(57)【要約】【課題】  ダイシングされた半導体チップを安定してコレットに吸着させるためのチップ突き上げステージを提供する。【解決手段】  チップ受け台には、コレットでピックアップするチップに隣接するチップの内縁部を支持する領域に方形状の真空吸着溝を形成し、その溝の底面部に設けた真空吸着孔を通じて、複数のチップが貼り付けられた粘着シートをそのチップ受け台に吸着する。コレットでチップをピックアップするにあたって、チップの面積に対して一定比率の面積を有する突き上げブロックでそのチップを突き上げる。【選択図】    図1
2006147705.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の移送装置であって、
複数の半導体装置が貼り付けられたシートを裁置する支持台と、
そのシートを支持台に真空吸着する手段と、
シートを介して支持台上の半導体装置を突き上げる柱状の部材と、
シートとは反対側で半導体装置を保持しながらシートから離れる方向に移動してシートからその半導体装置を分離するコレットとを備え、
前記支持台は、シートから分離する半導体装置に隣接する半導体装置の分離する半導体装置側の内縁部を支持する領域に真空吸着孔を有し、
前記真空吸着手段は、その真空吸着孔を通じてシートを支持台に吸着する
半導体装置の移送装置。
【請求項２】
前記支持台は、前記領域を通る方形状の溝をシートの支持面に有し、
前記真空吸着孔は、前記方形状の溝の底面部に配置した請求項１記載の半導体装置の移送装置。
【請求項３】
前記支持台は、円形状の溝をシートの支持面に有するとともに、前記円形状の溝の底面部にも真空吸着孔を有し、
前記真空吸着手段は、前記円形状の溝の孔および前記領域の孔を通じてシートを支持台に吸着する請求項１記載の半導体装置の移送装置。
【請求項４】
前記真空吸着手段は、シートから分離する半導体装置を突き上げるとき、その半導体装置の部分でシートを支持台に吸着せず、前記真空吸着孔を通じてシートを支持台に吸着する請求項１記載の半導体装置の移送装置。
【請求項５】
前記突き上げ部材は、半導体装置のシートとの接触面の５％から３０％までの面積を有する面でシートと接触する請求項５記載の半導体装置の移送装置。
【請求項６】
半導体装置の移送装置であって、
複数の半導体装置が貼り付けられたシートを裁置する支持台と、
そのシートを支持台に真空吸着する手段と、
シートを介して支持台上の半導体装置を突き上げる柱状の部材と、
シートとは反対側で半導体装置を保持しながらシートから離れる方向に移動してシートからその半導体装置を分離するコレットとを備え、
前記突き上げ部材は、半導体装置のシートとの接触面の５％から３０％までの面積を有する面でシートと接触する
半導体装置の移送装置。
【請求項７】
半導体装置の移送装置であって、
複数の半導体装置が貼り付けられたシートを裁置する支持台と、
そのシートを支持台に真空吸着する手段と、
シートを介して支持台上の半導体装置を突き上げる柱状の部材と、
シートとは反対側で半導体装置を保持しながらシートから離れる方向に移動してシートからその半導体装置を分離するコレットとを備え、
前記突き上げ部材は、半導体装置のシートとの接触面の５％から３０％までの面積を有する面でシートと接触し、
前記支持台は、シートから分離する半導体装置に隣接する半導体装置の分離する半導体装置側の内縁部を支持する領域に真空吸着孔を有し、
前記真空吸着手段は、その真空吸着孔を通じてシートを支持台に吸着する
半導体装置の移送装置。
【請求項８】
半導体装置の移送装置であって、
複数の半導体装置が貼り付けられたシートを裁置する支持台と、
支持台の中央部に形成された貫通孔に往復動可能に挿嵌され、シートを介して中央部の半導体装置を突き上げる柱状の部材と、
前記突き上げ部材と同じ方向に移動可能で、シートとは反対側で中央部の半導体装置を保持するコレットとを備え、
前記支持台は、中央部の半導体装置に隣接する半導体装置の中央部側の内縁部を支持する領域を通り、前記貫通孔を取り囲む方形状の真空吸着溝を有する
半導体装置の移送装置。
【請求項９】
請求項８記載の半導体装置の移送装置を有したダイボンディング装置。
【請求項１０】
半導体装置の移送方法であって、
