(57)【要約】    【課題】  基板収納容器内の基板を移載する場合、移載に供せられていない待機状態の基板収納容器の基板について、外気雰囲気異常があった場合にもウェーハ不良を防止し、歩留りの向上を図る。    【解決手段】  本発明は、基板１を収容する基板収納容器２ａ，２ｂと、該基板収納容器を載置する複数の載置手段１６，１７と、該載置手段と前記基板を保持する基板保持具６との間で前記基板を搬送する１つの移載手段１２と、前記基板収納容器の蓋を開閉する蓋開閉手段１８，１９と、前記載置手段に載置された前記基板収納容器と前記基板保持具との間の前記基板の搬送を制御する制御手段とを備え、該制御手段は、前記１つの移載手段が１つの基板収納容器から前記基板保持具へ基板移載し、前記基板収納容器に関して最後となる基板移載を始めた後に、前記蓋開閉手段が次に移載する他の基板収納容器の蓋を開き始める。    【選択図】          図５
2006269810.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収容する基板収納容器と、該基板収納容器を載置する複数の載置手段と、該載置手段と前記基板を保持する基板保持具との間で前記基板を搬送する１つの移載手段と、前記基板収納容器の蓋を開閉する蓋開閉手段と、前記載置手段に載置された前記基板収納容器と前記基板保持具との間の前記基板の搬送を制御する制御手段とを備え、該制御手段は、前記１つの移載手段が１つの基板収納容器から前記基板保持具へ基板移載し、前記基板収納容器に関して最後となる基板移載を始めた後に、前記蓋開閉手段が次に移載する他の基板収納容器の蓋を開き始めることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンウェーハ、ガラス基板等の被処理基板に成膜、アニール処理、拡散処理等の基板処理を行い、半導体装置を製造する基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基板処理装置外部から処理すべきウェーハ等の基板が搬送される場合、基板収納容器、例えばカセットに所定枚数（例えば２５枚）ウェーハが装填され、該ウェーハを収納したカセットが搬送される。又、近年では、ウェーハがパーティクルに汚染されることを防止する為、或はウェーハに自然酸化膜が生成されることを防止する為、基板収納容器を密閉容器としている。
【０００３】
密閉式の基板収納容器（ＦＯＵＰ）が使用される場合は、基板処理装置側に基板収納容器（以下カセット）の蓋を開閉する為の開閉装置が設けられている。
【０００４】
又、バッチ式の基板処理装置に於いては、一度に処理する基板枚数が複数の基板収納容器分に相当する為、基板処理装置に対するカセットの搬入出効率、基板処理装置内での基板移載効率を向上させる為、複数のカセット載置ステージ、複数の開閉装置を具備し、基板移載機が複数のカセットに対して装填、払出しの移載作動を行える様にしたものがある。
【０００５】
例えば、図７は、複数のカセット載置ステージ、該各カセット載置ステージにそれぞれ設けられた開閉装置を具備した基板処理装置のウェーハ移載についての概略を示している。
【０００６】
基板処理装置内部には上下に２組のカセット載置ステージ１６，１７が設けられ、該カセット載置ステージ１６，１７には図示しないカセット搬送機によってカセット２が搬送される様になっており、前記カセット載置ステージ１６，１７にはそれぞれカセットオープナ１８，１９が設けられ、前記カセット載置ステージ１６，１７上で前記カセット２を密閉する蓋を開閉可能となっている。
【０００７】
又、ウェーハ１は昇降機構２０によって昇降可能なウェーハ移載機１２により装填、払出し可能となっており、該ウェーハ移載機１２は進退、回転の協働により前記カセット載置ステージ１６，１７から基板保持具であるボート６へ、該ボート６から前記カセット載置ステージ１６，１７へ前記ウェーハ１の移載を行う様になっている。
【０００８】
前記ウェーハ移載機１２、前記ボート６は気密室７に収納され、該気密室７の上方に処理炉（図示せず）が連設されている。前記ボート６は図示しないボートエレベータにより処理炉内に装入され、該処理炉で前記ウェーハ１が所要の処理をなされる。
【０００９】
