(57)【要約】    【課題】  長期間使用している内に温度変化が加えられたとてしも、接合界面における剥離が生じ難い圧電装置を提供する。    【解決手段】  焦電性を有する圧電材料からなる第１の圧電体層２と、焦電性を有する圧電材料からなり第１の圧電体に直接接合されている第２の圧電体層３と、第１，第２の圧電体層２，３を接合してなる圧電体４を駆動するために、第１，第２の圧電体層２，３の外表面にそれぞれ形成された第１，第２の電極５，６とを備え、温度変化により、接合界面Ａの第１の圧電体層２側及び第２の圧電体層３側に同極性の電荷が集中する、圧電装置１において、接合界面Ａの端縁の少なくとも一部を覆うように導電膜７または半導電膜が前記圧電体の外表面に形成されていることを特徴とする、圧電装置１。【選択図】      図１
2006344732.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
焦電性を有する圧電材料からなる第１の圧電体層と、
焦電性を有する圧電材料からなり第１の圧電体に直接接合されている第２の圧電体層と、
前記第１，第２の圧電体層を接合してなる圧電体を駆動するために、前記第１，第２の圧電体層の外表面にそれぞれ形成された第１，第２の電極とを備え、温度変化により、接合界面の第１の圧電体層側及び第２の圧電体層側に同極性の電荷が集中する、圧電装置において、
前記接合界面の端縁の少なくとも一部を覆うように導電膜または半導電膜が前記圧電体の外表面に形成されていることを特徴とする、圧電装置。
【請求項２】
前記導電膜が、前記第１，第２の電極に電気的に接続されないように形成されている、請求項１に記載の圧電装置。
【請求項３】
前記半導電膜が、前記第１，第２の電極の内一方の電極に電気的に接続されないように設けられている、請求項１に記載の圧電装置。
【請求項４】
前記導電膜または半導電膜が、前記接合界面の端縁の全領域を覆うように設けられている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の圧電装置。
【請求項５】
前記第１の圧電体層と、第２の圧電体層とが、前記接合界面と垂直な方向において逆方向に分極されており、前記第１，第２の電極が、それぞれ、前記第１，第２の圧電体層において接合界面とは反対側の面に形成されており、それによって、バイモルフ型圧電素子が構成されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の圧電装置。
【請求項６】
前記第１，第２の圧電体層が、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムからなる、請求項１〜５のいずれか１項に記載の圧電装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばバイモルフ型圧電素子のような圧電装置に関し、より詳細には、第１，第２の圧電体層が接合材料を用いることなく、直接接合されている構造を備えた圧電装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、バイモルフ型圧電素子などの圧電効果を利用した様々な圧電装置が知られている。バイモルフ型圧電素子は、駆動時に逆方向に伸縮する２つの圧電体が貼り合わされた構造を有する。この場合、２つの圧電体が接着剤により貼り合わされている場合には、接着部分のばらつきにより特性がばらつくという問題があった。また、加速度センサーなどにバイモルフ型圧電振動子を用いた場合には、上記接着剤のヤング率が比較的大きいため、感度が低くなるという問題もあった。
【０００３】
このような問題を解決するために、下記の特許文献１には、図６に示す加速度センサーが開示されている。加速度センサー１０１では、ＬｉＴａＯ3からなる第１，第２の圧電基板１０２，１０３が直接接合されている。圧電基板１０２，１０３は、結晶のＺ軸、分極軸がそれぞれ、厚み方向となるように配置されておりかつ圧電基板１０２の分極軸と、圧電基板１０３の分極軸とは逆方向とされている。また、圧電基板１０２，１０３の外側主面には、電極１０４，１０５が形成されている。さらに、加速度センサー１０１では、圧電基板１０３の外側面に、支持部材１０６が直接接合されている。電極１０５は支持部材１０６の外側の面に至るように形成されている。
【０００４】
