(57)【要約】【課題】  配線構造体にダメージ或いは変質を与えることがないのみならず、安価で不要な塵芥を殆ど発生させることなく支持基体から配線構造体を容易且つ確実に分離する。【解決手段】  支持基体１と密着性の高い第１の密着層２を局所的に形成した後、第１の密着層２を覆うように支持基体１上の全面に支持基体１に対する密着性の低い第２の密着層３を形成する。配線構造体６の分離時には、配線構造体６の第１の密着層２の形成された所定部位を切削し、一体化された配線構造体６及び第２の密着層３を第１の密着層２と離間させる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持基体の一方の主面上における所定部位に、当該支持基体との密着性を有する第１の密着層を形成する工程と、
前記第１の密着層を覆うように、前記支持基体上に前記第１の密着層に比して当該支持基体との密着性が低い第２の密着層を形成する工程と、
前記第２の密着層上に、配線構造が絶縁層内に形成されてなる配線構造体を形成する工程と、
前記所定部位において、前記第１の密着層と前記第２の密着層とを分離させる工程と、
残存した前記第２の密着層及び前記配線構造体を一体として前記支持基体から分離する工程と
を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記第２の密着層及び前記配線構造体を一体として前記支持基体から分離する工程の後、
前記第２の密着層を前記配線構造体から除去する工程を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記第１の密着層が形成される前記所定部位は、少なくとも前記支持基体の周縁部位であることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記所定部位において、前記第１の密着層と前記第２の密着層とを分離させる工程は、
前記所定部位における前記配線構造体及び前記第２の密着層を除去する工程と、
前記第１の密着層を溶解除去する工程と
を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記所定部位において、前記第１の密着層と前記第２の密着層とを分離させる工程は、
前記所定部位における前記配線構造体及び前記第２の密着層の上層を除去する工程と、
前記所定部位に残存した前記前記第２の密着層を溶解除去し、一体となった前記第２の密着層及び前記配線構造体を前記第１の密着層と離間させる工程と
を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記所定部位において、前記第１の密着層と前記第２の密着層とを分離させる前に、
前記配線構造体に各チップ構造を画する切り込みを、前記第２の密着層の上部に達する位置に形成することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記第２の密着層を形成する工程の後、
前記支持基体の他方の主面を基準として、形成された前記第２の密着層の表面をバイトを用いた切削加工により平坦化する工程を更に含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記第２の密着層を形成する工程において、
前記支持基体の最大厚みと最小厚みとの差分値以上の厚みに前記第２の密着層を形成することを特徴とする請求項７に記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記配線構造体を形成する工程において、
バイトを用いた切削加工により前記配線構造の表面及び前記絶縁層の表面が連続して平坦となるように処理することを特徴とする請求項１〜８いずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
支持基体の一方の主面上における所定部位に、当該支持基体との密着性を有する第１の密着層を形成する工程と、
前記第１の密着層を覆うように、前記支持基体上に前記第１の密着層に比して当該支持基体との密着性が低い第２の密着層を形成する工程と、
前記支持基体の他方の主面を基準として、前記第２の密着層の表面をバイトを用いた切削加工により平坦化する工程と、
平坦化された前記第２の密着層上に、配線構造が絶縁層内に形成されてなる配線構造体を形成する工程と、
前記所定部位において、前記第１の密着層と前記第２の密着層とを分離させる工程と、
残存した前記第２の密着層及び前記配線構造体を一体として前記支持基体から分離する工程と
を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造方法に関し、特に、支持基体上に配線構造体を形成し、その配線構造体を配線基板として供する製造方法に関する。本発明は、半導体素子搭載時に使用されるインターポーザ用配線基板の製造に適用して好適である。
【背景技術】
【０００２】
１つの半導体チップ（素子）に高度なシステム機能を搭載した所謂ＳｏＣ（システム・オン・チップ）と同等の機能を実現する手段として、近年、所謂ＳｉＰ（システム・イン・パッケージ）と呼ばれる形態が注目されている。このＳｉＰは、複数個のＬＳＩチップを単一のパッケージに封止してシステム化を実現したものであり、最終的にはＳｏＣと同等の機能を低コストで実現することを目指すものである。
【０００３】
上記ＳｉＰは、複数個のＬＳＩチップを互いに電気的に接続し、且つより小型化されたシステムを形成するために、高密度の配線を含む配線基板を必要とする。一般的にこれらの基板として、セラミック配線基板、プリント基板、可撓性（フレキシブル）基板、或いはシリコン基板などが用いられる。
【０００４】
上記の配線基板のうち、可撓性（フレキシブル）基板は、有機絶縁物材料からなる樹脂フィルムの表面に金属配線層を形成し、これを積層して形成される。この種の基板は、可撓（フレキシブル）性を有する点で製造性に優れる。基板シリコン基板は、最も微細な配線を形成することが可能であるが、その表裏面を電気的に接続するスルーホールを有することが求められる。
【０００５】
携帯機器に用いられるＳｉＰにあっては、小型化が可能であり、軽量で尚且つ低コストという要求から、このような配線基板が多用されている。従来の配線基板の一例としては、松下電器産業（株）製の製品名「ＡＬＩＶＨ」がある。かかる「ＡＬＩＶＨ」は、絶縁樹脂に配線及び導電性ペーストを充填したビアホールを形成した個々の基板を、複数枚積層したものである。
【０００６】
この「ＡＬＩＶＨ」は、低コストでの製造が可能である反面、微細化が困難であるという課題があり、設計の自由度も制限される。このような問題を解決し、微細化、低コスト、及び設計の自由度を同時に実現するためには、例えばシリコンの支持基体上に配線構造体を形成し、その形成した配線構造体を分離させて配線基板として使用することが有効である。
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−９２０２号公報
