(57)【要約】【課題】ウェハと隙間無く密着してウェハを保持可能なカーボン製のウェハボートを低コストに提供する。【解決手段】矩形平板状のボート本体１１は立てた状態で熱処理炉内やＣＶＤ装置の反応容器内にセットされる。ボート本体１１には、その上下中央位置より所定距離ｄ１だけ下方位置に４個の係止部材１２〜１５が突出して設けられている。尚、各係止部材１２〜１５はボート本体１１の長手方向に並べて配置されている。同一寸法の各係止部材１２〜１５は、略円錐状の末端部３２と、その円錐状の頂部側とボート本体１１のボート面とを接続する円柱状の基端部３３とが一体形成され、ボート本体１１のボート面に接続固定されている。そして、各係止部材１２，１３によってウェハＷａが保持固定され、各係止部材１３，１４によってウェハＷｂが保持固定され、各係止部材１４，１５によってウェハＷｃが保持固定される。【選択図】  図１
2006049359.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体製造に用いられるウェハを保持固定するためのカーボン製のウェハボートであって、
平板状のボート本体と、
そのボート本体のボート面から突出して設けられた係止部材とを備え、
その係止部材は、前記ボート本体に保持固定されるウェハの上下中央位置より所定距離だけ下方位置に配置され、
前記ウェハは、その外周部の２箇所が前記係止部材に係止されることにより、前記ボート本体に対して保持固定されることを特徴とするウェハボート。
【請求項２】
請求項１に記載のウェハボートにおいて、
前記ボート本体には複数枚のウェハが並べて保持固定され、
隣合う２枚のウェハは１個の前記係止部材を共用して保持固定されることを特徴とするウェハボート。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のウェハボートにおいて、
前記係止部材は、
略円錐状の末端部と、
その末端部の略円錐状の頂部側とウェハボートのボート面とを接続する円柱状の基端部とを備え、
前記ウェハは、前記係止部材の前記末端部および前記基端部と前記ボート本体のボート面との間に挟持されることを特徴とするウェハボート。
【請求項４】
請求項１に記載のウェハボートにおいて、
前記係止部材は、
前記ウェハの外周形状に合わせた形状の側壁部と、
その側壁部とウェハボートのボート面とを接続する基底部と、
その基底部および側壁部に囲まれると共に前記ウェハの外周形状に合わせた凹形状の溝部とを備え、
前記ウェハは、前記係止部材の前記溝部に嵌合されて前記側壁部と前記ボート本体のボート面との間に挟持されることを特徴とするウェハボート。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はウェハボートに係り、詳しくは、半導体製造に用いられるウェハを保持固定するためのウェハボートに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスを単結晶シリコンウェハの表面に形成する工程において、ウェハに熱処理を施す際や、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いて各種薄膜（酸化シリコン膜、窒化シリコン膜など）をウェハ上に形成する際には、複数枚の略円盤状のウェハをウェハボート（ウェハボード）に保持させ、そのウェハボートを熱処理炉内やＣＶＤ装置の反応容器内にセットしている。
【０００３】
熱処理用のウェハボートとして、従来は石英ガラス製のものが用いられていた。しかし、石英ガラスは１０００℃を越えると粘性流動による変形が生じ始めるため、それ以上の高温下では使用不能である。また、石英ガラスは、脆いため破損し易く、酸によって劣化するため、寿命が短い。
