(57)【要約】      （修正有）【課題】優れた正孔輸送性と電子輸送性を併せ持ち、優れた電気的酸化還元耐久性と高い三重項励起準位を有する有機化合物および電荷輸送材料と、この有機化合物を用いた、高い発光効率と高い駆動安定性を有し、かつ長寿命の有機電界発光素子を提供する。【解決手段】下記式（Ｉ）で表される部分構造を一分子内に２以上有する有機化合物。2006188493.tif 000127（Ｃｚはカルバゾリル基。Ｚは直接結合または任意の連結基。）【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（Ｉ）で表される部分構造を一分子内に２以上有する有機化合物。
【化１】
2006188493.tif 000122
（式中、Ｃｚは、カルバゾリル基を表す。
Ｚは、直接結合または任意の連結基を表す。
Ｃｚ、Ｚおよび環Ａ１は、置換基を有していてもよい。
一分子中に存在する複数個のＣｚは、同一であっても異なっていてもよい。
一分子中に存在する複数個のＺは、同一であっても異なっていてもよい。
一分子中に存在する複数個の環Ａ１は、同一であっても異なっていてもよい。
また、同一の環Ｂ１中のＮ原子同士を除き、一分子中に存在するＮ原子同士は共役しない。
また、一分子中に存在するピリジン環は１つのみである。
一分子中に存在する複数個のＱは、下記式（II）のＧにつながる直接結合を表す。
【化２】
2006188493.tif 000123
（式中、環Ｂ１は、ヘテロ原子としてＮ原子をｎ個有する６員環の芳香族複素環である。
ｎは、１〜３の整数である。
Ｇは、Ｑにつながる場合は、Ｑにつながる直接結合または任意の連結基を表す。
Ｇは、Ｑにつながらない場合は、芳香族炭化水素基を表す。
Ｇは、環Ｂ１のＮ原子のオルト位およびパラ位にあるＣ原子に結合する。
ｍは、３〜５の整数である。
一分子中に存在する複数個のＧは、同一であっても異なっていてもよい。
環Ｂ１は、Ｇ以外にも置換基を有していてもよい。））
【請求項２】
前記式（II）が、下記式（II−１）〜（II−４）の何れかである、請求項１に記載の有機化合物。
【化３】
2006188493.tif 000124
（式中、Ｇは式（II）におけると同義である。）
【請求項３】
前記式（II）が、前記式（II−１）である、請求項１または２に記載の有機化合物。
【請求項４】
前記式（Ｉ）が、下記式（Ｉ−１）である、請求項１ないし３のいずれか１項に記載の有機化合物。
【化４】
2006188493.tif 000125
（式中、Ｚ、環Ａ１、Ｑは各々式（Ｉ）におけると同義である。）
【請求項５】
ＧおよびＺが、直接結合または−（Ｐｈ）ｐ−（但し、Ｐｈは置換基を有していてもよいフェニレン基を表し、ｐは１〜８の整数を表す。）である、請求項１ないし４のいずれか１項に記載の有機化合物。
【請求項６】
下記式（III）で表わされる、請求項１ないし５のいずれか１項に記載の有機化合物。
【化５】
2006188493.tif 000126
（式中、Ｃｚ、Ｚ、環Ａ１、Ｑは各々式（Ｉ）におけると同義であり、Ｇは式（II）におけると同義である。
ａ，ｂおよびｃは、それぞれＺ−Ｃｚの数を表す。
また、ａ，ｂおよびｃは、それぞれ独立に０〜５の整数を表す。
但し、ａ＋ｂ＋ｃは２以上の整数である。
また、環Ｃ１の３位および／または５位は、任意の基で置換されていてもよい。）
【請求項７】
前記式（III）において、ａ＝ｃ＝１である、請求項６に記載の有機化合物。
【請求項８】
前記式（III）において、ｂが０または１の整数である、請求項６または７に記載の有機化合物。
【請求項９】
前記式（III）において、Ｇが、−（Ｐｈ)ｐ−（但し、Ｐｈは置換基を有していてもよいフェニレン基を表し、ｐは１〜８の整数を表す。）である、請求項６ないし８のいずれか１項に記載の有機化合物。
【請求項１０】
請求項１ないし９の何れか１項に記載の有機化合物を含有することを特徴とする電荷輸送材料。
【請求項１１】
基板上に、陽極、陰極、およびこれら両極間に設けられた有機発光層を有する有機電界発光素子において、請求項１ないし９のいずれか１項に記載の有機化合物を含有する層を有することを特徴とする有機電界発光素子。
【請求項１２】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載の有機化合物を含有する層が有機発光層である、請求項１１に記載の有機電界発光素子。
【請求項１３】
有機発光層が、請求項１ないし９のいずれか１項に記載の有機化合物をホスト材料とし、該ホスト材料に対して、有機金属錯体がドープされてなる層である、請求項１２に記載の有機電界発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は新規な有機化合物および電荷輸送材料と、この有機化合物を用いた有機電界発光素子に関するものであり、詳しくは電気的な酸化や還元を繰返し受けても安定な有機化合物および電荷輸送材料と、この有機化合物を用いた高発光効率かつ長寿命の有機電界発光素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機薄膜を用いた電界発光素子の開発が行われている。有機薄膜を用いた電界発光素子、すなわち有機電界発光素子は、通常、基板上に、陽極、陰極、およびこれら両極間に設けられた少なくとも発光層を含む有機層を有する。有機層としては、発光層以外にも、正孔注入層（陽極バッファ層）、正孔輸送層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層等が設けられる。通常、これらの層を陽極と陰極との間に積層することにより有機電界発光素子が構成されている。
【０００３】
従来、有機電界発光素子は、蛍光発光を利用してきたが、素子の発光効率を上げる試みで、蛍光ではなく燐光発光を用いることが検討されている。しかしながら、燐光発光を用いた場合でも、未だ十分な発光効率が得られていないのが現状である。
【０００４】
これまでに開発された燐光発光性分子を用いた有機電界発光素子の多くは、発光層の材料（ホスト材料）として、カルバゾリル基を含む材料を用いることを特徴としており、例えば、非特許文献１ではホスト材料として以下に示すビフェニル誘導体を用いている。
【化６】
2006188493.tif 000002
しかしながら、上記ビフェニル誘導体を用いた有機電界発光素子は、電荷の再結合位置が陰極側に偏る傾向があり、バランスが取り辛く、高い発光効率が得られていなかった。
【０００５】
そこで、近年、再結合領域を発光層に集中させる目的で、正孔輸送性と電子輸送性を兼ね備えたホスト材料が提案され、特許文献１には、有機電界発光素子に、以下に示す化合物を用いることが記載されている。
【化７】
2006188493.tif 000003
しかしながら、上記化合物は、高電圧下でしか発光が観測されず、発光輝度、発光効率が不十分であると考えられる。
【０００６】
また、特許文献２および特許文献３には、蛍光発光素子用途或いは電子写真感光体用の正孔輸送材料および／または発光層材料用途に、下記化合物に代表されるピリジン系化合物が提案されている。
【化８】
2006188493.tif 000004
【０００７】
また、特許文献４には、有機電界発光素子用材料として、以下に示す化合物などを用いることが提案されている。
【化９】
2006188493.tif 000005
【０００８】
また、特許文献５には、有機電界発光素子用材料として、以下に示す化合物などを用いることが提案されている。
【化１０】
2006188493.tif 000006
【０００９】
しかしながら、特許文献２〜５で提案される化合物は、ピリジン環、トリアジン環、ピリミジン環またはピラジン環上の窒素原子と、カルバゾール環上の窒素原子とが共役可能な構造を有するため、分子内における電荷の分極現象が顕著となり、三重項励起準位が比較的低い。また、有機電界発光素子用材料としての耐久性の点で問題がある。従って、青色発光素子や燐光発光素子に適用するには性能的に不充分である。また、ピリジン環の２，４，６−位やピリミジン環の２，４，６−位やピラジン環の２，３，５，６−位に全て置換基を有している構造でない場合、電気化学的耐久性の観点で更に重大な問題点がある。
【００１０】
また、特許文献６には、有機電界発光素子の材料として、以下に示す化合物などを用いることが提案されている。
【化１１】
2006188493.tif 000007
【００１１】
しかしながら、これらは、一つの芳香環（ここではベンゼン環）上に２つの（電子供与性基である）カルバゾリル基が置換され、かつこれらが該芳香環を介して互いに共役し得ない位置（ｍ−位）にあるため、分子が電気的に酸化または還元を受けた際、正または負電荷が局在化しやすく、その結果として、こうした部分構造を有する化合物は、電気的酸化および還元に対する耐久性が乏しいという問題点がある。また、電気的還元に対する耐性を向上させる目的でピリジン環やピリミジン環を導入してはいるものの、カルバゾリル基が２つ置換された芳香環（ここではベンゼン環）はピリジン環やピリミジン環の窒素原子に対してｐ−位にあり、かつ該芳香環とピリジン環やピリミジン環が共役可能であるため、該芳香環からピリジン環やピリミジン環への電子供与効果によって、該ピリジン環や該ピリミジン環の電気的還元に対する耐性も低下してしまっているという問題点がある。
【００１２】
また、特許文献６には、以下の化合物も例示されている。
【化１２】
2006188493.tif 000008
【００１３】
しかし、上記化合物は、電気的な酸化に対する耐性は改善されていることが予想されるものの、カルバゾリル基が一つだけであるため、正孔輸送性に乏しく、有機電界発光素子の発光層の材料としては、正孔輸送性と電子輸送性のバランスが悪く、ホスト材料としては改善が必要である。また、耐熱性の観点でも実用性において重大な欠陥があると言わざるを得ない。
【特許文献１】特開平６−１９７２号公報
【特許文献２】特開２０００−１８６０６６号公報
【特許文献３】特開２０００−１６９４４８号公報
【特許文献４】特開２００３−２２８９３号公報
【特許文献５】国際公開第ＷＯ０３／０７８５４１号公報
【特許文献６】国際公開第ＷＯ０３／０８０７６０号公報
【非特許文献１】Appl.Phys.Lett.,75巻，4頁，1999年
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明は、優れた正孔輸送性と電子輸送性を併せ持ち、優れた電気的酸化還元耐久性と高い三重項励起準位を有する有機化合物および電荷輸送材料と、この有機化合物を用いた、高い発光効率と高い駆動安定性を有し、かつ長寿命の有機電界発光素子を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明者らは、鋭意検討した結果、下記構造を有する有機化合物が、優れた正孔輸送性と電子輸送性を併せ持ち、優れた電気的酸化還元耐久性と高い三重項励起準位を有するため、有機電界発光素子に用いると高い発光効率かつ高い駆動安定性と長寿命を示すことを見出し、本発明に到達した。
【００１６】
即ち、本発明の要旨は、下記式（Ｉ）で表される部分構造を一分子内に２以上有する有機化合物（請求項１）、に存する。  
本発明の別の要旨は、この有機化合物を含有することを特徴とする電荷輸送材料（請求項１０）、に存する。  
本発明のさらに別の要旨は、基板上に、陽極、陰極、およびこれら両極間に設けられた有機発光層を有する有機電界発光素子において、この有機化合物を含有する層を有することを特徴とする有機電界発光素子（請求項１１）、に存する。
【００１７】
【化１３】
2006188493.tif 000009
（式中、Ｃｚは、カルバゾリル基を表す。
Ｚは、直接結合または任意の連結基を表す。
Ｃｚ、Ｚおよび環Ａ１は、置換基を有していてもよい。
一分子中に存在する複数個のＣｚは、同一であっても異なっていてもよい。
一分子中に存在する複数個のＺは、同一であっても異なっていてもよい。
一分子中に存在する複数個の環Ａ１は、同一であっても異なっていてもよい。
また、同一の環Ｂ１中のＮ原子同士を除き、一分子中に存在するＮ原子同士は共役しない。
また、一分子中に存在するピリジン環は１つのみである。
一分子中に存在する複数個のＱは、下記式（II）のＧにつながる直接結合を表す。
【化１４】
2006188493.tif 000010
（式中、環Ｂ１は、ヘテロ原子としてＮ原子をｎ個有する６員環の芳香族複素環である。
ｎは、１〜３の整数である。  
Ｇは、Ｑにつながる場合は、Ｑにつながる直接結合または任意の連結基を表す。  
Ｇは、Ｑにつながらない場合は、芳香族炭化水素基を表す。  
Ｇは、環Ｂ１のＮ原子のオルト位およびパラ位にあるＣ原子に結合する。  
ｍは、３〜５の整数である。  
一分子中に存在する複数個のＧは、同一であっても異なっていてもよい。  
環Ｂ１は、Ｇ以外にも置換基を有していてもよい。））
【００１８】
本発明において、上記式（II）は、下記式（II−１）〜（II−４）の何れかであることが好ましく（請求項２）、特に下記式（II−１）であることが好ましい（請求項３）。
【化１５】
2006188493.tif 000011
（式中、Ｇは式（II）におけると同義である。）
【００１９】
また、上記式（Ｉ）は、下記式（Ｉ−１）であることが好ましい（請求項４）。
【化１６】
2006188493.tif 000012
（式中、Ｚ、環Ａ１、Ｑは各々式（Ｉ）におけると同義である。）
【００２０】
また、ＧおよびＺは、直接結合または−（Ｐｈ）ｐ−（但し、Ｐｈは置換基を有していてもよいフェニレン基を表し、ｐは１〜８の整数を表す。）であることが好ましい（請求項５）。
【００２１】
本発明の有機化合物は、特に、下記式（III）で表わされることが好ましい（請求項６）。
【化１７】
2006188493.tif 000013
（式中、Ｃｚ、Ｚ、環Ａ１、Ｑは各々式（Ｉ）におけると同義であり、Ｇは式（II）におけると同義である。  
ａ，ｂおよびｃは、それぞれＺ−Ｃｚの数を表す。  
また、ａ，ｂおよびｃは、それぞれ独立に０〜５の整数を表す。  
但し、ａ＋ｂ＋ｃは２以上の整数である。  
また、環Ｃ１の３位および／または５位は、任意の基で置換されていてもよい。）
【００２２】
上記式（III）において、ａ＝ｃ＝１であることが好ましく（請求項７）、ｂは０または１の整数であることが好ましく（請求項８）、Ｇは、−（Ｐｈ)ｐ−（但し、Ｐｈは置換基を有していてもよいフェニレン基を表し、ｐは１〜８の整数を表す。）であることが好ましい（請求項９）。
【００２３】
また、本発明の有機電界発光素子において、本発明の有機化合物を含有する層は有機発光層であることが好ましく（請求項１２）、特に、有機発光層において、本発明の有機化合物をホスト材料とし、該ホスト材料に対して、有機金属錯体がドープされていることが好ましい（請求項１３）。
【発明の効果】
【００２４】
上記特定の構造を有する本発明の有機化合物は、優れた正孔輸送性と電子輸送性を併せ持ち、優れた電気的酸化還元耐久性と高い三重項励起準位を有する。このため、この有機化合物を用いた本発明の有機電界発光素子によれば、高輝度・高効率で発光させることが可能となり、かつ素子の安定性、特に駆動安定性が向上し、長寿命化が図れる。
【００２５】
本発明の有機化合物を用いた有機電界発光素子は、フラットパネル・ディスプレイ（例えばＯＡコンピュータ用や壁掛けテレビ）、車載表示素子、携帯電話表示や面発光体としての特徴を生かした光源（例えば、複写機の光源、液晶ディスプレイや計器類のバックライト光源）、表示板、標識灯への応用が考えられ、その技術的価値は大きいものである。
【００２６】
なお、本発明の有機化合物は、本質的に優れた酸化還元安定性を有することから、有機電界発光素子に限らず、電子写真感光体に利用することも有用である。  
また、本発明の有機化合物は、電荷輸送材料用としてだけでなく、各種発光材料用、太陽電池材料用、バッテリー材料（電解液、電極、分離膜、安定剤など）用、医療用、塗料材料用、コーティング材料用、有機半導体材料用、トイレタリー材料用、帯電防止材料用、熱電素子材料用などにおいても有用である。
【００２７】
また、本発明の電荷輸送材料は、優れた耐熱性、成膜性、電荷輸送性、発光特性から、素子の層構成に合わせて、正孔注入材料、正孔輸送材料、発光材料、ホスト材料、電子注入材料、電子輸送材料などとしても適用可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下に本発明の有機化合物、電荷輸送材料および有機電界発光素子の実施の形態を詳細に説明するが、以下に記載する構成要件の説明は、本発明の実施態様の一例（代表例）であり、本発明はその要旨を超えない限り、これらの内容に特定されない。
【００２９】
〔有機化合物〕
本発明の有機化合物は、下記式（Ｉ）で表される部分構造を一分子内に２以上有するものである。
【化１８】
2006188493.tif 000014
（式中、Ｃｚは、カルバゾリル基を表す。
Ｚは、直接結合または任意の連結基を表す。
Ｃｚ、Ｚおよび環Ａ１は、置換基を有していてもよい。
一分子中に存在する複数個のＣｚは、同一であっても異なっていてもよい。
一分子中に存在する複数個のＺは、同一であっても異なっていてもよい。
一分子中に存在する複数個の環Ａ１は、同一であっても異なっていてもよい。
また、同一の環Ｂ１中のＮ原子同士を除き、一分子中に存在するＮ原子同士は共役しない。
また、一分子中に存在するピリジン環は１つのみである。
一分子中に存在する複数個のＱは、下記式（II）のＧにつながる直接結合を表す。
【化１９】
2006188493.tif 000015
（式中、環Ｂ１は、ヘテロ原子としてＮ原子をｎ個有する６員環の芳香族複素環である。
ｎは、１〜３の整数である。  
Ｇは、Ｑにつながる場合は、Ｑにつながる直接結合または任意の連結基を表す。  
Ｇは、Ｑにつながらない場合は、芳香族炭化水素基を表す。  
Ｇは、環Ｂ１のＮ原子のオルト位およびパラ位にあるＣ原子に結合する。  
ｍは、３〜５の整数である。  
一分子中に存在する複数個のＧは、同一であっても異なっていてもよい。  
環Ｂ１は、Ｇ以外にも置換基を有していてもよい。））
【００３０】
なお、本発明の有機化合物において、同一の環Ｂ１中のＮ原子同士を除き、一分子中に存在するＮ原子同士は共役しないことも特徴の一つであるが、ここで、Ｎ原子同士が共役可能であるとは、窒素原子同士が、
【化２０】
2006188493.tif 000016
（cis-，trans-のいずれでも可）またはこれらを組み合わせてなる部分構造で連結されていることと同義（ただし、Ｇ１ないしＧ３は各々独立に、水素原子または任意の置換基を表すか、あるいは、芳香族炭化水素環や芳香族複素環の一部を構成する。）である。すなわち、本発明で言うＮ原子同士が共役しないとは、Ｎ原子同士が共役可能でないこと、すなわち、上記部分構造で連結されていないことと同義である。
【００３１】
このように、Ｎ原子同士が共役しないことから、次のような効果が奏される。  
１）  ＣｚのＮ原子と、環Ｂ１のＮ原子とが共役しないことから、主として一電子酸化に関与する電子供与性基であるＣｚ基と、主として一電子還元に関与する電子受容性基である環Ｂ１とが、互いに影響し合って、分子内で電荷の授受が起こって、分子内分極が生じ、その結果、分子の三重項励起準位の低下を招いたり、あるいは、酸化還元安定性の低下を招くことを避けることが出来る。  
２）  環Ｂ１同士のＮ原子同士が共役しないことから、分子内で複数の環Ｂ１のＮ原子同士が共役してしまうと、酸化に対する耐久性に劣る環Ｂ１上への正孔受容性が現れてしまい、酸化劣化の確率が実用上、無視できなくなるという危険性を回避することができる。また、環Ｂ１のＮ原子同士が共役する場合よりも、高い三重項励起準位が期待されるという効果もある。  
３）  ＣｚのＮ原子同士が共役しないことから、ＣｚのＮ原子同士が共役する場合よりも、高い三重項励起準位が期待されるという効果がある。
【００３２】
［１］構造上の特徴
上記式（Ｉ）で表される部分は、正孔輸送を主として担う部分と電子輸送を主として担う部分の両方が互いに大きく干渉しあうことなく存在することを特徴とする。
【００３３】
正孔輸送を主として担う部分は式（Ｉ）中のＣｚ−Ｚ−の部分であり、電子輸送を主として担う部分は−Ｑ−Ｇ−環Ｂ１の部分である。正孔輸送を主として担う部分は、電気的酸化に対する優れた耐久性を示す。また、電子輸送を主として担う部分は、電気的還元に対する優れた耐久性を示す。
【００３４】
正孔輸送を主として担う部分と電子輸送を主として担う部分が、ベンゼン環を介してメタ位で結合することにより、ベンゼン環の有する優れた耐熱性、優れた電気化学的安定性、高い三重項励起準位によって、本発明の有機化合物の特長である優れた耐熱性、優れた電気化学的安定性、高い三重項励起準位が損なわれないこと、また、ｍ−連結型のベンゼン環は、電子受容性と電子供与性の両方を併せ持つため、Ｃｚ基が酸化された場合には、必要に応じて正電荷の一部を受容し、環Ｂ１が還元された場合には、必要に応じて負電荷の一部を受容することができるという作用機構で、
本発明の有機化合物の電気化学的安定性（繰返し電気酸化還元耐久性）を向上させる
という効果が奏される。
【００３５】
また、本発明の有機化合物は、このような式（Ｉ）で表される部分構造を、一分子内に２以上有することにより、正孔注入・輸送性が高まるという作用機構で、
有機電界発光素子としたときの素子駆動電圧を低減したり、正孔と電子が発光層中で再結合を起こすために必要な正負電荷の供給バランスを取ることが容易になる
