(57)【要約】【課題】  半導体チップの表面側を実装基板に接続するフェイスダウン実装（表面実装）型の半導体装置において、接合不良を評価できるようにする。【解決手段】  半導体チップ１０が透明なサファイア基板１１に透明なガリウム窒素系化合物半導体層１２，１３を積層して成る発光ダイオード１などのように、該半導体チップ１０が透明な材料から成る場合、該半導体チップ１０の表面に形成される電極１５，１６における金バンプ電極２１ａ，２１ｂの当接部位の少なくとも一部分に、前記電極１５，１６を形成しない開口窓３０を形成し、前記電極１５，１６と金バンプ電極２１ａ，２１ｂとの接合部を確認可能とする。そして、前記開口窓３０には、金よりも拡散速度が遅い材料で、金属薄膜３２を形成しておく。したがって、完全に接合すると、金属薄膜３２の材料がバンプ電極２１ａ，２１ｂ中に熱拡散し、開口窓３０は金色に見える。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明な材料から成る半導体チップを、その表面に形成された電極と、実装基板上に形成された配線パターンのパッドと対向させ、それらを前記パッド上に設けられた金バンプ電極によって電気的に接続することで、前記実装基板にフェイスダウン実装するようにした半導体装置において、
前記電極における前記金バンプ電極の当接部位の少なくとも一部分に、該電極を形成しないことで形成される開口窓と、
前記開口窓内に形成され、前記金よりも拡散速度が遅い材料から成る薄膜とを有し、
前記開口窓から、前記電極とバンプ電極との接合部を確認可能とすることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記薄膜は、アルミ、錫、ニッケル、クロム、銀、チタンのうちの少なくとも１つから成ることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記薄膜は、０．２μｍ以下の厚さであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
透明な材料から成る半導体チップを、その表面に形成された電極と、実装基板上に形成された配線パターンのパッドと対向させ、それらを前記パッド上に設けられた金バンプ電極によって電気的に接続することで、前記実装基板にフェイスダウン実装するようにした半導体装置の評価方法において、
前記電極における前記バンプ電極の当接部位の少なくとも一部分に、該電極を形成しない開口窓を形成するとともに、前記開口窓内に前記金よりも拡散速度が遅い材料から成る薄膜を形成しておき、
前記半導体チップ表面の電極と金バンプ電極とを接合した後、前記開口窓から前記電極と金バンプ電極との接合部を確認することで、接合状態を評価することを特徴とする半導体装置の評価方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面実装型の発光ダイオードのような透明材料から成る半導体チップを実装基板に実装して成る半導体装置の構造と、それらの電気的接続部である金バンプ電極の評価方法とに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、前記透明な材料から成る発光ダイオードの構造として、特許文献１にあるような、青色発光ダイオードがある。その青色発光ダイオードは、透明な材料である窒化ガリウムのＰ型とＮ型との結晶を重ね、ＰＮ接合を作り発光させるものである。図３に、この論文から推測し、前記表面実装型（フリップチップ実装とも言う）としたときの、その実装構造の模式的な断面図を示す。
【０００３】
先ず、前記青色発光ダイオードの半導体チップ１００の作成は、支持基板であるサファイア基板（透明）１０１の上に、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法によって窒化ガリウムの単結晶が成長され、そのＮ型の窒化ガリウム半導体層１０２の上に、電子線を照射して（ドーパントによることもある）Ｐ型にしたＰ型窒化ガリウム半導体層１０３が形成され、さらに前記Ｎ型窒化ガリウム半導体層１０２には絶縁酸化膜層１０４が形成された上に第１電極１０５が形成され、Ｐ型窒化ガリウム半導体層１０３の上には第２電極１０６が形成されることで行われる。そして、Ｎ型窒化ガリウム半導体層１０２側の第１電極１０５を−（カソード）とし、Ｐ型窒化ガリウム半導体層１０３側の第２電極１０６を＋（アノード）として、これらの電極１０５，１０６間に電流を流すと、後述するように、Ｎ型窒化ガリウム半導体層１０２とＰ型窒化ガリウム半導体層１０３との接合部から、青色から紫外の光が放出される。
