(57)【要約】【課題】放熱特性が優れた薄型発光ダイオードパッケージ及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発光ダイオードパッケージ１００は、サブマウント用シリコン基板１０１と；上記サブマウント用シリコン基板上に順次に形成された絶縁膜１０３及びパッケージ電極パターン１０４ａ、１０４ｂと；上記パッケージ電極パターン上に形成され、貫通孔１０７を有するスペーサ１０６と；上記貫通孔内に実装されて上記パッケージ電極パターン上にフリップチップボンディングされたＬＥＤ素子１１０と；上記スペーサの上面に接合された平面光学素子１０９を含む。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
サブマウント用シリコン基板；
上記サブマウント用シリコン基板上に順次に形成された絶縁膜及びパッケージの電極パターン；
上記パッケージ電極パターン上に形成され、貫通孔を有するスペーサ；
上記貫通孔内に実装されて上記パッケージ電極パターン上にフリップチップボンディングされたＬＥＤ素子；  及び
上記スペーサの上面に接合された平面光学素子を含むことを特徴とする発光ダイオードパッケージ。
【請求項２】
上記スペーサはシリコンで形成されたことを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードパッケージ
【請求項３】
上記スペーサの上記貫通孔側面は反射面を形成することを特徴とする請求項２に記載の発光ダイオードパッケージ。
【請求項４】
上記スペーサの上記貫通孔側面には反射用金属膜がコーティングされていることを特徴とする請求項２に記載の発光ダイオードパッケージ。
【請求項５】
上記スペーサは絶縁性樹脂で形成されたことを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードパッケージ。
【請求項６】
上記スペーサの上記貫通孔側面には反射用金属膜がコーティングされていることを特徴とする請求項５に記載の発光ダイオードパッケージ。
【請求項７】
上記絶縁膜は熱酸化膜であることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードパッケージ。
【請求項８】
上記平面光学素子は透明ガラスまたは透明高分子物質で形成されたことを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードパッケージ。
【請求項９】
上記平面光学素子はフレネルレンズであることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードパッケージ。
【請求項１０】
上記平面光学素子は格子によって光を分岐する素子であることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードパッケージ。
【請求項１１】
上記平面光学素子は体積ホログラム又は表面ホログラムで光を分岐する素子であることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードパッケージ。
【請求項１２】
上記平面光学素子は光を分散させる拡散板であることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードパッケージ。
【請求項１３】
サブマウント用シリコン基板上に絶縁膜およびパッケージ電極パターンを順次に形成する段階；
上記パッケージ電極パターン上にＬＥＤ素子をフリップチップボンディングして上記ＬＥＤ素子を実装する段階；
貫通孔内に上記ＬＥＤ素子が位置するように上記パッケージ電極パターン上に上記貫通孔を有するスペーサを形成する段階；及び
上記スペーサの上面に平面光学素子を接合する段階を含むことを特徴とする発光ダイオードパッケージの製造方法。
【請求項１４】
上記パッケージ電極パターン上に上記スペーサを形成する段階；
スペーサ用シリコン基板を選択的に蝕刻して上記スペーサ用シリコン基板に貫通孔を形成する段階；及び
上記貫通孔が形成された上記スペーサ用シリコン基板を上記パッケージ電極パターン上に接合する段階を含むことを特徴とする請求項１３に記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
