(57)【要約】【課題】  バンプの形状が崩れてしまう虞がなく、半導体装置自体の平坦度のバラツキを抑制することができ、その結果、検査の質を低下させることなく検査工程を省力化することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】  本発明のＷＬＣＳＰ（半導体装置）は、集積回路等が形成されたシリコン基板２１の実装面２１ａにバンプボール２２を設け、このバンプボール２２の突出方向の先端部を平坦な研削面２３としたことを特徴とする。【選択図】  図１
2006237472.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子回路が形成された半導体基板を備えてなる半導体装置であって、
前記半導体基板の実装面に、前記電子回路に接続されるとともに外方に向けて突出する複数のバンプを設け、
これらのバンプの突出方向の先端部は、平坦な研削面または平坦な研磨面であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
電子回路が形成された半導体基板を備え、かつ該半導体基板と平面視で略同一の大きさの半導体装置であって、
前記半導体基板の実装面に、前記電子回路に接続されるとともに外方に向けて突出する複数のバンプを設け、
これらのバンプの突出方向の先端部は、平坦な研削面または平坦な研磨面であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記研削面または研磨面の表面粗さ（Ｒａ）は、１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記バンプは、はんだからなることを特徴とする請求項１、２または３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記はんだは、Ｓｎ−Ａｇ系はんだ、Ｓｎ−Ｚｎ系はんだ、Ｓｎ−Ｃｕ系はんだ、Ｓｎ−Ｂｉ系はんだ、Ｓｎ−Ａｕ系はんだ、Ｓｎ−Ｃｕ−Ｚｎ系はんだ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだの群から選択された１種であることを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
前記はんだは、球状のはんだの表面を該はんだより融点の低いはんだ層にて被覆してなることを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【請求項７】
前記バンプは、球状の金属の表面をはんだ層にて被覆してなることを特徴とする請求項１、２または３記載の半導体装置。
【請求項８】
前記球状の金属の一部は前記はんだ層から露出し、かつ、この露出面は平坦な研削面または平坦な研磨面であることを特徴とする請求項７記載の半導体装置。
【請求項９】
前記金属は、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｚｎの群から選択された１種または２種以上を含むことを特徴とする請求項７または８記載の半導体装置。
【請求項１０】
電子回路が形成された半導体基板の実装面に、外方に向けて突出する複数のバンプを設け、これらバンプの突出方向の先端部を平坦な研削面または平坦な研磨面とした半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板の実装面に外方に向けて突出する複数のバンプを形成し、
次いで、これらのバンプの先端部を研削または研磨し、該先端部に平坦な研削面または平坦な研磨面を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、特に、バンプの形状が崩れてしまう虞がなく、半導体装置自体の平坦度のバラツキを抑制することができ、その結果、検査の質を低下させることなく検査工程を省力化することができる技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ノート型パーソナルコンピュータ、デジタル式カメラ付き携帯用電話機等におけるように、電子機器の小型化、薄厚化、軽量化の進歩はめざましく、従来のデュアル・インライン・パッケージ（Dual Inline Package）等の半導体パッケージに替わってチップサイズの半導体パッケージが用いられてきている。
