(57)【要約】【課題】  Ｐｂフリーで、温度特性（ＴＣＲ）に優れた低抵抗の厚膜抵抗構造体を実現する。【解決手段】  絶縁材料中に導電材が分散されてなる厚膜抵抗構造体である。厚膜抵抗構造体中には、カルシウムと珪素を含む酸化化合物の結晶が析出している。酸化化合物の結晶は、針状の結晶である。結晶を析出させるには、例えば厚膜抵抗体ペーストを焼成して厚膜抵抗構造体とするに際し、焼成時の昇温速度を制御する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁材料中に導電材が分散されてなる厚膜抵抗構造体であって、カルシウムと珪素を含む酸化化合物の結晶が析出していることを特徴とする厚膜抵抗構造体。
【請求項２】
前記酸化化合物の結晶は、針状の結晶であることを特徴とする請求項１記載の厚膜抵抗構造体。
【請求項３】
前記酸化化合物は、ＣａＳｉＯ３であることを特徴とする請求項１または２記載の厚膜抵抗構造体。
【請求項４】
前記酸化化合物は、さらにＣｕ、Ｔａ、Ｚｒから選ばれる１種または２種以上を含むことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項記載の厚膜抵抗構造体。
【請求項５】
カルシウムを含む導電材と、カルシウム及び珪素を含むガラス組成物とを含む抵抗体ペーストを用い、これを焼成して厚膜抵抗構造体とするに際し、
焼成時の昇温速度を制御し、カルシウムと珪素を含む酸化化合物の結晶を析出させることを特徴とする厚膜抵抗構造体の製造方法。
【請求項６】
導電材とガラス組成物を含む抵抗体ペーストに、カルシウムと珪素を含む酸化化合物を添加し、これを焼成して厚膜抵抗構造体とするに際し、
焼成条件を制御し、カルシウムと珪素を含む酸化化合物の結晶を析出させることを特徴とする厚膜抵抗構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、厚膜抵抗構造体及びその製造方法に関するものであり、厚膜中に結晶の析出が見られる新規な厚膜抵抗構造体及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
絶縁体（ガラス）や導電材を含む厚膜抵抗体ペーストを基板上に塗布し焼成することによって形成される厚膜抵抗構造体においては、通常、導電材として酸化ルテニウム（ＲｕＯ２）や鉛ルテニウム複合酸化物（Ｐｂ２Ｒｕ２Ｏ６）等が用いられ、ガラスとしてＰｂＯ系ガラスが用いられている。ガラスは、導電材及び基板との結着剤としての機能を果たし、導電材とガラスの比率によって抵抗値調整が可能である。
【０００３】
ところで、近年、環境問題が盛んに議論されてきており、例えば半田材料等においては、鉛を除外することが求められている。厚膜抵抗体も例外ではなく、したがって、環境に配慮した場合、ＰｂＯ系ガラスは勿論のこと、導電性材料であるＰｂ２Ｒｕ２Ｏ６の使用も避けなければならない。このような状況から、鉛を含有した厚膜抵抗体ペーストを用いることは望ましくなく、鉛フリーの厚膜抵抗体ペーストについての研究がなされている（例えば、特許文献１〜特許文献５等を参照）。
【特許文献１】特開平８−２５３３４２号公報
【特許文献２】特開平１０−２２４００４号公報
【特許文献３】特開２００１−１９６２０１号公報
【特許文献４】特開平１１−２５１１０５号公報
【特許文献５】特許第３０１９１３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ただし、前述の特許文献１〜特許文献５記載の発明は、いずれも鉛フリー抵抗体を得るための発明ではあるが、特に、温度特性（ＴＣＲ）に優れた厚膜抵抗構造体を提供するという観点からは、その効果は不十分と言わざるを得ない。前記各特許文献記載の発明は、これらの特性の改善を目的とするものではなく、前記効果の不足は当然とも言える。
【０００５】