という効果が奏される。
【００３６】
［２］式（Ｉ）で表される部分の数
本発明の有機化合物において、上記式（Ｉ）で表される部分の数は、一分子中に２以上であればよいが、好ましくは４以下であり、正孔輸送性と電子輸送性のバランスの観点から、２または３が最も好ましい。
【００３７】
なお、式（Ｉ）で表される部分構造を一分子中に２以上有するとは、例えば、下記式（Ａ）のように、１つの環Ｂ１が有する複数のＧに、式（Ｉ）のＱがそれぞれ結合したものであってもよく、下記式（Ａ）のようなものも式（Ｉ）で表される部分構造を２以上有する場合に包含される。
【化２１】
2006188493.tif 000017
【００３８】
［３］式（Ｉ）中の構成要素
〈環Ａ１〉
式（Ｉ）中の環Ａ１は、ベンゼン環であり、ＺおよびＱ以外にも任意の置換基を有していてもよい。また、本発明の有機化合物の一分子中に存在する複数の環Ａ１は、同一であっても異なっていてもよい。
尚、本発明において、置換基を有していてもよいとは、置換基を１以上有していてもよいことを意味する。
【００３９】
ＺおよびＱ以外の該置換基として好ましくは、アルキル基、芳香族炭化水素基、アシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、ハロゲン原子、アリールアミノ基、アルキルアミノ基、芳香族複素環基であり、より好ましくはアルキル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基であり、特に好ましくは、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環、カルバゾール環などの、６員環の単環または２〜５縮合環由来の１価の基、或いは、それらが複数個連結されて形成された１価の基（例えば、ビフェニル基、ターフェニル基など）である。
【００４０】
また、環Ａ１の置換基同士が結合して、或いは環Ａ１とＺの一部が結合して、環Ａ１と縮合環を形成していてもよい。この場合の好ましい例としては、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環などの、６員環の２〜５縮合環が挙げられる。
【００４１】
特に、環Ａ１は、ＺおよびＱ以外に置換基を有さないこと、或いは、カルバゾリル基を置換基として有することが好ましい。環Ａ１がカルバゾリル基を置換基として有する場合には、Ｑの置換位置から数えてメタ位にカルバゾリル基を有することが好ましい。
【００４２】
最も好ましくは、環Ａ１がＺおよびＱ以外に置換基を有さないことであり、これは次の理由による。  
すなわち、例えば、カルバゾリル基を例に挙げると、環Ａ１には、−Ｚ−Ｃｚも含め、最大で合計５つのカルバゾリル基が置換可能であるが、同一の芳香族炭化水素基上に複数のカルバゾリル基が連結されている場合、電気的酸化を受けたとき、該芳香族炭化水素基上に過剰の正電荷が集中し、或いは、カルバゾリル基のＮ，１，３，６，９−位の少なくとも一カ所への正電荷の局在化が強まり、該電気的酸化に対する耐久性が著しく低下してしまう。このため、環Ａ１がＺおよびＱ以外に置換基を有さないこと、すなわち環Ａ１はカルバゾリル基として−Ｚ−Ｃｚのみを有することが好ましい。
【００４３】
〈Ｃｚ〉
式（Ｉ）におけるＣｚは、カルバゾリル基を表す。Ｃｚとしては、Ｎ−カルバゾリル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基が挙げられ、一分子中に存在する複数のＣｚは、同一であっても異なっていてもよい。
高い三重項励起準位、優れた電気化学的安定性の観点から、ＣｚはＮ−カルバゾリル基または２−カルバゾリル基が好ましく、Ｎ−カルバゾリル基が最も好ましい。
【００４４】
式（Ｉ）におけるＣｚがＮ−カルバゾリル基である場合の式（Ｉ）を、下記式（Ｉ−１）に示す。
【化２２】
2006188493.tif 000018
【００４５】
このＣｚは、任意の置換基を有していてもよい。  
該置換基として好ましくは、アルキル基、芳香族炭化水素基、アシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、ハロゲン原子、アリールアミノ基、アルキルアミノ基、芳香族複素環基であり、より好ましくはアルキル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基である。高い三重項励起準位の観点、電荷分布の偏りに伴う電気的耐性の低下を避ける観点から、この置換基は、好ましくは、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環などの、６員環の単環または２〜５縮合環由来の１価の基、或いは、それらが複数個連結されて形成された１価の基（例えば、ビフェニル基、ターフェニル基など）である。
なお、Ｃｚが置換基を有する場合、Ｃｚの３−位および６−位の置換基は、三重項励起準位を低下させる恐れのある基、例えばフェニル基ではないことが好ましい。
【００４６】
Ｃｚの置換基は、合計で分子量５００以下が好ましく、２５０以下が更に好ましい。最も好ましくはＣｚは無置換であることである。
【００４７】
〈Ｚ〉
式（Ｉ）におけるＺは、直接結合或いは任意の連結基を表す。
【００４８】
任意の連結基としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環などの、６員環の単環または２〜５縮合環由来の２価の連結基、或いは、それらが複数個連結されて形成された２価の連結基（例えば、ビフェニレン基、ターフェニレン基など）が好ましく挙げられる。Ｚとして、好ましくは、直接結合または、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基などのベンゼン環を１〜８個連結してなる２価の連結基である。
【００４９】
Ｚが任意の連結基である場合、Ｚは任意の置換基を有していてもよく、該置換基としては好ましくは、アルキル基、芳香族炭化水素基、アシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、ハロゲン原子、アリールアミノ基、アルキルアミノ基、芳香族複素環基であり、より好ましくはアルキル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基であり、特に好ましくは、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環などの、６員環の単環または２〜５縮合環由来の１価の基、或いは、それらが複数個連結されて形成された１価の基（例えば、ビフェニル基、ターフェニル基など）である。
【００５０】
Ｚは、分子量が１０００以下であることが好ましく、５００以下であることが更に好ましい。
【００５１】
Ｚは、特に、直接結合または−（Ｐｈ）ｐ−であることが好ましい。ここで、Ｐｈは置換基を有していてもよいフェニレン基を表す。また、ｐは１〜８の整数を表し、好ましくは１〜２の整数である。
【００５２】
最も好ましくは、Ｚが直接結合であることである。
【００５３】
〈式（Ｉ）の例示〉
以下に、式（Ｉ）で表される部分構造のうち、式（II）の部分を除いた部分の例示を挙げるが、本発明は何ら以下のものに限定されるものではない。
【００５４】
【化２３】
2006188493.tif 000019
【００５５】
【化２４】
2006188493.tif 000020
【００５６】
【化２５】
2006188493.tif 000021
【００５７】
【化２６】
2006188493.tif 000022
【００５８】
【化２７】
2006188493.tif 000023
【００５９】
上記例示のうち、中でも、Ｖ−１〜６，８，９，１２，１３，１６〜２２，２４，２７，２８，３５〜３７がより好ましく、Ｖ−１，２，３，５，６，１２が更に好ましい。
【００６０】
〈Ｑ〉
Ｑは、下記式（II）の少なくとも１つのＧにつながる直接結合を表す。
【化２８】
2006188493.tif 000024
【００６１】
式（II）で表される部分は、分子量が好ましくは７０以上、更に好ましくは７５以上であり、好ましくは１０００以下、更に好ましくは５００以下である。この下限を下回ると芳香族性が損なわれる恐れがあり好ましくなく、上限を上回ると気化温度が上昇して蒸着法による製膜が困難になったり、溶解性が低下して湿式法による製膜に支障が出る恐れがあり好ましくない。
【００６２】
式（II）中、環Ｂ１は、ヘテロ原子としてＮ原子をｎ個有する６員環の芳香族複素環であればよい。ｎは、１〜３の整数を表す。本発明の有機化合物が、一分子中に複数の環Ｂ１を有する場合は、これらは同一であっても異なっていてもよい。
【００６３】
式（II）は、特に下記式（II−１）〜（II−４）で表されるものが好ましい。
【化２９】
2006188493.tif 000025
【００６４】
式（II）、特に式（II−１）〜（II−４）で表される基は、本発明の有機化合物において、電子輸送を主として担う部分であり、電気的還元に対する優れた耐久性を特徴とする。
【００６５】
一分子中において、式（II−１）〜（II−４）の何れかで表される基は、分子内で互いに非共役の関係にあれば、１〜８個の範囲で含まれていてもよい。通常、１つあれば目的である電子輸送性を十分に発揮可能であるため、正孔輸送性と電子輸送性のバランス、蒸着製膜時に要求される耐熱性と気化性、湿式製膜時に要求される溶解性、空気中での安定性（酸化されにくさ）或いは化合物の高純度の容易性の点も鑑み、好ましくは１個である。
【００６６】
以下に各式で表される基について個々に説明する。
【００６７】
・（II−１）で表される基
式（II−１）で表されるピリジン環は、２，４，６−位が置換されていることによって電気的還元に対する耐久性を持ち得る。  
なお、該ピリジン環の３，５−位は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、フェニル基などのアリール基、ピリジル基などのヘテロアリール基、メチル基などのアルキル基などが好ましい。しかしながら、優れた電気化学的安定性の観点から、最も好ましくは、３，５−位は無置換である。
【００６８】
・（II−２）で表される基
式（II−２）で表されるピラジン環は、２，３，５，６−位が置換されていることによって、電気的還元に対する耐久性を持ち得る。
【００６９】
・（II−３）で表される基
式（II−３）で表されるピリミジン環は、２，４，６−位が置換されていることによって、電気的還元に対する耐久性を持ち得る。  
なお、該ピリミジン環の５−位は、置換基を有していてもよい。この置換基としては、フェニル基などのアリール基、ピリジル基などのヘテロアリール基、メチル基などのアルキル基が好ましい。しかしながら、優れた電気化学的安定性の観点から、最も好ましくは、５−位は無置換である。
【００７０】
・（II−４）で表される基
式（II−４）で表されるトリアジン環は、２，４，６−位が置換されていることによって、電気的還元に対する耐久性を持ち得る。  
環Ｂ１としては、高い三重項励起準位、優れた電気化学的安定性の観点から、上記一般式（II−１）で表されるピリジン環、すなわち、ｎが１である場合が特に好ましい。
【００７１】
式（II）において、Ｇは、Ｑにつながる直接結合または任意の連結基を表すか、或いは芳香族炭化水素基を表す。また、Ｇは、環Ｂ１のＮ原子のオルト位およびパラ位にあるＣ原子に結合する。ｍは、３〜５の整数である。一分子中に複数個存在するＧは、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。
【００７２】
Ｇが、Ｑに繋がる直接結合または任意の連結基である場合のＧは、直接結合または、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環などの、６員環の単環または２〜５縮合環由来の２価の連結基、或いは、それらが複数個連結されて形成された２価の連結基（例えば、ビフェニレン基、ターフェニレン基など）であることが好ましい。より好ましくは、直接結合、または、フェニレン基、ビフェニレン基、ターフェニレン基などの−（Ｐｈ）ｐ−（Ｐｈは置換基を有していてもよいフェニレン基を表し、ｐは１〜８の整数を表す。）で表される、ベンゼン環を１〜８個連結してなる２価の連結基である。
【００７３】
Ｑに繋がる場合のＧの分子量としては、１０００以下が好ましく、５００以下が更に好ましい。この上限を上回ると芳香族性が損なわれる恐れがあり好ましくなく、上限を上回ると気化温度が上昇して蒸着法による製膜が困難になったり、溶解性が低下して湿式法による製膜に支障が出る恐れがあり好ましくない。
【００７４】
Ｇは、Ｑに繋がらない場合は、芳香族炭化水素基を表す。Ｑに繋がらない場合のＧは、芳香族炭化水素基であればよいが、例えばベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環などの、６員環の単環または２〜５縮合環由来の１価の基、或いは、それらが複数個連結されて形成された１価の基（例えば、ビフェニル基、ターフェニル基など）が好ましく挙げられるが、より好ましくは、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基などのベンゼン環を１〜８個連結してなる１価の基である。
【００７５】
Ｑに繋がらない場合のＧの分子量としては、２０００以下が好ましく、１０００以下が更に好ましい。この上限を上回ると芳香族性が損なわれる恐れがあり好ましくなく、上限を上回ると気化温度が上昇して蒸着法による製膜が困難になったり、溶解性が低下して湿式法による製膜に支障が出る恐れがあり好ましくない。
【００７６】
なお、Ｇは任意の置換基を有していてもよい。該置換基として好ましくは、アルキル基、芳香族炭化水素基、アシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、ハロゲン原子、アリールアミノ基、アルキルアミノ基、芳香族複素環基であり、より好ましくはアルキル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基であり、特に好ましくは、無置換、またはベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環などの、６員環の単環または２〜５縮合環由来の１価の基、或いは、それらが複数個連結されて形成された１価の基（例えば、ビフェニル基、ターフェニル基など）である。
【００７７】
［４］分子量
本発明の有機化合物の分子量は、通常４０００以下、好ましくは３０００以下、より好ましくは２０００以下であり、また通常２００以上、好ましくは３００以上、より好ましくは４００以上である。  
本発明の有機化合物の分子量がこの上限値を超えると、昇華性が著しく低下して電界発光素子を制作する際に蒸着法を用いる場合において支障を来したり、不純物の高分子量化によって精製が困難となる場合があり、またこの下限値を下回ると、ガラス転移温度および、融点、気化温度などが低下するため、耐熱性が著しく損なわれるおそれがある。
【００７８】
［５］物性
本発明の有機化合物は、通常５０℃以上のガラス転移温度を有するが、有機電界発光素子に使用する際には、その耐熱性の観点から、ガラス転移温度は９０℃以上であることが好ましく、１１０℃以上であることが更に好ましい。ガラス転移温度の上限は通常４００℃程度である。  
本発明の有機化合物は、常圧下で通常８００℃以下の気化温度を有するが、有機電界発光素子に使用する際には、その蒸着製膜工程の安定性の観点から、気化温度は７００℃以下であることが好ましく、６００℃以下であることが更に好ましい。気化温度の下限は通常３００℃程度である。  
本発明の有機化合物は、通常１００℃以上の融点を有するが、有機電界発光素子に使用する際には、その耐熱性の観点から、融点は１５０℃以上であることが好ましく、２００℃以上であることが更に好ましい。融点の上限は通常５００℃程度である。
【００７９】
［６］好ましい構造
前記式（Ｉ）で表される部分構造を一分子内に２以上有する本発明の有機化合物は、下記式（III）で表される構造であることが、高い三重項励起準位、優れた電気化学的安定性の観点から、特に好ましい。
【化３０】
2006188493.tif 000026
（式中、Ｃｚ、Ｚ、環Ａ１、Ｑは各々式（Ｉ）におけると同義であり、Ｇは式（II）におけると同義である。  
ａ，ｂおよびｃは、それぞれＺ−Ｃｚの数を表す。  
また、ａ，ｂおよびｃは、それぞれ独立に０〜５の整数を表す。  
但し、ａ＋ｂ＋ｃは２以上の整数である。  
また、環Ｃ１の３位および／または５位は、任意の基で置換されていてもよい。）
【００８０】
式（III）中、（Ｚ−Ｃｚ）の少なくとも２つは、環Ａ１において、Ｑに対するメタ位に結合する。  
式（III）において、Ｇは、−（Ｐｈ）ｐ−（ただし、Ｐｈは置換基を有していてもよいフェニレン基を表し、ｐは１〜８の整数を表す。）であることが好ましい。
【００８１】
ａおよびｃは、それぞれ１，２または４であることが好ましく、１または２であることが更に好ましく、１であることが最も好ましい。すなわち、Ｃｚの様な電子供与性基の導入は、導入数が多すぎると環Ｃ１の電気的還元に対する耐性を低下させる恐れがあるため、ａおよびｃは小さい方が好ましい。
【００８２】
また、正または負電荷を帯びたとき、分子の対称性が高い方が、電荷の局在化による劣化現象を抑制できるため、ａ＝ｃであることが好ましく、よって、最も好ましくは、ａ＝ｃ＝１である。
【００８３】
ｂは、０，１，２または４であることが好ましく、０，１または２であることがより好ましく、０または１であることが更に好ましく、０であることが最も好ましい。すなわち、Ｃｚのような電子供与性基の導入は、導入数が多すぎると環Ｃ１の電気的還元に対する耐性を低下させる恐れがあるため、ｂは小さい方が好ましい。
【００８４】
上記式（III）で表される有機化合物は、更に下記式（IV）で表されることが、電気的還元に対する耐性がより向上する構造であるため好ましい。
【００８５】
【化３１】
2006188493.tif 000027
（式中、Ｃｚ、Ｚ、Ｑ、環Ａ１は各々式（Ｉ）におけると同義である。Ｇは式（II）におけると同義である。環Ｃ１は式（III）におけると同義である。）
【００８６】
中でも、好ましい構造として、具体的には、下記一般式（IV−１）で表される有機化合物が挙げられる。
【００８７】
【化３２】
2006188493.tif 000028
（式中、Ｘａ，Ｘｃは各々独立に、前記Ｖ−１〜３９から選択される１価の基であり、Ｘｂは、下記Ｗ−１〜３７から選択される１価の基であり、環Ｃ１は式（III）におけると同義である。）
【００８８】
上記一般式（IV−１）において、電気的酸化・還元に対する耐性向上の観点、非晶質性向上の観点、あるいは耐熱性向上の観点から、Ｘａ，Ｘｃは各々独立に、好ましくは、Ｖ−１〜６，８，９，１２，１３，１６〜２２，２４，２７，２８，３５〜３７であり、より好ましくはＶ−１，２，３，５，６，１２，３５〜３７であり、最も好ましくは、Ｖ−１，２，５である。また、Ｘｂは、電気的酸化・還元に対する耐性向上の観点から、好ましくは、Ｗ−１〜３，６，８，１０，１１，２０，２９，３１，３２，３４〜３７であり、より好ましくはＷ−１〜３，６，８，１１，３１，３２，３４〜３６であり、最も好ましくはＷ−２，６，３４，３６である。
【００８９】
【化３３】
2006188493.tif 000029
【００９０】
【化３４】
2006188493.tif 000030
【００９１】
本発明の有機化合物の好ましい別の具体的な構造として、下記一般式（Ｖ）で表されるものを挙げることができる。
【００９２】
【化３５】
2006188493.tif 000031
（式中、Ｃｚ、Ｚ、Ｑ、環Ａ１は各々式（Ｉ）におけると同義である。Ｇは式（II）におけると同義である。環Ｃ１は式（III）におけると同義である。）
【００９３】
中でも、好ましい構造として、具体的には、下記一般式（Ｖ−１）および（Ｖ−２）で表される有機化合物が挙げられる。
【００９４】
【化３６】
2006188493.tif 000032
（式中、Ｘｄ，Ｘｅ，Ｘｆは各々独立に、前記Ｖ−１〜３９から選択される１価の基であり、環Ｃ１は式（III）におけると同義である。環Ｄ１は、環Ｃ１とＸｅとをつなぐフェニレン連結基である。）
【００９５】
上記一般式（Ｖ−１）において、電気的酸化・還元に対する耐性の向上、非晶質性の向上、あるいは耐熱性向上の点から、Ｘｄ，Ｘｅ，Ｘｆは各々独立に、好ましくは、Ｖ−１〜６，８，９，１２，１３，１６〜２２，２４，２７，２８，３５〜３７であり、より好ましくはＶ−１，２，３，５，６，１２，３５〜３７であり、最も好ましくは、Ｖ−１，２，５である。環Ｃ１との結合位置を環Ｄ１の１−位と定義した場合、Ｘｅとの結合位置は、環Ｄ１の２〜６−位の何れでもよいが、電気的還元に対する耐性向上の点から、好ましくは３〜５位であり、より好ましくは４−位である。
【００９６】
【化３７】
2006188493.tif 000033
（式中、Ｘｇ，Ｘｈ，Ｘｉは各々独立に、前記Ｖ−１〜３９から選択される１価の基であり、環Ｃ１は式（III）におけると同義である。）
【００９７】
上記一般式（Ｖ−２）において、電気的酸化・還元に対する耐性の向上、非晶質性の向上あるいは耐熱性向上の点から、Ｘｇ，Ｘｈ，Ｘｉは各々独立に、好ましくは、Ｖ−１〜６，８，９，１２，１３，１６〜２２，２４，２７，２８，３５〜３７であり、より好ましくはＶ−１，２，３，５，６，１２，３５〜３７であり、最も好ましくは、Ｖ−１，２，５である。
