(57)【要約】【課題】  Ｃｒを用いないことにより環境に悪影響を与えることが無く、しかも耐腐蝕性に優れた電気光学装置を提供する。【解決手段】  シール材１０の内側に液晶を支持する素子基板６ａと、素子基板６ａ上に設けられ、第１素子電極と、第１素子電極に重ねられた絶縁層と、絶縁層に重ねられた第２素子電極とを有するＴＦＤ素子３３と、素子基板６ａ上であってシール材１０の外側に形成される配線３９とを有する液晶表示装置１である。ＴＦＤ素子３３の第２素子電極及び配線３９は、Ｍｏ（モリブデン）とＷ（タングステン）を含んで成る合金であるＭｏＷ（モリブデン・タングステン）によって形成され、このＭｏＷにおけるＷの濃度は６０原子％以下である。【選択図】        図５
2006215140.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上で電気光学物質を囲むシール材と、
第１素子電極と、該第１素子電極に重ねられた絶縁層と、該絶縁層に重ねられた第２素子電極とを有し、前記基板上に設けられる非線形抵抗素子と、
前記基板上であって前記シール材の外側に形成される配線と
を有し、
前記第２素子電極及び前記配線は、モリブデンとタングステンを含んで成る合金によって形成され、当該合金におけるタングステンの濃度は６０原子％以下である
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１記載の電気光学装置において、前記モリブデンとタングステンを含んで成る合金におけるタングステンの濃度は３０原子％以上４０原子％以下であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の電気光学装置において、前記基板上であって前記シール材の内側に形成された画素電極と、前記シール材の外側に設けられて該画素電極に所定の信号を供給する駆動用ＩＣとを備え、前記配線は、前記画素電極と前記駆動用ＩＣとに電気的に接続されることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
基板上にシール材を形成する工程と、
前記基板上に非線形抵抗素子を形成する工程とを有する電気光学装置の製造方法において、
前記非線形抵抗素子を形成する工程は、
前記基板上に第１素子電極を形成する工程と、前記第１素子電極上に絶縁膜を形成する工程と、モリブデンとタングステンを含んで成る合金を材料として前記絶縁膜上に第２素子電極を形成する工程とを有し、
前記第２素子電極を形成する工程では、前記第２素子電極を形成するのと同時に前記シール材の外側に前記モリブデンとタングステンを含んで成る合金を材料として配線を形成し、
前記合金におけるタングステンの濃度は６０原子％以下である
ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の電気光学装置の製造方法において、
前記非線形抵抗素子を形成する工程は、
前記第１素子電極を形成する工程で複数の第１素子電極を一体に形成し、
前記絶縁膜を形成する工程で一体に形成された前記第１素子電極上に絶縁層としての陽極酸化膜を形成し、
一体に形成された前記第１素子電極を複数の島状に分離する工程を前記第２素子電極を形成する工程の前に行う
ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
請求項４又は請求項５記載の電気光学装置の製造方法において、
前記第２素子電極に接続するように画素電極を形成する工程を有し、
該画素電極を形成する工程は、アモルファスＩＴＯを平面的に形成する工程と、該アモルファスＩＴＯをフォトエッチングによって画素電極形状にパターニングする工程と、該アモルファスＩＴＯをアニールして多結晶ＩＴＯに変化させる工程とを有する
ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
請求項４から請求項６のいずれか１つに記載の電気光学装置の製造方法において、前記基板上に電気光学物質としての液晶を供給する工程を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
電気光学物質を囲むシール材と、
第１素子電極と、該第１素子電極に重ねられた絶縁層と、該絶縁層に重ねられた第２素子電極とを有する非線形抵抗素子と、
前記シール材の外側に形成される配線と
を有し、
前記第２素子電極及び前記配線は、モリブデンとタングステンを含んで成る合金によって形成され、当該合金におけるタングステンの濃度は６０原子％以下である
ことを特徴とする電気光学装置用基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置、有機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ装置等といった電気光学装置に関する。また、本発明は、その電気光学装置を製造するための製造方法に関する。また、本発明は、電気光学装置に用いる基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話機、携帯情報端末機、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant）等といった電子機器に液晶表示装置等といった電気光学装置が広く用いられている。例えば、電子機器に関する各種の表示を行うために電気光学装置が用いられている。なお、液晶表示装置は、電気光学物質である液晶によって光を変調することにより文字、数字、図形等といった像を表示する電気光学装置である。
【０００３】
液晶表示装置は、一般に、それぞれが電極を有する一対の基板間にシール材によって囲まれた空間を形成し、その空間内に液晶を封止する構造を有する。それらの電極を平面的に重ねて見ると、電極が重なる領域が行方向及び列方向にマトリクス状に並び、これらの各領域が画素を構成する。そして、個々の画素内に存在する液晶に印加する電圧を画素ごとに制御して液晶の配向を制御することにより、表示が行われる。
【０００４】
このような液晶表示装置には、画素に印加する電圧をスイッチング素子を用いて制御することにより液晶の配向を制御する構造のアクティブマトリクス方式の液晶表示装置と、スイッチング素子を用いることなく互いに対向するストライプ状電極に印加する電圧の制御により液晶の配向を制御する構造のパッシブマトリクス方式、すなわち単純マトリクス方式の液晶表示装置とがある。
【０００５】
また、アクティブマトリクス方式の液晶表示装置には、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）等といった３端子型のスイッチング素子を用いたものと、ＴＦＤ（Thin Film Diode）等といった２端子型の非線形抵抗素子を用いたものとがある。２端子型の非線形抵抗素子は３端子型のスイッチング素子に比べて構成が簡単で、製造工程も少なくて済むという利点を持っている。
【０００６】
２端子型の非線形抵抗素子であるＴＦＤ素子は、一般に、金属（Metal）−絶縁膜（Insulator）−金属（Metal）の積層構造、いわゆるＭＩＭ構造を有し、電圧−電流特性が非線形性を有するものである。このＴＦＤ素子は、従来、第１の金属がＴａＷ（タンタル・タングステン）によって形成され、絶縁膜が陽極酸化膜によって形成され、第２の金属がＣｒ（クロム）によって形成されていた（例えば、特許文献１参照）。
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−１６４２０２号公報（第１３頁、図３４）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、近年、環境問題の観点からＣｒ、特に６価Ｃｒの使用が産業界において抑制される傾向にある。この傾向から見てＴＦＤ素子を構成する金属としてＣｒを用いることが好ましくないと考えられるおそれがある。このことに関し、本発明者等はＣｒの代替金属を求めて種々の実験を行った。このとき、代替金属の条件として下記項目を考えた。
【０００９】
（１）素子特性がクロムと同程度又はそれ以上であること、
（２）シート抵抗値がクロムと同程度又はそれ以下であること、
（３）クロムの場合と同様に、パターニングの際にウェットエッチングを用いることができること、
（４）クロムの場合と同様に、灰色に近い銀系の金属光沢色のような色であって、Ｃｕ（銅）色や黄色でないこと、
【００１０】
上記項目中、（４）の項目を条件としたのは、液晶表示装置の内部にそのような色の金属が存在すると、その色のために表示品質が低下するからである。以上の各項目について検討を行ったところ、本発明者等はＭｏ（モリブデン）を主成分とし、そのＭｏに高融点金属であるＷ（タングステン）を添加した合金であるＭｏＷ（モリブデン・タングステン）がＣｒの代替金属として好適であることを知見した。
【００１１】
ところで、液晶表示装置等といった電気光学装置では、基板上において液晶等といった電気光学物質を設ける領域以外の領域にフォトエッチング処理等といったパターニング手法を用いて配線を形成することがある。この場合、電気光学装置の製造工程を簡略化することを企図して、従来から、上記の配線をＴＦＤ素子を構成する金属材料と同じ材料によって形成することが望まれている。
