(57)【要約】【課題】  表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域に機能素子が形成されたウエーハの裏面に貼着されたダイボンディング用の接着フィルムを効率よく且つ確実に破断することができる接着フィルムの破断方法および破断装置を提供する。【解決手段】  表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに複数のストリートによって区画された複数の領域に機能素子が形成されたウエーハの裏面に貼着された接着フィルムを、環状のフレームに装着された保護テープの表面に貼着された状態でストリートに沿って破断する接着フィルムの破断方法であって、接着フィルムを冷却し保護テープを拡張して、接着フィルムを機能素子の外周縁に沿って破断する。【選択図】        図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域に機能素子が形成されたウエーハの裏面に貼着された接着フィルムを、環状のフレームに装着された保護テープの表面に貼着された状態で該ストリートに沿って破断する接着フィルムの破断方法であって、
該接着フィルムを冷却し保護テープを拡張して、該接着フィルムを該機能素子の外周縁に沿って破断する、
ことを特徴とする接着フィルムの破断方法。
【請求項２】
表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域に機能素子が形成されたウエーハの裏面に貼着された接着フィルムを、環状のフレームに装着された保護テープの表面に貼着された状態で該ストリートに沿って破断する接着フィルムの破断装置であって、
該環状のフレームを保持するフレーム保持手段と、
該フレーム保持手段に保持された該環状のフレームに装着された該保護テープを拡張するテープ拡張手段と、
該フレーム保持手段に保持された該環状のフレームに該保護テープを介して支持されたウエーハの裏面に貼着されている接着フィルムを冷却する冷却手段と、を具備している、
ことを特徴とするウエーハに貼着された接着フィルムの破断装置。
【請求項３】
該冷却手段は、該フレーム保持手段に保持された該環状のフレームに装着された該テープにおける該接着フィルムが貼着されている領域と接触し支持する冷却テーブルを備えている、請求項２記載の接着フィルムの破断装置。
【請求項４】
該冷却テーブルは、該保護テープと接触する冷却板と、該冷却板の下面に装着された熱伝冷却素子を備えている、請求項３記載の接着フィルムの破断装置。
【請求項５】
該冷却手段は、該フレーム保持手段に保持された該環状のフレームに装着された該保護テープに該接着フィルムを介して貼着されている該ウエーハまたは該保護テープに冷却流体を噴射する冷却流体噴射手段からなっている、請求項２記載の接着フィルムの破断装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域に機能素子が形成されたウエーハの裏面に貼着されたダイボンディング用の接着フィルムを破断する破断方法および破断装着に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に形成されたストリート（切断予定ライン）によって区画された複数の領域にＩＣ、ＬＳＩ等の回路を形成し、該回路が形成された各領域をストリートに沿って分割することにより個々の半導体チップを製造している。半導体ウエーハを分割する分割装置としては一般にダイシング装置と呼ばれる切削装置が用いられており、この切削装置は厚さが２０μｍ程度の切削ブレードによって半導体ウエーハをストリートに沿って切削する。このようにして分割された半導体チップは、パッケージングされて携帯電話やパソコン等の電気機器に広く利用されている。
【０００３】
個々に分割された半導体チップは、その裏面にエポキシ樹脂等で形成された厚さ２０〜４０μｍのダイアタッチフィルムと称するダイボンディング用の接着フィルムが装着され、この接着フィルムを介して半導体チップを支持するダイボンディングフレームに加熱することによりボンディングされる。半導体チップの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着する方法としては、半導体ウエーハの裏面に接着フィルムを貼着し、この接着フィルムを介して半導体ウエーハをダイシングテープに貼着した後、半導体ウエーハの表面に形成されたストリートに沿って切削ブレードにより接着フィルムと共に切削することにより、裏面に接着フィルムが装着された半導体チップを形成している。（例えば、特許文献１参照。）
【特許文献１】特開２０００−１８２９９５号公報
【０００４】
