(57)【要約】【課題】  ＤＶＤ−ＲＯＭの約６〜８倍速で繰り返し記録が可能であり、記録特性や保存特性も良好なＤＶＤ＋ＲＷ媒体の提供。【解決手段】  透明基板上に下部保護層、少なくともＧａ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｇｅの４元素を含有する転移線速が２０〜３０ｍ／ｓの相変化材料からなる記録層、上部保護層、反射層がこの順に積層され、記録再生光の波長が６５０〜６６５ｎｍの範囲で且つ記録線速が２０〜２８ｍ／ｓであるときの、記録層の結晶質状態の屈折率Ｎｃと消衰係数Ｋｃ、非晶質状態の屈折率Ｎａと消衰係数Ｋａが下記の範囲にあり、２０〜２８ｍ／ｓの記録線速範囲で記録が可能であることを特徴とする光記録媒体。              ２．０≦Ｎｃ≦３．０              ４．０≦Ｋｃ≦５．０              ４．０≦Ｎａ≦５．０              ２．５≦Ｋａ≦３．１【選択図】        図１
2006079713.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に下部保護層、少なくともＧａ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｇｅの４元素を含有する転移線速が２０〜３０ｍ／ｓの相変化材料からなる記録層、上部保護層、反射層がこの順に積層され、記録再生光の波長が６５０〜６６５ｎｍの範囲で且つ記録線速が２０〜２８ｍ／ｓであるときの、記録層の結晶質状態の屈折率Ｎｃと消衰係数Ｋｃ、非晶質状態の屈折率Ｎａと消衰係数Ｋａが下記の範囲にあり、２０〜２８ｍ／ｓの記録線速範囲で記録が可能であることを特徴とする光記録媒体。
２．０≦Ｎｃ≦３．０
４．０≦Ｋｃ≦５．０
４．０≦Ｎａ≦５．０
２．５≦Ｋａ≦３．１
【請求項２】
Ｇａ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｇｅの４元素の組成比（原子％）をそれぞれα、β、γ、δとして、それらが下記の条件を満足することを特徴とする請求項１記載の光記録媒体。
２≦α≦１１
５９≦β≦７０
１７≦γ≦２６
２≦δ≦１２
８４≦β＋γ≦８８
α＋β＋γ＋δ＝１００
【請求項３】
下部保護層の膜厚が３０〜１００ｎｍ、記録層の膜厚が５〜５０ｎｍ、上部保護層の膜厚が３〜１５ｎｍ、反射層の膜厚が１００〜３００ｎｍであることを特徴とする請求項１又は２記載の光記録媒体。
【請求項４】
透明基板が、トラックピッチ０．７４±０．０３μｍ、溝深さ２２〜４０ｎｍ、溝幅０．２〜０．３μｍの蛇行溝を有することを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ビームを照射することにより記録層材料に光学的な変化を生じさせ、情報の記録、再生を行ない、かつ書き換えが可能な相変化型光記録媒体に対し、現在市販されている、ＤＶＤ−ＲＯＭと同容量で、かつその記録線速（３．４９ｍ／ｓ）の１〜４倍速で繰り返し記録が可能なＤＶＤ＋ＲＷの、更に２倍程度の記録線速にも対応し得る性能を持つ光記録媒体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、相変化を特徴とする記録層に情報の記録や再生を行い、かつ書き換えが可能な相変化型光記録媒体において、記録層の構成はＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅの四元素を主成分とするものであった。その目的は、安定した信号処理が行なえる上で記録線速を向上させることにあり、現在ではＤＶＤ−ＲＯＭでの記録線速（３．４９ｍ／ｓ）の１〜４倍速で安定した記録再生を行なうことが可能となり、市販されている。