【００１２】
本発明者は、ＭｏＷを共通の材料としてＴＦＤ素子及び配線を形成することを考えた。しかしながら、液晶等といった電気光学物質を封入した領域の外側の領域に配線が設けられる場合、この配線をＭｏＷによって形成するときには、その配線は大気に触れる可能性があるので、仮にＭｏＷが耐腐蝕性を有していなければ、そのＭｏＷを実用に供することは困難であることに想到した。
【００１３】
そこで、本発明者は、ＭｏＷを配線として実用できるかどうかを耐腐蝕性の面から種々の実験を通して検討した。そしてその検討の結果、Ｗの含有量が耐腐蝕性に大きく影響を及ぼすことを知見した。
【００１４】
本発明は、上記の知見に基づいて成されたものであって、Ｃｒを用いないことにより環境に悪影響を与えることが無く、しかも耐腐蝕性に優れた電気光学装置用基板、電気光学装置、及び電気光学装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明に係る電気光学装置は、（１）基板上で電気光学物質を囲むシール材と、（２）第１素子電極と、該第１素子電極に重ねられた絶縁層と、該絶縁層に重ねられた第２素子電極とを有し、前記基板上に設けられる非線形抵抗素子と、（３）前記基板上であって前記シール材の外側に形成される配線とを有し、（４）前記第２素子電極及び前記配線は、ＭｏとＷを含んで成る合金によって形成され、当該合金におけるＷの濃度は６０原子％以下であることを特徴とする。
【００１６】
本発明に係る電気光学装置としては、電気光学物質として液晶を用いる液晶表示装置、電気光学物質として有機ＥＬを用いる有機ＥＬ装置、電気光学物質としてプラズマ用ガスを用いるプラズマディスプレイ装置等がある。さらには、電気泳動ディスプレイ装置（ＥＰＤ：Electrophoretic Display）、フィールドエミッションディスプレイ装置（ＦＥＤ：電界放出表示装置：Field Emission Display）等がある。
【００１７】
本発明に係る上記の電気光学装置において、基板とは、ガラス、プラスチック等といった透光性材料によって形成された板材である。この基板上に、電極、配向膜、その他各種の要素を形成することにより、素子基板、カラーフィルタ基板、その他、電気光学装置の種類に応じて必要とされる各種の基板が製造される。
【００１８】
上記検討項目の１つである素子特性について考えると、２端子型の非線形抵抗素子、例えばＴＦＤ素子の素子特性を表すものとして、保持特性を表す抵抗値Ｒ４及び書込み特性を表す抵抗値Ｒ１０がある。抵抗値Ｒ４は、素子に保持電圧として４ボルト（Ｖ）を印加したときの抵抗値である。また、抵抗値Ｒ１０は、素子に書込み電圧として１０Ｖを印加したときの抵抗値である。今、第２素子電極としてＣｒを用いたＴＦＤ素子を非線形抵抗素子として考えると、室温で、
Ｒ４＝１×１０１１  Ω
Ｒ１０＝１×１０９  Ω
であり、このことをグラフによって表すと図１２に示すようになる。なお、図１２に示す素子特性線図において、実線で示す特性が第２素子電極としてＣｒを用いたＴＦＤ素子の素子特性である。また、図１２の特性は、バック・ツー・バックの構造を有するＴＦＤ素子に関するものである。
【００１９】
ここで、バック・ツー・バック構造とは、例えば図７に示すように、一対のＴＦＤ要素を互いに直列に接続して成るＴＦＤ素子の構造である。１つのＴＦＤ要素を見たとき、そのＴＦＤ要素は極性差を有する。この極性差とは、ＴＦＤ要素の端子間に印加する電圧のプラス、マイナスの極性を変えたときにこのＴＦＤ要素の非線形特性に現れる差のことである。このように１つのＴＦＤ要素が極性差を持っている場合、その１つのＴＦＤ要素だけでは安定したスイッチング特性が得られない可能性が高い。これに対し、上記のバック・ツー・バック構造を採用すれば、極性差が相殺されて安定したスイッチング特性を得ることができる。
【００２０】
Ｃｒの代替金属を考えるとき、素子特性はＣｒと同等又はそれ以上であることが望ましい。ここで、Ｃｒにおいて、Ｒ４＝１×１０１１  Ω、Ｒ１０＝１×１０９  Ωであることを考えれば、代替金属として望ましいのは、保持特性を良好に維持する観点から、
Ｒ４≧１×１０１１  Ω  ……（１）
であり、書込み特性を良好に維持する観点から、
Ｒ１≦０１×１０９  Ω  ……（２）
である。上記の（１）式及び（２）式を図１２のグラフに示せば、斜線で示す領域が素子特性として良好な領域である。従って、鎖線Ａで示す直線のようにＣｒから成る素子の特性直線よりも傾きの大きい直線で表される特性を実現できることが望ましい。本発明者等の実験によれば、ＴＦＤ素子の第２素子電極をＭｏとＷを含んで成る合金によって形成したところ、上記（１）式及び（２）式を満足するＴＦＤ素子が得られた。
【００２１】
なお、Ｍｏ系の合金はＣｒに比べて抵抗値が高くなる傾向にある。従って、ＴＦＤ素子の全体の抵抗値を低く抑えるためには、第１素子電極と第２素子電極との間に存在する絶縁層の層厚を薄く形成することが望ましい。
【００２２】
また、他の検討項目であるシート抵抗値について考えると、Ｃｒのシート抵抗値は、０．２μｍの膜厚で約１Ωである。これに対し、ＭｏとＷを含んで成る合金もほぼ同程度のシート抵抗値、具体的には、約０．７Ωであった。
【００２３】
また、さらに他の検討項目であるエッチング処理について考えると、Ｃｒがウェットエッチングによってパターニングできること、例えば硝酸セリウムアンモニウムを主成分とするエッチング液によってエッチングできることは知られている。本発明者等の実験によれば、Ｃｒの場合と同様に、ＭｏとＷを含んで成る合金もウェットエッチングできることが確認された。
【００２４】
また、さらに他の検討項目である色の問題について考えると、ＭｏとＷを含んで成る合金は、Ｃｕ色や黄色等といった表示の邪魔になる色ではなく、Ｃｒと同様な、灰色に近い銀系の金属光沢色を持っている。
【００２５】
本発明に係る電気光学装置によれば、第２素子電極及び配線を、Ｃｒを用いることなくＭｏとＷを含んで成る合金を用いて形成したので、環境に悪影響を与えることが無くなった。しかも、以上に説明したように、ＭｏとＷを含んで成る合金は上記の検討項目（１）〜（４）の条件を全て満たしているので、Ｃｒの代替金属として好適である。
【００２６】
また、ＭｏとＷを含んで成る合金は耐腐食性を有する合金である。従って、シール材の外側に設ける配線をＭｏとＷを含んで成る合金を用いて形成すれば、その配線の耐腐食性を良好に維持できる。特に、ＭｏとＷを含んで成る合金の全体量に対するＷの含有量を増やせば、この合金の耐腐食性の向上が期待できる。その際、本発明者が行った実験によれば、ＭｏとＷを含んで成る合金におけるＷの濃度を６０原子％を越えるように設定しても、耐腐食性はほとんど向上しないことが分かった。それ故、ＭｏとＷを含んで成る合金において、耐腐食性の向上が期待できるＷの濃度は６０原子％までが限度であると考えられる。
【００２７】
一方、本発明者が行った他の実験によれば、ＭｏとＷを含んで成る合金のエッチング性はその合金の全体量に対するＷの含有量が少ない方が良いことが分かった。以上のことから、ＭｏとＷを含んで成る合金の耐腐食性とエッチング性との両方を良好に維持することを考えれば、その合金におけるＷの濃度は６０原子％以下とすることが望ましい。
【００２８】
次に、本発明に係る電気光学装置において、前記ＭｏとＷを含んで成る合金におけるＷの濃度は３０原子％以上４０原子％以下であることが望ましい。本発明者が行った実験によれば、ＭｏとＷを含んで成る合金のＷの濃度が３０原子％よりも低いと、この合金の耐腐食性、従ってシール材の外側に形成される配線の耐腐食性が実用上十分でないと考えられる。一方、ＭｏとＷを含んで成る合金のＷの濃度が４０原子％を越えると、この合金のエッチングに要する時間が長くなり、ＴＦＤ素子や配線の量産に支障をきたす可能性がある。これらのことから、ＭｏとＷを含んで成る合金のＷの濃度は、３０原子％以上４０原子％以下であることがより望ましい。
【００２９】
次に、本発明に係る電気光学装置においては、前記基板上であって前記シール材の内側に形成された画素電極と、前記シール材の外側に設けられて該画素電極に所定の信号を供給する駆動用ＩＣとを備え、前記配線は、前記画素電極と前記駆動用ＩＣとに電気的に接続されることが望ましい。こうすれば、シール材の外側に設けられた駆動用ＩＣから出力された信号を、配線によって、シール材の内側に形成された画素電極に供給できる。
【００３０】
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、基板上にシール材を形成する工程と、前記基板上に非線形抵抗素子を形成する工程とを有する電気光学装置の製造方法において、前記非線形抵抗素子を形成する工程は、前記基板上に第１素子電極を形成する工程と、前記第１素子電極上に絶縁膜を形成する工程と、ＭｏとＷを含んで成る合金を材料として前記絶縁膜上に第２素子電極を形成する工程とを有し、該第２素子電極を形成する工程では、前記第２素子電極を形成すると同時に前記シール材の外側に前記合金を材料として配線を形成し、前記合金におけるＷの濃度は６０原子％以下であることを特徴とする。
【００３１】
