(57)【要約】【課題】保護膜に、アルカリ土類金属酸化物の内、ＶＵＶを透過しにくい性質を持つ酸化物を用いることにより、放電の際に発生されるＶＵＶの誘電体層への透過を阻止して、誘電体層中からの不純物ガスの発生を防止し、これによりパネル中に封入された放電ガスの汚染を防止する。【解決手段】放電空間を介して対向配置された一対の基板と、一対の基板の少なくとも一方の基板に形成された複数の電極を覆って基板上に形成された誘電体層と、その誘電体層を覆って基板上に形成された保護膜と、放電空間に封入されたキセノンを含む放電ガスとで構成し、誘電体層を酸化ケイ素を含む材料で形成し、保護膜を、電極間の放電で発生される紫外線を透過しにくい性質を持つ材料で形成する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
放電空間を介して対向配置された一対の基板と、
一対の基板の少なくとも一方の基板に形成された複数の電極を覆って基板上に形成された誘電体層と、
その誘電体層を覆って基板上に形成された保護膜と、
放電空間に封入されたキセノンを含む放電ガスとを備え、
誘電体層が酸化ケイ素を含む材料で形成され、
保護膜が、電極間の放電で発生される紫外線を透過しにくい性質を持つ材料で形成されてなるプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
保護膜が、ＣａＯ、ＳｒＯ、およびＢａＯからなる群から選択された１つまたは２つ以上の混合物を主成分とする金属酸化物、またはその金属酸化物にＭｇＯを混合した金属酸化物で形成されてなる請求項１記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
保護膜が、（Ｃａ，Ｓｒ）Ｏ系、（Ｃａ，Ｂａ）Ｏ系、（Ｓｒ，Ｂａ）Ｏ系、（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）Ｏ系からなる群から選択された１つまたは２つ以上の混合物を主成分とする金属酸化物、またはその金属酸化物にＭｇＯを混合した金属酸化物で形成されてなる請求項１記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
保護膜に用いられる金属酸化物の組成比を変化させることで、電極間の放電で発生される紫外線のカットオフ波長が選択されてなる請求項２または３記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】
放電ガスのキセノン濃度が４％以上である請求項１記載のプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネル（以下「ＰＤＰ」と記す）に関し、さらに詳しくは、パネル内に封入した放電ガスの汚染を防止するＰＤＰに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のＰＤＰとして、ＡＣ型３電極面放電形式のＰＤＰが知られている。このＰＤＰは、前面側（表示面側）の基板の内面に面放電が可能な表示電極を水平方向に多数設け、背面側の基板の内面に発光セル選択用のアドレス電極を表示電極と交差する方向に多数設け、表示電極とアドレス電極との交差部をセルとするものである。
【０００３】
前面側の基板の表示電極は誘電体層で覆われ、その上に保護膜が形成されている。背面側の基板のアドレス電極も誘電体層で覆われ、その誘電体層上にはストライプ状またはメッシュ状の隔壁が形成され、隔壁間には蛍光体層が形成されている。
【０００４】
ＰＤＰは、このように作製した前面側の基板と背面側の基板とを対向させて周辺を封止した後、内部に放電ガスを封入することにより作製されている（特許文献１参照）。
【０００５】
そして、表示は、表示電極間で面放電を発生させ、その時生じた紫外線で蛍光体層中の蛍光体を励起し、蛍光体から可視光を発生させることで行うようにしている。
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−２１３０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述のＰＤＰでは、前面側の基板に着目した場合、誘電体層は、ＣＶＤ法や蒸着法等でＳｉＯ2膜を成膜することにより形成される。また、低融点ガラスペーストを塗布して焼成することでも形成される。保護膜にはＭｇＯが用いられる。
【０００８】
