(57)【要約】【課題】ＢＴＬ出力回路において、出力端子が誤ってＧＮＤまたはＶＣＣにショートした場合や、出力端子間がショートした場合でも、それらの異常時に発生する過電流に対して、ＢＴＬ出力回路を形成する半導体素子の発熱を抑えるとともに、その破壊を防止することができ、ＢＴＬ出力回路を集積回路化した場合にも半導体チップそのものを破壊しないように保護することができる過電流保護回路を提供する。【解決手段】スピーカ１０１を駆動する出力回路１５０、１６０を有する半導体集積回路に対して、過電流制御回路２００により、出力回路１５０の過電流を検出する過電流検出回路１７０と、出力回路１６０の過電流を検出する過電流検出回路１８０との双方の過電流検出に伴い、出力回路１５０と出力回路１６０の両方の動作電流源を遮断し、その状態を所定の時間保持するとともに、所定の時間経過した後、その保持状態から復帰することにより、出力回路１５０または出力回路１６０の過電流を防止する。【選択図】図２
2006101044.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子からなり流入電流と流出電流で第１の出力端子を駆動する第１の出力回路と、半導体素子からなり流入電流と流出電流で第２の出力端子を駆動する第２の出力回路とを有し、前記第１の出力端子と前記第２の出力端子との間に負荷が接続され、前記第１の出力回路と前記第２の出力回路が電流を流入及び流出して前記負荷を駆動する出力駆動回路を、その過電流から保護する過電流保護回路であって、前記第１の出力回路の流入電流の過電流及び流出電流の過電流をそれぞれ検出する第１の過電流検出回路と、前記第２の出力回路の流入電流の過電流及び流出電流の過電流をそれぞれ検出する第２の過電流検出回路と、前記第１の過電流検出回路と前記第２の過電流検出回路の双方の過電流検出のそれぞれに伴い、前記第１の出力回路と前記第２の出力回路の両方の動作電流源を遮断する過電流制御回路とを備え、前記過電流制御回路を、前記動作電流源の遮断により、前記第１の出力回路および前記第２の出力回路の各流入電流の過電流及び各流出電流の過電流を制限するよう構成したことを特徴とする過電流保護回路。
【請求項２】
前記過電流制御回路は、前記第１の出力回路と前記第２の出力回路の両方の動作電流源を遮断した状態を所定の時間保持するとともに、所定の時間経過した後に、その保持状態から復帰する機能を有することを特徴とする請求項１記載の過電流保護回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば携帯電話機のようなモバイル情報通信機器等において、負荷として例えばスピーカを駆動するために内蔵された出力駆動回路を、その過電流から保護する過電流保護回路に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、特に技術進歩が著しく一般ユーザにも広く利用されるようになった携帯電話機などのモバイル情報通信機器には、通常、音声出力用のスピーカが備え付けられており、このスピーカを駆動するために、ＢＴＬ出力回路等の一種の増幅機能を有する出力駆動回路が内蔵されている。
【０００３】
また、このようなモバイル情報通信機器においては、さらに小型軽量化および薄型化のために、ＢＴＬ出力回路が、トランジスタやダイオードなどの複数の半導体素子により集積回路化された半導体集積回路として内蔵されている。
【０００４】
以上のような従来の出力駆動回路（例えば、特許文献１を参照）について、図３を参照しながら以下に説明する。
