(57)【要約】【課題】  複数種類の温度設定機能を備えた熱処理装置を有する基板の処理システムにおいて，使用状態に応じた柔軟な課金を行う。【解決手段】  塗布現像処理システム１は，ＰＥＢ装置の熱板に対する２種類の温度設定機能を有する。例えば一の温度設定機能は，温度補正テーブルＭを用いたものであり，他の温度設定機能は，温度補正テーブルＮを用いたものである。ＰＥＢ装置の熱板の温度設定において，温度設定テーブルＭを用いた温度設定機能が採用された場合にのみ，ウェハ処理の処理枚数を数え，その処理枚数に応じて課金を行う。【選択図】  図１４
2006237260.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板にレジスト液を塗布するレジスト塗布装置と，熱処理板上に基板を載置して熱処理する熱処理装置と，基板を現像処理する現像処理装置を有し，フォトリソグラフィー工程により基板上にレジストパターンを形成する基板の処理システムであって，
前記熱処理板に対する複数種類の温度設定機能と，
前記複数種類の温度設定機能を選択可能な選択機能と，
前記複数種類の温度設定機能のうちの特定の温度設定機能を用いて温度設定が行われ基板が処理された場合に，その基板の処理枚数を数えるカウント機能と，
前記数えられた処理枚数に応じて課金を行う課金機能と，を備えたことを特徴とする，基板の処理システム。
【請求項２】
前記熱処理板は，複数の領域に区画され，当該領域毎に温度設定され，
さらに，前記熱処理板の各領域毎に，熱処理板上の基板の面内温度を調整するための温度補正値が設定され，
前記特定の温度設定機能を用いた場合の前記各領域の温度補正値は，少なくとも熱処理温度とレジスト液の種類の組み合わせにより定まる処理レシピ毎に設定されていることを特徴とする，請求項１に記載の基板の処理システム。
【請求項３】
前記特定の温度設定機能を用いた場合の前記各領域の温度補正値は，熱処理板において熱処理されて形成されるレジストパターンの線幅と温度補正値との相関から作成された算出モデルにより算出され，設定されており，
前記算出モデルは，基板面内のレジストパターンの線幅測定値に基づいて，基板面内の線幅が均一になるような温度補正値を算出できることを特徴とする，請求項２に記載の基板の処理システム。
【請求項４】
前記特定の温度設定機能を用いた場合の前記各領域の温度補正値は，熱処理される基板の反り量と反り形状の測定結果に基づいて，前記レジストパターンの線幅が基板面内で均一に形成されるように設定されていることを特徴とする，請求項２又は３のいずれかに記載の基板の処理システム。
【請求項５】
基板の各反り量及び反り形状に対応する前記各領域の最適温度補正値を定めた温度補正テーブルを備え，
前記特定の温度設定機能を用いた場合の前記各領域の温度補正値は，基板の反り量と反り形状の測定結果に基づいて，前記温度補正テーブルにより設定されていることを特徴とする，請求項４に記載の基板の処理システム。
【請求項６】
前記課金機能は，前記処理枚数に代えて前記処理レシピの使用数に応じて課金を行うことを特徴とする，請求項２〜５のいずれかに記載の基板の処理システム。
【請求項７】
外部に対して基板を搬入出するためのローダ・アンローダ部と，
前記レジスト塗布装置，前記熱処理装置及び前記現像処理装置を備え，基板の処理を行う処理部と，
前記ローダ・アンローダ部と前記処理部間の基板の搬送を行う搬送装置と，を有し，
前記搬送装置は，基板を保持する保持部と，前記保持部における基板の有無を検出するセンサとを備え，
前記カウント機能は，前記搬送装置による基板の受け渡しを前記センサにより検出することにより前記処理枚数を数えることを特徴とする，請求項１〜６のいずれか記載の基板の処理システム。
【請求項８】
前記熱処理は，露光処理後で現像処理前に行われる加熱処理であることを特徴とする，請求項１〜７のいずれかに記載の基板の処理システム。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の基板の処理システムの機能を，コンピュータに実現させるためのプログラム。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれかに記載の基板の処理システムの機能をコンピュータに実現させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，基板の処理システム，プログラム及びプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイスの製造におけるフォトリソグラフィー工程は，例えばウェハ上にレジスト液を塗布しレジスト膜を形成するレジスト塗布装置，所定のパターンに露光されたレジスト膜内の化学反応を促進させる加熱処理（ポストエクスポージャーベーキング）を行う熱処理装置，その加熱処理された基板を現像処理する現像処理装置を搭載した塗布現像処理システムにおいて行われている。この塗布現像処理システムにより，ウェハ上に所定のレジストパターンが形成される。
【０００３】
