(57)【要約】 【課題】  基板を搬送しながら加熱や冷却を行うことができるスループットの高い熱的処理装置であって、さらに基板の加熱むらや冷却むらの発生を抑制することができる熱的処理装置を提供する。【解決手段】  熱的処理装置の一例であるポストベークゾーン（ＰＯＢ）５６は、基板Ｇを水平方向に搬送するための基板搬送機構７１と、基板Ｇを加熱するために、基板搬送機構７１による基板Ｇの搬送ルート上の所定の高さ位置に搬送ルートに沿って所定間隔で隙間７３を設けながら配置された複数のパネル形状のヒータ７２と、を具備する。ヒータ７２を複数の小ヒータ７２ａ・７２ｂで構成し、かつ、複数の小ヒータ７２ａ・７２ｂの継ぎ目に起因して基板Ｇに転写痕が発生することを防止するために、複数の小ヒータ７２ａ・７２ｂをその継ぎ目が一定の距離範囲内において基板搬送方向と平行にならないように連結した。【選択図】  図４
2006245110.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を略水平姿勢で水平方向に搬送しながら熱的処理する熱的処理装置であって、
基板を水平方向に搬送するための基板搬送機構と、
基板を加熱するために、前記基板搬送機構による基板の搬送ルート上の所定の高さ位置に当該搬送ルートに沿って所定間隔で隙間を設けながら配置された複数のパネル形状のヒータと、
を具備し、
前記ヒータはそれぞれ複数の小ヒータから構成され、前記複数の小ヒータの継ぎ目に起因して基板に転写痕が発生することを防止するために、前記複数の小ヒータはその継ぎ目が一定の距離範囲内において基板搬送方向と平行にならないように連結されていることを特徴とする熱的処理装置。
【請求項２】
前記ヒータはそれぞれ、大きさの異なる複数種の小ヒータを複数組み合わせて構成されていることを特徴とする請求項１に記載の熱的処理装置。
【請求項３】
前記複数のヒータ間に設けられた隙間へ所定温度に加熱されたガスを供給する加熱ガス供給装置と、前記複数のヒータ間に設けられた隙間から吸気を行うための吸気装置と、をさらに具備し、
前記加熱ガス供給装置からのガス供給ポイントと、前記吸気装置からの吸気ポイントは、基板搬送方向に沿って存在する前記複数のヒータ間の隙間に交互に設けられていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の熱的処理装置。
【請求項４】
前記基板搬送機構は、基板搬送方向に垂直な方向を長軸方向として基板搬送方向に所定間隔で並べられた複数の円柱状のローラー部材と、前記複数のローラー部材を回転させるためのローラー駆動手段と、を有し、
さらに、前記基板搬送機構によって搬送される基板の裏面から当該基板を加熱するためのＩＲヒータまたは熱放射能を有するランプを具備し、
前記ＩＲヒータまたは前記ランプによって前記ローラー部材が加熱され、前記ローラー部材から基板への熱伝達によっても当該基板が加熱されることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の熱的処理装置。
【請求項５】
前記ＩＲヒータまたは前記ランプによって加熱されるローラー部材は、蓄熱性材料から構成されていることを特徴とする請求項４に記載の熱的処理装置。
【請求項６】
さらに、前記ヒータにより加熱された基板を冷却するために、当該基板の搬送ルート上の所定の高さ位置に設けられた冷却板を具備することを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の熱的処理装置。
【請求項７】
さらに、前記基板搬送機構によって搬送される基板の裏面から当該基板を冷却するために前記基板の裏面に冷却ガスを吹き付けるための冷却ガス噴射装置を具備することを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の熱的処理装置。
【請求項８】
