(57)【要約】【課題】  半導体装置の製造歩留まりや信頼性を向上させる。【解決手段】  銅合金からなるリードフレームの複数のリード４に固定用テープ９を接着し、リードフレームのタブ７上に半導体チップ３を搭載し、リード４と半導体チップ３の電極３ａとボンディングワイヤ６を介して電気的に接続し、半導体チップ３、タブ７、ボンディングワイヤ６、リード４および固定用テープ９を封止する封止樹脂部２を形成し、リードフレームを切断することで半導体装置１が製造される。固定用テープ９の接着材層１６は、アミン硬化型エポキシ樹脂を主成分として７０重量％以上含有し、フェノール樹脂を含有していない。固定用テープ９の接着材層１６は、更に、アクリロニトリルブタジエンゴムを３０重量％以下含有している。このような材料を固定用テープ９の接着材層１６に用いることにより、環境劣化条件の厳しい劣化試験を行っても、リード４の銅のマイグレーションが抑制される。【選択図】  図３
2006245404.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）チップ搭載部と、前記チップ搭載部の周囲に配置された複数のリード部を有し、かつ銅を含有する導電体材料からなるリードフレームを準備する工程、
（ｂ）アミン硬化型エポキシ樹脂を主成分とする接着材層を有する第１部材を前記複数のリード部に、前記接着材層を介して接着する工程、
（ｃ）複数の電極を有する半導体チップを前記チップ搭載部上に搭載する工程、
（ｄ）前記複数のリード部と前記半導体チップの前記複数の電極とを複数のワイヤを介してそれぞれ電気的に接続する工程、
（ｅ）前記半導体チップ、前記チップ搭載部、前記複数のワイヤ、前記複数のリード部および前記第１部材を封止する封止樹脂部を形成する工程、
（ｆ）前記リードフレームを切断する工程、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、
前記接着材層は、フェノール樹脂を含有していないことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、
前記接着材層は、アミン硬化型エポキシ樹脂の含有量が７０重量％以上であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、
前記接着材層は、更にアクリロニトリルブタジエンゴムを含有していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置の製造方法であって、
前記接着材層は、アクリロニトリルブタジエンゴムの含有量が３０重量％以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、
前記接着材層は、硬化剤として三級アミンが用いられていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第１部材は、前記リードフレームの前記複数のリード部の固定用テープであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第１部材は前記チップ搭載部として機能し、前記（ｃ）工程では、前記チップ搭載部としての前記第１部材上に前記半導体チップが搭載されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
複数の電極を有する半導体チップと、
複数のリード部と、
前記複数のリード部と前記半導体チップの前記複数の電極とを電気的に接続する複数のワイヤと、
接着材層を有し、前記複数のリード部に前記接着材層を介して接着された第１部材と、
前記半導体チップ、前記複数のワイヤ、前記複数のリード部および前記第１部材を封止する封止樹脂部と、
を有し、
前記複数のリード部は、銅を含有する導電体材料からなり、
前記接着材層は、アミン硬化型エポキシ樹脂を主成分とすることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体装置であって、
前記接着材層は、フェノール樹脂を含有していないことを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項９記載の半導体装置であって、
前記接着材層は、アミン硬化型エポキシ樹脂の含有量が７０重量％以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項９記載の半導体装置であって、
前記接着材層は、更にアクリロニトリルブタジエンゴムを含有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１２記載の半導体装置であって、
前記接着材層は、アクリロニトリルブタジエンゴムの含有量が３０重量％以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項９記載の半導体装置であって、
前記接着材層は、硬化剤として三級アミンが用いられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項９記載の半導体装置であって、
前記第１部材は、前記半導体装置を製造する際に用いられるリードフレームの前記複数のリード部の固定用テープであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項９記載の半導体装置であって、
前記半導体チップは、前記第１部材上に搭載されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
絶縁性の基材層、前記基材層上の接着材層、および前記基材層上に前記接着材層を介して接着された導体層を有する配線基板と、
複数の電極を有し、前記配線基板上に搭載された半導体チップと、
を有し、
前記半導体チップの前記複数の電極が、前記配線基板の前記導体層に電気的に接続され、
前記配線基板の前記導体層は、銅を含有する導電体材料からなり、
前記配線基板の前記接着材層は、アミン硬化型エポキシ樹脂を主成分とすることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項１７記載の半導体装置であって、
前記接着材層は、フェノール樹脂を含有していないことを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
請求項１７記載の半導体装置であって、
前記接着材層は、アミン硬化型エポキシ樹脂の含有量が７０重量％以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２０】
請求項１７記載の半導体装置であって、
前記接着材層は、更にアクリロニトリルブタジエンゴムを含有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２１】
請求項２０記載の半導体装置であって、
前記接着材層は、アクリロニトリルブタジエンゴムの含有量が３０重量％以下であることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法および半導体装置に関し、特に、半導体パッケージ形態の半導体装置の製造技術および半導体装置に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、種々の半導体パッケージが用いられているが、例えばＱＦＰ（Quad Flat Package）などのプラスチックパッケージがある。ＱＦＰのようなプラスチックパッケージでは、アイランドと呼ばれるリードフレームの中央部に半導体チップがマウント用接着材により搭載されており、この半導体チップの電極は、ボンディングワイヤを介してリードフレームのリード部の内部リード先端部と電気的に接続され、これら半導体チップおよびボンディングワイヤが封止樹脂により封止され、この封止樹脂によりパッケージの外形が形成されている。リードの内部リード部は封止樹脂内に封止されているが、リードのアウタリード部は封止樹脂外に導出され、これがパッケージの外部接続端子となって、半田などによりプリント配線基板の端子に接続される。
【０００３】
特開２０００−１０４０２４号公報（特許文献１）には、イミド系樹脂を６０重量％以上、アセトニトリルブタジエンゴムおよびフェノール樹脂を合計４０重量％以下含有し、かつアセトニトリルブタジエンゴムを１０重量％以下、またはフェノール樹脂を２０重量％以下含有する熱硬化型接着剤を、熱可塑性絶縁フィルムに塗工したものをリードフレームのリード固定用テープとする技術が記載されている。
【特許文献１】特開２０００−１０４０２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明者の検討によれば、次のことが分かった。
【０００５】
ＱＦＰのような半導体装置の小型化や多端子化に伴い、リードがファインピッチ化し、隣り合うインナリード部（内部リード部）の先端部同士の間隔が狭くなり、また、インナリード部の先端部の幅が細くなる。例えば、１２０程度以上のリードを有するＱＦＰでは、インナリード部の先端部のピッチが０．３ｍｍ程度以下となり、インナリード部の先端部の幅は、リードの厚みよりも細くなる。このため、例えば、半導体装置組立て時の搬送衝撃、ワーク押さえによる外力、加熱時のリードフレーム加工残留応力などにより、インナリード部が１本でも変形すれば、半導体チップの電極との接合に不具合が生じ、短絡、接合不良などの不良を生じる虞がある。このインナリード部先端の変形を防ぐために、固定用テープがリードフレーム製造段階で貼られている。
【０００６】
この固定用テープの代表的な構成としては、約５０μｍ厚の絶縁フィルムの片側に、約２０μｍの熱硬化性接着材が塗工されたものを挙げることができる。この固定用テープは、リードフレームが金型で所望の形状に打ち抜かれた後、１５０℃から２００℃の温度で加熱されたリードフレーム上に約０．２秒から１秒程度の時間で加圧着される。固定用テープに使用される熱硬化性接着材としては、アクリロニトリルブタジエンゴム（以下、単にＮＢＲと略記する）とフェノール樹脂から構成されたものを例示することができる。その構成は、ＮＢＲが約７０重量％、フェノール樹脂が約３０重量％となっている。
【０００７】
さらに、特開２０００−１０４０２４号公報に記載のように、固定用テープに使用する熱硬化性接着材として、イミド系樹脂を６０重量％以上、アセトニトリルブタジエンゴムおよびフェノール樹脂を合計４０重量％以下含有し、かつアセトニトリルブタジエンゴムを１０重量％以下、またはフェノール樹脂を２０重量％以下含有するものも提案されている。
【０００８】
リードフレームの材料としては、主に鉄−ニッケル４２合金や銅合金が使用されているが、半導体装置の高機能化や高集積化に伴い、銅合金を用いる場合の比率が高くなってきている。その理由は、電気的または熱的に、伝導率が銅合金の方が鉄−ニッケル４２合金よりも優れているためである。しかしながら、銅は水分と電位差により銅のマイグレーションを発生しやすい傾向にある。リードのファインピッチ化に伴い、銅合金のリードフレームは絶縁不良を引き起こす可能性が高くなっている。
【０００９】
代表的なＮＢＲとフェノール樹脂を接着材成分とする構成のリード固定用テープを使用した場合、水分が存在していなくても１５０℃以上の高温エージングでリードの銅のマイグレーションが発生することが確認されている。これは、固定用テープの接着材中のフェノール樹脂が、銅のイオンマイグレーションを誘発しているためと考えられている。
【００１０】
これを改良する目的で、特開２０００−１０４０２４号公報に記載の技術では、固定用テープに使用する熱硬化性接着材として、イミド系樹脂を６０重量％以上、アセトニトリルブタジエンゴムおよびフェノール樹脂を合計４０重量％以下含有し、かつアセトニトリルブタジエンゴムを１０重量％以下、またはフェノール樹脂を２０重量％以下含有するものが提案されているが、このような接着材を用いた場合でも、より環境劣化条件の厳しい１５０℃／１００Ｖ条件下の劣化試験では、やはりリードの銅のマイグレーションが発生することが、本発明者の検討により確認された。リードの銅のマイグレーションは、リード間の絶縁不良を発生させ、半導体装置の信頼性を低下させる可能性がある。
【００１１】
このため、環境劣化条件の厳しい劣化試験でもリードの銅のマイグレーションの発生を抑制し、半導体装置の信頼性をより向上させることが望まれる。
【００１２】
本発明の目的は、半導体装置の信頼性を向上できる技術を提供することにある。
【００１３】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１５】
本発明の半導体装置の製造方法は、銅を含有する導電体材料により形成されたリードフレームの複数のリード部に、アミン硬化型エポキシ樹脂を主成分とする接着材層を有する部材を接着するものである。
【００１６】
また、本発明の半導体装置は、銅を含有する導電体材料により形成された複数のリード部に、アミン硬化型エポキシ樹脂を主成分とする接着材層を有する部材を接着したものである。
【００１７】
また、本発明の半導体装置は、絶縁性の基材層上に、アミン硬化型エポキシ樹脂を主成分とする接着材層を介して、銅を含有する導電体材料からなる導体層を接着した配線基板を有するものである。
【発明の効果】
【００１８】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００１９】
半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００２１】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、以下の実施の形態では、特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００２２】