前記カセット２から前記ボート６へのウェーハ移載の従来のシーケンスについて図７（Ａ）〜図７（Ｃ）、図８（Ａ）、図８（Ｂ）を参照して説明する。尚、図８（Ａ）は前記ウェーハ１を前記カセット２から前記ボート６に移載する場合、図８（Ｂ）は処理済ウェーハ１を前記ボート６から前記カセット２に払出す場合を示している。
【００１０】
先ず前記カセット搬送機により、上段の前記カセット載置ステージ１６に前記カセット２を搬送し、前記カセットオープナ１８により上段の前記カセット２の蓋を開ける（図７（Ａ）、図７（Ｂ））。前記ウェーハ移載機１２により前記カセット載置ステージ１６の前記カセット２から前記ウェーハ１を前記ボート６に移載する（図７（Ｂ））。
【００１１】
前記カセット載置ステージ１６の前記カセット２の前記ウェーハ１の移載と並行して前記カセット搬送機により、カセット棚５から前記カセット２が下段の前記カセット載置ステージ１７へ搬送される。該カセット載置ステージ１７への前記カセット２の搬送が完了すると（図７（Ｂ））、下段の該カセット２の蓋が前記カセットオープナ１９によって開けられ、下段の前記カセット２は待機状態となる（図７（Ｃ））。
【００１２】
上段の前記カセット２の前記ウェーハ１を全て移載し終ると、前記ウェーハ移載機１２により下段の前記カセット２の移載が完了する。
【００１３】
尚、バッチ処理する前記ウェーハ１の枚数が、２以上のカセット分に相当する場合は、空となった上段の前記カセット２は搬出され、新たな該カセット２が前記カセット棚５から前記カセット載置ステージ１６に搬送され、上述した作動が繰返されて前記ウェーハ１が前記ボート６に移載される。
【００１４】
上記した、従来の基板処理装置に於けるウェーハの移載では、下段の前記カセット２は移載が行われていないにも拘らず、該カセット２の蓋は開いた状態となっている。前記カセット載置ステージ１６、カセット載置ステージ１７に搬送された前記カセット２は、それぞれ前記カセット載置ステージ１６、カセット載置ステージ１７に搬送が完了すると、続いて前記カセット２の蓋が開放される様になっている。この為、待機状態の該カセット２は長く前記気密室７の雰囲気に曝されることとなり、該気密室７の雰囲気異常の影響をそのまま受けることとなる。該気密室７による雰囲気異常としては、該気密室７の気圧異常、酸素濃度異常等が挙げられ、該気密室７で雰囲気異常があった場合は、待機中の前記ウェーハ１が不良となる場合がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明は斯かる実情に鑑み、ウェーハの移載に供せられていない待機状態のカセットについては蓋が閉じられ、カセット内のウェーハが可及的に外気雰囲気に曝されない様にし、ウェーハ不良を防止し、歩留りの向上を図るものである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明は、基板を収容する基板収納容器と、該基板収納容器を載置する複数の載置手段と、該載置手段と前記基板を保持する基板保持具との間で前記基板を搬送する１つの移載手段と、前記基板収納容器の蓋を開閉する蓋開閉手段と、前記載置手段に載置された前記基板収納容器と前記基板保持具との間の前記基板の搬送を制御する制御手段とを備え、該制御手段は、前記１つの移載手段が１つの基板収納容器から前記基板保持具へ基板移載し、前記基板収納容器に関して最後となる基板移載を始めた後に、前記蓋開閉手段が次に移載する他の基板収納容器の蓋を開き始める基板処理装置に係るものである。
【００１７】
又本発明は、基板を収容する基板収納容器と、該基板収納容器を載置する複数の載置手段と、該載置手段と前記基板を保持する基板保持具との間で前記基板を搬送する１つの移載手段と、前記基板収納容器の蓋を開閉する蓋開閉手段と、前記載置手段に載置された前記基板収納容器と前記基板保持具との間の前記基板の搬送を制御する制御手段とを備えた基板処理装置に於いて、該制御手段は、前記１つの移載手段が１つの基板収納容器から前記基板保持具へ基板移載し、前記基板収納容器に関して最後となる基板移載を始めた後に、前記蓋開閉手段が次に移載する他の基板収納容器の蓋を開き始める基板処理方法に係るものである。