(57)【要約】【課題】  層間絶縁膜の確実な埋め込み、ストレスマイグレーション耐性が向上する集積回路配線を実現する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】  下地のバリア膜１１は例えばＴｉ／ＴｉＮ積層膜であり、接続領域ＣＯＮ及び絶縁層ＩＮＬ上に形成されている。主配線部材１２上に、Ａｌのストレスマイグレーション対策としてキャップ膜１３が形成されている。キャップ膜１３は例えばＴｉ／ＴｉＮ積層膜であり、主配線部材１２との密着下部から上部に向かって先細り形状、つまり側部がテーパ形状を呈している。バリア膜１１は、主配線部材１２の配される上部から下部に向かって広がった形状を呈する。主配線部材１２側壁の保護膜１５は、バリア膜１１のリスパッタ粒子が付着して構成されるものである。【選択図】  図１
2006237342.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接続領域及び絶縁層上に形成された第１導電部材と、
前記第１導電部材上に形成された主配線部材と、
前記主配線部材上に少なくとも頂部が前記主配線部材の幅以下で形成された第２導電部材と、
前記主配線部材の側壁に付着した前記第１導電部材のリスパッタ粒子からなる保護膜と、
を含む半導体装置。
【請求項２】
前記主配線部材はアルミニウムを主成分とし、前記第１導電部材は少なくとも窒化チタンを含むバリア膜であって、前記主配線部材の配される上部から下部に向かって広がった形状を呈し、前記保護膜は前記バリア膜上において前記主配線部材の側部に沿って形成されている請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記主配線部材はアルミニウムを主成分とし、前記第２導電部材は少なくともチタンを含むキャップ膜であって、前記主配線部材との密着下部から上部に向かって先細り形状を呈している請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
接続領域及び絶縁層上に形成された下地のバリア膜と、
前記バリア膜上に形成された主配線部材と、
前記主配線部材上に形成されたキャップ膜と、
前記主配線部材の側壁に付着した前記バリア膜のリスパッタ粒子からなる保護膜と、
を含む半導体装置。
【請求項５】
前記主配線部材はアルミニウムを主成分とし、前記バリア膜及び前記キャップ膜は少なくともチタン原子を含む金属膜であり、前記キャップ膜は上部ほど堆積量の少ない形状を有する請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
前記主配線部材はアルミニウムを主成分とし、前記バリア膜及び前記キャップ膜は少なくともチタン原子を含む金属膜であり、前記バリア膜は上部から下部に向かうほど広がった堆積形態を有している請求項４記載の半導体装置。
【請求項７】
前記主配線部材はアルミニウムを主成分とし、前記バリア膜及び前記キャップ膜は少なくともチタン原子を含む金属膜であり、前記保護膜は前記バリア膜上において前記主配線部材に沿うようにテーパ形状をもって堆積されている請求項４に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記主配線部材はアルミニウムを主成分とし、前記バリア膜及び前記キャップ膜は少なくともチタン原子を含む金属膜であり、前記主配線部材が前記バリア膜、前記保護膜、及び前記キャップ膜によって包み込まれ全体的に側部がテーパ形状を呈している請求項４に記載の半導体装置。
【請求項９】
半導体集積回路配線を構成する半導体装置の製造方法において、
接続領域及び絶縁層上に下地のバリア膜を形成する工程と、
前記バリア膜上にアルミニウムを主成分とする主配線部材を形成する工程と、
前記主配線部材上をキャップ膜で覆う工程と、
前記キャップ膜上にハードマスクを形成する工程と、
前記ハードマスクのパターンに従って前記キャップ膜及び主配線部材を異方性エッチングし、前記主配線部材のエッチング終点を検出することにより前記バリア膜上でエッチングを終了させる反応性イオンエッチング工程と、