この電気光学装置の製造方法によれば、第２素子電極を形成する工程においてＣｒに代えてＭｏとＷを含んで成る合金を用いて第２素子電極および配線を形成するので、環境に悪影響を与えることが無くなった。しかも、ＭｏとＷを含んで成る合金を用いれば、（１）非線形抵抗素子としての素子特性がＣｒとほとんど同じであり、（２）シート抵抗値がＣｒとほとんど同じであり、（３）簡便なパターニング手法であるウェットエッチングをパターニング工程で用いることが可能であり、（４）Ｃｕ色や黄色等といった表示に悪影響を与える色ではない、灰色に近い銀系の金属光沢色が得られる。つまり、ＭｏとＷを含んで成る合金は既述した検討項目（１）〜（４）の条件を全て満たしている。従って、ＭｏとＷを含んで成る合金はＣｒの代替金属として好適である。
【００３２】
また、ＭｏとＷを含んで成る合金は耐腐食性を有する合金である。従って、シール材の外側に設ける配線をＭｏとＷを含んで成る合金を用いて形成すれば、その配線の耐腐食性を良好に維持できる。特に、ＭｏとＷを含んで成る合金の全体量に対するＷの含有量を増やせば、その合金の耐腐食性の向上が期待できる。その際、本発明者が行った実験によれば、ＭｏとＷを含んで成る合金におけるＷの濃度を６０原子％を越えるように設定しても、耐腐食性はほとんど向上しないことが分かった。それ故、ＭｏとＷを含んで成る合金において、耐腐食性の向上が期待できるＷの濃度は６０原子％までが限度であると考えられる。
【００３３】
一方、本発明者が行った他の実験によれば、ＭｏとＷを含んで成る合金のエッチング性はその合金の全体量に対するＷの含有量が少ない方が良いことが分かった。以上のことから、ＭｏとＷを含んで成る合金の耐腐食性とエッチング性との両方を良好に維持することを考えれば、その合金におけるＷの濃度は６０原子％以下とすることが望ましい。
【００３４】
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法において、（ａ）前記第１素子電極を形成する工程は複数の第１素子電極を一体に形成し、（ｂ）前記絶縁膜を形成する工程は一体に形成された前記第１素子電極上に絶縁層としての陽極酸化膜を形成し、（ｃ）一体に成形された前記第１素子電極を複数の島状に分離する工程を前記第２素子電極を形成する工程の前に行うことが望ましい。
【００３５】
ＭＩＭ構造の非線形抵抗素子を形成する場合には、一般に、複数の第１素子電極を一体に形成し、陽極酸化処理によって酸化膜すなわち絶縁層をその第１素子電極の上に積層し、その後、第１素子電極及びそれに積層された絶縁膜を複数の島状に分離して、個々の非線形抵抗素子を形成する。Ｃｒによって第２素子電極を形成していた従来の製造方法の場合には、第１素子電極を島状に分離する工程は、例えば図１１に工程Ｐ５８で示すように、第１素子電極（工程Ｑ２）に絶縁膜（工程Ｑ３）及び第２素子電極（工程Ｑ４）を形成した後にＨ２ＳＯ４溶液を用いて不要部分を剥離することによって行っていた。
【００３６】
本発明のように第２素子電極をＭｏとＷを含んで成る合金を用いて形成する場合には、その合金の形成後にＨ２ＳＯ４溶液を用いた剥離を行うことができない。従って、本発明のように、ＭｏとＷを含んで成る合金を用いて第２素子電極を形成する場合には、第１素子電極及びそれに積層された絶縁膜を島状に分離する工程を第２素子電極の形成の前に行ってしまい、島状に分離した後にＭｏとＷを含んで成る合金によって第２素子電極を形成することが望ましい。こうすれば、Ｃｒの代替金属であるＭｏとＷを含んで成る合金によって支障なく第２素子電極を希望の形状に形成できる。
【００３７】
次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、前記第２素子電極に接続するように画素電極を形成する工程を有することができる。そしてこの場合、該画素電極を形成する工程は、アモルファスＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）を平面的に形成する工程と、該アモルファスＩＴＯをフォトエッチングによって画素電極形状にパターニングする工程と、該アモルファスＩＴＯをアニールして多結晶ＩＴＯに変化させる工程とを有することが望ましい。
【００３８】
一般に、非線形抵抗素子の第２電極にはドット状の電極が接続される。この電極は、例えばＩＴＯによって形成される。第２素子電極をＣｒによって形成していた従来の方法では、その第２素子電極の形成後に、王水系エッチング液、塩化鉄系エッチング液を用いてＩＴＯのパターニングを行っていた。Ｃｒはこれらのエッチング液に対して耐性を持っているのでＩＴＯのパターニングは支障なく行われていた。
【００３９】
これに対し、本発明において第２素子電極として用いられるＭｏとＷを含んで成る合金は、上記の王水系エッチング液、塩化鉄系エッチング液等に対する耐性が弱いので、ＩＴＯをパターニングするためにそれらのエッチング液を用いることができない。そこで、本発明では、ＩＴＯをアモルファスのａ−ＩＴＯとして成膜することにより、ＭｏとＷを含んで成る合金の使用を可能にした。ａ−ＩＴＯは王水系エッチング液等よりも弱い酸、例えば蓚酸〔（ＣＯＯＨ）２〕によってエッチングでき、しかも、ＭｏとＷを含んで成る合金はこの蓚酸には耐性を持っているので、非線形抵抗素子の第２素子電極をその合金で形成し、その上にａ−ＩＴＯを成膜し、さらにパターニングした場合でも、その合金に支障は生じない。なお、ａ−ＩＴＯは、通常のＩＴＯをスパッタによって成膜する場合に比べて低い温度、例えば１００℃以下でスパッタすることによって形成できる。
【００４０】
次に、本発明に係る電気光学装置用基板は、（１）電気光学物質を囲むシール材と、（２）第１素子電極と、該第１素子電極に重ねられた絶縁層と、該絶縁層に重ねられた第２素子電極とを有する非線形抵抗素子と、（３）前記シール材の外側に形成される配線とを有し、（４）前記第２素子電極及び前記配線は、ＭｏとＷを含んで成る合金によって形成され、当該合金におけるＷの濃度は６０原子％以下であることを特徴とする。
【００４１】
この電気光学装置用基板によれば、非線形抵抗素子の第２素子電極及びシール材の外側に設けられる配線を、Ｃｒに代えてＭｏとＷを含んで成る合金を用いて形成した。この合金を用いれば、（１）非線形抵抗素子としての素子特性がＣｒとほとんど同じであり、（２）シート抵抗値がＣｒとほとんど同じであり、（３）簡便なパターニング手法であるウェットエッチングをパターニング工程で用いることが可能であり、（４）Ｃｕ色や黄色等といった表示に悪影響を与える色ではない、灰色に近い銀系の金属光沢色が得られる。
【００４２】
本発明に係る電気光学装置用基板によれば、第２素子電極及び配線を、Ｃｒを用いることなくＭｏとＷを含んで成る合金を用いて形成したので、環境に悪影響を与えることが無くなった。しかも、以上に説明したように、ＭｏとＷを含んで成る合金は上記の検討項目（１）〜（４）の条件を全て満たしているので、Ｃｒの代替金属として好適である。
【００４３】
また、ＭｏとＷを含んで成る合金は耐腐食性を有する合金である。従って、シール材の外側に設ける配線をこの合金を用いて形成すれば、その配線の耐腐食性を良好に維持できる。特に、ＭｏとＷを含んで成る合金の全体量に対するＷの含有量を増やせば、この合金の耐腐食性の向上が期待できる。その際、本発明者が行った実験によれば、ＭｏとＷを含んで成る合金におけるＷの濃度を６０原子％を越えるように設定しても、耐腐食性はほとんど向上しないことが分かった。それ故、ＭｏとＷを含んで成る合金において、耐腐食性の向上が期待できるＷの濃度は６０原子％までが限度であると考えられる。
【００４４】
一方、本発明者が行った他の実験によれば、ＭｏとＷを含んで成る合金のエッチング性はその合金の全体量に対するＷの含有量が少ない方が良いことが分かった。以上のことから、ＭｏとＷを含んで成る合金の耐腐食性とエッチング性との両方を良好に維持することを考えれば、その合金におけるＷの濃度は６０原子％以下とすることが望ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４５】
（電気光学装置及び電気光学装置用基板の実施形態）
以下、電気光学装置の一例として、半透過反射型でＴＦＤ（Thin Film Diode）駆動方式でカラー表示が可能な液晶表示装置に本発明を適用した場合を例に挙げて本発明の実施形態を説明する。なお、本発明がその実施形態に限定されるものでないことは、もちろんである。また、これからの説明では必要に応じて図面を参照するが、この図面では、複数の構成要素から成る構造のうち重要な構成要素をわかり易く示すため、各要素を実際とは異なった相対的な寸法で示している。
【００４６】
図１は、本発明に係る電気光学装置の一実施形態である液晶表示装置を示している。図２は、図１におけるＡ−Ａ線に従った断面図である。また、図３は、図２において矢印Ｂで示す部分を拡大して示している。図１において、液晶表示装置１は、液晶パネル２と、この液晶パネル２に実装された半導体要素としての駆動用ＩＣ３と、照明装置４とを有する。
【００４７】
