(57)【要約】      （修正有）【課題】  ポリマーフィルムと金属シード層との密着性の優れた、フレキシブル基板の製造方法の提供。【解決手段】     ポリマーフィルムの表面上に金属シード層を形成し、次いで該金属シード層の表面上に導体層を形成するフレキシブル基板の製造方法において、前記ポリマーフィルムとしてリン酸カルシウム、又はリン酸水素カルシウムを含有するポリマーフィルムを用い、該フィルムを予め真空中又は大気中にて１００〜１４０℃で、脱水処理した後、該フィルムの表面上に真空中にて−１０〜１４０℃で金属シード層を形成し、次いで該金属シード層の表面上に真空中にて−１０〜１４０℃で導体層を形成することを特徴とする。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリマーフィルムの表面上に金属シード層を形成し、次いで該金属シード層の表面上に導体層を形成するフレキシブル基板の製造方法において、前記ポリマーフィルムとしてリン酸カルシウム、又はリン酸水素カルシウムを含有するポリマーフィルムを用い、該フィルムを予め真空中又は大気中にて１００〜１４０℃で、脱水処理した後、該フィルムの表面上に真空中にて−１０〜１４０℃で金属シード層を形成し、次いで該金属シード層の表面上に真空中にて−１０〜１４０℃で導体層を形成することを特徴とするフレキシブル基板の製造方法。
【請求項２】
前記脱水処理は、巻出しロールから巻取りロールまでの間を搬送中にある前記ポリマーフィルムの少なくとも片面を、加熱装置を用いて加熱することにより行われることを特徴とする請求項1記載のフレキシブル基板の製造方法。
【請求項３】
巻出しロールから巻取りロールまでの間を搬送中にある前記ポリマーフィルムの少なくとも片面に、前記金属シード層を形成することを特徴とする請求項1又は２記載のフレキシブル基板の製造方法。
【請求項４】
前記金属シード層、導体層が、スパッタリング法若しくは真空蒸着法により形成されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載のフレキシブル基板の製造方法。
【請求項５】
前記導体層が、スパッタリング法もしくは真空蒸着法により形成された後、更にめっき法により形成されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載のフレキシブル基板の製造方法。
【請求項６】
前記ポリマーフィルムがポリイミドからなるものであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか1項記載のフレキシブル基板の製造方法。
【請求項７】
前記真空中の脱水処理が、圧力１×１０−２Ｐａ以下で行われるか、若しくは、不活性ガスを投入して圧力１×１０−２Ｐａ以下で行われることを特徴とする請求項１〜６のいずれか1項記載のフレキシブル基板の製造方法。
【請求項８】
前記ポリマーフィルム脱水処理後、前記金属シード層形成前に、更に該ポリマーフィルムの表面を真空中にて、フィルム温度を２０℃〜１４０℃としてプラズマ処理することを特徴とする請求項１〜７のいずれか1項記載のフレキシブル基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ポリマーフィルムと、該フィルム表面上に形成された金属シード層と、該金属シード層の上に形成された導体層とを有するフレキシブル基板の製造方法に係り、より詳しくは、ピンホールに起因する銅導体部の欠落がなく、かつ該フィルムとの密着性に優れ、また、得られたフレキシブル基板のエッチング工程で配線間にエッチング残渣を発生させないフレキシブル基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
フレキシブル配線板を作製するために用いられるフレキシブル基板は、主として絶縁体フィルム上に接着剤を用いて導体層となる銅箔を貼り合わせた３層フレキシブル基板と、該絶縁体フィルム上に接着剤を用いることなしに乾式めっき法または湿式めっき法により直接銅導体層を形成した２層フレキシブル基板とに大別される。