【請求項１５】
上記スペーサ用シリコン基板の貫通孔側面に反射用金属膜をコーティングする段階をさらに含むことを特徴とする請求項１４に記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
【請求項１６】
上記パッケージ電極パターン上に上記スペーサを形成する段階は、絶縁性樹脂基板に貫通孔を形成する段階と；
上記貫通孔が形成された上記絶縁性樹脂基板を上記パッケージ電極パターン上に接合する段階を含むことを特徴とする請求項１３に記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
【請求項１７】
上記絶縁性樹脂基板の貫通孔側面に反射用金属膜をコーティングする段階をさらに含むことを特徴とする請求項１６に記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
【請求項１８】
上記絶縁膜は上記サブマウント用シリコン基板を熱酸化させることにより形成されることを特徴とする請求項１３に記載の発光ダイオードパッケージの製造方法。
【請求項１９】
シリコン基板上に絶縁膜及び多数のパッケージ電極パターンを順次に形成する段階；
上記多数の電極パターン上に多数のＬＥＤ素子をフリップチップボンディングして上記多数のＬＥＤ素子を実装する段階；
上記多数のＬＥＤ素子それぞれが貫通孔内に位置するように上記多数の電極パターン上に多数の貫通孔を有するスペーサを形成する段階；
上記スペーサの上面に平面光学素子を接合する段階；及び
上記平面光学素子が形成された結果物を個別ＬＥＤパッケージに切断する段階を含むことを特徴とする発光ダイオードパッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は発光ダイオードパッケージ及びその製造方法に関するもので、特に熱放出の特性が優れ、大量生産に適した薄型の発光ダイオードパッケージ及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＮ、ＡｌＧａＩｎＰなどの化合物半導体材料を用いた発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ；ＬＥＤ）素子が開発されて様々な色の発光源を具現することができるようになった。ＬＥＤ製品の特性を決める要素には、色、輝度及び光変換效率などがある。このようなＬＥＤ製品の特性は１次的にはＬＥＤ素子に用いられている化合物半導体材料とその構造によって決まるが、２次的な要素にＬＥＤ素子を実装するためのパッケージの構造によっても大きな影響を受ける。使用者要求による発光效果を得るためには、ＬＥＤ素子の材料または構造などの１次的な要素以外にも、ＬＥＤパッケージの構造及びそれに用いられる材料なども改善する必要がある。
【０００３】
一般的にＬＥＤ素子を照明用に使用するためには１００（ｌｍ／Ｗ）以上の光変換效率で高出力の光を発生させなければならない。ＬＥＤ素子を高い入力電力で駆動させなければならないため、入力電力中の７０％以上は熱に転換される。そのため、ＬＥＤ素子動作の際に過多な熱が発生するようになる。ＬＥＤ素子動作の際発生する熱は外部に放出されるべきである。もし熱が充分に放出されなければ、ＬＥＤ素子の温度が上昇するようになり光変換效率が急激に落ちるようになる。従って、高出力ＬＥＤパッケージにおいて、ＬＥＤ素子から発生される熱を效果的に放出させるべく検討が進んできた。ＬＥＤパッケージの放熱特性を改善するために、下記特許文献１では狭いスリットによって分離された金属基板をＬＥＤパッケージ基板に使用する技術が開示されている。
【０００４】
さらに、電子部品の小型化及び軽量化の傾向によって、非常に薄い厚みを有する薄型ＬＥＤパッケージに対する要求が増加している。例えば、ＬＣＤのバックライトユニット（ｂａｃｋｌｉｇｈｔ  ｕｎｉｔ）またはカメラ用フラッシュなどに用いられるＬＥＤパッケージらはバックライトユニットまたはフラッシュの小型化のために薄型で製造される必要がある。しかし、従来の技術において採用しているＬＥＤパッケージはこうした要求を充分に満たすことができず、製造工程が難しいという問題を有している。
