(57)【要約】【課題】フリップチップボンディング技術により弾性表面波素子が形成された圧電素子をパッケージに搭載する弾性表面波デバイスの小型化と高信頼化を実現する。【解決手段】線膨張係数を有するパッケージと、弾性表面波素子が形成され、前記パッケージにフリップチップボンディングで搭載された圧電素子を有し、前記圧電素子は、Ｘ，Ｙ，Ｚ結晶軸を有する単結晶から所定角度で切り出されたものであり、前記弾性表面波素子の櫛形電極により生成される弾性表面波の進行方向とこれに垂直な方向の線膨張係数が異なり、且つ前記パッケージの線膨張係数に近い線膨張係数を持つ方向を長辺として有する。【選択図】  図６
2006101550.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
線膨張係数を有するパッケージと、
弾性表面波素子が形成され、前記パッケージにフリップチップボンディングで搭載された圧電素子を有し、
該圧電素子は、Ｘ，Ｙ，Ｚ結晶軸を有する単結晶から所定角度で切り出されたものであり、前記弾性表面波素子の櫛形電極により生成される弾性表面波の進行方向とこれに垂直な方向の線膨張係数が異なり、且つ前記パッケージの線膨張係数に近い線膨張係数を持つ方向を長辺として有することを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項２】
請求項１において、
さらに、前記圧電素子に電極パターンを有し、該電極パターンと前記パッケージとをつなぐバンプの位置が前記圧電素子の中心と点対称に配置されていることを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項３】
請求項１において、
前記弾性表面波素子は、梯子型フィルタを構成する電極パターンを有することを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項４】
請求項３において、
前記電極パターンと前記パッケージとをつなぐバンプの全ての位置が前記梯子型フィルタの短辺側に配置される共振器より前記圧電素子の中心に近い側に配置されることを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項５】
線膨張係数を有するパッケージと、
弾性表面波素子が形成され、前記パッケージにフリップチップボンディングで搭載された二つの圧電素子を有し、
該二つの圧電素子の各々は、Ｘ，Ｙ，Ｚ結晶軸を有する単結晶から所定角度で切り出されたものであり、前記弾性表面波素子の櫛形電極により生成される弾性表面波の進行方向とこれに垂直な方向の線膨張係数が異なり、且つ前記パッケージの線膨張係数に近い線膨張係数を持つ方向を長辺として有し、更にそれぞれの中心周波数が異なるものであることを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項６】
請求項５において、
前記二つの圧電素子のそれぞれに形成された弾性表面波素子の接地電極が前記パッケージ上で共通にされていることを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項７】
請求項５において、
前記二つの圧電素子のそれぞれに形成された弾性表面波素子の接地電極が前記パッケージ上でそれぞれ独立にされていることを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項８】
請求項１において、
前記弾性表面波素子は、ダブルモード型フィルタであり、該フィルタの入力側接地電極と出力側接地電極が、前記パッケージ上で分離されていることを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項９】
請求項５において、
前記二つの圧電素子のいずれか一方の圧電素子に形成された前記弾性表面波素子は、カスケード接続されたダブルモード型フィルタであり、該フィルタの入力側接地電極と出力側接地電極が、前記パッケージ上で分離されていることを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかにおいて、