ここで、３層フレキシブル基板を用いる場合には、サブトラクティブ法によって絶縁基板上に所望の配線パターンを形成することにより３層フレキシブル配線板を製造することができ、また、２層フレキシブル基板を用いる場合には、サブトラクティブ法またはアディティブ法によって基板上に所望の配線パターンを形成することにより２層フレキシブル配線板を製造することができる。
従来、製造方法が簡単で、低コストで製造することができる３層フレキシブル基板の使用が主流を占めていた。
【０００３】
ところで、近年、電気製品のさらなる小型化、高性能化の必要性から、電子部品の小型化が進んでいる。かかる電子部品の小型化に伴い、ＩＣをマザーボードに実装するためのＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）やＢＧＡ（Ｂａｌｌ  ＧｒｉｄＡｒｒａｙ）等の半導体パッケージにおいて、フレキシブル基板がＩＣの配線の一部として用いる半導体基板用途にも用いられるようになり、フレキシブル基板の配線パターンの細線化が重要になってきた。
【０００４】
配線板の製造に際しては、基板の絶縁体フィルム上に形成した銅導体層を所望の配線パターンにエッチングして配線部の形成を行う場合に、配線部の側面がエッチングされる、いわゆるサイドエッチングを生ずるために、配線部の断面形状が裾広がりの台形状になり易い。
従って、配線部間の電気的絶縁性を確保するまでエッチングを行うと配線ピッチ幅が広くなり過ぎてしまうために、従来、一般的に使用されてきた３５μｍ厚さの銅箔をフィルムに貼り合わせた３層フレキシブル基板を用いる限り、配線板における配線部の狭ピッチ化（高密度化）するには限界があった。
【０００５】
このため、接着剤を施すことなく直接絶縁体フィルム上に銅導体層を形成することができる２層フレキシブル基板を用いた２層フレキシブル配線板が注目されるに至った。
かかる２層フレキシブル基板は接着剤なしで直接絶縁体フィルム上に銅導体層を形成するものであり、従って基板自体の厚さを薄くすることができる上に、被着させる銅導体の層厚も任意の薄さに調整することができるという利点を有している。
そして、このような２層フレキシブル基板を製造する場合には、絶縁体フィルム上に廉価に均一な厚さの銅導体層を形成するための手段として、通常は電気銅めっき法が採用されるが、そのためには、電気銅めっき被膜を施す絶縁体フィルムの上に薄膜の金属シード層を成膜して表面全面に導電性を付与し、その上に電気銅めっき処理を行うのが一般的である。
【０００６】
金属シード層を形成した絶縁体フィルム上に所望の厚さの銅導体層を形成した２層フレキシブル基板を用いて、例えば、サブトラクティブ法によって２層フレキシブル配線板の製造を行う場合を例にとって説明すると、配線部パターンの形成は次の工程で行われる。
（１）該銅導体層上に、配線部のみがマスキングされ非配線部の銅導体層が露出するような所望の配線部パターンを有するレジスト層を設ける、（２）露出している銅導体層を化学エッチング処理により除去する、（３）最後にレジスト層を剥離除去する。
【０００７】
この配線パターンを形成するためのエッチング工程で、配線間にエッチング残渣と呼ばれる金属成分の溶け残りが残存するとショート不良の原因につながるため、配線の微細化に伴い、このエッチング残渣の有無を検出する検査はますます厳密になってきている。ここで、このエッチング残渣は主にポリマーフィルム中に存在する充填材（フィラー）周囲で多く見られ、これらが原因となっていることが考えられている。
ところで、絶縁体フィルム上に薄膜の金属シード層を形成するためには、該フィルム表面をスパッタリング法もしくは真空蒸着法などの乾式めっき法を使用するのが一般的であるが、このような乾式めっき法で得られる被膜層には、主に３〜１０μｍの大きさのピンホールが発生する場合があるので、金属シード層には往々にしてこのピンホールによる絶縁体フィルム露出部分を生ずることになる。