【特許文献２】特開２００３−３０９２１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記特許文献１及び特許文献２には、それぞれ、支持基体上に形成した配線構造体を支持基体から分離させる方法が開示されている。
特許文献１に開示されている技術は、支持基体（図４の支持基板１１）上に配線構造体（樹脂薄膜多層回路フィルム）形成予定部分の開口を持つ密着層を形成し、その上に配線構造体を形成する。そして、支持基体上で、配線構造体のうち密着層の外周部分をその内側部分と分離した後、配線構造体を支持基体から剥離して配線基板（フレキシブル薄膜多層回路２１）を形成する。
しかしながら上記の方法では、最終工程において、超音波を加えて、或いは配線構造体の表面に粘着テープを貼り付けて、配線構造体を支持基体から引き剥がすことが必要であり、配線構造体にダメージを与える虞れがある。
【０００９】
また、特許文献２に開示されている技術は、支持基体（図３のベース基板１）と配線構造体（多層配線基板４４）との間に、Ｃｕが主成分であり、エッチングにより除去可能なエッチバック層（エッチバック層２）を設けておき、エッチングにより前記エッチバック層を溶かし、配線構造体を支持基体から分離する方法である。しかしながら、上記の方法では、前記エッチバック層２が内部まで完全にエッチングされる迄に、長時間を要してしまうため、エッチング中に、エッチング液により配線構造体を構成する材料がダメージを受ける、或いは変質してしまう等の問題を引き起こす可能性が高い。また、仮に変質を免れたとしても、製造上の量産性が低いという問題が残る。
【００１０】
ところで、配線構造体を支持基体から分離する方法としては、上記のような方法の他に、支持基体としてシリコンウェーハを用い、グラインダ及びエッチングを用いてシリコンウェーハそのものを除去する方法がある。或いは、アルミニウム或いは銅からなる金属板を支持基体として用い、エッチングにより、アルミニウム或いは銅を除去することも可能である。
【００１１】
これらいずれの手法においても、支持基体のコスト分が製造コストに反映してしまうデメリットが有ることに加え、シリコンウェーハをグラインダしたときの残渣がそのまま塵芥となる等、製造プロセスにおいて生じる不要な塵芥の量が膨大なものとなり、環境に対する影響も無視できない。
【００１２】
更に、配線構造体の形成後に、支持基体をグラインダ等により研削して薄くし、その残った支持基体の薄膜を酸等で溶解させる方法も考えられるが、この方法でも、製造プロセスにおける不要な塵芥が多量に生じてしまうため、上述の問題は相変わらず解決されない。
【００１３】
本発明は、これらの課題に鑑みなされたものであり、配線基板の製造方法に関し、配線基板にダメージを与えず、その変質を招来せず、更には塵芥を発生させること無く、支持基体から配線基板を容易に分離させることができる製造方法を提供することを目的とする。
【００１４】
また、本発明は、絶縁層内に微細化された配線を内包する薄い配線基板を、低コストで製造することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の配線基板の製造方法は、支持基体の一方の主面上における所定部位に、当該支持基体との密着性を有する第１の密着層を形成する工程と、前記第１の密着層を覆うように、前記支持基体上に前記第１の密着層に比して当該支持基体との密着性が低い第２の密着層を形成する工程と、前記第２の密着層上に、配線構造が絶縁層内に形成されてなる配線構造体を形成する工程と、前記所定部位において、前記第１の密着層と前記第２の密着層とを分離させる工程と、残存した前記第２の密着層及び前記配線構造体を一体として前記支持基体から分離する工程とを含む。
【００１６】
本発明による配線基板の製造方法の別態様は、支持基体の一方の主面上における所定部位に、当該支持基体との密着性を有する第１の密着層を形成する工程と、前記第１の密着層を覆うように、前記支持基体上に前記第１の密着層に比して当該支持基体との密着性が低い第２の密着層を形成する工程と、前記支持基体の他方の主面を基準として、前記第２の密着層の表面をバイトを用いた切削加工により平坦化する工程と、平坦化された前記第２の密着層上に、配線構造が絶縁層内に形成されてなる配線構造体を形成する工程と、前記所定部位において、前記第１の密着層と前記第２の密着層とを分離させる工程と、残存した前記第２の密着層及び前記配線構造体を一体として前記支持基体から分離する工程とを含む。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、配線基板の製造方法において、配線基板にダメージを与えず、その変質を招来せず、更には塵芥を発生させること無く、支持基体から配線基板を容易に分離させることができる製造方法を提供することが可能となる。
【００１８】
更には、塵芥を発生させることもないため、絶縁層内に微細化された配線を内包する薄い配線基板を、低コストで製造することも可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
−本発明の基本骨子−
本発明者は、支持基体上に配線構造体を形成する際には、配線構造体の支持基体に対する密着性を確保しておき、配線構造体を支持基体から分離する際には、配線構造体にダメージ及び変質を与えることなく容易に分離すべく鋭意検討した結果、配線構造体を支持基体と接着するための密着材を、支持基体に対して密着性の高い第１の密着層と、支持基体に対し第１の密着層に比して密着性の低い第２の密着層との２層構造とすることに想到した。即ち、配線構造体の形成時には、支持基体上に局所的に設けた第１の密着層により配線構造体の支持基体に対する密着性を確保し、分離時には配線構造体の第１の密着層との接着を断ち、第２の密着層の支持基体に対する低密着性を利用して配線構造体を第２の密着層と一体として支持基体から容易に分離する。
【００２０】
支持基体としては、シリコンウェーハ、ガラス基板、セラミック基板等が利用できる。サイズの大きな支持基体を用いる場合、支持基体の厚みのバラツキが配線構造体の形成に大きな影響を及ぼすことがある。
【００２１】
そこで本発明では、配線基板を掲載する支持基体の一方の主面（表面）に第２の密着層を形成した後、当該支持基板の他方の主面（裏面）を基準として、バイト切削法によって前記第２の密着層の表面を平坦化する。
【００２２】
この切削法は、研削屑の付着が問題となる研削法、或いは研磨面にディッシングと呼ばれる段差が生じることが問題となる研磨法等と異なり、切削屑を表面に付着させることなく、また段差を生ぜしめることもなく容易且つ高速に精緻な平坦化を可能とする。Ｃｕ、Ａｌ、Ｎｉ等の金属、及びポリイミド等の絶縁材は、容易にバイトで切削可能な材料であり、切削法を用いることで金属及び絶縁材を共に連続して容易且つ高速に平坦化することが可能である。
【００２３】
この平坦化処理により、言わば支持基体の厚みのバラツキが第２の密着層に吸収され、第２の密着層の表面が裏面基準に対して厚みのバラツキのない平坦面とされ、以降の諸工程では厚みのバラツキに配慮することなく配線構造体を正確な所定膜厚に形成することができる。この切削法は、配線構造体の配線形成時の平坦化にも適用可能であり、配線及び絶縁層の表面を連続した高精度の平坦面とすることができる。
