(57)【要約】【課題】  弾性表面波デバイスの処理対象領域に付着した付着物に起因する不良品となる潜在的な要因を持つことで、故障する可能性がある弾性表面波デバイスが、良品として出荷され、使用されている場において故障することを抑制できる、弾性表面波デバイスの製造方法、及び吐出装置、並びに弾性表面波デバイス、弾性表面波発振装置、及び電子機器を実現する。【解決手段】  本発明による弾性表面波デバイスの製造方法は、ＩＤＴ４４上の付着物の有無を調べる付着物検査工程（ステップＳ１２）と、付着物が認められたＩＤＴ４４の電極４４ａと電極４４ｂとを短絡する工程（ステップＳ１４）とを有する。また、吐出装置は、付着物検出装置と導電性材料を吐出する吐出ヘッドとを備える。弾性表面波発振装置は、当該製造方法又は吐出装置を用いて製造された弾性表面波デバイスを備え、電子機器は、当該弾性表面波発振装置を備える。【選択図】  図８
2006245720.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
弾性表面波デバイスを構成する交叉指電極上の付着物の有無を検出する検出工程と、
前記付着物が検出された場合には、前記交叉指電極を構成する２個の電極に導電性材料を塗布し、当該２個の電極間を電気的に結合する塗布工程と、を有することを特徴とする弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記交叉指電極上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程を更に有し、
前記塗布工程は、前記絶縁膜形成工程より前に実行することを特徴とする請求項１に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記弾性表面波デバイスを形成するウェハ上の、前記絶縁膜を形成しない部分を覆うレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程を更に有し、
前記検出工程は、当該レジスト膜形成工程を実行した後に実行することを特徴とする、請求項１又は２に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記付着物が、前記絶縁膜を形成しない部分を覆うレジスト膜を形成するレジスト材料であることを特徴とする、請求項３に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記導電性材料を、前記付着物が付着していない位置に塗布することを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記導電性材料を、前記２個の電極間を電気的に結合可能な複数の位置に塗布することを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項７】
液状材料を吐出する第１の吐出ヘッドを備え、当該第１の吐出ヘッドを、弾性表面波デバイスパターンが形成されたウェハに対向させ、前記弾性表面波デバイスパターン上の膜形成領域に向けて前記液状材料を吐出することで、前記ウェハ上に前記液状材料から成り、所定の平面形状を有する膜を形成する吐出装置であって、
導電性材料を吐出する第２の吐出ヘッドと、
前記弾性表面波デバイスを構成する交叉指電極上の付着物の有無を検出する検出装置と、を備えることを特徴とする吐出装置。
【請求項８】
前記第１の吐出ヘッドから吐出する前記液状材料は、前記交叉指電極上に絶縁膜を形成する前に、前記ウェハ上の当該絶縁膜を形成しない部分を覆うためのレジスト膜の材料であることを特徴とする、請求項７に記載の吐出装置。
【請求項９】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の弾性表面波デバイスの製造方法、又は請求項７または８に記載の吐出装置を用いて製造したことを特徴とする弾性表面波デバイス。
【請求項１０】
請求項９に記載の弾性表面波デバイスを備えることを特徴とする弾性表面波発振装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の弾性表面波発振装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波デバイスの製造方法、及び吐出装置、及び当該製造方法、又は吐出装置を用いて製造された弾性表面波デバイス、並びに当該弾性表面波デバイスを備えた弾性表面波発振装置、及び当該弾性表面波発振装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、弾性表面波デバイスを形成するための基板上の所定の領域を選択的に処理するために、所定の領域（以降「処理対象領域」と表記する）以外の領域（以降「非処理領域」と表記する）を覆う膜パターンを形成し、基板の全面を処理しても膜パターンに覆われた非処理領域は処理されないようにすることで、所定の領域のみを選択的に処理する方法が行われている。非処理領域を覆う膜パターンを形成する方法としては、基板面の全域を覆う保護膜を形成し、フォトエッチングなどで処理対象領域を覆う保護膜を除去して、非処理領域を覆う膜パターンを形成する方法が行われている。この方法では処理対象領域の保護膜をエッチングして除去する際に、処理対象領域の面がエッチング剤の影響を受けることがあった。例えば、基板の処理対象領域に含まれる表面に形成された電極膜が、エッチング剤によって侵食される場合があった。エッチング剤の影響を排除する方法として、特許文献１に記載されたように、エッチング剤に侵され難い処理を行う方法が提案されている。
【０００３】
しかし、特許文献１に記載されたような方法は、基板面に対して実施するべき処理を実行するためにさらに別の処理を実行する方法である。そのため、弾性表面波デバイスのように、基板の表面に形成された電極膜の厚さの微小な変化が装置の特性に影響を与える装置においては、当該別の処理を実行することで、装置の特性が変化するという弊害が生ずる可能性があった。このような弊害がない方法として、特許文献２に記載されたようなインクジェット方式で、非処理領域にのみ選択的に保護膜の膜パターンを形成する方法が提案されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−２７８０６７号公報
【特許文献２】特開２００４−１６９１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、インクジェット方式では、図１３に示したように、吐出ヘッド内の液状材料から分離される液滴１１０が尾をひき（図１３（ｂ），（ｃ）参照）、尾の部分が液滴（以降「主液滴１１１」と表記する）から分離して微小液滴（以降「副液滴１１２」と表記する）が発生する場合があった（図１３（ｄ），（ｅ），（ｆ）参照）。副液滴１１２は主液滴１１１より重量が軽いことから主液滴１１１より飛行速度が遅いため、主液滴１１１より遅れて基板面に着弾し、目標とする着弾位置から大幅にずれた位置に副液滴１１２が着弾する可能性が高く、非処理領域に隣接する処理対象領域に着弾する場合もあった。また、突発的に液滴１１０の飛行経路が変わって着弾した場合や、吐出ノズルの縁などに付着した液体が脱落して落下した場合などにも、目標とする着弾位置からずれた位置に液状材料が付着する可能性があった。
【０００６】
図１４（ａ）に示した弾性表面波デバイスパターンの交叉指電極（ＩＤＴ：Inter Digital Transducer）１２２に絶縁層形成処理を行う際に、導電性を確保することが必要である接続電極１２１には、絶縁層が形成されないようにレジスト膜１１６を形成する。ところが上記したように、接続電極１２１にレジスト膜１１６を形成するための液状材料が、交叉指電極１２２に付着する場合があった。図１４（ｂ）に示すように、交叉指電極１２２に着弾した副液滴１１２などは、部分的にレジスト膜１１６と同様のレジスト膜片１１７を形成していた。ここで絶縁層１２４を形成する処理を実施すると、レジスト膜１１６とレジスト膜片１１７が形成された部分には、絶縁層１２４は形成されない（図１４（ｃ）参照）。レジスト膜１１６を除去する処理によって、レジスト膜片１１７も除去され、交叉指電極１２２上のレジスト膜片１１７が除去された跡が、絶縁層が形成されていない導通領域１２７となる（図１４（ｄ）参照）。
【０００７】
導通領域１２７が在っても、弾性表面波デバイスとしては正常であるため、良品として出荷される可能性がある。しかし、導通領域１２７の部分では、導電性塵の付着などによって短絡が発生する可能性があり、それによって、弾性表面波デバイスが損なわれる可能性があった。即ち、潜在的に不良品となる要因を持った弾性表面波デバイスが、良品と判断されて出荷され、使用されている場において故障するという課題があった。
【０００８】
