(57)【要約】【課題】  突出部の先端をリードの裏面が形成する水平面よりも上方に位置させることにより、好適に回路基板に搭載可能な物理量センサの製造方法を提供する。【解決手段】  リードフレームのステージ部６、７に物理量センサチップ２、３を固着し、突出部８、９の先端８ａ、９ａが押圧されることによってステージ部６、７を矩形枠部に対して傾斜させるとともに物理量センサチップ２、３を傾斜させ、傾斜したステージ部６、７および物理量センサチップ２、３と、突出部８、９と、リード５ｂとを金型のキャビティ内にて樹脂により一体化して樹脂モールド部１１を形成する物理量センサ１の製造方法において、突出部８、９の先端８ａ、９ａを、リード５ｂの裏面５ｇが形成する水平面よりも上方に位置させる。【選択図】    図１
2006237344.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
矩形枠部と、該矩形枠部から内方に突出する複数のリードと、連結リードにより前記矩形枠部と連結されるステージ部と、該ステージ部に連続して下方側に傾斜しつつ突出される突出部とを備えるリードフレームを用いて、該リードフレームの前記ステージ部に物理量センサチップを固着し、前記突出部の先端が押圧されることによって該ステージ部を前記矩形枠部に対して傾斜させるとともに前記物理量センサチップを傾斜させ、傾斜した前記ステージ部および前記物理量センサチップと、前記突出部と、前記リードとを金型のキャビティ内にて樹脂により一体化して樹脂モールド部を形成する物理量センサの製造方法において、
前記突出部の先端を前記リードの裏面が形成する水平面よりも上方に位置させることを特徴とする物理量センサの製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の物理量センサの製造方法において、
前記樹脂モールド部を形成したのち、前記突出部の先端側の少なくとも一部を除去することによって、前記突出部の前記先端を前記リードの裏面が形成する水平面よりも上方に位置させることを特徴とする物理量センサの製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の物理量センサの製造方法において、
前記樹脂モールド部を形成した後に前記金型を取り外し、電解メッキ液中に浸漬して少なくとも前記リードの前記樹脂モールド部から露出された部分にメッキ層を形成し、前記樹脂モールド部から露出されている前記突出部に形成された少なくとも余分なメッキ層を除去することで前記突出部の前記先端を前記リードの裏面が形成する水平面よりも上方に位置させることを特徴とする物理量センサの製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の物理量センサの製造方法において、
内面に凸部が形成された前記金型を用いて、該金型の型締め時に、前記凸部に前記突出部の先端を押圧させることによって、前記ステージ部を前記矩形枠部に対して傾斜させつつ、前記突出部の前記先端を前記リードの裏面が形成する水平面よりも上方に位置させることを特徴とする物理量センサの製造方法。
【請求項５】
請求項１記載の物理量センサの製造方法において、
前記金型に、前記キャビティ内に押込可能に取り付けられたエジェクタピンを前記キャビティ内に突出状態とすることによって、該エジェクタピンが前記突出部の前記先端を押圧して、前記突出部の前記先端を前記リードの裏面が形成する水平面よりも上方に位置させることを特徴とする物理量センサの製造方法。
【請求項６】
請求項２記載の物理量センサの製造方法において、
前記突出部の先端側の除去は、レーザーもしくはサンドブラストによって行うことを特徴とする物理量センサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁界の方位や移動方向などを測定する物理量センサの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話機に代表される携帯端末装置には、ユーザの位置情報を表示させるＧＰＳ（Global Positioning System）機能を持たせる要求が高まりつつある。
【０００３】
ＧＰＳ機能には、地磁気を検出することにより装置の３次元的な方位や向きの位置情報を特定する磁気センサや、地磁気を検出できない場所において、移動方向を検出することにより位置情報を特定する加速度センサといった物理量センサが用いられている。この種の物理量センサには、複数の物理量センサチップ（磁気センサチップ）が相互に傾斜して配置されるものがあり、小型化、薄型化を図ることができる。
【０００４】