しかしながら、ＭｇＯ膜はＶＵＶ（真空紫外線）を透過する性質がある。また、ＳｉＯ2膜もＶＵＶを透過する性質がある。したがって、保護膜にＭｇＯ膜を用い、誘電体層にＳｉＯ2膜を用いると、表示放電によって発生されたＶＵＶがＭｇＯ膜の下層にあるＳｉＯ2膜まで到達する。このため、ＶＵＶのエネルギーにより、ＳｉＯ2膜中から未分解物質であった水素やアンモニア等を主成分とする不純物ガスが発生する。放電の繰り返しによりこの不純物ガスが徐々に発生してゆくと、パネル内に封入された放電ガスの不純物ガス濃度が増加し、ＰＤＰの放電特性や寿命に悪影響を与えることがあった。
【０００９】
本発明は、このような事情を考慮してなされたもので、保護膜に、アルカリ土類金属酸化物の内、ＶＵＶを透過しにくい性質を持つ酸化物を用いることにより、放電の際に発生されるＶＵＶの誘電体層への透過を阻止して、誘電体層中からの不純物ガスの発生を防止し、これによりパネル中に封入された放電ガスの汚染を防止して、ＰＤＰの放電特性の安定化や長寿命化を図るものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、放電空間を介して対向配置された一対の基板と、一対の基板の少なくとも一方の基板に形成された複数の電極を覆って基板上に形成された誘電体層と、その誘電体層を覆って基板上に形成された保護膜と、放電空間に封入されたキセノンを含む放電ガスとを備え、誘電体層が酸化ケイ素を含む材料で形成され、保護膜が、電極間の放電で発生される紫外線を透過しにくい性質を持つ材料で形成されてなるプラズマディスプレイパネルである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、電極間の放電で発生される紫外線の誘電体層への透過が、保護膜により阻止されるので、酸化ケイ素を含む材料で形成された誘電体層中からの不純物ガスの発生が防止され、これによりパネル中に封入された放電ガスの汚染を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明において、一対の基板は、放電空間を介して対向配置されたものであればよい。これらの基板としては、ガラス、石英、セラミック等の基板や、これらの基板上に、電極、絶縁膜、誘電体層、保護膜等の所望の構成物を形成した基板が含まれる。
【００１３】
複数の電極は、一対の基板の少なくとも一方の基板に形成されていればよい。この電極は、当該分野で公知の各種の材料と方法を用いて形成することができる。電極に用いられる材料としては、例えば、ＩＴＯ、ＳｎＯ2などの透明な導電性材料や、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒなどの金属の導電性材料が挙げられる。電極の形成方法としては、当該分野で公知の各種の方法を適用することができる。たとえば、印刷などの厚膜形成技術を用いて形成してもよいし、物理的堆積法または化学的堆積法からなる薄膜形成技術を用いて形成してもよい。厚膜形成技術としては、スクリーン印刷法などが挙げられる。薄膜形成技術の内、物理的堆積法としては、蒸着法やスパッタ法などが挙げられる。化学的堆積方法としては、熱ＣＶＤ法や光ＣＶＤ法、あるいはプラズマＣＶＤ法などが挙げられる。
【００１４】
誘電体層は、複数の電極を覆って基板上に形成されていればよい。この誘電体層は、たとえばＳｉＯ2のような酸化ケイ素を含む材料で形成される。誘電体層にＳｉＯ2を用いる場合、形成方法は、当該分野で公知の、たとえば蒸着法やＣＶＤ法等を適用することができる。
【００１５】
放電ガスは、キセノン（Ｘｅ）を含むガスであって、放電空間に封入されたものであればよい。放電ガスとしては、Ｘｅ濃度４〜１００％のＸｅ−Ｎｅ放電ガスを用いることができる。放電ガスのＸｅ濃度は、濃度が高いほどパネルの発光効率が向上するが、Ｘｅ濃度が高いほど放電で発生される紫外線の平均波長が長くなることから、保護膜と透過して誘電体層に到達する紫外線量が大きくなる。低濃度である４％のＸｅ濃度でも長波長の真空紫外線が僅かに発生しており、長期信頼性は得られない。
【００１６】
保護膜は、誘電体層を覆って基板上に形成されていればよい。保護膜は、電極間の放電で発生される紫外線を透過しにくい性質を持つ材料で形成される。
【００１７】
保護膜の材料としては、ＣａＯ、ＳｒＯ、およびＢａＯからなる群から選択された１つまたは２つ以上の混合物を主成分とする金属酸化物、またはその金属酸化物にＭｇＯを混合した金属酸化物を適用することができる。
【００１８】
