(57)【要約】【課題】  撥水性に優れ、比較的低エネルギーの波長光で表面物性の変換が可能であり、光照射前後の水の接触角の変化量に優れ、かつ、基体への浸漬時間が短くても高性能な有機薄膜を形成することができる化合物を提供すること。【解決手段】  式（Ｉ）【化１】2006188487.tif 000016［式中、Ｘは、ヘテロ原子を含む官能基を表し、Ｒ1は、置換基を有していてもよい炭素数４〜１１のアルキル基等を表し、Ｒ2は、置換基を有していてもよい炭素数１〜４のアルキル基等を表し、ｍは、０〜４の整数を表す。ｎは、６〜３０の整数を表す。Ｇ1は、炭素数が１〜３である２価の飽和又は不飽和の炭化水素基を表す。Ａｒは、置換基を有していてもよい芳香族基を表す。Ｇ2は、酸素原子等を表す。］で表される化合物、及び基体表面に前記式（Ｉ）で表される化合物を含有する溶液を塗布することにより有機薄膜が形成されてなる有機薄膜形成体である。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）
【化１】
2006188487.tif 000015
［式中、Ｘは、ヘテロ原子を含む官能基を表し、Ｒ1は、置換基を有していてもよい炭素数３〜１１のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１１のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１１のアルキルチオ基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１１のアルキルカルボニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１１のアルコキシカルボニル基、又は置換基を有していてもよい炭素数３〜１１のアルキルアミノ基を表し、Ｒ2は、置換基を有していてもよい炭素数１〜４のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜４のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数１〜４のアルキルチオ基、置換基を有していてもよい炭素数１〜４のアルキルカルボニル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜４のアルコキシカルボニル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜４のアルキルアミノ基、置換基を有していてもよい炭素数２〜８のジアルキルアミノ基、置換基を有していてもよいアリール基、又はハロゲン原子を表し、ｍは、０〜４の整数を表す。ｍが２以上の整数を表すとき、Ｒ2は、同一でも異なっていてもよい。ｎは、６〜３０の整数を表す。Ｇ1は、炭素数が１〜３である２価の飽和又は不飽和の炭化水素基を表す。Ａｒは、置換基を有していてもよい芳香族基を表す。Ｇ2は、酸素原子、硫黄原子、又はＮｒ（ｒは、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。）で表される基を表す。］で表される化合物。
【請求項２】
Ｘが塩素原子又は炭素数１〜４のアルコキシ基を置換基として有するシリル基である請求項１記載の化合物。
【請求項３】
基体表面に、請求項１又は２記載の式（Ｉ）で表される化合物を含む有機薄膜形成用組成物から形成された有機薄膜を有することを特徴とする有機薄膜形成体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロニクス製品において、パターン形成作製工程を簡素且つ信頼性を高くするために、光照射によって選択的に表面物性を変換することのできる有機薄膜を形成する化合物、また、該当する物性変化を記憶素子として利用することができる化合物、その製造方法、及び基体表面に、該化合物を含有する有機薄膜が形成されてなる有機薄膜形成体に関する。
【背景技術】
【０００２】
エレクトロニクス製品の製造において、パターン形成作製工程は一般的に煩雑であるが、その工程を簡素且つ信頼性を高くするために、光照射によって選択的に表面物性を変換することのできる薄膜（自己組織化有機薄膜）を形成する方法が知られている。
【０００３】
このような自己組織化有機薄膜としては、基板上に、アリールシラン化合物又はアラルキルシラン化合物が自己組織化した薄膜に、１９３ｎｍのレーザー光を照射し、照射部に珪素―炭素結合解裂に伴う親水表面が形成されることが知られている（非特許文献１,２）。
また、ベンジルフェニルスルフィドが自己組織化した膜に、光照射し、非照射部分の有機分子のみが置換可能になり、所望の場所の表面物性を変えることができること（非特許文献３）、４−ベンジルスルホニルスチレンとクロロジメチルシランを白金触媒下で反応させて合成したベンジル−４−（２−（クロロジメチルシリル）エチル）フェニルスルホン（非特許文献４）から成膜された、珪素末端のベンジルフェニルスルホン化合物の自己組織化膜において紫外線照射によって表面のベンゼン環由来の吸収体が減少するとともに水の接触角が減少すること（非特許文献５）等も知られている。
【０００４】
一方、特許文献１には、レジスト表面に吸着させたヘキサメチルジシラザン膜へ電子線を選択的に照射することで、該当部分を除去し、その後酸素プラズマ処理することで、除去された部分のレジストのみエッチングされることが記載されている。特許文献２には、光触媒とフッ素を含有する複合層への光照射によって、フッ素含有量が低下することを利用したパターン形成体が開示されている。特許文献３には、凹凸の有る下地層と撥水性単分子膜の中間に光分解活性層をいれ、光照射で撥水層を選択的に除去し、撥水部と親水部をパターン形成する方法が開示されている。また、特許文献４には、ポルフィリン−銅錯体の単分子膜に、紫外線を含む放射線や、熱によって部分的に分子の配座が変化することを利用したレジストや記憶素子への適用が、開示されている。特許文献５には、有機分子膜への２００ｎｍ以上、３８０ｎｍ以下の紫外線照射によって、有機分子膜の照射部を除去できることが記載されている。さらに、非特許文献６及び特許文献６には、２−ニトロベンジルエステル及びエーテル類と末端シリル基から成る化合物群が、紫外線照射によって接触角を減らすことができる表面修飾剤として有用である旨開示されている。
【０００５】
しかしながら、上記従来技術においては、自己組織化有機薄膜や有機分子吸着膜をパターン形成に利用しているものの、分子構造が限定的であり、高エネルギーの波長光を用いる必要があったり、信頼性を得るために重要な、成膜性を制御するための分子構造が充分に検討されておらず、高い信頼性や光応答性を実現するためには必ずしも十分ではない。例えば、非特許文献４の化合物は、その製造方法からその分子構造が限定的であり、非特許文献７に記載されているように良い膜を得るために必要な部分構造に対する多様性に欠けるという問題点がある。
【０００６】
また、本出願人によって、フェニルスルホン類化合物に、酸素原子を介した連結基と金属表面と相互作用できる官能基を導入した式（１）
【０００７】
【化１】
2006188487.tif 000002
【０００８】
で表される化合物が、比較的低エネルギーの波長光で表面変換が可能であり、再現性良く、基体上に有機薄膜を形成できる（特許文献７）ことを報告した。しかしながら、特許文献７には、本願発明にかかる化合物は具体的に記載されていない。
【０００９】
【非特許文献１】Ｓｃｉｅｎｃｅ、１９９１年、２５２巻、５５１−５５４頁
【非特許文献２】Ｌａｎｇｍｕｉｒ、１９９６年、１２巻、１６３８−１６５０頁
【非特許文献３】Ｌａｎｇｍｕｉｒ、２０００年、１６巻、９９６３−９９６７頁
【非特許文献４】日本化学会第７９春季年会予稿集、２００１年、５９１頁
【非特許文献５】日本化学会第８１春季年会予稿集、２００２年、１９２頁
【非特許文献６】Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．，２０００年、２２８−２２９頁
【非特許文献７】Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１９８８年、１１０巻、６１３６−６１４４頁
【特許文献１】特開平７−２９７１００号公報
【特許文献２】特開２００１−１０９１０３号公報
【特許文献３】特開２００１−１２９４７４号公報
【特許文献４】特開２００１−２１５７１９号公報
【特許文献５】特開２００２−２３３５６号公報
【特許文献６】特開２００２−８０４８１号公報
【特許文献７】ＷＯ２００４／０６７５４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の課題は、撥水性に優れ、比較的低エネルギーの波長光で表面物性の変換が可能であり、光照射前後の水の接触角の変化量に優れ、かつ、基体への浸漬時間が短くても高性能な有機薄膜を形成することができる化合物、及び、基体表面に、前記化合物を含有する組成物から形成された有機薄膜を有する有機薄膜形成体を提供することにある。
