(57)【要約】【課題】  ウェハ状態にある電子部品をまとめて封止化するようにして生産効率性を高めた電子部品の製造方法を提供する。【解決手段】  ウェハ状のベース基板本体１１に素子形成エリア１１ａごとに所定の回路パターンを形成する第１の工程と、前記ベース基板本体１１にウェハ状の実装基板本体１２を対向配置して互いに接合させる第２の工程と、前記ベース基板本体１１のみを前記素子形成エリア１１ａごとに切断することにより個々のベース基板１１Ａに分離する第３の工程と、前記分離後の各ベース基板１１Ａを密閉する封止部材１９Ａを一体的に形成する第４の工程と、前記実装基板本体１２及び封止部材１９Ａを切断することにより個々の電子部品１０に分離する第５の工程と、を有するようにした。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハ状のベース基板本体に素子形成エリアごとに所定の回路パターンを形成する第１の工程と、前記ベース基板本体にウェハ状の実装基板本体を対向配置して互いに接合させる第２の工程と、前記ベース基板本体のみを前記素子形成エリアごとに切断することにより個々のベース基板に分離する第３の工程と、前記分離後の各ベース基板を密閉する封止部材を一体的に形成する第４の工程と、前記実装基板本体及び封止部材を切断することにより個々の電子部品に分離する第５の工程と、を有することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項２】
ウェハ状のベース基板本体に素子形成エリアごとに所定の回路パターンを形成するとともに前記素子形成エリアを区分けする複数の溝部を形成する第１の工程と、前記ベース基板本体にウェハ状の実装基板本体を対向配置して互いに接合させる第２の工程と、前記ベース基板本体を研磨することにより個々のベース基板に分離する第３の工程と、前記分離後の各ベース基板を密閉する封止部材を一体的に形成する第４の工程と、前記実装基板本体及び封止部材を切断することにより個々の電子部品に分離する第５の工程と、を有することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記封止部材が、スパッタリング、電気めっき、無電解めっき又は蒸着のいずれかにより形成された金属層であることを特徴とする請求項１または２記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記封止部材が、トランスファーモールド法又はインサート成形法で形成された樹脂材料であることを特徴とする請求項１または２記載の電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記封止部材が、加熱した熱硬化性の樹脂シートを前記ベース基板に密着させたものであることを特徴とする請求項１または２記載の電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記ベース基板として圧電基板が用いられ、前記回路パターンとして櫛歯状電極が形成されていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＳＡＷデバイ部品の製造方法に係わり、特に生産効率を向上させた電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の弾性表面素子の製造方法としては、まず圧電体ウェハの一面に複数の端子電極および櫛歯状電極等の金属パターンが個々のブロック単位で形成され、前記端子電極の上に金属バンプがボンディング等にて形成される。前記圧電体ウェハは、ブロックごとにダイシング等にて切断されて個々の弾性表面波素子に個片化される。
【０００３】
次に、一方の面に形成された素子接続端子と他方の面に形成された外部端子電極とがビアを介して接続されたベース基板が用数の弾性表面波素子は、前記櫛歯状電極が形成された一面を前記ベース基板の素子接続端子が形成された面を対向して配置され、前記金属バンプがベース基板上の素子接続端子に圧着されることにより、前記弾性表面波素子（端子電極）とベース基板（素子接続端子）との間が金属バンプを介して機械的及び電気的に接続される。
【０００４】
次に、複数の弾性表面波素子の一面にシート状の封止樹脂が押圧及び加熱されることにより、前記複数の弾性表面波素子を同時に封止させる。最後に、前記ベース基板がシート状の封止樹脂とともに再びダイシング等の方法で切断されることにより、封止された個々の弾性表面波素子に個片化される（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
