(57)【要約】      （修正有）【課題】  結晶配向性の強い膜状に、エピタキシャルな関係を絶って他の膜を自由成長させることができる積層膜の製造方法及びアクチュエータ装置の製造方法並びにアクチュエータ装置、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置を提供する。【解決手段】  結晶配向性を有する下地層６０上に下地層の材料とは異なり且つエピタキシャル成長可能な材料からなる成長層７０との積層膜を製造するに際し、前記下地層６０を構成する材料と平面における結晶面及びその結晶面における原子配列が同一である材料を用い、両材料の平面における原子間距離の差が５％以下の場合には成膜時の界面における両者の原子間距離の差が５％以上となる状態とし、また両材料の原子間距離の差異が５％以上の場合には、そのまま前記下地層６０上に連続したプロセスでバッファ層６５を成膜し、このバッファ層６５上に前記成長層７０の材料を自由成長させて配向した成長層７０を成膜する。【選択図】    図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶配向性を有する下地層の上に当該下地層の材料とは異なり且つエピタキシャル成長可能な材料からなる成長層を成膜して積層膜を製造するに際し、
前記下地層を構成する材料と平面における結晶面及びその結晶面における原子配列が同一である材料を用い、両材料の平面における原子間距離の差が５％以下の場合には成膜時の界面における両者の原子間距離の差が５％以上となる状態として又は両材料の原子間距離の差異が５％以上の場合にはそのまま、前記下地層上に連続したプロセスでバッファ層を配向が定まらない状態で成膜し、このバッファ層上に前記成長層の材料を自由成長させて配向した成長層を成膜することを特徴とする積層膜の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、前記両材料の平面における原子間距離の差が５％以下の場合においては、前記下地層の内部に引張又は圧縮の応力を存在させるようにして成膜時の界面における両者の原子間距離の差を５％以上とすることを特徴とする積層膜の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記下地層及び前記バッファ層をスパッタリング法により形成すると共に、両者を真空から開放せずに連続して積層形成することにより前記バッファ層を配向が定まらない状態で成膜することを特徴とする積層膜の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３の何れかにおいて、前記下地層が、結晶面方位が（１１１）配向の白金（Ｐｔ）又はイリジウム（Ｉｒ）からなり、前記バッファ層が六法晶系の材料からなり、前記成長層が、結晶面方位が（１００）配向の強誘電体材料であることを特徴とする積層膜の製造方法。
【請求項５】
請求項４において、前記六法晶系の材料が、チタン（Ｔｉ）、テルル（Ｔｅ）、及びイリドスミン（ＯｓとＩｒの合金）からなる群から選択される一種であることを特徴とする積層膜の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜３の何れかにおいて、前記下地層が、結晶面方位が（１１１）の酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、又は結晶面方位が（１００）のイットリウム（Ｙ）若しくはカルシウム（Ｃａ）を添加したＦＳＺからなり、前記バッファ層が、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなり、前記成長層が、結晶面方位が（１１１）の白金（Ｐｔ）又はイリジウム（Ｉｒ）であることを特徴とする積層膜の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜３の何れかの積層膜の製造方法を用いて、基板の一方面側に設けられた振動板と、該振動板上に設けられた下電極、圧電体層及び上電極からなる圧電素子とを具備するアクチュエータ装置を製造することを特徴とするアクチュエータ装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７において、前記積層膜の製造方法を、結晶面方位が（１００）配向の白金（Ｐｔ）又はイリジウム（Ｉｒ）からなる下電極上に、六法晶系のチタン（Ｔｉ）、テルル（Ｔｅ）、及びイリドスミン（ＯｓとＩｒの合金）からなる群から選択される一種からなるバッファ層を介して、結晶面方位が（１００）配向のチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）からなる圧電体層を形成する工程に適用することを特徴とするアクチュエータ装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７又は８において、前記積層膜の製造方法を、結晶面方位が（１１１）の酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、又は結晶面方位が（１００）のイットリウム（Ｙ）若しくはカルシウム（Ｃａ）を添加したＦＳＺからなる振動板上に、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなるバッファ層を介して、結晶面方位が（１１１）の白金（Ｐｔ）又はイリジウム（Ｉｒ）からなる下電極を成膜する工程に適用することを特徴とするアクチュエータ装置の製造方法。
【請求項１０】
基板の一方面側に設けられた振動板と、該振動板上に設けられた下電極、圧電体層及び上電極からなる圧電素子とを具備するアクチュエータ装置において、
前記下電極が、結晶面方位が（１００）配向の白金（Ｐｔ）又はイリジウム（Ｉｒ）からなると共に、前記圧電体層が、結晶面方位が（１００）配向の強誘電体材料からなり、当該圧電体層は、前記下電極上に形成された、六法晶系のチタン（Ｔｉ）、テルル（Ｔｅ）、及びイリドスミン（ＯｓとＩｒの合金）からなる群から選択される一種からなる膜を介して成膜されて自由成長した膜であることを特徴とするアクチュエータ装置。
【請求項１１】
請求項１０において、前記振動板として作用する結晶面方位が（１１１）の酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、又は結晶面方位が（１００）のイットリウム（Ｙ）若しくはカルシウム（Ｃａ）を添加したＦＳＺからなる膜を有し、この膜上に成膜された酸化マグネシウム（ＭｇＯ）膜を介して前記下電極が成膜されていることを特徴とするアクチュエータ装置。