【００１１】
本発明者らは、特許文献７記載の前記式（１）で表される化合物の構造展開を行ったところ、該化合物中、Ｇ１がメチレン基を表し、ｎが６以上の整数を表し、Ｒがパラ置換であり、かつ、炭素数３〜１１のアルキル基又は炭素数３〜１１のアルコキシ基を表す化合物が、撥水性に優れ、光照射後の水の接触角の変化量が優れる有機薄膜を形成することができることを見い出し、本発明を完成するに至った。
【００１２】
すなわち本発明は、
（１）式（Ｉ）
【００１３】
【化２】
2006188487.tif 000003
【００１４】
［式中、Ｘは、ヘテロ原子を含む官能基を表し、Ｒ1は、置換基を有していてもよい炭素数３〜１１のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１１のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１１のアルキルチオ基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１１のアルキルカルボニル基、置換基を有していてもよい炭素数３〜１１のアルコキシカルボニル基、又は置換基を有していてもよい炭素数３〜１１のアルキルアミノ基を表し、Ｒ2は、置換基を有していてもよい炭素数１〜４のアルキル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜４のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数１〜４のアルキルチオ基、置換基を有していてもよい炭素数１〜４のアルキルカルボニル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜４のアルコキシカルボニル基、置換基を有していてもよい炭素数１〜４のアルキルアミノ基、置換基を有していてもよい炭素数２〜８のジアルキルアミノ基、置換基を有していてもよいアリール基、又はハロゲン原子を表し、ｍは、０〜４の整数を表す。ｍが２以上の整数を表すとき、Ｒ2は、同一でも異なっていてもよい。ｎは、６〜３０の整数を表す。Ｇ1は、炭素数が１〜３である２価の飽和又は不飽和の炭化水素基を表す。Ａｒは、置換基を有していてもよい芳香族基を表す。Ｇ2は、酸素原子、硫黄原子、又はＮｒ（ｒは、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。）で表される基を表す。］で表される化合物に関し、
【００１５】
（２）Ｘが塩素原子又は炭素数１〜４のアルコキシ基を置換基として有するシリル基である（１）記載の化合物に関する。
【００１６】
また、本発明は、
（３）基体表面に（１）又は（２）記載の式（Ｉ）で表される化合物を含む有機薄膜形成用組成物から形成された有機薄膜を有することを特徴とする有機薄膜形成体に関する。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の式（Ｉ）で表される化合物から得られる有機薄膜は、撥水性に優れ、比較的低エネルギーの波長光で表面物性の変換が可能であり、光照射前後の水の接触角の変化量に優れる。例えば、紫外線が照射されると照射部位のみが親水性の膜に変化するので、基体上に本発明の式（Ｉ）で表される化合物を含有する有機薄膜形成用組成物を使用して有機薄膜を形成した後、所定のパターンを有するマスクを介して紫外線を照射することにより、特定の部位のみを親水性の薄膜に変換することができる。また、有機薄膜を形成する場合に、本発明の式（Ｉ）で表される化合物を含有する溶液中への基体の浸漬時間が短くても、高性能な有機薄膜を形成できる。本発明によれば、基体表面に精密で微細な機能性薄膜のパターンを容易に形成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明は、前記式（Ｉ）で表される化合物である。
式（Ｉ）中、Ｘは、ヘテロ原子を含む官能基を表す。本発明において、官能基とは、基体表面、好ましくは金属又は金属酸化物表面と相互作用できる基を意味する。また、ヘテロ原子とは、周期律表（長周期型）の第１３〜１７族の炭素原子以外の原子をいい、例えば、ホウ素原子、アルミニウム原子、珪素原子、窒素原子、リン原子、酸素原子、硫黄原子、フッ素原子、塩素原子等が挙げられる。ヘテロ原子を含む官能基としては、塩素原子若しくは炭素数１〜４のアルコキシ基を置換基として有するシリル基、メルカプト基、置換基を有していてもよい炭素数１〜４のアルキルチオ基、炭素数１〜１０のアシルチオ基、ジスルフィド基、アミノ基、又は置換基を有していてもよいホスホノ基等を例示することができ、これらの中でも、塩素原子若しくは炭素数１〜４のアルコキシ基を置換基として有するシリル基であるのが好ましく、炭素数１〜４のアルコキシ基を置換基として有するシリル基であるのが特に好ましい。
【００１９】
Ｘの好ましい具体例としては、クロロジヒドロシリル基、クロロジメチルシリル基、クロロジエチルシリル基、クロロジフェニルシリル基、クロロメチルフェニルシリル基、ジクロロヒドロシリル基、ジクロロメチルシリル基、ジクロロエチルシリル基、ジクロロフェニルシリル基、トリクロロシリル基等の塩素原子を置換基として有するシリル基；トリメトキシシリル基、ジメトキシメチルシリル基、ジメトキシクロロシリル基、ジメトキシエチルシリル基、ジメトキシフェニルシリル基、トリエトキシシリル基、ジエトキシメチルシリル基、ジエトキシクロロシリル基、ジエトキシエチルシリル基、ジエトキシフェニルシリル基、トリプロポキシシリル基、ジプロポキシメチルシリル基、ジプロポキシクロロシリル基、ジメトキシエチルシリル基等の炭素数１〜４のアルコキシ基を置換基として有するシリル基；メルカプト基；メチルチオ基、エチルチオ基、メトキシエチルチオ基、カルボキシエチルチオ基等の置換基を有していてもよい炭素数１〜４のアルキルチオ基；アセチルチオ基、プロピオニルチオ基、ベンゾイルチオ基等の炭素数１〜１０のアシルチオ基；メチルジスルフィド基等の炭素数１〜４のアルキルジスルフィド基；
【００２０】
【化３】
2006188487.tif 000004
【００２１】
［式中、Ｒ1、Ｒ2、ｍ、Ｇ1、Ａｒ、Ｇ2、ｎは前記と同じ意味を表す。］等のジスルフィド基；炭素数１〜４のアルキル基等の置換基を有していてもよいアミノ基；−Ｐ（＝Ｏ）（ＯＨ）2、−Ｐ（＝Ｏ）（ＯＣＨ3）2、−Ｐ（＝Ｏ）（ＯＣ2Ｈ5）2、−Ｐ（＝Ｏ）（ＯＣ3Ｈ7）2、−Ｐ（＝Ｏ）（ＯＣ4Ｈ9）2、−Ｐ（＝Ｏ）（ＯＰｈ）2等の炭素数１〜４のアルキル基、アリール基等の置換基を有していてもよいホスホノ基；等が挙げられる。
【００２２】
Ｒ1は、置換基を有していてもよい（炭素数３〜１１のアルキル基、炭素数３〜１１のアルコキシ基、炭素数３〜１１のアルキルチオ基、炭素数３〜１１のアルキルカルボニル基、炭素数３〜１１のアルコキシカルボニル基、又は炭素数３〜１１のアルキルアミノ基）を表す。
【００２３】
炭素数３〜１１のアルキル基としては、例えば、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基、ｎ−ウンデシル基等が挙げられる。これらの中でも、炭素数５〜１０のアルキル基が好ましい。
【００２４】
炭素数３〜１１のアルコキシ基としては、例えば、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−ノニルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、ｎ−ウンデシルオキシ基等が挙げられる。これらの中でも、炭素数５〜１０のアルコキシ基が好ましい。
【００２５】
炭素数３〜１１のアルキルチオ基としては、例えば、ｎ−プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ｎ−ペンチルチオ基、ｎ−ヘキシルチオ基、ｎ−ヘプチルチオ基、ｎ−オクチルチオ基、ｎ−ノニルチオ基、ｎ−デシルチオ基、ｎ−ウンデシルチオ基等が挙げられる。これらの中でも、炭素数５〜１０のアルキルチオ基が好ましい。
【００２６】
炭素数３〜１１のアルキルカルボニル基としては、例えば、ｎ−プロピルカルボニル基、イソプロピルカルボニル基、ｎ−ブチルカルボニル基、ｔ−ブチルカルボニル基、ｎ−ペンチルカルボニル基、ｎ−ヘキシルカルボニル基、ｎ−ヘプチルカルボニル基、ｎ−オクチルカルボニル基、ｎ−ノニルカルボニル基、ｎ−デシルカルボニル基、ｎ−ウンデシルカルボニル基等が挙げられる。これらの中でも、炭素数５〜１０のアルキルカルボニル基が好ましい。
【００２７】
炭素数３〜１１のアルコキシカルボニル基としては、例えば、ｎ−プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基、ｎ−ヘプチルオキシカルボニル基、ｎ−オクチルオキシカルボニル基、ｎ−ノニルオキシカルボニル基、ｎ−デシルオキシカルボニル基、ｎ−ウンデシルオキシカルボニル基等が挙げられる。これらの中でも、炭素数５〜１０のアルコキシカルボニル基が好ましい。
【００２８】
