(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体基板とキャップ基板との間隔を均一に保ち、半導体基板とキャップ基板との間隔を自由に制御した半導体パッケージの製造を可能にする。【解決手段】半導体基板２及びこの半導体基板２の表面２ａから間隔を介して配置されたキャップ基板４を備え、前記半導体基板２と前記キャップ基板４との間に、前記キャップ基板４の前記半導体基板２に対向する面４ａから突設されたスペーサ５と、前記スペーサ５及び前記半導体基板２を接着固定する接着剤層６とが設けられていることを特徴とする半導体パッケージ１。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板及びこの半導体基板の表面から間隔を介して配置されたキャップ基板を備え、前記半導体基板と前記キャップ基板との間に、前記キャップ基板の前記半導体基板に対向する面から突設されたスペーサと、前記スペーサ及び前記半導体基板を接着固定する接着剤層とが設けられていることを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項２】
前記スペーサが樹脂から構成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
前記スペーサが感光性材料から構成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
前記キャップ基板が光透過性を有することを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
前記キャップ基板の一方の面から突設されるようにスペーサを形成する工程と、前記スペーサの面上に接着剤層を形成する工程と、半導体基板に対して前記キャップ基板を向かい合わせて前記接着剤層を介して接合する工程とを備えることを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体パッケージ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体基板に実装された受光センサー等の機能素子を封止するため、封止剤を介して半導体基板に板ガラス等からなるキャップ基板（光透過性保護部材）を接着固定する構成が知られている（例えば特許文献１の図１を参照）。特許文献に記載の実装構造体の場合、光透過性保護部材を半導体ウエハと接合する方法として、受光センサーの周囲を囲むように半導体ウエハ上に封止材を塗布し、該封止材に光透過性保護部材を圧着したのち、熱や紫外線などを作用させて硬化させる方法が用いられている（例えば、特許文献１の段落００２１〜００２２を参照）。
【特許文献１】特開２００１−３５１９９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
特許文献１に記載の従来の方法では、半導体ウエハ上に未硬化の封止材を塗布してこれに対して光透過性保護部材を圧着するので、光透過性保護部材を圧着した時点で、封止材の高さを例えば１００μｍといったレベルに保つことが非常に困難である。すなわち、未硬化の封止材の高さが目標よりも低くなったり、封止材の高さが不均一になって光透過性保護部材が斜めに傾いてしまったりなどの不具合が生じるおそれがある。
特許文献１の段落００２９には、光透過性保護部材の縁部全体にわたって凸部を設けた構成（特許文献１の図５を参照）とすることにより、厚さ方向の位置決め精度をより高く保つことができるとしているが、このような凸部を有する光透過性保護部材は製造が難しく、実現が困難である。
さらに特許文献１に記載の技術の欠点として、封止材として熱硬化性の封止材を用いた場合には、半導体ウエハに実装された受光センサーが熱の作用を受けてしまうので、機能素子の耐熱性が低い場合に悪影響を及ぼしかねないことが挙げられる。
このように、特許文献１の方法では、半導体基板とキャップ基板との間隔を一定に保ったり、半導体基板とキャップ基板との間隔を自由に制御したりすることが難しいという問題がある。
