(57)【要約】【課題】  双安定状態を利用して、エネルギー消耗が小さく、さらに弁に作用する流圧が十分でない場合でも、漏れを低減することができる弁を提供する。【解決手段】  プランジャ２１０と、プランジャ２１０が往復動できる第１領域２２２と第２領域２２４とを有する作動室２２０と、第１領域２２２と第２領域２２４のそれぞれの周辺に設けられて、プランジャ２１０の存在する領域に作動磁界を形成する第１電磁石２３０及び第２電磁石２４０、第１領域２２２と第２領域２２４との間の作動室２２０に設けられて、作動室２２０に流体を流入する流入部２５０、及び第１領域２２２に対して離隔される方向に前記第２領域２２４の終端部に設けられた第２流出口２６０を備えることを特徴とする弁である。【選択図】図２
2006189161.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プランジャと、
前記プランジャが往復動できる第１領域と第２領域とを有する作動室と、
前記第１領域と前記第２領域のそれぞれの周辺に設けられて、前記プランジャの存在する領域に作動磁界を形成する第１電磁石及び第２電磁石と、
前記第１領域と前記第２領域との間の作動室に設けられて、前記作動室に流体を流入させる流入部と、
前記第１領域から離隔する前記第２領域の終端部に設けられた第２流出口と、を備えることを特徴とする弁。
【請求項２】
前記第２流出口に設けられて、前記プランジャと接触する第２弁座をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の弁。
【請求項３】
前記第２弁座の周囲に設けられて、前記第２弁座に近接した前記プランジャに引力を加える第２磁石部をさらに備えることを特徴とする請求項２に記載の弁。
【請求項４】
前記第２弁座は、ポリマーから形成されることを特徴とする請求項２に記載の弁。
【請求項５】
前記流入部の側面と前記第１領域の終端部とを連結して、前記プランジャの移動を容易にする定圧路をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の弁。
【請求項６】
前記第２領域から離隔する前記第１領域の終端部に第１流出口をさらに備え、流体の移動を選択的に制御することを特徴とする請求項１に記載の弁。
【請求項７】
前記第１流出口に設けられて、前記プランジャと接触する第１弁座をさらに備えることを特徴とする請求項６に記載の弁。
【請求項８】
前記第１弁座の周囲に設けられて、前記第１弁座に近接した前記プランジャに引力を加える第１磁石部を備えることを特徴とする請求項７に記載の弁。
【請求項９】
前記第１弁座は、ポリマーから形成されることを特徴とする請求項８に記載の弁。
【請求項１０】
前記プランジャの外部には、弁をシーリングする弾性材のコーティング膜がさらに形成されることを特徴とする請求項１に記載の弁。
【請求項１１】
前記プランジャは、強磁性体から形成されることを特徴とする請求項１に記載の弁。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弁に関する。特に電磁石の作用を利用し、双安定のボール弁に関する。
【背景技術】
【０００２】
弁装置は、一般的に配管に連結して、流体の流量や圧力を制御する装置をいう。弁のうちボール弁は、流体チャンネルを通じた流体制御装置、試薬とサンプルのための流体スイッチ、及びサンプル吸入、測定、リンスのための流体輸送手段であって、マイクロ流体システムの必須的な要素のうち一つであるマイクロ弁として利用されてきた。
【０００３】
図１は、従来の電磁石を利用したボール弁の断面図である（非特許文献１参照）。
【０００４】
図１に示すように、前記従来のボール弁は、流出路１１２とテーパ型の弁座１１４とを備えるチャンネル部１１０、チャンネル部１１０上に設けられて、弁座１１４の拡幅側端部と連結される流入路を備えるカバー部１３０、弁座１１４上に設けられるボール１２０、及びカバー部１３０の裏面に設けられて、ボール１２０に磁力を印加する電磁石１４０を備える。
