(57)【要約】【課題】  小型化された圧電デバイスであっても、精度のよい周波数を有する圧電デバイスの製造方法を提供すること。【解決手段】  内部空間内に圧電振動片を接合したパッケージに、レーザ光を透過できる蓋体を接合する蓋封止工程（ＳＴ３）と、内部空間内のガスをパッケージに設けられた開口部から抜き出した後に、開口部を加熱溶融した封止材により塞ぐようにした孔封止工程（ＳＴ５）と、孔封止工程（ＳＴ５）で密封した後に、レーザ光を圧電振動片に設けた錘に照射して、周波数を調整する密封下調整工程と（ＳＴ６）を備えた圧電デバイスの製造方法であって、孔封止工程（ＳＴ５）の前に、レーザ光を圧電振動片に設けた錘に照射して、完成品として要求される周波数に略合わせるように調整する封止前調整工程（ＳＴ４）を行い、孔封止工程（ＳＴ５）では、封止材だけではなく圧電振動片も加熱する。【選択図】    図４
2006311089.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部空間内に圧電振動片を接合したパッケージに、レーザ光を透過できる蓋体を接合する蓋封止工程と、
前記内部空間内のガスを前記パッケージに設けられた開口部から抜き出した後に、前記開口部を加熱溶融した封止材により塞ぐようにした孔封止工程と、
前記孔封止工程で密封した後に、レーザ光を前記圧電振動片に設けた錘に照射して、周波数を調整する密封下調整工程と
を備えた圧電デバイスの製造方法であって、
前記孔封止工程の前に、レーザ光を前記圧電振動片に設けた錘に照射して、完成品として要求される周波数に略合わせるように調整する封止前調整工程を行い、
前記孔封止工程では、前記封止材を加熱するだけではなく、前記圧電振動片も加熱する
ことを特徴とする圧電デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記孔封止工程では、前記封止前調整工程におけるレーザ光の照射により前記圧電振動片に残留した応力を解消するように、前記圧電振動片を加熱することを特徴とする請求項１に記載の圧電デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記パッケージには、基部から一体に延びるように複数の振動腕が形成された圧電振動片を接合するようにしており、
前記封止前調整工程では、前記振動腕に設けた錘の先端側に、レーザ光を照射して周波数を粗めに調整する粗調工程と、この粗調工程よりも前記基部側に設けた前記錘に、レーザ光を照射して周波数を微調整する微調工程とを有する
ことを特徴とする請求項１または２に記載の圧電デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記密封下調整工程は、前記微調工程よりも、さらに基部側に設けた錘にレーザ光を照射することを特徴とする請求項３に記載の圧電デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記パッケージに前記圧電振動片を接合する前に、前記圧電振動片に設けた錘に、レーザ光を照射して周波数調整をしておくことを特徴とする請求項１ないし４に記載の圧電デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ光により周波数を調整する圧電デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１０は従来の圧電デバイス１の平面図である。
この圧電デバイス１は、パッケージ５の内部空間Ｓ内に、導電性接着剤９，９を用いて圧電振動片４を接合するようになっている。
圧電振動片４は、図１０では、基部２から平行に延びる２本の振動腕３，３を有する所謂音叉型圧電振動片が例示されており、この振動腕３，３の先端に金属材料からなる錘（煩雑になるので図示せず）が設けられている。錘は、レーザ光を照射されて、質量削減方式により周波数調整するための部材であり、後述の製造方法で説明するように、振動腕３の先端側から順に３回ほどレーザ光が照射され、照射後の跡Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３が付いている。