【０００５】
図１は、特許文献１にて開示された従来のＬＥＤパッケージ（１０）の概略的な構造を示す断面図である。該ＬＥＤパッケージ（１０）は空気を光の媒体に使用している。図１を参照すれば、ＬＥＤパッケージ（１０）は、狭いスリット（６）が形成されている金属基板（２）と、絶縁基板からなるスペーサ（４）と、透明ガラスからなるカバー板（９）を含む。スリット（６）にはエポキシ樹脂などの絶縁部材（３）が充填されていて金属基板（２）は互いに分離された２つの電極（２ａ、２ｂ）を形成する。上記金属基板（２）、スペーサ（４）及びカバー板（９）の間に介在された接着シート（５、８）によって各部材が互いに接合される。スペーサ（４）の中央部にはキャビティ又は貫通孔（４ｂ）が形成されており、該貫通孔（４ｂ）内にＬＥＤ素子（７）が実装される。該貫通孔（４ｂ）の側面には金属膜（１１）がコーティングされている。該金属膜（１１）は側方向に進むＬＥＤ光を上方に反射させる反射面の役割をする。ＬＥＤ素子（７）はバンプ（７ａ、７ｂ）を通して上記金属基板（２）の２つの電極（２ａ、２ｂ）にフリップチップボンディングされている。ＬＥＤ素子（７）と金属基板（２）間の隙間にはアンダーフィル樹脂が充填され得る。
【０００６】
上記ＬＥＤパッケージ（１０）は金属基板（２）を使用することによりＬＥＤ素子（７）から発生する熱の放出特性を高めるようになる。しかし、上記構造を有する従来のＬＥＤパッケージ（１０）を製造するためには、狭いスリット（６）によって金属基板（２）を分離するように金属基板（２）を精密に加工すべきであり、狭いスリット（６）内に絶縁部材（３）を完全に充填させなければならない。そのため、ＬＥＤパッケージ（１０）を製造しにくく、充分に薄い厚さの薄型パッケージを製造することができなくなる。また、スリット（６）が両バンプ（７ａ、７ｂ）の真ん中に位置するようにＬＥＤ素子（７）を金属基板（２）の両方電極（２ａ、２ｂ）に正確にフリップチップボンディングさせるのが非常に難しい。
【特許文献１】日本特許公開公報第２００３−２１８３９８号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は上記した問題点を解決するためのもので、本発明の目的はＬＥＤ素子から発生される熱を效果的に放出し、より薄い厚みを有する薄型のＬＥＤパッケージを提供することである。
【０００８】
また、本発明の他の目的は、放熱特性が優れた薄型のＬＥＤパッケージをより容易に製造することができ、多数のＬＥＤパッケージを同時に製造するのに適したＬＥＤパッケージ製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した技術的課題を成し遂げるために、本発明によるＬＥＤパッケージは、サブマウント用シリコン基板と；上記サブマウント用シリコン基板上に順次に形成された絶縁膜及びパッケージ電極パターンと；上記パッケージ電極パターン上に形成され、貫通孔を有するスペーサと；上記貫通孔内に実装されて上記パッケージ電極パターン上にフリップチップボンディングされたＬＥＤ素子と；上記スペーサの上面に接合された平面光学素子とを含む。
【００１０】
本発明の一実施形態によれば、上記スペーサはシリコンで形成され得る。この場合、シリコンからなる上記スペーサの上記貫通孔側面は反射面を形成することが可能である。また、シリコンからなる上記スペーサの上記貫通孔側面には反射用金属膜がコーティングされ得る。該金属膜には、例えば銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）膜からなることができる。
【００１１】
本発明の他の実施形態によれば、上記スペーサはエポキシなどの絶縁性樹脂で形成され得る。この場合、絶縁性樹脂からなる上記スペーサの上記貫通孔側面には銀またはアルミニウム膜などからなる別途の反射用金属膜がコーティングされているものが好ましい。
【００１２】
本発明の実施形態によれば、上記サブマウント用シリコン基板上に形成された上記絶縁膜は熱酸化膜であるものが好ましい。上記熱酸化膜は約５０００Å（０．５μｍ）程度の薄い厚みで形成され得るので熱放出特性に障害にならない。
【００１３】