【０００４】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、半導体基板とキャップ基板との間隔を均一に保ち、半導体基板とキャップ基板との間隔を自由に制御して製造することが容易な半導体パッケージを提供すること、ならびに上記半導体パッケージの製造に好適な半導体パッケージの製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
前記課題を解決するため、本発明は、半導体基板及びこの半導体基板の表面から間隔を介して配置されたキャップ基板を備え、前記半導体基板と前記キャップ基板との間に、前記キャップ基板の前記半導体基板に対向する面から突設されたスペーサと、前記スペーサ及び前記半導体基板を接着固定する接着剤層とが設けられていることを特徴とする半導体パッケージを提供する。
この半導体パッケージにおいては、前記スペーサが樹脂から構成されていることが好ましい。
また、上記半導体パッケージにおいては、前記スペーサが感光性材料から構成されていることが好ましい。
また、上記半導体パッケージにおいては、前記キャップ基板が光透過性を有することが好ましい。
【０００６】
また、本発明は、前記キャップ基板の一方の面から突設されるようにスペーサを形成する工程と、前記スペーサの面上に接着剤層を形成する工程と、半導体基板に対して前記キャップ基板を向かい合わせて前記接着剤層を介して接合する工程とを備えることを特徴とする半導体パッケージの製造方法を提供する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の半導体パッケージによれば、半導体基板とキャップ基板との間に、前記キャップ基板の前記半導体基板に対向する面から突設されたスペーサと、前記スペーサ及び前記半導体基板を接着固定する接着剤層とが設けられているので、半導体基板とキャップ基板との間隔を均一に保つことが容易であり、しかも当該間隔の制御も容易である。
【０００８】
本発明の半導体パッケージの製造方法によれば、スペーサをキャップ基板の一方の面に設けた後、キャップ基板上のスペーサを半導体基板と接合するので、スペーサの高さを均一に保つことが容易であり、しかも当該高さの制御も容易である。従って、半導体基板とキャップ基板との間隔が均一に保たれた半導体パッケージを簡便な手順によって歩留まり良く製造することが可能となる。また、接着剤層はスペーサの面上に形成するので、接着剤層を半導体基板上にパターン形成する方法に比べて、接着剤層とスペーサとの位置の整合を確実に行える。
さらに、スペーサを形成する工程でスペーサの加熱等が必要な場合でも、半導体基板が熱を受けないようにすることが可能であり、半導体基板上に実装された機能素子の耐熱性が低い場合であっても、悪影響を与えるおそれがない。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、最良の形態に基づき、図面を参照して本発明を説明する。
図１は、本発明の第１形態例に係る半導体パッケージの製造方法を説明する断面工程図である。図１中、図１（ｅ）は、本発明の第１形態例に係る半導体パッケージ１を示す断面図である。
【００１０】
図１（ｅ）に示す半導体パッケージ１は、半導体基板２及びこの半導体基板２の表面２ａから間隔３を介して配置されたキャップ基板４を備え、キャップ基板４と半導体基板２との間には、キャップ基板４の半導体基板２に対向する側の面４ａから突設されたスペーサ５と、前記スペーサ５及び半導体基板２を接着固定する接着剤層６とが設けられていることを特徴とする。
【００１１】
半導体基板２は、例えばシリコン等からなる。半導体基板２の表面２ａには機能素子７が実装されている。この半導体基板２においては、特に図示はしないが、機能素子７を外部の電子回路等と導通させるためのホウ素（ボロン）の拡散層や、半導体基板２の表面２ａと裏面２ｂに貫通して設けられる貫通電極などが設けられている。
キャップ基板４は、機能素子７の上方に間隔を介して配置され、機能素子７を保護する等の役割を有する。キャップ基板４としては、樹脂やガラス、金属等からなる板材を用いることができる。
【００１２】
本形態例における機能素子７は、例えばＣＣＤ素子等のイメージセンサである。このように、機能素子７が光学的デバイスである場合、機能素子７の使用波長帯において光透過性を有することが好ましく、この場合は、ガラスや透光性樹脂などからなるキャップ基板４を用いることができる。また、キャップ基板４は、各種の光学フィルタ機能やレンズ機能などの光学的機能を有するものでもよい。
