(57)【要約】      （修正有）【課題】長寿命、高輝度かつ高効率な有機電界発光素子を提供する。【解決手段】  基板上に、陽極、正孔輸送層、有機発光層および陰極を有する有機電界発光素子であって、有機発光層には、部分構造としてピリジン環、ピラジン環あるいはトリアジン環を有する有機化合物が含まれており、かつ、正孔輸送層には下記式（Ｉ）で表されるモノアミン化合物が含まれていることを特徴とする有機電界発光素子。2006352088.tif 000067【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、陽極、正孔輸送層、有機発光層および陰極を有する有機電界発光素子であって、有機発光層には、部分構造としてピリジン環、ピラジン環あるいはトリアジン環を有する有機化合物が含まれており、かつ、正孔輸送層には下記式（Ｉ）で表されるモノアミン化合物が含まれていることを特徴とする有機電界発光素子。
【化１】
2006352088.tif 000062
（式中、Ｒ１〜Ｒ９は、水素原子、アリール基またはアルキル基を表す。Ｒ１〜Ｒ９はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。Ｒ１〜Ｒ９がアリール基またはアルキル基の場合には、Ｒ１〜Ｒ９はさらに置換基としてアリール基またはアルキル基を有していてもよい。）
【請求項２】
式（Ｉ）で表されるモノアミン化合物のガラス転移温度が、９０℃以上であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光素子。
【請求項３】
部分構造としてピリジン環、ピラジン環あるいはトリアジン環を有する有機化合物が、さらに部分構造としてＮ−フェニルカルバゾール環を有することを特徴とする請求項１または２に記載の有機電界発光素子。
【請求項４】
有機発光層が、発光材料とホスト材料を含有し、該ホスト材料が、部分構造としてピリジン環、ピラジン環あるいはトリアジン環を有する有機化合物であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機電界発光素子。
【請求項５】
該発光材料が、有機金属錯体であることを特徴とする請求項４に記載の有機電界発光素子。
【請求項６】
下記式（II）で表されることを特徴とするモノアミン化合物。
【化２】
2006352088.tif 000063
（式中、Ｒ１１〜Ｒ２２は、水素原子、アリール基またはアルキル基を表す。Ｒ１１〜Ｒ２２はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
但し、Ｒ１１〜Ｒ２２の何れか１つは、アリール基またはアルキル基である。Ｒ１１〜Ｒ２２がアリール基またはアルキル基の場合には、Ｒ１１〜Ｒ２２はさらに置換基としてアリール基またはアルキル基を有していてもよい。また、Ｒ１１〜Ｒ２２は、隣接する置換基と結合し、環を形成していてもよい。）
【請求項７】
上記式（ＩＩ）が、下記式（ＩＩ−１）で表されることを特徴とする、請求項６に記載のモノアミン化合物。
【化３】
2006352088.tif 000064
（式中、Ｒ２３〜Ｒ２６は、水素原子、アリール基またはアルキル基を表す。Ｒ２３〜Ｒ２６はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
但し、Ｒ２３〜Ｒ２６の何れか１つは、アリール基またはアルキル基である。Ｒ２３〜Ｒ２６がアリール基またはアルキル基の場合には、Ｒ２３〜Ｒ２６はさらに置換基としてアリール基またはアルキル基を有していてもよい。また、Ｒ２３〜Ｒ２６は、隣接する置換基と結合し、環を形成していてもよい。）
【請求項８】
下記式（III）で表されることを特徴とするモノアミン化合物。
【化４】
2006352088.tif 000065
（式中、Ｒ３０〜Ｒ３５は、水素原子、アリール基またはアルキル基を表す。Ｒ３０〜Ｒ３５はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
但し、Ｒ３０〜Ｒ３５の何れか１つは、アリール基またはアルキル基である。Ｒ３０〜Ｒ３５がアリール基またはアルキル基の場合には、Ｒ３０〜Ｒ３５はさらに置換基としてアリール基またはアルキル基を有していてもよい。また、Ｒ３０〜Ｒ３５は、隣接する置換基と結合し、環を形成していてもよい。）
【請求項９】
上記式（III）が、下記式（III−１）で表されることを特徴とする、請求項８に記載のモノアミン化合物。
【化５】
2006352088.tif 000066
（式中、Ｒ３４〜Ｒ３７は、水素原子、アリール基またはアルキル基を表す。Ｒ３４〜Ｒ３７はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
但し、Ｒ３４〜Ｒ３７の何れか１つは、アリール基またはアルキル基である。Ｒ３４〜Ｒ３７がアリール基またはアルキル基の場合には、Ｒ３４〜Ｒ３７はさらに置換基としてアリール基またはアルキル基を有していてもよい。また、Ｒ３４〜Ｒ３７は、隣接する置換基と結合し、環を形成していてもよい。）
【請求項１０】
請求項６〜９のいずれか一項に記載のモノアミン化合物からなることを特徴とする、電荷輸送材料。
【請求項１１】
基板上に、陽極、有機発光層および陰極を有する有機電界発光素子であって、該陽極および該陰極の間に、請求項６〜９のいずれか一項に記載のモノアミン化合物を含有する層を有することを特徴とする有機電界発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機電界発光素子に関するものであり、詳しくは長寿命の有機電界発光素子
に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、薄膜型の電界発光素子としては、無機材料を使用したものに代わり、有機薄膜を用いた有機電界発光素子の開発が行われるようになっている。有機電界発光素子は、通常、陽極と陰極の間に、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層などを有し、この各層に適した材料が開発されている。
例えば、特許文献１では、正孔注入層および正孔輸送層にそれぞれ特定の構造を有するアミン化合物を含有させ、発光層にトリス（８−キノリノラト）アルミニウムを含有させて、発光輝度、発光効率および耐熱性に優れた有機電界発光素子を提案している。
【０００３】
しかしながら、該素子は発光輝度、発光効率および耐熱性にはある程度優れるものの、素子の寿命に関しては更なる課題を有している。
また、トリス（８−キノリノラト）アルミニウムは、発光効率、最大発光輝度および色純度の点において不十分であるため、フルカラーディスプレイ用途への適用は限定的であるという問題点があった。
【０００４】
また、従来、有機電界発光素子は、蛍光発光を利用してきたが、素子の発光効率を上げる試みで、蛍光ではなく燐光発光を用いることが検討されている。しかしながら、燐光発光を用いた場合でも、未だ十分な発光効率が得られていないのが現状である。
これまでに開発された燐光発光性分子を用いた有機電界発光素子の多くは、発光層の材料（ホスト材料）として、カルバゾリル基を含む材料を用いることを特徴としており、例えば、非特許文献１ではホスト材料として以下に示すビフェニル誘導体を用いている。
【０００５】
【化１】
2006352088.tif 000002
しかしながら、上記ビフェニル誘導体を用いた有機電界発光素子は、電子輸送性や電気的な還元耐久性に課題を有していた。
そこで、近年、再結合領域を発光層に集中させる目的で、正孔輸送性と電子輸送性を兼ね備えたホスト材料が提案され、特許文献２には、有機電界発光素子に、以下に示す化合物を用いることが記載されている。
【０００６】
【化２】
2006352088.tif 000003
しかしながら、上記のような正孔輸送性と電子輸送性を兼ね備えたホスト材料を用いた有機電界発光素子は、電荷の再結合位置が陽極側に偏る傾向があり、正孔輸送材料にＰＰＤやＮＰＤを用いた素子では、高い発光効率、高い発光輝度あるいは長い駆動寿命が得られていなかった。
【０００７】
【化３】
2006352088.tif 000004
【特許文献１】特開２００１−３１６３３８号公報
【特許文献２】特開平６−１９７２号公報
【非特許文献１】Appl.Phys.Lett.,75巻，4頁，1999年
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、長寿命、高輝度かつ高効率な有機電界発光素子を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らが、鋭意検討した結果、発光層と正孔輸送層に含有させる化合物を特定することにより、長寿命、高輝度かつ高効率な有機電界発光素子を提供できることがわかり本発明に到達した。
すなわち、本発明は、基板上に、陽極、正孔輸送層、有機発光層および陰極を有する有機電界発光素子であって、有機発光層には、部分構造としてピリジン環、ピラジン環あるいはトリアジン環を有する有機化合物が含まれており、かつ、正孔輸送層には下記式（Ｉ）で表されるモノアミン化合物が含まれていることを特徴とする有機電界発光素子に存する。
【００１０】
【化４】
2006352088.tif 000005
【００１１】
（式中、Ｒ１〜Ｒ９は、水素原子、アリール基またはアルキル基を表す。Ｒ１〜Ｒ９はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。Ｒ１〜Ｒ９がアリール基またはアルキル基の場合には、Ｒ１〜Ｒ９はさらに置換基としてアリール基またはアルキル基を有していてもよい。）
また、本発明は、下記式（II）および下記式（III）で表される、モノアミン化合物に
存する。
【００１２】
【化５】
2006352088.tif 000006
【００１３】
（式中、Ｒ１１〜Ｒ２２は、水素原子、アリール基またはアルキル基を表す。Ｒ１１〜Ｒ２２はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
但し、Ｒ１１〜Ｒ２２の何れか１つは、アリール基またはアルキル基である。Ｒ１１〜Ｒ２２がアリール基またはアルキル基の場合には、Ｒ１１〜Ｒ２２はさらに置換基としてアリール基またはアルキル基を有していてもよい。また、Ｒ１１〜Ｒ２２は、隣接する置換基と結合し、環を形成していてもよい。）
【００１４】
【化６】
2006352088.tif 000007
【００１５】
（式中、Ｒ３０〜Ｒ３５は、水素原子、アリール基またはアルキル基を表す。Ｒ３０〜Ｒ３５はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
但し、Ｒ３０〜Ｒ３５の何れか１つは、アリール基またはアルキル基である。Ｒ３０〜Ｒ３５がアリール基またはアルキル基の場合には、Ｒ３０〜Ｒ３５はさらに置換基としてアリール基またはアルキル基を有していてもよい。また、Ｒ３０〜Ｒ３５は、隣接する置換基と結合し、環を形成していてもよい。）
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、長寿命、高輝度かつ高効率な有機電界発光素子を提供することができる。また、本発明のモノアミン化合物は電気的耐久性に優れることからも、有機電界発光素子用として有用である。また、電子写真感光体にも使用できる。
また、本発明のモノアミン化合物は、電荷輸送材料用だけでなく、各種発光材料用、太陽電池用、バッテリー材料用、医療用、塗料用、有機半導体材料用、トイレタリー材料用、帯電防止材料用、熱電素子材料用などにおいても有用である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下に記載する構成要件の説明は、本発明の実施態様の一例（代表例）であり、これらの内容に特定はされない。