【請求項１２】
請求項１０又は１１のアクチュエータ装置を、前記基板に形成された圧力発生室に対向する領域に設けて当該圧力発生室内の液体をノズル開口から吐出させるための圧力を発生させる圧力発生手段として構成したことを特徴とする液体噴射ヘッド。
【請求項１３】
請求項１２の液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層膜の製造方法及びアクチュエータ装置の製造方法並びにアクチュエータ装置、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
圧電素子は、電気機械変換機能を呈する圧電材料からなる圧電体膜を２つの電極で挟んだ素子であり、圧電体膜は、例えば、結晶化した圧電性セラミックスにより構成されている。
【０００３】
また、このような圧電素子を用いた液体噴射ヘッドとしては、例えば、インク滴を吐出するノズル開口と連通する圧力発生室の一部を振動板で構成し、この振動板を圧電素子により変形させて圧力発生室のインクを加圧してノズル開口からインク滴を吐出させるインクジェット式記録ヘッドがある。インクジェット式記録ヘッドには、圧電素子の軸方向に伸長、収縮する縦振動モードの圧電アクチュエータを使用したものと、たわみ振動モードの圧電アクチュエータを使用したものの２種類が実用化されている。たわみ振動モードのアクチュエータを使用したものとしては、例えば、振動板の表面全体に亙って成膜技術により均一な圧電体膜を形成し、この圧電体層をリソグラフィ法により圧力発生室に対応する形状に切り分けることによって各圧力発生室毎に独立するように圧電素子を形成したものが知られている。
【０００４】
この圧電体層（圧電体薄膜）としては、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等の強誘電体が用いられている。そして、このような圧電体薄膜は、例えば、下部電極上にスパッタ等によりチタン結晶を形成し、このチタン結晶上にゾル−ゲル法により圧電体前駆体膜を形成すると共にこの圧電体前駆体膜を焼成することによって形成される（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
これにより、圧電体層は、下地であるチタンによって下電極の影響を受けることなく自由成長し、その結晶面方位は大半が（１００）配向となり、圧電特性を高めることができる。
【０００６】
しかしながら、下電極上にチタンを形成して圧電体層を（１００）配向で成膜するためには、厳格な工程管理が要求されるため、製造工程が煩雑となり、製造効率が悪いという問題がある。
【０００７】
なお、このような問題は、インクジェット式記録ヘッド等の液体噴射ヘッドに搭載されるアクチュエータ装置に限って発生するものではなく、他の装置に搭載されるアクチュエータ装置においても同様に発生する。
【０００８】
【特許文献１】特開２００１−２７４４７２号公報（第５頁）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、このような事情に鑑み、結晶配向性の強い膜状に、エピタキシャルな関係を絶って他の膜を自由成長させることができる積層膜の製造方法及びアクチュエータ装置の製造方法並びにアクチュエータ装置、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決する本発明の第１の態様は、結晶配向性を有する下地層の上に当該下地層の材料とは異なり且つエピタキシャル成長可能な材料からなる成長層を成膜して積層膜を製造するに際し、前記下地層を構成する材料と平面における結晶面及びその結晶面における原子配列が同一である材料を用い、両材料の平面における原子間距離の差が５％以下の場合には成膜時の界面における両者の原子間距離の差が５％以上となる状態として又は両材料の原子間距離の差異が５％以上の場合にはそのまま、前記下地層上に連続したプロセスでバッファ層を配向が定まらない状態で成膜し、このバッファ層上に前記成長層の材料を自由成長させて配向した成長層を成膜することを特徴とする積層膜の製造方法にある。
かかる第１の態様では、結晶配向性の強い下地層の上に、この下地層を構成する材料と平面における結晶面及びその結晶面における原子配列が同一である材料を用い、両材料の平面における原子間距離の差が５％以下の場合には成膜時の界面における両者の原子間距離の差が５％以上となる状態として又は両材料の原子間距離の差異が５％以上の場合にはそのまま、連続したプロセスでバッファ層を成膜するので、バッファ層は配向が定まらない状態で成膜され、この結果、このバッファ層上に成膜される成長膜は下地層とのエピタキシャルな関係が絶たれて自由成長するので、厳格な工程管理を必要とせずに結晶面が配向した膜となる。
【００１１】
本発明の第２の態様は、第１の態様において、前記両材料の平面における原子間距離の差が５％以下の場合においては、前記下地層の内部に引張又は圧縮の応力を存在させるようにして成膜時の界面における両者の原子間距離の差を５％以上とすることを特徴とする積層膜の製造方法にある。
かかる第２の態様では、バッファ層の成膜の際に下地層の内部に引張又は圧縮の応力を存在させるようにして成膜時の界面における両者の原子間距離の差を５％以上とすることにより、バッファ層は配向が定まらない状態で成膜される。
【００１２】
本発明の第３の態様は、第１又は２の態様において、前記下地層及び前記バッファ層をスパッタリング法により形成すると共に、両者を真空から開放せずに連続して積層形成することにより前記バッファ層を配向が定まらない状態で成膜することを特徴とする積層膜の製造方法にある。
かかる第３の態様では、下地層及びバッファ層をスパッタリング法により形成すると共に、両者を真空から開放せずに連続して積層形成することにより、両者は、基板温度の低下や成膜時のガス以外のガスに接触することなく、連続したプロセスで成膜され、この結果、バッファ層を配向が定まらない状態で成膜される。
【００１３】
本発明の第４の態様は、第１〜３の何れかの態様において、前記下地層が、結晶面方位が（１１１）配向の白金（Ｐｔ）又はイリジウム（Ｉｒ）からなり、前記バッファ層が六法晶系の材料からなり、前記成長層が、結晶面方位が（１００）配向の強誘電体材料であることを特徴とする積層膜の製造方法にある。