前記圧電素子は、Ｘ、Ｙ、Ｚ結晶軸を有する単結晶から切り出され、Ｘ結晶軸が前記弾性表面波の伝播方向に一致することを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記圧電素子は、LiTaO3単結晶からＹ軸回転角度４０〜４４度で切り出されたものであることを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項１２】
請求項１０において、
前記圧電素子は、LiNbO3単結晶から所定角度で切り出されたものであることを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項１３】
線膨張係数を有するパッケージと、
弾性表面波素子が形成され、前記パッケージにフリップチップボンディングで搭載された圧電素子を有し、
該圧電素子は、Ｘ，Ｙ，Ｚ結晶軸を有する単結晶から所定角度で切り出されたものであり、前記弾性表面波素子の櫛形電極により生成される弾性表面波の進行方向とこれに垂直な方向の線膨張係数が異なり、且つ前記パッケージの線膨張係数に近い線膨張係数を持つ方向を長辺として有する弾性表面波フィルタを有する通信装置。
【請求項１４】
線膨張係数を有するパッケージと、
それぞれに弾性表面波フィルタが形成され、前記パッケージにフリップチップボンディングで搭載された二つの圧電素子を有し、
該二つの圧電素子の各々は、Ｘ，Ｙ，Ｚ結晶軸を有する単結晶から所定角度で切り出されたものであり、前記弾性表面波フィルタの櫛形電極により生成される弾性表面波の進行方向とこれに垂直な方向の線膨張係数が異なり、且つ前記パッケージの線膨張係数に近い線膨張係数を持つ方向を長辺として有し、
更に前記二つの圧電素子に形成される弾性表面波フィルタのそれぞれの中心周波数が異なるものであることを特徴とするアンテナデュプレクサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波デバイス及びこれを用いた通信装置に関する。特に、フリップチップボンディング技術を用い、装置の小型化を可能とし、更に装置の高信頼化を有する弾性表面波デバイス及びこれを用いた通信装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の携帯電話をはじめとする通信装置の小型化は著しいものがある。かかる装置の小型化の傾向に対し、それに使用される部品の小型化、低背化の要求が高まっている。
【０００３】
特に、通信装置においては、フィルタ、共振器、遅延線デバイスは不可欠の部品であり、フリップチップボンディング技術を用いたＳＡＷ（Surface Acoustic Wave：弾性表面波）デバイスによりこれらの小型化を実現している。
【０００４】
図１は、かかる弾性表面波デバイスのパッケージへの搭載方法を示す概略断面図である。
【０００５】
図１（Ａ）は、ワイヤーボンディング技術による弾性表面波デバイスのパッケージへの搭載方法である。圧電素子（チップ）１に弾性表面波素子が形成されている。
【０００６】
この圧電素子１は、セラミック等の誘電体材料により形成される凹部を有するパッケージ２に搭載され、導電性接着材３により張り付け固定される。パッケージ２は、圧電素子１を搭載した後、キャップ５により封止される。さらに、パッケージ２の外表面はキャップ５を含め、裏面の接地端子４と接続する導体金属板あるいは金属メッキで形成されている。
【０００７】
ここで、圧電素子１上の適宜の電極とパッケージ２の対応する電極との間は、Ａlワイヤー６で接続される。したがって、Ａlワイヤー６により高さ方向に所定の大きさが必要である。
【０００８】
このように、図１（Ａ）に示すワイヤーボンディング技術による場合は、低背化には限界がある。図１（Ｂ）は、これを解決するための技術としてフリップチップボンディング技術を用いる例である。
【０００９】
図１（Ａ）との比較において、図１（Ｂ）のフリップチップボンディング技術では、圧電素子１上の適宜の電極とパッケージ２の対応する電極との間の接続は、Ａuバンプ７を介して行われる。したがって、高さ方向は、Ａlワイヤー６による場合に較べ、低背化が可能である。