例えば上述のポストエクスポージャーベーキングなどを行う熱処理装置は，ウェハを載置して加熱する熱板を備えている。熱板には，例えば給電により発熱するヒータが内蔵されており，このヒータによる発熱により熱板を所定温度に調整している。この加熱処理時のウェハの温度は，最終的にウェハ上に形成されるレジストパターンの線幅に大きな影響を与えるので，熱板の温度は，例えば塗布現像処理システムに組み込まれた温度設定機能により厳格に設定されている（例えば，特許文献１参照。）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００１-１４３８５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで，例えばウェハ製品の多様化に応じて，一つの塗布現像処理システムに複数種類の温度設定機能が組み込まれている場合がある。例えば塗布現像処理システムに，従来から使用されている温度設定機能に加えて，新たに開発された新規な温度設定機能が追加されている場合があり，このような場合は，例えば従来通りの通常精度の線幅を実現できる温度設定機能や，より高精度の線幅を実現できる温度設定機能が混在している。ユーザは，製品に要求される線幅精度に応じて，既存の温度設定機能と新規な温度設定機能を選択的に使用できる。
【０００６】
しかしながら，ユーザが塗布現像処理システムを購入し稼動させる場合，総ての温度設定機能を使用しない場合がある。かかる場合であっても，購入時の基板の処理システムの支払いは，総ての温度設定機能を使用することを前提とした額で一括して行われている。この場合，ユーザにとって，使用しない温度設定機能の分の費用が無駄になる。また，塗布現像処理システムの製造者側からみても，高機能の温度設定機能を使用するユーザと使用しないユーザに対して同じ額しか集金できなかった。
【０００７】
本発明は，かかる点に鑑みてなされたものであり，複数種類の温度設定機能を備えた熱処理装置を有する基板の処理システムにおいて，使用状態に応じた柔軟な課金を行うことをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するための本発明は，基板にレジスト液を塗布するレジスト塗布装置と，熱処理板上に基板を載置して熱処理する熱処理装置と，基板を現像処理する現像処理装置を有し，フォトリソグラフィー工程により基板上にレジストパターンを形成するための基板の処理システムであって，前記熱処理板に対する複数種類の温度設定機能と，前記複数種類の温度設定機能を選択可能な選択機能と，前記複数種類の温度設定機能のうちの特定の温度設定機能を用いて温度設定が行われ基板が処理された場合に，その基板の処理枚数を数えるカウント機能と，前記数えられた処理枚数に応じて課金を行う課金機能と，を備えたことを特徴とする。
【０００９】
本発明によれば，特定の温度設定機能を用いて基板の処理が行われた場合に，その処理枚数に応じて課金を行うことができるので，特定の温度設定機能の使用量に応じた柔軟な集金を行うことができる。
【００１０】
前記熱処理板は，複数の領域に区画され，当該領域毎に温度設定され，さらに，前記熱処理板の各領域毎に，熱処理板上の基板の面内温度を調整するための温度補正値が設定され，前記特定の温度設定機能を用いた場合の前記各領域の温度補正値は，少なくとも熱処理温度とレジスト液の種類の組み合わせにより定まる処理レシピ毎に設定されていてもよい。この場合，特定の温度設定機能の各領域の温度補正値が，熱処理温度とレジスト液の種類によって定まる処理レシピに応じて設定されるので，レジストパターンの線幅に影響を与える熱処理温度とレジスト液の種類のいずれかが異なる場合には，異なる温度補正値が設定される。この場合，熱処理が常に適正な面内温度で行われるので，最終的に形成されるレジストパターンの線幅が基板面内において均一に形成される。この高い線幅の均一性を実現する温度設定機能を用いた場合に，処理枚数に応じて課金を行うことができるので，高精度の温度設定機能の使用量に応じた課金を実現できる。
【００１１】
前記特定の温度設定機能を用いた場合の前記各領域の温度補正値は，熱処理板において熱処理されて形成されるレジストパターンの線幅と温度補正値との相関から作成された算出モデルにより算出され，設定されており，前記算出モデルは，基板面内のレジストパターンの線幅測定値に基づいて，基板面内の線幅が均一になるような温度補正値を算出できてもよい。
【００１２】
前記特定の温度設定機能を用いた場合の前記各領域の温度補正値は，熱処理される基板の反り量と反り形状の測定結果に基づいて，前記レジストパターンの線幅が基板面内で均一に形成されるように設定されていてもよい。
【００１３】
前記基板の処理システムは，基板の各反り量及び反り形状に対応する前記各領域の最適温度補正値を定めた温度補正テーブルを備え，前記特定の温度設定機能を用いた場合の前記各領域の温度補正値は，基板の反り量と反り形状の測定結果に基づいて，前記温度補正テーブルにより設定されていてもよい。
【００１４】
前記課金機能は，前記処理枚数に代えて前記処理レシピの使用数に応じて課金を行うようにしてもよい。
【００１５】
前記基板の処理システムは，外部に対して基板を搬入出するためのローダ・アンローダ部と，前記レジスト塗布装置，前記熱処理装置及び前記現像処理装置を備え，基板の処理を行う処理部と，前記ローダ・アンローダ部と前記処理部間の基板の搬送を行う搬送装置と，を有し，前記搬送装置は，基板を保持する保持部と，前記保持部における基板の有無を検出するセンサとを備え，前記カウント機能は，前記搬送装置による基板の受け渡しを前記センサにより検出することにより前記処理枚数を数えるようにしてもよい。
【００１６】
前記熱処理は，露光処理後で現像処理前に行われる加熱処理であってもよい。
【００１７】
別の観点による本発明によれば，請求項１〜８のいずれかに記載の基板の処理システムの機能を，コンピュータに実現させるためのプログラムが提供される。
【００１８】
