(57)【要約】      （修正有）【課題】ルータ加工によって基板に開口部を形成しても、その内壁面に発生するバリを防止でき、且つ樹脂封止する際に、モールド金型からの封止樹脂洩れを防止できる半導体装置用基板を提供する。【解決手段】基板１０の中央部近傍に形成された開口部１２と、搭載された半導体素子１４の電極端子１４ａとワイヤボンディングされるボンディング用パッド２２と、ボンディング用パッドと導体パターンによって電気的に接続されている外部接続端子１８が装着される外部接続端子用パッド２６とが設けられた半導体装置用基板であって、該開口部がソルダレジスト層に覆われた基板の中央部近傍にルータ加工によって形成されており、開口部の周縁とボンディング用パッドとの間の基板面を覆うソルダレジスト層３０ａが、開口部及びボンディング用パッドの部分を樹脂封止するモールド金型３４が当接するソルダレジスト層３０ｂよりも薄いことを特徴とする。【選択図】図１
2006269630.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の中央部近傍に形成され、搭載される半導体素子の電極端子が臨む開口部と、前記開口部の周縁近傍の基板面上に形成され、搭載された半導体素子の電極端子とワイヤボンディングされるボンディング用パッドと、前記ボンディング用パッドと導体パターンによって電気的に接続されていると共に、前記ボンディング用パッドよりも外周縁側の基板面上に形成され、外部接続端子が装着される外部接続端子用パッドとが設けられた半導体装置用基板であって、
該開口部がソルダレジスト層に覆われた基板の中央部近傍にルータ加工によって形成されており、
前記開口部の周縁とボンディング用パッドとの間の基板面を覆うソルダレジスト層が、前記開口部及びボンディング用パッドの部分を樹脂封止するモールド金型が当接するソルダレジスト層よりも薄い薄層ソルダレジスト層に形成されていることを特徴とする半導体装置用基板。
【請求項２】
薄層ソルダレジスト層の幅が、前記基板の開口部の周縁から１５０μｍ以下である請求項１記載の半導体装置用基板。
【請求項３】
薄層ソルダレジスト層の厚さが、前記基板に搭載された半導体素子の基板の開口部に臨む電極端子とボンディング用パッドとをワイヤを用いてワイヤボンディングするとき、前記ワイヤと薄層ソルダレジスト層とが接触することのない厚さである請求項１又は請求項２記載の半導体装置用基板。
【請求項４】
薄層ソルダレジスト層の厚さが、モールド金型が当接するソルダレジスト層の厚さの１／２以下である請求項１〜３のいずれか一項記載の半導体装置用基板。
【請求項５】
基板の中央部近傍に形成され、搭載される半導体素子の電極端子が臨む開口部と、前記開口部の周縁部近傍の基板面上に形成され、搭載された半導体素子の電極端子とワイヤボンディングされるボンディング用パッドと、前記ボンディング用パッドと導体パターンによって電気的に接続されていると共に、前記ボンディング用パッドよりも基板の外周縁側の基板面上に形成され、外部接続端子が装着される外部接続端子用パッドとが設けられた半導体装置用基板を製造する際に、
該基板の一面側にボンディング用パッド、導体パターン及び外部接続端子用パッドとを、前記基板の一面側の中央部近傍に形成しためっき用導体パターンから給電する電解めっきによって形成した後、
前記基板の基板面の全面に形成した第１ソルダレジスト層上に、少なくとも前記基板に開口部を形成する部分及び前記開口部の周縁に沿って形成されたボンディング用パッドと前記開口部の周縁との間の部分を除いて第２ソルダレジスト層を形成し、
次いで、前記第１ソルダレジスト層が露出する基板の中央部近傍に、ルータによって前記開口部を形成することを特徴とする半導体装置用基板の製造方法。
【請求項６】
第１ソルダレジスト層を、基板に開口部を形成したとき、前記開口部の周縁から１５０μｍ以下の幅で残るように形成する請求項５記載の半導体装置用基板の製造方法。