かかる第４の態様では、結晶面方位が（１１１）配向の白金（Ｐｔ）又はイリジウム（Ｉｒ）からなる下地層の上に、六法晶系の材料からなるバッファ層が配向の定まらない状態で成膜され、この上に結晶面方位が（１００）配向のチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）などの強誘電体材料からなる成長層が自由成長される。
【００１４】
本発明の第５の態様は、第４の態様において、前記六法晶系の材料が、チタン（Ｔｉ）、テルル（Ｔｅ）、及びイリドスミン（ＯｓとＩｒの合金）からなる群から選択される一種であることを特徴とする積層膜の製造方法にある。
かかる第５の態様では、結晶面方位が（１１１）配向の白金（Ｐｔ）又はイリジウム（Ｉｒ）からなる下地層の上に、チタン（Ｔｉ）、テルル（Ｔｅ）、及びイリドスミン（ＯｓとＩｒの合金）からなる群から選択される一種からなる下地層が配向の定まらない状態で成膜され、この上に結晶面方位が（１００）配向のチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）などの強誘電体材料からなる成長層が自由成長する。
【００１５】
本発明の第６の態様は、第１〜３の何れかの態様において、前記下地層が、結晶面方位が（１１１）の酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、又は結晶面方位が（１００）のイットリウム（Ｙ）若しくはカルシウム（Ｃａ）を添加したＦＳＺからなり、前記バッファ層が、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなり、前記成長層が、結晶面方位が（１１１）の白金（Ｐｔ）又はイリジウム（Ｉｒ）であることを特徴とする積層膜の製造方法にある。
かかる第６の態様では、結晶面方位が（１１１）の酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、又は結晶面方位が（１００）のイットリウム（Ｙ）若しくはカルシウム（Ｃａ）を添加したＦＳＺからなる下地層上に、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなるバッファ層が配向の定まらない状態で成膜され、この上に結晶面方位が（１１１）の白金（Ｐｔ）又はイリジウム（Ｉｒ）からなる成長層が自由成長する。
【００１６】
本発明の第７の態様は、第１〜３の何れかの態様の積層膜の製造方法を用いて、基板の一方面側に設けられた振動板と、該振動板上に設けられた下電極、圧電体層及び上電極からなる圧電素子とを具備するアクチュエータ装置を製造することを特徴とするアクチュエータ装置の製造方法にある。
かかる第７の態様では、結晶配向性の強い下地層上に、所定のバッファ層を介して成長層を成膜することにより、下地層とのエピタキシャルな関係を絶って成長層が自由成長する。
【００１７】
本発明の第８の態様は、第７の態様において、前記積層膜の製造方法を、結晶面方位が（１００）配向の白金（Ｐｔ）又はイリジウム（Ｉｒ）からなる下電極上に、六法晶系のチタン（Ｔｉ）、テルル（Ｔｅ）、及びイリドスミン（ＯｓとＩｒの合金）からなる群から選択される一種からなるバッファ層を介して、結晶面方位が（１００）配向の強誘電体材料からなる圧電体層を形成する工程に適用することを特徴とするアクチュエータ装置の製造方法にある。
かかる第８の態様では、結晶面方位が（１００）配向の白金（Ｐｔ）又はイリジウム（Ｉｒ）からなる下電極上に、六法晶系のチタン（Ｔｉ）、テルル（Ｔｅ）、及びイリドスミン（ＯｓとＩｒの合金）からなる群から選択される一種からなるバッファ層を介して、結晶面方位が（１００）配向のチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）などの強誘電体材料からなる圧電体層を成膜するので、当該圧電体層は、バッファ層により下電極とのエピタキシャルな関係を絶って成膜されて自由成長し、結晶面の配向した状態で成膜される。
【００１８】
本発明の第９の態様は、第７又は８の態様において、前記積層膜の製造方法を、結晶面方位が（１１１）の酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、又は結晶面方位が（１００）のイットリウム（Ｙ）若しくはカルシウム（Ｃａ）を添加したＦＳＺからなる振動板上に、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなるバッファ層を介して、結晶面方位が（１１１）の白金（Ｐｔ）又はイリジウム（Ｉｒ）からなる下電極を成膜する工程に適用することを特徴とするアクチュエータ装置の製造方法にある。
かかる第９の態様では、結晶面方位が（１１１）の酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、又は結晶面方位が（１００）のイットリウム（Ｙ）若しくはカルシウム（Ｃａ）を添加したＦＳＺからなる振動板上に、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなるバッファ層を介して、結晶面方位が（１１１）の白金（Ｐｔ）又はイリジウム（Ｉｒ）からなる下電極を成膜するので、当該下電極は、バッファ層により振動板とのエピタキシャルな関係を絶って成膜されて自由成長し、結晶面の配向した状態で成膜される。
【００１９】
本発明の第１０の態様は、基板の一方面側に設けられた振動板と、該振動板上に設けられた下電極、圧電体層及び上電極からなる圧電素子とを具備するアクチュエータ装置において、前記下電極が、結晶面方位が（１００）配向の白金（Ｐｔ）又はイリジウム（Ｉｒ）からなると共に、前記圧電体層が、結晶面方位が（１００）配向の強誘電体材料からなり、当該圧電体層は、前記下電極上に形成された、六法晶系のチタン（Ｔｉ）、テルル（Ｔｅ）、及びイリドスミン（ＯｓとＩｒの合金）からなる群から選択される一種からなる膜を介して成膜されて自由成長した膜であることを特徴とするアクチュエータ装置にある。
かかる第１０の態様では、結晶面方位が（１００）配向の白金（Ｐｔ）又はイリジウム（Ｉｒ）からなる下電極上に、六法晶系のチタン（Ｔｉ）、テルル（Ｔｅ）、及びイリドスミン（ＯｓとＩｒの合金）からなる群から選択される一種からなる膜を介して、結晶面方位が（１００）配向のチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）などの強誘電体材料が成膜されているので、圧電体層は自由成長し、圧電特性に優れたアクチュエータ装置となる。
【００２０】