加速度センサー１０１では、圧電基板１０２，１０３が、接着剤を用いることなく直接接合されている。直接接合とは、鏡面研磨された圧電基板１０２の一方主面と、同じく鏡面研磨された圧電基板１０３の一方主面とを表面処理し、接触させ、加熱することにより接合する方法である。直接接合により圧電基板１０２，１０３が接合されているので、接着剤の使用に起因する前述した問題を解消することが可能とされている。
【特許文献１】特開平１０−２０６４５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、加速度センサー１０１では、加速度が作用した際に圧電基板１０２，１０３を接合してなる積層体が屈曲し、屈曲変位が圧電効果により電気信号に変換され、加速度が検出される。従って、加速度センサー１０１では、車両に搭載された際に、加速度が変化される度に、圧電基板１０２，１０３からなる積層体が屈曲されることになる。そのため、圧電基板１０２と圧電基板１０３との直接接合による界面に、屈曲変位の度に大きな力が加わる。そして、加速度センサー１０１のようなバイモルフ型の圧電素子では、上記のように実使用段階において、圧電体同士の接合界面に変位による応力が繰り返し加わるためか、経時により接合部分に剥離が生じることがあった。
【０００６】
本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を解消し、接着剤を用いることなく、隣り合う圧電体が直接接合されている構造を備えた圧電装置であって、しかも、経時による直接接合による接合界面の剥離が生じ難い、信頼性に優れた圧電装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る圧電装置は、焦電性を有する圧電材料からなる第１の圧電体層と、焦電性を有する圧電材料からなり第１の圧電体に直接接合されている第２の圧電体層と、前記第１，第２の圧電体層を接合してなる圧電体を駆動するために、前記第１，第２の圧電体層の外表面にそれぞれ形成された第１，第２の電極とを備え、温度変化により、接合界面の第１の圧電体層側及び第２の圧電体層側に同極性の電荷が集中する、圧電装置において、前記接合界面の端縁の少なくとも一部を覆うように導電膜または半導電膜が前記圧電体の外表面に形成されていることを特徴とする。
【０００８】
本発明に係る圧電装置のある特定の局面では、前記導電膜が、前記第１，第２の電極に電気的に接続されないように形成されている。
【０００９】
本発明に係る圧電装置の他の特定の局面では、前記半導電膜が、前記第１，第２の電極の内一方の電極に電気的に接続されないように設けられている。
【００１０】
本発明に係る圧電装置のさらに他の特定の局面では、前記導電膜または半導電膜が、前記接合界面の端縁の全領域を覆うように設けられている。
【００１１】
本発明に係る圧電装置のさらに別の特定の局面では、前記第１の圧電体層と、第２の圧電体層とが、前記接合界面と垂直な方向において逆方向に分極されており、前記第１，第２の電極が、それぞれ、前記第１，第２の圧電体層において接合界面とは反対側の面に形成されており、それによって、バイモルフ型圧電素子が構成されている。
【００１２】
本発明に係る圧電装置のさらに特定の局面では、前記第１，第２の圧電体層が、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムからなる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係る圧電装置では、焦電性を有する圧電材料からなる第１の圧電体層と、焦電性を有する圧電材料からなる第２の圧電体層とが直接接合されている。従って、第１の圧電体層と第２の圧電体層とは強固に接合されている。しかも、接着剤を必要としないため、接合界面の状態のばらつきによる特性のばらつき等が生じ難い。
【００１４】
加えて、接合界面において、温度変化により第１の圧電体層側と、第２の圧電体層側とに同極性の電荷が集中するように構成されている圧電装置において、導電膜または半導電膜が、上記接合界面の端縁の少なくとも一部を覆うように圧電体の外表面に設けられているので、上記接合界面における剥離を確実に抑制することができる。
【００１５】
すなわち、本願発明者は、前述した特許文献１に記載の加速度センサーのような圧電装置において長期間使用されているうちに、接合界面における剥離が生じることについて鋭意検討した。その結果、圧電体が焦電性を有する場合、温度変化が与えられた際に、同極性の電荷が接合界面の両側に集中し、それによって剥離が生じることを見出した。
【００１６】
