(57)【要約】【課題】電極配線を低抵抗化して、クロストークの発生を抑制する。【解決手段】  第１の基板と、前記第１の基板とシール材によって貼り合わされ、前記第１の基板との間に液晶が封入される第２の基板と、前記第１の基板上に第１の方向に延在して複数形成される第１の電極配線と、前記第２の基板上に前記第１の方向に交差する第２の方向に延在して形成される複数の第２の電極配線とを具備し、前記第１及び第２の電極配線の少なくとも一方は、前記第１の電極配線と前記第２の電極配線との交差に対応して構成される画素による表示領域外において、透明導電膜とモリブデン単体金属又はモリブデン合金との多層構造膜で構成されることを特徴とする。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、
前記第１の基板とシール材によって貼り合わされ、前記第１の基板との間に液晶が封入される第２の基板と、
前記第１の基板上に第１の方向に延在して複数形成される第１の電極配線と、
前記第２の基板上に前記第１の方向に交差する第２の方向に延在して形成される複数の第２の電極配線とを具備し、
前記第１及び第２の電極配線の少なくとも一方は、前記第１の電極配線と前記第２の電極配線との交差に対応して構成される画素による表示領域外において、透明導電膜とモリブデン単体金属又はモリブデン合金との多層構造膜で構成されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１及び第２の電極配線の少なくとも一方は、前記シール材によって前記液晶が封入される領域外の領域において、透明導電膜とモリブデン単体金属又はモリブデン合金との多層構造膜で構成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１及び第２の電極配線は、前記表示領域内において、透明導電膜によって構成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１及び第２の電極配線は、前記表示領域内において、透明導電膜と銀を含む導電膜との多層構造膜で構成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１及び第２の電極配線の一方は、カラーフィルタが形成されたカラーフィルタ基板であり、
前記第１及び第２の電極配線の他方は、前記第１及び第２の電極配線に信号を供給する駆動回路が搭載される実装側基板であって、前記表示領域外において、透明導電膜とモリブデン単体金属又はモリブデン合金との多層構造膜で構成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記モリブデン単体金属又はモリブデン合金は、前記透明導電膜よりも狭幅に形成されることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１つに記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第１及び第２の電極配線は、前記第１及び第２の基板の少なくとも一方の基板に実装される端子部分において、前記透明導電膜のみの単層構造膜で構成されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１つに記載の液晶表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至７に記載の液晶表示装置を用いたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯端末等の低消費電力化が要求されるものに好適な液晶表示装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶パネルは、ガラス基板、石英基板等の２枚の基板間に液晶を封入して構成される。各基板には電極を設け、画像信号を電極に供給する。各基板の電極相互間の液晶は、画像信号に応じて光学特性が変化する。即ち、各基板の電極相互間の液晶に画像信号に基づく電圧を印加することで、液晶分子の配列を変化させるのである。これにより、各画素における光の透過率が画像信号に応じて変化することになり、画像信号に応じた画像表示が行われる。
