(57)【要約】【課題】裾引きを低減できるフォトダイオードを提供する。【解決手段】半導体メサ１５は、第１のエリア１５ａと該第１のエリア１５ａを囲む第２のエリア１５ｂとを有する入射面１５ｃを有しており、また第１の領域１３ｃ上に設けられている。パッシベーション膜１７は、半導体メサ１５上に設けられている。半導体メサ１５は、受光層２５と、窓層２７と、受光層２５および窓層２７内に設けられた第２導電型半導体領域２９を含む。第２導電型半導体領域２９は第１のエリア１５ａに位置している。受光層２５は、第１の領域１３ｃ上に設けられている。窓層２７は、受光層２５上に設けられている。第２導電型半導体領域２９は、第１のエリア１５ａに位置している。反射膜１９は、パッシベーション膜１７の反射率より大きい反射率を有する。反射膜１９は、第２のエリア１５ｂおよび半導体メサ１５の側面１５ｄ上に設けられている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の波長帯内の信号光を受光するためのフォトダイオードであって、
第１および第２の領域を含む主面を有する第１導電型半導体基板と、
第１のエリアと該第１のエリアを囲む第２のエリアとを有する入射面を有しており前記第１の領域上に設けられた半導体メサと、
前記第２のエリアおよび前記半導体メサの側面上に設けられたパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜の反射率より大きい反射率を有する反射膜と、
前記半導体メサの前記第１のエリア上に設けられた第１の電極と、
前記第１導電型半導体基板の裏面上に設けられた第２の電極と
を備え、
前記半導体メサは、前記第１の領域上に設けられており第１のIII−Ｖ化合物半導体から成る受光層と、前記受光層上に設けられており第２のIII−Ｖ化合物半導体から成る窓層と、前記受光層および前記窓層内に設けられ前記第１の電極に接続された第２導電型半導体領域を含み、
前記第２導電型半導体領域は前記第１のエリアに位置しており、
前記反射膜は、前記第２のエリアおよび前記半導体メサの側面上に設けられている、フォトダイオード。
【請求項２】
前記反射膜の反射率は、前記所定の波長帯において９０％以上である、ことを特徴とする請求項１に記載されたフォトダイオード。
【請求項３】
前記パッシベーション膜は、シリコン窒化物からなる、ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載されたフォトダイオード。
【請求項４】
前記反射膜は、前記パッシベーション膜上に設けられた誘電体多層膜からなる、ことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載されたフォトダイオード。
【請求項５】
前記誘電体多層膜はアルミナ層と非晶質シリコン層とを含み、
前記アルミナ層および前記非晶質シリコン層は交互に配列されている、ことを特徴とする請求項４に記載されたフォトダイオード。
【請求項６】
前記受光層はＩｎＧａＡｓ半導体から成り、
前記窓層はＩｎＰ半導体から成る、ことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載されたフォトダイオード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトダイオードに関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１にはフォトダイオードチップが記載されている。このフォトダイオードチップは、エピタキシャル層内に設けられたｐ型アノード領域と、アノード領域の周囲に設けられたｐ型領域とを有する。第１のｐｎ接合領域は、ｐ型アノード領域とエピタキシャル層との界面に形成される。第２のｐｎ接合領域は、ｐ型領域とエピタキシャル層との界面に形成される。第１のｐｎ接合領域は受光部であり、その上には光電流を出力するための電極が設けられている。第２のｐｎ接合領域上に電極はない。第２の接合領域はフォトダイオードチップの端面にまで達している。第１の受光領域の周囲に入射した光により発生されるキャリアは、第２のｐｎ接合の界面近傍又はチップ端面に露出した部分で消滅してしまう。このため、裾引き現象が抑制され、フォトダイオードチップの光応答速度が向上される。
