(57)【要約】  【課題】  基板の変形を極力抑えることができる金属膜又は金属酸化膜の成膜方法、すなわち基板の製造方法を提供することを目的とする。  【解決手段】  金属膜又は金属酸化膜を備えた基板の製造方法であって、加熱雰囲気中で基板上に金属又は金属酸化物を一定の厚みに付着させてから、加熱により該基板が一定以上変形する前に該基板の温度を低下させることを繰り返して、所定の厚みまで該金属又は金属酸化物を厚膜化させること特徴とする、基板の製造方法により解決する。【選択図】    図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属膜又は金属酸化膜を備えた基板の製造方法であって、
加熱雰囲気中で基板上に金属又は金属酸化物を一定の厚みに付着させてから、加熱により該基板が一定以上変形する前に該基板の温度を低下させることを繰り返して、所定の厚みまで該金属又は金属酸化物を厚膜化させること特徴とする、基板の製造方法。
【請求項２】
加熱雰囲気中で基板上に金属又は金属酸化物を付着させる工程と、
加熱により該基板が一定以上変形する時間に達したら該基板を該加熱雰囲気から常温雰囲気中に搬送する工程と、
該基板を該常温雰囲気中に晒すことにより、該基板の温度を低下させる工程と、を繰り返すことにより、所定の厚みまで該金属又は金属酸化物を堆積させることを特徴とする、基板の製造方法。
【請求項３】
加熱雰囲気中で基板上に金属又は金属酸化物を付着させる工程と、
加熱により該基板が一定以上変形する温度に達したら該基板を該加熱雰囲気から常温雰囲気中に搬送する工程と、
該基板を該常温雰囲気中に晒すことにより、該基板の温度を低下させる工程と、を繰り返すことにより、所定の厚みまで該金属又は金属酸化物を堆積させることを特徴とする、基板の製造方法。
【請求項４】
加熱雰囲気中で基板上に金属又は金属酸化物を付着させる工程と、
該基板の変形量を測定し、加熱により該基板が一定以上変形する前に該基板を該加熱雰囲気から常温雰囲気中に搬送する工程と、
該基板を該常温雰囲気中に晒すことにより、該基板の温度を低下させる工程と、を繰り返すことにより、所定の厚みまで該金属又は金属酸化物を堆積させることを特徴とする、基板の製造方法。
【請求項５】
前記基板の温度を低下させる工程が、自然放冷で行われることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載の基板の製造方法。
【請求項６】
前記基板の温度を低下させる工程が、不活性ガス雰囲気中で行われることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載の基板の製造方法。
【請求項７】
前記基板の温度を低下させる工程は、前記基板を１〜１０分間常温雰囲気中に晒すことにより該基板の温度を低下させるものである、請求項１〜６のいずれか１項に記載の基板の製造方法。
【請求項８】
加熱により該基板が一定以上変形するときの前記基板の変形は、前記基板の端部における反りが−２４０μｍ未満であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項記載の基板の製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項記載の基板の製造方法で製造された基板を備える電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属膜又は金属酸化膜を備える基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上に金属膜を成膜する方法として、典型的にはスパッタリング法が利用されている。スパッタリング法で成膜をした場合、膜の表面粗さが増大する。従来、磁気記録媒体等においては、高密度化が要求される磁気ヘッドの品質低下を防止するために、スパッタリングを行う際に、膜の表面粗さを低減する方法が提案されていた（例えば特許文献１）。
【特許文献１】特開２００４−１４６０１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、金属膜を基板上に形成する際に真に問題となるのは、基板上に金属膜を形成する際に生じる金属膜の残留応力により基板が変形（例えば、反り、撓みなど）することである。
