(57)【要約】【課題】  高速オーバーライトを実現するために結晶化速度の高い相変化記録材料を用いた際に非晶質の形成が困難となる問題を解決した、ＤＶＤと同等以上の記録密度を有し、ＤＶＤの１６倍速（５６ｍ／ｓ）程度までの高線速記録に適した相変化型光記録媒体の提供。【解決手段】  透明基板上に少なくとも第１保護層／記録層／第２保護層／金属−非金属転移層／反射層がこの順又は逆順に形成され、第１保護層側からレーザー光を照射して記録層の非晶質相と結晶相との可逆的な相変化を利用して記録再生を行う光記録媒体であって、記録層の転移線速が２５ｍ／ｓ以上であることを特徴とする相変化型光記録媒体。【選択図】        図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に少なくとも第１保護層／記録層／第２保護層／金属−非金属転移層／反射層がこの順又は逆順に形成され、第１保護層側からレーザー光を照射して記録層の非晶質相と結晶相との可逆的な相変化を利用して記録再生を行う光記録媒体であって、記録層の転移線速が２５ｍ／ｓ以上であることを特徴とする相変化型光記録媒体。
【請求項２】
金属−非金属転移層がバナジウム酸化物を主成分とすることを特徴とする請求項１記載の相変化型光記録媒体。
【請求項３】
バナジウム酸化物がＶ２Ｏ５であることを特徴とする請求項２記載の相変化型光記録媒体。
【請求項４】
金属−非金属転移層の膜厚が１〜３０ｎｍであることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の相変化型光記録媒体。
【請求項５】
反射層がＡｇ又はＡｇ合金からなることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の相変化型光記録媒体。
【請求項６】
記録層が、ＩｎとＳｂとＭ（ＭはＩｎ、Ｓｂ以外の元素又はそれらの混合物）からなることを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の相変化型光記録媒体。
【請求項７】
第１保護層と第２保護層がＺｎＳとＳｉＯ２の混合物からなることを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載の相変化型光記録媒体。
【請求項８】
第１保護層と記録層との間、及び／又は、記録層と第２保護層との間に界面層を設けたことを特徴とする請求項１〜７の何れかに記載の相変化型光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＤＶＤと同等以上の記録密度を有し、ＤＶＤの１６倍速（５６ｍ／ｓ）程度までの高線速記録に適した相変化型光記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
バナジウム酸化物を記録層と反射層との間に設けた発明としては特許文献１記載のものがある。この発明は、ディスク基板上に、第１の誘電体層、第２の誘電体層、記録層、第３の誘電体層、第４の誘電体層、反射層を順次積層し、更にその上に密着した保護層を設けたディスクにおいて、高温高湿試験に投入すると反射層に腐食が観察されたため、銀の硫化防止を目的として、第４の誘電体層と反射層の間に元素α（αはＳｎ、Ｉｎ、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｔａ、Ｖ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｇｅのうち少なくとも１元素）の窒化物、酸化物、炭化物、あるいは窒酸化物を含むバリア層を設けるものである。
しかし、本発明とは課題が異なる上に、バリア層として使用できる可能性のある膨大な化合物を羅列している中にバナジウム酸化物が含まれているにすぎず、本発明のように、バナジウム酸化物の金属−非金属転移に着眼したものではない。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−７４７４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
