(57)【要約】【課題】  静電対策が良好に成され、また簡便な工程にて製造可能なエレクトロルミネッセンス装置をを提供する。【解決手段】  本発明に係るＥＬ表示装置は、一面側に有機ＥＬ素子が設けられた素子基板７０と、前記有機ＥＬ素子を覆うように前記素子基板７０と対向して配置された封止基板３０と、前記素子基板７０と反対側の封止基板３０上に設けられた導電膜３６と、を備えている。【選択図】        図１
2006004907.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面側に発光素子が設けられた素子基板と、
前記発光素子を覆うように前記素子基板と対向して配置された封止体と、
前記素子基板と反対側の封止体面に設けられた導電膜と、
を備えたことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項２】
前記導電膜が、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、ガリウム亜鉛酸化物、インジウムセリウム酸化物、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウムから選ばれる１種以上からなる透光性導電膜であることを特徴とする請求項１に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項３】
前記封止体面に設けられた前記導電膜上に、チタン酸化物膜が積層されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項４】
前記封止体面に設けられた前記導電膜上に、チタン酸化物膜及び／又はシリコン酸化物膜を含む積層膜が設けられていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項５】
前記導電膜が、金属、金属窒化物、及び金属酸化物のいずれかを含むことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項６】
前記導電膜が、チタン酸化物からなることを特徴とする請求項５に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項７】
一面側に発光素子が設けられた素子基板と、前記発光素子を覆うように前記素子基板と対向して配置された封止体とを備え、
前記封止体が、導電性基板と絶縁膜とを積層してなる構造を具備し、前記絶縁膜を前記発光素子側に向けて配置されていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項８】
一面側に発光素子が設けられた複数の素子基板を平面的に配列するとともに、一の支持基板により一体に支持してなる表示体と、
前記素子基板を挟持して前記支持基板と対向配置された封止体と、
前記封止体の素子基板と反対側面に設けられた導電膜と
を備えたことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項９】
一面側に発光素子が設けられた複数の素子基板を平面的に配列するとともに、一の支持基板により一体に支持してなる表示体を有し、
前記支持基板上に導電膜が設けられてなることを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項１０】
前記発光素子と封止体との間に、樹脂層が設けられていることを特徴とする請求項１から９のいずれか１項に記載のエレクトロルミネッセンス装置。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか１項に記載のエレクトロルミネッセンス装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話やＰＤＡ等の携帯機器やパーソナルコンピュータ等に適用できる表示デバイスとして、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）装置を用いたものが開発されている。ＥＬ装置は、発光層を有する発光素子を基板面内に複数備えて構成され、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）素子等の駆動素子を用いて各発光部を独立に駆動制御することで所望の表示を行なえるようになっている。
【０００３】
ところで、ＥＬ装置の製造に際しては、ＴＦＴ等が設けられた素子基板上に発光素子を形成するが、発光素子を構成する発光層や電極の構成材料が水分や酸素により劣化しやすいものである場合が多く、これらの水分や酸素を排除した製造環境で行うことを要する。しかしその一方で、水分を排除した環境では静電気が発生しやすくなり、係る静電気により素子基板に既設のＴＦＴ等を破壊するおそれがある。
【０００４】
そこで、下記特許文献１では、静電気による不良品の発生を防止するために、ＴＦＴが形成された基板（素子基板）の裏面側（ＴＦＴ形成面と反対側）に、帯電防止膜を設けることが提案されている。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−４７１７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記従来技術文献に記載の技術によれば、素子基板の帯電防止には一定の効果を得ることができると考えられる。しかしながら、素子基板の裏面側に帯電防止膜を設けるには、予め帯電防止膜が設けられた基板をＴＦＴ製造工程に供するか、あるいは基板上にＴＦＴを形成した後、帯電防止膜を形成することになる。そして、前者の方法では、既設の帯電防止膜の破損を防止しつつ複雑な工程によりＴＦＴを作製する必要があり、製造が困難になる。また後者の方法では、帯電防止膜の成膜に際してのダメージ等によりＴＦＴの破壊や劣化が生じやすく、歩留まりが低下する可能性がある。さらにＴＦＴが形成された面の破損を防止しつつ素子基板を搬送し、帯電防止膜を成膜する必要があるため、製造が困難になる。
【０００７】
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、静電対策が良好に成され、また簡便な工程にて製造可能なエレクトロルミネッセンス装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上記課題を解決するために、一面側に発光素子が設けられた素子基板と、前記発光素子を覆うように前記素子基板と対向して配置された封止体と、前記素子基板と反対側の封止体面に設けられた導電膜と、を備えたことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置を提供する。
【０００９】