パッケージ５は、レーザ光が透過できるガラス製等の蓋体６で封止されるようになっているが、この蓋封止の際に発生したガスを、外部に抜き出すために開口部７が設けられている。この開口部７は、ガス抜きした後に金属製の封止材８で塞がれている。
【０００３】
このような圧電デバイス１は次のように製造されている。
図１１は図１０の圧電デバイス１を製造する際の工程図である。なお、以下に説明する圧電デバイスの符号は図１０で示した符号である。
この工程では、まずウエハー状態において、外形を形成した圧電振動片の振動腕３，３に錘を付け、この錘にレーザ光を照射することで質量を削減して、粗めであるが事前に周波数を調整している（ステップ１）。なお、図１０の照射跡Ｌ１が、このステップ１におけるレーザ光の照射跡である。
【０００４】
次に、予め用意されたパッケージ５に、圧電振動片４を導電性接着剤９，９でマウントし（ステップ２）、圧電振動片４が収容された内部空間Ｓを密閉するように蓋体６で封止する（ステップ３）。
次に、このマウント及び蓋封止の際に発生した内部空間Ｓ内のガスを、パッケージ５に設けた開口部７から真空状態で抜き出すと共に、この開口部７を封止材８で封止する（ステップ４）。
【０００５】
そして、内部空間Ｓを真空状態にした後で、レーザ光をガラス製の蓋体６を透過させて錘に照射して、最終的に周波数を調整し（ステップ５，６）、圧電デバイスを完成させている（例えば、特許文献１参照）。
具体的には、振動腕３の先端にいくほど質量削減効果が高いため、先端側にレーザ光を照射して、粗めに周波数を調整し（ステップ５）、その後、ステップ５よりも振動腕３の根元側にレーザ光を照射して周波数を微調整している（ステップ６）。なお、図１０の照射跡Ｌ２がステップ５におけるレーザ光の照射跡であり、照射跡Ｌ３がステップ６におけるレーザ光の照射跡である。
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−１３３８７９公開特許公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところが、このようにパッケージ５内をステップ４で真空引きした跡に、最終的に、ステップ５，６で周波数を調整し、完成品として要求されている周波数に合わせこむようにしても、この圧電デバイス１を基板に実装する際の熱負荷により、周波数が多少なりとも変化してしまう可能性がある。
これは、ステップ５，６において周波数調整するためにレーザ光を照射した際、圧電振動片４に１０００度以上の熱が加わるためであると考えられる。すなわち、レーザ光が照射された部分Ｌ２，Ｌ３には錘金属が昇華するほどの熱が加わるため、このＬ２，Ｌ３の部分に熱による応力が残留し、この残留応力が圧電デバイス１の基板実装の際におけるリフロー炉の加熱で緩和あるいは解消されて、周波数がシフトしてしまうと考えられる。
特に、圧電振動片が小型化されると、基板実装の際の圧電振動片の応力状態の変化は大きく、周波数に大きな影響を及ぼす。
【０００８】
本発明は、小型化された圧電デバイスであっても、精度のよい周波数を有する圧電デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述の目的は、第１の発明によれば、内部空間内に圧電振動片を接合したパッケージに、レーザ光を透過できる蓋体を接合する蓋封止工程と、前記内部空間内のガスを前記パッケージに設けられた開口部から抜き出した後に、前記開口部を加熱溶融した封止材により塞ぐようにした孔封止工程と、前記孔封止工程で密封した後に、レーザ光を前記圧電振動片に設けた錘に照射して、周波数を調整する密封下調整工程とを備えた圧電デバイスの製造方法であって、前記孔封止工程の前に、レーザ光を前記圧電振動片に設けた錘に照射して、完成品として要求される周波数に略合わせるように調整する封止前調整工程を行い、前記孔封止工程では、前記封止材を加熱するだけではなく、前記圧電振動片も加熱する圧電デバイスの製造方法により達成される。
【００１０】
第１の発明の構成によれば、孔封止工程で密封した後に、レーザ光を圧電振動片に設けた錘に照射して、周波数を調整する密封下調整工程を行う。ところが、孔封止工程の前に、レーザ光を圧電振動片に設けた錘に照射して、既に、完成品として要求される周波数に略合わせるように調整する封止前調整工程を行っている。このため、密封下調整工程では、この密封下調整工程と封止前調整工程との間の孔封止工程を行うことにより変化した周波数分だけを調整すればよい。
