(57)【要約】【課題】  固体撮像素子の温度検出を正確に行なう。【解決手段】  固体撮像装置２は、撮像素子としてのＣＣＤイメージセンサ６が形成されたセンサチップ３、サーミスタ８，９などを備えている。ＣＣＤイメージセンサ６は受光素子２１に蓄積された信号電荷を垂直方向に転送する垂直転送路２３、及びこの垂直転送路２３に接続され、信号電荷を水平方向に転送する水平転送路２４を備えている。サーミスタ８，９は、垂直転送路２３及び水平転送路２４と近接し、且つ平行な位置にそれぞれ設けられており、このサーミスタ８，９に掛かる分圧電圧ＶS1，ＶS2の変化に基づいてＣＣＤイメージセンサ６の温度を検出する。【選択図】        図３
2006344904.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体撮像素子が形成されたセンサチップと、このセンサチップに固着され前記固体撮像素子を内部に封止するパッケージとからなる固体撮像装置において、
前記パッケージの内部に温度検出用のサーミスタを設けたことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
前記固体撮像素子は、受光素子と、この受光素子に蓄積された電荷を垂直方向に転送する垂直転送手段と、この垂直転送手段と垂直に接続され、前記垂直転送手段から転送された信号電荷を水平方向に出力する水平転送手段とを備えたＣＣＤイメージセンサであり、前記サーミスタは、前記垂直転送手段及び水平転送手段の少なくとも一方と近接し、且つ平行な位置に配されていることを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記固体撮像素子は、受光素子と、この受光素子に蓄積された信号電荷を画素毎に増幅して撮像信号として出力する画素単位増幅手段と、前記撮像信号を垂直方向に順次選択して読み出しを行なう垂直走査手段と、前記撮像信号を水平方向に順次選択して読み出しを行なう水平走査手段とを備えたＣＭＯＳイメージセンサであり、前記サーミスタは、前記垂直走査手段及び水平走査手段の少なくとも一方と近接し、且つ平行な位置に配されていることを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項４】
固体撮像素子が形成されたセンサチップ上に設けたサーミスタと、このサーミスタと直列に接続された分圧抵抗と、前記サーミスタと前記分圧抵抗との分圧電圧の変化に基づいて温度を検出する温度演算器とを備えたことを特徴とする固体撮像素子の温度検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像素子をパッケージに封止した固体撮像装置、及び固体撮像素子の温度検出装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＣＣＤなどの撮像素子を用いて撮像した撮影画像をデジタルの画像データに変換し、内蔵メモリやメモリカードなどの記録媒体に記録するデジタルカメラが普及している。通常、ＣＣＤやＣＭＯＳなどの撮像素子は、シリコンウェハなどの半導体基板上に複数形成され、この半導体基板から撮像素子が個別に切り出されたセンサチップとなり、さらにセンサチップをパッケージに封止した固体撮像装置となって流通している。そして、この固体撮像装置が、デジタルカメラなどの撮影レンズ後方に取り付けられている。
【０００３】
最近では、撮像素子の高画素化及び小型化が進んできており、これに伴って撮像素子の発熱量が大きくなってきている。そこで、特許文献１に記載されている冷却型固体撮像装置では、固体撮像素子を冷却するためのペルチェ素子を内蔵するとともに、温度検出素子としてのＰＮ接合ダイオード又は電界効果トランジスタを備えており、この温度検出素子を使用して固体撮像素子の温度を検出し、検出された温度に応じてペルチェ素子による冷却を制御している。これによって、固体撮像素子を設定温度に保つようにしている。