図３は従来の情報通信機器における出力駆動回路としてＢＴＬ出力回路の一構成例を示す回路図である。このＢＴＬ出力回路は、図３に示すように、出力回路２６０と出力回路２７０とで構成され、出力回路２６０は、コレクタがＶＣＣに接続されエミッタが出力端子２４０に接続されたＮＰＮトランジスタＱ３１と、コレクタが出力端子２４０に接続されエミッタがＧＮＤに接続されたＮＰＮトランジスタＱ３２と、入力端子２１０から信号が入力され出力端子２４０に信号を出力する非反転増幅器２２０と、トランジスタＱ３１、Ｑ３２と非反転増幅器２２０の動作電流源である電流源Ｉ３１とで構成されている。出力回路２７０は、出力回路２６０の構成に対して、非反転増幅器２２０を反転増幅器２３０に置き換えた構成と同様であり、入力端子２１０から信号が入力され出力端子２５０に信号を出力する。出力端子２４０と出力端子２５０間には、ＢＴＬ出力回路の駆動負荷であるスピーカ２０１が接続される。
【０００５】
以上のように構成されたＢＴＬ出力回路について、その動作を以下に説明する。
入力端子２１０に入力された信号は、出力回路２６０において非反転増幅器２２０で増幅された後、トランジスタＱ３１、Ｑ３２で駆動され出力端子２４０から出力される。同様に、出力回路２７０においては、入力端子２１０に入力された信号が反転増幅器２３０で増幅された後、トランジスタＱ４１、Ｑ４２で駆動され出力端子２５０から出力される。また、出力端子２４０では、入力信号から位相が非反転の正相信号が出力され、出力端子２５０では、入力信号から位相が反転された逆相信号が出力される。
【０００６】
このように、出力回路２６０と出力回路２７０によって、出力端子２４０と出力端子２５０間に接続されたスピーカ２０１が駆動される。
【特許文献１】特開２００２−３５３７９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら上記のような従来の出力駆動回路であるＢＴＬ出力回路では、その回路構成上、以下のような問題点が生じる。
例えば、出力端子２４０または出力端子２５０がＧＮＤにショートされた場合、ＶＣＣからトランジスタＱ３１またはトランジスタＱ４１を介してＧＮＤへ過電流が流れる。また、出力端子２４０または出力端子２５０がＶＣＣにショートされた場合、ＶＣＣからトランジスタＱ３２またはトランジスタＱ４２を介してＧＮＤへ過電流が流れる。
【０００８】
さらに、出力端子２４０と出力端子２５０間がショートされた場合、入力無信号時であれば、出力端子２４０、２５０ともに同電位のため過電流は流れないが、入力端子２１０から正弦波の正の半波が入力されているときには、出力端子２４０から正弦波の正の半波が出力され、出力端子２５０から正弦波の負の半波が出力される状態のため、ＶＣＣからトランジスタＱ３１、出力端子２４０、出力端子２５０、トランジスタＱ４２を介して、ＧＮＤへ過電流が流れ、また入力端子２１０から正弦波の負の半波が入力されているときには、出力端子２４０から正弦波の負の半波が出力され、出力端子２５０から正弦波の正の半波が出力される状態のため、ＶＣＣからトランジスタＱ４１、出力端子２５０、出力端子２４０、トランジスタＱ３２を介して、ＧＮＤへ過電流が流れる。
【０００９】
以上のように、従来のＢＴＬ出力回路に、ショートの種類によって過電流が流れるので、出力回路２６０、２７０を形成しているトランジスタＱ３１、Ｑ３２、Ｑ４１、Ｑ４２などの半導体素子が発熱し破壊する恐れがあり、もしＢＴＬ出力回路を集積回路化した場合には、発生した熱が伝導して半導体集積回路のパッケージが加熱され、このように、パッケージが加熱された場合には、出力回路２６０のトランジスタＱ３１、Ｑ３２と出力回路２７０のトランジスタＱ４１、Ｑ４２は、出力端子２４０、２５０に接続されたスピーカ２０１を駆動するため、通常面積の大きなトランジスタを使用しているので、過電流はトランジスタＱ３１、Ｑ３２、Ｑ４１、Ｑ４２の各部で一様にならず一部に電流が集中することがあり、そのトランジスタが破壊され、最終的に、半導体集積回路のチップそのものの破壊に至るという問題点を有していた。