複数の半導体装置が貼り付けられたシートから分離する半導体装置に隣接する半導体装置の分離する半導体装置側の内縁の部分でシートを支持台に真空吸着するステップと、
支持台に吸着されているシートから分離する半導体装置を柱状の部材でシートを介して突き上げるステップと、
突き上げられた半導体装置をシートとは反対側から保持したコレットをシートから離れる方向に移動させて、シートからその半導体装置を分離するステップと、
を備えた半導体装置の移送方法。
【請求項１１】
前記突き上げるステップは、半導体装置のシートとの接触面の５％から３０％までの面積を有した面でシートと接触する部材を用いて行う請求項１０記載の半導体装置の移送方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置を製造する工程の１つであるダイボンディングなどの実装工程において、個片にダイシングされた半導体装置を搬送する機構および方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に半導体集積回路装置を製造する工程では、円板状のウエハに、多数の矩形のチップが２次元状に規則正しく配列されて形成される。それらの装置は実装に供するためダイシングし、ＩＣチップ個片に切り分ける。そのダイシングの際、予めウエハには、合成樹脂などから作られている伸び性のある粘着シート、いわゆるダイシングテープを貼り付ける。切り分けたＩＣチップの個片はダイシングテープに付着させたまま、まとめて例えばダイボンディング装置に付属するチップ受け台上へ移す。
【０００３】
ＩＣチップの個片は、そのチップ受け台上でダイシングテープから分離する。特許文献１や特許文献２は、ダイシングテープからＩＣチップを分離するための装置を開示している。
【０００４】
特許文献１に記載の分離装置では、チップ受け台に複数の溝を形成している。真空吸着でその溝にダイシングテープを引き込み、ダイシングテープを部分的にチップから剥離する。部分的にチップからダイシングテープを剥離すると、ダイシングテープとは反対側からピックアップツールでチップを真空吸着する。その真空吸着でピックアップツールがチップを保持した状態でピックアップツールを上昇させ、ダイシングテープからチップを分離する。部分的な剥離を事前に行っておくだけでは分離が難しいようなときには、突き上げ針を用いている。ピックアップツールの上昇と同期してチップの下面に突き上げ針を突き上げてそのチップをダイシングテープから分離する。ただし、突き上げ針を用いると、チップ裏面に接触する面積が極めて小さく針先に荷重が集中するので、その荷重によってチップを損傷する危険性がある。特に裏面研磨によって厚さが減少した薄型のチップではその危険性が高くなる。
【０００５】
特許文献２に記載の分離装置では、チップの損傷を避けるため、ダイシングテープから分離するチップの外周に沿って溝をチップ受け台に形成している。この溝を通じてダイシングテープをチップ受け台に真空吸着することで、そのチップの分離前にチップの周辺部分からダイシングテープを剥がしている。チップより少しだけ小さな面を有する可動軸を使ってチップを突き上げると、剥離する量はさらに増える。複数の可動軸を同心円状に配列した例では、それら全ての可動軸でチップを突き上げてから一部の可動軸を下降させることで、剥離を促進している。チップの周辺部分でダイシングテープが剥離すると、コレットを使ってダイシングテープからチップを分離するのが容易になる。
【特許文献１】特開２０００−１９５８７７号公報（第５頁、第６図）
【特許文献２】特開２０００−３５３７１０号公報（第６頁、第４図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献２に記載されているように柱状の部材でチップを突き上げるとき、対象のチップだけでなく、そのチップに隣接するチップの部分までダイシングテープが支持台から離れてしまう場合がある。隣接するチップの部分まで支持台から離れてしまうと、対象のチップの部分でダイシングテープの剥がれる量が少なくなる。分離対象のチップに粘着している部分が多くなると、コレットを使ってダイシングテープからチップを安定して分離することが困難になる。
