(57)【要約】【課題】          本発明の目的は、取り扱いが簡便で生産性に優れた温度補償型水晶発振器と、その製造方法を提供することにある。【解決手段】          絶縁性基体の表主面に凹形状の第１の空間部と、該絶縁性基体の裏主面に凹形状の第２の空間部とを形成し、先の第１の空間部に圧電振動素子を搭載し、蓋体を該第１の空間部の開口部上縁に載置し、取り付けて第１の空間部を気密封止し、第２の空間部には圧電振動素子と電気的に接続する発振回路を組み込んだ集積回路素子、或いはこの集積回路素子、及び電子部品素子を搭載させて成る圧電発振器であって、前記の第２の空間部を囲繞するように壁部が形成されており、前記壁部には段差箇所が設けられ、この段差箇所には特性制御データ書込端子が形成されていることによって課題を解決する。【選択図】図１
2006101242.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基体の表主面に凹形状の第１の空間部と、該絶縁性基体の裏主面に凹形状の第２の空間部とを形成し、該第１の空間部に圧電振動素子を搭載し、蓋体を該第１の空間部の開口部上縁に載置して取り付けて第１の空間部を気密封止し、第２の空間部には、該圧電振動素子と電気的に接続する発振回路を組み込んだ集積回路素子、或いは該集積回路素子、及び電子部品素子を搭載させて成る圧電発振器であって、
前記第２の空間部を囲繞するように壁部が形成されており、前記壁部には段差箇所が設けられ、前記段差箇所には特性制御データ書込端子が形成されていることを特徴とする圧電発振器。
【請求項２】
表主面に第１の空間部と、裏主面に第２の空間部とを形成した矩形状の発振器基板領域と前記第２の空間部に囲繞するように壁部が形成されており、前記壁部には、段差箇所が設けられ、該段差箇所には該第２の空間部に搭載する集積回路素子に電気的接続した特性制御データ書込端子を設け、前記特性制御データ書込端子を設けた捨てしろ領域を形成し、該捨てしろ領域を外周に形成した該発振器基板領域が複数個マトリックスに配列されて一体に構成されている母基板を形成する工程Ａと、
該母基板の各々の発振器基板領域の表主面に形成した該第１の空間部に圧電振動素子を搭載し、各々の該第１の空間部を塞ぐように蓋体を配置し、該第１の空間部を気密封止する工程Ｂと、
該圧電振動素子が搭載されている発振基板領域の裏主面に形成した該第２の空間部に、該圧電振動素子と電気的に接続する集積回路素子、或いは該集積回路素子及び電子部品素子を搭載した後、該特性制御データ書込端子より集積回路素子に発振特性制御データを入力し、該集積回路素子内のメモリに発振特性制御データを格納する工程Ｃと、
前記母基板を各々の前記発振器基板領域の外周に沿って切断し、各発振器基板領域をその発振器基板領域内に搭載した前記集積回路素子及び前記電子部品素子と電気的に接続した前記特性制御データ書込端子が設けられている各捨てしろ領域から切り離し、複数個の圧電発振器を同時に得る工程Ｄとを含む圧電発振器の製造方法。
【請求項３】
前記工程Ｂにおいて、前記母基板を形成する各発振器基板領域に前記集積回路素子を搭載することによって、前記段差箇所、並びに前記捨てしろ領域に形成されている前記特性制御データ書込端子と該発振器基板領域、及び該母基板の表面または／及び内部に形成した配線導体を介して、電気的に接続されることを特徴とする請求項２記載の圧電発振器の製造方法。
【請求項４】
前記工程Ａにおいて、前記母基板の捨てしろ領域の内層に前記特性制御データ書込端子が設けられており、前記捨てしろ領域の表面には、前記前記特性制御データ書込端子表面に達する貫通孔が形成されていることを特徴とする請求項２記載の圧電発振器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、通信機器や電子機器等のタイミングデバイスとして用いられる圧電発振器とその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より携帯用通信機器等のタイミングデバイスとして水晶発振器が用いられている。
【０００３】
