(57)【要約】【課題】  製造工程で基板が帯電した場合でも、静電気によるデバイスの能力低下及び破壊が発生しない放射線撮像用基板及び放射線撮像装置を提供することを目的とする。【解決手段】  絶縁基板上に、マトリクス状に配設され、放射線を電荷に変換する複数個の半導体変換素子と、半導体変換素子に接続されたスイッチ素子と、半導体変換素子にバイアスを印加するバイアス線（Ｖｓ線）と、スイッチ素子に駆動信号を供給するゲート線（Ｖｇ線）と、半導体変換素子にて変換された電荷を読み出す信号線（Ｓｉｇ線）とから成る画素エリアを備える放射線撮像用基板において、光電変換層を有する接続配線が画素エリア外に形成されており、接続配線は、バイアス線、ゲート線及び信号線のうち少なくとも同種配線の複数本を接続する。【選択図】  図１
2006004998.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に、
マトリクス状に配設され、放射線を電荷に変換する複数個の半導体変換素子と、
当該半導体変換素子に接続されたスイッチ素子と、
前記半導体変換素子にバイアスを印加するバイアス線（Ｖｓ線）と、
前記スイッチ素子に駆動信号を供給するゲート線（Ｖｇ線）と、
前記半導体変換素子にて変換された電荷を読み出す信号線（Ｓｉｇ線）とから成る画素エリアを備える放射線撮像用基板において、
光電変換層を有する接続配線が、前記画素エリア外に形成されており、前記接続配線は前記バイアス線、前記ゲート線及び前記信号線のうち少なくとも同種配線の複数本を接続することを特徴とする放射線撮像用基板。
【請求項２】
前記接続配線は、前記バイアス線、前記ゲート線及び前記信号線のすべてを接続することを特徴とする請求項１記載の放射線撮像用基板。
【請求項３】
前記接続配線は、少なくともホールブロッキング層又はオーミック半導体層を備えており、Ｖｓ線の配線抵抗Ｒａ、Ｖｇ線の配線抵抗Ｒｂ、Ｓｉｇ線の配線抵抗Ｒｃ、前記接続配線における光が入射した場合の光電変換層の配線抵抗Ｒｐ、光が入射しない場合の光電変換層の配線抵抗Ｒｄ、ホールブロッキング層の配線抵抗Ｒｅ、オーミック半導体層の配線抵抗Ｒｆの関係が、
Ｒａ，Ｒｂ，Ｒｃ＜Ｒｅ，Ｒｆ＜Ｒｄ
Ｒａ，Ｒｂ，Ｒｃ＜Ｒｅ，Ｒｆ≦Ｒｐ又はＲａ，Ｒｂ，Ｒｃ≦Ｒｐ＜Ｒｅ，Ｒｆ
であることを特徴とする請求項１又は２記載の放射線撮像用基板。
【請求項４】
絶縁基板上に、
マトリクス状に配設され、放射線を電荷に変換する複数個の半導体変換素子と、
当該半導体変換素子に接続されたスイッチ素子と、
前記半導体変換素子にバイアスを印加するバイアス線（Ｖｓ線）と、
前記スイッチ素子に駆動信号を供給するゲート線（Ｖｇ線）と、
前記半導体変換素子にて変換された電荷を読み出す信号線（Ｓｉｇ線）とから成る画素エリアを備える放射線撮像用基板において、
少なくとも光電変換層を有するガードリングが、前記画素エリア周辺に形成されており、前記ガードリングは、前記バイアス線、前記ゲート線及び前記信号線のうち少なくとも同種配線の複数本を接続し、前記画素エリアと前記ガードリングとの間に前記絶縁基板の切断部が設けられることを特徴とする放射線撮像用基板。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項記載の放射線撮像用基板を備えることを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項６】
請求項５記載の放射線撮像装置を備えることを特徴とする放射線撮像システム。
【請求項７】
絶縁基板上に、
マトリクス状に配設され、放射線を電荷に変換する複数個の半導体変換素子と、
当該半導体変換素子に接続されたスイッチ素子と、
前記半導体変換素子にバイアスを印加するバイアス線（Ｖｓ線）と、
前記スイッチ素子に駆動信号を供給するゲート線（Ｖｇ線）と、
前記半導体変換素子にて変換された電荷を読み出す信号線（Ｓｉｇ線）とから成る画素エリアを備える放射線撮像用基板の製造方法において、
