(57)【要約】【課題】リソグラフィ機器、デバイスの製作方法、及び液体を脱気する機器を提供すること。【解決手段】半透膜と、半透膜の第１の側に液体を供給するように適合された液体源と、半透膜の第２の側に、（ａ）前記液体の蒸気、又は（ｂ）前記液体中で溶解する際に解離するガスを供給するように適合されたガス源とを備えるリソグラフィ機器が提供される。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ機器において、
半透膜と、
前記半透膜の第１の側に液体を供給するように適合された液体源と、
前記半透膜の第２の側に、
（ａ）前記液体の蒸気、又は
（ｂ）前記液体中に溶解する際に解離するガス
を供給するように適合されたガス源とを備える、リソグラフィ機器。
【請求項２】
前記半透膜が、少なくとも１本のチューブの形態である、請求項１に記載されたリソグラフィ機器。
【請求項３】
前記液体源が、前記少なくとも１本のチューブ内に液体を供給するように適合されている、請求項２に記載されたリソグラフィ機器。
【請求項４】
前記ガス源が、１．０気圧未満、好ましくは０．９５気圧未満の圧力で前記蒸気又はガスを供給するように適合されている、請求項１に記載されたリソグラフィ機器。
【請求項５】
前記ガス源が、０．５気圧、０．１気圧、又は０．０５気圧未満の圧力で蒸気又はガスを供給するように適合されている、請求項４に記載されたリソグラフィ機器。
【請求項６】
前記液体源が、前記半透膜を通り過ぎる液体の流れを提供するように適合されている、請求項１に記載されたリソグラフィ機器。
【請求項７】
前記ガス源が、前記半透膜を通り過ぎるガスの流れを提供するように適合されている、請求項１に記載されたリソグラフィ機器。
【請求項８】
前記第１の側に提供された少なくとも何らかの液体が、基板に放射ビームを投影するように構成された投影系と基板との間の位置に搬送され、そのため、前記放射ビームが前記液体を通過するように構成され配置されている、請求項１に記載されたリソグラフィ機器。
【請求項９】
前記液体が水である、請求項１に記載されたリソグラフィ機器。
【請求項１０】
前記ガスが二酸化炭素である、請求項１に記載されたリソグラフィ機器。
【請求項１１】
前記液体の蒸気を前記ガス源に提供するように配置された、前記液体を気化させる気化装置をさらに備える、請求項１に記載されたリソグラフィ機器。
【請求項１２】
前記液体が上部被覆である、請求項１に記載されたリソグラフィ機器。
【請求項１３】
前記半透膜の第２の側における前記蒸気又はガスの圧力が、前記液体の蒸気圧よりも大きい、請求項１に記載されたリソグラフィ機器。
【請求項１４】
前記半透膜の下流に前記液体用のイオン交換器をさらに備える、請求項１に記載されたリソグラフィ機器。
【請求項１５】
パターン化装置から基板にパターンを転写する段階を含む、デバイスの製作方法において、
半透膜の一方の側に液体を提供し、前記半透膜の別の側にガスを提供し、
前記ガスは、前記液体の蒸気、又は前記液体中に溶解する際に解離するガスである、デバイス製作方法。
【請求項１６】
放射ビームで前記基板を露光する前に、前記半透膜の前記一方の側から前記基板上の位置に前記液体の少なくとも一部を搬送する段階をさらに含む、請求項１５に記載されたデバイス製作方法。
【請求項１７】
液体を脱気する機器において、
半透膜と、
前記半透膜の第１の側に前記液体を提供するポンプと、
（ｉ）前記半透膜の第２の側に前記液体の蒸気を提供する気化装置、又は
（ｉｉ）前記液体中に溶解する際に解離するガスのガス源、及び前記半透膜の下流の前記液体用のイオン交換ユニットとを備える、液体を脱気する機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィ機器、及びデバイスを製作する方法、並びに液体を脱気する機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ機器は、基板に、通常は基板の目標部分に所望のパターンを付与する機械である。リソグラフィ機器は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製作に使用できる。