これに対して、本発明では、上記のように、接合界面の端縁の少なくとも一部を覆うように導電膜または半導電膜が形成されているので、接合界面の第１の圧電体層側及び第２の圧電体層側に同極性の電荷が集中したとしても、この電荷が導電膜または半導電膜に流れ、空気中に放電される。従って、屈曲変位された状態においても、第１，第２の圧電体層間に電気的反発力による応力が生じ難いため、第１，第２の圧電体層圧電の剥離を確実に抑制することが可能となる。よって、長期間使用し、繰り返し温度変化に曝された場合であっても、第１，第２の圧電体層間の剥離が生じ難い、信頼性に優れた圧電装置を提供することが可能となる。
【００１７】
導電膜は、第１，第２の電極に電気的に接続されないように形成されていることが望ましく、その場合には、第１，第２の電極から交流電圧により、圧電装置を例えばバイモルフ型圧電素子として確実に駆動することができる。
【００１８】
また、本発明では、上記接合界面の端縁の少なくとも一部を覆うように半導電膜が形成されていてもよいが、半導電膜の場合には、第１，第２の電極の内の一方の電極に電気的に接続されないように設けられていればよい。すなわち、半導電膜は、第１，第２の電極の内の一方の電極に電気的に接続されていても、第１，第２の電極を用いて圧電装置を駆動する際の妨げとはならない。従って、半導電膜を用いる場合には、第１，第２の圧電体層を積層してなる圧電体の外表面において、導電膜の場合に比べて、形成位置の許容度を高めることができる。従って、生産性を高めることができ、圧電装置の低コスト化を図ることができる。
【００１９】
導電膜または半導電膜が接合界面の圧電体の外表面に露出している部分の全領域を覆うように設けられている場合には、剥離の進行をより一層確実に防止することができる。
【００２０】
第１の圧電体層と、第２の圧電体層とが、接合界面と垂直な方向において逆方向に分極軸を有し、第１，第２の電極が、第１，第２の圧電体層において接合界面と反対側の面に形成されている場合には、本発明に従って、信頼性に優れたバイモルフ型圧電素子を提供することができる。
【００２１】
第１，第２の圧電体層は、圧電セラミックスあるいは圧電単結晶などの様々な焦電性を有する圧電材料により構成されるが、ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチウムからなる場合には、これらの圧電単結晶が焦電性を示すため、上記焦電作用による剥離の進行が大きな問題となる。従って、ニオブ酸リチウムやタンタル酸リチウムからなる圧電体層を用いた圧電装置では、本発明により得られる効果はより大きい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００２３】
図１（ａ）は、一実施形態に係る圧電装置を示す斜視図である。圧電装置１は、バイモルフ型の圧電素子であり、第１の圧電体層２と第２の圧電体層３とを直接接合してなる圧電体４を有する。
【００２４】
第１，第２の圧電体層２，３は、焦電作用を有する圧電材料からなる。本実施形態では、第１，第２の圧電体層２，３は、このような圧電材料としてのニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3）がある。また、第１の圧電体層２を構成しているＬｉＮｂＯ3の結晶のＺ軸及び第２の圧電体層３を構成しているＬｉＮｂＯ3の結晶のＺ軸は、いずれも第１，第２の圧電体層２，３の厚み方向であり、かつ図示のＰ１，Ｐ２のように、互いに逆方向とされている。
【００２５】
圧電体層２，３は、上記のように直接接合されており、接合界面Ａには接着剤は存在しない。このような直接接合とは、前述した特許文献１に記載されているように、両圧電体層を接触させ、加熱することにより、両者の間に化学結合を生じさせることにより接合させる方法である。
【００２６】
より具体的には、第１，第２の圧電体層２，３を構成するＬｉＮｂＯ3の接合界面Ａ側の主面を鏡面研磨する。しかる後、鏡面研磨された面を洗浄した後、親水化処理を施す。この親水化処理は、例えば、アンモニア、過酸化水素及び水の混合液（（アンモニア水：過酸化水素水：水＝１：１：６）容量比）に浸漬することにより行われる。
【００２７】
親水化処理により、処理された表面には、−ＯＨ基が形成されることになる。そのため、親水化処理後に、親水化処理された表面同士を接触させるように、第１，第２の圧電体層２，３を重ね合わせると、水素結合により、第１の圧電体層２の親水化処理された表面と第２の圧電体層３の親水化処理された主面とが引き合い、一体化される。
【００２８】
