(57)【要約】【課題】  基板検査ユニットを組み込むにあたって、設置スペースについて不利のない構造、例えば塗布、現像装置本体の横から飛び出すことない構造を備えた塗布、現像装置を提供すること。【解決手段】  塗布膜形成用のブロックと現像処理用のブロックとを積層すると共に、各処理ブロック毎にブロック用の搬送手段との間で基板の受け渡しを行うための受け渡しステージをキャリアブロック側に設けて棚状の受け渡しステージ群を構成し、これら受け渡しステージ群の受け渡しステージの間で基板を搬送する上下搬送手段を設ける。そしてキャリアブロックの上部の空きスペースに基板検査ユニットを配置すると共に、上下搬送手段を介して直接あるいは受け渡しステージ群中の受け渡しステージを介して当該基板検査ユニットに搬送する。また基板検査ユニットは、受け渡しステージ群中に配置してもよい。【選択図】  図３
2006269672.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板をキャリアブロック用の搬送手段を介して処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ．複数の塗布膜形成用のブロックを互いに積層し、
ｂ．各塗布膜形成用のブロックは、塗布液を基板に塗布するための液処理ユニット及び塗布液が塗布された基板を加熱する加熱ユニットを含む複数の処理ユニットと、これら処理ユニット間で基板を搬送するブロック用の搬送手段とを備えると共に、複数の塗布膜形成用のブロックの少なくとも一つは、レジスト液塗布用の液処理ユニットを含み、
ｃ．前記塗布膜形成用のブロックに対して現像処理用のブロックを積層して積層ブロックを構成し、
ｄ．現像処理用のブロックは、露光された基板を加熱処理するための加熱ユニット及び現像液を基板に塗布するための液処理ユニットを含む複数の処理ユニットと、これら処理ユニット間で基板を搬送するブロック用の搬送手段と、を備え、
ｅ．キャリアブロックと積層ブロックとの間において、複数の塗布膜形成用のブロックの各々及び現像処理用のブロック毎に配置され、各ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なうための受け渡しステージからなる棚状の受け渡しステージ群と、
前記受け渡しステージ群における各受け渡しステージ同士の間で昇降して基板の受け渡しを行なうための上下搬送手段と、
前記キャリアブロックの上部であってかつキャリアブロック用の搬送手段よりも高い位置に設けられた基板検査ユニットと、を備え、
ｆ．前記上下搬送手段を介して基板検査ユニットに基板を搬入する
構成としたことを特徴とする塗布、現像装置。
【請求項２】
基板検査ユニットとの間で基板の受け渡しをする基板検査ユニット専用の補助搬送手段と、
前記受け渡しステージ群の中に設けられ、補助搬送手段により基板の受け渡しが行われる受け渡しステージと、を備え、
上下搬送手段から、前記受け渡しステージ及び補助搬送手段を介して基板検査ユニット内に基板が搬入されることを特徴とする請求項１記載の塗布、現像装置。
【請求項３】
補助搬送手段は、前記キャリアブロックの上部であってかつキャリアブロック用の搬送手段よりも高い位置に設けられることを特徴とする請求項２記載の塗布、現像装置。
【請求項４】
前記上下搬送手段と基板検査ユニットとの間の基板の受け渡しは、受け渡しステージ群中の受け渡しステージを介さずに行われることを特徴とする請求項１記載の塗布、現像装置。
【請求項５】
前記キャリアブロックは、基板の搬送領域に清浄気体を下降流として供給するフィルタユニットを備え、  
前記基板検査ユニットは、このフィルタユニットの上方位置に設けられていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
【請求項６】
請求項１に記載された塗布、現像装置において、基板検査ユニットは、前記キャリアブロックの上部に設けられる代わりに棚状の受け渡しステージ群の中に設けられることを特徴とする塗布、現像装置。
【請求項７】
キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板をキャリアブロック用の搬送手段を介して処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ．複数の塗布膜形成用のブロックを互いに積層し、
ｂ．各塗布膜形成用のブロックは、塗布液を基板に塗布するための液処理ユニット及び塗布液が塗布された基板を加熱する加熱ユニットを含む複数の処理ユニットと、これら処理ユニット間で基板を搬送するブロック用の搬送手段とを備えると共に、複数の塗布膜形成用のブロックの少なくとも一つは、レジスト液塗布用の液処理ユニットを含み、
ｃ．前記塗布膜形成用のブロックに対して現像処理用のブロックを積層して積層ブロックを構成し、
ｄ．現像処理用のブロックは、露光された基板を加熱処理するための加熱ユニット及び現像液を基板に塗布するための液処理ユニットを含む複数の処理ユニットと、これら処理ユニット間で基板を搬送するブロック用の搬送手段と、を備え、
ｅ．キャリアブロックと積層ブロックとの間において、複数の塗布膜形成用のブロックの各々及び現像処理用のブロック毎に配置され、各ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なうための受け渡しステージからなる棚状の受け渡しステージ群と、
キャリアブロック側から見て前記受け渡しステージ群の左側または右側の一方側に配置され、前記受け渡しステージ群における各受け渡しステージ同士の間で昇降して基板の受け渡しを行なうための上下搬送手段と、
前記受け渡しステージ群に対して上下搬送手段とは反対側に設けられた基板検査ユニットと、を備え、
上下搬送手段から受け渡しステージ群の中を通って基板検査ユニット内に基板が搬入されることを特徴とする塗布、現像装置。
【請求項８】
前記受け渡しステージ群と基板検査ユニットとの間に基板検査ユニット専用の補助搬送手段を設け、受け渡しステージ群の中の受け渡しステージに置かれた基板をこの補助搬送手段を介して基板検査ユニット内に搬入することを特徴とする請求項７記載の塗布、現像装置。
【請求項９】
前記互いに積層された複数の塗布膜形成用のブロックは、夫々基板にレジスト液を塗布するためのブロック、及びレジスト液を塗布する前に基板に反射防止膜用の薬液を塗布するためのブロック、並びにレジスト液を塗布した後に基板に反射防止膜用の薬液を塗布するためのブロックであることを特徴とする請求項１ないし８のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
【請求項１０】
受け渡しステージ群は、キャリアブロックと処理ブロックとの間で基板の受け渡しを行なうためキャリアブロック用受け渡しステージを含むことを特徴とする請求項１ないし９のいずれか一つに記載の塗布、現像装置。
【請求項１１】
ａ．複数の塗布膜形成用のブロックを互いに積層し、
ｂ．各塗布膜形成用のブロックは、塗布液を基板に塗布するための液処理ユニット及び塗布液が塗布された基板を加熱する加熱ユニットを含む複数の処理ユニットと、これら処理ユニット間で基板を搬送するブロック用の搬送手段とを備えると共に、複数の塗布膜形成用のブロックの少なくとも一つは、レジスト液塗布用の液処理ユニットを含み、
ｃ．前記塗布膜形成用のブロックに対して現像処理用のブロックを積層し、
