(57)【要約】【課題】  例えば処理済の基板上に付着した腐食性ガスなど処理ガスのガス成分が搬送室などの排気とともにそのまま外部へ排出されることを防止し，工場の排気設備などの負担を軽減する。【解決手段】  ウエハに所定の処理を施すための処理ユニットと，この処理ユニットに対してウエハを搬出入する搬送室２００とを備える基板処理装置であって，搬送室２００は，搬送室２００内へ外気を導入する給気部２３０と，給気部２３０に対向して設けられ，搬送室２００内を排気する排気部２５０と，排気部２５０に設けられ，排気に含まれる少なくとも有害成分を除去する有害成分除去フィルタ２５６からなる排気フィルタ手段２５４とを設けた。【選択図】    図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板に所定の処理を施すための処理ユニットと，この処理ユニットに対して被処理基板を搬出入する搬送室とを備える基板処理装置であって，
前記搬送室は，
前記搬送室内へ外気を導入する給気部と，
前記給気部に対向して設けられ，前記搬送室内を排気する排気部と，
前記排気部に設けられ，前記排気をフィルタリングする排気フィルタ手段と，
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記排気フィルタ手段は，前記排気に含まれる少なくとも有害成分を除去する有害成分除去フィルタからなることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記排気フィルタ手段は，ケミカルフィルタ又は活性炭フィルタからなることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記排気部は，前記排気フィルタ手段よりも，前記排気の下流側に設けた排気ファンを備えることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記給気部は，前記搬送室内に導入する外気をフィルタリングする給気フィルタ手段を備えることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記給気フィルタ手段は，前記搬送室内に導入する外気に含まれる少なくともアミン系成分を除去するアミン系成分除去フィルタからなることを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記給気フィルタ手段は，ケミカルフィルタ又は活性炭フィルタからなることを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記給気フィルタ手段は，前記搬送室内に導入する外気に含まれる少なくともアミン系成分を除去するアミン系成分除去フィルタと，前記搬送室内に導入する外気に含まれる粒子を除去する粒子除去フィルタとを備えることを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項９】
被処理基板に所定の処理を施すための処理ユニットと，この処理ユニットに対してロードロック室を介して被処理基板を搬出入する搬送室とを備える基板処理装置であって，
前記ロードロック室は，
前記ロードロック室内へ外気を導入する給気部と，
前記ロードロック室内の酸排気を行う酸排気部と，
前記酸排気部に設けられ，前記酸排気をフィルタリングする排気フィルタ手段と，
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
前記排気フィルタ手段は，前記排気に含まれる少なくとも有害成分を除去する有害成分除去フィルタからなることを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記ロードロック室の給気部は，前記ロードロック室内に導入する外気をフィルタリングする給気フィルタ手段を備えることを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記給気フィルタ手段は，前記ロードロック室内に導入する外気に含まれる少なくともアミン系成分を除去するアミン系成分除去フィルタからなることを特徴とする請求項１１に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
被処理基板に所定の処理を施すための処理ユニットと，この処理ユニットに対して搬出入する搬送室とを備える基板処理装置であって，
前記搬送室に接続され，前記処理ユニットによって処理された被処理基板を一時的に待機させる基板待機室とこの基板待機室の酸排気を行う酸排気部とを有する待機ユニットと，
前記待機ユニットの酸排気部に設けられ，前記酸排気をフィルタリングする排気フィルタ手段と，
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１４】
前記排気フィルタ手段は，前記排気に含まれる少なくとも有害成分を除去する有害成分除去フィルタからなることを特徴とする請求項１３に記載の基板処理装置。
【請求項１５】
前記搬送室には，前記被処理基板の位置決めを行うための位置決め装置を接続し，
前記待機ユニットは，前記位置決め装置の直下になるように配設したことを特徴とする請求項１４に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，外気を導入して排気する搬送室，ロードロック室などを備える基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ガラス基板（例えば液晶基板）や半導体ウエハ（以下，単に「ウエハ」とも称する。）などの被処理基板に対してエッチング処理，成膜処理などの所定の処理を施す基板処理装置は，例えばウエハに所定の処理を施すための処理室にロードロック室を接続してなる処理ユニットを備えるとともに，この処理ユニットに対して例えば搬送アームなどの搬送機構によりウエハの受渡し（ウエハの搬出入）を行う搬送室を備える。
【０００３】
このような搬送室では，例えば搬送機構によりカセット容器に収納された未処理ウエハを取出して処理ユニットへ受渡す。これにより，未処理ウエハはロードロック室を介して処理室に搬送されて，処理室にてウエハの処理が実行される。処理室での処理が終了した処理済ウエハは，処理室からロードロック室に戻される。すると，搬送室では，搬送機構によりロードロック室に戻された処理済ウエハを受取って，カセット容器へ回収するようになっている。
【０００４】
このような基板処理装置においては，ウエハに対してその歩留り低下を招くパーティクル（例えば塵，ゴミ，付着物，反応生成物など）が付着することを阻止すべく，例えば大気中にてウエハの受渡しを行う搬送室には，その上部に給気口から外気を取入れる給気ファンを設けるとともに下部に排気口を設け，この給気ファンを駆動することにより給気口から外気を取入れて排気口から排気することにより，搬送室内の上部から下部へ向う一定の気体の流れ（例えば空気のダウンフロー）を形成するようになっている。基板処理装置は，通常はクリーンルーム内に設置されるので，クリーンルーム内の空気が搬送室へ導入され，搬送室からクリーンルーム内へ戻される。
【０００５】
【特許文献１】特許２００１−１５５７８号公報
【特許文献２】特開平６−２２４１４４号公報
【非特許文献１】kanzawa.K,Kitano.J,"A semiconductor device manufacturer'sefforts for controlling and evaluating atmospheric pollution",(AdvancedSemiconductor Manufacturing Conference and Workshop,1995.ASMC 95Proceedings.IEEE/SEMI 1995),13-15 Nov 1995,pp.190-193
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら，搬送室により処理済ウエハを回収する際，その処理済ウエハ上に処理ガスのガス成分が付着したまま搬送室まで搬入される場合がある。このような場合，上述したような搬送室によれば，そのようなガス成分が搬送室の空気とともに例えばクリーンルームへ排気されるため，その排気に含まれるガス成分の種類によっては，クリーンルーム内を汚染する虞がある。例えばＣｌ，Ｂｒを含むガスなどの腐食性ガスを処理ガスとして使用する場合には，そのようなガス成分（例えばＣｌ２，Ｂｒ２，ＨＣｌ，ＨＢｒなど）を含む空気が搬送室からクリーンルームへ排気されると，クリーンルーム内の機材が腐食する虞がある。
【０００７】
この点，搬送室の排気口を工場の排気設備（例えば除害設備）に接続し，搬送室からの排気をすべて工場の排気設備に排出させればよいとも考えられるが，このようにすると，工場の排気設備の負担が増大してしまうという問題がある。
【０００８】
なお，従来より基板処理装置やクリーンルームでは，その内部にパーティクルなどが入り込まないように，基板処理室やクリーンルームの給気側にフィルタを設け，パーティクルなどを除去するものが知られている。例えば特許文献１及び非特許文献１は，基板処理装置などを配置するクリーンルーム全体又はクリーンルームを区画する領域における給気側（上部側）にフィルタを設けたものであり，特許文献２は，縦型熱処理装置の給気側（側部側）にフィルタを設けたものである。
