(57)【要約】【課題】供給ライン内に緩衝された気体圧力パルスを提供するように、緩衝器容量が提供されるようにして、より速いクランプ反応時間を実現することができる。リソグラフィ装置及び装置製造方法を提供する。【解決手段】放射線投影ビームを提供する照明システムと、放射線投影ビームの経路内に配置される物体を締め付ける気体圧力制御物体クランプと、物体クランプと連結するように供給ラインを備える、物体クランプを制御する圧力回路とを備えるリソグラフィ装置。【選択図】図１
2006237606.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
気体圧力制御物体クランプと、
前記物体クランプを制御するように構成され、前記物体クランプに連結された供給ラインを備える圧力回路と、
前記クランプの反応時間を縮小するために、前記供給ライン内で気体圧力パルスを提供するように構成されたパルス圧力回路とを備えるリソグラフィ装置。
【請求項２】
前記圧力回路は、前記物体クランプの迅速な締付動作のために真空圧力パルスを提供するように構成された真空圧力ラインを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記圧力回路は、前記物体クランプの迅速な解放動作のために高圧パルスを提供するように構成された高圧ラインを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記圧力回路は、前記物体クランプの迅速な解放動作のために高圧パルスを提供するように構成された高圧ラインを備え、前記高圧ライン及び前記真空圧力ラインは前記ラインの間で交替する共通の弁を共有する、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記圧力回路は、前記パルス圧力回路をバイパスするように構成されたバイパス・ラインを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記圧力回路は流れ絞り弁を備える、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記流れ絞り弁は、前記圧力回路と前記パルス圧力回路の間に設けられる、請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記圧力回路は圧力逃がし弁を備える、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記パルス圧力回路は解放弁及び緩衝器容量を備え、前記解放弁は前記緩衝器容量と前記供給ラインの間に設けられ、前記解放弁を解放する前に前記緩衝器容量を加圧するように構成された制御装置を備える、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
さらに、前記緩衝器容量と前記供給ラインの間に逃がし弁及び／又は流れ絞り弁を備える、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記緩衝器容量と前記圧力回路の間に流れ絞り弁をさらに備える、請求項９に記載の装置。
【請求項１２】
前記物体クランプは、基板支持体、基板ハンドラ、パターン形成装置支持体、又はパターン形成装置ハンドラを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
リソグラフィ装置内の物体クランプを制御するように構成された気体加圧装置であって、
前記物体クランプに連結された供給ラインを有する圧力回路と、
前記クランプの反応時間を縮小するために、前記供給ライン内で気体圧力パルスを提供するように構成されたパルス圧力回路とを備える気体加圧装置。
【請求項１４】
前記圧力回路は真空圧力ラインを備える、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記圧力回路は高圧ラインを備える、請求項１３に記載の装置。
【請求項１６】
前記圧力回路は高圧ラインを備え、前記高圧ライン及び前記真空圧力ラインは、前記高圧ラインと前記真空圧力ラインの間で交替する共通の弁を共有する、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
前記圧力回路は、前記パルス圧力回路をバイパスするように構成されたバイパス・ラインを備える、請求項１３に記載の装置。
【請求項１８】
前記パルス圧力回路は解放弁及び緩衝器容量を備え、前記解放弁は前記緩衝器容量と前記供給ラインの間に設けられ、前記解放弁を解放する前に前記緩衝器容量を加圧するように構成された制御装置を備える、請求項１３に記載の装置。
【請求項１９】
供給ラインに連結され、リソグラフィ装置内にある物体クランプの締付及び／又は解放動作を制御するように構成された制御装置であって、
パルス圧力回路を加圧し、
前記供給ライン内に気体圧力パルスを提供するように前記パルス圧力回路を前記供給ラインに連結させるように配置された制御装置。