炭素数３〜１１のアルキルアミノ基としては、例えば、ｎ−プロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ｎ−ブチルアミノ基、ｔ−ブチルアミノ基、ｎ−ペンチルアミノ基、ｎ−ヘキシルアミノ基、ｎ−ヘプチルアミノ基、ｎ−オクチルアミノ基、ｎ−ノニルアミノ基、ｎ−デシルアミノ基、ｎ−ウンデシルアミノ基等が挙げられる。これらの中でも、炭素数５〜１０のアルキルアミノ基が好ましい。
【００２９】
前記炭素数３〜１１のアルキル基、炭素数３〜１１のアルコキシ基、炭素数３〜１１のアルキルチオ基、炭素数３〜１１のアルキルカルボニル基、炭素数３〜１１のアルコキシカルボニル基、及び炭素数３〜１１のアルキルアミノ基は、任意の位置に置換基を有していてもよく、また、同一若しくは相異なる複数の置換基を有していてもよい。
【００３０】
前記炭素数３〜１１のアルキル基、炭素数３〜１１のアルコキシ基、炭素数３〜１１のアルキルチオ基、炭素数３〜１１のアルキルカルボニル基、炭素数３〜１１のアルコキシカルボニル基、及び炭素数３〜１１のアルキルアミノ基の置換基としては、特に制限されないが、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子；メトキシ基、エトキシ基等の炭素数１〜４のアルコキシ基；シアノ基；ニトロ基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の炭素数１〜４アルコキシカルボニル基；メチルチオ基、エチルチオ基等の炭素数１〜４のアルキルチオ基；メチルスルホニル基、エチルスルホニル基等の炭素数１〜４のアルキルスルホニル基；等が挙げられる。
【００３１】
これらの中でも、Ｒ1としては、炭素数３〜１１のアルキル基、又は炭素数３〜１１のアルコキシ基であるのが好ましい。
【００３２】
ｍは０〜４の整数を表す。これらの中でも、ｍが０であるのが好ましい。
【００３３】
Ｒ2は、置換基を有していてもよい（炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、炭素数１〜４のアルキルチオ基、炭素数１〜４のアルキルカルボニル基、炭素数１〜４のアルコキシカルボニル基、炭素数１〜４のアルキルアミノ基、炭素数２〜８のジアルキルアミノ基、アリール基）、又はハロゲン原子を表す。
【００３４】
炭素数１〜４のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチル基等が挙げられる。
【００３５】
炭素数１〜４のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基等が挙げられる。
【００３６】
炭素数１〜４のアルキルチオ基としては、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、ｎ−プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基等が挙げられる。
【００３７】
炭素数１〜４のアルキルカルボニル基としては、例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、ｎ−プロピルカルボニル基、イソプロピルカルボニル基、ｎ−ブチルカルボニル基、ｔ−ブチルカルボニル等が挙げられる。
【００３８】
炭素数１〜４のアルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基等が挙げられる。
【００３９】
炭素数１〜４のアルキルアミノ基としては、例えば、メチルアミノ基、エチルアミノ基、ｎ−プロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ｎ−ブチルアミノ基等が挙げられる。
【００４０】
炭素数２〜８のジアルキルアミノ基としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジｎ−プロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、メチルエチルアミノ基、メチルｎ−プロピルアミノ基等が挙げられる。
【００４１】
アリール基としては、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基等が挙げられる。
【００４２】
ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
【００４３】
前記炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、炭素数１〜４のアルキルチオ基、炭素数１〜４のアルキルカルボニル基、炭素数１〜４のアルコキシカルボニル基、炭素数１〜４のアルキルアミノ基、炭素数２〜８のジアルキルアミノ基、及びアリール基は、任意の位置に置換基を有していてもよく、また、同一若しくは相異なる複数の置換基を有していてもよい。
【００４４】
前記炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、炭素数１〜４のアルキルチオ基、炭素数１〜４のアルキルカルボニル基、炭素数１〜４のアルコキシカルボニル基、炭素数１〜４のアルキルアミノ基、炭素数２〜８のジアルキルアミノ基、及びアリール基の置換基としては、特に制限されないが、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子；メトキシ基、エトキシ基等の炭素数１〜４のアルコキシ基；シアノ基；ニトロ基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の炭素数１〜４アルコキシカルボニル基；メチルチオ基、エチルチオ基等の炭素数１〜４のアルキルチオ基；メチルスルホニル基、エチルスルホニル基等の炭素数１〜４のアルキルスルホニル基；フェニル基、４−メチルフェニル基、ペンタフルオロフェニル基等の炭素数１〜４のアルキル基、ハロゲン原子等の置換基を有していてもよいフェニル基；等が挙げられる。
【００４５】
これらの中でも、Ｒ2としては、炭素数１〜４のアルキル基、又は炭素数１〜４のアルコキシ基であるのが好ましい。また、ｍが２以上の整数を表すとき、Ｒ2は、同一でも異なっていてもよい。
【００４６】
ｎは、６〜３０の整数を表す。また、ｎは、６〜１２の整数であるのが好ましく、８〜１０の整数であるのがより好ましい。
Ｇ1は、炭素数が１〜３である２価の飽和又は不飽和の炭化水素基表す。
Ｇ1の具体例としては、メチレン基、メチルメチレン基、ジメチルメチレン基、エチレン基、プロピレン基等が挙げられる。
【００４７】
Ａｒは、置換基を有していてもよい芳香族基を表す。
芳香族基としては、フェニレン基、ビフェニレン基、トリフェニレン基、ナフチレン基等が挙げられる。これらの中でも、パラフェニレン基、パラビフェニレン基、パラトリフェニレン基又はナフチレン基が好ましく、パラフェニレン基であるのが特に好ましい。
【００４８】
Ｇ2は、酸素原子、硫黄原子、又はＮｒで表される基を表す。ｒは、水素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基等の炭素数１〜４のアルキル基を表す。
Ｇ2の具体例としては、酸素原子（−Ｏ−）、硫黄原子（−Ｓ−）、−ＮＨ−、−Ｎ（ＣＨ3）−、−Ｎ（Ｃ2Ｈ5）−、−Ｎ（ｎ−Ｃ3Ｈ7）−、−Ｎ（ｉ−Ｃ3Ｈ7）−等が挙げられる。これらの中でも、酸素原子（−Ｏ−）が好ましい。
【００４９】
（製造方法）
前記式（Ｉ）で表される化合物は、例えば以下のようにして製造することができる。一般的な製造方法を下記に示す。
【００５０】
【化４】
2006188487.tif 000005
【００５１】
式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｇ1、Ａｒ、ｎ、ｍ及びＸは、前記と同じ意味を表す。Ｈａｌは、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子を表し、Ｇ'は、酸素原子、又はＮｒ（ｒは、前記と同じ意味を表す。）を表し、Ｒ3は、水素原子；塩素原子等のハロゲン原子；メチル基、エチル基等の炭素数１〜４のアルキル基；メトキシ基、エトキシ基等の炭素数１〜４のアルコキシ基；フェニル基等の置換基を有していてもよいフェニル基；等の置換基を表し、Ｒ4は、水素原子；メチル基、エチル基等の炭素数１〜４のアルキル基；フェニル基等の置換基を有していてもよいフェニル基；等の置換基を表す。
【００５２】
（製造法１）Ｘがシリル基である化合物（１−１）の製造
先ず、芳香族化合物（２）に対し、１〜２当量の塩基存在下、化合物（３）を反応させて、スルフィド化合物（４）を得る。次に、得られたスルフィド化合物（４）を、適当な酸化剤によって酸化して、対応するスルホン体（５）を得る。次いで、得られたスルホン体（５）と、末端がオレフィンであるアルキルハライド又はアルコールとを、塩基又は縮合剤の存在下に反応させることによりオレフィン体（６）を得る。 さらに、得られたオレフィン体（６）を、適当な触媒存在下にヒドロシランと反応させて、Ｘがシリル基で表される化合物（１−１）を得ることができる。