この場合には、マスク又はレチクルとも称するパターン化装置を使用して、ＩＣの個々の層に形成すべき回路パターンを生成できる。このパターンは、基板（例えばシリコン・ウエハ）の（例えば、ダイの一部或いは１つ又は複数のダイを含む）目標部分に転写できる。パターンの転写は、典型的には、基板上に形成された放射感受性材料（レジスト）の層への結像を介して行われる。一般に、１枚の基板は、次々にパターン化される隣接した網目状の目標部分を含む。周知のリソグラフィ機器の例は、目標部分にパターン全体を１回露光することによって各目標部分が照射されるいわゆるステッパと、所与の方向（「走査」方向）に放射ビームを通過してパターンを走査し、この方向と平行又は逆平行に基板を同期走査することによって各目標部分が照射されるいわゆるスキャナである。基板上にパターンをインプリント(押印)することによって、パターン化装置から基板にパターンを転写することも可能である。
【０００３】
リソグラフィ投影機器内で、比較的高屈折率の液体、例えば水に基板を浸して、投影系の最終要素と基板との間の空間を満たすことが提案されている。この趣旨は、液体中では露光放射の波長がより短くなるので、より小さなフィーチャを結像できることである（液体の作用は、系の実効ＮＡを大きくし、且つ焦点深度も深くすることとみなすこともできる）。固体粒子（例えば、石英）の浮遊する水を含めて、他の浸漬液が提案されている。
【０００４】
しかし、基板、又は基板及び基板テーブルを液体の浴の中に浸すこと（例えば、参照により全体をここに援用する米国特許第４５０９８５２号を参照されたい）は、走査露光中に加速しなければならない大きな液体の塊があることを意味する。これは、追加のモータ又はより強力なモータを必要とし、液体中での乱れにより、予測不可能な望ましくない作用が生じることがある。
【０００５】
提案されている解決策の１つは、液体閉込めシステムを使用して、液体供給システムが、投影系の最終要素と基板との間の、基板の局所的な領域にのみ液体を提供することである（基板の表面積は一般に、投影系の最終要素の表面積よりも大きい）。このように構成することを提案する一方法が、国際公開ＷＯ９９／４９５０４号に開示されている。この文献全体を参照によりここに援用する。図２及び図３に示すように、液体は、少なくとも１つの注入口ＩＮによって、好ましくは、最終要素に対する相対的な基板の移動方向に沿って基板上に供給され、投影系の下を通過した後で、少なくとも１つの排出口ＯＵＴから取り除かれる。即ち、基板がこの要素の下を−Ｘ方向に走査される際に、液体は、この要素の＋Ｘ側に供給され、−Ｘ側で取り上げられる。図２に、液体が、注入口ＩＮを介して供給され、低圧源に接続された排出口ＯＵＴによってこの要素の反対側で取り上げられる構成を概略的に示す。図２の例では、液体は、最終要素に対する相対的な基板の移動方向に沿って供給されるが、このようにする必要はない。様々な向き及び数の注入口及び排出口を、最終要素の周りに位置決めすることが可能である。図３に、４組の排出口を伴う注入口が最終要素の周りに規則的なパターンでいずれの側にも設けられる一実施例を示す。
【０００６】
提案されている別の解決策は、投影系の最終要素と基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延びる密封部材を伴う液体供給システムを設けることである。図４及び図５に、このような解決策を示す。この密封部材は、ＸＹ面内では投影系に対して相対的に実質的に固定されるが、Ｚ方向（光軸方向）にはいくらか相対的に動くことがある。この密封部材と基板表面との間には密封が形成される。好ましくは、この密封は、ガス・シールなどの無接触密封である。ガス・シールを備えたこのようなシステムが、欧州特許出願第０３２５２９５５．４号に開示されている。この出願全体をここに参照により援用する。
【０００７】
