(57)【要約】【課題】ＶＣＳＥＬに対しては、注入電流の閉じ込め、しきい値利得等に関して改善された特性を提供し、端面発光レーザに対しては、接触抵抗、注入電流等に関して改善された特性を提供するレーザ構造を得る。【解決手段】垂直量子井戸窒化物レーザを、ＥＬＯＧ（エピタキシャル横方向成長）によって製造する。垂直量子井戸を、横方向の成長端面であるａ面上への堆積によって形成し、単一のＥＬＯＧ−ＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長）の成長ステップで横方向のｐ−ｎ接合を形成する。垂直量子井戸は、ａ面から成長させ［１１−２０］配向としてもよいし、ｃ面から成長させ［０００１］配向としてもよい。本発明の垂直量子井戸は、ＶＣＳＥＬおよび端面発光レーザのいずれにも使用することができる。【選択図】図１Ｅ
2006352133.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単一のＥＬＯＧ成長による横方向のｐ−ｎ接合を有する窒化物半導体レーザの製造方法であって、
基板上に誘電体層を堆積させ、パターン形成し、
前記基板上に、ＥＬＯＧ領域を単一の成長ステップで成長させる方法であって、
前記ＥＬＯＧ領域が、ｎ型領域とｐ型領域との間に配置されているＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮ多重量子井戸領域を含み、該ＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮ多重量子井戸領域の第１の部分を、前記基板と実質的に非平行に配置する、方法。
【請求項２】
前記基板上に、ＧａＮ層を成長させることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記半導体レーザが、ＶＣＳＥＬである、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ＧａＮバッファ層上にＤＢＲミラーを堆積させ、パターン形成することをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記ＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮ多重量子井戸領域の前記第１の部分に実質的に垂直な、前記ＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮ多重量子井戸領域の第２の部分をエッチング法によって除去することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ＥＬＯＧ領域上に、ｐ型コンタクトを堆積させる、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記誘電体層が、ＳｉＯ２マスクである、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記ＤＢＲミラーが、ＳｉＯ２およびＨｆＯ２を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項９】
前記ＥＬＯＧ領域に、少なくとも１つのトレンチをエッチングすることをさらに含み、これにより、光およびキャリアの閉じ込めが提供される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記エッチング法が、ＣＡＩＢＥ（化学支援イオンビームエッチング）である、請求項５に記載の方法。
【請求項１１】
半導体レーザ構造であって、
基板、
前記基板の一部上に堆積させた誘電体層、および
前記基板上に重ねられたＥＬＯＧ領域を有しており、
前記ＥＬＯＧ領域が、ｎ型領域とｐ型領域との間に配置されたＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮ多重量子井戸領域を含み、該ＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮ多重量子井戸領域の少なくとも一部が、前記基板に実質的に非平行に配置されている、半導体レーザ構造。
【請求項１２】
前記基板上にＧａＮバッファ層がさらに設けられている、請求項１１に記載の構造。
【請求項１３】
前記半導体レーザが、ＶＣＳＥＬである、請求項１１に記載の構造。
【請求項１４】
前記基板上にＤＢＲミラーがさらに設けられている、請求項１１に記載の構造。
【請求項１５】
前記誘電体層が、ＳｉＯ２マスクである、請求項１１に記載の構造。
