(57)【要約】【課題】  薄膜型電子源を用いた表示装置で、上部電極に用いる材料の構成比，膜厚比，全膜厚を最適化することで、仕事関数を低減し、高い電子放出効率を実現させた高輝度な画像表示装置を提供する。【解決手段】  Ａｕ，Ｐｔ，Ｉｒからなる金属薄膜を上部電極に用い、Ｉｒ元素量に対するＡｕ元素量を２.４〜３.６とすること、Ｐｔ元素量を１.２〜２.４にすること、上部電極の膜厚を２.５〜３.５ｎｍにすること、結果的に上部電極の仕事関数を４.２〜４.７ｅＶにすることで高い電子放出効率を実現する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上部電極と下部電極とを有し、該下部電極と該上部電極間に電圧を印加して該上部電極側より電子を減圧雰囲気中に放出し、前記電子を蛍光体に照射する薄膜型電子源を用いた表示装置において、
上部電極の仕事関数が４.２〜４.７ｅＶであることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
上部電極と下部電極とを有し、該下部電極と該上部電極間に電圧を印加して該上部電極側より電子を減圧雰囲気中に放出し、前記電子を蛍光体に照射する薄膜型電子源を用いた表示装置において、
該上部電極は、Ａｕ，Ｐｔ，Ｉｒを含む金属薄膜よりなり、Ｉｒ元素量に対するＡｕ元素量の比率が２.４〜３.６倍、Ｉｒ元素量に対するＰｔ元素量が、１.２〜２.４倍であることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載された薄膜型電子源を用いた表示装置であって、
上記上部電極は、２.５〜３.５ｎｍの金属薄膜であることを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子放出部から真空中に電子を放出する薄膜型電子源を用いた表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜型電子源とは、上部電極−絶縁層または半導体層など−下部電極の３層薄膜構造を基本とし、上部電極−下部電極の間に電圧を印加して、上部電極の表面から真空中に電子を放出させるものである。例えば金属−絶縁体−金属を積層したＭＩＭ（Metal-
Insulator-Metal）型，金属−絶縁体−半導体を積層したＭＩＳ(Metal-Insulator-
Semiconductor)型等がある。
【０００３】
ＭＩＭ型薄膜電子源については、本発明者等によって例えば特開２００１−243901号
（特許文献１）に述べられており、その動作原理を図１に示す。上部電極１３と下部電極１１との間に駆動電圧Ｖｄを印加して、絶縁層１２内の電界を１〜１０ＭＶ／cm程度にすると、下部電極１１中のフェルミ準位近傍の電子はトンネル現象により障壁を透過し、絶縁層１２，上部電極１３の伝導帯へ注入されホットエレクトロンとなる。これらのホットエレクトロンは絶縁層１２中、上部電極１３中で散乱されエネルギーを損失するが、上部電極１３の仕事関数φ以上のエネルギーを有する一部のホットエレクトロンは、真空２１中に放出される。
【０００４】
この薄膜電子源は複数本の上部電極１３と、複数本の下部電極１１とを直交させてマトリクスを形成すると、任意の場所から電子線を発生させることができるので、表示装置等の電子源に用いることができる。これまで、Ａｕ−Ａｌ2Ｏ3−ＡｌのＭＩＭ（Metal-
Insulator-Metal）構造などから電子放出が観測されている。
【０００５】
薄膜型電子源を表示装置等に適用する際、高い電子放出効率、すなわち注入電流（ダイオード電流）に対する放出電流の比が高いものを用いる事が望ましい。電子放出効率が高くなるほど、表示装置の輝度は向上する。この電子放出効率を高めるには、上部電極１３の仕事関数φを小さくすることが極めて重要であり、上部電極１３の材料，構成，膜厚などの最適化が必要となる。
【０００６】
特開２００１−２４３９０１号（特許文献１）では、膜厚５ｎｍ以下のＩｒ，Ｐｔ，
