(57)【要約】【課題】積層配線基板の作製途中で、積層配線基板の特性インピーダンスを容易に測定できる測定端点付積層配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】コア層の片面もしくは両面に絶縁層を介して複数の配線層とインピーダンス測定用テストパターンとグランド層とが形成されてなる積層配線基板であって、前記コア層１１の端部にはインピーダンス測定用の測定用端点１０ａ及び１０ｂが設けてあり、前記コア層１１に設けられた前記測定用端点１０ａ及び１０ｂは積層配線基板より突出している。測定用端点１０ａ及び１０ｂは、信号端子１５とグランド端子１６とで構成されており、信号端子１５はインピーダンス測定用テストパターンに、グランド端子１６はグランド層にそれぞれ電気的に接続されている測定用端点付積層配線基板である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア層の片面もしくは両面に絶縁層を介して複数の配線層とインピーダンス測定用テストパターンとグランド層とが形成されてなる積層配線基板であって、積層方向に対向するテストパターン同士は導通しており、積層方向に対向するグランド層同士は導通しており、インピーダンス測定用テストパターンとグランド層は導通しておらず、前記コア層の端部にはインピーダンス測定用の測定用端点が設けてあり、前記コア層に設けられた前記測定用端点が配線層領域より突出していることを特徴とする測定用端点付積層配線基板。
【請求項２】
前記測定用端点は、信号端子とグランド端子とで構成されており、前記信号端子はインピーダンス測定用テストパターンに、前記グランド端子はグランド層にそれぞれ電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の測定用端点付積層配線基板。
【請求項３】
前記コア層に対して片面積層の積層配線基板では、前記測定用端点が前記コア層の端部の２箇所に設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の測定用端点付積層配線基板。
【請求項４】
前記コア層に対して両面積層の積層配線基板では、前記測定用端点が前記コア層の端部の４箇所に設けられており、そのうち２箇所は、コア層に対して一方の面の積層配線のインピーダンス測定用であり、残りの２箇所はコア層に対して他方の面の積層配線のインピーダンス測定用であることを特徴とする請求項１または２に記載の測定用端点付積層配線基板。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の積層配線基板の製造方法であって、前記インピーダンス測定用テストパターンがストリップライン構造になった時点で前記測定用端点にプローブを接触させてインピーダンスを測定し、そのインピーダンス値が許容範囲に入っていることを確認しながら積層配線基板を作製するようにしたことを特徴とする測定用端点付積層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インピーダンス測定用テストパターンを有する測定用端点付積層配線基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子機器等に用いられている積層配線基板に形成される伝送線路は、伝送する信号に合わせたインピーダンス整合が要求される。特に、伝送信号が高速（高周波）の場合にはインピーダンス整合が極めて重要になる為、伝送線路設計時からインピーダンスが整合されるように設計される。製品としてはインピーダンス値が設計値から一定の範囲内に収まっているものを良品（適合品）とし、範囲外の製品は不良品（不適合品）として選別される。
【０００３】
伝送線路のインピーダンスは製品の良否を左右するものであり、製品の出荷に際しては当然保証検査が行われる。積層配線基板のインピーダンス検査形態には２通りあり、実際の伝送線路を測定して検査する場合と、基板余剰部分で且つ伝送線路と同じ層にインピーダンス測定用テストパターンを形成して、そのテストパターンの測定を行い検査する場合とがあり、一般的に後者が採用される。テストパターンのインピーダンス測定により、その測定値が一定の範囲内に収まっているか否かで製品の良否を判別し、併せてインピーダンス測定値の変動がどうなっているのかを確認してロット内のばらつきの程度も保証する。
【０００４】
