(57)【要約】【課題】膜厚ムラの比較的少ないＳＯＩ層１３を得る。【解決手段】ＳＯＩ基板の製造方法は、第１シリコン基板１４の表面に酸化膜２１を形成する工程と、水素イオンを注入して第１シリコン基板内部にイオン注入領域１６を形成する工程と、第１シリコン基板に第２シリコン基板１２を重ね合せた積層体１５を形成する工程と、第１シリコン基板をイオン注入領域で分離して第２シリコン基板上に酸化膜を介して薄膜のＳＯＩ層１３が形成されたＳＯＩ基板１１を得る工程とを含む。積層体を形成する工程において第２シリコン基板の中央に第１シリコン基板に向かう荷重Ｆが加えられ、荷重は接合面積が基板の接合側主面の面積の０．１％を越えるまで継続して加えられる。第２シリコン基板１２に加えられる荷重は０．１〜５．０Ｎである。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１シリコン基板(14)の少なくとも表面に酸化膜(21)を形成する工程と、前記第１シリコン基板(14)の表面から水素イオンを注入して前記第１シリコン基板(14)内部にイオン注入領域(16)を形成する工程と、前記酸化膜(21)を介して前記第１シリコン基板(14)に第２シリコン基板(12)を重ね合せて前記第１シリコン基板(14)と前記第２シリコン基板(12)が接合した積層体(15)を形成する工程と、前記積層体(15)を所定の温度で熱処理することにより前記第１シリコン基板(14)を前記イオン注入領域(16)で分離して前記第２シリコン基板(12)上に前記酸化膜(21)を介して薄膜のＳＯＩ層(13)が形成されたＳＯＩ基板(11)を得る工程とを含むＳＯＩ基板の製造方法において、
前記積層体(15)を形成する工程において前記第１シリコン基板(14)に重ね合せた前記第２シリコン基板(12)の中央に前記第１シリコン基板(14)に向かう荷重(F)が加えられ、
前記荷重(F)は前記第１シリコン基板(14)と前記第２シリコン基板(12)の接合面積が前記第１シリコン基板(14)又は前記第２シリコン基板(12)の接合側主面の面積の０．１％を越えるまで継続して加えられる
ことを特徴とするＳＯＩ基板の製造方法。
【請求項２】
第２シリコン基板(12)に加えられる荷重(F)が０．１〜５．０Ｎである請求項1記載のＳＯＩ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、水素イオン注入技術を用いて作製される酸化膜上にＳＯＩ層を設けたＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板を製造する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＳＯＩ基板の製造方法として、第１シリコン基板の表面に酸化膜を形成した後、その内部に高濃度の水素イオンを注入し、高温でアニール処理してこのシリコン基板表面から所定の深さにイオン注入領域を形成し、その後この第１シリコン基板に第２シリコン基板を重ね合せて両者が接合した積層体を形成し、この積層体を５００℃を越える温度に昇温して上記第１シリコン基板を上記水素イオン注入領域で第２シリコン基板から分離し、第２シリコン基板の表面に半導体ＳＯＩ層を形成する製造方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。この方法では、第２シリコン基板とこの基板上に形成されて埋込み酸化膜として作用する酸化膜とこの酸化膜上に形成された半導体ＳＯＩ層とを有するＳＯＩ基板を製造することができるようになっている。
【０００３】
ここで、第１シリコン基板に第２シリコン基板を重ね合せて積層体を形成する工程において、それらが接合に至る経過を分析すると次のようになる。即ち、第１シリコン基板に第２シリコン基板を重ね合せた当初は、それらの間に存在する気体により第２シリコン基板は第１シリコン基板に対して浮遊した状態である。そして、時間の経過とともにその間に存在する気体が周囲から徐々に外部に排出され、これにより第２シリコン基板が第１シリコン基板に部分的に接触する部分が発生し、部分的に接触したところから両者の接合が開始される。そして、双方の基板の接合界面における気体の外部への排出が進行するに従って、当初は部分的だった接合面積は徐々に拡大し、その接合面積が第１シリコン基板又は第２シリコン基板の接合側主面の全面積まで拡大した状態で両者の接合が完了する。この完了により、第１シリコン基板と第２シリコン基板が接合した積層体が得られる。