【０００９】
しかしながら，このような従来の基板処理装置やクリーンルームでは，その給気側にフィルタを設け，基板処理装置内やクリーンルーム内にパーティクルなどが入り込まないように給気側を考慮するものであり，排気側は考慮していない。従って，従来技術のような給気側のフィルタを基板処理装置の搬送室にそのまま適用しても，搬送室からの排気による上記のような問題を解決することはできない。
【００１０】
そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，例えば処理済の基板上に付着した腐食性ガスなど処理ガスのガス成分が搬送室などの排気とともにそのまま外部へ排出されることを防止することができ，工場の排気設備などの負担を軽減できる基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，被処理基板に所定の処理を施すための処理ユニットと，この処理ユニットに対して被処理基板を搬出入する搬送室とを備える基板処理装置であって，前記搬送室は，前記搬送室内へ外気を導入する給気部と，前記給気部に対向して設けられ，前記搬送室内を排気する排気部と，前記排気部に設けられ，前記排気をフィルタリングする排気フィルタ手段とを備えることを特徴とする基板処理装置が提供される。この場合，排気フィルタ手段は，例えば前記排気に含まれる少なくとも有害成分を除去する有害成分除去フィルタにより構成する。具体的には例えばケミカルフィルタ又は活性炭フィルタにより構成する。
【００１２】
このような本発明にかかる基板処理装置によれば，例えば処理済の基板上に腐食性ガスなどの処理ガスのガス成分が付着したまま搬送室に搬入された場合に，その処理ガスのガス成分は排気フィルタによって除去されてから外部へ排気される。このため，そのガス成分がそのまま搬送室などの排気とともに外部へ排出されることを防止することができる。また，処理済の基板上に付着して搬送室に入り込んだガス成分を除去してから排気することができるので，搬送室の排気を例えば工場の排気設備を介することなく，搬送室外にそのまま排気することができる。これにより，工場の排気設備の負担を大幅に軽減することができる。
【００１３】
なお，上記排気部は，前記排気フィルタ手段よりも，前記排気の下流側に設けた排気ファンを備えることにより，排気ファンが排気に含まれる腐食成分に晒されることはないので，排気ファンとして耐腐食性のものを使用する必要がなくなる。
【００１４】
また，上記基板処理装置における給気部は，前記搬送室内に導入する外気をフィルタリングする給気フィルタ手段を備えることが望ましい。この場合，給気フィルタ手段は，例えば搬送室内に導入する外気に含まれる少なくともアミン系成分（アンモニア，アミンなど）を除去するアミン系成分除去フィルタにより構成する。具体的には例えばケミカルフィルタ又は活性炭フィルタにより構成する。
【００１５】
これによれば，給気部に設けた給気フィルタ手段によって搬送室に導入される外気からアミン系成分（例えばアンモニア）を除去することにより，例えば処理済の基板上に腐食性ガスなどの処理ガスのガス成分が付着したまま搬送室などに搬入された場合に，そのガス成分がアミン系成分と化学反応を起すことによって，基板上にパーティクルが発生することを防止することができる。このように，排気部に排気フィルタ手段を設けるのみならず，給気部にも給気フィルタ手段を設けることにより，例えば処理済基板にガスが付着したまま搬送室内に搬入された場合の対策を万全にすることができる。
【００１６】
なお，上記給気フィルタ手段は，アミン系成分除去フィルタのみならず，前記搬送室内に導入する外気に含まれる粒子を除去する粒子除去フィルタとを備えるようにしてもよい。これにより，外気とともにゴミや塵などの粒子が搬送室内に入り込むことを防止できる。
【００１７】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，被処理基板に所定の処理を施すための処理ユニットと，この処理ユニットに対してロードロック室を介して被処理基板を搬出入する搬送室とを備える基板処理装置であって，前記ロードロック室は，前記ロードロック室内へ外気を導入する給気部と，前記ロードロック室内の酸排気を行う酸排気部と，前記酸排気部に設けられ，前記酸排気をフィルタリングする排気フィルタ手段と，を備えることを特徴とする基板処理装置が提供される。この場合，排気フィルタ手段は，例えば排気に含まれる少なくとも有害成分を除去する有害成分除去フィルタにより構成する。
【００１８】
このような本発明にかかる基板処理装置によれば，ロードロック室の酸排気部を介して排出される排気から腐食性ガスのガス成分などの有害成分を除去することができる。これにより，ロードロック室の酸排気部を工場の排気設備に接続することなく，そのまま排気することができるので，工場の排気設備の負担を軽減することができる。
【００１９】
また，上記ロードロック室の給気部に，前記ロードロック室内に導入する外気をフィルタリングする給気フィルタ手段を備えるようにしてもよい。この場合，給気フィルタ手段は，例えばロードロック室内に導入する外気に含まれる少なくともアミン系成分を除去するアミン系成分除去フィルタにより構成される。これにより，例えば処理済の基板上に腐食性ガスなどの処理ガスのガス成分が付着したままロードロック室に搬入された場合に，そのガス成分がアンモニアなどのアミン系成分と化学反応を起すことによって，基板上にパーティクルが発生することを防止することができる。
【００２０】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，被処理基板に所定の処理を施すための処理ユニットと，この処理ユニットに対して搬出入する搬送室とを備える基板処理装置であって，前記搬送室に接続され，前記処理ユニットによって処理された被処理基板を一時的に待機させる基板待機室とこの基板待機室の排気を行う排気部とを有する待機ユニットと，前記待機ユニットの排気部に設けられ，前記酸排気をフィルタリングする排気フィルタ手段とを備えることを特徴とする基板処理装置が提供される。この場合，例えば排気フィルタ手段は，前記排気に含まれる少なくとも有害成分を除去する有害成分除去フィルタからなる。
【００２１】
このような本発明にかかる基板処理装置によれば，待機ユニットの排気部を介して排出される排気から腐食性ガスのガス成分などの有害成分を除去することができる。これにより，待機ユニットの排気部を工場の排気設備に接続することなく，そのまま排気することができるので，工場の排気設備の負担を軽減することができる。
【００２２】
なお，この場合，上記搬送室には，さらに前記被処理基板の位置決めを行うための位置決め装置を接続し，前記待機ユニットは，前記位置決め装置の直下になるように配設してもよい。このような配置にすることによって，搬送室内で被処理基板を搬送する搬送機構の作業効率を向上させることができ，スループットを向上させることができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば，例えば処理済の基板上に腐食性ガスなどの処理ガスのガス成分が付着したまま搬送室などに搬入された場合に，そのガス成分がそのまま搬送室などの排気とともに外部へ排出されることを防止することができる。これにより，搬送室などの排気を例えばクリーンルーム内などに直接排気できる。このため，比較的排気量が多い搬送室などのの排気を例えば工場の排気設備へ排出させる必要もないので，工場の排気設備への負担も大幅に軽減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２５】
（基板処理装置の構成例）
先ず，本発明の実施形態にかかる基板処理装置の構成例について図面を参照しながら説明する。ここでは，搬送室に少なくとも１以上の真空処理ユニットが接続された基板処理装置を例に挙げて説明する。図１は本実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す断面図である。
【００２６】
基板処理装置１００は，被処理基板例えば半導体ウエハ（以下，単に「ウエハ」ともいう。）Ｗに対して成膜処理，エッチング処理等の各種の処理を行う１つ又は２つ以上の真空処理ユニット１１０と，この真空処理ユニット１１０に対してウエハＷを搬出入させる搬送ユニット１２０とを備える。搬送ユニット１２０は，ウエハＷを搬送する際に共用される搬送室２００を有している。
【００２７】
図１では，例えば２つの真空処理ユニット１１０Ａ，１１０Ｂを搬送ユニット１２０の側面に配設したものを示す。各真空処理ユニット１１０Ａ，１１０Ｂは，それぞれ処理室１４０Ａ，１４０Ｂと，これらのそれぞれに連設され，真空引き可能に構成されたロードロック室１５０Ａ，１５０Ｂを有している。各真空処理ユニット１１０Ａ，１１０Ｂは，各処理室１４０Ａ，１４０Ｂ内でウエハＷに対して例えば同種の処理または互いに異なる異種の処理を施すようになっている。各処理室１４０Ａ，１４０Ｂ内には，ウエハＷを載置するための載置台１４２Ａ，１４２Ｂがそれぞれ設けられている。なお，この処理室１４０及びロードロック室１５０よりなる真空処理ユニット１１０は２つに限定されるものではなく，さらに追加して設けてもよい。
