(57)【要約】【課題】自発光パネルが備える自発光素子における下部電極と上部電極との短絡防止を図ること。【解決手段】下部電極１０６と上部電極１０７との間に発光層を含む成膜層１０８が設けられた自発光素子１０２が、基板１０１と封止基材１０３との間に封止された自発光パネル１００の製造方法において、下部電極１０６の封止基材１０３側に成膜層１０８を形成する成膜層形成工程に際し、下部電極１０６における凸部を包埋処理する凸部包埋処理工程と、下部電極１０６における凹部を包埋処理する凹部包埋処理工程と、をおこなった後、成膜層１０８の封止基材１０３側に上部電極１０７を形成するようにした。これによって、下部電極１０６と上部電極１０７との短絡を防止できる。【選択図】        図１
2006244934.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部電極と上部電極との間に発光層を含む成膜層が設けられた自発光素子が、基板上に設けられた自発光パネルの製造方法において、
前記基板上に前記下部電極を形成する下部電極形成工程と、
前記下部電極形成工程によって形成された下部電極の上部に成膜層を形成する成膜層形成工程と、
前記成膜層形成工程に際し、前記下部電極形成工程によって形成された下部電極における凸部を包埋処理する凸部包埋処理工程と、
前記成膜層形成工程に際し、前記下部電極形成工程によって形成された下部電極における凹部を包埋処理する凹部包埋処理工程と、
前記成膜層形成工程によって形成された成膜層の上部に上部電極を形成する上部電極形成工程と、
を含んだことを特徴とする自発光パネルの製造方法。
【請求項２】
前記凸部包埋処理工程と、前記凹部包埋処理工程とを、別々におこなうことを特徴とする請求項１に記載の自発光パネルの製造方法。
【請求項３】
前記凸部包埋処理工程と、前記凹部包埋処理工程とを、同時におこなうことを特徴とする請求項１に記載の自発光パネルの製造方法。
【請求項４】
前記凸部包埋処理工程をおこなった後に、前記凹部包埋処理工程をおこなうことを特徴とする請求項１または２に記載の自発光パネルの製造方法。
【請求項５】
前記凹部包埋処理工程をおこなった後に、前記凸部包埋処理工程をおこなった方法と同じ方法または別の方法によって、再度凸部包埋処理工程をおこなうことを特徴とする請求項４に記載の自発光パネルの製造方法。
【請求項６】
前記凸部包埋処理工程は、斜方蒸着方法、垂直蒸着方法、厚膜成膜方法、加圧蒸着法のいずれかの方法を用いて前記成膜層における少なくとも一層を形成もしくは下部電極研磨方法にて下部電極の表面を平滑化し、
前記凹部包埋処理工程は、斜方蒸着方法、垂直蒸着方法、メルト法、厚膜成膜方法、加圧蒸着法のいずれかの方法を用いて前記成膜層における少なくとも一層を形成することを特徴とする請求項４または５に記載の自発光パネルの製造方法。
【請求項７】
前記凹部包埋処理工程をおこなった後に、前記凸部包埋処理工程をおこなうことを特徴とする請求項１に記載の自発光パネルの製造方法。
【請求項８】
前記凸部包埋処理工程をおこなった後に、前記凹部包埋処理工程をおこなった方法と同じ方法または別の方法によって、再度凹部包埋処理工程をおこなうことを特徴とする請求項７に記載の自発光パネルの製造方法。
【請求項９】
前記凹部包埋処理工程は、斜方蒸着方法、垂直蒸着方法、厚膜成膜方法、加圧蒸着法のいずれかの方法を用いて前記成膜層における少なくとも一層を形成もしくは下部電極研磨方法にて下部電極の表面を平滑化し、
前記凸部包埋処理工程は、斜方蒸着方法、垂直蒸着方法、メルト法、厚膜成膜方法、加圧蒸着法のいずれかの方法を用いて前記成膜層における少なくとも一層を形成することを特徴とする請求項７または８に記載の自発光パネルの製造方法。
【請求項１０】
前記凸部包埋処理工程と、前記凹部包埋処理工程とは異なる方法によっておこなわれることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一つに記載の自発光パネルの製造方法。
【請求項１１】
下部電極と上部電極との間に発光層を含む成膜層が設けられた自発光素子が、基板上に設けられた自発光パネルの製造方法において、
前記基板上に前記下部電極を形成する下部電極形成工程と、
前記下部電極形成工程によって形成された下部電極の上部に成膜層を形成する成膜層形成工程と、
前記成膜層形成工程に際し、前記下部電極形成工程によって形成された下部電極における凹部または凸部の少なくともいずれか一方を包埋する第１の包埋処理工程と、
前記成膜層形成工程に際し、前記第１の包埋処理工程によって凹部または凸部の少なくともいずれか一方が包埋された下部電極に対して、当該下部電極における凹部または凸部の少なくともいずれか他方を包埋する第２の包埋処理工程と、
前記成膜層形成工程によって形成された成膜層の上部に上部電極を形成する上部電極形成工程と、
を含んだことを特徴とする自発光パネルの製造方法。
【請求項１２】
前記第１の包埋処理工程と、前記第２の包埋処理工程と、は異なる方法によっておこなわれることを特徴とする請求項１１に記載の自発光パネルの製造方法。
【請求項１３】
前記第１の包埋処理工程は、斜方蒸着方法、垂直蒸着方法、厚膜成膜方法、加圧蒸着法のいずれかの方法を用いて前記成膜層における少なくとも一層を形成もしくは下部電極研磨方法にて下部電極の表面を平滑化することを特徴とする請求項１１または１２に記載の自発光パネルの製造方法。
【請求項１４】
前記第２の包埋処理工程は、斜方蒸着方法、垂直蒸着方法、メルト法、厚膜成膜方法、加圧蒸着法のいずれかの方法を用いて前記成膜層における少なくとも一層を形成することを特徴とする請求項１１または１２に記載の自発光パネルの製造方法。
【請求項１５】
前記自発光素子は、有機ＥＬ素子であることを特徴とする請求項１〜１４のいずれか一つに記載の自発光パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、自発光パネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電極対の間に発光層を含む成膜層が設けられた自発光素子は、当該電極間に電圧が印加されることによる発光層内での正孔と電子との再結合によって発光する。自発光素子は、ディスプレイあるいは照明や各種情報表示などをおこなう自発光パネルに利用されている。自発光パネルは、自発光素子が、基板上に単数または複数形成され、封止手段により封止された構成を有している。ここでいう封止手段は、封止基材により気密封止されたもの、基板と封止基材との間に樹脂などを充填した固体封止されたもの、自発光素子をバリア性を有するフィルム状や膜状の封止基材で覆ったものが挙げられる。
【０００３】
自発光素子には、たとえば、発光層を有機化合物によって形成した有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子などがある。有機ＥＬ素子は、電極間において成膜層が正しく介在している場合にはダイオード特性を示す。ところが、基板上に傷、突起、異物などが存在すると、電極や成膜層が乱れた状態で成膜されてしまう。
【０００４】
乱れた状態で成膜された成膜層においては、局所的に層の厚さが薄い部位が存在する。層の厚さが薄い部位では、絶縁耐性が低くなる。同様に、導電性の異物が基板上に付着していると、やはり、電極や成膜層が乱れた状態で成膜されてしまい、局所的に絶縁耐性が低い部位が生じてしまう。
【０００５】
有機ＥＬ素子における絶縁耐性の低い部位はダイオード特性を示さない。また、有機ＥＬ素子における絶縁耐性の低い部位は、電極間短絡が発生したり低インピーダンスとなっていわゆるリーク電流が発生した状態となったりする。リーク電流の発生は、素子破壊や駆動不良、表示不良などの原因となるため、製造に際してリーク電流が発生している自発光パネルは不良品とされる。このような不良品の発生率が高い場合、自発光パネルの製造における歩留まりが低下するため、自発光パネルの製造単価が増加してしまう。
【０００６】