ところが、配線の微細化の傾向に伴い、これまでは問題とならなかった微細な欠陥が問題となることが明らかとなってきた。すなわち、従来は大きな問題とならなかった径１０μｍ以下のピンホールの存在によって、回路加工後に断線が発生する場合があることがわかってきた。
このため、ピンホール発生原因を調査検討したところ、ポリマーフィルム中の充填材がフィルム中から突出することが原因である場合が多いことが明らかとなった。
かかる充填材の突出によるピンホールは、ポリマーフィルムが乾式めっき処理時に高温に曝された状態で起きていることが考えられる。
従って、２層フレキシブル基板の製造においては、金属シード層を成膜する前処理としてポリマーフィルムに含まれる水分を脱水処理することが一般的であるが、加熱を行う場合にはポリマーフィルムが分解反応を始める温度以下の範囲内で行う必要がある。
【０００８】
かかる問題点に関連する従来技術として、例えば、特許文献１には、ポリイミドフィルムの上面に１５０〜２８０℃の温度下でスパッタリング法により金属シード層を形成することで密着性を上げ、ピンホールを減少させる製造方法が記載されている。
しかしながら、特許文献１では、スパッタリング時にフィルム中の充填材が突出し、ピンホールの発生の原因となると思われる突出の原因となるピンホール発生に伴う不良の発生を防止する手法として、充填材を含まないポリマーフィルムを用いることが提案されており、ここで、該充填材はフィルムの搬送性の向上に大きな効果を持つことから、充填材無しのポリマーフィルムでは、フィルムメーカーの製造工程においても、フレキシブル基板の製造工程においても、搬送性が悪くなり、皺等の欠陥が生じ、充填材を含まないポリマーフィルムを使用することは実施上困難が伴うことになる。
【０００９】
また、充填材を含むポリマーフィルムを使用する場合として、例えば、特許文献２には、ポリマーフィルムの充填材であるリン酸カルシウムおよび（または）リン酸水素カルシウムを、クエン酸、塩酸、硝酸から選ばれる少なくとも１種により酸処理を行い、ポリマーフィルム表面上から除去することにより、表面の平滑性を得て、銅導体層が充填材と一緒に欠落したり、突出している部分でフィルムと擦れた際に剥離する等を原因としてピンホールが発生することを防止するフレキシブル基板の製造方法が記載されている。
しかしながら、この場合、ポリマーフィルムを酸溶液中に浸漬するための槽と、該槽内には攪拌および超音波装置が必要となるとともに、酸溶液を使用することで、ドラフト内での作業が必要となり、新たに設備と工程や出費を増やす必要が生じる。さらには、前記除去処理に用いた酸がフィルムから完全に除去できない場合があり、除去できずに金属層を形成した場合は、絶縁信頼性に悪影響を及ばすため、フレキシブル基板の製造方法としては課題を残していた。
【００１０】
【特許文献１】特開２００２−９４２０２号公報
【特許文献２】特開２００４−３１４０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、ポリマーフィルムと該フィルム表面上に形成された金属シード層と、該金属シード層の上に形成された導体層とを有するフレキシブル基板の製造における上記問題点を解決し、金属シード層を形成するに際にポリマーフィルムの充填材の突出を起因として生ずるピンホール発生が無く、また、エッチング工程で配線間にフィルム表面の充填材周辺でエッチング残渣を発生させず、かつ、該フィルムと金属シード層との密着性の優れた、フレキシブル基板の製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者は、２層フレキシブル基板の製造方法において、充填材としてリン酸カルシウム、又はリン酸水素カルシウムを含むポリマーからなるフィルムを用いた場合において、高温でスパッタリング処理等を行って金属シード層を成膜すると、リン酸カルシウム、又はリン酸水素カルシウム中の水和水が脱水を始め、それと共にリン酸カルシウム、又はリン酸水素カルシウムの塊が、フィルムから突出し、その時成膜中の金属シード層を局所的に破壊し、ピンホールの発生につながっていることを見出した。
