(57)【要約】 【課題】本発明は特性の変化無く伝送ラインの長さをλ／４以下に減らすことにより、素子の超小型化を図れる積層型バルントランスに関するものである。【解決手段】一側端部が不平衡信号用外部電極に連結される第１ストリップラインと一側端部は第１ストリップラインに連結され他方の端部は開放される第２ストリップラインと第１ストリップラインと平衡に形成され一側端部は接地用外部電極に連結され他方の端部は第１平衡信号用外部電極に連結される第３ストリップラインと、第２ストリップラインと平衡に形成され一側端部は接地用外部電極に連結され他側端部は第２平衡信号用外部電極に連結される第４ストリップラインと第２ストリップラインのオープンされた端部側に平衡に形成され不平衡信号用外部電極に一側端部が連結され第１、２ストリップラインに並列でキャパシタンスを形成する電極とが誘電体ブロックの内部に積層形成される。【選択図】図６
2006094462.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多数の誘電体シートが積層された誘電体ブロックと、上記誘電体ブロックの外側面に接地用、不平衡信号用、第１、２平衡信号用、及び非接続用の多数  外部電極を具備する積層型バルントランスにおいて、
上記誘電体ブロックの内部に一側端部が上記不平衡信号用外部電極に連結される第１ストリップラインと、
一側端部が上記第１ストリップラインの残りの端部に連結され他側端部はオープン状態である第２ストリップラインと、
上記第１ストリップラインと平行に形成され一側端部は上記接地用外部電極に連結され他方の端部は上記第１平衡信号用外部電極に連結される第３ストリップラインと、
上記第２ストリップラインと平行に形成され、一側端部は接地用外部電極に連結され他側端部は上記第２平衡信号用外部電極に連結される第４ストリップラインと、
上記第２ストリップラインのオープン端部側一部電極と平行に形成され、一端が上記不平衡信号用外部電極に連結され、第１、２ストリップラインに電気的に並列連結されるキャパシタンスを形成するキャパシタンス形成用電極と、
を含むことを特徴とする積層型バルントランス。
【請求項２】
上記第１〜第４ストリップラインはバルントランスの動作周波数をｆｃとすれば、λ／４（λは１／ｆｃ）以下の長さを有することを特徴とする請求項１に記載の積層型バルントランス。
【請求項３】
上記第１ストリップラインと第２ストリップラインとが同一平面上に形成され、第３ストリップラインと第４ストリップラインとが上記第１、２ストリップラインの上部または下部に位置した同一平面上に形成されることを特徴とする請求項１に記載の積層型バルントランス。
【請求項４】
上記キャパシタンス形成用電極は第２ストリップラインと同一平面上に形成されることを特徴とする請求項１に記載の積層型バルントランス。  
【請求項５】
上記キャパシタンス形成用電極は第２ストリップラインの上部あるいは下部に形成されることを特徴とする請求項１に記載の積層型バルントランス。
【請求項６】
上記誘電体ブロックの内部最上部と最下部には各々上記接地用外部電極と連結され上記第１〜第４ストリップラインに均一なインピーダンス特性を維持させるための接地電極が各々形成されることを特徴とする請求項１に記載の積層型バルントランス。
【請求項７】
上記第１〜第４ストリップラインは螺旋状あるいはメアンダーライン形状であることを特徴とする請求項１に記載の積層型バルントランス。
【請求項８】
上記第１ストリップライン〜第４ストリップラインは各々相異する平面上に形成されることを特徴とする請求項１に記載の積層型バルントランス。
【請求項９】
上記相互平行な第１、３ストリップラインと、第２、４ストリップラインを電気的に遮蔽するよう形成され、上記接地用外部電極に連結される接地電極をさらに含むことを特徴とする請求項８に記載の積層型バルントランス。  
【請求項１０】
上記第１ストリップライン〜第４ストリップラインとは異なる層上に形成され、各々外部電極らに連結される多数のリード電極と、上記多数リード電極を該当する第１〜第４ストリップラインに電気的に連結するバイヤホールをさらに具備し、上記リード電極を通して第１〜第４ストリップラインを各々の外部電極に連結させることを特徴とする請求項１に記載の積層型バルントランス。