【特許文献１】特開平７−３８０１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記特許文献１記載の固体撮像装置では、温度検出素子としてＰＮ接合ダイオードや電界効果トランジスタを使用しているため、正確な温度検出が困難である。すなわち、ＰＮ接合ダイオードや電界効果トランジスタでは、周囲の温度変化によって、これらの出力特性も変化してくるため、その出力から固体撮像素子の温度を正確に検出することは非常に困難である。また、ＰＮ接合ダイオードや電界効果トランジスタの温度変化に応じた出力特性を正確に把握しようとする場合、これらの出力特性試験を数多く行なう必要があり、開発コストが増加してしまう。
【０００５】
本発明は、上記事情を考慮してなされたものであり、固体撮像素子の温度変化を精度良く確実に検出することが可能な固体撮像装置及び固体撮像素子の温度検出装置をローコストに提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の固体撮像装置は、固体撮像素子が形成されたセンサチップと、このセンサチップに固着され前記固体撮像素子を内部に封止するパッケージとからなる固体撮像装置において、前記パッケージの内部に温度検出用のサーミスタを設けたことを特徴とする。
【０００７】
なお、前記固体撮像素子は、受光素子と、この受光素子に蓄積された電荷を垂直方向に転送する垂直転送手段と、この垂直転送手段と垂直に接続され、前記垂直転送手段から転送された信号電荷を水平方向に出力する水平転送手段とを備えたＣＣＤイメージセンサであり、前記サーミスタは、前記垂直転送手段及び水平転送手段の少なくとも一方と近接し、且つ平行な位置に配されていることを特徴とする。
【０００８】
あるいは、前記固体撮像素子は、受光素子と、この受光素子に蓄積された信号電荷を画素毎に増幅して撮像信号として出力する画素単位増幅手段と、前記撮像信号を垂直方向に順次選択して読み出しを行なう垂直走査手段と、前記撮像信号を水平方向に順次選択して読み出しを行なう水平走査手段とを備えたＣＭＯＳイメージセンサであり、前記サーミスタは、前記垂直走査手段及び水平走査手段の少なくとも一方と近接し、且つ平行な位置に配されていることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の固体撮像素子の温度検出装置は、固体撮像素子が形成されたセンサチップ上に設けたサーミスタと、このサーミスタと直列に接続された分圧抵抗と、前記サーミスタと前記分圧抵抗との分圧電圧の変化に基づいて温度を検出する温度演算器とを備えたことを特徴とする固体撮像素子の温度検出装置。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の固体撮像装置は、固体撮像素子が形成されたセンサチップと、このセンサチップに固着され前記固体撮像素子を内部に封止するパッケージとからなる固体撮像装置において、前記パッケージの内部に温度検出用のサーミスタを設けているので、固体撮像素子の温度を精度良く確実に検出することができる。また、安価なサーミスタを使用することで固体撮像装置のローコスト化を図ることもできる。
【００１１】
また、固体撮像素子がＣＣＤイメージセンサの場合、サーミスタは、垂直転送手段及び水平転送手段の少なくとも一方と近接し、且つ平行な位置に配されており、固体撮像素子がＣＭＯＳイメージセンサの場合は、垂直走査手段及び水平走査手段の少なくとも一方と近接し、且つ平行な位置に配されているので、固体撮像素子の温度をさらに精度良く検出することができる。
【００１２】
さらにまた、本発明の固体撮像素子の温度検出装置は、固体撮像素子が形成されたセンサチップ上に設けたサーミスタと、このサーミスタと直列に接続された分圧抵抗と、前記サーミスタと前記分圧抵抗との分圧電圧の変化に基づいて温度を検出する温度演算器とを備えているので、固体差の少ないサーミスタ及び分圧抵抗を使用することによって、誤差が少なく正確な温度検出を行なうことが可能であり、また出力特性試験にかかるコストを減少させることができるので、ローコスト化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
