(57)【要約】  【課題】  入射光の入射方向を精度よく検出でき、小型化が可能な新規な光センサを提供する。  【解決手段】  基板１０１と第１および第２の受光素子１０４ａおよび１０４ｂとを備える光センサであって、基板１０１上に基板１０１側から順に配置された第１および第２の層（半導体層１２３および１２４）を含む積層部１０２と、第１および第２の層を第２の層側に曲げることによって形成された少なくとも１つの起立部１０３ａおよび１０３ｂとを含む。第１の層の格子定数と第２の層の格子定数とは異なり、第１および第２の層は、第１および第２の層を含む複数の層における格子定数の差によって生じた力によって曲げられている。受光素子１０４ａは起立部１０３ａに形成されている。受光素子１０４ａの受光面と受光素子１０４ｂの受光面とが非平行となるように、受光素子１０４ａおよび１０４ｂが配置されている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と第１および第２の受光素子とを備える光センサであって、
前記基板上に前記基板側から順に配置された第１および第２の層を含む積層部と、前記第１および第２の層を前記第２の層側に曲げることによって形成された少なくとも１つの起立部とを含み、
前記第１の層の格子定数と前記第２の層の格子定数とは異なり、
前記第１および第２の層は、前記第１および第２の層を含む複数の層における格子定数の差によって生じた力によって曲げられており、
前記第１の受光素子が前記起立部に形成されており、
前記第１の受光素子の受光面と前記第２の受光素子の受光面とが非平行となるように、前記第１および第２の受光素子が配置されている光センサ。
【請求項２】
第３の受光素子をさらに備え、
前記第３の受光素子が、前記第１の受光素子とは異なる前記起立部に形成されており、
前記第１の受光素子の受光面と前記第２の受光素子の受光面と前記第３の受光素子の受光面とが互いに非平行となるように、前記第１、第２および第３の受光素子が配置されている請求項１に記載の光センサ。
【請求項３】
前記第２の受光素子の受光面と前記基板の表面とが実質的に平行となるように前記第２の受光素子が前記基板上に形成されている請求項１または２に記載の光センサ。
【請求項４】
複数の前記受光素子のそれぞれの受光面が、互いに４５°〜１３５°の範囲にある角度をなすように配置されている請求項１〜３のいずれか１項に記載の光センサ。
【請求項５】
前記第１の層の格子定数は前記第２の層の格子定数よりも大きく、
前記積層部と前記起立部との境界において、前記第１の層の格子定数と前記第２の層の格子定数との差によって生じる力によって前記第１および第２の層が前記第２の層側に折り曲げられている請求項１〜４のいずれか１項に記載の光センサ。
【請求項６】
前記第１および第２の層が半導体からなる請求項１〜５のいずれか１項に記載の光センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、入射光の入射方向を検出できる光センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、光の入射方向を検出する光センサが提案されている（たとえば特許文献１〜３）。
【０００３】
特許文献１および２には、円形の開口部と、その開口部から入射した光を受光する複数の光学素子とを備える光センサが開示されている。しかし、この構造の光センサでは、小型化および薄型化に限界があった。また、特許文献３には、基板上に形成された複数の受光素子と、その受光素子に隣接して形成された遮光板とを備える光センサが開示されている。
【特許文献１】米国特許第５，３１９，１８８号明細書
【特許文献２】米国特許第５，５８７，５８０号明細書
【特許文献３】特開２００３−１３３５８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、特許文献３の光センサでは、基板表面に対して垂直に近い方向から入射した光については、入射方向の検出の精度が低下する可能性がある。
【０００５】