【請求項７】
第１ソルダレジスト層の厚さを、基板に搭載した半導体素子の基板の開口部に臨む電極端子とボンディング用パッドとをワイヤを用いてワイヤボンディングするとき、前記ワイヤと接触することのない厚さとする請求項５又は請求項６記載の半導体装置用基板の製造方法。
【請求項８】
第１ソルダレジスト層の厚さを、前記第１ソルダレジスト層と第２ソルダレジスト層との合計厚さの１／２以下とする請求項５〜７のいずれか一項記載の半導体装置用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置用基板及びその製造方法に関し、更に詳細には基板の中央部近傍に形成され、搭載される半導体素子の電極端子が臨む開口部と、前記開口部の周縁近傍の基板面上に形成され、搭載された半導体素子の電極端子とワイヤボンディングされるボンディング用パッドと、前記ボンディング用パッドと導体パターンによって電気的に接続されていると共に、前記ボンディング用パッドよりも外周縁側の基板面上に形成され、外部接続端子が装着される外部接続端子用パッドとが設けられた半導体装置用基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置には、図５に示す様に、基板１０の中央部近傍に穿設された開口部１２に、電極端子１４ａ，１４ａ・・が臨むように半導体素子１４が搭載されたものがある。この図５に示す半導体装置では、基板１０の一面側に形成されたボンディング用パッドと半導体素子１４の電極端子１４ａとがワイヤ１６によってワイヤボンディングされて電気的に接続されている。更に、ボンディング用パッドは、外部接続端子としてのはんだボール１８が装着される外部接続端子用パッドと導体パターンによって電気的に接続されている。このワイヤ１６及び電極端子１４ａ、及び半導体素子１４の側面側は封止樹脂１７によって封止されている。
図５に示す基板１０を製造する際には、先ず、一面側の全面が銅箔等の金属箔で覆われた樹脂基板を用い、金属箔にパターニングを施し、図６に示す様に、樹脂基板２０の一面側に、ボンディング用パッド部２２’、外部接続端子用パッド部２６’、及びボンディング用パッド部２２’と外部接続端子用パッド部２６’とを電気的に接続する導体パターン部２４’を形成する。
更に、かかるパターニングの際に、樹脂基板２０の中央部近傍に、めっき用導体パターンとして、主めっき用導体パターン２８，２８及びその分岐導体パターン２８ａ，２８ａ・・を形成する。
このめっき用導体パターンから給電する電解めっきによって、ボンディング用パッド部２２’、導体パターン部２４’及び外部接続端子用パッド部２６’に、所定の電解めっきを施した後、樹脂基板２０の中央部近傍にスリット状の開口部１２を形成する。
【０００３】
かかる開口部１２をプレス加工によって形成すると、樹脂基板２０に衝撃が加えられることに因って、樹脂基板２０が白化したり、微小なクラックが発生したりし易い。この白化現象や微小クラックの発生は、最終的に得られる半導体装置の信頼性を低下させるおそれがある。
かかるプレス加工に代えてルータ加工によって開口部１２を形成すると、開口部１２を形成する際の衝撃に因る樹脂基板２０の白化現象や微小クラックの発生を防止できる。
しかし、開口部１２は、主めっき用導体パターン２８，２８及びその分岐導体パターン２８ａ，２８ａ・・をルータで切断しつつ形成するため、開口部１２の内壁面から分岐導体パターン２８ａ等のバリが発生し易い。
ところで、下記特許文献１には、銅パターン等のパターンが形成された基板にルータ加工によってスリットを形成する際に、ルータ加工を施す基板の箇所の凹凸面をソルダレジスト層の形成によって可及的に平坦面にした後、ルータ加工を施すことによって、形成したスリットの内壁面からのバリの発生を防止できることが提案されている。