前記バイアス線、前記ゲート線及び前記信号線のうち少なくとも同種配線の複数本を接続する接続配線を、光電変換層を有するように、前記画素エリア外に形成する工程を含むことを特徴とする放射線撮像用基板の製造方法。
【請求項８】
前記接続配線は、前記バイアス線、前記ゲート線及び前記信号線のすべてに接続されることを特徴とする請求項７記載の放射線撮像用基板の製造方法。
【請求項９】
前記接続配線が少なくともホールブロッキング層又はオーミック半導体層を備えており、Ｖｓ線の配線抵抗Ｒａ、Ｖｇ線の配線抵抗Ｒｂ、Ｓｉｇ線の配線抵抗Ｒｃ、前記接続配線における光が入射した場合の光電変換層の配線抵抗Ｒｐ、光が入射しない場合の光電変換層の配線抵抗Ｒｄ、ホールブロッキング層の配線抵抗Ｒｅ、オーミック半導体層の配線抵抗Ｒｆの関係が、
Ｒａ，Ｒｂ，Ｒｃ＜Ｒｅ，Ｒｆ＜Ｒｄ
Ｒａ，Ｒｂ，Ｒｃ＜Ｒｅ，Ｒｆ≦Ｒｐ又はＲａ，Ｒｂ，Ｒｃ≦Ｒｐ＜Ｒｅ，Ｒｆ
であることを特徴とする請求項７又は８記載の放射線撮像用基板の製造方法。
【請求項１０】
絶縁基板上に、
マトリクス状に配設され、放射線を電荷に変換する複数個の半導体変換素子と、
当該半導体変換素子に接続されたスイッチ素子と、
前記半導体変換素子にバイアスを印加するバイアス線（Ｖｓ線）と、
前記スイッチ素子に駆動信号を供給するゲート線（Ｖｇ線）と、
前記半導体変換素子にて変換された電荷を読み出す信号線（Ｓｉｇ線）とから成る画素エリアを備える放射線撮像用基板の製造方法において、
前記バイアス線、前記ゲート線及び前記信号線のうち少なくとも同種配線の複数本を接続するガードリングを、光電変換層を有するように、前記画素エリア周辺に形成する工程を含むことを特徴とする放射線撮像用基板の製造方法。
【請求項１１】
前記接続配線と前記画素エリアの間で切断する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１０記載の放射線撮像用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、医療用画像診断装置、非破壊検査装置、放射線を用いた分析装置等に応用される光電変換用基板及び光電変換装置、放射線撮像用基板及び放射線撮像装置に関するものである。なお、本明細書では、可視光などの電磁波やＸ線、α線、β線、γ線なども、放射線に含まれるものとする。
【背景技術】
【０００２】
図１０は従来の放射線撮像装置の概略図、図１１は等価回路図、図１２は平面図である。また、図１３は１画素の断面図、図１４は放射線撮像用基板の切断部近傍の拡大図である。
【０００３】
Ｐ１１〜Ｐ４４は光電変換素子などの半導体変換素子、Ｔ１１〜Ｔ４４は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であり、それぞれ画素を構成している。なお、ここでは画素エリアに４×４画素を示しているが、実際には例えば１０００×２０００画素が放射線撮像用基板（絶縁基板）に配置されている。
【０００４】
図示するように、光電変換素子Ｐ１１〜Ｐ４４は共通のバイアス線Ｖｓ１〜Ｖｓ４に接続されており、読み出し装置から一定バイアスが印加されている。各ＴＦＴのゲート電極は、共通のゲート線Ｖｇ１〜Ｖｇ４に接続されており、ゲート駆動装置からＴＦＴのゲートのＯＮ、ＯＦＦを制御する。また、各ＴＦＴのソース又はドレイン電極は、共通の信号線Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ４に接続されており、Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ４は、読み出し装置に接続されている。
【０００５】
被検体に向けて曝射されたＸ線は、被検体により減衰を受けて透過し、図１３に示す蛍光体層で可視光に変換され、この可視光が光電変換素子に入射し、電荷に変換される。この電荷は、ゲート駆動装置により印加されるゲート駆動パルスによりＴＦＴを介して信号線に転送され、読み出し装置により外部に読み出される。その後、共通のバイアス線により、光電変換素子で発生し転送されなかった残留電荷が除去される。
