(57)【要約】      （修正有）【課題】オーバーハング形状を有するアライメントマークでは、物理気相堆積法を用いた配線形成の際に、マーク側壁への堆積に偏りを生じウエハ外周部での重ね合わせ精度が維持できる。【解決手段】アライメントマークの段差部４１において、この段差部を構成する絶縁膜の縦端面の一部に突起状の突起部５１を設けた。この突起部は、絶縁膜の上端部近傍、すなわち、絶縁膜の上部に設ける金属膜側の端部に設ける。この突起部によって、金属膜３１の形成の際に、段差部側壁部２１ａへの金属膜の成膜を阻止し、ウエハ外周部でのアライメントマークの非対称性を抑制する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の膜を加工してなる段差部を有し、該所定の膜の縦端面がオーバーハング形状を有する半導体装置のアライメントマークにおいて、
前記アライメントマークは、前記所定の膜の縦端面に突起部を有し、該突起部は、前記所定の膜の上部に設ける上層膜側の端部に設けることを特徴とする半導体装置のアライメントマーク。
【請求項２】
前記上層膜側の端部とは、前記突起部の上面と前記所定の膜の上面とが略同一になる位置であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置のアライメントマーク。
【請求項３】
前記突起部の水平方向の長さは、前記上層膜が前記突起部の縦端面より水平方向にはみ出す膜厚より長いことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置のアライメントマーク。
【請求項４】
前記突起部の垂直方向の長さは、前記上層膜の膜厚の略２０％以下であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１つに記載の半導体装置のアライメントマーク。
【請求項５】
前記突起部の材質は、前記所定の膜とは異なる材質であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１つに記載の半導体装置のアライメントマーク。
【請求項６】
前記突起部と前記所定の膜とは、シリコンもしくはシリコン化合物、または、金属もしくは金属化合物からなる互いに異なる材質で構成されることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置のアライメントマーク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置に関し、詳しくは半導体装置の製造工程にて用いるアライメントマークのうち、特に金属層形成工程のアライメントマークの構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置は、半導体基板と電極層、電極層と配線層、半導体基板と配線層とが互いに高精度に重なりあい、それぞれの層を絶縁膜で絶縁し、絶縁層に開口したコンタクトホールを介してそれぞれの層の要素が電気的に導通し、各機能素子ならびに回路が形成されている。各層の重ね合わせは、パターン形成工程であるフォトリソグラフィ法を用いた工程で行い、半導体基板および各層にあらかじめ形成したアライメントマークを位置の基準としている。
アライメントマークとは、上層と下層との重ね合わせを行う際に用いるマークであって、段差を含む形状を有するものである。アライメントマークの段差を光学要素などで検出し、検出した信号のＳＮ比の強弱で重ね合わせる場所を特定する方法が広く知られている。
【０００３】
半導体装置の製造工程のうち、コンタクトホールと金属配線との重ね合わせは、配線の集積度を上げるためにコンタクトホールに対する配線部の余長を小さくしたデザインルールが採用されてきているため、特に重ね合わせの精度が要求されている。
【０００４】
さて、配線層を形成する工程は、通常アルミニウムなどの金属が用いられる。従来、その堆積方法は、スパッタ法をはじめとする物理気相堆積法が採用されてきたが、近年の半導体装置の微細化に伴い、このスパッタ法などでは信頼性上の問題が発生することが分ってきた。すなわち、半導体装置の微細化により、コンタクトホールのサイズも小径化しており、通常のスパッタ法ではコンタクトホール側壁ならびに底部への堆積率が低下してしまい、その結果、配線の断線や、エレクトロマイグレーションに対する耐性の低下といった問題が顕在化してきた。
