(57)【要約】【課題】  半導体形成プロセスによって形成してある抵抗体装置において、抵抗値の変更のための修正にかかる時間と費用の削減を図れるようにすることを目的とする。【解決手段】  抵抗体２２上にその長手方向に沿って全長に亘ってＮ個のコンタクト２３−１〜２３−Ｎが等間隔で分散して形成してあり、アルミ配線パターン２４、２５がＮ個のコンタクト２３−１〜２３−Ｎのうちから選択した二つのコンタクト２３−１と２３−Ｎとに接続してある。抵抗値を変更する場合には、アルミ配線パターンだけを変更して、目的とする抵抗値に対応した別のコンタクトに接続して形成される。【選択図】  図１
2006269504.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
抵抗体と
該抵抗体上に、その長手方向に沿って分散して配された複数のコンタクトと、
上記複数のコンタクトのうちから選ばれたコンタクトに接続してある配線パターンとを有する構成としたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記複数のコンタクトは、前記抵抗体の全長に亘って形成してある構成としたことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の半導体装置において、
前記抵抗体が、二つ以上並んで配置してあり、
一つの抵抗体の一つのコンタクトと別の抵抗体の一つのコンタクトとの間が配線パターンで接続してある構成としたことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１又は請求項２に記載の半導体装置において、
前記複数のコンタクトは、前記抵抗体にその長手方向に沿って千鳥状に配置してある構成としたことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置に係り、特に半導体プロセスによって形成された抵抗体を備えた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路を備えた半導体装置は、半導体プロセスによって形成された抵抗体装置を有する。図５（Ａ）は従来の半導体装置のうちの抵抗体装置１の部分を示す。図１（Ａ）に示すように、抵抗体装置１は、幅がＷ１で細長い抵抗体２の所定の位置に二つのコンタクト３，４が形成してあり、コンタクト３にアルミ配線パターン５が接続してあり、コンタクト４にアルミ配線パターン６が接続してある構成であり、アルミ配線パターン５とアルミ配線パターン６との間が所定の抵抗値となる。この抵抗体装置１は、同図（Ｂ）に示すように、抵抗体２を形成する抵抗体形成工程１０と、抵抗体２の所定の位置に二つのコンタクト３，４を形成するコンタクト形成工程１１と、アルミ配線パターン５，６を形成するアルミ配線パターン形成工程１２とを経て製造される。
【０００３】
例えば集積回路の設計の変更に伴ってアルミ配線パターン５とアルミ配線パターン６との間の抵抗値を変更することが必要となる場合がある。
【０００４】
図５（Ｃ）は抵抗値を変更した場合の抵抗体装置１Ａを示す。抵抗体装置１Ａは、最初に形成してあった一つのコンタクト４に代えてコンタクト４Ａを有し、アルミ配線パターン６に代えてアルミ配線パターン６Ａを有する構成である。この抵抗体装置１Ａは、同図（Ｂ）に示すように、抵抗体２を形成する抵抗体形成工程１０と、抵抗体２の所定の位置に二つのコンタクト３，４Ａを形成するコンタクト形成工程１１Ａと、アルミ配線パターン５、６Ａを形成するアルミ配線パターン形成工程１２Ａとを経て製造される。
【特許文献１】特開２０００−３４０７５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
前記の従来の半導体装置では、抵抗値を変更する場合には、コンタクト形成用マスクとアルミ配線パターン形成用マスクとを新たに製作し、コンタクト形成工程１１Ａ及びアルミ配線パターン形成工程１２Ａの二つの工程を、今まで使用していたマスクとは異なる新たなマスクに交換して行わなければならず、半導体装置の修正に要する時間が長くなってしまっていた。
【０００６】
そこで、本発明は、上記課題を解決した半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、抵抗体と
