(57)【要約】【課題】結晶を容易に配向させて、これにより、結晶が配向された結晶化ガラスを簡便に製造する。【解決手段】原ガラスを所定の温度で熱処理して結晶化ガラスを製造する結晶化ガラスの製造方法であって、熱処理の際に、析出されるフレスノイト型結晶を配向させるように原ガラスに０．５テスラ［Ｔ］以上の磁場を印加する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
原ガラスを所定の温度で熱処理して結晶化ガラスを製造する結晶化ガラスの製造方法であって、
前記熱処理の際に、析出される結晶を配向させるように前記原ガラスに０．５テスラ［Ｔ］以上の磁場を印加することを特徴とする結晶化ガラスの製造方法。
【請求項２】
前記原ガラスに１テスラ［Ｔ］以上の直流磁場を印加することを特徴とする請求項１に記載の結晶化ガラスの製造方法。
【請求項３】
前記原ガラスに０．１テスラ［Ｔ］／ｃｍ以上の磁場勾配を印加することを特徴とする請求項１又は２に記載の結晶化ガラスの製造方法。
【請求項４】
Ｘ線回折測定において、配向された前記結晶の最大ピーク強度を示す回折角度ａの回折ピーク強度をＩa、非配向の前記結晶の最大ピーク強度を示す回折角度ｂの回折ピーク強度をＩbとし、非配向の前記結晶のＩa／Ｉbをα、製造された前記結晶化ガラスの表面から２ｍｍ以内の前記結晶の配向度をＯＩとしたときに、
ＯＩ＝（Ｉa−αＩb）／（Ｉa＋αＩb）
０．５≦ＯＩ
の式を満たすことを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載の結晶化ガラスの製造方法。
【請求項５】
前記結晶の結晶系は、立方晶系以外であることを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載の結晶化ガラスの製造方法。
【請求項６】
前記熱処理は、前記原ガラスを結晶化させる結晶化処理を含み、
前記結晶化処理は、前記原ガラスを７６０〜１０００［℃］の温度に加熱することを特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載の結晶化ガラスの製造方法。
【請求項７】
前記結晶化処理は、前記原ガラスの加熱を０．５〜１２時間［ｈ］行うことを特徴とする請求項６に記載の結晶化ガラスの製造方法。
【請求項８】
前記熱処理は、前記結晶化処理の前に、前記原ガラス中の歪みを除去する除歪処理を含み、
前記除歪処理は、前記原ガラスを５００〜７５０［℃］の温度で、１〜１２時間［ｈ］加熱することを特徴とする請求項６又は７に記載の結晶化ガラスの製造方法。
【請求項９】
前記原ガラスの組成は、
（ＢａxＳｒ1-x）Ｏ−ＴｉＯ2−（２＋ｚ）（ＳｉyＧｅ1-y）Ｏ2
０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦２
であることを特徴とする請求項１〜８の何れか一項に記載の結晶化ガラスの製造方法。
【請求項１０】
前記結晶化ガラスは、
（Ｂａ，Ｓｒ）2Ｔｉ（Ｓｉ，Ｇｅ）2Ｏ8
で表される組成のフレスノイト型結晶を含むことを特徴とする請求項１〜９の何れか一項に記載の結晶化ガラスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、原ガラスを熱処理して結晶化ガラスを製造する結晶化ガラスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、電子部品材料、電子部品用基板材料等の微細加工や精密加工が必要な材料として結晶化ガラスが好適に用いられている。
結晶化ガラスは、ガラスを再加熱して、結晶核を発生、成長させてなる結晶とガラスの複合材料である。一般的に、結晶は結晶化ガラス中で熱エネルギーによりその方向は定まらずに成長する。また、結晶化ガラスは、結晶子が配向する状態と揃わない状態とで物性値が異なることとなる。
一方、単結晶は結晶子が三次元方向に正確に配向されてなり、優れた物性を有することが知られている。つまり、結晶の配向が揃った状態となることにより、結晶化ガラスの物性向上を期待することができる。特に、結晶化ガラスは、単結晶に比べて、簡便に、且つ、安価に製造することができることから、物性向上を図る上での結晶の配向性の向上が求められている。
【０００３】