【００２４】
ここで、本発明で使用した支持基体が再び本発明に供されることに鑑みて、切削加工により支持基体の表面にダメージを与えないこと、また支持基体にシリコンウェーハ、硬質セラミック基板等を用いた場合に、切削に用いるバイトにダメージを与えないことを考慮して、支持基体の厚みバラツキの最大値、即ち支持基体の最大厚みと最小厚みとの差分値（Total Thickness Variation：ＴＴＶ）以上の厚みに第２の密着層を形成しておくことが好ましい。
【００２５】
−本発明を適用した具体的な実施形態−
以下、本発明を適用した具体的な諸実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２６】
（第１の実施形態）
図１及び図２は、第１の実施形態による配線基板の製造方法を工程順に示す概略断面図である。
先ず、支持基体１の一方の主面の所定部位に第１の密着層２を選択的に形成する。
図１（ａ）に示すように、支持基体１の表面１ａ上の所定部位に、第１の密着層２を選択的に形成する。
【００２７】
ここで、支持基体１は、例えばシリコン（Ｓｉ）ウェーハである。第１の密着層２としては、支持基体１に対する密着性の高い材料であることが必要であり、クロム（Ｃｒ）或いはチタン（Ｔｉ）が適用可能であるが、本実施形態ではＣｒを用いる。かかる第１の密着層２は、支持基板１の一方の主面１ａに、Ｃｒ膜（不図示）をスパッタ法により厚み１００ｎｍ程度に形成し、当該Ｃｒ膜をフォトリソグラフィー及びこれに続くドライエッチングにより選択的に除去することにより形成される。
【００２８】
なお、かかる所定部位とは、図３（ａ）に示すように少なくとも支持基体１の周縁部であるが、当該第１の密着層２は、配線構造体を形成する際に支持基体１とより強固な密着性を確保するため、図３（ｂ）に示されるように、支持基体１の主面上に複数本（ここでは互いに中心を通りほぼ直交する2本）配設しても良い。或いは、図３（ｃ）に示すように、支持基体１の一方の主面１ａ上にメッシュ（網目）状に配設しても良い。
【００２９】
続いて、図１（ｂ）に示すように、支持基体１上の一方の主面１ａに於いて、前記第１の密着層２上を覆って第２の密着層２を配設する。かかる第２の密着層３は、支持基体１の一方の主面１ａ上に、スパッタ法或いはメッキ法により厚み５μｍ程度に形成される。
【００３０】
ここで、第２の密着層３の材料としては、以下の（１），（２）の条件を満たすものが望ましい。
（１）第１の密着層２に比べ、支持基体１に対する密着性が低い。
（２）ウェットエッチングが容易性であり、且つ当該第２の密着層３上に位置する配線構造体の形成時に於ける耐熱性、応力ダメージ耐性及び切削容易性等に優れている。
【００３１】
支持基体１をシリコンウェーハとした場合、かかる条件（１）を満たす材料としては、シリコンと高密着性を有するニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ）或いはアルミニウム（Ａｌ）が使用可能である。また条件（２）を満たす材料としては、金属が適しており、特にメッキ法等により容易にその厚さを得ることができる点を考慮すると、Ｎｉ，Ｃｕが使用可能である。以上から、第２の密着層３の材料としては、Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｌが好適であり、特にＮｉ，Ｃｕが好ましい。本実施形態にあってはＮｉを適用する。
【００３２】
更に、第２の密着層３としては、後述する配線構造体６と高い密着性を有するものであることが必要である。配線構造体６と第２の密着層３との密着性が低いと、製造プロセス中に配線構造体６が剥離する、或いは配線構造体の膨れ、シワ等が発生する虞れがある。
【００３３】
第２の密着層３と配線構造体６との高い密着性を確保する場合、配線構造体６を構成する絶縁材料との関係が重要となるが、この絶縁材料が後述するポリイミド等であれば、Ｎｉ或いはＣｕ等との間で高い密着性が得られる。
なお、第２の密着層３を形成した後に、第２の密着層３の表面を平坦化することが好適であるが、この平坦化工程については第２の実施形態にて詳述する。
【００３４】
続いて、図１（ｃ）〜（ｉ）及び図２（ａ）〜（ｄ）に示す製造工程をもって、支持基板１の一方の主面１ａ上に、第２の密着層３を介して配線構造体６を形成する。
先ず、図１（ｃ）に示すように、第２の密着層３上に１層目の配線３１を形成する。
第２の密着層３表面にレジスト材（図示せず）を塗布し、当該レジスト材をパターン加工してレジスト層３２を選択的に形成する。
【００３５】
当該レジスト層３２は、形成される配線パターンに対応して、第２の密着層３の表面を例えば長尺状に露出させる開口３２ａを規定する。かかる開口３２ａ内に露出したＮｉ層３をメッキシード層として、膜厚３μｍ程にＣｕメッキを行い、開口３２ａ内に一層目の配線層３１を形成する。
【００３６】
次に、レジスト層３２を、剥離液を用いて除去した後、図１（ｄ）に示すように、一層目の配線３１を覆う絶縁層３３を形成する。かかる絶縁層３３は、第２の密着層３上の配線３１が覆われる程度にポリイミド（商品名PI2611  HDマイクロシステム社製）を塗布することにより形成される。当該絶縁層３３は、厚さ１０μｍ程に形成される。
【００３７】
次に、図１（ｅ）に示すように、絶縁層３３に対し層間接続用のビア孔３４を形成する。
当該ビア孔３４は、配線３１に対応して選択的に配設される。かかるビア孔３４は、例えばＵＶ−ＹＡＧレーザ(ESI社製のドリリングシステム  発振周波数:２０ｋＨｚ)を用いて、レーザ光を絶縁層３３に選択的に照射することにより形成される。この結果、配線３１の表面の一部が露出される。
【００３８】
次に、図１（ｆ）に示すように、前記配線３１の露出表面から絶縁層３３の表面に延在するメッキシード層３５を形成する。
ビア孔３４内に露出した配線３１表面及び絶縁層３３表面に、スパッタ法により膜厚８０ｎｍのＣｒ層を形成し、更にかかるＣｒ層上に厚さ５００ｎｍのＣｕ膜を形成する。かかるＣｕ層，Ｃｒ層がメッキシード層３５を構成する。
【００３９】
次に、図１（ｇ）に示すように、配線３１の接続ビア３７及びランド配線３８を形成する。
前記メッキシード層３５上にレジスト層（図示せず）を塗布形成し、当該レジスト層をパターン加工して、レジスト層３６を選択的に形成する。当該レジスト層３６は、前記メッキシード層３５の配線形成部位を露出させる開口３６ａを規定する。
【００４０】
しかる後、開口３６ａ内に表出しているメッキシード層３５の表面に、Ｃｕメッキを行う。当該Ｃｕメッキ処理により、ビア孔３４内にあっては前記配線３１と電気的に接続される接続ビア３７と、当該接続ビア３７と一体となって絶縁層３３上に延在される配線３８とが形成される。
【００４１】
次に、図１（ｈ）に示すように、レジスト３６及びその下に位置していたメッキシード層３５を除去する。