【００９８】
［７］具体例
以下に、本発明の有機化合物として好ましい具体的な例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、以下の例示構造式中、−Ｎ−Ｃｚは、Ｎ−カルバゾリル基を示す。
【化３８】
2006188493.tif 000034
【００９９】
【化３９】
2006188493.tif 000035
【０１００】
【化４０】
2006188493.tif 000036
【０１０１】
【化４１】
2006188493.tif 000037
【０１０２】
【化４２】
2006188493.tif 000038
【０１０３】
【化４３】
2006188493.tif 000039
【０１０４】
【化４４】
2006188493.tif 000040
【０１０５】
【化４５】
2006188493.tif 000041
【０１０６】
【化４６】
2006188493.tif 000042
【０１０７】
【化４７】
2006188493.tif 000043
【０１０８】
【化４８】
2006188493.tif 000044
【０１０９】
【化４９】
2006188493.tif 000045
【０１１０】
【化５０】
2006188493.tif 000046
【０１１１】
【化５１】
2006188493.tif 000047
【０１１２】
【化５２】
2006188493.tif 000048
【０１１３】
【化５３】
2006188493.tif 000049
【０１１４】
【化５４】
2006188493.tif 000050
【０１１５】
【化５５】
2006188493.tif 000051
【０１１６】
［８］合成法
本発明の有機化合物は、目的とする化合物の構造に応じて原料を選択し、公知の手法を用いて合成することができる。
【０１１７】
（１）  ピリジン環の導入方法としては、次のＡ）ないしＣ）に記載の方法を採用することができる。  
Ａ）原料としてＲ０−（ＣＨＯ）を用いた場合（ここでＲ０は、任意の置換基または連結基を表す）、次の１）〜５）の方法などを採用することができる。
【０１１８】
１）Angew.Chem.Int.Ed.Engl.(1962)1,626やSynthesis(1976),1-24やJ.Heterocyclic  Chem.(1977)14,147やCollect.Czech.Chem.Commun.57(1992)2,385-392やＣＳ−２６２５８５号公報などで開示されている、１当量のアルデヒドと０．５〜２当量のアセチリドとを、硫酸などの強酸存在下で酢酸、アルコール、ニトロベンゼン、トルエン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、シクロヘキサンなどの単独または混合溶媒中、室温で１〜１０時間撹拌して、或いは水酸化ナトリウムなどの強塩基存在下、アルコールおよび／または水溶媒中、加熱条件下で１〜１０時間撹拌して、中間体（−ＣＨ＝ＣＲ−ＣＯ−）を得、これを酢酸溶媒中、加熱条件下、酸素存在下、アシルピリジニウム塩と酢酸アンモニウムを作用させて合成する方法
【化５６】
2006188493.tif 000052
【０１１９】
２）Liebigs  Ann.Chem.(1974),1415-1422やJ.Org.Chem.38,(2002)6,830-832や特開２０００−１８６０６６号公報などで開示されている、ボロントリフルオリドや過塩素酸などの酸化剤存在下、加熱条件でトルエン溶媒中、アルデヒドとアセチリドとを反応させ、ピリリウム塩を生成し、それを水やアルコール溶媒中でアンモニアと反応させる方法
【化５７】
2006188493.tif 000053
【０１２０】
３）J.Am.Chem.Soc.(1952)74,200などに開示されている、酢酸、アルコール、ニトロベンゼン、トルエン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、シクロヘキサンなどの単独または混合溶媒中、加熱条件下、酢酸アンモニウムとアルデヒドとアセチリドから一段階で合成する方法
【化５８】
2006188493.tif 000054
【０１２１】
４）Chem.Commun.(Cambridge)(2000)22,2199-2200などに開示されている、水酸化ナトリウムなどの強塩基存在下、無溶媒でアルデヒドと２当量のアセチリドを室温で、乳鉢を用いてすり混ぜて中間体（ジケトン）を生成した後、酢酸、アルコール、ニトロベンゼン、トルエン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、シクロヘキサンなどの単独または混合溶媒中、加熱条件下で酢酸アンモニウムを作用させて合成する方法、
【化５９】
2006188493.tif 000055
【０１２２】
５）J.Org.Chem.(1988),53,5960などに開示されている、アルデヒドとエチリデンビニルアミンから一段階で合成する方法
【化６０】
2006188493.tif 000056
【０１２３】
Ｂ）２，４，６−位の少なくとも一カ所に塩素や臭素やヨウ素などのハロゲン原子が置換されたピリジン環を原料に用いる場合、前記ハロゲン元素を任意の置換基に変換が可能である。  
例えば、Org.Lett.3(2001)26,4263-4265などに開示されている、パラジウム触媒存在下、加熱条件でジンクブロマイドやボロン酸を作用させることによって合成する方法が挙げられる（以下において、ｄｂａはジベンジリデンアセトンである。）。
【化６１】
2006188493.tif 000057
【０１２４】
Ｃ）その他、各種置換基の導入、連結基Ｇ或いはＺの形成において、必要に応じ、任意に公知の手法を適用することができる。例えば、下記１）〜３）などを採用することができる。
【０１２５】
１）アルデヒドとしてパラホルムアルデヒド、アセチリドとして芳香族アシル化合物を用い、２，６−位に芳香環基を有するピリジンを合成し、これをＮ−ブロモスクシンイミドなどのハロゲン化剤を用いてピリジン環の４−位をハロゲン化してハロゲン体を得、そのハロゲン原子を−Ｂ（ＯＨ）２基や−ＺｎＣｌ基や−ＭｇＢｒ基に変換したものと、前記ハロゲン体とをカップリング反応させて合成する方法
【０１２６】
２）前記ハロゲン体を、ｎ−ブチルリチウムなどでリチオ化後、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドで処理することで、２，６−位に芳香環基を有し、４−位に−ＣＨＯ基を有するピリジンを合成した後、アセチリドと反応させて第二のピリジン環を合成する方法
【０１２７】
３）前記Ｂ）の出発原料として挙げた２，６−ジクロロ−４−ヨードピリジンを塩基存在下、銅粉末などの銅触媒を用いて、１５０〜２５０℃で加熱撹拌することにより、２，６，２’，６’−テトラクロロ−［４，４’］ビピリジルを合成し、これを前記Ｂ）と同様に処理することで合成する方法
【０１２８】
なお、上記合成方法で用いられるアルデヒド（Ｒａ−ＣＨＯ）は、通常入手可能な試薬を適宜利用可能であるが、必要があれば、次の1)〜13)の方法等により、容易に合成することが可能である。
【０１２９】
1)  例えばハロゲン化物（Ｒａ−Ｘ）や活性水素原子を有する炭化水素化合物（Ｒａ−Ｈ）をブチルリチウムなどのアルキルリチウム、水素化ナトリウム、トリエチルアミン、ｔｅｒｔ−ブトキシカリウム、水酸化ナトリウムなどの強塩基（好ましくはブチルリチウムなどのアルキルリチウム）を作用させた後、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドで処理する方法（Organic&Biomolecular  Chemistry(2003)1,7,1157-1170;Tetrahedron  Lett.42(2001)37,6589-6592）
【０１３０】
2)  −ＣＯ２Ｒ基（Ｒは水素原子、塩素原子、アルキル基、芳香環基、アミノ基）をリチウムアルミニウムハイドライド、水素化硼素ナトリウム等で還元して、アルコール化後、ピリジニウムクロロクロメート、二酸化マンガン、アイオドキシベンゾイックアシッド、パーオキソジスルフェート、２，３−ジクロロ−５，６−ジシアノ−１，４−ベンゾキノン等で酸化して−ＣＨＯ化する方法（J.Med.Chem.(1990)33,2408-2412;Angew.Chem.,Int.Ed.40(2001)23,4395-4397;J.Am.Chem.Soc.(2002)124,10,2245-58;J.Am.Chem.Soc.(1993)115,9,3752-3759;J.Chem.Res.,Synop.(2001)7,274-276;Synthesis(2001)15,2273-2276;Bull.Korean  Chem.Soc.20(1999)11,1373-1374;Arzneim.-Forsch.47(1997)1,13-18;J.Org.Chem.63(1998)16,5658-5661;J.Chem.Soc.Sec.C;Organic(1968)6,630-632）
【０１３１】
3)  −ＣＯ２Ｒ基（Ｒは水素原子、塩素原子、アルキル基、芳香環基、アミノ基）をリチウムトリス（ジアルキルアミノ）アルミニウムハイドライド、ソディウムトリス（ジアルキルアミノ）アルミニウムハイドライドなどで還元し、一段階で−ＣＨＯ化する方法（Bull.Korean  Chem.Soc.,13(1992)6,670-676;Bull.Korean  Chem.Soc.,12(1991)1,7-8;Org.Prep.Proced.Int.24(1992)3,335-337）
【０１３２】
4)  −ＣＯ２Ｒ基（Ｒは水素原子、塩素原子、アルキル基、芳香環基、アミノ基）を水素とパラジウム触媒の存在下、一段階で−ＣＨＯ化する方法（Chem.Ber.(1959)92,2532-2542;WO  00/12457;Bull.Chem.Soc.Jpn.(2001)74,1803-1815）
【０１３３】
5)  −ＣＮ基をリチウムトリス（ジアルキルアミノ）アルミニウムハイドライドなどで還元し、一段階で−ＣＨＯ化する方法（Bull.Korean  Chem.Soc.,13(1992)6,670-676）
【０１３４】
6)  Ａｒ−ＣＨ３基（Ａｒは芳香環基）にo-Iodylbenzoic  acid,Dess-Martin  period-inane,Acetoxyiodosylbenzoic  acidなどを作用させて、直接、Ａｒ−ＣＨＯ化する方法（J.Am.Chem.Soc.(2002)124,10,2245-58）
【０１３５】
7）  Ａｒ−ＣＨ３基（Ａｒは芳香環基）をＡｒ−ＣＨ２Ｂｒ、Ａｒ−ＣＨ２ＯＣＨ３ＣＯＯを経由してＡｒ−ＣＨ２ＯＨに変換後、ピリジニウムクロロクロメート、二酸化マンガン、アイオドキシベンゾイックアシッド等で酸化して−ＣＨＯ化する方法（J.Org.Chem.(1993)58,3582-3585）
【０１３６】
8）  １−エチル−１−アリールアリルアルコールにVilsmeier試薬を作用させて、アリールカルボキシアルデヒドを合成する方法（Indian  Journal  of  Chemistry(1988)27B,213-216）
【０１３７】
9）  １，４−シクロヘキサジエン類にVilsmeier試薬を作用させて、アリールカルボキシアルデヒドを合成する方法（Synthesis(1987),197-199;Synthesis(1985),779-781）
【０１３８】
10）  Ａｒ−ＣＨ３基（Ａｒは芳香環基）を臭素、Ｎ−ブロモ琥珀酸イミドなどを用いて臭素化してＡｒ−ＣＨ２Ｂｒとした後、2-Nitropropane  carboanion試薬、Hexamethylenetetramine等を作用させてＡｒ−ＣＨＯ化する方法（Collect.Czech.Chem.Commun.(1996)61,1464-1472;Chem.Eur.J.(1996)2,12,1585-1595;J.Chem.Research(S),(1999)210-211）
【０１３９】
11）  ポリメチニウム塩（ヘプタメチニウム塩など）からアリールアルデヒド（１，３，５−トリホルミルベンゼンなど）を得る方法（Collect.Czech.Chem.Commun.(1965)30,53-60）
【０１４０】
12）トリホルミルメタンのself-condensationにより、１，３，５−トリホルミルベンゼンを得る方法（Collect.Czech.Chem.Commun.(1962)27,2464-2467）
【０１４１】
13）Ａｒ−ＣＨＢｒ２基（Ａｒは芳香環基）をジアルキルアミンを用いてＡｒ−ＣＨＯ化する方法（Bulletin  de  La  Societe  Chmique  De  France(1966)9,2966-2971）
【０１４２】
また、上記合成方法で用いられるケトン（Ｒｃ−ＣＯ−ＣＨ2−Ｒｂ）は、通常入手可能な試薬を適宜利用可能であるが、必要があれば、次の1)，2)の方法等により、容易に合成することができる。
【０１４３】
1）  Ｒｃ−ＣＯ２Ｒ基（Ｒは水素原子、塩素原子、アルキル基、芳香環基、アミノ基）を各種アルキル化剤（アルキルリチウム、ジメチル硫酸、ジメチルスルホキシドなど）で処理することにより、Ｒｃ−ＣＯ−ＣＨ２Ｒｂ化する方法（J.Am.Chem.Soc.(1959),81,935-939;J.Am.Chem.Soc.(1961)83,4668-;Tetrahedron  Lett.(1967)1073-;J.Chem.Soc.(1960)360-;J.Chem.Soc.,Perkin  Trans.1(1977)680;JP5-5062039）
【０１４４】
2）  塩化アルミニウムなどのルイス酸触媒存在下、酸クロライドなどのアシル化剤を作用させて合成する方法（極めて一般的な、フリーデルクラフツ反応）
【０１４５】
他の合成方法としては、「ヘテロ環の化学−医薬品の基礎」（2002年、國枝ら、化学同仁社）、「Heterocyclic  Chemistry」（第４版、2000年、J.A.Joule  and  K.Mills、Blackwell  Science社）、「新編ヘテロ環化合物  基礎編、応用編」（2004年、山中宏ほか、講談社）、「ボルハルト・ショアー現代有機化学  下」（2004年、K.P.C.Vollhardt、化学同人社）などに記載または引用されている合成方法を利用することもできる。
【０１４６】
（２）  ピラジン環の導入方法としては、例えば、次の１］〜７］の方法などを採用することができる。
【０１４７】
１］同一もしくは異なる芳香族アルデヒドから（Khim.-Farm.Zh.25(1991)4,28-31;Helvetica  Chimica  Acta(1985)68(3),592-599;J.Chem.Res.Synop.(2002)6,262-263;Ser  C.(19966)263,1156-;J.Am.Chem.Soc.(2002)124,12084-12085;Advanced  Synthesis  &  Catalysis(2002)344,96-103;PCT  Int.Appl.,2002002753,10  Jan.2002;J.Org.Chem.(2001)66,8010-8014;J.Chem.Soc.,Perkin  Trans.1,(2001)7,633-635;Tetrahedron  Lett.(2000)41,10159-10162;J.Org.Chem.(1983)48,459-464;Journal  fuer  Praklische  Chemie(Leipzig)(1962)16,1-7）、或いはα−ジヒドロ体から（Tetrahedron:Asymmetry(1998)9,4117-4122）、或いはアリールリチウムから（J.Org.Chem.(1982)47,4347-4348;Tetrahedron  Lett.(1989)30,989-992）、或いはα−ジケトン体から（Journal  fuer  Praklische  Chemie(Leipzig)(1962)16,1-7）、アリールエステルから（Tetrahedron  Lett.(1980)21,2227-2228）、ベンゾイン型中間体を合成し、これをアンモニアや酢酸アンモニウムなどを酸素存在下で作用させることで得る方法（J.Org.Chem.(1937)2,328-;Bull.Soc.Chim.Fr.(1968)4970-;Helvetica  ChimicaActa(1985)68(3),592-599;C.R.Seances  Acad.Sci.,Ser  C.(1966)263,1156-）
【化６２】
2006188493.tif 000058
【０１４８】
２］α−ジケトンとα−ジアミンで環化させ（J.Org.Chem.57(1992)24,6653-6657;Helvetica  Chimica  Acta(1976)59,1169-;Helvetica  Chimica  Acta(1973)56,610-）、酸化処理で合成する方法（Helvetica  Chimica  Acta(1976)59,1169-）
【化６３】
2006188493.tif 000059
３］α−ハロケトンにアンモニアや酢酸アンモニウムなどを作用させることで得る方法（特開平03-048666）
【化６４】
2006188493.tif 000060
【０１４９】
４］同一もしくは異なる芳香族アミドにアンモニアや酢酸アンモニウムなどを作用させることで得る方法（Helvetica  Chimica  Acta(1985)68,592-599;特開平06-065212）
【化６５】
2006188493.tif 000061
【０１５０】
５］アミノ酸からアミノ酸無水物（Bull.Soc.Chem.Fr.(1942)9,487-;J.Am.Pharm.Assoc.,Sci.Ed.(1957)46,391-）を経て、或いはその他の経路からピラジンのジハライド（J.Heterocyclic  Chem.(1986)23,871-875;Chemical&Pharmaceutical  Bull.(1979)27,2980-2987;J.Am.Chem.Soc.(1956)78,4071-4077;）を得、これとアリールボロン酸（Suzuki  Coupling法）やカルバゾール、インドール、ピロール、ピラゾールなどのアゾール類（Suzuki  Coupling法(Tetrahdron  48(1992)37,8117-8126)もしくはUllman法）やテトラアリール錫（Heterocycles(1986)24,785-792）とのカップリング反応によって目的物を得る方法
【化６６】
2006188493.tif 000062
【０１５１】
６］ピロールから合成する方法（Justus  Liebigs  Ann.Chem.(1952)578,226-）
【化６７】
2006188493.tif 000063
【０１５２】
７］他の合成方法
「ヘテロ環の化学−医薬品の基礎」（2002年、國枝ら、化学同仁社）、「Heterocyclic  Chemistry」（第４版、2000年、J.A.Joule  and  K.Mills、Blackwell  Science社）、「新編ヘテロ環化合物  基礎編、応用編」（2004年、山中宏ほか、講談社）、「ボルハルト・ショアー現代有機化学  下」（2004年、K.P.C.Vollhardt、化学同人社）などに記載または引用されている合成方法を利用することもできる。
【０１５３】
（３）  ピリミジン環の導入方法としては、Journal  of.Organometallic  Chemistry,663(1-2),46-57,2002或いはJournal  of  Organic  Chemistry,66(21),7125-7128,2001で用いられているパラジウム触媒を用いた方法をはじめ、「ヘテロ環の化学−医薬品の基礎」（2002年、國枝ら、化学同仁社）、「Heterocyclic  Chemistry」（第４版、2000年、J.A.Joule  and  K.Mills、Blackwell  Science社）、「新編ヘテロ環化合物  基礎編、応用編」（2004年、山中宏ほか、講談社）、「ボルハルト・ショアー現代有機化学  下」（2004年、K.P.C.Vollhardt、化学同人社）などに記載または引用されている合成方法を利用することができる。
【０１５４】
（４）  トリアジン環の導入方法としては、次の１〉〜３〉の方法などを採用することができる。
【０１５５】
１〉アリールシアン化物から合成する方法
【化６８】
2006188493.tif 000064
（図中、Ａｒ’は、任意の置換基（ハロゲン原子、アリール基、ヘテロアリール基など）を有していてもよいアリーレン基、ヘテロアリーレン基、若しくは不飽和炭化水素基を表し、同一であっても異なっていてもよい）
