(57)【要約】【課題】  アスペクト比が高いトレンチの形成が可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】  ＨＢｒガス、Ｏ２ガス及びＮＦ３ガスからなる第１の混合ガスをエッチングガスとして、トレンチ３７をシリコン基板２１に形成する。トレンチ３７のアスペクト比が２０以上に到達すると、エッチングガスをＨＢｒガス、Ｏ２ガス及びＣＦ４ガスからなる第２の混合ガスに変更して、アスペクト比が５０以上のトレンチ３７を形成する。【選択図】  図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン酸化膜をマスクにして、エッチングガスにより、シリコン層を選択的にエッチングして、前記シリコン層中にトレンチを形成する半導体装置の製造方法において、
前記トレンチの形成の途中で、前記エッチングガスを、ＨＢｒガス、Ｏ２ガス及び炭素を含有しないＦ系ガスを含む第１の混合ガスからＨＢｒガス、Ｏ２ガス及び炭素を含有するＦ系ガスを含む第２の混合ガスに変更する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記トレンチのアスペクト比が２０以上に到達すると、前記第１の混合ガスから前記第２の混合ガスに変更する
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記トレンチのアスペクト比が２０以上に到達すると、前記第１の混合ガスから前記第２の混合ガスに変更して、アスペクト比が５０以上の前記トレンチを形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２の混合ガスにおける炭素を含有するＦ系ガスは、ＣＦ４ガス又はＣＨＦ３ガスを含む
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２の混合ガスは、さらに、炭素を含有しないＦ系ガスを含む
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、例えばＤＲＡＭ(Dynamic Random Access Memory)のキャパシタが埋め込まれるトレンチの形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置のうちＤＲＡＭやアナログ回路は、キャパシタを備える。例えば、ＤＲＡＭは、１ビットの情報をキャパシタに蓄積された電荷量の大小で記憶する。ＤＲＡＭでは、キャパシタに蓄積された電荷のリークが不可避的に起こるため、キャパシタから電荷が失われる前にいったん情報を読み出して同じ情報を書き込む動作が必要である。これをリフレッシュ動作という。過度のリフレッシュ動作をすることなく、情報を正確に記憶するためには、キャパシタの容量を大きくする必要がある。キャパシタの容量ＣはＣ=εＳ/ｄと表される。εは誘電体膜であるキャパシタ絶縁膜の誘電率であり、Ｓはキャパシタ絶縁膜の表面積であり、ｄはキャパシタ絶縁膜の厚みである。したがって、容量Ｃは、キャパシタ絶縁膜の表面積Ｓに比例する。
【０００３】
しかし、ＤＲＡＭの微細化により、シリコン基板の表面上に平面的に形成されたキャパシタではキャパシタ絶縁膜の表面積を大きくすることができないため、キャパシタの容量を大きくできない。そこで、シリコン基板にトレンチをエッチングで形成し、そこにキャパシタを埋め込むことにより、キャパシタを縦方向に延ばしている。これにより、キャパシタ絶縁膜の表面積を大きくして、キャパシタの容量を増やしている。
【０００４】
キャパシタをトレンチに形成すれば、ＤＲＡＭの微細化がさらに進んでも、トレンチを深くすればキャパシタの容量を確保できる。しかし、トレンチのアスペクト比（トレンチの深さ／トレンチの上端の開口径）が大きくなると、トレンチの深さ方向のエッチングが進みにくくなる。このため、様々なトレンチエッチングの方法が提案されている（例えば、特許文献１，２，３）。
【特許文献１】特開２００２−１１０６４７号公報（段落００４７〜００４９）
【特許文献２】特開平１１−１３５４８９号公報（要約）
