性水酸基である化合物が一般式（２）で示される化合物である請求項１又は２に記載の樹脂組成物。
【化２】
2006137841.tif 000006
【請求項４】
上記両末端がアルコール性水酸基である化合物がポリブチレンオキサイドジオール、ポリテトラメチレンオキサイドジオール、ポリプロピレングリコールジオールより選ばれる少なくとも１種である請求項１〜３に記載の樹脂組成物。
【請求項５】
上記ジイソシアネートがイソホロンジイソシアネート、ノルボルネンジイソシアネートから選ばれる少なくとも１種である請求項１〜４に記載の樹脂組成物。
【請求項６】
一般式（１）で示される化合物のＲ1、Ｒ3がともにエトキシ基、ａ、ｂがともに３、ｍ１、ｍ２がともに３、ｍ３が４に限定される化合物である請求項１〜５記載の樹脂組成物。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の樹脂組成物をダイアタッチ材料として用いて製作されることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
放熱板を半導体素子や支持体に接着する導電性接着剤であって、（Ａ）分子内にアルコール性水酸基を有する（メタ）アクリルアミド化合物と、両末端がアルコール性水酸基である化合物と、ジイソシアネートとを反応させて得られる反応生成物、（Ｂ）銀粉及び（Ｃ）一般式（１）で示される化合物を含むことを特徴とする樹脂組成物。
【請求項９】
請求項８に記載の樹脂組成物をヒートシンクアタッチ材料として用いて製作されることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂組成物及び樹脂組成物を使用して作製した半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体製品の大容量、高速処理化及び微細配線化に伴い半導体製品作動中に発生する熱の問題が顕著になってきており、半導体製品から熱を逃がす、いわゆるサーマルマネージメントがますます重要な課題となってきている。このため半導体製品にヒートシンク（放熱板）を取り付ける方法等が一般的に採用されているがヒートシンクを接着する材料自体の熱伝導率もより高いものが望まれてきている。一方半導体製品の形態によっては半導体素子そのものを金属製のヒートシンクに接着したり、サーマルビア等の放熱機構を有する有機基板等に接着したりする場合もある。この場合も同様に半導体素子を接着する材料に高熱伝導率が要求される。このようにダイアタッチ材料あるいはヒートシンクアタッチ材料に高熱伝導率が要求されているが、同時に半導体製品の基板搭載時のリフロー処理に耐える必要があり、さらには大面積の接着が要求される場合も多く構成部材間の熱膨張係数の違いによる反り等の発生を抑制するため低応力性も併せ持つ必要がある。
【０００３】
ここで通常高熱伝導性接着剤には、銀粉、銅粉といった金属フィラーや窒化アルミ、窒化ボロン等のセラミック系フィラー等を有機系のバインダーに高い含有率で添加するが、含有可能な量に限界があり高熱伝導率が得られない場合、多量の溶剤を含有し硬化物単体の熱伝導率は良好だが半導体製品中では硬化物中に溶剤が残存あるいは揮発した後がボイドになり熱伝導率が安定しない場合、高フィラー含有率に基づき低応力性が不十分な場合等満足なものはなかった（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平１１−４３５８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、十分な低応力性を有し、耐リフロー性に優れ、良好な接着性を示す樹脂組成物及び該樹脂組成物を半導体用ダイアタッチ材料あるいはヒートシンクアタッチ材料として使用することで信頼性に優れた半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
このような目的は、下記［１］〜［９］に記載の本発明により達成される。
［１］半導体素子を支持体に接着する導電性接着剤であって、（Ａ）分子内にアルコール性水酸基を有する（メタ）アクリルアミド化合物と、両末端がアルコール性水酸基である化合物と、ジイソシアネートとを反応させて得られる反応生成物、（Ｂ）銀粉及び（Ｃ）一般式（１）で示される化合物を含むことを特徴とする樹脂組成物。
【０００６】
【化３】
2006137841.tif 000002
【０００７】
［２］上記分子内にアルコール性水酸基を有する（メタ）アクリルアミド化合物が２−ヒドロキシエチルアクリルアミドである第［１］項に記載の樹脂組成物。
［３］上記両末端がアルコール性水酸基である化合物が一般式（２）で示される化合物である第［１］又は［２］項に記載の樹脂組成物。
【０００８】
【化４】
2006137841.tif 000003
【０００９】
［４］上記両末端がアルコール性水酸基である化合物がポリブチレンオキサイドジオール、ポリテトラメチレンオキサイドジオール、ポリプロピレングリコールジオールより選ばれる少なくとも１種である第［１］〜［３］項に記載の樹脂組成物。
［５］上記ジイソシアネートがイソホロンジイソシアネート、ノルボルネンジイソシアネートから選ばれる少なくとも１種である第［１］〜［４］項に記載の樹脂組成物。
