(57)【要約】【課題】  本発明は、所定の領域以外に成膜された有機層または濡れ性変化層を容易に除去することが可能な有機デバイスおよびその製造方法を提供することを主目的とする。【解決手段】  本発明は、基板と、上記基板上に形成された第１電極層と、上記第１電極層上に形成された有機層と、上記有機層上に形成された第２電極層と、上記基板上の上記第２電極層が形成されていない第２電極層非形成領域の一部に形成された端子部と、上記端子部上に形成され、上記端子部および上記第１電極層、あるいは上記端子部および上記第２電極層を接続する導電層とを有することを特徴とする有機デバイスを提供することにより、上記目的を達成するものである。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上に形成された第１電極層と、前記第１電極層上に形成された有機層と、前記有機層上に形成された第２電極層と、前記基板上の前記第２電極層が形成されていない第２電極層非形成領域の一部に形成された端子部と、前記端子部上に形成され、前記端子部および前記第１電極層、あるいは前記端子部および前記第２電極層を接続する導電層とを有する有機デバイスであって、
前記有機層は、前記第２電極層が形成されている第２電極層形成領域に設けられていることを特徴とする有機デバイス。
【請求項２】
基板と、前記基板上に形成された第１電極層と、前記第１電極層上に形成され、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により濡れ性が変化する濡れ性変化層と、前記濡れ性変化層上にパターン状に形成された有機層と、前記有機層上に形成された第２電極層と、前記基板上の前記第２電極層が形成されていない第２電極層非形成領域の一部に形成された端子部と、前記端子部上に形成され、前記端子部および前記第１電極層、あるいは前記端子部および前記第２電極層を接続する導電層とを有する有機デバイスであって、
前記濡れ性変化層は、前記第２電極層が形成されている第２電極層形成領域に設けられていることを特徴とする有機デバイス。
【請求項３】
前記第１電極層と前記濡れ性変化層との間に第２の有機層が形成されており、前記第２の有機層は、前記第２電極層形成領域に設けられていることを特徴とする請求項２に記載の有機デバイス。
【請求項４】
前記濡れ性変化層が、フルオロアルキル基を含有するオルガノポリシロキサンを含むことを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれかの請求項に記載の有機デバイス。
【請求項５】
前記濡れ性変化層が、光触媒を含むことを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれかの請求項に記載の有機デバイス。
【請求項６】
請求項１から請求項５までのいずれかの請求項に記載の有機デバイスを用い、前記有機デバイスにおける有機層が、少なくとも発光層を有する有機エレクトロルミネッセント層であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子。
【請求項７】
第１電極層および端子部が形成された基板上に有機層を形成する有機層形成工程と、
前記有機層上であって、前記端子部が形成されていない端子部非形成領域に第２電極層を形成する第２電極層形成工程と、
前記第２電極層側からプラズマ処理を施し、前記第２電極層が形成されていない第２電極層非形成領域に設けられた前記有機層を除去するプラズマ処理工程と、
前記端子部および前記第１電極層、あるいは前記端子部および前記第２電極層が接続されるように導電層を形成する導電層形成工程と
を有することを特徴とする有機デバイスの製造方法。
【請求項８】
第１電極層および端子部が形成された基板上に、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により濡れ性が変化する濡れ性変化層を形成する濡れ性変化層形成工程と、
前記濡れ性変化層にパターン状にエネルギーを照射し、前記濡れ性変化層の濡れ性が変化した濡れ性変化パターンを形成する濡れ性変化パターン形成工程と、
前記濡れ性変化パターンが形成された濡れ性変化層上に有機層をパターン状に形成する有機層形成工程と、
前記有機層上に第２電極層を形成する第２電極層形成工程と、
前記第２電極層側からプラズマ処理を施し、前記第２電極層が形成されていない第２電極層非形成領域に設けられた前記濡れ性変化層を除去するプラズマ処理工程と、
前記端子部および前記第１電極層、あるいは前記端子部および前記第２電極層が接続されるように導電層を形成する導電層形成工程と
を有することを特徴とする有機デバイスの製造方法。
【請求項９】
前記濡れ性変化層形成工程前に、前記第１電極層および端子部が形成された基板上に、第２の有機層を形成する第２有機層形成工程が行われ、前記プラズマ処理工程が、前記第２電極層非形成領域に設けられた前記濡れ性変化層および前記第２の有機層を除去する工程であることを特徴とする請求項８に記載の有機デバイスの製造方法。
【請求項１０】
請求項７から請求項９までのいずれかの請求項に記載の有機デバイスの製造方法を用い、前記有機デバイスの製造方法における有機層形成工程が、少なくとも発光層を有する有機エレクトロルミネッセント層を形成する有機エレクトロルミネッセント層形成工程であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセント素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセント素子などの有機デバイスおよびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機物を用いた有機デバイスには、有機トランジスタ、有機太陽電池、有機エレクトロルミネッセント（以下、ＥＬと略すことがある。）素子などがある。これらの有機デバイスの製造方法においては、電極を外部回路と接続するための端子部上に有機物からなる有機層が形成されていると、端子部と電極とを接続する際に有機層が抵抗として働き、有機デバイスの電気特性を低下させるので、有機層を所定の領域にのみ形成する必要がある。この有機層は一般にドライプロセスやウェットプロセスによって成膜されるものであり、この中でもウェットプロセスであるスピンコート法は容易に成膜できるという利点がある。しかしながら、スピンコート法により有機層を成膜した場合には所定の領域以外にも有機層が成膜されてしまうため、物理的に研磨したり、化学的にエッチングしたりすることにより所定の領域以外の有機層を除去する必要がある。
【０００３】
また、有機デバイスのうち有機ＥＬ素子の製造方法においては、有機層のパターニングが行われる場合がある。この有機層のパターニング方法としては、例えばフォトリソ法、マスク蒸着による方法などがあるが、フォトリソ法では、工程が複雑でありコストがかかるという問題があり、またマスク蒸着による方法では、高価格の真空装置が必要となり歩留まりやコストが問題となる。したがって、容易に有機層をパターニング可能な方法が求められている。
【０００４】
最近では、有機層のパターニング方法として光触媒を用いる方法も提案されている（特許文献１参照）。この方法は、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により濡れ性が変化する濡れ性変化層を形成して、この濡れ性変化層表面に濡れ性の違いによるパターンを形成し、この濡れ性の違いによるパターンを利用して有機層をパターニングするものであり、パターニングに要する手間を大幅に省略することができる点で有用である。しかしながら、濡れ性変化層はスピンコート法などで成膜されるので、上述した端子部上にも濡れ性変化層が成膜されてしまう場合があり、このような場合には上述したように濡れ性変化層が抵抗要因となり有機デバイスの電気特性を低下させてしまう。そのため、所定の領域以外の濡れ性変化層は除去する必要があるが、濡れ性変化層は有機層に比べて除去するのが困難であるという問題がある。したがって、簡便な濡れ性変化層の除去方法が求められている。
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−２２３２７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、所定の領域以外に成膜された有機層または濡れ性変化層を容易に除去することが可能な有機デバイスおよびその製造方法を提供することを主目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明は、基板と、上記基板上に形成された第１電極層と、上記第１電極層上に形成された有機層と、上記有機層上に形成された第２電極層と、上記基板上の上記第２電極層が形成されていない第２電極層非形成領域の一部に形成された端子部と、上記端子部上に形成され、上記端子部および上記第１電極層、あるいは上記端子部および上記第２電極層を接続する導電層とを有する有機デバイスであって、上記有機層は、上記第２電極層が形成されている第２電極層形成領域に設けられていることを特徴とする有機デバイスを提供する。
【０００８】
本発明によれば、有機層は第２電極層形成領域に設けられており、端子部上には形成されていないため、電気特性が良好な有機デバイスとすることができる。また、本発明の有機デバイスを作製する際には、例えば第２電極層を保護マスクとしてプラズマ処理を行うことで第２電極層非形成領域に成膜された有機層を除去することができ、これにより第２電極層形成領域にのみ有機層を形成することができることから、簡便な方法で製造可能な有機デバイスとすることができる。
【０００９】
また本発明は、基板と、上記基板上に形成された第１電極層と、上記第１電極層上に形成され、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により濡れ性が変化する濡れ性変化層と、上記濡れ性変化層上にパターン状に形成された有機層と、上記有機層上に形成された第２電極層と、上記基板上の上記第２電極層が形成されていない第２電極層非形成領域の一部に形成された端子部と、上記端子部上に形成され、上記端子部および上記第１電極層、あるいは上記端子部および上記第２電極層を接続する導電層とを有する有機デバイスであって、上記濡れ性変化層は、上記第２電極層が形成されている第２電極層形成領域に設けられていることを特徴とする有機デバイスを提供する。
【００１０】
本発明によれば、濡れ性変化層は第２電極層形成領域に設けられており、端子部上には形成されていないため、電気特性が良好な有機デバイスとすることができる。また、本発明の有機デバイスを作製する際には、例えば第２電極層を保護マスクとしてプラズマ処理を行うことで第２電極層非形成領域に成膜された濡れ性変化層を除去することができ、これにより第２電極層形成領域にのみ濡れ性変化層を形成することができることから、簡便な方法で濡れ性変化層の除去が可能な有機デバイスとすることができる。さらに、本発明の有機デバイスは濡れ性変化層を有することから、濡れ性の変化した濡れ性変化パターンを用いることにより容易にパターン状の有機層を形成することができ、パターニング特性に優れたものとすることができる。
【００１１】
上記発明においては、上記第１電極層と上記濡れ性変化層との間に第２の有機層が形成されており、上記第２の有機層は、上記第２電極層形成領域に設けられていてもよい。
【００１２】
また本発明においては、上記濡れ性変化層が、フルオロアルキル基を含有するオルガノポリシロキサンを含むことが好ましい。このようなオルガノポリシロキサンを含むことにより、濡れ性変化層のエネルギー未照射部分の撥液性が大きく向上するので、この撥液性領域への有機層の成膜を妨げることでき、エネルギー照射部分である親液性領域のみに有機層を成膜することが可能となり、パターニング特性が向上するからである。
【００１３】
さらに、上記濡れ性変化層は、光触媒を含んでいてもよい。これにより、濡れ性変化層自体に含まれる光触媒の作用によって濡れ性変化層の濡れ性が変化することから、製造工程が少なく、効率的に濡れ性を変化させることができるからである。
【００１４】
さらに本発明は、上述した有機デバイスを用い、上記有機デバイスにおける有機層が、少なくとも発光層を有する有機ＥＬ層であることを特徴とする有機ＥＬ素子を提供する。本発明の有機ＥＬ素子は、上述した有機デバイスを用いたものであるので、電気特性が良好であり、さらにはパターニング特性に優れており、簡便な方法により製造可能なものとすることができる。
【００１５】
また本発明は、第１電極層および端子部が形成された基板上に有機層を形成する有機層形成工程と、
上記有機層上であって、上記端子部が形成されていない端子部非形成領域に第２電極層を形成する第２電極層形成工程と、
上記第２電極層側からプラズマ処理を施し、上記第２電極層が形成されていない第２電極層非形成領域に設けられた上記有機層を除去するプラズマ処理工程と、
上記端子部および上記第１電極層、あるいは上記端子部および上記第２電極層が接続されるように導電層を形成する導電層形成工程と
を有することを特徴とする有機デバイスの製造方法を提供する。
【００１６】
本発明によれば、第２電極層を保護マスクとして第２電極層側からプラズマ処理を施すことで、第２電極層非形成領域に成膜された有機層を除去することができるので、簡便な工程で端子部上に成膜された有機層を除去することができ、電気特性の良好な有機デバイスを容易に製造することが可能である。
【００１７】
さらに本発明は、第１電極層および端子部が形成された基板上に、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により濡れ性が変化する濡れ性変化層を形成する濡れ性変化層形成工程と、
上記濡れ性変化層にパターン状にエネルギーを照射し、上記濡れ性変化層の濡れ性が変化した濡れ性変化パターンを形成する濡れ性変化パターン形成工程と、