【００１１】
ここで、この封止前調整工程では、レーザ光を圧電振動片に設けた錘に照射するため、圧電振動片に熱応力が加わって、少なくとも孔封止工程前には、この熱による応力が残留した状態となっている。しかし、この封止前調整工程の後に行う孔封止工程では、封止材を加熱するだけではなく、圧電振動片も加熱する。このため、開口部からガス抜きしてパッケージ内の真空度を高めるだけでなく、封止前調整工程で生じた圧電振動片の残留応力を緩和あるいは消滅させることができる。したがって、圧電デバイスの基板実装の際、封止前調整工程における残留応力が周波数を変化させるようなことを防止できる。
【００１２】
以上のように、密封下調整工程では孔封止工程を行うことにより変化した周波数分だけを調整すればよく、さらに、封止前調整工程における残留応力は緩和あるいは消滅しているので、完成後の圧電振動片に残留している応力を有効に抑えることができる。したがって、圧電デバイスを基板実装する際にリフロー炉等で加熱したとしても、振動子の特性変化を抑制できる。
かくして、小型化された圧電デバイスであっても、精度のよい周波数を有する圧電デバイスの製造方法を提供することができる。
【００１３】
第２の発明は、第１の発明の構成において、前記孔封止工程では、前記封止前調整工程におけるレーザ光の照射により前記圧電振動片に残留した応力を解消するように、前記圧電振動片を加熱することを特徴とする。
第２の発明の構成によれば、孔封止工程では、封止前調整工程におけるレーザ光の照射で与えた圧電振動片に残留した応力を解消するように、圧電振動片を加熱するので、封止前調整工程で生じた圧電振動片への残留応力は孔封止工程を経ることで消滅する。したがって、第１の発明に比べて、基板実装の際、振動子の特性変化をより確実に抑制できる。
【００１４】
第３の発明は、第１または第２の発明の構成において、前記パッケージには、基部から一体に延びるように複数の振動腕が形成された圧電振動片を接合するようにしており、前記封止前調整工程では、前記振動腕に設けた錘の先端側に、レーザ光を照射して周波数を粗めに調整する粗調工程と、この粗調工程よりも前記基部側に設けた前記錘に、レーザ光を照射して周波数を微調整する微調工程とを有することを特徴とする。
第３の発明の構成によれば、粗調工程は、微調工程よりも先端側の錘にレーザ光を照射しているので、質量削減効果が大きく、より少ないレーザ光の照射で周波数を調整できる。また、微調工程では、粗調工程よりも基部側に設けた錘にレーザ光を照射しているので、質量削減効果が粗調工程よりも小さく、微妙な周波数を合わせこむことができる。このため、この粗調工程と微調工程とを組み合わせて封止前調整工程を行うことで、より少ないレーザ光の照射で周波数を合わせると共に、精度の高い周波数の加工を可能とする。
【００１５】
第４の発明は、第３の発明の構成において、前記密封下調整工程は、前記微調工程よりも、さらに基部側に設けた錘にレーザ光を照射することを特徴とする。
第４の発明の構成によれば、密封下調整工程は、前記微調工程よりも、さらに基部側に設けた錘にレーザ光を照射するので、微調工程よりも、さらに微小な調整を可能として、精度の高い周波数を得ることができる。
【００１６】
第５の発明は、第１ないし第４の発明のいずれかの構成において、前記パッケージに前記圧電振動片を接合する前に、前記圧電振動片に設けた錘に、レーザ光を照射して周波数調整をしておくことを特徴とする。
第５の発明の構成によれば、パッケージに圧電振動片を接合する前に、圧電振動片に設けた錘に、レーザ光を照射して周波数調整をしておく。したがって、圧電振動片が未だパッケージに接合されていない状態での周波数調整のため、錘が飛沫して生ずる悪影響、例えばパッケージの電極に錘が付着して電気的なショート起こすことなどを防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
図１ないし図３は、本発明の製造方法に係る圧電デバイス３０であって、図１は圧電デバイス３０の概略平面図、図２は図１のＡ−Ａ線概略切断断面図、図３は圧電デバイス３０に用いられる圧電振動片の概略斜視図である。