そこで、本発明は、弾性表面波デバイスの処理対象領域に付着した付着物に起因する不良品となる潜在的な要因を持つことで、故障する可能性がある弾性表面波デバイスが、良品として出荷されることを抑制できる、弾性表面波デバイスの製造方法、及び吐出装置、並びに弾性表面波デバイス、弾性表面波発振装置、及び電子機器を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明による弾性表面波デバイスの製造方法は、弾性表面波デバイスを構成する交叉指電極上の付着物の有無を検出する検出工程と、付着物が検出された場合には、交叉指電極を構成する２個の電極に導電性材料を塗布し、当該２個の電極間を電気的に結合する塗布工程と、を有することを特徴とする。
【００１０】
本発明の弾性表面波デバイスの製造方法によれば、交叉指電極上に付着物があることを検出した場合には、交叉指電極を形成する２個の電極間に導電性材料を塗布して２個の電極間を短絡することで、当該弾性表面波デバイスを確実に不良品とする。交叉指電極上に付着した付着物に起因して、不良品となる要因を持った弾性表面波デバイスとなる可能性が高い弾性表面波デバイスを確実に不良品とすることで、不良品となる要因を潜在的に持った弾性表面波デバイスが良品として出荷され、使用されている場において故障することを抑制することができる。
【００１１】
この場合、弾性表面波デバイスの製造方法は、交叉指電極上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程を更に有し、塗布工程は、絶縁膜形成工程より前に実行することが好ましい。
【００１２】
この弾性表面波デバイスの製造方法によれば、交叉指電極上に絶縁膜が形成する前に塗布工程を実施することで、形成された絶縁膜によって、塗布された導電性材料と２個の電極とが絶縁されることなく、塗布された導電性材料によって確実に２個の電極間を短絡することができる。
【００１３】
この場合、弾性表面波デバイスの製造方法は、弾性表面波デバイスを形成するウェハ上の、絶縁膜を形成しない部分を覆うレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程を更に有し、検出工程は、当該レジスト膜形成工程を実行した後に実行することが好ましい。
【００１４】
レジスト膜形成工程においては、レジスト膜材料の一部が、交叉指電極上に付着する可能性がある。交叉指電極上に付着したレジスト膜材料は、交叉指電極上の付着した部分に絶縁膜が形成されることを阻害することで、弾性表面波デバイスが不良品となる要因をつくる可能性が高い。この弾性表面波デバイスの製造方法によれば、レジスト膜形成工程の後で検出工程を実施することで、レジスト膜形成工程において発生する弾性表面波デバイスが不良品となる要因のもとである交叉指電極上に付着したレジスト膜材料を検出することができる。
【００１５】
この場合、付着物が、絶縁膜を形成しない部分を覆うレジスト膜を形成するレジスト材料であることを特徴とする。
【００１６】
交叉指電極上に付着したレジスト膜材料は、交叉指電極上の付着した部分に絶縁膜が形成されることを阻害することで、弾性表面波デバイスが不良品となる要因の原因となる可能性が高い。この弾性表面波デバイスの製造方法によれば、交叉指電極上に付着したレジスト膜材料を検出することができ、交叉指電極上に付着したレジスト膜材料に起因して、不良品となる要因を持った弾性表面波デバイスとなる可能性が高い弾性表面波デバイスを確実に不良品とすることで、不良品となる要因を潜在的に持った弾性表面波デバイスが良品として出荷され、使用されている場において故障することを抑制することができる。
【００１７】
この場合、弾性表面波デバイスの製造方法は、導電性材料を、付着物が付着していない位置に塗布することが好ましい。
【００１８】
導電性材料が付着物上に塗布されると、付着物によって導電性材料と交叉指電極とが絶縁されて、交叉指電極を形成する２個の電極が導電性材料によって短絡されることが阻害される可能性が高い。この弾性表面波デバイスの製造方法によれば、導電性材料が付着物とは異なる位置に塗布されることから、付着物によって導電性材料と交叉指電極とが絶縁されることはなく、確実に、交叉指電極を形成する２個の電極間を導電性材料によって短絡することができる。
【００１９】
この場合、弾性表面波デバイスの製造方法は、導電性材料を、２個の電極間を電気的に結合可能な複数の位置に塗布することが好ましい。
【００２０】
導電性材料が付着物上に塗布されると、付着物によって導電性材料と交叉指電極とが絶縁されて、交叉指電極を形成する２個の電極が導電性材料によって短絡されることが阻害される可能性が高い。この弾性表面波デバイスの製造方法によれば、導電性材料を複数の位置に塗布することで、導電性材料が付着物とは異なる位置に塗布される確率が高くなり、付着物によって導電性材料と交叉指電極とが絶縁される可能性が小さくなり、より確実に、交叉指電極を形成する２個の電極間を導電性材料によって短絡することができる。
【００２１】
本発明による吐出装置は、液状材料を吐出する第１の吐出ヘッドを備え、当該吐出ヘッドを、弾性表面波デバイスパターンが形成されたウェハに対向させ、弾性表面波デバイスパターン上の膜形成領域に向けて液状材料を吐出することで、ウェハ上に液状材料から成り、所定の平面形状を有する膜を形成する吐出装置であって、導電性材料を吐出する第２の吐出ヘッドと、弾性表面波デバイスを構成する交叉指電極上の付着物の有無を検出する検出装置と、を備えることを特徴とする。
【００２２】
本発明の吐出装置によれば、交叉指電極上に付着物があることを検出した場合には、交叉指電極を形成する２個の電極間に導電性材料を塗布して２個の電極間を短絡することで、当該弾性表面波デバイスを確実に不良品とする。交叉指電極上に付着した付着物に起因して、不良品となる要因を持った弾性表面波デバイスとなる可能性が高い弾性表面波デバイスを確実に不良品とすることで、不良品となる要因を潜在的に持った弾性表面波デバイスが良品として出荷され、使用されている場において故障することを抑制することができる。また、導電性材料を吐出する第２の吐出ヘッドと、付着物の有無を検出する検出装置とを備えることで、吐出装置に装着したウェハを着脱することなく、付着物の検出と検出結果に応じた導電性材料の塗布とを実施することができる。
【００２３】
この場合、吐出装置の第１の吐出ヘッドから吐出する液状材料は、交叉指電極上に絶縁膜を形成する前に、ウェハ上の当該絶縁膜を形成しない部分を覆うためのレジスト膜の材料であることが好ましい。
【００２４】
この吐出装置によれば、第１の吐出ヘッドによってレジスト膜を形成する工程と、検出装置によってレジスト膜材料から成る付着物の有無を検出する工程と、第２の吐出ヘッドによって液状の導電性材料を吐出する工程とを、吐出装置に装着したウェハを着脱することなく、連続して効率良く実施することができる。
【００２５】
本発明の弾性表面波デバイスは、前記請求項のいずれか１項に記載の弾性表面波デバイスの製造方法、又は前記請求項のいずれか１項に記載の吐出装置を用いて製造したことを特徴とする。
【００２６】
本発明によれば、不良品となる要因を潜在的に持った弾性表面波デバイスが良品として出荷され、使用されている場において故障することを抑制することができる弾性表面波デバイスの製造方法、または吐出装置を用いて製造したことから、弾性表面波デバイスは、潜在的に不良品となる要因を持つことがないものとなり、信頼性の高い弾性表面波デバイスを実現することができる。
【００２７】
本発明の弾性表面波発振装置は、前記した請求項に記載の弾性表面波デバイスを備えることを特徴とする。
【００２８】
本発明によれば、信頼性の高い弾性表面波デバイスを有する、信頼性の高い弾性表面波発振装置を実現することができる。
【００２９】
本発明による電子機器は、前記した請求項に記載の弾性表面波発振装置を備えることを特徴とする。
【００３０】
本発明の構成によれば、信頼性の高い弾性表面波発振装置を搭載したことから、信頼性の高い電子機器を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明に係る弾性表面波デバイスの製造方法、及び吐出装置、並びに弾性表面波デバイス、弾性表面波発振装置、及び電子機器の一実施形態について、図面を参照して、説明する。なお、以下の図面において、各部材及び各層を認識可能な大きさとするために、各部材及び各層の縮尺を適宜変更している。
【００３２】
（第１の実施形態）
最初に、本発明に係る弾性表面波デバイスを製造する際に用いられるデバイス製造装置の一例である液滴吐出装置について説明する。この液滴吐出装置は、液滴吐出ヘッドから基板に対して液滴を吐出（滴下）することにより弾性表面波デバイスを形成するウェハ上に膜パターンを形成するインクジェット装置である。図１は、液滴吐出装置の概略構成を示す斜視図である。
【００３３】