このような不具合を解消するため、従来より、下部電極における凸部に対する包埋処理をおこなうようにした各種技術が開示されている（たとえば、下記特許文献１〜６参照。）。
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−９１０６７号公報
【特許文献２】特開２００１−６８２７２号公報
【特許文献３】特開２００１−２６７０７１号公報
【特許文献４】特開平０９−２４５９６５号公報
【特許文献５】特開平０８−５４８３３号公報
【特許文献６】特表２００１−５２３７６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上述した特許文献１〜６に示された従来技術では、いずれも下部電極における凸部に対する包埋処理であって、下部電極における凹部を原因として生じる問題を解決するものではない。
【０００９】
同一の下部電極においても、局所的に絶縁耐性が低くなる原因が凸部に起因する場合と凹部に起因する場合とでは、絶縁耐性の向上を図るための方策も異なると考えられるが、上述した特許文献１〜６を含む従来の技術では、凹部に起因するリーク電流の発生を防止することは困難であるという問題があった。
【００１０】
そこで、本発明は、このような問題点に対処することを課題の一例とするものである。すなわち、本発明は、下部電極と上部電極との短絡防止を図ることを目的とする。また、本発明は、下部電極と上部電極との短絡によるリーク電流の発生防止を図ることを目的とする。さらに、本発明は、自発光パネルの製造における歩留まりの向上を図り、自発光パネルの製造単価の増加抑制を図ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述した課題を解決し、目的を達成するため、請求項１の発明にかかる自発光パネルの製造方法は、下部電極と上部電極との間に発光層を含む成膜層が設けられた自発光素子が、基板上に設けられた自発光パネルの製造方法において、前記基板上に前記下部電極を形成する下部電極形成工程と、前記下部電極形成工程によって形成された下部電極の前記封止基材側に成膜層を形成する成膜層形成工程と、前記成膜層形成工程に際し、前記下部電極形成工程によって形成された下部電極における凸部を包埋処理する凸部包埋処理工程と、前記成膜層形成工程に際し、前記下部電極形成工程によって形成された下部電極における凹部を包埋処理する凹部包埋処理工程と、前記成膜層形成工程によって形成された成膜層の前記封止基材側に上部電極を形成する上部電極形成工程と、を含んだことを特徴とする。
【００１２】
また、請求項１１の発明にかかる自発光パネルの製造方法は、下部電極と上部電極との間に発光層を含む成膜層が設けられた自発光素子が、基板上に形成された自発光パネルの製造方法において、前記基板上に前記下部電極を形成する下部電極形成工程と、前記下部電極形成工程によって形成された下部電極の上部に成膜層を形成する成膜層形成工程と、前記成膜層形成工程に際し、前記下部電極形成工程によって形成された下部電極における凹部または凸部の少なくともいずれか一方を包埋する第１の包埋処理工程と、前記成膜層形成工程に際し、前記第１の包埋処理工程によって凹部または凸部の少なくともいずれか一方が包埋された下部電極に対して、当該下部電極における凹部または凸部の少なくともいずれか他方を包埋する第２の包埋処理工程と、前記成膜層形成工程によって形成された成膜層の上部に上部電極を形成する上部電極形成工程と、を含んだことを特徴とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下に添付図面を参照して、この発明にかかる自発光パネルの製造方法の好適な実施の形態を詳細に説明する。
【００１４】
（自発光パネルの概略構成）
図１は、本実施の形態における自発光パネルの製造方法を用いて製造された自発光パネルを示す縦断側面図である。本実施の形態における自発光パネルの製造方法を用いて製造された自発光パネル１００は、基板１０１と、自発光素子１０２と、封止基材１０３と、接着剤１０４と、乾燥剤１０５と、を備えている。基板１０１を形成する材料としては、たとえば、ガラスまたはプラスチックなどを用いることができる。
【００１５】
自発光パネル１００は、携帯電話、車載用モニタ、家電の操作モニタ、パーソナルコンピュータやテレビなどのドットマトリックスのディスプレイパネルの他に、時計や宣伝用パネルの固定表示ディスプレイ、スキャナやプリンタの光源、照明、液晶のバックライトなどの各種情報機器の表示部などに利用されている。自発光パネル１００には、自発光素子１０２をドットマトリックス状に並べたものやアイコン部（固定表示部）を形成した表示部や、平面状や球面状の照明器具としたものがあり、大きさも小型用からオーロラビジョンなどの大型スクリーンなど各種の形態がある。
【００１６】
代表的な自発光素子として、有機ＥＬ素子がある。有機ＥＬ素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機ＥＬ（ＯＥＬ）デバイス、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）デバイス、電場発光光源とも呼ばれるが、本実施の形態では有機ＥＬ素子という。以下、自発光素子１０２を有機ＥＬ素子として説明し、符号１０２を付して説明する。
【００１７】
有機ＥＬ素子１０２を形成する有機材料（発光材料や電荷注入・輸送材料など）には、高分子材料を用いてもよいし、低分子材料を用いてもよい。現在、材料開発や製造プロセスの開発の進捗から、低分子材料を用いた有機ＥＬ素子１０２が表示ディスプレイとして製品化されている。本実施の形態では、有機材料に低分子材料を用いた場合の一例を説明する。また、本実施の形態では、一対の電極間の素子構造を「有機ＥＬ素子」と呼称する。
【００１８】
一般的に、有機ＥＬ素子１０２は、図１に示すように、下部電極（本実施の形態ではアノード（陽極、正孔注入電極））１０６と上部電極（本実施の形態ではカソード（陰極、電子注入電極））１０７との間に成膜層１０８を挟み込んだ構造を有している。成膜層１０８は、少なくとも１層の発光層を有していれば良く、その他に複数の機能を有する有機層などを積層した構造を有していてもよい。有機ＥＬ素子１０２においては、「下部電極（陽極）／正孔注入層／正孔輸送層／有機ＥＬ発光層／電子輸送層／電子注入層／上部電極（陰極）」（符号省略）という層構成が一般的である。
【００１９】
成膜層１０８を形成する各層は、ともに単一の有機材料で形成されてもよく、複数の材料を混ぜ合わせたもの（混合層）や、高分子バインダーの中に有機材料や無機材料の機能材料（電荷輸送機能、発光機能、電荷ブロッキング機能、光学機能など）を分散させたものでもよい。
【００２０】
その他にも、有機ＥＬ素子１０２には、下部電極１０６を陰極（上部電極を陽極）とした構成、成膜層１０８における発光層を複数層とした構成、有機ＥＬ素子１０２を複数積層させた構成（ＳＯＬＥＤ：Ｓｔａｃｋｅｄ  ＯＬＥＤ）、カソードとアノードの間に電荷発生層を介在させた構成（マルチフォトン素子）、正孔輸送層などの層を省略した構成や複数積層させた構成、成膜層１層のみの構成（各機能層を連続的に形成させる、層境界をなくしたもの）など、各種の構成がある。
【００２１】
なお、本実施の形態は、有機ＥＬ素子１０２の構成に限定を加えるものではない。本実施の形態の自発光パネル１００と同様の効果を奏する有機ＥＬ素子１０２であれば、本実施の形態の技術範囲に含まれるものと解釈する。
【００２２】
有機ＥＬ素子１０２においては、アノード（本実施の形態では下部電極１０６）およびカソード（本実施の形態では上部電極１０７）に電圧を印加すると、アノードから成膜層１０８における発光層へ正孔が注入・輸送され、カソードから成膜層１０８における発光層へ電子が注入・輸送される。これらの正孔と電子とは、発光層において再結合する。有機ＥＬ素子１０２では、正孔と電子との再結合により発光層を形成する発光材料が励起され、この発光材料が励起状態から基底状態に遷移する過程で発光を得ている。
【００２３】