【０００４】
従って、第１シリコン基板に第２シリコン基板を重ね合せて両者を接合する際に、その両者の接合界面において多数の接触点から両者の接合が開始されると、第１シリコン基板と第２シリコン基板の接合界面に気体が残存してボイドを発生させる不具合がある。また、第２シリコン基板を第１シリコン基板に重ね合せて放置し、第２シリコン基板の自重により両者を接合させるには比較的時間が長いという不具合もあった。
この点を解消するために、第２シリコン基板を第１シリコン基板に重ね合せ、重ね合せた基板の一点を加圧する接合処理方法が提案されている（例えば、特許文献２参照。）。この接合処理方法では、重ね合せた二枚の基板の一点を加圧するとその加圧された一点から両者の接合が開始されるので、複数の接合点から接合が開始された場合のように二枚の基板の接合界面間にボイド等が発生せず、良品を得ることが可能となり、接合時間も短縮できるとしている。
【特許文献１】特開平５−２１１１２８（特許請求の範囲）
【特許文献２】特開２００２−１９０４３５号公報（明細書［００１０］）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上記従来の接合処理方法では、重ね合せた二枚の基板の一点を加圧するのでその加圧された一点から周囲に拡大するように両者の接合が開始されるけれども、第１シリコン基板と第２シリコン基板が完全に接合される以前にその荷重が取り除かれた場合には、ＳＯＩ層における膜厚にムラが生じるという未だ解決すべき課題が残存していた。即ち、一点を加圧するとその加圧された一点から第１及び第２シリコン基板が直接接触し、時間の経過とともに第１シリコン基板と第２シリコン基板の間に存在する気体が周囲から徐々に外部に排出され、これにより両者の直接接触する面積の外延が徐々に周囲に拡大するようにして第１及び第２シリコン基板の接合が進行する。しかし、第１シリコン基板と第２シリコン基板の直接接触する面積の外延が徐々に拡大している段階で荷重が取り除かれると、それまで拡大し続けていた両者の直接接触する面積の外延が一端縮小し、その後第２シリコン基板の自重により両者の直接接触する面積の外延は再び拡大して最終的に第１シリコン基板と第２シリコン基板の全体が直接接触して両者が接合されることになる。そして、最終的にＳＯＩ基板が得られた状態でそのＳＯＩ層を測定すると、荷重を取り除いたときに一端縮小した両者の直接接触する面積の外延において、ＳＯＩ層における膜厚にムラが生じるという未だ解決すべき課題が残存していた。これは、両者の直接接触する面積の外延が一旦縮小するときに、その外延において進行していた接合が一旦停止され、その後一旦剥離された後に再び接合することからその外延においてムラが生じたものと考えられている。
本発明の目的は、膜厚ムラの比較的少ないＳＯＩ層１３を得ることができるＳＯＩ基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１に係る発明は、図１に示すように、第１シリコン基板１４の少なくとも表面に酸化膜２１を形成する工程と、第１シリコン基板１４の表面から水素イオンを注入して第１シリコン基板１４内部にイオン注入領域１６を形成する工程と、酸化膜２１を介して第１シリコン基板１４に第２シリコン基板１２を重ね合せて第１シリコン基板１４と第２シリコン基板１２が接合した積層体１５を形成する工程と、積層体１５を所定の温度で熱処理することにより第１シリコン基板１４をイオン注入領域１６で分離して第２シリコン基板１２上に酸化膜２１を介して薄膜のＳＯＩ層１３が形成されたＳＯＩ基板１１を得る工程とを含むＳＯＩ基板の製造方法の改良である。
その特徴ある点は、積層体１５を形成する工程において第１シリコン基板１４に重ね合せた第２シリコン基板１２の中央に第１シリコン基板１４に向かう荷重Ｆが加えられ、荷重Ｆは第１シリコン基板１４と第２シリコン基板１２の接合面積が第１シリコン基板１４又は第２シリコン基板１２の接合側主面の面積の０．１％を越えるまで継続して加えられるところにある。
【０００７】