この物理量センサチップを傾斜させる構成の物理量センサは、小型化、薄型化に寄与することに加え、傾斜方向に応じた所定軸方向の感度を高く保ち、基板の表面に沿う方向を含む他軸方向の感度を低減することができる利点も有しており、今後の主流となるものである。
【０００５】
図１１から図１２に示す物理量センサ１は、相互に傾斜させた２つの物理量センサチップ２、３を有することにより、外部磁界の向きと大きさを測定するものであり、金属製薄板をプレス加工もしくはエッチング加工、あるいはこの両方の加工を施すことによって形成されるリードフレーム４を用いて製造されるものである。
【０００６】
図１３に示すリードフレーム４は、外周矩形枠を形成する矩形枠部５ａと、この矩形枠部５ａの各外周辺側から内方に向けて垂直に突出する複数のリード５ｂと、矩形枠部５ａの端部５ｃ側から内方に向けて延出する連結リード５ｄと、この連結リード５ｄと連結し支持される２つのステージ部６、７とにより形成されている。このとき、矩形枠部５ａとリード５ｂと連結リード５ｄとを合わせて、フレーム部５とされる。
【０００７】
２つのステージ部６、７は、矩形状に形成されるとともに、リードフレーム４の中心線を挟み対向に設けられており、対向側の２つの端部６ａ、７ａから対向するステージ部６、７側に突出する一対の突出部８、９を有している。また、この突出部８、９は、細い棒状に形成され、リードフレーム４の裏面４ａ側に傾斜するように形成されている。
【０００８】
連結リード５ｄは、ステージ部６、７を矩形枠部５ａに対して支持するための吊りリードであり、連結リード５ｄの一端部５ｅが各ステージ部６、７の側端部６ｂ、７ｂに連結されている。この連結リード５ｄのステージ部６、７側の一端部５ｅは、その側面に凹状の切り欠きが設けられ、他の連結リード５ｄより細く形成されており、ステージ部６、７を傾斜させる際に、変形して捻ることができる捻れ部５ｅとなっている。
【０００９】
図１１から図１２に示す物理量センサ１は、上記のリードフレーム４に対して、ステージ部６、７に各々固着される平面視矩形の板状に形成された２つの物理量センサチップ２、３と、物理量センサチップ２、３とリード５ｂとを電気的に接続するための金属製のワイヤー１０と、物理量センサチップ２、３およびリード５ｂを樹脂により一体化する樹脂モールド部１１とを加えて構成されるとともに、リードフレーム４のうち、矩形枠部５ａおよび樹脂モールド部１１から外側に突出した部分のリード５ｂと連結リード５ｄを切り離して形成されている（例えば、特許文献１参照）。
【００１０】
樹脂モールド部１１は、図１１から図１３中に示す二点破線で囲まれた部分であり、側断面が略台形に形成されている。この樹脂モールド部１１内には、突出部８、９の先端部８ａ、９ａがリード５ｂの裏面５ｇと連続する水平面上に当接され、これにより、ステージ部６、７および物理量センサチップ２、３が傾斜した状態で樹脂により固定されている。
【００１１】
次に、この物理量センサ１の製造方法について図１３から図１４を参照して説明する。
【００１２】
はじめに、図１３から図１４（ａ）に示すように、フォトエッチング加工によって、ステージ部６、７を含むリード５ｂよりも内側の金属製薄板を、例えば半分の厚さ寸法に、リードフレーム４の他の部分よりも薄く形成したのち、プレス加工もしくはエッチング加工、あるいはこの両方の加工を施すことによって、ステージ部６、７が矩形枠部５ａに支持されたリードフレーム４を形成する。このとき、リードフレーム４には、ステージ部６、７とリード５ｂと連結リード５ｄと捻れ部５ｅとが形成されるとともに、突出部８、９が矩形枠部５ａに対して傾斜した状態で形成される。
【００１３】
ついで、ステージ部６、７の表面６ｃ、７ｃにそれぞれ物理量センサチップ２、３を接着するとともに、ワイヤー１０を配して物理量センサチップ２、３とリード５ｂとを電気的に接続する。
【００１４】
なお、後述のステージ部６、７を傾斜させる段階において、ワイヤー１０と物理量センサチップ２、３とのボンディング部分１０ａ、およびリード５ｂとのボンディング部分１０ｂが互いに離れることになるため、ワイヤー１０は、その長さもしくは高さに余裕を持たせた状態で取り付けられている。
【００１５】
ついで、図１４（ｂ）に示すように、フレーム部５のうち、矩形枠部５ａおよびリード５ｂと連結リード５ｄの一部を除いた部分を金型Ｄ、Ｅに挟み込んで固定する。これら金型Ｄ、Ｅは、樹脂モールド部１１を形成するためのものであり、物理量センサチップ２、３を樹脂の内部に埋め固定するためのものである。
【００１６】
フレーム部５を挟み込む金型Ｄ、Ｅの型締め時には、金型Ｅの内面Ｅ１に突出部８、９の先端部８ａ、９ａが押圧され、ステージ部６、７の側端部６ｂ、７ｂに位置する捻れ部５ｅが捻れるように変形し、２つの捻れ部５ｅを結ぶ軸線回りにステージ部６、７がそれぞれ回転する。これにより、ステージ部６、７および物理量センサチップ２、３が、図１４（ｃ）に示すように、矩形枠部５ａやリード５ｂに対して所定の角度で傾斜する。