別の観点による本発明によれば，請求項１〜８のいずれかに記載の基板の処理システムの機能をコンピュータに実現させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば，基板の処理システムの使用状態に応じた柔軟な課金を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下，本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は，本実施の形態にかかる基板の処理システムとしての塗布現像処理システム１の構成の概略を示す平面図であり，図２は，塗布現像処理システム１の正面図であり，図３は，塗布現像処理システム１の背面図である。
【００２１】
塗布現像処理システム１は，図１に示すように例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から塗布現像処理システム１に対して搬入出したり，カセットＣに対してウェハＷを搬入出したりするローダ・アンローダ部としてのカセットステーション２と，フォトリソグラフィー工程の中で枚葉式に所定の処理を施す複数の各種処理装置を多段に配置している処理部としての処理ステーション３と，この処理ステーション３に隣接して設けられている図示しない露光装置との間でウェハＷの受け渡しをするインターフェイス部４とを一体に接続した構成を有している。
【００２２】
カセットステーション２には，カセット載置台５が設けられ，当該カセット載置台５は，複数のカセットＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在になっている。カセットステーション２には，搬送路６上をＸ方向に向かって移動可能な搬送装置としてのウェハ搬送体７が設けられている。ウェハ搬送体７は，ウェハＷを保持する保持部としての保持アーム７ａを有している。ウェハ搬送体７は，保持アーム７ａを上下方向と回転方向（図１中のθ方向）に移動させることができる。これにより，ウェハ搬送体７は，保持したウェハＷを，カセットステーション２のカセットＣと，後述する処理ステーション３側の処理装置群Ｇ３との間で搬送できる。
【００２３】
ウェハ搬送体７の保持アーム７ａには，保持アーム７ａ上のウェハＷの有無を検出するセンサ７ｂが設けられている。このセンサ７ｂにより，例えばカセットステーション２と処理ステーション３との間のウェハＷの受け渡しを検出することができる。センサ７ｂによる検出結果は，後述する主制御部１１０に出力できる。
【００２４】
カセットステーション２に隣接する処理ステーション３は，複数の処理装置が多段に配置された，例えば５つの処理装置群Ｇ１〜Ｇ５を備えている。処理ステーション３のＸ方向負方向（図１中の下方向）側には，カセットステーション２側から第１の処理装置群Ｇ１，第２の処理装置群Ｇ２が順に配置されている。処理ステーション３のＸ方向正方向（図１中の上方向）側には，カセットステーション２側から第３の処理装置群Ｇ３，第４の処理装置群Ｇ４及び第５の処理装置群Ｇ５が順に配置されている。第３の処理装置群Ｇ３と第４の処理装置群Ｇ４の間には，第１の搬送装置１０が設けられている。第１の搬送装置１０は，第１の処理装置群Ｇ１，第３の処理装置群Ｇ３及び第４の処理装置群Ｇ４内の各処理装置に選択的にアクセスしてウェハＷを搬送できる。第４の処理装置群Ｇ４と第５の処理装置群Ｇ５の間には，第２の搬送装置１１が設けられている。第２の搬送装置１１は，第２の処理装置群Ｇ２，第４の処理装置群Ｇ４及び第５の処理装置群Ｇ５内の各処理装置に選択的にアクセスしてウェハＷを搬送できる。
【００２５】
図２に示すように第１の処理装置群Ｇ１には，ウェハＷに所定の液体を供給して処理を行う液処理装置，例えばウェハＷにレジスト液を塗布するレジスト塗布装置２０，２１，２２，露光処理時の光の反射を防止する反射防止膜を形成するボトムコーティング装置２３，２４が下から順に５段に重ねられている。第２の処理装置群Ｇ２には，液処理装置，例えばウェハＷに現像液を供給して現像処理する現像処理装置３０〜３４が下から順に５段に重ねられている。また，第１の処理装置群Ｇ１及び第２の処理装置群Ｇ２の最下段には，各処理装置群Ｇ１，Ｇ２内の液処理装置に各種処理液を供給するためのケミカル室４０，４１がそれぞれ設けられている。
【００２６】
例えば図３に示すように第３の処理装置群Ｇ３には，温調装置６０，ウェハＷの受け渡しを行うためのトランジション装置６１，精度の高い温度管理下でウェハＷを温度調節する高精度温調装置６２〜６４及びウェハＷを高温で加熱処理する高温度熱処理装置６５〜６８が下から順に９段に重ねられている。
【００２７】
第４の処理装置群Ｇ４では，例えば高精度温調装置７０，レジスト塗布処理後のウェハＷを加熱処理するプリベーキング装置７１〜７４及び現像処理後のウェハＷを加熱処理するポストベーキング装置７５〜７９が下から順に１０段に重ねられている。
【００２８】
第５の処理装置群Ｇ５では，ウェハＷを熱処理する複数の熱処理装置，例えば高精度温調装置８０〜８３，露光後のウェハＷを加熱処理する複数のポストエクスポージャーベーキング装置（以下「ＰＥＢ装置」とする。）８４〜８９が下から順に１０段に重ねられている。
【００２９】
図１に示すように第１の搬送装置１０のＸ方向正方向側には，複数の処理装置が配置されており，例えば図３に示すようにウェハＷを疎水化処理するためのアドヒージョン装置９０，９１，ウェハＷを加熱する加熱装置９２，９３が下から順に４段に重ねられている。図１に示すように第２の搬送装置１１のＸ方向正方向側には，例えばウェハＷのエッジ部のみを選択的に露光する周辺露光装置９４が配置されている。
【００３０】
インターフェイス部４には，例えば図１に示すようにＸ方向に向けて延伸する搬送路１００上を移動するウェハ搬送体１０１と，バッファカセット１０２が設けられている。ウェハ搬送体１０１は，Ｚ方向に移動可能でかつθ方向にも回転可能であり，インターフェイス部４に隣接した図示しない露光装置と，バッファカセット１０２及び第５の処理装置群Ｇ５に対してアクセスしてウェハＷを搬送できる。