前記冷却ガスの雰囲気にさらされることによって冷却されるローラー部材は、熱伝導性の高い材料で構成されていることを特徴とする請求項７に記載の熱的処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、液晶表示装置（ＬＣＤ）等のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）の製造プロセスにおけるガラス基板等のフォトリソグラフィー工程において、基板を加熱、冷却するために用いる熱的処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、ＬＣＤの製造工程においては、フォトリソグラフィー技術を用いて、ガラス基板にレジスト液を供給して塗布膜を形成し、これを乾燥、熱処理した後に、露光処理、現像処理を逐次行うことにより、ガラス基板に所定の回路パターンを形成している。ここで、ガラス基板にレジスト液を供給して塗布膜を形成した後は、塗布膜を加熱して不要な溶剤等を除去するプリベーク処理が行われている。また、露光処理後には露光によるレジスト膜の化学変化を促進するためのポストエクスポージャーベーク処理が行われ、現像処理後には現像パターンの固定とガラス基板の乾燥を兼ねたポストベーク処理が行われている。
【０００３】
従来、このような熱処理を行う装置としては、ガラス基板を載置するためのホットプレートと、このホットプレート上でガラス基板を昇降させるための昇降機構と、ホットプレートを内包するためのチャンバと、を有する加熱装置が用いられている（例えば、特許文献１参照）。また、加熱処理が終了したガラス基板は、必要に応じて、冷却プレートを備えた冷却装置に搬送されて、そこで冷却処理される。
【０００４】
しかしながら、このような加熱装置および冷却装置では、ガラス基板を装置に搬入出するために時間がかかり、スループットがよいものではない。また、近時、ガラス基板の大型化が急速に進んでいるために、フォトリソグラフィー工程においては、ガラス基板を回転させてレジスト膜を形成する等のスピンナタイプの装置を用いた処理では、ガラス基板の中心と周縁とで処理にむらが生じやすいため、このような装置に代えて、基板を一方向に搬送しながらレジスト液を塗布して塗布膜を形成し、また現像液を塗布して現像する、所謂、搬送タイプの装置が用いられるようになっている。そのため、このような搬送タイプの装置と、従前のバッチ式の加熱装置等を組み合わせて、レジスト膜形成から現像までを一貫して行うシステムを構築すると、基板の搬送システムが複雑となり、またスループットを高めることも困難となる。
【特許文献１】特開平８−３１３８５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、基板を搬送しながら加熱や冷却を行うことができるスループットの高い熱的処理装置であって、さらに基板の加熱むらや冷却むらの発生を抑制することができる熱的処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、基板を略水平姿勢で水平方向に搬送しながら熱的処理する熱的処理装置であって、
基板を水平方向に搬送するための基板搬送機構と、
基板を加熱するために、前記基板搬送機構による基板の搬送ルート上の所定の高さ位置に当該搬送ルートに沿って所定間隔で隙間を設けながら配置された複数のパネル形状のヒータと、
を具備し、
前記ヒータはそれぞれ複数の小ヒータから構成され、前記複数の小ヒータの継ぎ目に起因して基板に転写痕が発生することを防止するために、前記複数の小ヒータはその継ぎ目が一定の距離範囲内において基板搬送方向と平行にならないように連結されていることを特徴とする熱的処理装置、が提供される。
【０００７】
本発明に係る熱的処理装置において、各ヒータは大きさの異なる複数種の小ヒータを複数組み合わせて構成されていることが好ましく、これにより小ヒータの継ぎ目を配置する自由度が大きくなる。また、この熱的処理装置に、複数のヒータ間に設けられた隙間へ所定温度に加熱されたガスを供給する加熱ガス供給装置と、複数のヒータ間に設けられた隙間から吸気を行うための吸気装置をさらに設け、加熱ガス供給装置からのガス供給ポイントと、吸気装置からの吸気ポイントを基板搬送方向に沿って存在する複数のヒータ間の隙間に交互に設けると、基板からの蒸発物を効率的に排除することができ、好ましい。
【０００８】
基板搬送機構として、基板搬送方向に垂直な方向を長軸方向として基板搬送方向に所定間隔で並べられた複数の円柱状のローラー部材と、これらのローラー部材を回転させるためのローラー駆動手段を有するものを用い、さらに熱的処理装置に基板搬送機構によって搬送される基板の裏面から基板を加熱するためのＩＲヒータまたは熱放射能を有するランプを設けて、ＩＲヒータまたはランプは基板を直接加熱するだけでなくローラー部材を加熱して、ローラー部材から基板への熱伝達によっても基板を加熱する構成とすると、スループットを向上させることができ、好ましい。このため、ローラー部材には蓄熱性材料が好適に用いられる。
【０００９】
