(57)【要約】【課題】メインコンデンサ電圧が低い場合や連続発光によってキセノン管を発光させづらい状態であっても、キセノン管の発光に充分な電圧をキセノン管に印加することができ、かつ設計が容易で回路規模の小型化が可能なストロボ装置、ストロボ回路、及びストロボ駆動回路を提供すること。【解決手段】電気エネルギーを光エネルギーに変換するキセノン管ＤＳ１０１の発光に要する電気エネルギーを蓄積するメインコンデンサＣ１０１と、上記キセノン管ＤＳ１０１の発光を開始させるトリガを印加するトリガトランスＴ１０１と、上記キセノン管ＤＳ１０１の発光の開始及び停止を制御するスイッチング素子Ｑ１０１と、上記キセノン管ＤＳ１０１における両端の端子に、上記メインコンデンサＣ１０１の極板間の電位差よりも大きな電位差を発生させる高電圧印加回路である引き下げトランスＴ１０２と、を用いる。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気エネルギーを光エネルギーに変換するキセノン管と、
上記キセノン管の発光に要する電気エネルギーを蓄積するメインコンデンサと、
上記キセノン管の発光を開始させるトリガを印加するトリガ回路と、
上記キセノン管の発光の開始及び停止を制御するスイッチング手段と、
上記キセノン管における両端の端子に、上記メインコンデンサの極板間の電位差よりも大きな電位差を発生させる高電圧印加回路と、
を具備し、
上記高電圧印加回路として、複数の巻線を有するトランスを用いることを特徴とするストロボ装置。
【請求項２】
上記高電圧印加回路としてのトランスは一次巻線及び二次巻線を有し、上記一次巻線にて発生したエネルギーは上記二次巻線に伝達され、上記二次巻線に伝達されたエネルギーは上記キセノン管の端子に印加され、
上記トランスは、上記スイッチング手段により動作制御されることを特徴とする請求項１に記載のストロボ装置。
【請求項３】
上記二次巻線は、上記キセノン管のカソード端子の電圧を、負の値の電圧に引き下げることを特徴とする請求項２記載のストロボ装置。
【請求項４】
上記二次巻線は、上記キセノン管のアノード端子の電圧を、上記メインコンデンサの極板間の電圧よりも大きい値の正の電圧に引き上げることを特徴とする請求項２記載のストロボ装置。
【請求項５】
電気エネルギーを光エネルギーに変換するキセノン管と、
上記キセノン管の発光に要する電気エネルギーを蓄積するメインコンデンサと、
上記キセノン管の発光を開始させるトリガを印加するためのトリガトランスを含むトリガ回路と、
上記キセノン管の発光の開始及び停止を制御するスイッチング手段と、
上記キセノン管の両端の端子に、上記メインコンデンサの極板間の電位差よりも大きな電位差を発生させるためのトランスを含む高電圧印加回路と、
を具備し、
上記トリガ回路における上記トリガトランスの一次巻線と、上記高電圧印加回路における上記トランスの一次巻線とを、共通の一次巻線とすることを特徴とするストロボ装置。
【請求項６】
上記高電圧印加回路における上記トランスは一次巻線及び二次巻線を有し、上記一次巻線にて発生したエネルギーは上記二次巻線に伝達され、上記二次巻線に発生したエネルギーは上記キセノン管の端子に印加され、
上記高電圧印加回路は、上記スイッチング手段により動作制御されることを特徴とする請求項５に記載のストロボ装置。
【請求項７】
上記高電圧印加回路の上記トランスにおける上記二次巻線は、上記キセノン管のカソード端子の電圧を、負の値の電圧に引き下げることを特徴とする請求項６記載のストロボ装置。
【請求項８】
上記高電圧印加回路の上記トランスにおける上記二次巻線は、上記キセノン管のアノード端子の電圧を、上記メインコンデンサの極板間の電圧よりも高い正の値の電圧に引き上げることを特徴とする請求項６記載のストロボ装置
【請求項９】
電気エネルギーを蓄積するメインコンデンサと、
上記メインコンデンサの高電圧端子に、アノード端子が接続されたキセノン管と、
上記キセノン管のカソード端子に、アノード端子が接続された引き下げダイオードと、
上記引き下げダイオードのカソード端子に一端が接続され、かつ他端が上記メインコンデンサの有する端子のうち低電圧の端子に接続されたスイッチング素子と、
上記引き下げダイオードのカソード端子に、第１端が接続された第１の引き下げコンデンサと、
一次巻線と二次巻線とを有し、上記二次巻線は上記一次巻線より巻数が多く、かつ上記一次巻線と逆相に巻かれており、上記一次巻線及び上記二次巻線の第１端は上記メインコンデンサの端子のうち低電圧の端子に接続され、上記一次巻線の第２端は上記第１の引き下げコンデンサの第２端に接続された引き下げトランスと、
上記引き下げトランスの上記二次巻線の第２端に、第１端が接続され、かつ第２端が上記引き下げダイオードのアノード端子に接続された第２の引き下げコンデンサと、
上記第１の引き下げコンデンサの第１端と上記メインコンデンサの端子のうち高電圧の端子との間に接続された第１の抵抗と、
上記第２の引き下げコンデンサの第２端と上記メインコンデンサの端子のうち低電圧の端子との間に接続された第２の抵抗と、
上記キセノン管に発光開始のトリガを印加するトリガ回路と、
を具備することを特徴とするストロボ回路。
【請求項１０】
電気エネルギーを蓄積するメインコンデンサと、
上記メインコンデンサの高電圧端子に、アノード端子が接続された引き上げダイオードと、
上記引き上げダイオードのカソード端子に、アノード端子が接続されたキセノン管と、
上記キセノン管のカソード端子に一端が接続され、他端が上記メインコンデンサの端子のうち低電圧の端子に接続されたスイッチング素子と、
上記キセノン管のカソード端子に、第１端が接続された第１の引き上げコンデンサと、
一次巻線と二次巻線とを有し、上記二次巻線は上記一次巻線より巻数が多く、かつ上記一次巻線と同相に巻かれており、上記一次巻線及び上記二次巻線の第１端が上記メインコンデンサの端子のうち低電圧の端子に接続され、上記一次巻線の第２端は上記第１の引き上げコンデンサの第２端に接続された引き上げトランスと、
上記引き上げトランスの上記二次巻線の第２端に、第１端が接続され、第２端がキセノン管のアノード端子に接続された第２の引き上げコンデンサと、
上記第１の引き上げコンデンサの第１端と上記メインコンデンサの端子のうち高電圧の端子との間に接続された抵抗と、
上記キセノン管に発光開始のトリガを印加するトリガ回路と、
を具備することを特徴とするストロボ回路。
【請求項１１】
電気エネルギーを蓄積するメインコンデンサと、
上記メインコンデンサの高電圧端子に、アノード端子が接続された引き上げダイオードと、
上記引き上げダイオードのカソード端子に、アノード端子が接続されたキセノン管と、
上記キセノン管のカソード端子に、アノード端子が接続された引き下げダイオードと、
上記引き下げダイオードのカソード端子に一端が接続され、かつ他端が上記メインコンデンサの有する端子のうち低電圧の端子に接続されたスイッチング素子と、
上記引き下げダイオードのカソード端子に、第１端が接続されたコンデンサと、
