(57)【要約】【課題】  処理液のミストの飛散による汚染を防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。【解決手段】  洗浄処理装置ＭＰＣ１においては、スピンチャック２１により基板Ｗが保持される。遮蔽板２２によりスプラッシュガード２４の開口部２４ｂがクリアランスＣ１の間隙を持って閉塞されるように、遮蔽板昇降駆動機構３７により遮蔽板２２がスプラッシュガード２４の上端部２４ａに移動される。それにより、基板Ｗの上方および周囲が所定の間隙を持って閉塞される。次に、処理液吐出口５１からレジスト剥離液が基板Ｗの表面に吐出されるとともに、窒素ガス吐出口５０から窒素が吐出される。それにより、基板Ｗ上のレジスト剥離処理が行われる。【選択図】        図４
2006012881.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、
前記基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された基板に処理液を吐出する処理液吐出手段と、
前記基板保持部に保持された基板の周囲を取り囲むとともに前記基板の上方に開口部を有する遮蔽壁と、
前記遮蔽壁の開口部の上方に設けられた遮蔽部材と、
前記遮蔽壁の開口部が開放された位置と前記遮蔽壁の開口部が前記遮蔽部材により所定の間隙を持って閉塞された位置との間で、前記遮蔽壁および前記遮蔽部材の少なくとも一方を他方に対して相対的に移動させる移動手段と、
前記遮蔽壁の内部の空間を排気する排気手段と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記処理液吐出手段は、前記遮蔽部材に設けられたことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記基板保持部に保持された基板に不活性ガスを吐出する不活性ガス吐出手段をさらに備えたことを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記処理液吐出手段は、処理液を吐出する処理液吐出口を含み、
前記不活性ガス吐出手段は、前記処理液吐出口の外側を取り囲むように設けられかつ不活性ガスを吐出する不活性ガス吐出口を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記遮蔽部材を上下方向の軸の周りで回転させる回転駆動手段をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記基板保持部は、上下方向の軸の周りで基板を回転させる基板回転駆動手段をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記処理液は、６０℃以上の処理液からなることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記遮蔽部材を洗浄するための洗浄手段をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項９】
基板に所定の処理を施す基板処理方法であって、
上部に開口部を有する遮蔽壁の当該開口部が開放された状態で、前記遮蔽壁により取り囲まれた空間において前記基板を保持するステップと、
前記遮蔽壁の開口部が遮蔽部材により所定の間隙を持って閉塞されるように、前記遮蔽壁および前記遮蔽部材の少なくとも一方を他方に対して相対的に移動させるステップと、
前記遮蔽壁の開口部が前記遮蔽部材により閉塞された状態で前記基板に処理液を吐出させるステップと、
前記基板に処理液を吐出させるステップの期間において、前記遮蔽壁の内部の空間を排気するステップと、
を含むことを特徴とする基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に所定の処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体デバイス、液晶ディスプレイ等の製造工程では、半導体ウエハ、ガラス基板等の基板上に塗布したレジスト液を除去するためにレジスト剥離装置が用いられている。例えば、特許文献１に示されているレジスト剥離装置においては、容器内で基板を水平姿勢で回転させつつ、ノズルから基板表面上にレジスト剥離液を吐出させることによりレジスト剥離を行っている。