熱的処理装置には、ヒータにより加熱された基板を冷却するために、基板の搬送ルート上の所定の高さ位置に冷却板を設けることができる。その場合、基板の裏面から基板を冷却するために基板の裏面に冷却ガスを吹き付けるための冷却ガス噴射装置を設けることが好ましい。冷却ガスの雰囲気にさらされることによって冷却されるローラー部材には、熱伝導性の高い材料が好適に用いられる。
【発明の効果】
【００１０】
ヒータを複数の小ヒータから構成すると、個々の小ヒータの温度を調整することによりを加熱均一性を高めることができ、しかも小ヒータの継ぎ目を基板の搬送方向に延在しないように小ヒータを配置することで、処理むらの発生を防止することができる。また、ガラス基板の大きさに適応させたサイズのヒータを作製することが容易であり、さらにヒータコストを低減することができる。基板の上側にパネル状のヒータを配置しても、基板から蒸発する物質を加熱ガスにより効率的に除去することができるので、基板の再汚染を抑制することができる。基板をヒータによってその上面から加熱することに加えて、裏面からも加熱することにより、スループットを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は本発明の第１の実施形態に係るＬＣＤガラス基板（以下「基板」という）Ｇのレジスト塗布・現像処理システム１００の外観を示す斜視図であり、図２（ａ）はレジスト塗布・現像処理システム１００の上段の構成を示す平面図であり、図２（ｂ）はその下段の構成を示す平面図である。
【００１２】
レジスト塗布・現像処理システム１００は、複数の基板Ｇを収容するカセットＣを載置する容器搬入出部（カセットステーション）６と、基板Ｇに所定の熱的処理または液処理を施す複数のゾーンが設けられた第１処理部１および第２処理部２と、図示しない露光装置との間で基板Ｇの受け渡しを行うためのインターフェース部５と、第１処理部１と容器搬入出部６との間に設けられた第１搬送部３と、第１処理部１と第２処理部２との間に設けられた第２搬送部４と、を有している。なお、図１に示されるように、レジスト塗布・現像処理システム１００の長手方向をＸ方向、水平面においてＸ方向と直交する方向をＹ方向、鉛直方向をＺ方向とする。
【００１３】
第１処理部１は、上下方向（Ｚ方向）に２段に仕切られた積層構造を有しており、かつ上段と下段がそれぞれＹ方向にも２つに仕切られている。こうして、第１処理部１の下段には独立した処理ブロック１１ａ・１１ｂが、その上段には処理ブロック１１ｃ・１１ｄがそれぞれ形成されている。第２処理部２も同様に上下方向（Ｚ方向）に２段に仕切られ、また、上段と下段がそれぞれＹ方向にも２つに仕切られており、その下段に独立した処理ブロック１２ａ・１２ｂが、その上段に処理ブロック１２ｃ・１２ｄがそれぞれ形成されている。
【００１４】
容器搬入出部６はカセットＣを載置するステージ７を有しており、例えば、４個のカセットＣを所定位置に載置することができるようになっている。容器搬入出部６には、外部からレジスト塗布・現像処理システム１００において処理すべき基板Ｇが収納されたカセットＣが搬入され、また、レジスト塗布・現像処理システム１００において所定の処理が終了した基板Ｇが収納されたカセットＣが次工程へと搬送される。このようなカセットＣの搬入出は、手動搬送またはコンベア等を用いた自動搬送のいずれの形態を用いても構わない。
【００１５】
第１処理部１と容器搬入出部６との間に設けられた第１搬送部３には第１搬送装置１７が配設されている。この第１搬送装置１７はＸ方向に伸縮する搬送アーム１７ａを有しており、搬送アーム１７ａは、Ｙ方向にスライド自在であり、また水平面内で回転自在であり、さらにＺ方向に昇降自在に構成されている。このような構成により第１搬送装置１７は、容器搬入出部６と第１処理部１にアクセスして、容器搬入出部６と第１処理部１にとの間で基板Ｇの受け渡しを行い、また、第１処理部１を構成する処理ブロック１１ａ〜１１ｄ間での基板Ｇの受け渡しを行う。
【００１６】
第１処理部１と第２処理部２との間に設けられた第２搬送部４には、搬送アーム１８ａを有する第２搬送装置１８が配設されている。この第２搬送装置１８は第１搬送装置１７と同様の構造を有しており、第１処理部１と第２処理部２との間での基板Ｇの受け渡しと、第１処理部１を構成する処理ブロック１１ａ〜１１ｄ間での基板Ｇの受け渡しと、第２処理部２を構成する処理ブロック１２ａ〜１２ｄ間での基板Ｇの受け渡しを行う。
【００１７】
