(57)【要約】  【課題】高ドーズのイオン注入が行われた基板であっても、その基板の表面に形成されているレジストを速やかに除去することができるレジスト除去方法およびレジスト除去装置を提供する。  【解決手段】レジスト除去装置には、ＵＶ処理室７およびレジスト剥離処理室８が備えられている。イオン注入処理後のウエハＷは、まず、ＵＶ処理室７に搬入される。ＵＶ処理室７では、ウエハＷの表面に波長１８５ｎｍの紫外線が照射される。次いで、ウエハＷは、ＵＶ処理室７からレジスト剥離処理室８へと搬送され、その表面に無水硫酸の供給を受ける。【選択図】        図１
2006286830.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レジストが被着形成された基板の表面に紫外線を照射する紫外線照射工程と、
前記紫外線照射工程の後に、レジスト剥離液を基板の表面に供給し、その基板の表面からレジストを剥離させて除去するレジスト剥離液供給工程とを含むことを特徴とするレジスト除去方法。
【請求項２】
前記レジスト剥離液供給工程の前に、内部を閉鎖可能な基板処理容器内に基板を搬入する基板搬入工程をさらに含み、
前記レジスト剥離液は、無水硫酸を含み、
前記レジスト剥離液供給工程は、前記基板処理容器内が閉鎖された状態で、その基板処理容器内に収容されている基板の表面に無水硫酸を供給する無水硫酸供給工程を含むことを特徴とする請求項１記載のレジスト除去方法。
【請求項３】
前記レジスト剥離液は、過酸化水素水を含み、
前記レジスト剥離液供給工程は、前記無水硫酸供給工程と並行して、前記基板処理容器内に収容されている基板の表面に過酸化水素水を供給する過酸化水素水供給工程をさらに含むことを特徴とする請求項２記載のレジスト除去方法。
【請求項４】
前記紫外線照射工程と並行して、基板を加熱する基板加熱工程を含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のレジスト除去方法。
【請求項５】
レジストが被着形成された基板が搬入される紫外線処理室と、
前記紫外線処理室内に設けられ、基板に紫外線を照射するための紫外線照射手段と、
紫外線照射後の基板が搬入されるレジスト剥離処理室と、
前記レジスト剥離処理室内に設けられ、基板を保持するための基板保持手段と、
前記レジスト剥離処理室内に設けられ、前記基板保持手段に保持された基板にレジスト剥離液を供給するためのレジスト剥離液供給手段とを備えていることを特徴とするレジスト除去装置。
【請求項６】
前記レジスト剥離処理室に設けられ、前記基板保持手段を収容し、その内部を閉鎖可能な基板処理容器をさらに備え、
前記レジスト剥離液供給手段は、前記基板保持手段に保持された基板に無水硫酸を供給する無水硫酸供給手段を含むことを特徴とする請求項５記載のレジスト除去装置。
【請求項７】
前記レジスト剥離液供給手段は、前記基板保持手段に保持された基板に過酸化水素水を供給する過酸化水素水硫酸供給手段を含むことを特徴とする請求項６記載のレジスト除去装置。
【請求項８】
前記紫外線処理室に設けられ、基板を加熱するための加熱手段をさらに備えていることを特徴とする請求項５ないし７のいずれかに記載のレジスト除去装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、基板の表面にレジスト剥離液を供給し、その基板の表面に被着形成されているレジストを剥離させて除去するためのレジスト除去方法およびレジスト除去装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程には、たとえば、半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という。）の表面にリン、砒素、硼素などの不純物（イオン）を局所的に注入する工程が含まれる。この工程では、不所望な部分に対するイオン注入を防止するため、ウエハの最表面に感光性樹脂などの有機物からなるレジストがパターン形成されて、イオン注入を所望しない部分がレジストによってマスクされる。ウエハ上にパターン形成されたレジストは、イオン注入の後は不要になるから、エッチングまたはイオン注入の後には、そのウエハ上の不要となったレジストを除去するためのレジスト除去処理が行われる。
