(57)【要約】【課題】  この発明は、熱圧着の際に生じる電極パッドの圧痕から電子部品の実装状態を検査する電子部品実装状態検査方法において、検査するものの個人差に依存すること無く、自動的に、熱圧着により電子パッド上に装着された電子部品の装着状態を検査することができる検査方法等を提供する。【解決手段】  本発明に係る電子部品実装状態検査方法の一例では、まず、微分干渉顕微鏡１による透明な実装基板１０を介した電極パッド１０ａの観察像を、電子画像データとして得る。次に、当該得られた電子画像データに対し、特定方向の境界を強調する画像処理を施し、圧痕の強調処理値を求める。その後、予め用意している、圧着の際に印加される加圧力と圧痕の強調処理値との関係に基づいて、前述で求めた、圧痕の強調処理値から、圧着の際に印加された加圧力を求める。【選択図】  図２
2006269597.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧着により、透明な実装基板に配設される電極パッドに、導電粒子を含む導電膜を介して電子部品を実装する際に生じる、前記電極パッドの圧痕から電子部品の実装状態を検査する電子部品実装状態検査方法において、
（Ａ）微分干渉顕微鏡による前記透明な実装基板を介した前記電極パッドの観察像を、電子画像データとして得るステップと、
（Ｂ）前記ステップ（Ａ）において得られた前記電子画像データに対し、特定方向の境界を強調する画像処理を施し、前記圧痕の強調処理値を求めるステップと、
（Ｃ）予め用意している、前記圧着の際に印加される加圧力と前記圧痕の強調処理値との関係に基づいて、前記ステップ（Ｂ）で求めた、前記圧痕の前記強調処理値から、前記圧着の際に印加された加圧力を求めるステップとを、備えている、
ことを特徴とする電子部品実装状態検査方法。
【請求項２】
前記特定の方向は、
前記微分干渉顕微鏡による観察像のコントラストの強弱が、当該方向に沿って変化する方向である、
ことを特徴とする請求項１に記載の電子部品実装状態検査方法。
【請求項３】
前記圧痕の強調処理値として、
前記圧痕の各画素が有する強調処理値の最大値を用いる、
ことを特徴とする請求項２に記載の電子部品実装状態検査方法。
【請求項４】
前記圧痕は、前記電極パッドに複数形成されており、
前記圧痕の強調処理値として、
前記圧痕毎に求められた所定の強調処理値から得られる、平均値を用いる、
ことを特徴とする請求項２に記載の電子部品実装状態検査方法。
【請求項５】
前記電極パッドは、複数であり、
前記圧痕の強調処理値として、
前記電極パッド毎に求められた所定の強調処理値から得られる、極値となる強調処理値を用いる、
ことを特徴とする請求項２に記載の電子部品実装状態検査方法。
【請求項６】
（Ｄ）加圧力閾値を予め用意するステップと、
（Ｅ）前記加圧力閾値と、前記ステップ（Ｃ）で求められた加圧力とから、電子部品の実装状態の良否を判断するステップとを、さらに備えている、
ことを特徴とする請求項１に記載の電子部品実装状態検査方法。
【請求項７】
（Ｏ）前記電子部品に対して、第一の検査領域と第二の検査領域とを設定するステップと、
（Ｐ）前記第一の検査領域に対して、前記ステップ（Ａ）〜前記ステップ（Ｃ）を実施するステップと、
（Ｑ）前記第二の検査領域に対して、前記ステップ（Ａ）〜前記ステップ（Ｃ）を実施するステップと、
（Ｒ）前記ステップ（Ｐ）で求められた前記加圧力と、前記ステップ（Ｑ）で求められた前記加圧力との差を求めるステップとを、さらに備えている、
ことを特徴とする請求項１に記載の電子部品実装状態検査方法。
【請求項８】
（Ｓ）加圧力差閾値を予め用意するステップと、
（Ｔ）前記加圧力差閾値と、前記ステップ（Ｒ）で求められた前記加圧力の差とから、電子部品の実装状態の良否を判断するステップとを、さらに備えている、
ことを特徴とする請求項７に記載の電子部品実装状態検査方法。
【請求項９】
圧着により、透明な実装基板に配設される電極パッドに、導電粒子を含む導電膜を介して電子部品を実装する際に生じる、前記電極パッドの圧痕から電子部品の実装状態を検査する電子部品実装状態検査装置において、
微分干渉顕微鏡と、