厚膜抵抗構造体の鉛フリー化における課題の一つとして、抵抗値が温度によって大きく変動し、温度特性の低下が顕著になることが挙げられる。例えば導電材は、温度特性をプラス（＋）側にシフトさせる方向に作用し、厚膜抵抗構造体全体で見たときに、ＴＣＲ値が大きくなり、温度特性の低下が問題になる。
【０００６】
本発明は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、温度特性（ＴＣＲ）に優れた厚膜抵抗構造体、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、前述の目的を達成するために、長期に亘り鋭意研究を重ねてきた。その結果、組成や焼成条件等を制御することで、厚膜抵抗構造体中にカルシウムと珪素を含む酸化化合物の結晶が析出し、当該結晶が析出した場合にＴＣＲが小さな値となり、温度特性が良好なものとなるとの結論を得るに至った。
【０００８】
本発明は、このような知見に基づいて完成されたものである。すなわち、本発明の厚膜抵抗構造体は、絶縁材料中に導電材が分散されてなる厚膜抵抗構造体であって、カルシウムと珪素を含む酸化化合物の結晶が析出していることを特徴とする。
【０００９】
前記カルシウムと珪素を含む酸化化合物の結晶が析出することにより温度特性が改善される理由について、その詳細は不明であるが、本発明者らの実験により確かめられた事実である。前記結晶は、例えば透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）により明瞭に観察することができる。また、この結晶がカルシウムと珪素を含むことは、例えば元素分析を行うことにより、容易に把握することができる。
【００１０】
前記結晶を析出させるには、例えば、カルシウムを含む導電材と、カルシウム及び珪素を含むガラス組成物とを含む抵抗体ペーストを用い、これを焼成して厚膜抵抗構造体とするに際し、焼成時の昇温速度を制御する。あるいは、導電材とガラス組成物を含む抵抗体ペーストに、カルシウムと珪素を含む酸化化合物を添加し、これを焼成して厚膜抵抗構造体とするに際し、例えば添加量に応じて焼成条件（焼成温度や焼成時間等）を制御する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、温度特性に優れた高信頼性を有する厚膜抵抗構造体を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明を適用した厚膜抵抗構造体及びその製造方法について、詳細に説明する。
【００１３】
本発明の厚膜抵抗構造体は、通常の厚膜抵抗構造体と同様、厚膜抵抗体ペーストを焼成（焼き付け）することにより形成されるものである。使用する厚膜抵抗体ペーストは、絶縁材料であるガラス組成物、導電材、及び必要に応じて添加物を含み、これらが有機ビヒクルと混合されてなるものである。
【００１４】
なお、本発明の厚膜抵抗体ペーストにおいては、環境保全上、鉛を実質的に含まない鉛フリーの厚膜抵抗体ペーストを用いることを前提としており、したがって、使用するガラス組成物や導電材は、鉛を実質的に含まないことが前提になる。ここで、「鉛を実質的に含まない」とは、不純物レベルを越える鉛を含まないことを意味し、不純物レベルの量（例えば、ガラス組成物中の含有量が０．０５質量％以下程度）であれば含有されていてもよい趣旨である。鉛は、不可避不純物として極微量程度に含有されることがある。
【００１５】
