(57)【要約】【課題】  正常な画素に対して悪影響を与えることなく効率よく欠陥のある画素を改善できる発光装置を提供する。【解決手段】  透明基板２に形成した駆動トランジスタＱｄのソース領域３２から第１の工程によってポリシリコンよりなる抵抗配線Ｌ３基本型を形成する。抵抗配線Ｌ３は中継電極２０を介して有機ＥＬ素子の陽極Ｅ１と電気的に接続されている。そして、抵抗配線Ｌ３に第２の工程によってレーザ光を照射して一部又は全部を溶断した。従って、陽極Ｅ１や陰極Ｅ２にくらべて面積の小さい抵抗配線Ｌ３を溶断するため、切断が短時間に済み切断効率がよい。その結果、有機ＥＬ表示装置１の生産性を向上させることができる。【選択図】      図４
2006215227.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に発光素子とスイッチング素子が形成され、前記スイッチング素子が導通して電源線からの電源を前記発光素子に供給して同発光素子を発光させる発光装置の改善方法において、
前記電源線と前記スイッチング素子の間に形成した配線又は前記発光素子と前記スイッチング素子との間に形成した配線の少なくともいずれか一方を抵抗配線にし、抵抗配線を形成する工程は少なくとも基本型を形成する第１の工程と、基本型をさらに加工する第２の工程を含むことを特徴とする発光装置の改善方法。
【請求項２】
請求項１に記載の発光装置の改善方法において、
前記基板は透明基板であって、前記第１の工程によって形成された前記抵抗配線に前記第２の工程によってその抵抗値を調整するようにしたことを特徴とする発光装置の改善方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の発光装置の改善方法において、
前記第２の工程は、レーザ光照射工程であり、前記基板を介して前記抵抗配線にレーザ光を照射して前記抵抗配線の一部又は全部を溶断して、その抵抗値を調整するようにしたことを特徴とする発光装置の改善方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１つに記載の発光装置の改善方法において、
前記抵抗配線は、複数の抵抗配線要素を並列に接続したものであり、その各抵抗配線要素を適宜選択してレーザ光を照射して切断して、抵抗値を調整することを特徴とする発光装置の改善方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１つに記載の発光装置の改善方法において、
前記スイッチング素子は、駆動トランジスタであることを特徴とする発光装置の改善方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１つに記載の発光装置の改善方法において、
前記抵抗配線は、ポリシリコン膜であることを特徴とする発光装置の改善方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１つに記載の発光装置の改善方法において、
前記発光素子はエレクトロルミネッセンス素子または発光ダイオードであることを特徴とする発光装置の改善方法。
【請求項８】
請求項７に記載の発光装置の改善方法において、
前記エレクトロルミネッセンス素子は陽極と陰極の間に形成された発光層及び正孔輸送層が有機材料で構成され、その正孔輸送層側に形成された陽極とスイッチング素子との間に抵抗配線が形成されていることを特徴とする発光装置の改善方法。
【請求項９】
基板上に発光素子とスイッチング素子が形成され、前記スイッチング素子が選択信号に応答して導通し、電源線からの電源を前記発光素子に供給して発光させる画素を複数有した発光装置において、
前記各画素の各々を前記電源線と前記スイッチング素子の間に形成した配線又は前記発光素子と前記スイッチング素子との間に形成した配線の少なくともいずれか一方を抵抗配線にし、前記各画素の中の特定画素について同特定画素に対する前記抵抗配線に対してレーザ光にて一部又は全部を溶断して抵抗値を調整した抵抗配線にしたことを特徴とする発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置の改善方法及び発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、発光装置の電気光学的素子は、例えば有機エレクロルミネッセンス表示装置（有機ＥＬ表示装置）の有機ＥＬ素子は、駆動トランジスタが階調データに基づく電流値は供給されその階調データに相対した輝度で発光するようになっている。従って、駆動トランジスタが製造工程で電気的特性に不具合が生じたとき、階調データに基づく輝度で発光しなくなることから、製品出荷をする前に検査を行っている。この種の検査の一つとして、各画素の不良検査する輝点検査がある。この輝点検査は、例えば、有機ＥＬ素子が、駆動トランジスタの不具合等でショートし、有機ＥＬ素子が最高輝度で発光している欠陥のある画素を探し出す欠陥検査である。