【００５３】
上記反応で用いることができる塩基としては、トリエチルアミン、トリブチルアミン等の三級アミン類；ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウムｔ−ブトキシド等の金属アルコキシド類；水酸化ナトリウム等のアルカリ金属水酸化物類；炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩類；等が挙げられる。
用いる酸化剤としては、過酸化水素、過酢酸、ｍ−クロロ過安息香酸等の過酸化物類が挙げられる。
用いる縮合剤としては、アゾジカルボン酸ジエチルエステル等のアゾジカルボン酸エステル類と、トリフェニルホスフィン等のホスフィン類の組合せが挙げられる。
また、ヒドロシランの反応に用いる触媒としては、白金、パラジウム、ニッケル、ルテニウム、ロジウム等の遷移金属又はそのハロゲン化物、及びその有機金属錯体が挙げられる。
【００５４】
（製造法２）Ｘがホスホノ基である化合物（１−２）の製造
Ｘがホスホノ基である化合物（１−２）は、化合物（６）に亜リン酸ジエステルを適当な触媒存在下に反応させ、次いで、加水分解することによって得ることができる。亜リン酸ジエステルの反応に用いる触媒としては、白金、パラジウム、ニッケル、ルテニウム、ロジウム等の遷移金属又はそのハロゲン化物、及びその有機金属錯体が挙げられる。また、Ｘがホスホノ基である化合物は、後述する化合物（７）と亜リン酸トリエステルを反応させ、加水分解させる方法でも製造できる。
【００５５】
（製造法３）Ｘがメルカプト基、炭素数１〜４のアルキルチオ基、又はアミノ基である化合物（１−３）の製造
Ｘがメルカプト基、炭素数１〜４のアルキルチオ基、又はアミノ基である化合物（１−３）は、化合物（５）に、α、ω−ジハロアルカンを反応させて化合物（７）を得、得られた化合物（７）の末端ハロゲンを、硫黄又は窒素原子と求核置換反応させることにより得ることができる。
【００５６】
（製造法４）Ｘがジスルフィド基である化合物（１−３）の製造
Ｘがジスルフィド基である化合物（１−３）は、Ｘがメルカプト基である化合物を酸化的に二量化させることにより得ることができる。
【００５７】
Ｇ2がＳである化合物は、前記化合物（５）を公知の方法により硫黄化し、その後、前記製造法１〜４と同様にして得ることができる。
【００５８】
【化５】
2006188487.tif 000006
【００５９】
上記製造法１〜４において、反応に用いることができる溶媒としては、反応に不活性な溶媒であれば特に制約されない。例えば、水；メタノール、エタノール等のアルコール類；アセトニトリル等のニトリル類；ジエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）等のエーテル類；ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類；ジクロロメタン、クロロホルム等のハロゲン化炭化水素；及びこれらの２種以上の組合せが挙げられる。また、水−有機溶媒の二相系を用いることもできる。反応は、−８０℃から＋２００℃の間で円滑に進行する。
【００６０】
いずれの反応においても、反応終了後は通常の有機合成化学における通常の後処理操作、分離・精製を行うことにより、目的物を単離することができる。目的物の構造は、ＮＭＲスペクトル、マススペクトル、ＩＲスペクトルの測定、元素分析等を行うことにより、確認することができる。
【００６１】
以上のようにして得られる本発明の式（Ｉ）で表される化合物の代表例を表１に、1Ｈ−ＮＭＲデータを表２に示す。
【００６２】
【表１０１】
2006188487.tif 000007
【００６３】
【表１０２】
2006188487.tif 000008
【００６４】
【表１０３】
2006188487.tif 000009
【００６５】
【表１０４】
2006188487.tif 000010
【００６６】
【表２０１】
2006188487.tif 000011
【００６７】
【表２０２】
2006188487.tif 000012
【００６８】
（有機薄膜形成体）
本発明の有機薄膜形成体は、本発明の前記式（Ｉ）で表される化合物を含む有機薄膜形成用組成物から形成された有機薄膜を有することを特徴とする。
【００６９】
本発明に用いる基体としては、前記式（Ｉ）で表される化合物を含む有機薄膜形成用組成物を使用して、有機薄膜を形成できるものであれば特に制約されない。例えば、ソーダライムガラス板等のガラス基板、ＩＴＯガラス等の表面に電極が形成された基板、表面に絶縁層が形成された基板、表面に導電層が形成された基板、シリコンウェーハ基板等のシリコン基板、セラミックス基板等が挙げられる。また、基体は、有機薄膜を形成する前に、オゾン；超音波；蒸留水、イオン交換水、アルコール等の洗浄剤；等により洗浄した後に使用するのが好ましい。
【００７０】
有機薄膜形成用組成物は、前記式（Ｉ）で表される化合物を適当な溶媒に溶解させることで調製することができる。
用いる溶媒としては、前記式（Ｉ）で表される化合物に対し不活性であり、前記式（Ｉ）で表される化合物を溶解するものであれば特に制限されない。例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類：ペンタン、ヘキサン等の脂肪族炭化水素類；ベンゾトリフルオライド、（ノナフルオロブチル）エチルエーテル、クロロホルム、ジクロロエタン、四塩化炭素等のハロゲン化炭化水素類；シクロペンタン、シクロヘキサン等の脂環式炭化水素類；酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル類；ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ＴＨＦ、１，４−ジオキサン等のエーテル類；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類；等が挙げられる。これらの溶媒は、１種単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。
【００７１】
前記式（Ｉ）で表される化合物を含有する溶液中には、緻密な有機薄膜を形成できる点で水を存在させることが好ましい。具体的には、５０ｐｐｍ以上が好ましく、また、５０ｐｐｍから用いる溶媒への飽和水分量の範囲、より具体的には、５０〜１０００ｐｐｍの範囲が好ましく、２５０〜８００ｐｐｍの範囲がより好ましい。５０ｐｐｍ以上では、迅速に有機薄膜の形成が行え、１０００ｐｐｍより少ない場合には、前記式（Ｉ）で表される化合物等が失活するという問題が少ない。
【００７２】
また、前記式（Ｉ）で表される化合物を含有する溶液は、有機薄膜の形成を促進させるために触媒を添加することが好ましい。
用いる触媒としては、金属；金属酸化物；金属塩；金属水酸化物；金属アルコキシド類；キレート化又は配位化された金属化合物；金属アルコキシド類を水で処理して得られる加水分解生成物；酸；等が挙げられる。これらの触媒は、１種単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。
【００７３】
金属としては、特に制限されないが、周期律表第１０族の金属が好ましく、パラジウム、白金が特に好ましい。
金属酸化物としては、特に制限されないが、酸化パラジウム（ＩＶ）、酸化白金（ＩＶ）等が挙げられる。
【００７４】
金属塩としては、特に制限されないが、塩化物、硝酸塩、硫酸塩、酢酸塩、ギ酸塩、シュウ酸塩等が挙げられる。より具体的には、塩化ニッケル（ＩＩ）、臭化ニッケル（ＩＩ）、塩化パラジウム（ＩＩ）、臭化パラジウム（ＩＩ）、塩化白金（ＩＩ）、硝酸ニッケル（ＩＩ）、硝酸パラジウム（ＩＩ）、硫酸ニッケル（ＩＩ）、硫酸パラジウム（ＩＩ）、臭化白金（ＩＩ）、酢酸ニッケル（ＩＩ）、酢酸パラジウム（ＩＩ）、酢酸白金（ＩＩ）、シュウ酸パラジウム（ＩＩ）等が挙げられる。
【００７５】
金属水酸化物としては、金属の水酸化物であれば、どのような製造方法で得られたものであってもよい。金属水酸化物の製造方法としては、後述する金属アルコキシド類を加水分解する方法、金属塩を金属水酸化物と反応させる方法等が挙げられる。また、金属水酸化物として市販されているものを、所望により精製して使用することもできる。
【００７６】
金属水酸化物の種類は特に限定されないが、チタン、ジルコニウム、アルミニウム、ケイ素、ゲルマニウム、インジウム、スズ、タンタル、亜鉛、タングステン、又は鉛の水酸化物が好ましい。
【００７７】
金属水酸化物の製造に用いる金属アルコキシド類としては、後述する金属アルコキシド類の加水分解生成物の製造に用いることができるものと同様のものが挙げられる。また、ここで用いる金属塩としては特に制限されず、例えば、塩化物、臭化物、硫酸塩、硝酸塩、炭酸塩、炭酸水素塩、リン酸塩、酢酸塩、ギ酸塩、シュウ酸塩等が挙げられる。
【００７８】