そこで、近年、石英ガラスに代わって、炭化ケイ素によって形成されたウェハボートが熱処理用として使用されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特許第３２８５７２３号公報（第２〜４頁  図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年、従来のＣＶＤ法に代わり、プラズマＣＶＤ法の利用がすすめられている。
プラズマＣＶＤ法では、ＣＶＤ装置の反応容器中に高周波の電界をかけることにより、原料ガスに電子を衝突させてプラズマを生成させ、そのプラズマをウェハ表面に照射することでウェハ上に各種薄膜を形成する。
そのため、プラズマＣＶＤ法によれば、原料ガスの熱的励起のみを利用する従来のＣＶＤ法に対して、原料ガスがプラズマ放電の衝突により相互に活性化されラジカルとなるため、低温下での薄膜生成が可能になる。
【０００５】
しかし、石英ガラス製や炭化ケイ素製のウェハボートは導電性が低いため、プラズマＣＶＤ法を用いてウェハ上に薄膜を形成する用途には使用できない。
プラズマＣＶＤ法には、導電性と耐熱性が共に高いカーボン製のウェハボートを使用する必要がある。
【０００６】
図６（Ａ）は、従来のカーボン製ウェハボート５０の一例を示す正面図である。図６（Ｂ）は、ウェハボート５０の右側面図である。
図７は、図６（Ａ）におけるＸ−Ｘ線要部断面図である。
【０００７】
ウェハボート５０は、ボート本体５１および６個の係止部材（爪）５２〜５７から構成されている。
矩形平板状のボート本体５１は立てた状態で熱処理炉内やＣＶＤ装置の反応容器内にセットされる。
ボート本体５１には、その長手方向に３枚の同一寸法で略円盤状の単結晶シリコンウェハＷａ〜Ｗｃを並べて保持させることができる。
【０００８】
ボート本体５１のボート面には、各係止部材５２〜５７が突出して設けられている。
そして、各係止部材５２〜５７は、ボート本体１１に保持固定される各ウェハＷａ〜Ｗｃの下端部近傍の位置にボート本体１１の長手方向に並べて配置されている。
同一寸法の各係止部材５２〜５７は略円錐状を成し、その略円錐状の頂部側がボート本体５１のボート面に接続固定されている。
そして、各係止部材５２，５３によってウェハＷａが保持固定され、各係止部材５４，５５によってウェハＷｂが保持固定され、各係止部材５６，５７によってウェハＷｃが保持固定される。
尚、各ウェハＷａ〜Ｗｃはオリエンテーションフラットを上方に向けた状態で各係止部材５２〜５７に保持されている。
【０００９】
しかし、各係止部材５２〜５７は各ウェハＷａ〜Ｗｃの下端部近傍における外周部を保持しており、各係止部材５２〜５７は略円錐状である。
そのため、図６（Ｂ）に示すように、各ウェハＷａ〜Ｗｃの自重によりその上部がボート本体５１から離れて前方へ傾き、各ウェハＷａ〜Ｗｃの上部とボート本体５１との間に隙間Ｓが生じ易いという問題があった。
尚、図６（Ｂ）ではウェハＷｃとボート本体５１との間に隙間Ｓが生じた状態を図示してあるが、他のウェハＷａ，Ｗｂについても同様な隙間Ｓが生じるおそれがある。
【００１０】
そのため、図６および図７に示すカーボン製ウェハボート５０をプラズマＣＶＤ法に用いた場合には、各ウェハＷａ〜Ｗｃの上部とボート本体５１との隙間Ｓで異常放電が発生し、生成した薄膜に異常放電によるフレークが生じてウェハが不良になるという問題がある。
この隙間Ｓにおける異常放電が各ウェハＷａ〜Ｗｃのいずれか１枚に発生すると、他のウェハに生成した薄膜にも同様なフレークが生じ、全てのウェハＷａ〜Ｗｃが不良になるおそれがある。
【００１１】