【特許文献１】特開昭６１−１２９８２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、従来のレジスト剥離装置においては、容器の外側に薬液等が飛散するという問題が生じていた。例えば硫酸（Ｈ2ＳＯ4）と過酸化水素（Ｈ2Ｏ2）との混合液（ＳＰＭ）をレジスト剥離液として用いた場合、薬液反応によりレジスト剥離液が１５０℃程度の高温になる。そのため、高温のレジスト剥離液がミスト（液の蒸気または液の飛沫）となって容器の外側に飛散して容器の外面に付着する。その付着したレジスト剥離液が乾燥すると、パーティクルとなって浮遊し、容器内の基板に再付着する。その結果、基板のパターン形成に影響を及ぼす。
【０００４】
そこで、上述したパーティクルの発生を防止するために、所定の枚数（例えば、１ロット）の基板のレジスト剥離処理を行った後に純水を用いて容器の外面の洗浄を行っている。その結果、基板処理工程のスループットの低下および純水使用量の増加による処理コストの上昇が生じる。
【０００５】
本発明の目的は、処理液のミストの飛散による汚染を防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
第１の発明に係る基板処理装置は、基板に所定の処理を施す基板処理装置であって、基板を保持する基板保持部と、基板保持部に保持された基板に処理液を吐出する処理液吐出手段と、基板保持部に保持された基板の周囲を取り囲むとともに基板の上方に開口部を有する遮蔽壁と、遮蔽壁の開口部の上方に設けられた遮蔽部材と、遮蔽壁の開口部が開放された位置と遮蔽壁の開口部が遮蔽部材により所定の開隙を持って閉塞された位置との間で、遮蔽壁および遮蔽部材の少なくとも一方を他方に対して相対的に移動させる移動手段と、遮蔽壁の内部の空間を排気する排気手段と、を備えたものである。
【０００７】
第１の発明に係る基板処理装置においては、基板保持部により基板が保持される。遮蔽壁の開口部が開放された位置と、遮蔽部材により所定の間隙を持って遮蔽壁の開口部が閉塞された位置との間で、移動手段により遮蔽壁および遮蔽部材の少なくとも一方が他方に対して相対的に移動され、さらに、排気手段により遮蔽壁の内部の空間が排気される。
【０００８】
この場合、処理液吐出手段から吐出された処理液が飛散しても、遮蔽壁および遮蔽部材により基板の周囲および上方が覆われており、さらに、遮蔽部材と遮蔽壁との間の間隙に遮蔽壁内部へ流入する気体の流れが形成されているので、遮蔽壁の外側に処理液のミストの飛散による汚染が生じることを防止することができる。その結果、遮蔽壁の外面等に付着した処理液が乾燥してパーティクルとなって浮遊し基板に付着することが防止される。また、遮蔽壁の外面等を洗浄するための洗浄工程が不要となるので、スループットの向上を図ることができる。また、洗浄水使用量を低下させることができるのでコストの削減を図ることができる。
【０００９】
処理液吐出手段は、遮蔽部材に設けられてもよい。この場合、処理液吐出手段が遮蔽部材に設けられているので、処理液吐出手段が遮蔽部材とともに移動する。それにより、基板の搬入時および搬出時に遮蔽部材とともに処理液吐出手段を遮蔽壁の外部に退避させることができる。したがって、処理液吐出手段を退避させるための手段を別途設ける必要がない。
【００１０】
基板保持部に保持された基板に不活性ガスを吐出する不活性ガス吐出手段をさらに備えてもよい。
【００１１】
この場合、不活性ガス吐出手段により不活性ガスが基板に吐出される。それにより、処理液のミストの流れを制御することが可能となる。その結果、処理液が基板の上方に飛散することを防止することができる。さらに、不活性ガスにより余分な処理液を効率よく下部から排出することができる。
【００１２】
処理液吐出手段は、処理液を吐出する処理液吐出口を含み、不活性ガス吐出手段は、処理液吐出口の外側を取り囲むように設けられかつ不活性ガスを吐出する不活性ガス吐出口を含んでもよい。
【００１３】
この場合、処理液吐出口の外側を取り囲むように不活性ガス吐出口が設けられるので、処理液吐出手段から基板に吐出された処理液の周囲に不活性ガスを効率よく吐出することができる。それにより、基板からの処理液の飛散を抑制することができる。