上記濡れ性変化パターンが形成された濡れ性変化層上に有機層をパターン状に形成する有機層形成工程と、
上記有機層上に第２電極層を形成する第２電極層形成工程と、
上記第２電極層側からプラズマ処理を施し、上記第２電極層が形成されていない第２電極層非形成領域に設けられた上記濡れ性変化層を除去するプラズマ処理工程と、
上記端子部および上記第１電極層、あるいは上記端子部および上記第２電極層が接続されるように導電層を形成する導電層形成工程と
を有することを特徴とする有機デバイスの製造方法を提供する。
【００１８】
本発明によれば、第２電極層を保護マスクとして第２電極層側からプラズマ処理を施すことで、第２電極層非形成領域に成膜された濡れ性変化層を除去することができるので、簡便な工程で端子部上に成膜された濡れ性変化層を除去することができ、電気特性の良好な有機デバイスを容易に製造することが可能である。また、濡れ性変化層にパターン状にエネルギーを照射することにより濡れ性変化パターンを容易に形成することができ、この濡れ性変化パターンの濡れ性の差を利用して有機層を容易にパターン状に形成することが可能である。
【００１９】
上記発明においては、上記濡れ性変化層形成工程前に、上記第１電極層および端子部が形成された基板上に、第２の有機層を形成する第２有機層形成工程が行われ、上記プラズマ処理工程が、上記第２電極層非形成領域に設けられた上記濡れ性変化層および上記第２の有機層を除去する工程であってもよい。本発明においては、プラズマ処理により、第２電極層非形成領域に成膜された濡れ性変化層だけでなく、第２の有機層も除去することが可能である。
【００２０】
本発明は、また、上述した有機デバイスの製造方法を用い、上記有機デバイスの製造方法における有機層形成工程が、少なくとも発光層を有する有機ＥＬ層を形成する有機ＥＬ層形成工程であることを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法を提供する。
【００２１】
本発明によれば、上述した有機デバイスの製造方法を用いているので、簡便な工程で端子部上に成膜された有機層または濡れ性変化層を除去することができ、電気特性の良好な有機ＥＬ素子を容易に製造することが可能である。
【発明の効果】
【００２２】
本発明においては、第２電極層を保護マスクとして用いることにより、端子部上に成膜された有機層または濡れ性変化層を除去することができるので、電気特性が良好な有機デバイスを容易に製造することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の有機デバイス、有機ＥＬ素子、およびこれらの製造方法について詳細に説明する。
【００２４】
Ａ．有機デバイス
まず、本発明の有機デバイスについて説明する。本発明の有機デバイスは、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により濡れ性が変化する濡れ性変化層の有無により、２つの実施態様に分けることができる。以下、各実施態様について詳細に説明する。
【００２５】
１．第１実施態様
本発明の有機デバイスの第１実施態様は、基板と、上記基板上に形成された第１電極層と、上記第１電極層上に形成された有機層と、上記有機層上に形成された第２電極層と、上記基板上の上記第２電極層が形成されていない第２電極層非形成領域の一部に形成された端子部と、上記端子部上に形成され、上記端子部および上記第１電極層、あるいは上記端子部および上記第２電極層を接続する導電層とを有する有機デバイスであって、上記有機層は、上記第２電極層が形成されている第２電極層形成領域に設けられていることを特徴とするものである。
【００２６】
本実施態様の有機デバイスについて、図面を参照しながら説明する。図１は、本実施態様の有機デバイスの一例を示す概略断面図である。図１において、本実施態様の有機デバイスは、基板１と、上記基板１上に形成された第１電極層２と、上記第１電極層２上に形成された有機層３と、上記有機層３上に形成された第２電極層４と、上記基板１上の上記第２電極層４が形成されていない第２電極層非形成領域１１の一部に形成された端子部５と、上記端子部５上に形成され、端子部５および第２電極層４を接続する導電層６とを有している。また、有機層３は、第２電極層４が形成されている第２電極層形成領域１２に設けられている
【００２７】
このように本実施態様においては、有機層は第２電極層形成領域に設けられていることから、本実施態様の有機デバイスを作製する際に例えば第２電極層を保護マスクとして第２電極層側からプラズマ処理を行うことにより第２電極層非形成領域に成膜された有機層が除去されたものとすることができる。すなわち、複雑なパターニング工程や高価なマスク蒸着装置を要することなく、端子部上に成膜された有機層を容易に除去することができるのである。これにより、端子部と第１電極層または第２電極層とを接続する際に生じる抵抗要因が除去されるので、有機デバイスの電気特性の低下を回避することができる。したがって本実施態様においては、電気特性が良好であり、かつ簡便な方法で製造可能な有機デバイスとすることができるのである。
以下、このような有機デバイスの各構成について説明する。
【００２８】
（１）第２電極層
まず、本実施態様に用いられる第２電極層について説明する。本実施態様に用いられる第２電極層は、後述する有機層上に形成され、この有機層を挟んで第１電極層と対向して形成される電極である。また、第２電極層が形成されている第２電極層形成領域には有機層が設けられ、第２電極層が形成されていない第２電極層非形成領域の一部には端子部が設けられている。
【００２９】
第２電極層は、陽極であっても陰極であってもよい。また第２電極層は、透明性を有していてもよく、透明性を有していなくてもよいが、光の取出し面あるいは受取り面等によって適宜選択される。例えば第２電極層側から光を取り出す場合は、第２電極層は透明または半透明である必要がある。
【００３０】
陽極としては、正孔が注入し易いように仕事関数の大きい導電性材料を用いることが好ましく、具体的にはＩＴＯ、酸化インジウム、金のような仕事関数の大きい金属、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリアルキルチオフェン誘導体、ポリシラン誘導体のような導電性高分子等を挙げることができる。
【００３１】
一方、陰極としては、電子が注入しやすいように仕事関数の小さい導電性材料を用いることが好ましく、例えばＭｇＡｇ等のマグネシウム合金、ＡｌＬｉ、ＡｌＣａ、ＡｌＭｇ等のアルミニウム合金、Ｌｉ、Ｃａをはじめとするアルカリ金属類およびアルカリ土類金属類、または、アルカリ金属類およびアルカリ土類金属類の合金などが挙げられる。
【００３２】
陽極および陰極のどちらにおいても抵抗が小さいことが好ましく、一般には金属材料が用いられるが、有機化合物または無機化合物を用いてもよい。
【００３３】
また本実施態様においては、後述する「Ｃ．有機デバイスの製造方法」の項に記載するように、第２電極層を保護マスクとして第２電極層側からプラズマ処理を行うことにより端子部上に成膜された有機層の除去が可能となることから、第２電極層としてはプラズマ処理による影響の低い材料を用いるか、あるいは第２電極層上に保護層が形成されていることが好ましい。この保護層の形成材料としては、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃｒ、ＩＴＯ、ＩＺＯ等を用いることが好ましい。
【００３４】
本実施態様においては、基板上には、第２電極層が形成されている第２電極層形成領域と、第２電極層が形成されていない第２電極層非形成領域とが存在し、第２電極層形成領域には有機層が設けられ、第２電極層非形成領域の一部には端子部が設けられている。上述したように、第２電極層を保護マスクとして第２電極層側からプラズマ処理を行うことにより端子部上に成膜された有機層の除去が可能となることから、第２電極層は有機層上の全面に形成されていることが好ましい。
【００３５】
上記第２電極層の厚みとしては、上記のプラズマ処理による影響を考慮すると１００ｎｍ〜１０μｍの範囲内であることが好ましく、中でも１００ｎｍ〜１μｍの範囲内であることが好ましい。
【００３６】
（２）有機層
本実施態様に用いられる有機層は、後述する第１電極層上に形成され、上記第２電極層が形成されている第２電極層形成領域に設けられているものである。
【００３７】
有機層の形成位置としては、第１電極層上であって、第２電極層が形成されている第２電極層形成領域であれば特に限定されるものではない。これにより、第２電極層非形成領域の一部に設けられた端子部上には有機層が形成されていないことになるので、端子部と第１電極層または第２電極層とを接続する際に有機層が抵抗要因となることがなく、本実施態様の有機デバイスの電気特性の低下を回避することができる。
【００３８】
本実施態様に用いられる有機層は、目的とする有機デバイスの種類により適宜選択されるものであり、例えば有機ＥＬ素子における有機ＥＬ層、有機太陽電池における光電変換層等が挙げられる。
【００３９】
（３）端子部
本実施態様に用いられる端子部は、基板上の第２電極層が形成されていない第２電極層非形成領域の一部に形成されているものであり、第１電極層または第２電極層を外部回路と接続させるために設けられるものである。
【００４０】
端子部の形成位置としては、第２電極層が形成されていない第２電極層非形成領域の一部であれば特に限定されないが、上述したように端子部は外部回路との接続のために設けられることから、通常は基板上の端部に形成される。
【００４１】
また、端子部の形成材料としては、上記第２電極層または後述する第１電極層に使用される材料を用いることができる。
【００４２】
（４）導電層
本実施態様に用いられる導電層は、上記端子部上に形成され、端子部と第１電極層または第２電極層とを接続するものである。
【００４３】
導電層は、端子部と第１電極層とを接続するものであっても、端子部と第２電極層とを接続するものであってもよいが、通常は端子部と第２電極層とを接続するものとする。また、導電層は、端子部上であって、端子部と第１電極層または第２電極層とを接続するように形成されていれば、その形成位置としては特に限定されるものではない。例えば導電層は、端子部の端部と、第１電極層または第２電極層の端部とを覆うように形成されていればよい。
【００４４】
さらに、導電層は、端子部と第１電極層または第２電極層とを接続した際に、低抵抗であることが好ましい。このような導電層の形成材料としては、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃｒ、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の導電性材料が挙げられる。
【００４５】
上記導電層の厚みとしては、導電性、接触抵抗およびパターニング特性の観点から、５０ｎｍ〜１０μｍであることが好ましく、中でも１００ｎｍ〜１μｍの範囲内であることが好ましい。
【００４６】
（５）第１電極層
本実施態様に用いられる第１電極層は、後述する基板上に形成される電極である。第１電極層は、陽極であっても陰極であってもよい。また、第１電極層は、透明性を有していてもよく、透明性を有していなくてもよいが、光の取出し面あるいは受取り面等によって適宜選択される。例えば第１電極層側から光を取り出す場合は、第１電極層は透明または半透明である必要がある。
【００４７】
上記第１電極層は、基板上の全面に形成されていてもよく、パターン状に形成されていてもよい。
【００４８】
なお、第１電極層のその他の点については、上記第２電極層の項に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００４９】
（６）基板
本実施態様に用いられる基板は、上述した第１電極層、有機層、第２電極層などを支持するものであり、所定の強度を有するものであれば特に限定されない。本実施態様においては、上記第１電極層が所定の強度を有する場合には、第１電極が基板を兼ねるものであってもよいが、通常は所定の強度を有する基板上に第１電極層が形成される。
【００５０】
基板としては、上記第１電極層等が形成可能であれば特に限定されるものではないが、例えば光の取出し面あるいは受取り面により光透過性が必要か否かが適宜決定される。一般的には、基板側を光の取出し面あるいは受取り面とすることが好ましいことから、基板は透明な材料で形成されることが好ましい。
【００５１】
このような基板の形成材料としては、例えばソーダ石灰ガラス、アルカリガラス、鉛アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス、シリカガラス等のガラス板、またはフィルム状に成形が可能な樹脂基板等を用いることができる。この樹脂基板に用いる樹脂としては、耐溶媒性および耐熱性の比較的高い高分子材料であることが好ましい。具体的には、フッ素系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリフッ化ビニル、ポリスチレン、ＡＢＳ樹脂、ポリアミド、ポリアセタール、ポリエステル、ポリカーボネート、変性ポリフェニレンエーテル、ポリスルホン、ポリアリレート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルサルフォン、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリフェニレンスルフィド、液晶性ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリミクロイキシレンジメチレンテレフタレート、ポリオキシメチレン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアクリレート、アクリロニトリル-スチレン樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン、シリコーン樹脂、非晶質ポリオレフィン等が挙げられる。また、上記の他にも所定の条件を満たす高分子材料であれば使用可能であり、２種類以上の共重合体を用いることもできる。さらに必要に応じて水分、酸素等のガスを遮断するガスバリア性を有する基板を用いてもよい。