ｄ．現像処理用のブロックは、露光された基板を加熱処理するための加熱ユニット及び現像液を基板に塗布するための液処理ユニットを含む複数の処理ユニットと、これら処理ユニット間で基板を搬送するブロック用の搬送手段と、を備え
ｅ．複数の塗布膜形成用のブロックの各々及び現像処理用のブロック毎にキャリアブロック側に、各ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なうための受け渡しステージを設けて棚状の受け渡しステージ群を構成し
ｆ．前記受け渡しステージ群における各受け渡しステージ同士の間で昇降して基板の受け渡しを行なうための上下搬送手段を設けて
なる塗布、現像装置を用いて塗布、現像処理を行う方法であって、
キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板をキャリアブロック用の搬送手段を介して前記受け渡しステージ群中の受け渡しステージに受け渡す工程と、
次いで受け渡しステージ上の基板を塗布膜形成用のブロック内の前記搬送手段に受け渡し、その後塗布膜形成用のブロック内にて当該基板に対してレジスト膜を含む塗布膜の形成処理を行う工程と、
この工程の後、前記基板をインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、露光装置にて露光された基板をインターフェイスブロックを介して現像用のブロックに搬送する工程と、
前記基板に対して現像用のブロック内にて現像処理を行う工程と、
塗布膜の形成処理または現像処理が行われた基板を、前記キャリアブロックの上部であってかつキャリアブロック用の搬送手段よりも高い位置に設けられた基板検査ユニット内に、上下搬送手段を介して搬入する工程と、
その後、前記基板検査ユニット内にて基板に対して検査を行う工程と、
を含むことを特徴とする塗布、現像方法。
【請求項１２】
塗布膜の形成処理または現像処理が行われた基板を、基板検査ユニット内に上下搬送手段を介して搬入する工程は、
上下搬送手段により前記受け渡しステージ群中の基板検査ポートをなす受け渡しステージに受け渡す工程と、
続いてこの受け渡しステージ上の基板を、基板検査ユニット専用の補助搬送手段を介して、基板検査ユニット内に搬入する工程と、を含むことを特徴とする請求項１１記載の塗布、現像方法。
【請求項１３】
補助搬送手段は、前記キャリアブロックの上部であってかつキャリアブロック用の搬送手段よりも高い位置に設けられることを特徴とする請求項１２記載の塗布、現像方法。
【請求項１４】
塗布膜の形成処理または現像処理が行われた基板を、基板検査ユニット内に上下搬送手段を介して搬入する工程は、受け渡しステージ群中の受け渡しステージを介さずに上下搬送手段から基板検査ユニットに受け渡されることを特徴とする請求項１１記載の塗布、現像方法。
【請求項１５】
前記キャリアブロックは、基板の搬送領域に清浄気体を下降流として供給するフィルタユニットを備え、  
前記基板検査ユニットは、このフィルタユニットの上方位置に設けられていることを特徴とする請求項１１ないし１４のいずれか一つに記載の塗布、現像方法
【請求項１６】
請求項１１に記載された塗布、現像方法において、基板検査ユニットは、前記キャリアブロックの上部に設けられる代わりに棚状の受け渡しステージ群の中に設けられることを特徴とする塗布、現像方法。
【請求項１７】
ａ．複数の塗布膜形成用のブロックを互いに積層し、
ｂ．各塗布膜形成用のブロックは、塗布液を基板に塗布するための液処理ユニット及び塗布液が塗布された基板を加熱する加熱ユニットを含む複数の処理ユニットと、これら処理ユニット間で基板を搬送するブロック用の搬送手段とを備えると共に、複数の塗布膜形成用のブロックの少なくとも一つは、レジスト液塗布用の液処理ユニットを含み、
ｃ．前記塗布膜形成用のブロックに対して現像処理用のブロックを積層し、
ｄ．現像処理用のブロックは、露光された基板を加熱処理するための加熱ユニット及び現像液を基板に塗布するための液処理ユニットを含む複数の処理ユニットと、これら処理ユニット間で基板を搬送するブロック用の搬送手段と、を備え
ｅ．複数の塗布膜形成用のブロックの各々及び現像処理用のブロック毎にキャリアブロック側に、各ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なうための受け渡しステージを設けて受け渡しステージ群を構成し、
ｆ．キャリアブロック側から見て前記受け渡しステージ群の左側または右側の一方側に配置され、前記受け渡しステージ群における各受け渡しステージ同士の間で昇降して基板の受け渡しを行なうための上下搬送手段を備えて
なる塗布、現像装置を用いて塗布、現像処理を行う方法であって、
キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板をキャリアブロック用の搬送手段を介して前記受け渡しステージ群中の受け渡しステージに受け渡す工程と、
次いで受け渡しステージ上の基板を塗布膜形成用のブロック内の前記搬送手段により受け取り、その後塗布膜形成用のブロック内にて当該基板に対してレジスト膜を含む塗布膜の形成処理を行う工程と、
この工程の後、前記基板をインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、露光装置にて露光された基板をインターフェイスブロックを介して現像用のブロックに搬送する工程と、
前記基板に対して現像用のブロック内にて現像処理を行う工程と、
塗布膜の形成処理または現像処理が行われた基板を、前記受け渡しステージ群に対して上下搬送手段とは反対側に設けられた基板検査ユニット内に、上下搬送手段から受け渡しステージ群の中を通って搬入する工程と、
その後、前記基板検査ユニット内にて基板に対して検査を行う工程と、
を含むことを特徴とする塗布、現像方法。
【請求項１８】
塗布膜の形成処理または現像処理が行われた基板を基板検査ユニット内に搬入する工程は、
上下搬送手段により受け渡しステージ群の中の受け渡しステージに置かれた基板を、補助搬送手段を介して基板検査ユニット内に搬入する工程であることを特徴とする請求項１７記載の塗布、現像方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体ウエハやＬＣＤ基板（液晶ディスプレイ用ガラス基板）等の基板に対してレジスト液の塗布処理及び露光後の現像処理を行う塗布、現像装置及びその方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスやＬＣＤ基板の製造プロセスの一つとして、基板にレジスト膜を形成し、フォトマスクを用いて当該レジスト膜を露光した後、現像処理を行なうことにより所望のパターンを得る、一連の工程があり、このような処理は、一般にレジスト液の塗布や現像を行う塗布、現像装置に、露光装置を接続したシステムを用いて行われる。  
そしてレジストパターンが形成された基板については、所定の検査、例えばレジストパターンの線幅、レジストパターンと下地パターンとの重なり具合、及び現像欠陥などの検査が行われ、合格と判定された基板のみが次工程に送られる。このような基板の検査は、塗布、現像装置とは別個に設けられたスタンドアローンの検査装置により行われる場合が多いが、塗布、現像装置内に基板検査装置を設けるいわゆるインラインシステムを採用した方が便利である。
【０００３】