欧州特許出願第０３２５７０７２．３号では、２ステージ、即ち複式ステージ型の液浸リソグラフィ機器の考え方が開示されている。このような機器は、基板を支持する２つのステージを備える。浸漬液のない第１位置のステージによって高さ出し測定を実施し、浸漬液の存在する第２位置のステージによって露光を実施する。或いは、この機器が備えるステージは１つだけである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
露光放射経路内に液体を用いないシステムと比較すると、この新しい技術には予想外の欠点がある。具体的には、解像力が向上するにもかかわらず、この液体により、他の点で像質が劣化する傾向がある。具体的には、浸漬液中の泡により、結像パターンの質が悪くなることがわかった。
【０００９】
液浸リソグラフィで使用する液体の脱気を提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一観点によれば、半透膜と、半透膜の第１の側に液体を供給するように適合された液体源と、半透膜の第２の側に、（ａ）前記液体の蒸気、又は（ｂ）前記液体中に溶解すると解離するガスを供給するように適合されたガス源とを備えるリソグラフィ機器が提供される。
【００１１】
本発明の一観点によれば、パターン化装置から基板にパターンを転写する段階を含むデバイスの製作方法であって、半透膜の一方の側に液体が提供され、半透膜の別の側にガスが提供される、デバイスの製作方法が提供される。前記ガスは、前記液体の蒸気、又は前記液体中に溶解すると解離するガスを含む。
【００１２】
本発明の一観点によれば、液体を脱気する機器であって、半透膜と、半透膜の第１の側に前記液体を提供するポンプと、（ｉ）半透記膜の第２の側に前記液体の蒸気を提供する気化器、又は（ｉｉ）前記液体中に溶解すると解離するガスのガス源、及び半透膜の下流の前記液体用イオン交換ユニットとを備える。
【実施例】
【００１３】
次に、添付の概略図面を参照して、単なる例として本発明の実施例を説明する。図面では、対応する符号はそれに対応する部分を示す。
【００１４】
図１に、本発明の一実施例によるリソグラフィ機器を概略的に示す。この機器は、
−放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調整するように構成された照明系（照明器）ＩＬと、
−パターン化装置（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成された支持構造体（例えば、マスク・テーブル）ＭＴであって、ある種のパラメータに従ってパターン化装置を正確に位置決めするように構成された第１位置決め装置ＰＭに結合された支持構造体ＭＴと、
−基板（例えば、レジストを塗布したウエハ）Ｗを保持するように構成された基板テーブル（例えば、ウエハ・テーブル）ＷＴであって、ある種のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２位置決め装置ＰＷに結合された基板テーブルＷＴと、
−基板Ｗの（例えば、１つ又は複数のダイを含む）目標部分Ｃに、パターン化装置ＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを投影するように構成された投影系（例えば、屈折型投影レンズ系）ＰＳとを備える。
【００１５】
照明系は、放射を方向づけ、整形し、また制御する屈折型、反射型、磁気型、電磁気型、静電気型その他のタイプの光学部材、或いはこれらの任意の組合せなど、様々なタイプの光学部材を含むことができる。
【００１６】
支持構造体は、パターン化装置を支持し、即ち、パターン化装置の重量を支える。この支持構造体は、パターン化装置の向き、リソグラフィ機器の設計、並びに、例えばパターン化装置が真空環境内で保持されるか否かなどの他の条件によって決まる態様で、パターン化装置を保持する。この支持構造体は、機械、真空、静電気その他のクランプ技術を利用して、パターン化装置を保持できる。この支持構造体は、例えば枠台（フレーム）又はテーブルとすることができ、これらは必要に応じて固定又は移動可能とできる。この支持構造体は、例えば投影系に関してパターン化装置が所望の位置にくるようにすることができる。本明細書で用いる「レチクル」又は「マスク」という用語は、「パターン化装置」という、より一般の用語と同義とみなすことができる。