この構成によれば、封止体面に設けられた導電膜によりエレクトロルミネッセンス装置の帯電を効果的に防止でき、素子基板に設けられる薄膜トランジスタ等の半導体素子の静電気による破壊や劣化を防止でき、欠陥の発生率を抑えて歩留まりよく低コストに製造可能なエレクトロルミネッセンス装置とすることができる。上記封止体の形態としては、板状であってもよく、内部に空間を有する缶状のものであってもよい。
【００１０】
本発明のエレクトロルミネッセンス装置では、前記導電膜が、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、ガリウム亜鉛酸化物（ＧＺＯ）、インジウムセリウム酸化物（ＩＣＯ）、酸化錫（ＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）から選ばれる１種以上からなる透光性導電膜であることが好ましい。係る構成によれば、封止体側から発光素子の光を取り出す構造のエレクトロルミネッセンス装置において良好な光取り出し効率を得られる。
【００１１】
本発明のエレクトロルミネッセンス装置では、前記封止体面に設けられた前記導電膜上に、チタン酸化物膜が積層されていることが好ましい。前記チタン酸化物膜の表面はその水分凝集作用によって極めて良好な親水性を呈するので、係る作用によって積層膜表面の曇りを防止できる。またチタン酸化物膜の光触媒作用によって表面への汚染物質の付着を防止することもできる。封止体側から発光素子の光を取り出す構造のエレクトロルミネッセンス装置において良好な光取り出し効率を得られるとともに、表示装置として用いる場合には優れた視認性の表示が得られる。係る構成におけるチタン酸化物膜は、ＴｉＯｙなる組成において前記酸素含有量ｙが１．５＜ｙ＜２．２の範囲とされたものを用いることが好ましい。この範囲を超えると、上記防曇効果及び防汚効果が低下する傾向となる。
【００１２】
本発明のエレクトロルミネッセンス装置では、前記封止体面に設けられた前記導電膜上に、チタン酸化物膜及び／又はシリコン酸化物膜を含む積層膜が設けられている構成とすることもできる。係る構成によれば、前記積層膜により高い光透過率と防反射機能を得ることができ、封止体側から発光素子の光を取り出す構造のエレクトロルミネッセンス装置において良好な光取り出し効率を得られるとともに、表示装置として用いる場合には優れた視認性の表示が得られる。
【００１３】
本発明のエレクトロルミネッセンス装置では、前記導電膜が、金属、金属窒化物、及び金属酸化物のいずれかを含む構成とすることもできる。前記発光素子から出力される光を素子基板側から取り出す構成においては、前記封止体及び導電膜は、透光性を具備していることを要しない。したがって透光性導電材料に比して良好な導電性を具備した金属や金属化合物により前記導電膜を形成すれば、当該導電膜による帯電防止効果をさらに高めることができる。また、透光性導電材料を用いる場合に比して高い放熱効果を得ることもでき、エレクトロルミネッセンス装置の動作時における信頼性向上にも寄与する。
【００１４】
本発明のエレクトロルミネッセンス装置では、前記導電膜が、チタン酸化物を含む構成とすることもできる。導電性を有するチタン酸化物は、ＴｉＯｘなる組成において酸素含有量ｘを０＜ｘ≦１．５の範囲とすることで得られる。
【００１５】
係る構成によれば、特に導電膜上にチタン酸化物膜を積層する構成において顕著な効果を得ることができる。すなわち、導電性のチタン酸化物膜と絶縁性のチタン酸化物膜とは、先に記載のように酸素含有量を異にするのみであるので、前記封止体上にまず酸素含有量の低いチタン酸化物膜を成膜し、続いて酸素含有量の高いチタン酸化物膜を成膜すれば、下層側のチタン酸化物膜により帯電防止効果を得られ、上層側のチタン酸化物膜により防曇効果と防汚効果とを得ることができる。しかも両チタン酸化物膜は連続的に成膜できるため効率的に製造が可能である。
【００１６】
次に、本発明のエレクトロルミネッセンス装置は、一面側に発光素子が設けられた素子基板と、前記発光素子を覆うように前記素子基板と対向して配置された封止体とを備え、前記封止体が、導電性基板と絶縁膜とを積層してなる構造を具備し、前記絶縁膜を前記発光素子側に向けて配置されていることを特徴とする。この構成によれば、上記導電性基板（例えば金属基板）が、先に示した構成における導電膜と同様の帯電防止効果を奏するので、素子基板に影響することなく静電気に起因する欠陥の発生を抑えることができる。また前記導電膜に比して板状の導電性基板は導電性が良好であり、より顕著な帯電防止効果を得ることができる。
【００１７】
さらに、導電性基板の発光素子側面に設けられた絶縁膜により導電性基板と発光素子との短絡が効果的に防止され、歩留まりよく製造可能であって、かつ信頼性にも優れたものとなっている。
【００１８】
本発明のエレクトロルミネッセンス装置では、一面側に発光素子が設けられた複数の素子基板を平面的に配列するとともに、一の支持基板により一体に支持してなる表示体と、前記素子基板を挟持して前記支持基板と対向配置された封止体と、前記封止体の素子基板と反対側面に設けられた導電膜とを備えた構成とすることができる。すなわち、本発明は、大型の発光領域を得ることを目的として複数の素子基板を平面的に配列したエレクトロルミネッセンス装置にも適用することができ、係る構成においても封止体に設けられた導電膜によって良好な帯電防止効果を得ることができる。
【００１９】
本発明のエレクトロルミネッセンス装置では、一面側に発光素子が設けられた複数の素子基板を平面的に配列するとともに、一の支持基板により一体に支持してなる表示体を有し、前記支持基板に導電膜を備えた構成とすることができる。複数の素子基板を一体に支持した構造のエレクトロルミネッセンス装置では、各々の素子基板の欠陥発生率を抑えることが特に重要であり、素子基板に欠陥を生じさせる要因は可能な限り排除する必要がある。そこで本構成の如く支持基板に導電膜を設けるならば、平面的に配列した複数の前記素子基板と前記支持基板とを貼り合わせるに際しても、静電気の除去を効果的に行うことができるため、エレクトロルミネッセンス装置の歩留まり向上に極めて有効な構成となる。
【００２０】
本発明のエレクトロルミネッセンス装置では、前記発光素子と封止体との間に、樹脂層が設けられていることが好ましい。この構成によれば、発光素子への水分や酸素等の侵入を効果的に防止できるとともに、発光素子にて生じた熱の放散も良好になる。
【００２１】
次に、本発明の電子機器は、先に記載の本発明のエレクトロルミネッセンス装置を備えたことを特徴とする。この構成によれば、歩留まりよく低コストに製造可能な表示手段ないし発光手段を具備した電子機器が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明を詳しく説明する。なお、この実施の形態は、本発明の一部の態様を示すものであり、本発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下に示す各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならせてある。