【０００５】
外部電源（図示せず）から電磁石１４０に電流が加えられれば、電磁石のコイル周辺に磁場が形成される。ボール１２０が磁場によりカバー部１３０まで上がれば、弁は、開状態が維持される。
【０００６】
しかし、前記のような構造の従来の弁は、開状態の間に電磁石に磁場を発生させるために電流が供給され続けねばならないので、開状態のときにエネルギーが消耗されるという問題点がある。
【０００７】
また、前記のような弁は、流体の圧力で閉鎖定常状態を維持するが、十分な流圧が維持されなければ、漏れが発生するという問題点がある。
【非特許文献１】Ｏ．Ｋｒｕｓｅｍａｒｋ，Ａ．Ｆｅｕｓｔｅｌ，ａｎｄ Ｊ．Ｍｕｌｌｅｒ，μＴＡＳ’９８，１９９８，ｐｐ．３９９−４０２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明が解決しようとする課題は、双安定状態を利用してエネルギー消耗が小さい弁を提供するところにある。
【０００９】
本発明が解決しようとする他の課題は、弁に作用する流圧が十分でない場合でも、漏れを低減することができる弁を提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の望ましい一実施形態による本発明の弁は、プランジャ、前記プランジャが往復動できる第１領域と第２領域とを有する作動室、前記第１領域と前記第２領域の周辺それぞれに設けられて、前記プランジャに作動磁界を形成する第１電磁石及び第２電磁石、前記第１領域と前記第２領域との間の作動室に設けられて、前記作動室に流体を流入する流入部、及び前記第１領域に対して離隔される方向に前記第２領域の終端部に設けられた第２流出口を備える。
前記第２流出口には、前記プランジャを停止させるために第２弁座が備えられることが望ましく、これは、ポリマーから形成されうる。前記第２弁座の周囲には、前記第２弁座に近接した前記プランジャに引力を印加する第２磁石部がさらに備えられることが望ましい。前記流入部の一側面と前記第１領域の終端部とを連結して、前記プランジャの移動を容易にする定圧路がさらに備えられることが望ましい。
本発明の望ましい他の実施形態による本発明の弁は、流体の移動を選択的に制御するために、前記第２領域に対して離隔される方向に前記第１領域の終端部に設けられる第１流出口を備える。前記第１流出口には、前記プランジャが接触される第１弁座がさらに備えられることが望ましく、これは、ポリマーから形成されうる。また、前記第１弁座の周囲には、前記第１弁座に近接した前記プランジャに引力を印加する第１磁石部がさらに備えられることが望ましい。
前記プランジャは、強磁性体から形成され、前記プランジャの外部には、弁をシーリングする弾性材のコーティング膜がさらに形成されることが望ましい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明による弁は、弁の開放または閉鎖時において、流体による流圧により安定した状態を維持し、弁が開放から閉鎖に移行する時にのみ、プランジャに引力を加えるために、磁場を発生させる電磁石がエネルギーを消耗する。したがって、弁のエネルギー消耗が少ない。
【００１２】
さらに、第１電磁石及び第２電磁石が、プランジャに引力を印加することから、流体による流圧が十分でない時でも漏れが低減される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態による弁を、添付された図面を参照して詳細に説明する。図面で、弁を構成する各層の幅及び高さは、説明のために誇張されて図示されたということを留意せねばならない。
【００１４】
図２は、本発明の望ましい第１実施形態による弁を示す図面である。
【００１５】