【００５２】
（７）その他
本実施態様の有機デバイスの例としては、有機ＥＬ素子、有機太陽電池、有機トランジスタ等が挙げられる。
【００５３】
２．第２実施態様
本発明の有機デバイスの第２実施態様は、基板と、上記基板上に形成された第１電極層と、上記第１電極層上に形成され、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により濡れ性が変化する濡れ性変化層と、上記濡れ性変化層上にパターン状に形成された有機層と、上記有機層上に形成された第２電極層と、上記基板上の上記第２電極層が形成されていない第２電極層非形成領域の一部に形成された端子部と、上記端子部上に形成され、上記端子部および上記第１電極層、あるいは上記端子部および上記第２電極層を接続する導電層とを有する有機デバイスであって、上記濡れ性変化層は、上記第２電極層が形成されている第２電極層形成領域に設けられていることを特徴とするものである。
【００５４】
本実施態様の有機デバイスについて、図面を参照しながら説明する。図２は、本実施態様の有機デバイスの一例を示す概略断面図である。図２において、本実施態様の有機デバイスは、基板１と、上記基板１上に形成された第１電極層２と、上記第１電極層２上に形成され、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により濡れ性が変化する濡れ性変化層７と、上記濡れ性変化層７上にパターン状に形成された有機層３と、上記有機層３上に形成された第２電極層４と、上記基板１上の上記第２電極層４が形成されていない第２電極層非形成領域１１の一部に形成された端子部５と、上記端子部５上に形成され、上記端子部５および上記第２電極層４を接続する導電層６とを有している。また、濡れ性変化層７は、第２電極層４が形成されている第２電極層形成領域１２に設けられている。
【００５５】
このように本実施態様においては、濡れ性変化層は第２電極層形成領域に設けられていることから、本実施態様の有機デバイスを作製する際に例えば第２電極層を保護マスクとして第２電極層側からプラズマ処理を行うことにより第２電極層非形成領域に成膜された濡れ性変化層が除去されたものとすることができ、端子部上に成膜された有機層が容易に除去されたものとすることができる。これにより、端子部と第１電極層または第２電極層とを接続する際に生じる抵抗要因が除去されるので、有機デバイスの電気特性の低下を回避することができる。したがって本実施態様においては、電気特性が良好であり、かつ簡便な方法で製造可能な有機デバイスとすることができるのである。
【００５６】
また、濡れ性変化層は、後述する「Ｃ．有機デバイスの製造方法」の第４実施態様の濡れ性変化パターン形成工程の項に記載するように、パターン状にエネルギーを照射して光触媒を励起させることにより濡れ性が変化するものである。これにより、エネルギー照射部分が親液性、エネルギー未照射部分が撥液性となるので、例えば図２に示すように、濡れ性変化層７表面に親液性領域１４および撥液性領域１５からなる濡れ性変化パターンが形成される。この濡れ性変化パターンの濡れ性の差を利用することにより、親液性領域１４上のみに有機層３を形成することができるので、有機層のパターニングが容易となり、パターニング特性が良好な有機デバイスとすることができる。
【００５７】
なお、第１電極層、第２電極層、有機層、端子部、導電層およびその他の点については、上記第１実施態様に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。以下、本実施態様の有機デバイスにおける濡れ性変化層、基板およびその他の構成について説明する。
【００５８】
（１）濡れ性変化層
本実施態様に用いられる濡れ性変化層は、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により濡れ性が変化するものであれば特に限定されないが、電子あるいは正孔を輸送する機能を有することが好ましい。これにより、本実施態様の有機デバイスの電気特性を向上させることができるからである。
【００５９】
また、本実施態様における濡れ性変化層は、光触媒の含有の有無、および層構成により３つの態様に分けることができる。以下、各態様について説明する。
【００６０】
（ｉ）第１の態様
本実施態様に用いられる濡れ性変化層の第１の態様は、光触媒を含有し、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により濡れ性が変化する光触媒含有層である。このような光触媒含有層は、光触媒含有層自体に含有される光触媒の作用により濡れ性が変化することから、製造工程が少なく、効率的に濡れ性変化パターンを形成することができる点で有用である。
【００６１】
本態様の光触媒含有層は、光触媒と、光触媒の作用により濡れ性が変化する材料とを含有するものであれば特に限定されない。
【００６２】
本態様に用いられる光触媒としては、そのバンドギャップ以上のエネルギーを持つ波長の光あるいは放射線を照射すると伝導帯に電子が生じ、価電子帯に正孔が生じる物質であれば特に限定されるものではなく、光半導体として知られている例えば酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３）、酸化タングステン（ＷＯ３）、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）、酸化鉄（Ｆｅ２Ｏ３）等のような金属酸化物を挙げることができる。これらは１種または２種以上を混合して用いることができる。本態様においては、これらの中でも酸化チタンを用いることが特に好ましい。酸化チタンは、バンドギャップエネルギーが高く、化学的に安定であり、毒性もなく、入手も容易である点で有利である。
【００６３】
酸化チタンには、正方晶系に属するアナターゼ型およびルチル型と、斜方晶系に属するブルッカイト型とがあり、本態様ではいずれも使用することができ、またこれらを混合して使用することもできる。本態様においてはこれらの中でも、アナターゼ型酸化チタンを用いることが好ましい。アナターゼ型酸化チタンは励起波長が３８０ｎｍ以下にある。このようなアナターゼ型酸化チタンとしては、例えば塩酸解膠型のアナターゼ型チタニアゾル（石原産業（株）製ＳＴＳ−０２（平均粒径７ｎｍ）、石原産業（株）製ＳＴ−Ｋ０１）、硝酸解膠型のアナターゼ型チタニアゾル（日産化学（株）製ＴＡ−１５（平均粒径１２ｎｍ））を挙げることができる。
【００６４】
また、ブルッカイト型酸化チタンも光触媒活性が高いことが知られており、好適に使用できる。
【００６５】
なお、光触媒含有層中に光触媒が含有されていることは、Ｘ線光電子分光法、ラザフォード後方散乱分光法、核磁気共鳴分光法、または質量分析法を用いて確認することができる。
【００６６】
光触媒含有層中の光触媒の含有量は、この光触媒含有層の濡れ性を変化させることができ、かつ、正孔または電子の輸送を阻害しない程度の量であれば特に限定されるものではない。
【００６７】
また、本態様に用いられる光触媒の作用により濡れ性が変化する材料としては、光触媒の作用により劣化、分解されないような高い結合エネルギーを有する主鎖をもつバインダであれば特に限定されるものではなく、具体的にはオルガノポリシロキサン等を挙げることができる。本態様においては、中でも上記オルガノポリシロキサンが、フルオロアルキル基を含有するオルガノポリシロキサンであることが好ましい。
【００６８】
このようなオルガノポリシロキサンとしては、例えば、（１）ゾルゲル反応等によりクロロまたはアルコキシシラン等を加水分解、重縮合して大きな強度を発揮するオルガノポリシロキサン、（２）撥水牲や撥油性に優れた反応性シリコーンを架橋したオルガノポリシロキサン等を挙げることができる。
【００６９】
上記の（１）の場合、一般式：
ＹｎＳｉＸ（４−ｎ）
（ここで、Ｙはアルキル基、フルオロアルキル基、ビニル基、アミノ基、フェニル基またはエポキシ基を示し、Ｘはアルコキシル基、アセチル基またはハロゲンを示す。ｎは１〜３までの整数である。）
で示される珪素化合物の１種または２種以上の加水分解縮合物もしくは共加水分解縮合物であるオルガノポリシロキサンであることが好ましい。なお、ここでＹで示される基の炭素数は１〜２０の範囲内であることが好ましく、また、Ｘで示されるアルコキシ基は、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基であることが好ましい。
【００７０】
具体的には、メチルトリクロルシラン、メチルトリブロムシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、メチルトリｔ−ブトキシシラン；エチルトリクロルシラン、エチルトリブロムシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリイソプロポキシシラン、エチルトリｔ−ブトキシシラン、ｎ−プロピルトリクロルシラン、ｎ−プロピルトリブロムシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキシシラン、ｎ−プロピルトリイソプロポキシシラン、ｎ−プロピルトリｔ−ブトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリクロルシラン、ｎ−ヘキシルトリブロムシラン、ｎ−ヘキシルトリメトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリエトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリイソプロポキシシラン、ｎ−ヘキシルトリｔ−ブトキシシラン、ｎ−デシルトリクロルシラン、ｎ−デシルトリブロムシラン、ｎ−デシルトリメトキシシラン、ｎ−デシルトリエトキシシラン、ｎ−デシルトリイソプロポキシシラン、ｎ−デシルトリｔ−ブトキシシラン、ｎ−オクタデシルトリクロルシラン、ｎ−オクタデシルトリブロムシラン、ｎ−オクタデシルトリメトキシシラン、ｎ−オクタデシルトリエトキシシラン、ｎ−オクタデシルトリイソプロポキシシラン、ｎ−オクタデシルトリｔ−ブトキシシラン、フェニルトリクロルシラン、フェニルトリブロムシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリイソプロポキシシラン、フェニルトリｔ−ブトキシシラン、テトラクロルシラン、テトラブロムシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラブトキシシラン、ジメトキシジエトキシシラン、ジメチルジクロルシラン、ジメチルジブロムシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジフェニルジクロルシラン、ジフェニルジブロムシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、フェニルメチルジクロルシラン、フェニルメチルジブロムシラン、フェニルメチルジメトキシシラン、フェニルメチルジエトキシシラン、トリクロルヒドロシラン、トリブロムヒドロシラン、トリメトキシヒドロシラン、トリエトキシヒドロシラン、トリイソプロポキシヒドロシラン、トリｔ−ブトキシヒドロシラン、ビニルトリクロルシラン、ビニルトリブロムシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリイソプロポキシシラン、ビニルトリｔ−ブトキシシラン、トリフルオロプロピルトリクロルシラン、トリフルオロプロピルトリブロムシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、トリフルオロプロピルトリエトキシシラン、トリフルオロプロピルトリイソプロポキシシラン、トリフルオロプロピルトリｔ−ブトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリイソプロポキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリｔ−ブトキシシラン、γ−メタアクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタアクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン��γ−メタアクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタアクリロキシプロピルトリエトキシシラン、γ−メタアクリロキシプロピルトリイソプロポキシシラン、γ−メタアクリロキシプロピルトリｔ−ブトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリイソプロポキシシラン、γ−アミノプロピルトリｔ−ブトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリイソプロポキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリｔ−ブトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリエトキシシラン、およびそれらの部分加水分解物、およびそれらの混合物を挙げることができる。
【００７１】
また、特にフルオロアルキル基を含有するオルガノポリシロキサンが好ましく用いることができ、具体的には、下記のフルオロアルキルシランの１種または２種以上の加水分解縮合物、共加水分解縮合物が挙げられ、一般にフッ素系シランカップリング剤として知られたものを使用することができる。