【０００７】
本発明は、このような従来の技術における課題を鑑みてなされたものであり、ダイシングテープのようなシートに貼り付けられた半導体装置を安定してそのシートから分離することのできる半導体装置の移送装置および移送方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述の目的を達成するために、本発明は、以下のような構成を採用した半導体の移送装置を提供する。この移送装置では、複数の半導体装置が貼り付けられたシートを支持台に裁置する。支持台上の半導体装置は、シートを介して柱状の部材で突き上げられる。コレットは、シートとは反対側で半導体装置を保持しながらシートから離れる方向に移動してシートからその半導体装置を分離する。この分離のため、シートは支持台に真空吸着される。支持台は、シートから分離する半導体装置に隣接する半導体装置の分離する半導体装置側の内縁部を支持する領域に真空吸着孔を有している。真空吸着手段は、その真空吸着孔を通じてシートを支持台に吸着する。
【０００９】
シートから分離する半導体装置に隣接する半導体装置の内縁部で、分離対象の半導体装置側に設けた孔を通じてシートを支持台に真空吸着することで、対象の半導体装置を柱状の部材で突き上げても、その半導体装置に隣接する半導体装置の部分までシートが支持台から離れてしまうのを避けることができる。このため対象の半導体装置の部分でシートが多く剥がれ、コレットを使ってシートから半導体装置を安定して分離することが可能となる。
【００１０】
支持台には、隣接装置の内縁部を支持する領域を通る方形状の溝を設けることができる。その場合、真空吸着孔はその溝の底面部に配置する。これにより、隣接装置の内縁部の部分でシートを均一かつさらに確実に吸着することができる。
【００１１】
また支持台に円形状の溝を設けている場合には、その溝とは別の位置に真空吸着孔を設けるようにしてもよい。溝が円形状であれば、溝の一部が隣接装置の内縁部にあっても他の部分が内縁部から離れてしまう。このため円形状の溝とは別個に、隣接装置の内縁部を支持する領域に真空吸着孔を設け、その真空吸着孔と円形状の溝の底面部に設けた真空吸着孔を通じてシートを支持台に真空吸着するようにしてもよい。
【００１２】
またシートから分離する半導体装置を突き上げるとき、その半導体装置の部分でシートを支持台に吸着せず、隣接装置の内縁部を支持する領域に設けた真空吸着孔を通じてシートを真空吸着するようにしてもよい。
【００１３】
また上述の目的は、突き上げ部材のシートとの接触面の面積を半導体装置のシートとの接触面の５％から３０％までの間にすることでも達成することができる。分離対象の半導体装置とあまり変わらない大きさの接触面を有する部材を用いると、その接触面で押えているためにその半導体装置の部分でシートが剥がれる量が限られてしまう。さらに隣接装置の部分までシートが支持台から離れてしまい易くなる。このため、分離対象の半導体装置の部分でシートが剥がれ難くなり、その半導体装置とシートの間の保持力を十分に弱めることができない。また突き上げ部材のシートとの接触面が小さいと、突き上げ時の半導体装置の姿勢が不安定になるとともに、突き上げ針を用いる場合のように半導体装置を損傷する危険性も増大する。上述のような突き上げ部材を用いれば、分離対象の半導体装置の部分でシートが多く剥がれ、また突き上げ時の半導体装置の姿勢が崩れず、半導体装置を損傷する危険性も抑えられる。従って、半導体装置をシートから安定して分離することができる。
【００１４】
このような突き上げ部材を用いて分離対象の半導体装置を突き上げるとともに、上述のように隣接装置の内縁部を支持する領域に設けた孔を通じてシートを支持台に真空吸着すれば、半導体装置をシートからさらに安定して分離することができる。
【００１５】
突き上げ部材は、例えば支持台の中央部に形成された貫通孔に往復動可能に挿嵌され、支持台が形成する面より突出する位置まで移動することで、シートを介して中央部の半導体装置を突き上げる。この突き上げにより、中央部の半導体装置の内縁部分でシートが剥がれ、その半導体装置をシートから分離し易くなる。方形状の真空吸着溝は、中央部の半導体装置に隣接する半導体装置の部分でシートが支持台から離れてしまうのを避けるため、隣接装置の中央部側の内縁部を支持する領域を通り、中央部の貫通孔を取り囲む形で支持台に形成する。