尚、圧電デバイスとは、圧電振動子や圧電発振器等の名称にかかわらず、パッケージ内に圧電振動片を収容した全ての製品を意味する。
また、図３の平行斜線で示した部分は、理解の便宜のために示したものであり、断面等を表すものではない。
【００１８】
これらの図の圧電デバイス３０では、完成品として要求される周波数が３２ＫＨｚの場合における圧電振動子を構成した例を示しており、パッケージ３７内に圧電振動片２０を収容している。
この圧電デバイス用のパッケージ３７は、本実施形態では、例えば、絶縁材料として、酸化アルミニウム質のセラミックグリーンシートを成型して形成される第１ないし第３の基板３７ａ，３７ｂ，３７ｃを積層した後、焼結して形成されている。
【００１９】
第１の基板３７ａは、その内側に所定の孔を形成することで、第２の基板３７ｂに積層した場合に、パッケージ３７の内側に所定の内部空間Ｓを形成するようにされている。この内部空間Ｓが、圧電振動片２０を収容するためのキャビティとなる。
また、第１の基板３７ａの図２において上部に開口した側の開口端面には、低融点ガラス等のロウ材３８が適用されて蓋体３９が接合されており、これにより、内部空間Ｓは蓋封止されている。なお、蓋体３９は、蓋封止した後であっても、圧電振動片２０に設けられた錘にレーザ光をあてて、質量削減方式で周波数調整できるように、光を透過する材料、例えばガラスから形成されている。
【００２０】
第２の基板３７ｂの内部空間Ｓに露出する面には、例えば、タングステンメタライズ上にニッケルメッキ及び金メッキで形成したマウント電極３１，３２が設けられている。
このマウント電極３１，３２は、パッケージ内を引き回されて、実装端子部４１，４２に接続され、これにより互いに異極となって、圧電振動片２０に駆動電圧を供給する電極となる。
そして、マウント電極３１，３２の上面に、接着剤４３，４３として、例えばシリコーン系またはエポキシ系あるいはポリイミド系等の導電性接着剤が塗布され、この接着剤４３，４３の上に圧電振動片２０が載置されて、接着剤４３，４３が硬化することで、マウント電極３１，３２と圧電振動片２０とが電気的機械的に接続されている。
【００２１】
また、パッケージ３７の底面のほぼ中央付近には、第２の基板３７ｂ及び第３の基板３７ｃに連続する貫通孔４５ａ，４５ｂを形成することにより、開口部４５が設けられている。この開口部４５は、圧電振動片２０に有害なガスが付着しないようにするための孔である。すなわち、例えばパッケージ３７内を加熱（アニール処理）して導電性接着剤４３やロウ材３８などから発生したガスを真空排気するための孔である。そして、この開口部４５は、パッケージ内部に開口する貫通孔４５ａに対して、外側に開口する貫通孔４５ｂは、より大きな内径を備えるようにされ、これにより、開口部４５はパッケージ３７を逆さまにした際に、上向き段部４８が形成されるようになっている。
【００２２】
そして、開口部４５の内面には、ニッケルメッキおよび金メッキが下地として被覆されており、有害なガスを排気した後に、図２に示されるように、加熱溶融される金属製の封止材４６により、封止されるようになっている。本実施形態では、封止材４６は、加熱溶融された例えば金（Ａｕ）と錫（Ｓｎ）による合金等の金属製の封止材４６が用いられている。
【００２３】
圧電振動片２０は、例えば水晶等で形成されており、水晶以外にもタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム等の圧電材料を利用することができる。
本実施形態の場合、圧電振動片２０は、小型に形成して必要な性能を得るために、基部５１から図１において右方に向けて、二股に別れて平行に延びる一対の振動腕３５，３６を備えている。
【００２４】
基部５１は、一対の振動腕３５，３６を支持するための部分である。また、本実施形態の基部５１は、圧電振動片２０をマウント電極３１，３２に接合するための部分でもあり、図１および図３に示しように、幅方向両端の表裏面に引出電極３３ａ，３４ａが形成され、この引出電極３３ａ，３４ａとマウント電極３１，３２とが電気的機械的に接続されている。
【００２５】
