(57)【要約】【課題】  複数の発光素子が一つの画素回路に連結されて発光するようにし，発光表示装置の開口率を高めるようにすることが可能な画素回路及び発光表示装置を提供すること。【解決手段】  複数の発光素子ＯＬＥＤ１ａ，ＯＬＥＤ２ａと，画素回路１１０ａと，を備え，画素回路１１０ａは，所定の電流に対応して上記発光素子に流れる駆動電流を生成する駆動回路１１１ａと，上記複数の発光素子ＯＬＥＤ１ａ，ＯＬＥＤ２ａ及び上記駆動回路１１１ａに連結されて上記駆動電流を上記複数の発光素子に順次伝達するスイッチング回路１１２ａ，１１３ａを有する。上記駆動回路１１１ａに１つに対して複数の発光素子ＯＬＥＤ１ａ，ＯＬＥＤ２ａが連結され，複数の発光素子ＯＬＥＤ１ａ，ＯＬＥＤ２ａがすべて発光すれば一つのフレームが完成される。【選択図】図４
2006146168.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の発光素子と；
画素回路と；
を備え，
前記画素回路は，
所定の電流に対応して前記発光素子に流れる駆動電流を生成する駆動回路と；
前記複数の発光素子及び前記駆動回路に連結されて前記駆動電流を前記複数の発光素子に順次伝達するスイッチング回路と；
を有することを特徴とする，画素。
【請求項２】
前記駆動回路は，
ゲートに印加された電圧によって電流を流す第１トランジスタと，
前記走査信号によって選択的に前記第１トランジスタをダイオード連結する第２トランジスタと，
前記走査信号によってデータ電流を前記第１トランジスタに伝達する第３トランジスタと，
前記第１トランジスタに伝達された前記データ電流に対応する第１レベルの電圧を充電する第１キャパシタと，
前記第１キャパシタと直列連結されて前記第１キャパシタに充電されている電圧を第１レベルから第２レベルの電圧に変更させる第２キャパシタと，
を有することを特徴とする，請求項１に記載の画素。
【請求項３】
前記第１スイッチング回路は，第１発光素子に連結されて第１発光制御信号に連結されている第４トランジスタを有し，
前記第２スイッチング回路は，第２発光素子に連結されて第２発光制御信号に連結されている第５トランジスタを有することを特徴とする，請求項１または２のいずれかに記載の画素。
【請求項４】
前記第１発光制御信号及び前記第２発光制御信号は，第１区間及び第２区間を繰り返す周期的な信号であり，
前記第１区間において，前記第１発光制御信号はロー信号であり，前記第２発光制御信号はハイ信号であり，
前記第２区間において，前記第１発光制御信号はハイ信号であり，前記第２発光制御信号はロー信号であることを特徴とする，請求項３に記載の画素。
【請求項５】
前記第１レベルの電圧は，前記第１トランジスタに流れる電流に対応される電圧であることを特徴とする請求項２〜４のいずれかに記載の画素。
【請求項６】
前記第２レベルは，前記第２キャパシタがブースト信号の印加を受け，前記第１キャパシタと前記第２キャパシタによって分圧された電圧であることを特徴とする，請求項２〜５のいずれかに記載の画素。
【請求項７】
前記ブースト信号は，前記第２トランジスタがオン状態の時，前記第２キャパシタに充電される電圧を変動させることを特徴とする，請求項６に記載の画素。
【請求項８】
第１〜第４発光素子と；
画素回路と；
を備え，
前記画素回路は，
所定の電流に対応して前記第１〜第４発光素子に流れる駆動電流を生成する駆動回路と；
前記第１〜第４発光素子及び前記駆動回路間に連結され，前記第１〜第４発光素子の駆動を順次制御するためのスイッチング回路と；を有することを特徴とする，画素。
【請求項９】
前記駆動回路は，
ゲートに印加された電圧によって電流を流れるようにする第１トランジスタと，
前記走査信号によって選択的に前記第１トランジスタをダイオード連結する第２トランジスタと，
前記走査信号によってデータ電流を前記第１トランジスタに伝達する第３トランジスタと，
前記第１トランジスタに伝達された前記データ電流に対応する第１レベルの電圧を充電する第１キャパシタと，
前記第１キャパシタと直列連結されて前記第１キャパシタに充電されている電圧を第１レベルから第２レベルに変更させる第２キャパシタと，
を有することを特徴とする，請求項８に記載の画素。
【請求項１０】
前記スイッチング回路は，
前記第１及び第２発光素子の駆動を制御する第１スイッチング回路と，
前記第３及び第４発光素子の駆動を制御する第２スイッチング回路と，
を有し，
前記第１スイッチング回路は，
第１発光制御信号によって前記電流を伝達する第４トランジスタと，
第２発光制御信号によって前記第４トランジスタによって伝達された前記電流を前記第１発光素子に伝達する第５トランジスタと，
前記第３発光制御信号によって前記第５トランジスタと異なる状態を維持し，前記第４トランジスタによって伝達された前記電流を第２発光素子に伝達する第６トランジスタと，を有し，
前記第２スイッチング回路は，
前記第２発光制御信号によって前記電流を伝達する第７トランジスタと，
前記第３発光制御信号によって前記第７トランジスタによって伝達された前記電流を第３発光素子に伝達する第８トランジスタと，
前記第３発光制御信号によって前記第８トランジスタと異なる状態を維持し，前記第７トランジスタによって伝達された前記電流を第４発光素子に伝達する第９トランジスタと，を有することを特徴とする，請求項９に記載の画素。
【請求項１１】
前記第１レベルの電圧は，前記第１トランジスタに流れる電流に対応される電圧であることを特徴とする，請求項９に記載の画素。
【請求項１２】
前記第２レベルの電圧は，前記第２キャパシタがブースト信号の印加を受け，前記第１キャパシタと前記第２キャパシタによって分圧された電圧であることを特徴とする，請求項９に記載の画素。
【請求項１３】
複数の画素を含む画像表示部と；
前記画素にデータ信号を伝達するデータ駆動部と；
前記画素に走査信号と第１〜第３発光制御信号を伝達する走査駆動部と；
を備え，
前記画素は，請求項１〜１２のうち，いずれか１項に記載の発光表示装置。
【請求項１４】