【０００３】
欠陥のある画素を見つけ出したとき、その欠陥を改善して製造歩留まりの向上を図る上で重要であり、種々の改善方法が提案されている（例えば、特許文献１）。特許文献１の改善方法は、表示不良を起こした画素（有機ＥＬ素子）の第１電極（陽極）又は第２電極（陰極）の少なくとも一方の電極の一部をレーザ光で消失（溶断）させて表示不良を改善するものである。
【特許文献１】特開２００３−２３３３２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１では、第１電極（陽極）は、光透過性の膜で形成されているため、レーザ光を照射しても透過してしまい、除去され難く改善作業効率が悪いとともに有機ＥＬ素子の有機ＥＬ層に悪影響を与える。また、第２電極は、遮光性金属膜で形成されているため除去し易いが、遮光性金属の粒子が飛び散り他の正常の画素に悪影響を及ぼすおそれがある。さらに、第１及び第２電極は画素領域に依存するため、その面積が大きいため、その分除去するのに時間を要し改善作業効率が悪かった。
【０００５】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、その目的は、正常な画素に対して悪影響を与えることなく効率よく欠陥のある画素を改善できる発光装置の改善方法及び発光装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の発光装置の改善方法は、基板上に発光素子とスイッチング素子が形成され、前記スイッチング素子が導通して電源線からの電源を前記発光素子に供給して同発光素子を発光させる発光装置の改善方法において、前記電源線と前記スイッチング素子の間に形成した配線又は前記発光素子と前記スイッチング素子との間に形成した配線の少なくともいずれか一方を抵抗配線にし、抵抗配線を形成する工程は少なくとも基本型を形成する第１の工程と、基本型をさらに加工する第２の工程を含む。
【０００７】
本発明の発光装置の改善方法によれば、抵抗配線の基本形型は、発光素子の電極にくらべその面積（線幅）が小さいので、短時間で抵抗値を調整し、発光素子の輝度を改善することできる。
【０００８】
この発光装置の改善方法において、前記基板は透明基板であって、前記第１の工程によって形成された前記抵抗配線に前記第２の工程によってその抵抗値を調整するようにして
もよい。
【０００９】
この発光装置の改善方法によれば、抵抗配線の基本型が第２の工程によって加工されて抵抗値が調整さる。
この発光装置の改善方法において、前記第２の工程は、レーザ光照射工程であり、前記基板を介して前記抵抗配線にレーザ光を照射して前記抵抗配線の一部又は全部を溶断して、その抵抗値を調整するようにしてもよい。
【００１０】
この発光装置の改善方法によれば、透明基板の素子形成面とは反対側の面からレーザ光を抵抗配線に照射して抵抗値を調整し発光素子の輝度を改善することができる。
この発光装置の改善方法において、前記抵抗配線は、複数の抵抗配線要素を並列に接続したものであり、その各抵抗配線要素を適宜選択してレーザ光を照射して切断して、抵抗値を調整するようにしてもよい。
【００１１】
この発光装置の改善方法によれば、前記抵抗配線の抵抗配線要素にレーザ光を照射して切断するだけで、その抵抗値を正確に調整でき、発光素子の輝度を正確に調整することができる。
【００１２】
この発光装置の改善方法において、前記スイッチング素子は、駆動トランジスタであってもよい。
この発光装置の改善方法によれば、駆動ランジスタを介して発光素子に供給される電流が調整される。
【００１３】
この発光装置の改善方法において、前記抵抗配線はポリシリコン膜であってもよい。
この発光装置の改善方法によれば、ポリシリコン膜は、レーザ光を吸収し易いため、短時間で抵抗値を調整し、発光素子の輝度を改善することできる。
【００１４】