【００１７】
その後、金型Ｅの内面Ｅ１が突出部８、９の先端部８ａ、９ａを押圧した状態で、金型Ｄ、Ｅのキャビティ１１ｅ内に溶融樹脂を射出し、物理量センサチップ２、３を樹脂の内部に埋め、樹脂モールド部１１を形成する。これにより、物理量センサチップ２、３が、相互に傾斜した状態で、樹脂モールド部１１内に固定されることになる。
【００１８】
最後に、電解メッキ液中に浸漬させてリード５ｂの樹脂モールド部１１から露出された部分に、例えば半田メッキのメッキ層を形成し、図１１から図１３中の二点破線で示される矩形枠部５ａおよび樹脂モールド部１１の外側に突出した部分のリード５ｂと連結リード５ｄを切り離して物理量センサ１の製造が完了する。
【００１９】
上記のように製造された物理量センサ１は、回路基板に搭載されて使用される。このとき、リード５ｂの裏面５ｇが回路基板と電気的に接続されるように搭載される。
【特許文献１】特開２００４−１２８４７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
しかしながら、この物理量センサ１の製造方法では、図１２のＡ−Ａ線矢視図を示した図１５のように、金型Ｄ、Ｅの内面の突出部８、９が当接されたところに樹脂が行き渡らず、樹脂モールド部１１を形成したのちも、樹脂モールド部１１の下面１１ａに突出部８、９の先端８ａ、９ａが露出する場合がある。この突出部８、９の先端８ａ、９ａが露出した物理量センサ１を回路基板に搭載した場合には、露出した突出部８、９が回路基板のパターンと接触して電気的に短絡を生じさせる恐れがあった。
【００２１】
また、金型Ｄ、Ｅの型締め後、金型Ｄ、Ｅのキャビティ１１ａ内に樹脂を射出しリード５ｂや物理量センサチップ２、３などの一体化を図るが、図１６に示すように、このときリード５ｂに対する樹脂バリを防止したり、金型Ｄ、Ｅと樹脂とを剥離しやすくするために、金型Ｄ、Ｅの内面Ｄ１、Ｅ１に薄膜状で弾性変形可能とされるシートＳを配して樹脂モールド部１１を形成する場合がある。この場合には、型締め時に、シートＳを配した金型Ｅの内面Ｅ１に押圧される突出部８、９の先端８ａ、９ａがシートＳに食い込み、この状態で樹脂モールド部１１が形成されため、樹脂モールド部１１の下面１１ａに突出部８、９の先端８ａ、９ａが突出される。この突出部８、９の先端８ａ、９ａが突出された状態で回路基板に搭載した場合には、回路基板上で物理量センサ１が不安定な状態となるばかりでなく、リード５ｂが回路基板のパターンとうまく接触できず、電気的に不連続となってしまうという問題があった。
【００２２】
さらに、樹脂モールド部１１を形成し金型を取り外した段階で、電解メッキ液中に浸漬して露出しているリード５ｂに、例えば半田メッキなどのメッキ層を形成する。このとき、突出部８、９の先端８ａ、９ａが樹脂モールド部１１から露出または突出されている場合には、この突出部分にも不要なメッキ層が形成されてしまう。この突出部８、９にメッキ層が形成された物理量センサ１を回路基板に搭載した場合には、両者間に不要なメッキ層が介在されさらに回路基板上で物理量センサ１が不安定な状態となる。このため、リード５ｂが回路基板のパターンと好適に接触されず、電気的に不連続となってしまうという問題があった。
【００２３】
本発明は、上記事情を鑑み、突出部の先端をリードの裏面が形成する水平面よりも上方に位置させることにより、好適に回路基板に搭載可能な物理量センサの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
上記の目的を達するために、この発明は以下の手段を提供している。
【００２５】
請求項１に係る発明は、矩形枠部と、該矩形枠部から内方に突出する複数のリードと、連結リードにより前記矩形枠部と連結されるステージ部と、該ステージ部に連続して下方側に傾斜しつつ突出される突出部とを備えるリードフレームを用いて、該リードフレームの前記ステージ部に物理量センサチップを固着し、前記突出部の先端が押圧されることによって該ステージ部を前記矩形枠部に対して傾斜させるとともに前記物理量センサチップを傾斜させ、傾斜した前記ステージ部および前記物理量センサチップと、前記突出部と、前記リードとを金型のキャビティ内にて樹脂により一体化して樹脂モールド部を形成する物理量センサの製造方法において、前記突出部の先端を前記リードの裏面が形成する水平面よりも上方に位置させることを特徴とする。
【００２６】
この発明に係る物理量センサの製造方法においては、突出部の先端が、リードの裏面が形成する水平面よりも上方に位置されることによって、樹脂モールド部の下面から突出部の先端が突出されることを防止できる。
【００２７】