【請求項１６】
前記ＤＢＲミラーが、ＳｉＯ２およびＨｆＯ２を含む、請求項１３に記載の構造。
【請求項１７】
前記ＥＬＯＧ領域に、少なくとも１つのトレンチがさらに設けられている、請求項１１に記載の構造。
【請求項１８】
前記ＥＬＯＧ領域上に堆積させたｐ型コンタクトをさらに有する、請求項１１に記載の構造。
【請求項１９】
前記ｐ型コンタクトと実質的に同一平面上にある、ｎ型コンタクトをさらに含む、請求項１１に記載の構造。
【請求項２０】
前記ｎ型コンタクトが、Ｔｉ−Ａｕからなる、請求項１７に記載の構造。
【請求項２１】
前記誘電体層が、約１０００オングストロームのオーダーの厚みを有する、請求項１０に記載の構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化物ベースの半導体レーザに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＧａＩｎＮ量子井戸構造は、ＧａＮ系のＬＥＤおよびレーザで使用されている。典型的なＧａＮ系のＬＥＤおよびレーザ構造は、基板に平行に配置された量子井戸構造を有する。しかし、この構造は、端面発光装置においては、ｐ型コンタクトに利用可能な領域を制限し、ＶＣＳＥＬ構造においては、通常、共振キャビティの大きさを制限し、ひいてはＶＣＳＥＬの増幅を制限する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
量子井戸構造を有するレーザの上記欠点を回避し、不都合な制限のない半導体レーザを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
垂直量子井戸を含む窒化物レーザを、ＥＬＯＧ（エピタキシャル横方向成長）によって製造する。この場合、垂直量子井戸を、横方向の成長端部の垂直ａ面上への堆積によって形成し、単一のＥＬＯＧ−ＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長）の成長ステップで横方向の接合を形成する。垂直量子井戸を、垂直ａ面から成長させ［１１−２０］配向とするか、または垂直ｃ面から成長させ［０００１］配向とすることができる。垂直量子井戸は、ＧａＮ垂直型キャビティ面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ）およびＧａＮ端面発光レーザのいずれにも使用することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００５】
ＧａＮを含む歪み量子井戸構造は、ウルツ鉱結晶構造をベースとしている。例えば、適切なエピタキシャル横方向成長（ＥＬＯＧ）の条件下では、得られる垂直方向のファセットは、ａ面もしくは（１１−２０）である。これについては、例えば、参照により本明細書に組み込まれている、K. HiramatsuらによるJournal of Crystal Growth 221, 316-326, 2000に記載されている。水平方向のファセットが、ｃ面もしくは（０００１）に沿って整合している場合には、圧力約８００Ｔｏｒｒ（１．３３×１０２Ｐａ）、温度約１０００℃でＥＬＯＧを実施すると、（１１−２０）のＧａＮの垂直方向のファセットを得ることができる。別の態様では、ＧａＮの垂直方向のファセットが（０００１）となるようにＥＬＯＧを実施し、これにより、ａ面もしくは（１１−２０）に整合したＧａＮ膜を得る。典型的な成長温度は、Ｖ／ＩＩＩ比、例えばガリウムに対するアンモニアの比が約１３００である場合、約１１００℃である。（１１−２０）に整合するように行うＥＬＯＧについては、Cravenら、Applied Physics Letter 81, 7, 1201-1203, 2002およびHaskellら、Applied Physics Letters 83, 4, 644-646. 2003に記載されている。
【０００６】
本発明では、垂直量子井戸窒化物レーザを、ＥＬＯＧによって製造することができる。垂直量子井戸は、ＥＬＯＧの横方向成長端部の垂直ａ面上または垂直ｃ面上で成長させて形成することができ、その場合、平坦なＧａＮ膜をｃ面に沿って設けるかまたはａ面に沿って設けるかすることによってそれぞれの構造が得られる。図１Ａに、本発明による一態様を示す。図１Ａでは、Ａｌ２Ｏ３基板１２０上に、任意にｎ型ＧａＮバッファ層１３０を成長させる。続いてｎ型ＧａＮ層１３０上に、図１Ｂに示すように、分布ブラック反射器（ＤＢＲ）１４０を堆積させる。しかし、ＤＢＲ１４０を、Ａｌ２Ｏ３基板１２０上に直接的に成長させてもよい。