インターフェース部５には、第１搬送装置１７と同様の構造を有する第３搬送装置１９が配設されており、第３搬送装置１９の搬送アーム１９ａは、第２処理部２を構成する処理ブロック１２ａ〜１２ｄにアクセスし、また、第２処理部２との間にインターフェース部５を挟むように配設された図示しない露光装置にアクセスすることができるようになっている。こうして第３搬送装置１９は、第２処理部２を構成する処理ブロック１２ａ〜１２ｄ間での基板Ｇの受け渡しを行い、また、第２処理部２と露光装置との間で基板Ｇの受け渡しを行う。
【００１８】
第１処理部１を構成する処理ブロック１１ａには、第１搬送部３側にスクラバ洗浄に先立って基板Ｇの有機物を除去するためのエキシマＵＶ照射ゾーン（ｅ−ＵＶ）２１が設けられ、このエキシマＵＶ照射ゾーン（ｅ−ＵＶ）２１に隣接して基板Ｇのスクラバ洗浄処理を行うスクラバ洗浄ゾーン（ＳＣＲ）２２が第２搬送部４側に設けられている。この処理ブロック１１ａ内においては、基板Ｇは回転処理されることなく、コロ搬送等の方法を用いてＸ方向に略水平に搬送されつつ、エキシマＵＶ照射処理とスクラバ洗浄処理が連続して行われる。
【００１９】
エキシマＵＶ照射ゾーン（ｅ−ＵＶ）２１とスクラバ洗浄ゾーン（ＳＣＲ）２２の天井部には図示しないフィルターファンユニット（ＦＦＵ）が設けられている。また、基板Ｇのスクラバ洗浄処理中に発生する処理液のミスト等がスクラバ洗浄ゾーン（ＳＣＲ）２２からエキシマＵＶ照射ゾーン（ｅ−ＵＶ）２１へ飛散しないように、スクラバ洗浄ゾーン（ＳＣＲ）２２とエキシマＵＶ照射ゾーン（ｅ−ＵＶ）２１との間にはシャッターを設けることが好ましい。また、フィルターファンユニット（ＦＦＵ）からのダウンフローの向きを調節することによってもミスト等の飛散を抑制することができる。
【００２０】
処理ブロック１１ａのＹ方向側に仕切壁を隔てて位置する処理ブロック１１ｂには、第１搬送部３側から第２搬送部４側に向かって、クーリングユニット（ＣＯＬ）２３、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２４、減圧乾燥／周縁レジスト除去ユニット（ＶＤ／ＥＲ）２５が並べて配置されており、処理ブロック１１ｂの天井部には図示しないフィルターファンユニット（ＦＦＵ）が配設されている。
【００２１】
クーリングユニット（ＣＯＬ）２３においては、基板Ｇに形成するレジスト膜の均一性を高めるために、レジスト塗布前に基板Ｇの温度均一性を高める熱的処理が行われる。レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２４では、例えば、帯状にレジスト液を吐出するノズルの下を基板Ｇを略水平姿勢で通過させることにより、基板Ｇの表面にレジスト膜が形成される。減圧乾燥／周縁レジストユニット（ＶＤ／ＥＲ）２５は、基板Ｇに形成されたレジスト膜を熱処理によらずに減圧処理することによりレジスト膜に含まれる揮発成分を蒸発させ、また、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２４におけるレジスト膜の塗布の際に基板Ｇの裏面に付着したレジストおよび基板Ｇの周縁部分のレジスト膜を除去する。クーリングユニット（ＣＯＬ）２３からレジスト塗布ユニット（ＣＴ）２４への基板Ｇの搬送と、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２４から減圧乾燥／周縁レジスト除去ユニット（ＶＤ／ＥＲ）２５に向けての基板Ｇの搬送は、例えば、図示しない基板搬送アームを配設して行うことができる。
【００２２】
処理ブロック１１ａの上段に位置する処理ブロック１１ｃには、第２搬送部４側から第１搬送部３側に向かって、スクラバ洗浄処理が終了した基板Ｇの脱水ベーク処理を行う脱水ベークゾーン（ＤＨＰ）５１と、基板Ｇに対して疎水化処理を施す２つのアドヒージョン処理ゾーン（ＡＤ）５２、基板Ｇを所定温度に冷却するクーリングゾーン（ＣＯＬ）５３が設けられている。
【００２３】
これらの脱水ベークゾーン（ＤＨＰ）５１、アドヒージョン処理ゾーン（ＡＤ）５２、クーリングゾーン（ＣＯＬ）５３はＸ方向に仕切られてはおらず、各処理を行うための温度ゾーンに分けられているだけであり、第２搬送部４側から第１搬送部３側に向かって、基板Ｇは処理ブロック１１ｃ内をＸ方向に略水平に搬送されつつ、各ゾーンを通過することで熱処理される。アドヒージョン処理ゾーン（ＡＤ）５２とクーリングゾーン（ＣＯＬ）５３とでは設定温度に大きな差があるために、シャッターによりこれらのゾーンを遮断することが可能となっており、このシャッターは基板Ｇのアドヒージョン処理ゾーン（ＡＤ）５２からクーリングゾーン（ＣＯＬ）５３への通過時にのみ開口され、それ以外のときには閉口した状態に保持される。