【０００３】
即ち、観察者は、液晶パネルの背面側から前面側に透過する光を、液晶パネルの前面側において観察することによって、液晶パネル上に映出された画像を観察することができる。
【０００４】
このような液晶パネルにおいては、高輝度の表示を行うために、液晶パネルの背面側にバックライトを設けて、背面から透過した光を利用して観察を行う透過型パネルが知られている。また、液晶パネルの前面からの入射光（例えば自然光）が液晶パネルの背面に設けた反射膜によって反射してパネルの前面側に透過することによって画像表示を行う反射型も知られている。更に、バックライト及び反射膜を設けて、前面からの入射光の反射光及びパックライトからの光を利用して観察を行う反射半透過型がある。
【０００５】
ところで、ＳＴＮ方式の液晶パネルにおいては、カラーフィルタが形成されるカラーフィルタ基板と、ドライバが実装される実装側基板とをシール材を用いて貼り合わせ、両基板間のシール材によって囲まれた領域に液晶が封入される構成になっている。実装側基板には、表示領域の垂直方向に延設される複数のセグメント電極が形成され、カラーフィルタ基板には、表示領域の水平方向に延設される複数のコモン電極が形成される。コモン電極とセグメント電極との交点に対応して、マトリクス状に画素が形成されることになる。コモン電極に走査信号を与え、セグメント電極に映像信号を与えることで、走査信号に応じた画像表示が行われる。
【０００６】
しかし、走査が行われないラインのコモン電極とセグメント電極との間にも電位差が生じる。即ち、ＳＴＮ方式では、原理的にクロストークが生じやすい。クロストークを抑制するためには、電気的には誘電体と考えられる液晶層のインピーダンスに対して、コモン電極及びセグメント電極の配線抵抗を十分に低くする必要がある。
【０００７】
液晶パネルにおいては、光を透過させる必要があることから、コモン電極及びセグメント電極としては、配線抵抗が比較的大きいＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜を採用する必要があった。一方、反射半透過型（又は透過型）液晶パネルにおいて用いられる反射膜としては、反射率が高い膜を用いる必要がある。
【０００８】
これらの点を考慮して、特許文献１では、反射半透過型（又は透過型）液晶パネルにおいて、反射膜として銀を採用すると共に、反射膜とＩＴＯ膜とを積層することで、コモン電極及びセグメント電極（以下、ＩＴＯ電極ともいう）の低抵抗化を図る技術が開示されている。
【特許文献１】特開２００２−４９０５３公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、銀は腐食に弱いという欠点がある。このため、ＩＴＯ電極と銀との積層構造は、液晶パネルのシール材の中の配線のみに採用される。一方、液晶パネルの表示領域をなるべく大きくするために、液晶パネル縁辺部の非表示領域は、なるべく狭く構成されるようになっている。つまり、シール材の外側の領域である非表示領域においては、多数のＩＴＯ配線が狭ピッチで配線されることになり、配線抵抗が大きい。この部分において、ＩＴＯ電極と銀との積層構造を採用することができないことから、ＩＴＯ電極の低抵抗化は十分ではなく、クロストークを十分に抑制することができないという問題があった。特に、近年、高画質化の要求から液晶パネルの画素数は増大する傾向にあり、ＩＴＯ配線の配線数の増大によって、ＩＴＯ電極の低抵抗化は一層困難となっている。
【００１０】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、信号配線の抵抗値を十分に低くして、クロストークを抑制することができる液晶表示装置及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る液晶表示装置は、第１の基板と、前記第１の基板とシール材によって貼り合わされ、前記第１の基板との間に液晶が封入される第２の基板と、前記第１の基板上に第１の方向に延在して複数形成される第１の電極配線と、前記第２の基板上に前記第１の方向に交差する第２の方向に延在して形成される複数の第２の電極配線とを具備し、前記第１及び第２の電極配線の少なくとも一方は、前記第１の電極配線と前記第２の電極配線との交差に対応して構成される画素による表示領域外において、透明導電膜とモリブデン単体金属又はモリブデン合金との多層構造膜で構成されることを特徴とする。
