(57)【要約】【課題】多くの工程を必要とせずに突起電極の高さばらつきも小さく、硬さも容易に変更でき、基板との電気的接続性の良い突起電極を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板の表面に樹脂突起電極２７と表面保護膜１０を形成した半導体装置において、半導体基板１上に設けられた樹脂突起電極２７には、弾性を有する突起状の絶縁体であるバンプ核樹脂９からなる突起電極核を有し、この樹脂突起電極２７のバンプ核樹脂９は第２の配線金属８に覆われている。さらに、第２の配線金属８上に金属めっきにより第１のバンプ金属１２、また第２のバンプ金属１３をめっきすることにより、樹脂突起電極２７の突起部分の表面硬さを硬くすることが可能になり、基板との電気的接続性を向上できる。【選択図】図１
2006245465.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の表面上に突起電極と保護膜を形成した半導体装置において、
前記突起電極が、弾性を有する突起状の絶縁体により形成した突起電極核と、前記突起電極核を覆う金属層とからなることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記突起電極核の絶縁体が、ポリイミドからなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記突起電極核を覆う金属層が、アルミニウムを含む金属からなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記突起電極核を覆う金属層が、ニッケルを含む金属からなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
前記突起電極核を覆う金属層が、金を含む金属からなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】
半導体素子が形成された半導体基板上に弾性を有する絶縁体を特定な形に形成する工程と、前記特定な形の絶縁体上に金属膜を形成する工程と、前記半導体基板を保護する保護膜を表面に形成した後、前記特定な形の絶縁体上の前記保護膜を除去する工程とを有したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記保護膜を除去し露出した特定な形の絶縁体上の金属膜に、金属めっきにより前記金属膜とは異なる金属膜を形成したことを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に優れた接続端子を形成することが可能な半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、集積回路の高集積化、半導体チップの縮小に伴い、微細ピッチの端子接続に対応可能な実装技術が要求されている。この要求に対応しやすい実装技術として、ＴＣＰ（Ｔape Ｃarrier Ｐackage）等に利用されるＴＡＢ（Ｔape Ａutomated Ｂonding）実装が挙げられる。その他の実装技術としては、また異方性導電接着剤、すなわちＡＣＦ（Ａnisotropic Ｃonductive Ｆilm）を利用したＣＯＧ（Ｃhip Ｏn Ｇlass）、ＣＯＦ（Ｃhip Ｏn ＦilmまたはＦlexible）といった実装が知られている。
【０００３】
これらの実装形態の基本構成は、半導体基板上に形成された電極パッド上にバンプと呼ばれる突起をＡｕ（金）や半田を用いて形成した後、樹脂テープやガラス基板上に形成された金属配線上に半導体基板上のバンプを一括に加圧し接合する構成である。
【０００４】
また、接続端子を配置する位置の自由度も求められている。このため接続端子を半導体素子の接合上に置くことが可能な技術開発も実施されている。
【０００５】
ここで、従来の半導体装置について図１３、図１４（ａ），（ｂ）、図１５を用いて詳細に説明する。図１３は従来の半導体装置の構成を示す部分断面図、図１４（ａ），（ｂ）、図１５は従来の半導体装置の基板への接続方法を説明する工程断面図である。
【０００６】
図１３、図１４（ａ），（ｂ）、図１５において、１は半導体基板、２はＭＯＳ型トランジスタ、３は第１のコンタクト、４は第１の層間膜、５は第１の配線金属、６は第２のコンタクト、７は第２の層間膜、８は第２の配線金属、１０は表面保護膜、１１は電極開口部、１８は異方性導電接着剤、１９は基板配線、２０は基板、２１はボンディングステージ、２２はボンディングツール、２３は導電性ボール、２４は金属突起電極、２５はバリアメタルである。