ＤＢＲ１４０のパターン形成を行うには、ＭＯＣＶＤ反応器から取り出さなくてはならないことに留意されたい。ＤＢＲ１４０は、ＥＬＯＧマスクとして機能する誘電体、典型的には酸化物の上面１４１を有していなくてはならない。ＤＢＲ１４０として使用可能な材料としては、交互に積層させたＡｌＧａＮ／ＧａＮ層が挙げられ、この層は、典型的には約１０００オングストロームの厚みの誘電体上面１４１、例えばＳｉＯ２で覆われており、これにより、下層の窒化物含有層への「ピンホール」の形成が回避される。さらにＤＢＲ１４０の材料としては、固有の誘電体上面１４１が形成されている交互に積層させたＳｉＯ２／ＨｆＯ２、ＴｉＯ２／ＳｉＯ２またはＺｒＯ２／ＳｉＯ２の酸化物層が挙げられる。ＤＢＲ１４０の堆積後、ＤＢＲ１４０にフォトレジストでパターン形成を行い、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、化学支援イオンビームエッチング（ＣＡＩＢＥ）もしくは誘導結合プラズマエッチング（ＩＣＰ）を使用して、図１Ｃに示すようにＤＢＲの一部をエッチング除去する。
【０００７】
図１Ｄに、ｎ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ領域１５０、ＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮ多重量子井戸領域１６０およびｐ型ＡｌＧａＮ領域１７０のＥＬＯＧ成長を示す。誘電体上面１４１では垂直方向の成長が起こらず、誘電体上面１４１上に横方向に成長が起こる。ＤＢＲ１４０上にｎ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ領域１５０がＥＬＯＧ成長する場合、横方向成長の堆積の先端面は平滑になっている。成長条件に応じて、図１Ｄに示すような垂直な側壁または傾斜した側壁が得られる。ｎ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ領域１５０をＤＢＲ１４０上に十分な距離に成長させて結晶面の側壁を形成した後、反応装置の温度を約７００℃〜約８００℃に下げてＥＬＯＧ成長条件を変化させ、これにより、ＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮ多重量子井戸領域１６０の成長のためのＩｎの組込みが可能となる。この場合、ＥＬＯＧ成長中、試料はＭＯＶＣＤ反応装置内に留められ、単一のＥＬＯＧ−ＭＯＶＣＤ成長ステップが可能となることに留意されたい。これにより、再成長が回避される。ｎ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ領域１５０の成長時間は、ＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮ多重量子井戸領域１６０の長さ（垂直方向の延び）を調節するための制御パラメータの代わりになる。
【０００８】
図１Ｄを参照すると、多重量子井戸領域１６０の一部が垂直方向に延び、別の一部が水平方向に延びていることが分かる。多重量子井戸領域１６０の水平方向の部分１６２は、本発明によれば、ｎ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ領域１５０のｃ面上に成長しており、水平方向の部分１６２は、多重量子井戸領域１６０の垂直方向部分１６１と比較して、より薄い層を有しかつインジウム含有量が低い。これは、ＥＬＯＧにおいて、横方向の成長速度が垂直方向に比べて大きいことに起因する。水平部分１６２のｐ−ｎ接合に対するターンオン電圧は、通常、垂直部分１６１の横方向のｐ−ｎ接合と比較して十分の数ボルト高い。したがって、注入電流は、通常、多重量子井戸領域１６０の垂直部分１６１に良好に閉じ込められる。
【０００９】
ＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮ多重量子井戸領域１６０を成長させた後、温度を約８００〜約１１００℃に上昇させてＥＬＯＧ成長条件を再び変化させることによって、ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ領域１７０を成長させる。この成長条件の変化は、ｐ型ドーピングの必要性によるものである。多重量子井戸領域１６０の垂直部分１６１から約０．５μｍ〜約１０μｍの横方向の成長が起こりクラッド層が形成されるまで、ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮのＥＬＯＧ成長を続ける。０．５μｍがクラッド層の最小厚みであることに留意されたい。