(57)【要約】【課題】画像を表示するための画素が基板から分離することを防止する可撓性の表示装置用基板、このような表示装置用基板の製造方法及びこのような表示装置用基板を含む表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】表示素子を形成するための親水性薄膜と対向し、疎水性特性を有する本体と、前記親水性薄膜と前記本体との間に介在し、親水性特性を有する親水性本体部とを含むことを特徴とする表示装置用基板。【選択図】図２４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示素子を形成するための親水性薄膜と対向し、疎水性特性を有する本体と、
前記親水性薄膜と前記本体との間に介在し、親水性特性を有する親水性本体部と、
を含むことを特徴とする表示装置用基板。
【請求項２】
前記本体及び前記親水性本体部は、一体的に形成されることを特徴とする請求項１記載の表示装置用基板。
【請求項３】
前記親水性薄膜と接触する前記親水性本体部の表面には、複数の微細凹凸部が形成されることを特徴とする請求項１記載の表示装置用基板。
【請求項４】
前記本体は、疎水性特性を有する少なくとも２層以上の疎水性フィルムを含むことを特徴とする請求項１記載の表示装置用基板。
【請求項５】
前記親水性本体部は、前記疎水性フィルムのうち、前記親水性薄膜と接触する疎水性フィルムに形成されることを特徴とする請求項４記載の表示装置用基板。
【請求項６】
前記本体は、可撓性であることを特徴とする請求項１記載の表示基板。
【請求項７】
前記本体を支持するために、前記基板の硬度より相対的に高い硬度を有するサブ本体を更に含むことを特徴とする請求項１記載の表示装置用基板。
【請求項８】
前記本体は、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルスルホン、ポリアクリレート、ポリエチレンナフタレート、及びポリエチレンテレフタレートからなる群より選択されたいずれか一つ以上を含むことを特徴とする請求項１記載の表示装置用基板。
【請求項９】
前記親水性本体部の表面に配置された水玉と前記親水性本体部の表面とがなす接触角は２°〜４０°であることを特徴とする請求項１記載の表示装置用基板。
【請求項１０】
前記本体は、
前記親水性本体部の上面に配置された信号線と、
前記信号線に連結された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタの出力端に連結された画素電極と、を含むことを特徴とする請求項１記載の表示装置用基板。
【請求項１１】
チャンバの内部に疎水性特性を有するベア基板を配置する工程と、
前記チャンバの内部にプラズマを発生させ、前記プラズマを前記ベア基板に曝露させることで、前記ベア基板の表面に親水性本体部を形成する工程と、を含むことを特徴とする表示装置用基板の製造方法。
【請求項１２】
前記プラズマは、酸素ガス、ＣＦ4ガス、アルゴンガス、ＣＨＦ3ガス、ＨＣｌガスからなる群より選択されたいずれか一つ以上を含むことを特徴とする請求項１１記載の表示装置用基板の製造方法。
【請求項１３】
前記プラズマに前記ベア基板を曝露させる時間は、１秒〜３００秒であることを特徴とする請求項１１記載の表示装置用基板の製造方法。
【請求項１４】
前記親水性本体部の表面に配置された水玉と前記親水性本体部の表面とがなす接触角は２°〜４０°であることを特徴とする請求項１記載の表示装置用基板。
前記親水性本体部及び前記親水性本体部上に配置された水玉間の接触角は、２°〜４０°であることを特徴とする請求項１１記載の表示装置用基板の製造方法。
【請求項１５】
前記親水性本体部上に、親水性薄膜を形成することを特徴とする請求項１１記載の表示装置用基板の製造方法。
【請求項１６】
前記親水性薄膜は、窒化膜であることを特徴とする請求項１５記載の表示装置用基板の製造方法。
【請求項１７】
疎水性特性を有する第１本体、前記第１本体上に形成され、親水性特性を有する第１親水性本体部を含む第１基板と、
疎水性特性を有する第２本体、前記第２本体上に形成され、親水性特性を有する第２親水性本体部を含む第２基板と、
前記第１親水性本体部と第２親水性本体部との間に配置され、画像を表示し、親水性薄膜を含む表示素子と、を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項１８】
前記第１親水性本体及び第２親水性本体の少なくとも一つの表面には、複数の凹凸が形成されることを特徴とする請求項１７記載の表示装置。
【請求項１９】
前記表示素子の間には、液晶層が形成されることを特徴とする請求項１７記載の表示装置。
【請求項２０】
前記第１疎水性本体及び前記第１親水性本体、前記第２疎水性本体及び前記第２親水性本体は、それぞれ一体に形成されることを特徴とする請求項１７記載の表示装置。