【００３１】
この塗布現像処理システム１では，先ず，ウェハ搬送体７によって，カセット載置台５上のカセットＣから未処理のウェハＷが一枚取り出され，第３の処理装置群Ｇ３の温調装置６０に搬送される。温調装置６０に搬送されたウェハＷは，所定温度に温度調節され，その後第１の搬送装置１０によってボトムコーティング装置２３に搬送され，反射防止膜が形成される。反射防止膜が形成されたウェハＷは，第１の搬送装置１０によって加熱装置９２，高温度熱処理装置６５，高精度温調装置７０に順次搬送され，各装置で所定の処理が施される。その後ウェハＷは，レジスト塗布装置２０に搬送され，ウェハＷ上にレジスト膜が形成された後，第１の搬送装置１０によってプリベーキング装置７１に搬送され，続いて第２の搬送装置１１によって周辺露光装置９４，高精度温調装置８３に順次搬送されて，各装置において所定の処理が施される。その後，ウェハＷは，インターフェイス部４のウェハ搬送体１０１によって図示しない露光装置に搬送され，露光される。露光処理の終了したウェハＷは，ウェハ搬送体１０１によって例えばＰＥＢ装置８４に搬送され，ポストエクスポージャーベーキングが施される。次にウェハＷは，第２の搬送装置１１によって高精度温調装置８１に搬送されて温度調節され，その後現像処理装置３０に搬送され，ウェハＷ上のレジスト膜が現像される。その後ウェハＷは，第２の搬送装置１１によってポストベーキング装置７５に搬送され，加熱処理が施された後，高精度温調装置６３に搬送され温度調節される。そしてウェハＷは，第１の搬送装置１０によってトランジション装置６１に搬送され，ウェハ搬送体７によってカセットステーション２のカセットＣに戻されて一連のフォトリソグラフィー工程が終了する。
【００３２】
このフォトリソグラフィー工程を行うための塗布現像処理システム１全体の制御は，例えば主制御部１１０により行われている。主制御部１１０は，塗布現像処理システム１内の各種処理装置や搬送装置の各装置制御部に対し設定命令や動作命令を出力し，各装置制御部は，当該命令に基づいて各装置の動作を制御している。なお，主制御部１１０の構成の詳細については後述する。
【００３３】
ここで，上述したＰＥＢ装置８４の構成について説明する。ＰＥＢ装置８４は，図４及び図５に示すように筐体１２０内に，ウェハＷを加熱処理する加熱部１２１と，ウェハＷを冷却処理する冷却部１２２を有している。
【００３４】
加熱部１２１は，図４に示すように上側に位置して上下動自在な蓋体１３０と，下側に位置して蓋体１３０と一体となって処理室Ｓを形成する熱板収容部１３１を有している。
【００３５】
蓋体１３０は，中心部に向かって次第に高くなる略円錐状の形態を有し，頂上部には，排気部１３０ａが設けられている。処理室Ｓ内の雰囲気は，排気部１３０ａから均一に排気される。
【００３６】
熱板収容部１３１の中央には，ウェハＷを載置して加熱する熱処理板としての熱板１４０が設けられている。熱板１４０は，厚みのある略円盤形状を有している。
【００３７】
熱板１４０は，図６に示すように複数，例えば５つの熱板領域Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５に区画されている。熱板１４０は，例えば平面から見て中心部に位置して円形の熱板領域Ｒ１と，その周囲を円弧状に４等分した熱板領域Ｒ２〜Ｒ５に区画されている。
【００３８】
熱板１４０の各熱板領域Ｒ１〜Ｒ５には，給電により発熱するヒータ１４１が個別に内蔵され，各熱板領域Ｒ１〜Ｒ５毎に加熱できる。各熱板領域Ｒ１〜Ｒ５のヒータ１４１の発熱量は，温度制御装置１４２により調整されている。温度制御装置１４２は，ヒータ１４１の発熱量を調整して，各熱板領域Ｒ１〜Ｒ５の温度を所定の設定温度に制御できる。温度制御装置１４２における温度設定は，例えば後述する温度設定装置１９０により行われる。
【００３９】
図４に示すように熱板１４０の下方には，ウェハＷを下方から支持し，昇降させるための第１の昇降ピン１５０が設けられている。第１の昇降ピン１５０は，昇降駆動機構１５１により上下動できる。熱板１４０の中央部付近には，熱板１４０を厚み方向に貫通する貫通孔１５２が形成されており，第１の昇降ピン１５０は，熱板１４０の下方から上昇して貫通孔１５２を通過し，熱板１４０の上方に突出できる。
【００４０】
熱板収容部１３１は，熱板１４０を収容して熱板１４０の外周部を保持する環状の保持部材１６０と，その保持部材１６０の外周を囲む略筒状のサポートリング１６１を有している。サポートリング１６１の上面には，処理室Ｓ内に向けて例えば不活性ガスを噴出する吹き出し口１６１ａが形成されており，この吹き出し口１６１ａから不活性ガスを噴出することにより，処理室Ｓ内をパージすることができる。また，サポートリング１６１の外方には，熱板収容部１３１の外周となる円筒状のケース１６２が設けられている。
【００４１】
加熱部１２１に隣接する冷却部１２２には，例えばウェハＷを載置して冷却する冷却板１７０が設けられている。冷却板１７０は，例えば図５に示すように略方形の平板形状を有し，加熱部１２１側の端面が円弧状に湾曲している。図４に示すように冷却板１７０の内部には，例えばペルチェ素子などの冷却部材１７０ａが内蔵されており，冷却板１７０を所定の設定温度に調整できる。
【００４２】
冷却板１７０は，加熱部１２１側に向かって延伸するレール１７１に取付けられている。冷却板１７０は，駆動部１７２によりレール１７１上を移動できる。冷却板１７０は，加熱部１２１側の熱板１４０の上方まで移動できる。
【００４３】