また、実施の形態で用いる図面においては、断面図であっても図面を見易くするためにハッチングを省略する場合もある。また、平面図であっても図面を見易くするためにハッチングを付す場合もある。
【００２３】
（実施の形態１）
本実施の形態の半導体装置を図面を参照して説明する。
【００２４】
図１は、本発明の一実施の形態である半導体装置１の平面（上面）図であり、図２はその平面（上面）透視図、図３はその断面図（側面断面図）、図４は、その要部平面図（平面透視図）、図５は、その要部断面図（部分拡大断面図）である。図２は、封止樹脂部２を透視したときの平面（上面）図に対応し、図５は、封止樹脂部２を透視したときの要部断面図（部分拡大断面図）に対応する。また、図１および図２のＡ−Ａ線の断面が、図３にほぼ対応する。また、図４のＢ−Ｂ線の断面が、図５にほぼ対応する。
【００２５】
本実施の形態の半導体装置１は、リードフレームを用いて製造した樹脂封止型の半導体パッケージであり、例えばＱＦＰ（Quad Flat Package）形態の半導体装置である。
【００２６】
図１〜図５示される本実施の形態の半導体装置１は、封止樹脂部（封止部）２と、封止樹脂部２によって封止された半導体チップ（半導体素子）３と、導電体によって形成された複数のリード（リード部）４と、封止樹脂部２によって封止されかつ複数のリード４と半導体チップ３の表面の複数の電極（ボンディングパッド）３ａとを電気的に接続する複数のボンディングワイヤ（ワイヤ、金属細線）６と、半導体チップ３が搭載されたチップ搭載部であるタブ（アイランド、ダイパッド部、チップ搭載部）７と、タブ７に接続された複数の吊りリード（導体部）８と、複数のリード４に接着された固定用テープ９とを備えている。
【００２７】
封止樹脂部２は、例えば熱硬化性樹脂材料などからなり、フィラーなどを含むこともできる。例えば、フィラーを含むエポキシ樹脂などを用いて封止樹脂部２を形成することができる。封止樹脂部２により、半導体チップ３、リード４、ボンディングワイヤ６、タブ７、吊りリード８および固定用テープ９が封止され、保護される。
【００２８】
半導体チップ３は、例えば、単結晶シリコンなどからなる半導体基板（半導体ウエハ）に種々の半導体素子または半導体集積回路を形成した後、必要に応じて半導体基板の裏面研削を行ってから、ダイシングなどにより半導体基板を各半導体チップ３に分離したものである。半導体チップ３は、その表面（半導体素子形成側の主面）が上方を向くようにタブ７上に搭載され、半導体チップ３の裏面（半導体素子形成側の面とは反対側の主面）が導電体からなるタブ７に、例えば銀ペーストなどの接合材（ダイボンディング材）１１を介して接着（接合）されている。
【００２９】
半導体チップ３の表面には、複数の電極（ボンディングパッド、パッド電極）３ａが形成されている。電極３ａは、半導体チップ３に形成された半導体素子または半導体集積回路に電気的に接続されている。半導体チップ３の表面の各電極３ａは、各リード４のインナリード部１２の上面１２ａに、例えば金（Ａｕ）線などの金属細線などからなるボンディングワイヤ６を介して電気的に接続されている。
【００３０】
リード４は、例えば銅または銅合金のような銅を含有する導電体材料（金属材料）からなる。リード４はタブ７の周囲に、その一端がタブ７に対向するように配置されている。リード４は、封止樹脂部２内に埋め込まれたインナリード部（内部リード部）１２と、封止樹脂部２の外部に露出するアウタリード部（外部リード部）１３とを有しており、これらインナリード部１２とアウタリード部１３とが一体的に形成されてリード４を構成している。
【００３１】
リード４のうちのインナリード部（内部リード部）１２は封止樹脂部２内に封止され、リード４のボンディング部として機能し得るインナリード部１２の上面１２ａに、ボンディングワイヤ６が接続（接合）されている。
【００３２】
リード４のうちのアウタリード部（外部リード部）１３は、封止樹脂部２の側面から突出して露出しており、半導体装置１の外部接続用端子部として機能することができる。リード４のアウタリード部１３は、必要に応じて折り曲げ加工などが施されている。例えば、アウタリード部１３の端部（インナリード部１２に接続する側とは逆側の端部）近傍領域の下面１３ｂが封止樹脂部２の裏面（下面、底面）２ｂとほぼ同一面上に位置するようになっており、これにより、半導体装置１の裏面（封止樹脂部２の裏面２ｂ）側を実装基板（図示せず）へ実装した際に、その実装基板の端子と半導体装置１のアウタリード部１３の下面１３ｂとの接続を容易にすることができる。すなわち、封止樹脂部２の裏面２ｂに対応する半導体装置１の裏面（底面）側が、半導体装置１の実装面となり、各リード４のアウタリード部１３（の下面１３ｂ）が半導体装置１の外部端子（外部接続用端子）を構成する。また、アウタリード部１３の端部（インナリード部１２に接続する側とは逆側の端部）は、半導体装置１を製造する際の切断工程により生じた切断面により形成されている。また、リード４のインナリード部１２と半導体チップ３との間や隣り合うインナリード部１２間は封止樹脂部２を構成する材料により満たされており、互いに接触しないようになっている。
【００３３】
タブ７には、複数（ここでは４本）の吊りリード８が接続されている。各吊りリード８は、一端がタブ７に接続され、タブ７の外方に向かって延在している。吊りリード８は、半導体装置１の製造に用いられたリードフレーム（のフレーム枠）にタブ７を保持または支持するために設けられ、封止樹脂部２の形成後にリードフレームから切断され、吊りリード８の切断により生じた側面（すなわちタブ７に接続された側の端部とは逆側の端部）である切断面（図示せず）が封止樹脂部２の側面で露出している。リード４、タブ７および吊りリード８は、いずれも導電体材料からなり、例えば半導体装置１製造用のリードフレーム（後述するリードフレーム２１に対応）に用いられた共通の導電体材料、すなわち、銅または銅合金のような銅を含有する導電体材料（金属材料）からなる。
【００３４】
複数のリード４のインナリード部１２の上面１２ａにまたがるように、固定用テープ９が接着（接合）されている。固定用テープ９は、ワイヤボンディングの際、複数のリード４（のインナリード部１２）を固定する機能と、封止樹脂部２を形成する際、樹脂の注入圧で複数のリード４が動かないように固定する機能を有するものである。固定用テープ９は、テープ基材層（基材層）１５とテープ基材層１５上の接着材（接着剤）層１６とからなる。テープ基材層１５は、絶縁フィルムからなり、例えばポリイミドフィルムなどからなる。テープ基材層１５は、熱可塑性絶縁フィルムにより形成されていれば、より好ましい。
【００３５】
接着材層１６は、固定用テープ９に接着性を持たせるための材料層（接着材層）である。本実施の形態では、接着材層１６は、接着材主成分として、フェノール樹脂ではなく、アミン硬化型エポキシ樹脂を含有し、より好ましくは、更にアクリロニトリルブタジエンゴム（ＮＢＲ）も含有している。
【００３６】
例えば５０μｍ程度の厚みを有するテープ基材層１５の一方の主面上に、例えば２０μｍ程度の厚みを有する接着材層１６が形成されている。後述するように、複数のリード４のインナリード部１２の上面１２ａに接着材層１６を介して固定用テープ９を接着することで、接着材層１６によってインナリード部１２がテープ基材層１５に接着されて固定され、半導体装置１の製造工程中に複数のリード４のインナリード部１２を固定することができる。すなわち、半導体装置１の製造工程中に複数のリード４のインナリード部１２が固定用テープ９によって固定される。
【００３７】
次に、本実施の形態の半導体装置の製造工程について説明する。
【００３８】
図６〜図１７は、本実施の形態の半導体装置１の製造工程を示す平面図（要部平面図）または断面図（要部断面図）である。図６〜図１７のうち、図６、図８、図１０、図１２、図１４および図１６は平面図（要部平面図）であり、図７、図９、図１１、図１３、図１５および図１７は断面図（要部断面図）である。また、図６と図７とは同じ工程段階に対応し、図８と図９とは同じ工程段階に対応し、図１０と図１１とは同じ工程段階に対応し、図１２と図１３とは同じ工程段階に対応し、図１４と図１５とは同じ工程段階に対応し、図１６と図１７とは同じ工程段階に対応する。なお、図７、図９、図１１、図１３、図１５および図１７の断面図は、上記図１および図２のＡ−Ａ線の断面、すなわち図３と同じ断面が示されており、この図１および図２のＡ−Ａ線の位置に対応する図６、図８、図１０、図１２、図１４および図１６の位置にもＡ−Ａ線が示されている。また、図６、図８、図１０、図１２、図１４および図１６の平面図には、リードフレーム２１のうちの一つの半導体パッケージに対応する領域（そこから一つの半導体装置１が製造される領域）が示されている。
【００３９】
半導体装置１を製造するには、図６および図７に示されるように、まず、リードフレーム２１を準備する。リードフレーム２１は、例えば銅または銅合金などの銅を含有する導電体材料からなる。リードフレーム２１は、半導体チップ３を搭載するためのタブ７と、その一端がフレーム枠２３と接続し他端がタブ７の四隅に接続してタブ７をフレーム枠２３に保持または支持する吊りリード８と、その一端がタブ７と離間して対向するように配置され他端がフレーム枠２３と接続するリード４とを有している。リードフレーム２１としては、例えば金属板（銅板または銅合金板）をエッチング加工したエッチングフレームや打ち抜き加工（プレス加工）したスタンピングフレーム（プレスフレーム）などを用いることができる。
【００４０】
次に、図８および図９に示されるように、リードフレーム２１の複数のリード４上に固定用テープ９を接着する。固定用テープ９は、複数のリード４を固定するための部材（テープまたはフィルム部材）であり、テープ基材層１５とテープ基材層１５上の接着材層１６とからなる。テープ基材層１５は、絶縁フィルムからなり、例えばポリイミドフィルムなどを用いることができる。接着材層１６としては、アミン硬化型のエポキシ樹脂を含有する熱硬化型の接着材を用いる。例えば５０μｍ程度の厚みを有するテープ基材層１５の一方の主面上に、例えば２０μｍ程度の厚みを有する接着材層１６を形成（塗布、塗工）したものを固定用テープ９として用いることができる。接着材層１６を構成する材料については、後でより詳細に説明する。
【００４１】
リードフレーム２１の複数のリード４上に固定用テープ９を接着する際には、接着材層１６側が各リード４のインナリード部１２の上面１２ａに接する（対向する）ように、固定用テープ９を複数のリード４のインナリード部１２の上面１２ａに接着する。すなわち、接着材層１６を有する固定用テープ９を、リードフレーム２１の複数のリード４のインナリード部１２の上面１２ａに、接着材層１６を介して接着する。例えば、金属板（銅板または銅合金板）をエッチングまたは金型プレスにより所定の形状に加工してリードフレーム２１を製造した後、リードフレーム２１を所定の温度（例えば１５０〜２００℃程度）に加熱した状態で、固定用テープ９を複数のリード４のインナリード部１２の上面１２ａに所定の時間（例えば０．２〜１秒程度）加圧（加圧着）することで、固定用テープ９の接着材層１６にインナリード部１２の上面１２ａを接着し固定することができる。固定用テープ９をインナリード部１２の上面１２ａに接着することで、複数のリード４のインナリード部１２が固定され、その後の工程でインナリード部１２が変形するのを防止することができる。
【００４２】
このように、複数のリード４が固定用テープ９によって固定されたリードフレーム２１（図８および図９の状態のリードフレーム２１）を準備した後、例えば次のようにして半導体装置が製造される（組立てられる）。
【００４３】
まず、図１０および図１１に示されるように、ダイボンディング工程を行って、リードフレーム２１のタブ７上に半導体チップ３を搭載する。このダイボンディング工程では、リードフレーム２１のタブ７上に半導体チップ３を接合材１１を介して接着（接合）する。接合材１１には、例えば銀（Ａｇ）ペーストなどを用いることができる。例えば、熱硬化型エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂を含有する銀ペースト（接合材１１）を介してタブ７上に半導体チップ３を配置し、加熱により銀ペースト（接合材１１）を硬化することで、半導体チップ３をタブ７上に接着し、マウントすることができる。銀ペースト（接合材１１）の加熱時には、例えば約２５０℃で２分程度加熱する。このようにして、半導体チップ３がタブ７上に搭載（マウント）される。このため、半導体チップ３のダイボンディング工程（タブ７上への半導体チップ３の搭載工程）では、リードフレーム２１および固定用テープ９も加熱される。
【００４４】
次に、図１２および図１３に示されるように、ワイヤボンディング工程を行って、半導体チップ３の複数の電極３ａとリードフレーム２１の複数のリード４のインナリード部１２の上面１２ａとを複数のボンディングワイヤ６を介してそれぞれ電気的に接続する。
【００４５】
ボンディングワイヤ６のワイヤボンディングを行う際には、ボンディングワイヤ６の接続強度を高めるために、ヒートステージ上にリードフレーム２１を搭載した状態でワイヤボンディング予定領域であるリード４と半導体チップ３の電極３ａ近傍領域とを、ワイヤボンディングに適した所定の温度に加熱してから、半導体チップ３の電極３ａとリード４のインナリード部１２との間をボンディングワイヤ６を介して電気的に接続することが好ましい。例えば、タブ７およびリード４を加熱しながら、ワイヤボンディングを行う。このため、ワイヤボンディング工程では、リードフレーム２１および固定用テープ９も加熱される。例えば２００℃〜２５０℃程度で３０秒〜３分程度加熱される。
【００４６】