この発光装置の改善方法において、前記発光素子はエレクトロルミネッセンス素子または発光ダイオードであってもよい。
この発光装置の改善方法によれば、エレクトロルミネッセンス素子又は発光ダイオードからなる発光装置の輝点検査の結果、不具合のあるエレクトロルミネッセンス素子又は発光ダイオードの輝度を短時間に改善することができる。
【００１５】
この発光装置の改善方法において、前記エレクトロルミネッセンス素子は陽極と陰極の間に形成された発光層及び正孔輸送層が有機材料で構成され、その正孔輸送層側に形成された陽極と駆動トランジスタとの間に抵抗配線が形成されていてもよい。
【００１６】
この発光装置の改善方法によれば、エレクトロルミネッセンス素子からなる発光装置の輝点検査の結果、不具合のあるエレクトロルミネッセンス素子について抵抗配線の抵抗値をレーザ光で調整するだけで、欠陥画素の輝度を短時間に改善することができる。
【００１７】
本発明の発光装置は、基板上に発光素子とスイッチング素子が形成され、前記スイッチング素子が選択信号に応答して導通し、電源線からの電源を前記発光素子に供給して発光させる画素を複数有した発光装置において、前記各画素の各々を前記電源線と前記スイッチング素子の間に形成した配線又は前記発光素子と前記スイッチング素子との間に形成した配線の少なくともいずれか一方を抵抗配線にし、前記各画素の中の特定画素について同特定画素に対する前記抵抗配線に対してレーザ光にて一部又は全部を溶断して抵抗値を調整した抵抗配線にした。
【００１８】
本発明の発光装置によれば、抵抗配線がレーザ光を吸収し易く、しかも、発光素子の電
極にくらべその面積（線幅）が小さいので、短時間で抵抗値を調整でき発光素子の輝度を改善することできる。その結果、歩留まりの向上及び生産効率の向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
（第１実施形態）
以下、本発明を具体化した第１実施形態を図１〜図４に従って説明する。図１は、発光装置としての有機エレクトロルミネッセンス表示装置（有機ＥＬ表示装置）を示す概略平面図である。
【００２０】
図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１には透明基板２が備えられている。透明基板２は、四角形状に形成される無アルカリガラス基板であって、その一側面（図１における表面：パターン形成面としての素子形成面２ａ）には、四角形状の素子形成領域３が形成されている。
【００２１】
素子形成領域３には、上下方向（列方向）に延びる複数のデータ線Ｌｘが所定の間隔をおいて形成されている。前記複数のデータ線Ｌｘは、それぞれ透明基板２の下側に配設されるデータ線駆動回路４に電気的に接続されている。データ線駆動回路４は、図示しない外部装置から供給される表示データ（階調データ）に基づいてデータ信号を生成し、そのデータ信号を対応するデータ線Ｌｘに所定のタイミングで出力するようになっている。
【００２２】
また、素子形成領域３には、データ線Ｌｘと同じく、列方向に延びる複数の電源線Ｌｖが所定の間隔をおいて各データ線Ｌｘに併設されている。前記複数の電源線Ｌｖは、それぞれ素子形成領域３の下側に形成される共通電源線Ｌｖｃに電気的に接続され、図示しない電源電圧生成回路の生成する駆動電源を各電源線Ｌｖに供給するようになっている。
【００２３】
さらに、素子形成領域３には、データ線Ｌｘ及び電源線Ｌｖと直交する方向（行方向）に延びる複数の走査線Ｌｙが所定の間隔をおいて形成されている。各走査線Ｌｙは、透明基板２の左側に形成される走査線駆動回路５に電気的にそれぞれ接続されている。走査線駆動回路５は、図示しない制御回路から供給される走査制御信号に基づいて、複数の走査線Ｌｙの中から所定の走査線Ｌｙを所定のタイミングで選択駆動し、その走査線Ｌｙに走査信号を出力するようになっている。
【００２４】
これらデータ線Ｌｘと走査線Ｌｙの交差する位置には、対応するデータ線Ｌｘ、電源線Ｌｖ及び走査線Ｌｙに接続されることによってマトリックス状に配列される複数の画素６が形成されている。その画素６内には、図１に示すように、制御素子形成領域７と発光素子形成領域８が区画形成されている。
【００２５】
図２は、画素６内に形成される画素回路１０を示す電気回路を示す。図２において、画素回路１０は、スイッチング素子としての駆動トランジスタＱｄ、スイッチングトランジスタＱｓｗ、保持キャパシタＣｓ及び有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）１１を備えている。