【０００４】
前記第１電極１０５はＮ型窒化ガリウム半導体層１０２とオーミックコンタクトされ、前記第２電極１０６はＰ型窒化ガリウム半導体層１０３とオーミックコンタクトされている。前記電極１０５の下層にある絶縁酸化膜層１０４は、シリコン窒化膜でもよく、無くてもよい。またこの絶縁酸化膜１０４は、Ｎ型窒化ガリウム半導体層であってもよい。電極１０５，１０６は、アルミや金などをメタライズすることによって形成される。具体的には、アルミが下地で、このアルミを前記Ｐ型窒化ガリウム半導体層１０３やＮ型窒化ガリウム半導体層１０２へ熱拡散することによってオーミックコンタクトされ、このアルミの上に金をメタライズするか、または直接金を前記Ｐ型窒化ガリウム半導体層１０３やＮ型窒化ガリウム層１０２へメタライズし、熱拡散することで作成される。
【０００５】
一方、回路パターンが形成された実装基板１２０では、そのパターン上にバンプ電極１２１と電気的に接続させるためのパッド１２２が、所定の位置に形成される。前記パッド１２２は、下層１２２ａが数１０μｍ厚の銅と、その上に数μｍ厚で形成された銅の拡散防止用のニッケル層とから成り、その上の上層１２２ｂは、金を数μｍ厚でスパッタまたはめっき法によって形成するのが一般的である。
【０００６】
前記バンプ電極１２１には、金、はんだなどがあるが、軟らかい材料の方がよい。また、バンプ材料が金である場合、めっき法や、ワイヤーボンディング方式を応用したスタッドバンプ法で形成される。バンプ電極１２１は、半導体チップ１００の電極１０５，１０６側か、または実装基板１２０のパッド１２２側に形成される。上述のように形成された発光ダイオードの半導体チップ１００の電極１０５，１０６と、実装基板１２０のパッド１２２とは、フェイスダウンボンディング（前記フリップチップ実装とも言う）によって、前記バンプ電極１２１を介して電気的に接続される。
【０００７】
一方、発光ダイオードにおける半導体チップの具体的な構造は、たとえば図４で示すようなものである。図４は、前記青色発光ダイオードの半導体チップ１００の一般的な構造を模式的に示す断面図であり、特許文献２に示されたものである。上述の図３の構成に対応する部分には、同一の参照符号を付して示す。支持基板であるサファイア基板１０１の上に、バッファ層１１１であるＡｌＮと、Ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体から成るＮ層１０２ａと、発光層であり活性層である低キャリア濃度Ｎ層１０２ｂであるＮ−ＧａＮと、Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体から成るＰ層１０３とが形成され、さらにＰ層１０３の上面からＮ層１０２ｂに至るまで形成された溝１１２と、Ｐ層１０３の上面からＮ層１０２ｂに至るまで形成された孔１１３と、孔１１３にＮ層１０２ｂと接合し、Ｐ層１０３の上面まで形成された第１電極１０５と、Ｐ層１０３の上面に前記溝１１２によって第１電極１０５と電気的に絶縁分離されるように形成された第２電極１０６とを備えて、該発光ダイオードは形成されている。
【０００８】
このように構成される発光ダイオードは、溝１１２によって、第１電極１０５と第２電極１０６との電気的な絶縁分離を実現しているので、該発光ダイオードを順方向バイアスにする、すなわち上述のように第２電極１０６から第１電極１０５に向かって電流が流れ、Ｐ層１０３とＮ層１０２ａの界面に位置する低キャリア濃度Ｎ層１０２ｂにてホールと電子とが結合し、発光する。その他、半導体発光素子（発光ダイオード）の表面実装構造に関した最近の文献として、以下の特許文献２〜４などがある。
【非特許文献１】赤崎、天野「P-type Conduction in Mg-Doped GaN Treated with Low-Energy Electron Irradiation」：応用物理学会欧文誌、ＶＯＬ．２８，Ｎｏ．１２，ｐｐＬ２１１２−Ｌ２１１４、ＤＥＣ，１９８９
【特許文献１】特開平４−１６３９７０号公報
【特許文献２】特開２００３−３０４００３号公報
【特許文献３】特開２００２−２１７４５９号公報