図１及び図２は、本発明を実施した固体撮像装置の外観形状を示す斜視図、及び要部断面図である。固体撮像装置２は、センサチップ３と、このセンサチップ３上に接着剤によって接合された枠形状のスペーサー４と、このスペーサー４の上に接合されてスペーサー４内を封止するカバーガラス５と、サーミスタ８，９及び後述する分圧抵抗１１，１２（図３参照）からなる。
【００１４】
センサチップ３の上面には、固体撮像素子としてのＣＣＤイメージセンサ６と、このＣＣＤイメージセンサ６と電気的に接続された複数の接続端子７と、サーミスタ８，９とが設けられている。
【００１５】
スペーサー４には、無機材料、例えばシリコンが用いられており、ＣＣＤイメージセンサ６及びサーミスタ８，９を取り囲むロの字状に形成されている。カバーガラス５には、ＣＣＤのフォトダイオードの破壊を防止するために、透明なガラス、例えばα線遮蔽ガラスが用いられている。ＣＣＤイメージセンサ６とカバーガラス５との間の空隙は、マイクロレンズによる集光能力を低下させないために設けられている。
【００１６】
図３に固体撮像装置２の電気的構成の概略を示す。ＣＣＤイメージセンサ６は、複数の受光素子２１、フィールドシフトゲート２２、垂直転送路２３、水平転送路２４、及び出力増幅アンプ２６を有する。また、図示はしないが、受光素子２１の上には、カラーフイルタやマイクロレンズ等が積層されている。
【００１７】
受光素子２１は、２次元マトリクス状に配列された感光部で、入射光を信号電荷に変換する。受光素子２１は、例えばフォトダイオードが使用される。受光素子２１は、入射光の強さに応じて信号電荷を生成し、この信号電荷を時間とともに蓄積させていく。なお、図１及び図２においては、ＣＣＤイメージセンサ６は、３×３＝９個の受光素子２１が図示されているが、受光素子２１の個数及び配列はこれに限るものではなく、それぞれの固体撮像装置で設定される撮影画素数に応じて適宜変更すればよい。また、受光素子２１の配列については、通常のマトリクス配列の他、ハニカム配列であってもよい。
【００１８】
フィールドシフトゲート２２は、受光素子２１の蓄積された信号電荷が垂直転送路２３に漏れないように閉じ状態に遮蔽し、信号電荷を転送する際に開き状態にして信号電荷を垂直転送路２３に移動させる機能を有するゲート手段である。このフィールドシフトゲート２２は、ＣＣＤ駆動回路（図示せず）からフィールドシフトパルスが印加された際に開き状態となり、これ以外のときには遮蔽している。
【００１９】
垂直転送路２３は、１つの受光素子２１に対してそれぞれ１つずつ形成されている垂直転送電極３１からなり、垂直方向に信号電荷を転送する。垂直転送電極３１は上述したフィールドシフトゲート２２に接続されており、図示しないＣＣＤ駆動回路から垂直駆動信号が供給されたときそれぞれ駆動し、フィールドシフトゲート２２から転送された信号電荷を水平転送路２４へ垂直転送する。
【００２０】
水平転送路２４は、垂直転送路２３に接続される水平転送電極３２から形成されており、垂直転送路２３の転送方向と直交する水平方向に信号電荷を転送する。水平転送電極３２はＣＣＤ駆動回路から水平駆動信号が供給されたときそれぞれ駆動し、垂直転送路２３から転送された信号電荷を水平転送し、出力増幅アンプ２６へ出力する。増幅手段としての出力増幅アンプ２６は、水平転送路２４から転送されてきた信号を増幅して出力する。
【００２１】
サーミスタ８は、分圧抵抗１１、及び後述する垂直方向温度演算器５１とともに、温度検出部（温度検出装置）４１を構成する。なお、サーミスタ９は、分圧抵抗１２、及び後述する水平方向温度演算器５２とともに温度検出部（温度検出装置）４２を構成するが、温度検出部４１とほぼ同様の構成なので、以下では温度検出部４１について詳細に説明し、温度検出部４２については、温度検出部４１と異なる部分のみ説明する。
【００２２】
サーミスタ８は、分圧抵抗１１と直列に接続されており、この分圧抵抗１１とは反対側の一端がアース４６に接地されている。なお、分圧抵抗１１，１２は、ＣＣＤイメージセンサ６とは離れた位置、例えばスペーサー４の外周や、接続端子７の付近などに組み込まれることが好ましい。
【００２３】