【請求項２１】
前記第１疎水性本体及び第２疎水性本体は、少なくとも２層以上の疎水性薄膜をそれぞれ含むことを特徴とする請求項１７記載の表示装置。
【請求項２２】
前記第１基板及び第２基板は、可撓性であることを特徴とする請求項１７記載の表示装置。
【請求項２３】
前記第１基板及び第２基板は、前記第１基板及び第２基板の硬度より相対的に高い硬度を有する第１サブ本体及び第２サブ本体をそれぞれ含むことを特徴とする請求項１７記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置用基板、その製造方法及びこれを有する表示装置に関し、より具体的には、本発明は、画像を表示するための表示素子の薄膜が可撓性基板から分離することを防止する表示装置用基板、その製造方法及びこれを有する表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、表示装置は、情報処理装置で処理した信号を画像に変換する。
表示装置は、液晶表示装置（ＬＣＤ）、有機発光表示装置（ＯＬＥＤ）及びプラズマディスプレイ装置（ＰＤＰ）などが代表的である。
液晶表示装置、有機発光表示装置及びプラズマディスプレイ装置は、画素によって画像を表示する。画素は、主にガラス基板のような硬質基板上に形成される。
【０００３】
しかし、このように硬質基板を含む表示装置は破損しやすいなどの不利な点があり、最近では、可撓性基板を用いた表示装置が求められている。
一方、可撓性基板にＴＦＴ素子などの薄膜状の素子を形成する場合においては、柔軟であるために破損しにくいという利点はあるが、基板から分離しやすいという課題もある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、画像を表示するための画素が基板から分離することを防止する可撓性の表示装置用基板を提供することを目的とする。
また、本発明は、このような表示装置用基板の製造方法及びこのような表示装置用基板を含む表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の表示装置用基板は、表示素子を形成するための親水性薄膜と対向し、疎水性特性を有する本体と、前記親水性薄膜と前記本体との間に介在し、親水性特性を有する親水性本体部とを含むことを特徴とする。
また、表示装置用基板の製造方法は、チャンバの内部に疎水性特性を有するベア基板を配置する工程と、前記チャンバの内部にプラズマを発生させ、前記プラズマを前記ベア基板に曝露させることで、前記ベア基板の表面に親水性本体部を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【０００６】
さらに、本発明の表示装置は、疎水性特性を有する第１本体、前記第１本体上に形成され、親水性特性を有する第１親水性本体部を含む第１基板と、疎水性特性を有する第２本体、前記第２本体上に形成され、親水性特性を有する第２親水性本体部を含む第２基板と、前記第１親水性本体と第２親水性本体との間に配置され、画像を表示し、親水性薄膜を含む表示素子と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、表示装置の基板が可撓性特性を有するとともに、表示装置の基板上に形成された薄膜が基板から分離することを防止することができ、高性能及び高品質の表示装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施例を詳細に説明する。
表示装置用基板
図１は、本発明の一実施例による表示装置用基板の断面図である。
図１を参照すると、表示装置用基板１００上には、画像を表示する表示素子を形成するための薄膜１２０が配置されている。本実施例では、この薄膜１２０は、親水性特性を有する。薄膜１２０は、例えば、親水性特性を有する窒化シリコン（ＳｉＮｘ）薄膜とすることができる。
【０００９】
表示装置用基板１００は、本体１４０及び親水性本体部１６０を含む。
基板１００の本体１４０は、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルスルホン、ポリアクリレート、ポリエチレンナフタレート及びポリエチレンテレフタレートのような合成樹脂を含んでいればよく、これら材料の単層又は積層構造であってもよい。
前記合成樹脂を含む基板１００は、可撓性及び水と反応しない疎水性特性を共に有する。親水性特性を有するシリコン窒化膜のような薄膜１２０が疎水性特性を有する本体１４０上に直接配置される場合、薄膜１２０は、本体１４０から分離しやすい。
【００１０】
これを克服するために、親水性特性を有する薄膜１２０と疎水性特性を有する本体１４０との間には親水性特性を有する親水性本体部１６０が形成される。
