(57)【要約】【課題】転移電圧を減少させて液晶分子の転移核形成を容易にし，電力消耗を減らして表示装置の応答速度及び階調表示能力を向上させることのできる液晶表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】単位画素領域Ａ毎に形成された薄膜トランジスタＴｒと，基板１００上に薄膜トランジスタＴｒを覆って形成された絶縁膜１３５と，絶縁膜１３５上に，薄膜トランジスタＴｒのドレイン電極１３０ｂと接続されて，少なくとも薄膜トランジスタＴｒのゲート電極１１０上部の一部を覆うように形成された画素電極１４０と，画素電極１４０上に形成された液晶層１５５と，を具備し，画素電極１４０に段差ができて傾斜構造を有することにより，対面基板とのギャップが低減して転移電圧が減少し，液晶の配向角度が増加して転移核形成が容易になる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の単位画素領域を有する基板上のそれぞれの前記単位画素領域毎に形成された薄膜トランジスタと，
前記基板上に前記薄膜トランジスタを覆って形成された絶縁膜と，
前記絶縁膜上に，前記薄膜トランジスタのドレイン電極と接続されて，少なくとも前記薄膜トランジスタのゲート電極上部の一部を覆うように形成された画素電極と，
前記画素電極上に形成された液晶層と，
を具備することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記液晶層は，ＯＣＢモードの液晶層であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記液晶層と前記画素電極との間には配向膜が介在し，前記配向膜は，所定のプレチルト角を有することを特徴とする，請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記配向膜のプレチルト角は，６〜１０度であることを特徴とする，請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記画素電極は，前記薄膜トランジスタ上部全体を覆うように形成されることを特徴とする，請求項１〜４のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記絶縁膜は，無機絶縁膜であることを特徴とする，請求項１〜５のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記画素電極の，前記薄膜トランジスタの前記ゲート電極上部の位置と，前記薄膜トランジスタから離隔した位置との段差は，０．２〜０．５μｍであることを特徴とする，請求項１〜６のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項８】
複数の単位画素領域を具備する基板上のそれぞれの前記単位画素領域毎に薄膜トランジスタを形成する段階と，
前記基板上に前記薄膜トランジスタを覆って絶縁膜を形成し，前記絶縁膜に前記薄膜トランジスタのドレイン電極を露出するビアホールを形成する段階と，
前記絶縁膜上に導電膜を積層後，前記導電膜をパターニングし，前記薄膜トランジスタのドレイン電極と連結されて，少なくとも前記薄膜トランジスタのゲート電極上部の一部を覆う画素電極を形成する段階と，
画素電極が形成された前記基板上に対向基板を付着し，前記基板と前記対向基板との間に液晶層を注入する段階と，
を含むことを特徴とする，液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記液晶層は，ＯＣＢモードの液晶層であることを特徴とする，請求項８に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記基板と前記対向基板との間に前記液晶層を注入する段階の前に，前記画素電極上に所定のプレチルト角を有する配向膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする，請求項９に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記配向膜のプレチルト角は，６〜１０度であることを特徴とする，請求項１０に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記画素電極は，前記薄膜トランジスタ上部全体を覆うように形成することを特徴とする，請求項８〜１１のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記絶縁膜は，無機絶縁膜であることを特徴とする，請求項８〜１２のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記画素電極の，前記薄膜トランジスタの前記ゲート電極上部の位置と，前記薄膜トランジスタから離隔した位置との段差は，０．