Ａｕを上部電極に用いることが提案されている。特開２０００−３０６０３号（特許文献２）では上部電極にＩｒ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ａｌ，Ａｌ合金，Ｔｉ，Ｃｒ，導電性のＩＴＯ，ＺｎＯ，ＳｎＯ2，ＩｒＯ2及びＰｄＯを用いることが提案されている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−２４３９０１号公報
【特許文献２】特開２０００−３０６０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記材料を上部電極に用いる場合、その材料構成比，膜厚比，全膜厚，仕事関数などが具体的に示されておらず、薄膜型電子源における電子放出の高効率化が不明確という問題があった。
【０００９】
そこで、本発明は、上部電極に用いる材料の構成比，膜厚比，全膜厚，仕事関数を具体的に提示し、その仕事関数の減少により薄膜型電子源の電子放出効率を向上させ、それによって輝度を改良した表示装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、薄膜電極を通して電子を減圧雰囲気中に放出する薄膜型電子源を用いる表示装置において、その電子放出効率を高めるには、上部電極の仕事関数φを小さくすることに着目してなされたものである。
【００１１】
具体的には、従来約５ｅＶ以上であった仕事関数が４.２〜４.７ｅＶであること、Ａｕ，Ｐｔ，Ｉｒからなる金属薄膜を上部電極に用い、Ｉｒ元素量に対するＡｕ元素量，Ｐｔ元素量がそれぞれ、２.４〜３.６，１.２〜２.４とすること、この全膜厚が２.５〜３.５ｎｍとすることによって上記目的を実現できる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の薄膜型電子源を用いた表示装置は、上部電極に用いる材料の構成比，膜厚比，全膜厚を最適化することで、仕事関数の低減を実現し、極めて薄い金属薄膜電極を通して高い電子放出効率が可能となった。この高効率で放出させた電子を蛍光体に照射することで、高輝度な画像表示装置の実現が可能となった。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施例を説明する。
【実施例１】
【００１４】
本発明の実施の形態として、上記目的を実現するＭＩＭ電子源の例を図２で説明する。図２における（ａ）は１画素の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ′断面図、（Ｃ）は(ａ)のＢ−Ｂ′断面図である。なお、ここで言う１画素（ピクセルとも称する）とはカラー表示の単位画素であり、各１画素は異なる原色を表示する複数のサブ画素（以下では、サブピクセルとも称する）で構成される。本実施例では、赤，緑，青の３原色のサブ画素とする。
【００１５】
始めに、図２に示したように、ガラス等の絶縁性の基板（陰極基板）１０上に下部電極１１となる金属膜を成膜する。下部電極１１の材料としてはアルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金（Ａｌ合金）を用いる。ＡｌやＡｌ合金を用いるのは、これらの材料は陽極酸化により良質の絶縁膜が形成できるからである。ここでは、ネオジム（Ｎｄ）を２原子量％ドープしたＡｌ−Ｎｄ合金を用いた。この下部電極１１の成膜には、例えば、スパッタリング法を用いた。その膜厚は３００ｎｍとした。成膜後は、パターニング工程，エッチング工程によりストライプ形状の下部電極１１を形成した。
【００１６】
この下部電極１１の電極幅は、画像表示装置の画面サイズや解像度により異なるが、そのサブピクセルの配列ピッチの程度（大略、１００〜２００μｍ）程度とする。エッチングは、例えば燐酸，酢酸，硝酸の混合水溶液でのウェットエッチングを用いる。この下部電極１１は幅の広い簡易なストライプ形状のため、電極加工用のレジストのパターニングは安価な印刷法を用いることができ、ここではスクリーン印刷法を用いた。もちろん、プロキシミティ露光等の比較的安価なホトエッチング工程を用いることもでき、ステッパやプロジェクションアライナなどを用いた露光よりも低コスト化を実現できる。