親水性特性を有する薄膜１２０を親水性本体部１６０上に配置する場合、薄膜１２０は親水性本体部１６０により堅固に付着することができる。
本実施例で、親水性本体部１６０及び本体１４０は、一体に形成することができる。図２は、本発明の一実施例による表示装置用基板の断面図である。
【００１１】
図２を参照すると、表示装置用基板１００には、画像を表示する表示素子を形成するための薄膜１２０が形成される。本実施例で、薄膜１２０は、親水性特性を有する。薄膜１２０は、例えば、窒化シリコン薄膜とすることができる。
本実施例で、表示装置用基板１００は、本体１４０及び親水性本体部１６２を含む。
基板１００の本体１４０は、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルスルホン、ポリアクリレート、ポリエチレンナフタレート、及びポリエチレンテレフタレートのような合成樹脂を含む。基板１００の本体１４０に含まれた前記合成樹脂は、例えば、水と反応しない疎水性特性を有する。
【００１２】
一方、親水性特性を有するシリコン窒化膜のような薄膜１２０が疎水性特性を有する本体１４０上に直接配置される場合、薄膜１２０は本体１４０から剥離しやすい。
これを解決するために、親水性特性を有する薄膜１２０と疎水性特性を有する本体１４０との間には、親水性特性を有する親水性本体部１６２が形成される。親水性特性を有する薄膜１２０を親水性本体部１６２上に配置する場合、薄膜１２０は、親水性本体部１６２に堅固に付着される。本実施例で、親水性本体部１６０及び本体１４０は、一体に形成することができる。
【００１３】
一方、親水性特性を有する薄膜１２０と親水性本体部１６２との間の付着力をより向上させるために、親水性本体部１６２の表面には複数の微細凹凸部１６４を形成することができる。微細凹凸部１６４は、親水性本体部１６２の接触面積を大きく向上させて親水性本体部１６２及び薄膜１２０の付着力は大きく向上する。
このような微細凹凸部の形成は、特に限定されるものではなく、当該分野で公知の方法によって形成することができる。例えば、後述するプラズマ処理、スパッタリング、適当なエッチャントを用いたウェットエッチング等種々の方法を利用することができる。
【００１４】
図３は、本発明の一実施例による表示装置用基板の断面図である。図４は、図３の「Ａ」部分の拡大図である。
図３及び図４を参照すると、表示装置用基板１００には画像を表示する表示素子を形成するための薄膜１２０が形成される。本実施例で、薄膜１２０は、親水性特性を有する。薄膜１２０は、例えば、窒化シリコン薄膜とすることができる。
【００１５】
本実施例で、表示装置用基板１００は、本体１５０及び親水性本体部１６０を含む。
基板１００の本体１５０は、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルスルホン、ポリアクリレート、ポリエチレンナフタレート及びポリエチレンテレフタレートのような合成樹脂を含む。基板１００の本体１５０に含まれた前記合成樹脂は、例えば、水と反応しない疎水性特性を有する。
【００１６】
本実施例で、本体１５０は、前記合成樹脂を含む少なくとも２層間以上の疎水性フィルムを含む。より具体的に、本体１５０は、メイン本体１５４及びサブ本体１５２を含んでもよい。メイン本体１５４は第１厚さを有し、サブ本体１５２はメイン本体１５４の両側面に配置され、第１厚さより薄い第２厚さを有する。メイン本体１５４は、基板１００の形状を維持するのに十分な硬度を提供し、サブ本体１５２は、メイン本体１５４への水分及び／または酸素の浸透を遮断する。また、サブ本体１５２は、メイン本体１５４とともに、水分及び／又は酸素の透過を遮断してもよい。メイン本体１５４及びサブ本体１５２は、例えば、合成樹脂からなり、疎水性特性を有する。
【００１７】
一方、薄膜と向い合うサブ本体１５２上に薄膜１２０が直接配置される場合、薄膜１２０はサブ本体１５２から剥離しやすい。
これを解決するために、親水性特性を有する薄膜１２０と疎水性特性を有するサブ本体１５４との間には、親水性特性を有する親水性本体部１６０が形成される。薄膜１２０を親水性本体部１６０上に配置する場合、薄膜１２０は、親水性本体部１６２に堅固に付着される。本実施例で、親水性本体部１６０及び本体１５０は、一体に形成することができる。
【００１８】
図５は、本発明の一実施例による表示装置用基板の断面図である。
図５を参照すると、表示装置用基板１００は、本体１４０、親水性本体部１６０、密封部材１７０及びサブ基板１８０を含む。
基板１００の本体１４０は、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルスルホン、ポリアクリレート、ポリエチレンナフタレート及びポリエチレンテレフタレートのような合成樹脂を含む。
【００１９】