【０００７】
まず、従来の半導体装置の構成について図１３を用いて説明する。図１３に示すように半導体装置は、半導体基板１上に、例えば、ＭＯＳ型トランジスタ２のような半導体素子や、ＰＮ接合にて形成されているダイオードなどの半導体素子が形成されている。半導体基板上を第１の層間膜４で覆い半導体素子を保護している。また、半導体素子から信号を導通するための第１の配線金属５が第１の層間膜４上に形成されている。半導体素子と第１の配線金属５は、第１の層間膜４にて電気的に絶縁されている。第１の層間膜４に第１のコンタクト３を設けることにより、半導体素子と第１の配線金属５と電気的信号をやりとりすることが可能になっている。
【０００８】
また、第１の配線金属５上を第２の層間膜７で覆い、第１の配線金属５を保護している。第１の配線金属５から信号を導通するために、第２の配線金属８が第２の層間膜７上に形成されている。第１の配線金属５と第２の配線金属８は、第２の層間膜７にて電気的に絶縁されている。第２の層間膜に第２のコンタクト６を設けることにより、第１の配線金属５と第２の配線金属８の間で電気的信号をやりとりすることが可能になっている。
【０００９】
また、第２の配線金属８上を表面保護膜１０が覆い第２の配線金属８を保護している。第２の配線金属８は外界との信号を取り交わすために、表面保護膜１０を電極開口部１１にて開口している。電極開口部１１上には外部電極と接続をする目的で、電解めっき工法もしくは無電解めっき工法を用いて、金などの材料で金属突起電極２４が形成されている。金属突起電極２４と第２の配線金属８とが相互拡散し、物理的にもろくなるのを防ぐために、Ｔｉ（チタン）やＴｉＷ（チタンタングステン）を用いたバリアメタル２５を配置してある。
【００１０】
従来の半導体装置を基板に接続する例を図１４（ａ），（ｂ）、図１５を用いて説明する。なお、図１４（ａ），（ｂ）、図１５に示す半導体装置は基板と接続を行うため図１３の半導体装置を逆に配置して示している。
【００１１】
図１４（ａ）に示すボンディングステージ２１上に半導体装置を接合するための基板２０を配置する。基板２０上には、基板２０内にて電気信号をやりとりするための基板配線１９があらかじめ形成されている。基板配線１９上の半導体装置と接続させたい部分に異方性導電接着剤１８を付ける。ボンディングツール２２に半導体基板１を取り付けて、半導体装置の金属突起電極２４と基板配線１９の位置合わせをする。
【００１２】
次に、図１４（ｂ）に示すように、半導体基板１を取り付けたボンディングツール２２を下降して金属突起電極２４を基板２０上の基板配線１９と異方性導電接着剤１８を介して接触させる。
【００１３】
ボンディングツール２２により半導体基板１に荷重を加えて金属突起電極２４と基板配線１９を、異方性導電接着剤１８を介して接続させる。さらに、ボンディングツール２２は半導体基板１に荷重を加えて金属突起電極２４に応力を発生させる。金属突起電極２４は異方性導電接着剤１８内の導電性ボール２３を通じて基板配線１９と接続される。また、導電性ボール２３がない部分については、異方性導電接着剤１８にて絶縁されているため導通がない。金属突起電極２４は塑性変形を起こし、導電性ボール２３との密着面積を増やして接続信頼性を向上する。また同様に、基板配線１９についても同様である。このようにして、半導体装置と基板２０とは接合される（図１５参照）。
【特許文献１】特開平３−６２９２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかしながら、図１３に示す金属突起電極２４を半導体基板１上に形成するためには、多くの設備や多くの工程が必要である。また、工法に必要な装置も高価なものを新規に準備する必要がある。また金属突起電極２４は、電解めっき工法もしくは無電解めっき工法にて形成されるため、金属突起電極２４の高さばらつきが大きくなるという問題点があった。
【００１５】
さらに、金属突起電極２４は材料の硬さが柔らかい金などの材料のため、金属突起電極２４には塑性変形量が多くなるという現象が発生し、異方性導電接着剤１８内の導電性ボール２３を包み込んでしまい、基板配線１９との接続が上手に取れないという問題点があった。
【００１６】
