(57)【要約】【課題】  液晶配向乱れ等に起因するコントラスト低下を防止する。【解決手段】  アクティブマトリクス基板２２と、アクティブマトリクス基板２２に対向するように配置される対向基板２３と、アクティブマトリクス基板２２と対向基板２３との間に設けられる液晶層２４とを備え、アクティブマトリクス基板２２の液晶層２４側における主面および／または対向基板２３の液晶層２４側における主面は不連続に変化する部分（境界部３８ａ〜３８ｄ、端部３９ａ〜３９ｄ、端部４０ａ〜４０ｄ、側壁４４ａ、４４ｂ）を有し、アクティブマトリクス基板２２あるいは対向基板２３側から液晶層２４に入射する光が、前記段差部を通過してアクティブマトリクス基板２２側へ透過することを防止する遮光部（ゲート配線２６、ソース配線３３、補助容量配線２８）を備えている。【選択図】  図３
2006047600.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、
前記第１の基板に対向するように配置される第２の基板と、
前記第１の基板と前記第２の基板との間に設けられる液晶層とを備え、
前記第１の基板の前記液晶層側における主面および／または前記第２の基板の当該液晶層側における主面は、主面形状が不連続に変化する部分を含み、
前記第２の基板側から前記液晶層に入射する光が、前記主面形状が不連続に変化する部分を通過して前記第１の基板側へ透過することを防止する遮光手段をさらに備える、液晶表示装置。
【請求項２】
前記第２の基板の主面において２次元状に並んだ状態で規定され、当該第１の基板側から前記液晶層に入射する光を当該第１の基板側に反射して映像を表示する複数の反射領域と、
前記第２の基板の主面において２次元状に並んだ状態で規定され、前記第２の基板側から前記液晶層に入射する光を当該第１の基板側へ透過して映像を表示する複数の透過領域とをさらに備える、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記主面形状が不連続に変化する部分は、前記反射領域における前記液晶層の層厚が前記透過領域における当該液晶層の層厚よりも小さくなるように、前記第１の基板の当該液晶層側における主面および／または前記第２の基板の前記液晶層側における主面に形成された段差であることを特徴とする、請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第２の基板には、遮光性材料により配線が形成されており、
前記遮光手段は、前記第２の基板に形成された前記配線のうち、前記段差近傍に形成された配線であることを特徴とする、請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
複数の前記透過領域と複数の前記反射領域とは、互いに隣接するもの同士で複数の絵素領域を構成しており、
各前記絵素領域に対応するように設けられる複数のスイッチング素子をさらに備え、  前記配線は、各前記スイッチング素子と電気的に接続されていることを特徴とする、請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記透過領域と前記反射領域とは、互いに隣接するもの同士で一つの絵素領域を構成しており、
前記遮光手段は、前記段差近傍であって、前記第１の基板または前記第２の基板に遮光性材料によって形成された遮光マスクであることを特徴とする、請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第２の基板は、前記液晶層側における主面上に、前記透過領域において平坦形状を有し、かつ前記反射領域において凹凸形状を有する層間絶縁膜を含み、
前記主面形状が不連続に変化する部分は、前記層間絶縁膜の平坦形状と前記層間絶縁膜の凹凸形状との境界であることを特徴とする、請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第２の基板の液晶側における主面上に形成される反射膜をさらに備え、
前記主面形状が不連続に変化する部分は、前記第２の基板の液晶側の主面上における前記反射膜の端部であることを特徴とする、請求項２に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話機やＰＤＡ端末などのように液晶表示装置を備えた携帯用情報機器が急速に発達している。これに伴い、これら携帯用情報機器に用いられる液晶表示装置には、屋外・屋内等の環境によらない高表示品位と低消費電力とが要求されている。これらの要求を満たす液晶表示装置として、反射透過両用型液晶表示装置が注目されている。当該反射透過両用型液晶表示装置は、一つの絵素内に反射領域と透過領域との二つの領域を備えているものである。なお、反射領域は、外部から入射してくる光を装置内で反射して映像を表示する領域である。一方、透過領域は、装置内のバックライトにおいて発生した光を、液晶層を透過させて映像を表示する領域である。以下に、従来の反射透過両用型液晶表示装置について図面を参照しながら詳しく説明する。ここで、図２２は従来の反射透過両用型液晶表示装置の１絵素分の断面構造を示した図である。
【０００３】
図２２に示す従来の反射透過両用型液晶表示装置は、アクティブマトリクス基板１００２、対向基板１００３および液晶層１００４を備える。対向基板１００３は、アクティブマトリクス基板１００２に対向するように配置される。また、液晶層１００４は、対向基板１００３とアクティブマトリクス基板１００２との間に設けられる。
【０００４】
アクティブマトリクス基板１００２は、ガラス基板１００５、ゲー卜電極１００６、ゲート絶縁膜１００７、半導体層１００８、半導体コンタクト層１００９ａおよび１００９ｂ、ソース電極１０１０、ドレイン電極１０１１、層間絶縁膜１０１２、透明電極１０１３、反射電極１０１４ならびにコンタクト部１０１５を含む。以下、アクティブマトリクス基板１００２の主な構成要素について説明する。
【０００５】
透明電極１０１３は、ガラス基板１００５側から入射してくる光を液晶層１００４側へと透過して映像を表示する透過領域Ｔ（図２２中のＴ領域）に配置される。反射電極１０１４は、対向基板１００３側から入射してくる光を反射して映像を表示する反射領域Ｒ（図２２中のＲ領域）に配置される。ゲート電極１００６、ゲート絶縁膜１００７、半導体層１００８、半導体コンタクト層１００９ａおよびｂ、ソース電極１０１０、ドレイン電極１０１１ならびに層間絶縁膜１０１２は、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を構成する。
【０００６】
対向基板１００３は、ガラス基板１０１８および透明電極１０１９を含む。透明電極１０１９は、ガラス基板１０１８の液晶層１００４側における主面上に形成される。なお、アクティブマトリクス基板１００２と液晶層１００４との境界および対向基板１００３と液晶層１００４との境界には、図示しない配向膜が配置される。また、反射透過両用型液晶表示装置がカラー表示可能な場合には、ガラス基板１０１８と透明電極１０１９との間に着色層が配置される。
【０００７】
以上のように構成された従来の反射透過両用型液晶表示装置について、以下にその動作について簡単に説明する。なお、液晶パネルの背面（アクティブマトリクス基板１００２の下方）には、不図示のバックライトが配置されている。
【０００８】
液晶パネルが映像を表示する際には、バックライトから液晶パネルに対して光が照射される。この際、液晶パネルに所望の映像を表示させるために、透明電極１０１３と透明電極１０１９との間および反射電極１０１４と透明電極１０１９との間に電圧が印加される。液晶層１００４は、印加された電圧の大きさに応じた配向を絵素毎にとる。これにより、各絵素において、液晶層１００４の透過率が所望の透過率に制御される。
【０００９】