この請求項1に記載されたＳＯＩ基板の製造方法では、第２シリコン基板１２の中央に第１シリコン基板１４に向かう荷重を加えるので、荷重が加えられた第２シリコン基板１２の中央から接合が開始されるので、複数の接合点から接合が開始された場合のように二枚の基板の接合界面間にボイド等が発生せず、良品を得ることが可能となる。また、その荷重は第2シリコン基板１２の中央に加えられるので、接合も基板の中央から放射状に拡大するように行われるので、その接合時間をその他の部分に荷重を加える場合に比較して短縮することができる。
また、第２シリコン基板１２に加えられる荷重Ｆは、接合面積が基板における接合側主面の面積の０．１％を越えるまで継続して加えられるので、貼合せが進行する力の方が、ウェーハの弾性変形における元形状に戻る力よりも大きくなり、第１及び第2シリコン基板１２，１４の直接接触する面積の外延が一旦縮小するようなことはなく、ＳＯＩ層１３に膜厚ムラの比較的少ないＳＯＩ基板１１を得ることができる。
【０００８】
請求項２に係る発明は、請求項1に係る発明であって、第２シリコン基板１２に加えられる荷重Ｆが０．１〜５．０Ｎであることを特徴とする。
この請求項２に記載されたＳＯＩ基板の製造方法では、第２シリコン基板１２に傷等を生じさせることなく、第１シリコン基板１４と第２シリコン基板１２が接合するまでの時間を十分に短縮することができる。
なお、この明細書において、「接合」とは第１シリコン基板１４と第２シリコン基板１２が直接接触してその間に気体の存在しない状態を意味し、「重ね合せ」とは第１シリコン基板１４と第２シリコン基板１２が直接接触している状態のみならず、第１シリコン基板１４と第２シリコン基板１２がその間に気体を存在させた状態で対向している状態をも含むものとする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明のＳＯＩ基板の製造方法では、第２シリコン基板の中央に第１シリコン基板に向かう荷重を加えるので、荷重が加えられた第２シリコン基板の中央から接合が開始されるので、複数の接合点から接合が開始された場合のように二枚の基板の接合界面間にボイド等が発生せず、良品を得ることが可能となる。また、その荷重は第2シリコン基板の中央に加えられるので、接合も基板の中央から放射状に拡大するように行われるので、その接合時間をその他の部分に荷重を加える場合に比較して短縮することができる。また、第２シリコン基板に加えられる荷重は、接合面積が基板における接合側主面の面積の０．１％を越えるまで継続して加えられるので、第１及び第２シリコン基板の直接接触する面積の外延が一旦縮小するようなことはなく、ＳＯＩ層に膜厚ムラの比較的少ないＳＯＩ基板を得ることができる。そして、第２シリコン基板に加えられる荷重が０．１〜５．０Ｎであれば、第２シリコン基板に傷等を生じさせることなく、第１シリコン基板と第２シリコン基板が接合するまでの時間を十分に短縮することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
次に本発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。
図１（ｋ）に示すように、ＳＯＩ基板１１は、シリコン単結晶からなる第２シリコン基板１２と、第２シリコン基板１２上に第１酸化膜２１を介して接合させられるシリコン単結晶からなるＳＯＩ層１３とを備える。上記第１酸化膜２１は電気絶縁性を有するシリコン酸化膜（ＳｉＯ2膜）であり、第２シリコン基板１２に上記酸化膜を形成しない場合を示すが、図示しないが第２シリコン基板１２にも酸化膜を別に形成してもよい。ＳＯＩ層１３の厚さは１０〜２００ｎｍ、好ましくは１０〜７０ｎｍの範囲に形成されることが望ましいが、実際のＳＯＩ層１３の膜厚はデバイスメーカーの要求によるものであり、この限りではない。
【００１１】
このようなＳＯＩ基板１１の本発明における製造方法を説明する。