【００２６】
本実施形態においては、駆動トランジスタＱｄ、スイッチングトランジスタＱｓｗは、それぞれその導電型がｎ型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であって、発光素子形成領域８に形成されている。有機ＥＬ素子１１は、その発光層、正孔輸送層が有機材料で構成されたエレクトロルミネッセンス素子である。
【００２７】
駆動トランジスタＱｄは、そのゲート端子にスイッチングトランジスタＱｓｗのソース端子が接続されている。スイッチングトランジスタＱｓｗは、そのドレイン端子がデータ
線Ｌｘに接続され、ゲート端子が走査線Ｌｙに接続されている。また、駆動トランジスタＱｄのゲート端子には保持キャパシタＣｓの一端が接続されている。保持キャパシタＣｓの他端は電源線Ｌｖに接続され、駆動電圧Ｖddが供給されている。駆動トランジスタＱｄのソース端子は有機ＥＬ素子１１の陽極Ｅ１に接続され、有機ＥＬ素子１１の陰極Ｅ２は接地されている。駆動トランジスタＱｄのドレイン端子は、電源線Ｌｖに接続され、駆動電圧Ｖddが供給されている。
【００２８】
次に、前記のように構成された画素回路１０の動作を簡単に説明する。
まず、走査線駆動回路５から走査線Ｌｙを介して選択信号Ｓｙが所定期間出力されると、スイッチングトランジスタＱｓｗが所定期間オンして、データ線駆動回路４からデータ線Ｌｘを介してデータ信号Ｄｘが供給される。
【００２９】
すると、データ信号ＤｘがスイッチングトランジスタＱｓｗを介して保持キャパシタＣｓに供給される。保持キャパシタＣｓはデータ信号Ｄｘに対応した電荷量を蓄積し保持する。また、駆動トランジスタＱｄのゲート端子の電位はデータ信号により押し上げられ、駆動トランジスタＱｄのドレイン／ソースにデータ信号に応じた駆動電流Ｉｄが流れ、その駆動電流Ｉｄが有機ＥＬ素子１１に供給する。この駆動電流Ｉｄは、保持キャパシタＣｓに蓄積されたデータ信号Ｄｘに応じた電荷量に相対した値となる。
【００３０】
つまり、駆動トランジスタＱｄは、データ信号Ｄｘに応答して導通し、その導通状態が保持されて有機ＥＬ素子１１に駆動電流Ｉｄを供給する。すると、このタイミングで有機ＥＬ素子１１が発光する。
【００３１】
次に、上記する画素６の構成について以下に説明する。図３は、画素６のレイアウトを示す概略平面図である。
図３に示すように、各画素６の下側には、制御素子形成領域７が形成され、その制御素子形成領域７内には、スイッチングトランジスタＱｓｗ、駆動トランジスタＱｄ及び保持キャパシタＣｓが備えられている。
【００３２】
スイッチングトランジスタＱｓｗは、ポリシリコン型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であって、ゲート電極がゲート配線Ｇ１を介して走査線Ｌｙと、ソース領域がゲート配線Ｇ２を介して駆動トランジスタＱｄのゲート電極と接続され、ドレイン領域がデータ線Ｌｘと接続されている。また、スイッチングトランジスタＱｓｗのソース領域は、ゲート配線Ｇ２から分岐した配線Ｌ１を介して保持キャパシタＣｓの一端（下部電極）と接続され、その保持キャパシタＣｓの他端（上部電極）は配線Ｌ２を介して電源線Ｌｖと電気的に接続されている。
【００３３】
駆動トランジスタＱｄは、スイッチングトランジスタＱｓｗと同じく、ポリシリコン型のＴＦＴであって、ゲート電極がゲート配線Ｇ２を介してスイッチングトランジスタＱｓｗのソース領域と、ドレイン領域が配線Ｌ２を介して電源線Ｌｖと接続されている。また、駆動トランジスタＱｄのソース領域は、配線Ｌ３を介して中継電極２０を介して有機ＥＬ素子１１の陽極Ｅ１と電気的に接続されている。陽極Ｅ１は、発光素子形成領域８に形成されその上側に有機ＥＬ素子１１を構成する有機ＥＬ層２１が形成されている。
【００３４】
図４は、駆動トランジスタＱｄと有機ＥＬ素子１１の構造及びその電気的配線構造を説明するための要部縦断面図を示す。
図４において、駆動トランジスタＱｄは、チャンネル領域３１、ソース領域３２及びドレイン領域３３を有した半導体膜を透明基板２の素子形成面２ａに形成している。又、半導体膜の一部は、そのソース領域３２から前記配線Ｌ３を延出形成させている。この半導体膜の配線Ｌ３は、厚みを一定にすると、半導体配線Ｌ３の幅と長さを調整することによ