光記録媒体においては、基板上に積層されたそれぞれの層が持つ光学定数や膜厚によって、熱の伝わり方が微妙に変化し、記録層に記録されたマークの記録特性に大きな影響を及ぼしたり反射率や変調度に変化が生じたりする。特許文献１（リコー）にあるように、基板上に積層された各層の膜厚や、記録層の結晶相及び非晶質相の光学定数、保護層や反射層に関する光学定数、更に透明基板の溝深さの条件は、記録特性や信号処理にとって非常に重要な要素である。
また、本出願人の先願（特願２００３−２９１１９号）には、３〜１０倍速での高線速記録が可能である記録層としてＧａＳｂＳｎＧｅ系からなる相変化型光記録媒体が開示されており、各元素の組成比について詳しく言及している。
しかし、先願ではＳｂとＳｎの組成比を独立に規定しており、高速記録を確実に行なうことが困難となり得る。例えば、８倍速の記録特性が良好となるＳｂとＳｎの合計組成比の範囲を調べると、図７に示すように、ある領域（８４≦Ｓｂ＋Ｓｎ≦８８）においては記録特性が良好となり、この範囲から外れると記録特性が悪くなるということが判明した。従って、記録層の組成比を独立に設定することによって記録特性が悪くなることがあり得るという問題が生じる。
これに対し、本発明は、ＤＶＤ−ＲＯＭの６〜８倍速（以下、単に６〜８倍速という）程度でも記録が可能なＤＶＤ＋ＲＷの提供を目指しており、記録層の結晶質及び非晶質状態の光学定数と、高反射率を抑制するための溝条件について検討したものである。
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−７６７０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、市販されているＤＶＤ−ＲＯＭの１〜４倍速で安定した記録再生を行なうことができるＤＶＤ＋ＲＷ媒体よりも、更に高線速の２０〜２８ｍ／ｓ（約６〜８倍速）で繰り返し記録が可能であり、記録特性や保存特性も良好なＤＶＤ＋ＲＷ媒体の提供を目的とする。更に記録層の反射率を適度に下げたＤＶＤ＋ＲＷ媒体の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題は次の１〜４）の発明（以下、本発明１〜４という）によって解決される。
１）  透明基板上に下部保護層、少なくともＧａ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｇｅの４元素を含有する転移線速が２０〜３０ｍ／ｓの相変化材料からなる記録層、上部保護層、反射層がこの順に積層され、記録再生光の波長が６５０〜６６５ｎｍの範囲で且つ記録線速が２０〜２８ｍ／ｓであるときの、記録層の結晶質状態の屈折率Ｎｃと消衰係数Ｋｃ、非晶質状態の屈折率Ｎａと消衰係数Ｋａが下記の範囲にあり、２０〜２８ｍ／ｓの記録線速範囲で記録が可能であることを特徴とする光記録媒体。
２．０≦Ｎｃ≦３．０
４．０≦Ｋｃ≦５．０
４．０≦Ｎａ≦５．０
２．５≦Ｋａ≦３．１
２）  Ｇａ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｇｅの４元素の組成比（原子％）をそれぞれα、β、γ、δとして、それらが下記の条件を満足することを特徴とする１）記載の光記録媒体。
２≦α≦１１
５９≦β≦７０
１７≦γ≦２６
２≦δ≦１２
８４≦β＋γ≦８８
α＋β＋γ＋δ＝１００
３）  下部保護層の膜厚が３０〜１００ｎｍ、記録層の膜厚が５〜５０ｎｍ、上部保護層の膜厚が３〜１５ｎｍ、反射層の膜厚が１００〜３００ｎｍであることを特徴とする１）又は２）記載の光記録媒体。