しかるに、特開２０００−１８２９９５号公報に開示された方法によると、切削ブレードにより半導体ウエーハとともに接着フィルムを切断して個々の半導体チップに分割する際に、半導体チップの裏面に欠けが生じたり、接着フィルムに髭状のバリが発生してワイヤボンディングの際に断線の原因になるという問題がある。
【０００５】
近年、携帯電話やパソコン等の電気機器はより軽量化、小型化が求められており、より薄い半導体チップが要求されている。より薄く半導体チップを分割する技術として所謂先ダイシング法と称する分割技術が実用化されている。この先ダイシング法は、半導体ウエーハの表面からストリートに沿って所定の深さ（半導体チップの仕上がり厚さに相当する深さ）の分割溝を形成し、その後、表面に分割溝が形成された半導体ウエーハの裏面を研削して該裏面に分割溝を表出させ個々の半導体チップに分離する技術であり、半導体チップの厚さを５０μｍ以下に加工することが可能である。
【０００６】
しかるに、先ダイシング法によって半導体ウエーハを個々の半導体チップに分割する場合には、半導体ウエーハの表面からストリートに沿って所定の深さの分割溝を形成した後に半導体ウエーハの裏面を研削して該裏面に分割溝を表出させるので、ダイボンディング用の接着フィルムを前もって半導体ウエーハの裏面に装着することができない。従って、先ダイシング法によって半導体チップを半導体チップを支持するダイボンディングフレームにボンディングする際には、半導体チップとダイボンディングフレームとの間にボンド剤を挿入しながら行わなければならず、ボンディング作業を円滑に実施することができないという問題がある。
【０００７】
このような問題を解消するために、先ダイシング法によって個々の半導体チップに分割された半導体ウエーハの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを貼着し、この接着フィルムを介して半導体ウエーハをダイシングテープに貼着した後、各半導体チップ間の間隙に露出された接着フィルムの部分を化学的にエッチングして除去するようにした半導体チップの製造方法、および上記各半導体チップ間の間隙に露出された接着フィルムの部分に、半導体チップの表面側から上記間隙を通してレーザー光線を照射し、接着フィルムの上記間隙に露出された部分を除去するようにした半導体チップの製造方法が提案されている。（例えば、特許文献２参照。）
【特許文献２】特開２００２−１１８０８１号公報
【０００８】
一方、近年半導体ウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線を用い、分割すべき領域の内部に集光点を合わせてパルスレーザー光線を照射するレーザー加工方法も試みられている。このレーザー加工方法を用いた分割方法は、半導体ウエーハの裏面から内部に集光点を合わせてウエーハに対して透過性を有する例えば波長が１０６４ｎｍのパルスレーザー光線を照射し、ウエーハの内部にストリートに沿って変質層を連続的に形成し、この変質層が形成されることによって強度が低下した分割予定ラインに沿って外力を加えることにより、被加工物を分割するものである。（例えば、特許文献３参照。）
【特許文献３】特許第３４０８８０５号公報
【０００９】
上記レーザー加工方法を用いた分割方法によってウエーハを個々のチップに分割する場合においても、個々のチップの裏面に接着フィルムを貼着する際には上述した方法を用いることになる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
而して、特開２００２−１１８０８１号公報に開示された技術は、個々の半導体チップに分割された半導体ウエーハの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを貼着した後に、各半導体チップ間の間隙に露出された接着フィルムの部分を化学的にエッチングして除去する工程、或いはレーザー光線を照射して接着フィルムを破断する工程が必要であり、生産性が悪いという問題がある。
【００１１】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域に機能素子が形成されたウエーハの裏面に貼着されたダイボンディング用の接着フィルムを効率よく且つ確実に破断することができる接着フィルムの破断方法および破断装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域に機能素子が形成されたウエーハの裏面に貼着された接着フィルムを、環状のフレームに装着された保護テープの表面に貼着された状態で該ストリートに沿って破断する接着フィルムの破断方法であって、
該接着フィルムを冷却し保護テープを拡張して、該接着フィルムを該機能素子の外周縁に沿って破断する、
ことを特徴とする接着フィルムの破断方法が提供される。
【００１３】
