(57)【要約】【課題】浸漬型の基板処理装置において、処理槽内のパーティクルを短時間に効率よく除去できる技術を提供する。【解決手段】マイクロバブル発生部３０から、処理槽１０内の処理液へマイクロバブルを供給する。そして、処理液の循環系４０の経路途中に設けられた気泡除去部６１，６２においてマイクロバブルを除去する。処理槽１０内のパーティクルは、マイクロバブルに吸着して処理液の流れに乗って循環され、気泡除去部６１，６２においてマイクロバブルとともに除去される。マイクロバブルは各気泡のサイズが微小であるため、全体として広い表面積を有し、処理液中のパーティクルを効率よく吸着して除去する。マイクロバブルよりさらに微小なナノバブルを利用してもよい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を液体により処理する基板処理装置であって、
液体を貯留する処理槽と、
前記処理槽内の液体へマイクロバブルまたはナノバブルを供給するバブル供給手段と、
前記処理槽内の液体をマイクロバブルまたはナノバブルとともに前記処理槽外へ排出する排出手段と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記排出手段により排出された液体を前記処理槽の底部へ循環させる循環手段と、
前記循環手段の経路途中において、液体中のマイクロバブルまたはナノバブルを除去するバブル除去手段と、
をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記バブル除去手段は、液体を旋回させることにより、液体中のマイクロバブルまたはナノバブルを旋回中心に集めて除去することを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項２または３に記載の基板処理装置であって、
前記バブル除去手段へ流入する液体へ、マイクロバブルまたはナノバブルより大きな気泡を供給する気泡供給手段をさらに備え、
液体中のマイクロバブルまたはナノバブルを前記気泡に合体させて前記バブル除去手段へ流入させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項２から４のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記バブル除去手段へ流入するマイクロバブルまたはナノバブルを膨張させる膨張手段をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項２から５のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記循環手段は、第１の経路と第２の経路とを有し、
前記第１の経路途中に前記バブル除去手段を備えるとともに、前記第２の経路途中にフィルタを備え、
前記第１の経路と前記第２の経路のいずれかを選択する選択手段をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記バブル供給手段は、マイクロバブルまたはナノバブルの供給条件を変更可能であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
処理槽に貯留された液体に基板を浸漬して処理する基板処理装置において、前記処理槽内のパーティクルを除去するパーティクル除去方法であって、
前記処理槽内の液体へマイクロバブルまたはナノバブルを供給する第１の工程と、
前記処理槽内の液体をマイクロバブルまたはナノバブルとともに前記処理槽外へ排出する第２の工程と、
を備えることを特徴とするパーティクル除去方法。
【請求項９】
請求項８に記載のパーティクル除去方法であって、
前記第２の工程において排出された液体を前記処理槽の底部へ循環させ、その経路途中において、液体に含まれるマイクロバブルまたはナノバブルを除去する第３の工程をさらに備えることを特徴とするパーティクル除去方法。
【請求項１０】
請求項９に記載のパーティクル除去方法であって、
前記第３の工程においては、液体を旋回させることにより、液体中のマイクロバブルまたはナノバブルを旋回中心に集めて除去することを特徴とするパーティクル除去方法。
【請求項１１】
請求項９または１０に記載のパーティクル除去方法であって、
前記第３の工程においては、マイクロバブルまたはナノバブルを除去する前に、液体へマイクロバブルまたはナノバブルより大きな気泡を供給し、液体中のマイクロバブルまたはナノバブルを前記気泡に合体させることを特徴とするパーティクル除去方法。