【０００３】
レジスト除去処理は、たとえば、基板をほぼ水平に保持して回転させるスピンチャックと、このスピンチャックに保持された基板の表面（上面）に硫酸（Ｈ２ＳＯ４）および過酸化水素水（Ｈ２Ｏ２）をそれぞれ供給するためのノズルとを備えた装置で実施することができる。すなわち、スピンチャックによって基板を低速回転させつつ、その回転している基板の表面の回転中心付近に硫酸を供給することにより、基板の表面上に硫酸を液膜の状態で溜めた後、その硫酸の液膜に過酸化水素水を供給する。硫酸の液膜に過酸化水素水が供給されると、硫酸と過酸化水素水とが反応して、ペルオキソ一硫酸（Ｈ２ＳＯ５）を含むレジスト剥離液が生成され、そのペルオキソ一硫酸の強い酸化力によって、基板の表面に形成されているレジストが剥離されて除去される。
【特許文献１】特開２００４−１７２４９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが、高ドーズ（たとえば、ドーズ量が１０１５ｉｏｎｓ／ｃｍ２以上）のイオン注入が行われたウエハでは、レジストの表面が変質（硬化）し、ペルオキソ一硫酸とレジストとの反応が良好に進まないために、レジストを除去するのに時間がかかってしまうという問題があった。
そこで、この発明の目的は、高ドーズのイオン注入が行われた基板であっても、その基板の表面に形成されているレジストを速やかに除去することができるレジスト除去方法およびレジスト除去装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、レジストが被着形成された基板（Ｗ）の表面に紫外線を照射する紫外線照射工程と、前記紫外線照射工程の後に、レジスト剥離液を基板の表面に供給し、その基板の表面からレジストを剥離させて除去するレジスト剥離液供給工程とを含むことを特徴とするレジスト除去方法である。
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
【０００６】
この方法によれば、レジストが被着形成されている基板の表面に対して、紫外線が照射された後に、レジスト剥離液が供給されることによって、その基板の表面上のレジストが剥離されて除去される。
基板の表面に被着しているレジストは、高分子化合物であり、ベンゼン環を含む分子構造を有している。このようなレジストに対して紫外線を照射することによって、ベンゼン環における炭素と水素との結合を切断することができ、レジストを分子レベルで破壊することができる。そして、その紫外線照射によって分子レベルで破壊されたレジストに対してレジスト剥離液を供給することにより、レジスト剥離液をレジストの内部に浸透させることができる。そのため、レジスト剥離液によるレジストの分解反応を促進させることができ、レジストを速やかに剥離させて除去することができる。
【０００７】
請求項２記載の発明は、前記レジスト剥離液供給工程の前に、内部を閉鎖可能な基板処理容器（１５）内に基板を搬入する基板搬入工程をさらに含み、前記レジスト剥離液は、無水硫酸を含み、前記レジスト剥離液供給工程は、前記基板処理容器内が閉鎖された状態で、その基板処理容器内に収容されている基板の表面に無水硫酸を供給する無水硫酸供給工程を含むことを特徴とする請求項１記載のレジスト除去方法である。
【０００８】
この方法によれば、レジスト剥離液として無水硫酸が用いられる。無水硫酸はレジスト除去能力が高いので、無水硫酸が用いられることによって、高ドーズのイオン注入処理が行われた基板であっても、その基板の表面に形成されているレジストをきれいに除去することができる。
また、無水硫酸を基板の表面に供給すると、無水硫酸が基板の周囲の雰囲気中の水と反応し、その雰囲気中にミスト状の硫酸が生成されるが、基板処理容器内に基板が収容されて、基板処理容器内が密閉された状態で無水硫酸の供給が行われるので、ミスト状の硫酸が発生しても、ミスト状の硫酸が基板処理容器外に拡散することを防止することができる。
【０００９】
請求項３記載の発明は、前記レジスト剥離液は、過酸化水素水を含み、前記レジスト剥離液供給工程は、前記無水硫酸供給工程と並行して、前記基板処理容器内に収容されている基板の表面に過酸化水素水を供給する過酸化水素水供給工程をさらに含むことを特徴とする請求項２記載のレジスト除去方法である。
