(57)【要約】【課題】  ＤＶＤ−ＲＯＭと同容量でＤＶＤ８倍速以上の高線速度で繰返し記録が可能であり、反射層と硫化防止層との密着性を向上させることにより、繰返し記録後あるいは過酷な環境下で長期保存した後でも、膜浮き等によるディスク欠陥が生じ難い相変化型光記録媒体の提供。【解決手段】  透明基板上に、少なくとも第１保護層、相変化記録層、第２保護層、硫化防止層、及び反射層がこの順に積層され、情報の記録が、レーザー光の照射による相変化記録層の結晶状態及び非晶質状態の可逆的な相変化によりなされるものであると共に、相変化記録層がＳｎＳｂＧａＧｅ系合金を主成分とする材料、第１保護層と第２保護層がＺｎＳとＳｉＯ２の混合物、硫化防止層がＴｉＣとＴｉＯの混合物、反射層がＡｇ又はＡｇを主成分とする合金からなることを特徴とする相変化型光記録媒体。【選択図】        図１
2006079791.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に、少なくとも第１保護層、相変化記録層、第２保護層、硫化防止層、及び反射層がこの順に積層され、情報の記録が、レーザー光の照射による相変化記録層の結晶状態及び非晶質状態の可逆的な相変化によりなされるものであると共に、相変化記録層がＳｎＳｂＧａＧｅ系合金を主成分とする材料、第１保護層と第２保護層がＺｎＳとＳｉＯ２の混合物、硫化防止層がＴｉＣとＴｉＯの混合物、反射層がＡｇ又はＡｇを主成分とする合金からなることを特徴とする相変化型光記録媒体。
【請求項２】
第２保護層と硫化防止層の合計膜厚が７〜２０ｎｍであることを特徴とする請求項１記載の相変化型光記録媒体。
【請求項３】
第２保護層と硫化防止層の合計膜厚が７〜１５ｎｍであることを特徴とする請求項２記載の相変化型光記録媒体。
【請求項４】
硫化防止層の組成が、（ＴｉＣ）ｐ（ＴｉＯ）１００−ｐ、５０≦ｐ≦８０（ｐは重量％）であることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の相変化型光記録媒体。
【請求項５】
ＳｎＳｂＧａＧｅ系合金が、組成式をＳｎαＳｂβＧａγＧｅδ〔但し、α、β、γ、δはそれぞれの元素の組成比（原子％）、α＋β＋γ＋δ＝１００〕として、次の関係を満たすことを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の相変化型光記録媒体。
５≦α≦２０、  ６０≦β≦９１、  ２≦γ≦１０、  ２≦δ≦１０
【請求項６】
ＳｎＳｂＧａＧｅ系合金が、組成式をＳｎαＳｂβＧａγＧｅδＴｅε〔但し、α、β、γ、δ、εはそれぞれの元素の組成比（原子％）、α＋β＋γ＋δ＋ε＝１００〕として、次の関係を満たすことを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の相変化型光記録媒体。
５≦α≦２０、６０≦β≦９１、２≦γ≦１０、２≦δ≦１０、１≦ε≦１０
【請求項７】
第２保護層と硫化防止層の間に、ＺｒＯ２−Ｙ２Ｏ３−ＴｉＯ２混合物からなる膜厚２〜８ｎｍの層を有することを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載の相変化型光記録媒体。
【請求項８】