【０００６】
従来、この種の代表的な放射線撮像装置としては、ＭＩＳ型光電変換素子とスイッチＴＦＴとから構成されたＭＩＳ−ＴＦＴ構造の光センサーを配置した放射線撮像用基板と、放射線を可視光に変換するための蛍光体を組み合わせた放射線撮像装置がある。
【０００７】
放射線撮像装置は、放射線撮像用基板を図１４に示す切断部で切断し、ＴＣＰ（テープキャリアパッケージ）などのプリント配線基板を介して、信号線及びバイアス線は読み出し装置に、ゲート線はゲート駆動装置にそれぞれ接続し構成される。ここで、読み出し装置に接続されるＴＣＰをＴＣＰ−Ａ、ゲート駆動装置に接続されるＴＣＰをＴＣＰ−Ｄとする。
【０００８】
層構成は図１３のように、ＭＩＳ型光電変換素子は下部電極（第１の電極層）、絶縁層（第１の絶縁層）、光電変換層（第１の半導体層）、ホールブロッキング層、第２の電極層から構成され、下部電極はＴＦＴのソース・ドレイン電極と接続されている。ＴＦＴはゲート電極（第１の電極層）、ゲート絶縁層（第１の絶縁層）、第１の半導体層、オーミックコンタクト層、ソース・ドレイン電極（第２の電極層）を備えている。各Ｖｇ線はＴＦＴのゲート電極が形成される電極層に、各Ｓｉｇ線はソース・ドレイン電極を形成する層にそれぞれ接続されている。
【特許文献１】特開平８−１１６０４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
近年、ＴＦＴを用いた液晶パネルの製造技術の発展や、光電変換素子を有するエリアセンサーの各分野への利用（例えば、Ｘ線撮像装置）の進展により、ＴＦＴを用いたパネルの大量生産が可能となっている。
【００１０】
また、放射線撮像装置は液晶パネルなどとは異なり、微小信号をディジタル変換して画像出力するという特徴を持っている。
【００１１】
このため、製造工程で基板が帯電し、例えば信号線とゲート線に電位差が生じた場合には、読み出し用ＴＦＴのＶｔｈシフトが起こり、微小信号の読み出しができなくなってしまう。
【００１２】
また、前記の電位差が大きい場合には、デバイス破壊が起こり、大量生産を行なう製造ラインでは大きな歩留まりの低下につながる。
【００１３】
本発明では、製造工程で基板が帯電した場合でも、静電気によるデバイスの能力低下及び破壊が発生しない放射線撮像用基板及び放射線撮像装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、上記課題を解決するための手段として、絶縁基板上に、マトリクス状に配設され、放射線を電荷に変換する複数個の半導体変換素子と、当該半導体変換素子に接続されたスイッチ素子と、前記半導体変換素子にバイアスを印加するバイアス線（Ｖｓ線）と、前記スイッチ素子に駆動信号を供給するゲート線（Ｖｇ線）と、前記半導体変換素子にて変換された電荷を読み出す信号線（Ｓｉｇ線）とから成る画素エリアを備える放射線撮像用基板において、光電変換層を有する接続配線が、前記画素エリア外に形成されており、前記接続配線は前記バイアス線、前記ゲート線及び前記信号線のうち少なくとも同種配線の複数本を接続することを特徴とする。
【００１５】
また、本発明は、前記接続配線は、前記バイアス線、前記ゲート線及び前記信号線のすべてを接続することを特徴とする。
【００１６】
また、本発明は、前記接続配線は、少なくともホールブロッキング層又はオーミック半導体層を備えており、Ｖｓ線の配線抵抗Ｒａ、Ｖｇ線の配線抵抗Ｒｂ、Ｓｉｇ線の配線抵抗Ｒｃ、前記接続配線における光が入射した場合の光電変換層の配線抵抗Ｒｐ、光が入射しない場合の光電変換層の配線抵抗Ｒｄ、ホールブロッキング層の配線抵抗Ｒｅ、オーミック半導体層の配線抵抗Ｒｆの関係が、
Ｒａ，Ｒｂ，Ｒｃ＜Ｒｅ，Ｒｆ＜Ｒｄ
Ｒａ，Ｒｂ，Ｒｃ＜Ｒｅ，Ｒｆ≦Ｒｐ又はＲａ，Ｒｂ，Ｒｃ≦Ｒｐ＜Ｒｅ，Ｒｆ
