(57)【要約】  【課題】  基板と垂直ではない方向の磁場の強度を検出できる磁気センサ、および磁気の方向の変化を検出できる磁気センサを提供する。  【解決手段】  少なくとも１つの磁気検知層１０４を備える磁気センサ（ホールセンサ）であって、基板１０１と、基板１０１上に基板１０１側から順に配置された第１および第２の層（半導体層１２３および１２４）を含む積層部１０２と、少なくとも第１および第２の層が折り曲げられることによって形成された少なくとも１つの起立部１０３ａおよび１０４ｂと、起立部に形成された第１の磁気検知層１０４とを備え、第１の層の格子定数と第２の層の格子定数とが異なる。【選択図】  図１
2006047080.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの磁気検知部を備える磁気センサであって、
基板と、前記基板上に前記基板側から順に配置された第１および第２の層を含む積層部と、少なくとも前記第１および第２の層が折り曲げられることによって形成された少なくとも１つの起立部と、前記起立部に形成された第１の磁気検知部とを備え、
前記第１の層の格子定数と前記第２の層の格子定数とが異なる磁気センサ。
【請求項２】
前記第１の層の格子定数は前記第２の層の格子定数よりも大きく、
前記積層部と前記起立部との境界において、前記第１の層の格子定数と前記第２の層の格子定数との差によって生じる力によって前記第１および第２の層が前記第２の層側に折り曲げられている請求項１に記載の磁気センサ。
【請求項３】
前記第１および第２の層ならびに前記磁気検知部がIII−Ｖ族化合物半導体からなり、
前記磁気検知部がホール効果を発現する請求項１または２に記載の磁気センサ。
【請求項４】
前記積層部上に形成された第２の磁気検知部をさらに備え、
前記第１の磁気検知部と前記第２の磁気検知部とがなす角度が、４５°〜１３５°の範囲にある請求項１〜３のいずれか１項に記載の磁気センサ。
【請求項５】
第１および第２の起立部を備え、
前記第１の起立部に形成された前記第１の磁気検知部と、前記第２の磁気検知部と、前記第２の起立部に形成された第３の磁気検知部とが互いになす角度が、４５°〜１３５°の範囲にある請求項４に記載の磁気センサ。
【請求項６】
前記磁気検知部から出力される信号を処理するための回路が前記基板の表面に形成されている請求項１〜５のいずれか１項に記載の磁気センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、磁気を検出するための様々なセンサが提案されている。たとえば、ホールセンサはホール効果を利用して磁気を検出する。ホールセンサは、通常、基板上に、半導体からなる十字型の半導体層（磁気検知層）を形成し、その半導体層に４つの電極を接続することによって形成される（たとえば特許文献１および２）。
【特許文献１】特開平８−２７９６３３号公報
【特許文献２】特開２００２−４３６５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、従来のホールセンサでは基板上に磁気検知層を形成するため、基板に垂直な方向の磁場の強度については高い感度で検出できるが、それ以外の方向については検出できなかった。また、従来のホールセンサでは、磁気の方向の変化を検出することはできなかった。
【０００４】
このような状況に鑑み、本発明は、基板と垂直ではない方向の磁場の強度を高感度に検出できる磁気センサ、および磁気の方向の変化を検出できる磁気センサを提供することを目的の１つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するため、本発明の磁気センサは、少なくとも１つの磁気検知部を備える磁気センサであって、基板と、前記基板上に前記基板側から順に配置された第１および第２の層を含む積層部と、少なくとも前記第１および第２の層が折り曲げられることによって形成された少なくとも１つの起立部と、前記起立部に形成された第１の磁気検知部とを備え、前記第１の層の格子定数と前記第２の層の格子定数とが異なる。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の磁気センサによれば、基板と垂直ではない方向の磁場の強度を高感度に検出できる。また、本発明の磁気センサは、２つ以上の磁気検知部を備えることによって、磁気の方向の変化を多次元的に検出できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、以下で説明する磁気センサは本発明の一例であり、本発明は以下の説明に限定されない。
