(57)【要約】【課題】入射光によってシリコン基板の表面で発生した電子が、基板表面に沿って横方向に拡散し、読み出しゲート部またはチャネルストップ部を通過して転送チャネル領域へ漏れ込むことによって発生する成分がスミア成分として支配的となる。【解決手段】ｐｎ接合によるフォトダイオードの基板表面側に正電荷蓄積領域２２を形成してなる埋込み型フォトダイオード構造のＣＣＤ固体撮像素子において、センサ表面の正電荷蓄積領域２２内にゲッタリングサイトであるゲッター領域２３を形成し、入射光によってエピタキシャル基板１０の表面で発生した電子を当該ゲッター領域２３によって捕獲することで、転送チャネル領域３１に漏れ込むスミア成分を抑制する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の表層部に形成された光電変換素子と、当該光電変換素子の基板表面側に形成された不純物領域とを含む受光部が配置されてなる固体撮像素子であって、
前記不純物領域内にゲッター領域を有する
ことを特徴とする固体撮像素子。
【請求項２】
前記ゲッター領域は、４族の不純物元素によって形成されている
ことを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子。
【請求項３】
前記４族の不純物元素が炭素である
ことを特徴とする請求項２記載の固体撮像素子。
【請求項４】
半導体基板の表層部に形成された光電変換素子と、当該光電変換素子の基板表面側に形成された不純物領域とを含む受光部が配置されてなる固体撮像素子の製造方法であって、
前記不純物領域内にゲッター領域を形成する
ことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
【請求項５】
４族の不純物元素をイオン注入することによって前記ゲッター領域を形成する
ことを特徴とする請求項４記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項６】
前記４族の不純物元素が炭素である
ことを特徴とする請求項５記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項７】
半導体基板の表層部に形成された光電変換素子と、当該光電変換素子の基板表面側に形成された不純物領域とを含む受光部が配置されてなり、前記不純物領域内にゲッター領域を有する固体撮像素子を撮像デバイスとして用いた
ことを特徴とする撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法および撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
固体撮像素子、例えばＣＣＤ(Charge Coupled Device)固体撮像素子特有の欠点の一つとしてスミアが挙げられる。スミアは、撮像画中に輝度の高い被写体が存在すると、当該被写体に起因する光の漏れ込みによって撮像画の上下方向（垂直方向）に縞状の明るい帯（縦筋）ができる現象である。固体撮像素子におけるスミアの主成分に関して、図７を用いて以下に説明する。図７は、ＣＣＤ固体撮像素子における受光部および垂直電荷転送部の構成を示す断面図である。
【０００３】
図７において、受光部（光電変換部）１０１は、シリコン基板１０２の表層部に形成されたｎ型不純物拡散領域１０３とｐ型ウェル領域１０４とのｐｎ接合によるフォトダイオードによって構成されている。垂直電荷転送部１０５は、シリコン基板１０２の表層部に形成されたｎ型不純物の転送チャネル領域１０６およびその下に形成されたｐ型不純物領域１０７と、シリコン基板１０２上にゲート絶縁膜１０８を介して形成された転送電極１０９とから構成されている。
【０００４】
