(57)【要約】【課題】減衰特性の向上を図ることができる積層型分波器を提供する。【解決手段】第１の平面上に配置される第１、第２の接地電極と、第２の平面上に配置され、第１、第２の平板電極それぞれと静電的に結合する第１、第２の平板電極と、第３の平面上に配置され、第１、第２の平板電極それぞれと静電的に結合される第３、第４の接地電極から、積層型分波器を構成するローパスフィルタ回路およびハイパスフィルタ回路それぞれの要素である第１、第２の容量素子を構成する。第１、第２の接地電極および第３、第４の接地電極が分離されていることから、第１、第２の容量素子間、ひいてはローパスフィルタ回路とハイパスフィルタ回路間での信号の混入が防止され、積層型分波器の減衰特性の向上が図られる。【選択図】図３
2006101149.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の平面上に配置され、かつそれぞれ接地される第１、第２の接地電極と、
第２の平面上に配置され、かつ前記第１、第２の平板電極それぞれと静電的に結合する第１、第２の平板電極と、
第３の平面上に配置され、前記第１、第２の平板電極それぞれと静電的に結合し、かつそれぞれ接地される第３、第４の接地電極と、
前記第１の平板電極から構成される第１の容量素子を一部に有するローパスフィルタ回路と、
前記第２の平板電極から構成される第２の容量素子を一部に有するハイパスフィルタ回路と、
前記ローパスフィルタ回路および前記ハイパスフィルタ回路が接続される第１の端子と、
前記第１、第２の平板電極それぞれと電気的に接続される第２、第３の端子と、
を具備することを特徴とする積層型分波器。
【請求項２】
前記第１、第２の接地電極間および前記第３、第４の接地電極間それぞれに間隙が配置される
ことを特徴とする請求項１記載の積層型分波器。
【請求項３】
前記ローパスフィルタ回路が、前記第１、第２の端子間に並列に接続される第２の容量素子およびインダクタンス素子を有する
ことを特徴とする請求項１記載の積層型分波器。
【請求項４】
前記ハイパスフィルタ回路が、前記第１の端子に一端が接続される第３の容量素子と、前記第３の容量素子の他端に一端が接続され、かつ他端が接地される第１のインダクタンス素子と、前記第３の容量素子の他端に一端が接続される第４の容量素子と、前記第４の容量素子の他端に一端が接続され、かつ他端が接地される第５の容量素子と、第４の容量素子の他端と前記第３の端子間を並列に接続する第６の容量素子および第２のインダクタンス素子と、を有する
ことを特徴とする請求項１記載の積層型分波器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、携帯電話機、無線ＬＡＮ等の無線機器の回路部品として用いられる積層型分波器に関する。
【背景技術】
【０００２】
無線通信等に利用する複数の周波数の信号を分離するためにハイパスフィルタ、ローパスフィルタを有する分波器が用いられる。分波器は、単一のアンテナによって２つの信号の送出を可能にするダイプレクサとして用いることができる。
なお、積層型分波器において、ハイパスフィルタ回路をシールド電極上に配置するとともに、ローパスフィルタ回路部をハイパスフィルタ回路部より上側に配置することで、実装面積の削減、および外部からの影響の低減を図る技術が開示されている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−４３８８３公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
分波器では所望の周波数範囲（通過帯域）の信号を通過し、それ以外の周波数の信号を減衰させることが求められる。
しかしながら、通過帯域以外の信号の減衰特性を常に良好にするのは困難であり、例えば、通過帯域の信号の高調波（例えば、２倍高調波、３倍高調波）の信号の減衰特性が低下することが有り得る。
