(57)【要約】【課題】  半導体素子の樹脂パッケージに電極もしくは端子を設ける上で、位置や形状を自由に形成できるようにして、組み合わせるべき電子部品の自由度が向上するようにした、樹脂封止型半導体装置と圧電発振器および圧電発振器の製造方法を提供すること。【解決手段】  半導体素子６１を固定する固定用リード部４５と、この固定用リード部と分離された中継リード部４６とを有するリードフレームと、前記半導体素子および前記リードフレームを覆う樹脂部５０と、前記樹脂部の少なくとも表面に形成された電極パターン５３とを備え、前記半導体素子と電気的に接続された前記中継リード部と、前記電極パターンとの間に、前記樹脂部を貫通して延びるスルーホール５１，５２が形成され、前記スルーホールに、導電材料が充填されることにより、前記中継リード部を介して前記半導体素子と前記樹脂部表面の前記電極パターンとが電気的に接続されている。【選択図】    図１
2006049547.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子が固定された固定用リード部およびこの固定用リード部と分離された中継リード部を有するリードフレームと、
前記半導体素子および前記リードフレームを覆う封止樹脂でなる樹脂部と、
前記樹脂部の少なくとも表面に形成された電極パターンと
を備えており、
前記半導体素子と電気的に接続された前記中継リード部と、前記電極パターンとの間には、前記樹脂部を貫通して延びるスルーホールが形成され、
前記スルーホールには、導電材料が充填されることにより、前記中継リード部を介して前記半導体素子と前記樹脂部表面の前記電極パターンとが電気的に接続されている
ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
【請求項２】
半導体素子が固定された固定用リード部およびこの固定用リード部と分離された中継リード部を有するリードフレームと、
前記半導体素子および前記リードフレームを覆う封止樹脂でなる樹脂部と、
前記樹脂部の少なくとも表面に形成された電極パターンと
を備えており、
前記半導体素子と電気的に接続された前記中継リード部と、前記電極パターンとの間には、前記樹脂部を貫通して延びるスルーホールが形成され、
前記スルーホールには、導電材料が充填されることにより、前記中継リード部を介して前記半導体素子と前記樹脂部表面の前記電極パターンとが電気的に接続されていて、
前記樹脂部表面に対して、圧電振動片を所定の収容容器に収容した圧電振動子が実装されている
ことを特徴とする圧電発振器。
【請求項３】
前記中継リード部が前記樹脂部裏面に露出されることにより実装端子部とされていることを特徴とする請求項２に記載の圧電発振器。
【請求項４】
前記中継リード部と前記樹脂部の裏面に設けた電極部でなる実装端子部との間には、前記樹脂部を貫通して延びるスルーホールが形成されており、前記スルーホールには、導電材料が充填され、前記中継リード部の前記スルーホールに対応した箇所に設けたバンプにより、前記中継リード部と前記実装端子部とが電気的に接続されていることを特徴とする請求項２に記載の圧電発振器。
【請求項５】
前記半導体素子が中継リード部に対してフリップチップボンディングにより接続されていることを特徴とする請求項２ないし４のいずれかに記載の圧電発振器。
【請求項６】
前記圧電振動片の前記収容容器が、前記半導体素子を覆う前記樹脂部と同じ樹脂で一体に形成されており、かつ圧電振動片が前記樹脂部表面の前記電極パターンに対して直接接合されていることを特徴とする請求項２ないし５のいずれかに記載の圧電発振器。
【請求項７】
リードフレームを用いて半導体素子を固定し、樹脂封止したパッケージに対して圧電振動子を実装することにより圧電発振器を製造する方法であって、
半導体素子を固定するための固定用リード部およびこの固定用リード部と分離された中継リード部を有するリードフレームを用意し、
前記固定用リード部に対して半導体素子を固定するとともに、この半導体素子と前記中継リード部とを電気的に接続する接続工程と、