【０００８】
本発明の磁気センサは、少なくとも１つの磁気検知部を備える磁気センサであって、基板と、基板上に基板側から順に配置された第１および第２の層を含む積層部と、少なくとも第１および第２の層が折り曲げられることによって形成された少なくとも１つの起立部と、起立部に形成された第１の磁気検知部とを備え、第１の層の格子定数と第２の層の格子定数とが異なる。この構成によれば、基板の表面と垂直な方向以外の磁気（磁界）の変化も感度よく検出できる。
【０００９】
磁気検知部は、磁気を検知できるものであればよい。磁気検知部は、たとえば、ホール効果を発現する層（磁気検知層）であってもよい。ホール効果を発現する磁気検知層としては、たとえば、十字型の半導体層を用いることができる。また、磁気検知部は、磁気抵抗効果を発現する磁気抵抗効果膜であってもよい。磁気抵抗効果膜としては、たとえば、Ｆｅ／Ｃｒ交互積層膜や、Ｃｏ／Ｃｕ交互積層膜を適用できる。また、磁気検知部は、コイルなどの環状配線であってもよい。環状配線を用いる場合、磁気によって環状配線に生じる電流や起電力をモニタすることによって磁気を検出できる。
【００１０】
本発明の磁気センサでは、第１の層の格子定数は第２の層の格子定数よりも大きく、積層部と起立部との境界において、第１の層の格子定数と第２の層の格子定数との差によって生じる力によって第１および第２の層が第２の層側に折り曲げられていることが好ましい。第１の層を構成する材料の格子定数が第２の層を構成する材料の格子定数よりも大きい場合、両者の間で歪みが生じ、歪みによって生じる力によって第１および第２の層が第２の層側に折り曲がる。この現象を利用して起立部が形成される。
【００１１】
本発明の磁気センサでは、第１および第２の層が半導体からなるものであってもよい。また、本発明の磁気センサは、第１および第２の層ならびに磁気検知部がIII−Ｖ族化合物半導体からなり、磁気検知部がホール効果を発現するものであってもよい。III−Ｖ族化合物半導体は、組成によって格子定数を変化させることが容易であるため、起立部を形成することが容易である。また、第１および第２の層がIII−Ｖ族化合物半導体からなる場合、III−Ｖ族化合物半導体からなる磁気検知層を容易に形成できる。また、磁気検知部として、ホール効果を発現するIII−Ｖ族化合物半導体層（たとえばＧａＡｓ）を用いることによって、高感度のホールセンサが得られる。
【００１２】
本発明の磁気センサは、積層部上に形成された第２の磁気検知部をさらに備え、第１の磁気検知部と第２の磁気検知部とがなす角度が、４５°〜１３５°の範囲（好ましくは８５°〜９５°の範囲）にあってもよい。この構成によれば、磁場の強度を２次元的に検出できる。ここで、２つの磁気検知部がなす角度とは、面状に形成される２つの磁気検知部がなす角度であり、磁気検知部が形成される部分（起立部および積層部）の表面が互いになす角度に等しい。
【００１３】
本発明の磁気センサは、第１および第２の起立部を備え、第１の起立部に形成された第１の磁気検知部と、第２の磁気検知部と、第２の起立部に形成された第３の磁気検知部とが互いになす角度が、４５°〜１３５°の範囲（好ましくは８５°〜９５°の範囲）にあってもよい。この構成によれば、磁場の強度を３次元的に検出できる。
【００１４】
従来の磁気センサにおいても、２つまたは３つのセンサを用いることによって、磁場の強度の２次元的または３次元的な検出は可能である。しかしながら、従来の磁気センサでは、個別に製造された複数のセンサを組み合わせる必要があるため、各センサが磁気を検出する位置のずれが大きい。これに対して、本発明の磁気センサでは、半導体プロセスを用いて同一基板上に複数の磁気検知部を形成できるため、各磁気検知部が測定する位置をほぼ同じとすることができる。本発明によれば、複数の磁気検知部を、５００μｍ角の範囲内（たとえば１０μｍ角の範囲内）に形成することが可能である。
【００１５】
本発明の磁気センサでは、磁気検知部から出力される信号を処理するための回路が基板の表面に形成されていてもよい。また、本発明の磁気センサでは、磁気検知部に電流を流すための回路が基板の表面に形成されていてもよい。これらの構成によれば、小型のホール効果装置が得られる。
【００１６】