下部電極１０６および上部電極１０７は、一方が陰極に設定され、他方が陽極に設定される。陽極に設定される電極（下部電極１０６または上部電極１０７）は、仕事関数の高い材料で構成するのがよい。陽極を形成する材料としては、たとえば、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）などの金属膜や、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯなどの酸化金属膜などの透明導電膜を用いることができる。
【００２４】
陰極に設定される電極（上部電極１０７または下部電極１０６）は、仕事関数の低い材料で構成するのがよい。陰極を形成する材料としては、特に、アルカリ金属（Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，Ｃｓ）、アルカリ土類金属（Ｂｅ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）、希土類金属などの仕事関数の低い金属、その化合物、またはそれらを含む合金を用いることができる。下部電極１０６および上部電極１０７を、ともに透明な材料によって形成した場合には、光の放出側とは反対となる電極側に、図示しない反射膜を設けた構成としてもよい。
【００２５】
引出電極は、上部電極１０７および下部電極１０６から有機ＥＬ素子１０２の外側（封止基材、封止膜の外側）へと引出された電極配線である。図示は省略するが、引出電極は、自発光パネル１００における有機ＥＬ素子１０２と、当該有機ＥＬ素子１０２を駆動するＩＣやドライバなどとを接続する。引出電極を形成する材料としては、低抵抗金属材料が好ましい。たとえば、Ａｇ、Ｃｒ、Ａｌの金属やその合金などが、引出電極を形成する材料として好ましい。
【００２６】
下部電極１０６および引出配線は、蒸着、スパッタリングなどの方法を用いて、金属酸化物であるＩＴＯ、ＩＺＯなどを薄膜として形成し、この薄膜をフォトリソグラフィー法などの方法を用いてパターニングして形成する。下部電極１０６および引出配線は、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの材料に、ＡｇやＡｇ合金、Ａｌ、Ｃｒなどの低抵抗金属を積層した２層構造であってもよい。また、下部電極１０６および引出配線は、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの材料に積層された低抵抗金属の保護層として、低抵抗金属の上にＣｕ、Ｃｒ、Ｔａなどの耐酸化性の高い材料を積層した３層構造であってもよい。
【００２７】
成膜層１０８は、正孔輸送層、発光層、電子輸送層を組み合わせたものが一般的であるが、発光層、正孔輸送層、電子輸送層はそれぞれ１層だけでなく複数層積層して設けてもよい。正孔輸送層、電子輸送層については、どちらかの層を省略しても、両方の層を省略しても構わない。また、正孔注入層、電子注入層、キャリアブロック層などの各種の層を、用途に応じて挿入することも可能である。正孔輸送層、発光層、電子輸送層を形成する材料は、従来使用されている材料（高分子材料、低分子材料を問わない）を適宜選択することが可能である。
【００２８】
発光材料においては、一重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（蛍光）と三重項励起状態から基底状態に戻る際の発光（りん光）とがあるが、本実施の形態では、どちらの発光を用いた有機ＥＬ素子１０２においても利用可能である。
【００２９】
接着剤１０４は、熱硬化型、化学硬化型（２液混合）、光（紫外線）硬化型などを使用することができる。接着剤１０４を形成する材料としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル、ポリオレフィンなどを用いることができる。特に、紫外線硬化型のエポキシ樹脂製の使用が好ましい。接着剤１０４としては、たとえば、紫外線硬化型エポキシ樹脂製の接着剤を用いることができる。この接着剤１０４に、１〜３００μｍの粒径のスペーサ（ガラスやプラスチックのスペーサが好ましい）を適量混合（０．１〜０．５重量％ほど）してもよい。
【００３０】
乾燥剤１０５は、封止空間１０９内の水分を除去することで、成膜層１０８の劣化を抑制する。乾燥剤１０５は、物理的乾燥剤、化学的乾燥剤をはじめとする各種の乾燥剤を用いることができる。物理的乾燥剤としては、たとえば、ゼオライト、シリカゲル、カーボン、カーボンナノチューブなどがある。化学的乾燥剤としては、たとえば、アルカリ金属酸化物、金属ハロゲン化物、過酸化塩素などがある。その他、有機金属錯体をトルエン、キシレン、脂肪族有機溶剤などの石油系溶媒に溶解した乾燥剤や、透明性を有するポリエチレン、ポリイソプレン、ポリビニルシンナエートなどのバインダーに乾燥剤粒子を分散させた乾燥剤によって乾燥剤１０５を実現してもよい。
【００３１】
封止基材１０３は、有機ＥＬ素子１０２の周囲に、有機ＥＬ素子１０２を外気から封止する封止空間１０９を形成する。封止基材１０３を形成する材料としては、たとえば、金属、ガラス、プラスチックなどがある。たとえば、ガラス製の封止基材１０３に対して、プレス成形、エッチング、ブラスト処理などの加工を施すことによって封止凹部１１０が形成された封止基材１０３を用いてもよい。
【００３２】
封止凹部１１０は、一段掘り込み、二段掘り込みを問わない。また、図示を省略するが、平板状のガラスと、このガラスと基板１０１との間に挟持されるガラス（プラスチックでもよい）製のスペーサとを封止基材１０３とし、この封止基材１０３によって封止空間１０９を形成するようにしてもよい。
【００３３】
図２は、本実施の形態における自発光パネルの製造方法を用いて製造された別の自発光パネルを示す縦断側面図である。本実施の形態における自発光パネルの製造方法を用いて製造される自発光パネルは、図１に示す構造を有する自発光パネル１００に限るものではない。図２に示すように、基板１０１と、自発光素子（有機ＥＬ素子）１０２と、封止膜２０１と、封止基材２０２と、を備える自発光パネル２００であってもよい。図２に示す自発光パネル２００における封止膜２０１は、単層膜によって形成されていてもよいし、複数の保護膜を積層することによって形成されてもよい。
【００３４】
封止膜２０１を形成する材料としては、無機物であっても有機物であってもどちらでもよい。封止膜２０１を形成する無機物の材料としては、ＳｉＮ、ＡｌＮ、ＧａＮなどの窒化物、Ｓｉ2Ｏ、Ａｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5、ＺｎＯ、ＧｅＯなどの酸化物、ＳｉＯＮなどの酸化窒化物、ＳｉＣＮなどの炭化窒化物、金属フッ素化合物、金属膜、などがある。
【００３５】
封止膜２０１を形成する有機物の材料としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリパラキシレン、パーフルオロオレフィン、パーフルオロエーテルなどのフッ素系高分子、ＣＨ3ＯＭ、Ｃ2Ｈ5ＯＭなどの金属アルコキシド、ポリイミド前駆体、ペリレン系化合物、などがあげられる。封止膜２０１の積層構造や材料の選択は、有機ＥＬ素子１０２の設計に応じて適宜選択することができる。
【００３６】
封止基材２０２を形成する材料としては、ソーダガラス、鉛ガラス、硬質ガラスなどのガラス基材、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリメチルメタクリレートなどのプラスチック基材、アルミニウム、ステンレスなどの金属基材などの各種の材料を用いることができる。封止基材２０２を形成する材料は、有機ＥＬ素子１０２の構成に応じて適宜好適な材料を選択することが可能である。
【００３７】
たとえば、有機ＥＬ素子１０２が、基板１０１側と反対側から光を取り出すＴｏｐ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ構造である場合、あるいは、基板１０１側とその反対側との両側から光を取り出すＴＯＬＥＤ構造である場合には、封止基材２０２を形成する材料として透明性が高い材料を用いること、該封止基材２０２の厚さとして高透過率を有する厚さであることが好適である。