また、ボート本体５１との間に隙間Ｓが生じたウェハＷａ〜Ｗｃは、隙間Ｓが生じていないウェハに比べて、ウェハボート５０との接触面積が小さくなる。
そして、ウェハボート５０とウェハＷａ〜Ｗｃと接触面積が小さくなると、その接触部分の電気抵抗（接触抵抗）が大きくなり、プラズマＣＶＤ法を用いて生成した薄膜の膜厚が薄くなり過ぎてウェハが不良になるという問題がある。
【００１２】
本発明は上記問題を解決するためになされたものであって、その目的は、ウェハと隙間無く密着してウェハを保持可能なカーボン製のウェハボートを低コストに提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
請求項１に記載の発明は、半導体製造に用いられるウェハを保持固定するためのカーボン製のウェハボートであって、平板状のボート本体と、そのボート本体のボート面から突出して設けられた係止部材とを備え、その係止部材は、前記ボート本体に保持固定されるウェハの上下中央位置より所定距離だけ下方位置に配置され、前記ウェハは、その外周部の２箇所が前記係止部材に係止されることにより、前記ボート本体に対して保持固定されることを技術的特徴とする。
【００１４】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載のウェハボートにおいて、前記ボート本体には複数枚のウェハが並べて保持固定され、隣合う２枚のウェハは１個の前記係止部材を共用して保持固定されることを技術的特徴とする。
【００１５】
請求項３に記載の発明は、請求項１または請求項２に記載のウェハボートにおいて、前記係止部材は、略円錐状の末端部と、その末端部の略円錐状の頂部側とウェハボートのボート面とを接続する円柱状の基端部とを備え、前記ウェハは、前記係止部材の前記末端部および前記基端部と前記ボート本体のボート面との間に挟持されることを技術的特徴とする。
【００１６】
請求項４に記載の発明は、請求項１に記載のウェハボートにおいて、前記係止部材は、前記ウェハの外周形状に合わせた形状の側壁部と、その側壁部とウェハボートのボート面とを接続する基底部と、その基底部および側壁部に囲まれると共に前記ウェハの外周形状に合わせた凹形状の溝部とを備え、前記ウェハは、前記係止部材の前記溝部に嵌合されて前記側壁部と前記ボート本体のボート面との間に挟持されることを技術的特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
（請求項１）
請求項１に記載の発明では、ウェハの上下中央位置より所定距離だけ下方位置の外周部の２箇所を係止部材が保持している。そのため、前記所定距離を十分に小さく設定することにより、ウェハをその上下中央位置近傍（つまり、ウェハの重心位置近傍）で係止部材によって保持することが可能になる。
従って、請求項１の発明によれば、ボート本体を立てた状態で熱処理炉内やＣＶＤ装置の反応容器内にセットした際に、ウェハの自重によりその上部がボート本体から離れて前方へ傾くのを防止可能になり、ボート本体がウェハと隙間無く密着した状態でウェハを保持できる。
【００１８】
尚、前記所定距離を小さくし過ぎると、ウェハが係止部材から脱落してボート本体から下に落ちやすくなるおそれがある。
そのため、係止部材がウェハを確実に保持した上で、ボート本体が傾くのを防止できるように、前記所定距離についてはカット・アンド・トライで実験的に最適値を見つけて設定すればよい。
【００１９】
ところで、プラズマＣＶＤ法を用いてウェハの表面に各種薄膜（酸化シリコン膜、窒化シリコン膜など）を形成するには、ウェハを保持させたボート本体をＣＶＤ装置の反応容器内にセットし、その反応容器中に高周波の電界をかけることにより、原料ガスに電子を衝突させてプラズマを生成させ、そのプラズマをウェハ表面に照射することでウェハ上に各種薄膜を堆積させる。