以下、本発明の実施形態の一例として、ホール効果を利用したホールセンサについて図面を参照しながら説明する。以下の説明では、同様の部分に同一の符号を付して重複する説明を省略する場合がある。また、以下の説明ではIII−Ｖ族化合物半導体の組成比を示していない場合があるが、III族元素の組成比とＶ族元素の組成比とはほぼ等しい。
【００１７】
本発明の磁気センサの一例として、ホールセンサ１００の斜視図を図１（ａ）に示し、断面図を図１（ｂ）に示す。図１（ｂ）の断面図は、積層部１０２および起立部１０３ａ上に形成された磁気検知層１０４が存在する部分の断面図である。なお、図１（ａ）および（ｂ）では、磁気検知層１０４に接続される配線の図示は省略している。
【００１８】
図１を参照して、ホールセンサ１００は、基板１０１と、基板１０１上に形成された積層部１０２と、２つの起立部１０３ａおよび１０３ｂとを備える。
【００１９】
基板１０１は、その上に半導体層を成長させることができるように、積層される半導体層に応じて選択される。基板１０１としては、たとえば、ＧａＡｓ基板や、ＩｎＰ基板、Ａｌ2Ｏ3基板、ＳｉＣ基板、Ｓｉ基板を用いることができる。
【００２０】
積層部１０２は、基板１０１上に基板１０１側から順に積層されたバッファ層１２１、層１２２、半導体層１２３および１２４、多層膜１３０で構成される。なお、積層部１０２、起立部１０３ａおよび起立部１０３ｂは、必要に応じて他の層を含んでもよい。また、上述した層の一部は省略されてもよい。
【００２１】
半導体層１２３および１２４は、内部応力によって半導体層を所定の位置で折り曲げるための層である。そのため、半導体層１２３および１２４を構成する半導体は、半導体層１２３（第１の層）の格子定数が半導体層１２４（第２の層）の格子定数よりも大きくなるように選択される。
【００２２】
起立部１０３ａおよび１０３ｂは、半導体層１２３および１２４を、半導体層１２４側に折り曲げることによって形成されている。これらの起立部は、基板１０１の表面に対してほぼ垂直となるように曲げられている。また、起立部１０３ａおよび１０３ｂは、それぞれの表面が互いになす角度がほぼ９０°となるように形成されている。
【００２３】
起立部１０３ａ上、積層部１０２上、および起立部１０３ｂ上には、それぞれ、第１、第２および第３の磁気検知層１０４が形成されている。磁気検知層１０４は、十字型の形状である。３つの磁気検知層１０４が互いになす角度、具体的には、３つの磁気検知層１０４の表面が互いになす角度は、約９０°である。互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を図１（ａ）に示すように仮定すると、起立部１０３ｂに形成された磁気検知層１０４はＸ軸に対してほぼ垂直であり、起立部１０３ａに形成された磁気検知層１０４はＹ軸に対してほぼ垂直であり、積層部１０２上に形成された磁気検知層１０４はＺ軸に対してほぼ垂直である。
【００２４】
磁気検知層１０４は、単層膜または多層膜であり、ホール効果が現れる材料からなる十字型の層を含む。十字型の磁気検知層１０４の４つの端部には、４つの配線（図示せず）が接続されている。磁場の強度のモニタは、磁気検知層１０４を用いて公知の方法で行われる。たとえば、図２に模式的に示すように、磁気検知層１０４の対向する端部１０４ａと端部１０４ｂとの間に電流を流し、端部１０４ｃと端部１０４ｄとの間に発生する電圧をモニタすればよい。ホールセンサ１００は互いに直交する３つの磁気検知層１０４を備えるため、磁気の方向の変化を３次元的に検出できる。
【００２５】
以下に、ホールセンサ１００の具体的な構成の一例およびその製造方法の一例について、図面を参照しながら説明する。なお、図３（ａ）〜図７（ａ）は上面図であり、図３（ｂ）〜図７（ｂ）は図４（ａ）の点線部分の位置における断面図である。
【００２６】
まず、図３（ａ）および（ｂ）に示すように、基板１０１上に、バッファ層１２１、層１２２、半導体層１２３、半導体層１２４、多層膜１３０ａを形成する。バッファ層１２１は、結晶性が良好な半導体層を基板１０１上に形成するための層である。層１２２は、エッチングによって選択的に除去しやすい材料で形成される。
【００２７】
なお、図３に示す積層構造は一例であり、本発明はこれに限定されない。本発明のホールセンサが２次元電子ガスホールセンサである場合の積層膜の一例を表１に示す。
【００２８】
【表１】
2006047080.tif 000003
【００２９】
表１の積層膜では、バッファ層１２１からキャップ層までが表１の順序で積層されている。表１の構成では、ＧａＡｓ層（厚さ１μｍ）内のバリア層との界面近傍に形成される２次元電子ガスによって磁気を検知する。また、本発明のホールセンサが量子井戸型のホールセンサである場合の積層膜の一例を表２に示す。