この方法によれば、無水硫酸に加えて、過酸化水素水がレジスト剥離液として基板の表面に供給される。そのため、基板の表面上において、無水硫酸と過酸化水素水との反応によってペルオキソ一硫酸（Ｈ２ＳＯ５）が生成され、無水硫酸によるレジストの分解反応に加えて、ペルオキソ一硫酸によるレジストの分解反応が生じる。その結果、基板の表面からレジストをより速やかに除去することができる。
【００１０】
請求項４記載の発明は、前記紫外線照射工程と並行して、基板を加熱する基板加熱工程を含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のレジスト除去方法である。
この方法によれば、基板が加熱されながら、その基板の表面に紫外線が照射される。そのため、基板の表面に被着形成されているレジストに対して、紫外線が有するエネルギーと熱エネルギーとを付与することができる。その結果、レジストの破壊を促進することができ、その後のレジスト剥離液の供給によって、レジストを一層速やかに除去することができる。
【００１１】
請求項５記載の発明は、レジストが被着形成された基板（Ｗ）が搬入される紫外線処理室（７）と、前記紫外線処理室内に設けられ、基板に紫外線を照射するための紫外線照射手段（１１）と、紫外線照射後の基板が搬入されるレジスト剥離処理室（８）と、前記レジスト剥離処理室内に設けられ、基板を保持するための基板保持手段（１４）と、前記レジスト剥離処理室内に設けられ、前記基板保持手段に保持された基板にレジスト剥離液を供給するためのレジスト剥離液供給手段（２６；２９）とを備えていることを特徴とするレジスト除去装置である。
【００１２】
この構成によれば、請求項１に関連して述べた効果と同様な効果を奏することができる。
請求項６記載の発明は、前記レジスト剥離処理室に設けられ、前記基板保持手段を収容し、その内部を閉鎖可能な基板処理容器（１５）をさらに備え、前記レジスト剥離液供給手段は、前記基板保持手段に保持された基板に無水硫酸を供給する無水硫酸供給手段（２６）を含むことを特徴とする請求項５記載のレジスト除去装置である。
【００１３】
この構成によれば、請求項２に関連して述べた効果と同様な効果を奏することができる。
請求項７記載の発明は、前記レジスト剥離液供給手段は、前記基板保持手段に保持された基板に過酸化水素水を供給する過酸化水素水硫酸供給手段（２９）を含むことを特徴とする請求項６記載のレジスト除去装置である。
【００１４】
この構成によれば、請求項３に関連して述べた効果と同様な効果を奏することができる。
請求項８記載の発明は、前記紫外線処理室に設けられ、基板を加熱するための加熱手段（２８）をさらに備えていることを特徴とする請求項５ないし７のいずれかに記載のレジスト除去装置である。
【００１５】
この構成によれば、請求項４に関連して述べた効果と同様な効果を奏することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係るレジスト除去装置のレイアウトを示す図解的な平面図である。このレジスト除去装置は、たとえば、基板の一例である半導体ウエハＷ（以下、単に「ウエハＷ」という。）の表面に不純物を注入するイオン注入処理後に、そのウエハＷの表面から不要になったレジストを剥離して除去するためのレジスト除去処理を行う枚葉式の装置であり、インデクサ部１と、このインデクサ部１の一方側に結合された基板処理部２と、インデクサ部１の他方側（基板処理部２と反対側）に並べて配置された複数のカセット載置台３とを備えている。各カセット載置台３には、複数枚のウエハＷを多段に積層した状態で収容して保持するカセットＣが載置される。
【００１７】
インデクサ部１には、カセット載置台３の配列方向に延びる直線搬送路４が形成されている。
直線搬送路４には、インデクサロボット５が配置されている。インデクサロボット５は、直線搬送路４に沿って往復移動可能に設けられており、各カセット載置台３に載置されたカセットＣに対向することができる。また、インデクサロボット５は、ウエハＷを保持するためのハンド（図示せず）を備えており、カセットＣに対向した状態で、そのカセットＣにハンドをアクセスさせて、カセットＣから未処理のウエハＷを取り出したり、処理済みのウエハＷをカセットＣに収容したりすることができる。さらに、インデクサロボット５は、直線搬送路４の中央部に位置した状態で、基板処理部２に対してハンドをアクセスさせて、後述する主搬送ロボット９にウエハＷを受け渡したり、主搬送ロボット９からウエハＷを受け取ったりすることができる。