本発明の実施形態によれば、上記平面光学素子は透明ガラス又は透明高分子物質で形成され得る。例えば、上記平面光学素子はポリメチルメタクリレート（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ；ＰＭＭＡ）からなる透明プラスチック基板であり得る。なお、平面光学素子はフレネルレンズ（ｆｒｅｓｎｅｌ  ｌｅｎｓ）であり得る。他の手段として、上記平面光学素子は格子（ｇｒａｔｉｎｇ）によって光を分岐する素子であることもでき、体積ホログラム（ｖｏｌｕｍｅ  ｈｏｌｏｇｒａｍ）または表面ホログラム（ｓｕｒｆａｃｅ  ｈｏｌｏｇｒａｍ）で光を分岐する素子であることもできる。また、上記平面光学素子は、光を分散させる拡散板であることもできる。
【００１４】
本発明の他の目的を成し遂げるために、本発明によるＬＥＤパッケージの製造方法は、サブマウント用シリコン基板上に絶縁膜及びパッケージ電極パターンを順次に形成する段階と；上記パッケージ電極パターン上にＬＥＤ素子をフリップチップボンディングして上記ＬＥＤ素子を実装する段階と；貫通孔内に上記ＬＥＤ素子が位置するように上記パッケージ電極パターン上に上記貫通孔を有するスペーサを形成する段階と；上記スペーサの上面に平面光学素子を接合する段階とを含む。
【００１５】
本発明の一実施形態によれば、上記パッケージ電極パターン上に上記スペーサを形成する段階は、スペーサ用シリコン基板を選択的に蝕刻して上記スペーサー用シリコン基板に貫通孔を形成する段階と；上記貫通孔が形成された上記スペーサ用シリコン基板を上記パッケージ電極パターン上に接合する段階を含む。この場合、反射率を高めるために、上記スペーサ用シリコン基板の貫通孔側面に反射用金属膜をコーティングすることも可能である。
【００１６】
本発明の他の実施形態によれば、上記パッケージ電極パターン上に上記スペーサを形成する段階は、絶縁性樹脂基板に貫通孔を形成する段階と；上記貫通孔が形成された上記絶縁性樹脂基板を上記パッケージ電極パターン上に接合する段階を含む。この場合、上記絶縁性樹脂基板の貫通孔側面には銀またはアルミニウム膜などからなる別途の反射用金属膜をコーティングすることが好ましい。
【００１７】
本発明の実施形態によれば、上記絶縁膜は上記サブマウント用シリコン基板を熱酸化させ形成することが可能である。このように上記サブマウント用シリコン基板を熱酸化させることにより、上記サブマウントシリコン基板上に約５０００Å（０．５μｍ）程度の厚みを有するＳｉＯ２膜を形成することが可能である。
【００１８】
本発明のＬＥＤ製造方法は、シリコンウェーハなどのシリコン基板を使用して多数のＬＥＤパッケージを同時に製造するのに容易に適用され得る。この場合、上記シリコン基板はサブマウント基板で使用される。シリコン基板を使用して形成されたＬＥＤパッケージアレイ（ｐａｃｋａｇｅ  ａｒｒａｙ）を個別ＬＥＤパッケージに切断することにより多数のＬＥＤパッケージを同時に得ることが可能となる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、サブマウント基板にシリコン基板を使用することにより、ＬＥＤ素子から発生される熱を效果的に放出することができ、より薄い厚みを有する薄型のＬＥＤパッケージを具現することが可能となる。また、本発明によるＬＥＤパッケージの製造工程は比較的容易であり、多数のＬＥＤパッケージを同時に製造するにも適する。従って、本発明によれば、高品質のＬＥＤパッケージを低コストで大量生産することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、添付の図を基に本発明の実施形態を説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他形態に変形されることが可能で、本発明の範囲が以下説明する実施形態に限定されるわけではない。本発明の実施形態は当業界において平均的な知識を有する者に対し本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることもあり、図上の同一符合で表示される要素は同一要素である。
【００２１】