チップサイズの半導体パッケージとしては、例えば、半導体素子が金属バンプを介してキャリア用基板に接続され、このキャリア用基板の下面にプリント配線基板上に実装するための金属バンプが形成されたチップサイズパッケージ（ＣＳＰ）があり、最近では、集積回路が形成された半導体基板の実装面に外部接続用の金属バンプが形成されたウエハレベル・チップサイズ・パッケージ（ＷＬＣＳＰ：Wafer lebel Chip Size Package）（例えば、特許文献１参照）、あるいは、集積回路が形成された半導体基板を樹脂封止したパッケージの実装面にはんだボール（ボールバンプ）をエリアアレイ状に設けたＢＧＡ（Ball Grid Array）型半導体パッケージ（例えば、特許文献２参照）が提案されている。
【０００３】
図５は従来のＷＬＣＳＰの一例を示す側面図であり、図において、１はその実装面１ａに集積回路（電子回路：図示略）が形成されたシリコンチップ、２はシリコンチップ１の実装面１ａに設けられたはんだボール（バンプ）である。
このＷＬＣＳＰでは、はんだボール２の突出方向（図中矢印方向）の先端部、すなわち実際に実装基板上に実装する部分は球状になっている。
【０００４】
図６は従来のＢＧＡ型半導体パッケージの一例を示す側面図であり、図において、１１はフレキシブル回路基板、１２は回路パターン、１３はランド、１４はレジスト樹脂、１５は接続パッド、１６は集積回路が形成された半導体チップ、１７は電極、１８はボンディングワイヤ、１９は封止樹脂、２０ははんだボール（はんだバンプ）である。
このはんだボール２０は、フレキシブル回路基板１１の実装面１１ａにエリアアレイ状に設けられている。
このＢＧＡ型半導体パッケージでは、はんだボール２０の突出方向（図中矢印方向）の先端部、すなわち実際にプリント配線基板等の実装基板上に実装する部分は平坦面２０ａとされている。
この平坦面２０ａは、予めはんだボール２０の融点付近まで熱しておいた平面板を必要最小限の圧力によって押し当てることにより形成される。
【特許文献１】特開２０００−２２８４６５号公報
【特許文献２】特開２００１−１５６３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、従来のＷＬＣＳＰでは、はんだボール２が球状になっているために、このはんだボール２の実装面１ａからの高さのバラツキが大きく、したがって、ＷＬＣＳＰ自体の平坦度にバラツキが生じる虞があるという問題点があった。
また、特性検査の際に、はんだボール２にプローブを接触させて電気的特性を測定しているために、はんだボール２の表面にコンタクト痕と称される接触傷が生じ、このコンタクト痕を検査するためには、目視検査では不十分で、３次元的な外観検査を行う必要がある。この検査には高性能の３次元検査装置が必要であるが、この３次元検査装置は非常に高価なものであるから、検査コストが高くなり、したがって、製品の価格を押し上げてしまうという問題点があった。
【０００６】
一方、従来のＢＧＡ型半導体パッケージでは、予めはんだボール２０の融点付近まで熱しておいた平面板をはんだボール２０の先端部に押し当てることで平坦面２０ａを形成しているために、押し当てる際の圧力によりはんだボール２０に力が加わり、したがって、このはんだボール２０の力が加わった部分が外側に拡がってしまい、はんだボール２０の形状が崩れてしまうという問題点があった。
【０００７】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであって、バンプの形状が崩れてしまう虞がなく、半導体装置自体の平坦度のバラツキを抑制することができ、その結果、検査の質を低下させることなく検査工程を省力化することができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明は次の様な半導体装置及びその製造方法を提供した。
すなわち、本発明の半導体装置は、電子回路が形成された半導体基板を備えてなる半導体装置であって、前記半導体基板の実装面に、前記電子回路に接続されるとともに外方に向けて突出する複数のバンプを設け、これらのバンプの突出方向の先端部は、平坦な研削面または平坦な研磨面であることを特徴とする。
【０００９】
この半導体装置では、バンプの突出方向の先端部を平坦な研削面または平坦な研磨面としたことにより、半導体基板の実装面からのバンプの高さのバラツキが極めて小さくなる。これにより、半導体装置自体の平坦度にバラツキが生じる虞がなくなる。
また、バンプの突出方向の先端部を平坦な研削面または平坦な研磨面としたことで、バンプに変形や崩れ等が生じる虞が無くなり、バンプの形状が所定の形状に良好に保持される。
【００１０】
また、特性検査の際にプローブが接触する部分は、バンプの研削面または研磨面であるから、特性検査後の外観検査では、この研削面または研磨面のコンタクト痕を検査すればよく、検査内容の削減が可能になる。この検査は、３次元検査装置に比べて安価な２次元検査装置で十分可能であるから、検査装置の機能が軽くなり、検査コストが低減される。これにより、半導体装置の品質が向上するとともに、その価格も低減される。