図１において、液滴吐出装置ＩＪは、ベース１２と、ベース１２上に設けられ、弾性表面波デバイスを形成するウェハ５１（図７参照）を支持する基板ステージ２２と、ベース１２と基板ステージ２２との間に介在し、基板ステージ２２を移動可能に支持する第１移動装置（移動装置）１４と、基板ステージ２２に支持されているウェハ５１に対して液状材料の液滴を吐出可能な液滴吐出ヘッド２（図２参照）と、複数の液滴吐出ヘッド２を保持するヘッドユニット３（図２参照）を移動可能に支持する第２移動装置１６と、液滴吐出ヘッド２の液滴の吐出動作を制御する制御装置２３とを備えている。更に、液滴吐出装置ＩＪは、ベース１２上に設けられている重量測定装置としての電子天秤（不図示）と、キャッピングユニット２５と、クリーニングユニット２４とを有している。また、第１移動装置１４及び第２移動装置１６を含む液滴吐出装置ＩＪの動作は、制御装置２３によって制御される。液滴吐出装置ＩＪが吐出装置に相当し、液滴吐出ヘッド２が吐出ヘッドに相当する。
【００３４】
第１移動装置１４はベース１２の上に設置されており、Ｙ方向に沿って位置決めされている。第２移動装置１６は、２本の支柱１６ａを用いてベース１２に対して立てて取り付けられており、ベース１２の後部１２ａにおいて取り付けられている。第２移動装置１６のＸ方向（第２の方向）は、第１移動装置１４のＹ方向（第１の方向）と直交する方向である。ここで、Ｙ方向はベース１２の前部１２ｂと後部１２ａ方向に沿った方向である。これに対してＸ方向はベース１２の左右方向に沿った方向であり、各々水平である。また、Ｚ方向はＸ方向及びＹ方向に垂直な方向である。
【００３５】
第１移動装置１４は、駆動部が例えばリニアモータによって構成され、２本のガイドレール１４ａと、このガイドレール１４ａに沿って移動可能に設けられているスライダー１４ｂとを備えている。このスライダー１４ｂは、ガイドレール１４ａに沿ってＹ方向に移動して位置決め可能である。
【００３６】
また、スライダー１４ｂはＺ軸回り（θＺ）用のモータ１４ｃを備えている。このモータ１４ｃは、例えばダイレクトドライブモータであり、モータ１４ｃのロータは基板ステージ２２に固定されている。これにより、モータ１４ｃに通電することでロータと基板ステージ２２とは、θＺ方向に沿って回転して基板ステージ２２をインデックス（回転割り出し）することができる。すなわち、第１移動装置１４は、基板ステージ２２をＹ方向（第１の方向）及びθＺ方向に移動可能である。
【００３７】
基板ステージ２２はウェハ５１を保持し、所定の位置に位置決めするものである。また、基板ステージ２２は吸着保持装置（図示省略）を有しており、吸着保持装置が作動することにより、基板ステージ２２の穴２２ａを通してウェハ５１を基板ステージ２２の上に吸着して保持する。
【００３８】
第２移動装置１６は、駆動部がリニアモータによって構成され、支柱１６ａに固定されたコラム１６ｂと、このコラム１６ｂに支持されているガイドレール１６ｃと、ガイドレール１６ｃに沿ってＸ方向に移動可能に支持されているスライダー１６ｄとを備えている。スライダー１６ｄはガイドレール１６ｃに沿ってＸ方向に移動して位置決め可能であり、ヘッドユニット３はスライダー１６ｄに取り付けられている。
【００３９】
ヘッドユニット３は、揺動位置決め装置としてのモータ１８ａ，１８ｂ，１８ｃ，１８ｄを介してスライダー１６ｄに取り付けられている。モータ１８ａを作動すれば、ヘッドユニット３（液滴吐出ヘッド２）は、Ｚ軸に平行に上下動して位置決め可能である。このＺ軸はＸ軸とＹ軸に対して各々直交する方向（上下方向）である。モータ１８ｂを作動すると、ヘッドユニット３（液滴吐出ヘッド２）は、Ｙ軸回りのβ方向に沿って揺動して位置決め可能である。モータ１８ｃを作動すると、ヘッドユニット３（液滴吐出ヘッド２）は、Ｘ軸回りのγ方向に揺動して位置決め可能である。モータ１８ｄを作動すると、ヘッドユニット３（液滴吐出ヘッド２）は、Ｚ軸回りのα方向に揺動して位置決め可能である。すなわち、第２移動装置１６は、ヘッドユニット３をＸ方向（第１の方向）及びＺ方向に移動可能に支持するとともに、このヘッドユニット３をＸ軸回り方向、Ｙ軸回り方向、Ｚ軸回り方向に揺動可能に支持する。
【００４０】
このように、図１のヘッドユニット３に保持された液滴吐出ヘッド２は、スライダー１６ｄにおいて、Ｘ軸方向に直線移動して位置決め可能で、α、β、γに沿って揺動して位置決め可能であり、液滴吐出ヘッド２の液滴吐出面２Ｐは、基板ステージ２２側のウェハ５１に対して正確に位置及び姿勢をコントロールすることができる。なお、液滴吐出ヘッド２の液滴吐出面２Ｐには液滴を吐出する複数の吐出ノズル４が設けられている（図２（ｂ）参照）。
【００４１】
電子天秤（図示省略）は、液滴吐出ヘッド２の吐出ノズルから吐出された液滴の一滴の重量を測定して管理するために、例えば、液滴吐出ヘッド２の吐出ノズルから、５０００滴分の液滴を受ける。電子天秤は、この５０００滴の液滴の重量を５０００の数字で割ることにより、一滴の液滴の重量を正確に測定することができる。この液滴の測定量に基づいて、液滴吐出ヘッド２から吐出する液滴の量を最適にコントロールすることができる。
【００４２】
クリーニングユニット２４は、液滴吐出ヘッド２の吐出ノズル等のクリーニングを製造工程中や待機時に定期的にあるいは随時に行うことができる。キャッピングユニット２５は、液滴吐出ヘッド２の液滴吐出面２Ｐが乾燥しないようにするために、デバイスを製造しない待機時にこの液滴吐出面２Ｐにキャップをかぶせるものである。
【００４３】
液滴吐出ヘッド２が第２移動装置１６によりＸ方向に移動することで、液滴吐出ヘッド２を電子天秤、クリーニングユニット２４あるいはキャッピングユニット２５の上部に選択的に位置決めさせることができる。つまり、製造作業の途中であっても、液滴吐出ヘッド２をたとえば電子天秤の位置に移動することで、液滴の重量を測定できる。また液滴吐出ヘッド２をクリーニングユニット２４上に移動することで、液滴吐出ヘッド２のクリーニングを行うことができる。液滴吐出ヘッド２をキャッピングユニット２５の上に移動して、液滴吐出ヘッド２の液滴吐出面２Ｐにキャップを取り付けることで乾燥を防止する。
【００４４】
つまり、これら電子天秤、クリーニングユニット２４、およびキャッピングユニット２５は、ベース１２上の後端側で、液滴吐出ヘッド２の移動経路直下に、基板ステージ２２と離間して配置されている。基板ステージ２２に対するウェハ５１の給材作業及び排材作業はベース１２の前端側から行われるため、これら電子天秤、クリーニングユニット２４あるいはキャッピングユニット２５により作業に支障を来すことはない。
【００４５】
図１に示すように、基板ステージ２２のうち、ウェハ５１を支持する以外の部分には、液滴吐出ヘッド２が液滴を捨打ち或いは試し打ち（予備吐出）するための予備吐出エリア（予備吐出領域）２７が、クリーニングユニット２４と分離して設けられている。この予備吐出エリア２７は、図１に示すように、基板ステージ２２の後端部側においてＸ方向に沿って設けられている。この予備吐出エリア２７は、基板ステージ２２に固着され、上方に開口する断面凹字状の受け部材と、受け部材の凹部に交換自在に設置されて、吐出された液滴を吸収する吸収材とから構成されている。
【００４６】
次に、液滴吐出装置の液滴の吐出技術について説明する。液滴吐出法の吐出技術としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換方式、電気熱変換方式、静電吸引方式等が挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御して吐出ノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に３０ｋｇ／ｃｍ2程度の超高圧を印加して吐出ノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進して吐出ノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散して吐出ノズルから吐出されない。また、電気機械変換方式は、ピエゾ素子（圧電素子）がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出して吐出ノズルから吐出させるものである。
【００４７】
また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、吐出ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。このうち、ピエゾ方式は、液状材料に熱を加えないため、材料の組成等に影響を与えないなどの利点を有する。本実施形態では、液状材料選択の自由度の高さ、及び液滴の制御性の良さの点から上記ピエゾ方式を用いる。液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。
【００４８】
次に、液滴吐出ヘッド２、及び複数の液滴吐出ヘッド２を保持するヘッドユニット３の構造について説明する。図２（ａ）は、ヘッドユニットの平面図、図２（ｂ）は、液滴吐出ヘッドの平面図であり、図３（ａ）は、液滴吐出ヘッドの構造を示す斜視図であり、図３（ｂ）は、液滴吐出ヘッドの吐出ノズル部の詳細構造を示す液滴吐出ヘッドの断面図である。
【００４９】