次いで、キャビティ内方に突出する突出部を備えた型内に前記半導体素子が固定された前記リードフレームを収容して、前記突出部を前記中継リード部に当接させた状態で型を合わせて、前記キャビティ内に封止樹脂を射出する成形工程と、
離型後に前記成形により得た樹脂パッケージ表面および裏面と、前記突出部の抜去後に前記樹脂パッケージに形成されたスルーホール内とに導電金属をメッキするメッキ工程と、
前記メッキによる導電被膜をパターニングして必要な電極パターンを得る電極形成工程と、
個々の製品単位とした前記樹脂パッケージの表面の前記電極パターンに対して、圧電振動片を所定の収容容器に収容した圧電振動子を実装する実装工程と
を含んでいることを特徴とする圧電発振器の製造方法。
【請求項８】
前記接続工程において、前記半導体素子が前記中継リード部に対して、フリップチップボンディングにより接続されることを特徴とする請求項７に記載の圧電発振器の製造方法。
【請求項９】
前記成形工程において、前記中継リード部に予めバンプを形成し、前記突出部を前記バンプに当接させることを特徴とする請求項７または８のいずれかに記載の圧電発振器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂封止型半導体装置と圧電発振器および圧電発振器の製造方法の改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の圧電発振器としては、セラミックス製の箱状のパッケージ内に、比較的大きなキャビティを形成し、半導体素子をパッケージの内側底面に実装するとともに、同じパッケージに設けた段部に圧電振動片を収容した構成のもの等がある（例えば、特許文献１、図５参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１９８７３９
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、従来のように、圧電振動片と半導体素子を一体に収容する比較的大きなキャビティを有するパッケージは製造コストの上昇を招くとともに、全体が大型化しやすいという問題があった。
このため、本出願人は、先に、特願２００３−３３４６１６として、図１１に示すような圧電発振器を提案している。
図１１において、圧電発振器２００は、第１のパッケージ２１０と第２のパッケージ２２０とを備え、第１のパッケージ２１０は圧電振動片２１２を収容し、この圧電振動片２１２と電気的に接続された外部端子部２１４を有している。また、第２のパッケージ２２０は、ＩＣ２２２を収容し、このＩＣ２２２とボンディングワイヤ２２４により、それぞれ電気的に接続された接続端子部２２６と実装端子部２２８とを有している。
【０００５】
ここで、第２のパッケージ２２０は、概ね次のように形成することで、接続端子部２２６と実装端子部２２８とが平面的に見て重なるように配置している。
すなわち、第１のリードフレーム２３４と第２のリードフレーム２３５の２枚のリードフレームを用意し、第１のリードフレーム２３４の端部を外部端子部２１４と対向するように配置して接続端子部２２６を形成し、また、第２のリードフレーム２３５の端部を接続端子部２２６と平面的に見て重なるように配置して実装端子部２２８を形成する。
そして、接続端子部２２６の上に半田２３２を配置し、この半田２３２上に外部端子部２１４を載せるようにして、第２のパッケージ２２０の上に第１のパッケージ２１０を重ねる。次いで、リフロー炉等で半田２３２を溶融させて、接続端子部２２６と外部端子部２１４とを接続し、その後、実装端子部２２８の実装面を残すようにして、全体を樹脂等の絶縁部材２３０で封止しつつ、この絶縁部材２３０で第１のパッケージ２１０と第２のパッケージ２２０とを接合固定している。
【０００６】
このように、圧電発振器２００は、上側の接続端子部２２６，２２６や実装端子部２２８，２２８を形成するために、２枚のリードフレームを複雑に曲折している。