【００７２】
ＣＦ３（ＣＦ２）３ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）５ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）９ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
（ＣＦ３）２ＣＦ（ＣＦ２）４ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
（ＣＦ３）２ＣＦ（ＣＦ２）６ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
（ＣＦ３）２ＣＦ（ＣＦ２）８ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
ＣＦ３（Ｃ６Ｈ４）Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）３（Ｃ６Ｈ４）Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）５（Ｃ６Ｈ４）Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）７（Ｃ６Ｈ４）Ｃ２Ｈ４Ｓｉ（ＯＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）３ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）２；
ＣＦ３（ＣＦ２）５ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）２；
ＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）２；
ＣＦ３（ＣＦ２）９ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）２；
（ＣＦ３）２ＣＦ（ＣＦ２）４ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）２；
（ＣＦ３）２ＣＦ（ＣＦ２）６ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）２；
（ＣＦ３）２ＣＦ（ＣＦ２）８ＣＨ２ＣＨ２ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）２；
ＣＦ３（Ｃ６Ｈ４）Ｃ２Ｈ４ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）２；
ＣＦ３（ＣＦ２）３（Ｃ６Ｈ４）Ｃ２Ｈ４ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）２；
ＣＦ３（ＣＦ２）５（Ｃ６Ｈ４）Ｃ２Ｈ４ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）２；
ＣＦ３（ＣＦ２）７（Ｃ６Ｈ４）Ｃ２Ｈ４ＳｉＣＨ３（ＯＣＨ３）２；
ＣＦ３（ＣＦ２）３ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）５ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）７ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）３；
ＣＦ３（ＣＦ２）９ＣＨ２ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）３；および
ＣＦ３（ＣＦ２）７ＳＯ２Ｎ（Ｃ２Ｈ５）Ｃ２Ｈ４ＣＨ２Ｓｉ（ＯＣＨ３）３  。
【００７３】
上記のようなフルオロアルキル基を含有するポリシロキサンをバインダとして用いることにより、光触媒含有層のエネルギー未照射部分の撥液性が大きく向上するので、この撥液性領域への有機層の成膜を妨げることでき、エネルギー照射部分である親液性領域のみに有機層を成膜することが可能となる。
【００７４】
なお、光触媒含有層中にフルオロアルキル基を含有するポリシロキサンが含有されていることは、Ｘ線光電子分光法、ラザフォード後方散乱分光法、核磁気共鳴分光法、または質量分析法を用いて確認することができる。
【００７５】
またさらに、上記の（２）の反応性シリコーンとしては、下記一般式で表される骨格をもつ化合物を挙げることができる。
【００７６】
【化１】
2006012993.tif 000003
【００７７】
ただし、ｎは２以上の整数であり、Ｒ１，Ｒ２はそれぞれ炭素数１〜１０の置換もしくは非置換のアルキル、アルケニル、アリールあるいはシアノアルキル基であり、モル比で全体の４０％以下がビニル、フェニル、ハロゲン化フェニルである。また、Ｒ１、Ｒ２がメチル基のものが表面エネルギーが最も小さくなるので好ましく、モル比でメチル基が６０％以上であることが好ましい。また、鎖末端もしくは側鎖には、分子鎖中に少なくとも１個以上の水酸基等の反応性基を有する。
【００７８】
また、上記のオルガノポリシロキサンとともに、ジメチルポリシロキサンのような架橋反応をしない安定なオルガノシリコーン化合物を混合してもよい。
【００７９】
本態様においては、光触媒含有層に、光触媒の作用により分解し、かつ分解されることにより濡れ性を変化させる機能を有する界面活性剤を含有させることができる。具体的には、日光ケミカルズ（株）製ＮＩＫＫＯＬ  ＢＬ、ＢＣ、ＢＯ、ＢＢの各シリーズ等の炭化水素系、デュポン社製ＺＯＮＹＬ  ＦＳＮ、ＦＳＯ、旭硝子（株）製サーフロンＳ−１４１、１４５、大日本インキ化学工業（株）製メガファックＦ−１４１、１４４、ネオス（株）製フタージェントＦ−２００、Ｆ２５１、ダイキン工業（株）製ユニダインＤＳ−４０１、４０２、スリーエム（株）製フロラードＦＣ−１７０、１７６等のフッ素系あるいはシリコーン系の非イオン界面活性剤を挙げることができ、また、カチオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、両性界面活性剤を用いることもできる。
【００８０】
また、光触媒含有層には上記の界面活性剤の他にも、ポリビニルアルコール、不飽和ポリエステル、アクリル樹脂、ポリエチレン、ジアリルフタレート、エチレンプロピレンジエンモノマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリイミド、スチレンブタジエンゴム、クロロプレンゴム、ポリプロピレン、ポリブチレン、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、ポリエステル、ポリブタジエン、ポリベンズイミダゾール、ポリアクリルニトリル、エピクロルヒドリン、ポリサルファイド、ポリイソプレン等のオリゴマー、ポリマー等を含有させることができる。
【００８１】
本態様の光触媒含有層の厚みは、１０ｎｍ〜１０００ｎｍであることが好ましく、中でも１０ｎｍ〜５００ｎｍ、特に１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲内であることが好ましい。光触媒含有層が薄すぎると濡れ性の違いが明確に発現しなくなり、濡れ性変化パターンの形成が困難になるからである。逆に、光触媒含有層が厚すぎると正孔または電子の輸送を阻害し、本実施態様の有機デバイスの電気特性に悪影響を及ぼす可能性があるからである。
【００８２】
また、光触媒含有層表面に形成された濡れ性変化パターンの親液性領域は、撥液性領域より水との接触角が小さい領域であれば特に限定されるものではない。
【００８３】
（ii）第２の態様
本実施態様に用いられる濡れ性変化層の第２の態様は、光触媒を含有する光触媒処理層と、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により濡れ性が変化する濡れ性可変層とを有するものである。このような光触媒処理層と濡れ性可変層とを有する濡れ性変化層は、機能毎に層が分かれているので、層構成や材料の組み合わせ等を容易に変更することができる点で有用である。
以下、光触媒処理層および濡れ性可変層について説明する。
【００８４】
（光触媒処理層）
本態様に用いられる光触媒処理層は、光触媒を含有するものであり、この光触媒処理層中の光触媒が、積層されている濡れ性可変層の濡れ性を変化させるようなものであれば特に限定されない。また、その表面の濡れ性は親液性であっても撥液性であってもよい。なお、光触媒については、上記第１の態様に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００８５】
上記光触媒処理層は、光触媒単独で形成されたものであってもよく、またバインダと混合して形成されたものであってもよい。光触媒とバインダとからなる光触媒処理層の場合は、光触媒処理層の形成が容易であるという利点を有する。光触媒処理層に用いられるバインダとしては、上記第１の態様の光触媒含有層に用いられるバインダと同様のものを用いることができる。
【００８６】
光触媒処理層が光触媒とバインダとを有する場合は、光触媒処理層中の光触媒の含有量は、濡れ性可変層の濡れ性を変化させることができ、かつ、正孔または電子の輸送を阻害しない程度の量であれば特に限定されるものではない。
【００８７】
また、光触媒処理層の厚みは、１０ｎｍ〜１０００ｎｍであることが好ましく、中でも１０ｎｍ〜５００ｎｍ、特に１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲内であることが好ましい。光触媒処理層が薄すぎると、濡れ性可変層の濡れ性を変化させることが困難になるからである。逆に、光触媒処理層が厚すぎると正孔または電子の輸送を阻害し、本実施態様の有機デバイスの電気特性に悪影響を及ぼす可能性があるからである。
【００８８】
（濡れ性可変層）
本態様に用いられる濡れ性可変層は、光触媒の作用により濡れ性が変化する材料を含有するものであれば特に限定されない。なお、光触媒の作用により濡れ性が変化する材料については、上記第１の態様に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００８９】
また、濡れ性可変層には、上記第１の態様に記載されているものと同様の界面活性剤や、添加剤等を含有させてもよい。
【００９０】
さらに、上記濡れ性可変層には、電子あるいは正孔を輸送する電荷輸送性を向上させる目的で、電荷輸送性向上物質を含有させてもよい。
【００９１】
上記濡れ性可変層の厚みは、濡れ性変化パターンの形成が可能であり、かつ、正孔または電子の輸送を阻害しないような厚みであれば特に限定されるものではない。
【００９２】
また、濡れ性可変層表面に形成された濡れ性変化パターンの親液性領域は、撥液性領域より水との接触角が小さい領域であれば特に限定されるものではない。
【００９３】
（iii）第３の態様
本実施態様に用いられる濡れ性変化層の第３の態様は、濡れ性変化層と、光触媒を含有する光触媒処理層および基体を有する光触媒処理層側基板とを所定の間隙をおいて配置した後、所定の方向からエネルギー照射することにより濡れ性が変化する濡れ性可変層である。本態様の濡れ性可変層は光触媒を含有しないため、本実施態様の有機デバイスが経時的に光触媒の影響を受けることがないという利点を有する。
以下、濡れ性可変層および光触媒処理層側基板について説明する。
【００９４】
（濡れ性可変層）
本態様の濡れ性可変層としては、光触媒の作用により濡れ性が変化する材料を含有するものであれば特に限定されない。なお、光触媒の作用により濡れ性が変化する材料については、上記第１の態様に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。
また、濡れ性可変層のその他の点については、上記第２の態様の濡れ性可変層と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００９５】
（光触媒処理層側基板）
本態様に用いられる光触媒処理層側基板は、光触媒を含有する光触媒処理層と基体とを有するものである。本態様に用いられる光触媒処理層は、光触媒処理層中の光触媒が、所定の間隙をおいて配置された濡れ性可変層の濡れ性を変化させるような構成であれば特に限定されるものではない。また、その表面の濡れ性は親液性であっても撥液性であってもよい。
【００９６】
上記光触媒処理層は、基体上に全面に形成されたものであってもよいが、基体上にパターン状に形成されたものであってもよい。このように光触媒処理層をパターン状に形成することにより、光触媒処理層を濡れ性可変層と所定の間隙をおいて配置してエネルギーを照射する際に、フォトマスク等を用いるパターン照射をする必要がなく、全面に照射することにより、濡れ性可変層上に濡れ性変化パターンを形成することができる。
【００９７】
なお、光触媒処理層のその点については、上記第２の態様の光触媒処理層と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【００９８】
また、上記光触媒処理層が形成される基体としては、可撓性を有するもの、例えば樹脂製フィルム等であってもよいし、可撓性を有さないもの、例えばガラス基板等であってもよい。このように、光触媒処理層側基板に用いられる基体は特に限定されるものではないが、この光触媒処理層側基板は繰り返し用いられるものであることから、所定の強度を有し、かつその表面が光触媒処理層との密着性が良好であるものが好適に用いられる。具体的には、ガラス、セラミック、金属、プラスチック等を挙げることができる。
【００９９】
さらに、基体表面と光触媒処理層との密着性を向上させるために、基体上にプライマー層を形成するようにしてもよい。このようなプライマー層としては、例えば、シラン系、チタン系のカップリング剤等を挙げることができる。
