(57)【要約】【課題】  複雑な工程を経ずに反射器の反射率を大きくできるようにする。【解決手段】  圧電体からなるウエハ３０の表面に導電性金属膜３２を形成する金属膜形成工程を行なう。次に、ＩＤＴのすだれ状電極を形成する部分に対応した導電性金属膜３２を薄くするハーフエッチング工程をする。その後、導電性金属膜３２の表面に所定のパターンを有するレジスト膜３６を設けるエッチングマスク形成工程を行なう。次に、レジスト膜３６を介して導電性金属膜３２をエッチングしてすだれ状電極からなるＩＤＴ１４と反射器１６ａ、１６ｂとを形成する電極形成工程を行なう。【選択図】        図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板の表面に形成したすだれ状電極と、このすだれ状電極を挟んで設けた反射器とを備えた弾性表面波素子片において、
前記すだれ状電極と前記反射器とを同一の金属によって形成するとともに、前記反射器の厚さを前記すだれ状電極の厚さより厚くしたことを特徴とする弾性表面波素子片。
【請求項２】
圧電基板の表面に導電性金属膜を形成する金属膜形成工程と、
すだれ状電極を形成する部分に対応した前記導電性金属膜を薄くするハーフエッチング工程と、
前記導電性金属膜の表面に所定のパターンを有するレジスト膜を設けるエッチングマスク形成工程と、
前記レジスト膜を介して前記導電性金属膜をエッチングして前記すだれ状電極と反射器とを形成する電極形成工程と、
を有することを特徴とする弾性表面波素子片の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の弾性表面波素子片の製造方法において、
前記ハーフエッチング工程は、前記反射器を形成する部分の前記導電性金属膜の表面に、前記反射器に対応したパターンを有するレジスト膜を形成する反射器用マスク形成工程を含み、
前記すだれ状電極を形成する部分の前記導電性金属膜とともに、反射器形成部をハーフエッチングする、
ことを特徴とする弾性表面波素子片の製造方法。
【請求項４】
圧電基板の表面に導電性金属膜を形成する金属膜形成工程と、
前記導電性金属膜の表面に所定のパターンを有するレジスト膜を設けるエッチングマスク形成工程と、
前記レジスト膜を介して前記導電性金属膜をエッチングしてすだれ状電極と反射器とを形成する電極形成工程と、
前記すだれ状電極を選択的にエッチングして前記すだれ状電極の膜厚を薄くするハーフエッチング工程と、
を有することを特徴とする弾性表面波素子片の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の弾性表面波素子片の製造方法において、
前記ハーフエッチング工程は、前記すだれ状電極の電極指周囲の圧電基板表面をレジスト膜で覆って行なうことを特徴とする弾性表面波素子片の製造方法。
【請求項６】
圧電基板の表面に導電性金属膜を形成する第１金属膜形成工程と、
反射器を形成する部分に対応した前記金属膜の上に、同一の導電性金属膜を堆積する第２金属膜形成工程と、
前記導電性金属膜の表面に所定のパターンを有するレジスト膜を設けるエッチングマスク形成工程と、
前記レジスト膜を介して前記導電性金属膜をエッチングし、すだれ状電極と前記反射器とを形成する電極形成工程と、
を有することを特徴とする弾性表面波素子片の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波素子片およびその製造方法に係り、すだれ状電極の両側に反射器を備えた弾性表面波素子片およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、通信装置をはじめとする電子機器の小型化に伴い、これらの電子機器に搭載される弾性表面波（Surface Acoustic Wave：ＳＡＷ）装置の小型化が強く要求されている。したがって、ＳＡＷ装置は、主要な構成要素であるＳＡＷ素子片（弾性表面波素子片）の小型化を図る必要がある。弾性表面波素子片は、ＩＤＴ（Interdigital Transducer）を構成しているすだれ状電極と反射器との膜圧を厚くすると、反射係数が増大してＣＩ（Crystal Impedance）値を低減できることが知られている。この結果、反射器を構成している導体ストリップの本数を削減して弾性表面波素子片の小型化を図ることができる。