また、積層配線基板は、コア層両面あるいは片面の銅箔等からなる金属をサブトラクティブ法やセミアディティブ法によってパターニング処理して配線層を形成し、ポリイミドやガラスエポキシ樹脂等の絶縁材料をラミネートして絶縁層を形成して、この工程を複数回繰り返すことによって形成される。各層間の導通方法は工法や材料によって異なるが、例えばレーザー等によって絶縁層に孔をあけ、めっきを施して形成したビアによるものや、全層形成後にドリル等によってスルーホールを開け、その孔にめっきを施して形成したビアなどによる。
【０００５】
上記積層配線基板のインピーダンス検査の実施方法として、テストパターンは外層だけでなくコア層を含む内層にも形成されており、これらテストパターンのインピーダンス検査を実施するためには、測定用端子を積層配線基板の最外層にビアを介して引き出さなければならない。そのため、積層配線基板のインピーダンスを検査するためには最外層までの全ての積層プロセスを終える必要があった。従って、全ての工程を終えてからでないと検査が不可能であったため、特定内層にインピーダンス異常で不良となる伝送線路が形成されていたとしても最外層検査時まで発見することができず、最終的に基板不良となり製品ロス、製品のコスト高、時間ロスに繋がるという問題を有している。
【０００６】
この問題を回避するために、インピーダンス測定用テストパターンの測定用端子を積層配線基板の端面に形成し、プローブを端面接触させてテストパターンのインピーダンスを測定する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００７】
また、積層配線基板において測定保証すべき伝送線路は複数の層及び方向に存在し、テストクーポンもその種類に応じて複数本形成する必要があり、上記積層配線基板の端面にプローブを端面接触させてテストパターンのインピーダンスを測定する方法では、測定端子が基板周辺に複数点在し、プローブの位置合わせ等に時間を要し、タクト低下を招くという問題を有している。
また、位置合わせ動作、プローブの高さ制御、押し込み量制御に関しても様々な位置に測定用端子があるため、測定機構も複雑になるという問題を有している。
【特許文献１】特開２００２−１６３３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、上記問題点に鑑み考案されたもので、積層配線基板の作製途中で、積層配線基板の特性インピーダンスを容易に測定できる測定端点付積層配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に於いて上記課題を達成するために、まず、請求項１においては、コア層の片面もしくは両面に絶縁層を介して複数の配線層とインピーダンス測定用テストパターンとグランド層とが形成されてなる積層配線基板であって、積層方向に対向するテストパターン同士は導通しており、積層方向に対向するグランド層同士は導通しており、インピーダンス測定用テストパターンとグランド層は導通しておらず、前記コア層の端部にはインピーダンス測定用の測定用端点が設けてあり、前記コア層に設けられた前記測定用端点が配線層領域より突出していることを特徴とする測定用端点付積層配線基板としたものである。
【００１０】
また、請求項２においては、前記測定用端点は、信号端子とグランド端子とで構成されており、前記信号端子はインピーダンス測定用テストパターンに、前記グランド端子はグランド層にそれぞれ電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の測定用端点付積層配線基板としたものである。
【００１１】
また、請求項３においては、前記コア層に対して片面積層の積層配線基板では、前記測定用端点が前記コア層の端部の２箇所に設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の測定用端点付積層配線基板としたものである。
【００１２】
また、請求項４においては、前記コア層に対して両面積層の積層配線基板では、前記測定用端点が前記コア層の端部の４箇所に設けられており、そのうち２箇所は、コア層に対して一方の面の積層配線のインピーダンス測定用であり、残りの２箇所はコア層に対して他方の面の積層配線のインピーダンス測定用であることを特徴とする請求項１または２に記載の測定用端点付積層配線基板としたものである。
【００１３】