半導体レーザービームの照射により情報の記録・再生・消去が可能な光記録媒体には、磁化の反転を行い記録消去する光磁気記録方式と、結晶と非晶質（アモルファス）の可逆的相変化を利用して記録消去する相変化記録方式がある。後者は単一ビームオーバーライトが可能であり、ドライブ側の光学系もより単純であることを特徴とし、コンピューター関連や映像音響に関する記録媒体として応用されている。
相変化型光記録媒体は基板上の記録層薄膜にレーザー光を照射することにより記録層を加熱し、記録層構造を結晶と非晶質間で相変化させることによりディスク反射率を変えて情報を記録・消去するものである。通常は記録状態が非晶質相、消去状態が結晶相になるようにしており、基板上に第１保護層、記録層、第２保護層などを成膜して形成された媒体は、更に、大口径レーザービーム照射等により初期結晶化された状態で使用が開始される。記録（結晶→非晶質）したい領域では高パワーのレーザーを照射し記録層を融点以上に加熱する。加熱された記録層は溶融後、レーザーの通過に伴い、ある温度プロファイルで冷却される。この冷却速度を記録層材料の持つ結晶化速度以上にすることにより記録層は非晶質化する。一方、消去（非晶質→結晶）したい領域では中間的なパワーのレーザーを照射し記録層が結晶化できる温度以上に一定時間保持する。この温度で加熱された記録層は非晶質状態からより安定な結晶状態へ相変化する。
【０００５】
相変化記録媒体は、今後、高密度画像記録への用途が拡大すると予想され、そのためには高速オーバーライトを実現する必要がある。高速オーバーライトを行う場合、非晶質マークを高速結晶化する必要があるため、ＧａＳｂ、ＩｎＳｂに代表される高結晶化速度を有する相変化記録材料が用いられてきた。
しかし、一般的に結晶化速度が高くなるにつれて非晶質の形成は困難となる。そこで、記録材料の非晶質形成が容易となるような層構成の設計が重要となる。理想的な層構成を設計する際の一つの指針は、記録時に照射されたレーザー光による記録層の最高到達温度が高く、かつ、その後の冷却速度が大きくなる層構成とすることである。
第２保護層は、記録層と反射層との間に設けられ、記録時にレーザー光照射により記録層に加わった熱を篭らせて蓄熱する一方で、反射層に伝熱し、熱を逃がす役割を担うものである。このため層構成の設計は、第２保護層に代表される、記録層と反射層との間に設けられた層の材料の熱伝導率や膜厚を最適化することにより行うことができる。しかし、第２保護層の膜厚を厚くすると、到達温度は高くなるが冷却速度が低下してしまうし、膜厚を薄くすると、冷却速度は高くなるが到達温度が低下してしまう。同様に、第２保護層材料の熱伝導率を調整しても、到達温度と冷却速度の両立は困難である。
したがって、本発明は、高速オーバーライトを実現するために結晶化速度の高い相変化記録材料を用いた際に非晶質の形成が困難となる問題を解決し、ＤＶＤと同等以上の記録密度を有し、ＤＶＤの１６倍速（５６ｍ／ｓ）程度までの高線速記録に適した相変化型光記録媒体の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題は次の１）〜８）の発明（以下、本発明１〜８という）によって解決される。
１）  透明基板上に少なくとも第１保護層／記録層／第２保護層／金属−非金属転移層／反射層がこの順又は逆順に形成され、第１保護層側からレーザー光を照射して記録層の非晶質相と結晶相との可逆的な相変化を利用して記録再生を行う光記録媒体であって、記録層の転移線速が２５ｍ／ｓ以上であることを特徴とする相変化型光記録媒体。
２）  金属−非金属転移層がバナジウム酸化物を主成分とすることを特徴とする１）記載の相変化型光記録媒体。
３）  バナジウム酸化物がＶ２Ｏ５であることを特徴とする２）記載の相変化型光記録媒体。
４）  金属−非金属転移層の膜厚が１〜３０ｎｍであることを特徴とする１）〜３）の何れかに記載の相変化型光記録媒体。
５）  反射層がＡｇ又はＡｇ合金からなることを特徴とする１）〜４）の何れかに記載の相変化型光記録媒体。
６）  記録層が、ＩｎとＳｂとＭ（ＭはＩｎ、Ｓｂ以外の元素又はそれらの混合物）からなることを特徴とする１）〜５）の何れかに記載の相変化型光記録媒体。
７）  第１保護層と第２保護層がＺｎＳとＳｉＯ２の混合物からなることを特徴とする１）〜６）の何れかに記載の相変化型光記録媒体。