さらに、３５０℃程度に加熱すると、第１の圧電体層２の上記接合界面Ａ側の面のニオブ酸リチウムの未結合手と、第２の圧電体層３の結合界面Ａ側のニオブ酸リチウムの未結合手同士が結合し、第１，第２の圧電体層２，３が強固に接合されることになる。この熱処理による結合の生成に際しての加熱温度は、第１，第２の圧電体層２，３のキュリー点よりも低い温度とすることが好ましい。キュリー点以上の温度に加熱した場合には、分極が損なわれるおそれがある。
【００２９】
上記のように、鏡面研磨された表面同士を親水化処理し、しかる後、接触させ、加熱することにより、接合する方法を、直接接合ということとする。
【００３０】
上記のような直接接合により第１，第２の圧電体層２，３が結合されて構成されている圧電体４では、接着剤等を必要としないため、接着剤の使用に起因する特性のばらつきや経時による特性の変動が生じ難い。
【００３１】
上記圧電体４の外側面、すなわち第１の圧電体層２の接合界面Ａと反対側の主面には、第１の電極５が形成されている。同様に、第２の圧電体層３の接合界面Ａと反対側の主面には第２の電極６が形成されている。電極５，６は、適宜の導電性材料により構成され得る。本実施形態では、Ａｕからなる電極が真空蒸着法により形成されている。なお、Ａｕからなる第１，第２の電極５，６は、第１，第２の圧電体層２，３の直接接合前に形成されている。
【００３２】
もっとも、電極５，６は、上記直接接合後に形成されてもよい。
【００３３】
また、電極５，６は、Ａｕ以外のＡｇ、Ｃｕ、Ａｇ−Ｐｄなどの適宜の金属もしくは合金により形成されてもよい。電極５，６の形成方法についても、真空蒸着に限らず、スパッタ、導電ペーストの塗布・硬化等の様々な方法により行うことができ、特に限定されるものでない。
【００３４】
本実施形態の圧電装置１の特徴は、上記接合界面Ａの端縁の全部を覆うように、導電膜７が形成されていることにある。
【００３５】
上記導電膜７は、適宜の導電性材料により形成される。本実施形態では、Ａｕ膜により形成されている。
【００３６】
圧電装置１では、上記導電膜７が形成されているので、長期間使用したとしても、圧電体層２，３の間の接合界面Ａにおける剥離が生じ難い。これを図１（ｂ）、（ｃ）及び図４（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。
【００３７】
図４（ａ）は、上記圧電装置１に対し、上記導電膜７が設けられていないことを除いては同様に構成されている、比較例としての圧電装置１１１を示す斜視図である。なお、圧電装置１１１において圧電装置１の部分と同一部分については、同一の参照番号を付することにより、その説明を省略する。
【００３８】
圧電装置１において、温度変化が与えられると、焦電効果により圧電体層２，３には、図４（ｂ）に示すように電荷が分布することになる。なお、図４（ｂ）の縦軸のＸ軸は、圧電体４の厚み方向の軸、すなわち接合界面Ａと直交する方向の軸である。すなわち、図４（ｂ）は、温度変化が与えられた際の圧電体の側面における上記Ｘ軸方向に沿う部分の電荷を説明するための模式図であり、図４（ｃ）は同じく圧電体における温度変化が与えられた際に生じる電荷分布を示す模式的横断面図である。
【００３９】
従って、図４（ｃ）に示すように、接合界面Ａにおいて、第１の圧電体層２側及び第２の圧電体層３側に、同極性の電荷が集中することになる。そのため、図４（ｂ）に示すように、接合界面Ａの両側に同極性の電荷が存在することにより、静電反発力が生じ、接合界面Ａにおいて剥離が進行しやすくなる。特に、圧電体４が屈曲変位した際には、屈曲変位による応力と、上記静電反発力とにより、接合界面Ａ、特に接合界面Ａの端縁部分において剥離が生じやすくなる。
【００４０】
そして、上記のように同極性の電荷による静電反発力が生じた場合に、屈曲変位されると、接合界面Ａの端縁部分において、剥離が生じ易くなる。そのため、長期間使用するうちに、上記のような熱衝撃が度々加わると、第１，第２の圧電体層２，３間の接合界面Ａにおける剥離が進行するという問題のあることが確かめられた。
【００４１】
これに対して、本実施形態の圧電装置１では、図１（ｃ）に示すように、熱衝撃が加えられた際には、上記比較例後圧電装置１１１の場合と同様に、接合界面Ａの第１の圧電体層２側及び第２の圧電体層３側に同極性の電荷がやはり集中することになる。
【００４２】
しかしながら、導電膜７が設けられているので、集中した電荷が導電膜７に移動し、空気中に放電されることになる。従って、図１（ｂ）に破線で示した電荷の集中現象が導電膜７により平滑化され、静電反発力が生じ難い。よって、熱衝撃が加えられた場合であっても、接合界面Ａにおける剥離が生じ難い。