【００１１】
本発明の他の半導体装置は、電子回路が形成された半導体基板を備え、かつ該半導体基板と平面視で略同一の大きさの半導体装置であって、前記半導体基板の実装面に、前記電子回路に接続されるとともに外方に向けて突出する複数のバンプを設け、これらのバンプの突出方向の先端部は、平坦な研削面または平坦な研磨面であることを特徴とする。
【００１２】
この半導体装置では、バンプの突出方向の先端部を平坦な研削面または平坦な研磨面としたことにより、半導体基板の実装面からのバンプの高さのバラツキが極めて小さくなる。これにより、半導体装置自体の平坦度にバラツキが生じる虞がなくなる。
また、バンプの突出方向の先端部を平坦な研削面または平坦な研磨面としたことで、バンプに変形や崩れ等が生じる虞が無くなり、バンプの形状が所定の形状に良好に保持される。
【００１３】
また、特性検査の際にプローブが接触する部分は、バンプの研削面または研磨面であるから、特性検査後の外観検査では、この研削面または研磨面のコンタクト痕を検査すればよく、検査内容の削減が可能になる。この検査は、３次元検査装置に比べて安価な２次元検査装置で十分可能であるから、検査装置の機能が軽くなり、検査コストが低減される。これにより、半導体装置の品質が向上するとともに、その価格も低減される。
【００１４】
前記研削面または研磨面の表面粗さ（Ｒａ）は、１０μｍ以下であることを特徴とする。
前記バンプは、はんだからなることを特徴とする。
前記はんだは、Ｓｎ−Ａｇ系はんだ、Ｓｎ−Ｚｎ系はんだ、Ｓｎ−Ｃｕ系はんだ、Ｓｎ−Ｂｉ系はんだ、Ｓｎ−Ａｕ系はんだ、Ｓｎ−Ｃｕ−Ｚｎ系はんだ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだの群から選択された１種であることが好ましい。
前記はんだは、球状のはんだの表面を該はんだより融点の低いはんだ層にて被覆してなることを特徴とする。
【００１５】
前記バンプは、球状の金属の表面をはんだ層にて被覆してなることを特徴とする。
前記球状の金属の一部は前記はんだ層から露出し、かつ、この露出面は平坦な研削面または平坦な研磨面であることが好ましい。
前記金属は、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｚｎの群から選択された１種または２種以上を含むことが好ましい。
【００１６】
本発明の半導体装置の製造方法は、電子回路が形成された半導体基板の実装面に、外方に向けて突出する複数のバンプを設け、これらバンプの突出方向の先端部を平坦な研削面または平坦な研磨面とした半導体装置の製造方法であって、前記半導体基板の実装面に外方に向けて突出する複数のバンプを形成し、次いで、これらのバンプの先端部を研削または研磨し、該先端部に平坦な研削面または平坦な研磨面を形成することを特徴とする。
【００１７】
この半導体装置の製造方法では、半導体基板の実装面に外方に向けて突出する複数のバンプを形成し、次いで、これらのバンプの先端部を研削または研磨し、該先端部に平坦な研削面または平坦な研磨面を形成するので、半導体基板の実装面からのバンプの高さのバラツキが極めて小さく、かつ、それ自体の平坦度にバラツキが生じる虞がない半導体装置が容易に作製される。
また、バンプの突出方向の先端部を平坦な研削面または平坦な研磨面としたことにより、品質が向上するとともに、その価格も低減した半導体装置が容易に作製される。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の半導体装置によれば、半導体基板の実装面に、電子回路に接続されるとともに外方に向けて突出する複数のバンプを設け、これらのバンプの突出方向の先端部を平坦な研削面または平坦な研磨面としたので、半導体基板の実装面からのバンプの高さのバラツキを極めて小さく抑えることができる。したがって、半導体装置自体の平坦度のバラツキを極めて小さく抑えることができる。
また、バンプの突出方向の先端部を平坦な研削面または平坦な研磨面としたので、バンプの形状を良好に保持することができる。
【００１９】
また、特性検査後の外観検査では、研削面または研磨面のコンタクト痕を検査すればよいので、検査内容を削減することができ、検査装置の機能を軽くすることができ、検査コストの低減を図ることができる。したがって、半導体装置の品質を向上させることができ、その製品価格のコストダウンを図ることができる。
【００２０】