【００２３】
（第１の実施形態）
図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態であるＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置１０１を示す平面構成図であり、（ｂ）は、同、側面構成図である。
【００２４】
図１に示すように、ＥＬ表示装置１０１は、複数（図示では４枚）の素子基板７０をタイル状に配列してなるＥＬ表示体１２０と、このＥＬ表示体１２０を、その裏面側（図示下面側）に設けられた接着層１６０を介して一体に支持する支持基板１８０とを主体として構成されている。
【００２５】
ＥＬ表示体１２０は、図１（ｂ）に示すように、複数の素子基板７０と、それらに跨って対向配置された封止基板（封止体）３０と、封止基板３０の外面側（基板本体１１０と反対側）に形成された導電膜３６とを備えて構成されている。
【００２６】
素子基板７０は、基板本体１１０と、この基板本体１１０上に設けられた表示領域５０と、その周囲に設けられた駆動回路７２，７３とを備えており、表示領域５０には、複数の画素７１が平面視マトリクス状に配列形成されている。画素７１は、後述の有機ＥＬ素子（発光素子）を備えており、有機ＥＬ素子の発光により得られた光を表示光として出力するようになっている。
【００２７】
そして、各素子基板７０はそれぞれの表示領域５０を面方向で突き合わせるようにして配置され、４つの表示領域５０によりＥＬ表示体１２０（ＥＬ表示装置１０１）の画像表示部１１１を形成している。前記駆動回路７２、７３は、係る画像表示部１１１の周囲を取り囲んで配置されている。
【００２８】
なお、図１（ａ）では、図面を見易くするために素子基板７０同士の境界７０ａ、７０ｂの近傍の表示領域５０，５０間の間隙を広く図示しているが、実際には、境界７０ａ、７０ｂを跨って隣接する画素７１，７１の間隔は極めて狭い幅になっており、また必要に応じて遮光処理等の境界を目立たなくする処理を施される。
【００２９】
また、本実施形態では各素子基板７０に駆動回路７２，７３が備えられている構成としているが、素子基板７０，７０間の境界７０ａ、７０ｂにおいて相互の配線を接続することにより、少ない数の駆動回路によって複数の画素７１を駆動可能に構成することもできる。
【００３０】
また、素子基板７０の表示領域５０及び駆動回路７２，７３は、封止基板３０側の基板本体１１０上に設けられており、さらに４つの表示領域５０を含む画像表示部１１１は、図示略の接着層を介して対向配置された封止基板３０によって封止されている。したがって画像表示部１１１に設けられた有機ＥＬ素子から出力される光は封止基板３０及び導電膜３６を透過して図１（ｂ）上側へ取り出されるようになっている。すなわち、本実施形態に係るＥＬ表示装置１０１は、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置である。
【００３１】
基板１８０は、４枚の素子基板７０を一体に支持する基板であり、またＥＬ表示装置１０１の背面を成すものであるから、耐圧性や耐摩耗性、ガスバリア性、紫外線吸収性、低反射性等の機能を具備したものであることが好ましい。係る支持基板１８０としては、ガラス基板や最表面にＤＬＣ（ダイアモンドライクカーボン）層、珪素酸化物層、酸化チタン層などがコーティングされたプラスチックフィルム等が好適に用いられる。本実施形態では封止基板３０側から表示光を取り出す形態であるため、封止基板３０は透光性基板により構成され、支持基板１８０には不透明なものを用いることができる。
【００３２】
なお、本発明に係るＥＬ表示装置１０１は、有機ＥＬ素子で生じた光を支持基板１８０側から取り出す構成（ボトムエミッション型）とすることもできる。この場合には、基板本体１１０及び基板１８０に透光性基板を用いる。そして封止基板３０に不透明基板を用いてよいのは勿論である。
【００３３】
本発明のＥＬ表示装置１０１は、駆動素子、配線、画素電極、隔壁構造体等を形成した素子基板７０を支持基板１８０上にタイル状に平面的に配列し接着（所謂タイリング工程）して大型の基板を形成した後、発光部を形成することで実現している。タイリング工程には以下の様な方法を用いている。
【００３４】
まず、隔壁構造体２２１までを形成した複数の素子基板７０の両方の面に保護フィルムを粘着する。この保護フィルムにより、切断時の素子基板７０上の素子への影響や、表面への異物の付着を防止することができる。次に予め定められた切断線に沿ってレーザ光を照射し、保護フィルムとともに素子基板７０を切断し、外形を調整する。このとき配列した状態で他の素子基板７０と隣接する辺は、配列した状態で接続部（境界）での画素ピッチが他の領域と略同じになるように高い寸法精度で切断する。切断後、洗浄により切断時に発生した異物等を除去する。
【００３５】
次に定盤上に複数の素子基板７０を、素子を形成した側の面を定盤に向けた状態で配列し固定する。このように定盤に当てて固定することで、高い平面度でのタイリングが可能となり、以降の工程での発光部の形成が容易となる。この状態で、素子基板７０の素子を形成していない側の面の保護フィルムを除去し洗浄する。保護フィルムを除去した面に嫌気性の光硬化型の光学接着剤を塗布し、その上に支持基板１８０を重ねて接着剤を硬化する。その際、支持基板１８０全面に一定の圧力をかけて、接着剤の膜厚が全面で略一定となるようにする。また、配列した素子基板７０どうしが高い寸法精度で接続されるように、各素子基板７０を接続している方向に対しても一定の圧力をかけるようにする。
【００３６】
さらに素子基板７０の素子を形成した側の面側の保護フィルムを除去し、洗浄する。嫌気性の接着剤は空気に接する面の近傍では硬化しないため、支持基板１８０との接着時に各素子基板７０の接続部分からはみ出した接着剤は、この洗浄工程により除去することができる。素子基板７０及び支持基板１８０と略同じ屈折率の光学接着剤を用いて接着を行うことにより、接着面での光の反射や屈折を防止することが可能で、支持基板１８０側から光を取り出す方式のＥＬ表示装置１０１にも対応することが可能である。このようにして大型の基板を作成し、以降の工程でこの大型基板上に発光部を形成する。
【００３７】
次に、図２から図４を参照して、前記ＥＬ表示装置１０１の詳細構成につき説明する。図２は素子基板７０の回路構成図である。図３は、図１に示すＡ−Ａ’線に沿うＥＬ表示装置１０１の断面構成図である。
【００３８】
図２に示す回路構成において、素子基板７０は、複数の走査線１３１と、これら走査線１３１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１３２と、これら信号線１３２に並列に延びる複数の電源線１３３とがそれぞれ配線されたもので、走査線１３１及び信号線１３２の各交点毎に、画素７１が設けられて構成されたものである。