第１保護層と相変化記録層の間に、ＳｉＯ２からなる膜厚２〜４ｎｍの層を有することを特徴とする請求項１〜７の何れかに記載の相変化型光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、書換え可能な相変化型光記録層を有する高密度記録用の光記録媒体、（例えばＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭ等）に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、ＤＶＤ系の光記録媒体は、４倍速（記録線速度＝１４ｍ／ｓ）で記録可能なシステムが既に市販されており、更に高速記録の要求が高まってきている。これらの技術は、具体的には記録層にＳｂＴｅ系を採用している。ＳｂＴｅ系の記録層としては、高速記録に対応するために、Ｓｂの含有量をＣＤ−ＲＷ対応の記録層より多くしたものが用いられているが、Ｓｂの含有量を多くすると結晶化速度は促進されるものの、結晶化温度が低下し、保存信頼性の悪化につながるため、現在のところ、この材料系を用いた４倍速以上の高速記録が可能な光記録媒体の実現には至っていない。
また、高速記録を実現するためには、更に高いパワーで記録しなければならないため、保存信頼性が従来より厳しくなる。熱伝導率の高いＡｇを反射層に用いる場合、保護層のＺｎＳ−ＳｉＯ２のＳと結合しＡｇ２Ｓを形成するため、反射層と保護層との間に硫化防止層を設ける必要があるが、高いパワーで記録することによりＡｇ反射層と硫化防止層の界面で剥離が生じ易くなり、繰り返し記録後や過酷な環境下での長期保存後にディスク欠陥が生じ易いという問題が起こる。
【０００３】
関連する公知技術としては、特許文献１に、Ａｇ反射層と接する中間層に酸化タンタル、タンタル、ニッケルを用い、記録層にＭｗ（ＳｂｚＴｅ１−ｚ）１−ｗ、但し、０≦ｗ≦０．３、０．５≦ｚ≦０．９を用いた発明が開示されているが、本発明の硫化防止層とは構成元素が異なる上に、記録はＣＤの２倍速（２．４ｍ／ｓ）と本発明より低速低密度で行なっている。
また、本出願人の出願に係る特許文献２には、Ａｇ反射層と接する硫化防止層にＳｉ，ＳｉＣ，Ｇｅ，ＧｅＣｒを用い、記録層にＧａαＧｅβＩｎγＳｂδＴｅε（但し、０＜α＜７、０＜β＜１０、０＜γ＜５、６０＜δ＜８０、０＜ε＜５）を用いた発明が開示されているが、本発明の硫化防止層とは構成元素が異なる上に、記録は最大２０ｍ／ｓと本発明より低速で行なっている。
また、特許文献３には、ＧｅＳｂＩｎからなる記録層を用いた発明が開示されているが、記録は２．４〜９．６ｍ／ｓと本発明より低速で行なっている。
また、本出願人の先願に係る特願２００４−２９９２３では、ＳｎＳｂＧａＧｅからなる記録層を用いた発明を提案しており、ＤＶＤ８倍速以上の高速記録を実現しているが、長期保存後の膜浮き等によるディスク欠陥の防止を考慮した設計は行なっていない。
同じく、特願２００２−３３４３０３、特願２００３−８８９５２では、第二誘電体層の反射層に接触する側に、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ及びＷから選ばれる少なくとも一つの金属を含む炭化物と酸化物の混合物で構成されたバリア層を設ける発明を提案しているが、高速記録を考慮した設計は行なっていない。
【０００４】
【特許文献１】特許第３４９４０４４号公報
【特許文献２】特開２００３−２４８９６７号公報
【特許文献３】特開２００１−３９０３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、ＤＶＤ−ＲＯＭと同容量でＤＶＤ８倍速以上の高線速度で繰返し記録特性が良好であり、反射層と硫化防止層との密着性を向上させることにより、繰返し記録後あるいは過酷な環境下で長期保存した後でも、膜浮き等によるディスク欠陥が生じ難い相変化型光記録媒体の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題は、次の１）〜８）の発明によって解決される。