【０００４】
基板が変形すると、種々のトラブルを生じる。例えば、金属膜が成膜された基板をフォトリソグラフィー工程に付した場合、基板が変形しているために露光装置に基板を設置したときに焦点が合わない部分が生じていた。また、基板の変形が大きい場合には次の製造装置に基板が搬入できなかったり、露光装置が基板を保持できず、露光そのものができなかったりするという場合があった。更に、金属膜が成膜された基板を他の基板と接合する際に、基板の変形によってうまく接合できない場合があった。
【０００５】
金属膜の残留応力は、金属膜の膜厚が厚いほど顕著に現れる。しかしながら、設計上、膜厚を変更することができない場合があるため、形成後の膜厚を変更することなく、基板の変形を極力抑えるスパッタリング方法の開発が望まれていた。
【０００６】
従って、本発明は、基板の変形を極力抑えることができる金属膜又は金属酸化膜の成膜方法、すなわち基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、基板上に形成された金属薄膜の残留応力の主要な発生原因について検討を行った結果、基板上に形成された金属薄膜の残留応力は、スパッタリング時の基板温度の上昇に伴い大きくなるとの知見を得た。そのため、基板の温度そのものを監視し、または、基板の温度が経過時間に相関する場合ではその経過時間を監視し、基板中の残留応力を解消する工程を含ませることで、基板の変形を抑制できるのである。
【０００８】
本発明はかかる知見に基づきなされたものであり、金属膜又は金属酸化膜を備えた基板の製造方法であって、加熱雰囲気中で基板上に金属又は金属酸化物を一定の厚みに付着させてから、加熱により該基板が一定以上変形する前に該基板の温度を低下させることを繰り返して、所定の厚みまで該金属又は金属酸化物を厚膜化させること特徴とする、基板の製造方法を提供するものである。
【０００９】
このような構成により、基板に形成された金属膜又は金属酸化膜による残留応力を緩和し、基板の変形を極力抑えることができる。
【００１０】
また、本発明は、加熱雰囲気中で基板上に金属又は金属酸化物を付着させる工程と、加熱により該基板が一定以上変形する時間に達したら該基板を該加熱雰囲気から常温雰囲気中に搬送する工程と、該基板を該常温雰囲気中に晒すことにより、該基板の温度を低下させる工程と、を繰り返すことにより、所定の厚みまで該金属又は金属酸化物を堆積させることを特徴とする、基板の製造方法を提供するものである。
【００１１】
このような構成により、基板に形成された金属膜又は金属酸化膜による残留応力を緩和し、基板の変形を極力抑えることができる。
【００１２】
また、本発明は、加熱雰囲気中で基板上に金属又は金属酸化物を付着させる工程と、加熱により該基板が一定以上変形する温度に達したら該基板を該加熱雰囲気から常温雰囲気中に搬送する工程と、該基板を該常温雰囲気中に晒すことにより、該基板の温度を低下させる工程と、を繰り返すことにより、所定の厚みまで該金属又は金属酸化物を堆積させることを特徴とする、基板の製造方法を提供するものである。
【００１３】
このような構成により、基板に形成された金属膜又は金属酸化膜による残留応力を緩和し、基板の変形を極力抑えることができる。
【００１４】
また、本発明は、加熱雰囲気中で基板上に金属又は金属酸化物を付着させる工程と、該基板の変形量を測定し、加熱により該基板が一定以上変形したときに該基板を該加熱雰囲気から常温雰囲気中に搬送する工程と、該基板を該常温雰囲気中に晒すことにより、該基板の温度を低下させる工程と、を繰り返すことにより、所定の厚みまで該金属又は金属酸化物を堆積させることを特徴とする、基板の製造方法を提供するものである。
【００１５】
このような構成により、基板の変形が一定以上にならないように管理しながら所定の厚みまで該金属又は金属酸化物を堆積させることができる。
【００１６】
上記発明の好ましい態様は以下のとおりである。前記基板の温度を低下させる工程は、自然放冷で行われることが好ましい。従来にも冷却装置等により基板を冷却する機能を有するスパッタリング装置があったが、自然放冷によれば冷却装置にかかわるコストの問題がない。