ところで、近年、焦電性、圧電性が優れる鉱物であるフレスノイトの表面弾性波特性への応用に注目が集まっている（例えば、非特許文献１〜３参照。）。なお、フレスノイトは、１９６５年にA1forsらにより米国カルフォルニア州イーストフレスノカントリーでSanbornite中にて発見された鉱物であり（例えば、非特許文献４参照。）、１９６７年にMooreによって、フレスノイトがＢａ2ＴｉＳｉ2Ｏ8の組成式を持ち、正方晶系、空間群Ｐ４ｂｍに属することが示された。
【非特許文献１】Halliyal,A., Bhalla,A.S., & Newnham,R.E., Polar glass ceramics - Anew family of electroceramics:Tailoring the piezoelectric and pyroelectric properties, Mat.Res.Bull., 1983, 18, 1007-1019
【非特許文献２】Halliyal,A., Safari,A., Bhalla,A.S., Newnham,R.E., & Cross,L.E., Grain-oriented glass-ceramics for piezoelectric devices, J.Amer.Ceram.Soc., 1 984, 67, 331-335
【非特許文献３】Ting,R.Y., Hallial,A., & Bhalla,A.S., Polar glass ceramics for sonar transducers, Appl.Phys.Lett., 1984, 44, 852-854
【非特許文献４】Moore,P.B., & Louisnathan,S.J., The crystal structure of fresnoite, Ba2(TiO)Si2O7, Z.Kristallogr, 1969, 130, 438-448
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、ＢａＯ−ＴｉＯ2−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3系溶融物に電気化学的な手法で電気分解をしながら核成長を施すと、フレスノイト型結晶化ガラスが明確に配向しながら成長することが知られている。しかしながら、上記の手法は電極を溶融物中に埋没させること、電気エネルギーを必要とすることなど、フレスノイト型結晶化ガラスを容易に作製することが困難である。
また、フレスノイトの結晶粉体が分散した溶液中にガラスを沈積し、この溶液に超音波を印加した後、ガラスを結晶化すると、表面から配向した結晶膜が得られることが知られているが、この構造の発現機構は未だ解明されておらず、分散液の調製処理が煩わしいものとなっている。
【０００５】
本発明の課題は、結晶を容易に配向させることができ、これにより、結晶が配向された結晶化ガラスを簡便に製造することができる結晶化ガラスの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
そこで、上記課題を解決するため、本発明の第１の構成は、
原ガラスを所定の温度で熱処理して結晶化ガラスを製造する結晶化ガラスの製造方法であって、
前記熱処理の際に、析出される結晶を配向させるように前記原ガラスに０．５テスラ［Ｔ］以上の磁場を印加することを特徴としている。
【０００７】
本発明の第２の構成は、第１の構成の結晶化ガラスの製造方法において、
前記原ガラスに１テスラ［Ｔ］以上の直流磁場を印加することを特徴としている。
【０００８】
本発明の第３の構成は、第１又は２の構成の結晶化ガラスの製造方法において、
前記原ガラスに０．１テスラ［Ｔ］／ｃｍ以上の磁場勾配を印加することを特徴としている。
【０００９】
本発明の第４の構成は、第１〜３の何れか一の構成の結晶化ガラスの製造方法において、
Ｘ線回折測定において、配向された前記結晶の最大ピーク強度を示す回折角度ａの回折ピーク強度をＩa、非配向の前記結晶の最大ピーク強度を示す回折角度ｂの回折ピーク強度をＩbとし、非配向の前記結晶のＩa／Ｉbをα、製造された前記結晶化ガラスの表面から２ｍｍ以内の前記結晶の配向度をＯＩとしたときに、
ＯＩ＝（Ｉa−αＩb）／（Ｉa＋αＩb）
０．５≦ＯＩ
の式を満たすことを特徴としている。
【００１０】
本発明の第５の構成は、第１〜４の何れか一の構成の結晶化ガラスの製造方法において、
前記結晶の結晶系は、立方晶系以外であることを特徴としている。
【００１１】
本発明の第６の構成は、第１〜５の何れか一の構成の結晶化ガラスの製造方法において、