【００１２】
このような構成によれば、第１及び第２の電極配線の少なくとも一方は、第１の電極配線と第２の電極配線との交差に対応して構成される画素による表示領域外において、透明導電膜とモリブデン単体金属又はモリブデン合金との多層構造膜で構成される。これにより、表示領域外の第１及び第２の電極配線の少なくとも一方は、モリブデン単体金属又はモリブデン合金によって、高い耐腐食性を備えると共に、配線抵抗を十分に低下させることができる。これにより、クロストークの発生を抑制することができる。なお、表示領域外でモリブデン単体金属又はモリブデン合金が用いられるので、表示に影響を与えることがない。
【００１３】
また、前記第１及び第２の電極配線の少なくとも一方は、前記シール材によって前記液晶が封入される領域外の領域において、透明導電膜とモリブデン単体金属又はモリブデン合金との多層構造膜で構成されることを特徴とする。
【００１４】
このような構成によれば、第１及び第２の電極配線の少なくとも一方は、シール材によって液晶が封入される領域外の領域において、透明導電膜とモリブデン単体金属又はモリブデン合金との多層構造膜で構成される。これにより、シール材によって液晶が封入される領域外の領域においては、第１及び第２の電極配線の少なくとも一方は、モリブデン単体金属又はモリブデン合金によって、高い耐腐食性を備えると共に、配線抵抗を十分に低下させることができる。これにより、クロストークの発生を抑制することができる。
【００１５】
また、前記第１及び第２の電極配線は、前記表示領域内において、透明導電膜によって構成されることを特徴とする。
【００１６】
このような構成によれば、表示領域内では、透明導電膜が用いられるので、光を十分に透過することができ、表示に悪影響を与えることがない。
【００１７】
また、前記第１及び第２の電極配線は、前記表示領域内において、透明導電膜と銀を含む導電膜との多層構造膜で構成されることを特徴とする。
【００１８】
このような構成によれば、表示領域内の第１及び第２の電極配線が、ＩＴＯ膜と銀との多層構造膜であるので、十分な反射率を有すると共に、配線抵抗を十分に低下させることができ、クロストークの発生を抑制することができる。
【００１９】
また、前記第１及び第２の電極配線の一方は、カラーフィルタが形成されたカラーフィルタ基板であり、前記第１及び第２の電極配線の他方は、前記第１及び第２の電極配線に信号を供給する駆動回路が搭載される実装側基板であって、前記表示領域外において、透明導電膜とモリブデン単体金属又はモリブデン合金との多層構造膜で構成されることを特徴とする。
【００２０】
このような構成によれば、実装側基板においては、駆動回路からの電極配線の引き回しが多く、配線抵抗が高くなる傾向にある。この場合でも、実装側基板においては、表示領域外において、第１及び第２の電極配線の他方は、透明導電膜とモリブデン単体金属又はモリブデン合金との多層構造膜で構成されるので、十分な低抵抗化を図ることができる。これにより、クロストークの発生を十分に抑制することができる。
【００２１】
また、前記モリブデン単体金属又はモリブデン合金は、前記透明導電膜よりも狭幅に形成されることを特徴とする。
【００２２】
このような構成によれば、第１及び第２の電極配線は、モリブデン単体金属又はモリブデン合金が透明導電膜よりも狭幅に形成されて、配線間距離は透明導電膜の間隔によって決まる。これにより、電飾等の影響を回避しやすく、耐腐食性を一層向上させることができる。
【００２３】
前記第１及び第２の電極配線は、前記第１及び第２の基板の少なくとも一方の基板に実装される端子部分において、前記透明導電膜のみの単層構造膜で構成されることを特徴とする。
【００２４】
このような構成によれば、端子部分においては異種金属同士が隣り合って配設される。この場合でも、第１及び第２の電極配線が透明導電膜のみの単層構造膜で構成されるので、膜剥がれ等の悪影響が生じる虞がない。
【００２５】
また、本発明に係る電子機器は、上記液晶表示装置を用いたことを特徴とする。
【００２６】
