(57)【要約】【課題】  静電容量のばらつきが少ない積層型チップバリスタ及びその製造方法を提供する。【解決手段】  積層型チップバリスタ１は、バリスタ層１１及び内部電極１３を有する積層体Ｌ３と、積層体Ｌ３の表面に形成される外部電極５とを備えている。積層体Ｌ３の表面及び内部にはアルカリ金属が拡散されている。アルカリ金属の拡散は、積層体Ｌ３の角部分４に面取り加工を施した後に行われる。このように、アルカリ金属を拡散する前に角部分４の面取りをしておくことにより、積層体Ｌ３表面にアルカリ金属化合物を付着させる際、積層体Ｌ３は密閉回転ポット内でスムーズに回転することとなる。その結果、積層体Ｌ３にはアルカリ金属化合物が均一に付着する。【選択図】  図３
2006344751.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バリスタ層と当該バリスタ層を挟むように配置された内部電極とを有する積層体と、当該積層体の表面に形成されると共に前記内部電極に接続される外部電極とを備える積層型チップバリスタの製造方法であって、
前記バリスタ層となるグリーンシートと前記内部電極となる電極層とを有すると共に、前記電極層が前記グリーンシートを挟むように配置されたグリーン積層体を形成する第１の工程と、
前記グリーン積層体の角部分が所定の曲率半径を有するよう当該角部分に面取り加工を施す第２の工程と、
面取り加工が施された前記グリーン積層体を焼成して、前記積層体を得る第３の工程と、
前記積層体の表面から当該積層体の内部にアルカリ金属を拡散させる第４の工程と、
前記アルカリ金属を拡散した後、前記積層体の表面に前記外部電極を形成する第５の工程と、を有しており、
前記第２の工程では、前記グリーン積層体の角部分の曲率半径Ｒと、前記グリーン積層体においてその積層方向と垂直な側面の短辺の長さＷとの関係が、
０．１８８＜（Ｒ／Ｗ）＜０．３７５
を満たすように面取り加工を施すことを特徴とする積層型チップバリスタの製造方法。
【請求項２】
前記第２の工程は、バレル研磨によって前記グリーン積層体の角部分に面取り加工を施すことを特徴とする請求項１記載の積層型チップバリスタの製造方法。
【請求項３】
バリスタ層と当該バリスタ層を挟むように配置された内部電極とを有する積層体と、
前記積層体の表面に形成されると共に前記内部電極に接続される外部電極と、
を備え、
前記積層体の表面及び内部にはアルカリ金属が拡散されており、
前記積層体の角部分の曲率半径Ｒと、前記積層体においてその積層方向と垂直な側面の短辺の長さＷとの関係が、
０．１８８＜（Ｒ／Ｗ）＜０．３７５
を満たすことを特徴とする積層型チップバリスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層型チップバリスタ及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の積層型チップバリスタの一種として、例えば特許文献１に記載されているように、バリスタ層と当該バリスタ層を挟むように配置された内部電極とを有する積層体と、当該積層体の表面に形成されると共に内部電極に接続される外部電極とを備えるものが知られている。特許文献１には、次のようなバリスタの製造方法が開示されている。まず、バリスタ層となるグリーンシートと内部電極となる電極層とを有すると共に、電極層がグリーンシートを挟むように配置されたグリーン積層体を形成する。続いて、このグリーン積層体を焼成し、焼成体を得る。そして、この焼成体を上述した積層体とし、表面に外部電極を形成する。
【特許文献１】特開２００２−２４６２０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明は、静電容量のばらつきが少ない積層型チップバリスタ及びその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
発明者らは鋭意検討した結果、静電容量のばらつきは以下の理由によるものであると推測するに至った。