【００２８】
上記搬送ユニット１２０の搬送室２００は，例えばＮ２ガス等の不活性ガスや清浄空気が循環される断面略矩形状の箱体により構成されている。搬送室２００における断面略矩形状の長辺を構成する一側面には，複数のカセット台１３２Ａ〜１３２Ｃが並設されている。これらカセット台１３２Ａ〜１３２Ｃは，カセット容器１３４Ａ〜１３４Ｃを載置する被処理基板待機ポートとして機能する。図１では，例えば各カセット台１３２Ａ〜１３２Ｃに３台のカセット容器１３４Ａ〜１３４Ｃをそれぞれ１つずつ載置することができる例を挙げているが，カセット台とカセット容器の数はこれに限られず，例えば１台又は２台であってもよく，また４台以上設けてもよい。
【００２９】
各カセット容器１３４Ａ〜１３４Ｃには，例えば最大２５枚のウエハＷを等ピッチで多段に載置して収容できるようになっており，内部は例えばＮ２ガス雰囲気で満たされた密閉構造となっている。そして，搬送室２００はその内部へゲートバルブ１３６Ａ〜１３６Ｃを介してウエハＷを搬出入可能に構成されている。
【００３０】
搬送室２００内には，ウエハＷをその長手方向（図１に示す矢印方向）に沿って搬送する共通搬送機構（大気側搬送機構）１６０が設けられている。この共通搬送機構１６０は，例えば基台１６２上に固定され，この基台１６２は搬送室２００内の中心部を長さ方向に沿って設けられた図示しない案内レール上を例えばリニアモータ駆動機構によりスライド移動可能に構成されている。共通搬送機構１６０は例えば図１に示すような２つのピックを備えるダブルアーム機構であってもよく，また１つのピックを備えるシングルアーム機構であってもよい。
【００３１】
搬送室における断面略矩形状の長辺を構成する他側面には，上記２つのロードロック室１５０Ａ，１５０Ｂの基端が，開閉可能に構成されたゲートバルブ（大気側ゲートバルブ）１５２Ａ，１５２Ｂをそれぞれ介して連結されている。各ロードロック室１５０Ａ，１５０Ｂの先端は，開閉可能に構成されたゲートバルブ（真空側ゲートバルブ）１４４Ａ，１４４Ｂを介してそれぞれ上記処理室１４０Ａ，１４０Ｂに連結されている。
【００３２】
各ロードロック室１５０Ａ，１５０Ｂ内には，それぞれウエハＷを一時的に載置して待機させる一対のバッファ用載置台１５４Ａ，１５６Ａ及び１５４Ｂ，１５６Ｂが設けられる。ここで搬送室側のバッファ用載置台１５４Ａ，１５４Ｂを第１バッファ用載置台とし，反対側のバッファ用載置台１５６Ａ，１５６Ｂを第２バッファ用載置台とする。そして，両バッファ用載置台１５４Ａ，１５６Ａ間及び１５４Ｂ，１５６Ｂ間には，屈伸，旋回及び昇降可能になされた多関節アームよりなる個別搬送機構（真空側搬送機構）１７０Ａ，１７０Ｂが設けられている。
【００３３】
これら個別搬送機構１７０Ａ，１７０Ｂの先端にはピック１７２Ａ，１７２Ｂが設けられ，このピック１７２Ａ，１７２Ｂを用いて第１，第２の両バッファ用載置台１５４Ａ，１５６Ａ及び１５４Ｂ，１５６Ｂ間でウエハＷの受け渡し移載を行い得るようになっている。なお，ロードロック室１５０Ａ，１５０Ｂから処理室１４０Ａ，１４０Ｂ内へのウエハの搬出入は，それぞれ上記個別搬送機構１７０Ａ，１７０Ｂを用いて行われる。
【００３４】
搬送室２００の一端部，すなわち断面略矩形状の短辺を構成する一方の側面には，ウエハＷの位置決め装置としてのオリエンタ（プリアライメントステージ）１３７が設けられている。オリエンタ１３７は，例えば内部に回転載置台１３８とウエハＷの周縁部を光学的に検出する光学センサ１３９とを備え，ウエハＷのオリエンテーションフラットやノッチ等を検出して位置合せを行う。
【００３５】
搬送室２００の他端部，すなわち断面略矩形状の短辺を構成する他方の側面には，待機ユニットとしての酸排気ユニット３００が設けられている。この酸排気ユニット３００は，処理済ウエハＷ上に付着する処理ガスのガス成分などにより，処理済ウエハＷから放出されるガスが出なくなるまで，待機させるものである。このような酸排気ユニット３００の構成は後述する。
【００３６】
なお，図１に示す基板処理装置の構成例では，酸排気ユニット３００をオリエンタ１３７とは反対側の端部に設けた場合を例に挙げたが，必ずしもこれに限られるものではなく，酸排気ユニット３００をオリエンタ１３７と同じ側の端部，すなわち搬送室２００の一端部に設けるようにしてもよい。この場合，酸排気ユニット３００をオリエンタ１３７の直下に設けることが好ましい。
【００３７】
このような配置にすることによって，共通搬送機構１６０により例えばロードロック室１５０から処理済ウエハＷを搬出すると，共通搬送機構１６０を搬送室２００の一端部の所定位置へ移動させたまま，処理済ウエハＷを酸排気ユニット３００へ搬入させるとともにオリエンタ１３７から未処理ウエハＷを搬出させることができる。これにより，共通搬送機構１６０の作業効率を向上させることができ，スループットを向上させることができる。
【００３８】
このような構成の基板処理装置によりウエハの処理を行う場合，共通搬送機構１６０により各カセット容器１３４Ａ〜１３４Ｃから処理を行うウエハＷが取出される。共通搬送機構１６０により取出されたウエハＷは，オリエンタ１３７まで搬送されてオリエンタ１３７の回転載置台１３８に移載され，ここで位置決めされる。位置決めされたウエハＷは，再度，上記共通搬送機構１６０により受け取られて保持され，このウエハＷに対して処理を行う真空処理ユニット１１０Ａ又は１１０Ｂのロードロック室１５０Ａ又は１５０Ｂの直前まで搬送される。そして，ゲートバルブ１５２Ａ又は１５２Ｂが開放されると，共通搬送機構１６０に保持されているウエハＷが搬送室２００からロードロック室１５０Ａ又は１５０Ｂ内へ搬入される。ロードロック室１５０Ａ又は１５０ＢへのウエハＷの搬入が終了すると，ゲートバルブ１５２Ａ又は１５２Ｂが閉塞される。
【００３９】
ロードロック室１５０Ａ又は１５０Ｂ内へ搬入されたウエハＷは，ゲートバルブ１４４Ａ又は１４４Ｂが開放されると，個別搬送機構１７０Ａ又は１７０Ｂにより処理室１４０Ａ又は１４０Ｂへ搬入される。処理室１４０Ａ又は１４０ＢへのウエハＷの搬入が終了すると，ゲートバルブ１４４Ａ又は１４４Ｂが閉塞され，処理室１４０Ａ又は１４０Ｂにおいて例えば腐食性ガスを処理ガスとして用いてウエハＷに対してエッチング処理などの所定の処理が施される。
【００４０】
そして，処理室１４０Ａ又は１４０ＢでのウエハＷの処理が終了して，ゲートバルブ１４４Ａ又は１４４Ｂが開放されると，ウエハＷは個別搬送機構１７０Ａ又は１７０Ｂによりロードロック室１５０Ａ又は１５０Ｂへ搬出される。ロードロック室１５０Ａ又は１５０ＢへのウエハＷの搬出が終了すると，ゲートバルブ１４４Ａ又は１４４Ｂが閉塞し，搬送室２００へのウエハＷの搬出動作が行われる。すなわち，大気圧状態にある搬送室２００とロードロック室１５０Ａ又は１５０Ｂ内との圧力差をなくすために，ロードロック室１５０Ａ又は１５０Ｂ内の大気開放が行われた上で，ゲートバルブ１５２Ａ又は１５２Ｂが開放される。すると，処理済ウエハＷは共通搬送機構１６０によりロードロック室１５０Ａ又は１５０Ｂから搬送室２００へ戻され，ゲートバルブ１５２Ａ又は１５２Ｂが閉塞される。
【００４１】
（処理済ウエハに付着するガス対策）
ところで，処理直後の処理済ウエハＷには処理ガスのガス成分が付着したまま，処理室１４０からロードロック室１５０を介して搬送室２００へ戻されることがある。このような処理済ウエハＷに付着するガスによって下記のような問題が生じる。
【００４２】
例えば処理済ウエハＷにガスが付着したまま搬送室２００に搬送されると，搬送室２００には処理済ウエハＷとともに処理済ウエハＷに付着した処理ガスのガス成分が入り込むので，搬送室２００の排気にはそのようなガス成分が含まれる場合がある。従って，例えばＣｌ，Ｂｒなどを含むガスなどの腐食性ガスを処理ガスとして用いた場合には，搬送室２００内の空気をそのまま外部へ排出すると，そのガス成分（例えばＣｌ２，Ｂｒ２，ＨＣｌ，ＨＢｒ）など有害成分が含まれたまま排気されてしまう虞がある。
【００４３】
そこで，本発明では搬送室２００の排気側にＣｌ，Ｂｒを含むガスなどのガス成分（例えばＣｌ２，Ｂｒ２，ＨＣｌ，ＨＢｒ）を除去する排気フィルタ手段を設け，搬送室２００からの排気を排気フィルタ手段を介して排出する。これにより，搬送室２００からの排気に含まれる成分は排気フィルタ手段を介して除去されるので，搬送室２００の外部（例えば基板処理装置１００が設置されるクリーンルーム）へＣｌ，Ｂｒを含むガスなどのガス成分を含む状態で排気されることを防止することができる。
【００４４】
また，上述したような処理直後の処理済ウエハＷに付着する処理ガスのガス成分（例えばＦ，Ｂｒ，Ｃｌを含むガスなどのハロゲン系のガス成分）が処理済ウエハＷの表面と結合して化合物を形成する場合がある。このような化合物が処理済ウエハＷ上に形成されると，例えば処理済ウエハＷを取巻く雰囲気中に含まれる成分によっては，処理済ウエハＷ上にパーティクル（反応生成物）が発生する虞がある。
【００４５】
