(57)【要約】【課題】  半導体装置の製造歩留まり向上を図る。【解決手段】  半導体装置の製造において、上型と下型との間に配線基板を配置した時、前記配線基板に実装された半導体チップを覆うようにして前記配線基板の主面上に位置する樹脂封止体成形部と、前記配線基板の外側から前記配線基板の一辺を横切って前記樹脂封止体成形部に連なる樹脂流通路とを有する成形金型を使用し、前記樹脂流通路を通して前記樹脂封止体成形部に樹脂を注入することによって前記配線基板に実装された前記半導体チップを樹脂封止する樹脂封止体を形成する工程を有し、  前記樹脂流通路は、前記配線基板の外側に位置する第１の部分と、前記第１の部分及び前記樹脂封止体成形部に連なり、前記配線基板の主面上に位置する第２の部分とを有し、  前記第２の部分は、前記配線基板の主面からの高さが前記第１の部分よりも低い。【選択図】        図７
2006269486.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面に半導体チップが実装された配線基板を準備する工程と、
上型と下型との間に前記配線基板を配置した時、前記配線基板に実装された前記半導体チップを覆うようにして前記配線基板の主面上に位置する樹脂封止体成形部と、前記配線基板の外側から前記配線基板の一辺を横切って前記樹脂封止体成形部に連なる樹脂流通路とを有する成形金型を準備する工程と、
前記成形金型の上型と下型との間に前記配線基板を配置し、前記樹脂流通路を通して前記樹脂封止体成形部に樹脂を注入することによって前記配線基板に実装された前記半導体チップを樹脂封止する樹脂封止体を形成する工程と、
前記樹脂流通路に残存する前記樹脂によって前記樹脂封止体と一体に形成された樹脂体に、前記配線基板の厚さ方向に沿う曲げ応力を付加して、前記樹脂体に亀裂を入れる工程とを有し、
前記樹脂流通路は、前記配線基板の外側に位置する第１の部分と、前記第１の部分及び前記樹脂封止体成形部に連なり、前記配線基板の主面上に位置する第２の部分とを有し、
前記第２の部分は、前記配線基板の主面からの高さが前記第１の部分よりも低いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂流通路の第２の部分は、前記配線基板の主面からの高さが前記樹脂封止体成形部よりも低いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂流通路の第２の部分は、前記配線基板の一辺で終端していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂流通路の第２の部分は、前記配線基板の主面上であって前記配線基板の一辺の近傍で終端していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂流通路の第１の部分と第２の部分は、前記配線基板の一辺上において連なっていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂流通路の第１の部分と第２の部分は、前記配線基板の一辺よりも若干内側において連なっていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂流通路の第２の部分は、前記配線基板の主面からの高さが前記第２の部分と前記樹脂封止体成形部との連結部における樹脂注入ゲートと同一であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂流通路の第２の部分は、前記配線基板の主面からの高さが前記第２の部分と前記樹脂封止体形成部との連結部における樹脂注入ゲートよりも高いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂封止体を形成する工程は、前記樹脂流通路の内面及び前記樹脂封止体成形部の内面にフィルムを密着させた状態で行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記配線基板は、複数の製品形成領域を有し、
前記半導体チップは、前記配線基板の各製品形成領域に対応して複数実装され、
前記樹脂流通路は、前記配線基板の一辺に沿って複数設けられ、
前記樹脂封止体成形部は、前記配線基板の複数の製品形成領域を一括して覆う大きさで形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記配線基板は、前記配線基板の一辺に沿って複数の製品形成領域を有し、
前記半導体チップは、前記配線基板の各製品形成領域に対応して複数実装され、
前記樹脂流通路及び前記樹脂封止体成形部は、前記配線基板の各製品形成領域に対応して複数設けられていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
主面に半導体チップが実装された配線基板を準備する工程と、
上型と下型との間に前記配線基板を配置した時、前記配線基板に実装された前記半導体チップを覆うようにして前記配線基板の主面上に位置する樹脂封止体成形部と、前記配線基板の外側から前記配線基板の第１の辺を横切って前記樹脂封止体成形部に連なる第１の樹脂流通路と、前記配線基板の第１の辺と反対側の第２の辺側において前記配線基板の主面上に位置し、前記樹脂封止体成形部に連なる第２の樹脂流通路とを有する成形金型を準備する工程と、
前記成形金型の上型と下型との間に前記配線基板を配置し、前記第１の樹脂流通路を通して前記樹脂封止体成形部及び前記第２の樹脂流通路に樹脂を注入することによって、前記配線基板に実装された前記半導体チップを樹脂封止する樹脂封止体、並びに前記樹脂封止体と一体化された第２の樹脂体を形成する工程と、
前記第１の樹脂流通路に残存する前記樹脂によって前記樹脂封止体と一体に形成された第１の樹脂体に前記配線基板の厚さ方向に沿う曲げ応力を付加して、前記第１の樹脂体に亀裂を入れる工程とを有し、
前記成形金型の第１の樹脂流通路は、前記配線基板の外側に位置する第１の部分と、前記第１の部分及び前記樹脂封止体成形部に連なり、前記配線基板の主面上に位置する第２の部分とを有し、
前記第１の樹脂流通路の第２の部分、及び前記第２の樹脂流通路は、前記配線基板の主面からの高さが前記第１の樹脂流通路の第１の部分及び前記樹脂封止体成形部よりも低いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２の樹脂流通路は、一端側が前記樹脂封止体成形部に連なっており、
前記第２の樹脂流通路の一端側と反対側の他端側は、前記配線基板の第２の辺よりも内側で終端していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２の樹脂流通路の他端側は、エアベント部に連なっていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂封止体を形成する工程は、前記第１及び第２の樹脂流通路の内面、並びに前記樹脂封止体成形部の内面にフィルムを密着させた状態で行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記配線基板は、複数の製品形成領域を有し、
前記半導体チップは、前記配線基板の各製品形成領域に対応して複数実装され、
前記第１の樹脂流通路は、前記配線基板の第１の辺に沿って複数設けられ、
前記第２の樹脂流通路は、前記配線基板の第２の辺に沿って複数設けられ、
前記樹脂封止体成形部は、前記配線基板の複数の製品形成領域を一括して覆う大きさで形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記配線基板は、前記配線基板の第１の辺に沿って複数の製品形成領域を有し、
前記半導体チップは、前記配線基板の各製品形成領域に対応して複数実装され、
前記第１及び第２の樹脂流通路、並びに前記樹脂封止体成形部は、前記配線基板の各製品形成領域に対応して複数設けられていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
平面的に配置された複数の製品形成領域を有し、前記複数の製品形成領域に対応して主面に複数の半導体チップが実装された配線基板を準備する工程と、
上型と下型との間に前記配線基板を配置した時、前記配線基板の複数の製品形成領域を覆うようにして前記配線基板の主面上に位置する樹脂封止体成形部と、前記配線基板の外側から前記配線基板の第１の辺を横切って前記樹脂封止体成形部に連なる第１の樹脂流通路と、前記配線基板の外側から前記配線基板の第１の辺と反対側の第２の辺を横切って一端側が前記樹脂封止体成形部に連なる第２の樹脂流通路と、前記配線基板の第２の辺の外側に位置し、前記第２の樹脂流通路の一端側と反対側の他端側に連なるフローキャビティとを有する成形金型を準備する工程と、
前記成形金型の上型と下型との間に前記配線基板を配置し、前記第１の樹脂流通路を通して前記樹脂封止体成形部に樹脂を注入することによって前記配線基板に実装された前記複数の半導体チップを一括して樹脂封止する樹脂封止体を形成する工程と、
前記第１の樹脂流通路に残存する前記樹脂によって前記樹脂封止体と一体に形成された第１の樹脂体、並びに前記第２の樹脂流通路に残存する前記樹脂によって前記樹脂封止体と一体に形成された第２の樹脂体に、前記配線基板の厚さ方向に沿う曲げ応力を付加して、前記第１及び第２の樹脂体に亀裂を入れる工程とを有し、
前記第１及び第２の樹脂流通路は、前記配線基板の外側に位置する第１の部分と、前記第１の部分及び前記樹脂封止体成形部に連なり、かつ前記配線基板の主面上に位置する第２の部分とを有し、
前記第１及び第２の樹脂流通路の各々の第２の部分は、前記配線基板の主面からの高さが前記各々の第１の部分よりも低いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１及び第２の樹脂流通路の各々の第２の部分は、前記配線基板の主面からの高さが前記樹脂封止体成形部よりも低いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
請求項１８に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１の樹脂流通路の第２の部分は、前記配線基板の第１の辺で終端し、
前記第２の樹脂流通路の第２の部分は、前記配線基板の第２の辺で終端していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
請求項１８に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１の樹脂流通路の第２の部分は、前記配線基板の主面上であって前記配線基板の第１の辺の近傍で終端し、
前記第２の樹脂流通路の第２の部分は、前記配線基板の主面上であって前記配線基板の第２の辺の近傍で終端していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