本発明の他の半導体装置によれば、電子回路が形成され平面視で半導体装置と略同一の大きさの半導体基板の実装面に、電子回路に接続されるとともに外方に向けて突出する複数のバンプを設け、これらのバンプの突出方向の先端部を平坦な研削面または平坦な研磨面としたので、半導体基板の実装面からのバンプの高さのバラツキを極めて小さく抑えることができる。したがって、半導体装置自体の平坦度のバラツキを極めて小さく抑えることができる。
また、バンプの突出方向の先端部を平坦な研削面または平坦な研磨面としたので、バンプの形状を良好に保持することができる。
【００２１】
また、特性検査後の外観検査では、研削面または研磨面のコンタクト痕を検査すればよいので、検査内容を削減することができ、検査装置の機能を軽くすることができ、検査コストの低減を図ることができる。したがって、半導体装置の品質を向上させることができ、その製品価格のコストダウンを図ることができる。
【００２２】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、半導体基板の実装面に外方に向けて突出する複数のバンプを形成し、次いで、これらのバンプの先端部を研削または研磨し、該先端部に平坦な研削面または平坦な研磨面を形成するので、半導体基板の実装面からのバンプの高さのバラツキが極めて小さく、かつ、それ自体の平坦度にバラツキが生じる虞がない半導体装置を容易に作製することができる。
また、バンプの突出方向の先端部を平坦な研削面または平坦な研磨面としたので、品質の良いかつ安価な半導体装置を容易に作製することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
本発明の半導体装置及びその製造方法の各実施の形態について図面に基づき説明する。ここでは、半導体装置として、ウエハレベル・チップサイズ・パッケージ（ＷＬＣＳＰ）を例にとり説明する。
なお、これらの実施形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために詳細に説明するものであるから、特に指定の無い限り、本発明を限定するものではない。
【００２４】
「第１の実施形態」
図１は本発明の第１の実施形態のＷＬＣＳＰを示す側面図であり、図において、符号２１はその実装面２１ａに集積回路（電子回路：図示略）等が形成された平面視矩形状のシリコン基板（半導体基板）、２２は前記集積回路に電気的に接続されると共に実装面２１ａに外方に向けて突出する様に形成されたバンプボールである。
このバンプボール２２の突出方向（図中矢印方向）の先端部は、平坦な研削面２３とされている。
【００２５】
このバンプボール２２の形状としては、バラツキが小さいこと、取り扱いがし易いこと等を考慮すると、球形のものが好適である。球形の場合、その直径は２５０〜３００μｍ程度である。
このバンプボール２２の材料組成としては、はんだが好ましく、はんだとしては、用途に応じて高温はんだ、低温はんだのいずれを用いてもよい。
【００２６】
高温はんだとしては、Ｓｎ−鉛系はんだより融点の高いはんだであればよいが、好ましくは鉛を含まない無鉛はんだである。
無鉛はんだとしては、例えば、Ｓｎ−Ａｇ系はんだ、Ｓｎ−Ｚｎ系はんだ、Ｓｎ−Ｃｕ系はんだ、Ｓｎ−Ｂｉ系はんだ、Ｓｎ−Ａｕ系はんだ、Ｓｎ−Ｃｕ−Ｚｎ系はんだ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだ等が好ましい。
【００２７】
このバンプボール２２は、融点の高いはんだボールの外側を融点の低いはんだ層で覆った２層構造としてもよい。
この場合、例えば、Ｓｎ−Ａｇ系はんだ、Ｓｎ−Ｚｎ系はんだ、Ｓｎ−Ｃｕ系はんだ、Ｓｎ−Ａｕ系はんだ、Ｓｎ−Ｃｕ−Ｚｎ系はんだ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだ等からなるはんだボールの外側を、これらのはんだより低融点のＳｎ−Ｂｉ系はんだからなるはんだ層で覆った構成としてもよい。
【００２８】
また、Ｓｎ−Ａｇ系はんだ、Ｓｎ−Ｚｎ系はんだ、Ｓｎ−Ｃｕ系はんだ、Ｓｎ−Ｂｉ系はんだ、Ｓｎ−Ａｕ系はんだ、Ｓｎ−Ｃｕ−Ｚｎ系はんだ，Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだ等からなるはんだボールの外側を、これらのはんだより低融点でありかつ共晶はんだ（融点：１８３℃）より融点の高いＳｎ−鉛系はんだからなるはんだ層で覆った構成としてもよい。
【００２９】
このバンプボール２２の研削面２３の表面粗さ（Ｒａ）は１０μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは５μｍ以下、さらに好ましくは１μｍ以下である。
【００３０】
このＷＬＣＳＰを作製するには、まず、シリコン基板２１の実装面２１ａに集積回路、必要に応じて各種センサ等の素子を、この実装面２１ａの周縁部にバンプボール２２搭載用のパッド（図示略）を、それぞれ形成し、このパッドを除く実装面２１ａ全面にパッシベーション膜を形成し、これら集積回路や素子を保護する。