【特許文献３】特開２００２−３６７９６０号公報（段落００２５〜００３５）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、アスペクト比が高いトレンチの形成が可能な半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、シリコン酸化膜をマスクにして、エッチングガスにより、シリコン層を選択的にエッチングして、前記シリコン層中にトレンチを形成する半導体装置の製造方法において、前記トレンチの形成の途中で、前記エッチングガスを、ＨＢｒガス、Ｏ２ガス及び炭素を含有しないＦ系ガスを含む第１の混合ガスからＨＢｒガス、Ｏ２ガス及び炭素を含有するＦ系ガスを含む第２の混合ガスに変更することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、アスペクト比が高いトレンチをシリコン層に形成することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明の実施形態について図面を参照して説明する。本実施形態に係る半導体装置の製造方法において、トレンチが形成されるシリコン層は、シリコン基板であるが、シリコンのエピタキシャル成長層でもよい。まず、本実施形態で用いるエッチング装置について説明する。図１は、このエッチング装置の概略図である。エッチング装置１は、チャンバ３と、チャンバ３内の下部に配置されると共にカソード電極となるステージ５とを備える。ステージ５上には、トレンチ形成の対象となるシリコン基板としてウエハＳが載置される。
【０００９】
エッチング装置１は、さらに、チャンバ３内の圧力を調節する真空ポンプ７と、インピーダンス整合器であるマッチャー９を介してチャンバ３内の電極と接続された二つの高周波電源１１，１３と、を備える。高周波電源１１はカソード電極となるステージ５に接続されて３．２ＭＨｚの高周波電力を供給し、高周波電源１３もステージ５に接続されて４０ＭＨｚの高周波電力を供給する。ここで、周波数の低い電力を供給する高周波電源１１によりステージ５に印加するパワーがバイアスパワーである。一方、周波数の高い電力を供給する高周波電源１３によりステージ５に印加するパワーがソースパワーである。
【００１０】
エッチング装置１は、さらに、チャンバ３の上からチャンバ３内に導かれかつエッチングガスＧをチャンバ３内に導入するためのガス導入管１５と、カソード電極となるステージ５に対向配置されかつ接地電位とされるアノード電極１７と、を備える。
【００１１】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法のうちトレンチ形成工程を説明する。図２〜図７は、これを工程順に示す断面図である。図２に示すように、シリコン基板２１の表面２３上に熱酸化により厚さ６ｎｍのシリコン酸化膜２５を形成する。次に、ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)により、シリコン酸化膜２５上に厚さ２２０ｎｍのシリコン窒化膜２７を形成する。シリコン窒化膜２７を表面２３上に直接形成した場合、シリコン窒化膜２７はシリコンからなるシリコン基板２１と密着性が良くないので、これらの間にシリコン酸化膜２５を介在させている。
【００１２】
次に、マスクとして機能する厚さ１４００ｎｍのシリコン酸化膜２９を、ＣＶＤによりシリコン窒化膜２７上に形成する。回転塗布法を用いて、シリコン酸化膜２９上に厚さ６００ｎｍのレジスト３１を形成する。
【００１３】
図３に示すように、フォトリソグラフィにより、トレンチの形成領域３３と対応する位置にレジスト３１が開口３５を有するように、レジスト３１をパターニングする。次に、レジスト３１をマスクにして、ＲＩＥ(Reactive Ion Etching)のような異方性エッチングを用いて、シリコン酸化膜２９、シリコン窒化膜２７及びシリコン酸化膜２５をエッチングして、表面２３を選択的に露出させる。そして、レジスト３１を除去したシリコン基板２１を含むウエハＳを図１に示すステージ５上に置く。
【００１４】
