(57)【要約】【課題】  フォトリソグラフィーを用いない簡便なプロセスで微細な構造体を安価に形成すること、特に、構造体を形成する媒体を光吸収層と熱反応層の積層構成として、光を吸収し発熱する光吸収層と、熱により反応し構造体とする熱反応層を分離することにより、微細な構造体を均一に形成すること。【解決手段】  （１）光吸収層と熱反応層の積層構成を有する媒体を用い、少なくとも、該媒体に対して光を照射する工程、該媒体をエッチング加工する工程により微細な構造体を形成することを特徴とする構造体形成方法。（２）熱反応層が、積層構成の最上層に位置し且つ照射する光の波長において透光性を有する材料を含有し、光を照射する工程において、最上層の熱反応層側から光を照射することを特徴とする（１）記載の構造体形成方法。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光吸収層と熱反応層の積層構成を有する媒体を用い、少なくとも、該媒体に対して光を照射する工程、該媒体をエッチング加工する工程により微細な構造体を形成することを特徴とする構造体形成方法。
【請求項２】
熱反応層が、積層構成の最上層に位置し且つ照射する光の波長において透光性を有する材料を含有し、光を照射する工程において、最上層の熱反応層側から光を照射することを特徴とする請求項１記載の構造体形成方法。
【請求項３】
熱反応層が材料Ａと材料Ｂの混合体を含有し、材料Ａはシリコン酸化物であり、材料Ｂは硫化物材料、セレン化物材料、フッ素化合物材料の群から選ばれる少なくとも一つの材料であることを特徴とする請求項１又は２記載の構造体形成方法。
【請求項４】
エッチング加工する工程において、湿式エッチング法を用いることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の構造体形成方法。
【請求項５】
光を照射する工程で用いる光がレーザ光であることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の構造体形成方法。
【請求項６】
レーザ光源として半導体レーザを用いることを特徴とする請求項５記載の構造体形成方法。
【請求項７】
媒体にレーザ光を照射するに際して、媒体を回転させることを特徴とする請求項５又は６記載の構造体形成方法。
【請求項８】
請求項６記載の構造体形成方法に用いるレーザ光照射装置であって、半導体レーザを有するレーザ光照射手段、レーザ光変調手段、媒体駆動手段を備えたことを特徴とする構造体形成用のレーザ光照射装置。
【請求項９】
請求項７記載の構造体形成方法に用いるレーザ光照射装置であって、レーザ光照射手段、レーザ光変調手段、媒体回転手段、信号検出手段を備えたことを特徴とする構造体形成用のレーザ光照射装置。
【請求項１０】
少なくとも光吸収材料を含有する光吸収層と熱反応材料を含有する熱反応層の積層構成を有することを特徴とする請求項１記載の構造体形成方法に用いる構造体形成用媒体。
【請求項１１】
光吸収材料の融点が７００℃以下であることを特徴とする請求項１０記載の構造体形成用媒体。
【請求項１２】
光吸収層が２層以上の多層からなり、熱反応層と接する層の光吸収材料の融点が７００℃以下であることを特徴とする請求項１０記載の構造体形成用媒体。
【請求項１３】
熱反応層が、積層構成の最上層に位置し且つ照射する光の波長において透光性を有することを特徴とする請求項１０〜１２の何れかに記載の構造体形成用媒体。
【請求項１４】
熱反応層が材料Ａと材料Ｂの混合体を含有し、材料Ａはシリコン酸化物であり、材料Ｂは硫化物材料、セレン化物材料、フッ素化合物材料の群から選ばれる少なくとも一つの材料であることを特徴とする請求項１０〜１３の何れかに記載の構造体形成用媒体。
【請求項１５】
請求項１〜７の何れかに記載の方法により形成されたことを特徴とする構造体。
【請求項１６】
断面の端面形状が垂直又は逆テーパー形状であることを特徴する請求項１５記載の構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、構造体の形成方法、該方法に用いる構造体形成用媒体、該方法により得られる構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
微細な構造体で構成されるディバイスとして再生専用の光ディスク（以下、ＲＯＭディスクという）がある。ＲＯＭディスクは、凹凸のレリーフパターンによって情報を記録するものであり、原盤作成、スタンパ作成、レプリケーションといった工程を経て製造される。原盤は、レーザービームによるフォトレジスト露光、現像によるレジストのパターン化、パターン化したレジストをマスクとした基板エッチング等の手順で作成する。
この工程中、高密度化（凹凸パターンの微細化）に対応するため電子線露光が検討されている。しかしながら、電子線に対するレジスト感度が不十分であること、真空中のプロセスであることからスループットの低下は免れない。また、電子線描画装置は非常に高価であり莫大な初期投資が必要になる。更に、メンテナンスが難しく、レーザービーム露光に比較してランニングコストもかかる。即ち、スループットの低下、初期投資の増加、ランニングコストの増加によってプロセスコストが高騰する。このような微細化に伴うプロセスコストの高騰の問題を解決する手段として、レーザービームにより微細凹凸パターンを形成する方法が開発されている。熱により変質する層を設け、ビーム径よりも小さな領域を変質させ、エッチングで変質していない領域を除去してパターン化する方法である。
【０００３】
以下、文献に開示されたパターン形成方法を示す。
特許文献１には、ＧｅＳｎなどの相変化膜にレーザ光を照射して結晶化させ、非結晶化部分をエッチングで除去して凹凸パターン（構造体）を形成する方法が、特許文献２には、ＧｅＳｂＴｅＳｎなどのカルコゲン化合物にレーザ光を照射して結晶化させ、非結晶化部分をエッチングで除去して凹凸パターン（構造体）を形成する方法が開示されている。
しかし、光ディスクのような大面積の基板に対して均一性よく構造体を形成するには、構造体とする部分とそれ以外の部分のエッチングレート差（エッチング選択比）が大きいことが必要である。相変化材料の場合、結晶状態と非晶質状態（アモルファス状態）の間でのエッチング選択比は小さい。また、結晶状態とアモルファス状態の中間状態ができることもある。従って、上記の方法で大面積媒体に対して均一に微細な構造体を形成することは困難である。
