(57)【要約】    【課題】外装樹脂にクラックや剥離が生じることもなく、表面実装部品の導通不良を抑止することができる信頼性の優れた電子装置、及び該電子装置を容易に製造することができ、量産性に優れ、かつパッケージングの低背化が容易な電子装置の製造方法を実現する。    【解決手段】チップ型電子部品１ａ〜１ｃを回路基板３に表面実装した後（ａ）、電子部品１ａ〜１ｃの上面に、高粘性かつチキソトロピー性を有するシート状樹脂材料９を載置し（ｂ）、次いで、枠型熱板プレス１０で樹脂材料９の周縁部を加圧・加熱して樹脂材料９を変形させる。そして中空部６ａ〜６ｄが形成されるように該樹脂材料９を回路基板３に熱圧着し、その後硬化処理を施して被覆樹脂５を形成する（ｃ）。  【選択図】図３
2006012943.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部電極が両端部に形成された電子部品を少なくとも一つ以上含む複数の電子部品が回路基板上に実装され、被覆部材で外装された電子装置において、
前記被覆部材は、前記各電子部品の周囲に中空部を有するように、高粘性かつチキソトロピー性を有する樹脂材料で形成されていることを特徴とする電子装置。
【請求項２】
前記電子部品の電極端子が、はんだを介して前記回路基板に接合されると共に、前記中空部は、少なくとも前記電極端子及び前記はんだの総熱膨張量よりも大きくなるように制御されることを特徴とする請求項１記載の電子装置。
【請求項３】
前記複数の電子部品のうちの少なくとも１つ以上の電子部品は、一部が前記被覆部材内に埋め込まれていることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の電子装置。
【請求項４】
外部電極が両端部に形成された電子部品を少なくとも一つ以上含む複数の電子部品を回路基板上に実装した後、高粘性かつチキソトロピー性を有するシート状の樹脂材料を前記電子部品の上面に載置し、前記樹脂材料の外周部を加熱して前記樹脂材料の外周部を溶融させて変形させ、前記各電子部品の周囲に中空部が形成されるように前記樹脂材料と前記回路基板の周縁部とを熱圧着して前記電子部品を外装し、その後前記樹脂材料を硬化させることを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項５】
外部電極が両端部に形成された電子部品を少なくとも一つ以上含む高さの異なる複数の電子部品を回路基板上に実装した後、高粘性かつチキソトロピー性を有するシート状の樹脂材料を前記電子部品のうち高背な電子部品の上面に水平状に載置し、前記樹脂材料を全体的に加熱して溶融させ、少なくとも前記高背な電子部品の一部を前記樹脂材料中に埋め込ませると共に、前記各電子部品の周囲に中空部が形成されるように前記樹脂材料と前記回路基板の周縁部とを熱圧着して前記電子部品を外装し、その後前記樹脂材料を硬化させることを特徴とする電子装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子装置、及び電子装置の製造方法に関し、より詳しくは外部電極が両端部に形成されたセラミックコンデンサやインダクタ等のチップ型電子部品を少なくとも１つ以上含む電子部品が回路基板上に実装され、パッケージングされた電子装置、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、複数の電子部品がプリント基板等の回路基板に実装された電子装置を装置基板に搭載する場合、搭載の効率化を図る観点からはんだリフロー炉が広く使用されている。
【０００３】
このはんだリフロー炉を使用したはんだ付け工法では、はんだクリームを装置基板に印刷した後、印刷パターン上に電子装置を搭載し、高温下加熱して電子装置を装置基板に接合している。
【０００４】
ところで、はんだリフロー炉を使用して電子装置を装置基板に搭載する場合、表面実装部品である電子部品の保護と良好な実装性を確保する観点から、通常は回路基板上の電子部品全体を樹脂材料で被覆している。
【０００５】
しかしながら、このように電子部品を樹脂材料で被覆しても、高温下のリフロー処理により、電子部品と回路基板とを接合しているはんだが膨張して被覆樹脂にクラックが生じたり、被覆樹脂が回路基板から剥離するおそれがあり、また隣接する電子部品同士や外部電極同士が溶融はんだを介して電気的に接続されてしまい、短絡等の導通不良を招くおそれがある。