一次巻線と二次巻線とを有し、上記二次巻線は上記一次巻線より巻数が多く、かつ上記一次巻線と逆相に巻かれており、上記一次巻線及び上記二次巻線の第１端は上記メインコンデンサの端子のうち低電圧の端子に接続され、上記一次巻線の第２端は上記コンデンサの第２端に接続された引き下げトランスと、
一次巻線と二次巻線とを有し、上記二次巻線は上記一次巻線より巻数が多く、かつ上記一次巻線と同相に巻かれており、上記一次巻線及び上記二次巻線の第１端が上記メインコンデンサの端子のうち低電圧の端子に接続され、上記一次巻線の第２端は上記コンデンサの第２端に接続された引き上げトランスと、
上記引き下げトランスの上記二次巻線の第２端に、第１端が接続され、かつ第２端が上記引き下げダイオードのアノード端子に接続された引き下げコンデンサと、
上記引き上げトランスの上記二次巻線の第２端に、第１端が接続され、第２端が上記キセノン管のアノード端子に接続された引き上げコンデンサと、
上記コンデンサの第１端と上記メインコンデンサの端子のうち高電圧の端子との間に接続された第１の抵抗と、
上記引き下げコンデンサの第２端と上記メインコンデンサの端子のうち低電圧の端子との間に接続された第２の抵抗と、
上記キセノン管に発光開始のトリガを印加するトリガ回路と、
を具備し、
上記引き下げトランスの一次巻線と、上記引き上げトランスの一次巻線とを、共通の一次巻線とすることを特徴とするストロボ回路。
【請求項１２】
電気エネルギーを光エネルギーに変換する発光素子の発光制御を行うストロボ駆動回路において、
上記発光素子の発光に要する電気エネルギーを蓄積するメインコンデンサと、
上記発光素子の発光を開始させるトリガを印加するトリガ回路と、
上記発光素子の発光の開始及び停止を制御するスイッチング手段と、
上記発光素子における両端の端子に、上記メインコンデンサの極板間の電位差よりも大きな電位差を発生させる高電圧印加回路と、
を具備し、
上記高電圧印加回路として、複数の巻線を有するトランスを用いることを特徴とするストロボ駆動回路。
【請求項１３】
電気エネルギーを光エネルギーに変換する発光素子の発光制御を行うストロボ駆動回路において、
上記発光素子の発光に要する電気エネルギーを蓄積するメインコンデンサと、
上記発光素子の発光を開始させるトリガを印加するためのトリガトランスを含むトリガ回路と、
上記発光素子の発光の開始及び停止を制御するスイッチング手段と、
上記発光素子の両端の端子に、上記メインコンデンサの極板間の電位差よりも大きな電位差を発生させるためのトランスを含む高電圧印加回路と、
を具備し、
上記トリガ回路における上記トリガトランスの一次巻線と、上記高電圧印加回路における上記トランスの一次巻線とを、共通の一次巻線とすることを特徴とするストロボ駆動回路。
【請求項１４】
キセノン管の発光制御を行うストロボ駆動回路において、
上記キセノン管のアノード端子に、高電圧端子が接続されたメインコンデンサと、
上記キセノン管のカソード端子に、アノード端子が接続された引き下げダイオードと、
上記引き下げダイオードのカソード端子に一端が接続され、かつ他端が上記メインコンデンサの有する端子のうち低電圧の端子に接続されたスイッチング素子と、
上記引き下げダイオードのカソード端子に、第１端が接続された第１の引き下げコンデンサと、
一次巻線と二次巻線とを有し、上記二次巻線は上記一次巻線より巻数が多く、かつ上記一次巻線と逆相に巻かれており、上記一次巻線及び上記二次巻線の第１端は上記メインコンデンサの端子のうち低電圧の端子に接続され、上記一次巻線の第２端は上記第１の引き下げコンデンサの第２端に接続された引き下げトランスと、
上記引き下げトランスの上記二次巻線の第２端に、第１端が接続され、かつ第２端が上記引き下げダイオードのアノード端子に接続された第２の引き下げコンデンサと、
上記第１の引き下げコンデンサの第１端と上記メインコンデンサの端子のうち高電圧の端子との間に接続された第１の抵抗と、
上記第２の引き下げコンデンサの第２端と上記メインコンデンサの端子のうち低電圧の端子との間に接続された第２の抵抗と、
上記キセノン管に発光開始のトリガを印加するトリガ回路と、
を具備することを特徴とするストロボ駆動回路。
【請求項１５】
キセノン管の発光制御を行うストロボ駆動回路において、
電気エネルギーを蓄積するメインコンデンサと、
上記メインコンデンサの高電圧端子にアノード端子が接続され、上記キセノン管のアノード端子にカソード端子が接続された引き上げダイオードと、
上記キセノン管のカソード端子に一端が接続され、他端が上記メインコンデンサの端子のうち低電圧の端子に接続されたスイッチング素子と、
上記キセノン管のカソード端子に、第１端が接続された第１の引き上げコンデンサと、
一次巻線と二次巻線とを有し、上記二次巻線は上記一次巻線より巻数が多く、かつ上記一次巻線と同相に巻かれており、上記一次巻線及び上記二次巻線の第１端が上記メインコンデンサの端子のうち低電圧の端子に接続され、上記一次巻線の第２端は上記第１の引き上げコンデンサの第２端に接続された引き上げトランスと、
上記引き上げトランスの上記二次巻線の第２端に、第１端が接続され、第２端がキセノン管のアノード端子に接続された第２の引き上げコンデンサと、
上記第１の引き上げコンデンサの第１端と上記メインコンデンサの端子のうち高電圧の端子との間に接続された抵抗と、
上記キセノン管に発光開始のトリガを印加するトリガ回路と、
を具備することを特徴とするストロボ駆動回路。
【請求項１６】
キセノン管の発光制御を行うストロボ駆動回路において、
電気エネルギーを蓄積するメインコンデンサと、
上記メインコンデンサの高電圧端子にアノード端子が接続され、上記キセノン管のアノード端子にカソード端子が接続された引き上げダイオードと、
上記キセノン管のカソード端子に、アノード端子が接続された引き下げダイオードと、
上記引き下げダイオードのカソード端子に一端が接続され、かつ他端が上記メインコンデンサの有する端子のうち低電圧の端子に接続されたスイッチング素子と、
上記引き下げダイオードのカソード端子に、第１端が接続されたコンデンサと、
一次巻線と二次巻線とを有し、上記二次巻線は上記一次巻線より巻数が多く、かつ上記一次巻線と逆相に巻かれており、上記一次巻線及び上記二次巻線の第１端は上記メインコンデンサの端子のうち低電圧の端子に接続され、上記一次巻線の第２端は上記コンデンサの第２端に接続された引き下げトランスと、
一次巻線と二次巻線とを有し、上記二次巻線は上記一次巻線より巻数が多く、かつ上記一次巻線と同相に巻かれており、上記一次巻線及び上記二次巻線の第１端が上記メインコンデンサの端子のうち低電圧の端子に接続され、上記一次巻線の第２端は上記コンデンサの第２端に接続された引き上げトランスと、
上記引き下げトランスの上記二次巻線の第２端に、第１端が接続され、かつ第２端が上記引き下げダイオードのアノード端子に接続された引き下げコンデンサと、
上記引き上げトランスの上記二次巻線の第２端に、第１端が接続され、第２端が上記キセノン管のアノード端子に接続された引き上げコンデンサと、