このサーミスタ８は、上述した垂直転送路２３と近接し、且つ垂直転送路２３の長手方向に沿って平行に配置されている。またサーミスタ８と分圧抵抗１１との分圧点４７は、接続端子７の１つである接続端子７ａに結線されている。分圧抵抗１１の他端は、接続端子７ａとは別の接続端子７ｂに結線されている。なお、アース４６としては、半導体基板１２上に設けられたアースパターンなどを使用することが好ましいが、接続端子７の一つと結線し、その接続端子に外部のアース部品を接続するようにしてもよい。
【００２４】
また、サーミスタ９は、上述した水平転送路２４と近接し、且つ水平転送路２４の長手方向に沿って平行な位置に設けられている。さらにまたサーミスタ９は、分圧抵抗１２と直列に接続され、分圧抵抗１２と反対側の一端はアース４８に接続されている。サーミスタ９と分圧抵抗１２との分圧点４９は、接続端子７ｃに結線され、分圧抵抗１２の他端は、接続端子７ｄに結線されている。
【００２５】
上記構成の温度検出部４１，４２によってＣＣＤイメージセンサ６の温度を検出するときの状態について以下に説明する。先ず接続端子７ｂ，７ｄには電源を接続し、接続端子７ｂからアース４６の間、及び接続端子７ｄからアース４８の間に一定の電圧Ｖ1，Ｖ2を供給する。そして、接続端子７ａ，７ｃには、垂直方向温度演算器５１及び水平方向温度演算器５２を接続して分圧点４７，４９における電圧ＶS1，ＶS2を入力するように構成する。そして、固体撮像装置２の内部の温度、特に水平転送路２４と垂直転送路２３の温度が上昇すると、それらに近接し且つ平行に位置するサーミスタ８，９の温度も上昇する。これによって、温度特性によりサーミスタ８，９の抵抗が減少するので、分圧点４７，４９の電圧ＶS1，ＶS2も減少する。このようにして分圧点４７，４９における電圧ＶS1，ＶS2を垂直方向温度演算器５１及び水平方向温度演算器５２に入力し、その電圧値に基づいて温度が演算される。
【００２６】
上記固体撮像装置２は、ＣＣＤイメージセンサ６上に被写体画像を結像する撮影レンズや、撮像によって生成された画像データを記憶するメモリ、固体撮像装置２を制御する制御回路等とともに、デジタルカメラや携帯電話機等の小型電子機器に組み込まれる。
【００２７】
上記固体撮像装置２は、例えば、次のように製造される。先ず多数のＣＣＤイメージセンサ６や接続端子７等をシリコンウェハ上に設け、このシリコンウェハをレーザダイシング装置などによって切り出して個片化し、センサチップ３を形成する。一方、カバーガラス５にはシリコンを積層し、フォトリソグラフィ技術，現像，エッチング等を用いて、スペーサー４を形成する。そして、センサチップ３に、サーミスタ８，９及び分圧抵抗１１，１２などを実装した後、スペーサー４の端面に接着剤を塗布し、センサチップ３と重ねて接合することにより、ＣＣＤイメージセンサ６及びサーミスタ８，９をスペーサー４とカバーガラス５とで内部に封止して固体撮像装置２が形成される。
【００２８】
上記構成の作用について説明する。デジタルカメラなどに組み込まれた固体撮像装置２によって撮影が行われるときには、レリーズボタンの押圧に伴なって撮影露光（受光素子２１に蓄積された信号電荷の取り込み）を行う。受光素子２１での露光が完了すると、フィールドシフトゲート２２が開き状態となり、垂直転送路２３へ信号電荷が転送され、続いて水平転送路２４へと転送される。そして水平転送路２４へ転送された信号電荷は、アンプ２６で増幅されて出力される。増幅された信号電荷は、その後Ｒ，Ｇ，Ｂの画像信号に変換され、さらにアナログ信号からデジタル信号に変換された画像データとなる。
【００２９】
上述したように、高速で信号電荷を転送、出力する固体撮像装置２では、垂直転送路２３及び水平転送路２４の温度変化が大きいが、上述したようにこれらに近接し、且つ平行な位置にサーミスタ８，９を設けているので、温度検出部４１，４２は垂直転送路２３及び水平転送路２４の温度変化に対して精度の高い温度検出を行なうことができる。さらに、温度検出素子としてサーミスタ８，９を使用しているので、温度変化に対する出力特性が安定しやすく、正確な温度検出を行なうことが可能となる。よって、ＰＮ接合ダイオードや電界効果トランジスタなどを使用した場合のように出力特性の試験を数多く行なう必要がないので、開発コストを低減させることが可能となり、さらにサーミスタが安価であることも相まって、固体撮像装置２のローコスト化を図ることができる。