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、基板を収容する基板収納容器と、該基板収納容器を載置する複数の載置手段と、該載置手段と前記基板を保持する基板保持具との間で前記基板を搬送する１つの移載手段と、前記基板収納容器の蓋を開閉する蓋開閉手段と、前記載置手段に載置された前記基板収納容器と前記基板保持具との間の前記基板の搬送を制御する制御手段とを備え、該制御手段は、前記１つの移載手段が１つの基板収納容器から前記基板保持具へ基板移載し、前記基板収納容器に関して最後となる基板移載を始めた後に、前記蓋開閉手段が次に移載する他の基板収納容器の蓋を開き始めるので、前記基板の移載に供せられていない待機状態の前記基板収納容器については蓋が閉じられ、該基板収納容器内の前記基板は移載が開始される迄前記基板収納容器に密閉され、外気雰囲気に曝されなく、外気雰囲気異常があった場合にもウェーハ不良が防止され、歩留りの向上が図れる等の優れた効果を発揮する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。
【００２０】
先ず、本発明が実施される基板処理装置の概要について図１、図２に於いて説明する。
【００２１】
尚、以下の説明では、基板処理装置として基板に拡散処理やＣＶＤ処理等を行う縦型炉を具備する縦型基板処理装置を適用した場合について述べる。
【００２２】
シリコンから成るウェーハ１等の基板を収納した基板収納容器（ＦＯＵＰ）（以下カセット２）を、外部から筐体３内へ搬入する為、及びその逆に該筐体３内から外部へ搬出す為のＩ／Ｏステージ（基板収納容器授受部）４が前記筐体３の前面に設けられ、該筐体３内には搬入された前記カセット２を保管する為のカセット棚（保管手段）５が設けられている。
【００２３】
又、前記ウェーハ１の搬送エリアであり、後述のボート（基板保持具）６のローディング、アンローディング空間となる気密室７が設けられている。
【００２４】
前記ウェーハ１に処理を行う時の前記気密室７の内部は、前記ウェーハ１の自然酸化膜を防止する為にＮ2 ガス等の不活性ガスが充満される様になっている。
【００２５】
前記カセット２としては、現在ＦＯＵＰというタイプが主流で使用されており、該カセット２の一側面に設けられた開口部を蓋体（図示せず）で塞ぐことで大気から前記ウェーハ１を隔離して搬送でき、前記蓋体を取去ることで前記カセット２内へ前記ウェーハ１を入出させることができる。前記カセット２の蓋体を取外し、該カセット２内と前記気密室７とを連通させる為に、該気密室７の前面側には、カセット載置ステージ（基板収納容器載置手段）１６，１７が複数組（図示では２組）設けられ、前記気密室７の前記カセット載置ステージ１６，１７対峙部分にはそれぞれカセットオープナ１８，１９（開閉手段）が設けられている。該カセットオープナ１８，１９は独立して駆動可能となっており、前記カセット載置ステージ１６，１７に載置された前記カセット２を個別に開閉可能となっている。
【００２６】
前記カセット載置ステージ１６，１７、前記カセット棚５、及び前記Ｉ／Ｏステージ４間の前記カセット２の搬送は、カセット搬送機９によって行われる。該カセット搬送機９による前記カセット２の搬送空間８には、前記筐体３に設けられたクリーンユニット（図示せず）によって清浄化した空気をフローさせる様にしている。
【００２７】
前記気密室７の内部には、複数の前記ウェーハ１を水平多段に積載する前記ボート６と、前記ウェーハ１のノッチ（又はオリエンテーションフラット）の位置を任意の位置に合わせる基板位置合わせ装置１１が設けられ、又前記カセット載置ステージ１６，１７上の前記カセット２と前記基板位置合わせ装置１１と前記ボート６との間で前記ウェーハ１の搬送を行うウェーハ移載機（基板移載手段）１２が１組設けられている。又、前記気密室７の上部には前記ウェーハ１を処理する為の処理炉１３が設けられており、該処理炉１３の下端開口部である炉口は炉口ゲートバルブ１５によって開閉され、該炉口ゲートバルブ１５の開状態で、前記ボート６はボートエレベータ（昇降手段）１４によって前記処理炉１３へローディング、又は該処理炉１３からアンローディングされ、前記ボート６へのウェーハ１移載時には前記炉口ゲートバルブ１５が閉じられる様になっている。
【００２８】
次に、前記処理炉１３の一例について図３により説明する。
【００２９】
前記気密室７の上面に炉口フランジ４４が設けられ、該炉口フランジ４４の上端に有天筒状の外管４５が立設され、該外管４５と同心に上端が開放された内管４６が配設され、該内管４６は下端を前記炉口フランジ４４に支持されている。前記内管４６内は前記ボート６を収納する処理室４０が画成される。