【００１０】
これらを防止するためには、上記のようなＢＴＬ出力回路を構成する半導体素子を、過電流から保護するための回路、すなわち過電流保護回路が必要となる。
本発明は、上記従来の問題点を解決するもので、ＢＴＬ出力回路において、出力端子が誤ってＧＮＤまたはＶＣＣにショートした場合や、出力端子間がショートした場合でも、それらの異常時に発生する過電流に対して、ＢＴＬ出力回路を形成する半導体素子の発熱を抑えるとともに、その破壊を防止することができ、ＢＴＬ出力回路を集積回路化した場合にも半導体チップそのものを破壊しないように保護することができる過電流保護回路を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の課題を解決するために、本発明の請求項１に記載の過電流保護回路は、半導体素子からなり流入電流と流出電流で第１の出力端子を駆動する第１の出力回路と、半導体素子からなり流入電流と流出電流で第２の出力端子を駆動する第２の出力回路とを有し、前記第１の出力端子と前記第２の出力端子との間に負荷が接続され、前記第１の出力回路と前記第２の出力回路が電流を流入及び流出して前記負荷を駆動する出力駆動回路を、その過電流から保護する過電流保護回路であって、前記第１の出力回路の流入電流の過電流及び流出電流の過電流をそれぞれ検出する第１の過電流検出回路と、前記第２の出力回路の流入電流の過電流及び流出電流の過電流をそれぞれ検出する第２の過電流検出回路と、前記第１の過電流検出回路と前記第２の過電流検出回路の双方の過電流検出のそれぞれに伴い、前記第１の出力回路と前記第２の出力回路の両方の動作電流源を遮断する過電流制御回路とを備え、前記過電流制御回路を、前記動作電流源の遮断により、前記第１の出力回路および前記第２の出力回路の各流入電流の過電流及び各流出電流の過電流を制限するよう構成したことを特徴とする。
【００１２】
以上により、出力駆動回路に対して、出力端子がショートされる等の異常時に出力回路に過電流が発生した場合に、その過電流を検出し、正相側出力回路と逆相側出力回路の両方の動作電流源を遮断して、出力回路の過電流を抑えて停止させることにより、常に出力回路の定常的な平均電流の増加をなくすことができる。
【００１３】
また、本発明の請求項２に記載の過電流保護回路は、請求項１記載の過電流保護回路であって、前記過電流制御回路は、前記第１の出力回路と前記第２の出力回路の両方の動作電流源を遮断した状態を所定の時間保持するとともに、所定の時間経過した後に、その保持状態から復帰する機能を有する構成としたことを特徴とする。
【００１４】
以上により、出力駆動回路に対して、過電流が停止した後の一定時間は動作電流源を遮断する状態を保持し、その後、動作電流源が一旦オンに復帰して、再び過電流が発生した場合も、同様に動作電流源を遮断する過電流保護動作を継続させて、過電流を抑えることにより、常に出力回路の定常的な平均電流の増加をなくすことができる。
【発明の効果】
【００１５】
以上のように本発明によれば、出力駆動回路に対して、出力端子がショートされる等の異常時に出力回路に過電流が発生した場合に、その過電流を検出し、正相側出力回路と逆相側出力回路の両方の動作電流源を遮断して、出力回路の過電流を抑えて停止させることにより、常に出力回路の定常的な平均電流の増加をなくすことができる。
【００１６】
また、出力駆動回路に対して、過電流が停止した後の一定時間は動作電流源を遮断する状態を保持し、その後、動作電流源が一旦オンに復帰して、再び過電流が発生した場合も、同様に動作電流源を遮断する過電流保護動作を継続させて、過電流を抑えることにより、常に出力回路の定常的な平均電流の増加をなくすことができる。
【００１７】