特許文献１には、このようなインラインシステムを採用した塗布、現像装置が記載されている。この装置は、図１２に示すようにキャリアブロックＰ１の奥側に処理ブロックＰ２及びインターフェイスブロックＰ３が接続されて構成され、インターフェイスブロックＰ３には露光装置Ｐ４が接続されている。キャリアブロックＰ１は、基板を複数枚収納したキャリア１０が搬入されるキャリアステージ１１と、キャリアステージ１１上のキャリア１０との間で基板の受け渡しを行う受け渡しアーム１２とを備えている。キャリア１０内の基板は受け渡しアーム１２を介して処理ブロックＰ２に搬入され、ここでレジスト膜が形成され、その後インターフェイスブロックＰ３を介して露光装置Ｐ４内に搬入されて露光が行われる。露光後の基板はインターフェイスブロックＰ３を介して処理ブロックＰ２内に搬入され、ここで現像処理が行われ、受け渡しアーム１２に受け渡される。
【０００４】
そしてキャリアブロックＰ１の側方には基板検査ユニット１３が設けられており、現像処理された基板は受け渡しアーム１２から中間ステージ１５及び専用のアーム１４を介して基板検査ユニット１３に搬入され、既述の所定の検査が行われる。検査が行われた基板は逆の経路で受け渡しアーム１２に受け渡され、元のキャリア１０内に戻される。
【０００５】
ところで、基板検査ユニット１３をキャリアブロックＰ１以外に接続すると、例えば基板検査ユニット１３をインターフェイスブロックＰ３に設けようとすると、現像後の基板がインターフェイスブロックＰ３側に戻る格好になるので、搬送が複雑になり、搬送効率の低下を招くことになるし、またインターフェイスブロックＰ３には、露光装置との間の処理速度の差異を吸収するためのバッファカセットや基板を露光装置の温度に高精度に設定する温度調整ユニットなどが配置されるためスペースが不足し、仮に基板検査ユニットを配置するとインターフェイスブロックＰ３が大型化する。また基板検査ユニット１３を処理ブロックＰ２に設けることはスペース的にも搬送経路の点でも無理がある。
【０００６】
このようなことから、基板検査ユニット１３をキャリアブロックＰ１に接続しているが、この構成の大きな利点としては、処理ブロックＰ２のメンテナンスなどにより塗布、現像処理を休止しているときでも、キャリアブロックＰ１を通じて外部からの基板を基板検査ユニット１３に搬入することができるので、いわば基板検査ユニット１３を単独で使用できる点が挙げられる。
【０００７】
しかしながら基板検査ユニット１３をキャリアブロックＰ１の側方に接続すると、基板検査ユニット１３が横に飛び出してしまうため、クリーンルーム内に設置するにあたってスペース効率が悪く、周辺機器などの配置やメンテナンススペースの確保などの点からも扱いにくい構造といえる。特に基板が大型化すると、例えば基板である半導体ウエハ（以下ウエハという）のサイズが１２インチ以上ともなる大型のものになってくると、基板検査ユニット１３の平面構造が大きくなって、横への飛び出し部分が大きくなり、益々不利になってくる。
【０００８】
【特許文献１】特開２００２−３３２６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的は、基板検査ユニットを組み込むにあたって、設置スペースについて不利のない構造とすることができる塗布、現像装置を提供することにあり、また他の目的は、塗布、現像装置を運転し、処理後の基板の検査を行うにあたり、スループットの向上を図れる塗布、現像方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板をキャリアブロック用の搬送手段を介して処理ブロックに受け渡し、この処理ブロックにてレジスト膜を含む塗布膜を形成した後、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、前記インターフェイスブロックを介して戻ってきた露光後の基板を前記処理ブロックにて現像処理して前記キャリアブロックに受け渡す塗布、現像装置において、
ａ．複数の塗布膜形成用のブロックを互いに積層し、
ｂ．各塗布膜形成用のブロックは、塗布液を基板に塗布するための液処理ユニット及び塗布液が塗布された基板を加熱する加熱ユニットを含む複数の処理ユニットと、これら処理ユニット間で基板を搬送するブロック用の搬送手段とを備えると共に、複数の塗布膜形成用のブロックの少なくとも一つは、レジスト液塗布用の液処理ユニットを含み、
ｃ．前記塗布膜形成用のブロックに対して現像処理用のブロックを積層して積層ブロックを構成し、
ｄ．現像処理用のブロックは、露光された基板を加熱処理するための加熱ユニット及び現像液を基板に塗布するための液処理ユニットを含む複数の処理ユニットと、これら処理ユニット間で基板を搬送するブロック用の搬送手段と、を備え、
ｅ．キャリアブロックと積層ブロックとの間において、複数の塗布膜形成用のブロックの各々及び現像処理用のブロック毎に配置され、各ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なうための受け渡しステージからなる棚状の受け渡しステージ群と、
前記受け渡しステージ群における各受け渡しステージ同士の間で昇降して基板の受け渡しを行なうための上下搬送手段と、
前記キャリアブロックの上部であってかつキャリアブロック用の搬送手段よりも高い位置に設けられた基板検査ユニットと、を備え、
ｆ．前記上下搬送手段を介して基板検査ユニットに基板を搬入する
構成としたことを特徴とする。  
本発明の具体的な態様としては、基板検査ユニットとの間で基板の受け渡しをする基板検査ユニット専用の補助搬送手段と、前記受け渡しステージ群の中に設けられ、補助搬送手段により基板の受け渡しが行われる検査ポート用の受け渡しステージと、を備え、上下搬送手段から、前記受け渡しステージ及び補助搬送手段を介して基板検査ユニット内に基板が搬入される構成を挙げることができる。
【００１１】
なお前記補助搬送手段は、例えば前記キャリアブロックの上部であってかつキャリアブロック用の搬送手段よりも高い位置に設けられる。基板検査ユニット用の補助搬送手段により基板の受け渡しが行われる受け渡しステージについて、「受け渡しステージ群の中に設けられ」とは、受け渡しステージ群の間に配置される場合のみならず、受け渡しステージ群の最上部あるいは最下部に配置される場合も含まれる。
【００１２】
また本発明の他の態様としては、上下搬送手段と基板検査ユニットとの間の基板の受け渡しは、受け渡しステージ群中の受け渡しステージを介さずに行われる構成を挙げることができる。この場合、基板検査ユニット専用の補助搬送手段が設けられ、上下搬送手段により基板が前記補助搬送手段を介して基板検査ユニット内のステージに搬送される場合も含む。  
本発明のより具体的例としては、前記キャリアブロックは、基板の搬送領域に清浄気体を下降流として供給するフィルタユニットを備え、前記基板検査ユニットは、このフィルタユニットの上方位置に設けられている構成を挙げることができる。
【００１３】
他の発明は、上記の発明において、基板検査ユニットの配置場所が異なるものであり、基板検査ユニットは、棚状の受け渡しステージ群の中に設けられている。「棚状の受け渡しステージ群の中」とは、受け渡しステージ群における上下に配置された受け渡しステージの間、受け渡しステージ群の棚の最上段あるいは最下段のいずれをも含む。
【００１４】
また前記互いに積層された複数の塗布膜形成用のブロックは、夫々基板にレジスト液を塗布するためのブロック、及びレジスト液を塗布する前に基板に反射防止膜用の薬液を塗布するためのブロック、並びにレジスト液を塗布した後に基板に反射防止膜用の薬液を塗布するためのブロックである構成を挙げることができる。また例えば受け渡しステージ群は、キャリアブロックと処理ブロックとの間で基板の受け渡しを行なうためキャリアブロック用受け渡しステージを含む。