【特許文献１】特開２００２−２９９７９０号（特許請求の範囲）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明者等は、図６に示す樹脂基板２０の中央部近傍にルータ加工によってスリット状の開口部１２を形成する際に、主めっき用導体パターン２８，２８等を形成した樹脂基板２０の一面側の全面にソルダレジスト層を形成して平坦面とした後、ルータ加工によって開口部１２を形成したところ、開口部１２の内壁面から分岐導体パターン２８ａ等のバリの発生を防止できることが判明した。
しかし、開口部１２を形成した基板１０の他面側に、図７に示す様に、半導体素子１４を接着剤３２で接着した後、開口部１２に臨む半導体素子１４の電極端子１４ａと基板１０のボンディング用パッド２２とワイヤ１６によってワイヤボンディングしたところ、ワイヤ１６がソルダレジスト層３０と接触することがある。ワイヤ１６がソルダレジスト層３０と接触すると、ワイヤ１６の形状が歪んだりして、隣接するワイヤ１６と接触するおそれがある。
【０００５】
かかるワイヤ１６の高さは、予め定められているため、ソルダレジスト層３０を薄くすると、ワイヤ１６及び半導体素子１４の電極端子１４ａを樹脂封止するモールド金型３４が当接する部分のシールが不十分となり易く、封止樹脂洩れが発生するおそれがある。
この封止樹脂洩れを防止すべく、モールド金型３４のソルダレジスト層３０に対する当接圧力を高くすると、ソルダレジスト層３０で覆われている導体パターン２４等に悪影響を与えるおそれがある。
そこで、本発明の課題は、ルータ加工によって基板に開口部を形成しても、その内壁面に発生するバリを防止でき、且つ樹脂封止する際に、モールド金型からの封止樹脂洩れを防止できる半導体装置用基板及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者等は、前記課題を解決するには、ルータ加工によって開口部を形成する基板部分の基板面上に形成するソルダレジスト層を、モールド金型が当接するソルダレジスト層よりも薄層とすることが有効であると考え検討した結果、本発明に到達した。
すなわち、本発明は、基板の中央部近傍に形成され、搭載される半導体素子の電極端子が臨む開口部と、前記開口部の周縁近傍の基板面上に形成され、搭載された半導体素子の電極端子とワイヤボンディングされるボンディング用パッドと、前記ボンディング用パッドと導体パターンによって電気的に接続されていると共に、前記ボンディング用パッドよりも外周縁側の基板面上に形成され、外部接続端子が装着される外部接続端子用パッドとが設けられた半導体装置用基板であって、該開口部がソルダレジスト層に覆われた基板の中央部近傍にルータ加工によって形成されており、前記開口部の周縁とボンディング用パッドとの間の基板面を覆うソルダレジスト層が、前記開口部及びボンディング用パッドの部分を樹脂封止するモールド金型が当接するソルダレジスト層よりも薄い薄層ソルダレジスト層に形成されていることを特徴とする半導体装置用基板にある。
【０００７】
かかる本発明において、薄層ソルダレジスト層の幅を、前記基板の開口部の周縁から１５０μｍ以下とすることによって、ボンディング用パッドの周縁近傍の基板面を覆うソルダレジスト層よりも厚いソルダレジスト層にモジュール金型を確実に当接できる。
また、薄層ソルダレジスト層の厚さを、前記基板に搭載された半導体素子の基板の開口部に臨む電極端子とボンディング用パッドとをワイヤを用いてワイヤボンディングするとき、前記ワイヤと薄層ソルダレジスト層とが接触することのない厚さ、特に外部接続端子用パッドの周縁近傍の基板面を覆うソルダレジスト層の厚さの１／２以下とすることによって、ワイヤとソルダレジスト層との接触を確実に避けることがでる。
【０００８】