ここで，このような処理済ウエハＷに付着する処理ガスのガス成分に起因して処理済ウエハＷ上に発生するパーティクルについて図面を参照しながら説明する。図２は処理済ウエハＷ上にパーティクルが発生する過程を説明するための図である。
【００４６】
図２（ａ）に示すように，処理済ウエハＷに付着する処理ガスのガス成分と処理済ウエハＷの表面と結合して化合物Ａが形成される。例えば処理ガスにハロゲン系のガス成分（例えばＦ，Ｃｌ，Ｂｒなどを含むガスのガス成分）が含まれると，これらのガス成分は例えば処理済ウエハＷ上のＳｉＯ２などと結合して，処理済ウエハＷ上に化合物Ａが形成される。
【００４７】
この場合に，処理済ウエハＷを取巻く雰囲気中に例えばアミン系成分が含まれていると，処理済ウエハＷの化合物Ａのハロゲン系化合物と雰囲気中のアミン系成分とが反応して，図２（ｂ）に示すように処理済ウエハＷの表面上に塩Ｂが形成される。ここで，アミン系成分には，例えばアンモニア，アミンなどが含まれる。アミンには，例えばトリメチルアミン，トリエチルアミン，有機塩基アミンなどが含まれる。
【００４８】
このように処理済ウエハＷの表面に塩Ｂが形成される一連の過程を化学式で示すと，下記の化学式（１−１）〜（１−３）に示すようになる。ここでは，処理済ウエハＷの表面成分（ＳｉＯ２）が処理ガスのガス成分（ＨＦ）と結合して化合物（ＳｉＦ４）を形成し，その化合物（ＳｉＦ４）が雰囲気中のアンモニア（ＮＨ３）と反応して，ハロゲン系のアンモニア塩（例えば（ＮＨ４）２ＳｉＦ６）が形成される過程を示す。
【００４９】
ＳｉＯ２＋４ＨＦ→ＳｉＦ４＋２Ｈ２Ｏ      …（１−１）
【００５０】
ＳｉＯ２＋４ＨＦ＋４ＮＨ３→ＳｉＦ４＋２Ｈ２Ｏ＋４ＮＨ３      …（１−２）
【００５１】
ＳｉＦ４＋２ＨＦ＋２ＮＨ３→（ＮＨ４）２ＳｉＦ６      …（１−３）
【００５２】
処理済ウエハＷの表面成分（ＳｉＯ２）が処理ガスのガス成分（ＨＦ）と結合して化合物（ＳｉＦ４）が形成される場合には，一般的には上記化学式（１−１）に示すように反応すると考えられる。
【００５３】
ところが，この場合に雰囲気中にアンモニア（ＮＨ３）が含まれると，上記化学式（１−２）に示すような反応も考えられる。このような化学式（１−１）で左側から右側へ反応するのに必要な反応エネルギは，１．０ｅＶであるのに対し，化学式（１−２）で左側から右側へ反応するのに必要な反応エネルギは，上記化学式（１−１）の場合よりもはるかに低い０．４ｅＶである。
【００５４】
このため，雰囲気中にアンモニア（ＮＨ３）が含まれると，上記化学式（１−２）の反応の方が進み易くなるので，処理済ウエハＷの表面上に化合物（ＳｉＦ４）が形成され易くなる。従って，上記化学式（１−３）の反応も進みやすくなるので，ハロゲン系のアンモニア塩（（ＮＨ４）２ＳｉＦ６）が形成され易くなる。
【００５５】
このように，ハロゲン系のガス成分が付着した処理済ウエハＷが，アンモニア（ＮＨ３）を含む雰囲気中に置かれると，処理済ウエハＷの表面上にはハロゲン系のアンモニア塩（例えば（ＮＨ４）２ＳｉＦ６）が形成される。
【００５６】
こうして処理済ウエハＷの表面上にハロゲン系のアンモニア塩のような塩Ｂが形成されると，この処理済ウエハＷ上の塩Ｂは，処理済ウエハＷを取巻く雰囲気中に含まれる水分（Ｈ２Ｏ）を徐々に吸収していく。すると，時間の経過に伴って，図２（ｃ）に示すようなパーティクルＣが発生する。すなわち，最初は０．００１μｍ程度の電子顕微鏡でも測定できないような小さなパーティクルＣが発生し，その数が徐々に増加していくともに，これらパーティクルＣの大きさも徐々に大きくなっていく。例えば１時間くらい経過すると，０．１μｍくらいに成長し，さらに２４時間くらい経過すると，０．５〜０．７μｍくらいのパーティクルＣに成長するものもある。
【００５７】
その後，２，３日くらい経過すると，塩Ｂが雰囲気中の水分（Ｈ２Ｏ）に潮解して凝集する。そして，パーティクルＣに例えばＳｉＯ２が含まれている場合には，図２（ｄ）に示すように，パーティクルＣの揮発後に処理済ウエハＷ上にＳｉＯ２が残渣Ｄとして残ってしまう。なお，パーティクルＣに例えばＳｉＯ２が含まれていなければ，パーティクルＣは揮発して消滅する。
【００５８】
ここで，例えばＦ成分を含む処理ガスによってエッチングなどの処理が施された処理済ウエハＷをアンモニア成分を含まない雰囲気中に放置した場合と，アンモニア成分を含む雰囲気中に放置した場合について，その放置時間と処理済ウエハＷ上に発生するパーティクルの個数との関係をグラフにしたものを図３に示す。
【００５９】
図３（ａ）は，処理済ウエハＷをアンモニア成分を含まない雰囲気中に放置した場合であり，図３（ｂ）は処理済ウエハＷをアンモニア成分を含む雰囲気中に放置した場合である。図３では，横軸に時間をとり，縦軸にパーティクルの個数をとっている。図３に示すグラフは，処理直前ｔｐ，処理直後（０時間後）ｔ０，処理後１時間後ｔ１，処理後２４時間後ｔ２４において例えば電子顕微鏡などによって処理済ウエハＷ上で観察できる０．１２μｍ以上の大きさのパーティクルを測定したものである。
【００６０】
このような実験結果によれば，図３（ａ）に示すように処理済ウエハＷをアンモニア成分を含まない雰囲気中に放置した場合には，処理済ウエハＷ上のパーティクルの個数は，時間が経過してもほとんど変らない。これに対して，図３（ｂ）に示すように処理済ウエハＷをアンモニア成分を含む雰囲気中に放置した場合には，ただ放置しただけで処理済ウエハＷ上のパーティクルの個数は，時間の経過に伴って増加していることがわかる。なお，上記の実験では処理済ウエハＷの処理ガスにＦ成分が含まれる場合に，処理済ウエハＷ上にアンモニア塩（（ＮＨ４）２ＳｉＦ６）が形成される例を挙げたが，処理済ウエハＷの処理ガスに他のハロゲン成分（例えばＢｒなど）が含まれる場合にも，上記の場合と同様に処理済ウエハＷ上にアンモニア塩（例えば（ＮＨ４）２ＳｉＢｒ６など）が形成されるので，処理済ウエハＷ上にパーティクルが発生する。
【００６１】
このように，処理直後の処理済ウエハＷでは，処理ガスの種類によっては，その処理ガスのガス成分（例えばＦ，Ｂｒ，Ｃｌを含むハロゲン系のガス成分）が処理済ウエハＷの表面と結合して化合物を形成し，その化合物が雰囲気中に含まれるアンモニアなどのアミン系成分に反応してパーティクルとなる塩を形成する。このため，処理直後の処理済ウエハＷについては，アンモニアなどのアミン系成分を含む雰囲気中にただ放置しただけでパーティクルが発生してしまう。従って，処理済ウエハＷが搬送室２００に搬送された場合に，アンモニア成分を含む外気が導入されると，搬送室２００内の雰囲気によっても，処理済ウエハＷ上にパーティクルが発生する虞がある。
【００６２】
このようなアンモニア成分は，例えばクリーンルームの作業員の人体からも放出されるので，クリーンルームの空気を外気として搬送室２００内にそのまま導入すると，導入される空気中には必ずアンモニア成分が含まれるため，処理済ウエハＷ上にパーティクルが発生する蓋然性が高い。この場合，クリーンルーム自体をフィルタリングすることにより，クリーンルーム自体からアンモニア成分を除去することも考えられるが，このようにすると，クリーンルーム内の環境を維持するのに多大なコストがかかるなどの問題がある。
【００６３】
特に，近年では，上記のようなコストの問題などから，工場内やクリーンルーム内を高清浄化するのではなく，例えばＳＭＩＦ（Standard Mechanical Interface）等を用いたミニエンバイロンメントシステムなどのように，基板処理装置内など必要な部分のみを高清浄化するなど局所クリーン化を行う傾向になっている。
【００６４】
ところが，このようなＳＭＩＦ等を用いたミニエンバイロンメントシステムが導入されている最新工場では，局所クリーン化技術を用いてゴミや塵などのパーティクル対策はなされているものの，上述したような腐食性ガス成分のパーティクル例えばアンモニア成分由来のパーティクルの発生対策はなされていないのが現状である。
【００６５】
そこで，本発明では搬送室２００の給気口にアンモニアなどのアミン系成分を除去するケミカルフィルタなどの給気フィルタ手段を設け，この給気フィルタ手段を介して搬送室２００内へ外気を導入する。これにより，搬送室２００内へ導入される空気に含まれるアミン系成分は給気フィルタ手段によって除去されるので，処理済ウエハＷ上に付着する処理ガスのガス成分に起因するパーティクル（例えば腐食性ガス成分のパーティクル例えばアンモニア成分由来のパーティクル）が発生することを防止できる。
【００６６】
このように，本発明では搬送室２００の排気側のみならず，給気側においても，フィルタ手段を設けることによって，処理済ウエハＷに付着するガス対策を万全にすることができる。
【００６７】
（搬送室の構成例）
次に，このような本発明の実施形態にかかる搬送室の構成例を図面を参照しながら説明する。図４，図５は本実施形態にかかる搬送室２００の概略構成を示す断面図である。図４は，搬送室２００の断面を端部方向から見た図であり，図５は，搬送室２００の断面を長手方向の側面の方向（カセット台１３２を設けた側）から見た図である。なお，図４では，共通搬送機構１６０を省略しており，図５ではオリエンタ１３７を省略している。
【００６８】