図４に示すように、シリコン酸化膜２９をマスクとして、ＲＩＥによりシリコン基板２１を選択的にエッチングして、トレンチ３７の形成を開始する。このエッチングの具体的条件は次の通りである。図１に示すガス導入管１５からチャンバ３内に導入されるエッチングガスＧは、ＨＢｒガスが２５０ｓｃｃｍ、Ｏ２ガスが２０ｓｃｃｍ、ＮＦ３ガスが１１ｓｃｃｍの混合ガス（第１の混合ガスの一例）である。ＮＦ３ガスは、炭素を含有しないＦ系ガスの一例である。このようなガスとして他にＳＦ６ガスがある。チャンバ３内の圧力は２００ｍＴｏｒｒであり、ソースパワーは９００Ｗであり、バイアスパワーは１６００Ｗである。
【００１５】
Ｏ２ガスは、トレンチ３７の側壁３９の角度を調整する目的やエッチング時間を延ばす目的で導入される。詳細に説明すると、シリコン基板２１がエッチングされて飛散したＳｉが、Ｏ２ガスと反応し、ＳｉＯｘからなる反応生成物４１がトレンチ３７の側壁３９に付着する。炭素を含有しないＦ系ガスにおいて、反応生成物４１のエッチングレートは、シリコン基板２１のそれよりもかなり小さい。したがって、Ｏ２ガスの流量を変えることにより、側壁３９の角度を調整することができる。なお、本実施形態の図面では、記載の便宜上、側壁３９を垂直に表している。
【００１６】
また、トレンチエッチングの際、マスクであるシリコン酸化膜２９もエッチングされるため、その厚みが徐徐に小さくなる。シリコン酸化膜２９は、厚みが小さくなり過ぎるとマスクとして機能しなくなる。反応生成物４１はシリコン酸化膜２９上にも付着するので、シリコン酸化膜２９の厚みが小さくなり過ぎるのを遅らせることができる。これによって、エッチング時間を延ばして、深いトレンチ３７を形成するのである。
【００１７】
しかしながら、炭素を含有しないＦ系ガスによれば、反応生成物４１のエッチングレートが小さいので、第１の混合ガスでエッチングを続けると、図５に示すように、側壁３９及びマスクであるシリコン酸化膜２９の側面４３に堆積する反応生成物４１の厚みが大きくなる。側面４３の方が側壁３９よりも立体角が大きく反応生成物４１が付着しやすいため、側面４３上の反応生成物４１の厚みは、側壁３９上のそれよりも大きくなる。なお、図５中のシリコン酸化膜２９の厚みとその上の点線で示される部分の厚みとを加えた値が、当初のシリコン酸化膜２９の厚みである。
【００１８】
したがって、第１の混合ガスでエッチングを続ける比較形態によれば、図８に示すように、側面４３に厚く堆積した反応生成物４１により、マスクであるシリコン酸化膜２９の開口４７の面積が小さくなるため、トレンチ３７の実効的なアスペクト比が増加する。よって、トレンチ３７の底面４５のエッチングがされ難くなる。また、エッチングがされ難くなることにより、Ｓｉの飛散量が減り、シリコン酸化膜２９上に堆積する反応生成物４１の量も減る。これにより、シリコン酸化膜２９の厚みが小さくなり過ぎるのが早まり、エッチング時間を延ばすことができなくなる。
【００１９】
以上説明したように、比較形態に係るトレンチ形成方法では、高アスペクト比のトレンチ３７を形成するのに障害となる問題（底面４５のエッチングが困難なこと、エッチング時間を延ばすことができないこと）が発生する。なお、アスペクト比とは、（トレンチ３７の深さｄ）／（トレンチ３７の上端の開口径φ）である。トレンチ３７の深さｄは、表面２３からトレンチ３７の底面４５までの距離である。
【００２０】
これに対して、本実施形態では、図５に示すトレンチ３７の形成の途中で、エッチングガスを、第１の混合ガスから第２の混合ガスに変更することにより、エッチングをさらに進行させることが可能となる。第２の混合ガスを用いたエッチングの具体的条件は、次の通りである。
【００２１】
ガス導入管１５からチャンバ３内に導入されるエッチングガスＧは、ＨＢｒガスが２５０ｓｃｃｍ、Ｏ２ガスが２５ｓｃｃｍ、ＣＦ４ガスが１７ｓｃｃｍの混合ガス（第２の混合ガスの一例）に変更される。ＣＦ４ガスは、炭素を含有するＦ系ガスの一例であり、ＣＦ４ガスの替わりにＣＨＦ３ガスを用いてもよい。また、ＮＦ３ガスやＳＦ６ガスのような炭素を含有しないＦ系ガスを第２の混合ガスに加えてもよい。チャンバ３内の圧力は変更せず、ソースパワーは９００Ｗ、バイアスパワーは１６００Ｗのままである。
【００２２】