【特許文献１】特開２００２−５７３６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
このようなフォトダイオードチップでは、光通信のための信号光は、受光部だけでなく、受光部以外の領域に入射する。受光部以外の領域に入射した光も電子正孔対を生成するけれども、このキャリアは、受光部の周囲を取り囲むように設けられた拡散遮蔽領域（例えば、ｐ＋領域）により構成されておりチップ端面に露出する第２のｐｎ接合領域において再結合する。これによって、上記キャリアが受光部に流れ込むことを防止して、出力信号に裾引きが生じることを抑制している。
【０００４】
しかしながら、発明者の観察によれば、これだけでは裾引きを充分に低減できずに微小な裾引きが残っている。この裾引きは、特に、高速応答（例えば２．５ＧＨｚや１０ＧＨｚなど１ＧＨｚ以上の高速応答）が求められるとき顕在化する。
【０００５】
この裾引きについて検討した結果、ｐ＋半導体から成るｐ＋受光部と該受光部周囲に設けられた拡散遮蔽用ｐ＋領域との間の窓層に入射した光が原因であることを見いだした。このフォトダイオードでは、ｐ＋受光部とｐ＋領域は、これら２つのｐ＋領域を分離するためのマスクを用いて単一の不純物導入工程で形成される。つまり、ｐ＋受光部とｐ＋領域との間には、このマスクの幅に相当する窓層の隙間がある。この隙間部分に入射した光も電子正孔対を生成し、このキャリアは拡散してｐ＋受光部に流れ込み、結果として光電流として検出される。発明者は、ｐ＋受光部に流れ込むこの余分な光電流が裾引き成分として観測されることを見いだした。
【０００６】
マスクには、最低でも１０μｍ程度の幅が必要である。この幅は、受光部にバイアス電圧を印加してｐ＋受光部から空乏層が広がった時に、空乏層が拡散遮蔽用ｐ＋領域に到達しないように決定される。ｐ＋受光部の空乏層が周囲のｐ＋領域に到達すると、拡散遮蔽用ｐ＋領域からｐ＋受光部へキャリアが流れ込んでしまう。受光部と拡散遮蔽用ｐ＋領域が短絡状態となりチップ端面に露出したｐｎ接合を通じて電流がリークしてしまう。
【０００７】
本発明は、このような事情を鑑みてなされたものであり、裾引きを低減できるフォトダイオードを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一側面は、所定の波長帯内の信号光を受光するためのフォトダイオードである。フォトダイオードは、（ａ）第１の領域と第２の領域とを含む主面を有する第１導電型半導体基板と、（ｂ）第１のエリアと該第１のエリアを囲む第２のエリアとを有する入射面を有しており前記第１の領域上に設けられた半導体メサと、（ｃ）前記第２のエリアおよび前記半導体メサの側面上に設けられたパッシベーション膜と、（ｄ）前記パッシベーション膜の反射率より大きい反射率を有する反射膜と、（ｅ）前記半導体メサの前記第１のエリア上に設けられた第１の電極と、（ｆ）前記第１導電型半導体基板の裏面上に設けられた第２の電極とを備え、前記半導体メサは、前記第１の領域上に設けられており第１のIII−Ｖ化合物半導体から成る受光層と、前記受光層上に設けられており第２のIII−Ｖ化合物半導体から成る窓層と、前記受光層および前記窓層内に設けられ前記第１の電極に接続された第２導電型半導体領域を含み、前記第２導電型半導体領域は前記第１のエリアに位置しており、前記反射膜は、前記第２のエリアおよび前記半導体メサの側面上に設けられている。
【０００９】
このフォトダイオードによれば、第２のエリアおよび半導体メサの側面上に反射膜が設けられているので、第２のエリアおよび半導体メサの側面に向かう光は、反射膜によって反射される。一方、光電流は、半導体メサの入射面の第１のエリアを通した光に応じて発生される。つまり、電子正孔対は、実質的に、半導体メサの入射面の第１のエリアを通した光から生成され、これ故に、フォトダイオードからの光電流に裾引きを生じることはない。
【００１０】