【０００５】
外部電極を形成する前に、静電容量を調整する目的で、焼成体の内部にアルカリ金属を拡散させることがある。従来、アルカリ金属を拡散する際には、複数個の焼成体とアルカリ金属化合物とを入れた密閉回転ポットを回転させて、焼成体同士を衝突及び接触させる。これにより、焼成体の表面にはアルカリ金属化合物がこすり付けられて付着することとなるが、焼成体の角部分には平面部分と比べてアルカリ金属化合物が付着しにくい。そのため、焼成体において、角部分のアルカリ金属化合物の付着具合にばらつきが生じてしまう可能性がある。このような焼成体では、静電容量にばらつきが生じてしまう。焼成体の静電容量にばらつきが生じると、この焼成体を積層体として用いた積層型チップバリスタもまた、静電容量がばらついたものとなる。
【０００６】
本発明者らはこれらの知見に基づいて更に研究を進め、以下の発明により上記課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００７】
すなわち、本発明に係る積層型チップバリスタの製造方法は、バリスタ層と当該バリスタ層を挟むように配置された内部電極とを有する積層体と、当該積層体の表面に形成されると共に内部電極に接続される外部電極とを備える積層型チップバリスタの製造方法であって、バリスタ層となるグリーンシートと内部電極となる電極層とを有すると共に、電極層がグリーンシートを挟むように配置されたグリーン積層体を形成する第１の工程と、グリーン積層体の角部分が所定の曲率半径を有するよう当該角部分に面取り加工を施す第２の工程と、面取り加工が施されたグリーン積層体を焼成して、積層体を得る第３の工程と、積層体の表面から当該積層体の内部にアルカリ金属を拡散させる第４の工程と、アルカリ金属を拡散した後、積層体の表面に外部電極を形成する第５の工程と、を有しており、第２の工程では、グリーン積層体の角部分の曲率半径Ｒと、グリーン積層体においてその積層方向と垂直な側面の短辺の長さＷとの関係が、
０．１８８＜（Ｒ／Ｗ）＜０．３７５
を満たすように面取り加工を施すことを特徴とする。
【０００８】
本発明に係る積層型チップバリスタの製造方法では、グリーン積層体に対してＲ／Ｗが０．１８８よりも大きい値となるように面取り加工を行った後、焼成する。これにより、面取り加工が施された積層体を得ることができる。得られた積層体を、第４の工程で、例えば、アルカリ金属化合物を付着させるために密閉回転ポットに入れる。面取り加工が施された積層体は、密閉回転ポット内でスムーズに回転するため、積層体の表面にはアルカリ金属化合物が均一に付着することとなる。その結果、静電容量のばらつきが少ない積層体を得ることができる。このような積層体に外部電極を形成することによって、静電容量のばらつきが少ない積層型チップバリスタを得ることができる。
【０００９】
ところで、製造後の積層型チップバリスタは、キャリアテープの収容凹部に収容される。積層体の角部分に丸みをつけすぎると、振動等によって積層型チップバリスタが収容凹部内で傾くことがある。この場合、収容凹部内の積層型チップバリスタを吸着等によって高速に取り出し回路基板等へ実装するときに、吸着がうまくいかず、実装効率の低下を招くおそれがある。本発明に係る積層型チップバリスタの製造方法では、グリーン積層体のＲ／Ｗを０．３７５よりも小さい値としているので、積層体の角部分の丸みが適度なものとなる。その結果、位置の安定性が高い積層体を得ることができる。よって、収容凹部内で傾くことが少ない積層型チップバリスタを製造することが可能となる。
【００１０】
また、本発明に係る積層型チップバリスタの製造方法では、第２の工程は、バレル研磨によって積層体の角部分に面取り加工を施すことが好ましい。バレル研磨を用いれば、複数の積層体に対して同時に面取り加工を施すことができる。よって、効率よく面取り加工を行うことが可能となる。
【００１１】