基板１００の本体１４０に含まれた前記合成樹脂は、例えば、水と反応しない疎水性特性を有し、本体１４０は、可撓性特性を有する。
一方、親水性本体部１６０は、親水性特性を有する薄膜１２０と疎水性特性を有する本体１４０との間に配置される。親水性特性を有する薄膜１２０を親水性本体部１６０上に配置する場合、薄膜１２０は、親水性本体部１６０に堅固に付着される。
【００２０】
サブ本体１８０は基板１００を支持する。本実施例で、サブ本体１８０は、可撓性基板１００に曲げ、撓いまたは垂れが発生しないようにする。これを実現するために、サブ本体１８０の硬度は、基板１００の硬度より高いことが望ましい。サブ本体１８０は、例えば、透明なガラス基板を含んでもよい。これとは違って、サブ本体１８０は、例えば、不透明な基板を含んでもよい。
【００２１】
サブ本体１８０に配置された基板１００の上面には、多様な薄膜パターンが形成される。薄膜パターンは、薄膜蒸着、薄膜エッチング、薄膜洗浄などのような薄膜工程を通じて製作される。薄膜工程を進行する間、サブ本体１８０と基板１００との間には化学物質、純水などが浸透してサブ本体１８０から基板１００が分離する。
これを防止するために、基板１００のエッジには密封部材１７０が配置される。密封部材１７０は、サブ本体１８０と基板１００との間の境界を密封する。
【００２２】
本実施例によるサブ本体１８０は、基板１００に表示素子などが形成された後、基板１００から分離することができる。
図６は、疎水性特性を有する基板の特性を示した断面図である。図７は、本発明の一実施例による表示装置用基板の親水性本体部の特性を示した断面図である。
図６を参照すると、疎水性特性を有する基板１０２に水玉１６６を滴下する場合、基板１０２の疎水性特性によって基板１０２上に滴下された水玉１６６は広がらず、したがって、基板１０２の表面と水玉１６６との接触角（θ１）は、約５０°〜約８５°である。
【００２３】
一方、図７を参照すると、表示装置用基板１００は、本体１４０及び本体１４０の上面に配置された親水性本体部１６０を含む。本体１４０は疎水性特性を有し、親水性本体部１６０は親水性特性を有する。
親水性特性を有する親水性本体部１６０に水玉１６７を滴下する場合、親水性本体部１６０の親水性特性によって親水性本体部１６０上に滴下された水玉１６７は相対的に広く広がり、したがって、親水性本体部１６０の表面と水玉１６７との接触角（θ２）は約２°〜約５０°である。
【００２４】
したがって、本実施例によると、親水性薄膜１２０が形成される基板１００の表面と基板１００の表面に滴下された水玉との接触角は約２°〜約５０°の角度を形成することが望ましい。
図８は、本発明の一実施例による表示装置用基板に表示素子が形成されたことを示す断面図である。図９は、図８の平面図である。
【００２５】
図８及び図９を参照すると、疎水性特性を有する本体１４０及び本体１６０上に形成され、親水性特性を有する親水性本体部１６０を有する表示装置用基板１００には遮断薄膜１２０が形成される。
遮断薄膜１２０の上面には、信号線（Ｌ）、薄膜トランジスタ（ＴＲ）及び画素電極（ＰＥ）を形成することができる。
【００２６】
信号線（Ｌ）は、ゲートライン（ＧＬ）及びデータライン（ＤＬ）を含む。
ゲートライン（ＧＬ）は、基板１００上に形成された遮断薄膜１２０上に配置され、例えば、基板１００上に複数が相互平行に並列配置される。ゲートライン（ＧＬ）は、第１方向に延びられ、各ゲートライン（ＧＬ）には、基板１００に沿ってゲート電極（Ｇ）が突出する。
【００２７】
解像度が１０２４×７６４である場合、ゲートライン（ＧＬ）は約７６４個で構成される。ゲートライン（ＧＬ）は、外部信号印加部材からターンオン信号またはターンオフ信号の印加を受ける。一方、一つのゲートライン（ＧＬ）には、約１０２４個のゲート電極（Ｇ）が基板１００に沿って突出する。
データライン（ＤＬ）は、ゲートライン（ＧＬ）を覆う絶縁膜（ＩＬ）上に配置され、第１方向と実質的に直交する第２方向に延びられ、第１方向に沿って複数が並列配置される。
【００２８】
例えば、解像度が１０２４×７６４である表示装置の場合、データライン（ＤＬ）は、約１０２４×３固で構成される。データライン（ＤＬ）は、外部から印加されたデータ信号が印加される。一方、各データライン（ＤＬ）には、基板１に沿ってソース電極が突出する。ソース電極（Ｓ）は、第２方向に沿って約７６４個が形成される。
薄膜トランジスタ（ＴＲ）は、ゲートライン（ＤＬ）から突出したゲート電極（Ｇ）、チャンネルパターン（ＣＰ）、データライン（ＤＬ）から突出したソース電極（Ｓ）、及びドレイン電極（Ｄ）を含む。
【００２９】
チャンネルパターン（ＣＰ）は、ゲート電極（Ｇ）と対向する絶縁膜（ＩＬ）上に形成されたアモルファスシリコンパターン及びアモルファスシリコンパターン上に形成された一対の高濃度不順物イオンドーピングアモルファスシリコンパターンを含む。