また、本発明は、基板の中央部近傍に形成され、搭載される半導体素子の電極端子が臨む開口部と、前記開口部の周縁部近傍の基板面上に形成され、搭載された半導体素子の電極端子とワイヤボンディングされるボンディング用パッドと、前記ボンディング用パッドと導体パターンによって電気的に接続されていると共に、前記ボンディング用パッドよりも基板の外周縁側の基板面上に形成され、外部接続端子が装着される外部接続端子用パッドとが設けられた半導体装置用基板を製造する際に、該基板の一面側にボンディング用パッド、導体パターン及び外部接続端子用パッドとを、前記基板の一面側の中央部近傍に形成しためっき用導体パターンから給電する電解めっきによって形成した後、前記基板の基板面の全面に形成した第１ソルダレジスト層上に、少なくとも前記基板に開口部を形成する部分及び前記開口部の周縁に沿って形成されたボンディング用パッドと前記開口部の周縁との間の部分を除いて第２ソルダレジスト層を形成し、次いで、前記第１ソルダレジスト層が露出する基板の中央部近傍に、ルータによって前記開口部を形成することを特徴とする半導体装置用基板の製造方法でもある。
【０００９】
かかる本発明において、第１ソルダレジスト層を、基板に開口部を形成したとき、前記開口部の周縁から１５０μｍ以下の幅で残るように形成することによって、第２ソルダレジスト層上にモジュール金型を確実に当接できる。
また、第１ソルダレジスト層の厚さを、基板に搭載した半導体素子の基板の開口部に臨む電極端子とボンディング用パッドとをワイヤを用いてワイヤボンディングするとき、前記ワイヤと接触することのない厚さ、特に第１ソルダレジスト層と第２ソルダレジスト層との合計厚さの１／２以下とすることによって、ワイヤとソルダレジスト層との接触を確実に避けることがでる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、基板の開口部を形成する中央部近傍の一面側が、基板の周縁近傍を覆うソルダレジスト層よりも薄い薄層ソルダレジスト層によって覆われている。このため、ルータ加工によって開口部を形成しても、基板の中央部近傍に形成されためっき用導体パターンに因るバリの発生を防止できる。
更に、開口部の周縁とボンディング用パッドとの間の基板面を覆うソルダレジスト層が薄層ソルダレジスト層であるため、開口部を形成した基板の他面側に半導体素子を搭載した後、開口部に臨む半導体素子の電極端子と基板のボンディング用パッドとをワイヤによってワイヤボンディングする際に、ワイヤがソルダレジスト層と接触することを防止できる。
また、基板の開口部及びボンディング用パッドの部分を樹脂封止する際に、モールド金型が厚いソルダレジスト層と当接するため、ソルダレジスト層とモールド金型との間が充分にシールされ、モールド金型からの封止樹脂洩れを防止できる。
その結果、本発明に係る半導体装置用基板を用いることによって、信頼性の高い半導体装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明に係る半導体装置用基板に半導体素子を搭載した状態の一例を図１に示す。図１は、本発明に係る半導体装置用基板に半導体素子を搭載した状態の部分断面図であり、ルータ加工によって開口部１２を形成した基板１０の他面側に半導体素子１４を接着剤３２で接着し、開口部１２に臨む半導体素子１４の電極端子１４ａと基板１０のボンディング用パッド２２とをワイヤ１６によってワイヤボンディングしている。
かかる基板１０では、基板１０の一面側にソルダレジスト層が形成されており、開口部１２の周縁からボンディング用パッド２２に至る基板１０の一面側を覆うソルダレジスト層３０ａは、基板１０の外周縁側の一面側を覆うソルダレジスト層３０ｂよりも薄層に形成されている。以下、ソルダレジスト層３０ａを薄層ソルダレジスト層３０ａと称することがあり、ソルダレジスト層３０ｂを厚層ソルダレジスト層３０ｂと称することがある。
この薄層ソルダレジスト層３０ａは、図１に示す様に、開口部１２の周縁から距離Ｌの幅で形成されており、この幅内にボンディング用パッド２２が含まれていてもよい。薄層ソルダレジスト３０ａの幅は１５０μｍ以下とすることが好ましい。
【００１２】