このために、特に第２のパッケージ２２０の上面に露出する接続端子部２２６，２２６などは、任意の位置や形状とすることができず、上に重ねる第１のパッケージ２１０の構造に対応したものをつくることしかできない。しかも、第１のパッケージ２１０以外の他の電子部品を追加的に実装する必要がある場合においても、これに対応して、複雑なあるいは微細な端子もしくは電極形状とすることができないという欠点がある。
【０００７】
本発明は、上述の課題を解決するためのものであり、半導体素子を収容する樹脂パッケージに電極もしくは端子を設ける上で、位置や形状を自由に形成できるようにして、組み合わせるべき電子部品の自由度が向上するようにした、樹脂封止型半導体装置と圧電発振器および圧電発振器の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述の目的は、第１の発明にあっては、半導体素子が固定された固定用リード部およびこの固定用リード部と分離された中継リード部を有するリードフレームと、前記半導体素子および前記リードフレームを覆う封止樹脂でなる樹脂部と、前記樹脂部の少なくとも表面に形成された電極パターンとを備えており、前記半導体素子と電気的に接続された前記中継リード部と、前記電極パターンとの間には、前記樹脂部を貫通して延びるスルーホールが形成され、前記スルーホールには、導電材料が充填されることにより、前記中継リード部を介して前記半導体素子と前記樹脂部表面の前記電極パターンとが電気的に接続されている樹脂封止型半導体装置により、達成される。
第１の発明の構成によれば、半導体素子を覆う樹脂部について、その表面側の電極もしくは端子は、リードフレームを用いて形成するのではなく、樹脂部表面に形成した電極パターンにより形成される。すなわち、前記半導体素子と接続された中継用リードから樹脂部を貫通して延びるスルーホールにより、樹脂部表面が接続されるので、この樹脂部表面に任意に形成した電極パターンが樹脂部内部の半導体素子と接続される。このため、当該樹脂部の表面では、電極または端子に関して、任意の位置に任意の形状のものを設けることができる。
かくして、樹脂部表面に実装する電子部品について、その接続端子がいかなる位置、形状であっても、これに適合させることができるから、組み合わせるべき電子部品の選択の自由度が向上する。
【０００９】
また、上述の目的は、第２の発明にあっては、半導体素子が固定された固定用リード部およびこの固定用リード部と分離された中継リード部を有するリードフレームと、前記半導体素子および前記リードフレームを覆う封止樹脂でなる樹脂部と、前記樹脂部の少なくとも表面に形成された電極パターンとを備えており、前記半導体素子と電気的に接続された前記中継リード部と、前記電極パターンとの間には、前記樹脂部を貫通して延びるスルーホールが形成され、前記スルーホールには、導電材料が充填されることにより、前記中継リード部を介して前記半導体素子と前記樹脂部表面の前記電極パターンとが電気的に接続されていて、前記樹脂部表面に対して、圧電振動片を所定の収容容器に収容した圧電振動子が実装されている圧電発振器により、達成される。
第２の発明の構成によれば、第１の発明の場合と同じ原理によって、樹脂部表面に実装する半導体素子について、その接続端子がいかなる位置、形状であっても、これに適合させることができるから、圧電発振器を構成するために圧電振動子と組み合わせるための半導体素子およびその他の電子部品の選択の自由度が向上する。
【００１０】
第３の発明は、第２の発明の構成において、前記中継リード部が前記樹脂部裏面に露出されることにより実装端子部とされていることを特徴とする。
第３の発明の構成によれば、半導体素子と実装端子部とを接続するための中継リード部がそのまま実装端子部として利用されるので、樹脂部裏面に電極パターンを設けて実装端子部とし、これを中継リード部に対して接続するという手間がなく、また樹脂部の厚み方向の寸法を小型化できる。
【００１１】