【００１８】
基板処理部２には、インデクサ部１の直線搬送路４の中央部から直線搬送路４と直交する方向に延びる搬送室６が形成されている。また、この搬送室６に対してその長手方向と直交する方向の一方側には、複数（この実施形態では、２つ）のＵＶ処理室７が搬送室６に沿って並べて形成され、他方側には、複数（この実施形態では、２つ）のレジスト剥離処理室８が搬送室６に沿って並べて形成されている。
【００１９】
搬送室６の中央には、主搬送ロボット９が配置されている。この主搬送ロボット９は、ウエハＷを保持するハンド（図示せず）を備えており、このハンドを各ＵＶ処理室７および各レジスト剥離処理室８にアクセスさせて、各ＵＶ処理室７および各レジスト剥離処理室８にウエハＷを搬入および搬出することができる。また、主搬送ロボット９は、インデクサロボット５との間でウエハＷの受け渡しを行うことができる。
【００２０】
図２は、ＵＶ処理室７の構成を図解的に示す断面図である。ＵＶ処理室７には、ウエハＷを載置するためのウエハ載置台１０と、このウエハ載置台１０に載置されたウエハＷの表面に紫外線を照射するための紫外線照射装置１１とが配置されている。
紫外線照射装置１１は、ウエハ載置台１０の上方に配置されており、複数の紫外線ランプ１２と、これらの紫外線ランプ１２を保持するとともに、各紫外線ランプ１２から発生される紫外線をウエハ載置台１０に向けて反射させるための反射板１３とを備えている。
【００２１】
各紫外線ランプ１２としては、たとえば、波長１８５ｎｍの紫外線を発生するものが採用されている。
図３は、レジスト剥離処理室８の構成を図解的に示す断面図である。レジスト剥離処理室８には、ウエハＷをほぼ水平に保持して回転するスピンチャック１４と、内部を閉鎖可能なチャック収容容器１５とを備えている。
【００２２】
スピンチャック１４は、モータ１６と、モータ１６の出力軸と一体化され、ほぼ鉛直に延びたスピン軸１７と、スピン軸１７の上端に固定された円盤状のスピンベース１８と、スピンベース１８の周縁部の複数箇所にほぼ等角度間隔で設けられ、ウエハＷをほぼ水平な姿勢で挟持するための複数個の挟持部材１９とを備えている。そして、スピンチャック１４は、複数個の挟持部材１９によってウエハＷを挟持した状態で、モータ１６によってスピン軸１７を回転させることにより、そのウエハＷを、ほぼ水平な姿勢を保った状態で、スピンベース１８とともにスピン軸１７の中心軸線まわりに回転させることができる。
【００２３】
なお、スピンチャック１４としては、このような構成のものに限らず、たとえば、ウエハＷの裏面（非デバイス面）を真空吸着することにより、ウエハＷを水平な姿勢で保持し、さらにその状態で鉛直な軸線まわりに回転することにより、その保持したウエハＷを回転させることができる真空吸着式のバキュームチャックが採用されてもよい。
チャック収容容器１５は、底壁およびこの底壁の全周から上方に立ち上がる側壁を有し、上面が開放されたカップ状の容器本体２０と、この容器本体２０の上面を開閉する蓋体２１とを備えている。
【００２４】
容器本体２０は、スピンチャック１４のスピンベース１８を収容している。スピンチャック１４のスピン軸１７は、容器本体２０の底壁を貫通しており、スピンチャック１４のモータ１６は、容器本体２０の外部（下方）に配置されている。また、容器本体２０の底部には、容器本体２０内を排気するための排気ライン２２と、後述する無水硫酸ノズル２６からウエハＷに供給された無水硫酸などのレジスト剥離液を容器本体２０内から排出するためのドレン２３とが接続されている。
【００２５】
なお、容器本体２０内は、排気ライン２２によって常に排気されている。