上述したように各絵素において液晶層１００４の透過率が制御されると、透過領域Ｔにおいて、バックライトから出力された光は、液晶層１００４の透過率に応じた光量で、アクティブマトリクス基板１００２、液晶層１００４および対向基板１００３を透過する。一方、反射領域Ｒにおいて、対向基板１００３の上方から入射した光は、反射電極１０１４で反射され、液晶層１００４の透過率に応じた光量で対向基板１００３上方へと出射される。これにより、所望の映像が液晶パネルに表示される。
【００１０】
ここで、上記従来の反射透過両用型液晶表示装置では、反射領域Ｒと透過領域Ｔとの境界近傍に段差が設けられたマルチギャップ構造が採用されている。これは、反射領域Ｒの液晶層１００４における光路長と透過領域Ｔの光の液晶層１００４における光路長とを等しくするためである。以下に詳しく説明する。
【００１１】
上述したように、透過領域Ｔでは、バックライトから出力された光が液晶層１００４を一度通過する。一方、反射領域Ｒでは、外光が液晶層１００４を通過し、反射電極１０１４で反射されて、再度液晶層１００４を通過する。すなわち、反射領域Ｒでは、外光は、液晶層１００４を２度通過することになる。そのため、透過領域Ｔを透過する光の液晶層１００４における光路長と反射領域Ｒにおいて反射する光の液晶層１００４における光路長とを等しくするために、反射領域Ｒと透過領域Ｔとの境界近傍に段差を設けて反射領域Ｒに凸部１０１６を形成している。これにより、反射領域Ｒにおける液晶層１００４の層厚を透過領域Ｔにおける液晶層１００４の層厚よりも薄くしている。
【００１２】
以上のように、上記従来の反射透過両用型液晶表示装置では、バックライト光と外光とを利用しているので、屋内および屋外のいずれにおいても明るくて表示品位の高い表示を得ることが可能となる。また、上記従来の反射透過両用型液晶表示装置では、屋外において外光のみを利用して表示することにより消費電力の低減を図ることが可能となる。
【特許文献１】特開２００２−２２９０１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、上記従来の反射透過両用型液晶表示装置では、高いコントラストを得ることが困難であるという問題があった。以下に詳しく説明する。
【００１４】
上記従来の反射透過両用型液晶表示装置では、紙のように見やすい白色光を得るために反射光の指向性を低減（正反射を低減）する構造がとられている。具体的には、図２２に示すように反射透過両用型液晶表示装置の透過領域Ｔの反射電極１０１４に凹凸が形成されている。これにより、反射電極１０１４において反射する光は散乱する。その結果、上記従来の反射透過両用型液晶表示装置において紙のように見やすい白色光を得ることができる。
【００１５】
ところが、反射電極１０１４に凹凸が形成されると、凹凸が形成された部分と平坦な部分との境界において反射電極１０１４の主面（すなわち、アクティブマトリクス基板１００２の主面のうち、液晶層１００４に接する主面）の形状が不連続に変化する部分が発生する。このように反射電極１０１４の主面が不連続に変化すると、かかる箇所において液晶配向乱れが生じてしまう。その結果、反射透過両用型液晶表示装置のコントラストが低下してしまう。
【００１６】
また、他の要因によって生じたアクティブマトリクス基板１００２の主面が不連続に変化する部分およびその近傍領域も、反射透過両用型液晶表示装置のコントラストの低下を引き起こす原因となる。具体的には、反射領域Ｒと透過領域Ｔとの境界に設けられた段差では、図２２に示すように傾斜した側壁１０１６ａが形成される。このような側壁１０１６ａでは、液晶層１００４を透過する光の光路長が乱されてしまう。その結果、反射透過両用型液晶表示装置のコントラストが低下してしまう。
【００１７】
そこで、本発明の目的は、基板主面に発生した不連続に形状が変化する部分の存在を原因として発生するコントラスト低下を抑制することができる反射透過両用型液晶表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明に係る液晶表示装置では、第１の基板と、前記第１の基板に対向するように配置される第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に設けられる液晶層とを備え、前記第１の基板の前記液晶層側における主面および／または前記第２の基板の当該液晶層側における主面は、主面形状が不連続に変化する部分を含み、前記第２の基板側から前記液晶層に入射する光が、前記主面形状が不連続に変化する部分を通過して前記第１の基板側へ透過することを防止する遮光手段をさらに備えている。
また、本発明に係る液晶表示装置は、前記第２の基板の主面において２次元状に並んだ状態で規定され、当該第１の基板側から前記液晶層に入射する光を当該第１の基板側に反射して映像を表示する複数の反射領域と、前記第２の基板の主面において２次元状に並んだ状態で規定され、前記第２の基板側から前記液晶層に入射する光を当該第１の基板側へ透過して映像を表示する複数の透過領域とをさらに備えていてもよい。
【００１９】
また、本発明に係る液晶表示装置では、前記主面形状が不連続に変化する部分は、前記反射領域における前記液晶層の層厚が前記透過領域における当該液晶層の層厚よりも小さくなるように、前記第１の基板の当該液晶層側における主面および／または前記第２の基板の前記液晶層側における主面に形成された段差であってもよい。
【００２０】
また、本発明に係る液晶表示装置では、前記第２の基板には、遮光性材料により配線が形成されており、前記遮光手段は、前記第２の基板に形成された前記配線のうち、前記段差近傍に形成された配線であってもよい。
【００２１】
また、本発明に係る液晶表示装置では、複数の前記透過領域と複数の前記反射領域とは、互いに隣接するもの同士で複数の絵素領域を構成しており、各前記絵素領域に対応するように設けられる複数のスイッチング素子をさらに備え、  前記配線は、各前記スイッチング素子と電気的に接続されていてもよい。
【００２２】
また、本発明に係る液晶表示装置では、前記透過領域と前記反射領域とは、互いに隣接するもの同士で一つの絵素領域を構成しており、前記遮光手段は、前記段差近傍であって、前記第１の基板または前記第２の基板に遮光性材料によって形成された遮光マスクであってもよい。
【００２３】
また、本発明に係る液晶表示装置では、前記第２の基板は、前記液晶層側における主面上に、前記透過領域において平坦形状を有し、かつ前記反射領域において凹凸形状を有する層間絶縁膜を含み、前記主面形状が不連続に変化する部分は、前記層間絶縁膜の平坦形状と前記層間絶縁膜の凹凸形状との境界であってもよい。
【００２４】
また、本発明に係る液晶表示装置では、前記第２の基板の液晶側における主面上に形成される反射膜をさらに備え、前記主面形状が不連続に変化する部分は、前記第２の基板の液晶側の主面上における前記反射膜の端部であってもよい。
【発明の効果】
【００２５】
以上のように、本発明に係る液晶表示装置によれば、主面形状が不連続に変化する部分を光が透過することを防止している。その結果、本発明の液晶表示装置では、従来の液晶表示装置よりもコントラスト特性が向上している。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下に、本発明に係る反射透過両用型液晶表示装置の基本構成について説明を行う。まず、本発明に係る反射透過両用型液晶表示装置は、対向基板（第１の基板）と、当該対向基板に対向するように配置されるアクティブマトリクス基板（第２の基板）と、対向基板とアクティブマトリクス基板との間に設けられる液晶層とを備えている。さらに、対向基板の液晶層側における主面および／またはアクティブマトリクス基板の当該液晶層側における主面は、主面形状が不連続に変化する部分を含んでいる。このような主面形状が不連続に変化する部分の存在は、反射透過両用型液晶表示装置における表示のコントラストの低下を招く。そこで、本発明に係る反射透過両用型液晶表示装置は、アクティブマトリクス基板側から液晶層に入射する光が、主面形状が不連続に変化する部分を通過して対向基板側へ透過することを防止する遮光部を備える。それでは、以下に、本発明に係る液晶表示装置の具体的構成について複数の実施形態に分けて説明を行う。