前記微分干渉顕微鏡による前記透明な実装基板を介した前記電極パッドの観察像を、電子画像データ化する撮像装置と、
前記電子画像データに対し、特定方向の境界を強調する画像処理を施し、前記圧痕の強調処理値を求め、また、予め用意している、前記圧着の際に印加される加圧力と前記圧痕の強調処理値との関係に基づいて、前記圧痕の前記強調処理値から、前記圧着の際に印加された加圧力を求める画像処理装置とを、備えている、
ことを特徴とする電子部品実装状態検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、電子部品実装状態検査方法および電子部品実装状態検査装置に係る発明であり、特に、熱圧着により、透明な実装基板に配設される電極パッドに、導電粒子を含む異方性導電膜を介して電子部品を実装する際に生じる、前記電極パッドの圧痕から電子部品の実装状態を検査する電子部品実装状態検査方法および電子部品実装状態検査装置に適用することができる。
【背景技術】
【０００２】
熱圧着により、透明な実装基板に配設される電極パッドに、導電粒子を含む異方性導電膜を介して電子部品を実装する技術は、従来より存在している。また、このようにして実装された電子部品の実装状態を検査する方法として、以下の方法がある。
【０００３】
電極パッドが透明である場合には、光学顕微鏡を用いて目視で導電粒子のつぶれ具合を確認することにより、電子部品の実装状態を検査する方法がある。
【０００４】
また、電極パッドが不透明である場合には、熱圧着の際に導電粒子が電極パッドに形成する圧痕を微分干渉顕微鏡で観察することにより、電子部品の実装状態を検査する方法がある（特許文献１）。
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−２６９９３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、光学顕微鏡や微分干渉顕微鏡を介して透明な実装基板越しに、導電粒子のつぶれ具合や圧痕を目視する方法では、熱圧着時に印加される加圧力の確認や電子部品実装状態の平行度の確認等を検査人の感覚に依存して行っていた。このような目視による検査では、判断する検査人の個人差により検査結果が異なる恐れがある。
【０００７】
また、特許文献１には、電子部品の実装状態を自動的に検査することができると書かれているが、その具体的方法については記述されていない。
【０００８】
そこで、この発明は、検査人の個人差に依存すること無く、自動的に、熱圧着により電極パッド上に実装された電子部品の装着状態を検査することができる、電子部品実装状態検査方法および電子部品実装状態検査装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するために、本発明に係る請求項１に記載の電子部品実装状態検査方法は、圧着により、透明な実装基板に配設される電極パッドに、導電粒子を含む導電膜を介して電子部品を実装する際に生じる、前記電極パッドの圧痕から電子部品の実装状態を検査する電子部品実装状態検査方法において、（Ａ）微分干渉顕微鏡による前記透明な実装基板を介した前記電極パッドの観察像を、電子画像データとして得るステップと、（Ｂ）前記ステップ（Ａ）において得られた前記電子画像データに対し、特定方向の境界を強調する画像処理を施し、前記圧痕の強調処理値を求めるステップと、（Ｃ）予め用意している、前記圧着の際に印加される加圧力と前記圧痕の強調処理値との関係に基づいて、前記ステップ（Ｂ）で求めた、前記圧痕の前記強調処理値から、前記圧着の際に印加された加圧力を求めるステップとを、備えている。
【００１０】