【００１４】
遮蔽部材を上下方向の軸の周りで回転させる回転駆動手段をさらに備えてもよい。この場合、遮蔽部材に処理液が付着しても遮蔽部材の回転による遠心力によって処理液を振り切ることができる。
【００１５】
基板保持部は、上下方向の軸の周りで基板を回転させる基板回転駆動手段をさらに備えてもよい。
【００１６】
この場合、基板の回転により飛散される処理液のミストが飛散しても遮蔽壁の外側に処理液のミストが飛散しない。それにより、遮蔽壁の外面等に処理液が付着することを防止することができる。その結果、遮蔽壁の外面等に付着した処理液がパーティクルとなって基板に付着することが防止される。
【００１７】
処理液は、６０℃以上の処理液からなってもよい。処理液は高温であるので、基板に吐出された場合に処理液がミストになりやすい。この場合、基板の上方にミストが飛散しても遮蔽壁の外側に処理液のミストが飛散しない。それにより、遮蔽壁の外面等に処理液が付着することを防止することができる。その結果、遮蔽壁の外面等に付着した処理液がパーティクルとなって基板に付着することが防止される。
【００１８】
遮蔽部材を洗浄するための洗浄手段をさらに備えてもよい。この場合、洗浄手段により遮蔽部材を洗浄することができるので、遮蔽部材に処理液が付着した場合でも、遮蔽部材を容易に洗浄することができる。この場合、特に遮蔽部材を上下方向の軸の周りで回転させる回転駆動手段（請求項５）と洗浄手段とを組み合わせれば、遮蔽部材に付着する処理液の量を抑えつつ、遮蔽部材に付着した処理液を洗浄できるので、基板にパーティクルが付着することを効果的に防止することができる。
【００１９】
第２の発明に係る基板処理方法は、基板に所定の処理を施す基板処理方法であって、上部に開口部を有する遮蔽壁の当該開口部が開放された状態で、遮蔽壁により取り囲まれた状態で基板を保持するステップと、遮蔽壁の開口部が遮蔽部材により所定に間隙を持って閉塞されるように、遮蔽壁および遮蔽部材の少なくとも一方を他方に対して相対的に移動させるステップと、遮蔽壁の開口部が遮蔽部材により閉塞された空間において基板に処理液を吐出させるステップと、基板に処理液を吐出させるステップの期間において、遮蔽壁の内部の空間を排気するステップと、を含むものである。
【００２０】
第２の発明に係る基板処理方法においては、遮蔽壁の開口部が開放された状態で、遮蔽壁により囲まれた状態で基板が保持される。次に、遮蔽壁および遮蔽部材の少なくとも一方が他方に対して相対的に移動され、遮蔽壁の開口部が遮蔽部材により所定の間隙を持って閉塞される。所定の間隙を持って閉塞された遮蔽壁の内部の空間において基板に処理液が吐出される。そして、基板に処理液が吐出されている際には、遮蔽壁の内部の空間が排気される。
【００２１】
この場合、吐出された処理液が飛散しても、遮蔽壁および遮蔽部材により基板の周囲および上方が覆われており、さらに、遮蔽部材と遮蔽壁との間の間隙に遮蔽壁内部へ流入する気体の流れが形成されているので、遮蔽壁の外側に処理液のミストの飛散による汚染が生じることを防止することができる。その結果、遮蔽壁の外面等に付着した処理液が乾燥してパーティクルとなって浮遊し基板に付着することが防止される。また、遮蔽壁の外面等を洗浄するための洗浄工程が不要となるので、スループットの向上を図ることができる。また、洗浄水使用量を低下させることができるのでコストの削減を図ることができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、処理液のミストの飛散による汚染を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。本実施の形態においては、基板処理装置の一例として洗浄処理装置について説明する。この洗浄処理装置において、レジスト剥離液を用いたレジスト剥離処理が行われる。
【００２４】
また、以下の説明において、基板とは、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等をいう。
【００２５】
図１は本実施の形態に係る基板処理システムの平面図である。図１に示すように、基板処理システム１００は、処理領域Ａ，Ｂを有し、処理領域Ａ，Ｂ間に搬送領域Ｃを有する。
【００２６】