請求項１８に記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂封止体を形成する工程は、前記第１及び第２の樹脂流通路の内面、並びに前記樹脂封止体成形部の内面にフィルムを密着させた状態で行われることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２３】
主面に半導体チップが実装された配線基板を準備する工程と、
上型と下型との間に前記配線基板を配置した時、前記配線基板に実装された前記半導体チップを覆うようにして前記配線基板の主面上に位置する樹脂封止体成形部と、前記配線基板の外側から前記配線基板の一辺を横切って前記樹脂封止体成形部に連なる樹脂流通路とを有する成形金型を準備する工程と、
前記成形金型の上型と下型との間に前記配線基板を配置し、前記樹脂流通路の内面及び前記樹脂封止体成形部の内面にフィルムを密着させた状態で前記樹脂流通路を通して前記樹脂封止体成形部に樹脂を注入することによって前記配線基板に実装された前記半導体チップを樹脂封止する樹脂封止体を形成する工程とを有し、
前記樹脂流通路は、前記配線基板の主面からの高さが前記配線基板の主面上において前記樹脂封止体成形部よりも低くなっていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２４】
請求項２３に記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂流通路は、前記配線基板の外側に位置する第１の部分と、前記第１の部分及び前記樹脂封止体成形部に連なり、前記配線基板の主面上に位置する第２の部分とを有し、
前記第２の部分は、前記配線基板の主面からの高さが前記第１の部分及び前記樹脂封止体成形部よりも低いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２５】
請求項２３に記載の半導体装置の製造方法において、
前記配線基板は、複数の製品形成領域を有し、
前記半導体チップは、前記配線基板の各製品形成領域に対応して複数実装され、
前記樹脂流通路は、前記配線基板の一辺に沿って複数設けられ、
前記樹脂封止体成形部は、前記配線基板の複数の製品形成領域を一括して覆う大きさで形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、基板に実装された半導体チップをトランスファ・モールディング法で樹脂封止してなる半導体装置に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＢＧＡ（Ｂall Ｇrid Ａrray）型や、ＣＳＰ（Ｃhip Ｓize Ｐackage）型等の半導体装置の製造においては、半導体チップを樹脂封止するトランスファ・モールディング技術として、例えば一括モールディング方式が採用されている。一括モールディング方式は、行列状に平面配置された複数の製品形成領域（デバイス領域）を有するマルチ配線基板（多数個取り配線基板）を使用し、各製品形成領域に対応して配線基板の主面に実装された複数の半導体チップを１つの樹脂封止体によって樹脂封止する方式である。具体的には、各製品形成領域に対応して複数の半導体チップが実装されたマルチ配線基板を成形金型の上型と下型との間に位置決めして型締めした後、封止用キャビティ（樹脂封止体成形部）の中に溶融した熱硬化性樹脂を注入することにより、各製品形成領域に対応して実装された複数の半導体チップを一括して樹脂封止する。
【０００３】
このような一括モールディング方式を採用する半導体装置の製造技術については、例えば特開２００３−１０９９８３号公報（特許文献１）に開示されている。また、同文献１には、「セラミック基板２０の端面にゲートブレイクのポイントを設けることにより、セラミック基板２０と樹脂２７との密着力に影響されることなく、成形品からゲート２２（樹脂体）、ランナ２３（樹脂体）およびカル部２４（樹脂体）を分離でき、セラミック基板２０の割れを防止できる。」という技術も開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−１０９９８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
トランスファ・モールディング技術では、ポット、カル部、ランナ、樹脂注入ゲート、封止用キャビティ等を備えた成形金型が使用されており、熱硬化性樹脂は、成形金型のポットからカル部、ランナ及び樹脂注入ゲート等を通して封止用キャビティに注入されるため、封止用キャビティで形成される樹脂封止体とは別に、カル部、ランナ等に残存する熱硬化性樹脂によって樹脂体（不要樹脂体）が形成される。この樹脂体は、封止用キャビティの樹脂封止体と一体に形成されるため、トランスファ・モールディング技術を採用する半導体装置の製造においては、樹脂封止体を形成した後（樹脂封止した後）、樹脂封止体から樹脂体を分離する工程が組み込まれている。この工程は、成型金型の樹脂注入ゲートに対応する位置で樹脂封止体と樹脂体とを分離するため、一般的にゲートブレイク工程と呼ばれている。
【０００６】
ゲートブレイク工程は、一括モールディング方式を採用する半導体装置の製造においても実施される。図３３（（ａ），（ｂ））は、従来の一括モールディング方式を採用する半導体装置の製造におけるゲートブレイク工程を示す断面図である。図中、符号１００はマルチ配線基板、符号１０１は半導体チップ、符号１０２は樹脂封止体、符号１０３は、成型金型のカル部、ランナ等に残存する熱硬化性樹脂によって樹脂封止体１０２と一体に形成された樹脂体（不要樹脂体）、１０４は分離部（成形金型の樹脂注入ゲートに対応する部分）、符号１０５はステージ、１０６はパッケージ押さえ部材である。
【０００７】
ゲートブレイク工程では、まず、図３３（ａ）に示すように、ステージ１０５に配置されたマルチ配線基板１００をパッケージ押さえ部材１０６によって固定し、その後、分離部１０４に曲げ応力が集中するように樹脂封止体１０２に対して樹脂体１０３をマルチ配線基板１００の厚さ方向に折り曲げて、分離部１０４に亀裂を入れる。これにより、分離部１０４から樹脂封止体１０２と樹脂体１０３が分離される。
【０００８】
しかしながら、樹脂体１０３は、マルチ配線基板１００の一辺を横切って樹脂封止体１０２と一体化されており、一部がマルチ基板１００に密着しているため、樹脂封止体１０２に対して樹脂体１０３を折り曲げる時にマルチ配線基板１００にも曲げ応力が付加される。基板の剛性が大きい（高い）と、基板から樹脂体が剥がれるが、基板の剛性が小さい（低い）と、基板から樹脂体が剥がれず、基板が折り曲げられる。近年、半導体装置の薄型化に伴い、基板を薄くする傾向にある。基板の剛性は厚さが薄くなると小さくなるため、基板の薄型化に伴い、図３３（ｂ）に示すように、マルチ配線基板１００が破損するといった不具合が発生し易くなる。基板の平面サイズや、樹脂体が基板上を延在する長さ等の条件によって異なるが、本発明者の検討によれば、０．２ｍｍ厚では基板の破損は発生しなかったが、０．１３ｍｍ厚では基板が破損した。このような基板の破損は、半導体装置の製造歩留まりを低下させる要因となるため、対策が必要である。
【０００９】
上記特許文献１（特開２００３−１０９９８３号公報）には、同文献１の［００３６］欄〜［００３８］欄に記載されているように、成形金型の構成として、「半導体製品に対応した第１のキャビティ（封止用キャビティ）と、セラミック基板２０の幅方向における第１のキャビティの端面に１つ以上の突起状の第２のキャビティを備え、セラミック基板２０の端面にゲートブレイクのポイントを設けることにより、セラミック基板２０の割れを防止する」技術が開示されている。しかしながら、上記特許文献１の技術は、同文献１の図３に示されるように、樹脂２１（第１の樹脂）の厚さと、この樹脂２１に繋がったゲート辺側に伸びた突起形状の樹脂２８（第２の樹脂）の厚さが同じ、換言すれば、第１のキャビティの厚さと第２のキャビティの厚さが同じになっているため、以下の問題が生じる。
【００１０】
（１）ゲートブレイク工程が施されたマルチ配線基板１００は、互いに離間して配置された一対の搬送レールに沿って次段のバンプ形成工程に搬送される。マルチ配線基板１００は、一般的に平面形状が長方形になっているため、長辺方向に沿って搬送される。具体的には、図３４に示すように、一対の搬送レール１１０の各々に、互いに向かい合うようにして溝１１１が設けられており、一方の搬送レール１１０の溝１１１にマルチ配線基板１００の一方の長辺側が挿入され、他方の搬送レール１１０の溝１１１にマルチ配線基板１００の一方の長辺と反対側の他方の長辺側が挿入された状態で行われる。また、バンプ形成工程では、マルチ配線基板１００の裏面１００ｙにバンプを形成するため、マルチ配線基板１００の搬送は、樹脂封止体１０２が形成された主面１００ｘと反対側の裏面１００ｙを上向きにした状態で行われる。
【００１１】
上記特許文献１の技術を採用した場合、図３５に示すように、マルチ配線基板１００の一方の長辺側のみに樹脂封止体（特許文献１の第１の樹脂２１に対応）１０２と一体化された突起状樹脂体（特許文献１の第２の樹脂２８に対応）１０７が形成される。このようなマルチ配線基板１００を一対の搬送レール１１０に沿って次段のバンプ形成工程に搬送した場合、図３５に示すように、一対の搬送レール１１０に対してマルチ配線基板１００が斜めになるため、基板が詰まるといった搬送不良が発生し易くなる。この基板搬送不良率は、一対の搬送レール１１０に対するマルチ配線基板１００の傾斜角が大きくなるに従って高くなる。上記特許文献１では、突起状樹脂体１０７の高さが樹脂封止体１０１の高さと同じになっているため、一対の搬送レール１１０に対するマルチ配線基板１００の傾斜角が大きく、基板搬送不良率も高い。このような基板搬送不良は、半導体装置の生産性を低下させる要因となるため、対策が必要である。
【００１２】
（２）一括モールディング方式では、封止用キャビティの高さ（厚さ）に対する平面積の比が非常に大きくなるため、封止用キャビティから樹脂封止体を離す離型が困難になる。そこで、一括モールディング方式においては、ラミネート方式が採用されている。ラミネート方式は、成形金型のカル部、ランナ、封止用キャビティ等の各々の内面にフィルムを密着させた状態で、ポットからカル部、ランナ、樹脂注入ゲートを通して封止用キャビティに熱硬化性樹脂を注入することによって樹脂封止体を形成する方式である。
【００１３】
また、一括モールディング方式では、封止用キャビティの厚さ（高さ）に対する平面積の比が非常に大きくなるため、熱硬化性樹脂の硬化が始まって流動性が低下するまでの限られた時間の中で、迅速にかつ均一に熱硬化性樹脂を注入する必要がある。そこで、一括モールディング方式では、封止用キャビティの一方の長辺（マルチ配線基板の一方の長辺）に沿って複数の樹脂注入ゲートを設けた成形金型が使用されている。
【００１４】
