(57)【要約】      （修正有）【課題】シリコンウエハー、フォトマスク基板、フォトマスクブランクス等を含む表面から１００ｎｍ以下の微粒子を除去する装置及び方法を提供する。【解決手段】紫外線洗浄器具は、処理チャンバーの中に設置された紫外線光源１０２を有し、表面１０４の上方に位置させ、処理チャンバー内の様々な処理中に使用してよい。ガラス基板、ガラス表面、シリコン基板、プレート、フォトマスク基板などの表面１０４と紫外線光源１０２との距離は、モータ１１０を使って回転チャック１０６を動かすことによって調節できる。あるいは、紫外線光源１０２を垂直に動かすことによっても距離を調節できる。紫外線光源１０２は、およそ１４０〜４００ｎｍの波長で１ｍＶ／ｃｍ２以上の強さであって、高圧、低圧水銀ランプ等が用いられる。紫外線光源１０２は、微粒子と表面１０４との間の化学結合を切断するオゾンを発生させ、これが洗浄性能を高める。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
微粒子をその上に有する表面を用意する工程と、
該表面に液体を塗布して、該表面と紫外線光源との間に封じられた液体層を形成する工程と、
該表面上の封じられた液体層に紫外線を照射する工程と、
該表面から微粒子を除去する工程と、
を含むことを特徴とする表面からの微粒子除去方法。
【請求項２】
前記塗布工程と前記照射工程が、実質的に同時に行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記液体が、脱イオン水、オゾン水、水素水、アンモニア水、水酸化アンモニウム、イソプロパノール、フッ化水素酸、過酸化水素溶液、硫酸、およびこれらの液体の組み合わせからなる群から選ばれる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記表面に照射する工程が、およそ１４０〜４００ｎｍの間の波長を有する紫外線を前記表面に照射する工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記微粒子を除去する工程が、溶解処理を行う工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記微粒子を除去する工程が、酸化処理を行う工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
さらに、前記液体にガスを用いることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記ガスが、Ｏ２、水蒸気、ＣＦ４、ＸｅＦ、Ｎ２、Ａｒ、およびＸｅからなる群から選ばれる、請求項7に記載の方法。
【請求項９】
前記表面が、シリコンウエハー、ガラスウエハー、ガラス基板、フォトマスク基板、およびプレートからなる群から選ばれる、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
微粒子をその上に有する表面を支持するチャックと、
該表面から離間した位置にある紫外線光源と、
該表面への紫外線照射と実質的に同時に、該表面と該紫外線光源との間に液体を供給する液体供給源と、
を有することを特徴とする表面から微粒子を除去する洗浄器具。
【請求項１１】
さらに、前記液体にガスを供給するガス供給源を有する、請求項１０に記載の洗浄器具。
【請求項１２】
紫外線光源が、およそ１４０〜４００ｎｍの間の波長を有する紫外線を発する、請求項１０に記載の洗浄器具。
【請求項１３】
紫外線光源が、高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、紫外線放射ダイオード、紫外線レーザーダイオード、メタルハライドランプ、Ｘｅ２エキシマランプ、ＫｒＣｌエキシマランプ、ＸｅＩエキシマランプ、ＸｅＣｌエキシマランプ、ＡｒＦエキシマレーザー、ＫｒＦエキシマレーザー、Ａｒ２エキシマランプ、およびＦ２レーザーからなる群から選ばれる、請求項１０に記載の洗浄器具。
【請求項１４】
紫外線光源が、サイドオンランプ、ヘッドオンランプ、ペン型長ランプ、および紫外線点光源配列からなる群から選ばれる、請求項１０に記載の洗浄器具。
【請求項１５】
さらに、前記紫外線光源と前記表面との間に連結された光ファイバーを有する、請求項１０に記載の洗浄器具。