また、本発明によれば、表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域に機能素子が形成されたウエーハの裏面に貼着された接着フィルムを、環状のフレームに装着された保護テープの表面に貼着された状態で該ストリートに沿って破断する接着フィルムの破断装置であって、
該環状のフレームを保持するフレーム保持手段と、
該フレーム保持手段に保持された該環状のフレームに装着された該保護テープを拡張するテープ拡張手段と、
該フレーム保持手段に保持された該環状のフレームに該保護テープを介して支持されたウエーハの裏面に貼着されている接着フィルムを冷却する冷却手段と、を具備している、
ことを特徴とするウエーハに貼着された接着フィルムの破断装置が提供される。
【００１４】
上記冷却手段は、上記フレーム保持手段に保持された環状のフレームに装着された保護テープにおける接着フィルムが貼着されている領域と接触し支持する冷却テーブルを備えている。この冷却テーブルは、保護テープと接触する冷却板と、該冷却板の下面に装着された熱伝冷却素子を備えている。
【００１５】
上記冷却手段は、上記フレーム保持手段に保持された環状のフレームに装着された保護テープに接着フィルムを介して貼着されているウエーハまたは該保護テープに冷却流体を噴射する冷却流体噴射手段からなっている。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、フレーム保持手段に保持された環状のフレームに保護テープを介して支持されたウエーハの裏面に貼着されている接着フィルムを冷却し伸縮性が低下せしめられた状態で、保護テープを拡張して接着フィルムに張力を作用せしめて接着フィルムを機能素子の外周縁に沿って破断するので、効率よく且つ確実に破断することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明によるウエーハに貼着された接着フィルムの破断方法および破断装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１８】
図１には、先ダイシング法によって個々の半導体チップに分割された半導体ウエーハ２の裏面にダイボンディング用の接着フィルム３が貼着された状態が示されている。図１に示す半導体ウエーハ２は、表面２ａに複数のストリート２１が格子状に形成されているとともに該複数のストリート２１によって区画された複数の領域に回路２２(機能素子)が形成されている。半導体ウエーハ２を先ダイシング法によって個々のチップに分割するには、切削装置を用いて半導体ウエーハ２の表面２ａに形成されたストリート２１に沿って所定深さ（各半導体チップの仕上がり厚さに相当する深さ）の分割溝２３を形成する（分割溝形成工程）。次に、分割溝２３が形成された半導体ウエーハ２の表面に保護部材を装着し、半導体ウエーハ２の裏面２ｂを研削し、分割溝２３を裏面２ｂに表出させて個々の半導体チップ２００に分割する（分割溝表出工程）。このようにして個々の半導体チップに分割された半導体ウエーハ２の裏面２ｂにダイボンディング用の接着フィルム３が貼着される。このとき、８０〜２００°Ｃの温度で加熱しつつ接着フィルム３を半導体ウエーハ２の裏面２ｂに押圧して貼着する。
【００１９】
図２には、レーザー加工によりストリートに沿って変質層が形成された半導体ウエーハ２０の裏面にダイボンディング用の接着フィルム３が貼着された状態が示されている。図２に示す半導体ウエーハ２０も図１に示す半導体ウエーハと同様に表面２０ａに複数のストリート２１が格子状に形成されているとともに該複数のストリート２１によって区画された複数の領域に回路２２(機能素子)が形成されている。このように形成された半導体ウエーハ２には、裏面２bから内部に集光点を合わせてウエーハに対して透過性を有する例えば波長が１０６４ｎｍのパルスレーザー光線をストリート２１に沿って照射することにより、内部にストリート２１に沿って変質層２４が連続的に形成されている。このようにストリート２１に沿って変質層２４が形成された半導体ウエーハ２０の裏面２ｂにダイボンディング用の接着フィルム３が貼着される。このとき、８０〜２００°Ｃの温度で加熱しつつ接着フィルム３を半導体ウエーハ２０の裏面２０ｂに押圧して貼着する。
【００２０】
上述した半導体ウエーハ２の裏面に貼着したダイボンディング用の接着フィルム３および半導体ウエーハ２０の裏面に貼着したダイボンディング用の接着フィルム３をストリート２１に沿って破断するには、図３および図４に示すように環状のフレーム４の内側開口部を覆うように外周部が装着された保護テープ５の表面に半導体ウエーハ２の接着フィルム３側および半導体ウエーハ２０の接着フィルム３側を貼着する。なお、上記保護テープ５は、図示の実施形態においては厚さが９５μｍのポリオレフィンシートかならっている。なお、この保護テープ５は、伸長可能な材料によって形成する。