本発明は、基板上に、陽極、正孔輸送層、有機発光層および陰極を有する有機電界発光素子であって、有機発光層には、部分構造としてピリジン環、ピラジン環あるいはトリアジン環を有する有機化合物が含まれており、かつ、正孔輸送層には下記式（Ｉ）で表さ
れるモノアミン化合物が含まれていることを特徴とする有機電界発光素子に関する。
【００１８】
【化７】
2006352088.tif 000008
【００１９】
（式中、Ｒ1〜Ｒ9は、水素原子、アリール基またはアルキル基を表す。Ｒ1〜Ｒ9はそれぞ
れ同一であっても異なっていてもよい。Ｒ1〜Ｒ9がアリール基またはアルキル基の場合には、Ｒ1〜Ｒ9はさらに置換基としてアリール基またはアルキル基を有していてもよい。）１．部分構造としてピリジン環、ピラジン環あるいはトリアジン環を有する有機化合    物
本発明においては、有機発光層に部分構造としてピリジン環、ピラジン環あるいはトリアジン環を有する有機化合物を含有することを特徴とする。該ピリジン環、ピラジン環あるいはトリアジン環は、置換基を有していてもよく、置換基として具体的には、例えば
置換基を有していてもよいアルキル基（好ましくは炭素数１から８の直鎖または分岐の
アルキル基であり、例えばメチル、エチル、n-プロピル、2-プロピル、n-ブチル、イソブチル、tert-ブチル基などが挙げられる。） 、
置換基を有していてもよいアルケニル基（好ましくは、炭素数２から９のアルケニル基であり、例えばビニル、アリル、1-ブテニル基などが挙げられる。）、
置換基を有していてもよいアルキニル基（好ましくは、炭素数２から９のアルキニル基であり、例えばエチニル、プロパルギル基などが挙げられる。）、
置換基を有していてもよいアラルキル基（好ましくは、炭素数７から１５のアラルキル基であり、例えばベンジル基などが挙げられる。）、
【００２０】
置換基を有していてもよいアミノ基［好ましくは、置換基を有していてもよい炭素数１から８のアルキル基を１つ以上有するアルキルアミノ基（例えばメチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノ基などが挙げられる。）、置換基を有していてもよい炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基を有するアリールアミノ基（例えばフェニルアミノ、ジフェニルアミノ、ジトリルアミノ基などが挙げられる。）、
置換基を有していてもよい、５または６員環の芳香族複素環を有するヘテロアリールアミノ基（例えばピリジルアミノ、チエニルアミノ、ジチエニルアミノ基などが含まれる。）、
置換基を有していてもよい、炭素数２〜１０のアシル基を有するアシルアミノ基（例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノ基などが含まれる。）］、
置換基を有していてもよいアルコキシ基（好ましくは置換基を有していてもよい炭素数１〜８のアルコキシ基であり、たとえばメトキシ、エトキシ、ブトキシ基などが含まれる）、
置換基を有していてもよいアリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素基を有するものであり、例えばフェニルオキシ、１−ナフチルオキシ、２−ナフチルオキシ基などが含まれる。）、
置換基を有していてもよいヘテロアリールオキシ基（好ましくは５または６員環の芳香族複素環基を有するものであり、例えばピリジルオキシ、チエニルオキシ基などが含まれる）、
【００２１】
置換基を有していてもよいアシル基（好ましくは、置換基を有していてもよい炭素数２〜１０のアシル基であり、例えばホルミル、アセチル、ベンゾイル基などが含まれる）、
置換基を有していてもよいアルコキシカルボニル基（好ましくは置換基を有していてもよい炭素数２〜１０のアルコキシカルボニル基であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニル基などが含まれる）、
置換基を有していてもよいアリールオキシカルボニル基（好ましくは置換基を有していてもよい炭素数７〜１３のアリールオキシカルボニル基であり、例えばフェノキシカルボニル基などが含まれる）、
置換基を有していてもよいアルキルカルボニルオキシ基（好ましくは置換基を有していてもよい炭素数２〜１０のアルキルカルボニルオキシ基であり、例えばアセトキシ基などが含まれる。）、
ハロゲン原子（特に、フッ素原子または塩素原子）、
カルボキシ基、
シアノ基、
水酸基、
メルカプト基、
【００２２】
置換基を有していてもよいアルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜８までのアルキルチオ基であり、例えば、メチルチオ基、エチルチオ基などが含まれる。）、
置換基を有していてもよいアリールチオ基（好ましくは炭素数６〜１２までのアリールチオ基であり、例えば、フェニルチオ基、１―ナフチルチオ基などが含まれる。）、
置換基を有していてもよいスルホニル基（例えばメシル基、トシル基などが含まれる）、
置換基を有していてもよいシリル基（例えばトリメチルシリル基、トリフェニルシリル基などが含まれる）、
置換基を有していてもよいボリル基（例えばジメシチルボリル基などが含まれる）、
置換基を有していてもよいホスフィノ基（例えばジフェニルホスフィノ基などが含まれる）、
置換基を有していてもよいアリール基（例えばベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環などの、５または６員環の単環または２〜５縮合環由来の１価の基が含まれる）
【００２３】
または置換基を有していてもよい芳香族複素環基（例えばフラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環などの、５または６員環の単環または２〜４縮合環由来の１価の基が含まれる）
などが挙げられる。
【００２４】
中でも、電気的酸化還元耐久性を向上させる観点および耐熱性を向上させるから、アリール基であるのがより好ましく、例えばベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環などの、６員環の単環または２〜５縮合環
由来の１価の基、或いは、それらが複数個連結されて形成された１価の基（例えば、ビフェニル基、ターフェニル基など）が好ましく挙げられるが、より好ましくは、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基などのベンゼン環を１〜８個連結してなる１価の基である。
部分構造としてピリジン環、ピラジン環あるいはトリアジン環を有する有機化合物のうち、高い三重項励起準位と電気的酸化還元耐久性の点から、部分構造としてピリジン環を有する有機化合物が好ましい。
また、部分構造としてピリジン環、ピラジン環あるいはトリアジン環を有する有機化合物は、正孔注入輸送性向上の点から更に部分構造としてＮ−カルバゾール環を有する有機化合物であることが好ましく、特に、Ｎ−フェニルカルバゾール環を有する有機化合物であることが好ましい。
部分構造としてピリジン環、ピラジン環あるいはトリアジン環を有する有機化合物の分子量は、通常５０００以下、好ましくは２０００以下である。
尚、本発明において置換基を有していてもよいとは、１以上の置換基を有していてもよいことを意味する。
【００２５】
部分構造としてピリジン環を有する化合物としては、以下に例示されるものが挙げられる。尚、以下の化合物において、−Ｎ−ＣｚはＮ−カルバゾリル基を表わす。また、Ｐｈはフェニル基を表す。
【００２６】
【化８】
2006352088.tif 000009
【００２７】
【化９】
2006352088.tif 000010
【００２８】
【化１０】
2006352088.tif 000011
【００２９】
【化１１】
2006352088.tif 000012
【００３０】
【化１２】
2006352088.tif 000013
【００３１】
【化１３】
2006352088.tif 000014
【００３２】
部分構造としてピラジン環を有する化合物としては、以下に例示されるものが挙げられる。尚、下記構造式中、−Ｎ−Ｃｚは、Ｎ−カルバゾリル基を表わす。
【００３３】
【化１４】
2006352088.tif 000015
【００３４】
【化１５】
2006352088.tif 000016
【００３５】
部分構造としてトリアジン環を有する化合物としては、以下に例示されるものが挙げられる。尚、下記構造式において、−Ｎ−Ｃｚは、Ｎ−カルバゾリル基を表わす。
【００３６】
【化１６】
2006352088.tif 000017
【００３７】
【化１７】
2006352088.tif 000018
【００３８】
【化１８】
2006352088.tif 000019
【００３９】
【化１９】
2006352088.tif 000020
【００４０】
２．モノアミン化合物
本発明においては、正孔輸送層に下記式（Ｉ）で表されるモノアミン化合物が含ま
れている。
【００４１】
【化２０】
2006352088.tif 000021
【００４２】
式中、Ｒ1〜Ｒ9は、水素原子、アリール基またはアルキル基を表す。Ｒ1〜Ｒ9はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
アリール基としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環
、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環 、トリフェニレ
ン環、フルオランテン環などの、６員環の単環または２〜５縮合環由来の１価の基、或いは、それらが複数個連結されて形成された１価の基（例えば、ビフェニル基、ターフェニル基など）が好ましく挙げられるが、より好ましくは、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基などのベンゼン環を１〜１０個連結してなる１価の基である。
【００４３】
アルキル基としては、好ましくは炭素数１以上、２８以下、さらに好ましくは２０以下、特に好ましくは４以下の直鎖または分岐のアルキル基であり、例えばメチル、エチル、n-プロピル、2-プロピル、n-ブチル、イソブチル、tert-ブチル基などが挙げられる。
Ｒ1〜Ｒ9がアリール基またはアルキル基の場合には、さらに置換基としてアリール基またはアルキル基を有していてもよい。
アリール基としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環
、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環 、トリフェニレ
ン環、フルオランテン環などの、６員環の単環または２〜５縮合環由来の１価の基、或いは、それらが複数個連結されて形成された１価の基（例えば、ビフェニル基、ターフェニル基など）が好ましく挙げられるが、より好ましくは、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基などのベンゼン環を１〜８個連結してなる１価の基である。
【００４４】
アルキル基としては、好ましくは炭素数１以上、２０以下の直鎖または分岐のアルキル基であり、例えばメチル、エチル、n-プロピル、2-プロピル、n-ブチル、イソブチル、tert-ブチル基などが挙げられる。
式（Ｉ）で表される化合物は、特に、Ｎ原子とアリール基からなる化合物であることが、電気的耐久性向上と耐熱性向上の点から好ましく、Ｎ原子とフェニル基（ベンゼン環）からなる化合物であることがより好ましい。