【００１７】
前記基板の温度を低下させる工程は、不活性ガス雰囲気中で行われることが好ましい。これにより、成膜途中の膜の界面を安定に保持しながら冷却することが可能となる。
【００１８】
前記基板の温度を低下させる工程は、前記基板を１〜１０分間常温雰囲気中に晒すことにより該基板の温度を低下させるものであることが好ましい。
【００１９】
加熱により該基板が一定以上変形するときの前記基板の変形は、前記基板の端部における反りが−２４０μｍ未満であることが好ましい。かかる程度の変形であれば、その後露光工程に付された場合でも、焦点がズレる等の問題も生じない。
【００２０】
また、本発明は、上記の基板の製造方法で製造された基板を備える電子機器を提供するものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
次に、本発明の実施形態について図面を参照しつつ説明する。
【００２２】
（実施形態１）
本発明の実施形態１は、基板の変形（反り）に対応するパラメータとして時間を計測するものである。
【００２３】
図１は、基板上に金属膜又は金属酸化膜を成膜するためのマルチチャンバシステム１の概略図である。図１におけるマルチチャンバシステム１は、搬送室１３を中心に、複数の処理室１０、１１、１２、及びローダ室１４が設けられている。
【００２４】
ローダ室１４は、外部から基板を搬入したり、処理後の基板を搬出したりするためのインターフェースとして機能する処理室である。基板は、カセットに複数保持された状態で、図示しない外部搬送装置からローダ室１４内に搬入されるようになっている。
【００２５】
搬送室１３には、図示しない搬送アームが設置されている。搬送アームは、ローダ室１４に搬入されたカセットから基板を一枚ずつ取り出して、処理を行うべきいずれかの処理室に搬送し、処理室での処理後に再び基板を取り出し、次の処理のために他の処理室に搬送するようになっている。
【００２６】
各処理室１０〜１２は、それぞれ同じまたは異なる処理を行うために、それぞれの処理に必要な雰囲気に処理室内を制御可能になっている。例えば、各処理室は、スパッタリング処理、エッチング処理、加熱処理、プラズマ処理、紫外線やレーザ照射処理等、露光処理等、基板の製造目的にあわせた複数の処理が割り当てられている。
【００２７】
各処理室１０〜１２には温度センサＴ０〜Ｔ２が設置され、各処理室１０〜１２における環境温度が計測できるようになっている。また、ローダ室１４にも温度センサＴ４が設置され、ローダ室１４における温度が計測できるようになっている。これらの温度センサＴ０〜Ｔ４はマルチチャンバシステム１の制御部１５に接続されており、制御部１５は処理室１０〜１２やローダ室１４における環境温度をリアルタイムに管理できるようになっている。
【００２８】
制御部１５は、当該マルチチャンバシステム１全体を制御する手段である。制御部１５は、各温度センサからの検出信号に基づき、各処理室の温度を任意の温度に制御することが可能になっている。また制御部１５は、時間計測装置１６の時間情報に基づいて、各処理室やローダ室に基板を入れた時点からの経過時間や、基板を処理室から取り出した時点からの経過時間を監視可能に構成されている。
【００２９】
特に本マルチチャンバシステム１は、本発明に適するような基板の製造装置となっている。すなわち、加熱雰囲気中で基板上に金属又は金属酸化物を一定の厚みに付着させる処理室（例えば処理室１０）と、加熱により該基板が一定以上変形する前に基板を処理室内から取り出す搬送アームとを備え、搬送アームは、基板を取り出した後、該基板の温度が低下するまで待ってから再び基板を処理室に搬入するよう構成されている。
【００３０】
図１に示すようなマルチチャンバシステム１における動作の流れは概ね以下のようなものである。
【００３１】