【００１６】
このような半導体装置の移送装置は、ダイボンディング装置で利用することができる。ダイボンディング装置に付随する装置で上述のような構成を採用すれば、安定して半導体装置をピックアップし、ダイボンディングのために中間位置決めテーブルへ移送することが可能となる。
【００１７】
また別の観点では、本発明は半導体装置の移送方法を提供する。この方法では、複数の半導体装置が貼り付けられたシートから分離する半導体装置に隣接する半導体装置の分離する半導体装置側の内縁の部分でシートを支持台に真空吸着し、支持台に吸着されているシートから分離する半導体装置を柱状の部材でシートを介して突き上げる。そして、突き上げられた半導体装置をシートとは反対側から保持したコレットをシートから離れる方向に移動させる。これによって、シートからその半導体装置を安定して分離する。
【発明の効果】
【００１８】
上述の構成を採用することにより、本発明では、薄型の半導体装置でもシートから安定して分離することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
（第１の実施形態）  以下、本発明の第１の実施形態に係る半導体チップの移送機構、方法について、図面を参照しながら説明する。図１はダイボンディング装置に付属した半導体チップ移送機構のうち、半導体チップの突き上げブロック部分を示す斜視図である。この図では、突き上げブロック１の形状を簡単に示すため、ダイシングテープ２を裁置する支持台を示していない。この突き上げブロック１は様々な支持台に対して利用可能である。
【００２０】
図１に示すように、ダイシングテープ２上には複数の半導体チップ３が配置されている。これらのチップ３はウエハに形成された状態から、前工程でのダイシングによって、個々のチップに切り分けられたものである。それらのチップ３は方形状であり、図の例ではその一辺が長さＬ１で、他辺が長さＬ２で与えられている。方形状のチップ３は、２次元状に縦横に規則正しく配列される。図１に示されているチップ３は一部であり、実際にはさらに多数のチップが配列される。
【００２１】
ダイシングテープ２は、可撓性樹脂などからなるシート状の部材で、例えば塩ビ系合成樹脂のように伸び性に富む素材でつくられている。複数の半導体チップ３はダイシングで切り離されてからもこのダイシングテープ２に貼り付けられている。その状態でダイシングテープ２は支持台に裁置され、図示しない真空源により支持台に真空吸着される。
【００２２】
突き上げブロック１は、ダイシングテープ２から半導体チップ３を一つずつ分離するために用いる柱状の外形を有する部材である。その分離のために、半導体チップ３を上方に突き上げる。この実施の形態では、突き上げブロック１は矩形の上面部１Ａを有している。突き上げの際には、この上面部１Ａがダイシングテープ２と接触する。ダイシングテープ２から分離するチップ３Ｓの中心とその上面部１Ａの中心は、図示しない走査機構によって水平方向（矢印Ｙ１方向）に正確に位置合わせされる。また突き上げのため、突き上げブロック１は上下方向（矢印Ｙ２方向）へ往復動可能に支持台に設けられる。図２は突き上げブロックが半導体チップを突き上げる前後の状態を示す。
【００２３】
突き上げ前には図２Ａに示すように、突き上げブロック１の上面部１Ａがダイシングテープ２の下面とほぼ同じ高さに位置している。突き上げの際には突き上げブロック１が上向きに移動する。この移動で突き上げブロック１はダイシングテープ２を介してチップ３Ｓを突き上げる。
【００２４】
コレット４は、ダイシングテープ２とは反対側から、突き上げられたチップ３Ｓを真空吸着でピックアップする。コレット４はダイシングテープ２から離れる方向に移動して、保持したチップ３Ｓをダイシングテープ２から分離し、図示しないボンディングステージへそのチップ３Ｓを移載する。
【００２５】
突き上げの際、図２Ｂに示すようにそのチップ３Ｓの部分でダイシングテープ２が剥がれると、そのチップ３Ｓとダイシングテープ２との間の保持力が弱まる。その場合、コレット４は比較的容易にダイシングテープ２からそのチップ３Ｓを分離することができる。