本発明の第１１の態様は、第１０の態様において、前記振動板として作用する結晶面方位が（１１１）の酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、又は結晶面方位が（１００）のイットリウム（Ｙ）若しくはカルシウム（Ｃａ）を添加したＦＳＺからなる膜を有し、この膜上に成膜された酸化マグネシウム（ＭｇＯ）膜を介して前記下電極が成膜されていることを特徴とするアクチュエータ装置にある。
かかる第１１の態様では、振動板として作用する結晶面方位が（１１１）の酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、又は結晶面方位が（１００）のイットリウム（Ｙ）若しくはカルシウム（Ｃａ）を添加したＦＳＺからなる膜の上に、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）膜を介して下電極が成膜されているので、下電極は自由成長した結晶面が配向した膜となる。
【００２１】
本発明の第１２の態様は、第１０又は１１の態様のアクチュエータ装置を、前記基板に形成された圧力発生室に対向する領域に設けて当該圧力発生室内の液体をノズル開口から吐出させるための圧力を発生させる圧力発生手段として構成したことを特徴とする液体噴射ヘッドにある。
かかる第１２の態様では、圧電特性の優れたアクチュエータ装置を圧力発生手段として備えた液体噴射ヘッドとなる。
【００２２】
本発明の第１３の態様は、第１２の態様の液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置にある。
かかる第１３の態様では、圧電特性の優れたアクチュエータ装置を圧力発生手段として備えた液体噴射ヘッドを有する液体噴射装置となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下に本発明を実施形態に基づいて詳細に説明する。以下の実施形態では、液体噴射ヘッドの一例としてのインクジェット式記録ヘッドを本発明のアクチュエータ装置の具体例として挙げ、併せて本発明の積層膜の製造方法及びアクチュエータ装置の製造方法を説明する。
【００２４】
（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１に係るインクジェット式記録ヘッドを示す分解斜視図であり、図２は、図１の平面図及び断面図である。図示するように、流路形成基板１０は、本実施形態では面方位（１１０）のシリコン単結晶基板からなり、その一方の面には予め熱酸化により形成した二酸化シリコンからなる、厚さ０．５〜２μｍの弾性膜５０が形成されている。流路形成基板１０には、複数の圧力発生室１２がその幅方向に並設されている。また、流路形成基板１０の圧力発生室１２の長手方向外側の領域には連通部１３が形成され、連通部１３と各圧力発生室１２とが、各圧力発生室１２毎に設けられたインク供給路１４を介して連通されている。なお、連通部１３は、後述する保護基板のリザーバ部と連通して各圧力発生室１２の共通のインク室となるリザーバの一部を構成する。インク供給路１４は、圧力発生室１２よりも狭い幅で形成されており、連通部１３から圧力発生室１２に流入するインクの流路抵抗を一定に保持している。
【００２５】
また、流路形成基板１０の開口面側には、各圧力発生室１２のインク供給路１４とは反対側の端部近傍に連通するノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０が、後述するマスク膜を介して接着剤や熱溶着フィルム等によって固着されている。なお、ノズルプレート２０は、厚さが例えば、０．０１〜１ｍｍで、線膨張係数が３００℃以下で、例えば２．５〜４．５［×１０-6／℃］であるガラスセラミックス、シリコン単結晶基板又は不錆鋼などからなる。
【００２６】
一方、このような流路形成基板１０の開口面とは反対側には、上述したように、厚さが例えば約１．０μｍの二酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなる弾性膜５０が形成されている。また、この弾性膜５０上には、厚さが例えば、約０．１〜０．２μｍの下電極膜６０と、厚さが例えば、約１．０μｍの圧電体層７０と、厚さが例えば、約０．０５μｍの上電極膜８０とが、後述するプロセスで積層形成されて、圧電素子３００を構成している。ここで、圧電素子３００は、下電極膜６０、圧電体層７０及び上電極膜８０を含む部分をいう。一般的には、圧電素子３００の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層７０を各圧力発生室１２毎にパターニングして構成する。そして、ここではパターニングされた何れか一方の電極及び圧電体層７０から構成され、両電極への電圧の印加により圧電歪みが生じる部分を圧電体能動部という。本実施形態では、下電極膜６０は圧電素子３００の共通電極とし、上電極膜８０を圧電素子３００の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。何れの場合においても、各圧力発生室毎に圧電体能動部が形成されていることになる。また、ここでは、圧電素子３００と当該圧電素子３００の駆動により変位が生じる振動板とを合わせて圧電アクチュエータと称する。なお、本実施形態では、弾性膜及び下電極膜が振動板として作用するが、勿論、弾性膜のみが振動板として作用するようにしてもよい。
【００２７】
そして、このような各圧電素子３００の上電極膜８０には、例えば、金（Ａｕ）等からなるリード電極９０がそれぞれ接続され、このリード電極９０を介して各圧電素子３００に選択的に電圧が印加されるようになっている。
【００２８】
また、流路形成基板１０上の圧電素子３００側の面には、圧電素子３００に対向する領域に圧電素子保持部３１を有する保護基板３０が接合されている。圧電素子３００は、この圧電素子保持部３１内に形成されているため、外部環境の影響を殆ど受けない状態で保護されている。さらに、保護基板３０には、流路形成基板１０の連通部１３に対応する領域にリザーバ部３２が設けられている。このリザーバ部３２は、本実施形態では、保護基板３０を厚さ方向に貫通して圧力発生室１２の並設方向に沿って設けられており、上述したように流路形成基板１０の連通部１３と連通されて各圧力発生室１２の共通のインク室となるリザーバ１００を構成している。
【００２９】
また、保護基板３０の圧電素子保持部３１とリザーバ部３２との間の領域には、保護基板３０を厚さ方向に貫通する貫通孔３３が設けられ、この貫通孔３３内に下電極膜６０の一部及びリード電極９０の先端部が露出され、これら下電極膜６０及びリード電極９０には、図示しないが、駆動ＩＣから延設される接続配線の一端が接続される。