１）  透明基板上に、少なくとも第１保護層、相変化記録層、第２保護層、硫化防止層、及び反射層がこの順に積層され、情報の記録が、レーザー光の照射による相変化記録層の結晶状態及び非晶質状態の可逆的な相変化によりなされるものであると共に、相変化記録層がＳｎＳｂＧａＧｅ系合金を主成分とする材料、第１保護層と第２保護層がＺｎＳとＳｉＯ２の混合物、硫化防止層がＴｉＣとＴｉＯの混合物、反射層がＡｇ又はＡｇを主成分とする合金からなることを特徴とする相変化型光記録媒体。
２）  第２保護層と硫化防止層の合計膜厚が７〜２０ｎｍであることを特徴とする１）記載の相変化型光記録媒体。
３）  第２保護層と硫化防止層の合計膜厚が７〜１５ｎｍであることを特徴とする２）記載の相変化型光記録媒体。
４）  硫化防止層の組成が、（ＴｉＣ）ｐ（ＴｉＯ）１００−ｐ、５０≦ｐ≦８０（ｐは重量％）であることを特徴とする１）〜３）の何れかに記載の相変化型光記録媒体。
５）  ＳｎＳｂＧａＧｅ系合金が、組成式をＳｎαＳｂβＧａγＧｅδ〔但し、α、β、γ、δはそれぞれの元素の組成比（原子％）、α＋β＋γ＋δ＝１００〕として、次の関係を満たすことを特徴とする１）〜４）の何れかに記載の相変化型光記録媒体。
５≦α≦２０、  ６０≦β≦９１、  ２≦γ≦１０、  ２≦δ≦１０
６）  ＳｎＳｂＧａＧｅ系合金が、組成式をＳｎαＳｂβＧａγＧｅδＴｅε〔但し、α、β、γ、δ、εはそれぞれの元素の組成比（原子％）、α＋β＋γ＋δ＋ε＝１００〕として、次の関係を満たすことを特徴とする１）〜４）の何れかに記載の相変化型光記録媒体。
５≦α≦２０、６０≦β≦９１、２≦γ≦１０、２≦δ≦１０、１≦ε≦１０
７）  第２保護層と硫化防止層の間に、ＺｒＯ２−Ｙ２Ｏ３−ＴｉＯ２混合物からなる膜厚２〜８ｎｍの層を有することを特徴とする１）〜６）の何れかに記載の相変化型光記録媒体。
８）  第１保護層と相変化記録層の間に、ＳｉＯ２からなる膜厚２〜４ｎｍの層を有することを特徴とする１）〜７）の何れかに記載の相変化型光記録媒体。
【０００７】
以下、上記本発明について詳しく説明する。
図１に本発明の光記録媒体の層構成例を示す。透明基板上に、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物からなる第１保護層、ＳｎＳｂＧａＧｅ系合金を主成分とする相変化記録層、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物からなる第２保護層、ＴｉＣとＴｉＯの混合物からなる硫化防止層及びＡｇ合金からなる反射層がこの順に積層された構成である。ここで主成分とは、少なくとも記録再生が可能な量の合金を含むことを意味するが、通常は不純物は別として合金のみからなる記録層とする。
情報の記録・消去は、基板側からレーザー光を照射し、相変化記録層の結晶及び非晶質状態の可逆的な相変化により行なう。ＤＶＤ＋ＲＷなどでは未記録時は結晶状態であり、変調したレーザー光を照射し、記録層を急冷させることにより非晶質マークを形成する。このとき、直接非晶質マークの繰返し記録を行なうには、高速記録になるほど短時間で非晶質マークを結晶化させる必要があり、結晶化速度の速い相変化記録材料が要求される。また、結晶化速度の速い材料を用いると、非晶質マーク形成直後にマーク周辺から再結晶化が進行してマークが小さくなってしまう。再結晶化領域を小さくするには冷却速度の速い急冷構造とするのが良いので、反射層に熱伝導率の高いＡｇ又はＡｇを主成分とする合金を用いる必要がある。ここで主成分とは、Ａｇを９０原子％以上含有することを意味する。またＡｇと合金を形成する元素としては、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｔａなどが挙げられる。反射層の膜厚は、１００〜３００ｎｍが適しており、１００ｎｍより薄いと高速記録を行ったときに変調度が小さくなり、３００ｎｍより厚いと膜剥離が生じ易くなる。