先ずシリコン単結晶からなる第１シリコン基板１４を準備し、その第１シリコン基板１４の表面のみならず裏面及び側面（図示せず）を含む全面に熱酸化により電気絶縁性を有するシリコン酸化膜（ＳｉＯ2膜）からなる第１酸化膜２１を形成する（図１（ａ））。この第１酸化膜２１は５０〜３００ｎｍ、好ましくは１００〜２００ｎｍの厚さになるように形成される。ここで、第１酸化膜２１の厚さを５０〜３００ｎｍの範囲に限定したのは、５０ｎｍ未満では後述する第２シリコン基板１２との接合において高温時の酸化膜の流動性を使ったボイド消滅という効果が小さくなりその結果ボイドが発生し易くなり、３００ｎｍを越えると埋込み酸化膜の均一性がデバイス要求より劣化するからである。なお、上記第１酸化膜（ＳｉＯ2膜）を熱酸化ではなくＣＶＤ法により第１シリコン基板の表面にのみ形成してもよい。
【００１２】
次いで上記第１シリコン基板１４の表面から水素イオンを４×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ2〜１０×１０16ａｔｏｍｓ／ｃｍ2のドーズ量及び２０〜２００ｋｅＶの加速エネルギでイオン注入する。これにより第１シリコン基板１４内部にイオン注入領域１６を形成する（図１（ｂ））。ここで、水素イオンのドーズ量を４×１０16／ｃｍ2〜１０×１０16／ｃｍ2の範囲に限定したのは、４×１０16／ｃｍ2未満では第１熱処理で劈開できず、１０×１０16／ｃｍ2を越えると水素イオン注入時に第１シリコン基板１４表面の自己剥離が発生しパーティクルが発生し易くなるからである。また加速エネルギを２０〜２００ｋｅＶの範囲に限定したのは、２０ｋｅＶ未満ではＳＯＩ層１３が薄くなり過ぎ、２００ｋｅＶを越えると特殊なイオン注入装置が必要になるからである。
【００１３】
一方、上記第１シリコン基板１４と同一表面積を有するシリコン単結晶からなる第２シリコン基板１２を用意する（図１（ｃ））。この第２シリコン基板１２には上記酸化膜を形成してもしなくても良い。上記第１シリコン基板１４を第１酸化膜２１を介して第２シリコン基板１２に重ね合せて積層体１５を形成する（図１（ｄ）及び（ｅ））。この積層体１５を形成する工程には、第１シリコン基板１４を第２シリコン基板１２に重ね合せてその位置合せを行う工程と、その後第１シリコン基板１４に重ね合せた第２シリコン基板１２の中央に第１シリコン基板１４に向かう荷重Ｆを加える工程が含まれる。
【００１４】
即ち、第１シリコン基板１４を第２シリコン基板１２に重ね合わた当初は、それらの間に存在する気体により第２シリコン基板１２は第１シリコン基板１４に対して浮遊した状態になる。このため、第２シリコン基板１２が第１シリコン基板１４に対して水平面内で移動する際の摩擦は極めて小さく、僅かな傾きがあっても、第２シリコン基板１２は第１シリコン基板１４に対してずれてしまう。このため、第１シリコン基板１４を第２シリコン基板１２に重ね合せてその位置合せを行う工程が必要になるのである。そして、この実施の形態における位置合せは、重なり合う二枚の基板１２，１４の周囲から図示しない複数の位置決めピンを押しつけることにより行われ、これにより第１シリコン基板１４に対する第２シリコン基板１２の水平方向の移動は禁止され、第２シリコン基板１２は第１シリコン基板１４に正確に重ね合わされる（図１（ｄ））。
【００１５】
第１シリコン基板１４に重ね合わされた第２シリコン基板１２の位置に合せが行われた後、第２シリコン基板１２の中央に第１シリコン基板１４に向かう荷重Ｆが加えられる（図１（ｅ））。この第２シリコン基板１２に加えられる荷重Ｆは０．１〜５．０Ｎであることが好ましく、１．０〜２．０Ｎであることが更に好ましい。荷重Ｆが０．１未満であると第１シリコン基板１４と第２シリコン基板１２が接合するまでの時間を短縮することができず、その荷重Ｆが５．０Ｎを越えると、その荷重Ｆが加えられる第２シリコン基板１２に傷等が生じるおそれがある。荷重Ｆを加える具体的な手段は、重りを第２シリコン基板１２上に置くことにより行うことが比較的簡単で好ましいが、荷重センサが設けられたアクチュエータにより棒状部材を突出させてその先端により荷重を加えるようにしても良い。このように第２シリコン基板１２の中央に第１シリコン基板１４に向かう荷重を加えると、荷重が加えられた第２シリコン基板１２の中央から接合が開始されるので、複数の接合点から接合が開始された場合のように二枚の基板の接合界面間にボイド等が発生せず、良品を得ることが可能となり、接合時間も短縮できる。
【００１６】