処理領域Ａには、メイン制御部４、流体ボックス部２ａ、洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２および流体ボックス部２ｂが配置され、処理領域Ｂには、流体ボックス部２ｃ、洗浄処理部ＭＰＣ３，ＭＰＣ４および流体ボックス部２ｄが配置されている。
【００２７】
流体ボックス部２ａ，２ｂは、それぞれ洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２への処理液の供給および洗浄処理部ＭＰＣ１，ＭＰＣ２からの使用済処理液の排液等に関する配管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器、処理液貯留タンク等のうちの少なくともいずれか１つの流体関連機器を収納し、流体ボックス部２ｃ，２ｄは、それぞれ洗浄処理部ＭＰＣ３，ＭＰＣ４への処理液の供給および洗浄処理部ＭＰＣ３，ＭＰＣ４からの使用済処理液の排液等に関する配管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器、処理液貯留タンク等のうちの少なくともいずれか１つの流体関連機器を収納する。
【００２８】
洗浄処理部ＭＰＣ１〜ＭＰＣ４では、基板上に付着した不純物、パーティクル等を除去するためにノズルを用いた洗浄処理が行われるとともに、洗浄処理後の基板の乾燥処理も行われる。
【００２９】
なお、本実施の形態においては、洗浄処理部ＭＰＣ１〜ＭＰＣ４は、同等の機能を有しており、基板処理のスループットを向上させるために４台搭載されている。また、洗浄処理部の台数は４台に限定されず、他の任意の台数を搭載させてもよい。
【００３０】
処理領域Ａ，Ｂの一端部側には、基板の搬入および搬出を行うインデクサＩＤが配置されている。インデクサＩＤには、基板Ｗを収納するキャリア１が載置される。本実施の形態においては、キャリア１として、基板Ｗを密閉した状態で収納するＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）を用いているが、これに限定されるものではなく、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッド、ＯＣ（Open Cassette）等を用いてもよい。
【００３１】
インデクサＩＤのインデクサロボットＩＲは、矢印Ｕの方向に移動し、キャリア１から基板Ｗを取り出して基板搬送ロボットＣＲに渡し、逆に、一連の処理が施された基板Ｗを基板搬送ロボットＣＲから受け取ってキャリア１に戻す。
【００３２】
基板搬送ロボットＣＲは、インデクサロボットＩＲから渡された基板Ｗを指定された処理ユニットに搬送する。また、基板搬送ロボットＣＲは、処理ユニットから受け取った基板Ｗを他の処理ユニットまたはインデクサロボットＩＲに搬送する。
【００３３】
メイン制御部４は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）を含むコンピュータ等からなり、処理領域Ａ，Ｂの各処理ユニットの動作、搬送領域Ｃの基板搬送ロボットＣＲの動作、およびインデクサＩＤのインデクサロボットＩＲの動作を制御する。
【００３４】
以下、洗浄処理装置ＭＰＣ１〜ＭＰＣ４のうち洗浄処理装置ＭＰＣ１について説明する。
【００３５】
図２は本実施の形態に係る基板処理システム１００の洗浄処理部ＭＰＣ１の断面図である。図２は洗浄処理部ＭＰＣ１が洗浄処理を開始する前の状態を示す。本実施の形態における洗浄処理は、レジスト剥離液を用いたレジスト剥離処理である。
【００３６】
洗浄処理部ＭＰＣ１においては、基板Ｗ表面上のレジストを剥離するためのレジスト剥離液として硫酸（Ｈ2ＳＯ4）と過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）との混合流体（ＳＰＭ）を用いる。なお、本実施の形態において用いたレジスト剥離液の代わりに、アンモニア過酸化水素水（ＳＣ−１）、塩酸と過酸化水素水との混合流体（ＳＣ−２）または他の任意のレジスト剥離液等を用いてもよい。
【００３７】