【０００３】
一方、特許文献１には、反射器だけを陽極酸化して反射器の膜厚を厚くして反射率を高くし、少ない導体ストリップの本数で高いＱ値を得、ＳＡＷ共振子の高周波化、小型化を実現するＳＡＷ共振子の製造方法が記載してある。また、特許文献２には、反射器全体をＡｕやＡｇ、Ａｌ等の第２の金属で覆って共振周波数を調整することにより、高精度なＳＡＷ共振子を得られることが記載されている。
【特許文献１】特開２００２−７６８２０号公報
【特許文献２】特開平３−３５１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、ＩＤＴ（すだれ状電極）と反射器との膜厚を厚くして反射係数を増大させる方法は、次のような欠点がある。すなわち、ＩＤＴの膜厚を厚くすると、成膜工程における膜厚のばらつきが大きくなること、膜厚が厚くなると膜厚の変動に対する周波数の変化、すなわち共振周波数の膜厚感度が大きくなることなどによって、共振周波数のばらつきが大きくなり、高精度な弾性表面波素子片を得ることが困難となる。
【０００５】
一方、特許文献１に記載の陽極酸化によって反射器の膜厚を厚くする方法は、陽極酸化の工程を別に行なう必要があり、陽極酸化の設備を必要とし、工程が複雑化する。また、特許文献２に記載の反射器を第２の金属で覆う方法は、反射器部分にＩＤＴと異なる第２の金属を蒸着によって設ける工程を必要とし、工程が複雑となる。
【０００６】
本発明は、前記従来技術の欠点を解消するためになされたもので、複雑な工程を経ずに反射器の反射率を大きくできるようにすることを目的としている。
また、本発明は、共振周波数のばらつきが大きくならないようにして反射器の膜厚を厚くできるようにすることなどを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するために、本発明に係る弾性表面波素子片は、圧電基板の表面に形成したすだれ状電極と、このすだれ状電極を挟んで設けた反射器とを備えた弾性表面波素子片において、前記すだれ状電極と前記反射器とを同一の金属によって形成するとともに、前記反射器の厚さを前記すだれ状電極の厚さより厚くしたことを特徴としている。このようになっている本発明に係る弾性表面波素子片は、反射器を陽極酸化したり、反射器の表面をすだれ状電極（ＩＤＴ）と異なる第２の金属によって覆う必要がなく、工程の複雑化を避けることができる。しかも、反射器は、すだれ状電極より膜厚が厚く形成されるため、反射率を大きくすることができ、反射器を構成している導体ストリップの本数の削減が可能で、小型化を図ることができる。
【０００８】
上記の弾性表面波素子片を製造するための本発明に係る弾性表面波素子片の製造方法は、圧電基板の表面に導電性金属膜を形成する金属膜形成工程と、すだれ状電極を形成する部分に対応した前記導電性金属膜を薄くするハーフエッチング工程と、前記導電性金属膜の表面に所定のパターンを有するレジスト膜を設けるエッチングマスク形成工程と、前記レジスト膜を介して前記導電性金属膜をエッチングして前記すだれ状電極と反射器とを形成する電極形成工程と、を有することを特徴としている。
【０００９】