【０１００】
（２）基板
次に、本実施態様に用いられる基板について説明する。本実施態様に用いられる基板としては、上記第１実施態様に記載したものと同様のものを使用することができるが、上記濡れ性変化層へのエネルギー照射の方向により透明性が要求されることがある。例えばエネルギー照射が基板側から行われる場合には、基板が透明である必要がある。
【０１０１】
また、本実施態様においては、基板上に遮光部を設けてもよい。遮光部を形成した場合には、基板側からエネルギーを照射することにより、マスクやレーザーによる描画等を用いることなく、遮光部が設けられていない部分の濡れ性変化層表面の濡れ性を変化させることが可能となる。したがって、濡れ性変化層とマスクとの位置合わせが不要であることから、簡便な工程とすることが可能であり、また描画照射に必要な高価な装置も不必要であることから、コスト的に有利である。
【０１０２】
このような遮光部の形成位置としては、基板上に遮光部を形成し、その上に濡れ性変化層を形成する場合、すなわち基板と濡れ性変化層との間に形成する場合と、基板の濡れ性変化層が形成されていない側の表面にパターン状に形成する場合とがある。
【０１０３】
上記遮光部の形成方法は、特に限定されるものではなく、遮光部の形成面の特性や、必要とするエネルギーに対する遮蔽性等に応じて適宜選択されて用いられる。例えば、スパッタリング法、真空蒸着法等により厚み１０００〜２０００Å程度のクロム等の金属薄膜を形成し、この薄膜をパターニングすることにより形成されてもよい。このパターニングの方法としては、スパッタ等の通常のパターニング方法を用いることができる。
【０１０４】
また、樹脂バインダ中にカーボン微粒子、金属酸化物、無機顔料、有機顔料等の遮光性粒子を含有させた層をパターン状に形成する方法であってもよい。用いられる樹脂バインダとしては、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリアクリルアミド、ポリビニルアルコール、ゼラチン、カゼイン、セルロース等の樹脂を１種または２種以上混合したものや、感光性樹脂、さらにはＯ／Ｗエマルジョン型の樹脂組成物、例えば、反応性シリコーンをエマルジョン化したもの等を用いることができる。このような樹脂製遮光部の厚みとしては、０．５〜１０μｍの範囲内で設定することができる。このような樹脂製遮光部のパターニングの方法は、フォトリソ法、印刷法等一般的に用いられている方法を用いることができる。
【０１０５】
（３）第２の有機層
本実施態様においては、第１電極層と濡れ性変化層との間に第２の有機層が形成されていてもよい。この際、第２の有機層は、上記濡れ性変化層と同様に第２電極層形成領域に設けられる。
【０１０６】
本実施態様の有機デバイスを作製する際に、第２の有機層を例えばスピンコート法を用いて成膜した場合は、基板の全面に第２の有機層が成膜されることとなる。また、第２の有機層上には、同じく全面に濡れ性変化層が成膜されることとなるが、例えば第２電極層側からプラズマ処理を行うことにより第２電極層が保護マスクとして機能するので、第２電極層非形成領域に成膜された濡れ性変化層および第２の有機層を除去することができる。これにより、第２電極層形成領域に、第２有機層および濡れ性変化層を設けることができるのである。このため、端子部上には第２の有機層も濡れ性変化層も形成されていないことになるので、有機デバイスの電気特性の低下を防止することができる。
【０１０７】
なお、第２の有機層のその他の点については、上記第１実施態様に記載した有機層と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０１０８】
Ｂ．有機ＥＬ素子
次に、本発明の有機ＥＬ素子について説明する。
本発明の有機ＥＬ素子は、上述した有機デバイスを用い、上記有機デバイスにおける有機層が、少なくとも発光層を有する有機ＥＬ層であることを特徴とするものである。
【０１０９】
本発明においては、上述した有機デバイスを用いるので、電気特性が良好であり、さらにはパターニング特性が良好であり、簡便な方法により製造可能な有機ＥＬ素子とすることができる。
以下、本発明の有機ＥＬ素子における有機ＥＬ層について説明する。
【０１１０】
１．有機ＥＬ層
本発明に用いられる有機ＥＬ層は、少なくとも発光層を含む１層もしくは複数層の有機物層から構成されるものである。すなわち、有機ＥＬ層とは、少なくとも発光層を含む層であり、その層構成が有機物層１層以上の層をいう。通常、塗布によるウェットプロセスで有機ＥＬ層を形成する場合は、溶媒との関係で多数の層を積層することが困難であることから、１層もしくは２層の有機物層で形成される場合が多いが、有機材料を工夫したり、真空蒸着法を組み合わせたりすることにより、さらに多数層とすることも可能である。
【０１１１】
発光層以外に有機ＥＬ層内に形成される有機物層としては、正孔注入層や電子注入層といった電荷注入層を挙げることができる。さらに、その他の有機物層としては、発光層に正孔を輸送する正孔輸送層、発光層に電子を輸送する電子輸送層といった電荷輸送層を挙げることができるが、通常これらは上記電荷注入層に電荷輸送の機能を付与することにより、電荷注入層と一体化される場合が多い。その他、有機ＥＬ層内に形成される有機物層としては、キャリアブロック層のような正孔あるいは電子の突き抜けを防止し、再結合効率を高めるための層等を挙げることができる。
以下、このような有機ＥＬ層の各構成について説明する。
【０１１２】
（１）発光層
本発明における有機ＥＬ層の必須構成である発光層としては、例えば色素系発光材料、金属錯体系発光材料、高分子系発光材料等の発光材料を用いることができる。
【０１１３】
色素系発光材料としては、シクロペンタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、シロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、トリフマニルアミン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマーなどを挙げることができる。
【０１１４】
また、金属錯体系発光材料としては、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾール亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロビウム錯体等、中心金属にＡｌ、Ｚｎ、Ｂｅ等または、Ｔｂ、Ｅｕ、Ｄｙ等の希土類金属を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を有する金属錯体を挙げることができる。
【０１１５】
さらに、高分子系発光材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリビニルカルバゾール等、ポリフルオレン誘導体、ポリキノキサリン誘導体、およびそれらの共重合体等を挙げることができる。
【０１１６】
上記発光層中には、発光効率の向上、発光波長を変化させる等の目的でドーピング剤を添加してもよい。このようなドーピング剤としては、例えば、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾリン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾン、キノキサリン誘導体、カルバゾール誘導体、フルオレン誘導体を挙げることができる。
【０１１７】
発光層の厚みとしては、電子と正孔との再結合の場を提供して発光する機能を発現することができる厚みであれば特に限定されるものではなく、例えば１ｎｍ〜５００ｎｍ程度とすることができる。
【０１１８】
（２）電荷注入輸送層
本発明においては、第１電極層あるいは第２電極層と発光層との間に電荷注入輸送層が形成されていてもよい。ここでいう電荷注入輸送層とは、上記発光層に第１電極層あるいは第２電極層からの電荷を安定に輸送する機能を有するものであり、このような電荷注入輸送層を発光層と第１電極層あるいは第２電極層との間に設けることにより、発光層への電荷の注入が安定化し、発光効率を高めることができる。
【０１１９】
このような電荷注入輸送層としては、陽極から注入された正孔を発光層内へ輸送する正孔注入輸送層、陰極から注入された電子を発光層内へ輸送する電子注入輸送層とがある。以下、正孔注入輸送層および電子注入輸送層について説明する。
【０１２０】
（ｉ）正孔注入輸送層
本発明に用いられる正孔注入輸送層としては、発光層に正孔を注入する正孔注入層、および正孔を輸送する正孔輸送層のいずれか一方であってもよく、正孔注入層および正孔輸送層が積層されたものであってもよく、または、正孔注入機能および正孔輸送機能の両機能を有する単一の層であってもよい。
【０１２１】
正孔注入輸送層に用いられる材料としては、陽極から注入された正孔を安定に発光層内へ輸送することができる材料であれば特に限定されるものではなく、上記発光層の発光材料に例示した化合物の他、フェニルアミン系、スターバースト型アミン系、フタロシアニン系、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウム等の酸化物、アモルファスカーボン、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリフェニレンビニレン誘導体等を用いることができる。具体的には、ビス（Ｎ−（１−ナフチル−Ｎ−フェニル）ベンジジン（α−ＮＰＤ）、４，４，４−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）、ポリ３，４エチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）等が挙げられる。
【０１２２】
また、正孔注入輸送層の厚みとしては、陽極から正孔を注入し、発光層へ正孔を輸送する機能が十分に発揮される厚みであれば特に限定されないが、具体的には０．５ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲内、中でも１０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内であることが好ましい。
【０１２３】
（ii）電子注入輸送層
本発明に用いられる電子注入輸送層としては、発光層に電子を注入する電子注入層、および電子を輸送する電子輸送層のいずれか一方であってもよく、電子注入層および電子輸送層が積層されたものであってもよく、または、電子注入機能および電子輸送機能の両機能を有する単一の層であってもよい。
【０１２４】
電子注入層に用いられる材料としては、発光層内への電子の注入を安定化させることができる材料であれば特に限定されるものではなく、上記発光層の発光材料に例示した化合物の他、アルミリチウム合金、フッ化リチウム、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、フッ化ストロンチウム、フッ化カルシウム、フッ化バリウム、酸化アルミニウム、酸化ストロンチウム、カルシウム、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレンスルホン酸ナトリウム、リチウム、セシウム、フッ化セシウム等のようにアルカリ金属類、およびアルカリ金属類のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体等を用いることができる。
【０１２５】
上記電子注入層の厚みとしては、電子注入機能が十分に発揮される厚みであれば特に限定されない。
【０１２６】
また、電子輸送層に用いられる材料としては、第１電極層あるいは第２電極層から注入された電子を発光層内へ輸送することが可能な材料であれば特に限定されるものではなく、例えばバソキュプロイン、バソフェナントロリン、フェナントロリン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、またはトリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）等を挙げることができる。
【０１２７】
さらに、電子注入機能および電子輸送機能の両機能を有する単一の層からなる電子注入輸送層としては、電子輸送性の有機材料にアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属をドープした金属ドープ層を形成し、これを電子注入輸送層とすることができる。上記電子輸送性の有機材料としては、例えばバソキュプロイン、バソフェナントロリン、フェナントロリン誘導体等を挙げることができ、ドープする金属としては、Ｌｉ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｓｒ等が挙げられる。
【０１２８】
２．その他
本発明においては、例えば図３に示すように、パターン状に形成された第１電極層２の間に、第１電極層２から有機ＥＬ層３への電荷の供給を止める絶縁層１０が設けられていてもよい。この絶縁層が形成された部分は、発光しないものとすることができる。
このような絶縁層としては、感光性ポリイミド樹脂、アクリル系樹脂等の光硬化型樹脂、または熱硬化型樹脂、および無機材料等を用いることができる。
【０１２９】
また本発明において、上述した「Ａ．有機デバイス  ２．第２実施態様」の項に記載したように、第１電極層と濡れ性変化層との間に第２の有機層が形成されている場合、この第２の有機層としては、上記有機ＥＬ層の項に記載した電荷注入輸送層等を挙げることができる。この際、濡れ性変化層上に、有機ＥＬ層として発光層がパターン状に形成されていることが好ましい。電荷注入輸送層はパターン状に形成されていなくてもよいが、発光層は赤・緑・青の３色の発光層となるようにパターン状に形成されていることにより、カラー表示が可能な有機ＥＬ素子とすることができるからである。
