(57)【要約】【課題】  従来の半導体装置では、半導体素子の樹脂封止をトランスファーモールドにて行っていたため、半導体素子等の部材に高い寸法精度が求められるとともに、はんだ接合時にスペーサ治具の取り付け、取り外しが必要となることから、半導体装置の加工時間や加工費が増大する。また、樹脂封止の際に半導体装置に圧力がかかる恐れがあるため、信頼性にも不安がある。【解決手段】  半導体素子２の両面側に一対の電極（金属板３１および上部電極４）が対向配置される半導体装置１であって、該一対の電極間に、半導体素子２の厚みよりも大きな厚みを有する支持体（絶縁物３２および金属箔３３ａ）が介在しており、前記支持体は、半導体素子２の周囲を囲む略環形状に形成される。【選択図】  図１
2006049572.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子の両面側に一対の電極が対向配置される半導体装置であって、
該一対の電極間に、半導体素子の厚みよりも大きな厚みを有する支持体が介在しており、
該支持体における一方の電極との接合面と、他方の電極との接合面とが絶縁されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記支持体は、半導体素子の周囲を囲む略環形状に形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体装置における、前記一対の電極および支持体にて囲まれた空間には、電極または支持体にて被覆されていない開口部が存在することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
請求項１〜請求項３の何れかに記載の半導体装置を、上型および下型からなる成形型のキャビティ内に封入し、該キャビテイ内に封止樹脂を充填することにより、半導体素子の樹脂封止を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項２または請求項３に記載の半導体装置における、前記一対の電極および支持体にて囲まれた空間に、封止樹脂を直接注入することにより、該空間内に配置される半導体素子の樹脂封止を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記半導体装置は、一方の電極上に支持体を貼着する工程、一方の電極上に半導体素子の一面を接合する工程、支持体上に他方の電極を貼着する工程、他方の電極と半導体素子の他面とを接合する工程を順に経た後に、半導体素子の樹脂封止工程が行われることを特徴とする請求項４または請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子の両面側に一対の電極が対向配置される半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＧＢＴやサイリスタ等のパワー半導体素子を備える半導体装置は作動時の発熱が大きいため、半導体素子の両面側に一対の電極を配し、これらの電極をそれぞれの半導体素子面とはんだ層を介して接合し、半導体素子の両面から電極へ放熱を行うように構成して、放熱性を向上させた半導体装置が従来から考案されている（特許文献１参照）。
このような両面放熱型の半導体装置が備える半導体素子は、封止樹脂により封止されているが、放熱性を確保するために両側の電極の外面は封止せずに露出させておくことが重要である。
前述のように半導体装置の半導体素子を樹脂封止する場合、トランスファーモールドと呼ばれる封止方法が一般的に良く用いられている。このトランスファーモールドでは、上型と下型とで構成される成形型のキャビティ内に、両面に電極がはんだ接合された半導体素子を封入し、加熱軟化させたエポキシ樹脂等の樹脂をキャビティ内に充填することで樹脂封止が行われる。
このように、樹脂封止の際に用いられる成形型は、軟化して流動性を有する樹脂により封止される半導体装置の外形を形づくるための枠として用いられるものである（封止時に成形型を用いないと樹脂が流れ出して所望の形状を形づくることができない）。
【特許文献１】特開２００３−１１００６４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