【０００６】
そこで、従来より、図１０に示すように、実装部品１０２を樹脂膜１０１で被覆すると共に、樹脂膜１０１に、下端部が実装部品１０２をはんだ付けしている部品実装はんだ１０３に接し、上端部が樹脂膜１０１の表面に開口するはんだ退避孔１０４を設けたハイブリッドＩＣが提案されている（特許文献１）。
【０００７】
図１０のハイブリッドＩＣは、部品実装はんだ１０３の表面上にピンの先端部を上方から接触させた状態でハイブリッド基板１０５上に樹脂を注下して該ハイブリッド基板１０５を樹脂膜１０１で被覆し、樹脂硬化後、ピンを引き抜き、これによりはんだ退避孔１０４を形成している。
【０００８】
また、特許文献１には、図１１に示すように、実装部品１０２をはんだ付けしている部品実装はんだ１０３と樹脂膜１０１との間にはんだ退避用の隙間１０６を選択的に設けたハイブリッドＩＣも提案されている。
【０００９】
図１１のハイブリッドＩＣは、ハイブリッド基板１０５上に樹脂を注下して該ハイブリッド基板１０５上を樹脂膜１０１で覆った後、はんだが固形状態を維持し得るはんだ溶融点近傍の温度にハイブリッド基板１０５を加熱させた状態で樹脂膜１０１を固化させ、その後ハイブリッド基板１０５を常温に戻して選択的にはんだ退避用の隙間１０６を形成している。
【００１０】
また、中空構造を有する電子装置としては、図１２に示すように、はんだ１１１を介してセラミック基板１１２上に実装されたＩＣ部品１１３を樹脂ケース１１４で覆って中空構造とし、樹脂ケース１１４を接着樹脂１１５でセラミック基板１１２に接着すると共に、樹脂ケース１１４を外装樹脂１１６で被覆した混成集積回路装置が提案されている（特許文献２）。
【００１１】
【特許文献１】特開平７−１６１８７３号公報
【特許文献２】特開平３−２１１７５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、特許文献１に開示された図１０のハイブリッドＩＣは、上述したように部品実装はんだ１０３にピンを接触させた状態で樹脂を上方から注下して被覆し、その後ピンを引き抜くことにより、はんだ退避孔１０４を形成しているため、はんだ退避孔１０４の製造工程が煩雑で生産性に欠けるという問題点があった。
【００１３】
また、図１１のハイブリッドＩＣでは、温度変化を与えて実装はんだ１０３と樹脂膜１０１との間に選択的に隙間１０６を形成したにすぎず、隙間容積や隙間の個数を管理するのが困難であるという問題点があった。
【００１４】
また、特許文献２は、ＩＣ部品１１３を樹脂ケース１１４で被覆したものであるため、高さの異なる複数のＩＣ部品１１３を回路基板１１２に実装する場合は、高さが最大のＩＣ部品に対応させて樹脂ケース１１４の大きさを選定しなければならず、また、ＩＣ部品の高さのバラツキや樹脂ケースのバラツキを考慮した余裕スペースを確保しなければならない。すなわち、特許文献２では、高さが異なったり、高さにバラツキのある複数のＩＣ部品１１３を回路基板１１２に実装する場合、電子装置内に余分な空間部が形成され、パッケージングされた電子装置の大型化を招くという問題点があった。
【００１５】
本発明はこのような事情に鑑みなされたものであって、外装樹脂にクラックや剥離が生じることもなく、表面実装部品の導通不良を抑止することができる信頼性の優れた電子装置、及び該電子装置を容易に製造することができ、量産性に優れ、かつパッケージングの低背化が容易な電子装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記目的を達成するために本発明に係る電子装置は、外部電極が両端部に形成された電子部品を少なくとも一つ以上含む複数の電子部品が回路基板上に実装され、被覆部材で外装された電子装置において、前記被覆部材は、前記各電子部品の周囲に中空部を有するように、高粘性かつチキソトロピー性を有する樹脂材料で形成されていることを特徴としている。
【００１７】
また、本発明の電子装置は、前記電子部品がはんだを介して前記回路基板に接合されると共に、前記中空部は、少なくとも前記外部電極及び前記はんだの総熱膨張量よりも大きくなるように制御されることを特徴としている。
【００１８】
さらに、本発明の電子装置は、前記電子部品のうちの少なくとも１つ以上の電子部品は、一部が前記被覆部材内に埋め込まれていることを特徴としている。
【００１９】