【００３０】
なお、保護基板３０の材料としては、例えば、ガラス、セラミックス材料、金属、樹脂等が挙げられるが、流路形成基板１０の熱膨張率と略同一の材料で形成されていることがより好ましく、本実施形態では、流路形成基板１０と同一材料のシリコン単結晶基板を用いて形成した。
【００３１】
また、保護基板３０上には、封止膜４１及び固定板４２とからなるコンプライアンス基板４０が接合されている。封止膜４１は、剛性が低く可撓性を有する材料（例えば、厚さが６μｍのポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）フィルム）からなり、この封止膜４１によってリザーバ部３２の一方面が封止されている。また、固定板４２は、金属等の硬質の材料（例えば、厚さが３０μｍのステンレス鋼（ＳＵＳ）等）で形成される。この固定板４２のリザーバ１００に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部４３となっているため、リザーバ１００の一方面は可撓性を有する封止膜４１のみで封止されている。
【００３２】
このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドでは、図示しない外部インク供給手段からインクを取り込み、リザーバ１００からノズル開口２１に至るまで内部をインクで満たした後、図示しない駆動ＩＣからの記録信号に従い、圧力発生室１２に対応するそれぞれの下電極膜６０と上電極膜８０との間に電圧を印加し、弾性膜５０、下電極膜６０及び圧電体層７０をたわみ変形させることにより、各圧力発生室１２内の圧力が高まりノズル開口２１からインク滴が吐出する。
【００３３】
ここで、このようなインクジェット式記録ヘッドの製造方法について、図３〜図６を参照して説明する。なお、図３〜図６は、圧力発生室１２の長手方向の断面図である。まず、図３（ａ）に示すように、シリコンウェハである流路形成基板用ウェハ１１０を約１１００℃の拡散炉で熱酸化し、その表面に弾性膜５０を構成する二酸化シリコン膜５１を形成する。なお、本実施形態では、流路形成基板１０として、膜厚が約６２５μｍと比較的厚く剛性の高いシリコンウェハを用いている。
【００３４】
次いで、図３（ｂ）に示すように、例えば、白金又はイリジウムとからなる下電極膜６０を弾性膜５０の全面に、例えば、スパッタリング法により形成する。
【００３５】
次に、図３（ｃ）に示すように、下電極膜６０上に、チタン（Ｔｉ）を、例えば、スパッタリング法で形成し、所定の種チタン層６５を形成する。ここで、種チタン層６５の成膜は、下電極膜６０の成膜から連続プロセスで行う。この連続プロセスとは、両者の成膜処理の間に基板温度の低下及び成膜時のガス以外のガスに接触することがないことをいう。このように、連続プロセスで成膜した場合、連続で成膜しないときと比較して、種チタン層６５は下地の下電極膜６０の配向の影響を強く受けることになる。
【００３６】
ここで、下電極膜６０はアモルファスの酸化シリコンからなる弾性膜５０上に成膜されるので、自由成長により、（１１１）配向になる。また、下電極膜６０を構成するＰｔ又はＩｒは両者とも面心立方晶系であり、一方、種チタン層６５のＴｉは六方晶系であり、両者の結晶面及びその結晶面における原子配列が同一であるが、Ｐｔは格子定数が３．９２Åで結晶面内の原子間距離が２．７７Åであり、Ｉｒは格子定数が３．８３Åで結晶面内の原子間距離が２．７１Åであるが、一方、Ｔｉは格子定数が２．９２Åで結晶面内の原子間距離が２．９２Åであり、両者の原子間距離の差はそれぞれ７．７％及び５．４％と、５％以上の差がある。従って、両者はエピタキシャルな関係になく、種チタン層６５は本来自由成長するが、連続プロセスで成膜することにより、下地層である下電極膜６０の配向の影響を強く受けることになり、配向が定まらない状態で成膜される。すなわち、種チタン層６５は本来の（００２）配向とはならずに、配向が定まらない無配向状態となり、後述する圧電体層７０の成膜時に下電極膜６０の配向の影響を遮断するバッファ層として機能することになる。また、このように連続プロセスで成膜することにより、連続プロセスで成膜しないときと比較して無配向状で厚い膜を形成することができるので、バッファ層として好適であり、後述する圧電体層７０の乾燥焼成条件等の成膜条件を厳しく管理しなくても比較的容易に自由成長させることができる。但し、種チタン層６５が厚すぎると、本来の（００２）配向が出現し、この上に成膜される圧電体層は（１１１）配向になる傾向になり好ましくない。従って、種チタン層６５の厚さは、１ｎｍ〜５ｎｍ程度、好ましくは２〜５ｎｍである。
【００３７】
なお、上述したように連続プロセスで成膜した際に配向が定まらない状態で成膜されるには、結晶面及びその結晶面における原子配列が同一で且つ結晶面における原子間距離の差が５％以上の場合であるが、原子間距離の差が大きすぎても自由成長してしまう。よって、原子間距離の差は、５〜１３％の範囲、好ましくは５〜８％の範囲とするのがよい。
【００３８】
また、結晶面の原子間距離の差が５％未満の場合には、バッファ層の成膜時に両材料の原子間距離の差異が５％以上となる状態にしてバッファ層を成膜するようにすればよい。これにより、原子間距離の差が５％以上の場合と同様に、バッファ層は配向が定まらない状態で成膜し、このバッファ層上に成膜される圧電体層は自由成長して（１００）配向したものとなる。
【００３９】
なお、本発明において配向が定まらない、又は無配向という状態は、非晶質（アモルファス）を意味するものではなく、あくまでも結晶質であるが、配向が定まらない無配向の状態を意味する。すなわち、上述した例で、バッファ層である種チタン層６５が非晶質になると、下地層である下電極膜６０の配向性の拘束力を圧電体層７０に伝えないためには上述した膜厚以上の膜厚が必要となり、膜厚が薄いと、結晶化後に異相を作ってしまうという問題がある。また、バッファ層を成長層である圧電体層と同様な結晶系及び自由成長方向をもつ材料とすると、上述したようなバッファ層を用いた場合と比較して、成長層の配向がランダムになり易いという問題がある。すなわち、本発明の連続プロセスにより配向が定まらない状態のバッファ層を成膜する手法は、これらの欠点を解消するものである。
【００４０】