図２に示すように、前記第１実施形態による弁は、プランジャ２１０、及びプランジャ２１０が往復動できる第１領域２２２と第２領域２２４とを有する作動室２２０を備える。第１領域２２２と第２領域２２４の周辺には、プランジャ２１０の存在する領域に作動磁界を形成する第１電磁石２３０及び第２電磁石２４０がそれぞれ設けられる。また、第１領域２２２と第２領域２２４との間における作動室２２０の一方の側部には、作動室２２０に流体を流入する流入部２５０が設けられ、第１領域２２２から離隔する第２領域２２４の終端部には、第２流出口２６０が設けられる。
【００１６】
望ましくは、閉状態から開状態への転換時、プランジャ２１０が第１領域２２２に容易に移動するように、流入部２５０の一側面と、第２領域２２４から離隔する第１領域２２２の終端部とを連結する定圧路２９０がさらに備えられる。また、作動室２２０は、流体が通過可能な限りにおいてあらゆる形態に形成され得て、例えば、チャンネルまたはチューブ形態を呈する。
【００１７】
前記第１電磁石２３０及び第２電磁石２４０は、外部電源（図示せず）から加えられる電流により、電磁石の周辺に磁場を形成する。形成された磁場は、プランジャ２１０を移動させることができる引力となる。この際、第１電磁石２３０及び第２電磁石２４０は、一つのソレノイドまたは二つのソレノイドなどからなることができる。また、第１電磁石２３０及び第２電磁石２４０は、プランジャ２１０に対して、接触すること無く、制御された磁力を作用可能なものであり、例えば、リニアモータによって動作するマイクロコイルや永久磁石などのマイクロ電磁石などからなる。
【００１８】
プランジャ２１０は、第１電磁石２３０及び第２電磁石２４０で発生した磁場により引力を受ける強磁性体からなる。また、プランジャ２１０は、作動室２２０内を移動でき、閉状態時に弁をシーリングするために、第２弁座２７０に対応する形態であれば、いかなる形態も呈し得て、例えば、球形、テーパ型、楕円形などを呈し得る。さらに望ましくは、プランジャ２１０の外部に弁をシーリングする弾性材のコーティング膜がさらに形成されうる。
【００１９】
前記第１実施形態において、第２流出口２６０に設けられて、プランジャ２１０が接触される第２弁座２７０がさらに備えられることが望ましい。ここで、第２弁座２７０は、機密性にすぐれて力学的に安定した弁座となるために、ポリマー材料によって形成される。さらに望ましくは、十分でない流圧によりプランジャ２１０がシーリングできなくて生じる漏れを減らすために、第２弁座２７０の周囲に設けられて、第１弁座３２０に近接したプランジャ２１０または３１０に引力を加える第２磁石部２８０がさらに備えられ、第２磁石部２８０は、例えば永久磁石あるいは電磁石から形成され得る。
【００２０】
図３は、前記本発明の望ましい第１実施形態による弁において、開放定常状態から閉鎖定常状態に移行する作動順序を示す図面である。
【００２１】
前記第１実施形態による弁の作動は、プランジャ２１０が第１領域２２２に位置し、第１電磁石２３０及び第２電磁石２４０に電流が印加されない第１ステージ、第１電磁石２３０に電流が印加され、第２電磁石２４０に電流が印加されない第２ステージ、第１電磁石２３０に電流が印加されず、第２電磁石２４０に電流が印加される第３ステージ、第１電磁石２３０及び第２電磁石２４０に電流が印加されない第４ステージの動作を含む。
【００２２】
前記第１ステージで、プランジャ２１０が第１領域２２２に位置し、流体が流入部２５０に流入して作動室２２０の第２領域２２４を通じて第２流出口２６０を通過するので、弁は、開放定常状態となる。前記第２ステージで、作動室２２０の内部のプランジャ２１０は、第１電磁石２３０で形成された磁場により、第１電磁石２３０と近い第１領域２２２内の位置まで移動する。前記第３ステージで、プランジャ２１０は、第２電磁石２４０で形成された磁場により、第２電磁石２４０と近い第２領域２２４内の位置まで移動する。前記第４ステージで、第２電磁石２４０と近い第２領域２２４内の位置まで移動したプランジャ２１０は、流圧及び作動室２２０で移動する流体の慣性により、第２弁座２７０まで移動する。そして、第２弁座２７０まで移動したプランジャ２１０は、流圧により第２弁座２７０との接触を維持する。プランジャ２１０と第２弁座２７０との接触により弁がシーリングされて、弁は、閉鎖定常状態を維持する。