って所定抵抗値を有する抵抗配線（配線Ｌ３を抵抗配線Ｌ３という）することが可能である。むろん、半導体膜に対する厚みを変化させたり、ドーピング濃度を変化させたりすることで抵抗値を調整してもよい。すなわち、抵抗値Ｒは、半導体膜の配線Ｌ３の抵抗率をρ、長さをＤ、幅をＷ、厚みをｔとすると、
Ｒ＝ρ・Ｄ／（Ｗ・ｔ）
となる。
【００３５】
次に、抵抗配線を形成する第１の工程しての製造方法を簡単に説明する。透明基板２上に半導体膜を形成する。半導体膜としては、ポリシリコンが数ＫΩ／□の適度な抵抗値を有するため好ましいが、その他アモルファスシリコン、連続粒界シリコン等を用いてもよい。形成方法としては、例えば低温プラズマＣＶＤ法によってアモルファスシリコンを堆積させた後エキシマレーザ等を用いてレーザにより結晶化する。但しその他の技術、例えばスピンコート法、気相堆積法を利用することができる。半導体膜形成後、必要な抵抗値になるように、公知のフォトリソグラフィ法等を用いてパターニングする。尚、半導体膜形成後、液滴吐出法でパターンを形成する場合フォトリソグラフィ工程を省くことができる。
【００３６】
また、その半導体膜の上側には、ゲート絶縁膜３４を介してゲート電極３５が形成されている。ゲート電極３５は、タンタルやアルミニウム等の低抵抗金属膜であって、図３に示すように前記ゲート配線Ｇ２を介してスイッチングトランジスタＱｓｗのドレイン及び保持キャパシタＣｓの一端と電気的に接続されている。ゲート電極３５は、図４に示すように、ゲート絶縁膜３４の上側に堆積される透明な第１層間絶縁膜３６によって電気的に絶縁されている。
【００３７】
ドレイン領域３３は、この第１層間絶縁膜３６を貫通するコンタクトホールを介して配線Ｌ２に電気的に接続され、前記保持キャパシタＣｓの他端及び前記電源線Ｌｖに電気的に接続されている。また、抵抗配線Ｌ３は、第１層間絶縁膜３６を貫通するコンタクトホールを介して前記中継電極２０に電気的に接続されている。これら配線Ｌ２及び中継電極２０は、第１層間絶縁膜３６の上側に堆積される透明な第２層間絶縁膜３７によって電気的に絶縁されている。
【００３８】
第２層間絶縁膜３７の上側には、透明電極としての陽極Ｅ１が形成されている。陽極Ｅ１は、光透過性を有する透明導電膜であって、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜によって形成されている。そして、陽極Ｅ１は、その一端が第２層間絶縁膜３７を貫通するコンタクトホールを介して前記中継電極２０と電気的に接続されている。
【００３９】
陽極Ｅ１の上側には、各陽極Ｅ１を互いに絶縁する絶縁膜３８、隔壁層３９が形成されている。絶縁膜３８は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）で形成されている。隔壁層３９は、アクリル系感光性樹脂やポリイミド系感光性樹脂等で形成されている。その絶縁膜３８及び隔壁層３９であって陽極Ｅ１の略中央位置には、上側に向かって断面円弧状に開口する収容孔４０が形成されている。そして、隔壁層３９に収容孔４０が形成されることによって、陽極Ｅ１上面を囲う隔壁４１が形成される。
【００４０】
そして、本実施形態では、隔壁４１によって囲まれる領域に有機エレクトロルミネッセンス層（有機ＥＬ層）２１が形成される。有機ＥＬ層２１は、正孔輸送層２１ａと発光層２１ｂの２層からなる有機化合物層である。
【００４１】
有機ＥＬ層２１の上側には、アルミニウム等の光反射性を有する金属膜からなる陰極Ｅ２が形成されている。陰極Ｅ２は、素子形成領域３の素子形成面２ａ側全面を覆うように形成され、各画素６が共有することによって各発光素子形成領域８に共通する電位を供給
するようになっている。本実施形態では、これら陽極Ｅ１、有機ＥＬ層２１及び陰極Ｅ２によって、発光素子としての有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子１１）を構成している。
【００４２】
そして、データ信号Ｄｘに応じた駆動電流Ｉｄが陽極Ｅ１に供給されると、有機ＥＬ層２１（発光層２１ｂ）は、その駆動電流Ｉｄに応じた輝度で発光する。この際、有機ＥＬ層２１から陰極Ｅ２側（図４における上側）に向かって発光された光は、同陰極Ｅ２によって反射される。そのため、有機ＥＬ層２１から発光された光は、その殆どが、陽極Ｅ１、層間絶縁膜３７，３６及び透明基板２を通過して、透明基板２の裏面（表示面２ｂ）側から外方に向かって出射される。すなわち、データ信号Ｄｘに基づく画像が有機ＥＬ表示装置１の表示面２ｂに表示される。