第４の発明は、第２の発明の構成において、前記中継リード部と前記樹脂部の裏面に設けた電極部でなる実装端子部との間には、前記樹脂部を貫通して延びるスルーホールが形成されており、前記スルーホールには、導電材料が充填され、前記中継リード部の前記スルーホールに対応した箇所に設けたバンプにより、前記中継リード部と前記実装端子部とが電気的に接続されていることを特徴とする。
第４の発明の構成によれば、前記中継リード部と前記スルーホールの前記導電材料との電気的接続を確実かつ良好にすることができる。
【００１２】
第５の発明は、第２ないし第４のいずれかの発明の構成において、前記半導体素子が中継リード部に対してフリップチップボンディングにより接続されていることを特徴とする。
第５の発明の構成によれば、前記半導体素子と中継リード部とを、ワイヤボンディングで接続する場合に比べて、樹脂表面からボンディングワイヤが突出することを防ぐため、樹脂部の厚みを大きくする必要がなく、厚み方向の大きさを小型化できる。また、中継リード部にボンディング領域を形成する必要がないので、中継リード部のサイズを小さくでき、その分全体の小型化をはかることができる。
【００１３】
第６の発明は、第２ないし第５の発明のいずれかの構成において、前記圧電振動片の前記収容容器が、前記半導体素子を覆う前記樹脂部と同じ樹脂で一体に形成されており、かつ圧電振動片が前記樹脂部表面の前記電極パターンに対して直接接合されていることを特徴とする。
第６の発明の構成によれば、圧電振動片の収容容器を樹脂部と別体に形成する場合と比べて、半導体素子を内蔵する樹脂部と圧電振動片の収容容器との間にセラミックスなどの底部を設ける必要がないため、厚み方向の大きさが小さくでき、小型低背化を図ることができる。しかも圧電振動片と、半導体素子との接続のための距離を短くでき、接続パターンの線路長を短縮することで、不要な容量が増えることを防止できる。
【００１４】
また、上述の目的は、第７の発明にあっては、リードフレームを用いて半導体素子を固定し、樹脂封止したパッケージに対して圧電振動子を実装することにより圧電発振器を製造する方法であって、半導体素子を固定するための固定用リード部およびこの固定用リード部と分離された中継リード部を有するリードフレームを用意し、前記固定用リード部に対して半導体素子を固定するとともに、この半導体素子と前記中継リード部とを電気的に接続する接続工程と、次いで、キャビティ内方に突出する突出部を備えた型内に前記半導体素子が固定された前記リードフレームを収容して、前記突出部を前記中継リード部に当接させた状態で型を合わせて、前記キャビティ内に封止樹脂を射出する成形工程と、離型後に前記成形により得た樹脂パッケージ表面および裏面と、前記突出部の抜去後に前記樹脂パッケージに形成されたスルーホール内とに導電金属をメッキするメッキ工程と、前記メッキによる導電被膜をパターニングして必要な電極パターンを得る電極形成工程と、個々の製品単位とした前記樹脂パッケージの表面の前記電極パターンに対して、圧電振動片を所定の収容容器に収容した圧電振動子を実装する実装工程とを含んでいる圧電発振器の製造方法により、達成される。
第７の発明の構成によれば、樹脂部表面に実装する電子部品について、その接続端子がいかなる位置、形状であっても、これに適合させることができるから、組み合わせるべき半導体素子などの電子部品の選択の自由度を向上させた圧電発振器を好適に製造することができる。
【００１５】
第８の発明は、第７の発明の構成において、前記接続工程において、前記半導体素子が前記中継リード部に対して、フリップチップボンディングにより接続されることを特徴とする。
第８の発明の構成によれば、第６の発明の構成で説明したのと同じ理由により、圧電発振器の厚み方向の大きさが小さくでき、小型低背化を図ることができる。しかも圧電振動片と、半導体素子との接続のための距離を短くでき、接続パターンの線路長を短縮することで、不要な容量が増えることを防止できる。
【００１６】