本発明に係るフォトダイオードでは、前記反射膜の反射率は、前記所定の波長帯において９０％以上であることが好ましい。反射膜の反射率が９０％以上であれば、１．３μｍ帯および１．５５μｍ帯の光通信の伝送レートに好適なフォトダイオードが提供される。
【００１１】
本発明に係るフォトダイオードでは、前記パッシベーション膜は、シリコン窒化膜を含むことが好ましい。シリコン窒化膜を用いて半導体メサを覆うので、半導体メサの表面を流れるリーク電流の発生が低減されることができる。
【００１２】
本発明に係るフォトダイオードでは、前記反射膜は、前記パッシベーション膜上に設けられた誘電体多層膜からなる。誘電体多層膜を用いると、高反射率の反射膜が得られる。
【００１３】
本発明に係るフォトダイオードでは、前記誘電体多層膜はアルミナ層と非晶質シリコン層とを含み、前記アルミナ層と前記非晶質シリコン層は交互に配列されていることができる。この誘電体多層膜によれば、所定の波長範囲において９０％以上の反射率を示す反射膜を提供できる。
【００１４】
本発明に係るフォトダイオードでは、前記受光層はＩｎＧａＡｓ半導体から成り、前記窓層はＩｎＰ半導体から成ることができる。１．５５μｍ帯の光通信に好適なフォトダイオードが提供される。
【００１５】
本発明の上記の目的および他の目的、特徴、並びに利点は、添付図面を参照して進められる本発明の好適な実施の形態の以下の詳細な記述から、より容易に明らかになる。
【発明の効果】
【００１６】
以上説明したように、本発明によれば、裾引きを低減できるフォトダイオードを提供することを目的とする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の知見は、例として示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解できる。引き続いて、添付図面を参照しながら、本発明のフォトダイオードに係る実施の形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。
【００１８】
（第１の実施の形態）
図１（Ａ）は、第１の実施の形態に係るフォトダイオードを示す図面である。図１（Ｂ）は、該フォトダイオードを示す平面図である。図１（Ａ）は、図１（Ｂ）に示されたI−I線にそってとられた断面図である。フォトダイオード１１は、第１導電型半導体基板１３と、半導体メサ１５と、パッシベーション膜１７と、反射膜１９と、第１の電極２１と、第２の電極２３とを備える。第１導電型半導体基板１３は、主面１３ａおよび裏面１３ｂを有しており、第１の領域１３ｃと該第１の領域１３ｃを囲む第２の領域１３ｄとを含む。半導体メサ１５は、第１のエリア１５ａと該第１のエリア１５ａを囲む第２のエリア１５ｂとを有する入射面１５ｃを有しており、また第１の領域１３ｃ上に設けられている。パッシベーション膜１７は、半導体メサ１５上に設けられている。第１の電極２１は、半導体メサ１５の第１のエリア１５ａ上に設けられている。第２の電極２３は、第１導電型半導体基板１３の裏面１３ｂ上に設けられている。半導体メサ１５は、受光層２５と、窓層２７と、受光層２５および窓層２７内に設けられた第２導電型半導体領域２９を含む。第２導電型半導体領域２９は第１のエリア１５ａに位置している。受光層２５は、第１の領域１３ｃ上に設けられている。また、受光層２５は、第１のIII−Ｖ化合物半導体から成り、このIII−Ｖ化合物半導体は第１導電型を示すことが好ましい。窓層２７は、受光層２５上に設けられている。また、窓層２７は、第１のIII−Ｖ化合物半導体のバンドギャップとは異なるバンドギャップを有する第２の第１導電型III−Ｖ化合物半導体から成り、このIII−Ｖ化合物半導体は第１導電型を示すことが好ましい。第２導電型半導体領域２９は、第１のエリア１５ａに位置しており、また第１の電極２１に接続されている。反射膜１９は、パッシベーション膜１７の反射率より大きい反射率を有する。反射膜１９は、第２のエリア１５ｂおよび半導体メサ１５の側面１５ｄ上に設けられている。
【００１９】