金属アルコキシド類の金属としては、特に限定されないが、透明性に優れる有機薄膜を得ることができること等の理由から、チタン、ジルコニウム、アルミニウム、ケイ素、ゲルマニウム、インジウム、スズ、タンタル、亜鉛、タングステン、又は鉛であるのが好ましい。
【００７９】
金属アルコキシド類の具体例としては、Ｓｉ（ＯＣＨ3）4、Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4、Ｓｉ（ＯＣ3Ｈ7−ｉ）4、Ｓｉ（ＯＣ4Ｈ9−ｔ）4等のケイ素アルコキシド；Ｔｉ（ＯＣＨ3）4、Ｔｉ（ＯＣ2Ｈ5）4、Ｔｉ（ＯＣ3Ｈ7−ｉ）4、Ｔｉ（ＯＣ4Ｈ9）4等のチタンアルコキシド；Ｔｉ［ＯＳｉ（ＣＨ3）3］4、Ｔｉ［ＯＳｉ（Ｃ2Ｈ5）3］4等のテトラキストリアルキルシロキシチタン；Ｚｒ（ＯＣＨ3）4、Ｚｒ（ＯＣ2Ｈ5）4、Ｚｒ（ＯＣ3Ｈ7）4、Ｚｒ（ＯＣ4Ｈ9）4等のジルコニウムアルコキシド；Ａｌ（ＯＣＨ3）3、Ａｌ（ＯＣ2Ｈ5）3、Ａｌ（ＯＣ3Ｈ7−ｉ）3、Ａｌ（ＯＣ4Ｈ9）3等のアルミニウムアルコキシド；Ｇｅ（ＯＣ2Ｈ5）4等のゲルマニウムアルコキシド；Ｉｎ（ＯＣＨ3）3、Ｉｎ（ＯＣ2Ｈ5）3、Ｉｎ（ＯＣ3Ｈ7−ｉ）3、Ｉｎ（ＯＣ4Ｈ9）3等のインジウムアルコキシド；Ｓｎ（ＯＣＨ3）4、Ｓｎ（ＯＣ2Ｈ5）4、Ｓｎ（ＯＣ3Ｈ7−ｉ）4、Ｓｎ（ＯＣ4Ｈ9）4等のスズアルコキシド；Ｔａ（ＯＣＨ3）5、Ｔａ（ＯＣ2Ｈ5）5、Ｔａ（ＯＣ3Ｈ7−ｉ）5、Ｔａ（ＯＣ4Ｈ9）5等のタンタルアルコキシド；Ｗ（ＯＣＨ3）6、Ｗ（ＯＣ2Ｈ5）6、Ｗ（ＯＣ3Ｈ7−ｉ）6、Ｗ（ＯＣ4Ｈ9）6等のタングステンアルコキシド；Ｚｎ（ＯＣ2Ｈ5）2等の亜鉛アルコキシド；Ｐｂ（ＯＣ4Ｈ9）4、Ｐｂ（ＯＣ3Ｈ7−ｉ）2等の鉛アルコキシド；等が挙げられる。
【００８０】
また、金属アルコキシド類として、２種以上の金属アルコキシド類の反応により得られる複合アルコキシド、１種もしくは２種以上の金属アルコキシド類と、１種もしくは２種以上の金属塩との反応により得られる複合アルコキシドを用いることもできる。
【００８１】
２種以上の金属アルコキシド類の反応により得られる複合アルコキシドとしては、アルカリ金属又はアルカリ土類金属のアルコキシドと、遷移金属のアルコキシドとの反応により得られる複合アルコキシドや、第３Ｂ族元素の組合せにより錯塩の形で得られる複合アルコキシド等を例示することができる。
【００８２】
その具体例としては、ＢａＴｉ（ＯＲ）6、ＳｒＴｉ（ＯＲ）6、ＢａＺｒ（ＯＲ）6、ＳｒＺｒ（ＯＲ）6、ＬｉＮｂ（ＯＲ）6、ＬｉＴａ（ＯＲ）6、及び、これらの組合せ、ＬｉＶＯ（ＯＲ）4、ＭｇＡｌ2（ＯＲ）8、（ＲＯ）3ＳｉＯＡｌ（ＯＲ’）2、（ＲＯ）3ＳｉＯＴｉ（ＯＲ’）3、（ＲＯ）3ＳｉＯＺｒ（ＯＲ’）3、（ＲＯ）3ＳｉＯＢ（ＯＲ’）2、（ＲＯ）3ＳｉＯＮｂ（ＯＲ’）4、（ＲＯ）3ＳｉＯＴａ（ＯＲ’）4等のケイ素アルコキシドと、前記金属アルコキシド類との反応物及びその縮重合物等が挙げられる。ここで、Ｒ及びＲ’は、アルキル基を表す。
【００８３】
１種もしくは２種以上の金属アルコキシド類と１種もしくは２種以上の金属塩との反応により得られる複合アルコキシドとしては、金属塩と金属アルコキシド類との反応により得られる化合物を例示することができる。ここで用いる金属塩としては、塩化物、硝酸塩、硫酸塩、酢酸塩、ギ酸塩、シュウ酸塩等を、金属アルコキシド類としては、上述した金属アルコキシド類と同様のものをそれぞれ例示することができる。
【００８４】
キレート化又は配位化された金属化合物は、金属化合物の溶液に、該金属化合物の金属と錯体を形成し得るキレート化剤又は配位化合物を添加することで、調製することができる。キレート化又は配位化された金属化合物を用いる場合には、再現性よく、所望の物性を有する有機薄膜を形成することができる。
【００８５】
前記金属化合物としては、金属、金属酸化物、金属塩、金属水酸化物、金属アルコキシド類、及び／又は該金属アルコキシド類を水で処理して得られた加水分解生成物を使用することができる。
【００８６】
前記キレート化剤又は配位化合物としては、前記金属化合物の金属にキレート化又は配位して、錯体を形成し得るものであれば特に限定されない。
【００８７】
キレート化剤又は配位化合物の具体例としては、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸等の飽和脂肪族カルボン酸類；シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸等の飽和脂肪族ジカルボン酸類；アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、アレイン酸、マレイン酸等の不飽和カルボン酸類；安息香酸、トルイル酸、フタル酸等の芳香族カルボン酸類；クロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等のハロゲノカルボン酸類；アセチルアセトン、ベンゾイルアセトン、ヘキサフルオロアセチルアセトン等のβ−ジケトン類；アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル等のβ−ケトエステル類；テトラヒドロフラン、フラン、フランカルボン酸、チオフェン、チオフェンカルボン酸、ピリジン、ニコチン酸、イソニコチン酸等の複素環化合物類；トリフェニルホスフィン、トリブチルホスフィン等のホスフィン化合物；等が挙げられる。
【００８８】
キレート化剤又は配位化合物の添加量は、金属、金属酸化物、金属塩、金属水酸化物、
金属アルコキシド類、又は金属アルコキシド類を水で処理して得られた加水分解生成物の金属１モルに対して、０．１〜１０倍モル、好ましくは０．３〜２倍モル、より好ましくは０．５〜１．２倍モルである。
【００８９】
キレート化剤又は配位化合物を添加した後は、全容を十分に撹拌することで、金属錯体の溶液を得ることができる。撹拌温度は、通常０℃から用いる溶媒の沸点までの温度範囲である。撹拌時間は、通常数分から数時間である。
【００９０】
キレート化又は配位化された金属化合物は、単離したものを使用することもできるし、前記金属化合物の溶液にキレート化剤又は配位化合物を添加して得られたキレート化又は配位化された金属化合物の溶液として使用することもできる。
【００９１】
金属アルコキシド類を水で処理して得られる加水分解生成物としては、前記金属アルコキシド類を水で加水分解することによって得られるものを用いることができる。
【００９２】
前記加水分解生成物としては、金属アルコキシド類を該金属アルコキシド類の２倍当量以上の水で加水分解することによって得られたものであっても、金属アルコキシド類を該金属アルコキシド類の２倍当量未満の水で部分加水分解することによって得られたものでもよい。また、金属アルコキシド類の部分加水分解生成物を得た後、この部分加水分解生成物を、さらに所定量の水（先の部分加水分解に使用した水の量との合計で金属アルコキシド類の２倍当量以上となる量の水）で加水分解することによって得られたものであってもよい。
【００９３】
金属アルコキシド類と水との反応は、有機溶媒中、金属アルコキシド類と水とを混合して行うこともできるし、有機溶媒を用いずに、直接金属アルコキシド類と水とを混合して行うこともできる。
【００９４】
有機溶媒中で金属アルコキシド類と水とを反応させる方法としては、（ｉ）金属アルコキシド類の有機溶媒溶液に、水又は有機溶媒で希釈した水を添加する方法、（ｉｉ）水が懸濁または溶解した有機溶媒中に、金属アルコキシド類、または金属アルコキシド類の有機溶媒溶液を添加する方法等が挙げられる。水を金属アルコキシド類の２倍当量以上用いる場合は、（ｉｉ）の方法が好ましく、水を金属アルコキシド類の２倍当量未満用いる場合は、（ｉ）の方法が好ましい。この場合、金属アルコキシド類の有機溶媒中の濃度は、急激な発熱を抑制し、撹拌が可能な流動性を有する範囲であれば特に限定されないが、５〜３０重量％の範囲が好ましい。
【００９５】
用いる有機溶媒としては、その有機溶媒中で、金属アルコキシド類の加水分解生成物が、分散質となって分散できるものであるのが好ましく、金属界面活性剤を水で処理する反応を低温で行う上では、水の溶解度が大きく、低温で凝固しない溶媒がより好ましい。
【００９６】
用いる有機溶媒の具体例としては、メタノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコール系溶媒；塩化メチレン、クロロホルム、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素系溶媒；ヘキサン、シクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素系溶媒；テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジオキサン等のエーテル系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒；ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド系溶媒；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒；メチルポリシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、デカメチルシクロペンタンシロキサン、メチルフェニルポリシロキサン等のシリコーン（特開平９−２０８４