上記特許文献１の技術を採用した場合、封止用キャビティ（特許文献１の第１のキャビティに対応）の一方の長辺側にこの一方の長辺に沿って複数の突起状キャビティ（特許文献１の第２のキャビティに対応）が配置される。このような成形金型を使用してラミネートモールディングを行う場合、突起状キャビティの内面にもフィルムを密着させるが、突起状キャビティは封止用キャビティと比較して幅が極端に狭くなっているため、突起状キャビティから封止用キャビティに亘ってフィルムにしわが発生し易くなる。しかも突起状キャビティは複数設けられているため、複数の突起状キャビティによる凹凸の影響で更にしわが発生し易くなる。このようなフィルムのしわは、突起状キャビティの高さ（厚さ）が大きくなるに従って発生率が高くなる。上記特許文献１では、突起状キャビティの高さが封止用キャビティの高さと同じになっているため、しわの発生率も高い。このようなフィルムのしわは、樹脂封止体の成形不良の要因となり、半導体装置の製造歩留まり低下の要因となるため、対策が必要である。
【００１５】
なお、上記問題は、複数の製品形成領域を有するマルチ配線基板を使用し、各製品形成領域に対応してマルチ配線基板の主面に実装された複数の半導体チップを各製品形成領域毎に樹脂封止する個別モールディング方式においても生じる。
【００１６】
本発明の目的は、半導体装置の製造歩留まり向上を図ることが可能な技術を提供することにある。
また、本発明は、半導体装置の生産性向上を図ることが可能な技術を提供することにある。
本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
（１）半導体装置の製造において、
主面に半導体チップが実装された配線基板を準備する工程と、
上型と下型との間に前記配線基板を配置した時、前記配線基板に実装された前記半導体チップを覆うようにして前記配線基板の主面上に位置する樹脂封止体成形部（封止用キャビティ）と、前記配線基板の外側から前記配線基板の一辺を横切って前記樹脂封止体成形部に連なる樹脂流通路（ランナ）とを有する成形金型を準備する工程と、
前記成形金型の上型と下型との間に前記配線基板を配置し、前記樹脂流通路を通して前記樹脂封止体成形部に樹脂を注入することによって前記配線基板に実装された前記半導体チップを樹脂封止する樹脂封止体を形成する工程と、
前記樹脂流通路に残存する前記樹脂によって前記樹脂封止体と一体に形成された樹脂体に、前記配線基板の厚さ方向に沿う曲げ応力を付加して、前記樹脂体に亀裂を入れる工程とを有し、
前記樹脂流通路は、前記配線基板の外側に位置する第１の部分と、前記第１の部分及び前記樹脂封止体成形部に連なり、前記配線基板の主面上に位置する第２の部分とを有し、
前記第２の部分は、前記配線基板の主面からの高さが前記第１の部分よりも低くなっている。
【００１８】
（２）主面に半導体チップが実装された配線基板を準備する工程と、
上型と下型との間に前記配線基板を配置した時、前記配線基板に実装された前記半導体チップを覆うようにして前記配線基板の主面上に位置する樹脂封止体成形部と、前記配線基板の外側から前記配線基板の第１の辺を横切って前記樹脂封止体成形部に連なる第１の樹脂流通路と、前記配線基板の第１の辺と反対側の第２の辺側において前記配線基板の主面上に位置し、前記樹脂封止体成形部に連なる第２の樹脂流通路とを有する成形金型を準備する工程と、
前記成形金型の上型と下型との間に前記配線基板を配置し、前記第１の樹脂流通路を通して前記樹脂封止体成形部に樹脂を注入することによって前記配線基板に実装された前記半導体チップを樹脂封止する樹脂封止体を形成する工程と、
前記第１の樹脂流通路に残存する前記樹脂によって前記樹脂封止体と一体に形成された第１の樹脂体に、前記配線基板の厚さ方向に沿う曲げ応力を付加して、前記第１の樹脂体に亀裂を入れる工程とを有し、
前記成形金型の第１の樹脂流通路は、前記配線基板の外側に位置する第１の部分と、前記第１の部分及び前記樹脂封止体成形部に連なり、前記配線基板の主面上に位置する第２の部分とを有し、
前記第１の樹脂流通路の第２の部分、及び前記第２の樹脂流通路は、前記配線基板の主面からの高さが前記第１の樹脂流通路の第１の部分及び前記樹脂封止体成形部よりも低くなっている。
【００１９】
（３）主面に半導体チップが実装された配線基板を準備する工程と、
上型と下型との間に前記配線基板を配置した時、前記配線基板に実装された前記半導体チップを覆うようにして前記配線基板の主面上に位置する樹脂封止体成形部と、前記配線基板の外側から前記配線基板の一辺を横切って前記樹脂封止体成形部に連なる樹脂流通路とを有する成形金型を準備する工程と、
前記成形金型の上型と下型との間に前記配線基板を配置し、前記樹脂流通路の内面及び前記樹脂封止体成形部の内面に樹脂シートを密着させた状態で前記樹脂流通路を通して前記樹脂封止体成形部に樹脂を注入することによって前記配線基板に実装された前記半導体チップを樹脂封止する樹脂封止体を形成する工程とを有し、
前記樹脂流通路は、前記配線基板の主面からの高さが前記配線基板の主面上において前記樹脂封止体成形部よりも低くなっている。
【００２０】
前述した手段（１）又は（２）によれば、配線基板の損傷を抑制することができるため、半導体装置の製造歩留まり向上を図ることができる。
前述した手段（１）又は（２）によれば、配線基板の搬送時における安定度を高めることができるため、半導体装置の生産性向上を図ることができる。
前述した手段（１）又は（２）又は（３）によれば、フィルムのしわに起因する樹脂封止体の成形不良を抑制することができるため、半導体装置の製造歩留まり向上を図ることができる。
【発明の効果】
【００２１】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
本願発明によれば、半導体装置の製造歩留まり向上を図ることができる。
本願発明によれば、半導体装置の生産性向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。なお、発明の実施例を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【実施例１】
【００２３】
本実施例１では、一括方式のトランスファ・モールディング法を採用する半導体装置について説明する。
【００２４】
図１乃至図１６は、本発明の実施例１の半導体装置に係る図であり、
図１は、半導体装置の内部構造を示す図（（ａ）は透視的平面図，（ｂ）は（ａ）のａ−ａ線に沿う断面図）、
図２は、半導体装置の製造に使用されるマルチ配線基板（多数個取り配線基板）の構成を示す図（（ａ）は平面図，（ｂ）は断面図）、
図３は、半導体装置の製造において、マルチ配線基板に半導体チップを実装した状態を示す図（（ａ）は平面図，（ｂ）は断面図）、
図４は、半導体装置の製造において、成形金型にマルチ配線基板を型締めした状態を示す透視的平面図、
図５は、図４のｂ−ｂ線に沿う断面図、
図６は、図４のｃ−ｃ線に沿う断面図、
図７は、図５の一部（図に向かって左側部分）を拡大した断面図、
図８は、図５の一部（図に向かって右側部分）を拡大した断面図、
図９は、半導体装置の製造において、成形金型のキャビティに樹脂を注入して樹脂封止体を形成した状態を示す透視的平面図、
図１０は、図９のｄ−ｄ線に沿う断面図、
図１１は、半導体装置の製造において、樹脂封止工程の完了後に成形金型からマルチ配線基板を取り出した状態を示す断面図、
図１２は、半導体装置の製造において、ブレイク工程を説明するための断面図（（ａ），（ｂ））、
図１３は、半導体装置の製造において、バンプ形成工程を説明するための図（（ａ）は平面図，（ｂ）は断面図）、
図１４は、半導体装置の製造において、小片化工程を説明するための断面図、
図１５は、半導体装置の製造において、マルチ配線基板の搬送状態を示す平面図、
図１６は、図１５のｅ−ｅ線に沿う断面図である。
【００２５】
図１（（ａ），（ｂ））に示すように、本実施例１の半導体装置１は、インターポーザと呼称される配線基板４の主面４ｘに半導体チップ２が実装され、配線基板４の主面４ｘと反対側の裏面４ｙに突起状電極として例えばボール形状の半田バンプ８が複数個配置されたパッケージ構造になっている。
【００２６】
半導体チップ２は、その厚さ方向と交差する平面形状が方形状になっており、本実施例では例えば正方形になっている。半導体チップ２は、これに限定されないが、主に、半導体基板、この半導体基板の主面に形成された複数のトランジスタ素子、前記半導体基板の主面上に設けられた薄膜積層体、この薄膜積層体を覆うようにして設けられた表面保護膜等を有する構成になっている。前記薄膜積層体は、絶縁層、配線層の夫々を複数段積み重ねた構造になっている。前記半導体基板は、例えば単結晶シリコンで形成されている。前記薄膜積層体の絶縁層は、例えば酸化シリコン膜等の絶縁膜で形成されている。前記薄膜積層体の配線層は、例えばアルミニウム（Ａｌ）、又はアルミニウム合金、又は銅（Ｃｕ）、又は銅合金等の金属膜で形成されている。表面保護膜は、例えば、酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜等の無機絶縁膜及び有機絶縁膜を積み重ねた多層膜で形成されている。
【００２７】
半導体チップ２は、互いに反対側に位置する主面（回路形成面，素子形成面）及び裏面を有し、半導体チップ２の主面側には集積回路が形成されている。この集積回路は、主に、半導体基板の主面に形成されたトランジスタ素子、及び薄膜積層体に形成された配線によって構成されている。
【００２８】
半導体チップ２の主面には、接続部として例えば複数の接続用パッド３（ボンディングパッド）が形成されている。この複数の接続用パッド３は、例えば半導体チップ２の各辺に沿って配置されている。また、複数の接続用パッド３は、薄膜積層体の最上層の配線層に形成され、表面保護膜に形成されたボンディング開口から露出している。
【００２９】
配線基板４は、その厚さ方向と交差する平面形状が方形状になっており、本実施例１では例えば正方形になっている。配線基板４は、これに限定されないが、例えば、コア材と、このコア材の主面を覆うようにして形成された第１の保護膜と、前記コア材の主面と反対側の裏面を覆うようにして形成された第２の保護膜とを有する構成になっている。前記コア材は、例えば、その主面及び裏面に配線層（導電層）を有する構造になっている。前記コア材は、例えばガラス繊維にエポキシ系、若しくはポリイミド系の樹脂を含浸させた高弾性樹脂基板で形成されている。前記コア材の各配線層は、例えば、Ｃｕを主成分とする金属膜で形成されている。前記第１及び第２の保護膜は、主に前記コア材の表裏面の配線層に形成された配線を保護する目的で形成されている。前記第１及び第２の保護膜としては、例えば絶縁性の樹脂膜（ソルダーレジスト膜）が用いられている。
【００３０】
配線基板４の主面４ｘにはチップ搭載領域（素子搭載領域）が配置され、このチップ搭載領域には接着材を介在して半導体チップ２の裏面が接着固定されている。また、配線基板４の主面４ｘには、接続部として例えば複数の接続用パッド５が配置されている。本実施例１において、複数の接続用パッド５は半導体チップ２（チップ搭載領域）の周囲に配置されている。また、配線基板４の裏面４ｙには、接続部として複数の接続用パッド（接続用ランド）が配置され、この複数の接続用パッドには半田バンプ８が夫々固着されている。
