(57)【要約】【課題】  製造工程における変形を抑制することが可能な半導体製造用の集合基板およびこれを用いた製造方法を提供すること。【解決手段】  それぞれが半導体装置の構成要素である単位基板となる複数の単位領域１０を有する基材１と、単位領域１０ごとに形成された複数の配線パターン２Ａと、を備えており、複数の単位領域１０は、基材１の端縁１Ｘが延びる方向である第１方向Ｘと、第１方向Ｘに直交する第２方向Ｙとにおいてマトリクス状に配置されている半導体装置製造用の集合基板Ａであって、複数の単位領域１０のうち第１方向Ｘにおいて隣り合うものの配線パターン２Ａどうしは、第１方向Ｘにおいて離間し、かつ互いに絶縁されている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれが半導体装置の構成要素である単位基板となる複数の単位領域を有する基材と、
上記単位領域ごとに形成された複数の配線パターンと、を備えており、
上記複数の単位領域は、上記基材の一端縁が延びる方向である第１方向と、上記第１方向に直交する第２方向とにおいてマトリクス状に配置されている半導体装置製造用の集合基板であって、
上記複数の単位領域のうち上記第１方向において隣り合うものの上記配線パターンどうしは、上記第１方向において離間し、かつ互いに絶縁されていることを特徴とする、半導体装置製造用の集合基板。
【請求項２】
上記複数の単位領域のうち上記第２方向において隣り合うものの上記配線パターンどうしを連結する連結導体層をさらに備えている、請求項１に記載の半導体装置製造用の集合基板。
【請求項３】
上記第２方向に並んだ上記複数の単位領域のうち、上記基材の上記第１方向に延びる一端縁寄りにあるものの配線パターンからこの一端縁へと延びるメッキ用導体層をさらに備えている、請求項１または２に記載の半導体装置製造用の集合基板。
【請求項４】
上記基材には、上記第２方向に延びており、かつ上記第１方向における位置が上記複数の単位領域のうち上記第１方向において隣り合うものどうしの間とされた第２方向溝が形成されている、請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体装置製造用の集合基板。
【請求項５】
上記第２方向溝は、上記第２方向において離間する上記基材の二端縁間を横断している、請求項４に記載の半導体装置製造用の集合基板。
【請求項６】
上記基材には、上記第１方向に延びており、かつ上記第２方向における位置が上記複数の単位領域のうち上記第２方向において隣り合うものどうしの間とされた第１方向溝がさらに形成されている、請求項１ないし５のいずれかに記載の半導体装置製造用の集合基板。
【請求項７】
それぞれが半導体装置の構成要素である単位基板となる複数の単位領域を有する集合基板に複数の半導体素子を搭載する工程と、
上記集合基板を上記単位領域ごとに分割するように切断する工程と、を有する半導体装置の製造方法であって、
上記集合基板として、請求項１ないし６のいずれかに記載の集合基板を用いることを特徴とする、半導体装置の製造方法。
【請求項８】
上記半導体素子を搭載する工程の後、上記集合基板を切断する工程の前に、上記半導体素子を覆う封止樹脂を形成する工程をさらに有する、請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、たとえば赤外線データ通信モジュールなどの半導体装置を複数個製造可能な集合基板、およびこれを用いた半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置製造用の集合基板としては、図１０に示すものがある。同図に示された集合基板Ｂは、エポキシ樹脂などからなる基材９１に複数の単位領域９１ａが形成されている。各単位領域９１ａは、上記半導体装置の構成要素である単位基板となる領域である。これらの単位領域９１ａは、基材９１の端縁９１Ｘが延びる第１方向Ｘおよび端縁９１Ｙが延びる第２方向Ｙにおいてマトリクス状に配置されている。各単位領域９１ａには、配線パターン９２が形成されている。配線パターン９２は、たとえばＣｕからなり、ワイヤボンディングにおいてワイヤを接続するためのパッドや、各パッドから延びる配線部などを含んでいる。複数の配線パターン９２は、格子状の連結導体層９３，９４により互いに導通している。また、端縁９１Ｘに沿う端部導体層９５Ｘおよび端縁９１Ｙに沿う端部導体層９５Ｙが形成されている。集合基板Ｂにおいては、基材９１のうち図示された表面に形成された配線パターン９２や連結導体層９３，４９および端部導体層９５Ｘ，９５Ｙを合わせた導体層の面積と、基材９１のうち図示されない裏面に形成された他の導体層の面積とが等しくなるように、端部導体層９５Ｘ，９５Ｙのサイズが決定されている。基材９１の表裏面における導体層の面積の相違を小さくすることにより、集合基板Ｂが表裏面のいずれかに反ってしまうことが抑制されている。