４）  透明基板が、トラックピッチ０．７４±０．０３μｍ、溝深さ２２〜４０ｎｍ、溝幅０．２〜０．３μｍの蛇行溝を有することを特徴とする１）〜３）の何れかに記載の光記録媒体。
【０００６】
以下、上記本発明について詳しく説明する。
本発明の光記録媒体は、透明基板上に下部保護層、少なくともＧａ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｇｅの４元素を含有し転移線速が２０ｍ／ｓ以上である相変化材料からなる記録層、上部保護層、反射層がこの順に積層されている。転移線速とは、各相変化材料に特有の結晶化速度を代用した物理量であり、ここでは１８ｍＷの連続光を照射して結晶質反射率の走査速度依存性を調べた場合に、反射率が急激に低下し始める速度のことを言う。記録層材料として、転移線速が２０ｍ／ｓ以上である相変化材料を用いれば、２０ｍ／ｓ未満で光記録媒体を回転させながら連続光照射しても非晶質化が起こらない。また、転移線速が３０ｍ／ｓ以下であれば、約６〜８倍速の記録線速において非晶質化を容易に行なうことができる。転移線速がこれよりも速くなると、非晶質化が困難となり記録しづらくなる。
【０００７】
記録層材料としては、約６〜８倍速の記録線速に対応可能な相変化材料が要求される。
本発明では、１〜４倍速記録の場合よりも非晶質マークを確実に記録できることが必要不可欠であり、記録層の結晶質状態の吸収係数は高い方が良いが、高すぎると余熱が篭って特性が悪くなってしまう。また、非晶質状態の屈折率は大きい方が良い。従来の記録層材料であるＡｇＩｎＳｂＴｅ系の結晶質状態の屈折率と消衰係数及び非晶質状態の屈折率と消衰係数はそれぞれ２〜４、２〜４、２．５〜４、２．５〜３．５の範囲にあることが望ましいという報告がある（特許文献１参照）。これらの知見を参考にして、本発明者等がＧａＳｂＳｎＧｅ系材料について調査した結果、後述する表１に示すような結果が得られた。なお、表中の「ａｓ−ｄｅｐｏ光学定数」が非晶質状態の光学定数に相当する。
そこで表１の結果を踏まえて、本発明では、記録再生光の波長が６５０〜６６５ｎｍの範囲で、記録線速が２０〜２８ｍ／ｓ（約６〜８倍速）であるとき、記録層の結晶質状態の屈折率Ｎｃと消衰係数Ｋｃ、非晶質状態の屈折率Ｎａと消衰係数Ｋａが次の範囲にある記録材料を用いる。
２．０≦Ｎｃ≦３．０
４．０≦Ｋｃ≦５．０
４．０≦Ｎａ≦５．０
２．５≦Ｋａ≦３．１
また、本発明１ではＧａＳｂＳｎＧｅの４元素以外の元素、例えば、Ｔｅなどの元素を添加させることができる。これらの元素の添加量（原子％）は、ある程度小さな範囲であれば、上記屈折率や消衰係数への影響が少ないので上記数値限定範囲を満たし、かつ、約６〜８倍速の高速記録における記録特性が良好となる。後述する表２に添加元素がＴｅの場合のデータを示したが、５％以下の組成比に抑えることが好ましいことが分る。
【０００８】
また、従来のＡｇＩｎＳｂＴｅ系の相変化型記録材料は、結晶化速度が遅く高線速記録には向いていないため、６〜８倍速では非晶質マークを的確に記録することができない。従って、６〜８倍速でも記録が可能となる新規な相変化型記録材料の開発が求められている。これまでのところ、記録材料として、Ｇａ、Ｓｂ、Ｓｎの３元系やＧａ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｇｅの４元系材料が開発されてきているが、６〜８倍速に十分に対応できる材料は得られていない。そこで、本発明者等は、それぞれの元素の組成比を数％の範囲で突き詰めていくことにより、約６〜８倍速の記録に対応できる記録層材料を開発した。