【請求項１２】
請求項９から１１のいずれかに記載のパーティクル除去方法であって、
前記第３の工程においては、マイクロバブルまたはナノバブルを除去する前に、マイクロバブルまたはナノバブルを膨張させることを特徴とするパーティクル除去方法。
【請求項１３】
請求項８から１２のいずれかに記載のパーティクル除去方法であって、
前記第１の工程においては、マイクロバブルまたはナノバブルの供給条件を変更可能であることを特徴とするパーティクル除去方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板、液晶表示用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板等の基板を液体により処理する基板処理装置において、液体を貯留する処理槽からパーティクルを除去する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、基板の製造工程においては、純水、薬液等の液体に基板を浸漬して処理する浸漬型の基板処理装置が知られている。浸漬型の基板処理装置は、液体を貯留するための処理槽を備え、その処理槽の中で基板に洗浄処理等を行う。
【０００３】
このような基板処理装置では、処理槽内に発生したパーティクルを、基板の処理中または処理間（一組の基板を処理した後、次の一組の基板を処理するまでの間）に除去する。通常、処理槽の上部から溢れ出る液体をフィルタを通して濾過し、処理槽の底部から再度供給することによって、処理槽内のパーティクルを低減させている。
【０００４】
このような従来のパーティクル除去技術については、例えば、特許文献１に開示されている。
【０００５】
【特許文献１】特開平０７−３２６５７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記のように、従来のパーティクル除去方法では、循環する液流の作用のみによってパーティクルを運搬し、除去していた。しかしながら、液流の作用のみに依存していたため、パーティクルの除去効率には一定の限界があった。近年においては基板の製造時間の更なる短縮が課題となっており、また、許容されるパーティクルのレベルも厳しいものとなっている。このため、処理槽内のパーティクルを、より短時間に効率よく除去できる技術が必要となっている。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みなされたものであり、浸漬型の基板処理装置において、処理槽内のパーティクルを短時間に効率よく除去できる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、請求項１に係る発明は、基板を液体により処理する基板処理装置であって、液体を貯留する処理槽と、前記処理槽内の液体へマイクロバブルまたはナノバブルを供給するバブル供給手段と、前記処理槽内の液体をマイクロバブルまたはナノバブルとともに前記処理槽外へ排出する排出手段と、を備えることを特徴とする。
【０００９】
請求項２に係る発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記排出手段により排出された液体を前記処理槽の底部へ循環させる循環手段と、前記循環手段の経路途中において、液体中のマイクロバブルまたはナノバブルを除去するバブル除去手段と、をさらに備えることを特徴とする。
【００１０】
請求項３に係る発明は、請求項２に記載の基板処理装置であって、前記バブル除去手段は、液体を旋回させることにより、液体中のマイクロバブルまたはナノバブルを旋回中心に集めて除去することを特徴とする。
【００１１】
請求項４に係る発明は、請求項２または３に記載の基板処理装置であって、前記バブル除去手段へ流入する液体へ、マイクロバブルまたはナノバブルより大きな気泡を供給する気泡供給手段をさらに備え、液体中のマイクロバブルまたはナノバブルを前記気泡に合体させて前記バブル除去手段へ流入させることを特徴とする。
【００１２】
請求項５に係る発明は、請求項２から４のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記バブル除去手段へ流入するマイクロバブルまたはナノバブルを膨張させる膨張手段をさらに備えることを特徴とする。
【００１３】