【００１７】
本明細書で用いる「パターン化装置」という用語は、基板の目標部分にパターンを形成するなどのために、放射ビームの横断面にパターンを付与するために使用できる任意の装置を指すと広く解釈すべきである。放射ビームに付与されるパターンは、例えば、このパターンが位相シフト用のフィーチャ、即ち、いわゆるアシスト・フィーチャを含む場合、基板の目標部分における所望のパターンに厳密に対応しない場合があることに留意されたい。一般に、放射ビームに付与されるパターンは、目標部分に形成中の集積回路などのデバイス内の特定の機能層に対応することになる。
【００１８】
パターン化装置は、透過型又は反射型とすることができる。パターン化装置の実施例には、マスク、プログラム可能なミラー配列（アレイ）、及びプログラム可能なＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは周知のものであり、その例には、バイナリ型、交互配置位相シフト型、及びハーフトーン位相シフト型などのマスク・タイプ、並びに様々なハイブリッド型のマスク・タイプが含まれる。プログラム可能なミラー配列の実施例では、入射する放射ビームが異なる方向に反射されるように、それぞれ個々に傾けることのできる行列（マトリックス）配置の小ミラーを使用する。これらの傾いたミラーにより、ミラー行列によって反射される放射ビームにパターンが付与される。
【００１９】
本明細書で用いる「投影系」という用語は、用いられる露光放射、或いは浸漬液の使用又は真空の使用などの他の要因に対して適宜、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁気型、及び静電気型の光学系、又はこれらの任意の組合せを含めて、任意のタイプの投影系を包含すると広く解釈すべきである。本明細書で用いる「投影レンズ」という用語は、「投影系」というより一般の用語と同義とみなすことができる。
【００２０】
ここで示すように、この機器は、（例えば、透過性マスクを使用する）透過タイプのものである。或いは、この機器は、（例えば、上記で言及したタイプのプログラム可能なミラー配列を使用するか、又は反射性マスクを使用する）反射タイプのものとできる。
【００２１】
このリソグラフィ機器は、２つ（２ステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスク・テーブル）を有するタイプのものとできる。このような「複数ステージ」型の機械では、追加のテーブルを並列で使用できる。即ち、１つ又は複数のテーブルで準備工程を実施しながら、１つ又は複数の他のテーブルを使用して露光を行うことができる。
【００２２】
図１を参照すると、照明器ＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。放射源とリソグラフィ機器とは、例えば放射源がエキシマ・レーザの場合は別々の要素とできる。このような場合には、放射源がリソグラフィ機器の一部を形成するとはみなさず、放射ビームは、放射源ＳＯから、例えば適当な方向づけミラー及び／又はビーム拡大器（エキスパンダ）を含むビーム伝達系ＢＤを使用して照明器ＩＬに至る。他の場合には、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源はリソグラフィ機器と一体の部分とできる。放射源ＳＯ及び照明器ＩＬは、必要な場合には、ビーム伝達系ＢＤとともに放射系と称することがある。
【００２３】
照明器ＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節する調節装置ＡＤを含むことができる。一般に、照明器の瞳面内の強度分布の少なくとも（一般に、それぞれ外側σ及び内側σと称する）外側及び／又は内側の径方向範囲を調節できる。照明器ＩＬはさらに、統合器ＩＮ及びコンデンサＣＯなど他の様々な部材を備えることがある。この照明器を使用して放射ビームを調整し、それによって放射ビーム断面において所望の均一性及び強度分布を得ることができる。
【００２４】
