(57)【要約】【課題】小型の電子部品にめっきを施す場合にも、電子部品どうしが着合してしまうくっつき不良や、めっき膜の均一性の低下などの発生を抑制、防止して、歩留まりよく良好なめっきを施すことが可能な電子部品のめっき方法および該めっき方法を用いた電子部品の製造方法を提供する。【解決手段】電子部品（積層セラミックコンデンサ）１０が、長さ（Ｌ）０．６mm以下、幅（Ｗ）０．３mm以下、高さ（Ｔ）０．３mm以下の、略直方体形状を有するものである場合に、通電用メディア１１として、直径が電子部品１０の最短辺寸法の０．９〜１．１倍の略球形の通電用メディアを用いる。  また、略球形ほぐし用絶縁性粒体（撹拌用メディア）１２をさらに添加して振動めっきを行う。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
めっき用電極を備えた容器内に収納された電子部品と通電用メディアをめっき液に浸漬し、めっき用電極に通電することにより電子部品にめっきを施す電子部品のめっき方法において、
前記電子部品が、長さ０．６mm以下、幅０．３mm以下、高さ０．３mm以下の、略直方体形状を有する電子部品である場合に、
通電用メディアとして、直径が前記電子部品の最短辺寸法の０．９〜１．１倍の略球形の通電用メディアを用いること
を特徴とする電子部品のめっき方法。
【請求項２】
前記容器内に、略球形のほぐし用絶縁性粒体をさらに添加してめっきを行うことを特徴とする請求項１記載の電子部品のめっき方法。
【請求項３】
前記容器に振動を与えながら、めっき用電極に通電することにより電子部品にめっきを施すことを特徴とする請求項１または２記載の電子部品のめっき方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載のめっき方法により、電子部品に配設された電極の表面にめっき膜を形成する工程を備えていることを特徴とする電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願発明は、電子部品にめっきを施す際に用いられるめっき方法に関し、詳しくは、めっき用電極を備えた容器内に収納された電子部品と通電用メディアをめっき液に浸漬し、めっき用電極に通電することにより電子部品にめっきを施すようにした電子部品のめっき方法およびそれを用いた電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
チップ型の電子部品の代表的なものの１つに、図３に示すような積層セラミックコンデンサがある。この積層セラミックコンデンサ６０は、複数の内部電極５３ａ，５３ｂがセラミック層５２を介して互いに対向するように配設され、かつ、その一端側が交互に異なる側の端面に引き出されたセラミック素子５１の両端側に、内部電極５３ａ，５３ｂと導通するように一対の外部電極５４ａ，５４ｂが配設された構造を有している。なお、外部電極５４ａ，５４ｂは、例えば、Ａｇ粉末を導電成分とする導電性ペーストを塗布、乾燥、焼成することにより形成されており、外部電極５４ａ，５４ｂの表面にはＡｇ電極のはんだくわれを防止するためのＮｉめっき膜５５およびはんだ付け性を向上させるためのＳｎめっき膜５６が形成されている。
【０００３】
そして、外部電極にめっき膜を形成する方法としては、めっき用電極を備えた容器に、電子部品と通電用メディアを入れ、電極に通電しながら容器を振動させることによりめっきを行う容器めっき法が知られている（特許文献１参照）。
【０００４】
また、めっき用電極を備えた容器内に、電子部品と通電用メディアを収容し、容器をめっき液に浸漬して振動を与えながら、めっき用電極に通電することにより電子部品にめっきを施す振動めっき方法も用いられている（特許文献２および３参照）。
【０００５】
ところで、特許文献１のめっき方法では、めっき用電極（陰極）にめっきが樹枝状に成長してめっき効率が低下したり、めっき膜厚のばらつきが発生したりするというような問題点を解決するために、通電用メディアとして、直径が被めっき物である電子部品の最小投影面積の最大寸法の０．８〜１．３倍のものを用いるようにしている。