また、バッファ層の成膜時に両材料の原子間距離の差異が５％以上となる状態にするとは、例えば、バッファ層の成膜時に下地層の内部に引張又は圧縮の応力を存在させるようにすることである。ここで、このように下地層の内部に引張又は圧縮の応力を存在させるには、基板と下地層との熱膨張係数の差などにより発生させることができ、基板と熱膨張係数の差だけでは発生させられない場合には、例えば、基板の裏面側に他の膜を形成して応力を発生させるようにしてもよい。なお、この膜は後で除去してもよいことは言うまでもない。
【００４１】
このように原子間距離の差が５％未満であるが、上述した実施形態のＴｉの代わりに使用できる材料の組み合わせの例を以下の表１に示す。下地層としては上述した実施形態のＰｔ又はＩｒを例示し、これと組み合わせ可能なＴｉ以外の金属として、Ｔｅ及びイリドスミン（ＯｓＩｒ）を挙げた。また、表１には、各材料の結晶系、格子定数及び結晶平面内での原子間距離を挙げ、原子間距離の差を算出している。表１において、下地層の原子間距離の方が小さい場合（原子間距離の差を＋で表示したもの）には、バッファ層成膜時に下地層に圧縮の応力が存在するようにすればよく、また、下地層の原子間距離の方が大きい場合（原子間距離の差を−で表示したもの）には、引張の応力が存在するようにすればよく、これにより、原理間距離の差が５％以上とすればよい。
【００４２】
なお、上述した実施形態の場合、下地層のＩｒとバッファ層のＴｉとの原子間距離の差が７．６％であるが、バッファ層の成膜時においてはＩｒ層と基板であるシリコンとの熱膨張係数の差によりＩｒ層に圧縮の応力が発生しており、原子間距離の差はさらに大きくなっていると考えられる。
【００４３】
【表１】
2006286925.tif 000003
【００４４】
このように成膜した下電極膜６０及び種チタン層６５を、図３（ｄ）に示すように、所定形状にパターニングする。
【００４５】
ここで、このように形成した種チタン層６５の表面は、時間経過に伴ってある程度の深さまで自然酸化され、種チタン層６５の表面には酸化層（図示なし）が形成される。そして、種チタン層６５の表層にこのような酸化層が比較的厚く形成されていると、後述する工程で形成する圧電体層７０の結晶成長が阻害される虞があるため好ましくない。このため、圧電体層を形成する際、種チタン層６５の表層の酸化層の厚さ（酸化深さ）はできるだけ薄いことが好ましく、少なくとも２．０ｎｍ未満となっていることが望ましい。
【００４６】
また、このように形成される種チタン層６５は、その膜密度（Ｔｉ密度）ができるだけ高い方が好ましく、少なくとも４．５ｇ／ｃｍ３以上であることが望ましい。種チタン層６５の膜密度が高いほど上記酸化層の厚さは薄く抑えられ、圧電体層７０の結晶が良好に成長するからである。なお、種チタン層６５の膜密度は、厚さに関係なく成膜条件によって決まる。
【００４７】
そして、このように良好に形成された種チタン層６５上に、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛からなる圧電体層７０を形成することで、圧電体層７０は下電極膜６０の配向の影響を受けることなく自由成長して結晶性が向上し、且つ均一化される。例えば、本実施形態では、金属有機物を触媒に溶解・分散したいわゆるゾルを塗布乾燥してゲル化し、さらに高温で焼成することで金属酸化物からなる圧電体層７０を得る、いわゆるゾル−ゲル法を用いて圧電体層７０を形成した。
【００４８】
圧電体層７０の形成手順としては、まず、図４（ａ）に示すように、種チタン層６５上にＰＺＴ前駆体膜である圧電体前駆体膜７１を成膜する。すなわち、流路形成基板用ウェハ１１０上に金属有機化合物を含むゾル（溶液）を塗布する。次いで、圧電体前駆体膜７１を、所定温度に加熱して一定時間乾燥させ、ゾルの溶媒を蒸発させることで圧電体前駆体膜７１を乾燥させる。さらに、大気雰囲気下において一定の温度で一定時間、圧電体前駆体膜７１を脱脂する。なお、ここで言う脱脂とは、ゾル膜の有機成分を、例えば、ＮＯ２、ＣＯ２、Ｈ２Ｏ等として離脱させることである。
【００４９】
そして、このような塗布・乾燥・脱脂の工程を、所定回数、例えば、本実施形態では、２回繰り返すことで、図４（ｂ）に示すように、圧電体前駆体膜７１を所定厚に形成し、この圧電体前駆体膜７１を拡散炉で加熱処理することによって結晶化させて圧電体膜７２を形成する。すなわち、圧電体前駆体膜７１を焼成することで種チタン層６５を核として結晶が成長して圧電体膜７２が形成される。例えば、本実施形態では、約７００℃で３０分間加熱を行って圧電体前駆体膜７１を焼成して圧電体膜７２を形成した。なお、このように形成した圧電体膜７２は自由成長しており、結晶は（１００）面に優先配向する。
【００５０】
さらに、上述した塗布・乾燥・脱脂・焼成の工程を、複数回繰り返すことにより、図４（ｃ）に示すように、複数層、本実施形態では、５層の圧電体膜７２からなる所定厚さの圧電体層７０を形成する。例えば、ゾルの塗布１回あたりの膜厚が０．１μｍ程度の場合には、圧電体層７０全体の膜厚は約１μｍとなる。
【００５１】
このように本実施形態では、種チタン層６５を下電極膜６０と連続プロセスで成膜することにより、種チタン層６５を厚くしても無配向状態となり、この結果、この上に形成された圧電体層７０は幅広い温度領域で自由成長し（１００）配向の膜となる。
【００５２】
なお、圧電体層７０の材料としては、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等の強誘電性圧電性材料に、ニオブ、ニッケル、マグネシウム、ビスマス又はイットリウム等の金属を添加したリラクサ強誘電体等を用いてもよい。その組成は、圧電素子の特性、用途等を考慮して適宜選択すればよいが、例えば、ＰｂＴｉＯ３（ＰＴ）、ＰｂＺｒＯ３（ＰＺ）、Ｐｂ（ＺｒｘＴｉ１−ｘ）Ｏ３（ＰＺＴ）、Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＭＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｚｎ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＺＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｎｉ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＮＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｉｎ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＩＮ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｓｃ１／３Ｔａ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＳＴ−ＰＴ）、Ｐｂ（Ｓｃ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＳＮ−ＰＴ）、ＢｉＳｃＯ３−ＰｂＴｉＯ３（ＢＳ−ＰＴ）、ＢｉＹｂＯ３−ＰｂＴｉＯ３（ＢＹ−ＰＴ）等が挙げられる。また、圧電体層７０の製造方法は、ゾル−ゲル法に限定されず、例えば、ＭＯＤ(Metal-Organic Decomposition)法等を用いてもよい。