機能素子７の他の例として、例えばＭＥＭＳデバイス（ＭＥＭＳ＝Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）などをウエハレベルでパッケージングする場合に、可動部が存在する等の理由からＭＥＭＳデバイスの周囲にキャビティを必要するようなパッケージにおいても適用が可能である。パッケージング対象となりうるＭＥＭＳデバイスとしては、例えばマイクロリレー、マイクロスイッチ、圧力センサ、加速度センサ、高周波フィルタ、マイクロミラー等が挙げられる。
【００１３】
スペーサ５は、半導体基板２とキャップ基板４との間隔３を確保するため、キャップ基板４を半導体基板２と接合したときに、機能素子７の周囲を切れ目なく囲い、かつ、機能素子７の上を覆わないような所定位置に設けられる。これにより、機能素子７の周囲の空間３が半導体基板２とキャップ基板４とスペーサ５とにより気密に封止される。
スペーサ５の高さ（厚み）は、特に限定されるものではないく、機能素子７から要求される仕様などの条件に応じて自由に選択可能であるが、例えば数μｍ〜数百μｍの範囲であれば、機能素子７の周囲に十分なキャビティを確保することができるとともに、半導体パッケージ１全体の寸法を抑制することができる。
例えば機能素子７がＣＣＤ素子等のイメージセンサである場合には、半導体基板２とキャップ基板４との距離が近すぎると、キャップ基板４に付着したパーティクル等の影響を受けやすくなる場合があり、このような場合には、スペーサ５によって半導体基板２とキャップ基板４との間に確保された間隔３の役割を最大限に生かすことができる。
【００１４】
スペーサ５に用いられる材料としては、例えば感光性もしくは非感光性の樹脂（ＵＶ硬化型樹脂、可視光硬化型樹脂、赤外光硬化型樹脂、熱硬化型樹脂等）からなるワニスやペースト、ドライフィルム等が挙げられる。
スペーサ５を構成するのに適した材料としては、半導体パッケージの使用環境に応じて適宜選択すればよいが、とりわけ、ポリイミドやフェノール系樹脂など、耐薬品性及び耐熱性に優れる樹脂が好適である。ポリイミド樹脂の場合、層を形成した後に焼成を行うことにより、架橋反応を引き起こして耐薬品性及び耐熱性を向上することが可能である。
スペーサ５を構成する材料が感光性を有する場合、スペーサ５のパターニングが容易になるので好ましい。前記感光性材料としては、エポキシアクリレート等の感光性樹脂や、感光性ガラスペーストなどが挙げられる。
ポリイミド樹脂やガラスペーストを焼成する場合、スペーサ５をキャップ基板４側に形成して、キャップ基板４を半導体基板２と接合する前にスペーサ５の焼成を行うことにより、焼成の熱による機能素子７のダメージを回避することができる。
【００１５】
スペーサ５を所定位置に形成するには、例えば液状樹脂を使用して印刷法により所定位置に塗布したり、ドライフィルムをラミネートしてこれをフォトリソグラフィ技術により所定位置のみ残してパターニングする方法等が利用できる。
スペーサ５の接着力を補うため、図２（ａ）に示す半導体パッケージ１Ａのようにスペーサ５と接着剤層６との間に、あるいは図２（ｂ）に示す半導体パッケージ１Ｂのようにキャップ基板４とスペーサ５との間に、接着増強剤や金属薄膜等の他の薄い層８を挿入することも可能である。接着増強剤を用いる場合、接着剤層６を構成する接着剤の種類に応じて、適当なものを採用する。
スペーサ５は、複数の層を積層したものでもよい。複数の層の積層体からなるスペーサ５を形成するには、塗布等による膜形成を複数回繰り返して全体の高さを増していく方法、また、図２（ｃ）に示す半導体パッケージ１Ｃのように複数枚のフィルム９を接着剤１０等を介して積層する方法等が挙げられる。
【００１６】
接着剤層６は、スペーサ５と半導体基板２の表面２ａとの間に介在して半導体基板２とキャップ基板４とを接合するために設けられる。接着剤層６は、スペーサ５の表面に接着剤を塗布することによって形成することができる。
図１（ｃ）には、接着剤層６がスペーサ５の頂面５ａに設けられた状態を図示しているが、半導体基板２とキャップ基板４との接合強度が十分である限り、接着剤層６がスペーサ５の側面５ｂに設けられていても差し支えない。