【００２０】
そのため、従来のカーボン製ウェハボートのように、ウェハの上部とボート本体とに隙間が生じた場合には、その隙間で異常放電が発生し、生成した薄膜に異常放電によるフレークが生じてウェハが不良になるという問題がある。
しかし、請求項１の発明では、カーボン製のボート本体がウェハと隙間無く密着した状態で係止部材がウェハを保持する。
従って、請求項１の発明によれば、従来のウェハボートの問題を防止可能になり、プラズマＣＶＤ法を用いて薄膜を形成する際に異常放電が発生せず、生成した薄膜にフレークが生じないため、薄膜の特性を良好にしてウェハの歩留まりを向上させることができる。
【００２１】
また、請求項１の発明では、ボート本体がウェハと隙間無く密着した状態で係止部材がウェハを保持可能であるため、ウェハボートとウェハと接触面積が大きくなり、その接触部分の電気抵抗を小さくできる。
従って、請求項１の発明によれば、前記した従来のウェハボートの問題を防止可能になり、プラズマＣＶＤ法を用いて生成した薄膜の膜厚を十分に厚くできるため、薄膜の特性を良好にしてウェハの歩留まりを向上させることができる。
【００２２】
（請求項２：第１実施形態に該当）
請求項２の発明によれば、隣合う２枚のウェハは１個の係止部材を共用して保持固定されるため、従来のウェハボートに比べて、係止部材の個数を少なくすることが可能になり、係止部材の個数が少ない分だけウェハボートを低コストに製造できる。
【００２３】
（請求項３：第１実施形態に該当）
請求項３の発明において、係止部材は略円錐状の末端部と円柱状の基端部とを備えている。
そのため、末端部の円錐状の外周斜面の傾きと、基端部の高さとを適宜設定することにより、末端部および基端部とボート本体のボート面との間にウェハを挟持固定することが可能になる。
従って、請求項３の発明によれば、請求項１の発明の作用・効果と相まって、ボート本体がウェハと隙間無く密着した状態で当該ウェハを確実に保持できる。
【００２４】
尚、係止部材がウェハを強固に挟持し過ぎると、プラズマＣＶＤ法を用いてウェハ上に薄膜を形成する際に、カーボン製の係止部材とウェハとの熱膨張率の違いから、係止部材にウェハが固着し、薄膜の形成後にボート本体からウェハを取り外せなくなるおそれがある。
そのため、ボート本体に対するウェハの密着性を十分に高めた上で、係止部材にウェハが固着するのを防止できるように、末端部の円錐状の外周斜面の傾き及び基端部の高さについては実験的に最適値を見つけて設定すればよい。
【００２５】
（請求項４：第２実施形態に該当）
請求項４の発明において、係止部材は側壁部と基底部に囲まれた凹形状の溝部を備え、その溝部はウェハの外周形状に合わせて形成されている。
そのため、溝部の幅・高さ・長さを適宜設定することにより、ウェハを溝部に嵌合させて側壁部とボート本体のボート面との間に挟持固定することが可能になる。
従って、請求項４の発明によれば、請求項１の発明の作用・効果と相まって、ボート本体がウェハと隙間無く密着した状態で当該ウェハを確実に保持できる。
【００２６】
尚、係止部材がウェハを強固に挟持し過ぎると、プラズマＣＶＤ法を用いてウェハ上に薄膜を形成する際に、カーボン製の係止部材とウェハとの熱膨張率の違いから、係止部材の溝部にウェハが固着し、薄膜の形成後にボート本体からウェハを取り外せなくなるおそれがある。
そのため、ボート本体に対するウェハの密着性を十分に高めた上で、係止部材にウェハが固着するのを防止できるように、溝部の幅・高さ・長さについては実験的に最適値を見つけて設定すればよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