【０００８】
しかしＡｇは膜中を移動し易い性質をもつ上、Ｓと結合しＡｇ２Ｓを生成し易い。これまでは、Ａｇの拡散を防ぐため、拡散防止層としてＳｉＣ、Ｓｉ等が用いられてきたが、ＺｎＳ−ＳｉＯ２やＡｇとの密着性が十分ではなく、プロセス上トラブルが発生した場合に膜剥がれなどによるディスク欠陥が発生し易いという問題を抱えていた。特に、高速記録になるほど高いパワーで記録するので、低速記録用光記録媒体よりも繰返し記録時に膜剥がれが発生し易かった。ＳｉＣの密着性が十分でなかった理由としては、ＡｇとＳｉＣの熱膨張係数が大きく違うため、初期化時や記録時に膜の内部応力が大きくなって膜剥がれが起き易くなるためである。
そこで、本発明では、Ａｇと熱膨張係数が近く密着性の良いＴｉＯとＡｇの拡散を防止する効果のあるＴｉＣの混合物をＡｇ反射層と第２保護層の間の硫化防止層に用い、第２保護層と硫化防止層の合計膜厚を７〜２０ｎｍとし、記録層には高速記録に適したＳｎＳｂＧａＧｅ系合金を用いることにより、変調度が大きく高速記録に適した光記録媒体を提供できることを見出した。より好ましくは、前記２層の合計膜厚を７〜１５ｎｍとすることにより、良好な繰り返し記録特性が得られる。高速記録では、記録層の冷却速度によって記録特性が大きく変わるので、冷却速度に大きくかかわる反射層と記録層に挟まれた層である第２保護層と硫化防止層の合計膜厚が重要である。
硫化防止層の組成は、（ＴｉＣ）ｐ（ＴｉＯ）１００−ｐ、５０≦ｐ≦８０（ｐは重量％）とするのが好ましい。ｐが８０以下では大きな変調度が得られ、５０以上では良好な繰り返し記録特性が得られる。ｐが大きいほど熱伝導率が大きくなるが、硫化防止層の熱伝導率が大きすぎると変調度が小さくなってしまい、小さすぎると熱が篭り易くなり特に繰り返し記録特性が悪くなる。高速記録では特に反射層と記録層に挟まれた層の熱伝導率及び膜厚の違いの影響を受け易いため、適切な範囲にしなければ書き換え型の光ディスクシステムが実現できる良好な記録特性を得ることができない。
【０００９】
相変化記録層に主成分として用いるＳｎＳｂＧａＧｅ系合金は、その組成式をＳｎαＳｂβＧａγＧｅδ〔但し、α、β、γ、δはそれぞれの元素の組成比（原子％）、α＋β＋γ＋δ＝１００〕として、５≦α≦２０、６０≦β≦９１、２≦γ≦１０、２≦δ≦１０を満たすものが好ましい。この材料は、ＳｂＴｅ系よりも結晶化温度が高いので非晶質マークの安定性が良く、また結晶化速度が速いので高速記録に適している。高速結晶化には主にＳｎとＳｂが寄与している。
Ｓｎが少なくなるほど結晶化速度は遅くなるので、ＤＶＤ８倍速の記録を行なうには、５≦αとすることが好ましい。一方、Ｓｎが多くなりすぎるとシェルフ特性（長期保存後の記録特性）が悪化するので、α≦２０とすることが好ましい。また、Ｓｂが少なくなるほど結晶化速度は遅くなり、Ｓｂが多くなりすぎると初期結晶化が困難になるので、６０≦β≦９１の範囲とすることが好ましい。Ｇａはアモルファスマーク形成のし易さに寄与する。Ｇａを含むことによりアモルファスマークを安定して形成することができるので、マークのばらつき度合いを示すジッタ特性が良好となる。