【００２３】
図４及び図５は、前記本発明の望ましい第１実施形態による弁において、開放定常状態から閉鎖定常状態に移行する他態様の作動順序を示す図面である。図４に示すように、前記第２ステージは、第２電磁石２４０の磁場のみでプランジャ２１０を移動させることができれば省略できる。図５に示すように、前記第２ステージは、プランジャ２１０の移動のために、第１電磁石２３０と共に第２電磁石２４０に電流を印加することを含むことができる。
【００２４】
図６は、前記本発明の望ましい第１実施形態による弁において、閉鎖定常状態から開放定常状態に移行する他態様の作動順序を示す図面である。図６に示すように、前記第１実施形態による弁の作動は、プランジャ２１０が第２領域２２４に位置し、第１電磁石２３０及び第２電磁石２４０に電流が印加されない第１ステージ、第２電磁石２４０に電流が印加され、第１電磁石２３０に電流が印加されない第２ステージ、第１電磁石２３０に電流が印加され、第２電磁石２４０に電流が印加されない第３ステージ、第１電磁石２３０及び第２電磁石２４０に電流が印加されない第４ステージの動作を含む。
【００２５】
前記第１ステージで、流圧によりプランジャ２１０が第２弁座２７０と接触が維持されるので、弁は、閉鎖定常状態を維持する。前記第２ステージで、第２電磁石２４０にプランジャ２１０を移動可能な程度の磁場を形成するように電流を印加すれば、作動室２２０の内部のプランジャ２１０は、第２電磁石２４０で形成された磁場により、第２電磁石２４０と近い第２領域２２４内の位置まで移動する。前記第３ステージで、プランジャ２１０は、第１電磁石２３０で形成された磁場により、第１電磁石２３０と近い第１領域２２２内の位置まで移動する。前記第４ステージで、プランジャ２１０が第１領域２２２に位置し、流体が流入部２５０に流入して、作動室２２０の第２領域２２４を通じて第２流出口２６０を通過するので、弁は、開放定常状態を維持する。
【００２６】
図７及び図８は、前記本発明の望ましい第１実施形態による弁において、閉鎖定常状態から開放定常状態へ移行する他態様の作動順序を示す図面である。図７に示すように、前記第２ステージは、第１電磁石２３０の磁場のみでプランジャ２１０を移動させることができれば省略できる。図８に示すように、前記第２ステージは、プランジャ２１０の移動のために、第１電磁石２３０と共に第２電磁石２４０に電流を印加することを含むことができる。
【００２７】
以下、前記のような構成を有する本発明の望ましい第１実施形態による弁のテストのために、下記のようなコンピュータ模擬実験を行った。
【００２８】
図９は、コンピュータ模擬実験（ＣＦＤ−ＡＣＥ ｔｏｏｌ）に利用される本発明の望ましい第１実施形態による弁の概略的な断面図である。
【００２９】
図９に示すように、球形のプランジャ２１０の直径は、７６０μｍである。球形のニッケルプランジャ２１０を収容し、第１領域及び第２領域を有する円筒形のテフロン（登録商標）作動室２２０の内周面直径は、９００μｍ、外周面直径は、１２００μｍであり、長さは、２５００μｍである。第１電磁石２３０及び第２電磁石２４０が、第１領域２２２と第２領域２２４の周辺に、それぞれに設けられる。第１領域２２２と第２領域２２４との間の作動室２２０の側面に設けられた流体の流入部２５０の内周面直径は、２００μｍであり、外周面直径は、５００μｍである。テーパ型の第２弁座２７０は、第１領域２２２から離隔する第２領域２２４の終端部に設けられた第２流出口２６０と連結される。シリコンチューブは、第２弁座２７０と連結され、内周面直径は、６００μｍ、外周面直径は、９００μｍである。第２領域２２４に対して離隔する方向に、第１領域２２２の終端部と流入部２５０の一側面とを連結する定圧路２９０の内周面直径は、２００μｍであり、外周面直径は、５００μｍである。また、定圧路２９０は、流入部２５０と、流体の流入方向に対して４５°の角度で連結される。弁内に流れる流体は、水であり、弁の外部は、空気で満たされている。