振動腕３５，３６は、図３に示すように、表裏面のそれぞれに長手方向に沿って延びる長溝５２，５３が形成されており、幅方向の縦断面がＨ型となっている。そして、長溝５２，５３内に励振電極３３，３４が形成され、長溝５２内の励振電極３３と対向するようにして、振動腕３５の側面に励振電極３４が形成されており、長溝５３内の励振電極３４と対向するようにして、振動腕３６の側面に励振電極３３が形成されている。
【００２６】
すなわち、振動腕３５の長溝５２内の励振電極３３は、振動腕３６の内側側面から先端領域を通って外側側面まで形成され、基部５１の引出電極３４ａと電気的に接続されている。また、振動腕３６の長溝５３内の励振電極３４は、基部５１の引出電極３３ａを介しながら、振動腕３５の外側側面から先端領域を通って内側側面まで形成されている。このようにして、長溝５２，５３内の励振電極とこれに対向する側面の励振電極とを異極となるよう配置して、各腕内の電界効率を高めて、振動腕３５，３６の小型化を可能としている。
なお、これら励振電極３３，３４には、例えばクロムメッキによる下地層の上に金メッキを被覆した構成が適している。
【００２７】
ここで、図３に示すように、長溝５２，５３内の励振電極３３，３４を引き伸ばすようにして形成された振動腕３５，３６の先端領域の励振電極３３ｂ，３４ｂは、振動腕３５，３６の蓋体３９に対向する面（図３では表裏面）にも形成されており、具体的には、各腕の先端から長溝５２，５３に近接するほどに長手方向に長く形成されている。この振動腕３５，３６の先端領域の表裏面に形成された励振電極３３ｂ，３４ｂは、圧電振動片２０の各腕内に電解を生じさせるために設けられているだけでなく、周波数調整のための錘の役割を有している。すなわち、後述するように、レーザ光を照射されて、質量を削減することで周波数調整されるための錘である。
さらに、本実施形態では、この錘である励振電極３３ｂ，３４ｂの上に、別の錘５６，５６が設けられている。この錘５６，５６は質量削減効果を向上させるために設けられたものであり、励振電極３３ｂ，３４ｂと同じ材料、或いは励振電極３３ｂ，３４ｂと接合性のよい材料が用いられている。
【００２８】
次に、この圧電デバイス３０の製造方法を説明する。
図４ないし図９は、圧電デバイス３０の製造方法を説明するための図であり、図４は圧電デバイス３０の工程図、図５ないし図７は図４の工程に対応した製造過程の概念図、図８は振動腕にレーザ光を照射した跡、図９は図４の工程に対応した製造過程における周波数分布図である。
なお、振動腕３５およびこの振動腕３５に設けられた錘、並びにこれら錘等に対する加工方法等については、振動腕３６についても同様であるので、以下、説明を省略することにする。
【００２９】
これらの図における圧電デバイスの製造方法では、既に説明した音叉型圧電振動片の外形を、例えばウエットエッチングによりウエハー上に複数形成して、これら複数の圧電振動片に、既に説明した引出電極および励振電極（振動腕の先端領域は錘となる）をスパッタリング等で蒸着し、さらに、複数の圧電振動片の振動腕の各々の先端領域に、錘をスパッタリング等で蒸着しておく。
【００３０】
そして、図５（ａ）に示すように、複数の圧電振動片の振動腕３５，３６の各々の先端領域に設けた錘（図示せず）に、レーザ光ＬＢ１を照射して、圧電振動片をパッケージに接合する前に、粗めに周波数を調整しておく（図４のＳＴ１：ウエハー上での周波数調整）。具体的には、図８に示すように、振動腕３５の錘としての役割を有する励振電極３４ｂ、及びその上に設けた錘５６の最も先端部側に、例えばＹＡＧレーザを用いて複数回にわたってレーザ光ＬＢ１を照射して、図９（ａ）に示すように、完成品として要求される周波数が３２ＫＨｚの場合における圧電振動片のバラツキが５００ｐｐｍ程度になるように調整する。このように、調整としては粗めではあるが、圧電振動片をパッケージに接合する前に、予めレーザ光を照射することで、蒸散した錘がパッケージに付着してしまうことによる悪影響等を防止することができる。
【００３１】
次いで、複数の圧電振動片をウエハーから各個に切り取って、その各々を、図１および図２に示すマウント電極３１，３２や開口部４５等を予め形成しておいたパッケージ３７に接合する（図４のＳＴ２：マウント工程）。