【００２６】
この実施の形態における半導体チップの移送機構では、ダイシングテープ２からチップ３を安定して分離するため、チップ３の面積に対して一定の比率の面積を上面部１Ａが有した突き上げブロック１を採用している。チップ３に対する突き上げ面の面積比は０．０５〜０．３が好ましく、さらに好ましくはその面積比が０．０８〜０．１である。面積比が０．０５より小さくなると、突き上げブロック１でチップ３を突き上げたとき、そのチップ３を損傷する可能性が大きくなる。またチップ３の姿勢が不安定になりそのチップ３を水平に保つことが困難になる。このためそのチップ３が損傷しなかったとしても、コレット４で十分にチップ３を保持できず、そのチップ３をダイシングテープ２から安定して分離するのが困難になる。また面積比が０．３を超えた場合も、安定した分離が難しくなる。面積比が大きくなると、突き上げブロック１がダイシングテープ２を押える面積も増え、分離するチップ３の部分で剥がれる量が突き上げブロック１によって限られてしまう。また面積比が大きくなると、図３Ａに示すように、ダイシングテープ２から分離するチップ３Ｓの部分だけでなく、そのチップ３Ｓに隣接するチップ３Ａの部分でもダイシングテープ２が支持台から離れてしまい易くなる。隣接するチップ３Ａの部分でもダインシングテープ２が支持台から離れてしまうと、チップ３Ｓの部分でダイシングテープ２が剥がれ難くなる。その結果、ダイシングテープ２とそのチップ３Ｓとの間の保持力は十分に弱まらず、コレット４で安定してそのチップ３Ｓをダイシングテープ２から分離するのが難しくなる。
【００２７】
ここでは図１に示すように、突き上げブロック１の上面部１Ａの一辺が長さＢ１で他辺が長さＢ２で与えられている。長さＬ１と長さＢ１の関係は、Ｌ１＝０．３×Ｂ１で、長さＬ２と長さＢ２の関係は、Ｌ２＝０．３×Ｂ２で表される。すなわち、この実施の形態における半導体チップの移送機構では、チップ３に対する上面部１Ａの面積比は０．０９である。
【００２８】
面積比を０．０９にすることで、チップ３の約９０％の部分でダイシングテープ２を剥がすことができる。突き上げブロック１が上昇するに連れて、ダイシングテープ２の剥がれる部分がそのチップ３の縁部から中心部へ移っていく。図３Ｂに示すように、面積比を０．９にすることで上面部１Ａからチップ３Ｓの外縁までの距離が大きくなり、そのチップ３Ｓに隣接するチップ３Ａの部分でダイシングシート２が支持台から離れ難くなる。その分、チップ３Ｓの部分ではダイシングテープ２が剥がれ易くなり、最終的に約９０％の部分でダイシングテープ２がそのチップ３Ｓから剥がれたときには、図３Ａの場合よりもダイシングテープ２の剥がれた部分とチップ３Ｓとが形成する角度Ｄ１は大きくなる。
【００２９】
約９０％の部分でダイシングテープ２がそのチップ３Ｓから剥がれることで、ダイシングテープ２とそのチップ３Ｓとの間の保持力も十分に弱まる。また約１０％の部分でチップ３の傾きが妨げられるため、チップ３の姿勢は水平に保たれる。従って、安定した状態でコレットはチップ３をピックアップすることができる。
【００３０】
このように面積比を０．０８〜０．１にすることにより、チップ３の損傷や姿勢の不安定化を招かない範囲で、突き上げたチップ３の部分でダイシングテープ２の剥がれる量を極大化することができる。
【００３１】
（第２の実施形態）  図４は本発明の第２実施の形態に係るダイボンディング装置に付随する半導体チップ移送機構において、チップ受け台を示す平面図であり、図５は図４のＡ−Ａ’線で切断したときの移送機構の断面図である。
【００３２】
この実施の形態における半導体チップの移送機構において、支持台５には、ダイシングによって切り分けられた複数の半導体チップ３が貼り付けられたダイシングテープ２が裁置される。図４中ではそのうちのチップ３Ｓおよび３Ａを示している。支持台５の中央部Ｐ０には上下方向に貫通孔Ａ０が形成されており、その貫通孔Ａ０には柱状の外形を有した突き上げブロック１が往復動可能に嵌挿されている。分離するチップ３Ｓの中心はこの支持台５の中央部Ｐ０に配置される。突き上げブロック１は、ダイシングテープ２を介して中央部Ｐ０の半導体チップ３Ｓを突き上げる。コレット４は突き上げブロック１と同様に上下方向移動可能であり、ダイシングテープ２とは反対側から中央部Ｐ０の半導体チップ３Ｓを保持し、そのチップ３Ｓをダイシングテープ２から分離する。
