(57)【要約】【課題】液晶表示素子用配向膜形成方法及びその形成装置において、基板との物理的接触無しに電場または磁場を用いて配向物質の配向方向を決定することによってラビング配向法で生じた光漏れの問題を解決する。【解決手段】基板を準備する工程と、該基板上に液晶の初期配向のための配向物質を塗布する工程と、配向物質の配向方向を決定するために電場または磁場を印加する工程と、配向物質を硬化する工程と、を備えてなる液晶表示素子の配向膜形成方法、及び、基板が置かれる基板ステージと、該基板ステージ周辺に形成される電場印加装置または磁場印加装置と、配向物質を硬化するための硬化装置と、を備えてなる液晶表示素子の配向膜形成装置を提供する。【選択図】図８
2006215529.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を準備する工程と、
前記基板上に液晶の初期配向のための配向物質を塗布する工程と、
前記配向物質の配向方向を決定するために電場または磁場を印加する工程と、
前記配向物質を硬化する工程と、
を備えてなる液晶表示素子の配向膜形成方法。
【請求項２】
前記電場を印加する工程は、前記配向物質の配向方向と同一方向に電場を印加することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子の配向膜形成方法。
【請求項３】
前記磁場を印加する工程は、前記配向物質の配向方向と垂直方向に電場を印加することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子の配向膜形成方法。
【請求項４】
前記磁場を印加する工程は、電磁石装置を用いて行うことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子の配向膜形成方法。
【請求項５】
前記磁場を印加する工程は、馬蹄形磁石装置を用いて行うことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子の配向膜形成方法。
【請求項６】
前記電場または磁場を印加する工程は、前記配向物質の配向方向に応じてｘ軸に水平、垂直、または対角方向（斜め方向）に変更して行うことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子の配向膜形成方法。
【請求項７】
前記電場または磁場の印加方向を変更する工程は、配向物質の塗布された基板は固定し、電場または磁場印加装置を回転させて行うことを特徴とする請求項６に記載の液晶表示素子の配向膜形成方法。
【請求項８】
前記電場または磁場の印加方向を変更する工程は、電場または磁場印加装置は固定し、配向物質の塗布された基板を回転させて行うことを特徴とする請求項６に記載の液晶表示素子の配向膜形成方法。
【請求項９】
前記配向物質を塗布する工程、電場または磁場を印加する工程、及び配向物質を硬化する工程は、連続工程とすることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子の配向膜の形成方法。
【請求項１０】
前記基板を準備する工程は、
透明基板上に互いに交差して形成されて画素領域を定義するゲート配線及びデータ配線と、前記ゲート配線及びデータ配線の交差領域に形成され、ゲート電極、ソース電極及びドレーン電極を備えてなる薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタのドレーン電極と連結される画素電極と、を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子の配向膜の形成方法。
【請求項１１】
前記基板を準備する工程は、
透明基板上に互いに交差して形成されて画素領域を定義するゲート配線及びデータ配線と、前記ゲート配線及びデータ配線の交差領域に形成され、ゲート電極、ソース電極及びドレーン電極を備えてなる薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタのドレーン電極と連結される画素電極と、前記画素電極と平行に形成される共通電極と、を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子の配向膜の形成方法。
【請求項１２】
前記基板を準備する工程は、