かかる従来の水晶発振器としては、例えば図４に示す如く、内部に水晶振動素子が収容されている容器体２３を、上面の中央域に凹部２５を、下面に複数個の外部端子２２を有した実装用基体２１上に取着させるとともに、前記容器体２１の下面と前記凹部２５の内面とで囲まれる領域内に、水晶振動素子２４の振動に基づいて発振出力を制御する集積回路素子２６を収容させた構造のものが知られている。
【０００４】
なお、前記容器体２３、及び前記実装用基体２１は、通常アルミナセラミックス等のセラミック材料から成り、その内部、及び表面には配線導体が形成され、従来から周知のグリーンシート積層法等を採用することによって製作されている。そして、このような容器体２３の下面や実装用基体２１の上面には、それぞれ対応する箇所に接合電極が複数個ずつ設けられており、これらの接合電極同士を、導電性接合材を介して接合することにより容器体２３が実装用基体２１の上面に固定されていた。
【０００５】
また、前記集積回路素子２６の内部には、水晶振動素子２４の温度特性に応じて作成された発振特性制御データに基づいて水晶発振器の発振出力を補正するための温度補償回路が設けられており、このような発振特性制御データを集積回路素子２６内のメモリに格納するために実装用基体２１の外側面には特性制御データ書込端子２７が設けられ、水晶発振器を組み立てた後、この特性制御データ書込端子２７に発振特性制御データ書込装置のプローブ針を当てて発振特性制御データを集積回路素子２６へ入力することによって発振特性制御データを集積回路素子２６内のメモリに格納していた。
【０００６】
【特許文献１】特開平１０―９８１５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述した従来の圧電発振器においては、実装用基体２１の外側面に発振特性制御データを書き込むための特性制御データ書込端子２７が設けられているおり、かかる実装用基体２１を製作するために、実装用基体２１が切り出されるセラミック製の母基板に貫通穴を開けて、その内面に導体ペーストを塗布して焼き付けたり、更には金属メッキを施す等して膜状の特性制御データ書込端子２７を被着させておく必要があり、このような複雑な加工プロセスが不可欠であることで圧電発振器の生産性を著しく低下するといった問題があった。
【０００８】
そこで上述の欠点を解消するために、特性制御データ書込端子２７を実装用基体２１の下面に配置させることが考えられる。
【０００９】
しかしながら、特性制御データ書込端子２７を実装用基体２１の下面に配置させた場合、温度補償型水晶発振器が実装されるマザーボードの配線と上述の特性制御データ書込端子２７とが対向していると、マザーボードの配線と特性制御データ書込端子２７との間で浮遊容量を発生することがあり、その場合、温度補償型水晶発振器が組み込まれる通信機器や電子機器の電気的特性に多大な影響を与える恐れがある上に、温度補償型水晶発振器を半田付け等によってマザーボード上に搭載した際、溶融した半田の一部が特性制御データ書込端子２７に接触して短絡を起こす危険性があり、その結果、圧電発振器の取り扱いに簡便性を欠くといった問題があった。
【００１０】
本発明は上記の欠点を鑑み案出されたもので、従ってその目的は、取り扱いが簡便で生産性に優れた圧電発振器とその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の圧電発振器は、絶縁性基体の表主面に凹形状の第１の空間部と、基板の裏主面に凹形状の第２の空間部とを形成し、先の第１の空間部に圧電振動素子を搭載し、蓋体を第１の空間部の開口部上縁に載置し、取り付けて第１の空間部を気密封止し、第２の空間部には、先の圧電振動素子と電気的に接続する発振回路を組み込んだ集積回路素子、或いは集積回路素子、及び電子部品素子を搭載させて成る圧電発振器であって、前記の第２の空間部を囲繞するように壁部が形成されており、この壁部には、段差箇所が設けられ、この段差箇所には特性制御データ書込端子が形成されていることを特徴とするものである。
【００１２】
