(57)【要約】【課題】  前工程において基板から除去し難い処理液が付与されていた場合等であっても、基板に対してリンス液が前工程の処理槽に逆流することを防止しつつ、基板上に残存する前工程での処理液による悪影響を低減する処理を行う。【解決手段】  水洗処理部の処理チャンバにおいて、搬送中の基板Ｗの表面に対して、基板搬送方向下流側に向けて入口ノズル２０からリンス液を供給して、当該水洗処理部よりも前工程の処理槽へのリンス液の逆流を防止しつつ、前工程で供給された処理液からリンス液への置換を行う。そして、このリンス液が供給された後の基板Ｗの表面に対して、２流体ノズル２１から、基板搬送方向に交差する基板幅の全域に亘って、気体と液体とからなる２流体を供給して、基板表面になお残存する前工程の処理液を除去する。【選択図】      図３
2006245051.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
予め定められた方向に搬送される基板の表面に付着した処理液をリンス液に置換する置換処理を行う処理槽内に配置され、当該搬送中の基板の表面に対して、基板搬送方向下流側に向けてリンス液を供給するリンス液供給手段と、
前記処理槽内において前記リンス液供給手段よりも基板搬送方向下流側に設けられ、当該基板搬送方向に交差する基板幅の全域に亘り、前記基板の表面に対して、気体と液体とからなる２流体を供給する２流体供給手段と
を備える基板処理装置。
【請求項２】
予め定められた方向に搬送される基板の表面に付着した処理液をリンス液に置換する置換処理を行う処理槽内に配置され、当該搬送中の基板の表面に対して、基板搬送方向下流側に向けてリンス液を供給するリンス液供給手段と、
前記処理槽内において前記リンス液供給手段よりも基板搬送方向下流側に設けられ、当該基板搬送方向に交差する基板幅の全域に亘り、前記基板の表面に対して、高圧流体を供給する高圧流体供給手段と
を備える基板処理装置。
【請求項３】
前記高圧流体供給手段は、前記高圧流体として高圧の液体を供給する請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
予め定められた方向に搬送される基板の表面に付着した処理液をリンス液に置換する置換処理を行う処理槽内で、当該搬送中の基板の表面に対して、基板搬送方向下流側に向けてリンス液を供給する第１工程と、
前記処理槽内における前記第１工程によるリンス液供給位置よりも基板搬送方向下流側で、当該基板搬送方向に交差する基板幅の全域に亘り、前記基板の表面に対して、気体と液体とからなる２流体を供給する第２工程と
からなる基板処理方法。
【請求項５】
予め定められた方向に搬送される基板の表面に付着した処理液をリンス液に置換する置換処理を行う処理槽内で、当該搬送中の基板の表面に対して、基板搬送方向下流側に向けてリンス液を供給する第１工程と、
前記処理槽内における前記第１工程によるリンス液供給位置よりも基板搬送方向下流側で、当該基板搬送方向に交差する基板幅の全域に亘り、前記基板の表面に対して、高圧流体を供給する第２工程と
からなる基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示デバイス（ＬＣＤ）、プラズマ表示デバイス（ＰＤＰ）、半導体デバイス等の製造プロセスにおいて、ＬＣＤまたはＰＤＰ用ガラス基板、半導体基板などの被処理基板に対して各種の処理、例えばエッチング処理後の置換処理を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板処理装置において、エッチング処理後の基板に対するリンス処理は、次のようにして行われている。例えば、特許文献１（図１等）に示されるように、基板Ｗが水洗処理部１０の処理チャンバ１２内へ搬入されてきたとき、処理チャンバ１２の入口側開口１４付近において入口ノズル２０から基板搬送方向下流側に向けてリンス液を供給し、基板Ｗが更に搬送方向下流側に進むと、処理チャンバ１２内から搬出されるまで上部スプレイノズル２２からリンス液を基板Ｗの表面に供給する。これは、(1)入口ノズル２０から基板に供給したリンス液が前工程の処理槽に逆流することを防止しつつ、(2)処理チャンバ１２の入り口付近でスリット状の入口ノズル２０から、直下の基板表面部分に多量のリンス液を均一に供給して短時間でリンス液への置換を行うことによって、前処理で用いられた処理液の残存による、基板表面に形成された配線パターンの形状や線幅の均一性悪化を防止するようにし、その後に上部スプレイノズル２２からリンス液供給を行うようにしたものである。