次に、図１４および図１５に示されるように、モールド工程（例えばトランスファモールド工程）を行って、半導体チップ３およびボンディングワイヤ６を封止樹脂部２によって封止する。このモールド工程では、リードフレーム２１のリード４のインナリード部１２、タブ７、吊りリード８および固定テープ９も封止樹脂部２によって封止される。
【００４７】
次に、図１６および図１７に示されるように、リードフレーム２１を所定の位置で切断して個片に分割する。リードフレーム２１の切断後、封止樹脂部２から突出するリード４のアウタリード部１３を成形する。このようにして、個片に分割された半導体装置（半導体パッケージ）、すなわち図１〜図５に示される半導体装置１が得られる。また、封止樹脂部２の形成後、リードフレーム２１の切断前または切断後にめっき処理を行って、半導体装置１のアウタリード部１３にめっき層（例えば半田めっき層）を形成することもできる。
【００４８】
その後、半導体装置１に対するマーキング工程や選別工程を行い、選別工程で良品として選別された半導体装置１が、製品（半導体パッケージ）として出荷される。
【００４９】
半導体装置（半導体パッケージ）の小型化や多端子化に伴い、リードがファインピッチ化し、隣り合うインナリード部１２の先端部同士の間隔が狭くなり、また、インナリード部１２の先端部の幅が細くなる。例えば、１２０程度以上のリードを有するＱＦＰでは、インナリード部の先端部のピッチが０．３ｍｍ程度以下となり、インナリード部の先端部の幅は、リードの厚みよりも細くなる。インナリード部１２の先端部の形状が細くなっているとインナリード部１２が変形しやすくなる。インナリード部１２が変形すると、インナリード部１２へのワイヤボンディング不良が発生する可能性がある。また、インナリード部１２の先端部同士が近接していると、半導体装置１の製造工程中にインナリード部１２がわずかに変形しただけでもインナリード部１２同士が接触して短絡してしまう。例えば、半導体装置組立て時の搬送衝撃、ワーク押さえによる外力、加熱時のリードフレーム加工残留応力などにより、インナリード部に変形が生じる可能性があり、インナリード部が１本でも変形すれば、半導体チップの電極とインナリード部との間の電気的な接続に不具合が生じ、短絡や接続（接合）不良などが発生する可能性がある。このように、半導体装置１の製造工程中にリードフレーム２１のインナリード部１２が変形してしまうと、接続不良や短絡不良などが発生し、製造された半導体装置が不良品となり、検査工程で除去され、半導体装置の製造歩留まりが低下する。
【００５０】
本実施の形態では、リードフレーム２１を製造した段階で、リードフレーム２１のリード４に固定用テープ９を接着して固定することで、その後の半導体装置の組立工程でインナリード部１２が変形するのを防止することができる。これにより、インナリード部１２へのボンディングワイヤ６の接続の信頼性を向上でき、また、隣り合うインナリード部１２間の短絡を防止できる。このように、固定用テープ９を用いてリードフレーム２１の複数のリード４のインナリード部１２を固定することで、インナリード部１２の変形を防止し、インナリード部１２の変形に起因した接続不良や短絡不良などの不良の発生を防止できるので、半導体装置の製造歩留まりを向上させることができる。
【００５１】
次に、本実施の形態で用いられる固定用テープ９、特に固定用テープ９の接着材層１６について、より詳細に説明する。
【００５２】
固定用テープ９のテープ基材層１５は、絶縁フィルムのような絶縁体材料からなり、例えばポリイミドフィルムなどを用いることができる。固定用テープ９の接着材層１６には、熱硬化性接着材（熱硬化型の接着材）を用いるが、本実施の形態では、アミン硬化型のエポキシ樹脂を主成分として含有する熱硬化性接着材（熱硬化型の接着材）を接着材層１６として用いる。
【００５３】
図１８は、本実施の形態の固定用テープ９の代わりに比較例の固定用テープ１０９を用いて半導体装置を製造した場合の、製造された半導体装置の要部断面図であり、上記図５に対応するものである。
【００５４】
比較例の固定用テープ１０９は、テープ基材層１１５およびテープ基材層１１５上に形成された接着材層１１６を有している。テープ基材層１１５は、ポリイミドフィルムなどからなる。本実施の形態の固定用テープ９の接着材層１６とは異なり、比較例の固定用テープ１０９の接着材層１１６は、フェノール樹脂を接着材成分として含有する接着材層である。接着材層１１６は、更にＮＢＲも含有している。
【００５５】
比較例の固定用テープ１０９のように、フェノール樹脂を接着材成分として含有する接着材により接着材層１１６を形成し、その固定用テープ１０９を用いて半導体装置を組立てた（製造した）場合の問題点について、説明する。
【００５６】
固定用テープ１０９の接着材層１１６は、フェノール樹脂およびＮＢＲを接着材成分としているため、加熱時に接着材層１１６の接着材成分が熱分解してアウトガス成分が多く発生し、リード４の表面などに付着して汚染する可能性がある。ＮＢＲから発生するアウトガスとしては、例えば、メタノール、アセトン、メチルエチルケトンなどが例示され、フェノール樹脂から発生するアウトガスとしては、フェノールやメタノールなどが例示される。接着材層１１６からのアウトガスによりリード４表面が汚染されると、インナリード部１２へのボンディングワイヤ６の接続時に接続不良（熱圧着ボンディング時の不着）を引き起こしたり、また、封止樹脂部２形成後に封止樹脂部２とリード４との密着性を低下させる原因となる。これは、半導体装置の製造歩留まりを低下させる。
【００５７】
また、接着材層１１６からのアウトガスが多いと、リードフレーム２１を銅または銅合金により形成した場合、リードフレーム２１の銅酸化膜が剥離しやすくなる。すなわち、アウトガスが付着したリードフレーム２１の表面では、半導体装置の組立工程の熱による酸化膜の形成が不安定になり、酸化膜が薄いにもかかわらず剥離しやすく、封止樹脂部２の形成後に封止樹脂部２との界面剥離を引き起こす要因となる。
【００５８】
半導体装置の組立工程では、半導体チップ３をタブ７上に搭載する際に、銀（Ａｇ）ペーストなどを接合材１１として用いるが、この接合材１１の硬化時に加熱（例えば約２５０℃で２分程度加熱）されて熱履歴がかかり、また、ボンディングワイヤ６のワイヤボンディング時に加熱（例えば２００℃〜２５０℃程度で３０秒〜３分程度加熱）されて熱履歴がかかる。これら加熱を伴う工程（接合材１１の硬化工程やワイヤボンディング工程）においては、リードフレーム２１製造段階でリードフレーム２１に仮接着しかされていない固定用テープ１０９の熱硬化型接着材（接着材層１１６）からアウトガスが多く発生する可能性がある。
【００５９】
リードフレームの材料としては、主に鉄−ニッケル４２合金や銅合金が使用されているが、半導体装置の高機能化や高集積化に伴い、銅合金を用いる場合の比率が高くなってきている。その理由は、電気的にまたは熱的に、伝導率が銅合金の方が鉄−ニッケル４２合金よりも優れているためである。しかしながら、銅は水分と電位差により銅のマイグレーションを発生しやすい傾向にある。リードのファインピッチ化に伴い、銅合金のリードフレームは絶縁不良を引き起こす可能性が高くなっている。
【００６０】
ＮＢＲとフェノール樹脂を接着材成分（接着材層１１６）とする構成の比較例のリード固定用テープ１０９を使用した場合、水分が存在していなくても１５０℃以上の高温エージングで銅のマイグレーションが発生することが確認されている。これは、固定用テープ１０９の接着材層１１６中のフェノール樹脂が、銅のイオンマイグレーションを誘発する原因であることを、本発明者が見出した。
【００６１】
これを改良する目的で、特開２０００−１０４０２４号公報に記載の技術では、固定用テープ１０９に使用する熱硬化性接着材（接着材層１１６）として、イミド系樹脂を６０重量％以上、アセトニトリルブタジエンゴムおよびフェノール樹脂を合計４０重量％以下含有し、かつアセトニトリルブタジエンゴムを１０重量％以下、またはフェノール樹脂を２０重量％以下含有するものが提案されているが、このような接着材層を用いた場合でも、より環境劣化条件の厳しい１５０℃／１００Ｖ条件下の劣化試験ではやはり銅マイグレーションが発生することが、本発明者の検討により確認された。
【００６２】
図１８を参照して、銅のマイグレーションによる絶縁不良を説明する。図１８において、隣り合うインナリード部１２間で銅合金からなるインナリード部１２の銅のマイグレーションが発生し、インナリード部１２中の銅が固定用テープ１０９の接着材層１１６中を拡散する。これにより、図１８において矢印で模式的に示された経路（銅の拡散経路、銅のマイグレーション発生領域）１２０で、銅のマイグレーションが発生し、インナリード部１２中の銅が接着材層１１６中を拡散する。この銅のマイグレーションが発生した経路１２０を介して、隣り合うインナリード部１２間が導通（短絡）または近接してしまうと、隣り合うインナリード部１２間の絶縁不良（隣り合うインナリード部１２間に電圧を印加したときに短絡してしまう不良）が発生してしまう。
【００６３】
本発明者は、リード固定用テープの接着材層（接着材層１１６）に起因する不良について詳細に検討した。その結果、次のことが見出された。
【００６４】
環境劣化条件の厳しい１５０℃／１００Ｖ条件下でのマグレーション発生のメカニズムを詳細に検討した結果、銅イオンが水酸化銅のようなコロイドを形成したイオン性不純物ばかりでなく、接着材樹脂中に極微量含まれる低分子化合物（溶剤等の揮発成分）の存在が耐マイグレーション特性を著しく低下させることを見出した。低分子化合物（溶剤等の揮発成分）によるマイグレーション発生要因は主として以下の３つが考えられる。
【００６５】
第１の要因は、低分子化合物（溶剤等の揮発成分）によるベース樹脂の可塑化である。これが、接着材層（接着材層１１６）の弾性率を低下させ、接着材層（接着材層１１６）におけるイオン移動度（銅イオンの移動度）を増大させる。
【００６６】
第２の要因は、低分子化合物（溶剤等の揮発成分）によるベース樹脂の膨潤である。これが、接着材層（接着材層１１６）の樹脂中の分子間の自由体積を増加させ、接着材層（接着材層１１６）におけるイオン移動度（銅イオンの移動度）を増大させる。
【００６７】
第３の要因は、低分子化合物（溶剤等の揮発成分）による銅（Ｃｕ）イオンのキャリア作用である。低分子化合物（溶剤等の揮発成分）によって銅イオンが溶媒和的な構造（銅イオンにメタノールなどのような低分子化合物が結合した状態）をとり、接着材層（接着材層１１６）におけるイオン移動度（銅イオンの移動度）を増大させる。
【００６８】
接着材層（接着材層１１６）中に低分子化合物（溶剤等の揮発成分）が存在していると、上記３つの要因（第１、第２および第３の要因）により、接着材層（接着材層１１６）における銅のイオン移動度が増大し、銅のマイグレーションが生じやすくなり、耐マイグレーション性を低下させる。
【００６９】
なお、上記第３の要因に関して、接着材層中に低分子化合物（溶剤等の揮発成分）が存在すると、この低分子化合物が銅イオンと結合して銅イオンが溶媒和的な構造となり、銅イオン単独の状態よりも移動度が増大するように作用する。この際、銅イオンと結合するのが高分子化合物であれば、溶媒和的構造の大きさが大きくなるので、かえって接着材層中を移動しにくくなるが、銅イオンと結合するのがメタノールなどのような低分子化合物であれば、溶媒和的構造の大きさも小さく、接着材層中を移動しやすいので、接着材層におけるイオン移動度（銅イオンの移動度）を増大させるように作用する。
【００７０】
低分子化合物（溶剤等の揮発成分）として耐マイグレーションを低下させるものとしては、溶解性や溶媒和能の高いケトン系化合物の存在が最も影響が大きく、次いでアルコール系化合物の存在が影響が大きい。種々の工程中の熱処理によって、接着材層中の大部分の低分子化合物（溶剤等の揮発成分）は揮発するが、沸点がケトン系化合物よりも高いアルコール系化合物が僅かに残存しやすく、残存した僅かのアルコール系化合物、特に低分子量のメタノールの存在が耐マイグレーション特性を著しく低下させることが、本発明者の検討により分かった。これらのメタノールに代表される低分子物質（低分子化合物）は、特にフェノール樹脂中に原料合成の工程で取り込まれており、フェノール樹脂から完全に除去することは困難である。
【００７１】
本実施の形態では、固定用テープ９の接着材層１６の接着材主成分として、フェノール樹脂ではなく、アミン硬化型エポキシ樹脂を用いている。すなわち、本実施の形態では、固定用テープ９の接着材層１６は、アミン硬化型エポキシ樹脂を（主成分として）含有し、このアミン硬化型エポキシ樹脂の含有量が７０重量％以上であればより好ましい。本実施の形態の固定用テープ９の接着材層１６は、フェノール樹脂を実質的に含有していない。また、固定用テープ９の接着材層１６は、アミン硬化型エポキシ樹脂に加えて、更にアクリロニトリルブタジエンゴム（ＮＢＲ）を含有していれば好ましく、アクリロニトリルブタジエンゴム（ＮＢＲ）の含有量は１重量％以上３０重量％以下であればより好ましい。
【００７２】
固定用テープ９の接着材層１６に使用するエポキシ樹脂（アミン硬化型エポキシ樹脂）としては、特に制限されることなく汎用の種々のエポキシ樹脂を用いることができるが、特に好適にはグリシジルエステル型ではなく、ビスフェノールＡ型に代表されるグリシジルエーテル型が挙げられる。グリシジルエーテル型には、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ノボラック型等が挙げられる。これらは１種類のみを使用してもよいし、２種類以上を混合して使用しても差し支えない。脂肪族エポキシ樹脂や脂環式エポキシ樹脂は粘度の低いものが多いため、増粘材（増粘剤）との併用で使用することが望ましい。２官能エポキシ樹脂のみで耐熱性に不足がある場合には、３官能以上の多官能エポキシ樹脂を混合して用いることで耐熱性を任意に向上させることができる。
【００７３】