前記走査駆動部は，ブースト信号をさらに伝達することを特徴とする，請求項１３に記載の発光表示装置。
【請求項１５】
前記複数の画素のうち，同一のデータ線を介して前記データ信号の伝達を受ける隣接した第１及び第２画素は，第１画素の第１発光素子及び第２発光素子の発光手順と，第２画素の第１発光素子及び第２発光素子の発光手順が異なるように具現され，
前記第１画素の第３発光素子及び第４発光素子の発光手順と第２画素の第３発光素子と第４発光素子の発光手順が異なるように具現されることを特徴とする，請求項１３に記載の発光表示装置。
【請求項１６】
前記第１〜第３発光制御信号は，第１区間〜第４区間を持つ周期的な信号であり，
前記第１発光制御信号と前記第２発光制御信号は，互いに異なる状態を維持し，各区間でハイ状態とロー状態を繰り返し，
前記第３発光制御信号は，前記第１区間及び前記第２区間は信号に変化のない同じ状態を維持し，前記第３区間及び前記第４区間は信号に変化のない同じ状態を維持し，前記第３区間及び前記第４区間の状態は，前記第１区間及び第２区間の状態を反転させたものであることを特徴とする，請求項１３〜１５のいずれかに記載の発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，画素回路及びそれを利用した発光表示装置に関し，さらに詳しく説明すれば，複数の発光素子が一つの画素回路に連結されて発光するようにし，発光表示装置の開口率を高めるようにする画素回路及びそれを利用した発光表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年，陰極線管に比べて重さと嵩が小さな各種平板表示装置が開発されており，特に発光效率，輝度及び視野角にすぐれて応答速度の速い発光表示装置が注目されている。
【０００３】
発光素子は，光を発散する薄膜である発光層がカソード電極とアノード電極の間に位置する構造を持っており，発光層に電子及び正孔を入れ込んでこれらを再結合させることで，励気磁が生成されて励気磁の低いエネルギーに落ちながら発光する特性を持っている。
【０００４】
このような発光素子は，発光層が無機物または有機物で構成され，発光層の種類によって無機発光素子と有機発光素子に区分される。
【０００５】
図１は，従来の技術による電流書き込み方式の画素が採用されている画像表示部の一部を示す回路図である。
【０００６】
図１を参照すれば，４個の画素が隣接して形成され，各画素は発光素子ＯＬＥＤ及び画素回路を含む。画素回路は，第１トランジスタＭ１〜第４トランジスタＭ４及びキャパシタＣｓｔを含む。そして，第１トランジスタＭ１〜第４トランジスタＭ４はそれぞれゲート，ソース及びドレインを持ち，キャパシタＣｓｔは第１電極と第２電極を持つ。
【０００７】
各画素は同一の構成をし，一番左側上位にある画素を説明すれば，発光素子ＯＬＥＤに第１トランジスタＭ１が連結されて発光のための電流を供給する。
【０００８】
第１トランジスタＭ１の電流量は，第２トランジスタＭ２を介して印加されるデータ電流によって制御されるようになっている。この時，印加された電流は，第１トランジスタＭ１のソースとゲートの間に連結されているキャパシタＣｓｔによって所定期間維持される。
【０００９】
第３及び第４トランジスタＭ３，Ｍ４のゲートには，走査線Ｓｎが連結されており，第２トランジスタＭ２のソース側にはデータ線Ｄｍが連結され，第４トランジスタＭ４のゲートには発光制御線Ｅｎが連結されている。
【００１０】
このような構造の画素の動作をよく見れば，図５に示されたように，第３及び第４トランジスタＭ３，Ｍ４のゲートに印加される走査信号ｓｎが，ローになって第３及び第４トランジスタＭ３，Ｍ４がオンになれば，第１トランジスタＭ１はダイオード連結状態になってデータ電流Ｉｄａｔａ値に当たる電圧がキャパシタＣｓｔに充電される。
【００１１】
走査信号ｓｎがハイになって第３及び第４トランジスタＭ３，Ｍ４がオフになり，発光制御信号ｅｎがローになって第４トランジスタＭ４がオンになれば，電源が供給されて第１トランジスタＭ１からキャパシタＣｓｔに充電された電圧値に対応する電流が発光素子ＯＬＥＤに流れて発光がなされる。この時，発光素子ＯＬＥＤに流れる電流は次の数学式１のようである。
【００１２】
【数１】
2006146168.tif 000003
【００１３】
ここで，Ｉｄａｔａはデータ電流，Ｖｇｓは第１トランジスタＭ１のソースとゲートの間の電圧，Ｖｔｈは第１トランジスタＭ１のしきい値電圧，ＩＯＬＥＤは発光素子ＯＬＥＤに流れる電流，βは第１トランジスタＭ１の利得係数を示す。
【００１４】
上記数式１に示されたように，図５に示された画素回路によれば，発光素子に流れる電流ＩＯＬＥＤは，第１トランジスタＭ１のしきい値電圧Ｖｔｈ及び移動度（ｍｏｂｉｌｉｔｙ）にバラ付きがあってもデータ電流Ｉｄａｔａと同一のであるので，データ駆動部の書き込み電流源がパネル全体を介して均一であるとすれば，均一なディスプレイ特性を得ることができる。
【００１５】
上記のような電流書き込み方式の画素回路では，微細電流をコントロールしなければならないからデータ信号を充電するのに多くの時間が必要であるという問題点がある。例えば，データ線負荷キャパシタンスが３０ｐＦであると仮定する場合，数十ｎＡから数百ｎＡ水準である電流にデータ線の負荷を充電しようとすれば，数ｍｓｅｃの時間が必要である。
【００１６】
これは数十ｕｓ水準であるライン時間を考慮して見る時，充電時間が十分でなく，特に低い輝度を表現する場合，電流値が小さくて充電時間がさらに多く必要になるような問題点がある。
【００１７】
また，このような従来の発光表示装置に採用された画素は，一つの画素回路に一つの発光素子ＯＬＥＤが連結され，複数の発光素子を発光させるためには複数の画素回路が必要であり画素回路を具現する素子の数が多くなるという問題点がある。そして，画素行に一本の発光制御線が連結されることによって，発光制御線による発光表示装置の開口率が低下するという問題点がある。
【００１８】
一方，従来の画素回路及びこれを利用した発光表示装置に関する技術を記載した文献としては，下記特許文献１及び２等がある。