【特許文献４】特開平１１−１６８２３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上述のような半導体チップ１００においては、バンプ電極１２１を介して実装基板１２０と電気的に接続する表面実装型であるので、バンプ電極１２１と半導体チップ１００の表面に形成された電極１０５，１０６との接合部分の評価が極めて困難である。電気的コンタクトの確認は、接続抵抗で間接的に知るしか方法がない。このため、接合が極めて不安定で、その接合面積が非常に小さく、本来不良品となるべきチップの場合でも、微小な当接箇所が、金属の熱拡散による接合がされているか、または圧接されている場合には、前記接続抵抗は低くなり、問題が無い（良品）と誤判定されてしまうことがある。しかしながら、そのように不安定な接合では、製造組立て時や製品化された後の市場の環境において、機械的ストレスや熱的ストレスが加わると、接合部分が容易に剥離し、その電気的接続の信頼性を確保することができないという問題がある。
【００１０】
このような問題は、バンプ電極１２１の高さや表面状態にばらつきが生じることに起因しており、現状、このような問題を未然に防止するために、半導体チップ１００をフェイスダウンボンディングするときの条件をコントロールしているのが実情である。具体的には、接合温度、荷重、加圧時間、チップの押し込み量、チップを押し込むときの平行性などが主なパラメターであり、それらの少なくとも１つをコントロールしている。しかしながら、設備（フリップチップボンダー）の調子、作業者のスキル、周囲環境（風量、温度、湿度、振動など）の影響によって、最適な条件を確立するには多大な労力を必要とする。
【００１１】
本発明の目的は、発光ダイオードのような半導体チップとバンプ電極との接続部分を評価可能にすることで、より信頼性を高めることができる半導体装置およびその評価方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の半導体装置およびその評価方法は、透明な材料から成る半導体チップを、その表面に形成された電極と、実装基板上に形成された配線パターンのパッドと対向させ、それらを前記パッド上に設けられた金バンプ電極によって電気的に接続することで、前記実装基板にフェイスダウン実装するようにした半導体装置において、前記電極における前記金バンプ電極の当接部位の少なくとも一部分に、該電極を形成しないことで形成される開口窓と、前記開口窓内に形成され、前記金よりも拡散速度が遅い材料から成る薄膜とを有し、前記開口窓から、前記電極とバンプ電極との接合部を確認可能とすることを特徴とする。
【００１３】
上記の構成によれば、半導体チップの表面側を実装基板に接続するフェイスダウン実装（表面実装）型の半導体装置において、前記半導体チップが透明なサファイア基板に透明なガリウム窒素系化合物半導体層を積層した発光ダイオードなどのように、該半導体チップが透明な材料から成る場合、電極等の金属層などがその上層に形成されていなければ、該半導体チップの裏面側から表面側の観察が可能になる。そこで本発明では、前記半導体チップの表面に形成され、前記金属層である電極における金バンプ電極の当接部位の少なくとも一部分に、該電極を形成しない開口窓を形成するとともに、その開口窓内に、前記金よりも拡散速度が遅い材料から成る薄膜を形成する。そして、前記開口窓から、前記電極と金バンプ電極との接合部を確認可能とする。
【００１４】
したがって、電極と、実装基板上に形成された配線パターンのパッドとを電気的に接続する金バンプ電極が、充分な粒径を有しているか否かや、加熱・加圧によって融解した結果、前記開口窓を満たしているか（充填されているか）否かなどを確認することができ、電極と金バンプ電極との接合部を目視によって評価することができる。具体的には、金バンプ電極の粒径が不足し、開口窓内に隙間（金バンプ電極の上面と前記薄膜の表面との間の隙間）が生じていたり、隙間がなく、接触していても接触が不十分であると、前記拡散速度の差から、接合によっても薄膜の一部または全部はそのまま残り、前記透明基板の裏面から入射した光は、該薄膜で反射され、前記開口窓内は前記薄膜の金属粒子の色に見える。これに対して、前記隙間が生じることなく、開口窓内を前記金バンプ電極の材料が満たして（充填されて）いると、前記薄膜の金属粒子が、前記金バンプ電極の中へ拡散して（拡散速度の速い金に浸食されて）行き、前記透明基板の裏面から入射した光は、該金バンプ電極で反射され、前記開口窓内は該金バンプ電極の材料の色の金色に見える。