搬送室２００は，図示するように，例えばステンレスやアルミ製の筐体２１０により区画形成されている。筐体２１０の天井部（上部）２２０には，搬送室２００の内部に空気を導入する給気部２３０が配設されており，筐体２１０の底部（下部）２４０には，給気部２３０から導入された空気（外気）を搬送室２００の外部へ排気する排気部２５０が配設されている。このように，給気部２３０に対向して排気部２５０を配置することにより，搬送室２００内には，天井部（上部）２２０から底部（下部）２４０へ向う空気のダウンフロー２８０が形成される。以下，このような給気部２３０及び排気部２５０の構成について詳細に説明する。
【００６９】
先ず，給気部２３０について説明する。給気部２３０は，筐体２１０の天井部（上部）２２０に形成された給気口２２２から空気を導入する給気ファン２３２と，給気ファン２３２により給気口２２２から導入する空気をフィルタリングする給気フィルタ手段２３４とを備える。
【００７０】
具体的には，筐体２１０の天井部（上部）２２０の長手方向に略等間隔に複数の給気口２２２（２２２Ａ〜２２２Ｃ）が形成されており，これら給気口２２２（２２２Ａ〜２２２Ｃ）の直下にそれぞれ，複数の給気ファン２３２（２３２Ａ〜２３２Ｃ）が配設される。また，これら給気ファン２３２（２３２Ａ〜２３２Ｃ）の直下に給気フィルタ手段２３４が配設される。
【００７１】
給気フィルタ手段２３４は，例えば給気フィルタ２３６と，給気フィルタ２３６を着脱自在に保持する枠体２３８により構成される。なお，給気フィルタ手段２３４は，給気フィルタ２３６を筐体２１０などに直接着脱自在に取付けて構成してもよい。
【００７２】
給気フィルタ２３６は，給気口２２２（２２２Ａ〜２２２Ｃ）から導入する空気に含まれるアミン系成分を除去するアミン系成分除去フィルタにより構成される。ここで，アミン系成分には，例えばアンモニア，アミンなどが含まれる。アミンには，例えばトリメチルアミン，トリエチルアミン，有機塩基アミンなどが含まれる。給気フィルタ２３６は，具体的には例えばケミカルフィルタ，活性炭フィルタなどにより構成される。
【００７３】
なお，給気フィルタ手段２３４は，上記アミン系成分除去フィルタと，搬送室２００内に導入する外気に含まれる塵やゴミなどの粒子（パーティクル）を除去する粒子除去フィルタとの２段構成にしてもよい。これにより，外気とともにゴミや塵などの粒子が搬送室２００内に入り込むことを防止できる。粒子除去フィルタとしては例えばＵＬＰＡ（Ｕｌｔｒａ
Ｌｏｗ Ｐｅｎｅｔｒａｔｉｏｎ Ａｉｒ）フィルタが挙げられる。
【００７４】
一方，排気部２５０は，筐体２１０の底部（下部）２４０に形成された排気口２４２から空気を排気する排気ファン２５２と，排気ファン２５２により排気口２４２から排気する空気をフィルタリングする排気フィルタ手段２５４とを備える。
【００７５】
具体的には，筐体２１０の底部２４０の長手方向に略等間隔に複数の排気口２４２（２４２Ａ〜２４２Ｅ）が形成されており，これら排気口２４２（２４２Ａ〜２４２Ｅ）の直下にそれぞれ，複数の排気ファン２５２（２５２Ａ〜２５２Ｅ）が配設される。また，これら排気口２４２（２４２Ａ〜２４２Ｅ）の上方に，排気口２４２（２４２Ａ〜２４２Ｅ）を覆うように排気フィルタ手段２５４が配設される。
【００７６】
各排気ファン２５２（２５２Ａ〜２５２Ｅ）は，例えばＤＣ（直流）モータによって回転制御することによってファンの回転数を制御可能なＤＣファンにより構成する。これにより，各排気ファン２５２（２５２Ａ〜２５２Ｅ）の風速を個別に調整することにより，搬送室２００内に形成される空気のダウンフロー２８０が直線的になるように調整することができる。仮に搬送室２００内に形成されるダウンフロー２８０が傾いて流れが乱れると，例えばパーティクルが巻上がって搬送室２００内で共通搬送機構１６０によって搬送中のウエハＷ上に付着する虞もある。本実施形態では，空気のダウンフロー２８０が直線的になるように調整することができるので，例えばパーティクルが巻上がることを防止できる。
【００７７】
また，排気ファン２５２（２５２Ａ〜２５２Ｅ）の数は，図５に示すような５つには限られず，４つ以下でも，６つ以上でもよい。このように，排気ファン２５２を搬送室２００の長手方向に沿って複数設けることにより，搬送室２００の長手方向における空気のダウンフロー２８０の細かい調整が可能となる。
【００７８】
なお，本実施形態では，給気部２３０に給気ファン２３２を設けるとともに排気部２５０にも排気ファン２５２を設ける場合について説明したが，給気ファン２３２と排気ファン２５２のいずれか一方のみを設けるようにしてもよい。給気ファン２３２と排気ファン２５２のいずれか一方を設ければ，搬送室２００内に外気を取り込んで排気させる空気の流れ，例えば上記ダウンフロー２８０を発生させることができるからである。
【００７９】
但し，上記のような空気のダウンフロー２８０は，給気ファン２３２だけでは搬送室２００内の下方にいくに連れて空気の流れが乱れる虞があるので，本実施形態のように排気部２５０にも排気ファン２５２を設けることにより，下方からも吸引力を与えることによって，空気のダウンフロー２８０をより直線的にすることができる。
【００８０】
また，図５に示す排気部２５０では，排気ファン２５２を排気フィルタ手段２５４の下方に設けるようにしたので，排気フィルタ手段２５４によってＣｌ，Ｂｒを含むガスなどのガス成分（例えばＣｌ２，Ｂｒ２，ＨＣｌ，ＨＢｒなど）が除去された空気が排気ファン２５２を通ることになる。このため，排気ファン２５２が排気に含まれる腐食成分に晒されることはないので，排気ファン２５２として耐腐食性のものを使用する必要がなくなる。従って，排気ファン２５２としては安価なものを使用することができる。但し，排気部２５０としては，上記のように場合に限定されることはなく，排気ファン２５２を排気フィルタ手段２５４の下方に設けようにしてもよい。このようにした場合には，排気ファン２５２として耐腐食性のものを使用することが好ましい。
【００８１】
排気フィルタ手段２５４は，例えば排気フィルタ２５６と，排気フィルタ２５６を着脱自在に保持する枠体２５８により構成される。枠体２５８は，排気フィルタ２５６の下方に空間２６０を開けて，排気フィルタ２５６を保持するようになっている。このように，各排気ファン２５２（２５２Ａ〜２５２Ｅ）から空間２６０の分だけ離間して排気フィルタ２５６を配置することにより，排気フィルタ２５６（２５６Ａ，２５６Ｂ）の全面へほぼ均等に空気が入り込むようにすることができる。
【００８２】
また，排気フィルタ手段２５４の枠体２５８は，端部の一方又は両方に開口部を設け，その開口部から排気フィルタ２５６を長手方向にスライド自在に着脱可能な構成してもよい。これにより，排気フィルタ２５６は枠体２５８から容易に着脱することができるので，フィルタ交換が容易となる。
【００８３】
この場合は，排気フィルタ２５６を複数に分割して構成するようにしてもよい。これにより，排気フィルタ２５６が排気フィルタ手段２５４からスライドして出し入れし易くなるので，より交換が容易となる。また，排気フィルタ２５６の数が多いほど，排気フィルタ手段２５４から排気フィルタ２５６を取出すのに筐体２１０内に確保する空間を小さくできる。このような排気フィルタ２５６の数はいくつに分割してもよいが，排気フィルタ２５６の数が多すぎると，かえって交換の手間がかかる。
【００８４】
従って，排気フィルタ２５６の数は，搬送室２００内の空間の大きさや交換の手間などを考慮して例えば２つ程度にするのが好ましい。なお，排気フィルタ手段２５４は，排気フィルタ２５６を筐体２１０などに直接着脱自在に取付けて構成してもよい。
【００８５】
なお，上記排気フィルタ手段２５４の上部には，例えばメンテナンスなどにより搬送室２００内に作業者が入ったときの足場になるように，はしごを取付けるようにしてもよい。
【００８６】
上記排気フィルタ２５６としては，例えば排気口２４２（２４２Ａ〜２４２Ｅ）から排気する空気に含まれる有害成分を除去可能な有害成分除去フィルタにより構成する。有害成分としては，例えばＣｌ，Ｂｒを含むガス等の腐食性ガスなどのガス成分（例えばＣｌ２，Ｂｒ２，ＨＣｌ，ＨＢｒなど）が挙げられる。
【００８７】
このような排気フィルタ２５６としては，例えば排気に含まれる有害成分（例えばＨＣｌ，ＨＢｒなど）を炭酸塩による中和反応によって化学的に吸着除去するケミカルフィルタなどが適用される。このようなケミカルフィルタによって例えば有害成分としてＨＣｌ，ＨＢｒを除去する過程を化学式で示すとそれぞれ下記の化学式（２−１），（２−２）に示すようになる。
【００８８】
２ＨＣｌ＋Ｋ２ＣＯ３＋Ｈ２Ｏ＋ＣＯ２→２ＫＣｌ＋２Ｈ２ＣＯ３    …（２−１）
【００８９】
２ＨＢｒ＋Ｋ２ＣＯ３＋Ｈ２Ｏ＋ＣＯ２→２ＫＢｒ＋２Ｈ２ＣＯ３    …（２−２）
【００９０】
このようなケミカルフィルタを通る空気に含まれる例えばＨＣｌ，ＨＢｒは，それぞれ上記化学式（２−１），（２−２）に示す反応により塩化カリウム（ＫＣｌ），臭化カリウム（ＫＢｒ）などの塩になってケミカルフィルタの表面に付着することによって除去される。なお，ケミカルフィルタに一度付着した塩化カリウム，臭化カリウムなどの塩は，例えば熱を加えるなど一定のエネルギを加えない限り，ケミカルフィルタから離脱しない。
【００９１】