本発明は、前記従来技術の問題を解決することに指向するものであり、多くの工程を必要とせずに突起電極の高さばらつきも小さく、さらに突起電極の表面硬さを容易に変更でき、基板との電気的接続性の良い突起電極を有する半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
前記の目的を達成するために、本発明に係る請求項１に記載された半導体装置は、半導体基板の表面上に突起電極と保護膜を形成した半導体装置において、突起電極が、弾性を有する突起状の絶縁体により形成した突起電極核と、この突起電極核を覆う金属層とからなることを特徴とする。
【００１８】
また、請求項２〜５に記載された半導体装置は、請求項１の半導体装置において、突起電極核の絶縁体が、ポリイミドからなること、また、突起電極核を覆う金属層が、アルミニウムを含む金属、ニッケルを含む金属、金を含む金属からなることを特徴とする。
【００１９】
また、請求項６に記載された半導体装置の製造方法は、半導体素子が形成された半導体基板上に弾性を有する絶縁体を特定な形に形成する工程と、特定な形の絶縁体上に金属膜を形成する工程と、半導体基板を保護する保護膜を表面に形成した後、特定な形の絶縁体上の保護膜を除去する工程とを有したことを特徴とする。
【００２０】
また、請求項７に記載された半導体装置の製造方法は、請求項６の製造方法において、保護膜を除去し露出した特定な形の絶縁体上の金属膜に、金属めっきによりこの金属膜とは異なる金属膜を形成したことを特徴とする。
【００２１】
前記構成の半導体装置およびその製造方法によれば、突起電極核を絶縁体により形成して、その表面を金属層で覆って突起電極を形成して電極部以外の部分については保護膜を形成することにより、突起電極の表面硬さについても変更可能となり電気的接続を向上でき、新たな設備や工程を加えることなく、突起電極を形成することができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、突起電極核を絶縁体にて形成して、その表面を金属層で覆って突起電極を形成し、突起電極部以外の部分については保護膜を形成することにより、改めて新規の設備を準備することなく、また、新しく工程を加えることもなく、突起電極を安価で短タクトにて形成でき、電気的接続も向上できるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、図面を参照して本発明における実施の形態を詳細に説明する。
【００２４】
図１は本発明の実施の形態における半導体装置の概略構成を示した断面図である。ここで、前記従来例を示す図１３において説明した構成部材に対応し同等の機能を有するものには同一の符号を付して示す。
【００２５】
図１において、１はシリコン基板等の半導体基板、２はＭＯＳ型トランジスタ、３は第１のコンタクト、４は第１の層間膜、５は第１の配線金属、６は第２のコンタクト、７は第２の層間膜、８は第２の配線金属、９はバンプ核樹脂、１０は表面保護膜、１１は電極開口部、１２は第１のバンプ金属、１３は第２のバンプ金属、２７は樹脂突起電極である。
【００２６】
図１に示すように、本実施の形態における半導体装置は、半導体基板１に半導体素子であるＭＯＳ型トランジスタ２が形成されている。ＭＯＳ型トランジスタ２を保護するためと、第１の配線金属５とＭＯＳ型トランジスタ２を電気的に絶縁するために、第１の層間膜４がある。第１の層間膜４上にＭＯＳ型トランジスタ２の信号を他の素子に伝えるための第１の配線金属５が形成されている。ＭＯＳ型トランジスタ２と第１の配線金属５とを電気的に導通させるために、第１の層間膜４に第１のコンタクト３が形成されている。
【００２７】
また、第１の配線金属５を保護するためと、第２の配線金属８と第１の配線金属５を電気的に絶縁するために第２の層間膜７がある。第２の層間膜７上には突起電極となる核が絶縁体のバンプ核樹脂９により形成されており、バンプ核樹脂９と第２の層間膜７上には電気信号を外界に伝えるための第２の配線金属８が形成されている。第１の配線金属５と第２の配線金属８とを電気的に導通させるために、第２の層間膜７に第２のコンタクト６が形成されている。
【００２８】
第２の配線金属８を保護するためと、半導体基板１，半導体素子を電気的、雰囲気的に外界から絶縁するために、表面保護膜１０がある。第２の配線金属８と外界とを電気的に導通させるために、表面保護膜１０には電極開口部１１によって開口している。また、電極開口部１１により、突起電極は外界と電気信号のやりとりが可能になる。
【００２９】