８）  第１保護層と記録層との間、及び／又は、記録層と第２保護層との間に界面層を設けたことを特徴とする１）〜７）の何れかに記載の相変化型光記録媒体。
【０００７】
以下、上記本発明について詳しく説明する。
本発明１における転移線速は、以下の手順で測定されるものである。
光記録媒体を一定線速で回転させ、ピックアップでトラッキングしながら連続光を１周に渡って照射した後、反射率を測定する。照射する連続光のパワーを一定とし、回転線速を変えて同じ測定をすると、線速が遅い場合には反射率が高いが、ある線速以上になると反射率が低下し始める。この反射率が低下し始める線速を転移線速と呼ぶ。結晶化速度が速い記録材料ほど転移線速は大きくなる。
本発明者らが検討した結果によると、転移線速が２５ｍ／ｓ以上であるような高い結晶化速度を有する記録層材料では、非晶質化の課題が顕著となる。そのため、層構成による熱設計が重要となる。
【０００８】
光記録媒体の熱設計を層構成により行う場合、第２保護層に代表される、記録層と反射層との間に設けられた層の材料の熱伝導率や膜厚を調整することが一般的であるが、第２保護層の膜厚や材料の熱伝導率の調整では到達温度と冷却速度の両立は困難である。
本発明者らは、膜厚と材料の熱伝導率以外の設計自由度を導入することについて検討し、従来の第２保護層に加えて、金属−非金属転移層を設けることにより、実質的に高温域と低温域での熱伝導率という２種類の熱伝導率を導入でき、非晶質形成に一層適した層構成の設計が可能となり、記録感度を向上させることができることを見出した。
金属−非金属転移材料とは、温度・圧力・組成などで金属相と非金属相の間の転移を起す材料をいうが、本発明では、温度による変化に着目している。金属−非金属転移層は、臨界温度Ｔｃを境に低温では非金属相であり、高温では金属相となる。このため、Ｔｃを境に顕著な熱伝導率の変化を生じ、低温相では低熱伝導性、高温相では熱伝導性を示す。
【０００９】
金属−非金属転移層には、ＮｉＳ、ＳｍＳ、バナジウム酸化物など金属−非金属転移を起こす材料を主成分としたものを用いることができるが、中でもバナジウム酸化物を主成分とする材料が安定性の観点から好ましい。バナジウム酸化物を主成分とし、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５等の金属酸化物、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮ等の窒化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣ等の炭化物を混合することにより、膜の機械強度を高めることができ、繰り返し記録時の膜劣化を抑制することができる。ここで主成分とは、６０モル％以上含まれていることを指す。
バナジウム酸化物としては、ＶＯ２、Ｖ２Ｏ５が挙げられるが、中でもＶ２Ｏ５が好ましい。Ｖ２Ｏ５のＴｃは２５７℃であり、非金属層の光学ギャップは２．２４ｅＶと大きい。Ｔｃが高いため低温相（非金属相）の温度範囲が広く、低温領域における記録層の温度上昇が大きくなり、到達温度を上げるのに有利である。また、光学ギャップが大きいので、低温相においてレーザー波長に対して光学的な透明性を示し、非金属転移層での吸収によるレーザー光の減衰が生じないため、感度上昇を大きくすることができる。
金属−非金属転移層の膜厚は１〜３０ｎｍが好ましく、更に好ましくは２〜１５ｎｍである。１ｎｍより薄いと効果が明確に現れず、３０ｎｍより厚いと再生光安定性が低下する。上記範囲であれば、感度上昇効果を得ることができる。
【００１０】
第１、第２保護層材料としては、ＳｉＯ２、ＺｎＯ、ＳｎＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５等の金属酸化物、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮ等の窒化物、ＺｎＳ、ＴａＳ４等の硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣ等の炭化物が挙げられる。これらの材料は、単体で保護層として用いても、混合物として用いてもよい。例えば、混合物としては、ＺｎＳとＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５とＳｉＯ２が挙げられる。これらの材料を第１、第２保護層として用いる際に考慮すべき材料物性としては、熱伝導率、比熱、熱膨張係数、屈折率及び、基板材料又は記録層材料との密着性等があり、融点が高く、熱膨張係数が小さく、密着性がよいといったことが要求される。