【請求項１１】
上記キャパシタンス形成用電極は上記第２ストリップラインと連結されるリード電極と同一平面上に形成されることを特徴とする請求項１０に記載の積層型バルントランス。
【請求項１２】
多数の誘電体シートが積層された誘電体ブロックと、上記誘電体ブロックの外側面に接地用、不平衡信号用、第１、２平衡信号用、及び非接続用の多数  外部電極を具備する積層型バルントランスにおいて、
上記誘電体ブロックは、上記接地用外部電極に連結され直方形状で成る第１接地電極と、
一側端部が上記非接続用外部電極に連結され他方の端部にはその下部層との電気的連結のためのをバイヤホールが形成された第１リード電極と、
上記第１リード電極のバイヤホールに一側端部が接し、他方の端部は上記不平衡信号用外部電極に連結される第１ストリップラインと、
上記第１ストリップラインと平行しながら一側端部は上記接地用外部電極に連結され、他方の端部には下部層に連結されるバイヤホールが形成される第３ストリップラインと、
上記第３ストリップラインのバイヤホールにその一側端部が接し、残りの端部は平衡信号用外部電極に連結されるよう形成され、上記第３ストリップラインを平衡信号用外部電極に電気的に連結する第２リード電極と、
上記第２リード電極の下部に形成され上記接地用外部電極に連結される直方形の導電性パターンから成る第２接地電極と、
上記第２接地電極の下部に形成され、一側端部に下部層と連結されるバイヤホールが形成され他方の端部は上記非接続用外部電極に連結されるよう形成された第３リード電極と、
上記第３リード電極と同一層上に形成され、一側端部は上記不平衡信号用外部電極に連結され他方の端部はオープンされる所定長さのキャパシタンス形成用電極と、
上記第３リード電極及びキャパシタンス形成用電極の下部に、一側端部にバイヤホールが形成され他方の端部はオープン状態であって、上記オープン状態である端部の一部領域が上記キャパシタンス形成用電極と平行に形成される第２ストリップラインと、
上記第２ストリップラインの下部に位置し、一側端部に下部層と連結されたバイヤホールが形成され他方の端部は接地用外部電極に連結され上記第２ストリップラインと平行に形成された第４ストリップラインと、
上記第４ストリップラインのバイヤホールに一側端部が接し、他方の端部は上記平衡信号用外部電極に連結される第４リード電極と、
上記第４リード電極の下部に、上記接地用外部電極に接続されるよう形成される直方形状の第３接地電極とを具備することを特徴とする積層型バルントランス。
【請求項１３】
上記第１ストリップラインないし第４ストリップラインは、バルントランスの動作周波数をｆｃとすれば、λ／４（λは１／ｆｃ）以下の長さを有することを特徴とする請求項１２に記載の積層型バルントランス。
【請求項１４】
上記第１ストリップラインないし第４ストリップラインは螺旋状あるいはメアンダーライン形状で成ることを特徴とする請求項１２に記載の積層型バルントランス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は積層型バルントランスに関するもので、より詳しくは特性の変化無く伝送ラインの長さをλ／４以下に減らせ、素子の超小型化を図れる積層型バルントランスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
バルントランスのバルン(balun)はBalance to Unbalanceの略字であって、上記素子は平衡信号(balanced signal)を不平衡信号(unbalanced signal)に変換したり、逆に不平衡信号を平衡信号に変換する回路または構造物から成る素子のことである。
【０００３】
これは例えば、混合機(mixer)、増幅機(amplifier)などのような平衡入出力端を具備した素子とアンテナのような不平衡入出力端を有する素子を連結する場合、上記平衡信号と不平衡信号同士の変換を行うために必要である。
【０００４】