透明基板上に光の漏れを防止する遮光層と、前記遮光層上に形成された緑色、赤色、青色のカラーフィルタ層と、前記カラーフィルタ層の上部に形成された共通電極と、を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子の配向膜の形成方法。
【請求項１３】
前記基板を準備する工程は、
透明基板上に光の漏れを防止する遮光層と、前記遮光層上に形成された緑色、赤色、青色のカラーフィルタ層と、前記カラーフィルタ層の上部に形成されたオーバーコート層と、を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子の配向膜の形成方法。
【請求項１４】
前記透明基板は、プラスチック基板であることを特徴とする請求項１０乃至１３のうちいずれか１項に記載の液晶表示素子の配向膜形成方法。
【請求項１５】
前記透明基板は、フレキシブル基板であることを特徴とする請求１０乃至１３のうちいずれか１項に記載の液晶表示素子の配向膜形成方法。
【請求項１６】
前記配向物質を塗布する工程は、
ポリイミド、ポリアミド酸、ケイ皮酸ポリビニル、ポリアゾベンゼン、ポリエチレンイミン、ポリビニルアルコール、ポリアミド、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリフェニレンフタルアミド、ポリエステル（Polyester）、ポリウレタン、及びポリメチルメタクリレートよりなる群から選ばれた高分子物質を塗布することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示素子の配向膜形成方法。
【請求項１７】
基板が置かれる基板ステージと、
前記基板ステージの周囲に形成され、基板ステージを間において互いに向き合うようにに形成された陽極部及び陰極部を備えてなる電場印加装置と、
配向物質を硬化させるための硬化装置と、
を備えてなる液晶表示素子の配向膜形成装置。
【請求項１８】
基板が置かれる基板ステージと、
前記基板ステージの周囲に形成された磁場印加装置と、
配向物質を硬化させるための硬化装置と、
を備えてなる液晶表示素子の配向膜形成装置。
【請求項１９】
前記磁場印加装置は、コイルの巻かれている１対の電磁石が、基板ステージを間において向かい合って形成されたものであることを特徴とする請求項１８に記載の液晶表示素子の配向膜形成装置。
【請求項２０】
前記磁場印加装置は、馬蹄形磁石装置が基板ステージを囲むように形成されたものであることを特徴とする請求項１８に記載の液晶表示素子の配向膜形成装置。
【請求項２１】
前記電場印加装置または磁場印加装置の前に、配向膜塗布装置がさらに配置されたことを特徴とする請求項１７または１８に記載の液晶表示素子の配向膜形成装置。
【請求項２２】
基板が、前記配向膜塗布装置、電場印加装置または磁場印加装置、及び硬化装置を連続移動できるように、前記基板ステージを移動可能なものとすることを特徴とする請求項２１に記載の液晶表示素子の配向膜形成装置。
【請求項２３】
前記電場印加装置または磁場印加装置は、その印加方向が配向物質の配向方向に応じて適宜変更されるように回転可能なものとすることを特徴とする請求項１７または１８に記載の液晶表示素子の配向膜形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示素子に係り、より詳細には、液晶表示素子において液晶の初期配向のための配向膜の形成方法及びその形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示画面の厚さが数センチメートル（cm）に過ぎない超薄型の平板表示素子の中で、液晶表示素子は、動作電圧が低いために消費電力が少なく、携帯用に使用可能な利点から、ノートブックコンピュータ、モニタ、宇宙船、航空機などに至るまで幅広く且つ多様に応用されている。
【０００３】
液晶表示素子は、一般に、カラーフィルタ層が形成されたカラーフィルタ基板、カラーフィルタ基板と対向し、薄膜トランジスタが形成されている薄膜トランジスタ基板、及びこれら基板間に形成された液晶層と、を備えてなる。
【０００４】
このような液晶表示素子は、液晶層の配向方向が電圧印加により変更され光の透過度が調節されることによって画像が再現される。したがって、電圧印加のために薄膜トランジスタ基板及びカラーフィルタ基板には電極が形成されるが、具体的には、薄膜トランジスタ基板に画素電極が配置され、カラーフィルタ基板に共通電極が配置されてこれら両基板間に垂直の電界が形成される場合（例えば、ツイストネマティック（ＴＮ）モード）や、薄膜トランジスタ基板に画素電極と共通電極が平行に配置されて水平の電界が形成される場合（例えば、水平配列（ＩＰＳ）モード）などがある。