まず、図２に示すように、洗浄処理部ＭＰＣ１は、基板Ｗを水平に保持するとともに基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック２１を備える。スピンチャック２１は、チャック回転駆動機構３６によって回転される回転軸２５の上端に固定されている。スピンチャック２１の回転軸２５は中空軸からなる。回転軸２５の内部には、処理液供給管２６が挿通されている。処理液供給管２６には、純水またはレジスト剥離液等の処理液が供給される。処理液供給管２６は、スピンチャック２１に保持された基板Ｗの下面に近接する位置まで延びている。処理液供給管２６の先端には、基板Ｗの下面中央に向けて処理液を吐出する下面ノズル２７が設けられている。基板Ｗは、洗浄処理、洗浄処理後の基板Ｗの乾燥処理等を行う場合に、スピンチャック２１により水平に保持された状態で回転する。
【００３８】
スピンチャック２１の上方には、中心部に開口を有する円板状の遮蔽板２２が水平に設けられている。遮蔽板２２は、スピンチャック２１の上方のアーム２８の先端付近に鉛直下方向に設けられた支持軸８０の下端に設けられている。アーム２８には、遮蔽板昇降駆動機構３７および遮蔽板回転駆動機構３８が接続されている。遮蔽板昇降駆動機構３７および遮蔽板回転駆動機構３８の動作については後述する。なお、図５の軸上部２９と支持軸８０とはベアリング２９ａを介して保持されており、アーム２８に対して固定された軸上部２９に対して、支持軸８０は、この支持軸８０に取り付けられた軸下部３０とともに、遮蔽板回転駆動機構３８により回転されるようになっている。
【００３９】
支持軸８０内には、処理液供給管８１が非回転状態に設けられている。処理液供給管８１周辺の構成については後述する。
【００４０】
続いて、スピンチャック２１は、処理カップ２３内に収容されている。処理カップ２３の内側には、筒状の仕切壁３３が設けられている。また、スピンチャック２１の周囲を取り囲むように、基板Ｗの処理に用いられた処理液を排液するための排液空間３１が形成されている。さらに、排液空間３１を取り囲むように、処理カップ２３と仕切壁３３との間に基板Ｗの処理に用いられた処理液を回収するための回収液空間３２が形成されている。
【００４１】
排液空間３１には、排液処理装置（図示せず）へ処理液を導くための排液管３４が接続され、回収液空間３２には、回収処理装置（図示せず）へ処理液を導くための回収管３５が接続されている。また、排液管３４ａの近傍には、排液空間３１内の雰囲気を排気する排気口３４ｂが接続されている。
【００４２】
処理カップ２３の内側には、基板Ｗに向けて吐出された処理液が飛散することを防止するためのスプラッシュガード２４が上下動可能に設けられている。このスプラッシュガード２４は、回転軸２５に対して回転対称な略円筒状からなり、上部に開口部２４ｂを有する。スプラッシュガード２４の上端部の内面には、断面く字状の排液案内溝４１が環状に形成されている。
【００４３】
また、スプラッシュガード２４の下端部の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面からなる回収液案内部４２が形成されている。回収液案内部４２の上端付近には、処理カップ２３の仕切壁３３を受け入れるための仕切壁収納溝４３が形成されている。
【００４４】
このスプラッシュガード２４には、ボールねじ機構等で構成されたスプラッシュガード昇降駆動機構３９が設けられている。スプラッシュガード昇降駆動機構３９は、スプラッシュガード２４を、回収液案内部４２がスピンチャック２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する回収位置（図示せず）と、排液案内溝４１がスピンチャック２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する排液位置（図示せず）との間で上下動させる。
【００４５】
例えば、スプラッシュガード２４が回収位置にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散したレジスト剥離液が回収液案内部４２により回収液空間３２に導かれ、回収管３５を通して回収される。一方、スプラッシュガード２４が排液位置にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散したレジスト剥離液が排液案内溝４１により排液空間３１に導かれ、排液管３４ａを通して排液される。また、排気口３４ｂを通して排液空間３１内の雰囲気が排気される。以上の構成により、レジスト剥離液の排液および回収が行われる。