（第１実施形態）
図１（Ａ）は、本発明を具体化した第１実施形態のカーボン製ウェハボート１０の一例を示す正面図である。図１（Ｂ）は、ウェハボート１０の右側面図である。
図２は、図１（Ａ）におけるＸ−Ｘ線要部断面図である。
【００２８】
ウェハボート１０は、ボート本体１１および４個の係止部材（爪）１２〜１５から構成されている。
矩形平板状のボート本体１１は立てた状態で熱処理炉内やＣＶＤ装置の反応容器内にセットされる。
ボート本体１１には、その長手方向に３枚の同一寸法で略円盤状の単結晶シリコンウェハＷａ〜Ｗｃを並べて保持させることができる。
【００２９】
ボート本体１１のボート面には、各係止部材１２〜１５が突出して設けられている。
そして、各係止部材１２〜１５は、ボート本体１１に保持固定される各ウェハＷａ〜Ｗｃの上下中央位置より所定距離ｄ１だけ下方位置にボート本体１１の長手方向に並べて配置されている。
同一寸法の各係止部材１２〜１５は、略円錐状の末端部２１と、その末端部２１の略円錐状の頂部側とボート本体１１のボート面とを接続する円柱状の基端部２２とが一体形成されている。
【００３０】
尚、ボート本体１１および各係止部材１２〜１５はカーボン粉体を焼成したセラミックスから成るカーボン製であり、各係止部材１２〜１５はボート本体１１と一体形成すればよい。
また、ボート本体１１とは別体で形成した各係止部材１２〜１５をボート本体１１に接着固定してもよい。
【００３１】
各ウェハＷａ〜Ｗｃは、その外周部の２箇所が係止部材１２〜１５に係止されることにより、ボート本体１１に対して保持固定される。
すなわち、各係止部材１２，１３によってウェハＷａが保持固定され、各係止部材１３，１４によってウェハＷｂが保持固定され、各係止部材１４，１５によってウェハＷｃが保持固定される。つまり、係止部材１３は各ウェハＷａ，Ｗｂの保持固定に共用され、係止部材１４は各ウェハＷｂ，Ｗｃの保持固定に共用される。
尚、各ウェハＷａ〜Ｗｃはオリエンテーションフラットを上方に向けた状態で各係止部材１２〜１５に保持されている。
【００３２】
［第１実施形態の作用・効果］
第１実施形態によれば、以下の作用・効果を得ることができる。
【００３３】
［１−１］
各係止部材１２〜１５は、各ウェハＷａ〜Ｗｃの上下中央位置より所定距離ｄ１だけ下方位置の外周部の２箇所を保持している。
そのため、所定距離ｄ１を十分に小さく設定することにより、各ウェハＷａ〜Ｗｃをその上下中央位置近傍（つまり、ウェハの重心位置近傍）で各係止部材１２〜１５によって保持することが可能になる。
従って、第１実施形態によれば、各ウェハＷａ〜Ｗｃの自重によりその上部がボート本体１１から離れて前方へ傾くのを防止できる。
【００３４】
尚、所定距離ｄ１を小さくし過ぎると、各ウェハＷａ〜Ｗｃが各係止部材１２〜１５から脱落してボート本体１１から下に落ちやすくなる。
そのため、各係止部材１２〜１５が各ウェハＷａ〜Ｗｃを確実に保持した上で、ボート本体１１が傾くのを防止できるように、所定距離ｄ１についてはカット・アンド・トライで実験的に最適値を見つけて設定すればよい。
【００３５】
［１−２］
各係止部材１２〜１５は、略円錐状の末端部２１と円柱状の基端部２２とが一体形成されている。
そのため、末端部２１の円錐状の外周斜面の傾きと、基端部２２の高さｈとを適宜設定することにより、各端部２１，２２とボート本体１１のボート面との間に各ウェハＷａ〜Ｗｃを挟持固定することが可能になる。
従って、第１実施形態によれば、前記［１−１］の作用・効果と相まって、ボート本体１１が各ウェハＷａ〜Ｗｃと隙間無く密着した状態で当該ウェハを保持できる。
【００３６】