読み出しゲート部１１０は、転送電極１０９の一部をゲート電極として兼用し、当該ゲート電極とその下のシリコン基板１０２の表層部に形成されたｐ型不純物領域１１１とにより構成されている。受光部１０１と隣の受光部の垂直電荷転送部１０５との間のシリコン基板１０２の表層部には、ｐ型不純物のチャネルストップ部１１２が形成されている。また、垂直電荷転送部１０５の各々を覆うように遮光膜１１３が形成されている。
【０００５】
上記構成の受光部１０１および垂直電荷転送部１０５において、スミアの一般的な主成分は、次の４つの成分ａ〜ｄに大別される。成分ａは、斜め入射光により基板深部で光電変換によって発生した電子-正孔のうち、電子が転送チャネル領域１０６へ漏れ込んで発生するスミア成分である。成分ｂは、斜め入射光がシリコン基板１０２と遮光膜１１３や転送電極１０９との間で反射し、転送チャネル領域１０６へ漏れ込んで当該転送チャネル領域１０６で電子が発生することに起因するスミア成分である。
【０００６】
成分ｃは、遮光膜１１３／転送電極１０９を直接透過する入射光成分が転送チャネル領域１０６内で電子を発生することに起因するスミア成分である。成分ｄは、入射光によってシリコン基板１０２の表面で発生した電子が基板表面に沿って横方向に拡散し、読み出しゲート部１１０のｐ型不純物領域１１１またはチャネルストップ部１１２を通過して転送チャネル領域１０６へ漏れ込むことによって発生するスミア成分である。
【０００７】
これら４成分ａ〜ｄのうち、特にスミアの成分として支配的である上記成分ｄを改善するために、従来は、転送チャネル等であるｎ型拡散層の側方に位置する制御部や分離部の不純物濃度を半導体基板のｐ型ウェルよりも高く形成することにより、ｎ型拡散層近傍の電位勾配をほとんど無くし、半導体基板の表面に沿った拡散電流を小さく制限してスミアを低減するようにしていた（例えば、特許文献１参照）。
【０００８】
【特許文献１】特開２０００−７７６４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上述した従来技術では、制御部や分離部の不純物濃度の設定によってｎ型拡散層近傍の電位勾配を全く無くすることは難しいことから、半導体基板表面に沿った拡散電流をある程度小さく制限できるものの、これを完全になくすことは困難であるために、当該拡散電流に起因するスミアを確実に抑制するのは難しい。
【００１０】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、スミア成分のうち、入射光によって半導体基板の表面で発生した電子が基板表面に沿って横方向に拡散し、チャネルストップ部を通過して転送チャネル領域に漏れ込む成分を確実に抑制可能な固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法および撮像装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明では、半導体基板の表層部に形成された光電変換素子と、当該光電変換素子の基板表面側に形成された不純物領域とを含む受光部が配置されてなる固体撮像素子において、前記不純物領域内にゲッター領域を形成する構成を採っている。この固体撮像素子は、デジタルスチルカメラやビデオカメラなどの撮像装置において、その撮像デバイスとして用いられる。
【００１２】
上記構成の固体撮像素子またはこれを撮像デバイスとして搭載した撮像装置において、入射光によって半導体基板の表面で電子が発生すると、光電変換素子の基板表面側の不純物領域内に形成されたゲッター領域が当該電子を捕獲する。これにより、スミアの成分として支配的な入射光に起因する電子が、基板表面に沿って横方向に拡散し、チャネルストップ部を通過して転送チャネル領域に漏れ込むのを確実に抑制できる。また、ゲッター領域が受光部内に位置することで、プロセス起因で混入する金属不純物による白傷欠陥や暗電流成分についても抑制できる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、光電変換素子の基板表面側に不純物領域を形成してなる固体撮像素子において、センサ表面の不純物領域内にゲッター領域を形成したことで、当該ゲッター領域が入射光によって半導体基板の表面で発生した電子を確実に捕獲することができるためにスミア特性を改善でき、またゲッター領域が受光部内に位置することで、プロセス起因で混入する金属不純物による白傷欠陥や暗電流成分についても抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００１５】