そこで、コンタクトホールへの金属膜の堆積率を向上させるべく、高温リフロースパッタ法と呼ばれる、高温による金属の流動性の増加と、予め施した下地金属のぬれ性とを利用したコンタクトホールの埋込み性を向上させたスパッタ法の採用が主流となってきている。
【０００５】
高温リフロースパッタ法は、コンタクトホールの埋込みには有効な技術であるが、一方で重ね合わせのために設けたアライメントマークの段差をも平滑に被覆してしまい、アライメント信号のＳＮ比が低下し、所望の重ね合わせ精度が得られないという問題を抱えていた。この対策として、コンタクトホールの側壁への堆積を抑制する手段や方法が提案されており、アライメントマークの形状を工夫したものも広く提案されている。なかでもアライメントマークとなる段差部の側壁の形状を工夫した形状の技術が注目されているところである（例えば、特許文献１、特許文献２参照。）。
【０００６】
特許文献１に示した従来技術は、アライメントマークとなる段差部を構成する所定の膜の縦端面にへこみをなす凹部を設けることにより、あらかじめ堆積させるバリアメタルが不連続膜となり、高温リフロースパッタの底部への流動が抑制されて段差部が強調され、アライメントの際に光学信号のＳＮ比が向上するという利点がある。
【０００７】
特許文献２に示した従来技術は、アライメントマークとなる段差部を構成する所定の膜の縦端面が滑らかに湾曲している形状を有しており、スパッタ金属の側壁への堆積が制御
されて段差部が強調され、アライメントの際に光学信号のＳＮ比が向上するという利点がある。
【０００８】
特許文献１、特許文献２に示した従来技術は、ともに所定の膜を加工してなるアライメントマークにおいて、その所定の膜の縦端面となる段差部の側壁が均一な面ではないという特徴を有しており、一般にこのような段差部あるいは所定の膜の縦端面は、オーバーハング形状を有するという。
【０００９】
【特許文献１】特開平６−２５２０２４号公報（第４項、第１図）
【特許文献２】特開２００４−１１１７２０号公報（第１図から第４図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
従来のオーバーハング形状を有するアライメントマークは、アライメント信号のＳＮ比の向上を目的として提案されてきたが、近年のウエハサイズの大口径化や微細化には対応できないということが判ってきた。つまり、アライメントマーク単体では検出感度が向上しており効果が期待されているものの、実際にこれらの技術を用いて半導体装置を製造しようとすると、そのウエハ内でアライメントマークの基準位置がずれるという問題が見つかり、その問題はウエハのサイズが大きくなるほど顕著になるということが判ってきた。これは、高集積化と微細化とが進む近年の半導体装置においては、そのウエハサイズが大型化する傾向にあるので大きな問題となっている。以下に詳しく説明する。
【００１１】
高集積化と微細化とが進む半導体装置では、コンタクトホールのアスペクト比（コンタクトホール深さとコンタクトホール径の比）は、「２」を超える。このような構成では、高温リフロースパッタ法は必須といえる。この高温リフロースパッタ法における下地金属の形成には、スパッタターゲットとウエハとの距離を大きく広げてスパッタ金属の直進性を高めたＬＴＳ（Ｌｏｎｇ  Ｔｈｒｏｗ  Ｓｐｕｔ）法が用いられている。ＬＴＳ法は、コンタクトホール側壁への金属堆積量が減り、底部への金属堆積量が増加するために、高温リフロースパッタ法には好適な技術であって、高温リフロースパッタ法とＬＴＳ法とを併用して実施することが多い。
【００１２】
ところで、スパッタ法を利用した金属堆積は、ウエハの中心と端部とで金属堆積が一様ではないという欠点がある。すなわち、ウエハ端部近傍ではコンタクトホールの側壁の堆積に偏りが生じ易いのである。この金属の堆積の偏りは、アライメントマークにも当然影響する。図８を用いて詳しく説明する。
【００１３】
図８は、従来技術のアライメントマークを模式的に示したものであって、特に、特許文献１に示したアライメントマークを示している。図８（ａ）は、一般的なスパッタ法による半導体基板への膜の堆積の様子を模式的に表したものである。７０はスパッタターゲットで、点線矢印はスパッタ現象により半導体基板へ飛散するスパッタ金属の飛程を示している。１１は半導体基板、２１は絶縁膜、３１はスパッタ法により半導体基板上に堆積した上層膜である。