２〜０．５μｍであることを特徴とする請求項８〜１３のいずれかに記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置及びその製造方法に係り，液晶がスプレイ状態からベンド状態に転移をした後に駆動される，液晶表示装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は一般的に薄膜トランジスタ，配線及び画素電極で構成されたアレイが形成された基板上に，対向電極とカラーフィルターなどが形成された対向基板を合着してその内部に液晶を注入することによって形成される。
【０００３】
液晶表示装置は，画素電極及び対向電極間に電界が印加されて，電界によって液晶が配列されることによって光の透過率が調節されてこれを通じて階調表示が行われる。したがって，液晶の配列によって視野角及び表示特性が左右されているといえる。
【０００４】
液晶表示装置のうち，ＯＣＢモードの液晶表示装置は，広い視野角と速い応答速度が長所であり，最近活発に研究が行なわれている。ＯＣＢモードとは，スプレイ状態からベンド状態に転移をした後，外部から電界が印加されることによってベンド状態で液晶の方向性によって階調表示が行われる液晶層の配列及び駆動モードを言う。したがって，ＯＣＢモードは表示面の全体にかけてすべての液晶分子の配向をスプレイ状態からベンド状態に均一に転移させることが重要である。
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−２６８０９４号公報
【特許文献２】特開２００３−１０７４８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし，転移電圧を高く加えることにより配向を転移させる場合には，電力消耗を増加させる問題がある。また，配向を利用してプレチルト角を高めて転移核を形成し，転移核周辺の液晶が容易に転移される方法によって配向を転移させる場合には，転移電圧を減少させることができるが，プレチルト角を高めるための配向膜または配向膜下部の構造を形成するために工程が複雑になる問題がある。
【０００７】
そこで，本発明は，このような問題に鑑みてなされたもので，その目的とするところは，転移電圧を減少させて液晶分子の転移核形成を容易にし，電力消耗を減らして表示装置の応答速度及び階調表示能力を向上させることのできる液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために，本発明のある観点によれば，複数の単位画素領域を有する基板上のそれぞれの単位画素領域毎に形成された薄膜トランジスタと，基板上に薄膜トランジスタを覆って形成された絶縁膜と，絶縁膜上に，薄膜トランジスタのドレイン電極と接続されて，少なくとも薄膜トランジスタのゲート電極上部の一部を覆うように形成された画素電極と，画素電極上に形成された液晶層と，を具備することを特徴とする液晶表示装置が提供される。
【０００９】
従来の構造では，画素電極が薄膜トランジスタ上部を覆わずに形成されていたが，本発明においては，画素電極が基板上の薄膜トランジスタ上部を一部覆うことによって，画素電極に段差（凹凸）ができて薄膜トランジスタ周辺に傾斜構造を有することができる。これにより，単位画素内の傾斜部分は，液晶の配向角度が増加して転移が容易になり，さらに薄膜トランジスタから離隔した平らな部分に比し対面基板とのギャップが低減するので液晶分子の転移核形成が容易になる。こうして対面基板とのギャップが低減したので転移電圧を低減して表示装置の電力消耗を減らすことができ，さらに，表示装置の応答速度及び階調表示能力を向上させることができる。
【００１０】
液晶層は，ＯＣＢモードの液晶層であるとよい。ＯＣＢモードの液晶表示装置は，広い視野角と速い応答速度とを得ることができる。ＯＣＢモードは，液晶分子の配向をスプレイ状態からベンド状態に均一に転移させることが重要であるので，液晶分子の転移核を容易に形成することができれば，均一で速い転移が可能になる。
【００１１】