【０００６】
また、特許文献２の振動めっき方法では、通電用メディアとして、直径が被めっき物である電子部品の最長辺寸法の０．９３〜１．８倍の通電用メディアを用いるようにしている。
【０００７】
さらに、特許文献３の振動めっき方法では、電子部品に割れや欠けが発生することを防止しつつ、電子部品の凝集を抑制して、確実にめっきを行うことができるように、表面硬度が、電子部品の表面硬度よりも低い絶縁性ゴムまたは樹脂で表面を覆われた絶縁性粒体を用いる方法が提案されている。また、特許文献３には、絶縁性粒体の直径が電子部品の外形における最小寸法の５倍以上、最大寸法の１０倍以下とすることが開示されている。
【０００８】
しかしながら、上記従来のめっき方法の場合、例えば、長さ０．６mm以下、幅０．３mm以下、高さ０．３mm以下というような小型の電子部品にめっきを施そうとした場合、被めっき物である電子部品の寸法が小さくなると、めっき中に電子部品が凝集し、電子部品どうしが着合してしまう、いわゆるくっつき不良が発生したり、形成されるめっき膜の均一性が低下したりするという問題点がある。
【特許文献１】特開平９−１３７２９６号公報
【特許文献２】特開２００２−１２９３９５号公報
【特許文献３】特開２００３−７３８９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本願発明は、上記の問題点を解決するものであり、小型の電子部品にめっきを施す場合にも、電子部品どうしが着合してしまうくっつき不良や、めっき膜の均一性の低下などの発生を抑制、防止して、歩留まりよく良好なめっきを施すことが可能な電子部品のめっき方法および該めっき方法を用いた電子部品の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本願発明（請求項１）の電子部品のめっき方法は、
めっき用電極を備えた容器内に収納された電子部品と通電用メディアをめっき液に浸漬し、めっき用電極に通電することにより電子部品にめっきを施す電子部品のめっき方法において、
前記電子部品が、長さ０．６mm以下、幅０．３mm以下、高さ０．３mm以下の、略直方体形状を有する電子部品である場合に、
通電用メディアとして、直径が前記電子部品の最短辺寸法の０．９〜１．１倍の略球形の通電用メディアを用いること
を特徴としている。
【００１１】
また、請求項２の電子部品のめっき方法は、前記容器内に、略球形のほぐし用絶縁性粒体をさらに添加してめっきを行うことを特徴としている。
【００１２】
また、請求項３の電子部品のめっき方法は、前記容器に振動を与えながら、めっき用電極に通電することにより電子部品にめっきを施すことを特徴としている。
【００１３】
また、本願発明（請求項４）の電子部品の製造方法は、請求項１〜３のいずれかに記載のめっき方法により、電子部品に配設された電極の表面にめっき膜を形成する工程を備えていることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１４】
本願発明（請求項１）の電子部品のめっき方法は、電子部品が、長さ０．６mm以下、幅０．３mm以下、高さ０．３mm以下の、略直方体形状を有する電子部品である場合に、通電用メディアとして、直径が電子部品の最短辺寸法の０．９〜１．１倍の略球形の通電用メディアを用いるようにしているので、電子部品どうしが着合してしまうくっつき不良が発生したり、めっき膜の均一性が低下したりすることを抑制、防止して、歩留まりよく良好なめっきを施すことが可能になる。
【００１５】