ヘッドユニット３は、図２（ａ）に示すように互いに同じ構造を有する複数の液滴吐出ヘッド２を保持している。ここで、図２（ａ）は、ヘッドユニット３を基板ステージ２２側から観察した図である。ヘッドユニット３には６個の液滴吐出ヘッド２からなる列が、それぞれの液滴吐出ヘッド２の長手方向がＸ軸方向に対して角度をなすように２列配置されている。また、液状材料を吐出するための液滴吐出ヘッド２は、図２（ｂ）に示すように、それぞれが液滴吐出ヘッド２の長手方向に延びる２つの吐出ノズル列６、６を有している。１つの吐出ノズル列６は、それぞれ１８０個の吐出ノズル４が一列に並んだ列のことであり、この吐出ノズル列６、６の方向に沿った吐出ノズル４の間隔は、約１４０μｍである。２つの吐出ノズル列６、６間で吐出ノズル４はそれぞれ半ピッチ（約７０μｍ）ずれた位置に配置されている。各液滴吐出ヘッド２は吐出ノズル４がＸ軸方向に一定ピッチで連続するように配置されており、液滴吐出ヘッド２のＸ軸方向に対する角度を調整すれば、ピッチを変えることができる。
【００５０】
この液滴吐出ヘッド２及び吐出ノズル４の配列パターンは一例であり、各種の基板に対し液滴吐出ヘッド２を専用部品とすれば、当該基板に合致した吐出ノズルの配設をすれば良い。あるいは、６個の液滴吐出ヘッド２の列を一つの液滴吐出ヘッドで構成しても良い。すなわち、液滴吐出ヘッド２の個数や列数、さらに配列パターンは任意に設定できる。いずれにしても、１２個の液滴吐出ヘッド２の全吐出ノズル４によるドットが、Ｘ軸方向において連続していればよい。
【００５１】
図３（ａ），（ｂ）に示すように、それぞれの液滴吐出ヘッド２は、振動板３３と、ノズルプレート３４とを備えている。振動板３３と、ノズルプレート３４との間には、液状材料タンク（図示省略）から孔３７を介して供給される材料液が常に充填される液たまり３５が位置している。また、振動板３３と、ノズルプレート３４との間には、複数のヘッド隔壁３１が位置している。そして、振動板３３と、ノズルプレート３４と、１対のヘッド隔壁３１とによって囲まれた部分がキャビティ３０である。キャビティ３０は吐出ノズル４に対応して設けられているため、キャビティ３０の数と吐出ノズル４の数とは同じである。キャビティ３０には、１対のヘッド隔壁３１間に位置する供給口３６を介して、液たまり３５から材料液が供給される。
【００５２】
振動板３３上には、それぞれのキャビティ３０に対応して、振動子３２が位置する。振動子３２は、ピエゾ素子３２ｃと、ピエゾ素子３２ｃを挟む１対の電極３２ａ、３２ｂとから成る。この１対の電極３２ａ、３２ｂに駆動電圧を与えることで、対応する吐出ノズル４から液状材料が液滴となって吐出される。
【００５３】
上記した制御装置２３（図１参照）は、ピエゾ素子３２ｃへの印加電圧の制御、すなわち駆動信号を制御することにより、複数の吐出ノズル４のそれぞれに対して、液状材料の吐出制御を行う。具体的には、制御装置２３は、吐出ノズル４から吐出される液滴の体積や、単位時間あたりに吐出する液滴の数、液滴同士の距離などを変化させることができる。例えば、列状に並ぶ複数の吐出ノズル４の中から、液滴を吐出させる吐出ノズル４を選択的に使用することにより、複数の液滴同士の距離を変化させることができる。なお、吐出ノズル４のそれぞれから吐出される液滴の体積は、１ｐｌ〜３００ｐｌ（ピコリットル）の間で可変である。
【００５４】
図４は、ピエゾ素子３２ｃに与える駆動信号の例と、駆動信号に対応する吐出ノズル内の液状材料の状態を示す模式図である。以下、この図４に基づいて、体積の異なる３種類の液滴である、微小ドット、中ドット、大ドットを吐出する原理について説明する。図４において、駆動波形［Ａ］は駆動信号発生回路が生成する基本波形である。波形［Ｂ］は基本波形のＰａｒｔ１で形成されていて、メニスカス（液体の凹凸面）を揺動させ吐出ノズル４開口近傍の増粘した液体を拡散し、微小な液滴の吐出不良を未然に防止するために用いられる。Ｂ１はメニスカスが静定している状態であり、Ｂ２はピエゾ素子３２ｃに緩やかに充電することでキャビティ３０（圧力室）の体積を拡張しメニスカスを僅か吐出ノズル４内に引き込む動作を示している。
【００５５】
波形［Ｃ］は基本波形のＰａｒｔ２で形成されていて、微小ドットの液滴を吐出する波形である。まず静定している状態（Ｃ１）から急激にピエゾ素子３２ｃを充電してメニスカスを素早く吐出ノズル４内に引き込む（Ｃ２）。次に一旦引き込まれたメニスカスが再び吐出ノズル４を満たす方向に振動を開始するタイミングに併せてキャビティ３０を僅か縮小（Ｃ３）させることにより微小ドットの液滴が飛翔する。放電を途中休止した後の２度目の放電（Ｃ４）は吐出動作後のメニスカスやピエゾ素子の残留信号を制振させるとともに液滴の飛翔形態を制御する役目を果たしている。
【００５６】
波形［Ｄ］は基本波形のＰａｒｔ３で形成されていて、中ドットを吐出する波形である。静定状態（Ｄ１）から緩やかに大きくメニスカスを引き込み（Ｄ２）、メニスカスが再び吐出ノズル４を満たす方向に向かうタイミングに合わせて急激にキャビティ３０を収縮（Ｄ３）させることで中ドットの液滴が吐出される。Ｄ４ではピエゾ素子に充電／放電することでメニスカスやピエゾ素子の残留振動を制振させている。波形［Ｅ］は基本波形のＰａｒｔ２とＰａｒｔ３とを組み合わせて形成されていて、大ドットの液滴を吐出するための波形である。まず、Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３に示す過程で微小ドットの液滴を吐出し、微小ドット吐出後に僅かに残留するメニスカスの振動が吐出ノズル４内を液体で満たすタイミングに合わせて中ドットを吐出する波形をピエゾ素子３２ｃに印加する。Ｅ４、Ｅ５の過程で吐出される液滴は中ドットよりも大きい体積であり、先の微小ドットの液滴と合わせてさらに大きい大ドットの液滴が形成される。このように駆動信号を制御することにより、微小ドット、中ドット、大ドットの体積の異なる３種類の液滴を吐出することができる。
【００５７】
次に、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）共振子３８（図６参照）について説明する。ＳＡＷ共振子３８は、ハウジング３９にＳＡＷ共振片４０（図５参照）を封入し、接着剤４１で接着し、ボンディングワイヤ４２で導通させて形成される（図６参照）。ＳＡＷ共振子３８が、弾性表面波発振装置に相当し、ＳＡＷ共振片４０が、弾性表面波デバイスに相当する。
【００５８】
図５は、ＳＡＷ共振片の一例を示す平面図である。図５に示したＳＡＷ共振片４０は、水晶、リチウムタンクレート、リチウムニオブベートなどの圧電体を矩形にカットしたものを基体（チップ）として構成されている。本実施形態の圧電体のチップ４３は、平らな長方形にカットされており、その表面（主面）４３ａの中央に１組の電極４４ａおよび４４ｂによって交叉指電極（ＩＤＴ：Inter Digital Transducer）４４が構成されている。また、このＩＤＴ４４の長手方向の両側に格子状の反射器４６ａおよび４６ｂが形成されている。チップ４３の長手方向の縁に沿って、ＩＤＴ４４を形成する１組の電極４４ａおよび４４ｂとそれぞれ繋がった導通用のボンディングランド４５ａおよび４５ｂが、電極４４ａおよび４４ｂと同じ素材を用いて形成されており、このボンディングランド４５ａ，４５ｂにワイヤーボンディングすることによって電気的な接続が得られるようになっている。ボンディングランド４５ａ，４５ｂが、接続電極に相当する。
【００５９】
電極４４ａ，４４ｂ，反射器４６ａ，４６ｂおよびボンディングランド４５ａ，４５ｂは、導電性の素材、例えば、金、アルミニウム、アルミニウム銅合金などが通常用いられ、加工およびコストの点からアルミニウム系の素材が最も多く用いられている。図５に破線で示した領域４７ａ，４７ｂは、後述する陽極酸化レジスト膜を形成する領域であり、塗布領域に相当する。
【００６０】
図６は、ＳＡＷ共振子の概要を示す断面図である。上述したように、ＳＡＷ共振子３８は、ハウジング３９にＳＡＷ共振片４０を封入して形成されている。ハウジング３９は、ＳＡＷ共振片４０を支持するための金属部３９ｂと、ＳＡＷ共振片４０を封止するケース３９ａと、封止ガラス３９ｃとで構成されている。ＳＡＷ共振片４０は、これを支持するための金属部３９ｂに接着剤４１で固着されており、ケース３９ａと金属部３９ｂとで形成される空間内に窒素雰囲気中で抵抗溶接などによって封止されている。ＳＡＷ共振片４０と電気的な接続を得るためのリード４９が金属部３９ｂの中の絶縁部すなわち封止ガラス３９ｃを貫通しており、これらのリード４９はＳＡＷ共振片４０上のボンディングランド４５ａ，４５ｂとボンディングワイヤ４２によって電気的に接続されている。
【００６１】