前記ハードマスクを完全に除去すると共に前記キャップ膜を縁部から優先的にエッチングし、かつより低い部分に露出している前記バリア膜をエッチングすると共にリスパッタ現象により前記主配線部材の側壁に保護膜として付着させる非反応性イオンエッチング工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記非反応性イオンエッチング工程は、不活性イオンによる物理的なエッチングであり、前記ハードマスクは前記バリア膜よりエッチングレートの高い絶縁部材が選ばれる請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記ハードマスクは前記主配線部材の半分以下の厚さとする請求項９または１０記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記非反応性イオンエッチング工程は、少なくとも始めは第１のバイアス電圧で実施され、続いて前記第１のバイアス電圧より低い第２のバイアス電圧に切り替えて実施される請求項９〜１１いずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、狭ピッチ、アスペクト比の大きい半導体集積回路配線を構成する半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ａｌを主成分とし、ＣｕやＳｉ等を含有するＡｌ合金配線は、下地のバリア膜として例えばＴｉ／ＴｉＮ積層膜（またはＴｉＮ単層膜）を設ける。また、Ａｌ合金配線上部はストレスマイグレーション対策としてキャップ膜、例えばＴｉ／ＴｉＮ積層膜（またはＴｉやＴｉＮの単層膜）を設ける。Ａｌ合金配線のパターニングには異方性エッチング工程が不可欠である。例えば、バリア膜、Ａｌ合金配線及びキャップ膜の積層上にフォトリソグラフィ技術を用いてマスクを形成し、ＣＦ４等のエッチングガスを利用して反応性イオンエッチングが実施される。
【０００３】
上記反応性イオンエッチング時では、従来、マスクと金属膜（キャップ膜）の選択比を稼ぐため、マスクに酸化膜、窒化膜等の絶縁膜を用いるハードマスク技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平１１−２１４３７０号公報（４頁、図４）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記従来技術では、異方性エッチング工程（反応性イオンエッチング）による配線層のパターニング時、ハードマスクを用いる。このため、配線形成後の配線高さにハードマスクの残膜分が加わる。これにより、配線の実効的なアスペクト比が大きくなり、層間絶縁膜の埋め込みが困難になる。また、Ａｌ合金配線とキャップ膜（Ｔｉ／ＴｉＮ積層膜）の高融点金属ではエッチング反応性に差があり、高融点金属の方が反応性は低い。このため、Ａｌ合金配線に対してキャップ膜がオーバーハングする形状となり易い。そうなると、層間絶縁膜の確実な埋め込みはいっそう困難になる。
また、配線形成後、側壁のＡｌ合金配線が剥き出しである。このため熱ストレス等で容易にＡｌ原子が移動してしまい、いわゆるストレスマイグレーションが起こり易い。これにより、メタルボイドが懸念される。
【０００５】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたもので、層間絶縁膜の確実な埋め込み、ストレスマイグレーション耐性が向上する集積回路配線を実現する半導体装置及びその製造方法を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る半導体装置は、接続領域及び絶縁層上に形成された第１導電部材と、前記第１導電部材上に形成された主配線部材と、前記主配線部材上に少なくとも頂部が前記主配線部材の幅以下で形成された第２導電部材と、前記主配線部材の側壁に付着した前記第１導電部材のリスパッタ粒子からなる保護膜と、を含む。
【０００７】
上記本発明に係る半導体装置によれば、主配線部材上の第２導電部材は主配線部材の幅以下であり、主配線部材に対してオーバーハングするようなことはない。これにより、次層の層間絶縁膜の埋め込み性能は向上する。また、主配線部材の側壁には第１導電部材のリスパッタ粒子が付着し、マイグレーション耐性を向上させる保護膜となっている。
【０００８】