アライメントマークは、コンタクトホールなどを有する半導体素子を形成する際に同一工程で形成する。そのアライメントマークの配置場所は、半導体基板上の半導体回路とは別の領域であって、その形状は、比較的開口面積が大きな段差を有するように設ける。
８１、８３はウエハ外周部に配したアライメントマークであり、８２はウエハ中央部に配したアライメントマークである。アライメントマークを構成する段差部は、半導体基板１１上に設ける絶縁膜２１の有無で構成している。
【００１４】
一般的なスパッタ法では材料の飛程が等方的であるため、スパッタターゲット７０の端
部に近い部位、すなわち、ウエハ外周部に配したアライメントマーク８１は、スパッタターゲット７０の端部より外側からのスパッタ金属の供給がないために、段差部、つまり、絶縁膜２１の縦端面への堆積に偏りが生ずる。この上層膜３１の堆積の偏りは、電気的特性には支障がないがアライメントマークにおいては基準位置のずれという大きな問題を招く。
【００１５】
図８（ｂ）は、ウエハ中央部に配したアライメントマーク８２の基準位置を説明するための断面図である。アライメントマークの基準位置は、段差部の半分の位置、すなわち、離間して設けている絶縁膜２１の縦端面同士の距離を２等分した位置Ｃ１である。位置Ｃ１は、絶縁膜２１の縦端面から距離Ｌ１だけ離れた位置となる。上層膜３１の堆積後は、絶縁膜２１の端部から上層膜３１の水平方向の成膜量だけ内側にずれ、基準位置は、上層膜３１の端面から距離Ｌ２だけ離れた位置Ｃ２となる。
絶縁膜２１の上部に成膜される上層膜３１の成膜量が同じ（図において左右同じ）であるから、位置Ｃ１と位置Ｃ２とは等しくなり、基準位置にずれは生じない。
【００１６】
図８（ｃ）は、ウエハ外周部に配したアライメントマーク８１の基準位置を説明するための断面図である。この場合は、図８（ａ）で示したとおり、絶縁膜２１の端面に対し、上層膜３１が左右非対称に堆積している。このため、本来の基準位置である絶縁膜２１で形成した段差部の位置Ｃ１（端面から距離Ｌ１の位置）に対して、上層膜３１上の基準位置は、上層膜３１の端面からの距離Ｌ３の位置Ｃ３となり、位置Ｃ１と位置Ｃ３とは、距離Ｌ４だけずれが生じてしまうのである。もちろん、この距離Ｌ４のずれは、ウエハ外周部に配したアライメントマーク８３でも同様に発生する。
【００１７】
このような堆積膜の偏り現象は、スパッタターゲットとウエハとの距離を大きくしてスパッタ金属の直進性を高めたＬＴＳ法では、さらに顕著に現れる。つまり、スパッタターゲットの端部より外側からのスパッタ金属の供給が一般的なスパッタ法より少ないためである。
【００１８】
この偏りを抑制するためには、スパッタターゲットの大きさをウエハよりも十分大きくすればよい。このようにすることによって、半導体基板へ飛散するスパッタ金属は均一化されるため、ウエハに配したアライメントマークの位置による基準位置のずれは生じないのである。ところが、スパッタターゲットを大きくしてしまうと、近年のウエハの大口径化に伴い、処理装置の規模も大きくなってしまうという問題がある。
さらに、ＬＴＳ法の場合では、スパッタターゲットとウエハとの距離を大きく広げているために、通常のスパッタ法と同じスパッタターゲット寸法では、ウエハ端部近傍での側壁堆積量の偏りが顕著になるため、さらに大きな寸法のターゲットを用いなければならない。これは、処理装置のさらなる大型化を招き、現実的でない。
【００１９】
つまり、従来の方法では、アライメントマークの段差部を強調し、ＳＮ比を向上させる点で改善が図られているものの、ウエハ内のアライメントマークの位置による基準位置のずれ、特にウエハ外周部での位置精度の低下については、何ら考慮されていないのである。
【００２０】
本発明が解決しようとする課題は、近年の微細化構造の半導体装置の製造過程において、物理気相堆積法を用いた配線形成では、ウエハ外周部での重ね合わせ精度が維持できないという点である。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
上記問題を解決するために本発明の半導体装置のアライメントマークは次のような構成を採用する。
【００２２】
