(57)【要約】【課題】ベアＳＡＷチップを他の電子部品とともに誘電体基板に実装し、実装面積の縮小や低背化を実現可能とした高信頼性の高周波モジュールを得る。【解決手段】励振電極と、該励振電極を取り囲む接地電極と、入出力電極とが主面に形成されたベアＳＡＷチップの前記各電極を誘電体基板表面に形成された電極と対面させ、前記励振電極のＳＡＷ伝搬部分に密閉空間が形成されるように、前記ベアＳＡＷチップの接地電極および入出力電極と、誘電体基板側の前記電極とを導電性接着剤によって接続してなるとともに、前記誘電体基板表面に他の電子部品を搭載および／または基板表面に受動回路を形成してなる高周波モジュールであって、前記ベアＳＡＷチップおよび前記発熱性素子を熱伝導率が、前記誘電体基板の熱伝導率の０．１５倍〜１倍の熱硬化性樹脂で気密封止したことを特徴とする。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
励振電極と、該励振電極を取り囲む接地電極と、入出力電極とが主面に形成されたベアＳＡＷチップの前記各電極を誘電体基板表面に形成された電極と対面させ、前記励振電極のＳＡＷ伝搬部分に密閉空間が形成されるように、前記ベアＳＡＷチップの接地電極および入出力電極と、誘電体基板側の前記電極とを導電性接着剤によって接続してなるとともに、前記誘電体基板表面に発熱性素子を実装搭載してなる高周波モジュールであって、前記ベアＳＡＷチップおよび前記発熱性素子を熱伝導率が、前記誘電体基板の熱伝導率の０．１５倍〜１倍の熱硬化性樹脂で気密封止したことを特徴とする高周波モジュール。
【請求項２】
前記発熱性素子が、パワーアンプ、パワーコントロール、電源ＩＣの群から選ばれる少なくとも1種からなることを特徴とする請求項１記載の高周波モジュール。
【請求項３】
前記誘電体基板の表面や内部に、さらに、チップコンデンサ、インダクタ、抵抗、スイッチ、検波、電源コントロール、分波回路、合波回路、カプラ、バラン、フィルタの少なくとも１つを具備することの群から選ばれる少なくとも１つを具備することを特徴とする請求項１または請求項２記載の高周波モジュール。
【請求項４】
前記誘電体基板の線膨張係数が２５〜４００℃で８〜１８×１０−６／℃であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか記載の高周波モジュール。
【請求項５】
前記熱硬化性樹脂の前記ガラス転移温度以下の線膨張係数が２５〜８０×１０−６／℃であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか記載の高周波モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話、移動体通信、無線通信等に適用される小型化、低背化が可能な高周波モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話、無線ＬＡＮの市場は右肩上がりの成長が想定されており、第３世代の携帯電話の生産数は、急激に増加している。携帯電話の機能は第３世代に進歩するに従って、カメラ内蔵、テレビの受信、他の無線通信（ブルーツース、赤外線通信、無線ＬＡＮ）との併用化も進んでおり、高周波回路の占有面積は年々減少している。その為、携帯電話の部品は小形軽量化、複合化がめざましく、個々の性能をアップしつつ、部品点数の削減、低消費電力化への要求に対応する必要がある。
【０００３】
このような要求を実現するため、チップセットの集積化、性能向上が進んでおり、同様に周辺の高周波部品も集積化した高周波モジュールが提案されている。
【０００４】
携帯電話等の移動体通信機器に用いられる高周波部品のうち、弾性表面波（ＳＡＷ）フィルタ等の場合は、ＳＡＷチップが伝搬する励振電極に水分、塵埃等の異物が付着しないようにかつＳＡＷチップの伝搬を妨げないように中空状態で気密封止する必要がある。
【０００５】