【００２１】
次に、上述したように環状のフレーム４に保護テープ５を介して支持された半導体ウエーハ２の裏面に貼着した接着フィルム３および半導体ウエーハ２０の裏面に貼着した接着フィルム３をストリート２１に沿って破断する接着フィルム破断装置の一実施形態について、図５および図６を参照して説明する。
図５および図６に示す接着フィルム破断装置６は、基台６０と、該基台６０の上方に配置され上記環状のフレーム４を保持するフレーム保持手段６１と、該フレーム保持手段６１に保持された環状のフレーム４に装着された保護テープ５を拡張するテープ拡張手段６２を具備している。フレーム保持手段６１は、環状のフレーム保持部材６１１と、該フレーム保持部材６１１の外周に配設された固定手段としての４個のクランプ機構６１２とからなっている。フレーム保持部材６１１の上面は環状のフレーム４を載置する載置面６１１ａを形成しており、この載置面６１１ａ上に環状のフレーム４が載置される。そして、載置面６１１ａ上に載置された環状のフレーム４は、クランプ機構６１２によってフレーム保持部材６１１に固定される。このように構成されたフレーム保持手段６１は、テープ拡張手段６２によって上下方向に進退可能に支持されている。
【００２２】
テープ拡張手段６２は、上記環状のフレーム保持部材６１１の内側において基台６０の上面に配設される拡張ドラム６２１を具備している。この拡張ドラム６２１は、上記環状のフレーム４の内径より小さく該環状のフレーム４に装着された保護テープ５に貼着される半導体ウエーハ２または２０の外径より大きい内径および外径を有している。図６に示すように、拡張ドラム６２１の下端には取付けフランジ６２２が設けられており、取付けフランジ６２２が基台６０に締結ボルト等の固着手段によって取付けられている。図示の実施形態におけるテープ拡張手段６２は、上記環状のフレーム保持部材６１１を上下方向（軸方向）に進退可能な支持手段６３を具備している。この支持手段６３は、上記支持フランジ６２２上に配設された複数のエアシリンダ６３１からなっており、そのピストンロッド６３２が上記環状のフレーム保持部材６１１の下面に連結される。このように複数のエアシリンダ６３１からなる支持手段６３は、環状のフレーム保持部材６１１を載置面６１１ａが拡張ドラム６２１の上端と略同一高さとなる基準位置と、拡張ドラム６２１の上端より所定量下方の拡張位置の間を上下方向に移動せしめる。従って、複数のエアシリンダ６３１からなる支持手段６３は、拡張ドラム６２１とフレーム保持部材６１１とを上下方向（軸方向）に相対移動する拡張移動手段として機能する。
【００２３】
図示の実施形態における接着フィルム破断装置６は、フレーム保持手段６１に保持された環状のフレーム４に保護テープ５を介して保持された半導体ウエーハ２または２０の裏面に貼着した接着フィルム３を冷却する冷却手段６４を具備している。冷却手段６４は、図６に示すように上記拡張ドラム６２１内において基台６０の上面に立設された支持柱６４１と、該支持柱６４１の上端に取付けられた円形状の支持板６４２と、該支持板６４２の上面に配設された円形状の冷却テーブル６４３とからなっている。この冷却テーブル６４３は、支持板６４２の上面に配設された円形状の熱伝冷却素子６４３aと、該熱伝冷却素子６４３aの上面に装着された円形状の冷却板６４３bとからなっている。なお、熱伝冷却素子６４３aは、図示しない電気回路に接続されている。この冷却テーブル６４３を構成する冷却板６４３bは、その直径が上記半導体ウエーハ２または２０の直径即ち接着フィルム３の直径と略同一に形成されており、その上面が上記拡張ドラム６２１の上端と同一又は僅かに上側に位置するように設定されている。このように構成された冷却手段６４は、図示しない電気回路を介して熱伝冷却素子６４３aに電流を印可すると、熱伝冷却素子６４３によるペルチェ効果によって冷却板６４３bが冷却される。なお、図示の実施形態においては、上記冷却手段６４を構成する冷却テーブル６４３として熱伝冷却素子６４３aを用いて冷却する例を示したが、内部に冷却流体を循環させるように構成した冷却テーブルを用いてもよい。
【００２４】
図５および図６に示す接着フィルム破断装置６は以上のように構成されており、この接着フィルム破断装置６を用いて上記環状のフレーム４に保護テープ５を介して保持された半導体ウエーハ２の裏面に貼着した接着フィルム３をストリート２１（分割溝２３）に沿って破断する接着フィルム破断工程について、図７を参照して説明する。