上記合成方法は、具体的には、Faming  Zhuanli  Shenqing  Gongkai  Shuomingshu,1382687,04  Dec.2002、Journal  of  Organic  Chemistry,68(12),4855-4861;2003、Green  Chemistry,4(4),339-343;2002、Chinese  Journal  of  Chemistry,20(11),1334-1339;2002、Synthetic  Communications,30(6),1017-1022;2000、Chemistry  Letters,(7),545-546;1999、Mendeleev  Communications,(5),166-167;1994、Journal  of  Heterocyclic  Chemistry,25(3),767-770;1988、Journal  of  Organic  Chemistry,52(16),3674-3680;1987などに記載または引用されている方法を利用できる。
【０１５６】
２〉トリハロゲン化トリアジンから合成する方法
【化６９】
2006188493.tif 000065
（式中、Ｘは、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素のいずれかを表し、Ａｒは、任意の置換基（ハロゲン原子、アリール基、ヘテロアリール基など）を有していてもよいアリーレン基、ヘテロアリーレン基、若しくは不飽和炭化水素基を表し、同一であっても異なっていてもよい）
上記合成方法は、具体的には、Ｘが塩素、臭素或いはヨウ素の場合には、Journal  of  Organic  Chemistry,68(9),3367-3379;2003、Journal  of  Organic  Chemistry,67(24),8424-8429;2002、Inorganic  Chemistry,41(9),2543-2547;2002、Synthetic  Metals,122(3),485-493;2001、Organic  Letters,3(15),2419-2421;2001、U.S.,5726310,10  Mar  1998、Tetrahedron  Letters,38(46),8017-8020;1997、Eur.Pat.Appl.,779280,18  Jun  1997、Mendeleev  Communications,(5),166-167;1994、U.S.,4826978,02  May  1989などに記載または引用されている合成方法を利用することができる。  
また、Ｘがフッ素の場合、Chemistry  of  Materials,16(1),185-194;2004などに記載または引用されている合成方法を利用することができる。
【０１５７】
３〉その他の合成方法
Journal  of  Organic  Chemistry,68(12),4855-4861;2003、European  Journal  of  Organic  Chemistry,(10),1948-1953;2003、Tetrahedron,56(37),7153-7161;2000、Journal  of  the  Indian  Chemical  Society,73(6),283-284;1996、Eur.Pat.Appl.,649841,26  Apr  1995、Archiv  der  Pharmazie(Weinheim,Germany),327(6),389-391;1994、Izvestiya  Natsional’noi  Akademii  Nauk  Respubliki  Kazakhstan,Seriya  Khimicheskaya,(2),13-20;1993、Eur.Pat.Appl.,497734,05  Aug  1992、Heterocycles,34(2),341-347;1992、Sibirskii  Khimicheskii  Zhurnal,(4),96-98;1991、Bulletin  of  the  Chemical  Society  of  Japan,62(10),3171-3176;1989、Journal  of  the  Chemical  Society,Perkin  Transactions  2:Physical  Organic  Chemistry(1972-1999),(2),117-122;1988、Zeitschrift  fuer  Chemie,26(8),295-297;1986、Khimiya  Geterotsiklicheskikh  Soedinenii,(1),107-113;1986、Synthesis,(1),95-98;1985、Journal  of  Heterocyclic  Chemistry,18(6),1197-1201;1981、Tetrahedron  Letters,(43),4193-4196;1979、Ber.,96,1213-1217;1963などに記載または引用されている合成方法を利用することができる。
【０１５８】
また、他にも、「ヘテロ環の化学−医薬品の基礎」（2002年、國枝ら、化学同仁社）、「Heterocyclic  Chemistry」（第４版、2000年、J.A.Joule  and  K.Mills、Blackwell  Science社）、「新編ヘテロ環化合物  基礎編、応用編」（2004年、山中宏ほか、講談社）、「ボルハルト・ショアー現代有機化学  下」（2004年、K.P.C.Vollhardt、化学同人社）などに記載または引用されている合成方法を利用することもできる。
【０１５９】
（４）  Ｎ−カルバゾリル基の導入方法としては、合成の最終工程でカルバゾリル基を導入する方法として、例えば、次のａ）〜ｃ）の方法を採用することができる。
【０１６０】
ａ）フルオロフェニルボロン酸、ジフルオロフェニルボロン酸、フルオロビフェニルボロン酸エステル、ペンタフルオロフェニルボロン酸などのハロゲン化芳香族ボロン化合物の小過剰（後述されるハロゲン化物のハロゲン原子に対して０．７〜１．５倍当量程度）とジブロモフルオロベンゼン、ジヨードベンゼン、トリブロモベンゼン、トリクロロトリアジン、ジヨードビフェニルなどの芳香族２または３置換ハロゲン化物とをテトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウムなどのパラジウム触媒（０．１〜１０モル％程度）、炭酸セシウム、リン酸カリウム、炭酸ナトリウムなどの塩基（前記ハロゲン化物のハロゲン原子に対して２〜１０倍当量程度）存在下、トルエン−エタノール、トルエン−水、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキシエタン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなど、或いはそれらの混合溶媒系中（前記ボロン酸濃度で１〜１０００ミリモル％程度）、不活性ガス雰囲気下で５〜２４時間程度、加熱還流させることにより、フッ素原子を置換基に有する基本骨格を形成する。
【０１６１】
次に、置換または無置換のカルバゾール（前記フッ素原子を置換基に有する基本骨格上のフッ素原子に対して１．１〜１０当量程度）を、乾燥ガス雰囲気下および／または不活性ガス雰囲気下、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エーテル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどの溶媒中、−７８〜＋６０℃の温度範囲で水素化ナトリウム、ｔｅｒｔ−ブトキシカリウム、ｎ−ブチルリチウムなどの強塩基（後述するアゾール化合物のＮ上水素に対して０．９〜２当量程度）と０．１〜６０時間撹拌して反応させたものと、先に得られるフッ素原子を置換基に有する基本骨格のテトラヒドロフラン、ジオキサン、エーテル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどの溶液とを混合し、加熱還流下、１〜６０時間撹拌することにより、本発明の有機化合物を得ることができる。
【０１６２】
ｂ）ブロモフェニルボロン酸、ジブロモフェニルボロン酸、ジクロロフェニルボロン酸などのハロゲン化芳香族ボロン酸の小過剰（後述されるハロゲン化物のハロゲン原子に対して１．１〜１．５倍当量程度）とジヨードベンゼン、ブロモジヨードベンゼン、トリヨードベンゼン、トリクロロトリアジン、ジヨードビフェニルなどの２または３置換ハロゲン化物とをテトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウムなどのパラジウム触媒（前記ハロゲン化物のハロゲン原子に対して０．０１〜１当量程度）、炭酸セシウム、リン酸カリウム、炭酸ナトリウムなどの塩基（前記ハロゲン化物のハロゲン原子に対して２〜１０当量程度）存在下、トルエン、エタノール、水、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキシエタン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなど、或いはそれらの混合溶媒系中（前記ハロゲン化物濃度で１〜１０００ミリモル％程度）、不活性ガス雰囲気下で５〜２４時間程度、加熱還流させることにより、臭素原子または／および塩素原子を置換基に有する基本骨格を形成することができる。
【０１６３】
更に、必要に応じて、得られた臭素基を有する基本骨格から、ヨウ化カリウム（前記基本骨格上の臭素原子に対して１．５〜１０当量）、ヨウ化銅（１〜１０当量）存在下、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどの溶媒（前記ハロゲン化物濃度で０．１〜１０モル％程度）中、１００〜３００℃で０．５〜６０時間撹拌することにより、臭素基がヨウ素基に変換された基本骨格を得ることができる。
【０１６４】
次に、臭素原子または／および塩素原子を置換基に有する基本骨格と、カルバゾール（前記臭素原子または／および塩素原子を置換基に有する基本骨格上の臭素原子または／および塩素原子に対して１．０〜１００当量程度）とを、
(1)  銅粉末、銅線、ハロゲン化銅（ＣｕＸｒ（Ｘｒ＝Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ））、酸化銅（ＣｕＯ）などの銅触媒（前記臭素原子または／および塩素原子を置換基に有する基本骨格上の臭素原子または／および塩素原子に対して１〜５当量程度）存在下、不活性ガス気流下、無溶媒またはテトラグライム、ポリエチレングリコールなどの溶媒（前記基本骨格１モルに対して０．１〜２リットル程度）中、２０〜３００℃の温度範囲で、１〜６０時間撹拌混合するか、
(2)  Ｐｄ２（ｄｂａ）３（Ｐｄ＝パラジウム、ｄｂａ＝ジベンジリデンアセトン）、Ｐｄ（ｄｂａ）２、酢酸パラジウムなどの２価のパラジウム触媒と、ＢＩＮＡＰ（＝2,2’-ビス（ジフェニルフォスフィノ-1,1’-ビナフチル）、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）フォスフィン、トリフェニルフォスフィン、１，２−ビス（ジフェニルフォスフィノ）エタン、１，３−ビス（ジフェニルフォスフィノ）プロパン、１，３−ビス（ジフェニルフォスフィノ）ブタン、ｄｐｐｆ（＝1,1’-ビス（ジフェニルフォスフィノ）フェロセン）などのリガンド類の組合せ、或いはＰｄ（ＰＰｈ）４（Ｐｈ＝フェニル）などの０価のパラジウム錯体、或いはＰｄＣｌ２（ｄｐｐｆ）２などのパラジウム塩化物錯体などの触媒（通常、前記臭素原子または／および塩素原子を置換基に有する基本骨格上の臭素原子または／および塩素原子１当量に対して０．０１〜１当量程度）と、必要に応じてtert-ブトキシカリウム、tert-ブトキシナトリウム、炭酸カリウム、トリエチルアミンなどの強塩基類（通常、反応で生成し得るハロゲン化水素１当量に対して、１．１〜１０当量）存在下、必要に応じてヨウ化銅などの銅触媒（通常、反応で生成し得るハロゲン化水素１当量に対して、１〜１０当量）共存下、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキシエタン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、キシレン、トルエン、トリエチルアミンなどの溶媒（通常、前記臭素原子または／および塩素原子を置換基に有する基本骨格の濃度で０．１〜１００ミリモル％程度）中、３０〜２００℃で１〜６０時間かけて撹拌する
などにより、本発明の有機化合物を得ることが出来る。
【０１６５】
ｃ）その他にも、カップリングには、グリニヤ反応、亜鉛を用いた方法、スズを用いた方法など、公知の手法を適用可能であり、使用される触媒としては、パラジウム、ニッケル、銅などの遷移金属触媒が挙げられ、通常、触媒はカルバゾール環を有する中間体に対して０．１〜２００モル％程度使用される。また、塩基性物質としては、炭酸カリウム、炭酸カルシウム、リン酸カリウム、炭酸セシウム、ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウムなどが挙げられ、通常、塩基性物質はカルバゾール環を有する中間体に対して５０〜１０００モル％程度使用される。反応温度としては、通常、０℃以上、好ましくは５０℃以上、３００℃以下、好ましくは、２００℃以下である。反応に使用できる溶媒としては、トルエン、キシレン、ニトロベンゼン等の芳香族系溶媒、テトラヒドロフラン、エトレングリコールジメチルエーテル、テトラグライム等のエーテル系溶媒が挙げられる。
【０１６６】
（５）  ２〜８−カルバゾリル基の導入方法としては、連結基Ｚが連結される位置に、塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲン原子を有するカルバゾールとアリールボレートとのカップリング反応、若しくは、ハロゲン化アリールとカルバゾリルボレートとのカップリング反応を利用可能であり、具体的には、公知のカップリング手法（「Palladium  in  Heterocyclic  Chemistry:A  guide  for  the  Synthetic  Chemist」（第二版、2002、Jie  Jack  Li  and  Gordon  W.Gribble、Pergamon社）、「遷移金属が拓く有機合成  その多彩な反応形式と最新の成果」（1997年、辻二郎、化学同仁社）、「ボルハルト・ショアー現代有機化学  下」（2004年、K.P.C.Vollhardt、化学同人社））などに記載または引用されている環同士の結合（カップリング）反応）を用いることができる。
【０１６７】
（６）  また、上述した合成手法例に限らず、前記式（Ｉ）のＣｚ基と、前記式（II−１）に記載のピリジン環、式（II−２）に記載のピラジン環、式（II−３）に記載のピリミジン環、式（II−４）に記載のトリアジン環の何れかとを繋ぐ連結基（即ち、−Ｇ−Ｑ−（環Ａ１）−Ｚ−）の形成には、必要に応じて、公知のカップリング手法（「Palladium  in  Heterocyclic  Chemistry:A  guide  for  the  Synthetic  Chemist」（第二版、2002、Jie  Jack  Li  and  Gordon  W.Gribble、Pergamon社）、「遷移金属が拓く有機合成  その多彩な反応形式と最新の成果」（1997年、辻二郎、化学同仁社）、「ボルハルト・ショアー現代有機化学  下」（2004年、K.P.C.Vollhardt、化学同人社））などに記載または引用されている環同士の結合（カップリング）反応）を用いることができる。
【０１６８】
（７）  化合物の精製方法としては、「分離精製技術ハンドブック」（１９９３年、（財）日本化学会編）、「化学変換法による微量成分および難精製物質の高度分離」（１９８８年、（株）アイ  ピー  シー発行）、或いは「実験化学講座（第４版）１」（１９９０年、（財）日本化学会編）の「分離と精製」の項に記載の方法をはじめとし、公知の技術を利用可能である。具体的には、抽出（懸濁洗浄、煮沸洗浄、超音波洗浄、酸塩基洗浄を含む）、吸着、吸蔵、融解、晶析（溶媒からの再結晶、再沈殿を含む）、蒸留（常圧蒸留、減圧蒸留）、蒸発、昇華（常圧昇華、減圧昇華）、イオン交換、透析、濾過、限外濾過、逆浸透、圧浸透、帯域溶解、電気泳動、遠心分離、浮上分離、沈降分離、磁気分離、各種クロマトグラフィー（形状分類：カラム、ペーパー、薄層、キャピラリー。移動相分類：ガス、液体、ミセル、超臨界流体。分離機構：吸着、分配、イオン交換、分子ふるい、キレート、ゲル濾過、排除、アフィニティー。）などが挙げられる。
【０１６９】
（８）  生成物の確認や純度の分析方法としては、ガスクロマトグラフ（ＧＣ）、高速液体クロマトグラフ（ＨＰＬＣ）、高速アミノ酸分析計（ＡＡＡ）、キャピラリー電気泳動測定（ＣＥ）、サイズ排除クロマトグラフ（ＳＥＣ）、ゲル浸透クロマトグラフ（ＧＰＣ）、交差分別クロマトグラフ（ＣＦＣ）質量分析（ＭＳ、ＬＣ／ＭＳ，ＧＣ／ＭＳ，ＭＳ／ＭＳ）、核磁気共鳴装置（ＮＭＲ（１ＨＮＭＲ，13ＣＮＭＲ））、フーリエ変換赤外分光高度計（ＦＴ−ＩＲ）、紫外可視近赤外分光高度計（ＵＶ．ＶＩＳ，ＮＩＲ）、電子スピン共鳴装置（ＥＳＲ）、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ−ＥＤＸ）電子線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）、金属元素分析（イオンクロマトグラフ、誘導結合プラズマ−発光分光（ＩＣＰ−ＡＥＳ）原子吸光分析（ＡＡＳ）蛍光Ｘ線分析装置（ＸＲＦ））、非金属元素分析、微量成分分析（ＩＣＰ−ＭＳ，ＧＦ−ＡＡＳ，ＧＤ−ＭＳ）等を必要に応じ、適用可能である。
【０１７０】
〔電荷輸送材料〕
本発明の有機化合物は電荷輸送材料として使用することができる。
本発明の電荷輸送材料は本発明の有機化合物を含有すればよいが、通常本発明の有機化合物からなる電荷輸送材料であることが好ましい。
【０１７１】
〔有機電界発光素子〕
次に、上述のような本発明の有機化合物を用いる本発明の有機電界発光素子について説明する。
【０１７２】
本発明の有機電界発光素子は、基板上に、陽極、陰極、およびこれら両極間に設けられた有機発光層を有する有機電界発光素子において、本発明の有機化合物を含有する層を有するものであって、好ましくは本発明の有機化合物を有機発光層に含有し、特に好ましくは有機発光層において、本発明の有機化合物をホスト材料とし、このホスト材料に対して、有機金属錯体がドープされてなるものである。
【０１７３】
本発明の有機化合物を、このように有機電界発光素子の有機発光層のホスト材料として用いる場合、１種を単独で用いても良く、２種以上を組み合わせて用いても良い。
【０１７４】
以下に、本発明の有機電界発光素子の構造の一例について、図面を参照しながら説明するが、本発明の有機電界発光素子の構造は以下の図示のものに限定されるものではない。
図１〜４は本発明の有機電界発光素子の構造例を模式的に示す断面図であり、１は基板、２は陽極、３は正孔注入層（陽極バッファ層）、４は正孔輸送層、５は発光層、６は正孔阻止層、７は電子輸送層、８は陰極を各々表す。
【０１７５】
（基板）
基板１は有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシートなどが用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂の板又はフィルムが好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板のガスバリア性が小さすぎると、基板を通過した外気により有機電界発光素子が劣化することがあるので好ましくない。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。
【０１７６】
（陽極）
基板１上には陽極２が設けられる。陽極２は正孔輸送層４への正孔注入の役割を果たすものである。陽極２は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウムおよび／又はスズの酸化物などの金属酸化物、ヨウ化銅などのハロゲン化金属、カーボンブラック、或いは、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子などにより構成される。陽極２は通常、スパッタリング法、真空蒸着法などにより形成されることが多い。また、銀などの金属微粒子、ヨウ化銅などの微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末などで陽極２を形成する場合には、適当なバインダー樹脂溶液中に分散させて、基板１上に塗布することにより形成することもできる。更に、導電性高分子で陽極２を形成する場合には、電解重合により基板１上に直接重合薄膜を形成したり、基板１上に導電性高分子を塗布して形成することもできる（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６０巻，２７１１頁，１９９２年）。
【０１７７】
陽極２は通常は単層構造であるが、所望により複数の材料からなる積層構造とすること
も可能である。
【０１７８】
陽極２の厚みは、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常６０％以上、好ましくは８０％以上とすることが望ましい。この場合、陽極の厚みは通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下程度である。不透明でよい場合は陽極２の厚みは任意であり、所望により金属で形成して基板１を兼ねてもよい。
【０１７９】
（正孔輸送層）