あるいは、保護膜の材料としては、（Ｃａ，Ｓｒ）Ｏ系（ＣａＯ＋ＳｒＯの混合物を意味する。以下同じ）、（Ｃａ，Ｂａ）Ｏ系、（Ｓｒ，Ｂａ）Ｏ系、（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）Ｏ系からなる群から選択された１つまたは２つ以上の混合物を主成分とする金属酸化物、またはその金属酸化物にＭｇＯを混合した金属酸化物を適用することができる。
【００１９】
上記構成の場合、金属酸化物の組成比を変化させることで、電極間の放電で発生される紫外線のカットオフ波長を選択することができる。
【００２０】
保護膜の形成は、蒸着法やスパッタ法のような、当該分野で公知の薄膜形成プロセスによって行うことができる。
【００２１】
以下、図面に示す実施例に基づいて本発明を詳述する。なお、本発明はこれによって限定されるものではなく、各種の変形が可能である。
【００２２】
図１（ａ）および図１（ｂ）は本発明のＰＤＰの構成を示す説明図である。図１（ａ）は全体図、図１（ｂ）は部分分解斜視図である。このＰＤＰはカラー表示用のＡＣ駆動型３電極面放電形式のＰＤＰである。
【００２３】
本ＰＤＰ１０は、前面側の基板１１と背面側の基板２１から構成されている。前面側の基板１１と背面側の基板２１としては、ガラス基板、石英基板、セラミック基板等を使用することができる。
【００２４】
前面側の基板１１の内側面には、水平方向に対となる表示電極Ｘ，Ｙが放電の発生しない間隔（非放電ギャップ）を隔てて配置されている。表示電極Ｘと表示電極Ｙとの間が表示ラインＬとなる。各表示電極Ｘ，Ｙは、ＩＴＯ、ＳｎＯ2などの幅の広い透明電極１２と、例えばＡｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ及びそれらの積層体（例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの積層構造）等からなる金属製の幅の狭いバス電極１３から構成されている。表示電極Ｘ，Ｙは、Ａｇ、Ａｕについてはスクリーン印刷のような厚膜形成技術を用い、その他については蒸着法、スパッタ法等の薄膜形成技術とエッチング技術を用いることにより、所望の本数、厚さ、幅及び間隔で形成することができる。
【００２５】
なお、本ＰＤＰでは、対となる表示電極Ｘ，Ｙが非放電ギャップを隔てて配置されているが、表示電極Ｘと表示電極Ｙが等間隔に配置され、隣接する表示電極Ｘと表示電極Ｙとの間が全て表示ラインＬとなる、いわゆるＡＬｉＳ構造のＰＤＰであっても本発明を適用することができる。
【００２６】
表示電極Ｘ，Ｙの上には、表示電極Ｘ，Ｙを覆うように交流（ＡＣ）駆動用の誘電体層１７が形成されている。誘電体層１７は、ＣＶＤ法でＳｉＯ2を成膜することにより形成している。
【００２７】
誘電体層１７の上には、表示の際の放電により生じるイオンの衝突による損傷から誘電体層１７を保護するための保護膜１８が形成されている。この保護膜は、アルカリ土類金属酸化物の内、ＶＵＶを透過しにくい性質を持つＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯなどの酸化物、またはこれらを混合した複合酸化物で形成されている。これについては後述する。
【００２８】
背面側の基板２１の内側面には、平面的にみて表示電極Ｘ，Ｙと交差する方向に複数のアドレス電極Ａが形成され、そのアドレス電極Ａを覆って誘電体層２４が形成されている。アドレス電極Ａは、Ｙ電極との交差部で発光セルを選択するためのアドレス放電を発生させるものであり、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒの３層構造で形成されている。このアドレス電極Ａは、その他に、例えばＡｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ等で形成することもできる。アドレス電極Ａも、表示電極Ｘ，Ｙと同様に、Ａｇ、Ａｕについてはスクリーン印刷のような厚膜形成技術を用い、その他については蒸着法、スパッタ法等の薄膜形成技術とエッチング技術を用いることにより、所望の本数、厚さ、幅及び間隔で形成することができる。誘電体層２４は、誘電体層１７と同じ材料、同じ方法を用いて形成することができる。
【００２９】