放射ビームＢは、支持構造体（例えば、マスク・テーブルＭＴ）上で保持されるパターン化装置（例えば、マスクＭＡ）に入射し、パターン化装置によってパターンを付与される。マスクＭＡを横切った後に、放射ビームＢは、投影系ＰＳを通過し、投影系ＰＳによって基板Ｗの目標部分Ｃ上で合焦する。第２位置決め装置ＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉計測装置、リニア・エンコーダ、又は容量センサ）を使用して、基板テーブルＷＴを正確に移動させて、例えば、放射ビームＢの経路内で異なる目標部分Ｃを位置決めすることができる。同様に、第１位置決め装置ＰＭ及び（図１には明示的に示さない）別の位置センサを使用して、例えば、マスク・ライブラリからマスクＭＡを機械的に取り出した後に、或いは走査中に、放射ビームＢの経路に関してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。一般に、マスク・テーブルＭＴの移動は、第１位置決め装置ＰＭの一部を形成する（粗い位置決め用の）長ストローク・モジュール及び（精密位置決め用の）短ストローク・モジュールを使用して実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２位置決め装置ＰＷの一部を形成する長ストローク・モジュール及び短ストローク・モジュールを使用して実現できる。（スキャナと異なり）ステッパの場合には、マスク・テーブルＭＴを短ストローク・アクチュエータだけに連結することもでき、或いは固定とすることもできる。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスク位置調整用マークＭ１、Ｍ２及び基板位置調整用マークＰ１、Ｐ２を使用して位置調整できる。図に示す基板位置調整用マークは、専用の目標部分を占めているが、これらは、目標部分間のスペースに配置できる（これらは、スクライブ・レーン位置調整用マークとして知られている）。同様に、マスクＭＡに２つ以上のダイが設けられる状況では、マスク位置調整用マークは、これらのダイとダイとの間に配置できる。
【００２５】
図に示す機器は、以下のモードの少なくとも１つのモードで使用できるはずである。
１．ステップ・モードでは、マスク・テーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴは本質的に固定したまま、放射ビームに付与されたパターン全体を目標部分Ｃに１回で投影する（即ち、１回の静止露光）。次いで、Ｘ方向及び／又はＹ方向に基板テーブルＷＴの位置を変えて、異なる目標部分Ｃを露光することができる。ステップ・モードでは、露光フィールドの最大サイズが、１回の静止露光で画像形成される目標部分Ｃのサイズを制限する。
２．スキャン・モードでは、マスク・テーブルＭＴと基板テーブルＷＴとを同期走査しながら、放射ビームに付与されたパターンを目標部分Ｃに投影する（即ち、１回の動的な露光）。マスク・テーブルＭＴに対する相対的な基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影系ＰＳの倍率（縮小率）及び像の反転特性によって決めることができる。スキャン・モードでは、露光フィールドの最大サイズが、１回の動的な露光における目標部分の（非走査方向の）幅を制限し、走査移動長により、目標部分の（走査方向の）高さが決まる。
３．別のモードでは、プログラム可能なパターン化装置を保持するマスク・テーブルＭＴを本質的に固定したまま、基板テーブルＷＴを移動又は走査しながら、放射ビームに付与されたパターンを目標部分Ｃに投影する。このモードでは一般に、パルス化された放射源を使用し、基板テーブルＷＴの各移動動作後に、或いは走査中に連続放射パルス間で、プログラム可能なパターン化装置を必要に応じて更新する。この動作モードは、上記で言及したタイプのプログラム可能なミラー配列などのプログラム可能なパターン化装置を利用するマスクレス・リソグラフィに容易に適用できる。
【００２６】
上記で説明した使用モードの組合せ及び／又は変形、或いは全く異なる使用モードを用いることもできる。