すなわち、電子部品の最短辺寸法の０．９〜１．１倍の略球形の通電用メディアを用いることにより、電子部品が上述のような小型のものである場合にも、通電用メディアと電子部品との間の十分な接触確率を確保することが可能になる。その結果、電子部品へのめっき分配率（電子部品、めっき電極、通電用メディアへの全めっき量に対する、電子部品にめっきされる量の割合）を増大させて、目標とする膜厚のめっき膜を形成するために必要な電流密度を減少させることが可能になり、くっつき不良を抑制することができるようになるとともに、通電用メディアと電子部品との接触確率を増大させて、めっき膜の均一性を向上させることが可能になり、長さ０．６mm以下、幅０．３mm以下、高さ０．３mm以下の微細な電子部品に効率よくめっきを施すことが可能になる。
なお、通電用メディアとして、直径が電子部品の最短辺寸法の０．９〜１．１倍の略球形の通電用メディアを用いるようにしているのは、通電用メディアの直径が電子部品の最短辺寸法の０．９倍未満になると、通電用メディア上に電子部品素子が浮き出し、高電流密度でめっきが施されることになり、電子部品どうしが着合してしまうくっつき不良の発生率が高くなり、また、１．１倍を超えると、目標とする膜厚を得るために必要な電流密度が高くなり、電子部品どうしが着合してしまうくっつき不良の発生率が高くなることによる。
本願請求項１の発明の電子部品のめっき方法においては、通常、容器内に収納された電子部品と通電用メディアをめっき液に浸漬した状態で、撹拌、揺動、振動などを与えながらめっきを施すことになるが、本願請求項１の発明において、撹拌、揺動、振動などを与える方法やそれらの態様に特別の制約はない。
【００１６】
また、請求項２の電子部品のめっき方法のように、容器内に略球形のほぐし用絶縁性粒体（撹拌用メディア）をさらに添加してめっきを行うようにした場合、電子部品の凝集（集合）や、電子部品と通電用メディアの凝集（集合）を抑制し、電子部品どうしが着合してしまうくっつき不良が発生したり、めっき膜の均一性が低下したりすることをより確実に抑制、防止して、歩留まりよく電子部品に良好なめっきを施すことが可能になる。
【００１７】
また、請求項３の電子部品のめっき方法のように、容器に振動を与えながら、めっき用電極に通電することにより電子部品にめっきを施すようにした場合、電子部品が上述のような小型のものである場合にも、通電用メディアと電子部品との間の十分な接触確率を確保することが可能になり、電子部品へのめっき分配率を増大させて、目標とする膜厚のめっき膜を形成するために必要な電流密度を減少させてくっつき不良の発生を抑制することが可能になるとともに、めっき膜の均一性を向上させることが可能になり、長さ０．６mm以下、幅０．３mm以下、高さ０．３mm以下の微細な電子部品に、効率よくしかも確実にめっきを施すことが可能になる。
【００１８】
また、本願発明（請求項４）の電子部品の製造方法は、請求項１〜３のいずれかに記載のめっき方法により、電子部品に配設された電極の表面にめっき膜を形成するようにしているので、例えば、電子部品の表面に形成された外部電極に、ＮｉめっきやＳｎめっきなどを施す際に、電子部品どうしが着合してしまうくっつき不良の発生や、めっき膜の均一性の低下の発生などを抑制、防止して、歩留まりよく良好なめっきを施すことが可能になる。
その結果、小型で信頼性の高い電子部品を効率よく製造することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下に本願発明の実施例を示して、本願発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。
【実施例１】
【００２０】
この実施例（実施例１）では、図１(ａ)，(ｂ)に示すように、寸法が、長さ（Ｌ）０．６mm、幅（Ｗ）０．３mm、高さ（Ｔ）０．３mmの、略直方体形状を有する積層セラミックコンデンサ１０の外部電極４ａ，４ｂ（表面にＮｉめっき膜５が形成されている）にＳｎめっきを施して、Ｎｉめっき膜５の表面にＳｎめっき膜６を形成する場合を例にとって説明する。
【００２１】