【００３０】
図１０は、前記本発明の第１実施形態において、各電磁石に印加される電流の大きさに応じて、第１領域２２２の終端部からプランジャ２１０に作用される力の大きさを示す図面である。
【００３１】
図１１ないし図１３は、前記本発明の望ましい第１実施形態による弁で、流体の流速Ｖｉｎが０．０２６２ｍ／ｓであるときに、各電磁石に印加される電流Ｉの大きさに応じて、第１領域２２２の終端部からプランジャ２１０に作用される力の大きさを示す図面である。図１１は、第１電磁石に電流Ｉが印加された場合を示し、図１２は、第２電磁石に電流Ｉが印加された場合を示し、図１３は、第１電磁石及び第２電磁石に電流Ｉが印加された場合を示す。
【００３２】
図１１ないし図１３を通じて、それぞれの電磁石に印加された電流の大きさが大きくなるほど、球形のプランジャ２１０に印加された力の大きさも大きくなるということが分かる。また、各グラフにおいて、電流が３３Ａとなる場合を見ると明らかなように、所定のレベル以上の電流が印加されれば、プランジャ２１０に印加される主な力は、磁気力になるということが分かる。
【００３３】
図１４及び図１５は、第１実施形態による弁において、プランジャの移動位置を経時的に示す図面である。
【００３４】
図１４を参照すれば、第１実施形態による弁で、開放定常状態から閉鎖定常状態への移行時に、各電磁石に電流を印加するとき、弁内のプランジャが移動して、弁は、０．０４０秒以後に閉鎖定常状態を維持するということが分かる。図１５を参照すれば、第１実施形態における弁で、閉鎖定常状態から開放定常状態への移行時に、各電磁石に電流を印加するとき、弁内のプランジャが移動して、弁は、０．０４５秒以後に閉鎖定常状態を維持するということが分かる。
【００３５】
図１６は、本発明の望ましい第２実施形態による弁を示す断面図である。ここで、図２に示した図面の符号と同じ符号は同じ構成要素を示すので、その説明を省略する。
【００３６】
図１６に示すように、本発明の望ましい第２実施形態による弁は、流体の移動を選択的に制御するために、第２領域２２４から離隔する第１領域２２２の終端部に設けられる第１流出口３１０を備える。第１流出口３１０に、プランジャ２１０と接触する第１弁座３２０がさらに備えられることが望ましく、第１弁座３２０は、ポリマーから形成され得る。また、第１弁座３２０の周囲に、第１弁座３２０に近接するプランジャ２１０に引力を加える第１磁石部３３０がさらに備えられることが望ましい。
【００３７】
前記第２実施形態による弁は、流入部２５０を通じて流入した流体を、作動室２２０に収容されたプランジャ２１０の位置によって、選択的に第１流出口３１０または第２流出口２６０に移動させるための制御弁である。
【００３８】
図１７は、前記本発明の望ましい第２実施形態による弁において、第２流出口２６０の開放定常状態から第１流出口３１０の開放定常状態に移行する作動順序を示す図面である。
【００３９】
図１７に示すように、前記第２実施形態による弁の作動は、プランジャ２１０が第１領域２２２に位置し、第１電磁石２３０及び第２電磁石２４０に電流が印加されない第１ステージ、第１電磁石２３０に電流が印加され、第２電磁石２４０に電流が印加されない第２ステージ、第１電磁石２３０に電流が印加されず、第２電磁石２４０に電流が印加される第３ステージ、第１電磁石２３０及び第２電磁石２４０に電流が印加されない第４ステージの動作を含む。
【００４０】