３８号公報等）等；が挙げられる。
【００９７】
これらの溶媒は１種単独で、または２種以上を混合して用いることができる。混合溶媒として用いる場合には、トルエン、キシレン等の炭化水素系溶媒と、メタノール、エタノール、イソプロパノ−ル、ｔ−ブタノール等の低級アルコール溶媒系の組み合わせが好ましい。この場合の低級アルコール系溶媒としては、イソプロパノ−ル、ｔ−ブタノール等の２級以上のアルコール系溶媒を用いるのがより好ましい。混合溶媒の混合比は特に制限されないが、炭化水素系溶媒と低級アルコール系溶媒を、体積比で、９９／１〜５０／５０の範囲で用いるのが好ましい。
【００９８】
用いる水は、中性であれば特に制限されないが、不純物が少なく、緻密な有機薄膜を得る観点から、純水、蒸留水又はイオン交換水を用いるのが好ましい。
水の使用量は、前記金属アルコキシド類に対し２倍当量以上用いる場合は、２．０〜８倍当量が好ましく、３〜５倍当量がより好ましい。前記金属アルコキシド類に対し２倍当量未満用いる場合は、０．５〜２．０倍当量が好ましい。
【００９９】
金属アルコキシド類の加水分解反応温度は、用いる金属アルコキシド類の反応性や安定性等によるが、通常−１００℃から有機溶媒還流温度範囲である。
金属アルコキシド類に対して０．５から１．０倍当量未満の水を反応させる場合、その反応温度は特に制限されず、通常−１００〜＋１００℃、好ましくは、−２０℃から、用いた有機溶媒又は加水分解によって脱離してくるアルコールの沸点の範囲である。
【０１００】
金属アルコキシド類に対して１．０倍当量以上の水を反応させる場合、その反応温度は、通常−１００〜−２０℃、好ましくは、−１００〜−５０℃である。この場合、先ず、１．０倍当量未満の水を任意の温度で反応させた後、−２０℃以下の温度でさらに水を添加して反応させてもよい。また、低温で水を添加し、一定時間熟成した後、反応液の温度を室温から用いた溶媒の還流温度まで昇温してさらに反応を行うこともできる。
【０１０１】
また、金属アルコキシド類の水による加水分解反応においては、酸、塩基又は分散安定化剤を添加してもよい。酸及び塩基は、凝結してできた沈殿を再び分散させる解膠剤として、また、金属アルコキシド類を加水分解、脱水縮合させてコロイド粒子等の分散質を製造するための触媒として、及び生成した分散質の分散剤として機能するものであれば特に制限されない。
【０１０２】
ここで用いる酸としては、例えば、塩酸、硝酸、ホウ酸、ホウフッ化水素酸等の鉱酸、酢酸、ギ酸、シュウ酸、炭酸、トリフルオロ酢酸、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸等の有機酸等；ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、トリフェニルホスホニウムヘキサフルオロホスフェート等の光照射によって酸を発生する光酸発生剤；が挙げられる。
塩基としては、例えば、トリエタノールアミン、トリエチルアミン、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン、アンモニア、ジメチルホルムアミド、ホスフィン等が挙げられる。
【０１０３】
分散安定化剤は、分散質を分散媒中に安定に分散させる効力を有する、解膠剤、保護コロイド、界面活性剤等の凝結防止剤等の剤をいう。例えば、グリコール酸、グルコン酸、乳酸、酒石酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸等の多価カルボン酸；ヒドロキシカルボン酸；ピロ燐酸、トリポリ燐酸等の燐酸；アセチルアセトン、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、アセト酢酸ｎ−プロピル、アセト酢酸イソプロピル、アセト酢酸ｎ−ブチル、アセト酢酸ｓｅｃ−ブチル、アセト酢酸ｔ−ブチル、ヘキサン−２，４−ジオン、ヘプタン−２，４−ジオン、ヘプタン−３，５−ジオン、オクタン−２，４−ジオン、ノナン−
２，４−ジオン、５−メチル−ヘキサン−２，４−ジオン等の金属原子に対して強いキレート能力を有する多座配位子化合物；スルパース３０００、９０００、１７０００、２００００、２４０００（以上、ゼネカ社製）、Ｄｉｓｐｅｒｂｙｋ−１６１、−１６２、−１６３、−１６４（以上、ビックケミー社製）等の脂肪族アミン系、ハイドロステアリン酸系、ポリエステルアミン；ジメチルポリシロキサン・メチル（ポリシロキシアルキレン）シロキサン共重合体、トリメチルシロキシケイ酸、カルボキシ変性シリコーンオイル、アミン変性シリコーン等（特開平９−２０８４３８号公報、特開平２０００−５３４２１号公報等）のシリコーン化合物；等が挙げられる。
【０１０４】
上記のようにして得られる加水分解生成物は、有機溶媒中、金属アルコキシド類を完全に加水分解した金属水酸化物になったものでもよいし、完全に加水分解しないでオリゴマーの状態で存在している部分加水分解性成物であってもよいし、これらの混合物であってもよい。
具体的には、有機溶媒中で凝集せずに安定に分散している性質を有する分散質となっている。この場合、分散質とは、分散系中に分散している微細粒子のことをいい、具体的には、コロイド粒子等を例示することができる。
【０１０５】
ここで、凝集せずに安定に分散している状態とは、有機溶媒中、加水分解生成物の分散質が、凝結して不均質に分離していない状態を表し、好ましくは透明で均質な状態を表す。また、透明とは、可視光における透過率が高い状態をいい、具体的には、分散質の濃度を酸化物換算で０．５重量％とし、石英セルの光路長を１ｃｍとし、対象試料を有機溶媒とし、光の波長を５５０ｎｍとする条件で測定した分光透過率で表して、好ましくは８０〜１００％の透過率を表す状態をいう。
【０１０６】
加水分解生成物の分散質の粒子径は特に限定されないが、可視光における高い透過率を得るためには、通常１〜３００ｎｍ、好ましくは１〜１００ｎｍ、より好ましくは１〜５０ｎｍ、特に好ましくは１〜１０ｎｍの範囲である。
【０１０７】
触媒として使用する酸としては、特に制限されないが、ｐＫａ値（酸解離定数の逆数の対数値）が１〜６である、有機酸又は無機酸を用いるのが好ましい。
【０１０８】
有機酸としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、イソ酪酸、吉草酸、イソ吉草酸、ピバル酸、ヘキサン酸、オクタン酸、デカン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸等の飽和脂肪族モノカルボン酸；シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸等の飽和脂肪族ジカルボン酸；アクリル酸、プロピオール酸、メタクリル酸、クロトン酸、イソクロトン酸、オレイン酸等の不飽和脂肪族モノカルボン酸；フマル酸、マレイン酸等の不飽和脂肪族ジカルボン酸；安息香酸、４−クロロ安息香酸、ナフタレンカルボン酸等の芳香族カルボン酸；モノクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等のハロゲン原子で置換された脂肪族カルボン酸；グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、クエン酸等のヒドロキシカルボン酸；フェニル酢酸、３−フェニルプロピオン酸等の芳香族基で置換された脂肪族カルボン酸；ベンゼンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸等のスルホン酸；等が挙げられる。
【０１０９】
無機酸としては、塩酸、硝酸、ホウ酸、ホウフッ化水素酸、塩化白金酸等が挙げられる。これらの中でも、感光性化合物の官能基を活性化する力に優れ、取り扱いが容易であることから、ｐＫａ値が１〜６の有機酸がより好ましく、ｐＫａ値が２〜５の有機酸が特に好ましい。
【０１１０】
酸解離定数Ｋａは、ガラス電極、金属電極、金属アマルガム電極、酸化還元電極、イオン選択性電極等のさまざまな電極を用いる、ポテンショメトリーにより精度よく測定する
ことができる。本発明において、酸解離定数Ｋａは、水溶液中（水に溶解しないものは、水と適当な有機溶媒との混合溶媒、又は適当な有機溶媒中）のｐＨ値を測定することにより求めることができる。ｐＫａ値は、測定条件により、±０．３程度相違する場合がある。なお、種々の有機酸の酸解離定数Ｋａ又はｐＫａ値は、Ａ．Ｅ．Ｍａｒｔｅｌｌ，Ｒ．Ｍ．Ｓｍｉｔｈ，Ｃｒｉｔｉｃａｌ  Ｓｔａｂｉｌｉｔｙ  Ｃｏｎｓｔａｎｔｓ，Ｖｏｌ．１，２，３，５，Ｐｌｅｎｕｍ  Ｐｒｅｓｓ（１９７４，１９７５，１９７７，１９８２）等に記載されている。