【００１５】
更に他の発明は、上記の発明において、上下搬送手段を、キャリアブロック側から見て前記受け渡しステージ群の左側または右側の一方側に配置し、そして前記受け渡しステージ群に対して上下搬送手段とは反対側に基板検査ユニットを設け、上下搬送手段から受け渡しステージ群の中を通って基板検査ユニット内に基板が搬入されるようにしたものである。この発明の具体的態様としては、前記受け渡しステージ群と基板検査ユニットとの間に基板検査ユニット専用の補助搬送手段を設け、受け渡しステージ群の中の受け渡しステージに置かれた基板をこの補助搬送手段を介して基板検査ユニット内に搬入する構成を挙げることができる。なお上下搬送手段から補助搬送手段に直接基板を受け渡す構成であってもよい。
【００１６】
本発明は塗布、現像方法としても成り立ち、本発明方法は、
ａ．複数の塗布膜形成用のブロックを互いに積層し、
ｂ．各塗布膜形成用のブロックは、塗布液を基板に塗布するための液処理ユニット及び塗布液が塗布された基板を加熱する加熱ユニットを含む複数の処理ユニットと、これら処理ユニット間で基板を搬送するブロック用の搬送手段とを備えると共に、複数の塗布膜形成用のブロックの少なくとも一つは、レジスト液塗布用の液処理ユニットを含み、
ｃ．前記塗布膜形成用のブロックに対して現像処理用のブロックを積層し、
ｄ．現像処理用のブロックは、露光された基板を加熱処理するための加熱ユニット及び現像液を基板に塗布するための液処理ユニットを含む複数の処理ユニットと、これら処理ユニット間で基板を搬送するブロック用の搬送手段と、を備え
ｅ．複数の塗布膜形成用のブロックの各々及び現像処理用のブロック毎にキャリアブロック側に、各ブロックの搬送手段との間で基板の受け渡しを行なうための受け渡しステージを設けて棚状の受け渡しステージ群を構成し
ｆ．前記受け渡しステージ群における各受け渡しステージ同士の間で昇降して基板の受け渡しを行なうための上下搬送手段を設けて
なる塗布、現像装置を用いて塗布、現像処理を行う方法であって、
キャリアブロックにキャリアにより搬入された基板をキャリアブロック用の搬送手段を介して前記受け渡しステージ群中の受け渡しステージに受け渡す工程と、
次いで受け渡しステージ上の基板を塗布膜形成用のブロック内の前記搬送手段に受け渡し、その後塗布膜形成用のブロック内にて当該基板に対してレジスト膜を含む塗布膜の形成処理を行う工程と、
この工程の後、前記基板をインターフェイスブロックを介して露光装置に搬送し、露光装置にて露光された基板をインターフェイスブロックを介して現像用のブロックに搬送する工程と、
前記基板に対して現像用のブロック内にて現像処理を行う工程と、
塗布膜の形成処理または現像処理が行われた基板を、前記キャリアブロックの上部であってかつキャリアブロック用の搬送手段よりも高い位置に設けられた基板検査ユニット内に、上下搬送手段を介して搬入する工程と、
その後、前記基板検査ユニット内にて基板に対して検査を行う工程と、
を含むことを特徴とする。  
この発明において、塗布膜の形成処理または現像処理が行われた基板を、基板検査ユニット内に上下搬送手段を介して搬入する工程は、
上下搬送手段により前記受け渡しステージ群中の基板検査ポートをなす受け渡しステージに受け渡す工程と、
続いてこの受け渡しステージ上の基板を、基板検査ユニット専用の補助搬送手段を介して、基板検査ユニット内に搬入する工程と、を含むものとしてもよいし、
あるいは受け渡しステージ群中の受け渡しステージを介さずに上下搬送手段から基板検査ユニットに受け渡される工程としてもよい。
【００１７】
なおこの発明において、「受け渡しステージ上の基板を塗布膜形成用のブロック内の前記搬送手段に受け渡し」は、キャリアブロック用の搬送手段が一の受け渡しステージに基板を受け渡し、次いで当該基板を上下搬送手段により他の受け渡しステージに受け渡され、当該他の受け渡しステージ上の基板がブロック用の搬送手段に搬送される場合も含まれる。またこの塗布、現像方法においても、基板検査ユニットは、棚状の受け渡しステージ群の中に設けるようにしてもよい。
【００１８】
また本発明方法においても、上下搬送手段を、キャリアブロック側から見て前記受け渡しステージ群の左側または右側の一方側に配置し、そして前記受け渡しステージ群に対して上下搬送手段とは反対側に基板検査ユニットとを設け、上下搬送手段から受け渡しステージ群の中を通って基板検査ユニット内に基板が搬入されるようにしてもよい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明は、塗布膜形成用のブロックと現像処理用のブロックとに分離してこれらブロックを積層すると共に、各ブロック毎にブロック用の搬送手段との間で基板の受け渡しを行うための受け渡しステージをキャリアブロック側に設けて棚状の受け渡しステージ群を構成し、これら受け渡しステージ群の受け渡しステージの間で基板を搬送する上下搬送手段を設けている。そしてキャリアブロックの上部の空きスペースに基板検査ユニットを配置すると共に、上下搬送手段を介して当該基板検査ユニットに搬送する（上下搬送手段による直接搬送、及び上下搬送手段から受け渡しステージ群の検査ポートをなす受け渡しステージを介しての搬送のいずれをも含む）ようにしている。
【００２０】
従って本発明によれば、キャリアブロックの上部の空きスペースに基板検査ユニットを収めることで、基板検査ユニットが塗布、現像装置本体から横へ飛び出すといった不利な装置レイアウトとならず、無理のないレイアウトを実現でき、設置スペース上の不利な構成をとらずに済む。そして塗布膜形成用のブロック及び現像処理用のブロック間の搬送を担う上下搬送手段を利用して基板検査ユニットに対する基板の搬送を行っているので、基板検査ユニットを高い位置に配置したことに起因して上下ストロークの大きい搬送機構を設けたりあるいはキャリアブロック用の搬送手段の上下ストロークを大きくしたりといったことをしなくて済み、搬送機構上も極めて有利である。
【００２１】
また他の発明によれば、基板検査ユニットを受け渡しステージ群の中に設け、上下搬送手段により基板検査ユニットとの間で基板の受け渡しを行うようにしており、塗布膜形成用のブロック及び現像処理用のブロックの各処理ブロックの１個の高さと、受け渡しステージの高さとを比較すると、受け渡しステージ群からなるいわば棚については、高さ方向の空きスペースが存在し、この空きスペースを利用して基板検査ユニットを配置しているため、先の発明と同様に無理のないレイアウトを実現でき、設置スペース上の不利な構成をとらずに済む。
【００２２】
更にまた他の発明によれば、受け渡しステージ群について上下搬送手段とは反対側のスペースを利用して基板検査ユニットを配置しているため、先の発明と同様に無理のないレイアウトを実現でき、設置スペース上の不利な構成をとらずに済む。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明に係る塗布、現像装置の実施の形態について説明する。図１は、本発明の塗布、現像装置に露光装置を接続したの平面図を示し、図２は同概略斜視図、図３は同概略側面図である。この装置は、基板であるウエハＷが例えば１３枚密閉収納されたキャリア２０を搬入出するためのキャリアブロックＳ１と、複数個例えば５個のブロックＢ１〜Ｂ５を縦に配列して構成された積層ブロック１００を含む処理ブロックＳ２と、インターフェイスブロックＳ３と、露光装置Ｓ４と、を備えている。