【請求項２０】
リソグラフィ装置内で加圧供給ラインに結合された物体クランプを操作する方法であって、
前記物体クランプの第１の作動状態を提供するように、前記供給ライン内に第１の気体圧力を提供するステップと、
前記第１の作動状態と第２の作動状態の間の移行時間を縮小するために、前記供給ライン内に気体圧力パルスを提供するステップと、
前記物体クランプの前記第２の作動状態を提供するように、前記供給ライン内に第２の気体圧力を提供するステップとを含む方法。
【請求項２１】
前記圧力パルスは、
パルス圧力回路を加圧し、
前記供給ライン内に前記圧力パルスを提供するように前記供給ラインに前記パルス圧力回路を連結させることによって提供される、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
永続的な気体流によって前記パルス圧力回路を加圧するステップを含む、請求項２１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィ装置及び装置を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、基板上に、普通は基板の目標部分上に所望のパターンを被着する機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に使用することができる。この例では、マスク又はレチクルとも呼ばれるパターン形成装置を、ＩＣの個別の層の上に形成される回路パターンを生成するのに使用することができる。このパターンは、基板（例えば、シリコン・ウェーハ）上の（例えば、１つ又はいくつかのダイの一部を含む）目標部分の上に転写することができる。パターンの転写は普通、基板上に設けられた感放射線性材料（レジスト）の層の上の画像化により行われる。普通、単一の基板は連続してパターン形成される、隣接する目標部分のネットワークを含む。既知のリソグラフィ装置は、その中で一度に目標部分の上にパターン全体を露光することによって各目標部分が照射される、いわゆるステッパと、その中で所与の方向（「走査」方向）に放射線ビームを通してパターンを走査し、同時にこの方向に平行又は非平行に基板を走査することによって各目標部分が照射される、いわゆるスキャナとを備えている。また、基板の上にパターンをインプリントすることによって、パターン形成装置から基板にパターンを転写することも可能である。
【０００３】
ＩＣ及び他の装置のリソグラフィでは、一般にスループットがリソグラフィ装置の採算性に関係するので、一般にリソグラフィ装置のスループットを増加させることが求められている。したがって、リソグラフィ過程に関連する、基板又はパターン形成装置などの物体を迅速に処理することが望ましい。しかし、清潔性及び他の限定要素により、特定の処理機構だけしか、リソグラフィ装置内でこれらの物体の処理を行うことができない。機構の１つは、例えばリソグラフィ装置内及びそこから運ばれる場合、例えば基板を処理する基板ハンドラで使用される真空クランプである。このような真空クランプはまた、基板を基板テーブル上に保持して露光を行う場合に使用することもできる。クランプの締付動作を行うため、クランプは、物体クランプに連結された圧力回路を備える気体加圧装置に結合されている。
【０００４】
気体加圧装置の寸法及び／又は重量により、気体加圧装置は一般に、クランプから特定の距離に配置されており、これは気体加圧装置にクランプを連結させる圧力回路が、反応時間に不利である容量を、物体を締め付ける又は解放するのに合うようにするということである。実際、気体加圧装置によって提供される圧力は、連結圧力回路の容量が増加されなければならず、気体加圧装置とクランプの間の距離が大きい場合に、反応時間の特定の遅延が起こる可能性があるということを示している。この問題を解決する方法は、ラインを縮小することによって供給ラインの容量を少なくすることである。しかし、これは常に実現可能であるわけではない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
したがって、例えば、設計基準を犯すことなくリソグラフィ装置に対する物体クランプの反応時間を良くし、任意選択で従来の加圧装置及びクランプの寸法及び重量要件を維持することが有利である。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様によれば、気体圧力制御物体クランプと、物体クランプを制御するように構成され、物体クランプに連結された供給ラインを備える圧力回路と、クランプの反応時間を縮小するために供給ライン内で気体圧力パルスを提供するように構成されたパルス圧力回路とを備えるリソグラフィ装置が提供される。
【０００７】
本発明の別の態様によれば、リソグラフィ装置内の物体クランプを制御するように構成された気体加圧装置であって、物体クランプに連結された供給ラインを有する圧力回路と、クランプの反応時間を縮小するために、供給ライン内で気体圧力パルスを提供するように構成されたパルス圧力回路とを備える装置が提供される。