【００４３】
なお、上記比較例として用意した圧電装置１１１において接合界面Ａの端縁において部分的な剥離が生じたとしても、熱衝撃や屈曲変位が除かれると、剥離していた部分において、第１の圧電体層２と第２の圧電体層３とが直接接触し、再度未結合手同士が結合し、結合を修復し、剥離は解消されると考えられる。しかしながら、実際には、剥離した部分に、空気中の酸素や他の材料からの酸素が供給されると、未結合手に酸素が結合する。そのため、未結合手同士がもはや結合しなくなる。従って、剥離した状態のままとなり、長期間使用する内、剥離部分が徐々に広がっていくものと考えられる。
【００４４】
これに対して、本実施形態では、上記のように、焦電性を有する圧電体層２，３において、上記のような同極性の電荷の集中が接合界面Ａの両側において生じたとしても、該電荷が導電膜７に移動し、電荷の集中が緩和される。従って、上記剥離自体が最初から生じ難い。よって、本実施形態によれば、長期間使用している内に温度変化が加えられたとしても、剥離が生じ難い、信頼性に優れた圧電装置１を提供することができる。
【００４５】
これを、具体的な実験例に基づき明らかにする。
【００４６】
１ｍｍ×１ｍｍ×５ｍｍの棒状のＬｉＮｂＯ3からなる第１，第２の圧電体層２，３を用意した。この圧電体層２，３の両主面は、予め鏡面研磨しておいた。圧電体層２，３の圧電体４において外側主面となる主面に、真空蒸着により、Ａｕからなる第１，第２の電極５，６を１μｍの厚みに形成した。
【００４７】
次に、第１，第２の圧電体層２，３を９０℃の硫酸・過酸化水素水混合液で洗浄し、次に、前述したアンモニア、過酸化水素及び水の混合液による親水化処理を施し、親水化処理後に接合界面Ａを介して重ね合わせた。しかる後、４００〜１１００℃の温度で２０分加熱し、直接接合した。このようにして、圧電体４を得た。
【００４８】
しかる後、圧電体４の側面及び端面に、Ａｕからなる導電膜７をＡｕペーストの塗布・焼き付けにより形成した。なお、導電膜７の幅方向寸法、すなわち図１の高さ方向に沿う寸法は０．５ｍｍとし、導電膜７は上述したように、接合界面Ａ端縁部分の全領域を覆うように、圧電体４の一対の側面及び一対の端面の中間高さ位置において、巻回されるように形成した。また、導電膜７，８の厚みは、約１００ｎｍとした。
【００４９】
比較のために、上記導電膜が形成されていないことを除いては、上記と同様にして構成された図４（ａ）に示した圧電装置１１１を作製した。
【００５０】
上記実施形態及び比較例の圧電装置１，１１１について、−４０℃に５分間維持した後、５℃／分の昇温速度で＋８５℃まで昇温し、８５℃の温度に５分間維持し、しかる後、８５℃から−４０℃まで５℃／分の降温速度で温度変化を与えるサイクルを１サイクルとし、５００サイクルの熱衝撃試験を施した。しかる後、超音波探傷装置を用い、接合界面Ａを観察した。その結果、上記圧電装置１では、接合界面Ａにおいて剥離は生じていなかったのに対し、比較例の圧電装置１１１では、図５に示すように、接合界面Ａの周縁領域Ｂにおいて剥離が生じていた。この領域Ｂすなわち剥離されている領域の幅方向寸法は０．３ｍｍであった。すなわち、接合界面Ａの端縁から内側に向って０．３ｍｍの幅の領域にとおいて、接合界面Ａの周縁に沿って剥離が生じていた。
【００５１】
上記実施形態では、接合界面Ａの外周端縁の全領域を覆うように導電膜７が形成れていたが、図２（ａ）及び（ｂ）に示すように、接合界面Ａの端縁の一部を覆うように導電膜７ａ，７ｂが形成されていてもよい。すなわち、図２（ａ）では、導電膜７ａ，７ｂが、それぞれ圧電体４の長辺側に沿う側面と、短辺側に沿う端面とに形成されている。なお、図２（ａ）において、図示されていない側面及び端面にも同様に導電膜が形成されている。
【００５２】
また、図２（ｂ）に示すように、圧電体４の側面及び端面において、それぞれ、複数の導電膜７ｃ，７ｄを形成してもよい。
【００５３】
このように、本発明において、上記導電膜は、接合界面Ａの端縁の少なくとも一部を被覆するように形成されていればよく、その場合においても、接合界面Ａにおいて集中する電荷が導電膜側に移動し、接合界面Ａにおける電荷集中効果を解消することができ、接合界面Ａにおける剥離を確実に抑制することができる。
【００５４】