本実施の形態とは異なり、固定用テープ９の接着材層１６にフェノール硬化型のエポキシ樹脂を用いた場合は、硬化剤中にメタノールなどの低分子物質（低分子化合物）が含有されてしまい、この低分子物質が上記３つの要因（第１、第２および第３の要因）により銅のイオン移動度を増大させ、銅のマイグレーションが生じやすくし、耐マイグレーション性を低下させる可能性がある。また、本実施の形態とは異なり、固定用テープ９の接着材層１６に酸無水物硬化型のエポキシ樹脂を用いた場合は、接着材層１６の粘性が低くなりやすく、固定用テープ９の接着材層１６として使用するのは容易ではない。
【００７４】
本実施の形態では、固定用テープ９の接着材層１６に使用するエポキシ樹脂の硬化剤は、アミン系の硬化剤を用いる。すなわち、アミン硬化型エポキシ樹脂を固定用テープ９の接着材層１６の主成分として使用する。これにより、固定用テープ９の接着材層１６のベース樹脂（エポキシ樹脂）中の低分子物質（低分子化合物）の含有量を低減でき、また、固定用テープ９の接着材層１６に適した粘性も確保することができる。また、接着材層１６に使用するアミン系の硬化剤としては、一級アミン、二級アミンおよび三級アミンのうち、三級アミンがより好ましい。これにより、低温（室温）での硬化反応を防止でき、所定の加熱工程で固定用テープ９の接着材層１６を硬化することができるので、固定用テープ９の取り扱いが容易になる。接着材層１６に使用するアミン系の硬化剤として、特に好適には、三級アミンの２Ｅ４ＭＺ：２−エチル−４−メチルイミダゾールやトリス（ジメチルアミノメチル）フェノールまたはルイス酸錯体の３フッ化ホウ素エチルアミン錯体が挙げられる。
【００７５】
また、固定用テープ９の接着材層１６をエポキシ樹脂だけで形成した場合は初期粘着性が不足するため、固定用テープ９の接着材層１６がベース樹脂としてのエポキシ樹脂（アミン硬化型エポキシ樹脂）に加えて更にＮＢＲを含有することが好ましく、これにより、固定用テープ９の接着材層１６の初期粘着性（硬化前の粘着性）を高め、リードフレーム２１への固定用テープ９の貼り付けを容易にすることができる。固定用テープ９の接着材層１６中のＮＢＲの含有量を１重量％以上とすることで、固定用テープ９の接着材層１６の初期粘着性を的確に高めることができ、固定用テープ９の接着材層１６中のＮＢＲの含有量を３０重量％以下とすることで、固定用テープ９の接着材層１６の耐久性を十分に確保することができる。ＮＢＲの含有量を３１重量％以上にすると、接着剤層１６の粘性が高くなりすぎるため、接着剤層が伸びてしまい（飴のように糸を引く）リードフレーム２１へ固定用テープ９を貼り付ける作業が困難となる。また、ＮＢＲの含有率を１重量％未満と低くしすぎると、接着剤層１６に粘性がでないため、リードフレーム２１へ固定用テープ９を貼り付け難くなる。なお、ＮＢＲは末端をカルボキシル基やアミノ基で変性したものを用いても差し支えない。
【００７６】
また、固定用テープ９の接着材層１６におけるアミン硬化型エポキシ樹脂の含有率は７０重量％以上であればより好ましく、これにより、接着材層１６の粘性が高くなりすぎるのを、より的確に防止することができる。アミン硬化型エポキシ樹脂の含有率が６９重量％以下の場合、接着剤層１６の硬度が低下し、リードフレーム２１へ固定用テープ９を貼り付ける作業が困難となる。また、アミン硬化型エポキシ樹脂の含有率を９９重量％より高くしすぎると、接着剤層１６が硬くなってしまい、リードフレーム２１へ固定用テープ９を貼り付け難くなる。
【００７７】
図１９および図２０は、本実施の形態の固定用テープ９の接着材層１６の状態を模式的に示す説明図である。図２１は、各種物質の溶解度パラメータを示す説明図（表）である。図２２および図２３は、比較例の固定用テープ１０９の接着材層１１６の状態を模式的に示す説明図である。図２４は、アミン硬化型エポキシ樹脂の一例としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂の構造を示す説明図（化学式）であり、図２５は、フェノール樹脂の一例（ホルムアルデヒド型フェノール樹脂）の構造を示す説明図（化学式）であり、図２６はフェノール樹脂の他の一例の構造を示す説明図（化学式）である。図１９および図２２は、リードフレーム２１に固定用テープ９，１０９を貼り付けて接着材層１６，１１６を半硬化した状態（図８および図９に対応する段階、ダイボンディング前）に対応し、図２０および図２３は、加熱により固定用テープ９，１０９の接着材層１６，１１６の硬化が進行した状態（例えばダイボンディングおよびワイヤボンディング工程後）に対応する。
【００７８】
リードフレーム２１に固定用テープ９を貼り付けて半硬化した図８および図９に対応する段階（ダイボンディング前）では、図１９に示されるように、本実施の形態の固定用テープ９の接着材層１６において、ベース樹脂３１中にＮＢＲ（アクリロニトリルブタジエンゴム）３２が存在し、更に微量の低分子揮発成分３３が存在している。ベース樹脂３１は、エポキシ樹脂およびアミン系硬化剤からなる。低分子揮発成分３３は、メタノールやアセトンなどからなる。また、同様にリードフレーム２１に比較例の固定用テープ１０９を貼り付けて半硬化した段階（図１９と同じ段階）では、図２２に示されるように、比較例の固定用テープ１０９の接着材層１１６において、ベース樹脂１３１中にＮＢＲ（アクリロニトリルブタジエンゴム）１３２が存在し、更に微量の低分子揮発成分１３３が存在している。ベース樹脂１３１は、フェノール樹脂およびビスマレイミド樹脂からなる。低分子揮発成分１３３は、低分子揮発成分３３と同様、メタノールやアセトンなどからなる。
【００７９】
図２５に示される一般的なフェノール樹脂は、フェノールとホルムアルデヒドを原料として製造される。図２６に示されるフェノール樹脂のようにキシリレン骨格型原料を使用するものもある。図２５のフェノール樹脂（ホルムアルデヒド型フェノール樹脂）では、水やメチロール（低分子揮発成分）が反応過程（フェノール樹脂の生成過程）で生成され、図２６のフェノール樹脂では、メタノール（低分子揮発成分）が反応過程（フェノール樹脂の生成過程）で生成される。
【００８０】
それに対して、図２４に示されるビスフェノールＡ型エポキシ樹脂は、ビスフェノールＡとエピクロルヒドリンを原料として製造される。図２４のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂では、メタノールのような低分子揮発成分は反応過程（エポキシ樹脂の生成過程）で生成されない。
【００８１】
このように、比較例の固定用テープ１０９の接着材層１１６はベース樹脂にフェノール樹脂を含有しており、このフェノール樹脂の生成過程で生じ得るメタノールやメチロールなどがフェノール樹脂内に存在して、図２２にも模式的に示されるように、接着材層１１６内の低分子揮発成分１３３の量を多くしている。それに対して、本実施の形態の固定用テープ９の接着材層１６は、フェノール樹脂を含有せず、ベース樹脂３１にアミン硬化型のエポキシ樹脂を用いており、このエポキシ樹脂の生成過程ではメタノールのような低分子揮発成分は生成されないので、エポキシ樹脂内に存在する低分子揮発成分３３の量を少なくすることができ、図１９にも模式的に示されるように、接着材層１６内の低分子揮発成分３３の量を少なくすることができる。このため、リードフレーム２１に固定用テープを貼り付けて半硬化した状態では、図１９および図２２に示されるように、本実施の形態の固定用テープ９の接着材層１６の方が、比較例の固定用テープ１０９の接着材層１１６よりも、低分子揮発成分３３の含有量を少なくすることができる。
【００８２】
上記図８および図９のようにリードフレーム２１に固定用テープを貼り付けて半硬化した後、図１０および図１１の半導体チップ３のダイボンディング工程や図１２および図１３のワイヤボンディング工程で、上記のようにリードフレーム２１および固定用テープ９が加熱される。これにより、固定用テープ９の接着材層１６が硬化する（硬化が進行する、架橋反応が進行する）が、この接着材層１６を構成するベース樹脂の硬化反応が進行して架橋密度が上がると、図２０に模式的に示されるように、中に閉じ込められていた低分子揮発成分３３が搾り出されて、接着材層１６の外部に排出されるように作用する。図２１に示されるように、エポキシ樹脂の溶解度パラメータとメタノールとの溶解度パラメータとの差は比較的大きく、溶解度パラメータが相対的に小さいエポキシ樹脂（ベース樹脂３１）中に閉じ込められていたメタノールのような低分子揮発成分３３は、エポキシ樹脂の硬化反応が進行して架橋密度が上がると、容易に飛散して接着材層１６の外部に排出される。
【００８３】
それに対して、図２１にも示されるように、エポキシ樹脂に比べてフェノール樹脂は、その溶解度パラメータがメタノールのような低分子物質と近い。すなわち、エポキシ樹脂の溶解度パラメータとメタノールとの溶解度パラメータとの差に比べて、フェノール樹脂の溶解度パラメータとメタノールとの溶解度パラメータとの差は比較的小さい。このため、ベース樹脂１３１にフェノール樹脂を含有した比較例の固定用テープ１０９の接着材層１１６では、フェノール樹脂（ベース樹脂１３１）中に閉じ込められていたメタノールのような低分子揮発成分１３３は、フェノール樹脂の硬化反応が進行して架橋密度が上がっても飛散しづらく、図２３に模式的に示されるように、低分子揮発成分１３３は接着材層１１６の外部に排出されにくく、接着材層１１６に残存する。
【００８４】
接着材層１６，１１６中にメタノールのような低分子化合物（溶剤等の揮発成分、低分子揮発成分３３，１３３）が残存していると、上記第１、第２および第３の要因などに起因して、銅のイオン移動度が増大し、銅のマイグレーションが生じやすくなり、耐マイグレーション性を低下させる可能性がある。
【００８５】
本実施の形態では、固定用テープ９の接着材層１６は、生成過程でメタノールなどの低分子揮発成分が生成されないアミン硬化型のエポキシ樹脂をベース樹脂に用いており、そのような熱硬化型の接着材を絶縁フィルム（テープ基材層１５）の主面上に塗工（塗布、形成）して、固定用テープ９を形成（製造）している。このため、初期状態（接着材層１６を硬化していない段階）でのメタノールのような低分子揮発成分３３の含有量を低減でき、更に、ベース樹脂のアミン硬化型のエポキシ樹脂はメタノールのような低分子揮発成分３３との溶解度パラメータの差が比較的大きいため、接着材層１６の硬化反応が進む段階で、エポキシ樹脂中の低分子揮発成分３３を接着材層１６の外部に排出することができる。従って、本実施の形態では、硬化後の接着材層１６中の低分子揮発成分３３の含有量を極めて少なくすることができ、硬化後の接着材層１６中には低分子揮発成分３３はほとんど残存（存在）しなくなる。半導体チップ３のダイボンディング工程やボンディングワイヤ６のワイヤボンディング工程の加熱により、接着材層１６が硬化し、接着材層１６中に低分子揮発成分３３がほとんど含まれなくなった後に、モールド工程が行われて封止樹脂部２が形成される。
【００８６】
このため、封止樹脂部２の形成後、リードフレーム２１を切断して半導体装置１を製造した後、環境劣化条件の厳しい１５０℃／１００Ｖ条件下での劣化試験を行っても、銅マイグレーションが抑制され、インナリード部１２中の銅が固定用テープ９の接着材層１６中を拡散するのを防止することができる。すなわち、半導体装置１において、固定用テープ９の接着材層１６中の低分子化合物（溶剤等の揮発成分）の存在量を極めて少なくすることができるので、上記第１、第２および第３の要因に起因するリード４の銅のマイグレーションを抑制または防止でき、耐マイグレーション性を向上させることができる。これにより、半導体装置１のリード４の絶縁破壊耐性を向上でき、半導体装置１の隣り合うリード４間の絶縁不良をより的確に防止することができる。また、予め接着剤層１６中に存在する低分子揮発成分３３の含有量は微量であることから、アウトガスが発生してもリード４表面の汚染には至らず、ボンディングワイヤ６の接続不良を引き起こさない。従って、半導体装置の信頼性を向上でき、また、半導体装置の製造歩留まりを向上することができる。
【００８７】
以下、実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例にのみ限定されるものではない。
【００８８】
（実施例１）
２Ｅ４ＭＺ（２−エチル−４−メチルイミダゾール）を硬化剤に用いたビスフェノールＡ型エポキシ樹脂７０重量％、ＮＢＲ３０重量％からなる接着材（接着材層１６を構成する接着材に対応）を、厚さ２０μｍになるようにポリイミドからなる熱可塑性絶縁フィルムに塗工し、リード固定用テープ（固定用テープ９に対応）を得た。
【００８９】
（実施例２）
２Ｅ４ＭＺを硬化剤に用いたビスフェノールＡ型エポキシ樹脂６０重量％、３官能のグリシジルエーテル樹脂（トリフェニルグリシジルエーテルメタン）１５重量％、ＮＢＲ２５重量％からなる接着材（接着材層１６を構成する接着材に対応）を、厚さ２０μｍになるようにポリイミドからなる熱可塑性絶縁フィルムに塗工し、リード固定用テープ（固定用テープ９に対応）を得た。
【００９０】
（実施例３）
２Ｅ４ＭＺを硬化剤に用いたビスフェノールＦ型エポキシ樹脂７０重量％、ＮＢＲ３０重量％からなる接着材（接着材層１６を構成する接着材に対応）を、厚さ２０μｍになるようにポリイミドからなる熱可塑性絶縁フィルムに塗工し、リード固定用テープ（固定用テープ９に対応）を得た。
【００９１】
（比較例１）
ビスマレイミド樹脂４５重量％、アミドイミド樹脂３０重量％、ＮＢＲ２５重量％、フェノール樹脂１０重量％からなる接着材（接着材層１１６を構成する接着材に対応）を、厚さ２０μｍになるようにポリイミドからなる熱可塑性絶縁フィルムに塗工し、リード固定用テープ（固定用テープ１０９に対応）を得た。
【００９２】
これら実施例１〜３および比較例１のリード固定用テープを（上記固定用テープ９，１０９として）用いて上記図６〜図１７に示される半導体装置１の製造工程と同様の工程を行い、半導体装置を製造した。