また、式（Ｉ）で表される化合物は、さらに、Ｒ8が置換基を有していてもよいフェニ
ル基であることが、電気的耐久性向上の点から好ましい。
また、式（Ｉ）で表される化合物は、その分子内に、下記式（Ｉ−１）で表される部分構造を有していることが、非晶質性向上と電気的還元耐久性向上の点から好ましい。
【００４５】
【化２１】
2006352088.tif 000022
【００４６】
また、式（Ｉ）で表される化合物は、Ｎ原子に結合する３つの基が、それぞれ、その置換基も含めて同一であることが好ましい。
式（I）で表されるモノアミン化合物として具体的には、以下の化合物が挙げられる。
【００４７】
【化２２】
2006352088.tif 000023
【００４８】
【化２３】
2006352088.tif 000024
【００４９】
【化２４】
2006352088.tif 000025
【化２５】
2006352088.tif 000026
【化２６】
2006352088.tif 000027
【００５０】
式（Ｉ）で表されるモノアミン化合物の分子量は、通常４００以上、好ましくは５００以上、通常２５００以下、好ましくは１５００以下である。上限を超えると、正孔輸送性の低下の恐れがあり好ましくなく、下限を下回ると耐熱性の低下の恐れがあり好ましくない。
また、式（Ｉ）で表されるモノアミン化合物のガラス転移温度は６０℃以上であり、９０℃以上であることが好ましい。下限を下回ると耐熱性の低下の恐れがあり好ましくない。
尚、式（Ｉ）で表される化合物の中でも、下記式（II）および下記式（ＩＩＩ）で表される化合物は新規の化合物である。下記式（II）および下記式（ＩＩＩ）で表される化合物は電気的耐久性に優れることから、電荷輸送材料として有用であり、特に有機電界発光素子に使用されることが好ましい。
＜式ＩＩ＞
【００５１】
【化２７】
2006352088.tif 000028
【００５２】
（式中、Ｒ１１〜Ｒ２２は、水素原子、アリール基またはアルキル基を表す。Ｒ１１〜Ｒ２２はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
但し、Ｒ１１〜Ｒ２２の何れか１つは、アリール基またはアルキル基である。Ｒ１１〜Ｒ２２がアリール基またはアルキル基の場合には、Ｒ１１〜Ｒ２２はさらに置換基としてアリール基またはアルキル基を有していてもよい。また、Ｒ１１〜Ｒ２２は、隣接する置換基と結合し、環を形成していてもよい。）
Ｒ１１〜Ｒ２２は、水素原子、アリール基またはアルキル基を表す。該アリール基としては、前記Ｒ１〜Ｒ９として例示したアリール基が挙げられ、好ましいものも同じである。また、該アルキル基としては、前記Ｒ１〜Ｒ９として例示したアルキル基が挙げられ、好ましいものも同じである。
また、Ｒ１１〜Ｒ２２が置換基としてアリール基またはアルキル基を有する場合の、アリール基およびアルキル基は、Ｒ１〜Ｒ９の置換基として例示したアリール基およびアルキル基と同じである。
Ｒ１１〜Ｒ２２は、隣接する置換基と結合して形成する環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、トリフェニレン環、フェナントレン環、ピレン環などが挙げられる。
式（II）で表される化合物の、好ましい分子量およびガラス転移温度は、式（Ｉ）で記載したものと同じである。
式（II）で表される化合物の中でも下記式（II−１）で表される化合物が好ましい。
【００５３】
【化２８】
2006352088.tif 000029
【００５４】
（式中、Ｒ２３〜Ｒ２６は、水素原子、アリール基またはアルキル基を表す。Ｒ２３〜Ｒ２６はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
但し、Ｒ２３〜Ｒ２６の何れか１つは、アリール基またはアルキル基である。Ｒ２３〜Ｒ２６がアリール基またはアルキル基の場合には、Ｒ２３〜Ｒ２６はさらに置換基としてアリール基またはアルキル基を有していてもよい。また、Ｒ２３〜Ｒ２６は、隣接する置換基と結合し、環を形成していてもよい。）
Ｒ２３〜Ｒ２６は、前記Ｒ１１〜Ｒ２２と同義である。Ｒ２３〜Ｒ２６の置換基も、前記Ｒ１１〜Ｒ２２の置換基と同義である。
＜式ＩＩＩ＞
【００５５】
【化２９】
2006352088.tif 000030
【００５６】
（式中、Ｒ３０〜Ｒ３５は、水素原子、アリール基またはアルキル基を表す。Ｒ３０〜Ｒ３５はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
但し、Ｒ３０〜Ｒ３５の何れか１つは、アリール基またはアルキル基である。Ｒ３０〜Ｒ３５がアリール基またはアルキル基の場合には、Ｒ３０〜Ｒ３５はさらに置換基としてアリール基またはアルキル基を有していてもよい。また、Ｒ３０〜Ｒ３５は、隣接する置換基と結合し、環を形成していてもよい。）
Ｒ３０〜Ｒ３５は、水素原子、アリール基またはアルキル基を表す。該アリール基としては、前記Ｒ１〜Ｒ９として例示したアリール基が挙げられ、好ましいものも同じである。また、該アルキル基としては、前記Ｒ１〜Ｒ９として例示したアルキル基が挙げられ、好ましいものも同じである。
また、Ｒ３０〜Ｒ３５が置換基としてアリール基またはアルキル基を有する場合の、アリール基およびアルキル基は、Ｒ１〜Ｒ９の置換基として例示したアリール基およびアルキル基と同じである。
Ｒ３０〜Ｒ３５は、隣接する置換基と結合して形成する環としては、上記式(II)で表される化合物のＲ１１〜Ｒ２２が隣接する置換基と結合して形成する環として例示したものと同じものが挙げられる。
式（III）で表される化合物の、好ましい分子量およびガラス転移温度は、式（Ｉ）で
記載したものと同じである。
式（III）で表される化合物の中でも下記式（III−１）で表される化合物が好ましい。
【００５７】
【化３０】
2006352088.tif 000031
【００５８】
（式中、Ｒ３４〜Ｒ３７は、水素原子、アリール基またはアルキル基を表す。Ｒ３４〜Ｒ３７はそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
但し、Ｒ３４〜Ｒ３７の何れか１つは、アリール基またはアルキル基である。Ｒ３４〜Ｒ３７がアリール基またはアルキル基の場合には、Ｒ３４〜Ｒ３７はさらに置換基としてアリール基またはアルキル基を有していてもよい。また、Ｒ３４〜Ｒ３７は、隣接する置換基と結合し、環を形成していてもよい。）
Ｒ３４〜Ｒ３７は、前記Ｒ３０〜Ｒ３５と同義である。Ｒ３４〜Ｒ３７の置換基も、前記Ｒ３０〜Ｒ３５の置換基と同義である。
式(I)〜(III)で表されるモノアミン化合物の合成法について以下に詳細を例示する。
図中、SM-1〜3は、出発原料を表し、TM-1〜11は、合成中間体または最終目的物を表す。
Ａｒａ〜Ａｒｉは、置換または無置換のフェニル基を表す。
Ｒａ〜Ｒｃは、水素原子、アリール基またはアルキル基を表す（但し、Ｒａ〜Ｒｃの何れか２つは、置換または無置換のフェニル基である）。
Ｘ１〜Ｘ５は、水素原子、アリール基またはアルキル基に置換または変換可能な基（水素原子；塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲン原子；−ＯＳＯ２ＣＦ３基、−ＯＳＯ２Ｃ６Ｈ４ＣＨ３基などの−ＯＳＯ２Ｒ基（Ｒは任意の置換基）；-B(OH)2基、-B(OR)2基などの置換ホウ素原子；-MgX基、-ZnX基、-SnX2基などのハロゲン化金属元素；アセチル基、エ
チルカルボニル基などのアルキルカルボニル基；-CHO基など）を表す。
【００５９】
【化３１】
2006352088.tif 000032
【００６０】
以下に、具体的な反応手法などについて説明するが、これらに限定されるものではない。
・芳香環同士を結合させる反応（反応Ａ〜Ｊ）
不活性ガス雰囲気下、アリールハライドを、アリールボロン酸、アリールボロン酸エステル、アリールチンクロライド、アリールジンククロライド、アリールマグネシウムブロマイド、アリールマグネシウムアイオダイドなど（Ｘに対して、１．０〜３．０当量）と、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウムなどの０価のパラジウム触媒（Ｘに対して、０．０００１〜０．２当量）、ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム、ｔｅｒｔ−ブトキシカリウム、炭酸セシウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、リン酸三カリウム、トリエチルアミン、水酸化カリウム、水酸化ナトリウムなどの塩基（Ｘに対して、２〜１０当量）、水、メタノール、エタノール、ノルマルヘキサノール、エチレングリコール、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチルエーテル、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、ジクロロメタン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、エチルベンゾエート、酢酸エチルなどの溶媒（Ｘに対して、０．０１〜１００リットル／モル程度）などと共に、−４０〜１５０℃の温度条件下、１〜６０時間ほど撹拌することにより得る方法が挙げられる。
【００６１】
他にも、公知のカップリング反応を用いて合成することが可能である。公知のカップリング手法としては、具体的には、「Palladium in Heterocyclic Chemistry : A guide for the Synthetic Chemist」（第二版、2002、Jie Jack Li and Gordon W. Gribble、Pergamon社）、「遷移金属が拓く有機合成  その多彩な反応形式と最新の成果」（1997年、辻二郎、化学同仁社）、「ボルハルト・ショアー現代有機化学  下」（2004年、K.P.C.Vollhardt、化学同人社））などに記載または引用されている、ハロゲン化アリールとアリールボレートとのカップリング反応などの、環同士の結合（カップリング）反応）を用いることができる。
【００６２】
・芳香環にアルキル基を導入する反応（反応Ｂ〜Ｄ、Ｇ）
公知の反応が適用可能であるが、例えば、
不活性ガス雰囲気下、アリールハライドに対して、アルキルボロン酸あるいはアルキルマグネシウムハライドを作用させる方法など（Tetrahedron (1998), 54, 12707-14など参照）が挙げられる。
また、不活性ガス雰囲気下、アリーレンに対して、塩化アルミニウムなどのルイス酸触媒存在下、アルキル酸クロリドを作用させて、アルキルカルボニル基を導入後、ヒドラジン、パラジウム−炭素などを用いて還元することによって得る方法などが挙げられる。
その他には、ジアルキル硫酸などのアルキル化剤などを用いることもできる。
また、４級アルキル基の導入では、塩化アルミニウムなどのルイス酸存在下、アルキルハライドをアリーレンに作用させる方法などが挙げられる。
【００６３】
・水素原子、アリール基またはアルキル基に置換可能な脱離基を導入する反応
公知のハロゲン化手法、置換スルホニル化手法、あるいは置換ホウ素化手法などを適宜適用可能である。ハロゲン化手法の例としては、不活性ガス雰囲気下、アニリンを、過剰量の塩素、臭素、ヨウ素、Ｎ−ブロモスクシンイミド、Ｎ−クロロスクシンイミドなどの存在下、ジクロロメタン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、クロロベンゼン、トルエン、ジエチルエーテルなどの溶媒中、−２０〜＋８０℃程度の温度条件下、１〜２４時間程度混合することでハロゲン化する手法などが挙げられる。