【００３１】
次いで、実装面２１ａに露出されたパッドにバンプボール２２を載置し、このバンプボール２２を加熱してパッドとの接触部分を僅かに溶融させ、このバンプボール２２をパッドに溶融・固定する。
ここまでの工程は、通常の半導体製造プロセスによる工程である。
【００３２】
次いで、バックグラインド装置等の研削装置を用いて、バンプボール２２の突出方向の先端部を研削し、平坦な研削面２３とする。
この研削工程では、バンプボール２２に掛かる圧力は僅かなものであるから、研削によりバンプボール２２が変形したり、あるいは崩れたりする虞はない。
【００３３】
この研削面２３を形成する替わりに、化学的機械研磨（ＣＭＰ）装置等の研磨装置を用いて、バンプボール２２の突出方向の先端部を研磨し、平坦な研磨面としてもよい。
以上により、本実施形態のＷＬＣＳＰを作製することができる。
【００３４】
ここでは、バンプボール２２の先端部を研削することで、この先端部に平坦な研削面２３を形成するので、シリコン基板２１の実装面２１ａからのバンプボール２２の高さのバラツキを極めて小さくすることができる。したがって、ＷＬＣＳＰ自体の平坦度にバラツキが生じる虞もない。
【００３５】
バンプボール２２の先端部を平坦面とする場合、従来のはんだボールの融点付近まで熱しておいた平面板を押し当てる方法では、得られた平坦面の表面粗さ（Ｒａ）は本実施形態のものを大きく超えるものである。
本実施形態では、バンプボール２２の突出方向の先端部を平坦な研削面２３とすることにより、従来の平坦面と比べて表面粗さ（Ｒａ）が格段に改善され、平坦度に優れたものとなる。
【００３６】
本実施形態のＷＬＣＳＰでは、スプリングピン・プローブカード等の検査装置の替わりにカンチレバー・プローブカード等の安価な検査装置を用いて、ＷＬＣＳＰの電気的特性を検査する。
この場合、カンチレバー・プローブカードのプローブ針をバンプボール２２の研削面２３に接触させて特性を検査するので、この研削面２３にはコンタクト痕と称される傷が付くこととなる。
【００３７】
このコンタクト痕は、研削面２３にのみ生じるものであるから、目視検査によっても容易に確認することができる。なお、外観検査装置等の２次元検査装置を用いて検査をすれば、コンタクト痕の確認がさらに確実になる。
この様に、特性検査後の外観検査では、研削面２３のコンタクト痕を検査すればよいので、検査が容易になり、検査装置もより簡便なものとなる。
【００３８】
本実施形態のＷＬＣＳＰによれば、シリコン基板２１の実装面２１ａに、外方に向けて突出するバンプボール２２を形成し、このバンプボール２２の突出方向の先端部を平坦な研削面２３としたので、シリコン基板２１の実装面２１ａからのバンプボール２２の高さのバラツキを極めて小さく抑えることができる。したがって、ＷＬＣＳＰ自体の実装面における平坦度のバラツキを極めて小さく抑えることができる。
【００３９】
また、特性検査後の外観検査では、研削面２３のコンタクト痕を検査すればよいので、検査を簡単化することができ、より簡便な検査装置を用いて検査を行うことができ、検査コストの低減を図ることができる。したがって、ＷＬＣＳＰの品質を向上させることができ、その製品価格のコストダウンを図ることができる。
【００４０】
本実施形態のＷＬＣＳＰの製造方法によれば、シリコン基板２１の実装面２１ａにバンプボール２２を溶融・固定させ、次いで、バンプボール２２の突出方向の先端部を研削し、平坦な研削面２３とするので、バンプボール２２の高さのバラツキを極めて小さく抑えることができ、実装面における平坦度のバラツキを極めて小さく抑えることができるＷＬＣＳＰを得ることができる。
【００４１】
「第２の実施形態」
図２は本発明の第２の実施形態のウエハレベル・チップサイズ・パッケージ（ＷＬＣＳＰ）を示す側面図、図３は同ＷＬＣＳＰのバンプボールを示す断面図であり、本実施形態のＷＬＣＳＰが第１の実施形態のＷＬＣＳＰと異なる点は、第１の実施形態のＷＬＣＳＰでは、組成がはんだからなるバンプボール２２を用い、このバンプボール２２の先端部を平坦な研削面２３としたのに対し、本実施形態のＷＬＣＳＰでは、金属球３１の表面をはんだ層３２にて被覆したバンプボール３３を用い、この金属球３１及びはんだ層３２の先端部を研磨することにより平坦な研磨面３４とした点である。
【００４２】
このバンプボール３３は、はんだ層３２の一部が溶融・固化することにより、シリコン基板２１の実装面２１ａのパッド３５上に固定されている。