こうしたバルントランスはＲ、Ｌ、Ｃ素子のような集中定数素子(lumped element)の組合により具現することもでき、あるいはマイクロストリップ、ストリップライン、伝送線路(transmission line)などのような分布定数素子(Distributed element)に具現することができ、最近には上記バルントランスが主に用いられる無線通信製品の小型化が要求されることにつれて、素子寸法を減らせるようＬＴＣＣなどの工法を適用した積層型バルントランスが多く使用される。
【０００５】
図１はＭａｒｃｈａｎｄが提案した一般的なバルントランスの基本構成を示した等価回路図であって、バルントランスはλ／４（ここで、λは「１／ｆｃ（ｆｃは入出力信号の中心周波数）」である）の長さを有する４個のストリップライン（１４〜１７）（以下、第１〜第４ストリップラインという）で構成されるが、所定周波数の不平衡信号が入力または出力される不平衡ポート（１１）に第１ストリップライン（１４）を連結し、上記第１ストリップライン（１４）に第２ストリップライン（１５）を直列で連結した後、上記第２ストリップライン（１５）の他端はオープンする。そして、各々一端が接地された第３ストリップライン（１６）と第４ストリップライン（１７）を各々上記第１ストリップライン（１４）と第２ストリップライン（１５）と電気的  カップリングを形成するよう平行に配し、上記第３、４ストリップライン（１６、１７）の他端を平衡信号が入力または出力される平衡ポート（１２、１３）に連結する。
【０００６】
上記構成において、第１ストリップライン（１４）と第３ストリップライン（１６）、第２ストリップライン（１５）と第４ストリップライン（１７）が各々一つのカップラー(coupler)を構成する。これによって、上記不平衡ポート（１１）に所定周波数の不平衡信号を印加すると、第１〜第４ストリップライン（１４〜１７）同士に電磁気的結合が発生して、平衡ポート（１２、１３）を通して上記入力した不平衡信号と同一な周波数の互いに同じ大きさで１８０度の位相差を有する平衡信号が出力される。逆に、互いに同じ大きさで１８０度の位相差を有する所定周波数の平衡信号を平衡ポート（１２、１３）に印加すると、不平衡ポート（１１）から平衡信号と同一周波数の不平衡信号が出力される。
【０００７】
こうした等価回路を有する従来の積層型バルントランスは図２のような外形と図３に示した内部構造を有する。
【０００８】
即ち、従来の積層型バルントランス（２０）は直方体状となる誘電体ブロック（２１）と、上記誘電体ブロック（２１）の対向する両側面上に各々形成され、不平衡端子、平衡端子、接地端子などに各々設定される多数の外部電極（２３〜２８）とで成る。例えば、外部電極（２３）は非接続用(non connection)、外部電極（２４、２７）は接地用、外部電極（２５、２８）は平衡信号の入出力用、外部電極（２６）は不平衡信号の入出力用に設定される。
【０００９】
さらに、上記誘電体ブロック（２１）は多数の誘電体シートを多層でＬＴＣＣ工法などにより積層形成したものであって、上記積層された多数の誘電体シートには、上部から下部方向の順に上記接地用外部電極（２４、２７）に連結された第１接地電極（３１ａ）、一端が上記不平衡信号用外部電極（２６）に連結されるλ／４長さの第１  ストリップライン（１４）と、上記第１ストリップライン（１４）と平衡に形成され両端が各々平衡信号用外部電極（２５）と接地用外部電極（２７）に連結されるλ／４長さの第３ストリップライン（１６）と、上記接地用外部電極（２４、２７）に連結された第２接地電極（３１ｂ）と、一端が外部電極（２３）を通して上記第１ストリップライン（１４）と連結され他端はオープンされたλ／４長さの第２  ストリップライン（１５）と、上記第２ストリップライン（１５）と平衡に配され両端が接地用外部電極（２７）と平衡信号用外部電極（２８）に各々連結される第４ストリップライン（１７）と、上記接地用外部電極（２４、２７）に連結される第３接地電極（３１ｃ）が形成される。
【００１０】
さらに、上記第１〜第４ストリップライン（１４〜１７）を各々の外部電極（２３〜２８）に連結するためのリード電極（３２ａ〜３２ｄ）と、上記リード電極（３２ａ〜３２ｄ）を他層の該当ストリップライン（１４〜１７）に電気的に連結するためのバイヤホール（３３ａ〜３３ｄ）とを具備することができる。
【００１１】