即ち、これまでの研究で、ＳｂＳｎ化合物は結晶化速度が非常に速いため、記録感度が良好な高速記録媒体を実現できる可能性を持っていることが分った。しかし室温での保存状態が悪いので、ＳｂＳｎ単独では記録層材料としては使えない。そこで、ＧａやＧｅを加えると非晶質化し易くなり記録が行ない易くなる。ＧａやＧｅは結晶化速度を遅くする作用があり、約６〜８倍速の記録線速に対応できるところまで結晶化速度をコントロールすることができる。
【０００９】
従って、本発明の記録層は、Ｇａ、Ｓｂ、Ｓｎ、Ｇｅの４元素の組成比（原子％）を、それぞれα、β、γ、δとして、次の条件を満足するようにすることが望ましい。
２≦α≦１１
５９≦β≦７０
１７≦γ≦２６
２≦δ≦１２
８４≦β＋γ≦８８
α＋β＋γ＋δ＝１００
上記の条件において、Ｓｂが５９％未満では融点が高くなってしまうため感度が悪くなり、Ｓｂが７０％を超えると非晶質マークを記録し難くなり良好な記録特性が得られない。Ｓｎが１７％未満では結晶化速度が遅くなり始めてしまうため感度が悪くなり、Ｓｎが２６％を超えると結晶化速度が速くなりすぎて非晶質化させることが困難となり好ましくない。Ｇａ又はＧｅが２％未満では保存信頼性が悪くなり、Ｇａが１１％又はＧｅが１２％を超えると結晶化温度が高くなりすぎて初期結晶化が困難になり好ましくない。更に、ＳｂとＳｎの合計が８４％未満であったり８８％を超えたりすると、結晶化速度が遅すぎたり速すぎたりしてしまうため、６〜８倍速記録に適した記録層にならない。
【００１０】
図１に、Ｇｅの有無による保存安定性の比較データを示す。例として、Ｇｅを含まない記録層材料であるＧａ１１．９Ｓｂ７３．１Ｓｎ１５では、湿度８５％、温度８０℃の雰囲気下において初期化後の反射率が１００時間後に５．７％も低下するため、結晶状態が変わってしまい記録しづらくなる。また、記録後においても、スペース部の保存状態が悪くなりジッタ特性が悪化する。しかし、Ｇｅが添加された記録層材料であるＧａ５Ｓｂ７０Ｓｎ１７Ｇｅ８では変動が緩和され、初期化後の反射率が９００時間後でも１．５％未満しか低下していない。
図２に、ＧａＳｂＳｎＧｅ系の記録材料の保存特性〔オーバーライト０回、１０回、１０００回（ＤＯＷ０、ＤＯＷ１０、ＤＯＷ１０００）後のジッタ特性〕を示すが、９００時間保存後もジッタの変動は起きていない。
記録層の膜厚は、５〜５０ｎｍの範囲が望ましく、更に好ましくは１０〜２０ｎｍである。５ｎｍより薄いと繰り返し記録による劣化の不具合が生じる。また５０ｎｍより厚いとジッタ特性が悪くなる。
【００１１】
下部保護層材料としては、透明で光を良く通し、かつ融点が１０００℃以上のものが好ましい。主に酸化物、窒化物、硫化物などが用いられるが、中でもＺｎＳとＳｉＯ２の混合物が好ましく、特にＺｎＳ：ＳｉＯ２＝８０：２０（モル比）が好ましい。
膜厚は３０〜１００ｎｍの範囲が望ましい。この範囲から外れると６０％以上の変調度を確実に確保することが困難になる。また、３０ｎｍよりも薄くなると、膜厚に対する反射率変動が大きくなることから安定に作成することが難しく、１００ｎｍより厚いと成膜時間が長くなり、光記録媒体の生産性が落ちる。
上部保護層材料としては、下部保護層の場合と同じ特性を持った材料が好ましい。
膜厚は３〜１５ｎｍの範囲が望ましい。３ｎｍより薄いと記録感度が悪くなったり変調度が低下したりする不具合が生じる。１５ｎｍより厚いと熱が篭り過ぎてしまい、その余熱によって非晶質マークが小さくなり記録特性が悪くなる。
反射層には金属材料が用いられるが、光学特性及び熱伝導率などからＡｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕなどの金属材料及びそれらの合金材料がよく用いられる。
膜厚は１００〜３００ｎｍの範囲が望ましい。１００ｎｍよりも薄い場合は、放熱効果が得られなくなる可能性がある。また、３００ｎｍより厚くしても放熱効果は変わらず、単に必要の無い膜厚を成膜することになる。