上記コンデンサの第１端と上記メインコンデンサの端子のうち高電圧の端子との間に接続された第１の抵抗と、
上記引き下げコンデンサの第２端と上記メインコンデンサの端子のうち低電圧の端子との間に接続された第２の抵抗と、
上記キセノン管に発光開始のトリガを印加するトリガ回路と、
を具備し、
上記引き下げトランスの一次巻線と、上記引き上げトランスの一次巻線とを、共通の一次巻線とすることを特徴とするストロボ駆動回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ストロボ装置、ストロボ回路、及びストロボ駆動回路に関し、特に放電管を容易に発光させる回路を具備するストロボ装置、ストロボ回路、及びストロボ駆動回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、放電により光を照射させる機能を持つ放電管の発光を容易にする技術が知られている。この技術として、例えば特許文献１に開示されているストロボ装置がある。
【０００３】
特許文献１に開示されているストロボ装置では、キセノン管における両端子間の電位差を大きくすることで、キセノン管の発光を容易にさせる。そのために、該特許文献１に開示されているストロボ装置では、二つのダイオード、トランジスタ、コンデンサ、及び二つの抵抗を有する引き下げ回路を、例えばキセノン管の両端子間に印加させたい電圧がメインコンデンサ電圧のｎ倍であるときには、ｎ個用意し、そのｎ個の引き下げ回路を直列に接続して使用する。このような構成を採ることで、所望の電圧をキセノン管に印加させる。
【特許文献１】特開平４−３０６５９４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記特許文献１に開示されたストロボ装置では、以下の問題が生じる。
【０００５】
まず、上述したように、キセノン管の両端に印加される電圧は、上記引き下げ回路の個数で決定されるため、キセノン管に印加したい電圧が高電圧であるほど、引き下げ回路の個数を増やし、かつそれらを直列に接続する必要がある。例えば、キセノン管にメインコンデンサの５倍の電圧を印加させるためには、引き下げ回路を五つ直列に接続しなくてはならない。
【０００６】
ところが、このように多数の引き下げ回路を使用し、しかも直列に接続すると、回路構成に必要な部品点数は非常に多数となり、それに伴い回路規模も大型化してしまう。したがって、特許文献１に開示されたストロボ装置では、装置の小型化が大変困難となる。また、部品点数が多くなることで、コスト面においても効率が良いとはいえない。
【０００７】
さらに、特許文献１に開示されているストロボ装置は、キセノン管の外壁に高電圧を印加させるトリガ回路も独自に設けなくてはならない構成のストロボ装置であるので、この点も回路規模や部品の実装面積を大きくしてしまう要因となっている。
【０００８】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、メインコンデンサ電圧が低い場合や連続発光によってキセノン管を発光させづらい状態であっても、キセノン管の発光に充分な電圧をキセノン管に印加することができ、かつ設計が容易で回路規模の小型化が可能なストロボ装置、ストロボ回路、及びストロボ駆動回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するために、本発明の第１の態様によるストロボ装置は、電気エネルギーを光エネルギーに変換するキセノン管と、上記キセノン管の発光に要する電気エネルギーを蓄積するメインコンデンサと、上記キセノン管の発光を開始させるトリガを印加するトリガ回路と、上記キセノン管の発光の開始及び停止を制御するスイッチング手段と、上記キセノン管における両端の端子に、上記メインコンデンサの極板間の電位差よりも大きな電位差を発生させる高電圧印加回路と、を具備し、上記高電圧印加回路として、複数の巻線を有するトランスを用いることを特徴とする。
【００１０】
上記の目的を達成するために、本発明の第２の態様によるストロボ装置は、電気エネルギーを光エネルギーに変換するキセノン管と、上記キセノン管の発光に要する電気エネルギーを蓄積するメインコンデンサと、上記キセノン管の発光を開始させるトリガを印加するためのトリガトランスを含むトリガ回路と、上記キセノン管の発光の開始及び停止を制御するスイッチング手段と、上記キセノン管の両端の端子に、上記メインコンデンサの極板間の電位差よりも大きな電位差を発生させるためのトランスを含む高電圧印加回路と、を具備し、上記トリガ回路における上記トリガトランスの一次巻線と、上記高電圧印加回路における上記トランスの一次巻線とを、共通の一次巻線とすることを特徴とする。
【００１１】
上記の目的を達成するために、本発明の第３の態様によるストロボ回路は、電気エネルギーを蓄積するメインコンデンサと、上記メインコンデンサの高電圧端子に、アノード端子が接続されたキセノン管と、上記キセノン管のカソード端子に、アノード端子が接続された引き下げダイオードと、上記引き下げダイオードのカソード端子に一端が接続され、かつ他端が上記メインコンデンサの有する端子のうち低電圧の端子に接続されたスイッチング素子と、上記引き下げダイオードのカソード端子に、第１端が接続された第１の引き下げコンデンサと、一次巻線と二次巻線とを有し、上記二次巻線は上記一次巻線より巻数が多く、かつ上記一次巻線と逆相に巻かれており、上記一次巻線及び上記二次巻線の第１端は上記メインコンデンサの端子のうち低電圧の端子に接続され、上記一次巻線の第２端は上記第１の引き下げコンデンサの第２端に接続された引き下げトランスと、上記引き下げトランスの上記二次巻線の第２端に、第１端が接続され、かつ第２端が上記引き下げダイオードのアノード端子に接続された第２の引き下げコンデンサと、上記第１の引き下げコンデンサの第１端と上記メインコンデンサの端子のうち高電圧の端子との間に接続された第１の抵抗と、上記第２の引き下げコンデンサの第２端と上記メインコンデンサの端子のうち低電圧の端子との間に接続された第２の抵抗と、上記キセノン管に発光開始のトリガを印加するトリガ回路と、を具備することを特徴とする。
【００１２】
上記の目的を達成するために、本発明の第４の態様によるストロボ回路は、電気エネルギーを蓄積するメインコンデンサと、上記メインコンデンサの高電圧端子に、アノード端子が接続された引き上げダイオードと、上記引き上げダイオードのカソード端子に、アノード端子が接続されたキセノン管と、上記キセノン管のカソード端子に一端が接続され、他端が上記メインコンデンサの端子のうち低電圧の端子に接続されたスイッチング素子と、上記キセノン管のカソード端子に、第１端が接続された第１の引き上げコンデンサと、一次巻線と二次巻線とを有し、上記二次巻線は上記一次巻線より巻数が多く、かつ上記一次巻線と同相に巻かれており、上記一次巻線及び上記二次巻線の第１端が上記メインコンデンサの端子のうち低電圧の端子に接続され、上記一次巻線の第２端は上記第１の引き上げコンデンサの第２端に接続された引き上げトランスと、上記引き上げトランスの上記二次巻線の第２端に、第１端が接続され、第２端がキセノン管のアノード端子に接続された第２の引き上げコンデンサと、上記第１の引き上げコンデンサの第１端と上記メインコンデンサの端子のうち高電圧の端子との間に接続された抵抗と、上記キセノン管に発光開始のトリガを印加するトリガ回路と、を具備することを特徴とする。