【００３９】
信号線１３２に対しては、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン、及びアナログスイッチ等を備えるデータ線駆動回路７２が設けられている。一方、走査線１３１に対しては、シフトレジスタ及びレベルシフタ等を備える走査線駆動回路７３が設けられている。また、画素７１の各々には、走査線１３１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１２２と、このスイッチング用ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１２２を介して信号線１３２から供給される画像信号を保持する保持容量ｃａｐと、保持容量ｃａｐによって保持された画像信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ１２３と、この駆動用ＴＦＴ１２３を介して電源線１３３に電気的に接続したときに電源線１３３から駆動電流が流れ込む画素電極２３と、この画素電極２３と共通電極５０との間に挟み込まれる発光部１４０と、が設けられている。前記画素電極２３と共通電極５０と、発光部１４０とによって構成される素子が有機ＥＬ素子である。
【００４０】
このような構成のもとに、走査線１３１が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ１２２がオンとなると、そのときの信号線１３２の電位が保持容量ｃａｐに保持され、該保持容量ｃａｐの状態に応じて、駆動用ＴＦＴ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１２３のチャネルを介して電源線１３３から画素電極２３に電流が流れ、さらに発光部１４０を通じて共通電極５０に電流が流れることにより、発光部１４０は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００４１】
次に、図３に示す断面構造をみると、ＥＬ表示装置１０１では、素子基板７０の基板本体１１０上に画素電極（第１電極）２３と、有機発光層６０を含む発光部１４０と、共通電極（第２電極）５０とを備えた有機ＥＬ素子２００が多数配列されている。また前記複数の有機ＥＬ素子２００上には、有機ＥＬ素子２００…を覆って形成された接着層３３と、この接着層３３上に配設された封止基板３０とからなる封止構造が設けられており、さらに封止基板３０の外面側（接着層３３と反対側）には導電膜３６が形成されている。
【００４２】
なお、図２に示した発光部１４０の主要な構成層としては有機発光層６０であるが、挟まれる２つの電極との間に正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層、正孔阻止層（ホールブロック層）、電子阻止層（エレクトロンブロック層）を備えるものであってもよい。
【００４３】
基板本体１１０としては、いわゆるトップエミッション型のＥＬ表示装置の場合、この基板本体１１０の対向側である封止基板３０側から表示光を取り出す構成であるので、透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。不透明基板としては、例えばアルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したものがあり、また耐衝撃性や軽量化を考慮して熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、さらにはそのフィルム（プラスチックフィルム）などを用いてもよい。
【００４４】
また、基板本体１１０上には、画素電極２３を駆動するための駆動用ＴＦＴ１２３などを含む回路部１１が形成されており、この回路部１１を介した上側に有機ＥＬ素子２００が多数配設されている。有機ＥＬ素子２００は、図３に示すように、陽極として機能する画素電極２３と、この画素電極２３からの正孔を注入／輸送する正孔注入／輸送層７５と、電気光学物質の一つである有機ＥＬ物質を備える有機発光層６０と、共通電極５０とが順に積層形成された構成とされている。
【００４５】
画素電極２３は、本実施形態ではトップエミッション型であることから透明である必要がなく、従って適宜な導電材料、例えば金属材料によって形成される。但し、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の透明導電材料によって形成してもよいのは勿論である。
【００４６】
正孔注入／輸送層７５の形成材料としては、例えばポリチオフェン誘導体、ポリピロール誘導体など、またはそれらのドーピング体などが用いられる。具体的には、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）の分散液等をその形成材料として用いて形成される。
【００４７】
有機発光層６０を形成するための材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料を用いることができる。具体的には、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などが好適に用いられる。
【００４８】
また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。上述した高分子材料に代えて、従来公知の低分子材料を用いることもできる。
【００４９】
また、必要に応じて、このような有機発光層６０の上にカルシウムやマグネシウム、リチウム、ナトリウム、ストロンチウム、バリウム、セシウムを主成分とした金属又は金属化合物からなる電子注入層を形成してもよい。
【００５０】
本実施形態において正孔注入／輸送層７５と有機発光層６０とは、基板本体１１０上にて平面視略格子状に形成された無機絶縁層２５及び隔壁構造体（バンク）２２１によって囲まれた領域内に配置されている。すなわち、これらにより囲まれた開口部２２１ａ内に配置された正孔注入／輸送層７５および有機発光層６０は単一の有機ＥＬ素子２００を構成する素子層となる。また、隔壁構造体２２１は、絶縁層を介して下層側に設けられた走査線駆動回路７３上まで延設されている。基板上の最も外周側に配置された隔壁構造体２２１の開口部２２１ａは、発光部１４０を形成する際のダミー画素として利用可能になっている。なお、無機絶縁層２５は、基板本体１１０の外周部近傍まで覆うように形成されている。
【００５１】
上記有機発光層６０及び正孔注入／輸送層７５の形成に際しては、前記隔壁構造体２２１の開口部２２１ａに対して微少量の液滴を選択的に塗布する液滴吐出法（インクジェット法）が適用できる。この液滴吐出法には公知の方法を適用することができ、係る技術は例えば特許第３３２８２９７号公報等に記載されている。