隣接するアドレス電極Ａとアドレス電極Ａとの間の誘電体層２４上には、複数のストライプ状の隔壁２９が形成されている。隔壁２９は、サンドブラスト法、印刷法、フォトエッチング法等により形成することができる。例えば、サンドブラスト法では、低融点ガラスフリット、バインダー樹脂、溶媒等からなるガラスペーストを誘電体層２４上に塗布して乾燥させた後、そのガラスペースト層上に隔壁パターンの開口を有する切削マスクを設けた状態で切削粒子を吹きつけて、マスクの開口に露出したガラスペースト層を切削し、さらに焼成することにより形成する。また、フォトエッチング法では、切削粒子で切削することに代えて、バインダー樹脂に感光性の樹脂を使用し、マスクを用いた露光及び現像の後、焼成することにより形成する。
【００３０】
隔壁２９の側面及び隔壁間の誘電体層２４上には、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の蛍光体層２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂが形成されている。蛍光体層２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂは、蛍光体粉末とバインダー樹脂と溶媒とを含む蛍光体ペーストを隔壁２９間の凹溝状の放電空間内にスクリーン印刷、又はディスペンサーを用いた方法などで塗布し、これを各色毎に繰り返した後、焼成することにより形成している。この蛍光体層２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂは、蛍光体粉末と感光性材料とバインダー樹脂とを含むシート状の蛍光体層材料（いわゆるグリーンシート）を使用し、フォトリソグラフィー技術で形成することもできる。この場合、所望の色のシートを基板上の表示領域全面に貼り付けて、露光、現像を行い、これを各色毎に繰り返すことで、対応する隔壁間に各色の蛍光体層を形成することができる。
【００３１】
ＰＤＰは、上記した前面側の基板１１と背面側の基板２１とを、表示電極Ｘ，Ｙとアドレス電極Ａとが交差するように対向配置し、周囲を封止し、隔壁２９で囲まれた放電空間３０にＸｅとＮｅとを混合した放電ガスを充填することにより作製されている。このＰＤＰでは、表示電極Ｘ，Ｙとアドレス電極Ａとの交差部の放電空間３０が、表示の最小単位である１つのセル（単位発光領域）となる。１画素はＲ、Ｇ、Ｂの３つのセルで構成される。
【００３２】
図２は１セルの拡大図、図３は図２のIII−III線の断面図である。
これらの図に示すように、本ＰＤＰでは、表示の際には、表示電極Ｘの透明電極１２と、表示電極Ｙの透明電極１２との間の放電空間３０において、面放電Ｄが発生される。放電空間にはＸｅ−Ｎｅ放電ガスが封入されている。
【００３３】
この表示放電の際には、放電ガスからＶＵＶが発生され、このＶＵＶによって蛍光体層２８Ｒ，２８Ｂ，２８Ｂ中の蛍光体が励起され、蛍光体からＲ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の可視光が発生される。
【００３４】
図４はＸｅを含む放電ガスの発光スペクトルを示すグラフである。
横軸は放電によって発生されたＶＵＶの発光波長を示し、縦軸は発光強度を示す。
【００３５】
グラフは、Ｘｅ濃度を４％から１００（９９．９）％まで変化させた場合の発光スペクトルである。すなわち、Ｘｅ濃度を、４％、１５％、３０％、６０％、９０％、１００（９９．９）％の６段階で変化させた場合の発光スペクトルを示している。Ｘｅの希釈にはＮｅガスを用いている。Ｘｅ濃度１００％を（  ）表記で９９．９％としたのは、９９．９％ボンベを使用したためである。
【００３６】
Ｘｅの希釈にはＮｅガスを用いたが、Ｎｅ以外に、Ｈｅ、Ａｒ、Ｋｒを用いても、発光スペクトルの形状はＮｅガスを用いた場合と同様であった。したがって、発光スペクトルの形状は、混合ガスの種類に関係なく、Ｘｅの濃度によって決まっていることがわかった。
【００３７】
このグラフから、Ｘｅを含む放電ガスからの発光は、発光波長のピークが１４７ｎｍ前後と１７２ｎｍ前後の２箇所存在することがわかる。
【００３８】
また、Ｘｅ濃度が３０％以下の放電ガスからの発光では、１４７ｎｍ前後に高いピークが、１７２ｎｍ前後に低いピークがあり、Ｘｅ濃度が６０％以上の放電ガスからの発光では、１４７ｎｍ前後に低いピークが、１７２ｎｍ前後に高いピークがあることがわかる。
【００３９】
そして、Ｘｅを含む放電ガスからの発光は、すべて約１９０ｎｍ以下の波長であることがわかる。
【００４０】
放電ガスのＸｅ濃度は、４〜１００（９９．９）％の範囲であればよいが、Ｘｅ濃度が高いほど放電で発生されるＶＵＶの平均波長は長くなる傾向にある。一方、誘電体層にＳｉＯ2膜を用いた場合、ＳｉＯ2膜は、ほぼ波長１５０〜４５００ｎｍの範囲の光を透過させる。また、誘電体層は、１９０ｎｍ以下の波長を透過するものであれば、低融点ガラスでも構わない。