いずれか一つの高濃度不順物イオンドーピングアモルファスシリコンパターンには、ソース電極（Ｓ）が電気的に連結され、残りの一つの高濃度イオンドーピングアモルファスシリコンパターンには、ドレイン電極（Ｄ）が連結される。
【００３０】
画素電極（ＰＥ）は、透明かつ導電性であるインジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物などを含む透明な導電膜をパターニングして形成される。画素電極（ＰＥ）の一部は、ドレイン電極（Ｄ）の一部と電気的連結される。
表示装置用基板の製造方法
図１０は、本発明の一実施例による表示装置用基板の製造方法を示した順序図である。
【００３１】
図１０を参照すると、まず、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルスルホン、ポリアクリレート、ポリエチレンナフタレート及びポリエチレンテレフタレートのような合成樹脂でベア基板を形成する。
前記合成樹脂を含むベア基板は、疎水性特性を有する。
一方、疎水性特性を有するベア基板に親水性特性を有する薄膜を直接形成する場合、疎水性特性を有するベア基板から親水性特性を有する薄膜が予想外に分離する恐れがある。
【００３２】
疎水性特性を有するベア基板を親水性特性を有する表示基板に変更するために、疎水性特性を有するベア基板は、チャンバの内部に配置される（ステップ１０）。
ベア基板がチャンバの内部に配置された後、ベア基板の疎水性特性を親水性特性に変更するためにチャンバの内部で、プラズマを発生させる（ステップ２０）。
ここで、プラズマを発生するためにチャンバの内部に提供されるソースガスは、例えば、酸素、アルゴン、ＣＦ4、ＣＨＦ3、ＨＣｌなどを含んでもよい。ソースガスは、単独またはそれらを混合して用いることができる。本実施例で、チャンバの内部には、例えば、酸素が供給される。
【００３３】
また、ベア基板及びプラズマの接触時間は、プラズマの強度に対応して変更することができる。例えば、ベア基板は、プラズマに約１秒〜約３００秒くらい接触させることが例示される。接触時間とプラズマの強度とは反比例する。
チャンバの内部に配置されたベア基板は、チャンバ内部から発生したプラズマと化学的に反応する。したがって、酸素プラズマに曝露されたベア基板の表面には、親水性特性を有する親水部が形成されて表示基板が製造される。
【００３４】
また、ベア基板が酸素プラズマと化学的に反応する間、ベア基板の表面は酸素プラズマによって乾式エッチングされ、酸素プラズマに曝露されたベア基板の表面には、微細な凹凸が形成される。
選択的に、親水性特性を有するベア基板の親水部には、親水性特性を有する薄膜、例えば、シリコン窒化膜などを形成することができる（ステップ３０）。親水性特性を有する親水部に親水性特性を有する薄膜が配置される場合、薄膜及び親水部の結合力は大きく向上する。
【００３５】
図１１〜図２２は、本発明の一実施例による表示装置用基板の特性を示す断面図である。
以下、本実施例によって親水部を有する表示装置用基板の表面特性を、表１、図１１〜図２２を参照して説明すると下記のようである。
【００３６】
【表１】
2006338022.tif 000003
基板Ａ及び基板Ｂは、有機洗浄を行った基板であり、基板Ｃ及び基板Ｄは、有機洗浄及びハードベイクを行った基板であり、基板Ｅ及び基板Ｆは、有機洗浄の後、プラズマに曝露した基板である。基板Ｅ及び基板Ｆに適用されたプラズマガスは酸素であり、基板Ｅはプラズマに約３０秒間曝露し、基板Ｆはプラズマに約５０秒間曝露した。なお、これら基板Ａ〜Ｆとしては、上述した合成樹脂製基板を用いた。
【００３７】
基板Ａ、基板Ｂ、基板Ｃ、基板Ｄ、基板Ｅ及び基板Ｆには、それぞれ水玉が滴下され、水玉及び各基板の接触角を測定することで、各基板の親水性及び疎水性特性が決定される。
具体的に、図１１を参照すると、基板Ａ（１１１）の表面特性を測定するために、表面処理されない基板Ａ（１１１）の上面には、水玉（１１１ａ）が滴下され、水玉１１１ａと基板Ａ（１１１）との間に形成された接触角θ０が計測される。
【００３８】
図１２を参照すると、基板Ａ（１１１）は、表面特性を改善するために、約２４０秒間有機洗浄される。有機洗浄された基板Ａ（１１１）には、水玉１１１ｂが滴下され、水玉１１１ｂと基板Ａ（１１１）との間に形成された接触角θ１が計測される。
また、図１３を参照すると、基板Ｂ（１１２）の表面特性を測定するために、表面処理されない基板Ｂ（１１２）の上面には水玉１１２ａが滴下され、水玉１１２ａと基板Ｂ（１１２）との間に形成された接触角θ２が計測される。
【００３９】
また、図１４を参照すると、基板Ｂ（１１２）は、表面特性を改善するために約４８０秒間有機洗浄される。有機洗浄された基板Ｂ（１１２）には、水玉１１２ｂが滴下され、水玉１１２ｂと基板Ｂ（１１２）との間に形成された接触角θ３が計測される。