【００３０】
【表２】
2006047080.tif 000004
【００３１】
表２の多層膜では、バッファ層１２１からキャップ層までが表２の順序で積層されている。表２の構成では、主に量子井戸層（ＧａＡｓ:Ｓｉ層）によって磁気を検知する。以下では、表１または表２の積層膜を用いた場合について説明する。
【００３２】
半導体層１２３および１２４を構成する半導体は、半導体層１２３の格子定数が半導体層１２４の格子定数よりも大きくなるように選択される。これらの半導体層は、化合物半導体（たとえばIII−Ｖ族化合物半導体）で形成できる。III−Ｖ族化合物半導体などの化合物半導体の格子定数は、組成によって変化させることができる。半導体層１２４／半導体層１２３の具体的な組み合わせとしては、たとえば、ＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ、Ｓｉ／ＳｉＧｅ、ＧａＮ／ＡｌＧａＮ、ＧａＮ／ＩｎＧａＮなどが挙げられる。これらの半導体層の組成比、厚さおよび折れ曲がり部の長さを変化させることによって、半導体層１２４が折れ曲がる角度を調節することができる。
【００３３】
基板１０１上の各層は公知の方法で形成でき、たとえば、分子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ法）、有機金属化学的気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）などで形成できる。
【００３４】
次に、図４（ａ）および（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィおよびエッチングによって、多層膜１３０ａの一部を除去して十字型の磁気検知層１０４を形成する。磁気検知層１０４以外の部分が、多層膜１３０となる。多層膜１３０ａのエッチングは、たとえば、ＧａＡｓ層（厚さ１μｍ）の層内に到達するまで行う。エッチングは、たとえば、Ｈ3ＰＯ4：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ＝３：１：５０の重量比で混合したエッチング液で行うことができる。なお、表１の構成の場合、バリア層（Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ層）に到達した時点でエッチングを停止してもよい。また、表２の構成の場合、量子井戸層の下のバリア層（Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ層）に到達した時点でエッチングを停止してもよい。
【００３５】
次に、図５（ａ）および（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィおよびエッチングによって、多層膜１３０の一部を除去して溝４１を形成する。溝４１は、半導体層１２３および１２４を折り曲げる部分に形成される。エッチングは、公知の方法で行うことができ、ウエットエッチングであってもドライエッチングであってもよい。ただし、溝４１は、半導体層１２４がエッチングされにくい条件で形成することが好ましい。たとえば、第１段階目のエッチングとしてエッチングストップ層（Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ層）の途中までエッチングしたのち、第２段階目のエッチングとしてエッチングストップ層を選択的にエッチングする。第１段階目のエッチングは、たとえば、Ｈ3ＰＯ4：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ＝３：１：５０の重量比で混合したエッチング液で行うことができる。第２の段階目のエッチングは、半導体層１２４（ＧａＡｓ層）のエッチングレートよりもエッチングストップ層（Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ａｓ層）のエッチングレートが大きいエッチング液で行うことができる。たとえば、ＨＦ：Ｈ2Ｏ＝１：１０の重量比で混合したエッチング液を用いることができる。
【００３６】