［第１実施形態］
図１は、本発明の第１実施形態に係るＣＣＤ固体撮像素子の主要部（受光部および垂直電荷転送部）の構成を示す断面図である。
【００１６】
図１において、エピタキシャル基板１０は、ＣＺ(Czochralski)法で成長させたシリコン基板であるｎ型のＣＺ基板１１の上にエピタキシャル層１２を形成し、その上にさらに第１のｐ型ウェル領域１３を形成した構成となっている。ｐ型ウェル領域１３内に受光部（光電変換部）２０、垂直電荷転送部４０、読み出しゲート部３０およびｐ型チャネルストップ部５０が形成されている。
【００１７】
受光部（画素）２０は、ｐ型ウェル領域１３と当該ウェル領域１３内に形成されたｎ型不純物拡散領域２１とのｐｎ接合によるフォトダイオードによって構成され、ｎ型不純物拡散領域２１上、即ち基板表面側に不純物領域、本例ではｐ型の正電荷（正孔）蓄積領域（ｐ++層）２２を有する構成となっている。
【００１８】
垂直電荷転送部３０は、ｐ型ウェル領域１３内に形成されたｎ型転送チャネル領域（ｐ+ 層）３１と、当該転送チャネル領域３１の直下に形成された第２のｐ型ウェル領域３２と、エピタキシャル基板１０上にＯＮＯ膜（ＳｉＯ２／ＳｉＮ／ＳｉＯ２）構造のゲート絶縁膜７１を介して形成された多結晶シリコンからなる例えば２層構造の転送電極３３とから構成されている。
【００１９】
読み出しゲート部４０は、垂直電荷転送部３０の転送電極３３の一部をゲート電極として兼用し、当該ゲート電極とその下のチャネル領域とによって構成されている。チャネルストップ部５０はｐ型不純物（ｐ+ 層）によって構成されている。また、垂直電荷転送部３０の各々を覆うように、層間絶縁膜７２を介してアルミニウム（Ａｌ）やタングステン（Ｗ）等からなる遮光膜７３が形成されている．
【００２０】
上記構成のＣＣＤ固体撮像素子、即ちｐｎ接合によるフォトダイオードの基板表面側に正電荷蓄積領域２２を形成してなる埋込み型フォトダイオード構造のＣＣＤ固体撮像素子において、本発明では、センサ表面の正電荷蓄積領域２２内にゲッタリングサイトであるゲッター領域２３を形成したことを特徴としている。
【００２１】
このゲッター領域２３は、入射光によってエピタキシャル基板１０の表面で発生した電子を捕獲することで、当該電子が基板表面に沿って横方向に拡散し、転送チャネル領域３１に漏れ込む成分を捕獲する減少させる作用をなす。ここで、基板表面で発生した電子を確実に捕獲するためには、ゲッター領域２３は正電荷蓄積領域２２の内部にあることが必要である。図２に、図１のＸ１−Ｘ２線に沿った断面のポテンシャルを示す。
【００２２】
ここで、ゲッター領域２３、即ちゲッタリングサイトとしてはいろいろな物が考えられる。ゲッタリング技術としては、一般的に、シリコン基板中の酸素を基板内部のみに析出させ、これをゲッタリングサイトとするＩＧ(Intrinsic Gettering)法、基板裏面にポリシリコンや高濃度燐(Phosphorus)領域等を形成し、シリコンとの歪み応力を利用してゲッタリングサイトを形成するＥＧ(Extrinsic  Gettering)法等がある。
【００２３】
これに対して、ゲッター領域２３のように、受光部２０の領域内に局所的に形成でき、電気的に中性でかつ拡散が小さいゲッタリングサイトとしては，４族の不純物元素をイオン注入して形成するゲッタリング技術が一番望ましい。具体的には、４族の不純物元素として例えば炭素イオンを５×１０13 cm-2 以上、好ましくは５×１０13 〜５×１０15 cm-2のドーズ量で注入し、ゲッタリングサイトとする。ただし、イオン注入する４族の不純物元素としては、炭素に限られるものではなく、ゲルマニウム、錫、鉛等であっても良い。