【特許文献１】特開２００３−４３９９９号明細書
【特許文献２】米国特許公開第２００２−００２１２９３Ａ１号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
このように，従来の発光表示装置によれば，微細電流をコントロールしなければならないからデータ信号を充電するのに多くの時間が必要であり，特に低い輝度を表現する場合電流値が小さくて充電時間がさらに多く必要になるという問題がある。また，一つの画素回路に一つの発光素子ＯＬＥＤが連結されると画素回路を具現する素子の数が多くなり，画素行に１本の発光制御線が連結されることにより，開口率が低下するという問題もある。
【００２０】
そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的は，データ信号の電流量を大きくし，低い輝度値を持つ場合にも電流書き込み時間を減らすようにし，一つの画素回路に複数の発光素子が連結されるようにして発光表示装置の素子数を減らし，開口率を高め，色分離現象を最小化することが可能な，新規かつ改良された画素回路及びそれを利用した発光表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，複数の発光素子と；画素回路と；を備え，上記画素回路は，所定の電流に対応して上記発光素子に流れる駆動電流を生成する駆動回路と；上記複数の発光素子及び上記駆動回路に連結されて上記駆動電流を上記複数の発光素子に順次伝達するスイッチング回路と；を有することを特徴とする，画素が提供される。上記駆動回路１つに対して，上記複数の発光素子が連結され，上記駆動回路はそれぞれの発光素子を駆動する。また複数の発光素子がすべて発光すると一つのフレームが完成される。
【００２２】
また，上記駆動回路は，ゲートに印加された電圧によって電流を流す第１トランジスタと，上記走査信号によって選択的に上記第１トランジスタをダイオード連結する第２トランジスタと，上記走査信号によってデータ電流を上記第１トランジスタに伝達する第３トランジスタと，上記第１トランジスタに伝達された上記データ電流に対応する第１レベルの電圧を充電する第１キャパシタと，上記第１キャパシタと直列連結されて上記第１キャパシタに充電されている電圧を第１レベルから第２レベルの電圧に変更させる第２キャパシタと，を有してもよい。
【００２３】
また，上記第１スイッチング回路は，第１発光素子に連結されて第１発光制御信号に連結されている第４トランジスタを有し，上記第２スイッチング回路は，第２発光素子に連結されて第２発光制御信号に連結されている第５トランジスタを有してもよい。
【００２４】
また，上記第１発光制御信号及び上記第２発光制御信号は，第１区間及び第２区間を繰り返す周期的な信号であり，上記第１区間において，上記第１発光制御信号はロー信号であり，上記第２発光制御信号はハイ信号であり，上記第２区間において，上記第１発光制御信号はハイ信号であり，上記第２発光制御信号はロー信号であってもよい。
【００２５】
また，上記第１レベルの電圧は，上記第１トランジスタに流れる電流に対応される電圧であってもよい。
【００２６】
また，上記第２レベルは，上記第２キャパシタがブースト信号の印加を受け，上記第１キャパシタと上記第２キャパシタによって分圧された電圧であってもよい。
【００２７】
また，上記ブースト信号は，上記第２トランジスタがオン状態の時，上記第２キャパシタに充電される電圧を変動させてもよい。
【００２８】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，第１〜第４発光素子と；画素回路と；を備え，上記画素回路は，所定の電流に対応して上記第１〜第４発光素子に流れる駆動電流を生成する駆動回路と；上記第１〜第４発光素子及び上記駆動回路間に連結され，上記第１〜第４発光素子の駆動を順次制御するためのスイッチング回路と；を有することを特徴とする画素が提供される。上記駆動回路１つに対して，上記第１〜第４発光素子が連結され，上記駆動回路は，それぞれの発光素子を駆動する。また複数の発光素子がすべて発光すると一つのフレームが完成される。
【００２９】
また，上記駆動回路は，ゲートに印加された電圧によって電流を流れるようにする第１トランジスタと，上記走査信号によって選択的に上記第１トランジスタをダイオード連結する第２トランジスタと，上記走査信号によってデータ電流を上記第１トランジスタに伝達する第３トランジスタと，上記第１トランジスタに伝達された上記データ電流に対応する第１レベルの電圧を充電する第１キャパシタと，上記第１キャパシタと直列連結されて上記第１キャパシタに充電されている電圧を第１レベルから第２レベルに変更させる第２キャパシタと，を有してもよい。
【００３０】
また，上記スイッチング回路は，上記第１及び第２発光素子の駆動を制御する第１スイッチング回路と，上記第３及び第４発光素子の駆動を制御する第２スイッチング回路と，
を有し，上記第１スイッチング回路は，第１発光制御信号によって上記電流を伝達する第４トランジスタと，第２発光制御信号によって上記第４トランジスタによって伝達された上記電流を上記第１発光素子に伝達する第５トランジスタと，上記第３発光制御信号によって上記第５トランジスタと異なる状態を維持し，上記第４トランジスタによって伝達された上記電流を第２発光素子に伝達する第６トランジスタと，を有し，上記第２スイッチング回路は，上記第２発光制御信号によって上記電流を伝達する第７トランジスタと，上記第３発光制御信号によって上記第７トランジスタによって伝達された上記電流を第３発光素子に伝達する第８トランジスタと，上記第３発光制御信号によって上記第８トランジスタと異なる状態を維持し，上記第７トランジスタによって伝達された上記電流を第４発光素子に伝達する第９トランジスタと，を有してもよい
【００３１】
また，上記第１レベルの電圧は，上記第１トランジスタに流れる電流に対応される電圧であってもよい。
【００３２】