【００３３】
支持台５の上面には、図に示すように、四辺形の真空吸着溝６が形成されている。この真空吸着溝６は貫通孔Ａ０を取り囲み、中央部Ｐ０の半導体チップ３Ｓに隣接するチップ３Ａの中央部Ｐ０側の内縁部を支持する領域Ｒ１を通る。図４および図５の例では、真空吸着溝６の底面部６１に４つの真空吸着孔７が形成されている。真空吸着孔７もその領域Ｒ１内に配置されている。真空吸着孔７は、支持台５の内室５１に通じており、その内室５１には真空源８が接続されている。
【００３４】
この実施の形態における半導体チップの移送機構では、真空吸着溝６の外側にもさらに大きな四辺形の真空吸着溝９が形成されている。こちらの真空吸着溝９は隣接チップ３Ａの外側の周辺部を支持する領域を通る。その真空吸着溝９の底面部９１にも、溝６と同様に４つの真空吸着孔１０が形成されている。
【００３５】
支持台５に裁置されたダイシングテープ２は、これらの真空吸着孔７、１０および溝６、９を通じて支持台５に真空吸着される。この例では中央部Ｐ０の半導体チップ３Ｓを支持する領域に真空吸着孔や溝を設けておらず、その領域では、ダイシングテープ２を真空吸着していない。
【００３６】
ダイシングテープ２が支持台５に真空吸着された状態で、図示しない駆動機構により、突き上げブロック１が貫通孔Ａ０に沿って上昇する。これによって中央部Ｐ０の半導体チップ３Ｓは突き上げられる。突き上げられる高さは支持台５の裁置面１０１上から、例えば約０．５ｍｍである。
【００３７】
分離する半導体チップ３Ｓに隣接するチップ３Ａの中央部Ｐ０側の内縁部で少なくともダイシングテープ２が十分に吸着されていないと、図６に示すように、突き上げブロック１が上昇したとき、隣接するチップ３Ａの部分までダイシングテープ２が支持台５から離れてしまう。隣接するチップ３Ａの部分までダイシングテープ２が支持台５から離れてしまうと、突き上げたチップ３Ｓの部分でダイシングテープ２の剥がれる量が少なくなる。チップ３Ｓの部分でダイシングテープ２の剥がれる量が少なくなると、ダイシングテープ２とチップ３Ｓとの間の保持力が十分に弱まらない。このためコレット４がダイシングテープ２からチップ３Ｓを安定して分離することが難しくなる。
【００３８】
図５に示したような隣接チップ３Ａの中央部Ｐ０側の内縁部を支持する領域Ｒ１を通る四辺形の溝６やその領域Ｒ１内に配置された真空吸着孔７は、隣接チップ３Ａの部分でダイシングテープ２が剥がれてしまうのを抑える。溝６や孔７をその領域Ｒ１に配置することで、隣接チップ３Ａの内縁の部分でダイシングテープ２をより確実に支持台５に吸着することが可能となる。さらにその溝６の形状を四辺形にすることで、その溝６は隣接チップ３Ａの中央部Ｐ０側の辺に沿う。このため、その辺に渡って強い吸着力を確保することができ、隣接チップ３Ａの部分までダイシングテープ２が浮き上がってしまうのをさらに確実に避けることができる。
【００３９】
隣接チップ３Ａの部分までダイシングテープ２が支持台５から浮き上がってしまうのを避けることで、突き上げたチップ３Ｓの部分でダイシングテープ２がチップ３Ｓから剥がれ易くなる。それによって、ダイシングテープ２とチップ３Ｓとの間の保持力が弱くなるので、コレット４がダイシングテープ２からチップ３Ｓを安定して分離することが可能となる。
【００４０】
このように隣接チップ３Ａの中央部Ｐ０側の内縁の部分でダイシングテープ２を確実に支持台５に吸着していれば、突き上げブロック１の上面部の面積比が０．３より多少大きくなっても、突き上げに伴ってダイシングテープ２をチップ３Ｓから剥がすことができる。
【００４１】
さらに図７に示すように、第２の実施の形態における半導体チップの移送機構において、第１の実施の形態で説明したような突き上げブロック１を用いるようにしてもよい。突き上げブロック１の上面部１Ａの面積比を０．０５〜０．３にすることで、隣接チップ３Ａの部分でダイシングテープ２は浮き上がり難い。真空吸着のための溝６や孔７を領域Ｒ１に設けることで、ダイシングテープ２の浮き上がりがさらに確実に抑えられる。チップ３Ｓの部分では突き上げ時にダイシングテープ２の剥がれる量が増える。このためコレット４がダイシングテープ２からチップ３Ｓをさらに安定して分離することが可能となる。