図１１には、半導体素子１１１の下面側にはんだ層１１５を介して下部電極１１３を接合し、上面側にはんだ層およびスペーサ部材１１４を介して上部電極１１２を接合して構成した半導体装置１０１を成形型１２０のキャビティ１２０ａ内にセットし、該キャビティ１２０ａ内に封止樹脂１３０を充填して、トランスファーモールドが行われる様子を示している。
トランスファーモールドにて樹脂封止を行う場合、半導体装置１０１の上部電極１１２の上面と成形型１２０の上型１２１の天井面１２１ａとの間、および半導体装置１０１の下部電極１１３の下面と成形型１２０の下型１２２の底面１２２ａとの間に隙間が殆ど生じないように、成形型１２０のキャビティ１２０ａ内に半導体装置１０１をセットしなければならない。
なぜなら、上部電極１１２の上面と上型１２１の天井面１２１ａとの間、および下部電極１１３の下面と下型１２２の底面１２２ａとの間に隙間があると、この隙間に封止樹脂１３０が入り込んで上部電極１１２の上面および下部電極１１３の下面に封止樹脂１３０が付着し、半導体装置１０１の放熱性が極端に悪化してしまうからである。
【０００４】
上部電極１１２と天井面１２１ａとの間、および下部電極１１３と底面１２２ａとの間の隙間の大きさは、具体的には、封止樹脂に含まれるフィラーの粒径以下に抑える必要がある（隙間の大きさがフィラー粒径より大きいと封止樹脂１３０が隙間へ流入してしまう）。
逆に、成形型１２０の上型１２１と下型１２２とには、キャビティ１２０ａに充填された封止樹脂が漏れ出すのを防ぐために、閉じる方向へ大きな圧力がかけられているので、上部電極１１２の上面と下部電極１１３の下面との間の寸法が上型１２１の天井面１２１ａと下型１２２の底面１２２ａとの間の寸法よりも大きくなってしまうと、その圧力が半導体素子１１１に伝達されて半導体素子１１１が破壊してしまう。
従って、半導体装置１０１を製造する際には、トランスファーモールドを行う場合には、上部電極１１２の上面と下部電極１１３の下面との間の寸法を高精度に造り込む必要がある。
【０００５】
半導体装置１０１の前記寸法を高精度に造り込むにためには、半導体素子１１１や上下電極１１２・１１３に寸法精度が高い部材を用いる必要がある。また、半導体素子１１１と上下電極１１２・１１３とをはんだ接合する際の各部材の位置寸法を高精度に保持する必要があるため、はんだ接合を行う際には上下電極１１２・１１３間に所定の高さ寸法を有したスペーサ治具を介装し、はんだ接合が終了した後にスペーサ治具を取り外す必要がある。
このように、トランスファーモールドを行うためには、半導体素子１１１等の部材に高い寸法精度が求められるとともに、はんだ接合時にスペーサ治具の取り付け、取り外しが必要となることから、半導体装置１０１の加工時間や加工費が増大する。また、樹脂封止の際に半導体装置１０１に圧力がかかる恐れがあるため、信頼性にも不安がある。
また、トランスファーモールドを行う際に、上部電極１１２と成形型１２０における上型１２１の天井面１２１ａとの間、および下部電極１１３と下型１２２の底面１２２ａとの間の隙間が大きくて、封止樹脂がその隙間へ流入した場合には、上部電極１１２および下部電極１１３の外面に付着硬化した封止樹脂を研磨して除去する等の非常に手間がかかる余分な工程が必要となって加工費用が増大してしまうという問題も生じる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決する半導体装置およびその製造方法は、以下の特徴を有する。
即ち、請求項１記載のごとく、半導体素子の両面側に一対の電極が対向配置される半導体装置であって、該一対の電極間に、半導体素子の厚みよりも大きな厚みを有する支持体が介在しており、該支持体における一方の電極との接合面と、他方の電極との接合面とが絶縁されている。
これにより、半導体素子の厚み寸法や半導体素子を接合するはんだの厚み寸法の精度にかかわらず、支持体の厚み寸法により半導体装置の厚み寸法を規制することができる。
つまり、支持体をスペーサとして用いているので、従来のように寸法精度が高い半導体素子を用いたり、スペーサ治具を用いたりしなくても半導体装置の厚み寸法を一定寸法に維持することができる。
従って、一対の電極の外面に封止樹脂を付着させることなく、また半導体素子に圧力をかけることなくトランスファーモールドを行うことが可能となり、信頼性の高い半導体装置を安価な加工費にて製造することができる。
【０００７】
また、請求項２記載のごとく、前記支持体は、半導体素子の周囲を囲む略環形状に形成される。