また，上記第２レベルの電圧は，上記第２キャパシタがブースト信号の印加を受け，上記第１キャパシタと上記第２キャパシタによって分圧された電圧であってもよい。
【００３３】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，複数の画素を含む画像表示部と；上記画素にデータ信号を伝達するデータ駆動部と；上記画素に走査信号と第１〜第３発光制御信号を伝達する走査駆動部と；を備え，上記画素は，上記のいずれかに記載の発光表示装置が提供される。
【００３４】
また，上記走査駆動部は，ブースト信号をさらに伝達してもよい。
【００３５】
また，上記複数の画素のうち，同一のデータ線を介して上記データ信号の伝達を受ける隣接した第１及び第２画素は，上記第１画素の第１発光素子及び第２発光素子の発光手順と，上記第２画素の第１発光素子及び第２発光素子の発光手順が異なるように具現され，
上記第１画素の第３発光素子及び第４発光素子の発光手順と上記第２画素の第３発光素子と第４発光素子の発光手順が異なるように具現されてもよい。
【００３６】
また，上記第１〜第３発光制御信号は，第１区間〜第４区間を持つ周期的な信号であり，上記第１発光制御信号と上記第２発光制御信号は，互いに異なる状態を維持し，各区間でハイ状態とロー状態を繰り返し，上記第３発光制御信号は，上記第１区間及び上記第２区間は信号に変化のない同じ状態を維持し，上記第３区間及び上記第４区間は信号に変化のない同じ状態を維持し，上記第３区間及び上記第４区間の状態は，上記第１区間及び第２区間の状態を反転させたものであってもよい。
【発明の効果】
【００３７】
以上説明したように，本発明によれば，一つの画素回路に複数の発光素子が連結されることによって発光表示装置の画素回路の数が減るようになり，さらに少ない素子で画像を表現することができ，画素回路の数が減少することによって信号を伝達する走査，データ線及び発光制御線の数が減って走査駆動部とデータ駆動部の大きさを小さく具現することができ，不要な空間を減らすことができる。
【００３８】
また，配線の数が減少することによって発光表示装置の開口率が高くなる。
【００３９】
そして，一つの発光素子の発光する時間が減って輝度を一定に維持するためにはさらに大きい電流が必要になるので，低階調を表現する場合にも電流が充電される時間を減らすことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４０】
以下に，添付した図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する発明特定事項については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００４１】
図２は，本発明による発光表示装置第１実施形態の構造を示す構造図である。
【００４２】
図２を参照して説明すれば，発光表示装置は画像表示部１００ａ，データ駆動部２００ａ及び走査駆動部３００ａを含む。
【００４３】
画像表示部１００ａは，複数の画素１１０ａ，行方向に配列された複数の走査線Ｓ１，Ｓ２，・・・Ｓｎ−１，Ｓｎ，行方向に配列された複数のブースト信号線Ｂ１，Ｂ２，・・・Ｂｎ−１，Ｂｎ，行方向に配列された複数の第１発光制御線Ｅ１１，Ｅ１２，・・・Ｅ１ｎ−１，Ｅ１ｎ及び第２発光制御線Ｅ２１，Ｅ２２，・・・Ｅ２ｎ−１，Ｅ２ｎ，列方向に配列された複数のデータ線Ｄ１，Ｄ２，・・・Ｄｍ−１，Ｄｍ及び画素電源を供給する複数の画素電源線（図示せず。）を含む。画素電源線は外部から電源の印加を受けて画素電源を供給する。
【００４４】
そして，走査線Ｓ１，Ｓ２，・・・Ｓｎ−１，Ｓｎを介して伝達される走査信号とブースト信号線Ｂ１，Ｂ２，・・・Ｂｎ−１，Ｂｎを介して伝達されるブースト信号によってデータ線Ｄ１，Ｄ２，・・・Ｄｍ−１，Ｄｍに伝達されるデータ信号が画素回路１１０ａに伝達され，画素回路１１０ａはデータ信号に対応される駆動電流を生成し，第１発光制御線Ｅ１１，Ｅ１２，・・・Ｅ１ｎ−１，Ｅ１ｎ及び第２発光制御線Ｅ２１，Ｅ２２，・・・Ｅ２ｎ−１，Ｅ２ｎを介して伝達される発光制御信号によって駆動電流が発光素子ＯＬＥＤに伝達されて画像が表現される。
【００４５】
データ駆動部２００ａは，データ線Ｄ１，Ｄ２，・・・Ｄｍ−１，Ｄｍに連結されて画像表示部１００ａにデータ信号を伝達する。そして，データ駆動部２００ａは一本のデータ線に赤と緑，緑と青または青と赤のデータを順次伝達する。
【００４６】
走査駆動部３００ａは，画像表示部１００ａの側面に構成され，複数の走査線Ｓ１，Ｓ２，・・・Ｓｎ−１，Ｓｎ，複数のブースト信号線Ｂ１，Ｂ２，・・・Ｂｎ−１，Ｂｎと複数の第１発光制御線Ｅ１１，Ｅ１２，・・・Ｅ１ｎ−１，Ｅ１ｎ及び第２発光制御線Ｅ２１，Ｅ２２，・・・Ｅ２ｎ−１，Ｅ２ｎに連結されて走査信号と発光制御信号を画像表示部１００ａに伝達する。複数のブースト信号線Ｂ１，Ｂ２，・・・Ｂｎ−１，Ｂｎは走査駆動部３００ａを介して伝達を受けるように図示されているが，別途の構成部分（図示せず。）から伝達を受けることも可能である。
【００４７】
図３は，本発明による発光表示装置の第２実施形態の構造を示す構造図である。図３を参照すると，発光表示装置は画像表示部１００ｂ，データ駆動部２００ｂ及び走査駆動部３００ｂを含む。
【００４８】
画像表示部１００ｂは，複数の画素１１０ｂ，行方向に配列された複数の走査線Ｓ１，Ｓ２，・・・Ｓｎ−１，Ｓｎ，行方向に配列された複数のブースト信号線Ｂ１，Ｂ２，・・・Ｂｎ−１，Ｂｎ，行方向に配列された複数の第１発光制御線Ｅ１１，Ｅ１２，・・・Ｅ１ｎ−１，Ｅ１ｎ，第２発光制御線Ｅ２１，Ｅ２２，・・・Ｅ２ｎ−１，Ｅ２ｎ及び第３発光制御線Ｅ３１，Ｅ３２，・・・Ｅ３ｎ−１，Ｅ３ｎ，列方向に配列された複数のデータ線Ｄ１，Ｄ２，・・・Ｄｍ−１，Ｄｍ及び画素電源を供給する複数の画素電源線（図示せず。）を含む。画素電源線は外部から電源の印加を受けて画素電源を供給する。
【００４９】