【請求項１６】
さらに、前記表面に前記液体を均一に供給するために前記チャックを動かすモーターを有する、請求項１０に記載の洗浄器具。
【請求項１７】
ウエット洗浄処理チャンバーに組み入れられる、請求項１０に記載の洗浄器具。
【請求項１８】
ドライ洗浄処理チャンバーに組み入れられる、請求項１０に記載の洗浄器具。
【請求項１９】
前記表面が、シリコンウエハー、ガラスウエハー、ガラス基板、フォトマスク基板、およびプレートからなる群から選ばれる、請求項１０に記載の洗浄器具。
【請求項２０】
紫外線光源が、前記可動アームと前記表面との間に液体層を封じることができる距離に、該表面から離間して設けられる、請求項１０に記載の洗浄器具。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は広く半導体製造プロセスに関し、より詳しくは、限定されないが、シリコンウエハー、フォトマスク基板、フォトマスクブランクス等を含む表面から微粒子を除去する装置および方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表面からの１００ナノメーター（ｎｍ）以下の微粒子の除去は、半導体製造プロセスには挑戦的な課題になり得る。これらの微粒子には、有機物質、ちり、残留物、および金属不純物などの物質を含む、表面上の汚染物質も含まれる。一般に微粒子は、基板の保管中、あるいは連続するプロセス間のスタンバイ（待機状態）において蓄積し、特に基板上の集積回路に対して欠陥の原因となる可能性がある。
【０００３】
表面−微粒子間の相互作用は、その物質や表面構造によって決まる。また、表面から微粒子を除去するのに必要なエネルギー転移効率は、該表面上の微粒子のサイズに大きく依存する。一般に、微粒子と表面との間の付着力が切断される必要があり、そして微粒子がその表面に再付着しないような十分遠くまで、該表面から運ばれる必要がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
現在行われている微粒子除去方法としては、例えば、フッ化水素酸、過酸化水素溶液、硫酸等の一連の薬液に基板を浸漬するか、一連の薬液を基板上にスプレーする工程を伴うウエット洗浄法がある。方法によっては、スピンブラシおよび／またはメガソニッククリーナー（megasonic  cleaner）を使用する。しかしながら、これらのプロセスは費用が高くつき、また環境に有害な廃棄物を生じてしまう。その上、スピンブラシやメガソニッククリーナーの使用は大きな微粒子の除去には効果があるが、サブミクロンのオーダーあるいはそれより小さい微粒子の除去には有効でない。
【０００５】
加えて、半導体技術に使用される次世代リソグラフィー（ＮＧＬ）は、リソグラフィープロセスの精度低下の要因となる光の散乱を防止するため、表面粗さがおよそ１．５ÅＲＭＳ以下のガラス基板の反射光学を使用する。一般に、およそ２７ｎｍを超える微粒子は全て、ＮＧＬに使用されるマスク基板の表面から除去される必要がある。表面から微粒子を除去するため微粒子のアンダーエッチングを使用する従来のウェット洗浄法は、表面粗さを必要な値を超えて増大させるため、もはや適用できない。その上、現在行われている高度な洗浄装置のほとんどは、プレート表面からサイズ２７ｎｍ以上の微粒子を全て除去する能力はない。これは、比較的高エネルギーまたは高運動量を表面から数ｎｍの距離に伝達するメカニズムがないことによる当然の結果である。さらに、現在の装置には、界面近傍に活性種の数を増大させるメカニズムが欠如している。化学反応のほとんどは、表面めがけて活性種を供給する拡散プロセスである。
【０００６】