【００３８】
これに対し、たとえば、有機ＥＬ素子１０２が、基板１０１側から光を取り出すＢｏｔｔｏｍ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ構造である場合には、金属基材などを封止基材２０２を形成する材料として用いても構わない。有機ＥＬ素子１０２の封止には、気密封止法、固体封止法、膜封止法などの封止方法を用いることができる。ここでいう気密封止法とは、ガラス、金属、プラスチックなどの封止基材により有機ＥＬ素子１０２の周囲に有機ＥＬ素子１０２を外気から遮断する空間を設ける封止方法である。ここでいう固体封止法とは、有機ＥＬ素子１０２を外気から遮断する空間内に、樹脂などの充填剤を充填する封止方法である。ここでいう膜封止法とは、プラスチックフィルムや樹脂フィルムなどを有機ＥＬ素子１０２を覆うようにラミネート成膜したり、有機ＥＬ素子１０２上に封止性能のある封止膜を成膜したりする封止方法である。
【００３９】
本実施の形態における自発光パネルの製造方法を用いて製造される自発光パネルは、上述した自発光パネル１００、２００に限るものではない。上述した自発光パネル１００、２００が奏する作用効果を奏し、発明の要旨を逸脱しない範囲であれば、設計変更などがあっても本実施の形態の範囲に含まれる。たとえば、自発光パネル１００、２００の駆動方法としてパッシブ駆動法を用いてもよいし、これ以外にも、ＴＦＴを用いて駆動するアクティブ駆動法を用いてもよい。
【００４０】
公知の技術であるため説明を省略するが、パッシブ駆動法によって駆動される自発光パネルにおいては、複数の陽極によって形成されたデータラインと複数の陰極によって形成された走査ラインとを互いに交差させ、データラインと走査ラインとの交点における有機ＥＬ素子を選択的に発光させる。同様に、説明を省略するが、アクティブ駆動法によって駆動される自発光パネルにおいては、各自発光素子にスイッチング素子としてのトランジスタを設け、各自発光素子を個々に発光させる。
【００４１】
また、本実施の形態の自発光パネル１００、２００は、有機ＥＬ素子１０２の発光形態を限定するものではない。本実施の形態の自発光パネル１００、２００は、たとえば、基板１０１側から光を取り出すタイプのＢｏｔｔｏｍ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ型であっても、基板１０１側とは反対側から光を取り出すタイプのＴｏｐ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ型であってもよい。
【００４２】
さらに、本実施の形態における自発光パネル１００、２００は、単色発光でも２色以上の多色発光タイプでもよい。多色発光する自発光パネル１００，２００の製造は、発光層の塗り分け方式、カラーフィルタを用いたＣＦ方式や色変換層を用いたＣＣＭ方式、フォトブリーチング方式、ＳＯＬＥＤ（ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  Ｓｔａｃｋｅｄ  ＯＬＥＤ）方式などの各種方式を用いて実現することができる。
【００４３】
ＣＦ方式やＣＣＭ方式では、白色や青色などの単色の発光層に、カラーフィルタや蛍光材料による色変換層を組み合わせることによって多色発光を実現する。フォトブリーチング方式は、単色の発光機能層の発光エリアに電磁波を照射するなどして多色発光を実現する。ＳＯＬＥＤ方式は、２色以上のサブピクセルを、成膜層の積層方向に沿って縦に積層することで一つのピクセルを形成することによって多色発光を実現する。
【００４４】
（自発光パネルの一般的な製造方法）
図３は、自発光パネルの一般的な製造方法に基づいた工程の流れを示すフローチャートである。ここでは、一例として、パッシブ駆動型の自発光パネル１００の製造方法について説明する。自発光パネル１００の製造に際しては、まず、下部電極形成工程により（ステップＳ３０１）、基板１０１上に下部電極１０６および引出配線を形成する。下部電極１０６および引出配線は、蒸着、スパッタリングなどの方法を用いて、金属酸化物であるＩＴＯ、ＩＺＯなどを薄膜として形成する。
【００４５】
そして、基板１０１上に形成した薄膜を、フォトリソグラフィー法などの方法を用いてパターニングする。２層構造の下部電極１０６および引出配線を形成する場合、パターニングした薄膜に、たとえば、ＡｇやＡｇ合金、Ａｌ、Ｃｒなどの低抵抗金属を積層する。３層構造の下部電極１０６および引出配線を形成する場合、低抵抗金属の上に、たとえば、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｔａなどの耐酸化性の高い材料を保護層として積層する。
【００４６】
つぎに、成膜層形成工程により（ステップＳ３０２）、基板１０１上に、下部電極１０６および引出配線に積層するようにして、正孔輸送層、発光層、電子輸送層を形成する各材料を順次積層させて成膜層１０８を形成する。成膜層１０８の形成に際しては、たとえば、スピンコーティング法、ディッピング法などの塗布法、スクリーン印刷法、インクジェット法などの印刷法などのウェットプロセス、または、蒸着法、レーザ転写法などのドライプロセスを用いる。
【００４７】
ここで、自発光パネル１００が多色発光タイプであり、発光層の形成に際して、たとえば、発光層の塗り分け方式を用いる場合、全ての有機ＥＬ素子１０２を覆うようにして基板１０１全体に亘って成膜する成膜材料を斜方蒸着法を用いて成膜し、色毎に成膜する成膜材料を垂直蒸着法を用いて成膜する方法が広く知られている。色毎の塗り分けには、各発光色に合わせた成膜用マスクを使用する。
【００４８】
なお、成膜用マスクを利用して色毎の塗り分けをおこなう成膜方式を採用する場合には、全ての有機ＥＬ素子１０２を覆うようにして基板１０１全体に亘って成膜する成膜材料を斜方蒸着法を用いて成膜し、色毎に成膜する成膜材料を垂直蒸着法を用いて成膜する方法に限るものではない。複数の色に亘って成膜する成膜材料を、垂直蒸着法を用いて成膜してもよい。また、複数の色に亘って成膜する成膜材料が複数ある場合には、成膜材料毎に成膜方法を異ならせることも可能である。
【００４９】
塗り分けに際しては、ＲＧＢ３色の発光を呈する有機材料、ＲＧＢ３色に限らず、赤（Ｒ）と青（Ｂ）の組合せの２色発光やＲＧＢ３色に白（Ｗ）を加えた４色発光などの複数の有機材料を組み合わせた材料を、ＲＧＢの各色発光部分に該当する画素領域に成膜することで、ＲＧＢの各色を発光する発光層を形成する。発光層の形成に際しては、たとえば、１箇所の画素領域に対して２回以上同材料にて成膜する。これにより、未成膜部分の発生を防ぐことができる。
【００５０】
つづいて、上部電極形成工程により（ステップＳ３０３）、成膜層１０８の上に、上部電極１０７を形成する。上部電極１０７は、ストライプ状の複数本の金属薄膜を、下部電極１０６のパターンに直交するような状態で成膜層１０８の上に積層することにより形成される。本実施の形態の上部電極１０７は、陰極とされている。上部電極１０７を実現する金属薄膜の形成に際しては、たとえば、蒸着やスパッタリングなどの方法を用いる。これにより、有機ＥＬ素子１０２を成膜層１０８の積層方向に沿って見た場合に、下部電極１０６と上部電極１０７とによってマトリックスが形成された状態となる。
【００５１】
最後に、封止工程により（ステップＳ３０４）、有機ＥＬ素子１０２が形成された基板１０１と、別途封止凹部１１０が形成された封止基材１０３と、を接着剤１０４を介して封止する。封止に際しては、基板１０１上の該当箇所に接着剤１０４を塗布し、この接着剤１０４を挟持するようにして、基板１０１と封止基材１０３とを貼り合わせる。接着剤１０４の塗布に際しては、たとえば、ディスペンサーなどを使用する。基板１０１と封止基材１０３とを貼り合わせる工程は、アルゴンガスなどの不活性ガス雰囲気下でおこなう。