【００２４】
前記キャリアブロックＳ１には、前記キャリア２０を複数個載置可能な載置台２１と、この載置台２１から見て前方の壁面に設けられる開閉部２２と、開閉部２２を介してキャリア２０からウエハＷを取り出すためのキャリアブロック用搬送機構であるトランスファーアームＣとが設けられている。このトランスファーアームＣは、後述するブロックＢ２の受け渡しステージＴＲＳ１，２，３との間でウエハＷの受け渡しを行うように、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、キャリア２０の配列方向に移動自在に構成されている。
【００２５】
キャリアブロックＳ１の奥側には筐体２４にて周囲を囲まれる処理ブロックＳ２が接続されている。処理ブロックＳ２に設けられた積層ブロック１００は、この例では、下方側から、下段側の２段が現像処理を行うための第１及び第２のブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１，Ｂ２、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜（以下「第２の反射防止膜」という）の形成処理を行うための第３のブロック（ＴＣＴ層）Ｂ３、レジスト液の塗布処理を行うための第４のブロック（ＣＯＴ層）Ｂ４、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜（以下「第１の反射防止膜」という）の形成処理を行うための第５のブロック（ＢＣＴ層）Ｂ５として割り当てられている。ここで前記ＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２が現像処理用のブロック、ＴＣＴ層Ｂ３、ＣＯＴ層Ｂ４、ＢＣＴ層Ｂ５が塗布膜形成用のブロックに相当する。
【００２６】
続いて第１〜第５のブロックＢ（Ｂ１〜Ｂ５）の構成について説明する。これら各ブロックＢ１〜Ｂ５は、ウエハＷに対して薬液を塗布するための液処理ユニットと、前記液処理ユニットにて行なわれる処理の前処理及び後処理を行なうための各種の加熱・冷却系の処理ユニットと、前記液処理ユニットと加熱・冷却系の処理ユニットとの間でウエハＷの受け渡しを行うための専用の搬送手段ＡであるメインアームＡ１〜Ａ５と、を備えている。
【００２７】
先ず図１に示すＣＯＴ層Ｂ４を例にして以下に説明する。このＣＯＴ層Ｂ４のほぼ中央には、ＣＯＴ層Ｂ４の長さ方向（図中Ｙ軸方向）に、キャリアブロックＳ１とインターフェイスブロックＳ３とを接続するための、ウエハＷの搬送領域Ｒ１が形成されている。この搬送領域Ｒ１のキャリアブロックＳ１側から見た両側には、手前側（キャリアブロックＳ１側）から奥側に向かって右側に、前記液処理ユニットとして、レジストの塗布処理を行うための複数個例えば３個の塗布部３０を筐体３２内に配置した塗布ユニット３１が設けられている。塗布部３０はウエハを保持して回転させるウエハ保持部とこのウエハ保持部を囲むカップ３３などを備えており、薬液ノズルからレジスト液をウエハの中心部に供給し、ウエハ保持部を回転させてレジスト液を展伸させて塗布処理を行うように構成されている。
【００２８】
またＣＯＴ層Ｂ４の手前側から奥側に向かって左側には、順に加熱・冷却系のユニットを多段化した４個の棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３，Ｕ４が設けられており、塗布ユニット３１にて行なわれる処理の前処理及び後処理を行なうための各種ユニットを複数段、例えば２段に積層した構成とされている。上述の前処理及び後処理を行うための各種ユニットの中には、例えば図４に示すように、レジスト液の塗布前にウエハＷを所定の温度に調整するための冷却ユニット（ＣＯＬ４）、レジスト液の塗布後にウエハＷの加熱処理を行うための例えばプリベーキングユニットなどと呼ばれている加熱ユニット（ＣＨＰ４）、レジスト液とウエハＷとの密着性を向上させるための疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）、ウエハＷのエッジ部のみを選択的に露光するための周縁露光装置（ＷＥＥ）等が含まれている。また冷却ユニット（ＣＯＬ４）や加熱ユニット（ＣＨＰ４）等の各処理ユニットは、夫々処理容器５１内に収納されており、棚ユニットＵ１〜Ｕ４は、前記処理容器５１が２段に積層されて構成され、各処理容器５１の搬送領域Ｒ１に臨む面にはウエハ搬出入口５２が形成されている。なお前記疎水化処理ユニットは、ＨＭＤＳ雰囲気中でガス処理を行なうものであるが、塗布膜形成用のブロックＢ３〜Ｂ５のいずれかに設けられればよい。
【００２９】
前記搬送領域Ｒ１にはブロック用の搬送手段であるメインアームＡ４が設けられている。このメインアームＡ４は、当該ＣＯＴ層Ｂ４内の全てのモジュール（ウエハＷが置かれる場所）、例えば棚ユニットＵ１〜Ｕ４の各処理ユニット、塗布ユニット３１、後述する棚ユニットＵ５と棚ユニットＵ６の各部との間でウエハの受け渡しを行うように構成されている。メインアームＡ１〜Ａ５は、例えば図４に示すように、ウエハＷの裏面側周縁領域を支持するための２本のアーム１０１，１０２を備えており、これらアーム１０１，１０２は基台１０３に沿って互いに独立して進退自在に構成されている。またこの基台１０３は回転機構１０４により鉛直軸回りに回転自在に構成される共に、移動機構１０５により、棚ユニットＵ１〜Ｕ４を支持する台部１０６の搬送領域Ｒ１に臨む面に取り付けられたＹ軸レール１０７に沿ってＹ軸方向に移動自在、かつ昇降レール１０８に沿って昇降自在に構成されている。こうしてアーム１０１，１０２は、進退自在、Ｙ軸方向に移動自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成され、棚ユニットＵ１〜Ｕ６の各ユニットや第１及び第２の受け渡しステージＴＲＳ１〜ＴＲＳ１０、液処理ユニットとの間でウエハＷの受け渡しを行うことができるようになっている。
【００３０】
また搬送領域Ｒ１のキャリアブロックＳ１と隣接する領域は、第１のウエハ受け渡し領域Ｒ２となっていて、この領域Ｒ２には、図１及び図３に示すように、トランスファーアームＣとメインアームＡ４とがアクセスできる位置に棚ユニットＵ５が設けられると共に、この棚ユニットＵ５に対してウエハＷの受け渡しを行うための第１の上下搬送手段をなす第１の受け渡しアーム４１を備えている。
【００３１】
前記棚ユニットＵ５は、図３に示すように、各ブロックＢ１〜Ｂ５のメインアームＡ１〜Ａ５との間でウエハＷの受け渡しを行うように構成されている。この例では各ブロックＢ１〜Ｂ５毎に、１個以上例えば２個の組で構成される第１の受け渡しステージＴＲＳ１〜ＴＲＳ５を備えており、これにより第１の受け渡しステージが多段に積層された第１の受け渡しステージ群を構成している。また第１の受け渡しアーム４１は各第１の受け渡しステージＴＲＳ１〜ＴＲＳ５に対してウエハＷの受け渡しを行うことができるように、進退自在及び昇降自在に構成されている。
【００３２】