【００９３】
すなわち、実施例１〜３および比較例１のリード固定用テープを、それぞれリードフレーム２１のインナリード部１２に貼り付け固定し、リードフレーム２１のタブ７上に半導体チップ３を接合材１１により搭載し、ボンディングワイヤ６によってリードフレーム２１のインナリード部１２の先端部と半導体チップ３の電極３ａとを電気的に接続し、そして半導体チップ３およびボンディングワイヤ６を封止樹脂部２により封止してパッケージの外形を形成し、リードフレーム２１を切断し、外部に導出したアウタリード部１３を成形して、実施例１〜３および比較例１の４種類の半導体装置（半導体パッケージ）を作製した。実施例１〜３および比較例１の４種類の半導体装置は、固定用テープ９の接着材層１６の材料が異なること以外は、同様の構成（上記半導体装置１と同様の構成）を有している。
【００９４】
実施例１〜３および比較例１の半導体装置の作製の過程で、ベーク時の発生ガス分析をＧＣ−ＭＳ（Gas Chromatography Mass Spectrometer）にて実施した結果、実施例１〜３においては、メタノールの発生が認められなかったが、比較例１ではメタノールが検出された。
【００９５】
次に、銅マイグレーション発生試験を１５０℃／１００Ｖ条件下で１００ｈまで実施した。実施例１〜３の半導体装置では、試験後も全く銅デンドライトの成長を認めることはできなかったが、比較例１でははっきりと銅デンドライトの成長が確認された。すなわち、実施例１〜３の半導体装置では、銅のマイグレーションは生じていなかったが、比較例１の半導体装置では、銅のマイグレーションが発生していた。
【００９６】
このように、実施例１〜３に代表される本実施の形態の固定用テープ９は、加熱によるアウトガスの発生を抑制するとともに、環境劣化条件の厳しい１５０℃／１００Ｖ条件下でもリードフレーム（リード）に使用する銅のマグレーションを起こしにくい。実施例１〜３に代表される本実施の形態の固定用テープ９を用いて半導体装置を製造することで、高信頼性の半導体装置を提供することが可能となる。
【００９７】
（実施の形態２）
図２７は、本実施の形態の半導体装置１ａの断面図（側面断面図）であり、上記実施の形態１の図３に対応するものである。図２８は、半導体装置１ａの製造工程中の要部平面図であり、上記実施の形態１の図８に対応するものである。
【００９８】
上記実施の形態１では、リード４のインナリード部１２の先端部よりもやや外側に固定用テープ９を貼り付け、固定用テープ９よりも内側に位置するインナリード部１２の先端部にボンディングワイヤ６の一端を接続していた。それに対して、本実施の形態では、図２７および図２８に示されるように、インナリード部１２の先端部に固定用テープ９を貼り付け、固定用テープ９よりも外側に位置するインナリード部１２の部分にボンディングワイヤ６の一端を接続する。本実施の形態においても、固定用テープ９、特にその接着材層１６の材料には、上記実施の形態１で用いた固定用テープ９およびその接着材層１６と同様のものを用いる。また、半導体装置１ａの他の構成および製造方法は、上記実施の形態１の半導体装置１およびその製造方法と同様であるので、ここではその説明を省略する。
【００９９】
本実施の形態２のように、半導体装置１aの電極３aとインナリード部１２の上面１２aにボンディングワイヤ６が接続される位置の間に固定用テープ９を貼り付けることで、ボンディングワイヤ６が撓む（垂れる）のを抑制することができる。
【０１００】
（実施の形態３）
図２９は、本実施の形態の半導体装置１ｂの平面（上面）透視図であり、図３０は、その断面図（側面断面図）、図３１は、その要部平面図（平面透視図）、図３２は、その要部断面図（部分拡大断面図）である。図２９は、封止樹脂部２を透視したときの平面（上面）図に対応し、図３１は、封止樹脂部２を透視したときの要部平面図（部分拡大平面図）に対応する。また、図２９のＣ−Ｃ線の断面が、図３０にほぼ対応する。また、図３１のＤ−Ｄ線の断面が、図３２にほぼ対応する。
【０１０１】
上記実施の形態１では、リード４とは接続されていないタブ７上に半導体チップ３を搭載していた。それに対して、本実施の形態では、図２９〜図３２に示されるように、タブ７の代わりに、複数のリード４に接着したヒートスプレッダ４１上に半導体チップ３を搭載している。
【０１０２】
ヒートスプレッダ４１は、ヒートスプレッダ基材層４２とヒートスプレッダ基材層４２上の接着材層４３とからなる。ヒートスプレッダ基材層４２は、金属（例えば銅箔または銅板）などの熱伝導率の高い材料からなる。複数のリード４のインナリード部１２の先端部近傍に、ヒートスプレッダ４１が、接着材層４３側がインナリード部１２に接する（対向する）ように、接着（接合）されている。図２９〜図３２の場合は、インナリード部１２の下面に、ヒートスプレッダ４１（の接着材層４３）が接着されている。半導体装置１ｂの他の構成は、上記実施の形態１の半導体装置１とほぼ同様である。すなわち、ヒートスプレッダ４１上に接合材１１を介して搭載された半導体チップ３の複数の電極３ａと複数のインナリード部１２とが複数のボンディングワイヤ６を介して電気的に接合され、半導体チップ３、ボンディングワイヤ６、インナリード部１２およびヒートスプレッダ４１が封止樹脂部２により封止されている。
【０１０３】
また、ヒートスプレッダ基材層４２として熱伝導性に優れた金属のような導電体を用いることで、半導体チップ３の発熱をヒートスプレッダ４１およびリード４を介して、半導体装置１ｂを実装する実装基板（図示せず）に放熱することができる。すなわち、ヒートスプレッダ４１が半導体チップ３の搭載部（チップ搭載部）および放熱用部材として機能することができる。他の形態として、ヒートスプレッダ基材層４２に絶縁体（例えばテープ、絶縁フィルムまたは基板）を用いることもできる。ヒートスプレッダ基材層４２を絶縁層により形成した場合は、ヒートスプレッダ４１は放熱用部材としては機能しないが、半導体チップ３の搭載部（チップ搭載部）として機能することができる。
【０１０４】
本実施の形態においても、ヒートスプレッダ４１の接着材層４３の材料には、上記実施の形態１の固定用テープ９の接着材層１６と同様の材料を用いる。すなわち、ヒートスプレッダ４１の接着材層４３の接着材主成分として、フェノール樹脂ではなく、アミン硬化型エポキシ樹脂を用いる。従って、ヒートスプレッダ４１の接着材層４３は、熱硬化型の接着材であり、フェノール樹脂を実質的に含有しておらず、アミン硬化型エポキシ樹脂の含有量が７０重量％以上であればより好ましい。また、ヒートスプレッダ４１の接着材層４３は、アミン硬化型エポキシ樹脂に加えて、更にアクリロニトリルブタジエンゴム（ＮＢＲ）を含有していれば好ましい。ヒートスプレッダ４１の接着材層４３に用いるエポキシ樹脂や硬化剤の特に好適な材料やＮＢＲの含有量の好適な範囲などについては、上記実施の形態１の固定用テープ９の接着材層１６の場合と同様であるので、ここではその説明は省略する。
【０１０５】
次に、本実施の形態の半導体装置１ｂの製造工程について説明する。
【０１０６】
図３３〜図４０は、本実施の形態の半導体装置１ｂの製造工程を示す平面図（要部平面図）または断面図（要部断面図）である。図３３〜図４０のうち、図３３、図３５、図３７および図３９は平面図（要部平面図）であり、図３４、図３６、図３８および図４０は断面図（要部断面図）である。また、図３３と図３４とは同じ工程段階に対応し、図３５と図３６とは同じ工程段階に対応し、図３７と図３８とは同じ工程段階に対応し、図３９と図４０とは同じ工程段階に対応する。なお、図３４、図３６、図３８および図４０の断面図は、図２９のＣ−Ｃ線の断面、すなわち図３０と同じ断面が示されており、この図２９のＣ−Ｃ線の位置に対応する図３３、図３５、図３７および図３９の位置にもＣ−Ｃ線が示されている。また、図３３、図３５、図３７および図３９の平面図には、リードフレーム２１ａのうちの一つの半導体パッケージに対応する領域が示されている。
【０１０７】
半導体装置１ｂを製造するには、まず、図３３および図３４に示されるように、リードフレーム２１ａを準備する。リードフレーム２１ａは、タブ７および吊りリード８を設けていないこと以外は、上記実施の形態１のリードフレーム２１とほぼ同様の構成を有し、銅または銅合金などの銅を含有する導電体材料からなる。リードフレーム２１ａとしては、例えば金属板（銅板または銅合金板）をエッチング加工したエッチングフレームや打ち抜き加工（プレス加工）したスタンピングフレーム（プレスフレーム）などを用いることができる。
【０１０８】
次に、図３５および図３６に示されるように、リードフレーム２１ａのリード４のインナリード部１２の下面にヒートスプレッダ４１を接着する。ヒートスプレッダ４１の接着材層４３は、上記のようにアミン硬化型のエポキシ樹脂を含有する熱硬化型の接着材を用いる。例えば金属板などからなるヒートスプレッダ基材層４２の一方の主面上に、接着材層４３を形成（塗布、塗工）したものをヒートスプレッダ４１として用いることができる。
【０１０９】
リードフレーム２１ａのリード４のインナリード部１２の下面にヒートスプレッダ４１を接着する際には、接着材層４３側がリード４のインナリード部１２の下面に接する（対向する）ように、ヒートスプレッダ４１をリード４のインナリード部１２の下面に接着する。すなわち、接着材層４３を有するヒートスプレッダ４１を、リードフレーム２１ａの複数のリード４のインナリード部１２の下面に、接着材層４３を介して接着する。例えば、金属板（銅板または銅合金板）をエッチングまたは金型プレスにより所定の形状に加工してリードフレーム２１ａを製造した後、リードフレーム２１ａを所定の温度（例えば１５０〜２００℃程度）に加熱した状態で、ヒートスプレッダ４１をリード４のインナリード部１２の下面に所定の時間加圧（加圧着）することで、ヒートスプレッダ４１の接着材層４３にインナリード部１２の下面を接着し固定することができる。ヒートスプレッダ４１により複数のリード４のインナリード部１２が固定されるので、別途インナリード部１２の固定用テープ９を用いなくともよい。
【０１１０】
このように、ヒートスプレッダ４１が複数のリード４に接着されたリードフレーム２１ａを準備した後、上記実施の形態１とほぼ同様にして半導体装置が製造される（組立てられる）。
【０１１１】
すなわち、図３７および図３８に示されるように、ダイボンディング工程を行って、ヒートスプレッダ４１上に半導体チップ３を搭載する。このダイボンディング工程では、ヒートスプレッダ４１上に半導体チップ３を、銀（Ａｇ）ペーストなどからなる接合材１１を介して接着（接合）する。
【０１１２】
次に、ワイヤボンディング工程を行って、半導体チップ３の複数の電極３ａとリードフレーム２１ａの複数のリード４のインナリード部１２の上面１２ａとを複数のボンディングワイヤ６を介してそれぞれ電気的に接続する。
【０１１３】
次に、図３９および図４０に示されるように、モールド工程（例えばトランスファモールド工程）を行って、半導体チップ３およびボンディングワイヤ６を封止樹脂部２によって封止する。このモールド工程では、リードフレーム２１ａのリード４のインナリード部１２およびヒートスプレッダ４１も封止樹脂部２によって封止される。
【０１１４】
次に、リードフレーム２１ａを所定の位置で切断して個片に分割する。リードフレーム２１ａの切断後、封止樹脂部２から突出するリード４のアウタリード部１３を成形する。このようにして、個片に分割された半導体装置（半導体パッケージ）１ｂ、すなわち図２９〜図３２に示されるような半導体装置１ｂが得られる。また、封止樹脂部２の形成後、リードフレーム２１ａの切断前または切断後にめっき処理を行って、半導体装置１ｂのアウタリード部１３にめっき層（例えば半田めっき層）を形成することもできる。
【０１１５】
その後、半導体装置１ｂに対するマーキング工程や選別工程を行い、選別工程で良品として選別された半導体装置１ｂが、製品（半導体パッケージ）として出荷される。
【０１１６】
本実施の形態では、複数のリード４のインナリード部１２にヒートスプレッダ４１がその接着材層４３によって接着されている。このため、本実施の形態とは異なり、接着材層４３の材料にフェノール樹脂を用いた場合、上記実施の形態１で説明したように、インナリード部１２の銅のマイグレーションが発生し、インナリード部１２中の銅が接着材層４３を拡散して、半導体装置の信頼性を低下させてしまう可能性がある。例えば、図３２に点線で模式的に示される経路４５で銅のマイグレーション（接着材層４３中の銅の拡散）が発生して、半導体装置１ｂのリード４の絶縁破壊耐性を低下させる可能性がある。
【０１１７】
本実施の形態では、ヒートスプレッダ４１の接着材層４３の材料に、上記実施の形態１の固定用テープ９の接着材層１６と同様の材料を用いることで、インナリード部１２の銅のマイグレーション（接着材層４３中への拡散）を抑制または防止できる。環境劣化条件の厳しい１５０℃／１００Ｖ条件下での劣化試験を行っても、銅マイグレーションが抑制され、インナリード部１２中の銅がヒートスプレッダ４１の接着材層４３中を拡散するのを防止することができる。リード４の銅のマイグレーションを抑制または防止でき、耐マイグレーション性を向上させることができるので、半導体装置１ｂのリード４の絶縁破壊耐性を向上でき、半導体装置１ｂの隣り合うリード４間の絶縁不良をより的確に防止することができる。また、加熱によるヒートスプレッダ４１（の接着材層４３）からの多量のアウトガスの発生も抑制または防止することができる。従って、半導体装置の信頼性を向上でき、また、半導体装置の製造歩留まりを向上することができる。
【０１１８】
（実施の形態４）
図４１は、本実施の形態の半導体装置１ｃの平面（上面）透視図であり、図４２は、その断面図（側面断面図）であり、図４３は、その要部平面図（平面透視図）であり、図４４は、その要部断面図（部分拡大断面図）である。図４１は、封止樹脂部２を透視したときの平面（上面）図に対応し、図４３は、封止樹脂部２を透視したときの要部平面図（部分拡大平面図）に対応する。また、図４１のＥ−Ｅ線の断面が図４２にほぼ対応し、図４３のＦ−Ｆ線の断面が図４４にほぼ対応する。