蓋体２１は、容器本体２０の上面を閉塞可能な形状に形成されている。この蓋体２１は、たとえば、ボールねじ機構を含む昇降機構２４により昇降される昇降アーム２５の先端に取り付けられており、昇降アーム２５の昇降によって、容器本体２０の上方に離間した位置（図３に二点鎖線で示す位置）と容器本体２０の上面を閉塞する位置（図３に実線で示す位置）とに昇降される。蓋体２１が容器本体２０の上方に離間した位置で、容器本体２０内のスピンチャック１４に対してウエハＷを搬入および搬出することができる。また、蓋体２１が容器本体２０の上面を閉塞することによって、チャック収容容器１５の内部を閉鎖することができ、チャック収容容器１５の内外での雰囲気の流通を阻止することができる。また、蓋体２１には、窒素供給ライン３０が接続されており、チャック収容容器１５内が閉塞された状態では、窒素供給ライン３０からチャック収容容器１５内に窒素ガスが供給されるとともに、チャック収容容器１５内の雰囲気が排気ライン２２によって排気されている。
【００２６】
また、蓋体２１には、無水硫酸ノズル２６が取り付けられている。より具体的には、無水硫酸ノズル２６は、蓋体２１を上下方向に貫通して、その下端部が蓋体２１の下面から突出した状態に設けられている。この無水硫酸ノズル２６には、無水硫酸供給管２７が接続されており、この無水硫酸供給管２７からレジスト剥離液としての無水硫酸（ＳＯ３）が供給されるようになっている。無水硫酸ノズル２６に供給される無水硫酸は、無水硫酸ノズル２６の下端に形成された吐出口から、スピンチャック１４に保持されたウエハＷの表面の中央部に供給される。
【００２７】
図４は、このレジスト除去装置における処理を説明するための図である。このレジスト除去装置には、イオン注入処理を受けた後のウエハＷがカセットＣに収容されて搬入される。各ウエハＷの表面には、イオン注入処理によって変質（硬化）したレジストが被着している。
カセットＣに収容されているウエハＷは、インデクサロボット５によって、カセットＣから１枚ずつ取り出される。そして、カセットＣから取り出された１枚のウエハＷは、インデクサロボット５から主搬送ロボット９に受け渡される。
【００２８】
主搬送ロボット９に受け取られたウエハＷは、まず、ＵＶ処理室７に搬入され、その表面を上方に向けた状態でウエハ載置台１０上に載置される。ウエハＷがウエハ載置台１０上に載置されると、各紫外線ランプ１２が点灯され、各紫外線ランプ１２が発生する紫外線がウエハ載置台１０上に載置されているウエハＷの表面に照射される（ＵＶ処理）。より具体的には、波長１８５ｎｍの紫外線がウエハＷの表面に照射される。
【００２９】
ウエハＷの表面に被着しているレジストは、高分子化合物であり、ベンゼン環を含む分子構造を有している。ベンゼン環における炭素と水素との結合を切断するのに必要なエネルギー（解離エネルギー）は、４６４ｋＪ／ｍｏｌである。一方、波長１８５ｎｍの紫外線が有するエネルギーは、６４７ｋＪ／ｍｏｌである。そのため、波長１８５ｎｍの紫外線がウエハＷの表面上のレジストに照射されると、その分子中に存在しているベンゼン環の炭素と水素との結合が切断され、レジストが分子レベルで破壊される。
【００３０】
ＵＶ処理室７におけるＵＶ処理が所定時間にわたって行われると、ウエハＷは、主搬送ロボット９によってＵＶ処理室７から搬出され、次に、レジスト剥離処理室８に搬入され、その表面を上方に向けた状態でスピンチャック１４に保持される。このウエハＷの搬入時には、蓋体２１が容器本体２０の上方に離間した位置に配置されており、ウエハＷがスピンチャック１４に保持されると、その蓋体２１が下降されて、蓋体２１によって容器本体２０の上面が閉塞される（チャック収容容器１５内が閉鎖される）。
【００３１】
その後、スピンチャック１４によって、ウエハＷが所定の回転速度（たとえば、３０ｒｐｍ）で回転される。その一方で、スピンチャック１４に保持されているウエハＷの表面に対して、無水硫酸ノズル２６から無水硫酸が供給される。ウエハＷに対する無水硫酸の供給が行われている間、スピンチャック１４によるウエハＷの回転が間欠的に停止される。ウエハＷの回転が停止されている間は、ウエハＷの表面上に無水硫酸が液盛りされた状態となり、ウエハＷの表面に被着しているレジストと無水硫酸とが反応し、レジストが剥離されて除去されていく。また、ウエハＷの回転が再開されると、ウエハＷの表面上に液盛りされた無水硫酸が撹拌されることにより、ウエハＷの表面に接している無水硫酸が入れ替わる。
【００３２】
無水硫酸の供給が所定時間にわたって行われると、ウエハＷへの無水硫酸の供給が停止される。その後は、図示しない純水ノズルからウエハＷの表面に純水（脱イオン化された純水）が供給されて、ウエハＷの表面に付着している無水硫酸が純水によって洗い流される。この純水による水洗処理後は、純水の供給を停止して、ウエハＷを高回転速度（たとえば、３０００ｒｐｍ）で回転させて、ウエハＷに付着している純水を遠心力で振り切って乾燥させる処理（スピンドライ処理）が行われる。
