(57)【要約】【課題】  樹脂パッケージ型半導体装置の放熱用リード５０２の形状を変え、放熱の向上とフローハンダ付けする際のはんだブリッジの防止を提供する事にある。【解決手段】  複数のリードとこれに併設された放熱リードを有する樹脂パッケージ型半導体装置をフローはんだ付けする際、リード端子部のはんだブリッジを防止する樹脂パッケージ型半導体装置に関するもので、複数のリードと放熱リードの間隔を広くすると共に、放熱リードの形状として長短に変えた構成。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂パッケージの内部に発熱性半導体チップが設けられ、この半導体チップと導通する複数本のリードと熱を放熱する為の放熱用リードとが樹脂封止された樹脂封止体から側面に延伸された半導体装置において、前記樹脂封止体から延伸された部分の放熱リードは、両サイドに延伸された導通リードとの間隔が広くなる様に形成した事を特徴とする樹脂パッケージ型半導体装置。
【請求項２】
前記樹脂パッケージ型半導体装置から延伸された放熱リードに於いて、延伸部分の放熱リードの一部が短く延伸方向に直線に突き出した形状をし、一部がガルウイング形状に屈曲形成され、しかも直線に突き出した放熱リードがガルウイング形状に屈曲形成された放熱リードの両サイドに形成されている事を特徴とする請求項１に記載の樹脂パッケージ型半導体装置。
【請求項３】
前記樹脂パッケージ型半導体装置から延伸された放熱リードに於いて、延伸部分の放熱リードが三分割され、放熱リードの長さとして両サイドの放熱リードを短く中央部の放熱リードを長くし、リード幅は両サイドの放熱リードを細く中央部の放熱リードを幅広くし互いにガルウイング形状に屈曲形成されている事を特徴とする請求項１に記載の樹脂パッケージ型半導体装置。
【請求項４】
前記樹脂パッケージ型半導体装置から延伸された放熱リードに於いて、延伸部分の放熱リードが一本おきに長短にカットされ、互いにガルウイング形状に屈曲形成されている事を特徴とする請求項１に記載の樹脂パッケージ型半導体装置。
【請求項５】
請求項３に記載の樹脂パッケージ型半導体装置から延伸された放熱リードに於いて、中央部の幅広の放熱リードが二分割から三分割に分離され互いにガルウイング形状に屈曲形成されている事を特徴とする請求項１に記載の樹脂パッケージ型半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数のリードを有する表面実装用電子部品をフローはんだ付けする際のリード端子部のはんだブリッジを防止する樹脂パッケージ型半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
樹脂パッケージ型半導体装置のいわゆる表面実装用電子部品は、リフローはんだ付け用の部品として開発されたものであるが、フローはんだ付け技術が向上し各種の表面実装用電子部品がフローはんだ付けにも用いられている。
【０００３】
図５は従来の放熱リード５０２を有する樹脂パッケージ型半導体装置のいわゆる表面実装用電子部品の一例を示す構造の斜視図である。その一般的な表面実装用電子部品の構造は、図示しないチップ等が各種のモールド用樹脂材料でモールドされた樹脂モールド本体１と、図６の基板１０上に形成されたはんだ接合用ランド１２とはんだ接合するための導通リード３が複数本設けられているのが一般的で有るが、図５に示す樹脂パッケージ型半導体装置は、モーター等のドライバーＩＣとして用いられており、これらは発熱が大きい為通常の導通リード３に加え、特別に大きくした放熱用リード５０２が設けられている。
【０００４】
これらの樹脂パッケージ型半導体装置をフローはんだ付けする場合、図６に示す如く基板１０上に設けられたはんだ接合用ランド１２及び放熱用ランド１１上に、図５に示す樹脂パッケージ型半導体装置の導通リード３（放熱用リード５０２も含む）を位置合わせし、基板流し方向１１１に従いフローはんだ付けを行い、各々の導通リード３の電気信号が取れるように、また、樹脂パッケージ型半導体装置の発熱を放熱出来るように放熱用リード５０２が接続されるものである。
【０００５】
尚、フローはんだ付けを行う場合、事前に樹脂パッケージ型半導体装置の樹脂モールド本体１の下部分に図示しない接着剤が供給されて、樹脂モールド本体１が基板１０上の所定の位置に接着固定されている。
【０００６】
しかし、図５に示す様な従来型の樹脂パッケージ型半導体装置をフローはんだ付けする場合、樹脂パッケージ型半導体装置の導通リード３及び放熱用リード５０２を図６の基板１０上に形成されたはんだ接合用ランド１２及び放熱用ランド１１上に位置合わせし、フローはんだ付け槽にてはんだ接合していた。
【０００７】
また、この時はんだ接合時に発生するはんだブリッジ７１４を解消するために、従来では特開平１０−２００２４８にある様に、図６の基板１０に示す様なはんだ吸収用ランド１３が一般的に設けられている。
【０００８】