液晶パネル２は、図２に示すように、素子基板６ａとカラーフィルタ基板６ｂとをシール材１０で貼り合わせることによって形成される。シール材１０は、図１に示すように、正方形又は長方形、すなわち方形の環状に形成されていて、その一部に液晶注入用の開口１０ａが形成される。図２において、素子基板６ａとカラーフィルタ基板６ｂとの間には隙間、いわゆるセルギャップが形成され、そのセルギャップ内に電気光学物質としての液晶、例えばネマチック液晶が封入されて液晶層７が形成されている。
【００４８】
素子基板６ａは、矢印Ｃが描かれた観察側から見て方形状である第１透光性基板８ａを有する。この第１透光性基板８ａは、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成されている。その第１透光性基板８ａの外側表面には偏光板９ａが貼着等によって装着される。また、カラーフィルタ基板６ｂは透光性ガラス、透光性プラスチック等によって形成された方形状の第２透光性基板８ｂを有する。その第２透光性基板８ｂの外側表面には偏光板９ｂが貼着等によって装着されている。
【００４９】
図３において、素子基板６ａ又はカラーフィルタ基板６ｂのいずれかの表面には、複数の球状のスペーサ３２が分散されている。これら複数のスペーサ３２は、素子基板６ａとカラーフィルタ基板６ｂとを互いに貼り合わせた状態で両基板６ａ，６ｂ間のセルギャップＧを一定に維持するように機能する。そして、そのセルギャップＧ内に液晶層７が形成される。
【００５０】
素子基板６ａを構成する第１透光性基板８ａの液晶側表面には、線状のライン配線２８と、アクティブ素子又はスイッチング素子又は非線形抵抗素子としてのＴＦＤ素子３３と、透光性を有する画素電極２４ａとが形成される。さらに、それらの要素の上に配向膜２６ａが形成され、その配向膜２６ａに配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、その配向膜２６ａの近傍の液晶分子の初期配向が決められる。
【００５１】
画素電極２４ａは、例えば、ＩＴＯを材料としてフォトエッチング処理（すなわち、フォトリソグラフィ処理及びエッチング処理）によって形成される。また、配向膜２６ａは、例えば、ポリイミド溶液を塗布及び焼成して形成したり、オフセット印刷によって形成したりする。
【００５２】
図１において、素子基板６ａの１辺はカラーフィルタ基板６ｂの外側へ張り出して、張出し部４１を構成している。駆動用ＩＣ３はこの張出し部４１の表面に実装されている。この実装は、例えば、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）１２を用いたＣＯＧ（Chip On Glass）技術を用いて行うことができる。
【００５３】
なお、第１透光性基板８ａと駆動用ＩＣ３との接続は、ＣＯＧ技術以外の任意の接続手法を用いることができる。このような接続手法としては、例えば、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）技術を用いてＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）の上にＩＣチップがボンディングされて成るＴＣＰ（Tape Carrier Package）を液晶表示装置に電気的に接続する構成としても良い。また、ＩＣチップを硬質の基板にボンディングするＣＯＢ（Chip On Board）技術を用いても良い。
【００５４】
図３において、カラーフィルタ基板６ｂを構成する第２透光性基板８ｂの液晶側表面には樹脂層１６が形成され、その上に光反射層１７が形成される。また、光反射層１７の上には遮光部材１９が形成され、その遮光部材１９の間にＢ（青），Ｇ（緑），Ｒ（赤）各色の着色要素２１が矢印Ｃ方向から見て所定の平面的な配列で形成される。そして、これら複数の着色要素２１によってカラーフィルタ２２が構成されている。また、遮光部材１９及び着色要素２１の上にはオーバーコート層２３が形成され、その上に透光性を有する帯状電極２４ｂが形成され、その上に配向膜２６ｂが形成される。
【００５５】
オーバーコート層２３は、例えば、エポキシ系又はアクリル系の樹脂材料を塗布及び焼成して形成したり、あるいは、必要に応じて、エポキシ系又はアクリル系の樹脂材料にフォトリソグラフィ処理を施すことによって形成される。また、配向膜２６ｂは、例えば、ポリイミド溶液を塗布及び焼成して形成したり、オフセット印刷によって形成したりする。この配向膜２６ｂには配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、その配向膜２６ｂの近傍の液晶分子の初期配向が決められる。この配向膜２６ｂのラビング方向と素子基板６ａ側の配向膜２６ａのラビング方向は、液晶の特性に応じて適宜の角度で交差するようになっている。
【００５６】
樹脂層１６は第１層１６ａ及びその上に積層された第２層１６ｂを有する。これらの層は同じ材料によって形成できる。第１層１６ａの表面には複数の凹部２７が矢印Ｃ方向から見て平面的に不規則、すなわちランダムに配置されている。このため、第１層１６ａの上に積層された第２層１６ｂの表面には、これらの凹部２７及びそれに隣接する凸部に対応して凹凸が形成されている。第１層１６ａの表面に形成される凹凸は粗い状態であり、これに第２層１６ｂを積層することにより滑らかな凹凸が得られる。第２層１６ｂの表面、すなわち樹脂層１６の表面に凹凸を設けたことにより、その樹脂層１６に積層された光反射層１７の表面にも凹凸が形成される。この凹凸の存在により、光反射層１７に入射した光は散乱光となって反射する。
【００５７】
帯状電極２４ｂは、例えば、ＩＴＯを材料としてフォトリソグラフィ処理及びエッチング処理によって形成される。これらの帯状電極２４ｂは、図３の紙面垂直方向に延びている。また、光反射層１７は、例えば、光反射性の金属材料、例えばＡｌ（アルミニウム）を材料としてフォトリソグラフィ処理及びエッチング処理によって形成される。
【００５８】
着色要素２１は、カラー表示の３原色であるＢ，Ｇ，Ｒの３色によって構成されている。これらの各色の着色要素２１は、矢印Ｃ方向から見たときに所定の平面配列、例えば図４（ａ）に示すストライプ配置や、図４（ｂ）に示すモザイク配置や、図４（ｃ）に示すデルタ配置等に形成されている。
【００５９】
図４（ａ）のストライプ配置は、図の縦方向に同じ色の着色要素２１が並べられる配列である。また、図４（ｂ）のモザイク配置は、図の縦方向及び横方向の両方向で着色要素２１の色が順々に循環的に変化する配列である。そして、図４（ｃ）のデルタ配置は、着色要素２１が三角形の頂点に位置するように配列されると共に横方向の色が順々に循環的に変化する配列である。なお、着色要素２１の配列の仕方に関しては、上記の３種類以外にも種々に提案されているので、必要に応じて、適宜の配列が選択される。
【００６０】
図３において、遮光部材１９は、例えばＣｒ等といった遮光性の材料によって、複数の着色要素２１の間を埋める状態に形成される。環境汚染を防止することを考慮すれば、遮光部材１９はＣｒ以外の材料によって形成することが望ましい。この遮光部材１９は、ブラックマトリクスとして機能して着色要素２１を透過した光によって表示される像のコントラストを向上させる。なお、遮光部材１９は、Ｃｒ等といった特定の材料によって形成されることに限られず、例えば、着色要素２１を構成するＢ，Ｇ，Ｒの各着色要素を重ねること、すなわち積層することによっても形成することができる。
【００６１】
図５は、図２の液晶表示装置１を矢印Ｃが描かれた観察側から見た場合であって、第１透光性基板８ａの図示を省略した状態の液晶表示装置１の平面構造を示している。また、図６は、図２の素子基板６ａを観察側から見た場合であって、第１透光性基板８ａの図示を省略した状態の素子基板６ａの平面構造を示している。なお、図５及び図６は、主に電極及び配線を示しており、それ以外の要素は図示を省略している。
【００６２】
図５において、素子基板６ａに設けられる複数の直線状のライン配線２８は全体としてストライプ状に設けられている。また、複数のＴＦＤ素子３３は個々のライン配線２８に適宜の間隔をおいて接続され、それらのＴＦＤ素子３３に画素電極２４ａが接続されている。図５では、ライン配線２８を少ない本数で模式的に描いてあるが、実際には多数本、例えば２４０本程度が形成される。また、ＴＦＤ素子３３及び画素電極２４ａはシール材１０の四隅部分に対応するものだけを部分的に示してあるが、実際には、シール材１０によって囲まれる領域内の全域に設けられる。また、ＴＦＤ素子３３及びドット電極２４ａは、模式的に大きく描かれているため、数が少ないように描かれているが、実際には図５の縦方向、すなわち上下方向の１列に、それぞれ、例えば３２０個程度形成されている。つまり、画素電極２４ａは、例えば、縦×横＝３２０×２４０個の数だけ設けられている。
【００６３】
図２において素子基板６ａに対向するカラーフィルタ基板６ｂに設けられる複数の帯状電極２４ｂは、図５に示すように、全体としてストライプ状に形成されている。これらの帯状電極２４ｂは、カラーフィルタ基板６ｂと素子基板６ａとをシール材１０によって貼り合わせたとき、ライン配線２８と直角の方向に延び、さらに、横列を成す複数の画素電極２４ａに平面的に重なり合う。このように、帯状電極２４ｂと画素電極２４ａとが重なり合う領域が、表示の最小単位である表示用ドット領域を構成する。この表示用ドット領域は図３において符号Ｄで示す領域である。複数の表示用ドット領域Ｄが縦方向及び横方向に複数個、マトリクス状に並べられた領域が図５に示す表示領域Ｖである。この表示領域Ｖに文字、数字、図形等といった像が表示される。