【００４２】
また図８に示すように、領域Ｒ１を通る溝は設けずその領域Ｒ１に真空吸着孔７を設けるようにしてもよい。この例では、支持台５上には円形の真空吸着溝１１が複数設けられている。各溝１１の底面部には内室５１につながる４つの真空吸着孔１２がそれぞれ配置されており、これらの真空吸着溝１１および真空吸着孔１２を通じてもダイシングテープ２が支持台５に吸着される。
【００４３】
しかしながら、真空吸着溝が円形で領域Ｒ１からその溝１１が外れていると、突き上げブロック１でチップ３Ｓを突き上げたときに、そのチップ３Ｓに隣接するチップ３Ａの部分で十分な吸着力が得られず、図６の例と同様、突き上げによってチップ３Ａの部分でもダイシングテープ２が支持台５から浮き上がってしまう。この場合でも、領域Ｒ１に真空吸着孔７を設け、その真空吸着孔７を通じてもダイシングテープ２を支持台５に真空吸着することで、突き上げによって隣接チップ３Ａの部分でもダイシングテープ２が浮き上がるのを防止することができる。
【００４４】
このようにして一つのチップ３をダイシングテープ２からピックアップすると、次のチップ３について位置合わせが行われる。位置合わせがすめば、そのチップ３をダイシングテープ２からコレット４でピックアップする。これを繰り返すことで、複数のチップ３を順次ダイシングテープ２から分離する。
【００４５】
なお、上述の実施の形態では、突き上げる半導体チップ３Ｓに隣接するチップ３Ａのチップ３Ｓ側の内縁部を支持する領域Ｒ１を支持台５に真空吸着していた。これにより、コレットによる安定した半導体チップのピックアップを実現しながら移送機構の構成を比較的簡素にできる。これに代えて、またはそれとともに、その領域Ｒ１の部分でテープまたは半導体チップをコレット４側から物理的に支持する機構を用いるようにしてもよい。その機構によって、チップ３Ｓの突き上げ時にチップ３Ａの部分でもダイシングテープ２が浮き上がるのを防止する。例えばチップ３Ｓに隣接する領域にあったチップがすでにダイシングテープ２からピックアップされているような場合に、その領域については支持機構でダイシングテープ２の浮き上がりを防止するようにしてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本発明は、ボンディング装置に限らず半導体チップを保持し他の部分へ移送しようとする移送機構を有する装置に応用して有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】第１の実施の形態に係る半導体チップの移送機構の要部を説明する斜視図
【図２】第１の実施の形態に係る半導体チップの移送機構の動作を説明するための図
【図３】突き上げブロックを説明するための図
【図４】第２の実施の形態に係る半導体チップの移送機構における支持台の上面図
【図５】第２の実施の形態に係る半導体チップの移送機構の要部断面図
【図６】半導体チップの移送機構における突き上げ時のダイシングテープの浮き上がりを説明するための図
【図７】第２の実施の形態に係る別の半導体チップの移送機構を説明するための要部断面図
【図８】第２の実施の形態に係るさらに別の半導体チップの移送機構を説明するための要部断面図
【符号の説明】
【００４８】
１    突き上げブロック
１Ａ  突き上げブロックの上面部
２    ダイシングテープ
３    半導体チップ
３Ａ  隣接するチップ
３Ｓ  シートから分離するチップ
４    コレット
６、９    四辺形の真空吸着溝
７、１０、１２    真空吸着孔
８    真空源
１１  円形の真空吸着溝
６１、９１  溝の底面部
Ｒ１  隣接チップの内縁部を支持する領域
【図１】
2006147705.tif 000003
【図２】
2006147705.tif 000004
【図３】
2006147705.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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