このようになっている本発明は、ハーフエッチングの工程を設けるだけで反射器の膜厚をすだれ状電極の膜厚より厚くすることができ、反射器を陽極酸化したり、反射器に第２の金属を設けたりする複雑な工程を経ることなく反射率の大きな反射器を形成でき、弾性表面波素子片の小型化を図ることができる。しかも、膜厚を薄くした部分にすだれ状電極からなるＩＤＴを形成するため、周波数の膜厚感度を小さくすることができるとともに、寸法精度の高いすだれ状電極を形成することができ、高精度な弾性表面波素子片を得ることができる。さらに、一度の成膜工程によってすだれ状電極、反射器を構成する金属膜を形成するため、良質な金属膜を得ることができ、耐電力性、ドライブ特性の優れた弾性表面波素子片を得ることができる。なお、すだれ状電極と反射器とを形成する電極形成工程は、ウエットエッチング、またはドライエッチングのいずれによって形成してもよいが、圧電基板が露出する手前までドライエッチングを行ない、その後、ウエットエッチングを行なうようにすると、電極を寸法精度よく形成できるとともに圧電基板にプラズマなどの荷電粒子による損傷を与えることがない。また、導電性金属は、アルミニウム（Ａｌ）、Ａｌ系合金であってよい。
【００１０】
ハーフエッチング工程は、反射器を形成する部分の導電性金属膜の表面に、反射器に対応したパターンを有するレジスト膜を形成する反射器用マスク形成工程を含み、すだれ状電極を形成する部分の導電性金属膜とともに、反射器形成部のハーフエッチングを行なうことができる。このようにすると、電極形成工程において、すだれ状電極と反射器とのエッチングを同時に終了することができ、ドライエッチングによってすだれ状電極と反射器とを形成したときに、プラズマなどの荷電粒子による圧電基板の損傷を避けることができる。
【００１１】
また、本発明に係る弾性表面波素子片の製造方法は、圧電基板の表面に導電性金属膜を形成する金属膜形成工程と、前記導電性金属膜の表面に所定のパターンを有するレジスト膜を設けるエッチングマスク形成工程と、前記レジスト膜を介して前記導電性金属膜をエッチングしてすだれ状電極と反射器とを形成する電極形成工程と、前記すだれ状電極を選択的にエッチングして前記すだれ状電極の膜厚を薄くするハーフエッチング工程と、を有することを特徴としている。
【００１２】
このようになっている本発明は、すだれ状電極と反射器とを形成したのちに、すだれ状電極を選択的にエッチングして膜厚を薄くするだけでよく、製造工程を簡素にすることができる。なお、すだれ状電極をハーフエッチングして膜厚を薄くする場合、すだれ状電極の電極指周囲の圧電基板表面をレジスト膜によって覆ってエッチングを行なうと、圧電基板のプラズマによる損傷を軽減または避けることができる。この場合、反射器の部分のレジスト膜は、スクリーン印刷などによって形成し、電極指周囲のレジスト膜は、インクジェットプリンタのプリンタヘッドのような微小液滴を吐出する装置を用いて形成するとよい。もちろん、微小液滴を吐出する装置によってレジスト膜全体を形成してもよい。
【００１３】
さらに、本発明に係る弾性表面波素子片の製造方法は、圧電基板の表面に導電性金属膜を形成する第１金属膜形成工程と、反射器を形成する部分に対応した前記金属膜の上に、同一の導電性金属膜を堆積する第２金属膜形成工程と、前記導電性金属膜の表面に所定のパターンを有するレジスト膜を設けるエッチングマスク形成工程と、前記レジスト膜を介して前記導電性金属膜をエッチングし、すだれ状電極と前記反射器とを形成する電極形成工程と、を有することを特徴としている。このようになっている本発明は、反射器を形成する部分に同じ金属を重ねて堆積することにより、反射器の膜厚を厚くすることができ、複雑な工程を経ることなく、反射率の大きな反射器を有する弾性表面波素子片を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明に係る弾性表面波素子片およびその製造方法の好ましい実施の形態を、添付図面に基づいて詳細に説明する。