ここで，上記のようなケミカルフィルタの構造について図面を参照しながら説明する。図６は，ケミカルフィルタの構成を説明するための概念図であって，ケミカルフィルタの一部を上方から見た場合の図である。ケミカルフィルタは例えば図６に示すようなハニカム構造になっている。このようなケミカルフィルタでは，ケミカルフィルタの上方から下方に向けて空気が通ると，ハニカム構造を構成する各構成体の側面に空気に含まれる例えばＣｌ，Ｂｒを含むガスのガス成分などの有害成分が付着し，上述したような化学反応（例えば炭酸塩の中和反応など）が起ることにより，空気から例えばＨＣｌ，ＨＢｒなどの有害成分が除去される。
【００９２】
従って，このようなケミカルフィルタでは，ハニカム構造を構成する各構造体の表面の面積，すなわち空気が触れる面積が大きいほど有害成分の除去能力が高くなる。従って，例えばケミカルフィルタの高さが高いほど，また厚さが厚いほど面積が大きくなるので，除去能力も大きくなる。
【００９３】
この点，搬送室２００内で排気フィルタ手段２５４を配置する部分の高さや厚みは制約される。そのような場合でも有害成分の除去能力（除去効率）をできる限り向上させるために，ケミカルフィルタのハニカム構造を構成する各構造体の波を小さくして，全体の面積を大きくするようにしてもよい。例えば図６（ａ），（ｂ）にはケミカルフィルタの同じ厚さＬの部分を拡大したものである。このうち，図６（ａ）に示すものよりもハニカム構造を構成する各構造体ｋの波を小さくしたものを図６（ｂ）に示している。このように，ハニカム構造を構成する各構造体ｋの波を小さくすることによって，同じ厚さであっても，全体の面積を大きくすることができるので，有害成分の除去能力を向上させることができる。
【００９４】
また，排気フィルタ手段２５４の排気フィルタ２５６の交換時期は，例えば実験などにより耐久時間を測定してこれに基づいて交換時期を設定し，これを例えば基板処理装置１００の制御部に設けられたメモリなどに予め記憶しておく。そして，例えば上記制御部において排気フィルタ２５６の使用時間を測定して，上記交換時期に達したら，例えば交換時期を知らせる表示などを制御部の表示部に表示させるなどの処理を行うようにしてもよい。
【００９５】
また，排気フィルタ手段２５４に排気フィルタ２５６の寿命を検出する寿命センサを取付けるようにしてもよい。この場合には，例えば上記制御部において寿命センサを監視して，寿命センサが排気フィルタ２５６の寿命を検出すると，例えば交換時期を知らせる表示などを制御部の表示部に表示させるなどの処理を行うようにしてもよい。このような寿命センサとしては，搬送室２００内の空気に含まれる例えばＨＣｌ，ＨＢｒなどのガス成分の量を検出するセンサなどが挙げられる。その他，寿命センサとして，例えばＨＣｌなどのガス成分の量に応じて色が変化するシリカゲル系の検出シートなどを例えば排気フィルタ手段２５４に貼付けて，作業者が目視するようにしてもよい。
【００９６】
その他，搬送室２００の筐体２１０には，図４に示すようにカセット台１３２に載置されるカセット容器１３４からウエハＷを搬出入するための搬出入口２１２，上記ロードロック室５６０との間でウエハＷを搬出入するための搬出入口２１４がそれぞれ形成されている。これら搬出入口２１２，２１４にはそれぞれ上記ゲートバルブ１３６，５６４が設けられ，気密に開閉自在に構成されている。図４では，ゲートバルブ１３６，５６４は省略している。
【００９７】
また，搬送室２００の筐体２１０には，図５に示すように待機ユニットとしての酸排気ユニット３００にウエハＷを搬出入するための搬出入口２１６が設けられている。酸排気ユニット３００は，例えば搬送室２００から搬入された処理済ウエハＷを一時的に待機させる基板待機室３１０と，この基板待機室３１０の排気を行う酸排気部３２０を備える。
【００９８】
基板待機室３１０は複数（例えば１９枚）枚を多段に搭載可能に構成される。具体的には例えば基板待機室３１０はその内部に，ベースプレートと，このベースプレートに固定され，ウエハ周縁部を保持する多段（例えばウエハ１９枚分）の保持溝を有する複数（例えば４本）の基板保持支柱と，この基板保持支柱の内部に設けられる加熱部材としての棒状ヒータとを備える。
【００９９】
酸排気部３２０の排気管３２２は例えば基板処理装置１００が設置される工場の排気設備（例えばクリーンルームの除害設備など）に接続される。酸排気部３２０には，例えば差圧センサや排気を制御するための可変バルブが設けられている。酸排気部３２０の可変バルブによって排気量を制御することによって，酸排気部３２０の排気量を例えば基板処理装置１００が配置される工場の排気設備における排気用力に合わせることができる。
【０１００】
例えば共通搬送機構１６０によって処理ユニット１１０側から搬送室２００へ戻された処理済ウエハＷは，カセット容器１３４に戻す前に一時的に酸排気ユニット３００の基板待機室３１０に搬入される。このとき，処理済ウエハＷは，板保持支柱に保持され，棒状ヒータによって所定の温度に加熱されて，所定時間が経過するまで待機される。これにより，処理済ウエハＷ上に付着する処理ガスのガス成分が処理済ウエハＷから放出される。
【０１０１】
一方，酸排気部３２０では，排気管３２２に接続される工場の排気設備からの排気吸引力によって，基板待機室３１０を排気するような吸引力が生じている。このため，例えば基板待機室３１０内に収納された処理済ウエハＷ上から上記ガス成分（例えばＨＣｌ，ＨＢｒ）が放出されても，そのガスは酸排気部３２０を介して工場の排気設備へ排気される。
【０１０２】
その後，所定時間経過すると，例えば共通搬送機構１６０によって処理済ウエハＷは基板待機室３１０から取出され，カセット容器１３４に戻される。これにより，処理済ウエハＷにガスが付着したままカセット容器１３４に戻されることを防止できるので，例えば処理済ウエハＷに付着した腐食性ガスのガス成分によって，カセット容器１３４の内部やカセット容器１３４内に収納される他のウエハＷなどが汚染されることを防止できる。
【０１０３】
（搬送室の動作例）
次に，以上のように構成された搬送室２００の動作例について説明する。基板処理装置１００が稼働されると，搬送室２００の給気部２３０の各給気ファン２３２（２３２Ａ〜２３２Ｃ）及び排気部２５０の各排気ファン２５２（２５２Ａ〜２５２Ｅ）が駆動する。すると，外部からの空気は給気口２２２（２２２Ａ〜２２２Ｃ）からは搬送室２００内に導入され，導入された空気は排気口２４２（２４２Ａ〜２４２Ｅ）から強制的に外部へ排気される。これにより，搬送室２００内では，給気部２３０から排気部２５０へ，すなわち搬送室２００の筐体２１０の天井部（上部）２２０から底部（下部）２４０へ向かう空気のダウンフロー２８０が形成される。
【０１０４】
この場合，外部（例えば基板処理装置１００が設置されるクリーンルーム）からの空気は，給気部２３０の給気フィルタ手段２３４を介して筐体２１０内へ導入される。このため，例えばクリーンルームの空気にアンモニアなどのアミン系成分が含まれていたとしても，そのようなアミン系成分が給気フィルタ手段２３４によって除去された空気が搬送室２００内へ導入される。
【０１０５】
これにより，搬送室２００内の雰囲気はアミン系成分を含まないため，例えばロードロック室５６０から処理室で処理された処理済ウエハＷが共通搬送機構１６０によって搬送室２００内に戻された場合，その処理済ウエハ上に，上述した処理済ウエハ上に付着する処理ガスのガス成分に起因するパーティクルが発生することを防止できる。
【０１０６】
また，例えばクリーンルームから搬送室２００内に導入された空気は，排気部２５０の排気フィルタ手段２５４を介して排気され，再びクリーンルームへ戻される。このため，例えばロードロック室５６０から処理済ウエハＷが共通搬送機構１６０によって搬送室２００内に戻される際に，処理済ウエハＷ上に付着する処理ガスのガス成分によって，処理済ウエハＷとともに，Ｃｌ，Ｂｒを含むガスのガス成分などの有害成分を含む処理ガスが搬送室２００内に入り込んだとしても，そのような有害成分が排気フィルタ手段２５４によって除去された空気が搬送室２００の外部へ排気される。従って，例えばクリーンルームへ有害成分を含む状態で搬送室２００内の空気が排気されることを防止することができる。
【０１０７】
（酸排気ユニットを利用して排気する搬送室との比較）
ところで，基板処理装置１００のように酸排気ユニット３００を備える場合には，搬送室２００からの排気についてもすべて酸排気ユニット３００の酸排気部３２０を利用して，工場の排気設備（例えばクリーンルームの除害設備）へ排気することも可能と考えられる。このようにすれば，本実施形態のように搬送室２００からの排気をクリーンルームへ排気しなくても済む。
【０１０８】
そこで，酸排気ユニットを利用して排気する搬送室の構成例を本発明との比較例として挙げてより具体的に説明する。図７は，例えば図５に示す搬送室２００を酸排気ユニット３００を利用して排気するようにした場合の構成例を示す。図７に示す搬送室４００は，図５に示す搬送室２００のように排気部２５０を設ける代りに，例えば略角筒状の排気管４１０を筐体２１０の底部２４０に設け，この排気管４１０の端部の一方を開口させて酸排気ユニット３００の酸排気部３２０に接続したものである。
【０１０９】