レジスト３６を、剥離液を用いて除去した後、当該レジスト層３６下に位置していたメッキシード層３５をウェットエッチングにより除去する。エッチング液としては、Ｃｕについては酸性過硫酸アンモニウム水溶液が使用可能であり、Ｃｒについてはアルカリ性フェリシアン化カリウム水溶液が使用可能である。
【００４２】
次に、図１（ｉ）に示すように、接続ビア３７及びランド配線３８を覆う絶縁層３９を形成する。
このとき、絶縁層３９の形成に先立って、絶縁層３３に対し酸素プラズマ処理を施し、その絶縁性を阻害する物質を除去して絶縁層３３の絶縁性を回復させる。
前記接続ビア３７の形成工程、及び／或いは配線３８の形成工程の際に、処理液等の影響により、絶縁層３３の表面に絶縁性を阻害する物質が形成される場合があり、酸素プラズマ処理によりかかる物質を除去する。しかる後、接続ビア３７及び配線３８を覆って、ポリイミドからなる絶縁層３９を膜厚１０μｍ程に形成する。
【００４３】
次に、図２（ａ）に示すように、絶縁層３９に層間接続用のビア孔４１を形成する。
ビア孔４１は、前記ビア孔３４と同様に、例えばＵＶ−ＹＡＧレーザを絶縁層３９に選択的に照射することにより形成される。この結果、前記配線３８の表面の一部が露出される。
【００４４】
次に、図２（ｂ）に示すように、メッキシード層４２を形成する。
前記ビア孔４１内に露出した配線３８の表面及び絶縁層３３の表面に、スパッタ法により膜厚８０ｎｍのＣｒ層を形成し、更にかかるＣｒ層上に厚さ５００ｎｍのＣｕ膜を形成する。かかるＣｕ層，Ｃｒ層がメッキシード層４２を構成する。
【００４５】
次に、図２（ｃ）に示すように、配線３８の接続ビア４４及び２層目の配線４５を形成する。
前記メッキシード層４２上にレジスト層（図示せず）を塗布形成し、当該レジスト層をパターン加工して、レジスト層４３を選択的に形成する。当該レジスト層４３は、前記メッキシード層４２の配線形成部位を露出させる開口４３ａを規定する。
【００４６】
しかる後、開口４３ａ内に表出しているメッキシード層４２の表面に、Ｃｕメッキを行う。当該Ｃｕメッキ処理により、ビア孔４１内にあっては前記配線３８と電気的に接続される接続ビア４４と、当該接続ビア４４と一体となって絶縁層３９上に延在する配線４５とが形成される。
【００４７】
次に、図２（ｄ）に示すように、レジスト４３及び及びその下に位置していたメッキシード層４２を除去する。
レジスト４３を剥離液を用いて除去した後、残存するメッキシード層４２をウェットエッチングにより除去する。エッチング液としては、Ｃｕについては例えば酸性過硫酸アンモニウム水溶液、Ｃｒについてはアルカリ性フェリシアン化カリウム水溶液などを用いる。
【００４８】
そして、絶縁層３９に対して酸素プラズマ処理を施し、接続ビア４４、配線４５などの形成工程において絶縁層３９が受けたダメージを修復し、絶縁層３９の絶縁性を回復させる。
【００４９】
以上の工程により、第２の密着層３上に当該第２の密着層３と接着された状態に配線構造体６を形成する。この配線構造体６は、絶縁層３３内に下層の配線３１が、絶縁層３９上に上層の配線４５がそれぞれ形成されてなる配線層である。なお、以上の工程により配線構造体６内に形成された配線層は薄膜状の配線層になるが、薄膜状であることは必須では無く、他の態様も可能である。
ここで、図２（ｄ）〜（ｈ）では、絶縁層３３，３９が同一材料からなる積層膜であるので、絶縁層３３，３９を一体とみなして絶縁層４と記す。
【００５０】
なお、本実施形態では、配線構造体６として２層の配線が積層される場合について示したが、必要に応じて配線層を３層以上の多層構造とすることも勿論可能である。
【００５１】
ここで、第２の密着層３の支持基体１に対する密着性は低く、配線構造体６に対する密着性は高い。一方、支持基体１及び第２の密着層３に対する第１の密着層２の密着性は極めて高い。従って、配線構造体６と第２の密着層３とを一体の構造物として捉えた場合には、当該一体構造物は第１の密着層２により支持基体１に対し強固に接着されている。
なお、配線構造体６を形成する際に、各層ごとに絶縁層４及び配線５の表面を平坦化して積層することが好適であるが、この平坦化工程については後述の第２の実施形態で詳述する。
【００５２】
次いで、図２（ｅ）に示すように、配線構造体６に対し、チップ領域６ａに対応し当該チップ領域を画定するよう、第２の密着層３に達する切り込みを形成する。
ダイシングブレード（ダイシングに使用されるダイヤモンド砥粒等を樹脂あるいはアルミなどの金属で固めて製造した刃）を用い、配線構造体６の隣接するチップ領域６ａ間に、第２の密着層３に達するダイシングライン（格子状の切り込み）７を形成する。
配線構造体６にダイシングライン７を形成した一例を図４に示す。図４に於けるＩ−Ｉに沿った断面が図２（ｅ）に相当する。図示の便宜上、支持基板１上に比較的少数のチップ領域６ａが画定された形態を例示するが、実際の製造プロセスでは多数のチップ領域６ａが画定される。
【００５３】
続いて、図２（ｆ）に示すように、所定部位（第１の密着層の形成部位）における第２の密着層を切削除去する。
前記所定部位、即ち図２（ｅ）に示した形成物の周縁部（図示の例では両端部）に於いて、配線構造体６及び第２の密着層３に対してバイトを用いた切削・除去加工を施し、第１の密着層２の表面を露出させる。
【００５４】
この切削加工及びこれに用いる切削加工装置については、第２の実施形態で詳述する。
ここで、本実施形態のように支持基体１がシリコンウェーハであって、その外縁が略円形状のものであれば、前記所定部位の除去には切削加工が適しているが、支持基体が矩形状を有するの場合には、ダイシングライン７の形成と同様の方法で、ブレードを用いてダイシングする。なお、図２（ｅ）に示すダイシング処理工程と、図２（ｆ）に示す切削処理工程は、その処理順序を逆にして行っても良い。
【００５５】
続いて、図２（ｇ）に示すように、配線構造体６及び第２の密着層３が一体となった形成物を、支持基体１から分離させる。
図２（ｆ）に示される形成物をエッチング液に漬浸し、ウェットエッチングにより第１の密着層２を溶解除去する。ここで用いるエッチング液は、第１の密着層２の材料であるＣｒ用のエッチング液、例えばアルカリ性フェリシアン溶液等である。
【００５６】
かかる第１の密着層２を除去した結果、配線構造体６は第２の密着層３のみを介して支持基体１上に存在する状態となる。
第２の密着層３は配線構造体６との密着性は高いのに対して支持基体１との密着性は低いことから、配線構造体６は、支持基板１から引き剥がされることによるダメージ、或いはエッチング液と接触（浸漬）することにより生じる変質等の悪影響を受けることなく第２の密着層３と一体となって支持基体１から分離される。
このとき、配線構造体６は可撓（フレキシブル）性を有するため、分離する際に加わる応力によって破損してしまう等の不具合を生じない。
【００５７】
続いて、図２（ｈ）に示すように、配線構造体６から第２の密着層３を除去する。