【００１０】
ここで、図１（Ｂ）のフリップチップボンディング技術では、圧電素子１とパッケージ２との接続面がＡuバンプ７の大きさで決まり、ワイヤーボンディング技術による場合より小さくなる。一方、一般に使用されている圧電素子１とパッケージ２には線膨張係数に差が存在する。
【００１１】
このために、試験段階において与えられる温度サイクル時にバンプ７に加わる応力負荷が大きくなる。これがデバイスの信頼性が低下する要因（接続断線等）となり、小型化のためにフリップチップボンディング技術を採用することへの妨げ要因となっていた。
【００１２】
従来技術として，特許文献１にセラミックパッケージの膨張率に言及している発明が記載されている。また，別の特許文献２には，圧電素子であるＬｉＴａＯ３の熱膨張係数が示されている。
【特許文献１】特開平０７−１１１４３８号公報
【特許文献２】特開平１１−０５５０７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら，上記いずれの従来技術においても，圧電素子１とパッケージ２には線膨張係数の差に基づく，試験段階において与えられる温度サイクル時に生じる接続断線等の問題に対する解決手段は，示されていない。
【００１４】
したがって、本発明はかかる問題を解決し、小型化、高信頼化を可能とする弾性表面波デバイス及びこれを用いた通信装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記の課題を解決する本発明の第１の側面は，弾性表面波デバイスであって，線膨張係数を有するパッケージと、弾性表面波素子が形成され、前記パッケージにフリップチップボンディングで搭載された圧電素子を有し、この圧電素子は、Ｘ，Ｙ，Ｚ結晶軸を有する単結晶から所定角度で切り出されたものであり、前記弾性表面波素子の櫛形電極により生成される弾性表面波の進行方向とこれに垂直な方向の線膨張係数が異なり、且つ前記パッケージの線膨張係数に近い線膨張係数を持つ方向を長辺として有することを特徴とする。
【００１６】
第１の側面において，さらに、前記圧電素子に電極パターンを有し、前記電極パターンと前記パッケージとをつなぐバンプの位置が前記圧電素子の中心と点対称に配置されてもよい。
【００１７】
また，前記弾性表面波素子は、梯子型フィルタを構成する電極パターンを有して構成できる。
【００１８】
さらに，前記電極パターンと前記パッケージとをつなぐバンプの全ての位置が前記梯子型フィルタの短辺側に配置される共振器より前記圧電素子の中心に近い側に配置されるように構成できる。
【００１９】
上記の課題を解決する本発明の第２の側面は，弾性表面波デバイスであって，線膨張係数を有するパッケージと、弾性表面波素子が形成され、前記パッケージにフリップチップボンディングで搭載された二つの圧電素子を有し、この二つの圧電素子の各々は、Ｘ，Ｙ，Ｚ結晶軸を有する単結晶から所定角度で切り出されたものであり、前記弾性表面波素子の櫛形電極により生成される弾性表面波の進行方向とこれに垂直な方向の線膨張係数が異なり、且つ前記パッケージの線膨張係数に近い線膨張係数を持つ方向を長辺として有し、更にそれぞれの中心周波数が異なるものであることを特徴とする。
【００２０】
この第２の側面において，前記二つの圧電素子のそれぞれに形成された弾性表面波素子の接地電極が前記パッケージ上で共通にできる。
【００２１】
さらに，前記二つの圧電素子のそれぞれに形成された弾性表面波素子の接地電極が前記パッケージ上でそれぞれ独立にできる。
【００２２】
さらに，上記側面１において，前記弾性表面波素子は、ダブルモード型フィルタであり、このフィルタの入力側接地電極と出力側接地電極が、前記パッケージ上で分離されるように構成できる。
【００２３】
また，前記二つの圧電素子のいずれか一方の圧電素子に形成された前記弾性表面波素子は、カスケード接続されたダブルモード型フィルタであり、前記フィルタの入力側接地電極と出力側接地電極が、前記パッケージ上で分離されるように構成できる。
【００２４】
上記側面において，前記圧電素子は、Ｘ、Ｙ、Ｚ結晶軸を有する単結晶から切り出され、Ｘ結晶軸が前記弾性表面波の伝播方向に一致するように構成できる。