また、前記ベース基板に形成された個片化された多数の弾性表面波素子を樹脂シートでラミネート加工した後に、切断することにより封止された個々の弾性表面波素子に切り分けるものもある（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００３−３２０６１号公報（図２−図４）
【特許文献２】特開２００４−３４３３７８号公報（図５）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、上記特許文献1に記載された製造方法では、完成直後のウェハ状態にある弾性表面波素子をまず個々の弾性表面波素子に切り分け、その後にバラバラの状態にある前記弾性表波素子のそれぞれを実装基板上に所定の位置決めした状態で封止化するものであった。
【０００７】
また特許文献２に示されるものにあっても、実装基板上の複数の位置に予め個片化されたＳＡＷチップ（弾性表面波素子）をそれぞれ載置した後に、実装基板上の配線パターンとＳＡＷチップ上の接続パッドとを導体バンプを用いて接続することによりフリップチップ実装を行っていた。
【０００８】
このため、上記特許文献１及び２に記載された製造方法にあっては、個々の弾性表面波素子の向きや姿勢を整えるとともに、それらを一つ一つ位置決めする必要が生じ、弾性表面波素子を封止化するのに多大な手間と時間が掛かり、生産性の低いものになっているという問題があった。
【０００９】
本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、ウェハ状態にある電子部品をまとめて封止化するようにして生産効率性を高めた電子部品の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の第１の手段は、ウェハ状のベース基板本体に素子形成エリアごとに所定の電気パターンを形成する第１の工程と、前記ベース基板本体にウェハ状の実装基板本体を対向配置して互いに接合させる第２の工程と、前記ベース基板本体のみを前記素子形成エリアごとに切断することにより個々のベース基板に分離する第３の工程と、前記分離後の各ベース基板を密閉する封止部材を一体的に形成する第４の工程と、前記実装基板本体及び封止部材を切断することにより個々の電子部品に分離する第５の工程と、を有することを特徴とするものである。
【００１１】
また本発明の第２の手段は、ウェハ状のベース基板本体に素子形成エリアごとに所定の電気パターンを形成するとともに前記素子形成エリアを区分けする複数の溝部を形成する第１の工程と、前記ベース基板本体にウェハ状の実装基板本体を対向配置して互いに接合させる第２の工程と、前記ベース基板本体を研磨することにより個々のベース基板に分離する第３の工程と、前記分離後の各ベース基板を密閉する封止部材を一体的に形成する第４の工程と、前記実装基板本体及び封止部材を切断することにより個々の電子部品に分離する第５の工程と、を有することを特徴とするものである。
【００１２】
上記第１及び第２の発明では、電子部品をウェア状態のまま一括して封止化することができる。このため、個片化したときに、封止化された電子部品を得ることができ、電子部品の生産効率を高めることが可能となる。
【００１３】
上記において、前記封止部材が、スパッタリング、電気めっき、無電解めっき又は蒸着のいずれかにより形成された金属層であるものとすることができる。
【００１４】
上記手段では、個々の電子部品を金属層で覆うことができるため、気密性を高めることができる。
【００１５】
また前記封止部材が、トランスファーモールド法又はインサート成形法で形成された樹脂材料であるものとすることができる。
【００１６】
上記手段においても、個々の電子部品を樹脂製の封止部材で覆うことにより、気密性を高めることができる。
【００１７】
あるいは、前記封止部材が、加熱した熱硬化性の樹脂シートを前記ベース基板に密着させたものとして形成することができる。
【００１８】
上記手段では、ウェア状態にある多数の電子部品の封止を簡単且つ容易にまとめて行うことができる。このため生産効率を高めることができる。
【００１９】
例えば、前記ベース基板として圧電基板が用いられ、前記回路パターンとして櫛歯状電極が形成されているものとすることができる。
すなわち、弾性表面波素子とすることができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の電子部品の製造方法では、電子部品を個片化する前のウェア状態で封止することができるため、電子部品の生産効率を向上させることができる。
また気密性の高い電子部品を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
図１は本発明の製造方法において製造される電子部品の構造を示す断面図である。