なお、上記本発明に係る半導体装置は、次のいずれかの特徴を有して半導体集積回路配線の信頼性向上に寄与する。
前記主配線部材はアルミニウムを主成分とし、前記第１導電部材は少なくとも窒化チタンを含むバリア膜であって、前記主配線部材の配される上部から下部に向かって広がった形状を呈し、前記保護膜は前記バリア膜上において前記主配線部材の側部に沿って形成されていることを特徴とする。
前記主配線部材はアルミニウムを主成分とし、前記第２導電部材は少なくともチタンを含むキャップ膜であって、前記主配線部材との密着下部から上部に向かって先細り形状を呈していることを特徴とする。
【０００９】
本発明に係る半導体装置は、接続領域及び絶縁層上に形成された下地のバリア膜と、前記バリア膜上に形成された主配線部材と、前記主配線部材上に形成されたキャップ膜と、  前記主配線部材の側壁に付着した前記バリア膜のリスパッタ粒子からなる保護膜と、を含む。
【００１０】
上記本発明に係る半導体装置によれば、主配線部材上のキャップ膜及び主配線部材側壁の保護膜により、マイグレーション耐性を向上させる。また、キャップ膜の形態次第で層間絶縁膜の埋め込み性能を向上させることができる。
【００１１】
また、上記本発明に係る半導体装置の製造方法において、次のいずれかの特徴を有することによって、半導体集積回路配線の信頼性向上に寄与する。
前記主配線部材はアルミニウムを主成分とし、前記バリア膜及び前記キャップ膜は少なくともチタン原子を含む金属膜であり、前記キャップ膜は上部ほど堆積量の少ない形状を有することを特徴とする。
前記主配線部材はアルミニウムを主成分とし、前記バリア膜及び前記キャップ膜は少なくともチタン原子を含む金属膜であり、前記バリア膜は上部から下部に向かうほど広がった堆積形態を有していることを特徴とする。
前記主配線部材はアルミニウムを主成分とし、前記バリア膜及び前記キャップ膜は少なくともチタン原子を含む金属膜であり、前記保護膜は前記バリア膜上において前記主配線部材に沿うようにテーパ形状をもって堆積されていることを特徴とする。
前記主配線部材はアルミニウムを主成分とし、前記バリア膜及び前記キャップ膜は少なくともチタン原子を含む金属膜であり、前記主配線部材が前記バリア膜、前記保護膜、及び前記キャップ膜によって包み込まれ全体的に側部がテーパ形状を呈していることを特徴とする。
【００１２】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体集積回路配線を構成する半導体装置の製造方法において、接続領域及び絶縁層上に下地のバリア膜を形成する工程と、前記バリア膜上にアルミニウムを主成分とする主配線部材を形成する工程と、前記主配線部材上をキャップ膜で覆う工程と、前記キャップ膜上にハードマスクを形成する工程と、前記ハードマスクのパターンに従って前記キャップ膜及び主配線部材を異方性エッチングし、前記主配線部材のエッチング終点を検出することにより前記バリア膜上でエッチングを終了させる反応性イオンエッチング工程と、前記ハードマスクを完全に除去すると共に前記キャップ膜を縁部から優先的にエッチングし、かつより低い部分に露出している前記バリア膜をエッチングすると共にリスパッタ現象により前記主配線部材の側壁に保護膜として付着させる非反応性イオンエッチング工程と、を含む。
【００１３】
上記本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、主配線部材上にキャップ膜、キャップ膜上のハードマスクを形成する。ハードマスクに従って主配線部材が反応性エッチングによってパターニングされた後、非反応性イオンエッチング工程を経る。この工程によりハードマスクを完全に除去すると共にキャップ膜は縁部から優先的にエッチングされる。これと同時に、より低い部分に露出しているバリア膜をエッチングすると共にリスパッタ現象によって主配線部材の側壁に保護膜として付着させる。主配線部材側壁の保護膜により、マイグレーション耐性を向上させることができる。また、キャップ膜縁部がエッチングされる形態、バリア膜が上部から下部に向かうほど広がる堆積形態が得られるため、層間絶縁膜の埋め込み性能を向上させることができる。
【００１４】