また、本発明の圧電発振器の製造方法は、表主面に第１の空間部と、裏主面に第２の空間部とを形成した矩形状の発振器基板領域と前記の第２の空間部に囲繞するように壁部が形成されており、前記の壁部には段差箇所が設けられ、この段差箇所には第２の空間部に搭載する集積回路素子に電気的接続した特性制御データ書込端子を設け、特性制御データ書込端子を設けた捨てしろ領域を形成し、捨てしろ領域を外周に形成した発振器基板領域が複数個マトリックス状に配列されて一体に構成されている母基板を形成する工程Ａと、
母基板の各々の発振器基板領域の表主面に形成した先の第１の空間部に圧電振動素子を搭載し、各々の第１の空間部を塞ぐように蓋体を配置し、第１の空間部を気密封止する工程Ｂと、
圧電振動素子が搭載されている発振基板領域の裏主面に形成した第２の空間部に、圧電振動素子と電気的に接続する集積回路素子、或いは集積回路素子、及び電子部品素子を搭載した後、特性制御データ書込端子より集積回路素子に発振特性制御データを入力し、集積回路素子内のメモリに発振特性制御データを格納する工程Ｃと、
前記の母基板を各々の前記発振器基板領域の外周に沿って切断し、各発振器基板領域をその発振器基板領域内に搭載した集積回路素子、及び前記の電子部品素子と電気的に接続した前記特性制御データ書込端子が設けられている各捨てしろ領域から切り離し、複数個の圧電発振器を同時に得る工程Ｄとを含むことを特徴とするものである。
【００１３】
更に、本発明の圧電発振器の製造方法は、前記工程Ｂにおいて、前記の母基板を形成する各発振器基板領域に集積回路素子を搭載することによって、この段差箇所、並びに前記の捨てしろ領域に形成されている特性制御データ書込端子と発振器基板領域、及び母基板の表面または／及び内部に形成した配線導体を介して、電気的に接続されることを特徴とするものである。
【００１４】
また、更に本発明の圧電発振器の製造方法は、前記工程Ａにおいて、前記の母基板の捨てしろ領域の内層に特性制御データ書込端子が設けられており、前記の捨てしろ領域の表面には、特性制御データ書込端子表面に達する貫通孔が形成されていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の圧電発振器によれば、第２の空間部を囲繞するように壁部が形成されており、前記の壁部には段差箇所が設けられ、この段差箇所には特性制御データ書込端子が形成されていることにより、圧電発振器をマザーボード等の外部電気回路に搭載する際、両者の接合に用いられている導電性接合材の一部が前記特性制御データ書込端子に付着してショートを起こすといった不都合を発生すること無く、製品の取り扱いを簡便に成すことが出来る。
【００１６】
また、本発明の圧電発振器の製造方法によれば、発振特性制御データを集積回路素子に書き込むのに使用される特性制御データ書込端子を母基板の捨てしろ領域に設けておき、発振特性制御データの書き込みを完了した後、切り離すようにすることから、発振器基板領域での特性制御データ書込端子を配置させるためのスペースを最小限として、圧電発振器の全体構造を著しく小型化することが出来る。
【００１７】
しかもこの場合、圧電発振器の製造プロセスを簡素とする上に、個々の圧電発振器に発振特性制御データを書き込むためのソケット等の設備は一切不要であり、これによって圧電発振器の生産性を著しく高めることが出来る。
【００１８】
更に、本発明の圧電発振器の製造方法によれば、先の母基板は集積回路素子を搭載した後分割されるように成っており、集積回路素子の搭載時に母基板自体が集積回路素子搭載用のキャリアとして機能することから、集積回路素子搭載用のキャリアは不要であり、母基板の分割によって得られた個々の基板をキャリアに搭載するといった煩雑な作業も一切不要と成る。これによっても、圧電発振器の生産性が著しく向上されるものである。
【００１９】
また、更に本発明の圧電発振器の製造方法によれば、前記の基板領域に形成されている第１の特性制御データ書込端子を介して、再度集積回路素子に発振特性制御データを入力し、集積回路素子内のメモリに発振特性制御データを格納する工程を含むことにより、母基板上で発振特性制御データを入力ミス成ったものについて、分割後の個片状態と成っても再調整することが出来る為、圧電発振器の生産歩留まりを著しく改善させることが可能となる。
【００２０】