【００２４】
処理ブロック１１ｂの上段に位置する処理ブロック１１ｄには、第２搬送部４側から第１搬送部３側に向かって、現像処理が終了した基板Ｇのポストベーク処理を行うポストベークゾーン（ＰＯＢ）５６と、ポストベーク処理後の基板Ｇを冷却するクーリングゾーン（ＣＯＬ）５７を備えている。
【００２５】
処理ブロック１１ｃの構造と同様に、ポストベークゾーン（ＰＯＢ）５６とクーリングゾーン（ＣＯＬ）５７についても、これらはＸ方向に仕切られてはおらず、各処理を行うための温度ゾーンに分けられているだけであり、第２搬送部４から第１搬送部３に向かって、基板Ｇは、処理ブロック１１ｄ内をＸ方向に略水平に搬送されつつ、所定のゾーンを通過することで熱処理される。この処理ブロック１１ｃの構造については、後にさらに詳細に説明する。
【００２６】
第２処理部２を構成する下段の処理ブロック１２ａは、露光処理後の基板Ｇの現像処理を行う現像処理ユニット（ＤＥＶ）２７となっており、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２７内において、基板Ｇはインターフェース部５側から第２搬送部４側に向けて略水平姿勢で搬送されつつ、現像液塗布、現像後の現像液洗浄、乾燥処理が逐次施されるようになっている。現像処理ユニット（ＤＥＶ）２７の天井部には図示しないフィルターファンユニット（ＦＦＵ）が設けられ、清浄な空気のダウンフローが搬送される基板Ｇに供給されるようになっている。
【００２７】
処理ブロック１２ａのＹ方向側に仕切壁を隔てて位置する処理ブロック１２ｂには、第２搬送部４側に露光処理後の基板Ｇに所定の情報を記録するタイトラー（ＴＩＴ）６２が配設され、インターフェース部５側に露光後の基板Ｇを退避させて一時的にストックするストックユニット（ＳＴ）６４が配置され、これらの中間に、レジスト塗布・現像処理システム１００のシーケンサや現像処理等に使用する各種の処理液を供給するためのポンプ等、各種制御機器や動力機器を収納可能なユーティリティユニット（ＵＴＬ）６３が配設されている。
【００２８】
処理ブロック１２ａの上段に位置する処理ブロック１２ｃには、第２搬送部４側からインターフェース部５側に向かって、レジスト塗布処理が終了した基板のプリベーク処理を行うプリベークゾーン（ＰＲＢ）５４と、基板Ｇの所定温度に冷却するクーリングゾーン（ＣＯＬ）５５が設けられている。
【００２９】
この処理ブロック１２ｃの構造は前述した処理ブロック１１ｃの構造と基本的に同じであり、プリベークゾーン（ＰＲＢ）５４とクーリングゾーン（ＣＯＬ）５５はＸ方向で仕切られることなく、各処理を行うための温度ゾーンに分けられており、基板Ｇは略水平姿勢で第２搬送部４側からインターフェース部５側に向かってＸ方向に搬送されつつ、所定のゾーンを通過する際に熱処理される。
【００３０】
処理ブロック１２ｂの上段に位置する処理ブロック１２ｄは、搬送ユニット（ＴＲＳ）６１となっており、第２搬送部４とインターフェース部５との間で何ら処理を行うことなく基板Ｇを搬送することができるようになっている。なお、処理ブロック１２ｂ・１２ｄは必ずしも必要ではなく、必要に応じてその他の処理装置を配置してもよい。
【００３１】
次に、上述した構成を有するレジスト塗布・現像処理システム１００における基板Ｇの搬送経路について、図３を参照しながら説明する。図３は、先に示した図２における基板Ｇの搬送順路を矢印Ｄ１〜Ｄ１６で示した説明図であり、図３においては第１搬送装置１７〜第３搬送装置１９の図示を省略している。
【００３２】
最初に、第１搬送装置１７が容器搬入出部６に載置されたカセットＣから基板Ｇを搬出し（矢印Ｄ１）、処理ブロック１１ａのエキシマＵＶ照射ゾーン（ｅ−ＵＶ）２１に搬入する。基板ＧはエキシマＵＶ照射ゾーン（ｅ−ＵＶ）２１およびスクラバ洗浄ゾーン（ＳＣＲ）２２を略水平姿勢で搬送されながら液処理される（矢印Ｄ２）。続いて、第２搬送装置１８が基板Ｇを処理ブロック１１ａから搬出し、処理ブロック１１ｃの脱水ベークゾーン（ＤＨＰ）５１に搬入する。こうして基板Ｇは、脱水ベークゾーン（ＤＨＰ）５１、アドヒージョン処理ゾーン（ＡＤ）５２、クーリングゾーン（ＣＯＬ）５３を略水平姿勢で逐次通過し、熱的処理される（矢印Ｄ３）。
【００３３】