［６］一般式（１）で示される化合物のＲ1、Ｒ3がともにエトキシ基、ａ、ｂがともに３、ｍ１、ｍ２がともに３、ｍ３が４に限定される化合物である第［１］〜［５］項記載の樹脂組成物。
［７］第［１］〜［６］項のいずれか１項に記載の樹脂組成物をダイアタッチ材料として用いて製作されることを特徴とする半導体装置。
［８］放熱板を半導体素子や支持体に接着する導電性接着剤であって、（Ａ）分子内にアルコール性水酸基を有する（メタ）アクリルアミド化合物と、両末端がアルコール性水酸基である化合物と、ジイソシアネートとを反応させて得られる反応生成物、（Ｂ）銀粉及び（Ｃ）一般式（１）で示される化合物を含むことを特徴とする樹脂組成物。
［９］第［８］項に記載の樹脂組成物をヒートシンクアタッチ材料として用いて製作されることを特徴とする半導体装置。
【発明の効果】
【００１０】
本発明により、低応力性、耐リフロー性、接着性に優れた樹脂組成物及び該樹脂組成物を半導体用ダイアタッチ材料あるいはヒートシンクアタッチ材料として使用した信頼性に優れた半導体装置を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明では以下の原料を反応して得られる反応生成物（Ａ）を使用する。反応生成物（Ａ）は、ジイソシアネートとジオールをジイソシアネート過剰の条件で反応を行い、さらに水酸基を有するアクリルアミドと反応することによって得られる。反応時にはジブチル錫ジラウレート、ジオクチル錫ジアセテート、ジブチル錫オキシド等のウレタン化触媒を使用することが可能である。
【００１２】
水酸基を有する（メタ）アクリルアミド化合物は、反応生成物（Ａ）に（メタ）アクリルアミド基を導入し樹脂組成物に熱硬化特性を付与するために用いられる。ここで（メタ）アクリルアミド基に限定しているが、これは一般的に使用される（メタ）アクリロイルオキシ基に比較し（メタ）アクリルアミド基を導入した化合物の方が硬化後の接着力が優れるためで、特に吸湿処理した後の加熱下での接着力向上のために必要だからである。具体的には、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリルアミド、ヒドロキシエチル（メタ）アクリルアミド、ヒドロキシブチル（メタ）アクリルアミドなどが挙げられこれらを単独で使用しても、２種類以上を使用することも可能である。ジイソシアネートとしては芳香族環を有しないものが好ましく、より好ましくはイソホロンジイソシアネート又はノルボルネンジイソシアネートから選ばれる少なくとも１種が用いられる。ジオールとしては両末端にアルコール性水酸基を有するものであれば使用可能であるが、硬化物に柔軟性を付与するために一般式（２）で示されるものが好ましい。更に好ましくはポリブチレンオキサイドジオール、ポリテトラメチレンオキサイドジオール、ポリプロピレングリコールジオールより選ばれる少なくとも１種であり、繰り返し単位数が２〜５０のものである。一般的に用いられるポリエチレングリコールジオールを使用すると硬化物の耐湿性が悪化し、例えば吸湿処理後の接着力が悪化するので好ましくない。繰り返し単位数がこれより少ない場合には柔軟性を得られず、これより多い場合には分子量が高く粘度の上昇につながるので好ましくない。通常、反応生成物（Ａ）の分子量は５０００より小さいことが好ましい。これより大きい場合には樹脂組成物の粘度が高くなりすぎるためである。より好ましい反応生成物（Ａ）の分子量は１０００から２０００である。
【００１３】
本発明ではさらに銀粉（Ｂ）ならびに一般式（１）で示される化合物（Ｃ）を使用する。銀粉を使用する理由は、硬化物に電気伝導性、熱伝導性を付与するためで、樹脂組成物中７０〜９５重量％含まれる。また一般式（１）で示される化合物（Ｃ）を使用する理由は吸湿処理による接着力の低下を少なくするためである。これは分子内の−（Ｓ）ｍ３−の構造がリードフレーム表面の金属およびフィラーとしている銀粉表面と化学結合を取っているためと考えられ、リードフレームとの界面での接着のみならず、銀粉−樹脂間の結合が強固になるため樹脂硬化物の凝集力が向上しているためと考えられる。図１、２に化合物（Ｃ）の一例としてＡ−１２８９（日本ユニカー（株）製、一般式（１）のＲ1、Ｒ3がともにエトキシ基、ａ、ｂがともに３、ｍ１、ｍ２がともに３、ｍ３が４）単独のＤＳＣ曲線、ならびにＡ−１２８９と銀粉を重量比１対１で混合したサンプルのＤＳＣ曲線を示す。測定条件はサンプル重量約３０ｍｇ、室温から１０℃／分である。これらの結果から、化合物（Ｃ）は銀粉と化学反応することが確認でき、銀粉と共に使用することにより初めて本発明の効果を得ることが可能となる。
上記理由から一般式（１）におけるｍ３は２〜４に限定される。これより少なくても、多くても接着力向上が望めないからである。なかでも特に好ましいのはｎが４の場合である。末端は通常のシランカップリング剤と同様にアルコキシ基が１〜３個Ｓｉに結合した形となる。反応性の観点からアルコキシ基はメトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基が好ましく、炭素数が１１より多い場合には反応性が悪いため使用できない。特に好ましいのはメトキシ基あるいはエトキシ基であり、Ｓｉに２個あるいは３個結合したものである。ｍ１、ｍ２は１から５の整数であるが、特に好ましいのは３である。