【００３０】
炉口蓋５３に処理ガス導入ノズル４７が連通され、該処理ガス導入ノズル４７はガス供給ライン５０を介して処理ガス供給源（図示せず）、或は窒素ガス等不活性ガス供給源（図示せず）に接続されている。又、前記炉口フランジ４４の前記内管４６の下端より上方に排気管４８が連通され、該排気管４８は排気装置（図示せず）に接続されている。
【００３１】
前記外管４５と同心に筒状のヒータユニット４９が配設され、該ヒータユニット４９はヒータベース５１に立設されている。
【００３２】
前記ボートエレベータ１４が支持する昇降台５２には前記炉口蓋５３が設けられ、該炉口蓋５３は前記炉口フランジ４４の下端開口部（炉口部）を気密に閉塞する。前記炉口蓋５３の下面にはボート回転装置５４が設けられ、該ボート回転装置５４の回転軸５５が前記炉口蓋５３を気密に貫通している。前記回転軸５５の上端にボート受台５６が設けられ、該ボート受台５６に前記ボート６が載置される。
【００３３】
前記処理炉１３で処理される前記ウェーハ１の処理状態は主制御部５７によって制御される。該主制御部５７は、炉内の温度を制御する温度制御部５８、処理ガスの流量を制御するガス流量制御部５９、前記外管４５内の圧力を制御する圧力制御部６１、前記ボート回転装置５４を制御する駆動制御部６２を備えている。
【００３４】
前記内管４６と前記外管４５との間には温度検出器６３が設けられ、該温度検出器６３は前記外管４５内の温度を検出し、前記温度制御部５８には温度検出信号が入力される。前記ガス供給ライン５０にガス流量制御器６４が設けられ、前記ガス流量制御部５９により所要のガス流量に制御される。前記排気管４８には圧力検出器６５が設けられ、前記排気管４８は排気ライン６６を介して図示しない排気装置に接続され、該排気ライン６６には圧力制御弁６７が設けられている。前記圧力検出器６５により排気圧力が検出され、排気圧力の圧力検出信号は前記圧力制御部６１に入力され、該圧力制御部６１は前記圧力制御弁６７を制御して前記外管４５内の圧力の制御を行う。
【００３５】
図４は、本基板処理装置に於ける制御系の内、駆動制御系を示している。
【００３６】
上位コンピュータ２１からの指令は入出力制御部２２を介して前記主制御部５７に送信され、作業者からの指令は操作部２３から前記入出力制御部２２を介して前記主制御部５７に送信される様になっている。
【００３７】
前記主制御部５７は、前記温度制御部５８、前記ガス流量制御部５９、前記圧力制御部６１、前記駆動制御部６２の他に、データ送信部２４、演算部（ＣＰＵ）２５、記憶部２６、データ入出力部２９を具備し、前記記憶部２６はＲＡＭ２７、ＲＯＭ２８等から構成されている。
【００３８】
該ＲＯＭ２８には前記カセット搬送機９、前記ウェーハ移載機１２、前記ボートエレベータ１４等の駆動部を動作させる為のシーケンスプログラムが格納され、前記ＲＡＭ２７には前記駆動部を動作させる為の指令、作動条件等に関するデータが一時的に格納される。
【００３９】
前記駆動制御部６２はシーケンスプログラムに従って、前記カセット搬送機９、前記ウェーハ移載機１２、前記ボートエレベータ１４等の駆動部を駆動制御し、前記カセット搬送機９、前記ウェーハ移載機１２、前記ボートエレベータ１４の動作状態を検知するセンサ、圧力センサ、温度センサ、流量検出器等、各種センサ３１からの検出信号は、前記データ入出力部２９を介して前記演算部２５に送出される。又、配管等に設けられている開閉弁を開閉するソレノイド３０等のアクチュエータの動作状態も前記データ入出力部２９を介して前記演算部２５に送出される様になっている。前記各種センサ３１からの検出信号、前記アクチュエータの動作状態は、前記駆動制御部６２による駆動部の制御に反映される。
【００４０】
以下、基板処理の作用について、図５、図６を参照して説明する。尚、図６（Ａ）は前記ウェーハ１を前記カセット２から前記ボート６に移載する場合、図６（Ｂ）は処理済ウェーハ１を前記ボート６から前記カセット２に払出す場合を示している。
【００４１】
前記カセット２が外部搬送装置（図示せず）により前記Ｉ／Ｏステージ４に搬入されると、前記カセット搬送機９が直接前記カセット載置ステージ１６，１７に搬送するか、或は一旦前記カセット棚５に前記カセット２を搬送し、処理状況に応じて前記カセット棚５から前記カセット載置ステージ１６，１７にカセット２ａ，２ｂを搬送する（図５（Ａ）、図５（Ｂ））。