そして、図２に示すように、パッケージ３７の開口端面に低融点ガラス等のロウ材３８を適用して、レーザ光が透過可能なガラス製等の蓋体３９を接合する（図４のＳＴ３：蓋封止工程）。なお、この蓋封止工程を終えた後の周波数は、図９（ｂ）に示すように、圧電振動片のバラツキが１５００ｐｐｍ程度にまで悪化している。このように、ＳＴ１で周波数調整したにも拘わらず、図９（ａ）よりも周波数がバラついているのは、マウント工程（ＳＴ２）や蓋封止工程（ＳＴ３）において環境が変化したからである。
【００３２】
次いで、図６（ｂ）に示すように、レーザ光ＬＢ２，ＬＢ３をガラス製の蓋体３９を透過させて、振動腕３５に設けた錘（図示せず）に照射して、完成品として要求される周波数に略合わせるように調整する（図４のＳＴ４：封止前調整工程）。
本実施形態では、この封止前調整工程は、図６（ｂ）に示すように、振動腕３５に設けた錘（図示せず）の先端側に、レーザ光ＬＢ２を照射して周波数を粗めに調整する粗調工程（図４のＳＴ４−１）を行い、その後、この粗調工程よりも基部５１側に設けた錘（図示せず）に、レーザ光ＬＢ３を照射して周波数を調整する微調工程（図４のＳＴ４−２）を行っている。
【００３３】
具体的には、粗調工程（図４のＳＴ４−１）では、図８に示すように、振動腕３５の錘としての役割を有する励振電極３４ｂ、及びその上に設けた錘５６であって、質量削減効果がウエハー上の周波数調整（図４のＳＴ１）よりも小さい基部側（根元側）に、例えばＹＡＧレーザを用いて複数回にわたってレーザ光ＬＢ２を照射する。そして、図９（ｃ）に示すように、多少粗めではあるが、周波数のバラツキが２００〜３００ｐｐｍ程度になるように調整する。
【００３４】
また、微調工程（図４のＳＴ４−２）では、図８に示すように、質量削減効果が粗調工程（図４のＳＴ４−１）よりも小さい基部側（根元側）に、例えばＹＡＧレーザを用いて複数回にわたってレーザ光ＬＢ３を照射する。本実施形態では、レーザ光ＬＢ３は、振動腕３５の錘としての役割を有する励振電極３４ｂだけに照射するようにしている。
そして、この微調工程（図４のＳＴ４−２）を経て、図９（ｄ）に示すように、圧電振動片の周波数のバラツキが１０ｐｐｍ程度になるように調整する。この１０ｐｐｍ程度のバラツキは微小であり、他の理由がない限り、ほとんどの製品が検査工程で合格を得ることができる程度となっている。
【００３５】
この際、封止前調整工程（図４のＳＴ４）では、レーザ光ＬＢ２，ＬＢ３を複数回にわたって照射しているが、このレーザ光ＬＢ２，ＬＢ３は焦点付近の温度を１０００℃以上にするため、図６（ｃ）に示すように、この加熱によって振動腕３５に熱応力が加わり、残留応力６０が振動腕３５に存在している状態となっている。
【００３６】
次いで、パッケージに設けられた開口部４５（図２参照）からガスを抜き出す。すなわち、マウント工程（ＳＴ２）や蓋封止工程（ＳＴ３）等で接着剤等から発生したガスを、開口部から真空引きする。そして、内部空間Ｓ内を真空雰囲気にした状態で、図６（ｄ）に示すように、逆さまにした圧電デバイスの開口部４５の上向き段部４８に、封止材４６を載置して加熱し、開口部４５の内面にのみ設けた金属被覆部（図示せず）に封止材４６を濡れ広がらせて、パッケージを密封する（図４のＳＴ５：孔封止工程）。
【００３７】
ここで、この孔封止工程（ＳＴ５）では、封止材４６を加熱するだけでなく、圧電振動片２０も加熱するようにしている。
本実施形態では、開口部４５からガスを真空引きする前に、導電性接着剤４３やロウ材３８内に残ったガスを完全に抜き出せるように、圧電デバイス全体を加熱しており、その際に、圧電振動片２０を加熱している。
具体的には、封止前調整工程（図４のＳＴ４）で生じた振動腕３５の残留応力６０を緩和ではなく略消滅できるように圧電振動片２０を加熱しており、完成前の圧電デバイス全体を摂氏２０５℃〜３００℃程度の温度を有する炉内に、３０分〜１時間程度入れて、比較的低い温度で比較的長い時間をかけて加熱している。
そして、このように圧電振動片２０を加熱して開口部４５からガスを抜き出した後、載置した封止材４６に例えばレーザ光を照射したり、或いは加熱手段と接続されたピン等を接触させたりして加熱溶融して、パッケージ３７を密封する。
【００３８】
なお、本実施形態では、圧電振動片２０と封止材４６とを別々に加熱するようにしているが、封止材４６を溶融する目的と圧電振動片２０を加熱する目的の２つを同時に満たすように、封止材４６と圧電振動片２０を同時に加熱するようにしてもよい。