また、図１５を参照すると、基板Ｃ（１１３）の表面特性を測定するために、表面処理されない基板Ｃ（１１３）の上面には水玉１１３ａが滴下され、水玉１１３ａと基板Ｃ（１１３）との間に形成された接触角θ４が計測される。
【００４０】
図１６を参照すると、基板Ｃ（１１３）は、表面特性を改善するために約１５０℃の温度にて約３０分間ハードベイクされる。ベイクされた基板Ｃ（１１３）には、水玉１１３ｂが滴下され、水玉１１３ｂと基板Ｃ（１１３）との間に形成された接触角θ５が計測される。
また、図１７を参照すると、基板Ｄ（１１４）の表面特性を測定するために、表面処理されない基板Ｄ（１１４）の上面には水玉（１１４ａ）が滴下され、水玉１１４ａと基板Ｄ（１１４）との間に形成された接触角θ６が計測される。
【００４１】
図１８を参照すると、基板Ｄ（１１４）は、表面特性を改善するために約１２０℃の温度にて約６０分間ハードベイクされる。ベークされた基板Ｄ（１１４）には、水玉１１４ｂが滴下され、水玉（１１４ｂ）と基板Ｄ（１１４）との間に形成された接触角θ７が計測される。
また、図１９を参照すると、基板Ｅ（１１５）の表面特性を測定するために、表面処理されない基板Ｅ（１１５）の上面には、水玉１１５ａが滴下され、水玉１１５ａと基板Ｅ（１１５）との間に形成された接触角θ８が計測される。
【００４２】
図２０を参照すると、基板Ｅ（１１５）は、表面特性を改善するためにチャンバの内部で約１２００Ｗの環境で発生した酸素プラズマに３０秒間曝露される。プラズマ処理された基板Ｅ（１１５）には、水玉１１５ｂが滴下され、水玉１１５ｂと基板Ｅ（１１５）との間に形成された接触角θ９が計測される。
また、図２１を参照すると、基板Ｆ（１１６）の表面特性を測定するために、表面処理されない基板Ｆ（１１６）の上面には、水玉１１６ａが滴下され、水玉１１６ａと基板Ｅ（１１６）との間に形成された接触角θ１０が計測される。
【００４３】
図２２を参照すると、基板Ｆ（１１６）は、表面特性を改善するためにチャンバ内の内部で約１２００Ｗの電力によって発生した酸素プラズマに５０秒間曝露される。プラズマ処理された基板Ｆ（１１６）には水玉１１６ｂが滴下され、水玉１１６ｂと基板Ｅ（１１６）との間に形成された接触角θ１１が計測される。
図２３は、図１１〜図２２によって計測された接触角θ１〜θ１１の棒グラフである。
【００４４】
図１１〜１２及び図２３を参照すると、有機洗浄されない基板Ａ（１１１）及び水玉１１１ａがなす接触角θ０は約７０°であり、約２４０秒間有機洗浄された基板Ａ（１１１）及び水玉（１１１ｂ）がなす接触角θ１は約６０°である。
接触角θ０及びθ１を考慮するとき、基板Ａは、疎水性特性を有し、基板Ａに親水性特性を有する薄膜、例えば、シリコン窒化膜などが形成される場合、シリコン窒化膜は基板Ａから分離される。
【００４５】
図１３〜１４及び図２３を参照すると、有機洗浄されない基板Ｂ（１１２）及び水玉１１２ａがなす接触角θ２は約７０°であり、約４８０秒間有機洗浄された基板Ｂ（１１２）及び水玉（１１２ｂ）がなす接触角θ３は約５５°である。
接触角θ２及びθ３を考慮するとき、基板Ｂは、疎水性特性を有し、基板Ｂに親水性特性を有する薄膜、例えば、シリコン窒化膜などが形成される場合、シリコン窒化膜は基板Ｂから分離される。
【００４６】
図１５〜図１６及び図２３を参照すると、有機洗浄されない基板Ｃ（１１３）及び水玉１１３ａがなす接触角θ４は約７０°であり、約１５０°の温度にて約３０秒間ハードベイクされた基板Ｃ（１１３）及び水玉（１１３ｂ）がなす接触角θ５は約８０°である。
接触角θ４及びθ５を考慮するとき、基板Ｃは、疎水性特性を有し、基板Ｃに親水性特性を有する薄膜、例えば、シリコン窒化膜などが形成される場合、シリコン窒化膜は基板Ｃから分離される。
【００４７】
図１７〜１８及び図２３を参照すると、有機洗浄されない基板Ｄ（１１４）及び水玉１１４ａがなす接触角θ６は約７０°であり、約１２０°の温度にて約３０分間ハードベイクされた基板Ｄ（１１４）及び水玉（１１４ｂ）がなす接触角θ７は約８５°である。
接触角θ６及びθ７を考慮するとき、基板Ｄは、疎水性特性を有し、基板Ｄに親水性特性を有する薄膜、例えば、シリコン窒化膜などが形成される場合、シリコン窒化膜は基板Ｄから分離される。
【００４８】
図１９〜図２０及び図２３を参照すると、有機洗浄されない基板Ｅ（１１５）及び水玉１１５ａがなす接触角θ８は約７０°であり、酸素プラズマに約３０分間曝露した基板Ｅ（１１５）及び水玉（１１５ｂ）がなす接触角θ９は約５°である。
接触角θ９を考慮するとき、基板Ｅは親水性特性を有し、基板Ｅに親水性特性を有する薄膜、例えば、シリコン窒化膜などが形成される場合、シリコン窒化膜は基板Ｅから分離しない。
【００４９】