また，液晶層と画素電極との間には配向膜が介在し，配向膜は，所定のプレチルト角を有するように形成することができる。この時，配向膜のプレチルト角は，６〜１０度とするとよい。配向膜により液晶分子が基板と平行に拘束され，所定のプレチルト角を有して液晶分子を傾けることにより，液晶分子が必ず一方向から立ち上がるようにすることができる。
【００１２】
画素電極は，薄膜トランジスタ上部全体を覆うように形成されてもよい。薄膜トランジスタ周囲全体に傾斜構造が形成されるので，転移核をさらに増加させることができる。転移核形成が容易になることによって転移電圧を減少させ，転移速度が増加する。
【００１３】
絶縁膜は，無機絶縁膜であるとよい。平坦化作用が起こらないように安定した絶縁膜を形成することによって基板の段差（凹凸）を液晶層の転移核形成に利用することができる。
【００１４】
画素電極の，薄膜トランジスタのゲート電極上部の位置と，薄膜トランジスタから離隔した位置との段差は，０．２〜０．５μｍとすることができる。段差の高さを調節することによって薄膜トランジスタのドレイン電極周辺の傾斜が調節され，転移核を形成する領域の対向基板２００とのセルギャップを調節することができるので，好適な段差にするとよい。
【００１５】
上記課題を解決するために，本発明の別の観点によれば，複数の単位画素領域を具備する基板上のそれぞれの単位画素領域毎に薄膜トランジスタを形成する段階と，基板上に薄膜トランジスタを覆って絶縁膜を形成し，絶縁膜に薄膜トランジスタのドレイン電極を露出するビアホールを形成する段階と，絶縁膜上に導電膜を積層後，導電膜をパターニングし，薄膜トランジスタのドレイン電極と連結されて，少なくとも薄膜トランジスタのゲート電極上部の一部を覆う画素電極を形成する段階と，画素電極が形成された基板上に対向基板を付着し，基板と対向基板との間に液晶層を注入する段階と，を含むことを特徴とする，液晶表示装置の製造方法が提供される。
【００１６】
画素電極が基板上の薄膜トランジスタ上部を一部覆うように形成することにより，画素電極に段差ができて薄膜トランジスタ周辺に傾斜構造を有することができる。傾斜構造を有する部分は，液晶の配向角度が増加して転移が容易になり，さらに，薄膜トランジスタから離隔した平らな部分に比し対面基板とのギャップが低減するので，液晶分子の転移核形成が容易になる。こうして対面基板とのギャップが低減したので転移電圧を低減して表示装置の電力消耗を減らすことができ，さらに，表示装置の応答速度及び階調表示能力を向上させることができる。
【００１７】
液晶層は，ＯＣＢモードの液晶層である。ＯＣＢモードの液晶表示装置は，広い視野角と速い応答速度とを得ることができる。ＯＣＢモードは，液晶分子の配向をスプレイ状態からベンド状態に均一に転移させることが重要であるので，液晶分子の転移核を容易に形成することができれば，均一で速い転移が可能になる。
【００１８】
基板と対向基板との間に液晶層を注入する段階の前に，画素電極上に所定のプレチルト角を有する配向膜を形成する段階をさらに含んでもよい。また，配向膜のプレチルト角は，６〜１０度とするとよい。配向膜により液晶分子が基板と平行に拘束され，所定のプレチルト角を有して液晶分子を傾けることにより，液晶分子が必ず一方向から立ち上がるようにすることができる。
【００１９】
画素電極は，薄膜トランジスタ上部全体を覆うように形成してもよい。薄膜トランジスタ周囲全体に傾斜構造を形成すると，転移核をさらに増加させることができる。転移核形成が容易になることによって転移電圧を減少させ，転移速度が増加する。
【００２０】
絶縁膜は，無機絶縁膜であるとよい。平坦化作用が起こらないように絶縁膜を安定に形成することによって基板の段差を液晶層の転移核形成に利用することができる。
【００２１】
画素電極の，薄膜トランジスタのゲート電極上部の位置と，薄膜トランジスタから離隔した位置との段差は，０．２〜０．５μｍとすることができる。段差の高さを調節することによって薄膜トランジスタのドレイン電極周辺の傾斜が調節され，転移核を形成する領域の対向基板２００とのセルギャップを調節することができるので，好適な段差にするとよい。
【発明の効果】
【００２２】
以上詳述したように本発明によれば，基板上の薄膜トランジスタ周辺に形成された画素電極の傾斜構造を利用して，液晶分子の転移核形成を容易にすることができる。傾斜構造を有する領域は，セルギャップが相対的に小さくなり転移電圧が減少し，表示装置の電力消耗を減らすことができる。また，転移核の形成により転移速度が増加し，表示装置の応答速度及び階調表示能力を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下に添付図面を参照しながら，本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２４】