【００４３】
尚、陰極Ｅ２（有機ＥＬ素子１１）の上側には、エポキシ樹脂等からなる図示しない接着層が形成され、その接着層を介して素子形成領域３を覆う図示しない封止基板が貼着されている。封止基板は、無アルカリガラス基板であって、各有機ＥＬ素子１１及び各種配線Ｌｘ，Ｌｙ，Ｌｖ，Ｌｖｃ等の酸化等を防止するようになっている。
【００４４】
次に、上記のように構成される有機ＥＬ表示装置１の抵抗配線の抵抗値を調整する方法について説明する。いま、図４に示す状態まで有機ＥＬ表示装置１が形成されたとき、輝度検査が行われる。そして、この輝点検査は、有機ＥＬ素子１１が、例えば駆動トランジスタＱｄの不具合等でショートし、階調データに関係なく最高輝度で発光している輝点欠陥のある画素６を探し出す欠陥検査である。輝点欠陥のある画素６（特定画素）を探し出すと、この画素６を暗点化して不良を目立たなくする。
【００４５】
画素６の暗点化は、有機ＥＬ素子１１に大きな値の駆動電流Ｉｄが流れていることが原因なので、この駆動電流Ｉｄを遮断することである。本実施形態では、前記抵抗配線Ｌ３を溶断して、駆動トランジスタＱｄの状態に関係なく駆動電流Ｉｄを有機ＥＬ素子１１に流さなくしている。抵抗配線Ｌ３の溶断は、レーザ光を同抵抗配線Ｌ３に照射することによって行われる。このレーザ光を用いて抵抗配線に照射して抵抗値を調整する工程（レーザ光照射工程）を第２の工程と呼ぶ。このとき、図４に示すように、透明基板２の裏面（表示面２ｂ）側から抵抗配線Ｌ３に向けてレーザ光を照射する。基本型の抵抗配線Ｌ３は、ポリシリコン膜にて形成されていることから、レーザ光のエネルギーを吸収し易く容易に溶断、即ち、切断（加工）される。しかも、抵抗配線Ｌ３に近い透明基板２の裏面（表示面２ｂ）側からレーザ光を照射するため、レーザ光のエネルギー損失が少なくエネルギー効率のよい抵抗配線Ｌ３の切断が行える。さらに、抵抗配線Ｌ３が溶断される際に発生するパーティクルは、抵抗配線Ｌ３の回りが透明基板２、第１層間絶縁膜３６等に囲まれて飛散することがないため、他の画素６に悪影響を与えることはない。
【００４６】
次に、上記のように構成した本実施形態の効果を以下に記載する。
（１）上記実施形態によれば、駆動トランジスタＱｄと有機ＥＬ素子１１の間に形成された抵抗配線Ｌ３にレーザ光を照射して切断した。従って、陽極Ｅ１や陰極Ｅ２にくらべて面積の小さい抵抗配線Ｌ３を溶断するため、切断が短時間に済み切断効率がよい。その結果、有機ＥＬ表示装置１の生産性を向上させることができる。
【００４７】
（２）上記実施形態によれば、抵抗配線Ｌ３がポリシリコンで形成されているので、レーザ光のエネルギー吸収効率が、ＩＴＯよりなる陽極Ｅ１よりよいため、切断が短時間に済み切断効率がよい。その結果、有機ＥＬ表示装置１の生産性を向上させることができる。
【００４８】
（３）上記実施形態によれば、抵抗配線Ｌ３に近い透明基板２の裏面側から同透明基板
２を介してレーザ光を照射するため、レーザ光のエネルギー損失が少なくエネルギー効率のよく抵抗配線Ｌ３を短時間で切断することができる。その結果、有機ＥＬ表示装置１の生産性を向上させることができる。
【００４９】
（４）上記実施形態によれば、抵抗配線Ｌ３の回りが透明基板２、第１層間絶縁膜３６等で囲まれた抵抗配線Ｌ３を切断するため、抵抗配線Ｌ３の溶断によって発生するパーティクルは他の画素６まで飛散することがなく、他の画素６に悪影響を与えることはない。（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態と、第２の工程において、抵抗配線Ｌ３を完全に切断するか否かが異なるだけなので、その相違する点だけを説明する。
【００５０】
本実施形態では、抵抗配線Ｌ３の一部だけを切断することによって、抵抗配線１３の抵抗値を調整することができる。また、駆動トランジスタＱｄ及び有機ＥＬ素子１１の特性バラツキにより、発光素子間輝度バラツキが生じている一部の有機ＥＬ素子１１について、その発光輝度を小さくしたい改善をする場合、抵抗配線Ｌ３を適宜の幅だけ切断して駆動電流Ｉｄを小さくすることによって、有機ＥＬ素子１１を所望の輝度に調整することができる。
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態について図５について説明する。本実施形態は第１又は第２実施形態と、ポリシリコン膜よりなる抵抗配線Ｌ３の形状が異なるだけなので、その相違する点だけを説明する。