ウェットエッチングにより、配線構造体６から第２の密着層３を溶解除去する。エッチング液としては、第２の密着層３の材料であるＮｉ用のエッチング液（例えば奥野製薬工業株式会社製トップリップ等）を用いる。このとき、配線構造体６の各チップ領域６ａ間にダイシングライン７が形成されているため、第２の密着層３が溶解した後には、配線構造体６は個々のチップ状の配線基板８に分離される。
【００５８】
なお、配線基板８上へのＬＳＩチップ等を実装する場合には、配線基板８を個々に分離した後に、（即ち、上記の図２（ｈ）の工程を後で、）ＬＳＩチップ等を実装しても良く、或いは支持基板１から配線構造体６を分離する前に、（すなわち、図２（ｅ）の工程の前に、）ＬＳＩチップ等を配線構造体６上に実装する事も可能である。
支持基板１から配線構造体６を分離する前にＬＳＩチップ等を実装する方法は、製造効率的にメリットがある。
【００５９】
また、前記図２（ｆ）の工程で、図２（ｅ）に示した形成物の周縁部を除去する際の切削加工処理において、第１の密着層２の膜厚に応じて切削加工及びウェットエッチングの態様を変えることが望ましい。具体的には、以下のような２通りの方法がある。
【００６０】
一つは、図５（ａ）〜（ｃ）に示すように、第１の密着層２が、その表面部分を選択的に切削することができる（即ち、切削の際にその下部を残すことができる）程度に比較的厚い場合に適用される。
即ち、図５（ｂ）に示すように、第２の密着層３及び第１の密着層２の表面部分に対して、配線構造体６の切削加工に連続して切削加工を施す。しかる後、第１の密着層２に対して第１の密着層のみ除去可能なウェットエッチングを行うことにより、図５（ｃ）に示すように、残存する第１の密着層２を溶解除去する。
【００６１】
第２の除去方法は、図６（ａ）に示すように、第１の密着層２の厚さが比較的薄い場合に適用される。
この方法では、先ず図６（ｂ）に示すように、配線構造体６の切削加工に連続して切削加工を続行するが、このような加工を続行しつつ、尚且つ第２の密着層３の一部が残るように切削加工する。この時、切削除去される幅は、第1の密着層２の幅よりも大とされる。
【００６２】
次いで、第２の密着層用３に対して、第２の密着層のみを除去するウェットエッチングを行い、図６（ｃ）に示すように、第１の密着層２上を含む前記所定部位に残存する第２の密着層３を溶解除去する。
この結果、支持基体１上には、第２の密着層３及び配線構造体６の一体構造物から独立・離間して第１の密着層２が残存するが、配線構造体６の分離に対する障害とはならない。この第２の除去方法にあっては、第１の密着層２よりも広い範囲を切削加工することになるため、第1の除去方法と比べて、切削加工の精度を低く設定できる。
【００６３】
本実施形態によれば、配線構造体６にダメージを与える及び／或いは変質を生ずることが無く、また塵芥を殆ど発生させることなく支持基体１から容易且つ確実に分離することができる。従って、絶縁層４内に微細化された配線５を内包する薄い配線基板８を容易に、且つ安価に製造することができる。
【００６４】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態について説明する。本実施形態では、第１の実施形態とほぼ同様の方法で配線基板を製造する方法を開示するが、低密着性の第２の密着層を平坦化する点、及び配線構造体を多層配線構造に形成することを具体的に付加する点の２点が、第１の実施形態と相違する。
図７及び図８は、本実施形態による配線基板の製造方法を工程順に示す概略断面図である。ここで、図７（ｅ）及び図８（ｃ），（ｆ）を除く各図においては、説明を理解し易くするために、支持基体１１における左右両端部に於ける厚さの差を強調して示している。
【００６５】
先ず、図７（ａ）に示すように、支持基体１１上の所定部位に第１の密着層１２を選択的に形成する。
支持基体１１の一方の主面１１ａの所定部位に、第１の密着層１２をパターン形成する。支持基体１１は、例えばＴＴＶが３μｍ程度である８インチ径のシリコンウェーハであり、第１の密着層１２は、例えばＣｒ或いはＴｉ等、支持基体１１に対して密着性の高い材料である。本実施形態では、第１の密着層１２の材料としてＣｒを用いる。
【００６６】
具体的には、支持基板１１の一方の主面１１ａにスパッタ法或いはメッキ法によって、Ｃｒの薄膜（不図示）を膜厚１００ｎｍ程度に形成し、次いで支持基体１１の主面１１ａを例えばＡｒプラズマにて２０分間程度クリーニングした後、前記Ｃｒ層をリソグラフィー及びこれに続くドライエッチングにより選択的に除去し、所定部位にＣｒ層を帯状に残す。
【００６７】
当該所定部位とは、支持基体１１の一方の主面１１ａの周縁部であって、幅２ｍｍ〜１０ｍｍ、好ましくは幅３ｍｍ程の範囲とされ、結果として第１の密着層１２はリング状の平面形態を有する。その後、第１の密着層１２の選択的形成に用いたレジストをレジスト剥離液で除去する。尚、必要であれば更に、Ｏ2プラズマを用いた灰化処理を施しても良い。
【００６８】
続いて、図７（ｂ）に示すように、支持基体１１の一方の主面１１ａ上に、第２の密着層１３を形成する。
第２の密着層１３は、前記第１の密着層１２を覆って、支持基体１１の一方の主面１１ａ上に形成される。当該第２の密着層１３の材料としては、前記第１の実施形態と同様の理由から、本実施形態ではＣｕを用いる。
【００６９】
第２の密着層１３の膜厚が支持基体１１のＴＴＶ以下の場合には、支持基体１１の一方の主面全域に第２の密着層１３を形成する際に、支持基体１１の表面が一部露出してしまい、配線構造体が機能しないという問題が生じる。
【００７０】
そこで、本実施形態では、当該第２の密着層１３は、後述の切削加工により表面を平坦化した際に、支持基体１１のＴＴＶを吸収することができるように、即ち当該ＴＴＶの値を超える厚みに形成される。本実施形態では、スパッタ法により膜厚１００ｎｍ程度のＣｕの薄膜を形成した後、メッキ法により支持基体１１のＴＴＶである３μｍ以上の膜厚、ここでは膜厚５μｍ程度のＣｕを堆積して第２の密着層１３を形成する。
【００７１】
続いて、図７（ｃ）に示すように、第２の密着層１３の表面を平坦化する。
本平坦化工程では、支持基体１を切削加工装置の回転テーブルに固定し、ダイヤモンド等からなる硬質のバイトを用いて、前記第２の密着層１３の表面を切削加工し、平坦化する。
【００７２】
上記の切削加工を行う際に使用する切削加工装置の一例を図９に示す。この切削加工装置は、いわゆる超精密旋盤であって、支持基体１１などの被処理体を真空吸引により吸着固定し、且つ被処理体を所定の回転速度（例えば、回転数８００ｒｐｍ〜１６００ｒｐｍ程度）で回転させる回転支持体（回転テーブル）２１を備える。回転支持体２１は、例えば図中矢印Ａ方向に回転駆動する。
【００７３】
また、当該切削加工装置は、ダイヤモンド等からなる硬質のバイト１０と、当該バイト１０を支持基体１１など被日処理体の周辺から回転中心へ向かう方向に駆動するバイト駆動部２２を具備する。
【００７４】
切削加工時には、回転する支持基体１１の表面にバイト１０を当接させ、支持基体１１を矢印Ａ方向に回転させながら、バイト１００を支持基体１１の周辺から回転中心へ移動させて切削する。図９の右側に、円Ｃを拡大した図７（ｃ）の工程における切削加工の様子を示した図であり、切削部２２を向かって左側から見たものである。