請求項６に係る発明は、請求項２から５のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記循環手段は、第１の経路と第２の経路とを有し、前記第１の経路途中に前記バブル除去手段を備えるとともに、前記第２の経路途中にフィルタを備え、前記第１の経路と前記第２の経路のいずれかを選択する選択手段をさらに備えることを特徴とする。
【００１４】
請求項７に係る発明は、請求項１から６のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記バブル供給手段は、マイクロバブルまたはナノバブルの供給条件を変更可能であることを特徴とする。
【００１５】
請求項８に係る発明は、処理槽に貯留された液体に基板を浸漬して処理する基板処理装置において、前記処理槽内のパーティクルを除去するパーティクル除去方法であって、前記処理槽内の液体へマイクロバブルまたはナノバブルを供給する第１の工程と、前記処理槽内の液体をマイクロバブルまたはナノバブルとともに前記処理槽外へ排出する第２の工程と、を備えることを特徴とする。
【００１６】
請求項９に係る発明は、請求項８に記載のパーティクル除去方法であって、前記第２の工程において排出された液体を前記処理槽の底部へ循環させ、その経路途中において、液体に含まれるマイクロバブルまたはナノバブルを除去する第３の工程をさらに備えることを特徴とする。
【００１７】
請求項１０に係る発明は、請求項９に記載のパーティクル除去方法であって、前記第３の工程においては、液体を旋回させることにより、液体中のマイクロバブルまたはナノバブルを旋回中心に集めて除去することを特徴とする。
【００１８】
請求項１１に係る発明は、請求項９または１０に記載のパーティクル除去方法であって、前記第３の工程においては、マイクロバブルまたはナノバブルを除去する前に、液体へマイクロバブルまたはナノバブルより大きな気泡を供給し、液体中のマイクロバブルまたはナノバブルを前記気泡に合体させることを特徴とする。
【００１９】
請求項１２に係る発明は、請求項９から１１のいずれかに記載のパーティクル除去方法であって、前記第３の工程においては、マイクロバブルまたはナノバブルを除去する前に、マイクロバブルまたはナノバブルを膨張させることを特徴とする。
【００２０】
請求項１３に係る発明は、請求項８から１２のいずれかに記載のパーティクル除去方法であって、前記第１の工程においては、マイクロバブルまたはナノバブルの供給条件を変更可能であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
請求項１〜１３に記載の発明によれば、処理槽内にマイクロバブルまたはナノバブルを供給し、そのマイクロバブルまたはナノバブルを処理槽外へ排出する。このため、処理槽内のパーティクルをマイクロバブルまたはナノバブルに吸着させ、マイクロバブルまたはナノバブルとともに除去することができる。マイクロバブルまたはナノバブルは、各気泡のサイズが微小であるため、全体として広い表面積を有し、処理槽内のパーティクルを効率よく吸着して除去する。
【００２２】
請求項２または９に記載の発明によれば、処理槽内の液体を循環させ、その経路途中においてマイクロバブルまたはナノバブルを除去する。このため、使用する液体の量を節約しつつ、処理槽内のパーティクルを効率よく除去することができる。
【００２３】
請求項３または１０に記載の発明によれば、液体を旋回させ、マイクロバブルまたはナノバブルを旋回中心に集めて除去する。このため、フィルタを用いることなくパーティクルを除去することができ、フィルタの交換作業等による作業負担を軽減することができる。
【００２４】
請求項４または１１に記載の発明によれば、マイクロバブルまたはナノバブルを大きな気泡に合体させる。このため、マイクロバブルまたはナノバブルを効率よく除去することができる。
【００２５】
請求項５または１２に記載の発明によれば、マイクロバブルまたはナノバブルを膨張させる。このため、マイクロバブルまたはナノバブルを効率よく除去することができる。
【００２６】
請求項６に記載の発明によれば、マイクロバブルまたはナノバブルとともにパーティクルを除去する場合と、フィルタによりパーティクルを除去する場合とを、必要に応じて使い分けることができる。
【００２７】
請求項７または１３に記載の発明によれば、処理対象となる基板の種類や処理の段階によって、マイクロバブルまたはナノバブルを、最適なサイズや供給量に調節することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
【００２９】