このような状況において、本発明は、入射光の入射方向を精度よく検出でき、小型化が可能な新規な光センサを提供することを目的の１つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明の光センサは、基板と第１および第２の受光素子とを備える光センサであって、前記基板上に前記基板側から順に配置された第１および第２の層を含む積層部と、前記第１および第２の層を前記第２の層側に曲げることによって形成された少なくとも１つの起立部とを含み、前記第１の層の格子定数と前記第２の層の格子定数とは異なり、前記第１および第２の層は、前記第１および第２の層を含む複数の層における格子定数の差によって生じた力によって曲げられており、前記第１の受光素子が前記起立部に形成されており、前記第１の受光素子の受光面と前記第２の受光素子の受光面とが非平行となるように、前記第１および第２の受光素子が配置されている。なお、「受光面」とは、受光素子によって測定される入射光が入射する面を意味する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の光センサは、半導体プロセスを用いて基板上の微小な領域に形成することが可能である。また、本発明の光センサでは、基板上に３つ以上の受光素子を配置するか、または基板上に複数の光センサを配置することによって、広い範囲の方向からの入射光の入射方向を特定することが可能である。そのため、本発明によれば、入射光の入射方向および光強度を精度よく検出でき、小型化が可能な光センサが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、以下で説明する光センサは本発明の一例であり、本発明は以下の説明に限定されない。
【０００９】
本発明の光センサは、基板と第１および第２の受光素子とを備える。この光センサは、基板上に基板側から順に配置された第１および第２の層を含む積層部と、第１および第２の層を第２の層側に曲げることによって形成された少なくとも１つの起立部とを含む。第１の層の格子定数と前記第２の層の格子定数とは異なる。第１および第２の層は、第１および第２の層を含む複数の層における格子定数の差によって生じた力によって曲げられている。第１の受光素子は、起立部に形成されている。第１の受光素子の受光面と第２の受光素子の受光面とが非平行となるように、第１および第２の受光素子が配置されている。換言すれば、入射光の入射方向の変化に対する１つの受光素子の出力の変化と、入射光の入射方向の変化に対する他の受光素子の出力の変化とが異なるように、複数の受光素子が配置される。
【００１０】
第２の受光素子は、基板上に形成されていても、起立部に形成されていてもよい。第１の受光素子の受光面と第２の受光素子の受光面とは非平行であるため、入射光の入射方向に対する第１の受光素子の出力特性は、入射光の入射方向に対する第２の受光素子の出力特性とは異なる。したがって、第１および第２の受光素子の出力から、光センサに入射する光の入射方向を２次元的に検出できる。
【００１１】
受光素子には、入射光の強度に応じて出力が変化する公知の受光素子を用いることができる。たとえば、光起電力素子、フォトダイオード、光の照射によって抵抗が変化する素子などを用いてもよい。通常、本発明の光センサで用いられる複数の受光素子は、同じ構造の素子に統一される。入射光量に対する出力特性が同じ素子を用いることによって入射方向の算出が容易になる。ただし、入射光量に対する出力特性を各受光素子について測定したり、入射光の入射方向に対する各受光素子の出力特性を実測したりする場合には、各受光素子の構造は同じであってもよいし異なってもよい。
【００１２】
格子定数が異なる複数の層を積層した場合、それらの層には歪みが生じる。本発明の光センサでは、この歪みを利用して積層部の一部を基板から立ち上がらせ、起立部を形成している。そして、その起立部上に受光素子を配置することによって、受光素子の受光面と基板の表面とを簡単に非平行とすることができる。
【００１３】
上記本発明の光センサは、第３の受光素子をさらに備えてもよい。この場合、第３の受光素子は、第１の受光素子とは異なる起立部に形成される。第１の受光素子の受光面と第２の受光素子の受光面と第３の受光素子の受光面とが互いに非平行となるように、第１、第２および第３の受光素子が配置される。この構成では、第１〜第３の受光素子の出力から、入射光の入射方向を３次元的に検出できる。なお、本発明の光センサでは、３つ以上の受光素子を備えてもよい。また、本発明の光センサを、同一基板上に方向を変えて複数配置してもよい。
【００１４】
上記本発明の光センサでは、第２の受光素子の受光面と基板の表面とが実質的に平行となるように第２の受光素子が基板上に形成されていてもよい。ここで、「実質的に平行」とは、両者のなす角度が５°以下（１７５°〜１８０°の範囲）であることを意味する。
【００１５】