【００５３】
（試験例）
ここで、種チタン層６５を連続プロセスのスパッタリング法により４．５ｎｍの厚さで形成した実施例と、連続的ではなく、種チタン層を１．５ｎｍの厚さに成膜した比較例とにおいて、上述した乾燥工程の温度処理範囲を変化させた場合における圧電体層７０の配向性との関係を観察した。
【００５４】
これら実施例及び比較例に係る各圧電体層をＸ線回折広角法によって測定し、そのときの（１００）面に相当する回折強度（ピーク強度）（縦軸：Ｉ＿１００（ｃｐｓ））と乾燥処理温度との関係を図７に示す。
【００５５】
図７に示すように、比較例の場合、ピーク強度が１４０ｃｐｓを越えるのは処理温度が１８０〜１９０℃と非常に狭い範囲であるが、実施例のものは１５０〜２３０℃と非常に幅広い温度範囲で１４０ｃｐｓ以上のピーク強度を示した。これは連続プロセスを適用した実施例は種チタン層が４．５ｎｍと厚いにもかかわらず無配向状態であるから、この上の圧電体層は自由成長していると考えられるが、連続プロセスを適用していない比較例では１．５ｎｍと薄い状態にもかかわらず、Ｔｉの（００２）配向が出現したため、その上の圧電体層は（１１１）配向になる傾向になり、この結果、（１００）配向の強度が幅広い処理温度で低下していると考えられる。
【００５６】
なお、このように圧電体層７０を形成した後は、図５（ａ）に示すように、例えば、イリジウムからなる上電極膜８０を流路形成基板用ウェハ１１０の全面に形成する。次いで、図５（ｂ）に示すように、圧電体層７０及び上電極膜８０を、各圧力発生室１２に対向する領域にパターニングして圧電素子３００を形成する。次に、リード電極９０を形成する。具体的には、図５（ｃ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０の全面に亘って、例えば、金（Ａｕ）等からなる金属層９１を形成する。その後、例えば、レジスト等からなるマスクパターン（図示なし）を介して金属層９１を各圧電素子３００毎にパターニングすることでリード電極９０が形成される。
【００５７】
次に、図５（ｄ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０の圧電素子３００側に、シリコンウェハであり複数の保護基板３０となる保護基板用ウェハ１３０を接合する。なお、この保護基板用ウェハ１３０は、例えば、４００μｍ程度の厚さを有するため、保護基板用ウェハ１３０を接合することによって流路形成基板用ウェハ１１０の剛性は著しく向上することになる。
【００５８】
次いで、図６（ａ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０をある程度の厚さとなるまで研磨した後、さらにフッ硝酸によってウェットエッチングすることにより流路形成基板用ウェハ１１０を所定の厚みにする。例えば、本実施形態では、約７０μｍ厚になるように流路形成基板用ウェハ１１０をエッチング加工した。次いで、図６（ｂ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０上に、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）からなるマスク膜５２を新たに形成し、所定形状にパターニングする。そして、このマスク膜５２を介して流路形成基板用ウェハ１１０を異方性エッチングすることにより、図６（ｃ）に示すように、流路形成基板用ウェハ１１０に圧力発生室１２、連通部１３及びインク供給路１４等を形成する。
【００５９】
なお、その後は、流路形成基板用ウェハ１１０及び保護基板用ウェハ１３０の外周縁部の不要部分を、例えば、ダイシング等により切断することによって除去する。そして、流路形成基板用ウェハ１１０の保護基板用ウェハ１３０とは反対側の面にノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０を接合すると共に、保護基板用ウェハ１３０にコンプライアンス基板４０を接合し、流路形成基板用ウェハ１１０等を図１に示すような一つのチップサイズの流路形成基板１０等に分割することによって、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドとする。
【００６０】
以上説明した実施形態では、下電極膜６０を酸化シリコンからなる弾性膜５０上に設けたが、弾性膜５０上に酸化ジルコニウムからなる層を設け、この上に下電極膜６０を設けてもよい。
【００６１】
この場合、酸化ジルコニウムは、スパッタリングの条件によって異なり、（１１１）配向や（１００）配向になるが、（１１１）配向する条件でスパッタリングすることにより、上述したように下電極膜６０を（１１１）配向とすることができる。なお、酸化ジルコニウムは、酸化ジルコニウム自体をスパッタリングしてもよく、また、ジルコニウムをスパッタリングした後、酸化して酸化ジルコニウムとしてもよい。なお、このような酸化ジルコニウムの厚さは、例えば、約０．４μｍである。
【００６２】
（実施形態２）
実施形態１で説明した連続プロセスによる積層膜の形成方法は、上述したように弾性膜５０上に酸化ジルコニウムを設けた後、下電極膜を設ける際にも適用可能である。
【００６３】
以下、この場合の製造方法について説明する。なお、この例においても上述した実施形態と同様に液体噴射ヘッドの一例としてのインクジェット式記録ヘッドを本発明のアクチュエータ装置の具体例として挙げて説明し、上記実施形態１と重複する説明は省略する。
【００６４】
本実施形態の場合にも、上述した手順で流路形成基板用ウェハ上に弾性膜を形成した後、振動板として作用する絶縁体膜を酸化ジルコニウムで構成し、この上にバッファ層を介して下電極膜を形成し、さらにこの上に圧電体層及び上電極を形成する。
【００６５】
ここで、本発明の積層膜の製造方法は、酸化ジルコニウム、バッファ層及び下電極膜の積層膜の製造に適用する。