（第１実施形態）
以下に、本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置について図面を参照しながら説明を行う。ここで、図１は、アクティブマトリクス基板２２を垂直上方から見たときの図である。また、図２は、図１に示すアクティブマトリクス基板２２に対して対向基板２３が貼り合わされた状態の図である。また、図３は、図１および図２中のＩ−Ｉ断面図である。また、図４は、図１および図２中のII−II断面図である。
【００２７】
本実施形態に係る液晶表示装置では、図１に示すような絵素領域がアレイ状（より具体的にはマトリクス状）に配置されている。絵素領域とは、表示の最小単位である絵素に対応する領域であって、Ｒ（赤）・Ｇ（緑）・Ｂ（青）の三種類の色を持つものが存在する。Ｒの絵素領域、Ｇの絵素領域およびＢの絵素領域の三つの絵素領域は、それぞれ一つずつが組となって１つの画素領域を構成する。
【００２８】
また、絵素領域は、図１〜図３に示すように反射領域Ｒと透過領域Ｔとを含む。反射領域Ｒは、図１および図２に示すように、アクティブマトリクス基板２２の主面において２次元状（より具体的にはマトリクス状）に並んだ状態で規定され、対向基板２３側から液晶層２４に入射する光を対向基板２３側に反射して映像を表示する。一方、透過領域Ｔは、図１および図２に示すように、アクティブマトリクス基板２２の主面において２次元状（より具体的にはマトリクス状）に並んだ状態で規定され、アクティブマトリクス基板２２側から液晶層２４に入射する光を当該対向基板２３側へ透過して映像を表示する。そして、上述したとおり、透過領域Ｔと反射領域Ｒとは、互いに隣接するもの同士で絵素領域を構成する。以下に、絵素領域内の詳細な構成について説明を行う。
【００２９】
本実施形態に係る反射透過両用型液晶表示装置では、図３に示すように、アクティブマトリクス基板２２、液晶層２４、対向基板２３が下から上へと順に積層されている。アクティブマトリクス基板２２は、ガラス基板２５、ゲート配線２６、補助容量配線２８、ゲート絶縁膜３０、ソース配線３３、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）３６、保護膜３７、層間絶縁膜３８、透明電極３９および反射電極４０を含む。また、ＴＦＴ３６は、絵素領域に映像を表示させるために、各絵素領域に一つずつスイッチング素子として設けられる。当該ＴＦＴ３６は、ゲート電極２７、半導体層３１、半導体コンタクト層３２、ソース電極３４およびドレイン電極３５を有する。また、対向基板２３は、ガラス基板４２、着色層４３、凸部４４および透明電極４５を有する。
（アクティブマトリクス基板２２の構造について）
まず、アクティブマトリクス基板２２の詳細について主に図３を参照しながら説明する。ガラス基板２５上の所定領域には、遮光性導電性材料（たとえばＴａ（タンタル））により、ゲート配線２６（図３には不図示）、ゲート電極２７、補助容量配線２８および補助容量電極２９が配置される。ゲート配線２６は、図２に示すようにアクティブマトリクス基板２２の主面において格子状に配置され、各ＴＦＴ３６（具体的にはゲート電極２７）に電気的に接続される。補助容量配線２８は、透明電極４５と電気的に接続されており、補助容量を形成している。
【００３０】
ゲート配線２６、ゲート電極２７、補助容量配線２８および補助容量電極２９が配置されたガラス基板２５の上層には、ガラス基板２５全面を覆うようにＳｉＮｘ（シリコンナイトライド）のゲート絶縁膜３０が配置される。さらに、ＴＦＴ３６が形成される領域であって、かつゲート絶縁膜３０の上層には、アモルファスＳｉ（シリコン）の半導体層３１が配置される。また、半導体層３１の上層には、ＴＦＴ３６の拡散領域である半導体コンタクト層３２が配置される。ここで、半導体コンタクト層３２は、半導体コンタクト層３２ａおよび３２ｂを含んでいる。半導体コンタクト層３２ａは、Ｐ（リン）がドープされたｎ＋型アモルファスシリコンにより形成され、ソースの役割を果たす。また、半導体コンタクト層３２ｂは、半導体コンタクト層３２ａに対して離間した状態で、Ｐ（リン）がドープされたｎ＋型アモルファスシリコンにより形成され、ドレインの役割を果たす。
【００３１】
ソース電極３４は、半導体コンタクト層３２ａの上層に遮光性導電材料（たとえばＭｏ（モリブデン））により形成される。また、ドレイン電極３５は、半導体コンタクト層３２ｂの上層に遮光性導電材料（たとえばＭｏ）により形成される。さらに、ゲート絶縁膜３０の上層の所定領域には、図４に示すように、ＴＦＴ３６（具体的にはソース電極３４）に電気的に接続されたソース配線３３が配置される。また、ゲート絶縁膜３０、ソース配線３３、ソース電極３４およびドレイン電極３５の上層には、ＳｉＮの保護膜３７が配置される。なお、保護膜３７の所定領域には、ドレインコンタクトホール３７ａが形成されている。これにより、ドレイン電極３５の一部が保護膜３７から露出している。
【００３２】
層間絶縁膜３８は、有機樹脂により形成され、アクティブマトリクス基板２２の一部を構成する。当該層間絶縁膜３８は、保護膜３７の上層に当該保護膜３７を覆うように配置される。層間絶縁膜３８の主面は、透過領域Ｔにおいて平坦形状を有し、かつ反射領域Ｒにおいて凹凸形状を有する。層間絶縁膜３８の主面がこのような形状を有することにより、透過領域Ｔの平坦形状と反射領域Ｒの凹凸形状との境界近傍において、アクティブマトリクス基板２２の主面（以下、アクティブマトリクス基板２２の主面とは、液晶層２４に接している面を示す。）形状が不連続に変化する部分（すなわち、境界部３８ａ〜３８ｄ）が発生する。なお、当該主面形状が不連続に変化する部分（すなわち、境界部３８ａ〜３８ｄ）は、図１において反射領域Ｒの外縁近傍において実線で示すような四角形を形成している（なお、図１および図２では、主面形状が不連続に変化する部分が実線で示され、その他の部分については点線で示されている。）。かかる境界部３８ａ〜３８ｄを光が通過することにより、反射透過両用型液晶表示装置のコントラスト低下が発生する。そのため、本実施形態に係る反射透過両用型液晶表示装置では、かかる部分を光が通過しないように遮光部が設けられている。なお、遮光部の詳細については後述する。
【００３３】
また、ドレインコンタクトホール３７ａが形成された領域の上層には、層間絶縁膜３８を貫通するドレインコンタクトホール３８ｅが開口されている。
【００３４】
さらに、層間絶縁膜３８の上層には、当該層間絶縁膜３８の主面形状に倣った状態で透明電極３９が配置される。当該透明電極３９は、光を透過し、電圧が印加されることにより電界を生じて液晶層２４の液晶分子の配向を変化させる役割を果たす。当該透明電極３９は、光透過性導電材料（例えば、ＩＴＯ（Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ）により作成される。なお、透明電極３９は、図１および図２の実線部分に示すように、絵素領域の外縁近傍において、 四辺の端部３９ａ〜３９ｄを有する。このような端部３９ａ〜３９ｄは、アクティブマトリクス基板２２の主面形状が不連続に変化する部分である（具体的には、図３の端部３９ａおよび図４の端部３９ｂを参照）。したがって、かかる部分を光が通過することにより、反射透過両用方液晶表示装置のコントラスト低下が発生する。そこで、本実施形態に係る反射透過両用型液晶表示装置では、かかる部分を光が通過しないように遮光部が設けられている。なお、遮光部の詳細については後述する。
【００３５】
反射領域Ｒであって、かつ透明電極３９の上層には、図３に示すように、透明電極３９（すなわち、層間絶縁膜３８）の主面形状に倣った状態で導電性反射性材料（例えば、Ａｌ／Ｍｏ）により膜状の反射電極４０が配置される。当該反射電極４０は、アクティブマトリクス基板２２の一部を構成し、対向基板２３側から液晶層２４に入射してきた光を対向基板２３側へと反射する。なお、本実施形態に係る反射透過両用型液晶表示装置では、紙のように見やすい白色光を得るために反射光の指向性を低減（正反射を低減）する構造がとられている。具体的には、図３に示すように反射透過両用型液晶表示装置の反射領域Ｒの反射電極４０に凹凸が形成されている。これにより、反射電極４０において反射する光は散乱する。その結果、上記従来の反射透過両用型液晶表示装置２１において紙のように見やすい白色光を得ることができる。
