(57)【要約】      （修正有）【課題】  外部から印加される直流バイアスによって容量が変えられるコンデンサにおいて、コンデンサ本体に備える電極の積層数を減じることができるとともに、直流バイアス印加に必要な電圧を低減できるようにする。【解決手段】  コンデンサ本体２３に、直流バイアス印加用電極２５および容量取得用電極２６を設けるとともに、アース用電極２４を設け、アース用電極２４を、直流バイアス印加のための電極として機能させるばかりでなく、容量取得のための電極としても機能させる。【選択図】  図１
2006344845.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の誘電体層をもって構成される積層構造を有する、コンデンサ本体を備え、
前記コンデンサ本体は、特定の前記誘電体層に沿って設けられるアース用電極と、特定の前記誘電体層を介して前記アース用電極と対向する位置に設けられる直流バイアス印加用電極と、前記アース用電極と前記直流バイアス印加用電極との間に位置しかつ特定の前記誘電体層を介して前記アース用電極と対向することによって静電容量を形成するように設けられる容量取得用電極とを含み、
前記コンデンサ本体の外表面上に設けられ、かつ前記アース用電極に電気的に接続される、アース用端子導体膜と、
前記コンデンサ本体の外表面上に設けられ、かつ前記直流バイアス印加用電極に電気的に接続される、直流バイアス印加用端子導体膜と、
前記コンデンサ本体の外表面上に設けられ、かつ前記容量取得用電極に電気的に接続される、第１の容量取得用端子導体膜と
をさらに備える、コンデンサ。
【請求項２】
前記コンデンサ本体の外表面上に設けられ、かつ前記アース用電極に電気的に接続される、第２の容量取得用端子導体膜をさらに備え、前記コンデンサ本体は、積層方向に延びる４つの側面を有する直方体状であり、前記アース用端子導体膜は、第１の前記側面上に設けられ、前記直流バイアス印加用端子導体膜は、前記第１の側面に対向する第２の前記側面上に設けられ、前記第１の容量取得用端子導体膜は、前記第１および第２の側面に隣接する第３の前記側面上に設けられ、前記第２の容量取得用端子導体膜は、前記第３の側面に対向する第４の前記側面上に設けられる、請求項１に記載のコンデンサ。
【請求項３】
少なくとも前記アース用電極と前記容量取得用電極との間に位置する前記誘電体層は、誘電特性の直流バイアス依存性の大きい材料から構成される、請求項１または２に記載のコンデンサ。
【請求項４】
前記コンデンサ本体は、複数組の前記アース用電極、前記直流バイアス印加用電極および前記容量取得用電極を含む、請求項１ないし３のいずれかに記載のコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、コンデンサに関するもので、特に、外部から印加される直流バイアスによって容量が変えられるコンデンサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
可変コンデンサのうち、外部から印加される直流バイアスによって容量が変えられるコンデンサとして、たとえば特公平５−１９９７０号公報（特許文献１）に記載されたものがある。図５および図６を参照して、特許文献１に記載されたコンデンサについて説明する。図５は、コンデンサを、誘電体層の積層方向に向く断面をもって示す正面図であり、図６は、コンデンサを、誘電体層の主面方向に延びる断面をもって示す平面図である。
【０００３】
図５に示すように、コンデンサ１は、複数の誘電体層２をもって構成される積層構造を有する、直方体状のコンデンサ本体３を備えている。コンデンサ本体３は、また、互いに対をなす直流バイアス印加用電極４および５と、互いに対をなす容量取得用電極６および７とを備えている。容量取得用電極６および７は、直流バイアス印加用電極４および５の間に位置している。また、直流バイアス印加用電極４、容量取得用電極６、容量取得用電極７および直流バイアス印加用電極５の各々の間には、誘電体層２が位置されている。
【０００４】
上述した直流バイアス印加用電極４および５ならびに容量取得用電極６および７の各々のパターンが図６によく示されている。図６（ａ）は、直流バイアス印加用電極４が通る断面を示し、図６（ｂ）は、直流バイアス印加用電極５が通る断面を示し、図６（ｃ）は、容量取得用電極６が通る断面を示し、図６（ｄ）は、容量取得用電極７が通る断面を示している。
【０００５】