尚、各係止部材１２〜１５が各ウェハＷａ〜Ｗｃを強固に挟持し過ぎると、プラズマＣＶＤ法を用いてウェハ上に薄膜を形成する際に、カーボン製の各係止部材１２〜１５と単結晶シリコンから成るウェハとの熱膨張率の違いから、各係止部材１２〜１５に各ウェハＷａ〜Ｗｃが固着し、薄膜の形成後にボート本体１１から各ウェハＷａ〜Ｗｃを取り外せなくなるおそれがある。
そのため、ボート本体１１に対する各ウェハＷａ〜Ｗｃの密着性を十分に高めた上で、各係止部材１２〜１５に各ウェハＷａ〜Ｗｃが固着するのを防止できるように、末端部２１の円錐状の外周斜面の傾き及び基端部２２の高さｈについては実験的に最適値を見つけて設定すればよい。
【００３７】
［１−３］
第１実施形態において、係止部材１３は各ウェハＷａ，Ｗｂの保持固定に共用され、係止部材１４は各ウェハＷｂ，Ｗｃの保持固定に共用される。つまり、隣合う２枚のウェハＷａ，Ｗｂ（Ｗｂ，Ｗｃ）は１個の係止部材１３（１４）を共用して保持固定されるため、４個の係止部材１２〜１５で３枚のウェハＷａ〜Ｗｃを保持できる。
それに対して、図６および図７に示す従来のウェハボート５０では、３枚のウェハＷａ〜Ｗｃを保持するのに６個の係止部材５２〜５７が必要である。
従って、第１実施形態のウェハボート１０によれば、従来のウェハボート５０に比べて、係止部材１２〜１５の個数が少ない分だけ低コストに製造できる。
【００３８】
［１−４］
プラズマＣＶＤ法を用いて各ウェハＷａ〜Ｗｃの表面に各種薄膜（酸化シリコン膜、窒化シリコン膜など）を形成するには、各ウェハＷａ〜Ｗｃを保持させたボート本体１１をＣＶＤ装置の反応容器内にセットし、その反応容器中に高周波の電界をかけることにより、原料ガスに電子を衝突させてプラズマを生成させ、そのプラズマをウェハ表面に照射することでウェハ上に各種薄膜を堆積させる。
【００３９】
そのため、従来のカーボン製ウェハボート５０のように、ウェハＷａ〜Ｗｃの上部とボート本体５１とに隙間Ｓが生じた場合には、その隙間Ｓで異常放電が発生し、生成した薄膜に異常放電によるフレークが生じてウェハが不良になるという問題がある。
【００４０】
しかし、第１実施形態では、前記［１−１］［１−２］の作用効果により、カーボン製ボート本体１１が各ウェハＷａ〜Ｗｃと隙間無く密着した状態で各係止部材１２〜１５が当該ウェハを保持する。
従って、第１実施形態によれば、前記した従来のウェハボート５０の問題を防止可能になり、プラズマＣＶＤ法を用いて薄膜を形成する際に異常放電が発生せず、生成した薄膜にフレークが生じないため、薄膜の特性を良好にしてウェハの歩留まりを向上させることができる。
【００４１】
［１−５］
従来のウェハボート５０のように、ウェハＷａ〜Ｗｃの上部とボート本体５１とに隙間Ｓが生じた場合には、当該ウェハとウェハボート５０との接触面積が小さくなるため、その接触部分の電気抵抗（接触抵抗）が大きくなり、プラズマＣＶＤ法を用いて生成した薄膜の膜厚が薄くなり過ぎてウェハが不良になるという問題がある。
【００４２】
しかし、第１実施形態では、ボート本体１１が各ウェハＷａ〜Ｗｃと隙間無く密着した状態で各係止部材１２〜１５が当該ウェハを保持可能であるため、ウェハボート１０とウェハＷａ〜Ｗｃと接触面積が大きくなり、その接触部分の電気抵抗を小さくできる。
従って、第１実施形態によれば、前記した従来のウェハボート５０の問題を防止可能になり、プラズマＣＶＤ法を用いて生成した薄膜の膜厚を十分に厚くできるため、薄膜の特性を良好にしてウェハの歩留まりを向上させることができる。
【００４３】
（第２実施形態）
図３（Ａ）は、本発明を具体化した第２実施形態のカーボン製ウェハボート３０の一例を示す正面図である。図３（Ｂ）は、ウェハボート３０の右側面図である。