【００３０】
なお、上記第１の実施形態においては、撮像素子としてＣＣＤイメージセンサが形成された固体撮像装置に対して適用しているが本発明はこれに限るものではなく、ＣＭＯＳイメージセンサが形成された固体撮像装置にも適用することができる。以下では、本発明の第２実施形態であり、撮像素子としてＣＭＯＳイメージセンサが形成された固体撮像装置について説明する。この固体撮像装置７０は、図４に示すように、ＣＭＯＳイメージセンサ７２が形成されるとともに、サーミスタ７３，７４、及び分圧抵抗７５，７６、接続端子７７などが設けられたセンサチップ７１を備えている。なお、詳しくは図示しないが、固体撮像装置７０は、センサチップ７１と、このセンサチップ７１上に接合され、ＣＭＯＳイメージセンサ７２及びサーミスタ７３，７４を内部に封止するスペーサ及びカバーガラスなどからなる。
【００３１】
ＣＭＯＳイメージセンサ７２は、２次元マトリクス状に配列された複数の画素８０があり、この画素８０毎に受光素子８１、画素単位増幅アンプ（画素単位増幅手段）８２、画素選択ゲート８３などが設けられており、さらに垂直走査回路８６、水平走査回路８７、アンプ／ノイズリダクション処理回路８８、画素列選択ゲート８９、出力増幅アンプ９１、などが設けられている。なお、図４においては、ＣＭＯＳイメージセンサ７２は、３×３＝９個の受光素子８１が図示されているが、受光素子８１の個数及び配列はこれに限るものではなく、それぞれの固体撮像装置で設定される撮影画素数に応じて適宜変更すればよい。また、受光素子８１の配列はハニカム配列であってもよい。
【００３２】
受光素子８１は、それぞれ画素単位増幅アンプ８２に接続されており、この画素単位増幅アンプ８２は、受光素子８１に蓄積された信号電荷を増幅して出力する。画素単位増幅アンプ８２の出力側には、画素選択ゲート８３が接続されている。各画素８０の画素選択ゲート８３は、信号線９６を介して垂直走査回路８６に接続されており、垂直走査回路８６から送られる駆動信号によって開き状態となり画素８０の垂直方向の走査選択を行う。
【００３３】
画素選択ゲート８３は、画素列毎に配された信号線９７を介して各画素列の外に配置されたアンプ／ノイズリダクション処理回路８８に接続されている。このアンプ／ノイズリダクション処理回路８８は、画素８０毎に設けられたアンプ８２の利得とオフセットのばらつきを補償し、リセット雑音、１／ｆ雑音などのノイズを除去する。アンプ／ノイズリダクション処理回路８８の出力側には、画素列選択ゲート８９を介して水平走査回路８７に接続されており、画素列の走査選択を行う。
【００３４】
図示しないＣＭＯＳ駆動回路からの制御により垂直走査回路８６及び水平走査回路８７から駆動信号が出されて読み出し画素が選択されると、画素単位増幅アンプ８２によって受光素子８１に蓄積された信号電荷が撮像信号として出力される。画素単位増幅アンプ８２によって増幅されて出力された撮像信号は、信号線９６，９７を介して読み出され、アンプ／ノイズリダクション処理回路８８を経て、出力増幅アンプ９１で増幅されて出力される。
【００３５】
なお、ＣＭＯＳイメージセンサとしては、上記の構成に限定されるものではなく、カラムアンプ（列毎に増幅を行うもの）やカラムＡＤ変換器（列毎にデジタル信号への変換を行うもの）が設けられた構成のものがあるが、上記の構成と同じ機能を持つものが回路構成的に位置を変えただけであり、実質的な構成・機能的には同一のものである。
【００３６】
本実施形態においては、サーミスタ７３は、垂直走査回路８６と近接し、且つ垂直走査回路８６の長手方向に沿って平行に配置され、サーミスタ７４は、水平走査回路８７と近接し、且つ水平走査回路８７の長手方向に沿って平行に配置されている。さらに、サーミスタ７３、分圧抵抗７５、及び垂直方向温度演算器９１から温度検出部９３を、サーミスタ７４、分圧抵抗７６、及び水平方向演算器９２から温度検出部９４を構成する。また、サーミスタ７３，７４と、分圧抵抗７５，７６との分圧点９６，９７は、接続端子７７のうちの接続端子７７ａ，７７ｃと、分圧抵抗７５，７６の一端は、接続端子７７ｂ，７７ｄとそれぞれ結線され、サーミスタ７３，７４の一端はアース９８，９９に接地されている。