このような構成によれば、電極配線の低抵抗化が可能であり、クロストークの発生が十分に抑制されて、高画質の画像を表示可能な電子機器とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。図１は本発明の第１の実施の形態に係る液晶表示装置を模式的に示す斜視図である。また、図１の液晶表示装置の配線パターンの一例を説明するための概略平面図である。
【００２８】
第１の実施の形態は、透過型の液晶パネルに適用した例である。
【００２９】
図１に示すように、液晶表示装置を構成する液晶パネル１は、実装側基板２とカラーフィルタ基板３とがシール材４（破線部）によって貼り合わされて構成される。実装側基板基板２の一縁辺部にはドライバ部５が設けられており、ドライバ部５には、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）基板６が接続されている。
【００３０】
実装側基板２及びカラーフィルタ基板３とシール材４とによって囲まれた領域内に、図示しない液晶が封入されるようになっている。シール材４の内側の液晶が封入された領域において画素が配置される表示部９が構成される。
【００３１】
ドライバ部５には、複数のセグメント電極７及びコモン電極８が接続されている。セグメント電極７は、実装側基板２上に形成され、シール材４で囲まれた領域においては、表示部９の垂直方向に延在して配置される。また、コモン電極８は、実装側基板２上及びカラーフィルタ基板３上の両方に形成される。コモン電極８は、表示部９においては、水平方向に延在して配置される。表示部９における複数のセグメント電極７と、表示部９における複数のコモン電極８とが交差する位置に対応して画素（サブ画素）が構成される。画素においては、両電極７ｂ，８ｂによって液晶に電圧が印加され、これにより、各画素の液晶が駆動される。
【００３２】
各セグメント電極７は、表示部９内においては、画素ピッチで平行に配線される。ドライバ部５のセグメント電極用の端子間のピッチは画素ピッチよりも狭く、セグメント電極７は、表示部９の端辺とドライバ部５の端子との間において、これらのピッチの差を吸収するように配線される。即ち、表示部９以外の部分におけるセグメント電極７は、セグメント電極７ｂよりも狭いピッチで配線されている。
【００３３】
また、各コモン電極７は、表示部９内においては、カラーフィルタ基板３上において、画素ピッチで平行に配線される。一方、実装側基板２上の表示部９の外側に形成されたコモン電極７は、表示部９の垂直方向の縁辺に沿って配線される。カラーフィルタ基板３上に形成されたコモン電極７と、実装側基板２上に形成されたコモン電極７ｂとは、表示部９の外側において図示しない導通材によって接続される。実装側基板２上のコモン電極８ａのピッチは、比較的狭ピッチであり、また、ドライバ部５のコモン電極用の端子間のピッチも狭い。
【００３４】
各セグメント電極７及びコモン電極８は、ＩＴＯ膜によって構成されている。更に、本実施の形態においては、表示部９以外の領域においては、各セグメント電極７及びコモン電極８は、ＩＴＯ膜上にモリブデン単体金属又はモリブデン合金を積層した多層構造の膜によって形成されている。即ち、各セグメント電極７は、表示部９以外の領域においては、ＩＴＯ膜とモリブデン単体金属又はモリブデン合金との多層構造膜を採用した電極配線（以下、セグメント電極７ａという）であり、表示部９内の領域においては、ＩＴＯ膜のみの電極配線（以下、セグメント電極７ｂという）である。同様に、各コモン電極８は、表示部９以外の領域においては、ＩＴＯ膜とモリブデン単体金属又はモリブデン合金との多層構造膜を採用した電極配線（以下、コモン電極８ａという）であり、表示部９内の領域においては、ＩＴＯ膜のみの電極配線（以下、コモン電極８ｂという）である。
【００３５】
ＩＴＯ膜とモリブデン単体金属又はモリブデン合金との多層構造膜を採用したセグメント電極７ａ及びコモン電極８ａを採用していることから、ＩＴＯ膜のみによる電極配線に比べて、比抵抗を１／５〜１／１０程度に低下させることができる。
【００３６】