上記に鑑み、本発明は減衰特性の向上を図ることができる積層型分波器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記目的を達成するために、本発明に係る積層型分波器は、第１の平面上に配置され、かつそれぞれ接地される第１、第２の接地電極と、第２の平面上に配置され、かつ前記第１、第２の平板電極それぞれと静電的に結合する第１、第２の平板電極と、第３の平面上に配置され、前記第１、第２の平板電極それぞれと静電的に結合し、かつそれぞれ接地される第３、第４の接地電極と、前記第１の平板電極から構成される第１の容量素子を一部に有するローパスフィルタ回路と、前記第２の平板電極から構成される第２の容量素子を一部に有するハイパスフィルタ回路と、前記ローパスフィルタ回路および前記ハイパスフィルタ回路が接続される第１の端子と、前記第１、第２の平板電極それぞれと電気的に接続される第２、第３の端子と、を具備することを特徴とする。
【０００５】
第１の平面上に配置される第１、第２の接地電極と、第２の平面上に配置され、第１、第２の平板電極それぞれと静電的に結合する第１、第２の平板電極と、第３の平面上に配置され、第１、第２の平板電極それぞれと静電的に結合される第３、第４の接地電極から、積層型分波器を構成するローパスフィルタ回路およびハイパスフィルタ回路それぞれの要素である第１、第２の容量素子を構成する。第１、第２の接地電極および第３、第４の接地電極が分離されていることから、第１、第２の容量素子間、ひいてはローパスフィルタ回路とハイパスフィルタ回路間での信号の混入が防止され、それぞれのフィルタ回路本来の特性を発揮される。この結果、積層型分波器の減衰特性の向上が図られる。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、減衰特性の向上を図ることができる積層型分波器を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
（第１実施形態）
図１は本発明の第１の実施形態に係る積層型分波器１０の回路構成を表す図である。
図１に示すように積層型分波器１０は、アンテナ端子Ｔ１，低周波側端子Ｔ２，高周波側端子Ｔ３、およびそれらに接続されたローパスフィルタＬＰＦ，ハイパスフィルタＨＰＦを備える。
ローパスフィルタＬＰＦは、キャパシタ（コンデンサ：容量素子）Ｃ１，Ｃ２、インダクタ（インダクタンス素子）Ｌ１を備える。ハイパスフィルタＨＰＦは、キャパシタＣ３〜Ｃ７、インダクタＬ２，Ｌ３を備える。インダクタＬ２，キャパシタＣ２，Ｃ５，Ｃ７は接地のための接地端子（「グランド端子」ともいう）Ｇを介して接地される。
【０００８】
アンテナ端子Ｔ１は、アンテナと電気的に接続され、第１、第２の周波数（例えば、２．４ＧＨｚ、５．０ＧＨｚ）の信号が出力される。
低周波側端子Ｔ２，高周波側端子Ｔ３はそれぞれ、例えば、第１、第２の送信器と電気的に接続され、第１、第２の周波数（例えば、２．４ＧＨｚ、５．４２５ＧＨｚ）の信号が入力される。
低周波側端子Ｔ２，高周波側端子Ｔ３それぞれに入力される第１、第２の信号は、ローパスフィルタＬＰＦ、ハイパスフィルタＨＰＦを通過して、アンテナ端子Ｔ１から出力される。第１，第２の信号がそれぞれ、ローパスフィルタＬＰＦ、ハイパスフィルタＨＰＦを通過することから、高周波側端子Ｔ３、低周波側端子Ｔ２への信号の混入が防止される。
【０００９】
この逆に、アンテナ端子Ｔ１から第１、第２の信号を入力した場合には、これらの信号は低周波側端子Ｔ２，高周波側端子Ｔ３から分離して出力される。即ち、ローパスフィルタＬＰＦによって、より低周波の第１の周波数（例えば、２．４ＧＨｚ）の信号は低周波側端子Ｔ２へと出力される。また、ハイパスフィルタＨＰＦによって、より高周波の第２の周波数（例えば、５．４２５ＧＨｚ）の信号は高周波側端子Ｔ３へと出力される。
【００１０】
図２は、本発明の第１の実施形態に係る積層型分波器１０の外観を表す図である。
積層型分波器１０は、基板１１〜２５を重ね合わせて構成される。基板１１〜２５に、例えば、ガラスセラミック（誘電率εｒ＝７．９、ｔanδ＝４．８×１０-3）からなる２０１２（２．０mm×１．２５mm）タイプの基板を用い、厚膜印刷により銀ペースト等を印刷した電極パターンが形成される。これらの基板１１〜２５を高さ０．９５ｍｍ程度に積層することで積層型分波器１０が構成される。