【００７５】
本切削加工では、超精密旋盤を用いた場合を例示するが、被処理体を固定し、バイト側を回転移動させるフライス盤を用いて加工することも可能である。
【００７６】
本実施形態の切削加工工程においては、支持基気体１１の他方の主面、即ち裏面１１ｂを回転テーブル２１に対して密着させた状態で、（即ち、裏面１１ｂを基準として）支持基体１を回転テーブル２１に固定する。この固定された状態では、支持基体１の厚さのバラツキ即ちＴＴＶが第２の密着層１３の表面に反映される。
【００７７】
ここで、支持基体１１のＴＴＶは、第２の密着層１３の厚みにより吸収される。
一例として、支持基体１１のＴＴＶが３μｍのＴＴＶを有していた場合を想定する。このとき、当該支持基体１１上に第２の密着層を５μｍ程度略一様に形成したとすると、第２の密着層が形成された支持基体１１は、支持基体１１と同様に３μｍのＴＴＶを有することになる。この状態で、第２の密着層１３の表層部を、最も凹の部位が１μｍ削れるような設定で切削した場合、第２の密着層１３は、厚さが最大の箇所が（５μｍ−１μｍ＝）４μｍの厚みとなり、厚さが最小の箇所が（５μｍ−３μｍ−１μｍ＝）１μｍの厚みとなる。かかる状態において、第２の密着層１３の表面は（支持基体１１の裏面１１ｂを基準にして）平坦化される。このように、支持基体１１のＴＴＶが第２の密着層１３の厚みにより吸収される。
【００７８】
なお、上記切削後における第２の密着層の表面は、計算上はＴＴＶがゼロの平坦面になる筈であるが、実際には、切削加工装置の切削精度が存在するため、切削加工装置の切削精度と同等の凹凸を有する。すなわち、第２の密着層が形成された支持基体１１は、切削加工装置の切削精度と同等のＴＴＶの値となる。なお、本実施形態では、切削加工装置の切削精度は１μｍよりも小さな値である。
【００７９】
これにより、以降の製造工程では支持基板１１に於けるＴＴＶに配慮することなく、配線構造体を正確な所定膜厚をもって形成することができる。即ち、第２の密着層１３は、配線構造体の支持気体１１からの分離層として機能するとともに、ＴＴＶの調整層としても機能する。
【００８０】
続いて、図７（ｄ）に示すように、配線構造体の分離時に於いてバリア層となる膜厚１００ｎｍ程度のＣｒ層１４、及びメッキのシード層となる膜厚１００ｎｍ程度のＣｕ層１５を、それぞれスパッタ法により順次積層する。
【００８１】
続いて、図７（ｄ）〜（ｇ），図８（ａ）及び（ｂ）に示すように、第２の密着層１３上に配線構造体２３を形成する。
図７（ｄ）に示した形成物の全体構成は、例えば図７（ｅ）のようになる。
図７（ｅ）では、図示の便宜上、支持基体１１及び第１の密着層１３のみを示す。
また、図７（ｆ），（ｇ）及び図８（ａ），（ｂ）では、図７（ｅ）に示される支持基体１１の両端部内（円内）における構成を拡大して示すが、特に左端部における構成を対象として説明する。
【００８２】
先ず、図７（ｆ）に示すように、配線構造体２３の最下層における配線パターン１８を形成する。
かかる配線パターン１８は、前記第２の密着層１３の表面上に、Ｃｕ配線１６及びＣｕビアポスト１７をもって形成する。
先ず、前記Ｃｕ層１５上に、リソグラフィーにより配線形状の開口を有するレジストパターン（不図示）を形成した後、メッキ法により配線形状の開口内をＣｕで埋め込む。そして、レジストパターンをレジスト剥離液で除去する。
【００８３】
更に、必要ならばＯ２プラズマを用いた灰化処理によりレジスト残渣を除去し、Ｃｕ配線１６を形成する。
【００８４】
次に、前記Ｃｕ配線１６上を含んでレジスト層（不図示）を形成し、リソグラフィー処理によりＣｕビアポスト形成用レジストパターン（不図示）を形成する。該レジストパターンには、前記Ｃｕ配線のうち、ビアポスト１７と電気的に接続されるＣｕ配線１６上に、ビアポストに対応した開口が設けられる。レジストパターン形成後、メッキ法により前記開口内にＣｕを重点する。
【００８５】
そして、レジストパターンを灰化処理により除去し、Ｃｕビアポスト１７を形成する。
その後、Ｃｕ配線１６間に残存するＣｕ層１５及びＣｒ層１４をエッチング除去することにより、Ｃｕ配線１６及びＣｕビアポスト１７を有する配線パターン１８が形成される。このとき、支持基板１１上にあって最も外側に形成される配線パターン１８は、当該支持基体１１のエッジ部位から５ｍｍ程度内側に形成される。
【００８６】
続いて、図７（ｇ）に示すように、配線パターン１８を覆う絶縁層１９を形成する。
絶縁層の材料として、絶縁材料、例えば非感光性ポリイミドを適用して、ＣＶＤ法等により、配線パターン１８及びＣｕビアポスト１７を覆う絶縁層１９を形成する。
【００８７】
続いて、図８（ａ）に示すように、絶縁層１９内に配線パターン１８が埋設され、且つ前記Ｃｕビアポスト１７の頂面が表出された配線層２０を形成する。
これは前記絶縁層１９に対し、バイトを用いた切削・平坦化加工を施すことによりなされる。切削装置は前記図９に示した切削加工装置を用いる。
【００８８】
具体的には、バイト１０により配線パターン１８に於けるＣｕビアポスト１７の上端面及び絶縁層１９の表面が連続して平坦となるように切削加工する。
この結果、絶縁層１９内に配線パターン１８が埋設され、絶縁層１９の表面にＣｕビアポスト１７の上端面が表出した配線層２０が形成される。この時、複数個のＣｕビアポスト１７は、互いに等しい高さをもって形成される。
【００８９】
続いて、図８（ｂ）に示すように、前記配線層２０上に必要とされる複数の配線層を積層して、配線構造体２３を形成する。
即ち、配線層２０の表面から露出するＣｕビアポスト１７の上面と一部接続されるように、図７（ｆ）と同様の工程により配線１６及びＣｕビアポスト１７を形成し、次いで図７（ｇ）と同様の工程により絶縁層１９を形成し、更に図８（ａ）と同様の工程により絶縁層１９及び配線パターン１８の表面を切削平坦化して、上層の配線層を形成する。
【００９０】
かかる図７（ｆ），（ｇ）及び図８（ａ）からなる一連の工程を繰り返し、複数、図示の例では４層（但し、最上層の配線パターンは配線１６のみ）の配線層２０を形成する。
以上の工程により、表面が平坦化された配線層２０が積層されてなる多層（ここでは４層）の配線構造体２３を形成する。
【００９１】
そして、多層化された配線構造体２３の表面に、第２の密着層１３をエッチング処理する際等にバリア層として機能するＴｉ層２５を、スパッタ法により膜厚１００ｎｍ程度に形成する。
【００９２】
次いで、図８（ｃ），（ｄ）に示すように、配線構造体２３に於いて、チップ領域２３ａを画定するよう、隣接するチップ領域２３ａ間に於いて、第２の密着層１３に達する切り込み２４を形成する。
かかる切り込みは、前記第１の実施形態の如くダイシングブレードを用いて行うことができる。なお、図８（ｃ）にあっては、図示の便宜上、支持基体１１及び配線構造体２３のみを示す。また、図８（ｄ），（ｅ）では、図８（ｃ）に示される支持基体１１の両端部内（円内）における構成を拡大して示すが、特に左端部に於ける構成を主たる対象として説明する。
【００９３】