＜１．基板処理装置の構成＞
図１は、本発明の基板処理装置１を基板Ｗと平行な平面で切断した縦断面図である。図１には、併せて配管や制御系の構成も示している。図２は、基板処理装置１を基板Ｗと垂直な平面で切断した縦断面図である。
【００３０】
図１〜図２に示したように、基板処理装置１は、主として処理槽１０と、リフタ２０と、マイクロバブル発生部３０と、循環系４０と、フィルタ５０と、気泡除去部６１，６２と、処理液供給系７０と、制御部８０とを備える。
【００３１】
処理槽１０は、純水等の処理液を貯留するための容器である。処理槽１０に貯留された処理液に基板Ｗを浸漬することにより、洗浄処理等の処理を行う。処理槽１０の底部には処理液吐出部１１が設けられており、処理液は処理液吐出部１１から処理槽１０内へ供給される。また、処理槽１０の上面は開放されており、その外側面の上端には外槽１２が設けられている。処理液吐出部１１から供給された純水は、処理槽１０の上方へ向かって流れ、やがて上部の開口から外槽１２へオーバーフローする。
【００３２】
リフタ２０は、リフタヘッド２１と保持板２２との間に、３本の保持棒２３を備えている。保持棒２３には複数の保持溝（図示省略）が刻設されており、複数の基板Ｗはその保持溝に起立姿勢で保持される。
【００３３】
リフタ２０には、サーボモータやタイミングベルト等を有するリフタ駆動部２４が接続されている。リフタ駆動部２４を動作させると、リフタ２０は昇降移動し、処理槽１０内の浸漬位置と、処理槽１０上方の引き上げ位置との間で、複数の基板Ｗを移動させる。処理槽１０内において処理液による基板Ｗの処理中には、リフタ２０を降下させて基板Ｗを処理槽１０内の処理液に浸漬し、ある基板の処理と次の基板の処理との間には、リフタ２０を上昇させておく。
【００３４】
マイクロバブル発生部３０は、直径５０μｍ以下の微小気泡であるマイクロバブルを発生させる装置である。マイクロバブル発生部３０は、気液混合ポンプ３１と、旋回加速器３２と、分散器３３とを備えている。気液混合ポンプ３１は、配管３４とバルブ３５とを介して窒素ガス供給源３６に連結されている。また、外槽１２には配管３７が連結されており、バルブ３８を介して配管３４に合流している。このため、バルブ３５およびバルブ３８を開くと、窒素ガスと処理液とが、気液混合ポンプ３１へ導入される。窒素ガスと処理液は、気液混合ポンプ３１で混合され、旋回加速器３２へ送られる。旋回加速器３２は、窒素ガスと処理液とを加速して旋回させ、気液２層流を形成して、分散器３３へ送り出す。分散器３３は、送り込まれた気液２層流を流体力学的に剪断してマイクロバブルを形成し、処理槽１０内の処理液へ吐出する。
【００３５】
なお、上記のバルブ３５およびバルブ３８は可変流量バルブであり、マイクロバブル発生部３０へ取り込む窒素ガスと処理液の量を、それぞれ調節可能となっている。また、気液混合ポンプ３１は、旋回加速器３２へ送り出す窒素ガスおよび処理液の流量を調節する。このため、これらの各所を調節することにより、マイクロバブルの発生条件が変更され、分散器３３から吐出されるマイクロバブルのサイズや量が調節される。
【００３６】
このようなマイクロバブル発生部３０において発生させるマイクロバブルは、一般的に、発生時の直径が５０μｍ以下の微小気泡として定義されている。そして、バブル孔から単に気体を吐出させるような通常のバブリングでは発生させることができず、上記のような気液２層流の剪断などによってのみ得ることができる点で、通常の気泡とは種類の異なる気泡である。なお、本実施形態では窒素ガスのマイクロバブルを発生させているが、他の気体を利用してもよい。
【００３７】
循環系４０は、ポンプ４１と配管４２とを有し、処理槽１０の上部からオーバーフローした処理液を、処理液吐出部１１へ帰還させる。配管４２は、複数の配管４２ａ〜４２ｉを備えており、処理液を複数通りの経路で処理液吐出部１１へ帰還させる。配管４２ａは、一端が外槽１２に連結されており、ポンプ４１が介挿され、他端は２本の配管４２ｂ，４２ｃへ分岐する。配管４２ｂにはバルブ４３とフィルタ５０とが介挿されている。一方、配管４２ｃにはバルブ４４が介挿されており、その先はさらに２つの配管４２ｄ，４２ｅに分岐する。配管４２ｄ，４２ｅは、それぞれ気泡除去部６１，６２の導入口６１ｉ，６２ｉに連結する。気泡除去部６１，６２の処理液排出口６１ｏ，６２ｏには、それぞれ配管４２ｆ，４２ｇが連結されている。配管４２ｆ，４２ｇには、それぞれバルブ４５，４６が介挿されており、その先は一本の配管４２ｈへ合流する。さらに、配管４２ｂと配管４２ｈは、一本の配管４２ｉへ合流し、ヒータ７０を介して処理液吐出部１１へ連結されている。