【００３３】
スピンドライ処理が完了すると、スピンチャック１４によるウエハＷの回転が止められた後、蓋体２１が上昇され、主搬送ロボット９によって、レジスト剥離処理室８（チャック収容容器１５）からウエハＷが搬出される。そして、処理済みのウエハＷは、主搬送ロボット９からインデクサロボット５へと受け渡され、インデクサロボット５によって、所定のカセットＣ（処理済みのウエハＷを搬送するためのカセットＣ）に収容される。
【００３４】
以上のように、この実施形態によれば、ウエハＷの表面に対して、波長１８５ｎｍの紫外線が照射された後に、レジスト剥離液としての無水硫酸が供給されることによって、そのウエハＷの表面上のレジストが剥離されて除去される。
ウエハＷの表面に波長１８５ｎｍの紫外線が照射されると、ウエハＷの表面に被着形成されているレジストの分子構造中のベンゼン環の炭素と水素との結合が切断され、レジストが分子レベルで破壊される。そのため、紫外線照射後に無水硫酸を供給することにより、無水硫酸を分子レベルで破壊されたレジストの内部に浸透させることができる。その結果、無水硫酸によるレジストの分解反応を促進させることができ、レジストを速やかに剥離させて除去することができる。
【００３５】
ここで、ウエハＷの表面に対する紫外線の照射を行わずに、そのウエハＷの表面にレジスト剥離液として硫酸および過酸化水素水の混合液を供給することにより、ウエハＷの表面に被着形成されているレジストを除去する手法がある。しかし、この手法では、イオン注入処理における不純物のドーズ量によっては、ウエハＷの表面のレジストをきれいに除去することができず、ウエハＷの表面にレジストが残るおそれがある。これに対し、無水硫酸は硫酸および過酸化水素水の混合液よりもレジスト剥離能力が高いので、ウエハＷの表面に対して紫外線照射後に無水硫酸を供給する場合、高ドーズのイオン注入処理が行われたウエハＷであっても、そのウエハＷの表面からレジストをきれいに除去することができる。
【００３６】
本願発明者による実験では、たとえば、硼素（Ｂ）のイオンを１０１６ｉｏｎｓ／ｃｍ２以上のドーズ量で注入する処理が行われたウエハＷに対して、紫外線を照射せずに、硫酸および過酸化水素水の混合液を２０秒間供給しても、そのウエハＷの表面に被着形成されているレジストを完全に除去することができなかった。また、リン（Ｐ）または砒素（Ａｓ）のイオンを１０１５ｉｏｎｓ／ｃｍ２以上のドーズ量で注入する処理が行われたウエハＷに対して、紫外線を照射せずに、硫酸および過酸化水素水の混合液を２０秒間供給しても、そのウエハＷの表面に被着形成されているレジストを完全に除去することができなかった。これに対し、紫外線照射後に無水硫酸を供給した場合には、硼素、リンおよび砒素などの不純物の種類にかかわらず、不純物を１０１６ｉｏｎｓ／ｃｍ２以上のドーズ量でウエハＷに注入する処理が行われていても、そのウエハＷの表面に形成されているレジストをきれいに除去することができた。
【００３７】
また、無水硫酸がウエハＷの表面に供給されると、無水硫酸がチャック収容容器１５内の雰囲気中の水と反応することによって、その雰囲気中にミスト状の硫酸が生成されるが、ウエハＷの表面に無水硫酸を供給している間、チャック収容容器１５内が閉鎖されているので、ミスト状の硫酸がチャック収容容器１５の外部に拡散するおそれがない。そのうえ、チャック収容容器１５内が排気ライン２２によって常に排気されているので、ミスト状の硫酸が発生しても、そのミスト状の硫酸は、チャック収容容器１５内から速やかに排除される。これにより、ミスト状の硫酸がチャック収容容器１５の外部に拡散することを確実に防止することができる。
【００３８】
そのうえ、水洗処理およびスピンドライ処理が行われている間も、チャック収容容器１５内の排気が行われることによって、スピンドライ処理の終了までに、無水硫酸の供給時に発生するミスト状の硫酸をチャック収容容器１５内から確実に排除することができる。よって、スピンドライ処理の終了後に、チャック収容容器１５内からミスト状の硫酸が拡散することを確実に防止することができる。
【００３９】