【００３１】
半導体チップ２の複数の接続用パッド３は、配線基板４の複数の接続用パッド５と夫々電気的に接続されている。本実施例１において、半導体チップ２の接続用パッド３と配線基板４の接続用パッド５との電気的な接続は、ボンディングワイヤ６で行われている。ボンディングワイヤ６の一端部側は、半導体チップ２の接続用パッド３に接続され、ボンディングワイヤ６の一端部側と反対側の他端部側は、配線基板４の接続用パッド５に接続されている。
【００３２】
ボンディングワイヤ６としては、例えば金（Ａｕ）ワイヤが用いられている。また、ボンディングワイヤ６の接続方法としては、例えば熱圧着に超音波振動を併用したネイルヘッドボンディング法が用いられている。
【００３３】
半導体チップ２、複数のボンディングワイヤ６等は、配線基板４の主面４ｘ側に選択的に形成された樹脂封止体７によって樹脂封止されている。樹脂封止体７は、低応力化を図る目的として、例えば、フェノール系硬化剤、シリコーンゴム及びフィラー（例えばシリカ）等が添加されたビフェニール系の熱硬化性樹脂で形成されている。
【００３４】
樹脂封止体７及び配線基板４は、ほぼ同一の平面サイズになっており、樹脂封止体７及び配線基板４の側面は面一になっている。本実施例１の半導体装置１は、後で詳細に説明するが、複数の製品形成領域（デバイス領域）を有するマルチ配線基板（多数個取り配線基板）を使用し、このマルチ配線基板の各製品形成領域に対応して実装された複数の半導体チップを一括して樹脂封止する樹脂封止体（一括用樹脂封止体）を形成した後、前記マルチ配線基板及び一括用樹脂封止体を複数の小片に分割することによって形成される。
【００３５】
次に、半導体装置１の製造に使用されるマルチ配線基板について、図２（（ａ），（ｂ））を用いて説明する。
【００３６】
図２（（ａ），（ｂ））に示すように、マルチ配線基板１０は、その厚さ方向と交差する平面形状が方形状になっており、本実施例では長方形になっている。マルチ配線基板１０の主面（チップ搭載面）１０ｘにはモールド領域（樹脂封止領域）１２が設けられ、このモールド領域１２の中には平面的に配置された複数の製品形成領域（デバイス領域）１４が設けられ、この各々の製品形成領域１４の中にはチップ搭載領域１５が設けられている。チップ搭載領域１５は、マルチ配線基板１０の主面１０ｘに配置されている。半導体装置１の製造において、各々のチップ搭載領域１５には、半導体チップ２が搭載され、モールド領域１２には、各々の製品形成領域１４に対応して実装された複数の半導体チップ２を一括して樹脂封止する樹脂封止体が形成される。
【００３７】
各製品形成領域１４は、分離領域１３によって区画され、基本的に図１に示す配線基板４と同様の構造及び平面形状になっている。配線基板４は、マルチ配線基板１０の複数の製品形成領域１４を個々に小片化することによって形成される。本実施例１において、マルチ配線基板１０は、これに限定されないが、例えば、Ｘ方向に９個，Ｙ方向に３個の行列（９×３）で配置された計２７個の製品形成領域１４を有する構成になっている。
【００３８】
マルチ配線基板１０の角部には、成形金型にマルチ配線基板１０を位置決めする際、パイロットピンが挿入される位置決め孔１６が設けられている。
【００３９】
次に、半導体装置１の製造工程中のモールディング（樹脂封止）工程で使用される成形金型の構成について、図４乃至図８を用いて説明する。なお、成形金型の構成は、成形金型の上型と下型との間にマルチ配線基板を位置決めして型締めした状態で説明する。
【００４０】
図４乃至図６に示すように、成形金型２０は、上下方向（Ｚ方向）に重ね合う上型２０ａ及び下型２０ｂを有し、更に、ポット２１、カル部２２、ランナ（樹脂流通路）２３、樹脂注入ゲート２８、封止用キャビティ（樹脂封止体形成部）２９、ランナ（樹脂流通路）３０、及びエアベント部３１等を有する構成になっている。配線基板１０は、図６に示すように、上型２０ａの狭持面（合わせ面）ａ１と下型２０ｂの狭持面ｂ１との間に配置され、上型２０ａと下型２０ｂとを型締めした時の型締め力によって狭持固定される。
【００４１】
図５に示すように、カル部２２、ランナ２３、樹脂注入ゲート２８、封止用キャビティ２９、ランナ３０、及びエアベント部３１等は、これに限定されないが、例えば上型２０ａ側に設けられ、上型２０ａの狭持面ａ１よりも深さ方向に窪む凹部で構成されている。ポット２１は、これに限定されないが、例えば下型２０ｂ側に設けられている。
【００４２】
図４及び図５に示すように、封止用キャビティ２９は、マルチ配線基板１０に実装された半導体チップ２を覆うようにしてマルチ配線基板１０の主面１０ｘ上に位置し、マルチ配線基板１０の複数の製品形成領域１４を一括して覆う大きさ（平面サイズ）で形成されている。封止用キャビティ２９の平面形状は、マルチ基板１０の平面形状に対応して長方形になっている。
【００４３】
カル部２２は複数設けられている（本実施例１では例えば５個）。この複数のカル部２２の各々は、マルチ配線基板１０の互いに反対側に位置する２つの長辺（１１ａ，１１ｂ）のうちの一方の長辺１１ａ（封止用キャビティ２９の互いに反対側に位置する２つの長辺のうちの一方の長辺）の外側に位置し、この一方の長辺１１ａに沿って配置されている。
【００４４】
ランナ２３は、これに限定されないが、主に、マルチ配線基板１０の一方の長辺１１ａに沿う方向に延在するメインランナ２４と、複数のサブランナ２５（本実施例１では例えば１０本）とで構成されている。メインランナ２４は、複数のカル部２２と封止用キャビティ２９との間に位置し、複数のカル部２２の各々と連なっている。複数のサブランナ２５は、メインランナ２４と封止用キャビティ２９との間に位置し、マルチ配線基板１０の一方の長辺１１ａ（封止用キャビティ２９の一方の長辺）に沿って配置されている。複数のサブランナ２５は、各々の一端側がメインランナ２４と連なり、各々の一端側と反対側の各々の他端側が封止用キャビティ２９と連なっている。
【００４５】
樹脂注入ゲート２８は、サブランナ２５と封止用キャビティ２９との連結部に設けられており、サブランナ２５と同数配置されている。
【００４６】
ランナ３０は複数設けられている（本実施例１では例えばサブランナ２５と同数）。複数のランナ３０は、マルチ配線基板１０の他方の長辺１１ｂ側（封止用キャビティ２９の他方の長辺側）に位置し、この他方の長辺１１ｂに沿って配置されている。複数のランナ３０は、各々の一端側が封止用キャビティ２９と連なっている。
【００４７】
エアベント３１は、ランナ３０の一端側と反対側の他端側に連なって設けられており、ランナ３０と同数配置されている。
ポット２１は、カル部２２に対応して複数設けられており、カル部２２と重なる位置に配置されている。
【００４８】
図４及び図５に示すように、複数のサブランナ２５は、マルチ配線基板１０の外側からマルチ配線基板１０の一方の辺１１ａ（周縁）を横切って封止用キャビティ２９に連なっている。複数のサブランナ２５の各々は、マルチ配線基板１０の外側に位置する第１の部分２６と、この第１の部分２６及び封止用キャビティ２９に連なり、マルチ配線基板１０の主面１０ｘ上に位置する第２の部分２７とを有し、図７に示すように、第２の部分２７におけるマルチ基板１０の主面１０ｘからの高さ２７ｈは、第１の部分２６におけるマルチ配線基板１０の主面１０ｘからの高さ２６ｈよりも低くなっており、更に封止用キャビティ２９におけるマルチ配線基板１０の主面１０ｘからの高さ２９ｈよりも低くなっている。本実施例１において、サブランナ２５の第１の部分２６の高さ２６ｈは、例えば、メインランナ２４におけるマルチ配線基板１０の主面１０ｘからの高さと同じ設定になっている。また、サブランナ２５の第２の部分２７の高さ２７ｈは、樹脂注入ゲート２８におけるマルチ配線基板１０の主面１１ｘからの高さ２８ｈと同じ設定になっている。
【００４９】
複数のサブランナ２５の各々の第１の部分２６及び第２の部分２７は、マルチ配線基板１０の一方の長辺１１ａを横切る方向に沿って延在し、各々の第２の部分２７は、マルチ配線基板１０の一方の長辺１１ａで終端している。
【００５０】
複数のランナ３０の各々は、図８に示すように、マルチ配線基板１０の主面１０ｘからの高さ３０ｈが封止用キャビティ２９の高さ２９ｈよりも低くなっている。本実施例１において、ランナ３０の高さ３０ｈは、例えばサブランナ２５の第２の部分２７の高さ２７ｈと同じ設定になっている。
【００５１】
次に、半導体装置１の製造について、図２乃至図１６を用いて説明する。
まず、図２に示すマルチ配線基板１０、及び図４乃至図６に示す成形金型２０を準備する。
【００５２】
次に、図３（（ａ），（ｂ））に示すように、マルチ配線基板１０の複数ある製品形成領域１４の各々のチップ搭載領域１５に、接着材を介在して半導体チップ２を接着固定する。半導体チップ２の接着固定は、半導体チップ２の裏面がマルチ配線基板１０の主面１０ｘと向かい合う状態で行う。
【００５３】
次に、マルチ配線基板１０の各製品形成領域１４において、図３（（ａ），（ｂ））に示すように、製品形成領域１４の複数の接続用パッド５（図１（ａ）参照）と、この製品形成領域１４に搭載された半導体チップ２の複数の接続用パッド３（図１（ａ）参照）とを複数のボンディングワイヤ６で夫々電気的に接続する。この工程により、マルチ配線基板１０の主面１０ｘに複数の製品形成領域１４に対応して複数の半導体チップ２が実装される。
【００５４】
ここで、実装とは、基板に半導体チップが接着固定され、基板の接続用パッドと半導体チップの接続用パッドとが電気的に接続された状態を言う。本実施例１では、半導体チップ２の接着固定は、接着材によって行われており、マルチ配線基板１０の接続用パッド（５）と半導体チップ２の接続用パッド（３）との電気的な接続は、ボンディングワイヤ６によって行われている。
【００５５】
次に、図４乃至図６に示すように、成形金型２０の上型２０ａと下型２０ｂとの間にマルチ配線基板１０を位置決めして型締めする。この時、マルチ配線基板１０の位置決めは、マルチ配線基板１０の位置決め孔１６に成形金型２０のパイロットピンを挿入することによって行われる。また、マルチ配線基板１０は、上型２０ａと下型２０ｂとを型締めした時の型締め力によって挟持固定される。また、成形金型２０は、ポット２１、カル部２２、ランナ２３、樹脂注入ゲート２８及び封止用キャビティ２９等が前述したとおりの構成になっている。
【００５６】
なお、上型２０ａと下型２０ｂとを型締めする前に、各ポット２１に予め加熱された樹脂タブレット３３が投入される。樹脂タブレット３３は、例えば、フェノール系硬化剤、シリコーンゴム及びフィラー（例えばシリカ）等が添加されたビフェニール系の熱硬化性樹脂からなる。
【００５７】