また、モリブデン合金としては、例えば、タングステン、ニオブ等の金属とモリブデンとの合金を採用することができる。例えば、３５ｗｔ％（重量パーセント）のタングステンを含むモリブデン合金が採用される。モリブデン単体金属は、銀よりも耐腐食性に優れている。更に、合金化されたモリブデンの耐腐食性はより一層高い。即ち、セグメント電極７ａ及びコモン電極８ａは、ＩＴＯ膜と耐腐食性に優れたモリブデン単体金属又はモリブデン合金との多層構造で構成されていることから、シール材４の外側に配線されていても、腐食の虞がない。
【００３７】
また、モリブデン単体金属又はモリブデン合金の透過率は低いが、表示部９以外の領域にのみＩＴＯ膜とモリブデン単体金属又はモリブデン合金との多層構造膜を採用していることから、表示に影響が与えられることはない。
【００３８】
ところで、画素が構成された表示部９内であっても、端部は非表示領域である。即ち、表示部９のうちの中央の所定の領域のみが表示領域であり、この表示領域の外側の領域は非表示領域である。従って、ＩＴＯ膜とモリブデン単体金属又はモリブデン合金膜によるセグメント電極７ａ及びコモン電極８ａを、表示部９内の非表示領域まで延在させるようにしてもよい。
【００３９】
図２はこの場合の配線パターンの一例を示している。なお、以下の説明においては、多層構造膜として、ＩＴＯ膜とモリブデン合金との積層構造を採用する例を説明するが、ＩＴＯ膜とモリブデン単体金属でも同様に構成可能である。図２において、破線で囲った領域は表示部９の範囲を示し、実線で囲った領域は表示領域１１を示している。また、図２において、斜線はＩＴＯ膜とモリブデン合金との多層構造膜によるセグメント電極７ａ又はコモン電極８ａを示している。図２ではこれらの電極配線の一部のみを示している。
【００４０】
図２に示すように、ドライバ部５から延出されたセグメント電極７は、表示領域１１まではＩＴＯ膜とモリブデン合金との多層構造膜によるセグメント電極７ａとして構成され、表示領域１１内はＩＴＯ膜によるセグメント電極７ｂとして構成される。
【００４１】
ドライバ部５から延出された各コモン電極８は、実装側基板２の長辺に沿って配線され、カラーフィルタ基板３の対応するコモン電極８の位置において水平方向に屈曲した導通部１０を有するように形成される。実装側基板２においては、各コモン電極８は、ＩＴＯ膜とモリブデン合金との多層構造膜によるコモン電極８ａとして構成される。カラーフィルタ基板３上における各コモン電極８は、表示領域１１まではＩＴＯ膜とモリブデン合金との多層構造膜によるコモン電極８ａとして構成され、表示領域１１内ではＩＴＯ膜によるコモン電極８ｂとして構成される。なお、カラーフィルタ基板３上におけるコモン電極８は、ＩＴＯ膜のみによるコモン電極８ｂとして構成されていてもよい。
【００４２】
このように構成された実施の形態においては、ＩＴＯ膜とモリブデン合金（又はモリブデン単体金属）との多層構造膜による電極配線を用いていることから、配線抵抗を十分に低くすることができる。これにより、クロストークの発生を抑制することが可能である。
【００４３】
また、ＩＴＯ膜とモリブデン合金との多層構造膜による電極配線は、表示領域の外側の領域にのみ使用しており、表示領域内における電極配線としてはＩＴＯ膜が採用されており、表示領域の透過率が低下することはない。また、表示部の外側においても、耐腐食性が高いモリブデン合金が用いられていることから、電極配線が腐食する虞もない。
【００４４】
なお、ドライバ部５等の端子部においては、バンプやＡＣＦ（Anisotoropic Conductive Film）（異方性導電膜）等に用いる異種金属同士が隣り合って配設される。このため、膜剥がれ等に対する安全を考慮すると、ＩＴＯ膜の単層構造を採用した方が好ましい。
【００４５】
次に、ＩＴＯ膜とモリブデン合金との多層構造膜による電極配線の製造方法について説明する。
【００４６】
先ず、実装側基板２又はカラーフィルタ基板３の材料であるガラス基板上に膜厚が１２５ｎｍ のＩＴＯ膜をスパッタにより成膜する。次に、ＩＴＯ膜上に、膜厚２００ｎｍのＭｏ（モリブデン）−３５ｗｔ％Ｗ合金（タングステンを３５ｗｔ％含むモリブデン合金）をスパッタにより成膜する。こうして、ＩＴＯ膜、モリブデン合金の積層膜を有する基板を得る。
【００４７】