本発明に係る積層型チップバリスタは、バリスタ層と当該バリスタ層を挟むように配置された内部電極とを有する積層体と、積層体の表面に形成されると共に内部電極に接続される外部電極と、を備え、積層体の表面及び内部にはアルカリ金属が拡散されており、積層体の角部分の曲率半径Ｒと、積層体においてその積層方向と垂直な側面の短辺の長さＷとの関係が、
０．１８８＜（Ｒ／Ｗ）＜０．３７５
を満たすことを特徴とする。
【００１２】
本発明の積層型チップバリスタは、バリスタ層と内部電極とを有する積層体を備えている。このような積層体は、例えば、バリスタ層となるグリーンシートと内部電極となる電極層とを有するグリーン積層体を焼成することで作られる。この場合、積層体は、焼成によってグリーン積層体が全体的に収縮したものであるから、角部分の曲率半径と側面の短辺の長さとの比が上述の式を満たすように面取り加工されたグリーン積層体を用いれば、所望の積層体を得ることができる。積層体は、Ｒ／Ｗを０．１８８よりも大きくすると、アルカリ金属を拡散する際、密閉回転ポット内でスムーズに回転するようになる。よって、アルカリ金属化合物が均一に付着するため、静電容量のばらつきが少ない積層体を得ることができる。その結果、静電容量のばらつきが少ない積層型チップバリスタを得ることができる。また、積層体は、Ｒ／Ｗを０．３７５よりも小さくすると、位置の安定性が高くなる。その結果、キャリアテープの収容凹部内で傾くことが少ない積層型チップバリスタを得ることができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、静電容量のばらつきが少ない積層型チップバリスタ及びその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照して、本発明に係る積層型チップバリスタの好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【００１５】
まず、図１を参照して、本実施形態に係る積層型チップバリスタ１の構成を説明する。図１は、本実施形態に係る積層型チップバリスタの断面構成を説明する図である。図２は、本実施形態に係る積層型チップバリスタに含まれる積層体の斜視図である。
【００１６】
積層型チップバリスタ１は、図１に示されるように、積層体Ｌ３と、当該積層体Ｌ３において対向する端面にそれぞれ形成される一対の外部電極５とを備えている。
【００１７】
積層体Ｌ３は、バリスタ特性を発現するバリスタ層１１と、当該バリスタ層１１を挟むように配置される一対の内部電極１３とを有している。より具体的には、積層体Ｌ３は、バリスタ層１１及び内部電極１３を含むバリスタ部７と、当該バリスタ部７を挟むように配置される一対の外層部９とが積層されることにより構成されている。図２に示されるように、積層体Ｌ３の角部分４は円弧状となっており、所定の曲率半径を有している。積層体Ｌ３の角部分４の曲率半径ＲＬと、積層体Ｌ３の積層方向と垂直な側面３ａの短辺の長さＷＬとは、以下の式（１）を満たしている。
０．１８８＜（ＲＬ／ＷＬ）＜０．３７５  …（１）
【００１８】
より具体的には、本実施形態に係る積層型チップバリスタ１はいわゆる１６０８タイプの積層型チップバリスタであって、積層体Ｌ３における側面３ａの短辺の長さＷＬが０．８ｍｍに設定されているとすると、角部分４の曲率半径ＲＬ（単位ｍｍ）は以下の式（２）で表されることとなる。
１５０＜ＲＬ＜３００  …（２）
【００１９】
図１に示されるように、バリスタ部７では、バリスタ層１１と内部電極１３とが交互に積層されている。バリスタ層１１における一対の内部電極１３に重なる領域１１ａがバリスタ特性を発現する領域として機能する。
【００２０】