次に、成形金型２０を加熱して樹脂タブレット３３を溶融し、ポット２１内のプランジャ３４を上昇させる。このプランジャ３４の上昇による圧力により、図９及び図１０に示すように、溶融した熱硬化性樹脂は、ポット２１からカル部２２、ランナ２３、樹脂注入ゲート２８を通して封止用キャビティ２９に注入される。マルチ配線基板１０の複数の製品形成領域１４に対応してマルチ配線基板１０の主面１０ｘに実装された複数の半導体チップ２は、封止用キャビティ２９に注入された熱硬化性樹脂によって樹脂封止され、これらを樹脂封止した熱硬化性樹脂が硬化することにより、封止用キャビティ２９の中に樹脂封止体２９ａが形成される。
【００５８】
この樹脂封止工程において、熱硬化性樹脂は、成形金型２０のポット２１からカル部２２、ランナ２３及び樹脂注入ゲート２８等を通して封止用キャビティ２９に注入されるため、図９及び図１０に示すように、封止用キャビティ２９で形成される樹脂封止体２９ａとは別に、カル部２２、ランナ２３等に残存する熱硬化性樹脂によって樹脂体（不要樹脂体）３２が形成される。この樹脂体３２は、樹脂封止体２９ａと一体に形成される。
【００５９】
また、この工程において、ランナ２３と反対側のランナ３０にも熱硬化性樹脂が注入され、このランナ３０に注入された熱硬化性樹脂によって樹脂封止体２９ａと一体化された樹脂体（不要樹脂体）３０ａも同時に形成される。
次に、樹脂封止体２９ａの硬化を安定させるキュア工程を施した後、成形金型を型開きして、図１１に示すように、成形金型２０からマルチ配線基板１０を取り出す。
【００６０】
ここで、樹脂体３２及び３０ａについて、図１１を用いて説明する。
樹脂体３２は、成形金型２０のカル部２２、ランナ２３等に残存する熱硬化性樹脂によって形成されるため、カル部２２、ランナ２３等の形状とほぼ同一の形状で形成される。従って、樹脂体３２は、マルチ配線基板１０の一方の長辺１１ａの外側からその一方の長辺１１ａを横切って樹脂封止体２９ａと一体に形成されている。
【００６１】
樹脂体３２は、図１１に示すように、成形金型２０のカル部２１に対応する第１の樹脂部分３２ａと、成形金型２０のメインランナ２４、及びサブランナ２５の第１の部分２６に対応する第２の樹脂部分３２ｂと、成形金型２０のサブランナ２５の第２の部分２７に対応する第３の樹脂部分３２ｃとを有する構成になっている。第１及び第２の樹脂部分（３２ａ，３２ｂ）は、マルチ配線基板１０の外側に位置し、第２の樹脂部分３２ｂは、第１の樹脂部分３２ａに連なっている。第３の樹脂部分３２ｃは、マルチ配線基板１０の主面１０ｘ上に位置し、第２の樹脂部分３２ｂ分及び樹脂封止体２９ａに連なっている。
【００６２】
第３の樹脂部分３２ｃにおけるマルチ配線基板１０の主面１０ｘからの厚さ（高さ）ｈ３は、第２の樹脂部分３２ｂにおけるマルチ配線基板１０の主面１０ｘからの厚さ（高さ）ｈ２よりも薄く（低く）なっており、更に樹脂封止体２９ａにおけるマルチ配線基板１０の主面１０ｘからの厚さ（高さ）ｈ４よりも薄く（低く）なっている。第１の樹脂部分３２ａにおけるマルチ配線基板１０の主面１０ｘからの厚さ（高さ）ｈ１は、第２の樹脂部分３２ｂの厚さｈ２よりも厚くなっている。
【００６３】
樹脂体３２の第２及び第３の樹脂部分（３２ｂ，３２ｃ）は、マルチ配線基板１０の一方の長辺１１ａを横切る方向に沿って延在し、第３の樹脂部分３２ｃは、マルチ配線基板１０の一方の長辺１１ａで終端している。
【００６４】
このように構成された樹脂体３２は、マルチ配線基板１０の主面１０ｘに密着する第３の樹脂部分３２ｃの厚さがマルチ配線基板１０の外側に位置する第１及び第２の樹脂部分（３２ａ，３２ｂ）の厚さよりも薄くなっており、しかも第３の部分３２ｃが配線基板１０の一方の長辺１１ａにおいて終端しているため、樹脂封止体２９ａに対して樹脂体３２をマルチ配線基板１０の厚さ方向に折り曲げた時、第２の樹脂部分３２ｂと第３の樹脂部分３２ｃとの間の連結部分（分離部３２ｐ）に曲げ応力が集中し、この分離部３２ｐに亀裂を入れることができる。
【００６５】
樹脂体３０ａは、成形金型２０のランナ３０に残存する熱硬化性樹脂によって形成されるため、ランナ３０とほぼ同一の形状で形成される。従って、樹脂体３０ａは、マルチ配線基板１０の他方の長辺１１ｂ側において、マルチ配線基板１０の主面１０ｘ上に形成される。また、樹脂体３０ａは、一端側が樹脂封止体２９ａに連なり、一端側と反対側がマルチ配線基板１０の他方の長辺１１ｂよりも内側で終端している。また、樹脂体３０ａは、マルチ配線基板１０の主面１０ｘからの厚さ（高さ）ｈ５が樹脂封止体２９ａの厚さｈ４よりも薄くなっており、本実施例１において樹脂体３０ａの厚さｈ５は、例えば樹脂体３２の第３の樹脂部分３２ｃの厚さｈ３と同じ設定になっている。
【００６６】
次に、図１２（ａ）に示すように、ステージ３５に配置されたマルチ配線基板１０をパッケージ押さえ部材３６によって固定し、その後、樹脂体３２の分離部３２ｐに曲げ応力が集中するように樹脂封止体２９ａに対して樹脂体３２をマルチ配線基板１０の厚さ方向に折り曲げて、分離部３２ｐに亀裂を入れる。これにより、図１２（ｂ）に示すように、分離部３２ｐから樹脂体３２が分離されるため、樹脂体３２のうち、マルチ配線基板１０の外側に位置する第１及び第２の樹脂部分（３２ａ，３２ｂ）が除去される。
【００６７】
次に、図１３（（ａ），（ｂ））に示すように、マルチ配線基板１０の主面１０ｘと反対側の裏面１０ｙに、各製品形成領域１４に対応して複数の半田バンプ８を形成する。半田バンプ８は、これに限定されないが、例えば、マルチ配線基板１０の裏面１０ｙの接続用パッド上にフラックス材を塗布し、その後、接続パッド上に半田ボールを供給し、その後、半田ボールを溶融して接続用パッドとの接合を行うことによって形成される。
【００６８】
次に、半田バンプ形成工程において使用したフラックスを洗浄にて除去し、その後、マルチ配線基板１０の各製品形成領域１４に対応して樹脂封止体２９ａの上面に、例えば品名、社名、品種、製造ロット番号等の識別マークを、インクジェットマーキング法、ダイレクト印刷法、レーザマーキング法等を用いて形成する。
【００６９】
次に、図１４に示すように、マルチ配線基板１０及び樹脂封止体２９ａを各製品形成領域１４に対応して複数の小片に分割する。この分割は、図１４に示すように、例えば、ダイシングシート３７に樹脂封止体２９ａを貼り付けた状態で、マルチ配線基板１０の分離領域１３に沿ってマルチ配線基板１０及び樹脂封止体２９ａをダイシングブレード３８でダイシングすることによって行われる。この工程により、図１に示す半導体装置１がほぼ完成する。
【００７０】
従来のゲートブレイク工程では、図３３（ａ）に示すように、樹脂封止体１０２に対して樹脂体１０３をマルチ配線基板１００の厚さ方向に折り曲げ、成型金型の樹脂注入ゲートに対応する分離部１０４で樹脂体１０３と樹脂封止体１０２とを分離している。即ち、マルチ配線基板１００の周縁よりも内側で樹脂体１０３と樹脂封止体１０２とを分離しているため、樹脂体１０３とマルチ配線基板１００との密着による影響でマルチ配線基板１００にも曲げ応力が付加され、基板の薄型化に伴い、図３３（ｂ）に示すように、マルチ配線基板１００が破損するといった不具合が発生し易くなる。
【００７１】
これに対し、本実施例１では、図１２に示すように、樹脂体３２は、マルチ配線基板１０の主面上に位置する第３の樹脂部分３２ｃの厚さが第２の樹脂部分３２ｂの厚さよりも薄くなっており、しかも第３の部分３２ｃがマルチ配線基板１０の周縁（一方の長辺１１ａ）で終端しているため、樹脂封止体２９ａに対して樹脂体３２をマルチ配線基板１０の厚さ方向に折り曲げた時、樹脂体３２の第２の樹脂部分３２ｂと第３の樹脂部分３２ｃとの間の連結部（分離部３２ｐ）に曲げ応力が集中し、マルチ配線基板１０の周縁において樹脂体３２に亀裂が入る。即ち、樹脂封止体２９ａに対して樹脂体３２をマルチ配線基板１０の厚さ方向に折り曲げた時にマルチ配線基板１０に付加される曲げ応力を低減できるため、薄型化に伴ってマルチ配線基板１０の剛性が小さくなっても、マルチ配線基板１０の破損を抑制することができる。この結果、半導体装置１の製造歩留まり向上を図ることができる。
【００７２】
なお、樹脂体３２の第３の樹脂部分３２ｃは、本実施例１のように、マルチ配線基板１０の一方の長辺１１ａ（周縁）で終端させることが望ましいが、第３の樹脂部分３２ｃは、マルチ配線基板１０の主面１０ｘ上であって、マルチ配線基板１０の一方の長辺１１ａの近傍、換言すれば、マルチ配線基板１０の一方の長辺１１ａよりも若干内側で終端するようにしてもよい。
【００７３】
第３の樹脂部分３２ｃの終端が樹脂封止体２９ａに近づくにつれて、厚さが厚い第３の樹脂部分３２ｂがマルチ配線基板１０の一方の長辺１１ａよりも内側に入り込んでくるため、マルチ配線基板１０に曲げ応力が付加され易くなる。従って、第３の樹脂部分３２ｃの終端は、マルチ配線基板１０の一方の長辺１１ａに出来るだけ近づけることが望ましい。
【００７４】
第３の樹脂部分３２ｃをマルチ配線基板１０の一方の長辺１１ａの外側で終端した場合、マルチ配線基板１０の周縁の外側で樹脂体３２が分離されてしまい、また、樹脂体３２の分離位置にバラツキが生じてしまうため、ブレイク工程後のマルチ配線基板１０の搬送やハンドリングに影響する。従って、第３の樹脂部分３２ｃは、マルチ配線基板１０の周縁、若しくは周縁よりも若干内側で終端することが望ましい。
【００７５】
第３の樹脂体３２ｃの終端位置は、成形金型２０において、サブランナ２５の第１の部分２６と第２の部分２７との連結位置、換言すれば第２の部分２７の終端を変えることによって容易に変更することができる。
【００７６】
ブレイク工程が施されたマルチ配線基板１０は、図１５及び図１６に示すように、互いに離間して配置された一対の搬送レール３９に沿って次段のバンプ形成工程に搬送される。マルチ配線基板１０は、一般的に平面形状が長方形になっているため、長辺方向に沿って搬送される。具体的には、図１５及び図１６に示すように、一対の搬送レール３９の各々に、互いに向かい合うようにして溝３９ａが設けられており、一方の搬送レール３９の溝３９ａにマルチ配線基板１０の一方の長辺１１ａ側が挿入され、他方の搬送レール３９の溝３９ａにマルチ配線基板１０の他方の長辺１１ｂ側が挿入された状態で行われる。また、バンプ形成工程では、マルチ配線基板１０の裏面１０ｙに半田バンプ８を形成するため、マルチ配線基板１０の搬送は、樹脂封止体２９ａが形成された主面１０ｘと反対側の裏面１０ｙを上向きにした状態で行われる。
【００７７】
マルチ配線基板１０の主面１０ｘの一方の長辺１１ａ側にはブレイク工程で樹脂体３２を分離して残った第３の樹脂部分３２ｃからなる樹脂体３２ｃが形成されており、更にマルチ配線基板１０の主面１０ｘの他方の長辺１１ｂ側には樹脂体３２ｃと同じ厚さの樹脂体３０ａが形成されている。即ち、マルチ配線基板１０は、半田バンプ８が形成される裏面１０ｙと反対側の主面１０ｘの各々の長辺側に、厚さが同じ樹脂体（３２ｃ，３０ａ）が設けられた構成になっている。このような構成にすることにより、裏面１０ｙを上向きにした状態で一対の搬送レール３９に沿ってマルチ配線基板１０を搬送する時、図１６に示すように、一対の搬送レール３９に対してマルチ配線基板１０をほぼ平行に保つことができるため、基板の搬送時における安定度を高めることができ、基板搬送不良を抑制することができる。この結果、半導体装置１の生産性向上を図ることができる。