所定の膜を加工してなる段差部を有し、所定の膜の縦端面がオーバーハング形状を有する半導体装置のアライメントマークにおいて、
アライメントマークは、所定の膜の縦端面に突起部を有し、突起部は、所定の膜の上部に設ける上層膜の近傍に設けることを特徴とする。
【００２３】
突起部の水平方向の長さは、上層膜が突起部の縦端面より水平方向にはみ出す膜厚より長いことを特徴とする。
【００２４】
突起部の垂直方向の長さは、上層膜の膜厚の略２０％以下であることを特徴とする。
【００２５】
突起部の材質は、所定の膜とは異なる材質であることを特徴とする。
【００２６】
突起部と所定の膜とは、シリコンもしくはシリコン化合物、または、金属もしくは金属化合物からなる互いに異なる材質で構成されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の半導体装置のアライメントマークは、段差部を構成する所定の膜の縦端面がオーバーハング形状であって、大きな特徴は、その縦端面に突起部を有する点である。この突起部は、所定の膜の上部に設ける上層膜の近傍に設ける。このような構成とすることによって、段差部側壁部、つまり、所定の膜の縦端面への金属膜の成膜が阻止され、ウエハ外周部でのアライメントマークの非対称性を抑制することができ、ウエハ全面に渡って高精度な重ね合わせを実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、図面を用いて本発明の半導体装置のアライメントマークを実施するための最適な構造を説明する。また、その製造方法も説明する。なお、製造方法については、所定の膜としてウエハ上にシリコン酸化膜とシリコン窒化膜とからなる絶縁層を設け、フォトリソグラフィ法によりアライメントマークを形成し、上層膜としての金属層にアルミニウム合金を用いた場合を例に説明する。各図の説明において同じ機能を有するものには同じ番号を付与している。
【００２９】
[本発明の構造の説明]
まず、図１を用いて本発明の半導体装置のアライメントマークの構造を説明する。図１は本発明の半導体装置のアライメントマークの断面図である。１１は半導体基板、２１は所定の膜としての絶縁膜、２１ａは絶縁膜２１の縦端面、３１は絶縁膜２１上に形成する上層膜、すなわちアライメントマークにより重ね合わせを行ない、所望のパターンを形成する膜であり、例えば、金属配線層などである。４１は段差部である。段差部４１は、絶縁膜２１に所定の加工を施して形成するものである。図１に示す例では、半導体基板１１上に設ける絶縁膜２１の有無で段差部４１が形成されている。５１は突起部であって、絶縁膜２１の縦端面２１ａの上層膜３１の近傍に設けている。５１ａは突起部５１の縦端面である。
Ｌａは突起部５１の水平方向の長さである。Ｌｂは突起部５１の垂直方向の長さであって、突起部５１の厚さである。以降の説明においては、Ｌａを長さ、Ｌｂを厚さと称する。
Ｌｃは上層膜３１の水平方向の成膜量であって、突起部５１の縦端面５１ａから水平方向にはみ出して成膜している長さである。Ｌｄは上層膜３１の垂直方向の長さであって、上層膜３１の膜厚である。
【００３０】
突起部５１は、長さＬａが上層膜３１の水平方向の成膜量Ｌｃより長く、厚さＬｂが上
層膜３１の膜厚Ｌｄよりも薄いように形成する。
【００３１】
本発明の半導体装置のアライメントマークの最も特徴的な部分は、段差部４１を構成する絶縁膜２１の縦端面に突起部５１を有している点である。詳しくは、絶縁膜２１の縦端面２１ａの上層膜３１側の端部に設けている。上層膜３１側の端部とは、突起部５１の上面と絶縁膜２１の上面とが略同一になる位置であって、突起部５１は、上層膜３１に近い位置に設けるほど好ましい。
また、突起部５１の厚さＬｂは、上層膜３１の膜厚Ｌｄの略２０％以下とするのが好ましい。突起部５１の厚さＬｂが大きいと、突起部５１の縦端面５１ａへの上層膜３１の堆積量が大きくなってしまうからである。発明者が調べたところによると、この突起部５１の厚さＬｂが上層膜３１の膜厚Ｌｄの３０％以上であると、突起部５１の縦端面５１ａに堆積する分が無視できなくなり、アライメント精度が低下してしまう。
【００３２】