該抵抗体上に、その長手方向に沿って分散して配された複数のコンタクトと、
上記複数のコンタクトのうちから選ばれたコンタクトに接続してある配線パターンとを有する構成としたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、抵抗体を形成する工程と複数のコンタクトを形成する工程とはそのままで、配線パターンを形成する工程のマスクを修正するだけで、抵抗値を目的とする値に変更することが可能となる。よって、抵抗値変更のための半導体装置の修正にかかる時間と費用の削減を図ることが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
次に本発明の実施の形態について説明する。
【実施例１】
【００１０】
図１（Ａ）及び図２（Ａ）は本発明の実施例１になる半導体装置のうちの抵抗体装置２０の部分を示す。同図（Ｂ）は製造工程図であり、同図（Ｄ）は抵抗体装置２０の等価回路である。図２（Ａ）は図１（Ａ）中IIA-IIA線に沿う断面、図２（Ｂ）は図１（Ｃ）中IIB-IIB線に沿う断面を示す。半導体装置は、集積回路（図示せず）を有し、その一部に抵抗体装置２０が作り込まれている構成である。
【００１１】
図１（Ａ）及び図２（Ａ）に示すように、抵抗体装置２０は、ｎ型シリコン基板２１上にｐ型拡散層からなる細長い形状の抵抗体２２を有し、この抵抗体２２上にその長手方向に沿って全長に亘ってＮ個のコンタクト２３−１〜２３−Ｎが等間隔で分散して形成してあり、コンタクト２３−１にアルミ配線パターン２４が接続してあり、コンタクト２３−Ｎに別のアルミ配線パターン２５が接続してあり、アルミ配線パターン２４とアルミ配線パターン２５との間が所定の抵抗値Ｒ１となっている。２６は絶縁膜である。抵抗体２２、コンタクト２３−１〜２３−Ｎ、アルミ配線パターン２４、２５、絶縁膜２６は全て集積回路を形成する半導体形成プロセスによって形成してある。この抵抗体装置２０を等価回路で示すと同図（Ｄ）に示すようになる。
【００１２】
アルミ配線パターン２４、２５はＮ個のコンタクト２３−１〜２３−Ｎのうち選択された二つのコンタクト２３−１、２３−Ｎに接続してある。残りのコンタクト２３−２〜２３−（Ｎ−１）は、利用されずに空いており、抵抗値を小さくする変更の際に使用される。
【００１３】
この抵抗体装置２０は、同図（Ｂ）に示すように、抵抗体２２を形成する抵抗体形成工程３０と、抵抗体２２上にコンタクト２３−１〜２３−Ｎを形成するコンタクト形成工程３１と、アルミ配線パターン２４、２５を形成する配線パターン形成工程３２とを経て製造される。
【００１４】
ここで、抵抗体２２のうち両端のコンタクト２３−１、２３−Ｎの間の長さＬ１は例えば１２０μｍ、幅Ｗ１は例えば３μｍ、コンタクト２３の大きさは２．０μｍ２であり、Ｎは２８であり、コンタクト２３のピッチｐ１は４．２μｍである。上記の条件で、アルミ配線パターンを引き出すコンタクトをコンタクト２３−Ｎからこの隣のコンタクト２３−（Ｎ−１）に一個変えることによって、抵抗値は３．５％変化する。
【００１５】
集積回路の設計の変更等に伴って抵抗値Ｒ１をこれよりも例えば３．５％低いＲ２に変更する場合について説明する。
【００１６】
図１（Ｃ）及び図２（Ｂ）は抵抗値をＲ２に変更した抵抗体装置２０Ａを示す。抵抗体装置２０Ａは、アルミ配線パターン２５に代えてアルミ配線パターン２５Ａを今までに接続されていたコンタクト２３−Ｎの隣のコンタクト２３−（Ｎ−１）に接続してある。アルミ配線パターン２４とアルミ配線パターン２５Ａとの間は目的の抵抗値Ｒ２となる。
【００１７】
抵抗値をこのように変更する場合には、図１（Ｂ）にしめすように、抵抗体形成工程３０とコンタクト形成工程３１とは今までと同じに行い、アルミ配線パターン形成用マスクを新たに製作し、このアルミ配線パターン形成用マスクを今までのアルミ配線パターン形成用マスクと交換してアルミ配線パターン形成工程３２Ａを行えばよい。即ち、半導体装置の修正は最後の工程であるアルミ配線パターン形成工程３２Ａだけで足り、半導体装置の修正に要する時間は従来に比べて短くて済む。
【００１８】
なお、目的とする抵抗値に応じてＮ個のコンタクト２３−１〜２３−Ｎのうちから二つのコンタクトを選択し、この選択した二つのコンタクトからアルミ配線パターンを引き出すことによって、目的とする抵抗値を得ることが可能となる。