また、本発明に係る電子装置の製造方法は、外部電極が両端部に形成された電子部品を少なくとも一つ以上含む複数の電子部品を回路基板上に実装した後、高粘性かつチキソトロピー性を有するシート状の樹脂材料を前記電子部品の上面に載置し、前記樹脂材料の外周部を加熱して前記樹脂材料の外周部を溶融させて変形させ、前記各電子部品の周囲に中空部が形成されるように前記樹脂材料と前記回路基板の周縁部とを熱圧着して前記電子部品を外装し、その後前記樹脂材料を硬化させることを特徴としている。
【００２０】
また、本発明の電子装置の製造方法は、外部電極が両端部に形成された電子部品を少なくとも一つ以上含む高さの異なる複数の電子部品を回路基板上に実装した後、高粘性かつチキソトロピー性を有するシート状の樹脂材料を前記電子部品のうち高背な電子部品の上面に水平状に載置し、前記樹脂材料を全体的に加熱して溶融させ、少なくとも前記高背な電子部品の一部を前記樹脂材料中に埋め込ませると共に、前記各電子部品の周囲に中空部が形成されるように前記樹脂材料と前記回路基板の周縁部とを熱圧着して前記電子部品を外装し、その後前記樹脂材料を硬化させることを特徴としている。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の電子装置によれば、外部電極が両端部に形成された電子部品を少なくとも一つ以上含む複数の電子部品が回路基板上に実装され、被覆部材で外装された電子装置において、前記被覆部材は、前記各電子部品の周囲に中空部を有するように、高粘性かつチキソトロピー性を有する樹脂材料で形成されているので、電子部品の外部電極やはんだがリフロー処理時の加熱により熱膨張してもはんだが被覆樹脂を押圧するのを回避することができ、これにより被覆樹脂にクラックが生じたり、被覆樹脂が回路基板から剥離するのを防止することができる。
【００２２】
また、隣接する電子部品同士や各電子部品の外部電極同士が再溶融したはんだによりショートするのを防止することができ、導通不良の発生を抑止することができる。
【００２３】
また、前記電子部品ははんだを介して前記回路基板に接合されると共に、前記中空部は、少なくとも前記外部電極及び前記はんだの総熱膨張量よりも大きくなるように制御されるので、外部電極やはんだが熱膨張しても被覆樹脂と接触することはなく、上述した効果を確実に得ることができる。
【００２４】
さらに、本発明の電子装置は、前記複数の電子部品のうちの少なくとも１つ以上の電子部品は、一部が前記樹脂材料内に埋め込まれているので、高さが異なったり高さにバラツキのある電子部品が混在して回路基板上に実装された場合であっても、電子装置の低背化が可能となる。
【００２５】
また、本発明の電子装置の製造方法によれば、シート状樹脂材料が回路基板と接合するように変形を加えても、樹脂材料がチキソトロピー性を有しているので、変形時のみ一時的に粘性が低下して流動性が増し、これにより機械的強度を維持することができる。そして、変形後は元の高粘性を回復するので、流動性は低下し、回路基板の周縁部に配された電子部品と樹脂材料との間には容易に中空部を形成することができる。しかも、シート状樹脂材料の周縁部のみを加熱変形させて所望の中空部を形成しているので、製造工程が簡素であり、低コストで製造することができ、量産性にも優れている。
【００２６】
また、本発明の電子装置の製造方法によれば、高さの異なる複数の電子部品を回路基板上に実装した場合であっても、高粘性かつチキソトロピー性を有するシート状の樹脂材料を全体的に加熱することにより、高背な電子部品を前記樹脂材中に容易に埋め込ませることができ、低背化された電子装置を容易に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
次に、本発明の実施の形態を図面に基づき詳説する。
【００２８】
図１は、本発明に係る電子装置の一実施の形態を示す断面図であって、該電子装置は、表面実装部品としての複数の電子部品１（１ａ〜１ｃ）が、回路基板３の電極パッド４（４ａ〜４ｆ）上にはんだ２（２ａ〜２ｆ）を介して実装され、かつ電子部品１ａ〜１ｃの周囲に中空部６ａ〜６ｄを有するように、高粘性かつチキソトロピー性を有する樹脂材料で被覆され、被覆樹脂５（被覆部材）を形成している。
【００２９】
尚、電子部品１は、例えばチップ型のセラミックコンデンサやインダクタで構成され、図２に示すように、セラミック焼結体からなる部品本体７の両端部に外部電極８が形成されている。