【００１７】
次に、電子放出部を制限し、下部電極１１のエッジへの電界集中を防止する保護絶縁層１４と、絶縁層１２を形成する。まず、下部電極１１上の電子放出部となる部分にレジスト膜を塗布し、このレジスト膜でマスクする。レジスト膜でマスクされない部分を選択的に厚く陽極酸化し、保護絶縁層１４とする。本工程で用いるレジストは電子加速層の形状となるため、電極と比較して加工精度が高い方が望ましい。そのため、本実施例では印刷法ではなく、プロキシミティ露光を用いたホトリソグラフィー工程でパターニングした。陽極酸化は、化成電圧を１００Ｖとすれば、厚さ約１３６ｎｍの保護絶縁層１４が形成される。
【００１８】
次に、上記レジスト膜を除去し、残りの下部電極１１の表面を陽極酸化する。例えば、化成電圧を６Ｖとすれば、下部電極１１上に厚さ約１０ｎｍの絶縁層１２が形成される。
【００１９】
次に、層間膜１５を形成し、その上に上部電極１３への給電線である上部バス電極２０となる金属膜を、例えばスパッタリング法等で成膜する。層間膜１５としては、例えばシリコン酸化物やシリコン窒化膜，シリコンなどを用いることができる。ここでは、シリコン窒化膜を用い、膜厚は１００ｎｍとした。この層間膜１５は、陽極酸化で形成する保護絶縁層１４にピンホールがあった場合、その欠陥を埋め、下部電極１１と上部バス電極間の絶縁を保つ役割を果たす。
【００２０】
上部バス電極２０となる金属膜は金属膜下層１６と金属膜上層１８との積層構造とし、金属膜下層１６としては例えばＡｌ−Ｎｄ合金、金属膜上層１８としては例えば銅(Ｃｕ)やクロム（Ｃｒ）などの各種の金属材料を用いることができる。ここでは、金属膜下層
１６にＡｌ−Ｎｄ合金を用い、金属膜上層１８としてＣｕを用いた。
【００２１】
続いて、スクリーン印刷によるレジストのパターニングとエッチング工程により金属膜上層１８を下部電極１１と交差するストライプ形状に加工する。この金属膜上層１８のストライプ電極は１ピクセル中で１本形成する。なお、金属膜上層１８で示されるストライプ電極に隣接する他のストライプ電極は図示していない。
【００２２】
続いて、スクリーン印刷によるレジストのパターニングとエッチング工程により金属膜下層１６を、下部電極１１と交差するストライプ形状に加工する。この金属膜下層１６のストライプ電極も１ピクセル中で１本形成する。その際、印刷するレジスト膜を金属膜上層１８のストライプ電極とは平行に、その位置をずらし、金属膜下層１６のストライプ電極の片側では金属膜上層１８より電子放出部側に張り出させて形成する。この張り出し部で当該金属膜下層１６を覆うことでエッチングを抑制し、後の工程で上部電極１３との接続を確保するコンタクト部を形成する。また、反対側では、金属膜上層１８に庇を形成し、後の工程で上部電極１３を分離するための金属膜下層１６のオーバーエッチングして後退部を形成するためのマスクとする。これにより上部電極１３への給電を行う上部バス電極２０（金属膜下層１６と金属膜上層１８の積層膜）を形成することができる。
【００２３】
続いて、層間膜１５を加工して電子放出部を開口する。電子放出部はピクセル内の１本の下部電極１１と、該下部電極１１と交差する２本のストライプ形状の上部バス電極２０（上部バス電極２０と図示していない隣接する上部バス電極２０）に挟まれた空間の一部に形成する。この際のレジストのパターニングは孔パターンのため、プロキシミティ露光を用いて行った。また、エッチング加工は、例えばＣＦ4やＳＦ6を主成分とするエッチングガスを用いたドライエッチングによって行うことができる。
【００２４】