【０００４】
特許文献３〜４には、Ａｌ／Ｃｕなどの２種類の金属材料を積層した構成の感熱材料にレーザ光を照射して２種類の金属材料の相互拡散による反応部分を形成し（反応部分は２種類の金属材料の合金となる）、エッチングで未反応部分を除去して構造体を形成する方法が、特許文献５には、Ａｕ／Ｓｎなどの２種類の無機材料の積層構成に対しレーザ光を照射して２種類の材料の相互拡散による反応部分を形成し、未反応部分をエッチングで除去して構造体を形成する方法が開示されている。
しかし、これらの方法の場合、相互拡散させる２種類の材料の膜厚分布は、そのまま構造体とする部分の組成分布になり、組成が異なればエッチングレートが異なるため、大面積媒体に対して均一に微細な構造体を形成することは困難である。
特許文献６には、ＧｅＳｂＴｅなどの光吸収熱変換層とフォトリソグラフィーで用いられる化学増幅型レジストなどからなる熱感応層の積層構成に対しレーザ光を照射して熱感応層を変質させ、未変質部分をエッチングで除去して構造体を形成する方法が開示されている。しかし、これらの構造体形成材料は、光を吸収する材料でもあり、他の開示例も含めて、光を吸収する材料を構造体形成材料として使う方法は、高いアスペクト比（パターン高さ／構造体の大きさ）の構造体を形成するには不向きである。つまり、高いアスペクト比の構造体を形成する場合には、構造体を形成する層を厚膜化する必要があるが、厚膜化によって、層内で熱が拡がり微細化の妨げになるからである。
【０００５】
【特許文献１】特開平９−１１５１９０号公報
【特許文献２】特開平１０−９７７３８号公報
【特許文献３】特開２００１−２５０２７９号公報
【特許文献４】特開２００１−２５０２８０号公報
【特許文献５】特開２００３−１４５９４１号公報
【特許文献６】特開２００２−３６５８０６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、フォトリソグラフィーを用いない簡便なプロセスで微細な構造体を安価に形成すること、特に、構造体を形成する媒体を光吸収層と熱反応層の積層構成として、光を吸収し発熱する光吸収層と、熱により反応し構造体とする熱反応層を分離することにより、微細な構造体を均一に形成することを目的とする。
更に、支持基板を介さずに光を照射することによって、より微細な構造体を形成すること、熱反応層に特定の材料を用いることによって、大面積媒体に微細な構造体を均一に形成すると共に、高いアスペクト比（構造体の高さ／構造体の大きさ）で構造体を形成すること、湿式エッチング法を用いることによって、真空装置を用いることなく、安価なプロセスで且つ高スループットで微細な構造体を形成すること、光としてレーザ光を用い、レーザ光源として半導体レーザを用いることによって、安価なプロセス及び装置で微細な構造体を形成すること、媒体にレーザ光を照射するに際して媒体を回転させ、大面積媒体に対して高速に微細な構造体を形成することなどを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題は、次の１）〜１６）の発明（以下、本発明１〜１６という）によって解決される。
１）  光吸収層と熱反応層の積層構成を有する媒体を用い、少なくとも、該媒体に対して光を照射する工程、該媒体をエッチング加工する工程により微細な構造体を形成することを特徴とする構造体形成方法。
２）  熱反応層が、積層構成の最上層に位置し且つ照射する光の波長において透光性を有する材料を含有し、光を照射する工程において、最上層の熱反応層側から光を照射することを特徴とする１）記載の構造体形成方法。
３）  熱反応層が材料Ａと材料Ｂの混合体を含有し、材料Ａはシリコン酸化物であり、材料Ｂは硫化物材料、セレン化物材料、フッ素化合物材料の群から選ばれる少なくとも一つの材料であることを特徴とする１）又は２）記載の構造体形成方法。
４）  エッチング加工する工程において、湿式エッチング法を用いることを特徴とする１）〜３）の何れかに記載の構造体形成方法。
５）  光を照射する工程で用いる光がレーザ光であることを特徴とする１）〜４）の何れかに記載の構造体形成方法。
６）  レーザ光源として半導体レーザを用いることを特徴とする５）記載の構造体形成方法。
７）  媒体にレーザ光を照射するに際して、媒体を回転させることを特徴とする５）又は６）記載の構造体形成方法。
８）  ６）記載の構造体形成方法に用いるレーザ光照射装置であって、半導体レーザを有するレーザ光照射手段、レーザ光変調手段、媒体駆動手段を備えたことを特徴とする構造体形成用のレーザ光照射装置。
９）  ７）記載の構造体形成方法に用いるレーザ光照射装置であって、レーザ光照射手段、レーザ光変調手段、媒体回転手段、信号検出手段を備えたことを特徴とする構造体形成用のレーザ光照射装置。
１０）  少なくとも光吸収材料を含有する光吸収層と熱反応材料を含有する熱反応層の積層構成を有することを特徴とする１）記載の構造体形成方法に用いる構造体形成用媒体。
１１）  光吸収材料の融点が７００℃以下であることを特徴とする１０）記載の構造体形成用媒体。
１２）  光吸収層が２層以上の多層からなり、熱反応層と接する層の光吸収材料の融点が７００℃以下であることを特徴とする１０）記載の構造体形成用媒体。
１３）  熱反応層が、積層構成の最上層に位置し且つ照射する光の波長において透光性を有することを特徴とする１０）〜１２）の何れかに記載の構造体形成用媒体。
１４）  熱反応層が材料Ａと材料Ｂの混合体を含有し、材料Ａはシリコン酸化物であり、材料Ｂは硫化物材料、セレン化物材料、フッ素化合物材料の群から選ばれる少なくとも一つの材料であることを特徴とする１０）〜１３）の何れかに記載の構造体形成用媒体。
１５）  １）〜７）の何れかに記載の方法により形成されたことを特徴とする構造体。
１６）  断面の端面形状が垂直又は逆テーパー形状であることを特徴する１５）記載の構造体。
【０００８】
以下、上記本発明について詳しく説明する。
◇本発明１