なお、基板１１〜２５は、ガラスセラミック以外のセラミック素材であっても良い。
【００１１】
各基板１１〜２５の側辺には所定の端子となる切欠部３１〜３６が形成されている。この切欠部３１〜３６は、積層時に基板１１〜２５の積層方向で一致し、積層方向に延びる溝部を構成する。この溝部に銀ペーストを印刷することで、アンテナ端子Ｔ１、低周波側端子Ｔ２，高周波側端子Ｔ３、および接地端子Ｇとして機能することとなる。
切欠部３１〜３３がそれぞれアンテナ端子Ｔ１、低周波側端子Ｔ２，高周波側端子Ｔ３に、切欠部３４〜３６が接地端子Ｇに対応する。アンテナ端子Ｔ１、低周波側端子Ｔ２，高周波側端子Ｔ３の間に、接地端子Ｇが配置されている。これは、アンテナ端子Ｔ１、低周波側端子Ｔ２，高周波側端子Ｔ３を互いに遮蔽し、信号の干渉（混入）を防止するためである。
【００１２】
図３は、積層型分波器１０を構成する基板１１〜２５を分離した状態を表す分解斜視図である。
積層型分波器１０では、基板１１〜１８が、ローパスフィルタＬＰＦとして機能し、基板１１〜１３，１８〜２４がハイパスフィルタＨＰＦとして機能する。即ち、ローパスフィルタＬＰＦ、ハイパスフィルタＨＰＦが上下に配置され、基板１１〜１３，１８は、ローパスフィルタＬＰＦ、ハイパスフィルタＨＰＦで共通に用いられる共通基板である。
【００１３】
基板１１は、下面にランドパターン（実装用の電極のパターン）１０１ａ〜１０１ｆ（図示せず）を有する。ランドパターン１０１ａ〜１０１ｃはそれぞれ、アンテナ端子Ｔ１、低周波側端子Ｔ２，高周波側端子Ｔ３に，ランドパターン１０１ｄ〜１０１ｆは接地端子Ｇに対応する。
【００１４】
基板１１は、上面に接地（アース）用の平板電極１１２ａ，１１２ｂおよび接続部１１３ａ，１１３ｂ、１１４，１１５の電極パターンを有する。平板電極１１２ａは、接続部１１３ａ、１１４によって、接地端子Ｇに接続され、後述する平板電極１２１と静電的に結合すると共に、平板電極１２１を外部から遮蔽し、積層型分波器１０の動作の安定化を図っている。平板電極１１２ｂは、接続部１１３ｂ、１１５によって、接地端子Ｇに接続され、後述する平板電極１２２と静電的に結合すると共に、平板電極１２２を外部から遮蔽し、積層型分波器１０の動作の安定化を図っている。
平板電極１１２ａ，１１２ｂは、互いに０．１±０．０５μｍの間隙を介して並列に配置されており、一つの平板電極を分断したものと考えることもできる。平板電極１１２ａ，１１２ｂは、接地端子Ｇを介して電気的に接続されているものの、１つの平板電極で構成する場合と比較して、互いの電気的結合が弱くなっている。このため、積層型分波器１０の減衰特性の向上が図られる。なお、この詳細は後述する。
【００１５】
基板１２は、キャパシタＣ２、Ｃ７用の平板電極１２１、１２２および接続部１２３，１２４の電極パターンを有する。
平板電極１２１は、平板電極１１２ａと対応して配置され、平板電極１１２ａおよび後述の平板電極１３１ａと静電的に結合し、キャパシタＣ２として機能する。平板電極１２１は、接続部１２３によって低周波側端子Ｔ２と電気的に接続される。
平板電極１２２は、平板電極１１２ｂと対応して配置され、平板電極１１２ｂおよび後述の平板電極１３１ｂと静電的に結合し、キャパシタＣ７として機能する。平板電極１２２は、接続部１２４によって高周波側端子Ｔ３と電気的に接続される。
【００１６】
基板１３は、上面に接地（アース）用の平板電極１３１ａ，１３１ｂおよび接続部１３２ａ，１３２ｂ、１３３，１３４の電極パターンを有する。平板電極１３１ａは、接続部１３２ａ、１３３によって、接地端子Ｇに接続され、平板電極１２１と静電的に結合すると共に、平板電極１２１を外部から遮蔽し、積層型分波器１０の動作の安定化を図っている。平板電極１３１ｂは、接続部１３２ｂ、１３４によって、接地端子Ｇに接続され、平板電極１２２と静電的に結合すると共に、平板電極１２２を外部から遮蔽し、積層型分波器１０の動作の安定化を図っている。
【００１７】