また、更に本発明の圧電発振器の製造方法によれば、前記の母基板の捨てしろ領域の内層に特性制御データ書込端子が設けられており、捨てしろ領域の表面には特性制御データ書込端子表面に達する貫通孔が形成されていることにより、プローブをあてる際に貫通孔がガイドラインとなる為、プローブの接触不良等を改善出来、ここでも圧電発振器の生産性を著しく向上させること可能と成る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明を添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、各図においての同一の符号は同じ対象を示すものとする。
【００２２】
図１は本発明の一実施形態に係る圧電発振器の概略の分解斜視図、図２は図１の圧電発振器の製造方法を示す概略の外観斜視図であり、これらの図に示す圧電発振器は、絶縁性基体の表主面に圧電振動素子としての水晶振動素子５が収容される凹部状の第１の空間と、裏主面に集積回路素子７が収容される凹部状の第２の空間とを有する構造である。
【００２３】
前記の絶縁性基体１は、例えばガラス−セラミック、アルミナセラミックス等のセラミック材料から成る基板２と、４２アロイやコバール，リン青銅等の金属から成るシールリング３と、このシールリング３と同様の金属から成る蓋体４とから成り、前記の基板２の上面にシールリング３を取着させ、その上面に蓋体４を載置して固定させることによって絶縁基体１が構成され、シールリング３の内側に位置する基板２の上面に水晶振動素子５が実装される。
【００２４】
前記の絶縁性基体１は、その内部に、具体的には基板２の表主面とシールリング３の内面と蓋体４の下面とで囲まれる第１の空間内に水晶振動素子５を収容して気密封止するものであり、基板２の上面には水晶振動素子５の振動電極に接続される一対の搭載パッド等が、基板２の下面には後述するスペーサ部材１３に接続される複数個の接合電極がそれぞれ設けられ、これらのパッド等は基板表面の配線導体や基板内部に埋設されているビアホール導体等を介して、対応するもの同士、相互に電気的に接続されている。
【００２５】
なお、前記の絶縁性基体１の基板２はガラス−セラミック等のセラミック材料から成る場合、例えばセラミック材料粉末に適当な有機溶剤等を添加して混合して得たセラミックグリーンシートの表面等に配線導体となる導体ペーストを従来から周知のスクリーン印刷等によって塗布するとともに、これを複数枚積層してプレス成形した後、高温で焼成することによって製作される。
【００２６】
また、前記の絶縁性基体１のシールリング３、及び蓋体４は従来から周知の金属加工法を採用し、４２アロイ等の金属を所定形状に成形することによって製作され、得られたシールリング３を基板２の上面に予め被着させておいた導体層にロウ付けし、続いて水晶振動素子５を導電性接着剤を用いて基板２の上面に実装して固定した後、上述の蓋体４を従来から周知の抵抗溶接等によってシールリング３の上面に接合することによって絶縁性基体１が組み立てられる。このようにシールリング３と蓋体４とを抵抗溶接によって接合する場合、シールリング３や蓋体４の表面には予めＮｉメッキ層やＡｕメッキ層等が被着される。
【００２７】
一方、前記の絶縁性基体１の内部に収容される水晶振動素子５は、所定の結晶軸でカットした水晶片の両主面に一対の振動電極を被着して形成して成り、外部からの変動電圧が一対の振動電極を介して水晶片に印加されると、水晶片は所定の周波数で厚みすべり振動を起こす。
【００２８】
前記の水晶振動素子５は、一対の振動電極を導電性接着剤を介して基板上面の対応する搭載パッドに電気的に接続させることによって基板２の上面に搭載され、これによって水晶振動素子５と絶縁基体１との電気的接続、及び機械的接続が同時に成される。
【００２９】
ここで絶縁基体１の蓋体４を、絶縁性基体１の配線導体を介して絶縁性基体下面に配されるグランド端子用の外部端子９に接続させておけば、その使用時に蓋体４がアースされることによりシールド機能が付与され、水晶振動素子５や後述する集積回路素子７を外部からの不要な電気的作用から良好に保護することができる。従って、蓋体４は絶縁性基体１の配線導体を介してグランド端子用の外部端子９に接続させておくことが好ましい。