【００５１】
図５は、本実施形態の画素６のレイアウトを説明するための概略平面図を示す。図５において、駆動トランジスタＱｄのソース領域から延びる抵抗配線Ｌ３の一部に、線幅が細くなる部分Ｌ３ａを形成する。そして、その部分Ｌ３ａにレーザ光を照射してその一部又は全部を切断するようにした。従って、第１又は第２実施形態の効果に加えて、切断効率をさらに向上させることができる。
（第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態について図６について説明する。本実施形態は第１実施形態と、ポリシリコン膜よりなる抵抗配線Ｌ３の形状が異なるだけなので、その相違する点だけを説明する。
【００５２】
図６は、本実施形態の画素６のレイアウトを説明するための概略平面図を示す。図６において、駆動トランジスタＱｄのソース領域から延びる抵抗配線Ｌ３が、複数の抵抗配線要素Ｌｂから構成され、その複数の抵抗配線要素Ｌｂが並列に接続されるように形成したものである。そして、抵抗配線要素Ｌｂを適宜の数だけ選択し、その選択した数の抵抗配線要素Ｌｂを切断することによって、抵抗配線Ｌ３全体の抵抗値を調整することができる。つまり、全ての抵抗配線要素Ｌｂをレーザ光にて切断すれば、第１実施形態と同様な効果を得ることができる。また、駆動トランジスタＱｄ及び有機ＥＬ素子１１の特性バラツキにより、発光素子間輝度バラツキが生じている一部の有機ＥＬ素子１１について、その発光輝度を小さくしたい改善をする場合、抵抗配線Ｌ３を適宜の数だけ抵抗配線要素Ｌｂを切断して駆動電流Ｉｄを小さくすることによって、有機ＥＬ素子１１を所望の輝度に調整することができる。
（第５実施形態）
次に、本発明の第５実施形態について説明する。本実施形態は、第４実施形と、抵抗配線要素Ｌｂの配線幅が異なるだけなので、その相違する点だけを説明する。
【００５３】
図９は、本実施形態の画素６のレイアウトを説明するための概略平面図を示す。
第４実施形態では、各抵抗配線要素Ｌｂの配線幅は、同じにしたが、本発明の第５実施
形態について図９に示すようにそれぞれ線幅変えて各抵抗配線要素Ｌｂに重みを持たせてもよい。例えば、配線要素Ｌｂ１の線幅はａとし、配線要素Ｌｂ２の線幅は配線要素Ｌｂ１の２倍の２ａとし、配線要素Ｌｂ３の線幅は配線要素Ｌｂ１の４倍の４ａとする。これによって、調整可能な抵抗配線Ｌ３全体の抵抗水準は２n（２のｎ乗）となる。適宜の抵
抗配線要素と数だけを切断して、より正確な駆動電流Ｉｄの調整が可能となる。
【００５４】
尚、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
・上記実施形態では、抵抗配線Ｌ３をポリシリコンで形成したが、これに限らず、アモルファスシリコン、連続粒界シリコン等で形成してもよい。
・上記実施形態では、いわゆるボトムエミッションタイプの有機ＥＬ表示装置１に具体化したが、これに限定されるものではなく、トップエミッションタイプの有機ＥＬ表示装置にも応用してもよい。
・上記実施形態では、透明基板２の裏面側から同透明基板２を介してレーザ光を照射したが、透明基板２の素子形成面２ａ側からレーザ光を照射してもよい。この場合、陰極Ｅ２がトップエミッションタイプのように、透明電極であるほうが好ましい。
・上記実施形態では、少なくとも陰極Ｅ２が形成されて、輝度検査の結果に基づいてレーザ光を抵抗配線Ｌ３に照射して改善を行った。これを、各画素６の有機ＥＬ層２１が形成前において、各画素６の駆動トランジスタＱｄが形成された段階で、各画素６の駆動トランジスタＱｄの検査を行って、不良の駆動トランジスタＱｄを探し出した時点で、レーザ光を抵抗配線Ｌ３に照射して改善を行いようにしてもよい。この場合、透明基板２の裏面側から同透明基板２を介してレーザ光を照射してもよいし、透明基板２の素子形成面２ａ側からレーザ光を照射して改善するようにしてもよい。
・上記実施形態では、駆動トランジスタＱｄと有機ＥＬ素子１１の間に形成された抵抗配線Ｌ３にレーザ光を照射して切断したが、これに限定されるものではなく、駆動トランジスタＱｄと電源線Ｌｖとを接続する配線Ｌ２を、抵抗配線にし、その配線Ｌ２にレーザ光を照射して駆動電流Ｉｄを調整するようにしてもよい。
・上記実施形態では、レーザ光を照射して抵抗配線の抵抗値を調整するようにしたがこれに限定されるものではない。