【００１２】
透明基板には、一般的にプラスチック製のものが用いられる。プラスチック製基板としては、透明性を有し、かつ平面精度に優れているものであれば特に制限はない。従来から光記録媒体の透明基板として慣用されているものの中から任意に選択して用いることができる。代表例としてはガラス板やポリカーボネート板などが挙げられる。光学定数に関しては、屈折率１．５〜１．６であることが好ましい。
更に、透明基板は、トラックピッチ０．７４±０．０３μｍ、溝深さ２２〜４０ｎｍ、溝幅０．２〜０．３μｍの蛇行溝を有することが好ましい。溝を蛇行させる目的としては未記録の特定トラックにアクセスすることや、基板を一定線速度で回転させることなどがある。本発明の光記録媒体は、約６〜８倍速記録の対応を可能にする目的で作られている。Ｓｎは、ＧａＳｂ系材料に対し、記録特性を向上させ、かつ結晶化速度を速めるために添加されるが、記録層に含まれているＳｎの影響で、反射率が高くなるという現状がある。例えば、透明基板の溝深さが２０ｎｍで、かつ本発明１〜３の条件を満たす光記録媒体について調査した結果、未記録部（結晶質）の反射率は２６〜３２％の範囲に収まることが分った。しかし、この反射率を従来の相変化型光記録媒体である１〜４倍速ＤＶＤ＋ＲＷの反射率と比較すると必要以上に高い。従って互換性を考慮すると、反射率を下げて調整する必要がある。
【００１３】
そこで、本発明４の条件を採用する。例えば、溝深さを３７ｎｍにして調査したところ、反射率を２〜３％程度下げることができた。０．７４±０．０３μｍのトラックピッチを持つＤＶＤディスクでは、トラッキングエラーを検知するのに使われる信号として、プッシュプル信号が主に抽出されている。プッシュプル信号は、ＤＶＤで用いられているレーザー波長６６０ｎｍにおいて、前記透明基板を用いると溝深さが５５ｎｍである時に最も大きな信号強度を得ることができる。反射率を低く調整し、かつエラー信号の振幅を大きくするためには溝深さは深い方が良いが、記録特性も考慮すると、２２〜４０ｎｍの範囲にあることが好ましい。また、溝幅は記録特性や信号特性を考慮すると０．２〜０．３μｍの範囲にあるのが望ましいことが分った。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、２０〜２８ｍ／ｓ（約６〜８倍速）で繰り返し記録が可能であり、記録特性や保存特性も良好なＤＶＤ＋ＲＷ媒体、更には、記録層の反射率を適度に下げたＤＶＤ＋ＲＷ媒体を提供できる。
【実施例】
【００１５】
以下、実施例及び比較例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明は、これらの実施例により限定されるものではない。
【００１６】
［実施例１〜７、比較例８〜１９］
トラックピッチ０．７４μｍ、溝深さ２７ｎｍ、溝幅０．２７μｍのポリカーボネート透明基板上に、下部保護層ＺｎＳ−ＳｉＯ２を厚さ６０ｎｍ、表１に示す記録層材料からなる記録層を厚さ１６ｎｍ、上部保護層ＺｎＳ−ＳｉＯ２を厚さ７ｎｍ、中間層ＳｉＣを厚さ４ｎｍ、反射層Ａｇを厚さ１４０ｎｍ、この順に積層したディスクを作成した。このディスクを相変化ディスク用初期化装置で初期化し、ＤＶＤ＋ＲＷディスクとした。初期化はビーム幅４８μｍの光ヘッドを用い、パワー１３００ｍＷ（ここでは、ＬＤの消費電力であり、照射パワーとは異なる）、走査速度１８．５ｍ／ｓ、送り３０μｍ／回転の条件で結晶化することで行なった。