第２の混合ガスを用いたエッチングにより、図６に示すように、トレンチ３７の深さは図８のそれと同じでも、シリコン酸化膜２９の開口４７は図８のそれよりも大きくすることができる。これは、炭素を含有するＦ系ガスが炭素を含有しないＦ系ガスに比べて、反応生成物４１であるＳｉＯｘをエッチングし易いからである。  
【００２３】
したがって、（１）トレンチ３７の実効的なアスペクト比が増加するのを抑制できるため、トレンチ３７の底面４５のエッチングが容易となる。（２）炭素を含有するＦ系ガスは、炭素を含有しないＦ系ガスに比べてシリコン酸化物をエッチングし易いが、マスクとなるシリコン酸化膜２９上に供給される反応生成物４１を一定量確保できる。なぜなら、（１）の結果、シリコン基板２１がエッチングされて飛散するＳｉの量が減少するのを防止できるからである。よって、シリコン酸化膜２９の厚みが小さくなり過ぎるまでの時間を長くできるので、エッチング時間を延ばすことができる。
【００２４】
これら（１）（２）により、本実施形態ではトレンチ３７のエッチングを進行させることが可能となり、図７に示すようにトレンチ３７をさらに深くすることができる。この結果、アスペクト比の高いトレンチ３７を形成することができる。
【００２５】
ここで、本実施形態によれば、高アスペクト比のトレンチ３７を形成できることをグラフで説明する。図９は、マスクであるシリコン酸化膜２９、トレンチ３７が形成されるシリコン基板２１のそれぞれのエッチングレートとアスペクト比との関係を示すグラフである。縦軸がエッチングレートであり、横軸がトレンチのアスペクト比である。比較形態とは、上記の通り、第１の混合ガスでエッチングを続けるトレンチ形成方法である。
【００２６】
本実施形態は、第２の混合ガスに変更するまでは、第１の混合ガスでエッチングするので、シリコン酸化膜２９やシリコン基板２１のエッチングレートは、比較形態のそれらのエッチングレートと同じである。アスペクト比がＲになると、本実施形態ではエッチングガスを第１の混合ガスから第２の混合ガスに変更する。これにより、本実施形態ではシリコン酸化膜２９上に供給される反応生成物４１の量の減少が抑制される。したがって、シリコン酸化膜２９は本実施形態の方が比較形態よりもエッチングレートが小さくなるので、エッチング時間を延ばすことができる。また、本実施形態ではトレンチ３７の実効的なアスペクト比が増加するのを抑制できるため、シリコン基板２１は本実施形態の方が比較形態よりもエッチングレートが大きくなり、エッチングが容易となる。
【００２７】
以上より、本実施形態は比較形態に比べて、エッチング時間を延ばすことができかつシリコン基板２１のエッチングが容易なので、高アスペクト比のトレンチ３７を形成することができる。
【００２８】
エッチングガスを第１の混合ガスから第２の混合ガスに変更するのは、例えば、アスペクト比が２０以上に到達した場合である。第１の混合ガスでエッチングしても、アスペクト比が２０未満だと、側面４３上の反応生成物４１は、トレンチ３７の底面４５のエッチングを妨げる程度にまで堆積しておらず、開口４７は十分な大きさを有する。このような状態で第２の混合ガスに変更すると、マスクであるシリコン酸化膜２９の厚みが小さくなり過ぎる時間が早くなり、エッチング時間を延ばすことができなくなる恐れがある。これに対してアスペクト比が２０以上で第２の混合ガスに変更すると、上述の（１）（２）の理由でエッチングを進行させることができ、この結果、アスペクト比が５０以上のトレンチ３７を形成することが可能となる。
【００２９】
次に、本実施形態に係る半導体装置の製造方法についてＤＲＡＭのメモリセルＭＣを例にして説明する。図１０〜図２５は、これを工程順に示す断面図である。
【００３０】
図２及び図３に示す工程後、図１０に示すように、シリコン酸化膜２９をマスクとして、ＲＩＥによりシリコン基板２１を選択的にエッチングして、アスペクト比が２０以上のトレンチの上部３７ａを形成する。トレンチの上部３７ａの側壁３９は、表面２３から底面４５に向かうに従いトレンチの幅が小さくなるテーパ状を有する。このエッチングの具体的条件は、次の通りである。エッチングガスは、ＨＢｒガスが２５０ｓｃｃｍ、Ｏ２ガスが２８ｓｃｃｍ、ＮＦ３ガスが３０ｓｃｃｍの混合ガス（第１の混合ガスの一例）であり、図１のチャンバ３内の圧力は１８０ｍＴｏｒｒであり、ソースパワーは９００Ｗであり、バイアスパワーは１６００Ｗである。