そして，走査線Ｓ１，Ｓ２，・・・Ｓｎ−１，Ｓｎを介して伝達される走査信号とブースト信号線Ｂ１，Ｂ２，・・・Ｂｎ−１，Ｂｎを介して伝達されるブースト信号によってデータ線Ｄ１，Ｄ２，・・・Ｄｍ−１，Ｄｍから伝達されるデータ信号が画素１１０に伝達され，画素１１０ｂはデータ信号に対応される駆動電流を生成し，第１発光制御線Ｅ１１，Ｅ１２，・・・Ｅ１ｎ−１，Ｅ１ｎ，第２発光制御線Ｅ２１，Ｅ２２，・・・Ｅ２ｎ−１，Ｅ２ｎ，第３発光制御線Ｅ３１，Ｅ３２，・・・Ｅ３ｎ−１，Ｅ３ｎを介して伝達される発光制御信号によって電流が発光素子ＯＬＥＤに伝達されて画像表示部１００ｂで画像が表現される。
【００５０】
データ駆動部２００ｂは，データ線Ｄ１，Ｄ２，・・・Ｄｍ−１，Ｄｍに連結されて画像表示部１００ｂにデータ信号を伝達する。データ駆動部２００ｂは，一本のデータ線に赤と緑，緑と青または青と赤のデータを順次伝達する。
【００５１】
走査駆動部３００ｂは，画像表示部１００の側面に構成され，複数の走査線Ｓ１，Ｓ２，・・・Ｓｎ−１，Ｓｎ，複数のブースト信号線Ｂ１，Ｂ２，・・・Ｂｎ−１，Ｂｎと複数の第１発光制御線Ｅ１１，Ｅ１２，・・・Ｅ１ｎ−１，Ｅ１ｎ〜第３発光制御線Ｅ３１，Ｅ３２，・・・Ｅ３ｎ−１，Ｅ３ｎに連結されて走査信号と発光制御信号を画像表示部１００ｂに伝達する。複数のブースト信号線Ｂ１，Ｂ２，・・・Ｂｎ−１，Ｂｎは走査駆動部３００ａを介して伝達を受けるように図示されているが，別途の構成部分（図示せず。）から伝達を受けることも可能である。
【００５２】
図４は，図２の発光表示装置に採用された画素の第１実施形態を示す回路図である。
【００５３】
図４を参照して説明すれば，画素１１０ａは，発光素子と画素回路を含み，一つの画素回路に２個の発光素子ＯＬＥＤが連結されている。各画素回路１１０ａは，第１トランジスタ〜第５トランジスタＭ１ａ〜Ｍ５ａと第１キャパシタＣ１ａ及び第２キャパシタＣ２ａを含む。
【００５４】
画素回路は，駆動回路１１１ａ，第１スイッチング回路１１２及び第２スイッチング回路１１３に区分され，駆動回路１１１は第１〜第３トランジスタＭ１ａ〜Ｍ３ａと第１及び第２キャパシタＣ１ａ及びＣ２ａを含み，第１スイッチング回路１１２ａは第４トランジスタＭ４ａを含み，第２スイッチング回路１１３ａは第５トランジスタＭ５ａを含む。
【００５５】
第１〜第５トランジスタＭ１ａ〜Ｍ５ａは，ＰＭＯＳ形態のトランジスタに具現され，それぞれのトランジスタのソースとドレインは物理的な差がなく，第１電極と第２電極と称することができる。また，第１キャパシタＣ１ａ及び第２キャパシタＣ２ａは，第１電極と第２電極を具備する。そして，２個の発光素子は第１及び第２発光素子ＯＬＥＤ１ａ及びＯＬＥＤ２ａと称する。
【００５６】
第１トランジスタＭ１ａは，ソースは画素電源線Ｖｄｄに連結され，ドレインは第１ノードＡ’に連結される。そして，ゲートは第２ノードＢ’に連結され，第２ノードＢ’に印加される電圧によって第１ノードＡ’に電流を供給する。
【００５７】
第２トランジスタＭ２ａは，ソースはデータ線Ｄｍに連結され，ドレインは第２ノードＢに連結される。そして，ゲートは走査線Ｓｎに連結されて走査線Ｓｎを介して伝達される走査信号によってデータ信号を第２ノードＢ’に伝達する。
【００５８】
第３トランジスタＭ３ａは，ソースは第１ノードＡ’に連結され，ドレインはデータ線Ｄｍに連結される。そして，ゲートは走査線Ｓｎに連結され，走査線Ｓｎを介して伝達される走査信号によって第１トランジスタＭ１ａのソースからドレインに流れる電流が第３トランジスタＭ３ａのソースからドレインに流れるようにする。
【００５９】
第１キャパシタＣ１ａは，第１電極は画素電源線Ｖｄｄに連結され，第２電極は第２ノードＢ’に連結されてデータ信号に対応する電圧を所定時間の間維持する。
【００６０】
第２キャパシタＣ２ａは，第１電極が第２ノードＢ’に連結され，第２電極はブースト信号線Ｂｎに連結されてブースト信号によって第１トランジスタＭ１のゲート電圧が変わるようにする。本実施形態において，第１レベルの電圧とは，データ線を介して流れるデータ電流に対応して第１キャパシタＣ１ａに充電される電圧であり，第２レベルの電圧とは，ブースト信号によって第１キャパシタＣ１ａと第２キャパシタＣ２ａに電圧分配が行われた状態でのＢ’ノードの電圧である。
【００６１】
第４トランジスタＭ４ａは，ソースは第１ノードＡ’に連結され，ドレインは第１発光素子ＯＬＥＤ１ａに連結される。そして，ゲートは第１発光制御線に連結されて第１発光制御線Ｅ１ｎを介して伝達される第１発光制御信号ｅ１ｎによって第１トランジスタで生成して第１ノードＡ’に流れるようにする電流を第１発光素子ＯＬＥＤ１ａに伝達する。
【００６２】
第５トランジスタＭ５ａは，ソースは第１ノードＡ’に連結され，ドレインは第２発光素子ＯＬＥＤ２ａに連結される。そして，ゲートは第２発光制御線Ｅ２ｎに連結され，第２発光制御線Ｅ２ｎを介して伝達される第２発光制御線Ｅ２ｎによって第１トランジスタＭ１ａで生成して第１ノードＡ’に流れるようにする電流を第２発光素子ＯＬＥＤ２ａに伝達する。
【００６３】
図５は，図４に示された画素が採用された発光表示装置に伝達される信号の波形を示す波形図である。
【００６４】
図５を参照して説明すれば，画素は走査信号ｓｎ，データ信号，ブースト信号ｂｎ及び第１及び第２発光制御線ｅ１ｎ及びｅ２ｎによって動作する。
【００６５】
まず，第１及び第２発光制御線ｅ１ｎ及びｅ２ｎが同時にハイ状態である区間内でブースト信号ｂｎがローになり，走査信号ｓｎはブースト信号ｂｎがロー状態である区間内でローになる。
【００６６】
走査信号ｓｎがローになれば，第２トランジスタＭ２ａと第３トランジスタＭ３ａがオン状態になり，第１トランジスタＭ１ａのソースからドレイン方向にデータ電流Ｉｄａｔａが流れる。この時，流れるデータ電流によって第１トランジスタＭ１ａのソースとゲートの間の電圧値が変わるようになる。ここで，電圧値を次の数式２に示す。
【００６７】
【数２】
2006146168.tif 000004
【００６８】
ここで，Ｉｄａｔａは印加されたデータ電流，Ｖｇｓは第１トランジスタＭ１ａのソースとゲートの間の電圧，Ｖｔｈは第１トランジスタＭ１ａのしきい値電圧，βは第１トランジスタＭ１の利得係数を示す。
