(57)【要約】【課題】均一な電界放出特性を有する電界放出素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明による電界放出素子は、基板上に形成された金属層と、上記金属層上に形成された電流制限層と、上記電流制限層上に形成された炭素ナノチューブエミッタとを含む。上記電流制限層は、上記金属層から上記炭素ナノチューブエミッタに流れる電流を所定値に制限する。上記電流制限層は正温度係数特性を有するセラミック物質またはポリマー物質から成り得る。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された金属層と、
上記金属層上に形成された電流制限層と、
上記電流制限層上に形成された複数の炭素ナノチューブエミッタとを含み、
上記電流制限層は、上記金属層から上記炭素ナノチューブエミッタに流れる電流を所定値に制限する電界放出素子。
【請求項２】
上記電流制限層と上記炭素ナノチューブエミッタ間に導電層をさらに含む請求項１に記載の電界放出素子。
【請求項３】
上記電流制限層は正温度係数物質から成る請求項１に記載の電界放出素子。
【請求項４】
上記電流制限層はセラミック系正温度係数物質から成る請求項３に記載の電界放出素子。
【請求項５】
上記電流制限層はポリマー系正温度係数物質から成る請求項３に記載の特徴とする電界放出素子。
【請求項６】
上記電流制限層は、ｎ−ドーピングＢａＴｉＯ３から成る請求項４に記載の電界放出素子。
【請求項７】
上記ｎ−ドーピングＢａＴｉＯ３に添加されるドーパント元素は、Ｌａ、Ｙ、Ｇｄ及びＮｂで成る群から選択される請求項６に記載の電界放出素子。
【請求項８】
上記ｎ‐ドーピングＢａＴｉＯ３にはＰｂまたはＳｒが添加される請求項６に記載の電界放出素子。
【請求項９】
基板上に金属層を形成する段階と、
上記金属層上に電流制限層を形成する段階と、
上記電流制限層上に複数の炭素ナノチューブエミッタを形成する段階とを含み、
上記金属層上に形成された上記電流制限層は、上記金属層から上記炭素ナノチューブエミッタに流れる電流を所定値に制限する電界放出素子の製造方法。
【請求項１０】
上記電流制限層上に導電層を形成する段階をさらに含む請求項９に記載の電界放出素子の製造方法。
【請求項１１】
上記電流制限層は正温度係数物質から成る請求項９に記載の電界放出素子の製造方法。
【請求項１２】
上記電流制限層はセラミック系正温度係数物質から成る請求項１１に記載の電界放出素子の製造方法。
【請求項１３】
上記電流制限層はｎ−ドーピングＢａＴｉＯ３から成る請求項１２に記載の電界放出素子の製造方法。
【請求項１４】
上記電流制限層はポリマー系正温度係数物質から成る請求項１１に記載の電界放出素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電界放出素子及びその製造方法に関する。とりわけ、炭素ナノチューブエミッタの均一性と寿命が改善された電界放出エミッタ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電界放出表示装置（field emission display）及び電界放出ランプ（field emission lamp）などの電界放出素子は最近炭素ナノチューブ（Carbon Nanotube；以下、ＣＮＴともいう）を電界放出エミッタとして用いている。ＣＮＴから成るエミッタ（ＣＮＴエミッタ）は優れた電気 伝導性及び高い電界集中係数（field enhancement factor）を有しており高い電界放出特性をあらわすことができる。ＣＮＴを電極基板上に載置し電界放出エミッタとすると、低電圧でも電子が放出され得るので優れた電界放出素子を得ることが可能になる。
【０００３】
基板上にＣＮＴエミッタを形成する方法として様々な方法が提案されている。例えば、基板上にＣＮＴをＣＶＤ（化学気相蒸着）により成長させる方法、導電性ペースト（paste）を利用する方法、電気メッキを利用する方法、及び電気泳動を利用する方法などがある。ＣＮＴ成長を通してエミッタを得る方法は、生産性が低く広く使用はされ難い。したがって、現在電界放出表示装置または電界放出ランプに使用されるＣＮＴエミッタは、主に導電性ペースト、電気メッキまたは電気泳動を利用して製造されている。