【００５２】
基板１０１と封止基材１０３とを貼り合わせた後、基板１０１側（または封止基材１０３側）から接着剤１０４に対して紫外線を照射する。これによって、接着剤１０４が、紫外線硬化反応して、基板１０１と封止基材１０３とを接着した状態で硬化する。これによって、有機ＥＬ素子１０２が、基板１０１と封止基材１０３との間に形成されて、アルゴンガスなどの不活性ガスが封入された封止空間１０９内に封止される。
【００５３】
ところで、上述の方法によって形成された下部電極１０６は、有機ＥＬ素子１０２の性能劣化の原因となる凸部や凹部が生じていることがある。以下に、下部電極１０６に生じる凸部や凹部について代表的なものについて説明する。
【００５４】
図４−１は、下部電極形成後に生じた凸部を示す縦断側面図である。図４−１に示すような凸部４１０は、下部電極１０６の成膜不良などによって生じる。また、図示を省略するが、基板１０１に凸状の傷がある場合にも同様な凸部が生じる。凸部４１０が、成膜層１０８の厚さよりも突出している場合、下部電極１０６における凸部４１０と成膜層１０８に積層される上部電極１０７（図２参照）とが短絡してしまう。また、凸部４１０が、成膜層１０８の厚さよりも突出していなくても、凸部４１０が存在することにより凸部４１０の先端と上部電極１０７との距離が近くなることによって短絡し易くなってしまう。
【００５５】
図４−２は、下部電極形成中に生じた凸部を示す縦断側面図である。図４−２には、下部電極１０６を形成した後（あるいは下部電極１０６の形成時）に、異物４２０が混在することによって生じる凸部４２１が示されている。異物４２０が障害となって成膜層１０８が良好に成膜できず、たとえば、異物４２０の周囲などに下部電極１０６が露出した部分４２２が生じてしまうことがある。この状態で上部電極１０７を形成すると、下部電極１０６が露出した部分４２２と上部電極１０７とが短絡してしまう。
【００５６】
図４−３は、下部電極形成後に生じた凹部を示す縦断側面図である。図４−３に示すような凹部４３０は、たとえば、図４−２に示すように下部電極形成後、あるいは下部電極１０６の形成時に、異物４２０が混在することによって生じる。または、下部電極形成後に下部電極１０６にパターニングをおこなう際に異物などが混入する。この異物４２０が、成膜層１０８を形成した後におこなわれる基板洗浄工程などによって脱落した場合、異物４２０が存在していた部分における下部電極１０６を露出させる凹部４３０が生じてしまうことがある。この状態で上部電極１０７（図２参照）を形成すると、下部電極１０６が露出した部分４３０と上部電極１０７とが短絡してしまう。
【００５７】
また、図示を省略するが、成膜層１０８の成膜不良によってピンホールが生じた場合にも、下部電極１０６が露出した部分が生じてしまうことがあり、上述と同様に、下部電極１０６が露出した部分と上部電極１０７とが短絡してしまう。
【００５８】
（本実施の形態の自発光パネルの製造方法）
ここで、本実施の形態では、自発光素子に有機ＥＬ素子を用いた自発光パネルの製造工程について説明する。図３で示した自発光パネルの製造工程における下部電極形成工程の後、すなわち成膜層形成工程に際して、凸部４１０、４２１または凹部４３０の少なくともいずれかを包埋する第１の包埋処理工程と、凸部４１０、４２１または凹部４３０の少なくともいずれかを包埋する第２の包埋処理工程と、をおこなう。
【００５９】
第１の包埋処理工程は、凸部包埋処理工程または凹部包埋処理工程のいずれかの工程をおこなう。第２の包埋処理工程は、凸部包埋処理工程または凹部包埋処理工程のうち第１の包埋処理工程とは異なる工程をおこなう。第２の包埋処理工程は、第１の包埋処理工程によって凸部４１０、４２１または凹部４３０の少なくともいずれかが包埋された下部電極１０６に対して、当該下部電極１０６における凸部４１０、４２１または凹部４３０の少なくともいずれかを包埋する。
【００６０】
凸部包埋処理工程は、下部電極１０６に生じた凸部４１０、４２１を包埋する。具体的に、下部電極形成工程につづく成膜層形成工程に際して、成膜層１０８における少なくとも一つの層を、斜方蒸着法、垂直蒸着法、メルト法、加圧蒸着法、あるいは厚膜厚成膜法を用いて形成することで、凸部４１０、４２１を包埋する。本実施の形態では、凸部４１０、４２１が存在する場合にも上述した短絡が発生しなくなるように当該凸部４１０、４２１を成膜層１０８によって包含することを包埋とする。
【００６１】
斜方蒸着法は、真空蒸着を用いた成膜方法の一つであって、成膜対象物（基板）における成膜対象面（基板の成膜面）に対して斜めから蒸着（成膜）材料を付着させることで成膜する方法である。具体的に、本実施の形態では、基板１０１の板厚方向に対して、斜めから蒸着（成膜）材料を付着させる。
【００６２】
斜方蒸着法を用いた成膜に際しては、成膜源に対し成膜対象物を回転させる。なお、斜方蒸着法は、蒸着材料の回り込み、カバーレージが可能であるので、塗り分けの必要のない成膜層１０８（正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層）や上部電極１０７の成膜にも利用可能である。
【００６３】
垂直蒸着法は、真空蒸着を用いた成膜方法の一つであって、成膜対象物（基板）における成膜対象面（基板の成膜面）に対して正面から蒸着（成膜）材料を付着させることで成膜する方法である。具体的に、本実施の形態では、基板１０１の板厚方向に沿って蒸着（成膜）材料を付着させる。
【００６４】
垂直蒸着法を用いた成膜に際しても、成膜源に対し、成膜源と成膜対象物との対向方向を軸心方向として、成膜対象物を回転させる。垂直蒸着は、蒸着材料の不要な回り込みを防ぐことが可能であるので、多色発光の自発光パネルの製造において、各発光色に合わせて有機材料を塗り分ける成膜において利用されている。
【００６５】
メルト法は、成膜層１０８を形成する少なくとも１層を成膜した後に、この層を形成する有機材料のガラス転移点以上の温度で加熱することによって溶融させ、溶融した材料によって凸部４１０、４２１を包埋する方法である。メルト法を用いる場合、基板１０１、下部電極１０６および成膜層１０８における材料の溶融以前に形成されている層は、溶融する材料の融点よりも融点が高い材料によって形成する。
【００６６】
加圧蒸着法とは、ＬＰ−ＯＶＰＤ法（Ｌｏｗ  ｐｒｅｓｓｕｒｅ  ｏｒｇａｎｉｃ  ｖａｐｏｒ  ｐｈａｓｅ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：低真空蒸着法）といった真空度が低い雰囲気中で蒸着をおこなう方法や、圧力調整ガス（Ｎ2など）により装置内を加圧した雰囲気中で蒸着をおこなう方法である。具体的に、通常の真空蒸着は１０-4〜１０-6Ｐａの真空中で蒸着するのに対し、１０-1〜１０3Ｐａという低真空状態または加圧状態で圧力調整ガスを利用して蒸着をおこなう。加圧蒸着法は、低真空状態や加圧状態における蒸着方法のため試料表面への回り込みがよく、成膜に際してのムラの発生を少なくすることが可能となる。
【００６７】
厚膜厚成膜法は、複数成膜する成膜層１０８のうち少なくとも１層の膜厚を厚く形成する方法である。厚くする層としては、たとえば、高分子材料を用いたバッファ層がよいが、これに限るものではない。バッファ層を形成する場合、塗布やスピンコート法にて下部電極１０６上にバッファ層を成膜し、その後真空蒸着により発光層を含む低分子有機材料を成膜する。また、下部電極１０６と発光層との間に、電子受容体をドープした高密度キャリア層とその高密度キャリア層上部に低密度キャリア層を設け、低密度キャリア層の膜厚を厚く成膜する方法がある。厚膜を成膜する方法としては、上述した斜方蒸着法、垂直蒸着法、加圧蒸着法などいずれの成膜方法を用いてもよい。
【００６８】
また、凸部包埋処理工程としては、具体的に、下部電極１０６の形成につづいて、下部電極研磨法を用いて、下部電極１０６の表面を研磨することで、凸部４１０、４２１を包埋してもよい。本実施の形態では、上述した短絡が発生しなくなる程度まで、凸部４１０，４２１を研磨することを包埋とする。