図１に示す構成の素子において、陽極２の上には正孔輸送層４が設けられる。正孔輸送層の材料に要求される条件としては、陽極２からの正孔注入効率が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することができる材料であることが必要である。そのためには、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光の光に対して透明性が高く、しかも正孔移動度が大きく、更に安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが要求される。また、発光層５に接するために発光層５からの発光を消光したり、発光層５との間でエキサイプレックスを形成して効率を低下させないことが求められる。上記の一般的要求以外に、車載表示用の応用を考えた場合、素子には更に耐熱性が要求される。従って、ガラス転移温度として８５℃以上の値を有する材料が望ましい。
【０１８０】
このような正孔輸送材料としては、発光層５のホスト材料に用いられる正孔輸送性材料と同様に、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルで代表される２個以上の３級アミンを含み２個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン（特開平５−２３４６８１号公報）、４，４’，４''−トリス（１−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン化合物（Ｊ．  Ｌｕｍｉｎ．，  ７２−７４巻、９８５頁、１９９７年）、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン化合物（Ｃｈｅｍ．  Ｃｏｍｍｕｎ．，２１７５頁、１９９６年）、２，２’，７，７’−テトラキス−（ジフェニルアミノ）−９，９’−スピロビフルオレン等のスピロ化合物（Ｓｙｎｔｈ．  Ｍｅｔａｌｓ，  ９１巻、２０９頁、１９９７年）、４，４'−Ｎ，Ｎ'−ジカルバゾールビフェニルなどのカルバゾール誘導体等が挙げられる。これらの化合物は、１種を単独で用いてもよいし、必要に応じて複数種混合して用いてもよい。
【０１８１】
上記の化合物以外に、正孔輸送層４の材料として、ポリビニルカルバゾール、ポリビニルトリフェニルアミン（特開平７−５３９５３号公報）、テトラフェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン（Ｐｏｌｙｍ．  Ａｄｖ．  Ｔｅｃｈ．，  ７巻、３３頁、１９９６年）等の高分子材料が挙げられる。
【０１８２】
正孔輸送層４は、スプレー法、印刷法、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法などの通常の塗布法や、インクジェット法、スクリーン印刷法など各種印刷法等の湿式成膜法や、真空蒸着法などの乾式成膜法で形成することができる。
【０１８３】
塗布法の場合は、正孔輸送材料の１種又は２種以上に、必要により正孔のトラップにならないバインダー樹脂や塗布性改良剤などの添加剤を添加し、適当な溶剤に溶解して塗布溶液を調製し、スピンコート法などの方法により陽極２上に塗布し、乾燥して正孔輸送層４を形成する。バインダー樹脂としては、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル等が挙げられる。バインダー樹脂は添加量が多いと正孔移動度を低下させるので、少ない方が望ましく、通常、正孔輸送層中の含有量で５０重量％以下が好ましい。
【０１８４】
真空蒸着法の場合には、正孔輸送材料を真空容器内に設置されたルツボに入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで１０-4Ｐａ程度にまで排気した後、ルツボを加熱して、正孔輸送材料を蒸発させ、ルツボと向かい合って置かれた、陽極２が形成された基板１上に正孔輸送層４を形成させる。
【０１８５】
正孔輸送層４の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。この様に薄い膜を一様に形成するためには、一般に真空蒸着法がよく用いられる。
【０１８６】
（発光層）
図１に示す素子において、正孔輸送層４の上には発光層５が設けられる。発光層５は、電界を与えられた電極間において、陽極２から注入されて正孔輸送層４を移動する正孔と、陰極から注入されて正孔阻止層６を移動する電子との再結合により励起されて強い発光を示す発光物質により形成される。通常、発光層５には、発光物質であるドーパント材料とホスト材料が含まれる。なお、本明細書では、ドーパント材料やホスト材料等、発光層に含まれる材料を発光層材料という。
【０１８７】
発光層５に用いられる発光層材料としては、安定な薄膜形状を有し、固体状態で高い発光（蛍光又は燐光）量子収率を示し、正孔および／又は電子を効率よく輸送することができる化合物であることが必要である。更に電気化学的かつ化学的に安定であり、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくい化合物であることが要求される。
【０１８８】
更に、本発明においては、後述の正孔阻止層の説明の項にも記載するように、正孔阻止材料の、サイクリックボルタンメトリー測定において得られる第一酸化電位よりも第一酸化電位が小さい発光物質、とりわけ
（正孔阻止材料の酸化電位）−（発光層材料の酸化電位）≧０．１Ｖ
（正孔阻止材料の還元電位）≧（発光物質の還元電位）
を満たす発光層材料を用いることが好ましい。ただし、上記式では、発光層５がホスト材料とドーパント材料を含んでいる場合には、発光層材料の酸化あるいは還元電位は、ホスト材料の酸化あるいは還元電位である。
【０１８９】
このような条件を満たし、蛍光を発する発光層を形成する材料としては、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体（特開昭５９−１９４３９３号公報）、１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリンの金属錯体（特開平６−３２２３６２号公報）、ビススチリルベンゼン誘導体（特開平１−２４５０８７号公報、同２−２２２４８４号公報）、ビススチリルアリーレン誘導体（特開平２−２４７２７８号公報）、（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾールの金属錯体（特開平８−３１５９８３号公報）、シロール誘導体、等が挙げられる。これらの発光層材料は、通常は真空蒸着法により正孔輸送層上に積層される。また、前述の正孔輸送層材料のうち、発光性を有する芳香族アミン系化合物も発光層材料として用いることができる。
【０１９０】
素子の発光効率を向上させるとともに発光色を変える目的で、例えば、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体をホスト材料として、クマリン等のレーザー用蛍光色素をドープすること（Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，６５巻，３６１０頁，１９８９年）等が行われている。このドーピング手法は、発光層５にも適用でき、ドープ用材料としては、クマリン以外にも各種の蛍光色素が使用できる。青色発光を与える蛍光色素としては、ペリレン、ピレン、アントラセン、クマリンおよびそれらの誘導体等が挙げられる。緑色蛍光色素としては、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体等が挙げられる。黄色蛍光色素としては、ルブレン、ペリミドン誘導体等が挙げられる。赤色蛍光色素としては、ＤＣＭ系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン等が挙げられる。
【０１９１】
上記のドープ用蛍光色素以外にも、ホスト材料に応じて、レーザー研究，８巻，６９４頁，８０３頁，９５８頁（１９８０年）；同９巻，８５頁（１９８１年）、に列挙されている蛍光色素などが発光層用のドープ材料として使用することができる。
【０１９２】
ホスト材料に対して上記蛍光色素がドープされる量は、１０-3重量％以上が好ましく、０．１重量％以上がより好ましい。また１０重量％以下が好ましく、３重量％以下がより好ましい。この下限値を下回ると素子の発光効率向上に寄与できない場合があり、上限値を越えると濃度消光が起き、発光効率の低下に至る可能性がある。
【０１９３】
ただし、本発明の有機化合物は、前述の如く、正孔輸送を主として担う部分と電子輸送を主として担う部分の両方を有し、このため、優れた正孔輸送性と電子輸送性を併せ持ち、また、優れた電気的酸化還元耐久性と高い三重項励起準位を有するものであることから、この有機化合物は、有機電界発光素子の有機発光層のホスト材料として好適であり、従って、本発明の有機電界発光素子の有機発光層は、本発明の有機化合物をホスト材料とし、このホスト材料に後述の理由から発光物質として好適な有機金属錯体がドープされていることが好ましい。
【０１９４】
本発明において、発光層に使用されるドーパント材料として、好ましくは、周期表７ないし１１族から選ばれる金属を含む有機金属錯体が挙げられる。該金属錯体のＴ１（励起三重項準位）はホスト材料として使用する本発明の有機化合物のＴ１より高いことが発光効率の観点から好ましい。更にドーパント材料において発光が起こることから、酸化還元などの化学的安定成も要求される。
【０１９５】
周期表７ないし１１族から選ばれる金属を含む燐光性有機金属錯体における、該金属として好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、および金が挙げられる。これらの有機金属錯体として、好ましくは下記一般式（VI−１）又は一般式（VI−２）で表される化合物が挙げられる。  
ＭＬk-jＬ’j      （VI−１）
（式中、Ｍは金属、ｋは該金属の価数を表す。ＬおよびＬ’は二座配位子を表す。ｊは０又は１又は２を表す。）
【０１９６】
【化７０】
2006188493.tif 000066
（式中、Ｍ7は金属、Ｔは炭素又は窒素を表す。Ｔが窒素の場合はＲ14、Ｒ15は無く、Ｔが炭素の場合はＲ14、Ｒ15は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シアノ基、アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アラルキルアミノ基、ハロアルキル基、水酸基、アリールオキシ基、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表す。
Ｒ12、Ｒ13は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シアノ基、アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アラルキルアミノ基、ハロアルキル基、水酸基、アリールオキシ基、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表し、互いに連結して環を形成しても良い。）
【０１９７】
一般式（VI−１）中の二座配位子ＬおよびＬ’はそれぞれ以下の部分構造を有する配位子を示す。
【化７１】
2006188493.tif 000067
（環Ｅ１および環Ｅ１’は各々独立に、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表し、置換基を有していてもよい。環Ｅ２および環Ｅ２’は含窒素芳香族複素環基を表し、置換基を有していてもよい。Ｒ21、Ｒ22およびＲ23はそれぞれハロゲン原子；アルキル基；アルケニル基；アルコキシカルボニル基；メトキシ基；アルコキシ基；アリールオキシ基；ジアルキルアミノ基；ジアリールアミノ基；カルバゾリル基；アシル基；ハロアルキル基又はシアノ基を表す。）
【０１９８】
一般式（VI−１）で表される化合物として、更に好ましくは下記一般式（VI−１ａ）、（VI−１ｂ）（VI−１ｃ）で表される化合物が挙げられる。
【０１９９】
【化７２】
2006188493.tif 000068
（式中、Ｍ4は金属、ｋは該金属の価数を表す。環Ｅ１は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基を表し、環Ｅ２は置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表す。）
【０２００】
【化７３】
2006188493.tif 000069
（式中、Ｍ5は金属、ｋは該金属の価数を表す。環Ｅ１は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表し、環Ｅ２は置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表す。）
【０２０１】
【化７４】
2006188493.tif 000070
（式中、Ｍ6は金属、ｋは該金属の価数を表し、ｊは０又は１又は２を表す。環Ｅ１および環Ｅ１’は各々独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表し、環Ｅ２および環Ｅ２’は各々独立に、置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表す。）
【０２０２】
一般式（VI−１ａ）、（VI−１ｂ）、（VI−１ｃ）で表される化合物の環Ｅ１および環Ｅ１’として、好ましくは、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントリル基、チエニル基、フリル基、ベンゾチエニル基、ベンゾフリル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、又はカルバゾリル基が挙げられる。
【０２０３】
環Ｅ２および環Ｅ２’として、好ましくは、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基、ベンゾチアゾール基、ベンゾオキサゾール基、ベンゾイミダゾール基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリル基、又はフェナントリジル基が挙げられる。
【０２０４】
一般式（VI−１ａ）、（VI−１ｂ）および（VI−１ｃ）で表される化合物が有していてもよい置換基としては、フッ素原子等のハロゲン原子；メチル基、エチル基等の炭素数１〜６のアルキル基；ビニル基等の炭素数２〜６のアルケニル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の炭素数２〜６のアルコキシカルボニル基；メトキシ基、エトキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；フェノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリールオキシ基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基；ジフェニルアミノ基等のジアリールアミノ基；カルバゾリル基；アセチル基等のアシル基；トリフルオロメチル基等のハロアルキル基；シアノ基等が挙げられ、これらは互いに連結して環を形成しても良い。
【０２０５】
なお、環Ｅ１が有する置換基と環Ｅ２が有する置換基が結合、又は環Ｅ１’が有する置換基と環Ｅ２’が有する置換基が結合して、一つの縮合環を形成してもよく、このような縮合環としては７，８−ベンゾキノリン基等が挙げられる。
【０２０６】
環Ｅ１、環Ｅ１’、環Ｅ２および環Ｅ２’の置換基として、より好ましくはアルキル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、シアノ基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、ジアリールアミノ基、又はカルバゾリル基が挙げられる。
【０２０７】
式（VI−１ａ）、（VI−１ｂ）におけるＭ4ないしＭ5として好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金又は金が挙げられる。式（VI）におけるＭ7として好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金又は金が挙げられ、特に好ましくは、白金、パラジウム等の２価の金属が挙げられる。
【０２０８】
前記一般式（VI−１）、（VI−１ａ）、（VI−１ｂ）および（VI−１ｃ）で示される有機金属錯体の具体例を以下に示すが、下記の化合物に限定されるわけではない。
【０２０９】
【化７５】
2006188493.tif 000071
【０２１０】
【化７６】
2006188493.tif 000072
【０２１１】
前記一般式（VI−１）、（VI−１ａ）、（VI−１ｂ）および（VI−１ｃ）で表される有機金属錯体の中でも、特に配位子Ｌおよび／又はＬ’として２−アリールピリジン系配位子（２−アリールピリジン、これに任意の置換基が結合したもの、又はこれに任意の基が縮合してなるもの）を有する化合物が好ましい。
【０２１２】
前記一般式（VI−２）で表わされる有機金属錯体の具体例を以下に示すが、下記の化合物に限定されるわけではない（以下において、Ｍｅはメチル基、Ｅｔはエチル基を示す。）。
【０２１３】
【化７７】
2006188493.tif 000073
【０２１４】
この他に、周期表７ないし１１族から選ばれる金属を含む燐光性有機金属錯体として、下記の化合物を用いても良い。
【０２１５】
【化７８】
2006188493.tif 000074
【０２１６】
このような燐光性ドーパント材料の分子量は、通常４０００以下、好ましくは３０００以下、より好ましくは２０００以下であり、また通常２００以上、好ましくは３００以上、より好ましくは４００以上である。分子量がこの上限値を超えると、昇華性が著しく低下して電界発光素子を制作する際に蒸着法を用いる場合において支障を来したり、或いは有機溶媒などへの溶解性の低下や、合成工程で生じる不純物成分の増加に伴って、材料の高純度化（即ち劣化原因物質の除去）が困難になる場合があり、また分子量が上記下限値を下回ると、ガラス転移温度および、融点、気化温度などが低下するため、耐熱性が著しく損なわれるおそれがある。
【０２１７】
これらのドーパント材料を２種類以上使用する場合は、正孔阻止層中の正孔阻止材料の酸化電位が、複数種のドーパント材料の中で一番大きな酸化電位を有するものよりも大きいことが好ましい。
【０２１８】
このような有機金属錯体をドーパント材料として用いた、燐光発光を示す発光層に使用されるホスト材料としては、本発明の有機化合物の１種を単独で用いても良く、２種以上を混合して用いても良い。また、本発明の有機化合物と共に、蛍光発光を示す発光層に使用されるホスト材料として前述した材料（芳香族アミン系化合物を含む）や、４，４´−Ｎ，Ｎ´−ジカルバゾールビフェニルなどのカルバゾール誘導体（ＷＯ  ００／７０６５５号公報）、トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（ＵＳＰ  ６，３０３，２３８号公報）、２，２´，２´´−（１，３，５−ベンゼントリル）トリス［１−フェニル−１Ｈ−ベンズイミダゾール］（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，７８巻，１６２２頁，２００１年）、ポリビニルカルバゾール（特開２００１−２５７０７６号公報）等の１種又は２種以上を併用しても良い。発光層中に、本発明の有機化合物以外のホスト材料を含む場合、その含有量は、本発明の有機化合物に対して５０重量％以下であることが好ましい。
【０２１９】
発光層中にドーパント材料として含有される有機金属錯体の量は、０．１重量％以上が好ましく、また３０重量％以下が好ましい。この下限値を下回ると素子の発光効率向上に寄与できない場合があり、上限値を上回ると有機金属錯体同士が２量体を形成する等の理由で濃度消光が起き、発光効率の低下に至る可能性がある。
【０２２０】
燐光発光を示す発光層におけるドーパント材料の量は、従来の蛍光（１重項）を用いた素子において、発光層に含有される蛍光性色素の量より、若干多い方が好ましい傾向がある。また、燐光性ドーパント材料と共に蛍光色素が発光層中に含有される場合、該蛍光色素の量は、０．０５重量％以上が好ましく、０．１重量％以上がより好ましい。また１０重量％以下が好ましく、３重量％以下がより好ましい。
【０２２１】
発光層５の膜厚は、通常３ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上であり、また通常２００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。
【０２２２】
発光層５も正孔輸送層４と同様の方法で形成することができる。
【０２２３】
ドーパント材料としての上述の蛍光色素および／又は燐光色素（燐光性ドーパント材料）を発光層のホスト材料としての本発明の有機化合物にドープする方法を以下に説明する。
【０２２４】