被処理体である基板は図示しない外部搬送装置によりカセット単位でローダ室１４内に搬送される。ローダ室１４内は、外気と隔離するため密閉され、真空引き、又は不活性ガスで置換される。搬送アームは、ローダ室１４内の基板を１枚ずつカセットから取り出し、搬送室１３内に搬送する。さらに搬送アームは、搬送室１３内から処理室１０〜１２内に基板を搬入する。基板が搬入された処理室１０〜１２では、スパッタリング、エッチング等、それぞれ異なる処理が行われる。例えば、スパッタリングとエッチングを行うときは、処理室１０でスパッタリングを行い、スパッタリングの終了後、一旦、基板を搬送室１３に移動し、処理室１１に搬入され、エッチングが行われる。スパッタリングやエッチング等の所要の処理が終了すると、搬送アームによって、基板が処理室１０〜１２からローダ室１４内のカセットに戻される。
【００３２】
次に、本発明の実施形態における上記マルチチャンバシステム１を利用した成膜方法を説明する。
【００３３】
まず、ローダ室１４内のカセットから基板が搬出され、搬送室１３を経由してスパッタリングが行われる処理室１０に搬入される。
【００３４】
処理室１０では、スパッタリングまたは金属蒸着法等、所定の金属又は金属酸化物の成膜方法により基板上に金属膜又は金属酸化膜が成膜される。ここで、本マルチチャンバシステム１では、本発明の基板の製造方法に則して、処理室１０内で加熱雰囲気中で基板上に金属又は金属酸化物を一定の厚みに付着させてから、加熱により該基板が一定以上変形する前に該基板の温度を低下させることを繰り返すように動作するようになっている。この繰り返しにより所定の厚みまで該金属又は金属酸化物が厚膜化されるように制御される。
【００３５】
すなわち、金属膜又は金属酸化膜の成膜は、１回のスパッタリングで所望の膜厚まで一気にスパッタリングを行うのではなく、スパッタリングの途中で、加熱雰囲気中で基板が一定以上変形する温度に達する前に、基板の温度を低下させる。これを繰り返しながら金属膜又は金属酸化膜を所望の膜厚まで成膜する。これらの工程を本実施形態においては「分割成膜」という。分割成膜を実施することにより、スパッタリングによる基板温度の上昇と金属膜の応力に起因する基板の変形を抑制することができる。
【００３６】
図２は、本実施形態に係る分割成膜のフローチャートである。
まず、図１に示すマルチチャンバ１の処理室１０に基板が搬入される（Ｓ１）。そこで時間計測装置１６が起動され、時間測定が開始される（Ｓ２）。処理室１０内では基板に金属又は金属酸化の付着が所定の厚みになるまで行われ（スパッタリング）、第１回目の成膜が行われる（Ｓ３）。一回の成膜で形成される厚みは、基板が一定以上変形する温度に達する前までの一定時間ｔ１で形成される厚みとなる。この厚みは最終的に必要な金属膜又は金属酸化膜の厚みよりも薄いものである。一定時間ｔ１が経過した後（Ｓ４：ＹＥＳ）、制御部１５の制御により、処理室１０から基板が搬出される（Ｓ５）。そして、図１に示すＡ又はＢのルートで基板が搬送される。すなわちルートＡにより搬送室１３まで基板が引き出された場合には、一定時間ｔ２が経過するまで（Ｓ６：ＮＯ）搬送室内の常温雰囲気の中で自然放冷がされる。一方、ルートＢによりローダ室１４内に一時的に搬入された場合には、一定時間ｔ２が経過するまで（Ｓ６：ＮＯ）不活性ガス雰囲気中で基板が自然放冷される（Ｓ６）。一定時間ｔ２が経過すると（Ｓ６：ＹＥＳ）、制御部１５の制御により、基板が再び処理室１０に搬入される（Ｓ７）。同時に、タイマーＴ０の時間測定をリセットされ（Ｓ８）、処理室１０内で第２回目の成膜が行われる（Ｓ９）。成膜は、加熱雰囲気中で基板が一定以上変形する温度に達する前までの一定時間ｔ３が経過するまで行われ（Ｓ１０：ＮＯ）、一定時間ｔ３が経過したときに（Ｓ１０：ＹＥＳ）、制御部１５の制御により、処理室１０から基板が搬出される（Ｓ１１）。
【００３７】
以上は分割成膜の最小回数である２回の分割について説明したものであるが、分割成膜を２回以上行うときは、再びＳ１からＳ１１までの作業が繰り返し行うように制御すればよい。なお、分割回数が奇数回で行われる場合は、Ｓ５で作業を終了するように制御すればよい。
【００３８】
このような処理により、例えば、（ａ）処理室１０におけるスパッタリング時間や、（ｂ）処理室１０から基板を搬出し、ローダ室１４に搬入後、ローダ室１４内に基板を滞在させる時間を、温度との関係で予め設定しておくことができる。これにより、スパッタリングによる加熱により基板が一定以上変形する温度に達する前に処理室１０から基板を搬出し、基板の温度を低下させることができる。