そのため、従来より、図５に示すように、所定のベアＳＡＷチップ３１を励振電極３２が上面になるようにパッケージ３３内に収納し、ワイヤ３４によって、パッケージ３３の配線層３５と接続し、蓋体３６を接合して気密に封止した構造が提案されている（特許文献１参照）。しかしながら、ワイヤ３４を用いて接続するとワイヤ３４によって気密空間を高く形成する必要があるために、パッケージの低背化には限界があった。
【０００６】
また、図６のように、ベアＳＡＷチップ３１の励振電極３２を下面になるように配置し、半田３７によってパッケージ３３表面の配線層３５と接続する、いわゆるフェースダウンボンディングすることも提案されている（特許文献２参照）。かかる構造は、図５よりも低背化を図ることはできるが、蓋体３６を用いる以上、蓋体３６の厚みを解消できなかった。しかも、蓋体３６を用いる場合、蓋体３６のコストや高気密な接合工程が不可欠になるためにコストが高くなるなどの問題があった。
【０００７】
これらのパッケージ構造に対して、図７に示すように、パッケージ化することなく、ベアＳＡＷチップ３１の励振電極３２が下面になるように配置して基板３７表面の配線層３８、３８に直接実装した弾性表面波装置が提案されている（特許文献３参照）。かかる構造によれば、励振電極３２および入出力電極４０の周囲に接地電極４１を配置し、半田４２によって基板表面の配線層３８にそれぞれ接続することによって、励振電極接続部、入出力電極接続部を基板３７表面とベアＳＡＷチップ３１および接地電極４１接続部で囲まれた気密空間４３内に封止した構造からなる。また、このようなベアSAWチップは、携帯電話などの分波回路として用いられるが、その場合、高周波モジュールとして、図８に示すように、半導体増幅回路素子４４などともに、誘電体基板３７の表面に実装される。そして、この誘電体基板３７の表面に実装されたベアＳＡＷチップ３１や、増幅素子４４    などは、封止樹脂３９によって封止される。
【特許文献１】特開２００２−１１８４８７
【特許文献２】特開２００２−７６８３２
【特許文献３】特開２００２−１９６４００
【特許文献４】特開２００３−１６８９４２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、従来の図８に示すような、半導体増幅素子４４とベアＳＡＷチップ３１を１つの誘電体基板３７の表面に実装した高周波モジュールの場合、半導体増幅素子４４が発生する熱により、ベアＳＡＷチップ３１が加熱され、周波数特性が変化するという問題があった。とりわけ、誘電体基板を高熱伝導性を有するセラミックスなどによって形成した場合には、封止樹脂３７の熱伝導率は、誘電体基板３７の熱伝導率よりも格段に低いために、半導体増幅素子４４から発生した熱は、封止樹脂３９よりも誘電体基板３７の内部を優先的に伝熱する結果、誘電体基板３７の温度が上昇し、ベアＳＡＷチップ３１は、誘電体基板３７から熱せられてしまい、これによって周波数特性が変化してしまう。
【０００９】
従って、本発明の目的は、ベアＳＡＷチップを誘電体基板の表面に、半導体増幅素子などの発熱性素子とともに実装し、樹脂によって封止した回路基板において、半導体素子から発生した熱によってベアＳＡＷチップの周波数特性が変化することのない高周波モジュールを提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の高周波モジュールは、励振電極と、該励振電極を取り囲む接地電極と、入出力電極とが主面に形成されたベアＳＡＷチップの前記各電極を誘電体基板表面に形成された電極と対面させ、前記励振電極のＳＡＷ伝搬部分に密閉空間が形成されるように、前記ベアＳＡＷチップの接地電極および入出力電極と、誘電体基板側の前記電極とを導電性接着剤によって接続してなるとともに、前記誘電体基板表面に発熱性素子を実装搭載してなるものであって、前記ベアＳＡＷチップおよび前記発熱性素子を熱伝導率が、前記誘電体基板の熱伝導率の０．１５倍〜１倍の熱硬化性樹脂で気密封止したことを特徴とする。
【００１１】
また、この高周波モジュールにおいて、前記発熱性素子が、パワーアンプ、パワーコントロール、電源ＩＣの群から選ばれる少なくとも1種からなることを特徴とする。