図６によく示されているように、コンデンサ本体３は、積層方向に延びる４つの側面８〜１１を有している。側面８、９、１０および１１上には、それぞれ、直流バイアス印加用端子導体膜１２および１３ならびに容量取得用端子導体膜１４および１５が設けられている。
【０００６】
図６（ａ）に示すように、直流バイアス印加用電極４は、側面８にまで引き出され、ここで直流バイアス印加用端子導体膜１２に電気的に接続される。図６（ｂ）に示すように、直流バイアス印加用電極５は、側面９にまで引き出され、ここで直流バイアス印加用端子導体膜１３に電気的に接続される。図６（ｃ）に示すように、容量取得用電極６は、側面１０にまで引き出され、ここで容量取得用端子導体膜１４に電気的に接続される。図６（ｄ）に示すように、容量取得用電極７は、側面１１にまで引き出され、ここで容量取得用端子導体膜１５に電気的に接続される。
【０００７】
以上のような構成を有するコンデンサ１において、対をなす容量取得用電極６および７間に形成される静電容量は、容量取得用端子導体膜１４および１５から取り出される。このとき、直流バイアス印加用端子導体膜１２および１３を通して、直流バイアス印加用電極４および５間に直流バイアスが印加されると、直流バイアス印加用電極４および５間に位置する誘電体層２の誘電率等の誘電特性が変化する。したがって、上述した容量取得用電極６および７間に位置する誘電体層２の誘電特性が変化することになり、その結果として、容量取得用端子導体膜１４および１５を通して取り出される静電容量を変化させることができる。
【０００８】
図５に示したコンデンサ１に類似する構成が特公平５−１９９６９号公報（特許文献２）に記載されている。図７は、特許文献２に記載されたコンデンサ１ａを示す、図５に対応する図である。図７において、図５に示した要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【０００９】
図７に示したコンデンサ１ａでは、直流バイアス印加用電極４および５が、容量取得用電極６および７の間に挟まれるように位置している。その他の構成については、図５に示したコンデンサ１と実質的に同様である。
【００１０】
これらのコンデンサ１および１ａには、しかしながら、次のような解決されるべき課題がある。
【００１１】
まず、コンデンサ１および１ａでは、容量を可変とするため、コンデンサ本体３に設けられる電極としては、直流バイアス印加用電極４および５ならびに容量取得用電極６および７というように、少なくとも４層の電極が必要であり、また、電極４〜７の各々の間を隔てる誘電体層２については、少なくとも３層必要であり、小型化を図る上で不利となる。
【００１２】
また、図５に示したコンデンサ１においては、誘電特性を変化させたい誘電体層２は単に１層に過ぎないにも関わらず、構造上、３層の誘電体層２に直流バイアスを印加しなければならない。電界強度は電極間距離に反比例するため、上記構造の場合、各誘電体層２の厚みが同じであるとすれば、必要な電界強度を得るためには、１層の場合の３倍の直流電圧を印加する必要があり、駆動電圧が高くなるという弊害がもたらされる。また、直流バイアス印加用電極４および５間に位置する誘電体層２のすべてが静電容量取得に関与するわけではないため、体積容量が低下し、小型でありながら大容量化を実現することが困難である。
【００１３】
他方、図７に示したコンデンサ１ａの場合には、容量取得用電極６および７の間に直流バイアス印加用電極４および５が配置されているため、静電容量取得のための誘電体層２の一部には直流バイアスが印加されない。誘電体層２の各々の厚みが同じである場合、直流バイアスが印加される誘電体層の厚みは、静電容量取得に寄与する誘電体層２の合計厚みの１／３になり、容量の変化率については、誘電体層２の材料自体がもつ直流バイアス特性の１／３以下にまで低下するという弊害がもたらされる。また、構造上、容量取得用電極６および７間の距離を短くすることが困難であるため、小型でありながら大容量化を図るには不利である。
【特許文献１】特公平５−１９９７０号公報
【特許文献２】特公平５−１９９６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
そこで、この発明の目的は、上述したような課題を解決し得るコンデンサを提供しようとすることである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