次に、ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ領域１７０上にＤＢＲ１８０を堆積させる。ＤＢＲ１８０の材料としては、交互に積層させたＳｉＯ２／ＨｆＯ２またはＺｒＯ２／ＳｉＯ２の酸化物層が挙げられる。ＤＢＲ１８０を堆積させた後、これをフォトレジストを用いてパターン形成し、露出部分をエッチング除去して、図１Ｅに示すようなＤＢＲ１８０を得る。ｎ型コンタクト１７５、典型的にはＴｉ−Ａｕの堆積を可能にするために、領域１７０の一部、多重量子井戸領域１６０の水平部分１６２の一部および領域１５０の一部を、例えば、以下にさらに詳説する化学支援イオンビームエッチング（ＣＡＩＢＥ）を用いてエッチング除去する。さらに通常、ＣＡＩＢＥを用いて、多重量子井戸領域１６０付近の深さまたは多重量子井戸領域１６０内にまでトレンチ１８３をエッチングし、これにより、図１Ｆの上面図に示すように、ＤＢＲ１８０およびｐ型コンタクト１９０を囲み、ＶＣＳＥＬ構造１００の電流アパーチャ領域に電流が流れるようにすることによって、キャリアおよび光の閉じ込めが得られる。ＤＢＲ１８０は、点線で示すＤＢＲ１８０’のように、部分的にトレンチ１８３と重なっていてもよいことに留意されたい。さらにｎ型コンタクト１７５およびｐ型コンタクト１９０を、図１Ｅに示すように堆積し、ＶＣＳＥＬ構造１００を得る。ＶＣＳＥＬ構造１００によって、端面発光装置にも匹敵するしきい値利得を有するＶＣＳＥＬを形成することができる。
【００１０】
図２Ａに、寄生効果を考慮した場合に用いられる本発明による一態様を示す。ＶＣＳＥＬ構造２００は、多重量子井戸領域２６０の水平部分２６２（図２Ａ参照）が除去されるという点で、ＶＣＳＥＬ構造１００と相違するが、図２Ａは、図１Ｄに類似している。Ａｌ２Ｏ３基板２２０上に、任意にｎ型ＧａＮ層２３０を成長させ、その後、ｎ型ＧａＮ層２３０上に分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）２４０を堆積させる。しかし、ＤＢＲ２４０を、Ａｌ２Ｏ３基板２２０上に直接的に成長させることもできる。ＤＢＲ２４０は、通常、ＥＬＯＧマスクとして機能する誘電体、通常は酸化物の上面２４１を有している。ＤＢＲ２４０の材料としては、交互に積層されたＡｌＧａＮ／ＧａＮ層が挙げられ、この層は、典型的には約１０００オングストロームの厚みの誘電体上面２４１、例えばＳｉＯ２で覆われており、これにより、下層の窒化物含有層への「ピンホール」の形成が回避される。ＤＢＲ２４０の別の材料としてはさらに、固有の誘電体上面２４１を有している交互に積層させたＳｉＯ２／ＨｆＯ２、ＴｉＯ２／ＳｉＯ２またはＺｒＯ２／ＳｉＯ２の酸化物層が挙げられる。ＤＢＲ２４０を堆積させた後、フォトレジストを用いてＤＢＲ２４０をパターン形成し、ＲＩＥ、ＣＡＩＢＥまたはＩＣＰを用いてＤＢＲの一部をエッチング除去し、これにより、ｎ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ領域２５０のＥＬＯＧ成長が可能となる。誘電体上面２４１上では垂直方向の成長が起こらず、成長は横方向であることに留意されたい。ｎ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ層２５０のＥＬＯＧ成長がＤＢＲ１４０上で起こる場合、横方向の成長堆積先端面は滑らかでかつ垂直である。ｎ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ層２５０を、結晶面側壁が形成するまで十分にＤＢＲ２４０上に成長させたら、反応装置の温度を下げてＥＬＯＧ成長条件を変化させ、これにより、ＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮの多重量子井戸領域２６０の成長のためにＩｎを組み込むことが可能となる。ＥＬＯＧ成長中、試料はＭＯＶＣＤ反応装置内に留められるので、単一のＥＬＯＧ−ＭＯＶＣＤ成長ステップが可能となることに留意されたい。これにより、再成長が回避される。
【００１１】
ＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮ多重量子井戸領域２６０を成長させた後、反応装置の温度を上げてＥＬＯＧ成長条件を再び変化させることによって、ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ領域２７０の成長が起こる。ＥＬＯＧ成長中、試料はＭＯＶＣＤ反応装置内に留められることに留意されたい。クラッド層が形成されるようＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮ多重量子井戸領域２６０からの横方向の成長が約０．５〜約１０μｍに達し、図２Ａに示す構造が得られるまで、ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ領域２７０のＥＬＯＧ成長を続ける。