また、上記本発明に係る半導体装置の製造方法において、次のいずれかの特徴を有することによって、半導体集積回路配線の形状がより層間絶縁膜の埋め込み易い形状になり、信頼性向上に寄与する。
前記非反応性イオンエッチング工程は、不活性イオンによる物理的なエッチングであり、前記ハードマスクは前記バリア膜よりエッチングレートの高い絶縁部材が選ばれることを特徴とする。
前記ハードマスクは前記主配線部材の半分以下の厚さとすることを特徴とする。
前記非反応性イオンエッチング工程は、少なくとも始めは第１のバイアス電圧で実施され、続いて前記第１のバイアス電圧より低い第２のバイアス電圧に切り替えて実施されることを特徴とする。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の要部を示す断面図であり、半導体集積回路配線の一部である。下地のバリア膜１１は、接続領域ＣＯＮ及び絶縁層ＩＮＬ上に形成されている。絶縁層ＩＮＬは、例えば図示しない下層の導電領域との層間絶縁膜である。破線の接続領域ＣＯＮは、例えば図示しない下層の導電領域とつながるＷ等のプラグ金属である。バリア膜１１は、ここではＴｉ／ＴｉＮ積層膜が用いられている。バリア膜１１上に主配線部材１２が形成されている。主配線部材１２は、Ａｌを主成分とし、例えばＣｕを１％未満（例えば０．５％）含有させたＡｌ−Ｃｕ構造としている。
【００１６】
上記主配線部材１２上に、キャップ膜１３が形成されている。キャップ膜１３は、例えばＴｉ／ＴｉＮ積層膜で、Ａｌのストレスマイグレーション対策として設けられる。キャップ膜１３は、少なくとも頂部が主配線部材１２の幅を越えない形状となっている。さらに好ましくは、キャップ膜１３は、主配線部材１２との密着下部から上部に向かって先細り形状、つまり側部がテーパ形状を呈している。
【００１７】
主配線部材１２の側壁に保護膜１５が形成されている。保護膜１５は、上記バリア膜１１のリスパッタ粒子が付着して構成されるものであり、ＴｉやＴｉＮで構成される。ここでは、バリア膜１１は、主配線部材１２の配される上部から下部に向かって広がった形状を呈する。さらに、保護膜１５は、バリア膜１１上において主配線部材１２の側部に沿って上部へ向かうほど先細るテーパ形状をもって形成されている。これにより、主配線部材１２の側部を保護する形態が実現されている。
【００１８】
上記のような半導体集積回路配線の、より好ましい全体的な形態として、次層の層間絶縁膜２０の埋め込み性能が優れているということが重要である。キャップ膜１３は、上部ほど堆積量の少ない形状を有し、バリア膜１１は上部から下部に向かうほど広がった堆積形態を有している。かつ、保護膜１５は、バリア膜１１上において主配線部材１２の側部に沿って上部へ向かうほど薄い被覆となる。これにより、主配線部材１２がバリア膜１１、保護膜１５、及びキャップ膜１３によって包み込まれ、全体的に半導体集積回路配線の側部がテーパ形状となる形態を実現している。
【００１９】
上記実施形態の構成によれば、主配線部材１２上のキャップ膜１３は主配線部材１２の幅以下であり、主配線部材１２に対してオーバーハングするようなことはない。これにより、次層の層間絶縁膜２０の埋め込み性能は向上する。また、主配線部材１２の側壁にはバリア膜１１のリスパッタ粒子が付着し、マイグレーション耐性を向上させる保護膜１５となっている。これにより、半導体集積回路配線として、層間絶縁膜２０の確実な埋め込み、メタルボイド等、不良因子の抑制に優れた構成となる。
【００２０】
なお、上記実施形態の構成において、主配線部材１２は、主成分のＡｌにＣｕの他、さらにＳｉ等を含有する構成も考えられる。また、バリア膜１１は、ＴｉＮ単層膜を用いることも考えられる。その他、キャップ膜１３は、ＴｉまたはＴｉＮの単層膜を用いることも考えられる。
【００２１】
図２〜図８は、それぞれ本発明の第２実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図であり、前記第１実施形態の構成を実現する方法を順に示している。第１実施形態と同様の箇所には図１と同じ符号を付して説明する。