上記した難点は、その全体を挙げるものではなく、むしろ、微粒子除去に関連する既知の技術の有効性を減じかねない多くの難点の一部でしかない。しかし、ここに挙げた難点は、従来技術に現れている方法（methodologies）が満足できるものではなく、本明細書において開示し、また権利を主張する技術が重要かつ必要であることを証明するのに十分である。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、限定されないが、シリコンウエハー（パターニング済み、およびパターニングなし）、ガラスウエハー（パターニング済み、およびパターニングなし）、ガラス基板、フォトマスク基板、マスク等を含む表面上の汚染微粒子であって、該表面上の残留物に起因する汚染微粒子の除去に関する。一態様において、エネルギー転移機構を該汚染微粒子と該表面との間の化学結合の切断のために使用してもよい。例えば、紫外線（ＵＶ）処理を該汚染微粒子と該表面との間の化学結合の解離およびオゾン生成のために使用してもよい。オゾンは汚染微粒子と反応し、それらを分解することができる活性成分である。本発明は、さらに、該表面にオゾンおよび／または他の活性酸素ラジカルを供給し上記微粒子を直接溶解する方法および装置に関する。
【０００８】
本発明では、表面上の微粒子除去方法も提供される。かかる方法は、微粒子を有する表面上に液体を供給し、封じられた液体層（confined  liquid  layer）を形成する工程を含む。幾つかの態様において、オゾンや他の酸素ラジカルを生成して該プレート表面上の微粒子間の結合を切断するため、該液体供給工程は、該表面上の液体層に対する紫外線光源による照射する工程と実質的に同時に行われる。結合の解離に伴い、微粒子は該プレートから除去される。
【０００９】
また、紫外線光源を疎水性から親水性への表面状態の改変に使用してもよい。かかる状態変化が表面を活性化し、微粒子除去に必要な化学反応を励起できる。
【００１０】
本発明ではさらに、洗浄器具が提供される。洗浄器具は、微粒子を有する表面を支持するチャックと、該表面から離間した位置にある紫外線光源と、該表面から離間した位置にある可動アームとを有し、該可動アームが紫外線と液体を同時に供給してオゾンを生成し微粒子を除去する。
【００１１】
本発明のその他の特徴や付随する利点は、次の具体的態様の詳細な説明を、添付の図面と関連させて参照すれば明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明の様々な特徴および利点の詳細は、添付の図面に図示され、また以下の記述により詳細に説明される、限定されない実施態様を参照することにより、さらに解明される。広く知られた出発物質、処理技法、構成要素、および器具の説明は、詳細さのために、本発明を不必要にあいまいにすることを避けるため、省略した。しかしながら、詳細な説明および具体例は、本発明の態様を示している一方、解説のためにのみ与えられており、限定のために与えられているのではないことを、理解するべきである。基本的な発明概念の精神および／または範囲内における様々な置き換え、変更、付加、および／または再配列は、本発明の開示から、かかる技術の当業者にとって明白である。
【００１３】
本開示は、限定されないがおよそ１００ｎｍ以下の大きさの、ちり、有機物、金属不純物等を含む微粒子を表面から実質的に除去する手法を提供する。さらに、本開示は、およそ１００ｎｍ以上の寸法の微粒子を除去する手法を提供する。一態様においては、表面と微粒子の間の化学結合を切断するため、紫外線（ＵＶ）光源または真空紫外線（ＵＶＵ）光源が提供される。加えて、該紫外線光源または真空紫外線光源がオゾンや他の活性酸素ラジカルを生成せしめ、これが洗浄性能を高めることができる。
【００１４】
図１Ａおよび図１Ｂは、in-situ紫外線洗浄装置１００の、それぞれ平面図および側面図でを示す。一態様において、紫外線洗浄器具は、処理チャンバー（図示されていない）の中に設置された紫外線光源１０２を有してもよく、表面１０４の上方に位置してもよく、また、処理チャンバー内における様々な処理中に使用していてもよい。表面１０４（例えば、ガラス基板、ガラス表面、シリコン基板、プレート、ファトマスク基板など）と紫外線光源１０２との間の距離は、モーター１１０を使って回転チャック１０６を動かすことによっても調節できる。あるいは、表面１０４と紫外線光源１０２との間の距離は、紫外線光源１０２を垂直方向に動かすことによっても調節できる。
【００１５】