塗布の場合は、本発明の有機化合物と、ドーパント材料、更に必要により、電子のトラップや発光の消光剤とならないバインダー樹脂や、レベリング剤等の塗布性改良剤などの添加剤を添加し溶解した塗布溶液を調製し、スピンコート法などの方法により正孔輸送層４上に塗布し、乾燥して発光層５を形成する。バインダー樹脂としては、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル等が挙げられる。バインダー樹脂は添加量が多いと正孔／電子移動度を低下させるので、少ない方が望ましく、発光層中の含有量で５０重量％以下が好ましい。
【０２２５】
真空蒸着法の場合には、本発明の有機化合物を真空容器内に設置されたルツボに入れ、ドーパント材料を別のルツボに入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで１０-4Ｐａ程度にまで排気した後、各々のルツボを同時に加熱して蒸発させ、ルツボと向かい合って置かれた基板上に層を形成する。また、他の方法として、上記の材料を予め所定比で混合したものを同一のルツボを用いて蒸発させてもよい。
【０２２６】
上記各ドーパント材料が発光層５中にドープされる場合、発光層の膜厚方向において均一にドープされるが、膜厚方向において濃度分布があっても構わない。例えば、正孔輸送層４との界面近傍にのみドープしたり、逆に、正孔阻止層６界面近傍にドープしてもよい。
【０２２７】
発光層５も正孔輸送層４と同様の方法で形成することができるが、通常は真空蒸着法が用いられる。  
なお発光層５は、本発明の性能を損なわない範囲で上記以外の成分を含んでいてもよい。
【０２２８】
（正孔阻止層）
図１に示す素子において、正孔阻止層６は発光層５の上に、発光層５の陰極側の界面に接するように積層される。
【０２２９】
正孔阻止層６は、正孔輸送層４から移動してくる正孔が陰極８に到達するのを阻止することができ、かつ、陰極８から注入された電子を効率よく発光層５の方向に輸送することができる化合物より形成されることが好ましい。従って、正孔阻止層６を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いことが必要とされる。正孔阻止層６は正孔と電子を発光層５内に閉じこめて、発光効率を向上させる機能を有する。
【０２３０】
本発明の有機電界発光素子に設けられる正孔阻止層６のイオン化ポテンシャルは、発光層５のイオン化ポテンシャル（発光層５がホスト材料とドーパント材料を含んでいる場合にはホスト材料のイオン化ポテンシャル）より０．１ｅＶ以上大きいことが好ましい。イオン化ポテンシャルは物質のＨＯＭＯ（最高被占分子軌道）レベルにある電子を真空準位に放出するのに必要なエネルギーで定義される。イオン化ポテンシャルは光電子分光法で直接定義されるか、電気化学的に測定した酸化電位を基準電極に対して補正しても求められる。後者の方法の場合、例えば飽和甘コウ電極（ＳＣＥ）を基準電極として用いたとき、下記式で定義される（“Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ”，Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ，１９８５年、９８頁）。  
イオン化ポテンシャル＝酸化電位（ｖｓ．ＳＣＥ）＋４．３ｅＶ
【０２３１】
更に、本発明の有機電界発光素子に設けられる正孔阻止層６の電子親和力（ＥＡ）は、発光層５の電子親和力（発光層５がホスト材料とドーパント材料を含んでいる場合にはホスト材料の電子親和力）と比較して同等以上であることが好ましい。電子親和力もイオン化ポテンシャルと同様に真空準位を基準として、真空準位にある電子が物質のＬＵＭＯ（最低空分子軌道）レベルに落ちて安定化するエネルギーで定義される。電子親和力は、上述のイオン化ポテンシャルから光学的バンドギャップを差し引いて求められるか、電気化学的な還元電位から下記の式で同様に求められる。  
電子親和力＝還元電位（ｖｓ．ＳＣＥ）＋４．３ｅＶ
従って、本発明の有機電界発光素子に設けられる正孔阻止層６は、酸化電位と還元電位を用いて、
（正孔阻止材料の酸化電位）−（発光層材料の酸化電位）≧０．１Ｖ
（正孔阻止材料の還元電位）≧（発光層材料の還元電位）
と表現することもできる。
【０２３２】
更に後述の電子輸送層７を有する素子の場合には、正孔阻止層６の電子親和力は電子輸送層７の電子親和力と比較して同等以下であることが好ましい。従って、
（電子輸送材料の還元電位）≧（正孔阻止材料の還元電位）≧（発光層材料の還元電位）
であることが好ましい（ここで、電子輸送材料、正孔阻止材料或いは発光層材料が、それぞれ複数用いられている場合には、最も小さい還元電位のものを比較に使用する。また、発光層５がホスト材料とドーパント材料を含んでいる場合には、ホスト材料のうち、最も小さい還元電位のものを比較に使用する。）。
【０２３３】
このような条件を満たす正孔阻止材料として、好ましくは、下記一般式（VII）で表される混合配位子錯体が挙げられる。
【０２３４】
【化７９】
2006188493.tif 000075
（式中、Ｒ101〜Ｒ106は、各々独立に水素原子又は任意の置換基を表す。Ｍ８はアルミニウム、ガリウム、インジウムから選ばれる金属原子を表す。Ｌ５は以下に示す一般式（VIIａ）、（VIIｂ）、（VIIｃ）のいずれかで表される。
【化８０】
2006188493.tif 000076
（式中、Ａｒ51〜Ａｒ55は、各々独立に置換基を有していても良い芳香族炭化水素基又は置換基を有していても良い芳香族複素環基を表し、Ｚ３はシリコン又はゲルマニウムを表す。）
【０２３５】
前記一般式（VII）において、Ｒ101〜Ｒ106は各々独立に水素原子又は任意の置換基を表すが、好ましくは水素原子；塩素、臭素等のハロゲン原子；メチル基、エチル基等の炭素数１〜６のアルキル基；ベンジル基等のアラルキル基；ビニル基等の炭素数２〜６のアルケニル基；シアノ基；アミノ基；アシル基；メトキシ基、エトキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の炭素数２〜６のアルコキシカルボニル基；カルボキシル基；フェノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリールオキシ基；ジエチルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基等のジアルキルアミノ基；ジベンジルアミノ基、ジフェネチルアミノ基などのジアラルキルアミノ基；トリフルオロメチル基等のα−ハロアルキル基；水酸基；置換基を有していても良いフェニル基、ナフチル基等の芳香族炭化水素基；置換基を有していても良いチエニル基、ピリジル基等の芳香族複素環基を表す。
【０２３６】
前記芳香族炭化水素基および芳香族複素環基が有しうる置換基としては、フッ素原子等のハロゲン原子；メチル基、エチル基等の炭素数１〜６のアルキル基；ビニル基等の炭素数２〜６のアルケニル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等の炭素数２〜６のアルコキシカルボニル基；メトキシ基、エトキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；フェノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリールオキシ基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基；アセチル基等のアシル基；トリフルオロメチル基等のハロアルキル基；シアノ基等が挙げられる。
【０２３７】
Ｒ101〜Ｒ106としてより好ましくは各々独立に水素原子、アルキル基、ハロゲン原子又はシアノ基が挙げられる。またＲ104としては、シアノ基が特に好ましい。
【０２３８】
前記一般式（VIIａ）、（VIIｂ）、（VIIｃ）中、Ａｒ51〜Ａｒ55として、具体的には、各々独立に、置換基を有していても良いフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基等の芳香族炭化水素基又はチエニル基、ピリジル基等の芳香族複素環基が挙げられる。
【０２３９】
前記一般式（VII）で表される化合物の好ましい具体例を以下に示すが、これらに限定するものではない。
【０２４０】
【化８１】
2006188493.tif 000077
【０２４１】
【化８２】
2006188493.tif 000078
【０２４２】
なお、これらの化合物は正孔阻止層６中に、１種を単独で用いても良いし、必要に応じて２種以上を混合して用いても良い。
【０２４３】
正孔阻止材料としては、前記一般式（VII）で表される混合配位子錯体の他に、以下の構造式で示される１，２，４−トリアゾール環残基を少なくとも１個有する化合物を用いることもできる。
【０２４４】
【化８３】
2006188493.tif 000079
【０２４５】
上記構造式で表される１，２，４−トリアゾール環残基を少なくとも１個有する化合物の具体例を以下に示すが、これらに限定するものではない。
【０２４６】
【化８４】
2006188493.tif 000080
【０２４７】
正孔阻止材料として、更に、以下の構造式で示されるフェナントロリン環を少なくとも１個有する化合物が挙げられる。
【０２４８】
【化８５】
2006188493.tif 000081
【０２４９】
上記構造式で表されるフェナントロリン環を少なくとも１個有する化合物の具体例を以下に示すが、これらに限定するものではない。
【０２５０】
【化８６】
2006188493.tif 000082
【０２５１】
正孔阻止材料としてはまた、一分子内に、２，４，６−位に置換基を有するピリジン環を有する化合物を使用することが好ましい。具体例としては以下のものが挙げられる。
【０２５２】
【化８７】
2006188493.tif 000083
【０２５３】
正孔阻止層６の膜厚は、通常０．３ｎｍ以上、好ましくは０．５ｎｍ以上であり、また通常１００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以下である。
【０２５４】
正孔阻止層も６正孔輸送層４と同様の方法で形成することができるが、通常は真空蒸着法が用いられる。
【０２５５】
ただし、本発明において用いる有機化合物は、有機電界発光素子の発光層のホスト材料として優れたものであり、後述の実施例に示すように、本発明においては、正孔阻止層を設けなくても十分に良好な特性を得ることができる。
【０２５６】
（陰極）
陰極８は、正孔阻止層６を介して発光層５に電子を注入する役割を果たす。陰極８として用いられる材料は、前記陽極２に使用される材料を用いることが可能であるが、効率よく電子注入を行なうには、仕事関数の低い金属が好ましく、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、セシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属又はそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。
【０２５７】
陰極８の膜厚は通常、陽極２と同様である。  
低仕事関数金属から成る陰極８を保護する目的で、この上に更に、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層することは素子の安定性を増す。この目的のために、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。
【０２５８】
更に、陰極８と発光層５又は後述の電子輸送層７との界面にＬｉＦ、ＭｇＦ２、Ｌｉ２Ｏ等の極薄絶縁膜（０．１〜５ｎｍ）を挿入することも、素子の効率を向上させる有効な方法である（Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  Ｌｅｔｔ．，７０巻，１５２頁，１９９７年；特開平１０−７４５８６号公報；ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓ．  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．  Ｄｅｖｉｃｅｓ，４４巻，１２４５頁，１９９７年）。
【０２５９】
（電子輸送層）
素子の発光効率を更に向上させることを目的として、図２および図３に示すように、正孔阻止層６と陰極８の間に電子輸送層７が設けられることが好ましい。電子輸送層７は、電界を与えられた電極間において陰極８から注入された電子を効率よく正孔阻止層６の方向に輸送することができる化合物より形成される。
【０２６０】
このような条件を満たす材料としては、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体（特開昭５９−１９４３９３号公報）、１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、３−又は５−ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン（米国特許第  ５，６４５，９４８号）、キノキサリン化合物（特開平６−２０７１６９号公報）、フェナントロリン誘導体（特開平５−３３１４５９号公報）、２−ｔ−ブチル−９，１０−Ｎ，Ｎ’−ジシアノアントラキノンジイミン、ｎ型水素化非晶質炭化シリコン、ｎ型硫化亜鉛、ｎ型セレン化亜鉛などが挙げられる。
【０２６１】
また、上述のような電子輸送材料に、アルカリ金属をドープする（特開平１０−２７０１７１号公報、特開２００２−１００４７８号公報、特開２００２−１００４８２号公報などに記載）ことにより、電子輸送性が向上するため好ましい。
【０２６２】
このような電子輸送層７を形成する場合、正孔阻止層６の電子親和力は電子輸送層７の電子親和力と比較して同等以下であることが好ましい。
【０２６３】
また、発光層５中の発光層材料、正孔阻止層６の正孔阻止材料および電子輸送層に用いられる電子輸送材料の還元電位は、下記関係を満たすことが、発光領域を調整し、駆動電圧を下げるという観点から好ましい。  
（電子輸送材料の還元電位）≧（正孔阻止材料の還元電位）≧(発光層材料の還元電位)
ここで、電子輸送材料、正孔阻止材料或いは発光層材料が、それぞれ複数用いられている場合には、最も小さい還元電位のものを比較に使用する。ただし、発光層５がホスト材料とドーパント材料を含んでいる場合には、ホスト材料のうち最も還元電位の小さいものを比較に使用する。
【０２６４】
なお、前述の正孔阻止材料はこの電子輸送層７に使用しても良い。その場合、前述の正孔阻止材料を単独で使用して電子輸送層７を形成しても良いし、複数併用しても良い。
【０２６５】
電子輸送層６の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また通常２００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。
【０２６６】
電子輸送層７は、正孔輸送層４と同様にして塗布法或いは真空蒸着法により正孔阻止層６上に積層することにより形成されるが、通常は、真空蒸着法が用いられる。
【０２６７】
なお、図４に示すように、正孔阻止層６を省略し、発光層５と陰極８との間に電子輸送層７を設けても良い。
【０２６８】
（正孔注入層）
正孔注入の効率を更に向上させ、かつ、有機層全体の陽極２への付着力を改善させる目的で、図３，４に示すように、正孔輸送層４と陽極２との間に正孔注入層３を挿入することも行われている。正孔注入層３を挿入することで、初期の素子の駆動電圧が下がると同時に、素子を定電流で連続駆動した時の電圧上昇も抑制される効果がある。
【０２６９】
正孔注入層３に用いられる材料に要求される条件としては、陽極２とのコンタクトがよく均一な薄膜が形成でき、熱的に安定であることが挙げられ、融点およびガラス転移温度が高く、融点としては３００℃以上、ガラス転移温度としては１００℃以上であることが好ましい。更に、イオン化ポテンシャルが低く陽極２からの正孔注入が容易なこと、正孔移動度が大きいことが挙げられる。
【０２７０】
この目的のために、正孔注入層３の材料として、これまでにポルフィリン誘導体やフタロシアニン化合物（特開昭63-295695号公報）、ヒドラゾン化合物、アルコキシ置換の芳香族ジアミン誘導体、p-(9-アントリル)-N,N'-ジ-p-トリルアニリン、ポリチエニレンビニレンやポリ-p-フェニレンビニレン、ポリアニリン（Appl.Phys.Lett.,64巻、1245頁,1994年）、ポリチオフェン（OpticalMaterials,9巻、125頁、1998年）、スターバスト型芳香族トリアミン（特開平4-308688号公報）等の有機化合物や、スパッタ・カーボン膜（Synth.Met.,91巻、73頁、1997年）や、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、モリブデン酸化物等の金属酸化物（J.Phys.D,29巻、2750頁、1996年）が報告されている。
【０２７１】
また、正孔注入・輸送性の低分子有機化合物と電子受容性化合物を含有する層（特開平１１−２５１０６７号公報、特開２０００−１５９２２１号公報等に記載）や、芳香族アミノ基等を含有する非共役系高分子化合物に、必要に応じて電子受容性化合物をドープしてなる層（特開平１１−１３５２６２号公報、特開平１１−２８３７５０号公報、特開２
０００−３６３９０号公報、特開２０００−１５０１６８号公報、特開平２００１−２２３０８４号公報、およびＷＯ９７／３３１９３号公報など）、又はポリチオフェン等の導電性ポリマーを含む層（特開平１０−９２５８４号公報）なども挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０２７２】
上記正孔注入層３の材料としては、低分子・高分子いずれの化合物を用いることも可能である。
【０２７３】
低分子化合物のうち、よく使用されるものとしては、ポルフィン化合物又はフタロシアニン化合物が挙げられる。これらの化合物は中心金属を有していても良いし、無金属のものでも良い。これらの化合物の好ましい例としては、以下の化合物が挙げられる。  
ポルフィン、
5,10,15,20-テトラフェニル-21H,23H-ポルフィン、
5,10,15,20-テトラフェニル-21H,23H-ポルフィンコバルト（II）、
5,10,15,20-テトラフェニル-21H,23H-ポルフィン銅（II）、
5,10,15,20-テトラフェニル-21H,23H-ポルフィン亜鉛（II）、
5,10,15,20-テトラフェニル-21H,23H-ポルフィンバナジウム（IV）オキシド、
5,10,15,20-テトラ(4-ピリジル)-21H,23H-ポルフィン、
29H,31H-フタロシアニン、
銅（II）フタロシアニン、
亜鉛（II）フタロシアニン、
チタンフタロシアニンオキシド、
マグネシウムフタロシアニン、
鉛フタロシアニン、
銅（II）4,4'4'',4'''-テトラアザ-29H,31H-フタロシアニン
【０２７４】
正孔注入層３も、正孔輸送層４と同様にして薄膜形成可能であるが、無機物の場合には、更に、スパッタ法や電子ビーム蒸着法、プラズマＣＶＤ法が用いられる。
【０２７５】
以上の様にして形成される正孔注入層３の膜厚は、低分子化合物を用いて形成される場合、下限は通常３ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ程度であり、上限は通常１００ｎｍ、好ましくは５０ｎｍ程度である。
【０２７６】
正孔注入層３の材料として、高分子化合物を用いる場合は、例えば、前記高分子化合物や電子受容性化合物、更に必要により正孔のトラップとならない、バインダー樹脂やレベリング剤等の塗布性改良剤などの添加剤を添加し溶解した塗布溶液を調製し、スプレー法、印刷法、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法などの通常のコーティング法や、インクジェット法等により陽極２上に塗布し、乾燥することにより正孔注入層３を薄膜形成することができる。バインダー樹脂としては、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル等が挙げられる。バインダー樹脂は該層中の含有量が多いと正孔移動度を低下させる虞があるので、少ない方が望ましく、正孔注入層３中の含有量で５０重量％以下が好ましい。
【０２７７】
また、フィルム、支持基板、ロール等の媒体に、前述の薄膜形成方法によって予め薄膜を形成しておき、媒体上の薄膜を、陽極２上に熱転写又は圧力転写することにより、薄膜形成することもできる。
【０２７８】
以上のようにして、高分子化合物を用いて形成される正孔注入層３の膜厚の下限は通常５ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ程度であり、上限は通常１０００ｎｍ、好ましくは５００ｎｍ程度である。
【０２７９】
（層構成）
本発明の有機電界発光素子は、図１とは逆の構造、即ち、基板１上に陰極８、正孔阻止層６、発光層５、正孔輸送層４、陽極２の順に積層することも可能であり、既述したように少なくとも一方が透明性の高い２枚の基板の間に本発明の有機電界発光素子を設けることも可能である。同様に、図２、図３または図４に示した前記各層構成とは逆の順に積層することも可能である。また、図１〜４のいずれの層構成においても、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、上述以外の任意の層を有していてもよく、また上記複数の層の機能を併有する層を設けることにより、層構成を簡略化する等、適宜変形を加えることが可能である。