【００４２】
前記シーケンスプログラムに従って、前記カセット載置ステージ１６，１７のいずれか、例えば該カセット載置ステージ１６がウェーハの移載対象とされ、該カセット載置ステージ１６に対応する前記カセットオープナ１８により前記カセット２ａの蓋が開放される（図５（Ｂ））。
【００４３】
蓋が開放されることで、前記カセット２ａの内部と前記気密室７とが連通する。
【００４４】
前記カセットオープナ１８により前記カセット２ａの蓋が開放される状態では、前記ボート６が前記ボートエレベータ１４により降下されており、前記炉口ゲートバルブ１５が閉塞され、前記搬送空間８と前記気密室７とは大気圧に同圧化されている。
【００４５】
前記ウェーハ移載機１２が駆動され、前記カセット２ａから未処理ウェーハ１が降下状態の前記ボート６に移載される。前記カセット載置ステージ１７の前記カセット２ｂは蓋が閉じられた状態が維持される（図５（Ｃ））。
【００４６】
前記ウェーハ移載機１２により前記ボート６に１バッチ処理分に相当する所定枚数の前記ウェーハ１が移載されるが、１バッチ分の枚数が前記カセット２の１個分の収納枚数より多い場合は、前記カセットオープナ１９により前記カセット載置ステージ１７の前記カセット２ｂの蓋が開けられ、該カセット２ｂの前記ウェーハ１が前記ボート６に移載される（図５（Ｄ））。
【００４７】
前記カセット２ｂの蓋が前記カセットオープナ１９により開かれるタイミングは、前記カセット２ａから最後にウェーハ１が移載される動作中に前記カセット２ｂの蓋が開け始められる。前記最後のウェーハ１が前記ボート６に移載され、前記ウェーハ移載機１２が次のウェーハ１を移載する動作に移行して、移載対象となるカセット２ｂのウェーハ１を取出す動作（Ｐｉｃｋ動作）を行う時迄に前記カセット２ｂの蓋の開動作が完了する。
【００４８】
従って、前記カセット２ｂは前記カセット２ａのウェーハ１が移載されている時は閉じられ、又前記カセット２ｂのウェーハ１が移載される時には開かれており、無駄時間なく、前記カセット２ｂのウェーハ１の移載が行われる。
【００４９】
前記カセット搬送機９に前記カセット載置ステージ１６から前記カセット２ａが搬出され、又前記カセット載置ステージ１６には新しいカセット２ｃに交換される（図５（Ｅ））。
【００５０】
該カセット２ｃの蓋は閉じられており、上記したと同様に前記ウェーハ１を取出す動作（Ｐｉｃｋ動作）が開始される直前で開かれる。前記ボート６に所定枚数の前記ウェーハ１が移載される迄上記作動が繰返される。
【００５１】
前記ボート６への前記ウェーハ１の移載が完了すると、前記カセットオープナ１８、カセットオープナ１９により前記カセット２の扉が閉じられ、前記気密室７が気密とされ、更に窒素ガス等の不活性ガスによりガスパージされ、前記炉口ゲートバルブ１５が開放される。
【００５２】
前記ヒータユニット４９により前記外管４５内の温度が所定温度となる様に加熱し、又前記ガス供給ライン５０から前記外管４５内を前記ガス流量制御器６４を制御して不活性ガスで充満しておく。
【００５３】
前記ボートエレベータ１４により、前記ボート６が前記内管４６内に装入され、前記炉口蓋５３により炉口部（図示せず）が気密に閉塞され、前記ウェーハ１の処理が行われる。
【００５４】
前記ヒータユニット４９により前記外管４５内部を加熱し、該外管４５内部が所定の処理温度に維持される様、前記温度制御部５８により前記ヒータユニット４９が制御される。前記排気管４８を介して図示しない排気装置により前記外管４５内部が真空状態迄排気され、前記外管４５内部の圧力は前記圧力検出器６５の検出結果に基づき前記圧力制御部６１によって前記圧力制御弁６７を介して制御される。前記駆動制御部６２により前記ボート回転装置５４が駆動され、前記ウェーハ１が均一処理される様前記ボート６が所定の速度で回転されると共に前記処理ガス導入ノズル４７を介して処理ガスが前記外管４５内に導入される。処理ガスの導入量は前記ガス流量制御器６４を介し、前記ガス流量制御部５９によって制御される。
【００５５】
尚、ウェーハの処理の一例として、ウェーハの成膜を行う場合は、ウェーハ温度は５３０℃、処理ガスはＳｉＨ4 及びＰＨ3 ／Ｈｅ、各ガス流量は８０（sccm）及び１０（sccm）、処理圧力は２００Ｐａである。
【００５６】