ここで、第２保護層は、記録時にレーザー光照射による記録層に加わった熱を篭らせて蓄熱する一方で、反射層に伝熱し、熱を逃がす役割を担うものであり、繰り返しオーバーライト特性を左右する。
本発明者らの知見によると、第１、第２保護層材料としては、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物が好ましく、繰り返しオーバーライト特性を高めることができる。
【００１１】
第１保護層の膜厚は、５０〜２５０ｎｍ、好ましくは７５〜２００ｎｍである。５０ｎｍより薄くなると、耐環境性保護機能の低下、耐熱性低下を生じ好ましくない。２５０ｎｍより厚くなると、スパッタ法等による製膜過程において、膜温度の上昇により膜剥離やクラックが生じたり、記録時の感度の低下をもたらすので好ましくない。
第２保護層の膜厚は１０〜１００ｎｍ、好ましくは１５〜５０ｎｍとする。１０ｎｍより薄いと、基本的に耐熱性が低下し好ましくない。１００ｎｍを越えると、記録感度の低下、温度上昇による膜剥離、変形、放熱性の低下により繰り返しオーバーライト特性が悪くなる。
第１保護層と記録層との間、及び／又は、記録層と第２保護層との間に、酸化物からなる界面層を設けることにより、良好な高速オーバーライト特性が得られる。
界面層として用いる酸化物としては、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｙ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＣａＯ、Ｎｂ２Ｏ５、希土類酸化物から選ばれる１種以上が好ましく、特に好ましいのは、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５から選ばれる１種以上を主成分とするもの、或いは、これらに加えて、Ｙ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＣａＯ、Ｎｂ２Ｏ５、希土類酸化物から選ばれる１種以上の酸化物を含むものである。ここで、主成分とは、４０モル％以上含まれていることを指す。
酸化物からなる界面層の膜厚は、１〜２０ｎｍが好ましい。１ｎｍより薄いと効果が明確でなく、２０ｎｍより厚くなるとオーバーライト特性が低下してしまう。
【００１２】
界面層を設けることにより繰り返し記録特性が向上する理由は明確ではないが、以下のように推測している。
繰り返し記録耐久性を向上させるためには、非晶質−結晶間の相転移を繰り返し速やかに行う必要がある。繰り返し記録によりジッターが上昇してしまう場合、マーク間、及び、短いマークの反射率が低下する現象が見られる。これは、繰り返し記録の際、消去、即ち結晶化がうまく行われず、一部初期の結晶状態に戻らない反射率が低い部分が蓄積されていったためと推測される。本発明の構成にすると、繰り返し記録によってもマーク間や短マークの反射率の低下は見られなくなり、ジッターの上昇は抑えられる。これは、酸化物からなる界面層に核形成促進効果があり、比較的低温における結晶化を促進しているためと推測される。
【００１３】
結晶化は結晶核の生成と結晶成長２つのプロセスを経て進行する。図１に非晶質マークにレーザーが照射され、結晶部との界面から結晶成長が進行し、結晶化していく様子を模式的に示した。
図２には温度と結晶成長速度の関係を示した。図２から分かるように結晶成長が高速で進行するのは融点直下の特定の温度範囲である。従って、マークの端が結晶成長が高速で進行できる温度に達しなかった場合には、結晶成長の進行が遅いために消し残りが生じてしまう。記録ビームが照射されたとき、結晶成長が高速で進行する温度以上になる領域がマークの幅に対して十分大きければ、マークの端から高速に結晶化が進行するが、マークの幅と同程度であると、マークの太さが均一でなく一部太くなってしまっている場合や、記録ビームのトラッキングが中心部から少しずれてしまった場合、マークの端が全て結晶成長が高速に進行する温度にはならないことがあるため、消し残りが生じてしまうことになる。