図１に示す基板１０のように、基板１０の一面側には、開口部１２の周縁から距離Ｌの幅で薄層レジスト層３０ａが形成され、その他の部分が厚層レジスト層３０ｂを形成されている。
このため、基板１０の開口部１２に半導体素子１４の電極端子１４ａが臨むように、半導体素子１４を基板１０の他面側に接着剤３２によって接合して搭載した後、半導体素子１４の電極端子１４ａとボンディング用パッド２２とをワイヤ１６を用いてワイヤボンディングするとき、ワイヤ１６と薄層ソルダレジスト層３０ａとの接触を充分に回避できる。
かかる薄層ソルダレジスト層３０ａの厚さとしては、厚層レジスト層３０ｂの厚さの１／２以下、具体的には、厚層レジスト層３０ｂの厚さ２７μｍに対して、薄層ソルダレジスト層３０ａの厚さを１３μｍ程度とすることが好ましい。
更に、ワイヤボンディングした後、ボンディング用パッド２２、ワイヤ１６及び開口部１２を樹脂封止する際に、図１に示す様に、モールド金型３４は厚層レジスト層３０ｂに当接するため、ソルダレジスト層３０ｂとモールド金型３４との間が充分にシールされ、モールド金型３４からの封止樹脂洩れを防止できる。
このモールド金型３４の当接圧力は、厚層レジスト層３０ｂによって吸収されるため、ボンディング用パッド２２と外部接続端子用パッド２６とを電気的に接続する導体パターンに対する悪影響を防止できる。
【００１３】
図１に示す基板１０は、図２に示す製造方法で得ることができる。先ず、樹脂基板２０の一面側にボンディング用パッド２２、外部接続端子用パッド２６及び導体パターン２４を形成する［図２（ａ）］。
かかるボンディング用パッド２２、外部接続端子用パッド２６及び導体パターン２４は、一面側の全面が銅箔等の金属箔で覆われた樹脂基板を用い、金属箔にパターニングを施し、図６に示す様に、樹脂基板２０の一面側に、ボンディング用パッド部分２２’、外部接続端子用パッド部分２６’、及びボンディング用パッド部分２２’と外部接続端子用パッド部分２６’とを電気的に接続する導体パターン部２４’を形成する。
更に、かかるパターニングの際に、樹脂基板２０の中央部近傍に、めっき用導体パターンとして、主めっき用導体パターン２８，２８及びその分岐導体パターン２８ａ，２８ａ・・を形成する。
このめっき用導体パターンから給電する電解めっきによって、ボンディング用パッド部２２’、導体パターン部２４’及び外部接続端子用パッド部２６’に、所定の電解めっきを施すことによって、図２（ａ）に示す樹脂基板２０（図６に示す樹脂基板２０）を得ることができる。
【００１４】
図２（ａ）に示す樹脂基板２０のボンディング用パッド２２等が形成された一面側の全面に、図２（ｂ）に示す様に、第１ソルダレジスト層３１ａ（図１に示す薄層ソルダレジスト層３０ａに相当）を形成する。この第１ソルダレジスト層３１ａは、スクリーン印刷又はドライフィルムの貼着によって形成できる。
更に、図２（ｃ）に示す様に、第１ソルダレジスト層３１ａ上に第２ソルダレジスト層３１ｂを積層する。この第２ソルダレジスト層３１ｂは、樹脂基板２０に開口部１２を形成する部分及びこの開口部１２の周縁から距離Ｌの間の部分を除いて第２ソルダレジスト層３１ｂを積層する。この第２ソルダレジスト層３１ｂは、スクリーン印刷又はドライフィルムの貼着によって形成できる。かかる第１ソルダレジスト層３１ａと第２ソルダレジスト層３１ｂとが積層された部分では、図１に示す厚層ソルダレジスト層３０ｂに相当する。
【００１５】
次いで、図２（ｄ）に示す様に、第１ソルダレジスト層３１ａの部分及び第１ソルダレジスト層３１ａと第２ソルダレジスト層３１ｂとが積層された部分に、ボンディング用パッド２２及び外部接続端子用パッド２６を露出する。かかるボンディング用パッド２２及び外部接続端子用パッド２６の露出は、例えば第１ソルダレジスト層３１及び第２ソルダレジスト層３１ｂを形成するソルダレジストとして、感光性ソルダレジストを用いて現像処理を施すことによって行うことができる。