以上のように、積層型バルントランスは４つのλ／４のストリップラインを垂直方向に積層することにより小型化を図るが、λ／４のストリップライン具現に必要な面積のため、素子の小型化に限界がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は上述した従来の問題を解決するために提案されたもので、その目的は特性の変化無く伝送ラインの長さをλ／４以下に減らすことにより、素子の超小型化を図れる積層型バルントランスを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上述した目的を成し遂げるための構成手段として、本発明は多数の誘電体シートを積層して成る誘電体ブロックと、上記誘電体ブロックの外側面に接地用、不平衡信号用、第１、２平衡信号用、及び非接続用の多数の外部電極を具備する積層型バルントランスにおいて、  上記誘電体ブロックの内部に一側端部が上記不平衡信号用外部電極に連結される第１ストリップラインと、一端が上記第１ストリップラインの他側端部に連結され他側端部はオープンされる第２ストリップラインと、上記第１ストリップラインと平衡に形成され一側端部は上記接地用外部電極に連結され、他端部は上記第１平衡信号用外部電極に連結される第３ストリップラインと、上記第２ストリップラインと平衡に形成され、一側端部は接地用外部電極に連結され他側端部は上記第２平衡信号用外部電極に連結される第４ストリップラインと、上記第２ストリップラインのオープンされた端部側の一部と平行で一側端が上記不平衡信号用外部電極に連結されるよう形成され、上記第１ストリップライン及び第２ストリップラインに並列で所定のキャパシタンスを形成するキャパシタンス形成用電極とを積層形成して成ることを特徴とする。
【００１４】
さらに、上記本発明による積層型バルントランスにおいて、上記第１〜第４ストリップラインはバルントランスの動作周波数をｆｃとすれば、λ／４（ここで、λは１／ｆｃである）以下の長さを有するようになる。
【００１５】
また、本発明による積層型バルントランスにおいて、上記第１ストリップラインと第２ストリップラインを同一平面上に形成し、第３ストリップラインと第４ストリップラインを上記第１、２ストリップラインの上部または下部に位置した同一平面上に形成することを特徴とする。
【００１６】
さらに、本発明による積層型バルントランスにおいて、上記キャパシタンス形成用電極は第２ストリップラインと同一平面上に形成されることを特徴とする。
【００１７】
さらに、本発明による積層型バルントランスにおいて、上記キャパシタンス形成用電極は第２ストリップラインの上部あるいは下部層上に形成されることを特徴とする。
【００１８】
さらに、本発明による積層型バルントランスにおいて、上記誘電体ブロックの内部最上部と最下部には各々上記接地用外部電極と連結され外部との電気的遮蔽を行う接地電極らがさらに形成されることを特徴とする。
【００１９】
さらに、本発明による積層型バルントランスにおいて、上記第１〜第４ストリップラインは螺旋状あるいはメアンダーライン形状で成ることができる。
【００２０】
また、本発明による積層型バルントランスにおいて、上記第１ストリップライン〜第４ストリップラインは各々相異する平面上に形成されることができる。この際、上記相互平行な第１、３ストリップラインと第２、４ストリップライン同士を電気的に遮蔽するよう形成され上記接地用外部電極に連結される接地電極をさらに含む。
【００２１】
また、上記本発明による積層型バルントランスにおいて、上記第１ストリップラインと第２ストリップラインは上記非接続用外部電極を通して相互電気的に連結することができ、この場合上記第１、２ストリップラインとバイヤホールを通して各々連結され、第１、２ストリップラインを上記非接続用外部電極に連結させる複数のリード電極をさらに含み、この際上記キャパシタンス形成用電極は上記リード電極と同一平面上に形成され、積層数をより増加させないようにする。
【発明の効果】
【００２２】
上述したように、本発明は積層型バルントランスの具現において、積層数や面積の増加無く、ストリップラインらと並列で連結されＬＣ共振回路を具現するキャパシタンスを形成することができ、さらに上記キャパシタンスの大きさに比例してストリップラインの長さをλ／４以下に減少させることができるので、その分だけサイズ減少効果があり、結果として従来の構造では不可能であった超小型積層型バルントランスの具現を可能にするとの優れた効果がある。  