第９の発明は、第７または８の発明のいずれかの構成において、前記成形工程において、前記中継リード部に予めバンプを形成し、前記突出部を前記バンプに当接させることを特徴とする。
第９の発明の構成によれば、前記成形工程において、前記中継リード部と前記スルーホールの導電部分との電気的接続を、簡単かつ確実に行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
図１及び図２は、本発明の圧電発振器の第１の実施の形態を示しており、図１はその概略断面図、図２は図１の圧電発振器の概略底面図である。
図において、圧電発振器３０は、内部に圧電振動片３２を収容した収容容器である第１のパッケージ３５と、この第１のパッケージ３５に重ねて固定され、発振回路素子（以下、「ＩＣ」という。）を収容した第２のパッケージ６０とを備えている。
【００１８】
第１のパッケージ３５は、図１に示すように、例えば絶縁材料からなる複数の基板３５ａ，３５ｂを積層して、その内側に所定の内部空間Ｓ２を有するように上端が開口された箱状に形成されている。この内部空間Ｓ２が、例えば、水晶等の圧電材料をエッチングして形成したＡＴカット振動片や、コンベックスタイプの振動片、あるいは音叉型振動片等の圧電振動片３２を収容する空間である。
また、第１のパッケージ３５は、内部空間Ｓ２に露出するように、例えばタングステンメタライズ上にニッケルメッキ及び金メッキでなる電極部３１を有している。電極部３１は、紙面奥行き方向に一対形成されており、後述する第２のパッケージ６０と電気的に接続されて、圧電振動片３２に駆動電圧を供給するものである。この電極部３１の上には、例えば接合力を発揮する接着剤成分としての合成樹脂剤に、銀製の細粒等を含有させた導電性接着剤３３が塗布され、その上に圧電振動片３２が載置されて、導電性接着剤３３が硬化されることで接合されている。
【００１９】
また、電極部３１は、導電スルーホールなど（図示せず）を形成して、第１のパッケージ３５の底面に引き回されて形成された外部端子部３７と電気的に接続されている。
第１のパッケージ３５の上端開口は、図１に示すように、例えばロウ材３８を用いて、蓋体３９が接合されることにより、封止されている。
【００２０】
第２のパッケージ６０は、図１に示すように、半導体素子（以下、「ＩＣ」という）ＩＣチップ６１を収容した樹脂製のパッケージである。第２のパッケージ６０は、図３に示すように、リードフレーム４０を利用して樹脂成形されることにより形成されている。すなわち、図３は第２のパッケージ６０を複数個同時に形成する様子を示す概略平面図であり、複数個のパッケージに関して連続する受容体のリードフレーム４０を利用して複数個が同時に成形され、後で製品単位にカットされる。
ＩＣチップ６１は、一つまたは複数の集積回路またはコンデンサ等の電子部品が使用され、少なくとも圧電振動片３２を励振させるための所定の回路構造を含んでおり、好ましくは、温度検出手段としてのサーモセンサ（図示せず）を備え、図３に示すように、中央付近に配置されたリードフレーム４０の一部でなる素子搭載部４５にダイボンディング等で固定されている。
【００２１】
また、ＩＣチップ６１は、図１に示すように、Ａｕ線等の導通線６２によるボンディングワイヤによりワイヤボンディングで、中継リード部４６，４６に接続されている。このワイヤボンディング後に、図２で示すように、ボンディングワイヤ６２を内部に収容する最低の厚みで、封止樹脂により樹脂成形されている。これにより、樹脂部５０が形成されることにより、第２のパッケージ６０が形成される。
この成形時には、後述するように、ひとつの中継リード部４６から樹脂部５０を貫通して表面側（図１では上面側）に抜けるスルーホール５１が形成され、他の中継リード部４６から樹脂部５０を貫通して、第２のパッケージ６０の底面側（図１では下面側）に抜けるスルーホール５２が形成されている。