【００１５】
これによって、接合不良のチップをスクリーニングすることができるとともに、その評価結果から、金バンプ電極の形成条件や接合条件を適宜調整することで、歩留まりを向上し、より信頼性の高い半導体装置およびそれを組込んだ製品を提供することができる。
【００１６】
なお、正常に接合されると、開口窓となっていた部位も金バンプ電極の材料が充填されることになり、電極面積の縮小や注入電流の減少などの電気的な不具合は生じることはなく、また接合強度の減少などの機械的な不具合も生じることはない。また、以上のフェイスダウンボンディングは、熱と荷重とを加える熱拡散接合が、薄肉の金属が拡散するため望ましい。超音波圧接方式の接合は、適用できないこともないが、薄肉の金属粒子が、前記開口窓内に残り易く、前記熱拡散接合に劣る。
【００１７】
また、本発明の半導体装置では、前記薄膜は、アルミ、錫、ニッケル、クロム、銀、チタンのうちの少なくとも１つから成ることを特徴とする。
【００１８】
上記の構成によれば、上記材料は金より拡散速度が遅い材料であり、上述のような接合部の評価を可能にすることができる。
【００１９】
さらにまた、本発明の半導体装置では、前記薄膜は、０．２μｍ以下の厚さであることを特徴とする。
【００２０】
上記の構成によれば、薄膜の金属粒子の殆どが金バンプ電極の中へ拡散することが可能になり、上述のような接合部の評価を可能にすることができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の半導体装置およびその評価方法は、以上のように、半導体チップの表面側を実装基板に接続するフェイスダウン実装（表面実装）型の半導体装置において、前記半導体チップが透明なサファイア基板に透明なガリウム窒素系化合物半導体層を積層した発光ダイオードなどのように、該半導体チップが透明な材料から成る場合、前記半導体チップの表面で、金属層である電極における金バンプ電極の当接部位の少なくとも一部分に、該電極を形成しない開口窓を形成するとともに、その開口窓内に、前記金よりも拡散速度が遅い材料から成る薄膜を形成し、前記開口窓から、前記電極と金バンプ電極との接合部を確認可能とする。
【００２２】
それゆえ、電極と、実装基板上に形成された配線パターンのパッドとを電気的に接続する金バンプ電極が、充分な粒径を有しているか否かや、加熱・加圧によって融解した結果、前記開口窓を満たしているか（充填されているか）否かなどを確認することができ、電極と金バンプ電極との接合部を目視によって評価することができる。これによって、接合不良のチップをスクリーニングすることができるとともに、その評価結果から、金バンプ電極の形成条件や接合条件を適宜調整することで、歩留まりを向上し、より信頼性の高い半導体装置およびそれを組込んだ製品を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
図１は、本発明の実施の一形態に係る半導体装置である発光ダイオード１の構造を模式的に示す断面図である。この発光ダイオード１は、青色発光ダイオードの半導体チップ１０が、実装基板２０にフェイスダウンボンディングされて構成されている。
【００２４】
前記半導体チップ１０は、支持基板である透明なサファイア基板１１の上に、ＭＯＣＶＤ法などによって窒化ガリウムの単結晶が成長され、そのＮ型の窒化ガリウム半導体層１２上には、溝１７を境界として、一方は電子線を照射して（ドーパントによることもある）Ｐ型にしたＰ型窒化ガリウム半導体層１３が形成され、他方には絶縁酸化膜層１４が形成された上に第１電極１５が形成され、Ｐ型窒化ガリウム半導体層１３の上には第２電極１６が形成されて作成されている。そして、Ｎ型窒化ガリウム半導体層１２側の第１電極１５を−（カソード）とし、Ｐ型窒化ガリウム半導体層１３側の第２電極１６を＋（アノード）として、これらの電極１５，１６間に電流を流すと、Ｎ型窒化ガリウム半導体層１２とＰ型窒化ガリウム半導体層１３との接合部から、青色から紫外の光が放出される。
【００２５】