次に、フォトリソグラフィー法によりレジストパターンを形成した後、燐硝酸系の混酸により、モリブデン合金をパターニングする。次に、レジスト剥離液によりフォトレジストを除去する。この場合には、表示部内又は表示領域内のモリブデン合金のパターンも除去される。こうして、表示部の外側又は表示領域の外側の部分では、ＩＴＯ膜上にモリブデン合金がパターン化された状態となる。
【００４８】
更に、フォトリソグラフィー法によるレジストパターンを再度形成した後、塩化鉄含有の混酸により、ＩＴＯ膜をパターニングする。次に、レジスト剥離液により、フォトレジストを除去する。この場合には、ＩＴＯ膜は、全領域においてパターン化される。
【００４９】
こうして、表示部の外側又は表示領域の外側の部分では、ＩＴＯ膜とモリブデン合金との多層構造膜による電極配線パターンが形成され、表示部内又は表示領域内では、
ＩＴＯ膜による電極配線パターンが形成される。
【００５０】
次に、ＩＴＯ膜とモリブデン合金との多層構造膜による電極配線の製造方法の他の例について説明する。
【００５１】
先ず、実装側基板２又はカラーフィルタ基板３の材料であるガラス基板上に膜厚が１２５ｎｍ のＩＴＯ膜をスパッタにより成膜する。次に、フォトリソグラフィー法によるレジストパターンを形成した後、塩化鉄含有の混酸により、ＩＴＯ膜をパターニングする。次に、レジスト剥離液により、フォトレジストを除去する。この場合には、ＩＴＯ膜を、全領域においてパターン化する。
【００５２】
次に、ＩＴＯ膜上に、膜厚２００ｎｍのＭｏ（モリブデン）−３５ｗｔ％Ｗ合金をスパッタにより成膜する。こうして、パターン化されたＩＴＯ膜上にモリブデン合金の積層膜を形成する。
【００５３】
次に、フォトリソグラフィー法によりレジストパターンを形成した後、燐硝酸系の混酸により、モリブデン合金をパターニングする。次に、レジスト剥離液によりフォトレジストを除去する。この場合には、表示部内又は表示領域内のモリブデン合金のパターンも除去される。こうして、表示部内又は表示領域内では、ＩＴＯ膜による電極配線パターンが形成され、表示部の外側又は表示領域の外側の部分では、ＩＴＯ膜とモリブデン合金との多層構造膜による電極配線パターンが形成される。
【００５４】
このように、モリブデン合金は、燐硝酸系のエッチング液でパターニングが可能である。従来、液晶パネルの製造工程中には、アルミニウムや銀のパターニングの工程があるが、これらの材料についても燐硝酸系のエッチング液でパターニングが可能である。従って、本実施の形態における電極配線は、従来用いていた生産加工ラインと同一ラインで形成することができる。
【００５５】
ところで、反射半透過型の液晶パネルにおいては、反射膜がカラーフィルタと一体に構成された一体型と、反射膜とカラーフィルタとが相互に別の基板に構成された分離型とがある。一体型においては、カラーフィルタと反射膜とがカラーフィルタ基板上に構成されるので、実装側基板の構成は透過型の実装側基板と同様である。従って、反射半透過型の一体型液晶パネルについては、実装側基板として図１に示す実装側基板２を採用することができる。
【００５６】
図３はこのような反射半透過型の一体型液晶パネルに適用した例を示す模式的な断面図である。図３の実装側基板２は図１の実装側基板２と同様の構成であり、説明を省略する。
【００５７】
図３において、実装側基板２とカラーフィルタ基板２３とは対向配置され、シール材１４によって貼り合わされている。実装側基板２とカラーフィルタ基板２３との間には、液晶２８が封入されている。
【００５８】
カラーフィルタ基板２３は、ガラス基板等によって構成され、表面に反射膜２４が形成されている。反射膜２４上にはカラーフィルタ２５が形成されている。カラーフィルタ２５上に、コモン電極２６が形成され、コモン電極２６上に保護膜２６が形成されている。
【００５９】
反射膜２４は、バックライトからの光を観察面（図３の例では実装側基板２側）に透過させるために、表示領域の全域には形成されておらず開口部を有する。例えば、反射膜２４は、各画素毎に画素の中央に開口部を有する。カラーフィルタ基板２３については、上述したように複数の膜を積層した多層構造に形成することから、製造時の耐性を考慮して、反射膜２４としてはアルミニウム材料が採用される。コモン電極２６としては、透過率が高いＩＴＯ膜を採用する。保護膜２６としては、例えば酸化シリコン膜が用いられる。なお、実装側基板２上のセグメント電極７ｂとカラーフィルタ基板２３上のコモン電極２６とは、導通材２９によって電気的に接続されている。