また、本発明に係る請求項９に記載の電子部品実装状態検査装置は、圧着により、透明な実装基板に配設される電極パッドに、導電粒子を含む導電膜を介して電子部品を実装する際に生じる、前記電極パッドの圧痕から電子部品の実装状態を検査する電子部品実装状態検査装置において、微分干渉顕微鏡と、前記微分干渉顕微鏡による前記透明な実装基板を介した前記電極パッドの観察像を、電子画像データ化する撮像装置と、前記電子画像データに対し、特定方向の境界を強調する画像処理を施し、前記圧痕の強調処理値を求め、また、予め用意している、前記圧着の際に印加される加圧力と前記圧痕の強調処理値との関係に基づいて、前記圧痕の前記強調処理値から、前記圧着の際に印加された加圧力を求める画像処理装置とを、備えている。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の請求項１に記載の電子部品実装状態検査方法は、圧着により、透明な実装基板に配設される電極パッドに、導電粒子を含む導電膜を介して電子部品を実装する際に生じる、前記電極パッドの圧痕から電子部品の実装状態を検査する電子部品実装状態検査方法において、（Ａ）微分干渉顕微鏡による前記透明な実装基板を介した前記電極パッドの観察像を、電子画像データとして得るステップと、（Ｂ）前記ステップ（Ａ）において得られた前記電子画像データに対し、特定方向の境界を強調する画像処理を施し、前記圧痕の強調処理値を求めるステップと、（Ｃ）予め用意している、前記圧着の際に印加される加圧力と前記圧痕の強調処理値との関係に基づいて、前記ステップ（Ｂ）で求めた、前記圧痕の前記強調処理値から、前記圧着の際に印加された加圧力を求めるステップとを、備えているので、電極パッドが不透明な場合においても、当該電極パッドに形成された圧痕の微分干渉顕微鏡像から、定量的かつ一意的に、実装時加圧力を求めることができる。その結果、実装時加圧力を求めるに際して、検査人の個人差に依存することが無くなる。
【００１２】
また、請求項９に記載の電子部品実装状態検査装置は、圧着により、透明な実装基板に配設される電極パッドに、導電粒子を含む導電膜を介して電子部品を実装する際に生じる、前記電極パッドの圧痕から電子部品の実装状態を検査する電子部品実装状態検査装置において、微分干渉顕微鏡と、前記微分干渉顕微鏡による前記透明な実装基板を介した前記電極パッドの観察像を、電子画像データ化する撮像装置と、前記電子画像データに対し、特定方向の境界を強調する画像処理を施し、前記圧痕の強調処理値を求め、また、予め用意している、前記圧着の際に印加される加圧力と前記圧痕の強調処理値との関係に基づいて、前記圧痕の前記強調処理値から、前記圧着の際に印加された加圧力を求める画像処理装置とを、備えているので、電子部品の実装状態（具体的に、実装時の加圧力の良否）の検査を自動的かつ容易に行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、この発明をその実施の形態を示す図面に基づいて具体的に説明する。
【００１４】
＜実施の形態１＞
図１は、本実施の形態に係る電子部品実装状態検査装置の構成を示す図である。
【００１５】
図１に示しているように、電子部品実装状態検査装置は、微分干渉顕微鏡１、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）カメラ２および画像処理装置３により構成されている。
【００１６】
ＣＣＤカメラ２は、微分干渉顕微鏡１において観察された電極パッド等の像を光電的に検出する撮像装置である。当該ＣＣＤカメラ２は、微分干渉顕微鏡１に接続されており、他方で、ＣＣＤカメラ２は、ケーブル４を介して画像処理装置３に接続されている。
【００１７】
ここで、微分干渉顕微鏡１とは、特殊なプリズムにより照明光を２つの光線に分け、これらの光の干渉によって生ずる干渉色や明暗のコントラストで、試料を浮き出すような立体感で観察することができる顕微鏡である。
【００１８】
また、画像処理装置３は、画像処理プログラムに応じて、後述する各画像処理を行うことができる装置である。
【００１９】
微分干渉顕微鏡１では、図１に示すように、以下に説明する構造物を観察する。
【００２０】
当該構造物は、透明な実装基板１０に、半導体素子等の電子部品１１を実装したものである。当該電子部品１１が実装された、透明な実装基板１０を有する装置として、例えば液晶装置等がある。なお、本発明は、当該液晶装置の検査に関するものに限定するものでは無く、透明な実装基板１０に電極パッド１０ａを介して電子部品１１が実装されているものであれば、検査可能である。
【００２１】