【０１１９】
本実施の形態は、ＱＦＮ（Quad Flat Non leaded package）形態の半導体装置１ｃである。
【０１２０】
図４１〜図４４に示される半導体装置１ｃでは、リード４ａ（上記実施の形態１〜３のリード４に対応）は、封止樹脂部２に埋め込まれたインナリードと、封止樹脂部２の裏面２ｂに露出するアウタリードとの両者の機能を兼ねている。すなわち、封止樹脂部２によって封止され、リード４ａのボンディング部として機能し得るリード４ａの上面４ｂに、ボンディングワイヤ６の一端が接続（接合）され、封止樹脂部２の裏面２ｂに、半導体装置１ｃの外部接続用端子部（外部端子）として機能し得るリード４ａの下面の露出部である下部露出面４ｃが露出している。リード４ａの下部露出面４ｃは、略長方形状または略正方形状を有している。リード４ａの外端部として、リード４ａの切断面が封止樹脂部２の側面で露出している。隣り合うリード４ａ間は封止樹脂部２を構成する材料により満たされており、互いに接触しないようになっている。また、封止樹脂部２の裏面２ｂで露出するリード４ａの下部露出面４ｃ上にはめっき層が形成されているが、理解を簡単にするために、めっき層の図示を省略している。リード４ａの材質などは、上記実施の形態１〜３のリード４と同様である。
【０１２１】
本実施の形態においても、上記実施の形態３と同様に、複数のリード４ａに接着したヒートスプレッダ４１上に半導体チップ３を搭載している。ヒートスプレッダ４１は、ヒートスプレッダ基材層４２とヒートスプレッダ基材層４２上の接着材層４３とからなる。ヒートスプレッダ基材層４２および接着材層４３の材料については、上記実施の形態３と同様であるので、ここではその説明は省略する。
【０１２２】
複数のリード４ａの先端部（内端部）近傍に、ヒートスプレッダ４１が、接着材層４３側がインナリード部１２に接する（対向する）ように、接着（接合）されている。図４１〜図４４の場合は、リード４ａの先端部の上面に、ヒートスプレッダ４１（の接着材層４３）が接着されている。半導体装置１ｃの他の構成は、上記実施の形態３の半導体装置１ｂとほぼ同様である。すなわち、ヒートスプレッダ４１上に接合材１１を介して搭載された半導体チップ３の複数の電極３ａと複数のリード４ａの上面とが複数のボンディングワイヤ６を介して電気的に接合され、半導体チップ３、ボンディングワイヤ６、リード４ａおよびヒートスプレッダ４１が封止樹脂部２により封止されている。
【０１２３】
本実施の形態の半導体装置１ｃは、上記実施の形態３の半導体装置１ｂとほぼ同様にして製造することができる。図４５〜図４９は、本実施の形態の半導体装置１ｃの製造工程を示す断面図（要部断面図）である。なお、図４５〜図４９の断面図には、図４２にほぼ対応する領域の断面が示されている。
【０１２４】
半導体装置１ｃを製造するには、まず、図４５に示されるように、リードフレーム２１ｂを準備する。リードフレーム２１ｂは、リード４ａの形状以外は上記実施の形態３のリードフレーム２１ａとほぼ同様の構成を有し、例えば銅または銅合金などの銅を含有する導電体材料からなる。リードフレーム２１ｂとしては、例えば金属板（銅板または銅合金板）をエッチング加工したエッチングフレームや打ち抜き加工（プレス加工）したスタンピングフレーム（プレスフレーム）などを用いることができる。
【０１２５】
次に、図４６に示されるように、リードフレーム２１ｂのリード４ａの先端部の上面にヒートスプレッダ４１を接着する。
【０１２６】
リードフレーム２１ｂのリード４ａの先端部の上面にヒートスプレッダ４１を接着する際には、接着材層４３側がリード４ａの上面４ｂに接する（対向する）ように、ヒートスプレッダ４１をリード４ａの先端部の上面に接着する。すなわち、接着材層４３を有するヒートスプレッダ４１を、リードフレーム２１ｂの複数のリード４ａの先端部の上面に、接着材層４３を介して接着する。例えば、金属板（銅板または銅合金板）をエッチングまたは金型プレスにより所定の形状に加工してリードフレーム２１ｂを製造した後、リードフレーム２１ｂを所定の温度（例えば１５０〜２００℃程度）に加熱した状態で、ヒートスプレッダ４１をリード４ａの先端部の上面に所定の時間加圧（加圧着）することで、ヒートスプレッダ４１の接着材層４３にリード４ａの先端部の上面を接着し固定することができる。ヒートスプレッダ４１により複数のリード４ａの先端部が固定されるので、別途リード用の固定用テープ９を用いなくともよい。
【０１２７】
このように、ヒートスプレッダ４１が複数のリード４ａに接着されたリードフレーム２１ｂを準備した後、上記実施の形態３とほぼ同様にして半導体装置が製造される（組立てられる）。
【０１２８】
すなわち、図４７に示されるように、ダイボンディング工程を行って、ヒートスプレッダ４１上に半導体チップ３を搭載する。このダイボンディング工程では、ヒートスプレッダ４１上に半導体チップ３を、銀（Ａｇ）ペーストなどからなる接合材１１を介して接着（接合）する。
【０１２９】
次に、図４８に示されるように、ワイヤボンディング工程を行って、半導体チップ３の複数の電極３ａとリードフレーム２１ｂの複数のリード４ａの上面とを複数のボンディングワイヤ６を介してそれぞれ電気的に接続する。
【０１３０】
次に、図４９に示されるように、モールド工程（例えばトランスファモールド工程）を行って、半導体チップ３およびボンディングワイヤ６を封止樹脂部２によって封止する。このモールド工程では、リードフレーム２１ｂのリード４ａおよびヒートスプレッダ４１も封止樹脂部２によって封止される。
【０１３１】
次に、リードフレーム２１ｂを所定の位置で切断して個片に分割する。この際、リードフレーム２１ｂのうち、封止樹脂部２の側面から露出する部分は封止樹脂部２から除去されるので、封止樹脂部２の側面からリード４ａは突出しない。このようにして、個片に分割された半導体装置（半導体パッケージ）１ｃ、すなわちＱＦＮパッケージ形態の半導体装置１ｃが得られる。また、封止樹脂部２の形成後、リードフレーム２１ｂの切断前または切断後にめっき処理を行って、封止樹脂部２裏面２ｂで露出するリード４ａの下部露出面４ｃにめっき層（例えば半田めっき層）を形成することもできる。
【０１３２】
その後、半導体装置１ｃに対するマーキング工程や選別工程を行い、選別工程で良品として選別された半導体装置１ｃが、製品（半導体パッケージ）として出荷される。
【０１３３】
本実施の形態においても、上記実施の形態１〜３とほぼ同様の効果を得ることができる。
【０１３４】
すなわち、本実施の形態では、複数のリード４ａの先端部にヒートスプレッダ４１がその接着材層４３によって接着されている。このため、本実施の形態とは異なり、接着材層４３の材料にフェノール樹脂を用いた場合、上記実施の形態１で説明したように、リード４ａの銅のマイグレーションが発生し、リード４ａ中の銅が接着材層４３を拡散して、半導体装置の信頼性を低下させてしまう可能性がある。例えば、図４４に矢印で模式的に示される経路４５ａで銅のマイグレーション（接着材層４３中の銅の拡散）が発生して、半導体装置１ｃのリード４ａの絶縁破壊耐性を低下させる可能性がある。
【０１３５】
本実施の形態では、ヒートスプレッダ４１の接着材層４３の材料に、上記実施の形態１の固定用テープ９の接着材層１６と同様の材料を用いることで、リード４ａの銅のマイグレーション（接着材層４３中への拡散）を抑制または防止できる。環境劣化条件の厳しい１５０℃／１００Ｖ条件下での劣化試験を行っても、銅マイグレーションが抑制され、リード４ａ中の銅がヒートスプレッダ４１の接着材層４３中を拡散するのを防止することができる。リード４ａの銅のマイグレーションを抑制または防止でき、耐マイグレーション性を向上させることができるので、半導体装置１ｃのリード４ａの絶縁破壊耐性を向上でき、半導体装置１ｃの隣り合うリード４ａ間の絶縁不良をより的確に防止することができる。また、加熱によるヒートスプレッダ４１（の接着材層４３）からの多量のアウトガスの発生も抑制または防止することができる。従って、半導体装置の信頼性を向上でき、また、半導体装置の製造歩留まりを向上することができる。
【０１３６】
（実施の形態５）
図５０は、本実施の形態の半導体装置１ｄの平面（上面）透視図であり、図５１は、その断面図（側面断面図）であり、図５２は、その要部断面図（部分拡大断面図）である。図５０は、封止樹脂部２を透視したときの平面（上面）図に対応する。また、図５０のＧ−Ｇ線の断面が図５１にほぼ対応し、図５０のＨ−Ｈ線の断面が図５２にほぼ対応する。
【０１３７】
本実施の形態は、配線基板を用いて製造した半導体パッケージであり、例えばＢＧＡ（Ball Grid Array）またはＣＳＰ（Chip Size Package）形態の半導体装置１ｄである。
【０１３８】
図５０〜図５２に示される本実施の形態の半導体装置１ｄは、半導体チップ３と、半導体チップ３を支持または搭載する配線基板（テープ基板）５１と、半導体チップ３の表面の複数の電極３ａとこれに対応する配線基板５１の複数の接続端子部５２ａとを電気的に接続する複数のボンディングワイヤ６と、半導体チップ３およびボンディングワイヤ６を含む配線基板５１の上面５１ａを覆う封止樹脂部（封止部、封止体）５３と、配線基板５１の下面５１ｂに外部端子として例えばエリアアレイ配置で設けられた複数の半田ボール（ボール電極、突起電極、電極、外部端子）５４とを有している。
【０１３９】
半導体チップ３は、その表面（半導体素子形成側の主面）が上方を向くように配線基板５１の上面（チップ支持面）５１ａ上に配置され、半導体チップ３の裏面（半導体素子形成側の面とは逆側の主面）が配線基板５１の上面５１ａに接着材（ダイボンド材、接合材）５５を介して接着され固定されている。接着材５５は、例えば、絶縁性の接着材であるが、導電性のペースト材（例えば銀ペースト）などを用いてもよい。
【０１４０】
配線基板５１は、絶縁性の基材層（ベースフィルム、絶縁基板、コア材）６１と、基材層６１の上面６１ａ上に接着材層６２を介して形成（接着）された導体層（導体パターン、導体膜パターン、配線層、銅層）６３と、基材層６１の下面６１ｂ上に接着材層６４を介して形成（接着）された導体層（導体パターン、導体膜パターン、配線層、銅層）６５とを有している。更に、配線基板５１の上面５１ａおよび下面５１ｂに、導体層６３，６５の一部を覆い他の一部を露出するように、ソルダレジスト層（図示せず）を形成することもできる。他の形態として、配線基板５１を、複数の絶縁層と複数の配線層とを積層した多層配線基板により形成することもできる。
【０１４１】
配線基板５１の基材層６１は、絶縁体材料からなり、例えばポリイミド（ポリイミドフィルム）などにより形成することができる。導体層６３，６５はパターン化されており、配線基板５１の端子または配線（配線層）となる導体パターンである。導体層６３，６５は、銅または銅合金のような銅を含有する導電性材料からなり、例えば銅箔などの銅薄膜（または銅合金薄膜）により形成することができる。配線基板５１の上面５１ａ側の導体層６３により、ボンディングワイヤ６を接続するための接続端子部（電極、ボンディングパッド、パッド電極）５２ａおよびそれに接続した配線（配線部、引き出し配線、引き回し配線）５２ｂが複数形成されている。また、配線基板５１の下面５１ｂ側の導体層６５により、半田ボール５４を接続するための導電性ランド部（電極、パッド、端子）が複数形成されている。また、基材層６１には複数の開口部（スルーホール、ビア、貫通孔）６６が形成されており、各開口部６６の側壁上にも導体層６７が形成されている。配線基板５１の下面５１ｂ側の導体層６５からなる複数の導電性ランド部に複数の半田ボール５４が接合（半田接続）され、電気的に接続されている。このため、配線基板５１の下面５１ｂに複数の半田ボール５４が例えばアレイ状に配置されており、これら半田ボール５４が、半導体装置１ｄの外部端子（外部接続端子）として機能することができる。
【０１４２】
半導体チップ３の複数の電極３ａと、配線基板５１の上面５１ａの導体層６３により形成される複数の接続端子部５２ａとが、複数のボンディングワイヤ６を介して電気的に接続されている。配線基板５１の上面５１ａの導体層６３の接続端子部５２ａ（ボンディングワイヤ６と接続する部分）は、配線基板５１の上面５１ａの導体層６３からなる配線５２ｂ、開口部６６の側壁上の導体層６７、および配線基板５１の下面５１ｂの導体層６５を介して、配線基板５１の下面５１ｂの導体層６５からなる導電性ランド部およびそこに接合された半田ボール５４に電気的に接続されている。従って、半導体チップ３の複数の電極３ａは、複数のボンディングワイヤ６を介して配線基板５１の導体層６３に電気的に接続され、更に配線基板５１の導体層６３，６５，６７を介して複数の半田ボール５４に電気的に接続されている。
【０１４３】
封止樹脂部５３は、例えば熱硬化性樹脂材料などの樹脂材料などからなり、フィラーなどを含むこともできる。例えば、フィラーを含むエポキシ樹脂などを用いて封止樹脂部５３を形成することができる。封止樹脂部５３により、半導体チップ３およびボンディングワイヤ６が封止され、保護される。
【０１４４】
本実施の形態においても、配線基板５１の導体層６３，６５を絶縁性の基材層６１に接着する接着材層６２の材料には、上記実施の形態１の固定用テープ９の接着材層１６と同様の材料を用いる。すなわち、配線基板５１の接着材層６２の接着材主成分として、フェノール樹脂ではなく、アミン硬化型エポキシ樹脂を用いる。従って、配線基板５１の接着材層６２は、熱硬化型の接着材であり、フェノール樹脂を実質的に含有しておらず、アミン硬化型エポキシ樹脂の含有量が７０重量％以上であればより好ましい。また、配線基板５１の接着材層６２は、アミン硬化型エポキシ樹脂に加えて、更にアクリロニトリルブタジエンゴム（ＮＢＲ）を含有していれば好ましい。配線基板５１の接着材層６２に用いるエポキシ樹脂や硬化剤の特に好適な材料やＮＢＲの含有量の好適な範囲などについては、上記実施の形態１の固定用テープ９の接着材層１６の場合と同様であるので、ここではその説明は省略する。