【００３６】
また、反射電極４０は、図１および図２に示すように、反射領域Ｒの外縁近傍において端部４０ａ〜４０ｄを有する。このような端部４０ａ〜４０ｄは、アクティブマトリクス基板３８の主面形状が不連続に変化する部分である（具体的には、図３の端部４０ａおよび４０ｃを参照）。すなわち、かかる部分を光が通過することにより、反射透過両用型液晶表示装置のコントラスト低下が発生する。そこで、本実施形態に係る反射透過両用型液晶表示装置では、かかる部分を光が通過しないように遮光部が設けられている。なお、遮光部の詳細については後述する。以上でアクティブマトリクス基板２２の説明を終了する。
（対向基板２３の構造について）
次に、対向基板２３の詳細について主に図３を参照しながら説明する。なお、説明の便宜上、対向基板２３は、図３中の上層側から下層側へと順に説明する。
【００３７】
ガラス基板４２の主面上には、着色層４３が配置される。着色層４３は、カラーフィルタの役割を果たし、対向基板２３の一部を構成する。着色層４３が形成されたガラス基板４２の主面上の所定領域には、ガラス基板４２の主面に対して垂直方向に突出する凸部４４が設けられる。なお、当該凸部４４は、アクリル樹脂などの有機樹脂からなる絶縁性材料により形成され、透明である。以下に、当該凸部４４について詳しく説明する。
【００３８】
上記凸部４４は、反射領域Ｒにおける液晶層２４の層厚が透過領域Ｔにおける当該液晶層２４の層厚よりも小さくなるように、対向基板２３の主面に形成されるものである。具体的には、凸部４４は、反射領域Ｒにおける液晶層２４の厚さを透過領域Ｔにおける液晶層２４の厚さの略１／２にしている。これにより、透過領域Ｔにおいてバックライトから出力された光の液晶層２４における光路長と反射領域Ｒにおいて反射電極４０で反射される光の液晶層２４における光路長とを等しくしている。
【００３９】
ここで、上記凸部４４が設けられると、図３に示すように、凸部４４の端において段差が発生する。このような段差は、対向基板２３の主面（以下、対向基板２３の主面とは、液晶層２４に接している面を示す。）形状が不連続に変化する部分となる。かかる部分を光が通過することにより、反射透過両用型液晶表示装置のコントラストが低下する。また、図３に示すように、段差では側壁４４ａおよび４４ｂが存在する。このような側壁４４ａおよび４４ｂは、図２に示すように、水平方向に長い長方形を有する（なお、図２中では、図２の横方向に伸びる部分だけ示されており、図２の縦方向に伸びる部分は図示されていない）。側壁４４ａおよび４４ｂは液晶層２４の層厚を変化させてしまう。そのため、当該側壁４４ａおよび４４ｂを光が通過した場合、反射透過両用型液晶表示装置２１のコントラストの低下が生じる。そこで、本実施形態に係る反射透過両用型の液晶表示装置２１では、凸部４４の側壁４４ａ、４４ｂを光が通過しないように遮光部が設けられている。なお、遮光部の詳細については後述する。
【００４０】
着色層４３および凸部４４の主面上には、透明電極４５が配置される。透明電極４５は、光を透過し、電圧が印加されることにより電界を生じて液晶層２４の液晶分子の配向を変化させる役割を果たす。当該透明電極４５は、光透過性導電材料（例えば、ＩＴＯ（Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ）により作成される。以上で対向基板２３の説明を終了する。なお、以上のように説明したアクティブマトリクス基板２２と対向基板２３とは、液晶層２４を挟むように配置される。
（遮光部について）
次に、本実施形態に係る液晶表示装置２１の遮光部について詳しく説明する。本実施形態に係る液晶表示装置の遮光部は、アクティブマトリクス基板２２側から液晶層２４に入射する光が、主面形状が不連続に変化する部分を通過して対向基板２３側へ透過することを防止するものである。本実施形態では、遮光部としてアクティブマトリクス基板２２の主面に形成された配線が用いられている。具体的には、ゲート配線２６、補助容量配線２８およびソース配線３３が、遮光部の役割を果たしている。以下に、本実施形態に係る遮光部（ゲート配線２６、補助容量配線２８およびソース配線３３）と、主面形状が不連続に変化する部分（境界部３８ａ〜３８ｄ、端部３９ａ〜３９ｄ、端部４０ａ〜４０ｄおよび段差（側壁４４ａ、４４ｂ）との位置関係について説明する。なお、図５は、図１および図２の楕円部分（Ａ）の拡大図である。図６は、図１および図２の楕円部分（Ｂ）の拡大図である。図７は、図１および図２の楕円部分（Ｃ）の拡大図である。図８は、図１および図２の楕円部分（Ｄ）の拡大図である。図９は、図１および図２の楕円部分（Ｅ）の拡大図である。
【００４１】
ゲート配線２６、補助容量配線２８およびソース配線３３は主面形状が不連続に変化する部分に設けられる。具体的には、図１および図２に示すように、ゲート配線２６は、アクティブマトリクス基板２２の主面を上方から見たときに、凹凸部と平坦部との境界部３８ａ、透明電極３９の端部３９ａおよび３９ｃ、反射電極４０の端部４０ａ、段差ならびに段差の側壁４４ａの直下に配置される。すなわち、反射電極４０の端部４０ａは、図５に示すように、当該ゲート配線２６と重なる位置であって、ゲート配線２６の絵素領域の中心側の長辺から１μｍだけ離れた位置に存在する。また、凹凸部と平坦部との境界部３８ａおよび側壁４４ａは、図５に示すように、当該ゲート配線２６と重なる位置であって、ゲート配線２６の絵素領域の中心側の長辺から２μｍだけ離れた位置に存在する。透明電極３９の端部３９ａは、図５に示すように、ゲート配線２６と重なる位置であって、ゲート配線２６の絵素領域の中心側の長辺から３μｍだけ離れた位置に存在する。また、透明電極３９の端部３９ｃは、図７に示すように、透過領域Ｔ側に設けられたゲート配線２６と重なる位置であって、当該ゲート配線２６の絵素領域の中心側の長辺から３μｍだけ離れた位置に存在する。
【００４２】
また、ソース配線３３は、アクティブマトリクス基板２２の主面を上方から見たときに、凹凸部と平坦部との境界部３８ｂ、凹凸部と平坦部との境界部３８ｄ、透明電極３９の端部３９ｂ、透明電極３９の端部３９ｄ、反射電極４０の端部４０ｂ、反射電極４０の端部４０ｄの直下に配置される。具体的には、反射電極４０の端部４０ｂは、図６に示すように、当該ソース配線３３と重なる位置であって、ソース配線３３の絵素領域の中心側の長辺から１μｍだけ離れた位置に存在する。また、凹凸部と平坦部との境界部３８ｂは、図６に示すように、当該ソース配線３３と重なる位置であって、ソース配線３３の絵素領域の中心側の長辺から２μｍだけ離れた位置に存在する。また、透明電極３９の端部３９ｂは、図６に示すように、ソース配線３３と重なる位置であって、ソース配線３３の絵素領域の中心側の長辺から３μｍだけ離れた位置に存在する。また、反射電極４０の端部４０ｄは、図８に示すように、ソース配線３３と重なる位置であって、ソース配線３３の絵素領域の中心側の長辺から１μｍだけ離れた位置に存在する。また、凹凸部３８ｆと平坦部３８ｇとの境界部３８ｄは、図８に示すように、当該ソース配線３３と重なる位置であって、ソース配線３３の絵素領域の中心側の端縁から２μｍだけ離れた位置に存在する。また、透明電極３９の端部３９ｄは、図８に示すように、当該ソース配線３３と重なる位置であって、ソース配線３３の絵素領域の中心側の長辺から３μｍだけ離れた位置に存在する。
【００４３】