【特許文献１】特開２００４−２７３９８４号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上記の基板処理装置によれば、入口ノズル２０からリンス液を供給しても、前工程で用いられた処理液が粘度の高いものである等、基板表面から除去し難いものであった場合は、基板表面に付着した前工程の処理液を的確にリンス液に置換することが困難になるため、残存する前工程の処理液によって、基板に形成された配線パターン等に悪影響が及ぶ場合がある。
【０００４】
本発明は、上記の問題を解決するためになされたもので、前工程において基板から除去し難い処理液が付与されていた場合等であっても、基板に対して新たに供給するリンス液が前工程の処理槽に逆流することを防止しつつ、基板上に残存する前工程での処理液による悪影響を低減する処理を行うことを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の請求項１に記載の発明は、予め定められた方向に搬送される基板の表面に付着した処理液をリンス液に置換する置換処理を行う処理槽内に配置され、当該搬送中の基板の表面に対して、基板搬送方向下流側に向けてリンス液を供給するリンス液供給手段と、
前記処理槽内において前記リンス液供給手段よりも基板搬送方向下流側に設けられ、当該基板搬送方向に交差する基板幅の全域に亘り、前記基板の表面に対して、気体と液体とからなる２流体を供給する２流体供給手段と
を備える基板処理装置である。
【０００６】
また、請求項４に記載の発明は、予め定められた方向に搬送される基板の表面に付着した処理液をリンス液に置換する置換処理を行う処理槽内で、当該搬送中の基板の表面に対して、基板搬送方向下流側に向けてリンス液を供給する第１工程と、
前記処理槽内における前記第１工程によるリンス液供給位置よりも基板搬送方向下流側で、当該基板搬送方向に交差する基板幅の全域に亘り、前記基板の表面に対して、気体と液体とからなる２流体を供給する第２工程と
からなる基板処理方法である。
【０００７】
これらの構成では、処理槽内の入口近傍において、搬送中の基板の表面に対して、基板搬送方向下流側に向けてリンス液を供給することによって、当該処理槽よりも前工程の処理槽にリンス液が逆流することを防止しつつ、前工程で供給された処理液からリンス液への置換を行う。そして、このリンス液が供給された後の基板表面に対して、基板搬送方向に交差する基板幅の全域に亘って供給される、気体と液体とからなる２流体によっても、基板表面になお残存する前工程の処理液を除去するので、前工程で粘度の高い処理液等の除去し難い処理液が付与されていた場合であっても、当該残存処理液を更に基板表面から除去することができる。
【０００８】
上記気体及び液体からなる２流体は、断熱膨張の効果で温度が低くなっているため、基板表面に残存する前工程の処理液は当該２流体により冷却される。また、この２流体の液体部分は細かな粒子であるために周囲の熱で容易に蒸発して気化熱を奪い取るが、これによる冷却効果によっても、基板表面に残存する処理液が冷却される。そのため、例えば、前工程で付与された処理液がエッチング液である場合等には、このエッチング液を冷却して、エッチングレートを低下させることができるので、基板表面に残存するエッチング液によって、基板表面に形成された配線パターンの形状や線幅の均一性が悪化されることを防止できる。
【０００９】