【０００４】
しかし、このように製造されたＣＮＴエミッタは電子放出特性においてエミッタ毎にかなり差を示し、こうした差は電界放出表示装置や電界放出ランプの発光均一性及び寿命に悪影響を及ぼす要因となっている。図１（ａ）は従来の電界放出素子の一例を示す断面図で、図１（ｂ）は図１（ａ）の電界放出素子の概略的な等価回路図である。図１（ａ）によると、ガラス基板（１１）上に金属層（１２）が置かれ、その上の導電層パターン（１４）にＣＮＴエミッタ（１５）が付着されている。便宜上２個のＣＮＴエミッタ（１５）のみ見れば、図１（ｂ）に示したように、各々のＣＮＴエミッタ（１５）は特定の抵抗値（Ｒ１、Ｒ２）を示す。しかし、ＣＮＴエミッタ（１５）の付着状態や接触抵抗の差により、上記抵抗値（Ｒ１、Ｒ２）間にはかなり差がある（R１≠R２）。したがって、各ＣＮＴエミッタに流れる電流値（Ｉ１、Ｉ２）は大差を示し、電流分布が大変不均一になる。
【０００５】
こうした電界放出特性の不均一性を解決すべく、別途の抵抗層（resistive layer）を使用する方法が提案されている。即ち、基板とＣＮＴエミッタとの間に別途の抵抗層を形成すると、ＣＮＴエミッタの電界放出特性の散布が減少し、ＣＮＴエミッタにおける電流値の不均一性が緩和する。図２（ａ）に示したように、金属層（１２）と導電層パターン（１４）との間に抵抗層（１３）を形成し得る。図２（ｂ）は図２（ａ）の等価回路図を示す。顕著に異なる抵抗値（Ｒ１、Ｒ２）を有する各ＣＮＴエミッタに流れる電流量を互いに類似させるべく、各ＣＮＴエミッタ抵抗（Ｒ１、Ｒ２）に、より大きい抵抗（Ｒ）をさらに連結し得る。このように、各ＣＮＴエミッタにさらなる抵抗（Ｒ）が連結されると、各ＣＮＴエミッタ領域における抵抗の差は減少し、各ＣＮＴエミッタに流れる電流（Ｉ１、Ｉ２）の差も小さくなる。したがって、ＣＮＴエミッタの電界放出特性の均一性が確保される。図２（ａ）に示した抵抗層（１３）はこうしたさらなる抵抗（Ｒ）の役目を果たす。こうした抵抗層（１３）の電流散布緩和効果は下記式から容易に分かる。
【０００６】
Ｉ１＝（Ｉ１+Ｉ２）×（Ｒ２＋Ｒ）/（Ｒ１＋Ｒ２＋２Ｒ）
Ｉ２＝（Ｉ１＋Ｉ２）×（Ｒ１＋Ｒ）/（Ｒ１＋Ｒ２＋２Ｒ）
Ｒ≫Ｒ１、Ｒ２なので、Ｉ１≒Ｉ２≒（Ｉ１ ＋Ｉ２）×１／２
しかし、このように高い抵抗値を有する抵抗層を用いると、ＣＮＴエミッタを含む全体の抵抗が大変高くなる。したがって、ＣＮＴエミッタの閾電圧（threshold voltage）が高くなり電界放出のためにはより高い電圧を印加しなければならなくなる問題が発生する。さらに、こうした抵抗層を設けても全てのＣＮＴエミッタが同一な電界放出特性を有するのではなく電界放出特性の散布が減るだけである。したがって、上記抵抗層（１３）によって電界放出特性の均一性を改善することには限界があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は上記した問題点を解決するためのもので、その目的はより低い電圧でＣＮＴエミッタが均一な電界放出特性をあらわす電界放出素子を提供することである。
【０００８】
本発明の他の目的は、閾電圧を下げ電界放出特性の均一性をより向上させることが可能な電界放出素子の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記技術的課題を成し遂げるために、本発明による電界放出素子は、基板上に形成された金属層と、上記金属層上に形成された電流制限層（current limiting layer）と、上記電流制限層上に形成された複数のＣＮＴエミッタとを含む。上記電流制限層は、上記金属層から上記ＣＮＴエミッタに流れる電流を所定値に制限する。本発明によると、上記電界放出素子は、上記電流制限層と上記ＣＮＴエミッタ間に導電層をさらに含むことが可能である。上記導電層は特定パターンを有するようパターニングされたものでもよい。
【００１０】