【０１３０】
Ｃ．有機デバイスの製造方法
次に、本発明の有機デバイスの製造方法について説明する。本発明の有機デバイスの製造方法は、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により濡れ性が変化する濡れ性変化層の形成の有無により、２つの実施態様に分けることができる。以下、各実施態様について詳細に説明する。
【０１３１】
１．第３実施態様
本発明の有機デバイスの製造方法の第３実施態様は、第１電極層および端子部が形成された基板上に有機層を形成する有機層形成工程と、
上記有機層上であって、上記端子部が形成されていない端子部非形成領域に第２電極層を形成する第２電極層形成工程と、
上記第２電極層側からプラズマ処理を施し、上記第２電極層が形成されていない第２電極層非形成領域に設けられた上記有機層を除去するプラズマ処理工程と、
上記端子部および上記第１電極層、あるいは上記端子部および上記第２電極層が接続されるように導電層を形成する導電層形成工程と
を有することを特徴とするものである。
【０１３２】
本実施態様の有機デバイスの製造方法について、図面を参照しながら説明する。図４は、本実施態様の有機デバイスの製造方法の一例を示すものである。本実施態様の有機デバイスの製造方法においては、まず、基板１上にパターン状の第１電極層２と端子部５とを形成し、この第１電極層２の端部を覆うように絶縁層１０を形成することにより、第１電極層２および端子部５が形成された基板１を準備し、この基板１上に有機層３を全面に形成する（図４（ａ）、有機層形成工程）。次に、有機層３上であって、端子部５が形成されていない端子部非形成領域１３に第２電極層４を形成する（図４（ｂ）、第２電極層形成工程）。さらに、第２電極層４を保護マスクとして第２電極層４側から全面にプラズマ２１を照射してプラズマ処理を行ない、第２電極４が形成されていない第２電極層非形成領域１１に成膜された有機層３を除去する（図４（ｃ）〜（ｄ）、プラズマ処理工程）。これにより、端子部５が露出する。その後、第２電極層４と端子部５とが接続されるように導電層６を形成する（図４（ｅ）、導電層形成工程）。
【０１３３】
本実施態様においては、第２電極層を保護マスクとして第２電極層側からプラズマ処理を施すことで、第２電極層が形成されていない第２電極層非形成領域に成膜された有機層を除去することができるので、簡便な工程で端子部上に成膜された有機層を除去することが可能である。これにより、端子部と第１電極層または第２電極層とを接続する際の抵抗要因を除去することができるので、電気特性を低減させることなく、有機デバイスを安定して製造することが可能である。
以下、このような有機デバイスの製造方法における各工程について説明する。
【０１３４】
（１）有機層形成工程
本実施態様における有機層形成工程は、第１電極層および端子部が形成された基板上に有機層を形成する工程である。本工程においては、有機層は第１電極層および端子部が形成された基板上に有機層形成用塗工液を塗布することにより形成することができる。
【０１３５】
上記有機層形成用塗工液としては、塗布することにより有機層となるものであってもよく、また塗布後に薬剤により処理され、もしくは紫外線、熱等により処理された後に有機層となるものであってもよい。有機層形成用塗工液が、紫外線、熱、電子線等で効果する成分を含有している場合には、硬化処理を行うことにより素早く有機層が形成できることから好ましい。
【０１３６】
また、上記有機層形成用塗工液の塗布方法としては、第１電極層および端子部が形成された基板上に塗布することが可能な方法であれば特に限定されるものではないが、有機層を均一に形成することが可能な方法であることが好ましい。このような塗布方法としては、例えばディップコート、ロールコート、ブレードコート、スピンコート、マイクログラビアコート、グラビアコート、バーコート、ワイヤーバーコート、キャスト等の塗布法、インクジェット、電界ジェット、ディスペンサーを用いる方法等を含むノズル吐出法、ＬＢ法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、スクリーン印刷法等を挙げることができる。
【０１３７】
本実施態様において、２層以上の有機層を積層して形成する場合には、第１電極層の直上の有機層は塗布により形成されるが、この有機層上に積層されるその他の有機層の形成方法は、塗布による形成方法に限定されるものではない。例えば一般的な蒸着方法を用いて形成することも可能である。
【０１３８】
また、基板上に第１電極層を形成する方法としては、一般的な電極の形成方法を用いることができ、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等のＰＶＤ法や、ＣＶＤ法などを挙げることができる。また、第１電極をパターン状に形成する場合のパターニング方法としては、第１電極を所望のパターンに精度よく形成することができる方法であれば特に限定されないが、具体的にはフォトリソ法等を挙げることができる。
【０１３９】
さらに、基板上に端子部を形成する方法としては、上記第１電極層の形成方法と同様の方法を用いることができる。
【０１４０】
（２）第２電極層形成工程
本実施態様における第２電極層形成工程は、上記有機層上であって、上記端子部が形成されていない端子部非形成領域に第２電極層を形成する工程である。
【０１４１】
端子部は、外部回路と第１電極層または第２電極層とを接続するために設けられるものであり、この端子部上に有機層が成膜されていると抵抗要因となり有機デバイスの電気特性を低下させてしまうので、端子部が形成されている端子部形成領域に成膜された有機層を除去する必要がある。本実施態様における第２電極層は、後述するプラズマ処理工程にて保護マスクとして機能するものであることから、本工程においては端子部が形成されている端子部形成領域に成膜された有機層がプラズマ処理により除去されるように所定の位置に第２電極層が形成される。
【０１４２】
なお、第２電極の形成方法については、上述した有機層形成工程の項に記載した第１電極層の形成方法と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０１４３】
（３）プラズマ処理工程
次に、本実施態様におけるプラズマ処理工程について説明する。本実施態様におけるプラズマ処理工程は、第２電極層側からプラズマ処理を施し、上記第２電極層が形成されていない第２電極層非形成領域に設けられた上記有機層を除去する工程である。
【０１４４】
本工程において、プラズマを照射する際に用いられる反応性ガスとしては、一般的に用いられている反応性ガスを使用することが可能である。中でも、有機層を効率的に除去することが可能な反応性ガスであることが好ましい。また、第２電極層を保護マスクとしてプラズマ処理を施すことから、第２電極層への影響が少ない反応ガスであることが好ましい。このような反応性ガスの組成としては、フッ素またはフッ素化合物を含んだガス、塩素または塩素化合物を含んだガス、酸素、アルゴン、窒素等が挙げられる。これらの他にも、所定の条件を満たすガスであれば使用可能であり、２種類以上の混合ガスであってもよい。
【０１４５】
プラズマの照射方向としては、第２電極層側からであれば特に限定されるものではなく、第２電極層を保護マスクとして第２電極層非形成領域に設けられた有機層を除去することができればよい。
【０１４６】
（４）導電層形成工程
本実施態様における導電層形成工程は、上記端子部および上記第１電極層、あるいは上記端子部および上記第２電極層が接続されるように導電層を形成する工程である。
【０１４７】
本工程において、導電層は、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃｒ、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の導電性材料を用いて一般的な蒸着法により形成することができる。また、上記導電性材料のコロイド溶液を用いてインクジェット法により形成することもできる。
【０１４８】
（５）その他
なお、本実施態様により製造される有機デバイスについては、上述した「Ａ．有機デバイス」の第１実施態様に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０１４９】
２．第４実施態様
本発明の有機デバイスの製造方法の第４実施態様は、第１電極層および端子部が形成された基板上に、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により濡れ性が変化する濡れ性変化層を形成する濡れ性変化層形成工程と、
上記濡れ性変化層にパターン状にエネルギーを照射し、上記濡れ性変化層の濡れ性が変化した濡れ性変化パターンを形成する濡れ性変化パターン形成工程と、
上記濡れ性変化パターンが形成された濡れ性変化層上に有機層をパターン状に形成する有機層形成工程と、
上記有機層上に第２電極層を形成する第２電極層形成工程と、
上記第２電極層側からプラズマ処理を施し、上記第２電極層が形成されていない第２電極層非形成領域に設けられた上記濡れ性変化層を除去するプラズマ処理工程と、
上記端子部および上記第１電極層、あるいは上記端子部および上記第２電極層が接続されるように導電層を形成する導電層形成工程と
を有することを特徴とするものである。
【０１５０】
本実施態様の有機デバイスの製造方法について、図面を参照しながら説明する。図５は、本実施態様の有機デバイスの製造方法の一例を示すものである。本実施態様の有機デバイスの製造方法においては、まず、基板１上にパターン状の第１電極層２と端子部５とを形成し、この第１電極層２の端部を覆うように絶縁層１０を形成することにより、第１電極層２および端子部５が形成された基板１を準備し、この基板１上に濡れ性変化層７を全面に形成する（図５（ａ）、濡れ性変化層形成工程）。次に、濡れ性変化層７にフォトマスク３２を介してパターン状にエネルギー３１を照射し、濡れ性変化層７の濡れ性を変化させ、親液性領域１４および撥液性領域１５からなる濡れ性変化パターンを形成する（図５（ｂ）、濡れ性変化パターン形成工程）。さらに、この濡れ性変化パターンが形成された濡れ性変化層７上に有機層３をパターン状に形成し（図５（ｃ）、有機層形成工程）、有機層３上に第２電極層４を形成する（図５（ｄ）、第２電極層形成工程）。この第２電極層４を保護マスクとして第２電極層４側から全面にプラズマ２１を照射してプラズマ処理を行ない、第２電極４が形成されていない第２電極層非形成領域１１に設けられた濡れ性変化層７を除去する（図５（ｅ）、プラズマ処理工程）。これにより、端子部５が露出する。その後、第２電極層４と端子部５とが接続されるように導電層６を形成する（図５（ｆ）、導電層形成工程）。これにより、有機デバイスを製造することができる。
【０１５１】
本実施態様によれば、第２電極層を保護マスクとして用いてプラズマ処理を施すことで、第２電極層が形成されていない第２電極層非形成領域の濡れ性変化層を容易に除去することができる。
【０１５２】
また、濡れ性変化層にパターン状にエネルギーを照射することにより光触媒を励起させて、濡れ性変化層の濡れ性を変化させることができ、親液性領域および撥液性領域からなる濡れ性変化パターンを容易に形成することができる。さらには、この濡れ性変化パターンの濡れ性の差を利用して、有機層を容易にパターン状に形成することが可能となる。
以下、このような有機デバイスの製造方法における各工程について説明する。
【０１５３】
（１）濡れ性変化層形成工程
本実施態様における濡れ性変化層形成工程は、第１電極層および端子部が形成された基板上に、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により濡れ性が変化する濡れ性変化層を形成する工程である。この濡れ性変化層は、第１電極層および端子部が形成された基板上に、濡れ性変化層形成用塗工液を塗布して、乾燥することにより形成することができる。
【０１５４】
本実施態様に用いられる濡れ性変化層形成用塗工液は、上述した「Ａ．有機デバイス」の第２実施態様の項に記載した濡れ性変化層の３つの態様により、適宜調製される。例えば濡れ性変化層が、光触媒を含有し、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により濡れ性が変化する光触媒含有層である場合（第１の態様）は、光触媒と光触媒の作用により濡れ性が変化する材料とを含有する濡れ性変化層形成用塗工液が用いられる。
【０１５５】
このような濡れ性変化層形成用塗工液は、光触媒、光触媒の作用により濡れ性が変化する材料およびその他の添加物を、水もしくは溶剤を用いて溶解または分散させることにより調製することができる。なお、光触媒、光触媒の作用により濡れ性が変化する材料、およびその他の添加物については、上述した「Ａ．有機デバイス」の第２実施態様の項に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０１５６】
上記濡れ性変化層形成用塗工液に使用することができる溶剤としては、上述した光触媒や光触媒の作用により濡れ性が変化する材料等と混合するものであり、白濁その他の現象によるパターニング特性に影響を及ぼさないものであれば特に限定されない。このような溶剤としては、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール等のアルコール類、アセトン、アセトニトリル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチルグリコールモノメチルエーテル、ジエチルグリコールモノエチルエーテル、ジエチルグリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、トルエン、キシレン、乳酸メチル、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルフォキシド、ジオキサン、エチレングリコール、ヘキサメチルリン酸トリアミド、ピリジン、テトラヒドロフラン、Ｎ−メチルピロリジノン等が挙げられる。これらの溶剤は２種以上を混合して使用してもよい。