【０１４５】
次に、本実施の形態の半導体装置１ｄの製造工程について説明する。図５３〜図５９は、本実施の形態の半導体装置１ｄの製造工程を示す平面図（要部平面図）または断面図（要部断面図）である。図５３〜図５９のうち、図５５は平面図（要部平面図）であり、図５３、図５４、図５６〜図５９は断面図（要部断面図）である。また、図５４の断面図と図５５の平面図とは同じ工程段階に対応する。なお、図５３、図５４、図５６〜図５９の断面図には、図５１にほぼ対応する領域の断面が示されている。
【０１４６】
半導体装置１ｄを製造するには、まず、配線基板５１を準備する。配線基板５１は、例えば次にようにして製造することができる。
【０１４７】
まず、図５３に示されるように、絶縁性の基材層６１の両面に接着材層６２，６４を形成（塗布、塗工）し、接着材層６２，６４を介して基材層６１の両面に銅箔などの銅を含有する導電性金属材料層（導電体層）７１，７２を貼り付ける（接着する）。それから、図５４および図５５に示されるように、基材層６１の両面の導電性金属材料層７１，７２をエッチングなどによりパターニングする。基材層６１の上面側のパターニングされた導電性金属材料層７１により配線基板５１の上面側の導体層６３（接続端子部５２ａおよび配線５２ｂ）が形成され、基材層６１の下面側のパターニングされた導電性金属材料層７２により配線基板５１の下面側の導体層６５（導電性ランド部）が形成される。そして、図５６に示されるように、基材層６１に開口部６６を形成し、基材層６１の開口部６６の側壁上にめっき法などにより導体層（金属層、めっき層）６７を形成する。このようにして、配線基板５１を製造することができる。配線基板５１が多層配線基板の場合は、例えばビルドアップ法によって製造することができる。
【０１４８】
上記のようにして準備された配線基板５１の上面５１ａに、図５７に示されるように、ダイボンディング工程を行って、半導体チップ３を搭載する。このダイボンディング工程では、配線基板５１の上面５１ａに接着材５５を介して半導体チップ３を接合（接着）する。接着材５５は、例えば絶縁性の接着材であるが、銀ペーストなどの導電性の接着材を用いることもできる。例えば、配線基板５１の上面５１ａのほぼ中央部に接着材５５を塗布してチップ固定用の接着層を形成し、接着材５５上に半導体チップ３を載置し、加熱などを行って、配線基板５１の上面５１ａと半導体チップ３の裏面とを接着材５５を介して接合することができる。
【０１４９】
次に、図５８に示されるように、ワイヤボンディング工程を行って、半導体チップ３の各電極３ａと、これに対応する配線基板３の上面５１ａの導体層６３によって形成された接続端子部５２ａとをボンディングワイヤ６を介して電気的に接続する。
【０１５０】
次に、図５９に示されるように、モールド工程を行って、配線基板５１の上面５１ａ上に、半導体チップ３およびボンディングワイヤ６を覆うように、封止樹脂部５３を形成する。
【０１５１】
次に、配線基板５１の下面５１ｂの導体層６５により形成された導電性ランド部上に半田ボール５４を配置し、半田リフローを行って半田ボール５４を導電性ランド部に接合して電気的に接続する。
【０１５２】
配線基板５１として、複数の単位配線基板部分（そこから一つの半導体装置１ｄが製造される部分）が繋がって形成された多数個取りの配線基板を用いた場合は、配線基板５１、あるいは配線基板５１および封止樹脂部５３を切断して個々の（個片化された）半導体装置１ｄに切断分離する。このようにして、本実施の形態の半導体装置１ｄが製造される。
【０１５３】
その後、半導体装置１ｄに対するマーキング工程や選別工程を行い、選別工程で良品として選別された半導体装置１ｄが、製品（半導体パッケージ）として出荷される。
【０１５４】
本実施の形態においても、上記実施の形態１〜４とほぼ同様の効果を得ることができる。
【０１５５】
すなわち、本実施の形態では、配線基板５１において、接着材層６２によって導体層６３，６５を絶縁性の基材層６１に接着している。配線基板５１において導体層６３，６５を基材層６１に接着する接着材層６２の材料として、本実施の形態とは異なり、フェノール樹脂を用いた場合、上記実施の形態１で説明したことからも明らかなように、銅を含有する導電体材料からなる導体層６３，６５の銅のマイグレーションが発生し、導体層６３，６５中の銅が接着材層６２中を拡散して、半導体装置の信頼性を低下させてしまう可能性がある。特に、配線基板５１の上面５１ａにおける互いに近接して隣り合う接続端子部５２ａ間または配線５２ｂ間で、図５２に矢印で模式的に示される経路４５ｂで銅のマイグレーション（接着材層６２中の銅の拡散）が発生して、半導体装置１ｄの配線基板５１の接続端子部５２ａ間または配線５２ｂ間の絶縁破壊耐性を低下させる可能性がある。
【０１５６】
本実施の形態では、配線基板５１において、銅を含有する導電体材料からなる導体層（６３，６５）を絶縁性の基材層６１に接着する接着材層６２の材料として、上記実施の形態１の固定用テープ９の接着材層１６と同様の材料を用いることで、配線基板５１の導体層（６３，６５）の銅のマイグレーション（接着材層６２中への拡散）を抑制または防止できる。環境劣化条件の厳しい１５０℃／１００Ｖ条件下での劣化試験を行っても、銅マイグレーションが抑制され、配線基板５１の導体層（６３，６５）中の銅がその導体層を配線基板の基材層６１に接着するための接着材層６２中を拡散するのを防止することができる。配線基板５１の導体層（６３，６５）の銅のマイグレーションを抑制または防止でき、耐マイグレーション性を向上させることができるので、半導体装置１ｄの配線基板５１の接続端子部５２ａ間や配線５２ｂ間の絶縁破壊耐性を向上でき、半導体装置１ｄの配線基板５１の隣り合う接続端子部５２ａ間や配線５２ｂ間などの絶縁不良をより的確に防止することができる。また、加熱による配線基板５１（の接着材層６２，６４）からの多量のアウトガスの発生も抑制または防止することができる。従って、半導体装置の信頼性を向上でき、また、半導体装置の製造歩留まりを向上することができる。
【０１５７】
（実施の形態６）
図６０は、本実施の形態の半導体装置１ｅの平面透視図であり、図６１は、その断面図（側面断面図）であり、図６２は、その要部断面図（部分拡大断面図）である。図６０は、封止樹脂部８６を透視したときの平面図に対応する。また、図６０のＪ−Ｊ線の断面が図６１にほぼ対応し、図６０のＫ−Ｋ線の断面が図６２にほぼ対応する。
【０１５８】
本実施の形態は、配線パターンが形成された絶縁フィルムからなるテープキャリア（フィルムキャリア）に半導体チップを実装したＴＣＰ（Tape Carrier Package）形態の半導体装置に本発明を適用したものである。ＴＣＰは、例えば液晶表示装置のＬＣＤパネルなどに実装されて使用される。
【０１５９】
図６０〜図６２に示される本実施の形態の半導体装置（ＴＣＰ）１ｅは、ＴＣＰまたはＴＣＰ形態の半導体装置であり、半導体チップ８０をテープキャリア（フィルムキャリア、フレキシブル配線基板、配線基板）８１上に実装（搭載）した構造を有している。
【０１６０】
テープキャリア８１は、例えばポリイミドなどからなる絶縁性のベースフィルム（絶縁フィルム、絶縁性の基材層）８２と、ベースフィルム８２の表面上に、接着材層８３を介して形成（接着）された複数の配線（配線パターン）８４とを有している。この複数の配線８４は、ベースフィルム８２（絶縁性の基材層）に接着材層８３を介して接着された導体層（のパターン）からなる。
【０１６１】
ベースフィルム８２は、可撓性で軟らかく、折り曲げが可能である。ベースフィルム８２の両サイドには、テープキャリア８１を送るために使用されるスプロケットホール（図示せず）を形成することもできる。配線８４の保護や絶縁のために、テープキャリアの８１の表面上に、配線８４を覆うようにソルダレジスト層（図示せず）を形成することもできる。また、ベースフィルム８２には、半導体チップ８０を搭載するための領域にデバイスホール８５が形成されている。各配線８４の一方の端部であるインナリード部８４ａは、デバイスホール８５で空中に飛び出した状態で露出され、そこに半導体チップ８０のバンプ電極８０ａが電気的に接続されている。配線８４のインナリード部８４ａと半導体チップ８０のバンプ電極８０ａとの接続部などが封止樹脂部８６で覆われて保護されている。配線８４の入力側のアウタリード部（外部接続用端子、インナリード部８４ａとは逆側の端部）８７ａおよび出力側のアウタリード部（外部接続用端子、インナリード部８４ａとは逆側の端部）８７ｂは、ベースフィルム８２に裏打ちされた状態で（ソルダレジスト層から）露出され、外部回路（例えばＬＣＤパネル）などに接続するために使用される。
【０１６２】
本実施の形態においても、テープキャリア８１の配線８４を絶縁性のベースフィルム８２に接着する接着材層８３の材料には、上記実施の形態１の固定用テープ９の接着材層１６と同様の材料を用いる。すなわち、テープキャリア８１の接着材層８３の接着材主成分として、フェノール樹脂ではなく、アミン硬化型エポキシ樹脂を用いる。従って、テープキャリア８１の接着材層８３は、熱硬化型の接着材であり、フェノール樹脂を実質的に含有しておらず、アミン硬化型エポキシ樹脂の含有量が７０重量％以上であればより好ましい。また、テープキャリア８１の接着材層８３は、アミン硬化型エポキシ樹脂に加えて、更にアクリロニトリルブタジエンゴム（ＮＢＲ）を含有していれば好ましい。テープキャリア８１の接着材層８３に用いるエポキシ樹脂や硬化剤の特に好適な材料やＮＢＲの含有量の好適な範囲などについては、上記実施の形態１の固定用テープ９の接着材層１６の場合と同様であるので、ここではその説明は省略する。
【０１６３】
次に、本実施の形態の半導体装置１ｅの製造工程について説明する。図６３〜図６７は、本実施の形態の半導体装置１ｅの製造工程を示す平面図（要部平面図）または断面図（要部断面図）である。図６３〜図６７のうち、図６５は平面図（要部平面図）であり、図６３、図６４、図６６および図６７は断面図（要部断面図）である。また、図６４の断面図と図６５の平面図とは同じ工程段階に対応する。なお、図６３、図６４、図６６および図６７の断面図には、図６１にほぼ対応する領域の断面が示されている。
【０１６４】
半導体装置１ｅを製造するには、まず、テープキャリア（フィルムキャリア、フレキシブル配線基板）８１を準備する。テープキャリア８１は、例えば次にようにして製造することができる。
【０１６５】
まず、図６３に示されるように、種々の孔（デバイスホール８５を含む）が打ち抜きなどにより必要に応じて形成されたベースフィルム８２の一方の主面上に、接着材層８３を形成（塗布、塗工）し、接着材層８３を介してベースフィルム８２に銅箔などの銅を含有する導電性金属材料層（導電体層）９１を貼り付ける（接着する）。それから、図６４および図６５に示されるように、導電性金属材料層９１をエッチングなどによりパターニングする。パターニングされた導電性金属材料層９１により、テープキャリア８１の配線８４（インナリード部８４ａおよびアウタリード部８７ａ，８７ｂを含む）が形成される。その後、必要に応じて配線８４の表面にめっき層を形成してから、ベースフィルム８２の表面に配線８４を部分的に覆い、インナリード部８４ａおよびアウタリード８７ａ，８７ｂが露出するようにソルダレジスト層（図示せず）を形成する。このようにして、テープキャリア８１を形成することができる。
【０１６６】
なお、ベースフィルム８２の半導体チップを搭載するための領域にデバイスホール８５を形成せずに、インナリード部８４ａがベースフィルム８２により裏打ちされた形態（インナリード部８４ａが接着材層８３を介してベースフィルム８２上に形成された状態）とすることもできる。従って、本実施の形態でＴＣＰまたはＴＣＰ形態の半導体装置というときは、ベースフィルム８２にデバイスホールが形成されていないＣＯＦ（Chip On Film）またはＣＯＦ形態の半導体装置を含むものとする。
【０１６７】
次に、図６６に示されるように、テープキャリア８１の所定の位置（デバイスホール８５のインナリード部８４ａ）に半導体チップ８０を搭載（インナリードボンディング）する。半導体チップ８０は、上記半導体チップ３と同様、例えば、単結晶シリコンなどからなる半導体基板（半導体ウエハ）に種々の半導体素子または半導体集積回路を形成した後、必要に応じて半導体基板の裏面研削を行ってから、ダイシングなどにより半導体基板を各半導体チップ８０に分離したものである。テープキャリア８１に半導体チップ８０をボンディングする際には、配線８４のインナリード部８４ａに、半導体チップ８０のバンプ電極（金（Ａｕ）バンプ）８０ａが、例えば熱圧着や超音波ボンディングなどにより接合され、電気的に接続される。
【０１６８】
次に、図６７に示されるように、ポッティング法などを用いて半導体チップ８０上に封止樹脂（封止レジン、樹脂材料）をコーティングし、加熱して硬化（キュア）させ、封止樹脂部８６を形成する。これにより、インナリード８４ａと半導体チップ８０のバンプ電極８０ａの接続部などが封止樹脂部８６で覆われて保護される。封止樹脂部８６により、テープキャリア８１と半導体チップ８０の接続が強固になり、インナリード部８４ａと半導体チップ８０のバンプ電極８０ａとの電気的接続の信頼性が向上する。その後、必要に応じてマーキングや検査工程などが行われた後、テープキャリア８１を所定の位置で切断して、各個片の半導体装置１ｅ（ＴＣＰ形態の半導体装置）に分割（分離）する。このようにして、本実施の形態の半導体装置１ｅが製造される。
【０１６９】
本実施の形態においても、上記実施の形態１〜５とほぼ同様の効果を得ることができる。