以上、この発明の一実施形態について説明したが、この発明は、他の形態で実施することも可能である。たとえば、図２に二点鎖線で示すように、ウエハ載置台１０にヒータ２８が内蔵されて、このウエハ載置台１０に載置されたウエハＷの表面に紫外線が照射されている間、ヒータ２８からの発熱によってウエハＷが加熱されてもよい。すなわち、ウエハＷが加熱されながら、そのウエハＷの表面に紫外線が照射されてもよい。ウエハＷを加熱することにより、レジストに熱エネルギーを付与することができる。そのため、レジストの破壊を促進することができ、その後の無水硫酸の供給によって、レジストを一層速やかに除去することができる。
【００４０】
また、図３に二点鎖線で示すように、チャック収容容器１５の蓋体２１に、過酸化水素水供給ノズル２９が取り付けられて、無水硫酸ノズル２６からウエハＷの表面への無水硫酸の供給と並行して、その過酸化水素水供給ノズル２９からウエハＷの表面に対して過酸化水素水が供給されてもよい。無水硫酸と過酸化水素水とがウエハＷの表面に供給されると、ウエハＷの表面上において、無水硫酸と過酸化水素水との反応によってペルオキソ一硫酸（Ｈ２ＳＯ５）が生成され、無水硫酸によるレジストの分解反応に加えて、ペルオキソ一硫酸によるレジストの分解反応が生じる。その結果、ウエハＷの表面からレジストをより速やかに除去することができる。また、無水硫酸ノズル２６や、過酸化水素水供給ノズル２９は、無水硫酸と過酸化水素水を選択的に供給できる１つのノズルとしてもよい。また、無水硫酸と過酸化水素水とをあらかじめ混合してから、ウエハＷに供給するノズルとしてもよい。また、両方の処理液を同時にウエハＷに供給してもよいし、いずれか一方の処理液を、ウエハＷ上に液盛りした状態で、他方の処理液をウエハＷに供給して、ウエハＷ上で両者を混合するようにしてもよい。
【００４１】
さらにまた、上記の実施形態では、紫外線ランプ１２として波長１８５ｎｍの紫外線を発生するものが採用されて、その波長１８５ｎｍの紫外線がウエハＷの表面に照射されるとしたが、紫外線ランプ１２として波長２５４ｎｍの紫外線を発生するものが採用されて、その波長２５４ｎｍの紫外線がウエハＷの表面に照射されてもよい。波長２５４ｎｍの紫外線は、ベンゼン環における炭素と水素との結合を切断するのに必要な解離エネルギー（４６４ｋＪ／ｍｏｌ）よりも大きな４７２ｋＪ／ｍｏｌのエネルギーを有するので、その波長２５４ｎｍの紫外線をウエハＷの表面に照射することによって、ウエハＷの表面に被着形成されているレジストを破壊することができる。すなわち、ウエハＷの表面に照射される紫外線は、ベンゼン環における炭素と水素との結合を切断するのに必要な解離エネルギー以上のエネルギーを有するものであればよく、そのためには、紫外線ランプ１２として、２５４ｎｍ以下の波長を有する紫外線を発生するものが採用されるとよいが、より大きなエネルギーを有する波長１８５ｎｍの紫外線を発生するものがより好ましい。
【００４２】
さらにまた、処理対象となる基板は、ウエハＷに限らず、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディプレイパネル用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板および磁気／光ディスク用基板などの他の種類の基板であってもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】この発明の一実施形態に係るレジスト除去装置のレイアウトを示す図解的な平面図である。
【図２】図１に示すＵＶ処理室の図解的な断面図である。
【図３】図１に示すレジスト剥離処理室の図解的な断面図である。
【図４】図１に示すレジスト除去装置における処理を説明するための図である。
【符号の説明】
【００４４】
７      ＵＶ処理室
８      レジスト剥離処理室
１１    紫外線照射装置
１４    スピンチャック
１５    チャック収容容器
２６    無水硫酸ノズル
２８    ヒータ
２９    過酸化水素水供給ノズル
Ｗ      半導体ウエハ
【図１】
2006286830.tif 000003
【図２】
2006286830.tif 000004
【図３】
2006286830.tif 000005
【図４】
2006286830.tif 000006