本発明１は微細な構造体を形成する方法に関する。構造体を形成する媒体は少なくとも光吸収層と熱反応層の積層構成を有する。光吸収層は照射する光を吸収し発熱する機能を有する。また、熱反応層は光吸収層の発熱によって熱反応する機能を有する。
媒体に対する光照射により、光吸収層が発熱し、熱反応層が熱反応する。光照射によって、光吸収層と熱反応層が共に熱反応しても構わない。熱反応の形態は、材料密度の変化、結晶状態の変化、組成の変化、表面粗さの変化などである。熱反応によって複数の形態変化が起こっても構わない。例えば、熱反応によって、材料密度の高密度化と材料組成の変化が同時に起こっても構わない。
構造体は、本発明１０〜１４の媒体に形成する。この媒体の層構成は、光吸収層と熱反応層の積層構成を含んでいれは特に制限はなく、例えば次の層構成を構造体形成用媒体とすることができる。
媒体構成１；図１（ａ）に示す、支持基板／光吸収層／熱反応層という積層構成。
媒体構成２；図１（ｂ）に示す、支持基板／熱反応層／光吸収層／熱反応層という積層
構成。
媒体構成３；図１（ｃ）に示す、支持基板／熱反応層／光吸収層という積層構成。
媒体構成４；図１（ｄ）に示す、支持基板／熱反応層／２層以上の多層光吸収層という
積層構成。
なお、図中の１０１は熱反応層、１０２は光吸収層、１０２ａは光吸収層１、１０２ｂは光吸収層２、１０３は支持基板である。
【０００９】
熱反応層１０１の材料は、光吸収層１０２の発熱で変化する材料であれば特に制限はないが、成膜状態が低密度又はアモルファス相となる材料が好ましい。例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、ＳｉＮなどのシリコン化合物材料を用いることができる。これらの材料は、光の照射に伴う光吸収層の発熱で材料密度が変化し、光照射部分が緻密化する。エッチング工程においては、材料の緻密化に伴って、光照射部分のエッチング速度が低下する。その結果、光照射部分を構造体として残すことができる。また、ＺｎＳ、ＣａＳ、ＢａＳなどの硫化物材料を用いることができる。これらの材料は、光の照射に伴う光吸収層の発熱で材料密度が変化し、光照射部分が緻密化する。また、光照射部分では硫黄が解離し材料組成が変化する。エッチング工程においては、材料の緻密化及び材料組成の変化に伴って、光照射部分のエッチング速度が低下する。その結果、光照射部分を構造体として残すことができる。また、ＺｎＳｅ、ＢａＳｅなどのセレン化物材料を用いることができる。これらの材料は、光の照射に伴う光吸収層の発熱で材料密度が変化し、光照射部分が緻密化する。また、光照射部分ではセレンが解離し材料組成が変化する。エッチング工程においては、材料の緻密化及び材料組成の変化に伴って、光照射部分のエッチング速度が低下する。その結果、光照射部分を構造体として残すことができる。また、ＣａＦ２、ＢａＦ２などのフッ素化合物材料を用いることができる。これらの材料は、光の照射に伴う光吸収層の発熱で材料密度が変化し、光照射部分が緻密化する。また、光照射部分ではフッ素が解離し材料組成が変化する。エッチング工程においては、材料の緻密化及び材料組成の変化に伴って、光照射部分のエッチング速度が低下する。その結果、光照射部分を構造体として残すことができる。本方法では、熱反応層の膜厚が構造体の高さに対応する。よって、熱反応層の膜厚は、形成する構造体の高さに設定する。
【００１０】
光吸収層１０２の材料は、光を吸収し発熱する機能を有する材料であれば特に制限はない。例えば、Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓなどの半導体材料；Ｂｉ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎなどの低融点金属を含む金属間化合物材料；ＢｉＴｅ、ＢｉＩｎ、ＧａＳｂ、ＧａＰ、ＩｎＰ、ＩｎＳｂ、ＩｎＴｅ、ＳｎＳｂなどの材料；Ｃ、ＳｉＣなどの炭化物材料；Ｖ２Ｏ５、Ｃｒ２Ｏ３、Ｍｎ３Ｏ４、Ｆｅ２Ｏ３、Ｃｏ３Ｏ４、ＣｕＯなどの酸化物材料；ＡｌＮ、ＧａＮなどの窒化物材料；ＳｂＴｅなどの２元系の相変化材料；ＧｅＳｂＴｅ、ＩｎＳｂＴｅ、ＢｉＳｂＴｅ、ＧａＳｂＴｅなどの３元系の相変化材料；ＡｇＩｎＳｂＴｅなどの４元系の相変化材料を用いることができる。
しかし、光吸収層が溶融することにより残存する熱反応層との密着性が向上するので、露光工程において光吸収層が溶融することが好ましい。その際、光吸収層材料の融点が７００℃以下であれば、溶融温度で熱反応層が分解する等のダメージが無いため好ましい。また、光吸収層材料の融点の下限は、好ましくは熱反応層の反応温度であり、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物を熱反応層として用いる場合には、４００℃程度である。
また、前述した媒体構成４のように、光吸収層を２層以上の多層構造とする場合には、少なくとも熱反応層と接する層を融点が７００℃以下の材料で形成することが好ましい。
【００１１】
光吸収層の膜厚は３〜２０ｎｍの範囲に設定する。光吸収層を薄膜化することによって層内における熱の拡がりが抑制でき微細な構造体が形成できる。２層以上の多層構造とする場合には、各層の膜厚を１〜１０ｎｍとし、全体の膜厚を３〜２０ｎｍとする。但し、熱反応層と接する層は、１〜５ｎｍとする。
支持基板１０３としては、ガラス、石英などを用いることができる。また、Ｓｉ、ＳＯＩ（シリコンオンインシュレーター）などの半導体製造に用いられる基板；Ａｌ、不透明ガラス基板など、ＨＤＤ（ハードディスク）用の基板；ポリカーボネート、アクリル樹脂、ポリオレフィン、エポキシ、ビニルエステル、ペット、紫外線硬化樹脂などの樹脂基板を用いることができる。
【００１２】
本発明１における構造体の形成方法は、媒体に対して光を照射する工程と該媒体をエッチング加工する工程を含む。その他に、形成した構造体を熱処理してもよい。また、形成した構造体をマスクとして媒体を更にエッチング加工してもよい。また、形成した構造体を型として、他の媒体に凹凸を転写してもよい。
図２に図１（ｂ）の媒体を例として形成方法を示す。（ａ）は光照射工程、（ｂ）はエッチング工程、（ｃ）は熱処理工程、（ｄ）は第２のエッチング工程、（ｅ）は転写工程を示し、各工程の内容は次の通りである。