本発明の一実施形態によれば、上記電流制限層は正温度係数（Positive Temperature Coeffient;ＰＴＣ）物質から成り得る。上記ＰＴＣ物質は、セラミック系ＰＴＣ物質またはポリマー系ＰＴＣ物質であり得る。上記セラミック系ＰＴＣ物質としては、例えばｎ-ドープＢａＴｉＯ３（ｎ‐ｄｏｐｅｄ ＢａＴｉＯ３）を使用し得る。また、上記ポリマー系ＰＴＣ物質としては、炭素粉末と有機バインダーを含むポリマー系ＰＴＣ物質を使用し得る。上記ｎ‐ドーピングＢａＴｉＯ３に添加されるドーパント元素としては、Ｌａ、Ｙ、Ｇｄ、Ｎｂなどを使用し得る。また、上記ｎ‐ドーピングＢａＴｉＯ３にはＰｂまたはＳｒなどが添加されてもよい。
【００１１】
こうしたＰＴＣ物質は特定温度で抵抗が急激に増加する特性を有する。上記ＰＴＣ物質を通して電流が多く流れると熱が発生し、この熱により温度が上昇すると特定温度で抵抗が急激に上がり、それ以上多くの電流が流れなくなる。こうしたＰＴＣ物質の電流制限特性により、全てのＣＮＴエミッタに充分な電流が流れるよう電圧を印加すると、すべてのＣＮＴエミッタに流れる電流はほぼ同一になる。また、上記ＰＴＣ物質は半導性物質または伝導性物質として、従来の抵抗層に比して抵抗値が低く、閾電圧（threshold voltage）を下げることが可能になる。
【００１２】
本発明による電界放出素子の製造方法は、基板上に金属層を形成する段階と、上記金属層上に電流制限層を形成する段階と、上記電流制限層上に複数のＣＮＴエミッタを形成する段階とを含む。上記金属層上に形成された上記電流制限層は、上記金属層から上記ＣＮＴエミッタに流れる電流を所定値に制限する。本発明の実施形態によれば、上記電界放出素子の製造方法は、上記電流制限層上に導電層を形成する段階をさらに含むことが可能である。上記電流制限層はＰＴＣ物質から成り得る。上記ＰＴＣ物質はセラミック系ＰＴＣ物質であることが可能で、好ましくはｎ-ドーピングＢａＴｉＯ3から成る。他案として、上記ＰＴＣ物質はポリマー系ＰＴＣ物質から成り得る。
【００１３】
本発明は、従来の抵抗層を使用した場合に比してより低い電圧でもＣＮＴエミッタの電界放出特性の均一性を確保することが可能な方案を提供する。このために本発明の電界放出素子は、金属層とＣＮＴエミッタ間にセラミック系ＰＴＣ物質またはポリマー系ＰＴＣ物質から成る電流制限層を具備する。上記ＰＴＣ物質は特定温度において抵抗が急激に増加し電流を制限する役目を果たす。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、ＣＮＴエミッタの下方に電流制限層を具備することにより、複数のＣＮＴエミッタは均一な電界放出特性を示すことが可能である。上記電流制限層は各ＣＮＴエミッタに過度な電流が流れることを防止するので、ＣＮＴエミッタの寿命が増加する。したがって、本発明によれば、電界放出表示装置または電界放出ランプなどの電界放出素子の寿命が改善される。
【００１５】
また、半導性のセラミック系ＰＴＣ物質または伝導性のポリマー系ＰＴＣ物質を使用することにより、従来の抵抗層を使用する場合に比してより低い閾電圧を得ることが可能になる。したがって、比較的低い電圧でも電界放出の均一性を確保することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、添付の図に基づいて本発明の実施形態を説明する。 しかし、本発明の実施形態は様々な他形態に変形することが可能で、本発明の範囲が以下に説明する実施形態に限定されるわけではない。本発明の実施形態は当業界において平均的な知識を有する者にとって本発明をより完全に説明するために提供されるものである。
【００１７】
図３（ａ）は本発明の一実施形態による電界放出素子の断面図で、図３（ｂ）は図３（ａ）の電界放出素子の概略的な等価回路図である。図３（ａ）によると、ガラス基板（１０１）上に金属層（１０２）、ｎ‐ドーピングＢａＴｉＯ３層（１０３）、及び導電層パターン（１０４）が順次に形成されており導電層パターン（１０４）にはＣＮＴエミッタ（１０５）が突出している。上記ｎ‐ドーピングＢａＴｉＯ３層（１０３）は電流制限層の役目を果たし、ＣＮＴエミッタ（１０５）から流れる電流が一定値を超えないよう電流を制限する。したがって、図３（ｂ）の等価回路図に示したように、電界放出素子は一定の電流を供給する一種の電流源を有することになる。