化合物（Ｃ）の含有量は、樹脂組成物中０．００１〜２重量％含まれる。下限値より少ないと期待する接着力向上効果が期待できず、上限値より多いと樹脂組成物の反応性が低下するとともにアルコキシシラン基から脱離したアルコールに基づくボイドが発生しやすくなるので好ましくない。
【００１４】
本発明では必要によりラジカル重合性単量体を使用することも可能である。使用可能なものは特に限定されないが、以下に例示されるような化合物である。メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート。ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ターシャルブチル（メタ）アクリレート、イソデシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート、セチル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、イソアミル（メタ）アクリレート、イソステアリル（メタ）アクリレート、ベヘニル（メタ）アクリレート、その他のアルキル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ターシャルブチルシクロヘキシル（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート、グリセロールモノ（メタ）アクリレート、グリセロールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ジンクモノ（メタ）アクリレート、ジンクジ（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、ジメリルアミノエチル（メタ）アクリレート、ジエチルアミノエチル（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコール（メタ）アクリレート、トリフロロエチル（メタ）アクリレート、２，２，３，３−テトラフロロプロピル（メタ）アクリレート、２，２，３，３，４，４−ヘキサフロロブチル（メタ）アクリレート、パーフロロオクチル（メタ）アクリレート、パーフロロオクチルエチル（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，４−ブランジオールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、１，９−ノナンジオールジ（メタ）アクリレート、１，３−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，１０−デカンジオールジ（メタ）アクリレート、ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、テトラメチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、テトラメチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリテトラメチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリテトラメチレングリコールジ（メタ）アクリレート、メトキシエチル（メタ）アクリレート、ブトキシエチル（メタ）アクリレート、エトキシジエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシポリアルキレングリコールモノ（メタ）アクリレート、オクトキシポリアルキレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ラウロキシポリアルキレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ステアロキシポリアルキレングリコールモノ（メタ）アクリレート、アリロキシポリアルキレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ノニルフェノキシポリアルキレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリアルキレンオキサイド変性ビスフェノールＡジ（メタ）アクリレート、２-ヒドロキシ−３−フェノキシプロピル（メタ）アクリレート、Ｎ，Ｎ’−メチレンビス（メタ）アクリルアミド、Ｎ，Ｎ’−エチレンビス（メタ）アクリルアミド、１，２−ジ（メタ）アクリルアミドエチレングリコール、ジ（メタ）アクリロイロキシメチルトリシクロデカン、２−（メタ）アクリロイロキシエチルコハク酸、２−（メタ）アクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタル酸、２−（メタ）アクリロイロキシエチル、２−ヒドロキシプロピルフタレート、２−ヒドロキシ−３−アクリロイロキシプロピルメタクリレート、Ｎ−（メタ）アクリロイロキシエチルマレイミド、Ｎ−（メタ）アクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタルイミド、Ｎ−（メタ）アクリロイロキシエチルフタルイミド、ｎ−ビニル−２−ピロリドン、スチレン誘導体、α−メチルスチレン誘導体。