尚、感光性ソルダレジストを用いた場合、第１ソルダレジスト層３１ａと第２ソルダレジスト層３１ｂとが積層された部分での感光時間を、第１ソルダレジスト層３１ａのみの部分の感光時間よりも長くすることが好ましい。
【００１６】
その後、図２（ｅ）に示す様に、第１ソルダレジスト層３１ａが露出する樹脂基板２０の中央部近傍に、ルータによってスリット状の開口部１２を形成することによって、図１に示す基板１０を得ることができる。
かかるルータ加工によって開口部１２を形成する際に、図６に示すめっき用導体パターンとしての主めっき用導体パターン２８，２８及びその分岐導体パターン２８ａ，２８ａ・・を切断するが、第１ソルダレジスト層３１ａによって覆われているため、スリット状の開口部１２の内壁面から分岐導体パターン２８ａ等のバリの発生を防止できる。
以上の説明では、スリット状の開口部１２を形成しているが、矩形状の開口部であってもよく、任意の形状の開口部を形成できる。
【００１７】
また、半導体装置には、図３（ａ）に示す様に、基板１０の中央部近傍に開口部として穿設されたデバイスホール４０内に搭載された半導体素子１４の電極端子１４ａと基板１０の一面側に形成されたボンディング用パッドとがワイヤ１６によってワイヤボンディングされて電気的に接続されているものもある。かかるボンディング用パッドは、外部接続端子としてのはんだボール１８が装着される外部接続端子用パッドと導体パターンによって電気的に接続されている。このワイヤ１６及び電極端子１４ａ、及び半導体素子１４の側面側は封止樹脂１７によって封止されている。
更に、図３（ｂ）に示す様に、半導体素子１４が搭載された複数個の基板１０をスタックすべく、基板１０の両面側に外部接続端子としてのはんだボール１８が装着された半導体装置も存在する。図３（ｂ）に示す半導体素子１４が搭載された基板１０は、基板１０の中央部近傍に穿設された開口部としてのデバイスホール４０内に搭載された半導体素子１４の電極端子１４ａと基板１０の両面側に形成されたボンディング用パッドとがワイヤ１６によってワイヤボンディングされて電気的に接続されている。かかるボンディング用パッドは、外部接続端子としてのはんだボール１８が装着される外部接続端子用パッドと導体パターンによって電気的に接続されている。このワイヤ１６及び電極端子１４ａ、及び半導体素子１４の側面側は封止樹脂１７によって封止されている。
【００１８】
図３（ａ）（ｂ）に示す基板１０を形成する際には、図４に示す様に、樹脂基板２０の一面側に、ボンディング用パッド部２２’、外部接続端子用パッド部２６’、及びボンディング用パッド部２２’と外部接続端子用パッド部２６’とを電気的に接続する導体パターン部２４’を形成する。
更に、かかるパターニングの際に、樹脂基板２０の中央部近傍に、めっき用導体パターンとして、主めっき用導体部２９に給電する給電用導体パターン２９ａ，２９ａ、及び主めっき用導体部２９と各ボンディング用パッド部２２’とを電気的に接続する分岐導体パターン２９ｂ，２９ｂ・・を形成する。
このめっき用導体パターンから給電する電解めっきによって、ボンディング用パッド部２２’、導体パターン部２４’及び外部接続端子用パッド部２６’に、所定の電解めっきを施した後、樹脂基板２０の中央部近傍に矩形状のデバイスホール４０（図４に点線で示す部分）を形成する。
【００１９】
かかる図３に示す基板１０は、図２に示す製造方法で得ることができる。例えば、図３（ａ）に示す基板１０を製造するには、先ず、樹脂基板２０の一面側にボンディング用パッド２２、外部接続端子用パッド２６及び導体パターン２４を形成する［図２（ａ）］。
かかるボンディング用パッド２２、外部接続端子用パッド２６及び導体パターン２４は、一面側の全面が銅箔等の金属箔で覆われた樹脂基板を用い、金属箔にパターニングを施し、図４に示す様に、樹脂基板２０の一面側に、ボンディング用パッド部分２２’、外部接続端子用パッド部分２６’、及びボンディング用パッド部分２２’と外部接続端子用パッド部分２６’とを電気的に接続する導体パターン部２４’を形成する。