さらにまた、請求項５においては、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の積層配線基板の製造方法であって、前記インピーダンス測定用テストパターンがストリップライン構造になった時点で前記測定用端点にプローブを接触させてインピーダンスを測定し、そのインピーダンス値が許容範囲に入っていることを確認しながら積層配線基板を作製するようにしたことを特徴とする測定用端点付積層配線基板の製造方法としたものである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の測定用端点付積層配線基板は、インピーダンス測定用の測定用端点がコア層の端部に形成され、且つ配線層領域より突出しているので、積層配線基板の製造途中でもインピーダンスの測定・確認作業ができるため、インピーダンス特性に優れた積層配線基板を作製できる。
また、本発明の測定用端点付積層配線基板の測定用端点の配置にすることにより、積層数に関係なくストリップライン構造で最外層を除く全層のインピーダンスが測定できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
図１は、本発明の測定用端点付積層配線基板の一実施例を示す測定用端点付積層配線基板１００の模式上面図である。図３は、本発明の測定用端点付積層配線基板の他の実施例を示す測定用端点付積層配線基板２００の模式上面図である。
図２（ａ）は、図１の測定用端点付積層配線基板１００をＡ−Ａ’線で切断した模式構成断面図を、図２（ｂ）は、図１の測定用端点付積層配線基板１００をＢ−Ｂ’線で切断した模式構成断面図を、図２（ｃ）は、図１の測定用端点付積層配線基板１００をＣ−Ｃ’線で切断した模式構成断面図をそれぞれ示す。
測定用端点付積層配線基板１００は、コア層１１の片面に絶縁層と配線層を順次積層して作製した６層の積層配線基板のコア層１１の端部に信号端子１５とグランド端子１６とからなる測定端点を２箇所（測定端点１０ａ及び測定端点１０ｂ）設けたものである。
積層配線基板には配線層領域と同じ層にインピーダンス測定用テストパターン及びグランド層からなるテストクーポンが設けてあり、コア層１１に形成されたインピーダンス測定用の測定用端点１０ａ及び測定端点１０ｂに電気的に接続されており、測定端点１０ａ及び測定端点１０ｂが形成されたコア層１１が配線層領域より突出しているのが特徴である。
【００１６】
測定用端点１０ａ及び測定端点１０ｂの信号端子１５は、インピーダンス測定用テストパターンに、グランド端子１６はグランド層にそれぞれ接続されている。
【００１７】
上記したように、本発明の測定用端点付積層配線基板１００は、測定用端点１０ａ及び測定端点１０ｂが積層配線基板よりも突出しているコア層１１に形成されているため、積層配線基板の製造工程途中でも、従来から用いられている測定用プローブを測定用端点１０ａ及び測定端点１０ｂに容易に接触させて、インピーダンス測定を行うことができる。
【００１８】
以下測定用端点付積層配線基板１００のインピーダンス測定原理について説明する。
インピーダンスはＴＤＲ（Time Domain Reflectometry）法によって測定する。
このインピーダンス測定は、図１１に示すように（ステップ）パルスジェネレータと、オシロスコープから構成され、（ステップ）パルスジェネレータから測定対象に入射するパルス電圧と、測定対象から反射してくる反射パルス電圧の比から反射係数ρを求め、演算式によって伝送線路のインピーダンスを求め、測定するものである。
【００１９】
ＴＤＲ測定器から測定対象に電圧を入射するには、一般に先端が針状の信号ピンとグランドピンからなる測定用プローブが用いられる。測定用プローブとＴＤＲ測定器の接続には高周波伝送特性の良好な同軸ケーブルが用いられ、それらの接続端子もまた高周波伝送特性の良好なものを使用する。測定用プローブ先端のピンはシングルエンド測定であれば通常２本〜３本で、伝送線路（測定対象）の信号線に接続（接触）させる信号ピンと、伝送線路（測定対象）のグランドパターンに接続（接触）させるグランドピンとから成る。
【００２０】
測定用端点付積層配線基板１００は、コア層１１の端部に信号端子１５及びグランド端子１６からなる測定用端点１０ａ及び測定端点１０ｂが形成されており、測定用端点１０ａ及び測定端点１０ｂの中心にインピーダンス測定用テストパターンと電気的に接続された信号端子１５が、信号端子１５の両側にグランド層と電気的に接続されたグランド端子１６が形成されている。
これは、測定プローブ先端のピンが信号ピン１本、グランドピン２本に対応したものであり、１本の信号ピンが信号端子１５に、２本のグランドピンがグランド端子１６に接触するようになっている。
信号端子１５とグランド端子１６の端子間距離は、使用するプローブ種類によって適宜設定される。
【００２１】