また、孔封止工程（ＳＴ５）とは別に、圧電振動片２０を加熱するように迂回した製造工程をとってもよい。
また、本実施形態では、圧電振動片２０全体を加熱しているが、レーザ光が照射された部分を加熱すれば、圧電振動片２０全体を加熱する必要は勿論ない。
【００３９】
そして、このように孔封止工程（ＳＴ５）を経ると、圧電振動片の周波数は、図９（ｅ）に示すように、図９（ｄ）に比べて僅かではあるが、３０〜５０ｐｐｍ程度と再び周波数がバラつくようになっている。このバラつきは、圧電振動片を加熱することで、封止前調整工程（図４のＳＴ４）で生じた残留応力が消滅したためであると思われる。
そこで、この孔封止工程（ＳＴ５）で生じた僅かな周波数の変動を、図７に示すように、圧電振動片２０の振動腕３５に設けた錘、ここでは励振電極３４ｂにレーザ光ＬＢ４を照射して、完成品として要求される周波数に合わせるように調整し（図４のＳＴ６：密封下調整工程）、図９（ｆ）に示すように、圧電デバイスの周波数のバラツキが１０ｐｐｍ程度になるように調整する。
【００４０】
具体的には、この密封下調整工程での周波数の調整は、従来と比べて極僅かな調整となるため、図８に示すように、封止前調整工程の微調工程（図４のＳＴ４−２）においてレーザ光ＬＢ３で照射した錘よりも、さらに、基部側（根元側）に設けられた錘（励振電極３４ｂ）にレーザ光ＬＢ４を照射する。
次いで、圧電デバイスの周波数及びその他の検査をして、完成させる。
【００４１】
本発明の第１の実施形態は以上のように構成されており、図８に示すようにレーザ光ＬＢ４を錘３４ｂに照射して周波数調整する密封下調整工程を行うが（図４のＳＴ６）、孔封止工程の前に、既に、完成品として要求される周波数３２ＫＨｚに略合わせるように調整する封止前調整工程を行っている（図４のＳＴ４）。このため、密封下調整工程（図４のＳＴ６）では、この密封下調整工程と封止前調整工程との間の孔封止工程（図４のＳＴ５）を行うことにより変化した周波数分だけを調整すればよい。
そして、封止前調整工程（図４のＳＴ４）では、レーザ光ＬＢ２，ＬＢ３を錘３４ｂ，５６に照射するため、熱応力が残留した状態となっているが、その後の孔封止工程（図４のＳＴ５）で振動腕を加熱して、本実施形態ではこの残留応力を消滅させている。
以上より、密封下調整工程（図４のＳＴ６）では孔封止工程（図４のＳＴ５）を行うことにより変化した周波数分だけを僅かに調整すればよく、さらに、封止前調整工程（図４のＳＴ４）における残留応力は消滅しているので、完成後の圧電振動片２０に残された熱応力は僅かに残っているだけである。したがって、この完成後の圧電デバイス３０を基板実装する際にリフロー炉等で加熱したとしても、振動子の特性変化を抑制できる。
【００４２】
本発明は上述の実施形態に限定されない。実施形態や各変形例の各構成はこれらを適宜組み合わせたり、省略し、図示しない他の構成と組み合わせることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の製造方法に係る圧電デバイスの概略平面図。
【図２】図１のＡ−Ａ線概略切断断面図。
【図３】図１の圧電デバイスに用いられる圧電振動片の概略斜視図。
【図４】本発明の圧電デバイスの製造方法を説明するための図であり、圧電デバイス３０の工程図。
【図５】図４の工程に対応した製造過程の概念図。
【図６】図４の工程に対応した製造過程の概念図。
【図７】図４の工程に対応した製造過程の概念図。
【図８】振動腕にレーザ光を照射した跡。
【図９】図４の工程に対応した製造過程における周波数分布図。
【図１０】従来の圧電デバイスの平面図。
【図１１】図１０の圧電デバイスを製造する際の工程図。
【符号の説明】
【００４４】
２０・・・圧電振動片、３０・・・圧電デバイス、３５，３６・・・振動腕、３７・・・パッケージ、３９・・・蓋体、４５・・・開口部、４６・・・封止材、Ｓ・・・内部空間、ＬＢ１，ＬＢ２，ＬＢ３，ＬＢ４・・・レーザ光、ＳＴ３・・・蓋封止工程、ＳＴ４・・・封止前調整工程、ＳＴ５・・・孔封止工程、ＳＴ６・・・密封下調整工程
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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