図２（ａ）の光照射工程において、（１）は構造体形成用媒体を示し、１０１は熱反応層、１０２は光吸収層、１０３は支持基板を示す。（２）は光照射状態を示し、２０１は光照射方向を示す。光は支持基板１０３側から照射する。（３）は照射後の状態を示し、２０２は光照射に伴う変化部分を示す。変化部分は光吸収層１０２の上下に配置した熱反応層１０１に形成される。
光照射工程では、構造体を形成するために、媒体の所定位置に対して光を照射する。この際に、光源を移動してもよく、光源を固定し媒体を移動してもよく、光源と媒体の双方を移動してもよい。光源としては、波長１５７ｎｍ程度のＦ２レーザ光源、波長１９３ｎｍ程度のＡｒＦレーザ光源、波長２４８ｎｍ程度のＫｒＦレーザ光源などを用いることができる。光の照射は大気中で行ってもよい。また、媒体を密閉容器中に設置し、そこに窒素、酸素、水蒸気、アルゴン、水素などのガスを導入し、雰囲気ガス中で光を媒体に照射しても構わない。また、媒体を真空容器中に設置して、真空中で光を媒体に照射しても構わない。
【００１３】
図２（ｂ）のエッチング工程において、（１）はエッチング前の媒体形状を示し、２０２は光照射に伴う変化部分を示す。（２）はエッチングの状態を示し、２０３はエッチング装置を示す。（３）はエッチング後の状態を示し、２０４は構造体を示す。
エッチング工程では、媒体の一部を除去し構造体を形成する。前記の通り、光照射による熱反応によって変化部分２０２が形成される。変化部分のエッチング速度が低下するので、変化部分と非変化部分間でエッチング速度差が生じ、エッチング後には変化部分が構造体として残る。エッチング工程では、少なくとも熱反応層１０１をエッチング加工するが、熱反応層１０１と光吸収層１０２の両方をエッチング加工してもよい。また、その他の積層されている層もエッチング加工してもよい。
エッチング方法としては、乾式エッチング法を用いることができる。乾式エッチング法としては、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング；Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）、ＩＣＰ（高密度プラズマエッチング；Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）やスパッタエッチングなどの方法を用いることができる。媒体を真空装置に設定し、エッチングガス雰囲気中で一定時間放置して構造体を形成する。
【００１４】
図２（ｃ）の熱処理工程では、形成した構造体を雰囲気ガス中で加熱処理し、構造体や媒体の欠陥などを除去する。また、積層された各層及び構造体間で構成元素を相互拡散させる。相互拡散させることによって構造体とその他の層の密着性を上げる。（１）は熱処理前の媒体の状態を示し、２０４は構造体を示す。（２）は熱処理の状態を示し、２０５は熱処理装置を示す。（３）は熱処理後の状態を示し、２０６は熱処理によって構造体が変化した状態を示す。熱処理は、大気中で行ってもよい。また、媒体を密閉容器中に設置し、そこに窒素、酸素、水蒸気、アルゴン、水素などのガスを導入し、雰囲気ガス中で処理してもよい。また、媒体を真空容器中に設置し、真空中で処理しても構わない。熱処理は高周波誘導加熱で行ってよく、ハロゲンランプやキセノンランプを光源としたランプ加熱で行ってもよい。
【００１５】
図２（ｄ）の第２のエッチング工程では、形成した構造体をマスクとして、媒体を更にエッチング加工する。（１）はエッチング前の媒体の状態を示し、２０４は構造体を示す。（２）はエッチングの状態を示し、２０７はエッチング装置を示す。（３）はエッチング後の状態を示し、２０８は構造体を示す。
エッチング方法としては、乾式エッチング法を用いることができる。乾式エッチング法としては、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング；Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）、ＩＣＰ（高密度プラズマエッチング；Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）やスパッタエッチングなどの方法を用いることができる。媒体を真空装置中に設定し、エッチングガス雰囲気中で一定時間放置し、構造体を形成する。構造体２０４直下の層１０２のみをエッチング加工してもよく、支持基板１０３までエッチング加工してもよい。
図２（ｅ）の転写工程では、形成した構造体を型として他の媒体に凹凸を転写する。（１）は型とする構造体を形成した媒体を示す。（２）は転写の状態を示し、２０９は構造体の凹凸を転写する媒体を示す。（３）は転写後の状態を示す。転写方法としては、圧縮成形法、射出成形法、２Ｐ転写法（光硬化法及び熱硬化法）などを用いることができる。構造体の凹凸を転写する媒体材料としては、ポリカーボネート、アクリル樹脂、ポリオレフィン、エポキシ、ビニルエステル、紫外線硬化樹脂などの樹脂材料を用いることができる。
【００１６】
図１に示した（ａ）〜（ｃ）の媒体の構成や材料に応じて、図２に示した（ａ）〜（ｅ）の工程の組み合わせを変える。例えば、次の工程の組み合わせで構造体を形成することができる。
形成方法１；（ａ）光照射工程→（ｂ）エッチング工程
形成方法２；（ａ）光照射工程→（ｂ）エッチング工程→（ｃ）熱処理工程
形成方法３；（ａ）光照射工程→（ｂ）エッチング工程→（ｃ）熱処理工程→
（ｄ）第２のエッチング工程
形成方法４；（ａ）光照射工程→（ｂ）エッチング工程→（ｃ）熱処理工程→
（ｄ）第２のエッチング工程→（ｅ）転写工程
形成方法５；（ａ）光照射工程→（ｂ）エッチング工程→（ｅ）転写工程
形成方法６；（ａ）光照射工程→（ｂ）エッチング工程→（ｃ）熱処理工程→
（ｅ）転写工程
形成方法７；（ａ）光照射工程→（ｂ）エッチング工程→（ｄ）第２のエッチング工程
→（ｅ）転写工程
【００１７】
◇本発明２
本発明２は、本発明１の構造体形成方法において、熱反応層が積層構成の最上層に位置し且つ照射する光の波長において透光性を有する媒体を用いる。また、光照射工程において、最上層の熱反応層側から光を照射する。