また、請求項２に記載の発明は、予め定められた方向に搬送される基板の表面に付着した処理液をリンス液に置換する置換処理を行う処理槽内に配置され、当該搬送中の基板の表面に対して、基板搬送方向下流側に向けてリンス液を供給するリンス液供給手段と、
前記処理槽内において前記リンス液供給手段よりも基板搬送方向下流側に設けられ、当該基板搬送方向に交差する基板幅の全域に亘り、前記基板の表面に対して、高圧流体を供給する高圧流体供給手段と
を備える基板処理装置である。
【００１０】
また、請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の基板処理装置であって、前記高圧流体供給手段は、前記高圧流体として高圧の液体を供給するものである。
【００１１】
また、請求項５に記載の発明は、予め定められた方向に搬送される基板の表面に付着した処理液をリンス液に置換する置換処理を行う処理槽内で、当該搬送中の基板の表面に対して、基板搬送方向下流側に向けてリンス液を供給する第１工程と、
前記処理槽内における前記第１工程によるリンス液供給位置よりも基板搬送方向下流側で、当該基板搬送方向に交差する基板幅の全域に亘り、前記基板の表面に対して、高圧流体を供給する第２工程と
からなる基板処理方法である。
【００１２】
この構成では、処理槽内の入口近傍において、搬送中の基板の表面に対して、基板搬送方向下流側に向けてリンス液を供給することにより、当該処理槽よりも前工程の処理槽にリンス液が逆流することを防止しつつ、前工程で供給された処理液からリンス液への置換を行う。そして、上リンス液が供給された状態となっている基板の表面に対して、基板搬送方向に交差する基板幅の全域に亘って供給される、高圧流体によっても、基板表面に残存する前工程で付与された処理液を除去するので、前工程で粘度の高い処理液が基板表面に付与されていた場合であっても、当該残存処理液を確実に除去することができる。
【発明の効果】
【００１３】
請求項１及び請求項４に記載の発明によれば、処理槽よりも前工程の処理槽にリンス液が逆流することを防止しつつ、前工程で供給された処理液からリンス液への置換を短時間で行うことができると共に、気体と液体とからなる２流体の基板への供給により、前工程で粘度の高い処理液等の除去し難い処理液が基板表面に付与されていた場合であっても、当該残存処理液を的確に除去して、残存処理液が基板に対して及ぼす悪影響を低減することができる。
【００１４】
請求項２、請求項３、及び請求項５に記載の発明によれば、処理槽よりも前工程の処理槽にリンス液が逆流することを防止しつつ、前工程で供給された処理液からリンス液への置換を短時間で行うことができると共に、高圧流体の基板への供給により、前工程で粘度の高い処理液等の除去し難い処理液が基板表面に付与されていた場合であっても、当該残存処理液を確実に除去することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の一実施形態に係る基板処理装置及び基板処理方法について図面を参照して説明する。図１は本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す側断面図であり、特に、本発明の特徴的構成であるリンス液供給機構（入口ノズル２０及び２流体ノズル２１）が適用された水洗処理部を図示している。第１実施形態に係る基板処理装置１においては、水洗処理部１０の前工程として、水洗処理部１０に隣接してエッチング処理槽が設けられている（図略）。エッチング処理槽では、現像処理によってパターン形成されたレジスト膜よりも下層の露出部分を除去するために、エッチング用の薬液（以降、エッチング液という）が基板表面に供給されるため、水洗処理部１０では、エッチング用薬液等を洗い流して、水洗処理部１０で供給する新たなリンス液（例えば、純水等からなる。前工程で基板Ｗに供給された処理液とは異なる液であればよい。）に置換する。
【００１６】