【００４６】
また、スプラッシュガード２４の外面２４ａには、ノズル７０が遮蔽板２２の下面に対して純水を吐出可能に設けられる。この場合、ノズル７０により遮蔽板２２を洗浄することができるので、遮蔽板２２にレジスト剥離液が付着した場合でも、遮蔽板２２を容易に洗浄することができる。
【００４７】
次に、図３は基板処理システム１００の制御系の構成を説明するためのブロック図である。
【００４８】
図３に示すように、基板処理装置１００においては、メイン制御部４が操作パネル４ａ、インデクサロボットＩＲ、基板搬送ロボットＣＲおよび複数の洗浄処理部ＭＰＣ１〜ＭＰＣ４の各々と接続されている。また、洗浄処理部ＭＰＣ１には、コントローラＣＴが設けられる。コントローラＣＴは、遮蔽板昇降駆動機構３７、遮蔽板回転駆動機構３８、チャック回転駆動機構３６、スプラッシュガード昇降駆動機構３９、処理液供給系９１および窒素ガス供給系９０の各々と接続されている。
【００４９】
使用者が、操作パネル４ａを操作することにより、各基板の処理条件（レジスト剥離処理条件）がメイン制御部４に与えられる。メイン制御部４は、入力された処理条件に基づいて、インデクサロボットＩＲ、基板搬送ロボットＣＲまたは洗浄処理部ＭＰＣ１〜ＭＰＣ４のコントローラＣＴに制御信号を出力する。
【００５０】
コントローラＣＴは、メイン制御部４からの制御信号に応じて、遮蔽板昇降駆動機構３７、遮蔽板回転駆動機構３８、チャック回転駆動機構３６、スプラッシュガード昇降駆動機構３９、処理液供給系９１および窒素ガス供給系９０の各々に指示を与える。
【００５１】
遮蔽板昇降駆動機構３７は、コントローラＣＴからの指示によりアーム２８を昇降させ、遮蔽板回転駆動機構３８は、コントローラＣＴからの指示により支持軸８０、軸下部３０および遮蔽板２２を回転させ、チャック回転駆動機構３６は、コントローラＣＴからの指示に基づいてスピンチャック２１により基板Ｗを保持させるとともに回転させる。
【００５２】
また、スプラッシュガード昇降駆動機構３８はコントローラＣＴからの指示によりスプラッシュガード２４を昇降させる。
【００５３】
さらに、処理液供給系９１は、コントローラＣＴからの指示により処理液供給管８１から処理液を吐出する。窒素ガス供給系９０は、コントローラＣＴからの指示により窒素ガス供給管８０から窒素を吐出する。
【００５４】
なお、図３においては、洗浄処理部ＭＰＣ１について説明したが、洗浄処理部ＭＰＣ２〜ＭＰＣ４においても、同様の制御系の構成を有する。
【００５５】
次に、図４および図５を用いて洗浄処理中の洗浄処理装置ＭＰＣ１の状態について説明する。図４は図２の基板処理システム１００の洗浄処理装置ＭＰＣ１の洗浄処理中の状態を示す断面図であり、図５は図４の洗浄処理装置ＭＰＣ１の一部の拡大断面図である。
【００５６】
図４および図５に示すように、支持軸８０内には、処理液供給管８１が設けられている。処理液供給管８１はアーム２８に固定されており、支持軸８０とともに回転しないようになっている。処理液供給管８１の下端には、基板Ｗの上面中央に向けてレジスト剥離液を吐出する処理液吐出口５１が設けられている。そして、処理液吐出口５１の周囲には、窒素ガス（Ｎ2 ）を吐出するドーナツ状の窒素ガス吐出口５０が設けられている。すなわち、処理液供給管８１と支持軸８０との間が窒素ガス供給管の役割を果たしている。処理液供給管８１には、レジスト剥離液または純水等の処理液が供給される。支持軸８０と処理液供給管８１との間には、窒素ガス（Ｎ2 ）が供給される。
【００５７】
本実施の形態において、遮蔽板２２の直径は、スプラッシュガード２４の開口部２４ｂの直径よりもクリアランスＣ１の２倍だけ小さい。例えば、スプラッシュガード２４の開口部２４ｂの直径（φ）が３２８ｍｍである場合、クリアランスＣ１が片側４ｍｍずつ、合計８ｍｍに設定され、遮蔽板２２の直径（φ）が３２０ｍｍに設定される。
【００５８】
ここで、洗浄処理装置ＭＰＣ１の動作について説明する。
【００５９】