そして最後に、上部電極１３の成膜を行う。この成膜法としては様々な方法を採用できるが、ここではスパッタを用いた。上部電極１３には、イリジウム（Ｉｒ），白金(Ｐｔ)，金（Ａｕ）の積層膜を用いた。その元素比，膜厚については、後述する。この時、上部電極１３は、隣接するストライプ形状の上部バス電極２０の一方側（図２の右側）で、その金属膜上層１８の庇により切断されて成膜され、各ピクセルに分離される。一方、ストライプ形状の上部バス電極２０の他方側（図２の左側）では金属膜下層１６のコンタクト部により上部電極１３は断線を起こすことなく、層間膜１５や絶縁層１２を覆って連続成膜され、電子源への給電構造が構成される。
【実施例２】
【００２５】
図３は本発明による画像表示装置を示す模式平面図である。なお、図２と同一参照符号は同一機能部分に対応する。この画像表示装置は、陰極側基板１０（以下、陰極基板１０とも言う）と表示側基板（以下、蛍光面基板とも言う）とを貼り合わせた表示パネルで構成される。なお、図３では、蛍光面基板は、煩雑になるのを回避するため、その一部のみを示し、内面に形成される蛍光面の構成部材の一部を陰極基板１０の上に図示した。蛍光面は、コントラストを上げる目的のブラックマトリクス１２０で区画された赤色蛍光体
１１１，緑色蛍光体１１２、および青色蛍光体１１３とから構成されている。また、この蛍光面基板の内面には、数ＫＶの高電圧が印加される陽極が成膜されている。なお、陽極は図示を省略してある。
【００２６】
蛍光面を構成する蛍光体としては、例えば赤色としてＹ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ（Ｐ２２−Ｒ）を、緑色としてＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ(Ｐ２２−Ｇ)、青色としてＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｌ（Ｐ２２−Ｂ）を用いることができる。ブラックマトリクス１２０は、上記各色の蛍光体の周囲を囲んで隣接する蛍光体を区画するように表示側基板の内面に形成されている。
【００２７】
陰極基板１０と蛍光面基板１００とは、パネルを大気圧から支持する高強度のスペーサを介して貼り合わせられている。スペーサは板状のガラスまたはセラミックスに帯電を防止するための導伝性を付与したものである。このスペーサは、陰極基板１０の上部バス電極２０を構成する金属膜上層１８上に配置し、蛍光面基板のブラックマトリクス１２０の下に隠れるように配置する。下部電極１１はピクセルに表示信号（表示データ）を供給する駆動回路５０へ接続され、金属膜下層１６と金属膜上層１８の積層膜からなる上部バス電極２０はピクセルに選択信号を供給する走査線回路６０に接続される。この薄膜型電子源では上部バス電極２０で構成される走査線に印加される電圧は数Ｖ〜数１０Ｖで、数
ＫＶを印加する蛍光面の電位に対し十分低く、スペーサの陰極側に対しほぼ接地電位に近い電位を与えることができる。このため、金属膜下層１６と金属膜上層１８の積層膜からなる上部バス電極２０でスペーサ電極を兼用させることが可能である。本実施例では上部バス電極２０でスペーサ電極を兼用させた。
【００２８】
上記の画像表示装置を用いて、ＭＩＭ電子源における上部電極を検討した。従来の技術および、発明の課題でも記載したが、ＭＩＭ電子源の動作原理を図１に示す。上部電極
１３と下部電極１１との間に駆動電圧Ｖｄを印加すると、下部電極１１中のフェルミ準位近傍の電子はトンネル現象により障壁を透過し、絶縁層１２，上部電極１３の伝導帯へ注入されホットエレクトロンとなる。上部電極１３の仕事関数φ以上のエネルギーを有する一部のホットエレクトロンは、真空２１中に放出される。ＭＩＭ電子源を表示装置等に適用する際、高い電子放出効率、すなわち注入電流（ダイオード電流）に対する放出電流の比が高いものを用いる事が望ましく、この真空中に放出されるホットエレクトロンが多いほど良い。このためには、仕事関数φを小さくすることが極めて重要であり、上部電極
１３の材料，構成，膜厚などの最適化が必要となる。そこで、ＭＩＭ電子源における上部電極を検討した。
【００２９】