【０００５】
図１は、一般のＴＮモード液晶表示素子を示す分解斜視図である。
【０００６】
図１に示すように、薄膜トランジスタ基板１０には、ゲートライン１２及びデータライン１４が交差して形成されており、その交差領域に薄膜トランジスタＴが形成され、薄膜トランジスタＴに連結された画素電極１６が形成されている。また、カラーフィルタ基板２０には、光の漏れを防止する遮光層２２が形成され、遮光層２２の間にＲ、Ｇ、Ｂのカラーフィルタ層２４が形成され、その上に、共通電極２５が形成されている。この場合、薄膜トランジスタ基板１０に形成された画素電極１６とカラーフィルタ基板２０に形成された共通電極２５との間で垂直の電界が形成され、これにより液晶の配向方向が調節される。
【０００７】
このような構造の両基板１０，２０は、その後貼り合わされて一つの液晶パネルを形成し、この際に、両基板１０，２０間には液晶層が形成される。
【０００８】
この液晶層が、両基板１０，２０間で任意に配列されていると、液晶層の均一な分子配列を得難いため、図示してはいないが、薄膜トランジスタ基板１０及びカラーフィルタ基板２０に、液晶の初期配向のための配向膜が形成される。
【０００９】
従来、このような液晶の初期配向のための配向膜は、主としてラビング配向法により形成されてきた。
【００１０】
このラビング配向法は、基板上にポリイミドのような有機高分子を薄膜の形態に塗布する工程、ラビング布の巻いてあるラビングロールを回転移動させつつ薄膜形態の有機高分子を擦ることによって有機高分子の測鎖を一定方向に整列させる工程、及び整列された有機高分子を硬化させる工程からなる。
【００１１】
このラビング配向法により有機高分子の測鎖が整列された方向に液晶が配向され、此れに伴いラビングロールの移動方向が液晶の配向方向となる。
【００１２】
しかしながら、ラビング配向法は、下記のような短所があった。
【００１３】
第一に、ラビング布の配列が乱れた場合、光の漏れが生じてしまう。
【００１４】
図２は、ラビング布の配列が乱れた場合を概略的に示す斜視図である。
前述したように、基板上には、薄膜トランジスタ、カラーフィルタ層、及び電極層のような構造物が形成されているので、図２に示すように、ラビングロール３０が基板１０または２０上に形成された構造物の上で回転移動する際に、ラビングロール３０に巻かれているラビング布３２の一部３２ａにおいてその配列が乱れることがある。このようにラビング布が乱れると、乱れたラビング布によりラビングされた基板上の領域は、有機高分子の測鎖（side chain）が整列されず、その領域で液晶の配向が不均一になり光の漏れが生じる。
【００１５】
第二に、ラビング布が基板と触れない場合、光の漏れが生じてしまう。
【００１６】
図３は、ラビング布が基板と接触できない場合の液晶配列状態を概略的に示す斜視図である。
【００１７】
上述したように、基板上には、画素電極及び共通電極のような電極層が形成されている。したがって、図３に示すように、基板１０上に形成された電極層の段差により、ラビング布３２が基板と触れない領域（Ａ領域）ができ、このＡ領域において液晶の配向が不均一になるため、光の漏れが生じてしまう。
【００１８】
このように、ラビング配向法は、ラビング布の配列が乱れたり或いはラビング布が基板と触れないことからラビングが不均一になり、結果として、光の漏れを招くという問題点があった。そこで、かかるラビング配向法における問題を克服しうる新規の液晶配向方法の開発への要求が高まっている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
上記のラビング配向法が抱えている問題点は、ラビング配向がラビングロールと基板間の物理的接触により行われることに起因するものである。
【００２０】
したがって、本発明の目的は、物理的な接触による光の漏れを防止できる配向膜形成方法を提供することにある。
【００２１】
本発明の他の目的は、物理的な接触による光の漏れを防止できる配向膜形成装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