図１に示す電子部品１０は、例えば弾性表面波素子を用いて形成されたバンドパスフィルタである。なお、このような単純な構造を有する弾性表面波素子は、例えば移動体通信端末に実装されるフィルタ、共振器またはデュプレクサを小型化するために非常に適した素子として利用される。
【００２２】
図１に示すように、電子部品１０は所定の距離を隔てて互いに対向配置されたベース基板１１Ａと実装基板１２Ａを有している。この実施の形態に示す前記ベース基板１１Ａは圧電材料で形成されており、このベース基板１１Ａの表面（Ｚ１側の面）上には導電性の材料で形成された一対の櫛歯状電極（ＩＤＴ（インタディジタルトランスデューサ）電極）１３および前記櫛歯状電極１３の端部に連続的して接続される端子電極１４，１４などからなる回路パターンが形成されている。
【００２３】
なお、電子部品１０が弾性表面波素子以外の場合には、その他の導電体からなる回路パターン、あるいは抵抗体膜やキャパシタのための誘電膜などからなる回路パターンが形成される。
【００２４】
前記実装基板本体１２Ａには板厚方向（Ｚ方向）に抜ける貫通孔１２ａ，１２ａが形成されており、この貫通孔１２ａ，１２ａ内には例えばスパッタリング又はメッキなどの手段を用いて形成された貫通電極１５，１５が形成されている。前記貫通電極１５，１５の一方の端部（Ｚ１側の端部）は前記実装基板１２Ａの表面に露出されており、他方の端部（Ｚ２方向の端部）はベース基板１１Ａに形成された前記櫛歯状電極１３の端部である前記端子電極１４，１４の表面に接続されている。
【００２５】
前記ベース基板１１Ａと実装基板１２Ａとが対向し合う領域内で、且つ前記櫛歯状電極１３が設けられた中央部分を除いた部分には接着層１７が配置されており、前記ベース基板１１Ａと実装基板１２Ａとが前記接着層１７を介して固定されている。なお、前記接着層を有しない中央部分が、櫛歯状電極１３に弾性表面波を伝播させるための中空領域１８とされている。
【００２６】
そして、前記実装基板１２Ａの下面側で且つベース基板１１Ａの周囲が封止部材１９Ａで封止されている。
【００２７】
次に、上記電子部品の製造方法について説明する。
図２は本発明の電子部品の製造方法として、第１の実施の形態を示す工程図である。
【００２８】
図２Ａに示す工程では、まず所定の平面形状からなる複数の素子形成エリア１１ａ，１１ａ，・・・を表面（Ｚ１側の面）に有するウェハ状のベース基板本体１１が用意される。そして、個々の素子形成エリア１１ａ，１１ａ，・・・上に、所定の回路パターンとしての櫛歯状電極（ＩＤＴ（インタディジタルトランスデューサ）電極）１３が形成される（第１の工程）。すなわち、ウェハ状の弾性表面波基板が形成される。
【００２９】
なお、この製造方法で形成される電子部品１０が、前記弾性表面波素子以外である場合には前記櫛歯状電極１３の代わりに、例えば抵抗体膜、コンデンサ用の誘電体膜またはコイル用の渦巻きパターンなどその他の回路パターンが形成される工程であってもよい。
【００３０】
次に、図２Ｂに示す工程ではウェハ状の実装基板本体１２が用意され、この実装基板本体１２上で且つ前記素子形成エリア１１ａ，１１ａ，・・・に対応する位置に貫通孔１２ａ，１２ａが穿設される。なお、予め貫通孔１２ａ，１２ａが形成されているウェハ状の実装基板本体１２を購入するものであってもよいし、ウェハ状の実装基板本体１２を購入した後に前記貫通孔１２ａ，１２ａを形成するものであってもよい。
【００３１】
次の図２Ｃに示す工程では、前記貫通孔１２ａ，１２ａ内に銅、銀あるいは金など導電性材料からなる貫通電極１５，１５が、前記ベース基板本体１１上の端子電極１４，１４と対向する位置に形成される。この貫通電極１５は、例えばスパッタリング法、電気めっき法又は無電解めっき法などを用いることにより形成することが可能である。
【００３２】
図２Ｄに示す工程では、前記図２Ａにおいて形成されたウェハ状のベース基板本体１１の上に接着剤１７が設けられ、その上に前記ウェハ状の実装基板本体１２が載置され、前記ベース基板本体１１と実装基板本体１２とが前記接着剤１７を介して接合される（第２の工程）。
【００３３】
前記接着剤１７は前記櫛歯状電極１３が形成される個々の素子形成エリア１１ａ内の中央部分を避けた領域に設けられている。よって、前記ベース基板本体１１と前記実装基板本体１２とが前記接着剤１７を介して接合されると、前記素子形成エリア１１ａ内の中央部分には前記櫛歯状電極１３が露出される中空領域１８が形成される。この中空領域１８により、前記櫛歯状電極１３における弾性表面波の伝播を確保することが可能とされている。
【００３４】