図４は、図３（Ａ）および図５におけるＸ−Ｘ線要部断面図である。
図５は、ウェハボート３０の要部斜視図である。
【００４４】
ウェハボート３０は、ボート本体３１および６個の係止部材（爪）３２〜３７から構成されている。
矩形平板状のボート本体３１は立てた状態で熱処理炉内やＣＶＤ装置の反応容器内にセットされる。
ボート本体３１には、その長手方向に３枚の同一寸法で略円盤状の単結晶シリコンウェハＷａ〜Ｗｃを並べて保持させることができる。
【００４５】
ボート本体３１のボート面には、各係止部材３２〜３７が突出して設けられている。
そして、各係止部材３２〜３７は、ボート本体３１に保持固定される各ウェハＷａ〜Ｗｃの上下中央位置より所定距離ｄ２だけ下方位置にボート本体３１の長手方向に並べて配置されている。つまり、係止部材３２〜３７の中央部と、ボート本体３１に保持固定される各ウェハＷａ〜Ｗｃの上下中央位置との距離が、所定距離ｄ２に設定されている。
【００４６】
同一寸法の各係止部材３２〜３７は、ウェハＷａ〜Ｗｃの外周形状に合わせて形成された略円弧状の側壁部４１と、その側壁部４１とボート本体３１のボート面とを接続する基底部４２とが一体形成されている。
そして、側壁部４１と基底部４２に囲まれた凹形状の溝部４３も、ウェハＷａ〜Ｗｃの外周形状に合わせて形成されている。
【００４７】
尚、ボート本体３１および各係止部材３２〜３７はカーボン粉体を焼成したセラミックスから成るカーボン製であり、各係止部材３２〜３７はボート本体３１と一体形成すればよい。
また、ボート本体３１とは別体で形成した各係止部材３２〜３７をボート本体３１に接着固定してもよい。
【００４８】
各ウェハＷａ〜Ｗｃは、その外周部の２箇所が係止部材３２〜３７に係止されることにより、ボート本体３１に対して保持固定される。
すなわち、各係止部材３２，３３によってウェハＷａが保持固定され、各係止部材３４，３５によってウェハＷｂが保持固定され、各係止部材３６，３７によってウェハＷｃが保持固定される。
尚、各ウェハＷａ〜Ｗｃはオリエンテーションフラットを上方に向けた状態で各係止部材３２〜３７に保持されている。
【００４９】
［第２実施形態の作用・効果］
第２実施形態によれば、以下の作用・効果を得ることができる。
【００５０】
［２−１］
各係止部材３２〜３７は、各ウェハＷａ〜Ｗｃの上下中央位置より所定距離ｄ２だけ下方位置の外周部の２箇所を保持している。
そのため、所定距離ｄ２を十分に小さく設定することにより、各ウェハＷａ〜Ｗｃをその上下中央位置傍（つまり、ウェハの重心位置近傍）で各係止部材３２〜３７によって保持することが可能になる。
従って、第２実施形態によれば、各ウェハＷａ〜Ｗｃの自重によりその上部がボート本体３１から離れて前方へ傾くのを防止できる。
【００５１】
尚、所定距離ｄ２を小さくし過ぎると、各ウェハＷａ〜Ｗｃが各係止部材３２〜３７から脱落してボート本体３１から下に落ちやすくなる。
そのため、各係止部材３２〜３７が各ウェハＷａ〜Ｗｃを確実に保持した上で、ボート本体３１が傾くのを防止できるように、所定距離ｄ２についてはカット・アンド・トライで実験的に最適値を見つけて設定すればよい。
【００５２】
［２−２］
各係止部材３２〜３７は、側壁部４１と基底部４２に囲まれた凹形状の溝部４３を備え、その溝部４３はウェハＷａ〜Ｗｃの外周形状に合わせて形成されている。
そのため、溝部４３の幅・高さ・長さを適宜設定することにより、各ウェハＷａ〜Ｗｃを溝部４３に嵌合させて側壁部４１とボート本体３１のボート面との間に挟持固定することが可能になる。
従って、第２実施形態によれば、前記［２−１］の作用・効果と相まって、ボート本体３１が各ウェハＷａ〜Ｗｃと隙間無く密着した状態で当該ウェハを保持できる。