【００５２】
また液滴吐出法により有機発光層６０等を形成する場合、隔壁構造体２２１の開口部２２１ａ内に塗布される液量がごく少量であるため、開口部２２１ａに順次液滴を配していく間に、塗布された液体材料が乾燥してムラになることが問題となる場合がある。これに対して、本実施形態に係る有機ＥＬ装置では隔壁構造体２２１に設けられた開口部２２１ａのうち、最も外周側に設けられた開口部２２１ａをダミー画素として利用できるので、このダミー画素を成す開口部２２１ａに液体材料を滴下しておけば、上記乾燥ムラが生じるのを防止することができ、均一な素子特性を有する有機ＥＬ素子２００を作製することができる。
【００５３】
共通電極５０は、有機発光層６０と隔壁構造体２２１の上面、さらには隔壁構造体２２１の外側部を形成する壁面を覆った状態で、複数の基板本体１１０に跨ってほぼ一面に形成されている。この共通電極５０は、図３に示すように隔壁構造体２２１の外側であって基板本体１１０の周縁領域に延在する共通電極用配線２０２に接続されている。この共通電極用配線２０２は、図示略の配線を介して駆動回路７２，７３ないし外部接続端子を介して外部の回路に導電接続されるようになっている。
【００５４】
共通電極５０は、本実施形態に係るＥＬ表示装置１０１がトップエミッション型であることから、光透過性の導電材料により形成する必要があり、このような透光性導電材料としては、典型的にはＩＴＯが用いられるが、他の透明導電材料であってもよい。
【００５５】
なお、基板本体１１０上に設けられる構成部材のうち基板本体１１０側から共通電極５０までにより先の素子基板７０が構成されており、複数の素子基板７０を平面的に配列することでＥＬ表示体１２０が構成されている。
【００５６】
共通電極５０の上側（封止基板３０側）面には、共通電極保護層（不図示）をさらに積層してもよい。共通電極保護層は、製造プロセス時に共通電極５０が腐食されるのを防止する目的で設けられる層であり、珪素化合物などの無機化合物により形成することができる。共通電極５０を無機化合物からなる共通電極保護層で覆うことにより、共通電極５０への酸素や水分、有機材料等の接触による腐食を良好に防止することができる。
【００５７】
なお、共通電極保護層は、珪素化合物、すなわち珪素窒化物や珪素酸窒化物、珪素酸化物などを高密度プラズマ成膜法によって形成することができる。あるいは、珪素化合物以外でも、例えばアルミナや酸化タンタル、酸化チタン、さらには他のセラミックスなども用いることができる。その厚さは１０ｎｍから３００ｎｍ程度の厚みに形成すればよい。１０ｎｍ未満であると、膜の欠陥や膜厚のバラツキなどによって部分的に貫通孔が形成されてしまい、バリア性が損なわれてしまうおそれがある。また３００ｎｍを越えると、応力による割れが生じて、共通電極５０の破損に繋がるおそれがあるからである。
【００５８】
共通電極５０上には、隔壁構造体２２１よりも広い範囲で、かつ共通電極５０を覆う接着層３３が設けられており、この接着層３３上には封止基板３０が披着されている。接着層３３は、基板本体１１０の外周部に立設された離間部材３５と、離間部材３５の上端面に当接する封止基板３０とにより囲まれた内側に封入されており、封止基板３０と基板本体１１０（素子基板７０）とを接合している。
【００５９】
接着層３３は、例えばウレタン系、アクリル系、エポキシ系、ポリオレフィン系などの樹脂材料からなるものであり、後述する封止基板３０より柔軟でガラス転移点の低い材料により構成されて接着材として機能するものである。このような樹脂材料には、シランカップリング剤またはアルコキシシランを添加しておくのが好ましく、このようにすれば、形成される接着層３３と封止基板３０との密着性がより良好になり、従って機械的衝撃に対する緩衝機能が高くなる。また接着層３３は、ディスペンサ等により液状の樹脂材料を基板本体１１０上に塗布し、封止基板３０を被着した状態で固化することにより形成できる。
【００６０】
また接着層３３は、封止基板３０を接着する機能に加え、その内側に酸素や水分が浸入するのを防止する機能も有しており、これにより共通電極５０や有機発光層６０への酸素や水分の浸入を防止し、もって共通電極５０や有機発光層６０の劣化等を抑えるようにしている。
【００６１】
なお、本実施形態ではトップエミッション型としていることから、接着層３３は透光性を有するものとされ、従ってその材質や膜厚を適宜に調整することにより、本実施形態では可視光領域における光線透過率を例えば８０％以上にしている。
【００６２】
封止基板３０は、接着層３３とともに有機ＥＬ素子２００を封止する封止構造を成しており、好ましくは耐圧性や耐摩耗性、外部光反射防止性、ガスバリア性、紫外線遮断性などの機能の少なくとも一つを有する部材とされる。具体的には、ガラス基板や最表面にＤＬＣ（ダイアモンドライクカーボン）層、珪素酸化物層、チタン酸化物層などがコーティングされたプラスチックフィルム等が好適に用いられる。
【００６３】
隔壁構造体２２１より外側の共通電極用配線２０２上の領域には、離間部材３５が立設されている。この離間部材３５は、基板本体１１０と封止基板３０との間に介挿されることにより前記両基板を所定間隔にて離間する作用を奏する。この離間部材３５は、平面的には、隔壁構造体２２１及び共通電極５０を取り囲む概略矩形枠状に形成される。
【００６４】
先に記載のように接着層３３は液状の形成材料を塗布し固化させることで形成されるが、本実施形態に係るＥＬ表示装置では、離間部材３５によって囲まれた領域内にのみ前記形成材料が塗布されるので、離間部材３５が、封止基板３０を披着した際に接着層３３をその内側に封入する堰部材として機能するようになっている。すなわち、封止基板３０の被着時に前記形成材料が基板本体１１０の周縁部まで濡れ広がるのを防止でき、これにより、接続端子等が形成されている基板外周領域に上記接着層３３の形成材料が付着することがなくなる。従って、接続端子の接触が悪くなるといった不都合も生じない、信頼性に優れたＥＬ表示装置となっている。
【００６５】
離間部材３５は、アクリル樹脂等の有機材料、シリコン酸化物等の無機材料等により形成され、フォトリソグラフィ技術や印刷法等を用いて所定形状にパターン形成する方法が適用できる。また基板本体１１０と封止基板３０との間隔を保持するものであるので、形成領域内で均一な高さに形成され、その高さは５０μｍ〜１ｍｍ程度とされる。封止基板３０と有機ＥＬ素子２００との間は、封止基板３０を披着する際のパーティクル押込み等によって有機ＥＬ素子２００が破損するのを防止するために、ある程度の間隔にて離間されていることが好ましい。従って離間部材３５の高さは、隔壁構造体２２１の高さより大きく、例えば２０μｍ程度以上とすることが好ましく、５０μｍ以上の範囲とすれば、ほぼ確実に有機ＥＬ素子２００の破損を防止できる。
【００６６】