【００６４】
本実施形態のように、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色から成る着色要素２１を用いてカラー表示を行う場合は、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色に対応する３つの着色要素２１に対応する３つの表示ドット領域Ｄによって１つの画素が形成される。他方、白黒又は任意の１色でモノカラー表示を行う場合は、１つの表示ドット領域Ｄによって１つの画素が形成される。
【００６５】
図６において、第１透光性基板８ａの第１辺８ｃに隣接する２つの辺８ｄ及び８ｅの近傍に、それらの辺に沿って複数の配線３９が形成されている。これらの配線３９は、駆動用ＩＣ３の出力用端子、例えば出力用バンプから出てシール材１０を横切りさらに、第１辺８ｃに対向する第２辺８ｆへ向かって延びる連続した配線である。また、素子基板６ａ上に形成されたライン配線２８は、シール材１０を横切って駆動用ＩＣ３の出力端子、例えば出力バンプに接続される。
【００６６】
図５において、シール材１０の内部には、球形又は円筒形の導通材３５が不規則な分散状態で含まれている。素子基板６ａとカラーフィルタ基板６ｂとを図５に示すように貼り合わせたとき、素子基板６ａ側の配線３９の端部と、カラーフィルタ基板６ｂ側の帯状電極２４ｂの端部とが導通材３５によって導通される。これにより、カラーフィルタ基板６ｂ側の帯状電極２４ｂが素子基板６ａ側の配線３９を通して駆動用ＩＣ３に電気的に接続される。
【００６７】
なお、帯状電極２４ｂと配線３９との導通は、図５の左辺側と右辺側との間で交互に実現されている。しかしながら、これに代えて、表示領域Ｖの上半分に関しては左辺側又は右辺側の一方で導通を行い、表示領域Ｖの下半分に関しては左辺側又は右辺側の他方で導通を行うという導通方法を採用することもできる。
【００６８】
図６において、素子基板６ａを構成する第１透光性基板８ａの張り出し部４１上に実装される駆動用ＩＣ３は、走査信号を出力する駆動用ＩＣ３ａ及び駆動用ＩＣ３ｃと、データ信号を出力する駆動用ＩＣ３ｂとによって構成されている。第１透光性基板８ａの第１辺８ｃ、すなわち入力側の辺には外部接続用端子４９が形成され、これらの端子４９は駆動用ＩＣ３ａ，３ｂ，３ｃの入力用端子、例えば入力用バンプに繋がる。中央の駆動用ＩＣ３ｂの出力端子は素子基板６ａ上のライン配線２８に直接に接続される。一方、両側の駆動用ＩＣ３ａ及び３ｃの出力端子は配線３９に接続され、その配線３９はシール材１０内に分散した導通材３５を介してカラーフィルタ基板６ｂ上の帯状電極２４ｂに接続される。
【００６９】
外部接続用端子４９には、回路基板として、例えば可撓性配線基板（図示せず）が、ハンダ付け、ＡＣＦ、ヒートシール等といった導電接続手法によって接続される。この回路基板を介して、電子機器、例えば携帯電話機、携帯情報端末機から液晶表示装置１へ信号、電力等が供給される。
【００７０】
図３において、光反射層１７には、個々の表示用ドット領域Ｄに対応して光通過用の貫通穴、すなわち開口３４が設けられる。これらの開口３４は、光反射層１７に光を透過させる機能を持たせるための構成であるが、この開口３４を設ける代わりに光反射層１７の厚さを薄くして、光を反射する機能と光を透過させる機能の両方を持たせるようにすることもできる。表示用ドット領域Ｄのうち、光反射層１７が存在する領域は反射部Ｒを構成し、開口３４に対応する領域は透過部Ｔを構成する。
【００７１】
図７は、図６の矢印Ｅで示す部分、すなわち複数の画素電極２４ａとＴＦＤ素子３３のうちの１つを拡大して示している。個々のＴＦＤ素子３３は、図７に示すように、第１ＴＦＤ要素３３ａと第２ＴＦＤ要素３３ｂとを直列に接続することによって形成されている。このＴＦＤ素子３３とライン配線２８とは同じ材料を積層することによって形成される。例えば、まず、ＴａＷ（タンタル・タングステン）によってライン配線２８の第１層２９及びＴＦＤ素子３３の第１素子電極３６を形成する。次に、陽極酸化処理によってライン配線２８の第２層３０及びＴＦＤ素子３３の絶縁層３７を形成する。次に、ライン配線２８の第３層３１及びＴＦＤ素子３３の第２素子電極３８を形成する。
【００７２】
本実施形態において、図６の配線３９は、図７のライン配線２８と同じ材料を積層して形成される。つまり、配線３９は、上記のライン配線２８と同様にしてＴＦＤ素子３３と同時に形成される。
【００７３】
第１ＴＦＤ要素３３ａの第２素子電極３８はライン配線２８の第３層３１から延びている。また、第２ＴＦＤ要素３３ｂの第２素子電極３８の先端に重なるように、画素電極２４ａが形成される。ライン配線２８から画素電極２４ａへ向けて電気信号が流れることを考えれば、その電流方向に従って、第１ＴＦＤ要素３３ａでは第２電極３８→絶縁層３７→第１素子電極３６の順に電気信号が流れ、一方、第２ＴＦＤ要素３３ｂでは第１素子電極３６→絶縁層３７→第２素子電極３８の順に電気信号が流れる。
【００７４】
つまり、第１ＴＦＤ要素３３ａと第２ＴＦＤ要素３３ｂとの間では電気的に逆向きの一対のＴＦＤ要素が互いに直列に接続されている。このような構造は、一般に、バック・ツー・バック（Back-to-Back）構造と呼ばれており、この構造のＴＦＤ素子は、ＴＦＤ素子を１個のＴＦＤ要素だけによって構成する場合に比べて、安定した特性を得られることが知られている。なお、ＴＦＤ素子の安定化がそれ程に必要でない場合には、１つのＴＦＤ要素のみでＴＦＤ素子を構成しても良い。
【００７５】
次に、図１において、液晶パネル２を構成するカラーフィルタ基板６ｂの外側表面に対向して配設された照明装置４は、例えば、透光性を有するプラスチックによって形成された方形状で板状の導光体４２と、点状光源としてのＬＥＤ４３とを有する。図２に示すように、導光体４２のうち液晶パネル２と反対側の面には光反射シート４４を装着することができる。また、導光体４２のうち液晶パネル２に対向する面には光拡散シート４６を装着することができる。また、光拡散シート４６の上に、さらに、プリズムシート（図示せず）を装着することもできる。ＬＥＤ４３は本実施形態では３個使用しているが、ＬＥＤ４３は必要に応じて１個とすることもでき、あるいは、３個以外の複数個とすることもできる。また、ＬＥＤ等といった点状光源に代えて、冷陰極管等といった線状光源を用いることもできる。以上のように構成された照明装置４は、液晶パネル２を背面から照明するバックライトとして機能する。
【００７６】
図８は、図１の液晶表示装置１の電気的な等価回路を示している。図８において、複数本の走査線４７が行方向Ｘに延びるように形成され、さらに、複数本のデータ線４８が列方向Ｙに延びるように形成されている。走査線４７は図１の帯状電極２４ｂによって実現され、データ線４８は図１のライン配線２８によって実現される。表示用ドット領域Ｄは走査線４７とデータ線４８との各交差部分に形成される。各表示用ドット領域Ｄにおいては、液晶層７と、ＴＦＤ素子３３とが直列に接続されている。本実施形態では、液晶層７が走査線４７の側に接続され、ＴＦＤ素子３３がデータ線４８の側に接続されている。各走査線４７は、走査線駆動回路５１によって駆動される。一方、各データ線４８は、データ線駆動回路５２によって駆動される。走査線駆動回路５１は図１の駆動用ＩＣ３ａ，３ｃによって構成され、データ線駆動回路５２は図１の駆動用ＩＣ３ｂによって構成される。
【００７７】
以上のように構成された液晶表示装置１によれば、図１において、液晶表示装置１が明るい室外や明るい室内に置かれる場合は、太陽光や室内光等といった外部光を用いて、反射型の表示が行われる。一方、液晶表示装置１が暗い室外や暗い室内に置かれる場合は、照明装置４をバックライトとして用いて透過型の表示が行われる。
【００７８】
反射型表示を行う場合、図３において、矢印Ｃで示す観察側から素子基板６ａを通して液晶パネル２内へ入射した外部光Ｌ０は、液晶層７を通過してカラーフィルタ基板６ｂ内へ入った後、反射部Ｒにおいて光反射層１７で反射して再び液晶層７へ供給される。他方、透過型表示を行う場合、図１の照明装置４のＬＥＤ４３が点灯し、それらの光が導光体４２の光入射面４２ａから導光体４２へ導かれ、さらに、光出射面４２ｂから面状の光として出射する。この出射光は、図３の符号Ｌ１で示すように透過部Ｔにおいて開口３４を通って液晶層７へ供給される。
【００７９】
こうして液晶層７へ光が供給される間、カラーフィルタ基板６ｂ側の帯状電極２４ｂと素子基板６ａ側の画素電極２４ａとの間には、走査信号及びデータ信号によって選択される表示用ドット領域Ｄに所定の電圧が印加される。これにより、液晶層７内の液晶分子の配向が表示ドット領域Ｄごとに制御され、この結果、液晶層７に供給された光が表示用ドット領域Ｄごとに変調される。この変調光が図１に示す素子基板６ａ側の偏光板９ａの偏光特性に従って表示用ドット領域Ｄごとにその偏光板９ｂを透過し又はその偏光板９ｂで吸収等され、これにより、素子基板６ａの表面に文字、数字、図形といった像が表示される。そして、この像が矢印Ｃが描かれた観察側から視認される。