【００３０】
また、前記の絶縁性基体１の裏面の壁部には４つの外部端子９（電源電圧端子、グランド端子、発振出力端子、発振制御端子の４つ）が設けられており、これらの外部端子９は、圧電発振器をマザーボード等の外部電気回路に搭載する際、半田付け等によって外部電気回路の回路配線と電気的に接続されることと成る。
【００３１】
ここで、４個の外部端子９のうちグランド端子と発振出力端子を近接させて配置するようにすれば、発振出力端子より出力される発振信号にノイズが干渉するのを有効に防止することが出来る。従って、グランド端子と発振出力端子は近接させて配置することが好ましい。
【００３２】
更に、上述した絶縁性基体１は基板２の裏主面と壁部６の内面とで囲まれる第２の空間内の中央域に複数個の電極パッドが被着して形成されており、これら電極パッドの形成領域に上述した集積回路素子７が搭載される。
【００３３】
前記の集積回路素子７としては、例えば下面に絶縁性基体１の電極パッドと１対１に対応する複数個の接続パッドを有した矩形状のフリップチップ型ＩＣ等が用いられ、その下面の回路形成面には、周囲の温度状態を検知するサーミスタといった感温素子や、水晶振動素子５の温度特性を補償する発振特性制御データを格納するためのメモリ、発振特性制御データに基づいて水晶振動素子５の振動特性を温度変化に応じて補正する温度補償回路、この温度補償回路に接続されて所定の発振出力を生成する発振回路等が設けられ、先の発振回路で生成された発振出力は外部に出力された後に、例えばクロック信号等の基準信号として利用される。
【００３４】
なお、前記集積回路素子７は、その下面に設けた接続パッドを絶縁性基体上面の対応する電極パッドに半田や金バンプ等の導電性接合材を介して個々に接合させることによって集積回路素子７が絶縁性基体１に取着され、これによって集積回路素子７内の電子回路が絶縁性基体の配線導体等を介して水晶振動素子５や外部端子９等に電気的に接続される。
【００３５】
そして、先に述べた絶縁性基体１の壁部６に形成された段差箇所に集積回路素子７に発振特性制御データを書き込むための特性制御データ書込端子１０が複数個、介在されている。
【００３６】
これらの特性制御データ書込端子１０は、絶縁性基体１の壁部６に形成された段差箇所に並設されており、絶縁性基体１の配線導体等を介して集積回路素子７に電気的に接続されている。従って、圧電発振器を組み立てた後、これらの特性制御データ書込端子１０に下方より発振特性制御データ書込装置のプローブ針を当て、水晶振動素子５の温度特性に応じた発振特性制御データを書き込むことによって集積回路素子７のメモリ内に発振特性制御データが格納される。
【００３７】
また、更に上述した集積回路素子７は、例えばエポキシ樹脂等から成る樹脂材１２によって封止されており、前記樹脂材が壁部に形成された段差箇所に被着しないように形成されている。
【００３８】
かくして上述した圧電発振器は、マザーボード等の外部配線基板上に半田付け等によって搭載され、集積回路素子７の温度補償回路によって発振出力を補正しながら、水晶振動素子５の共振周波数に応じた所定の発振信号を出力することによって温度補償型水晶発振器として機能する。
【００３９】
またこの場合、圧電発振器を半田付け等によってマザーボード上に搭載する際に、特性制御データ書込端子１０が壁部６の段差箇所８に形成されていることから、溶融した半田の一部が特性制御データ書込端子１０に接触して短絡を起こさず、圧電発振器の取り扱いが著しく簡便なものと成るといった利点もある。
【００４０】
次に図２の（a）乃至（d）を用いて、上述した圧電発振器の製造方法について説明する。
【００４１】
（工程Ａ）まず、図２の（a）に示すように絶縁性基体１の表主面に凹形状の第１の空間部と、先の絶縁性基体の裏主面に凹形状の第２の空間部とを形成し、前記第２の空間に形成されている壁部６の段差箇所８に設けられている特性制御データ書込端子１０を有する発振器基板領域と、複数個の第２の特性制御データ書込端子１０を有する捨てしろ領域とを相互に隣接させて、これらをマトリックス状に配置した母基板１３を準備する。
【００４２】