図２Ｅに示す工程では、前記ベース基板本体１１のみが隣り合う素子形成エリア１１ａと素子形成エリア１１ａとの間において所定の切断幅寸法Ｗ１で切断される（第３の工程）。ただし、ベース基板本体１１のみが切断された後であっても、各電子部品１０は前記実装基板本体１２を介して接続されている。このため、個々の電子部品１０がバラバラの状態になることが防止されている。
【００３５】
なお、前記切断方法としては、例えばダイシング加工、レーザー加工、エンドミルによりミーリング加工、あるいはドライエッチング法、ウエットエッチング法など各種の方法を用いることが可能である。
【００３６】
図２Ｆに示す工程では、実装基板本体１２の下部側の位置で、且つ個々に切り分けられた前記ベース基板１１Ａの周囲にエポキシやポリイミドなどからなる液状の樹脂材料１９を充填することにより、各ベース基板１１Ａの周囲が前記樹脂材料１９からなる封止部材１９Ａで一体的に密閉される（第５の工程）。
【００３７】
前記樹脂材料１９の充填方法としては、例えば実装基板本体１２の下部（ベース基板１１Ａ）を金型キャビティ内に装填するとともに、溶融状態にある樹脂材料１９を加熱した金型キャビティ内に圧入することにより成形するトランスファーモールド法やインサート成形など各種の手段を用いることが可能である。
【００３８】
図２Ｇの工程では、実装基板本体１２及び硬化後の前記樹脂材料１９とが、素子形成エリア１１ａ単位で上記同様のダイシング加工などで分離されることにより、個々の電子部品１０が完成する（第６の工程）。このとき、図２Ｇの工程における切断幅寸法Ｗ２を、前記図２Ｅに示す工程における切断幅寸法Ｗ１よりも狭く（Ｗ１＞Ｗ２）すると、封止部材１９Ａの内部からベース基板１１Ａの一部が露出されてしまい気密性が失われるような不具合の発生を防止できる。すなわち、前記封止部材１９Ａとその上部に設けられた上記実装基板１２Ａとにより、前記電子部品１０を完全に封止化することができる。特に、前記中空領域１８に設けられた回路パターン（櫛歯状電極１３及び端子電極１４）と外部（外気）との間を完全に遮断することができるため、気密性に優れた電子部品１０Ａを提供することが可能となる。
【００３９】
以上説明したように、上記第１の実施の形態に示す製造方法では、電子部品１０における回路パターンや電極の形成をウェハ状態のままで一体的に行うことができ、さらに個々の電子部品１０を密封する封止部材１９Ａの形成もウェハ状態のまま一体的に同時に形成することができる。このため、従来に比較して生産効率性を大幅に改善することができる。
【００４０】
図３は本発明の電子部品の製造方法として、第２の実施の形態の主要部分を示す工程図である。なお、第２の実施の形態は上記第１の実施の形態と同様の部分が多いため、以下には主として異なる工程について説明する。
【００４１】
第２の実施の形態では、まず図３Ａに示すように、前記素子形成エリア１１ａを区分けする複数の溝部１１ｂを前記ベース基板本体１１に形成する工程（第１の工程）を含む点において上記図２Ａの工程（第１の工程）と相違している。ただし、溝部１１ｂを形成する工程は、櫛歯状電極１３や端子電極１４などの回路パターンを形成する工程よりも前の工程で形成されてもよいし、後の工程で形成されるものであってもよい。なお、溝部１１ｂはベース基板本体１１上に平面マトリックス状に形成されている。
【００４２】
次に、図２Ｂないし図２Ｄ示す工程と同様に工程が行われる。すなわち、図３Ｂに示すように、実装基板本体１２上の前記素子形成エリア１１ａ，１１ａ，・・・と対向する位置に複数の貫通電極１５が形成され、ウェハ状のベース基板本体１１とウェハ状の実装基板本体１２とが接着剤１７により接合される（第２の工程）。
【００４３】
次の工程では、前記ベース基板本体１１の底面が研磨される（図３Ｃ参照）。この工程では、前記ウェハ状のベース基板本体１１を研磨していったときに、前記ベース基板本体１１の板厚寸法Ｈが、溝部１１ｂの深さ寸法ｈに一致したときに、前記ウェハ状のベース基板本体１１から個々のベース基板１１Ａを分離させることができる（第３の工程）。
【００４４】
そして、上記図２Ｆおよび図２Ｇ同様の工程が行われることにより、個々の電子部品１０が形成される。すなわち、分離された個々のベース基板１１Ａの周囲に樹脂材料１９からなる封止部材１９Ａを形成し（第４の工程）、その後に隣り合う素子形成エリア１１ａごとに切断することにより、個々の電子部品１０を完成させることができる（第５の工程）。
【００４５】
図４は本発明の電子部品の製造方法として、第３の実施の形態の主要部分を示す工程図である。なお、第３の実施の形態は上記第１および第２の実施の形態と同様の部分が多いため、以下には主として異なる工程について説明する。
【００４６】
第３の実施の形態に示す工程は、上記第１の実施の形態の図２Ｅの次に行われる工程を示している。すなわち、第１ないし第３の工程は上記第１の実施の形態と同様である。なお、図４Ａは図２Ｆおよび図３Ｃと同様の工程を示している。