【００６９】
そして，走査信号ｓｎによって第２トランジスタＭ２ａと第３トランジスタＭ３ａがオフ状態になった後，第１発光制御信号Ｅｎによって第４トランジスタＭ４ａがオン状態になれば第１トランジスタＭ１ａに流れる電流が第４トランジスタＭ４ａを介して発光素子ＯＬＥＤ１ａに流れて発光するようになる。
【００７０】
上記の場合，第２トランジスタＭ２ａがオフされる時，第１キャパシタＣ１ａと第２キャパシタＣ２ａのカップリングによって第１トランジスタＭ１ａのゲート電圧値が増加するようになる。この場合，増加する電圧値を数式３に示す。
【００７１】
【数３】
2006146168.tif 000005
【００７２】
ここで，△Ｖｇは第１キャパシタＣ１ａと第２キャパシタＣ２ａのカップリングによって増加する第１トランジスタＭ１ａのゲートの電圧値，△Ｖｂｏｏｓｔはブースト信号の電圧幅を示す。
【００７３】
そして，第１発光制御線Ｅ１ｎがロー状態になれば，第４トランジスタＭ４がオン状態になり，第１発光素子ＯＬＥＤ１ａに電流が流れる。第１発光素子ＯＬＥＤ１ａに流れる電流を次の数式４に示す。
【００７４】
【数４】
2006146168.tif 000006
【００７５】
ここで，ＩＯＬＥＤは第１発光素子ＯＬＥＤ１に流れる電流，Ｖｇｓは第１トランジスタＭ１ａにデータ電流が流れる時，第１トランジスタＭ１ａのソースとゲートの間の電圧，△Ｖｇは第１キャパシタＣ１ａと第２キャパシタＣ２ａのカップリングによって増加する第１トランジスタＭ１ａのゲートの電圧値，Ｖｔｈは第１トランジスタＭ１ａのしきい値電圧，βは第１トランジスタＭ１ａの利得係数を示す。
【００７６】
上記数式３と数式４を通じて分かるように，大きいデータ電流として発光素子ＯＬＥＤ１ａで電流を調節することができる。すなわち，データ線に大きい電流を供給することによって一ライン時間の間，データ線の充電時間を確保することができる。つまり，△Ｖｇが正電圧である場合，数式１のＩＯＬＥＤより数式４のＩＯＬＥＤが小さくなる。よってＩＯＬＥＤにさらに大きい電流を流すためにはＩｄａｔａの電流を大きくすべきである。Ｉｄａｔａの電流を大きくすることにより，データ線を早く充電することができる。
【００７７】
また，走査信号とブースト信号がロー信号になって第１発光制御信号と第２発光制御信号がハイ信号になれば，再度画素回路が動作して数式２にあたるデータ電流が生成され，走査信号とブースト信号がハイ信号になって第２発光制御信号がロー信号になれば，第５トランジスタＭ５ａがオン状態になって数式４にあたる電流が第２発光素子ＯＬＥＤ２ａに流れる。
【００７８】
図６は，図３の発光表示装置で採用された画素の第１実施形態を示す回路図である。
【００７９】
図６を参照して説明すれば，画素は発光素子と画素回路を含み，一つの画素回路に４個の発光素子ＯＬＥＤ１ｂ〜ＯＬＥＤ４ｂが連結されている。各画素回路１１０は，第１トランジスタ〜第９トランジスタＭ１ｂ〜Ｍ９ｂと第１キャパシタＣ１ｂ及び第２キャパシタＣ２ｂを含む。
【００８０】
画素回路は，駆動回路１１１ｂ，第１スイッチング回路１１２ｂ及び第２スイッチング回路１１３ｂに区分され，駆動回路１１１ｂは第１〜第３トランジスタＭ１ｂ〜Ｍ３ｂと，第１及び第２キャパシタＣ１ｂ及びＣ２ｂを含み，第１スイッチング回路１１２ｂは第４トランジスタ〜第６トランジスタＭ４ｂ〜Ｍ６ｂを含み，第２スイッチング回路１１３ｂは第７トランジスタ〜第９トランジスタＭ７ｂ〜Ｍ９ｂを含む。
【００８１】
第１〜第５トランジスタＭ１ｂ〜Ｍ５ｂ及び第７及び第８トランジスタＭ７ｂ，Ｍ８ｂは，ＰＭＯＳ形態のトランジスタに具現され，第６及び第９トランジスタＭ６ｂ及びＭ９ｂはＮＭＯＳ形態のトランジスタに具現される。
【００８２】
それぞれのトランジスタのソースとドレインは物理的な差がなく，第１電極と第２電極と称することができる。また，第１キャパシタＣ１ｂ及び第２キャパシタＣ２ｂは，第１電極と第２電極を具備する。そして，４個の発光素子は第１〜第４発光素子ＯＬＥＤ１ｂ〜ＯＬＥＤ４ｂと称する。
【００８３】
第１トランジスタＭ１ｂは，ソースは画素電源線Ｖｄｄに連結され，ドレインは第１ノードＡ’’に連結される。そして，ゲートは第２ノードＢ’’に連結されて第２ノードＢ’’に印加される電圧によって第１ノードＡ’’に電流を供給する。
【００８４】
第２トランジスタＭ２ｂは，ソースはデータ線Ｄｍに連結され，ドレインは第２ノードＢ’’に連結される。そして，ゲートは走査線Ｓｎに連結されて走査線Ｓｎを介して伝達される走査信号によってデータ信号を第２ノードＢ’’に伝達する。
【００８５】
第３トランジスタＭ３ｂは，ソースは第１ノードＡ’’に連結され，ドレインはデータ線Ｄｍに連結される。そして，ゲートは走査線Ｓｎに連結されて走査線Ｓｎを介して伝達される走査信号によって第１トランジスタＭ１ｂのソースからドレインに流れる電流が第３トランジスタＭ３ｂのソースからドレインに流れるようにする。
【００８６】
第１キャパシタＣ１ｂは，第１電極は画素電源線Ｖｄｄに連結され，第２電極は第２ノードＢ’’に連結されてデータ信号に対応される電圧を所定時間の間維持する。
【００８７】
第２キャパシタＣ２ｂは，第１電極が第２ノードＢ’’に連結され，第２電極はブースト信号線Ｂｎに連結され，ブースト信号ｂｎによって第１トランジスタＭ１ｂのゲート電圧を高める。本実施形態において，第１レベルの電圧とは，データ線を介して流れるデータ電流に対応して第１キャパシタＣ１ｂに充電される電圧であり，第２レベルの電圧とは，ブースト信号によって第１キャパシタＣ１ｂと第２キャパシタＣ２ｂに電圧分配が行われた状態でのＢ’’ノードの電圧である。
【００８８】
第４トランジスタＭ４ｂは，ソースは第１ノードＡ’’に連結され，ドレインは第３ノードＣ’’に連結され，ゲートは第１発光制御線Ｅ１ｎに連結されて第１発光制御線Ｅ１ｎを介して伝達される第１発光制御線Ｅ１ｎによって第１ノードＡ’’に流れる電流を選択的に第３ノードＣ’’に伝達する。
【００８９】