次に、図６（ａ）および（ｂ）に示すように、配線１３１および端子１３２を形成する。配線１３１および端子１３２は、金属膜を形成したのち、不要な部分を除去することによって形成できる。なお、溝４１の部分における半導体層の変形を妨げないように、溝４１部分に形成する配線１３１の厚さは、２０ｎｍ程度にすることが好ましい。たとえば、溝４１部分の配線は、Ｔｉ層（厚さ５ｎｍ）とＡｕ層（厚さ２０ｎｍ）との積層膜で形成してもよい。溝４１以外の部分における配線１３１は、溝４１部分の配線１３１と同じ構造でもよいが、異なる構造でもよい。配線１３１を２つの構造で形成する場合には、各構造を個別に形成すればよい。
【００３７】
溝４１以外の部分における配線１３１は、磁気検知層１０４とオーミックに接続され且つ抵抗が低いことが好ましい。溝４１以外の部分における配線１３１は、たとえば、Ａｕ0.88Ｇｅ0.12層（１００ｎｍ）／Ｎｉ層（３０ｎｍ）／Ａｕ層（２００ｎｍ）の積層膜で形成できる。なお、オーミックコンタクトを達成するための積層膜（たとえば上記Ａｕ0.88Ｇｅ0.12層／Ｎｉ層／Ａｕ層）を形成したのち、それに接続された低抵抗の配線を形成してもよい。この場合の低抵抗の配線としては、たとえば、Ｔｉ層（５ｎｍ）／Ａｕ層（２００ｎｍ）の積層膜を用いることができる。
【００３８】
次に、図７（ａ）および（ｂ）に示すように、起立部１０３ａおよび１０３ｂを形成したときに基板１０１から分離する部分に溝５１を形成する。溝５１は、層１２２に到達するように形成される。溝５１は、公知のエッチング法で形成でき、たとえば、Ｈ3ＰＯ4：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ＝３：１：５０の重量比で混合したエッチング液で行うことができる。
【００３９】
次に、層１２２の一部をウエットエッチング法によって選択的に除去する。層１２２は、溝５１を介して除去される。この工程によって、溝４１と溝５１とで囲まれた部分およびその周辺に存在する層１２２が除去される。ウエットエッチングは、層１２２のエッチングレートと層１２２以外の層のエッチングレートとが異なる条件で行う必要がある。ウエットエッチングは、たとえば、ＨＦ：Ｈ2Ｏ＝１：１０の重量比で混合したエッチング液を用いて行うことができる。
【００４０】
層１２２の一部が除去されると、半導体層１２３の格子定数は半導体層１２４の格子定数よりも大きいため、半導体層１２４は、半導体層１２３および半導体層１２４のみが存在する部分、すなわち溝４１（積層部と起立部との境界部分）の部分で半導体層１２４側に折れ曲がる。一方、溝４１以外の部分にはエッチングストップ層などが存在するため、その部分では半導体層１２４が折れ曲がることが抑制される。その結果、図１に示すように、基板１０１から立ち上がった起立部１０３ａおよび１０３ｂが形成される。このようにして、ホールセンサ１００を形成できる。
【００４１】
半導体層１２４の折れ曲がり部の曲率半径Ｒは、通常、以下の式で近似される。
【００４２】
Ｒ＝（ａ／Δａ）・｛（ｔ１＋ｔ２）／２｝
ここで、ａは半導体層１２４（ＧａＡｓ層）の格子定数であり、約５．６５３３オングストロームである。また、Δａは、半導体層１２３（Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ａｓ層）の格子定数（約５．７３４３オングストローム）と半導体層１２４（ＧａＡｓ層）の格子定数との差である。また、ｔ１は半導体層１２３の厚さ（単位：オングストローム）であり、ｔ２は半導体層１２４の厚さ（単位：オングストローム）である。折れ曲がり部の長さを適切な長さとすることによって、半導体層１２３および１２４は約９０°の角度に折り曲げられる。
【００４３】
上述したように、ＩｎＧａＡｓからなる半導体層１２３の格子定数は、ＧａＡｓからなる半導体層１２４の格子定数よりも大きい。ＩｎＧａＡｓ層におけるＩｎの組成比を多くするほどＧａＡｓ層との格子定数の差を大きくでき、両者の格子定数の差を７％程度とすることも可能である。
【００４４】
以上のように、ホールセンサ１００が形成される。ホールセンサ１００における駆動方法の例を図８（ａ）および（ｂ）に模式的に示す。なお、図８（ａ）および（ｂ）に示される磁気検知層１０４の配置は、図６（ａ）に示される磁気検知層１０４の配置と同じである。なお、図８（ｂ）には、配線および端子の構成の他の例を示す。
【００４５】
図８（ａ）の例では、Ｉ+およびＩ-と記された端子間に電流を流し、その他の端子間の電圧を計測する。図８（ｂ）の例では、Ｖ+およびＶ-と記された端子間に電圧を印加して電流を流し、その他の端子間の電圧を計測する。
【００４６】