上記ディスクの記録層は全て、２０ｍ／ｓ以上の充分な転移線速をもった様々な光学定数のＧａＳｂＳｎＧｅ系材料からなる。これらのディスクについて、記録線速を６倍速（２０．９ｍ／ｓ）及び８倍速（２７．９ｍ／ｓ）にして良好な記録特性が得られるかどうかを調査した。記録は、非晶質マークを形成させるためのピークパワーＰｐ、急冷効果を与えるためのボトムパワーＰｂ、結晶質を形成させて情報を消去するためのイレースパワーＰｅの３レベル（Ｐｐ＞Ｐｅ＞Ｐｂ）を持つ２Ｔ周期記録ストラテジで強度変調を繰り返すことにより行なった。パルス発生装置は日本テクトロニクス社製ＤＴＧ−５２７４であり、設定分解能は３．３４８３５２ＧＨｚである。使用した評価装置は、パルステック社製のＤＤＵ−１０００であり、記録パワーのスペックはＰｐで最大４０ｍＷ、Ｐｅで最大１８ｍＷである。Ｐｂは０．１ｍＷに固定して記録を行なった。記録特性の良し悪しを決めるための判定条件に用いた数値は、「Ｄａｔａ  ｔｏ  Ｃｌｏｃｋ  ｊｉｔｔｅｒ（データ・ツー・クロック・ジッタ、以下、ＤＣジッタという）」及び「変調度」である。ＤＣジッタは、１倍速で再生したときのウィンドウ幅Ｔｗ（対応するマーク長は約０．１３３３μｍ）と、それを単位とした９種類のマーク（３Ｔｗ〜１１Ｔｗマーク）の、端部のずれを数値化したものであり、小さい値の方が特性が良いことを意味する。変調度は、結晶質と非晶質の反射率差が結晶質の反射率に対してどれくらいの割合を占めているかを表すものである。反射率差が大きい方が２値化し易いため変調度は大きい方が良い。評価基準は次の通りであり、数値はオーバーライト１０回（ＤＯＷ１０）後のものである。
＜ＤＣジッタ＞  ○：９％以下、  △：１１％以下、  ×：１１％を超える場合
＜変調度＞  ○：６０％以上、  ×：６０％未満
【００１７】
【表１】
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【００１８】
＜ＳｂとＳｎの合計組成比（原子％）に関する記録特性比較＞
実施例２及び下記実施例２０〜２３のディスクについて、記録特性を比較した。
実施例２、２０、２１のディスクについては、ピークパワーを変化させた場合の８倍速でのＤＯＷ１０のＤＣジッタの比較結果を図３に示し、実施例２２、２３については表１に結果を示す。
実施例２（Ｓｂ＋Ｓｎ＝８１．８原子％）の記録特性を評価したところ、６倍速及び８倍速でのＤＯＷ１０のボトムジッタは、それぞれ８．９％、１３．９％であった。
［実施例２０］
記録層材料をＧａ７Ｓｂ６９Ｓｎ１８Ｇｅ６（Ｓｂ＋Ｓｎ＝８７原子％、Ｎｃ＝２．２５、Ｋｃ＝４．９０、Ｎａ＝４．３０、Ｋａ＝３．０１）に変えた点以外は実施例１と同様にしてディスクを作成し、記録特性を評価したところ、６倍速及び８倍速でのＤＯＷ１０のボトムジッタが、それぞれ７．９％、７．７％となり良好な特性となった。
［実施例２１］
記録層材料をＧａ５Ｓｂ７０Ｓｎ２０Ｇｅ５（Ｓｂ＋Ｓｎ＝９０原子％、Ｎｃ＝２．３５、Ｋｃ＝５．００、Ｎａ＝４．２９、Ｋａ＝３．０９）に変えた点以外は実施例１と同様にしてディスクを作成し、記録特性を評価したところ、６倍速及び８倍速でのＤＯＷ１０のボトムジッタが、それぞれ１４．５％、１３．７％となった。
［実施例２２］
記録層材料をＧａ１１Ｓｂ６４Ｓｎ２０Ｇｅ５（Ｓｂ＋Ｓｎ＝８４原子％、Ｎｃ＝２．６１、Ｋｃ＝４．３２、Ｎａ＝４．３０、Ｋａ＝３．０５）に変えた点以外は実施例１と同様にしてディスクを作成し、記録特性を評価したところ、６倍速及び８倍速でのＤＯＷ１０のボトムジッタが、それぞれ８．５％、８．９％となり良好な特性となった。
［実施例２３］
記録層材料をＧａ６Ｓｂ６６Ｓｎ２２Ｇｅ６（Ｓｂ＋Ｓｎ＝８８原子％、Ｎｃ＝２．３０、Ｋｃ＝４．８１、Ｎａ＝４．３１、Ｋａ＝２．８７）に変えた点以外は実施例１と同様にしてディスクを作成し、記録特性を評価したところ、６倍速及び８倍速でのＤＯＷ１０のボトムジッタが、それぞれ８．２％、８．８％となり良好な特性となった。