第５トランジスタＭ５ｂは，ソースは第１ノードＡ’’に連結され，ドレインは第４ノードＤ’’に連結され，ゲートは第２発光制御線Ｅ２ｎに連結されて第２発光制御線Ｅ２ｎを介して伝達される第２発光制御線Ｅ２ｎによって第２ノードＢ’’に流れる電流を選択的に第４ノードＤ’’に伝達する。
【００９０】
第６トランジスタＭ６ｂは，ソースは第３ノードＣ’’に連結され，ドレインは第１発光素子ＯＬＥＤ１ｂに連結される。そして，ゲートは第３発光制御線Ｅ３ｎに連結されて第３発光制御線Ｅ３ｎを介して伝達される第３発光制御信号ｅ３ｎによって第３ノードＣ’’に伝達された電流を選択的に第１発光素子ＯＬＥＤ１ｂに伝達する。
【００９１】
第７トランジスタＭ７ｂは，ソースは第３ノードＣ’’に連結され，ドレインは第２発光素子ＯＬＥＤ２ｂに連結される。そして，ゲートは第３発光制御線Ｅ３ｎに連結されて第３発光制御線Ｅ３ｎを介して伝達される第３発光制御線Ｅ３ｎによって第３ノードＣ’’に伝達された電流を選択的に第２発光素子ＯＬＥＤ２ｂに伝達する。
【００９２】
第６トランジスタＭ６ｂは，ＮＭＯＳ形態のトランジスタであり，第７トランジスタＭ７ｂはＰＭＯＳ形態のトランジスタなので，第３発光制御信号ｅ３ｎは第６トランジスタＭ６ｂと第７トランジスタＭ７ｂのうち一つのトランジスタがオン状態になる。よって第１発光素子ＯＬＥＤ１ｂと第２発光素子ＯＬＥＤ２ｂのうち一つの発光素子を選択して発光させる。
【００９３】
第８トランジスタＭ８ｂは，ソースは第４ノードＤ’’に連結され，ドレインは第３発光素子ＯＬＥＤ３に連結される。そして，ゲートは第３発光制御線Ｅ３ｎに連結されて第３発光制御線Ｅ３ｎを介して伝達される第３発光制御線Ｅ３ｎによって第４ノードＤ’’に伝達された電流を選択的に第３発光素子ＯＬＥＤ３ｂに伝達する。
【００９４】
第９トランジスタＭ９ｂは，ソースは第４ノードＤ’’に連結され，ドレインは第４発光素子ＯＬＥＤ４ｂに連結される。そして，ゲートは第３発光制御線Ｅ３ｎに連結されて第３発光制御線Ｅ３ｎを介して伝達される第３発光制御線Ｅ３ｎによって第４ノードＤ’’に伝達された電流を選択的に第４発光素子ＯＬＥＤ４ｂに伝達する。
【００９５】
第８トランジスタＭ８ｂは，ＰＭＯＳ形態のトランジスタであり，第９トランジスタＭ９ｂは，ＮＭＯＳ形態のトランジスタなので，第３発光制御信号ｅ３ｎは第８トランジスタＭ８ｂと第９トランジスタＭ９ｂのうち一つのトランジスタがオン状態になる。よって第３発光素子ＯＬＥＤ３ｂと第４発光素子ＯＬＥＤ４ｂのうち一つの発光素子を選択して発光させる。
【００９６】
図７は，図６に示された画素が採用された発光表示装置に伝達する信号の波形を示す波形図である。
【００９７】
図７を参照して説明すれば，画素は走査信号ｓｎ，データ信号，ブースト信号ｂｎ及び第１〜第３発光制御信号ｅ１ｎ〜ｅ３ｎによって動作する。
【００９８】
第１区間Ｔｄ１は，第１発光制御信号ｅ１ｎがロー状態で，第２発光制御信号ｅ１ｎ及び第３発光制御信号ｅ３ｎがハイ状態であり，第２区間Ｔｄ２は，第１発光制御信号ｅ１ｎと第３発光制御信号ｅ３ｎハイ状態で，第２発光制御信号ｅ２ｎがロー状態であり，第３区間Ｔｄ３は，第１発光制御信号ｅ１ｎと第３発光制御信号ｅ３ｎがロー状態で，第２発光制御信号ｅ２ｎはハイ状態である。また，第４区間Ｔｄ４では，第１発光制御信号ｅ１ｎはハイ状態で，第２発光制御信号ｅ２ｎと第３発光制御信号ｅ３ｎはロー状態であり，走査信号ｓｎは順次各区間の開始時点でしばらくロー状態になり，ブースト信号ｂｎは走査信号ｓｎがロー状態である時点でロー状態になる。
【００９９】
まず，第１区間Ｔｄ１で第１発光制御信号ｅ１ｎと第３発光制御信号ｅ３ｎによって，上記数式４に記載された電流が第１発光素子ＯＬＥＤ１ｂで流れるようになり，第２区間Ｔ２では第２発光制御信号ｅ２ｎと第３発光制御信号ｅ３ｎによって上記数式４に記載された電流が第４発光素子ＯＬＥＤ４ｂに流れるようになり，第３区間Ｔｄ３では第１発光制御信号ｅ１ｎと第３発光制御信号ｅ３ｎによって第２発光素子ＯＬＥＤ２ｂに上記数式４に記載された電流が流れるようになる。また，第４区間Ｔｄ４では第２発光制御信号ｅ２ｎと第３発光制御信号ｅ３ｎによって第３発光素子ＯＬＥＤ３ｂに上記数式４に記載された電流が流れるようになる。
【０１００】
上記図２〜図７に示されているように，電流を利用して第１トランジスタＭ１ａ，Ｍ１ｂのソースとゲート間の電圧を調節して発光させる場合には，電流が充電される時間が必要であり，一つの画素回路に一つの発光素子が連結されている場合に比べ，一つの画素回路に２個の発光素子が連結されている場合は発光する時間が１／２になり，４個の発光素子が連結されている場合は発光する時間が１／４に減る。
【０１０１】
したがって，発光する時間が減少することによって一つの画素回路に流れる電流と同一の電流が流れるようになれば，輝度が下がるようになり，２個の発光素子または４個の発光素子を発光させるためには２倍または４倍の電流が流れるようにし，これによって電流が大きくなれば電流が一つの画素回路に充電される時間が短くなり，特に低階調を表現する場合には，少ない電流量を持って表現するのでさらに好ましい。つまり，高階調を表現する場合には流れる電流量が大きいため，データ線を充電する時間が問題にならないが，低階調を表現する場合，輝度が低く，発光素子に流れる電流量が高階調に比べて小さくなり，画素回路に充電する時間は，高階調に比べて長くなる。よって従来技術に比較すると本実施形態では，大きい電流をデータ信号として使用するので，画素回路に充電される時間が従来より短くなる。
【０１０２】
図８ａ〜図８ｄは，図６に示された発光表示装置において発光過程を示す図である。
【０１０３】
画像表示部１００ｂは，３個の画素回路が垂直配列され，１２個の発光素子が２×６の形態に配列される。そして上位にある画素回路を第１画素回路とし，中央にある画素回路を第２画素回路，下位にある画素回路を第３画素回路とする。
【０１０４】
図８ａ〜図８ｄを参照して説明すれば，１フレームの間４個の発光素子が順次発光するので，１フレームの時間を４個のサブフィールドに分けることができる。