これにより、成形型を用いることなく、支持体により囲まれる空間に封止樹脂を注入して樹脂封止を行うことが可能となる。
従って、成形型を用いて樹脂封止を行う場合のように、半導体装置の厚み寸法を高精度に維持する必要がなく、封止樹脂の使用量も少量に抑えることも可能となる。
また、成形型を用いないので、半導体装置の組立工程でスペーサ治具の組み付け・取り外しを行う必要もなく、加圧により半導体素子の信頼性が低下する心配もない。
【０００８】
また、請求項３記載のごとく、前記半導体装置における、前記一対の電極および支持体にて囲まれた空間には、電極または支持体にて被覆されていない開口部が存在する。
これにより、開口部から電極および支持体にて囲まれた空間の中に封止樹脂を注入して半導体素子を樹脂封止することが可能となる。
【０００９】
また、請求項４記載のごとく、請求項１〜請求項３の何れかに記載の半導体装置を、上型および下型からなる成形型のキャビティ内に封入し、該キャビテイ内に封止樹脂を充填することにより、半導体素子の樹脂封止を行う。
この場合、半導体素子の厚み寸法や半導体素子を接合するはんだの厚み寸法の精度にかかわらず、支持体の厚み寸法により半導体装置の厚み寸法を規制することができるので、
従来のように寸法精度が高い半導体素子を用いたり、スペーサ治具を用いたりしなくても半導体装置の厚み寸法を一定寸法に維持することができ、一対の電極の外面に封止樹脂を付着させることなく、成形型を用いたトランスファーモールドを行うことが可能である。また、モールド時に半導体素子を加圧してしまって半導体装置の信頼性が低下する心配もない。
【００１０】
また、請求項５記載のごとく、請求項２または請求項３に記載の半導体装置における、前記一対の電極および支持体にて囲まれた空間に、封止樹脂を直接注入することにより、該空間内に配置される半導体素子の樹脂封止を行う。
この場合、支持体により、注入した封止樹脂が流れ出ることを防止できるので、成形型を用いることなく半導体素子の樹脂封止を行うことができ、成形型を用いて樹脂封止を行う場合のように、半導体装置の厚み寸法を高精度に維持する必要がなく、封止樹脂の使用量も少量に抑えることも可能となる。
また、成形型を用いないので、半導体装置の組立工程でスペーサ治具の組み付け・取り外しを行う必要もなく、加圧により半導体素子の信頼性が低下する心配もない。
【００１１】
また、請求項６記載のごとく、前記半導体装置は、一方の電極上に支持体を貼着する工程、一方の電極上に半導体素子の一面を接合する工程、支持体上に他方の電極を貼着する工程、他方の電極と半導体素子の他面とを接合する工程を順に経た後に、半導体素子の樹脂封止工程が行われる。
これにより、厚み寸法を一定に維持するとともに、半導体素子の周囲に支持体および一対の電極により囲まれた空間を形成した半導体装置を構成した後に半導体素子の樹脂封止が行われることとなり、成形型を用いた樹脂封止を行う場合には両電極の外面に封止樹脂が付着することを防止でき、成形型を用いずに樹脂封止を行う場合には封止樹脂の流れを止めることができて、樹脂封止工程を簡素化することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、一対の電極の外面に封止樹脂を付着させることなく、また半導体素子に圧力をかけることなくトランスファーモールドを行うことが可能となり、信頼性の高い半導体装置を安価な加工費にて製造することができる。
また、成形型を用いることなく、支持体により囲まれる空間に封止樹脂を注入して樹脂封止を行うことが可能となる。従って、半導体装置の厚み寸法を高精度に維持する必要がなく、封止樹脂の使用量も少量に抑えることも可能となる。
さらに、成形型を用いないので、半導体装置の組立工程でスペーサ治具の組み付け・取り外しを行う必要もなく、加圧により半導体素子の信頼性が低下する心配もない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
次に、本発明を実施するための形態を、添付の図面を用いて説明する。
【００１４】
〔第一実施形態〕
図１に示す半導体装置１は、ＩＧＢＴやサイリスタ等のパワー素子に構成される半導体素子２と、該半導体素子２が実装される基板３と、半導体素子２の上面に接合される上部電極４とを備えている。
【００１５】