図３に形成方法を示す。（１）は構造体形成用媒体を示し、１０１は熱反応層、１０２は光吸収層、１０３は支持基板を示す。熱反応層は積層構成の最上層に位置する。その他の層に熱反応層があっても構わない。（２）は光照射状態を示し、３０１は光照射方向を示す。光は最上層の熱反応層側から照射する。つまり支持基板を介さずに照射する。以降の説明では“膜面入射”と記載する。膜面入射とすることによって、支持基板による収差の発生が抑制できる。また、対物レンズのＮＡを大きくし光ビームを集光することができる。集光することで、熱反応層のより微細な領域に変化部分３０２が形成できる。（３）は照射後の状態を示し、３０２は光照射に伴う変化部分を示す。変化部分３０２は、光吸収層１０２の上下に配置した熱反応層１０１に形成される。
【００１８】
熱反応層１０１には照射する光の波長において透光性が高い材料を用いる。具体的には、照射する光の波長における光吸収率が、１×１０−３〜１×１０−５の範囲にある材料を用いる。透光性が高い材料を用いることによって、熱反応層での光吸収が抑制できる。光吸収層のみの発熱で変化部分３０２が形成できることから、構造体とする変化部分が微細化できる。
構造体は、本発明１３の媒体に形成する。この媒体の熱反応層には、光吸収率が１×１０−３〜１×１０−５の範囲にある、ＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、ＳｉＮなどのシリコン化合物材料、ＺｎＳ、ＣａＳ、ＢａＳなどの硫化物材料、ＺｎＳｅ、ＢａＳｅなどのセレン化物材料、ＣａＦ２、ＢａＦ２などのフッ素化合物材料を用いることができる。本方法では、熱反応層の膜厚が構造体の高さに対応する。よって、熱反応層の膜厚は、形成する構造体の高さに設定する。その他の層の材料、及び構造体を形成する工程は本発明１と同じである。
【００１９】
◇本発明３
本発明３は、好ましい熱反応層材料を限定したものである。熱反応層は、材料Ａと材料Ｂの混合体を含有し、材料Ａはシリコン酸化物であり、材料Ｂは硫化物材料、セレン化物材料、フッ素化合物材料の群から選ばれる少なくとも一つの材料である。
構造体は、本発明１４の媒体に形成する。
材料Ａのシリコン酸化物材料としてはＳｉＯ２、ＳｉＯＮなどを用いることができる。材料Ｂの硫化物材料としては、ＺｎＳ、ＣａＳ、ＢａＳなど、セレン化物材料としては、ＺｎＳｅ、ＢａＳｅなど、フッ素化合物材料としては、ＣａＦ２、ＢａＦ２などを用いることができる。材料Ａ、材料Ｂの何れも単体の材料を用いても複数の材料を用いてもよい。材料Ａと材料Ｂの混合比は、材料Ａが１０〜３０モル％の範囲、材料Ｂが９０〜７０モル％の範囲にあることが好ましい。材料Ａと材料Ｂ間に化学的な結合状態がなく、各々独立して存在していることが好ましい。本方法では、熱反応層の膜厚が構造体の高さに対応する。よって、熱反応層の膜厚は、形成する構造体の高さに設定する。
シリコン酸化物を材料Ａとした、材料Ａと材料Ｂの混合体材料では、低密度の薄膜が形成でき、光の照射による光吸収層の発熱で光照射部分が緻密化する。これにより光照射部分と非照射部分の密度差が大きくできることから、エッチング工程ではエッチング選択比を大きくすることができる。また、光照射部分では材料Ｂの構成元素の解離が起こる。硫化物材料の場合は、硫黄が解離する。セレン化物材料の場合は、セレンが解離する。フッ素化合物材料の場合はフッ素が解離する。元素の解離によって、材料Ｂの組成が変化する。この材料組成の変化によってもエッチング選択比を大きくすることができる。その結果、材料の緻密化と材料組成の変化の両方でエッチング選択比が大きくでき、大面積媒体に対して、微細な構造体が均一に形成できる。更に、低密度の薄膜が形成できることから低残留応力で厚膜が形成できる。構造体とする熱反応層を厚膜で形成できるので、アスペクト比（構造体の高さ／構造体の大きさ）の高い構造体が形成できる。
層構成、その他の層の材料、構造体を形成する工程は、本発明１、２と同じである。
【００２０】
◇本発明４
本発明４では、エッチング加工する工程において湿式エッチング法を用いる。
図４はエッチング工程の説明図である。（１）はエッチング前の媒体形状を示し、１０１は熱反応層、１０２は光吸収層、１０３は支持基板を示す。４０１は光照射に伴う変化部分を示す。（２）はエッチングの状態を示し、４０２はエッチング装置（エッチング槽）、４０３はエッチング溶液を示す。（３）はエッチング後の状態を示し、４０４は構造体を示す。湿式エッチング法としては、酸水溶液、アルカリ水溶液、有機溶剤などに浸漬する方法を用いることができる。エッチング溶液４０３中に媒体を一定時間浸漬することで、レーザ光照射による変化部分以外が溶解し構造体が形成できる。本方法により、真空装置を使わない安価な方法で構造体が形成できる。
前述した本発明３の形成方法では、シリコン酸化物を材料Ａとした、材料Ａと材料Ｂの混合体を熱反応層に用いる。この形成方法の場合には、エッチング工程にはフッ化水素酸を含有する水溶液による湿式エッチング法を用いる。図４の４０３に示すエッチング溶液がフッ化水素酸を含有する水溶液である。フッ化水素酸を含有する水溶液は、シリコン酸化物を選択的に溶解する。光非照射部分においては、材料Ａであるシリコン酸化物が溶解する。材料Ａと材料Ｂの混合体において材料Ａが溶解することで材料Ｂが離脱（リフトオフ）する。光照射による変化部分４０１では、材料Ａ、材料Ｂの緻密化、及び材料Ｂの組成変化が起こっていることから、フッ化水素酸を含有する水溶液に対するエッチング耐性が上がっている。よって、光照射による変化部分が残留し、構造体が形成できる。また、光吸収層１０２はフッ化水素酸を含有する水溶液に対するエッチング耐性が非常に高い。よってエッチング工程においては、光吸収層がエッチング停止層として機能する。エッチング停止層があることによって、大面積媒体においても均一性よく構造体が形成できる。
【００２１】
◇本発明５
本発明５では、光としてレーザ光を用いる。
◇本発明６
本発明６では、レーザ光を照射する工程において、レーザ光源として半導体レーザを用いる。半導体レーザの波長は、３７０〜７８０ｎｍ、好ましくは、３９０〜４１０ｎｍである。例えば、ＧａＮ系による半導体レーザを用いる。半導体レーザを用いることによって、安価なレーザ光照射装置とすることができ、プロセスコストの低価格化が図れる。また、半導体レーザでは、レーザ光のパワーレベルを高速変調することができる。従って、大面積媒体に対して構造体を高速で形成できる。また、短波長のレーザを用いることによって微小なレーザスポットが形成でき、微細な構造体が形成できる。