更に、かかるパターニングの際に、樹脂基板２０の中央部近傍に、めっき用導体パターンとして、主めっき用導体部２９に給電する給電用導体部２９ａ，２９ａ、及び主めっき用導体部２９と各ボンディング用パッド部２２’とを電気的に接続する分岐導体パターン２９ｂ，２９ｂ・・を形成する。
このめっき用導体パターンから給電する電解めっきによって、ボンディング用パッド部２２’、導体パターン部２４’及び外部接続端子用パッド部２６’に、所定の電解めっきを施すことによって、図２（ａ）に示す樹脂基板２０（図４に示す樹脂基板２０）を得ることができる。
【００２０】
図２（ａ）に示す樹脂基板２０のボンディング用パッド２２等が形成された一面側の全面に、図２（ｂ）に示す様に、第１ソルダレジスト層３１ａを形成する。この第１ソルダレジスト層３１ａは、スクリーン印刷又はドライフィルムの貼着によって形成できる。
更に、図２（ｃ）に示す様に、第１ソルダレジスト層３１ａ上に第２ソルダレジスト層３１ｂを積層する。この第２ソルダレジスト層３１ｂは、樹脂基板２０に開口部１２を形成する部分及びこの開口部１２の周縁から距離Ｌの間の部分を除いて第２ソルダレジスト層３１ｂを積層する。この第２ソルダレジスト層３１ｂは、スクリーン印刷又はドライフィルムの貼着によって形成できる。かかる第１ソルダレジスト層３１ａと第２ソルダレジスト層３１ｂとが積層された部分では、第１ソルダレジスト層３１のみから成る薄層レジスト層３０よりも厚い厚層ソルダレジスト層３０ｂとなる。
【００２１】
次いで、図２（ｄ）に示す様に、第１ソルダレジスト層３１ａの部分及び第１ソルダレジスト層３１ａと第２ソルダレジスト層３１ｂとが積層された部分に、ボンディング用パッド２２及び外部接続端子用パッド２６を露出する。かかるボンディング用パッド２２及び外部接続端子用パッド２６の露出は、例えば第１ソルダレジスト層３１及び第２ソルダレジスト層３１ｂを形成するソルダレジストとして、感光性ソルダレジストを用いて現像処理を施すことによって行うことができる。
尚、感光性ソルダレジストを用いた場合、第１ソルダレジスト層３１ａと第２ソルダレジスト層３１ｂとが積層された部分での感光時間を、第１ソルダレジスト層３１ａのみの部分の感光時間よりも長くすることが好ましい。
【００２２】
その後、図２（ｅ）に示す様に、第１ソルダレジスト層３１ａが露出する樹脂基板２０の中央部近傍に、ルータによって矩形状のデバイスホール４０を形成することによって、図３（ａ）に示す基板１０を得ることができる。
かかるルータ加工によってデバイスホール４０を形成する際に、図４に示すめっき用導体パターンとしての給電用導体パターン２９ａ，２９ａ、及び分岐導体パターン２９ｂ，２９ｂ・・を切断するが、第１ソルダレジスト層３１ａによって覆われているため、デバイスホール４０の内壁面から分岐導体パターン２９ｂ等のバリの発生を防止できる。
この様にして得られた基板１０は、図１に示す様に、基板１０の一面側にソルダレジスト層が形成されており、開口部としてのデバイスホール４０の周縁から距離Ｌの幅は、第１ソルダレジスト層３１ａのみで形成されている薄層ソルダレジスト層３０ａである。この幅内にボンディング用パッド２２が含まれていてもよく、薄層ソルダレジスト層３０ａの幅は１５０μｍ以下とすることが好ましい。
【００２３】
一方、薄層ソルダレジスト層３０ａで覆われている部分を除く基板１０の他の部分には、第１ソルダレジスト層３１ａと第２ソルダレジスト層３１ｂとから成る厚層レジスト層３０ｂが形成されている。
このため、基板１０のデバイスホール４０に搭載した半導体素子１４の電極端子１４ａとボンディング用パッド２２とをワイヤ１６を用いてワイヤボンディングするとき、図１に示す様に、ワイヤ１６と薄層ソルダレジスト層３０ａとの接触を充分に回避できる。