このような母基板１３は、ガラス−セラミック等のセラミック材料から成る場合、例えばセラミック材料粉末に適当な有機溶剤等を添加して混合して得たセラミックグリーンシートの表面等に配線導体となる導体ペーストを従来から周知のスクリーン印刷等によって塗布するとともに、これを複数枚積層してプレス成形した後に高温で焼成することによって製作される。
【００４３】
前記の母基板１３の捨てしろ領域の内層に特性制御データ書込端子１０が設けられており、先の捨てしろ領域の表面には特性制御データ書込端子１０の表面に達する貫通孔１１が形成されている。
【００４４】
（工程Ｂ）次に、図２の(b)に示すように、前記母基板１３の各発振器基板領域の表主面に形成されている第１の空間に水晶振動素子５が収容されており、裏主面に形成されている第２の空間には集積回路素子７を搭載する。前記の第１の空間には、先に述べたように、基板２とシールリング３と蓋体４とで構成されており、その内部に水晶振動素子５を収容している。
【００４５】
例えば、得られた基板２の上面に水晶振動素子５を搭載する。このとき、水晶振動素子５の振動電極と基板上面の搭載パッドとは導電性接合材を介して電気的かつ機械的に接続される。そして、基板２の上面に水晶振動素子５を囲繞するようにしてシールリング３を載置して固定し、かかるシールリング３の上面に蓋体４を従来から周知の抵抗溶接等によって接合することにより絶縁基体１が組み立てられる。
【００４６】
なお、シールリング３、及び蓋体４は従来から周知の金属加工法を採用し、４２アロイ等の金属を所定形状に成形することによって製作され、前記シールリング３は、基板２の上面に予め被着させておいた導体層にロウ付けすることによって基板２に固定される。また上述のように、シールリング３と蓋体４とを抵抗溶接によって接合する場合、シールリング３や蓋体４の表面には予めＮｉメッキ層やＡｕメッキ層等が被着される。
【００４７】
絶縁性基体の裏主面に形成されている第２の空間の中央域には集積回路素子７が搭載される。この集積回路素子７としては、例えば下面に絶縁性基体１の第２の空間に形成されている電極パッドと１対１に対応する複数個の接続パッドを有した矩形状のフリップチップ型ＩＣ等が用いられ、その下面の回路形成面には、周囲の温度状態を検知するサーミスタといった感温素子、水晶振動素子５の温度特性を補償する発振特性制御データを格納するためのメモリ、発振特性制御データに基づいて水晶振動素子５の振動特性を温度変化に応じて補正する温度補償回路、この温度補償回路に接続されて所定の発振出力を生成する発振回路等が設けられ、発振回路で生成された発振出力は外部に出力された後、例えばクロック信号等の基準信号として利用されることと成る。
【００４８】
なお、前記集積回路素子７はその下面に設けた接続パッドを絶縁性基体上面の対応する電極パッドに半田や金バンプ等の導電性接合材を介して個々に接合させることによって集積回路素子７が絶縁性基体１に取着され、これによって集積回路素子７内の電子回路が容絶縁性基体１の配線導体等を介して水晶振動素子５や外部端子９等に電気的に接続される。
【００４９】
また、かかる工程Ｂにおいては、前記の母基板１３を形成する各発振器基板領域Ａに集積回路素子７を搭載することによって、前記の段差箇所８、並びに捨てしろ領域に形成されている特性制御データ書込端子１０と発振器基板領域、及び母基板１３の表面または／及び内部に形成した配線導体を介して電気的に接続されることと成る。
【００５０】
（工程Ｃ）次に、図２の（c）に示すように、母基板１３の捨てしろ領域に設けた複数個の特性制御データ書込端子１０を介して各発振器基板領域内の集積回路素子７に発振特性制御データを入力し、集積回路素子７内のメモリに発振特性制御データを格納する。
【００５１】
このような発振特性制御データの書込作業は、発振特性制御データ書込装置のプローブ針を特性制御データ書込端子１０に当てて、水晶振動素子５の温度特性に応じて作成された発振特性制御データを集積回路素子７の温度補償回路内に設けられているメモリに入力し、これを記憶させることによって行なわれる。なお、ここで集積回路素子７に書き込まれる発振特性制御データは、水晶振動素子５毎の温度特性バラツキを補正するためのものであり、その圧電発振器に使用される水晶振動素子５の温度特性を事前に測定しておくことにより得られるものである。