上記本発明の光センサでは、複数の受光素子のそれぞれの受光面が、互いに４５°〜１３５°（好ましくは８５°〜９５°）の範囲にある角度をなすように配置されていてもよい。通常、各受光面が互いになす角度が９０°に近いほど、入射光の入射方向の検出精度を高めることができる。典型的には、１つの受光素子は基板上の積層部に形成され、その受光面は基板表面とほぼ平行となる。一方、他の複数の受光素子は、起立部に形成され、それぞれの受光面は、基板表面と約９０°の角度をなす。また、起立部に形成された複数の受光素子のそれぞれの受光面は、互いに約９０°の角度をなすように配置される。このようにして、複数の受光素子の受光面は、互いに約９０°の角度をなすように配置される。
【００１６】
上記本発明の光センサでは、第１の層の格子定数は第２の層の格子定数よりも大きく、積層部と起立部との境界において、第１の層の格子定数と第２の層の格子定数との差によって生じる力によって前記第１および第２の層が第２の層側に折り曲げられていてもよい。
【００１７】
上記本発明の光センサでは、第１および第２の層が半導体からなるものであってもよい。半導体としては、たとえば、III−Ｖ族化合物半導体やＳｉおよびＳｉを含む半導体を用いることができる。
【００１８】
本発明の光センサでは、半導体プロセスを用いて同一基板上の近接した位置に複数の受光素子を形成できるため、それぞれの受光素子が測定する位置をほぼ同じとすることができる。その結果、光強度のばらつきによる検出精度の低下を抑制できる。本発明によれば、複数の受光素子を、１００μｍ角の範囲内（たとえば５０μｍ角の範囲内）に形成することが可能である。
【００１９】
本発明の光センサでは、受光素子の出力を測定するための回路や、受光素子から出力された信号を処理するための回路が基板の表面に形成されていてもよい。
【００２０】
以下、本発明の光センサの一例について図面を参照しながら説明する。以下の説明では、同様の部分に同一の符号を付して重複する説明を省略する場合がある。また、以下の説明では、III−Ｖ族化合物半導体の組成比の記載を省略する場合がある。
【００２１】
本発明の光センサの一例として、光センサ１００の構成を図１（ａ）および図１（ｂ）に示す。図１（ａ）は、光センサ１００の受光素子１０４の配置を模式的に示す斜視図である。図１（ｂ）は、受光素子１０４ａおよび１０４ｂを通る断面を模式的に示す図である。なお、図１（ａ）および（ｂ）では、受光素子１０４に接続される配線の図示を省略する。
【００２２】
図１を参照して、光センサ１００は、基板１０１と、基板１０１上に形成された積層部１０２と、２つの起立部１０３ａおよび１０３ｂとを備える。
【００２３】
基板１０１は、その上に形成される半導体層に応じて選択される。基板１０１には、たとえば、ＧａＡｓ基板、ＩｎＰ基板、Ａｌ2Ｏ3基板、ＳｉＣ基板、Ｓｉ基板などが用いられる。
【００２４】
積層部１０２は、基板１０１上に形成された多層膜１２０を含む。多層膜１２０は、基板１０１側から順に積層されたバッファ層１２１、層１２２、半導体層１２３、半導体層１２４、エッチストップ層１２５を含む。また、エッチストップ層１２５上には、ｐ形またはｎ形の半導体層１２６が形成されている。
【００２５】
起立部１０３は、半導体層１２３、半導体層１２４、エッチストップ層１２５および半導体層１２６を含む。なお、積層部１０２、起立部１０３ａおよび１０３ｂは、必要に応じて他の層を含んでもよい。たとえば、半導体層１２３および半導体層１２４によって生じる内部応力による起立部１０３の変形を防止するため、半導体層１２３と同様の層をエッチストップ層１２５上に形成してもよい。また、上述した層の一部は省略されてもよい。
【００２６】
バッファ層１２１は、その上に形成される半導体層の結晶性を向上させるために形成される層である。層１２２は、選択的に除去して起立部を形成するための犠牲層である。そのため、層１２２は、エッチングによって選択的に除去しやすい材料で形成される。
【００２７】
半導体層１２３および１２４は、内部応力によって半導体層を所定の位置で折り曲げるための層である。そのため、半導体層１２３および１２４を構成する半導体は、半導体層（第１の層）１２３の格子定数が半導体層（第２の層）１２４の格子定数よりも大きくなるように選択される。これらの半導体層は、化合物半導体（たとえばIII−Ｖ族化合物半導体）で形成できる。III−Ｖ族化合物半導体などの化合物半導体の格子定数は、組成によって変化させることができる。半導体層１２４／半導体層１２３の具体的な組み合わせとしては、たとえば、ＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ、Ｓｉ／ＳｉＧｅ、ＧａＮ／ＡｌＧａＮ、ＧａＮ／ＩｎＧａＮなどが挙げられる。これらの半導体層の組成比、厚さおよび折れ曲がり部の長さを変化させることによって、半導体層１２４が折れ曲がる角度を調節することができる。