透明な実装基板１０には、電極パッド１０ａが配設されている。また、電子部品１１には、バンプ１１ａが形成されている。電極パッド１０ａとバンプ１１ａとが相互に対向する状態で、実装基板１０に電子部品１１が実装されている。ここで、実装基板１０に対する電子部品１１の実装は、熱圧着により行われている。また、実装基板１０には、導電粒子１２ａを含む異方性導電膜（ＡＣＦ）１２を介して電子部品１１が実装されている。
【００２２】
したがって、上記熱圧着処理が施されると、電極パッド１０ａには、導電粒子１２ａ等による圧痕が複数生じる。
【００２３】
なお、図１に示すように、電子部品１１が実装された実装基板１０は、当該実装基板１０の裏面（実装側と反対側の面）が微分干渉顕微鏡１の対物レンズに面するように、配置されている。したがって、微分干渉顕微鏡１では、透明な実装基板１０を介して電極パッド１０ａの像が観察される。
【００２４】
次に、本実施の形態に係る電子部品実装状態検査方法について、図２に示すフローチャートに基づいて説明する。
【００２５】
まずはじめに、微分干渉顕微鏡１を用いて、複数の電極パッド１０ａを観察する（ステップＳ１）。ここで、電極パッド１０ａは、透明な実装基板１０を介して観察される。
【００２６】
ＣＣＤカメラ２は、微分干渉顕微鏡１を通して得られる電極パッド１０ａ像を取り込み、光電的に検出する（つまり、微分干渉顕微鏡像を光電変換し、電子画像データ化する）（ステップＳ２）。
【００２７】
そして、ＣＣＤカメラ２において作成された電子データ画像を、画像処理装置３が取り込む（ステップＳ３）。画像処理装置３に取り込まれた当該電子データ画像を図３に示す。
【００２８】
図３の電子データ画像から分かるように、画像内には、複数の電極パッド１０ａが含まれている。また、一つの電極パッド１０ａ内には、熱圧着処理の際に生じる導電粒子等に起因した圧痕像２１が複数形成されている。
【００２９】
ここで、微分干渉顕微鏡を通して得られる圧痕像２１は、図３に示すように、そのコントラストの強弱が特定の方向に沿って変化する。具体的に、圧痕像２１の左下側ではコントラスト（輝度）が弱くなり（黒い部分）、圧痕像２１の右上側ではコントラスト（輝度）は強くなる（白い部分）。なお、図３において明示されていないが、圧痕像２１のコントラスト（輝度）の方が、電極パッド１０ａ像のコントラスト（輝度）よりも高い。
【００３０】
さて、以下より、画像処理装置３における一連の画像処理が実行される。
【００３１】
まず、画像処理装置３では、以下で説明するコントラストの境界を強調する強調処理を実行する（ステップＳ４）。
【００３２】
ステップＳ４では、図３で示した電子データ画像を構成する各画素において、圧痕像２１のコントラスト強弱の境界を強調する強調処理を施す。そして、当該強調処理の結果として、各画素毎に強調処理値（強調処理後の画像の輝度値とも把握できる）を求める。なお、本実施の形態では、当該強調処理値を所定の演算により求めているので、以下では、強調処理演算値と称する。
【００３３】
つまり、図３に示すように、圧痕像２１のコントラストは、特定の方向（図３の矢印方向）に沿って変化している。したがって、ステップＳ４における強調処理は、以下に示す強調フィルタを用いて実施される。ここで、当該強調フィルタとは、図３に示す電子データ画像を構成する各画素に対して、圧痕像２１のコントラスト強弱の境界を強調することができるものであり、当該特定の方向に依存している。
【００３４】
なお、コントラストの境界を強調する強調処理としては、一次微分処理、平滑化フィルタ処理、Ｓｏｂｅｌフィルタ処理、ラプラシアンフィルタ処理等がある。
【００３５】
当該強調フィルタの一例を図４に示す。図４に示した強調フィルタを用いた強調処理の一例を、以下で説明する。ここで、図４において、係数ｆ１、ｆ２、ｆ５は正の数とすることができ、係数ｆ３、ｆ６、ｆ７は、負の数とすることができる。
【００３６】
図３に示す電子データ画像は、複数の画素により構成されており、各画素は、コントラスト値（輝度値）を有している。図５は、図３で示した画像の一部の画素（所定の９画素）を示した図である。各画素は、各々ｂ０〜ｂ８のコントラスト値を有している。
【００３７】