【００１２】
また、前記誘電体基板の表面や内部には、さらに、チップコンデンサ、インダクタ、抵抗、スイッチ、検波、電源コントロール、分波回路、合波回路、カプラ、バラン、フィルタの少なくとも１つを具備することを特徴とするものである。
【００１３】
なお、前記誘電体基板の線膨張係数が２５〜４００℃で８〜１８×１０−６／℃であることが望ましい。さらに、前記熱硬化性樹脂の前記ガラス転移温度以下の線膨張係数が２５〜８０×１０−６／℃であることが望ましい、
【発明の効果】
【００１４】
本発明の高周波モジュールによれば、ベアＳＡＷチップを発熱性素子とともに、誘電体基板に実装した場合において、前記ベアＳＡＷチップおよび前記発熱性素子を封止する熱硬化性樹脂として、熱伝導率が誘電体基板の熱伝導率の１／７倍〜１倍の熱硬化性樹脂を用いることによって、発熱性素子から発生した熱が、熱硬化性樹脂の封止樹脂を介してベアＳＡＷチップに伝達されることを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下に、本発明に係るベアＳＡＷチップの実装封止構造並びに高周波モジュールの実施の形態を説明する。図１（ａ）は、ベアＳＡＷチップを誘電体基板表面にフェースダウンボンディングした実装構造の概略断面図である。図１（ｂ）は、ベアＳＡＷチップの表面の導体パターンを示す平面図である。また、図１（ｃ）は、図１（ｂ）のベアＳＡＷチップを実装する誘電体基板側の導体パターンを示す平面図である。
【００１６】
図１に示すように、弾性表面波フィルタを構成するベアＳＡＷチップ１は、例えばタンタル酸リチウム単結晶、ランガサイト型結晶構造を有する例えばランタン−ガリウム−ニオブ系単結晶、四ホウ酸リチウム単結晶等の圧電性の単結晶から成る基板２表面には、励振電極である共振子電極４の複数が例えばラダー型回路に接続されており、また、かかる励振電極の一端には入出力電極７Ａが設けられており、さらにこれらの励振電極４および入出力電極７Ａの周囲には、接地電極９Ａが形成されている。
【００１７】
なお、これら電極の表面には、必要に応じて、シリコンや酸化シリコン等の半導電性もしくは絶縁性の保護膜が形成される。
【００１８】
一方、誘電体基板８の表面には、ベアＳＡＷチップ１の入出力電極７Ａと対向する部分に、銀、銅、金等の導体から成る入出力電極７Ｂが、また、接地電極９Ａと対向する部分に接地電極９Ｂが被着形成されている。
【００１９】
そして、ベアＳＡＷチップ１は、誘電体基板８の表面に載置され、半田、導電性樹脂などの導電性接着剤３によって電気的に接続される。
【００２０】
かかる接続構造によれば、励振電極4が形成された部分は、ベアＳＡＷチップ１、誘電体基板８、接地電極９接続部の導電性接着剤３によって形成された空間５内に封止される。かかる構造によれば、大きな体積を取らずにベアＳＡＷチップ１を封止することができ、低背化が可能となる。
【００２１】
図２は、携帯電話のフロントエンドジュールのブロック回路図の一例であり、このブロック図は米国のセルラーバンドとＰＣＳバンドからなるＣＤＭＡ端末を想定したものであるが、ＩＭＴ−２０００のＷ−ＣＤＭＡや、欧州のＧＳＭ、ＤＣＳ端末、２．４ＧＨｚのブルーツース、Ｗ−ＬＡＮなどのフロントエンドであっても構わない。
【００２２】
このブロック図中の送信フィルタおよび受信フィルタ、デュプレクサをベアＳＡＷフィルタによって形成することできる。そして、これらを図１に示したようなベアＳＡＷフィルタの実装構造によって高周波モジュールを構成する。
【００２３】
図３は、図２のブロック回路を搭載したフロントエンドモジュールの平面図であり、図４は図３のｘ−ｘ線の概略断面図である。
【００２４】
かかる高周波モジュールにおいては、送信フィルタおよび受信フィルタ、デュプレクサが、ベアＳＡＷチップ１によって形成され、図１に示された実装構造によって、誘電体基板１８表面に実装されている。
【００２５】