【００１８】
上記ｎ-ドーピングＢａＴｉＯ３層（１０３）はＢａＴｉＯ３に希土類元素が添加され形成されたものである。例えば、ＢａＴｉＯ３パウダーにＹ２Ｏ３を添加して焼結することによりＹ（イットリウム）のドープされたｎ‐ドーピングＢａＴｉＯ３物質を形成し得る。ｎ‐ドーピングＢａＴｉＯ３物質を形成するためにドーピングされ得る希土類元素としては、Ｙの他にもＬａ、ＧｄまたはＮｂなどが挙げられる。このように形成されたｎ‐ドーピングＢａＴｉＯ３物質を金属層（１０２）上に蒸着することによりｎ‐ドーピングＢａＴｉＯ３層（１０３）を形成することが可能である。
【００１９】
ｎ‐ドーピングＢａＴｉＯ３を含んだセラミック系ＰＴＣ物質は、温度が上昇すると特定温度で抵抗率が急激に増加する特性を有する。図３（ａ）に示した電界放出素子に電流が流れると熱が発生する。印加電圧を増加させ電流が多く流れると、ｎ−ドーピングＢａＴｉＯ３層（１０３）の温度が上昇し特定温度でｎ‐ドーピングＢａＴｉＯ３層（１０３）の抵抗率が急激に増加するようになる。こうしてｎ‐ドーピングＢａＴｉＯ３層（１０３）の抵抗率が急激に増加すると、ｎ‐ドーピングＢａＴｉＯ３層（１０３）を通して流れる電流が一定になる。即ち、ｎ‐ドーピングＢａＴｉＯ３層（１０３）は電流の自己調整（current self‐regulating）の役目を果たすことになる。図４はｎ‐ドーピングＢａＴｉＯ３層（１０３）の電流‐電圧特性を示すグラフである。図４に示したように、ｎ‐ドーピングＢａＴｉＯ３層（１０３）が有するＰＴＣ特性により、電界放出素子に印加される電圧（Ｖ）を増加させても、ｎ‐ドーピングＢａＴｉＯ３層（１０３）に流れる電流（ｉ）は一定の値をあらわす。
【００２０】
本来、ＢａＴｉＯ３は絶縁体であるが、これにＹ、Ｌａ、ＧｄまたはＮｂなどの希土類元素を添加することによりｎ型の半導体物質に変化させることが可能である。このように半導体化したｎ‐ドーピングＢａＴｉＯ３物質はキュリー温度（Curie Temperature）以下においては比較的低い抵抗率をあらわし、温度が上昇するにつれて抵抗率が緩やかに低下する。しかし、キュリー温度付近で抵抗率が急激に増加しながら正温度係数（ＰＴＣ）特性があらわれる。ここで キュリー温度とは、スイッチング温度（Switching Temperature）ともいい、一般に少なくとも抵抗値の２倍に対応する温度と定義される。このように、キュリー温度以上において抵抗率が急激に増加するので、ｎ‐ドーピングＢａＴｉＯ３物質は電流を特定値に制限する役目を果たす。
【００２１】
ｎ‐ドーピングＢａＴｉＯ３物質の電流制限特性は、キュリー温度における相変化と関わりがある。即ち、ｎ‐ドーピングＢａＴｉＯ３物質はキュリー温度以下においては正方晶系であるが、それ以上において立方晶系に変わるので、キュリー温度以上において抵抗率が急激に変化する性質を有する。ｎ‐ドーピングＢａＴｉＯ３物質を含んだセラミック系ＰＴＣ物質は、このように特定温度以上において急激に増加する抵抗率を示し電流を制限する特性をあらわす。
【００２２】
図５はＢａＴｉＯ３層（１０３）の抵抗率‐温度特性を示すグラフである。図５のグラフは温度によるＢａＴｉＯ３層（１０３）の抵抗率（ρ）をログスケールで示したものである。図５に示したように、低温範囲においては温度が増加するほどＢａＴｉＯ３層（１０３）の抵抗率（ρ）は低くなる。しかし、温度が特定値（Ｔ１）に至ると、温度増加に応じて抵抗率（ρ）が急激に増加するＰＴＣ特性を示す。温度がさらに増加してＴ２ に至ると、抵抗率（ρ）は再び温度増加に応じて緩やかに低くなる。ＢａＴｉＯ３層（１０３）のキュリー温度はＴ１とＴ２間に位置する。キュリー温度を調節するために上記ｎ‐ドーピングＢａＴｉＯ３にＰｂまたはＳｒなどが添加されることも可能である。例えば、ＢａＴｉＯ３結晶格子においてＢａの一部をＰｂに置換するとキュリー温度は高温側に移動し、Ｂａの一部をＳｒに置換するとキュリー温度は低温側に移動する。