このように本実施形態のＥＬ表示装置１０１では、基板本体１１０と封止基板３０との間に離間部材３５が介挿されているので、封止基板３０と基板本体１１０とを所定間隔に保持することができ、これにより高画質の表示を得られるようになっている。つまり、トップエミッション型のＥＬ表示装置では、有機ＥＬ素子２００上に形成された接着層３３と封止基板３０とを透過した光が表示光となるが、上記離間部材３５によって、有機ＥＬ素子２００上に配された接着層３３はＥＬ表示体１２０の全面で均一な厚さに保持されているので、接着層３３による透過光の吸収や屈折が面内で均一になる。従って、封止基板３０を透過して出力される表示光は輝度、色度の均一性に優れたものとなり、高画質の表示を得ることができる。
【００６７】
そして本実施形態の係るＥＬ表示装置１０１では、封止基板３０の外面側に導電膜３６が形成されている。この導電膜３６は、トップエミッション型の本実施形態の場合、透光性導電材料により形成され、具体的には、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＧＺＯ、ＩＣＯ、ＳｎＯ2、ＺｎＯ、Ｉｎ2Ｏ3等から得ばれる一種以上により形成され、これらに挙げた透光性導電材料を用いるならば、封止基板３０側に表示光を射出する場合に高い光透過率を確保することができる。導電膜３６の膜厚は、良好な導電性を具備し、かつ光透過率を損なわない範囲で任意の膜厚とすることができるが、例えば１０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲である。
【００６８】
さらに、導電膜３６をチタン酸化物により形成することもできる。この場合、導電性を有するチタン酸化物であるので、ＴｉＯｘ（０＜ｘ≦１．５）なる組成のチタン酸化物が用いられる。
【００６９】
このように封止基板３０の外面側に導電膜３６が設けられていることで、素子基板７０に影響を与えることなくＥＬ表示装置１０１の帯電を効果的に防止することができ、素子基板７０に設けられたＴＦＴ１２３等が静電気により破壊されるのを防止することができる。すなわち、素子基板７０を平面的に配列してなる表示体１２０と封止基板３０とを接着層３３を介して貼り合わせる封止工程や、ＥＬ表示装置１０１の検査工程、あるいは電子機器への実装工程に際して、ＥＬ表示装置１０１の帯電を効果的に防止し、静電気による装置の破損を防止することができる。
【００７０】
また、導電膜３６は、封止基板３０の全面或は基板本体１１０と貼り合わせた状態で複数の素子基板７０を共通に覆う様に、導電膜３６が封止基板の外側になるように設けられている。このため、配列された複数の素子基板を共通した電位で覆い、周囲の電位から遮蔽することができる。従って、個々の素子基板を電気的に接続する前の状態であっても静電気の影響を受けるのを抑えることができる。
【００７１】
また、従来技術では、素子基板側に導電膜が設けられる構成であったため、ＴＦＴ形成後に素子基板に導電膜を設ける場合では、成膜時のダメージによるＴＦＴの劣化等が問題となり、ＴＦＴ形成前に素子基板に導電膜を設ける場合では、複雑なＴＦＴ製造工程中で導電膜を損傷することなくハンドリングを行うのが困難であるという問題があった。これに対して、本実施形態のＥＬ表示装置では、帯電防止手段たる導電膜３６はＴＦＴが形成された素子基板７０ではなく、対向側である封止基板３０に設けられるので、素子基板７０におけるＴＦＴの損傷や劣化が生じることはなく、またハンドリングが容易であることから作業効率も高くなる。
【００７２】
また導電膜３６が形成される封止基板３０は、ＥＬ表示装置の製造工程では、素子基板７０に対して被着されるだけのものであり、ＴＦＴの製造工程のような複雑な工程に供されるものではないため、素子基板側に形成する場合に比して、導電膜３６の成膜方法の制約が少なくなり、生産効率の向上が可能で、表示装置の低コスト化にも寄与する。
【００７３】
なお、本実施形態ではＥＬ表示装置１０１はトップエミッション型であるため、封止基板３０及び導電膜３６が透光性を有する構成としているが、ＥＬ表示装置１０１はボトムエミッション型とすることもできる。この場合、導電膜３６は透光性を具備している必要はなく、チタンやチタン窒化物、クロム等の金属ないし金属化合物により形成することができる。導電膜３６を金属や金属化合物により形成するならば、より良好な導電性が得られ、帯電防止機能をさらに高めることができる。またチタン窒化物により導電膜を形成すれば、チタン窒化物の反射防止機能により、封止基板３０側からの反射防止効果を得ることができる。
【００７４】
以下、ＥＬ表示装置１０１に設けられた回路部１１の詳細な断面構造について説明することとする。図４は、当該回路部１１を含む部分断面構成図である。
【００７５】
基板本体１１０の表面には下地としてＳｉＯ2を主体とする下地保護層２８１が形成され、その上にはシリコン層（半導体層）２４１が形成されている。このシリコン層２４１の表面を含む基板本体１１０上には、ＳｉＯ2及び／又はＳｉＮを主体とするゲート絶縁層２８２が形成されている。
【００７６】
シリコン層２４１のうち、ゲート絶縁層２８２を挟んでゲート電極２４２と重なる領域がチャネル領域２４１ａである。上記ゲート電極２４２は、図示しない走査線１３１の一部を成している。一方、シリコン層２４１を覆い、ゲート電極２４２を形成したゲート絶縁層２８２の表面には第１層間絶縁層２８３が形成されている。この第１層間絶縁膜２８３は珪素酸化物膜や珪素窒化物膜などの珪素化合物膜を主体とする絶縁膜であり、例えば原料ガスとして、モノシランと一酸化二窒素との混合ガスや、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン、Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4）と酸素、ジシランとアンモニア等を用いるプラズマＣＶＤ法等によって形成することができる。
【００７７】
また、シリコン層２４１のうち、チャネル領域２４１ａのソース側には、低濃度ソース領域２４１ｂおよび高濃度ソース領域２４１Ｓが設けられる一方、チャネル領域２４１ａのドレイン側には低濃度ドレイン領域２４１ｃおよび高濃度ドレイン領域２４１Ｄが設けられている。すなわち、駆動用ＴＦＴ１２３は、いわゆるＬＤＤ（Light Doped Drain）構造を備えた薄膜トランジスタである。これらのうち、高濃度ソース領域２４１Ｓは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とに渡って開孔するコンタクトホール２４３ａを介してソース電極２４３に接続されている。ソース電極２４３は、上述した電源線１３３（図２参照、図４においてはソース電極２４３の位置に紙面垂直方向に延在する）の一部として構成される。一方、高濃度ドレイン領域２４１Ｄは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホール２４４ａを介してソース電極２４３と同一層からなるドレイン電極２４４に接続されている。