また、誘電体基板１８の表面には、発熱性素子として、パワーアンプＩＣ１１が搭載され、ワイヤ１２によって誘電体基板１８表面の電極と接続されている。また、誘電体基板１８の表面には、チップコンデンサ１３や、チップインダクタ１４などの表面実装部品も合わせて半田実装されている。また、場合によっては誘電体基板１８表面や内部には、整合回路パターンなどの高周波回路パターン１０なども導体材料によって被着形成されている。さらに誘電体基板内部には、半導体素子１１から発生した熱を放熱するためのサーマルビア１５が形成され、さらには、カプラ１６なども内蔵されている。さらには必要に応じて、コンデンサやインダクタ、整合回路なども内蔵される。
【００２６】
そして、これらベアＳＡＷチップ１、パワーアンプＩＣ１１、表面実装部品１３，１４は封止用樹脂６によってすべて封止されている。本発明のかかる高周波モジュールは、かかる構造にて携帯用電話機などの小形の携帯用電子機器などに組み込まれる。
【００２７】
本発明によれば、上記の封止用樹脂６として、誘電体基板１８の熱伝導率に対して、０．１５〜１倍の熱硬化性樹脂を採用することが重要である。この樹脂の熱伝導率を上記の範囲に限定したのは、封止用樹脂の熱伝導率が誘電体基板１８の熱膨張率に対して、０．１５倍未満では、発熱性素子１１から発生するほとんどの熱は、誘電体基板１８を介して伝熱される結果、誘電体基板１８が高温化し、ベアＳＡＷチップ１を下部から熱してしまう。逆にこの封止用樹脂６の熱伝導率を誘電体基板１８の熱伝導率に対して、１倍より大きくすると、発熱性素子１１から発生するほとんどの熱は、封止用樹脂６を介して伝熱され、封止樹脂６が高温化し、ベアＳＡＷチップ１を上部から熱してしまう。
【００２８】
これに対して、封止用樹脂６として、誘電体基板１８の熱伝導率に対して、０．１５〜１倍の熱硬化性樹脂を採用すれば、発熱性素子１１から発生した熱は、誘電体基板１８と、封止性樹脂６の両方に均一に伝熱され、誘電体基板１８または封止性樹脂６の局所的な高温化を避けることができる結果、ベアSAWチップ１の周囲の温度分布は均熱化し、分散化するために、ベアSAWチップ１への加熱が低減され、周波数シフトを緩和することができる。特に封止用樹脂６の熱伝導率は、誘電体基板１８に対して、０．３〜０．８倍であることが望ましい。
【００２９】
さらに、本発明によれば、上記の封止樹脂６の曲げ弾性率は常温で４〜８ＧＰａ、特に５〜８ＧＰａ、２２０℃で０．２〜０．５ＧＰａ、特に０．３〜０．５ＧＰａであることが望ましい。曲げ弾性率が上記範囲の封止樹脂を用いることによって、リフロー半田付けによって高周波モジュールをマザーボード（図示省略）に接続する場合などにおいて、半田接続部が再溶融して熱膨張し、半田３からその周囲に向かって応力が発生しても、半田３の大部分を覆っている封止樹脂６がこの応力を緩衝することになり、半田３が無理にベアＳＡＷチップ１と誘電体基板８間に浸入したりするのを防止することができる。このため、高周波モジュールのベアＳＡＷチップ１の半田接続部は、再溶融しても、初めの位置に存在し続け、不要な箇所へ移動することがなくなり、最終的に短絡を生じたり、気密性を破壊したりすることがなくなる。
【００３０】
また、封止樹脂は、ガラス転移温度が１００〜１５０℃であることが望ましい。これは、ガラス転移温度が、常温ではガラス状領域にあるため、高周波モジュール全体の機械的強度を十分に確保することができる。
【００３１】
上記封止樹脂の熱伝導率、曲げ弾性率、ガラス転移点、は、熱硬化性樹脂の種類や分子量などによって制御され、また、熱硬化性樹脂に対して無機フィラーを添加含有せしめることによっても制御することができる。
【００３２】