【００３９】
基板の温度を低下させるには、基板を強制的に冷却するための冷却装置を用いて行うこともできるが、搬送室１３又はローダ室１４に、常温雰囲気中で、基板を一定時間放置することによって自然放冷を行うことができるため、設備コストの面を考慮すれば、搬送室１３又はローダ室１４で自然放冷することが好ましい。即ち、自然放冷は、基板が図１のＡで示したルートを移動するか、Ｂで示したルートを移動することにより行われる。また、自然放冷の場合、基板の全部を処理室１０の外に出すため、基板の表面と裏面の温度差を生じることなく冷却できる観点からも好ましい。特に、ローダ室１４で自然冷却を行えば、スパッタリング作業が滞ることなく連続して行うことができるため特に好ましい。
【００４０】
なお、基板の温度を低下させるには、常温雰囲気中に１〜１０分間晒すことが好ましく、５〜１０分間晒すことがより好ましく、８〜１０分間晒すことが更に好ましい。
【００４１】
金属膜又は金属酸化膜としては、圧電アクチュエータ等の配線として利用されるものが該当し、具体的には、金属膜の材料としては、例えば、アルミニウム、金、銀、銅、ニッケル、クロム、タングステン、チタン等又はこれらの合金を挙げることができ、金属酸化膜の材料としては、酸化イリジウム、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化チタン等を挙げることができる。
【００４２】
基板は、スパッタリング中、加熱雰囲気中に晒され、ある程度の温度以上になると変形するが、後の工程において支障が生じなければ一定以下の変形は許容することができる。例えば、スパッタリング後の基板は、オリフラの垂直方向への反りが最も大きいが、スパッタリング中の加熱により基板が一定以上変形する温度に達する前の基板の変形は、垂直方向における基板の反りが−２４０μｍ未満であれば許容することができる。
【００４３】
基板の温度を低下させる工程は、成膜途中の膜の界面の保護という観点から、不活性ガス中で行われることが好ましい。不活性ガスとしては、窒素ガス、アルゴンガス、等を挙げることができる。
【００４４】
（実施形態２）
実施形態２は、基板の変形（反り）に対応するパラメータとして温度を計測するものである。
【００４５】
実施形態２で用いる製造装置は、実施形態１におけるものとほぼ同じマルチチャンバシステム１である。但し、各処理室１０〜１２に設置される温度センサＴ０〜Ｔ２は、処理室の雰囲気温度を計測するものではなく、基板自体の温度を計測可能に構成されているものとする。このような基板自体の温度を計測する装置としては、直接的に温度を感知する接触式の温度計である他、赤外線等の光学式温度測定装置であってもよい。この温度センサは、基板の変形が基板温度と相関関係にあることから、基板自体の温度を直接測定するための測定手段である。
【００４６】
本実施形態における分割成膜も、図２のフローチャートに準じて行われる。但し、実施形態１では経過時間に基づいて制御が行われていたが、本実施形態２では基板温度に基づいて行われる点で相違する。
【００４７】
図３に本実施形態２におけるフローチャートの一部を示す。
まず、図１に示すマルチチャンバ１の処理室１０に基板が搬入される（Ｓ１１）。処理室１０内ではスパッタリングにより、基板に金属又は金属酸化の付着が所定の厚みになるまで行われる（Ｓ１２）。この第一回目の成膜で形成される厚みは、基板が一定以上変形する温度ｔ１に達する前までで形成される厚みとなる。この厚みは最終的に必要な金属膜又は金属酸化膜の厚みよりも薄いものである。基板温度がｔ１に達したら（Ｓ１３：ＹＥＳ）、制御部１５の制御により、処理室１０から基板が搬出される（Ｓ１４）。そして、図１に示すＡ又はＢのルートで基板が搬送される。すなわちルートＡにより搬送室１３まで基板が引き出された場合には、基板温度がｔ２に低下するまで（Ｓ１５：ＮＯ）、搬送室内の常温雰囲気の中で自然放冷がされる。一方、ルートBによりローダ室１４内に一時的に搬入された場合には、基板温度がｔ２に低下するまで（Ｓ１５：ＮＯ）、不活性ガス雰囲気中で基板が自然放冷される。基板温度がｔ２まで低下したら（Ｓ１５：ＹＥＳ）、制御部１５の制御により、基板が再び処理室１０に搬入される（Ｓ１６）。そして、処理室１０内で第２回目の成膜が行われる（Ｓ１７）。成膜は、加熱雰囲気中で基板が一定以上変形する温度Ｔ３に達する前まで行われ（Ｓ１８：ＮＯ）、基板温度がｔ３に達したら（Ｓ１８：ＹＥＳ）、制御部１５の制御により、処理室１０から基板が搬出される（Ｓ１９）。