【０００８】
本発明の別の態様によれば、供給ラインに連結され、リソグラフィ装置内にある物体クランプの締付及び／又は解放動作を制御するように構成された制御装置であって、パルス圧力回路を加圧し、供給ライン内で気体圧力パルスを提供するためにパルス圧力回路を供給ラインに連結させるように配置された制御装置が提供される。
【０００９】
本発明の別の態様では、リソグラフィ装置内で加圧供給ラインに結合された物体クランプを操作する方法であって、物体クランプの第１の作動状態を提供するように、供給ライン内に第１の気体圧力を提供するステップと、第１の作動状態と第２の作動状態の間の移行時間を縮小するために、供給ライン内で気体圧力パルスを提供するステップと、物体クランプの第２の作動状態を提供するように、供給ライン内で第２の気体圧力を提供するステップとを含む方法が提供される。
【００１０】
この内容で、「加圧する」という用語は、高圧又は真空圧力である可能性がある所定の圧力を提供するのに使用される。特に、緩衝器容量を加圧しながら、緩衝器容量は特定の圧力レベルにされ、所望の圧力レベルによって緩衝器容量への、又はそこからの永続的な気体流を提供することによって行うことができる。
【実施例】
【００１１】
次に本発明の実施例を、例示する目的でのみ、添付の略図を参照して説明する。対応する参照記号は対応する部品を示す。
【００１２】
図１は、本発明の一実施例によるリソグラフィ装置を略図的に示す。この装置は、放射線ビームＢ（例えば、紫外線放射線、又は極紫外線放射線）を調整するように構成された照明システム（照明装置）ＩＬと、パターン形成装置（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、特定のパラメータに従ってパターン形成装置を正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに連結された支持構造物（例えば、マスク・テーブル）と、基板（例えば、レジスト被膜ウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに連結された基板テーブル（例えば、ウェーハ・テーブル）ＷＴと、基板Ｗの目標部分Ｃ（例えば、１つ又は複数のダイを備える）の上にパターン形成装置ＭＡによって放射線ビームＢに与えられたパターンを投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズ・システム）ＰＳとを備えている。
【００１３】
照明システムは、放射線を方向付け、形作り、又は制御するように、屈折、反射、磁気、電磁、静電、又は他のタイプの光学構成要素などの様々なタイプの光学構成要素、又はそのあらゆる組合せを含むことができる。
【００１４】
支持構造物は、パターン形成装置の方向性、リソグラフィ装置の設計、及び例えば、パターン形成装置が真空環境内に保持されているかどうかなどの他の条件による方法でパターン形成装置を保持する。支持構造物は、パターン形成装置を保持するのに、機械的、真空、静電又は他の締付技術を使用することができる。支持構造物は、例えば、所望のように固定することができる又は可動である、フレーム又はテーブルであってもよい。支持構造物は、パターン形成装置が、例えば投影システムに対して所望の位置にあることを保証することができる。本明細書中の「レチクル」又は「マスク」という用語の使用は、「パターン形成装置」というより一般的な用語と同義であると考えることができる。
【００１５】
本明細書で使用される「パターン形成装置」という用語は、基板の目標部分内にパターンを作り出すように、断面にパターンを備えた放射線ビームを与えるのに使用することができるあらゆる装置のことを言うと広義で解釈すべきである。放射線ビームに与えられたパターンは、例えば、パターンが位相シフト特性、又はいわゆる補助特性を含む場合、基板の目標部分内の所望のパターンに正確に対応していなくてもよいことに留意すべきである。普通は、放射線ビームに与えられたパターンは、集積回路などの、目標部分内に作り出される装置内の特定の機能層に対応する。
【００１６】
パターン形成装置は透過性又は反射性であってもよい。パターン形成装置の例として、マスク、プログラム可能なミラー・アレイ、及びプログラム可能ＬＣＤパネルが挙げられる。マスクはリソグラフィではよく知られており、バイナリ、レベンソン型位相シフト、及びハーフトーン型位相シフトなどのマスク・タイプと、様々なハイブリッド・マスク・タイプを含む。プログラム可能なミラー・アレイの例は、行列配置の小さな鏡を利用し、それぞれ入射放射線ビームを異なる方向に反射させるように個別に傾斜させることができる。傾斜された鏡は、鏡行列によって反射される放射線ビーム内にパターンを与える。
【００１７】