【００２２】
◇本発明７
本発明７では、媒体にレーザ光を照射するに際して媒体を回転させる。媒体を回転させ、媒体に対してフォーカスサーボをかけながらレーザ光を照射してもよい。また、媒体を回転させ、媒体に対してフォーカスサーボ及びトラッキングサーボをかけながらレーザ光を照射してもよい。レーザ光源としては、波長１５７ｎｍ程度のＦ２レーザ、波長１９３ｎｍ程度のＡｒＦレーザ、波長２４８ｎｍ程度のＫｒＦレーザなどを用いることができる。また、本発明６のようにレーザ光源として半導体レーザを用いてもよい。媒体を高速回転させながらレーザ光を照射することによって、大面積媒体に対して構造体を高速で形成できる。
【００２３】
◇本発明８
本発明８は、本発明７で用いるレーザ光照射装置に関する。図５に、レーザ光照射装置の構成を示す。レーザ光照射手段５１は、半導体レーザ５１１、対物レンズ５１２を備える。５１３はレーザ光を示す。半導体レーザ５１１の波長は３７０〜７８０ｎｍである。好ましい波長は、３９０〜４１０ｎｍである。例えば、ＧａＮ系による半導体レーザを用いる。対物レンズ５１２の開口数（ＮＡ）は、０．５〜１．０とする。好ましい開口数は、０．８〜０．９５である。レーザ光変調手段５２は、パルス生成回路５２１、レーザ駆動回路５２２、基準信号生成回路５２３を備える。パルス生成回路５２１は、レーザパワーレベルの変調信号５２４を生成する。また、変調のタイミング信号５２５を生成する。レーザ駆動回路５２２は、パルス生成回路からの変調信号５２４に基づいて、レーザの駆動信号５５を生成する。基準信号生成回路５２３は、パルス生成回路からの変調のタイミング信号５２５に基づいて、媒体駆動手段を移動させるための基準信号５６を生成する。５３は構造体形成用媒体、５４は媒体駆動手段である。構造体形成用媒体５３は、媒体駆動手段５４上に設置させている。以上のレーザ光照射装置によって、基準信号５６に基づいて、レーザの発光のタイミングに合わせて媒体を移動させ、媒体の所定箇所に構造体を形成する。
【００２４】
◇本発明９
本発明９は、本発明７に用いるレーザ光照射装置に関する。図６に、レーザ光照射装置の構成を示す。装置は、レーザ光照射手段６１、レーザ光変調手段６２、媒体回転手段６４、信号検出手段６５で構成される。６３は構造体形成用媒体である。６６はレーザ光を示す。レーザ光照射手段６１は、レーザ光源、レーザ光を集光する対物レンズ、レーザ光照射手段を駆動するアクチュエーターで構成される。レーザ光源としては、波長１５７ｎｍ程度のＦ２レーザ、波長１９３ｎｍ程度のＡｒＦレーザ、波長２４８ｎｍ程度のＫｒＦレーザなどを用いることができる。また、前述した本発明６の半導体レーザを用いることもできる。対物レンズの開口数は、０．５〜１．０とする。好ましい開口数は、０．８〜０．９５である。レーザ光変調手段６２は、パルス生成回路６２１、レーザ駆動回路６２２、基準信号生成回路６２３を備える。パルス生成回路６２１は、レーザパワーレベルの変調信号６２４を生成する。また、変調のタイミング信号６２５を生成する。レーザ駆動回路６２２は、パルス生成回路からの変調信号６２４に基づいて、レーザの駆動信号６７を生成する。基準信号生成回路６２３は、パルス生成回路からの変調のタイミング信号６２５に基づいてパルス基準信号６２６を生成する。媒体回転手段６４は、媒体を回転させるためのスピンスタンド６４１と、基準信号生成回路６４２を備える。基準信号発生回路６４２は、スピンスタンドからの信号に基づいて回転基準信号６４３を発生する。パルス基準信号６２６と、回転基準信号６４３を周波数同期させスピンスタンドを回転させる。レーザ光検出手段６５は、光検出器６５１とサーボ回路６５２で構成される。光検出器６５１では媒体からの信号６８を受光しフォーカス及びトラック誤差信号６５３を生成する。サーボ回路６５２では、誤差信号に基づいて、レーザ光照射手段駆動信号６９を生成する。以上のレーザ光照射装置によって、媒体を回転させながら、また、フォーカス及びトラック誤差を制御しながら、媒体の所定箇所に構造体を形成する。
【００２５】
◇本発明１０〜１４
本発明１０は、本発明１の構造体形成方法に用いる構造体形成用媒体に関する。媒体は、少なくとも光吸収層と熱反応層の積層構成を有する。層構成や各層の材料は本発明１で説明した通りである。
本発明１１は、融点が７００℃以下の光吸収材料を用いる。
本発明１２は、光吸収層が２層以上の多層からなり、熱反応層と接する層に融点が７００℃以下の光吸収材料を用いる。
本発明１３は、本発明２の構造体形成方法に用いる構造体形成用媒体に関する。熱反応層を積層構成の最上層に配置し、且つ照射する光の波長において透光性を有する材料を用いる。層構成や各層の材料は本発明２で説明した通りである。
本発明１４は、本発明３の構造体形成方法に用いる構造体形成用媒体に関する。熱反応層には材料Ａと材料Ｂの混合体を含有する材料を用い、材料Ａとしてはシリコン酸化物、材料Ｂとしては硫化物材料、セレン化物材料、フッ素化合物材料の群から選ばれる少なくとも一つの材料を用いる。層構成や各層の材料は本発明３で説明した通りである。
【００２６】
◇本発明１５〜１６
本発明１５は、本発明１〜７の何れかにより形成された構造体に関する。図７に構造体の一般的な断面形状を示す。７０１は構造体、７０２は光吸収層である。構造体は光吸収層に接して存在する。なお、図７には構造体と光吸収層のみを記載したが、その他に、構造体を形成していない熱反応層や支持基板があってもよい。
本発明１６は、構造体の断面の端面が、垂直又は逆テーパー形状の場合である。図８は端面が逆テーパー形状になっている場合を示す。８０１は構造体、８０２は光吸収層を示す。８０３は構造体断面の傾斜角を示す。図９は端面が垂直形状になっている場合を示す。９０１は構造体、９０２は光吸収層を示す。９０３は断面の傾斜角を示す。なお、図８及び図９には構造体と光吸収層のみを記載したが、その他に構造体を形成していない熱反応層や支持基板があってもよい。
【発明の効果】