【０１１１】
前記酸に代えて、シラノール縮合触媒等を使用することもできる。
シラノール縮合触媒としては、カルボン酸金属塩、カルボン酸エステル金属塩、カルボン酸金属塩ポリマー、カルボン酸金属塩キレート、チタン酸エステル、及びチタン酸エステルキレート等が挙げられる。具体例としては、酢酸第一スズ、ジブチルスズジラウレート、ジブチルスズジオクテート、ジブチルスズジアセテート、ジオクチルスズジラウレート、ジオクチルスズジオクテート、ジオクチルスズジアセテート、ジオクタン酸第一スズ、ナフテン酸鉛、ナフテン酸コバルト、２−エチルヘキセン酸鉄、ジオクチルスズビスオクチルチオグリコール酸エステル塩、ジオクチルスズマレイン酸エステル塩、ジブチルスズマレイン酸塩ポリマー、ジメチルスズメルカプトプロピオン酸塩ポリマー、ジブチルスズビスアセチルアセテート、ジオクチルスズビスアセチルラウレート、チタンテトラエトキサイド、チタンテトラブトキサイド、チタンテトライソプロポキサイド、チタンビス（アセチルアセトニル）ジプロポキシサイド等が挙げられる。
【０１１２】
基体表面に、本発明の式（Ｉ）で表される化合物を含有する有機薄膜を形成する方法は特に制限されない。例えば、前記有機薄膜形成用組成物を基体上に公知の塗工方法で塗布し、塗膜を加熱乾燥する方法が挙げられる。塗工方法は、特に制限されず、公知の方法を用いることができる。具体的には、ディップ法、スピンコート法、スプレー法、ローラコート法、メイヤバー法、スクリーン印刷法、刷毛塗り法等が挙げられ、これらの中でも、ディップ法が好ましい。
【０１１３】
また、膜形成を促進するために超音波を用いることもできる。基体表面に塗布する工程は、１度に長い時間行っても、短時間の塗布を数回に分けて行ってもよい。
【０１１４】
本発明の式（Ｉ）で表される化合物を含有する溶液を基体表面に塗布した後、膜表面に付着した余分な試剤、不純物等を除去するために、洗浄工程を設けることもできる。洗浄工程を設けることにより、より膜厚を制御することができる。洗浄方法は、表面の付着物を除去できる方法であれば、特に制限されない。具体的には、（ア）用いた式（Ｉ）で表される化合物を溶解し得る溶媒中に基体を浸漬させる方法；（イ）真空中、又は常圧下で大気中に放置して蒸発させる方法；（ウ）乾燥窒素ガス等の不活性ガスを吹き付けて吹き飛ばす方法；等が挙げられる。前記（ア）の方法においては、基体を浸漬させた後、さらに超音波処理を施すことが、良好な有機薄膜を得る上で好ましい。
【０１１５】
本発明の式（Ｉ）で表される化合物を含有する溶液を基体上に塗布又は洗浄した後は、基体表面上に形成された膜を安定化させるために、基体を加熱するのが好ましい。加熱する温度は、基体、形成された有機薄膜の安定性等によって適宜選択することができる。
【０１１６】
本発明の式（Ｉ）で表される化合物を含有する溶液を基体上に塗布すると、該溶液中の式（Ｉ）で表される化合物が基体表面に吸着され、薄膜が形成される。式（Ｉ）で表される化合物が基体表面に吸着される機構の詳細は明らかではないが、表面に活性水素を有する基体の場合には次のように考えることができる。すなわち、該溶液中においては、式（Ｉ）で表される化合物の官能基が水により加水分解された状態となっている。そして、この状態の式（Ｉ）で表される化合物が基体表面の活性水素と反応して、基体と強固な化学結合を形成してなる薄膜が形成される。この薄膜は、基体の活性水素と反応して形成されるものであって、単分子膜となる。
【０１１７】
得られる有機薄膜は、光が照射されるとその膜物性が変化する性質を有する。例えば、紫外線が照射されると照射部位のみが親水性の薄膜に変化する。この変化は、例えば水に対する接触角の変化を測定することにより確認することができる。従って、基体上に本発明の式（Ｉ）で表される化合物を含有する有機薄膜を形成した後、所定のパターンを有するマスクを介し、紫外線を照射することにより、特定の部位のみを親水性の薄膜に変換することができる。
【実施例】
【０１１８】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は下記の実施例によって限定されるものではない。
【０１１９】
（実施例１）
４−ヘキシルベンジル  ４−（１０−（トリエトキシシリル）デシルオキシ）フェニル  スルホン（化合物Ｎｏ．１８）の合成
（１）４−ヘキシルベンジルクロリドの合成
水素化リチウムアルミニウム１．０ｇのＴＨＦ３０ｍＬ懸濁液中に、４−ヘキシルベンゾイルクロリド５．０ｇを氷冷下、滴下した。混合物を１時間加熱還流後、氷水、１０%水酸化ナトリウム水溶液、水で順次加水分解し、エーテルを加えた後、不溶物をろ過し、ろ液を濃縮し、ベンジルアルコールの粗生成物を得た。これをクロロホルム３０ｍＬに溶解し、ピリジン１滴、塩化チオニル７ｍＬを氷冷下加えた。混合物を１時間加熱還流後、濃縮し、残渣をヘキサン−炭酸水素ナトリウム水溶液で分液し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、濃縮し、目的の４−ヘキシルベンジルクロリドを得た。
【０１２０】
（２）４−［（４−ヘキシルフェニル）メタンスルホニル］フェノールの合成
水酸化カリウム１．２ｇのメタノール２０ｍＬ溶液中に、４−メルカプトフェノール２．５ｇのメタノール１０ｍL溶液を氷冷下滴下し、３０分撹拌後、４−ヘキシルベンジルクロリド４．３ｇのメタノール１０ｍL溶液を氷冷下加えた。混合物を室温下１８時間撹拌し、濃縮後、エーテルと水を加え、有機層を分離、無水硫酸マグネシウムにて乾燥後、濃縮し、粗生成物を得た。これを酢酸５０ｍＬに溶解させ、８０℃に加熱した状態で、３０％過酸化水素水５ｇを滴下した。混合物を９０℃で３時間撹拌後、水にあけ、析出物を濾過し、水で良く洗った後、減圧下で加熱乾燥させ、目的物４．３０ｇを得た。
【０１２１】
（３）４−ヘキシルベンジル  ４−（９−デセニルオキシ）フェニル  スルホンの合成
４−［（４−ヘキシルルフェニル）メタンスルホニル］フェノール４．３ｇ、トリフェニルホスフィン５．０ｇ、９−デセテンー１オール２．６ｇをジクロロメタン５０ｍLに溶解させ、ここに、氷冷下アゾジカルボン酸ジメチルルエステルの４０％トルエン溶液７．１ｇを滴下した。室温下、５時間撹拌後。濃縮し、残渣をシリカゲルカラム（シリカゲルカラム；溶離液＝ヘキサン―酢酸エチル、４：１）に付し、精製し目的物５．２ｇを得た。
【０１２２】
（４）４−ヘキシルベンジル  ４−（１０−（トリエトキシシリル）デシルオキシ）フェニル  スルホンの合成
４−ヘキシルベンジル  ４−（９−デセニルオキシ）フェニル  スルホン２．０ｇと１０％白金−活性炭０．１ｇを入れた反応容器を窒素置換し、トリエトキシシラン５ｍLを加え、６０℃で１６時間加熱撹拌した。室温まで冷却後、濃縮しトルエン２０ｍLを加え、混合物をセライトを通して濾過し、濾液を濃縮した。アモルファス結晶の目的物２．２ｇを得た。
【０１２３】
（実施例２）
４−ヘキシルベンジル  ４−（１０−（トリメトキシシリル）デシルオキシ）フェニル  スルホン（化合物Ｎｏ．１７）の合成
実施例１で合成した４−ヘキシルベンジル  ４−（１０−（トリエトキシシリル）デシルオキシ）フェニル  スルホン２．０ｇを、予めシュウ酸ジクロリド１滴を加えたメタノール１０ｍＬとトルエン１０ｍＬに溶解させ、そのまま室温で１時間撹拌した。混合物を濃縮し、目的のメトキシシラン化合物を得た。
【０１２４】
（実施例３）
４−（デシルオキシ）ベンジル  ４−（１０−（トリメトキシシリル）デシルオキシ）フェニル  スルホン（化合物Ｎｏ．９０）の合成
（１）４−ヒドロキシベンジル  ４−（９−デセニルオキシ）フェニル  スルホンの合成
４−メルカプトフェノール７．８０ｇと炭酸水素カリウム５．４５ｇのＤＭＦ５０ｍＬスラリー中に、酢酸  ４−クロロメチルフェニルエステル１０．０ｇを加えた。室温にて５時間撹拌後、混合物をエーテル−水で分液し、有機層を無水硫酸マグネシウムにて乾燥後、濃縮し、４−（４−ヒドロキシフェニルチオメチル）フェニル  酢酸１７．０ｇを得た。この化合物を、ｍ−クロロ安息香酸２６．６ｇのジクロロメタン１００ｍＬ懸濁液に氷冷下加え、室温にて８時間撹拌後、混合物を濃縮し、残渣を炭酸水素ナトリウム水溶液に注加し、析出した結晶をろ過した。ろ過結晶を酢酸エチルより再結晶し、４−アセトキシベンジル  ４−ヒドロキシフェニル  スルホン１４．５ｇを得た。
この化合物２．９２ｇ、トリフェニルホスフィン３．６７ｇ、９−デセテン−１−オール２．０６ｇをジクロロメタン５０ｍLに溶解させ、ここに、氷冷下アゾジカルボン酸ジメチルルエステルの４０％トルエン溶液５．１１ｇを滴下した。室温下、５時間撹拌後。濃縮した。残渣にメタノール３０ｍＬ、１Ｎ塩酸１０ｍＬを加え、４時間加熱還流後、混合物を濃縮、酢酸エチルと水で分液し、有機層をカラムクロマトグラフィ（シリカゲルカラム；溶離液＝ヘキサン―酢酸エチル、７：３）に付し、目的物３．００ｇを得た。
【０１２５】
（２）４−デシルオキシベンジル  ４−（９−デセニルオキシ）フェニル  スルホンの合成