【００８０】
ところで、図７に示すＴＦＤ素子３３の第２素子電極３８、ライン配線２８、及び図６に示す配線３９は、従来、Ｃｒを用いて形成されることが多かった。しかしながら、このＣｒは環境汚染の観点から見て、必ずしも最良の材料ではなかった。これに対して、本実施形態では、Ｍｏ（モリブデン）とＷ（タングステン）を含んで成る合金、例えば、ＭｏＷ（モリブデン・タングステン）をＣｒの代替金属として用いて第２素子金属３８、ライン配線２８、配線３９を形成するようにした。
【００８１】
このＭｏとＷを含んで成る合金は、環境汚染の心配がなく、しかも、（１）素子特性がＣｒを用いる場合とほぼ同じであり、（２）シート抵抗値がＣｒを用いる場合とほぼ同じであり、（３）Ｃｒと同様にウェットエッチング処理によってパターニングでき、（４）Ｃｒと同様に灰色に近い銀系の金属光沢色を有するといった、ＴＦＤ素子３３の第２素子電極３８として好ましい機能を発揮することができる。
【００８２】
また、本実施形態に係る液晶表示装置１においては、図６において、配線３９は、シール材１０によって囲まれる領域に位置する部分である内側配線３９ａと、シール材１０の外側に位置する部分である外側配線３９ｂとを有する。また、ライン配線２８も、シール材１０によって囲まれる領域に位置する部分である内側配線２８ａと、シール材１０の外側に位置する部分である外側配線２８ｂとを有する。なお、シール材１０と重なる部分の配線は内側配線である。外側配線２８ｂ、３９ｂと内側配線２８ａ、３９ａとは継ぎ目のない連続した１本の配線を形成している。
【００８３】
これらの外側配線２８ｂ及び３９ｂは、シール材１０の外側に位置しているので、内側配線２８ａ及び３９ａに比べて水分や汚れが付着し易い。つまり、外側配線２８ｂ及び３９ｂは内側配線２８ａ及び３９ａに比べて腐蝕し易い環境下にある。仮に配線に腐蝕が生じた場合、配線の抵抗値が変化したり配線が断線したりすることにより、液晶表示装置の表示部に表示むらが生じるおそれがある。
【００８４】
本実施形態において、ライン配線２８及び配線３９は、ＴＦＤ素子３３の第２素子電極３８（図７参照）と同じ材料、すなわちＭｏＷによって形成している。このＭｏＷは耐腐食性を有する合金である。従って、このＭｏＷを用いて形成したライン配線２８及び配線３９は、耐腐食性を良好に維持できる。特に、ＭｏＷの全体量に対するＷの含有量を増やせば、ＭｏＷの耐腐食性の向上、すなわちライン配線２８及び配線３９の耐腐食性の向上が期待できる。なお、ライン配線２８および配線３９は、ＭｏＷによって形成された外側配線２８ｂ，３９ｂと、他の材料によって形成された内側配線２８ａ，３９ａとを接続する構造であっても良い。
【００８５】
本実施形態において、ＴＦＤ素子３３の第２素子電極３８、ライン配線２８及び配線３９にＭｏＷを用いる際には、本発明者が行った実験によれば、耐腐食性の向上が期待できるＭｏＷのＷ濃度は６０原子％までが限度であると考えられる。ＭｏＷの耐腐食性を考えた場合、Ｗ濃度を６０原子％以上にしてもそれ以上の効果は望めないと考えられる。一方、本発明者が行った他の実験によれば、ＭｏＷのエッチング性はＭｏＷの全体量に対するＷの含有量が少ない方が良いことが分かった。以上のことから、ＭｏＷの耐腐食性とエッチング性との両方を維持することを考えれば、ＭｏＷのＷ濃度は６０原子％以下とすることが望ましい。
【００８６】
この際、ＭｏＷのＷ濃度が３０原子％よりも低いと、ライン配線２８及び配線３９の耐腐食性、特に、図６のシール材１０の外側に形成する外側配線２８ｂ及び３９ｂの耐腐食性が、実用上十分でないと考えられる。一方、ＭｏＷのＷ濃度が４０原子％を越えると、第２素子電極３８、ライン配線２８及び配線３９のエッチングに要する時間が長くなり、ＴＦＤ素子や配線の量産に支障をきたす可能性がある。これらのことから、ＭｏＷのＷ濃度は、３０原子≦Ｗ濃度≦４０原子％であることがより望ましい。こうすれば、外側配線２８ｂ及び３９ｂの耐腐蝕性を確保しつつ、速くて確実なエッチングを行うことができる。
【００８７】
（変形例）
上記実施形態では、図５に示すライン配線２８及び配線３９を図７のＴＦＤ素子３３と同じ積層構造に形成した。しかしながら、図５のライン配線２８及び配線３９は、図７のＴＦＤ素子３３の第２素子電極３８と同じ材料を用いた単層構造に形成することもできる。
【００８８】
また、上記実施形態では、着色要素２１及び光反射層１７の両方を１つの基板であるカラーフィルタ基板６ｂ内に設ける場合を例示したが、これに代えて、光反射層１７を一方の基板に設け、着色要素２１を他方の基板に設ける構成の液晶表示装置にも本発明を適用できる。
【００８９】
また、上記実施形態では、着色要素２１と遮光部材１９とを同じ基板上に形成したが、それらを異なる基板上に形成することもできる。
【００９０】
また、上記実施形態では本発明を液晶表示装置に適用したが、本発明は、液晶表示装置以外の電気光学装置、例えば有機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ装置等において、ＴＦＤ素子、あるいはその他の非線形抵抗素子を使用する場合にも適用できる。
【００９１】
（電気光学装置の製造方法の実施形態）
以下、本発明に係る電気光学装置の製造方法の実施形態を図１に示した液晶表示装置１を製造する場合を例に挙げて説明する。図９は、液晶表示装置の製造方法の一例を工程図として示している。図９において、工程Ｐ１から工程Ｐ６が図１の素子基板６ａを形成するための工程である。また、工程Ｐ１１から工程Ｐ１８が図１のカラーフィルタ基板６ｂを形成するための工程である。また、工程Ｐ２１から工程Ｐ２８がそれらの基板を組み合わせて液晶表示装置を完成させるための工程である。
【００９２】
なお、本実施形態の製造方法では、図１に示す素子基板６ａ及びカラーフィルタ基板６ｂを１つずつ形成するのではなく、素子基板６ａに関しては、複数の素子基板６ａを形成できる大きさの面積を有する素子側マザー基板を用いて複数の素子基板６ａを同時に形成する。また、カラーフィルタ基板６ｂに関しては、複数のカラーフィルタ基板６ｂを形成できる大きさの面積を有するカラーフィルタ側マザー基板を用いて複数のカラーフィルタ基板６ｂを同時に形成する。素子側マザー基板及びカラーフィルタ側マザー基板は、例えば、透光性ガラス、透光性プラスチック等によって形成される。
【００９３】
まず、図９の工程Ｐ１において、素子側マザー基板の表面に図５のＴＦＤ素子３３、ライン配線２８、配線３９を形成する。次に、工程Ｐ２において、画素電極２４ａをＩＴＯを材料としてフォトリソグラフィ処理及びエッチング処理によって形成する。次に、工程Ｐ３において、図３の配向膜２６ａを塗布や印刷等によって形成し、さらに工程Ｐ４において、その配向膜２６ａに配向処理、例えばラビング処理を施す。次に、工程Ｐ５において、例えばエポキシ系の樹脂を材料として印刷等によって図１のシール材１０を形成し、さらに、工程Ｐ６において、表面に図３のスペーサ３２を分散する。以上により、素子側マザー基板の上に素子基板６ａの複数個分の要素が形成されて素子側マザー基板が形成される。
【００９４】
次に、図９の工程Ｐ１１において、カラーフィルタ側マザー基板の表面上に図３の樹脂層１６の第１層１６ａを、例えば感光性レジスト材料を材料としてフォトリソグラフィ処理によって形成する。この処理の際に、ランダムに分散した多数の凹凸によって形成される凹凸パターンが第１層１６ａの表面に形成される。その後、図３において、第１層１６ａの上に同じ材料の第２層１６ｂを薄く塗布して、樹脂層１６を形成する。第２層１６ｂを積層するのは、凹部又は凸部の表面を滑らかにするためである。
【００９５】
次に、図９の工程Ｐ１２において、図３の光反射層１７を、例えばＡｌやＡｌ合金等を材料としてフォトリソグラフィ処理及びエッチング処理によって形成する。このとき、表示用ドット領域Ｄごとに開口３４を形成することにより、光反射部Ｒと透光部Ｔを形成する。樹脂層１６の表面には凹凸パターンが形成されているので、その上に積層された光反射層１７にも同様の凹凸パターンが形成される。この凹凸パターンを有する反射層１７に光が当って反射する場合には、その反射光は散乱光となる。
【００９６】
次に、工程Ｐ１３において、図３の遮光部材１９を、例えばＣｒを材料としてフォトリソグラフィ処理及びエッチング処理によって所定のパターン（例えば、複数の表示用ドット領域Ｄの周りを埋めるような格子状パターン）に形成する。環境への影響を考慮する場合にはＣｒ以外の材料を用いることもできる。次に、工程Ｐ１４において、図３の着色要素２１を形成する。着色要素２１については、Ｂ，Ｇ，Ｒの各色ごとに順々に形成する。例えば、各色の顔料や染料を感光性樹脂に分散させて成る着色材料をフォトリソグラフィ処理によって所定の配列に形成する。次に、工程Ｐ１５において、図３のオーバーコート層２３を、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等といった感光性樹脂を材料としてフォトリソグラフィ処理によって形成する。
【００９７】