【００４７】
図４Ａに示すように、第３の実施の形態に示す工程では、ウェハ状の実装基板本体１２によって連結された状態にある個々の電子部品１０の下部（ベース基板１１Ａ）側に熱硬化性の樹脂シート２０を用意し、例えば圧縮空気圧成形（「圧空成形」又は「プレッシャ成形」ともいう）などの方法を用いて密着させるようにしたものである。
【００４８】
具体的には、図４Ｂに示すように、加熱して軟化させた前記樹脂シート２０を圧縮空気の力で引き延ばしながらベース基板１１Ａの形状に倣うように変形させることにより、簡単且つ容易に前記樹脂シート２０を各ベース基板１１Ａに一体的に密着させることができる（第４の工程）。
【００４９】
そして、図４Ｃに示すように、硬化後に隣接し合う素子形成エリア１１ａと素子形成エリア１１ａとの間を切断することにより、個々の電子部品１０に分離される（第５の工程）。この第３の実施の形態では、前記ベース基板１１Ａを覆う樹脂シート２０が上記第１の実施の形態（第２の実施の形態も同様）に示す封止部材１９Ａとして機能する。
【００５０】
上記第３の実施の形態に示す工程においても、多数の電子部品１０をウェハ状態のまま一体的に同時に形成することができ、しかも個々の電子部品１０の内部と外部とを遮断する封止部材１９Ａとして機能する前記樹脂シート２０についても一体的に同時に形成することができる。このため、従来に比較して生産効率性を大幅に改善することができる。
【００５１】
次に、本発明の第４の実施の形態について説明する。
図５は本発明の電子部品の製造方法として、第４の実施の形態の主要部分を示す工程図である。
【００５２】
図５Ａは上記図２Ｅまたは図３Ｃの工程と同じであり、個々のベース基板１１Ａに分割された後の状態を示している。
【００５３】
図５Ｂに示す工程では、前記ベース基板１１Ａに対してスパッタリング、電気めっき又は蒸着などの手段を用いることにより、前記ベース基板１１Ａが金属層２１で覆われる。
【００５４】
この状態で、上記同様に切断幅寸法Ｗ３で切断すると、前記ベース基板１１Ａが金属層２１からなる封止部材で密封された個々の電子部品１０を形成することができる。
【００５５】
この第４の実施の形態に示すものでは、前記ベース基板１１Ａが金属層２１で覆われる構成としたことにより、気密性の高い電子部品を提供することが可能である。
【００５６】
さらに気密性の高い電子部品１０とする場合には、図５Ｃに示すように、切断する前の段階で前記金属層２１に対し、上記同様の封止部材（樹脂材料又は樹脂シート）１９Ａを用いて覆い、その後に個々の電子部品１０に分離してもよい（図５Ｄ参照）。この場合には、前記ベース基板１１Ａを金属層２１と樹脂性の封止部材１９Ａで二重に封止する構成とすることができるため、さらに気密性の高い電子部品１０を提供できる。
【００５７】
なお、樹脂材料と金属材料を交互に形成し、または樹脂材料の上に重ねて樹脂材料を形成する、あるいは金属材料を重ねて形成するなどのように下層側の封止部材に上層側の封止部材を二重、三重、・・・と重ねる構成にすることにより、さらなる気密性の向上が可能である。
【００５８】
また上記実施の形態では、電子部品１０の一例として弾性表面波素子を用いて説明したが、本発明はこれに限られるものではなく、封止することが必要な電子部品であればその他どのような電子部品であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の製造方法において製造される電子部品の構造を示す断面図、
【図２】本発明の電子部品の製造方法として、第１の実施の形態を示す工程図、
【図３】本発明の電子部品の製造方法として、第２の実施の形態の主要部分を示す工程図、
【図４】本発明の電子部品の製造方法として、第３の実施の形態の主要部分を示す工程図、
【図５】本発明の電子部品の製造方法として、第４の実施の形態の主要部分を示す工程図、
【符号の説明】
【００６０】
１０  電子部品
１１  ウェハ状のベース基板本体
１２  ウェハ状の実装基板本体
１１Ａ  ベース基板
１２Ａ  実装基板
１３  櫛歯状電極（回路パターン）
１４  端子電極（回路パターン）
１５  貫通電極
１７  接着剤
１８  中空領域
１９  樹脂材料
１９Ａ  封止部材
２０  樹脂シート（封止部材）
２１  金属層（封止部材）
【図１】
2006352617.tif 000003
【図２】
2006352617.tif 000004
【図３】
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【図４】
2006352617.tif 000006
【図５】
2006352617.tif 000007