次いで、図８（ｄ）に示すように、所定部位（第１の密着層１２の形成部位）における第２の密着層１３を切削除去する。
ここで、第２の密着層１３は、その左右端で厚みが異なることから、当該第２の密着層３の下層の一部が残存するように、前記図６を用いて説明した第２の除去方法を用いる。図８（ｄ）に示すように、前記所定部位、即ち図８（ｃ）に示した形成物の周縁部（図示の例では両端部）において、配線構造体２３及び第２の密着層１３に対して、バイトを用いた切削加工を施す。
【００９４】
ここでは、第１の密着層１２よりも幅広に（支持基体１１の端部から３ｍｍ程度に）、第２の密着層１３の下層の一部が残存するように（Ｔｉ層２５の表面から５μｍ程度の深さに）、切削加工する。かかる支持基体１１がシリコンウェーハであって、その外縁が略円形状のものであれば、前記所定部位の除去には切削加工が適するが、矩形状の支持基体の場合には、ダイシングライン２４の形成と同様に、ダイシングブレードを用いて処理しても良い。
なお、図８（ｃ）に示すダイシング処理工程と、図８（ｄ）に示す切削処理工程は、その処理順序を逆にして行っても良い。
【００９５】
続いて、図８（ｅ）に示すように、配線構造体２３及び第２の密着層１３が一体となった形成物を、支持基体１１から分離させる。
ここでは、図６で示した第２の除去方法（図６（ｃ）のウェットエッチング）を用いる。
具体的には、図８（ｄ）の形成物全体をエッチング液に漬浸し、ウェットエッチングにより第２の密着層１３を溶解する。ここで用いるエッチング液は、第２の密着層１３の材料であるＣｕ用のエッチング液、例えば塩化第二鉄３０°Ｂｅ’溶液等である。
【００９６】
第２の密着層１３は、配線構造体２３との密着性は高い一方、支持基体１１との密着性は低いため、配線構造体２３は、支持基板１１から剥離されることによるダメージ、或いはエッチング液に接触（浸漬）することにより生じる変質等の悪影響を受けることなく、第２の密着層１３と一体となって支持基体１１から分離される。
【００９７】
上記分離工程の後、配線構造体２３から第２の密着層１３を除去する。
図８（ｆ）に示すように、ウェットエッチングにより、配線構造体２３の下面に於ける第２の密着層１３を溶解除去する。ここで用いるエッチング液としては、配線構造体２３を溶解させることなく第２の密着層１３のみを溶解させる必要がある。
【００９８】
このため、エッチング液として、図８（ｅ）と同様、第２の密着層１３用の例えば塩化第二鉄３０°Ｂｅ’溶液等のエッチング液を用いる。このとき、配線構造体２３の各チップ領域２３ａ間にダイシングライン２４が形成されているため、第２の密着層１３が溶解除去された後は、個々のチップ状の配線基板２６が形成される。
【００９９】
そして、各配線基板２６の下面及び下面に於けるＣｒ層１４及びＴｉ層２５をウェットエッチングにより除去する。なお、前記支持基体１１は、その表面に残存する第１の密着層１２をウェットエッチング等により除去（不図示）することにより、再度支持基体１１として適用することができる。
【０１００】
以上説明したように、本実施形態によれば、配線構造体２３にダメージおよび変質を与えることがないのみならず、安価で且つ不要な塵芥を殆ど発生させることなく支持基体１１から配線構造体２３を容易且つ確実に分離することが実現する。
【０１０１】
本実施形態では、配線基板を形成する際、支持基体のＴＴＶの影響を低減・解消するために、支持基体１１の表面に配設される第２の密着層１３に対し、支持基体１１の裏面を基準とする切削加工を施し平坦化する。
この切削・平坦化処理によって、支持基体１１のＴＴＶは、当該第２の密着層１３により緩和・吸収され、絶縁樹脂層１９内に微細化されたＣｕ配線１６を具備する配線基板２６は、支持基板１１に存在するＴＴＶの影響を受けることなく、高精度を有しながらも低コストで製造される。
【０１０２】
なお、支持基板１１、第１の密着層１２、第２の密着層１３、バリア層、及び配線構造体２３の配線パターン１８の各材料は、支持基板１１をシリコン、第１の密着層１２をＴｉ、第２の密着層１３をＣｕ、バリア層をＣｒ（本実施形態では、Ｃｒ層１４としている。）、配線パターン１８をＣｕとする組み合わせが最も好ましいと考えられる。この組み合わせに基づいて図７及び図８の各工程を実行することにより、最も確実に上述した本実施形態の効果を得ることができる。
【０１０３】
なお、第１及び第２の実施形態により製造された配線基板８，２６は、例えばＳｉＰに於けるインターポーザとして用いられる。
ＳｉＰ１００は、図１０に示すように、支持基板１０１上に、配線基板（フィルムインターポーザ）１１３を介して複数個（図示の例では3個）の半導体チップ１０２が搭載され、当該半導体チップ１０２は配線基板１１３に於ける多層配線層１１５を介して相互に電機的に接続されている。
【０１０４】
また、支持基板１０１は、電子機器に於ける所謂マザーボードに相当する基板である。
当該支持基板１０１の一方の主面（図示状態では上面）に配設された基板電極１１１に対して、前記配線基板１１３が、その一方の主面（図示状態では下面）に配設された端子部１１６に於いて、半田ボール或いは半田バンプ１１２を介して接続・固着される。
そして、前記半導体チップ１０２は、その表面の電極１０４に配設された半田バンプ１１４によって、前記配線基板１１３の他方の主面（図示状態では上面）に配設された端子部１１８に接続・固着される。
【０１０５】
かかる構成にあって、前記配線基板１１３の表面及び裏面に配設される端子部は、その密度・ピッチが相互に大きく異なるが、本発明による切削加工法により、かかる密度・ピッチの大小に関係無く正確な端子部の配設が可能である。
また、前記配線基板１１３は、内部に多層配線層を有するも、その板厚を薄く且つ高い信頼性をもって製造し得ることから、当該配線基板を前記インターポーザとして適用することにより、製造が容易で且つ高機能のＳｉＰを安価に実現することができる。
【０１０６】
以下、本発明の諸態様を付記としてまとめて記載する。
【０１０７】
（付記１）支持基体の一方の主面上における所定部位に、当該支持基体との密着性を有する第１の密着層を形成する工程と、
前記第１の密着層を覆うように、前記支持基体上に前記第１の密着層に比して当該支持基体との密着性が低い第２の密着層を形成する工程と、
前記第２の密着層上に、配線構造が絶縁層内に形成されてなる配線構造体を形成する工程と、
前記所定部位において、前記第１の密着層と前記第２の密着層とを分離させる工程と、
残存した前記第２の密着層及び前記配線構造体を一体として前記支持基体から分離する工程と
を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【０１０８】
（付記２）前記第２の密着層及び前記配線構造体を一体として前記支持基体から分離する工程の後、
前記第２の密着層を前記配線構造体から除去する工程を更に含むことを特徴とする付記１に記載の配線基板の製造方法。
【０１０９】
（付記３）前記第１の密着層が形成される前記所定部位は、少なくとも前記支持基体の周縁部位であることを特徴とする付記１又は２に記載の配線基板の製造方法。
【０１１０】