一態様において、紫外線光源１０２は、サイドオンランプ、ヘッドオンランプ、ペン型長ランプ、および紫外線点光源配列であってもよく、およそ１４０ｎｍ〜４００ｎｍの波長で、およそ１ｍＷ／ｃｍ２以上、好ましくは５ｍＷ／ｃｍ２以上の強度で作動してもよい。紫外線光源１０２の例としては、限定されないが、高圧水銀ランプ（波長およそ２５０−４５０ｎｍ）、低圧水銀ランプ（波長およそ１８０−４８０ｎｍ）、紫外線放射及び／またはレーザーダイオード（波長およそ３００−４００ｎｍ）、メタルハライドランプ（波長およそ２００−４５０ｎｍ）、Ｘｅ２エキシマランプ（波長およそ１７２ｎｍ）、Ａｒ２エキシマランプ（波長およそ１４６ｎｍ）、ＫｒＣｌエキシマランプ（波長およそ２２２ｎｍ）、ＸｅＩエキシマランプ（波長およそ２５４ｎｍ）、ＸｅＣｌエキシマランプ（波長およそ３０８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（波長およそ１９３ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザー（波長およそ２４８ｎｍ）、およびＦ２レーザー（波長およそ１５７ｎｍ）を含む。代わりに、紫外線光源として、可視光または赤外光を周波数変換結晶により紫外光に変換させたものを用いてもよい。
【００１６】
他の態様において、紫外線光源１０２は処理チャンバーの外に設けられてもよく、紫外線光源１０２から発生した紫外線２２４を、例えば図２Ａおよび図２Ｂに図示されたような光ファイバー２２２を用いて処理チャンバー内へ導いてもよい。あるいは、光学導波路、レンズ、反射鏡などを使用してもよい。光ファイバー、導波路、レンズ、および／または反射鏡は、表面１０４の上方において回転および／またはスライドする可動アーム１１２の中に埋設してもよい。かかる相対的配置において、紫外線光源の窓または反射鏡を、該窓または鏡面における液体の凝結を防止するため、ヒーターまたはペルティエ素子（peltier  device）により加熱することができる。
【００１７】
図１Ａ、図１Ｂ、図２Ａ、図２Ｂのin-situ紫外線洗浄装置１００は紫外線の照射と実質的に同時に、プレート表面上へ液体２２８を供給できる。液体は可動（回転）アーム１１２を用いて表面上へスプレーすることができる。あるいは、液体をビームノズルを用いて供給してもよい。該液体は、限定されないが、脱イオン水（ＤＩＷ）、オゾン水、水素水、水酸化アンモニウム、イソプロパノール、フッ化水素酸、過酸化水素溶液、硫酸、および／またはこれらの液体の組み合わせを含んでよい。一態様において、およそ２５０〜２６０ｎｍの波長を有する紫外線の照射と実質的に同時に、回転アーム１１２が洗浄すべき表面上にオゾン水および／または過酸化水素液を供給してもよい。この例では、およそ２５０〜２６０ｎｍの波長の紫外線と水中に溶解されたオゾン分子（例えば、空気界面への暴露を最小限にする）との組み合わせが、ヒドロキシラジカル（ＯＨ＊）、超酸化物（Ｏ２）、過酸化ヒドロキシ（ＨＯ２）、および酸素ラジカル（Ｏ２＊）などの高活性種を生成し、それにより、該表面からの微粒子除去を促進する。ここで、該表面へ供給する液体の流速は、該プレートの表面全体に液体被膜を形成できるように調節することができる。例えば、限定されないが、６インチ角のガラス基板などの基板に、およそ１０ミリリットル／分〜２リットル／分まで流速を変動させることができる。表面１０４は、回転チャック１０６およびモーター１１０と連結されており、洗浄対象の表面に液体（例えばオゾン液）を均一に散布する、及び除去された微粒子該表面への再付着を妨げるために、紫外線を露光中、およそ１〜３０００回／分（rpm）の速さで該表面を回転してもよい。
【００１８】
他の態様では、可動アーム１１２に連結された少なくとも一つの音響モジュレーター（acoustic  modulator）あるいは圧電トランスジューサー（piezoelectric  based  transducer）を通して液体を散布し、紫外線光源とプレート表面との間の空間を満たしてもよい。トランスジューサーは、液体ビームを通して音響エネルギーが表面に届くように、およそ１００Ｈｚ〜７ＭＨｚの周波数で振動させてもよい。プレート表面の音響ビームは紫外線に露光される領域と重なってよい。これで、境界層を減少させる音響エネルギー及び音響流を使用することにより、微粒子除去が向上する。
【００１９】