【００１９】
＜溝深さによるジッタ、変調度、反射率比較＞
図４〜図６に、実施例３、２４、２５の各ディスクについて、ピークパワーを変化させた場合のＤＣジッタ、変調度、反射率の比較結果を示す。
表１に示した実施例３の６倍速及び８倍速でのＤＯＷ１０のボトムジッタは、それぞれ８．０％、８．４％であり、変調度も６１．５％と良好で、その時の未記録部の反射率（Ｒ１４Ｈ）が２６．５％となった。
［実施例２４］
基板の溝深さを３７ｎｍに変えた点以外は、実施例３と同様にしてディスクを作成し、記録特性を評価したところ、６倍速及び８倍速でのＤＯＷ１０のボトムジッタが、それぞれ８．２％、８．６％、変調度６１．７％と良好で、その時の未記録部の反射率（Ｒ１４Ｈ）が２４．４％となった。
［実施例２５］
基板の溝深さを４２ｎｍに変えた点以外は、実施例３と同様にしてディスクを作成し、記録特性を評価したところ、６倍速及び８倍速でのＤＯＷ１０のボトムジッタが、それぞれ９．７％、１０．２％とやや悪化し、変調度６１．６％、その時の未記録部の反射率（Ｒ１４Ｈ）が２２．１％となった。低反射率にすることはできるが記録特性がやや悪化した。
【００２０】
［実施例２６］
記録層材料をＧａ７Ｓｂ６８Ｓｎ１５Ｇｅ６Ｔｅ４に変えた点以外は実施例１と同様にしてディスクを作成し、記録特性を評価した。結果を表２に示す。
［実施例２７］
記録層材料をＧａ５Ｓｂ６８Ｓｎ１５Ｇｅ７Ｔｅ５に変えた点以外は実施例１と同様にしてディスクを作成し、記録特性を評価した。結果を表２に示す。
［比較例２８］
記録層材料をＧａ３Ｓｂ６８Ｓｎ１５Ｇｅ８Ｔｅ６に変えた点以外は実施例１と同様にしてディスクを作成し、記録特性を評価した。結果を表２に示す。
［比較例２９］
記録層材料をＧａ３Ｓｂ６７Ｓｎ１４Ｇｅ８Ｔｅ８に変えた点以外は実施例１と同様にしてディスクを作成し、記録特性を評価した。結果を表２に示す。
【表２】
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上記表２から分るように、比較例２８、２９ではＮｃが３．０を超え、ジッタ、変調度共に良好な結果が得られなかった。
【００２１】
以上の実施例及び比較例から、本発明１で規定する光学定数を持つＧａＳｂＳｎＧｅ系相変化型記録材料を用いれば、６〜８倍速の記録線速での記録が可能であることが実証された。また、実施例２、２０〜２３から、ＳｂとＳｎの合計組成比が本発明２で規定する範囲にあれば、一層良好な記録特性と保存安定性が得られることが分る。
また、実施例３、２４、２５から、本発明４の溝条件を満足すれば良好な記録特性を保ちつつ、反射率を低くコントロールできることが分る。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】記録材料Ｇａ５Ｓｂ７０Ｓｎ１７Ｇｅ８とＧａ１１．９Ｓｂ７３．１Ｓｎ１５．０の、初期化後の反射率の保存安定性を比較した結果を示す図。
【図２】記録材料Ｇａ５Ｓｂ７０Ｓｎ１７Ｇｅ８の保存特性（初回記録及びオーバーライト後のジッタ特性）を示す図。
【図３】実施例２、２０、２１のＳｂとＳｎの合計組成比（原子％）に関する記録特性比較図。
【図４】実施例３、２４、２５のＤＣジッタの比較結果を示す図。
【図５】実施例３、２４、２５の変調度の比較結果を示す図。
【図６】実施例３、２４、２５の未記録部反射率の比較結果を示す図。
【図７】ＧａＳｂＳｎＧｅ系８倍速記録特性の、Ｓｂ＋Ｓｎの組成依存性の実験結果を示す図。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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