請求項２に係る発明は、請求項１記載の物理量センサの製造方法において、前記樹脂モールド部を形成したのち、前記突出部の先端側の少なくとも一部を除去することによって、前記突出部の前記先端を前記リードの裏面が形成する水平面よりも上方に位置させることを特徴とする。
【００２８】
この発明に係る物理量センサの製造方法においては、樹脂モールド部を形成した段階で、樹脂モールド部の下面に露出もしくは突出している突出部の先端側の少なくとも一部を除去することによって、突出部の先端をリードの裏面が形成する水平面よりも上方に位置させることができる。
【００２９】
請求項３に係る発明は、請求項１記載の物理量センサの製造方法において、前記樹脂モールド部を形成した後に前記金型を取り外し、電解メッキ液中に浸漬して少なくとも前記リードの前記樹脂モールド部から露出された部分にメッキ層を形成し、前記樹脂モールド部から露出されている前記突出部に形成された少なくとも余分なメッキ層を除去することで前記突出部の前記先端を前記リードの裏面が形成する水平面よりも上方に位置させることを特徴とする。
【００３０】
この発明に係る物理量センサの製造方法においては、電解メッキ液中に浸漬しメッキ層を形成した段階で、樹脂モールド部の下面に露出もしくは突出している突出部に形成された少なくとも余分なメッキ層を除去することによって、突出部の先端をリードの裏面が形成する水平面よりも上方に位置させることができる。
【００３１】
請求項４に係る発明は、請求項１記載の物理量センサの製造方法において、内面に凸部が形成された前記金型を用いて、該金型の型締め時に、前記凸部に前記突出部の先端を押圧させることによって、前記ステージ部を前記矩形枠部に対して傾斜させつつ、前記突出部の前記先端を前記リードの裏面が形成する水平面よりも上方に位置させることを特徴とする。
【００３２】
この発明に係る物理量センサの製造方法においては、内面に凸部が形成された金型を使用し、金型の型締め時に、この凸部に突出部の先端を押圧させてステージ部を傾斜させるとともに、この傾斜を保持させ樹脂モールド部を形成することによって、突出部の先端をリードの裏面が形成する水平面よりも上方に位置させることができる。
【００３３】
請求項５に係る発明は、請求項１記載の物理量センサの製造方法において、前記金型に、前記キャビティ内に押込可能に取り付けられたエジェクタピンを前記キャビティ内に突出状態とすることによって、該エジェクタピンが前記突出部の前記先端を押圧して、前記突出部の前記先端を前記リードの裏面が形成する水平面よりも上方に位置させることを特徴とする。
【００３４】
この発明に係る物理量センサの製造方法においては、金型に取り付けられたエジェクタピンをキャビティ内に突出状態とすることによって、突出部の先端を押圧でき、突出部の先端をリードの裏面が形成する水平面よりも上方に位置させることができる。
【００３５】
請求項５に係る発明は、請求項２記載の物理量センサの製造方法において、前記突出部の先端側の除去は、レーザーもしくはサンドブラストによって行うことを特徴とする。
【００３６】
この発明に係る物理量センサの製造方法においては、樹脂モールド部を形成した段階で、樹脂モールド部の下面から露出もしくは突出している突出部の先端側の少なくとも一部を、レーザーもしくはサンドブラストを用いて除去することによって、突出部の先端をリードの裏面が形成する水平面よりも上方に位置させることができる。
【発明の効果】
【００３７】
請求項１に係る発明によれば、突出部の先端が、リードの裏面が形成する水平面よりも上方に位置されることによって、回路基板への実装時に突出部が回路基板に当接されることを確実に防止できるため、物理量センサを安定した状態で回路基板に搭載することができる。これにより、電気的に短絡を生じたり、不連続となることを防止することが可能となる。
【００３８】
請求項２に係る発明によれば、樹脂モールド部を形成した段階で、樹脂モールド部の下面に露出もしくは突出している突出部の先端側の少なくとも一部を除去することによって、突出部の先端をリードの裏面が形成する水平面よりも上方に位置させることができ、物理量センサを安定した状態で回路基板に搭載することができる。
【００３９】
請求項３に係る発明によれば、少なくとも突出部に形成された余分なメッキ層を除去することによって、突出部の先端をリードの裏面が形成する水平面よりも上方に位置させることができる。これにより、リードを安定して回路基板のパターンに接触させることができ、物理量センサを安定した状態で回路基板に搭載することができる。
【００４０】
請求項４に係る発明によれば、内面に凸部が形成された金型を使用し、金型の型締め時に、この凸部に突出部の先端を押圧させてステージ部を傾斜させるとともに、この傾斜を保持させ樹脂モールド部を形成することによって、突出部の先端をリードの裏面が形成する水平面よりも上方に位置させることができる。これにより、物理量センサを安定した状態で回路基板に搭載することができる。