【００６９】
下部電極研磨法は、下部電極１０６を形成した後に、当該下部電極１０６の表面を研磨する方法である。基板１０１上の傷や下部電極１０６における成膜不良により生じる凸部４１０を、研磨やエッチング（物理、化学を問わない）、により下部電極１０６の表面を平滑化させる。下部電極研磨法を用いて、異物４２０を原因として生じた凸部４２１を研磨してもよい。
【００７０】
他に、凸部包埋処理工程としては、下部電極化学もしくは物理エッチング法を用いて、凸部４１０、４２１を溶解除去し、下部電極１０６の表面を平滑化することによって凸部４１０、４２１を包埋してもよい。本実施の形態では、上述した短絡が発生しなくなる程度まで、凸部４１０、４２１を溶融除去することを包埋とする。なお、下部電極化学および物理エッチング法は、エッチング対象物の表面や形状を、化学的あるいは電気化学的に溶解除去する方法である。
【００７１】
凹部包埋処理工程は、下部電極１０６に生じた凹部４３０を包埋する。具体的に、下部電極形成工程につづく成膜層１０８の形成に際して、成膜層１０８における少なくとも一つの層を、斜方蒸着法、垂直蒸着法、メルト法、加圧蒸着法および厚膜厚成膜法のいずれか一つを用いて形成することで、凹部４３０を包埋する。本実施の形態では、成膜層１０８を形成した後に、凹部４３０が露出する部分が存在しなくなるように当該凹部４３０を成膜層１０８によって包含することを包埋とする。
【００７２】
凸部包埋処理工程および凹部包埋処理工程は、いずれを先におこなってもよい。すなわち、上述した各種の包埋方法を第１の包埋処理工程に用いても第２の包埋処理工程に用いてもよい。ただし、メルト法は、第１の包埋処理工程および第２の包埋処理工程が順次おこなわれる場合における第２の包埋処理工程のみで用いるものとする。
【００７３】
なお、本実施の形態では、第１の包埋処理工程および第２の包埋処理工程を別々の工程としておこなったが、これに限るものではない。第１の包埋処理工程および第２の包埋処理工程を同時におこなってもよい。ただし、この場合、凸部包埋処理工程および凹部包埋処理工程は、斜方蒸着法、垂直蒸着法、加圧蒸着法のいずれかを用いておこなうものとする。
【００７４】
また、本実施の形態では、下部電極１０６に生じた凸部４１０、４２１および凹部４３０に対して、第１の包埋処理工程と第２の包埋処理工程との二つの包埋処理をおこなったが、これに限るものではない。すなわち、第２の包埋処理工程の後に第３の包埋処理工程をおこなってもよい。
【００７５】
たとえば、第１の包埋処理工程として凸部包埋処理工程をおこなった後に、第２の包埋処理工程として凹部包埋処理工程をおこなう場合、第２の包埋処理工程をおこなった後に、第３の包埋処理工程として再度凸部包埋処理工程をおこなうことも可能である。このとき、第３の包埋処理工程としての凸部包埋処理工程は、第１の包埋処理工程をおこなった方法と同じ方法を用いてもよいし、別の方法を用いてもよい。
【００７６】
たとえば、第１の包埋処理工程として凹部包埋処理工程をおこなった後に、第２の包埋処理工程として凸部包埋処理工程をおこなう場合、第２の包埋処理工程をおこなった後に、第３の包埋処理工程として再度凹部包埋処理工程をおこなうことも可能である。このとき、第３の包埋処理工程としての凹部包埋処理工程は、第１の包埋処理工程をおこなった方法と同じ方法を用いてもよいし、別の方法を用いてもよい。
【００７７】
以上説明したように、本実施の形態の自発光パネルの製造方法によれば、基板１０１上に形成された下部電極１０６の封止基材１０３側に成膜層１０８を形成する際におこなわれた凸部包埋処理工程および凹部包埋処理工程によって、下部電極１０６における凸部４１０、４２１および凹部４３０が包埋された後に上部電極１０７が形成される。
【００７８】
このように、凸部４１０、４２１を包埋する凸部包埋処理工程と、凹部４３０を包埋する凹部包埋処理工程とを組み合わせておこない、凸部包埋処理工程および凹部包埋処理工程において、下部電極１０６に生じた凸部４１０、４２１および凹部４３０のそれぞれに特化した包埋処理をおこなうことで、下部電極１０６における凸部４１０、４２１および凹部４３０を確実に包埋することができる。これによって、下部電極１０６と上部電極１０７との短絡を防止することができる。
【００７９】
また、下部電極１０６と上部電極１０７との短絡によるリーク電流の発生を防止し、下部電極１０６と上部電極１０７との短絡によるリーク電流の発生による不良品の発生を抑制することができるので、自発光パネル１００の製造における歩留まり低下の抑制を図ることができる。これによって、自発光パネルの製造単価の増加抑制を図ることができる。
【００８０】
たとえば、凸部包埋処理工程と、前記凹部包埋処理工程とを別々におこなった場合には、下部電極１０６における凸部４１０、４２１および凹部４３０のそれぞれの包埋に適した方法を用いて、下部電極１０６における凸部４１０、４２１および凹部４３０を包埋することができる。これによって、下部電極１０６における凸部４１０、４２１および凹部４３０を確実に包埋することができる。
【００８１】
一方、たとえば、凸部包埋処理工程および凹部包埋処理工程を同時におこなった場合には、凸部包埋処理工程と凹部包埋処理工程とのそれぞれを同じ方法を用いて、凸部包埋処理工程および凹部包埋処理工程を別々におこなう場合と比較して、下部電極１０６における凸部４１０、４２１および凹部４３０の包埋作業に要する時間を短縮し、作業の簡易化を図ることができる。これによって、自発光パネルの製造に際しての作業効率の向上を図ることができる。
【００８２】
したがって、凸部包埋処理工程をおこなった後に、凹部包埋処理工程をおこなうことにより、凸部包埋処理工程および凹部包埋処理工程を、それぞれ確実におこなうことができる。これによって、下部電極１０６における凸部４１０、４２１および凹部４３０を確実に包埋することができる。
【００８３】
たとえば、凹部包埋処理工程をおこなった後に、凸部包埋処理工程をおこなった方法と同じ方法または別の方法によって、再度凸部包埋処理工程をおこなった場合、凸部４１０、４２１がより確実に包埋される。これによって、下部電極１０６と上部電極１０７との短絡をより確実に防止することができる。
【００８４】
また、本実施の形態の自発光パネルの製造方法によれば、凸部包埋処理工程において、斜方蒸着方法、垂直蒸着方法、厚膜成膜方法、加圧蒸着法のいずれかの方法を用いて成膜層における少なくとも一層を形成もしくは下部電極研磨方法にて凸部を包埋処理し、凹部包埋処理工程において、斜方蒸着方法、垂直蒸着方法、メルト法、厚膜成膜方法、加圧蒸着法のいずれかの方法を用いて成膜層における少なくとも一層を形成することができる。
【００８５】
したがって、下部電極１０６における凸部４１０、４２１および凹部４３０のそれぞれの包埋に適した方法を用いて、下部電極１０６における凸部４１０、４２１および凹部４３０を包埋するとともに、成膜層の形成をおこなうことができる。これによって、成膜層の形成に支障をきたすことなく下部電極１０６における凸部４１０、４２１および凹部４３０を確実に包埋することができる。
【００８６】
したがって、凹部包埋処理工程をおこなった後に、凸部包埋処理工程をおこなうことにより、凸部包埋処理工程および凹部包埋処理工程を、それぞれ確実におこなうことができる。これによって、下部電極１０６における凸部４１０、４２１および凹部４３０を確実に包埋することができる。
【００８７】
一方、たとえば、凸部包埋処理工程をおこなった後に、凹部包埋処理工程をおこなった方法と同じ方法または別の方法によって、再度凹部包埋処理工程をおこなった場合、凸部４１０、４２１がより確実に包埋される。これによって、下部電極１０６と上部電極１０７との短絡をより確実に防止することができる。
【００８８】
また、本実施の形態の自発光パネルの製造方法によれば、凹部包埋処理工程において、斜方蒸着方法、垂直蒸着方法、厚膜成膜方法、加圧蒸着法、のいずれかの方法を用いて成膜層における少なくとも一層を形成し、凸部包埋処理工程において、斜方蒸着方法、垂直蒸着方法、メルト法、厚膜成膜方法、加圧蒸着法のいずれかの方法を用いて前記成膜層における少なくとも一層を形成することができる。