（付記４）前記所定部位において、前記第１の密着層と前記第２の密着層とを分離させる工程は、
前記所定部位における前記配線構造体及び前記第２の密着層を除去する工程と、
前記第１の密着層を溶解除去する工程と
を含むことを特徴とする付記１〜３のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【０１１１】
（付記５）前記所定部位において、前記第１の密着層と前記第２の密着層とを分離させる工程は、
前記所定部位における前記配線構造体及び前記第２の密着層の上層を除去する工程と、
前記所定部位に残存した前記前記第２の密着層を溶解除去し、一体となった前記第２の密着層及び前記配線構造体を前記第１の密着層と離間させる工程と
を含むことを特徴とする付記１〜３のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【０１１２】
（付記６）前記溶解除去の際に用いる溶剤は、前記配線構造体を溶解させない性質のものであることを特徴とする付記４又は５に記載の配線基板の製造方法。
【０１１３】
（付記７）前記所定部位において、前記第１の密着層と前記第２の密着層とを分離させる前に、
前記配線構造体に各チップ構造を画する切り込みを、前記第２の密着層の上部に達する位置に形成することを特徴とする付記１〜６のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【０１１４】
（付記８）前記第２の密着層を形成する工程の後、
前記支持基体の他方の主面を基準として、形成された前記第２の密着層の表面をバイトを用いた切削加工により平坦化する工程を更に含むことを特徴とする付記１〜７のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【０１１５】
（付記９）前記第２の密着層を形成する工程において、
前記支持基体の最大厚みと最小厚みとの差分値以上の厚みに前記第２の密着層を形成することを特徴とする付記８に記載の配線基板の製造方法。
【０１１６】
（付記１０）前記配線構造体を形成する工程において、
バイトを用いた切削加工により前記配線構造の表面及び前記絶縁層の表面が連続して平坦となるように処理することを特徴とする付記１〜９のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【０１１７】
（付記１１）前記配線構造体を形成する工程において、
前記配線構造を各々配線が前記絶縁層内に形成されてなる複数の配線層が積層された多層構造に形成するに際し、バイトを用いた切削加工により前記配線の表面及び前記絶縁層の表面が連続して平坦となるように処理して前記各配線層を形成することを特徴とする付記１〜９のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【０１１８】
（付記１２）前記支持基体は、半導体基板、ガラス基板及びセラミック基板から選ばれた１種であることを特徴とする付記１〜１１のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【０１１９】
（付記１３）前記第１の密着層は、Ｃｒ及びＴｉから選ばれた少なくとも１種を材料とすることを特徴とする付記１〜１２のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【０１２０】
（付記１４）前記第２の密着層は、Ｎｉ，Ｃｕ及びＡｌから選ばれた少なくとも１種を材料とすることを特徴とする付記１〜１３のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【０１２１】
（付記１５）支持基体の一方の主面上における所定部位に、当該支持基体との密着性を有する第１の密着層を形成する工程と、
前記第１の密着層を覆うように、前記支持基体上に前記第１の密着層に比して当該支持基体と密着性の低い第２の密着層を形成する工程と、
前記支持基体の他方の主面を基準として、前記第２の密着層の表面をバイトを用いた切削加工により平坦化する工程と、
平坦化された前記第２の密着層上に、配線構造が絶縁層内に形成されてなる配線構造体を形成する工程と、
前記所定部位において、前記第１の密着層と前記第２の密着層とを分離させる工程と、
残存した前記第２の密着層及び前記配線構造体を一体として前記支持基体から分離する工程と
を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【０１２２】
（付記１６）前記第２の密着層を形成する工程において、
前記支持基体の最大厚みと最小厚みとの差分値以上の厚みに前記第２の密着層を形成することを特徴とする付記１５に記載の配線基板の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【０１２３】
【図１】第１の実施形態による配線基板の製造方法を工程順に示す概略断面図である。
【図２】図１に引き続き、第１の実施形態による配線基板の製造方法を工程順に示す概略断面図である。
【図３】低未着性の第２の密着層の諸形状を示す概略平面図である。
【図４】配線構造体に形成されたダイシングラインを示す概略平面図である。
【図５】配線構造体を支持基体から分離する際の一例を部分的に拡大して示す概略断面図である。
【図６】配線構造体を支持基体から分離する際の他の例を部分的に拡大して示す概略断面図である。
【図７】第２の本実施形態による配線基板の製造方法を工程順に示す概略断面図である。
【図８】図６に引き続き、第２の本実施形態による配線基板の製造方法を工程順に示す概略断面図である。
【図９】切削加工装置の一例を示す模式図である。
【図１０】本発明の製造方法により製造された配線基板をインターポーザとして利用する場合の一例を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【０１２４】
１，１１  支持基体
１ａ  表面
１ｂ  裏面
２，１２  第１の密着層
３，１３  第２の密着層
４，１９，３３，３９  絶縁層
５，３１，４５  配線
６，２３  配線構造体
６ａ，２３ａ  チップ領域
７，２４  ダイシングライン
８，２６  配線基板
１０  バイト
１４，１５  Ｃｒ層
１６  Ｃｕ配線
１７  Ｃｕビアポスト
１８  配線パターン
２０  配線層
２１  回転テーブル
２２  切削部
２５  Ｔｉ層
３２，４３  レジスト
３２ａ，３６ａ  開口
３４，４１  ビア孔
３５，４２  メッキシード層
３６，３８  ランド配線
３７  接続ビア
４４  接続部
１００  ＳｉＰ
１０１  支持基板
１０２  半導体チップ
１０４  電極
１１１  基板電極
１１２，１１４  半田バンプ
１１３  配線基板（インターポーザ）
１１５  多層配線基層
１１６，１１８  端子部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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