【００１３】
上記の目的を達成するために、本発明の第５の態様によるストロボ回路は、電気エネルギーを蓄積するメインコンデンサと、上記メインコンデンサの高電圧端子に、アノード端子が接続された引き上げダイオードと、上記引き上げダイオードのカソード端子に、アノード端子が接続されたキセノン管と、上記キセノン管のカソード端子に、アノード端子が接続された引き下げダイオードと、上記引き下げダイオードのカソード端子に一端が接続され、かつ他端が上記メインコンデンサの有する端子のうち低電圧の端子に接続されたスイッチング素子と、上記引き下げダイオードのカソード端子に、第１端が接続されたコンデンサと、一次巻線と二次巻線とを有し、上記二次巻線は上記一次巻線より巻数が多く、かつ上記一次巻線と逆相に巻かれており、上記一次巻線及び上記二次巻線の第１端は上記メインコンデンサの端子のうち低電圧の端子に接続され、上記一次巻線の第２端は上記コンデンサの第２端に接続された引き下げトランスと、一次巻線と二次巻線とを有し、上記二次巻線は上記一次巻線より巻数が多く、かつ上記一次巻線と同相に巻かれており、上記一次巻線及び上記二次巻線の第１端が上記メインコンデンサの端子のうち低電圧の端子に接続され、上記一次巻線の第２端は上記コンデンサの第２端に接続された引き上げトランスと、上記引き下げトランスの上記二次巻線の第２端に、第１端が接続され、かつ第２端が上記引き下げダイオードのアノード端子に接続された引き下げコンデンサと、上記引き上げトランスの上記二次巻線の第２端に、第１端が接続され、第２端が上記キセノン管のアノード端子に接続された引き上げコンデンサと、上記コンデンサの第１端と上記メインコンデンサの端子のうち高電圧の端子との間に接続された第１の抵抗と、上記引き下げコンデンサの第２端と上記メインコンデンサの端子のうち低電圧の端子との間に接続された第２の抵抗と、上記キセノン管に発光開始のトリガを印加するトリガ回路とを具備し、上記引き下げトランスの一次巻線と、上記引き上げトランスの一次巻線とを、共通の一次巻線とすることを特徴とする。
【００１４】
上記の目的を達成するために、本発明の第６の態様によるストロボ駆動回路は、電気エネルギーを光エネルギーに変換する発光素子の発光制御を行うストロボ駆動回路において、上記発光素子の発光に要する電気エネルギーを蓄積するメインコンデンサと、上記発光素子の発光を開始させるトリガを印加するトリガ回路と、上記発光素子の発光の開始及び停止を制御するスイッチング手段と、上記発光素子における両端の端子に、上記メインコンデンサの極板間の電位差よりも大きな電位差を発生させる高電圧印加回路と、を具備し、上記高電圧印加回路として、複数の巻線を有するトランスを用いることを特徴とする。
【００１５】
上記の目的を達成するために、本発明の第７の態様によるストロボ駆動回路は、電気エネルギーを光エネルギーに変換する発光素子の発光制御を行うストロボ駆動回路において、上記発光素子の発光に要する電気エネルギーを蓄積するメインコンデンサと、上記発光素子の発光を開始させるトリガを印加するためのトリガトランスを含むトリガ回路と、上記発光素子の発光の開始及び停止を制御するスイッチング手段と、上記発光素子の両端の端子に、上記メインコンデンサの極板間の電位差よりも大きな電位差を発生させるためのトランスを含む高電圧印加回路と、を具備し、上記トリガ回路における上記トリガトランスの一次巻線と、上記高電圧印加回路における上記トランスの一次巻線とを、共通の一次巻線とすることを特徴とする。
【００１６】
上記の目的を達成するために、本発明の第８の態様によるストロボ駆動回路は、キセノン管の発光制御を行うストロボ駆動回路において、上記キセノン管のアノード端子に、高電圧端子が接続されたメインコンデンサと、上記キセノン管のカソード端子に、アノード端子が接続された引き下げダイオードと、上記引き下げダイオードのカソード端子に一端が接続され、かつ他端が上記メインコンデンサの有する端子のうち低電圧の端子に接続されたスイッチング素子と、上記引き下げダイオードのカソード端子に、第１端が接続された第１の引き下げコンデンサと、一次巻線と二次巻線とを有し、上記二次巻線は上記一次巻線より巻数が多く、かつ上記一次巻線と逆相に巻かれており、上記一次巻線及び上記二次巻線の第１端は上記メインコンデンサの端子のうち低電圧の端子に接続され、上記一次巻線の第２端は上記第１の引き下げコンデンサの第２端に接続された引き下げトランスと、上記引き下げトランスの上記二次巻線の第２端に、第１端が接続され、かつ第２端が上記引き下げダイオードのアノード端子に接続された第２の引き下げコンデンサと、上記第１の引き下げコンデンサの第１端と上記メインコンデンサの端子のうち高電圧の端子との間に接続された第１の抵抗と、上記第２の引き下げコンデンサの第２端と上記メインコンデンサの端子のうち低電圧の端子との間に接続された第２の抵抗と、上記キセノン管に発光開始のトリガを印加するトリガ回路と、を具備することを特徴とする。
【００１７】
上記の目的を達成するために、本発明の第９の態様によるストロボ駆動回路は、キセノン管の発光制御を行うストロボ駆動回路において、電気エネルギーを蓄積するメインコンデンサと、上記メインコンデンサの高電圧端子にアノード端子が接続され、上記キセノン管のアノード端子にカソード端子が接続された引き上げダイオードと、上記キセノン管のカソード端子に一端が接続され、他端が上記メインコンデンサの端子のうち低電圧の端子に接続されたスイッチング素子と、上記キセノン管のカソード端子に、第１端が接続された第１の引き上げコンデンサと、一次巻線と二次巻線とを有し、上記二次巻線は上記一次巻線より巻数が多く、かつ上記一次巻線と同相に巻かれており、上記一次巻線及び上記二次巻線の第１端が上記メインコンデンサの端子のうち低電圧の端子に接続され、上記一次巻線の第２端は上記第１の引き上げコンデンサの第２端に接続された引き上げトランスと、上記引き上げトランスの上記二次巻線の第２端に、第１端が接続され、第２端がキセノン管のアノード端子に接続された第２の引き上げコンデンサと、上記第１の引き上げコンデンサの第１端と上記メインコンデンサの端子のうち高電圧の端子との間に接続された抵抗と、上記キセノン管に発光開始のトリガを印加するトリガ回路と、を具備することを特徴とする。
【００１８】