【００４８】
以上は分割成膜の最小回数である２回の分割について説明したものであるが、分割成膜を２回以上行うときは、再びＳ１からＳ１１までの作業が繰り返し行うように制御すればよい。なお、分割回数が奇数回で行われる場合は、Ｓ５で作業を終了するように制御すればよい。
【００４９】
このような処理により、基板温度を直接的に測定することによっても、基板が一定以上変形する前に基板を取り出し、基板の温度を低下させることができる。
【００５０】
また、基板温度を低下させることの利点や放置時間、金属膜又は金属酸化膜の具体例、反りの量、不活性ガスの具体例については、実施形態１と同様に考えられる。
【００５１】
（実施形態３）
実施形態３は、基板の変形（反り）に対応するパラメータとして基板の変形量を計測するものである。
【００５２】
実施形態３で用いる製造装置は、実施形態１におけるものとほぼ同じマルチチャンバシステム１である。図１に示すように、各処理室１０〜１２には基板の変形量を計測可能な計測器Ｌ０〜Ｌ２が設置されている。このような基板自体の変形量を計測する装置としては、例えば、レーザーを用いた計測器や画像処理を用いた計測器等が挙げられる。これらの計測器Ｌ０〜Ｌ２は、成膜前の基板の形状を予め計測しておき、成膜中の基板の形状と比較することで、基板が成膜中にどの程度変形しているかを監視することができるようになっている。
【００５３】
また、ローダ室１４にも計測器Ｌ４が設置され、ローダ室１４における基板の変形量が計測できるようになっている。これらの計測器Ｌ０〜Ｌ４はマルチチャンバシステム１の制御部１５に接続されており、制御部１５は処理室１０〜１２やローダ室１４における基板の変形量をリアルタイムに管理できるようになっている。
【００５４】
本実施形態における分割成膜も、図２のフローチャートに準じて行われる。但し、実施形態１では経過時間に基づいて制御が行われていたが、本実施形態３では処理室における基板の変形量、即ち、成膜前の基板の形状から変化した量に基づいて行われる点で相違する。
【００５５】
図４に本実施形態３におけるフローチャートの一部を示す。まず、図１に示すマルチチャンバ１の処理室１０に基板が搬入される（Ｓ２１）。処理室１０内ではスパッタリングにより、基板に金属又は金属酸化の付着が所定の厚みになるまで行われる（Ｓ２２）。この第一回目の成膜で形成される厚みは、基板が一定以上変形する量ｗ１に達する前までに形成される厚みとなる。この厚みは最終的に必要な金属膜又は金属酸化膜の厚みよりも薄いものである。基板変形量がｗ１に達したら（Ｓ２３：ＹＥＳ）、制御部１５の制御により、処理室１０から基板が搬出される（Ｓ２４）。そして、図１に示すＡ又はＢのルートで基板が搬送される。すなわちルートＡにより搬送室１３まで基板が引き出された場合には、基板温度がｗ２に低下するまで（Ｓ２５：ＮＯ）、搬送室内の常温雰囲気の中で自然放冷がされる。一方、ルートBによりローダ室１４内に一時的に搬入された場合には、基板温度がｗ２に低下するまで（Ｓ２５：ＮＯ）、不活性ガス雰囲気中で基板が自然放冷される。なお、本ステップは、実施形態１で説明したように、時間で制御してもよい。
【００５６】
基板温度がｗ２まで低下した場合又は一定時間ｗ２が経過した場合（Ｓ２５：ＹＥＳ）、制御部１５の制御により、基板が再び処理室１０に搬入される（Ｓ２６）。そして、処理室１０内で第２回目の成膜が行われる（Ｓ２７）。成膜は、加熱雰囲気中で基板が一定以上変形する量ｗ３に達する前まで行われ（Ｓ２８：ＮＯ）、基板変形量がｗ３に達したら（Ｓ２８：ＹＥＳ）、制御部１５の制御により、処理室１０から基板が搬出される（Ｓ２９）。
【００５７】
以上は分割成膜の最小回数である２回の分割について説明したものであるが、分割成膜を２回以上行うときは、再びＳ１からＳ１１までの作業が繰り返し行うように制御すればよい。なお、分割回数が奇数回で行われる場合は、Ｓ５で作業を終了するように制御すればよい。