水洗処理部１０は、入口側開口１４及び出口側開口１６を有する処理チャンバ１２を備える。処理チャンバ１２の内部には、基板Ｗを水平姿勢、又は基板搬送方向（図１の矢印方向）に直交する方向に傾斜させた姿勢で搬送するローラコンベア１８が配設されている。この水洗処理部１０には、上述したように、エッチング処理部で表面にエッチング液が付着された状態の基板Ｗが搬送されてくる。処理チャンバ１２の入口側開口１４付近には、基板Ｗの表面にリンス液を吐出する入口ノズル（リンス液供給手段）２０が配設されている。この入口ノズル２０は、基板Ｗに対してリンス液を多量に供給して、前工程で基板Ｗの表面に付与されているエッチング液を短時間でリンス液に置換する。さらに、この入口ノズル２０よりも基板搬送方向下流側には、気体及び液体からなる２流体を基板に対して吐出する２流体ノズル（２流体供給手段）２１が基板搬送路の上方に設けられており、２流体ノズル２１よりも更に下流側には、基板搬送路の上方及び下方に、基板搬送路に沿ってそれぞれ上部スプレイノズル２２、下方スプレイノズル２４が設けられている。
【００１７】
入口ノズル２０、上部スプレイノズル２２、及び下部スプレイノズル２４には、リンス液供給配管２６、２８、３０がそれぞれ接続されており、各リンス液供給配管２６、２８、３０には、開閉制御弁Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３がそれぞれ設けられている。各リンス液供給配管２６、２８、３０は、それぞれ配管３２ａに接続され、配管３２ａはポンプ３４の吐出口側に流路接続されている。ポンプ３４の吸込口側は、配管３２ｂを介して、純水２が貯留された貯水槽３６の底部に接続されている。
【００１８】
２流体 ノズル２１には、リンス液配管３１が接続されており、例えば純水が、図略の純水供給源、又は貯水槽３６から適宜供給されるようになっている。リンス液配管３１には、開度調整が可能なバルブＶ６が設けられており、２流体ノズル２１に供給する純水流路の開閉、及び純水の流量調節が可能とされている。
【００１９】
さらに、２流体 ノズル２１には、窒素ガス供給源から高圧の窒素ガスを２流体ノズル２１に供給する窒素ガス配管３３が接続されている。この窒素ガス配管３３には、開度調整が可能なバルブＶ７が設けられており、２流体ノズル２１に供給される窒素ガスの流路の開閉、及び窒素ガスの流量調節が可能とされている。なお、バルブＶ７の開度を変えることによって、２流体ノズル２１に導入される窒素ガスの圧力（流量）を変え、２流体 ノズル２１で生成される純水の液滴の粒径を変化させることも可能である。窒素ガス配管３３において、バルブＶ７と２流体ノズル２１との間には、２流体 ノズル２１に導入される窒素ガスの圧力を測定する圧力計３５が配設されている。この圧力計３５による検出結果は、コントローラ５０に送られ、コントローラ５０は当該検出結果に応じてバルブＶ７の開閉を制御して窒素ガスの圧力を調整することが可能とされている。
【００２０】
上記バルブＶ６，Ｖ７を同時に開き、２流体ノズル２１に純水および窒素ガスが同時に導入されると、２流体ノズル２１により純水の液滴（ミスト）が生成されて噴射されるようになっている。バルブＶ６，Ｖ７の開閉動作はコントローラ５０により制御される。
【００２１】
基板Ｗの表面を洗浄するときは、コントローラ５０の制御により、入口ノズル２０からリンス液を吐出させると共に、２流体ノズル２１から基板Ｗの表面に向かって純水及び窒素ガスからなる２流体を噴射させ、さらに、上部スプレイノズル２２、及び下部スプレイノズル２４からミスト状のリンス液を基板Ｗに対して噴霧する。
【００２２】
処理チャンバ１２の底部には、液流出管４２が設けられている。液流出管４２は、回収用配管４４と排液用配管４６とに分岐している。回収用配管４４の先端流出口は、貯水槽３６内へ導入されている。また、排液用配管４６を通って使用済みのリンス液が廃棄される。回収用配管４４及び排液用配管４６には、開閉制御弁Ｖ４、Ｖ５がそれぞれ設けられている。
【００２３】