図１は、本発明の実施の形態に係る弾性表面波素子片の概略平面図である。図２において、弾性表面波素子片１０は、圧電基板１２の表面に、導電性金属膜からなるＩＤＴ１４と、ＩＤＴ１４を挟んで両側に設けた一対の反射器１６（１６ａ、１６ｂ）とを有している。圧電基板１２は、水晶やニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウムなどの圧電体からなり、平面視矩形上に形成してある。そして、ＩＤＴ１４は、一対の櫛形電極１８（１８ａ、１８ｂ）によってすだれ状に形成してある。すなわち、各櫛形電極１８は、複数の電極指２０（２０ａ、２０ｂ）の一端がバスバー２２に接続してあって、お互いの電極指２０が噛み合うように交互に配置される。また、櫛形電極１８は、バスバー２２がボンディングワイヤを接続する接続パッド部（図示せず）に接続してある。一方、反射器１６ａと反射器１６ｂとは、同じように形成してあって、両端が相互に連結された複数の導体ストリップ２４によって格子状に形成してある。
【００１５】
実施形態に係る弾性表面波素子片１０は、ＩＤＴ１４を構成している一対の櫛型電極１８と反射器１６とが同じ導電性金属から形成してある。この導電性金属は、実施形態の場合、アルミニウム（Ａｌ）またはＡｌ系合金からなり、後述するように、蒸着やスパッタリングなどによって圧電基板１２の表面に堆積され、フォトエッチングされて櫛型電極１８、反射器１６にされる。しかし、実施形態に係る弾性表面波素子片１０は、図２に一部断面図として示したように、ＩＤＴ１４の電極指２０の厚さ（膜厚）と、反射器１６の導体ストリップ２４の厚さ（膜厚）が異なっている。すなわち、弾性表面波素子片１０は、反射器１６の膜厚Ｈ２がＩＤＴ１４の膜厚Ｈ１より厚く形成してある。
【００１６】
これにより、弾性表面波素子片１０は、反射器１６の弾性表面波を反射する反射率を大きくすることができる。この結果、反射器を構成している導体ストリップ２４の本数を少なくすることができ、性能を低下させることなく弾性表面波素子片１０の小型化を図ることができる。しかも、反射器１６を陽極酸化したり、反射器１６を蒸着などによって他の金属で覆う必要がなく、複雑な工程を経ることなく反射器１６の反射率を大きくすることができる。
【００１７】
本願の発明者は、反射器１６の膜厚をＩＤＴ１４の膜厚より厚くした場合の効果について等価回路計算を行なった。計算条件は、圧電基板１２がオイラー各表示のカット角で（０°、１２７°、０°）のＳＴカット水晶板、ＩＤＴ１４の電極指２０の幅をｄ、電極指２０のピッチをｐ（図２参照）としたときの電極間ピッチに対する電極幅ｄの比η（＝ｂ／ｐ）を０．５、弾性表面波の波長をλとしたときのＩＤＴ１４の膜厚を０．０３λ、ＩＤＴ１４の電極指２０の交差幅Ｂ（図１参照）を４０λ、ＩＤＴ１４の電極指２０の対数を２００、各反射器１６ａ、１６ｂを構成している導体ストリップ２４の本数をそれぞれ２００とした。
【００１８】
等価回路計算の結果、図３、図４に示したように、ＩＤＴ１４の膜厚Ｈ１に対する反射器１６の膜厚Ｈ２の比（＝Ｈ２／Ｈ１）を大きくするほどＣＩ値が低下し、Ｑ値が大きくなることがわかった。すなわち、Ｈ２／Ｈ１＝１の場合はＣＩ値が１１Ωであったが、Ｈ２／Ｈ１＝１．７になるとＣＩ値が５Ωとなり、ＣＩ値が半分以下になる。また、Ｈ２／Ｈ１＝１の場合、Ｑ値が１６７１９であったが、Ｈ２／Ｈ１＝１．７の場合、Ｑ値が３７６１７となり、Ｑ値が２倍以上になる。したがって、弾性表面波素子片の小型化を図ることができる。
【００１９】
図５は、弾性表面波素子片１０を製造する方法の第１実施形態に係る工程の要部を模式的に示した図である。まず、図５（１）に示したように、洗浄した圧電体からなるウエハ（例えば水晶ウエハ）３０の表面全体にＡｌを蒸着またはスパッタリングによって堆積し、Ａｌからなる導電性金属膜３２を形成する金属膜形成工程を行なう。なお、導電性金属膜３２は、Ａｌ系合金、銅（Ｃｕ）などの他の導電性金属によって形成してもよい。