この実施例１における被めっき物である積層セラミックコンデンサ（電子部品）１０は、図１(ａ)，(ｂ)に示すように、セラミック素子１中に、複数の内部電極３ａ，３ｂがセラミック層２を介して積層され、かつ、セラミック層２を介して互いに対向する内部電極３ａ，３ｂが交互にセラミック素子１の逆側の端面に引き出されて、該端面に形成された外部電極４ａ，４ｂに接続された構造を有している。
【００２２】
なお、この実施例１において、めっきを施す対象とした積層セラミックコンデンサ１０は、図１(ａ)に示すように、導電ペーストを塗布して、焼き付けることにより形成された外部電極４ａ，４ｂの表面にＮｉめっき５が施された状態のものである。
【００２３】
また、図２は本願発明の一実施例にかかるめっき電子部品のめっき方法を実施するのに用いためっき装置の一例を示す図である。
このめっき装置２０は、積層セラミックコンデンサ（電子部品）１０、通電用の媒体として機能する通電用メディア１１、およびほぐし用絶縁性粒体（撹拌用メディア）１２を収容する、少なくとも一部がめっき液を通過させるような材料（例えば金網）で構成された容器１３と、容器１３に振動を与えるための駆動手段１４と、下端側が容器１３を保持するとともに、上端側が駆動手段１４に接続された容器保持部材１５と、容器１３の底部１６に配設された陰極（陰極用電極）１７と、陽極用電極１８と、めっき液を収容するめっき槽（Ｓｎめっき槽）１９とを備えている。
【００２４】
次に、上述のめっき装置を用いて、積層セラミックコンデンサ１０の外部電極４ａ，４ｂにＳｎめっきを施す方法について説明する。
まず、上記の長さ（Ｌ）０．６mm、幅（Ｗ）０．３mm、高さ（Ｔ）０．３mmの積層セラミックコンデンサ１０を３０万個と、直径が０．２２〜０．５５mmの通電用メディア１１を５０ｃｃと、直径が７．５mmのほぐし用絶縁性粒体１２を８０個とを混在させ、陰極用電極１７を備えた容器１３に投入して、これをＳｎめっき槽１９に浸漬する。
【００２５】
なお、通電用メディア１１としては、スチールボールを用い、表１に示すように、その直径を０．２２〜０．５５mmの範囲で変化させたものを用いた。
また、ほぐし用絶縁性粒体（撹拌用メディア）１２としては、鉄からなる球体の表面をゴムなどの絶縁材料で被覆したものを用いた。
なお、通電用メディアとしては、スチールボールに限らず、容器内に収納された電子部品と通電用メディアをめっき液に浸漬し、通電することによりめっきを行うめっき方法において通電用メディアとして用いられる種々の材料からなるものを用いることが可能である。
【００２６】
それから、駆動手段１４から振動を加え、容器１３を振動させて、容器１３内の積層セラミックコンデンサ１０、通電用メディア１１、ほぐし用絶縁性粒体１２を撹拌しつつ、容器１３の陰極用電極１７に通電することにより、積層セラミックコンデンサ１０の外部電極４ａ，４ｂにＳｎめっきを施した。なお、この実施例１では、目標めっき膜厚が３．５μｍのＳｎめっき膜が２００分間で形成されるように電流密度を変化させた。
【００２７】
そして、上述のようにしてＳｎめっきを施すことにより得られた積層セラミックコンデンサについて、Ｓｎめっき膜厚を調べるとともに、積層セラミックコンデンサ（電子部品）どうしが着合してしまうくっつき不良の発生率を調べた。
その結果を表１に示す。
【００２８】
【表１】
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【００２９】
なお、表１において、「試料番号」の欄および「通電用メディア直径の電子部品最短辺寸法に対する比率」の欄に＊印を付したものは本願発明の範囲外のものである。
【００３０】
表１に示すように、通電用メディアとして、試料番号６，７，８のように、直径が電子部品最短辺寸法の０．９〜１．１倍の範囲にあるもの、すなわち、直径が０．２７〜０．３３mmの範囲にある通電用メディア１１を用いた場合には、くっつき不良率が０．０５％以下になることが確認された。
【００３１】