厚膜抵抗体ペーストにおいて、導電材は、絶縁体であるガラス中に分散されることで、厚膜抵抗構造体に導電性を付与する役割を持つ。導電材は、特に限定されないが、環境保全上、やはり鉛を実質的に含まない導電材を用いることが好ましい。鉛を実質的に含まない導電材としては、具体的には、ルテニウム酸化物や、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ａｇ−Ｐｔ合金、ＴａＮ、ＷＣ、ＬａＢ６、ＭｏＳｉＯ２、ＴａＳｉＯ２、及び金属（Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ等）が挙げられる。ルテニウム酸化物としては、酸化ルテニウム（ＲｕＯ２、ＲｕＯ４等）の他、ルテニウム系パイロクロア（Ｂｉ２Ｒｕ２Ｏ７、Ｔｌ２Ｒｕ２Ｏ７等）やルテニウム複合酸化物（ＳｒＲｕＯ３、ＢａＲｕＯ３、ＣａＲｕＯ３、ＬａＲｕＯ３等）なども含まれる。中でも、ＲｕＯ２、ＣａＲｕＯ３、ＳｒＲｕＯ３、ＢａＲｕＯ３、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ合金等が好ましく、特に、１０ｋΩ／□以下程度の低抵抗の厚膜抵抗構造体の形成を考慮した場合、抵抗値の小さなＲｕＯ２や金属系の導電材が好ましい。なお、これらの導電材は、それぞれ単独で使用しても良いし、２種類以上組み合わせても良い。
【００１６】
ガラス組成物は、厚膜抵抗構造体とされたとき、厚膜抵抗体構造中で導電材及び添加物を基板と結着させる役割を持つ。ガラス組成物も、実質的に鉛を含まないものであれば任意のものを用いることができるが、例えばＣａ系のガラスが好適である。
【００１７】
具体的には、例えば、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯから選択される１種若しくは２種以上を主たる修飾酸化物成分とし、Ｂ２Ｏ３とＳｉＯ２とを網目形成酸化物成分とするとともに、第２の修飾酸化物成分としてＺｒＯ２を、さらに第３の修飾酸化物成分としてＴａ２Ｏ５，Ｎｂ２Ｏ５から選択される１種若しくは２種以上を含有するＣａ−Ｂ−Ｓｉ−Ｚｒ−Ｔａ（Ｎｂ）−Ｏガラスを挙げることができる。
【００１８】
このＣａ−Ｂ−Ｓｉ−Ｚｒ−Ｔａ（Ｎｂ）−Ｏガラスにおいては、先ず、主たる修飾酸化物成分は、ガラス組成物中に２０モル％〜４０モル％含有されることが好ましい。主たる修飾酸化物成分の含有量が前記範囲を下回る場合、導電材との反応性が低下し、ＴＣＲ、ＳＴＯＬ特性を劣化させるおそれがある。逆に、主たる修飾酸化物成分の含有量が前記範囲を越える場合、厚膜抵抗構造体を形成した時に、特性や信頼性を劣化させるおそれがある。
【００１９】
網目形成酸化物成分であるＢ２Ｏ３とＳｉＯ２は、ガラス組成物中にそれぞれ２０モル％〜４０モル％含有されることが好ましい。網目形成酸化物成分の含有量が少ない場合、ガラス組成物の軟化点が高くなるため、所定の焼成温度にて厚膜抵抗構造体を形成した場合、厚膜抵抗構造体の焼結が不十分となり、信頼性を著しく低下させるおそれがある。逆に、網目形成酸化物成分の含有量が多すぎる場合、ガラス組成物の耐水性が低下するため、厚膜抵抗構造体としたときの信頼性を著しく低下させるおそれがある。
【００２０】
第２の修飾酸化物成分は、ガラス組成物中に１０モル％以下の範囲で含有されることが好ましい。第２の修飾酸化物成分の含有量が１０モル％を越える場合、厚膜抵抗構造体を形成した時に、特性や信頼性を劣化させるおそれがある。
【００２１】
前記Ｃａ−Ｂ−Ｓｉ−Ｚｒ−Ｔａ（Ｎｂ）−Ｏガラスにおいては、前記各成分に加えて第３の修飾酸化物成分（Ｔａ２Ｏ５，Ｎｂ２Ｏ５から選択される１種若しくは２種以上）を含有することが大きな特徴点である。この第３の修飾酸化物成分は、ガラス組成物中の含有量が、０モル％〜１０モル％（ただし、０モル％は含まず。）の範囲内とすることが好ましい。第３の修飾酸化物成分の含有量が全く含まれていなかったり、第３の修飾酸化物成分の含有量が前記範囲を上回ると、ＴＣＲ、ＳＴＯＬのいずれもが大きくなり、これら特性が劣化する。
【００２２】
したがって、前記Ｃａ−Ｂ−Ｓｉ−Ｚｒ−Ｔａ（Ｎｂ）−Ｏガラスの組成は、下記のように表すことができる。
ＣａＯ，ＳｒＯ，ＢａＯから選択される１種若しくは２種以上：２０〜４０モル％
Ｂ２Ｏ３：２０〜４０モル％
ＳｉＯ２：２０〜４０モル％
ＺｒＯ２：０〜１０モル％
Ｔａ２Ｏ５，Ｎｂ２Ｏ５から選択される１種若しくは２種以上：０〜１０モル％（ただし、０は含まず。）
【００２３】