上記の目的を達成するために、本発明の第１０の態様によるストロボ駆動回路は、キセノン管の発光制御を行うストロボ駆動回路において、電気エネルギーを蓄積するメインコンデンサと、上記メインコンデンサの高電圧端子にアノード端子が接続され、上記キセノン管のアノード端子にカソード端子が接続された引き上げダイオードと、上記キセノン管のカソード端子に、アノード端子が接続された引き下げダイオードと、上記引き下げダイオードのカソード端子に一端が接続され、かつ他端が上記メインコンデンサの有する端子のうち低電圧の端子に接続されたスイッチング素子と、上記引き下げダイオードのカソード端子に、第１端が接続されたコンデンサと、一次巻線と二次巻線とを有し、上記二次巻線は上記一次巻線より巻数が多く、かつ上記一次巻線と逆相に巻かれており、上記一次巻線及び上記二次巻線の第１端は上記メインコンデンサの端子のうち低電圧の端子に接続され、上記一次巻線の第２端は上記コンデンサの第２端に接続された引き下げトランスと、一次巻線と二次巻線とを有し、上記二次巻線は上記一次巻線より巻数が多く、かつ上記一次巻線と同相に巻かれており、上記一次巻線及び上記二次巻線の第１端が上記メインコンデンサの端子のうち低電圧の端子に接続され、上記一次巻線の第２端は上記コンデンサの第２端に接続された引き上げトランスと、上記引き下げトランスの上記二次巻線の第２端に、第１端が接続され、かつ第２端が上記引き下げダイオードのアノード端子に接続された引き下げコンデンサと、上記引き上げトランスの上記二次巻線の第２端に、第１端が接続され、第２端が上記キセノン管のアノード端子に接続された引き上げコンデンサと、上記コンデンサの第１端と上記メインコンデンサの端子のうち高電圧の端子との間に接続された第１の抵抗と、上記引き下げコンデンサの第２端と上記メインコンデンサの端子のうち低電圧の端子との間に接続された第２の抵抗と、上記キセノン管に発光開始のトリガを印加するトリガ回路とを具備し、上記引き下げトランスの一次巻線と、上記引き上げトランスの一次巻線とを、共通の一次巻線とすることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、メインコンデンサ電圧が低い場合や連続発光によってキセノン管を発光させづらい状態であっても、キセノン管の発光に充分な電圧をキセノン管に印加することができ、かつ設計が容易で回路規模の小型化が可能なストロボ装置、ストロボ回路、及びストロボ駆動回路を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
［第１実施形態］
以下、本発明の第１実施形態に係るストロボ装置を、図１及び図２を用いて説明する。なお、図１は本発明の第１実施形態に係るストロボ装置の回路図である。また、図２は本発明の第１実施形態に係るストロボ装置の動作に関するタイムチャートである。
【００２１】
なお、図示しないストロボ充電回路が、図１に示すＶＭＣ端子とＧＮＤ端子との間に接続されている。そして、同図に示すように、ＶＭＣ端子−ＧＮＤ端子間には、メインコンデンサＣ１０１が接続される。このメインコンデンサＣ１０１と並列に、キセノン管ＤＳ１０１、引き下げダイオードＤ１０１、及びＩＧＢＴで構成されるスイッチング素子Ｑ１０１からなる直列体が接続される。
【００２２】
ここで、上記キセノン管ＤＳ１０１のアノード端子と、上記引き下げダイオードＤ１０１のカソード端子との間には抵抗Ｒ１０１が接続される。また、上記スイッチング素子Ｑ１０１のコレクターエミッタ間に並列に、トリガコンデンサＣ１０２とトリガトランスＴ１０１の一次巻線Ｐ（Ｐｒｉｍａｒｙ）からなる直列体が接続される。
【００２３】
一方、上記トリガトランスＴ１０１の二次巻線Ｓ（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ）は、一端はＧＮＤ端子に、もう１端は上記キセノン管ＤＳ１０１のガラス管外壁に接続される。また、上記スイッチング素子Ｑ１０１のコレクターエミッタ間に並列に、引き下げコンデンサＣ１０３と引き下げトランスＴ１０２の一次巻線Ｐとからなる直列対が接続されている。
【００２４】
また、この引き下げトランスＴ１０２の二次巻線Ｓは、一端はＧＮＤ端子に接続され、もう一端は引き下げカップリングコンデンサＣ１０４の一端に接続されている。なお、この引き下げカップリングコンデンサＣ１０４の他端は、上記キセノン管ＤＳ１０１のカソード端子と上記引き下げダイオードＤ１０１のアノード端子との間に接続される。
【００２５】
さらに、抵抗Ｒ１０２は、上記キセノン管ＤＳ１０１のカソード端子と上記引き下げダイオードＤ１０１のアノード端子との間と、ＧＮＤ端子と、の間に接続される。
【００２６】
なお、上記トリガトランスＴ１０１の二次巻線Ｓは、最初の出力は正方向の電圧が発生するように巻線の巻き方向が設定され、なおかつ、二次巻線Ｓに一次巻線Ｐよりも高い電圧を発生させるために、二次巻線Ｓの巻数が一次巻線Ｐの巻数よりも多くなっている。また、引き下げトランスＴ１０２の二次巻線Ｓは、最初の出力は負方向の電圧が発生するように巻線の巻き方が設定され、なおかつ、二次巻線Ｓに一次巻線Ｐよりも高い電圧を発生させるために、二次巻線Ｓの巻数が一次巻線Ｐの巻数よりも多くなっている。
【００２７】
本実施形態に係るストロボ装置では、図１に示すように、トリガトランスＴ１０１及びトリガコンデンサＣ１０２でトリガ回路を構成している。また、引き下げトランスＴ１０２、引き下げコンデンサＣ１０３、引き下げカップリングコンデンサＣ１０４、引き下げダイオードＤ１０１、及び引き下げ抵抗Ｒ１０２で引き下げ回路を構成している。
【００２８】
以下、本第１実施形態に係るストロボ装置の動作について、図２に示すタイムチャートを用いて説明する。
【００２９】
まず、本実施形態に係るストロボ装置においては、そのＶＭＣ端子及びＧＮＤ端子が図示しない充電回路に接続され、上記キセノン管ＤＳ１０１が発光可能な状態に充電される。具体的には、上記メインコンデンサＣ１０１が、１００Ｖに充電されると、上記抵抗Ｒ１０１を介して、トリガコンデンサＣ１０２及び引き下げコンデンサＣ１０３も同様に１００Ｖに充電される。このとき、本実施形態に係るストロボ装置は、発光可能な状態となる。
【００３０】
このような、ストロボ装置が発光可能な状態において、図示しない制御回路により、上記スイッチング素子Ｑ１０１のゲート端子であるＳＴＯＮ端子にＯＮ信号が入力されると（図２における（ａ））、上記スイッチング素子Ｑ１０１がオンし、上記トリガコンデンサＣ１０２に蓄えられている電荷が、トリガコンデンサＣ１０２の図中右側の端子→スイッチング素子Ｑ１０１のコレクタ−エミッタ→トリガトランスＴ１０１の一次巻線Ｐ→トリガコンデンサＣ１０２の図中左側の端子と流れる。
【００３１】
上述のようにしてトリガトランスＴ１０１の一次巻線Ｐに電流が流れると（図２におけるＴ１０１のＩｐ）、該電流の変化によって二次巻線Ｓにエネルギーが伝達される。
【００３２】
また、上記トリガトランスＴ１０１の二次巻線Ｓの出力端は、キセノン管ＤＳ１０１の外壁に接続されているので、トリガトランスＴ１０１の二次巻線Ｓからみた出力側のインピーダンスは、非常に高い値となる。このように、出力側のインピーダンスが非常に高い値となるため、上記トリガトランスＴ１０１の出力が電圧に変換されると、上記キセノン管ＤＳ１０１の外壁には高電圧が印加されることになる（図２におけるＴ１０１のＶｓ）。