図２は、本発明の一実施形態によるＬＥＤパッケージ（１００）を示す断面図である。図２を参照すれば、サブマウント用シリコン基板（１０１）上には絶縁膜（１０３）とパッケージ電極パターン（１０４ａ、１０４ｂ）が形成されている。該パッケージ電極パターン（１０４ａ、１０４ｂ）は互いに分離された一対の電極で構成されている。上記絶縁膜（１０３）は一対の電極（１０４ａ、１０４ｂ）が互いに短絡されないようにする役割をし、上記シリコン基板（１０１）を熱酸化させて得た熱酸化膜（ＳｉＯ２）である。
【００２２】
上記電極パターン（１０４ａ、１０４ｂ）上にはキャビティまたは貫通孔（１０７）を有するシリコン材質（材料）のスペーサ（１０６）が接着シートなどの接着手段（図示せず）によって接合されている。該スペーサ（１０６）の貫通孔（１０７）側面（１０６ａ）は反射面を形成している。貫通孔（１０７）内にはＬＥＤ素子（１１０）がソルダバンプ（１１０ａ、１１０ｂ）を通して電極パターン（１０４ａ、１０４ｂ）にフリップチップボンディングされている。ＬＥＤ素子（１１０）から側方向に放出される光は上記側面（１０６ａ）によって上方に反射される。スペーサ（１０６）上面には平面光学素子（１０９）が接着シートなどの接着手段（図示せず）によって接合されている。
【００２３】
上記ＬＥＤパッケージ（１００）は、サブマウント基板としてシリコン基板（１０１）を使用する。シリコン基板（１０１）は従来の狭いスリットが形成された金属基板（図１の図面符号２参照）に比してより薄い厚みを有することができる。従って、上記ＬＥＤパッケージ（１００）は、従来のＬＥＤパッケージ（１０）に比してより薄い厚みを有することができる。
【００２４】
シリコンの熱伝導度は金属に匹敵するほど大きいので、上記シリコン基板（１０１）は熱放出に有利である。また、上記絶縁膜（１０３）は熱酸化膜であるので、約５０００Å程度の薄い厚みで形成されることができる。そのため、上記絶縁膜（１０３）による熱放出の遮断效果は無視するほど小さくなることができる。このように熱伝導度が高いシリコン基板（１０１）と薄い厚みの熱酸化膜からなる絶縁膜（１０３）を使用することにより、ＬＥＤ素子動作の際ＬＥＤ素子から放出される熱を效果的に放出させることが可能となる。
【００２５】
上記スペーサ（１０６）はシリコンからなっている。従って、別の反射用金属膜を使用しなくても上記貫通孔（１０７）の側面（１０６ａ）を反射面に使用することができる。例えば、スペーサ用シリコン基板を選択的に湿式蝕刻することにより一度の工程によって貫通孔（１０７）と反射面（１０６ａ）を有するシリコンスペーサ（１０６）を形成することができる。シリコンは加工しやい材料であり、上記反射面（１０６ａ）の角度と荒さに対する精密度を容易に制御することができる。しかし、反射率をさらに高めるために上記側面（１０６ａ）上に銀（Ａｇ）またはアルミニウム（Ａｌ）などからなる金属膜（図示せず）をコーティングすることも可能である。
【００２６】
平面光学素子（１０９）はＬＥＤ素子（１１０）を密封するカバー板の役割をする。上記平面光学素子（１０９）は透明ガラス又はポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などの透明高分子物質から形成され得る。平面光学素子（１０９）は単純な平板形状の透明基板や凸レンズであり得る。また、平面光学素子（１０９）はＬＥＤから放射される光を集中させたり、分岐させるなどの特別な機能を有する光素子であり得る。例えば、平面光学素子（１０９）はフレネルレンズであり得る。また、上記平面光学素子（１０９）は、格子（ｇｒａｔｉｎｇ）によって光を分岐したり、体積ホログラム又は表面ホログラムで光を分岐する光素子であり得る。その他にも上記平面光学素子（１０９）には光を分散、噴射させる拡散板を使用することができる。
【００２７】
図３は、本発明の他の実施形態によるＬＥＤパッケージを示す断面図である。図３のＬＥＤパッケージ（２００）は、スペーサ（２０６）がエポキシ樹脂などの絶縁性樹脂で形成されているという点において、図２のＬＥＤパッケージ（１００）と異なる。一般的に絶縁性樹脂は金属やシリコンに比して反射率が低いので、図３に示すように貫通孔（２０７）の側面にアルミニウムまたは銀からなる別途の反射用金属膜（２１１）をコーティングすることが好ましい。この反射用金属膜（２１１）はＬＥＤ素子から放出される側方向の光を上方（出射方向）に反射させる反射面の役割をする。
【００２８】