なお、ガラス組成物においては、各酸化物はそのままの形で含有されるわけではなく、例えば複合酸化物の形態となっているものと推測される。しかしながら、本明細書においては、ガラス組成物における組成の表記は、通例にしたがい、各酸化物に換算したときの含有量として表記する。例えば、厚膜抵抗体ペーストやこれを焼成して形成される厚膜抵抗構造体に含まれるガラス組成物は、厳密に言えばＣａをＣａＯの形態のまま含有するわけではない。また、Ｃａ原料は、通常はＣａＣＯ３の形で原料組成に添加される。したがって、「ＣａＯ２０〜４０モル％」とは、ガラス組成物を構成する複合酸化物がＣａをＣａＯ換算で２０〜４０モル％含有するという意味である。
【００２４】
あるいは、Ｃａ系ガラスとして、Ｃａ−Ｂ−Ｓｉ−Ｍｎ−Ｏ系のガラス組成物等も使用することが可能である。Ｃａ−Ｂ−Ｓｉ−Ｍｎ−Ｏ系のガラス組成物は、ＣａＯ、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２、及びＭｎＯを含むものであり、これらの組合せに意味がある。各酸化物は、いずれもガラスを構成する酸化物として知られたものであるが、ガラス組成物全体で見た場合には、個々の酸化物について論ずることは無意味であり、これらを如何様に組み合わせるかが重要である。Ｃａ−Ｂ−Ｓｉ−Ｍｎ−Ｏ系のガラス組成物では、ＣａＯ、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２、及びＭｎＯの組合せとし、ＣａＯ１０〜３０モル％、Ｂ２Ｏ３２５〜４０モル％、ＳｉＯ２１５〜３０モル％、ＭｎＯ１０〜４０モル％なる組成比で構成されている。
【００２５】
このような組合せ、組成比とすることにより、温度特性をマイナス（−）側にシフトさせるように効果的に作用させることができ、低抵抗の厚膜抵抗構造体において導電材の割合の増加に伴う温度特性のプラス（＋）側へのシフトを相殺し、温度変化による抵抗値変動を抑制することができる。
【００２６】
有機ビヒクルとしては、この種の厚膜抵抗体ペーストに用いられるものがいずれも使用可能であり、例えば、エチルセルロース、ポリビニルブチラール、メタクリル樹脂、ブチルメタクリレート等のバインダ樹脂と、ターピネオール、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート、トルエン、各種アルコール、キシレン等の溶剤とを混合して用いることができる。このとき、各種の分散剤や活性剤、可塑剤等を用途等に応じて適宜併用することも可能である。さらに、必要に応じて、遷移金属群元素の酸化物、典型金属群元素の酸化物等の各種酸化物をＴＣＲ調整剤、またはその他の目的で添加してもよい。
【００２７】
厚膜抵抗体ペーストには、前記ガラス組成物や導電材の他、抵抗値及び温度特性の調整等を目的として、添加物が含まれていてもよい。このような添加物としては、任意の金属酸化物を挙げることができ、適宜選択して使用すればよい。特に、先の低抵抗厚膜抵抗体形成に適したガラス組成を選択した場合には、添加物として、Ｖ２Ｏ５、ＣｕＯ、ＺｎＯ、ＣｏＯ、ＭｎＯ２、Ｍｎ３Ｏ４から選ばれる１種若しくは２種以上を組み合わせて使用することが効果的である。なお、これら添加物は、酸化物の形態で添加されるが、厚膜抵抗構造体中には、そのままの形で存在するとは限らず、例えばガラス組成物に固溶した状態で存在する場合もある。
【００２８】
前述のガラス組成物、導電材、及び添加物は、前記有機ビヒクルと混合することで厚膜抵抗体ペーストとして調製されるが、この時、ガラス組成物、導電材、及び添加物を合計した質量を１００とした場合に、ガラス組成物の割合が１０〜５５質量％、導電材の割合が３５〜８０質量％、添加物全体の割合が０．１〜３５質量％であることが好ましい。
【００２９】
ガラス組成物の割合が５５質量％を越えたり、導電材の割合が３５質量％未満であると、抵抗値１０ｋΩ／□以下とすることが難しくなり、また、温度特性（ＴＣＲ）がマイナス側にシフトし過ぎて、却って温度特性を低下させる原因となる。逆に、ガラス組成物の割合が１０質量％未満になったり、導電材の割合が８０質量％を越えると、抵抗値変動や経時変化が大きくなる等、信頼性を損なうおそれがある。