前記熱処理は、前記原ガラスを結晶化させる結晶化処理を含み、
前記結晶化処理は、前記原ガラスを７６０〜１０００［℃］の温度に加熱することを特徴としている。
【００１２】
本発明の第７の構成は、第６の構成の結晶化ガラスの製造方法において、
前記結晶化処理は、前記原ガラスの加熱を０．５〜１２時間［ｈ］行うことを特徴としている。
【００１３】
本発明の第８の構成は、第６又は７の構成の結晶化ガラスの製造方法において、
前記熱処理は、前記結晶化処理の前に、前記原ガラス中の歪みを除去する除歪処理を含み、
前記除歪処理は、前記原ガラスを５００〜７５０［℃］の温度で、１〜１２時間［ｈ］加熱することを特徴としている。
【００１４】
本発明の第９の構成は、第１〜８の何れか一の構成の結晶化ガラスの製造方法において、
前記原ガラスの組成は、
（ＢａxＳｒ1-x）Ｏ−ＴｉＯ2−（２＋ｚ）（ＳｉyＧｅ1-y）Ｏ2
０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦２
であることを特徴としている。
【００１５】
本発明の第１０の構成は、第１〜９の何れか一の構成の結晶化ガラスの製造方法において、
前記結晶化ガラスは、
（Ｂａ，Ｓｒ）2Ｔｉ（Ｓｉ，Ｇｅ）2Ｏ8
で表される組成のフレスノイト型結晶を含むことを特徴としている。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、結晶化ガラスを製造する際の熱処理において、析出される結晶を配向させるように原ガラスに０．５テスラ［Ｔ］以上の磁場を印加するので、原ガラスに対して単に磁場を印加するだけで、結晶化ガラス中に析出される結晶を容易に配向させることができる。従って、従来のような電気化学的方法における電極からの不純物の混入や超音波分散溶媒による不純物の混入が生じることがなくなって、結晶が配向された結晶化ガラスを簡便に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に、本発明について、具体的な態様を説明する。
本発明に係る結晶化ガラスの製造方法は、先ず、結晶化ガラスの母材として用いるガラス（原ガラス）を作製するガラス作製処理を行った後、作製されたガラスに当該ガラス中の歪みを除去する除歪処理（アニーリング）を行った後、ガラスを結晶化させる結晶化処理を行うようになっている。
【００１８】
先ず、ガラス作製処理について説明する。
本実施形態におけるガラス作製処理は、一般的なガラスの作製方法が用いられる。即ち、炭酸塩、硝酸塩、酸化物などを所定のモル％、例えば、（ＢａxＳｒ1-x）Ｏ−ＴｉＯ2−（２＋ｚ）（ＳｉyＧｅ1-y）Ｏ2、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦２の組成に秤量し、これらを所定の坩堝中にて混合した後、所定の溶融温度、例えば、１３５０〜１５００［℃］で溶融する。その後、溶融されたガラスを急冷することにより原ガラスが作製される。
【００１９】
ここで、原ガラスの組成を上記のようにしたのは、上記以外とすると、ガラス溶融の温度が高くなりすぎたり、目的の結晶相であるフレスノイトが析出しないといった問題があるためである。
また、ｘの値を０以上１以下としたのは、結晶をより適正に配向させるためである。なお、ｘの値は、好ましくは０．１≦ｘであり、より好ましくは０．７≦ｘである。
さらに、ｙの値は、好ましくは０．１≦ｙであり、より好ましくは０．７≦ｙである。
また、ｚの値を０以上２以下としたのは、この範囲を外れると、結晶化が不安定となり結晶化ガラスの製造に係る所定の制御を適正に行うことができないためである。なお、ｚの値は、０．５≦ｚ≦１．５であるのが好ましい。
【００２０】
また、ガラス溶融に用いられる坩堝としては、例えば、白金坩堝が挙げられるが、ガラスの溶融温度によっては、特に、白金坩堝に限られるものではなく、例えば、セラミックス製や石英製の坩堝を用いても良い。
さらに、溶融ガラスの急冷は、焼き付きを引き起こすおそれのない所定の金属板を用いて行われる。この金属板としては、熱伝導率の大きな材料等を用いることが好ましい。具体的には、金属板として、例えば、ステンレスなど鉄系の材料が用いられることが多い。
【００２１】
次に、除歪処理について説明する。
除歪処理は、所定の加熱手段により原ガラスを所定の５００〜７５０［℃］の温度で、１〜１２時間［ｈ］加熱することにより、原ガラス中の歪み、具体的には、熱歪みを除去する処理である。