電極開口部１１により開口している、第２の配線金属８上には、配線金属表面の保護や外部端子の接続信頼性を高めるために、第１のバンプ金属１２，第２のバンプ金属１３を設けている。
【００３０】
次に、本実施の形態における半導体装置の製造方法について、図２（ａ），（ｂ）〜図９（ａ），（ｂ）、図１０を用いて説明する。図２（ａ），（ｂ）は半導体装置に絶縁体膜を形成する製造方法を示す工程断面図である。図３（ａ），（ｂ）は半導体装置に突起状の絶縁体の形を形成する製造方法を示す工程断面図である。図４（ａ），（ｂ）は半導体装置の絶縁体上に金属膜を形成する製造方法１を示す工程断面図である。図５（ａ），（ｂ）は半導体装置の絶縁体上に金属膜を形成する製造方法２を示す工程断面図である。図６（ａ），（ｂ）は半導体装置の表面保護膜を形成する製造方法を示す工程断面図である。図７（ａ），（ｂ）は半導体装置の表面保護膜を形成する製造方法１を示す工程断面図である。図８（ａ），（ｂ）は半導体装置の表面保護膜を形成する製造方法２を説明する工程断面図である。図９（ａ），（ｂ）は本実施の形態における半導体装置の金属膜に他の金属膜を形成する製造方法を示す工程断面図である。図１０は半導体装置の他の金属膜に別の金属膜を形成する製造方法を示す工程断面図である。
【００３１】
また、以下の各図では、図１に同一の符号を付して示した構成部材の説明は省略する。図２（ａ），（ｂ）〜図９（ａ），（ｂ）、図１０において、１４はマスクガラス基板、１５は第１のメタルパターン、１６はフォトレジスト、１７は第２のメタルパターン、２６は第３のメタルパターンである。
【００３２】
まず、突起電極の形成方法について説明する。図２（ａ）に示すように、半導体基板１にＭＯＳ型トランジスタ２が形成されている。ＭＯＳ型トランジスタ２を保護するための層間絶縁膜として、第１の層間膜４、第１の層間膜４上に第１の配線金属５、ＭＯＳ型トランジスタ２と第１の配線金属５を電気的に導通させるための第１のコンタクト３、第１の配線金属５を保護するための層間絶縁膜として、第２の層間膜７、第１の配線金属５と後述する第２の配線金属を電気的に導通させるための第２のコンタクト６が形成されている。
【００３３】
図２（ｂ）に示すように、第２の層間膜７上にバンプ核樹脂９の材料を、回転塗布法を用いて、例えばネガ型の感光性ポリイミドを１０〜２０μｍ厚さにて塗布する。このとき、１度塗りにより目的の厚みが達成できない場合は、２度塗りにて目的の厚みを塗布させる。塗布後はプリキュア工程にてポリイミドを仮硬化させる。
【００３４】
図３（ａ）に示すように、バンプ核樹脂９のパターンを形成させる部分に光が当たらないような第１のメタルパターン１５を持つマスクガラス基板１４を準備し、突起電極を形成させる場所と第１のメタルパターン１５とで位置合わせを行う。その後、紫外線光をマスクガラス基板１４上から照射する。第１のメタルパターン１５がある部分は、ネガ型の感光性ポリイミドに紫外線光が当たらないために感光性ポリイミドは光化学変化を起こさないが、第１のメタルパターン１５がない部分は、ネガ型の感光性ポリイミドに紫外線光が当たるために感光性ポリイミドは光化学変化を起こす。
【００３５】
図３（ｂ）に示すように、現像液に浸漬することにより光化学反応を起こしていないネガ型の感光性ポリイミドは除去される。ネガ型の感光性ポリイミドを本硬化することによって、バンプ核樹脂９の突起が形成される。Ｏ２プラズマによって、バンプ核樹脂９の表面を処理することにより、第２の配線金属８との密着性が良くなる。
【００３６】
その後、図４（ａ）に示すように、第２の配線金属８として、若干のＳｉ（シリコン）やＣｕ（銅）を含むＡｌ（アルミニウム）金属合金をスパッタ法により、０．８μｍ〜１．５μｍ成長させる。
【００３７】
図４（ｂ）示すように、第２の配線金属８のパターンを形成するためフォトレジスト工法による、ポジ型のフォトレジスト１６を回転塗布法により、０．５〜２μｍの厚みで塗布する。次に、第２の配線金属８のパターンを形成させる部分に紫外線光が当たらないような第２のメタルパターン１７を持つマスクガラス基板１４を準備し、第２の配線金属８のパターンと第２のメタルパターン１７とで位置合わせを行う。その後、紫外線光をマスクガラス基板１４上から照射する。第２のメタルパターン１７がある部分は、ポジ型のフォトレジスト１６に紫外線光が当たらないためにフォトレジスト１６は光化学変化を起こさないが、第２のメタルパターン１７がない部分は、ポジ型のフォトレジスト１６に紫外線光が当たるためにフォトレジスト１６は光化学変化を起こす。