【００２０】
次に、導電性金属膜３２の表面全体にフォトレジストを塗布してレジスト膜を形成する。そして、同図（２）に示したように、レジスト膜３４をフォトリソグラフィー法によって露光、現像してパターニングし、弾性表面波素子片のＩＤＴを形成する部分のレジスト膜３４を除去する。その後、同図（３）に示したように、レジスト膜３４をマスクにして導電性金属膜３２を所定の深さエッチングし、ＩＤＴを形成する部分の導電性金属膜３２の厚さを薄くするハーフエッチング工程を行なう。このハーフエッチングは、ドライエッチングであってもウエットエッチングであってもよい。
【００２１】
次に、導電性金属膜３２の表面に存在しているレジスト膜３４を剥離液によって剥離する。その後、導電性金属膜３２の表面全体に再びフォトレジストを塗布してレジスト膜を形成し、図５（４）に示したように、フォトリソグラフィー法によってレジスト膜３６を所定の形状にパターニングするエッチングマスク形成工程を行なう。このパターニングしたレジスト膜３６は、ＩＤＴのすだれ状電極と反射器とに対応したパターンを有している。
【００２２】
さらに、同図（５）に示したように、パターニングしたレジスト膜３６をマスクにして導電性金属膜３２をウエハ３０の表面が露出するまでエッチングする電極形成工程を行なう。この電極形成工程におけるエッチングは、ドライエッチングまたはウエットエッチングのいずれであってもよい。しかし、プラズマなどの荷電粒子によるウエハ（圧電基板）３０の損傷を避ける必要がある場合には、ウエットエッチングがよい。また、ＩＤＴを形成する部分のウエハ３０の表面が露出する寸前までドライエッチングをし、その後ウエットエッチングを行なってもよい。このようにすると、ウエハ３０の損傷を避けることができるばかりでなく、ＩＤＴを寸法精度よく形成することができる。
【００２３】
その後、図５（６）に示したように、導電性金属膜３２の上に存在している不要なレジスト膜３６を剥離する。これにより、ウエハ３０の表面に多数の弾性表面波素子片のＩＤＴ１４と、膜厚がＩＤＴ１４より厚い反射器１６とが形成される。そこで、ウエハ３０を所定のスクライブライン（図示せず）に沿って切断することにより、図１、図２に示した多数の弾性表面波素子片１０が得られる。
【００２４】
このように、第１実施形態に係る製造方法においては、ＩＤＴを形成する部分の導電性金属膜３２をハーフエッチングするだけでＩＤＴより膜厚の厚い反射器を形成することができる。このため、反射器を陽極酸化したり、第２の金属で覆うなどの複雑な工程を必要としない。しかも、導電性金属膜３２は、一度の成膜工程によって形成してあるため、良質な金属膜とすることができ、耐電力性、ドライブ特性に優れた弾性表面波素子片を得ることができる。また、ＩＤＴは、ハーフエッチングして薄くした導電性金属膜３２の部分に形成するため、寸法精度の高いすだれ状電極が得られ、高精度な弾性表面波素子片とすることができる。
【００２５】
図６は、弾性表面波素子片を製造する方法の第２実施形態係る工程の要部を模式的に示した図である。この実施形態に係る製造方法は、まず、図６（１）に示したように、前記したと同様にウエハ３０の表面にＡｌなどからなる導電性金属膜３２を蒸着などにより成膜する金属膜形成工程を行なう。その後、導電性金属膜３２の表面にフォトレジストを塗布し、レジスト膜を形成する。そして、同図（２）に示したように、レジスト膜４０をフォトリソグラフィー法により露光、現像してパターニングする反射器用マスク形成工程を行なう。このパターニングされたレジスト膜４０は、ＩＤＴを形成する領域の導電性金属膜３２を露出させるとともに、反射器を形成する領域に反射器に対応したパターンを有する。
【００２６】