【００６４】
・芳香環に置換または無置換アミノ基を導入する反応（反応Ｋ、Ｌ）
一級アミンまたは二級アミンに対して、２〜１００当量のアリールハライド（Ａｒ−Ｘ、好ましくはＸ＝Ｂｒ，Ｉ）と、一級アミンまたは二級アミンとを、銅粉末、銅線、ハロゲン化銅（ＣｕＸ（Ｘ＝Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ））、酸化銅（ＣｕＯ）などの銅触媒（Ｘに対して０．１〜５当量程度）及び、トリエチルアミン、トリエタノールアミン、炭酸カリウム、炭酸カルシウム、リン酸カリウム、炭酸セシウム、ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウムなど塩基性物質（ハロゲン原子に対して１〜１００当量程度）の存在下、不活性ガス気流下、無溶媒または、ニトロベンゼンなどの芳香族溶媒、テトラグライム、ポリエチレングリコールなどのアルコール系溶媒（通常、一級アミンまたは二級アミンの１モルに対して、０．１〜１００リットル）中、２０〜３００℃の温度範囲で、１〜６０時間撹拌混合する方法、
あるいはＰｄ２（ｄｂａ）３（Ｐｄ＝パラジウム、ｄｂａ＝ジベンジリデンアセトン）、Ｐｄ（ｄｂａ）２、酢酸パラジウムなどの２価のパラジウム触媒と、ＢＩＮＡＰ（＝2,2’-ビス（ジフェニルフォスフィノ-1,1’-ビナフチル）、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）フォスフィン、トリフェニルフォスフィン、１，２−ビス（ジフェニルフォスフィノ）エタン、１，３−ビス（ジフェニルフォスフィノ）プロパン、１，３−ビス（ジフェニルフォスフィノ）ブタン、ｄｐｐｆ（＝1,1’-ビス（ジフェニルフォスフィノ）フェロセン）などのリガンド類の組合せなどの０価のパラジウム錯体、あるいはＰｄＣｌ２（ｄｐｐｆ）２などのパラジウム塩化物錯体などの触媒（Ｘに対して０．００１〜１当量程度）と、tert-ブトキシカリウム、tert-ブトキシナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、トリエチルアミンなどの塩基性物質（通常、Ｘに対して、２〜１００当量）存在下、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメトキシエタン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、キシレン、トルエン、トリエチルアミン、ピリジンなどの溶媒（通常、一級アミンまたは二級アミンの１モルに対して、０．１〜１００リットル）中、０〜２００℃で１〜６０時間かけて撹拌する方法、
あるいは、一級アミンまたは二級アミンに対して２〜１００当量のアリールボロン酸やアリールボロン酸エステルと、一級アミンまたは二級アミンとを、ＣｕＣｌ、ＣｕＢｒ、ＣｕＩなどの一価の銅触媒（通常、目的物２に対して、０．００１〜５当量）、（必要に応じて、Ｎ，Ｎ‘−ジメチルエチレン−１，２−ジアミン、１，２−シクロヘキサンジアミン、フェナントロリン、サリチルアルドキシムなどのリガンド類（ハロゲン原子に対して０．０１〜１００当量程度）、あるいはトリエチルアミン、トリエタノールアミン、炭酸カリウム、炭酸カルシウム、リン酸カリウム、炭酸セシウム、ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウムなど塩基性物質（ハロゲン原子に対して１〜１００当量程度））と共に、酸素存在下、メタノール、エタノール、ノルマルブタノール、エチレングリコール、エチレングリコールモノエチルエーテルなどの溶媒（通常、目的物２の１モルに対して、０．１〜１００リットル）中で、−１０〜２００℃の温度範囲にて１〜６０時間撹拌する方法などにより、得ることが出来る。
【００６５】
他にも、芳香環へのアミノ基の導入には、J. Am. Chem. Soc. (2001), 123, 7727-9、Angew. Chem. Int. Ed. (2003), 42, 5400-49、Coordination Chemistry Reviews (2004), 248, 2337-64、「第４版実験化学講座２０」（日本化学会編、丸善）、第６章（アミン）の項に記載の方法などが適用可能である。
化合物の精製方法としては、「分離精製技術ハンドブック」（１９９３年、（財）日本化学会編）、「化学変換法による微量成分および難精製物質の高度分離」（１９８８年、（株）アイ  ピー  シー発行）、あるいは「実験化学講座（第４版）１」（１９９０年、（財）日本化学会編）の「分離と精製」の項に記載の方法をはじめとし、公知の技術を利用可能である。
【００６６】
具体的には、抽出（懸濁洗浄、煮沸洗浄、超音波洗浄、酸塩基洗浄を含む）、吸着、吸蔵、融解、晶析（溶媒からの再結晶、再沈殿を含む）、蒸留（常圧蒸留、減圧蒸留）、蒸発、昇華（常圧昇華、減圧昇華）、イオン交換、透析、濾過、限外濾過、逆浸透、圧浸透、帯域溶解、電気泳動、遠心分離、浮上分離、沈降分離、磁気分離、各種クロマトグラフィー（形状分類：カラム、ペーパー、薄層、キャピラリー。移動相分類：ガス、液体、ミセル、超臨界流体。分離機構：吸着、分配、イオン交換、分子ふるい、キレート、ゲル濾過、排除、アフィニティー）などが挙げられる。
【００６７】
生成物の確認や純度の分析方法としては、カ゛スクロマトク゛ラフ（GC）、高速液体クロマトク゛ラフ（HPLC）、高速アミノ酸分析計（AAA）、キャヒ゜ラリー電気泳動測定（CE）、サイズ排除クロマトク゛ラフ（SEC）、ケ゛ル浸透クロマトク゛ラフ（GPC）、交差分別クロマトク゛ラフ（CFC）質量分析（MS、LC/MS,GC/MS,MS/MS）、核磁気共鳴装置（NMR（1HNMR,13CNMR））、フーリエ変換赤外分光高度計（FT-IR）、紫外可視近赤外分光高度計（UV.VIS,NIR）、電子スピン共鳴装置（ESR）、透過型電子顕微鏡（TEM-EDX）電子線マイクロアナライサ゛ー（EPMA）、金属元素分析（イオンクロマトク゛ラフ、誘導結合フ゜ラス゛マ-発光分光（ICP-AES）原子吸光分析（AAS）蛍光X線分析装置（XRF））、非金属元素分析、微量成分分析（ICP-MS,GF-AAS,GD-MS）等を必要に応じ、適用可能である。
【００６８】
３．有機電界発光素子
本発明の有機電界発光素子は、基板上に、陽極、陰極、およびこれら両極間に設けられた正孔輸送層及び有機発光層を有する有機電界発光素子に関する。
【００６９】
以下に、本発明の有機電界発光素子の構造の一例について、図面を参照しながら説明するが、本発明の有機電界発光素子の構造は以下の図示のものに限定されるものではない。
図１〜５は本発明の有機電界発光素子の構造例を模式的に示す断面図であり、１は基板、２は陽極、３は正孔注入層（陽極バッファ層）、４は正孔輸送層、５は発光層、６は正孔阻止層、７は電子輸送層、８は陰極を各々表す。尚、本発明において、有機発光層を、発光層とよぶことがある。
【００７０】
（基板）
基板１は有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシートなどが用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホンなどの透明な合成樹脂の板又はフィルムが好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板のガスバリア性が小さすぎると、基板を通過した外気により有機電界発光素子が劣化することがあるので好ましくない。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。
【００７１】
（陽極）
基板１上には陽極２が設けられる。陽極２は正孔輸送層４への正孔注入の役割を果たすものである。陽極２は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウムおよび／又はスズの酸化物などの金属酸化物、ヨウ化銅などのハロゲン化金属、カーボンブラック、或いは、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子などにより構成される。陽極２は通常、スパッタリング法、真空蒸着法などにより形成されることが多い。また、銀などの金属微粒子、ヨウ化銅などの微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末などで陽極２を形成する場合には、適当なバインダー樹脂溶液中に分散させて、基板１上に塗布することにより形成することもできる。更に、導電性高分子で陽極２を形成する場合には、電解重合により基板１上に直接重合薄膜を形成したり、基板１上に導電性高分子を塗布して形成することもできる（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６０巻，２７１１頁，１９９２年）。
【００７２】
陽極２は通常は単層構造であるが、所望により複数の材料からなる積層構造とすることも可能である。
陽極２の厚みは、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常６０％以上、好ましくは８０％以上とすることが望ましい。この場合、陽極の厚みは通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下程度である。不透明でよい場合は陽極２の厚みは任意であり、所望により金属で形成して基板１を兼ねてもよい。
【００７３】
（正孔輸送層）
通常、陽極２の上には正孔輸送層４が設けられる。正孔輸送層に使用される材料は、上記式（Ｉ）で表されるモノアミン化合物である。該モノアミン化合物は、ガラス転移温度が９０℃以上であることが耐熱性の点から好ましい。
正孔輸送層４は、スプレー法、印刷法、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法などの通常の塗布法や、インクジェット法、スクリーン印刷法など各種印刷法等の湿式成膜法や、真空蒸着法などの乾式成膜法で形成することができる。
塗布法の場合は、正孔輸送材料の１種又は２種以上のみを、あるいは必要により正孔のトラップにならないバインダー樹脂や塗布性改良剤などの添加剤を添加し、適当な溶剤に溶解して塗布溶液を調製し、スピンコート法などの方法により陽極２上に塗布し、乾燥して正孔輸送層４を形成する。バインダー樹脂としては、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル等が挙げられる。バインダー樹脂は添加量が多いと正孔移動度を低下させるので、少ない方が望ましく、通常、正孔輸送層中の含有量で５０重量％以下が好ましい。
【００７４】
真空蒸着法の場合には、正孔輸送材料を真空容器内に設置されたルツボに入れ、真空容器内を適当な真空ポンプで１０-4Ｐａ程度にまで排気した後、ルツボを加熱して、正孔輸送材料を蒸発させ、ルツボと向かい合って置かれた、陽極２が形成された基板１上に正孔輸送層４を形成させる。
正孔輸送層４の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。この様に薄い膜を一様に形成するためには、一般に真空蒸着法がよく用いられる。
【００７５】
（発光層）
通常、正孔輸送層４の上には発光層５が設けられる。本発明においては、有機発光層に上述の部分構造としてピリジン環、ピラジン環あるいはトリアジン環を有する有機化合物が含まれる。
発光層５は、通常、電界を与えられた電極間において、陽極２から注入されて正孔輸送層４を移動する正孔と、陰極から注入されて移動する電子との再結合により励起されて強い発光を示す発光材料により形成される。通常、発光層５には、発光材料とホスト材料が含まれる。部分構造としてピリジン環、ピラジン環あるいはトリアジン環を有する有機化合物は、ホスト材料として使用されることが好ましい。