平板電極１３１ａ，１３１ｂは、互いに０．１±０．０５μｍの間隙を介して並列に配置されており、一つの平板電極を分断したものと考えることもできる。平板電極１３１ａ，１３１ｂは、接地端子Ｇを介して電気的に接続されているものの、１つの平板電極で構成する場合と比較して、互いの電気的結合が弱くなっている。このため、積層型分波器１０の減衰特性の向上が図られる。なお、この詳細は後述する。
【００１８】
基板１４〜１６には、インダクタＬ１が配置される。後述の線路１４１，１５１，１６１がインダクタＬ１を構成する。インダクタＬ１を３つの基板１４〜１６に分離して配置したのは、基板面積、ひいては積層型分波器１０のサイズの増大を防止するためである。
基板１４は、インダクタＬ１用の線路１４１、接続部１４２，１４３の電極パターンを有する。線路１４１は、両端に設けられた接続部１４２、１４３によって低周波側端子Ｔ２および後述のビア（層間接続配線）１５４と電気的に接続される。
基板１５は、インダクタＬ１用の線路１５１、接続部１５２，１５３の電極パターンを有する。接続部１５２にはビア１５４が設けられる。線路１５１は、一端に設けられた接続部１５２、ビア１５４を介して、線路１４１と電気的に接続される。また、線路１５１は、他端に設けられた接続部１５３によって後述のビア１６４と電気的に接続される。
基板１６は、インダクタＬ１用の線路１６１、接続部１６２，１６３の電極パターンを有する。接続部１６２にはビア１６４が設けられる。線路１６１は、一端に設けられた接続部１６２、ビア１６４を介して、線路１５１と電気的に接続される。また、線路１６１は、他端に設けられた接続部１６３によって後述のビア１８３と電気的に接続される。
【００１９】
基板１７は、キャパシタＣ１用の平板電極１７１および接続部１７２の電極パターンを有する。また後述のビア１８３が、基板１７を上下に貫通する。平板電極１７１は、後述の平板電極１８１と静電的に結合してキャパシタＣ１を構成する。平板電極１７１は、接続部１７２によって、低周波側端子Ｔ２と電気的に接続される。
基板１８は、キャパシタＣ１、Ｃ３両用の平板電極１８１および接続部１８２の電極パターンを有する。平板電極１８１内にビア１８３が配置される。平板電極１８１は、平板電極１７１と静電的に結合し、ビア１８３によって線路１６１と電気的に接続される。
【００２０】
基板１９は、キャパシタＣ３、Ｃ４両用の平板電極１９１，キャパシタＣ６用の平板電極１９２、接続部１９３，１９４の電極パターンを有する。平板電極１９１は、平板電極１８１と静電的に結合してキャパシタＣ３を、後述の平板電極２０１と静電的に結合してキャパシタＣ４をそれぞれ構成し、接続部１９３によって後述のビア２３７と電気的に接続される。平板電極１９２は、後述の平板電極２０２と静電的に結合してキャパシタＣ６を構成し、接続部１９４によって高周波側端子Ｔ３と電気的に接続される。
【００２１】
基板２０は、キャパシタＣ４、Ｃ５，Ｃ６両用の平板電極２０１，接続部２０２の電極パターンを有する。また後述のビア２３７が、基板２０を上下に貫通する。平板電極２０１は、平板電極１９１、１９２それぞれと静電的に結合してキャパシタＣ４、Ｃ６を構成し、接続部２０２によって後述のビア２２４と電気的に接続される。平板電極２０１は、後述の平板電極２１１と静電的に結合してキャパシタＣ５を構成する。
【００２２】
基板２１は、キャパシタＣ５用の平板電極２１１，接続部２１２の電極パターンを有する。後述のビア２３７，２２４が基板２１を上下に貫通する。平板電極２１１は、平板電極２０１と静電的に結合してキャパシタＣ５を構成し、接続部２１２によって接地端子Ｇと電気的に接続される。
【００２３】
基板２２は、インダクタＬ３用の線路２２１、接続部２２２，２２３の電極パターンを有する。接続部２２２にはビア２２４が設けられる。ビア２３７が基板２２を上下に貫通する。線路２２１は、一端に設けられた接続部２２２、ビア２２４を介して、平板電極２０１と電気的に接続される。また、線路２２１は、他端に設けられた接続部２２３によって後述のビア２３８と電気的に接続される。
【００２４】