次に、入口ノズル２０及び２流体ノズル２１について説明する。図２は入口ノズル２０及び２流体ノズル２１の配置と、入口ノズル２０及び２流体ノズル２１からリンス液が吐出される様子を示す平面図、図３は入口ノズル２０及び２流体ノズル２１の配置と、入口ノズル２０及び２流体ノズル２１からリンス液が吐出される様子を示す側面図である。
【００２４】
図２に示すように、入口ノズル２０は、基板Ｗの搬送方向に直交する基板幅方向に延び、当該基板幅に亘る長さで設けられている。入口ノズル２０には、リンス液が吐出されるスリット２０１が入口ノズル２０の長さ方向に亘って基板幅の全域に設けられている。また、図２及び図３に示すように、このスリット２０１から基板Ｗの表面の幅全域に対して、基板搬送方向下流側に向けてカーテン状に多量のリンス液を吐出する。吐出されたリンス液は、入口ノズル２０よりも基板搬送方向下流側の基板Ｗ表面全域に拡がるようになっている。これにより、搬送されてくる基板Ｗの表面に残存している前工程での処理液（エッチング液）を短時間で洗い流すようになっている。
【００２５】
また、入口ノズル２０の基板搬送方向下流側に配設された２流体ノズル２１も、基板Ｗの幅方向に延び、当該基板幅に亘る長さで設けられている。この２流体ノズル２１には、真下に位置する基板Ｗ表面部分に２流体を吐出する吐出口２１０が、２流体ノズル２１の長さ方向に亘って一定間隔で複数設けられている。各吐出口２１０からは、例えば、基板Ｗ表面に対して直交させて噴射する場合、基板Ｗから吐出口２１０までの距離20mm〜100mm（より好ましくは70mm）、噴射圧0.4Mpaで２流体を噴射する。各吐出口２１０同士の間隔は、図２に示すように、各吐出口２１０から噴射された２流体が基板Ｗの表面に達したときに、２流体の各噴射領域Ｒが、基板幅方向において重なるように設定される。
【００２６】
上記２流体ノズル２１の吐出口２１０から吐出された２流体は、上記圧で基板Ｗの表面に達し、各吐出口２１０からそれぞれ吐出される２流体同士が重なるため、基板幅方向に亘って２流体の壁のようなものが形成される。
【００２７】
上記入口ノズル２０からリンス液がカーテン状に噴射され、それまで基板Ｗの表面に残存していた処理液は、入口ノズル２０から吐出されたリンス液によって、基板Ｗの表面を基板送方向下流側に向けて洗い流されるが、この前工程で基板Ｗに付与された処理液（エッチング液）を含むリンス液は、図２及び図３に示すように、上記２流体の壁によって、２流体ノズル２１の配設位置で堰き止められ、それ以上基板搬送方向下流側には流れない。堰き止められたリンス液は、２流体の壁に沿って基板幅方向に流れ、基板Ｗの側縁部において、基板Ｗの表面から処理チャンバ１２の底部に流れ落ちる。本実施形態の場合、基板Ｗがローラコンベア１８によって基板搬送方向に直交する方向に傾けた姿勢で搬送されているため、上記堰き止められたリンス液は、当該傾斜の下側となる基板Ｗ側縁部に案内されて処理チャンバ１２の底部に流れ落ちる。
【００２８】
このように、基板Ｗ上に前工程で付与された処理液は、基板Ｗの表面から流れ落とされるが、例えば、前工程で付与された処理液が粘度の高いものであった場合など、基板Ｗの表面から除去し難いものである場合は、入口ノズル２０からのリンス液による洗浄後の基板Ｗの表面に処理液が残存する可能性がある。しかし、本実施形態の場合、２流体ノズル２１の吐出口２１０から噴射される２流体は、上記のように気体及び液体からなるために断熱膨張の効果で温度が低くなっており、基板Ｗの表面に残存する前工程の処理液が冷却されことになる。また、上記２流体の液体部分は細かな粒子であるため、周囲の熱で容易に蒸発して気化熱を奪い取るが、これによる冷却効果でも、基板Ｗの表面に残存する前工程の処理液が冷却される。そのため、前工程で付与された、例えばエッチング液を冷却してエッチングレート（反応速度）を低下させることができるので、基板Ｗの表面に残存するエッチング液が、基板Ｗの表面に形成された配線パターンの形状や線幅の均一性に及ぼす悪影響が低減される。
【００２９】
また、上記のように、２流体ノズル２１からは、一定の圧力で２流体を基板Ｗの表面に噴射するため、噴射された２流体の圧力によっても、基板Ｗの表面に残存する前工程の処理液を除去する効果は得られる。