【００１５】
本発明ではラジカル重合開始剤を用いることができる。通常熱ラジカル重合開始剤として用いられるものであれば特に限定しないが、望ましいものとしては、急速加熱試験（試料１ｇを電熱板の上にのせ、４℃／分で昇温した時の分解開始温度）における分解温度が４０〜１４０℃となるものが好ましい。分解温度が４０℃未満だと、樹脂組成物の常温における保存性が悪くなり、１４０℃を越えると硬化時間が極端に長くため好ましくない。
【００１６】
これを満たすラジカル重合開始剤の具体例としては、メチルエチルケトンパーオキサイド、メチルシクロヘキサノンパーオキサイド、メチルアセトアセテートパーオキサイド、アセチルアセトンパーオキサイド、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）シクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルパーオキシ）３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロヘキサン、２，２−ビス（４，４−ジ−ｔ−ブチルパーオキシシクロヘキシル）プロパン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）シクロドデカン、ｎ−ブチル４，４−ビス（ｔ−ブチルパーオキシバレレート、２，２−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ブタン、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）−２−メチルシクロヘキサン、ｔ−ブチルハイドロパーオキサイド、Ｐ−メンタンハイドロパーオキサイド、１，１，３，３−テトラメチルブチルハイドロパーオキサイド、ｔ−ヘキシルハイドロパーオキサイド、ジクミルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキサン、α、α’−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ジイソプロピルベンゼン、ｔ−ブチルクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３、イソブチリルパーオキサイド、３，５，５−トリメチルヘキサノイルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、ラウロイルパーオキサイド、桂皮酸パーオキサイド、ｍ−トルオイルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、ジイソプロピルパーオキシジカーボネート、ビス（４−ｔ−ブチルシクロヘキシル）パーオキシジカーボネート、ジ−３−メトキシブチルパーオキシジカーボネート、ジ−２−エチルヘキシルパーオキシジカーボネート、ジ−ｓｅｃ−ブチルパーオキシジカーボネート、ジ（３−メチル−３−メトキシブチル）パーオキシジカーボネート、ジ（４−ｔ−ブチルシクロヘキシル）パーオキシジカーボネート、α、α’−ビス（ネオデカノイルパーオキシ）ジイソプロピルベンゼン、クミルパーオキシネオデカノエート、１，１，３，３，−テトラメチルブチルパーオキシネオデカノエート、１−シクロヘキシル−１−メチ−ルエチルパーオキシネオデカノエート、ｔ−ヘキシルパーオキシネオデカノエート、ｔ−ブチルパーオキシネオデカノエート、ｔ−ヘキシルパーオキシピバレート、ｔ−ブチルパーオキシピバレート、２，５−ジメチル−２，５−ビス（２−エチルヘキサノイルパーオキシ）ヘキサン、１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシ−２−エチルへキサノエート、１−シクロヘキシル−１−メチルエチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔ−ヘキシルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシイソブチレート、ｔ−ブチルパーオキシマレイックアシッド、ｔ−ブチルパーオキシラウレート、ｔ−ブチルパーオキシ−３，５，５−トリメチルヘキサノエート、ｔ−ブチルパーオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ−ブチルパーオキシ−２−エチルヘキシルモノカーボネート、２，５−ジ���チル−２，５−ビス（ベンゾイルパーオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルパーオキシアセテート、ｔ−ヘキシルパーオキシベンゾエート、ｔ−ブチルパーオキシ−ｍ−トルオイルベンゾエート、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）イソフタレート、ｔ−ブチルパーオキシアリルモノカーボネート、３，３’，４，４’−テトラ（ｔ−ブチルパーオキシカルボニル）ベンゾフェノン等が挙げられるが、これらは単独或いは硬化性を制御するため２種類以上を混合して用いることもできる。特に限定されるわけではないが樹脂組成物中０．００１〜２重量％含有されるのが好ましい。本発明は通常蛍光灯等の照明下で使用されるので光開始剤が含まれていると使用中に反応により粘度上昇が観察されるため光開始剤を含有することはできない。更に樹脂組成物の保存性を向上するために各種重合禁止剤、酸化防止剤を予め添加してもよい。