（第１の実施の形態）
図１Ａは第１の実施の形態によるアレイ基板の概略平面図である。図１Ａを参照すると，単位画素領域Ａを具備する基板にはそれぞれの単位画素領域Ａ毎に薄膜トランジスタＴｒが位置する。それぞれの薄膜トランジスタＴｒは走査信号線であるゲートライン１と映像信号線であるソースライン３と連結されて配線から入力される信号によって動作するようになる。
【００２５】
単位画素領域Ａには薄膜トランジスタＴｒと連結された画素電極１４０が位置する。画素電極１４０は，薄膜トランジスタＴｒのドレイン電極１３０ｂと連結されて，薄膜トランジスタＴｒのゲート電極１１０（図１Ｂ）上部の一部分を覆うように形成される。図１Ｂは，図１ＡのＩ−Ｉ’部の断面図である。
【００２６】
図１Ｂを参照して細部の構造を説明すると，基板１００上にはゲート電極１１０が位置する。ゲート電極１１０上にはゲート絶縁膜１１５が位置して，ゲート絶縁膜１１５上にゲート電極１１０と対応する半導体層１２０が位置する。そして，ソース電極１３０ａ及びドレイン電極１３０ｂが半導体層１２０に一部接するように位置する。
【００２７】
半導体層１２０，ゲート電極１１０，ソース電極１３０ａ，及びドレイン電極１３０ｂで構成される薄膜トランジスタＴｒ上には絶縁膜１３５が位置する。絶縁膜１３５は無機絶縁膜である。したがって，絶縁膜１３５を平坦化作用が起こらないように形成することによって基板の凹凸（段差）を下記で説明する液晶層の転移核形成に利用することができる。
【００２８】
絶縁膜１３５上には，薄膜トランジスタＴｒのドレイン電極１３０ｂと連結されて，薄膜トランジスタＴｒのゲート電極１１０上部の一部分を覆う画素電極１４０が位置する。
【００２９】
また，薄膜トランジスタＴｒ及び画素電極１４０を具備する基板１００上には，共通電極２１５を具備する対向基板２００が位置する（図２参照）。図２は，上部に数種の層が形成される対向基板２００の概略断面図である。対向基板２００上にはブラックマトリックス２０５が位置する。ブラックマトリックス２０５は液晶表示装置の発光領域以外に位置して表示装置のコントラスト比を高める役割を遂行する。ブラックマトリックス２０５が形成された対向基板２００上にはカラーフィルター２１０が位置する。そして，カラーフィルター２１０上には共通電極２１５が位置する。
【００３０】
さらに，基板１００と対向基板２００とが対向配置され，共通電極２１５と画素電極１４０との間に液晶層１５５が介在される（図３参照）。図３は，単位画素領域Ａの概略断面図である。本実施の形態において，液晶層はＯＣＢモードであって，液晶層１５５と共通電極２１５との間，及び液晶層１５５と画素電極１４０との間には配向膜１４５，２２５が介在されて，配向膜１４５，２２５は一定なプレチルト角を有することができる。すなわち，ラビング工程を遂行して配向膜１４５，２２５は一定なプレチルト角を有しており，プレチルト角は６〜１０度としている。
【００３１】
また，画素電極１４０において，ゲート電極１１０上部位置と薄膜トランジスタＴｒ上部以外の領域（最も低い部分）の位置との段差は０．２〜０．５μｍとすることができる。段差の高さを調節することによって薄膜トランジスタのドレイン電極周辺の傾斜が調節され，転移核を形成する領域の対向基板２００とのセルギャップを調節することができる。
【００３２】
したがって，薄膜トランジスタＴｒ境界面周辺に位置する画素電極１４０は，一定の傾斜角を有することができる。ひいては，薄膜トランジスタＴｒの境界面周辺に位置する液晶層１５５ａは液晶層１５５のプレチルト角と画素電極の傾斜角とを加えた値の傾斜角を有することができる。
【００３３】
画素電極１４０の段差により生じた傾斜角は，該当部位に存在する液晶の配向角度を増加させるので，傾斜角を持たない部位（薄膜トランジスタＴｒから離隔した位置）に存在する液晶より転移が容易となる。これは他の液晶の転移時触媒の役割をする転移核として作用するようになる。したがって，基板上に形成された薄膜トランジスタ上部に形成された画素電極の傾斜構造を利用して，液晶分子の転移核形成を容易にすることができる。
【００３４】
また，基板１００の段差の最も高い領域は，他の段差のない低い領域より対向基板２００とのギャップが小さい。すなわち，薄膜トランジスタＴｒ上部の一部に画素電極１４０が形成された部分のセルギャップが最も小さい。これにより薄膜トランジスタＴｒの上部領域の液晶分子は相対的に強い電界を受けるようになって，これは転移核形成を容易にする。