更に、ポリマーフィルムの前処理である脱水処理においても、フィルムを高温に加熱すると、同様に、リン酸カルシウム、又はリン酸水素カルシウムの塊がフィルムから突出し、フィルム表面の平滑性が損なわれ、ピンホールの発生につながっていることも判明した。
また、水和水が脱水を始めることにより、スパッタリング中の金属成分が酸化され、エッチング処理工程で該金属酸化物が残渣となることを見出した。
【００１３】
以上のことから、充填材としてリン酸カルシウム、又はリン酸水素カルシウムを含むポリマーフィルムを用いフレキシブル基板を作製する場合には、ポリマーフィルムの脱水処理を、比較的低温範囲（真空中又は大気中において１００〜１４０℃）で、さらに真空中においては比較的低圧範囲（真空中においては圧力１×１０−２Ｐａ以下、真空に不活性ガスを投入した場合においては圧力１×１０−２Ｐａ）で行い、金属シード層形成を、比較的低温範囲（真空中において−１０〜１４０℃）で行う、ことにより、このリン酸カルシウム、又はリン酸水素カルシウムの塊がフィルムから突出し、フィルム表面の平滑性が損なわれ、ピンホールが発生してしまうという挙動を十分に制御することが可能であることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１４】
即ち、本発明に係るフレキシブル基板の製造方法は、ポリマーフィルムの表面上に金属シード層を形成し、次いで該金属シード層の表面上に導体層を形成するフレキシブル基板の製造方法において、前記ポリマーフィルムとしてリン酸カルシウム、又はリン酸水素カルシウムを含有するポリマーフィルムを用い、該フィルムを予め真空中又は大気中にて１００〜１４０℃で、脱水処理した後、該フィルムの表面上に真空中にて−１０〜１４０℃で金属シード層を形成し、次いで該金属シード層の表面上に真空中にて−１０〜１４０℃で導体層を形成することを特徴とするものである。
【００１５】
また、本発明に係る他のフレキシブル基板の製造方法は、前記脱水処理が、巻出しロールから巻取りロールまでの間を搬送中にある前記ポリマーフィルムの少なくとも片面を、加熱装置を用いて加熱することにより行われることを特徴とし、巻出しロールから巻取りロールまでの間を搬送中にある前記ポリマーフィルムの少なくとも片面に、前記金属シード層を形成することを特徴とするものである。
更に、本発明に係る他のフレキシブル基板の製造方法は、前記金属シード層、導体層が、スパッタリング法もしくは真空蒸着法により形成されることを特徴とし、又は、前記導体層が、スパッタリング法もしくは真空蒸着法により形成された後、更にめっき法により形成されることを特徴とし、前記ポリマーフィルムがポリイミドからなるものであることを特徴とするものである。
また、本発明に係る他のフレキシブル基板の製造方法は、前記真空中の脱水処理が、圧力１×１０−２Ｐａ以下で行われるか、若しくは、不活性ガスを投入して圧力１×１０−２Ｐａ以下で行われることを特徴とし、前記ポリマーフィルム脱水処理後、前記金属シード層形成前に、更に該ポリマーフィルムの表面を真空中にて２０℃〜１４０℃でプラズマ処理することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係るフレキシブル基板の製造方法によれば、リン酸カルシウム、又はリン酸水素カルシウムを充填材として含むポリマーからなるフィルムを用い、該ポリマーフィルムに金属シード層を成膜する前に、予め前記ポリマーフィルムを真空中又は大気中にて１００〜１４０℃で脱水処理を行い、次いで、該フィルムの表面上に真空中にて−１０〜１４０℃の温度下で金属シード層を成膜した後、該金属シード層上に真空中にて−１０〜１４０℃で導体層を形成することにより、金属シード層を成膜するに際して生ずる充填材の突出を起因とするピンホールの発生がなく、また、エッチング工程で、配線間にフィルム表面の充填材周辺でエッチング残渣を発生させず、かつ該ポリマーフィルムと金属シード層との密着性の優れたフレキシブル基板を提供することができる。