【０００３】
しかしながら、集合基板Ｂを用いた半導体装置の製造工程においては、各単位領域９１ａの配線パターン９２に半導体素子を実装した後に、これらを覆う封止樹脂を形成する場合がある。この封止樹脂の形成には、一般的にトランスファーモールド法が用いられ、高温とされた樹脂材料が金型内に注入され、その後冷却されることにより固化する。この冷却過程においては、上記樹脂材料と基材９１の材料であるエポキシ樹脂などとの線膨張率の違いから熱応力が生じ、これが集合基板Ｂを反らせることとなる。集合基板Ｂにおいては、連結用導体層９３，９４および端部導体層９５Ｘ，９５Ｙがそれぞれ第１方向Ｘまたは第２方向Ｙに延びており、これらの導体層９３，９４，９５Ｘ，９５Ｙが各単位領域９１ａに生じた上記熱応力を互いに連結してしまう。これにより、集合基板Ｂが第１方向Ｘまたは第２方向Ｙに過度に反ってしまう場合があった。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−２２９７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、製造工程における変形を抑制することが可能な半導体製造用の集合基板およびこれを用いた製造方法を提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明では、次の技術的手段を講じている。
【０００７】
本発明の第１の側面によって提供される半導体装置製造用の集合基板は、それぞれが半導体装置の構成要素である単位基板となる複数の単位領域を有する基材と、上記単位領域ごとに形成された複数の配線パターンと、を備えており、上記複数の単位領域は、上記基材の一端縁が延びる方向である第１方向と、上記第１方向に直交する第２方向とにおいてマトリクス状に配置されている半導体装置製造用の集合基板であって、上記複数の単位領域のうち上記第１方向において隣り合うものの上記配線パターンどうしは、上記第１方向において離間し、かつ互いに絶縁されていることを特徴としている。
【０００８】
このような構成によれば、上記複数の配線パターンどうしは、上記第１方向において互いに連結されていない。このため、たとえば上記半導体装置に搭載される半導体素子を覆う封止樹脂を形成する際に生じる熱応力など上記基材の表面を収縮させようとする力を、これらの配線パターンどうしが互いに伝え合うことがない。したがって、上記基材の反りを抑制して、上記集合基板の変形を防止することができる。
【０００９】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記複数の単位領域のうち上記第２方向において隣り合うものの上記配線パターンどうしを連結する連結導体層をさらに備えている。このような構成によれば、上記複数の配線パターンのうち上記第２方向に並んだものどうしを導通させることができる。これは、たとえば電解メッキ法を用いたＡｕメッキの形成において、上記集合基板の一端寄りに設けた陰極用電極とこれらの配線パターンとを導通させるのに都合がよい。
【００１０】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第２方向に並んだ上記複数の単位領域のうち、上記基材の上記第１方向に延びる一端縁寄りにあるものの配線パターンからこの一端縁へと延びるメッキ用導体層をさらに備えている。このような構成によれば、電解メッキ法において上記メッキ用導体層を陰極用電極として利用することにより、上記配線パターンの所望の部位に適切にＡｕメッキなどを付着させることができる。