図２に示すように、接続領域ＣＯＮ及び絶縁層ＩＮＬ上に下地のバリア膜１１を形成する。絶縁層ＩＮＬは、例えば図示しない下層の導電領域との層間絶縁膜である。破線の接続領域ＣＯＮは、例えば図示しない下層の導電領域とつながるＷ等のプラグ金属である。バリア膜１１は、ここではスパッタ法によってＴｉ膜１０ｎｍ程度、ＴｉＮ膜３０ｎｍ程度の厚さでＴｉ／ＴｉＮ積層膜が形成される。バリア膜１１上に主配線部材１２が形成されている。主配線部材１２は、Ａｌを主成分としたＡｌ−Ｃｕ構造とし、スパッタ法により形成する。主配線部材１２の厚さは様々であるが、３００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲の所定厚さが設定される。次に、スパッタ法によって主配線部材１２をキャップ膜１３で覆う。キャップ膜１３は、Ｔｉ膜２０ｎｍ程度、ＴｉＮ膜６０ｎｍ程度の厚さのＴｉ／ＴｉＮ積層膜で、Ａｌのストレスマイグレーション対策として設けられる。次に、キャップ膜１３上にハードマスク部材１４を積層する。ハードマスク部材ＨＭＬは、絶縁膜であり、例えば酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、炭化シリコン膜のいずれかをＣＶＤ法で堆積するものである。ここではハードマスク部材ＨＭＬは、酸化シリコン膜（ＳｉＯ２膜）とする。ハードマスク部材ＨＭＬの厚さは、主配線部材１２の厚さの１／２程度にする。
【００２２】
次に、図３に示すように、ハードマスク部材ＨＭＬに対しフォトリソグラフィ技術を施し、ハードマスク１４をパターニングする。ハードマスク１４は、最終的には残留しないようにしたい。しかし、主配線部材１２までエッチングした時にはある程度の厚さ残留しているようにしたい。このようなことを考慮して、ハードマスク１４の厚さは主配線部材１２の厚さの１／２程度としたが、主配線部材１２のエッチングレート差を考慮して決めればよい。
【００２３】
次に、図４に示すように、ハードマスク１４のパターンに従ってキャップ膜１３及び主配線部材１２を異方性エッチングする。例えばＨＣｌ系のエッチングガスを用い、異方性の強い反応性イオンエッチング工程を経る。そして、主配線部材１２のエッチング終点を検出することにより、バリア膜１１上でエッチングを終了させる。配線ピッチは２００ｎｍ〜１８０ｎｍの範囲に入るようにパターニングする。キャップ膜１３（Ｔｉ／ＴｉＮ）の高融点金属と主配線部材１２（Ａｌ）とでは反応性が異なり、Ａｌの反応性が高いため、オーバーハングＯＶＨができ易い。この時点でハードマスク１４の残留厚は１００ｎｍ以下である。
【００２４】
次に、図５に示すように、バリア膜１１をエッチングするために、非反応性イオンエッチング工程を実施する。Ａｒ等不活性イオンを利用した物理的なスパッタエッチングである。物理的エッチングの特性上、ハードマスク１４やキャップ膜１３を縁部が優先的にエッチングされていく。また、より低い部分に露出しているバリア膜１１がエッチングされ、同時にリスパッタ現象により主配線部材１２の側壁に、バリア膜１１のＴｉやＴｉＮが保護膜１５として付着される。このときのエッチングは、バリア膜１１もまだ厚いエッチング前半であり、エッチングのバイアス電圧は、バリア膜１１のＴｉやＴｉＮが主配線部材１２の比較的高い位置の側壁部分にリスパッタ付着されるような高バイアスが設定される。早い時期にハードマスク１４もほとんど除去され、キャップ膜１３の縁部がより大きく除去されていく。
【００２５】
図６に示すように、引き続きＡｒ等不活性イオンを利用した物理的なスパッタエッチングが実施されるが、エッチングのバイアス電圧を切り替える。すなわち、エッチングレート換算より、バリア膜１１の残膜が元の厚さの１／３程度の厚さになる時点で、エッチングのバイアス電圧を低くする。すなわち、このエッチングのバイアス電圧は、バリア膜１１のＴｉやＴｉＮが主配線部材１２の比較的低い位置の側壁部分にリスパッタ付着されるような低いバイアスが設定される。これにより、ハードマスク１４の完全除去、及びキャップ膜１３縁部の優先的エッチングが顕著になると共に、主配線部材１２側壁への保護膜１５のカバレッジが良好となる。
【００２６】