また、図１および図２に示すように、補助容量配線２８は、アクティブマトリクス基板２２の主面を上方から見たときに、凹凸部３８ｆと平坦部３８ｇとの境界部３８ｃ、反射電極４０の端部４０ｃ、凸部４４の側壁４４ｂの直下に配置される。具体的には、凹凸部３８ｆと平坦部３８ｇとの境界部３８ｃおよび側壁４４ｂは、図９に示すように、補助容量配線２８と重なる位置であって、補助容量配線２８の透過領域Ｔ側の端縁から２μｍだけ離れた位置に存在する。また、反射電極４０の端部４０ｃは、補助容量配線２８と重なる位置であって、補助容量配線２８の透過領域Ｔ側の端縁から３μｍだけ離れた位置に存在する。
【００４４】
以上のような位置関係が成立することにより、反射電極４０の面積は、凹凸部３８ｆよりも小さくなる。また、反射電極４０の端部４０ａ〜４０ｄの外縁全周が凹凸部３８ｆ内に収まるように、すなわち、反射電極４０が凹凸部３８ｆに包括されるように配置されるようになる。
【００４５】
また、透明電極３９の面積は、凹凸部３８ｆよりも大きくなる。また、凹凸部３８ｆの外縁全周が透明電極３９内に収まるように、すなわち、凹凸部３８ｆが透明電極３９に包括されるように配置されるようになる。このように、透明電極３９が凹凸部３８ｆを超えて平坦部３８ｇまで延在させることでパターニング性が良好になると共に、透明電極３９が剥がれにくくなる。以上で遮光部に関する説明を終了する。
【００４６】
以上のように、本実施形態に係る反射透過両用型液晶表示装置によれば、主面形状が不連続に変化する部分を通過する光が透過することを防止している。その結果、本発明の反射透過両用型液晶表示装置では、従来の反射透過両用型液晶表示装置よりもコントラスト特性が向上している。
【００４７】
また、本実施形態に係る反射透過両用型液晶表示装置は、外部から入射してくる光を装置内で反射して映像を表示する反射領域Ｒと、装置内のバックライトにおいて発生した光を、液晶層を透過させて映像を表示する透過領域Ｔとを備えている。このような本実施形態に係る反射透過両用型液晶表示装置は、屋内では反射領域Ｒと透過領域Ｔとを用いて映像を表示でき、屋外では反射領域Ｒのみを用いて映像を表示できる。その結果、本実施形態に係る反射透過両用型液晶表示装置では、屋内および屋外のいずれにおいても明るい表示を得ることが可能となる。また、当該反射透過両用型液晶表示装置が屋外で使用される場合には、バックライトが使用されないので、消費電力を低減することが可能となる。
【００４８】
なお、本実施形態では、主面形状が不連続に変化する部分を光が透過することを防止するために、ゲート配線２６、ソース配線３３および補助容量配線２８を遮光部として用いているが、遮光部として用いるものはこれに限らない。当該遮光部としては、たとえば、ゲート電極２７やソース電極３４や補助容量電極３５等が用いられてもよい。
【００４９】
また、本実施形態では、凸部４４は対向基板２３に形成されているが、当該凸部４４はアクティブマトリクス基板２２側に形成されていてもよい。
（製造方法について）
最後に、上記本実施形態に係る液晶表示装置の製造方法について図１〜図３を用いて説明を行う。
【００５０】
まず、アクティブマトリクス基板２２の製造方法について説明する。最初に、ガラス基板２５の上にＴａからなる導電性の薄膜を膜厚２００ｎｍで形成する。次に、フォトリソグラフィ技術を用いて、導電性の薄膜をパターニングしてゲート配線２６、ゲート電極２７、補助容量配線２８および補助容量電極２９を形成する。ここで、ゲート配線２６の線幅は１５μｍである。補助容量配線２８の線幅は１０μｍである。なお、ガラス基板２５は他の透明な絶縁性材料でもよい。ゲート材料等についてもＡｌ（アルミニウム）、Ｃｒ（クロム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）、Ｃｕ（鋼）、Ｔｉ（チタン）等の導電性を有する他の材料を用いてもよい。また、ゲート材料等は、複数種類の材料からなる積層膜であってもよい。
【００５１】
次に、ゲート絶縁膜３０として膜厚４００ｎｍのＳｉＮｘの薄膜をＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により成膜する。次に、半導体層３１としてアモルファスＳｉの膜厚１００ｎｍの薄膜をＣＶＤ法により成膜する。次に、半導体コンタクト層３２としてＰをドープしたｎ＋型アモルファスＳｉの膜厚４０ｎｍの薄膜をＣＶＤ法により成膜する。この後、フォトリソグラフィ技術によるパターニング処理が施されて、それぞれが所定の形状を有する半導体層３１ならびに半導体コンタクト層３２ａおよび３２ｂが形成される。
【００５２】
次に、Ｍｏからなる膜厚１５０ｎｍの導電膜を成膜する。この後、フォトリソグラフィ技術を用いて当該導電膜をパターニングしてソース配線３３、ソース電極３４およびドレイン電極３５を形成する。ここで、ソース配線３３の線幅は１５μｍとしている。なお、本実施形態では導電膜としてＭｏを用いるがＡｌ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｕ、Ｔｉ等の導電性を有する他の材料を用いてもよい。また、導電膜は、複数種類の材料からなる積層膜であってもよい。
【００５３】
次に、ソース電極３４およびドレイン電極３５をマスクとして半導体コンタクト層３２の一部をエッチング処理により除去する。これにより、半導体コンタクト層３２が、ソース側の半導体コンタクト層３２ａとドレイン側の半導体コンタクト層３２ｂとに分離され、ＴＦＴ３６が形成される。
【００５４】
次に、ＳｉＮの膜厚２００ｎｍの薄膜を保護膜３７として成膜する。この後、フォトリソグラフィ技術を施して保護膜３７の所定部分を除去してドレインコンタクトホール３７ａを形成する。
【００５５】
次に、有機樹脂の膜厚３０００ｎｍの膜を層間絶縁膜３８として成膜する。この後、フォトリソグラフィ技術を施してドレインコンタクトホール３８ｅ等の層間絶縁膜３８の不要部分を除去する。このとき、反射層となる反射電極４０を形成する部分の層間絶縁膜３８に外部からの入射光を散乱させるための凹凸部３８ｆを形成する。なお、凹凸部３８ｆの高さは１０００ｎｍとしている。また、本実施形態では層間絶縁膜３８に有機樹脂膜を用いたが、層間絶縁膜３８は複数種類の材料からなる積層膜であってもよい。
【００５６】
次に、ＩＴＯ等の膜厚１００ｎｍの透明導電膜を成膜する。この後、フォトリソグラフィ技術を用いて当該透明導電膜をパターニングし透明電極３９を形成する。なお、本実施形態では透明電極３９にＩＴＯ（Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ）が用いられているが、透明電極３９にはＩＺＯ（Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ）等の導電性を有する他の材料が用いられてもよい。また、当該材料は、複数種類の材料からなる積層膜であってもよい。
【００５７】
次に、透明電極３９の上面に導電性の反射材料を成膜する。この後、フォトリソグラフィ技術によって当該反射材料をパターニングして反射電極４０を形成する。反射電極４０としては、Ａｌ／Ｍｏの積層膜が用いられる。具体的には、膜厚が１００ｎｍのＡｌ薄膜と膜厚が５０ｎｍのＭｏ薄膜が用いられる。なお、反射電極４０としては、Ａｌ、Ａｇ等の導電性を有する他の材料が用いられてもよいし、導電性を有しない反射材が用いられてもよい。以上の工程により本実施形態のアクティブマトリクス基板２２が完成する。
【００５８】
次に、対向基板２３の製造方法について説明する。まず、ガラス基板４２の上にカラーフィルタとなる着色層４３を形成する。次に、着色層４３の所定位置にアクリル樹脂等の有機樹脂膜からなる絶縁膜を凸部４４として形成する。当該凸部４４は透明である。なお、ガラス基板４２は、ガラス以外の透明な絶縁性材料であってもよい。また、本実施形態では凸部４４に有機樹脂膜が用いられているが、当該凸部４４の材質はこれに限らない。また、当該凸部４４は、複数種類の透明材料からなる積層膜であってもよい。
【００５９】