このはんだ吸収用ランド１３は、図示しない一般的な電子部品で、樹脂モールド本体１の両サイドに導通リード３の形状をした物のみが複数本形成されているもので有れば、フローはんだ付け時に後端部へ引かれてくる余分なはんだを吸収出来る為、電子部品後端の導通リード３のはんだ切れが良くなり、良好なはんだフィレット７１２が出来はんだブリッジ７１４が発生しない。
【０００９】
しかしながら、図５に示す様に樹脂パッケージ型半導体装置の発熱を放熱する為に設けられた大きな放熱用リード５０２を有する樹脂パッケージ型半導体装置では、図６の様に載置してフローはんだ付けした場合、図７に示す如く放熱用リード５０２に大量のはんだ付着部７１１が形成される為、後端に形成されたはんだ吸収用捨てランド１３に吸収しょうとする吸収はんだ７１３によるはんだ切れ効果を減少させ、放熱用リード５０２後端の導通リード３近傍にはんだ溜まりができ易くはんだブリッジ７１４が多く発生し、ショートしてしまうと言う問題があり、この対策法として特開平０６−００７２７５では、中央部のランドを大きく伸ばしたり、新たな部品を設置したりしているが、特に前者では信号用パターンの配線形成に影響したり、はんだ付け時の熱容量が大きくなり過ぎてはんだ付けに支障をきたしている。
【特許文献１】特開平１０−２００２４８号公報
【特許文献２】特開平０６−００７２７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、上記問題を解決する為、樹脂パッケージ型半導体装置の放熱用リード５０２の形状を変え、放熱の向上とフローハンダ付けする際のはんだブリッジの防止を提供する事にある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る樹脂パッケージ型半導体装置に於いて、樹脂パッケージ型半導体装置の放熱用リードの長さや幅及びリード間隔等を変えた形状に形成し、はんだブリッジ防止を講じる方法とした。
【発明の効果】
【００１２】
以上説明したように本発明によれば、リードの一部に太いリードを有する表面実装用電子部品をフローはんだ付け槽ではんだ付けする際に発生していたはんだブリッジを無くす事が出来、はんだ付け信頼性が大幅に向上し、コストの低減も図れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
図１（ａ）は本発明における第１の実施形態で、樹脂パッケージ型半導体装置の樹脂モールド本体１の両サイドに導通リード３と放熱用リード２及び２ａを設けたもので、放熱用リードは樹脂モールド本体１の内部では図示しない一体型の形状に形成されたもので、樹脂モールド本体１の外部にて放熱用リード２及び２ａに形状形成した構造を示す図で、放熱用リード２は導通リード３同様即ちガルウイング形状に形成しており、放熱用リード２の中央部とその両サイドには放熱用リード２ａが樹脂モールド本体１の外部から延伸方向に直線に突き出た形状に形成している全体像の斜視図を示したもので、図１（ｂ）はその平面図である。
図２は放熱用リードを樹脂モールド本体１の外部から延伸された部分を図１同様に数分割したもので、分割した放熱用リードの両サイドには短い放熱用リード２２ａを、また中央寄りには長い放熱用リード２２が一本おきに放熱用リード２２ａを形成している。
【００１４】
尚、長短に形成した放熱用リード２２と放熱用リード２２ａは互いにガルウイング状に形成され、他の導通リード３の接合面と同一面になる様に形成した平面図を示す図である。
【００１５】
また、図３は本発明における第２の実施形態で、樹脂パッケージ型半導体装置の放熱用リードを前記同様に樹脂モールド本体１の外部から延伸された部分を分割したもので、分割した放熱用リードの中央部を幅広とした放熱用リード３２と、この両サイドに短くて細い放熱用リード３２ａを形成している。
【００１６】
また、これらのリードは図２同様に他の導通リード３の接合面と同一面になる様に形成しており、その平面図を示したものである。
【００１７】
図４は本発明における第２の実施形態と同様な形態であるが、図２の放熱用リード３２の幅広部へのはんだ量を考慮し、本件では、幅広部の放熱用リードを分割し放熱用リード４２を設け、この両サイドに放熱用リード４２ａを形成しはんだ付着量を軽減した構成にしたもので、その平面図を示したものである。
【００１８】
本件の図１から図４によるはんだブリッジ防止方は、一般の樹脂パッケージ型半導体装置のリード形成行程と同一行程で形成が可能であり、余分な金型を必要とせずコストアップが避けられる。
【実施例１】
【００１９】
本発明の第１の実施例である樹脂パッケージ型半導体装置の斜視図を図１の（ａ）に、またその平面図を（ｂ）に示す。図中の樹脂モールド本体１はエポキシ系のモールド用樹脂材料を使用したもので、図示しないチップや接続用ワイヤー等を内装して図示しない成型用金型で成型したもので、成型後図示しないリード成型機で放熱用リード２や２ａと導通リード３を図示の如くフォーミング成形する。