但し、Ｇａが多くなりすぎると結晶化速度が遅くなりすぎてしまうので、２≦γ≦１０の範囲とすることが好ましい。Ｇｅは結晶の安定性に寄与し、Ｇａと同様に多くなりすぎると結晶化速度が遅くなりすぎてしまうので２≦γ≦１０の範囲とすることが好ましい。また、前記四元合金に対してＴｅを１〜１０原子％含んでも良い。Ｔｅは初期結晶化のし易さに寄与する。更に、種々の特性改善の目的でＩｎ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｃｕなどの元素を加えても良い。
記録層の膜厚は、１０〜２０ｎｍとするのが良い。高速記録になるほど、記録層の薄膜化が重要となる。記録層を薄膜化すると加熱する体積が小さくなり、少ないエネルギーで溶融することが可能となるので、記録感度を上げることができる。但し、薄膜化しすぎると、結晶と非晶質の反射率差が小さくなり変調度が小さくなってしまう。
【００１０】
第１保護層と第２保護層には、内部応力が小さくかつ吸収率の小さいＺｎＳとＳｉＯ２の混合物を用いるのが良い。ＺｎＳは熱伝導が小さく記録時の熱拡散を抑制できるので、記録感度を上げることができるが、初期化や記録時に結晶に変化してしまい記録層の安定性に悪影響を及ぼすので、ＺｎＳの結晶化を阻害するＳｉＯ２を混合したものを用いる。組成は、ＺｎＳ：ＳｉＯ２＝６０〜９０：４０〜１０（モル％）とすることが好ましい。
第１保護層の膜厚は、５０〜２５０ｎｍが適しており、５０ｎｍより薄いと耐熱保護層としての機能が失われ、２５０ｎｍより厚いと界面剥離が生じ易くなる。
第２保護層の膜厚は、２〜１０ｎｍが好ましく、２ｎｍより薄いと記録感度が悪くなり、１０ｎｍより厚いと熱が篭りすぎてしまう。
また、第２保護層と硫化防止層の間にＺｒＯ２−Ｙ２Ｏ３−ＴｉＯ２混合物からなる層を厚さ２〜８ｎｍ設けても良い。硫化防止層にＴｉＣとＴｉＯの混合物を用いるとＳｉＣを用いた場合よりも変調度が小さくなり易いが、上記混合物層を設けることにより、変調度を大きくすることができる。組成は、ＺｒＯ２を６０モル％以上、ＴｉＯ２を１０モル％以上混合することが好ましい。
【００１１】
また、第１保護層と相変化記録層との間にＳｉＯ２からなる厚さ２〜４ｎｍの界面層を設けることが好ましい。これにより、高パワーで記録したときに基板が受けるダメージを減らすことができるため、高パワー記録での繰返し記録特性が良好となり、記録パワーマージンを広くすることができる。厚さが２ｎｍ未満では均一なＳｉＯ２膜を形成することが困難であり、４ｎｍを超えると、記録感度が悪くなり変調度が小さくなってしまう。
透明基板としては、例えば表面にトラッキング用の案内溝を有し、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍのディスク状で、加工性、光学特性に優れたポリカーボネート基板が好適である。トラッキング用の案内溝は、ピッチ０．７４±０．０３μｍ、溝深さ２２〜４０ｎｍ、溝幅０．２〜０．４μｍ範囲内の蛇行溝であることが好ましい。特に溝を深くすることにより、記録媒体の反射率が下がり変調度を大きくすることができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明１によれば、ＤＶＤ−ＲＯＭと同容量で記録線速がＤＶＤ８倍速以上の高線速度で繰返し記録特性が良好であり、反射層と硫化防止層との密着性を向上させ、繰返し記録後や過酷な環境下で長期保存した後でも膜浮き等によるディスク欠陥が生じに難い相変化型光記録媒体を提供できる。
本発明２によれば、変調度が大きい光記録媒体を提供できる。
本発明３によれば、ジッタが十分に低い光記録媒体を提供できる。