【００４１】
請求項５に係る発明によれば、金型に取り付けられたエジェクタピンをキャビティ内に突出状態とすることによって、突出部の先端を押圧でき、突出部の先端をリードの裏面が形成する水平面よりも上方に位置させることができる。これにより、物理量センサを安定した状態で回路基板に搭載することができる。
【００４２】
請求項６に係る発明によれば、樹脂モールド部を形成した段階で、樹脂モールド部の下面から露出もしくは突出している突出部の先端側の少なくとも一部を、レーザーもしくはサンドブラストを用いて除去することによって、突出部の先端をリードの裏面が形成する水平面よりも上方に位置させることができる。これにより、物理量センサを安定した状態で回路基板に搭載することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４３】
以下、図１から図２、および図１１から図１５を参照し、この発明の第１実施形態について説明する。本実施形態の説明においては、図１１から図１５に示した物理量センサと共通する構成に対して同一符号を付し、詳細についての説明を省略する。
【００４４】
図１に示す物理量センサ１は、図１１から図１４に示すものと同様に、相互に傾斜させた２つの物理量センサチップ２、３を有することにより、外部磁界の向きや大きさなどを測定するものである。この物理量センサ１は、リードフレーム４を用いて製造される、例えばＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded package）やＳＯＮ（Small Outline Non-leaded package）などの表面実装型パッケージタイプの物理量センサ１である。
【００４５】
図１から図２に示す第１実施形態で製造された物理量センサ１は、上記のリードフレーム４に、ステージ部６、７に各々固着される２つの物理量センサチップ２、３と、物理量センサチップ２、３とリード５ｂとを電気的に接続するための金属製のワイヤー１０と、物理量センサチップ２、３およびリード５ｂを樹脂により一体化する樹脂モールド部１１とを加えて構成されるとともに、リードフレーム４のうち、矩形枠部５ａおよび樹脂モールド部１１から外側に突出した部分のリード５ｂと連結リード５ｄとを切り離して形成されている。
【００４６】
このとき、樹脂モールド部１１は、図１１から図１３中に示す二点破線で囲まれた部分であり、側断面が略台形に形成されている。また、図１から図２に示すように樹脂モールド部１１には、その下面１１ａに凹部１１ｂが形成され、この凹部１１ｂの上面１１ｃに突出部８、９の先端８ａ、９ａが接しており、ステージ部６、７および物理量センサチップ２、３が傾斜した状態で樹脂により固定されている。よって、突出部８、９の先端８ａ、９ａは、リード５ｂの裏面５ｇが形成する水平面よりも上方に位置されている。
【００４７】
ついで、この物理量センサ１の製造方法について説明する。
【００４８】
図１３と同様に製造されたリードフレーム４は、ステージ部６、７の表面６ｃ、７ｃに、それぞれ物理量センサチップ２、３が接着されるとともに、ワイヤー１０を配して物理量センサチップ２、３とリード５ｂとが電気的に接続される。
【００４９】
ついで、図１４に示すように、フレーム部５のうち、矩形枠部５ａおよびリード５ｂの一部を除いた部分を金型Ｄ、Ｅにより挟み込んで固定する。金型Ｄ、Ｅは、物理量センサチップ２、３を樹脂の内部に埋め、固定するためのものである。
【００５０】
この金型Ｄ、Ｅの型締め時に、金型Ｅの内面Ｅ１に突出部８、９の先端８ａ、９ａが押圧され、金型Ｄ、Ｅの移動とともに捻れ部５ｅが捻れ変形を生じ、ステージ部６、７が傾斜される。型締めを完了した段階で、ステージ部６、７は、所定の傾斜角で傾斜されているとともに、物理量センサチップ２、３が所定の傾斜角で傾斜され、金型Ｅの内面Ｅ１に突出部８、９が当接された状態で、傾斜が保持される。
【００５１】
ついで、金型Ｄ、Ｅのキャビティ１１ｅ内に溶融樹脂を射出し、物理量センサチップ２、３を樹脂の内部に埋め、樹脂モールド部１１を形成する。これにより、物理量センサチップ２、３が、相互に傾斜した状態で、樹脂モールド部１１内に固定されることとなる。
【００５２】