以上のため、出力駆動回路において、出力端子が誤ってＧＮＤまたはＶＣＣにショートした場合や、出力端子間がショートした場合でも、それらの異常時に発生する過電流に対して、出力駆動回路を形成する半導体素子の発熱を抑えるとともに、その破壊を防止することができ、出力駆動回路を集積回路化した場合にも半導体チップそのものを破壊しないように保護することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態を示す過電流保護回路について、図面を参照しながら具体的に説明する。
（実施の形態１）
本発明の実施の形態１の過電流保護回路を説明する。
【００１９】
図１は本実施の形態１の過電流保護回路を有する半導体回路の一構成例を示す回路図である。本実施の形態１において、出力回路１５０は、コレクタがＶＣＣに接続されエミッタが出力端子４０に接続されたＮＰＮトランジスタＱ１と、コレクタが出力端子４０に接続されエミッタがＧＮＤに接続されたＮＰＮトランジスタＱ２と、入力端子１０から信号が入力され出力端子４０に増幅した信号を出力する非反転増幅器２０と、トランジスタＱ１、Ｑ２と非反転増幅器２０の動作電流源である電流源Ｉ１と、電流源Ｉ１からの電流供給を制御するスイッチ回路３０とで構成されている。出力回路１６０は、出力回路１５０の構成に対して、非反転増幅器２０を反転増幅器１２０に置き換えた構成と同様であり、入力端子１０から信号が入力され反転増幅器１２０により出力端子１４０に増幅した信号を出力する。出力端子４０と出力端子１４０間にはスピーカ１０１が接続され、出力回路１５０と出力回路１６０とで出力駆動回路としてのＢＴＬ出力回路を構成している。
【００２０】
過電流検出回路１７０は、出力回路１５０と接続され、出力回路１５０のトランジスタＱ１とベースとエミッタが共通でカレントミラーを形成するＮＰＮトランジスタＱ３と、トランジスタＱ３のコレクタとＶＣＣ間に接続された抵抗Ｒ１と、トランジスタＱ３のコレクタにベースが接続されエミッタがＶＣＣに接続されたＰＮＰトランジスタＱ４と、出力回路１５０のトランジスタＱ２とベースとエミッタが共通でカレントミラーを形成するＮＰＮトランジスタＱ５と、トランジスタＱ５のコレクタとＶＣＣ間に接続された抵抗Ｒ２と、トランジスタＱ５のコレクタにベースが接続されエミッタがＶＣＣに接続されたＰＮＰトランジスタＱ６とで構成され、出力回路１５０におけるトランジスタＱ１、Ｑ２の過電流を検出する。
【００２１】
過電流検出回路１８０は、過電流検出回路１７０の構成に対して、出力回路１５０との接続を出力回路１６０との接続に置き換えた構成と同様であり、出力回路１６０におけるトランジスタＱ２１、Ｑ２２の過電流を検出する。
【００２２】
過電流制御回路１９０は、過電流検出回路１７０、１８０で共通に接続されたトランジスタＱ４、Ｑ６、Ｑ２４、Ｑ２６のコレクタに、ダイオード接続されたコレクタとベースが接続されたトランジスタＱ７と、トランジスタＱ７のベースおよびコレクタとＧＮＤ間に接続された抵抗Ｒ３とで構成され、トランジスタＱ７のエミッタが出力回路１５０、１６０におけるスイッチ回路３０、１３０の制御端子に接続されている。
【００２３】
過電流検出回路１７０、１８０と過電流制御回路１９０とで過電流保護回路を構成しており、過電流検出回路１７０あるいは過電流検出回路１８０の少なくとも一方が当該出力回路の過電流を検出したときに、過電流制御回路１９０により、スイッチ回路３０、１３０を制御して、出力回路１５０、１６０の動作電流源Ｉ１、Ｉ２１を同時に遮断する。
【００２４】
以上のように構成された過電流保護回路について、その動作を以下に説明する。
図１において、スピーカ１０１に信号が出力されている通常動作状態では、過電流検出回路１７０、１８０のトランジスタＱ４、Ｑ６、Ｑ２４、Ｑ２６がオフしているため、過電流検出回路１７０、１８０は、過電流制御回路１９０へ電流を出力していない。このため、過電流制御回路１９０では、トランジスタＱ７がオフするので、スイッチ回路３０、１３０をそれぞれがオンするように制御している。したがって、出力回路１５０、１６０には動作電流Ｉ１、Ｉ２１が供給され、出力端子４０、１４０から通常の信号が出力される。