その後、同図（３）に示したように、パターニングしたレジスト膜４０をマスクにして導電性金属膜３２を所定の深さまでエッチングするハーフエッチング工程を行なう。ハーフエッチング工程が終了したならば、導電性金属膜３２の上に存在している不要なレジスト膜４０を剥離して除去する。次に、図６（４）のエッチングマスク形成工程を行なう。すなわち、ハーフエッチングした導電性金属膜３２の表面全体にフォトレジストを塗布してレジスト膜４２を形成し、これをＩＤＴと反射器とに対応したパターンを有するように露光、現像してパターニングする。次に、レジスト膜４２をマスクにして導電性金属膜３２をウエハ３０の表面が露出するまでエッチングする電極形成工程を行なう。その後、導電性金属膜３２の上に残存しているレジスト膜４２を除去する。これにより、図６（６）に示したように、ＩＤＴ１４と反射器１６とが形成される。その後、前記したように、ウエハ３０を切断して個々の弾性表面波素子片に分割する。
【００２７】
この第２実施形態の製造方法においては、導電性金属膜３２のＩＤＴを形成する領域と、反射器とをハーフエッチングするため、電極形成工程におけるエッチングにおいて、ＩＤＴ１４と反射器１６とのエッチングを同時に終わらせることができる。したがって、ハーフエッチング工程および電極形成工程の両方の工程をドライエッチングしたとしても、ウエハ３０に損傷を与えることがなく、高精度な弾性表面波素子片を形成することができる。
【００２８】
図７は、弾性表面波素子片を製造する方法の第３実施形態に係る工程の要部を模式的に示した図である。まず、図７（１）に示したように、前記と同様にして、ウエハ３０の表面に導電性金属膜３２を形成する金属膜形成工程を行なう。次に、導電性金属膜３２の全面にフォトレジストを塗布してレジスト膜を設ける。さらに、同図（２）に示したように、レジスト膜４４をパターニングするエッチングマスク形成工程を行なう。このパターニングされたレジスト膜４４は、ＩＤＴと反射器とに対応したパターンを有している。
【００２９】
その後、図７（３）に示したように、レジスト膜４４をマスクにして導電金属膜をエッチングし、ウエハ３０の表面を露出させる電極形成工程を行なう。次に、導電性金属膜３２の上に存在しているレジスト膜４４を剥離したのち、ウエハ３０の全面に導電性金属膜３２を覆ってフォトレジストを塗布し、レジスト膜を形成する。さらに、図７（４）に示したように、レジスト膜４６をパターニングし、ＩＤＴを形成する領域のレジスト膜４６を除去する。その後、図７（５）に示したように、レジスト膜４６をマスクにしてＩＤＴを構成する電極指２０をエッチングするハーフエッチング工程を行ない、ＩＤＴ１４の膜厚を所定の膜厚まで薄くする。このハーフエッチングは、共振周波数をモニタしながら行なうとよい。これにより、ウエハ状態での共振周波数を調整することができ、共振周波数のばらつきの小さい高精度な弾性表面波素子片とすることができる。さらに、図７（６）に示したように、ウエハ３０の上に存在している不要となったレジスト膜４６を除去する。その後、ウエハ３０を切断することにより、ＩＤＴ１４より膜厚の厚い反射器１６を有する弾性表面波素子片を得ることができる。
【００３０】
なお、図７（５）のハーフエッチング工程を行なう場合に、同図（４）に示したように、ＩＤＴを構成する電極指２０の周囲のウエハ表面をレジスト膜４６ａによって覆うと、プラズマによるウエハ３０のダメージを軽減または避けることができる。レジスト膜４６ａは、インクジェットプリンタのプリンタヘッドのような微小液滴を吐出する装置を用いてフォトレジストを塗布することにより形成することができる。もちろん、上記の吐出装置によってレジスト膜４６ａばかりでなく、吐出量を変えてレジスト膜４６を形成してもよい。また、レジスト膜４６の部分はスクリーン印刷により形成し、レジスト膜４６ａの部分は上記の吐出装置によって形成してもよい。
【００３１】