【００１１】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記基材には、上記第２方向に延びており、かつ上記第１方向における位置が上記複数の単位領域のうち上記第１方向において隣り合うものどうしの間とされた第２方向溝が形成されている。このような構成によれば、上記基材を上記第１方向において反らせようとする力を適切に分断することが可能である。したがって、上記集合基板の変形を防止するのに有利である。
【００１２】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第２方向溝は、上記第２方向において離間する上記基材の二端縁間を横断している。このような構成によれば、上記基板を上記第１方向において反らせようとする力を分断するのに好適である。
【００１３】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記基材には、上記第１方向に延びており、かつ上記第２方向における位置が上記複数の単位領域のうち上記第２方向において隣り合うものどうしの間とされた第１方向溝がさらに形成されている。このような構成によれば、上記基材を上記第２方向において反らせようとする力を分断することが可能である。これにより、上記集合基板の上記第２方向における変形を抑制することができる。
【００１４】
本発明の第２の側面によって提供される半導体装置の製造方法は、それぞれが半導体装置の構成要素である単位基板となる複数の単位領域を有する集合基板に複数の半導体素子を搭載する工程と、上記集合基板を上記単位領域ごとに分割するように切断する工程と、を有する半導体装置の製造方法であって、上記集合基板として、本発明の第１の側面により提供される集合基板を用いることを特徴としている。このような構成によれば、上記集合基板の変形を防止しつつ、上記半導体装置を効率よく製造することができる。
【００１５】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記半導体素子を搭載する工程の後、上記集合基板を切断する工程の前に、上記半導体素子を覆う封止樹脂を形成する工程をさらに有する。このような構成によれば、上記集合基板の変形を回避しつつ、上記封止樹脂により半導体素子を適切に保護することができる。
【００１６】
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
【００１８】
図１〜図４は、本発明に係る半導体装置製造用の集合基板の一例を示している。図２に示すように、本実施形態の集合基板Ａは、基材１と、基材１に形成された複数の単位領域１０、複数の配線パターン２Ａ、複数の連結導体層２Ｂ、および複数のメッキ用導体層２Ｃを具備して構成されている。
【００１９】
基材１は、ガラスエポキシ樹脂などからなる絶縁基板である。図２に示すように基材１は、第１方向Ｘに延びる端縁１Ｘと第２方向Ｙに延びる端縁１Ｙとを有する長矩形状とされている。基材１には、第２方向Ｙに延びるスリット１２が形成されている。基材１は図中右方に延びており、図示しない複数のスリット１２が等間隔で配置されている。２つの端縁１Ｘと端縁１Ｙおよびスリット１２に囲まれた領域には複数の単位領域１０が形成されている。基材１のうち図中右方に繋がる部分においても、隣り合うスリット１２の間の領域に複数の単位領域１０が同様に形成されている。
【００２０】
図２に示すように、複数の単位領域１０は、基板１上において第１方向Ｘおよび第２方向Ｙにおいてマトリクス状に配置されている。第２方向Ｙにおいては、４つの単位領域１０が並べられており、第１方向Ｘにおいては端縁１Ｙとスリット１２との間に１２の単位領域１０が並べられている。図１に示すように、単位領域１０は、第２方向Ｙを長手方向とする長矩形状の領域であり、集合基板Ａを用いて製造される半導体装置の構成部材である単位基板となる領域である。
【００２１】