【００７８】
ソース電極２４３およびドレイン電極２４４が形成された第１層間絶縁層２８３の上層は、例えば珪素窒化物や珪素酸化物、珪素酸窒化物などのガスバリア性を有する珪素化合物を主体とする平坦化絶縁膜２８４によって覆われている。この平坦化絶縁膜２８４は、珪素窒化物（ＳｉＮ）や珪素酸化物（ＳｉＯ2）などの珪素化合物層とアクリル樹脂などの配線平坦化層とからなる構成とすることもできる。そして、ＩＴＯからなる画素電極２３が、この平坦化絶縁膜２８４の表面に形成されるとともに、平坦化絶縁膜２８４に設けられたコンタクトホール２３ａを介してドレイン電極２４４に接続されている。すなわち、画素電極２３は、ドレイン電極２４４を介してシリコン層２４１の高濃度ドレイン領域２４１Ｄと電気的に接続されている。
【００７９】
また、コンタクトホール２３ａ内に画素電極２３を形成すると、コンタクトホール２３ａの形状に起因した凹部２９５が残る。このため、この凹部２９５上には、有機平坦層２９６を形成し、凹部２９５を埋めて平坦化している。有機平坦層２９６としては、アクリル樹脂、有機珪素化合物等が好ましい。このように、隔壁構造体２２１の下地を平坦化することにより、隔壁構造体２２１を覆う共通電極５０や接着層３３の平坦化が容易になり、封止性を向上させることができる。
【００８０】
なお、走査線駆動回路７３等に含まれるＴＦＴ（駆動回路用ＴＦＴ）、例えばこれらの駆動回路のうち、シフトレジスタに含まれるインバータを構成するＮチャネル型又はＰチャネル型のＴＦＴは、画素電極２３と接続されていない点を除いて駆動用ＴＦＴ１２３と概略同様の構造とすることができる。
【００８１】
画素電極２３が形成された平坦化絶縁膜２８４の表面には、画素電極２３と、上述した無機絶縁層２５及び隔壁構造体２２１とが設けられる。無機絶縁層２５は、例えばＳｉＯ2などの無機材料からなる薄膜であり、隔壁構造体２２１は、アクリル樹脂やポリイミドなどの有機材料からなるものである。そして、画素電極２３の上には、無機絶縁層２５に設けられた開口部２５ａ、および隔壁構造体２２１に囲まれてなる開口部２２１ａの内部に、正孔輸送層７５と有機発光層６０とがこの順に積層される。
【００８２】
以上に説明した基板本体１１０上の平坦化絶縁膜２８４までの層が、回路部１１を構成している。
【００８３】
ここで、本実施形態のＥＬ表示装置１０１は、カラー表示を行うべく、各有機発光層６０が、その発光波長帯域が光の三原色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）にそれぞれ対応して形成されている（図１参照。）。例えば、有機発光層６０として、発光波長帯域が赤色に対応した赤色用有機発光層、緑色に対応した緑色用有機発光層、青色に対応した青色用有機発光層をそれぞれに対応する表示領域Ｒ、Ｇ、Ｂに設け、これら表示領域Ｒ、Ｇ、Ｂをもってカラー表示を行う１画素が構成される。また、各色表示領域の境界には、金属クロムをスパッタリングなどにて成膜した図示略のＢＭ（ブラックマトリクス）が、例えば隔壁構造体２２１と無機絶縁層２５との間に形成される。
【００８４】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態について、図５を参照して説明する。図５は本実施形態に係るＥＬ表示装置１１１の断面構成図である。本実施形態のＥＬ表示装置１１１は、図５に示す封止基板３７及び絶縁膜３８を具備し、ボトムエミッション型とされている点に特徴を有しており、その平面構成や回路構成等は、図１から図４に示した先の第１実施形態に係るＥＬ表示装置１０１と概略同様である。したがって以下の説明では適宜図１から図４を参照しつつ説明する。また図５において図１から図４と同一の符号は同一の構成要素を示している。
【００８５】
図５に示すように、ＥＬ表示装置１１１は、複数の素子基板７０を配列してなるＥＬ表示体１２０を支持基板１８０により一体に支持するとともに、素子基板７０の素子形成面（有機ＥＬ素子２００側面）に接着層３３を介して対向配置された封止基板（導電性基板）３７を具備したものとなっている。
【００８６】
本実施形態のＥＬ表示装置１１１はボトムエミッション型であるので、素子基板７０を構成する基板本体１１０、及びそれらの背面側に接合される支持基板１８０は、有機ＥＬ素子２００から出力される光を取り出すために透光性を有して構成される。基板本体１１０及び支持基板１８０は、例えばガラスや石英、プラスチック等からなるものとすることができる。また有機ＥＬ素子２００についても、その基本構成は先の第１実施形態と同様であるが、発光部１４０の基板本体１１０側に配される画素電極２３が、ＩＴＯ等の透光性導電材料を用いて形成される一方、共通電極５０は、アルミニウムや銀等の光反射性を具備した導電材料により形成される。
【００８７】
封止基板３７は導電性を有する基板であり、第１実施形態に係る導電膜３６による帯電防止機能と同様の機能を奏するものである。封止基板３７としては、例えばステンレスやアルミニウム等の金属基板を用いることができる。また、封止基板３７の素子基板７０側面には、絶縁膜３８が設けられている。
【００８８】
上記構成の本実施形態のＥＬ表示装置１１１によれば、封止基板３７自体が帯電防止機能を具備したものとなっているので、素子基板７０に影響を与えることなく静電気の影響を防止できる効果や、素子基板７０の製造工程における基板本体１１０のハンドリングの容易さ等、先の第１実施形態と同様の作用効果を得ることができ、さらには、薄膜である導電膜３６により帯電防止機能を実現している先の第１実施形態に比しても、高い帯電防止効果が得られる。また、封止基板のハンドリングがより容易になるため、作業効率の向上に寄与し得る構成となっている。
【００８９】
上記絶縁膜３８が設けられていることで、封止基板３７とＥＬ表示体１２０の共通電極５０とが直接に接触するのを防止でき、素子の動作不良等が生じるのを効果的に防止して歩留まりよく製造可能なＥＬ表示装置となる。また係る絶縁膜３８は、上記封止基板３７と共通電極５０との絶縁を確保できる範囲でその膜厚を薄くすることが可能であり、絶縁膜３８を薄層化することで封止基板３７と有機ＥＬ素子２００との距離を短くできるため、有機ＥＬ素子２００で発生する熱を放散させる効果を高めることができる。したがって動作時の信頼性にも優れるＥＬ表示装置とすることができる。さらに、封止基板３７と有機ＥＬ素子２００との間に介在する接着層３３を熱伝導性の高い樹脂材料により形成すれば、より良好な放熱性を得ることができる。
【００９０】
上記絶縁膜３８としては、例えば酸化シリコンや窒化シリコン等の無機絶縁材料、ないし樹脂材料等の有機絶縁材料のいずれも用いることができる。本実施形態では、封止基板３８の接着層３３側の全面に絶縁膜３８をベタ状に形成しているが、共通電極５０と封止基板３７との接触を防止するためには、少なくとも隔壁構造体２２１の平面領域に対応する領域に絶縁膜３８が設けられていればよい。