【００２２】
ここで、原ガラスの加熱温度は、原ガラス中に結晶核が生じない程度の所定の温度であり、好ましくは、６００〜７００［℃］である。特に、例えば、フレスノイト型結晶を析出させる場合には、原ガラスの加熱温度が６００〜７００［℃］であることが好ましい。
なお、下限を５００［℃］と規定したのは、５００［℃］を下回ると歪みの除去を適正に行うことができずに、歪みが原ガラス中に残存する可能性があるためであり、上限を７５０［℃］と規定したのは、７５０［℃］を上回ると、原ガラス中に結晶核が生じるおそれがあるためである。
また、原ガラスの加熱時間の下限を１時間［ｈ］と規定したのは、１時間［ｈ］を下回ると歪みの除去を適正に行うことができずに、歪みが原ガラス中に残存する可能性があるためである。一方、上限を１２時間［ｈ］と規定したのは、原ガラス中の歪みの除去を図る上では１２時間［ｈ］で十分だからである。
【００２３】
次に、結晶化処理について説明する。
結晶化処理は、所定の磁場発生装置内に除歪処理後の原ガラスを配置して、この原ガラスを所定の加熱手段により７６０〜１０００［℃］の温度で、０．５〜１２時間［ｈ］加熱するようにして行われ、このとき、析出する立方晶系以外の結晶を配向させるように原ガラスに対して０．５テスラ［Ｔ］以上の磁場を印加する。
【００２４】
原ガラスに印加される磁場は、例えば、結晶化に必要な所定の熱エネルギーよりも結晶を配向させる磁場のエネルギーが大きくなるように規定される。即ち、例えば、フレスノイト型結晶にあっては、結晶化に最低限必要な８１０℃の熱エネルギーよりも大きなエネルギーを印加可能な磁場が必要になる。
ここで、磁場の下限を０．５テスラ［Ｔ］と規定したのは、０．５テスラ［Ｔ］を下回ると印加される磁場が弱すぎて析出される結晶を配向させることができないためである。
また、磁場は、３テスラ［Ｔ］以上であることが好ましく、８テスラ［Ｔ］以上であることがより好ましく、１０テスラ［Ｔ］以上であることがさらに好ましく、１３テスラ［Ｔ］以上であることがよりさらに好ましく、１５テスラ［Ｔ］以上であることがもっと好ましい。なお、印加される磁場は２０テスラ［Ｔ］で十分であり、これより大きくしても結晶を配向させる作用が飽和してしまうため、２０テスラ［Ｔ］を上限と規定する。
なお、磁場発生装置から原ガラスに印加される磁場は、直流磁場でなければならない。
【００２５】
さらに、結晶化処理において、原ガラスに印加する磁場を勾配させると、結晶の配向がより良好となる。具体的には、０．１テスラ［Ｔ］／ｃｍ以上の勾配を印加するのが良い。ここで、下限を０．１テスラ［Ｔ］／ｃｍと規定したのは、０．１テスラ［Ｔ］／ｃｍを下回ると、結晶を良好に配向させる効果が得られ難いためである。
また、磁場勾配は、０．３テスラ［Ｔ］／ｃｍ以上であることがより好ましく、０．７テスラ［Ｔ］／ｃｍ以上であることがさらに好ましい。なお、磁場勾配は１テスラ［Ｔ］／ｃｍで十分であり、これより大きくしても結晶を良好に配向させる作用が飽和してしまうため、１テスラ［Ｔ］／ｃｍを上限と規定する。
【００２６】
また、原ガラスの加熱温度は、原ガラス中に結晶を析出させる程度の所定の温度であり、好ましくは、８１０〜９５０［℃］であり、より好ましくは、８３０〜９００［℃］である。特に、例えば、フレスノイト型結晶を析出させる場合には、原ガラスの加熱温度が８１０〜９５０［℃］であることが好ましい。
なお、下限を７６０［℃］と規定したのは、７６０［℃］を下回ると結晶の析出を適正に行うことができないためであり、上限を１０００［℃］と規定したのは、１０００［℃］を上回ると、製造されるガラスが軟化してしまい、所定形状の保持が困難となるためである。
【００２７】
また、結晶化処理は、その加熱温度を第１の温度域と、第１の温度域に比し高温である第２の温度域に分け、第１の温度域で核形成をし、その後、第２の温度域で結晶化（核成長）させるという２段階の処理を行っても良い。
【００２８】
また、原ガラスの加熱時間の下限を０．５時間［ｈ］と規定したのは、０．５時間［ｈ］を下回ると結晶が十分に析出せず、また、磁場が印加される時間が短すぎて析出される結晶を配向させることができないためであり、上限を１２時間［ｈ］と規定したのは、１２時間［ｈ］より長くしても結晶を配向させる作用が飽和してしまうため、１２時間［ｈ］で十分だからである。
【００２９】