【００１２】
図２Ａの、領域２７０の重なり部分および多重量子井戸領域２６０の水平方向の部分２６２を、化学支援イオンビームエッチング（ＣＡＩＢＥ）または別の適切なエッチング法を用いて除去し、領域２５０を露出させることができる。さらに、通常、ＣＡＩＢＥを用いてトレンチ２８３をエッチングし、ＤＢＲ２８０およびｐ型コンタクト２９０を囲み、ＶＣＳＥＬ構造の電流アパーチャ領域に電流を通すようにすることによって、図２Ｃの上面図に示すキャリアおよび光の閉じ込めが得られる。ＤＢＲ２８０は、点線で表したＤＢＲ２８０’のように、トレンチ２８３に部分的に重なっていてもよいことに留意されたい。ＣＡＩＢＥは、デュアル抽出グリッドおよび反応種、例えばＣｌ２および／またはＢｒＣｌ３を有する電子サイクロトロン共鳴プラズマ源によって発生する高密度の均一なイオンビーム、典型的には、Ａｒ＋を利用するものである。イオンエネルギー、イオン密度、反応種の流れ、入射角度および基板温度を独立させて制御することによって、広い範囲のエッチング速度およびエッチングプロファイル（輪郭）を得ることができる。エッチング速度は、通常、広い領域にわたってきわめて均一である。
【００１３】
次に、ＤＢＲ２８０を、ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ領域２７０上に堆積させる。ＤＢＲ２８０の材料としては、交互に積層させたＳｉＯ２／ＨｆＯ２またはＺｒＯ２／ＳｉＯ２の酸化物の層が挙げられる。ＤＢＲ２８０を堆積させた後、フォトレジストを用いてパターン形成し、露出した部分をエッチング除去して、図２Ｂに示すようなＤＢＲ２８０を得る。次に、ｎ型コンタクト２７５およびｐ型コンタクト２９０を、図２Ｂに示すように堆積させ、これにより、ＶＣＳＥＬ構造２００を得る。
【００１４】
本発明による態様は、端面発光レーザを含む。図３は、本発明による端面発光レーザ構造３００を示す。この端面発光レーザ構造３００の製造過程は、ＤＢＲを形成しないという点で、ＶＣＳＥＬ構造１００の製造過程と部分的に異なる。ＶＣＳＥＬ構造１００において第１のＤＢＲを形成する段階の代わりに、誘電体ＥＬＯＧマスク層３４０を、任意にＧａＮバッファ層上に、またはＡｌ２Ｏ３基板３２０上にピンホールを回避する十分な厚み、通常、約１００ｎｍとなるように堆積させ、続いてパターン形成する。誘電体ＥＬＯＧマスク層３４０を、通常、ＳｉＯ２を用いて形成させた後、ｎ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ領域３５０のＥＬＯＧ成長を開始する。誘電体ＥＬＯＧマスク層３４０上では垂直方向の成長が起こらず、成長は横方向に起こることに留意されたい。誘電体ＥＬＯＧマスク層３４０上でｎ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ領域３５０の成長が起こる場合、横方向の成長堆積先端面は、通常、平滑でかつ垂直方向になっている。ｎ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ領域３５０を誘電体ＥＬＯＧマスク層３４０上に、結晶側壁が形成されるのに十分であるよう成長させた後、反応装置の温度を下げてＥＬＯＧ成長条件を変化させ、ＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮ多重量子井戸領域３６０を成長させる。ＥＬＯＧ成長中、試料はＭＯＶＣＤ反応装置内に留められ、単一ＥＬＯＧ−ＭＯＣＶＤ成長ステップが可能となることに留意されたい。これにより、再成長が回避される。
【００１５】
ＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮ多重量子井戸領域３６０を成長させた後、反応温度を上げてＥＬＯＧ成長条件を変化させ、ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ領域３７０を成長させる。この成長を、ＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮ多重量子井戸領域３６０から横方向に約０．５μｍ〜約１０μｍに達しクラッド層が形成されるまで続ける。通常、Ｔｉ−Ａｕであるｎ型コンタクト３７５の堆積を可能にするために、ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ領域３７０の一部、多重量子井戸領域３６０の水平部分３６２の一部およびｎ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ領域３５０の一部を、例えば化学支援イオンビームエッチング（ＣＡＩＢＥ）を用いてエッチング除去する。次に、ｎ型コンタクト３７５およびｐ型コンタクト３９０を堆積させ、これにより、図３に示すような本発明による端面発光レーザ構造３００が得られる。構造３００のｐ型コンタクト３９０が利用可能な面積は、従来のリッジ導波型の端面発光レーザの約１０倍大きく、これにより、接触抵抗は最小限となり、レーザに注入される電流はより大きくなる。
【００１６】
図４に、本発明による端面発光レーザ構造４００を示す。端面発光レーザ構造４００は、ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ領域３７０の重なり部分および多重量子井戸領域３６０の水平部分３６２が除去されている点で、端面発光レーザ構造３００と相違する。これにより、多重量子井戸領域４６０を備えている端面発光レーザ構造４００が得られる。端面発光レーザ構造４００を得るための、多重量子井戸領域３６０の水平部分３６２およびｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ領域３７０の重なり部分の除去は、図２Ｂに示すＶＣＳＥＬ構造２００の多重量子井戸領域２６０の水平部分２６２の除去について上述した手順と同様に行う。この構成により、寄生効果が低減し、ｎ型コンタクト４７５およびｐ型コンタクト４９０を同一平面上に配置することができる。端面発光レーザ構造４００は、ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ領域４７０、ｎ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮ領域４５０、Ａｌ２Ｏ３基板４２０、誘電体ＥＬＯＧマスク層４４０および任意にＧａＮバッファ層４３０も含む。
【００１７】
以上、本発明を特定の実施態様と関連させて説明したが、本発明の思想および添付の特許請求の範囲内であれば、上の記述を考慮して様々代替、変更および変化が可能であることは、当業者に明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１Ａ】本発明によるＶＣＳＥＬを形成する１ステップを示す。
【図１Ｂ】本発明によるＶＣＳＥＬを形成する１ステップを示す。
【図１Ｃ】本発明によるＶＣＳＥＬを形成する１ステップを示す。
【図１Ｄ】本発明によるＶＣＳＥＬを形成する１ステップを示す。
【図１Ｅ】本発明によるＶＣＳＥＬを形成する１ステップを示す。
【図１Ｆ】本発明による一態様の上面図である。
【図２Ａ】本発明によるＶＣＳＥＬの形成過程を示す。
【図２Ｂ】本発明によるＶＣＳＥＬの形成過程を示す。
【図２Ｃ】本発明による一態様の上面図である。
【図３】本発明による端面発光レーザの一態様を示す。
【図４】本発明による端面発光レーザの別の一態様を示す。
【符号の説明】
【００１９】
１００、２００  ＶＣＳＥＬ構造
３００、４００  端面発光レーザ構造
１２０、２２０、３２０、４２０  基板
１３０、２３０、３３０、４３０  ｎ型ＧａＮバッファ層
１４０、２４０  ＤＢＲ
３４０、４４０  誘電体層
１５０、２５０、３５０、４５０  ｎ型領域
１６０、２６０、３６０、４６０  ＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮ多重量子井戸領域
１７０、２７０、３７０、４７０  ｐ型領域
１７５、２７５、３７５、４７５  ｎ型コンタクト
１８３、２８３  トレンチ
１９０、２９０、３９０、４９０  ｐ型コンタクト
【図１Ａ】
2006352133.tif 000003
【図１Ｂ】
2006352133.tif 000004
【図１Ｃ】
2006352133.tif 000005
【図１Ｄ】
2006352133.tif 000006
【図１Ｅ】
2006352133.tif 000007
【図１Ｆ】
2006352133.tif 000008
【図２Ａ】
2006352133.tif 000009
【図２Ｂ】
2006352133.tif 000010
【図２Ｃ】
2006352133.tif 000011
【図３】
2006352133.tif 000012
【図４】
2006352133.tif 000013