【００２４】
ゲッター領域２３を形成するに当たっては、正電荷蓄積領域２２からはみ出さないように、好ましくは当該正電荷蓄積領域２２の基板表面側に形成する必要がある。何故ならば、ゲッター領域２３が正電荷蓄積領域２２からはみ出ると、当該ゲッター領域２３が有する欠陥や準位により、電子を捕獲あるいは電子が発生し、白傷欠陥や暗電流成分の原因となってしまうためである。
【００２５】
ゲッター領域２３を正電荷蓄積領域２２からはみ出さないように形成するには、イオン注入する際のドーズ量、エネルギーあるいは角度などを適宜選定するようにすれば良い。一例として、ボロンを２０ｋｅＶ以下のエネルギーでイオン注入することによって正電荷蓄積領域２２を形成するものとすると、炭素を１０ｋｅＶ以下のエネルギーでイオン注入することによってゲッター領域２３を形成するようにすれば良い。
【００２６】
また、炭素をイオン注入する際に、炭素のドーズ量を５×１０13 cm-2 以上にすることで、この炭素のイオン注入による高密度の結晶欠陥の形成と応力の発生とを十分に行うことができるため、電子を捕獲するゲッタリング能力を高めることができる。また、炭素のドーズ量を５×１０15 cm-2以下にすることで、エピタキシャル基板１０の表面の結晶性の劣化を少なく抑えることができる。
【００２７】
上述したように、ｐｎ接合によるフォトダイオードの基板表面側に正電荷蓄積領域２２を形成してなる埋込み型フォトダイオード構造のＣＣＤ固体撮像素子において、センサ表面の正電荷蓄積領域２２内にゲッタリングサイトであるゲッター領域２３を形成することにより、入射光によってエピタキシャル基板１０の表面で発生した電子がゲッター領域２３で捕獲されるため、チャネルストップ部５０を通過して転送チャネル領域３１に漏れ込むスミア成分を確実に抑制できる。
【００２８】
ゲッター領域２３で捕獲される電子は、スミアの成分として支配的な成分であるため、正電荷蓄積領域２２内にゲッター領域２３を形成することにより、スミア特性を大幅に改善できる。しかも、ゲッター領域２３が受光部２０の領域内に位置しているため、プロセス起因で混入する金属不純物による白傷欠陥や暗電流成分についても抑制することができる。
【００２９】
［第２実施形態］
図３は、本発明の第２実施形態に係るＣＣＤ固体撮像素子の主要部の構成を示す断面図であり、図中、図１と同等部分には同一符号を付して示している。
【００３０】
本実施形態に係るＣＣＤ固体撮像素子は、ゲッター領域２３を含む受光部２０、垂直電荷転送部３０、読み出しゲート部４０およびチャネルストップ部５０を形成する半導体基板として、エピタキシャル層１２を形成する前のシリコン基板であるｎ型ＣＺ基板１１の表面に、炭素イオンを１×１０15 cm-2のドーズ量でイオン注入して炭素注入領域１４を形成した後、エピタキシャル層１２を形成してなるエピタキシャル基板１０′を用いた構成を採っており、それ以外の構成は基本的に第１実施形態に係るＣＣＤ固体撮像素子の構成と同じである。
【００３１】
かかる構成のＣＣＤ固体撮像素子において、炭素注入領域１４中の炭素が酸素の析出を加速してＣＺ基板１１に高密度の結晶欠陥を形成しており、この結晶欠陥がゲッタリングサイトになっている。また、ＣＺ基板１１を形成している元素（シリコン）と炭素注入領域１４中の炭素とで共有結合半径が異なることによって応力が発生しており、この応力自体もゲッタリングサイトになっている。このため、ＣＺ基板１１中に元々存在している不純物および結晶欠陥や、エピタキシャル層１２を形成する際およびその後に固体撮像素子を形成する際に導入される不純物および結晶欠陥が強力にゲッタリングされる。
【００３２】