【００２３】
図６はｎ‐ドーピングＢａＴｉＯ３層（１０３）の温度‐印加電圧特性を示すグラフである。図６に示したように、初期には印加電圧の増加につれて電流が増加することから熱が発生し温度が上昇する。しかし、温度がＴ１に至ると温度の増加速度が低くなる。さらに、温度がＴ２になると、印加電圧をさらに増加させてもｎ‐ドーピングＢａＴｉＯ３層（１０３）の温度は上昇せず、ほぼＴ２に固定される。図５及び図６のグラフから図４に示した電流‐電圧特性が得られる。
【００２４】
ｎ‐ドーピングＢａＴｉＯ３層（１０３）が有するこうした電流制限特性は、ＣＮＴエミッタの電界放出特性の均一性を向上させる役目を果たす。これを具体的に説明すれば、下記のとおりである。
【００２５】
ｎ‐ドーピングＢａＴｉＯ３層（１０３）を具備する電界放出素子に低い電圧を印加すると、電界放出特性が高いＣＮＴエミッタが先に電子を放出するようになる。印加電圧をさらに高めると、電界放出特性が低いＣＮＴエミッタで電子を放出し始める。しかし、ｎ‐ドーピングＢａＴｉＯ３層（１０３）が特定電流値に電流を制限しているので、印加電圧がより高くなっても、電界放出特性の高いＣＮＴエミッタ側にそれ以上は電流が流れなくなる。したがって、低い電界放出特性を有するＣＮＴエミッタから充分な電流が流れるよう印加電圧を増加させても、全てのＣＮＴエミッタはほぼ同一な電流が流れ、電界放出特性の均一性が確保される。さらに、ｎ‐ドーピングＢａＴｉＯ３層（１０３）の電流制限特性により、ＣＮＴエミッタに過度な電流が流れるのを防止することが可能になる。したがって、ＣＮＴエミッタの寿命が長くなり電界放出素子の寿命が改善される。
【００２６】
とりわけ、従来と異なり抵抗層（図２（ａ）の図面符合１３参照）の代わりに半導性物質であるｎ‐ドーピングＢａＴｉＯ３ 層（１０３）を使用することにより、従来の抵抗層（１３）に比して全体の抵抗値が下がる。したがって、電界放出のための閾電圧を下げることが可能になる。即ち、本実施形態によれば、従来の抵抗層（１３）を使用すると閾電圧が大変高くなってしまう問題を防止することが可能である。
【００２７】
先述した実施形態においては、電流制限層としてＢａＴｉＯ３系物質を使用したが、その他のセラミック系ＰＴＣ物質から成る電流制限層を使用してもよい。例えば、ＺｎＴｉＮｉＯ系セラミック物質から成る電流制限層もｎ‐ドーピングＢａＴｉＯ３層（１０３）と類似するＰＴＣ特性を示す。ひいては、炭素粉末と有機バインダーを含むポリマー系ＰＴＣ物質から成る電流制限層を上記ｎ‐ドーピングＢａＴｉＯ３層（１０３）の代わりに使用することも可能である。ポリマー系ＰＴＣ物質は、 例えばポリエチレン樹脂またはハロゲン系樹脂に炭素粉末を混合して製造することも可能である。こうしたポリマー系ＰＴＣ物質は適切な伝導性を有し、温度増加に応じて抵抗率が増加するＰＴＣ特性を示す。
【００２８】
平衡状態においては、ポリマー系ＰＴＣ物質中に分散されている炭素が数多くの伝導性経路を形成するのでポリマー系ＰＴＣ物質は低い抵抗率を示す。しかし、電圧を印加してポリマー系ＰＴＣ物質に流れる電流が高くなると、温度が上昇しながらＰＴＣ物質内のポリマーが炭素より高い熱膨張係数で膨張する。このようにポリマーが膨張すると、炭素の伝導性経路が漸次に切断されポリマー系ＰＴＣ物質の抵抗率が増加し、ＰＴＣ特性があらわれる。こうして、上記ポリマー系ＰＴＣ物質は電流を制限する。
【００２９】
ポリマー系ＰＴＣ物質もｎ‐ドーピングＢａＴｉＯ３層（１０３）と同様に従来の抵抗層（１３）に比して低い抵抗率を有する。したがって、ポリマー系ＰＴＣ物質から成る電流制限層を使用すると、従来の抵抗層を使用した場合に比してより低い印加電圧でも電界放出特性の均一性を確保することが可能になる。
【００３０】
図７ないし図１０は本発明の実施形態による電界放出素子の製造方法を説明するための断面図である。先ず、図７によると、基板（１０１）上に金属層（１０２）を形成する。上記基板（１０１）としては、例えばガラス、石英またはアルミナ基板が使用され得る。基板（１０１）上に形成された金属層（１０２）は電界放出素子のカソード電極として使用される。上記金属層（１０２）は、 例えばクローム、タングステンまたはアルミニウムから成り得る。