上記目的を達成するために、本発明は、基板を準備する工程と、前記基板上に液晶の初期配向のための配向物質を塗布する工程と、前記配向物質の配向方向を決定するために電場または磁場を印加する工程と、前記配向物質を硬化する工程と、を備えてなる液晶表示素子の配向膜形成方法を提供する。
【００２３】
本発明者は、従来ラビング配向法に取って代わる、物理的な接触を必要としない配向膜形成方法について研究した結果、配向物質に電場または磁場を印加すると、配向物質が一定の方向性を持ちながら配向されるという事実を見出し、本発明を完成するに至った。
【００２４】
ここで、前記配向物質の配向方向は、電場の印加方向と同一であり、磁場の印加方向とは垂直になる。したがって、電場は、前記配向物質の配向方向と同一方向に印加することが好ましく、磁場は、前記配向物質の配向方向と垂直方向に印加することが好ましい。
【００２５】
この磁場印加は、電磁石装置または馬蹄形磁石装置を用いて行うと良い。
【００２６】
前記電場または磁場を印加する工程は、前記配向物質の配向方向に応じてｘ軸に水平、垂直または対角方向（斜め方向）に変更して行うことができる。また、前記電場または磁場の印加方向を変更する工程は、配向物質の塗布された基板は固定し、電場または磁場印加装置を回転させて行っても良く、電場または磁場印加装置は固定し、配向物質の塗布された基板を回転させて行っても良い。
【００２７】
前記配向物質を塗布する工程、電場または磁場を印加する工程、及び配向物質を硬化する工程は連続工程とすることが、工程時間の短縮のために好ましい。
【００２８】
また、本発明は、基板が置かれる基板ステージと、前記基板ステージの周囲に形成される電場印加装置または磁場印加装置と、配向物質を硬化するための硬化装置と、を備えてなる液晶表示素子の配向膜形成装置を提供する。
【００２９】
前記電場印加装置は、前記基板ステージを間において向かい合って形成された陽極部及び陰極部を備えてなることが好ましい。
【００３０】
前記磁場印加装置は、馬蹄形磁石装置を基板ステージを囲むように形成したものにしてもよく、コイルが巻かれている１対の電磁石を、前記基板ステージを間において向かい合うように形成したものにしても良い。
【００３１】
前記電場印加装置または磁場印加装置の前には、配向膜塗布装置がさらに配置されることが好ましい。ここで、前記基板ステージは移動可能なものとすることによって、基板が前記配向膜塗布装置、電場印加装置または磁場印加装置、及び硬化装置を連続移動できるようにすることが好ましい。
【００３２】
前記電場印加装置または磁場印加装置は、その印加方向を配向物質の配向方向に応じて適宜変更できるように回転可能なものとすることが好ましい。
【発明の効果】
【００３３】
本発明によれば、電場または磁場を用いて配向物質の配向方向を決定するため、基板との物理的接触が必要でなく、したがって、ラビング配向法で生じてきた光の漏れを防止することが可能になる。
【００３４】
また、１００℃以下の温度で配向物質の硬化工程を行うため、高温に弱いプラスチック基板やフレキシブル基板も適用可能になる。
【００３５】
また、配向物質塗布工程、電場または磁場印加工程、及び硬化工程を連続工程とするため、工程時間が短縮する。
【００３６】
なお、電場または磁場印加装置の回転により、配向物質の配向方向を自由に変更することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
以下、添付の図面に基づき、本発明の好適な実施の形態に係る液晶表示素子用配向膜形成方法及び形成装置について詳細に説明する。
【実施例１】
【００３８】
図４ａ乃至図４ｄは、本発明の一実施の形態による液晶表示素子の配向膜形成方法を示す概略工程図で、電場を印加して配向膜を形成する方法を示している。
【００３９】
まず、図４ａに示すように、基板１００を準備する。
【００４０】
基板１００は、液晶表示素子用の一基板であり、その上に薄膜トランジスタが形成された薄膜トランジスタ基板であっても良く、その上にカラーフィルタが形成されたカラーフィルタ基板であっても良い。ただし、この薄膜トランジスタ基板またはカラーフィルタ基板は、液晶表示素子のモードによってその上に形成される構成要素が異なってくる。
【００４１】
すなわち、基板１００が、いわゆるＴＮモード液晶表示素子用薄膜トランジスタ基板であれば、透明基板上に互いに交差して形成されて画素領域を定義するゲート配線及びデータ配線と、これらゲート配線及びデータ配線の交差領域にゲート電極、ソース電極及びドレーン電極を備える薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタのドレーン電極と連結されるように画素領域に形成される画素電極と、が備えられる。