このフォトダイオード１１によれば、第２のエリア１５ｂおよび半導体メサ１５の側面１５ｄ上には反射膜１９が設けられているので、第２のエリア１５ｂおよび半導体メサ１５の側面１５ｄに向かう光は、反射膜１９によって反射される。一方、光電流は、半導体メサ１５の入射面１５ｃの第１のエリア１５ａを通した光に応じて発生される。つまり、電子正孔対は、実質的に、半導体メサ１５の入射面１５ｃの第１のエリア１５ａを通した光から生成され、フォトダイオード１１からの光電流に裾引きを生じることはない。
【００２０】
図１を参照すると、フォトダイオード１１では、第２導電型半導体領域２９に接続される第１の電極２１は、例えばアノード電極であり、半導体基板１３の裏面１３ｂに形成される第２の電極２３は、例えばカソード電極である。また、フォトダイオード１１は、必要に応じて、半導体基板１３上に設けられたＩｎＰバッファ層３１を含むことができる。
【００２１】
図２（Ａ）は、所定の波長帯内に信号光を受光するための光通信用フォトダイオードの動作を示す図面である。フォトダイオード１１によれば、第１のエリア１５ａの第２導電型半導体領域２９へ入射する光Ｌ１は、第２導電型半導体領域２９の接合Ｊ１の付近において信号電流を生成する。第２のエリア１５ｂへ向かう光Ｌ２は、反射膜１９によって反射されて反射光ＬＲ２になる。光Ｌ３は、受光層１５および窓層２７の側面上の反射膜１９によって反射されて反射光ＬＲ３になる。これらの反射光ＬＲ２、ＬＲ２は、光電流に寄与しない。これ故に、光Ｌ２、Ｌ３によって、フォトダイオード１１からの光電流に裾引きを生じることはない。第１の領域１３ｃを囲む第２の領域１３ｄへ向けて入射する光Ｌ４は、バッファ層３１および半導体基板１３に吸収されることはない。光Ｌ４は、第２の電極２３によって反射されて偶然に接合Ｊ１に到達する可能性がある。図２（Ａ）に示されるように、反射膜１９が第１の領域１３ｃを囲む第２の領域１３ｄ上にも設けられていれば、裏面電極による反射光に起因する裾引きも低減される。これ故に、光Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４によって、フォトダイオード１１からの光電流に裾引きを生じることはない。
【００２２】
図２（Ｂ）は、図２（Ａ）に示されたフォトダイオードと異なる構造の光通信用フォトダイオードの動作を示す図面である。このフォトダイオードの構成を簡単に説明する。このフォトダイオード４０では、受光層４１および窓層４３は、第１導電型の半導体基板１３上に設けられおり、それぞれ、図２（Ａ）に示されたフォトダイオードと同じく第１および第２のIII−Ｖ化合物半導体から成る。パッシベーション膜４５は、窓層４３上に設けられている。第１の第２導電型半導体領域４７および第２の第２導電型半導体領域４９は、受光層４１および窓層４３内に設けられている。フォトダイオード４０によれば、第１の第２導電型半導体領域４７へ向けて入射する光Ｌ５は、第１の第２導電型半導体領域４７の接合Ｊ１の付近において信号電流を生成する。第２の第２導電型半導体領域４９へ向けて入射する光Ｌ６は、第２の第２導電型半導体領域４９の接合Ｊ２の付近で電子正孔対を生成するけれども、この電子正孔対は、第１の第２導電型半導体領域４７へ流れ込まない。また、第１の第２導電型半導体領域４７と第２の第２導電型半導体領域４９との間隙にあるパッシベーション膜４５へ向かう光Ｌ７の一部は、パッシベーション膜４５を透過して、受光層４１と窓層４３との接合Ｊ３の付近において電子正孔対を生成する。この電子正孔対の一部は、第１の第２導電型半導体領域４７へ流れ込み、この結果、光電流に裾引きが生じる。
【００２３】
図１に示されるように、フォトダイオード１１では、反射膜１９は、パッシベーション膜１７上に設けられた誘電体多層膜からなることが好ましい。また、パッシベーション膜１７として、拡散マスクのためにシリコン窒化膜を用いることができる。ＳｉＮ膜はパッシベーション膜として好適に機能して、ＩｎＰ窓層表面での電流リークを低減する。ＳｉＮ膜を含むパッシベーション膜により、暗電流の増加を抑えと共に、フォトダイオード素子の信頼性の悪化を防ぐことができる。フォトダイオード１１では、パッシベーション膜１７としても用いられる拡散マスクを高反射膜（ＨＲ膜）で覆い、高反射膜に光が当たっても受光素子内に光が侵入しないようにした。
【００２４】