なお、原ガラスに対する磁場の印加は、結晶化処理において、昇温（加熱）開始から所定温度まで加熱した後、６０℃程度まで降温する全ての期間で行われても良いが、少なくとも、結晶の配向に関与する温度域において磁場を印加しさえすれば良い。
【００３０】
また、結晶の結晶系が立方晶系以外であるとは、立方晶系であると、当該結晶のａ軸、ｂ軸及びｃ軸に対してほぼ均等に磁場が作用することとなって、析出（成長）される結晶を配向させることができないためである。具体的には、正方晶系、斜方晶系、菱面体晶系（三方晶系）、単斜晶系、三斜晶系、六方晶系等である。なお、フレスノイト型結晶の結晶系は、正方晶系となっている。
【００３１】
また、本実施形態の結晶化ガラスの製造方法によれば、Ｘ線回折測定において測定された、配向された結晶の配向軸に関連したピークのうち、最大ピーク強度を示す回折角度をａとし、この回折角度ａの回折ピーク強度をＩa、配向された結晶を１ミクロン以下に粉砕して非配向とした結晶の最大ピーク強度を示す回折角度をｂとし、この回折角度ｂの回折ピーク強度をＩbとする。そして、非配向の結晶のＩa／Ｉbをα、製造された結晶化ガラスの表面から２ｍｍ以内の結晶の配向度をＯＩとしたときに、
ＯＩ＝（Ｉa−αＩb）／（Ｉa＋αＩb）
０．５≦ＯＩ
の式を満たす結晶化ガラスを製造することができる。
【００３２】
つまり、配向度ＯＩ＝１となることで結晶が完全に配向した状態であり、配向度ＯＩ＝０となることで結晶が非配向状態であることを、上記の式を用いて簡便に表すことができる。
より具体的には、フレスノイト型結晶にあっては、回折強度Ｉaをミラー指数（００２）の結晶格子面に対応する回折角度の回折強度Ｉ002とし、回折強度Ｉｂをミラー指数（２１１）の結晶格子面に対応する回折角度の回折強度Ｉ211とし、αを０．２として、
ＯＩ＝（Ｉ002−０．２Ｉ211）／（Ｉ002＋０．２Ｉ211）
の式を用いて結晶の配向度を求めることができる。
【００３３】
以上のように、本実施形態の結晶化ガラスの製造方法によれば、結晶化処理の際に、析出される結晶を配向させるように原ガラスに０．５テスラ［Ｔ］以上の磁場を印加するので、原ガラスに対して単に磁場を印加するだけで、結晶化ガラス中の結晶を容易に配向させることができる。従って、従来のような電気化学的方法における電極からの不純物の混入や超音波分散溶媒による不純物の混入が生じることがなくなって、結晶が配向された結晶化ガラスを簡便に製造することができる。これにより、例えば圧電定数、非線形光学定数などの物性を向上させることができる結晶化ガラスを提供することができる。
【００３４】
つまり、原ガラスの組成を、
（ＢａxＳｒ1-x）Ｏ−ＴｉＯ2−（２＋ｚ）（ＳｉyＧｅ1-y）Ｏ2、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦２
として、所定の磁場を印加しながら結晶化処理を行うことにより、
（Ｂａ，Ｓｒ）2Ｔｉ（Ｓｉ，Ｇｅ）2Ｏ8
で表される組成の配向されたフレスノイト型結晶を含んでなる結晶化ガラスを簡便に製造することができる。
【００３５】
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の改良並びに設計の変更を行っても良い。
例えば、原ガラスや結晶化ガラスの組成は、上記実施形態に例示したものに限られるものではなく、目的とする結晶化ガラスに応じて適宜任意に変更しても良い。
【００３６】
以下に、実施例及び比較例について説明する。
【実施例１】
【００３７】
［結晶化ガラスの製造方法］
先ず、本実施例１に係る結晶化ガラスの製造方法について説明する。
結晶化ガラスの母材として用いるガラスは、ＢａＣＯ3、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2をモル比で２：１：３に秤量し、白金坩堝中にて混合した後、１５００℃、２時間溶融した。その後、溶融されたガラスを鉄板の上で急冷した。続けて、６００℃、１２時間加熱して除歪処理を行った。次に、超伝導磁石中に電気炉を設置した装置（ＴＭ−１０ＶＨ１０：株式会社東芝製）内の所定位置に原ガラスを設置して、１０テスラ［Ｔ］の磁場を印加しながら、電気炉の温度（加熱温度）を８５０℃として１時間加熱した。その後、ガラスを室温まで冷却して、白色不透明の結晶化ガラス（試料）を採取した。なお、磁場の印加は、加熱開始からガラスが６０℃に冷却されるまで常時行った。
【００３８】