基板３は、銅板等の金属板３１にエポキシ系接着剤等の接着性を有する絶縁物３２を用いて銅箔等の金属箔３３ａ・３３ｂを貼設して構成されている。基板３の略中央部は、絶縁物３２および金属箔３３ａ・３３ｂが除去されて金属板３１が露出している素子実装部３５に形成されている。素子実装部３５は、半導体素子２の大きさよりも若干大きな面積に形成されている。
金属箔３３ａは半導体実装部３５の周囲を囲む導電パターンに形成されており、金属箔３３ｂは信号線取り出し用の直線パターンに形成されている。
【００１６】
このように構成される基板３に、以下のごとく半導体素子２を実装する等して、半導体装置１が構成される。
まず、図４（ａ）に示すように、半導体素子２を、基板３の素子実装部３５にはんだを用いて実装する。この場合、半導体素子２の下面と素子実装部３５における金属板３１とをはんだ６にて接合するが、接合部の信頼性を確保するために、はんだ６層にはある程度の厚みが必要とされる。
【００１７】
従って、半導体素子２を素子実装部３５にはんだ接合する際には、例えば、必要とされるはんだ６層の厚みを確保できるだけの径を有した、はんだ６よりも高融点の金属球を含むはんだ６を用いて、はんだ接合が行われる。
また、はんだ接合を行う前に、予め必要とされるはんだ６層の厚み分だけ半導体素子２と金属板３１との間隔を空けた状態で、両者を接着剤にて接着しておき、その後はんだ接合を行ってもよい。
【００１８】
なお、はんだ接合を行う場合、素子実装部３５は半導体素子２の面積よりも若干大きめの面積に形成されており、はんだ６が流れる範囲は素子実装部３５の範囲内に規制されているため、従来の方法で半導体素子２を実装するときのように、治具を用いて半導体素子２の位置決めを行うことなく、半導体素子２を実装することが可能となっている。
また、半導体素子２に接合される金属板３１は半導体装置１の下部電極の役割を果たすものである。
半導体素子２を基板３に実装した後、図４（ｂ）に示すように、半導体素子２に形成される制御用信号を与えるためのパッドと前記金属箔３３ｂとをボンディングワイヤー７にて接続する。
【００１９】
次に、図５（ａ）に示すように、前記金属箔３３ａおよび半導体素子２の上面にはんだ６を供給し、該金属箔３３ａおよび半導体素子２と前記上部電極４とをはんだ接合する。
図５（ｂ）に示すように、上部電極４のはんだ接合を行う際には、上部電極４上に錘部材を載せるなどして上部電極４へ上方からの圧力を加えて、金属箔３３ａと上部電極４との間のはんだ６の厚みが略０となるようにしている。
【００２０】
ここで、絶縁物３２の厚みと金属箔３３ａとを合計した寸法が、半導体素子２の厚みと半導体素子２下方のはんだ６厚みとを合計した寸法よりも大きくなるように構成されている。そして、絶縁物３２および金属箔３３ａは、下部電極として用いられる金属板３１と上部電極４との間に介在される支持体となっている。
従って、金属箔３３ａと上部電極４との間のはんだ６の厚みが略０となるように上部電極４をはんだ接合する場合、半導体装置１全体の厚み寸法は、半導体素子２や半導体素子２下方のはんだ６の厚みには影響されず、基板３の厚み寸法によって決定されることになる。そして、絶縁物３２の厚みと金属箔３３ａの厚みとを合計した寸法が、半導体素子２の厚みと半導体素子２下方のはんだ６厚みと半導体素子２上方のはんだ６厚みとを合計した寸法と等しくなる。
また、絶縁物３２と金属箔３３ａとで構成される支持体における、上部電極４との接合面と、下部電極である金属板３１との接合面とは、絶縁されている。つまり、金属箔３３ａの上面と絶縁物３２の下面とは絶縁状態となっており、上部電極４と金属板３１との間に支持体を介装することで、上部電極４と金属板３１とが電気的に接続されることがないようにしている。
【００２１】
半導体素子２が実装される基板３の素子実装部３５は、上部電極４をはんだ接合することで、金属板３１、絶縁物３２、金属箔３３ａ・３３ｂ、および上部電極４に囲まれた空間となっているが、上部電極４は基板３全面にわたっては設けられておらず、素子実装部３５の一部は上部電極４に被覆されずに開口部３５ａが形成されている。
【００２２】
上部電極４がはんだ接合された後に、開口部３５ａから素子実装部３５内へ、エポキシ系樹脂等の封止樹脂５を充填して硬化させ、半導体素子２を封止する。このように、半導体素子２の周囲を封止樹脂５（図１図示）にて封止することで、半導体素子２自身や半導体素子２のはんだ接合部の信頼性を確保している。