【０２８０】
或いはまた、トップエミッション構造や陰極・陽極共に透明電極を用いて透過型とすること、更には、図１に示す層構成を複数段重ねた構造（発光ユニットを複数積層させた構造）とすることも可能である。その際には段間（発光ユニット間）の界面層（陽極がＩＴＯ、陰極がＡｌの場合はその２層）の代わりに、例えばＶ２Ｏ５等を電荷発生層（ＣＧＬ）として用いると段間の障壁が少なくなり、発光効率・駆動電圧の観点からより好ましい。
【０２８１】
本発明は、有機電界発光素子が、単一の素子、アレイ状に配置された構造からなる素子、陽極と陰極がＸ−Ｙマトリックス状に配置された構造のいずれにおいても適用することができる。
【実施例】
【０２８２】
次に、本発明を実施例によって更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。
【０２８３】
［有機化合物の合成例］
以下に本発明の有機化合物の合成例を示す。  
なお、以下の合成例において、ガラス転移温度はＤＳＣ測定により、気化温度はＴＧ−ＤＴＡ測定により、融点はＤＳＣ測定またはＴＧ−ＤＴＡ測定によりそれぞれ求めた。
【０２８４】
（合成例１）目的物１〜２
【化８８】
2006188493.tif 000084
【０２８５】
３−フルオロベンズアルデヒド（6.74g）、３−フルオロアセトフェノン（15g）、酢酸アンモニウム（53.56g）、および酢酸（136ｍｌ）を加熱環流下10時間攪拌し、室温まで放冷した。その後、系内に析出した結晶を濾過し、エタノールで２回懸洗し、減圧乾燥することにより、目的物１の4.15g（収率22%）を白色結晶として得た。
【０２８６】
【化８９】
2006188493.tif 000085
【０２８７】
水素化ナトリウム（55%）（1.45g）、ジメチルホルムルデヒド100mlの混合溶液を窒素下十分に攪拌しているところに、カルバゾール（5.55g）を少量ずつ添加した。その後80℃まで昇温攪拌し系内が完溶したところで先に合成した目的物１（2.0g）を添加した。その後加熱環流下28時間攪拌し、室温まで放冷した。その後、水90ml、メタノール90mlに添加し、析出した結晶を濾別、メタノール加熱懸洗をした後、カラムクロマトグラフィー（塩化メチレン／ｎ−ヘキサン＝3/7）で精製した。さらにメタノールで懸洗後、減圧乾燥することにより目的物２の0.83g（収率53%）を白色結晶として得た。この結晶0.83gを昇華精製したところ白色固体0.58gが回収された。
【０２８８】
ＤＥＩ−ＭＳ（ｍ／ｚ＝802(M+)）から目的物２であることを確認した。  
このものの気化温度は542℃、融点は288℃、ガラス転移温度は146℃であった。
【０２８９】
（合成例２）目的物３〜４
【化９０】
2006188493.tif 000086
【０２９０】
空気中、ベンズアルデヒド（３．１８ｇ）、3’,5’−ジフルオロアセトフェノン（９．３７ｇ）、酢酸アンモニウム（２９．６ｇ）、および酢酸（７５ｍｌ）を１００℃で４．９時間撹拌した後、氷冷し、メタノール、水を加え、析出した沈殿を濾別、メタノールによる懸濁洗浄で精製後、減圧下で加熱乾燥し、目的物３（２．０３ｇ）を得た。
【０２９１】
窒素気流中、水素化ナトリウム（５５％，１．４０ｇ）の無水Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（１００ｍｌ）懸濁液にカルバゾール（５．３７ｇ）を添加し、８０℃で６０分撹拌した後、目的物３（２．０３ｇ）を添加し、加熱還流下で４．９時間撹拌した。これに氷冷下、水（５０ｍｌ）、メタノール（５０ｍｌ）を加えて、析出した沈殿を濾別し、メタノール洗浄した。得られた固形分を、クロロホルム（８００ｍｌ）で抽出して濃縮後、加熱環流条件下、エタノール−クロロホルム混合溶媒中での懸濁洗浄で精製後、減圧下で加熱乾燥し、目的物４（３．６９ｇ）を得た。
【０２９２】
ＤＥＩ−ＭＳ（ｍ／ｚ＝962(M+)）から目的物４であることを確認した。  
このものの気化温度は562℃、融点は395℃であり、ガラス転移温度は検出されなかった。
【０２９３】
（合成例３）目的物５〜６
【化９１】
2006188493.tif 000087
【０２９４】
空気中、３’−ブロモアセトフェノン（２５．０ｇ）、ベンズアルデヒド（６．６６ｇ）、酢酸アンモニウム（６２．０ｇ）、および酢酸（１５７ｍｌ）を、加熱還流下、９時間撹拌し、室温まで放冷した。析出した結晶を濾過により回収した後、エタノールで２回洗浄し、減圧乾燥することにより、目的物５の２，６−ビス（３−ブロモフェニル）−４−フェニルピリジン（６．７２ｇ、収率２３％）を白色結晶として得た。
【０２９５】
【化９２】
2006188493.tif 000088
窒素気流中、２，６−ビス（３−ブロモフェニル）−４−フェニルピリジン（１．４５ｇ）、カルバゾール（１．５６ｇ）、銅粉（０．４０ｇ）、炭酸カリウム（１．７２ｇ）、テトラグライム（５ｍｌ）を、加熱還流下、１１時間撹拌し、室温まで放冷した後、クロロホルム（２００ｍｌ）を加え攪拌し、不溶物を濾別した。濾液に含まれるクロロホルムを減圧留去した後、メタノールを加え、得られた析出物を濾過により回収し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ｎ−ヘキサン／塩化メチレン＝２／１）で精製した。さらに、塩化メチレン／メタノール混合液で洗浄し、減圧乾燥することにより、目的物６の２，６−ビス（Ｎ−カルバゾリルフェニル）−４−フェニルピリジン（０．９４ｇ、収率４７％）を白色結晶として得た。この白色結晶を昇華精製したところ、白色固体０．８３ｇが回収された。
【０２９６】
ＤＥＩ−ＭＳ（m/z=637(M+)）および１Ｈ−ＮＭＲより、目的物６の２，６−ビス（Ｎ−カルバゾリルフェニル）−４−フェニルピリジンであることを確認した。  
１Ｈ−ＮＭＲ（CDCl3,270MHz）データを以下に示す。  
8.40(s,2H),8.31(d,2H),8.16(d,4H),7.96(s,2H),7.75(dd,2H),7.73(d,2H),7.65(d,2H),7.54-7.46(m,7H),7.36(dd,4H),7.28(dd,4H)
このものの気化温度は489℃、融点は266℃、ガラス転移温度は114℃であった。
【０２９７】
（合成例７）目的物７〜８
【化９３】
2006188493.tif 000089
【０２９８】
３’−ブロモアセトフェノン（４０．３ｇ）、４−ブロモベンズアルデヒド（１５ｇ）、酢酸アンモニウム（７９．９ｇ）、および酢酸（１５０ｍｌ）を、加熱還流下、９時間撹拌し、室温まで放冷した。析出した結晶を濾取した後、エタノールで２回加熱洗浄し、減圧乾燥することにより、目的物７（９．３５ｇ、収率２１％）を白色結晶として得た。
【０２９９】
【化９４】
2006188493.tif 000090
【０３００】
窒素雰囲気下、６０℃に昇温した目的物７（４．５ｇ）、カルバゾール（5.0ｇ）、ｔ−ブトキシナトリウム（５．３ｇ）、およびトルエン（１５０ｍｌ）の混合物に、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）クロロホルム錯体（０．４６ｇ）、トリ（ｔ−ブチル）ホスフィン（０．９ｇ）、およびトルエン（１０ｍｌ）を窒素雰囲気下、６０℃で１０分間攪拌して調製した溶液を加えて、１００℃で８時間攪拌した。室温まで放冷した後、不溶物を濾別し、濾液を濃縮、メタノールを加え、析出した結晶を濾取した。その後、水／メタノール混合液で洗浄し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ｎ−ヘキサン／塩化メチレン＝７／３）で精製した。さらに、酢酸エチルで洗浄し、減圧乾燥することにより、目的物８（１．７０ｇ、収率２５％）を白色結晶として得た。この白色結晶１．７ｇを昇華精製したところ、白色固体１．２６ｇが回収された。
【０３０１】
ＤＥＩ−ＭＳ（m/z=802(M+)）から目的物８であることを確認した。  
このものの気化温度は553℃、ガラス転移温度は152℃であった。
【０３０２】
（合成例５）目的物９〜１０
【化９５】
2006188493.tif 000091
【０３０３】
空気中、９−フェナントレンカルボキシアルデヒド（４．２９ｇ）、3’−ブロモアセトフェノン（８．２８ｇ）、酢酸アンモニウム（２０．５ｇ）、および酢酸（５２ｍｌ）を１００℃で５時間撹拌した後、上澄みを除去してから、メタノールを加えて、残った粘性液体を洗い、洗液を除去後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーとメタノールによる懸濁洗浄で精製後、減圧下で加熱乾燥し、目的物９（３．００ｇ）を得た。
【０３０４】
窒素気流中、目的物９（２．２６ｇ）、カルバゾール（１．６１ｇ）、tert-ブチルフォスフィン（０．１９ｇ）、および無水トルエン（３６ｍｌ）の溶液に、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）クロロホルム錯体（０．４６ｇ）、トリ（ｔ−ブチル）ホスフィン（０．９ｇ）、および無水トルエン（４ｍｌ）を窒素雰囲気下、５０℃で３０分間攪拌して調製した溶液を加えて、加熱還流下、１．５時間攪拌した。得られた溶液にメタノール（１００ｍｌ）を加えて析出した沈殿を濾別し、これをジクロロメタン（３００ｍｌ）で抽出し、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製後、減圧下で加熱乾燥し、目的物１０（１．７０ｇ）を得た。
【０３０５】
ＤＥＩ−ＭＳ（m/z=737(M+)）から目的物１０であることを確認した。  
このものの気化温度は527℃、融点は271℃、ガラス転移温度は147℃であった。
【０３０６】
（合成例６）目的物１１〜１３
【化９６】
2006188493.tif 000092
【０３０７】
窒素気流中、カルバゾール（７．００ｇ）、３−ブロモヨードベンゼン（１４．２ｇ）、銅粉末（２．６６ｇ）、炭酸カリウム（５．７９ｇ）、テトラグライム（１０ｍｌ）を、１４０℃に加熱下、５時間撹拌し、室温まで放冷した。反応終了後、反応液にクロロホルムを加え、不溶物を濾別した。濾液に含まれるクロロホルムを減圧留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ｎ−ヘキサン／トルエンン＝４／１）で精製した。減圧乾燥することにより、目的物１１（１０．５ｇ、収率７８％）を無色粘調液体として得た。
【０３０８】
【化９７】
2006188493.tif 000093
【０３０９】
窒素気流中、目的物１１（１０．５ｇ）、ビス（ピナコラートジボロン）（９．９３ｇ）、酢酸カリウム（１０．９ｇ）、無水ジメチルスルホキシド（１９０ｍｌ）を、６０℃に加熱下、１５分間撹拌し、[１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン]ジクロロパラジウム（ＩＩ）ジクロロメタン錯体（０．７９９ｇ）を加え、８０℃に加熱下、９時間撹拌した。室温まで放冷した後、反応液に水（２５０ｍｌ）、トルエン（５００ｍｌ）を加え、攪拌した。水層をトルエンで２回再抽出した後、有機層を合わせ、硫酸マグネシウムおよび活性白土を加えた。硫酸マグネシウムおよび活性白土を濾別し、トルエンを減圧留去した。析出した結晶を冷メタノールで洗浄し、減圧乾燥することにより、目的物１２（９．８６ｇ、収率８０％）を白色結晶として得た。
【０３１０】
【化９８】
2006188493.tif 000094
【０３１１】
窒素気流中、目的物５（１．８６ｇ）、目的物１２（３．８４ｇ）、ジメトキシエタン（８０ｍｌ）、水（１２ｍｌ）の混合物に、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム（０．３７ｇ）、炭酸カリウム（３．３２ｇ）を順次投入し、加熱還流下、６時間撹拌した。得られた溶液に食塩水（１００ｍｌ）を加えてから、ジクロロメタン（２×１００ｍｌ）で抽出後、有機層に無水硫酸マグネシウム、活性白土を加えて、撹拌後、濾過、濃縮して得られた固形分を、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、目的物１３（２．１６ｇ）を得た。
【０３１２】
ＤＥＩ−ＭＳ（m/z=789(M+)）から目的物１３であることを確認した。
このものの気化温度は５４１℃、融点は検出されず、ガラス転移温度は１２５℃であった。
【０３１３】
（合成例７）目的物１４〜１６
【化９９】
2006188493.tif 000095
【０３１４】
窒素気流中、−６０〜−６５℃のエタノールバスで冷却しながら、目的物１１（９．０６ｇ）の無水テトラヒドロフラン（４００ｍｌ）溶液に、１．５４Ｍノルマルブチルリチウムのノルマルヘキサン溶液（２７．４ｍｌ）を７分間かけて滴下した後、４０分間撹拌した。これに、トリイソプロポキシボラン（１３．０ｍｌ）を加えて、室温下で２．２時間撹拌した後、１Ｎ塩酸水溶液（４５ｍｌ）を加え、更に３０分間撹拌した。得られた溶液から減圧下でテトラヒドロフランを留去してから、ジエチルエーテル（４００ｍｌ）、飽和食塩水（１００ｍｌ）を加え、振り混ぜた後、有機層を分取し、これを飽和食塩水で洗った。得られた有機層に無水硫酸マグネシウム、活性白土を加えて、撹拌後、濾過、濃縮した。得られた固形分を、水およびノルマルヘキサンで懸濁洗浄後、エタノール−ノルマルヘキサンからの再沈殿にて精製し、目的物１４（４．０３ｇ）を得た。
【０３１５】
窒素気流中、目的物１５（１．８６ｇ）、目的物１４（４．０ｇ）、ジメトキシエタン（８０ｍｌ）、水（１２ｍｌ）の混合物に、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム（０．３７ｇ）、炭酸カリウム（３．３２ｇ）を順次投入し、加熱還流下、４．５時間撹拌した。得られた溶液にメタノール（７０ｍｌ）、水（５０ｍｌ）を加えてから、濾過し、得られた固形分を、ジクロロメタン（２００ｍｌ）で抽出後、抽出液に活性白土を加えて撹拌後、濾過、濃縮して得られた固形分を、テトラヒドロフラン−エタノール−メタノールからの再沈殿で精製し、目的物１６（２．７６ｇ）を得た。
【０３１６】
ＤＥＩ−ＭＳ（m/z=789(M+)）から目的物１６であることを確認した。
このものの気化温度は５５６℃、融点は２２１℃、結晶化温度は２８８℃、ガラス転移温度は１４１℃であった。
【０３１７】
（合成例８）目的物１７〜１８
【化１００】
2006188493.tif 000096
【０３１８】
３’−ブロモアセトフェノン（２５ｇ）、４−フェニルベンズアルデヒド（１3ｇ）、酢酸アンモニウム（64.4ｇ）、酢酸（165ｍｌ）を、加熱還流下、９時間撹拌し、室温まで放冷した。析出した結晶を濾取した後、エタノールで２回加熱洗浄し、減圧乾燥することにより、目的物１７（7.483ｇ、収率21.2％）を白色結晶として得た。
【０３１９】
【化１０１】
2006188493.tif 000097
【０３２０】
窒素雰囲気下、６０℃に昇温した目的物１７（5.0ｇ）、カルバゾール（3.7ｇ）、ｔ−ブトキシナトリウム（3.92ｇ）、トルエン（150ｍｌ）の混合物に、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）クロロホルム錯体（0.296ｇ）、トリ（ｔ−ブチル）ホスフィン（0.53ｇ）、トルエン（10ｍｌ）を窒素雰囲気下、６０℃で１０分間攪拌して調製した溶液を加えて、１１０℃で４時間攪拌した。室温まで放冷した後、不溶物を濾別し、濾液を濃縮、メタノールを加え、析出した結晶を濾取した。その後、水／メタノール混合液で洗浄し、酢酸エチルで加熱懸洗した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ｎ−ヘキサン／塩化メチレン＝２／１）で精製した。さらに、酢酸エチルで洗浄し、減圧乾燥することにより、目的物１８（4.345ｇ、収率65.8％）を白色結晶として得た。この白色結晶1.9ｇを昇華精製したところ、白色固体1.5ｇが回収された。
【０３２１】
ＤＥＩ−ＭＳ（m/z＝713(M+)）から目的物１８であることを確認した。  
このもののガラス転移温度は126℃、気化温度は526℃であった。
【０３２２】
（合成例９）目的物１９〜２０
【化１０２】
2006188493.tif 000098
【０３２３】
窒素気流中、氷浴下、クロロスルホン酸（１４．３ｍｌ）に３−ブロモベンゾニトリル（７．８１ｇ）を加え、均一溶液になるまで撹拌した後、室温下で５．７時間撹拌した。得られた溶液を、氷水（２２０ｍｌ）中にゆっくりと投入し、よく撹拌した後、沈殿を濾取、メタノールで洗浄した。これを、１１０℃でＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（１５０ｍｌ）に溶解させた溶液に、エタノール（３０ｍｌ）を加え、析出した沈殿を濾取、乾燥し、目的物１９の白色固体（４．２６ｇ）を得た。
【０３２４】
窒素気流中、目的物１９（１．５０ｇ）、カルバゾール（１．６５ｇ）、ｔ−ブトキシナトリウム（１．７４ｇ）、および無水トルエン（８２ｍｌ）の混合溶液に、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）クロロホルム錯体（０．１５４ｇ）、トリ（ｔ−ブチル）ホスフィン（０．２４ｍｌ）、およびトルエン（７ｍｌ）を窒素雰囲気下、５０℃で３０分間攪拌して調製した溶液を加え、加熱環流下で６．３時間撹拌した。得られた溶液にメタノール（１１０ｍｌ）を加えて析出した沈殿を濾取し、クロロホルムで抽出、溶媒を留去して得られた固形分を、クロロホルム−メタノール混合溶媒で洗浄し、更に、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドからの再結晶後、昇華精製（真空度１×１０−３Ｐａ、最高加熱温度４２０℃）で精製し、目的物２０の淡黄色固体（１．２１ｇ）を得た。
【０３２５】
ＤＥＩ−ＭＳ（m/z=804(M+)）から目的物２０であることを確認した。
このもののガラス転移温度は１５９℃、結晶化温度は２３９℃、融点は３２３℃、気化温度は５５１℃であった。
【０３２６】
（合成例１０）目的物２１〜２３
【化１０３】
2006188493.tif 000099
【０３２７】
窒素気流中、カルバゾール（６．８２ｇ）、４−ブロモヨードベンゼン（１５．０ｇ）、銅粉末（２．６１ｇ）、炭酸カリウム（１１．３ｇ）、およびテトラグライム（３０ｍｌ）を、１４５℃に加熱下、５時間撹拌し、室温まで放冷した。反応混合物にクロロホルムを加え、不溶物を濾別した。濾液に含まれるクロロホルムを減圧留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ｎ−ヘキサン／トルエン＝４／１）で精製した。減圧乾燥することにより、目的物２１（９．０８ｇ、収率６９％）を白色結晶として得た。
【０３２８】
【化１０４】
2006188493.tif 000100
【０３２９】
窒素気流中、目的物２１（４．５０ｇ）、ビス（ピナコラートジボロン）（４．６１ｇ）、酢酸カリウム（４．６１ｇ）、ジメチルスルホキシド（７５ｍｌ）を、６０℃に加熱下、１５分間撹拌し、[１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン]ジクロロパラジウム（ＩＩ）ジクロロメタン錯体（０．３４３ｇ）を加え、８０℃に加熱下、６時間撹拌した。室温まで放冷した後、反応液に水（２５０ｍｌ）、およびトルエン（５００ｍｌ）を加え、攪拌した。水層をトルエンで２回再抽出した後、有機層を合わせ、硫酸マグネシウムおよび活性白土を加えた。硫酸マグネシウムおよび活性白土を濾別し、トルエンを減圧留去した。析出した結晶を冷メタノールで洗浄し、減圧乾燥することにより、目的物２２（４．４６ｇ、収率８６％）を白色結晶として得た。
【０３３０】
【化１０５】
2006188493.tif 000101
【０３３１】
窒素気流中、２，６−ビス（３−ブロモフェニル）−４−フェニルピリジン（１．４７ｇ）目的物２２（２．８０ｇ）、炭酸カリウム（２．６２ｇ）、ジメトキシエタン（１５ｍｌ）、および水（５ｍｌ）の混合物に、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム（０．１８３ｇ）を投入し、加熱還流下、８時間撹拌した。室温まで放冷した後、反応液にメタノールを加え、得られた析出物を濾過により回収し、水／メタノール混合液で洗浄した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ｎ−ヘキサン／塩化メチレン＝３／２）で精製した後、酢酸エチルおよび塩化メチレン／エタノール混合液で洗浄し、減圧乾燥することにより、目的物２３（１．７６ｇ、収率７１％）を白色結晶として得た。この白色結晶を昇華精製したところ、白色固体１．５０ｇが回収された。
【０３３２】
ＤＥＩ−ＭＳ（m/z=790(M+)）により、目的物２３であることを確認した。
このものの気化温度は５５８℃、融点は２９５℃、ガラス転移温度は１４３℃であった。
【０３３３】
（合成例１１）目的物２４
【化１０６】
2006188493.tif 000102
【０３３４】
定法に従って、３，６−ジブロモカルバゾールとフェニルボロン酸を反応させることにより、３，６−ジフェニルカルバゾールを合成した。