測定用端点１０ａ及び測定用端点１０ｂの信号端子１５とグランド端子１６はコア層１１の片面に形成されているが、測定プローブ先端のピン配置によっては、図１２に示すように、コア層１１の片面に信号ピン用の信号端子１５を、もう一方の面にグランドピン用のグランド端子１６を形成し、同図に示すような測定プローブ先端の信号ピンとグランドピンとによってコア層１１を挟み込むようにして測定用端点１０ａ及び測定端点１０ｂの信号端子１５及びグランド端子１６に接触させることも可能である。
【００２２】
以下本発明の測定用端点付積層配線基板の製造方法について説明する。
積層配線基板は積層の方法とインピーダンス測定を実施する層によって異なる。例えば、片面積層で且つ全層（ただしコアの裏面は除く）のインピーダンス測定を実施する場合、コア２層から６層まで積層した場合を想定すると、図２（ｂ）及び（ｃ）に示すような層構成となる。全層のインピーダンス測定を実施する場合、本発明のテストパターンは基本的にストリップライン構造を有する為に、全層を一つの測定用端点で測定を行うことは不可能で、最低でも２系統の線路構造が必要で、この事例では、コア層１１の端部の２箇所に測定用端点１０ａ及び測定用端点１０ｂを設けてある。
【００２３】
以下、図４〜図９の図面を用いて本発明の測定用端点付積層配線基板の製造方法について説明する。
まず、コア層１１の端部に信号端子１５及びグランド端子１６からなる測定用端点１０ａ及び測定用端点１０ｂを、コア層１１の一方の面にインピーダンス測定用テストパターン１２、リード１５ａ、グランド用ランド１７、グランド層１８及び配線層領域１９を、他方の面にグランド層１３、ビア１４及び配線層領域（特に、図示せず）を、それぞれ形成し、両面配線基板２０を作製する（図５（ａ）〜（ｄ）参照）。
ここで、インピーダンス測定用テストパターン１２は信号ランド１２ａ及びリード１５ａを介して信号端子１５に、グランド層１３はビア１４を介してグランド端子１６に、それぞれ電気的に接続される。
また、測定用端点１０ａ及び測定用端点１０ｂの信号端子１５とグランド端子１６の配置は使用するプローブのピン配置によって適宜配置することができる。例えば、この事例に示したように、コア層１１の一方の面に信号ピン用の信号端子１５とグランドピン用のグランド端子１６を配置したものか、コア層１１の一方の面に信号ピン用の信号端子１５を、他方の面にグランドピン用のグランド端子１６を配置したいずれのものでもよい。
また、測定用端点１０ｂに関しては、インピーダンス測定用テストパターンの形成層が１層ずれるだけで、測定用端点１０ａと基本的に同じ接続状態になるのでここでは詳細な説明は省略する。配線層領域についても詳細な説明は省略する。
【００２４】
次に、ビルドアッププロセスにて絶縁層２１、グランド層２２、信号用ランド２２ａ、ビア２３、ビア２４、インピーダンス測定用テストパターン２７、グランド用ランド２８及び配線層領域２９を形成し、３層配線基板３０を作製する（図６（ａ）〜（ｄ）参照）。
ここで、グランド層２２はビア２４を介してグランド端子１６に、信号用ランド２２ａはビア２３を介して信号端子１５に、それぞれ電気的に接続される。
【００２５】
３層配線基板３０にてストリップライン構造が初めて形成されるので、コア層１１に形成されたインビーダンス測定用テストパターン１２のインピーダンス測定が可能となり、ＴＤＲ測定器を用いてコア層１１の端部に形成された測定用端点１０ａにプローブを接触することによって図１３（ａ）に示すようなインビーダンス波形が得られ、インビーダンスを測定することができる。
【００２６】
次に、ビルドアッププロセスにて絶縁層３１、インビーダンス測定用テストパターン３２、ビア３３、グランド用ランド３４、ビア３５、グランド層３８、信号用ランド３８ａ
及び配線層領域３９を形成し、４層配線基板４０を作製する（図７（ａ）〜（ｄ）参照）。
ここで、インピーダンス測定用テストパターン３２はビア３３を介して信号端子１５に、グランド用ランド３４はビア３５を介してグランド端子１６に、それぞれ電気的に接続される。
この４層配線基板４０では、絶縁層２１に形成したインビーダンス測定用テストパターン２７のストリップライン構造が形成されるので、ＴＤＲ測定器を用いて測定用端点１０ｂにプローブを接触することによって、インビーダンス測定用テストパターン２７のインピーダンスが測定できる。
【００２７】
次に、ビルドアッププロセスにて絶縁層４１、グランド層４２、信号用ランド４２ａ、ビア４３、ビア４４、インピーダンス測定用テストパターン４７、グランド用ランド４８及び配線層領域４９を形成し、５層配線基板５０を作製する（図８（ａ）〜（ｄ）参照）。