前記第１電極１５はＮ型窒化ガリウム半導体層１２とオーミックコンタクトされ、前記第２電極１６はＰ型窒化ガリウム半導体層１３とオーミックコンタクトされている。前記電極１５の下層にある絶縁酸化膜層１４は、シリコン窒化膜でもよく、無くてもよい。またこの絶縁酸化膜１４は、Ｎ型窒化ガリウム半導体層であってもよい。電極１５，１６は、アルミや金などを用いてメタライズすることによって形成される。具体的には、アルミが下地で、このアルミを前記Ｐ型窒化ガリウム半導体層１３やＮ型窒化ガリウム半導体層１２へ熱拡散することによってオーミックコンタクトされ、このアルミの上に金を用いてメタライズするか、または直接金を用いて前記Ｐ型窒化ガリウム半導体層１３やＮ型窒化ガリウム層１２へメタライズし、熱拡散することで作成される。
【００２６】
一方、回路パターンが形成された実装基板２０では、そのパターン上に金バンプ電極２１と電気的に接続させるためのパッド２２が、所定の位置に形成される。前記パッド２２は、下層２２ａが数１０μｍ厚の銅と、その上に数μｍ厚で形成された銅の拡散防止用のニッケル層とから成り、その上の上層２２ｂは、金を数μｍ厚でスパッタまたはめっき法によって形成するのが一般的である。
【００２７】
前記金バンプ電極２１は、めっき法や、ワイヤーボンディング方式を応用したスタッドバンプ法によって、実装基板２０のパッド２２側に形成される。このように形成された発光ダイオード１の半導体チップ１０の電極１５，１６と、実装基板２０のパッド２２とは、たとえば大気や窒素雰囲気中で、たとえば２００℃程度で、上述のフェイスダウンボンディングが行われることで、前記金バンプ電極２１を介して電気的に接続される。なお、発光ダイオード１の発光に係る具体的な構造は、前述の図４で示すようなものでよい。
【００２８】
上述のように構成される発光ダイオード１において、注目すべきは、本発明では、支持基板１１は透明なサファイア基板であり、また窒化ガリウム半導体層１２，１３も透明であることから、前記第１電極１５および第２電極１６において、前記バンプ電極２１の当接部位の少なくとも一部分に、該電極１５，１６を形成しない開口窓３０を有し、この開口窓３０から、前記電極１５，１６と金バンプ電極２１との接合部を確認可能とすることである。前記電極１５，１６は、金やアルミなどの材料から成り、必要な厚さに形成されると、遮光性となる。
【００２９】
また注目すべきは、前記開口窓３０内には、前記金バンプ電極２１の材料である金よりも拡散速度が遅い材料である、たとえばアルミ、錫、ニッケル、クロム、銀、チタンのうちの少なくとも１つから成る金属薄膜３２が形成されることである。この金属薄膜３２は、たとえば前記電極１５，１６部分などの開口窓３０以外の部分をマスクした後、スパッタによって形成され、その膜厚は、０．２μｍ以下とされる。
【００３０】
したがって、金バンプ電極２１を接合していない状態では、支持基板１１の裏側から入射した光は、前記電極１５，１６および金属薄膜３２で反射し、該裏面からは、前記電極１５，１６および金属薄膜３２の材料の色に見える。また、金バンプ電極２１を接合しても、図１の左側の金バンプ電極２１ａのように、粒径が不足し、規定の高さより低く、開口窓３０内に隙間（金バンプ電極２１ａの上面と前記金属薄膜３２の表面との間の隙間）３１が生じていると、前記支持基板１１の裏面から入射した光は、金属薄膜３２で反射し、該金属薄膜３２の材料の色に見える。
【００３１】
これに対して、図１の右側の金バンプ電極２１ｂのように、規定の粒径（規定の高）があり、形状も欠損や削れがなく、問題が無い場合、開口窓３０内に前記隙間３１が生じることなく、金バンプ電極２１ｂの上面は、その上のＮ型ＧａＮ半導体層１２と圧接し、熱拡散接合されると、該開口窓３０内を金バンプ電極２１ｂの材料が満たして（充填されて）行く。そして、熱拡散接合が進むにつれ、図２において、矢符３３で示すように、前記金属薄膜３２の金属粒子３４が金バンプ電極２１ｂ中に拡散し（拡散速度の速い金に浸食され）、金属間化合物を形成する。この状態では、前記支持基板１１の裏面から、開口窓３０の部分は、金属薄膜３２の材料の色から、金バンプ電極２１ｂの材料の色である金色に近くなって行く。
【００３２】
前記金属薄膜３２の材料の種類は、前述のように熱拡散速度が金より遅い方がよい。金より熱拡散速度が速いと、金バンプ電極２１ａ，２１ｂと接合する際に、未だ接合が完全でなくても、金属薄膜３２の金属粒子３４が金バンプ電極２１ａ，２１ｂ中に容易に飛散してしまい、開口窓３０から評価しても、良品と誤判定してしまう恐れがあるからである。また、金属薄膜３２の材料による色彩および色度は、金との差異が分かる方が良い。例として、金属薄膜３２にアルミを用いた場合を説明する。この場合、金バンプ電極２１ａ，２１ｂの金の量が、圧倒的に金属薄膜３２のアルミより多いので、金とアルミとによる金属間化合物は、淡い黄色のＡｕ５Ａｌ２、または淡い黄色のＡｕ４Ａｌになる。これれらの色は、金の色（金色）やアルミの色とは異なるので、容易に識別でき、金バンプ電極２１ａ，２１ｂが金属薄膜３２と接合されているか否かを識別可能である。