これは、直径が電子部品最短辺寸法の０．９〜１．１倍の範囲にある通電用メディアを用いることにより、撹拌が良好になり、電子部品との接触確率が増大して電子部品へのめっき分配率が増加し、目標とする膜厚を得るための電流密度が減少する結果、電子部品どうしが着合してしまうくっつき不良の発生率が抑制されたものと考えられる。
【００３２】
一方、試料番号１〜５のように、通電用メディアとして、直径が電子部品最短辺寸法の１．１倍を超えるものを用いた場合、目標とする膜厚を得るために必要な電流密度が高くなり、電子部品どうしが着合してしまうくっつき不良の発生率が高くなることが確認された。
【００３３】
また、試料番号９および１０のように、通電用メディアとして、直径が電子部品最短辺寸法の０．９倍を下回るものを用いた場合にも、電子部品どうしが着合してしまうくっつき不良の発生率が高くなることが確認された。これは、通電用メディアの直径が小さくなりすぎて、通電用メディア上に電子部品素子が浮き出し、高電流密度でＳｎめっきが施されることによるものと考えられる。
【実施例２】
【００３４】
この実施例（実施例２）では、上記実施例１の場合と同様のめっき装置を用いて、寸法が、長さ（Ｌ）０．４mm、幅（Ｗ）０．２mm、高さ（Ｔ）０．２mmの、略直方体形状を有する積層セラミックコンデンサの外部電極にＳｎめっきを施した。
【００３５】
なお、Ｓｎめっきを施すにあたっては、長さ（Ｌ）０．４mm、幅（Ｗ）０．２mm、高さ（Ｔ）０．２mmの積層セラミックコンデンサを５０万個と、直径が０．１４〜０．４０mmの通電用メディア５０ｃｃと、直径が７．５mmのほぐし用絶縁性粒体８０個とを混在させて陰極を備えた容器に投入し、これをＳｎめっき槽に浸漬してめっきを施した。めっき方法の具体的な手順は、上記実施例１の場合と同様とした。
【００３６】
そして、上述のようにしてＳｎめっきを施すことにより得られた積層セラミックコンデンサについて、Ｓｎめっき膜厚を調べるとともに、電子部品どうしが着合してしまうくっつき不良の発生率を調べた。
その結果を表２に示す。
【００３７】
【表２】
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【００３８】
なお、表２において、「試料番号」の欄および「通電用メディア直径の電子部品最短辺寸法に対する比率」の欄に＊印を付したものは本願発明の範囲外のものである。
【００３９】
表２に示すように、通電用メディア１１として、試料番号１５，１６，１７のように、直径が電子部品最短辺寸法の０．９〜１．１倍の範囲にあるもの、すなわち、直径が０．１８〜０．２２mmの範囲にある通電用メディアを用いた場合には、くっつき不良率が０．０５％以下になることが確認された。
【００４０】
これは、上記実施例１の場合にも説明したように、直径が電子部品最短辺寸法の０．９〜１．１倍の範囲にある通電用メディアを用いることにより、撹拌が良好になり、電子部品との接触確率が増大して電子部品へのめっき分配率が増加し、目標とする膜厚を得るための電流密度が減少する結果、電子部品どうしが着合してしまうくっつき不良の発生率が抑制されたものと考えられる。
【００４１】
一方、試料番号１１〜１４のように、通電用メディアとして、直径が電子部品最短辺寸法の１．１倍を超えるものを用いた場合、目標とする膜厚を得るために必要な電流密度が高くなり、電子部品どうしが着合してしまうくっつき不良の発生率が高くなった。
【００４２】
また、試料番号１８および１９のように、通電用メディアとして、直径が電子部品最短辺寸法の０．９倍を下回るものを用いた場合にも、電子部品どうしが着合してしまうくっつき不良の発生率が高くなった。これは、上記実施例１の場合にも説明したように、通電用メディアの直径が小さくなりすぎて、通電用メディア上に電子部品素子が浮き出し、高電流密度でＳｎめっきが施されてしまうことによるものと考えられる。
【００４３】