前記ウェーハ１の処理が完了すると、前記外管４５内が窒素ガス等の不活性ガスによりガスパージされ、前記気密室７内部と同圧化され、前記ウェーハ１に温度斑が生じない様に前記ボート６が回転された状態で、前記ボートエレベータ１４により前記ボート６が前記気密室７内部に降下される。
【００５７】
前記ボート６が完全に降下されると、前記炉口フランジ４４の炉口部が前記炉口ゲートバルブ１５により閉鎖される。尚、前記ボート回転装置５４による前記ボート６の回転は、処理完了で停止し、前記ボート６が前記気密室７内部に降下された後、再び回転させる様にしてもよい。
【００５８】
前記気密室７内には前記クリーンユニットから送出され、図示しない排気口から排出される清浄な不活性ガスの定常流れが形成されている。
【００５９】
前記ボート６が降下され所定温度となる迄冷却される。前記ウェーハ１が所定温度迄冷却されると、前記ウェーハ移載機１２により前記ウェーハ１が前記ボート６より払出され、空の前記カセット２に移載される。尚、処理後の前記ウェーハ１の移載作動については、上述した処理前の移載作動の逆の手順によって行われる。
【００６０】
ウェーハ払出し作動に於いても、前記カセット２の蓋が開けられるタイミングは、前記カセット２ａへ最後のウェーハ１の移載が行われている時であり（図６（Ｂ））、ウェーハ払出しに於いても蓋開閉に伴う待ち時間は発生しない。
【００６１】
尚、図６（Ａ）、図６（Ｂ）に於いて、待機状態の前記カセット２ｂの蓋の開動作の開始タイミングは、前記カセット２ａについての最後のウェーハ１の移載が完了し、前記ウェーハ移載機１２が前記カセット２ｂのウェーハ１を取出す動作（Ｐｉｃｋ動作）を行う迄に前記カセット２ｂの蓋の開動作が完了するものであればよい。
【００６２】
尚、上記実施の形態は縦型基板処理装置について説明したが、横型基板処理装置についても実施可能であるし、前記ウェーハ１が冷却される前記気密室７の圧力は、減圧、常圧、陽圧のいずれの圧力状態であってもよいことは言う迄もない。更に、ＬＣＤ（液晶表示装置）、或はバッチ式に限らず枚葉式基板処理装置にも実施可能であることは言う迄もない。
【００６３】
上記した様に、本発明では移載の対象となっていない待機状態の前記カセット２は蓋が閉じられているので、前記気密室７の雰囲気異常があった場合でも待機状態の前記ウェーハ１には影響がなく、待機状態の前記ウェーハ１が無駄になることがない。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の実施の形態に係る基板処理装置の概略斜視図である。
【図２】同前基板処理装置の側面概略図である。
【図３】本発明の実施の形態に使用される処理炉の一例を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態に於ける制御ブロック図である。
【図５】本発明の実施の形態に於ける基板移載動作を示す説明図である。
【図６】本発明の実施の形態に於ける基板移載動作に於けるタイミングチャートである。
【図７】従来の基板処理装置に於ける基板移載動作を示す説明図である。
【図８】従来の基板処理装置に於ける基板移載動作に於けるタイミングチャートである。
【符号の説明】
【００６５】
１              ウェーハ
２              カセット
５              カセット棚
６              ボート
７              気密室
８              搬送空間
９              カセット搬送機
１２            ウェーハ移載機
１３            処理炉
１４            ボートエレベータ
１６            カセット載置ステージ
１７            カセット載置ステージ
１８            カセットオープナ
１９            カセットオープナ
【図１】
2006269810.tif 000003
【図２】
2006269810.tif 000004
【図３】
2006269810.tif 000005
【図４】
2006269810.tif 000006
【図５】
2006269810.tif 000007
【図６】
2006269810.tif 000008
【図７】
2006269810.tif 000009
【図８】
2006269810.tif 000010