(57)【要約】【課題】基板本体の側面にメッキ層を含む導体層を形成するための溝を有すると共に、搭載すべきマザーボードとの搭載強度が得られ且つ導通が安定して取れる配線基板、およびこれを確実に得るための多数個取り用配線基板を提供する。【解決手段】セラミック（絶縁材）からなり、表面３、裏面５、および側面４を有する基板本体２と、かかる基板本体２の隣接する一対の側面４，４間のコーナ部において、かかる基板本体２の厚み方向に沿って設けられる１０溝と、を含み、かかる溝１０は、上記基板本体２の表面３および裏面５に隣接する一対の端部溝１２と、これらの間に位置し且つ当該一対の端部溝１２を接続する中間溝１１と、で構成され、上記一対の端部溝１２は、中間溝１１よりも大きい共に、かかる溝１０に導体層１３が形成されている、配線基板１。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁材からなり、表面、裏面、およびかかる表面と裏面との外周に沿って位置する側面を有する基板本体と、
上記基板本体の側面および隣接する一対の側面間のコーナ部の少なくとも一方において、かかる基板本体の厚み方向に沿って設けられる溝と、を含み、
上記溝は、上記基板本体の表面および裏面に隣接する一対の端部溝と、これらの間に位置し且つ当該一対の端部溝を接続する中間溝と、で構成され、
上記一対の端部溝は、中間溝よりも大きい、
ことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記溝のうち、前記基板本体の表面および裏面に隣接する一対の端部溝は、上記基板本体の表面および裏面に向かって広がる傾斜面で構成されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
配線基板が平面方向に沿って複数個併設される配線基板集合領域と、
上記配線基板集合領域の周囲を囲む耳部と、
上記配線基板集合領域における隣接する複数の配線基板同士の境界および配線基板と耳部との境界において、各配線基板の厚み方向に沿って貫通する貫通孔と、を備え、
上記貫通孔は、各配線基板の表面および裏面に隣接して開口する一対の端部孔と、これらの間に位置し且つ当該一対の端部を接続する中間孔とで構成され、
上記一対の端部孔の径は、上記中間孔の径よりも大である、
ことを特徴とする多数個取り用配線基板。
【請求項４】
前記貫通孔のうち、前記配線基板の表面および裏面に隣接する一対の端部孔は、上記配線基板の表面または裏面に向かって広がるほぼ円錐形の傾斜面で構成されている、
ことを特徴とする請求項３に記載の多数個取り用配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板本体の側面にメッキ層を含む導体層を形成するための溝を有する配線基板および該配線基板を確実に得るための多数個取り用配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
パッケージをマザーボードなどの表面に搭載する際に、かかる表面の外部接続端子との導通を取るため、基板本体の側面に厚み方向に沿って設けた溝（キャスタレーション）の全面に側面金属層を形成するリードレスパッケージ、およびこれを得るための製造方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
上記パッケージの溝は、基板本体の厚み方向に沿って一定の幅および深さの断面ほぼ半円形を呈し、かかるパッケージをマザーボードなどの表面に搭載する際に、上記溝に形成された側面金属層と半田材との接触面積が小さくなり易い。このため、搭載時の搭載強度が不足したり、導通が不安定になる恐れがあった。
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−６８４１４号公報（第１〜９頁、図１〜４）
【０００４】
また、特許文献１では、前記パッケージを多数個取りで得るため、大版サイズのグリーンシートにおいて、隣接するパッケージ領域同士の境界に沿って円柱形のスルーホールを形成し、かかるスルーホールの内面にＷなどの金属層を形成した後、当該金属層の上に電解メッキでメッキ層を被覆している。