今、コントラスト値ｂ４を有する画素に注目する。当該画素に対して、図４に示した強調フィルタを用いた強調処理を実施する場合について説明する。なお、本例の強調処理では、図４に示した強調フィルタの他に、着目している画素（コントラスト値ｂ４を有する画素）を中心とした図５に示した一部の画素（コントラスト値ｂ０〜ｂ３およびｂ５〜ｂ８を有する画素）を用いる。
【００３８】
まず、強調フィルタにより、以下に示す強調処理係数「（ｂ４）’ｘ」を求める。
【００３９】
（ｂ４）’ｘ＝ｂ０・ｆ０＋ｂ３・ｆ３＋ｂ６・ｆ６＋ｂ２・ｆ２＋ｂ５・ｆ５＋ｂ８・ｆ８
次に、強調フィルタにより、以下に示す強調処理係数「（ｂ４）’ｙ」を求める。
【００４０】
（ｂ４）’ｙ＝ｂ０・ｆ０＋ｂ１・ｆ１＋ｂ２・ｆ２＋ｂ６・ｆ６＋ｂ７・ｆ７＋ｂ８・ｆ８
以上の結果に基づき、コントラスト値ｂ４を有する画素に対する強調処理の結果（つまり、当該画素の強調処理演算値ｂ’４）は、下式となる。
【００４１】
ｂ’４＝[｛（ｂ４）’ｘ｝2＋｛（ｂ４）’ｙ｝2]1/2
図３に示す電子データ画像を構成する各画素に対して、上記強調処理を施す（強調処理演算値を求める）。
【００４２】
このように、図３に示した電子データ画像に対して上記強調処理を施すことにより、圧痕像２１をより明確にさせることができる。当該強調処理後の画像を図６に示す。
【００４３】
図６に示すように、コントラストの強弱はあるものの、圧痕２２像は明確に判別される。なお、圧痕２２像毎にコントラストが変化するのは、電極パッド１０ａに形成される圧痕の深さが異なるからである。
【００４４】
画像処理装置３は、上記強調処理後、図６に示した強調処理後の画像を記憶する（ステップＳ４）。
【００４５】
次に、強調処理後の画像の一の電極パッド１０ａに対して、検査領域を設定する（ステップＳ５）。図６の点線領域内が検査領域であり、当該検査領域内には、複数の圧痕像２２が含まれている。なお、当該検査領域の設定は、画像処理装置３に対して外部から検査人が行う。
【００４６】
ところで、図７に示すように、通常、一の圧痕像２２は、複数の画素により構成されている。
【００４７】
そこで、画像処理装置３は、一の圧痕２２像を構成する複数の画素を抽出し、当該抽出した各画素毎の強調処理演算値を比較する。そして、当該抽出された複数の画素の中から、最大値となる強調処理演算値を有する画素を一つ選択する（ステップＳ６）。
【００４８】
検査領域内に属する一の圧痕像２２において、最大値となる強調処理演算値を有する画素を一つ選択したなら、次に、他の一の圧痕像２２に対して、最大値となる強調処理演算値を有する画素を一つ選択する（ステップＳ６）。
【００４９】
このようにして、検査領域内に属する全ての圧痕像２２毎に、最大値となる強調処理演算値を有する画素を各々一つ選択する（ステップＳ６）。
【００５０】
次に、画像処理装置３は、ステップＳ６において各圧痕像２２毎に選択された各画素の最大値となる強調処理演算値から、平均値（平均強調処理演算値）を求める（ステップＳ７）。そして、当該平均強調処理演算値を検査領域が設定された電極パッド１０ａの代表値とする。
【００５１】
次に、画像処理装置３は、強調処理後の画像データ（図６）内に含まれる全ての電極パッド１０ａに対して、上記平均強調処理演算値を求めたか否かを判断する（ステップＳ８）。
【００５２】
もし、全ての電極パッド１０ａに対して、平均強調処理演算値を求めていないなら（ステップＳ８で、「Ｎｏ」）、ステップＳ５に戻り、未だ平均強調処理演算値を求めていない電極パッド１０ａに対して、検査領域を新たに設定する。そして、ステップＳ６以降の処理を再び行う。
【００５３】
これに対して、もし、全ての電極パッド１０ａに対して、平均強調処理演算値を求めているなら（ステップＳ８で、「Ｙｅｓ」）、ステップＳ９に進む。
【００５４】
ところで、画像処理装置３には、図８，９に示すデータが予め保存されている。図８，９は、熱圧着の際に印加される加圧力と強調処理演算値との関係を示したデータである。ここで、横軸は加圧力であり、縦軸は強調処理演算値である。
【００５５】