基板２３は、インダクタＬ２、Ｌ３用の線路２３１、２３２，接続部２３３〜２３６の電極パターンを有する。接続部２３３、２３５それぞれにはビア２３７，２３８が設けられる。線路２３１は、一端に設けられた接続部２３３、ビア２３７を介して、平板電極１９１と電気的に接続される。また、線路２３１は、他端に設けられた接続部２３４によって後述のビア２４４と電気的に接続される。線路２３２は、一端に設けられた接続部２３５、ビア２３８を介して、線路２２１と電気的に接続される。この結果、線路２２１，２３２全体としてインダクタＬ３として機能する。また、線路２３２は、他端に設けられた接続部２３６によって高周波側端子Ｔ３と電気的に接続される。
【００２５】
基板２４は、インダクタＬ２用の線路２４１，接続部２４２，２４３の電極パターンを有する。接続部２４２にはビア２４４が設けられる。線路２４１は、一端に設けられた接続部２４２、ビア２４４を介して、線路２３１と電気的に接続される。この結果、線路２３１，２４１全体としてインダクタＬ２として機能する。また、線路２４１は、他端に設けられた接続部２４３によって接地端子Ｇと電気的に接続される。
基板２５は、特段のパターンを有せず、主として基板２４を保護するためのものである。
【００２６】
基板１２の平板電極１２１、１２２は、接地端子Ｇと電気的に接続された基板１１，１３の平板電極１１２ａ，１３１ａおよび平板電極１１２ｂ，１３１ｂによって挟まれている。この結果、平板電極１２１、１２２は、基板１２、平板電極１１２ａ、１１２ｂとの間で第１のキャパシタＣ２１、Ｃ７１を、基板１３、平板電極１３１ａ，１３１ｂとの間で第２のキャパシタＣ２２、Ｃ７２を形成する。そして、これら第１、第２のキャパシタが並列に接続されることで全体としてキャパシタＣ２，Ｃ７として機能することになる（Ｃ２＝Ｃ２１＋Ｃ２２、Ｃ７＝Ｃ７１＋Ｃ７２）。
【００２７】
ここで、平板電極１１２ａ，１１２ｂ間および平板電極１３１ａ，１３１ｂ間が間隙で区切られていることから、キャパシタＣ２，Ｃ７間、ひいてはローパスフィルタＬＰＦ，ハイパスフィルタＨＰＦ間での信号の干渉が低減され、積層型分波器１０の減衰特性が向上する。
【００２８】
（変形例）
図４は、変形例たる積層型分波器１０ａを構成する基板１１〜１３，１４ａ〜２４ａ、２５を分離した状態を表す分解斜視図である。基板１４ａ〜２４ａは、積層型分波器１０の基板１４〜２４に対応する電極パターンを有し、かつ配列の順序が逆となっている。積層型分波器１０と基板の配列が異なることから、積層型分波器１０のビア１５４，１６４，１８３，２２４，２３７，２３８、２４４に換えて、積層型分波器１０ａはビア１４４，１５５，１６５，１９５，２０３，２２５，２３９を有する。
この変形例でも平板電極１１２ａ，１１２ｂ間および平板電極１３１ａ，１３１ｂ間が間隙で区切られていることから、キャパシタＣ２，Ｃ７間での干渉が低減され、積層型分波器１０の減衰特性が向上する。
【００２９】
（比較例）
図５は、比較例１たる積層型分波器１０ｘを構成する基板１１ｘ、１２，１３ｘ、１４〜２５を分離した状態を表す分解斜視図である。基板１１ｘ、１３ｘ上に平板電極１１２，１３１が配置されている。即ち、積層型分波器１０の平板電極１１２ａ，１１２ｂおよび平板電極１３１ａ，１３１ｂが平板電極１１２，１３１として一体的に構成されている。また、比較例２として、積層型分波器１０の基板１１、１３のうち基板１３のみを基板１３ｘとした積層型分波器１０ｘ１を、比較例３として、積層型分波器１０の基板１１、１３のうち基板１１のみを基板１１ｘとした積層型分波器１０ｘ２を挙げることができる。
これら比較例１〜３に係る積層型分波器１０ｘ、１０ｘ１，１０ｘ２では、キャパシタＣ２，Ｃ７間での干渉の結果、積層型分波器１０と比較して、減衰特性が不十分となる可能性がある。
【００３０】
（積層型分波器の特性）
積層型分波器１０，１０ａ、１０ｘ、１０ｘ１，１０ｘ２の特性をシミュレーションで求めた結果につき説明する。