本発明４によれば、変調度が大きく、繰り返し記録特性が良好な光記録媒体を提供できる。
本発明５によれば、更に非晶質マークの安定性及び結晶の安定性が良い光記録媒体を提供できる。
本発明６によれば、更に初期結晶化が良好であり、ＤＶＤ８倍速でのＤＯＷ１ジッタ上昇の小さい相変化型光記録媒体を提供できる。
本発明７によれば、更に記録特性が良好であり、変調度が大きい光記録媒体を提供できる。
本発明８によれば、更に高記録パワーでの繰返し記録特性が良好な光記録媒体を提供できる。
【実施例】
【００１３】
以下、実施例及び比較例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明は、これらの実施例により限定されるものではない。
【００１４】
（実施例１〜７）
トラックピッチ０．７４μｍ、溝深さ２７ｎｍ、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板上に、スパッタリング法により、第１保護層、相変化記録層、第２保護層、硫化防止層、反射層を順に製膜した。
第１保護層は、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０（モル％）をターゲットに用い、膜厚を６０ｎｍとした。
相変化記録層は、Ｓｎ１８Ｓｂ６８Ｇａ５Ｇｅ９（原子％）をターゲットに用い、膜厚を１６ｎｍとした。
第２保護層は、（ＺｎＳ）８０（ＳｉＯ２）２０（モル％）をターゲットに用い、膜厚は表１のようにした。
硫化防止層は、（ＴｉＣ）７０（ＴｉＯ）３０（重量％）をターゲットに用い、膜厚は表１のようにした。
反射層は、Ａｇをターゲットに用い、膜厚を１８０ｎｍとした。
続いて、反射層上にスピンコーティング法でアクリル系硬化樹脂（大日本インキ社製、ＳＤ３１８）を厚さ約８μｍ塗布した後、Ｎ２雰囲気中で紫外線硬化させて樹脂保護層を形成した。
更にその上に、直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート基板を接着剤を用いて貼り合せ、ディスク状の光記録媒体を得た。
続いて、出力波長８３０ｎｍ、幅約１μｍ、長さ７５μｍ、最大出力２Ｗのレーザー光にフォーカシング機能を付加したレーザーヘッドを有する初期化装置（日立ＣＰ社製ＰＯＰ１２０−７ＡＨ）を用いて初期化を行なった。初期化条件は、レーザー出力１５００ｍＷ、走査速度２０ｍ／ｓ、ヘッド送り５０μｍで一定とした。
【表１】
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【００１５】
上記のようにして作製した光記録媒体に対し、波長６５０ｎｍ、ＮＡ０．６５のピックアップを有する光ディスク評価装置（パルステック社製ＤＤＵ−１０００）を用いて記録再生の評価を行った。記録線速は２８ｍ／ｓ（ＤＶＤ８倍速相当）とし、ＥＦＭ＋変調方式でランダムパターンを１０回繰返し記録したときのジッター（ｄａｔａ  ｔｏ  ｃｌｏｃｋ  ｊｉｔｔｅｒ：σを検出窓幅Ｔｗで規格化した値）及び変調度を表２に示す。記録ストラテジは最適化し、再生は全て線速３．５ｍ／ｓ、パワー０．７ｍＷで行った。
【表２】
2006079791.tif 000004