【００３３】
このようにして、上記キセノン管ＤＳ１０１の外壁に高電圧が印加されると、キセノン管ＤＳ１０１内のキセノンガスが励起され、キセノン管ＤＳ１０１の抵抗値が下がる。つまり、電流が流れやすくなる。
【００３４】
一方、ＳＴＯＮ信号の入力によって、上記引き下げコンデンサＣ１０３に蓄えられている電荷が、引き下げコンデンサＣ１０３の図中左側の端子→スイッチング素子Ｑ１０１→引き下げトランスＴ１０２の一次巻線Ｐ→引き下げコンデンサＣ１０３の図中右側の端子へと流れる（図２におけるＴ１０２のＩｐ波形）。
【００３５】
このようにして上記引き下げトランスＴ１０２の一次巻線Ｐに電流の変化が生じると、一次巻線Ｐで発生したエネルギーが、二次巻線Ｓに伝達される。さらに、引き下げトランスＴ１０２の二次巻線Ｓに伝達されたエネルギーは、出力側のインピーダンスにて制御される。ここで、出力側には、上記引き下げカップリングコンデンサＣ１０４が接続されており、この引き下げカップリングコンデンサＣ１０４の図中左側の端子は、キセノン管ＤＳ１０１のカソード端子、引き下げダイオードＤ１０１のアノード端子、抵抗Ｒ１０２に接続されている。
【００３６】
なお、上記引き下げカップリングコンデンサＣ１０４は、上記引き下げトランスＴ１０２の二次巻線Ｓから出力された負の電圧を、上記キセノン管ＤＳ１０１のカソード端子にＡＣ的にカップリングするためのコンデンサである。また、上記キセノン管ＤＳ１０１の抵抗値は発光前は高く、上記ダイオードＤ１０１のアノード端子は、負電圧に対してはインピーダンスが高くなっている。なお、抵抗Ｒ１０２の抵抗値もあらかじめ高めに設定してある。
【００３７】
上述のように、上記引き下げトランスＴ１０２の出力側のインピーダンスは高いため、引き下げトランスＴ１０２の二次巻線Ｓに伝達されたエネルギーは、電圧に変換されて上記引き下げカップリングコンデンサＣ１０４に伝達される。ここで、上記引き下げトランスＴ１０２の巻線の巻き方向は、上記引き下げトランスＴ１０２の二次巻線Ｓに伝達されたエネルギーが負の電圧に変換されるように、あらかじめ設定されている。
【００３８】
このようにして、上記引き下げトランスＴ１０２と上記引き下げカップリングコンデンサＣ１０４の図中右側の端子との間に負の電圧が生じると、上記引き下げカップリングコンデンサＣ１０４の図中左側の端子にも負の電圧が発生する（図２におけるＤＳ１０１のＶｋ波形）。
【００３９】
なお、上記引き下げトランスＴ１０２の二次側に発生させる負の電圧の値は、上記引き下げトランスＴ１０２の一次巻線Ｐの線径や巻数、及び二次巻線Ｓの線径や巻数、これら二つの巻線の巻数比、及び上記キセノン管ＤＳ１０１のカソード端子にどれくらいの電圧を発生させるかにより定まる。また、上記キセノン管ＤＳ１０１は、そのアノード端子−カソード端子間の電位差が大きいほど、発光しやすくなる。さらに、上記引き下げトランスＴ１０２の巻線については、二次巻線Ｓの巻数が一次巻線Ｐの巻数よりも大きな値になるように設定する。
【００４０】
上述のようにしてキセノン管ＤＳ１０１のカソード端子に発生する電圧は、図２に（ｂ）で示すように、まず高い負の電圧値がまず発生する。
【００４１】
このとき、上記引き下げトランスＴ１０２の共振によって、図２に（ｃ）で示すように、一次巻線Ｐには最初に流れた電流とは逆方向に低い電流値で電流が流れる。しかしながら、このとき発生するエネルギーは小さい為、出力側に影響は与えない。
【００４２】
ここで、上述したように上記引き下げトランスＴ１０２によって引き下げられたキセノン管ＤＳ１０１のカソード端子電圧は、引き下げダイオードＤ１０１で保持される。すなわち、キセノン管ＤＳ１０１のカソード端子に発生した負の電圧は、引き下げダイオードＤ１０１にブロックされてＧＮＤ端子に抜けることは無い。
【００４３】
また、上記キセノン管ＤＳ１０１の両端においては、アノード端子側にはメインコンデンサＣ１０１の電圧、カソード端子側には引き下げトランスＴ１０２によって引き下げられた電圧の電位差が与えられ、上述したキセノン管ＤＳ１０１外壁への高電圧トリガ電圧の印加とあいまって、発光電流が、メインコンデンサＣ１０１→キセノン管ＤＳ１０１→引き下げダイオードＤ１０１→スイッチング素子Ｑ１０１のコレクタ−エミッタ間→メインコンデンサＣ１０１と流れ、キセノン管ＤＳ１０１は発光する。
【００４４】
上述のようにして上記キセノン管ＤＳ１０１が発光後、図示しない制御回路により、発光停止の信号をＳＴＯＮ端子に送ると、上記スイッチング素子Ｑ１０１は動作を停止する。このようにして上記スイッチング素子Ｑ１０１がＯＦＦされると、発光電流が止まり、上記トリガコンデンサＣ１０２の図中右側の端子、上記引き下げコンデンサＣ１０３の図中左側の端子、及び引き下げカップリングコンデンサＣ１０４の図中左側の端子は、図２に（ｄ）で示されるように、メインコンデンサＣ１０１とほぼ同じ電圧にまで充電される。
【００４５】
ここで、トリガコンデンサＣ１０２及び引き下げコンデンサＣ１０３の初期状態は、メインコンデンサＣ１０１の電圧と同じであるので、上記スイッチング素子Ｑ１０１がＯＦＦされることで初期状態に復帰する。
【００４６】
しかしながら、上記引き下げカップリングコンデンサＣ１０４の初期状態の電圧は、零ボルトである為、上述のようにして充電された電荷を放電しなければならない。この放電のために抵抗Ｒ１０２を用いる。具体的には、引き下げカップリングコンデンサＣ１０４→抵抗Ｒ１０２→引き下げトランスＴ１０２の二次巻線Ｓ→引き下げカップリングコンデンサＣ１０４と電流を流すことで放電させ、上記引き下げカップリングコンデンサＣ１０４を初期状態に戻す。
【００４７】
以上説明したように、本発明の第１実施形態によれば、引き下げトランスＴ１０２の二次巻線からの出力によりキセノン管ＤＳ１０１のカソード端子の電圧を負の電圧に引き下げて、該キセノン管ＤＳ１０１のアノード端子とカソード端子との間に大きな電位差を発生させることにより、該キセノン管ＤＳ１０１に、メインコンデンサＣ１０１の充電電圧の数倍以上の電圧を印加することが出来るので、メインコンデンサＣ１０１の電圧が低い場合や、連続発光によってキセノン管ＤＳ１０１が発光しづらくなった場合であっても、キセノン管ＤＳ１０１の不発光のないストロボ装置、ストロボ回路、及びストロボ駆動回路を提供することが出来る。また、キセノン管ＤＳ１０１のカソード端子に印加することが出来る電圧は、引き下げトランスＴ１０２における巻線の巻数比を変更するだけで設定できるため、上述のような効果を持ちながらも、簡単な構成の回路で部品点数も少ないストロボ装置、ストロボ回路、及びストロボ駆動回路となる。
【００４８】
また、キセノン管ＤＳ１０１の発光のＯＮ／ＯＦＦを制御するスイッチング素子Ｑ１０１の動作に同期して、引き下げトランスＴ１０２を動作させることができるので、少ない信号ラインで当該ストロボ装置、ストロボ回路、及びストロボ駆動回路を動作させることができる。
【００４９】