ここで、グランド層４２はビア４４を介して端子１６に、信号用ランド４２ａはビア４３を介して信号端子１５に、それぞれ電気的に接続される。
この５層配線基板５０では、ＴＤＲ測定器を用いて測定用端点１０ａにプローブを接触させてインビーダンス測定を行うと、インビーダンス測定用テストパターン１２と、インピーダンス測定用テストパターン３２の２本のパターンのインピーダンスが並列で測定されることになり、測定結果としては図１３（ｂ）に示すようなインビーダンス波形がえられる。
【００２８】
この２本の並列のインビーダンス測定用テストパターンを電気回路の抵抗素子とみなし、インビーダンス測定用テストパターン１２、インビーダンス測定用テストパターン３２のそれぞれの抵抗値をＺ1、Ｚ2、２本のテストパターンを並列で測定した結果から得られるインビーダンス値をＺallと置くことにする。すると、インピーダンス測定用テストパターン１２のインピーダンスは測定済みであるので、Ｚ1は既知となる。すなわち、抵抗素子を並列に接続したときの計算式から、１／Ｚall＝１／Ｚ1＋１／Ｚ2となるので、インピーダンス測定用テストパターン３２の抵抗値（インピーダンス値）Ｚ2は、
Ｚ2＝（Ｚ1×Ｚall）／（Ｚ1−Ｚall）で求めることができる。
【００２９】
次に、ビルドアッププロセスにて絶縁層５１、インピーダンス測定用テストパターン５２、信号用ランド５２ａ、ビア５３、グランド用ランド５４、ビア５５、グランド層５８、信号用ランド５８ａ及び配線層領域５９を形成し、片面６層の積層配線基板６０を作製する（図９（ａ）〜（ｄ）参照）。
ここで、インピーダンス測定用テストパターン５２はビア５３を介して信号端子１５に、グランド用ランド５４はビア５５を介してグランド端子１６に、それぞれ電気的に接続される。
しかしながら、測定用端点１０ａではインビーダンス測定用テストパターン５２が表面に出てしまいストリップライン構造を形成できない。
【００３０】
最後に、ソルダーレジスト６１を形成して、本発明の測定端点付積層配線基板１００を得る（図１０（ａ）〜（ｄ）参照）。
そして、インビーダンス測定を行う。さらに、上記の式よりインピーダンス測定用テストパターン５２のインピーダンスを得ることができる。
【００３１】
このように、片面積層の積層配線基板では、コア層１１に測定端点１０ａ及び測定端点１０ｂからなる２箇所の測定用端点を設けることにより、積層配線基板の全層のインビーダンス測定が可能となる。
【００３２】
以下、両面積層で積層配線基板を作製する工程でインビーダンス測定を実施する事例について説明する。
図３は、本発明の測定用端点付積層配線基板の他の実施例を示す測定用端点付積層配線基板２００の模式上面図である。
図４（ａ）は、図３の測定用端点付積層配線基板２００をＡ−Ａ’線で切断した模式構成断面図を、図４（ｂ）は、図３の測定用端点付積層配線基板２００をＢ−Ｂ’線で切断した模式構成断面図を、図４（ｃ）は、図３の測定用端点付積層配線基板２００をＣ−Ｃ’線で切断した模式構成断面図を、それぞれ示す。
測定用端点付積層配線基板２００は、端部に測定用端点を形成したコア層１１の両面にインピーダンス測定用テストパターン、グランド層及び配線層領域を形成して作製した８層の測定用端点付積層配線基板である。
インピーダンス測定用テストパターン及びグランド層の基本層構成は上記片面積層の積層配線基板と変わらないが、大きく変わるのは測定用端点の数である。片面積層の積層配線基板では２箇所の測定用端点でほぼ全層のインビーダンス測定が可能であったが、両面積層の積層配線基板では全層のインビーダンス測定を行うために、４箇所の測定用端点を設けたものである。
【００３３】
図３に示す８層の測定用端点付積層配線基板２００に測定用端点１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄを設けた場合、例えば、測定用端点１０ａ、１０ｂを一方の面の４層積層配線基板の測定用端点として、測定用端点１０ｃ、１０ｄを他方の片面の４層積層配線基板の測定用端点とすることにより、積層配線基板の製造工程中に４箇所の測定用端点１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄを用いて各層に設けられたインピーダンス測定用テストパターンのインピーダンスを順次測定することにより、８層の積層配線基板の全層のインビーダンス測定が可能となる。
【００３４】
以下、両面積層の測定用端点付積層配線基板の製造方法について説明する。両面積層の積層配線基板の積層工程は基本的に片面積層と同じなので、製造工程図は省略する。