【００２７】
本発明１〜１６によれば、光による光加熱と、エッチング加工によって、フォトリソグラフィーを用いない簡便なプロセスで微細な構造体を安価に形成することができる。特に、構造体を形成する媒体を光吸収層と熱反応層の積層構成として、光を吸収し発熱する光吸収層と、熱により反応し構造体とする熱反応層を分離することにより、熱を吸収し発熱する層を薄層化することができ、薄層化することによって熱の拡がりが抑制できるので、微細な構造体を均一に形成することができる。
更に、本発明２によれば、熱反応層を積層構成の最上層に配置し且つ光を透過する材料で形成すると共に、光照射工程では、最上層の熱反応層側からレーザ光を照射する。熱反応層に透光性が高い材料を用いることによって熱反応層での光吸収が抑制でき、光吸収層のみの発熱で構造体が形成できることから構造体の微細化が図れる。また、膜面入射として支持基板を介さずに光を照射することによって対物レンズのＮＡが大きく設定でき光ビームを集光することができることからも構造体の微細化が図れる。
更に、本発明３によれば、熱反応層に特定の材料を用いることによって、光照射と非照射部分間のエッチング選択比が大きくできることから、大面積媒体に対して微細な構造体が均一に形成できる。また、該材料は、厚膜化が容易な材料であることから、高いアスペクト比（構造体の高さ／構造体の大きさ）の構造体を形成することもできる。
更に、本発明４によれば、湿式エッチング法を用いることによって、真空装置を用いない安価なプロセスで、かつ、高スループットで、微細な構造体を形成することができる。
更に、本発明６、８によれば、レーザ光源として半導体レーザを用いることによって、安価なプロセス及び装置で微細な構造体を形成することができる。
更に、本発明７、９によれば、媒体にレーザ光を照射するに際して媒体を回転させることによって、大面積媒体に対して高速に微細な構造体を形成することでき、プロセスコストを下げることができる。
【実施例】
【００２８】
以下、実施例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明は、これらの実施例により限定されるものではない。
【００２９】
実施例１
本発明１０〜１４の要件に対応する構造体形成用媒体を作成した。
図１（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示す構造体形成用媒体を作成した。成膜方法はスパッタリング法である。各層の材質、膜厚、スパッタリング法の主な成膜条件は表１に示す通りである。
【表１】
2006004594.tif 000003
【００３０】
実施例２
本発明１〜７の要件に対応する形成方法により、本発明９の要件に対応する装置を用いて、本発明１０、１１、１３の要件に対応する媒体に対して、図７の断面形状の構造体を形成した。
構造体形成用媒体としては図１（ａ）に示す構成のものを用いた。層構成は、ガラス基板／Ｇｅ／ＳｉＯＮである。各層の成膜条件は表１に示す通りである。この媒体に構造体を形成した。
構造体の形成は、光照射工程〔図２（ａ）〕→エッチング工程〔図２（ｂ）〕の手順で行った。
光照射工程では、図６に示すレーザ光照射装置を用いた。レーザ光照射手段６１は半導体レーザを備える。レーザの波長は４０５ｎｍである。対物レンズのＮＡは０．６５である。図１（ａ）の媒体に対して、支持基板側１０３からレーザ光を照射した。レーザ変調手段６２により図１０に示すようにレーザ光をパルス変調した。パワーレベルＰ１は１０ｍＷ、Ｐ２は３ｍＷである。パルス幅Ｔは２４ｎｓｅｃである。パルスの周期Ｓは１４３ｎｓｅｃである。媒体回転手段６４で媒体を回転させた。回転速度は３．５ｍ／ｓｅｃである。以上の方法によって、熱反応層であるＳｉＯＮに周期的な変化部分２０２を形成した。
エッチング工程では、エッチングをＲＩＥ法で行った。酸化物のエッチングガスであるＣＦ４で処理した。処理圧力は１ｍＴｏｏｒであり、投入パワーは２００Ｗである。ＲＩＥ法によって、レーザ照射による変化部分以外を除去し、構造体２０４を形成した。
以上の方法で構造体を形成した。構造体の断面形状は図７に示す形状であった。構造体の周期は５００ｎｍであり、大きさ（直径）は２５０ｎｍであった。変化部分がエッチングされずに残留し、凸状の構造体が形成できた。
【００３１】
実施例３
本発明１〜７の要件に対応する形成方法により、本発明９の要件に対応する装置を用いて、本発明１０、１１、１４の要件に対応する媒体に対して、本発明１６の断面形状の構造体を形成した。
構造体形成用媒体としては図１（ｂ）に示す構成のものを用いた。層構成は、ポリカーボネート基板／ＺｎＳ−ＳｉＯ２／ＡｇＩｎＳｂＴｅ／ＺｎＳ−ＳｉＯ２である。各層の成膜条件は表１に示す通りである。この媒体に構造体を形成した。レーザ波長４０５ｎｍにおけるＺｎＳ−ＳｉＯ２の光吸収率は６×１０−４である。
構造体の形成は、光照射工程（図３）→エッチング工程（図４）の手順で行った。
光照射工程では、図６に示すレーザ光照射装置を用いた。レーザ光照射手段６１は半導体レーザを備える。レーザの波長は４０５ｎｍである。対物レンズのＮＡは０．８５である。図１（ｂ）に示す構成の媒体に対して、レーザ光を最上層のＺｎＳ−ＳｉＯ２側から膜面入射させた。レーザ変調手段６２により図１０に示すようにレーザ光をパルス変調した。パワーレベルＰ１は４ｍＷ、Ｐ２は１ｍＷである。パルス幅Ｔは１９ｎｓｅｃである。パルスの周期Ｓは１１４ｎｓｅｃである。媒体回転手段６４で媒体を回転させた。回転速度は３．５ｍ／ｓｅｃである。図１０に示すレーザパルスを照射することによって、熱反応層であるＺｎＳ−ＳｉＯ２に変化部分３０２を形成した。
エッチングは湿式エッチング法で行った。エッチング溶液４０２はフッ化水素酸（ＨＦ）水溶液（ＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１：２）である。ＨＦ溶液中に媒体を１０秒間浸漬した。ＨＦ溶液によるエッチングにより構造体４０３を形成した。
以上の方法で構造体を形成した。構造体の形状は図８に示す逆テーパー形状であった。構造体の周期は４００ｎｍ、構造体の大きさ（直径）は２５０ｎｍであった。
図１１は形成した構造体のＳＥＭ像を示す。形状が均一である構造体が直径１２ｃｍの大面積媒体に形成できている。