【００９１】
（第３の実施形態）
次に、本発明に係る第３の実施形態について、図６を参照して説明する。図６は本実施形態に係るＥＬ表示装置に備えられる封止体を示す部分断面構成図である。本実施形態に係るＥＬ表示装置は、先の第１実施形態に係るＥＬ表示装置１０１について、図６に示す封止体を採用した構成である。すなわち、図６に示すような、封止基板３０の外面側（接着層３３と反対側）に、導電膜３６とチタン酸化物膜８１との積層膜が設けられた構造を具備したＥＬ表示装置である。
【００９２】
上記チタン酸化物膜８１は、ＴｉＯｙ（１．５＜ｙ＜２．２）なる組成を具備したチタン酸化物を主成分とする透光性膜である。チタン酸化物における酸素含有量（ｙ）が上記範囲を外れると、後述する防曇効果や防汚効果が低下する傾向になる。
【００９３】
導電膜３６は先の第１実施形態と同様、透光性導電材料により形成されたものであり、チタン酸化物（ＴｉＯｘ；０＜ｘ＜１．５）により形成されていてもよい。
【００９４】
上記構成を具備した本実施形態のＥＬ表示装置では、第１実施形態に係るＥＬ表示装置の帯電防止機能に加え、最外面に配されたチタン酸化物膜８１が奏する水分凝集作用と光触媒作用とにより防曇効果と、汚染物質の付着防止効果とを得られるようになっている。したがって本実施形態に係るＥＬ表示装置によれば、視認性に優れる高画質の表示を得ることができる。
【００９５】
（第４の実施形態）
次に、図７を参照して本発明の第４の実施形態について説明する。図７は本実施形態に係るＥＬ表示装置に備えられる封止体を示す部分断面構成図である。本実施形態に係るＥＬ表示装置は、先の第１実施形態に係るＥＬ表示装置１０１について、図７に示す封止体を採用した構成である。すなわち、図７に示すような、封止基板３０の外面側（接着層３３と反対側）に設けられた導電膜３６上に、複数（図示では２層）のチタン酸化物膜９１と、複数（図示では２層）のシリコン酸化物膜９２とを交互に積層した積層膜９０が設けられているＥＬ表示装置である。
【００９６】
積層膜９０は、屈折率の異なるチタン酸化物膜９１とシリコン酸化物膜９２とが交互に複数層積層されていることにより、優れた光透過率と防反射機能を奏するものであり、有機ＥＬ素子２００の光を封止基板３０側から取り出すトップエミッション型のＥＬ表示装置では、光取り出し効率の向上により明るい表示が得られるとともに、当該表示装置に入射する外光の反射を抑え、視認性に優れる表示を得ることができる。
【００９７】
なお、上記各実施の形態では、ＥＬ表示体１２０の素子形成面側に配設される導電膜３６や封止基板３７が帯電防止機能を具備している場合について説明したが、先の実施形態の如く平面的に配列された複数の素子基板７０を支持基板１８０により一体に支持した構成を備えている場合、支持基板１８０の外面側に導電膜が形成されていてもよい。この場合にも、素子基板７０自体に導電膜を設けるのではないため、製造が困難になったり、ＴＦＴの破損や劣化が生じることはない。導電膜は支持基板１８０の全体或は支持基板と貼り合せた状態で複数の素子基板７０を共通に覆うように設ける。このため、複数の素子基板７０を共通の電位で覆い、周囲の電位から遮蔽することができ、個々の素子基板７０を電気的に接続する前であっても静電気の影響を受けるのを抑えることができる。また、封止基板３０の外面と支持基板１８０の外面との双方に導電膜が設けられていることで、より良好な帯電防止機能を得ることができる。また支持基板１８０に導電膜が設けられていてもハンドリングが困難になることはなく、貼り合わせ工程後に支持基板１８０に導電膜を成膜したとしても素子基板７０のＴＦＴが影響を受けるおそれはない。
【００９８】
支持基板１８０上に複数の素子基板７０を配列して一の表示領域を構成したＥＬ表示装置では、複数の素子基板７０が一体に用いられるため、素子基板７０についてより低い欠陥発生率が要求される。係る場合において、素子基板７０と支持基板１８０との貼り合わせ工程で静電気により素子基板７０に欠陥が生じると製造歩留まりを著しく低下させる可能性があり好ましくない。そこで、上記したように支持基板１８０の外面側（素子基板と反対側）にも導電膜を設けておくならば、当該貼り合わせ工程においても良好に基板７０，１８０の帯電を防止でき、ＥＬ表示装置の歩留まり向上に有効である。
【００９９】
また有機ＥＬ素子２００の封止構造としては、接着層３３と封止基板３０，３７とからなる構造に限定されず、例えば封止基板３０，３７に代えて、従来から知られている封止缶を用いることもできる。
【０１００】
また、上記実施形態ではＥＬ表示装置を例示して説明したが、本発明に係るエレクトロルミネッセンス装置の適用範囲はこれに限定されるものではなく、例えばＥＬプリンタヘッド等のデバイスにも好適に用いることができる。
【０１０１】
（電子機器）
図８は、本発明に係る電子機器の一例を示す斜視構成図である。
【０１０２】
図８に示す映像モニタ１２００は、先の実施形態のＥＬ表示装置を備えた表示部１２０１と、筐体１２０２と、スピーカ１２０３等を備えて構成されている。そして、この映像モニタ１２００は、先のＥＬ表示装置により明るく視認性に優れた表示が可能である。
【０１０３】
上記実施の形態のＥＬ装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段、あるいはプリンタヘッドの光源手段として好適に用いることができ、いずれの電子機器においても、高輝度の発光が得られるものとなっている。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】図１は、第１実施形態に係るＥＬ表示装置を示す図。
【図２】図２は、同、回路構成図。
【図３】図３は、図１のＡ−Ａ’線に沿う断面構成図。
【図４】図４は、図３の回路層を拡大して示す部分断面構成図。
【図５】図５は、第２実施形態に係るＥＬ表示装置の断面構成図。
【図６】図６は、第３実施形態に係る封止構造を示す部分断面構成図。
【図７】図７は、第４実施形態に係る封止構造を示す部分断面構成図。
【図８】図８は、電子機器の一例を示す斜視構成図。
【符号の説明】
【０１０５】
１０１，１１１  ＥＬ表示装置（エレクトロルミネッセンス装置）、３０  封止基板、３３  接着層、６０  有機発光層（発光層）、７０  素子基板、１２０  ＥＬ表示体、１８０  支持基板、２００  有機ＥＬ素子（発光素子）。
【図１】
2006004907.tif 000003
【図２】
2006004907.tif 000004
【図３】
2006004907.tif 000005
【図４】
2006004907.tif 000006
【図５】
2006004907.tif 000007
【図６】
2006004907.tif 000008
【図７】
2006004907.tif 000009
【図８】
2006004907.tif 000010