図７に示すように、引き続きＡｒ等不活性イオンを利用し低バイアスにて物理的なスパッタエッチングが進行する。これにより、キャップ膜１３のエッチング量が調整され、オーバーハングＯＶＨを低減もしくはなくすることができる。また、バリア膜１１のエッチング終点から１０％ほどオーバーエッチングの状態になり、配線短絡の防止に寄与する。これにより、バリア膜１１は、主配線部材１２の配される上部から下部に向かって広がった形状を呈する。さらに、保護膜１５は、バリア膜１１上において主配線部材１２の側部に沿って上部へ向かうほど先細るテーパ形状となり、主配線部材１２の側部を熱ストレスから保護する形態が達成される。
【００２７】
次に、図８に示すように、高密度プラズマＣＶＤ法を利用して、層間絶縁膜２０を形成する。キャップ膜１３は、上部ほど堆積量の少ない形状を有し、バリア膜１１は上部から下部に向かうほど広がった堆積形態となっている。かつ、保護膜１５は、バリア膜１１上において主配線部材１２の側部に沿って上部へ向かうほど薄い被覆となるが主配線部材１２側部全域を保護している。これにより、主配線部材１２がバリア膜１１、保護膜１５、及びキャップ膜１３によって包み込まれ、全体的に半導体集積回路配線の側部がテーパ形状となる。この結果、層間絶縁膜２０は、良好な埋め込みが達成される。その後、エッチバック、またはＣＭＰ（化学的機械的研磨）技術を用いて層間絶縁膜２０を平坦化すれば、図１のような構成が得られる。
【００２８】
上記実施形態の方法によれば、主配線部材１２上にキャップ膜１３、キャップ膜１３上のハードマスク１４を形成する。ハードマスク１４に従って主配線部材１２が反応性エッチング工程によってパターニングされた後、非反応性イオンエッチング工程を経る。この工程によりハードマスク１４を完全に除去すると共にキャップ膜１３は縁部から優先的にエッチングされる。これと同時に、より低い部分に露出しているバリア膜１１をエッチングすると共にリスパッタ現象によって主配線部材１２の側壁に保護膜１５として付着させる。主配線部材１２側壁の保護膜１５により、熱ストレス等のマイグレーション耐性を向上させる。また、キャップ膜１３の縁部がエッチング調整される形態及びバリア膜１１が上部から下部に向かうほど広がる堆積形態となるため、層間絶縁膜２０の埋め込み性能を向上させることができる。
【００２９】
以上説明したように本発明によれば、主配線部材上のキャップ膜及び主配線部材側壁の保護膜により、マイグレーション耐性を向上させる。また、キャップ膜の形態次第で層間絶縁膜の埋め込み性能を向上させることができる。すなわち、ハードマスクに従って主配線部材が反応性エッチングによってパターニングされた後、非反応性イオンエッチング工程を経る。この工程によりハードマスクを完全に除去すると共にキャップ膜は縁部から優先的にエッチングされる。これと同時に、より低い部分に露出しているバリア膜をエッチングすると共にリスパッタ現象によって主配線部材の側壁に付着させ、マイグレーション耐性を向上させる保護膜として機能させる。また、キャップ膜縁部がエッチングされる形態、バリア膜が上部から下部に向かうほど広がる堆積形態が得られるため、層間絶縁膜の埋め込み性能を向上させることができる。この結果、層間絶縁膜の確実な埋め込み、ストレスマイグレーション耐性が向上する集積回路配線を実現する半導体装置及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】第１実施形態に係る半導体装置の要部を示す断面図。
【図２】第２実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す第１断面図。
【図３】図２に続く第２断面図。
【図４】図３に続く第３断面図。
【図５】図４に続く第４断面図。
【図６】図５に続く第５断面図。
【図７】図６に続く第６断面図。
【図８】図７に続く第７断面図。
【符号の説明】
【００３１】
１１…バリア膜、１２…主配線部材、１３…キャップ膜、１４…ハードマスク、１５…保護膜、２０…層間絶縁膜、ＣＯＮ…接続領域、ＩＮＬ…絶縁層、ＯＶＨ…オーバーハング。
【図１】
2006237342.tif 000003
【図２】
2006237342.tif 000004
【図３】
2006237342.tif 000005
【図４】
2006237342.tif 000006
【図５】
2006237342.tif 000007
【図６】
2006237342.tif 000008
【図７】
2006237342.tif 000009
【図８】
2006237342.tif 000010