バリスタ層１１は、ＺｎＯ（酸化亜鉛）を主成分として含むと共に、副成分として希土類金属元素、Ｃｏ、ＩＩＩｂ族元素（Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、アルカリ金属元素（Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ）及びアルカリ土類金属元素（Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）等の金属単体やこれらの酸化物を含む素体からなる。本実施形態において、バリスタ層１１は、副成分としてＰｒ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃａ、Ｓｉ、Ｋ、Ａｌ等を含んでいる。これにより、バリスタ層１１における一対の内部電極１３に重なる領域１１ａが、ＺｎＯを主成分とすると共にＰｒを含む素体からなる領域を有することとなる。
【００２１】
Ｐｒは、バリスタ特性を発現させるための材料となる。Ｐｒを用いる理由は、電圧非直線性に優れ、また、量産時での特性ばらつきが小さいためである。バリスタ層１１におけるＺｎＯの含有量は、特に限定されないが、バリスタ層１１を構成する全体の材料を１００質量％とした場合に、通常、９９．８〜６９．０質量％である。バリスタ層１１の厚みは、例えば５〜６０μｍ程度である。
【００２２】
一対の内部電極１３は、それぞれの一端部が積層体Ｌ３において対向する端面に交互に露出するように略平行に設けられている。各内部電極１３は、上記各一端部において外部電極５と電気的に接続されている。この内部電極１３は、導電材を含んでいる。内部電極１３に含まれる導電材としては、特に限定されないが、ＰｄまたはＡｇ−Ｐｄ合金からなることが好ましい。内部電極１３の厚みは、例えば０．５〜５μｍ程度である。積層型チップバリスタ１を低静電容量とする場合、内部電極１３の重なり部分１３ａの面積は、積層体Ｌ３の積層方向から見て、通常０．００１〜０．５ｍｍ２、好ましくは０．００２〜０．１ｍｍ２程度である。
【００２３】
外層部９は、バリスタ層１１と同様に、ＺｎＯを主成分として含むと共に、副成分として希土類金属元素、Ｃｏ、ＩＩＩｂ族元素（Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｍｏ、アルカリ金属元素（Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ）及びアルカリ土類金属元素（Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）等の金属単体やこれらの酸化物を含む素体からなる。本実施形態において、外層部９は、副成分としてＰｒ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃａ、Ｓｉ、Ｋ、Ａｌ等を含んでいる。これにより、外層部９が、ＺｎＯを主成分とすると共にＰｒを含む素体からなる領域を有することとなる。外層部９の厚みは、例えば０．３０〜０．３８ｍｍ程度である。
【００２４】
外部電極５は、積層体Ｌ３の表面に形成されると共に内部電極１３に接続されている。より具体的には、外部電極５は、積層体Ｌ３の両端面を覆うように設けられている。この外部電極５は、内部電極１３を構成しているＰｄ等の金属と電気的に良好に接続できる金属材料からなるものであると好ましい。例えば、Ａｇは、Ｐｄからなる内部電極１３との電気的な接続性が良好であり、しかも積層体Ｌ３の端面に対する接着性が良好であることから、外部電極用の材料として好適である。このような外部電極５は、通常１０〜５０μｍ程度の厚さとされる。
【００２５】
外部電極５の表面には、当該外部電極５を覆うように、厚みが０．５〜２μｍ程度であるＮｉめっき層（図示省略）及び厚みが２〜６μｍ程度のＳｎめっき層（図示省略）等が順に形成されている。これらのめっき層は、主として積層型チップバリスタ１をはんだリフローにより基板等に搭載する際の、はんだ耐熱性やはんだ濡れ性を向上することを目的として形成されるものである。
【００２６】
外部電極５の表面に形成させるめっき層は、はんだ耐熱性やはんだ濡れ性を向上する目的が達成される限り、必ずしも上述した材料の組み合わせに限定されない。めっき層を構成し得るその他の材料としては、例えば、Ｓｎ−Ｐｂ合金等が挙げられ、上述のＮｉやＳｎと組み合わせて用いても好適である。また、めっき層は、必ずしも２層構造に限定されるものではなく、１層又は３層以上の構造を有するものであってもよい。