ホールセンサ１００では、基板に対して垂直に立ち上がった起立部に磁気検知層が形成されている。このため、基板と垂直な方向の磁場の強度を高感度に検出できる。また、ホールセンサ１００は、互いに直交する面上に形成された３つの磁気検知層を備えるため、磁気の方向の変化を３次元的に検出できる。特に、ホールセンサ１００では、３つの磁気検知層を近接した位置（たとえば１０μｍ以内）に形成できるため、微少な特定箇所の磁気の方向の変化を多次元的に検出できる。また、本発明のホールセンサは、公知の半導体プロセスを組み合わせて形成することが可能であるため、多数のセンサを精度よく一度に製造できる。
【００４７】
なお、同一基板上に本発明の磁気センサを複数個形成してもよい。図９（配線の図示は省略する）に、本発明のホールセンサ１００を基板上に一次元アレイ状に形成した例を示す。図９の例では、複数のホールセンサ１００が一列に配置されている。また、図１０（配線の図示は省略する）に、本発明のホールセンサ１００を基板上に二次元アレイ状に形成した例を示す。図１０の例では、複数のホールセンサ１００がマトリックス状に配置されている。
【００４８】
また、以上の説明では、３つの磁気検知部（磁気検知層）を備える場合について示したが、本発明はこれに限定されない。たとえば、磁気検知部の数は、１つ、２つ、または４つ以上であってもよい。１つの磁気検知部を用いる場合、それは起立部に形成される。２つの磁気検知部を用いる場合、それらは、互いに直交する方向に形成された２つの起立部１０３ａおよび１０３ｂに形成されてもよいし、積層部と起立部とに形成されてもよい。２つの磁気検知部を用いることによって、磁気の方向の変化を２次元的に検出できる。また、上述したように、この構成によれば、微少な特定箇所の磁気の方向の変化を多次元的に検出できる。
【００４９】
また、以上の説明では、センサとしてホールセンサの場合を示したが、本発明はこれに限定されない。たとえば、磁気抵抗効果膜を用いた磁気センサや、コイルを用いた磁気・磁界センサなど各種の磁気・磁界センサであってもよい。これらのセンサは、磁気検知層１０４の代わりに磁気抵抗効果膜または環状配線を形成することによって得られる。
【００５０】
以上、本発明の実施形態について例を挙げて説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の技術的思想に基づいて他の実施形態に適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明の磁気センサは、磁気の検出や、磁気による物体の位置や回転の検出などが必要とされる様々な分野に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明のホールセンサの一例を模式的に示す（ａ）斜視図および（ｂ）断面図である。
【図２】図１に示したホールセンサの駆動方法を模式的に示す図である。
【図３】本発明のホールセンサの製造方法について一例の一工程を模式的に示す（ａ）断面図および（ｂ）上面図である。
【図４】図３の次の工程の一例を模式的に示す（ａ）上面図および（ｂ）断面図である。
【図５】図４の次の工程の一例を模式的に示す（ａ）上面図および（ｂ）断面図である。
【図６】図５の次の工程の一例を模式的に示す（ａ）上面図および（ｂ）断面図である。
【図７】図６の次の工程の一例を模式的に示す（ａ）上面図および（ｂ）断面図である。
【図８】本発明のホールセンサの配線の例を模式的に示す図である。
【図９】本発明のホールセンサの他の例を模式的に示す斜視図である。
【図１０】本発明のホールセンサの他の例を模式的に示す斜視図である。
【符号の説明】
【００５３】
４１  溝
１００  ホールセンサ
１０１  基板
１０２  積層部
１０３ａ、１０３ｂ  起立部
１０４  磁気検知層
１０４ａ〜１０４ｄ  端部
１２１  バッファ層
１２２  層
１２３  半導体層（第１の層）
１２４  半導体層（第２の層）
１３０、１３０ａ  多層膜
１３１  配線
１３２  端子
【図１】
2006047080.tif 000005
【図２】
2006047080.tif 000006
【図３】
2006047080.tif 000007
【図４】
2006047080.tif 000008
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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