図６，７はそれぞれ、本発明の一実施形態に係る積層型分波器１０の透過率Ｔ、反射率Ｒ、分離度の周波数特性を表したグラフである。図６の横軸が高周波信号の周波数ｆ［ＧＨｚ］、縦軸が透過率Ｔ［ｄＢ］、反射率Ｒ［ｄＢ］に対応する。図７の横軸が高周波信号の周波数ｆ［ＧＨｚ］、縦軸が分離度Ｉ［ｄＢ］に対応する。
【００３１】
透過率Ｔは、アンテナ端子Ｔ１から信号を入力したときにおけるアンテナ端子Ｔ１での高周波信号の信号強度Ｗ１と高周波側端子Ｔ３から出力される信号強度Ｗ３の比（Ｔ＝Ｗ３／Ｗ１）である。反射率Ｒは、高周波側端子Ｔ３から信号を入力したときにおける高周波側端子Ｔ３での高周波信号の信号強度Ｗ３と反射されて高周波側端子Ｔ３に戻った信号強度Ｗ３１の比（Ｒ＝Ｗ３１／Ｗ３）である。分離度Ｉは、高周波側端子Ｔ３から信号を入力したときにおける高周波側端子Ｔ３での高周波信号の信号強度Ｗ３と低周波側端子Ｔ２から出力される信号強度Ｗ２の比（Ｉ＝Ｗ２／Ｗ３）である。
【００３２】
図８，９はそれぞれ、本発明の変形例に係る積層型分波器１０ａの透過率Ｔ、反射率Ｒ、分離度の周波数特性を表したグラフである。
図１０，１１はそれぞれ、本発明の比較例１に係る積層型分波器１０ｘの透過率Ｔ、反射率Ｒ、分離度の周波数特性を表したグラフである。
図１２，１３はそれぞれ、本発明の比較例２に係る積層型分波器１０ｘ１の透過率Ｔ、反射率Ｒ、分離度の周波数特性を表したグラフである。比較例１は、基板１１のみを基板１１ｘに変更したものである。
図１４，１５はそれぞれ、本発明の比較例３に係る積層型分波器１０ｘ２の透過率Ｔ、反射率Ｒ、分離度の周波数特性を表したグラフである。比較例２は、基板１３のみを基板１３ｘに変更したものである。
【００３３】
図６〜１５から、本発明の実施例に係る積層型分波器１０、１０ａでは比較例に係る積層型分波器１０ｘ、１０ｘ１，１０ｘ２に比較して、周波数１５〜１８ＧＨｚの範囲で反射率Ｒおよび分離度Ｉが抑えられていることが判る。
比較例では周波数１５ＧＨｚ以上で周波数と共に増大する傾向を示しているが、実施例では周波数の増大と共にむしろ低減する傾向にある。数値的にみても、比較例では周波数１５ＧＨｚ付近以上で−２０ｄＢを越え、周波数１８ＧＨｚで−１５ｄＢより大きくなっているのに対して、実施例では周波数１５ＧＨｚ付近以上〜１８ＧＨｚの範囲で−２０ｄＢを越えていない。
【００３４】
周波数１５〜１８ＧＨｚの周波数範囲は、ハイパスフィルタＨＰＦ本来の通過周波数帯域である４．９〜５．９５ＧＨｚの３倍高調波の領域に対応する。
積層型分波器１０をデュプレクサとして用いる場合には、低波側端子Ｔ２、高周波端子Ｔ３それぞれに低周波用送信器および高周波用送信器が接続される。そして、高周波用送信器からの信号が高周波側端子Ｔ３から入力され、アンテナ端子Ｔ１へと出力される。高周波用送信器から出力される信号には、本来の周波数の信号に加えて、２倍高調波、３倍高調波の信号が含まれる可能性がある。分離度Ｉが十分に小さくないと、このときに高周波側端子Ｔ３から入力された高調波の信号が低周波側端子Ｔ２から出力され、低周波側送信器に流入してその動作を阻害する可能性がある。積層型分波器１０、１０ａでは周波数１５〜１８ＧＨｚの周波数範囲での分離度が十分に小さく、このような信号の混入がほとんど問題とならない。
【００３５】
また、積層型分波器１０によってアンテナ端子Ｔ１から流入する信号には種々の周波数の信号が含まれる可能性がある。アンテナ端子Ｔ１から入力された信号をハイパスフィルタＨＰＦによって所望の周波数帯域の信号に分離するが、所望の周波数帯域以外での透過率Ｔが十分に小さくないと、所望の周波数帯域以外の信号が高周波側端子Ｔ３に出力される可能性がある。積層型分波器１０、１０ａでは周波数１５〜１８ＧＨｚの周波数範囲での透過率が十分に小さく、このような信号の混入がほとんど問題とならない。
【００３６】
このような信号の混入は、ローパスフィルタＬＰＦ側の通過周波数帯域（２．３〜２．５ＧＨｚ）に対しても考慮しなければならないが、低周波帯域での積層型分波器１０の設計は高周波帯域に比べて容易である。この結果、ハイパスフィルタＨＰＦの通過周波数帯域よりも高周波の周波数帯域、特にその３倍高調波の領域が積層型分波器１０の設計上困難な問題として残りがちである。