窒素雰囲気下、６０℃に昇温した２，６−ビス（３−ブロモフェニル）−４−フェニルピリジン（１．３０ｇ）、３，６−ジフェニルカルバゾール（２．６８ｇ）、ｔ−ブトキシナトリウム（１．１８ｇ）、およびトルエン（２５ｍｌ）の混合物に、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）クロロホルム錯体（０．１０４ｇ）、トリ（ｔ−ブチル）ホスフィン（０．１６２ｇ）、およびトルエン（５ｍｌ）を窒素雰囲気下、６０℃で１０分間攪拌して調製した溶液を加えて、１１０℃で８時間攪拌した。室温まで放冷した後、濃縮し、メタノールを加え、得られた析出物を濾過により回収し、水／メタノール混合液で洗浄した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ｎ−ヘキサン／トルエン＝１／１）で精製した後、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド／エタノール混合液および塩化メチレン／メタノール混合液で洗浄し、減圧乾燥することにより、目的物２４（１．８１ｇ、収率６９％）を白色結晶として得た。この白色結晶を昇華精製したところ、白色固体１．３５ｇが回収された。
【０３３５】
ＤＥＩ−ＭＳ（m/z=942(M+)）により、目的物２４であることを確認した。
このものの気化温度は５７０℃、融点は観測されず、ガラス転移温度は１７２℃であった。
【０３３６】
［有機電界発光素子の作製例］
以下に、本発明の有機電界発光素子の作製例を示す。
なお、以下において、作製した有機電界発光素子の一部については、下記の駆動寿命試験を行った。
【０３３７】
〈駆動寿命試験１〉
作製した素子について、下記条件の下、駆動寿命試験１を行った。  
温度：室温
駆動方式：直流駆動（DC駆動）
初期輝度：2,500cd/m2
定電流で連続発光させ、輝度が２割減少（L/L0=0.8）するまでの時間を比較した。それぞれ後述の参考例２で作製した標準素子２の時間を１．００とした場合の相対時間を求めた。
【０３３８】
〈駆動寿命試験２〉
作製した素子について、下記条件の下、駆動寿命試験２を行った。  
温度：室温
駆動方式：直流駆動（DC駆動）
初期輝度：2,500cd/m2
定電流で連続発光させ、輝度が３割減少（L/L0=0.7）するまでの時間を比較した。それぞれ後述の参考例１で作製した標準素子１の時間を１．００とした場合の相対時間で求めた。
【０３３９】
〈駆動寿命試験３〉
作製した素子について、下記条件の下、駆動寿命試験３を行った。  
温度：室温
駆動方式：直流駆動（DC駆動）
初期輝度：2,500cd/m2
定電流で連続発光させ、輝度が５割減少（L/L0=0.5）するまでの時間を比較した。それぞれ後述の参考例１で作製した標準素子１の時間を１．００とした場合の相対時間で求めた。
【０３４０】
（参考例１）
標準素子１の作製
図３に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法で作製した。  
ガラス基板１の上にインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜を150nm堆積したもの（スパッター成膜品；シート抵抗15Ω）を通常のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングを用いて2mm幅のストライプにパターニングして陽極２を形成した。パターン形成したＩＴＯ基板を、アセトンによる超音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。
【０３４１】
正孔注入層３の材料として、下記に示す構造式の芳香族アミノ基を有する非共役系高分子化合物（ＰＢ−１（重量平均分子量：29400，数平均分子量：12600））を下記に示す構造式の電子受容性化合物（Ａ−２）と共に以下の条件でスピンコートした。
【０３４２】
【化１０７】
2006188493.tif 000103
【０３４３】
【化１０８】
2006188493.tif 000104
【０３４４】
スピンコート条件
溶媒    安息香酸エチル
塗布液濃度    2[wt%]
ＰＢ−１：Ａ−２    １０：２（重量比）
スピナ回転数    1500[rpm]
スピナ回転時間    30[秒]
乾燥条件    230[℃]×15[分]
【０３４５】
上記のスピンコートにより膜厚30nmの均一な薄膜が形成された。
【０３４６】
次に、正孔注入層３を成膜した基板を真空蒸着装置内に設置した。上記装置の粗排気を油回転ポンプにより行った後、装置内の真空度が6.2×10-5Pa（約4.7×10-7Torr）以下になるまでクライオポンプを用いて排気した。上記装置内に配置されたセラミックるつぼに入れた、下記に示すアリールアミン化合物（Ｈ−１）をるつぼの周囲のタンタル線ヒーターで加熱して蒸着を行った。この時のるつぼの温度は、318〜334℃の範囲で制御した。蒸着時の真空度7.0×10-5Pa（約5.3×10-7Torr）、蒸着速度は0.21nm/秒で膜厚40nmの正孔輸送層４を得た。
【化１０９】
2006188493.tif 000105
【０３４７】
引続き、発光層５の主成分（ホスト材料）として下記に示すカルバゾール誘導体（ＣＢＰ）を、副成分（ドーパント）として有機イリジウム錯体（Ｄ−１）を別々のセラミックるつぼに設置し、２元同時蒸着法により成膜を行った。
【化１１０】
2006188493.tif 000106
【０３４８】
化合物（ＣＢＰ）のるつぼ温度は295〜299℃、蒸着速度は0.11nm／秒に、化合物（Ｄ−１）のるつぼ温度は252〜255℃にそれぞれ制御し、膜厚30nmで化合物（Ｄ−１）が約６重量％含有された発光層５を正孔輸送層４の上に積層した。蒸着時の真空度は6.7×10-5Pa（約5.0×10-7Torr）であった。
【０３４９】
さらに、正孔阻止層６として下記に示すピリジン誘導体（ＨＢ−１）をるつぼ温度を211〜215℃として、蒸着速度0.09nm/秒で5nmの膜厚で積層した。蒸着時の真空度は6.2×10-5Pa（約4.7×10-7Torr）であった。
【０３５０】
【化１１１】
2006188493.tif 000107
【０３５１】
次に、正孔阻止層６の上に、電子輸送層７として下記に示すアルミニウムの８−ヒドロキシキノリン錯体（ＥＴ−１）を同様にして蒸着した。この時のアルミニウムの８−ヒドロキシキノリン錯体のるつぼ温度は234〜245℃の範囲で制御し、蒸着時の真空度は6.0×10-5Pa（約4.5×10-7Torr）、蒸着速度は0.22nm/秒で膜厚は30nmとした。
【０３５２】
【化１１２】
2006188493.tif 000108
【０３５３】
上記の正孔注入層３、正孔輸送層４、発光層５、正孔阻止層６および電子輸送層７を真空蒸着する時の基板温度は室温に保持した。
【０３５４】
ここで、電子輸送層６までの蒸着を行った素子を一度前記真空蒸着装置内より大気中に取り出して、陰極蒸着用のマスクとして2mm幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極２のＩＴＯストライプとは直交するように素子に密着させて、別の真空蒸着装置内に設置して有機層と同様にして装置内の真空度が2.0×10-6Torr（約2.7×10-4Pa）以下になるまで排気した。陰極８として、先ず、フッ化リチウム（LiF）をモリブデンボートを用いて、蒸着速度0.03nm／秒、真空度2.8×10-6Torr（約3.7×10-4Pa）で、0.5nmの膜厚で電子輸送層７の上に成膜した。次に、アルミニウムを同様にモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度0.46nm/秒、真空度9.6×10-6Torr（約1.3×10-3Pa）で膜厚80nmのアルミニウム層を形成して陰極８を完成させた。以上の２層型陰極８の蒸着時の基板温度は室温に保持した。
【０３５５】
以上の様にして、2mm×2mmのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。この素子の発光特性は以下の通りである。  
輝度／電流密度：24.7[cd/A]@2.5mA/cm2
電圧：6.0[V]@2.5mA/cm2
発光効率：20.7[1m/w]@100cd/m2
輝度保持率：0.97@250mA/cm2
【０３５６】
ここで、輝度保持率は250mA/cm2で駆動したときの駆動開始から50秒後の輝度（Ｌ）を駆動開始時の輝度（Ｌ0）で割った値であり、駆動安定性の指標である。  
素子の発光スペクトルの極大波長は512nmであり、有機イリジウム錯体（Ｄ−１）からのものと同定された。色度はCIE(x,y)=(0.30,0.59)であった。
【０３５７】
（参考例２）
標準素子２の作製
正孔阻止層のピリジン誘導体（ＨＢ−１）を積層しなかった他は標準素子１と同様にして、図４に示す構造を有する素子を作製した。この素子の発光特性を表１に示す。なお、表１に於ける発光特性値は、それぞれ標準素子１の値を1.00として相対的に示した値である。
【０３５８】
素子の発光スペクトルの極大波長は512nm、色度はCIE(x,y)=(0.29,0.60)であり、有機イリジウム錯体（Ｄ−１）からのものと同定された。正孔阻止層なしでも有機イリジウム錯体からの発光が得られたが、標準素子１と比較して、発光効率が低く駆動電圧も高かった。
【０３５９】
（実施例１）
発光層５の主成分（ホスト材料）としてカルバゾール誘導体（ＣＢＰ）の代わりに合成例３で合成された目的物６（ＥＭ−１）を用いた他は参考例１の標準素子１と同様にして素子を作製した。
【０３６０】
この素子の発光特性および寿命特性を表１に示す。  
素子の発光スペクトルの極大波長は513nm、色度はCIE(x,y)=(0.30,0.60)であり、有機イリジウム錯体（Ｄ−１）からのものと同定された。  
この素子は、発光効率が高く、駆動電圧も低く、また駆動寿命も長かった。
【０３６１】
【化１１３】
2006188493.tif 000109
【０３６２】
（実施例２）
発光層５の主成分（ホスト材料）としてカルバゾール誘導体（ＣＢＰ）の代わりに合成例３で合成された目的物６（ＥＭ−１）を用いた他は参考例２の標準素子２と同様にして素子を作製した。
【０３６３】
この素子の発光特性および寿命特性を表１に示す。  
素子の発光スペクトルの極大波長は513nm、色度はCIE(x,y)=(0.30,0.60)であり、有機イリジウム錯体（Ｄ−１）からのものと同定された。  
この素子は発光効率が高く、駆動電圧も低く、また駆動寿命も長かった。
【０３６４】
また、標準素子１および２の特性と実施例１および２の素子の特性とを比較すると、本発明の有機化合物を用いた実施例１，２の素子は、正孔阻止層の有無に拘わらず、発光効率が高く、駆動電圧も低く安定した素子と言える。
【０３６５】
（実施例３）
発光層５の主成分（ホスト材料）として目的物６（ＥＭ−１）の代わりに合成例１で合成された目的物２（ＥＭ−２）を用いた他は実施例２と同様にして素子を作製した。
【０３６６】
この素子の発光特性および寿命特性を表１に示す。  
素子の発光スペクトルの極大波長は514nm、色度はCIE(x,y)=(0.30,0.60)であり、有機イリジウム錯体（Ｄ−１）からのものと同定された。  
この素子は発光効率が高く、駆動電圧も低く、安定した素子と言える。
【０３６７】
【化１１４】
2006188493.tif 000110
（実施例４）
発光層５の主成分（ホスト材料）として目的物６（ＥＭ−１）の代わりに合成例２で合成された目的物４（ＥＭ−３）を用いた他は実施例１と同様にして素子を作製した。
【０３６８】
この素子の発光特性を表１に示す。  
素子の発光スペクトルの極大波長は514nm、色度はCIE(x,y)=(0.31,0.60)であり、有機イリジウム錯体（Ｄ−１）からのものと同定された。  
この素子は、発光効率が高く、駆動電圧も低かった。
【０３６９】
【化１１５】
2006188493.tif 000111
【０３７０】
（実施例５）
発光層５の主成分（ホスト材料）として目的物６（ＥＭ−１）の代わりに合成例２で合成された目的物４（ＥＭ−３）を用いた他は実施例２と同様にして素子を作製した。
この素子の発光特性を表１に示す。  
素子の発光スペクトルの極大波長は514nm、色度はCIE(x,y)=(0.31,0.60)であり、有機イリジウム錯体（Ｄ−１）からのものと同定された。  
この素子は、発光効率が高く、駆動電圧も低かった。
【０３７１】
また、標準素子１および２の特性と実施例４および５の素子の特性とを比較すると、本発明の有機化合物を用いた実施例４，５の素子は、正孔阻止層の有無に拘わらず、発光効率が高く、駆動電圧も低く安定した素子と言える。
【０３７２】
（実施例６）
発光層５の主成分（ホスト材料）として目的物６（ＥＭ−１）の代わりに合成例８で合成された目的物１８（ＥＭ−４）を用いた他は実施例１と同様にして素子を作製した。  
この素子の発光特性を表１に示す。  
素子の発光スペクトルの極大波長は513nm、色度はCIE(x,y)=(0.30,0.59)であり、有機イリジウム錯体（Ｄ−１）からのものと同定された。  
この素子は、発光効率が若干低かったが、駆動寿命は長かった。
【０３７３】
【化１１６】
2006188493.tif 000112
【０３７４】
（実施例７）
発光層５の主成分（ホスト材料）として目的物６（ＥＭ−１）の代わりに合成例８で合成された目的物１８（ＥＭ−４）を用いた他は実施例２と同様にして素子を作製した。  
この素子の発光特性および寿命特性を表１に示す。  
素子の発光スペクトルの極大波長は513nm、色度はCIE(x,y)=(0.30,0.58)であり、有機イリジウム錯体（Ｄ−１）からのものと同定された。  
この素子は、発光効率が若干低かったが、駆動寿命は長かった。
【０３７５】
（比較例１）
発光層５の主成分（ホスト材料）として目的物（ＥＭ−１）の代わりに下記に示す（ＥＭ−１１）を用いた他は実施例１と同様にして素子を作製した。
【０３７６】
この素子の発光特性および寿命特性を表１に示す。  
素子の発光スペクトルの極大波長は514nm、色度はCIE(x,y)=(0.31,0.61)であり、有機イリジウム錯体（Ｄ−１）からのものと同定された。  
この素子は、標準素子１および実施例１の素子と比較して発光効率が低かった。また、実施例１の素子と比較して、駆動寿命が短かった。
【０３７７】
【化１１７】
2006188493.tif 000113
【０３７８】
（比較例２）
発光層５の主成分（ホスト材料）として目的物（ＥＭ−１）の代わりに上記（ＥＭ−１１）を用いた他は実施例２と同様にして素子を作製した。
【０３７９】
この素子の発光特性および寿命特性を表１に示す。  
素子の発光スペクトルの極大波長は514nm、色度はCIE(x,y)=(0.31,0.61)であり、有機イリジウム錯体（Ｄ−１）からのものと同定された。  
この素子は、実施例２の素子と比較して発光効率が低く、また、駆動寿命が短かった。
【０３８０】
（比較例３）
発光層５の主成分（ホスト材料）として目的物（ＥＭ−１）の代わりに下記に示す（ＥＭ−１２）を用いた他は実施例１と同様にして素子を作製した。
【０３８１】
この素子の発光特性を表１に示す。  
素子の発光スペクトルの極大波長は514nm、色度はCIE(x,y)=(0.30,0.60)であり、有機イリジウム錯体（Ｄ−１）からのものと同定された。  
この素子は、実施例３の素子と同様に、標準素子１と比較して発光効率が高く、駆動電圧も低かったが、輝度保持率が悪く、実施例３の素子とは異なり駆動安定性に欠けることが判った。
【０３８２】
【化１１８】
2006188493.tif 000114
【０３８３】
（比較例４）
発光層５の主成分（ホスト材料）として目的物（ＥＭ−１）の代わりに上記（ＥＭ−１２）を用いた他は実施例２と同様にして素子を作製した。
【０３８４】
この素子の発光特性を表１に示す。  
素子の発光スペクトルの極大波長は514nm、色度はCIE(x,y)=(0.30,0.60)であり、有機イリジウム錯体（Ｄ−１）からのものと同定された。  
この素子は、実施例３の素子と同様に、標準素子１と比較して発光効率が高く、駆動電圧も低かったが、輝度保持率が悪く、実施例３の素子とは異なり駆動安定性に欠けることが判った。
【０３８５】
（実施例８）
発光層５の主成分（ホスト材料）として目的物６（ＥＭ−１）の代わりに合成例１０で合成された目的物２３（ＥＭ−５）を用いた他は実施例１と同様にして素子を作製した。
【０３８６】
この素子の発光特性を表１に示す。  
素子の発光スペクトルの極大波長は513nm、色度はCIE(x,y)=(0.30,0.60)であり、有機イリジウム錯体（Ｄ−１）からのものと同定された。  
この素子は、発光効率も高く、駆動電圧も低く、駆動寿命も長かった。
【０３８７】
【化１１９】
2006188493.tif 000115
【０３８８】
（実施例９）
発光層５の主成分（ホスト材料）として目的物６（ＥＭ−１）の代わりに合成例１０で合成された目的物２３（ＥＭ−５）を用いた他は実施例２と同様にして素子を作製した。
【０３８９】
この素子の発光特性を表１に示す。  
素子の発光スペクトルの極大波長は513nm、色度はCIE(x,y)=(0.29,0.59)であり、有機イリジウム錯体（Ｄ−１）からのものと同定された。  
この素子は、発光効率が高く、駆動電圧も低かった。
【０３９０】
また、標準素子１および２の特性と実施例８および９の素子の特性とを比較すると、本発明の有機化合物を用いた実施例８，９の素子は、正孔阻止層の有無に拘わらず、発光効率が高く、駆動電圧も低く安定した素子と言える。
【０３９１】
（実施例１０）
発光層５の主成分（ホスト材料）として目的物６（ＥＭ−１）の代わりに合成例６で合成された目的物１３（ＥＭ−６）を用いた他は実施例１と同様にして素子を作製した。
【０３９２】
この素子の発光特性を表１に示す。  
素子の発光スペクトルの極大波長は514nm、色度はCIE(x,y)=(0.30,0.60)であり、有機イリジウム錯体（Ｄ−１）からのものと同定された。
【０３９３】
【化１２０】
2006188493.tif 000116
【０３９４】
（実施例１１）
発光層５の主成分（ホスト材料）として目的物６（ＥＭ−１）の代わりに合成例６で合成された目的物１３（ＥＭ−６）を用いた他は実施例２と同様にして素子を作製した。
【０３９５】
この素子の発光特性を表１に示す。  
素子の発光スペクトルの極大波長は513nm、色度はCIE(x,y)=(0.30,0.60)であり、有機イリジウム錯体（Ｄ−１）からのものと同定された。
【０３９６】
また、標準素子１および２の特性と比較すると、本発明の有機化合物を用いた実施例１０，１１の素子は、正孔阻止層の有無に拘わらず、駆動寿命が長く、安定した素子と言える。
【０３９７】
【表１】
2006188493.tif 000117
【０３９８】
（実施例１２）
発光層５の主成分（ホスト材料）として目的物６（ＥＭ−１）の代わりに合成例１１で合成された目的物２４（ＥＭ−７）を用いた他は実施例２と同様にして素子を作製した。
素子の発光スペクトルの極大波長は513nm、色度はCIE(x,y)=(0.30,0.59)であり、有機イリジウム錯体（Ｄ−１）からのものと同定された。
【０３９９】
【化１２１】
2006188493.tif 000118
【０４００】
（実施例１３）
発光層５の主成分（ホスト材料）として目的物６（ＥＭ−１）の代わりに合成例９で合成された目的物２０（ＥＭ−８）を用いた他は実施例２と同様にして素子を作製した。
素子の発光スペクトルの極大波長は518nm、色度はCIE(x,y)=(0.35,0.59)であり、有機イリジウム錯体（Ｄ−１）からのものと同定された。
【０４０１】
【化１２２】
2006188493.tif 000119
【０４０２】
（実施例１４）
発光層５の主成分（ホスト材料）として目的物６（ＥＭ−１）の代わりに合成例５で合成された目的物１０（ＥＭ−９）を用いた他は実施例２と同様にして素子を作製した。
素子の発光スペクトルの極大波長は518nm、色度はCIE(x,y)=(0.35,0.59)であり、有機イリジウム錯体（Ｄ−１）からのものと同定された。
【０４０３】
【化１２３】
2006188493.tif 000120
【０４０４】
（実施例１５）
発光層５の主成分（ホスト材料）として目的物６（ＥＭ−１）の代わりに合成例７で合成された目的物１６（ＥＭ−１０）を用いた他は実施例２と同様にして素子を作製した。
素子の発光スペクトルの極大波長は513nm、色度はCIE(x,y)=(0.30,0.60)であり、有機イリジウム錯体（Ｄ−１）からのものと同定された。
【０４０５】
【化１２４】
2006188493.tif 000121
【図面の簡単な説明】
【０４０６】
【図１】本発明の有機電界発光素子の一例を示した模式的断面図である。
【図２】本発明の有機電界発光素子の別の例を示した模式的断面図である。
【図３】本発明の有機電界発光素子の別の例を示した模式的断面図である。
【図４】本発明の有機電界発光素子の別の例を示した模式的断面図である。
【符号の説明】
【０４０７】
１  基板
２  陽極
３  正孔注入層（陽極バッファ層）
４  正孔輸送層
５  発光層
６  正孔阻止層
７  電子輸送層
８  陰極
【図１】
2006188493.tif 000128
【図２】
2006188493.tif 000129
【図３】
2006188493.tif 000130
【図４】
2006188493.tif 000131