【００７８】
一括モールディング方式では、封止用キャビティ２９の高さに対する平面積の比が非常に大きくなるため、熱硬化樹脂の硬化が始まって流動性が低下するまでの限られた時間の中で、迅速にかつ均一に熱硬化性樹脂を注入する必要がある。このようなことから、一括モールディング方式では、粘度が低く、流動性の高い熱硬化性樹脂の採用が余儀なくされる。
【００７９】
一方、溶融した熱硬化性樹脂中には、複数の気泡が含まれている。この樹脂中の気泡は、樹脂がカル部２２及びランナ２３を流れている時に取り除かれる。しかしながら、流動性が高い熱硬化性樹脂では、カル部２２及びランナ２３においても迅速に流れてしまうため、気泡を取り除くことが困難になる。
【００８０】
これに対し、本実施例１のサブランナ２５は、第２の部分２７の高さが第１の部分２６の高さよりも低くなっており、この第２の部分２７で樹脂の流動抵抗が高くなるため、粘度が低く、流動性が高い熱硬化性樹脂を使用しても、樹脂がカル部２２及びランナ２３を流れている間に樹脂中の気泡を取り除くことができる。この結果、ボイドの発生を抑制でき、樹脂封止体２９ａの成形不良を抑制することができる。
【００８１】
以上説明したように、本実施例１によれば、以下の効果が得られる。
（１）マルチ配線基板１０の破損を抑制することができるため、半導体装置１の製造歩留まり向上を図ることができる。
（２）樹脂封止体２９ａが形成された主面１０ｘと反対側の裏面１０ｙを上向きにした状態で一対の搬送レール３９に沿ってマルチ配線基板１０を搬送する時の基板搬送不良を抑制することができるため、半導体装置１の生産性向上を図ることができる。
（３）ボイドの発生を抑制することができるため、半導体装置１の製造歩留まり向上を図ることができる。
【００８２】
図１７は、実施例１の変形例１である半導体装置の製造において、マルチ配線基板の搬送状態を示す断面図である。
【００８３】
実施例１では、マルチ配線基板１０は、半田バンプ８が形成される裏面１０ｙと反対側の主面１０ｘの各々の長辺側に、厚さが同じ樹脂体（３２ｃ，３０ａ）が設けられた構成になっているが、本変形例１では、図１７に示すように、マルチ配線基板１０の主面１０ｘの他方の長辺１１ｂ側には、実施例１と異なり、樹脂体３０ａが設けられていない。
【００８４】
しかしながら、マルチ配線基板１０の主面１０ｘの一方の長辺１１ａ側に設けられた樹脂体３２ｃの厚さは、樹脂封止体２９ａの厚さよりも薄くなっているため、図３５に示す従来のように、突起状樹脂体１０７の厚さと樹脂封止体１０１の厚さとを同じにした場合と比較して、一対の搬送レール３９に対するマルチ配線基板１０の傾斜角（傾斜量）を小さくすることができるので、マルチ配線基板１０の主面の一方の長辺１１ａ側のみ樹脂体３２ｃを設けた場合においても、基板搬送不良を抑制することができる。
【００８５】
図１８は、実施例１の変形例２である半導体装置の製造において、成形金型にマルチ配線基板を型締めした状態を示す断面図である。
【００８６】
前述の実施例１では、成形金型２０において、サブランナ２５の第２の部分２７の高さ２７ｈは、樹脂注入ゲート２８におけるマルチ配線基板１０の主面１１ｘからの高さ２８ｈと同一に設定されている。これに対し、変形例２では、サブランナ２５の第２の部分２７の高さ２７ｈは、樹脂注入ゲート２８におけるマルチ配線基板１０の主面１１ｘからの高さ２８ｈよりも高くなっている。このように成形金型２０を構成しても、前述の実施例１と同様の効果が得られる。
【００８７】
図１９は、実施例１の変形例３である半導体装置の製造において、成形金型にマルチ配線基板を型締めした状態を示す断面図である。本変形例３は、ラミネート方式を採用した例である。
【００８８】
一括モールディング方式では、封止用キャビティの高さ（厚さ）に対する平面積の比が非常に大きくなるため、封止用キャビティから樹脂封止体を離す離型が困難になる。そこで、一括モールディング方式においては、ラミネート方式が採用されている。ラミネート方式は、図１９に示すように、成形金型２０のカル部２２、ランナ２３、封止用キャビティ２９、樹脂注入ゲート２８等の各々の内面並びに上型２２ａの挟持面ａ１にフィルム４１を密着させた状態で、ポット２１からカル部２２、ランナ２３、樹脂注入ゲート２８を通して封止用キャビティ２９に熱硬化性樹脂を注入することによって樹脂封止体２９ａを形成する方式である。フィルム４１の密着は、上型２２ａの挟持面ａ１全体を覆うようにして上型２２ａと下型２２ｂとの間にフィルム４１を配置し、上型２２ａに設けられた吸引孔４０からの吸引作用によって行われる。フィルム４１としては、例えば樹脂からなる可撓性フィルムが用いられる。
【００８９】
このようにしてフィルム４１を密着させた場合、サブランナ２５の幅は封止用キャビティ２９と比較して極端に狭くなっているため、サブランナ２５から封止用キャビティ２９に亘ってフィルム４１にしわが発生し易くなる。しかも、サブランナ２５は複数設けられているため、複数のサブランナ２５による凹凸の影響で更にしわが発生し易くなる。
【００９０】
しかしながら、サブランナ２５は、マルチ配線基板１０の主面１０ｘ上に位置（封止用キャビティ２９側に位置）する第２の部分２７の高さ２７ｈが封止用キャビティ２９の高さ２９ｈよりも低くなっているため、サブランナ２５の第２の部分２７から封止用キャビティ２９に亘ってフィルム４１に発生するしわを抑制することができる。この結果、フィルム４１のしわに起因する樹脂封止体２９ａの成形不良を抑制することができるため、半導体装置１の製造歩留まり向上を図ることができる。
【００９１】
成形金型２０は、キャビティ２９の他方の長辺側（マルチ配線基板１０の他方の長辺１１ｂ側）にも、キャビティ２９に連なるランナ３０が複数設けられている。このランナ３０の内面にもフィルム４１が密着するが、ランナ３０の高さ３０ｈは封止用キャビティ２９の高さ２９ｈよりも低くなっているため、ランナ３０から封止用キャビティ２９に亘ってフィルム４１に発生するしわにおいても抑制することができる。
【実施例２】
【００９２】
図２０乃至図２４は、本発明の実施例２の半導体装置に係る図であり、
図２０は、導体装置の製造において、成形金型にマルチ配線基板を型締めした状態を示す透視的平面図、
図２１は、図２０のｆ−ｆ線に沿う断面図、
図２２は、図２１の一部（図に向かって右側部分）を拡大した断面図、
図２３は、半導体装置の製造において、樹脂封止工程の完了後に成形金型からマルチ配線基板を取り出した状態を示す断面図、
図２４は、半導体装置の製造において、ブレイク工程を説明するための断面図（（ａ），（ｂ））である。
【００９３】
本実施例２の成形金型２０は、基本的に実施例１と同様の構成になっており、以下の構成が異なっている。
【００９４】
即ち、本実施例２の成形金型２０は、図２０乃至図２２に示すように、封止用キャビティ２９の他方の長辺側（マルチ配線基板１０の他方の長辺１１ｂ側）にこの封止用キャビティ２９の他方の長辺に沿って延在するフローキャビティ４２を有する構成になっている。フローキャビティ４２は、これに限定されないが、例えば上型２０側に設けられ、上型２０ａの挟持面１ａよりも深さ方向に窪む凹部で構成されている。
【００９５】
フローキャビティ４２と封止用キャビティ２９との間には、マルチ配線基板１０の他方の長辺１１ｂ（マルチ配線基板１０の他方の長辺１１ｂ）に沿って複数のランナ（樹脂流通路）４３が配置されている。複数のランナ４３の各々は、マルチ配線基板１０の他方の長辺１１ｂを横切り、マルチ配線基板１０の内外に亘って延在している。
【００９６】
複数のランナ４３の各々は、マルチ配線基板１０の他方の長辺１１ｂの外側に位置し、フローキャビティ４２に連なる第１の部分４４と、マルチ配線基板１０の主面１０ｘ上に位置し、第１の部分４４及び封止用キャビティ２９に連なる第２の部分４５とを有する構成になっている。第２の部分４５の高さ（マルチ配線基板１０の主面１０ｘからの高さ）４５ｈは、第１の部分４４の高さ（マルチ配線基板１０の主面１０ｘからの高さ）４４ｈよりも低くなっており、更に封止用キャビティ２９の高さ２９ｈよりも低くなっている。本実施例２において、第１の部分４４の高さ４４ｈは、フローキャビティ４２の高さ（マルチ配線基板１０の主面１０ｘからの高さ）と同じ設定になっている。
【００９７】
フローキャビティ４２の一方の長辺側には複数のフローキャビティ４２が配置され、他方の長辺側にはその他方の長辺に沿って複数のエアベント３１が配置されている。この複数のエアベント３１の各々は、フローキャビティ４２に連なっている。
【００９８】
このように構成された成形金型２０を使用し、図２０乃至図２２に示すように、成形金型２０の上型２０ａと下型２０ｂとの間にマルチ配線基板１０を位置決めして型締めした後、ポット２１からカル部２２、ランナ２３、樹脂注入ゲート２８を通して封止用キャビティ２９の中に熱硬化性樹脂を注入することによって、マルチ配線基板１０に実装された複数の半導体チップ２を一括して樹脂封止する樹脂封止体２９ａを形成する。
【００９９】
この樹脂封止工程において、熱硬化性樹脂は、成形金型２０のポット２１からカル部２２、ランナ２３及び樹脂注入ゲート２８等を通して封止用キャビティ２９に注入されるため、図２３に示すように、封止用キャビティ２９で形成される樹脂封止体２９ａとは別に、カル部２２、及びランナ２３等に残存する熱硬化性樹脂によって樹脂封止体２９ａと一体化された樹脂体（不要樹脂体）３２が形成される。
【０１００】
また、この工程において、ランナ２３と反対側のフローキャビティ４２にも熱硬化性樹脂が注入され、このフローキャビティ４２及びランナ４３等に注入された熱硬化性樹脂によって樹脂封止体２９ａと一体化された樹脂体（不要樹脂体）４６も同時に形成される。
【０１０１】
ここで、樹脂体４６について説明する。
樹脂体４６は、成形金型２０のランナ４３、フローキャビティ４２等に残存する熱硬化性樹脂によって形成されるため、ランナ４３、フローキャビティ４２等の形状とほぼ同一の形状で形成される。従って、樹脂体４６は、マルチ配線基板１０の他方の長辺１１ｂの外側からその他方の長辺１１ｂを横切って樹脂封止体２９ａと一体に形成されている。
【０１０２】
樹脂体３２は、図２３に示すように、成形金型２０のフローキャビティ４２に対応する第１の樹脂部分４２ａと、成形金型２０のランナ４３の第１の部分４４に対応する第２の樹脂部分４４ａと、成形金型２０のランナ４３の第２の部分４５に対応する第３の樹脂部分４５ａとを有する構成になっている。第１及び第２の樹脂部分（４２ａ，４４ａ）は、マルチ配線基板１０の外側に位置し、第２の樹脂部分４４ａは、第１の樹脂部分４２ａに連なっている。第３の樹脂部分４５ａは、マルチ配線基板１０の主面１０ｘ上に位置し、第２の樹脂部分４４ａ及び樹脂封止体２９ａに連なっている。
【０１０３】
第３の樹脂部分４５ａの厚さ（マルチ配線基板１０の主面１０ｘからの厚さ）は、第２の樹脂部分４４ａの厚さ（マルチ配線基板１０の主面１０ｘからの厚さ）よりも薄くなっており、更に樹脂封止体２９ａの厚さ（マルチ配線基板１０の主面１０ｘからの厚さ）よりも薄くなっている。第１の樹脂部分４２ａの厚さ（マルチ配線基板１０の主面１０ｘからの厚さ）は、第２の樹脂部分４４ａの厚さと同一になっている。
