(57)【要約】【課題】本発明は、絶縁膜焼成における端子間での短絡を発生し難くする配線基板の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】焼成工程１４では、端子４と端子５との間を銀箔９で電気的に接続して焼成するとともに、前記焼成工程１４の後で端子４と端子５との間を電気的に分離するものである。これにより、焼成工程１４中において端子４と端子５とを略同電位とできるので、絶縁層の焼成工程１４において端子４と端子５との間での短絡を発生し難くすることができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機基材の基板と、この基板上の少なくとも一方の面に設けられた配線パターンと、この配線パターン上に形成された誘電体絶縁膜とを有する配線基板の製造方法において、前記配線パターンは、第１の配線パターンと、この第１の配線パターンに接続されるとともに前記誘電体絶縁膜の不形成部に設けられた第１の端子と、この第１の端子と近接して設けられるとともに、前記誘電体絶縁膜の不形成部に設けられた第２の端子と、この第２の端子に接続された第２の配線パターンとを有し、前記配線基板の製造方法は、前記基板上に前記配線パターンを敷設する配線パターン形成工程と、この配線パターン形成工程の後に設けられた誘電体絶縁膜塗布工程と、この誘電体絶縁膜塗布工程の後に設けられた焼成工程とを備え、前記焼成工程では、前記第１の端子と前記第２の端子との間を電位均一化手段で電気的に接続して焼成するとともに、前記焼成工程の後で前記第１の端子と前記第２の端子との間を電気的に分離する分離工程を有した配線基板の製造方法。
【請求項２】
電位均一化手段は、第１の端子と、第２の端子間を接続する接続パターンで形成するとともに、分離工程では、前記接続パターンを切断する請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
分離工程では、接続パターンをレーザートリミングで切断する請求項２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
基板には、第１の端子と、第２の端子の夫々に接続されるとともに、前記基板の他方の面側へ導出された接触端子を設け、電位均一化手段は導電体を用い、前記導電体と前記接触端子とを電気的に接続して焼成する請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
導電体には、導電箔を用いた請求項４に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
誘電体絶縁膜塗布工程と焼成工程との間には、予め導電箔を基板の他方の面側へ貼り付ける導電箔貼り付け工程を有し、分離工程では、前記導電箔を剥がす請求項５に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
導電箔の厚みは、接続端子の厚みの約半分以下とした請求項６に記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
導電箔貼り付け工程では、基板の他方面側に導電箔を載置するとともに、前記導電箔をローラーで圧着する請求項６に記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
導体箔には、銀箔を用いた請求項５に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
導体箔は、基板より小さいものを用いた請求項５に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１１】
導体箔には、基板の外周辺から突出する把持部を設けるとともに、分離工程では前記把持部を掴んで導体箔を基板から剥離する請求項５に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１２】
無機基材の基板と、この基板上の一方の面に設けられた配線パターンと、この配線パターン上に形成された誘電体絶縁膜とを有する配線基板の製造設備において、前記配線パターンは、第１の配線パターンと、この第１の配線パターンに接続されるとともに前記誘電体絶縁膜の不形成部に設けられた第１の端子と、この第１の端子と近接して設けられるとともに、前記誘電体絶縁膜の不形成部に設けられた第２の端子と、この第２の端子に接続された第２の配線パターンとを有し、前記配線基板の製造設備は、前記基板上に前記配線パターンを敷設する配線パターン形成手段と、この配線パターン形成手段の下流に設けられた誘電体絶縁膜塗布手段と、この誘電体絶縁膜塗布手段の下流に設けられた焼成手段とを備え、前記焼成手段では、前記第１の端子と前記第２の端子との間を電位均一化手段で電気的に接続して焼成するとともに、前記焼成手段の下流には、前記第１の端子と前記第２の端子との間を電気的に分離する分離手段を有した配線基板の製造設備。