さらに、封止樹脂の線膨張係数は、そのガラス転移温度以下の温度において２５〜８０×１０−６／℃であること、また、誘電体基板１８の熱膨張係数は２５〜４００℃で８〜１５×１０−６／℃であることが好ましい。その理由は、無機フィラーの比率を増やすことによって封止用樹脂の線膨張係数を２５×１０−６／℃未満にすることができるが、その場合、封止樹脂の曲げ弾性率が高くなりやすくなるためである。逆に、線膨張係数が８０×１０−６／℃を超えると、誘電体基板、半導体チップと封止樹脂間の膨張係数差が大きくなるため、封止樹脂が剥離し易くなり、気密性の破壊や半田による短絡を誘発するおそれがある。さらに誘電体基板の熱膨張係数が８×１０−６／℃よりも小さい、または１８×１０−６／℃を超えると、ベアＳＡＷチップと誘電体基板との熱膨張係数差が大きくなり、励振電極を取り囲む接地電極と入出力電極の接続部でクラックが起こりやすくなるため、信頼性の低下につながる。
【００３３】
本発明によれば、上記の封止樹脂６によって、ベアＳＡＷチップ１およびパワーアンプICなどの発熱性素子１１を封止するものであるが、図３に示すように、誘電体基板８表面に形成されたその他のコンデンサ、抵抗部品などの電子部品１３、１４などの受動部品と他の半導体素子をこの封止樹脂６によって一括に封止することによって、各部品の誘電体基板８との接続部と、ベアＳＡＷチップ１の気密封止の信頼性を大幅に向上させることができる。
【００３４】
図１の例では、ベアＳＡＷチップ１における励振電極として、ラダー型回路の共振器電極を用いたもので説明したが、共振器型や伝搬型のフィルタやフィルタ以外のデュプレクサ等の弾性表面波装置についても、封止が必要な励振電極を有するものであれば、本発明に適用される。
【００３５】
また、発熱性素子としては、図１ではパワーアンプICを示したが、発熱性素子としては、その他に、パワーコントロール、電源ＩＣの群から選ばれる少なくとも1種であってもよい。また、誘電体基板１８の表面および内部には、チップコンデンサ、インダクタ、抵抗、スイッチ、検波、電源コントロール、分波回路、合波回路、カプラ、バラン、フィルタの少なくとも１つを具備することによって、高周波モジュールの高性能化を図ることができる。
【００３６】
また、前記実施の形態では、高周波モジュールが、フロントエンドモジュールの場合を説明したが、前記高周波モジュールは、半田実装される表面実装部品とベアＳＡＷチップを備え、かつ前記表面実装部品が封止樹脂によって封止される構造のものであれば、他の半導体装置であってもよい。
【００３７】
また、表面実装部品は、チップ部品や半導体チップに限定されずに、ＦＢＡＲ（Ｆｉｌｍ  Ｂｕｌｋ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）やＭＥＭＳのスイッチ、光半導体素子等のチップ等であっても構わない。
【実施例】
【００３８】
次に、本発明に係る高周波モジュールを作製した実施例について説明する。
【００３９】
０．９５モルＭｇＴｉＯ３−０．０５モルＣａＴｉＯ３で表される主成分１００質量部に対して、ＢをＢ２Ｏ３換算で１０質量部、ＬｉをＬｉＣＯ３換算で５質量部添加したセラミック粉末組成物を用いてスラリーを調製し、ドクターブレード法によって厚さ１００μｍのグリーンシート形成した。
【００４０】
そして、このグリーンシートの表面に、Ａｇペーストを用いて厚さ２０μｍの導体パターンをスクリーン印刷法によって形成した。また、必要に応じて、直径が２００ミクロンのスルーホールを形成し、上記のＡｇペーストを充填してスルーホール導体を形成した。その後、このグリーンシートを積層後、大気中で３００℃、４時間脱バインダ処理をした後、９００℃大気中で６時間焼成を行った。その結果、熱伝導率が４Ｗ／ｍ・Ｋ、２５〜４００℃における線熱膨張係数が１２×１０−６／℃の７４０×７２０mmの大きさの誘電体基板を作製した。
【００４１】
次に、圧電基板（タンタル酸リチウム単結晶の４２°Ｙカット、熱膨張係数１４〜１６×１０−６／℃）上にＡｌ−Ｃｕ（２重量％）合金から成る電極を成膜した。その後、レジスト塗布、パターンニング、剥離を繰り返し、励起電極、入出力電極と接地電極、保護膜を形成し、１．５×１．３ｍｍの大きさのベアＳＡＷチップを作製した。
【００４２】
完成したベアＳＡＷチップは、誘電体基板に図１に従い、フェースダウン実装した。この実装には、接地電極及び入出力電極に、高温半田をスクリーン印刷法にて塗布し、リフローにて実装を行った。上記ベアＳＡＷチップの実装構造によれば、励振電極の周囲を接地電極で取り囲こむようにしており、樹脂封止前の段階で気密性を確保することができた