前記第１ステージで、流圧によりプランジャ２１０が第１領域２２２中の第１弁座に位置し、流体が流入部２５０に流入して、作動室２２０の第２領域２２４を通じて第２流出口２６０を通過する。この際、弁は、第２流出口２６０の開放定常状態を維持する。前記第２ステージで、第１領域２２２内のプランジャ２１０は、第１電磁石２３０で形成された磁場により、第１電磁石２３０と近い第１領域２２２内の位置まで移動する。前記第３ステージで、第１電磁石２３０と近い第１領域２２２内の位置まで移動したプランジャ２１０は、第２電磁石２４０で形成された磁場により、第２電磁石２４０と近い第２領域２２４内の位置まで移動する。前記第４ステージで、第２電磁石２４０と近い作動室２２０の位置まで移動したプランジャ２１０は、流圧及び作動室２２０で移動する流体の慣性により第２弁座２７０まで移動する。そして、第２弁座２７０まで移動したプランジャ２１０は、流圧により第２弁座２７０との接触を維持する。プランジャ２１０と第２弁座２７０との接触は、弁をシーリングする。この際、流体は、第１流出口３１０を通過し、弁は、第１流出口３１０の開放定常状態を維持する。
【００４１】
図１８及び図１９は、前記本発明の望ましい第２の実施形態において、第２流出口２６０の開放定常状態から第１流出口３１０の開放定常状態へ移行する他態様の作動順序を示す図面である。図１８に示すように、前記第２ステージは、第２電磁石２４０の磁場のみでプランジャ２１０を移動させることができれば省略できる。図１９に示すように、前記第２ステージは、プランジャ２１０の移動のために、第１電磁石２３０と共に第２電磁石２４０に電流を印加することを含むことができる。
【００４２】
前記本発明の望ましい他の実施形態による弁において、第１流出口３１０の開放定常状態から第２流出口２６０の開放定常状態に移行する動作は、本実施形態の対称性により、図１７ないし図１９に示した動作と実質的に同一であるので、その説明を省略する。
【００４３】
前記のように、本発明による弁は、従来の電磁石を利用したボール弁と異なり、開放定常状態と閉鎖定常状態時に外部からエネルギーを供給しなくてもよく、開放定常状態から閉鎖定常状態への移行時にのみ、エネルギーを消耗する。そして、第１領域２２２と第２領域２２４にそれぞれ設けられた第１弁座３２０と第２弁座２７０とは、定常状態である時にプランジャとの接触面積を広げ、第１弁座３２０と第２弁座２７０の周囲に設けられた電磁石は、弁座に近接したプランジャ２１０に引力を印加して、流圧が十分でない時に発生する漏れを減らす。
【００４４】
また、本発明による弁は、対称的であるので、二方向の流れにも適用可能であるとともに、簡単な構造を有するため他の流体システムに容易に連結可能である。したがって、本発明による弁は、多用途の弁及び制御要素として利用可能であり、特にマイクロ単位で製造して生化学的なマイクロ流動システムで応用されうる。
【００４５】
本発明による弁は、開放または閉鎖時において、内部流圧により安定した状態を維持し、開放から閉鎖に移行する時にのみ、内部プランジャに引力を加える磁場を発生させる電磁石がエネルギーを消耗する。したがって、弁のエネルギー消耗が少ない。
【００４６】
また、弁の漏れは、弁座、弁座の周囲に設けられた磁石、プランジャ上に配置された弾性材のコーティング膜によって減少される。
【００４７】
本発明は、理解を助けるために、図面に示した実施形態を参考に説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、当業者であれば、これから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的な保護範囲は、特許請求の範囲により決まらねばならない。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明は、弁に関連の技術分野に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】従来の電磁石を利用したボール弁の断面図である。
【図２】本発明の望ましい第１実施形態による弁を示す図面である。
【図３】本発明の望ましい第１実施形態による弁において、開放定常状態から閉鎖定常状態に移行する作動順序を示す図面である。
【図４】本発明の望ましい第１実施形態による弁において、開放定常状態から閉鎖定常状態に移行する他態様の作動順序を示す図面である。