【００３８】
図５（ａ）に示すように、紫外線光を照射した後に現像液に浸漬することで、光化学反応を起こした、ポジ型のフォトレジスト１６は除去される。その後、図５（ｂ）に示すように、第２の配線金属８と化学反応を起こすガスを用いて、第２の配線金属８についてドライエッチング処理を行う。フォトレジスト１６で覆っていない部分については、第２の配線金属８はガスと化学反応を起こして不必要な部分の第２の配線金属８は除去される。
【００３９】
図６（ａ）に示すように、ドライエッチング処理のマスクとして使用したフォトレジスト１６を除去する。この時点で、バンプ核樹脂９は第２の配線金属８によって覆われている。さらに、図６（ｂ）に示すように、表面保護膜１０として、プラズマＣＶＤ法を用いて窒化膜を１〜１．５μｍ成長させる。この時、段差部のステップカバレッジを向上するために、ＰＳＧ膜（Ｐhospho-Ｓilicate Ｇlass : リン化酸化膜ガラス）を窒化膜成長前に成長させることもある。
【００４０】
図７（ａ）に示すように、表面保護膜１０のパターンを形成するため、ポジ型のフォトレジスト１６を回転塗布法により、０．５〜２μｍの厚みで塗布する。さらに、図７（ｂ）に示すように、表面保護膜１０のパターンを形成させる部分に紫外線光が当たらないような第３のメタルパターン２６を持つマスクガラス基板１４を準備し、表面保護膜１０のパターンと第３のメタルパターン２６とで位置合わせを行う。その後、紫外線光をマスクガラス基板１４上から照射する。第３のメタルパターン２６がある部分は、ポジ型のフォトレジスト１６に紫外線光が当たらないためにフォトレジスト１６は光化学変化を起こさないが、第３のメタルパターン２６がない部分は、ポジ型のフォトレジスト１６に紫外線光が当たるためにフォトレジスト１６は光化学変化を起こす。
【００４１】
図８（ａ）に示すように、紫外線光を照射した後に現像液に浸漬することで、光化学反応を起こした、ポジ型のフォトレジスト１６は除去される。その後、図８（ｂ）に示すように、表面保護膜１０と化学反応を起こすガスを用いて、表面保護膜１０のドライエッチング処理を行い、フォトレジスト１６で覆っていない部分について、表面保護膜１０を除去する。
【００４２】
図９（ａ）に示すように、フォトレジスト１６を除去することにより、電極開口部１１が形成される。次に、図９（ｂ）に示すように、第１のバンプ金属１２として、ニッケルを第２の配線金属８上にめっきする。無電解ニッケルめっき液に浸漬して第２の配線金属８が露出している部分にのみ、第１のバンプ金属１２としてニッケルが形成される。このときのニッケルめっきの厚みは、２〜５μｍくらいである。このニッケルをめっきすることにより、樹脂突起電極となる突起部分の表面硬さを硬くすることが可能になる。
【００４３】
続けて、図１０に示すように、第２のバンプ金属１３として、金を第１のバンプ金属１２上にめっきする。第１のバンプ金属１２が露出している部分にのみ、第２のバンプ金属１３として、金が形成される。このときの金めっきの厚みは、１〜２μｍくらいである。金をめっきすることにより、端子表面の接続信頼性向上を図ることが可能になる。
【００４４】
以上のように、バンプ核樹脂９による突起の形成方法が、回転塗布法を使用するため、厚みのばらつきは、塗布膜厚の公差１０％に抑えることが可能になり、１０μｍ高さの突起電極の場合は、公差１μｍの実現が可能となる。従来の方法である、電解めっき法による、めっき高さの公差がめっき高さの２０％であることから、１０％突起電極の公差を小さくすることが可能となる。
【００４５】
次に、本実施の形態における半導体装置と基板との接合方法について、図１１（ａ），（ｂ）、図１２を用いて説明する。また、従来例の説明と同様に、図１１（ａ），（ｂ）、図１２に示す半導体装置は基板と接続を行うため図１の半導体装置を逆に配置して示している。
【００４６】
図１１（ａ），（ｂ）は半導体装置の基板への接続方法を説明する工程断面図、図１２は半導体装置を基板に接続した状態を示す断面図であり、図１１（ａ），（ｂ）、図１２において、１８は異方性導電接着剤、１９は基板配線、２０は基板、２１はボンディングステージ、２２はボンディングツール、２３は導電性ボールである。
【００４７】
図１１（ａ）に示すように、ボンディングステージ２１上に半導体装置を接合するための基板２０を配置する。基板２０上には、基板２０内にて電気信号をやりとりするための基板配線１９があらかじめ形成されている。基板配線１９上の半導体装置と接続させたい部分に異方性導電接着剤１８を付ける。ボンディングツール２２に半導体基板１を取り付けて、半導体装置の樹脂突起電極２７と基板配線１９との位置合わせをする。