【００３０】
また、前記有機ビヒクルの配合比率であるが、ガラス組成物、導電材、及び添加物を合計した合計質量（Ｗ１）と、有機ビヒクルの質量（Ｗ２）の比率（Ｗ２／Ｗ１）が、０．２５〜４（Ｗ２：Ｗ１＝１：０．２５〜１：４）であることが好ましい。より好ましくは、前記比率（Ｗ２／Ｗ１）が０．５〜２である。前記比率を外れると、厚膜抵抗構造体を例えば基板上に形成するのに適した粘度の厚膜抵抗体ペーストを得ることができなくなるおそれがある。
【００３１】
本発明の厚膜抵抗構造体を形成するには、前述の各成分を含む厚膜抵抗体ペーストを例えば基板上にスクリーン印刷等の手法で印刷（塗布）し、８５０℃程度の温度で焼成すればよい。基板としては、Ａｌ２Ｏ３基板やＢａＴｉＯ３基板の誘電体基板や、低温焼成セラミック基板、ＡｌＮ基板等を用いることができる。基板形態としては、単層基板、複合基板、多層基板のいずれであってもよい。多層基板の場合、厚膜抵抗体は、表面に形成してもよいし、内部に形成してもよい。
【００３２】
厚膜抵抗構造体の形成に際しては、通常、基板に電極となる導電パターンを形成するが、この導電パターンは、例えば、ＡｇやＰｔ、Ｐｄ等を含むＡｇ系合金等の良導電材料を含む導電ペーストを印刷することにより形成することができる。また、形成した厚膜抵抗構造体の表面に、ガラス膜等の保護膜（オーバーグレーズ）を形成してもよい。
【００３３】
本発明の厚膜抵抗構造体は、前記により形成されるものであるが、構造体中にカルシウムと珪素を含む酸化化合物の結晶が析出していることが大きな特徴である。前記結晶の析出により、ＴＣＲが大幅に改善される。図１は、本発明の厚膜抵抗構造体の透過型電子顕微鏡写真であるが、絶縁体（ガラス）や導電材の他、針状結晶が観察される。この針状結晶を元素分析したところ、カルシウムと珪素を含むことがわかった。
【００３４】
前記結晶について、その詳細は不明であるが、ガラス組成物や導電材（例えばＣａＲｕＯ３等）、添加物等に含まれるカルシウムと珪素とが反応することにより、あるいは添加物として添加したものが残存することにより形成されるものと推測している。
【００３５】
したがって、本発明の厚膜抵抗構造体を形成するに際しては、その焼成条件や添加物等を選択することにより、前記カルシウムと珪素を含む酸化化合物の結晶を析出させることが必要である。そのためには、例えばカルシウムを含む導電材と、カルシウム及び珪素を含むガラス組成物とを含む抵抗体ペーストを用い、これを焼成して厚膜抵抗構造体とするに際し、焼成時の昇温速度を制御し、カルシウムと珪素を含む酸化化合物の結晶を析出させる。この場合、カルシウムを含む導電材としては、例えばＣａＲｕＯ３等である。カルシウム及び珪素を含むガラス組成物としては、例えば前述のＣａ−Ｂ−Ｓｉ−Ｚｒ−Ｔａ（Ｎｂ）−Ｏガラスや、Ｃａ−Ｂ−Ｓｉ−Ｍｎ−Ｏ系のガラス組成物等である。この場合、焼成時の昇温速度を制御することで、例えば昇温速度を小さくするのに伴って、結晶の析出量が増加する。逆に、昇温速度が大きくなり過ぎると、結晶が全く析出しなくなる。
【００３６】
あるいは、カルシウムと珪素を含む酸化化合物を添加物として添加し、その添加量、焼成条件をコントロールすることにより、前記結晶を析出させるようにしてもよい。この場合、添加物として使用する酸化化合物としては、ＣａＳｉＯ３で表される化合物等を挙げることができる。
【００３７】
以上の特徴を有する本発明の厚膜抵抗構造体は、各種電子部品に適用可能である。この場合、適用可能な電子部品としては特に限定されないが、例えば単層または多層の回路基板、チップ抵抗器等の抵抗器、アイソレータ素子、Ｃ−Ｒ複合素子、モジュール素子の他、積層チップコンデンサ等のコンデンサやインダクタ等が挙げられ、コンデンサやインダクタ等の電極部分にも適用することができる。