しかし、上記スルーホールは、大版サイズのグリーンシートの厚み方向に沿って同じ内径であり、上記電解メッキ時において、メッキ液がスルーホール内に貫流しにくいため、被覆される金属メッキ層の厚みがバラツキを生じる恐れがある。特に、配線基板の小型化のニーズに対応すべく、上記スルーホールを小径にすると、上記メッキ層の厚みのバラツキが一層生じ易くなる。このため、配線基板とこれを搭載するマザーボードとの間の導通が不安定になる恐れもあった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、前記背景技術における問題点を解決し、基板本体の側面にメッキ層を含む導体を形成するための溝を有すると共に、搭載すべきマザーボードなどとの搭載強度が得られ且つ導通が安定して取れる配線基板、および当該配線基板を確実に得るための多数個取り用配線基板を提供する、ことを課題とする。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００６】
本発明は、前記課題を解決するため、基板本体の側面にメッキ層を含む導体層を形成するための溝を、かかる基板本体の表面および裏面に隣接する両端部とその間を接続する中間部とで、溝の深さおよび幅を相違させる、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明の配線基板（請求項１）は、絶縁材からなり、表面、裏面、およびかかる表面と裏面との外周に沿って位置する側面を有する基板本体と、かかる基板本体の側面および隣接する一対の側面間のコーナ部の少なくとも一方において、かかる基板本体の厚み方向に沿って設けられる溝と、を含み、前記溝は、上記基板本体の表面および裏面に隣接する一対の端部溝と、これらの間に位置し且つ当該一対の端部溝を接続する中間溝と、で構成され、上記一対の端部溝は、中間溝よりも大きい、ことを特徴とする。
尚、上記端部溝と中間溝との大小は、各溝の深さおよび幅の双方を基準とする。
【０００７】
これによれば、基板本体の側面またはコーナ部に設ける溝が、かかる基板本体の表面および裏面に隣接する一対の端部溝と、これらの間を接続し且つこれらよりも小さい中間溝とで構成されている。このため、当該配線基板をマザーボードなどの表面に搭載する際、従来のような基板本体の厚み方向に沿って一定の幅および深さの溝に比べ、当該溝を構成し且つ基板本体の裏面に隣接する端部溝の表面に形成される導体層と半田材（ロウ材）との接触面積を大きくできる。また、後述するように、上記溝に形成される導体層中のメッキ層が所要の厚みでほぼ均一に被覆されているため、マザーボード側との導通も安定して取ることが可能となる。従って、本配線基板を所要の強度を伴って容易に搭載できると共に、かかる搭載時に安定した導通を取ることも可能となる。
尚、前記配線基板を形成する絶縁材には、例えばアルミナを主成分とするセラミック、低温焼成セラミックの一種であるガラス−セラミック、あるいはエポキシ系をはじめとする各種の樹脂が含まれる。また、前記基板本体には、その表面に開口し且つ底面に電子部品を実装するキャビティが形成されていても良い。
【０００８】
また、本発明には、前記溝のうち、前記基板本体の表面および裏面に隣接する一対の端部溝は、上記基板本体の表面および裏面に向かって広がる傾斜面で構成されている、配線基板（請求項２）も含まれる。
これによれば、上記一対の端部溝は、基板本体の表面および裏面に向かって広がる傾斜面を有する、例えばほぼ半円錐形、またはほぼ４分の１の円錐形を呈するため、当該配線基板をマザーボードなどの表面に搭載する際、当該溝に形成される導体と半田材との接触面積を大きくできる。また、上記溝に形成される導体層中のメッキ層が所要の厚みでほぼ均一に被覆されているため、マザーボード側との導通も安定して取ることができる。従って、本配線基板を所要の強度をもって容易且つ確実に搭載でき、且つ導通も安定して確保することができる。
【０００９】
付言すれば、本発明には、前記溝を構成する一対の端部溝と中間溝とは、互い異なる断面形状である、配線基板も含まれ得る。