また、素子実装部３５内への封止樹脂５の充填は、液状の封止樹脂５をディスペンサー等により開口部３５ａから直接ポッティング注入すること等により行われる。
【００２３】
このように、半導体装置１において、封止樹脂５により半導体素子２を封止する際には、半導体素子２の周囲は金属板３１、絶縁物３２、金属箔３３ａ・３３ｂ、および上部電極４に囲まれた空間となっているので、成形型を用いることなく該空間に封止樹脂を注入して樹脂封止を行うことが可能となっている。
従って、成形型を用いて樹脂封止を行う場合のように、半導体装置１の厚み寸法を高精度に維持する必要がなく、封止樹脂５の使用量も少量に抑えることも可能となる。
また、成形型を用いないので、半導体装置１の組立工程でスペーサ治具の組み付け・取り外しを行う必要もなく、加圧により半導体素子２の信頼性が低下する心配もない。
【００２４】
また、基板３の絶縁物３２および金属箔３３ａの厚み寸法は半導体素子２の厚み寸法よりも大きく構成されているので、半導体装置１において上部電極４をはんだ接合する際には、半導体素子２の厚み寸法や半導体素子２を接合するはんだ６の厚み寸法の精度にかかわらず、基板３の厚み寸法により半導体装置１の厚み寸法を規制することができる。
つまり、基板３の絶縁物３２および金属箔３３ａをスペーサとして用いているので、従来のように寸法精度が高い半導体素子２を用いたり、スペーサ治具を用いたりしなくても半導体装置１の厚み寸法を一定寸法に維持することができ、金属板３１および上部電極４の外面に封止樹脂５を付着させることなく、成形型を用いたトランスファーモールドを行うことも可能である。
【００２５】
〔第二実施形態〕
次に、本発明にかかる第二実施形態について説明する。
図６に示す半導体装置５１は、ＩＧＢＴやサイリスタ等のパワー素子に構成される半導体素子５２と、該半導体素子５２が実装される基板５３と、半導体素子５２の上面に接合される上部電極５４とを備えている。
図７（ａ）に示すように、基板５３は、銅板等の金属板５３ａにエポキシ系接着剤等の接着性を有するシート状の絶縁物５３ｂを用いて銅箔等の金属箔５３ｃを貼設して構成されている。
【００２６】
この基板５３に、以下のように半導体素子５２を実装する等して、半導体装置１が構成される。
まず、図７（ｂ）に示すように、半導体素子５２を、基板５３の金属板５３ａはんだ５６を用いて実装する。この場合、半導体素子５２の下面と金属板５３ａとを接合するはんだ６の厚さは、第一実施形態の場合と同様に、接合部の信頼性を確保するために必要な厚さとなっている。
また、半導体素子５２に接合される金属板５３ａは半導体装置５１の下部電極の役割を果たすものである。
半導体素子５２を基板５３に実装した後、図７（ｂ）に示すように、半導体素子２に形成される制御用信号を与えるためのパッドと前記金属箔５３ｃとをボンディングワイヤー５７にて接続する。なお、金属箔５３ｃは信号線取り出し用の直線パターンに形成されている。
【００２７】
次に、図８、図９に示すように、基板５３の金属板５３ａ上に、シート状の絶縁樹脂等にて構成される絶縁物５８を貼着する。
絶縁物５８は、実装された半導体素子５２の周囲を囲むように略環状に形成されており、本実施形態では、絶縁物５８は前記金属箔５３ｃが形成された部分以外の三方を囲む、平面視「コ」字状に形成されている。
また、前記絶縁物５８は熱硬化性樹脂にて構成されており、現時点では金属板５３ａ上への接着は仮接着状態である。
【００２８】
図１０（ａ）に示すように、絶縁物５８を仮接着した後、該絶縁物５８上に上部電極５４を貼着し、絶縁物５８を加熱して硬化させる。これにより、金属板５３ａと絶縁物５８、および上部電極５４と絶縁物５８とが本接着される。
これにより、金属板５３ａ、絶縁物５８、および上部電極５４により囲まれた空間５９が形成されることとなり、実装された半導体素子５２がこの空間５９内に位置することとなる。空間５９における、金属箔５３ｃが配置されていて絶縁物５８が形成されていない箇所には開口部５９ａが形成されている。
また、絶縁物５８は、下部電極となる金属板５３ａと上部電極５４との間に介在される支持体となっている。
【００２９】
図１０（ｂ）に示すように、金属板５３ａおよび上部電極５４と絶縁物５８とを本接着した後、半導体素子５２の上面と上部電極５４とをはんだ６にて接合する。