【００３８】
このような循環系４０において、バルブ４４を閉じてバルブ４３を開け、ポンプ４１を動作させると、フィルタ５０経由で処理液は循環される。また、バルブ４３を閉じてバルブ４４，４５，４６を開け、ポンプ４１を動作させると、気泡除去部６１，６２経由で処理液は循環される。
【００３９】
気泡除去部６１，６２は、処理液を旋回させることにより処理液中に含まれるマイクロバブルを旋回中心に集めて除去する装置である。気泡除去部６１と気泡除去部６２の構成は同等であり、その一方の気泡除去部６１の構成を図３に示す。図３に示すように、気泡除去部６１は、略円筒形のケース６１０の中に、予備旋回流室６１１と、旋回流室６１２と、ろ液室６１３と、気泡除去管６１４とを備えている。予備旋回流室６１１は、ケース６１０の上部を取り巻くように形成されている。また、旋回流室６１２は、予備旋回流室６１１の内側で下方に向かって収束するような円錐形に形成されている。
【００４０】
導入口６１ｉから導入された処理液は、予備旋回流室６１１内を一周し、ケース６１０の接線方向へ進む旋回流となって旋回流室６１２へ流入する。そして、旋回流室６１２内では、処理液は、旋回流室６１２の側面に沿って旋回しながら下方へ流れる。このとき、遠心力により、密度の大きい液体は旋回流室６１２の外周部に、密度の小さいマイクロバブルは中心部に集合する（サイクロンの原理）。
【００４１】
旋回流室６１２とろ液室６１３との間には、複数の小孔６１２ａが形成されている。このため、旋回流室６１２の外周部に集合した処理液は、小孔６１２ａからろ液室６１３へ導入され、処理液排出口６１ｏから配管４２ｆへ排出される。
【００４２】
一方、旋回流室６１２と気泡除去管６１４との間にも、複数の小孔６１４ａが形成されている。このため、旋回流室６１２の中心部に集合したマイクロバブルは、少量の処理液とともに小孔６１４ａから気泡除去管６１４へ導入され、気泡排出口６１ａから排出される。
【００４３】
この基板処理装置１では、このような構成を有する気泡除去部６１と、同等の構成を有する気泡除去部６２とを、並列に設けている。このため、各気泡除去部における負担が軽減し、より効率よくマイクロバブルを除去できる。
【００４４】
図１に戻り、気泡除去部６１，６２の気泡排出口６１ａ，６２ａには、それぞれ配管６１ｂ，６２ｂが連結されている。そして、配管６１ｂ，６２ｂは、一本の配管６０ｂへ合流し、その先は排液ラインへつながっている。気泡排出口６１ａ，６２ａから排出されたマイクロバブルは、少量の処理液とともに、配管６１ｂ，６２ｂ，６０ｂを通って排液ラインへ排出される。
【００４５】
配管６１ｂ，６２ｂには、それぞれ可変流量バルブ６１ｃ，６２ｃが介挿されており、マイクロバブルとともに排液される処理液の量を調節する。また、配管６０ｂには、流量計６０ｃが介挿されており、マイクロバブルとともに排液される処理液の量を計測する。
【００４６】
処理液供給系７０は、処理液供給源７１と、処理槽１０と処理液供給源７１とを結ぶ配管７２と、配管７２に介挿されたバルブ７３とを備えている。このため、バルブ７３を開けることにより、処理液供給源７１から処理槽１０へ、処理液は供給される。
【００４７】
制御部８０は、リフタ駆動部２４、気液混合ポンプ３１，旋回加速器３２，ポンプ４１、ヒータ７０、バルブ３５，３８，４３〜４６，６１ｃ，６２ｃ，７３と電気的に接続されており、これらの動作を制御する。また、制御部８０は、流量計６０ｃの計測結果を受信する。
【００４８】
＜２．基板処理装置の動作＞
続いて、基板処理装置１の動作について説明する。図４は、基板処理装置１の動作の流れを示したフローチャートである。なお、以下に説明する動作は、制御部８０が、リフタ２０、気液混合ポンプ３１、旋回加速器３２、ポンプ４１、ヒータ７０、バルブ３５，３８，４３〜４６，６１ｃ，６２ｃ，７３等を制御することにより進行する。
【００４９】
以下の工程では、基板Ｗの浸漬処理前および浸漬処理中に、処理槽１０内のパーティクルを除去する。処理槽１０内には、あらかじめ循環系４０の循環に十分な量の処理液が貯留されている。また、バルブ４３は閉じられバルブ４４〜４６は開かれており、循環系４０の経路は、気泡除去部６１，６２経由に設定されている。
【００５０】