【００２５】
また，前記圧電素子をLiTaO3単結晶からＹ軸回転角度４０〜４４度で切り出されたものであるとすることができる。
【００２６】
また，前記圧電素子は、LiNbO3単結晶から所定角度で切り出されたものであるとすることができる。
【００２７】
上記の課題を解決する本発明の第３の側面は，弾性表面波フィルタを有する通信装置であって，線膨張係数を有するパッケージと、弾性表面波素子が形成され、前記パッケージにフリップチップボンディングで搭載された圧電素子を有し、前記圧電素子は、Ｘ，Ｙ，Ｚ結晶軸を有する単結晶から所定角度で切り出されたものであり、前記弾性表面波素子の櫛形電極により生成される弾性表面波の進行方向とこれに垂直な方向の線膨張係数が異なり、且つ前記パッケージの線膨張係数に近い線膨張係数を持つ方向を長辺として有することを特徴とする。
【００２８】
さらに，上記の課題を解決する本発明の第４の側面は，アンテナデュプレクサであって，それぞれに弾性表面波フィルタが形成され、前記パッケージにフリップチップボンディングで搭載された二つの圧電素子を有し、この二つの圧電素子の各々は、Ｘ，Ｙ，Ｚ結晶軸を有する単結晶から所定角度で切り出されたものであり、前記弾性表面波フィルタの櫛形電極により生成される弾性表面波の進行方向とこれに垂直な方向の線膨張係数が異なり、且つ前記パッケージの線膨張係数に近い線膨張係数を持つ方向を長辺として有し、更に前記二つの圧電素子に形成される弾性表面波フィルタのそれぞれの中心周波数が異なるものであることを特徴とする。
【００２９】
本発明の更なる特徴は、図面とともに説明される以下の実施の形態から明らかになる。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によりフリップチップボンディング技術により弾性表面波素子が形成された圧電素子をパッケージに搭載する弾性表面波デバイスの小型化と高信頼化をはかることが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下本発明の実施の形態を説明する。なお、図において、同一又は類似のものには同一の参照数字又は参照記号を付して説明する。
【００３２】
図２は、従来の弾性表面波素子が形成されている圧電素子１を上面から見た図である。
【００３３】
ここで、圧電素子１は、Ｘ、Ｙ、Ｚ結晶軸を有する単結晶例えば、LiTaO3
から所定角度で切り出された圧電体基板（ウエハー）を、更に複数の直方体チップに分割して得られたものである。そして、圧電素子１は結晶軸に沿う辺を有している。図２の例では長辺ＬxはＸ軸に沿う辺であり、短辺ＬzはＺ軸に沿う辺である。
【００３４】
圧電素子１上に形成される弾性表面波素子は、櫛形電極１０、１２及び１１を有し、櫛形電極１０、１２は並列共振器、櫛形電極１１は直列共振器を構成する様に入力電極パッドＰ1、出力電極パッドＰ2及び、接地電極パッドＰ3に接続され、ラダー（梯子）型フィルタを構成している。図３は、図２の弾性表面波素子によるラダー型フィルタの等価回路であり、直列共振回路を２段、並列共振回路を３段有している。
【００３５】
ここで、図２において、圧電素子１の長辺Ｌxは弾性表面波素子の櫛形電極による弾性表面波（ＳＡＷ）の伝播方向に一致する。さらに、この圧電素子１は、長辺Ｌx方向の線膨張係数と短辺Ｌz方向の線膨張係数とが異なっている。
【００３６】
これらの弾性表面波（ＳＡＷ）の伝播方向となる結晶軸及び、それぞれの辺方向における線膨張係数は、圧電体基板が切り出される単結晶の種類及び切り出し角度によって一義的である。
【００３７】
例えば、LiTaO3単結晶のＹ軸回転角度が４２度で切り出される圧電体基板は、弾性表面波の伝播方向（Ｘ軸に沿う方向）の線膨張係数がαx＝16.1ppm, 垂直方向（Ｚ軸に沿う方向）の線膨張係数がαz＝9.5ppmである。
【００３８】
一方、図２に示す圧電素子１をフリップチップボンディング技術により、パッケージに搭載する場合は、それぞれの電極パッドＰ1、Ｐ2，Ｐ3に対応する位置で、図１に示したようにバンプ７によりパッケージ２上の電極に接続される。