【００２８】
なお、折れ曲がり部を形成する層（ヒンジ層）は、３層以上の層で構成されていてもよい。たとえば、格子定数が大きい層Ａと格子定数が小さい層Ｂとを、厚い層Ａ／層Ｂ／薄い層Ａというように積層させると、厚い層Ａが層Ｂに及ぼす応力の方が薄い層Ａが層Ｂに及ぼす応力よりも大きいため、トータルでは薄い層Ａ側に曲がろうとする応力が発生する。同様に、厚い層Ｂ／層Ａ／薄い層Ｂという積層膜では、トータルでは厚い層Ｂ側に曲がろうとする応力が発生する。このような関係を利用して、積層された複数の層を所定の方向に折り曲げることができる。
【００２９】
起立部１０３ａおよび１０３ｂは、半導体層１２３および１２４を、半導体層１２４側に折り曲げることによって形成されている。これらの起立部は、基板１０１の表面に対してほぼ垂直となるように曲げられている。また、起立部１０３ａおよび１０３ｂは、それぞれの表面が互いになす角度がほぼ９０°となるように形成されている。
【００３０】
基板１０１上、起立部１０３ａ上および起立部１０３ｂ上には、それぞれ、受光素子１０４ｂ、受光素子１０４ａおよび受光素子１０４ｃが形成されている。それぞれの受光素子は、ｐ形またはｎ形の半導体層１２６と、半導体層１２６上に形成された２つの電極１３０によって構成される。これらの３つの受光素子の受光面、すなわち半導体層１２６の表面は、互いに約９０°の角度をなしている。互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を図１（ａ）に示すように仮定すると、起立部１０３ａに形成された受光素子１０４ａの受光面はＸ軸に対してほぼ垂直であり、起立部１０３ｂに形成された受光素子１０４ｃの受光面はＹ軸に対してほぼ垂直であり、基板１０１上に形成された受光素子１０４ｂの受光面はＺ軸に対してほぼ垂直である。
【００３１】
受光素子１０４に光が照射されると半導体層１２６の抵抗値が低くなる。そのため、半導体層１２６上に形成された２つの電極１３０間の抵抗値を測定することによって、半導体層１２６に入射する光量をモニタできる。光センサ１００に入射する光が、ほぼ平行光であり且つ光強度がほぼ均一な光である場合、３つの受光素子１０４ａ〜１０４ｃのそれぞれの出力を比較することによって、入射光の入射方向を算出することができる。光強度に対する出力が全く同じ３つの受光素子を、それぞれの受光面が互いに直交するように配置できれば、それぞれの受光素子の出力を補正する必要はない。しかし、実際には光強度に対する出力のずれや、配置のずれが生じる場合がある。そのようなずれが生じる場合には、入射光の入射方向と各受光素子の出力との関係を実際に測定して求めてもよい。
【００３２】
以下に、光センサ１００の具体的な構成の一例およびその製造方法の一例について、図面を参照しながら説明する。なお、図２（ａ）〜図５（ａ）は上面図であり、図２（ｂ）〜図５（ｂ）は、それぞれ、図２（ａ）〜図５（ａ）の鎖線部分の位置における断面図である。
【００３３】
まず、図２（ａ）および（ｂ）に示すように、基板１０１上に、バッファ層１２１、層１２２、半導体層１２３、半導体層１２４、エッチストップ層１２５および半導体層１２６を順に形成する。光センサ１００の構成材料の一例を表１に示す（注：半導体層１２６の厚さを記載してください）。
【００３４】
【表１】
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【００３５】
基板１０１上の各層は公知の方法で形成でき、たとえば、分子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ法）、有機金属化学的気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）などで形成できる。
【００３６】
以下、表１の構成を採用した場合の製造方法について説明する。表１の構成の多層膜を形成したのち、図３（ａ）および（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィおよびエッチングによって、受光素子１０４が形成される部分以外の半導体層１２６を除去する。また、半導体層を折り曲げる部分に溝３１を形成する。溝３１は、半導体層１２４の表面に到達するように形成される。