【００２７】
続いて、図１〜図４を参照して、上述した構成を有する積層型チップバリスタ１の製造方法について説明する。図３は、本実施形態に係る積層型チップバリスタの製造方法を説明するためのフロー図である。図４は、本実施形態に係る積層型チップバリスタの製造方法を説明するための図である。
【００２８】
まず、グリーン積層体Ｇ３を形成する（ステップＳ１００）。グリーン積層体Ｇ３を形成するにあたって、バリスタ層１１及び外層部９の主成分であるＺｎＯ、及びＰｒ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｃａ、Ｓｉ、Ｋ及びＡｌの金属又は酸化物等の微量添加物を所定の割合となるように各々秤量した後、各成分を混合してバリスタ材料を調整する（ステップＳ１０１）。その後、このバリスタ材料に有機バインダ、有機溶剤、有機可塑剤等を加えて、ボールミル等を用いて２０時間程度混合・粉砕を行ってスラリーを得る。
【００２９】
このスラリーを、ドクターブレード法等の公知の方法により、例えばポリエチレンテレフタレートからなるフィルム上に塗布した後、乾燥して厚さ３０μｍ程度の膜を形成する。こうして得られた膜をフィルムから剥離してグリーンシートを得る（ステップＳ１０２）。
【００３０】
次に、このグリーンシート上に、内部電極１３用の材料であるペースト状のＰｄをスクリーン印刷等の印刷法等により所定のパターンで塗布した後、この導電性ペーストを乾燥させて所定のパターンを有する電極層を作製する（ステップＳ１０３）。
【００３１】
次に、電極層が形成されたグリーンシートと、電極層が形成されていないグリーンシートとを所定の順序で重ねてシート積層体を形成する（ステップＳ１０４）。こうして得られたシート積層体を所望のサイズに切断して、グリーン積層体Ｇ３を得る（ステップＳ１０５）。得られたグリーン積層体３は、図４に示されるように、グリーンシートＳ１〜Ｓ３と電極層ＥＬとを有し、電極層ＥＬがグリーンシートＳ１，Ｓ３を挟むように配置されたものである。より具体的には、グリーン積層体Ｇ３では、電極層ＥＬが形成されていない複数枚のグリーンシートＳ１、電極層ＥＬが形成されたグリーンシートＳ２、電極層ＥＬが形成されていない複数枚のグリーンシートＳ１、電極層ＥＬが形成されたグリーンシートＳ３、電極層ＥＬが形成されていない複数枚のグリーンシートＳ１の順に、これらのシートＳ１〜Ｓ３が積層されている。なお、グリーンシートＳ２とグリーンシートＳ３との間に、必ずしも電極層ＥＬが形成されていないグリーンシートＳ１を積層する必要はない。
【００３２】
続いて、バレル研磨を用いてグリーン積層体Ｇ３に面取り加工を施す（ステップＳ１０６）。バレル研磨を用いることによって、複数の積層体に対して同時に効率よく面取り加工を施すことが可能となる。バレル研磨は、ポリエチレン等の材料からなる密閉回転ポットに水と複数のグリーン積層体Ｇ３とを入れ、この密閉回転ポットを回転させることにより行われる。密閉回転ポットを１５分から１時間程度回転させることによって、角部分４の曲率半径ＲＧとグリーン積層体Ｇ３の側面３ａの短辺の長さＷＧとの関係が、以下の式（２）を満たすグリーン積層体Ｇ３が得られる。
０．１８８＜（ＲＧ／ＷＧ）＜０．３７５  …（２）
【００３３】
次に、面取り加工を施したグリーン積層体Ｇ３に、１８０〜４００℃、０．５〜２４時間程度の加熱処理を実施して脱バインダを行う。脱バインダを行った後、さらに、１０００〜１４００℃、０．５〜８時間程度の焼成を行うことで（ステップＳ１０７）、積層体Ｌ３を得る。得られる積層体Ｌ３は、グリーン積層体Ｇ３が全体的に収縮したものであるため、積層体Ｌ３のＲＬ／ＷＬはグリーン積層体Ｇ３のＲＧ／ＷＧと同じ値となる。焼成により、グリーン積層体Ｇ３における電極層ＥＬの間のグリーンシートＳ１，Ｓ３は、積層体Ｌ３のバリスタ層１１となる。電極層ＥＬは、内部電極１３となる。積層体Ｌ３には、次の工程を実施する前に、研磨材等とともに研磨容器に入れるなどして素子表面の平滑処理を施してもよい。