上述したように、埋込み型フォトダイオード構造のＣＣＤ固体撮像素子において、半導体基板として炭素注入領域１４を有するエピタキシャル基板１０′を用い、当該エピタキシャル基板１０′上に、正電荷蓄積領域２２内にゲッター領域２３を形成してなる受光部２０、垂直電荷転送部３０、読み出しゲート部４０およびチャネルストップ部５０を形成した構成を採ることにより、第１実施形態と同様の効果、即ちゲッター領域２３によるスミア特性の改善効果に加えて、炭素注入領域１４によって不純物および結晶欠陥を強力にゲッタリングできるため、ＣＣＤ固体撮像素子の白傷欠陥や暗電流成分を大幅に低減できる効果を得ることができる。
【００３３】
なお、上記各実施形態では、埋込み型フォトダイオード構造のＣＣＤ固体撮像素子において、センサ表面の正電荷蓄積領域２２内にゲッター領域２３を形成するとしたが、この構成に加えて、チャネルストップ部５０内にもゲッター領域を形成する構成を採ることも可能である。
【００３４】
このように、チャネルストップ部５０内にもゲッター領域を形成することで、入射光によって基板表面に発生した電子が基板表面に沿って横方向に拡散し、読み出し側と反対側のチャネルストップ部５０を通過して隣りの転送チャネル領域３１に漏れ込むのを当該ゲッター領域によって捕獲することができるため、正電荷蓄積領域２２内にゲッター領域２３の作用効果と相俟って、スミア、白傷欠陥および暗電流成分をより確実に低減できることになる。
【００３５】
このゲッター領域については、基本的に、正電荷蓄積領域２２内に形成するゲッター領域２３と同じゲッタリング技術を用いて形成することができる。すなわち、チャネルストップ部５０の領域内に局所的に形成でき、電気的に中性でかつ拡散が小さいゲッタリングサイトとしては，４族の不純物元素をイオン注入して形成するゲッタリング技術が一番望ましい。
【００３６】
具体的には、４族の不純物元素として例えば炭素イオンを５×１０13 cm-2 以上、好ましくは５×１０13 〜５×１０15 cm-2のドーズ量で注入し、ゲッタリングサイトとする。ただし、イオン注入する４族の不純物元素としては、炭素に限られるものではなく、ゲルマニウム、錫、鉛等であっても良い。
【００３７】
また、炭素のイオン注入に際して、炭素のドーズ量を５×１０13 cm-2 以上にすることで、この炭素のイオン注入による高密度の結晶欠陥の形成と応力の発生とを十分に行うことができるため、電子を捕獲するゲッタリング能力を高めることができる。また、炭素のドーズ量を５×１０15 cm-2以下にすることで、エピタキシャル基板１０の表面の結晶性の劣化を少なく抑えることができる。
【００３８】
［製造方法］
次に、第２実施形態に係るＣＣＤ固体撮像素子の製造方法について、図４および図５の製造工程図を用いて説明する。図４および図５において、図３と同等部分には同一符号を付して示している。
【００３９】
先ず、図４（Ａ）に示すように、ＣＺ法で成長させたシリコン基板であるｎ型のＣＺ基板１１を準備する。このＣＺ基板１１は、主面が（１００）面を有し、例えば比抵抗１０Ωｃｍの直径２００ｍｍの基板である。このＣＺ基板１１に対して、その表面に熱酸化膜８１を介して４族の不純物元素、例えば炭素を１×１０15ｃｍ-2のドーズ量で注入して炭素注入領域１４を形成する。炭素のイオン注入後アニールを施し、しかる後熱酸化膜８１を除去する。
【００４０】
次に、図４（Ｂ）に示すように、ＣＺ基板１１の一主面にＳｉＨＣ１３ソースガスによる水素還元法を用いて、例えば１１１０℃のエピタキシャル成長温度にて、例えば８μｍのｎ型シリコンエピタキシャル層２を成長させる。次いで、図４（Ｃ）に示すように、ｎ型シリコンエピタキシャル層１２に第１のｐ型ウェル領域１３を形成する。
【００４１】
次に、図４（Ｄ）に示すように、ｐ型ウェル領域１３の表面上にＯＮＯ膜（ＳｉＯ２／ＳｉＮ／ＳｉＯ２）構造のゲート絶縁膜７１を形成し、第１のｐ型ウェル領域１３内にｎ型およびｐ型不純物を選択的にイオン注入して、垂直電荷転送部３０を構成するｎ型の転送チャネル領域３１およびｐ型のチャネルストップ部５０と、第２のｐ型ウェル領域３２をそれぞれ形成する。