本発明の実施形態に示したように、基板１１，１３上それぞれの平板電極１１２、および平板電極１３１をいずれも電極１１２ａ，１１２ｂ、および電極１３１ａ，１３１ｂに分離することで、このような高周波側信号の３倍高調波の領域の特性（透過率Ｔ、分離度Ｉ）を向上することができる。
【００３７】
次に実際に作成した積層型分波器の特性を測定した結果を示す。
図１６，１７はそれぞれ、本発明の実施例に係る積層型分波器１０および変形例に係る積層型分波器１０ｘの透過率Ｔの周波数特性を表したグラフである。
図１６，１７から示されるように、周波数１５〜１８ＧＨｚ付近以上での透過率Ｔが、積層型分波器１０では積層型分波器１０ｘよりも小さい。数値的にみて、比較例では周波数１６ＧＨｚ付近以上で−２０ｄＢを越えているのに対して、実施例では周波数１５ＧＨｚ付近以上〜１８ＧＨｚの範囲で−２０ｄＢを越えていない。
【００３８】
以上のように、本発明に係る積層型分波器１０は、電極１２１，１２２を上下で夾む接地電極１１２，１３１の双方を分割することで、周波数１５ＧＨｚ以上の帯域（３倍高調波の領域）での減衰特性が向上している。そして、この特性は基板１１〜１３以外の基板１４〜２４の配列の影響をさほど受けない。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明に係る積層型分波器の回路構成を表す図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る積層型分波器の外観を表す図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る積層型分波器を構成する多層基板を分離した状態を表す分解斜視図である。
【図４】本発明の変形例に係る積層型分波器を構成する多層基板を分離した状態を表す分解斜視図である。
【図５】本発明の比較例たる積層型分波器を構成する多層基板を分離した状態を表す分解斜視図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る積層型分波器の透過率および反射率の周波数特性のシミュレーション結果を表したグラフである。
【図７】本発明の一実施形態に係る積層型分波器の分離度の周波数特性のシミュレーション結果を表したグラフである。
【図８】本発明の変形例に係る積層型分波器の透過率および反射率の周波数特性のシミュレーション結果を表したグラフである。
【図９】本発明の変形例に係る積層型分波器の分離度の周波数特性のシミュレーション結果を表したグラフである。
【図１０】本発明の比較例１に係る積層型分波器の透過率および反射率の周波数特性のシミュレーション結果を表したグラフである。
【図１１】本発明の比較例１に係る積層型分波器の分離度の周波数特性のシミュレーション結果を表したグラフである。
【図１２】本発明の比較例２に係る積層型分波器の透過率および反射率の周波数特性のシミュレーション結果を表したグラフである。
【図１３】本発明の比較例２に係る積層型分波器の分離度の周波数特性のシミュレーション結果を表したグラフである。
【図１４】本発明の比較例３に係る積層型分波器の透過率および反射率の周波数特性のシミュレーション結果を表したグラフである。
【図１５】本発明の比較例３に係る積層型分波器の分離度の周波数特性のシミュレーション結果を表したグラフである。
【図１６】本発明の一実施形態に係る積層型分波器の透過率の周波数特性の測定結果を表したグラフである。
【図１７】本発明の比較例に係る積層型分波器の透過率の周波数特性の測定結果を表したグラフである。
【符号の説明】
【００４０】
１０   積層型分波器
ＬＰＦ ローパスフィルタ
ＨＰＦ ハイパスフィルタ
Ｔ１   アンテナ端子
Ｔ２   低周波側端子
Ｔ３   高周波側端子
Ｇ     接地端子
Ｌ１〜Ｌ３  インダクタ
Ｃ１〜Ｃ７  キャパシタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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