図２１〜図２２及び図２３を参照すると、有機洗浄されない基板Ｆ（１１６）及び水玉１１６ａがなす接触角θ１０は約７０°であり、酸素プラズマに約５０秒間曝露した基板Ｆ（１１６）及び水玉（１１６ｂ）がなす接触角θ１１は約１０°である。
接触角θ１１を考慮するとき、基板Ｆは親水性特性を有し、基板Ｆに親水性特性を有する薄膜、例えば、シリコン窒化膜などが形成される場合、シリコン窒化膜は基板Ｅから分離しない。
【００５０】
表示装置
図２４は、本発明の一実施例による表示装置の断面図である。
図２４を参照すると、表示装置６００は、第１基板２００、第２基板３００及び表示素子４００を表示する。
第１基板２００は、第１疎水性本体２１０及び第１親水性本体部２２０を含む。
【００５１】
第１疎水性本体２１０は、疎水性特性を有する。例えば、第１疎水性本体２１０は合成樹脂を含み、第１疎水性本体２１０上に滴下された水玉の接線と第１疎水性本体２１０との間に形成された角度は約４０°以上である。
第１親水性本体部２２０は、親水性特性を有する。例えば、第１親水性本体部２２０は、第１疎水性本体２１０をプラズマで処理して形成することができる。例えば、第１親水性本体部２２０上に滴下された水玉の接線と第１親水性本体部２２０との間に形成された角度は約２°〜約４０°である。
【００５２】
本実施例で、第１疎水性本体２１０及び第１親水性本体部２２０は、例えば、一体型に形成することができる。これとは違って、第１親水性本体部２２０は、第１疎水性本体２１０上に配置されてもよい。
望ましくは、第１疎水性本体２１０と第１親水性本体部２２０を含む第１基板２００は第１硬度を有する。望ましくは、第１基板２００は、可撓性特性を有する。
【００５３】
第１基板２００が可撓性である場合、第１基板２００に表示素子４００精密に形成しにくいので、第１基板２００には、第１サブ本体２３０を配置することができる。
サブ本体２３０は、第１硬度より高い第２硬度を有する。第１サブ本体２３０は、例えば、ガラス基板であってもよい。
一方、第２基板３００は、第２疎水性本体３１０及び第２親水性本体部３２０を含む。
【００５４】
第２疎水性本体３１０は、疎水性特性を有する。例えば、第２疎水性本体３１０は合成樹脂を含み、第２疎水性本体３１０上に滴下された水玉の接線と第２疎水性本体３１０との間に形成された角度は約４０°以上である。
第２親水性本体部３２０は、親水性の特性を有する。例えば、第２親水性本体部３２０は、第２疎水性本体３１０をプラズマで処理して形成することができる。例えば、第２親水性本体部３２０上に滴下された水玉の接線と第２親水性本体３１０との間に形成された角度は約２°〜約４０°である。
【００５５】
本実施例で、第２疎水性本体３１０及び第２親水性本体部３２０は例えば、一体型に形成することができる。これとは違って、第２疎水性本体部３２０は、第１親水性本体３１０上に配置することができる。
望ましくは、第２疎水性本体３１０及び第２親水性本体３２０を含む第２基板３００は、第１硬度を有する。望ましくは、第２基板３００は、可撓性特性を有する。第２基板３００が可撓性である場合、第２基板３００に表示素子４００を精密に形成しにくいので、第２基板３００には第２サブ本体３３０が配置してもよい。
【００５６】
第２サブ本体３３０は、第１硬度より高い第２硬度を有する。第２サブ本体３３０は、例えば、ガラス基板である。
表示素子４００は、薄膜トランジスタ４１０、画素電極４２０、ブラックマトリクス４３０、カラーフィルタ４４０、及び液晶層４５０を含む。
薄膜トランジスタ４１０及び画素電極４２０は、第１基板２００上に形成され、ブラックマトリクス４３０及びカラーフィルタ４４０は、第２基板３００上に形成される。液晶層４５０は、第１基板２００と第２基板３００との間に介在される。
【００５７】
図２５は、本発明の他の実施例による表示装置の断面図である。本発明の一実施例は、第１基板２００と第２基板３００を除くと前述した実施例による表示装置と同一であるので、その重複された説明は省略する。
図２５を参照すると、第１基板２００の第１親水性本体部２２０には、第１凹凸部２２２が形成される。第１凹凸部２２２は、第１凹凸部２２２上に形成される薄膜トランジスタ４１０及び画素電極４２０を形成するための親水性薄膜と接触面積を向上させ、接着力を増加させて、親水性薄膜が第１親水性本体部２２０から分離することを防止する。
【００５８】
一方、第２基板３００の第２親水性本体部３２０には、第２凹凸部３２２が形成される。第２凹凸部３２２は、第２凹凸部３２２上に形成されるブラックマトリクス４３０及びカラーフィルタ４４０を形成するための親水性薄膜との接触面積を向上させて親水性薄膜が第２親水性本体部３２０から分離することを防止する。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明は、可撓性の表示基板上に画像を表示するための表示素子を形成し得る表示基板から表示素子を形成するための薄膜が分離しないようにする効果を有する。