各単位領域１０には、配線パターン２Ａが形成されている。配線パターン２Ａは、複数のパッド２１、３つのランド２２、複数のスルーホール用パッド２３、フレーム２４およびこれらを繋ぐ配線部を有しており、たとえばＣｕからなる導体層である。ランド２２は、半導体素子を搭載するためのものである。パッド２１は、単位領域１０に搭載される半導体素子を配線パターン２Ａに導通させるためのワイヤを接続するためのものである。スルーホール用パッド２３は、基材１の表裏面を貫通するスルーホール１３を囲うように形成されている。スルーホール１３およびスルーホール用パッド２３は、半導体装置を外部接続するための端子を形成するために用いられる部分である。本実施形態においては、図１および図２に示すように、第１方向Ｘにおいて隣り合う単位領域１０どうしを区画するように、基材１の表面が帯状に露出しており、この帯状の露出部分が２つの端縁１Ｘの間を第２方向Ｙに延びている。これにより、図１に示すように、第１方向Ｘにおいて隣り合う単位領域１０に形成された２つの配線パターン２Ａどうしは、互いに離間しており、かつ絶縁されている。
【００２２】
図１に示すように、第２方向Ｙにおいて隣り合う配線パターン２Ａどうしは、連結導体層２Ｂにより互いに繋がっている。これにより、図２にしめすように、第２方向Ｙにおいて並ぶ４つの配線パターン２Ａは、連結導体層２Ｂを介して互いに導通している。また、第２方向Ｙに並ぶ４つの配線パターンのうち、図中最上位および図中最下位に位置するものからは、メッキ用導体層２Ｃが端縁１Ｘに向けて延びている。メッキ用導体層２Ｃは、集合基板Ａを用いた半導体装置の製造工程において、電解メッキ法を用いて図１に示すパッド２１などにＡｕメッキを施す際に、いわゆる陰極用電極として利用される部分である。
【００２３】
図１および図２に示すように、基材１には、第１方向Ｘに延びる複数の溝１１Ｘと、第２方向Ｙに延びる複数の溝１１Ｙとが形成されている。溝１１Ｘは、本発明でいう第１方向溝に相当し、溝１１Ｙは、本発明でいう第２方向溝に相当する。溝１１Ｙは、２つの端縁１Ｘを繋ぐように延びており、第１方向Ｘにおいて隣り合う単位領域１０どうしを区画している。図３に示すように、溝１１Ｙは、断面円弧形状の溝として形成されている。図１に示すように、溝１１Ｘは、端縁１Ｙから図中右方に延びており、第２方向における位置が第２方向において隣り合う単位領域１０どうしの間とされている。図４に示すように、溝１１Ｘは、断面円弧状の溝として形成されている。
【００２４】
次に、集合基板Ａを用いた半導体装置の製造方法の一例を、図１および図５〜図９を用いて以下に説明する。
【００２５】
まず、図１に示す集合基板Ａを用意する。すなわち、基材１を準備し、この基材１に対して、機械加工などを施すことにより、溝１１Ｘ，１１Ｙおよびスルーホール１３を形成しておく。そして、基材１の表面にメッキなどによりＣｕ層を形成する。このＣｕ層に対してエッチングなどを用いたパターン形成を施すことにより、複数の配線パターン２Ａ、連結導体層２Ｂおよびメッキ用導体層２Ｃを形成する。
【００２６】
次に、図５に示すように、集合基板Ａにレジスト膜３を形成する。レジスト膜３の形成は、たとえば集合基板Ａにエポキシ樹脂などのレジスト材料を塗布し、これに対してフォトリソグラフィー法を用いたパターン形成を施すことにより行われる。このパターン形成により、端縁１Ｘ寄りの部分を除去するとともに、複数の窓部３ａを形成する。窓部３ａは、所定のパッド２１、ランド２２を露出させておくためのものである。レジスト膜３を形成した後は、窓部３ａから露出させたパッド２１およびランド２２にＡｕメッキを施す。このＡｕメッキは、たとえば電解メッキ法を用いて行う。電解メッキ法においては、複数のメッキ用導体層２Ｃを陰極用電極として使用し、レジスト膜３から露出したパッド２１およびランド２２を陰極とする。この集合基板Ａをメッキ金属としてのＡｕを含む電解液中に漬し、このメッキ金属を陽極として直流電流を流すことにより、パッド２１およびランド２２にＡｕメッキが付着する。電解メッキ法による上記Ａｕメッキの厚さは０．１〜０．５μｍ程度であり、後述するワイヤボンディング処理においてワイヤの接合強度を高めるのに適している。また、電解メッキ法によるＡｕメッキ処理に先立って、Ｎｉメッキ処理を施しておけば、Ａｕメッキを比較的付着させやすい。
【００２７】
Ａｕメッキ処理を施した後は、図６に示すように半導体素子としての発光素子５Ａ、受光素子５Ｂおよび駆動ＩＣ５Ｃを実装する。すなわち、ランド２２のうち図中下方に位置するものに導電性樹脂を塗布し、これを介して発光素子５Ａをいわゆるダイボンディングする。一方、受光素子５Ｂおよび駆動ＩＣ５Ｃを、レジスト膜３を介してランド２２上に接着剤などを用いて接着する。そして、発光素子５Ａ、受光素子５Ｂ、および駆動ＩＣ５Ｃのそれぞれを、ワイヤボンディングにより所定のパッド２１に接続する。