そしてこのようにして得られたフレキシブル基板を用いることにより、配線パターンの細線化の要請に対応可能なフレキシブル配線板を提供でき、ＩＣの配線の一部として用いる半導体基板用途にも用いることができ、有用である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明は、ポリマーフィルムの表面上に金属シード層を形成し、次いで該金属シード層の表面上に導体層を形成するフレキシブル基板の製造方法において、前記ポリマーフィルムとしてリン酸カルシウム、又はリン酸水素カルシウムを含有するポリマーフィルムを用い、該フィルムを予め真空中又は大気中にて１００〜１４０℃で脱水処理した後、該フィルムの表面上に真空中にて−１０〜１４０℃で金属シード層を形成し、次いで該金属シード層の表面上に真空中にて−１０〜１４０℃で導体層を形成することを特徴とするとするものである。
ポリマーフィルムの材料としては特に限定されるものではなく、フレキシブル配線板として用いることが可能なものならば好適に用いることができる。例えば、ポリイミド、エポキシ樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルイミド、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンサルファー、ポリアミド、芳香族ポリアミド、液晶ポリマー等を用いることができる。
なお、前記ポリマーフィルムには充填材が含まれていることが好ましい。前記ポリマーフィルムはこれらの樹脂の混合物、あるいは、積層体であっても構わないものであり、本積層体の使用目的に合わせて適宜選択して使用することができる。上記ポリマーフィルム材料の中でも特に好ましくは、フレキシブル配線板として、耐熱性、強度、寸法安定性等の面から広く使われているポリイミドである。
ここで、充填材とは、ポリマーフィルムに搬送性、耐熱性、寸法安定性、難燃性など様々な特性を付加するために添加される材料である。充填材としては、例えば、リン酸カルシウム、リン酸水素カルシウム等が挙げられる。
【００１８】
ここで、脱水処理とは、ポリマーフィルムを、例えば、巻出しロールに配置するとともに、巻取りロールで巻き取ることによって搬送し、前記ポリマーフィルムの少なくとも片面を、加熱装置を用いて加熱することによって、ポリマーフィルム中の吸湿性の水分を除去する処理である。
加熱は、ヒーター等を用い、ポリマーフィルムとの距離を１０〜５０ｍｍ程度おいて対向するように設置する。ヒーターはフィルムの片面または両面に配置することができる。ヒーターとしては、赤外線ヒーター、カーボンヒーター、シーズヒーター等を用いることができる。
脱水処理は、ポリマーフィルムに金属シード層を成膜する前に、予め該ポリマーフィルムを真空中又は大気中にて１００〜１４０℃で乾燥することにより、行う必要がある。真空中にて１００〜１４０℃で行うのは、１００℃より低温で行うと、低温のため脱水効率が悪いため好ましくなく、１４０℃を超えると、ポリマーフィルム表面付近の充填材の水和水が脱水を始め、フィルムを破って水分または充填材ごと外部へ突出するため、ポリマーフィルムの平滑性が損なわれ、ピンホール発生の原因につながり、本発明の効果が得られない。
真空中で脱水処理を行う時は、圧力１×１０−２Ｐａ以下で脱水処理を行うか、若しくは、不活性ガスを投入して圧力１×１０−２Ｐａ以下で行われることが好ましい。両条件とも圧力が１×１０−２Ｐａを超えると、吸湿性の水分を十分に取り除くことができないからである。