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の好ましき実施例について添付の図を参照しながら詳しく説明する。下記説明及び添付の図において本発明の旨を不要に曇らせかねない周知の機能及び構成に係わる詳しい説明は省く。
【００２４】
図４は本発明によるバルントランスの等価回路を示した回路図である。
【００２５】
上記図４によると、本発明によるバルントランスは所定周波数の不平衡信号が入出力される不平衡ポート（４１）と、上記不平衡ポート（４１）に一側端部が連結される第１  ストリップライン（４５）と、上記第１ストリップライン（４５）の他側端部にその一側端部が連結され他側端部はオープンされる第２ストリップライン（４６）と、上記第１ストリップライン（４５）及び第２ストリップライン（４６）に並列で形成されるキャパシタ（Ｃ）と、上記第１ストリップライン（４５）と平行に配され一端が接地された第３ストリップライン（４７）と、上記第２ストリップライン（４６）と平衡に配され一端が接地された第４ストリップライン（４８）と、上記第３、４ストリップライン（４７、４８）の他端に各々連結され上記不平衡信号と同一  周波数で相互同一な大きさから成り１８０度の位相差を有する平衡信号を入出力する第１、２平衡ポート（４２、４３）とで成る。
【００２６】
上記において、第１〜４ストリップライン（４５〜４８）は平衡または不平衡形態で入出力される信号の中心波長をλとすると、λ／４より短い長さで具現される。
【００２７】
即ち、上記キャパシタ（Ｃ）が上記第１、第２ストリップライン（４５〜４６）と並列で連結され、ＬＣ共振器(resonator)を形成する。したがって、上記バルントランスの動作周波数は上記形成されたＬＣ共振器の共振周波数で決定され、この際共振周波数は上記キャパシタ（Ｃ）と第１〜４ストリップライン（４５〜４８）により決定されるインダクタンス  Ｌの積に反比例する。即ち、上記バルントランスの動作周波数は第１〜第４ストリップライン（４５〜４６）の長さが固定されると仮定すれば、キャパシタ（Ｃ）が大きくなるほど低くなる。これを逆に適用する場合、上記キャパシタ（Ｃ）を具備することにより、所定周波数の動作周波数（ｆ＝１／λ）を有するバルントランスはλ／４以下の長さを有する第１〜第４ストリップライン（４５〜４８）で具現できるようになる。
【００２８】
したがって、上記図４に示した本発明のバルントランスは同一な動作周波数を有する図１に示した構造から成る従来のバルントランスと比較すると、４個のストリップラインの長さを減少させることができ、その結果バルントランスのサイズをさらに減少させられるようになる。
【００２９】
こうした等価回路から成る本発明による積層型バルントランスは図５及び図６に示すように具現される。  
図５は本発明による積層型バルントランスの外形を示した斜視図である。
【００３０】
上記図５に示したように、本発明の積層型バルントランス（５０）は多数の誘電体シートをＬＴＣＣ工法により積層して成る直方体状の誘電体ブロック（５１）と、上記誘電体ブロック（５１）の対向する両側面上に形成され接地連結、不平衡信号の入出力、平衡信号の入出力などのために設定された多数の外部電極（５２〜５７）から成る。こうした外部形態は従来提案された一般的な積層型バルントランスと同一構造から成る。
【００３１】
したがって、本発明の積層型バルントランスは外部電極の増加あるいは配置や構造の変更無く、一般的に利用される積層型バルントランスと同一な外形から成ることにより、設計及び配置の面でユーザーの便宜を図ることができる。上記実施例において、外部電極（５２）は非接続(non-connected)用、外部電極（５３、５６）は接地用、外部電極（５４、５７）は平衡信号の入出力用、外部電極（５５）は不平衡信号の入出力用に設定する。
【００３２】
次に、図６は本発明による積層型バルントランスの内部積層構造を示す分解斜視図であって、上記図４に示す等価回路で具現される積層構造を示す。
【００３３】