【０１５７】
また、濡れ性変化層形成用塗工液の塗布方法としては、第１電極層および端子部が形成された基板上に濡れ性変化層形成用塗工液を塗布することが可能な方法であれば特に限定されるものではなく、例えばスピンコート法、インクジェット法、キャスト法、ＬＢ法、ディスペンサー法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、スクリーン印刷法等が挙げられる。
【０１５８】
上記濡れ性変化層形成用塗工液の乾燥方法としては、均一な濡れ性変化層を形成することが可能な方法であれば特に限定されるものではないが、例えばホットプレート、赤外線ヒーター、オーブンを用いる方法が挙げられる。
【０１５９】
（２）濡れ性変化パターン形成工程
本実施態様における濡れ性変化パターン形成工程は、上記濡れ性変化層にパターン状にエネルギーを照射し、上記濡れ性変化層の濡れ性が変化した濡れ性変化パターンを形成する工程である。
【０１６０】
濡れ性変化層における、光触媒による作用機構は必ずしも明確なものではないが、エネルギーの照射によって光触媒が酸化還元反応を引き起こし、スーパーオキシド（Ｏ２−）や水酸ラジカル（・ＯＨ）などの活性酸素種を発生し、この発生した活性酸素種が有機物の化学構造に変化を及ぼすものと考えられている。
【０１６１】
本実施態様における濡れ性変化パターン形成工程は、上述した濡れ性変化層の態様により２つの態様に分けることができる。以下、各態様について説明する。
【０１６２】
（ｉ）第４の態様
本実施態様における濡れ性変化パターン形成工程の第４の態様は、濡れ性変化層が、光触媒を含有し、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により濡れ性が変化する光触媒含有層である場合（第１の態様）、および、光触媒を含有する光触媒処理層と、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により濡れ性が変化する濡れ性可変層とを有する場合（第２の態様）に行われるものである。本工程においては、このような濡れ性変化層にパターン状にエネルギーを照射し、上記濡れ性変化層の濡れ性が変化した濡れ性変化パターンを形成する。
【０１６３】
なお、本発明でいうエネルギー照射（露光）とは、光触媒を励起することが可能ないかなるエネルギー線の照射をも含む概念であり、紫外線、可視光線、赤外線の他、これらの光線よりもさらに短波長または長波長の電磁波、放射線も含まれる。
【０１６４】
エネルギーの照射方法は、濡れ性変化層の濡れ性を変化させることが可能な方法であれば、特に限定されるものではない。また、エネルギーの照射は、目的とするパターンが形成された、例えばフォトマスク等のマスクを用いて行ってもよい。これにより、目的とするパターン状にエネルギーを照射することが可能となり、濡れ性変化層の濡れ性をパターン状に変化させることができるからである。この際、用いられるマスクの種類としては、目的とするパターン状にエネルギーが照射可能であれば、特に限定されるものではなく、エネルギーを透過する素材に遮光部が形成されたフォトマスク等であってもよく、また目的とするパターン状に孔部が形成されているシャドウマスク等であってもよい。また、これらのマスクの材料として、具体的には金属、ガラスやセラミック等の無機物、またはプラスチック等の有機物等を挙げることができる。
【０１６５】
さらに、用いる基板上に遮光部が形成されている場合には、エネルギーの照射は、この遮光部を利用して、基板側から全面に露光を行うものであってもよい。これにより、上記遮光部が形成されていない位置の濡れ性変化層にのみエネルギーを照射することができ、この濡れ性変化層の濡れ性を変化させることができるからである。この場合、上記マスクやレーザー等による描画の必要がないことから、位置合わせや高価な描画装置等が必要としないという利点がある。
【０１６６】
エネルギー照射には通常、紫外線が用いられ、具体的な光の波長としては４００ｎｍ以下の範囲、好ましくは１５０ｎｍ〜３８０ｎｍの範囲内から設定される。これは、上述したように濡れ性変化層に用いられる好ましい光触媒が酸化チタンであり、この酸化チタンにより光触媒作用を活性化させるエネルギーとして、上述した波長の光が好ましいからである。
【０１６７】
このようなエネルギー照射に用いることができる光源としては、水銀ランプ、メタルハライドランプ、キセノンランプ、エキシマランプ、その他種々の光源を挙げることができる。また、エキシマ、ＹＡＧ等のレーザーを用いてエネルギー照射を行ってもよい。レーザーを用いてエネルギー照射を行うことにより、上述したフォトマスク等の位置合わせ等が必要なく、また基板上に遮光部を形成することなく、高精細に濡れ性変化層の濡れ性を変化させることができるのである。
【０１６８】
また、光触媒としてアナターゼ型酸化チタンを用いた場合は、アナターゼ型酸化チタンの励起波長が３８０ｎｍ以下にあるので、エネルギー照射は紫外線により行うことができる。このような紫外線を発する光源としては、高圧水銀ランプ（１５４、３１３、３６５、４０５、４３６、５４６、５７７ｎｍ）、超高圧水銀ランプ（２５０〜６００ｎｍ）、メタルハライドランプ（２５０〜６００ｎｍ）、キセノンランプ（３００〜１１００ｎｍ）、エキシマレーザー、およびその他の紫外線光源を使用することができる。
【０１６９】
エネルギー照射に際してのエネルギーの照射量は、濡れ性変化層中の光触媒の作用により濡れ性変化層の濡れ性の変化が行われるのに必要な照射量とする。
【０１７０】
この際、濡れ性変化層を加熱しながらエネルギー照射することにより、感度を上昇させることが可能となり、効率的な濡れ性の変化を行うことができる点で好ましい。具体的には３０℃〜８０℃の範囲内で加熱することが好ましい。
【０１７１】
本実施態様における濡れ性変化層は、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により濡れ性が変化するものであり、液体との接触角が低下する方向に変化する。この濡れ性変化層にパターン状にエネルギーを照射することにより、エネルギー照射された部分の親液性領域と、エネルギー未照射部分の撥液性領域とからなる濡れ性変化パターンを形成することが可能となる。
【０１７２】
ここで、親液性領域とは、液体との接触角が小さい領域であり、後述する有機層形成用塗工液に対する濡れ性の良好な領域をいうこととする。また、撥液性領域とは、液体との接触角が大きい領域であり、有機層形成用塗工液に対する濡れ性が悪い領域をいうこととする。
【０１７３】
エネルギー照射により形成される親液性領域と、エネルギー未照射の撥液性領域との、有機層形成用塗工液に対する接触角が、少なくとも１°以上、好ましくは５°以上、特に１０°以上異なることが好ましい。
【０１７４】
また、上記濡れ性変化層は、エネルギー照射した部分、すなわち親水性領域においては、エネルギー照射により液体との接触角が低下して、表面張力４０ｍＮ／ｍの液体との接触角が９°以下、好ましくは表面張力５０ｍＮ／ｍの液体との接触角が１０°以下、特に表面張力６０ｍＮ／ｍの液体との接触角が１０°以下の濡れ性を示すことが好ましい。エネルギー照射した部分、すなわち親液性領域における液体との接触角が高いと、有機層を形成する際に、この部分での有機層形成用塗工液の広がりが劣る可能性があり、有機層の欠け等の問題が生じる可能性があるからである。
【０１７５】
一方、上記濡れ性変化層は、エネルギー照射していない部分、すなわち撥水性領域においては、表面張力４０ｍＮ／ｍの液体との接触角が１０°以上、好ましくは表面張力３０ｍＮ／ｍの液体との接触角が１０°以上、特に表面張力２０ｍＮ／ｍの液体との接触角が１０°以上の濡れ性を示すことが好ましい。エネルギー照射していない部分は、撥液性が要求される部分であることから、液体との接触角が小さい場合は、撥液性が十分でなく、有機層を形成する際に、パターニング特性が低下する可能性があるからである。
【０１７６】
なお、ここでいう液体との接触角は、種々の表面張力を有する液体との接触角を接触角測定器（協和界面科学（株）製ＣＡ−Ｚ型）を用いて測定（マイクロシリンジから液滴を滴下して３０秒後）し、その結果から、もしくはその結果をグラフにして得たものである。また、この測定に際して、種々の表面張力を有する液体としては、純正化学株式会社製のぬれ指数標準液を用いた。
【０１７７】
（ii）第５の態様
本実施態様における濡れ性変化パターン形成工程の第５の態様は、エネルギー照射に伴う光触媒の作用により濡れ性が変化する濡れ性変化層と、光触媒を含有する光触媒処理層および基体を有する光触媒処理層側基板とを所定の間隙をおいて配置した後、パターン状にエネルギーを照射し、濡れ性変化層の濡れ性が変化した濡れ性変化パターンを形成する工程である。本態様の濡れ性変化パターン形成工程は、上述した「Ａ．有機デバイス  ２．第２実施態様」の項に記載した第３の態様の濡れ性可変層を形成する場合に行われるものである。
【０１７８】
本態様の濡れ性変化パターン形成工程においては、例えば図６（ａ）に示すように、濡れ性可変層７と、光触媒を含有する光触媒処理層３４および基体３３を有する光触媒処理層側基板３５とを、濡れ性可変層７および光触媒処理層３４が所定の間隙となるように配置した後、フォトマスク３２を介してエネルギー３１を照射し、図６（ｂ）に示すように、濡れ性可変層７の濡れ性を変化させ、親液性領域１４および撥液性領域１５からなる濡れ性変化パターンを形成する。
【０１７９】
本態様においては、光触媒処理層および濡れ性可変層は、光触媒処理層と濡れ性可変層とを光触媒の作用が及ぶように所定の間隙をおいて配置するものである。ここでいう配置とは、実質的に光触媒の作用が濡れ性可変層表面に及ぶような状態で配置された状態をいうこととし、実際に物理的に接触している状態の他、所定の間隙を隔てて上記光触媒処理層と濡れ性可変層とが配置された状態とする。
【０１８０】
また本態様においては、上記の間隙は２００μｍ以下であることが好ましい。さらにパターン精度が極めて良好であり、光触媒の感度も高く、濡れ性変化の効率が良好である点を考慮すると、中でも０．２μｍ〜１０μｍ、特に１μｍ〜５μｍの範囲内とすることが好ましい。このような間隙の範囲は、間隙を高い精度で制御することが可能である小面積の濡れ性可変層に対して特に有効である。
【０１８１】
一方、例えば３００ｍｍ×３００ｍｍ以上といった大面積の濡れ性可変層に対して処理を行う場合は、接触することなく、かつ上述したような微細な間隙を光触媒処理層と濡れ性可変層との間に形成することは極めて困難である。したがって、濡れ性可変層が比較的大面積である場合は、上記の間隙は、１０〜１００μｍの範囲内、特に５０〜７５μｍの範囲内とすることが好ましい。間隙をこのような範囲内とすることにより、パターンがぼやける等のパターン精度の低下の問題や、光触媒の感度が悪化して濡れ性変化の効率が悪化する等の問題が生じることなく、さらに濡れ性変化にムラが発生しないといった効果を有するからである。
【０１８２】
このように比較的大面積の濡れ性可変層をエネルギー照射する際には、エネルギー照射装置内の光触媒処理層と濡れ性可変層との位置決め装置における間隙の設定を、１０μｍ〜２００μｍの範囲内、特に２５μｍ〜７５μｍの範囲内に設定することが好ましい。設定値をこのような範囲内とすることにより、パターン精度の大幅な低下や光触媒の感度の大幅な悪化を招くことなく、かつ光触媒処理層と濡れ性可変層とが接触することなく配置することが可能となるからである。
【０１８３】
このように光触媒処理層と濡れ性可変層とを所定の間隔で離して配置することにより、酸素と水および光触媒作用により生じた活性酸素種が脱着しやすくなる。すなわち、上記範囲より光触媒処理層と濡れ性可変層との間隔を狭くした場合は、上記活性酸素種の脱着がしにくくなり、結果的に濡れ性変化速度を遅くしてしまう可能性があることから好ましくない。また、上記範囲より間隔を離して配置した場合は、生じた活性酸素種が濡れ性可変層に届き難くなり、この場合も濡れ性変化の速度を遅くしてしまう可能性があることから好ましくない。
【０１８４】
また、このような極めて狭い間隙を均一に形成して光触媒処理層と濡れ性可変層とを配置する方法としては、例えばスペーサを用いる方法を挙げることができる。そして、このようにスペーサを用いることにより、均一な間隙を形成することができると共に、このスペーサが接触する部分は、光触媒の作用が濡れ性可変層表面に及ばないことから、このスペーサを目的とする濡れ性変化パターンと同様のパターンを有するものとすることにより、濡れ性可変層上に所定の濡れ性変化パターンを形成することが可能となる。また、このようなスペーサを用いることにより、光触媒の作用により生じた活性酸素種が拡散することなく、高濃度で濡れ性可変層表面に到達することから、効率よく高精細な濡れ性変化パターンを形成することができる。
【０１８５】
本態様においては、このような光触媒処理層と濡れ性可変層との配置状態は、少なくともエネルギー照射の間だけ維持されればよい。
【０１８６】
また本態様においては、濡れ性可変層と光触媒処理層とを所定の間隙をおいて配置し、エネルギー照射することにより濡れ性を変化させるものであり、エネルギー照射後は光触媒処理層側基板を取り外すものであることから、光触媒の影響を受けない有機デバイスを製造することができる。
【０１８７】
さらに本態様においては、光触媒処理層と濡れ性可変層とを対向させてエネルギー照射を行うものであり、光触媒処理層が基体上にパターン状に形成されている場合は、実際に光触媒処理層の形成された部分のみの濡れ性が変化するものであるので、エネルギーの照射方向は上記光触媒処理層と濡れ性可変層とが対向する部分にエネルギーが照射されるものであれば、いかなる方向から照射されてもよく、さらには、照射されるエネルギーも特に平行光等の平行なものに限定されないという利点を有するものとなる。