【００４１】
図５は保護膜材料のＶＵＶ透過率を示すグラフである。
このグラフは、保護膜の形成材料であるＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯを、個別のフッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）基板上に、それぞれ厚さ０．２μｍで蒸着し、この蒸着した基板に重水素ランプから発生されるＶＵＶを分光して照射し、その際のＶＵＶの透過率を測定したものである。保護膜は蒸着法で形成したが、保護膜の形成は、蒸着法やスパッタ法のような、当該分野で公知の各種の薄膜形成プロセスによって行うことができる。
【００４２】
このグラフからわかるように、ＭｇＯ膜は波長約１７０ｎｍ以上の光だけを透過させる。つまり波長約１７０ｎｍでは透過率０％、波長約２１０ｎｍ以上では透過率約９０％となる。同様に、ＣａＯ膜は波長約１９０ｎｍ以上の光だけを透過させる。つまり波長約１９０ｎｍでは透過率０％、波長約２３０ｎｍ以上では透過率約８５％となる。ＳｒＯ膜は波長約２４０ｎｍ以上の光だけを透過させる。つまり波長約２４０ｎｍでは透過率０％、波長約２７０ｎｍ以上では透過率約８０％となる。ＢａＯ膜は波長約２９０ｎｍ以上の光だけを透過させる。つまり波長約２９０ｎｍでは透過率０％、波長約３３０ｎｍ以上では透過率約７５％となる。
【００４３】
このように、ＭｇＯ膜は約１７０ｎｍ以上の波長の光を通す。一方、図４で示したように、放電の際に発生されるＶＵＶは、波長１４５〜１９０ｎｍの範囲の光である。このため、ＭｇＯ膜は、放電の際に発生されるＶＵＶの一部を透過してしまう。
【００４４】
これに対し、ＣａＯ膜、ＳｒＯ膜、ＢａＯ膜は、波長１９０ｎｍ以下の光を通さない。このため、放電の際に発生される波長１４５〜１９０ｎｍの範囲のＶＵＶを透過させない。
【００４５】
また、これらのＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯを混合した複合酸化物で形成した保護膜も、放電の際に発生される波長１４５〜１９０ｎｍの範囲のＶＵＶを透過させない。つまり、（Ｃａ，Ｓｒ）Ｏ系、（Ｓｒ，Ｂａ）Ｏ系、（Ｃａ，Ｂａ）Ｏ系、さらには（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）Ｏ系の複合酸化物で形成した保護膜も、波長１９０ｎｍ以下の光を透過させない。この複合酸化物のカットオフ（不透過）波長は、グラフの矢印の範囲をほぼ組成比により変動する。
【００４６】
このように、複合酸化物のカットオフ波長は組成比により変動するので、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯの複合酸化物中にＭｇＯを含めてもよい。上述したように、ＭｇＯ単一の酸化物で保護膜を形成した場合、約１７０ｎｍ以上の波長の光を通すことになるが、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯの複合酸化物中にＭｇＯを加えることで、カットオフ波長の範囲を適切に選択することができる。
【００４７】
すなわち、ＭｇＯを含む複合酸化物である、（Ｍｇ，Ｃａ）Ｏ系、（Ｍｇ，Ｓｒ）Ｏ系、（Ｍｇ，Ｂａ）Ｏ系、（Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ）Ｏ系、（Ｍｇ，Ｃａ，Ｂａ）Ｏ系、（Ｍｇ，Ｓｒ，Ｂａ）Ｏ系、（Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）Ｏ系は、ＭｇＯの組成比を変化させることで、波長１９０ｎｍ以下の光の透過量を調整することができる。また、組成比によっては波長１９０ｎｍ以下の光を透過させない。
【００４８】
具体的には、（Ｍｇ，Ｃａ）Ｏ系の複合酸化物を用いる場合には、これらの組成比を変化させることで、波長約１７０〜１９０ｎｍの範囲でのカットオフ波長を選択することができる。
【００４９】
同様に、（Ｃａ，Ｓｒ）Ｏ系の複合酸化物を用いる場合には、これらの組成比を変化させることで、波長約１９０〜２４０ｎｍの範囲でのカットオフ波長を選択することができる。
【００５０】
同様に、（Ｓｒ，Ｂａ）Ｏ系の複合酸化物を用いる場合には、これらの組成比を変化させることで、波長約２４０〜２９０ｎｍの範囲でのカットオフ波長を選択することができる。
【００５１】