記録層に接して酸化物からなる界面層を設けた場合には、マークの端の温度が低めで結晶成長速度が十分速くない場合でも、マーク内部に結晶核が生成され、結晶核からの結晶成長により結晶化が進行するので、消し残りが生じにくくなり、繰り返し記録耐久性が向上すると推測される。
【００１４】
記録層には、例えば、Ｇｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｓｅ、Ｉｎ−Ｓｂ、Ｇａ−Ｓｂ、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ等を用いることができるが、中でも、高速記録を実現する記録材料としては、ＩｎＳｂ系材料が好ましい。ＩｎＳｂ系材料は、結晶化速度が大きい上、記録感度が高い。このため、良好な高線速記録特性を示す。
特に、組成をＭγＩｎαＳｂβ（α、β、γは原子％、ＭはＩｎ、Ｓｂ以外の元素又はそれらの混合物）として、次の条件を満たすものが好適である。
０．７３≦β／（α＋β）≦０．９０
０≦γ≦２０
α＋β＋γ＝１００
ＩｎＳｂの共晶組成はＩｎ３２Ｓｂ６８付近であるが、本発明者らが検討した結果によると、共晶組成を中心にして、ＩｎとＳｂ量の和に対するＳｂ量の割合、β／（α＋β）が大きくなるにつれて結晶化速度が増すことが分かった。好ましい範囲は、０．７３≦β／（α＋β）≦０．９０である。０．７３未満では、結晶化速度が不足し、１６倍速以上の線速下でのオーバーライトが難しくなる。また、０．９０を越えると、保存信頼性が低下する。より好ましくは０．８０＜β（α＋β）≦０．９０である。０．８０＜β／（α＋β）として、結晶化速度に余裕を持たせることで媒体設計上のマージンが広がる。例えば、光記録媒体を構成する際に、記録層の膜厚や、他の層の材料、膜厚のマージンが広がる。
【００１５】
ＩｎＳｂには元素Ｍを添加することにより更に特性を向上させることができる。ここでＭはＩｎ、Ｓｂ以外の元素又はそれらの混合物であり、Ｇｅ、又はＧｅと、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｎ、Ｔｅ、Ｈ、Ｓｎ、Ｐｄよりなる群から選ばれた少なくとも１種の元素の混合物であることが好ましい。
元素Ｍの添加量γが２０原子％を越えるとオーバーライト特性が低下する。また、γは十分な効果が得られる点から２原子％以上が好ましい。
記録層の昇温速度１０℃／分での結晶化温度は、１５０〜２５０℃であることが好ましい。これにより、記録材料としての高い保存信頼性を確保することができる。
記録層の膜厚は６〜２２ｎｍとすることが好ましく、更に好ましくは１０〜１８ｎｍとする。６ｎｍ未満では記録層としての機能を果さないし、２２ｎｍを越えると記録感度の低下や繰り返し特性の低下を招く。
【００１６】
反射層は光反射層としての役割を果たす一方で、記録時にレーザー光照射により記録層に加わった熱を逃がす放熱層としての役割も担っている。非晶質マークの形成は、放熱による冷却速度により大きく左右されるため、反射層の選択は高線速対応媒体では特に重要である。
反射層材料としては、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ及びこれらを主成分とする合金が好ましいが、中でも、熱伝導率の非常に大きいＡｇ又はＡｇ合金を用いると、冷却速度が大きくなり、記録感度を高めると共に、良好な非晶質形成を実現することができる。
反射層の膜厚は１００〜３００ｎｍが望ましい。反射層の放熱能力は基本的には層の厚さに比例するので、１００ｎｍ未満では冷却速度が低下するため好ましくない。一方、３００ｎｍ以上であると、材料コストの増大を招くので好ましくない。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、高速オーバーライトを実現するために結晶化速度の高い相変化記録材料を用いた際に非晶質の形成が困難となる問題を解決し、ＤＶＤと同等以上の記録密度を有し、ＤＶＤの１６倍速（５６ｍ／ｓ）程度までの高線速記録に適した相変化型光記録媒体を提供できる。