真空中で脱水処理の後、金属シード層成膜のため、ポリマーフィルムは、一旦、大気中に出してから成膜装置に移されても良いが、好ましくは真空装置中にて、連続して成膜を行うことが好ましい。
また、大気中にて１００〜１４０℃で脱水処理を行う場合は、１００℃より低温で行うと、脱水効率が悪いため好ましくなく、１４０℃を超えると、ポリマーフィルム表面付近の充填材の水和水が、フィルムを破って水分または充填材ごと外部へ突出するため、ポリマーフィルムの平滑性が損なわれ、ピンホールの発生の原因につながり本発明の効果が得られないからである。
【００１９】
次に、該ポリマーフィルムの上面に真空中−１０〜１４０℃の温度下で金属シード層を成膜することが必要である。また、本発明における金属シード層を成膜し、かつ真空中にて−１０〜１４０℃で導体層を形成する処理は、該ポリマーフィルムを巻出しロールに配置し、巻取りロールで巻き取ることによって該フィルムを搬送し、スパッタリング法または真空蒸着法等により行うことが適している。前記真空中の金属シード層の成膜、導体層の成膜処理は、真空蒸着法で行う場合には、真空装置内を通常のスパッタリング法の真空より１桁低い圧力域の真空（１０−２〜１０−３Ｐａ）中で金属原料を蒸発させ成膜を行い、スパッタリング法で行う場合には、真空装置内を一旦高真空に排気後、アルゴンガス等の不活性ガスを導入し１０−1〜１０−２Ｐａの真空中で金属原料ターゲットをスパッタリングして成膜を行う。
【００２０】
該金属シード層を成膜し、導体層を形成する際の温度が、−１０℃よりも低温であると、真空中の微量な水分がポリマーフィルム上に凝着し、ポリマーフィルムと金属シード層および（または）導体層との密着性が悪くなる可能性がある。１４０℃を超えると、ポリマーフィルム表面付近の充填材の水和水が、フィルムを破って水分または充填材ごと外部へ突出するため、ピンホールの発生の原因につながり、本発明の効果が得られない。また、発生した水分により該金属シード成分および導体層成分が酸化してしまうため、エッチングされにくい成分が部分的に形成されてしまい、エッチング残渣の原因となり本発明の効果が得られない。
また、より一層密着性を向上させる目的で、脱水処理後で金属シード層成膜前に、さらに該ポリマーフィルムを真空中でプラズマ処理するのが好ましいが、このプラズマ処理は、フィルム温度を２０〜１４０℃として行うことが好ましい。プラズマにより熱が発生することから、２０℃より低くなることはなく、それより低い温度にするには冷却する必要があり、コストがかかる。一方、１４０℃を超えると、ポリマーフィルム表面付近の充填材の水和水が発生し、フィルムを破って水分または充填材ごと外部へ突出するため、ポリマーフィルムの平滑性が損なわれ、ピンホールの発生の原因につながり本発明の効果が得られないからである。
上記脱水処理、プラズマ処理、成膜時の温度は、熱電対などの温度計を搬送するフィルム表面付近に配置して測定した時の温度をいう。また、ロール状のキャンを温度制御してフィルムを密着搬送させながら上記処理を行い、フィルムの温度とする方法もある。
尚、フィルムの温度を測定する方法としては、乾燥時は、ヒーターとポリマーフィルムの間の該ポリマーフィルム近傍に熱電対を設置し、温度を測定する。また、プラズマ処理中、及び、スパッタリング中は、フィルムの処理を行う部分、スパッタリングを行う部分以外を覆う防着版の裏側のフィルム近傍に熱電対を設置し、測定する。
［実施例］
【００２１】
以下、実施例を、比較例とともに挙げて、本発明をより具体的に説明する。
（実験装置）
真空中の脱水処理及び金属シード層の成膜および導体層の形成には、真空スパッタリング装置（平野光音（社）製）を用いた。また、大気中の脱水処理には、赤外線式クリーン乾燥炉（ノリタケ（社）製）を用い、金属シード層の成膜および導体層の形成には、上記と同様の真空スパッタリング装置で行った。
脱水処理、プラズマ処理、成膜時の温度は、熱電対を搬送するフィルム表面付近に配置して測定した。
（ピンホール発生数の測定）