【００４８】
次に、図１１（ｂ）に示すように、半導体基板１を取り付けたボンディングツールを下降して樹脂突起電極２７を基板２０上の基板配線１９と異方性導電接着剤１８を介して接触させる。
【００４９】
ボンディングツール２２により半導体基板１に荷重を加えて樹脂突起電極２７と基板配線１９を、異方性導電接着剤１８を介して接続させる。さらに、ボンディングツール２２は半導体基板１に荷重を加えて樹脂突起電極２７に応力を発生させる。樹脂突起電極２７は異方性導電接着剤１８内の導電性ボール２３通じて基板配線１９と接続される。また、導電性ボール２３がない部分については、異方性導電接着剤１８にて絶縁されているため導通がない。樹脂突起電極２７は塑性変形を起こし、導電性ボール２３との密着面積を増やし接続信頼性を向上する。また同様に、基板配線１９についても同様である。このようにして、半導体装置と基板２０とは接合される（図１２参照）。
【００５０】
この時、樹脂突起電極２７の表面は、第１のバンプ金属１２に覆われていて硬くなっていることから、導電性ボール２３と接続した時の塑性変形量が従来の柔らかい金属突起電極と比較して適度になり、基板配線１９との接続を良好に取ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明に係る半導体装置およびその製造方法は、突起電極核を絶縁体にて形成して、その表面を金属層で覆って突起電極を形成し、突起電極部以外の部分については保護膜を形成することにより、突起電極を安価で容易に形成でき、電気的接続も向上でき、半導体装置に接続端子を形成する半導体装置およびその製造方法に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の実施の形態における半導体装置の概略構成を示した断面図
【図２】本実施の形態における（ａ），（ｂ）は半導体装置に絶縁体膜を形成する製造方法を示す工程断面図
【図３】本実施の形態における（ａ），（ｂ）は半導体装置に絶縁体の形を形成する製造方法を示す工程断面図
【図４】本実施の形態における（ａ），（ｂ）は半導体装置の絶縁体上に金属膜を形成する製造方法１を示す工程断面図
【図５】本実施の形態における（ａ），（ｂ）は半導体装置の絶縁体上の金属膜を形成する製造方法２を示す工程断面図
【図６】本実施の形態における（ａ），（ｂ）は半導体装置の表面保護膜を形成する製造方法を示す工程断面図
【図７】本実施の形態における（ａ），（ｂ）は半導体装置の表面保護膜を形成する製造方法１を示す工程断面図
【図８】本実施の形態における（ａ），（ｂ）は半導体装置の表面保護膜を形成する製造方法２を説明する工程断面図
【図９】本実施の形態における（ａ），（ｂ）は本実施の形態における半導体装置の金属膜に他の金属膜を形成する製造方法を示す工程断面図
【図１０】本実施の形態における半導体装置の他の金属膜に別の金属膜を形成する製造方法を示す工程断面図
【図１１】本実施の形態における（ａ），（ｂ）は半導体装置の基板への接続方法を説明する工程断面図
【図１２】本実施の形態における半導体装置を基板に接続した状態を示す断面図
【図１３】従来の半導体装置の構成を示す部分断面図
【図１４】従来の（ａ），（ｂ）は半導体装置の基板への接続方法を示す工程断面図
【図１５】従来の半導体装置の基板に接続した状態を示す工程断面図
【符号の説明】
【００５３】
１  半導体基板
２  ＭＯＳ型トランジスタ
３  第１のコンタクト
４  第１の層間膜
５  第１の配線金属
６  第２のコンタクト
７  第２の層間膜
８  第２の配線金属
９  バンプ核樹脂
１０  表面保護膜
１１  電極開口部
１２  第１のバンプ金属
１３  第２のバンプ金属
１４  マスクガラス基板
１５  第１のメタルパターン
１６  フォトレジスト
１７  第２のメタルパターン
１８  異方性導電接着剤
１９  基板配線
２０  基板
２１  ボンディングステージ
２２  ボンディングツール
２３  導電性ボール
２４  金属突起電極
２５  バリアメタル
２６  第３のメタルパターン
２７  樹脂突起電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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