【００４２】
次に、図５（Ａ）に示すように、垂直電荷転送部３０の２層構造の転送電極３３を多結晶シリコンで形成し、次いで受光部２０の領域に炭素イオンを選択的に５×１０13 cm-2 のドーズ量で注入してゲッター領域２３を形成する。ゲッター能力を有効にするには、５×１０13 cm-2 以上、好ましくは５×１０13 〜５×１０15 cm-2のドーズ量でのイオン注入が望ましい。スミア低減効果に関しては、より低ドーズ量で効果がある。
【００４３】
イオン注入時のマスクとしては、転送電極３３を用いても良いし、別途リソグラフ法により形成したレジストを用いても良い。エネルギーやドーズ量としては、後で形成する正電荷蓄積領域２２の形成条件に依存する。すなわち、ゲッター領域２３が有する欠陥や準位が、正電荷蓄積領域２２からはみ出ない条件にて行うことが望ましい。一例として、ボロンを２０ｋｅＶ以下のエネルギーでイオン注入することによって正電荷蓄積領域２２を形成するものとすると、炭素を１０ｋｅＶ以下のエネルギーでイオン注入する。
【００４４】
次に、図５（Ｂ）に示すように、転送電極３３をマスクとして用いて第１のｐ型ウェル領域１３内にｎ型およびｐ型不純物を選択的にイオン注入して、受光部２０を構成するｎ型不純物拡散領域２１およびｐ型の正電荷蓄積領域１７を形成する。次いで、図５（Ｃ）に示すように、素子全面に亘って層間絶縁膜７２を形成した後、垂直電荷転送部３０上を覆う遮光膜７３をアルミニウムあるいはタングステン等によって形成する。以降、周知のカラーフィルタやオンチップレンズを順に形成することにより、目的のＣＣＤ固体撮像素子を得る。
【００４５】
なお、第１実施形態に係るＣＣＤ固体撮像素子を製造する場合には、図４（Ａ）において、炭素注入領域１４を形成する工程が省かれることになる。
【００４６】
上述したように、受光部２０の正電荷蓄積領域２２内にゲッター領域２３を形成することにより、当該ゲッター領域２３が入射光によって半導体基板の表面で発生した電子を捕獲する作用をなすことになるため、スミア成分として支配的な入射光に起因する電子が、転送チャネル領域３１に漏れ込むのを確実に抑制でき、しかもゲッター領域２３が受光部２０内に位置することで、プロセス起因で混入する金属不純物による白傷欠陥や暗電流成分についても抑制できることになるため、スミア特性に優れ、白傷欠陥の少ないＣＣＤ固体撮像素子を製造できる。
【００４７】
なお、図５の製造工程においては、受光部２０のｎ型不純物拡散領域２１と正電荷蓄積領域２２を形成する前にゲッター領域２３を形成するとしたが、逆に、ｎ型不純物拡散領域２１と正電荷蓄積領域２２を形成した後にゲッター領域２３を形成するようにすることも可能である。
【００４８】
また、ここでは、ｎ型Ｓｉエピタキシャル基板上に形成されたｐ型のウェル領域１３の表面にｎ型拡散領域２１を形成して、ｐ型ウェル１３とｎ型拡散領域２１とのｐｎ接合によってフォトダイオードを形成するタイプのＣＣＤ固体撮像素子を製造する場合を例に挙げて説明したが、ｐ型のＳｉエピタキシャル基板にｎ型不純物領域を形成してフォトダイオードを作成するタイプのＣＣＤ固体撮像素子にも同様に適用できる。
【００４９】
また、層内レンズを複数個有するタイプのＣＣＤ固体撮像素子や、縦型オーバーフローバリア形成後にエピタキシャル層を形成し、近赤外線にも感度を持つタイプのＣＣＤ固体撮像素子、さらには紫外線に透過性を有する膜のみにて受光部を形成するタイプのＣＣＤ固体撮像素子にも適用できることは勿論である。また、ＣＣＤ固体撮像素子に限らず、ＣＭＯＳ(Complementary Metal Oxide Semiconductor)型固体撮像素子（いわゆるＣＭＯＳセンサ）や、増幅型固体撮像素子にも当然適用可能である。
【００５０】
［応用例］