【００３２】
実施例４
本発明１〜７の要件に対応する形成方法により、本発明９の要件に対応する装置を用いて、本発明１０、１１、１４の要件に対応する媒体に対して、本発明１６の断面の端面形状でアスペクト比が１の構造体を形成した。
構造体形成用媒体としては図１（ｂ）に示す構成のものを用いた。層構成は、ポリカーボネート基板／ＺｎＳ−ＳｉＯ２／ＡｇＩｎＳｂＴｅ／ＺｎＳ−ＳｉＯ２である。各層の材質、膜厚、成膜条件は表２に示す通りである。レーザ波長４０５ｎｍにおけるＺｎＳ−ＳｉＯ２の光吸収率は６×１０−４である。
【表２】
2006004594.tif 000004
【００３３】
構造体の形成は、光照射工程（図３）→エッチング工程（図４）の手順で行った。
光照射工程では、図６に示すレーザ光照射装置を用いた。レーザ光照射手段６１は半導体レーザを備える。レーザの波長は４０５ｎｍである。対物レンズのＮＡは０．８５である。レーザ光は最上層のＺｎＳ−ＳｉＯ２側から膜面入射させた。レーザ変調手段６２により図１０に示すようにレーザ光をパルス変調した。パワーレベルＰ１は５ｍＷ、Ｐ２は１．４ｍＷである。パルス幅Ｔは１０ｎｓｅｃである。パルスの周期Ｓは５８ｎｓｅｃである。媒体回転手段６４により媒体を回転させた。回転速度は３．５ｍ／ｓｅｃである。図１０に示すレーザパルスを照射することによって、熱反応層であるＺｎＳ−ＳｉＯ２に変化部分３０２を形成した。
エッチングは湿式エッチング法で行った。エッチング溶液４０２はフッ化水素酸（ＨＦ）水溶液（ＨＦ：Ｈ２Ｏ＝１：２）である。ＨＦ溶液中に媒体を１０秒間浸漬した。ＨＦ溶液によるエッチングにより構造体４０３を形成した。
以上の方法で構造体を形成した。構造体の断面の端面形状は図９に示す垂直形状であった。構造体の周期は３００ｎｍ、高さは２００ｎｍ、大きさ（直径）は２００ｎｍである。アスペクト比（高さ／直径）は１である。図１２には形成した構造体をＳＥＭ像で示す。形状が均一である構造体が直径１２ｃｍの大面積媒体に形成できている。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】構造体形成用媒体の断面図。（ａ）媒体構成１、（ｂ）媒体構成２、（ｃ）媒体構成３、（ｄ）媒体構成４。
【図２】構造体の形成方法の説明図。（ａ）光照射工程：（１）構造体形成用媒体、（２）光照射状態、（３）光照射後の状態。（ｂ）エッチング工程：（１）エッチング前の媒体の状態、（２）エッチングの状態、（３）エッチング後の状態。（ｃ）熱処理工程：（１）熱処理前の状態、（２）熱処理の状態、（３）熱処理後の状態。（ｄ）第２のエッチング工程：（１）エッチング前の状態、（２）エッチングの状態、（３）エッチング後の状態。（ｅ）転写工程：（１）転写前の状態、（２）転写の状態、（３）凹凸を転写した媒体。
【図３】本発明２の構造体形成方法における光照射工程の説明図。（１）構造体形成用媒体、（２）光照射状態、（３）光照射後の状態。
【図４】本発明４の構造体形成方法におけるエッチング工程の説明図。（１）エッチング前の媒体の状態、（２）エッチングの状態、（３）エッチング後の状態。
【図５】本発明８のレーザ光照射装置の説明図。
【図６】本発明９のレーザ光照射装置の説明図。
【図７】本発明１５の構造体の断面形状を示す図。
【図８】本発明１６の構造体の断面形状を示す図。
【図９】本発明１６の構造体の断面形状を示す図。
【図１０】実施例２〜４のレーザ光変調方法を示す図。
【図１１】実施例３の構造体のＳＥＭ像（斜方視）。
【図１２】実施例４の構造体のＳＥＭ像（斜方視）。
【符号の説明】
【００３５】
１０１  熱反応層
１０２  光吸収層
１０２ａ  光吸収層１
１０２ｂ  光吸収層２
１０２ｂ  
１０３  支持基板
２０１  光照射方向
２０２  光照射に伴う変化部分
２０３  エッチング装置
２０４  構造体
２０５  熱処理装置
２０６  熱処理に伴う構造体の変化部分
２０７  エッチング装置
２０８  構造体
２０９  転写媒体
３０１  光照射方向
３０２  光照射に伴う変化部分
４０１  光照射に伴う変化部分
４０２  エッチング装置（エッチング槽）
４０３  エッチング溶液
５１  レーザ光照射手段
５１１  半導体レーザ
５１２  対物レンズ
５１３  レーザ光
５２  レーザ光変調手段
５２１  パルス生成回路
５２２  レーザ駆動回路
５２３  基準信号生成回路
５２４  レーザ変調信号
５２５  タイミング信号
５３  構造体形成用媒体
５４  媒体駆動手段
５５  レーザ駆動信号
５６  基準信号
６１  レーザ光照射手段
６２  レーザ変調手段
６２１  パルス生成回路
６２２  レーザ駆動回路
６２３  基準信号生成回路
６２４  変調信号
６２５  タイミング信号
６２６  パルス基準信号
６３  構造体形成用媒体
６４  媒体回転手段
６４１  スピンスタンド
６４２  基準信号生成回路
６４３  回転基準信号
６５  信号検出手段
６５１  光検出器
６５２  サーボ回路
６５３  フォーカス及びトラック誤差信号
６６  レーザ光
６７  レーザ駆動信号
６８  媒体からの信号
６９  レーザ光照射手段駆動信号
７０１  構造体
７０２  光吸収層
８０１  構造体
８０２  光吸収層
８０３  端面の傾斜角度
９０１  構造体
９０２  光吸収層
９０３  端面の傾斜角度
Ｐ１  レーザパワーレベル
Ｐ２  レーザパワーレベル
Ｓ  パルス周期
Ｔ  パルス幅
【図１】
2006004594.tif 000005
【図２】
2006004594.tif 000006
【図３】
2006004594.tif 000007
【図４】
2006004594.tif 000008
【図５】
2006004594.tif 000009
【図６】
2006004594.tif 000010
【図７】
2006004594.tif 000011
【図８】
2006004594.tif 000012
【図９】
2006004594.tif 000013
【図１０】
2006004594.tif 000014
【図１１】
2006004594.tif 000015
【図１２】
2006004594.tif 000016