【００２７】
本発明は、液体を脱気する機器に関するものである。この機器は、独立した機器とすることもでき、リソグラフィ投影機器に結合することもできる。この脱気装置を使用して、リソグラフィで使用するフォトレジストなどの液体を脱気することができる。しかし、本発明は、液浸リソグラフィで使用する浸漬液を脱気することに特に適している。液浸リソグラフィでは、浸漬液は、投影系ＰＳの最終要素と基板Ｗとの間に配置される。
【００２８】
欧州特許出願第０４２５３３２５．８号及び第０４２５５１１８．４号は、泡低減手段を使用して、浸漬液内での泡の発生を低減するように対処することを論じている。これらの泡低減手段では、液体の分子が通過することのできない細孔を有する半透膜に液体を通過させる。このようにして、液体を脱気する。一実施例では、このプロセスは、配管の外側に低圧を加えることによって加速される。
【００２９】
マイクロエレクトロニクス、製薬、及び電力の用途では、液体からガスを除去するためにすでに膜が使用されている。（図７に概略的に示すように）、半多孔質膜配管の束を通過させるように液体をポンプで送ることができる。こうすると、液体が脱気される。このプロセスは、配管の外側に低圧を加えることによって加速できる。米国ノースカロライナ州シャーロット所在のＣｅｌｇａｒｄ社の一部門であるＭｅｍｂｒａｎａ−Ｃｈａｒｌｏｔｔｅから入手可能なＬｉｑｕｉ−Ｃｅｌ（商標）  Ｍｅｍｂｒａｎｅ  Ｃｏｎｔｒａｃｔｏｒｓは、Ｍｙｋｒｏｌｉｓ社のＰｈａｓｏｒ  ＩＩ（登録商標）膜、又はＭｉｎｎｔｅｃｈ社のＦｉｂｅｒｆｌｏ（登録商標）膜と同様に、この目的及び本発明に適したものである。液体との親和性の小さい（疎水性）材料でできている膜が有利である。この膜内の細孔は、液体の分子よりも大きいことがあるが、液体の表面張力のために、これらの分子は膜を通過することができない。このような膜は、実際には、水などの比較的表面張力の大きい液体の使用にのみ適している。
【００３０】
この方法に伴う問題は、液体に溶解するガスの量が、液体中での当該ガスの飽和濃度及び半透膜の他方の側でのこのガスの圧力に比例することである。これは、液体中に残っているガスの含有量が常に、飽和レベル及び加えられる真空レベルに比例することを意味する。この膜のガス側に、膜を通り過ぎるガスの流れが全くないか、或いはわずかしかない状態で真空が適用される場合に、液体から膜を通って出るガスの拡散により、膜のガス側での実現可能なガスの最低分圧レベルが制限されることになる。しかし、ガスの流れがある場合でさえ、実現可能な脱気量は常に制限される。膜の一方の側に、脱気する液体の蒸気圧より小さい真空を適用する場合、この半透膜は、液体の蒸気によって遮断され、そのため、脱気プロセスが継続されない。そのため、有益に利用できる真空レベルが制限され、それによって液体中のガスの最低濃度が制限される。
【００３１】
以下に示す実施例はすべて、液体を水とした場合のものであるが、本発明は、任意の液体に適用可能である。窒素などの不活性ガスを周囲圧力で、半透膜の一方の側に提供することによって、十億分率で表した液体中の全ガス濃度は、１９０００ｐｐｂ（十億分の一）になることになることがわかる。３０００Ｐａ（０．３気圧）（即ち、水の蒸気圧２７００Ｐａよりもやや低い）近辺の大気圧未満の加圧下で窒素などの不活性ガスを使用すると、例えば、液体中のガスの濃度は、５７８ｐｐｂ（十億分の一）という低い値まで減少できる。真空のみを用いる場合（３０００Ｐａ即ち０．３気圧）、ガスの濃度は、７２７ｐｐｂ（十億分の一）に減少できる。しかし、これらのレベルは、十分に低いとはみなされず、本発明では、液体中の全ガス濃度を、２００ｐｐｂ（十億分の一）未満、ある実施例では５０ｐｐｂ（十億分の一）未満、さらには５ｐｐｂ（十億分の一）未満にすることができる。理解されるように、いかなる加圧でも、０．９５気圧でさえ、液体中のガスの濃度を低くする助けとなる。
【００３２】