【００３５】
したがって，転移核形成が容易になることによって転移電圧を減少させることができ，それによって表示装置の電力消耗を減らすことができる。また，転移核の形成により転移速度が増加することによって表示装置の応答速度及び階調表示能力を改善することができる。
【００３６】
以下に，図１Ａ，図１Ｂ，図２及び図３を参照して第１の実施の形態による液晶表示装置の製造方法を詳述する。単位画素領域Ａを具備する基板１００上に，それぞれの単位画素領域Ａ毎に薄膜トランジスタＴｒを形成する。すなわち，基板１００上に導電膜を積層後，パターニングしてゲート電極１１０を形成する。ゲート電極１１０上にゲート絶縁膜１１５を形成する。ゲート絶縁膜１１５はシリコン酸化膜とすることができる。
【００３７】
次に，ゲート絶縁膜１１５上に非晶質シリコン膜を積層後にパターニング，または多結晶シリコン膜に結晶化した後にパターニングして，半導体層１２０を形成する。そして，半導体層１２０上に導電膜を積層後，パターニングしてソース電極１３０ａ及びドレイン電極１３０ｂを形成することによって薄膜トランジスタＴｒを形成する。
【００３８】
さらに，薄膜トランジスタＴｒが形成された基板１００上に絶縁膜１３５を形成して絶縁膜１３５内にドレイン電極１３０ｂを露出するビアホールを形成する。絶縁膜１３５は無機保護膜であり，例えばシリコン窒化膜とすることができる。
【００３９】
その後，絶縁膜１３５上に導電膜を積層後にパターニングし，薄膜トランジスタＴｒのドレイン電極１３０ｂと連結されて，薄膜トランジスタＴｒのゲート電極１１０上部の一部分を覆うように画素電極１４０を形成する。そして，画素電極１４０が形成された基板１００上に配向膜１４５を形成する。
【００４０】
画素電極１４０は，上記のように薄膜トランジスタＴｒのゲート電極１１０上部の一部分を覆うように形成することにより，薄膜トランジスタＴｒの境界面周辺に所定の傾斜角を有することができる。すなわち，画素電極１４０が薄膜トランジスタＴｒの上部一部分と重なることによって，画素電極１４０は下部の傾斜構造（段差）のため傾斜角を有するようになる。そのため，薄膜トランジスタのドレイン電極周辺には，一定の傾斜が形成される。
【００４１】
画素電極１４０において，ゲート電極上部の最も高い部分と薄膜トランジスタＴｒから離隔した最も低い部分との段差は，０．２〜０．５μｍとすることができる。段差の高さを調節することによって薄膜トランジスタＴｒのドレイン電極周辺の傾斜がを調節され，転移核を形成する領域のセルギャップを調節することができる。
【００４２】
また，図２に示すように，基板１００と対向する対向基板２００を形成するために，まず対向基板２００上に画素を定義するブラックマトリックス２０５を積層する。そして，ブラックマトリックス２０５が形成された基板２００上にカラーフィルター２１０を形成する。カラーフィルター２１０上に対向電極である共通電極２１５を形成する。共通電極はＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）などの透明素材にするとよい。共通電極２１５上には配向膜２２５を形成する。
【００４３】
その後，図３に示すように，図１Ｂの基板１００と図２の対向基板２００とを，配向膜１４５，２２５が向い合うように対向させて封止し，液晶層１５５を注入する。本実施の形態においては，液晶層１５５はＯＣＢモードであって，液晶層１５５は所定のプレチルト角を有するように配向させる段階を含むことができる。すなわち，配向膜形成時にラビングの強度と方向を調節して一定なプレチルト角を有するように調節するとよい。この時，プレチルト角は６〜１０度とすることができる。
【００４４】
また，薄膜トランジスタＴｒの境界面周辺に位置する液晶層１５５ａは，液晶層のプレチルト角と図１Ｂで説明した画素電極１４０の傾斜角を加えた値の傾斜角を有することができる。
【００４５】
したがって，基板１００上に形成された薄膜トランジスタＴｒによって形成された傾斜構造を利用し，画素電極１４０の一部分に傾斜を形成することによって，液晶分子の転移核形成を容易にすることができる。また，画素電極１４０が部分的に形成された薄膜トランジスタＴｒ上部のセルギャップが最も小さく形成される。これにより薄膜トランジスタＴｒの上部領域の液晶分子は相対的に電界が強くなって，転移核形成を容易にする。
【００４６】
こうして，転移核形成が容易になることによって転移電圧を減少させることができ，表示装置の電力消耗を減らすことができる。また，転移核の形成により転移速度が増加するので，表示装置の応答速度及び階調表示能力を改善することができる。