本明細書で使用される「投影システム」という用語は、屈折、反射、反射屈折、磁気、電磁、及び静電光学システムを含むあらゆるタイプの投影システム、又は使用される露光放射線、又は浸漬液体又は真空の利用などの他の要因に適当なあらゆる組合せを含むと広義に解釈されるべきである。本明細書中の「投影レンズ」という用語の使用は、「投影システム」というより一般的な用語と同義であると考えることができる。
【００１８】
ここで示すように、この装置は透過性タイプである（例えば、透過性マスクを利用する）。別の方法では、この装置は反射性タイプである（例えば、上記のようなタイプのプログラム可能なミラー・アレイを利用する、又は反射マスクを利用する）。
【００１９】
リソグラフィ装置は、２つ（二重ステージ）以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上の支持構造物）を有するタイプであってもよい。このような「多重ステージ」機械では、追加のテーブル及び／又は支持構造物を並行して使用することができる、或いは、１つ又は複数の他のテーブル及び／又は支持構造物を露光に使用しながら、１つ又は複数のテーブル及び／又は支持構造物上で準備ステップを行うことができる。
【００２０】
リソグラフィ装置はまた、投影システムと基板の間の空間を満たすように、基板の少なくとも一部を比較的高い屈折率を有する液体、例えば水によって覆うことができるタイプであってもよい。浸漬液体はまた、リソグラフィ装置内の他の空間、例えばパターン形成装置と投影システムの間に利用することができる。投影システムの開口数を増やす浸漬技術はよく知られている。本明細書で使用される「浸漬」という用語は、基板などの構造物が液体に浸されなければならないということではなく、むしろ露光中に液体が投影システムと基板の間に配置されるということである。
【００２１】
図１を参照すると、照明装置ＩＬは放射線放射線源ＳＯから放射線ビームを受ける。放射線源及びリソグラフィ装置は、例えば放射線源がエキシマ・レーザである場合に、別個の実体であってもよい。このような場合、放射線源はリソグラフィ装置の一部を形成するとは考えられず、放射線ビームは、例えば適切な方向付け鏡及び／又はビーム・エキスパンダを備えるビーム運搬システムＢＤの助けをかりて、放射線源ＳＯから照明装置ＩＬまで通過する。他の場合、放射線源は例えば放射線源が水銀灯である場合に、リソグラフィ装置の一体部であってもよい。放射線源ＳＯ及び照明装置ＩＬは、必要に応じてビーム運搬システムＢＤと共に、放射システムと呼ぶことができる。
【００２２】
照明装置ＩＬは、放射線ビームの角強度分布を調節する調節装置ＡＤを備えることができる。普通、照明装置の瞳孔平面内の強度分布の少なくとも外側及び／又は内側径方向範囲（普通はそれぞれσ−外側及びσ−内側と言われる）を調節することができる。加えて、照明装置ＩＬは、積分器ＩＮ及び蓄電器ＣＯなどの様々な他の構成部品を備えることができる。照明装置は、断面に所望の均一性及び強度分布を有するように、放射線ビームを調整するのに使用することができる。
【００２３】
放射線ビームＢは、支持構造物（例えば、マスク・テーブル）ＭＴ上に保持されたパターン形成装置（例えば、マスクＭＡ）に入射し、パターン形成装置によってパターン形成される。パターン形成装置ＭＡを通過したので、放射線ビームＢは、基板Ｗの目標部分Ｃの上にビームを集中させる投影システムＰＳを通過する。第２のポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉計測装置、リニア・エンコーダ、又は容量性センサ）の助けをかりて、基板テーブルＷＴは、例えば放射線ビームＢの経路内に異なる目標部分Ｃを位置決めするように、正確に移動させることができる。同様に、第１のポジショナＰＭ及び別の位置センサ（図１には明示的には図示せず）は、例えばマスク・ライブラリからの機械的検索後、又は走査中に、放射線ビームＢの経路に対してパターン形成装置ＭＡを正確に位置決めするのに使用することができる。普通、支持構造物ＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭを形成する、ロング・ストローク・モジュール（粗位置決め）及びショート・ストローク・モジュール（微細位置決め）を使用して実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷを形成するロング・ストローク・モジュール及びショート・ストローク・モジュールを使用して実現することができる。（スキャナと対向する）ステッパの場合、支持構造物ＭＴはショート・ストローク・モジュールにのみ連結され、又は固定される。パターン化装置ＭＡ及び基板Ｗは、パターン形成装置位置合わせマークＭ１、Ｍ２及び基板位置合わせマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示した基板位置合わせマークは専用の目標部分を占めているが、目標部分の間の空間に配置することができる（これらは、スクライブ線位置合わせマークとして知られている）。同様に、複数のダイがパターン形成装置ＭＡ上に設けられている状況では、パターン形成装置位置合わせマークをダイの間に配置することができる。