【００７６】
本発明において、発光層に使用される発光材料として好ましくは有機金属錯体が挙げられ、特に周期表７ないし１１族から選ばれる金属を含む有機金属錯体が挙げられる。
周期表７ないし１１族から選ばれる金属を含む燐光性有機金属錯体における、該金属として好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、および金が挙げられる。これらの有機金属錯体として、好ましくは以下に例示される化合物が挙げられる。
これらの有機金属錯体として、好ましくは下記式（９）または式（１０）で表される化合物が挙げられる。
【００７７】
ＭＬ(q-j)Ｌ′j ・・・式（９）
｛式（９）中、Ｍは金属を表わし、ｑは上記金属の価数を表わす。また、Ｌ及びＬ′は二座配位子を表わす。さらに、ｊは０、１又は２を表わす。｝
【００７８】
【化３２】
2006352088.tif 000033
【００７９】
｛式（１０）中、Ｍdは金属を表わし、Ｔは炭素又は窒素を表わす。Ｒ92〜Ｒ95は、それ
ぞれ独立に置換基を表わす。ただし、Ｔが窒素の場合は、Ｒ94及びＲ95は無い。｝
以下、まず、式（９）で表わされる化合物について説明する。
【００８０】
式（９）中、Ｍは任意の金属を表わし、好ましいものの具体例としては、周期表７ないし１１族から選ばれる金属として前述した金属が挙げられる。
また、式（９）中の二座配位子Ｌ及びＬ′は、それぞれ、以下の部分構造を有する配位子を示す。
【００８１】
【化３３】
2006352088.tif 000034
L':
【００８２】
【化３４】
2006352088.tif 000035
【００８３】
L'として、錯体の安定性の観点から、特に好ましくは、
【００８４】
【化３５】
2006352088.tif 000036
【００８５】
である。
上記Ｌ，Ｌ′の部分構造において、環Ａ１″は、芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表わし、これらは置換基を有していてもよい。また、環Ａ２は、含窒素芳香族複素環基を表わし、これらは置換基を有していてもよい。好ましい置換基としては、フッ素原子等のハロゲン原子；メチル基、エチル基等のアルキル基；ビニル基等のアルケニル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基；フェノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリールオキシ基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基；ジフェニルアミノ基等のジアリールアミノ基；カルバゾリル基；アセチル基等のアシル基；トリフルオロメチル基等のハロアルキル基；シアノ基；フェニル基、ナフチル基、フェナンチル基等の芳香族炭化水素基等が挙げられる。
【００８６】
式（９）で表される化合物として、さらに好ましくは、下記式（９ａ）、（９ｂ）、（９ｃ）で表される化合物が挙げられる。
【００８７】
【化３６】
2006352088.tif 000037
【００８８】
｛式（９ａ）中、Ｍ4はＭと同様の金属を表わし、ｗは上記金属の価数を表わす。また、
環Ａ１″は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基を表わし、環Ａ２は置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表わす。）
【００８９】
【化３７】
2006352088.tif 000038
【００９０】
｛式（９ｂ）中、Ｍ5はＭと同様の金属を表わし、ｗは上記金属の価数を表わす。また、
環Ａ１″は置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表わし、環Ａ２は置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表わす。）
【００９１】
【化３８】
2006352088.tif 000039
【００９２】
ただし、式（９ｃ）中、Ｍ6はＭと同様の金属を表わし、ｗは上記金属の価数を表わす。
また、ｊは０、１又は２を表わす。さらに、環Ａ１″及び環Ａ１′は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基又は芳香族複素環基を表わす。また、環Ａ２および環Ａ２′は、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい含窒素芳香族複素環基を表わす。
【００９３】
上記式（９ａ）、（９ｂ）、（９ｃ）において、環Ａ１″および環Ａ１′としては、好ましくは、例えばフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、アントリル基、チエニル基、フリル基、ベンゾチエニル基、ベンゾフリル基、ピリジル基、キノリル基、イソキノリル基、カルバゾリル基等が挙げられる。
また、環Ａ２、環Ａ２′としては、好ましくは、例えばピリジル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基、ベンゾチアゾール基、ベンゾオキサゾール基、ベンゾイミダゾール基、キノリル基、イソキノリル基、キノキサリル基、フェナントリジル基等が挙げられる。
【００９４】
更に、式（９ａ）、（９ｂ）、（９ｃ）で表される化合物が有していてもよい置換基としては、フッ素原子等のハロゲン原子；メチル基、エチル基等のアルキル基；ビニル基等のアルケニル基；メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基；メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基；フェノキシ基、ベンジルオキシ基などのアリールオキシ基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等のジアルキルアミノ基；ジフェニルアミノ基等のジアリールアミノ基；カルバゾリル基；アセチル基等のアシル基；トリフルオロメチル基等のハロアルキル基；シアノ基等が挙げられる。
【００９５】
また、置換基がアルキル基である場合は、その炭素数は通常１以上６以下である。さらに、置換基がアルケニル基である場合は、その炭素数は通常２以上６以下である。また、置換基がアルコキシカルボニル基である場合は、その炭素数は通常２以上６以下である。さらに、置換基がアルコキシ基である場合は、その炭素数は通常１以上６以下である。また、置換基がアリールオキシ基である場合は、その炭素数は通常６以上１４以下である。さらに、置換基がジアルキルアミノ基である場合は、その炭素数は通常２以上２４以下である。また、置換基がジアリールアミノ基である場合は、その炭素数は通常１２以上２８以下である。さらに、置換基がアシル基である場合は、その炭素数は通常１以上１４以下である。また、置換基がハロアルキル基である場合は、その炭素数は通常１以上１２以下である。
【００９６】
なお、これら置換基は互いに連結して環を形成しても良い。具体例としては、環Ａ１″が有する置換基と環Ａ２が有する置換基とが結合するか、または、環Ａ１′が有する置換基と環Ａ２′が有する置換基とが結合するかして、一つの縮合環を形成してもよい。このような縮合環としては、７，８−ベンゾキノリン基等が挙げられる。
中でも、環Ａ１″、環Ａ１′、環Ａ２及び環Ａ２′の置換基として、より好ましくはアルキル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、シアノ基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、ジアリールアミノ基、カルバゾリル基が挙げられる。
【００９７】
また、式（９ａ）、（９ｂ）、（９ｃ）におけるＭ4，Ｍ5として好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金または金が挙げられる。
上記式（９）、（９ａ）、（９ｂ）又は（９ｃ）で示される有機金属錯体の具体例を以下に示す。ただし、下記の化合物に限定されるものではない。
【００９８】
【化３９】
2006352088.tif 000040
【００９９】
【化４０】
2006352088.tif 000041
【０１００】
さらに、上記式（９）、（９ａ）、（９ｂ）、（９ｃ）で表される有機金属錯体の中でも、特に、配位子Ｌ及び／又はＬ′として２−アリールピリジン系配位子、即ち、２−アリールピリジン、これに任意の置換基が結合したもの、及び、これに任意の基が縮合してなるものを有する化合物が好ましい。
【０１０１】
次に、式（１０）で表わされる化合物について説明する。
式（１０）中、Ｍdは金属を表わし、具体例としては、周期表７ないし１１族から選ば
れる金属として前述した金属が挙げられる。中でも好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金または金が挙げられ、特に好ましくは、白金、パラジウム等の２価の金属が挙げられる。
【０１０２】
また、式（１０）において、Ｒ92及びＲ93は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シアノ基、アミノ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、アラルキルアミノ基、ハロアルキル基、水酸基、アリールオキシ基、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表わす。
【０１０３】
さらに、Ｔが炭素の場合、Ｒ94及びＲ95は、それぞれ独立に、Ｒ92及びＲ93と同様の例示物で表わされる置換基を表わす。また、Ｔが窒素の場合はＲ94及びＲ95は無い。
また、Ｒ92〜Ｒ95はさらに置換基を有していてもよい。さらに有していてもよい置換基に制限はなく、任意の基を置換基とすることができる。
さらに、Ｒ92〜Ｒ95は互いに連結して環を形成してもよい。
【０１０４】
式（１０）で表わされる有機金属錯体の具体例（Ｔ−１，Ｔ−１０〜Ｔ−１５）を以下に示す。ただし、ドーパントは、下記の例示物に限定されるものではない。また、Ｍｅはメチル基を表わし、Ｅｔはエチル基を表わす。
【０１０５】
【化４１】
2006352088.tif 000042
【０１０６】
発光層５の膜厚は、通常３ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上であり、また通常２００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。
発光層５も正孔輸送層４と同様の方法で形成することができる。
【０１０７】
（陰極）
陰極８は、発光層５に電子を注入する役割を果たす。陰極８として用いられる材料は、前記陽極２に使用される材料を用いることが可能であるが、効率よく電子注入を行なうには、仕事関数の低い金属が好ましく、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、セシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属又はそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。
【０１０８】
陰極８の膜厚は通常、陽極２と同様である。