【００３５】
まず、コア層１１の端部に信号端子１５及びグランド端子１６からなる測定用端点１０ａ、測定用端点１０ｂ、測定用端点１０ｃ及び測定用端点１０ｄを、コア層１１の一方の面にインピーダンス測定用テストパターン１２、信号用ランド１２ａを、他方の面にグランド層１３を、それぞれ形成する（図４（ｂ）〜（ｃ）参照）。
ここで、インピーダンス測定用テストパターン１２は信号用ランド１２ａ及びリードを介して測定用端点１０ａの信号端子１５に、グランド層１３はリード（特に、図示せず）を介してグランド端子１６に、それぞれ電気的に接続される。
【００３６】
次に、ビルドアッププロセスにて絶縁層２１ａ及び２１ｂを形成し、絶縁層２１ａ上にグランド層２２、信号用ランド２２ａ、ビア２３を、絶縁層２１ｂ上にインピーダンス測定用テストパターン２４、信号用ランド２４ａ、グラウンド用ランド２５及びビア２６を形成し、４層配線基板を作製する。
ここで、グランド層２２はビア２４を介してグランド端子１６に、インピーダンス測定用テストパターン２４は信号用ランド２４ａ及びリード（特に、図示せず）を介して測定用端点１０ｃの信号端子１５に、それぞれ電気的に接続される。
ここで、４層配線基板のインピーダンス測定用テストパターン１２ではストリップライン構造が形成されるので、ＴＤＲ測定器を用いて測定端点１０ａにプローブを接触することによってインピーダンス測定用テストパターン１２のインビーダンスを測定することができる。
【００３７】
次に、ビルドアッププロセスにて絶縁層３１ａ及び３１ｂを形成し、絶縁層３１ａ上にインピーダンス測定用テストパターン３２、信号用ランド３２ａ、ビア３５を、絶縁層３
１ｂ上にグランド層３６、ビア３７を形成し、６層配線基板を作製する。
ここで、インピーダンス測定用テストパターン３２はビア３３を介して測定用端点１０ａの信号端子１５に、グランド層３６はビア３７を介してグランド端子１６に、それぞれ電気的に接続される。
ここで、６層配線基板のインピーダンス測定用テストパターン２４ではストリップライン構造が形成されるので、ＴＤＲ測定器を用いて測定端点１０ｃにプローブを接触することによってインピーダンス測定用テストパターン２４のインビーダンスを測定することができる。
【００３８】
次に、ビルドアッププロセスにて両面に絶縁層４１ａ及び４１ｂを形成し、絶縁層４１ａ上にグランド層４２、信号用ランド４２ａ、ビア４３を、絶縁層４１ｂ上にインピーダンス測定用テストパターン４４、信号用ランド４４ａ、グラウンド用ランド４５及びビア４６を形成し、両面８層の積層配線基板を作製する。
ここで、グランド層４２はビア４４を介してグランド端子１６に、インピーダンス測定用テストパターン４４は信号用ランド４４ａ及びビア４６を介して測定用端点１０ｃの信号端子１５に、それぞれ電気的に接続される。
ここで、８層配線基板の測定用端点１０ａでは、インピーダンス測定用テストパターン１２とインピーダンス測定用テストパターン３２とのとの並列インピーダンスが測定され、インビーダンス測定用テストパターン１２のインピーダンスは既知となっているので、上記の式よりインピーダンス測定用テストパターン３２のインピーダンスを得ることができる。
しかしながら、測定用端点１０ｃではインビーダンス測定用テストパターン４４が表面に出てしまいストリップライン構造を形成できない。
【００３９】
最後に、ソルダーレジスト６２を形成して、本発明の測定端点付積層配線基板２００を得る（図３及び図４（ａ）〜（ｃ）参照）。
そして、インピーダンスを測定することにより、８層配線基板の全層のインピーダンスを測定することができる。
測定端点１０ｂ及び測定端点１０ｄについては詳細な説明はしなかったが、測定用端点１０ａ及び測定用端点１０ｃと同様なインピーダンス測定ができる。
このように、両面積層の積層配線基板の場合測定端点１０ａ、測定端点１０ｂ、測定端点１０ｃ及び測定端点１０ｄにてストリップラインのインピーダンス測定を行うことにより、両面積層の積層配線基板の全層のインビーダンス測定が可能となる。
【実施例１】
【００４０】
以下測定端点付積層配線基板の具体的実施例について説明する。
まず、両面に銅箔が積層された絶縁層をコア層１１とし、コア層１１の一方の面の端部に信号端子１５及びグランド端子１６からなる測定用端点１０ａ及び測定用端点１０ｂを、コア層１１の一方の面にインピーダンス測定用テストパターン１２、リード１５ａ、グラウンド用ランド１７、グランド層１８及び配線層領域１９を、他方の面にグランド層１３及びビア１４を、それぞれ形成し、両面配線板２０を作製した（図５（ａ）〜（ｄ）参照）。