【００５３】
尚、各係止部材３２〜３７が各ウェハＷａ〜Ｗｃを強固に挟持し過ぎると、プラズマＣＶＤ法を用いてウェハ上に薄膜を形成する際に、カーボン製の各係止部材３２〜３７と単結晶シリコンから成るウェハとの熱膨張率の違いから、各係止部材３２〜３７の溝部４３に各ウェハＷａ〜Ｗｃが固着し、薄膜の形成後にボート本体３１から各ウェハＷａ〜Ｗｃを取り外せなくなるおそれがある。
そのため、ボート本体３１に対する各ウェハＷａ〜Ｗｃの密着性を十分に高めた上で、各係止部材３２〜３７に各ウェハＷａ〜Ｗｃが固着するのを防止できるように、溝部４３の幅・高さ・長さについては実験的に最適値を見つけて設定すればよい。
【００５４】
［２−３］
第２実施形態によれば、前記［２−１］［２−２］の作用・効果により、第１実施形態の前記［１−４］［１−５］と同様の作用・効果が得られる。
【００５５】
［別の実施形態］
ところで、本発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、以下のように具体化してもよく、その場合でも、上記各実施形態と同等もしくはそれ以上の作用・効果を得ることができる。
【００５６】
（１）上記各実施形態では、ボート本体１１，３１の長手方向に３枚のウェハＷａ〜Ｗｃを並べて保持させている。
しかし、ボート本体１１，３１に保持させるウェハの枚数は３枚に限らず、１枚または２枚あるいは４枚以上の適宜な枚数にしてもよい。
また、ボート本体１１，３１の長手方向に各ウェハＷａ〜Ｗｃを並べて保持させる必要はなく、ボート本体１１，３１の適宜な箇所に各ウェハＷａ〜Ｗｃを保持させてもよい。
【００５７】
（２）上記各実施形態では、単結晶シリコンウェハＷａ〜Ｗｃをボート本体１１，３１に保持させている。
しかし、単結晶シリコンウェハに限らず、半導体製造に用いられるどのようなウェハ（例えば、ＳＯＩ（Semiconductor On Insulator）構造の絶縁基板から成るウェハなど）をボート本体１１，３１に保持させてもよい。
【００５８】
（３）上記各実施形態では、略円盤状のウェハＷａ〜Ｗｃをボート本体１１，３１に保持させている。
しかし、ウェハの形状は略円盤状に限らず、どのような形状でもよく、その場合には係止部材１２〜１５，３２〜３７の形状をウェハの形状に合わせて適宜変更すればよい。
【００５９】
（４）上記各実施形態のボート本体１１，３１は平板矩形状であるが、ボート本体１１，３１はどのような形状にしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】図１（Ａ）は、本発明を具体化した第１実施形態のカーボン製ウェハボート１０の一例を示す正面図。図１（Ｂ）は、ウェハボート１０の右側面図。
【図２】図１（Ａ）におけるＸ−Ｘ線要部断面図。
【図３】図３（Ａ）は、本発明を具体化した第２実施形態のカーボン製ウェハボート３０の一例を示す正面図。図３（Ｂ）は、ウェハボート３０の右側面図。
【図４】図３（Ａ）および図５におけるＸ−Ｘ線要部断面図。
【図５】ウェハボート３０の要部斜視図。
【図６】図６（Ａ）は、従来のカーボン製ウェハボート５０の一例を示す正面図。図６（Ｂ）は、ウェハボート５０の右側面図。
【図７】図６（Ａ）におけるＸ−Ｘ線要部断面図。
【符号の説明】
【００６１】
１０，３０…ウェハボート
１１，３１…ボート本体
１２〜１５，３２〜３７…係止部材
２１…末端部
２２，４２…基端部
４１…側壁部
４３…溝部
Ｗａ〜Ｗｃ…ウェハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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