まず、基板Ｗが洗浄処理装置ＭＰＣ１に搬入され、スピンチャック２１に保持される。この際には、遮蔽板２２はスピンチャック２１の上方に待機した状態であり、スプラッシュガード２４の開口部２４ｂが開放された状態となっている。次に、遮蔽板昇降駆動機構３７により、遮蔽板２２の上面が、スプラッシュガード２４の外面２４ａと同じ高さまで下降される。それにより、遮蔽板２２によりスプラッシュガード２４の開口部２４ｂがクリアランスＣ１を持って閉塞された状態になる。この際には、少なくとも排気口３４ｂからの排気は行われており、通常は常時排気が行われているのが好ましい。そして、チャック回転駆動機構３６の働きにより回転軸２５が回転され、基板Ｗが回転する。さらに遮蔽板回転機構３８の働きにより支持軸８０が回転され、基板Ｗと平行な状態で遮蔽板２２が回転する。
【００６０】
次いで、処理液吐出口５１からレジスト剥離液、例えば、硫酸（Ｈ2ＳＯ4）と過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）との混合流体（ＳＰＭ）が基板Ｗの表面に吐出されるとともに、窒素ガス吐出口５０から窒素が吐出される。それにより、基板Ｗ上のレジスト剥離処理が行われる。なお、本実施の形態に用いる混合流体（ＳＰＭ）は、薬液反応により約１５０℃まで上昇する。そのため、基板Ｗの表面上に吐出されたレジスト剥離液は、ミストとなって飛散する。
【００６１】
上記のように、遮蔽板２２が移動することにより、スプラッシュガード２４の開口部２４ｂが遮蔽板２２によりクリアランスＣ１分だけの間隙を持って閉塞される。そして、このときには排気口３４ｂからの排気が行われており、クリアランスＣ１に上方から下方への気体の流れを形成することができる。それにより、処理液吐出口５１から吐出された高温のレジスト剥離液のミストが飛散しても、スプラッシュガード２４の外部空間にレジスト剥離液のミストが飛散しない。
【００６２】
その結果、スプラッシュガード２４の外面２４ａやさらにその外側の部材（たとえば、スプラッシュガード２４のさらに周囲を取り囲む周囲部材の内面等）に付着したレジスト剥離液が乾燥してパーティクルとなって浮遊し、基板Ｗに再付着することが防止される。また、スプラッシュガード２４の外面２４ａやさらにその外側の部材を洗浄するための洗浄工程が不要となるので、スループットの向上を図ることができる。また、純水使用量を低下させることができるのでコスト削減を図ることができる。
【００６３】
また、処理液供給管８１が支持軸８０内に設けられているので、処理液供給管８１が遮蔽板２２とともに移動する。それにより、基板Ｗの搬入時および搬出時に遮蔽板２２とともに処理液供給管８１をスプラッシュガード２４の外部に退避させることができる。したがって、処理液供給管８１を退避させるための装置を別途設ける必要がない。
【００６４】
さらに、処理液供給管８１の外側を取り囲むように窒素ガス供給管８０が設けられるので、処理液吐出口５１から基板Ｗに吐出されたレジスト剥離液の周囲に窒素ガス吐出口５０から窒素を効率よく吐出することができる。それにより、処理液のミストの流れを制御することが可能となる。その結果、窒素の吐出により余分なミストがさらに効率よく排液空間３１または回収液空間３２側へ送られ、排液管３４ａまたは回収管３５から効率よく排出される。
【００６５】
また、排液管３４ａの近傍には排気口３４ｂが設けられているため、この排気口３４ｂからの排気により、遮蔽板２２とスプラッシュガード２４とのクリアランスＣ１に上方から下方への（スプラッシュガード２４の内部へ流入する）気体の流れを形成することができるので、スプラッシュガード２４の内部の空間と外部の空間とを雰囲気的に遮断することができる。その結果、スプラッシュガード２４の内部から外部へミストが漏出することが十分に防止される。
【００６６】
次に、図６は図４に示す洗浄処理中の洗浄処理装置ＭＰＣ１の他の動作例を示す側面図である。以下、図６における洗浄処理装置ＭＰＣ１の動作が図４に示す洗浄処理装置ＭＰＣ１の動作と異なる点について説明する。
【００６７】
図６の例では、遮蔽板昇降駆動機構３７によりアーム２８および支持軸８０を下方に移動させる代わりに、スプラッシュガード昇降駆動機構３９によりスプラッシュガード２４の外面２４ａを遮蔽板２２と同じ高さまで上昇させる。
【００６８】
その後、処理液吐出口５１からレジスト剥離液、例えば、硫酸（Ｈ2ＳＯ4）と過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）との混合流体（ＳＰＭ）が基板Ｗの表面に吐出される。