【００２８】
次に、図７に示すように、封止樹脂４を形成する。封止樹脂４の形成は、第１方向Ｘにおいて隣り合う２つの単位領域１０に含まれる２つずつの発光素子５Ａ、受光素子５Ｂ、および駆動ＩＣ５Ｃを覆うようにして行う。この封止樹脂４の形成には、たとえばトランスファーモールド法を用いる。すなわち、２つの隣り合う単位領域１０を覆うサイズの空洞部を複数有する金型を集合基板Ａに密着させ、この空洞部に高温の樹脂材料を注入する。この樹脂材料を冷却して固化することにより、封止樹脂４が得られる。この封止樹脂４のうち発光素子５Ａおよび受光素子５Ｂの正面に位置する部分には、レンズ部４１ａ，４１ｂを形成しておく。
【００２９】
封止樹脂４を形成した後は、単位領域１０ごとに分割するように集合基板Ａを切断する。この切断には、たとえばダイシングを用いる。この切断により、集合基板Ａからは、図８および図９に示す半導体装置としての赤外線データ通信モジュールＭが複数個得られる。図９に示すように、赤外線データ通信モジュールＭは、単位基板１０Ａ、発光素子５Ａ、受光素子５Ｂ、駆動ＩＣ５Ｃ、および樹脂パッケージ４１を備えている。
【００３０】
単位基板１０Ａは、集合基板Ａから分割された単位領域１０により形成されている。発光素子５Ａは、赤外線を発光可能なＬＥＤチップからなる。受光素子５Ｂは、赤外線を受光して、その赤外線に応じた信号を出力する。駆動ＩＣ５Ｃは、発光素子５Ａおよび受光素子５Ｂの駆動制御を行う。発光素子５Ａ、受光素子５Ｂ、および駆動ＩＣ５Ｃは、ワイヤ６により単位基板１０Ａ上の配線パターン２Ａに導通されている。
【００３１】
樹脂パッケージ４１は、発光素子５Ａ、受光素子５Ｂ、および駆動ＩＣ５Ｃを保護するためのものであり、図７に示す封止樹脂４から分割されたものである。樹脂パッケージ４１は、赤外線を透過させる一方、可視光に対しては透光性を有さない。図８および図９に示すように、樹脂パッケージ４１にはレンズ部４１ａ，４１ｂが形成されている。レンズ部４１ａは、発光素子５Ａからの光を屈折させて指向性を高めるためのものである。レンズ部４１ｂは、図中上方から向かってきた赤外線を受光素子５Ｂへと集光するためのものである。図８に示すように単位基板１０Ａの側面には、複数の円弧溝状の端子７が形成されている。このように、赤外線データ通信モジュールＭは、たとえばＩｒＤＡ準拠の赤外線を利用した双方向通信が可能に構成されている。
【００３２】
次に、集合基板Ａおよびこれを用いた製造方法の作用効果について以下に説明する。
【００３３】
本実施形態の集合基板Ａにおいては、複数の配線パターン２Ａどうしが第１方向Ｘにおいて互いに連結されていない。このため、複数の配線パターン２Ａどうしが基材１の表面を収縮させようとする力を互いに伝え合うことがない。たとえば、図７に示した封止樹脂４を製造する際には、これに用いられる樹脂材料が冷却固化する際に、基材１に対して収縮しようとする。この収縮により、基材１の図示された表面を収縮させる熱応力が生じる。しかし、複数の配線パターン２Ａは、第１方向Ｘにおいていわゆる縁切りされているため、それぞれの配線パターン２Ａが収縮することはあっても、第１方向Ｘに並んだ複数の配線パターン２Ａどうしが互いに上記熱応力を伝え合うことはない。したがって、上記熱応力により基材１が反ってしまうことを抑制し、集合基板Ａの変形を防止することができる。また、基材１の図示されない裏面側に形成された導体層の面積よりも、複数の配線パターン２Ａを合計した面積の方が大きいと、この導体層の面積のアンバランスにより基材１を反らせようとする力が生じる場合がある。本実施形態においては、複数の配線パターン２Ａが第１方向Ｘにおいて縁切りされているため、この基材１を反らせようとする力を各配線パターンごとに分断することが可能である。この点からも、集合基板Ａの変形を防止するのに適している。
【００３４】
また、溝１１Ｙが形成されていることにより、上述した熱応力などの基材１を反らせようとする力を、第１方向Ｘにおいて分断することが可能である。したがって、集合基板Ａの変形を防止するのに有利である。特に、本実施形態においては、溝１１Ｙが基材１を横断するように形成されており、基材１を反らせようとする力を分断するのに好適である。
【００３５】