であることを特徴とする。
【００１７】
また、本発明は、絶縁基板上に、マトリクス状に配設され、放射線を電荷に変換する複数個の半導体変換素子と、当該半導体変換素子に接続されたスイッチ素子と、前記半導体変換素子にバイアスを印加するバイアス線（Ｖｓ線）と、前記スイッチ素子に駆動信号を供給するゲート線（Ｖｇ線）と、前記半導体変換素子にて変換された電荷を読み出す信号線（Ｓｉｇ線）とから成る画素エリアを備える放射線撮像用基板において、少なくとも光電変換層を有するガードリングが、前記画素エリア周辺に形成されており、前記ガードリングは、前記バイアス線、前記ゲート線及び前記信号線のうち少なくとも同種配線の複数本を接続し、前記画素エリアと前記ガードリングとの間に前記絶縁基板の切断部が設けられることを特徴とする。
【００１８】
また、本発明は、請求項１から４のいずれか１項記載の放射線撮像用基板を備えることを特徴とする。
【００１９】
また、本発明は、請求項５記載の放射線撮像装置を備えることを特徴とする放射線撮像システムである。
【００２０】
また、本発明は、絶縁基板上に、マトリクス状に配設され、放射線を電荷に変換する複数個の半導体変換素子と、当該半導体変換素子に接続されたスイッチ素子と、前記半導体変換素子にバイアスを印加するバイアス線（Ｖｓ線）と、前記スイッチ素子に駆動信号を供給するゲート線（Ｖｇ線）と、前記半導体変換素子にて変換された電荷を読み出す信号線（Ｓｉｇ線）とから成る画素エリアを備える放射線撮像用基板の製造方法において、前記バイアス線、前記ゲート線及び前記信号線のうち少なくとも同種配線の複数本を接続する接続配線を、光電変換層を有するように、前記画素エリア外に形成する工程を含むことを特徴とする。
【００２１】
また、本発明は、前記接続配線は、前記バイアス線、前記ゲート線及び前記信号線のすべてに接続されることを特徴とする。
【００２２】
また、本発明は、前記接続配線が少なくともホールブロッキング層又はオーミック半導体層を備えており、Ｖｓ線の配線抵抗Ｒａ、Ｖｇ線の配線抵抗Ｒｂ、Ｓｉｇ線の配線抵抗Ｒｃ、前記接続配線における光が入射した場合の光電変換層の配線抵抗Ｒｐ、光が入射しない場合の光電変換層の配線抵抗Ｒｄ、ホールブロッキング層の配線抵抗Ｒｅ、オーミック半導体層の配線抵抗Ｒｆの関係が、
Ｒａ，Ｒｂ，Ｒｃ＜Ｒｅ，Ｒｆ＜Ｒｄ
Ｒａ，Ｒｂ，Ｒｃ＜Ｒｅ，Ｒｆ≦Ｒｐ又はＲａ，Ｒｂ，Ｒｃ≦Ｒｐ＜Ｒｅ，Ｒｆ
であることを特徴とする。
【００２３】
また、本発明は、絶縁基板上に、マトリクス状に配設され、放射線を電荷に変換する複数個の半導体変換素子と、当該半導体変換素子に接続されたスイッチ素子と、前記半導体変換素子にバイアスを印加するバイアス線（Ｖｓ線）と、前記スイッチ素子に駆動信号を供給するゲート線（Ｖｇ線）と、前記半導体変換素子にて変換された電荷を読み出す信号線（Ｓｉｇ線）とから成る画素エリアを備える放射線撮像用基板の製造方法において、前記バイアス線、前記ゲート線及び前記信号線のうち少なくとも同種配線の複数本を接続するガードリングを、光電変換層を有するように、前記画素エリア周辺に形成する工程を含むことを特徴とする。
【００２４】
また、本発明は、前記接続配線と前記画素エリアの間で切断する工程をさらに含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、画素エリア外に少なくとも光電変換層を有する接続配線又はガードリングが形成されており、Ｖｓ線、Ｖｇ線及びＳｉｇ線のうち少なくとも二つを、接続配線又はガードリングにより接続することにより、製造工程で基板が帯電した場合でも、静電気によるデバイスの能力低下及び破壊を防止できるようになった。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、添付図面を参照して本発明を実施するための最良の実施の形態を説明する。
【００２７】