・上記実施形態では、駆動トランジスタＱｄは導電型がｎ型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であったが、導電型がｐ型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であってもよい。
・上記実施形態では、有機ＥＬ素子１１を発光させる画素回路１０を図２に示すように駆動トランジスタＱｄとスイッチングトランジスタＱｓｗの２個のトランジスタで構成する画素回路で構成したがこれに限定されるものではない。
【００５５】
例えば、図７に示す、駆動トランジスタＱｄ（導電型がｐ型）のゲートとドレイン間に接続された第１のトランジスタＱ１と、駆動トランジスタＱｄと有機ＥＬ素子１１の間に接続された第２のトランジスタＱ２を設けてなる画素回路１０を有した有機ＥＬ表示装置に具体化してもよい。図７の画素回路１０では、選択信号Ｓｙが所定期間出力されると、スイッチングトランジスタＱｓｗと第１のトランジスタＱ１がオンされて、保持キャパシタＣｓにデータ信号Ｄｘが書き込まれる。そして、データ信号Ｄｘの書き込みが終了すると、制御信号Ｓｃにて第２のトランジスタＱ２を一体期間（発光期間）オンさせ有機ＥＬ素子１１を発光させるようにしている。このように構成される画素回路１０においても、駆動トランジスタＱｄのソースと電源線Ｌｖとを接続する配線部分Ｌ１１、駆動トランジスタＱｄと第２のトランジスタＱ２とを接続する配線部分Ｌ１２、第２のトランジスタＱ２と有機ＥＬ素子１１とを接続する配線部分Ｌ１３の少なくともいずれかを使って欠陥画素の改善を行うようにしてもよい。
【００５６】
また、図８に示す、駆動トランジスタＱｄ（導電型がｐ型）、２つスイッチングトランジスタＱｓｗ１，Ｑｓｗ２及び電流制御用トランジスタＱｃを設けてなる画素回路１０を有した有機ＥＬ表示装置に具体化してもよい。図８の画素回路１０では、選択信号Ｓｙが
所定期間出力されると、スイッチングトランジスタＱｓｗ１，Ｑｓｗの２つがオンして電流制御用トランジスタＱｃがダイオード接続されて保持キャパシタＣｓにデータ信号Ｄｘに相対した電荷が蓄積される。そして、スイッチングトランジスタＱｓｗ１，Ｑｓｗがオフしても、駆動トランジスタＱｄは保持キャパシタＣｓに蓄積した電荷量に相対した駆動電流Ｉｄを流し有機ＥＬ素子１１を発光させるようにしている。
【００５７】
このように構成される画素回路１０においても、駆動トランジスタＱｄのソースと電源線Ｌｖとを接続する配線部分Ｌ２１、駆動トランジスタＱｄと有機ＥＬ素子１１とを接続する配線部分Ｌ２２の少なくともいずれかを使って欠陥画素の改善を行うようにしてもよい。
・上記実施形態では、発光装置を有機ＥＬ表示装置１に具体化したが、これに限定されるものでなく、例えば液晶パネル等であってもよく、あるいは平面状の電子放出素子を備え、同素子から放出された電子による蛍光物質の発光を利用した電界効果型表示装置（ＦＥＤやＳＥＤ等）であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明を具体化した有機ＥＬ表示装置を示す概略平面図。
【図２】画素回路を説明するための電気回路図。
【図３】画素のレイアウトを説明するための概略平面図。
【図４】駆動トランジスタと有機ＥＬ素子の構造及びその電気的配線構造を説明するための要部縦断面図。
【図５】第３実施形態を説明するための画素のレイアウトを説明するための概略平面図。
【図６】第４実施形態を説明するための画素のレイアウトを説明するための概略平面図。
【図７】本発明の別例の画素回路を説明するための電気回路図。
【図８】同じく、別例の画素回路を説明するための電気回路図。
【図９】第５実施形態を説明するための画素のレイアウトを説明するための概略平面図。
【符号の説明】
【００５９】
１…発光装置としての有機ＥＬ表示装置、２…透明基板、２ａ…素子形成面、２ｂ…裏面、６…画素、１１…発光素子としての有機エレクロトルミネッセンス素子、２１…有機エレクトロルミネッセンス層（有機ＥＬ層）、２１ａ…正孔輸送層、２１ｂ…発光層、Ｌ３…抵抗配線（配線）、Ｌｂ…抵抗配線要素、Ｑｄ…スイッチング素子としての駆動トランジスタ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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