表２から分るように、第１保護層と硫化防止層の合計膜厚が特に７〜２０ｎｍの場合、繰り返し記録１０回後の変調度がＤＶＤ−ＲＯＭの規格値である６０％以上が得られた。更に、合計膜厚が７〜１５ｎｍの場合、繰り返し記録１０回後のジッターが規格値である９％以内と良好な繰り返し記録特性が得られた。合計膜厚が７ｎｍ未満の場合、変調度が小さくジッターは９％以上であった。これは、記録層に熱が十分にかからず溶融領域が狭く形成されたマークが小さいためである。また、合計膜厚が２０ｎｍを超えた場合も変調度が小さくジッターは９％以上であったが、これは、溶融領域は広いが、再結晶化が起こる温度範囲に保持されている時間が長いため、マーク周辺から再結晶化が進み、形成されたマークが小さくなるためである。
更に、上記の各光記録媒体を８０℃８５％ＲＨ環境下に１００時間保存した後、光記録媒体をランプにかざして目視で観察したが、何れもピンホールは発生していなかった。
【００１６】
（実施例８〜１２）
記録層材料をＳｎ１３Ｓｂ７２Ｇａ７Ｇｅ８に変え、第１保護層の膜厚を８ｎｍ、硫化防止層の膜厚を５ｎｍとし、硫化防止層の組成を表３のように変化させた点以外は、実施例１と同様にしてディスク状の光記録媒体を作製した。
これらの光記録媒体に対し、波長６５０ｎｍ、ＮＡ０．６５のピックアップを有する光ディスク評価装置（パルステック社製ＤＤＵ−１０００）を用いて記録再生の評価を行った。記録線速は２８ｍ／ｓ（ＤＶＤ８倍速相当）とし、ＥＦＭ＋変調方式でランダムパターンを１０回繰返し記録したときの変調度及び１０００回繰り返し記録したときのジッターを調べた。ジッターが９％以上の場合は×、９％以下の場合は○とし、表３に結果を示す。
表３から分るように、ＴｉＣが８０（重量％）以下の場合、ＤＯＷ１０の変調度は６０％以上であった。また、ＴｉＣが４０（重量％）の場合、変調度は大きかったが、ＤＯＷ１０００のジッターが９％以上であった。
【表３】
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【００１７】
（実施例１３）
記録層材料を、Ｓｎ２０Ｓｂ６５Ｇａ５Ｇｅ１０（原子％）に変えた点以外は、実施例３と同様にしてディスク状の光記録媒体を作製した。
この光記録媒体に対し、波長６５０ｎｍ、ＮＡ０．６５のピックアップを有する光ディスク評価装置（パルステック社製ＤＤＵ−１０００）を用いて記録再生の評価を行った。記録線速は２８ｍ／ｓ（ＤＶＤ８倍速相当）とし、記録パワーＰｗは３２ｍＷ、ボトムパワーＰｂは０．１ｍＷ、消去パワーＰｅは５〜１０ｍＷで最適化した。ＥＦＭ＋変調方式でランダムパターンを繰返し記録しジッター（ｄａｔａ  ｔｏ  ｃｌｏｃｋ  ｊｉｔｔｅｒ：σを検出窓幅Ｔｗで規格化した値）を評価した。記録ストラテジは最適化し、再生は全て線速３．５ｍ／ｓ、パワー０．７ｍＷで行った。
更に、この光記録媒体を８０℃８５％ＲＨ環境下に１００時間保存した後、同じ条件で記録した。それぞれの結果を図２に示す。
図２から分るように、８０℃８５％ＲＨ環境下に１００時間保存した後も大きなジッタの劣化は見られなかった。この保存試験後の光記録媒体をランプにかざして目視で観察したが、ピンホールは発生していなかった。
【００１８】
（実施例１４）
記録層材料をＳｎ２０Ｓｂ６５Ｇａ３Ｇｅ７Ｔｅ５（原子％）に変え、第２保護層の膜厚を１０ｎｍに変えた点以外は、実施例１３と同様にしてディスク状の光記録媒体を作製し、実施例１３と同様にして記録したところ、実施例１３よりもＤＯＷ１ジッタが改善された。Ｔｅを添加したことにより初期結晶化が均一になったため、ＤＯＷ１ジッタ上昇が抑えられたからと考えられる。
更に、この光記録媒体を８０℃８５％ＲＨ環境下に１００時間保存した後、同じ条件で記録した。それぞれの結果を図３に示す。
図３から分るように、８０℃８５％ＲＨ環境下に１００時間保存した後も大きなジッタの劣化は見られなかった。この保存試験後の光記録媒体をランプにかざして目視で観察したが、ピンホールは発生していなかった。