以下の実施の形態では放射線撮像装置を構成した場合について説明するが、本発明の撮像装置は放射線を電気信号に変換する放射線撮像装置に限定されず、可視光及び赤外光等の光を電気信号に変換する撮像装置にも適用することができる。
【００２８】
［第１の実施の形態］
以下、本発明の放射線撮像用基板及び放射線撮像装置の第１の実施の形態を図面を用いて説明する。
【００２９】
図１は本発明の放射線撮像装置の概略図、図２は等価回路図、図３は放射線撮像用基板（絶縁基板）の切断部近傍の拡大図、図４は１画素と接続配線の断面図である。図４において、図４（ａ）が一画素（図３中Ａ−Ａ）の断面図であり、図４（ｂ）が接続配線（図３中Ｂ−Ｂ）の断面図である。
【００３０】
本発明の放射線撮像装置は、ＭＩＳ型光電変換素子とスイッチＴＦＴとから構成されたＭＩＳ−ＴＦＴ構造の光センサーを配置した放射線撮像用基板と、放射線を可視光に変換するための蛍光体を組み合わせた放射線撮像装置で、その他駆動原理も従来例と同様なのでここでは説明を省略する。
【００３１】
図示するように本実施の形態の放射線撮像用基板では、バイアス線（Ｖｓ線）、ゲート線（Ｖｇ線）及び信号線（Ｓｉｇ線）の全てが接続配線により接続されている。
【００３２】
図３に示すように、接続配線はＭＩＳ型光電変換素子と同様の第１の半導体層（光電変換層）及びホールブロッキング層により形成されている。
【００３３】
ここで、光電変換層の特性については、光が入射しない場合は高抵抗であるが、光が入射すると層内でホール及びエレクトロンが発生するため低抵抗になる特性をもっている。
【００３４】
このため、Ｖｓ線の配線抵抗をＲａ、Ｖｇ線の配線抵抗をＲｂ、Ｓｉｇ線の配線抵抗をＲｃ、接続配線における光が入射した場合の光電変換層の配線抵抗をＲｐ、光が入射しない場合の光電変換層の配線抵抗をＲｄ、ホールブロッキング層の配線抵抗Ｒｅとすると、
Ｒａ，Ｒｂ，Ｒｃ＜Ｒｅ＜Ｒｄ
Ｒａ，Ｒｂ，Ｒｃ＜Ｒｅ≦Ｒｐ又はＲａ，Ｒｂ，Ｒｃ≦Ｒｐ＜Ｒｅ
の関係が成り立つ。
【００３５】
よって、例えば製造工程において絶縁基板が帯電しても、放射線撮像用基板は絶縁基板に光が入射する環境下で製造されるため、接続配線の抵抗は小さく、Ｖｓ線、Ｖｇ線及びＳｉｇ線の全てが接続配線により接続されているため、各配線間に電位差が生じにくい。
【００３６】
また、放射線撮像用基板を用いた放射線撮像装置は、図４のように画素エリア上に蛍光体層を形成し、組み立て後は接続配線には光が入射することがないため、接続配線の抵抗は大きく放射線撮像装置の動作に影響はない。
【００３７】
さらに、ＴＣＰ接続用パッドを利用したパネル検査も、光が入射しない環境下で行なわれるため、検査に影響を及ぼすこともない。
【００３８】
以上のように、画素エリア外に少なくとも光電変換層を有する接続配線が形成されており、Ｖｓ線、Ｖｇ線及びＳｉｇ線を接続配線により接続することにより、製造工程で基板が帯電した場合でも、静電気によるデバイスの能力低下及び破壊を防止できる効果をもつ。
【００３９】
ここで、本実施の形態において、接続配線にホールブロッキング層を用いたが、前記の各抵抗の関係を満たすならば、スイッチ素子を形成するオーミックコンタクト層でも構わない。
【００４０】
半導体変換素子としてＭＩＳ型光電変換素子を示したが、ＰＩＮ型光電変換素子を用いても構わない。また、画素の構造に関しては、半導体変換素子とスイッチ素子が同一層で構成されている平面型でも、スイッチ素子が形成されている層上に半導体変換素子が形成されている積層型でも構わない。
【００４１】
［第２の実施の形態］
以下、本発明の放射線撮像用基板及び放射線撮像装置の第２の実施の形態を図面を用いて説明する。
【００４２】
図５は本発明の放射線撮像装置の概略図、図６は等価回路図、図７は放射線撮像用基板（絶縁基板）の切断部近傍の拡大図、図８は１画素とガードリングの断面図ある。図８において、図８（ａ）は１画素（図７中Ａ−Ａ線）の断面図であり、図８（ｂ）がガードリング（図７中Ｂ−Ｂ線）の断面図である。