【００３１】
次に、図８に示したように、イットリウムのドープされたｎ‐ドーピングＢａＴｉＯ３層（１０３）を上記金属層（１０２）上に蒸着する。その後、ＣＮＴを含有する導電性ペーストを上記ｎ‐ドーピングＢａＴｉＯ３層（１０３）上に塗布し、上記ペーストを乾燥する。この際、望むパターンのＣＮＴエミッタアレーを得るために、上記導電性ペーストはスクリーンプリンティング法でｎ‐ドーピングＢａＴｉＯ３層（１０３）上に塗布され得る。これにより、図９に示したように、上記導電性ペーストは導電層パターン（１０４）を形成し、多数のＣＮＴエミッタ（１０５）が導電層パターン（１０４）の表面上に突出する。先述したように、ｎ‐ドーピングＢａＴｉＯ３層（１０３）の電流制限特性により、ＣＮＴエミッタは均一な電界放出特性を示すことが可能になる。
【００３２】
上記実施形態においては、導電性ペーストを利用してＣＮＴエミッタ（１０５）を形成したが、電気メッキまたは電気泳動を利用してＣＮＴエミッタを形成することも可能である。ひいては、ＣＶＤ法によるＣＮＴ成長によりＣＮＴエミッタを形成することも可能である。例えば、図１０に示したように、電気メッキを実施することによりｎ‐ドーピングＢａＴｉＯ３層（１０３）上にニッケル金属（１０６）と共にＣＮＴエミッタ（１０５）を形成することも可能である。
【００３３】
本発明は上述した実施形態及び添付の図に限定されるものでなく、添付の請求範囲により限定される。さらに、本発明は請求範囲に記載された本発明の技術的思想を外れない範囲内において様々な形態の置換、変形及び変更が可能であることは当技術分野において通常の知識を有する者にとっては自明である。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】（ａ）は従来の電界放出素子の一例を示す断面図である。（ｂ）は（ａ）の電界放出素子の概略的な等価回路図である。
【図２】（ａ）は従来の電界放出素子の他例を示す断面図である。（ｂ）は（ａ）の電界放出素子の概略的な等価回路図である。
【図３】（ａ）は本発明の一実施形態による電界放出素子の断面図である。（ｂ）は（ａ）の電界放出素子の概略的な等価回路図である。
【図４】本発明の一実施形態による電流制限層の電流‐電圧特性を示すグラフである。
【図５】本発明の一実施形態による電流制限層の抵抗率−温度特性を示すグラフである。
【図６】本発明の一実施形態による電流制限層の温度‐電圧特性を示すグラフである。
【図７】本発明の実施形態による電界放出素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図８】本発明の実施形態による電界放出素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図９】本発明の実施形態による電界放出素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図１０】本発明の実施形態による電界放出素子の製造方法を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００３５】
１０１  基板
１０２  金属層
１０３  電流制限層
１０４  導電層パターン
１０５  炭素ナノチューブエミッタ
【図１】
2006244985.tif 000003
【図２】
2006244985.tif 000004
【図３】
2006244985.tif 000005
【図４】
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【図５】
2006244985.tif 000007
【図６】
2006244985.tif 000008
【図７】
2006244985.tif 000009
【図８】
2006244985.tif 000010
【図９】
2006244985.tif 000011
【図１０】
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