これによる場合、例えば、端部溝がほぼ半円錐形で且つ中間溝がほぼ半円柱形、端部溝がほぼ半円柱形で且つ中間溝が断面ほぼ長方形、端部溝がほぼ４分の１の円錐形で且つ中間溝がほぼ４分の１の円柱形、あるいは、端部溝が４分の１のほぼ円柱形で且つ中間溝が断面ほぼ長方形、などの形態とすることが可能となる。
また、本発明には、前記溝の端部溝および中間溝の表面には、金属層およびメッキ層からなる導体層が形成されている、配線基板も含まれ得る。
これによる場合、当該配線基板をマザーボードなどの表面に搭載する際に、上記導体層とマザーボードの接続端子との導通を確実に取ることが可能となる。
【００１０】
一方、本発明の多数個取り用配線基板（請求項３）は、配線基板が平面方向に沿って複数個併設される配線基板集合領域と、かかる配線基板集合領域の周囲を囲む耳部と、上記配線基板集合領域における隣接する複数の配線基板同士の境界および配線基板と耳部との境界において、各配線基板の厚み方向に沿って貫通する貫通孔と、を備え、前記貫通孔は、各配線基板の表面および裏面に隣接して開口する一対の端部孔と、これらの間に位置し且つ当該一対の端部を接続する中間孔とで構成され、上記一対の端部孔の径は、上記中間孔の径よりも大である、ことを特徴とする。上記端部孔の径と中間孔の径との大小は、各孔の内径または断面積の少なくとも一方を基準とする。
【００１１】
これによれば、前記貫通孔は、各配線基板の表面および裏面に隣接して開口する一対の端部孔と、これらの間に位置し且つ当該一対の端部を接続し且つ一対の端部孔の径よりも小径の中間孔とで構成されている。このため、かかる貫通孔にＷなどの金属層を形成し、かかる金属層の表面にＮｉメッキ、Ａｕメッキ、およびＡｇメッキなどのメッキ層を電解メッキして形成する際に、従来の同じ断面の貫通孔に比べて、メッキ液が上記貫通孔を高い流動性をもって貫流し易くなる。この結果、上記メッキ層を比較的均一な厚みで貫通孔の全内面に容易に被覆できるため、追って複数個の配線基板ごとに分離した際、上記金属層およびメッキ層からなる導体層を介して、搭載すべきマザーボードなどとの導通が確実に取れる配線基板を確実に提供することが可能となる。
尚、前記多数個取り用配線基板には、例えばアルミナを主成分とするセラミックからなる大版サイズの積層体、低温焼成セラミックの１種であるガラス−セラミックからなる大版サイズの積層体、あるいはエポキシ系をはじめとする各種の樹脂からなる大版サイズの積層体が含まれる。
【００１２】
また、本発明には、前記貫通孔のうち、前記配線基板の表面および裏面に隣接する一対の端部孔は、上記配線基板の表面または裏面に向かって広がるほぼ円錐形の傾斜面で構成されている、多数個取り用配線基板（請求項４）も含まれる。
これによれば、貫通孔にＷなどの金属層を形成し、かかる金属層の表面にＮｉ、Ａｕ、およびＡｇなどのメッキ層を電解メッキして形成する際に、メッキ液が上記貫通孔を高い流動性をもって貫流し易くなるので、上記メッキ層を比較的均一な厚みで貫通孔の全面に容易に被覆することが可能となる。
【００１３】
付言すれば、本発明には、前記貫通孔を構成する一対の端部孔は、前記中間孔の内径よりも大径の円柱形である、多数個取り用配線基板も含まれ得る。
これによる場合も、貫通孔の前記金属層に前記メッキ層を電解メッキする際、メッキ液を上記貫通孔に流動性をもって容易に貫流させるが可能となる。
また、本発明には、前記貫通孔を構成する一対の端部孔および中間孔の各内面には、金属層およびメッキ層からなる導体層が被覆されている、多数個取り用配線基板も含まれ得る。これによる場合、追って、かかる多数個取り用配線基板を複数個の配線基板ごとに分割した際、上記導体層を介して、搭載すべきマザーボードなどとの導通が確実に取れる配線基板の提供が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下において、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
図１は、本発明の一形態である配線基板１を示す平面図、図２は、図１中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った断面図である。