【実施例】
【００３８】
以下、本発明の具体的な実施例について、実験結果を基に説明する。
【００３９】
＜ガラス組成物の作製＞
ガラス原料としては、ＣａＣＯ３、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５を用いた。これらをＣａＯ：Ｂ２Ｏ３：ＳｉＯ２：ＺｒＯ２：Ｔａ２Ｏ５＝２０：３０：４０：５：５（モル％）となるように秤量し、ボールミルにて混合した後、乾燥した。得られた粉末を白金るつぼに投入して１３５０℃で１時間溶融させた。そして、溶融物を水中に投入することによって急冷し、ガラス化した。得られたガラス化物をボールミルにて湿式粉砕し、ガラス組成物粉末を得た。
【００４０】
＜有機ビヒクルの作製＞
バインダとしてエチルセルロース、有機溶剤としてテルピネオールを用い、有機溶剤を加熱撹拌しながらバインダを溶かして、有機ビヒクルを作製した。
【００４１】
＜厚膜抵抗体ペーストの作製＞
導電材（ＣａＲｕＯ３粉末）６０質量％と、ガラス組成物粉末３０質量％、添加物（Ｃｕ）１０質量％、及び有機ビヒクルを３本ロールミルで混練し、厚膜抵抗体ペーストを得た。なお、導電材、ガラス組成物粉末及び添加物の合計質量と有機ビヒクルの質量の比は、得られた抵抗体ペーストがスクリーン印刷に適した粘度となるように、質量比で１：０．２５〜１：４の範囲で調合し、抵抗体ペーストを作製した。
【００４２】
＜抵抗体の作製＞
９６％のアルミナ基板上に、Ａｇ−Ｐｔ導体ペーストを所定形状にスクリーン印刷して乾燥させた。Ａｇ−Ｐｔ導体ペーストにおけるＡｇの割合は９５質量％、Ｐｔの割合は５質量％とした。このアルミナ基板をベルト炉に入れ、投入から排出まで１時間のパターンで焼き付けを行った。この時の焼き付け温度は８５０℃、その温度での保持時間は１０分間とした。
【００４３】
このようにして導体が形成されたアルミナ基板上に、先に作製した厚膜抵抗体ペーストをスクリーン印刷法にて所定の形状（１ｍｍ×１ｍｍの方形状）のパターンで塗布し、乾燥した。その後、導体焼き付けと同じ条件で厚膜抵抗体ペーストを焼き付け、厚膜抵抗体を得た。ただし、焼き付けに際して、昇温速度を表１に示すように変え、結晶の析出状態を制御した。
【００４４】
＜抵抗体の特性評価＞
（１）結晶の析出量
透過型電子顕微鏡で観察し、結晶の面積分率を求め、これを析出量とした。なお、析出した結晶は、元素分析を行うことにより、カルシウムと珪素を含むことを確認した。
【００４５】
（２）抵抗値
Agilent Technologies 社製の製品番号 34401Aにより測定。試料数２４個の平均値を求めた。
【００４６】
（３）ＴＣＲ
室温２５℃を基準として、−５５℃及び１２５℃へ温度を変えた時の抵抗値変化率を求めた。試料数１０個の平均値である。−５５℃、２５℃、１２５℃の抵抗値をR-55、R25、R125（Ω／□）とおくと、ＴＣＲ（ppm／℃）＝［(R-55-R25)/R25/80］×1000000、あるいは、ＴＣＲ（ppm／℃）＝［(R125-R25)/R25/100］×1000000である。数値の大きい方をＴＣＲ値とした。
【００４７】
＜評価結果＞
前記の通り、焼き付け時の昇温速度を変えて厚膜抵抗構造体を作製し、構造体中に含まれる結晶（ＣａＳｉＯ３）の析出量と、抵抗値及びＴＣＲの関係を調べた。結果を表１に示す。
【００４８】
【表１】
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【００４９】
表１から明らかなように、昇温速度を小さくすることにより、次第に結晶の析出量が増加している。そして、この結晶の析出量の増加に伴って、ＴＣＲが小さくなり、温度特性が改善されることがわかる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明を適用した厚膜抵抗構造体の断面の透過型電子顕微鏡写真である。
【図１】
2006229166.tif 000004