【００３０】
前記回路基板３上には配線が形成されている。回路基板３の素材としてはリフロー処理に耐え得る耐熱性を具備したものであれば特に限定されるものではなく、例えば、セラミック系材料やフェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル等の有機系樹脂材料が好適に使用される。
【００３１】
また、樹脂材料は熱圧着により加熱変形させて被覆樹脂５を形成し、被覆樹脂５と電子部品１ａ、１ｃとの間にも中空部６ａ、６ｄを形成する必要があることから、高粘性かつチキソトロピー性を有する必要がある。
【００３２】
ここで、チキソトロピー性とは、樹脂材料に変形が加えられた時は、剪断により見掛け粘度が一時的に低下するが、その後は元の高粘性状態を回復する性状をいう。したがって、樹脂材料がチキソトロピー性を有することにより、該樹脂材料を回路基板３に接合すべく変形が加えられた時のみ、見掛け粘度が一時的に低下して流動性が増し、加圧された周縁部で基板と接着するが、加圧されていない樹脂部の変形は少ない。
【００３３】
そして、変形後は元の高粘性状態を回復して流動性が低下し、これにより樹脂材料は塗れ広がることもなく、電子部品１ａ〜１ｃとの間に所望の中空部６ａ〜６ｄを有する被覆樹脂５を形成することができる。
【００３４】
このように高粘性かつチキソトロピー性を有する樹脂材料として、熱硬化性樹脂の場合は、例えばエポキシ系樹脂（日立化成工業社製「ＨＴ−Ｘ２０」等）を使用することができ、熱可塑性樹脂の場合は、例えばポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミドアミド樹脂を使用することができる。
【００３５】
また、本実施の形態では、中空部６ａ〜６ｄは、加熱条件等を調整することにより、前記外部電極８及びはんだ２の加熱による総熱膨張量よりも大きくなるように制御されており、これによりはんだ２の側面部が被覆樹脂５と接触するのを回避することができる。
【００３６】
このように本実施の形態では、電子部品１ａ〜１ｃの周囲に中空部６ａ〜６ｄが形成され、特に被覆部材５と電子部品１ａ、１ｃとの間にも中空部６ａ、６ｄが形成されているので、はんだリフロー処理時等において、電子部品１ａ〜１ｃの外部電極８やはんだ２が熱膨張してもはんだ２が被覆樹脂５を押圧することもなく、したがって被覆樹脂５にクラックが生じたり、被覆樹脂５が回路基板３から剥離するのを防止することができる。また、隣接する電子部品１ａ〜１ｃ同士や各電子部品１ａ〜１ｃの外部電極８同士が再溶融したはんだでショートするのを防止することができ、導通不良の発生を抑制することができる。
【００３７】
次に、本電子装置の製造方法を詳述する。
【００３８】
図３は本電子装置の製造方法の製造手順を示す断面図である。
【００３９】
まず、図３（ａ）に示すように、所定外形寸法（例えば、縦１．０、横０．５ｍｍ、高さ０．５ｍｍ）の電子部品１ａ〜１ｃを回路基板３上の電極パッド４ａ〜４ｆにはんだ２ａ〜２ｆを介して電気的に接続し、電子部品１ａ〜１ｃを回路基板３上に実装する。
【００４０】
次いで、図３（ｂ）に示すように、電子部品１ａ〜１ｃの上面に所定厚み（例えば、０．２５ｍｍ）のシート状樹脂材料９を載置する。ここで、シート状樹脂材料９としては、上述したように高粘性かつチキソトロピー性を有する熱硬化性樹脂材料又は熱可塑性樹脂材料が使用される。
【００４１】
次に、図３（ｃ）に示すように、所定温度（例えば、１５０℃）に加熱した枠型熱板プレス１０でシート状樹脂材料９の周縁部を所定時間（例えば、１５分）押圧して加熱し、樹脂材料９を溶融させて回路基板３に熱圧着して樹脂材料９を回路基板３に接合する。そして、樹脂材料９はチキソトロピー性を有しているので、枠型熱板プレス１０で樹脂材料９の周縁部を加圧して傾斜状に変形させると、一時的に粘度が低下して流動性が増し、十分なる機械的強度を有した状態で樹脂材料９は回路基板３に熱圧着する。そしてその後、高粘性状態を回復し、樹脂材料９は塗れ広がることなく、電子部品１ａ〜１ｃとの間に中空部６ａ〜６ｄを形成する。次いで、枠型熱板プレス１０を取り外し、所定温度（例えば、温度１５０℃）に加熱されたオーブンに投入して所定時間（例えば、３時間）保持し、樹脂材料９を完全に硬化させ、これにより被覆樹脂５で外装された電子装置が製造される。
【００４２】