【００１７】
本発明の樹脂組成物には、必要により一般式（１）に示される化合物以外のカップリング剤、消泡剤、界面活性剤等の添加剤を用いることができる。
本発明の樹脂組成物は、例えば各成分を予備混合した後、３本ロールを用いて混練した後真空下脱泡することにより製造することができる。
本発明の樹脂組成物を用いて半導体装置を製作する方法は、公知の方法を用いることができる。例えば、市販のダイボンダーを用いて、リードフレームの所定の部位に導電性ペーストをディスペンス塗布した後、チップをマウントし、加熱硬化する。その後、ワイヤーボンディングして、エポキシ樹脂を用いてトランスファー成形することによって半導体装置を製作する。
【実施例】
【００１８】
［実施例１、２、３、４、５］
反応生成物（Ａ）としてはＮＫオリゴ  ＵＡ１６０ＡＭ（新中村化学工業(株)製、２−ヒドロキシエチルアクリルアミドとポリテトラメチレングリコールジオールとイソホロンジイソシアネートとの反応生成物、以下、ウレタンアクリルアミド）を、銀粉（Ｂ）としては平均粒径５μｍ、最大粒径３０μｍのフレーク状銀粉（以下銀粉）を、化合物（Ｃ）としてはＡ−１２８９（日本ユニカー（株）製、一般式（１）のＲ1、Ｒ3がともにエトキシ基、ａ、ｂがともに３、ｍ１、ｍ２がともに３、ｍ３が４、以下カップリング剤Ａ）、ラジカル重合開始剤としてジクミルパーオキサイド（日本油脂（株）製、パークミルＤ、急速加熱試験における分解温度：１２６℃、以下開始剤）を、ラウリルアクリレート（共栄社化学（株）製、ライトエステルＬＡ、以下ＬＡ）、繰り返し単位がテトラメチレンオキサイドのジアクリレート（新中村化学工業（株）製、ＮＫエステル  Ａ−ＰＴＭＧ６５、以下Ａ−ＰＴＭＧ６５）、メタクリル基を有するシランカップリング剤（信越化学工業（株）製、ＫＢＭ−５０３、以下メタクリルシラン）を表１のように配合し、３本ロールを用いて混練し、脱泡することで樹脂組成物を得た。配合割合は重量部である。
【００１９】
［比較例１、２、３］
表１に示す割合で配合し実施例１と同様に樹脂組成物を得た。なお比較例１では反応生成物（Ａ）の変わりにＮＫオリゴ  ＵＡ１６０ＴＭ（新中村化学工業（株）製、２−ヒドロキシエチルアクリレートとポリテトラメチレングリコールジオールとイソホロンジイソシアネートとの反応生成物、以下、ウレタンアクリレート）を使用した。
得られた樹脂組成物を以下の方法により評価した。評価結果を表１に示す。
【００２０】
評価方法
・接着強度１：６×６ｍｍのシリコンチップを銀めっきした銅フレームにマウントし、１５０℃オーブン中１５分硬化した。硬化後ならびに吸湿処理（８５℃、８５％、７２時間）後に自動接着力測定装置を用い２６０℃での熱時ダイシェア強度を測定した。２６０℃熱時ダイシェア強度が３０Ｎ／チップ以上の場合を合格とした。接着強度の単位はＮ／チップである。
・接着強度２：６×６ｍｍのシリコンチップを黒処理した放熱板（銅材、厚さ２ｍｍ）にマウントし、１５０℃オーブン中１５分硬化した。硬化後ならびに吸湿処理（８５℃、８５％、７２時間）後に自動接着力測定装置を用い２６０℃での熱時ダイシェア強度を測定した。２６０℃熱時ダイシェア強度が３０Ｎ／チップ以上の場合を合格とした。接着強度の単位はＮ／チップである
【００２１】
・反り量及び耐リフロー性：表１に示す樹脂組成物を用い、下記のリードフレームとシリコンチップを１５０℃１５分間硬化し接着した。硬化後のチップ表面の反り量を表面粗さ計にて対角線上１０ｍｍの長さで測定した。反り量の単位はμｍで２０μｍ以下のものを合格とした。また同様にしてダイボンドしたリードフレームを封止材料（スミコンＥＭＥ−７０２６、住友ベークライト（株）製）を用い封止し、３０℃、相対湿度６０％、１９２時間吸湿処理した後、ＩＲリフロー処理（２６０℃、１０秒、３回リフロー）を行なった。処理後のパッケージを超音波探傷装置（透過型）により剥離の程度を測定した。ダイアタッチ部の剥離面積が１０％未満の場合を合格とした。剥離面積の単位は％である。
パッケージ：ＱＦＰ（１４×２０×２．０ｍｍ）
リードフレーム：銀めっきした銅フレーム
チップサイズ：９×９ｍｍ
樹脂組成物の硬化条件：オーブン中１５０℃、１５分
【００２２】
【表１】
2006137841.tif 000004
【産業上の利用可能性】
【００２３】
本発明の樹脂組成物は、良好な低応力性、良好な接着性を示すことからこれらが同時に要求される半導体チップあるいはヒートシンクの接着用として好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明に用いた一般式（１）で示される化合物（Ｃ）の一例であるＡ−１２８９のＤＳＣ曲線である。
【図２】本発明に用いた銀粉と一般式（１）で示される化合物（Ｃ）の一例であるＡ−１２８９との混合物のＤＳＣ曲線である。
【図１】
2006137841.tif 000007
【図２】
2006137841.tif 000008