この発明に係るコンデンサは、複数の誘電体層をもって構成される積層構造を有する、コンデンサ本体を備える。コンデンサ本体は、特定の誘電体層に沿って設けられるアース用電極と、特定の誘電体層を介してアース用電極と対向する位置に設けられる直流バイアス印加用電極と、アース用電極と直流バイアス印加用電極との間に位置しかつ特定の誘電体層を介してアース用電極と対向することによって静電容量を形成するように設けられる容量取得用電極とを含んでいる。
【００１６】
この発明に係る積層コンデンサは、さらに、アース用電極に電気的に接続されるアース用端子導体膜と、直流バイアス印加用電極に電気的に接続される直流バイアス印加用端子導体膜と、容量取得用電極に電気的に接続される第１の容量取得用端子導体膜とを備え、これらアース用端子導体膜、直流バイアス印加用端子導体膜および第１の容量取得用端子導体膜は、コンデンサ本体の外表面上に設けられる。
【００１７】
この発明に係るコンデンサは、コンデンサ本体の外表面上に設けられ、かつアース用電極に電気的に接続される、第２の容量取得用端子導体膜をさらに備えることが好ましい。この場合、好ましくは、コンデンサ本体は、積層方向に延びる４つの側面を有する直方体状であり、アース用端子導体膜は、第１の側面上に設けられ、直流バイアス印加用端子導体膜は、第１の側面に対向する第２の側面上に設けられ、第１の容量取得用端子導体膜は、第１および第２の側面に隣接する第３の側面上に設けられ、第２の容量取得用端子導体膜は、第３の側面に対向する第４の側面上に設けられる。
【００１８】
この発明に係るコンデンサにおいて、少なくともアース用電極と容量取得用電極との間に位置する誘電体層は、誘電特性の直流バイアス依存性の大きい材料から構成されることが好ましい。
【００１９】
この発明に係るコンデンサにおいて、コンデンサ本体は、複数組のアース用電極、直流バイアス印加用電極および容量取得用電極を含んでいてもよい。
【発明の効果】
【００２０】
この発明に係るコンデンサによれば、アース用電極が、直流バイアス印加用電極と容量取得用電極との双方に共通して対向するように設けられ、それによって、直流バイアス印加用電極と対をなして直流バイアスを印加するための電極として機能するとともに、容量取得用電極と対をなして静電容量を形成するための電極としても機能する。このようにアース用電極に２つの機能を持たせることにより、容量を可変とするために、コンデンサ本体において、アース用電極、直流バイアス印加用電極および容量取得用電極といった少なくとも３層の電極、ならびに各電極間を隔てる誘電体層として少なくとも２層の誘電体層を必要とするだけである。したがって、コンデンサの小型化を有利に進めることができる。
【００２１】
また、コンデンサ本体において、直流バイアス印加用電極とアース用電極との間には、単に１層の容量取得用電極を位置させるだけで済むので、直流バイアス印加用電極とアース用電極との間隔を容易に小さくすることができる。そして、直流バイアス印加用電極とアース用電極との間隔を小さくすれば、より低い電圧で、誘電体層の誘電特性を変えることができるようになり、その結果、より低い電圧で、コンデンサが与える静電容量を制御することが可能になる。
【００２２】
また、上述したように、容量を可変とするためにコンデンサ本体において必要とされる電極および誘電体層の数を少なくすることができるため、体積容量が大きくなり、小型でありながら高容量化を図ることが容易になる。
【００２３】
また、この発明によれば、容量取得用電極がアース用電極と直流バイアス印加用電極との間に位置しているので、静電容量取得に関与する誘電体層のすべてに直流バイアスが印加されることができる。したがって、より低い電圧でより広範囲に静電容量を制御することが可能になる。
【００２４】
この発明に係るコンデンサが、アース用電極に電気的に接続される第２の容量取得用端子導体膜をさらに備え、コンデンサ本体が、４つの側面を有する直方体状であり、アース用端子導体膜が第１の側面上に設けられ、直流バイアス印加用端子導体膜が第２の側面上に設けられ、第１の容量取得用端子導体膜が第３の側面上に設けられ、第２の容量取得用端子導体膜が第４の側面上に設けられると、特許文献１および２に記載されたような可変コンデンサと実質的に同様の実装状態を採用することができる。
【００２５】
この発明に係るコンデンサにおいて、少なくともアース用電極と容量取得用電極との間に位置する誘電体層が、誘電特性の直流バイアス依存性の大きい材料から構成されると、直流バイアスによる静電容量の可変範囲を広くすることができる。