ここでこの塗布、現像装置は、キャリアブロックＳ１の上部に基板検査ユニット５が設けられ、この基板検査ユニット５に対する搬送ポート（検査ポート）である受け渡しステージＴＲＳ０が受け渡しステージ群である棚ユニットＵ５内に設けられている。以下にこの基板検査ユニット５に関連する構成について詳述する。キャリアブロックＳ１におけるトランスファアームＣに搬送領域の上方には、フィルタユニット６が設けられている。このフィルタユニット６０は、外部から気体例えば空気や不活性ガスなどを取り込んで、内部のフィルタ層によりパーティクルを除去し、いわゆるダウンフローと呼ばれる下降流を形成して、搬送領域の清浄化を図っている。
【００３３】
基板検査ユニット５は、図３に示すようにこのフィルタユニット６の上に配置されており、基板検査ユニット５のＸ方向の隣には図５に示すように基板検査ユニット５に対して搬入出を行うための専用の補助搬送機構である補助アーム５１が設けられている。一方検査ポートである受け渡しステージＴＲＳ０は、ＢＣＴ層Ｂ５に対応する高さ位置に配置されている。補助アーム５１は、鉛直軸回りに回転自在、進退自在及びわずかに昇降できるように構成されており、基板検査ユニット５内の後述のステージと受け渡しステージＴＲＳ０との間でウエハＷの受け渡しができる位置に設置されている。なお図の制限から受け渡しステージＴＲＳ０は１段のみ記載してあるが、実際にはスループット向上のために複数段例えば２段設けることが好ましい。
【００３４】
基板検査ユニット５は、例えば図６に示すようにウエハＷの搬送口５２を備えた筐体５３と、この筐体５３内に設けられ、ウエハＷを水平に支持してその向きを調整できるように構成された回転載置台５４と、この回転載置台５４上のウエハＷの表面を撮像する、Ｘ，Ｙ，Ｚ方向に移動自在な撮像手段例えばＣＣＤカメラ５５と、ＣＣＤカメラ５５で得られたウエハＷの画像を処理するデータ処理部５６と、を備えている。５７は照明部である。
【００３５】
ウエハＷの画像に基づいて検査できる検査種別の例を挙げると、露光装置にて生じるパターンの位置ずれを検出するためのデフォーカス検査、現像処理の不良を検出するための現像不良検出、ウエハＷ表面の同一場所に同一の形状で現れる共通欠陥を検出する共通欠陥検出、現像処理後のウエハＷに残存するレジスト残渣を検出するためのスカム検出、レジスト塗布処理及び／又は現像処理がされていない不具合を検出するためのＮＯ  ＲＥＳＩＳＴ，ＮＯ  ＤＥＶＥＬＯＰ検査（不具合検出）、ウエハＷ上に形成されたレジスト膜の線幅を測定するための線幅測定、露光装置にて露光されたウエハＷとフォトマスクとの重ね合わせ精度を規格値と比較して検査するための重ね合わせ検査などを挙げることができる。
【００３６】
またウエハＷに形成された塗布膜の膜厚を検査するための膜厚検査を行うようにしてもよく、この場合には、ＣＣＤカメラ５５の横にウエハＷからの反射光のスペクトルを得るための膜厚センサを付設するなどすればよい。更にまたこの検査ユニット５は、上述の検査の他に、ウエハＷに付着したパーティクル数を検出するためのパーティクル数検出、レジスト塗布後のウエハＷ表面にレジスト液中の気泡や異物によって発生するコメットを検出するためのコメット検出、ウエハＷ表面から飛び出したレジスト液の溶剤がウエハＷに再付着するスプラッシュバックを検出するスプラッシュバック検出、レジスト液の塗布ムラを検出するための塗布ムラ検出などを行うようにしてもよい。なおこの基板検査ユニット５は、ここに挙げた検査項目の全てを検査できるようにすることに限られるものではなく、これら検査の少なくとも一つを実施できるようにしてもよい。
【００３７】
前記デフォーカス検査は予め登録された正しいパターンとの比較によって露光装置における焦点ぼけを検出するものであり、線幅測定とは、例えば予め登録された正しいパターンとの比較によって露光装置における露光量や露光時間が適正がどうかを検出するものであり、重ね合わせ検査とは、例えば下層のパターンと比較できるようにされた特定の部位のパターンを、予め登録された正しいパターンと比較することによって露光装置における露光位置の位置ずれを検出するものである。
【００３８】
また前記第１及び第２のブロックＢ１，Ｂ２の第１の受け渡しステージＴＲＳ１、ＴＲＳ２は、この例ではトランスファーアームＣとの間でウエハＷの受け渡しが行なわれるように構成され、キャリアブロック用受け渡しステージに相当する。さらにこの例では、第２のブロックＢ２は第１の受け渡しステージとして例えば２個のＴＲＳ−Ｆを備えており、この受け渡しステージＴＲＳーＦはトランスファーアームＣによりウエハＷを処理ブロックＳ２に搬入するための専用の受け渡しステージとして用いられる。この受け渡しステージＴＲＳーＦもキャリアブロック用受け渡しステージに相当し、第１のブロックＢ１に設けるようにしてもよいし、この受け渡しステージＴＲＳーＦを別個に設けずに、トランスファーアームＣからウエハＷを処理ブロックＳ２に搬入する際に、受け渡しステージＴＲＳ１，２を用いて行なうようにしてもよい。
【００３９】
さらに搬送領域Ｒ１のインターフェイスブロックＳ３と隣接する領域は、第２のウエハ受け渡し領域Ｒ３となっていて、この領域Ｒ３には、図３に示すように、メインアームＡ４がアクセスできる位置に棚ユニットＵ６が設けられると共に、この棚ユニットＵ６に対してウエハＷの受け渡しを行うための第２の上下搬送手段をなす第２の受け渡しアーム４２を備えている。
【００４０】
前記棚ユニットＵ６は、図３及び図６に示すように、各ブロックＢ１〜Ｂ５のメインアームＡ１〜Ａ５との間でウエハＷの受け渡しを行うように、この例では各ブロックＢ１〜Ｂ５は、１個以上例えば２個の第２の受け渡しステージＴＲＳ６〜ＴＲＳ１０を備えており、これにより第２の受け渡しステージが多段に積層された第２の受け渡しステージ群が構成されている。第２の受け渡しアーム４２は各第２の受け渡しステージＴＲＳ６〜ＴＲＳ１０に対してウエハＷの受け渡しを行うことができるように、進退自在及び昇降自在に構成されている。このように本実施の形態では、５段に積層された各ブロックＢ１〜Ｂ５の間で、上述の第１の受け渡しアーム４１と第２の受け渡しアーム４２とにより、夫々第１の受け渡しステージＴＲＳ１〜ＴＲＳ５とＴＲＳ−Ｆ、第２の受け渡しステージＴＲＳ６〜ＴＲＳ１０を介して、自由にウエハＷの受け渡しを行なうことができるように構成されている。
【００４１】
続いて他のブロックについて説明すると、ＴＣＴ層Ｂ３及びＢＣＴ層Ｂ５は、液処理ユニットにおける薬液がレジスト液の代わりに反射防止膜用の薬液であることを除けば、実質ＣＯＴ層Ｂ４の構成と同様であり、加熱ユニット、冷却ユニット及び各ユニット間で基板を搬送するメインアームＡ３（Ａ５）が設けられている。
【００４２】
またＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２は同様に構成され、液処理ユニットとしてウエハＷに対して現像処理を行うための現像ユニットが設けられ、棚ユニットＵ１〜Ｕ４には、露光後のウエハＷを加熱処理するポストエクスポージャーベーキングユニットなどと呼ばれている、露光後の基板に対して加熱処理を行う加熱ユニット（ＰＥＢ）や、この加熱ユニット（ＰＥＢ）における処理の後にウエハＷを所定温度に調整するための冷却ユニット（ＣＯＬ）、現像処理後のウエハＷを水分を飛ばすために加熱処理するポストベーキングユニットなどと呼ばれている加熱ユニット（ＰＯＳＴ）を備えている以外はＣＯＴ層Ｂ４と同様に構成されている。なお現像ユニットは、カップで囲まれたウエハ保持部にウエハを保持し、薬液ノズルから現像液を液盛りして現像を行い、その後洗浄液でウエハ表面を洗浄し、ウエハ保持部を回転させて乾燥するものであり、その構成は図１の塗布ユニットとほぼ同様である。
【００４３】
そしてこれらＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２では、夫々メインアームＡ１，Ａ２により、夫々第１の受け渡しステージＴＲＳ１，ＴＲＳ２，ＴＲＳ−Ｆ、第２の受け渡しステージＴＲＳ６，ＴＲＳ７と、現像ユニットと、棚ユニットＵ１〜Ｕ４の各処理ユニットとに対してウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。
【００４４】
一方、処理ブロックＳ２における棚ユニットＵ６の奥側には、インターフェイスブロックＳ３を介して露光装置Ｓ４が接続されている。インターフェイスブロックＳ３には、処理ブロックＳ２の棚ユニットＵ６と露光装置Ｓ４とに対してウエハＷの受け渡しを行うためのインターフェイスアーム４３と、ウエハＷを冷却する冷却ユニット４４と、を備えている。冷却ユニット４４は、ウエハＷを露光装置Ｓ４内の温度に予め高精度に調整するためのものである。なお冷却ユニット４４は、棚ユニットＵ６内に設置するようにしてもよい。
【００４５】
前記インターフェイスアーム４３は、処理ブロックＳ２と露光装置Ｓ４と冷却ユニット４４との間に介在するウエハＷの搬送手段（インターフェイス用の搬送手段）をなすものであり、この例では、第１〜第４のブロックＢ１〜Ｂ４の第２の受け渡しステージＴＲＳ６〜ＴＲＳ９に対してウエハＷの受け渡しを行うように、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成されている。また前記インターフェイスアーム４３は、全てのブロックＢ１〜Ｂ５の第２の受け渡しステージＴＲＳ６〜ＴＲＳ１０に対してウエハＷの受け渡しを行うように構成してもよい。          
次ぎにこの実施の形態の作用について説明する。この装置では、レジスト膜の上下に夫々反射防止膜を形成すること、レジスト膜の上下の一方のみに反射防止膜を形成すること、あるいは反射防止膜を形成せずにＣＯＴ層（ブロックＢ４）のみを用いてレジスト膜を形成することのいずれの処理も行うことができるが、ここでは説明をできるだけ簡単にするために、ＣＯＴ層（ブロックＢ４）のみを用いてレジスト膜を形成し、そしてブロックＢ１であるＤＥＶ層を用いて現像処理を行う場合について述べる。先ず外部からキャリア２０がキャリアブロック２１に搬入され、トランスファーアームＣによりこのキャリア２０内からウエハＷが取り出される。ウエハＷは、トランスファーアームＣから、先ず棚ユニットＵ５の第１の受け渡しステージＴＲＳーＦに受け渡され、次いで第１の受け渡しアーム４１により第１の受け渡しステージＴＲＳ４に受け渡され、ＣＯＴ層Ｂ４のメインアームＡ４に受け渡される。そしてＣＯＴ層Ｂ４では、メインアームＡ４により、疎水化処理ユニット（ＡＤＨ）→冷却ユニットＣＯＬ４→ＣＯＴ（塗布ユニット３１）→加熱ユニットＣＨＰ４→周縁露光装置（ＷＥＥ）→棚ユニットＵ６の受け渡しステージＴＲＳ９の順序で搬送されて化学増幅型のレジスト膜が形成される。
【００４６】
続いて受け渡しステージＴＲＳ９のウエハＷはインターフェイスアーム４３により冷却ユニット４４（ＣＯＬ）を介して露光装置Ｓ４の搬入ステージ４５に搬送され、露光装置Ｓ４にて露光処理が行われる。露光処理後のウエハＷは、搬出ステージ４６に搬出され、インターフェイスアーム４３により、ＤＥＶ層Ｂ１の受け渡しステージＴＲＳ６に搬送される。そしてこのステージＴＲＳ６上のウエハＷは、ＤＥＶ層Ｂ１のメインアームＡ１に受け取られ、加熱ユニット（ＰＥＢ１）→冷却ユニットＣＯＬ→現像ユニット（ＤＥＶ）→加熱ユニット（ＰＯＳＴ）→ＣＯＬ→受け渡しステージＴＲＳ１の順序で搬送され、所定の現像処理が行われる。
【００４７】
こうして現像処理が行われたウエハＷは、受け渡しステージＴＲＳ１から上下搬送手段である第１の受け渡しアーム４１により棚ユニットＵ５（受け渡しステージ群）内の検査ポートである受け渡しステージＴＲＳ０に搬送され（図３及び図５参照）、続いて基板検査ユニット５の専用のアームである補助アーム５１により基板検査ユニット５内の回転載置部５４に搬送される。その後、回転載置部５４によりウエハＷが回転し、ＣＣＤカメラ５５がスキャンされてウエハＷ表面の画像がデータ処理部に取り込まれ、既述のパターンの線幅測定などの検査が行われる。しかる後ウエハＷは補助アーム５１を介して棚ユニットＵ５内の受け渡しステージＴＲＳ０に戻され、更に第１の受け渡しアーム４１により例えば受け渡しステージＴＲＳ−Ｆに搬送され、その後トランスファーアームＣにより、キャリアブロックＳ１に載置されている元のキャリア２０に戻される。なおこの例では検査後のウエハＷを受け渡しステージＴＲＳ−Ｆを介して搬出するようにしているが、棚ユニットＵ５内であって、トランスファーアームＣによりアクセス可能な高さ位置に設けた図示しない搬出用受け渡しステージを介してトランスファーアームＣにより搬出されるようにしてもよい。
【００４８】
なお現像されたウエハＷに対して全数検査を行ってもよいが、ロットのうちの予め決められたウエハＷについてだけ基板検査ユニット５に搬送するようにし、その他のウエハＷについては、例えば受け渡しステージＴＲＳ−Ｆを介してトランスファーアームＣにより搬出するようにしてもよい。
【００４９】
更にまた塗布後のウエハＷについて例えばモニタウエハに対してあるいは製品ウエハに対して基板検査ユニット５にて例えばレジスト膜の膜厚などの検査を行うようにしてもよく、その場合にはＣＯＴ層Ｂ４にてレジスト膜が形成されたウエハＷは受け渡しステージＴＲＳ４及び第１の受け渡しアーム４１を介して検査ポートである受け渡しステージＴＲＳ０に搬送され、既述のようにして基板検査ユニット５内に搬入されて検査が行われる。
【００５０】
上述の実施の形態によれば、キャリアブロックＳ１の上部の空きスペースに基板検査ユニット５を配置すると共に、上下搬送手段である第１の受け渡しアーム４１を介して受け渡しステージ群（棚ユニットＵ５）内の検査ポートをなす受け渡しステージＴＲＳ０を介してウエハＷを搬送するようにしているため、キャリアブロックＳ１の上部の元々の空きスペースに基板検査ユニット５を収めることで、基板検査ユニット５が塗布、現像装置本体から横へ飛び出すといった不利な装置レイアウトとならず、無理のないレイアウトを実現でき、設置スペース上の不利な構成をとらずに済む。
【００５１】
そして塗布膜形成用のブロックＢ３〜Ｂ５及び現像処理用のブロックＢ１、Ｂ２間の搬送を担う第１の受け渡しアーム４１を利用して基板検査ユニット５に対するウエハＷの搬送を行っているので、基板検査ユニット５を高い位置に配置したことに起因して上下ストロークの大きい搬送機構を設けたりあるいはトランスファーアームＣの上下ストロークを大きくしたりといったことをしなくて済み、搬送機構上も極めて有利である。  
更にキャリアブロックＳ１に基板検査ユニット５を配置しているため、処理ブロックＳ２に対してメンテナンスを行っているときでも、外部からキャリアブロックＳ１を介してウエハＷを搬入し、基板検査ユニット５に搬送して検査を行うことができ、便利である。また現像処理を終えたウエハＷを第１の受け渡しアーム４１により基板検査ユニットに搬送でき、処理ブロック内の経路を逆戻りするといった複雑な搬送経路を避けることができ、
更にまたこの実施の形態に特有な利点を記載しておく。即ち、各塗布膜形成用のブロックＢ３〜Ｂ５と、現像処理用のブロックＢ１、Ｂ２とを異なるエリアに設け、夫々に専用のメインアームＡを設けたので、メインアームＡの負荷が軽減する。このためメインアームＡの搬送効率が向上するので、結果としてスループットを高めることができる。