【請求項１３】
基板には、第１の端子と、第２の端子の夫々に接続されるとともに、前記基板の他方の面側へ導出された接触端子を設け、電位均一化手段は、前記基板を載置する載置台と、この載置台の上面に設けられた導電体とを有し、この導電体上に前記基板を載置し、前記導電体と接触端子とを接触させる請求項１２に記載の配線基板の製造設備。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、モジュール化集積回路等に用いる配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
以下、従来の配線基板の製造方法について以下に図面を用いて説明する。図７は、従来における配線基板の上面から見た要部拡大図であり、図６は、同配線基板の製造方法のフローチャートである。図７において、１はアルミナ製の基板であり、この基板１には配線パターン２，３が形成されている。そして、これら配線パターン２，３の夫々には端子４，５が接続されており、これらの端子間の距離６は、約５０μｍであり、非常に近接して設けられている。
【０００３】
７は、基板１上に設けられた絶縁膜（誘電体絶縁膜の一例として用いた）であり、誘電率が約８のガラス系の絶縁体である。そして端子４，５は、絶縁膜７の不形成部８としてある。
【０００４】
図６において、１１は基板１上に配線パターン２，３を形成する配線パターン形成工程である。この配線パターン形成工程１１では、基板１上にスクリーン印刷などによって銀ペーストを印刷し、焼成することによって配線パターン２，３を形成するものである。
【０００５】
そして、１２は、配線パターン形成工程の後に設けられた誘電体絶縁膜印刷・乾燥工程であり、スクリーン印刷などによって、ペースト状の誘電体１３を基板１上に印刷・乾燥する。なお誘電体絶縁膜印刷・乾燥工程１２においては、スクリーン（図示せず）に設けた開口に対応する場所にのみ誘電体１３を印刷することができる。これにより誘電体不形成部８を形成し、端子４，５には、誘電体１３が塗布されない。
【０００６】
１４は、誘電体絶縁膜印刷・乾燥工程１２の後に設けられた焼成工程であり、誘電体１３を焼成して、絶縁膜７を形成させている。
【０００７】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開２００１−１０２６９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながらこのような従来の配線基板の製造方法においては、端子４と端子５との間の間隔が５０μｍと非常に小さいので、絶縁膜焼成において端子４と端子５とが短絡してしまうという問題を有していた。
【０００９】
そこで本発明は、この問題を解決したもので、絶縁層焼成における端子間での短絡を発生し難くする配線基板の製造方法を提供することを目的としたものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この目的を達成するために本発明の配線基板の製造方法は、絶縁層を焼成する工程において第１の端子と第２の端子との間の電位を略同一とするものである。
【発明の効果】
【００１１】
以上のように本発明によれば、焼成工程では、第１の端子と第２の端子との間を電位均一化手段で電気的に接続して焼成し、この焼成工程の後で前記第１の端子と前記第２の端子との間を電気的に分離するので絶縁層を焼成する工程において第１の端子と第２の端子との間での短絡を発生し難くすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態１について、図面を用いて説明する。図２は、本発明の実施の形態１における配線基板の上面から見た要部拡大図である。まず図２を用いて本実施の形態１における配線基板について説明する。図２において、１はアルミナ製の基板であり、この基板１には配線パターン２，３が形成されている。
【００１３】
そして、これら配線パターン２，３の夫々には端子４，５が接続されており、これらの端子は非常に狭ピッチな間隔で設けられている。なお、本実施の形態１において端子４と端子５との間の距離６は、約５０μｍである。
【００１４】
また、配線パターン２，３には夫々にスルーホール３２ａ，３２ｂ（接触端子の一例として用いた）が設けられ、基板１の反対面側に導出されている。７は、基板１上に設けられた絶縁膜（誘電体絶縁膜の一例として用いた）であり、誘電率が約８のガラス系の絶縁体である。そして端子４，５は、絶縁膜７の不形成部８に設けられている。
【００１５】
図１は、本実施の形態１における配線基板の製造方法における製造フローチャートであり、図３（ａ）から図３（ｅ）は、同、配線基板の製造方法における各工程での配線基板の断面図である。本実施の形態１における各工程の詳細について、図１に示す製造フローチャートの順序に従って、図３を用いて説明する。
【００１６】