【０１７０】
すなわち、本実施の形態では、テープキャリア８１において、接着材層８３によって配線８４を絶縁性のベースフィルム８２に接着している。テープキャリア８１において、配線８４をベースフィルム８２接着する接着材層８３の材料として、本実施の形態とは異なり、フェノール樹脂を用いた場合、上記実施の形態１で説明したことからも明らかなように、銅を含有する導電体材料からなる配線８４の銅のマイグレーションが発生し、配線８４中の銅が接着材層８３中を拡散して、半導体装置の信頼性を低下させてしまう可能性がある。特に、テープキャリア８１の表面における互いに近接して隣り合う配線８４間で、図６２に矢印で模式的に示される経路４５ｃで銅のマイグレーション（接着材層８３中の銅の拡散）が発生して、半導体装置１ｅのテープキャリア８１の配線８４間の絶縁破壊耐性を低下させる可能性がある。
【０１７１】
本実施の形態では、テープキャリア８１において、銅を含有する導電体材料からなる配線を絶縁性のベースフィルム８２に接着する接着材層８３の材料として、上記実施の形態１の固定用テープ９の接着材層１６と同様の材料を用いることで、テープキャリア８１の配線８４の銅のマイグレーション（接着材層８３中への拡散）を抑制または防止できる。環境劣化条件の厳しい１５０℃／１００Ｖ条件下での劣化試験を行っても、銅マイグレーションが抑制され、テープキャリア８１の配線８４中の銅がその配線８４をテープキャリア８１のベースフィルム８２に接着するための接着材層８３中を拡散するのを防止することができる。テープキャリア８１の配線８４の銅のマイグレーションを抑制または防止でき、耐マイグレーション性を向上させることができるので、半導体装置１ｅのテープキャリア８１の配線８４間の絶縁破壊耐性を向上でき、半導体装置１ｅのテープキャリア８１の隣り合う配線８４間などの絶縁不良をより的確に防止することができる。また、加熱によるテープキャリア８１（の接着材層８３）からの多量のアウトガスの発生も抑制または防止することができる。従って、半導体装置の信頼性を向上でき、また、半導体装置の製造歩留まりを向上することができる。
【０１７２】
以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【産業上の利用可能性】
【０１７３】
本発明は、半導体パッケージ形態の半導体装置およびその製造技術に適用して好適なものである。
【図面の簡単な説明】
【０１７４】
【図１】本発明の実施の形態１の半導体装置の平面図である。
【図２】本発明の実施の形態１の半導体装置の平面透視図である。
【図３】本発明の実施の形態１の半導体装置の断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１の半導体装置の要部平面図である。
【図５】本発明の実施の形態１の半導体装置の要部断面図である。
【図６】本発明の実施の形態１の半導体装置の製造工程中の平面図である。
【図７】図６と同じ半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図８】図６に続く半導体装置の製造工程中の平面図である。
【図９】図８と同じ半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図１０】図８に続く半導体装置の製造工程中の平面図である。
【図１１】図１０と同じ半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図１２】図１０に続く半導体装置の製造工程中の平面図である。
【図１３】図１２と同じ半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図１４】図１２に続く半導体装置の製造工程中の平面図である。
【図１５】図１４と同じ半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図１６】図１４に続く半導体装置の製造工程中の平面図である。
【図１７】図１６と同じ半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図１８】比較例の固定用テープを用いて半導体装置を製造した場合の半導体装置の要部断面図である。
【図１９】本発明の実施の形態１の固定用テープの接着材層の状態を模式的に示す説明図である。
【図２０】本発明の実施の形態１の固定用テープの接着材層の状態を模式的に示す説明図である。
【図２１】各種物質の溶解度パラメータを示す説明図である。
【図２２】比較例の固定用テープの接着材層の状態を模式的に示す説明図である。
【図２３】比較例の固定用テープの接着材層の状態を模式的に示す説明図である。
【図２４】ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂の構造を示す説明図である。
【図２５】フェノール樹脂の一例の構造を示す説明図である。
【図２６】フェノール樹脂の他の一例の構造を示す説明図である。
【図２７】本発明の実施の形態２の半導体装置の断面図である。
【図２８】図２７の半導体装置の製造工程中の平面図である。
【図２９】本発明の実施の形態３の半導体装置の平面透視図である。
【図３０】本発明の実施の形態３の半導体装置の断面図である。
【図３１】本発明の実施の形態３の半導体装置の要部平面図である。
【図３２】本発明の実施の形態３の半導体装置の要部断面図である。
【図３３】本発明の実施の形態３の半導体装置の製造工程中の平面図である。
【図３４】図３３と同じ半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図３５】図３３に続く半導体装置の製造工程中の平面図である。
【図３６】図３５と同じ半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図３７】図３５に続く半導体装置の製造工程中の平面図である。
【図３８】図３７と同じ半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図３９】図３７に続く半導体装置の製造工程中の平面図である。
【図４０】図３９と同じ半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図４１】本発明の実施の形態４の半導体装置の平面透視図である。
【図４２】本発明の実施の形態４の半導体装置の断面図である。
【図４３】本発明の実施の形態４の半導体装置の要部平面図である。
【図４４】本発明の実施の形態４の半導体装置の要部断面図である。
【図４５】本発明の実施の形態４の半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図４６】図４５に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図４７】図４６に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図４８】図４７に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図４９】図４８に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図５０】本発明の実施の形態５の半導体装置の平面透視図である。
【図５１】本発明の実施の形態５の半導体装置の断面図である。
【図５２】本発明の実施の形態５の半導体装置の要部断面図である。
【図５３】本発明の実施の形態５の半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図５４】図５３に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図５５】図５４と同じ半導体装置の製造工程中の平面図である。
【図５６】図５４に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図５７】図５６に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図５８】図５７に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図５９】図５８に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図６０】本発明の実施の形態６の半導体装置の平面透視図である。
【図６１】本発明の実施の形態６の半導体装置の断面図である。
【図６２】本発明の実施の形態６の半導体装置の要部断面図である。
【図６３】本発明の実施の形態６の半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図６４】図６３に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図６５】図６４と同じ半導体装置の製造工程中の平面図である。
【図６６】図６４に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【図６７】図６６に続く半導体装置の製造工程中の断面図である。
【符号の説明】
【０１７５】
１  半導体装置
１ａ  半導体装置
１ｂ  半導体装置
１ｃ  半導体装置
１ｄ  半導体装置
１ｅ  半導体装置
２  封止樹脂部
３  半導体チップ
３ａ  電極
４  リード
４ａ  リード
４ｂ  上面
４ｃ  下部露出面
６  ボンディングワイヤ
７  タブ
８  吊りリード
９  固定用テープ
１１  接合材
１２  インナリード部
１２ａ  上面
１３  アウタリード部
１５  テープ基材層
１５ａ  主面
１６  接着材層
２１  リードフレーム
２１ａ  リードフレーム
２１ｂ  リードフレーム
２３  フレーム枠
３１  ベース樹脂
３２  ＮＢＲ（アクリロニトリルブタジエンゴム）
３３  低分子揮発成分
４１  ヒートスプレッダ
４２  ヒートスプレッダ基材層
４３  接着材層
４５  経路
４５ａ  経路
４５ｂ  経路
４５ｃ  経路
５１  配線基板
５１ａ  上面
５１ｂ  下面
５２ａ  接続端子部
５２ｂ  配線
５３  封止樹脂部
５４  半田ボール
６１  基材層
６１ａ  上面
６１ｂ  下面
６２  接着材層
６３  導体層
６４  接着材層
６５  導体層
６６  開口部
６７  導体層
７１，７２  導電性金属材料層
８０  半導体チップ
８０ａ  バンプ電極
８１  テープキャリア
８２  ベースフィルム
８３  接着材層
８４  配線
８４ａ  インナリード部
８５  デバイスホール
８６  封止樹脂部
８７ａ  アウタリード部
８７ｂ  アウタリード部
９１，９２  導電性金属材料層
１０９  固定用テープ
１１５  テープ基材層
１１６  接着材層
１２０  経路
１３１  ベース樹脂
１３２  ＮＢＲ（アクリロニトリルブタジエンゴム）
１３３  低分子揮発成分
【図１】
2006245404.tif 000003
【図２】
2006245404.tif 000004
【図３】
2006245404.tif 000005
【図４】
2006245404.tif 000006
【図５】
2006245404.tif 000007
【図６】
2006245404.tif 000008
【図７】
2006245404.tif 000009
【図８】
2006245404.tif 000010
【図９】
2006245404.tif 000011
【図１０】
2006245404.tif 000012
【図１１】
2006245404.tif 000013
【図１２】
2006245404.tif 000014
【図１３】
2006245404.tif 000015
【図１４】
2006245404.tif 000016
【図１５】
2006245404.tif 000017
【図１６】
2006245404.tif 000018
【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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【図５６】
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【図５７】
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【図５８】
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【図５９】
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【図６０】
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【図６１】
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【図６２】
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【図６３】
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【図６４】
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【図６５】
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【図６６】
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【図６７】
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