次に、ＩＴＯ等により膜厚１００ｎｍの透明導電膜を透明電極４５として成膜する。なお、本実施形態では透明導電膜には、ＩＴＯ（Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ）が用いられているが、ＩＺＯ（Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ）等の導電性を有する他の透明材料が用いられてもよい。また、当該透明導電膜は、複数種類の材料からなる積層膜であってもよい。以上の工程により本実施形態の対向基板２３が完成する。
【００６０】
最後に、凸部４４が反射電極４０と対向するように、アクティブマトリクス基板２２と対向基板２３とが液晶層２４を介して貼り合わされる。以上の工程により本実施形態に係る反射透過両用型液晶表示装置２１が完成する。
（第２実施形態）
以下に、図面を参照しながら、本発明の第２の実施形態に係る反射透過両用型駅書言う表示装置について説明する。図１０および図１１は、本発明の第２実施形態に係る反射透過両用型液晶表示装置を示した図である。具体的には、図１０は、アクティブマトリクス基板２２に対して対向基板４８を貼り合わせた状態で垂直上方から見たときの図である。図１１は、図１０のＩ−Ｉ断面図である。本実施形態に係る反射透過両用型液晶表示装置では、対向基板４８に遮光マスクとなるブラックマスク４７が設けられている。
【００６１】
対向基板４８には、ガラス基板４２の主面上にカラーフィルタの役目を果たす着色層４３が配置されていると共に、着色層４３と同層にブラックマスク４７が形成されている。ブラックマスク４７は、凸部４４の側壁４４ａ、４４ｂ、透明電極３９の端部３９ａ〜３９ｄ、反射電極４０の端部４０ａ〜４０ｄおよび層間絶縁膜３８の平坦部３８ｇと凹凸部３８ｆとの境界部３８ａ〜３８ｄの直上に配置されている。すなわち、図１０の斜線部分で表したように、ブラックマスク４７は平面視でマトリクス状に形成されている。
【００６２】
上記構成とすれば、液晶配向乱れや光路長乱れを引き起こす不連続に変化する部分（凸部４４の側壁４４ａ、４４ｂ、透明電極３９の端部３９ａ〜３９ｄ、反射電極４０の端部４０ａ〜４０ｄおよび平坦部３８ｇと凹凸部３８ｆとの境界部３８ａ〜３８ｄ）をブラックマスク４７で確実に隠すことができ、コントラスト特性を向上させることができる。なお、ブラックマスク４７は必ずしも図１０のようなマトリクス状に形成する必要はなく、遮光を施したい部位に対して部分的に形成してもよい。また、他の構成は第１実施形態と同様であるため同一符号を付して説明を省略する。
（第３実施形態）
以下に、図面を参照しながら本発明の第３の実施形態に係る反射透過両用型液晶表示装置について説明する。図１２は本発明の第３実施形態に係る反射透過両用型液晶表示装置を示した図である。本実施形態に係る反射透過両用型液晶表示装置では、対向基板５３において隣り合う異色の着色層５０、５１の端部同士を意図的に重ね、混色により略黒色化された色重ねブラックマスク５２を形成して遮光マスクとしている。詳しくは、対向基板５３には、ガラス基板４２の主面上にカラーフィルタの役目を果たす着色層５０、５１が配置されており、隣接する絵素間の着色層５０、５１が互いに異色となっている。たとえば、着色層５０の色と着色層５１の色とは、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）から選ばれる。この着色層５０と着色層５１との端部がオーバーラップして重ねられ、混色と層厚増加による色濃度の増加で略黒色化された色重ねブラックマスク５２が形成されている。
【００６３】
色重ねブラックマスク５２は、凸部４４の側壁４４ａ、透明電極３９の端部３９ａ、反射電極４０の端部４０ａおよび層間絶縁膜３８の平坦部３８ｇと凹凸部３８ｆとの境界部３８ａの直上に配置されている。なお、図示はしないが他の絵素間の境界でも、同様にして、透明電極３９の端部３９ｂ〜３９ｄ、反射電極４０の端部４０ｂおよび４０ｄならびに層間絶縁膜３８の平坦部３８ｇと凹凸部３８ｆとの境界部３８ｂおよび３８ｄを色重ねブラックマスク５２で隠すようにすると好適である。
【００６４】
また、着色層５０および５１と同層にブラックマスク４７が形成されている。ブラックマスク４７は、凸部４４の側壁４４ｂ、反射電極４０の端部４０ｃおよび層間絶縁膜３８の平坦部３８ｇと凹凸部３８ｆとの境界部３８ｃの直上に配置されている。すなわち、透過領域Ｔと反射領域Ｒとの境界部分のように異色の着色層を重ねることができない位置ではブラックマスク４７が形成されている。
【００６５】
上記構成とすると、液晶配向乱れや光路長乱れを引き起こす不連続に変化する部分（凸部４４の側壁４４ａおよび４４ｂ、透明電極３９の端部３９ａ〜３９ｄ、反射電極４０の端部４０ａ〜４０ｄならびに層間絶縁膜３８の平坦部３８ｇと凹凸部３８ｆとの境界部３８ａ〜３８ｄ）を色重ねブラックマスク５２およびブラックマスク４７で隠して遮光することができ、コントラスト特性を向上させることができる。なお、他の構成は第１実施形態と同様であるため同一符号を付して説明を省略する。
（第４実施形態）
以下に、図１３を参照しながら本発明の第４の実施形態に係る反射透過両用型液晶表示装置について説明する。図１３は、本発明の第４実施形態に係る反射透過両用型液晶表示装置を示下図である。なお、本実施形態に係る反射透過両用型液晶表示装置と第１実施形態に係る反射透過両用型液晶表示装置との相違点は、マルチギャップ構造を提供する対向基板側の凸部１４４が平面視で四角形状として１絵素毎に形成されている点である。
【００６６】
凸部１４４の四辺の側壁１４４ａ〜１４４ｄのうち、ソース配線３３と平行な側壁１４４ｂおよび１４４ｄは、図１３に示すように、ソース配線３３と重なる位置であって、ソース配線３３の絵素領域の中心側の端縁から２μｍだけ離れた位置に存在する。
【００６７】
側壁１４４ａは、第１実施形態と同様に、ゲート配線２６と重なる位置であって、ゲート配線２６の絵素領域の中心側の端縁から２μｍだけ離れた位置に存在する。側壁１４４ｃは、第１実施形態と同様に、補助容量配線２８と重なる位置であって、補助容量配線２８の透過領域Ｔ側の端縁から２μｍだけ離れた位置に存在する。なお、他の構成は第１実施形態と同様であるため同一符号を付して説明を省略する。また、本実施形態においても、第２、第３実施形態のようにブラックマスクや色重ねブラックマスクを用いて遮光する構造を採用しても良いことは言うまでもない。
（第５実施形態）
以下に、本発明の第５の実施形態に係る反射透過両用型液晶表示装置について図面を参照しながら説明する。図１４乃至図２１は、第５実施形態に係る反射透過両用型液晶表示装置を示した図である。具体的には、図１４は、アクティブマトリクス基板６１を主面の垂直上方から見たときの図である。図１５は、図１４中のＩ−Ｉ断面図である。図１６は、図１４中のII−II断面図である。なお、第１実施形態と同一の構成には同一符号を付している。
【００６８】
本実施形態に係る反射透過両用型の液晶表示装置６０には、マルチギャップ構造を提供する凸部６４がアクティブマトリクス基板６１側に設けられている。アクティブマトリクス基板６１は、ガラス基板２５、ゲート配線２６、補助容量配線２８、ゲート絶縁膜３０、ソース配線３３、ＴＦＴ３６、保護膜３７、層間絶縁膜６４、透明電極６５および反射電極６６を有する。また、対向基板６２は、ガラス基板４２、着色層４３および透明電極６７を有する。
（アクティブマトリクス基板６１の構造について）
アクティブマトリクス基板６１は、下層から順に、ガラス基板２５、ゲート配線２６、補助容量配線２８、ゲート絶縁膜３０、ソース配線３３、ＴＦＴ３６および保護膜３７が形成されている。当該アクティブマトリクス基板６１の構成は、第１実施形態のアクティブマトリクス基板２２と同様である。層間絶縁膜６４は、有機樹脂により保護膜３７の上層に形成され、アクティブマトリクス基板６１の一部を構成する。層間絶縁膜６４は、少なくとも反射領域Ｒにおいて形成されているが透過領域Ｔには形成されていない。これにより、層間絶縁膜６４は、反射領域Ｒにおける液晶層６３の層厚が透過領域Ｔにおける液晶層６３の層厚よりも小さくなるように凸部６４の役目を兼用する（以下、６４は層間絶縁膜または凸部と称することにする。）。具体的には、凸部６４は、反射領域Ｒにおける液晶層６３の厚さを透過領域Ｔにおける液晶層６３の厚さの略１／２にしている。これにより、透過領域Ｔにおいてバックライトから出力された光の液晶層６３における光路長と反射領域Ｒにおいて反射電極６６で反射される光の液晶層６３における光路長とを実質的に同一としている。すなわち、凸部６４のない透過領域Ｔでは透過領域開口Ｈが形成されてマルチギャップ構造が提供される。なお、ドレインコンタクトホール３７ａが形成された領域の上層には、層間絶縁膜６４を貫通するドレインコンタクトホール６４ｅが開口されている。