［第２実施形態］
以下、図３を参照して、本発明の第２実施形態に係るストロボ装置について説明する。なお、図３は、本発明の第２実施形態に係るストロボ装置の回路図である。
【００５０】
本実施形態に係るストロボ装置と上記第１実施形態に係るストロボ装置との大きな相違点は、本来２つのトランスを用いて行う、キセノン管ＤＳ３０１への高電圧の印加と、該キセノン管ＤＳ３０１のカソード端子ヘの負電圧の印加と、の二つの機能を、トランスＴ３０１に有させたことである。これを実現させる為に、該トランスＴ３０１は、一次巻線Ｐ、第１の二次巻線Ｓ１、及び第２の二次巻線Ｓ２で構成する。つまり、上記一次巻線Ｐを、上記第１の二次巻線Ｓ１、及び上記第２の二次巻線Ｓ２に対して共通して用いる。
【００５１】
なお、構成上及び動作制御において、上記第１実施形態と極めて類似しており、改めて説明をすることが不要と考えられる内容については、ここでは一部省略し、上記第１実施形態に係るストロボ装置との相違点を中心に説明する。
【００５２】
まず、図３に示すように、上記トランスＴ３０１の一次巻線Ｐには、トリガコンデンサＣ３０２が接続されている。また、第１の二次巻線Ｓ１の出力端はキセノン管ＤＳ３０１の外壁に接続され、第２の二次巻線Ｓ２は引き下げカップリングコンデンサＣ３０３に接続されている。
【００５３】
なお、上記トランスＴ３０１の第１の二次巻線Ｓ１は、最初の出力は正方向の電圧が発生するように巻線の巻き方向が設定され、第２の二次巻線Ｓ２は最初の出力は負方向の電圧が発生するように巻線の巻き方が設定されている。
【００５４】
以下、本実施形態に係るストロボ装置の動作を説明する。
【００５５】
まず、図示しない充電回路によって、ストロボ装置は発光可能な状態に充電されている。具体的には、メインコンデンサＣ３０１が１００Ｖに充電されており、そのとき抵抗Ｒ３０１を介して、トリガコンデンサＣ３０２にも同様に１００Ｖの電荷が充電されている。
【００５６】
ストロボ装置が発光可能な状態において、スイッチング素子Ｑ３０１に、図示しない制御回路によりＯＮ信号が入力されると、該スイッチング素子Ｑ３０１はＯＮされ、上記トリガコンデンサＣ３０２に蓄えられている電荷が、トリガコンデンサＣ３０２の図中右側の端子→スイッチング素子Ｑ３０１のコレクタ−エミッタ間→トランスＴ３０１の一次巻線Ｐ→トリガコンデンサＣ３０２の図中左側の端子へと流れる。
【００５７】
このようにしてトランスＴ３０１の一次巻線Ｐに電流が流れると、その電流変化により、第１の二次巻線Ｓ１及び第２の二次巻線Ｓ２にエネルギーが伝達される。上記第１の二次巻線Ｓ１に伝達されたエネルギーにより、上記キセノン管ＤＳ３０１の外壁に正の高電圧が印加される。一方、上記第２の二次巻線Ｓ２に伝達されたエネルギーは、上記キセノン管ＤＳ３０１のカソード端子電圧を負電圧にすることで、上記キセノン管ＤＳ３０１のインピーダンスが下がり、キセノン管ＤＳ３０１の発光電流が流れる。
【００５８】
上述のようにしてキセノン管ＤＳ３０１の発光した後に、図示しない制御回路により発光停止の信号が、上記スイッチング素子Ｑ３０１に入力されると、スイッチング素子Ｑ３０１はＯＦＦし、上記キセノン管ＤＳ３０１の発光電流は停止する。
【００５９】
このようにして上記キセノン管ＤＳ３０１の発光が停止すると、上記トリガコンデンサＣ３０２の図中右側の端子、及び引き下げカップリングコンデンサＣ３０３の図中右側の端子は、上記メインコンデンサＣ３０１と同じ電圧値まで充電される。
【００６０】
なお、上記トリガコンデンサＣ３０２の図中右側の端子の初期状態は、上記メインコンデンサＣ３０１と同電位であり、発光の停止とともに初期状態に戻る。また、上記引き下げカップリングコンデンサＣ３０３は、その充電された電荷を、抵抗Ｒ３０２を介して放電して初期状態に戻る。
【００６１】
以上説明したように、本発明の第２実施形態によれば、１つのトランス（トランスＴ３０１）にてキセノン管ＤＳ３０１外壁へのトリガ電圧の印加、及びキセノン管ＤＳ３０１の端子への大きな電圧の印加を行うことで、上記第１実施形態と同様の効果を奏する上に、さらに、部品点数が削減され、かつ回路規模が小さいストロボ装置、ストロボ回路、及びストロボ駆動回路を提供することが出来る。
【００６２】
［第３実施形態］
以下、図４を参照して、本発明の第３実施形態に係るストロボ装置について説明する。なお、図４は、本発明の第３実施形態に係るストロボ装置の回路図である。
【００６３】
本実施形態に係るストロボ装置と、上記第１実施形態に係るストロボ装置との大きな相違点は、本実施形態に係るストロボ装置では、キセノン管におけるアノード端子電圧を引き上げることで、該キセノン管の両端に印加する電圧値を大きくする点である。
【００６４】
なお、構成上及び動作制御において、上記第１実施形態と極めて類似しており、改めて説明をすることが不要と考えられる内容については、ここでは一部省略し、上記第１実施形態に係るストロボ装置との相違点を中心に説明する。
【００６５】
同図に示すように、ＶＭＣ端子−ＧＮＤ端子間にメインコンデンサＣ４０１が接続される。
【００６６】
また、上記メインコンデンサＣ４０１に並列に、引き上げダイオードＤ４０１、キセノン管ＤＳ４０１、ＩＧＢＴで構成されるスイッチング素子Ｑ４０１からなる直列体が接続される。さらに、上記引き上げダイオードＤ４０１とキセノン管ＤＳ４０１とからなる直列体に並列に、抵抗Ｒ４０１が接続されている。
【００６７】
上記スイッチング素子Ｑ４０１のコレクタ−エミッタ間に並列には、トリガコンデンサＣ４０２とトリガトランスＴ４０１の一次巻線Ｐの直列体が接続されている。また、上記トリガトランスＴ４０１の二次巻線Ｓは、上記キセノン管ＤＳ４０１の外壁とＧＮＤ端子に接続されている。さらに、上記スイッチング素子Ｑ４０１のコレクタ−エミッタ間に並列に、引き上げコンデンサＣ４０３と引き上げトランスＴ４０２の一次巻線Ｐとからなる直列体が接続されている。また、上記引き上げトランスＴ４０２の二次巻線Ｓは、引き上げカップリングコンデンサＣ４０４とＧＮＤ端子とに接続されている。
【００６８】
ここで、上記引き上げカップリングコンデンサＣ４０４の図中左側の端子は、上記引き上げダイオードＤ４０１のカソード端子（上記キセノン管ＤＳ４０１のアノード端子）に接続されている。
【００６９】
なお、上記トリガトランスＴ４０１及び上記引き上げトランスＴ４０２の巻線については、双方共に、二次巻線Ｓの方に一次巻線Ｐよりも高い電圧を発生させるために、二次巻線Ｓの巻数は一次巻線Ｐの巻数よりも多く設定されている。また、上記引き上げトランスＴ４０２の二次巻線Ｓは、最初の出力が正の方向に発生するように巻き方が設定されている。
【００７０】
以下、本実施形態に係るストロボ装置の動作について説明する。なお、初期状態、及びキセノン管ＤＳ４０１にトリガ電圧を印加する動作については、上記第１実施形態に係るストロボ装置と同様であるので、ここでは説明を省略する。
【００７１】