【００２５】
ここで、例えば出力端子４０と出力端子１４０が誤ってショートした場合は、入力端子１０から例えば正弦波信号の正の半波が入力されると、出力端子４０からは正弦波の正の半波が、出力端子１４０からは正弦波の負の半波が出力された状態になり、ＶＣＣから出力回路１５０のトランジスタＱ１及びショートされた出力端子４０と出力端子１４０間、さらに出力回路１６０のトランジスタＱ２２を介して、ＧＮＤへ流れる過電流が発生する。
【００２６】
このため、トランジスタＱ１とカレントミラーを形成する過電流検出回路１７０のトランジスタＱ３、及びトランジスタＱ２２とカレントミラーを形成する過電流検出回路１８０のトランジスタＱ２５に流れる電流が増加するので、過電流検出回路１７０の抵抗Ｒ１と過電流検出回路１８０の抵抗Ｒ２２で発生する電圧降下が上昇する。この電圧降下が、過電流検出回路１７０のトランジスタＱ４、及び過電流検出回路１８０のトランジスタＱ２６における各々のＶｂｅで設定されたどちらかの閾値を越えると、トランジスタＱ４、またはトランジスタＱ２６がオンし、過電流制御回路１９０へ電流を出力する。このように、過電流検出回路１７０、１８０は、それぞれ出力回路１５０と出力回路１６０に発生する過電流を検出している。
【００２７】
また、出力端子４０と出力端子１４０が誤ってショートした場合に、入力端子１０から正弦波信号の負の半波が入力され、出力端子４０から正弦波の負の半波が、出力端子１４０から正弦波の正の半波が出力する場合においても、過電流を検出する動作は上記と同様である。
【００２８】
そして、過電流制御回路１９０では、過電流検出回路１７０または過電流検出回路１８０から入力された電流が所定値以上なり、トランジスタＱ７がオンすることによって、出力回路１５０のスイッチ回路３０と出力回路１６０のスイッチ回路１３０をオンからオフに切替える。これによって、電流源Ｉ１と電流源Ｉ２１からの出力回路１５０と出力回路１６０への両方の動作電流を遮断することができる。
【００２９】
従って、出力回路１５０と出力回路１６０は動作を停止し、トランジスタＱ１、Ｑ２、Ｑ２１、Ｑ２２もオフするため、ＶＣＣから、ショートされた出力端子４０と出力端子１４０間を介してＧＮＤへ過電流が流れることが防止される。
【００３０】
なお、出力端子４０または出力端子１４０がＧＮＤにショートされた場合や、ＶＣＣにショートされた場合など、出力回路１５０、１６０に過電流が発生する場合においては、前述の出力端子４０と出力端子１４０がショートした場合と同様の過電流保護回路の動作によって、出力回路１５０と出力回路１６０への両方の動作電流を遮断し、どのような出力端子の異常状態においても過電流が防止できる。
（実施の形態２）
本発明の実施の形態２の過電流保護回路を説明する。
【００３１】
図２は本実施の形態２の過電流保護回路を有する半導体回路の一構成例を示す回路図である。なお、図２において図１と同一部分には同一符号を付して、詳細な説明を省略する。本実施の形態２において、過電流制御回路２００のＮＰＮトランジスタＱ７は、過電流検出回路１７０または過電流検出回路１８０の少なくとも一方で過電流を検出したときにオンし、このＮＰＮトランジスタＱ７は、ベースとコレクタがダイオード接続されてトランジスタＱ４、Ｑ６、Ｑ２４、Ｑ２６のコレクタに接続され、さらに抵抗Ｒ３を介してＧＮＤに接続されている。また、トランジスタＱ７のエミッタは、トランジスタＱ７がオンすると同様にオンするＮＰＮトランジスタＱ８のベースが接続されている。トランジスタＱ８は、エミッタがＧＮＤに接地され、コレクタ−ベース間にコンデンサＣ１が接続されている。トランジスタＱ８とコンデンサＣ１は、トランジスタＱ８のオン時間を制御するフィルタを構成している。