【００３１】
トレンチの上部３７ａの形成後、図１１に示すように、ＲＩＥを用いてトレンチの下部３７ｂを形成する。トレンチの下部３７ｂは、深さ方向において、その幅が略同じである。トレンチの上部３７ａとトレンチの下部３７ｂとの連結部４９において、トレンチの下部３７ｂの幅がトレンチの上部３７ａの幅より広がっている。トレンチの下部３７ｂを形成するエッチングには、第２の混合ガスを用いる。
【００３２】
トレンチの下部３７ｂを形成するための具体的条件を説明する。エッチングガスは、ＨＢｒが２５０ｓｃｃｍ、Ｏ２が２７ｓｃｃｍ、ＣＦ４が１８ｓｃｃｍの混合ガスである。チャンバ３内の圧力は例えば１８０ｍＴｏｒｒであり、ソースパワーは例えば９００Ｗであり、バイアスパワーは例えば１６００Ｗである。
【００３３】
トレンチの下部３７ｂの形成後、フッ酸系のウェットエッチングを用いて、側壁３９に堆積した反応生成物４１を除去する。以上により、トレンチの上部３７ａとトレンチの下部３７ｂとにより構成されるトレンチ３７が完成する。
【００３４】
次に、図１２に示すように、ＣＶＤ法を用いて、シリコン基板２１の全面に不純物を含んだ膜、例えばＡｓＳＧ膜５１を形成する。これにより、トレンチ３７の側壁３９上にＡｓＳＧ膜５１が形成される。そして、回転塗布法を用いて、シリコン基板２１の全面にレジスト５３を形成する。レジスト５３はトレンチ３７に埋め込まれている。そして、ダウンフローエッチングにより、シリコン酸化膜２９上及びトレンチの上部３７ａ内に形成されたレジスト５３を除去して、ＡｓＳＧ膜５１を露出させる。トレンチの下部３７ｂ内には、レジスト５３が残されている。
【００３５】
図１３に示すように、フッ酸系のウェットエッチングやダウンフローエッチングを用いて、シリコン酸化膜２９上及びトレンチの上部３７ａの側壁上に形成されたＡｓＳＧ膜５１を除去する。次に、過酸化水素水と硫酸との混合液によるウェットエッチングを用いて、トレンチの下部３７ｂに残されているレジスト５３を除去する。
【００３６】
図１４に示すように、ＣＶＤによってトレンチ３７の側面を覆うように、シリコン基板２１の全面にＴＥＯＳ(Tetraethylorthosilicate)膜５５を形成する。そして、熱拡散により、ＡｓＳＧ膜５１に含まれるＡｓをトレンチの下部３７ｂの周囲のシリコン基板２１中に拡散させる。これにより、キャパシタの一方電極となるｎ型の不純物領域５７が形成される。ＴＥＯＳ膜５５の存在により、Ａｓがトレンチの上部３７ａの周囲のシリコン基板２１中に拡散するのを防止できる。次に、フッ酸系のウェットエッチングを用いてＴＥＯＳ膜５５及びＡｓＳＧ膜５１を除去する。この状態が図１５である。
【００３７】
図１６に示すように、絶縁膜５９がトレンチ３７の側壁上に形成されるように、ＣＶＤにより絶縁膜５９をシリコン基板２１の全面に形成する。絶縁膜５９はキャパシタ絶縁膜となる。次に、ＣＶＤを用いて、トレンチ３７が埋まるようにシリコン基板２１の全面に導電膜６１を形成する。導電膜６１としては、例えばＡｓがドープされたポリシリコン膜である。
【００３８】
図１７に示すように、ＣＭＰ(Chemical Mechanical Polishing)等の所定の平坦化プロセスや所定のエッチング工程により、トレンチの下部３７ｂに導電膜６１が残るように導電膜６１を除去する。トレンチの下部３７ｂに残された導電膜６１は、キャパシタの他方電極である埋込導電部材６３となる。埋込導電部材６３とトレンチの下部３７ｂとの間に位置する絶縁膜５９がキャパシタ絶縁膜６５となる。なお、この工程で、図１６のシリコン酸化膜２９は除去される。次に、燐酸系のウェットエッチングを用いて、トレンチの上部３７ａの側壁上に形成された絶縁膜５９を除去して、図１８に示すようにキャパシタＣｓを完成する。
【００３９】
図１９に示すように、ＴＥＯＳ膜６７をシリコン基板２１の全面にＣＶＤを用いて形成する。ＲＩＥによりＴＥＯＳ膜６７を全面エッチングして、トレンチの上部３７ａの側壁上にのみＴＥＯＳ膜６７を残す。これがカラー絶縁膜となる。カラー絶縁膜は、寄生トランジスタの発生を防止するためのものである。
【００４０】