配線基板１は、図１，図２に示すように、表面３、裏面５、およびこれらの外周に沿って位置する四辺の側面４を有する基板本体２と、隣接する側面４，４間のコーナ部において当該基板本体２の厚み方向に沿って設けられる四つの溝１０と、かかる溝１０ごとの表面に形成される導体層１３と、を備えている。
基板本体２は、例えばアルミナ系のセラミック層ｓ１〜ｓ５を一体に積層したもので、平面視がほぼ正方形を呈し、約５×５×３ｍｍのサイズである。かかる基板本体２の表面３には、キャビティ６が開口している。かかるキャビティ６は、平面視がほぼ正方形の底面７と、その周辺から立設する四辺の側面８とからなり、基板本体２の表面３寄りのセラミック層ｓ４，ｓ５の中央部を貫通している。
【００１５】
図１，図２に示すように、キャビティ６の底面７には、一対のパッド（導体層）９と、例えばＳｎ−Ａｇ系やＣｕ−Ａｇ系などの低融点合金の半田（ロウ）材１７またはエポキシ系の接着性樹脂（図示せず）を介して、ＩＣチップ（電子部品）１６とが実装される。かかるパッド９とＩＣチップ１６とは、ボンディングワイヤｗを介して導通される。尚、パッド９は、Ｗ、Ｍｏ、Ａｇ、またはＣｕなどからなる金属層の表面に後述するＮｉおよびＡｕなどのメッキ層が形成されている。
図２に示すように、基板本体２のセラミック層ｓ１〜ｓ５間には、Ｗ、Ｍｏ、Ａｇ、またはＣｕなどからなる所定パターンの配線層１８が形成され、これらの間および前記パッド９との間には、上記同様の金属からなるビア導体１９が形成されている。尚、基板本体２の裏面５にも、図示しないパッドを形成しても良い。
【００１６】
図１，図２に示すように、基板本体２の隣接する側面４，４間のコーナ部には、平面視がほぼ４分の１の円形（円弧形）で且つ基板本体２の表面３および裏面５に隣接する一対の端部溝１２と、これらの間に位置し且つ当該一対の端部溝１２，１２間を接続する中間溝１１と、により構成される溝１０が形成されている。
上記溝１０を構成している一対の端部溝１２は、それぞれ基板本体２の表面３および裏面５に向かって広がる４分の１のほぼ円錐形を呈し、中間溝１１は、断面が４分の１の円形（円弧形）を呈する。かかる端部溝１２の幅および深さは、中間溝１１の幅および深さよりも大きい。
尚、図２中の仮想水平線に対する端部溝１２の傾斜角度（仰角）は、４５〜８５度である。かかる傾斜角度が４５度未満になると、基板本体２の表面３および裏面５の各コーナ部が大きく削られ過ぎる恐れが生じる。一方、上記傾斜角度が８５度を超えると、垂直の９０度とほぼ同じになり、搭載時の半田材との接触面積を大きく取れず、後述する電解メッキ時の貫通孔へのメッキ液の貫流性を高められない。これらのため、上記傾斜角度を４５〜８５度の範囲とした。
【００１７】
前記溝１０の中間溝１１および一対の端部溝１２の表面には、Ｗなどからなる金属層と、ＮｉおよびＡｕなどのメッキ層とからなる導体層１３が形成されている。かかる導体層１３は、図２に示すように、中間溝１１の表面に形成される断面４分の１の円形（円弧形）の中間導体１４と、一対の端部溝１２の表面に形成される４分の１のほぼ円錐形を呈する端部導体１５とからなる。各中間導体１４は、その内側面で前記配線層１８の何れかと接続されている。
尚、前記キャビティ６の側面を平面視で円形、長円形、楕円形、全体がほぼ円錐形、ほぼ長円錐形、ほぼ楕円錐形の形態とし、これらの側面にＷなどからなる金属とＮｉ、Ａｕ、およびＡｇなどのメッキ層とからなる光反射層を形成しても良い。この場合、キャビティ６の底面７に発光ダイオードや半導体レーザなどの発光素子を実装した際に、これらからの光を効率良く反射することが可能となる。
【００１８】
以上のような配線基板１によれば、基板本体２の各コーナ部に設ける溝１０が、基板本体２の表面３および裏面５に隣接する一対の端部溝１２と、これらの間を接続し且つこれらよりも小径の中間溝１１とで構成されている。このため、当該配線基板１をマザーボード（図示せず）などの表面に搭載する際、従来のような基板本体の厚み方向に沿って一定の幅および深さの溝に比べ、基板本体２の裏面５に隣接する端部溝１２に形成される導体層１３の端部導体１５と半田材（図示せず）との接触面積を大きくできる。しかも、後述するように、上記溝１０に形成される導体層１３中のメッキ層が所要の厚みでほぼ均一に被覆されているため、上記マザーボード側との導通も安定して取ることできる。従って、配線基板１を所要の強度を伴って容易に搭載できると共に、かかる搭載時に安定した導通性を取ることも可能となる。