尚、枠型熱板プレス１０は、樹脂材料９との接触面にフッ素樹脂等で離型処理を施し、繰り返し使用できるようにしておくのが好ましい。
【００４３】
このように本製造方法によれば、機械的強度を損なうこともなく、所望の中空部６ａ〜６ｄを有するように電子部品１ａ〜１ｃを被覆樹脂５で外装しているので、電子装置をリフロー処理して装置基板に実装する場合、外部電極８やはんだ２が熱膨張しても被覆樹脂５のクラックや、回路基板３と被覆樹脂５との間で剥離が生じるのを回避することができ、また隣接する電子部品同士や電子部品の外部電極８同士がリフロー時に再溶融したはんだにより電気的に接続されて短絡等の導通不良が生じるのを抑止することができる。
【００４４】
しかも、枠型熱プレス１０で樹脂材料９の周縁部を加熱・加圧するだけで、電子部品１ａ〜１ｃの周囲に中空部６ａ〜６ｄを形成しており、したがって製造工程も簡素であり、電子装置を低コストで製造することができ、量産性にも優れている。
【００４５】
図４は本発明の第２の実施の形態を示す断面図であって、本第２の実施の形態は、一度に多数の電子装置を製造する場合を示している。
【００４６】
すなわち、本第２の実施の形態では、大判の回路基板１１上に多数の電子部品１が表面実装されると共に、大型の枠型熱板プレス１３を介して回路基板１１に熱圧着されてなる被覆樹脂１２で外装されている。
【００４７】
本第２の実施の形態の電子装置は、次のようにして製造される。
【００４８】
すなわち、表面実装された電子部品１上にシート状の樹脂材料を載置し、大型の枠型熱板プレス１３により樹脂材料の所定部位を上方から加熱・加圧して前記樹脂材料に変形を加え、各電子部品１ａ〜１ｉの周囲に中空部１４ａ〜１４ｌが形成されるように回路基板１１と樹脂材料とを熱圧着し、その後、第１の実施の形態と同様、熱硬化処理を施し、これにより被覆樹脂１２が形成される。そしてその後、切断機で熱圧着部分を縦横に切断することにより、大判の回路基板１１から多数の電子装置を得ることができる。
【００４９】
このように本第２の実施の形態では、大判の回路基板１１から多数の電子装置を一度に製造することができ、より一層の量産性向上を図ることができる。
【００５０】
図５は本発明の第３の実施の形態を示す断面図であって、本第３の実施の形態では、低背な電子部品１６ａ、１６ｃと、高背な電子部品１６ｂとが回路基板１５に混在して表面実装されており、電子部品１６ａ〜１６ｃ周囲に中空部１８ａ〜１８ｄが形成されると共に、高背な電子部品１６ｂの一部（上部）が樹脂被覆１７内に埋め込まれている。
【００５１】
図６は本第３の実施の形態の製造方法を示す製造手順の断面図である。
【００５２】
まず、図６（ａ）に示すように、低背な電子部品１６ａ、１６ｃと高背な電子部品１６ｂとを回路基板１５上の電極パッド１９ａ〜１９ｆにはんだ２０ａ〜２０ｆを介して電気的に接続し、電子部品１６ａ〜１６ｃを回路基板１５上に実装する。
【００５３】
次いで、図６（ｂ）に示すように、高背な電子部品１６ｂの上面に所定厚みの高粘性かつチキソトロピー性を有するシート状樹脂材料２１を載置する。
【００５４】
次に、図６（ｃ）に示すように、箱型熱板プレス２２を所定温度に加熱して上方から加圧し、樹脂材料２１を変形させ、高背な電子部品１６ｂの上部を樹脂材料２１中に埋め込ませると共に、中空部１８を有するように樹脂材料２１を回路基板１５に熱圧着し、その後所定温度に加熱されたオーブンに投入して所定時間保持し、これにより樹脂材料２１を完全に硬化させて被覆樹脂１７を形成し、これにより電子部品１６ａ〜１６ｃの周囲に中空部１８ａ〜１８ｄが形成された電子装置が製造される。
【００５５】
このように電子装置が、高さが異なったりバラツキがある電子部品１６ａ〜１６ｃを有しているときは、箱型の熱板プレス２２で樹脂材料２１を全体的に加熱・加圧し、高背な電子部品１６ｂの上部を被覆樹脂１７中に埋め込むことにより電子装置の低背化が可能となる。
【００５６】
図７は本発明の第４の実施の形態を示す断面図であって、該第４の実施の形態は、第１の実施の形態と同様、回路基板２３の上面に電子部品１ａ〜１ｃが実装されると共に、中空部６が形成されるように被覆樹脂５で外装され、さらに、回路基板２３の下面凹所に半導体２４が実装され、かつ該半導体２４は樹脂材料２５で被覆されている。
【００５７】