【００４３】
図示するように、Ｐ１１〜４４は光電変換素子、Ｔ１１〜４４は第１のスイッチ素子（ＴＦＴ）である。図示するように光電変換素子Ｐ１１〜Ｐ４４は共通のバイアス線Ｖｓ１〜４に接続されており、読み出し装置１、２から一定バイアスが印加されている。各ＴＦＴのゲート電極は共通のゲート線Ｖｇ１〜４に接続されており、各ゲート線はゲート駆動装置１、２に接続されている。また図示するように各ＴＦＴのソース又はドレイン電極は共通の信号線Ｓｉｇ１〜８に接続されており、Ｓｉｇ１〜４は読み出し装置１に、同様にＳｉｇ５〜８は読み出し装置２に接続されている。
【００４４】
本発明の放射線撮像装置は、ＭＩＳ型光電変換素子とスイッチＴＦＴとから構成されたＭＩＳ−ＴＦＴ構造の光センサーを配置した放射線撮像用基板と、放射線を可視光に変換するための蛍光体を組み合わせた放射線撮像装置で、その他駆動原理も従来例と同様なのでここでは説明を省略する。
【００４５】
図示するように本実施の形態の放射線撮像用基板では、画素エリアの周辺にガードリングが形成されており、バイアス線（Ｖｓ線）、ゲート線（Ｖｇ線）及び信号線（Ｓｉｇ線）の各配線がガードリングと接続されている。
【００４６】
また、断面図のように、ガードリングはＭＩＳ型光電変換素子と同様の第１の電極層、第１の絶縁層及び第１の半導体層（光電変換層）により形成されており、ホールブロッキング層を介して各配線とガードリングが接続され、ホールブロッキング層は各配線を接続しないよう配置されている。
【００４７】
ここで、光電変換層の特性については、第１の実施の形態と同様で、光が入射しない場合は高抵抗であるが、光が入射すると層内でホール及びエレクトロンが発生するため低抵抗になる特性をもっている。
【００４８】
このため、例えば製造工程において絶縁基板が帯電しても、放射線撮像用基板は絶縁基板に光が入射する環境下で製造されるため、接続配線の抵抗は小さく、Ｖｓ線、Ｖｇ線及びＳｉｇ線の全てがガードリングにより接続されているため、各配線間に電位差が生じにくい。
【００４９】
また、ＴＣＰ接続用パッドを利用したパネル検査は、光が入射しない環境下で行なわれるため、検査に影響を及ぼすことはない。
【００５０】
さらに、図７のように画素エリアとガードリングとの間に絶縁基板の切断部を設けているため、切断後の放射線撮像用基板においては各配線が分離され、放射線撮像装置の動作に影響はない。
【００５１】
以上のように、画素エリア周辺に少なくとも光電変換層を有するガードリングを形成し、バイアス線、ゲート線及び信号線のいずれかの配線と接続し、画素エリアとガードリングとの間に絶縁基板の切断部を設けることにより、製造工程で基板が帯電した場合でも、静電気によるデバイスの能力低下及び破壊を防止できる効果をもつ。
【００５２】
ここで、本実施の形態において、各配線とガードリングの接続はホールブロッキング層を介して行なったが、スイッチ素子を形成するオーミックコンタクト層でも構わない。
【００５３】
また、半導体変換素子としてＭＩＳ型光電変換素子を示したが、ＰＩＮ型光電変換素子を用いても構わない。また、画素の構造に関しては、半導体変換素子とスイッチ素子が同一層で構成されている平面型でも、スイッチ素子が形成されている層上に半導体変換素子が形成されている積層型でも構わない。
【００５４】
［第３の実施の形態］
図９は本発明による放射線撮像用基板及び放射線撮像装置のＸ線診断システムへの応用例を示したものである。
【００５５】
Ｘ線チューブ６０５０で発生したＸ線６０６０は患者又は被験者６０６１の胸部６０６２を透過し、シンチレーターを上部に実装した光電変換装置６０４０に入射する。
【００５６】
この入射したＸ線には患者６０６１の体内部の情報が含まれている。Ｘ線の入射に対応してシンチレーターは発光し、これを光電変換して、電気的情報を得る。この情報はディジタルに変換され信号処理手段となるイメージプロセッサ６０７０により画像処理され制御室の表示手段となるディスプレイ６０８０で観察できる。