そして、各スルーホール５１，５２に対応した樹脂部５０の表面側と底面側には電極パターンが形成されることにより、表面電極部５３と、底面電極部５４とが形成されている。底面電極部５４は、後述するように実装端子部となる電極部である。各スルーホール５１，５２には、金属ペーストなどの導電材料を充填したり、孔内周にメッキを施すことにより、中継リード部４６，４６と表面電極部５３および底面電極部５４とを電気的に接続している。また、底面電極部５４は、図３に示すキャスタレーションなどの表面に導電材料を引き回すことにより、表面側と導通させることができる。
【００２２】
ここで、第２のパッケージ６０は、ＩＣチップ６１を樹脂部５０で封止して表裏面に電極パターンを形成した樹脂封止型半導体装置として使用することができる。
この実施形態では、第２のパッケージ６０の表面電極部５３に、第１のパッケージ３５の外部端子部３７を導電性接着剤などにより接合することによって、機械的および電気的に接続している。これにより、圧電振動片３２は、ＩＣチップ６１と接続されるので、圧電発振器３０を形成することができる。図２に示すように、圧電発振器３０の底面には各底面電極部５４が露出することで、実装端子部を形成している。
【００２３】
第１の実施形態の圧電発振器３０によれば、ＩＣチップ６１を覆う樹脂部５０について、その表面電極部５３は、リードフレーム４０の一部を曲折したりして形成するのではなく、樹脂部５０表面に形成した電極パターンにより形成される。すなわち、ＩＣチップ６１と接続された中継用リード部４６から樹脂部５０を貫通して延びるスルーホール５１により、樹脂部表面が接続されるので、この樹脂部表面に任意に形成した電極パターンが樹脂部内部のＩＣチップ６１と接続される。このため、樹脂部５０の表面では、電極または端子に関して、任意の位置に任意の形状のものを後述するパターニング工程を利用して設けることができる。
したがって、樹脂部５０表面に実装する圧電振動子のパッケージである第１のパッケージ３５のような電子部品について、その接続端子がいかなる位置、形状であっても、これに適合させることができる。このため、ＩＣチップ６１と組み合わせる圧電振動子としては汎用のものを自由に組み合わせることができるので、製造コストを低減できるし、その他の電子部品をさらに取り付けることができ、組み合わせるべき電子部品の選択の自由度が向上する。
【００２４】
次に、圧電発振器３０の製造方法の実施形態について説明する。
図４および図５は、圧電発振器３０の製造工程を順次に示す概略図である。
図４（ａ）に示すように、先ず、リードフレーム４０を用意する。リードフレーム４０は、パッケージ素子を製造する場合に普通に使用されるものが利用でき、例えば、４２アロイ等のＦｅ合金、あるいはＣｕ−Ｓｎ，Ｃｕ−Ｆｅ，Ｃｕ−Ｚｎ，Ｃｕ−Ｎｉ等のＣｕ合金、あるいはこれらに第三の元素を添加した三元合金等により形成されたものが使用される。
ここでは、ＩＣチップ６１を固定するための固定用リード部としての素子搭載部４５と、固定用リード部と分離された中継リード部４６，４６を有するリードフレームを用意する。
そして、図示されているように、素子搭載部４５にＩＣチップ６１を固定する。
【００２５】
次に図４（ｂ）に示すように、ＩＣチップ６１と中継リード部４６，４６をボンディングワイヤ６２，６２を用いてワイヤボンディングにより、電気的に接続する（接続工程）。
ここで、好ましくは中継リード部４６，４６に、バンプ６５，６５を形成しておく。バンプ６５は、例えば、金バンプを用いることができ、後述する型の突出部が突き当てられる位置に対応して予め設けられる。
【００２６】
次に図４（ｃ）に示すように、樹脂成形用の型６６，６７内にリードフレームごとＩＣチップ６１をインサートして成形を行う（成形工程）。
この場合、型６６，６７は、それぞれキャビティ内方に突出する棒状の突出部６６ａ，６７ａを有している。
また、各中継リード部４６，４６には、図４（ｄ）の左の図に示すように、型６６，６７を合わせた時に各突出部６６ａ，６７ａが突き当てられる箇所にバンプ６５，６５を形成しておく。
【００２７】
次いで、図４（ｄ）の左の図に示すように型６６，６７を合わせて、成形樹脂として、例えばエポキシ樹脂などのモールド用樹脂を注入する。