【００１９】
図３は、前記配線基板１を得るための多数個取り用配線基板（以下、単に配線基板と称する）２０を示す平面図である。
かかる配線基板２０は、図３に示すように、前記配線基板１を縦・横（平面）方向に沿って３個ずつ合計９個を併設する配線基板集合領域２１と、かかる集合領域２１の周囲を囲む平面視が四角枠形の耳部２２と、を備えている。尚、図３中の破線は、追って配線基板１を個々に分割する際の切断予定線を示す。
図３に示すように、上記配線基板集合領域２１において隣接する４つの配線基板１の交差部（境界）および外周の配線基板１と耳部２２との境界において、各配線基板１の厚み方向に沿って、上記集合領域２１や、かかる集合領域２１および耳部２２に跨って貫通する複数の貫通孔２３が形成されている。また、左右の耳部２２の中間には、断面ほぼ半円形のメッキ用電極２９が形成されている。
上記貫通孔２３の細部と、その表面に形成される金属層およびメッキ層とは、次述する配線基板２０の製造方法において、詳細に説明する。
【００２０】
前記配線基板２０を得るための製造方法について、以下に説明する。
先ず、図４の左側に示すように、前記セラミック層ｓ１（ｓ５）となるアルミナ系材料からなる大版サイズのグリーンシートＳ１を、円形断面の孔ｈを有するダイＤの上で固定し、かかる孔ｈの内径よりも直径が小さく所要のクリアランスｃを形成するパンチＰを用意する。図４の中央に示すように、かかるパンチＰの先端部をダイＤの孔ｈに押し込むことで、パンチＰの外周縁と孔ｈの内周縁との間に剪断作用が働き、断面ほぼ台形で且つほぼ円錐形の打ち抜き屑ｄが除去される。かかる打ち抜き加工の結果、図４の右側に示すように、グリーンシートＳ１の所定の位置には、ほぼ円錐形の傾斜面を有する貫通孔ｈ１が形成される。かかる貫通孔ｈ１は、前記図３で示した貫通孔２３と同数が形成される。
【００２１】
図５の上方に示すように、前記セラミック層ｓ５となるアルミナ系材料からなる大版サイズのグリーンシートＳ５に対しても、上記と同様な方法で同じ位置に同数の貫通孔ｈ１が形成される。尚、パンチＰの直径に対し、最小限のクリアランスｃとなる孔ｈを有するダイＤを用いて、円柱形の貫通孔を形成した後、かかる貫通孔に円錐形の金型（図示せず）を押し込む方法によっても、ほぼ円錐形の前記貫通孔ｈ１を形成することができる。
また、前記セラミック層ｓ２〜ｓ４となるアルミナ系材料からなる大版サイズのグリーンシートＳ２〜Ｓ４に対して、パンチＰの直径に対し、最小限のクリアランスｃとなる孔ｈを有するダイＤを用いて、それぞれ打ち抜き加工する。これにより、図５の中程に示すように、円柱形の貫通孔ｈ２を所定の位置に形成する。かかる貫通孔ｈ２も、前記図３で示した貫通孔２３と同数が形成される。
【００２２】
尚、セラミック層ｓ４，ｓ５には、各配線基板１の前記キャビティ６となる断面角形の貫通孔も、図３に示す位置で且つ同数が別途に形成される。また、図５中で例示するように、グリーンシートＳ１〜Ｓ４の上面には、前記配線層１８となるＷ粉末などを含むペースト状の金属層（１８）が公知の印刷法により形成されている。前記パッド９やビア導体１９となる金属層も同様に形成されている。
ほぼ円錐形の貫通孔ｈ１を有するグリーンシートＳ１，Ｓ５の間に、円柱形の貫通孔ｈ２を有するグリーンシートＳ２〜Ｓ４を配置し、それらの貫通孔ｈ１と貫通孔ｈ２とが連通するように積層し且つ圧着する。その結果、図６に一部の断面を示す大版サイズのグリーンシート積層体ＧＳが形成される。
【００２３】
上記積層体ＧＳにおいて、互いに連通した上下一対の貫通孔ｈ１とこれらの間で同心で連通する３つの貫通孔ｈ２とは、図６に示すように、全体がほぼ鼓形を呈する貫通孔２３を形成する。かかる貫通孔２３は、ほぼ円錐形の傾斜面を有する上下一対の端部孔２４と、これらの間に位置し且つ同径で接続する円柱形の内周面を有する中間孔２５と、で構成される。