【００３７】
上述のように構成された温度検出部９３，９４からＣＯＭＳイメージセンサ７２の温度を検出する方法としては、上記実施形態と同様に、分圧点９６，９７からの電圧値を垂直方向温度演算器９１及び水平方向温度演算器９２に入力し、その分圧電圧の変化に基づく温度を算出すればよい。
【００３８】
上記のように構成した固体撮像装置７０では、水平走査回路８６及び垂直走査回路８７に近接し、且つ平行な位置に設けたサーミスタ７３，７４で温度を検出することができるので、ＣＭＯＳイメージセンサ７２の温度を正確に検出し、また、上記第１の実施形態と同様に開発コストがかからないので固体撮像装置７０のローコスト化を図ることができる。また、ＣＭＯＳイメージセンサでは、半導体基板上に、ノイズリダクション処理回路や、Ａ／Ｄ変換器、カラムアンプ、カラムＡ／Ｄ変換器などを形成している場合もあるので、これらのうち発熱量の大きい回路の付近にサーミスタを設けるようにしてもよい。
【００３９】
なお、上記第１及び第２実施形態においては、温度検出部を構成する分圧抵抗をセンサチップ上に備えているが本発明はこれに限らず、例えば、サーミスタの一端をセンサチップ上の接続端子の一つに接続し、その接続端子に分圧抵抗を接続して温度検出部を構成するようにしてもよい。
【００４０】
なお、上記実施形態においては、固体撮像装置、及び固体撮像素子の温度を検出する温度検出装置について説明しており、これらによって検出された固体撮像素子の温度を使用することについては特に説明していないが、例えば検査工程において、固体撮像装置の性能検査で温度評価を行なうときなどに上記実施形態の構成が好適である。また、固体撮像装置が組み込まれたデジタルカメラなどで、固体撮像素子の温度特性に応じた補正を行なうための補正プログラムを設けるようにしてもよい。この場合、固体撮像素子で撮影される画像の輝度やコントラスト、色彩などが固体撮像素子の温度上昇によって変化するときの変化量が予め記録されており、この温度に応じた画像の変化を画像処理によって補正する。この際、画像の補正量は、ユーザの入力、又は検出された温度に応じて自動的に補正するように補正プログラムを実行すればよい。
【００４１】
また、固体撮像装置から検出された温度を使用する構成としては、例えば固体撮像装置にペルチェ素子などからなる冷却装置や、冷却ファンが回転するファン装置を設け、検出された温度に応じてそれらの冷却装置を制御するようにしてもよい。あるいは、固体撮像素子の駆動パターンを切り替え可能な駆動制御手段を設け、検出された温度に応じてその駆動パターンの切り替え制御を行なうようにしてもよい。この場合、例えば検出された固体撮像素子の温度が一定値以下の場合は高速駆動パターンで固体撮像素子を駆動し、温度が一定値を超える場合は、低速駆動パターンで固体撮像素子を駆動するようにすればよい。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の第１実施形態を適用した固体撮像装置の斜視図である。
【図２】本発明の第１実施形態を適用した固体撮像装置の要部断面図である。
【図３】固体撮像装置の電気的構成の概略を示すブロック図である。
【図４】本発明の第２実施形態を適用した固体撮像装置の電気的構成の概略を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００４３】
２，７０  固体撮像装置
３，７１  センサチップ
６  ＣＣＤイメージセンサ（固体撮像素子）
８，９  ７３，７４  サーミスタ
１１，１２，７５，７６  分圧抵抗
４１，４２，９３，９４
２１，８１  受光素子
２３  垂直転送路（垂直転送手段）
２４  水平転送路（水平転送手段）
４１，４２，９３，９４  温度検出部（温度検出装置）
５１，５２，９３，９４  温度演算器
７２  ＣＭＯＳイメージセンサ（固体撮像素子）
８６  垂直走査回路
８７  水平走査回路
【図１】
2006344904.tif 000003
【図２】
2006344904.tif 000004
【図３】
2006344904.tif 000005
【図４】
2006344904.tif 000006