図６に、本発明の機器を概略的に示す。脱気される液体は、注入口１００に提供され、半透膜１２０を通り過ぎて流れる。脱気された後で、この液体は、排出口１４０に進む。液体が半透膜１２０の近くでより長く留まるように、この半透膜に隣接してチャンバ１２５を設けることができる。注入口２００にガスを供給し、半透膜１２０を通り過ぎるように強制的に流す。このガスは、出口２４０に進む。このガスは、大気中に放出することもできるし、再利用することもできる。このガスは、少なくとも液体の蒸気圧よりも高いレベルに加圧して供給することができる。
【００３３】
第１実施例では、半透膜１２０をはさんで脱気される液体の側とは反対の側に提供されるガスは、脱気される液体の蒸気である。この例では、液体中のガスの濃度を５０ｐｐｂ（十億分の一）未満に低くすることが可能である。３６ｐｐｂ（十億分の一）の濃度が理論的に可能である。半透膜の表面積が約１ｍ２の場合に、典型的なガスの流量は２リットル／分であり、典型的な液体の流量は１リットル／分であるが、これは、所望の平衡レベルに依存する。最適な流量の範囲は０．１〜１０リットル／分であり、一般に用いられる膜の表面積は０．５〜５ｍ２である。
【００３４】
この実施例では、注入口１００及び２００の両方に液体を提供する単一の液体注入口３００を設けることが可能である。注入口２００と半透膜１２０との間に液体気化装置２５０が設けられて液体を気化させるようになっている。
【００３５】
この液体を再利用できるように、排出口２４０の下流に凝縮器を設けることができる。好ましくは、この液体は水である。
【００３６】
液体を脱気するための掃引ガスとして液体の蒸気を使用することによって、膜のガス側で流れが生成され、それによって、膜のガス側の液体から除去されるガスの分圧がより小さくなる。分圧レベルがガス側でこのようにより小さくなるために、この液体は、真空を適用する場合、或いは、液体蒸気以外の組成の掃引ガスを使用する場合よりもかなり低いレベルに脱気される。これは、脱気の効果が、真空しか利用しないか、又は掃引ガスとして不活性ガスしか使用しないときよりも何桁も大きいことを意味する。
【００３７】
第２実施例では、膜１２０をはさんで液体と反対側で使用するガスは、この液体中に溶解する際に解離してイオンになるガスである。このようなガスの好適な例は、（液体が水の場合には）二酸化炭素である。膜１２０をはさんで液体と反対側に二酸化炭素の流れが形成され、それによって、液体から除去すべきガスの分圧がかなり小さくなる。そのため、供給圧を低くした二酸化炭素を使用することによって、他のすべての汚染物の分圧が、この供給圧に二酸化炭素中の汚染レベルを掛けたものと等しくなる。そのため、５０００ｐｐｍの窒素を伴う３０００Ｐａの二酸化炭素掃引ガス中の窒素の分圧は１５Ｐａになる。分圧レベルが膜のガス側でこのように低くなるために、この液体は、ガス側に真空を適用する場合よりもかなり低いレベルに脱気される。水中で溶解する際に解離してイオンになるガスは、膜を通して液体に吸収されることになるが、後で、排出口１４０の下流に設けられるイオン交換器１５０によって効果的に除去できる。脱気のレベルは、加圧した二酸化炭素を適用することによってさらに低くできることがわかる。下記の表に、中空のテフロン（登録商標）ファイバ膜を使用し、二酸化炭素を使用して水の脱気を行う様々な条件下で理論的に実現可能な最小平衡濃度を示す。
【００３８】
【表１】
2006245573.tif 000003
【００３９】
表１の結果は、半透膜の接触面積を無限大として計算したものである。
【００４０】
図７に、本発明のさらなる改善形態を示す。図７では、同様の符号は、図６のものに類似の対象物を示し、図７では、いずれも半透膜でできている複数のチューブが設けられていることがわかる。これは、半透膜の表面積を増加させ、したがって、脱気プロセスの効率を増加させる一方法である。
【００４１】