次に、図９の工程Ｐ１６において、図３の帯状電極２４ｂをＩＴＯを材料としてフォトリソグラフィ処理及びエッチング処理によって形成し、さらに工程Ｐ１７において図３の配向膜２６ｂを形成し、さらに工程Ｐ１８において配向処理としてのラビング処理を行う。以上により、カラーフィルタ側マザー基板の上に複数のカラーフィルタ基板６ｂが形成されてカラーフィルタ側マザー基板が形成される。
【００９８】
その後、図９の工程Ｐ２１において、素子側マザー基板とカラーフィルタ側マザー基板とを貼り合わせる。これにより、素子側マザー基板とカラーフィルタ側マザー基板とが個々の液晶表示装置の領域において図１のシール材１０を挟んで貼り合わされた構造の大面積のパネル構造体が形成される。
【００９９】
次に、以上のようにして形成された大面積のパネル構造体に含まれるシール材１０を、工程Ｐ２２において硬化させて両マザー基板を接着する。次に、工程Ｐ２３において、パネル構造体を１次切断、すなわち１次ブレイクして、図１の液晶パネル２の複数が１列に並んだ状態で含まれる中面積のパネル構造体、いわゆる短冊状のパネル構造体を複数形成する。シール材１０には予め適所に開口１０ａ（図１参照）が形成されており、上記の１次ブレイクによって短冊状のパネル構造体が形成されると、そのシール材１０の開口１０ａが外部に露出する。
【０１００】
次に、図９の工程Ｐ２４において、上記のシール材の開口１０ａを通して各液晶パネル部分の内部へ電気光学物質としての液晶を注入し、その注入の完了後、その開口１０ａを樹脂によって封止する。次に、工程Ｐ２５において、２回目の切断、すなわち２次ブレイクを行い、短冊状のパネル構造体から図１に示す個々の液晶パネル２を切り出す。
【０１０１】
次に、図９の工程Ｐ２６において、図１の駆動用ＩＣ３を実装する。次に、工程Ｐ２７において、図１の液晶パネル２に偏光板９ａ及び９ｂを貼着によって装着し、さらに工程Ｐ２８において、図１の照明装置４を取り付ける。これにより、液晶表示装置１が完成する。
【０１０２】
図１０は、図９におけるＴＦＤ素子、配線及び画素電極の形成工程Ｐ１、２の一実施形態を示している。このＴＦＤ素子、配線及び画素電極の形成工程は、図７に示すＴＦＤ素子３３であって、第２素子電極３８をＭｏとＷを含んで成る合金であるＭｏＷによって形成したものを製造するための工程である。また、図５に示すライン配線２８及び配線３９をＭｏＷによって形成するための工程である。また、図７の画素電極２４ａをａ−ＩＴＯによって形成するための工程である。このＴＦＤ素子、配線及び画素電極の形成工程は、大きく分けて、下地層形成工程Ｑ１、第１素子電極３６等を形成する工程Ｑ２、絶縁層３７等を形成する工程Ｑ３、第２素子電極３８等を形成する工程Ｑ４、そして電極２４ａを形成する工程Ｑ５から成っている。なお、図７では、下地層形成工程によって形成される下地層の図示は省略されている。
【０１０３】
より具体的に説明すれば、まず、工程Ｐ３１において、Ｔａ２Ｏ５をスパッタ処理によって成膜して下地層を形成する。次に、工程Ｐ３２において、ＴａＷ（タンタル・タングステン）をスパッタ処理によって一様な厚さで成膜する。次に、工程Ｐ３３において、フォトエッチング処理（すなわち、フォトリソグラフィ処理及びエッチング処理）により、図７の第１素子電極３６を素子ごとに分割されていない一体の状態（以下、単に一体状態という）に形成し、さらに、ライン配線２８及び配線３９の第１層２９を形成する。なお、エッチング後のレジスト剥離処理はＨ２ＳＯ４溶液を用いて行われる。
【０１０４】
一体状態の第１素子電極３６とは、島状でない連続した状態の第１素子電極３６ということである。図７に示す第１素子電極３６は個々の画素電極２４ａに対して１つずつ島状に独立している。図１０の第１素子電極形成工程Ｑ２では、島状の第１素子電極３６をいきなり形成するのではなく、ライン配線２８の第１層２９につながる第１素子電極３６又は複数の島状の第１素子電極３６が互いに連続する状態の第１素子電極３６が形成される。このとき、ライン配線２８につながる第１素子電極３６や互いに連続して線状に延びる第１素子電極３６が一体状態の第１素子電極３６ということである。
【０１０５】
次に、工程Ｐ３４において、クエン酸水溶液中で１０Ｖの電圧で陽極酸化処理を行って、層厚約２００Åの図７に示す絶縁層３７、ライン配線２８及び配線３９の第２層３０を形成する。次に、工程Ｐ３５において、温度３２０℃で第１回目のアニール処理、すなわちアニールＡを実行する。このアニールＡは、絶縁層３７の膜質を整えるために行われる。次に、工程Ｐ３６において、Ｈ２ＳＯ４溶液を用いて不要な部分の絶縁層３７及び第１素子電極３６を剥離して、島状の第１素子電極３６及び絶縁層３７を形成する。
【０１０６】
ここで、本実施形態における島状に分離する工程Ｐ３６を理解するために、ＴＦＤ素子の第２素子電極をＣｒによって形成するようにした従来のＴＦＤ素子の製造方法について考える。図１１は、従来のＴＦＤ素子の一例を示している。図１１の従来方法は、図１０の実施形態と同様に、下地層形成工程Ｑ１、一体状態の第１素子電極形成工程Ｑ２、絶縁層形成工程Ｑ３、第２素子電極形成工程Ｑ４、及び電極形成工程Ｑ５によって構成される。従来の方法において、Ｔａ２Ｏ５のスパッタ工程Ｐ５１からアニールＡ工程Ｐ５５までの処理は、図１０の実施形態と同様に行うことができる。
【０１０７】
図１０の本実施形態では、絶縁層等形成工程Ｑ３を実行した後、第２素子電極等形成工程Ｑ４を実行する前に島状に分離する工程Ｐ３６を実行しているが、図１１の従来の方法では、絶縁層等形成工程Ｑ３の後、さらに第２素子電極等形成工程Ｑ４を実行した後に、島状に分離する工程Ｐ５８を行っている。この違いについて説明すれば次の通りである。すなわち、本発明に係るＴＦＤ素子では第２素子電極をＣｒからＭｏＷに変更した。このＭｏＷがＴＦＤ素子の第２素子電極として存在すると、島状に分離する工程Ｐ５８におけるＨ２ＳＯ４を用いた剥離処理の際に第２素子電極であるＭｏＷが溶けて消失してしまうおそれがある。この現象を避けるため、本実施形態では、工程Ｐ３６〜Ｐ３８のように、ＭｏＷを積層する前に島状に分離して、第１素子電極及び絶縁層の島状部分を形成するようにした。
【０１０８】
次に、図１０の工程Ｐ３７において、第２素子電極３８、ライン配線２８及び配線３９の第３層３１の材料であるＭｏＷをスパッタ処理によって膜厚約０．２μｍに形成する。次に、工程Ｐ３８において、ＭｏＷに対してフォトリソグラフィ処理及びエッチング処理を施すことにより、ＭｏＷを第２素子電極３８、ライン配線２８の第３層３１及び配線３９の第３層３１のための所定の形状にパターニングする。
【０１０９】
本実施形態において、ライン配線２８の第３層及び配線３９の第３層は、ＴＦＤ素子３３の第２素子電極３８（図７参照）と同じ材料、すなわちＭｏＷによって形成している。このＭｏＷは耐腐食性を有する合金である。従って、このＭｏＷを用いて形成したライン配線２８及び配線３９は、耐腐食性を良好に維持できる。特に、ＭｏＷの全体量に対するＷの含有量を増やせば、ＭｏＷの耐腐食性の向上、すなわちライン配線２８及び配線３９の耐腐食性の向上が期待できる。
【０１１０】
上記のように、ＴＦＤ素子３３の第２素子電極３８、ライン配線２８及び配線３９にＭｏＷを用いる際には、本発明者が行った実験によれば、耐腐食性の向上が期待できるＭｏＷにおけるＷの濃度は６０原子％までが限度であると考えられる。ＭｏＷの耐腐食性を考えた場合、Ｗの濃度を６０原子％以上にしてもそれ以上の効果は望めないと考えられる。一方、本発明者が行った他の実験によれば、ＭｏＷのエッチング性はＭｏＷの全体量に対するＷの含有量が少ない方が良いことが分かった。以上のことから、ＭｏＷの耐腐食性とエッチング性との両方を維持することを考えれば、ＭｏＷにおけるＷの濃度は６０原子％以下とすることが望ましい。
【０１１１】
この際、ＭｏＷのＷ濃度が３０原子％よりも低いと、ライン配線２８及び配線３９の耐腐食性、特に、図６のシール材１０の外側に形成する外側配線２８ｂ及び３９ｂの耐腐食性が、実用上十分でないと考えられる。一方、ＭｏＷのＷ濃度が４０原子％を越えると、第２素子電極３８、ライン配線２８及び配線３９のエッチングに要する時間が長くなり、ＴＦＤ素子や配線の量産に支障をきたす可能性がある。これらのことから、ＭｏＷのＷ濃度は、３０原子％≦Ｗ濃度≦４０原子％であることがより望ましい。こうすれば、外側配線２８ｂ及び３９ｂの耐腐蝕性を確保しつつ、速くて確実なエッチングを行うことができる。
【０１１２】
また、本発明者等の実験によれば、燐硝酢酸水溶液の硝酸濃度を２％にすれば、ＭｏＷに対して良好なエッチングができることが分かった。また、レジスト剥離は、Ｈ２ＳＯ４溶液ではなくＭｏ系合金を溶かさない有機溶剤を用いる。
【０１１３】
次に、図１０の電極形成工程Ｑ５において、図７のＴＦＤ素子３３の第２ＴＦＤ要素３３ｂの第２素子電極３８に接触するように、画素電極２４ａを形成する。具体的には、工程Ｐ３９において、ａ（アモルファス）−ＩＴＯをスパッタ処理によって一様な膜厚で形成する。例えば、Ａｒ（アルゴン）流量１００ＳＣＣＭ、Ｏ２流量０．４ＳＣＣＭ、トータル圧力０．８パスカルの混入ガスの下、２３℃の室温で５００Åのａ−ＩＴＯを成膜した。なお、図１１の従来方法では、工程Ｐ５９で、アモルファス組成でないＩＴＯを成膜した。ａ−ＩＴＯは、アモルファス組成でないＩＴＯをスパッタ処理するときに比べて、スパッタ温度を低く（本実施形態では２３℃に）設定することによって実現できる。