【００６９】
上記のように、スプラッシュガード２４が移動することにより、スプラッシュガード２４の開口部２４ｂが遮蔽板２２によりクリアランスＣ１だけの間隙を持って閉塞され、排気口３４ｂから排気が行なわれる。それにより、クリアランスＣ１の部分に気体の流れが形成されるので、処理液吐出口５１から吐出された高温のレジスト剥離液のミストが飛散しても、スプラッシュガード２４の外面２４ａ等にレジスト剥離液のミストが飛散しない。
【００７０】
その結果、スプラッシュガード２４の外面２４ａ等に付着したレジスト剥離液が乾燥してパーティクルとなって浮遊し、基板Ｗに再付着することが防止される。また、スプラッシュガード２４の外面２４ａ等を洗浄するための洗浄工程が不要となるので、スループットの向上を図ることができる。また、純水使用量を低下させることができるのでコスト削減を図ることができる。
【００７１】
なお、本実施の形態においては、不活性ガスとして窒素を用いた場合について説明したが、これに限定されず、アルゴン等の他の任意の不活性ガスを用いてもよい。また、本実施の形態においては、基板処理装置の例として洗浄処理装置について説明したが、これに限定されず、現像処理装置または塗布処理装置にも適用することができる。
【００７２】
さらに、本実施の形態においては、遮蔽板２２を回転させつつ処理液を吐出させているが、これに限定されず、遮蔽板２２を静止させた状態で処理液を吐出させてもよい。この場合、遮蔽板２２は円形に限定されず、矩形、多角形、楕円形または他の任意の形状であってもよい。ただし、遮蔽板２２の形状は、スプラッシュガード２４の開口部２４ｂを所定の間隙を持って閉塞可能な形状とするのが好ましい。
【００７３】
また、本実施の形態においては、基板Ｗを回転させつつ処理液を吐出させているが、これに限定されず、基板Ｗを静止させた状態で処理液を吐出させてもよい。
【００７４】
また、本実施の形態においては、処理液として約１５０℃になるレジスト剥離液（ＳＰＭ）を用いることとしたが、これに限定されない。例えば、６０℃以上の処理液を用いた場合、処理液がミストになりやすいが、遮蔽板２２およびスプラッシュガード２４により基板Ｗの上方および周囲を覆っており、クリアランスＣ１の部分に気体の流れを形成しているのでスプラッシュガード２４の外面２４ａに処理液のミストが飛散しない。
【００７５】
本実施の形態においては、スピンチャック２１が基板保持部に相当し、処理液吐出口５１が処理液吐出手段に相当し、スプラッシュガード２４が遮蔽壁に相当し、排気口３４ｂが排気手段に相当し、遮蔽板２２が遮蔽部材に相当し、遮蔽板昇降駆動機構３７が移動手段に相当し、処理液吐出口５１が処理液吐出口に相当し、窒素ガス吐出口５０が不活性ガス吐出口に相当し、遮蔽板回転駆動機構３８が回転駆動手段装置に相当し、レジスト剥離液が６０℃以上の処理液に相当し、ノズル７０が洗浄手段に相当し、チャック回転駆動機構３６が基板回転駆動手段に相当する。
【産業上の利用可能性】
【００７６】
本発明は、半導体デバイス、液晶ディスプレイ等の製造工程における基板処理工程に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】本実施の形態に係る基板処理システムの平面図である
【図２】本実施の形態に係る基板処理システムの洗浄処理部の断面図である。
【図３】基板処理システムの制御系の構成を説明するためのブロック図である。
【図４】図２の基板処理システムの洗浄処理装置の洗浄処理中の状態を示す断面図である。
【図５】図４の洗浄処理装置の一部の拡大断面図である。
【図６】図４に示す洗浄処理中の洗浄処理装置の他の動作例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００７８】
２１  スピンチャック
２２  遮蔽板
２４  スプラッシュガード
２７  下面ノズル
３６  チャック回転駆動機構
３７  遮蔽板昇降駆動機構
３８  遮蔽板回転駆動機構
５１  処理液吐出口
５０  窒素ガス吐出口
７０  ノズル
８０  支持軸
８１  処理液供給管
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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