【００８９】
したがって、下部電極１０６における凸部４１０、４２１および凹部４３０のそれぞれの包埋に適した方法を用いて、下部電極１０６における凸部４１０、４２１および凹部４３０を包埋するとともに、成膜層の形成をおこなうことができる。これによって、成膜層の形成に支障をきたすことなく下部電極１０６における凸部４１０、４２１および凹部４３０を確実に包埋することができる。
【００９０】
本実施の形態の自発光パネルの製造方法によれば、凸部包埋処理工程と凹部包埋処理工程とを異なる方法によっておこなうことにより、下部電極１０６における凸部４１０、４２１および凹部４３０のそれぞれの包埋に適した方法を用いるとともに、各方法における独自の有利性を発揮させ、より多様な方法によって下部電極１０６における凸部４１０、４２１および凹部４３０を包埋することができることができる。これによって、下部電極１０６における凸部４１０、４２１および凹部４３０をより確実に包埋することができる。
【００９１】
さらに、本実施の形態の自発光パネルの製造方法によれば、基板上に形成された下部電極１０６の封止基材側に成膜層を形成する際におこなわれた第１の包埋処理工程および第２の包埋処理工程によって、下部電極１０６における凸部４１０、４２１および凹部４３０が包埋された後に上部電極１０７が形成される。
【００９２】
本実施の形態の自発光パネルの製造方法によれば、第１の包埋処理工程および第２の包埋処理工程を異なる方法によっておこなうことにより、下部電極１０６における凸部４１０、４２１および凹部４３０のそれぞれの包埋に適した方法を用いることができ、それによって各方法における独自の有利性を発揮させ、より多様な方法によって下部電極１０６における凸部４１０、４２１および凹部４３０を包埋することができる。これによって、下部電極１０６における凸部４１０、４２１および凹部４３０をより確実に包埋することができる。
【００９３】
また、第１の包埋処理工程において、斜方蒸着方法、垂直蒸着方法、厚膜成膜方法、加圧蒸着法のいずれかの方法を用いて前記成膜層における少なくとも一層を形成もしくは下部電極研磨方法にて下部電極の表面を平滑化することにより、既に確立された方法を用いて、下部電極１０６の凹部４３０または凸部４１０、４２１の少なくともいずれか一方を包埋することができる。これによって、第１の包埋処理工程における作業の安定化および容易化を図ることができる。
【００９４】
また、第２の包埋処理工程は、斜方蒸着方法、垂直蒸着方法、メルト法、厚膜成膜方法、加圧蒸着法のいずれかの方法を用いて前記成膜層における少なくとも一層を形成することにより、既に確立された方法を用いて、下部電極１０６の凹部４３０または凸部４１０、４２１の少なくともいずれか他方を包埋することができる。これによって、第２の包埋処理工程における作業の安定化および容易化を図ることができる。
【００９５】
加えて、本実施の形態の自発光パネルの製造方法によれば、有機ＥＬ素子１０２によって自発光素子を実現することにより、有機ＥＬ素子１０２における発光性能の安定化を図ることができ、性能の安定した自発光パネル１００を製造することができる。なお、上述した各種効果は、自発光パネル１００に限るものではなく、自発光パネル２００においても同様に奏される。
【００９６】
以下に、本実施の形態の自発光パネルの製造方法を用いた自発光パネルの製造工程の具体的な一例として実施例１〜実施例７について説明する。実施例１〜実施例７では、自発光素子１０２の製造工程についてのみ説明する。
【実施例１】
【００９７】
本実施例１では、第１の包埋処理工程として下部電極研磨法を用いた凸部包埋処理工程をおこない、第２の包埋処理工程としてメルト法を用いた凹部包埋処理工程をおこなう。本実施例１における自発光素子１０２の製造に際しては、まず、基板１０１としての透明なガラス基板の表面上に、下部電極１０６となるＩＴＯ膜を所定の形状に形成した。ＩＴＯ膜の成膜に際しては、スパッタリング蒸着を用いた。
【００９８】
つぎに、ＩＴＯ膜の表面を研磨し、所定の厚さとした。ＩＴＯ膜表面の研磨に際しては、たとえば、ポリシング、ラッピング、テープラッピングなどの手法を用いる。ここに、第１の包埋処理工程として下部電極研磨法を用いた凸部包埋処理工程がおこなわれる。ＩＴＯ膜表面の研磨に際しては、ＩＴＯ膜の表面が、日本工業規格（ＪＩＳ）で定められた表面粗さの定義と表示（ＢＯ６Ｏ１）において定義される表面粗さの最大高さ（Ｒｍａｘ）が、５０オングストローム以下となるように研磨した。その後、ＩＴＯ膜に対し、電極パターンにしたがったパターニングを施して最終的な下部電極１０６を形成した。
【００９９】
下部電極１０６が形成されたガラス基板（基板１０１）を、中性洗剤、アセトン、エタノールを用いて超音波洗浄し、その後、煮沸エタノール中から引き上げて乾燥させた。乾燥させたガラス基板の表面をＵＶ／Ｏ3洗浄した。
【０１００】
ついで、ＵＶ／Ｏ3洗浄されたガラス基板の下部電極１０６上に、銅フタロシアニン（Ｃｕ−Ｐｃ）を用いて正孔注入層を形成した。正孔注入層の形成に際しては、蒸着法を用いた。正孔注入層の形成に際しては、真空蒸着装置の基板ホルダーにガラス基板を固定し、真空蒸着装置における槽内を１×１０-4Ｐａ以下まで減圧した。その後、正孔注入層上に、正孔輸送層を形成した。正孔輸送層の形成に際しては、トリフェニルジアミン系の化合物（いわゆるＴＰＤ）を用い、蒸着によって成膜した。
【０１０１】
ここで、正孔輸送層が形成されたガラス基板全体を、ＴＰＤのガラス転移点（Ｔｇ＝９５℃）以上、かつ、融点以下の温度に加熱した。これにより、正孔輸送層を形成するＴＰＤが溶融し、凹部を包埋した状態で融合する。ここに、第２の包埋処理工程としてメルト法を用いた凹部包埋処理工程がおこなわれる。
【０１０２】
本実施例１では、たとえば、ガラス転移点が９５℃である材料によって形成した正孔輸送層に対して、１５０℃程度の加熱をおこなった。融合にかかる加熱時間は、５分程度であった。加熱は、減圧または真空チャンバ内で、ヒーターを用いて加熱した。なお、加熱手段は、ヒーターに限るものではなく、たとえば、ハライドランプなどでもよい。
【０１０３】
ついで、正孔輸送層上に発光層を形成した。発光層は、トリス（８−ヒドロキシノリン）アルミニウム錯（Ａｌｑ3）を蒸着させることにより形成した。この発光層上に、電子注入層を形成した。電子注入層は、Ｌｉ2Ｏを蒸着させることにより形成した。これによって、以上の工程によって形成された成膜層１０８を形成した。さらに、成膜層１０８における電子注入層上に、上部電極１０７を形成した。上部電極１０７は、Ａｌを用いて形成した。Ａｌは、下部電極１０６の配列方向に直交する方向に沿ったパターンとなるように形成した。
【０１０４】
本実施例１のように製造した自発光パネルによれば、下部電極１０６と上部電極１０７との短絡を防止することができた。
【実施例２】
【０１０５】
本実施例２においては、第１の包埋処理工程として加圧蒸着法を用いた凹部包埋処理工程をおこない、第２の包埋処理工程としてメルト法を用いた凸部包埋処理工程をおこなう。本実施例２においては、上述した実施例１と同じ工程については、適宜説明を省略する。以下、同様とする。
【０１０６】
本実施例２においては、上述の実施例１と同様に形成し、ＩＴＯ膜表面の研磨はおこなわずに表面をＵＶ／Ｏ3洗浄した下部電極１０６上に、正孔注入層を形成した。正孔注入層の形成に際しては、加圧蒸着法を用いて、Ｃｕ−Ｐｃを蒸着した。正孔注入層の形成は、室内の圧力を１００Ｐａに調整した加圧蒸着用成膜室に搬入した基板を、加圧蒸着用成膜室内に設けられた基板ホルダーに固定した状態でおこなった。ここに、第１の包埋処理工程として加圧蒸着法を用いた凹部包埋処理工程が実現される。
【０１０７】
つぎに、正孔注入層上に正孔輸送層を形成した。正孔輸送層は、Ｎ−フェニル−ｐ−フェニレンジアミン（ＰＰＤ）によって形成した。正孔輸送層の形成は、正孔注入層が形成された基板を、加圧蒸着用成膜室から真空成膜室へ移し、真空成膜室においておこなった。このとき、真空成膜室内は、１×１０-4Ｐａ以下まで減圧した。