本明細書では、ＩＣの製作でリソグラフィ機器を使用することを具体的に参照することがあるが、本明細書で説明するリソグラフィ機器は、例えば、集積光学系、磁気ドメイン・メモリ用の誘導／検出パターン、フラット・パネル・ディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製作など、他の応用が可能であることを理解されたい。このような代替応用例の状況では、本明細書で用いる「ウエハ」又は「ダイ」という用語は、それぞれより一般の用語である「基板」又は「目標部分」と同義とみなし得ることが当業者には理解されよう。本明細書で言及する基板は、例えば、トラック（典型的には、基板にレジスト層を塗布し、露光されたレジストを現像するツール）、計測ツール、及び／又は検査ツール内で、露光前又は露光後に処理することがある。該当する場合には、上記その他の基板処理ツールに本明細書の開示を適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ＩＣを作製するために２回以上処理することがある。そのため、本明細書で用いる基板という用語は、複数の処理済み層をすでに含む基板を指すこともある。
【００４２】
以上、光リソグラフィの状況で本発明の実施例を利用することを具体的に参照したが、本発明は、例えばインプリント・リソグラフィなどの他の応用例で利用することができ、状況次第では、光リソグラフィに限定されないことを理解されたい。インプリント・リソグラフィでは、パターン化装置の凹凸（トポグラフィ）が、基板に形成されるパターンを規定する。パターン化装置のトポグラフィは、基板に供給されたレジスト層に押し付けることができ、その後、電磁放射、熱、圧力、又はこれらの組合せを適用することによってレジストを硬化させる。パターン化装置をレジストから取り外し、それによって、レジストが硬化した後にレジスト中にパターンが残る。
【００４３】
本明細書で用いる「放射」及び「ビーム」という用語は、（例えば、３６５、２４８、１９３、１５７、又は１２６ｎｍの波長の、又はこれらの波長近傍の）紫外（ＵＶ）放射、及び（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）極紫外（ＥＵＶ）放射、並びにイオン・ビーム又は電子ビームなどの粒子ビームを含めて、あらゆるタイプの電磁放射を包含する。
【００４４】
「レンズ」という用語は、状況次第では、屈折型、反射型、磁気型、電磁気型、及び静電気型の光学部材を含めて、様々なタイプの光学部材のいずれか１つ又はこれらの組合せを指すことがある。
【００４５】
以上、本発明の特定の実施例を説明してきたが、上記で説明した以外の形でも本発明を実施できることを理解されたい。例えば、本発明は、上記で開示した方法を記述する機械可読命令からなる１つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータ・プログラム、或いは、このようなコンピュータ・プログラムを記憶したデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気ディスク、又は光ディスク）の形態をとり得る。
【００４６】
本発明は、任意の液浸リソグラフィ機器、特に、上記で述べたタイプのものに適用することができるが、これらに限定されるものではない。
【００４７】
上記の説明は、例示するためのものであり、限定するためのものではない。そのため、添付の特許請求の範囲の範囲から逸脱することなく、上記で説明した本発明に改変を加えることができることが当業者には明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の実施例によるリソグラフィ機器を示す図。
【図２】先行技術によるリソグラフィ投影機器で使用する液体供給システムを示す図。
【図３】先行技術によるリソグラフィ投影機器で使用する液体供給システムを示す図。
【図４】先行技術による別のリソグラフィ投影機器による液体供給システムを示す図。
【図５】別の液体供給システムを示す図。
【図６】液体を脱気する機器を示す図。
【図７】別の液体を脱気する機器を示す図。
【符号の説明】
【００４９】
１００、２００、３００  注入口
１２０  半透膜
１２５  チャンバ
１４０  排出口
１５０  イオン交換器
２４０  出口
２５０  液体気化器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【外国語明細書】
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