このように、ＳＡＷ共振片４０の周囲に空間を設け、ＳＡＷ共振片４０が周囲の環境から影響を受け難くしてある。ところが、ＳＡＷ共振片４０の周囲に形成された空間がＳＡＷ共振片４０を封入する際に混入する可能性のあるＳＵＳ片あるいは半田くずなどの異物の移動可能なスペースとなってしまう。そして、このような異物がＳＡＷ共振片４０の電極、例えば、ＩＤＴ４４に食い込む可能性がある。ＩＤＴ４４はミクロンオーダーの精度で配置されているため、電極間に上記のような導電性の異物が存在するとショートの原因となり、ＳＡＷ共振子３８の安定した動作が損なわれる。しかし、このような異物の多くはミクロンオーダーの小さなものであり、混入を完全に防ぐのは困難である。さらに、ＳＡＷ共振子３８は様々な用途に用いられ、実装中や運搬中の衝撃、あるいは実装された角度などによってこのような異物が移動してしまうので、ＳＡＷ共振子３８を組み立てたり、実装する段階で上記のようなトラブルを完全に防止することは難しい。
【００６２】
異物によるトラブルを防止するために、例えば、ＩＤＴ４４などを酸化けい素などによってコーディングすることも可能である。しかし、チップ上にコーティング層を形成することは共振周波数の変動やＱ値の低下に繋がり、ＳＡＷ共振子３８の性能が損なわれてしまう。ところで、アルミニウム系の電極の表面に自然に形成される酸化膜は導電性が小さく、絶縁膜として機能させることができ、これらによってショートを防止することができる。しかし、自然に形成される酸化膜は厚みが１０〜３０オングストロームと薄いため強度が不足し、落下等の衝撃によって移動する異物から電極を完全に保護することは困難である。そこで、ＳＡＷ共振片４０のアルミニウム系電極を陽極酸化することによって、膜厚が２８０オングストローム前後、あるいはこれより厚い酸化膜を電極の表面に形成し、異物によるトラブルを防止するようにしている。
【００６３】
図７は、複数のＳＡＷパターンが形成されたウェハの平面図である。図７に示すような圧電体のウェハ５１に複数のＳＡＷパターン５２が形成された状態で陽極酸化を行う。ＩＤＴ４４を構成する一対の電極４４ａおよび４４ｂに陽極酸化を施すため、ウェハ５１には、ＳＡＷパターン５２に加え、陽極酸化用の電源と接続するターミナル（図示省略）と、ターミナルとＩＤＴ４４の一方の電極４４ａ及び４４ｂとを繋ぐ接続線（図示省略）と、を設けてある。また、液滴吐出装置ＩＪに定められた基準軸の方向に合わせてウェハ５１の方向を調整するための指標とする位置決めマーク（図示省略）も設けられている。陽極酸化処理を行うことで、印加電圧に略比例した膜厚の酸化膜を電極４４ａ，４４ｂの表面に形成することができる。
【００６４】
また、電極のうち、ボンディングランド４５ａ，４５ｂに相当する部分では、ボンディングワイヤ４２とボンディングランド４５ａ，４５ｂとを低抵抗の状態で接続することが重要であり、ボンディングランド４５ａ，４５ｂには酸化膜が形成されないことが望ましい。そこで、ボンディングランド４５ａ，４５ｂを覆う領域４７ａ，４７ｂにはレジスト膜を形成して、酸化膜の厚みの増加を防止する。レジスト膜は、前述した液滴吐出装置ＩＪを用いて、領域４７ａ，４７ｂにレジスト膜材料を吐出することで形成する。レジスト膜を形成する過程を含むＳＡＷ共振片４０の製造工程の詳細は、後述する。
【００６５】
なお、図７に示したウェハ５１は、ウェハ５１上に形成されたＩＤＴ４４とボンディングランド４５ａ，４５ｂとの位置関係を明示するために、１枚のウェハ５１上に４０個のＳＡＷパターン５２が形成できるものを示している。
【００６６】
次に、本実施形態のＳＡＷ共振片４０の製造工程について説明する。図８は、ＳＡＷ共振片の製造工程の一例を示すフローチャートである。ステップＳ１では、水晶のブロックからウェハ５１（図７参照）の基板となる円板状のウェハを切り出す。次に、ステップＳ２では、切り出したウェハを洗浄する。次に、ステップＳ３では、ステップＳ２での表面の清浄度を確保した状態で、ウェハの主面に、例えば蒸着などによってアルミニウム系の素材からなる略一様な薄膜である電極膜を形成する。
【００６７】
次に、ステップＳ４では、ステップＳ３で形成された電極膜上に、フォトレジスト材料を略一様に塗布しフォトレジスト膜を形成する。このとき、電極膜とフォトレジスト材料との密着性を向上させるために加熱処理してもよい。次に、ステップＳ５では、ステップＳ４で形成されたフォトレジスト膜にフォトマスクを密接させ、フォトレジストが感光する波長の平行光を照射してマスク露光し、露光したフォトレジスト材料を硬化させる。
【００６８】
次に、ステップＳ６では、現像を実施して、ステップＳ５で照射された平行光によって露光し硬化された部分以外のフォトレジスト膜を取り除く。次に、ステップＳ７では、ステップＳ６でフォトレジスト膜が取り除かれた部分に露出している電極膜をエッチングして除去する。これにより、ウェハ上にＳＡＷパターン５２が形成される。次に、ステップＳ８では、ＳＡＷパターン５２上のフォトレジスト膜を剥離して、ＳＡＷパターン５２を露出させる。
【００６９】
次に、ステップＳ９では、前述した液滴吐出装置ＩＪを用いて、液状の陽極酸化レジスト材料を、ＳＡＷパターン５２のボンディングランド４５ａ，４５ｂを覆う領域４７ａ，４７ｂ（図５参照）に吐出する。このとき、図１３に示すように、液滴吐出ヘッド２内の液状の陽極酸化レジスト材料から分離される液滴１１０が尾をひき（図１３（ｂ），（ｃ）参照）、尾の部分が液滴（以降「主液滴１１１」と表記する）から分離して微小液滴（以降「副液滴１１２」と表記する）が発生する場合がある（図１３（ｄ），（ｅ），（ｆ）参照）。副液滴１１２は主液滴１１１より重量が軽いことから主液滴１１１より飛行速度が遅いため、主液滴１１１より遅れて基板面に着弾し、目標とする着弾位置である領域４７ａ，４７ｂから大幅にずれて、ＩＤＴ４４上に着弾する可能性もある。ＩＤＴ４４上に着弾した副液滴１１２は、乾燥して後述する付着物６１となる。また、突発的に液滴１１０の飛行経路が変わって着弾した場合や、吐出ノズル４の縁などに付着した液体が脱落して落下した場合などにも、目標とする着弾位置からずれて、ＩＤＴ４４上に着弾する可能性がある。
【００７０】
陽極酸化レジスト材料としては、フェノール樹脂等が一般的であり、特にノボラック系が好ましい。モノマーの状態で塗布した後、露光により重合させて硬化してもよいし、あらかじめ重合したポリマー状態で溶媒に溶解させた溶液を塗布してもよい。また、耐陽極酸化性を有するポリマーであれば、構造は何ら限定されるものではなく、あらゆる樹脂を適用可能である。具体的には、ポリエポキシ、ポリエチレン、ポリエステル、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリビニル、ポリスチレン、ポリウレタン、ポリシロキサン、ポリイミド、ポリアミドおよびポリカーボネート等のポリマーが挙げられる。また、これらのモノマーが、開始剤あるいはモノマー自身が熱または光等の刺激により重合反応を引き起こしてポリマーを形成するものであれば、同様に液状材料として使用することができる。
【００７１】
溶媒についても同様に、ポリマーあるいはモノマーを可溶な溶媒であれば何ら限定されるものではない。具体的にはプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、４−メチル−２−ペンタノン（ＭＩＢＫ）、シクロヘキサノン、乳酸エチル、１−メトキシ−２−アセトキシプロパン（ＰＥＧＭＥＡ）、２−メトキシエトキシエタノール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートなどの極性化合物、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、ヘキサデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキサン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサン、ブチルセロソルブ、ブチルカルビトールなどのエーテル系化合物、さらにメタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、ヘキサノール、オクタノール、シクロヘキサノール、α−テルピネオールなどのアルコール類を例示できる。工業用のシンナー等は多くのポリマーに適用可能である。
【００７２】
次に、ステップＳ１０では、陽極酸化レジスト材料を乾燥させて、ボンディングランド４５ａ，４５ｂを覆う陽極酸化レジスト膜５４（図９参照）を形成する。陽極酸化レジスト材料の乾燥時間が速く、次の工程までに充分に乾燥が進行して、レジスト効果のある膜が形成できる場合には、この工程を省略してもよい。次に、ステップＳ１１では、エア洗浄を実施し、ウェハ５１上の埃などを除去する。ステップＳ９の工程とステップＳ１０の工程とが、レジスト膜形成工程に相当する。
【００７３】
次に、ステップＳ１２では、ＩＤＴ４４上の付着物の有無を調べる付着物検査を実施する。付着物検査は、例えばＣＣＤ（Charge  Coupled  Device）カメラなどの撮像装置（図示省略）を用いて、ＩＤＴ４４を含む画像データを取得し、取得した画像データを画像処理して、ＩＤＴ４４の基準画像と比較することで、ＩＤＴ４４上の付着物の有無を検出する。撮像装置は、液滴吐出装置ＩＪに取付けてもよいし、液滴吐出装置ＩＪとは別体の独立した撮像装置を用いてもよい。