発明者は、加圧力が強くなればなるほど一次的に強調処理演算値が上昇する関係（図８）、および加圧力が強くなればなるほど一次的に強調処理演算値が減少する関係（図９）があることを発見した。なお、どちらの関係に帰属するかは、例えば電極パッド１０ａの材質等により決定される。また、いずれの強調処理の結果から得られる強調処理演算値であっても、加圧力に対する図８，９に示す傾向を有する。
【００５６】
検査人は、検査前に、検査対象と同じ条件で作成されたサンプルを用いて、上記図８または図９に示すような、データを作成しておく。そして、当該作成したデータを予め画像処理装置３に記憶しておく。
【００５７】
さて、次に、画像処理装置３は、ステップＳ８までの処理により求められた各電極パッド１０ａ毎の平均強調処理演算値の中から、極値となる平均強調処理演算値を選択する。そして、図８，９に示すデータを参酌することにより、当該選択した極値となる平均強調処理演算値に対する加圧力（当該加圧力を、実装時加圧力と称する）を求める（ステップＳ９）。
【００５８】
ここで、検査対象が、図８に示す加圧力−強調処理演算値の関係を示すものであれば、上記複数の平均強調処理演算値の中から、最小の平均強調処理演算値を選択する。そして、図８に示したデータと当該最小の平均強調処理演算値とから、実装時加圧力を求める（ステップＳ９）。
【００５９】
これに対して、検査対象が、図９に示す加圧力−強調処理演算値の関係を示すものであれば、上記複数の平均強調処理演算値の中から、最大の平均強調処理演算値を選択する。そして、図９に示したデータと当該最大の平均強調処理演算値とから、実装時加圧力を求める（ステップＳ９）。
【００６０】
つまり、ステップＳ９では、検査対象の中から熱圧着の際における最も弱い圧力値を求めている。
【００６１】
次に、画像処理装置３では、予め用意している加圧力閾値と、前記ステップＳ９において求めた実装時加圧力とから、電子部品１１の実装状態の良否（つまり、実装基板１０と電子部品１１との間における導通の良否）を判断する（ステップＳ１０）。
【００６２】
もし、加圧力閾値と比較して実装時加圧力の方が大きい場合には（ステップＳ１０で「Ｙｅｓ」）、当該検査対象となった電子部品１１の実装状態（つまり、熱圧着時の加圧力が所定の値を超えており、実装基板１０、電子部品１１間の導通）は「良（合格）」と判断される（ステップＳ１１）。
【００６３】
これに対して、もし、実装時加圧力が加圧力閾値以下の場合には（ステップＳ１０で「Ｎｏ」）、当該検査対象となった電子部品１１の実装状態（つまり、熱圧着時の加圧力が所定の値以下であり、実装基板１０、電子部品１１間の導通）は「不良（不合格）」と判断される（ステップＳ１２）。
【００６４】
以上のように、本実施の形態に係る電子部品実装状態検査方法では、微分干渉顕微鏡１を用い、また発明者が発見した図８，９に示す自然法則に基づいて実装時加圧力を求め、当該実装時圧から電子部品の実装状態の良否を判断している。
【００６５】
したがって、不透明な電極パッド１０ａに形成された圧痕の微分干渉顕微鏡像から、定量的かつ一意的に、実装時加圧力を求めることができる。その結果、実装時加圧力を求めるに際して、検査人の個人差に依存することが無くなる。
【００６６】
なお、上記では、各電極パッド１０ａ毎に平均強調処理演算値を求めていたが、これに限る必要はなく、各電極パッド１０ａ毎に所定の代表となる強調処理演算値を任意に求め、当該求めた強調処理演算値から極値となる強調処理演算値を、用いて検査結果を判断しても良い。
【００６７】
また、本実施の形態に係る検査方法では、加圧力閾値を予め用意し、当該加圧力閾値と実装加圧力との比較に基づいて、電子部品実装状態（実装基板１０と電子部品１１との間における導通）の良否判定を行っている。
【００６８】
したがって、検査人の個人差によること無く、電子部品実装状態（実装基板１０と電子部品１１との間における導通）の良否を容易にかつ、自動的に判断することができる。
【００６９】
また、本実施の形態に係る電子部品実装状態検査装置では、上記方法が実施可能な画像処理装置３を備えている。
【００７０】
したがって、電子部品の実装状態（具体的に、実装時の加圧力の良否）の検査を自動的に行うことができる。
【００７１】
また、本実施の形態では、圧痕の微分干渉顕微鏡像のコントラストの強弱が特定の方向に沿って変化することに着目して、当該コントラスト強弱の境界を強調する強調処理を実施している。