図８は、弾性表面波素子片を製造する方法の第４実施形態に係る要部工程の模式図である。まず、図８（１）に示したように、ウエハ３０の表面に、第１導電性金属膜５０ａを形成する第１金属膜形成工程を行なう。この導電性金属膜５０ａは、ＩＤＴの設計された膜厚と同じ厚さを有するように、Ａｌなどの導電性金属を蒸着やスパッタリングによって形成される。その後、第１導電性金属膜５０ａの表面全体にフォトレジストを塗布してレジスト膜を形成し、さらに同図（２）に示したように、ＩＤＴを形成する領域にレジスト膜５２が残り、反射器を形成する領域のレジスト膜が除去されるようにレジスト膜５２をパターニングする。
【００３２】
その後、図８（３）に示したように、レジスト膜５２をマスクにして第１導電性金属膜５０ａと同じ材料からなる第２導電性金属膜５０ｂを、第１導電性金属膜５０ａの上に蒸着やスパッタリングによって成膜する第２金属膜形成工程を行なう。すなわち、いわゆるリフトオフによって第１導電性金属膜５０ａと第２導電性金属膜５０ｂとからなる導電性金属膜５４を形成する。第２導電性金属膜５０ｂは、リフトオフによって形成した導電性金属膜５４の膜厚が、反射器の設計膜厚となるような厚さに形成する。その後、レジスト膜５２を剥離し、ＩＤＴを形成する領域の第１導電性金属膜５０ａを露出させる。このとき、レジスト膜５２の上に堆積された第２導電性金属膜５０ｂは、レジスト膜５２とともに除去される。
【００３３】
次に、図８（４）に示したエッチングマスク形成工程を行なう。すなわち、第１導電性金属膜５０ａと導電性金属膜５４とを覆ってフォトレジストを塗布してレジスト膜５６を形成し、フォトリソグラフィー法によってレジスト膜５６をパターニングする。パターニングされたレジスト膜５６は、ＩＤＴと反射器とに対応したパターンを有している。その後、同図（５）に示したように、レジスト膜５６をマスクにして第１導電性金属膜５０ａと導電性金属膜５４とをエッチングし、ウエハ３０の表面を露出させる。その後、不要になったレジスト膜５６を剥離し、図８（６）に示したように、ＩＤＴ１４と反射器１６とを完成させる。
この方法においても、反射器１６を陽極酸化したり、反射器１６を他の金属で覆う必要がない。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の実施の形態に係る弾性表面波素子片の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った一部断面図である。
【図３】反射器の膜厚の変化とＣＩ値との関係を示す図である。
【図４】反射器の膜厚の変化とＱ値との関係を示す図である。
【図５】弾性表面波素子片の製造方法の第１実施形態に係る要部工程を示す模式図である。
【図６】弾性表面波素子片の製造方法の第２実施形態に係る要部工程を示す模式図である。
【図７】弾性表面波素子片の製造方法の第３実施形態に係る要部工程を示す模式図である。
【図８】弾性表面波素子片の製造方法の第４実施形態に係る要部工程を示す模式図である。
【符号の説明】
【００３５】
１０………弾性表面波素子片、１２………圧電基板、１４………ＩＤＴ、１６ａ、１６ｂ………反射器、１８ａ、１８ｂ………櫛型電極、２０ａ、２０ｂ………電極指、２４………導体ストリップ、３０………ウエハ、３２、５４………導電性金属膜、５０ａ………第１導電性金属膜、５０ｂ………第２導電性金属。
【図１】
2006238153.tif 000003
【図２】
2006238153.tif 000004
【図３】
2006238153.tif 000005
【図４】
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【図５】
2006238153.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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