低仕事関数金属から成る陰極８を保護する目的で、この上に更に、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層することは素子の安定性を増す。この目的のために、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。
更に、陰極８と発光層５又は後述の電子輸送層７との界面にＬｉＦ、ＭｇＦ２、Ｌｉ２Ｏ等の極薄絶縁膜（０．１〜５ｎｍ）を挿入することも、素子の効率を向上させる有効な方法である（Ａｐｐｌ．  Ｐｈｙｓ．  Ｌｅｔｔ．，７０巻，１５２頁，１９９７年；特開平１０−７４５８６号公報；ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓ．  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ．  Ｄｅｖｉｃｅｓ，４４巻，１２４５頁，１９９７年）。
【０１０９】
（電子輸送層）
素子の発光効率を更に向上させることを目的として、図２に示すように、発光層５と陰極８の間に電子輸送層７が設けられることが好ましい。電子輸送層７は、電界を与えられた電極間において陰極８から注入された電子を効率よく発光層５の方向に輸送することができる化合物より形成される。
このような条件を満たす材料としては、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体（特開昭５９−１９４３９３号公報）、１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、３−又は５−ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン（米国特許第５，６４５，９４８号）、キノキサリン化合物（特開平６−２０７１６９号公報）、フェナントロリン誘導体（特開平５−３３１４５９号公報）、２−ｔ−ブチル−９，１０−Ｎ，Ｎ’−ジシアノアントラキノンジイミン、ｎ型水素化非晶質炭化シリコン、ｎ型硫化亜鉛、ｎ型セレン化亜鉛などが挙げられる。
【０１１０】
また、上述のような電子輸送材料に、アルカリ金属をドープする（特開平１０−２７０１７１号公報、特開２００２−１００４８２号、特開２００２−１００４７８号などに記載）ことにより、電子輸送性が向上するため好ましい。
電子輸送層６の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また通常２００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。
電子輸送層７は、正孔輸送層４と同様にして塗布法或いは真空蒸着法により発光層５上に積層することにより形成されるが、通常は、真空蒸着法が用いられる。
【０１１１】
（正孔阻止層）
図３に示す素子において、正孔阻止層６は発光層５の上に、発光層５と電子輸送層７の界面に接するように積層される。
正孔阻止層６は、正孔輸送層４から移動してくる正孔が発光層を通り過ぎるのを阻止することができ、かつ、陰極８から注入された電子を効率よく発光層５の方向に輸送することができる化合物より形成されることが好ましい。従って、正孔阻止層６を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いことが必要とされる。正孔阻止層６は正孔と電子を発光層５内に閉じこめて、発光効率を向上させる機能を有する。
このような条件を満たす正孔阻止材料としては、公知の材料が使用できる。
【０１１２】
（正孔注入層）
正孔注入の効率を更に向上させ、かつ、有機層全体の陽極２への付着力を改善させる目的で、図４に示すように、正孔輸送層４と陽極２との間に正孔注入層３を挿入することも行われている。正孔注入層３を挿入することで、初期の素子の駆動電圧が下がると同時に、素子を定電流で連続駆動した時の電圧上昇も抑制される効果がある。
【０１１３】
正孔注入層３に用いられる材料に要求される条件としては、陽極２とのコンタクトがよく均一な薄膜が形成でき、熱的に安定であることが挙げられ、融点およびガラス転移温度が高く、融点としては３００℃以上、ガラス転移温度としては１００℃以上であることが好ましい。更に、イオン化ポテンシャルが低く陽極２からの正孔注入が容易なこと、正孔移動度が大きいことが挙げられる。
【０１１４】
この目的のために、正孔注入層３の材料として、これまでにポルフィリン誘導体やフタロシアニン化合物（特開昭63-295695号公報）、ヒドラゾン化合物、アルコキシ置換の芳
香族ジアミン誘導体、p-(9-アントリル)-N,N'-ジ-p-トリルアニリン、ポリチエニレンビ
ニレンやポリ-p-フェニレンビニレン、ポリアニリン（Appl.Phys.Lett.,64巻、1245頁,1994年）、ポリチオフェン（OpticalMaterials,9巻、125頁、1998年）、スターバスト型芳香族トリアミン（特開平4-308688号公報）等の有機化合物や、スパッタ・カーボン膜（Synth.Met.,91巻、73頁、1997年）や、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、モリブデン酸化物等の金属酸化物（J.Phys.D,29巻、2750頁、1996年）が報告されている。
【０１１５】
上記正孔注入層３の材料としては、低分子・高分子いずれの化合物を用いることも可能である。
正孔注入層３も、正孔輸送層４と同様にして薄膜形成可能であるが、無機物の場合には、更に、スパッタ法や電子ビーム蒸着法、プラズマＣＶＤ法が用いられる。
以上の様にして形成される正孔注入層３の膜厚は、低分子化合物を用いて形成される場合、下限は通常３ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ程度であり、上限は通常１００ｎｍ、好ましくは５０ｎｍ程度である。
【０１１６】
正孔注入層３の材料として、高分子化合物を用いる場合は、例えば、前記高分子化合物や電子受容性化合物、更に必要により正孔のトラップとならない、バインダー樹脂やレベリング剤等の塗布性改良剤などの添加剤を添加し溶解した塗布溶液を調製し、スプレー法、印刷法、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法などの通常のコーティング法や、インクジェット法等により陽極２上に塗布し、乾燥することにより正孔注入層３を薄膜形成することができる。バインダー樹脂としては、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル等が挙げられる。バインダー樹脂は該層中の含有量が多いと正孔移動度を低下させる虞があるので、少ない方が望ましく、正孔注入層３中の含有量で５０重量％以下が好ましい。
【０１１７】
また、フィルム、支持基板、ロール等の媒体に、前述の薄膜形成方法によって予め薄膜を形成しておき、媒体上の薄膜を、陽極２上に熱転写又は圧力転写することにより、薄膜形成することもできる。
以上のようにして、高分子化合物を用いて形成される正孔注入層３の膜厚の下限は通常５ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ程度であり、上限は通常１０００ｎｍ、好ましくは５００ｎｍ程度である。
【０１１８】
（層構成）
本発明の有機電界発光素子は、図１とは逆の構造、即ち、基板１上に陰極８、発光層５、正孔輸送層４、陽極２の順に積層することも可能であり、既述したように少なくとも一方が透明性の高い２枚の基板の間に本発明の有機電界発光素子を設けることも可能である。同様に、図２〜４の何れかに示した前記各層構成と逆の順に積層することも可能である。また、図１〜４のいずれの層構成においても、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、上述以外の任意の層を有していてもよく、また上記複数の層の機能を併有する層を設けることにより、層構成を簡略化する等、適宜変形を加えることが可能である。
【０１１９】
或いはまた、トップエミッション構造や陰極・陽極共に透明電極を用いて透過型とすること、更には、図１に示す層構成を複数段重ねた構造（発光ユニットを複数積層させた構造）とすることも可能である。その際には段間（発光ユニット間）の界面層（陽極がＩＴＯ、陰極がＡｌの場合はその２層）の代わりに、例えばＶ2Ｏ5等を電荷発生層（ＣＧＬ）として用いると段間の障壁が少なくなり、発光効率・駆動電圧の観点からより好ましい。
【０１２０】
本発明は、有機電界発光素子が、単一の素子、アレイ状に配置された構造からなる素子、陽極と陰極がＸ−Ｙマトリックス状に配置された構造のいずれにおいても適用することができる。
【実施例】
【０１２１】
本発明を実施例によって更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。
００７２
（合成例１）目的物１〜３の合成
【０１２２】
【化４２】
2006352088.tif 000043
【０１２３】
窒素雰囲気下、１，３−ジブロモベンゼン（２３ｇ）、４−ビフェニルボロン酸（２１ｇ）、炭酸カリウム（４０．６ｇ）、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム（２．０ｇ）、ジメトキシエタン（２９４ｍｌ）、水（１４７ｍｌ）の混合物を、加熱還流下、６時間撹拌した。得られた反応混合物をろ過、エタノールおよび水による振りかけ洗浄して、目的物１を含む粗精製物３７ｇを得た。この粗精製物からクロロホルムによる抽出および再結晶により、目的物１を精製した。
窒素気流中、目的物１（７ｇ）、ビス（ピナコラートジボロン）（６．９０ｇ）、酢酸カリウム（７．５５ｇ）、ＤＭＳＯ（２００ｍｌ）を、６０℃に加熱下、１５分間撹拌し、[１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン]ジクロロパラジウム（ＩＩ）ジクロロメタン錯体（０．５５５ｇ）を加え、８０℃に加熱下、８時間撹拌した。室温まで放冷した後、反応液に水（２５０ｍｌ）、トルエン（５００ｍｌ）を加え、攪拌した。水層をトルエンで再抽出した後、有機層を合わせ、飽和食塩水で５回洗浄した後、硫酸マグネシウム及び活性白土を加えた。硫酸マグネシウム及び活性白土を濾別し、トルエンを減圧留去した。析出した固形分を、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製することにより、目的物２（６．６ｇ）を得た。
窒素気流中、目的物２（７．３２ｇ）、トリス（４−ブロモフェニル）アミン（３ｇ）、ジメトキシエタン（１２０ｍｌ）の混合物に、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム（０．７１８ｇ）、２M炭酸ナトリウム水溶液（６０ｍｌ）を順次投入し、加熱還流下、４時間撹拌した。室温まで放冷した後、析出した沈殿を濾別し、炭酸水素ナトリウム水溶液で２回、メタノールで１回振りかけ洗浄した。残渣をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド溶媒中で１回、メタノール溶媒中で１回ずつ加熱還流下で懸濁洗浄後、乾燥し、目的物３の粗精製物３．４３ｇを得た。窒素気流中、目的物３の粗精製物（３．４３ｇ）、目的物２（２．０８ｇ）、ジメトキシエタン（１２０ｍｌ）の混合物に、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム（０．３３７ｇ）、２M炭酸ナトリウム水溶液（６０ｍｌ）を順次投入し、加熱還流下、９．５時間撹拌した。室温まで放冷した後、析出した沈殿を濾別し、水で振りかけ洗浄した。得られた残渣に活性白土を加えた後、加熱環流条件で、アニソール（６００ｍｌ）を用いて抽出、ろ過し、濾液をメタノールに投入することで結晶を析出させ、得られた結晶を、アニソールからの再結晶および減圧下での昇華精製で精製し、目的物３（０．６１４ｇ）を得た。