【００７２】
したがって、画像データにおいて、背景となる電極パッド像と圧痕像との差別化をより明確に行うことができる。
【００７３】
なお、本実施の形態では、極値となる平均強調処理演算値と図８，９に示すデータとから、実装時加圧力を求める場合について言及した。
【００７４】
しかし、例えば、ステップＳ６において選択された最大値となる強調処理演算値と、図８，９に示すデータとから、対応する加圧力を求めても良い。この場合には、一の圧痕部分における実装時加圧力を求めることも可能である。
【００７５】
また、圧痕が電極パッド１０ａに複数形成されている場合において、各圧痕毎に所定の強調処理演算値を求め、当該求めた強調処置演算値から平均値を求め、当該平均値を圧痕の強調処理値として用いて、検査を行っても良い。
【００７６】
例えば、ステップＳ７において求められた平均強調処理演算値と、図８，９に示すデータとから、対応する加圧力を求めても良い。この場合には、一の電極パッド１０ａにおける平均的な実装時加圧力を求めることも可能である。
【００７７】
＜実施の形態２＞
本実施の形態に係る電子部品実装状態検査方法では、実施の形態１に係る検査方法を応用しており、実装状態にある電子部品の平行度を検査することが可能である。
【００７８】
図１０は、液晶表示装置を透明な実装基板１０の外面側（実装面とは反対の面）から見た平面図である。なお、電子部品１１および表示部３０は、透明な実装基板１０の内面側に形成されているので、点線にて輪郭を表示している。なお、電子部品１１は、表示部３０を駆動させる回路である。
【００７９】
なお、上述したように本発明は、当該液晶装置の検査に関するものに限定するものでは無く、透明な実装基板１０に電極パッド１０ａを介して電子部品１１が実装されているものであれば、検査可能である。
【００８０】
図１０に示すように、実装基板１０の内面上には、表示部３０が設けられている。また、当該実装基板１０の内面上において、当該実装基板１０の外周部には、電子部品１１が複数配設されている。ここで、電子部品１１は図示していないが、複数の電極パッド１０ａと接続されている。
【００８１】
本実施の形態に係る検査方法を採用することにより、例えば、図１０に示した、実装状態にある電子部品１１の平行度を検査することができる。
【００８２】
以下、本実施の形態に係る電子部品実装状態検査方法を、図１１に示すフローチャートに基づいて説明する。ここで、以下の説明では、図１０に示す電子部品１１ｑについて平行度を検査する場合について言及する。
【００８３】
図１２は、電子部品１１ｑの周辺の構成を示す断面図である。なお、図１と図１２とで同一符号のものは、同一の部材を示している。また、図１２では、異方性導電膜（ＡＣＦ）１２に含まれている導電粒子１２ａは図示していない。図１２に示すように、電子部品１１ｑは、実装基板１０に対して傾いて実装されている。
【００８４】
なお、電子部品実装状態検査装置の構成は、実施の形態１と同一であるが、画像処理装置３には、以下に示すプロセスも加味されたプログラムが搭載されている。したがって、本実施の形態に係る画像処理装置３では、当該搭載されたプログラムに応じた画像処理が自動的に実行される。
【００８５】
まずはじめに、図１０に示すように、電子部品１１ｑに対して、第一の検査領域Ｑ１と第二の検査領域Ｑ２とを設定する（ステップＳ２１）。
【００８６】
第一の検査領域Ｑ１は、電子部品１１ｑの一方の端部を含むように設定されている。また、第二の検査領域Ｑ２は、電子部品１１ｑの一方の端部に対向する他方の端部を含むように設定されている。当該検査領域の設定により、当該第一の検査領域Ｑ１から第二の検査領域Ｑ２に向かう方向における、実装状態にある電子部品１１ｑの平行度を検査することができる。
【００８７】
したがって、検査したい方向における平行度を調べたい場合には、第一の検査領域Ｑ１および第二の検査領域Ｑ２を当該方向に沿って設定すると共に、所定の距離だけ隔てて相互に対向するように設定すれば良い。
【００８８】