【００５８】
このような処理により、基板温度を直接的に測定することによっても、基板が一定以上変形する前に基板を取り出し、基板の温度を低下させることができる。また、基板温度を低下させることの利点や放置時間、金属膜又は金属酸化膜の具体例、反りの量、不活性ガスの具体例については、実施形態１と同様に考えられる。
【００５９】
以上、本発明の実施形態に係る基板の製造方法について説明したが、上記の基板の製造方法で製造された基板を用いて、電子機器を製造することができる。電子機器としては、例えば、インクジェット式記録ヘッドを備える印刷装置（プリンタ）等を挙げることができる。
【実施例１】
【００６０】
実施形態１に則して、以下の要領で、膜厚０．１μｍのニクロム（ＮｉＣｒ）と膜厚１．３５μｍの金（Ａｕ）からなる金属薄膜を分割成膜した。なお、基板には膜厚４００μｍの二酸化シリコン（ＳｉＯ2）基板を用いた。スパッタリングには、処理室、搬送室及びローダ室を備えたマルチチャンバ装置を用いた。このマルチチャンバ装置は装置内が外気と遮断され、窒素ガスで置換されている。また、スパッタガス圧を０．５５Ｐａとし、二酸化シリコン基板の加熱は行わなかった。
【００６１】
このとき、分割成膜の分割回数を６回とした。即ち、マルチチャンバ装置の処理室で、第１回目の成膜としてニクロム（ＮｉＣｒ）０．１μｍを成膜した。そして、マルチチャンバ装置のローダ室に基板を搬送し、約５分間窒素ガス雰囲気中で自然放冷した。次いで、第２回目の成膜として再び処理室に基板を搬送し、約１００秒間金をスパッタリングし、基板温度が上昇して基板が変形する前に途中でスパッタリングを中断し、再びローダ室に基板を搬送し、約５分間窒素ガス雰囲気中で自然放冷した。このように、スパッタリングを行っている途中で、加熱により基板が一定以上変形する前にスパッタリングを中断し、窒素ガス雰囲気中で自然放冷を行う操作を繰り返しながら合計６回の分割成膜を行い、二酸化シリコン基板の上に０．１μｍのニクロム層と１．３５μｍの金薄膜層からなる金属薄膜を成膜した。
【実施例２】
【００６２】
ニクロム層と金薄膜層の分割成膜を３回とした以外は、実施例１と同様の要領で、二酸化シリコン基板の上に０．１μｍのニクロム層と１．３５μｍの金薄膜層からなる金属薄膜を分割成膜した。
【００６３】
［比較例１］
分割成膜を行わず、二酸化シリコン基板の上に０．１μｍのニクロム層と１．３５μｍの金薄膜層からなる金属薄膜のスパッタリングを１回で行った。
【００６４】
［試験例１］
実施例１、２及び比較例１で得られた金属薄膜が形成された二酸化シリコン基板を用いて、基板の反りを測定した。測定箇所は、基板の反りが最も大きく現れるオリフラの垂直方向とした。結果を表１に示す。なお、表１中、基板の反りがマイナス（−）で表示されているのは、二酸化シリコン基板の反りが引っ張り方向へ向かい、基板外縁が上方へ反り上がることを意味している。
【００６５】
【表１】
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【００６６】
表１に示すように、実施例１及び２においては基板の反りが比較例１の基板の反りと比較して半分以下に低減されることが判明した。
【００６７】
以上説明したように、本発明は、スパッタリングにより基板上に金属膜又は金属酸化膜を成膜する場合であっても、分割成膜を行うことにより、基板の変形を極力抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】基板上に金属膜又は金属酸化膜を成膜するためのマルチチャンバシステム１の概略図である。
【図２】本実施形態１におけるフローチャートの一部である。
【図３】本実施形態２におけるフローチャートの一部である。
【図４】本実施形態３におけるフローチャートの一部である。
【符号の説明】
【００６９】
１…マルチチャンバシステム、１０、１１及び１２…処理室、１３…搬送室、１４…ローダ室、１５…制御部、１６…時間計測装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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