【００３０】
さらに、上記２流体の壁によるリンス液の堰き止め効果により、２流体ノズル２１よりも基板搬送方向下流側においては、基板Ｗから流れ落ちるリンス液には、前工程での処理液が残存しないので、２流体ノズル２１よりも下流側の領域でリンス液を回収すれば、再利用に適したものとなる。
【００３１】
次に、本発明に係る基板処理装置の第２実施形態を説明する。図４は第２実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す側断面図であり、特に、本発明の特徴的構成であるリンス液供給機構（入口ノズル２０及び高圧スプレイノズル２１’）が適用された水洗処理部１０’を図示している。図５（ａ）は第２実施形態に係る基板処理装置に備えられる高圧スプレイノズルの吐出口と、当該吐出口から吐出される高圧流体の基板表面での吐出領域の第１例を示した図、（ｂ）は第２実施形態に係る基板処理装置に備えられる高圧スプレイノズルの吐出口と、当該吐出口から吐出される高圧流体の基板表面での吐出領域の第２例を示した図である。
【００３２】
図４に示すように、第２実施形態に係る基板処理装置１’は、第１実施形態の基板処理装置１が備えている２流体ノズル２１に代えて、高圧スプレイノズル（高圧流体供給手段）２１’を備える。第１実施形態の２流体ノズル２１は、２流体による冷却作用と、２流体の噴射圧とによって残存処理液が基板Ｗに及ぼす悪影響を低減させるものであったが、第２実施形態の高圧スプレイノズル２１’は、吐出するリンス液の圧力で残存処理液を除去率を高めて、残存処理液が基板Ｗに及ぼす悪影響を低減させるものである。
【００３３】
高圧スプレイノズル２１’は、純水等のリンス液を高圧で基板Ｗに対して吐出するようになっており、リンス液供給配管６１によってリンス液タンク６４に配管接続されている。また、高圧スプレイノズル２１’とリンス液タンク６４の間のリンス液供給配管６１には、フィルタ６２、流量調節用の開閉弁Ｖ８，及びポンプ６３が設けられている。ポンプ６３はインバータ６５の出力によって駆動され、インバータ６５の出力はコントローラ５０によって制御される。ポンプ６３は、コントローラ５０によってインバータ６５の周波数を制御することにより、高圧スプレイノズル２１’側に向けた吐出圧力を任意に切り替えて駆動制御可能となっている。
【００３４】
また、高圧スプレイノズル２１’は、第１実施形態に係る２流体ノズル２１と同様に、基板搬送方向において、入口ノズル２０の基板搬送方向下流側に設けられ、基板Ｗの基板幅方向に延び、当該基板幅に亘る長さで設けられる。そして、高圧スプレイノズル２１’には、その真下の基板Ｗの表面部分に対して高圧でリンス液を吐出する吐出口２１０’（図５（ａ）（ｂ）参照）が、高圧スプレイノズル２１’の長さ方向に亘って、一定間隔で複数設けられている。
【００３５】
上記各吐出口２１０’は、基板Ｗ表面に対して直交するようにして高圧のリンス液を噴射する。この各吐出口２１０’同士の間隔は、各吐出口２１０から噴射されたリンス液が基板Ｗの表面に達したときに、それぞれのリンス液の噴射領域が基板幅方向において隙間無く重なるように設定される。各吐出口２１０’からは、例えば、基板Ｗ表面に対して直交させてリンス液を噴射する場合、基板Ｗから吐出口２１０までの距離20mm〜100mm（より好ましくは70mm）、噴射圧0.3〜0.4Mpaでリンス液を噴射する。
【００３６】
例えば、図５（ａ）の上図に示すように、各吐出口２１０’に設けられている、リンス液を吐出させる吐出孔２１０１’を楕円径として、高圧スプレイノズル２１’の長さ方向に平行となるように並べて配設し、図５（ａ）の下図に示すように、各吐出孔２１０１’のリンス液噴射領域Ｒ１の長さ方向端部同士が重なるようにする。このようにすれば、吐出孔２１０１’同士の間隔を比較的広くしても、リンス液による噴射領域Ｒ１を交差させることができるため、高圧スプレイノズル２１’に設ける吐出口２１０’の数を少なくすることができる。
【００３７】