【００２４】
示した装置は、以下の形態の少なくとも１つで使用することができる。
１．ステップ・モードでは、支持構造物ＭＴ及び基板テーブルＷＴは基本的に静止して保持され、放射線ビームに与えられるパターン全体が一度に（すなわち、単一の静的露光で）目標部分Ｃの上に放射される。基板テーブルＷＴはその後、異なる目標部分Ｃを露光することができるように、Ｘ及び／又はＹ方向にシフトされる。ステップ・モードでは、露光領域の最大寸法が、単一の静的露光で画像化された目標部分Ｃの寸法を制限する。
２．走査モードでは、支持構造物ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同時に走査され、放射線ビームに与えられたパターンは目標部分Ｃの上に放射される（すなわち、単一の動的露光）。支持構造物ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向を、投影システムＰＳの（縮小）拡大及び画像逆転特徴によって決めることができる。走査モードでは、露光領域の最大寸法は、単一の動的露光における目標部分の（非走査方向の）幅を制限し、走査動作の長さにより目標部分の（走査方向の）高さが決まる。
３．別のモードでは、支持構造物ＭＴは基本的に静止して保持され、プログラム可能パターン形成装置を保持し、基板テーブルＷＴは、放射線ビームに与えられるパターンが目標部分Ｃの上に投影される間に移動又は走査される。このモードでは、パルス化された放射線源が普通利用され、プログラム可能なパターン形成装置は、基板テーブルＷＴの各移動の後、又は走査中の連続放射線パルスの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、上記のタイプのプログラム可能なミラー・アレイなどのプログラム可能パターン形成装置を利用するマスクレス・リソグラフィにすぐに適用することができる。
【００２５】
上記の使用モード、又は異なる使用モード全体の組合せ及び／又は変更を利用することもできる。
【００２６】
図２Ａ及び２Ｂは、（図示しないが、真空ポンプなどに連結された）真空圧力ライン２、及び（同様に、例えば大気圧より高い圧力を供給するポンプなどに連結された）高圧ライン３を備えた気体加圧装置１の２つの切換状態を略図的に示す。この実施例では、装置１は高圧ライン３と真空圧力ライン２の間で切り換える切換／解放弁４を備えている。切換構造により、高圧又は真空圧力が供給ライン５に提供される。装置１では、真空圧力ライン２及び高圧ライン３に対して、緩衝器容量６、７がそれぞれ提供される。供給ライン５は、マスク・クランプ、基板クランプ、又は例えば放射線の投影ビーム（図示せず）のビーム経路に配置される物体を締め付けるように構成されたより一般的な気体圧力制御物体クランプなどのクランプに連結させることができる。
【００２７】
緩衝器容量６、７は、さらに示すように、供給ライン５内に緩衝された気体圧力パルスを提供するように構成されている。この目的のため、緩衝器容量６、７はそれぞれ、供給ライン５に、緩衝器容量６又は７を連結させる前に加圧することができる。これは、制御装置（図示せず）を使用して、切換／解放弁４を作動させることによって行うことができる。
【００２８】
図２Ａに示す切換位置では、ばね８は切換／解放弁４を、連結が真空圧力ライン２と供給ライン５の間で行われる静止位置内に押し込まれる。この構成では、気体は真空緩衝器容量６を介して流れ、真空圧力が供給ライン５内に供給される。さらに、このような構成では、高圧ライン３は供給ライン５から切断される。しかし、緩衝器容量７は、緩衝器容量７内に永続的に流れる気体によってこの構成で加圧される。
【００２９】
気体加圧装置１が切換／解放弁４によって（制御装置を使用して）、図２Ｂに示す第２の切換位置に切り換えられると、ばね８はソレノイド９によって圧縮され、真空圧力ライン２は供給ライン５から切断される。同じ切換動作で、加圧緩衝器容量７が供給ライン５に連結される。連結によって圧力差が緩衝器容量７と供給ライン５の間に存在するので、緩衝された気体圧力パルスが供給ライン５に提供される。容量及び圧力差によって、圧力パルスは均一にされ、初期の押圧の後、高圧ライン３は気体流を緩衝器容量７を介して供給ライン５内に供給する。初期緩衝された気体圧力パルスによって、供給ライン５内に存在する真空圧力は迅速に取り除かれ、供給ライン５内の圧力は迅速に所望のレベルにされる。このレベルは例えば、クランプを分離するのに使用することができる、すなわち締付動作を行う真空圧力の代わりに、真空圧力は高圧供給ライン３の圧力パルスを提供することによってより高い圧力に動作可能に変換される。この押圧は、大気圧レベル（動的切断）だけでなく、クランプが圧力レベルを超すことによって、例えば基板ホルダから基板を動作可能に押す圧力パルスによって動作可能に切断する圧力レベルである所望の圧力レベルを提供するような大きさである可能性がある。