さらにin-situ紫外線洗浄装置１００は、処理チャンバー内の紫外線ランプ１０２および表面１０４の間の空間に、ガス供給手段１０８（簡潔にするため図２Ａおよび図２Ｂには図示せず）を経由して、Ｎ２，ＡｒやＸｅ等のガスを導入してもよい。一態様において、水や薬品の汚れによる紫外線光源１０２の汚染を防止するため、紫外線光源の前面にガスを導入してもよい。例えば、薬品が、プレート表面にスプレーされ、紫外線光源の表面にはね戻り、液体と洗浄すべき表面との界面ではなく光源の表面において紫外線を吸収してしまうことがある。あるいはまた、ガスを紫外線光源の冷却に用いてもよい。もう一つの態様においてガスは、紫外線照射下で表面上の汚染物質と反応するか、または、該汚染物質と反応するＯＨラジカルなどの活性種を生成することが可能な、Ｏ２、水蒸気、ＣＦ４やＸｅＦなどの反応性ガスを１〜５０体積％含んでいてもよい。反応性ガスは微粒子と相互に作用し、該微粒子と表面との間の化学結合の切断を促進することができる。
【００２０】
他の態様では、液体が紫外線光源表面とプレート表面の間の空間を実質的に満たすように供給されてもよい。図３には、紫外線光源２０２とプレート２０４とを有し、プレート２０４の表面上に液体層２１６を有する洗浄器具２００の断面図が示されている。一態様において、紫外線光源２０２は紫外線透過性窓２１４と、紫外線の該窓の透過を可能とする鏡とに覆われていてもよい。該窓と該鏡に囲まれた空間を、空気や水分による吸収に起因する紫外線強度の低下を防止するために、限定されないが、窒素（Ｎ２），ヘリウム（Ｈｅ），アルゴン（Ａｒ）あるいはクリプトン（Ｋｒ）などの不活性ガス３２６により浄化してもよい。紫外線光源２０２がおよそ数百あるいは数千ミクロンの離間距離をもってプレートに近接して置かれる場合、封じられた液体層２１６が毛管力によりプレート２０４と紫外線光源２０２の間に留まる。これで、液体−空気の界面が実質的に存在せず、オゾンが該液体中に生成する。さらに、封じられた液体被膜が紫外線光源と該表面との間に留まることが可能となる位置に、紫外線光源２０２を調節してもよい。これにより、液体とガスとの界面が実質的に存在しないために、液体層内で生成したオゾンのガス相への拡散を実質的に防止することが可能となり、よって該液体はオゾンを高濃度に溶解することができる。この配置において紫外線光源と表面との距離は可能な限り最小となっているため、より高強度の紫外線を表面に照射して、より多くのオゾンや他の酸素ラジカルを該液体被膜中に生成可能である。この配置において、脱イオン水やアンモニア水等の水溶液が波長２００ｎｍ未満の紫外線に露光されると、オゾンおよび、ヒドロキシラジカル（ＯＨ＊）、超酸化物（Ｏ２）、過酸化ヒドロキシ（ＨＯ２）や酸素ラジカル（Ｏ２＊）などの高活性種が該水溶液層内に生成し、有機物質の溶解に十分なその高い酸化力によって、微粒子が効率よく除去可能となる。そのため、低圧水銀ランプ（波長およそ１８０−４８０ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（波長およそ１９３ｎｍ）、Ｘｅ２エキシマランプ（波長およそ１７２ｎｍ）、Ｆ２レーザー（波長およそ１５７ｎｍ）、Ａｒ２エキシマランプ（波長およそ１４６ｎｍ）、その他の紫外線光源を、光源として使用できる。
【００２１】
図１Ａ、図１Ｂ、図２Ａ、図２Ｂ、および図３に示した本発明の開示に係る洗浄器具は、マスク、ウエハー、そして、限定しないが、液晶ディスプレー（ＬＣＤ）に使用されるプレートを含む、その他の洗浄対象となる表面上の汚染微粒子を除去するための、現存するウエット洗浄器具（例えば、剥離装置（stripping tools）、エッチング装置など）に組み入れてもよい。さらに、紫外線内設洗浄装置はスピン乾燥処理中に使用してもよい。紫外線光源の使用は、洗浄対象である大半の表面状態を親水性に変化させることが可能であり、それが、洗浄器具におけるスピン乾燥や表面張力勾配に基く乾燥処理のどちらにおいても微粒子数を低減させる。
【００２２】