【００３２】
ＮＰＮトランジスタＱ９のベースとコレクタは、ダイオード接続されてトランジスタＱ８のコレクタに接続されるとともに、さらに電流源Ｉ２を介してＶＣＣに接続されている。ここで、トランジスタＱ８がオンするとトランジスタＱ９はオフされる。トランジスタＱ９のエミッタは、ダイオード接続されたＮＰＮトランジスタＱ１０のベースとコレクタに接続され、トランジスタＱ９がオンするとともにトランジスタＱ１０はオンする。トランジスタＱ１０のエミッタは、エミッタがＧＮＤに接地されたＮＰＮトランジスタＱ１１のベースに接続され、トランジスタＱ１１はトランジスタＱ９、Ｑ１０がオンするとともにオンする。トランジスタＱ１１のコレクタは、抵抗Ｒ４を介してＶＣＣに接続され、トランジスタＱ１１がオンすることによって出力回路１５０、１６０のスイッチ回路３０、１３０をオンに制御し、トランジスタＱ１１がオフすることによって出力回路１５０、１６０のスイッチ回路３０、１３０をオフに制御する。以上のトランジスタＱ７、Ｑ８、Ｑ９、Ｑ１０、Ｑ１１、コンデンサＣ１、抵抗Ｒ３、Ｒ４、電流源Ｉ２で、過電流制御回路２００を構成している。
【００３３】
以上のように構成された過電流保護回路について、その動作を以下に説明する。なお、出力回路１５０、１６０で過電流が発生して、過電流検出回路１７０、１８０において過電流が検出される動作については、実施の形態１と同様のため、ここでの詳細な説明を省略する。
【００３４】
図２において、出力端子４０と出力端子１４０が誤ってショートされ、入力端子１０から例えば正弦波信号が入力された場合、実施の形態１の場合と同様に、出力回路１５０、１６０で過電流が発生する。この過電流が、過電流検出回路１７０または１８０によって検出されるため、過電流制御回路２００へ電流が入力される。過電流制御回路２００へ入力された電流は、過電流制御回路２００の抵抗Ｒ３を介してＧＮＤへ流れるので、抵抗Ｒ３において電圧降下が発生し、トランジスタＱ７、Ｑ８がオンする。
【００３５】
ここで、トランジスタＱ８がオンすると、電流源Ｉ２からの電流がトランジスタＱ８へ流れ、トランジスタＱ９のベースおよびコレクタ電圧がトランジスタＱ８の飽和電圧まで低下するため、トランジスタＱ９、Ｑ１０、Ｑ１１がオフする。さらに、トランジスタＱ１１のコレクタは、抵抗Ｒ４を介してＶＣＣに接続されているため、トランジスタＱ１１がオンからオフすることによって、トランジスタＱ１１のコレクタ電圧がＬＯＷ電圧からＨＩＧＨ電圧に変化する。トランジスタＱ１１のコレクタ電圧がＨＩＧＨ電圧になると、出力回路１５０、１６０のスイッチ回路３０、１３０がオンからオフに切り替わり、出力回路１５０、１６０の動作電流が遮断される。
【００３６】
同時に出力端子を駆動するための出力回路１５０のトランジスタＱ１、Ｑ２と出力回路１６０のトランジスタＱ２１、Ｑ２２もオフとなるため、出力回路１５０、１６０に発生した過電流が停止する。このため、過電流検出回路１７０での過電流検出も停止する。ここで、過電流制御回路２００には電流が入力されなくなるため、トランジスタＱ７はオフするが、トランジスタＱ８のベース−コレクタ間に接続されているコンデンサＣ１が充電されていることによって、トランジスタＱ８のベース電圧が保持されるので、トランジスタＱ８は、オンの状態が保たれる。このようにトランジスタＱ８がオンしている状態を保持されている間は、過電流制御回路２００の動作によって、出力回路１５０、１６０への動作電流が遮断されている状態が継続するため、出力回路１５０、１６０での過電流の遮断を継続することができる。
【００３７】