【０１０８】
ここで、正孔輸送層が形成されたガラス基板全体を、ＰＰＤのガラス転移点（Ｔｇ＝１５０℃）以上、かつ、融点以下の温度の１６０℃で１５分間加熱した。これにより、正孔輸送層を形成するＰＰＤが溶融し、凸部を包埋した状態で融合する。ここに、第２の包埋処理工程としてメルト法を用いた凸部包埋処理工程がおこなわれる。以降、上述した実施例１と同様に、発光層、電子注入層、上部電極１０７を形成した。
【０１０９】
本実施例２のように製造した自発光パネルによれば、下部電極１０６と上部電極１０７との短絡を防止することができた。
【実施例３】
【０１１０】
本実施例３においては、第１の包埋処理工程として斜方蒸着法を用いた凸部包埋処理工程をおこない、第２の包埋処理工程として垂直蒸着法を用いた凹部包埋処理工程をおこなう。本実施例３においては、上述の実施例２と同様に形成した下部電極１０６上への、正孔注入層の形成に際し、斜方蒸着法を用いて、Ｃｕ−Ｐｃを蒸着した。正孔注入層の形成は、室内の圧力を１×１０-4Ｐａ以下まで減圧した真空成膜室でおこなった。ここに、第１の包埋処理工程として斜方蒸着法を用いた凸部包埋処理工程が実現される。
【０１１１】
その後、ＴＰＤを用い、垂直蒸着を用いて、正孔注入層上に正孔輸送層を形成した。ここに、第２の包埋処理工程として垂直蒸着法を用いた凹部包埋処理工程が実現される。以降、上述した実施例１と同様に、発光層、電子注入層、上部電極１０７を形成した。
【０１１２】
本実施例３のように製造した自発光パネルによれば、下部電極１０６と上部電極１０７との短絡を防止することができた。
【実施例４】
【０１１３】
本実施例４においては、第１の包埋処理工程として厚膜成膜を用いた凹部包埋処理工程をおこない、第２の包埋処理工程として斜方蒸着法を用いた凸部包埋処理工程をおこなう。本実施例４においては、上述の実施例２と同様に形成した下部電極１０６上に、バッファ層を形成した。バッファ層の形成に際しては、有機溶媒に溶解し酸をドープしたポリアニリン誘導体（ＰＥＤＯＴ）の塗布液をスピンコートした。その後、ガラス基板の表示部分以外の端子部分に付着した塗布液を拭き取りによって除去した後、ホットプレートを用いて当該ガラス基板を加熱し、溶媒を蒸発させることでポリアニリン膜（バッファ層）を形成した。ここに、第１の包埋処理工程として厚膜成膜を用いた凹部包埋処理工程がおこなわれる。
【０１１４】
つぎに、バッファ層上に正孔輸送層を形成した。正孔輸送層の形成に際しては、斜方蒸着法を用いた。斜方蒸着に際しては、バッファ層を形成したガラス基板を、１×１０-4Ｐａ以下まで減圧した真空成膜室に搬送し、当該ガラス基板を基板ホルダーに装着した状態でおこなった。
【０１１５】
その後、ＴＰＤを用い、垂直蒸着を用いて、正孔注入層上に正孔輸送層を形成した。ここに、第２の包埋処理工程として垂直蒸着法を用いた凹部包埋処理工程が実現される。以降、上述した実施例１と同様に、発光層、電子注入層、上部電極１０７を形成した。
【０１１６】
本実施例４により製造した自発光パネルによれば、下部電極１０６と上部電極１０７との短絡を防止することができた。
【実施例５】
【０１１７】
本実施例５においては、第１の包埋処理工程として厚膜成膜を用いた凹部包埋処理工程をおこない、第２の包埋処理工程としてメルト法を用いた凸部包埋処理工程をおこなう。本実施例５においては、上述した実施例４と同様に形成したポリアニリン膜（バッファ層）上に、正孔輸送層を形成した。正孔輸送層は、ＴＰＤを用い、蒸着法を用いて形成した。蒸着に際しては、１×１０-4Ｐａ以下まで減圧した真空成膜室にガラス基板を搬送し、ガラス基板を基板ホルダーに装着した状態でおこなった。ここに、第１の包埋処理工程として厚膜成膜を用いた凹部包埋処理工程がおこなわれる。
【０１１８】
その後、実施例１と同様に、バッファ膜が形成されたガラス基板全体を加熱する。ここに、第２の包埋処理工程としてメルト法を用いた凸部包埋処理工程がおこなわれる。以降、上述した実施例１と同様に、発光層、電子注入層、上部電極１０７を形成した。
【０１１９】
本実施例５のように製造した自発光パネルによれば、下部電極１０６と上部電極１０７との短絡を防止することができた。
【実施例６】
【０１２０】
本実施例６においては、第１の包埋処理工程として下部電極研磨法を用いた凸部包埋処理工程をおこない、第２の包埋処理工程として厚膜成膜を用いた凹部包埋処理工程をおこなう。本実施例６においては、上述の実施例１と同様に、ＩＴＯ膜の表面を研磨する。ここに、第１の包埋処理工程として下部電極研磨法を用いた凸部包埋処理工程がおこなわれる。
【０１２１】
つぎに、上述と同様に形成した正孔注入層上に、高キャリア密度層を形成した。高キャリア密度層の形成に際しては、電子受容性物質としてＦ４−ＴＣＮＱをα−ＮＰＤにドープして蒸着した。その後、蒸着法を用いて、α−ＮＰＤのみを蒸着して低キャリア密度層（バッファ膜層）を形成した。低キャリア密度層（バッファ膜層）は、正孔輸送層の厚さよりも厚く形成した。以降、上述した実施例１と同様に、発光層、電子注入層、上部電極１０７を形成した。
【０１２２】
本実施例６のように製造した自発光パネルによれば、下部電極１０６と上部電極１０７との短絡を防止することができた。
【実施例７】
【０１２３】
本実施例７においては、第１の包埋処理工程として加圧蒸着法を用いた凸部包埋処理工程をおこない、第２の包埋処理工程として厚膜成膜（バッファ膜法ともいう）を用いた凹部包埋処理工程をおこなう。本実施例７においては、上述の実施例２と同様に、下部電極１０６が形成されて表面がＵＶ／Ｏ3洗浄されたガラス基板に対し、正孔注入層を形成した。正孔注入層の形成に際しては、加圧蒸着法を用い、Ｃｕ−Ｐｃを蒸着させた。正孔注入層の形成に際しては、加圧蒸着用成膜室を１００Ｐａに圧力調整し、ガラス基板を加圧蒸着用成膜室に基板ホルダーに固定した。ここに、第１の包埋処理工程として加圧蒸着法を用いた凸部包埋処理工程がおこなわれる。
【０１２４】
つぎに、上述と同様に形成した正孔注入層上に、高キャリア密度層を形成した。高キャリア密度層の形成に際しては、電子受容性物質としてＦ４−ＴＣＮＱをα−ＮＰＤにドープして蒸着した。その後、蒸着法を用いて、α−ＮＰＤのみを蒸着して低キャリア密度層（バッファ膜層）を形成した。低キャリア密度層（バッファ膜層）は、正孔輸送層の厚さよりも厚く形成した。ここに、第２の包埋処理工程として厚膜成膜を用いた凹部包埋処理工程がおこなわれる。以降、上述した実施例１と同様に、発光層、電子注入層、上部電極１０７を形成した。
【０１２５】
本実施例７のように製造した自発光パネルによれば、下部電極１０６と上部電極１０７との短絡を防止することができた。
【図面の簡単な説明】
【０１２６】
【図１】本実施の形態における自発光パネルの製造方法を用いて製造された自発光パネルを示す縦断側面図である。
【図２】本実施の形態における自発光パネルの製造方法を用いて製造された別の自発光パネルを示す縦断側面図である。
【図３】自発光パネルの一般的な製造方法に基づいた工程の流れを示すフローチャートである。
【図４−１】下部電極形成後に生じた凸部を示す縦断側面図である。
【図４−２】下部電極形成後に生じた凸部を示す縦断側面図である。
【図４−３】下部電極形成後に生じた凹部を示す縦断側面図である。
【符号の説明】
【０１２７】
１００  自発光パネル
１０１  基板
１０２  自発光素子
１０３  封止基材
１０６  下部電極
１０７  上部電極
１０８  成膜層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４−１】
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【図４−２】
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【図４−３】
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