実施例１に係る試料の表面部分のＸ線回折測定を、Ｘ線回折装置（Ｘｐｅｒｔ：Philips製）を用いて行った。その測定結果を図１に示す。なお、図１にあっては、回折強度Ｉの値を５倍したものを図示している。
【００３９】
採取された試料を粉砕した粉末を比較例１に係る試料として、そのＸ線回折測定を実施例１と同様にして行った。その測定結果を図２に示す。
【００４０】
［結晶相の同定］
実施例１及び比較例１に係る試料を用いて、ＪＣＰＤＳ（Joint Commitee on Powder Diffraction Standards）の資料に基づいて、結晶相の同定を行った。
その結果、結晶化ガラスに含まれる結晶はフレスノイトに帰属されることが分かった。
【００４１】
［評価］
図１及び図２に示すように、実施例１と比較例１とでは、特定のミラー指数（００ｎ）の結晶格子面のみに差が認められる。即ち、磁場が印加された試料の（００ｎ）面におけるＸ線の回折強度Ｉが大きくなっており、試料の表面に対して結晶のｃ軸が垂直な位置となるように配向すると判断することができる。
つまり、結晶をｃ軸方向に配向させるのに、磁場の印加は有効であると考えられる。
【実施例２】
【００４２】
実施例２に係る結晶化ガラスの製造方法にあっては、実施例１の条件のうち、結晶化処理の加熱温度のみを８１０℃に変更した。
その後、実施例２に係る白色透明体の試料を採取して、当該試料の表面部分のＸ線回折測定を実施例１と同様にして行った。その測定結果を図３に示す。なお、図３にあっては、回折強度Ｉの値を５倍したものを図示している。
【００４３】
［評価］
図３に示すように、実施例２に係る試料は、回折角度（２θ）３０°の近傍に回折強度Ｉのピークを有していることから、ガラス相であると判断することができる。しかしながら、当該試料の着色具合から、結晶核が生じ始めているものと考えられる。即ち、更に長時間加熱することにより結晶が成長し、特定のミラー指数（００ｎ）の結晶格子面にてＸ線回折を示すようになると考えられる。
従って、フレスノイト型結晶を析出するにあたっては８１０℃が結晶を析出するための限界の温度であると考えられる。
【実施例３】
【００４４】
実施例３に係る結晶化ガラスの製造方法にあっては、実施例１の条件のうち、結晶化処理の磁場環境のみを０．６３テスラ［Ｔ］／ｃｍに変更した。
その後、実施例３に係る白色不透明の試料を採取して、当該試料の表面部分のＸ線回折測定を実施例１と同様にして行った。その測定結果を図４に示す。
【実施例４】
【００４５】
実施例３に係る試料の表面から０．１ｍｍ削ったもの実施例４に係る試料とし、その削った面のＸ線回折測定を実施例１と同様にして行った。その測定結果を図５に示す。
【００４６】
実施例３に係る試料の表面から３ｍｍ削ったもの比較例２に係る試料とし、その削った面のＸ線回折測定を実施例１と同様にして行った。その測定結果を図６に示す。なお、図６にあっては、回折強度Ｉの値を５倍したものを図示している。
【００４７】
［評価］
図４に示すように、０．６３テスラ［Ｔ］／ｃｍの磁場勾配を印加することにより、実施例３に係る試料の（００２）面におけるＸ線の回折強度Ｉを大きくすることができ、結晶の配向度を向上させることができた。
また、図５に示すように、実施例３に係る試料の表面から０．１ｍｍ内側であっても、実施例４に係る試料の（００２）面におけるＸ線の回折強度Ｉを大きくすることができ、当該結晶化ガラス中の結晶を配向させることができた。従って、磁場勾配の印加は、結晶を配向させるのに有効であると考えられる。
しかしながら、図６に示すように、実施例３に係る試料の表面から３ｍｍ内側となると、当該比較例２に係る試料中にて結晶を配向させることはできなかった。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明を適用した結晶化ガラスの製造方法の実施例１に係るＸ線回折図である。
【図２】比較例１に係るＸ線回折図である。
【図３】本発明を適用した結晶化ガラスの製造方法の実施例２に係るＸ線回折図である。
【図４】本発明を適用した結晶化ガラスの製造方法の実施例３に係るＸ線回折図である。
【図５】本発明を適用した結晶化ガラスの製造方法の実施例４に係るＸ線回折図である。
【図６】比較例２に係るＸ線回折図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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