さらに、溝１１Ｘが形成されていることにより、端縁１Ｙに沿って基材１を反らせようとする力が生じても、この力をある程度分断することが可能である。これにより、集合基板Ａの第２方向Ｙにおける反りを抑制することができる。
【００３６】
図１および図２に示すように、電解メッキ法を用いてＡｕメッキを施す際には、メッキ用導体層２Ｃを陰極用電極として用いることができる。また、第２方向に並んだ４つの配線パターン２Ａは、連結導体層２Ｂを介してメッキ用導体層２Ｃと導通しており、所定のパッド２１やランド２２を電解メッキ法における陰極とすることが可能である。したがって、上述したように集合基板Ａの変形を防止しつつ、所定のパッド２１やランド２２にＡｕメッキを適切に付着させることができる。
【００３７】
本発明に係る半導体装置製造用の集合基板およびこれを用いた半導体装置の製造方法は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係る半導体装置製造用の集合基板およびこれを用いた半導体装置の製造方法の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
【００３８】
複数の単位領域の個数および配列は、上述した実施形態に限定されない。第２方向溝は、第２方向において基材を横断するものに限定されず、たとえば基材のうち第１方向に延びる端縁寄りの部分にのみ形成されていてもよい。配線パターンの一部にＡｕメッキを施すための電解メッキ法を用いるのに、本発明の集合基板は適しているが、その他のメッキ法を用いる場合であっても、集合基板の変形を防止する効果を発揮可能である。
【００３９】
本発明に係る半導体装置の製造方法に用いられる半導体素子の種類や機能は上述した実施形態に限定されない。本発明に係る半導体装置製造用の集合基板、およびこれを用いた半導体装置の製造方法によれば、上述した赤外線データ通信モジュールをはじめ、あらゆる種類の半導体装置を適切に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の第１の側面に係る集合基板の一例を示す要部平面図である。
【図２】本発明の第１の側面に係る集合基板の一例を示す要部平面図である。
【図３】図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う要部断面図である。
【図４】図１のＩＶ−ＩＶ線に沿う要部断面図である。
【図５】本発明の第２の側面に係る半導体装置の製造方法の一例を示す要部平面図である。
【図６】本発明の第２の側面に係る半導体装置の製造方法の一例を示す要部平面図である。
【図７】本発明の第２の側面に係る半導体装置の製造方法の一例を示す要部平面図である。
【図８】本発明の第２の側面に係る半導体装置の製造方法の一例により製造された赤外線データ通信モジュールを示す全体斜視図である。
【図９】図８のＩＸ−ＩＸ線に沿う断面図である。
【図１０】従来の集合基板の一例を示す要部平面図である。
【符号の説明】
【００４１】
Ａ          集合基板
Ｍ          赤外線データ通信モジュール（半導体装置）
Ｘ          第１方向
Ｙ          第２方向
１          基材
１Ｘ        第１方向端縁
１Ｙ        第２方向端縁
２Ａ        配線パターン
２Ｂ        連結導体層
２Ｃ        メッキ用導体層
３          レジスト膜
３ａ        窓部
４          封止樹脂
５Ａ        発光素子（半導体素子）
５Ｂ        受光素子（半導体素子）
５Ｃ        駆動ＩＣ（半導体素子）
６          ワイヤ
７          端子
１０        単位領域
１０Ａ      単位基板
１１Ｘ      溝（第１方向溝）
１１Ｙ      溝（第２方向溝）
１２        スリット
１３        スルーホール
２１        パッド
２２        ランド
２３        スルーホール用パッド
２４        フレーム
４１        樹脂パッケージ
４１ａ，４１ｂ  レンズ部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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