【００５２】
（工程Ｄ）次に、図２の（d）に示すように、前記母基板１３を各発振器基板領域の外周に沿って切断することにより、各基板領域を捨てしろ領域より切り離す。前記の母基板１３の切断は従来から周知のダイシング等によって行なわれ、かかる切断工程を経て母基板１３が個々の基板領域毎に分割される。これにより、絶縁性基体１の裏主面に集積回路素子７を取着させて成る複数個の圧電発振器が同時に得られる。
【００５３】
最後に、前記絶縁性基体１に形成されている特性制御データ書込端子１０を介して再度集積回路素子７に発振特性制御データを入力し、集積回路素子７内のメモリに発振特性制御データを格納することにより、母基板１３上で発振特性制御データを入力ミスなったものについて、分割後の個片状態と成っても再調整することが出来る為、圧電発振器の生産歩留まりを著しく改善させることが可能と成る。
【００５４】
また、図３に示すように、工程Ａの際に前記の母基板１３の捨てしろ領域の内層に特性制御データ書込端子１０が設けられており、捨てしろ領域の表面には、特性制御データ書込端子１０の表面に達する貫通孔１１が形成されていることにより、プローブをあてる際に、貫通孔１１がガイドラインとなる為、プローブの接触不良等を改善出来、生産性を向上させることが可能と成る。
【００５５】
なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能であることは言うまでも無い。
【００５６】
上述した実施形態においては、絶縁性基体の蓋体４をシールリング３を介して基板２に接合させるようにしたが、これに代えて基板２の上面に接合用のメタライズパターンを形成しておき、このメタライズパターンに対して蓋体４をダイレクトに溶接するようにしても構わず、この場合においても本発明の技術的範囲に含まれることは言うまでも無い。
【００５７】
また、更に上述した実施形態においては、例えばシールリング３を用いて蓋体４を絶縁基体１上に取り付けるようにしているが、これに代えて容器体上面のＡｕ−Ｓｎ等の接合用導体に対して蓋体４を直接、接合することにより蓋体４を絶縁基体１上に取り付けるようにしても構わず、この場合も本発明の技術的範囲に含まれることは言うまでも無い。
【００５８】
更にまた、上述した実施形態においては、絶縁基体１の基板上面に直接シールリング３を取着させるようにしたが、これに代えて、基板２の上面に基板２と同材質のセラミック材料等から成る枠体を一体的に取着させた上、この枠体の上面にシールリング３を取着させるようにしても構わない。
【００５９】
また、更に上述した実施形態において、壁部間に位置する前記絶縁性基体１の上面にノイズ除去用のチップ状コンデンサ等を配置させても構わず、この場合も本発明の技術的範囲に含まれることは言うまでも無い。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の一実施形態に係る圧電発振器の概略の分解斜視図である。
【図２】（ａ）乃至（ｄ）は本発明の圧電発振器の製造方法を説明するための概略の圧電発振器の外観斜視図である。
【図３】（ａ）は本発明の圧電発振器の製造方法に用いられる母基板を一主面側である集積回路素子側より見た概略の斜視図であり、また（ｂ）は（a）の母基板のなかで内層面の部分だけを見た概略の斜視図である。ここで（a）は母基板を一主面側である集積回路素子側より見た概略の外観斜視図である。
【図４】従来の圧電発振器の概略の分解斜視図である。
【符号の説明】
【００６１】
１・・・絶縁性基体
２・・・基板
３・・・シールリング
４・・・蓋体
５・・・水晶振動素子
６・・・壁部
７・・・集積回路素子
８・・・段差箇所
９・・・外部端子
１０・・特性制御データ書込端子
１１・・貫通孔
１２・・樹脂材
１３・・母基板
【図１】
2006101242.tif 000003
【図２】
2006101242.tif 000004
【図３】
2006101242.tif 000005
【図４】
2006101242.tif 000006