冷却板１７０には，例えば図５に示すようにＸ方向に沿った２本のスリット１７３が形成されている。スリット１７３は，冷却板１７０の加熱部１２１側の端面から冷却板１７０の中央部付近まで形成されている。このスリット１７３により，加熱室１２１側に移動した冷却板１７０と，熱板１４０上に突出した第１の昇降ピン１５０との干渉が防止される。図４に示すように冷却部１２２内のスリット１７３の下方には，第２の昇降ピン１７４が設けられている。第２の昇降ピン１７４は，昇降駆動部１７５によって昇降できる。第２の昇降ピン１７４は，冷却板１７０の下方から上昇してスリット１７３を通過し，冷却板１７０の上方に突出できる。
【００４４】
図５に示すように冷却板１７０を挟んだ筐体１２０の両側面には，ウェハＷを搬入出するための搬入出口１８０が形成されている。
【００４５】
以上のように構成されたＰＥＢ装置８４では，先ず，搬入出口１８０からウェハＷが搬入され，冷却板１７０上に載置され，当該冷却板１７０が移動して，ウェハＷが熱板１４０上に移動される。第１の昇降ピン１５０によって，ウェハＷが熱板１４０上に載置されて，ウェハＷが加熱される。そして，所定時間経過後，ウェハＷが再び熱板１４０から冷却板１７０に受け渡され冷却され，当該冷却板１７０から搬入出口１８０を通じてＰＥＢ装置８４の外部に搬出されて一連の熱処理が終了する。
【００４６】
この一連の熱処理を行うためのＰＥＢ装置８４の動作は，図４に示す装置制御部１９０によって制御されている。装置制御部１９０は，熱板１４０の温度設定を行っている。以下，装置制御部１９０の温度設定機能について説明する。
【００４７】
装置制御部１９０は，例えば図７に示すように温度設定のための各種プログラムを実行するＣＰＵなどからなる演算部２００と，温度補正テーブルなどの各種情報を格納するメモリからなるデータ格納部２０１と，温度設定のための各種プログラムを格納するメモリからなるプログラム格納部２０２と，温度制御装置１４２や主制御部１１０との間の通信を行う通信部２０３などを備えている。
【００４８】
例えばデータ格納部２０１には，例えば２種類の温度補正テーブルＭ，Ｎが格納されている。温度補正テーブルＭは，例えば図８に示すように熱板１４０の各熱板領域Ｒ１〜Ｒ５の温度補正値が，熱処理温度Ｔとレジスト液Ｂの種類の組み合わせにより定まる処理レシピＨ毎に設定されている。つまり，熱処理温度Ｔ又はレジスト液Ｂの種類のいずれかが異なる処理レシピＨに対しては，異なる温度補正値が設定されている。この各熱板領域Ｒ１〜Ｒ５の温度補正値は，例えば塗布現像処理システム１においてウェハＷ上に最終的に形成されるレジストパターンの線幅がウェハ面内で均一になるような値に定められている。なお，この各熱板領域Ｒ１〜Ｒ５の温度補正値は，予め行われる実験により，例えば各処理レシピＨについて複数回のウェハ処理を行ってレジストパターンを形成し，線幅がウェハ面内で均一になる温度補正値を検出することにより求められる。
【００４９】
温度補正テーブルＮは，例えば図９に示すように熱板１４０の各熱板領域Ｒ１〜Ｒ５の温度補正値が，熱処理温度Ｔ毎に設定されている。この各熱板領域Ｒ１〜Ｒ５の温度補正値は，熱板１４０上に載置されたウェハＷの面内温度が均一になるように定められている。なお，この各熱板領域Ｒ１〜Ｒ５の温度補正値は，予め行われた実験により，例えば各熱処理温度Ｔにおける熱処理時のウェハ面内温度を測定することにより求められる。
【００５０】
プログラム格納部２０２には，例えば図７に示すように熱板１４０の温度設定時に選択された温度補正テーブルＭ，Ｎから，熱板１４０の各熱板領域Ｒ１〜Ｒ５の温度補正値を導出し，当該温度補正値に基づいて，温度制御装置１４２の既存の温度設定を変更するプログラムＰが格納されている。なお，装置制御部１９０の機能を実現するためのプログラムは，コンピュータ読み取り可能な記録媒体によりインストールされたものであってもよい。
【００５１】
以上のように，装置制御部１９０が２種類の温度設定テーブルＭ，Ｎを備えていることにより，装置制御部１９０は２種類の別個の温度設定機能を有している。
【００５２】
次に，上述の塗布現像処理システム１の主制御部１１０の構成について説明する。主制御部１１０は，図１０に示すように各種プログラムが実行されるＣＰＵなどからなる演算部２１０と，各種情報を入力したり表示するための入力・表示部２１１と，各種情報を格納するデータ格納部２１２と，各種プログラムを格納するプログラム格納部２１３と，ＰＥＢ装置８４の装置制御部１９０やウェハ搬送体７のセンサ７ｂなどとの間で通信を行う通信部２１４などを備えている。
【００５３】
例えば入力・表示部２１１は，例えば図２に示すように塗布現像処理システム１の側壁に設けられている。入力・表示装置２１１は，例えばタッチスクリーンであり，塗布現像処理システム１の各種設定のための情報を入力したり，ウェハＷの処理状態を表示できるようになっている。例えば入力・表示部２１１には，図１１に示すようにＰＥＢ装置８４に対して，温度設定テーブルＭを用いた温度設定を行うか，或いは温度設定テーブルＮを用いた温度設定を行うかを選択する選択画面Ｄ１を表示できる。また，入力・表示部２１１には，図１２に示すように温度設定テーブルＭが選択されて処理された場合の処理レシピＨ，加熱温度Ｔ，レジスト液Ｂ，各熱板領域Ｒ１〜Ｒ５の温度補正値及び処理枚数を示すプロセス情報画面Ｄ２を表示できる。さらに入力・表示部２１１には，図１３に示すように処理枚数に応じて課金された金額を示す金額表示画面Ｄ３を表示できる。
【００５４】
例えばプログラム格納部２１３は，例えばメモリにより構成されており，プログラム格納部２１３には，例えばウェハ搬送体７のセンサ７ｂからの出力に基づいてウェハＷの処理枚数をカウントするプログラムＰ２と，ウェハＷの処理枚数に応じて所定の計算式により課金を行うプログラムＰ３が格納されている。