ＤＥＩ−ＭＳ（m/z=929(M+)）により、目的物３であることを確認した。
このものの気化温度は５６７℃、融点は２９０℃、ガラス転移温度は１２７℃であった。
（合成例２）目的物４〜６の合成
【０１２４】
【化４３】
2006352088.tif 000044
【０１２５】
窒素気流中、１，３，５−トリブロモベンゼン（２５．１８ｇ）、フェニルボロン酸（２１．４６ｇ）、トルエン（３１０ｍｌ）の混合物に、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム（２．７７３ｇ）、炭酸カリウム（３３．１７ｇ）を水（１００ｇ）に溶解させた水溶液を順次投入し、加熱還流下、９．５時間撹拌した。得られた溶液から有機層を分取し、有機層を食塩水で洗浄後、無水硫酸マグネシウム、活性白土を加えて、撹拌後、濾過、濃縮して得られた残留物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、目的物４（１４．２８ｇ）を得た。
窒素気流中、目的物４（９．２８ｇ）、無水ジエチルエーテル（７５ｍｌ）、無水トルエン（５０ｍｌ）の混合溶液に、−４０〜−２０℃条件下で、１．６Ｍノルマルブチルリチウム−ノルマルヘキサン溶液を１０分間かけて滴下した。そのまま１時間撹拌後、−７０℃まで冷却してから、ホウ酸トリイソプロピル（２０．８ｍｌ）を３０分間かけて滴下し、そのまま４０分間撹拌した。これを２時間かけて室温に戻してから、１Ｎ塩酸水溶液（６５ｍｌ）を加え、１時間撹拌した。得られた溶液にトルエンと飽和食塩水を加えて、分液し、有機層を食塩水で洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥、濃縮後、ヘキサン−トルエンからの再結晶で精製し、目的物５（６．１４ｇ）を得た。
【０１２６】
窒素気流中、トリス（４−ブロモフェニル）アミン（２．４１ｇ）、目的物５（４．９４ｇ）、ジメトキシエタン（１５０ｍｌ）の混合物に、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）パラジウム（０．５２ｇ）、２Ｍ炭酸カリウム水溶液（３０ｇ）を順次投入し、加熱還流下、６．２時間撹拌した。得られた溶液にエタノールおよび水を加えて、析出した沈殿をろ過、エタノールで洗浄し、得られた固形分をクロロホルム（２５０ｍｌ×２回）で抽出処理し、抽出液を濃縮して得られた固形分を、トルエン中、加熱還流下で懸濁洗浄した。
さらにＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（２００ｍｌ）中で、加熱還流下で懸濁洗浄後、減圧下で昇華精製することにより、目的物６（０．８３ｇ）を得た。
DEI-MS m/z = 929(M+)
このもののガラス転移温度は検出されず、融点は３４６℃、気化温度は５５７℃であった。
（合成例３）目的物７〜９
【０１２７】
【化４４】
2006352088.tif 000045
【０１２８】
窒素雰囲気下、1,3-ジブロモベンゼン（14.45g）、3-ヒ゛フェニルホ゛ロン酸(10g)、
炭酸カリウム（19.0g）テトラキス（トリフェニルフォスフィン）ハ゜ラシ゛ウム（0.9g
）、トルエン（120ml）、水（60ml）の混合物を、加熱還流下、6時間攪拌した。得られた反応混合物の有機層と水層を分離し、有機層を洗浄、濃縮後、カラムクロマトク゛ラフィーにて精製し、透明無色な液体として目的物７（8.73g）を得た。
【０１２９】
【化４５】
2006352088.tif 000046
目的物７                                    目的物８
【０１３０】
窒素気流中、目的物７（6.24g）、ヒ゛ス（ヒ゜ナコラートシ゛ホ゛ロン）（5.65g）、酢酸カリウム（6.75g）、DMSO（140ml）を、60℃に加熱下、[1,1-ヒ゛ス（シ゛フェニルホスフィノ）フェロセン]シ゛クロロハ゜ラシ゛ウム（II）シ゛クロロメタン錯体（0.49g）を加え、80℃に加熱下、8時間攪拌した。室温まで冷却した後、反応液に水（100ml）、トルエン（200ml）を加え、攪拌した。水層をトルエンで再抽出した後、有機層をあわせ
飽和食塩水で2回洗浄した後、硫酸マク゛ネシウム及び活性白土を加えた。それらを濾別
し、トルエンを濃縮した。濃縮したoil状態の残留物に塩化メチレン5ml、メタノール20mlを加え、結晶化させ、白色結晶として析出した。メタノール（100ml）で加熱洗浄をし、
目的物８
（4.3g）を得た。
【０１３１】
【化４６】
2006352088.tif 000047
【０１３２】
窒素気流中、上記より得られた目的物８（4g）、トリス（4-フ゛ロモフェニル）アミン（1.35g）をエチレンク゛リコールシ゛メチルエーテル（84ml）に溶解し、テトラキス（
トリフェニルフォスフィン）ハ゜ラシ゛ウム(0)（0.3g）、炭酸カリウム3.48gを水13mlに溶解した水溶液を系内に順次添加、加熱攪拌する。加熱還流下4時間反応し、室温に放冷
した後有機層を濃縮した。水、クロロホルムを加え有機層を抽出した。硫酸マク゛ネシウムで乾燥後、濃縮し、さらにカラムクロマトク゛ラフィーで精製、メタノールを添加し懸洗洗浄した。得られた結晶を乾燥後、減圧下での昇華精製で精製し、目的物９（１g）を
得た。
DEI-MS（m/z=929（M+））により目的物９であることを確認した。
このものの気化温度は562℃、融点は225℃、ガラス転移温度は95℃であった。
（合成例４）目的物１０〜１２
【０１３３】
【化４７】
2006352088.tif 000048
【０１３４】
窒素気流中、９−ブロモフェナントレン（11.7g）、ヒ゛ス（ヒ゜ナコラートシ゛ホ゛
ロン）（15.0g）、酢酸カリウム（17.9g）、DMSO（200ml）を、60℃に加熱下、[1,1-ヒ゛ス（シ゛フェニルホスフィノ）フェロセン]シ゛クロロハ゜ラシ゛ウム（II）シ゛クロロ
メタン錯体（1.32g）を加え、80℃に加熱下、5.5時間攪拌した。室温まで冷却した後、反応液に水（300ml）、トルエン（200ml）を加え、攪拌した。水層をトルエン(200mlx2)で再抽出し、有機層をあわせ飽和食塩水で2回洗浄した後、硫酸マク゛ネシウム及び活性白
土を加えた。それらを濾別し、トルエンを減圧留去した後、塩化メチレン5ml、メタノー
ル20mlを加え、析出した白色結晶を濾取し、目的物１０（11.9g）を得た。
【０１３５】
【化４８】
2006352088.tif 000049
【０１３６】
窒素気流中、上記より得られた目的物１０（6.00g）、１，３，５−トリブロモベンゼ
ン（2.86g）をトルエン（120ml）に溶解し、炭酸ナトリウム（4.81g）を水50mlに溶解し
た水溶液、エタノール（10ml）、テトラキス（トリフェニルフォスフィン）ハ゜ラシ゛ウム(0)（0.210g）を系内に順次添加し、加熱還流下、8.5時間攪拌した。室温に放冷した後、水層をトルエン(100mlx2)で抽出し、有機層をあわせ、硫酸マク゛ネシウム及び活性白土を加えた。それらを濾別し、トルエンを減圧留去した後、クロロホルム／エタノールで再沈殿することにより、結晶を得た。さらに、カラムクロマトク゛ラフィーで精製後、エタノールで懸濁洗浄することにより、白色結晶として、目的物１１（1.56g）を得た。
【０１３７】
【化４９】
2006352088.tif 000050
【０１３８】
窒素気流中、目的物１１（1.50g）、ビス（４−ビフェニル）アミン（0.945g）、tert-ブトキシナトリウム（0.678g）、およびトルエン（30ml）の溶液に、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（０）クロロホルム錯体（0.030g）、トリ-tert-ブチルホスフィン（0.048g）、およびトルエン（3ml）を窒素雰囲気下、６０℃で１５分間攪拌して
調製した溶液を加えて、加熱還流下、８時間攪拌した。放冷後、クロロホルム(100ml)活
性白土およびクロロホルム(100ml)を加え、１５分間攪拌した。不溶物を濾別、濾液を濃
縮し、塩化メチレン／メタノールで再沈殿することにより、結晶を得た。さらに、カラムクロマトク゛ラフィーで精製後、塩化メチレン／メタノールで再沈殿し、減圧下で昇華精製することにより、目的物１２（1.50g）を得た。
DEI-MS（m/z=749（M+））により目的物１２であることを確認した。
このものの気化温度は523℃、融点は検出されず、ガラス転移温度は138℃であった。
【０１３９】
（実施例１）
図５に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法で作製した。
ガラス基板１の上にインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜２を150nm堆積した
もの（スパッター成膜品；シート抵抗15Ω）を通常のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングを用いて2mm幅のストライプにパターニングして陽極を形成した。パターン形成し
たＩＴＯ基板を、アセトンによる超音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。
【０１４０】
正孔注入層３の材料として、下記に示す構造式の芳香族アミノ基を有する非共役系高分子化合物（ＰＢ−１）
【０１４１】
【化５０】
2006352088.tif 000051
重量平均分子量 ：29400
数平均分子量 ：12600
を電子受容性化合物（Ａ−２）
【０１４２】
【化５１】
2006352088.tif 000052
【０１４３】
と共に以下の条件でスピンコートした。
スピンコート条件
溶媒 安息香酸エチル
塗布液濃度 2[wt%]
ＰＢ−１：Ａ−２   １０：２
スピナ回転数    1500[rpm]
スピナ回転時間 30[秒]
乾燥条件 230[℃]  15[分]
上記のスピンコートにより膜厚30nmの均一な薄膜が形成された。
【０１４４】
次に正孔注入層を成膜した基板を真空蒸着装置内に設置した。上記装置の粗排気を油回転ポンプにより行った後、装置内の真空度が約2.0×10-5Pa以下になるまで油拡散
ポンプを用いて排気した。上記装置内に配置されたセラミックるつぼに入れた、下記に示すモノアミン化合物（アリールアミン化合物）（Ｈ−１）
【０１４５】
【化５２】
2006352088.tif 000053
【０１４６】
をるつぼの周囲のタンタル線ヒーターで加熱して蒸着を行った。蒸着時の真空度2.0×10-5Pa、蒸着速度は0.12nm/秒で膜厚40nmの正孔輸送層４を得た。
引続き、発光層５の主成分（ホスト材料）として下記に示す（Ｅ−１）を、副成分（ドーパント）として有機イリジウム錯体（Ｄ−１）を、別々のセラミックるつぼに設置し、２元同時蒸着法により成膜を行った。
【０１４７】
【化５３】
2006352088.tif 000054
【０１４８】
（Ｅ−１）のるつぼ温度は 327〜328℃、蒸着速度は 0.09nm／秒に、化合物（Ｄ−１）
のるつぼ温度は 250〜 250℃にそれぞれ制御し、膜厚30nmで化合物（Ｄ−１）が６重量％含有された発光層５を正孔輸送層４の上に積層した。蒸着時の真空度は2.7×10-5Paであ
った。
【０１４９】
さらに、正孔阻止層６として下記に示す化合物（ＨＢ−１）
【０１５０】
【化５４】
2006352088.tif 000055
【０１５１】
をるつぼ温度を 239〜243℃として、蒸着速度0.1nm/秒で5nmの膜厚で積層した。蒸着時の真空度は2.6×10-5Paであった。
正孔阻止層６の上に、電子輸送層７として下記に示すアルミニウムの８−ヒドロキシキノリン錯体（ＥＴ−１）