まず、基板Ｗの浸漬処理を行う前に、処理槽１０内のパーティクルを除去する（ステップＳ１）。図５は、ステップＳ１のパーティクル除去工程の動作を示したフローチャートである。ステップＳ１のパーティクル除去工程では、ポンプ４１を動作させ、気泡除去部６１，６２経由で処理液を循環させる（ステップＳ１１）。そして、バルブ３５，３８を開くとともに気液混合ポンプ３１と旋回加速器３２とを動作させ、分散器３３から処理液内にマイクロバブルを発生させる（ステップＳ１２）。
【００５１】
処理槽１０内では、処理槽の上方へ向かう処理液の流れが形成され、その中で分散器３３から吐出されたマイクロバブルが処理槽の上方へ向かって浮上する。このため、処理槽１０内に残存するパーティクルは、マイクロバブルに吸着し、マイクロバブルとともに処理槽１０の上方へ運搬される。ここで、マイクロバブルは各気泡のサイズが微小であるため、全体として広い表面積（気液界面の面積）を有する。このため、処理液中のパーティクルを効率よく吸着する。また、マイクロバブルは帯電性を有するため、処理液中のパーティクルを静電的作用によって引き寄せ、効率よく吸着する。
【００５２】
このようにパーティクルを吸着したマイクロバブルは、処理液とともに処理槽１０の上部から外槽１２へオーバーフローし、循環系４０へ流れ込む。そして、配管４２ａ，４２ｃ，４２ｄまたは４２ｅを通って、導入口６１ｉ，６２ｉから気泡除去部６１，６２へ導入される。
【００５３】
気泡除去部６１，６２内では、上記したように処理液が旋回され、その旋回中心へ処理液中のマイクロバブルを集めて除去する。このとき、マイクロバブルに吸着しているパーティクルも、マイクロバブルとともに除去される。各気泡除去部６１，６２において除去されたマイクロバブルおよびパーティクルは、少量の処理液とともに気泡排出口６１ａ，６２ａから排出され、配管６１ｂ，６２ｂ、配管６０ｂを通って、排液ラインへ排出される。
【００５４】
一方、マイクロバブルが除去された後の処理液は、処理液排出口６１ｏ，６２ｏから配管４２ｆ，４２ｇへ排出される。そして、配管４２ｈへ合流した後、配管４２ｉを経由して、再び処理槽１０内へ供給される。
【００５５】
なお、気泡除去部６１，６２では、マイクロバブルとともに少量の処理液が排出されるので、循環する処理液の量は、少しずつ低下する。このため、気泡除去部６１，６２の気泡排出側に設けた可変流量バルブ６１ｃ，６２ｃを、マイクロバブルの除去に必要な最小限のレベルに絞っている。また、排出される処理液の量を流量計６０ｃで計測し、その計測結果に基づいてバルブ７３を開けることにより、不足した処理液を処理槽１０へ補充する。
【００５６】
図４に戻り、ステップＳ１では、このような気泡除去部６１，６２経由の循環を所定時間継続し、マイクロバブルとともにパーティクルを十分に除去する。そして、パーティクルの除去が完了すると、マイクロバブル発生部３０とポンプ４１とを停止させる。
【００５７】
続いて、基板Ｗの浸漬処理を行う。基板Ｗの浸漬処理においては、まず、リフタ駆動部２４を動作させ、基板Ｗを処理槽１０内の処理液へ浸漬する（ステップＳ２）。これにより、処理槽１０内では、基板Ｗに対して処理液によるエッチング処理や洗浄処理などが行われる。
【００５８】
基板Ｗの浸漬処理中においては、処理槽１０内の処理液に発生したパーティクルを随時に除去する（ステップＳ３）。パーティクル除去処理の動作は、図５に示したステップＳ１１〜Ｓ１２と同等である。まず、ポンプ４１を動作させ、気泡除去部６１，６２経由で処理液を循環させる（ステップＳ３１）。そして、マイクロバブル発生装置３０を動作させ、分散器３３からマイクロバブルを発生させる（ステップＳ３２）。これにより、処理槽１０内に発生したパーティクルは、マイクロバブルに吸着し、マイクロバブルとともに循環して、気泡除去部６１，６２において除去される。
【００５９】
基板Ｗの浸漬処理が終了すると、リフタ２０を上昇させて、基板Ｗを引き上げる（ステップＳ４）。その後、基板Ｗは他の装置へ搬送され、基板処理装置１における一組の基板Ｗの処理は終了する。なお、基板処理装置１内で基板Ｗを引き上げた状態で、または他の装置に基板Ｗを搬送した後に、基板Ｗの乾燥処理が行われる。
【００６０】
一組の基板Ｗの処理が終了すると、制御部８０は、次の一組の基板Ｗを処理するか否かを判断する（ステップＳ５）。そして、次の処理を行う場合には、ステップＳ１に戻り、処理槽１０内の処理液に残存するパーティクルの除去処理を行う。
【００６１】
＜３．その他＞
上記のように、この基板処理装置１では、処理槽１０内にマイクロバブルを供給し、そのマイクロバブルを気泡除去部６１，６２で除去することができる。このため、処理槽１０内のパーティクルをマイクロバブルに吸着させ、マイクロバブルとともに除去することができる。マイクロバブルは各気泡のサイズが微小であるため、全体として広い表面積を有し、処理液中のパーティクルを効率よく吸着して除去する。