図１に示されるように、反射膜１７はアルミナ層３３と非晶質シリコン層３５から成る誘電体多層膜を含み、アルミナ層３３と非晶質シリコン層３５は交互に配列されていることができる。この誘電体多層膜によれば、所定の通信波長範帯域において９０％以上の反射率を示す反射膜を提供できる。
一例として、ＳｉＮパッシベーション膜上に順に形成された誘電体多層膜の構造には、下記の構造
Ａｌ２Ｏ３膜：１８０ｎｍ
アモルファスシリコン膜：９０ｎｍ
Ａｌ２Ｏ３膜：１６０ｎｍ
アモルファスシリコン膜：１００ｎｍ
Ａｌ２Ｏ３膜：１８０ｎｍ
を用いることができる。
【００２５】
フォトダイオード１１では、反射膜１７の反射率は、一又は複数の波長成分を含む信号光の波長帯において９０％以上であることが好ましい。反射膜１７の反射率が９０％以上であれば、１．３μｍ帯および／または１．５５μｍ帯の光通信の高伝送レートに好適なフォトダイオードが提供される。図３（Ａ）および図３（Ｂ）は、誘電体多層膜構造の反射膜の反射スペクトルの一例を示す図面である。図３（Ｂ）に示されるように、この反射スペクトルによれば、１２００ｎｍ〜１４００ｎｍの波長範囲で９０％以上の反射率が提供される。反射率が９０％以上なので、透過光は１０％以下になる。反射膜が全く無い場合に比べて、入射する光の量を十分の一以下にできるので、裾引きが１０ｄＢ以上改善できる。受光部周辺をメサで除去する構造を用いると、裾引きが２０ｄＢ程度改善される。また、反射膜を用いると、裾引きが１０ｄＢ程度改善される。これらを合わせて、３０ｄＢ以上の裾引き改善効果がある。
【００２６】
１．３μｍ帯用のフォトダイオードでは、例えば1250ｎｍ〜1350ｎｍの波長範囲で９０％以上の反射率が提供されることが好ましい。また１．５５μｍ帯用のフォトダイオードでは、例えば1500ｎｍ〜1600ｎｍの波長範囲で９０％以上の反射率が提供されることが好ましい。
【００２７】
フォトダイオード１１では、パッシベーション膜１７は半導体メサ１５の上面および側面を保護する。シリコン窒化膜を用いてこれらの表面を覆えば、窓層２７の表面に生じる可能性のあるリーク電流を低減できる。
【００２８】
フォトダイオード１１では、パッシベーション膜１７および反射膜１９は、半導体領域３７のエッジ３７ａに沿って伸びるエリア１３ｅにはない。このフォトダイオードによれば、ウエハからフォトダイオード１１のチップを作製するために、パッシベーション膜１７を取り除いたエリア１３ｅの一部をスクライブ領域として利用できる。
【００２９】
フォトダイオード１１では、受光層２５はＩｎＧａＡｓ半導体から成り、窓層２７はＩｎＰ半導体から成ることができる。１．３μｍ帯および１．５５μｍ帯の光通信に好適なフォトダイオードが提供される。
【００３０】
（第２の実施の形態）
図４（Ａ）〜図４（Ｄ）を参照しながら、一実施例のフォトダイオードの作製を説明する。図４（Ａ）に示されるように、ｎ型ＩｎＰ基板６１（Ｓドープ、厚さ３５０μｍ、キャリア濃度３×１０１８ｃｍ−３）上にｎ型ＩｎＰバッファ層６３（Ｓｉドープ、厚さ２μｍ、キャリア濃度１×１０１７ｃｍ−３）、ノンドープＩｎＧａＡｓ受光層６５（厚さ３μｍ、キャリア濃度１×１０１５ｃｍ−３）、ノンドープＩｎＰ窓層６７（厚さ１．５μｍ、キャリア濃度１×１０１５ｃｍ−３）をＭＯＶＰＥ法でエピタキシャル成長する。次いで、エッチングにより半導体メサ６９を形成する。図４（Ｂ）に示されるように、ノンドープＩｎＧａＡｓ受光層６５およびノンドープＩｎＰ窓層６７をエッチングにより部分的に除去して、ＩｎＰバッファ層６３を露出させる。エッチング工程では、ＩｎＰ半導体は例えば、エッチャント（臭化水素水＋水）でエッチングされる。ＩｎＧａＡｓ半導体は、エッチャント（燐酸＋過酸化水素水＋水）でエッチングされる。半導体メサ６９はノンドープＩｎＧａＡｓ受光層６５ａおよびノンドープＩｎＰ窓層６７ａを含み、ノンドープＩｎＧａＡｓ受光層６５ａおよびノンドープＩｎＰ窓層６７ａはＩｎＰ基板６１の第１の領域６１ａ上に設けられている。この後に、プラズマＣＶＤ法を用いてＳｉＮ膜（厚さ５０ｎｍ）をウェハ全面に形成する。この後に、ＳｉＮ膜上に蒸着法で誘電体多層膜を形成する。次いで、図４（Ｃ）に示されるように、フォトリソグラフィ法を用いて誘電体多層膜７３およびＳｉＮ膜７１にパターン形成する。