【０１８８】
なお、濡れ性変化パターン形成工程のその他の点については、上記第４の態様に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０１８９】
（３）有機層形成工程
本実施態様における有機層形成工程は、上記濡れ性変化パターンが形成された濡れ性変化層上に有機層をパターン状に形成する工程である。本実施態様においては、上記濡れ性変化パターンの濡れ性の差を利用することにより、容易に有機層を高精細にパターン状に形成することが可能である。本工程において、有機層は、上記濡れ性変化パターンが形成された濡れ性変化層上に、有機層形成用塗工液を塗布することにより形成することができる。
【０１９０】
なお、有機層形成工程のその他の点については、上述した第３実施態様に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０１９１】
（４）第２電極層形成工程
本実施態様における第２電極層形成工程は、上記有機層上に第２電極層を形成する工程である。本実施態様における第２電極層は、後述するプラズマ処理工程にて保護マスクとして機能するものであることから、本工程においては端子部が形成されている領域の濡れ性変化層がプラズマ処理により除去されるように所定の位置に第２電極層が形成される。
【０１９２】
なお、第２電極の形成方法については、上述した第３実施態様の項に記載した第１電極層の形成方法と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０１９３】
（５）プラズマ処理工程
本実施態様におけるプラズマ処理工程は、上記第２電極層側からプラズマ処理を施し、上記第２電極層が形成されていない第２電極層非形成領域に設けられた上記濡れ性変化層を除去する工程である。
【０１９４】
本工程において、プラズマを照射する際に用いられる反応性ガスとしては、一般的に用いられている反応性ガスを使用することが可能であるが、中でも、濡れ性変化層を効率的に除去することが可能な反応性ガスであることが好ましい。このような反応性ガスとしては、上述した第３実施態様の項に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０１９５】
プラズマの照射方向としては、第２電極層側からであれば特に限定されるものではなく、第２電極層を保護マスクとして第２電極層非形成領域に設けられた濡れ性変化層を除去することができればよい。
【０１９６】
また、後述するように、本実施態様において第２有機層形成工程が行われた場合、本工程では、第２電極層非形成領域に設けられた濡れ性変化層および第２の有機層が除去されることになる。上述した反応性ガスは、濡れ性変化層も有機層も除去可能なものであるので、濡れ性変化層と、この濡れ性変化層の下に形成された第２の有機層とを除去することは可能である。
【０１９７】
（６）導電層形成工程
本実施態様における導電層形成工程は、上記端子部および上記第１電極層、あるいは上記端子部および上記第２電極層が接続されるように導電層を形成する工程である。なお、導電層形成工程については、上述した第３実施態様の項に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０１９８】
（７）第２有機層形成工程
本実施態様においては、上記濡れ性変化層形成工程前に、第１電極層および端子部が形成された基板上に、第２の有機層を形成する第２有機層形成工程が行われてもよい。
【０１９９】
なお、第２有機層形成工程は、上記第３実施態様の項に記載した有機層形成工程と同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０２００】
また、このような第２有機層形成工程が行われた場合は、基板の全面に第２の有機層が形成されるので、上記プラズマ処理工程では、濡れ性変化層の下に設けられた第２の有機層も除去する必要がある。
【０２０１】
（８）その他
なお、本実施態様により製造される有機デバイスについては、上述した「Ａ．有機デバイス」の第２実施態様に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０２０２】
Ｄ．有機ＥＬ素子の製造方法
次に、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法について説明する。
本発明の有機ＥＬ素子の製造方法は、上述した有機デバイスの製造方法を用い、上記有機デバイスの製造方法における有機層形成工程が、少なくとも発光層を有する有機ＥＬ層を形成する有機ＥＬ層形成工程であることを特徴とするものである。
【０２０３】
本発明においては、上述した有機デバイスの製造方法を用いているので、簡便な工程で端子部上に成膜された有機層または濡れ性変化層を除去することができ、電気特性の良好な有機ＥＬ素子を容易に製造することが可能である。
以下、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法における有機ＥＬ層形成工程について説明する。
【０２０４】
１．有機ＥＬ層形成工程
本発明における有機ＥＬ層形成工程は、上記有機デバイスの製造方法における有機層形成工程が、少なくとも発光層を有する有機ＥＬ層を形成する工程である。
【０２０５】
本工程により形成される有機ＥＬ層は、少なくとも発光層を含む１層もしくは複数層の有機物層から構成されるものであり、その層構成については、上述した「Ｂ．有機ＥＬ素子」の項に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０２０６】
上記有機ＥＬ層の必須の構成である発光層は、色素系発光材料、金属錯体系発光材料および高分子系発光材料等の発光材料を含有する発光層形成用塗工液を塗布することにより形成することができる。このような発光層形成用塗工液は、上記発光材料およびその他の添加物を溶媒に溶解または分散させることにより調製することができる。なお、発光材料およびその他の添加物については、上述した「Ｂ．有機ＥＬ素子」の項に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０２０７】
上記発光層形成用塗工液に用いられる溶媒としては、上述した発光材料を溶解もしくは分散させることができるものであれば特に限定されない。具体的には、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレン等を挙げることができる。
【０２０８】
このような発光層形成用塗工液の塗布方法としては、上述した第１電極層上あるいは濡れ性変化層上に塗布することが可能な方法であれば特に限定されるものではないが、発光層を均一かつ高精細に形成することが可能な方法であることが好ましい。このような塗布方法としては、例えばディップコート法、ロールコート法、ブレードコート法、スピンコート法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ワイヤーバーコート法、キャスト法、インクジェット法、ＬＢ法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、スクリーン印刷法等を挙げることができる。
【０２０９】
また、電荷注入輸送層である正孔注入輸送層、電子注入輸送層なども上記発光層と同様にして形成することができる。
【０２１０】
さらに、有機ＥＬ層が、２層以上の有機物層を積層することにより形成される場合は、第１電極層あるいは濡れ変化層の直上に形成される有機物層以外の有機物層は、上記の塗布による形成方法に限定されるものではなく、例えば一般的な蒸着方法により形成することもできる。
【０２１１】
２．その他
本発明においては、パターン状の第１電極層を形成した後に、このパターン状の第１電極層間に絶縁層を形成する絶縁層形成工程が行われてもよい。絶縁層の形成方法としては、フォトリソ法、印刷法等の一般的な方法を用いることができる。
【０２１２】
なお、本発明により製造される有機ＥＬ素子については、上述した「Ｂ．有機ＥＬ素子」の項に記載したものと同様であるので、ここでの説明は省略する。
【０２１３】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例】
【０２１４】
以下、本発明について実施例および比較例を用いて具体的に説明する。
【０２１５】
［実施例１］
２５ｍｍ角ガラス基板上に、第１電極層として透明電極（ＩＴＯ）を形成し、この透明電極が形成された基板上に、フルオロアルキルアルコキシシランのイソプロピルアルコール溶液とチタニアゾル液とからなる濡れ性変化層形成用塗工液をスピンコータを用いて塗布し、乾燥させて膜厚１００ｎｍの濡れ性変化層を成膜した。次に、パターンマスクを介して紫外線を照射することで、濡れ性変化層上に濡れ性変化パターンを形成した。この濡れ性変化パターンの親液性領域にマイクロシリンジを用いたシリンジ法によりポリビニルカルバゾールとクマリン誘導体とからなる発光材料のキシレン溶液を塗布し、乾燥させて発光層を形成した。続いて、発光層上に第２電極層としてＡｇを成膜した。
【０２１６】
次に、第２電極層側から全面にプラズマ処理を行ない、第２電極層が形成されていない第２電極層非形成領域に設けられた濡れ性変化層を除去した。その後、第２電極層と端子部とを接続する導電層としてＡｇを成膜した。これにより有機ＥＬ素子を作製した。
【０２１７】
［比較例１］
２５ｍｍ角ガラス基板上に、第１電極層として透明電極（ＩＴＯ）を形成し、この透明電極が形成された基板上に、フルオロアルキルアルコキシシランのイソプロピルアルコール溶液とチタニアゾル液とからなる濡れ性変化層形成用塗工液をスピンコータを用いて塗布し、乾燥させて膜厚１００ｎｍの濡れ性変化層を成膜した。次に、パターンマスクを介して紫外線を照射することで、濡れ性変化層上に濡れ性変化パターンを形成した。この濡れ性変化パターンの親液性領域にマイクロシリンジを用いたシリンジ法によりポリビニルカルバゾールとクマリン誘導体とからなる発光材料のキシレン溶液を塗布し、乾燥させて発光層を形成し。続いて、発光層上に第２電極層としてＡｇを成膜した。その後、第２電極層と端子部とを接続する導電層としてＡｇを成膜した。これにより、有機ＥＬ素子を作製した。
【０２１８】
［評価］
実施例１および比較例１の有機ＥＬ素子の電気特性を比較すると、比較例１の有機ＥＬ素子は、実施例１の有機ＥＬ素子よりも駆動電圧が高かった。
【０２１９】
［実施例２］
２５ｍｍ角ガラス基板上に、第１電極層として透明電極（ＩＴＯ）を形成し、この透明電極が形成された基板上に、ポリビニルカルバゾールとクマリン誘導体とからなる発光材料のキシレン溶液をスピンコータを用いて塗布し、乾燥させて発光層を形成した。続いて、発光層上に、第２電極層としてＡｇを成膜した。
次に、第２電極層側から全面にプラズマ処理を行ない、第２電極層が形成されていない第２電極層非形成領域に設けられた発光層を除去した。その後、第２電極層と端子部とを接続する導電層としてＡｇを成膜した。このようにして得られた有機ＥＬ素子は、電圧特性が良好であった。
【０２２０】
［実施例３］
２５ｍｍ角ガラス基板上に、第１電極層として透明電極（ＩＴＯ）を形成し、この透明電極が形成された基板上に、ポリビニルカルバゾール溶液をスピンコータを用いて塗布し、乾燥させて有機層を形成した。この有機層上にフルオロアルキルアルコキシシランのイソプロピルアルコール溶液とチタニアゾル液とからなる濡れ性変化層用形成用塗工液をスピンコータを用いて塗布し、乾燥させて濡れ性変化層を形成した。さらに、パターンマスクを介して紫外線を照射することで、濡れ性変化層上に濡れ性変化パターンを形成した。この濡れ性変化パターンの親液性領域にマイクロシリンジを用いたシリンジ法によりポリビニルカルバゾールとクマリン誘導体とからなる発光材料のキシレン溶液を塗布し、乾燥させて発光層を形成した。続いて、発光層上に第２電極層としてＡｇを成膜した。
次に、第２電極層側から全面にプラズマ処理を行ない、第２電極層が形成されていない第２電極層非形成領域に設けられた有機層および濡れ性変化層を除去した。その後、第２電極層と端子部とを接続する導電層としてＡｇを成膜した。このようにして得られた有機ＥＬ素子は、電圧特性が良好であった。
【図面の簡単な説明】
【０２２１】
【図１】本発明の有機デバイスの一例を示す概略断面図である。
【図２】本発明の有機デバイスの他の例を示す概略断面図である。
【図３】本発明の有機ＥＬ素子の一例を示す概略断面図である。
【図４】本発明の有機デバイスの製造方法の一例を示す工程図である。
【図５】本発明の有機デバイスの製造方法の他の例を示す工程図である。
【図６】本発明の有機デバイスの製造方法における濡れ性変化パターン形成工程の一例を示す工程図である。
【符号の説明】
【０２２２】
１  …  基板
２  …  第１電極層
３  …  有機層
４  …  第２電極層
５  …  端子部
６  …  導電層
７  …  濡れ性変化層
１０  …  絶縁層
１１  …  第２電極層非形成領域
１２  …  第２電極層形成領域
１３  …  端子部非形成領域
１４  …  親液性領域
１５  …  撥液性領域
【図１】
2006012993.tif 000004
【図２】
2006012993.tif 000005
【図３】
2006012993.tif 000006
【図４】
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【図５】
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【図６】
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