接着剤層６に用いられる接着剤としては、例えばエポキシ樹脂や感光性ＢＣＢ樹脂などを用いることができる。接着剤の塗布方法は特に限定されるものでないが、例えばスタンピング、ディスペンス、スピンコート、スプレーコート等の手法を用いることが可能である。
接着剤としてエポキシ樹脂を用いる場合、図１（ｃ）に示すようにスペーサ５の頂面５ａを下向きにし、接着剤をスタンピングによってスペーサ５に付着させると、均一な厚みの接着剤層６を形成しやすく、好ましい。
接着剤として感光性ＢＣＢ樹脂を用いる場合、スペーサ５が設けられた面４ａを上向きにしてスピンコートによりキャップ基板４及びスペーサ５上の全面に塗膜を形成したのち、選択的に露光して不要な部分（スペーサ５がなくキャップ基板４の表面４ａが露出された位置に付着したものなど）を除去することにより、スペーサ５上に接着剤層６を形成させることができる。
【００１７】
接着剤層６の厚さは、接着剤の種類に応じて十分な接着強度が得られる厚さとするが、半導体基板２とキャップ基板４との間隔３を精度良く形成するためには、半導体基板２とキャップ基板４との間隔３は主としてスペーサ５の高さによって確保されることが望ましい。スペーサ５を省略して、半導体基板２とキャップ基板４との間隔３を接着剤層６のみで確保しようとした場合、間隔３を例えば１００μｍといったレベルに保つことが非常に困難である。さらに、半導体基板２とキャップ基板４とを接合したときに、未硬化の接着剤層６がつぶれて高さが目標よりも低くなったり、接着剤層６の厚みが不均一になってキャップ基板４が斜めに傾いてしまったりなどの不具合が生じるおそれがある。
【００１８】
本形態例の半導体パッケージ１の製造方法は、まず、図１（ｂ）に示すようにキャップ基板４の一方の面４ａから突設されるようにスペーサ５を形成する。スペーサ５は、ワニスやドライフィルム、ペースト等、適宜の形態を有する材料の塗布、印刷、又はラミネート等の方法によってキャップ基板４の一方の面４ａ上に形成することができる。
【００１９】
スペーサ５を形成する場合、まず、図１（ａ）に示すように、キャップ基板４の一方の面４ａ上にスペーサ用樹脂層１１を層状に形成してから、フォトリソグラフィ等の手法を用いてスペーサ用樹脂層１１のパターニングを行い、スペーサ用樹脂層１１を所定位置に残すことによって、図１（ｂ）に示すようなスペーサ５を形成する方法も可能である。
また、スペーサ用樹脂を印刷等によって予めパターンを形成することも可能であり、この場合は、図１（ａ）に示すスペーサ用樹脂層１１の形成工程とその後のパターニング工程とを省略することができる。
スペーサ５をパターニング形成する際、キャップ基板４に対して直接エッチング等の加工を行うことなく、感光性材料に対するフォトリソグラフィによってスペーサ用樹脂層１１をパターニングすることにより、キャップ基板４の表面の荒れによる光透過特性の劣化を抑制することができる。
【００２０】
なお、図１（ａ）に示すスペーサ用樹脂層１１の段階、又は図１（ｂ）に示すパターニングされたスペーサ５の段階において、必要に応じて焼成などの処理を行うことができる。スペーサ５を例えばポリイミド樹脂から形成する場合、例えば４００℃程度で焼成を行うことにより架橋反応が起き、樹脂の耐薬品性及び耐熱性を向上することができる。
本形態例においては、キャップ基板４とスペーサ５（又はスペーサ用樹脂層１１）のみが焼成の熱を受けるため、半導体基板２上に実装された機能素子７の耐熱性によらず（たとえ機能素子７の耐熱性が低いとしても）、スペーサ５（又はスペーサ用樹脂層１１）が完全に硬化するまで焼成を行うことができる。
【００２１】
次に、図１（ｃ）に示すように、スペーサ５の表面に、スタンピング、ディスペンス、スピンコート、スプレーコート等の手法を用いて接着剤を塗布し、スペーサ５上に接着剤層６を形成する。
図１（ｃ）には、接着剤層６がスペーサ５の頂面５ａに設けられた状態を図示しているが、半導体基板２とキャップ基板４との接合強度が十分である限り、接着剤層６がスペーサ５の側面５ｂに設けられていても差し支えない。
【００２２】
次に、図１（ｄ）に示すように、半導体基板２に対してキャップ基板４を向かい合わせ、キャップ基板４の一方の面４ａに形成されたスペーサ５を半導体基板２の表面２ａに接着する。これにより、半導体基板２とキャップ基板４とが接着剤層６を介して接合される。スペーサ５は硬化済みの樹脂やガラス等からなるので、接合時につぶれたり高さが変動したりといった不具合が生じることがないので、半導体基板２とキャップ基板４との間に、目標どおりに均一な高さの間隔３を確保することができる。