このように回路基板２３の下面側に半導体２４等の電子部品が内蔵されている場合であっても、第１〜第３の実施の形態と同様、はんだリフロー処理時等において、電子部品１ａ〜１ｃの外部電極８やはんだ２が熱膨張してもはんだ２が被覆樹脂５を押圧することもなく、したがって被覆樹脂５にクラックが生じたり、被覆樹脂５が回路基板３から剥離するのを防止することができ、また、隣接する電子部品１ａ〜１ｃ同士や各電子部品１ａ〜１ｃの外部電極８同士が再溶融したはんだによりショートするのを防止することができ、導通不良の発生を抑止することができる。
【００５８】
図８は本発明の第５の実施の形態を示す断面図であって、本第５の実施の形態では、チップ型電子部品１ａ、１ｂの他、半導体２６が回路基板２７に表面実装され、さらにチップ型電子部品１ａ及び半導体２６の周囲に中空部６ａ〜６ｃ、６ｄ′を有するように被覆樹脂２８で外装されている。
【００５９】
このように表面実装部品がチップ型電子部品と半導体等のチップ型電子部品以外の電子部品とを含む場合であっても、第１の実施の形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００６０】
尚、本第５の実施の形態では、半導体２６をチップ型電子部品１ａ、１ｂと共に回路基板２７に表面実装しているが、チップ型電子部品は少なくも１つ含んでいればよく、例えば半導体２６の他、表面波フィルタ等の電子部品を一部に含む場合も同様に本発明を適用できる。
【００６１】
図９は本発明の第６の実施の形態の断面図であって、本第６の実施の形態では、電子部品２９ａ〜２９ｃが回路基板３０に表面実装されると共に、被覆部材３１と電子部品２９ａ、２９ｃとの間に薄板３２が介在されている。
【００６２】
本第６の実施の形態では、回路基板３０上に表面実装された電子部品２９ａ〜２９ｃの薄板３２の上方から樹脂材料を供給し、電子部品の周囲に中空部３３ａ〜３３ｄが形成されるようにして樹脂材料を硬化させ、被覆樹脂３１を形成している。
【００６３】
尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。
【００６４】
また、本発明は、リフロー処理後のはんだ再溶融による導通不良が生じ易いとされる小型の表面実装部品に対して特に効果が大きい。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明に係る電子装置の一実施の形態（第１の実施の形態）を示す断面図である。
【図２】上記電子装置に実装された電子部品の断面図である。
【図３】第１の実施の形態の製造手順を示す断面図である。
【図４】本発明に係る電子装置の第２の実施の形態を示す断面図である。
【図５】本発明に係る電子装置の第３の実施の形態を示す断面図である。
【図６】第３の実施の形態の製造手順を示す断面図である。
【図７】本発明に係る電子装置の第４の実施の形態を示す断面図である。
【図８】本発明に係る電子装置の第５の実施の形態を示す断面図である。
【図９】本発明に係る電子装置の第６の実施の形態を示す断面図である。
【図１０】特許文献１に記載された背景技術の一例を示す断面図である。
【図１１】特許文献１に記載された背景技術の他の例を示す断面図である。
【図１２】特許文献２に記載された背景技術の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６６】
１ａ〜１ｃ  電子部品
３  回路基板
５  被覆樹脂（被覆部材）
６  中空部
８  外部電極
１１  回路基板
１２  被覆樹脂（被覆部材）
１４  中空部
１５  回路基板
１６ａ〜１６ｃ  電子部品
１７  被覆樹脂（被覆部材）
１８  中空部
２３ａ〜２３ｃ  電子部品
２７  回路基板
２８  被覆樹脂（被覆部材）
３０  回路基板
３１  被覆樹脂（被覆部材）
【図１】
2006012943.tif 000003
【図２】
2006012943.tif 000004
【図３】
2006012943.tif 000005
【図４】
2006012943.tif 000006
【図５】
2006012943.tif 000007
【図６】
2006012943.tif 000008
【図７】
2006012943.tif 000009
【図８】
2006012943.tif 000010
【図９】
2006012943.tif 000011
【図１０】
2006012943.tif 000012
【図１１】
2006012943.tif 000013
【図１２】
2006012943.tif 000014