【００６０】
図３の例においても、実装側基板２において、表示領域の外側の領域は、ＩＴＯ膜とモリブデン合金との多層構造膜による電極配線が用いられている。表示領域の外側の領域の大部分の配線がＩＴＯ膜とモリブデン合金との多層構造膜による電極配線であり、電極配線の抵抗を十分に低下させることができる。
【００６１】
このように、図３の例においても、電極配線を十分に低抵抗化して、クロストークの発生を抑制することができる。
【００６２】
図４は本発明の第２の実施の形態に係る液晶表示装置を模式的に示す断面図である。第２の実施の形態は、反射型又は反射半透過型の分離型の液晶パネルに適用した例である。また、図５は図４中の電極配線３６，３７の製造方法を模式的な断面構造によって工程順に示す工程図である。
【００６３】
図４において、実装側基板３２とカラーフィルタ基板３３とは対向配置され、シール材３４によって貼り合わされている。実装側基板３２とカラーフィルタ基板３３との間には、液晶３５が封入されている。
【００６４】
カラーフィルタ基板３３は、ガラス基板等によって構成され、表面にカラーフィルタ４１が形成されている。カラーフィルタ４１上には、コモン電極４２が形成され、コモン電極４２上に保護膜４３が形成されている。コモン電極４２としては、透過率が高いＩＴＯ膜を採用する。保護膜４３としては、例えば酸化シリコン膜が用いられる。
【００６５】
一方、実装側基板３２上には、電極配線３６，３７が形成されている。電極配線３６は、実装側基板３２上に形成されたＩＴＯ膜３６ａ、ＩＴＯ膜３６ａ上に形成された反射膜３６ｂ及び反射膜３６ｂ上に形成された保護膜３６ｃによって構成される。また、電極配線３７は、実装側基板３２上に形成されたＩＴＯ膜３７ａ、ＩＴＯ膜３７ａ上に形成された低抵抗化膜３７ｂ及び低抵抗化膜３７ｂ上に形成された保護膜３７ｃによって構成される。
【００６６】
本実施の形態においては、反射膜３６ｂは、例えば、銀単体または銀を主成分とする反射性の導電膜によって構成される。これにより、反射膜３６ｂは、観察面（図４の例ではカラーフィルタ基板３３）側から入射した光を反射する機能と、電極配線を低抵抗化する機能とを有する。
【００６７】
一方、低抵抗化膜３７ｂは、例えば、モリブデン単体金属又はモリブデン合金によって構成される。これにより、低抵抗化膜３７ｂは、電極配線を低抵抗化する機能を有する。
【００６８】
実装側基板３２上における電極配線３６，３７の配線パターン形状は、図２と同様である。即ち、実装側基板３２においては、シール材３４の外側の液晶パネルの長手方向に沿ってコモン電極が延在しており、表示部の位置における液晶パネルの長手方向にはセグメント電極が延在している。
【００６９】
本実施の形態においては、これらのセグメント電極及びコモン電極のうち、表示領域内（又はシール材３４の内側）においては電極配線３６が用いられ、表示領域外（又はシール材３４の外側）においては電極配線３７が用いられる。例えば、図２の斜線にて示す電極配線としては電極配線３７が用いられ、図２の無地の電極配線としては電極配線３６が用いられる。
【００７０】
なお、実装側基板３２上のコモン電極とカラーフィルタ基板３３上のコモン電極とは、導通材４４によって電気的に接続されている。また、反射膜３６ｂが、バックライトからの光を観察面側に透過させるために、表示領域の全域には形成されておらず開口部を有する点は図３の例と同様である。
【００７１】
また、望ましくは、電極配線３６，３７は、図４に示すように、夫々反射膜３６ｂ又は低抵抗化膜３７ｂは、いずれも下層のＩＴＯ膜３ａ，３７ａの幅よりも狭幅に形成される。即ち、電極配線３７の各配線同士の配線間距離はＩＴＯ膜３７ａの間隔によって決まるようにし、この配線間距離よりも低抵抗化膜３７ｂ（モリブデン単体金属又はモリブデン合金）同士の間隔を広くする。これにより、配線間の電飾等を生じ難くし、高い耐腐食性を得ることができる。
【００７２】
次に、図５を参照して電極配線３６，３７の製造方法について説明する。
【００７３】