【００４２】
また、基板１００が、いわゆるＩＰＳモード液晶表示素子用薄膜トランジスタ基板であれば、透明基板上に互いに交差して形成されて画素領域を定義するゲート配線及びデータ配線と、これらゲート配線及びデータ配線の交差領域にゲート電極、ソース電極及びドレーン電極を備える薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタのドレーン電極と連結されるように画素領域に形成される画素電極と、画素電極と平行に形成される共通電極と、が備えられる。
【００４３】
また、基板１００が、いわゆるＴＮモード液晶表示素子用カラーフィルタ基板であれば、透明基板上に光の漏れを防止するように形成された遮光層と、この遮光層上に形成される緑色、赤色、青色のカラーフィルタ層と、このカラーフィルタ層の上部に形成される共通電極と、が備えられる。
【００４４】
また、基板１００が、いわゆるＩＰＳモード液晶表示素子用カラーフィルタ基板であれば、透明基板上に光の漏れを防止するように形成された遮光層と、この遮光層上に形成される緑色、赤色、青色のカラーフィルタ層と、基板平坦化のためにカラーフィルタ層の上部に形成されるオーバーコート層と、が備えられる。
【００４５】
また、基板１００上に形成される構成要素の材質や形成方法などは、当業者にとって自明な範囲内で様々に変更可能である。
例えば、透明基板としては、従来のガラス基板の外にも、フレキシブル基板及びプラスチック基板を使用することができる。
【００４６】
すなわち、従来のラビング配向法では、ラビングロールと基板との物理的接触のためにフレキシブル基板を使用するのには限界があったが、本発明は、後述するように、電場を用いるもので、物理的な接触が発生しないため、フレキシブル基板を使用するのに何ら問題がない。
【００４７】
また、従来ラビング配向法では、配向物質を塗布後に配向物質を硬化する工程が必要であり、この硬化工程は約２３０℃の高温で行われる。このため、高温に弱いプラスチック基板を使用すると、プラスチック基板が曲がる等の問題が生じた。しかし、本発明は、後述するように、電場を用いるため、硬化工程の温度を１００℃以下とすることができ、高温に弱いプラスチック基板の使用も可能になる。
【００４８】
その後、図４ｂに示すように、基板上に配向物質２００を塗布する。
【００４９】
配向物質２００は、後述する電場印加により配向方向が整列される物質ならいずれも使用可能であり、好ましくは、ポリイミド、ポリアミド酸、ケイ皮酸ポリビニル、ポリアゾベンゼン、ポリエチレンイミン、ポリビニルアルコール、ポリアミド、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリフェニレンフタルアミド、ポリエステル、ポリウレタン、及びポリメチルメタクリレートから選ばれた高分子物質を使用する。
【００５０】
その後、図４ｃに示すように、配向物質２００の配向方向を決定するために、電場印加装置３００を用いて電場Ｅを印加する。
【００５１】
電場印加装置３００は、配向物質２００の塗布された基板１００を間において陽極部３１０と陰極部３２０とが互いに向かい合って配置され、矢印方向、つまり陽極部３１０から陰極部３２０の方向に電場Ｅが印加される。同図では陽極部３１０と陰極部３２０がそれぞれ基板１００から離れている場合が例示されているが、陽極部３１０と陰極部３２０が基板１００の両側壁に接触しているものが、電場の強さの面では好ましい。
【００５２】
ここで、電場方向に配向物質２００が配向されるので、電場の印加方向は、配向物質２００の配向方向と同一方向に印加することが好ましい。
【００５３】
したがって、配向物質２００の配向方向がｘ軸に平行な場合には、図５ａに示すように、電場をｘ軸に平行方向に印加すればよく、配向物質２００の配向方向がｘ軸に垂直な場合には、図５ｂに示すように、電場をｘ軸に垂直方向に印加すればよく、配向物質２００の配向方向が斜めになる場合には、図５ｃに示すように、電場を対角方向（斜め方向）に印加すればよい。
【００５４】
ここで、図５ａ乃至図５ｃのように電場の印加方向を変更するためには、電場印加装置３００を回転させるか、或いは、基板１００を回転させれば良い。
【００５５】
その後、図４ｄに示すように、硬化工程を行う。