【００３９】
ところがパッケージ２自体も線膨張係数を有している。例えば、セラミックパッケージを用いる場合は、その線膨張係数は、およそα＝７〜８ppmである。
【００４０】
したがって、図２に示す圧電素子１は、弾性表面波の伝播方向の辺即ち、長辺Ｌxの線膨張係数において、パッケージ２の線膨張係数との差が大きいものとなり、この場合はバンプ７に大きな応力が働き、接続上信頼性に問題が生じる。
【００４１】
本発明は、かかる問題を解決するものであり、図４にその一実施例の構成を示し、図２におけると同様に圧電素子１を上面から見た図である。図４の実施例は、図２の例との比較において、圧電素子１の長辺と短辺が反対になっている。すなわち、長辺ＬzはＺ軸に沿う辺であり、短辺ＬxはＸ軸に沿う辺である。
【００４２】
このように、本発明に従いパッケージ２の線膨張係数に近い方の辺Ｌzを長辺とするように構成する。これによりバンプ７に対する応力が図２に示す従来例に比較し、小さくすることが可能である。
【００４３】
ちなみに、上記したLiTaO3単結晶のＹ軸回転角度が４０度、４２度、４４度で切り出される圧電体基板では、Ｘ軸に沿う方向の線膨張係数がαx＝16.1ppmで、それぞれＺ軸に沿う方向の線膨張係数がαz＝9.1ppm、9.5ppm、9.9ppmであるので、いずれの回転角で切り出した場合も、Ｘ軸に沿う方向に較べてセラミックパッケージの線膨張係数α＝７〜８ppmに近い。
【００４４】
さらに別の例として、LiNbO3を用いる場合は、Ｙ軸回転角度が４１度の場合、Ｘ軸方向の線膨張係数αx＝15.4ppm, Ｚ方向はαz＝10.9ppm,６４度の場合、Ｘ軸方向の線膨張係数αx＝15.4ppm, Ｚ方向はαz＝13.9ppmである。この場合もＺ軸に沿う方向の線膨張係数の方がＸ軸方向の線膨張係数に較べて、セラミックパッケージの線膨張係数α＝７〜８ppmに近い。
【００４５】
上記いずれの場合も、セラミックパッケージの線膨張係数に近い線膨張係数を持つＺ軸に沿う方向を長辺とすることによりバンプに対する応力負荷を減少することが可能である。このように本発明はパッケージ２の線膨張係数に近い線膨張係数を持つ結晶軸に沿う方向を長辺とした圧電素子１を用い、この圧電素子１を図５に示すようにセラミックパッケージ２に搭載し、バンプ７を介してパッケージ２の対応する電極と接続する。これにより信頼性の高い弾性表面波デバイスが得られる。
【００４６】
図４に戻り、更に本発明の別の特徴を説明する。すなわち、図４において、電極パッドＡとＡ’ＢとＢ’ＣとＣ’はそれぞれ圧電素子１の中心に対し点対称に配置されている。
【００４７】
このように、圧電素子１の中心に対し点対称に電極パッドを配置することにより、それぞれ電極パッド位置に対応するバンプにかかる応力負荷をバラし、応力を分散させることが可能である。
【００４８】
上記した本発明の適用は、圧電素子１に形成される弾性表面波素子が図４に示すラダー型の櫛形電極構造を持つものに限定されるものではなく、他の櫛形電極構造を持つ弾性表面波素子が形成される場合も当然に含まれる。
【００４９】
例えば、図６乃至図８は、他の櫛形電極構造を持つ弾性表面波素子の例である。特に、図６に示す例は、 IIDT（Interdigitated Interdigital Transducer）型フィルタの例であり、Ｚ軸に沿う辺が長辺Ｌzとされ、入出力電極パッドＰ1，Ｐ2の関係において、及び接地電極パッドＰ3間の関係において、対称に配置されている。
【００５０】
図７は、カスケード接続されたダブルモード型フィルタの例であり、長辺をＺ軸に沿う方向としている。図７において、第１のダブルモード型フィルタ１０１と第２のダブルモード型フィルタ１０２が接続電極１０３，１０４でカスケード接続され、２段のダブルモード型フィルタにより、より選択性の高いフィルタが構成されている。
【００５１】
さらに、図７においても、圧電素子１の中心点に対し、電極パッドは点対称に配置されている。
【００５２】
図８は、さらにダブルモード型の別の弾性表面波フィルタを形成した圧電素子１の上面図である。特に２つのダブルモード型フィルタ１０１，１０２をカスケード接続し、出力を２つの出力電極パッドＰ4から取るバランス型としている例である。