以上説明した各実施形態に係る固体撮像素子は、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等の撮像装置（カメラモジュール）において、その撮像デバイスとして用いて好適なものである。
【００５１】
図６は、本発明に係る撮像装置の構成の一例を示すブロック図である。図６に示すように、本例に係る撮像装置は、レンズ８１、撮像デバイス８２、信号処理回路８３およびデバイス駆動回路８４等によって構成されている。
【００５２】
レンズ８１は、被写体からの像光を撮像デバイス８２の撮像面に結像する。撮像デバイス８２は、デバイス駆動回路８４による駆動の下に、レンズ８１によって撮像面に結像された像光を画素単位で電気信号に変換して得られる１フレームの画像信号を例えばフィールド単位で出力する。この撮像デバイス８２として、先述した各実施形態に係るＣＣＤ固体撮像素子が用いられる。
【００５３】
信号処理部８３は、ＣＤＳ(Correlated Double Sampling;相関二重サンプリング)回路やＡＧＣ(Automatic Gain Control;自動利得制御)回路を含み、撮像デバイス８２から出力される画像信号に対して、ＣＤＳ回路によって画像信号に含まれる固定パターンノイズを除去するとともに、ＡＧＣ回路によって信号レベルを安定化（ゲイン調整）する処理等を行う。
【００５４】
デバイス駆動回路８４は、撮像デバイス８２が図１または図３に示すＣＣＤ固体撮像素子であることから、受光部２０で光電変換された信号電荷を垂直電荷転送部３０に読み出すための読み出しゲートパルス、垂直電荷転送部３０を転送駆動するためのｎ相の垂直転送パルス、水平電荷転送部（図示せず）を転送駆動するためのｍ相の水平転送パルスなどの各種タイミングパルスを生成し、これらタイミングパルスによって撮像デバイス８２を駆動する。
【００５５】
上述したように、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等の撮像装置において、その撮像デバイスとして先述した各実施形態に係るＣＣＤ固体撮像素子を搭載することで、当該ＣＣＤ固体撮像素子はスミア特性を改善できるとともに、白傷不良や暗電流成分を抑制できる特長を持つことから、スミアが少なく、高画質の撮像画像を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の第１実施形態に係るＣＣＤ固体撮像素子の主要部の構成を示す断面図である。
【図２】図１のＸ１−Ｘ２線に沿った断面のポテンシャル図である。
【図３】本発明の第２実施形態に係るＣＣＤ固体撮像素子の主要部の構成を示す断面図である。
【図４】第２実施形態に係るＣＣＤ固体撮像素子の製造方法の手順を示す工程図（その１）である。
【図５】第２実施形態に係るＣＣＤ固体撮像素子の製造方法の手順を示す工程図（その２）である。
【図６】本発明に係る撮像装置の構成の一例を示すブロック図である。
【図７】従来例に係るＣＣＤ固体撮像素子の主要部の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５７】
１０…エピタキシャル基板、１１…ＣＺ基板、１２…ｎ型エピタキシャル層、１３…第１のｐ型ウェル領域、１４…炭素注入領域、２０…受光部、２１…ｎ型不純物拡散領域、２２…正電荷蓄積領域、２３…ゲッター領域、３０…垂直電荷転送部、３１…転送チャネル領域、３２第２のｐ型ウェル領域、３３…転送電極、４０…読み出しゲート部、５０…チャネルストップ部
【図１】
2006147680.tif 000003
【図２】
2006147680.tif 000004
【図３】
2006147680.tif 000005
【図４】
2006147680.tif 000006
【図５】
2006147680.tif 000007
【図６】
2006147680.tif 000008
【図７】
2006147680.tif 000009