かかる薄層ソルダレジスト層３０ａの厚さとしては、厚層レジスト層３０ｂの厚さの１／２以下、具体的には、厚層レジスト層３０ｂの厚さ２７μｍに対して、薄層ソルダレジスト層３０ａの厚さを１３μｍ程度とすることが好ましい。
更に、ワイヤボンディングした後、ボンディング用パッド２２、ワイヤ１６及び開口部１２を樹脂封止する際に、図１に示す様に、モールド金型３４は厚層レジスト層３０ｂに当接するため、ソルダレジスト層３０ｂとモールド金型３４との間が充分にシールされ、モールド金型３４からの封止樹脂洩れを防止できる。
このモールド金型３４の当接圧力は、厚層レジスト層３０ｂによって吸収されるため、ボンディング用パッド２２と外部接続端子用パッド２６とを電気的に接続する導体パターンに対する悪影響を防止できる。
【００２４】
図３（ｂ）に示す基板１０を製造する際には、樹脂基板２０の一面側にボンディング用パッド２２及び導体パターン２４を形成すると共に、樹脂基板２０の両面側に外部接続端子用パッド２６を形成する。
かかるボンディング用パッド２２、外部接続端子用パッド２６及び導体パターン２４は、両面の全面が銅箔等の金属箔で覆われた樹脂基板を用い、金属箔にパターニングを施し、図４に示す様に、樹脂基板２０の一面側に、ボンディング用パッド部分２２’、外部接続端子用パッド部分２６’、及びボンディング用パッド部分２２’と外部接続端子用パッド部分２６’とを電気的に接続する導体パターン部２４’を形成すると共に、樹脂基板２０の他面側にも外部接続端子用パッド部分２６’を形成する。
このパターニングの際に、同様に樹脂基板２０の中央部近傍に、めっき用導体パターンとして、主めっき用導体部２９に給電する給電用導体パターン２９ａ，２９ａ、及び主めっき用導体部２９と各ボンディング用パッド部２２’とを電気的に接続する分岐導体パターン２９ｂ，２９ｂ・・を形成する。
このめっき用導体パターンから給電する電解めっきによって、ボンディング用パッド部２２’、導体パターン部２４’及び外部接続端子用パッド部２６’に、所定の電解めっきを施すことによって、図２（ａ）に示す樹脂基板２０（図４に示す樹脂基板２０）を得ることができる。
その後の工程は、図２に示す工程で同様にして図３（ｂ）に示す基板１０を得ることができる。かかる基板１０のデバイスホール４０内に搭載した半導体素子４０の電極端子１４ａとボンディング用パッド２２とをワイヤ１６を用いてワイヤボンディングするとき、図１に示す様に、ワイヤ１６と薄層ソルダレジスト層３０ａとの接触を充分に回避できる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明に係る半導体装置用基板の一例を説明する部分断面図である。
【図２】図１に示す半導体装置用基板の製造方法を説明する工程図である。
【図３】半導体装置の他の例を示す断面図である。
【図４】図３に示す基板にデバイスホールを形成する前の基板の状態を説明するための説明図である。
【図５】半導体装置の一例を示す断面図である。
【図６】図５に示す基板に開口部を形成する前の基板の状態を説明するための説明図である。
【図７】ソルダレジスト層の厚さとワイヤボンディングのワイヤとの関係を説明するための部分断面図である。
【符号の説明】
【００２６】
１０  半導体装置用基板
１２  開口部
１４  半導体素子
１４ａ  電極端子
１６  ワイヤ
１７  封止樹脂
１８  ボール
２２  ボンディング用パッド
２４  導体パターン
２６  外部接続端子用パッド
２８  主めっき用導体パターン
２９  主めっき用導体部
２９ａ  給電用導体パターン
２８ａ，２９ｂ  分岐導体パターン
３０ａ，３０ｂ  ソルダレジスト層
３１ａ  第１      ソルダレジスト層
３１ｂ  第２      ソルダレジスト層
３２  接着剤
３４  モールド金型
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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