【０１０５】
第１画素回路は，第３発光制御信号ｅ３ｎの伝達を受けてスイッチング動作をする第６トランジスタＭ６ｂと第９トランジスタＭ９ｂがＮＭＯＳ形態のトランジスタに具現され，第７トランジスタＭ７ｂと第８トレジストＭ８ｂがＰＭＯＳ形態のトランジスタに具現される。
【０１０６】
そして，第２画素回路は，第６トランジスタＭ６ｂと第９トランジスタＭ９ｂがＰＭＯＳ形態のトランジスタに具現され，第７トランジスタＭ７ｂと第８トレジストＭ８ｂがＮＭＯＳ形態のトランジスタに具現される。
【０１０７】
また，第３画素回路は，第６トランジスタＭ６ｂと第９トランジスタＭ９ｂがＮＭＯＳ形態のトランジスタに具現され，第７トランジスタＭ７ｂと第８トレジストＭ８ｂがＰＭＯＳ形態のトランジスタに具現される。そして，各画素回路の第１発光素子ＯＬＥＤ１ｂと第３発光素子ＯＬＥＤ３ｂは，赤データ信号の伝達を受けて発光し，第２発光素子ＯＬＥＤ２ｂと第４発光素子ＯＬＥＤ４ｂは緑データ信号の伝達を受けて発光する。
【０１０８】
したがって，図８ａは４個のサブフィールドの中で第１サブフィールドを示すものであり，図８ａに示されているように第１画素回路は，第６トランジスタＭ６ｂに連結されている第１発光素子ＯＬＥＤ１ｂが発光をし，第２画素回路は第７トランジスタＭ７ｂに連結されている第２発光素子ＯＬＥＤ２ｂが発光し，第３画素回路は第６トランジスタＭ６ｂに連結されている第１発光素子ＯＬＥＤ１ｂが発光する。
【０１０９】
したがって，第１サブフィールドでは第１画素回路と第３画素回路に連結されている第１発光素子ＯＬＥＤ１ｂが発光し，第２画素回路に連結されている第２発光素子ＯＬＥＤ２ｂが発光して赤と緑が同時に発光するようにする。
【０１１０】
そして，第２サブフィールドを示す図８ｂは，第１画素回路は第９トランジスタＭ９ｂに連結されている第４発光素子ＯＬＥＤ４ｂが発光し，第２画素回路は第８トランジスタＭ８ｂに連結されている第３発光素子ＯＬＥＤ３ｂが発光し，第３画素回路は第７トランジスタＭ７ｂに連結されている第４発光素子ＯＬＥＤ４ｂが発光する。
【０１１１】
したがって，第２サブフィールドでは第１画素回路と第３画素回路に連結されている第４発光素子ＯＬＥＤ４ｂが発光し，第２画素回路と連結されている第３発光素子ＯＬＥＤ３ｂが発光して赤と緑が同時に発光するようになる。
【０１１２】
また，第３サブフィールドを示す図８ｃは，第１画素回路は第７トランジスタＭ７ｂに連結されている第２発光素子ＯＬＥＤ２ｂが発光し，第２画素回路は第６トランジスタＭ６ｂに連結されている第１発光素子ＯＬＥＤ１ｂが発光し，第３画素回路は第７トランジスタＭ７ｂに連結されている第２発光素子ＯＬＥＤ２ｂが発光して赤と緑が同時に発光するようになる。
【０１１３】
最後に，第４サブフィールドを示す図８ｄは，第１画素回路は第８トランジスタＭ８ｂに連結されている第３発光素子ＯＬＥＤ３ｂが発光し，第２画素回路は第９トランジスタＭ９ｂに連結されている第４発光素子ＯＬＥＤ４ｂが発光し，第３画素回路は第８トランジスタＭ８ｂに連結されている第３発光素子ＯＬＥＤ３ｂが発光して赤と緑が同時に発光するようになる。
【０１１４】
一つのサブフィールドで一つの色だけが発光する場合に，色分離現象が現われるようになるが，各サブフィールドで赤と緑が同時に発光するようになり，画像表示部全体をよく見れば，赤，緑及び青が各サブフィールドで同時に発光するようになって色分離現象を防止することができる。
【０１１５】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【０１１６】
例えば，本実施形態では，１つの駆動回路に対して２個の発光素子（図４），４個の発光素子（図６）について示したが，これと異なる数の発光素子を１つの駆動回路で制御してもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１１７】
本発明は，画素回路及びそれを利用した発光表示装置に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１１８】
【図１】従来の技術による電流書き込み方式の画素が採用されている画像表示部の一部を示す回路図である。
【図２】本発明の第１実施形態にかかる発光表示装置の構造を示す構造図である。
【図３】本発明による発光表示装置の第２実施形態の構造を示す構造図である。
【図４】図２の発光表示装置に採用された画素の第１実施形態を示す回路図である。
【図５】図４に示された画素が採用された発光表示装置に伝達される信号の波形を示す波形図である。
【図６】図３の発光表示装置に採用された画素の第１実施形態を示す回路図である。
【図７】図６に示された画素が採用された発光表示装置に伝達される信号の波形を示す波形図である。
【図８ａ】図６に示された発光表示装置においての発光過程（第１サブフィールド）を示す図である。
【図８ｂ】図６に示された発光表示装置においての発光過程（第２サブフィールド）を示す図である。
【図８ｃ】図６に示された発光表示装置においての発光過程（第３サブフィールド）を示す図である。
【図８ｄ】図６に示された発光表示装置においての発光過程（第４サブフィールド）を示す図である。
【符号の説明】
【０１１９】
１００      画像表示部
２００      データ駆動部
３００      走査駆動部
ＯＬＥＤ      発光素子
【図１】
2006146168.tif 000007
【図２】
2006146168.tif 000008
【図３】
2006146168.tif 000009
【図４】
2006146168.tif 000010
【図５】
2006146168.tif 000011
【図６】
2006146168.tif 000012
【図７】
2006146168.tif 000013
【図８ａ】
2006146168.tif 000014
【図８ｂ】
2006146168.tif 000015
【図８ｃ】
2006146168.tif 000016
【図８ｄ】
2006146168.tif 000017