【００５３】
図９は、更に別の本発明の特徴を説明する実施例を示す図である。図９（Ａ）に示すラダー型フィルタにおいて、直列共振器Ｒ１の接地電極パッドＰ6及び、直列共振器Ｒ２の接地電極パッドＰ7は、それぞれ直列共振器Ｒ１、Ｒ２の外側にあり，接地電極パッドＰ6及びＰ7を図９（Ｂ）に示すように、それぞれ直列共振器Ｒ１、Ｒ２の内側に配置している。
【００５４】
これにより接地電極パッドＰ6、Ｐ7の圧電素子１の中心からの距離を小さくすることができ、従って接地電極パッドＰ6、Ｐ7に対応するバンプに与える応力負荷を小さくすることができる。
【００５５】
ここで、通信装置におけるフィルタの適用について考察する。図１０は、無線通信装置、例えば携帯電話の高周波回路を中心とするブロック図である。アンテナ２０に繋がるアンテナデュプレクサ２１は、送信用フィルタ２１０と受信用フィルタ２１１を有する。送信用フィルタ２１０と受信用フィルタ２１１それぞれ所定の通過帯域を有し、中心周波数が異なるものである。
【００５６】
送信側は、音声信号により変調器２２で搬送波を変調する。変調された搬送波は、逓倍器２４により局部発振器２３からの送信周波数帯域信号に逓倍される。次いで段間フィルタ２５を通り、電力増幅器２６により電力増幅され、アンテナデュプレクサ２１の送信用フィルタ２１０を通り、アンテナ２０から送出される。
【００５７】
一方、アンテナ２０で受信された受信信号は、アンテナデュプレクサ２１の受信用フィルタ２１１を通り、前置増幅器２７により増幅される。前置増幅器２７の出力は、段間フィルタ２８を通し、逓減器２９に導かれる。
【００５８】
局部発振器２３から出力される周波数信号のうちフィルタ３０により送信周波数と異なる周波数信号が抽出され、これにより受信信号は逓減器２９によりＩＦ信号に変換される。変換されたＩＦ信号は、ＩＦフィルタ３１により高調波成分が除去されて復調器３２に導かれ、復調される。
【００５９】
図１１は、更に別の携帯電話の高周波回路を中心とするブロック図である。特に、欧州において用いられる携帯電話の高周波回路部の概略構成である。すなわち、１つの電話機が２つのシステムに対応する様に構成されたものである。９００ＭＨｚの周波数帯域を有するＥＧＳＭ系と、１．８ＧＨｚの周波数帯域を有するＤＣＳ系に対応するものである。
【００６０】
このために、各システムに対する送受信デュアルフィルタ４０，４１を有している。また、アンテナ２０に繋がるシステム及び送受信信号を分離する例えばダイプレクサモジュール３０と増幅器３１，３２の間に更にＳＡＷフィルタを搭載する場合もある。
【００６１】
段間フィルタ４０，４１それぞれの後段は、図１０の構成と同様に変調、復調回路に接続されるが、本発明の説明において、直接関連しないので更なる説明は省略する。
【００６２】
図１０，図１１の説明から容易に理解出来るように、通信装置には複数のフィルタが使用され、且つ携帯電話のように小型化を要求される場合には、これらのフィルタを実現する、より小型の弾性表面波デバイスが必要である。
【００６３】
図１２は、かかる要求に応える本発明に従う弾性表面波デバイスの実装における実施例を説明する図であり、図１３は、実装後の状態を示す図である。かかる実施例は、先に説明した本発明の特徴を有する圧電素子１を２つ共通にパッケージ２に搭載し、キャップ５により封止する例である。パッケージ２は凹部を有し、接地端子及び入出力端子とＡuバンプ７を介して圧電素子１の対応する電極パッドと接続して固定する。
【００６４】
ここにおいて、先に説明したように圧電素子１の長辺をパッケージ２の線膨張係数に近い軸方向に選択し、且つ電極パッドの配置が圧電素子１の中心に対し対称とされているものである。したがって、図１３において、バンプ７に対する応力が低減されている。
【００６５】
図１３の例は、２つの圧電素子１の接地電極パッドが共通にパッケージ２の接地端子４に接続される例である。
【００６６】
図１４は、更に別の例であり、共通のパッケージ２に搭載された２つの圧電素子１の接地電極パッドをパッケージ２の接地端子４に分離して接続する例である。これにより２つの圧電素子１間の干渉を防止することが可能である。