以上、本発明の実施例によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離脱することなく、本発明を修正または変更できる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の一実施例による表示装置用基板の断面図である。
【図２】本発明の一実施例による表示装置用基板の断面図である。
【図３】本発明の一実施例による表示装置用基板の断面図である。
【図４】図３の「Ａ」部分の拡大図である。
【図５】本発明の一実施例による表示装置用基板の断面図である。
【図６】疎水性特性を有する基板の特性を示した断面図である。
【図７】本発明の一実施例による表示装置用基板の親水性本体部の特性を示した断面図である。
【図８】本発明の一実施例による表示装置用基板に表示素子が形成されることを示した断面図である。
【図９】図８の平面図である。
【図１０】本発明の一実施例による表示基板の製造方法を示した順序図である。
【図１１】本発明の一実施例による表示装置用基板の特性を示した断面図である。
【図１２】本発明の一実施例による表示装置用基板の特性を示した断面図である。
【図１３】本発明の一実施例による表示装置用基板の特性を示した断面図である。
【図１４】本発明の一実施例による表示装置用基板の特性を示した断面図である。
【図１５】本発明の一実施例による表示装置用基板の特性を示した断面図である。
【図１６】本発明の一実施例による表示装置用基板の特性を示した断面図である。
【図１７】本発明の一実施例による表示装置用基板の特性を示した断面図である。
【図１８】本発明の一実施例による表示装置用基板の特性を示した断面図である。
【図１９】本発明の一実施例による表示装置用基板の特性を示した断面図である。
【図２０】本発明の一実施例による表示装置用基板の特性を示した断面図である。
【図２１】本発明の一実施例による表示装置用基板の特性を示した断面図である。
【図２２】本発明の一実施例による表示装置用基板の特性を示した断面図である。
【図２３】図１１乃至図２２によって計測された接触角θ１乃至θ１１の棒グラフである。
【図２４】本発明の一実施例による表示装置の断面図である。
【図２５】本発明の他の実施例による表示装置の断面図である。
【符号の説明】
【００６１】
１００    表示装置用基板
１０２  基板
１１１ａ、１１１ｂ、１１２ａ、１１２ｂ、１１３ａ、１１３ｂ、１１４ａ、１１４ｂ、１１５ａ、１１５ｂ、１１６ａ、１１６ｂ、１６６、１６７    水玉
１２０    薄膜
１４０、１５０    本体
１６０、１６２    親水性本体部
１６４  微細凹凸部
１５４    メイン本体
１５２、１８０    サブ本体
１７０  密封部材
２００    第１基板
２１０  第１疎水性本体
２２０  第１親水性本体部
２２２  第１凹凸部
２３０    第１サブ本体
３００    第２基板
３１０    第２疎水性本体
３２０    第２親水性本体部
３２２    第２凹凸部
３３０    第２サブ本体
４００    表示素子
４１０    薄膜トランジスタ
４２０    画素電極
４３０    ブラックマトリクス
４４０    カラーフィルタ
４５０    液晶層
６００    表示装置
【図１】
2006338022.tif 000004
【図２】
2006338022.tif 000005
【図３】
2006338022.tif 000006
【図４】
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【図５】
2006338022.tif 000008
【図６】
2006338022.tif 000009
【図７】
2006338022.tif 000010
【図８】
2006338022.tif 000011
【図９】
2006338022.tif 000012
【図１０】
2006338022.tif 000013
【図１１】
2006338022.tif 000014
【図１２】
2006338022.tif 000015
【図１３】
2006338022.tif 000016
【図１４】
2006338022.tif 000017
【図１５】
2006338022.tif 000018
【図１６】
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【図１７】
2006338022.tif 000020
【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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