【実施例】
【００１８】
以下、実施例及び比較例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明は、これらの実施例により何ら限定されるものではなく、製造条件も適宜変更可能である。
何れの実施例及び比較例も、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍで、約８２０ｋＨｚの周期で蛇行している、トラックピッチ０．７４μｍ、溝幅０．２５μｍ、溝深さ２５ｎｍの案内溝付きポリカーボネートディスク基板上に、第１保護層、下部界面層、記録層、第２保護層、金属−非金属転移層、反射層をこの順番に、アルゴンガス圧３×１０−３ｔｏｒｒとしてスパッタにより成膜し、更に、反射層上に、スピンコートにより形成した膜厚５μｍの有機保護膜（大日本インキ化学工業社、ＳＤ−３１８）を介して、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネートディスクを接着し、次いでビーム径１×７５μｍ、波長８１０ｎｍの半導体レーザービームにより初期化したものを試料として用いた。
【００１９】
実施例１
各層に次の材料を用いて相変化型光記録媒体を得た。
第１保護層にはＺｎＳ・ＳｉＯ２ターゲットを用い、膜厚６５ｎｍとした。
記録層には、組成がＩｎ１８Ｓｂ７８Ｔｅ４である合金ターゲットを用い、膜厚１６ｎｍとした。
第２保護層には、ＺｎＳ・ＳｉＯ２ターゲットを用い、膜厚１１ｎｍとした。
下部界面層は、ＺｒＯ２−ＴｉＯ２−Ｙ２Ｏ３ターゲットを用い、膜厚２ｎｍとした。
金属−非金属転移層には、Ｖ２Ｏ５ターゲットを用い、膜厚４ｎｍとした。
反射層には、純銀ターゲットを用い、膜厚１２０ｎｍとした。
【００２０】
実施例２
金属−非金属転移層に、Ｖ２Ｏ５−ＳｉＯ２（８０：２０モル％）をターゲットに用い、膜厚４ｎｍとした点以外は、実施例１と同様にして相変化型光記録媒体を得た。
【００２１】
比較例１
金属−非金属転移層を設けず、第２保護層の膜厚を１１ｎｍとした点以外は、実施例１と同様にして相変化型光記録媒体を得た。
【００２２】
比較例２
記録層用のターゲットをＡｇ１Ｉｎ４Ｓｂ７５Ｔｅ２０とした点以外は、実施例１と同様にして相変化型光記録媒体を得た。
【００２３】
上記各相変化型光記録媒体について評価を行なった。
基板側から波長６５６ｎｍ、ＮＡ０．６５のピックアップを用いてレーザー光を照射し、線密度０．２６７μｍ／ｂｉｔ、２Ｔ周期のマルチパルスを用いた記録パルス波形によりＥＦＭ＋変調方式でランダムパターンを繰り返し記録した。記録パワー、記録ストラテジはジッターが最小となるように各々最適化して使用した。再生は全てパワー０．７ｍＷ、線速３．５ｍ／ｓで行い、データ・トゥ・クロック（ｄａｔａ  ｔｏ  ｃｌｏｃｋ）ジッター、及び反射率を測定した。
その結果、実施例１〜２は１６倍速（５６ｍ／ｓ）で、良好な繰り返し記録を行うことができた。なお、実施例１〜２は、ディスクを一定線速で線速回転させて１２ｍＷの連続光を照射したとき２５ｍ／ｓ以下の線速では反射率に変化はなく、転移線速は２５ｍ／ｓ以上であった。
これに対して、比較例１では、実施例１に比べて繰り返し記録に伴うジッター上昇が大きく、また変調度が小さかった。また、比較例２では、転移線速が２５ｍ／ｓ未満であり、８倍速を越える記録線速では記録を行うことができなかった。
この結果から、金属−非金属転移層を設けたことにより、結晶化速度の高い相変化記録材料を用いて高速オーバーライトが可能な高線速光記録媒体を実現できることが分かる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】非晶質マークにレーザーが照射され、結晶部との界面から結晶成長が進行し、結晶化していく様子を模式的に示す図。
【図２】温度と結晶成長速度の関係を示す図。
【図２】
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【図１】
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