ここで形成するインピーダンス測定用テストパターンのインピーダンス値の設計値を７５Ωとした。
【００４１】
次に、ビルドアッププロセスにて絶縁層２１、グランド層２２、信号用ランド２２ａ、ビア２３、ビア２４、インピーダンス測定用テストパターン２７、グランド用ランド２８及び配線層領域２９を形成し、３層配線基板３０を作製した（図６（ａ）〜（ｄ）参照）。
ここで、グランド層２２はビア２４を介してグランド端子１６に、信号用ランド２２ａは
ビア２３を介して信号端子１５に、それぞれ電気的に接続された。
さらに、３層配線基板３０のコア層１１に形成されたインビーダンス測定用テストパターン１２のストリップラインのインピーダンス測定が可能となり、ＴＤＲ測定器を用いてコア層１１の端部に形成された測定用端点１０ａにプローブを接触してインピーダンスを測定した結果図１４（ａ）に示すインピーダンス波形が得られた。
このインピーダンス波形測定結果より、コア層表面に形成されたインビーダンス測定用テストパターン１２のインピーダンス値は７７．１Ωであることが分かる。設計値７５Ωに対して許容範囲を±１０％と定めた場合、インピーダンス許容値は６７．５〜８２．５Ωとなり、許容範囲に収まっているのでこの時点では良品（適合品）として更に積層を行った。
【００４２】
次に、ビルドアッププロセスにて絶縁層３１、インビーダンス測定用テストパターン３２、ビア３３、グランド用ランド３４、ビア３５、グランド層３８、信号用ランド３８ａ及び配線層領域３９を形成し、４層配線基板４０を作製した（図７（ａ）〜（ｄ）参照）。
ここで、インピーダンス測定用テストパターン３２はビア３３を介して信号端子１５に、グランド用ランド３４はビア３５にてグランド端子１６に、それぞれ電気的に接続された。
【００４３】
次に、ビルドアッププロセスにて絶縁層４１、グランド層４２、信号用ランド４２ａ、ビア４３、ビア４４、インピーダンス測定用テストパターン４７、グランド用ランド４８及び配線層領域４９を形成し、５層配線基板５０を作製した（図８（ａ）〜（ｄ）参照）。
ここで、グランド層４２はビア４４を介してグランド端子１６に、信号用ランド４２ａはビア４３にて信号端子１５に、それぞれ電気的に接続された。
この５層配線基板５０の測定用端点１０ａから見た場合、インビーダンス測定用テストパターン１２と、インピーダンス測定用テストパターン３２との並列のストリップライン構造が形成されることになり、ＴＤＲ測定器を用いて測定用端点１０ａにプローブを接触してインピーダンスを測定した結果、図１４（ｂ）に示すインピーダンス波形が得られた。このインピーダンス波形測定結果は、インビーダンス測定用テストパターン１２と、インピーダンス測定用テストパターン３２との合成インピーダンス波形となっており、合成インピーダンス値は３９Ωとなる。
合成インピーダンス値をＺall、インビーダンス測定用テストパターン１２のインピーダンス値をＺ1、インピーダンス測定用テストパターン３２のインピーダンス値をＺ2としたとき、１／Ｚall＝１／Ｚ1＋１／Ｚ2となるので、インビーダンス測定用テストパターン１２のインピーダンス値は７７．１Ωと分かっているので、Ｚ2＝（７７．１×３９）／（７７．１−３９）より、演算で求めることができ、インピーダンス測定用テストパターン３２のインピーダンス値Ｚ2は、７８．９Ωとなり、設計値７５Ωに対して許容範囲を±１０％と定めた場合、インピーダンス許容値は６７．５〜８２．５Ωとなり、許容範囲に収まっているので、許容範囲に収まっているのでこの時点では良品（適合品）として更に積層を行った。
【００４４】
次に、ビルドアッププロセスにて絶縁層５１、インピーダンス測定用テストパターン５２、信号用ランド５２ａ、ビア５３、グランド用ランド５４、ビア５５、グランド層５８、信号用ランド５８ａ及び配線層領域５９を形成し、６層配線基板６０を作製した（図９（ａ）〜（ｄ）参照）。
ここで、インピーダンス測定用テストパターン５２はビア５３を介して信号端子１５に、グランド用ランド５４はビア５５を介してグランド端子１６に、それぞれ電気的に接続された。
６層配線基板６０ではインビーダンス測定用テストパターン５２が表面に出てしまい測定
用端点１０ａにてストリップライン構造を形成できない。
【００４５】
最後に、ソルダーレジスト６１を形成し、本発明の測定端点付積層配線基板１００を得た（図１０（ａ）〜（ｄ）参照）。