【００６７】
図１５は、更に又別の例であり、１つの圧電素子１に形成される２つの弾性表面波素子の入力用及び出力用接地電極パッドを、互いに分離してパッケージ２の接地端子４に接続する例である。これにより入出力間の干渉を防止することが可能である。
【００６８】
かかる例は、先に図７に関し説明した接続電極１０３，１０４でカスケード接続された２段のダブルモード型フィルタや、１段のダブルモード型フィルタ等に適用可能である。
【００６９】
ここで、上記図１２乃至図１５において、２つの圧電素子を共通のパッケージに搭載する例を説明したが、本発明の適用は、かかる例に限られない。２つの圧電素子を共通のパッケージに搭載する場合は、例えば、図１０におけるアンテナデュプレクサ２１、あるいは図１１におけるデュアルフィルタ４０，４１として構成することが出来る。
【００７０】
さらに、２つ以上の圧電素子を共通のパッケージに搭載する場合は、例えば図１０において、段間フィルタ、ＩＦフィルタあるいは、更なる他のシステムに対するフィルタを含んで構成することが可能である。
【００７１】
尚、以上の実施例の説明では、１つの圧電素子上に１つのフィルタを構成した場合について説明したが、本発明は、これに限定されず、１つの圧電素子上に２つ以上のフィルタを構成してもかまわない。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】弾性表面波デバイスのパッケージへの搭載方法を示す概略断面図である。
【図２】従来の弾性表面波素子が形成されている圧電素子１を上面から見た図である。
【図３】図２の弾性表面波素子によるラダー型フィルタの等価回路である。
【図４】図２構成の問題を解決する本発明に従う一実施例構成を示す図である。
【図５】圧電素子のセラミックパッケージへの搭載を説明する図である。
【図６】本発明に従う、櫛形電極構造を持つ弾性表面波素子の例であり、IIDT（Interdigitated Interdigital Transducer）型フィルタの例を示す図である。
【図７】本発明に従う、カスケード接続されたダブルモード型フィルタの例である。
【図８】ダブルモード型の別の弾性表面波フィルタを形成した圧電素子１の上面図である。
【図９】更に別の本発明の特徴を説明する実施例を示す図である。
【図１０】無線通信装置、例えば携帯電話の高周波回路を中心とするブロック図である。
【図１１】更に別の携帯電話の高周波回路を中心とするブロック図である。
【図１２】小型の弾性表面波デバイスの要求に応える本発明に従う弾性表面波デバイスの実装における実施例を説明する図である。
【図１３】図１２の実施例の実装後の状態を示す図である。実装後の状態を示す図である。
【図１４】更に別の例であり、共通のパッケージ２に搭載された２つの圧電素子１の接地電極パッドをパッケージ２の接地端子４に分離して接続する例である。
【図１５】更に又別の例であり、１つの圧電素子１に形成されるダブルモード型フィルタの入出力接地電極パッドを、互いに分離してパッケージ２の接地端子４に接続する例である。
【符号の説明】
【００７３】
１  圧電素子
２  パッケージ
４  接地端子
５  キャップ
７  Ａuバンプ
【図１】
2006101550.tif 000003
【図２】
2006101550.tif 000004
【図３】
2006101550.tif 000005
【図４】
2006101550.tif 000006
【図５】
2006101550.tif 000007
【図６】
2006101550.tif 000008
【図７】
2006101550.tif 000009
【図８】
2006101550.tif 000010
【図９】
2006101550.tif 000011
【図１０】
2006101550.tif 000012
【図１１】
2006101550.tif 000013
【図１２】
2006101550.tif 000014
【図１３】
2006101550.tif 000015
【図１４】
2006101550.tif 000016
【図１５】
2006101550.tif 000017