尚、図６に示すように、貫通孔２３の内周面には、前記Ｗ粉末などを含むペースト状の金属層（１８）の一端面が露出している。また、前記積層体ＧＳの外側に位置し追って耳部２２となる辺の側面に、前記メッキ用電極（２９）を同様にして形成する。
【００２４】
次いで、図７の左側に示すように、各貫通孔２３における一方の開口部を真空ポンプ（図示せず）に連通して、貫通孔２３内を減圧状態とする。かかる状態で、他方の開口部の外側に端部孔２４の最大径よりやや大きな外径とやや小さな内径との間に位置するリング形のパターン孔を有するメッシュマスクと、スキージ（何れも図示せず）とを用いて、Ｗ粉末などを含むペースト状の金属層２７を、貫通孔２３の中間孔２４および一対の端部孔２５の内周面に形成する。
引き続いて、各貫通孔２３における他方の開口部を真空ポンプに連通して上記同様の減圧状態とし、各貫通孔２３における一方の開口部から、上記同様にしてペースト状の金属層２７を、貫通孔２３の内周面にほぼ均一にして形成する。
【００２５】
かかる状態で、グリーンシート積層体ＧＳを、所定の温度帯で加熱・保持して焼成することで、前記グリーンシートＳ１〜Ｓ５がセラミック層ｓ１〜ｓ５になると共に、ペースト状の金属層（２７）やメッキ用電極（２９）などが、配線層１８やメッキ用電極２９などになる。
更に、図７の右側に示すように、貫通孔２３の内周面に形成された金属層２７の上に、ＮｉメッキおよびＡｕメッキを施して、メッキ層２８を形成する。かかるメッキ工程は、前記焼成済みのグリーンシート積層体ＧＳを、電解メッキ槽のメッキ液（何れも図示せず）中に浸漬し、公知の電解Ｎｉメッキおよび電解Ａｕメッキを施すことで形成される。
【００２６】
即ち、前記焼成済みのグリーンシート積層体ＧＳのメッキ用電極２９に電極棒（図示せず）を接触させ、かかるメッキ用電極２９から、図示しないタイバー、上記積層体ＧＳの外周に沿って位置する貫通孔２３に形成された金属層２７、および各配線基板１の配線層１８などを介して、全ての貫通孔２３に形成された金属層２７を通電状態とする。かかる状態で、前記焼成済みのグリーンシート積層体ＧＳおよび電極棒を、電解メッキ槽のメッキ液中に浸漬した後、メッキ液中で対向する反対側の電極との間で、電解Ｎｉメッキおよび電解Ａｕメッキを順次施す。この際、各メッキ液は、貫通孔２３の両端が外側に広がる傾斜面を有する端部孔２４を有するため、かかる貫通孔２３内を高い流動性をもって貫流する。
この結果、メッキ層２８は、貫通孔２３（２４，２５）の内周面全体において、比較的均一な厚みで確実に形成される。
【００２７】
そして、前記図３中および図７の右側にて破線で示す切断予定線に沿って、公知のダイシング加工またはブレーク加工を施す。その結果、前記配線基板集合領域２１は、９個の配線基板１に分割され、且つ耳部２２が除去される。この際、個々の配線基板１における基板本体２の各コーナ部において、平面視で４分割された貫通孔２３の中間孔２５および端部孔２４は、前記溝１０の中間溝１１および端部溝１２となる。同時に、金属層２７およびメッキ層２８は、それぞれ４分割されることで、各溝１０の表面を覆う前記導体層１３の中間導体１４および端部導体１５となる。
以上のようにして製造される配線基板２０によれば、貫通孔２３の内周面に金属層２７を介して、ほぼ均一な厚みのメッキ層２８を確実に形成できるため、マザーボードなどへの搭載や導通が容易に取れる前記配線基板１を効率良く提供することが可能となる。
【００２８】
図８は、本発明における異なる形態の配線基板３０を示す平面図、図９は、図８中のＹ−Ｙ線の矢視に沿った断面図である。尚、以下において、前記配線基板１と共通する部分については、同じ符号を用いる。
配線基板３０は、図８，９に示すように、表面３３、裏面３５、およびこれらの外周沿って位置する四辺の側面３４を有する基板本体３２と、各側面３４の中間において当該基板本体３２の厚み方向に沿って設けられる四つの溝４０と、かかる溝４０ごとの表面に形成される導体層４３と、を備えている。
基板本体３２も、前記同様のセラミック層ｓ１〜ｓ５を一体に積層したものであり、かかる基板本体３２の表面３３には、平面視が正方形の底面３７とその周辺から立設する四つの側壁３８とからなるキャビティ３６が開口している。かかるキャビティ３６の底面３７には、前記同様に一対のパッド９が形成され、かかる底面３７の中央部にＩＣチップ１６が前記同様に実装され、且つこれらの間をボンディングワイヤｗが導通している。