次に、第一の検査領域Ｑ１を対象として、図２のステップＳ１からステップＳ８までの処理を実行する。当該一連の処理により、第一の検査領域Ｑ１における実装時加圧力（以下、第一の実装時加圧力と称する）を求める（ステップＳ２２）。
【００８９】
次に、第二の検査領域Ｑ２を対象として、図２のステップＳ１からステップＳ８までの処理を実行する。当該一連の処理により、第二の検査領域Ｑ２における実装時加圧力（以下、第二の実装時加圧力と称する）を求める（ステップＳ２３）。
【００９０】
次に、第一の実装時加圧力と第二の実装時加圧力との差（以下、実装時加圧力差と称する）を求める（ステップＳ２４）。
【００９１】
次に、予め用意されている、加圧力差閾値と、上記実装時加圧力差とを比較する（ステップＳ２５）。
【００９２】
もし、実装時加圧力差が、加圧力差閾値より小さい場合には（ステップＳ２５で「Ｙｅｓ」）、電子部品１１ｑの両端部（第一の検査領域Ｑ１および第二の検査領域Ｑ２）における、熱溶着時の加圧力の差は、所定の範囲内にある。したがって、電子部品１１ｑの実装状態における平行度も所望の範囲であると判断でき、「良（合格）」と判断できる（ステップＳ２６）。
【００９３】
これに対して、もし、実装時加圧力差が、加圧力差閾値以上である場合には（ステップＳ２５で「Ｎｏ」）、電子部品１１ｑの両端部（第一の検査領域Ｑ１および第二の検査領域Ｑ２）における、熱溶着時の加圧力の差は、所定の範囲外にある。したがって、電子部品１１ｑの実装状態における平行度も所望の範囲外であると判断でき、「不良（不合格）」と判断できる（ステップＳ２７）。
【００９４】
以上のように、本実施の形態に係る電子部品実装状態検査方法では、第一の実装時加圧力と第二の実装時加圧力とを定量的かつ一意的に求め、さらに当該各加圧力から実装時加圧力差を求めている。
【００９５】
したがって、当該実装時加圧力差から、検査人の個人差によること無く、電子部品実装状態の平行度の具合を判断することができる。
【００９６】
また、本実施の形態に係る検査方法では、加圧力差閾値を予め用意し、当該加圧力差閾値と実装加圧力差との比較に基づいて、電子部品実装状態の平行度の良否判定を行っている。
【００９７】
したがって、検査人の個人差によること無く、電子部品実装状態の平行度の良否を容易に判断することができる。
【００９８】
また、本実施の形態に係る電子部品実装状態検査装置では、上記方法が実施可能な画像処理装置３を備えている。
【００９９】
したがって、電子部品の実装状態（具体的に、実装状態にある電子部品１１ｑの平行度）の検査を自動的に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【０１００】
【図１】本発明に係る電子部品実装状態検査装置の構成および検査状況を示す概略図である。
【図２】実施の形態１に係る電子部品実装状態検査方法を説明するフローチャートである。
【図３】微分干渉顕微鏡により観察される電極パッドを示す図である。
【図４】強調処理を説明するための図である。
【図５】強調処理を説明するための図である。
【図６】強調処理後の電極パッド画像を示す図である。
【図７】圧痕が複数の画素により構成されている様子を示す図である。
【図８】加圧力と強調処理演算値の関係を示す一のデータである。
【図９】加圧力と強調処理演算値の関係を示す他のデータである。
【図１０】液晶表示装置に実装されている電気部品等の様子を示す平面図である。
【図１１】実施の形態２に係る電子部品実装状態検査方法を説明するフローチャートである。
【図１２】電子部品が実装基板に対して、傾いて実装されている様子を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１０１】
１  微分干渉顕微鏡、２  ＣＣＤカメラ、３  画像処理装置、４  ケーブル、１０  実装基板、１０ａ  電極パッド、１１，１１ｑ  電子部品、１１ａ  バンプ、１２  異方性導電膜（ＡＣＦ）、１２ａ  導電粒子、Ｑ１  第一の検査領域、Ｑ２  第二の検査領域、３０  表示部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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