【０１５２】
【化５５】
2006352088.tif 000056
【０１５３】
を同様にして蒸着した。この時のアルミニウムの８−ヒドロキシキノリン錯体のるつぼ温度は307〜309℃の範囲で制御し、蒸着時の真空度は2.7×10-5Pa、蒸着速度は0.1nm/秒で
膜厚は30nmとした。
【０１５４】
上記の正孔輸送層、発光層及び電子輸送層を真空蒸着する時の基板温度は室温に保持した。
ここで、電子輸送層７までの蒸着を行った素子を一度前記真空蒸着装置内より大気中に取り出して、陰極蒸着用のマスクとして2mm幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極２
のＩＴＯストライプとは直交するように素子に密着させて、別の真空蒸着装置内に設置して有機層と同様にして装置内の真空度が2.0×10-4Pa以下になるまで排気した。陰極８と
して、先ず、フッ化リチウム（LiF）をモリブデンボートを用いて、蒸着速度0.01nm／秒
、真空度2.2×10-4Paで、0.5nmの膜厚で電子輸送層７の上に成膜した。次に、アルミニウムを同様にモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度0.4nm/秒、真空度7.4×10-6Paで
膜厚80nmのアルミニウム層を形成して陰極８を完成させた。以上の２層型陰極８の蒸着時の基板温度は室温に保持した。
【０１５５】
以上の様にして、2mm×2mm のサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得ら
れた。この素子の発光特性を表−１に示す。表−１において、最大発光輝度は電流密度0.25A/cm2での値、輝度／電流・電圧は輝度2500cd/m2での値を各々示す。素子の発光スペ
クトルの極大波長は514nmであり、有機イリジウム錯体（Ｄ−１）からのものと同定され
た。色度はCIE(x,y)=(0.31,0.62)であった。また、駆動時間は室温で、通電開始時の発光輝度が5000cd/m2となる一定電流値で直流定電流を連続通電し、発光輝度が2500cd/m2となったときの通電時間である。結果を表−１に示す。
尚、表中、Ｌ／Ｌ０は、駆動初期における輝度（Ｌ０）に対する相対輝度を表す。
【０１５６】
（実施例２）
図４に示す構造を有する有機電界発光素子を作製した。正孔阻止層６を積層しなかった以外は実施例１と同様にして、2mm×2mmのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光
素子が得られた。この素子の発光特性を表−１に示す。表−１において、最大発光輝度は電流密度0.25A/cm2での値、輝度／電流・電圧は輝度2500cd/m2での値を各々示す。発光
スペクトルの極大波長は514nmであり、有機イリジウム錯体（Ｄ−１）からのものと同定
された。色度はCIE(x,y)=(0.31,0.62)であった。また、駆動時間は室温で、通電開始時の発光輝度が5000cd/m2となる一定電流値で直流定電流を連続通電し、発光輝度が4000cd/m2となったときの通電時間である。結果を表−１に示す。
【０１５７】
（実施例３）
図５に示す構造を有する有機電界発光素子を作製した。（Ｈ−１）の代わりに下記に示す（Ｈ−２）を用いた他は、実施例１と同様にして、2mm×2mm のサイズの発光面積部分
を有する有機電界発光素子が得られた。この素子の発光特性を表−１に示す。表−１において、最大発光輝度は電流密度0.25A/cm2での値、輝度／電流・電圧は 輝度2500cd/m2で
の値を各々示す。発光スペクトルの極大波長は514nmであり、有機イリジウム錯体（Ｄ−
１）からのものと同定された。色度はCIE(x,y)=(0.31,0.62)であった。
【０１５８】
【化５６】
2006352088.tif 000057
【０１５９】
（実施例４）
図4に示す構造を有する有機電界発光素子を作製した。正孔阻止層６を積層しなかった
以外は実施例３と同様にして、2mm×2mm のサイズの発光面積部分を有する有機電界発光
素子が得られた。この素子の発光特性を表−１に示す。表−１において、最大発光輝度は電流密度0.25A/cm2での値、輝度／電流・電圧は 輝度2500cd/m2での値を各々示す。発光
スペクトルの極大波長は515nmであり、有機イリジウム錯体（Ｄ−１）からのものと同定
された。色度はCIE(x,y)=(0.31,0.62)であった。
【０１６０】
（実施例５）
図5に示す構造を有する有機電界発光素子を作製した。（Ｈ−１）の代わりに下記に示
す（Ｈ−３）を用いた他は、実施例１と同様にして、2mm×2mm のサイズの発光面積部分
を有する有機電界発光素子が得られた。この素子の発光特性を表−１に示す。表−１において、最大発光輝度は電流密度0.25A/cm2での値、輝度／電流・電圧は 輝度2500cd/m2で
の値を各々示す。発光スペクトルの極大波長は513nmであり、有機イリジウム錯体（Ｄ−
１）からのものと同定された。色度はCIE(x,y)=(0.31,0.62)であった。
【０１６１】
【化５７】
2006352088.tif 000058
【０１６２】
（実施例６）
図4に示す構造を有する有機電界発光素子を作製した。正孔阻止層６を積層しなかった
以外は実施例５と同様にして、2mm×2mm のサイズの発光面積部分を有する有機電界発光
素子が得られた。この素子の発光特性を表−１に示す。表−１において、最大発光輝度は電流密度0.25A/cm2での値、輝度／電流・電圧は 輝度2500cd/m2での値を各々示す。発光
スペクトルの極大波長は515nmであり、有機イリジウム錯体（Ｄ−１）からのものと同定
された。色度はCIE(x,y)=(0.31,0.62)であった。
【０１６３】
（実施例７）
図5に示す構造を有する有機電界発光素子を作製した。（Ｈ−１）の代わりに下記に示
す（Ｈ−４）を用い、（Ｅ−１）の代わりに下記に示す（Ｅ−２）を用いた他は、実施例１と同様にして、2mm×2mm のサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られ
た。この素子の発光特性を表−１に示す。表−１において、最大発光輝度は電流密度0.25A/cm2での値、輝度／電流・電圧は 輝度2500cd/m2での値を各々示す。発光スペクトルの極大波長は513nmであり、有機イリジウム錯体（Ｄ−１）からのものと同定された。色度はCIE(x,y)=(0.31,0.62)であった。
【０１６４】
【化５８】
2006352088.tif 000059
【０１６５】
（実施例８）
図4に示す構造を有する有機電界発光素子を作製した。正孔阻止層６を積層しなかった
以外は実施例７と同様にして、2mm×2mm のサイズの発光面積部分を有する有機電界発光
素子が得られた。この素子の発光特性を表−１に示す。表−１において、最大発光輝度は電流密度0.25A/cm2での値、輝度／電流・電圧は 輝度2500cd/m2での値を各々示す。発光
スペクトルの極大波長は513nmであり、有機イリジウム錯体（Ｄ−１）からのものと同定
された。色度はCIE(x,y)=(0.31,0.62)であった。また、駆動時間は室温で、通電開始時の発光輝度が5000cd/m2となる一定電流値で直流定電流を連続通電し、発光輝度が2500cd/m2となったときの通電時間である。 
【０１６６】
（比較例１）
図５に示す構造を有する有機電界発光素子を作製した。（Ｈ−１）の代わりに下記に示す（ＰＰＤ）を用いた他は、実施例１と同様にして、2mm×2mmのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。この素子の発光特性を表−１に示す。表−１において、最大発光輝度は電流密度0.25A/cm2での値、輝度／電流・電圧は 輝度2500cd/m2での
値を各々示す。発光スペクトルの極大波長は514nmであり、有機イリジウム錯体（Ｄ−１
）からのものと同定された。色度はCIE(x,y)=(0.31,0.62)であった。また、駆動時間は室温で、通電開始時の発光輝度が5000cd/m2となる一定電流値で直流定電流を連続通電し、
発光輝度が2500cd/m2となったときの通電時間である。
結果を表−１に示す。
【０１６７】
【化５９】
2006352088.tif 000060
【０１６８】
（比較例２）
図４に示す構造を有する有機電界発光素子を作製した。（Ｈ−１）の代わりに上記に示す（ＰＰＤ）を用いた他は、実施例２と同様にして、2mm×2mm のサイズの発光面積部分
を有する有機電界発光素子が得られた。この素子の発光特性を表−１に示す。表−１において、最大発光輝度は電流密度0.25A/cm2での値、輝度／電流・電圧は 輝度2500cd/m2で
の値を各々示す。発光スペクトルの極大波長は514nmであり、有機イリジウム錯体（Ｄ−
１）からのものと同定された。色度はCIE(x,y)=(0.31,0.62)であった。また、駆動時間は室温で、通電開始時の発光輝度が5000cd/m2となる一定電流値で直流定電流を連続通電し
、発光輝度が4000cd/m2となったときの通電時間である。結果を表−１に示す。
【０１６９】
（比較例３）
図5に示す構造を有する有機電界発光素子を作製した。（Ｈ−４）の代わりに上記のＰ
ＰＤを用いた他は、実施例７と同様にして、2mm×2mm のサイズの発光面積部分を有する
有機電界発光素子が得られた。この素子の発光特性を表−１に示す。表−１において、最大発光輝度は電流密度0.25A/cm2での値、輝度／電流・電圧は 輝度2500cd/m2での値を各
々示す。発光スペクトルの極大波長は513nmであり、有機イリジウム錯体（Ｄ−１）から
のものと同定された。色度はCIE(x,y)=(0.31,0.61)であった。
【０１７０】
（比較例４）
図4に示す構造を有する有機電界発光素子を作製した。（Ｈ−４）の代わりに上記の（
ＰＰＤ）を用いた他は、実施例８と同様にして、2mm×2mm のサイズの発光面積部分を有
する有機電界発光素子が得られた。この素子の発光特性を表−１に示す。表−１において、最大発光輝度は電流密度0.25A/cm2での値、輝度／電流・電圧は 輝度2500cd/m2での値を各々示す。発光スペクトルの極大波長は513nmであり、有機イリジウム錯体（Ｄ−１）からのものと同定された。色度はCIE(x,y)=(0.30,0.61)であった。また、駆動時間は室温で、通電開始時の発光輝度が5000cd/m2となる一定電流値で直流定電流を連続通電し、発光輝度が2500cd/m2となったときの通電時間である。
【０１７１】
以上、実施例１〜８、比較例１〜４の結果から、本発明の有機電界発光素子は長寿命、高輝度かつ高効率の有機電界発光素子であることがわかる。
【表１】
2006352088.tif 000061
【図面の簡単な説明】
【０１７２】
【図１】本発明の有機電界発光素子の実施形態の一例を示した模式的断面図。
【図２】本発明の有機電界発光素子の実施形態の一例を示した模式的断面図。
【図３】本発明の有機電界発光素子の実施形態の一例を示した模式的断面図。
【図４】本発明の有機電界発光素子の実施形態の一例を示した模式的断面図。
【図５】本発明の有機電界発光素子の実施形態の一例を示した模式的断面図。
【符号の説明】
【０１７３】
１  基板
２  陽極
３  正孔注入層
４  正孔輸送層
５  発光層
６  正孔阻止層
７  電子輸送層
８  陰極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2006352088.tif 000071
【図５】
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