【００３１】
誘電体多層膜７３は、
Ａｌ２Ｏ３膜：１９０ｎｍ
アモルファスシリコン膜：９０ｎｍ
Ａｌ２Ｏ３膜：２６０ｎｍ
アモルファスシリコン膜：１００ｎｍ
Ａｌ２Ｏ３膜：１６０ｎｍ
からなる。
【００３２】
パターン形成された誘電体多層膜７３およびＳｉＮ膜７１は、受光部を規定する開口を有する。誘電体多層膜７３およびＳｉＮ膜７１を用いて、受光径５０μｍの領域および外周部に亜鉛（Ｚｎ）を選択拡散して、受光のためのｐ型半導体領域８１を形成する。ｐ型ドーパントの亜鉛を熱拡散するので、亜鉛原子は横方向にも拡散して、この結果、パッシベーション膜７１の下にもｐ型半導体領域８１が形成される。この後に、図４（Ｄ）に示されるように、アノード電極７７およびカソード電極７９を形成して、フォトダイオードが完成する。誘電体多層膜７３で構成する反射膜の反射率を所望の波長領域において９０％以上とすることによって、図２（Ｂ）に示されたフォトダイオードに比べて、十分の一程度まで裾引きが低減されたフォトダイオードが得られる。
【００３３】
拡散マスクを高反射膜（ＨＲ膜）で覆い、その部分に光が当たっても受光素子内に光が侵入しないようにしている。ＨＲ膜は、例えば上記のような誘電体多層膜で構成される。また、ＳｉＮ膜を拡散マスク自体として用いる。つまり、ＳｉＮ膜上にＨＲ膜を形成する。ＳｉＮ膜はパッシベーション膜として機能してＩｎＰ窓層表面での電流リークを抑えるために役立つ。また、ＨＲ膜で覆われた拡散マスクよりも外周部分に存在する受光層と同一組成の半導体層はエッチングで除去しているので、第２導電型半導体からなる受光部以外の領域に光が当たっても電子正孔対が発生されない。また、このフォトダイオードでは、ｐｎ接合は半導体領域の端面に露出されないので、製造工程では、エピタキシャル成長は一回である。
【００３４】
以上説明したように、第２導電型半導体領域２９にのみ光が入射するように、半導体メサ１５の入射面１５ｃおよび側面１５ｄを高反射膜（金属膜や誘電体多層膜）で覆うと、余分な電子正孔対の発生を防止できる。これにより、１ＧＨｚ以上の高速信号を受ける際の応答において特に問題となる微小な裾引きを抑えることができる。
【００３５】
好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】図１は、第１の実施の形態に係るフォトダイオードを示す図面である。
【図２】図２（Ａ）は、所定の波長帯内に信号光を受光するための光通信用フォトダイオードの動作を示す図面である。図２（Ｂ）は、本発明とは異なるフォトダイオードと異なる構造の光通信用フォトダイオードの動作を示す図面である。
【図３】図３（Ａ）および図３（Ｂ）は、誘電体多層膜構造の反射膜の反射スペクトルの一例を示す図面である。
【図４】図４（Ａ）〜図４（Ｄ）は、フォトダイオードを作製する方法を説明するための図面である。
【符号の説明】
【００３７】
１１…フォトダイオード、１３…第１導電型半導体基板、１３ｃ…第１の領域、１３ｄ…第２の領域、１５…半導体メサ、１５ａ…第１のエリア、１５ｂ…第２のエリア、１５ｃ…入射面、１５ｄ…側面、１７…パッシベーション膜、１９…反射膜、２１…第１の電極、２３…第２の電極、２５…受光層、２７…窓層、２９…第２導電型半導体領域、３１…ＩｎＰバッファ層、４０…フォトダイオード、４１…受光層、４３…窓層、４５…パッシベーション膜、４７、４９…第２導電型半導体領域、３３…アルミナ層、３５…非晶質シリコン層、３７…半導体領域、３７ａ…エッジ、６１…ｎ型ＩｎＰ基板、６３…ｎ型ＩｎＰバッファ層、６５、６５ａ…ｎ型ＩｎＧａＡｓ受光層、６７、６７ａ…ｎ型ＩｎＰ窓層、６９…半導体メサ、７１…ＳｉＮ膜、７３…誘電体多層膜、Ｊ０、Ｊ１、Ｊ２、Ｊ３…接合、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５、Ｌ６…光、ＬＲ２、ＬＲ３…反射光  
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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