なお、上記実施例１及び２では、積層セラミックコンデンサ（セラミック素子）の外部電極の表面にＮｉめっき膜を形成した状態のものを被めっき部品とし、Ｎｉめっき膜上にＳｎめっきを施す場合を例にとって説明したが、めっきすべき対象となる金属の種類（実施例１および２ではＮｉ）や、めっきすべき金属（この実施例１，２ではＳｎ）の種類には、特に制約はなく、例えば、Ａｇ電極上にＮｉめっきを施す場合、Ｎｉめっき膜上にはんだめっきを施す場合など、種々の条件下でめっきを行う場合に広く本願発明を適用することが可能である。
【００４４】
また、上記実施例では、積層セラミックコンデンサの外部電極にめっきを施す場合を例にとって説明したが、本願発明は、積層セラミックコンデンサ以外の他の電子部品（例えば、チップ抵抗、チップコイル、チップＬＣ部品、チップサーミスタ、チップフェライトなど）にめっきを施す場合にも適用することが可能である。
【００４５】
また、上記実施例１および２では、被めっき物である電子部品（積層セラミックコンデンサ）を、通電用メディアとともに、ほぐし用絶縁性粒体（撹拌用メディア）を容器に投入してめっきを行うようにしているが、ほぐし用絶縁性粒体（撹拌用メディア）を添加することなくめっきを行うことも可能であり、その場合にも上記実施例１および２の場合に準じる作用効果を得ることができる。
【００４６】
また、上記実施例１および２では、上面側が開口した容器に被めっき物である電子部品（積層セラミックコンデンサ）および通電用メディアを入れてめっきを行うようにした場合を例にとって説明したが、本願発明の電子部品のめっき方法を実施するためのめっき装置の構成には特別の制約はなく、回転可能なバレルに被めっき部品および通電用メディアを入れ、バレルを回転させながらめっきを行うバレルめっき法を用いる場合にも本願発明を適用することが可能である。
【００４７】
本願発明はさらにその他の点においても上記実施例に限定されるものではなく、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本願発明の電子部品のめっき方法のように、長さ０．６mm以下、幅０．３mm以下、高さ０．３mm以下の、略直方体形状を有する電子部品の表面にめっきを施す場合において、通電用メディアとして、直径が電子部品最短辺寸法の０．９〜１．１倍の範囲にある略球形の通電用メディアを用いることにより、電子部品どうしのくっつき不良や、めっき膜の均一性の低下などの発生を抑制、防止して、歩留まりよく良好なめっきを施すことが可能になり、信頼性の高い小型の電子部品を効率よく製造することが可能になる。
したがって、本願発明は、例えば、めっき膜を備えた外部電極を有する小型の電子部品の製造工程などに広く用いることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本願発明の実施例１にかかる電子部品のめっき方法によりにめっきが施される電子部品（積層セラミックコンデンサ）を示す図であり、(ａ)は断面図、(ｂ)は斜視図である。
【図２】本願発明の一実施例にかかるめっき電子部品のめっき方法を実施するのに用いためっき装置の一例を示す図である。
【図３】従来のめっき方法によりめっきが施される電子部品（積層セラミックコンデンサ）の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５０】
１      セラミック素子
２      セラミック層
３ａ，３ｂ    内部電極
４ａ，４ｂ    外部電極
５      Ｎｉめっき膜
６      Ｓｎめっき膜
１０    積層セラミックコンデンサ（電子部品）
１１    通電用メディア（金属球メディア）
１２    撹拌用メディア（ほぐし用絶縁性粒体）
１３    容器
１４    駆動手段
１５    容器保持部材
１６    容器の底部
１７    陰極用電極
１８    陽極用電極
１９    めっき槽（Ｓｎめっき槽）
２０    めっき装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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