図６によると、本発明による積層型バルントランスにおいて、誘電体ブロック（５１）を具現する多数の誘電体シートには上部から下部方向の順に、下記のような導電性パターンらが順次に印刷される。
【００３４】
先ず、上記誘電体ブロック（５１）の最上層と最下層である第１層及び第１３層には如何なる導電性パターンも形成されない誘電体シートを配する。
【００３５】
そして、その間に上記図４に示したような等価回路を具現する導電性パターンが積層形成される。
【００３６】
さらに具体的に説明すると、上記誘電体ブロック（５１）は上記非接続用外部電極（５２）に一側端部が接続され、他方の端部は上記不平衡信号用外部電極（５５）に連結される螺旋状あるいはメアンダーライン形態の第１ストリップライン（４５）と、上記第１ストリップライン（４５）の下部または上部に第１ストリップライン（４５）と平行な螺旋状あるいはメアンダーライン形態で形成され一側端部が上記接地用外部電極（５６）に連結され他方の端部は第１平衡信号用外部電極（５４）に連結される第３ストリップライン（４７）と、一側端部が上記非接続用外部電極（５２）に連結され他側端部はオープン状態である螺旋状あるいはメアンダーライン形態の第２ストリップライン（４６）と、一側端部は上記接地用外部電極（５６）に連結され他側端部は第２平衡信号用外部電極（５７）に連結される螺旋状あるいはメアンダーライン形態の第４ストリップライン（４８）と、上記第２ストリップライン（４５）のオープンした端部側に平行に形成され、一側端部が上記不平衡信号用外部電極（５５）に連結され上記第１、２ストリップライン（４５、４６）に並列で所定のキャパシタンスを形成するキャパシタンス形成用電極（６０）を具備する。この場合、上記第１、３ストリップライン（４５、４７）と第２、４ストリップライン（４６、４８）の間に両カップラー同士の電気的遮蔽のため第２接地電極（６１ｂ）が具備しなければならない。
【００３７】
さらに、上記誘電体ブロック（５１）の上下部には各々第１、３接地電極（６１ａ、６１ｃ）をさらに具備する。
【００３８】
また、上記第１〜第４ストリップライン（４５〜４８）の所定端部を該当外部電極（５２〜５７）に連結させるためのリード電極（６２ａ〜６２ｄ）を他層にさらに具備でき、この際、上記リード電極（６２ａ〜６２ｄ）らと第１〜第４ストリップライン（４５〜４８）同士の電気的連結はバイヤホール（６３ａ〜６３ｄ）で具現することができる。
【００３９】
上記のように、第１〜第４ストリップライン（４５〜４８）を相異する層に形成する場合素子のサイズを最小限に抑えられ、これと異なり上記第１ストリップライン（４５）と第２ストリップライン（４６）を同一平面上に並べて形成し、第３、４ストリップライン（４７、４８）を他層上に上記第１、２ストリップライン（４５、４６）と平行に形成することもできる。この場合には上記第２接地電極（６１ｂ）が必要でない。この他にも、上記第１ストリップライン（４５）と第３ストリップライン（４７）とが平行で、第２ストリップライン（４６）と第４ストリップライン（４８）とが平行になる範囲内でその形状及び配置は多様な変更が可能である。
【００４０】
さらに、上記キャパシタンス形成用電極（６０）は上記第２ストリップライン（４６）のオープンした端部と平行に形成されることにより、上記第２ストリップライン（４６）の上層あるいは下層に形成されることもでき、上記第２ストリップライン（４６）と同一層上に平行に形成されることもできる。上記図６に示した実施例の場合、上記キャパシタンス形成用電極（６０）が第２ストリップライン（４６）を非接続用外部電極（５２）に連結させるためのリード電極（６２ａ）と同一平面上に形成することができ、このように上記キャパシタンス形成用電極（６０）は別途の工程数増加あるいはサイズの増加が無いよう配する場合が最も好ましい。
【００４１】
以上のように具現した上記積層型バルントランス（５０）において、第１ストリップライン（４５）と第３ストリップライン（４７）、第２ストリップライン（４６）と第４ストリップライン（４８）が各々カップラーのように作用する。この際、上記第２接地電極（６１ｂ）は上記第１、３ストリップライン（４５、４７）によるカップラーと、上記第２、４ストリップライン（４６、４８）によるカップラー同士の電磁気結合を防止するために上記カップラー同士を電気的に遮蔽する。さらに、上記第１接地電極（６１ａ）と第３接地電極（６１ｃ）は内部ストリップライン（４４〜４８）が一定インピーダンスを有するよう作用する。