【００６９】
層間絶縁膜６４の主面には、反射領域Ｒにおいては凹凸部６４ｆが形成され、その他の部分は平坦部６４ｇとしている。したがって、層間絶縁膜６４の平坦部６４ｇと凹凸部６４ｆとの境界において、アクティブマトリクス基板６１の主面の不連続に変化する部分（すなわち、境界部６４ａ〜６４ｄおよび６４ｌ〜６４ｐ）が発生する。なお、境界部６４ａ〜６４ｄは、図１４において絵素領域の外縁近傍において実線で示すような長方形を形成している。境界部６４ｌ〜６４ｐは、図１４において透過領域Ｔの外縁近傍において実線で示すような略正方形を形成している。これら不連続に変化する部分を光が通過することにより、液晶表示装置６０のコントラスト低下が発生する。そこで、本実施形態に係る液晶表示装置６０では、境界部６４ａ〜６４ｄおよび６４ｌ〜６４ｐを光が通過しないように遮光部が設けられている。なお、遮光部の詳細については後述する。
【００７０】
また、凸部（層間絶縁膜）６４には透過領域開口Ｈを包囲するように側壁６４ｈ〜６４ｋが形成されている。この側壁６４ｈ〜６４ｋにより、アクティブマトリクス基板６１の主面上に不連続に変化する部分が生じる（具体的には、図１５の側壁６４ｈを参照）。側壁６４ｈ〜６４ｋは製造上の理由から傾斜しており、液晶層６３の層厚を連続的に変化させてしまう。そのため、側壁６４ｈ〜６４ｋを光が通過した場合、液晶表示装置６０のコントラストの低下が生じる。そこで、本実施形態に係る液晶表示装置６０では、側壁６４ｈ〜６４ｋを光が通過しないように遮光部が設けられている。なお、遮光部の詳細については後述する。
【００７１】
透過領域Ｔの保護膜３７および反射領域Ｒの層間絶縁膜６４を連続的に覆うように主面形状に倣った状態で透明電極６５が配置されている。透明電極６５は、図１４の実線部分に示すように、絵素領域の外縁近傍において四辺の端部６５ａ〜６５ｄを有する。このような端部６５ａ〜６５ｄは、アクティブマトリクス基板６１の主面形状が不連続に変化する部分となっている。（具体的には、図１５の端部６５ａおよび図１６の端部６５ｂを参照）。この段差部を光が通過することにより、液晶表示装置６０のコントラスト低下が発生する。そこで、本実施形態に係る液晶表示装置６０では、端部６５ａ〜６５ｄを光が通過しないように遮光部が設けられている。なお、遮光部の詳細については後述する。
【００７２】
反射領域Ｒにおける透明電極６５の上層には、図１５に示すように、透明電極６５（すなわち、層間絶縁膜６４）の主面形状に倣った状態で導電性反射材料（例えば、Ａｌ／Ｍｏ）により反射電極（反射膜）６６が配置されている。反射電極６６は、図１４に示すように、絵素領域の外縁近傍において長方形状の外端部６６ａ〜６６ｄを有すると共に、透過領域Ｔの外縁近傍において正方形状の内端部６６ｅ〜６６ｈを有している。すなわち、４辺の外端部６６ａ〜６６ｄを外縁とする反射電極６６は、４辺の内端部６６ｅ〜６６ｈからなる開口を穿設した形状としている。
【００７３】
このような外端部６６ａ〜６６ｄおよび内端部６６ｅ〜６６ｈは、アクティブマトリクス基板６１の主面形状が不連続に変化する部分となっている（具体的には、図１５の外端部６６ａおよび内端部６６ｅ、図１６の外端部６６ｂを参照）。これら不連続に変化する部分を光が通過することにより、液晶表示装置６０のコントラスト低下が発生する。そこで、本実施形態に係る液晶表示装置６０では、外端部６６ａ〜６６ｄおよび内端部６６ｅ〜６６ｈを光が通過しないように遮光部が設けられている。なお、遮光部の詳細については後述する。
（対向基板６２の構造について）
対向基板６２は、ガラス基板４２の主面上にカラーフィルタの役目を果たす着色層４３を配置している。着色層４３の主面上には、透明電極６７が配置される。透明電極６７は、光を透過し、電圧が印加されることにより電界を生じて液晶層６３の液晶分子の配向を変化させる役割を果たす。透明電極６７は、光透過性導電材料（例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ））により作成される。
（遮光部について）
本実施形態に係る液晶表示装置６０の遮光部は、アクティブマトリクス基板６１側あるいは対向基板６２側から液晶層６３に入射する光が、主面上の不連続に変化する部分を通過して対向基板６３側へ出光することを防止するものである。本実施形態では、アクティブマトリクス基板６１の主面に形成された配線であるゲート配線２６、補助容量配線２８およびソース配線３３が、遮光部の役割を果たしている。
【００７４】
以下に、本実施形態に係る遮光部（ゲート配線２６、補助容量配線２８およびソース配線３３）と、主面上の不連続に変化する部分（境界部６４ａ〜６４ｄおよび６４ｌ〜６４ｐ、側壁６４ｈ〜６４ｋ、端部６５ａ〜６５ｄ、外端部６６ａ〜６６ｄならびに内端部６６ｅ〜６６ｈ）との位置関係について説明する。なお、図１７は、図１４の楕円部分（Ａ）の拡大図である。図１８は、図１４の楕円部分（Ｂ）の拡大図である。図１９は、図１４の楕円部分（Ｃ）の拡大図である。図２０は、図１４の楕円部分（Ｄ）の拡大図である。図２１は、図１４の楕円部分（Ｅ）の拡大図である。
【００７５】
ゲート配線２６、ソース配線３３および補助容量配線２８は主面の不連続に変化する部分に設けられる。具体的には、図１４に示すように、ゲート配線２６は、アクティブマトリクス基板６１の主面を上方から見たときに、凹凸部６４ｆと平坦部６４ｇとの境界部６４ａおよび６４ｃ、透明電極６５の端部６５ａおよび６５ｃ、反射電極６６の外端部６６ａおよび６６ｃならびに内端部６６ｇおよび凸部６４の側壁６４ｊの直下に配置される。すなわち、反射電極６６の外端部６６ａは、図１７に示すように、ゲート配線２６と重なる位置であって、ゲート配線２６の絵素領域の中心側の端縁から１μｍだけ離れた位置に存在する。また、境界部６４ａは、図１７に示すように、ゲート配線２６と重なる位置であって、ゲート配線２６の絵素領域の中心側の端縁から２μｍだけ離れた位置に存在する。透明電極６５の端部６５ａは、図１７に示すように、ゲート配線２６と重なる位置であって、ゲート配線２６の絵素領域の中心側の端縁から３μｍだけ離れた位置に存在する。
【００７６】
また、側壁６４ｊおよび境界部６４ｎは、図１９に示すように、ゲート配線２６と重なる位置であって、ゲート配線２６の絵素領域の中心側の端縁から１μｍだけ離れた位置に存在する。反射電極６６の内端部６６ｇは、図１９に示すように、ゲート配線２６と重なる位置であって、ゲート配線２６の絵素領域の中心側の端縁から２μｍだけ離れた位置に存在する。反射電極６６の外端部６６ｃは、図１９に示すように、ゲート配線２６と重なる位置であって、ゲート配線２６の絵素領域の中心側の端縁から３μｍだけ離れた位置に存在する。境界部６４ｃは、図１９に示すように、ゲート配線２６と重なる位置であって、ゲート配線２６の絵素領域の中心側の端縁から４μｍだけ離れた位置に存在する。透明電極６５の端部６５ｃは、図１９に示すように、ゲート配線２６と重なる位置であって、ゲート配線２６の絵素領域の中心側の端縁から５μｍだけ離れた位置に存在する。
【００７７】