図７に示す搬送室４００では，図５に示す搬送室２００のように筐体２１０の底部２４０には排気口２４２（２４２Ａ〜２４２Ｅ）を設ける代りに，排気管４１０の上部に排気口４１２（４１２Ａ〜４１２Ｅ）を設けることにより，この排気口４１２（４１２Ａ〜４１２Ｅ）から搬送室２００内の空気が排気管４１０を介して酸排気ユニット３００の酸排気部３２０へ導かれるようにしている。
【０１１０】
このような構成の搬送室４００において，酸排気ユニット３００の酸排気部３２０の排気管３２２に接続される工場の排気設備からの排気吸引力によって，酸排気部３２０を介して排気管４１０の排気口４１２（４１２Ａ〜４１２Ｅ）から吸引力が生じる。これにより，搬送室２００内の空気は排気口４１２（４１２Ａ〜４１２Ｅ）から吸込まれ，排気管４１０を通って酸排気部３２０を介して工場の排気設備へ排気される。従って，たとえ搬送室４００からの排気に有害成分が含まれていても，その有害成分がクリーンルームに排出されることはない。
【０１１１】
しかしながら，搬送室４００からの排気量は，酸排気ユニット３００の酸排気部３２０からの排気量に比してはるかに大きいので，図７に示す搬送室４００のように，搬送室４００からの排気のすべてを工場の排気設備へ排気すると，工場の排気設備に大きな負担がかかる。このような搬送室の排気量は基板処理装置の処理能力にもよっても異なるが，例えば酸排気ユニット３００の酸排気部３２０からの排気量が２ｍ３／ｍｉｎとすれば，搬送室４００からの排気量はその略６倍の１１．５ｍ３／ｍｉｎにもなる。従って，これらすべての排気（例えば１３．５ｍ３／ｍｉｎ）を工場の排気設備で処理するとなると，工場の排気設備にかかる負担も大きい。
【０１１２】
これに対して，本実施形態にかかる図５に示す搬送室２００では，搬送室２００内の排気については，底部２４０に形成した排気口２４２（２４２Ａ〜２４２Ｅ）から直接排気することができるので，工場の排気設備にかかる負担を大幅に軽減することができる。上記の例によれば，搬送室２００の排気（例えば１１．５ｍ３／ｍｉｎ）については，搬送室２００から直接排気することができるため，工場の排気設備へ排気されるのは酸排気ユニット３００の酸排気部３２０からの排気（例えば２ｍ３／ｍｉｎ）だけとなり，工場の排気設備にかかる負担が大幅に減少する。
【０１１３】
しかも，図５に示す搬送室４００では，排気に含まれる有害成分を除去する排気フィルタ手段２５４を有する排気部２５０を筐体２１０の底部２４０に設けているので，たとえ処理済ウエハＷに付着する処理ガスのガス成分によって，搬送室２００からの排気に腐食成分などの有害成分が含まれていても，排気フィルタ手段２５４によって除去されるので，搬送室２００からは清浄空気が排気される。このため，搬送室２００から例えばクリーンルームへ直接排気しても，搬送室２００からの排気に腐食成分などの有害成分が含まれたまま排気されることもないので，例えばクリーンルーム内の機材が腐食することを防止できる。
【０１１４】
また，本実施形態にかかる搬送室２００では，上述したように酸排気ユニット３００を利用することなく，排気を行うことができるので，酸排気ユニット３００を設けていない基板処理装置１００にも適用可能である。
【０１１５】
また，上記酸排気ユニット３００の酸排気部３２０に，本実施形態にかかる排気部２５０のような排気ファンと排気フィルタを設け，この排気フィルタを介して酸排気部３２０から排気するようにしてもよい。こうすることにより，酸排気部３２０からの排気も排気フィルタによって例えばハロゲン系成分などのような有害成分を除去することができるので，酸排気部３２０の排気管３２２を工場の排気設備に接続することなく，例えばクリーンルームへ直接排気することができる。これにより，工場の排気設備にかかる負担をより軽減することができる。
【０１１６】
この場合，上記排気フィルタを酸排気部３２０の例えば基板待機室３１０との接続部位側に設けるようにしてもよい。こうすることによって，排気フィルタによって有害成分が除去された空気が酸排気部３２０の内部に入り込むので，酸排気部３２０の内部についての腐食対策を不要とすることができる。これにより，例えば酸排気部３２０の内部に設ける差圧センサや可変バルブなどの部品も安価なものを使用することができる。
【０１１７】
なお，本実施形態では，排気部２５０に排気フィルタ手段２５４を設けるとともに給気部２３０にも給気フィルタ手段２３４を設ける場合について説明したが，必ずしもこれに限定されるものではなく，排気部２５０の排気フィルタ手段２５４だけを設けるようにしてもよい。少なくとも排気部２５０に排気フィルタ手段２５４を設けるようにすれば，処理済ウエハＷに付着するガスにより例えばハロゲン系ガスのような有害なガス成分を含む空気が排気されることを防止することができるからである。
【０１１８】
但し，給気部２３０にも給気フィルタ手段２３４をさらに設ければ，処理済ウエハＷに付着するガスによりその処理済ウエハＷ上に例えばアンモニア成分由来のパーティクルが発生するこを防止できる。このように，排気フィルタ手段２５４にさらに給気フィルタ手段２３４を組み合わせることによって，処理済ウエハＷに付着するガス対策を万全にすることができる。
【０１１９】
（基板処理装置の他の構成例）
次に，本発明の実施形態にかかる基板処理装置の他の構成例について図面を参照しながら説明する。例えば本発明は，図１に示す基板処理装置１００に限られず，様々な基板処理装置に適用できる。図８には，真空処理ユニットがマルチチャンバで構成される基板処理装置の概略構成を示す。
【０１２０】
図８に示す基板処理装置５００は，基板例えばウエハＷに対して成膜処理，エッチング処理等の各種の処理を行う複数の処理室５４０を有する真空処理ユニット５１０と，この真空処理ユニット５１０に対してウエハＷを搬出入させる搬送ユニット１２０とを備える。搬送ユニット１２０の構成は，図１とほぼ同様であるため，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【０１２１】
図８に示す搬送ユニット１２０は，搬送室２００内に配設される共通搬送機構（大気側搬送機構）１６０を１つのピックを備えるシングルアーム機構で構成した例である。共通搬送機構１６０が固定される基台１６２は，搬送室２００内の中心部を長さ方向に沿って設けられた図示しない案内レール上にスライド移動可能に支持されている。この基台１６２と案内レールにはそれぞれ，リニアモータの可動子と固定子とが設けられている。案内レールの端部には，このリニアモータを駆動するための図示しないリニアモータ駆動機構が設けられている。リニアモータ駆動機構には，図示しない制御部が接続されている。これにより，制御部からの制御信号に基づいてリニアモータ駆動機構が駆動し，共通搬送機構１６０が基台１６２とともに案内レールに沿って矢印方向へ移動するようになっている。
【０１２２】
図８では，例えば６つの処理室５４０Ａ〜５４０Ｆを有する真空処理ユニット５１０を搬送ユニット５２０の側面に配設したものを示す。真空処理ユニット５１０は，６つの処理室５４０Ａ〜５４０Ｆにウエハを搬出入する共通搬送室５５０を備え，この共通搬送室５５０の周りに各処理室５４０Ａ〜５４０Ｆがそれぞれゲートバルブ５４４Ａ〜５４４Ｆを介して配設されている。また，共通搬送室５５０には，真空引き可能に構成された第１，第２ロードロック室５６０Ｍ，５６０Ｎがそれぞれゲートバルブ５５４Ｍ，５５４Ｎを介して配設されている。これら第１，第２ロードロック室５６０Ｍ，５６０Ｎは，それぞれゲートバルブ５６４Ｍ，５６４Ｎを介して搬送室２００の側面に接続されている。
【０１２３】
このように，上記共通搬送室５５０と上記６つの各処理室５４０Ａ〜５４０Ｆとの間及び上記共通搬送室５５０と上記各ロードロック室５６０Ｍ，５６０Ｎとの間はそれぞれ気密に開閉可能に構成され，クラスタツール化されており，必要に応じて共通搬送室５５０内と連通可能になっている。また，上記第１及び第２の各ロードロック室５６０Ｍ，５６０Ｎと上記搬送室２００との間も，それぞれ気密に開閉可能に構成されている。
【０１２４】
上記各処理室５４０Ａ〜５４０Ｆは，ウエハＷに対して例えば同種の処理または互いに異なる異種の処理を施すようになっている。各処理室５４０Ａ，５４０Ｂ内には，ウエハＷを載置するための載置台５４２Ａ〜５４２Ｆがそれぞれ設けられている。
【０１２５】
上記ロードロック室５６０Ｍ，５６０Ｎは，ウエハＷを一時的に保持して圧力調整後に，次段へパスさせる機能を有している。上記ロードロック室５６０Ｍ，５６０Ｎは，さらに冷却機構や加熱機構を有するように構成してもよい。
【０１２６】
共通搬送室５５０内には，例えば屈伸・昇降・旋回可能に構成された多関節アームよりなる搬送機構（真空側搬送機構）５７０が設けられている。この搬送機構５７０は基台５７２に回転自在に支持されている。基台５７２は，共通搬送室５５０内の基端側から先端側にわたって配設された案内レール５７４上を例えばアーム機構５７６によりスライド移動自在に構成されている。
【０１２７】
このように構成された搬送機構５７０によれば，搬送機構５７０を案内レール５７４に沿ってスライド移動させることにより，各ロードロック室５６０Ｍ，５６０Ｎ及び各処理室５４０Ａ〜５４０Ｆにアクセス可能となる。例えば上記各ロードロック室５６０Ｍ，５６０Ｎ及び対向配置された処理室５４０Ａ，５４０Ｆにアクセスする際には，搬送機構５７０を案内レール５７４に沿って共通搬送室５５０の基端側寄りに位置させる。