【００４７】
（第２の実施の形態）
図４は第２の実施の形態によるアレイを形成した基板の概略平面図であって，図５は図４のＩ−Ｉ’部の断面図である。図４，５を参照すると，第２の実施の形態は，第１の実施の形態とは違って，画素電極１４１がゲート電極１１０の一部を覆うだけでなく，薄膜トランジスタＴｒの上部全体を覆う構造を有する。したがって，薄膜トランジスタＴｒ境界面周辺に位置する画素電極１４１は，所定の傾斜角を有することができる。
【００４８】
つまり，薄膜トランジスタＴｒの境界面周辺に位置する液晶層１５６ａは，液晶層１５６のプレチルト角と画素電極１４１の傾斜角とを加えた値の傾斜角を有することができる。
【００４９】
したがって，薄膜トランジスタＴｒ周辺（周囲全体）に傾斜構造を形成することによって，第１の実施の形態に比し，転移核をさらに増加させることができる。また，基板１００上の薄膜トランジスタＴｒ上部に形成された傾斜構造を利用することによって，液晶分子の転移核形成を容易にすることができる。転移核形成が容易になることによって転移電圧を減少させ，それによって表示装置の電力消耗を減らすことができる。また，転移核の形成により転移速度が増加することによって表示装置の応答速度及び階調表示能力が改善されることができる。
【００５０】
図４及び図５を参照して，第２の実施の形態による液晶表示装置の製造方法を説明すると次のようである。第１の実施の形態と同一な過程で単位画素領域Ａを具備する基板１００上に，それぞれの単位画素領域Ａ毎に薄膜トランジスタＴｒを形成する。そして，基板１００上に絶縁膜１３５を形成して絶縁膜１３５内にドレイン電極１３０ｂを露出するビアホールを形成する。
【００５１】
絶縁膜１３５上に導電膜を積層後パターニングして薄膜トランジスタＴｒのドレイン電極１３０ｂと連結されて，薄膜トランジスタＴｒの上部全体を覆うように画素電極１４１を形成する。したがって，薄膜トランジスタＴｒを取り囲んで薄膜トランジスタの境界面周辺に所定の傾斜角が形成される。
【００５２】
基板１００上に第１の実施の形態と同一な方法で製造された対向基板２００を付着させて液晶層１５６を注入する。液晶層１５６の注入前に，基板に配向膜を形成することによって，液晶層１５６は所定のプレチルト角を有するように配向させる段階をさらに含むことができる。薄膜トランジスタの境界面周辺に位置する液晶層１５６ａは，液晶層１５６のプレチルト角と画素電極１４１の傾斜角とを加えた値の傾斜角を有することができる。したがって，薄膜トランジスタＴｒ周辺に傾斜構造を形成することによって，第１の実施の形態よりも，転移核をさらに増加させることができる。
【００５３】
以上，添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された範疇内において，各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明は，液晶表示装置及びその製造方法に適用可能であり，液晶がスプレイ状態からベンド状態に転移をした後に駆動される，液晶表示装置及びその製造方法に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１Ａ】第１の実施の形態によるアレイを形成した基板を示す概略平面図である。
【図１Ｂ】図１ＡのＩ−Ｉ’部の断面図である。
【図２】対向基板を示す断面図である。
【図３】第１の実施の形態による単位画素部の断面図である。
【図４】第２の実施の形態によるアレイを形成した基板を示す概略平面図である。
【図５】第２の実施の形態による単位画素部の断面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１００      基板
１１０      ゲート電極
１１５      ゲート絶縁膜
１２０      半導体層
１３０ａ    ソース電極
１３０ｂ    ドレイン電極
１３５      絶縁膜
１４０      画素電極
１４５      配向膜
１５０      液晶層
Ｔｒ      薄膜トランジスタ
Ａ      単位画素領域
【図１Ａ】
2006146230.tif 000003
【図１Ｂ】
2006146230.tif 000004
【図２】
2006146230.tif 000005
【図３】
2006146230.tif 000006
【図４】
2006146230.tif 000007
【図５】
2006146230.tif 000008