【００６２】
なお、上記の例では発生時の直径が５０μｍ以下のマイクロバブルを利用したが、さらに微小なナノバブルを利用してもよい。ナノバブルは、一般的に、発生時の直径が１μｍ未満の超微小気泡として定義されている。このようなナノバブルを利用すれば、気泡全体として極めて広い表面積を確保することができ、処理液中のパーティクルをさらに効率よく吸着して除去することができる。
【００６３】
ただし、気泡を微小にすればするほど、気泡を処理液から除去することが困難となる。たとえば、上記のように処理液を旋回させ、その旋回中心に気泡を集めて除去する方法では、微小な気泡ほど旋回中心に集合し難くなる。このため、パーティクルを吸着する段階においては、マイクロバブルやナノバブルのような微小気泡を供給し、気泡を除去する段階においては、気泡のサイズを比較的大きくすることが望ましい。具体的には、図６、図７、または図８に示すような構成を採ることができる。
【００６４】
図６に示した構成では、循環系４０の気泡除去部６１，６２の手前に、気泡供給部９１を設ける。そして、気泡供給部９１においてマイクロバブルやナノバブルよりもサイズの大きな気泡を発生させ、循環する処理液へ供給する。このようにすれば、処理液中に含まれるマイクロバブルまたはナノバブルは、気泡供給部９１の大きな気泡に吸収されて合体する。そして、マイクロバブルまたはナノバブルに吸着されていたパーティクルも、合体後の大きな気泡に転着し、大きな気泡とともに気泡除去部６１，６２へ流入する。したがって、気泡除去部６１，６２において気泡およびパーティクルを効率よく除去することができる。
【００６５】
図７に示した構成では、気泡除去部６１，６２をチャンバ９２で囲い、チャンバ内の雰囲気を減圧するエアポンプ９３を設ける。このようにすれば、気泡除去部６１，６２周辺のみを減圧することができ、気泡除去部６１，６２に流入する気泡を膨張させることができる。したがって、気泡除去部６１，６２における気泡およびパーティクルの除去効率を向上させることができる。
【００６６】
図８に示した構成では、循環系４０の気泡除去部６１，６２の手前に、ヒータ９４を設ける。そして、気泡除去部６１，６２に流入する処理液を加熱する。このようにすれば、処理液中に含まれる気泡を加熱により膨張させることができる。したがって、気泡除去部６１，６２における気泡およびパーティクルの除去効率を向上させることができる。
【００６７】
なお、上記の例では、処理中にも処理間にもマイクロバブルを発生させ、それを気泡除去部経由で循環させて除去した。しかし、基板Ｗの表面を疎水化する処理液（フッ酸など）を使用して基板Ｗを処理している場合には、マイクロバブル等の気泡が処理中の基板Ｗに悪影響を与える恐れがある。このため、基板Ｗの表面を疎水化する処理液を使用して処理をするときには、マイクロバブル発生装置の動作を停止してもよい。この場合には、バルブ４４を閉じるとともにバルブ４３を開き、フィルタ５０経由で処理液を循環させれば、処理中に発生したパーティクルをフィルタ５０によって除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】基板処理装置を基板と平行な平面で切断した縦断面図である。
【図２】基板処理装置を基板と垂直な平面で切断した縦断面図である。
【図３】気泡除去部の構成を示した縦断面図である。
【図４】基板処理装置の動作の流れを示したフローチャートである。
【図５】パーティクル除去工程の動作を示したフローチャートである。
【図６】気泡供給部を設けた構成を示した図である。
【図７】気泡除去部をチャンバで囲った構成を示した図である。
【図８】気泡除去部の手前にヒータを設けた構成を示した図である。
【符号の説明】
【００６９】
１    基板処理装置
１０    処理槽
１１    処理液吐出部
１２    外槽
２０    リフタ
３０    マイクロバブル発生部
４０    循環系
４１    ポンプ
４２    配管
５０    フィルタ
６１，６２    気泡除去部
８０    制御部
９１    気泡供給部
Ｗ    基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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