【００５７】
また、この情報は電話回線６０９０などの伝送処理手段により遠隔地へ転送でき、別の場所のドクタールームなどにある表示手段となるディスプレイ６０８１に表示したり、光ディスクなどの記録手段に保存することができ、遠隔地の医師が診断することも可能である。
【００５８】
また、記録手段となるフィルムプロセッサ６１００により記録媒体となるフィルム６１１０に記録することもできる。
【００５９】
以上説明した各実施の形態の撮像用基板は、絶縁基板上にＭＩＳ型光電変換素子とスイッチＴＦＴとから構成されたＭＩＳ−ＴＦＴ構造の光センサーを配置し、この基板に放射線を可視光などの光に変換するための蛍光体を組み合わせることで放射線検出用の撮像用基板としたものであったが、本発明の撮像用基板はこの構成に限定されず、例えば、変換素子としてＸ線などの放射線を直接変換する直接変換膜としての、アモルファスセレン（ａ−Ｓｅ）や多結晶ＣｄＳなどを用いることができ、かかる場合、蛍光体を組み合わせることなく放射線検出を行なうことができ、かかる撮像用基板も本発明の範疇に含まれるものとする。さらに、本実施の形態の撮像用基板は蛍光体を組み合わせない場合は光電変換用基板であり、かかる撮像用基板も本発明の範疇に含まれるものとする。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の放射線撮像用基板及び放射線撮像装置の第１の実施の形態を説明するための放射線撮像装置の概略図である。
【図２】本発明の放射線撮像用基板及び放射線撮像装置の第１の実施の形態を説明するための放射線撮像装置の等価回路図である。
【図３】本発明の放射線撮像用基板及び放射線撮像装置の第１の実施の形態を説明するための放射線撮像用基板の切断部近傍の拡大図である。
【図４】本発明の放射線撮像用基板及び放射線撮像装置の第２の実施の形態を説明するための図３中Ａ−Ａ線及びＢ−Ｂ線における断面図である。
【図５】本発明の放射線撮像用基板及び放射線撮像装置の第２の実施の形態を説明するための放射線撮像装置の概略図である。
【図６】本発明の放射線撮像用基板及び放射線撮像装置の第２の実施の形態を説明するための放射線撮像装置の等価回路図である。
【図７】本発明の放射線撮像用基板及び放射線撮像装置の第２の実施の形態を説明するための放射線撮像用基板の切断部近傍の拡大図である。
【図８】本発明の放射線撮像用基板及び放射線撮像装置の第２の実施の形態を説明するための図７中Ａ−Ａ線及びＢ−Ｂ線における断面図である。
【図９】本発明の放射線撮像用基板及び放射線撮像装置のＸ線診断システムへの応用例を説明する概略図である。
【図１０】従来の放射線撮像用基板及び放射線撮像装置の概略図である。
【図１１】従来の放射線撮像用基板及び放射線撮像装置の等価回路図である。
【図１２】従来の放射線撮像用基板及び放射線撮像装置の平面図である。
【図１３】従来の放射線撮像用基板及び放射線撮像装置の１画素の断面図である。
【図１４】従来の放射線撮像用基板の切断部近傍の拡大図である。
【符号の説明】
【００６１】
ＴＦＴ              薄膜トランジスタ
Ｖｇ線              ゲート線
Ｓｉｇ線            信号線
Ｖｓ線              バイアス線
Ｐ１１〜Ｐ４４      半導体変換素子（光電変換素子）
Ｔ１１〜Ｔ４４      薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
Ｖｇ１〜４          共通のゲート線
Ｓｉｇ１〜８        共通の信号線
Ｖｓ１〜４          共通バイアス線
ＴＣＰ              テープキャリアパッケージ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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