樹脂が固結し樹脂モールド部１１が形成されたのち、金型Ｄ、Ｅを取り外す。ついで、樹脂モールド部１１を形成したリードフレーム４を電解メッキ液中に浸漬させてリード５ｂの樹脂モールド部１１から露出された部分に、例えば半田メッキなどのメッキ層を形成させる。このとき、金型Ｄ、Ｅを取り外した段階で、図１５に示すように樹脂モールド部１１の下面１１ａに突出部８、９が露出または突出されており、この露出または突出された部分にもメッキ層が形成されてしまう。そこで、金型Ｄ、Ｅを取り外した段階、もしくはメッキ層を形成した段階で、図１から図２に示すように、この樹脂モールド部１１の下面１１ａを、例えばレーザーやサンドブラストを用いて、突出部８、９に形成された余分なメッキ層、突出部８、９の先端８ａ、９ａおよびその周囲の樹脂部１１ｄを削り取り、樹脂モールド部１１の下面１１ａに凹部１１ｂを形成する。これにより、突出部８、９の先端８ａ、９ａが、リード５ｂの裏面５ｇが形成する水平面よりも上方に位置される。
【００５３】
最後に、矩形枠部５ａおよびリード５ｂのうち樹脂モールド部１１の外側に突出する部分を切り離し、物理量センサ１の製造が完了する。
【００５４】
このように製造された物理量センサ１は、平板状の回路基板に実装される際に、例えば回路基板のパターンにリード５ｂの裏面５ｇがメッキ層を介して接続される。このとき、回路基板に突出部８、９の先端８ａ、９ａが回路基板に当接されることがないため、リード５ｂとパターンとを確実に接続することが可能とされ、且つ物理量センサ１が安定した状態で実装される。
【００５５】
したがって、上記の物理量センサ１の製造方法によれば、樹脂モールド部１１を形成した段階で、樹脂モールド部１１の下面１１ａから露出または突出している突出部８、９の先端８ａ、９ａを削り取ることによって、突出部８、９の先端８ａ、９ａをリード５ｂの裏面４ａが形成する水平面よりも上方に位置させることができる。これにより、回路基板への実装時に回路基板に突出部８、９が当接させる恐れがないため、物理量センサ１を好適に回路基板に搭載することができる。
【００５６】
なお、本発明は、上記の第１実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、上記の実施形態では、凹部１１ｂが、突出部８、９の先端８ａ、９ａおよびその周囲の樹脂部１１ｄを削り取り形成されるものとしたが、必ずしもこの限りではなく、突出部８、９の先端８ａ、９ａのみが除去されてもよいものである。
【００５７】
さらに、本実施形態では、突出部８、９が細い棒状に形成され、ステージ部６、７の端部６ａ、７ａから対向するステージ部６、７側に突出されるものとしたが、この限りではない。例えば、ステージ部６、７の幅方向に沿って交互に並べて配されてもよく、その設置位置が限定されるものではない。また、この突出部８、９の形状も特に細い棒状に限定されるものではない。さらに、突出部８、９は、例えば図３に示すように、先端側に屈曲部８ｂ、９ｂを備えて形成されていてもよいものであり、この場合の突出部８、９の先端とは、樹脂モールド部１１を形成し金型を取り外した段階で、樹脂モールド部１１から露出または突出される部分を表すものとされる。また、屈曲部８ｂ、９ｂを有する突出部８、９を備えた場合には、屈曲部８ｂ、９ｂに、例えば図４から図６に示すように、単数もしくは複数の、溝９ｃ（８ｃ）や屈曲部９ｂ（８ｂ）を貫通する孔９ｄ、突起部９ｅなどを設けて、余分なメッキ層が形成される面積を減少させたり、形成された余分なメッキ層の除去をしやすくする対策が講じられていてもよいものである。
【００５８】
また、図１１から図１４に示すようなステージ部６、７を傾斜させる際に変形して捻ることができる捻れ部５ｅは、例えば図７から図８に示すように、ステージ部６、７を傾斜させる際に変形して折り曲げることができる折曲部５ｆとされてもよいものである。
【００５９】
この図７から図８に示す物理量センサ１では、物理量センサチップ２、３の一端部２ａ、３ａ側がリード５ｂに固着され、この物理量センサチップ２、３が固着されるリード５ｂの内方側は、例えば半分の厚さ寸法に薄く形成されている。なお、リード５ｂの内方側と物理量センサチップ２、３とは、固着はされないでリード５ｂが物理量センサチップ２、３を支持しているか、少なくともリード５ｂが物理量センサチップ２、３の一端部２ａ、３ａと干渉しないよう、その下面に沿うような位置関係にあってもよい。
【００６０】
このような物理量センサ１は、図８に示すように、金型Ｄ、Ｅの型締め時に、金型Ｅの内面Ｅ１に突出部８、９が押圧されることによって、連結リード５ｄに設けられた折曲部５ｆが折れ曲り、これとともに薄く形成された内方側のリード５ｂも折れ曲り、ステージ部６、７が傾斜される。
【００６１】
よって、ステージ部６、７の傾斜は、捻れ部５ｅの捻れ変形によることに限定されるものではなく、連結リード５ｄやリード５ｂの折れ曲り変形によってなされてもよいものである。
【００６２】
ついで、以下、図１から図２、図９および図１１から図１５を参照し、この発明の第２実施形態について説明する。本実施形態の説明においては、第１実施形態に係る物理量センサと共通する構成に対して同一符号を付し、詳細についての説明を省略する。
【００６３】