【００５５】
通信部２１４は，例えばウェハ搬送体７のセンサ７ｂに対し通信し，保持アーム７ａ上のウェハＷの有無情報からウェハ搬送体７におけるウェハＷの受け渡しの情報を入力できる。通信部２１４は，例えばＰＥＢ装置８４の各装置制御部１９０に対し通信し，例えば主制御部１１０から装置制御部１９０に温度補正テーブルＮ，Ｍの選択情報を送信したり，また装置制御部１９０から主制御部１１０に温度補正テーブルＮ，Ｍの温度補正値の設定情報などを受信したりできる。なお，上記主制御部１１０の機能を実現するためのプログラムは，コンピュータ読み取り可能な記録媒体によりインストールされたものであってもよい。
【００５６】
次に，塗布現像処理システム１における課金プロセスについて説明する。図１４は，かかる課金プロセスのフローを示す。
【００５７】
先ず，主制御部１１０の入力・表示部２１１の選択画面Ｄ１において，ユーザにより温度設定テーブルＮ或いは温度設定テーブルＭが選択される（図１４の工程Ｑ１）。この温度設定テーブルの選択情報は，主制御部１１０の通信部２１４からＰＥＢ装置８４の装置制御部１９０に入力される（図１４の工程Ｑ２）。このとき，ユーザにより別途選択される，使用するレジスト液ＢやＰＥＢ装置８４の加熱温度Ｔなどの処理レシピＨの情報が装置制御部１９０に入力される。
【００５８】
装置制御部１９０では，選択された温度設定テーブルにより熱板１４０の各熱板領域Ｒ１〜Ｒ５の温度補正値が求められ，熱板１４０の各熱板領域Ｒ１〜Ｒ５の温度設定が行われる（図１４の工程Ｑ３）。例えば，温度設定テーブルＭが選択された場合には，温度設定テーブルＭにより，使用される処理レシピＨに対応する各熱板領域Ｒ１〜Ｒ５の温度補正値が求められ，当該温度補正値に基づいて，各熱板領域Ｒ１〜Ｒ５の温度設定が行われる。また，温度設定テーブルＮが選択された場合には，温度設定テーブルＮにより，使用される加熱温度Ｔに対応する各熱板領域Ｒ１〜Ｒ５の温度補正値が求められ，当該温度補正値に基づいて，各熱板領域Ｒ１〜Ｒ５の温度設定が行われる。
【００５９】
各熱板領域Ｒ１〜Ｒ５の温度設定が終了すると，塗布現像処理システム１のウェハ処理が開始され（図１４の工程Ｑ４），フォトリソグラフィー工程によりウェハＷ上にレジストパターンが形成される。このウェハ処理においては，例えば同じロットの複数枚のウェハＷが連続して処理される。温度設定テーブルの選択において，温度設定テーブルＭが選択された場合には，例えば処理ステーション３の処理が終了したウェハＷがカセットステーション２に搬送される際に，ウェハ搬送体７のセンサ７ｂによりその搬送が検出される。そして，その搬送情報がセンサ７ｂから主制御部１１０に出力される。主制御部１１０では，その搬送情報に基づいてプログラムＰ２によりウェハＷの処理枚数が数えられる（図１４の工程Ｑ５）。この処理枚数は，例えば入力・表示部２１１のプロセス情報画面Ｄ２に表示される。
【００６０】
主制御部１１０においては，カウントされているウェハＷの処理枚数に応じて課金が行われる（図１４の工程Ｑ６）。この課金の額は，例えば入力・表示部２１１の金額表示画面Ｄ３に表示される。
【００６１】
以上の実施の形態によれば，塗布現像処理システム１が２種類の温度設定機能を有し，温度補正テーブルＭを用いる温度設定機能が選択された場合には，ウェハＷの処理枚数がカウントされ，その処理枚数に応じて課金が行われる。かかる場合，線幅の均一性の高いレジストパターンを形成できる温度設定機能を用いた場合に，処理枚数に応じて課金される。したがって，ユーザは，高精度の温度設定機能の使用量に応じて料金を支払うことができる。また，塗布現像処理システム１の製造者は，高精度の温度設定機能の使用量に応じて集金できる。したがって，塗布現像処理システム１の使用状態に応じた適正かつ柔軟な課金を行うことができる。
【００６２】
以上の実施の形態においては，課金をウェハＷの処理枚数に応じて行っていたが，温度補正テーブルＭの処理レシピＨの使用数により課金を行ってもよい。かかる場合，例えば新しい処理レシピＨが設定される度に，入力・表示部２１１のプロセス情報画面Ｄ２に処理レシピが追加され，このプロセス情報画面Ｄ２における処理レシピＨの総数に応じて課金が行われるようにしてもよい。かかる場合においても，特定の温度設定機能の使用量に応じた適正かつ柔軟な課金が行われる。なお，以上の実施の形態で記載した課金は，予め所定の料金を支払い使用可能度数を購入し，特定の温度設定機能の使用量に応じてその使用可能度数が減少していくようないわゆるプリペイド式のものであってもよい。また，上述の課金の情報を，通信ネットワークを介して塗布現像処理システム１の製造者（ベンダー）側に送信できるようにしてもよい。
【００６３】
以上の実施の形態で記載した温度補正テーブルＭにおける各熱板領域Ｒ１〜Ｒ５の温度補正値は，特定の算出モデルＬにより算出されるものであってもよい。以下，算出モデルＬを用いた温度補正値の算出方法について説明する。
【００６４】
例えば算出モデルＬは，例えば装置制御部１９０のデータ格納部２０１に格納されている。算出モデルＬは，例えば図１５に示すようにレジストパターンの線幅変化量ΔＣＤと温度補正値ΔＴとの関係式（１）で示される相関モデルである。算出モデルＬは，塗布現像処理システム１において形成されたレジストパターンの線幅測定値に基づいて，各熱板領域Ｒ１〜Ｒ５の最適温度補正値ΔＴ，つまりレジストパターンの線幅が最終的にウェハ面内で均一になるような温度補正値ΔＴを算出できる。
【００６５】