続いて、第１搬送装置１７が所定温度に冷却された基板Ｇを処理ブロック１１ｃから搬出し、処理ブロック１１ｂのクーリングユニット（ＣＯＬ）２３に搬入する。基板Ｇは、クーリングユニット（ＣＯＬ）２３において均一温度に調節された後に、レジスト塗布ユニット（ＣＴ）２４、減圧乾燥／周縁レジスト除去ユニット（ＶＤ／ＥＲ）２５の順で処理され、基板Ｇにレジスト膜が形成される（矢印Ｄ４）。第２搬送装置１８は、レジスト膜が形成された基板Ｇを処理ブロック１１ｂから搬出し、処理ブロック１２ｃに搬入する。基板Ｇはプリベークゾーン（ＰＲＢ）５４とクーリングゾーン（ＣＯＬ）５５を略水平姿勢で逐次通過し、プリベーク処理が終了する（矢印Ｄ５）。
【００３４】
その後、第３搬送装置１９がプリベーク処理が終了した基板Ｇを処理ブロック１２ｃから搬出し、インターフェース部５に隣接して設けられた図示しない露光装置に搬入する（矢印Ｄ６）。そして、第３搬送装置１９は露光処理が終了した基板Ｇを露光装置から搬出し（矢印Ｄ７）、処理ブロック１２ｄの搬送ユニット（ＴＲＳ）６１に搬入する。基板Ｇは処理ブロック１２ｄ内を搬送され（矢印Ｄ８）、第２搬送装置１８が基板Ｇを処理ブロック１２ｄから搬出し、処理ブロック１２ｂのタイトラー（ＴＩＴ）６２に搬入する（矢印Ｄ９）。タイトラー（ＴＩＴ）６２において所定の情報が記録された基板Ｇは、第２搬送装置１８によって搬出され（矢印Ｄ１０）、次いで、処理ブロック１２ｄに搬入されてインターフェース部５側へ搬送される（矢印Ｄ１１）。
【００３５】
第３搬送装置１９は処理ブロック１２ｄから基板Ｇを搬出し、処理ブロック１２ａに設けられた現像処理ユニット（ＤＥＶ）２７が空いている場合には現像処理ユニット（ＤＥＶ）２７へ搬入するが、ここで、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２７が使用中のために基板Ｇを搬入することができない場合には、一時的に基板Ｇをストックユニット（ＳＴ）６４へ搬入する（矢印Ｄ１２）。そして、現像処理ユニット（ＤＥＶ）２７が使用可能となった時点で、第３搬送装置１９は基板Ｇをストックユニット（ＳＴ）６４から搬出し（矢印Ｄ１３）、処理ブロック１２ａに搬入する。
【００３６】
現像処理ユニット（ＤＥＶ）２７に搬入された基板Ｇは処理ブロック１２ａ内を略水平姿勢で搬送されつつ現像処理され（矢印Ｄ１４）、第２搬送装置１８によって現像処理ユニット（ＤＥＶ）２７から搬出される。第２搬送装置１８は現像処理が終了した基板Ｇを処理ブロック１１ｄに搬入し、基板Ｇはポストベークゾーン（ＰＯＢ）５６とクーリングゾーン（ＣＯＬ）５７を略水平姿勢で逐次通過し、ポストベーク処理される（矢印Ｄ１５）。続いて、第１搬送装置１７が処理ブロック１１ｄからポストベーク処理が終了した基板Ｇを搬出し、所定のカセットＣに搬入する（矢印Ｄ１６）。こうして、基板Ｇに対する洗浄からレジスト塗布、現像に至る処理が終了する。
【００３７】
次に、ポストベークゾーン（ＰＯＢ）５６とクーリングゾーン（ＣＯＬ）５７を有する処理ブロック１１ｃの構造について、より詳細に説明する。図４に処理ブロック１１ｃの内部構造（つまり、ポストベークゾーン（ＰＯＢ）５６とクーリングゾーン（ＣＯＬ）５７の構成）を示す概略側面図を示す。
【００３８】
ポストベークゾーン（ＰＯＢ）５６は、基板Ｇを略水平姿勢で水平方向に搬送するための基板搬送機構７１と、基板Ｇを加熱するために、基板搬送機構７１による基板Ｇの搬送ルート上の所定の高さ位置に搬送ルートに沿って所定間隔で隙間７３を設けながら配置された複数のパネル形状のヒータ７２・７２′と、これら複数のヒータ７２・７２′間に設けられた所定の隙間７３へ所定温度に加熱されたガスを供給する加熱ガス供給装置７４と、複数のヒータ７２・７２′間に設けられた所定の隙間７３から吸気を行うための吸気装置７５と、基板搬送機構７１によって搬送される基板Ｇの裏面から基板Ｇを加熱するためのＩＲ（赤外線）ヒータ７６と、を備えている。
【００３９】
基板搬送機構７１は、Ｙ方向（基板搬送方向であるＸ方向に垂直な方向）を長軸方向としてＸ方向に所定間隔で並べられた複数の円柱状のローラー部材７１ａと、これらのローラー部材を回転させるためのローラー駆動手段、例えばモータ７１ｂと、を有している。図４では４個のローラー部材７１ａを１組として、これらをモータ７１ｂ（全てを図示せず）で回転させる構造を示しているが、このような構成に限定されるものではなく、全てのローラー部材７１ａにモータ７１ｂを直結させて回転駆動させてもよく、また、１つおきや２つおきにモータ７１ｂによって回転駆動されるものと、基板Ｇとの摩擦により回転するフリーなものとを組み合わせた構成としてもよい。
【００４０】