【００３０】
図２Ｂの位置で示された別の状態で、高圧ライン３は供給ライン５に連結され、所望の高圧レベルは供給ライン５に提供され、真空圧力ライン２は供給ライン５から切断される。この構成では、真空圧力ライン２は緩衝器容量６を排出させる。したがって、比較的高い真空圧力が、真空圧力ライン２を絞り弁１０を介して排水することによって緩衝器容量６内に提供される。絞り弁１０は、供給ライン５が更新されると、すなわち、例えば供給ライン５が分離される、又は基板を締め付けるのに使用されない場合に、真空圧力ラインを保護する。
【００３１】
真空圧力ライン２が、制御装置によって供給ライン５に再び連結されると、この真空緩衝器容量が迅速な圧力パルスを提供し、したがって供給ライン５内の圧力レベルが所望の真空圧力レベルまで小さくなる。したがって、物体を締め付けるのに真空圧力レベルを提供する反応時間を縮小することができる。
【００３２】
圧力レベルを制限するのに、逃がし弁１１を提供することができる。例えば、安定化したクランプ環境と大量の加圧装置１が位置決めされる「外側の」世界の間の移行として働くように、動的性質の装置１とクランプ（図示せず）の間の結合を行うように、結合要素１２を提供することができる。
【００３３】
図３は、物体支持体１３上に物体１５を真空締め付けし、物体持上装置１４を加圧して物体１５を物体支持体１３から持ち上げるように構成されたリソグラフィ装置内の、加圧装置１の実施例を示す。物体支持体１３は、従来の性質をしている、すなわち物体１５を物体支持体１３に動作可能に吸い込むように、１つ又は複数の吸引ポートを備えた物体支持体１３であってもよい。持上装置１４は、従来の性質をしている、すなわち物体を持上装置１４に吸い込む１つ又は複数の吸引ポートを備えていてもよい。持上装置１４及び物体支持体１３に提供された真空圧力には、制御される論理シーケンスがあり、すなわち、物体１５が物体支持体１３に提供されると、真空圧力が持上装置１４から遮断され、持上装置１４は物体１５との接触が外される。逆も同様である。持上装置１４が例えば、持上装置１４の上向移動によって物体１５に接触すると、物体支持体１３は供給ライン５を介して真空圧力ライン２の真空圧力から切断される。さらに、持上装置１４は供給ライン５を介して真空圧力ライン２に結合することができ、それによって物体１５が持上装置１４に締め付けられる。物体１５を持ち上げることによって、物体１５は物体支持体１３から切断される。しかし、残りの締付力は物体１５の物体支持体１３からの持ち上げを遅らせることができる。これらの締付力は、物体１５の下の残りの真空圧力、また物体１５と物体支持体１３の間の「固着」力によって発生される。特に浸漬リソグラフィ装置では、これらの締付力を克服することが問題になることがある。というのは、固着がこのように濡れた環境で大きくなることが予想されるからである。したがって例えば、物体１５を物体支持体１４に動作可能に締め付ける、物体１５の下の真空圧力１６を越えるように遅延を少なくする又は最小限に抑えることが有利である。
【００３４】
この目的で、真空圧力ライン２と供給ライン５の間の連結が物体支持体１３から遮断されると、正圧（大気圧より高い）が、真空圧力１６を迅速に取り除くように供給ライン５を介して提供される。図３を参照すると、ソレノイド１７は矢印Ａの方向に作動されて、真空圧力ライン２が矢印Ｂの方向に移動し、高圧ライン３を供給ライン５に連結させる弁１８に連結される。実際、方向Ｃを介して、圧力パルスが、加圧された緩衝器容量７内の気体の解放により供給ライン５内に伝播する（弁１９を介した物体支持体１３への真空圧力はこの時点で閉塞される）。したがって、高圧パルスが供給ライン５に提供され、これにより物体の下の真空圧力１６の迅速な分解を助ける。緩衝器容量７を介して気体流の寸法を決めることによって、圧力パルスは所望の性質のパルス高さ及び幅を提供するように制御することができる。
【００３５】
圧力を持上装置１４に供給する第２の供給ライン２０の操作は、上に論じたのと同様の性質である。図示した構成では、真空圧力ライン２は、真空圧力を、突出ピンとしても知られる持上装置１４に供給するように、弁２１を介して供給ライン２０に連結されている。この真空圧力は、弁２１を方向Ｄに移動させることによって、持上装置１４から遮断される。真空圧力が遮断されるのと同時に、真空圧力ライン２は弁２３を作動させるようにライン２２に結合される。流れ絞り弁２４が短絡を防ぎ、弁２３は加圧された緩衝器容量２５と供給ライン２０の間の連結を行うように作動される。したがって、圧力パルスが供給ライン２０内に提供されて、供給ライン内の真空状態を迅速に解決する。
【００３６】
図３に示す実施例の動作をさらに例示するため、比較試験結果が図４（緩衝器容量なし）、及び図５（緩衝器容量が、物体支持体の迅速解放動作を行うのに使用された）に示される。
【００３７】