次に、スペーサ５が両断されるように、図１（ｄ）に示す切断線Ｌに沿って半導体基板２及びキャップ基板４を切断すれば、図１（ｅ）に示すように、本形態例の半導体パッケージ１が得られる。
【００２３】
本形態例の半導体パッケージ１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃによれば、半導体基板２とキャップ基板４との間に、キャップ基板４の半導体基板２に対向する面４ａから突設されたスペーサ５と、スペーサ５及び半導体基板２を接着固定する接着剤層６とが設けられているので、平坦なキャップ基板４を用いることが可能であるとともに、キャップ基板４の片面４ａに高さが均一、かつ安定した（変動しにくい）スペーサ５が設けられているので、半導体基板２とキャップ基板４との間隔３を均一に保つことが容易であり、しかも当該間隔３の制御も容易である。
キャップ基板４として光透過性を有する材料を用いることにより、ＣＣＤ素子等の光学的デバイスの封止構造に適用することが可能となる。
スペーサ５を樹脂から構成することにより、他のスペーサ材料と比較して安価に製造することが可能である。
スペーサ５を感光性材料から構成することにより、スペーサ５のパターニングが容易になる。また、フォトリソグラフィによってスペーサ５をパターニングすることにより、キャップ基板４の表面の荒れやこれに起因する光透過特性の劣化を抑制することができる。
【００２４】
本形態例の半導体パッケージの製造方法によれば、スペーサ５をキャップ基板４の一方の面４ａに設けた後、キャップ基板４上のスペーサ５を半導体基板２と接合するので、スペーサ５の高さを均一に保つことが容易であり、しかも当該高さの制御も容易である。従って、半導体基板２とキャップ基板４との間隔３が均一に保たれた半導体パッケージ１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃを簡便な手順によって歩留まり良く製造することが可能となる。また、接着剤層６をスペーサ５の面上に形成するので、接着剤層６を半導体基板２上にパターン形成する方法に比べて、接着剤層６とスペーサ５との位置の整合をより確実に行える。
さらに、スペーサ５を形成する工程でスペーサ５の加熱等が必要な場合でも、半導体基板２が熱を受けないようにすることが可能であり、半導体基板２上に実装された機能素子７の耐熱性が低い場合であっても、悪影響を与えるおそれがない。
【００２５】
次に、本発明の改変例として、本発明の第２形態例に係る半導体パッケージの製造方法を説明する断面工程図である。図３中、図３（ｅ）は、本発明の第２形態例に係る半導体パッケージ１Ｄを示す断面図である。
図３中、図１で用いた符号と同一の符号は、本発明の第１形態例で説明した構成と同一又は同様の構成であることを示し、本発明の第２形態例では第１形態例と重複する説明を省略することがある。
【００２６】
図３（ｅ）において、半導体基板２の表面２ａには、機能素子７とパッド１２，１２が設けられている。この例では、機能素子７はスペーサ５で封止された空間３の内側に配置されているが、パッド１２，１２は、スペーサ５で封止された空間３の外側に配置されている。また、機能素子７とその両側のパッド１２，１２との間には、図示しないボロン拡散層などにより導通が取られている。本形態例に係る半導体パッケージ１Ｄの場合、パッド１２，１２に対してワイヤーボンディングを適用することにより、半導体パッケージ１Ｄの外部回路（図示略）と導通を取ることができる。
図３に示す第２形態例の半導体パッケージ１Ｄにおいても、図２（ａ）〜（ｃ）のそれぞれに示すような改変を施すことが可能である。
【００２７】
本形態例の半導体パッケージ１Ｄの製造方法は、図３（ａ）〜（ｃ）に示すように、キャップ基板４の一方の面４ａにスペーサ５及び接着剤層６を形成する工程については、上述の第１形態例の半導体パッケージ１の製造方法として説明した手順（図１（ａ）〜（ｃ）参照。）と同様に行うことができる。
【００２８】