【００３４】
次に、積層体Ｌ３の表面から当該積層体Ｌ３の内部にアルカリ金属（例えば、Ｌｉ、Ｎａ等）を拡散させる（ステップＳ１０８）。ここではまず、積層体Ｌ３の表面にアルカリ金属化合物を付着させる。アルカリ金属化合物の付着には、密閉回転ポットを用いることができる。アルカリ金属化合物としては、特に限定されないが、熱処理することにより、アルカリ金属が積層体Ｌ３の表面から内部電極１３の近傍にまで拡散できる化合物であり、アルカリ金属の酸化物、水酸化物、塩化物、硝酸塩、硼酸塩、炭酸塩及び蓚酸塩等が用いられる。
【００３５】
続いて、このアルカリ金属化合物が付着している積層体Ｌ３を電気炉で、所定の温度及び時間で熱処理する。この結果、アルカリ金属化合物からアルカリ金属が積層体Ｌ３の表面から内部電極１３の近傍にまで拡散する。好ましい熱処理温度は、７００〜１０００℃であり、熱処理雰囲気は大気である。また、熱処理時間（保持時間）は、好ましくは１０分〜４時間である。
【００３６】
次に、積層体Ｌ３の両端部に、一対の内部電極１３のそれぞれに接するように、主としてＡｇを含む外部電極用ペーストを塗布した後、このペーストに対して５５０〜８５０℃程度の加熱（焼き付け）処理を行う。この結果、積層体Ｌ３の表面にはＡｇからなる一対の外部電極５が形成される（ステップＳ１０９）。この外部電極５の外側表面に、電解めっき等によりＮｉめっき層及びＳｎめっき層を順次積層する。こうして積層型チップバリスタ１が得られる。
【００３７】
以上のように、本実施形態の製造方法によれば、グリーン積層体Ｇ３の角部分４に面取り加工を施した後に、このグリーン積層体Ｇ３を焼成して積層体Ｌ３を得る。ＲＬ／ＷＬが０．１８８よりも大きい積層体Ｌ３は、密閉回転ポット内でスムーズに回転するので、表面にアルカリ金属化合物が均一に付着することとなる。よって、静電容量のばらつきが少ない積層体Ｌ３を得ることができる。このような積層体Ｌ３を用いることで、静電容量のばらつきが少ない積層型チップバリスタ１を製造することができる。
【００３８】
なお、積層型チップバリスタ１は、キャリアテープの収容凹部に収容されて出荷される。積層体の角部分に丸みをつけすぎると、出荷時に生じる振動等によって、積層型チップバリスタが収容凹部内で傾くことがある。本発明では、積層体Ｌ３のＲＬ／ＷＬを０．３７５よりも小さい値としているので、角部分４に適度な丸みを持った、位置の安定性が高い積層体Ｌ３を得ることができる。このような積層体Ｌ３を用いることで、収容凹部内で傾くことが少ない積層型チップバリスタ１を製造することが可能となる。
【００３９】
以上、本発明の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしもこれらの実施形態に限定されるものではない。例えば、上述した積層型チップバリスタ１は、一対の内部電極１３がバリスタ層１１を挟んだ構造を有していたが、本発明のバリスタは、このような構造が複数積層された積層型チップバリスタであってもよい。このような積層型のバリスタによれば、更なる静電気耐量の向上や更なる低電圧駆動等を図れるようになる。
【００４０】
ここで、本実施形態の積層型チップバリスタ１について、静電容量のばらつきが少なくなるという効果を確認するために、以下のような実験を行った。
【００４１】
すなわち、積層体Ｌ３の角部分４の曲率半径ＲＬと、積層体Ｌ３の側面３ａの短辺の長さＷＬとの比が異なる積層型チップバリスタ１を数種類用意し、静電容量のばらつきを調べた。実施例１〜５は、本実施形態の積層型チップバリスタ１と同じ構成を有する１６０８タイプの積層型チップバリスタであって、図３に示される製造過程に従い、且つ上述の条件にて製造されたものを示す。アルカリ金属拡散処理に関しては、積層体を、アルカリ金属化合物としてのＬｉ２ＣＯ３粉末とともに、密閉回転ポットに入れて混合した。積層体Ｌ３の角部分の曲率半径ＲＬと、積層体Ｌ３の側面３ａの短辺の長さＷＬについては、ＲＬ／ＷＬの値をそれぞれ０．２１９、０．２５０、０．２８１、０．３１３、０．３４４に設定した。