図１において、１１は基板１上に配線パターン２，３を形成する配線パターン形成工程であり、この配線パターン形成工程１１では、基板１上にスクリーン印刷などによって銀ペーストを印刷・乾燥し、焼成することによって配線パターン２，３を形成するものである。そしてこの配線パターン形成工程１１は、スルーホール形成工程と、導体形成工程とによって構成されている。
【００１７】
図３（ａ）は、本実施の形態１のスルーホール形成工程における配線基板の断面図である。図３（ａ）において、スルーホール形成工程は、アルミナ製の基板１に孔３１を加工し、この孔３１へ銀ペーストで埋め込むことによって、スルーホール３２ａ，３２ｂを形成する工程である。
【００１８】
図３（ｂ）は、本実施の形態１の導体形成工程における配線基板の断面図である。図３（ｂ）に示すように導体形成工程では、基板１の上面１ａ上に形成された配線パターン２，３と、これら配線パターン２，３とスルーホール３２ａ，３２ｂを介し、基板１の下面１ｂ側に夫々導出された配線パターン２ａ，３ａとを形成する工程である。なお、導体形成工程において基板１上へ配線パターン２，２ａ，３，３ａを形成する配線パターン形成手段は、基板１上に銀ペーストを印刷するスクリーン印刷機と、印刷された銀ペーストを乾燥する乾燥機と、乾燥機で乾燥された銀ペーストを焼成し、配線パターンを形成する焼成炉とから構成される。
【００１９】
次に図３（ｃ）は、本実施の形態１の誘電体絶縁膜形成工程における配線基板の断面図である。図１、図３（ｃ）において、１２は、配線パターン形成工程１１の後に設けられた誘電体絶縁膜形成工程であり、この誘電体絶縁膜形成工程１２では、誘電体絶縁膜形成手段によって、基板１上に誘電体絶縁膜７を形成する。そして、この誘電体絶縁膜形成工程１２は、誘電体絶縁膜印刷工程１２ａと、乾燥工程１２ｂとにより構成されている。まず誘電体絶縁膜印刷工程１２ａでは、スクリーン印刷などによって、ペースト状の誘電体１３を基板１上に印刷する。なお誘電体絶縁膜印刷工程１２ａにおいては、スクリーン（図示せず）に設けた開口（図示せず）に対応する場所にのみ誘電体１３を印刷することができる。これにより誘電体不形成部８を形成し、端子４，５には、誘電体１３が塗布されない。そして、乾燥工程１２ｂでは、乾燥炉によって誘電体１３を乾燥し、配線パターン２，３は誘電体絶縁膜７で覆われた状態となる。
【００２０】
なお、本実施の形態１において誘電体絶縁膜７はアルミナ粉を含んだ誘電体１３を用いている。これは、後述する焼成工程１４において、基板１と誘電体絶縁膜７との間での伸縮量の差を小さくするためである。これにより、焼成工程１４で誘電体絶縁膜７にクラックなどが生じ難くなる。次に、図１に示すように本実施の形態１では、誘電体絶縁膜形成工程１２の後には、電位均一手段工程を設けている。図３（ｄ）は、本実施の形態１の電位均等化工程における配線基板の断面図である。図３（ｄ）において、誘電体１３にはアルミナ粉を含むペーストを用いるので、誘電体絶縁膜７の誘電率の大きさは約８と大きな値となる。このような大きな誘電率の材料が配線パターン２，３上に形成されることで、配線パターン２と配線パターン３との間に、静電気などによる微少な電位が発生するものと考えられる。
【００２１】
そこで、本実施の形態１における電位均一化工程２０では、導電体である銀箔９（電位均一化手段の一例として用いた）を配線パターン２ａと３ａへ接触させることによって、端子４と端子５との間の電位を等しくしている。なお、本実施の形態１においては、銀箔９は、載置台（図示せず）の上に配置し、この銀箔９上に基板１を搭載することによって、銀箔９と配線パターン２ａと３ａとを接触させている。したがって、基板１を銀箔９上に載置するのみで容易に端子４と、端子５とを同電位とすることができる。
【００２２】
また、本実施の形態１では、配線パターン２，３は約１０μｍであり、銀箔９は約５μｍの厚みとしているので、配線パターン２，３に比べて薄く、柔らかいものを用いている。これにより、銀箔９の上に基板を載置した際、基板１の凹凸に沿って変形するので、銀箔９は配線パターン２ａ，３ａと接触し易くなる。さらに、基板１の上面１ａ側から加圧することによって、銀箔９を基板へ貼り付けることができるので、しっかりと配線パターン２ａと３ａとを接触させることができる。したがって、凹凸部、または、反りがあっても基板１に容易に密着させることができるものである。
【００２３】
さらに、銀箔９を用いているので、焼成工程１４における熱により変形することも考えることなく、使用できるものである。
【００２４】
１４は、電位均一化工程２０の後に設けられた焼成工程であり、誘電体１３を焼成して、絶縁膜７を形成させている。次に、図３（ｅ）は、本実施の形態１の分離工程における配線基板の断面図である。図１、図３（ｅ）において、１５は、焼成工程１４の後に設けられた分離工程であり、電位均一化工程２０で貼り付けられた銀箔を取り除き、電気的に分離させるものである。なお、本実施の形態１の分離工程１５においては、手（分離手段の一例として用いた）によって基板１から銀箔９を剥離する。