４−ヒドロキシベンジル  ４−（９−デセニルオキシ）フェニル  スルホン２．０ｇ、１−ヨードデカン１．８７ｇ、炭酸カリウム１．３８ｇのアセトニトリル５０ｍＬの懸濁液を、１６時間加熱撹拌した。混合物を、濃縮、酢酸エチル―水で分液し、有機層を乾燥、濃縮、残渣をヘキサンで洗浄し、目的物２．５ｇを得た。
【０１２６】
（３）４−（デシルオキシ）ベンジル  ４−（１０−（トリメトキシシリル）デシルオキシ）フェニル  スルホンの合成
４−デシルオキシベンジル  ４−（９−デセニルオキシ）フェニル  スルホン２．５ｇと５％白金−活性炭０．３ｇを入れた反応容器を窒素置換し、トリメトキシシラン５ｍLを加え、６０℃で７２時間加熱撹拌した。室温まで冷却後、濃縮しトルエン２０ｍLを加え、混合物をセライトを通して濾過し、濾液を濃縮した。アモルファス結晶の目的物２．６ｇを得た。
【０１２７】
（実施例４）
４−（ヘキシルオキシ）ベンジル  ４−（１０−（トリメトキシシリル）デシルオキシ）フェニル  スルホン（化合物Ｎｏ．５８）の合成
（１）４−（４’−アセトキシベンジルチオ）フェノールの合成
炭酸水素カリウム５．４５ｇのＤＭＦ５０ｍｌ懸濁液中に、４−メルカプトフェノール７．８０ｇを加えた。次いで、この反応液に、４−アセトキシベンジルクロリド１０．１ｇを氷冷下に加え、室温で５時間撹拌した。反応液を水とジエチルエーテルで分液し、有機層を分取した。有機層を無水硫酸マグネシウムにて乾燥後、濃縮し、目的物１４．７ｇを得た。
【０１２８】
（２）４−［（４’−アセトキシフェニル）メタンスルホニル］フェノールの合成
４−（４’−アセトキシベンジルチオ）フェノール１４．７ｇのジクロロメタン５０ｍｌ溶液を、ｍ−クロロ過安息香酸２６．６ｇのジクロロメタン１００ｍｌ懸濁液中に、氷冷下に滴下し、混合物を８時間撹拌した後、重曹水にあけ、析出物を濾取した。濾取物を酢酸エチルより再結晶化させ、目的物１４．５ｇを得た。
【０１２９】
（３）４−（アセトキシ）ベンジル−４−（９−デセニルオキシ）フェニルスルホンの合成
４−［（４’−アセトキシフェニル）メタンスルホニル］フェノール９．６４ｇ及びトリフェニルホスフィン１２．３６ｇ、９−デセン−１−オール５．９０ｇをジクロロメタン１００ｍｌに溶解させ、ここに、アゾジカルボン酸ジメチルエステルの４０％トルエン溶液１７．３ｇを氷冷下に滴下した。滴下終了後、反応液を室温に戻し、室温で１６時間撹拌した。反応液を濃縮し、濃縮物をメタノールより再結晶化させることにより、目的物７．６２ｇを得た。
【０１３０】
（４）４−（ヘキシルオキシ）ベンジル  ４−（１０−（トリメトキシシリル）デシルオキシ）フェニル  スルホン
４−（アセトキシ）ベンジル−４−（９−デセニルオキシ）フェニルスルホンのメタノール溶液に１規定のＮａＯＨ水溶液を加え、室温にて１時間撹拌した。反応混合物を塩酸水にあけ、析出した結晶をろ過し、水でよく洗った後、乾燥させて、脱アセチル化合物を得た。この脱アセチル化合物２．５ｇと、１−ブロモヘキサン１．３１ｇ、炭酸カリウム１．１９ｇのアセトニトリル２０ｍｌの懸濁液を３時間加熱還流した後、水を加え、混合物を酢酸エチルにて抽出した。有機層無水硫酸マグネシウムで乾燥後、濃縮し、残渣をメタノールより再結晶し、４−（ヘキシルオキシ）ベンジル  ４−（デセニルオキシ）フェニル  スルホン０．６５ｇを得た。この化合物を実施例１（４）、続いて実施例２に記載の方法で反応させ、目的の化合物０．８ｇを得た。
【０１３１】
（実施例５）
４−イソプロピルベンジル  ４−（１０−（トリメトキシシリル）デシルオキシ）フェニルスルホン（化合物Ｎｏ．１０６）の合成
実施例１（２）〜実施例２の方法において、４−ヘキシルベンジルクロリドの代わりに、４−イソプロピルベンジルクロリドを用いることで、目的の化合物（化合物Ｎｏ．１０６）を合成した。用いた量と得量は以下の通りである。４−イソプロピルベンジルクロリド４．０ｇを用い、実施例１（２）に該当する化合物を４．６５ｇ得た後、その全量を用いて、実施例１（３）に該当する化合物を３．３８ｇ得た。続く実施例１（４）と実施例２の方法において、オレフィン化合物０．８６ｇを用いて、目的の化合物（化合物Ｎｏ．１０６）１．０５ｇを得た。
【０１３２】
（実施例６）有機薄膜の形成
実施例２で合成した４−ヘキシルベンジル  ４−（１０−（トリメトキシシリル）デシルオキシ）フェニル  スルホンを無水トルエンで希釈し、ここに、化合物に対して５ｍoｌ％となるようにチタンテトライソプロプキシドを加え、最終的に固形分濃度１．０重量％の溶液となるよう無水トルエンを加え調整した。さらに、濃度５００ｐｐｍ以上となるようにイオン交換水を加え、混合液を超音波照射し、水滴を分散させ、これを浸漬溶液とした。浸漬溶液に、洗剤と共に超音波洗浄、イオン交換水、エタノールで順次洗浄後、６０℃で乾燥し、オゾン発生装置中で洗浄したソーダライムガラス基板を、５分間及び６０分間浸漬後、基板を引き出し、ＴＨＦ−水（４：１）の液中、超音波洗浄し、６０℃で１０分間乾燥し、有機薄膜を成膜した。
【０１３３】
（実施例７）有機薄膜の形成
実施例６において、実施例２で合成した４−ヘキシルベンジル  ４−（１０−（トリメトキシシリル）デシルオキシ）フェニル  スルホンの代わりに、実施例３で合成した４−（デシルオキシ）ベンジル  ４−（１０−（トリメトキシシリル）デシルオキシ）フェニル  スルホンを用いた以外は、実施例６と同様にして有機薄膜を成膜した。
【０１３４】
（実施例８）有機薄膜の形成
実施例６において、実施例２で合成した４−ヘキシルベンジル  ４−（１０−（トリメトキシシリル）デシルオキシ）フェニル  スルホンの代わりに、実施例４で合成した４−（ヘキシルオキシ）ベンジル  ４−（１０−（トリメトキシシリル）デシルオキシ）フェニル  スルホンを用いた以外は、実施例６と同様にして有機薄膜を成膜した。
【０１３５】
（実施例９）有機薄膜の形成
実施例６において、実施例２で合成した４−ヘキシルベンジル  ４−（１０−（トリメトキシシリル）デシルオキシ）フェニル  スルホンの代わりに、実施例５で合成した４−イソプロピルベンジル  ４−（１０−（トリメトキシシリル）デシルオキシ）フェニルスルホンを用いた以外は、実施例６と同様にして有機薄膜を成膜した。
【０１３６】
（比較例１）有機薄膜の形成
実施例４において、実施例２で合成した４−ヘキシルベンジル  ４−（１０−（トリメトキシシリル）デシルオキシ）フェニル  スルホンの代わりに、４−メチルベンジル  ４−（１０−（トリメトキシシリル）デシルオキシ）フェニル  スルホン（ＷＯ２００４／０６７５４０号記載の化合物Ｎｏ．６）を用いた以外は、実施例４と同様にして有機薄膜を成膜した。
【０１３７】
（比較例２）有機薄膜の形成
実施例４において、実施例２で合成した４−ヘキシルベンジル  ４−（１０−（トリメトキシシリル）デシルオキシ）フェニル  スルホンの代わりに、４−ドデシルベンジル  ４−（１０−（トリメトキシシリル）デシルオキシ）フェニル  スルホン（ＷＯ２００４／０６７５４０号記載の化合物Ｎｏ．２１３）を用いた以外は、実施例４と同様にして有機薄膜を成膜した。
【０１３８】
（比較例３）有機薄膜の形成
実施例４において、実施例２で合成した４−ヘキシルベンジル  ４−（１０−（トリメトキシシリル）デシルオキシ）フェニル  スルホンの代わりに、４−デシルベンジル  ４−（４−（トリメトキシシリル）ブチルオキシ）フェニル  スルホン（ＷＯ２００４／０６７５４０号記載の化合物Ｎｏ．１６８）を用いた以外は、実施例４と同様にして有機薄膜を成膜した。
【０１３９】
（比較例４）有機薄膜の形成
実施例４において、実施例２で合成した４−ヘキシルベンジル  ４−（１０−（トリメトキシシリル）デシルオキシ）フェニル  スルホンの代わりに、４−ドデシルベンジル  ４−（５−（トリメトキシシリル）ペンチルオキシ）フェニル  スルホン（ＷＯ２００４／０６７５４０号記載の化合物Ｎｏ．２１２）を用いた以外は、実施例４と同様にして有機薄膜を成膜した。
【０１４０】
（試験例）有機薄膜の光照射による接触角変化測定
実施例６〜９及び比較例１〜４で得られた有機薄膜を形成させたソーダライムガラス基板を、接触角測定器（協和界面（株）社製、Ｄｒｏｐ Ｍａｓｔｅｒ７００）を用い、θ／２法にて、水の接触角を測定した。該当基板を、２５４ｎｍ波長（殺菌灯、２ｍＷ／ｃｍ2）にて照射し、１０分照射後の接触角を測定した。その接触角及び光照射前後の接触角の変化量を表３にまとめて示す。また、基板の浸漬時間に依存した性能の比較を表４にまとめて示す。
【０１４１】
【表３】
2006188487.tif 000013
【０１４２】
【表４】
2006188487.tif 000014
【０１４３】
表３及び表４から明らかなように、本発明の式（Ｉ）で表される化合物から実施例で形成される有機薄膜は、ＷＯ２００４／０６７５４０号に具体的に記載されている化合物から比較例で形成される有機薄膜よりも初期の接触角、即ち撥水性に優れ、光照射前後の水の接触角の変化量に優れる。また、有機薄膜を形成する場合に、本発明の式（Ｉ）で表される化合物を含有する溶液中への基体の浸漬時間が短くても、性能的に優れた有機薄膜であることがわかる。