この金属球３１は、直径が２００〜３００μｍ程度の球形のもので、その組成としては、はんだより硬度の高い金属（または合金）が好ましく、例えば、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｚｎの群から選択された１種からなる金属、またはこれらの金属のうち２種以上を含む合金が好適に用いられる。この合金の例としては、Ｆｅ−Ｎｉ系合金、Ｃｕ−Ａｇ系合金等がある。
【００４３】
はんだ層３２としては、高温はんだ、低温はんだのいずれを用いてもよく、高温はんだとしては、Ｓｎ−鉛系はんだより融点の高いはんだ、例えば、鉛を含まない無鉛はんだが好ましい。
無鉛はんだとしては、例えば、Ｓｎ−Ａｇ系はんだ、Ｓｎ−Ｚｎ系はんだ、Ｓｎ−Ｃｕ系はんだ、Ｓｎ−Ｂｉ系はんだ、Ｓｎ−Ａｕ系はんだ、Ｓｎ−Ｃｕ−Ｚｎ系はんだ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだ等が好ましい。
【００４４】
この研磨面３４は、化学的機械研磨（ＣＭＰ）装置等の研磨装置を用いて容易に得ることができる。この研磨面３４は、研削面より平坦度が高いので、表面粗さ（Ｒａ）も極めて小さなものとなる。
一例を挙げると、この研磨面３４の表面粗さ（Ｒａ）は１μｍ以下である。
【００４５】
このバンプボール３３は、中心部にはんだより硬度の高い金属球３１があるため、このバンプボール３３の先端部を研磨した場合、はんだ層３２は容易に研磨されるが、金属球３１は容易に研磨されない。したがって、研磨時間を制御することで金属球３１の研磨量、すなわちバンプボール３３の高さを精度良く制御することができ、その結果、バンプボール３３の研磨面３４の実装面２１ａからの高さを精度良く制御することができ、高さのバラツキも極めて小さなものとなる。
【００４６】
また、このＷＬＣＳＰの電気的特性を検査する場合、カンチレバー・プローブカードのプローブ針をはんだより硬度の高い金属球３１の研磨面３４に接触させて特性を検査するので、この研磨面３４にはコンタクト痕と称される傷が付き難い。
【００４７】
また、このＷＬＣＳＰをプリント配線基板等の実装基板に実装する場合、バンプボール３３の研磨面３４がはんだより硬度の高い金属により構成されているので、バンプの変形や崩れも極めて小さなものとなり、実装の際にバンプの形状不良による不具合の発生等も無くなり、実装の精度及び信頼性が向上する。
【００４８】
図４は、このバンプボール３３の変形例を示す断面図であり、このバンプボール４１は、金属球３１の実装面２１ａ側の端部を平坦面４２とした点がバンプボール３３と異なる。
このバンプボール４１は、その平坦面４２をシリコン基板２１の実装面２１ａのパッド３５上に載置し、はんだ層３２の一部を溶融・固化することにより、パッド３５上に固定することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明の半導体装置は、シリコン基板２１の実装面２１ａにバンプボール２２を設け、このバンプボール２２の先端部を研削して平坦な研削面２３としたものであるから、ＷＬＣＳＰはもちろんのこと、この種以外のＣＳＰ、あるいはボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）等の半導体装置にも適用可能であり、その工業的効果は非常に大きなものである。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の第１の実施形態のＷＬＣＳＰを示す側面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態のＷＬＣＳＰを示す側面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態のＷＬＣＳＰのバンプボールを示す断面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態のＷＬＣＳＰのバンプボールの変形例を示す断面図である。
【図５】従来のＷＬＣＳＰの一例を示す側面図である。
【図６】従来のＢＧＡ型半導体パッケージの一例を示す側面図である。
【符号の説明】
【００５１】
２１…シリコン基板、２１ａ…実装面、２２、３３、４１…バンプボール、２３…研削面、３１…金属球、３２…はんだ層、３４…研磨面、４２…平坦面。
【図１】
2006237472.tif 000003
【図２】
2006237472.tif 000004
【図３】
2006237472.tif 000005
【図４】
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【図５】
2006237472.tif 000007
【図６】
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