【０１０４】
樹脂体４６の第２及び第３の樹脂部分（４４ａ，４５ａ）は、マルチ配線基板１０の他方の長辺１１ｂを横切る方向に沿って延在し、第３の樹脂部分４５ａは、マルチ配線基板１０の他方の長辺１１ｂで終端している。
【０１０５】
このように構成された樹脂体４６は、マルチ配線基板１０の主面１０ｘに密着する第３の樹脂部分４５ａの厚さがマルチ配線基板１０の外側に位置する第１及び第２の樹脂部分（４２ａ，４４ａ）の高さよりも低くなっており、しかも第３の部分４５ａが配線基板１０の他方の長辺１１ｂにおいて終端しているため、樹脂封止体２９ａに対して樹脂体４６をマルチ配線基板１０の厚さ方向に折り曲げた時、第２の樹脂部分４４ａと第３の樹脂部分４５ａとの間の連結部分（分離部４６ｐ）に曲げ応力が集中し、この分離部４６ｐに亀裂を入れることができる。
【０１０６】
ブレイク工程では、図２４（ａ）に示すように、ステージ３５に配置されたマルチ配線基板１０をパッケージ押さえ部材３６によって固定し、その後、樹脂体３２の分離部３２ｐに曲げ応力が集中するように樹脂封止体２９ａに対して樹脂体３２をマルチ配線基板１０の厚さ方向に折り曲げて、分離部３２ｐに亀裂を入れると共に、樹脂体４６の分離部４６ｐに曲げ応力が集中するように樹脂封止体２９ａに対して樹脂体４６をマルチ配線基板１０の厚さ方向に折り曲げて、分離部４６ｐに亀裂を入れる。これにより、図２４（ｂ）に示すように、分離部３２ｐから樹脂体３２が分離されるため、樹脂体３２のうち、マルチ配線基板１０の外側に位置する第１及び第２の樹脂部分（３２ａ，３２ｂ）が除去される。また、分離部４６ｐから樹脂体４６が分離されるため、樹脂体４６のうち、マルチ配線基板１０の外側に位置する第１及び第２の樹脂部分（４２ａ，４４ａ）が除去される。
この後、前述の実施例１と同様の工程を施すことにより、半導体装置がほぼ完成する。
【０１０７】
このように、フローキャビティ４２を備えた成形金型２０を使用することにより、封止用キャビティ２９内における熱硬化性樹脂の未充填を抑制できるため、樹脂封止体２９ａの成形不良を抑制することができると共に、前述の実施例１と同様の効果が得られる。
【実施例３】
【０１０８】
本実施例３では、個別モールディング方式を採用する半導体装置について説明する。
図２５乃至図３２は、本実施例３の半導体装置に係る図であり、
図２５は、半導体装置の内部構造を示す図（（ａ）は透視的平面図，（ｂ）は（ａ）のｇ−ｇ線に沿う断面図）、
図２６は、半導体装置の製造に使用されるマルチ配線基板の構成を示す図（（ａ）は平面図，（ｂ）は断面図）、
図２７は、半導体装置の製造において、成型金型にマルチ配線基板を型締めした状態を示す透視的平面図、
図２８は、図２７のｈ−ｈ線に沿う断面図、
図２９は、図２７のｉ−ｉ線に沿う断面図、
図３０は、半導体装置の製造において、成形金型の封止用キャビティ（樹脂封止体成形部）に樹脂を注入して樹脂封止体を形成した状態を示す透視的平面図、
図３１は、図３０のｊ−ｊ線に沿う断面図、
図３２は、半導体装置の製造において、ブレイク工程を説明するための断面図（（ａ），（ｂ））である。
【０１０９】
本実施例３の半導体装置１ａは、図２５（（ａ），（ｂ））に示すように、配線基板５４の主面５４ｘに半導体チップ２が実装され、配線基板５４の裏面５４ｙに突起状電極として例えばボール形状の半田バンプ８が複数個配置されたパッケージ構造になっている。
【０１１０】
半導体チップ２、複数のボンディングワイヤ６等は、配線基板５４の主面５４ｘ側に選択的に形成された樹脂封止体７によって樹脂封止されている。本実施例３の樹脂封止体７の平面サイズは、配線基板５４の平面サイズよりも若干小さくなっている。
【０１１１】
樹脂封止体７の互いに反対側に位置する２つの角部において、一方の角部の外側には、樹脂封止体７と一体化された樹脂体７０ａが配置され、他方の角部の外側には、樹脂封止体７と一体化された樹脂体３０ａが配置されている。樹脂体７０ａ及び３０ａは、配線基板５４の主面５４ｘ上に配置されている。
【０１１２】
半導体装置１ａの製造では、図２６（（ａ），（ｂ））に示すマルチ配線基板５０、及び図２７乃至図２９に示す成形金型６０が使用される。
【０１１３】
図２６（（ａ），（ｂ））に示すように、マルチ配線基板５０は、その厚さ方向と交差する平面形状が方形状になっており、本実施例では長方形になっている。マルチ配線基板５０の主面（チップ搭載面）５０ｘには複数の製品形成領域１４が一列配置で設けられ、各々の製品形成領域１４の中にはモールド領域１２が設けられ、各々のモールド領域１２の中にはチップ搭載領域が設けられている。各製品形成領域１４は、その４つの辺に対応して製品形成領域１４の外側に設けられた４つのスリット１７で囲まれている。本実施例３において、マルチ配線基板５０は、これに限定されないが、例えばその長辺方向に沿って一列に配置された５個の製品形成領域１４を有する構成になっている。
【０１１４】
成形金型６０は、図２７乃至図２９に示すように、上下方向（Ｚ方向）に重ね合う上型６０ａ及び下型６０ｂを有し、更に、ポット６１、カル部６２、ランナ（樹脂流通路）６３、樹脂注入ゲート６８、封止用キャビティ（樹脂封止体成形部）６９、ランナ３０、エアベント部３１等を有する構成になっている。マルチ配線基板５０は、図２９に示すように、上型６０ａの狭持面（合わせ面）ａ１と下型６０ｂの狭持面ｂ１との間に配置され、上型６０ａと下型６０ｂとを型締めした時の型締め力によって狭持固定される。
【０１１５】
図２８に示すように、カル部６２、ランナ（樹脂流通路）６３、樹脂注入ゲート６８、封止用キャビティ（樹脂封止体形成部）６９、ランナ（樹脂流通路）３０、及びエアベント部３１等は、これに限定されないが、例えば上型６０ａ側に設けられ、上型６０ａの狭持面ａ１よりも深さ方向に窪む凹部で構成されている。ポット６１は、これに限定されないが、例えば下型６０ｂ側に設けられている。
【０１１６】
図２７乃至図２９に示すように、成形金型６０にマルチ配線基板５０を位置決めして型締めした時、封止用キャビティ６９は、マルチ配線基板６０の主面６０ｘ上に配置され、各製品形成領域１４に対応して複数設けられている。封止用キャビティ６９の平面形状は、例えば正方形になっている。
【０１１７】
ポット６１、カル部６２、ランナ６３、樹脂注入ゲート６８、ランナ（樹脂流通路）３０、及びエアベント部３１等は、複数の封止用キャビティ６９に対応して複数設けられている。
【０１１８】
複数のカル部２２の各々は、マルチ配線基板６０の互いに反対側に位置する２つの長辺（５１ａ，５１ｂ）のうちの一方の長辺５１ａの外側に位置し、この一方の長辺５１ａに沿って配置されている。
【０１１９】
ランナ６３は、対応するカル部６２と封止用キャビティ６９との間に位置し、マルチ配線基板５０の一方の長辺５１ａを横切っている。ランナ６３は、一端側が対応するカル部６２に連なり、他端側が対応する封止用キャビティ６９の第１の角部に連なっている。
【０１２０】
樹脂注入ゲート６８は、ランナ６３と封止用キャビティ６９の第２の角部との連結部に設けられている。
【０１２１】
各ランナ３０は、マルチ配線基板５０の他方の長辺５１ｂ側に位置し、マルチ配線基板５０の主面５０ｘ上に配置されている。ランナ３０は、一端側が封止用キャビティ６９の第１の角部と反対側の第２の角部に連なり、一端側と反対側の他端側がマルチ配線基板５０の他方の長辺５１ｂよりも内側で終端している。
【０１２２】
各エアベント部３１は、対応するランナ３０の他端側に連なっている。各ポット６１は、対応するカル部６２と重なる位置に配置されている。
【０１２３】
図２７及び図２８に示すように、ランナ６３は、カル部６２に連なり、マルチ配線基板５０の外側に位置する第１の部分６６と、この第１の部分６６及び封止用キャビティ６９の第１の角部に連なり、マルチ配線基板１０の主面１０ｘ上に位置する第２の部分６７とを有する構成になっている。図２８に示すように、第２の部分６７の高さ（マルチ配線基板５０の主面５０ｘからの高さ）６７ｈは、第１の部分６６の高さ（マルチ配線基板５０の主面５０ｘからの高さ）６６ｈよりも低くなっており、更に封止用キャビティ６９の高さ（マルチ配線基板５０の主面５０ｘからの高さ）６９ｈよりも低くなっている。本実施例３において、ランナ６３の第２の部分６７の高さ６７ｈは、例えば、樹脂注入ゲート６８の高さ（マルチ配線基板５０の主面５０ｘからの高さ）と同じ設定になっている。
【０１２４】
ランナ３０は、マルチ配線基板５０の主面５０ｘからの高さ３０ｈが封止用キャビティ６９の高さ６９ｈよりも低くなっている。本実施例１において、ランナ３０の高さ３０ｈは、例えばランナ６３の第２の部分６７の高さ６７ｈと同じ設定になっている。
【０１２５】
次に、半導体装置１ａの製造について、図２６乃至図３２を用いて説明する。
まず、マルチ配線基板５０、及び成形金型６０を準備する。
【０１２６】
次に、図２６（（ａ），（ｂ））に示すように、マルチ配線基板５０の複数ある製品形成領域１４の各々のチップ搭載領域に、接着材を介在して半導体チップ２を接着固定し、その後、マルチ配線基板５０の各製品形成領域１４において、図２６（（ａ），（ｂ））に示すように、製品形成領域１４の複数の接続用パッド５（図２５（ａ）参照）と、この製品形成領域１４に搭載された半導体チップ２の複数の接続用パッド３（図２５（ａ）参照）とを複数のボンディングワイヤ６で夫々電気的に接続する。この工程により、マルチ配線基板５０の主面に複数の製品形成領域１４に対応して複数の半導体チップ２が実装される。
【０１２７】
次に、図２７乃至図２９に示すように、成形金型６０の上型６０ａと下型６０ｂとの間にマルチ配線基板５０を位置決めして型締めする。この時、マルチ配線基板５０の位置決めは、マルチ配線基板５０の位置決め孔１６に成形金型６０のパイロットピンを挿入することによって行われる。また、マルチ配線基板５０は、上型６０ａと下型６０ｂとを型締めした時の型締め力によって挟持固定される。
なお、上型６０ａと下型６０ｂとを型締めする前に、各ポット６１に予め加熱された樹脂タブレット３３が投入される。
【０１２８】
次に、成形金型６０を加熱して樹脂タブレット３３を溶融し、ポット６１内のプランジャ３４を上昇させる。このプランジャ３４の上昇による圧力により、図３０及び図３１に示すように、溶融した熱硬化性樹脂は、ポット６１からカル部６２、ランナ６３、樹脂注入ゲート６８を通して封止用キャビティ６９に注入される。マルチ配線基板５０の複数の製品形成領域１４に対応してマルチ配線基板５０の主面５０ｘに実装された複数の半導体チップ２は、封止用キャビティ６９に注入された熱硬化性樹脂によって各製品形成領域１４毎に樹脂封止され、これらを樹脂封止した熱硬化性樹脂が硬化することにより、各封止用キャビティ６９の中に樹脂封止体６９ａが形成される。
【０１２９】