以下、図４乃至図１２を参照して本発明の実施形態によるＬＥＤパッケージの製造方法を説明する。図４乃至図１０はシリコンスペーサを具備するＬＥＤパッケージの製造方法を説明するための断面図であり、図１１及び図１２は絶縁性樹脂からなるスペーサを具備するＬＥＤパッケージの製造方法を説明するための断面図である。
【００２９】
先ず、図４を参照すれば、サブマウント用シリコン基板（１０１）を熱酸化してして上記基板（１０１）上にＳｉＯ２からなる絶縁膜（１０３）を形成する。該絶縁膜（１０３）は約５０００Å程度の薄い厚みを有するように形成されることができる。次に、図５に示すように、上記絶縁膜（１０３）上に一対の電極から構成されたパッケージ電極パターン（１０４）を形成する。この電極パターン（１０４）は例えばＡｇ／Ｎｉ／Ａｕ層からなることができる。その後、図６に示すように、ＬＥＤ素子（１１０）をパッケージ電極パターン（１０４）上に接合することにより、サブマウントに実装する。この際、ソルダバンプ（１１０ａ、１１０ｂ）を通してＬＥＤ素子（１１０）をパッケージ電極パターン（１０４）にフリップチップボンディングする。
【００３０】
次に、図７に示すように、スペーサを製造するためにシリコン基板（１０６’）を準備する。該スペーサ用シリコン基板（１０６’）を選択的に湿式蝕刻（ウエットエッチング）することにより、図８に示すようなキャビティ又は貫通孔（１０７）を形成する。それによって、サブマウントに接合されるシリコン材質（材料）のスペーサ（１０６）を得るようになる。貫通孔（１０７）はスペーサ（１０６）の中央部に形成されることが好ましい。該貫通孔（１０７）の側面は前述したように反射面の役割をすることができる。反射率をさらに高めるために、貫通孔側面に銀又はアルミニウムなどからなる金属膜をコーティングすることも可能である。
【００３１】
次に、図９に示すように、上記製造されたスペーサ（１０６）をパッケージ電極パターン（１０４）上に接合する。この接合は例えば、スペーサ（１０６）と電極パターン（１０４）の間に挟んである接着シート（図示せず）を通して行われることができる。スペーサ（１０６）接着の際、ＬＥＤ素子（１１０）が貫通孔（１０７）内に位置するように貫通孔（１０７）とＬＥＤ素子（１１０）の実装領域を整列させる。
【００３２】
次に、図１０に示すように、スペーサ（１０６）上に平面光学素子（１０９）を接合し、本実施形態によるＬＥＤパッケージを得る。例えば、スペーサ（１０６）と平面光学素子（１０９）の間に挟んである接着シート（図示せず）を使用して平面光学素子（１０９）をスペーサ（１０６）に接着させることが可能である。前述したように、上記平面光学素子（１０９）には単純な平板形状の透明基板のみならず、フレネルレンズなど様々な光機能を有する光素子を使用することが可能である。本実施形態においてはシリコン基板（１０６’）を湿式蝕刻して形成されたスペーサ（１０６）を使用するため、別途の反射用金属膜なしに貫通孔側面（１０６ａ）を反射面に使用することができる。
【００３３】
上記ＬＥＤパッケージ製造方法では、従来と違って金属基板（図１の図面符号２参照）の代りにシリコン基板（１０１）を使用する。また、サブマウント基板に狭いスリット（図１の図面符号６参照）を形成する必要もない。従って、従来に比してＬＥＤパッケージ製造工程が容易である。
【００３４】
前述した実施形態のＬＥＤパッケージ製造方法では、シリコン材質のスペーサを使用した。しかし、他の実施形態として絶縁性樹脂を使用してスペーサを形成することもできる。絶縁性樹脂スペーサを使用してＬＥＤパッケージを製造する場合にも、先ず図４乃至図６を参照して説明した工程段階を経る。その後、図１１に示すように、貫通孔（２０７）が形成された絶縁性樹脂のスペーサ（２０６）を備えて電極パターン（１０４）上に接合する。上記スペーサ（２０６）は例えばエポキシ樹脂を使用して形成され得る。絶縁性樹脂は金属やシリコンより反射率が低いので、貫通孔（２０７）側面に銀またはアルミニウムなどの金属膜（２１１）をコーティングすることが好ましい。絶縁性樹脂のスペーサ（２０６）を接合した後には、図１２に示すように、スペーサ（２０６）上面に平面光学素子（１０９）を接合し、ＬＥＤパッケージを得る。
【００３５】