そして、インビーダンス測定を行うと、並列インピーダンスが測定され、上記の式よりインピーダンス測定用テストパターン５２のインピーダンスを得ることができた。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の測定端点付積層配線基板の一実施例を示す模式上面図である。
【図２】（ａ）は、図１をＡ−Ａ’線で切断した模式構成断面図である。（ｂ）は、図１をＢ−Ｂ’線で切断した模式構成断面図である。（ｂ）は、図１をＣ−Ｃ’線で切断した模式構成断面図である。
【図３】本発明の測定端点付積層配線基板の他の実施例を示す模式上面図である。
【図４】（ａ）は、図３をＡ−Ａ’線で切断した模式構成断面図である。（ｂ）は、図３をＢ−Ｂ’線で切断した模式構成断面図である。（ｂ）は、図３をＣ−Ｃ’線で切断した模式構成断面図である。
【図５】本発明の測定端点付積層配線基板の製造工程の一部を示す説明図である。（ａ）は、本発明の測定端点付積層配線基板の製造工程の一部を示す模式上面図である。（ｂ）は、（ａ）をＡ−Ａ’線で切断した模式構成断面図である。（ｃ）は、（ａ）をＢ−Ｂ’線で切断した模式構成断面図である。（ｄ）は、（ａ）をＣ−Ｃ’線で切断した模式構成断面図である。
【図６】本発明の測定端点付積層配線基板の製造工程の一部を示す説明図である。（ａ）は、本発明の測定端点付積層配線基板の製造工程の一部を示す模式上面図である。（ｂ）は、（ａ）をＡ−Ａ’線で切断した模式構成断面図である。（ｃ）は、（ａ）をＢ−Ｂ’線で切断した模式構成断面図である。（ｄ）は、（ａ）をＣ−Ｃ’線で切断した模式構成断面図である。
【図７】本発明の測定端点付積層配線基板の製造工程の一部を示す説明図である。（ａ）は、本発明の測定端点付積層配線基板の製造工程の一部を示す模式上面図である。（ｂ）は、（ａ）をＡ−Ａ’線で切断した模式構成断面図である。（ｃ）は、（ａ）をＢ−Ｂ’線で切断した模式構成断面図である。（ｄ）は、（ａ）をＣ−Ｃ’線で切断した模式構成断面図である。
【図８】本発明の測定端点付積層配線基板の製造工程の一部を示す説明図である。（ａ）は、本発明の測定端点付積層配線基板の製造工程の一部を示す模式上面図である。（ｂ）は、（ａ）をＡ−Ａ’線で切断した模式構成断面図である。（ｃ）は、（ａ）をＢ−Ｂ’線で切断した模式構成断面図である。（ｄ）は、（ａ）をＣ−Ｃ’線で切断した模式構成断面図である。
【図９】本発明の測定端点付積層配線基板の製造工程の一部を示す説明図である。（ａ）は、本発明の測定端点付積層配線基板の製造工程の一部を示す模式上面図である。（ｂ）は、（ａ）をＡ−Ａ’線で切断した模式構成断面図である。（ｃ）は、（ａ）をＢ−Ｂ’線で切断した模式構成断面図である。（ｄ）は、（ａ）をＣ−Ｃ’線で切断した模式構成断面図である。
【図１０】本発明の測定端点付積層配線基板の製造工程の一部を示す説明図である。（ａ）は、本発明の測定端点付積層配線基板の製造工程の一部を示す模式上面図である。（ｂ）は、（ａ）をＡ−Ａ’線で切断した模式構成断面図である。（ｃ）は、（ａ）をＢ−Ｂ’線で切断した模式構成断面図である。（ｄ）は、（ａ）をＣ−Ｃ’線で切断した模式構成断面図である。
【図１１】インピーダンスの測定方法の一例を示す説明図である。
【図１２】信号端子及びグランド端子の配置例を示す説明図である。
【図１３】（ａ）及び（ｂ）は、インピーダンス測定波形の一例を示す説明図である。
【図１４】（ａ）及び（ｂ）は、インピーダンス測定波形の一例を示す説明図である。
【符号の説明】
【００４７】
１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ……測定端点
１１……コア層
１２、２４、２７、３２、４４、４７、５２……インピーダンス測定用テストパターン
１２ａ、１７、２２ａ、２７ａ、３２ａ、３６ａ、３８ａ、４２ａ、４４ａ、４７ａ、５２ａ、５８ａ……信号用ランド
１３、１８、２２、３６、３８、４２、５８……グランド層
１４、２３、２４、３３、３５、３７、４３、４４、４６、５３、５５……ビア
１５……信号端子
１５ａ……リード
１９、２９、３９、４９、５９……配線層領域
２０……両面配線基板
２１、２１ａ、２１ｂ、３１、３１ａ、３１ｂ、４１、４１ａ、４１ｂ、５１……絶縁層２５、２８、３４、４５、５４……グランド用ランド
３０……３層配線基板
４０……４層配線基板
５０……５層配線基板
６１、６２……ソルダーレジスト
１００、２００……測定端点付積層配線基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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