第２実施形態に係る物理量センサ１の構成については、第１実施形態に示した図１と同様とされているため、説明を省略する。
【００６４】
ついで、この物理量センサ１の製造方法について説明する。
【００６５】
リードフレーム４は、図１３に示した第１実施形態と同様に製造される。
【００６６】
ついで、図９（ａ）から図９（ｂ）に示すように、フレーム部５のうち、矩形枠部５ａおよびリード５ｂの一部を除いた部分を金型Ｄ、Ｅにより挟み込んで固定する。金型Ｄ、Ｅは、物理量センサチップ２、３を樹脂の内部に埋め、固定するためのものである。このとき、金型Ｅの内面Ｅ１には、型締めとともに突出部８、９の先端８ａ、９ａを押圧し、突出部８、９を金型Ｅの他の内面Ｅ１よりもステージ部８、９側に位置させることができる凸部Ｅ２が形成されている。
【００６７】
この金型Ｄ、Ｅの型締め時に、金型Ｅの凸部Ｅ２に突出部８、９の先端８ａ、９ａが押圧され、金型Ｄ、Ｅの移動とともに捻れ部５ｅが捻れ変形を生じ、ステージ部６、７が傾斜される。型締めを完了した段階で、ステージ部６、７は、所定の傾斜角で傾斜されているとともに、物理量センサチップ２、３が所定の傾斜角で傾斜され、金型Ｅの凸部Ｅ２に突出部８、９が当接された状態で傾斜が保持される。
【００６８】
ついで、金型Ｄ、Ｅのキャビティ１１ｅ内に溶融樹脂を射出し、物理量センサチップ２、３を樹脂の内部に埋め、樹脂モールド部１１を形成する。これにより、物理量センサチップ２、３が、相互に傾斜した状態で、樹脂モールド部１１内に固定されることとなる。
【００６９】
図１から図２に示すように、樹脂が固結し樹脂モールド部１１が形成されたのち、金型Ｄ、Ｅを取り外す。この段階で、金型Ｅの凸部Ｅ２によって、樹脂モールド部１１の下面１１ａには、リード５ｂの裏面５ｇが形成する水平面よりも上面１１ｃが上方に位置する凹部１１ｂが形成され、突出部８、９の先端８ａ、９ａは凹部１１ｂの上面１１ｃと接する状態で樹脂モールド部１１に固定されている。最後に、矩形枠部５ａおよびリード５ｂのうち樹脂モールド部１１の外側に突出する部分を切り離して、物理量センサ１の製造が完了する。
【００７０】
したがって、上記の物理量センサ１の製造方法によれば、内面Ｅ１に凸部Ｅ２が形成された金型Ｅを使用し、金型Ｄ、Ｅの型締め時に、この凸部Ｅ２に突出部８、９の先端８ａ、９ａを押圧させてステージ部６、７を傾斜させるとともに、この傾斜を保持させ、樹脂モールド部１１を形成する。これによって、突出部８、９の先端８ａ、９ａをリード５ｂの裏面５ｇが形成する水平面よりも上方に位置させることができ、物理量センサ１を好適に回路基板に搭載することができる。
【００７１】
なお、本発明は、上記の第２実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、突出部８、９は、第１実施形態と同様に、例えば、ステージ部６、７の幅方向に沿って交互に並べて配されてもよいものであり、その設置位置が限定されるものではない。また、この突出部８、９の形状も特に細い棒状に限定されるものではない。
【００７２】
また、第１実施形態で示した図７の物理量センサ１と同様に、ステージ部６、７を傾斜させる際に変形して捻ることができる捻れ部５ｅは、ステージ部６、７を傾斜させる際に変形して折り曲げることができる折曲部５ｆとされてもよいものである。
【００７３】
ついで、以下、図１から図２、図１０および図１１から図１４を参照し、この発明の第３実施形態について説明する。本実施形態の説明においては、第１実施形態に係る物理量センサと共通する構成に対して同一符号を付し、詳細についての説明を省略する。
【００７４】
第３実施形態に係る物理量センサ１の構成は、第１実施形態に示した図１と同様とされている。
【００７５】
ついで、この物理量センサ１の製造方法について説明する。
【００７６】
リードフレーム４は、図１３に示した第１実施形態と同様に製造される。
【００７７】
ついで、図１０（ａ）から図１０（ｂ）に示すように、フレーム部５のうち、矩形枠部５ａおよびリード５ｂの一部を除いた部分を金型Ｄ、Ｅにより挟み込んで固定する。金型Ｄ、Ｅは、物理量センサチップ２、３を樹脂の内部に埋め、固定するためのものである。また、金型Ｅには、開口部Ｅ３が設けられており、この開口部Ｅ３内を摺動可能とされた詳細は後述のエジェクタピンＥ４が取り付けられている。金型Ｄ、Ｅの型締め時には、金型Ｅの内面Ｅ１とエジェクタピンＥ４の金型Ｅ内面Ｅ１側の上面Ｅ５とが同一平面を形成している。
【００７８】
この金型Ｄ、Ｅの型締め時に、エジェクタピンＥ４の上面Ｅ５に突出部８、９の先端８ａ、９ａが押圧され、金型Ｄ、Ｅの移動とともに捻れ部５ｅが捻れ変形を生じ、ステージ部６、７が傾斜される。型締めを完了した段階で、エジェクタピンＥ４を所定の量で金型Ｄ、Ｅのキャビティ１１ｅ内に挿入すると、これによって、ステージ部６、７は、所定の傾斜角で傾斜されるとともに、物理量センサチップ２、３が所定の傾斜角で傾斜され、さらに、突出部８、９の先端８ａ、９ａがリード５ｂの裏面５ｇよりも上方に位置される。このとき、エジェクタピンＥ４の上面Ｅ５に突出部８、９が当接された状態で、ステージ部６、７の傾斜が保持される。