また、図５（ｂ）の上図に示すように、吐出口２１０″の各吐出孔２１０１″を、高圧スプレイノズル２１’の長さ方向に対して一定の角度で傾斜させて並設し、図５（ｂ）の下図に示すように、各吐出孔２１０１″のリンス液噴射領域Ｒ２の側部（幅方向の端部）同士が重なるようにする。このようにすれば、吐出孔２１０１″からのリンス液による残存処理液除去領域を広くでき、さらに、リンス液による基板Ｗへの打力を大きく確保することができるため、残存処理液の除去率を高めることができる。
【００３８】
なお、本発明は上記実施の形態の構成に限られず種々の変形が可能である。例えば、上記第１実施形態では、２流体ノズル２１が、純水及び窒素ガスからなる２流体を吐出するとして説明したが、２流体ノズルから吐出する２流体をなす液体及び気体はこれらに限定されず、他の液体及び気体を用いることも可能である。
【００３９】
また、２流体ノズル２１の構成は、上記実施形態で示したものには限定されず、上記とは別の構成からなるものを採用してもよい。
【００４０】
また、上記第２実施形態では、高圧スプレイノズル２１’から純水を吐出するとして説明しているが、他の液体を高圧で吐出するようにしてもよいし、更には、高圧の気体を吐出するようにしてもよい。気体を噴射する場合は、各吐出口２１０’からは、例えば、基板Ｗ表面に対して直交させて気体を噴射するとして、基板Ｗから吐出口２１０までの距離20mm〜100mm、例えば、0.15Mpaの噴射圧で気体を噴射する。
【００４１】
また、上記第１及び第２実施形態では、入口ノズル２０及び２流体ノズル２１又は高圧スプレイノズル２１’が備えられる処理槽を、剥離処理後の工程である水洗処理部１０としているが、これは、入口ノズル２０及び２流体ノズル２１又は高圧スプレイノズル２１’が備えられる処理槽を水洗処理部１０に限定する意ではなく、他の処理を行う処理槽に入口ノズル２０及び２流体ノズル２１又は高圧スプレイノズル２１’を備えるようにすることも可能である。
【００４２】
また、上記実施形態では、処理チャンバ１２の入口ノズル２０及び２流体ノズル２１を、エッチング処理後の基板Ｗをリンス液に置換する処理を行うものとして説明しているが、例えば、剥離処理後、洗浄処理後、現像処理後等の基板Ｗに対しても適用が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す側断面図であり、特に、本発明の特徴的構成であるリンス液供給機構（入口ノズル及び２流体ノズル）が適用された水洗処理部を図示している。
【図２】入口ノズル及び２流体ノズルの配置と、入口ノズル及び２流体ノズルからリンス液が吐出される様子を示す平面図である。
【図３】入口ノズル及び２流体ノズルの配置と、入口ノズル及び２流体ノズルからリンス液が吐出される様子を示す側面図である。
【図４】第２実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す側断面図であり、特に、本発明の特徴的構成であるリンス液供給機構（入口ノズル及び高圧スプレイノズルが適用された水洗処理部を図示している。
【図５】（ａ）は第２実施形態に係る基板処理装置に備えられる高圧スプレイノズルの吐出口と、当該吐出口から吐出される高圧流体の基板表面での吐出領域の第１例を示した図、（ｂ）は第２実施形態に係る基板処理装置に備えられる高圧スプレイノズルの吐出口と、当該吐出口から吐出される高圧流体の基板表面での吐出領域の第２例を示した図である。
【符号の説明】
【００４４】
１，１’      基板処理装置
１０，１０’    水洗処理部
１２    処理チャンバ
２０    入口ノズル
２１    ２流体ノズル
２１’  高圧スプレイノズル
Ｒ１，Ｒ２    リンス液噴射領域
Ｗ      基板
【図１】
2006245051.tif 000003
【図２】
2006245051.tif 000004
【図３】
2006245051.tif 000005
【図４】
2006245051.tif 000006
【図５】
2006245051.tif 000007