この時、上述したように、各突出部６６ａ，６７ａは、中継リード部の各バンプ６５，６５に当接しており、突出部がある箇所には樹脂は回らない状態で、樹脂部５０が形成される。この工程では、図４（ｄ）の右の図に示すように、複数の第２のパッケージ６０が縦横に連続した状態で複数個同時に成形される。そして、各第２のパッケージ６０の隣接している交叉部分には、キャスタレーション７２が形成される。
【００２８】
次いで、図５（ｅ）の左図および平面図である右図に示すように、離型した第２のパッケージ６０には、上述した突出部６６ａ，６７ａのために樹脂が入り込まなかった箇所にスルーホール５２，５１が形成されている。この状態において、樹脂部５０の表面と底面に導電金属の金属膜７１をメッキにより被覆する（メッキ工程）。この時、各スルーホール５２，５１やキャスタレーション７２にも導電材料としての導電金属が充填される。
続いて、図５（ｆ）の左図および平面図である右図に示されているように、フォトリソグラフィの手法により、任意の電極パターンを形成し、外部端子部３７や実装端子部（底面電極部）５４を形成する（電極形成工程）。
次に、図５（ｇ）に示されているように、切断線Ｃ，Ｃの位置で、個々の製品の大きさに切断することにより、図１で説明した第２のパッケージ６０としての樹脂封止型半導体装置が完成する。
【００２９】
ここで、上記メッキ工程は、無電解メッキ法によっても行うことができる。すなわち、例えば、図４（ｄ）から離型後に、樹脂部５０の表面および底面の電極パターンを形成する領域以外について、マスクを施した状態で、樹脂部５０を酸化剤を含有した溶液に浸漬して、電極パターンを形成しようとする領域の表面を粗面化する。その後、還元作用のあるメッキ液に浸漬して、所謂無電解メッキ法により、例えば、先ずＣｕを被覆して下地とし、その上に、Ｎｉ、Ａｕを順次メッキで付けることにより、所望の電極パターンを得ることができる。
最後に、第２のパッケージ６０に、図１で説明したように、第１のパッケージ３５を実装することにより、圧電発振器３０を形成することができる。
【００３０】
本実施形態の製造方法によれば、樹脂部５０の表面や裏面に自由に電極パターンを形成することができるので、樹脂部５０の表面に実装する圧電振動子の接続端子がいかなる位置、形状であっても、これに適合させることができるから、組み合わせるべき圧電振動子などの電子部品の選択の自由度を向上させた圧電発振器を好適に製造することができる。
【００３１】
図６は、圧電発振器の第２の実施形態を示す概略断面図である。図６において、第１の実施形態と共通する符号を付した箇所は同一の構成であるから、重複する説明は省略し、以下、相違点を中心に説明する。
【００３２】
この圧電発振器８０では、第２のパッケージ６０−１の形状が第１の実施形態と異なっている。第２のパッケージ６０−１を構成する樹脂部５０−１は、その上面に凹部８１を備えている。この凹部８１は、第１のパッケージ３５の外形より僅かに大きく形成されており、圧電振動子を構成する第１のパッケージ３５を実装する場合に、正しく位置決めすることが容易となるようにされている。
また、凹部８１を形成するためにできた凸部８３の箇所には、例えばその表面に電極を図示のように引き回し、コンデンサなどの電子部品８２を実装するようにしてもよい。
第２の実施形態は以上のように構成されており、上述の点を除き、第１の実施形態と同じ作用効果を発揮することができる。
【００３３】
図７は、圧電発振器の第３の実施形態を示す概略断面図であり、図８はその概略平面図である。図７および図８において、第１の実施形態と共通する符号を付した箇所は同一の構成であるから、重複する説明は省略し、以下、相違点を中心に説明する。
この圧電発振器８５では、第２のパッケージ６０−２は、圧電振動子の第１のパッケージを兼ねる構成である。つまり、その樹脂部５０−２は、ＩＣチップ６１の収容部だけでなく、圧電振動片３２の収容容器についても同じ樹脂で一体に形成されており、蓋体３９−１も同じ樹脂で形成され、ロウ材３８−１で接合封止されている。そして、好ましくは、内部空間Ｓ２を囲む内面はガラスなどによりコーティングされて、気密性を高められている。