【００３７】
半導体層１２６のエッチングおよびエッチストップ層１２５のエッチングは、公知の方法で行うことができ、たとえばウエットエッチング法や反応性イオンエッチング法で行うことができる。ただし、溝３１は、半導体層１２４がエッチングされにくい条件で形成することが好ましい。たとえば、第１段階目のエッチングとしてエッチストップ層（Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ層）の途中までエッチングしたのち、第２段階目のエッチングとしてエッチストップ層を選択的にエッチングする。第１段階目のエッチングは、たとえば、Ｈ3ＰＯ4：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ＝３：１：５０の重量比で混合したエッチング液で行うことができる。第２の段階目のエッチングは、半導体層１２４（ＧａＡｓ層）のエッチングレートよりもエッチストップ層（Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ層）のエッチングレートが大きいエッチング液で行うことができる。たとえば、ＨＦ：Ｈ2Ｏ＝１：１０の重量比で混合したエッチング液を用いることができる。
【００３８】
次に、図４（ａ）および（ｂ）に示すように、電極１３０、配線４１および電極パッド４２を形成する。これらは、公知の方法、たとえばリフトオフ法で形成できる。なお、溝３１の部分における半導体層の変形を妨げないように、溝３１部分に形成する配線３１の厚さは、２０ｎｍ程度にすることが好ましい。たとえば、溝３１部分の配線は、Ｔｉ層（厚さ５ｎｍ）とＡｕ層（厚さ２０ｎｍ）との積層膜で形成してもよい。
【００３９】
次に、図５（ａ）および（ｂ）に示すように、起立部１０３ａおよび１０３ｂを形成する際に基板１０１から分離する部分に、溝３２を形成する。溝３２は、層１２２に到達するように形成される。溝３２は、公知のエッチング法で形成でき、たとえば、Ｈ3ＰＯ4：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ＝３：１：５０の重量比で混合したエッチング液で行うことができる。
【００４０】
次に、層１２２の一部をウエットエッチング法によって選択的に除去する。層１２２は、溝３２を介して除去される。この工程によって、溝３１と溝３２とで囲まれた部分およびその周辺に存在する層１２２が除去される。ウエットエッチングは、層１２２のエッチングレートと層１２２以外の層のエッチングレートとが異なる条件で行う必要がある。ウエットエッチングは、たとえば、ＨＦ：Ｈ2Ｏ＝１：１０の重量比で混合したエッチング液を用いて行うことができる。
【００４１】
層１２２の一部が除去されると、溝３１の部分には、半導体層１２３および半導体層１２４のみが存在する。半導体層１２３の格子定数は半導体層１２４の格子定数よりも大きいため、半導体層１２３および１２４は、溝３１（積層部と起立部との境界部分）の部分で半導体層１２４側に折れ曲がる。一方、溝３１以外の部分にはエッチストップ層などが存在するため、その部分では半導体層１２４が折れ曲がることが抑制される。その結果、図１に示すように、基板１０１から立ち上がった起立部１０３ａおよび１０３ｂが形成される。このようにして、光センサ１００を形成できる。なお、起立部を形成したのちに、樹脂などで起立部を固定してもよい。
【００４２】
半導体層１２４の折れ曲がり部の曲率半径Ｒは、通常、以下の式で近似される。
Ｒ＝（ａ／Δａ）・｛（ｔ１＋ｔ２）／２｝
ここで、ａは半導体層１２４（ＧａＡｓ層）の格子定数であり、約５．６５３３オングストロームである。また、Δａは、半導体層１２３（Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ａｓ層）の格子定数（約５．７３４３オングストローム）と半導体層１２４（ＧａＡｓ層）の格子定数との差である。また、ｔ１は半導体層１２３の厚さ（単位：オングストローム）であり、ｔ２は半導体層１２４の厚さ（単位：オングストローム）である。折れ曲がり部の長さを適切な長さとすることによって、半導体層１２３および１２４は約９０°の角度に折り曲げられる。
【００４３】