図４では、上側の２本の線２６、２８は、１つ又は複数の突出ピンによって物体支持体から持ち上げられた物体の高さ進行（任意の単位）を示す。この目的で、理論的な設定点曲線２６（（１つ又は複数の）突出ピンの所望の位置）が示され、これは（１つ又は複数の）突出ピンによって見当合わせされた実際の高さ曲線２８に従っている。時間の進行がＸ軸に示されている。物体支持体の真空圧力を解放した後、圧力２７は大気圧まで上昇して、物体を解放することが可能になることが分かる。同じ時間枠で、（１つ又は複数の）突出ピンが、設定点曲線２６により（線２８によって示される）上向きに移動される。しかし、初期期間の後、（１つ又は複数の）突出ピンの移動２８は、領域２９から明らかなように（１つ又は複数の）突出ピンの移動２８が設定点曲線２６に従うのを抑制する真空圧力及び固着力によって妨げられる。約０．５秒後、真空圧力が取り除かれ、（１つ又は複数の）突出ピンの移動２８は、設定点曲線２６に従ってさらに進行する。（１つ又は複数の）突出ピンが最も高いレベル３０に到達する場合、解放時間は約０．８秒である。
【００３８】
図５では、理論的設定点曲線２６が再び示され、これは（１つ又は複数の）突出ピンによって見当合わせされた実際の高さ曲線２８が従う。このグラフは、供給ライン内の緩衝された気体圧力パルスによって提供することができる迅速解放動作を示す。ここで再び、物体支持体の真空圧力を解放した後、圧力ライン２７が大気圧まで上昇して、物体を解放することが可能になる。同じ時間枠で、（１つ又は複数の）突出ピンが設定点曲線２６に従って上向きに移動する。同様に、初期期間の後、（１つ又は複数の）突出ピンの移動２８は、領域３１により明らかなように、（１つ又は複数の）突出ピンの移動２８が設定点曲線２６にしたがうのを抑制する真空圧力状態及び固着力によって妨げられる。本発明の実施例に従って補償するように、圧力パルス３２が供給ラインに提供される。圧力パルスは、物体の下の真空圧力を迅速に減少させる及び取り除くのを助ける。約０．１秒後、真空圧力が減少する、又は取り除かれ、（１つ又は複数の）突出ピンの移動２８が設定点曲線２６に従ってさらに継続する。（１つ又は複数の）突出ピンが最も高いレベル３０に到達する場合、解放時間は約０．４秒であり、物体の解放時間は従来の解放時間より明らかに短い。
【００３９】
図６は、本発明によるいくつかの別の実施例を示す。図６Ａは、圧力回路３４に平行に設けられたパルス圧力回路３３を示し、両方ともクランプ３６に連結された供給ライン３５に連結されている。供給ライン３５は、パルス圧力回路３３及び圧力回路３４に交互に連結するように切り換えることができる。
【００４０】
図６Ｂは、圧力回路３４、及びクランプ３６に連結された供給ライン３５と直列に配置されたパルス圧力回路３３を示している。バイパス・ライン３７が、圧力回路３４を供給ライン３５に直接連結させるように設けられている。例えば、真空レベルに到達したが、より深い真空が必要な場合、パルス圧力回路３３への連結を閉塞することができ、供給ライン３５を圧力回路３４に直接連結させることができる。そうすることによって、供給ライン３５内に第１の真空レベルを提供するように、パルス圧力回路３３が第１の「押圧」を与えるように設けられ、その後、主な圧力回路３４が供給ライン３５内の真空を第２の真空レベルまでさらに深くするのに使用される。同時に、パルス圧力回路３３を、圧力回路３４への並列連結によって、初期状態まで回復させることができる。別な方法では、システム内の外乱を防ぐように供給ライン３５内が所要の圧力レベルに到達した後に、パルス圧力回路３３を主な圧力回路３４に再び連結させることができる。
【００４１】
図６Ｃは、真空圧力回路３８、及びクランプ３６に連結された供給回路３５と直列に連結されたパルス圧力回路３３を示している。圧力回路３３は、バイパス３７によってバイパスすることができる。パルス圧力回路３３はまた、高圧回路３９に並列に連結されている。パルス圧力回路３３は、切換構成によって、供給ライン３５に真空圧力パルス及び高圧パルスの両方を提供するように配置することができる。
【００４２】
この内容では、ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の製造に特定の言及を行うことができるが、本明細書に記載されたリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁気ドメイン・メモリの案内及び検出パターン、平面パネル・ディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造などの他の応用例を有することができることを理解すべきである。当業者は、このような代替応用例の内容で、本明細書内の「ウェーハ」又は「ダイ」という用語の使用は、それぞれ「基板」又は「目標部分」という、より一般的な用語と同義として考えることができることが分かるだろう。本明細書で言及する基板は、露光前後に、例えばトラック（普通、レジスト層を基板に塗布し、露光されたレジストを発達させる工具）、度量衡工具、及び／又は検査工具内で加工することができる。適用可能な場合、本明細書の開示を、このような及び他の基板加工工具に適用することができる。さらに、例えば多層ＩＣを作り出すため、基板を複数回処理することができ、それによって本明細書で使用される基板という用語はまた、多数の処理層を既に含む基板のことを言うことができる。