【００３４】
このため、樹脂部５０−２の表面（上面）は、圧電振動片３２の収容容器の底面を兼ねており、その表面電極５３−１は、図１における第１のパッケージ内の電極部３１を兼ねている。このため、圧電振動片３２は、樹脂部５０−２の表面電極５３−１に直接実装されている。この点において、第１の実施形態の第１のパッケージ３５と比べると、少なくとも底部を構成する基板３５ａの分だけ全体の厚み方向の寸法が小型化される。
また、同様の理由により、ＩＣチップ６１と圧電振動片３２の距離が近くなることから、これらをつなぐ電極パターンの配線長さが短くなるので、その分不要な容量が減る利点がある。その他の作用効果は第１の実施形態と同じである。
【００３５】
図９は、第２のパッケージの変形例１を示している。
図において、第１の実施形態の第２のパッケージ６０と共通する符号を付した箇所は同一の構成であるから、重複する説明は省略し、以下、相違点を中心に説明する。
この変形例１では、中継リード部４６とＩＣチップ６１とがバンプ９１を用いてフリップチップボンディングにより接続されている。
【００３６】
これにより、ＩＣチップ６１と中継リード部４６とを、ワイヤボンディングで接続する場合に比べて、樹脂部５０−３表面からボンディングワイヤが突出することを防ぐため、樹脂部５０−３の厚みを大きくする必要がないことから、厚み方向の大きさを小型化できる。また、中継リード部４６にボンディング領域を形成する必要がないので、中継リード部４６のサイズを小さくでき、その分全体の小型低背化をはかることができる。
【００３７】
図１０は、第２のパッケージの変形例２を示している。
図において、第１の実施形態の第２のパッケージ６０と共通する符号を付した箇所は同一の構成であるから、重複する説明は省略し、以下、相違点を中心に説明する。
この第２のパッケージ６０−４は、図９の変形例１をさらに発展させたもので、樹脂部５０−４の底面（下面）に中継リード部４６，４６を露出させることで、これら中継リード部４６，４６が実装端子部５４，５４を兼ねるように構成したものである。
したがって、図９と比較して、中継リード部４６から下方に向かうスルーホール５２の無い分だけ厚み方向の寸法が一層小さくなり、小型化に有利である。
【００３８】
本発明は上述の実施形態に限定されない。各実施形態や各変形例の各構成はこれらを適宜組み合わせたり、省略し、図示しない他の構成と組み合わせることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る圧電発振器の概略断面図。
【図２】図１の圧電発振器の概略底面図。
【図３】図１の圧電発振器の第２のパッケージを製造する様子を示す説明図。
【図４】図１の圧電発振器の製造方法の実施形態に係る工程図。
【図５】図１の圧電発振器の製造方法の実施形態に係る工程図。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る圧電発振器の概略断面図。
【図７】本発明の第３の実施形態に係る圧電発振器の概略断面図。
【図８】図７の圧電発振器の概略平面図。
【図９】本発明の実施形態の圧電発振器の第２のパッケージの変形例１を示す概略断面図。
【図１０】本発明の実施形態の圧電発振器の第２のパッケージの変形例２を示す概略断面図。
【図１１】本発明に先行する新規な圧電発振器の概略断面図。
【符号の説明】
【００４０】
３０，８０，８５・・・圧電発振器、３２・・・圧電振動片、３５・・・第１のパッケージ、３７・・・外部端子部、４０・・・リードフレーム、５１，５２・・・スルーホール、５３・・・表面電極部、６０・・・第２のパッケージ、６１・・・ＩＣチップ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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