上部電極には、イリジウム（Ｉｒ），白金（Ｐｔ），金（Ａｕ）の順に成膜した積層膜を用いた。Ａｕ，Ｐｔ，Ｉｒ量が異なる２種類のパネルＡ，パネルＢを用いた。表１に後述する蛍光Ｘ線で測定した、Ｉｒ量に対する、Ａｕ量，Ｐｔ量を示す。各層の膜厚についても後述する。これらのパネルを用いた画像表示装置の電子放出効率も表１に示した。パネルＡでは、２.５％ を超える高い電子放出効率が得られた。そこで、パネルＡ，Ｂの仕事関数，元素量のばらつき，膜厚を評価した。
【００３０】
本発明のＩｒ量に対する、Ａｕ量，Ｐｔ量を示す表である。
【００３１】
【表１】
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【００３２】
仕事関数の評価には、Ｘ線光電子分光法を用いた。図４にその評価法を示す。フェルミ準位にある電子からの光電子はエネルギー：Ｅ（Fermiedge）を持つ。準位の深いところにある電子で、入射Ｘ線により仕事関数：φをぎりぎり超えた光電子はエネルギー：Ｅ
(cutoff)を持つ。入射Ｘ線のエネルギー：ｈνとすると以下の関係があり、この式からφを算出した。
【００３３】
ｈν＝Ｅ(cutoff)−Ｅ(Fermiedge)＋φ
電子放出効率を測定した表示装置を分解して、カソードパネルを取り出し、適宜な大きさに切断した後、Ｘ線光電子分光を測定した。Ｘ線源はＡｌで、管電圧１５ｋＶ，管電流５〜１５ｍＡとし、分光素子によりＡｌ−Ｋ線(１４８６.７ｅＶ) のみを用いた。図５に、Ａｕ，Ｐｔ，Ｉｒの光電子スペクトルを示す。パネルＡ，Ｂでは表１に示すように元素比が異なっているのがわかる。図６にcutoffでの、図７にFermiedge での光電子スペクトルを各々示す。本測定では、cutoff領域での光電子をより正確に測定するために、測定試料に−５Ｖのオフセットが印加してある。図８に図６のcutoff領域の拡大図を示した。光電子スペクトルの接線と強度０との交点をＥ（cutoff）とした。同様に図９に図７の
Fermiedge 領域の拡大図を示し、光電子スペクトルの接線と強度０との交点をＥ
(Fermiedge) とした。表２にＥ（cutoff）とＥ(Fermiedge) の結果、および上式から算出した仕事関数φを示した。
【００３４】
本発明のＥ（cutoff），Ｅ（Fermiedge），仕事関数の結果を示す表である。
【００３５】
【表２】
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【００３６】
パネルＡのφは４.２ｅＶで、パネルＢよりも０.７ｅＶ小さい値が得られた。また、パネルＡにおいて場所が異なる領域においても同様な測定を実施し、仕事関数として４.７ｅＶが得られた。以上の結果から、電子放出効率が２.５％ をこえるパネルの仕事関数は、４.２から４.７ｅＶの範囲にあった。
【００３７】
次に、パネルＡ，Ｂの元素量を蛍光Ｘ線法により評価した。電子放出効率を測定した表示装置を分解して、カソードパネルを取り出し、適宜な大きさに切断して測定した。Ｘ線源はＲｈで、管電圧５０ｋＶ，管電流５０ｍＡ、測定領域は２０mm径とし、分光結晶にはＬｉＦを用いた。図１０にＩｒ，Ｐｔ，Ａｕの蛍光Ｘ線スペクトルとバックグランドを差し引いた各元素の蛍光Ｘ線量を示す。Ｉｒ量に対する、Ａｕ量，Ｐｔ量については、表１に示した。Ｉｒ量に対して、Ｐｔ量，Ａｕ量が多いパネルＡでは、パネルＢに比べて、仕事関数が小さく、電子放出効率も高い。これは、１）仕事関数が小さいＡｕの厚膜化、
２）ＰｔによるＡｕとＩｒとの反応抑制によるものと推察される。
【００３８】
次に、パネルＡにおいて場所による各元素のばらつきを評価した。測定部位の異なる
１５箇所の蛍光Ｘ線の測定結果を表３に示す。また、その平均値，誤差（最大値と最小値の差の半分として定義）、Ｉｒ量に対するＡｕ量，Ｐｔ量とその誤差を併せて示す。以上の結果から、電子放出効率が２.５％ をこえるパネルの上部電極において、Ｉｒ量に対するＡｕ量，Ｐｔ量はそれぞれ２.４〜３.６，１.２〜２.４の範囲にあった。
【００３９】