このような構成によって、例えば、上層膜３１の形成をＬＴＳ法によりアルミニウム膜を堆積し、高温リフロースパッタ法を用いても、絶縁膜２１の縦端面２１ａには上層膜３１の水平方向の成膜量Ｌｃよりも長い突起部５１を設けているため、これが家屋の屋根の庇のような役割をし、水平方向への膜成長が阻止されるのである。これが、突起部５１を上層膜３１に近い位置に設けるほどよいという理由である。
したがって、半導体基板に配するアライメントマークと図示しないスパッタターゲットとの位置関係にかかわらず、つまり、一般的なスパッタ法やＬＴＳ法を問わず、あらゆるスパッタ法において、段差部４１上に形成する上層膜３１の形状が左右対称となり、重ね合わせずれが生じないのである。
【００３３】
また、本発明の半導体装置のアライメントマークは、ウエハの全面に渡って上層膜の偏りがほとんどないので、ウエハ外周部でのアライメントマークの非対称性を抑制することができ、高精度なアライメントマークを形成することができる。この状態を図２を用いて詳細に説明する。
図２（ａ）は、スパッタ法による半導体基板への膜の堆積の様子を模式的に表したものである。７０はスパッタターゲットで、点線矢印はスパッタ現象により基板へ飛散するスパッタ金属の飛程を示している。９１、９３はウエハ外周部に配する本発明の半導体装置のアライメントマークであり、９２はウエハ中央部に配する本発明の半導体装置のアライメントマークである。
【００３４】
図２（ｂ）は、ウエハ中央部に配するアライメントマーク９２の基準位置を説明するための断面図である。アライメントマークの基準位置は、段差部の半分の位置、すなわち、離間して設けている絶縁膜２１の端面同士の距離を２等分した位置Ｃ１である。位置Ｃ１は、突起部５１の端面から距離Ｌ１だけ離れた位置となる。上層膜３１の堆積後は、突起部５１の端部から上層膜３１の水平方向の成膜量だけ内側にずれ、基準位置は、上層膜３１の端面から距離Ｌ５だけ離れた位置Ｃ４となる。
突起部５１により、絶縁膜２１の端面には上層膜３１は成膜されない。上層膜３１の成膜量が同じ（図において左右同じ）であるから、位置Ｃ１と位置Ｃ４とは等しくなり、基準位置にずれは生じない。
【００３５】
図２（ｃ）は、ウエハ外周部に配するアライメントマーク９１の基準位置を説明するための断面図である。スパッタターゲット７０の端部に近い部位であるウエハ外周部に配するアライメントマーク９１は、スパッタターゲット７０の端部より外側からのスパッタ金属の供給がないために、上層膜３１の成膜に偏りが生じてしまうが、突起部５１によって、絶縁膜２１の縦端面２１ａには上層膜３１は成膜されない。このため、図において上層膜３１の水平方向の成膜量にほとんど差はなく、本来の基準位置である絶縁膜２１で形成した段差部の位置Ｃ１と、上層膜３１の端面からの距離Ｌ６の位置Ｃ５とは、若干の差で
ある距離Ｌ７程度のずれで納まるのである。もちろん、この距離Ｌ７の微小なずれは、ウエハ外周部に配したアライメントマーク９３でも同様であり、実質的には無視できる程度である。
【００３６】
このように、本発明の半導体装置のアライメントマークによれば、隣接する絶縁膜２１同士の離間している距離を２等分した位置が基準位置となり、その位置と上層膜３１の基準位置とが一致する。本発明の半導体装置のアライメントマークをウエハのどこに配しても基準位置に大きな変化はない。このため、高集積化と微細化とが進む近年の半導体装置の大口径化されたウエハにおいても、従来の成膜装置を用いて、高精度に半導体装置を製造することができるのである。
【００３７】
[本発明の製造方法の説明]
次に本発明の半導体装置のアライメントマークの製造方法図３から図６を用いて説明する。
アライメントマークは、半導体装置を製造する際に用いる位置合わせマークであるから、半導体装置の製造と同時に行われるが、説明を簡単にするために、アライメントマークの形成のみを説明する。
まず、図３に示すように、気相反応堆積法（以下ＣＶＤ法と記す）を用いて半導体基板１１上にシリコン酸化膜２２を１μｍの厚さで形成し、さらにその後ＣＶＤ法によってシリコン窒化膜２３を５０ｎｍの厚さで形成する。このシリコン窒化膜２３の上部にアライメントマークとなる段差を加工するためのフォトレジストのパターン６１を形成する。
【００３８】
続いて、図４に示すように、反応ガスに六フッ化硫黄を用いるドライエッチングによりシリコン窒化膜２３をエッチングし、続いて、四フッ化炭素と三フッ化メタンを反応ガスとして用いるドライエッチングによりシリコン酸化膜２２をエッチングしアライメントマークとなる段差部４１を形成する。その後フォトレジストのパターン６１はアッシングにより除去する。