【００４３】
上記で、光学リソグラフィの内容で、本発明の実施例の使用に特定の言及を行ったが、本発明を、他の応用例、例えばインプリントリソグラフィで使用することができ、この内容で可能な場合、光学リソグラフィに限定されるものではないことが分かるだろう。インプリントリソグラフィでは、パターン形成装置内のトポグラフィが、基板上に作り出されたパターンを画定する。パターン形成装置のトポグラフィは、レジストが電磁放射線、熱、圧力又はその組合せを利用することによって硬化されるとすぐに、基板に供給されたレジスト層内に押し込むことができる。パターン形成装置は、レジストが硬化された後に、レジストから移動してパターンを中に残す。
【００４４】
本明細書で使用される「放射線」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射線（例えば、約３６５、約３５５、約２４８、約１９３、約１５７、又は約１２６ｎｍの波長を有する）、及び極紫外線（ＥＵＶ）放射線（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）と、イオン・ビーム又は電子ビームなどの粒子ビームを含む全てのタイプの電磁放射線を含んでいる。
【００４５】
この内容で可能な場合、「レンズ」という用語は、屈折、反射、磁気、電磁、及び静電光学構成要素を含む様々なタイプの光学構成要素のいずれか１つ又は組合せのことを言うことができる。
【００４６】
本発明の特定の実施例を上で説明したが、本発明は上記以外で実施することができることが分かるだろう。例えば、本発明は上に開示された方法を記述する１つ又は複数の列の機械読取可能な指示を含むコンピュータ・プログラム、又は中に記録されたこのようなコンピュータ・プログラムを有するデータ記憶媒体（例えば、半導体メモリ、磁気又は光学ディスク）の形をとることができる。
【００４７】
上記の説明は、例示することを意図したもので、限定するものではない。したがって、頭記特許請求の範囲から逸脱することなく、本発明に変更を加えることができることは当業者には自明のことであろう。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の実施例によるリソグラフィ装置を示す図である。
【図２】本発明の実施例による緩衝器容量を有する、気体加圧装置スイッチ構造を示す図である。
【図３】本発明の実施例による、基板テーブル及び関連する基板ハンドラを加圧するように構成された気体加圧装置を示す図である。
【図４】基板テーブルから基板を解放する従来の解放方法に対する試験結果を示すグラフである。
【図５】緩衝器容量からの圧力パルスを使用する、本発明の実施例による基板テーブルから基板を解放する解放方法に対する試験結果を示すグラフである。
【図６】本発明の１つ又は複数の実施例による様々な概略回路配置を示す図である。
【符号の説明】
【００４９】
１  気体加圧装置
２  真空圧力ライン
３  高圧ライン
４  切換／解放弁
５  供給ライン
６  緩衝器容量
７  緩衝器容量
８  ばね
９  ソレノイド
１０  絞り弁
１１  逃がし弁
１２  結合要素
１３  物体支持体
１４  物体持上装置
１５  物体
１６  真空圧力
１７  ソレノイド
１８  弁
１９  弁
２０  第２の供給ライン
２１  弁
２２  ライン
２３  弁
２４  流れ絞り弁
２５  緩衝器容量
２６  線
２７  圧力
２８  線
２９  領域
３０  最も高いレベル
３１  領域
３２  圧力パルス
３３  パルス圧力回路
３４  圧力回路
３５  供給ライン
３６  クランプ
３７  バイパス・ライン
３８  真空圧力回路
３９  高圧回路
ＡＤ  調節装置
Ｂ  放射線ビーム
ＢＤ  ビーム運搬システム
Ｃ  目標部分
ＣＯ  蓄電器
ＩＦ  位置センサ
ＩＬ  照明システム（照明装置）
ＩＮ  積分器
Ｍ１  パターン形成装置位置合わせマーク
Ｍ２  パターン形成装置位置合わせマーク
ＭＡ  パターン形成装置
ＭＴ  支持構造物
Ｐ１  基板位置合わせマーク
Ｐ２  基板位置合わせマーク
ＰＭ  第１のポジショナ
ＰＳ  投影システム
ＰＷ  第２のポジショナ
ＳＯ  放射線源
Ｗ  基板
ＷＴ  基板テーブル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図６】
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【図４】
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【図５】
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