【００６６】
具体的には、図８に示すように、流路形成基板１１０に形成した弾性膜５０上に、酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜５５をスパッタリングにより、（１１１）配向で形成する。この際、（１１１）配向とするにはスパッタリング条件、特に温度条件を適宜設定する必要がある。次いで、連続プロセスにより、バッファ層としての酸化マグネシウム層５６をスパッタリングにより形成する。次いで、下電極膜６０をスパッタリングにより成膜する。
【００６７】
ここで、酸化ジルコニウムは単斜晶系で、格子定数が５．３１Åで結晶面の原子間距離が３．７５Åであるのに対し、酸化マグネシウムは六法晶系で、格子定数が４．２１Åで原子間距離が４．２１Åである。従って、本発明の積層膜の製造方法の条件である、結晶面及びその結晶面における原子配列が同一である材料である点を満足し、且つ原子間距離の差が５％以上であるので、特に応力を発生させることなく連続プロセスを実施すれば、酸化マグネシウム層５６は本来の（１００）配向にはならずに、配向が定まらない無配向状態となる。したがって、この上に形成される下電極膜６０は、自由成長し、（１１１）配向となる。
【００６８】
このような実施形態では、酸化シリコンからなる弾性膜５０上に酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜５５を設けることにより振動板と下電極膜６０との密着性を向上させることができるが、この際に、絶縁体層５５上に直接下電極膜６０を設ける場合と比較して、配向が定まらない無配向の酸化マグネシウムからなるバッファ層を介してＩｒやＰｔを自由成長させた方が、配向がランダムになり難く、配向が（１１１）に揃った下電極膜６０となる。
【００６９】
なお、下電極膜６０上に、圧電体層７０を成膜する際には、上述した実施形態と同様に必ずしも本発明の積層膜の製造方法を適用しなくてもよく、この場合も本発明の実施形態の範囲となる。
【００７０】
勿論、下電極膜６０上に、圧電体層７０を成膜する際に、上述した実施形態と同様に、下電極膜６０上にバッファ層である種チタン層６５を介して圧電体層７０を成膜すると、さらに実施形態１と同様の効果が得られるものであり、これも本発明の実施形態となる。
【００７１】
（他の実施形態）
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。
【００７２】
また、このような本発明の液体噴射ヘッドは、インクカートリッジ等と連通するインク流路を具備する記録ヘッドユニットの一部を構成して、液体噴射装置に搭載される。図９は、その液体噴射装置の一例を示す概略図である。
【００７３】
図９に示すように、液体噴射ヘッドを有する記録ヘッドユニット１Ａ及び１Ｂは、インク供給手段を構成するカートリッジ２Ａ及び２Ｂが着脱可能に設けられ、この記録ヘッドユニット１Ａ及び１Ｂを搭載したキャリッジ３は、装置本体４に取り付けられたキャリッジ軸５に軸方向移動自在に設けられている。この記録ヘッドユニット１Ａ及び１Ｂは、例えば、それぞれブラックインク組成物及びカラーインク組成物を吐出するものとしている。
【００７４】
そして、駆動モータ６の駆動力が図示しない複数の歯車およびタイミングベルト７を介してキャリッジ３に伝達されることで、記録ヘッドユニット１Ａ及び１Ｂを搭載したキャリッジ３はキャリッジ軸５に沿って移動される。一方、装置本体４にはキャリッジ軸５に沿ってプラテン８が設けられており、図示しない給紙ローラなどにより給紙された紙等の記録媒体である記録シートＳがプラテン８上に搬送されるようになっている。
【００７５】
ここで、上述した実施形態においては、本発明の液体噴射ヘッドの一例として液体噴射ヘッドを説明したが、液体噴射ヘッドの基本的構成は上述したものに限定されるものではない。本発明は、広く液体噴射ヘッドの全般を対象としたものであり、例えば、プリンタ等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレー等のカラーフィルタの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬディスプレー、ＦＥＤ（面発光ディスプレー）等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオｃｈｉｐ製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等にも適用することができる。
【００７６】
勿論、このような液体噴射ヘッドを搭載した液体噴射装置も特に限定されるものではない。
【００７７】
さらに、本発明は、このような液体噴射ヘッドに圧力発生手段として搭載されるアクチュエータ装置だけでなく、あらゆる装置に搭載されるアクチュエータ装置に適用することができる。例えば、アクチュエータ装置は、上述したヘッドの他に、センサー等にも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】実施形態１に係る記録ヘッドの分解斜視図である。
【図２】実施形態１に係る記録ヘッドの平面図及び断面図である。
【図３】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
【図４】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
【図５】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
【図６】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
【図７】圧電体層の焼成温度と１００）面に相当する回折強度（ピーク強度）との関係を示すグラフである。
【図８】実施形態２に係る積層膜の構造を示す断面図である。
【図９】本発明の実施形態に係るインクジェット式記録装置の概略斜視図である。
【符号の説明】
【００７９】
１０  流路形成基板、  １２  圧力発生室、  ２０  ノズルプレート、  ２１  ノズル開口、  ３０  保護基板、  ４０  コンプライアンス基板、  ５０  弾性膜、  ６０  下電極膜、  ６５  種チタン層、  ７０  圧電体膜、  ８０  上電極膜、  ３００  圧電素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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