【００２５】
この時、銀箔９は、上述した如く、非常に薄く、且つ軟らかく、密着性の高い性質を持っているため、一度貼り付けた銀箔９を取り除く際、基板１の配線パターン２ａ，３ａに貼り付いている銀箔９の一部が剥がれ難くなる。そこで本実施の形態１において銀箔９と配線パターン２，２ａ，３，３ａとは、共に銀を用いているので、仮に銀箔９が一部剥がれずに配線パターン２ａ，３ａが残ったとしても、導体抵抗が大きくなることはない。
【００２６】
また、本実施の形態１においては、手作業で銀箔９を剥離する。従って銀箔９を基板１から剥がしやすくするため、銀箔９には基板１の外周部より突出する把持部９ａを設けている。これにより、銀箔を剥がす場合、手で把持部９ａを掴んで剥がすことができるので、容易に銀箔９を剥がすことができる。
【００２７】
発明者らの実験では、以上のように配線パターン２ａと配線パターン３ａとの間を銀箔９で接続し、端子４と端子５とを略同電位とした状態で焼成することによって、端子４と端子５との間での短絡を発生し難くできることを確認している。
【００２８】
これは、焼成工程１４において配線パターン２，３は、約８５０℃の高温下で焼成される。このとき配線パターン２，３や端子４，５を構成する銀の分子は非常に活性し易い状態となるわけである。つまり、このように分子が活動し易い状況下においては、微少な電位差でも銀分子は移動し易いものと推測される。そこで、焼成工程１４の前に電位均一化工程２０を設け、隣接して配置された端子４と端子５との間を銀箔９で電気的に接続することにより、端子４と端子５とを略同電位とする。これにより、たとえ焼成工程１４の熱で端子４や端子５の銀分子が活性化しても端子４と端子５の間で銀の移動が生じ難くなり、端子４と端子５との間での短絡を発生し難くできるものと考えられる。したがって、端子４と端子５との間の距離を小さくできるので、狭いバンプピッチの集積回路素子などを装着することができる。
【００２９】
なお、本実施の形態１においては、載置台上に銀箔９を設けることで、基板１と銀箔９とを接触させたが、これは、銀箔９を直接基板１の下面１ｂへ貼り付けても良い。
【００３０】
また、電位均一化工程２０において、銀箔９を基板１へ貼り付ける際、ローラーを用いると良い。これは、銀箔９を略均一の力で貼り付けることができるので、しっかりと銀箔９を基板１へ貼り付けることができる。この時、ローラーには、例えばシリコンゴムを用いれば、配線パターンの凹凸に対して銀箔９を容易に密着させることができる。
【００３１】
（実施の形態２）
次に、本発明の実施の形態２について図面を用いて説明する。尚、本発明の実施の形態２において、従来の構成を示す図６、図７や実施の形態１と同じものは、同一符号を付してその説明を簡略化する。図４は、本発明の実施の形態２における配線基板の製造方法を示すフローチャートであり、図５は、同配線基板の上面から見た要部拡大図である。
【００３２】
図４、図５に示すように、本実施の形態２では、配線パターン形成１１の際に、端子４と端子５間を、接続パターン２２（電位均一化手段の一例として用いた）で接続することで、端子４と端子５との間の電位を一時的に略同一としている。そして、焼成工程１４の後に設けられた分離工程２１において、パターン２２をレーザートリミングにより切断するものである。
【００３３】
以上のように、端子４と端子５との間を接続パターン２２で接続することによって、端子４と端子５間を略同電位とした状態で焼成１４することができる。これによって、端子４と端子５との間での短絡を発生し難くできることを確認している。
【産業上の利用可能性】
【００３４】
本発明にかかる配線基板の製造方法は、端子の間隔を狭ピッチで配列することができるという効果を有し、特に端子間のピッチが小さな半導体素子を端子へ搭載する集積回路モジュールなどに用いる配線基板等に対して利用すると有用である。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の実施の形態１における配線基板の製造フローチャート
【図２】同、要部拡大図
【図３】同、各工程における配線基板の断面図
【図４】本発明の実施の形態２における配線基板の製造フローチャート
【図５】同、要部拡大図
【図６】従来の配線基板の製造フローチャート
【図７】従来の配線基板の要部拡大図
【符号の説明】
【００３６】
１  基板
２  配線パターン
３  配線パターン
４  端子
５  端子
６  距離
７  誘電体絶縁膜
８  不形成部
９  銀箔
１１  配線パターン形成工程
１２  誘電体絶縁膜形成工程
１３  誘電体
１４  焼成工程
１５  分離工程
２０  電位均一化工程
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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