【００７４】
次に、ステップＳ１３では、ステップＳ１２における検出結果に基づいて、ＩＤＴ４４上に付着物があるか否かを判定する。付着物が認められた（ステップＳ１３でＹＥＳ）場合は、ステップＳ１４に進む。付着物が認めらない（ステップＳ１３でＮＯ）場合は、ステップＳ１５に進む。ステップＳ１２の工程とステップＳ１３の工程とが、検出工程に相当する。
【００７５】
次に、ステップＳ１４では、付着物が認められたＩＤＴ４４に向けて導電性材料を吐出し、ＩＤＴ４４の電極４４ａと電極４４ｂとを短絡する導電片を形成する。図９は、ＩＤＴ上に導電片が形成されたウェハの模式図である。図９において、ウェハ５１ａ上に形成されたＳＡＷパターン５２上には陽極酸化レジスト膜５４が形成されており、ＳＡＷパターン５２のボンディングランド４５ａ，４５ｂが、それぞれ陽極酸化レジスト膜５４ａ，５４ｂで覆われている。ウェハ５１ａ上に形成されたＳＡＷパターン５２の中で、ＳＡＷパターン５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄのＩＤＴ４４には付着物６１があることから、それぞれ電極４４ａと電極４４ｂとを短絡する導電片７１，７２，７３が形成されている。
【００７６】
ＳＡＷパターン５２ａでは、付着物６１に重ならない位置で、一個所に導電片７１が形成されている。ステップＳ１２で得られた画像データを記憶しておき、ステップＳ１４では、付着物の位置と異なる位置に導電性材料の液滴を吐出することで、付着物６１に重ならない位置に、導電片７１が形成される。ＳＡＷパターン５２ｂでは、３個所に導電片７１が形成されている。ＳＡＷパターン５２ｃでは、線状の導電片７２が形成されている。ＳＡＷパターン５２ｄでは、ＩＤＴ４４の略全面を覆う導電片７３が形成されている。ステップＳ１４の工程が、塗布工程に相当する。なお、導電片の形状を例示するために、ウェハ５１ａでは、１枚のウェハ５１に対して、形状又は配置の異なる４種類の導電片を形成する構成としたが、通常は、１枚のウェハ５１に対して、１種類の導電片を選択し、形成する。
【００７７】
図８の、ステップＳ１３又はステップＳ１４の次に、ステップＳ１５では、陽極酸化処理を実施して、ＩＤＴ４４の表面に絶縁膜としての酸化膜を形成する。ステップＳ１５の工程が、絶縁膜形成工程に相当する。
【００７８】
次に、ステップＳ１６では、ボンディングランド４５ａ，４５ｂを含む領域４７ａ，４７ｂに形成されている陽極酸化レジスト膜を剥離する。次に、ステップＳ１７では、ウェハ５１をチップの形に切断して、ＳＡＷ共振片４０を形成する。ステップＳ１７を実行して、ＳＡＷ共振片４０の製造工程を終了する。前述したように、ハウジング３９にＳＡＷ共振片４０（図５参照）を封入し、接着剤４１で接着し、ボンディングワイヤ４２でリード４９と導通させて、ＳＡＷ共振子３８が形成される（図６参照）。導通検査などを行い、不良のＳＡＷ共振子３８を選別する。付着物６１が付いていたＳＡＷ共振片４０が装着されたＳＡＷ共振子３８は、ＳＡＷ共振片４０の電極４４ａと電極４４ｂとが導電片で短絡させられており、確実に不良品として選別される。なお、ＳＡＷ共振子３８を形成する前に、ＳＡＷ共振片４０の導通検査などを行い、不良のＳＡＷ共振片４０を選別することで、付着物６１が付いていたＳＡＷ共振片４０は、ハウジング３９に装着されないようにしてもよい。
【００７９】
以上説明した、第１の実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）図９に示したウェハ５１ａ上に形成されたＳＡＷパターン５２の中で、ＩＤＴ４４上に付着物６１があるＳＡＷパターン５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄにおいては、それぞれ電極４４ａと電極４４ｂとを短絡する導電片７１，７２，７３が形成されている。前述したように、付着物６１がＩＤＴ４４上に在ることで、ＳＡＷ共振片４０は不良品ではないが、電極４４ａと電極４４ｂとが短絡されて不良品となる可能性がある。ＳＡＷパターン５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄにおいて、電極４４ａと電極４４ｂとを短絡する導電片７１，７２，７３を形成することで、ＳＡＷパターン５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄを確実に不良品にして、検査において不良品として検出され易くすることができる。これにより、不良品となる可能性のあるＳＡＷパターン５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄから成るＳＡＷ共振片４０が、良品として良品の中に混入することを抑制することができる。
【００８０】
（２）図９に示したＳＡＷパターン５２ａでは、ステップＳ１２で得られた画像データを記憶しておき、付着物の位置と異なる位置に導電性材料の液滴を吐出することで、付着物６１に重ならない位置に、導電片７１が形成されている。付着物６１に重ならない位置に、導電片７１が形成されることで、導電片７１が付着物６１の上に形成されて、導電片７１と電極４４ａ，４４ｂとが付着物６１によって絶縁され、電極４４ａと電極４４ｂとを短絡することができない可能性を低減することができる。また、導電片７１が付着物６１の上に形成されないことから、導電片７１の大きさは、電極４４ａと電極４４ｂとを短絡することができる最低限の大きさでよい。
【００８１】
（３）図９に示したＳＡＷパターン５２ｂでは、３個所に導電片７１が形成されている。導電片７１が付着物６１の上に形成されると、導電片７１と電極４４ａ，４４ｂとが付着物６１によって絶縁され、電極４４ａと電極４４ｂとを短絡することができない可能性が高い。しかし、３個所の導電片７１の全てが付着物６１の上に形成され、短絡できない可能性は極めて低い。３個所に導電片７１を形成することで、目的とする電極４４ａと電極４４ｂとの短絡を実現できる確率を高くして、より確実に、電極４４ａと電極４４ｂとを短絡させることができる。
【００８２】
（４）図９に示したＳＡＷパターン５２ｃでは、線状の導電片７２が形成されている。線状に延びる導電片７２は複数の部分で、電極４４ａと電極４４ｂとに接触しており、線状の導電片７２の全てが付着物６１の上に形成され、短絡できない可能性は極めて低い。線状に延びる導電片７２を形成することで、目的とする電極４４ａと電極４４ｂとの短絡を実現できる確率を高くして、より確実に、電極４４ａと電極４４ｂとを短絡させることができる。
【００８３】
（５）図９に示したＳＡＷパターン５２ｄでは、ＩＤＴ４４の略全面を覆う導電片７３が形成されている。付着物６１がＩＤＴ４４の全面を覆うようなものである可能性は極めて小さいことから、ＩＤＴ４４の略全面を覆う導電片７３を形成することで、目的とする電極４４ａと電極４４ｂとの短絡を実現できる確率を高くして、より確実に、電極４４ａと電極４４ｂとを短絡させることができる。
【００８４】
（６）不良品となる可能性のあるＳＡＷパターン５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄから成るＳＡＷ共振片４０が、良品として良品の中に混入することを抑制することができることから、良品のＳＡＷ共振片４０の信頼性を高くすることができ、より信頼性の高いＳＡＷ共振片４０を実現することができる。
【００８５】
（７）信頼性の高いＳＡＷ共振片４０を備えることで、信頼性の高いＳＡＷ共振子３８を実現することができる。
【００８６】
（第２の実施形態）
次に、本発明に係る弾性表面波デバイスの製造方法、及び吐出装置、並びに弾性表面波デバイス、及び弾性表面波発振装置の第２の実施形態について説明する。本実施形態のＳＡＷ共振子を構成するＳＡＷ共振片は、第１の実施形態におけるＳＡＷ共振片と、基本的に同一である。本実施形態で使用する液滴吐出方法は、第１の実施形態における液滴吐出方法と、基本的に同一である。第１の実施形態とは異なる液滴吐出装置の構成、及び弾性表面波デバイスの製造方法の液滴吐出装置に関る工程について説明する。
【００８７】
図１０は、液滴吐出装置の概略構成を示す斜視図である。本例の液滴吐出装置１００は、第１の実施形態で説明した液滴吐出装置ＩＪと基本的に同一の機能を有する構成要素からなる。液滴吐出装置ＩＪと同様の機能を有するものは同一の符号を付し、その説明を省略または簡略化する。液滴吐出装置１００が、吐出装置に相当する。
【００８８】