【００５６】
電場印加により配向方向が決定された配向物質２００は、この硬化工程により配向方向が固定される。
【００５７】
この硬化工程は、ヒーターから熱を加えて行うもので、その温度は、適用される基板によって変更でき、前述したようにプラスチック基板を適用する場合には、１００℃以下とすることが好ましい。
【００５８】
一方、図４ｂの配向物質２００を塗布する工程、図４ｃの電場を印加する工程及び図４ｄの硬化工程は連続工程とすることが、工程時間の短縮のために好ましい。
【実施例２】
【００５９】
図６ａ乃至図６ｄは、本発明の他の実施の形態による液晶表示素子の配向膜形成方法を概略的に示す工程図で、磁場を印加して配向膜を形成する方法を示している。
【００６０】
まず、図６ａに示すように、基板１００を準備する。
【００６１】
基板１００上には、上記の実施の形態１と同様に、液晶表示素子のモードによって多様な構成要素が形成され、基板としては、ガラス基板の外に、フレキシブル（flexible）基板及びプラスチック基板のような透明基板を使用すると良い。
【００６２】
その後、図６ｂに示すように、基板上に配向物質２００を塗布する。
【００６３】
配向物質２００もまた、上記の実施の形態１のそれと同じ種類のものを使用する。
【００６４】
その後、図６ｃに示すように、配向物質２００の配向方向を決定するために磁場印加装置を用いて磁場Ｂを印加する。
【００６５】
ここで、磁場印加のための磁場印加装置は、図６ｃの（１）に示すように、コイル４２０の巻かれた一対の電磁石が、基板を間において向かい合って形成された電磁石装置４００、または、図６ｃの（２）に示すように、基板を囲むように形成された馬蹄形磁石装置５００を使用することができるが、これに限定されるものではない。
【００６６】
前述の実施の形態１では、電場印加時に電極部を基板に接触させることが好ましく、よって、電極部を基板に接触するための工程をさらに行う必要があるが、本実施の形態２では、磁場印加時に基板と接触させる必要がなく、その接触工程が省かれるので、工程が短縮され生産性面において有利となる。
【００６７】
ここで、磁場印加方向と垂直方向に配向物質２００が配向されるので、磁場の印加方向は、配向物質２００の配向方向と垂直方向にすることが好ましい。
【００６８】
また、磁場の印加方向を変更するためには、磁場印加装置４００，５００を回転させてもよく、基板１００を回転させても良い。
【００６９】
その後、図６ｄに示すように、硬化工程を行う。
【００７０】
上記の磁場印加により配向方向が決定された配向物質２００は、このような硬化工程により配向方向が固定される。
【００７１】
この硬化工程は、ヒーターから熱を加えて行うもので、その温度は、適用される基板によって変更でき、前述したようにプラスチック基板を適用する場合には、１００℃以下とすることが好ましい。
【００７２】
図６ｂの配向物質２００を塗布する工程、図６ｃの電場を印加する工程、及び図６ｄの硬化工程は、連続工程とすることが、工程時間の短縮のために好ましい。
【実施例３】
【００７３】
図７は、本発明の一実施の形態による液晶表示素子の配向膜形成装置を示す概略図であり、電場を印加して配向膜を形成する装置を示している。
【００７４】
本実施の形態による配向膜形成装置は、基板が置かれる基板ステージ６００、基板ステージ６００の周囲に形成された電場印加装置３００、及び配向物質を硬化するための硬化装置８００を備えてなる。
【００７５】
電場印加装置３００は、基板ステージ６００を間において互いに向かい合うように形成された陽極部３１０及び陰極部３２０とを備えてなり、基板ステージ６００に載置された、配向物質２００の塗布された基板１００に電場を印加する。
【００７６】
また、電場印加装置３００は、その印加方向が配向物質２００の配向方向に応じて適宜変更されるように回転可能とすることが好ましい。
【００７７】
硬化装置８００は、配向物質２００に熱を加えるヒーターを備えることが好ましい。
【００７８】
また、電場印加装置３００の前には、配向膜塗布装置７００がさらに配置される。この配向膜塗布装置７００はプリンティング装置からなるが、これに限定されるのではない。
【００７９】
ここで、基板１００が、配向膜塗布装置７００、電場印加装置３００及び硬化装置８００を連続移動できるように、基板ステージ６００を移動可能にすることが好ましい。
【実施例４】
【００８０】