次に、ソース配線３３は、図１４に示すように、アクティブマトリクス基板６１の主面を上方から見たときに、凹凸部６４ｆと平坦部６４ｇとの境界部６４ｂ、６４ｄ、６４ｍおよび６４ｐ、透明電極６５の端部６５ｂおよび６５ｄ、反射電極６６の外端部６６ｂ、６６ｄおよび内端部６６ｆおよび６６ｈならびに凸部６４の側壁６４ｉおよび６４ｋの直下に配置される。具体的には、端部６４ｍおよび６４ｐならびに側壁６４ｉおよび６４ｋは、図１８および図２０に示すように、ソース配線３３と重なる位置であって、ソース配線３３の絵素領域の中心側の端縁から１μｍだけ離れた位置に存在する。また、反射電極６６の内端部６６ｆおよび６６ｈは、図１８および図２０に示すように、ソース配線３３と重なる位置であって、ソース配線３３の絵素領域の中心側の端縁から２μｍだけ離れた位置に存在する。また、反射電極６６の外端部６６ｂおよび６６ｄは、図１８および図２０に示すように、ソース配線３３と重なる位置であって、ソース配線３３の絵素領域の中心側の端縁から３μｍだけ離れた位置に存在する。また、境界部６４ｂおよび６４ｄは、図１８および図２０に示すように、ソース配線３３と重なる位置であって、ソース配線３３の絵素領域の中心側の端縁から４μｍだけ離れた位置に存在する。また、透明電極６５の端部６５ｂおよび６５ｄは、図１８および図２０に示すように、ソース配線３３と重なる位置であって、ソース配線３３の絵素領域の中心側の端縁から５μｍだけ離れた位置に存在する。
【００７８】
また、補助容量配線２８は、図１４に示すように、アクティブマトリクス基板６１の主面を上方から見たときに、凹凸部６４ｆと平坦部６４ｇとの境界部６４ｌ、反射電極６４の内端部６６ｅおよび凸部６４の側壁６４ｈの直下に配置される。具体的には、凹凸部６４ｆと平坦部６４ｇとの境界部６４ｌおよび側壁６４ｈは、図２１に示すように、補助容量配線２８と重なる位置であって、補助容量配線２８の透過領域Ｔ側の端縁から１μｍだけ離れた位置に存在する。また、反射電極６６の端部６６ｅは、補助容量配線２８と重なる位置であって、補助容量配線２８の透過領域Ｔ側の端縁から２μｍだけ離れた位置に存在する。
【００７９】
以上のような位置関係が成立することにより、反射電極６６の面積は凹凸部６４ｆよりも小さくなり、反射電極６６が凹凸部６４ｆ内に収まるように配置される。すなわち、反射電極６６が凹凸部６４ｆに包括されるように配置されるようになる。こうすると、反射電極６６の外端部６６ａ〜６６ｄおよび内端部６６ｅ〜６６ｈが平坦部６４ｇに載らないので、平坦部６４ｇで段差部が発生せず、液晶層６３の配向乱れを抑制することができる。
【００８０】
以上のように、本実施形態に係る反射透過両用型の液晶表示装置６０によれば、主面形状が不連続に変化する部分を通過する光が観測者側から視認されないように遮光しているので、従来の反射透過両用型液晶表示装置よりもコントラスト特性が向上する。
（製造方法について）
本実施形態に係る液晶表示装置６０の製造方法について図１４および図１５を用いて説明を行う。
【００８１】
まず、アクティブマトリクス基板２２の製造方法について説明する。下層から順に、ガラス基板２５、ゲート配線２６、補助容量配線２８、ゲート絶縁膜３０、ソース配線３３、ＴＦＴ３６および保護膜３７までの製造手順は、第１実施形態における製造方法と同様である。
【００８２】
次に、保護膜３７の上に有機樹脂の膜厚３０００ｎｍの膜を層間絶縁膜６４として成膜する。この後、フォトリソグラフィ技術を用いて透過領域開口Ｈなどの層間絶縁膜３８の不要部分を除去する。つまり、透過領域開口Ｈを設けることでマルチギャップ構造を提供する凸部６４を形成する（以下、６４は層間絶縁膜または凸部と称する）。このとき、反射電極６６を形成する部分の層間絶縁膜６４に外部からの入射光を散乱させるための凹凸部６４ｆを形成する。なお、凹凸部６４ｆの高さは１０００ｎｍとしている。
【００８３】
次に、保護膜３７と凸部６４とに跨って覆うようにＩＴＯ等の膜厚１００ｎｍの透明導電膜を成膜する。この後、フォトリソグラフィ技術を用いてこの透明導電膜をパターニングし透明電極６５を形成する。
【００８４】
次に、透明電極６５の上面にＡｌ／Ｍｏ等の導電性の反射材料を成膜する。この後、フォトリソグラフィ技術によって当該反射材料をパターニングして反射電極６６を形成する。以上の工程により本実施形態のアクティブマトリクス基板６１が完成する。
【００８５】
次に、対向基板６２の製造方法について説明する。対向基板６２は、ガラス基板４２の上にカラーフィルタとなる着色層４３を形成し、ＩＴＯ等により膜厚１００ｎｍの透明導電膜を透明電極４５として成膜することで製造される。
【００８６】
最後に、アクティブマトリクス基板６１と対向基板６２とが液晶層６３を挟むように貼り合わされる。以上の工程により本実施形態に係る反射透過両用型の液晶表示装置６０が完成する。
【００８７】
なお、凸部６４をアクティブマトリクス基板６１側に設けた本実施形態においても、第２、第３実施形態のようにブラックマスクあるいは／および色重ねブラックマスクを用いて遮光する構造を採用しても良いことは言うまでもない。
なお、第１から第５の実施形態に係る反射透過両用型液晶表示装置において、主面形状が不連続に変化する部分は、凹凸部や平坦部において加工精度の理由により発生する不連続に変化する部分等を除く。すなわち、当該主面形状が不連続に変化する部分は、第１から第５の実施形態に示すように、透過領域Ｔや反射領域Ｒの外周近傍に発生するものを指す。
【産業上の利用可能性】
【００８８】
本発明は、液晶配向乱れ等に起因するコントラスト低下を防止することを目的としており、反射透過両用型液晶表示装置として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００８９】
【図１】本発明の第１実施形態の液晶表示装置のアクティブマトリクス基板を示す要部上面図
【図２】第１実施形態の液晶表示装置のアクティブマトリクス基板に対向基板が貼り合わされた状態を示す要部上面図
【図３】図１のＩ−Ｉ線断面図
【図４】図１のII−II線断面図
【図５】図１及び図２の楕円部分（Ａ）の拡大図
【図６】図１及び図２の楕円部分（Ｂ）の拡大図
【図７】図１及び図２の楕円部分（Ｃ）の拡大図
【図８】図１及び図２の楕円部分（Ｄ）の拡大図
【図９】図１及び図２の楕円部分（Ｅ）の拡大図
【図１０】第２実施形態の液晶表示装置の上面図
【図１１】図１０のＩ−Ｉ線断面図
【図１２】第３実施形態の液晶表示装置の断面図
【図１３】第４実施形態の液晶表示装置の要部上面図
【図１４】第５実施形態の液晶表示装置の要部上面図
【図１５】図１４のＩ−Ｉ線断面図
【図１６】図１４のII−II線断面図
【図１７】図１４の楕円部分（Ａ）の拡大図
【図１８】図１４の楕円部分（Ｂ）の拡大図
【図１９】図１４の楕円部分（Ｃ）の拡大図
【図２０】図１４の楕円部分（Ｄ）の拡大図
【図２１】図１４の楕円部分（Ｅ）の拡大図
【図２２】従来例の液晶表示装置の断面図
【符号の説明】
【００９０】
２１、６０    液晶表示装置
２２    アクティブマトリクス基板
２３    対向基板
２４    液晶層
２５、４２    ガラス基板
２６    ゲート配線
２７    ゲート電極
２８    補助容量配線
２９    補助容量電極
３０    ゲート絶縁膜
３１    半導体層
３２    半導体コンタクト層
３３    ソース配線
３４    ソース電極
３５    ドレイン電極
３６    ＴＦＴ
３７    保護膜
３８    層間絶縁膜
３８ａ〜３８ｄ、６４ａ〜６４ｄ、６４ｌ〜６４ｐ    境界部
３８ｆ  凹凸部
３８ｇ  平坦部
３９、４５、６５、６７    透明電極
３９ａ〜３９ｄ、６５ａ〜６５ｄ    端部
４０、６６    反射電極（反射膜）
４０ａ〜４０ｄ    端部
６６ａ〜６６ｄ    外端部
６６ｅ〜６６ｈ    内端部
４３、４９〜５１    着色層
４４、１４４    段差部
４４ａ〜４４ｄ、６４ｈ〜６４ｋ、１４４ａ〜１４４ｄ  側壁
４７    ブラックマスク
５２    色重ねブラックマスク
６４    凸部（層間絶縁膜）
Ｈ      透過領域開口
Ｒ      反射領域
Ｔ      透過領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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