【００５２】
また塗布膜形成用のブロックとして、レジスト膜を形成するための専用のブロック（ＣＯＴ層Ｂ４）、第１の反射防止膜を形成するための専用のブロック（ＢＣＴ層Ｂ５）、第２の反射防止膜を形成するための専用のブロック（ＴＣＴ層Ｂ３）を互いに積層して設けているので、レジスト膜の上下に反射防止膜を形成する場合であっても、処理ブロックＳ２の占有面積をレジスト膜のみを形成する場合と同じにすることができ、省スペース化を図ることができる。
【００５３】
図８は本の他の実施の形態の要部を示す略解平面図であり、この例では、第１の受け渡しアーム４１に水平回転機能を持たせ、この第１の受け渡しアーム４１が例えば受け渡しステージＴＲＳ１から現像後のウエハＷを受け取った後上昇し、基板検査ユニット５に搬送するようにしてもよい。図８の例では第１の受け渡しアーム４１により基板検査ユニット５内のステージ（回転載置部）に受け渡す構成としているが、図８に描かれている基板検査ユニット５のウエハＷ受け渡し位置に中間ステージを設けると共に基板検査ユニット５の位置を塗布、現像装置の正面から見て図８の位置よりも例えば右側にずらして配置し、更に中間ステージと基板検査ユニット５との間に補助アームを介在させる構成であってもよい。
【００５４】
この実施の形態においても、キャリアブロックＳ１の上部の空きスペースに基板検査ユニット５を配置しているので、既述の実施の形態と同様の効果がある。
【００５５】
図９及び図１０は、本発明の更に他の実施の形態を示す図である。この例では、受け渡しステージ群である棚ユニットＵ５の中に、基板検査ユニット５を設けている。図９では、ＤＥＶ層Ｂ１、Ｂ２の間の高さレベルに基板検査ユニット５を記載してあるが、その配置位置はこれに限られるものではない。この場合、例えば現像後のウエハＷは例えば受け渡しステージＴＲＳ１あるいはＴＲＳ２から第１の受け渡しアーム４１を介して基板検査ユニット５内に搬入されるが、処理ブロック内のブロック用搬送手段であるメインアームによって例えばＤＥＶ層Ｂ１（あるいはＢ２）のメインアームＡ１（あるいはＡ２）によって基板検査ユニット５内に搬入するようにしてもよい。
【００５６】
この実施の形態によれば、塗布膜形成用のブロックＢ３、Ｂ４、Ｂ５及び現像処理用のブロックＢ１、Ｂ２の各処理ブロックの１個の高さと、受け渡しステージの高さとを比較すると、受け渡しステージ群からなる棚ユニットＵ５については、高さ方向の空きスペースが存在し、この空きスペースを利用して基板検査ユニット５を配置しているため、先の発明と同様に無理のないレイアウトを実現でき、設置スペース上の不利な構成をとらずに済む。
【００５７】
なお棚ユニットＵ５における空きスペースの利用については、液処理ユニットにて使用される薬液のための薬液ボトルや配管、配線を含むケミカルエリアとして利用してもよい。
【００５８】
図１１は、本発明の更にまた他の実施の形態を示す要部の略解平面図である。この例では、キャリアブロックＳ１と積層ブロック１００との間において、受け渡しステージ群（棚ユニットＵ５）に対して上下搬送手段である受け渡しアーム４１の反対側（塗布、現像装置の正面から見て棚ユニットＵ５の右側）に基板検査ユニット５を設けると共に、この基板検査ユニット５と棚ユニットＵ５との間に水平回転自在、進退自在かつわずかに昇降自在な補助アーム５１を設けている。即ち、棚ユニットＵ５内の例えば１個の受け渡しステージを検査ポートである受け渡しステージＴＲＳ０として割り当て、補助アーム５１は、このステージＴＲＳ０と基板検査ユニット５内のステージとの間でウエハＷを搬送する役割を持っている。
【００５９】
基板検査ユニット５の高さ位置は、棚ユニットＵ５の最上段、最下段あるいは途中段のいずれに対応する位置であってもよい。また基板検査ユニット５に対するウエハＷのアクセスについては、第１の受け渡しアーム４１→受け渡しステージＴＲＳ０→補助アーム５１→基板検査ユニット５の経路で搬入され、また逆の経路で搬出される。更に受け渡しステージＴＲＳ０を用いずに、棚ユニットＵ５内にて第１の受け渡しアーム４１と補助アーム５１との間で直接ウエハＷの受け渡しを行うようにしてもよい。  
この実施の形態においても、受け渡しステージ群（棚ユニットＵ５）の隣の空きスペースを利用して基板検査ユニットを配置しているので、同様の効果がある。
【００６０】
以上において、塗布膜形成用のブロックは、下部反射膜、レジスト膜及び上部反射膜を夫々形成するための液処理ユニットを１段にまとめ、かつ各液処理の前後の処理を行うための熱系のユニットも各段に組み込んで、１段のブロックにてウエハＷに対して下部反射膜、レジスト膜及び上部反射膜を形成できるようにし、そのブロックを複数段例えば３段積層する構成であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明に係る塗布、現像装置の実施の形態を示す平面図である。
【図２】前記塗布、現像装置を示す斜視図である。
【図３】前記塗布、現像装置を示す側部断面図である。
【図４】前記塗布、現像装置における基板検査ユニット内の専用の搬送手段と棚状の受け渡しステージ群との位置関係を説明するための一部略解平面図である。
【図５】基板検査ユニットの一例を示す縦断側面図である。
【図６】前記塗布、現像装置における塗布ユニットと棚ユニットと搬送手段とを示す斜視図である。
【図７】前記塗布、現像装置におけるインターフェイスブロックを示す側部断面図である。
【図８】本発明の他の実施の形態の要部を示す略解平面図である。
【図９】本発明の更に他の実施の形態に係る塗布、現像装置を示す側部断面図である。
【図１０】上記の更に他の実施の形態における要部を示す略解斜視図である。
【図１１】本発明の更にまた他の実施の形態の要部を示す略解平面図である。
【図１２】塗布、現像装置の従来例を示す略解平面図である。
【符号の説明】
【００６２】
Ｗ          半導体ウエハ
２０        キャリア
Ｓ１        キャリアブロック
Ｓ２        処理ブロック
Ｓ３        インターフェイスブロック
Ｓ４        露光装置
Ａ１〜Ａ５  メインアーム
Ｃ          トランファーアーム
４１        第１の受け渡しアーム
４２        第２の受け渡しアーム
４３        インターフェイスアーム
４５        搬入ステージ
４６        搬出ステージ
５          基板検査ユニット
５１        補助アーム
５３        筐体
５４        回転載置台
５５        ＣＣＤカメラ
ＴＲＳ０    検査ポートをなす受け渡しステージ
６          フィルタユニット
【図１】
2006269672.tif 000003
【図２】
2006269672.tif 000004
【図３】
2006269672.tif 000005
【図４】
2006269672.tif 000006
【図５】
2006269672.tif 000007
【図６】
2006269672.tif 000008
【図７】
2006269672.tif 000009
【図８】
2006269672.tif 000010
【図９】
2006269672.tif 000011
【図１０】
2006269672.tif 000012
【図１１】
2006269672.tif 000013
【図１２】
2006269672.tif 000014