図８及び図９は、本発明の他の実施の形態による液晶表示素子の配向膜形成装置を示す概略図で、磁場を印加して配向膜を形成する装置を示している。
【００８１】
本実施の形態による配向膜形成装置は、基板が置かれる基板ステージ６００、基板ステージ６００の周囲に形成された磁場印加装置、及び配向物質を硬化するための硬化装置８００を備えてなる。
【００８２】
ここで、磁場印加装置は、図８に示すように、コイル４２０の巻かれている一対の電磁石が、基板を間において向かい合って形成された電磁石装置４００、または、図９に示すように、基板を囲むように形成された馬蹄形磁石装置５００を使用することができるが、これらに限定されず、磁場を印加できる装置ならいずれも使用可能である。
【００８３】
磁場印加装置４００，５００は、その印加方向が配向物質の配向方向に応じて適宜変更されるように回転可能なものとすることが好ましい。
【００８４】
硬化装置８００は、配向物質２００に熱を加えるヒーターを備えることが好ましい。
【００８５】
また、磁場印加装置４００，５００の前には、配向膜塗布装置７００がさらに配置される。この配向膜塗布装置７００は、プリンティング装置からなるが、これに限定されるものではない。
【００８６】
ここで、基板が、配向膜塗布装置７００、磁場印加装置４００，５００、及び硬化装置８００を連続移動できるように、基板ステージ６００は移動可能にすることが好ましい。
【００８７】
以上、具体的な実施の形態を挙げて本発明を説明してきたが、これら具体例に限定されず、本発明は、当業者とって自明な範囲内で様々に変更することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】一般の液晶表示素子を示す分解斜視図である。
【図２】従来のラビング配向法の問題点を説明するための図である。
【図３】従来のラビング配向法の問題点を説明するための図である。
【図４ａ】本発明の一実施の形態による液晶表示素子の配向膜形成工程を示す図である。
【図４ｂ】本発明の一実施の形態による液晶表示素子の配向膜形成工程を示す図である。
【図４ｃ】本発明の一実施の形態による液晶表示素子の配向膜形成工程を示す図である。
【図４ｄ】本発明の一実施の形態による液晶表示素子の配向膜形成工程を示す図である。
【図５ａ】本発明の一実施の形態による電場印加工程を示す概略図である。
【図５ｂ】本発明の一実施の形態による電場印加工程を示す概略図である。
【図５ｃ】本発明の一実施の形態による電場印加工程を示す概略図である。
【図６ａ】本発明の他の実施の形態による液晶表示素子の配向膜形成工程を示す図である。
【図６ｂ】本発明の他の実施の形態による液晶表示素子の配向膜形成工程を示す図である。
【図６ｃ】本発明の他の実施の形態による液晶表示素子の配向膜形成工程を示す図である。
【図６ｄ】本発明の他の実施の形態による液晶表示素子の配向膜形成工程を示す図である。
【図７】本発明の一実施の形態による液晶表示素子の配向膜形成装置を示す概略図である。
【図８】本発明の他の実施の形態による液晶表示素子の配向膜形成装置を示す概略図である。
【図９】本発明のさらに他の実施の形態による液晶表示素子の配向膜形成装置を示す概略図である。
【符号の説明】
【００８９】
１００    基板
２００    配向物質
３００    電場印加装置
４００，５００    磁場印加装置
６００    基板ステージ
７００    配向膜塗布装置
８００    硬化装置
【図１】
2006215529.tif 000003
【図２】
2006215529.tif 000004
【図３】
2006215529.tif 000005
【図４ａ】
2006215529.tif 000006
【図４ｂ】
2006215529.tif 000007
【図４ｃ】
2006215529.tif 000008
【図４ｄ】
2006215529.tif 000009
【図５ａ】
2006215529.tif 000010
【図５ｂ】
2006215529.tif 000011
【図５ｃ】
2006215529.tif 000012
【図６ａ】
2006215529.tif 000013
【図６ｂ】
2006215529.tif 000014
【図６ｃ】
2006215529.tif 000015
【図６ｄ】
2006215529.tif 000016
【図７】
2006215529.tif 000017
【図８】
2006215529.tif 000018
【図９】
2006215529.tif 000019