【００２０】
この時、放熱用リード２は導通リード３同様即ちガルウイング形状に形成しており、放熱用リード２の中央部とその両サイドには放熱用リード２ａが樹脂モールド本体１の外部から延伸方向に直線に突き出た形状に形成している。
【００２１】
また、両サイドに設けられた放熱用リード２ａと導通リード３との間隔は、導通リードのリード間ピッチより０.２ｍｍ開けて形成し、このときのリード長は導通リード３がはんだ接合用ランド面に接地する先端部までの寸法の半分に形成した樹脂パッケージ型半導体装置を用い、本件の樹脂パッケージ型半導体装置の効果をみる為、本実施例では図５に示す従来の樹脂パッケージ型半導体装置を用いて、図示しない専用の基板にフローはんだ付け処理を行った時のはんだ付け仕上がり性を比較した。表−１にその結果を示す。
【００２２】
また、変形例として図２に示す形状の樹脂パッケージ型半導体装置の比較も行った。
【００２３】
はんだ付け条件
・基板サイズ          ：２００＊２００  ｍｍ
・部品搭載数          ：５０個
・基板処理枚数        ：１００枚
・はんだ付け装置      ：日本電熱計器製／ＬＳ−３５０ＳＳ
・はんだ材            ：Ｓｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕ
・はんだ温度          ：２５５℃
・予熱温度            ：１２０±１０℃
・基板搬送スピード    ：１．１ｍ／ｍｉｎ
【００２４】
【表１】
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表−１の結果からも分かる様に、従来品のみにはんだブリッジが発生し、本件の第1実施例及びその変形例についてははんだブリッジは見られなかった。これは、従来の樹脂パッケージ型半導体装置では放熱用リード５０２に付着するはんだ量が多くなるため、後端部の導通リード３へのはんだ引きが弱く放熱用リード５０２に隣接する後端部の導通リード３とのはんだブリッジが多く発生した。本発明の樹脂パッケージ型半導体装置では放熱用リード２と２ａや２２と２２ａの部分にはんだ溜まりが起こらないため、後端部の導通リード３へのはんだ引きが良くなると共に従来から用いられている図示しないはんだ吸収用捨てランドにはんだが吸収され易くなりはんだブリッジを無くす事が出来、大幅な効果が得られた。
【実施例２】
【００２５】
本発明の第２の実施例である樹脂パッケージ型半導体装置を図３に示す。図３は上面から見た平面図である。
【００２６】
放熱用リード３２は幅広で導通リード３と同様な長さでしかもガルウイング状に形成されており、３２ａはリード幅を細くししかも放熱用リード３２の半分の長さに形成し、同様なガルウイング状に形成している。
【００２７】
また、両サイドに設けられた放熱用リード２２ａと導通リード３との間隔は実施例１同様の寸法に設定し、実施例１同様に従来型とのはんだ仕上がり性を比較したが、本発明による効果は、実施例１同様の効果が得られた。
【００２８】
さらに、図４に示す様な放熱用リード４２とする事でも同様な効果が得られている。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】（ａ）は本発明の第１の実施形態で放熱用リードの中央部と両サイドを短く直線に突き出し、他の放熱用リードは長くガルウイング状に形成された構造を示す斜視図で、（ｂ）はその平面図。
【図２】本発明の第１の実施形態で放熱用リードを一本おきに長短とし、その両サイドに短い放熱用リードを刑し、長短を互いにガルウイング状に形成した構造を示す平面図。
【図３】本発明の第２の実施形態で、放熱用リードの中央部を幅広に形成しその両サイドの放熱用リードを短く細めに形成し、互いにガルウイング状に形成した構造を示す平面図。
【図４】本発明の第２の実施形態で、図３の樹脂パッケージ型半導体装置で放熱用リードの中央部の幅広部を二分割にした構造を示す平面図。
【図５】従来の樹脂パッケージ型半導体装置の構造を示す斜視図。
【図６】従来の樹脂パッケージ型半導体装置を基板上に実装する時の１構成例を示す平面図。
【図７】従来の樹脂パッケージ型半導体装置を実装した時のはんだブリッジ不良例を示す斜視図。
【符号の説明】
【００３０】
１  樹脂モールド本体
２、２２、３２、４２、５０２、２ａ、２２ａ、３２ａ、４２ａ  放熱用リード
３  導通リード
１０  基板
１１  はんだ接合用ランド
１２  放熱用ランド
１３  はんだ吸収用捨てランド
１１１  基板流し方向
７１１  はんだ付着部
７１２  はんだフィレット
７１３  吸収はんだ
７１４  はんだブリッジ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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