さらに、該開口部５９ａから空間５９内へ、エポキシ系樹脂等の封止樹脂５５を充填して硬化させ、半導体素子５２を封止する（図６図示）。
この樹脂封止により半導体素子５２自身や半導体素子５２のはんだ接合部の信頼性を確保している。
また、空間５９内への封止樹脂５５の充填は、液状の封止樹脂５５をディスペンサー等により開口部５９ａから直接ポッティング注入すること等により行われる。
また、支持体としての絶縁物５８における、上部電極５４との接合面と、下部電極である金属板５３ａとの接合面とは絶縁されているため、上部電極５４と金属板５３ａとの間に支持体を介装することで、上部電極５４と金属板５３ａとが電気的に接続されることはない。
【００３０】
このように、半導体装置５１においても、成形型を用いることなく前記空間５９内に封止樹脂５５を注入して樹脂封止を行うことが可能となっており、半導体装置５１の厚み寸法を高精度に維持する必要がなく、封止樹脂５５の使用量も少量に抑えることも可能となる。また、半導体装置５１の組立工程が煩雑になることがなく、半導体素子５２の信頼性が低下する心配もない。
【００３１】
また、半導体装置５１の厚み寸法は、半導体素子２の厚み寸法や半導体素子２を接合するはんだ６の厚み寸法の精度にかかわらず、絶縁物５８の厚み寸法により規制されているので、スペーサ治具を用いたりしなくても半導体装置５１の厚み寸法を一定寸法に維持することができ、金属板５３ａおよび上部電極５４の外面に封止樹脂５５を付着させることなく、成形型を用いたトランスファーモールドを行うことも可能である。
【００３２】
なお、本実施形態では、予め金属箔５３ｃが金属板５３ａ上に貼設されていたが、半導体装置５１は封止樹脂５５による樹脂封止時に開口部５９ａを備えた空間５９が形成されていればいいので、金属箔５３ｃが貼設されていない状態の金属板５３ａに半導体素子５２をはんだ接合し、絶縁物５８を仮接着した後に、金属箔５３ｃの金属板５３ａ上への貼設および絶縁物５８への上部電極５４の貼設を行って空間５９を構成しても、同様の効果を奏することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明にかかる半導体装置を示す側面断面図である。
【図２】半導体装置を構成する基板を示す側面断面図である。
【図３】半導体装置を構成する基板を示す平面図である。
【図４】（ａ）は基板に半導体素子を実装した状態を示す側面断面図、（ｂ）は実装した半導体素子と基板の金属箔とをボンディングワイヤーにて接続した状態を示す側面断面図である。
【図５】（ａ）は実装した半導体素子上にはんだを供給した状態を示す側面断面図、（ｂ）は半導体素子上に上部電極を接合した状態を示す側面断面図である。
【図６】半導体装置の第二の実施形態を示す側面断面図である。
【図７】（ａ）は図６における半導体装置を構成する基板を示す側面断面図、（ｂ）は図６における半導体装置の基板に半導体素子を実装してワイヤーボンディングを施した状態を示す側面断面図である。
【図８】図６の半導体装置において、半導体素子が実装された基板に絶縁物を貼着した状態を示す側面断面図である。
【図９】図６の半導体装置において、半導体素子が実装された基板に絶縁物を貼着した状態を示す平面図である。
【図１０】（ａ）は図６の半導体装置において、絶縁物上に上部電極を貼着した状態を示す側面断面図、（Ｂ）は図６の半導体装置において、半導体素子と上部電極とをはんだ接合した状態を示す側面断面図である。
【図１１】従来の半導体装置を示す側面断面図である。
【符号の説明】
【００３４】
１  半導体装置
２  半導体素子
３  基板
４  上部電極
５  封止樹脂
６  はんだ
３１  金属板
３２  絶縁物
３３ａ・３３ｂ  金属箔
３５  素子実装部
３５ａ  開口部
【図１】
2006049572.tif 000003
【図２】
2006049572.tif 000004
【図３】
2006049572.tif 000005
【図４】
2006049572.tif 000006
【図５】
2006049572.tif 000007
【図６】
2006049572.tif 000008
【図７】
2006049572.tif 000009
【図８】
2006049572.tif 000010
【図９】
2006049572.tif 000011
【図１０】
2006049572.tif 000012
【図１１】
2006049572.tif 000013