【００３９】
さらに、図５に示すように、アライメントマーク周辺のみを開口したフォトレジストのパターン(図示せず)を形成し、フッ化アンモニウムとフッ酸の混合液を用いてウエットエッチングを実施し、段差部４１のシリコン酸化膜２２の側壁、つまり、シリコン酸化膜２２の縦端面を５０ｎｍエッチングして後退させる。その後、そのフォトレジストのパターンは除去する。このようにすることによって、シリコン窒化膜２３による突起部５１が形成される。
【００４０】
その後、図６に示すように、配線金属となるアルミニウム合金３３をスパッタ法により形成し、本発明のアライメントマークの実施形態の構造が完成する。このとき、同時に形成している図示しない半導体装置のコンタクトホール内には、その側壁および底部に連続してアルミニウム合金３３の膜が形成され、コンタクトホールは金属で被覆される。一方、アライメントマークの段差部４１では、シリコン酸化膜２２の縦端面２２ａの上層、すなわちアルミニウム合金３３側に突起部５１が形成されているため、縦端面２２ａにアルミニウム合金３３が形成されない。これにより、従来ウエハ外周部で顕著であった段差側壁部への膜の堆積の偏りが抑制されるのである。
【００４１】
上述の説明では、段差部にシリコン酸化膜２２、その上端面にシリコン窒化膜２３を形成して、エッチングレートの差を利用して突起部５１を形成する場合を例にして説明した。もちろん、本発明の半導体装置のアライメントマークの製造方法はそれに限定するものではない。
突起部５１の材料としてチタンやチタンナイトライドなどによるバリアメタルを用いてもよい。アライメントマークの形成と同時に行われる半導体装置の形成で、広く用いられ
ているバリアメタルを利用し、これを突起部５１とするのである。また、図７に示すように、シリコン窒化膜２３の上部にさらにバリアメタル３２を形成しても良く、この場合はシリコン窒化膜２３の膜厚を制御することで、バリアメタル３２の膜厚を任意に選択できるという効果がある。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明の半導体装置のアライメントマークは、高集積化と微細化とが進む近年の半導体装置に用いることができる。特に、高温リフロースパッタ法を用いて製造する半導体装置には好適である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の半導体装置のアライメントマークの構造を示す断面図である。
【図２】本発明の半導体装置のアライメントマークにより重ね合わせずれが抑制される理由を説明する図である。
【図３】本発明の半導体装置のアライメントマークの製造方法を示す断面図であって、半導体基板上に膜を成膜する様子を説明する図である。
【図４】本発明の半導体装置のアライメントマークの製造方法を示す断面図であって、半導体基板上の膜をエッチングする様子を説明する図である。
【図５】本発明の半導体装置のアライメントマークの製造方法を示す断面図であって、突起部を形成する様子を説明する図である。
【図６】本発明の半導体装置のアライメントマークの実施形態を示す断面図である。
【図７】本発明の半導体装置のアライメントマークの実施形態を示す断面図である。
【図８】従来技術においてアライメントマークの重ね合わせずれの発生理由を説明する図である。
【符号の説明】
【００４４】
１１  半導体基板
２１  絶縁膜
２１ａ  絶縁膜２１の縦端面
２２  シリコン酸化膜
２２ａ  シリコン酸化膜２２の縦端面
２３  シリコン窒化膜
３１  上層膜
３２  バリアメタル
３３  アルミニウム合金
４１  段差部
５１  突起部
５１ａ  突起部５１の縦端面
６１  フォトレジストのパターン
７０  スパッタターゲット
８１、８３  従来のウエハ外周部に配したアライメントマーク
８２  従来のウエハ中央部に配したアライメントマーク
９１、９３  本発明のウエハ外周部に配するアライメントマーク
９２  本発明のウエハ中央部に配するアライメントマーク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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