その後、ディスペンサーで各実装パターンに半田を塗布後、コンデンサチップなどのチップ部品の実装を行い、リフローにて半田を固着させた。最後に銀ペーストにてパワーアンプＩＣチップを接着した後、金線を用いてワイヤボンディングした。
【００４３】
上記の方法によって、各種表面実装部品、パワーアンプＩＣチップ、ベアＳＡＷチップを搭載した高周波モジュールを得た。なお、ベアＳＡＷチップは、バンドパスフィルタとして用いた。
【００４４】
次に、封止用樹脂として、エポキシ樹脂に対してフィラーとして溶融シリカを添加した特性の異なる熱硬化性樹脂を用意した。封止用樹脂の熱伝導率は、レーザーフラッシュ法（厚み補正）に基づいて測定した。また、曲げ弾性率は、ＪＩＳ−Ｋ−６９１１に基いて測定した。さらに、ガラス転移温度と線膨張係数は、ディラトメータ法に基いて測定した。
【００４５】
高周波モジュール領域が８０個形成されたガラスセラミックス基板にメタルマスクとスキージとを使用して前記の封止用樹脂によってこの複数のモジュール領域を一括で覆うように印刷方式で塗布して一括封止した。さらに、印刷方式によって形成された封止樹脂をベーク処理して硬化させた。その後、ダイシング装置を用いて８０個の高周波モジュール領域を分割し、高周波モジュールを個片化した。
【００４６】
その後、この高周波モジュールを用いて実際に、通電してパワーアンプＩＣを作動させた（ピーク温度２６０℃）。そして、ベアＳＡＷチップを中心周波数８３６．５ＭＨｚのバンドパスフィルタとして機能させた時、各試料における中心周波数の変化を測定した。
【表１】
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【００４７】
表１の結果から明かなように、モジュール基板の熱伝導率の０．１０倍の０．４Ｗ／ｍ・Ｋの樹脂を用いて半導体チップおよびSAWチップを樹脂で封止したモジュールを作製したところ、ＳＡＷチップによるバンドパスフィルタの中心周波数が、１．４ＭＨｚ低域にシフトした。
【００４８】
これに対して、モジュール基板の熱伝導率の０．１５倍以上の樹脂を用いた本発明によるモジュールでは、周波数のシフトが１．１ＭＨｚ以下に緩和した。これは、モジュール基板に近い熱伝導率の樹脂を使用したことによって半導体チップから発生した熱が分散化した効果であると考えられる。また、ベアＳＡＷチップにおいては、気密封止性、などにおいても何ら問題のないものであった。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明のベアＳＡＷチップの実装形態を示す概略断面図（ａ）、ベアＳＡＷチップの表面パターン（ｂ）と誘電体基板の表面パターン（ｃ）である。
【図２】本発明の高周波モジュールの代表的なブロック回路図である。
【図３】本発明の高周波モジュールの一例を示す概略平面図である。
【図４】図３の高周波モジュールのｘ−ｘ線の概略断面図である。
【図５】従来のＳＡＷチップのパッケージを示す概略断面図である。
【図６】従来の他のＳＡＷチップのパッケージを示す概略断面図である。
【図７】従来のさらに他のＳＡＷチップのパッケージを示す概略断面図である。
【図８】従来の高周波モジュールを示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１・・・・・ベアＳＡＷチップ
３・・・・・半田
４・・・・・励振電極
５・・・・・気密空間
６・・・・・封止樹脂
７A,７B・・入出力電極
８・・・・・誘電体基板
９A,９B・・・接地電極
１１・・・・・半導体チップ
１３，１４・・表面実装部品
１５・・・・・サーマルビア
１６・・・・・カプラ
１８・・・・・高周波モジュール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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