【００４２】
これと共に、上記キャパシタンス形成用電極（６０）は電気的カップリング効果によって、上記第２ストリップライン（４６）との対向する面積（長さ）と、上下間隔、誘電体シートの誘電率などで決定される所定のキャパシタンスＣを形成する。この際、上記キャパシタンス形成用電極（６０）の一端は非接続用外部電極（５２）を通して第１ストリップライン（４５）と連結されるので、上記形成されたキャパシタンスＣは上記第１ストリップライン（４５）及び第２ストリップライン（４６）と電気的に並列連結される。
【００４３】
したがって、上記図４に示したような等価回路が形成され、ＬＣ共振回路が具現される。  そして第３、４ストリップライン（４７、４８）は各々上記第１、２ストリップライン（４５、４６）とカップラーで結合されるので、その動作周波数は上記ＬＣ共振周波数により決定される。例えば、上記積層型バルントランスの動作周波数ｆｃとすると、上記第１〜第４ストリップライン（４５〜４８）の長さは上記動作周波数ｆｃに対応する波長λ（＝１／ｆｃ）の１／４の長さより短く、その減少分は上記キャパシタンス形成用電極（６０）と第２ストリップライン（４６）の一部領域との間に形成されたキャパシタンスＣの大きさに比例する。
【００４４】
上記積層型バルントランス（５０）における作用は次のとおり行われる。例えば、不平衡信号用外部電極（５５）に上記動作周波数ｆｃの不平衡信号を印加すると、上記ストリップライン（４５〜４８）によるインダクタ成分とキャパシタンス形成用電極（６０）により形成されたキャパシタンス成分により並列共振が起こり、共に上記第１ストリップライン（４５）と第３ストリップライン（４７）とにカップリングが生じ、第２ストリップライン（４６）と第４ストリップライン（３８）とにカップリングが生じ、第３、４ストリップライン（４７、４８）の端部に連結された平衡信号用外部電極（５４、５７）を通して互いに１８０度の位相差を有しながら同一な大きさ及び周波数を有する平衡信号が引き出される。即ち、上記バルントランス（５０）の動作周波数に対応する所定の不平衡信号を平衡信号に変換出力し、逆に上記動作周波数に対応する所定の平衡信号は不平衡信号に変換出力する。
【００４５】
以上のように、本発明による積層型バルントランスは同一な動作周波数で設計されるとすると、４個のストリップライン長さをλ／４より短く具現できうようになり、その結果積層型バルントランスのサイズをさらに減少させることができる。さらに、上記ＬＣ共振回路具現のため要されるキャパシタンスを、従来のリード電極（６２ａ）が形成された層の余裕空間に、第２ストリップライン（４６）のオープン端側の一部領域と平行になるよう所定の大きさのキャパシタンス形成用電極（６０）を形成して具現することにより、そのために別途の面積や層数を増加させることがなくなる。
【００４６】
上述した本発明の説明においては具体的な実施例について説明したが、上記に限らずあらゆる変形が本発明の旨を外れない範囲内で可能である。  
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】一般的なバルントランスの等価回路図である。
【図２】従来の積層型バルントランスの外形図である。
【図３】図２に示す従来の積層型バルントランスの内部構造を示した分解斜視図である。
【図４】本発明による積層型バルントランスの等価回路図である。
【図５】本発明による積層型バルントランスの外形を示した斜視図である。
【図６】本発明による積層型バルントランスの内部構造を示した分解斜視図である。
【符号の説明】
【００４８】
５０  積層型バルントランス
５１  誘電体ブロック
４５〜４８  第１〜第４  ストリップライン
６０  キャパシタンス形成用電極
６１ａ〜６１ｃ  第１〜第３接地電極
６２ａ  〜  ６２ｄ  第１〜第４リード電極
６３ａ  〜  ６３ｄ  バイヤホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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