上記図３に示すように裏面に接着フィルム３が貼着された半導体ウエーハ２を保護テープ５を介して支持した環状のフレーム４を、図７の（ａ）に示すようにフレーム保持手段６１を構成するフレーム保持部材６１１の載置面６１１ａ上に載置し、クランプ機構６１２によってフレーム保持部材６１１に固定する(フレーム保持工程)。このとき、フレーム保持部材６１１は図７の（ａ）に示す基準位置に位置付けられている。この状態で、環状のフレーム４に装着された保護テープ５における接着フィルム３が貼着されている領域が、上記冷却手段６４の冷却テーブル６４３を構成する冷却板６４３bの上面と接触し支持される。なお、冷却テーブル６４３を構成する熱伝冷却素子６４３aには図示しない電気回路を介して電流が印可されている。従って、熱伝冷却素子６４３aによるペルチェ効果によって冷却板６４３bが冷却されるので、該冷却板６４３ｂによって接着フィルム３が例えば１０℃以下に冷却せしめられる。
【００２５】
次に、テープ拡張手段６２を構成する支持手段６３としての複数のエアシリンダ６３１を作動して、環状のフレーム保持部材６１１を図７の（ｂ）に示す拡張位置に下降せしめる。従って、フレーム保持部材６１１の載置面６１１ａ上に固定されている環状のフレーム４も下降するため、図７の（ｂ）に示すように環状のフレーム４に装着された支持テープ５は拡張ドラム６２１の上端縁に当接して拡張せしめられる（テープ拡張工程）。この結果、支持テープ５に貼着されている半導体ウエーハ２の裏面に貼着された接着フィルム３には、放射状に引張力が作用する。このように半導体ウエーハ２の裏面に貼着された接着フィルム３に放射状に引張力が作用すると、半導体ウエーハ２はストリート２１（分割溝２３）に沿って個々の半導体チップ２００に分割されているので、個々の半導体チップ間２００間が広がるとともに、接着フィルム３はストリート２１（分割溝２３）に沿って容易に破断される。このとき、接着フィルム３は常温では粘りがあり、上記張力が作用すると伸びてしまって確実に破断することが困難である。しかるに、図示の実施形態においては、接着フィルム３は冷却手段６４によって１０℃以下に冷却され伸縮性が低下せしめられているので、ストリート２１（分割溝２３）に沿って確実に破断することができる。即ち、接着フィルム３は、個々の半導体チップ２００（機能素子）の外周縁に沿って確実に破断される。なお、半導体ウエーハ２は個々の半導体チップ２００に分割されるが、半導体ウエーハ２は破断された接着フィルム３を介して保護テープ５に貼着されているので、バラバラにはならずウエーハの形態が維持されている。このようにして、半導体ウエーハ２の裏面に貼着された接着フィルム３がストリート２１（分割溝２３）に沿って破断されたら、ピックアップ工程において半導体チップを保護テープ５から剥離することにより、図８に示すように裏面に接着フィルム３が貼着された半導体チップ２００をピックアップすることができる。
【００２６】
次に、図５および図６に示す接着フィルム破断装置６を用いて上記環状のフレーム４に保護テープ５を介して保持された半導体ウエーハ２０の裏面に貼着した接着フィルム３をストリート２１（分割溝２３）に沿って破断する接着フィルム破断工程について、図９を参照して説明する。
図９に示す接着フィルム破断工程も上述した図７に示す接着フィルム破断工程と同様に図９の（ａ）に示すフレーム保持工程と、図９の(b)にテープ拡張工程を実施する。このテープ拡張工程において、保護テープ５に貼着されている半導体ウエーハ２０の裏面に貼着された接着フィルム３に放射状に引張力が作用すると、半導体ウエーハ２０にも同様に放射状に引張力が作用する。この結果、半導体ウエーハ２０のストリート２１に沿って形成された変質層２４は強度が低下せしめられているので、半導体ウエーハ２０は変質層２４に沿って破断され個々の半導体チップ２００に分割される。このように半導体ウエーハ２０が変質層２４に沿って破断されると同時に、半導体ウエーハ２０の裏面に貼着されている接着フィルム３も変質層２４に沿って破断する。このとき、上述したように接着フィルム３は冷却手段６４によって１０℃以下に冷却され伸縮性が低下せしめられているので、変質層２４に沿って確実にすることができる。このようにして、半導体ウエーハ２０の裏面に貼着された接着フィルム３が変質層２４に沿って破断されたら、ピックアップ工程において半導体チップを保護テープ５から剥離することにより、上記図８に示すように裏面に接着フィルム３が貼着された半導体チップ２００をピックアップすることができる。
【００２７】
接着フィルム破断装置６の他の実施形態について、図１０を参照して説明する。
図１０に示す接着フィルム破断装置６は、上述した図５および図６に示す接着フィルム破断装置６の構成と冷却手段が相違する以外は実質的に同一である。従って、図１０に示す接着フィルム破断装置６については、上述した図５および図６に示す接着フィルム破断装置６の構成部材と同一部材には同一符号を付して、その説明を省略する。