算出モデルＬは，例えば図１６に示す行列式であり，例えば行列式の各要素ａｉ，ｊは，複数の熱板領域Ｒ１〜Ｒ５のうちの任意の熱板領域の温度を１℃変化させたときのウェハ面内の複数のウェハ領域の線幅変動量を，例えば総ての組み合わせについて測定することによって求められている。
【００６６】
例えばプログラム格納部２０２には，例えば算出モデルＬの関係式（１）を用いて各熱板領域Ｒ１〜Ｒ５の温度補正値ΔＴを算出するプログラムが格納されている。
【００６７】
そして，温度補正テーブルＭにおける各熱板領域Ｒ１〜Ｒ５の温度補正値を算出する際には，先ず，塗布現像処理システム１のフォトリソグラフィー工程によりウェハＷ上に形成されたレジストパターンの線幅が測定される。この線幅測定は，塗布現像処理システム１内に設けられた線幅測定装置により行われてもよいし，塗布現像処理システム１の外部に設置された線幅測定装置により行われてもよい。この線幅測定により，ウェハ面内の複数点の線幅が測定され，熱板１４０の各熱板領域Ｒ１〜Ｒ５に対応する５つのウェハ領域の線幅が求められる。
【００６８】
例えば装置制御部１９０では，各ウェハ領域の線幅測定値に基づいて，算出モデルＬにより最適温度補正値ΔＴが算出される。例えば図１７に示すように，関係式（１）の線幅変化量ΔＣＤに，目標線幅Ｈと各ウェハ領域の測定線幅値ＣＤ１，ＣＤ２，ＣＤ３，ＣＤ４，ＣＤ５の差を代入し，関係式（１）の各辺に算出モデルＬの逆行列を掛けることによって，各熱板領域Ｒ１〜Ｒ５の温度補正値ΔＴ１，ΔＴ２，ΔＴ３，ΔＴ４，ΔＴ５が算出される。
【００６９】
この例によれば，温度補正値と線幅との相関から作成された算出モデルＬにより，ウェハ面内の線幅が均一になるような各熱板領域Ｒ１〜Ｒ５の温度補正値ΔＴが算出される。この結果，温度補正テーブルＭを用いた温度設定機能により，より高い精度の線幅均一性が実現される。かかる高い精度の温度設定機能を備えた塗布現像処理システム１に上述の課金方法が採用されるので，当該課金方法をより効果的に用いることができる。
【００７０】
以上の実施の形態で記載した算出モデルＬは，例えば図１８に示すようにレジスト液に影響されるモデル成分αと，レジスト液以外の他の処理条件に影響されるモデル成分Ｌｔに分離するようにしてもよい。ここでいうレジスト液以外の他の処理条件には，例えば処理温度，処理時間，処理装置の状態など線幅に影響を与えるものが含まれる。かかる場合，例えば処理レシピの変更によりレジスト液が変更され，算出モデルＬの内容を変更する場合に，算出モデルＬのうちのモデル成分αのみを変更すれば足りる。また，例えば処理温度などのレジスト液以外の他の処理条件が変更される場合には，算出モデルＬのモデル成分Ｌｔのみを変更すれば足りる。このようにレジスト液の変更や処理温度の変更などに柔軟かつ迅速に対応できる。
【００７１】
さらに，モデル成分Ｌｔは，図１９に示すようにフォトリソグラフィー工程における露光処理条件に影響されるモデル成分Ｌｔ１と，露光処理条件以外の処理条件に影響されるモデル成分Ｌｔ２に分離するようにしてもよい。ここでいう露光処理条件は，例えば露光温度，露光処理，露光装置の状態などの線幅に影響を与えるものであり，露光処理条件以外の処理条件は，例えばＰＥＢ装置における加熱処理の加熱時間，加熱温度，ＰＥＢ装置の状態などの線幅に影響を与えるものである。かかる場合，例えば露光装置に不具合が発生した場合には，モデル成分Ｌｔ１のみを変更することにより，その不具合に対応できる。
【００７２】
ところで，以上の実施の形態で記載した温度補正テーブルＭの各熱板領域Ｒ１〜Ｒ５の温度補正値は，ウェハＷの反り量や反り形状に基づいて定められたものであってもよい。以下，かかる場合の温度補正値の設定方法について説明する。
【００７３】
例えば装置制御部１９０のデータ格納部２０１には，処理レシピＨ毎に，例えば図２０に示すようなウェハＷの各反り量，反り形状に対応する，熱板１４０の各熱板領域Ｒ１〜Ｒ５の最適温度補正値を示す相関テーブルＫが格納されている。本実施の形態においてウェハＷの反り形状は，上に凸に湾曲した凸形状と，下に凸に湾曲した凹形状の２種類に分けられている。
【００７４】
相関テーブルＫの各最適温度補正値は，例えば各処理レシピＨの各反り量及び反り形状について，最終的に形成されるレジストパターンの線幅がウェハ面内で均一になるような値に定められている。これらの最適温度補正値は，予め行われる実験により，例えば反り量と反り形状の把握しているウェハＷに対し，複数の温度補正値の設定で熱処理して線幅を形成し，線幅がウェハ面内で均一なるものを検出することにより求められる。
【００７５】
例えば装置制御部１９０のプログラム格納部２０２には，例えば入力されたウェハＷの反り量及び反り形状に基づいて，相関テーブルＫにより各熱板領域Ｒ１〜Ｒ５の温度補正値を求めるプログラムが格納されている。また，プログラム格納部２０２には，入力されたウェハＷの反り量及び反り形状に基づいて，相関テーブルＫに定められていない反り量の温度補正値を算出するプログラムが格納されている。例えばこのプログラムは，例えば相関テーブルＫの反り量，反り形状及び最適温度補正値の既存の情報から，所定の近似計算法，例えば最小二乗法を用いて入力反り量に対応する最適温度補正値を算出できる。
【００７６】
また，塗布現像処理システム１の例えば第５の処理装置群Ｇ５には，図２１に示すようにウェハＷの反りを測定する反り測定装置２４０が設けられる。反り測定装置２４０は，例えばレーザ変位計により，ウェハＷの中心部と外周部との高低差を検出することによって，ウェハＷの反り量と反り形状を測定できる。
【００７７】
そして，温度設定テーブルＭにおける各熱板領域Ｒ１〜Ｒ５の温度補正値を設定する際には，先ず塗布現像処理システム１のフォトリソグラフィー工程において露光処理が終了しＰＥＢ装置８４に搬入される前のウェハＷが，反り測定装置２４０に搬送され，ウェハＷの反り量と反り形状が測定される。