図２０に示すように、ＣＶＤを用いて、トレンチの上部３７ａが埋まるように、シリコン基板２１の全面に導電膜６９を形成する。導電膜６９は、例えばＡｓがドープされたポリシリコン膜である。
【００４１】
図２１に示すように、ＣＭＰ等により、導電膜６９をトレンチの上部３７ａ内の所定の深さまで除去する。トレンチの上部３７ａ内に残された導電膜６９が埋込配線７１となる。このエッチングにより、カラー絶縁膜であるＴＥＯＳ膜６７の一部が露出する。この露出したＴＥＯＳ膜６７を、燐酸系のウェットエッチングを用いて除去する。
【００４２】
図２２に示すように、ＣＶＤを用いて、シリコン基板２１の全面に導電膜７３を形成する。ＣＭＰ等により、トレンチの上部３７ａの側壁の一部が露出するまで導電膜７３を除去する。
【００４３】
図２３に示すように、隣り合うトレンチ３７間の一方から他方に渡って浅いトレンチ７５を形成する。そして、図２４に示すように、ＣＶＤによりトレンチ７５が埋まるように、シリコン基板２１の全面に絶縁膜（例えばＴＥＯＳ膜）を形成する。ＣＭＰ等を用いて、表面３上に形成されている上記絶縁膜を除去する。これにより、トレンチ７５内に素子分離絶縁膜７７が形成される。後は公知の方法を用いて、図２５に示すように、ＭＯＳトランジスタＴｒ、ワード線ＷＬ、ビット線ＢＬ等を形成することにより、メモリセルＭＣが完成する。
【００４４】
以上説明したように、本実施形態によれば、高アスペクト比のトレンチ３７を形成できるので、トレンチ３７にＤＲＡＭのキャパシタＣｓを形成すれば、ＤＲＡＭの微細化がさらに進んでも、キャパシタＣｓの容量を確保できる。
【００４５】
なお、本実施形態において、キャパシタが形成されるトレンチは、図２５に示す形状を有するトレンチ３７に限らず、トレンチの上部から下部に亘って、側面が略垂直な形状を有するトレンチでもよい。
【００４６】
また、本実施形態において、トレンチの上部３７ａの形成に第１の混合ガスを用い、トレンチの下部３７ｂの形成に第２の混合ガスを用いている。しかしながら、（１）トレンチの上部３７ａの途中までの形成に第１の混合ガスを用い、トレンチの上部３７ａの残り及びトレンチの下部３７ｂの形成に第２の混合ガスを用いてもよいし、（２）トレンチの上部３７ａの形成及びトレンチの下部３７ｂの途中までの形成に第１の混合ガスを用い、トレンチの下部３７ｂの残りの形成に第２の混合ガスを用いてもよい。
【００４７】
本実施形態により形成されるトレンチに配置されるのは、ＤＲＡＭのキャパシタに限らず、アナログ回路のキャパシタでもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】実施形態に係る半導体装置の製造方法で使用するエッチング装置の概略図である。
【図２】実施形態に係る半導体装置の製造方法に含まれるトレンチ形成の第１工程図である。
【図３】同第２工程図である。
【図４】同第３工程図である。
【図５】同第４工程図である。
【図６】同第５工程図である。
【図７】同第６工程図である。
【図８】比較形態に係るトレンチ形成の一工程図である。
【図９】マスクであるシリコン酸化膜、トレンチが形成されるシリコン基板のそれぞれのエッチングレートとアスペクト比との関係を示すグラフである。
【図１０】実施形態に係る半導体装置の製造方法の第１工程図である。
【図１１】同第２工程図である。
【図１２】同第３工程図である。
【図１３】同第４工程図である。
【図１４】同第５工程図である。
【図１５】同第６工程図である。
【図１６】同第７工程図である。
【図１７】同第８工程図である。
【図１８】同第９工程図である。
【図１９】同第１０工程図である。
【図２０】同第１１工程図である。
【図２１】同第１２工程図である。
【図２２】同第１３工程図である。
【図２３】同第１４工程図である。
【図２４】同第１５工程図である。
【図２５】同第１６工程図である。
【符号の説明】
【００４９】
２１・・・シリコン基板、２９・・・シリコン酸化膜、３７・・・トレンチ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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