【図５】本発明の望ましい第１実施形態による弁において、開放定常状態から閉鎖定常状態に移行する他態様の作動順序を示す図面である。
【図６】本発明の望ましい第１実施形態による弁において、閉鎖定常状態から開放定常状態に移行する他態様の作動順序を示す図面である。
【図７】本発明の望ましい第１実施形態による弁において、閉鎖定常状態から開放定常状態に移行する他態様の作動順序を示す図面である。
【図８】本発明の望ましい第１実施形態による弁において、閉鎖定常状態から開放定常状態に移行する他態様の作動順序を示す図面である。
【図９】コンピュータ模擬実験に利用される本発明の望ましい第１実施形態による弁の概略的な断面図である。
【図１０】本発明の第１実施形態において、各電磁石に印加される電流の大きさに応じて、第１領域の終端部からプランジャに作用される力の大きさを示す図面である。
【図１１】本発明の第１実施形態による弁で、流体の流速が０．０２６２ｍ／ｓであるときに、各電磁石に印加される電流の大きさに応じて、第１領域の終端部からプランジャに作用される力の大きさを示す図面である。
【図１２】本発明の第１実施形態による弁で、流体の流速が０．０２６２ｍ／ｓであるときに、各電磁石に印加される電流の大きさに応じて、第１領域の終端部からプランジャに作用される力の大きさを、図１１とは異なる態様で示す図面である。
【図１３】本発明の第１実施形態による弁で、流体の流速が０．０２６２ｍ／ｓであるときに、各電磁石に印加される電流の大きさに応じて、第１領域の終端部からプランジャに作用される力の大きさを、図１１及び図１２とは異なる態様で示す図面である。
【図１４】第１実施形態による弁において、プランジャの移動位置を経時的に示す図面である。
【図１５】第１実施形態による弁において、プランジャの移動位置を、図１４とは他態様に、経時的に示す図面である。
【図１６】本発明の望ましい第２実施形態による弁を示す断面図である。
【図１７】本発明の望ましい第２実施形態において、第２流出口の開放定常状態から第１流出口の開放定常状態に移行する作動順序を示す図面である。
【図１８】本発明の望ましい第２実施形態による弁において、第２流出口の開放定常状態から第１流出口の開放定常状態に移行する他態様の作動順序を示す図面である。
【図１９】本発明の望ましい第２実施形態による弁において、第２流出口の開放定常状態から第１流出口の開放定常状態に移行する他態様の作動順序を示す図面である。
【符号の説明】
【００５０】
２１０    プランジャ、
２２０    作動室、
２２２    第１領域、
２２４    第２領域、
２３０    第１電磁石、
２４０    第２電磁石、
２５０    流入部、
２６０    第２流出口、
２７０    第２弁座、
２８０    第２磁石部、
２９０    定圧路。
【図１】
2006189161.tif 000003
【図２】
2006189161.tif 000004
【図３】
2006189161.tif 000005
【図４】
2006189161.tif 000006
【図５】
2006189161.tif 000007
【図６】
2006189161.tif 000008
【図７】
2006189161.tif 000009
【図８】
2006189161.tif 000010
【図９】
2006189161.tif 000011
【図１０】
2006189161.tif 000012
【図１１】
2006189161.tif 000013
【図１２】
2006189161.tif 000014
【図１３】
2006189161.tif 000015
【図１４】
2006189161.tif 000016
【図１５】
2006189161.tif 000017
【図１６】
2006189161.tif 000018
【図１７】
2006189161.tif 000019
【図１８】
2006189161.tif 000020
【図１９】
2006189161.tif 000021