【００７９】
ついで、金型Ｄ、Ｅのキャビティ１１ｅ内に溶融樹脂を射出し、物理量センサチップ２、３を樹脂の内部に埋め、樹脂モールド部１１を形成する。これにより、物理量センサチップ２、３が、相互に傾斜した状態で、樹脂モールド部１１内に固定されることとなる。
【００８０】
ついで、樹脂が固結し樹脂モールド部１１が形成されたのち、金型Ｄ、Ｅ及びエジェクタピンＥ４を取り外す。図１に示すように、この段階で、エジェクタピンＥ４によって、樹脂モールド部１１の下面１１ａには、リード５ｂの裏面５ｇが形成する水平面よりも上面１１ｃが上方に位置する凹部１１ｂが形成されている。突出部８、９の先端８ａ、９ａはこの凹部１１ｂの上面１１ｃと接する状態で樹脂モールド部１１に固定されている。最後に、矩形枠部５ａおよびリード５ｂのうち樹脂モールド部１１の外側に突出する部分を切り離して、物理量センサ１の製造が完了する。
【００８１】
したがって、上記の物理量センサ１の製造方法によれば、金型Ｄ、Ｅの型締めとともにステージ部６、７を傾斜させ、金型Ｅに取り付けられたエジェクタピンＥ４を金型Ｄ、Ｅのキャビティ１１ｅ内に挿入することによって、突出部８、９の先端８ａ、９ａをリード５ｂの裏面５ｇが形成する水平面よりも上方に位置させることができ、物理量センサ１を好適に回路基板に搭載することができる。
【００８２】
なお、本発明は、上記の第３実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、突出部８、９は、第１実施形態と同様に、ステージ部６、７の幅方向に沿って交互に並べて配されてもよいものであり、その設置位置が限定されるものではない。また、この突出部８、９の形状も特に細い棒状に限定されるものではない。
【００８３】
また、第１実施形態で示した図７の物理量センサ１と同様に、ステージ部６、７を傾斜させる際に変形して捻ることができる捻れ部５ｅは、ステージ部６、７を傾斜させる際に変形して折り曲げることができる折曲部５ｆとされてもよいものである。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】本発明の第１から第３実施形態に係る物理量センサを示す平面図である。
【図２】図１のＢ−Ｂ線矢視図である。
【図３】本発明に係る物理量センサの突出部の変形例を示す図である。
【図４】本発明に係る物理量センサの突出部の変形例を示す図である。
【図５】本発明に係る物理量センサの突出部の変形例を示す図である。
【図６】本発明に係る物理量センサの突出部の変形例を示す図である。
【図７】本発明に係る物理量センサの変形例を示す平面図である。
【図８】図７に示した物理量センサのステージ部および物理量センサチップを傾斜させる方法を示す側断面図である。
【図９】本発明の第２実施形態に係る物理量センサの突出部の先端をリードの裏面が形成する水平面よりも上方に位置させる方法を示す側断面図である。
【図１０】本発明の第３実施形態に係る物理量センサの突出部の先端をリードの裏面が形成する水平面よりも上方に位置させる方法を示す側断面図である。
【図１１】従来の物理量センサを示す平面図である。
【図１２】図１１に示した従来の物理量センサの側断面図である。
【図１３】図１１に示した従来の物理量センサの製造に使用されるリードフレームの平面図である。
【図１４】図１１に示した従来の物理量センサのステージ部および物理量センサチップを傾斜させる方法を示す側断面図である。
【図１５】従来の物理量センサを示した図１２のＡ−Ａ線矢視図である。
【図１６】従来の物理量センサの製造方法における金型内面にシートを配した場合の側断面図である。
【符号の説明】
【００８５】
２，３・・・物理量センサチップ、４・・・リードフレーム、５ａ・・・矩形枠部、５ｂ・・・リード、５ｄ・・・連結リード、５ｇ・・・リードの裏面、６，７・・・ステージ部、８・・・突出部、８ａ・・・突出部の先端、９・・・突出部、９ａ・・・突出部の先端、１１・・・樹脂モールド部、１１ａ・・・樹脂モールド部の下面、１１ｂ・・・凹部、１１ｃ・・・凹部の上面、１１ｄ・・・樹脂部、１１ｅ・・・キャビティ、Ｄ，Ｅ・・・金型、Ｅ１・・・金型内面、Ｅ２・・・凸部、Ｅ３・・・開口部、Ｅ４・・・エジェクタピン、Ｅ５・・・エジェクタピンの上面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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