ローラー部材７１ａとしては、図５の斜視図に示すように、その長軸方向の長さが、基板Ｇの幅（Ｙ方向長さ）よりも長いものを用いる。これは、基板ＧにおいてＸ方向にローラー部材７１ａと接触する部分と接触しない帯状の部分ができると、基板Ｇの熱履歴に分布が生じてしまって縞模様等の転写痕が発生してしまうので、それを防止するためである。
【００４１】
図６にヒータ７２・７２′の概略構造を示す斜視図を示す。この図６に示されるように、ヒータ７２・７２′は共に複数の小ヒータ７２ａ・７２ｂから構成されている。一辺の長さが１ｍを超えるような大型の基板Ｇを熱的に処理する場合には、これと同等以上の大きさのヒータが必要となるが、そのようなヒータでは、製造コストが高くなり、熱輻射の均一性も低下する。そこで、複数の既存の小ヒータ７２ａ・７２ｂを連結することにより、安価にしかも各小ヒータ７２ａ・７２ｂごとに温度調節を行うことでヒータ７２・７２′からの熱輻射を均一なものとすることができる。
【００４２】
このようにヒータ７２を複数の小ヒータ７２ａ・７２ｂから構成する場合、一定の距離範囲内において小ヒータ７２ａ・７２ｂどうしの継ぎ目がＸ方向と平行にならないように、複数の小ヒータ７２ａ・７２ｂを連結する。小ヒータ７２ａ・７２ｂどうしの継ぎ目の直下では基板Ｇへの熱輻射が小さくなるので、この継ぎ目がＸ方向に長く存在すると、基板Ｇの熱処理均一性が悪くなり、基板Ｇに転写痕が発生してしまうが、継ぎ目のＸ方向長さを一定の範囲内とすることで、このような転写痕の発生を防止することができる。なお、「一定の範囲」は、ヒータ７２・７２′の設定温度やヒータ７２・７２′と基板Ｇとの間の距離（間隔）等によって、変化するので、これらの因子を考慮して、実際に基板Ｇに転写痕が発生することのないように設定される。ヒータ７２・７２′の下面と基板Ｇの上面との間隔は、基板Ｇに均一に熱輻射を行うことができるように、適宜設定すればよく、例えば、ヒータ７２・７２′の平均温度を１２０℃とした場合に、２ｍｍ以上５０ｍｍ以下とすることができる。
【００４３】
図６では２種類のヒータ７２・７２′を示したが、これはＹ方向に小ヒータ７２ａ・７２ｂを並べて構成されるブロックと、Ｙ方向に小ヒータ７２ａのみを並べて構成されるブロックとを、Ｘ方向で３ブロック連結した構成としたからであり、これら各ブロックを２ブロック、４ブロックの交互連結とすれば、１種類のヒータで足りる。またヒータ７２・７２′は、図６に示したように、異なる大きさの小ヒータを組み合わせて構成してもよいし、同じ形状の小ヒータを組み合わせて構成することもできる。ヒータ７２・７２′の平面形状は必ずしも、矩形（正方形や長方形等）に限定されるものではなく、例えば、Ｙ方向端においては、凹凸があっても構わない。このような小ヒータの平面形状は矩形のものに限定されず、三角形や六角形等の多角形のものも用いてもよい。
【００４４】
なお、基板Ｇの表裏で温度差が発生すると基板Ｇに反りが生じるので、基板Ｇの表裏の温度が同程度となるように、ヒータ７２・７２′とＩＲヒータ７６の出力を制御する。ヒータ７２・７２′から基板Ｇの表面までの距離と、ＩＲヒータ７６から基板Ｇの裏面までの距離は異なるので、基板の設定温度に対するヒータ７２・７２′とＩＲヒータ７６の出力の相関関係データをレジスト塗布・現像処理システム１００の制御装置に記憶させておき、基板Ｇの設定処理温度に応じてその相関データを基にヒータ７２・７２′とＩＲヒータ７６とを制御する。
【００４５】
ヒータ７２どうしの間に形成された隙間７３は交互に、加熱ガス供給装置７４から所定温度に加熱されたガスを供給するために、また、基板Ｇとヒータ７２との間の空間からの吸気を行うために、利用される。加熱ガスを基板Ｇとヒータ７２との間に供給することによって基板Ｇの加熱を促進することができ、このようにして加熱ガスを基板Ｇとヒータ７２との間の空間に給排気を行うことによって、基板Ｇから発生する昇華物等を気流に乗せて、基板Ｇとヒータ７２との間の空間から排除することができる。このような吸気系配管（つまり、吸気口（隙間７３）〜吸気装置７５の手前まで）に昇華物が固化しないように、吸気系配管を所定温度に加熱保持することも好ましい。
【００４６】
ヒータ７２・７２′としてＸ方向長さの短いものを用いて隙間７３を多く形成すると、このような昇華物の排除がより容易となる。但し、その際に基板Ｇの加熱特性が低下しないように、ヒータ７２・７２′の形状および配置を考慮する必要がある。
【００４７】
加熱ガスの温度は基板Ｇの設定処理温度より低く、かつ、基板Ｇの設定処理温度とそれよりも１０℃低い温度との間とすることが好ましい。加熱ガスの温度が設定処理温度よりも高いと基板Ｇを加熱しすぎるおそれがあり、また、基板Ｇの設定処理温度よりも１０℃低い温度よりさらに低くなると、加熱ガスが噴射される位置（つまり、空隙７３）の直下において基板Ｇが冷却されてしまい、基板Ｇに反りが生ずるおそれがある。