液滴吐出装置１００は、２つのヘッドユニット３ａ，３ｂを備えている。ヘッドユニット３ａ，３ｂの構成、駆動方法、及び液滴吐出装置１００への取付構造は、第１の実施形態で説明したヘッドユニット３と基本的に同一である。ヘッドユニット３ａが取り付けられたスライダー１６ｄと、ヘッドユニット３ｂが取り付けられたスライダー１６ｅとは、ガイドレール１６ｃ上でＸ方向に並んでおり、ガイドレール１６ｃに沿ってＸ方向にそれぞれが移動可能に支持されている。ヘッドユニット３ａが接続される液体供給装置（図示省略）には、陽極酸化レジスト材料が充填されており、ヘッドユニット３ａは、陽極酸化レジスト材料の液滴を吐出する。ヘッドユニット３ｂが接続される液体供給装置（図示省略）には、導電性材料が充填されており、ヘッドユニット３ｂは、導電性材料の液滴を吐出する。ヘッドユニット３ａとヘッドユニット３ｂとは、制御装置１０２の制御のもとで、選択的に用いられる。ヘッドユニット３ａを構成する液滴吐出ヘッド２が、第１の吐出ヘッドに相当し、ヘッドユニット３ｂを構成する液滴吐出ヘッド２が、第２の吐出ヘッドに相当する。
【００８９】
スライダー１６ｅには、ＣＣＤカメラ１０１が、取付けられている。スライダー１６ｅを、ガイドレール１６ｃに沿ってＸ方向に移動することで、ＣＣＤカメラ１０１を、基板ステージ２２に対向する位置に移動することができ、その位置で、基板ステージ２２上のウェハ５１などを撮影することができる。ＣＣＤカメラ１０１で取得した画像は、制御装置１０２に送られ、画像処理がなされる。ＣＣＤカメラ１０１と制御装置１０２とが、検出装置に相当する。
【００９０】
次に、液滴吐出装置１００を用いて、ＳＡＷ共振片４０を製造する工程を説明する。図１１は、ＳＡＷ共振片の製造工程の一例を示すフローチャートである。図１１のステップＳ２１からステップＳ２８までの工程は、第１の実施形態において、図８に基づいて説明したステップＳ１からステップＳ８までの工程と同様である。
【００９１】
ステップＳ２８の次に、ステップＳ２９では、ＳＡＷパターン５２が形成されたウェハ５１（図７参照）を、液滴吐出装置１００の基板ステージ２２にセットする。
【００９２】
次に、ステップＳ３０では、液滴吐出装置１００のヘッドユニット３ａを用いて、液状の陽極酸化レジスト材料を、ＳＡＷパターン５２のボンディングランド４５ａ，４５ｂを覆う領域４７ａ，４７ｂ（図５参照）に吐出する。第１の実施形態で説明したように、液滴から分離した副液滴や、突発的に飛行経路が変わった液滴や、吐出ノズル４の縁などに付着した液体が脱落して落下したものなどが、ＩＤＴ４４（図５参照）上に着弾する可能性がある。
【００９３】
次に、ステップＳ３１では、陽極酸化レジスト材料を乾燥させて、ボンディングランド４５ａ，４５ｂを覆う陽極酸化レジスト膜５４（図９参照）を形成する。陽極酸化レジスト材料の乾燥時間が速く、次の工程までに次の工程に支障のない程度に乾燥し、陽極酸化処理工程までに充分に乾燥が進行して、レジスト効果のある膜が形成できる場合には、この工程を省略してもよい。ステップＳ３０の工程とステップＳ３１の工程とが、レジスト膜形成工程に相当する。
【００９４】
次に、ステップＳ３２では、ＩＤＴ４４上の付着物の有無を調べる付着物検査を実施する。付着物検査は、ＣＣＤカメラ１０１を用いて、ＩＤＴ４４を含む画像データを取得し、取得した画像データを制御装置１０２で画像処理することで、実施する。スライダー１６ｅを、ガイドレール１６ｃに沿ってＸ方向に移動し、ＣＣＤカメラ１０１を、基板ステージ２２にセットされたウェハ５１に対向させ、ＣＣＤカメラ１０１でウェハ５１を撮影して、ＩＤＴ４４を含む画像データを取得する。取得した画像データを、制御装置１０２に送り、画像処理して、ＩＤＴ４４の基準画像と比較することで、ＩＤＴ４４上の付着物の有無を検出する。
【００９５】
次に、ステップＳ３３では、ステップＳ３２における検出結果に基づいて、ＩＤＴ４４上に付着物があるか否かを判定する。付着物が認められた（ステップＳ３３でＹＥＳ）場合は、ステップＳ３４に進む。付着物が認めらない（ステップＳ３３でＮＯ）場合は、ステップＳ３５に進む。ステップＳ３２の工程とステップＳ３３の工程とが、検出工程に相当する。
【００９６】
ステップＳ３３の次に、ステップＳ３４では、ヘッドユニット３ｂを用いて付着物が認められたＩＤＴ４４に向けて導電性材料を吐出し、ＩＤＴ４４の電極４４ａと電極４４ｂとを短絡する導電片を形成する。導電片は、第１の実施形態で図９に基づいて説明したように、様々な形状のものを形成することができる。ステップＳ３４の工程が、塗布工程に相当する。
【００９７】
ステップＳ３３又はステップＳ３４の次に、ステップＳ３５では、陽極酸化レジスト膜が形成されたウェハ５１を、液滴吐出装置１００の基板ステージ２２から取り外す。
【００９８】
次に、ステップＳ３６では、陽極酸化処理を実施して、ＩＤＴ４４の表面に絶縁膜としての酸化膜を形成する。ステップＳ３６の工程が、絶縁膜形成工程に相当する。
【００９９】
次に、ステップＳ３７では、ボンディングランド４５ａ，４５ｂを覆う領域４７ａ，４７ｂに形成されている陽極酸化レジスト膜を剥離する。次に、ステップＳ３８では、ウェハ５１をチップの形に切断して、ＳＡＷ共振片４０を形成する。ステップＳ３８を実行して、ＳＡＷ共振片４０の製造工程を終了する。第１の実施形態で説明したように、ハウジング３９にＳＡＷ共振片４０（図５参照）を封入し、接着剤４１で接着し、ボンディングワイヤ４２で導通させて、ＳＡＷ共振子３８が形成される（図６参照）。
【０１００】
以上説明した、第２の実施形態によれば、第１の実施形態の効果に加えて以下の効果が得られる。
（１）液滴吐出装置１００は、陽極酸化レジスト材料の液滴を吐出するヘッドユニット３ａと、導電性材料の液滴を吐出するヘッドユニット３ｂと、ウェハ５１の画像を取得可能なＣＣＤカメラ１０１と、画像処理可能な制御装置１０２とを備える。これにより、ウェハ５１を液滴吐出装置１００に１回セットして、外すことなく、陽極酸化レジスト膜材料の吐出と、付着物検査と、導電片形成とを実施することができ、これらの工程を効率良く実施することができる。ウェハ５１上の特定の範囲を処理する処理装置に、ウェハ５１をセットする場合には、処理装置に対する被処理範囲の位置を明確にすることが必要であり、処理装置に定められた基準軸に合わせてウェハ５１の位置及び方向を調整する必要がある。ウェハ５１を、液滴吐出装置１００に１回セットして複数の工程を実施することで、位置及び方向の調整を省略でき、工程を効率良く実施することができる。
【０１０１】
（２）また、ウェハ５１を液滴吐出装置１００に１回セットして、外すことなく、陽極酸化レジスト膜材料の吐出と、付着物検査と、導電片形成とを実施することができることから、これらの工程の間はウェハの取付け状態は一定であり、吐出されて着弾した陽極酸化レジスト膜材料が乾燥前に移動したりすることがない。従って、陽極酸化レジスト膜材料の乾燥状態を考慮することなく、付着物検査と、導電片形成とを実施することができ、乾燥工程を省略できる可能性が高くなる。
【０１０２】
（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態に係る電子機器について説明する。本実施形態の電子機器は、第１の実施形態又は第２の実施形態で説明したＳＡＷ共振子を備えた電子機器である。本実施形態の電子機器の具体例について説明する。
【０１０３】
図１２（ａ）は、電子機器の一例である携帯電話の一例を示した斜視図である。携帯電話６００は、液晶表示部６０１を備えている。また、携帯電話６００には、回路基板が内蔵されており、回路基板には、通信回路の構成部品として、第１の実施形態で説明したＳＡＷ共振子３８が実装されている。
【０１０４】
図１２（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１２（ｂ）において、携帯型情報処理装置７００は、情報処理装置筐体７０３を有し、キーボードなどの入力部７０１と液晶表示部７０２とを備えている。また、情報処理装置筐体７０３には、回路基板が内蔵されており、回路基板には、タイマ回路の構成部品として第１の実施形態で説明したＳＡＷ共振子３８が実装されている。
【０１０５】
図１２（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。腕時計型電子機器８００は、液晶表示部８０１を備えている。また、腕時計型電子機器８００には、回路基板が内蔵されており、回路基板には、タイマ回路の構成部品として、第１の実施形態で説明したＳＡＷ共振子３８が実装されている。
【０１０６】
第３の実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）信頼性の高いＳＡＷ共振片４０を備える信頼性の高いＳＡＷ共振子３８を備えるため、信頼性の高い携帯電話６００や、携帯型情報処理装置７００や、腕時計型電子機器８００を提供することができる。
【０１０７】
以上、添付図面を参照しながら、本発明に係る好適な実施形態の例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。以下のように実施することもできる。
【０１０８】
（変形例１）前記実施形態においては、ＩＤＴ４４上に導電片７１を形成する位置は、付着物６１の検出画像から付着物６１の位置を検出することで、付着物６１の位置とは異なる位置を選んでいたが、予め定めておいてもよい。予め定めた位置に配置しても、付着物６１によって導電片７１と電極４４ａ，４４ｂとが絶縁されないようにするためには、導電片７１を大きくしたり、導電片７２のように形状を変えたりする処置をとる。