図４のフローチャートに示したように、液体（例えばオゾン水など）が表面に供給されて、厚さがおよそ２００〜３００μｍの液体皮膜を形成し、微粒子を溶解あるいは酸化する（工程３００）。次いで、紫外線光源（図１および図２の紫外線光源１０２、または図３の紫外線光源２０２に類似のもの）を、洗浄対象の表面に近接させ（例えばおよそ２００μｍ）、該表面を露光する（工程３０２）。ある態様においては、工程３０２は工程３００と実質的に同時に行ってもよい。紫外線光源の窓と液体層の間の表面張力、および、液体層−基板表面間の張力によって、液体２１６のメニスカスが形成され、液体は二つの固体表面間に閉じ込められた状態となる。該表面の材料や使用される液体の性質次第で、液体層の厚さはおよそ１０００μｍほどに厚くなることがある。そして、紫外線光源１０２はプレートの表面近傍でオゾンを生成させる（工程３０４）。一態様において、オゾンは液体層とプレート表面の間の界面に存在してよい。その結果、該界面において活発な化学反応が起こり、それにより汚染微粒子が実質的に除去された表面を得ることができる。加えて、オゾンやその他の酸素ラジカルの導入により、より効果的に化学結合を解離し、プレート表面から微粒子を除去できる。他の態様において、紫外線光源１０２はプレート表面の大半を、乾燥後の微粒子が減少することが知られている親水性表面へと変化させることができる。工程３０６では、ガスが導入される。ガスは紫外線光源の冷却に使用できる。あるいは、ガスは表面上の汚染物質と反応させるために使用されてもよく、微粒子と表面との間の化学結合の切断を促進できる。
【００２３】
本開示に係る装置および手法は、オゾン水に限定するものではなく、半導体産業のウエット洗浄において普通に使用されている他の化学薬品とともに使用してもよい。例えば、微粒子除去能力向上のため、オゾン水、水素水、アンモニア水、過酸化水素液、硫酸、有機酸、およびこれらの液体の組み合わせを使用してもよい。ある態様において、波長がおよそ１４０〜２６０ｎｍの紫外線を使用してもよい。あるいはまた、オゾンおよび励起ラジカルを効率よく生成するため、波長がおよそ１４０〜２００ｎｍの紫外線を使用してもよい。例えば、光源の例として、Ｘｅ２エキシマランプ（波長およそ１７２ｎｍ）、水銀ランプ（波長およそ１８０〜４５０ｎｍ）、Ｆ２レーザー（波長およそ１５７ｎｍ）、Ｋｒエキシマランプ（波長およそ１４６ｎｍ）、その他を使用できる。
【００２４】
さらに、波長およそ２００ｎｍ未満の紫外線を実質的に同時に照射することにより、脱イオン水中に励起酸素ラジカルおよびオゾンを生成することができる。これらは有機物質の溶解に十分な強い酸化力を有しているため、前に挙げた溶液への該紫外線照射は洗浄対象表面からの微粒子除去を促進することができる。
【００２５】
ここに開示し、また権利を主張する全ての方法は、本開示に照らして、不適切な実験をせずとも実施することができる。本発明の装置および方法を好ましい態様に基いて詳述したが、かかる技術の当業者には、本発明の概念、精神、および範囲から逸脱することなく、ここに詳述した方法、該方法を実施する工程あるいは連続する工程について、様々な改変が可能であることは明らかである。加えて、同様または類似の成果が得られるような、開示した装置の修正や、ここに詳述した構成要素の削除または代用も可能である。かかる技術の当業者にとって明らかな、そのような類似の代用や修正は全て、添付の特許請求の範囲により定義された発明の精神、範囲、および概念に含まれるものである。
本出願は、２００４年１２月１６日に出願された米国特許仮出願番号第60/636,829号の優先権を主張し、かつ引用して取り入れるものである。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
次の図面は本願明細書の一部を形成し、本発明のある側面をさらに説明するために添付されている。本発明は、ここに提示された具体的態様の詳細な説明と組み合わせて、これらの図面の一つあるいは複数を参照すれば、より良く理解できる。
【図１】図１Ａは、本発明の態様に係る洗浄器具の平面図である。図１Ｂは、本発明の態様に係る図１Ａの洗浄器具の側面図である。
【図２】図２Ａは、本発明の態様に係る洗浄器具の側面図である。図２Ｂは、本発明の態様に係る図２Ａの洗浄器具の平面図である。
【図３】図３は、本発明の態様に係る洗浄器具の断面図である。
【図４】図４は、本発明の態様に係る方法のフローチャートである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【外国語明細書】
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【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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