本発明のＬＥＤ製造方法は、シリコンウェーハなどのシリコン基板を使用して多数のＬＥＤパッケージを同時に製造するのに容易に適用され得る。すなわち、  前述した本発明のＬＥＤパッケージ製造方法をそのまま適用して単一シリコン基板上でＬＥＤパッケージアレイを形成することができる。この場合、上記シリコン基板はサブマウント基板で使用される。こうして形成されたＬＥＤパッケージアレイを切断（ｄｉｃｉｎｇ）工程によって個別ＬＥＤパッケージに分離することにより、本発明による多数のＬＥＤパッケージを同時に得ることが可能となる。ＬＥＤパッケージアレイを製造する方法の一例が図１３及び図１４に示している。
【００３６】
先ず、図１３に示すように、シリコンウェーハなどのシリコン基板（１０１）上に熱酸化によって形成された絶縁膜（１０３）を形成した後、多数の電極パターン（１０４）を形成する。その後、多数の電極パターン（１０４）上に多数のＬＥＤ素子（１１０）をフリップチップボンディングで実装した後、多数の反射面（１０６ａ）と貫通孔（１０７）を有するスペーサ（１０６）を電極パターン（１０４）上に接着する。それぞれのＬＥＤ素子（１１０）が貫通孔（１０７）内に位置するように、ＬＥＤ素子（１１０）の実装位置と貫通孔（１０７）の位置を予め設定する。
【００３７】
次に、図１４に示すように、全体ＬＥＤ素子（１１０）を被うようにスペーサ（１０６）上面に平面光学素子（１０９）を接合する。それによって、多数のＬＥＤ素子（１１０）が実装されたＬＥＤパッケージアレイが製造される。その後、切断線（ｄｉｃｉｎｇ  ｌｉｎｅ）（Ａ、Ｂ）によってパッケージアレイを切断（ｄｉｃｉｎｇ）することにより、本発明による多数のＬＥＤパッケージを得るようになる。金属代りにシリコン基板（１０１）をサブマウント基板に使用するので、上記切断工程は容易に実行されることができる。このように、本発明のＬＥＤパッケージ製造方法はＬＥＤパッケージアレイを製造するのに容易に適用されることができ、ＬＥＤパッケージを大量で生産するのに適する。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】従来技術による発光ダイオードパッケージの断面図である。
【図２】本発明の一実施形態による発光ダイオードパッケージの断面図である。
【図３】本発明の他の実施形態による発光ダイオードパッケージの断面図である。
【図４】本発明の一実施形態による発光ダイオードパッケージの製造方法を説明するための断面図である。
【図５】本発明の一実施形態による発光ダイオードパッケージの製造方法を説明するための断面図である。
【図６】本発明の一実施形態による発光ダイオードパッケージの製造方法を説明するための断面図である。
【図７】本発明の一実施形態による発光ダイオードパッケージの製造方法を説明するための断面図である。
【図８】本発明の一実施形態による発光ダイオードパッケージの製造方法を説明するための断面図である。
【図９】本発明の一実施形態による発光ダイオードパッケージの製造方法を説明するための断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態による発光ダイオードパッケージの製造方法を説明するための断面図である。
【図１１】本発明の他の実施形態による発光ダイオードパッケージの製造方法を説明するための断面図である。
【図１２】本発明の他の実施形態による発光ダイオードパッケージの製造方法を説明するための断面図である。
【図１３】本発明の一実施形態による多数の発光ダイオードパッケージを同時に製造する方法を説明するための断面図である。
【図１４】本発明の一実施形態による多数の発光ダイオードパッケージを同時に製造する方法を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００３９】
１００    発光ダイオードパッケージ
１０１    シリコン基板
１０３    絶縁膜
１０４ａ、１０４ｂ    パッケージ電極パターン
１０６    スペーサ
１０６ａ    スペーサ反射面
１０７    貫通孔
１０９    平面光学素子
１１０    ＬＥＤ素子
１１０ａ、１１０ｂ    バンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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