金属シード層の成膜および導体層の形成後のフレキシブル基板を１０ｃｍ四方に切り出し、暗所にてライトビュワー（ハクバ写真産業（社）製）上に置き、目視観察により輝点の数を数え、ピンホール数とした。
（エッチング残渣）
金属シード層の成膜および導体層の形成後のフレキシブル基板を、２０ｃｍ×１０ｃｍに切り出し、電気銅めっきによりさらに８μｍの銅層を厚付けした。得られたフレキシブル基板を３ｃｍ四方に切り出し、塩化第二鉄（鶴見曹達（社）製、４０°ボーメ）で全面をエッチングしたものを評価試料とした。試料を光学顕微鏡で観察し、エッチングで残った金属点を数え、エッチング残渣数とした。
【実施例１】
【００２２】
厚さ３８μｍのポリイミドフィルム（東レ・デュポン（社）製、製品名「カプトン１５０ＥＮ」を真空スパッタリング装置にて巻出しロールに配置し、巻取りロールで巻き取ることによってポリイミドフィルムを搬送し、加熱装置によってフィルム面を加熱し脱水処理を行った。圧力は１×１０−３Ｐａに到達後、搬送速度を０．３ｍ／分、加熱温度は１００℃に設定して行った。
引き続き、同装置内でポリイミドフィルムを搬送し、ポリイミドフィルム上に成膜を行った。真空到達圧力が１×１０−３Ｐａに到達後、アルゴンガスを導入し、搬送速度を０．５ｍ／分、８０℃の条件下に設定して直流スパッタリングを行った。
金属シード層成膜用ターゲット（８０ｗｔ％Ｎｉ−２０ｗｔ％Ｃｒ組成）および銅ターゲットを用いて、それぞれ金属シード層を３０ｎｍ、銅層を１００ｎｍの厚みで積層体を形成した。
【実施例２】
【００２３】
実施例１において、真空中においての脱水処理条件を搬送速度０．１ｍ／分、２０℃に設定を変えた以外は実施例１と同様にして、積層体を形成した。
【実施例３】
【００２４】
実施例１において、真空中においての脱水処理条件を搬送速度０．３ｍ／分、加熱温度１４０℃に設定を変えた以外は実施例１と同様にして、積層体を形成した。
【実施例４】
【００２５】
実施例１において、成膜条件を搬送速度０．５ｍ／分、０℃の条件下に設定を変えた以外は実施例１と同様にして、積層体を形成した。
【実施例５】
【００２６】
実施例１において、成膜条件を搬送速度０．５ｍ／分、１４０℃の条件下に設定を変えた以外は実施例１と同様にして、積層体を形成した。
【実施例６】
【００２７】
実施例１のフィルムを用い、赤外線式クリーン乾燥炉にて巻出しロールに配置し、巻取りロールで巻き取ることによってフィルムを搬送し、加熱装置を用いてフィルム面を加熱し脱水処理を行った。搬送速度を０．１ｍ／分、加熱温度は１００℃に設定して行った。次いで、赤外線式クリーン乾燥炉からフィルムを取り出し、真空スパッタリング装置の巻取りロールで巻き取ることによってフィルムを搬送し、実施例１と同様にして、積層体を形成した。
【実施例７】
【００２８】
実施例６において、脱水処理条件を搬送速度０．５ｍ／分、加熱温度１４０℃に設定を変えた以外は実施例６と同様にして、積層体を形成した。
（比較例１）
【００２９】
実施例１において、乾燥時の温度を２００℃に設定を変えた以外は実施例１と同様にして、積層体を形成した。
（比較例２）
【００３０】
実施例１において、成膜時の温度を１８０℃に設定を変えた以外は実施例１と同様にして、積層体を形成した。
（比較例３）
【００３１】
実施例６において、乾燥時の温度を２００℃に設定を変えた以外は実施例６と同様にして、積層体を形成した。
（比較例４）
【００３２】
実施例１において、乾燥時の温度を２００℃、成膜温度を１８０℃に設定を変えた以外は実施例１と同様にして、積層体を形成した。
以下の表１に実施例及び比較例で作製した試料の評価結果を示す。
【００３３】
【表１】
2006269689.tif 000002
【００３４】
「評価」
表１の結果から分るように、比較例１〜４のフレキシブル基板においてはピンホールあるいはエッチング残渣が多く観察されているのに対し、実施例１〜７の本発明のフレキシブル基板においては、ピンホール、エッチング残渣共に少なかった。