先ず、図５（ａ）に示すように、実装側基板３２上に、スパッタリング等により、膜厚が１２５ｎｍのＩＴＯ層５１を形成する。次いで、ＩＴＯ層５１をフォトリソグラフィ技術を用いてレジストを形成し、塩酸系エッチング液を用いて、表示領域内及び表示領域外（非表示領域）においてパターニングを行う。次に、レジストを剥離して、図５（ｂ）に示すようなパターニングされたＩＴＯ膜３６ａ，３７ａを得る。
【００７４】
次に、図５（ｃ）に示すように、銀単体又は銀を主成分とする反射性の導電層５２をスパッタリング等により成膜する。この導電層５２としては、例えば、重量比で９８％程度の銀（Ag）の他に白金（Pt）・銅（Cu）を含む合金や、銀・銅・金の合金、さらには銀・ルテニウム（Ru）・銅の合金等を用いることができる。
【００７５】
次に、図５（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィ技術を用いて非表示領域の全域及び表示領域内の電極パターンに沿ったマスクを形成し、エッチング技術を用いて、導電層５２をパターニングする。これにより、表示領域においてはＩＴＯ膜３６ａ上に、反射膜３６ｂが形成される。なお、反射膜３６ｂは、バックライトからの光を透過させるための開口部を例えば各画素毎に有するパターン形状となっている。
【００７６】
次に、図５（ｅ）に示すように、フォトリソグラフィ技術を用いて表示領域の全域及び非表示領域内の電極パターンに沿ったマスクを形成し、モリブデン合金をスパッタリング等により成膜してモリブデン合金層５３を形成する。
【００７７】
次に、図５（ｆ）に示すように、エッチング技術を用いて、モリブデン合金層５３をパターニングする。これにより、非表示領域においてはＩＴＯ膜３７ａ上に、モリブデン合金からなる低抵抗化膜３７ｂが形成される。
【００７８】
こうして、表示領域内（又はシール材３４の内側）において、ＩＴＯ膜３６ａと銀による反射膜３６ｂとが積層された多層構造膜が形成され、非表示領域（又はシール材３４の外側）において、ＩＴＯ膜３７ａとモリブデン合金による低抵抗化膜３７ｂとが積層された多層構造膜が形成される。
【００７９】
このように、本実施の形態においては、表示領域内（又はシール材３４の内側）の電極配線が、ＩＴＯ膜と銀との多層構造膜であるので、十分な反射率を有すると共に、配線抵抗を十分に低下させることができる。また、非表示領域（又はシール材３４の外側）の電極配線が、ＩＴＯ膜とモリブデン合金との多層構造膜であるので、高い耐腐食性を備えて、配線抵抗を十分に低下させることができる。これにより、クロストークの発生を抑制することができる。
【００８０】
また、上述の液晶表示装置を用いた電子機器も本発明に含まれる。図６は電子機器の例を示す斜視図であり、携帯電話の外観を示している。図６に示すように、電子機器として携帯電話２００の表示部２０１に、上述した液晶表示装置が用いられる。
【００８１】
他にも、電子機器としては、例えば、光源と該光源から出射された光を変調するライトバルブと、該ライトバルブにより変調された光を投射するための光学系を備えた、投射型表示装置である。さらに、電子機器としては、他にも、テレビジョンや、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラ、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種の電子機器に対して、本発明に係る液晶表示装置が適用可能なのは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る液晶表示装置を模式的に示す斜視図。
【図２】配線パターンの一例を示す平面図。
【図３】反射半透過型の一体型液晶パネルに適用した例を示す模式的な断面図。
【図４】本発明の第２の実施の形態に係る液晶表示装置を模式的に示す断面図。
【図５】図４中の電極配線３６，３７の製造方法を模式的な断面構造によって工程順に示す工程図。
【図６】電子機器の例を示す斜視図。
【符号の説明】
【００８３】
１…液晶パネル、２…実装側基板、３…カラーフィルタ基板、４…シール材、７…セグメント電極、８…コモン電極、９…表示部、１１…表示領域。  
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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