【００２９】
図８，図９に示すように、基板本体３２の各側面３４の中間には、平面視がほぼ半円形（半円弧形）で且つ基板本体３２の表面３３および裏面３５に隣接する一対の端部溝４２と、これらの間に位置し且つ当該一対の端部溝４２，４２間を接続する中間溝４１と、により構成される溝４０が形成されている。
上記溝４０を構成している一対の端部溝４２は、それぞれ基板本体３２の表面３３および裏面３５に向かって広がるほぼ半円錐形を呈し、中間溝４１は、断面がほぼ半円形（半円弧形）を呈する。かかる端部溝４２の幅および深さは、中間溝４１の幅および深さよりも大きい。尚、図９中の仮想水平線に対する端部溝４２の傾斜角度（仰角）は、４５〜８５度である。
【００３０】
前記溝４０の中間溝４１および一対の端部溝４２の表面には、Ｗなどからなる金属層とＮｉおよびＡｕなどのメッキ層とからなる導体層４３が形成されている。かかる導体層４３は、図９に示すように、中間溝４１の表面に形成される断面ほぼ半円形（半円弧形）の中間導体４４と、一対の端部溝４２の表面に形成されるほぼ半円錐形を呈する端部導体４５とからなる。尚、各中間導体４４は、その内側面で前記配線層１８の何れかと接続されている。
尚、前記キャビティ３６の側面を平面視で円形、長円形、楕円形、全体がほぼ円錐形、ほぼ長円錐形、ほぼ楕円錐形の形態とし、これらの側面にＷなどからなる金属とＮｉ、Ａｕ、Ａｇなどのメッキ層とからなる光反射層を形成しても良い。この場合、キャビティ３６の底面３７に発光ダイオードや半導体レーザなどの発光素子を実装した際に、これらからの光を効率良く反射することが可能となる。
【００３１】
以上のような配線基板３０によれば、基板本体３２の各側面３４に設ける溝４０が、基板本体３２の表面３３および裏面３５に隣接する一対の端部溝４２と、これらの間を接続し且つこれらよりも小さい中間溝４１とで構成されている。このため、当該配線基板３０をマザーボード（図示せず）などの表面に搭載する際、従来の基板本体の厚み方向に沿って一定の幅および深さの溝に比べ、基板本体３２の裏面３５に隣接する端部溝４２に形成される導体層４３の端部導体４５と、前記同様の半田材（図示せず）との接触面積を大きくすることができる。しかも、後述するように、上記溝４０に形成される導体層４３中のメッキ層が所要の厚みでほぼ均一に被覆されているため、上記マザーボード側との導通も安定して取ることできる。従って、配線基板３０を所要の強度を伴って容易に搭載できると共に、かかる搭載時に安定した導通性を取ることも可能となる。
【００３２】
図１０は、前記配線基板３０を得るための多数個取り用配線基板（以下、単に配線基板と称する）５０を示す平面図、図１１は、図１０中のＺ−Ｚ線の矢視に沿った部分拡大断面図である。
配線基板５０は、図１０に示すように、前記配線基板３０を縦・横（平面）方向に沿って３個ずつ合計９個を併設する配線基板集合領域５１と、かかる集合領域５１の周囲を囲む平面視が四角枠形の耳部５２と、を備えている。尚、図１０，図１１中の破線は、追って個々の配線基板３０に分割する際の切断予定線を示す。
図１０に示すように、上記配線基板集合領域５１において隣接する２つの配線基板３０の境界および外周の配線基板３０と耳部５２との境界において、各配線基板３０の厚み方向に沿って、上記集合領域５１や、かかる集合領域５１および耳部５２に跨って貫通する複数の貫通孔５３が形成されている。各貫通孔５３の内周面には、導体層５６が形成されている。また、耳部５２の各辺には、前記メッキ用電極２９と同様な断面ほぼ半円形のメッキ用電極５９が形成されている。
【００３３】
図１１に示すように、貫通孔５３は、セラミック層ｓ１，ｓ５に設けられ、各配線基板３０の表面３３および裏面３５に向かって広がる傾斜面を有するほぼ円錐形を呈する一対の端部孔５４と、これらの間を接続し、端部孔５４の内径よりも小さな内径で円柱形を呈する中間孔５５とからなり、全体がほぼ鼓形を呈する。