【００４８】
基板搬送機構７１によって搬送される基板Ｇの裏面から基板Ｇを加熱するためのＩＲ（赤外線）ヒータ７６は、基板Ｇのみならず、ローラー部材７１ａを加熱するように配置することが好ましい。これによりローラー部材７１ａからの熱伝達および熱輻射によっても基板Ｇが加熱され、基板Ｇの乾燥時間を短縮することができる。このため、ローラー部材７１ａは、蓄熱性材料（例えば、セラミックス等）で構成されているものを用いることが好ましい。ＩＲヒータ７６に代えて、熱放射能を有するランプを用いてもよい。
【００４９】
ポストベークゾーン（ＰＯＢ）５６から基板Ｇを受け取り、冷却するクーリングゾーン（ＣＯＬ）５７には、ポストベークゾーン（ＰＯＢ）５６に設けられた基板搬送機構７１が延設されており、ポストベークゾーン（ＰＯＢ）５６から連続的に基板Ｇが略水平姿勢で搬送される。そして、クーリングゾーン（ＣＯＬ）５７には、基板Ｇをその表面側から冷却するために基板Ｇの搬送ルート上の所定の高さ位置に設けられた冷却板７７と、基板Ｇを裏面から冷却するために基板Ｇの裏面に冷却ガスを吹き付ける冷却ガス噴射装置７８が配設されている。
【００５０】
冷却板７７は、その内部に冷却媒体を通すための配管が埋設されており、チラー７９との間で冷媒が循環するように構成されている。冷却板７７どうしの隙間から、冷却板７７と基板Ｇとの間の空間の温まったガスを吸気する構成とすることも好ましい。
【００５１】
また、冷却ガス噴射装置７８としては、例えば、冷媒中に設けられた配管内に窒素ガスまたは空気を通すことでガスを冷却し、ノズル７８ａから基板Ｇに向けて吹き付ける構成のものを用いることができる。このような冷却ガスの雰囲気にさらされることによってローラー部材７１を冷却し、基板Ｇからローラー部材７１ａへの熱伝達により基板Ｇの冷却速度を速めることも好ましい。その場合、冷却されるローラー部材７１ａは、熱伝導性の高い材料、例えば、金属材料で構成することが好ましい。クーリングゾーン（ＣＯＬ）５７に配設されるローラー部材７１ａは、内部に冷却水を循環させて冷却する構造としてもよい。
【００５２】
なお、ポストベークゾーン（ＰＯＢ）５６とクーリングゾーン（ＣＯＬ）５７とでは設定温度に大きな差があるために、図示しないシャッタにより、ポストベークゾーン（ＰＯＢ）５６とクーリングゾーン（ＣＯＬ）５７を簡易的に遮断する、つまり基板Ｇを搬送するための隙間を確保しながら両者を仕切ることも好ましい。処理ブロック１１ｃの構成は、基板Ｇに熱的処理を施す他の処理ブロック１１ｄ・１２ｃにも同様に適用することができ、処理ブロック１１ｃのアドヒージョン処理ゾーン（ＡＤ）５２では、加熱したＨＭＤＳガス等の処理ガスが基板Ｇに供給される。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明は、ＬＣＤガラス基板等の大型基板のフォトリソグラフィー工程における加熱処理と冷却処理に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の処理装置の一実施形態であるレジスト塗布・現像処理システムの一実施形態を示す斜視図。
【図２】図１記載のレジスト塗布・現像処理システムの概略構造を示す平面図。
【図３】図１記載のレジスト塗布・現像処理システムにおける基板の搬送順路を示した説明図。
【図４】ポストベークゾーン（ＰＯＢ）とクーリングゾーン（ＣＯＬ）の概略構造を示す側面図。
【図５】ローラー部材の概略形状を示す斜視図。
【図６】ポストベークゾーン（ＰＯＢ）に配置されるヒータの概略構造を示す斜視図。
【符号の説明】
【００５５】
１；第１処理部
２；第２処理部
３；第１搬送部
４；第２搬送部
５；インターフェース部
６；容器搬入出部
１１ａ〜１１ｄ・１２ａ〜１２ｄ；処理ブロック
５６；ポストベークゾーン（ＰＯＢ）
５７；クーリングゾーン（ＣＯＬ）
７ｌ；基板搬送機構
７１ａ；ローラー部材
７２；ヒータ
７４；加熱ガス供給装置
７５；吸気装置
７６；ＩＲ（赤外線）ヒータ
７７；冷却板
７８；冷却ガス噴射装置
１００；レジスト塗布・現像処理システム
Ｇ；基板（ＬＣＤ基板）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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