まず、スイッチング素子Ｑ４０１がＯＮされ、上記引き上げコンデンサＣ４０３にえられていた電荷が放電し、上記引き上げトランスＴ４０２の一次巻線Ｐに電流が流れ、それにより発生したエネルギーが二次巻線Ｓに伝達される。なお、上記引き上げトランスＴ４０２の巻線は、二次巻線Ｓの出力側にプラスの電圧が発生するような巻き方に設定されている。
【００７２】
このようにして伝達されたエネルギーにより、上記引き上げカップリングコンデンサＣ４０４の電圧は高電圧となる。
【００７３】
上記引き上げカップリングコンデンサＣ４０４に高電圧が印加されると、上記引き上げダイオードＤ４０１のカソード端子側の電圧も、プラスの高電圧に引き上げられる。これにより、上記キセノン管ＤＳ４０１のアノード端子−カソード端子間の電圧は初期状態よりも高くなり発光しやすい状態となる。
【００７４】
さらに、上記キセノン管ＤＳ４０１の外壁への高電圧の印加により、キセノン管ＤＳ４０１の抵抗値は下がるため発光電流が流れ、上記キセノン管ＤＳ４０１は発光する。つまり、高電圧であったキセノン管ＤＳ４０１のカソード端子電圧が低下してメインコンデンサＣ４０１と同電位となり、該キセノン管ＤＳ４０１に発光電流が流れ発光する。
【００７５】
その後、上記スイッチング素子Ｑ４０１に発光停止信号が入力されると、該スイッチング素子Ｑ４０１が停止し、上記トリガコンデンサＣ４０２、上記引き上げコンデンサＣ４０３、及び引き上げカップリングコンデンサＣ４０４が、上記メインコンデンサＣ４０１と同じ電圧値まで充電されながら、発光を停止する。このように発光を停止させることで、ストロボ装置は初期状態に戻る。
【００７６】
なお、上記トリガコンデンサＣ４０２、上記引き上げコンデンサＣ４０３、及び上記引き上げカップリングコンデンサＣ４０４の初期電圧値は、上記メインコンデンサＣ４０１の初期電圧値と同じ値である。
【００７７】
以上説明したように、本発明の第３実施形態によれば、引き上げトランスＴ４０２の二次巻線からの出力によりキセノン管ＤＳ４０１のアノード端子の電圧をメインコンデンサＣ４０１の電圧より高い正の電圧に引き上げることで、該キセノン管ＤＳ４０１のアノード端子とカソード端子との間に大きな電位差を発生させることにより、上記第１実施形態と同様の効果を奏するストロボ装置、ストロボ回路、及びストロボ駆動回路を提供することが出来る。
【００７８】
［第４実施形態］
以下、図５を参照して、本発明の第４実施形態について説明する。なお、図５は、本発明の第４実施形態に係るストロボ装置の回路図である。
【００７９】
本実施形態に係るストロボ装置は、上記第２実施形態に係るストロボ装置及び上記第３実施形態に係るストロボ装置の双方の特徴を兼ね備えたストロボ装置である。したがって、ここでは本実施形態に係るストロボ装置の構成上の特徴部及びその作用のみを説明する。
【００８０】
まず、トランスＴ５０１は、キセノン管ＤＳ５０１への高電圧トリガを印加する二次巻線Ｓ１と、該キセノン管ＤＳ５０１のアノード端子電圧を引き上げる二次巻線Ｓ２とを有している。つまり、本来２つのトランスを用いて行う、キセノン管ＤＳ５０１への高電圧トリガの印加と、該キセノン管ＤＳ５０１のアノード端子への電圧の印加と、の二つの機能を、トランスＴ５０１に有させている。したがって、上記一次巻線Ｐを、上記第１の二次巻線Ｓ１、及び上記第２の二次巻線Ｓ２に対して共通して用いることになる。
【００８１】
なお、図５に示すように、抵抗Ｒ５０１は、引き上げダイオードＤ５０１のカソード端子側に接続されている。しかしながら、上記抵抗Ｒ５０１は、上記引き上げダイオードＤ５０１のアノード端子側に接続される構成としても問題は無い。
【００８２】
以上説明したように、本発明の第４実施形態によれば、トランスＴ５０１に、キセノン管ＤＳ５０１への高電圧トリガの印加、及び該キセノン管ＤＳ５０１のアノード端子への電圧の印加の二つの機能を有させ、このトランスＴ５０１を用いた引き上げ回路により、上記キセノン管ＤＳ５０１のアノード端子側の電圧を高電圧にすることで、上記第２実施形態及び上記第３実施形態と同様の効果を奏するストロボ装置、ストロボ回路、及びストロボ駆動回路を提供することが出来る。
【００８３】
以上、実施形態に基づいて本発明を説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形及び応用が可能なことは勿論である。
【００８４】
例えば、第１実施形態においてはキセノン管ＤＳ１０１のカソード端子側の電圧を引き下げることで、キセノン管ＤＳ１０１における両端の電位差を大きくし、第２実施形態においてはキセノン管ＤＳ３０１のアノード端子側の電圧を引き上げることで、キセノン管ＤＳ３０１における両端の電位差を大きくした。ここで、図６に示すストロボ装置によれば、キセノン管ＤＳ６０１の両端の電位差を大きくするために、トランスＴ６０２を用いて、上記キセノン管ＤＳ６０１のアノード端子側の電圧を引き上げ、かつカソード端子側の電圧を引き下げることができる。
【００８５】
さらに、上述した実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件の適当な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。例えば、実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成も発明として抽出され得る。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】本発明の第１実施形態に係るストロボ装置の回路図。
【図２】本発明の第１実施形態に係るストロボ装置の動作に関するタイムチャート。
【図３】本発明の第２実施形態に係るストロボ装置の回路図。
【図４】本発明の第３実施形態に係るストロボ装置の回路図。
【図５】本発明の第４実施形態に係るストロボ装置の回路図。
【図６】本発明の第１実施形態及び第２実施形態を応用したストロボ装置の回路図。
【符号の説明】
【００８７】
Ｃ１０１，Ｃ３０１，Ｃ４０１，Ｃ５０１，Ｃ６０１…メインコンデンサ、  Ｃ１０２，Ｃ３０２…トリガコンデンサ、  Ｃ１０３…引き下げコンデンサ、  Ｃ１０４，Ｃ３０３…引き下げカップリングコンデンサ、  ＤＳ１０１，ＤＳ３０１，ＤＳ４０１，ＤＳ５０１，ＤＳ６０１…キセノン管、  Ｄ１０１…引き下げダイオード、  Ｑ１０１，Ｑ３０１，Ｑ４０１…スイッチング素子、  Ｒ１０１，Ｒ１０２，Ｒ３０１，Ｒ３０２，Ｒ４０１，Ｒ５０１…抵抗、  Ｔ１０１，Ｔ４０１…トリガトランス、  Ｔ１０２…引き下げトランス、  Ｔ３０１，Ｔ５０１，Ｔ６０２…トランス、  Ｃ４０２…トリガコンデンサ、  Ｃ４０３…引き上げコンデンサ、  Ｃ４０４…引き上げカップリングコンデンサ、  Ｄ４０１，Ｄ５０１…引き上げダイオード、  Ｔ４０２…引き上げトランス。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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