第２シリコン基板１２に荷重Ｆを加えると、第１シリコン基板１４と第２シリコン基板１２の間に存在する気体が周囲から徐々に外部に排出され、これにより第２シリコン基板１４の中央部が第１シリコン基板１２に最初に接触し、その接触した中央部分から両者の接合が開始される。そして、双方の基板１２，１４の接合界面における気体の外部への排出が進行するに従って、中央に生じた実際の接合面積は徐々に拡大する。ここで、第２シリコン基板１２に加えられる荷重Ｆは、第１シリコン基板１４と第２シリコン基板１２の接合面積が第１シリコン基板１４又は第２シリコン基板１２の接合側主面の面積の０．１％を越えるまで少なくとも継続して加えられる。その接合面積が接合側主面の面積の０．１％未満の状態で荷重を取り去ると、得られたＳＯＩ基板１１のＳＯＩ層１３に膜厚ムラが発生するおそれがある。
【００１７】
また、上記面積の数値は、貼合せ台の形状によって異なり、例えば、貼合せ台が極めて平坦な形状であれば、０．１％以上の接合面積で十分であるが、凹形状の貼合せ台（例えば、中心と外周の高低差が１００μｍ程度。）の場合は、接合面積が接合側主面の面積の０．４％を越えるまで継続して加えられることが好ましい。逆に、凸形状（例えば、中心と外周の高低差が５００μｍ以上。）の場合だと、ウェーハの自重により、加重を付加させることなく貼合せが進行してしまい、加重継続を制御できないため、凸部に対応した領域に厚膜ムラが発生してしまう。この接合面積の測定に関しては、図示しないが、重ね合せた第１シリコン基板１４と第２シリコン基板１２に斜めに赤外線を照射し、その反射する赤外線をカメラに入射させ、そのカメラの出力信号を画像処理装置により処理してモニタに表示させるような手段が挙げられる。
【００１８】
第１シリコン基板１４と第２シリコン基板１２の接合面積が第１シリコン基板１４又は第２シリコン基板１２の接合側主面の全面積まで拡大した状態で両者の接合が完了し、この完了により、第１シリコン基板１４と第２シリコン基板１２が接合した積層体１５が得られる。その後この積層体１５を窒素雰囲気中で４００〜８００℃、好ましくは４５０〜６００℃に、１〜３０分間、好ましくは１０〜３０分間保持して第１熱処理を行う。これにより第１シリコン基板１４が水素イオンの注入ピーク位置に相当するイオン注入領域１６のところで割れて、下部の厚肉部１７と上部の薄いＳＯＩ層１３に分離する（図１（ｆ））。上部のＳＯＩ層１３は第１酸化膜２１を介して第２シリコン基板１２に密着し貼合せ基板１８となる。下部の厚肉部１７はその後分離面が研磨されて再利用される（図１（ｈ）及び（ｊ））。
【００１９】
次に貼合せ基板１８を一般的な手法で、最終的な膜厚になるまで平坦化及び薄膜化処理を行う。例えば、分離の際に生じたダメージの存在する領域をＣＭＰ加工や酸化処理等により除去した後、貼合せ強度を向上させる熱処理を行う。更にＣＭＰ加工、水素やアルゴンガス等の雰囲気による高温熱処理によって平坦化を行い（図１（ｉ））、次いで所定のＳＯＩ層１３の膜厚になるまで、ＣＭＰ加工や酸化処理による薄膜化を行う（図１（ｋ））。
【００２０】
このようなＳＯＩ基板１１の製造方法では、第２シリコン基板１２の中央に第１シリコン基板１４に向かう荷重を加えるので、荷重が加えられた第２シリコン基板１２の中央から接合が開始されるので、複数の接合点から接合が開始された場合のように二枚の基板の接合界面間にボイド等が発生せず、良品を得ることが可能となる。また、その荷重は第２シリコン基板１２の中央に加えられるので、接合も基板の中央から放射状に拡大するように行われるので、その接合時間をその他の部分に荷重を加える場合に比較して短縮することができる。
【００２１】
また、第２シリコン基板１２に加えられる荷重Ｆは、接合面積が基板における接合側主面の面積の０．１％を越えるまで継続して加えられるので、貼合せが進行する力の方が、ウェーハの弾性変形における元の形状に戻る力よりも大きくなり、第１及び第２シリコン基板１２，１４の直接接触する面積の外延が一旦縮小するようなことはなく、ＳＯＩ層１３に膜厚ムラの比較的少ないＳＯＩ基板１１を得ることができる。そして、第２シリコン基板１２に加えられる荷重Ｆが０．１〜５．０Ｎであれば、第２シリコン基板１２に傷等を生じさせることなく、第１シリコン基板１４と第２シリコン基板１２が接合するまでの時間を十分に短縮することができる。
【実施例】
【００２２】
次に本発明の実施例を比較例とともに詳しく説明する。
＜実施例１＞