【００２６】
この発明に係るコンデンサにおいて、コンデンサ本体が、複数組のアース用電極、直流バイアス印加用電極および容量取得用電極を含んでいると、取得静電容量をより大きくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
図１は、この発明の第１の実施形態によるコンデンサ２１を説明するためのものである。図１において、（ａ）は、前述した図５または図７に対応する図であって、コンデンサ２１を、誘電体層２２の積層方向に向く断面をもって示す正面図であり、（ｂ）〜（ｄ）は、前述した図６に対応する図であって、コンデンサ２１を、誘電体層２２の主面方向に延びる断面をもって示す平面図である。
【００２８】
図１（ａ）に示すように、コンデンサ２１は、複数の誘電体層２２をもって構成される積層構造を有する、コンデンサ本体２３を備えている。コンデンサ本体２３は、特定の誘電体層２２に沿って設けられるアース用電極２４と、特定の誘電体層２２を介してアース用電極２４と対向する位置に設けられる直流バイアス印加用電極２５と、アース用電極２４と直流バイアス印加用電極２５との間に位置しかつ特定の誘電体層２２を介してアース用電極２４と対向することによって静電容量を形成するように設けられる容量取得用電極２６とを備えている。
【００２９】
コンデンサ本体２３は、図１（ｂ）〜（ｄ）によく示されているように、積層方向に延びる４つの側面２７〜３０を有する直方体状である。第１の側面２７上には、アース用端子導体膜３１が設けられる。第１の側面２７に対向する第２の側面２８上には、直流バイアス印加用端子導体膜３２が設けられる。第１および第２の側面２７および２８に隣接する第３の側面２９上には、第１の容量取得用端子導体膜３３が設けられる。第３の側面２９に対向する第４の側面３０上には、第２の容量取得用端子導体膜３４が設けられる。
【００３０】
図１（ｂ）には、直流バイアス印加用電極２５が通る断面が示されている。直流バイアス印加用電極２５は、第２の側面２８にまで引き出され、ここで直流バイアス印加用端子導体膜３２に電気的に接続される。
【００３１】
図１（ｃ）には、容量取得用電極２６が通る断面が示されている。容量取得用電極２６は、第３の側面２９にまで引き出され、ここで第１の容量取得用端子導体膜３３に電気的に接続される。
【００３２】
図１（ｄ）には、アース用電極２４が通る断面が示されている。アース用電極２４は、第１の側面２７にまで引き出されるとともに、第４の側面３０にまで引き出される。そして、アース用電極２４は、第１の側面２７上において、アース用端子導体膜３１に電気的に接続され、また、第４の側面３０上において、第２の容量取得用端子導体膜３４に電気的に接続される。
【００３３】
以上のような構成を有するコンデンサ２１において、アース用電極２４と容量取得用電極２６との間に形成される静電容量は、第１および第２の容量取得用端子導体膜３３および３４から取り出される。このとき、アース用端子導体膜３１および直流バイアス印加用端子導体膜３２を通して、アース用電極２４と直流バイアス印加用電極２５との間に直流バイアスが印加されると、アース用電極２４と直流バイアス印加用電極２５との間に位置する誘電体層２２の誘電率等の誘電特性が変化する。したがって、上述したアース用電極２４と容量取得用電極２６との間に位置する誘電体層２２の誘電特性が変化することになり、その結果として、第１および第２の容量取得用端子導体膜３３および３４を通して取り出される静電容量を変化させることができる。
【００３４】
上述した静電容量の変化幅をより大きくするためには、誘電体層２２、特にアース用電極２４と容量取得用電極２６との間に位置する誘電体層２２が、誘電特性の直流バイアス依存性の大きい材料から構成されることが好ましい。このように、誘電特性の直流バイアス依存性の大きい材料としては、たとえば、１００Ｂａ1.006 （Ｔｉ0.97Ｚｒ0.03）Ｏ3 −２．５ＧｄＯ3/2 −２．５ＭｇＯ−０．５ＭｎＯ−１．０ＳｉＯ2 がある。
【００３５】
次に、この発明による効果を確認するために実施した実験例１について説明する。
【００３６】