また、（Ｍｇ，Ｓｒ）Ｏ系、または（Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ）Ｏ系の複合酸化物を用いる場合には、これらの組成比を変化させることで、波長約１７０〜２４０ｎｍの範囲でのカットオフ波長を選択することができる。
【００５２】
また、（Ｃａ，Ｂａ）Ｏ系、または（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）Ｏ系の複合酸化物を用いる場合には、これらの組成比を変化させることで、波長約１９０〜２９０ｎｍの範囲でのカットオフ波長を選択することができる。
【００５３】
また、（Ｍｇ，Ｂａ）Ｏ系、（Ｍｇ，Ｃａ，Ｂａ）Ｏ系、（Ｍｇ，Ｓｒ，Ｂａ）Ｏ系、または（Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）Ｏ系の複合酸化物を用いる場合には、これらの組成比を変化させることで、波長約１７０〜２９０ｎｍの範囲でのカットオフ波長を選択することができる。
【００５４】
このように、ＰＤＰの保護膜の材料として、ＶＵＶを透過しにくい性質を持つＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯのアルカリ土類金属酸化物、あるいはこれらの複合酸化物（例えば、ＣａＯとＳｒＯの混合物や、ＳｒＯとＢａＯの混合物）を用いるか、あるいはこれにＭｇＯを混合した複合酸化物（例えば、ＭｇＯとＳｒＯの混合物や、ＭｇＯとＢａＯの混合物）を用いることで、放電の際に発生されるＶＵＶの誘電体層への透過を阻止することができる。したがって、誘電体層がＶＵＶを透過しやすいＳｉＯ2膜で形成されていても、ＶＵＶが誘電体層まで到達しないので、誘電体層中から不純物ガスが発生することを低減させることができる。これにより、パネル中に封入された放電ガスの汚染を防止して、ＰＤＰの放電特性の安定化や長寿命化を図ることができる。
【００５５】
この放電の際に発生されるＶＵＶの誘電体層への透過を阻止するという観点からは、ＰＤＰの前面側の基板に紫外線遮蔽膜を設けてもよいが、本発明のように、保護膜にアルカリ土類金属複合酸化物を用いれば、このアルカリ土類金属複合酸化物が保護膜と紫外線遮蔽膜との２つの機能を有するため、構造が簡単となる。
【００５６】
また、アルカリ土類金属複合酸化物は、駆動電圧を下げる効果があり、保護膜にＣａＯとＳｒＯの混合物を用いた場合、ＭｇＯを用いた場合よりも、約２０〜３０％駆動電圧を下げることができる。
【００５７】
さらに、誘電体層にＶＵＶを透過しやすいＳｉＯ2膜を用いることができるので、誘電体層に低融点ガラスを用いた場合よりも誘電体層の誘電率を低くすることができる。したがって、誘電体層の膜厚を薄くして、誘電体層の静電容量を、低融点ガラスを用いた場合と同一にすることで、放電電流を同じにしたまま駆動電圧を下げることが可能となる。
【００５８】
しかも、一般に放電ガスのＸｅ濃度を増加させると放電電圧の上昇を招くが、保護膜にアルカリ土類金属複合酸化物を用い、誘電体層にＳｉＯ2膜を用いることにより、放電電圧を大幅に下げることができるので、その分、Ｘｅ濃度を増加させて、ＰＤＰの発光効率を向上させることができる。
【００５９】
以上のように、誘電率を下げるために誘電体層にＳｉＯ2を含む膜を用いたとしても、ＶＵＶを透過しにくい性質を持つアルカリ土類金属複合酸化物で保護膜を形成すれば、誘電体層中からの不純物ガスの発生を防止できるので、高い信頼性を有する、高効率なＰＤＰを製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明のＰＤＰの構成を示す説明図である。
【図２】１セルの拡大図である。
【図３】図２のIII−III線の断面図である
【図４】Ｘｅを含む放電ガスの発光スペクトルを示すグラフである。
【図５】保護膜材料のＶＵＶ透過率を示すグラフである。
【符号の説明】
【００６１】
１１  前面側の基板
１２  透明電極
１３  バス電極
１７，２４  誘電体層
１８  保護膜
２１  背面側の基板
２８Ｒ，２８Ｇ，２８Ｂ  蛍光体層
２９  隔壁
３０  放電空間
Ａ  アドレス電極
Ｌ  表示ライン
Ｘ，Ｙ  表示電極
【図１】
2006286324.tif 000003
【図２】
2006286324.tif 000004
【図３】
2006286324.tif 000005
【図４】
2006286324.tif 000006
【図５】
2006286324.tif 000007