【００４２】
これに対して、比較例１〜３は、Ｒ／Ｗの値をそれぞれ０．１２５、０．１５６、０．１８８に設定した。Ｒ／Ｗの値を除いて、実施例１〜５と同様にして比較例１〜３の積層型チップバリスタを得た。
【００４３】
このようにして製造された積層型チップバリスタを用いて、静電容量Ｃのばらつきを各々測定した。なお、静電容量Ｃのばらつきは、σ／Ｘａｖｅ×１００（％）により求めた。ここで、σは標準偏差であり、Ｘａｖｅは平均値である。測定の結果を図５に示す。
【００４４】
比較例１〜３の積層型チップバリスタでは、静電容量Ｃのばらつきが６．４〜３５．０％であった。それに対して、実施例１〜５の積層型チップバリスタでは、静電容量Ｃのばらつきが５％未満と小さくなっている。
【００４５】
以上のことから、静電容量のばらつきが少なくなるという本発明の有効性が確認された。
【００４６】
更に、本実施形態の積層型チップバリスタ１について、キャリアテープの収容凹部内で傾くことが少ないという効果を確認するために、以下のような実験を行った。
【００４７】
すなわち、（積層体Ｌ３の角部分４の曲率半径ＲＬ）／（積層体Ｌ３の側面３ａの短辺の長さＷＬ）の値が異なる積層型チップバリスタ１を数種類用意した。実施例６〜１０は、本実施形態の積層型チップバリスタ１と同じ構成を有する１６０８タイプの積層型チップバリスタであって、それぞれは実施例１〜５と同じ条件にて製造されている。
【００４８】
これに対して、比較例４は、（積層体の角部分の曲率半径）／（積層体の側面の短辺の長さ）の値を０．３７５に設定したものである。（積層体の角部分の曲率半径）／（積層体の側面の短辺の長さ）の値を除いて、実施例６〜１０と同様にして比較例４の積層型チップバリスタを得た。
【００４９】
このようにして製造された積層型チップバリスタのサンプルをそれぞれ１００００個準備して、キャリアテープの収容凹部に収容した。収容後、キャリアテープに対して出荷時に生じるものと同等の振動を与え、収容凹部内で傾いている積層型チップバリスタの割合を調べた。その結果を図６に示す。
【００５０】
比較例４では、約５％の積層型チップバリスタが収容凹部内で傾いていた。実施例６〜１０では、収容凹部内で傾いている積層型チップバリスタは見られなかった。
【００５１】
以上のことから、キャリアテープの収容凹部内で傾くことが少ないという本発明の有効性が確認された。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本実施形態に係る積層型チップバリスタの断面構成を説明する図である。
【図２】本実施形態に係る積層型チップバリスタに含まれる積層体の斜視図である。
【図３】本実施形態に係る積層型チップバリスタの製造方法を説明するためのフロー図である。
【図４】本実施形態に係る積層型チップバリスタの製造方法を説明するための図である。
【図５】積層型チップバリスタの静電容量のばらつきを調べる実験の結果を示す図表である。
【図６】テープの収容凹部内で回転している積層型チップバリスタの割合を調べる実験の結果を示す図表である。
【符号の説明】
【００５３】
１…積層型チップバリスタ、３ａ…側面、４…角部分、５…外部電極、１１…バリスタ層、１３…内部電極、ＥＬ…電極層、Ｇ３…グリーン積層体、Ｌ３…積層体、Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３…グリーンシート。
【図１】
2006344751.tif 000003
【図２】
2006344751.tif 000004
【図３】
2006344751.tif 000005
【図４】
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【図５】
2006344751.tif 000007
【図６】
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