この実験例１では、この発明の範囲内にある実施例に係る試料として、図１に示したコンデンサ２１と実質的に同様の構造を有するものを作製し、この発明の範囲外の比較例に係る試料として、前述の図５に示したコンデンサ１と実質的に同様の構造を有するものを作製した。これら実施例および比較例の各々において、誘電体層を構成する誘電体として、ＢａＴｉＯ3 系の高誘電率セラミック材料を用い、電極間に位置する誘電体層の厚みを２μｍとした。また、電極は、ニッケルを主成分とし、厚みを１μｍとした。また、コンデンサ本体の外形寸法を３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×０．４ｍｍとした。
【００３７】
以上のような実施例および比較例の各々に係るコンデンサについて、０〜３６Ｖの範囲内のいくつかの直流バイアスを印加した際の容量変化率を求めた。その結果が図２に示されている。
【００３８】
図２から、実施例によれば、比較例と比較して、同一の容量変化率を得るためには、２／３倍の直流バイアス電圧を印加すればよいことがわかる。これは、実施例では、直流バイアスを印加するための一方の電極および容量を取得するための一方の電極を、アース用電極で共通化し、このアース用電極と直流バイアス印加用電極との間隔を、比較例における対をなす直流バイアス印加用電極間の間隔の２／３倍に短くし、それによって、より低電圧で必要な容量変化率を得ることができるようになったためである。
【００３９】
図３および図４は、それぞれ、この発明の第２および第３の実施形態によるコンデンサ４１および５１を示す、図１（ａ）に対応する図である。図３および図４において、図１（ａ）に示した要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００４０】
第２および第３の実施形態によるコンデンサ４１および５１は、コンデンサ本体２３において、複数組のアース用電極２４、直流バイアス印加用電極２５および容量取得用電極２６が形成されていることを特徴としている。
【００４１】
より詳細には、図３に示したコンデンサ４１では、複数組のアース用電極２４、直流バイアス印加用電極２５および容量取得用電極２６が、上から、直流バイアス印加用電極２５、容量取得用電極２６、アース用電極２４、直流バイアス印加用電極２５、…といった順序で複数回繰り返されて配置されている。
【００４２】
図４に示したコンデンサ５１では、上から、直流バイアス印加用電極２５、容量取得用電極２６、アース用電極２４、容量取得用電極２６、直流バイアス印加用電極２５、…といった順序で複数回繰り返されて配置されている。
【００４３】
言い換えると、図３に示したコンデンサ４１では、図１（ａ）に示したコンデンサ２１における直流バイアス印加用電極２５、容量取得用電極２６およびアース用電極２４の配置を１組とし、この組が複数回繰り返されている。図４に示したコンデンサ５１では、隣り合う組の間でアース用電極２４を共用し、容量取得用電極２６については、誘電体層２２の２層毎に配置されている。
【００４４】
なお、図３に示したコンデンサ４１のコンデンサ本体２３および図４に示したコンデンサ５１のコンデンサ本体２３を比較したとき、厚み方向寸法に関して異なるように図示されているが、これは、図示しようとする電極２４〜２６の数が異なるという理由からもたらされた結果に過ぎず、図示した厚み方向寸法の差は、特に意味があるものではない。
【００４５】
次に、上記コンデンサ４１および５１のように、コンデンサ本体２３が、複数組のアース用電極２４、直流バイアス印加用電極２５および容量取得用電極２６を備える場合において、この発明に係るコンデンサによれば、より広い容量変化範囲が得られることを確認するために実施した実験例２について説明する。
【００４６】
この実験例２では、表１に示すように、試料１〜４の各々に係るコンデンサを作製したが、各コンデンサにおける誘電体層の材料および厚みならびに電極の材料および厚みについては、前述の実験例１と同様とした。また、試料１〜４の各々に係るコンデンサの外形寸法は、ともに、３．２ｍｍ×１．６ｍｍ×１．６ｍｍとした。
【００４７】
試料１については、図５に示した電極の配置構造を採用し、直流バイアス印加用電極および容量取得用電極を含むすべての電極の積層数を５００とした。
【００４８】
試料２については、図７に示した電極の配置構造を採用し、直流バイアス印加用電極および容量取得用電極を含むすべての電極の積層数を５００とした。
【００４９】
試料３については、図３に示した電極の配置構造を採用し、アース用電極、直流バイアス印加用電極および容量取得用電極を含むすべての電極の積層数を５０１とした。
【００５０】