【０１１４】
次に、工程Ｐ４０において、ａ−ＩＴＯの層膜に対してフォトリソグラフィ処理及びエッチング処理を施すことにより、ａ−ＩＴＯを希望する画素電極形状にパターニングする。このときのエッチング処理は、エッチング液として蓚酸（（ＣＯＯＨ）２）、例えば関東化学社製のＩＴＯ―０６Ｎを用いて、４０℃で４０秒間行った。
【０１１５】
図１１に示す従来の方法では工程Ｐ６０において、王水系エッチング液（ＨＮＯ３：ＨＣｌ：Ｈ２Ｏ＝１：１０：１０）を用いてＩＴＯをエッチング処理した。本実施形態においてＩＴＯのためのエッチング液として王水系エッチング液よりも弱い酸である蓚酸を用いたのは、ＴＦＤ素子の第２素子電極を形成するＭｏＷが王水系エッチング液に耐えることができないが、蓚酸には耐えることができるからである。ＩＴＯをアモルファス組成のａ−ＩＴＯとして成膜し、これに蓚酸によるエッチングを行うことにより、ＭｏＷのパターンを維持しつつ、ＩＴＯのパターニングを可能にしている。レジスト剥離は、Ｈ２ＳＯ４溶液ではなくＩＴＯを溶かさない有機溶剤を用いる。
【０１１６】
次に、図１０の工程Ｐ４１において、第２素子電極３８の化学的構造を安定化させるために、第２回目のアニール処理であるアニールＢを実行する。具体的には、２５０℃で６０分のアニール処理を行う。なお、ＴＦＤ素子３３の素子特性を表すものとして、保持特性を表す抵抗値Ｒ４及び書込み特性を表す抵抗値Ｒ１０がある。抵抗値Ｒ４は、ＴＦＤ素子に保持電圧として４Ｖを印加したときの抵抗値であり、抵抗値Ｒ１０は、ＴＦＤ素子に書込み電圧として１０Ｖを印加したときの抵抗値である。工程Ｐ４１のアニール処理を行うにあたって、アニール温度条件及びアニール時間が変化すると、ＴＦＤ素子におけるＲ４及びＲ１０が変化する。本実施形態において、図１０の工程Ｐ４１のアニールＢは、ＴＦＤ素子３３の素子特性が
Ｒ４  ＝１×１０１２
Ｒ１０＝１×１０９
となることを目指して行われる。なお、工程Ｐ４１のアニールＢを行うことにより、ａ−ＩＴＯは多結晶ＩＴＯに戻る。これにより、ＩＴＯの透明性が確保される。
【０１１７】
（変形例）
以上の実施形態では、液晶表示装置を製造する場合を例に挙げて本発明に係る電気光学装置の製造方法を説明したが、本発明は、液晶表示装置以外の電気光学装置、例えば、有機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ装置等を製造する場合にも適用できる。
【実施例１】
【０１１８】
次の条件でエッチング処理を行った。
（１）（ａ）Ｗ濃度が０％のＭｏ単体、（ｂ）Ｗ濃度が５原子％のＭｏＷ、（ｃ）Ｗ濃度が１０原子％のＭｏＷ、（ｄ）Ｗ濃度が２０原子％のＭｏＷ、及び（ｅ）Ｗ濃度が３５原子％のＭｏＷの５種類の金属によってＴＦＤ素子の第２素子電極を、いずれも膜厚２０００Åで形成した。
（２）ＭｏＷのエッチング液として、（ａ）従来から用いられていた燐硝酢酸水溶液（硝酸濃度１％）、（ｂ）燐硝酢酸水溶液（硝酸濃度２％）、（ｃ）燐硝酢酸水溶液（硝酸濃度３％）の３種類を液温４０℃及び液温５０℃で用いた。
（３）２ｃｍ×１ｃｍのＭｏＷをビーカーに入れ、揺動なしでビーカー内でエッチングを行い、ジャストエッチング、すなわち希望のエッチング量が得られたこと、を目視で確認した。
【０１１９】
その結果、図１３及び図１４に示す結果を得た。図１３は、上記（２）のエッチング液の液温を４０℃にしたときであって、ＭｏＷをサンプルとしたときのジャストエッチング時間を、Ｗの含有率ごとに示した棒グラフである。また、図１４は、上記（２）のエッチング液の液温を５０℃にしたときであって、ＭｏＷをサンプルとしたときのジャストエッチング時間を、Ｗの含有率ごとに示した棒グラフである。
【０１２０】
以上の実験結果から次のことが分かった。
（１）Ｗ濃度が高くなるとエッチングしづらくなるが、エッチング液の硝酸濃度を上げることでエッチング時間を速めることができる。特に、Ｗ濃度の低い領域でその効果が大きい。
（２）Ｗ濃度が高くなるにつれ、硝酸濃度に対するエッチング時間の長さが逆傾向になる。
（３）２０００ÅのＭｏＷにおいて、エッチング時間を考慮した量産適応可能なＷ濃度は３５原子％以下、望ましくは２０％以下であった。
（４）ＭｏＷは、燐硝酢酸水溶液（硝酸濃度１％）ではエッチングしづらいが、硝酸濃度を２〜３％にすることでエッチングレートを上げる、すなわちエッチング時間を速くする、ことができる。
（５）２０００Å、燐硝酢酸水溶液（硝酸濃度２％）、液温５０℃の条件で、Ｗ濃度３５％までのエッチング時間は３９１秒であり、液晶表示装置の製造過程において実用上適用可能な範囲であると考えられる。
【実施例２】
【０１２１】
次の条件でＭｏＷの電蝕に関する実験を行った。
（１）図１５に示すように、純水中において、Ｌ１×Ｌ２＝３０μｍ×５０μｍの寸法を有した２つの電極を、距離Ｔ＝１０μｍ離した位置に対峙させた。
（２）使用する電極は、（ａ）Ｗ濃度が０％のＭｏ単体、（ｂ）Ｗ濃度が５原子％のＭｏＷ、（ｃ）Ｗ濃度が１０原子％のＭｏＷ、（ｄ）Ｗ濃度が２０原子％のＭｏＷ、及び（ｅ）Ｗ濃度が３５原子％のＭｏＷの５種類の金属を用いて形成した。
（３）（ａ）〜（ｅ）の５種類の電極に関して、対峙させた電極間に電圧を印加し、そのときの最大貫通電流（すなわち、反応電流）を計測した。
【０１２２】
その結果、図１６に示す結果を得た。図１６は、電極のＷ濃度と、両電極間に電圧を印加したときに流れる電流値との関係を近似的に表している。実線は、実際に計測を行った結果を示し、破線は、電極のＷ濃度を上げた場合の結果を予測した外挿線を示している。
【０１２３】
以上の実験結果から次のことが分かった。
（１）電極のＷ濃度が上がると共に、反応電流が減少した。つまり、ＭｏＷはＷ濃度を上げることで腐蝕し難くなることが分かった。
（２）図１６において破線で示すように、電極の腐蝕が進行しないＷ濃度は、６０原子％以上であると推測される。
（３）耐腐食性とエッチング性の両方を維持することを考えた場合、ＭｏＷのＷ濃度は６０原子％以下であることが望ましい。
（４）実施例１の結果を考慮すれば、実用上における電極の耐腐食性と、実用上における電極のエッチング性の両方を維持することを考えた場合、ＭｏＷのＷ濃度は３０原子％≦Ｗ濃度≦４０原子％とすることがより望ましい。
【図面の簡単な説明】
【０１２４】
【図１】本発明に係る電気光学装置の一実施形態である液晶表示装置の一例を分解状態で示す斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に従った断面図である。
【図３】図２において矢印Ｂで示す部分を拡大して示す断面図である。
【図４】着色要素の配列例を示す図である。
【図５】図２の矢印Ｃに従った液晶表示装置の平面図である。
【図６】図２の矢印Ｃに従って素子基板を示す平面図である。
【図７】図１の装置で用いるＴＦＤ素子の一例を示す斜視図である。
【図８】図１の液晶表示装置の電気等価回路を示す回路図である。
【図９】本発明に係る電気光学装置の製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図１０】図９の主要工程の内容を示す工程図である。
【図１１】図１０に対応する従来の工程を示す工程図である。
【図１２】ＴＦＤ素子の素子特性を示すグラフである。
【図１３】ＭｏＷに関して行った実験の結果を示すグラフである。
【図１４】ＭｏＷに関して行った実験の他の結果を示すグラフである。
【図１５】ＭｏＷに関して行った実験で用いた装置を示す模式図である。
【図１６】図１５の装置を用いて行った実験の結果を示すグラフである。
【符号の説明】
【０１２５】
１．液晶表示装置（電気光学装置）、  ２．液晶パネル、  
３，３ａ，３ｂ，３ｃ．駆動用ＩＣ、  ４．照明装置、  ６ａ．素子基板、  
６ｂ．カラーフィルタ基板、  ７．液晶層、  ８ａ．第１透光性基板、
８ｂ．第２透光性基板、  ９ａ，９ｂ．偏光板、  １０．シール材、
１０ａ．液晶注入用開口、  １２．ＡＣＦ、  １６．樹脂層、  １６ａ．第１層、
１６ｂ．第２層、  １７．光反射膜、  １９．遮光部材、  ２１．着色要素、
２２．カラーフィルタ、  ２３．オーバーコート層、  ２４ａ．画素電極、
２４ｂ．帯状電極、  ２６ａ，２６ｂ．配向膜、  ２７．凹部、  ２８．ライン配線、
２９．第１層、  ３０．第２層、  ３１．第３層、  ３２．スペーサ、  
３３．ＴＦＤ素子（非線形抵抗素子）、  ３４．開口、  ３５．導通材、
３６．第１素子電極、  ３７．絶縁層、  ３８．第２素子電極、  ３９．配線、
４１．張出し部、  ４２．導光体、  ４３．ＬＥＤ、  ４４．光反射シート、
４６．光拡散シート、  ４７．走査線、  ４８．データ線、  ４９．外部接続用端子、
５１．走査線駆動回路、  ５２．データ線駆動回路、  Ｇ．セルギャップ、  
Ｌ０．外部光、  Ｌ１．透過光、  Ｒ．反射部、  Ｔ．透過部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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