【００７８】
反り測定装置２４０で測定された反り量と反り形状の測定結果は，装置制御部１９０に入力される。装置制御部１９０では，例えば入力されたウェハＷの反り量と反り形状に基づいて，相関テーブルＫにより各熱板領域Ｒ１〜Ｒ５の温度補正値が求められる。例えば相関テーブルＫ内のデータに，入力された反り量と反り形状に適合する最適温度補正値がある場合には，その値が求められる。また，相関テーブルＫ内のデータに，入力された反り量と反り形状に適合する最適温度補正値がない場合には，相関テーブルＫ内の既存の情報と入力された反り量を用いて，例えば最小二乗法により温度補正値が求められる。求められた温度補正値は，温度補正テーブルＭに設定される。
【００７９】
この例によれば，温度補正テーブルＭの各熱板領域Ｒ１〜Ｒ５の温度補正値が，ウェハＷの反りの測定結果を考慮して相関テーブルＫによりウェハ面内の線幅が均一になるように求められて設定される。この結果，温度補正テーブルＭを用いた温度設定機能が，高い精度の線幅均一性を実現するものになり，上述した塗布現像処理システム１における課金方法を採用する効果は大きい。
【００８０】
以上，本発明の実施の形態の一例について説明したが，本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。例えば上記実施の形態において，塗布現像処理システム１における温度設定機能は２種類であったが，その数は，任意に選択できる。また，温度補正テーブルＭを用いた温度設定機能を選択した場合にのみ，その使用量に応じて課金が行われたが，温度補正テーブルＮを用いた温度設定機能を選択した場合も温度設定テーブルＭと金額を変えて，使用量に応じて課金を行ってもよい。さらに，上記実施の形態において，温度設定された熱板１４０は，５つの領域に分割されていたが，その数は任意に選択できる。また，上記実施の形態は，ＰＥＢ装置８４の熱板１４０に対して温度設定を行う例であったが，熱板を備えたプリベーキング装置やポストベーキング装置などの他の加熱処理装置や，ウェハＷを載置して冷却する冷却板を備えた冷却処理装置にも本発明は適用できる。さらに，本発明は，ウェハ以外の例えばＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ），フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板の処理システムにも適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００８１】
本発明は，基板の処理システムにおいて使用状態に応じた適正な課金を行う際に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図である。
【図２】図１の塗布現像処理システムの正面図である。
【図３】図１の塗布現像処理システムの背面図である。
【図４】ＰＥＢ装置の構成の概略を示す縦断面の説明図である。
【図５】ＰＥＢ装置の構成の概略を示す横断面の説明図である。
【図６】ＰＥＢ装置の熱板の構成を示す平面図である。
【図７】装置制御部の構成を示すブロック図である。
【図８】温度補正テーブルＭの一例を示す図である。
【図９】温度補正テーブルＮの一例を示す図である。
【図１０】主制御部の構成を示すブロック図である。
【図１１】選択画面の一例を示す図である。
【図１２】プロセス情報画面の一例を示す図である。
【図１３】金額表示画面の一例を示す図である。
【図１４】課金プロセスを示すフロー図である。
【図１５】算出モデルを用いた線幅変動量と温度補正値との関係式である。
【図１６】算出モデルの一例を示す行列式である。
【図１７】図１５の関係式に各ウェハ領域の線幅測定値を代入した例を示す。
【図１８】算出モデルをレジスト液に関するモデル成分とそれ以外のモデル成分に分離した場合の線幅変動量と温度補正値との関係式である。
【図１９】レジスト液以外のモデル成分をさらに露光処理に関するモデル成分とそれ以外のモデル成分に分けた場合の線幅変動量と温度補正値との関係式である。
【図２０】相関テーブルの一例を示す図である。
【図２１】反り測定装置を設けた場合の塗布現像処理システムの背面図である。
【符号の説明】
【００８３】
１    塗布現像処理システム
８４  ＰＥＢ装置
１４１  ヒータ
１４０  熱板
Ｒ１〜Ｒ５  熱板領域
１１０  主制御部
１４２  温度制御装置
１９０  装置制御部
Ｍ，Ｎ    温度補正テーブル
Ｗ    ウェハ
【図１】
2006237260.tif 000003
【図２】
2006237260.tif 000004
【図３】
2006237260.tif 000005
【図４】
2006237260.tif 000006
【図５】
2006237260.tif 000007
【図６】
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【図７】
2006237260.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
2006237260.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
2006237260.tif 000021
【図２０】
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【図２１】
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