スペーサ５上に接着剤層６を形成したのち、次に、図３（ｄ）に示すように、半導体基板２に対してキャップ基板４を向かい合わせ、キャップ基板４の一方の面４ａに形成されたスペーサ５を半導体基板２の表面２ａに接着する。これにより、半導体基板２とキャップ基板４とが接着剤層６を介して接合される。この際、半導体基板２としては、表面２ａに少なくとも機能素子７とパッド１２，１２とが設けられたものを用いる。
【００２９】
次に、スペーサ５が両断されるように、図３（ｄ）に示す切断線Ｌ１に沿って半導体基板２を切断するとともに、切断線Ｌ２に沿ってキャップ基板４を切断し、パッド１２，１２の上方のキャップ基板４を除去すれば、図３（ｅ）に示すように、本形態例の半導体パッケージ１Ｄが得られる。
【００３０】
本形態例の半導体パッケージ１Ｄによれば、半導体基板２とキャップ基板４との間に、キャップ基板４の半導体基板２に対向する面４ａから突設されたスペーサ５と、スペーサ５及び半導体基板２を接着固定する接着剤層６とが設けられているので、半導体基板２とキャップ基板４との間隔３を均一に保つことが容易であり、しかも当該間隔３の制御も容易である。
キャップ基板４として光透過性を有する材料を用いることにより、ＣＣＤ素子等の光学的デバイスの封止構造に適用することが可能となる。
スペーサ５を樹脂から構成することにより、他のスペーサ材料と比較して安価に製造することが可能である。
スペーサ５を感光性材料から構成することにより、スペーサ５のパターニングが容易になる。また、フォトリソグラフィによってスペーサ５をパターニングすることにより、キャップ基板４の表面の荒れやこれに起因する光透過特性の劣化を抑制することができる。
【００３１】
本形態例の半導体パッケージの製造方法によれば、スペーサ５をキャップ基板４の一方の面４ａに設けた後、キャップ基板４上のスペーサ５を半導体基板２と接合するので、スペーサ５の高さを均一に保つことが容易であり、しかも当該高さの制御も容易である。従って、半導体基板２とキャップ基板４との間隔３が均一に保たれた半導体パッケージ１Ｄを簡便な手順によって歩留まり良く製造することが可能となる。また、接着剤層６をスペーサ５の面上に形成するので、接着剤層６を半導体基板２上にパターン形成する方法に比べて、接着剤層６とスペーサ５との位置の整合をより確実に行える。
【００３２】
半導体基板２を切断する際に、スペーサ５と他のスペーサ５と間で切断するようにしたので、図３（ｅ）に示すようにスペーサ５の外側にワイヤーボンディング用のパッド１２を設けるスペースを確保することができる。なお、パッド１２を設けずに半導体基板２を貫通する貫通配線で導通を取る場合でも、半導体基板２を切断するブレードとキャップ基板４を切断するブレードとを別々にする場合には、図３（ｄ）に示すように、半導体基板２を切断する切断線Ｌ１とキャップ基板４を切断する切断線Ｌ２とが交差しないように切断することが好ましい。これにより、スペーサ５の側面に損傷や食い違いのない半導体パッケージを得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００３３】
本発明は、半導体基板上に形成されたデバイス（機能素子）に対するウエハレベルでのパッケージングにおいて、デバイスの周囲に中空構造を必要とする場合に、特に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】（ａ）〜（ｅ）  本発明の第１形態例に係る半導体パッケージの製造方法を説明する断面工程図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）  それぞれ本発明の半導体パッケージの改変例を示す断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｅ）  本発明の第２形態例に係る半導体パッケージの製造方法を説明する断面工程図である。
【符号の説明】
【００３５】
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ…半導体パッケージ、２…半導体基板、２ａ…半導体基板の表面、４…キャップ基板、４ａ…キャップ基板の半導体基板に対向する面、５…スペーサ、６…接着剤層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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