測定部位の異なる１５箇所の蛍光Ｘ線の測定結果と、本発明のＩｒ量に対するＡｕ量，Ｐｔ量とその誤差、Ａｕ，Ｐｔ，Ｉｒの各膜厚とその誤差を示す表である。
【００４０】
【表３】
2006269237.tif 000005
【００４１】
次に、この蛍光Ｘ線量から各元素の膜厚を算出した。この算出には、Ｘ線反射率法による絶対膜厚測定と蛍光Ｘ線量の較正曲線を用いた。ガラス基板上にＡｕ，Ｐｔ，Ｉｒを各々単層で成膜した。その設計膜厚は２，５，１０，２０ｎｍとした。これらの試料を用いて較正曲線を作成した。まず各試料のＸ線反射率を測定した。Ｘ線源はＣｕで、管電圧
５０ｋＶ，管電流２５０ｍＡとし、Ｇｅ（１１１）の分光結晶によりＣｕ−Ｋα１線のみを用いた。図１１に設計膜厚１０ｎｍの各元素のＸ線反射率の測定結果を示す。Ｐｔと
Ａｕの反射率はみやすいように３桁ずつ、ずらして表示した。解析には最小二乗法を用いて、単層膜の膜厚，密度，界面幅を最適化した。図１０には最適化後の計算反射率も併せて示した。測定と計算の反射率は非常に良く一致しており、解析結果が適切であることを示している。
【００４２】
次に、これら較正用試料の蛍光Ｘ線を、前述したパネルＡ，Ｂの測定と同じ条件で測定し、図１０で示したようにバックグランドを差し引いて、各試料のＡｕ量，Ｐｔ量，Ｉｒ量を求めた。この解析膜厚と蛍光Ｘ線強度による較正曲線を図１２に示す。Ａｕ，Ｐｔ，Ｉｒとも良い直線性を示しており、その相関係数を図１２に併せて示した。この相関係数を用いることで蛍光Ｘ線強度から膜厚が算出できる。表３に各元素の平均蛍光Ｘ線強度から算出した膜厚を併せて示した。パネルＡのＡｕの膜厚は１.４〜１.８ｎｍ、Ｐｔの膜厚は０.７〜１.１ｎｍ、Ｉｒの膜厚は０.４〜０.６ｎｍであった。以上の結果から、電子放出効率が２.５％をこえるパネルの上部電極の膜厚は、２.５〜３.５ｎｍの範囲にあった。
【００４３】
なお、以上の実施例では、金属−絶縁体−金属型（ＭＩＭ型）の薄膜型電子源を用いた表示装置を例に説明したが、他の薄膜型電子源を用いた表示装置にも適用できる。例えば、ＭＯＳ型(metal-oxide-semiconductor型)，ＭＩＳ型(metal-insulator-semiconductor型)，ＨＥＥＤ型（high-efficiency-electro-emissiondevice型），ＥＬ型（Electro 
luminescence型），ポーラスシリコン（多孔質半導体層）型等の種々の薄膜型電子源を用いた表示装置にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】薄膜型電子源動作原理と本発明の低仕事関数の範囲を示す図である。
【図２】薄膜型電子源の構造を示す図である。
【図３】薄膜型電子源の構造を示す図である。
【図４】Ｘ線光電子分光法により仕事関数の算出法を示す図である。
【図５】Ａｕ，Ｐｔ、Ｉｒの光電子分光のスペクトルを示す図である。
【図６】光電子分光のcutoff領域のスペクトルを示す図である。
【図７】光電子分光のFermiedge領域のスペクトルを示す図である。
【図８】図６のcutoff領域を拡大した図である。
【図９】図７のFermiedge領域を拡大した図である。
【図１０】Ａｕ，Ｐｔ，Ｉｒの蛍光Ｘ線のスペクトルを示す図である。
【図１１】設計膜厚１０ｎｍの各元素のＸ線反射率の測定結果を示す図である。
【図１２】解析膜厚と蛍光Ｘ線強度による較正曲線を示す図である。
【符号の説明】
【００４５】
１０…基板、１１…下部電極、１２…絶縁層、１３…上部電極、１４…保護絶縁層、
１５…層間膜、１６…金属膜下層、１８…金属膜上層、２０…上部バス電極、２１…真空、５０…下部電極駆動回路、６０…上部電極駆動回路、１１１…赤色蛍光体、１１２…緑色蛍光体、１１３…青色蛍光体、１２０…ブラックマトリクス。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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