【００３３】
このようにして、接合不良のチップをスクリーニングすることができるとともに、その評価結果から、金バンプ電極２１ａ，２１ｂの形成条件や半導体チップ１０との接合条件を適宜調整することで、歩留まりを向上し、より信頼性の高い半導体装置およびそれを組込んだ製品を提供することができる。なお、正常に接合されると、開口窓３０となっていた部位も金バンプ電極２１ａ，２１ｂの材料が充填されることになり、電極面積の縮小や注入電流の減少などの電気的な不具合は生じることはなく、また接合強度の減少などの機械的な不具合も生じることはない。
【００３４】
また、前記金属薄膜３２を、アルミ、錫、ニッケル、クロム、銀、チタンのうちの少なくとも１つから形成することで、これらの材料は金より拡散速度が遅い材料であり、上述のような接合部の評価を可能にすることができる。
【００３５】
さらにまた、前記金属薄膜３２を、０．２μｍ以下の厚さとすることで、薄肉の該金属薄膜３２の金属粒子の殆どが、遙かに多量に存在する金バンプ電極２１ａ，２１ｂの中へ拡散することが可能になり、上述のような接合部の評価を可能にすることができる。
【００３６】
ここで、一般に金の表面に形成される自然酸化膜の厚さは、約１０００Åである。この自然酸化膜は、金バンプ電極２１ａ，２１ｂを熱圧着接合（更に超音波振動やスクラブを加えることもある）することによって、接合界面から除去される。したがって、前記半導体層１２，１３上の金属薄膜３２の厚みを、前記約１０００Å以下に設定すれば、金属薄膜３２中の金属粒子は、総て金バンプ電極２１ａ，２１ｂ中に拡散できると想定される。しかしながら、接合条件の改善などで、熱圧着接合性を向上できるので、この２倍の２０００Å、すなわち前記０．２μｍを、前述のように金属薄膜３２の厚みの上限とする。
【００３７】
本発明は、上述のような発光素子に限定されるものではなく、透明な基板上に透明な半導体層が形成されるものであれば適用することができる。
【００３８】
なお、たとえば特開平９−３１２３１７号公報には、半導体チップの実装基板の接合部とは反対側から赤外線を照射して接合不良を検査する方法が開示されているが、パッドの剥がれやクラックを検出するものであり、本発明のように電極１５，１６とバンプ電極２１ｂ，２１ａとの接合状態を検査することはできない。
【００３９】
また、特開２００１−６８５１４号公報には、透明なダミー基板を実装基板にフリップチップ実装し、基板の裏面から電極とバンプ電極との接合部の状態を目視検査することが開示されているけれども、ダミー基板を使用し、実装工程の評価を行うものであり、本発明のように製品となる半導体装置を個々に検査することはできない。
【００４０】
さらにまた、以上のフェイスダウンボンディングには、超音波圧接方式が適用できないこともないが、熱と荷重とを加える熱拡散接合が、薄肉の金属薄膜３２が拡散するため望ましい。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の実施の一形態に係る半導体装置である発光ダイオードの構造を模式的に示す断面図である。
【図２】図１で示す発光ダイオードにおいて、半導体チップの実装基板への接合状態を説明するための断面図である。
【図３】典型的な従来技術の発光ダイオードの構造を模式的に示す断面図である。
【図４】一般的な発光ダイオードにおける半導体チップの具体的な構造を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４２】
１    発光ダイオード
１０    半導体チップ
１１    支持基板
１２    Ｎ型窒化ガリウム半導体層
１３    Ｐ型窒化ガリウム半導体層
１４    絶縁酸化膜層
１５    第１電極
１６    第２電極
１７    溝
２０    実装基板
２１；２１ａ，２１ｂ    金バンプ電極
２２    パッド
３０    開口窓
３１    隙間
３２    金属薄膜
【図１】
2006147630.tif 000003
【図２】
2006147630.tif 000004
【図３】
2006147630.tif 000005
【図４】
2006147630.tif 000006