その後、一定時間が経過すると、コンデンサＣ１はトランジスタＱ８のベース電流によって放電されるため、トランジスタＱ８はオンからオフに切り替わる。過電流が一旦遮断され、その後トランジスタＱ８がオフになったとすると、トランジスタＱ９、Ｑ１０、Ｑ１１がオンし、トランジスタＱ１１のコレクタ電圧はＬＯＷ電圧を出力するので、出力回路１５０、１６０の動作電流がオンされる。このとき、出力端子４０と出力端子１４０がショートされ、入力端子１０から信号が入力されている状態が継続していれば、再び、出力回路１５０、１６０に過電流が発生し、過電流検出回路１７０または１８０で過電流が検出される。以後、このような過電流保護動作が繰り返される。
【００３８】
また、出力回路１５０、１６０における過電流が遮断された状態を保持する時間は、トランジスタＱ８のベース電流によるコンデンサＣ１の放電時間によって決まるため、十分長く設定できる。このため、出力回路１５０、１６０における定常的な平均電流の増加を防ぐことができる。
【００３９】
なお、出力端子４０または出力端子１４０がＧＮＤにショートされた場合や、ＶＣＣにショートされた場合など、出力回路１５０、１６０に過電流が発生する場合においては、前記の出力端子４０と出力端子１４０がショートした場合と同様に過電流保護回路が動作する。
【００４０】
このように、出力端子がショートされるなどの異常時に発生する出力回路の過電流をフィルタで状態を保持して防止できるので、出力回路の半導体素子及び半導体集積回路化した場合のパッケージが全く発熱することがなく、また出力回路を構成している半導体素子の破壊を防ぐことができる。
【００４１】
なお、上記の各実施の形態において、負荷として出力端子４０、１４０に接続したスピーカ１０１は、他の抵抗負荷やコイル負荷など、出力回路１５０、１６０の動作に影響を与えないものであれば、どのような負荷であってもよく、同様の効果が得られる。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明の過電流保護回路は、ＢＴＬ出力回路等の出力駆動回路において、出力端子が誤ってＧＮＤまたはＶＣＣにショートした場合や、出力端子間がショートした場合でも、それらの異常時に発生する過電流に対して、出力駆動回路を形成する半導体素子の発熱を抑えるとともに、その破壊を防止することができ、出力駆動回路を集積回路化した場合にも半導体チップそのものを破壊しないように保護することができるもので、スピーカが接続される出力端子がショートされた場合等の異常時に、過電流のために半導体素子が発熱、さらに破壊することを防止する機能が必要な情報通信機器に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の実施の形態１の過電流保護回路を有する半導体回路の構成を示す回路図
【図２】本発明の実施の形態２の過電流保護回路を有する半導体回路の構成を示す回路図
【図３】従来の出力駆動回路であるＢＴＬ出力回路の構成を示す回路図
【符号の説明】
【００４４】
１０、２１０    入力端子
２０、２２０    非反転増幅器
１２０、２３０    反転増幅器
３０、１３０    スイッチ回路
４０、１４０、２４０、２５０    出力端子
１５０、１６０、２６０、２７０    出力回路
１７０、１８０    過電流検出回路
１９０、２００    過電流制御回路
Ｑ１〜３、Ｑ５、Ｑ７〜１１、Ｑ２１〜２３、Ｑ２５、Ｑ３１〜３２、Ｑ４１〜４２    ＮＰＮトランジスタ
Ｑ４、Ｑ６、Ｑ２４、Ｑ２６    ＰＮＰトランジスタ
Ｒ１〜４、Ｒ２１、Ｒ２２    抵抗
Ｃ１    コンデンサ
Ｉ１〜２、Ｉ２１、Ｉ３１、Ｉ４１    電流源
１０１、２０１    スピーカ
【図１】
2006101044.tif 000003
【図２】
2006101044.tif 000004
【図３】
2006101044.tif 000005