【０１２８】
また，上記６つの処理室５４０Ｂ〜５４０Ｅにアクセスする際には，搬送機構５７０を案内レール５７４に沿って共通搬送室５５０の先端側寄りに位置させる。これにより，１つの搬送機構５７０により，共通搬送室５５０に接続されるすべてのロードロック室５６０Ｍ，５６０Ｎや各処理室５４０Ａ〜５４０Ｆにアクセス可能となる。搬送機構５７０は，２つのピックを有しており，一度に２枚のウエハを取り扱うことができるようになっている。
【０１２９】
なお，搬送機構５７０の構成は上記のものに限られず，２つの搬送機構によって構成してもよい。例えば共通搬送室５５０の基端側寄りに屈伸・昇降・旋回可能に構成された多関節アームよりなる第１搬送機構を設けるとともに，共通搬送室５５０の先端側寄りに屈伸・昇降・旋回可能に構成された多関節アームよりなる第２搬送機構を設けるようにしてもよい。また，上記搬送機構５７０のピックの数は，２つの場合に限られることはなく，例えば１つのみのピックを有するものであってもよい。
【０１３０】
図８に示す基板処理装置５００の搬送室２００についても，図５に示す構成を適用することができる。これにより，図８に示すタイプの基板処理装置５００についても，図１に示すタイプの基板処理装置１００と同様の効果を奏することができる。
【０１３１】
なお，基板処理装置５００における処理室５４０の数は，図８に示すような６つの場合に限定されるものではなく，５つ以下でもよく，またさらに追加して設けてもよい。また，図８に示す真空処理ユニット５１０は，１つの共通搬送室５５０の周りに複数の処理室を接続した処理室ユニットが１つの場合について説明したが，必ずしもこれに限定されるものではなく，１つの共通搬送室５５０の周りに複数の処理室を接続した処理室ユニットをバッファ室を介して２以上接続する，いわゆるタンデム型の構成にしてもよい。
【０１３２】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【０１３３】
例えば，上記実施形態では，腐食性ガスなどに含まれるハロゲン系のガス成分などの有害なガス成分を除去する排気フィルタを備える排気部を，基板処理装置の搬送室に設けた場合について説明したが，必ずしもこれに限定されるものではなく，基板処理装置のロードロック室（例えば図１に示すロードロック室１５０Ａ，１５０Ｂ，図８に示すロードロック室５６０Ｍ，５６０Ｎなど）に適用するようにしてもよい。
【０１３４】
基板処理装置に設けられるロードロック室には，例えばロードロック室内の真空排気を行うための真空ポンプなどに接続される真空排気部とは別個にロードロック室内の酸排気を行う酸排気部を設けるものがある。この酸排気部の酸排気管は工場の排気設備に接続される。このようなロードロック室では，上記各排気管のバルブ制御により，所定のタイミングでロードロック室内に処理済ウエハに付着して入り込んだ処理ガスのガス成分（例えばＨＣｌ，ＨＢｒなどのハロゲン系のガス成分）の排気（酸排気）が行われる。そこで，このようなロードロック室においても，酸排気管に排気フィルタと排気ファンを備える排気部を設けることにより，ロードロック室の酸排気管を介して排出される排気から腐食性ガスのガス成分などの有害成分を除去することができる。これにより，ロードロック室の酸排気管を工場の排気設備に接続することなく，そのまま排気することができるので，工場の排気設備の負担を軽減することができる。
【０１３５】
また，上記実施形態では，例えばアンモニアなどのアミン系成分を除去する給気フィルタを備える給気部を，基板処理装置の搬送室に設けた場合について説明したが，必ずしもこれに限定されるものではなく，基板処理装置のロードロック室に適用するようにしてもよい。
【０１３６】
基板処理装置に設けられるロードロック室には，例えば大気開放のために外気（例えばクリーンルーム）と連通する連通口が設けられている。このため，連通口からアンモニアなどのアミン系成分が含まれる空気がロードロック室内に入り込む可能性があるので，例えばロードロック室内に処理済ウエハに付着する処理ガスのガス成分にロードロック室内に入り込んだアンモニアなどが反応して処理済ウエハ上にパーティクルが発生する虞がある。そこで，このようなロードロック室の連通口においても，例えばアンモニアなどのアミン系成分を除去する給気フィルタを備える給気部を設けることにより，ロードロック室の連通口を介して導入される空気からアミン系成分が除去されるため，処理済ウエハ上に付着したガス成分によるパーティクルの発生を防止することができる。
【０１３７】
また，本発明は，上記実施形態にかかる基板処理装置の他に，様々な種類の基板処理装置に適用できる。他の基板処理装置として例えば縦型熱処理装置，塗布現像装置などに適用してもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１３８】
本発明は，外気を導入して排気する搬送室，ロードロック室などを備える基板処理装置に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１３９】
【図１】本発明の実施形態にかかる基板処理装置の構成例を示す断面図である。
【図２】処理済ウエハ上にパーティクルが発生する過程を説明するための図である。
【図３】処理済ウエハの放置時間と処理済ウエハ上に発生するパーティクルの個数との関係を示す図である。
【図４】搬送室の概略構成を示す断面図であって，搬送室の断面を端部方向から見たものである。
【図５】搬送室の概略構成を示す断面図であって，搬送室２００の断面を長手方向の側面から見たものである。
【図６】ケミカルフィルタの構成を説明するための概念図であって，ケミカルフィルタの一部を上方から見た場合の図である。
【図７】酸排気ユニットを利用して排気する搬送室の構成例を示す図である。
【図８】本発明の実施形態を示す基板処理装置の他の構成例を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１４０】
１００      基板処理装置
１１０（１１０Ａ，１１０Ｂ）      真空処理ユニット
１２０      搬送ユニット
１３２（１３２Ａ〜１３２Ｃ）      カセット台
１３４（１３４Ａ〜１３４Ｃ）      カセット容器
１３６（１３６Ａ〜１３６Ｃ）      ゲートバルブ
１３７      オリエンタ
１３８      回転載置台
１３９      光学センサ
１４０（１４０Ａ，１４０Ｂ）      各処理室
１４２（１４２Ａ，１４２Ｂ）      載置台
１４４（１４４Ａ，１４４Ｂ）      ゲートバルブ
１５０（１５０Ａ，１５０Ｂ）      ロードロック室
１５２（１５２Ａ，１５２Ｂ）      ゲートバルブ
１５４（１５４Ａ，１５４Ｂ）      バッファ用載置台
１５６（１５６Ａ，１５６Ｂ）      バッファ用載置台
１６０      共通搬送機構（大気側搬送機構）
１６２      基台
１７０（１７０Ａ，１７０Ｂ）      個別搬送機構
１７２（１７２Ａ，１７２Ｂ）      ピック
１８０      制御部
２００      搬送室
２１０      筐体
２１２，２１４，２１６      搬出入口
２２０      天井部（上部）
２２２      給気口
２３０      給気部
２３２      給気ファン
２３４      給気フィルタ手段
２３６      給気フィルタ
２３８      枠体
２４０      底部（下部）
２４２      排気口
２５０      排気部
２５２      排気ファン
２５４      排気フィルタ手段
２５６      排気フィルタ
２５８      枠体
２６０      空間
２８０      ダウンフロー
３００      酸排気ユニット
３１０      基板待機室
３２０      酸排気部
３２２      排気管
４００      搬送室
４１０      排気管
４１２      排気口
５００      基板処理装置
５１０      真空処理ユニット
５２０      搬送ユニット
５４０（５４０Ａ〜５４０Ｆ）      処理室
５４２（５４２Ａ〜５４２Ｆ）      載置台
５４４（５４４Ａ〜５４４Ｆ）      ゲートバルブ
５５０      共通搬送室
５５４（５５４Ｍ，５５４Ｎ）      ゲートバルブ
５６０（５６０Ｍ，５６０Ｎ）      ロードロック室
５６４（５６４Ｍ，５６４Ｎ）      ゲートバルブ
５７０      搬送機構（真空側搬送機構）
５７２      基台
５７４      案内レール
５７６      アーム機構
Ｗ        ウエハ
【図１】
2006286682.tif 000003
【図２】
2006286682.tif 000004
【図３】
2006286682.tif 000005
【図４】
2006286682.tif 000006
【図５】
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【図６】
2006286682.tif 000008
【図７】
2006286682.tif 000009
【図８】
2006286682.tif 000010