試料４については、図４に示した電極の配置構造を採用し、アース用電極、直流バイアス印加用電極および容量取得用電極を含むすべての電極の積層数を５００とした。
【００５１】
これら試料１〜４について求めた容量変化範囲が表１に示されている。
【００５２】
【表１】
2006344845.tif 000003
【００５３】
表１からわかるように、この発明の範囲内にある試料３および４とこの発明の範囲外の試料１および２とを比較したとき、コンデンサの寸法が同じで、電極の積層数が同程度である場合、この発明に係るコンデンサによれば、より大きい容量が得られ、かつ容量の可変幅をより広くできる。
【００５４】
試料１では、容量取得用電極が直流バイアス印加用電極に挟まれる構造であるため、大きな容量を得ることができず、電極の積層数を５００としても、最大容量は２７．３μＦに過ぎない。
【００５５】
他方、試料２では、直流バイアス印加用電極が容量取得用電極に挟まれる構造であるため、試料１に比べて大きい最大容量を得ることができるものの、容量の可変幅が狭い。
【００５６】
これらに対して、試料３では、試料２と同程度の最大容量が得られるばかりでなく、容量の可変幅についてはより広くなっている。さらに、試料４では、試料３に比べて、最大容量がより大きく、かつ容量可変幅がより広くなっている。
【００５７】
以上、この発明を、図示した実施形態に関連して説明したが、この発明の範囲内において、その他種々の変形例が可能である。
【００５８】
たとえば、図示の実施形態では、アース用電極２４に電気的に接続される端子導体膜として、アース用端子導体膜３１に加えて、第２の容量取得用端子導体膜３４が形成されたが、このような第２の容量取得用端子導体膜は省略されてもよい。この場合、アース用端子導体膜３１は、第２の容量取得用端子導体膜３４が設けられた位置に設けられても、図示したアース用端子導体膜３１が設けられた位置から第２の容量取得用端子導体膜３４が設けられた位置にまで一連に延びるように設けられてもよい。
【００５９】
また、図示の実施形態では、アース用電極２４、直流バイアス印加用電極２５および容量取得用電極２６が、ともに、コンデンサ本体２３の内部に形成されたが、積層方向での最も端に位置する電極、たとえば、図１（ａ）に示したコンデンサ２１にあっては、アース用電極２４および／または直流バイアス印加用電極２５については、コンデンサ本体２３の外表面上に形成されてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】この発明の第１の実施形態によるコンデンサ２１を説明するためのもので、（ａ）は、コンデンサ２１を、誘電体層２２の積層方向に向く断面をもって示す正面図であり、（ｂ）〜（ｄ）は、コンデンサ２１を、誘電体層２２の主面方向に延びる断面をもって示す平面図であり、互いに異なる断面を示している。
【図２】この発明による効果を確認するために実施した実験例１において求めた、実施例および比較例の各々についての容量変化率を比較して示す図である。
【図３】この発明の第２の実施形態によるコンデンサ４１を示す、図１（ａ）に対応する図である。
【図４】この発明の第３の実施形態によるコンデンサ５１を示す、図１（ａ）に対応する図である。
【図５】この発明にとって興味ある従来のコンデンサ１を示す、図１（ａ）に対応する図である。
【図６】図５に示したコンデンサ１を誘電体層２の主面方向に延びる断面をもって示す平面図であり、互いに異なる断面を示している。
【図７】この発明にとって興味ある従来のコンデンサ１ａを示す、図１（ａ）に対応する図である。
【符号の説明】
【００６１】
２１，４１，５１  コンデンサ
２２  誘電体層
２３  コンデンサ本体
２４  アース用電極
２５  直流バイアス印加用電極
２６  容量取得用電極
２７  第１の側面
２８  第２の側面
２９  第３の側面
３０  第４の側面
３１  アース用端子導体膜
３２  直流バイアス印加用端子導体膜
３３  第１の容量取得用端子導体膜
３４  第２の容量取得用端子導体膜
【図１】
2006344845.tif 000004
【図２】
2006344845.tif 000005
【図３】
2006344845.tif 000006
【図４】
2006344845.tif 000007
【図５】
2006344845.tif 000008
【図６】
2006344845.tif 000009
【図７】
2006344845.tif 000010