もっとも、好ましくは、図１（ａ）に示したように、接合界面Ａの全領域を覆うように導電膜を形成することが望ましく、その場合には剥離の進行をより確実に抑制することができる。これは、電荷の集中を接合界面Ａの全領域において緩和することができ、しかも、外部からの酸素の接合界面Ａへの浸入を抑制することも可能となることによる。すなわち、剥離の発生自体の抑制、並びに部分的な剥離が生じたとしても、該剥離された状態の酸素の結合による固定化を確実に抑制することができる。
【００５５】
また、上記実施形態及び変形例では、接合界面Ａにおける同極性の電荷の集中現象を緩和するために、導電膜が設けられていたが、導電膜に代えて半導電膜を用いてもよい。このような半導電膜としては、シリコン系半導体、化合物系半導体、セラミック半導体などを挙げることができる。また、金属などからなる薄膜の場合にも、その膜厚が数十ｎｍ以下の場合には、半導電性を示すことが知られており、このような半導電膜を用いた場合においても、接合界面Ａの両側に集中した同極性の電荷を半導電膜側に移動させ、空気中に放電することができる。
【００５６】
また、本発明においては、導電膜または半導電膜の双方を、上記接合界面Ａの端縁を覆うように形成してもよい。すなわち、導電膜と半導電膜とを併用してもよい。
【００５７】
また、導電膜が形成される場合、導電膜は第１の電極５及び第２の電極６に電気的に接続されないように形成されることが望ましい。例えば圧電装置１のようなバイモルフ型圧電素子では、導電膜７が第１の電極５及び第２の電極６の一方にあるいは双方に電気的に接続されると、バイモルフ型圧電素子として駆動させることができなかったり、駆動させ得たとしても、振動特性が損なわれることがある。
【００５８】
従って、好ましくは、導電膜は第１，第２の電極５，６に電気的に接続されないように、圧電体４の外表面に形成されることが好ましい。もっとも、半導電膜の場合には、図３に示すように、半導電膜８が、一方の電極５に電気的に接続されるように形成されていてもよい。これは、半導電膜８の場合には、一方の電極５に電気的に接続されていたとしても、バイモルフ型圧電素子として駆動する際の振動特性の影響が生じ難いことによる。従って、半導電膜を設ける場合、圧電体４の側面や端縁における形成時の許容度を高めることができ、それによって生産工程の簡略化及び圧電装置のコストの低減を果たすことが可能となる。
【００５９】
なお、上記実施形態及び変形例では、圧電体粗２，３は、ＬｉＮｂＯ3により構成されていたが、ＬｉＴａＯ3などの焦電性を有する他の圧電単結晶、あるいは焦電性を有する圧電セラミックスにより構成されていてもよい。
【００６０】
また、上記接合界面Ａにおける同極性の電荷の集中が駆動に際して生じる限り、圧電バイモルフ素子に限らず、様々な圧電装置に本発明を適用することができる。
【００６１】
また、接合界面の両側の第１，第２の圧電体層の分極軸方向についても、実施形態のように厚み方向において互いに逆方向の関係に限定されるものではなく、目的とする圧電装置に応じて適宜変更することができる。
【００６２】
さらに、第１，第２の電極５，６についても、接合界面Ａと反対側の主面に形成した構造に限らず、圧電装置の構成に応じて、圧電体層３，４の他の部分に電極が形成されていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】（ａ）は、本発明の一実施形態に係る圧電装置の外観を示す斜視図。（ｂ）は、温度変化が与えられた際の接合界面の端縁部分における電荷の分布状態を説明するための模式図であり、（ｃ）は温度変化が与えられた際の電荷分布を説明するための圧電体の模式的横断面図。
【図２】（ａ），（ｂ）は、本発明の一実施形態の圧電装置の変形例を示す各斜視図。
【図３】本発明の圧電装置の他の変形例を説明するための斜視図。
【図４】（ａ）は、比較のために用意した圧電装置を示す斜視図であり、（ｂ）は、温度変化が与えられた際の接合界面の端縁部分における電荷の分布状態を説明するための模式図であり、（ｃ）は温度変化が与えられた際の電荷分布を説明するための圧電体の模式的横断面図。
【図５】比較例の圧電装置において生じた剥離の状態を示す模式図平面断面図。
【図６】従来の加速度センサーの斜視図。
【符号の説明】
【００６４】
１…圧電装置
２…第１の圧電体層
３…第２の圧電体層
４…圧電体
５…第１の電極
６…第２の電極
７…導電膜
７ａ，７ｂ，７ｃ，７ｄ…導電膜
８…半導電膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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