上記貫通孔５３の中間孔５５および端部孔５４の表面には、前記と同様の方法によって、Ｗなどからなる金属層５７と、ほぼ均一な厚みのＮｉメッキ層およびＡｕメッキ層からなるメッキ層５８と、を有する導体層５６が形成されている。
かかる配線基板５０も、前記図４〜図７に示した各製造工程をほぼ同様に経ることによって、容易に製造される。
【００３４】
そして、前記図１０，図１１中の破線で示す切断予定線に沿って、公知のダイシング加工またはブレーク加工を施すことにより、前記配線基板集合領域５１は、９個の配線基板３０に分割され、且つ耳部５２が除去される。この際、個々の配線基板３０における基板本体３２の各側面３４において、平面視で２分割された貫通孔５３の中間孔５５および端部孔５４は、前記溝４０の中間溝４１および端部溝４２となる。同時に、導体層５６の金属層５７およびメッキ層５８は、それぞれ２分割されることで、各溝４０の表面を覆う前記導体層４３の中間導体４４および端部導体４５となる。
以上のような配線基板５０によっても、貫通孔５３の内周面に金属層５７を介して、ほぼ均一な厚みのメッキ層５８を確実に形成されているため、マザーボードなどへの搭載や導通が容易に取れる前記配線基板３０を効率良く提供することが可能となる。
【００３５】
本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
前記溝は、配線基板の側面およびコーナ部の双方に形成し、これらの溝に金属層およびメッキ層からなる導体層を形成する形態としても良い。これに応じて、多数個取り用配線基板にも、配線基板集合領域中の配線基板同士の境界や、かかる集合領域と耳部の境界における所定の位置に貫通孔を形成する。
また、前記基板本体は、低温焼成セラミックの一種であるガラス−セラミックにより形成しても良い。あるいは、ＢＴ樹脂などからなるコア基板の表面および裏面の少なくとも一方にエポキシ系の樹脂層や樹脂フィルムを積層した形態としても良い。後者の場合、前記パッド、配線層、溝に形成する金属層は、Ｃｕなどからなるものとし、それらの表面にＮｉおよびＡｕメッキを施して導体層を形成する。
【００３６】
更に、前記溝の中間溝は、断面長方形とし、且つ両端の端部溝をほぼ半四角錐形とした形態としても良い。あるいは、半円柱形または４分の１の円柱形である中間溝に対し、幅および深さの大きな半円柱形または４分の１の円柱形である端部溝としても良い。
また、上記溝の形態に対応して、多数取り用配線基板に設ける貫通孔は、その中間孔を断面ほぼ正方形とし、且つ両端の端部孔をほぼ四角錐形とした形態としても良い。あるいは、円柱形の中間孔に対し、幅および深さが大きな円柱形の円柱形である端部孔としても良い。
加えて、前記配線基板は、基板本体の表面が平坦な形態とし、かかる表面にＩＣチップなどの電子部品などを実装するためのパッドを有する形態としても良い。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の一形態である配線基板を示す平面図。
【図２】図１中のＸ−Ｘ線の矢視に沿った断面図。
【図３】上記配線基板を得るための多数個取り用配線基板を示す平面図。
【図４】上記多数個取り用配線基板の製造工程の一部を示す概略図。
【図５】図４に続く製造工程の一部を示す概略図。
【図６】図５に続く製造工程の一部を示す概略図。
【図７】図６に続く製造工程の一部を示す概略図。
【図８】異なる形態の配線基板を示す平面図。
【図９】図８中のＹ−Ｙ線の矢視に沿った断面図。
【図１０】上記配線基板を得るための多数個取り用配線基板を示す平面図。
【図１１】図１０中のＺ−Ｚ線の矢視に沿った部分拡大断面図。
【符号の説明】
【００３８】
１，３０……配線基板
２，３２……基板本体
３，３３……表面
４，３４……側面
５，３５……裏面
１０，４０…溝
１１，４１…中間溝
１２，４２…端部溝
２０，５０…多数個取り用配線基板
２１，５１…配線基板集合領域
２２，５２…耳部
２３．５３…貫通孔
２４，５４…端部孔
２５，５５…中間孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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