この樹脂封止工程において、熱硬化性樹脂は、成形金型６０のポット６１からカル部６２、ランナ６３及び樹脂注入ゲート６８等を通して封止用キャビティ６９に注入されるため、封止用キャビティ６９で形成される樹脂封止体２９ａとは別に、カル部６２、ランナ６３等に残存する熱硬化性樹脂によって樹脂体（不要樹脂体）７０が形成される。この樹脂体７０は、樹脂封止体６９ａと一体に形成される。
【０１３０】
また、この工程において、ランナ６３と反対側のランナ３０にも熱硬化性樹脂が注入され、このランナ３０に注入された熱硬化性樹脂によって樹脂封止体６９ａと一体化された樹脂体（不要樹脂体）３０ａも同時に形成される。
【０１３１】
次に、樹脂封止体６９ａの硬化を安定させるキュア工程を施した後、成形金型を型開きして、成形金型６０からマルチ配線基板５０を取り出す。
【０１３２】
ここで、樹脂体７０及び３０ａについて説明する。
樹脂体７０は、成形金型６０のカル部６２、ランナ６３等に残存する熱硬化性樹脂によって形成されるため、カル部６２、ランナ６３等の形状とほぼ同一の形状で形成される。従って、樹脂体７０は、マルチ配線基板５０の一方の長辺５１ａの外側からその一方の長辺５１ａを横切って樹脂封止体６９ａと一体に形成されている。
【０１３３】
樹脂体７０は、図３２に示すように、成形金型６０のカル部６２に対応する第１の樹脂部分７０ａと、成形金型６０のランナ６３の第１の部分６６に対応する第２の樹脂部分７０ｂと、成形金型６０のサブランナ６３の第２の部分６７に対応する第３の樹脂部分７０ｃとを有する構成になっている。第１及び第２の樹脂部分（７０ａ，７０ｂ）は、マルチ配線基板５０の外側に位置し、第２の樹脂部分７０ｂは、第１の樹脂部分７０ａに連なっている。第３の樹脂部分７０ｃは、マルチ配線基板５０の主面５０ｘ上に位置し、第２の樹脂部分７０ｂ及び樹脂封止体６９ａに連なっている。
【０１３４】
第３の樹脂部分７０ｃの厚さ（マルチ配線基板５０の主面５０ｘからの厚さ）は、第２の樹脂部分７０ｂの厚さ（マルチ配線基板５０の主面５０ｘからの厚さ）よりも薄くなっており、更に樹脂封止体６９ａの厚さ（マルチ配線基板５０の主面５０ｘからの厚さ）よりも薄くなっている。第１の樹脂部分７０ａの厚さ（マルチ配線基板５０の主面５０ｘからの厚さ）は、第２の樹脂部分７０ｂの厚さよりも厚くなっている。
【０１３５】
樹脂体７０の第２及び第３の樹脂部分（７０ｂ，７０ｃ）は、マルチ配線基板５０の一方の長辺５１ａを横切る方向に沿って延在し、第３の樹脂部分７０ｃは、マルチ配線基板５０の一方の長辺５１ａで終端している。
【０１３６】
このように構成された樹脂体７０は、マルチ配線基板５０の主面５０ｘに密着する第３の樹脂部分７０ｃの厚さがマルチ配線基板５０の外側に位置する第１及び第２の樹脂部分（７０ａ，７０ｂ）の厚さよりも薄くなっており、しかも第３の樹脂部分７０ｃが配線基板５０の一方の長辺５１ａにおいて終端しているため、樹脂封止体６９ａに対して樹脂体７０をマルチ配線基板５０の厚さ方向に折り曲げた時、第２の樹脂部分７０ｂと第３の樹脂部分７０ｃとの間の連結部分（分離部７０ｐ）に曲げ応力が集中し、この分離部７０ｐに亀裂を入れることができる。
【０１３７】
樹脂体３０ａは、成形金型６０のランナ３０に残存する熱硬化性樹脂によって形成されるため、ランナ３０とほぼ同一の形状で形成される。従って、樹脂体３０ａは、マルチ配線基板５０の他方の長辺５１ｂ側において、マルチ配線基板５０の主面５０ｘ上に形成される。また、樹脂体３０ａは、一端側が樹脂封止体６９ａに連なり、一端側と反対側がマルチ配線基板５０の他方の長辺５１ｂよりも内側で終端している。また、樹脂体３０ａは、マルチ配線基板５０の主面５０ｘからの厚さが樹脂封止体６９ａの厚さよりも薄くなっており、本実施例３において樹脂体３０ａの厚さは、例えば樹脂体７０の第３の樹脂部分７０ｃの厚さと同じ設定になっている。
【０１３８】
次に、図３２（ａ）に示すように、ステージ３５に配置されたマルチ配線基板５０をパッケージ押さえ部材３６によって固定し、その後、樹脂体７０の分離部７０ｐに曲げ応力が集中するように樹脂封止体６９ａに対して樹脂体７０をマルチ配線基板５０の厚さ方向に折り曲げて、分離部７０ｐに亀裂を入れる。これにより、図３２（ｂ）に示すように、分離部７０ｐから樹脂体７０が分離されるため、樹脂体７０のうち、マルチ配線基板１０の外側に位置する第１及び第２の樹脂部分（７０ａ，７０ｂ）が除去される。
【０１３９】
この後、前述の実施例１と同様の工程を施すことにより、図２５（（ａ），（ｂ））に示す半導体装置１ａがほぼ完成する。
このように、本実施例３においても、前述の実施例１と同様の効果が得られる。
【０１４０】
以上、本発明者によってなされた発明を、前記実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは勿論である。
【０１４１】
例えば、本発明は、配線基板に突起状電極を介在して半導体チップが実装（フリップチップ実装）された半導体装置にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１４２】
【図１】本発明の実施例１である半導体装置の内部構造を示す図（（ａ）は平面図，（ｂ）は（ａ）のａ−ａ線に沿う断面図）である。
【図２】本発明の実施例１である半導体装置の製造に使用されるマルチ配線基板（多数個取り配線基板）の構成を示す図（（ａ）は平面図，（ｂ）は断面図）である。
【図３】本発明の実施例１である半導体装置の製造において、マルチ配線基板に半導体チップを実装した状態を示す図（（ａ）は平面図，（ｂ）は断面図）である。
【図４】本発明の実施例１である半導体装置の製造において、成形金型にマルチ配線基板を型締めした状態を示す透視的平面図である。
【図５】図４のｂ−ｂ線に沿う断面図である。
【図６】図４のｃ−ｃ線に沿う断面図である。
【図７】図５の一部（図に向かって左側部分）を拡大した断面図である。
【図８】図５の一部（図に向かって右側部分）を拡大した断面図である。
【図９】本発明の実施例１である半導体装置の製造において、成形金型の封止用キャビティ（樹脂封止体成形部）に樹脂を注入して樹脂封止体を形成した状態を示す透視的平面図である。
【図１０】図９のｄ−ｄ線に沿う断面図である。
【図１１】本発明の実施例１である半導体装置の製造において、樹脂封止工程の完了後に成形金型からマルチ配線基板を取り出した状態を示す断面図である。
【図１２】本発明の実施例１である半導体装置の製造において、ブレイク工程を説明するための断面図（（ａ），（ｂ））である。
【図１３】本発明の実施例１である半導体装置の製造において、バンプ形成工程を説明するための図（（ａ）は平面図，（ｂ）は断面図）である。
【図１４】本発明の実施例１である半導体装置の製造において、小片化工程を説明するための断面図である。
【図１５】本発明の実施例１である半導体装置の製造において、マルチ配線基板の搬送状態を示す平面図である。
【図１６】図１５のｅ−ｅ線に沿う断面図である。
【図１７】本発明の実施例１の変形例１である半導体装置の製造において、マルチ配線基板の搬送状態を示す断面図である。
【図１８】本発明の実施例１の変形例２である半導体装置の製造において、成形金型にマルチ配線基板を型締めした状態を示す断面図である。
【図１９】本発明の実施例１の変形例３である半導体装置の製造において、成形金型にマルチ配線基板を型締めした状態を示す断面図である。
【図２０】本発明の実施例２である半導体装置の製造において、成形金型にマルチ配線基板を型締めした状態を示す透視的平面図である。
【図２１】図２０のｆ−ｆ線に沿う断面図である。
【図２２】図２１の一部（図に向かって右側部分）を拡大した断面図である。
【図２３】本発明の実施例２である半導体装置の製造において、樹脂封止工程の完了後に成形金型からマルチ配線基板を取り出した状態を示す断面図である。
【図２４】本発明の実施例２である半導体装置の製造において、ブレイク工程を説明するための断面図（（ａ），（ｂ））である。
【図２５】本発明の実施例３である半導体装置の内部構造を示す図（（ａ）は透視的平面図，（ｂ）は（ａ）のｇ−ｇ線に沿う断面図）である。
【図２６】本発明の実施例３である半導体装置の製造に使用されるマルチ配線基板の構成を示す図（（ａ）は平面図，（ｂ）は断面図）である。
【図２７】本発明の実施例３である半導体装置の製造において、成型金型にマルチ配線基板を型締めした状態を示す透視的平面図である。
【図２８】図２７のｈ−ｈ線に沿う断面図である。
【図２９】図２７のｉ−ｉ線に沿う断面図である。
【図３０】本発明の実施例３である半導体装置の製造において、成形金型の封止用キャビティ（樹脂封止体成形部）に樹脂を注入して樹脂封止体を形成した状態を示す透視的平面図である。
【図３１】図３０のｊ−ｊ線に沿う断面図である。
【図３２】本発明の実施例３である半導体装置の製造において、ブレイク工程を説明するための断面図（（ａ），（ｂ））である。
【図３３】従来の一括モールディング方式を採用する半導体装置の製造におけるゲートブレイク工程を示す断面図（（ａ），（ｂ））である。
【図３４】従来の一括モールディング方式を採用する半導体装置の製造において、マルチ配線基板の搬送状態を示す断面図である。
【図３５】従来の一括モールディング方式を採用する半導体装置の製造において、マルチ配線基板の搬送状態を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１４３】
１，１ａ…半導体装置、２…半導体チップ、３…パッド（ボンディングパッド）、４…配線基板、５…パッド（ボンディングパッド）、６…ボンディングワイヤ、７…樹脂封止体、８…バンプ電極、
１０…マルチ配線基板（多数個取り基板）、１２…モールド領域、１３…分離領域（ダイシング領域）、１４…製品形成領域、１５…チップ搭載領域、１６…位置決め穴、１７…スリット、
２０…成形金型、２０ａ…上型、２０ｂ…下型、２１…ポット、２２…カル部、２２ａ…樹脂体、２３…ランナー（樹脂流通路）、２４…メインランナー（メイン樹脂流通路）、２５…サブランナ（サブ樹脂流通路）、２６…第１の部分、２７…第２の部分、２８…樹脂注入ゲート、２９…キャビティ（樹脂封止体成形部）、２９ａ…樹脂封止体、３０…ランナー（樹脂流通路）、３０ａ…樹脂体、３１…エアベント、３２…不要樹脂体、３２ａ…分離部、３３…樹脂タブレット、３４…プランジャー、
３５…ステージ、３６…パッケージ押さえ部材、３７…ダイシングシート、３８…ダイシングブレード、３９…搬送レール、３９ａ…ガイド溝、
４０…吸引孔、４１…フィルム、４２…フローキャビティ、４３…ランナー、４４…第１の部分、４５…第２の部分、４６…樹脂体、４６ｐ…分離部、
５０…マルチ配線基板（多数個取り配線基板）、
６０…成形金型、６１…ポット、６２…カル部、６３…ランナー（樹脂流通路）、６６…第１の部分、６７…第２の部分、６８…樹脂注入ゲート、６９…キャビティ（樹脂封止体成形部）、７０…樹脂体。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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