【００１９】
（実施例１５）
記録層材料をＳｎ１６Ｓｂ７０Ｇａ６Ｇｅ８（原子％）に変え、第２保護層の膜厚を５ｎｍに変え、硫化防止層のターゲットを（ＴｉＣ）６０（ＴｉＯ）４０（重量％）に、膜厚を３ｎｍに変えた点以外は実施例１３と同様の条件で光記録媒体を作製し、実施例１３と同様にして記録したところ、実施例１３よりもジッタが０．５％下がった。
更に、この光記録媒体を８０℃８５％ＲＨ環境下に１００時間保存した後、同じ条件で記録したところ、大きなジッタの劣化は見られなかった。この保存試験後の光記録媒体をランプにかざして目視で観察したが、ピンホールは発生していなかった。
【００２０】
（実施例１６）
第１保護層の膜厚を７０ｎｍに、記録層の材料をＳｎ１９Ｓｂ６３Ｇａ９Ｇｅ９（原子％）に、膜厚を１４ｎｍに、第２保護層の膜厚を４ｎｍに、硫化防止層のターゲットを（ＴｉＣ）５０（ＴｉＯ）５０（重量％）に、膜厚を４ｎｍに変え、第２保護層と硫化防止層の間に膜厚３ｎｍのＺｒＯ２−Ｙ２Ｏ３−ＴｉＯ２混合物の膜を設けた点以外は実施例１３と同様の条件で光記録媒体を作製し、実施例１３と同様にして記録したところ、実施例１３と同等のジッタ特性が得られ、変調度が２％大きくなった。
更に、この光記録媒体を８０℃８５％ＲＨ環境下に１００時間保存した後、同じ条件で記録したところ、大きなジッタの劣化は見られなかった。この保存試験後の光記録媒体をランプにかざして目視で観察したが、ピンホールは発生していなかった。
【００２１】
（実施例１７）
第１保護層の膜厚を５８ｎｍに変え、第１保護層と相変化記録層の間に膜厚２ｎｍのＳｉＯ２膜を設け、記録層の材料をＳｎ１４Ｓｂ６８Ｇａ１０Ｇｅ８（原子％）に、膜厚を１４ｎｍに、第２保護層の膜厚を４ｎｍに、硫化防止層の膜厚を６ｎｍに変えた点以外は実施例１３と同様の条件で光記録媒体を作製し、実施例１３と同様にして記録したところ、実施例１３よりも高パワーで記録したときの繰返し記録特性が改善された。
更に、この光記録媒体を８０℃８５％ＲＨ環境下に１００時間保存した後、同じ条件で記録したところ、大きなジッタの劣化は見られなかった。この保存試験後の光記録媒体をランプにかざして目視で観察したが、ピンホールは発生していなかった。
【００２２】
（比較例１）
第２保護層の膜厚を１０ｎｍに、硫化防止層の材料をＳｉＣに変えた点以外は実施例１３と同様の条件で光記録媒体を作製し、実施例１３と同様にして記録したところ、実施例１３と同等のジッタ特性が得られた。しかし、この光記録媒体を８０℃８５％ＲＨ環境下に１００時間保存した後、同じ条件で記録したところ、２％のジッタ上昇が見られた。この保存試験後の光記録媒体をランプにかざして目視で観察したところピンホールが観察された。
【００２３】
（比較例２）
記録層材料をＡｇ５Ｉｎ５Ｓｂ６５Ｔｅ２５（原子％）に、第２保護層の膜厚を１０ｎｍに変えた点以外は実施例１３と同様の条件で光記録媒体を作製し、実施例１３と同様にして記録したところ、繰返し記録することができなかった。この保存試験後の光記録媒体をランプにかざして目視で観察したが、ピンホールは発生していなかった。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の光記録媒体の層構成例を示す図。
【図２】実施例１の光記録媒体の評価結果を示す図。
【図３】実施例２の光記録媒体の評価結果を示す図。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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