【０１０９】
（変形例２）前記実施形態においては、形状又は配置が異なる４種類の導電片を例示したが、導電片の形状又は配置は例示した形状又は配置に限らない。電極４４ａと電極４４ｂとを短絡できる形状又は配置であればどのような形状又は配置でもよい。
【０１１０】
（変形例３）前記第２の実施形態においては、２つのヘッドユニット３ａ，３ｂを備えた液滴吐出装置１００を用いて、陽極酸化レジスト膜の形成と導電片の形成とを実施していたが、２つの工程を実施するのに用いる液滴吐出装置が、２つのヘッドユニットを備えることは必須ではない。１つのヘッドユニットを構成する複数の液滴吐出ヘッドを、陽極酸化レジスト膜の形成用の液滴吐出ヘッドと導電片の形成用の液滴吐出ヘッドとに分けて使用することでも、１台の液滴吐出装置で、２つの工程を実施することができる。この場合、陽極酸化レジスト膜の形成用の液滴吐出ヘッドが、第１の吐出ヘッドに相当し、導電片の形成用の液滴吐出ヘッドが、第２の吐出ヘッドに相当する。
【０１１１】
（変形例４）前記実施形態においては、導電片の形成を液滴吐出装置を用いて実施していたが、液滴吐出法を用いることは必須ではない、ディスペンサを用いて導電性材料を注入する方法や、転写印刷法を用いる方法など、他にも様々な方法を用いて実施することができる。
【０１１２】
（変形例５）前記実施形態では、液滴吐出ヘッド２は、それぞれ１８０個の吐出ノズル４からなる吐出ノズル列を２列備え、３６０個の吐出ノズル４を有していたが、液滴吐出ヘッドの有する吐出ノズルは、３６０個に限らず何個でもよい。また、吐出ノズル列も２列に限らない。
【０１１３】
（変形例６）前記実施形態では、液滴吐出ヘッド２における吐出ノズル４のピッチ間隔は１４０μｍであったが、吐出ノズル４のピッチ間隔は１４０μｍに限らず、液滴吐出対象などに対応して、適切な吐出ノズルピッチ間隔の液滴吐出ヘッドを選ぶことができる。
【０１１４】
（変形例７）前記実施形態では、ＩＤＴ４４を形成する１組の電極４４ａ，４４ｂの両方の電極に陽極酸化膜を形成していたが、ＩＤＴを形成する１組の電極の両方の電極に陽極酸化膜を形成することは必須ではない。一方の電極に陽極酸化膜を形成することでも、１組の電極間の短絡を抑制することができる。
【０１１５】
（変形例８）前記実施形態では、ＳＡＷ共振片４０とリード４９とは、ボンディングワイヤ４２を介して電気的に接続されていたが、接続方法は、ボンディングワイヤを介する接続に限らない。ＳＡＷ共振片の接続端子とリードとを、半田や導電性接着剤を用いて直接固定してＳＡＷ共振片を支持すると共に、ＳＡＷ共振片の接続端子とリードとを電気的に接続する方法でもよい。
【０１１６】
（変形例９）前記実施形態では、ＣＣＤカメラ１０１を備える液滴吐出装置１００は、陽極酸化レジスト材料を吐出するヘッドユニット３ａと、導電性材料を吐出するヘッドユニット３ｂとを備えていたが、ＣＣＤカメラ１０１を備えると共に、陽極酸化レジスト材料を吐出する液滴吐出ヘッドと、導電性材料を吐出する液滴吐出ヘッドとの両方を備えることは必須ではない。１種類の液滴を吐出する液滴吐出装置が、ＣＣＤカメラ１０１を更に備える構成であってもよい。液滴吐出ヘッドを備えた液滴吐出装置が、ＣＣＤカメラ１０１のような撮像装置を備えることで、陽極酸化レジスト膜形成工程と付着物検査工程と、又は付着物検査工程と導電性材料を塗布する工程と、を１台の液滴吐出装置を使用するだけで実施することができる。
【０１１７】
上記した実施形態および変形例から把握される技術的思想を以下に記載する。
（技術的思想１）  液状材料を吐出する吐出ヘッドを備え、当該吐出ヘッドを、弾性表面波デバイスパターンが形成されたウェハに対向させ、前記弾性表面波デバイスパターン上の膜形成領域に向けて前記液状材料を吐出することで、前記ウェハ上に前記液状材料から成り、所定の平面形状を有する膜を形成する吐出装置であって、前記弾性表面波デバイスを構成する交叉指電極上の付着物の有無を検出する検出装置を更に備え、前記弾性表面波デバイスパターン上の膜形成領域に向けて前記液状材料を吐出した後、前記検出装置によって、前記交叉指電極上の前記付着物の有無を検出することを特徴とする吐出装置。
【０１１８】
この吐出装置によれば、膜形成領域に向けて液状材料を吐出して膜を形成する工程と付着物検査工程とを、１台の吐出装置で連続して実施することが可能である。従って、各工程毎にウェハを着脱することが不要であり、吐出装置に対してウェハを一回位置決めすれば２つの工程を実施することが可能で、各工程においてそれぞれ位置決めを実施する場合に比べて効率良く２つの工程を実施することができる。
【０１１９】
（技術的思想２）  液状の導電性材料を吐出する吐出ヘッドを備え、当該吐出ヘッドを、弾性表面波デバイスパターンが形成されたウェハに対向させ、前記弾性表面波デバイスパターン上の膜形成領域に向けて前記液状導電性材料を吐出することで、前記ウェハ上に前記導電性材料から成る膜パターンを形成する吐出装置であって、前記弾性表面波デバイスを構成する交叉指電極上の付着物の有無を検出する検出装置を更に備え、前記検出装置によって、前記交叉指電極上に前記付着物が検出された場合には、前記吐出ヘッドから前記液状導電性材料を前記交叉指電極に向けて吐出し、前記交叉指電極上に着弾した前記導電性材料によって前記交叉指電極を構成する２個の電極間を電気的に結合することを特徴とする吐出装置。
【０１２０】
この吐出装置によれば、付着物検査工程と、付着物検査工程の検査結果によって交叉指電極を構成する２個の電極間を電気的に結合するように導電性材料を交叉指電極に向けて吐出する工程とを、１台の吐出装置で連続して実施することが可能である。従って、各工程毎にウェハを着脱することが不要であり、吐出装置に対してウェハを一回位置決めすれば２つの工程を実施することが可能で、各工程においてそれぞれ位置決めを実施する場合に比べて効率良く２つの工程を実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１２１】
【図１】第１の実施形態における液滴吐出装置の概略構成を示す斜視図。
【図２】（ａ）ヘッドユニットの平面図。（ｂ）液滴吐出ヘッドの平面図。
【図３】（ａ）液滴吐出ヘッドの構造を示す斜視図。（ｂ）液滴吐出ヘッドの吐出ノズル部の詳細構造を示す断面図。
【図４】ピエゾ素子に与える駆動信号の例と、駆動信号に対応する吐出ノズル内の液状材料の状態を示す模式図。
【図５】ＳＡＷ共振片の一例を示す平面図。
【図６】ＳＡＷ共振子の概要を示す断面図。
【図７】ＳＡＷパターンが形成されたウェハの平面図。
【図８】ＳＡＷ共振片の製造工程の一例を示すフローチャート。
【図９】ＩＤＴ上に導電片が形成されたウェハの模式図。
【図１０】第２の実施形態における液滴吐出装置の概略構成を示す斜視図。
【図１１】ＳＡＷ共振片の製造工程の一例を示すフローチャート。
【図１２】（ａ）電子機器の一例である携帯電話の一例を示す斜視図。（ｂ）ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示す斜視図。（ｃ）腕時計型電子機器の一例を示す斜視図。
【図１３】液滴が分離する過程を示す模式図。
【図１４】絶縁層が形成されていない導通領域が形成される過程を示す模式図。
【符号の説明】
【０１２２】
２…吐出ヘッドとしての液滴吐出ヘッド、２Ｐ…液滴吐出面、３，３ａ，３ｂ…ヘッドユニット、４…吐出ノズル、６…吐出ノズル列、２３…制御装置、３２ｃ…ピエゾ素子、３３…振動板、３４…ノズルプレート、３８…弾性表面波発振装置としてのＳＡＷ共振子、３９…ハウジング、４０…弾性表面波デバイスとしてのＳＡＷ共振片、４４…ＩＤＴ（交叉指電極）、４４ａ，４４ｂ…電極、４５ａ，４５ｂ…ボンディングランド、４６ａ，４６ｂ…反射器、４７ａ，４７ｂ…塗布領域としての領域、５１，５１ａ…ウェハ、５２，５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄ…ＳＡＷパターン、５４，５４ａ，５４ｂ…陽極酸化レジスト膜、６１…付着物、７１，７２，７３…導電片、１０１…検出装置を構成するＣＣＤカメラ、１０２…検出装置を構成する制御装置、６００…電子機器としての携帯電話、７００…電子機器としての携帯型情報処理装置、７０３…情報処理装置筐体、８００…腕時計型電子機器、１００，ＩＪ…吐出装置としての液滴吐出装置。
【図１】
2006245720.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2006245720.tif 000011
【図１０】
2006245720.tif 000012
【図１１】
2006245720.tif 000013
【図１２】
2006245720.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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