以上のように、光センサ１００が形成される。光センサ１００では、３つの受光素子１０４ａ〜１０４ｃの出力を比較することによって、入射光の入射方向を検出できる。なお、図１には、基板上に１つの光センサを形成する場合について示したが、基板上に複数の光センサを形成してもよい。また、図１には、３つの受光素子を備える光センサを示したが、受光素子の数は、目的に応じて、２つであっても、４つ以上であってもよい。
【００４４】
図１に示した光センサ１００では、受光素子１０４ａ〜１０４ｃの各受光面に入射する方向からの入射光の入射方向の検出が可能であるが、それ以外の方向から入射する光の入射方向の検出ができない場合がある。そのため、基板上方の全方向からの入射光の入射方向を検出することが必要である場合には、図６に示すように、４つの光センサ１００を互いに約９０°異なる方向に向けて配置してもよい。
【００４５】
また、１つの受光素子を囲むように複数の起立部を配置し、各起立部に受光素子１０４を配置してもよい。そのような光センサの一例を図７に示す。図７の光センサ１００ａでは、基板上に形成された１つの受光素子１０４を囲むように４つの起立部が形成され、それぞれに受光素子１０４が形成されている。光センサ１００ａでは、４つの起立部に形成された４つの受光素子１０４の受光面が、互いに約９０°の角度をなすように配置されている。なお、この明細書の図では、理解が容易なように起立部の高さを高く示しているが、起立部によって入射光の遮蔽されることを抑制するため、起立部の高さを低くしてもよい。
【００４６】
また、上記の例では、受光素子１０４を用いる場合を示したが、他の受光素子を用いてもよい。受光素子が光起電力素子またはフォトダイオードである場合には、たとえば、ｐｎ接合またはｐｉｎ接合を形成するように、複数の半導体層をエッチストップ層１２５上に形成すればよい。そのような受光素子の一例を図８に示す。図８の例では、エッチストップ層１２５上に、ｐ形ＧａＡｓ層１８１、ノンドープＧａＡｓ層１８２、ｎ形ＧａＡｓ層１８３が積層されている。そして、ｐ形ＧａＡｓ層１８１上とｎ形ＧａＡｓ層１８３上には、それぞれ、電極１８４と電極１８５とが形成される。
【００４７】
以上、本発明の実施形態について例を挙げて説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の技術的思想に基づいて他の実施形態に適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明の光センサは、入射光の入射方向および光強度の検出に用いられる素子として利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の光センサの一例の構成を模式的に示す（ａ）斜視図および（ｂ）断面図である。
【図２】本発明の光センサの製造方法の一例の一工程を示す（ａ）上面図および（ｂ）断面図である。
【図３】図２の工程に続く工程を示す（ａ）上面図および（ｂ）断面図である。
【図４】図３の工程に続く工程を示す（ａ）上面図および（ｂ）断面図である。
【図５】図４の工程に続く工程を示す（ａ）上面図および（ｂ）断面図である。
【図６】本発明の光センサの他の一例の構成を模式的に示す斜視図である。
【図７】本発明の光センサのその他の一例の構成を模式的に示す斜視図である。
【図８】本発明の光センサのその他の一例の一部を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００５０】
３１、３２  溝
４１  配線
４２  電極パッド
１００、１００ａ  光センサ
１０１  基板
１０２  積層部
１０３、１０３ａ、１０３ｂ  起立部
１０４、１０４ａ、１０４ｂ  受光素子
１２０  多層膜
１２１  バッファ層
１２２  層
１２３  半導体層（第１の層）
１２４  半導体層（第２の層）
１２６  半導体層
１２４  半導体層
１２５  エッチストップ層
１３０  電極
【図１】
2006245266.tif 000004
【図２】
2006245266.tif 000005
【図３】
2006245266.tif 000006
【図４】
2006245266.tif 000007
【図５】
2006245266.tif 000008
【図６】
2006245266.tif 000009
【図７】
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【図８】
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