図１０に示す接着フィルム破断装置６に装備される冷却手段は、フレーム保持手段６１に保持された環状のフレーム４に装着された保護テープ５に接着フィルム３を介して貼着されている半導体ウエーハ２に冷却流体を噴射する冷却流体噴射手段６５からなっている。この冷却流体噴射手段６５は、拡張ドラム６２１の上方に配置された冷却流体噴射ノズル６５１と、該冷却流体噴射ノズル６５１を基台６０に支持する支持部材６５２とからなっている。冷却流体噴射ノズル６５１は、図示しない冷却流体供給手段に連通されている。このように構成された冷却手段６５は、図示しない冷却流体供給手段を作動することにより、冷却流体噴射ノズル６５１からフレーム保持手段６１に保持された環状のフレーム４に保護テープ５を介して支持された半導体ウエーハ２または２０に例えば１０℃以下の冷却流体（エアー）を噴射する。この結果、半導体ウエーハ２または２０が冷却するため、該半導体ウエーハ２または２０の裏面に貼着している接着フィルム３が冷却せしめられる。
【００２８】
次に、接着フィルム破断装置６の更に他の実施形態について、図１１を参照して説明する。図１１に示す接着フィルム破断装置６は、図１０に示す接着フィルム破断装置６における冷却流体噴射手段６５を拡張ドラム６２１内に配設したものである。即ち、基台６０条に配設された支持部材６５２の上端に装着された冷却流体噴射ノズル６５１を、フレーム保持手段６１に保持された環状のフレーム４に装着された保護テープ５における接着フィルム３が貼着されている領域に対向して配置した構成である。なお、冷却流体噴射ノズル６５１は、図示しない冷却流体供給手段に連通されている。
【００２９】
以上、本発明を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の趣旨の範囲で種々の変形は可能である。例えば、図示の実施形態においては、フレーム保持手段６１と拡張ドラム６２１を相対移動することにより、
環状のフレーム４に装着された保護テープ５を拡張する構成のテープ拡張装置に本発明を適用した例を示したが、フレーム保持手段６１に保持された環状のフレーム４に装着された保護テープ５における環状のフレーム４の内周縁と半導体ウエーハ２との間の領域を挟持し、保護テープ５を径方向外方に拡張する形態のテープ拡張装置に本発明を適用することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】先ダイシング法によって個々の半導体チップに分割された半導体ウエーハの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを貼着した状態を示す斜視図。
【図２】レーザー加工によりストリートに沿って変質層が形成された半導体ウエーハの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを貼着した状態を示す斜視図。
【図３】図１に示す半導体ウエーハを環状にフレームに装着された保護テープの表面に貼着した状態を示す斜視図。
【図４】図２に示す半導体ウエーハを環状にフレームに装着された保護テープの表面に貼着した状態を示す斜視図。
【図５】本発明に従って構成されたウエーハに貼着された接着フィルムの破断装置の一実施形態を示す斜視図。
【図６】図５に示す接着フィルム破断装置の一部を破断して示す正面図。
【図７】図５に示す接着フィルム破断装置を用いて図１に示す半導体ウエーハの裏面に貼着された接着フィルムを破断する工程を示す説明図。
【図８】図７に示す接着フィルム破断工程によって破断された接着フィルムが裏面に貼着された半導体チップの斜視図。
【図９】図５に示す接着フィルム破断装置を用いて図２に示す半導体ウエーハの裏面に貼着された接着フィルムを破断する工程を示す説明図。
【図１０】本発明に従って構成されたウエーハに貼着された接着フィルムの破断装置の他の実施形態の一部を破断して示す正面図。
【図１１】本発明に従って構成されたウエーハに貼着された接着フィルムの破断装置の更に他の実施形態の一部を破断して示す正面図。
【符号の説明】
【００３１】
２：半導体ウエーハ
２０：半導体ウエーハ
２００：半導体チップ
２１：ストリート
２２：回路
２３：分割溝
２４：変質層
３：接着フィルム
４：環状のフレーム
５：保護テープ
６：接着フィルム破断装置
６０：基台
６１：フレーム保持手段
６１１：フレーム保持部材
６１２：クランプ機構
６２：テープ拡張手段
６２１：拡張ドラム 
６３：支持手段 
６３１：エアシリンダ
６３２：ピストンロッド
６４：冷却手段
６４１：支持柱
６４２：冷却テーブル
６５：冷却流体噴射手段
６５１：冷却流体噴射ノズル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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