【実施例２】
【００１９】
図３は本発明の実施例１になる半導体装置のうちの抵抗体装置４０の部分を示す。抵抗体装置４０は、Ｎ個のコンタクト２３−１〜２３−Ｎが等間隔で分散して形成してある抵抗体２２と、Ｎ個のコンタクト２３−１Ａ〜２３−ＮＡが等間隔で分散して形成してある抵抗体２２Ａとが干渉し合わない十分な間隔Ａ離してＸ１−Ｘ２方向に平行に配置してあり、抵抗体２２と抵抗体２２Ａとが直列に接続されて所定の抵抗値となっている構成である。
【００２０】
アルミ配線パターン２４が抵抗体２２上のＸ２端のコンタクト２３−１に接続して形成してあり、アルミ配線パターン４１が抵抗体２２Ａ上のＸ１端のコンタクト２３−１Ａに接続して形成してあり、抵抗体２２上のＸ１端のコンタクト２３−１と抵抗体２２Ａ上のＸ１端のコンタクト２３−（Ｎ−２）Ａとの間にアルミ配線パターン４２が形成してある。よって、アルミ配線パターン２４とアルミ配線パターン４１との間では、抵抗体２２の全体と抵抗体２２Ａの一部とが直列に接続された状態となり、アルミ配線パターン２４とアルミ配線パターン４０との間の抵抗値は、抵抗体２２の長さＬ１の抵抗値と抵抗体２２Ａの長さＬ２の部分の抵抗値とが加算された抵抗値となる。
【００２１】
上記の抵抗体装置４０は、図１（Ａ）に示す抵抗体装置２０に比較して大きい抵抗値を得ることが可能である。
【００２２】
また、例えば、アルミ配線パターン４２を変更し、抵抗体２２Ａ上の別のコンタクトに接続することによって、アルミ配線パターン２４とアルミ配線パターン４１との間の抵抗値が変更可能である。
【００２３】
また、コンタクト２３−（Ｎ−２）Ａの電位とコンタクト２３−３Ａの電位とが同じである場合には、抵抗体２２Ａのうち、Ｘ２側の部分を利用して、アルミ配線パターン５０とアルミ配線パターン５１との間で別の抵抗値を得ることが出来る。
【００２４】
また、抵抗体が三つ以上平行に並んで配置してあり、三つ以上の抵抗体が電気的に直列に接続された構成とすることも可能である。
【実施例３】
【００２５】
図４（Ａ）は本発明の実施例３になる半導体装置のうちの抵抗体装置２０Ｂの部分を示す。同図（Ｂ）は抵抗体装置２０Ｂの等価回路である。抵抗体装置２０Ｂは、前記の抵抗体２２よりも幅Ｗ２が約２倍広くて細長い形状の抵抗体２２Ｂを有し、この抵抗体２２Ｂ上にその長手方向に沿って全長に亘って、第１の列５１のＮ個のコンタクト２３−１〜２３−Ｎと、第２の列５２のコンタクト２３−１Ｂ〜２３−（Ｎ−１）Ｂとが二列に、且つ、千鳥状の配列で形成してある。第１の列のコンタクトと第２の列のコンタクトとの列方向のピッチｐ２は図１（Ａ）の場合のピッチｐ１の１／２であり狭い。また、アルミ配線パターン２４が第１の列のコンタクト２３−１と接続して、アルミ配線パターン２５が同じく第１の列のコンタクト２３−Ｎと接続して形成してあり、アルミ配線パターン２４、２５間が所定の抵抗値とされている。
【００２６】
アルミ配線パターン２５を符号２５Ｂで示すように第２の列のコンタクト２３−（Ｎ−１）Ｂと接続させて形成することによって、抵抗値が、図１（Ｂ）の場合に比較して小さく変化される。即ち、抵抗値の微細な変更が可能である。
【００２７】
なお、各実施例において、抵抗体２２，２２Ａ、２２Ｂは、ポリシリコン抵抗でもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の実施例１になる半導体装置の抵抗体装置を示す図である。
【図２】図１の抵抗体装置の断面図である。
【図３】本発明の実施例２になる半導体装置の抵抗体装置を示す図である。
【図４】本発明の実施例３になる半導体装置の抵抗体装置を示す図である。
【図５】従来の半導体装置の抵抗体装置を示す図である。
【符号の説明】
【００２９】
２０、２０Ａ，２０Ｂ、４０  抵抗体装置
２２、２２Ａ，２２Ｂ  抵抗体
２３−１〜２３−Ｎ、２３−１Ａ〜２３−ＮＡ、２３−１Ｂ〜２３−（Ｎ−２）  コンタクト
２４，２５．２５Ａ、２５Ｂ、４０，４１  アルミ配線パターン
【図１】
2006269504.tif 000003
【図２】
2006269504.tif 000004
【図３】
2006269504.tif 000005
【図４】
2006269504.tif 000006
【図５】
2006269504.tif 000007