図１に示すように、先ずシリコン単結晶からなり、外径及び厚さが３００ｍｍ及び０．７８ｍｍである第１シリコン基板１４を酸素雰囲気中で１０００℃に５時間保持する熱処理を行って、第１シリコン基板１４の表面のみならず裏面及び側面に第１酸化膜２１を形成した。次いで上記第１シリコン基板１４の表面から水素イオンを６×１０16／ｃｍ2のドーズ量及び５０ｋｅＶの加速エネルギで注入して第１シリコン基板１４内部にイオン注入領域１６を形成した（図１（ｂ））。一方、上記第１シリコン基板１４と同形同大の第２シリコン基板１２を用意し（図１（ｃ））、この第２シリコン基板１２に上記第１シリコン基板１４を第１酸化膜２１を介して重ね合せて密着させて積層体１５を得た（図１（ｄ）及び（ｅ））。
【００２３】
この積層体１５の形成にあっては、第１シリコン基板１４を第２シリコン基板１２に重ね合せてその位置合せを行った後、第１シリコン基板１４に重ね合せた第２シリコン基板１２の中央に第１シリコン基板１４に向かう２Ｎからなる荷重Ｆを加えた。この荷重Ｆにより、第１シリコン基板１４と第２シリコン基板１２は中央から接合し始め、その接合面積を測定した。この接合面積の測定は、重ね合せた第１シリコン基板１４と第２シリコン基板１２に斜めに赤外線を照射し、その反射する赤外線をカメラに入射させ、そのカメラの出力信号を画像処理装置により処理することにより求めた。そして、第１シリコン基板１４と第２シリコン基板１２の接合面積が第２シリコン基板１２の接合側主面の面積の０．１％になった時点で荷重Ｆを取り除き、その後第２シリコン基板１２の自重により第１シリコン基板と全体が接触するのを待ち、全体が直接接触して両者が接合された積層体１５を得た。
【００２４】
次にこの積層体１５を窒素雰囲気中で５００℃に３０分間の熱処理を施し、イオン注入領域１６のところで割って上部のＳＯＩ層１３が第１酸化膜２１を介して第２シリコン基板１２に密着した貼合せ基板１８を得た（図１（ｆ））。この貼合せ基板１８を酸化処理により剥離時のダメージ層を除去した後、更に貼合せ界面の結合力を完全させるたにアルゴンガス雰囲気中での高温熱処理を行った。その後表面の平坦化を行い。次いで酸化性雰囲気による熱処理で、所定のＳＯＩ層の膜厚になるまで、薄膜化処理を行った。こうして得られたＳＯＩ基板１１を実施例１とした。
【００２５】
＜実施例２＞
第２シリコン基板１２の中央に加えた２Ｎからなる荷重Ｆを、第１シリコン基板１４と第２シリコン基板１２の接合面積が第２シリコン基板１２の接合側主面の面積の１００％になった後に取り除いた。このことを除いて実施例１と同一の手順及び同一の条件でＳＯＩ基板を作製した。このＳＯＩ基板を実施例２とした。
＜比較例１＞
第２シリコン基板１２の中央に加えた２Ｎからなる荷重Ｆを、第１シリコン基板１４と第２シリコン基板１２の接合面積が第２シリコン基板１２の接合側主面の面積の０．０８％になった時に取り除いた。このことを除いて実施例１と同一の手順及び同一の条件でＳＯＩ基板を作製した。このＳＯＩ基板を比較例１とした。
【００２６】
＜比較試験及び評価＞
実施例１及び２並びに比較例１におけるＳＯＩ基板のそれぞれのＳＯＩ層の膜厚を測定した。膜厚の測定はナノメトリクス社製の膜厚測定器により行い、その測定はＳＯＩ基板の中心を通る直径上を外周からが反対側の外周に向かって行った。この結果を図２に示す。
図２の結果から明らかなように、実施例１及び２の膜厚には著しいばらつきが生じていないにもかかわらず、比較例１ではＳＯＩ基板の中心からおよそ５ｍｍの地点で著しく膜厚の薄い部分が生じていることが判る。これは荷重を取り除く時期が実施例に比較して早い時期に取り除いたことに起因するものと考えられ、本発明が有効に成立することが判る。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明実施形態のＳＯＩ基板の製造方法を工程順に示す図である。
【図２】その実施例における測定結果である膜厚のばらつきを示す図である。
【符号の説明】
【００２８】
１１  ＳＯＩ基板
１２  第２シリコン基板
１３  ＳＯＩ層
１４  第１シリコン基板
１５  積層体
１６  イオン注入領域
２１  酸化膜
Ｆ  荷重
【図１】
2006269850.tif 000003
【図２】
2006269850.tif 000004