(57)【要約】【課題】  変調／復調を構成するミキサに利得制御増幅器を設ける。【解決手段】  第１と第２の基準電位間に、入力信号と発振信号が供給され前記入力信号を変調／復調するミキサ回路と、前記ミキサ回路の出力信号が供給され制御信号により利得が制御されるパイ型負荷を有する利得制御増幅器が接続され、利得制御増幅器の段数を削減することにより、温度特性と線形性を向上させるとともに消費電流を削減する。【選択図】図２
2006191278.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基準電位と、
第２の基準電位と、
入力信号と発振信号が供給され前記入力信号を変調／復調するミキサ回路と、
前記ミキサ回路の出力信号が供給され制御信号により利得が制御される利得制御回路と、
を有し、前記第１と前記第２の基準電位間に前記利得制御回路と前記ミキサ回路が接続された
利得制御変調／復調回路。
【請求項２】
前記ミキサ回路の出力信号は電流出力とし、該電流を前記利得制御回路に供給する
請求項１記載の利得制御変調／復調回路。
【請求項３】
前記利得制御回路は差動回路を有し、前記利得制御信号を差動入力端子に供給し、前記ミキサ回路からの出力電流を前記差動回路の電流源に供給する
請求項１記載の利得制御変調／復調回路。
【請求項４】
前記差動回路は差動出力を合成するパイ型の負荷回路を有する
請求項３記載の利得制御変調／復調回路。
【請求項５】
前記ミキサの前記入力信号は、電流入力信号である
請求項１記載の利得制御変調／復調回路。
【請求項６】
前記電流入力信号は、ＶＩ変換回路で電圧−電流変換し、変換した電流をカレントミラー回路で所定倍増幅した
請求項５記載の利得制御変調／復調回路。
【請求項７】
ベースバンド信号を増幅する第１と第２の増幅器と、
前記第１と第２の増幅器の出力信号と発振信号が供給され、４個のトランジスタを有し、第１と第２の変調信号を出力するギルバート型掛算器と、
前記第１と第２の変調信号が供給され、制御信号により利得が制御される前記ギルバート型掛算器の出力と基準電位間に設けられた第１と第２の利得制御回路と
を有する利得制御変調／復調回路。
【請求項８】
前記第１と第２の利得制御回路は差動回路を有し、前記制御信号を差動入力端子に供給し、前記ギルバート型掛算器からの出力電流を前記差動回路の電流源に供給する
請求項７記載の利得制御変調／復調回路。
【請求項９】
前記差動回路は差動出力を合成するパイ型の負荷回路を有する
請求項８記載の利得制御変調／復調回路。
【請求項１０】
前記ギルバート掛算器の前記入力信号は、ＶＩ変換回路で電圧−電流変換し、変換した電流をカレントミラー回路で所定倍増幅した
請求項７記載の利得制御変調／復調回路。
【請求項１１】
ベースバンド信号を処理するベースバンド処理回路と、該ベースバンド処理回路からの出力信号を変調／復調し、該変調／復調された信号の利得を制御信号で制御する利得制御変調／復調回路を有する通信装置であって、
前記利得制御変調／復調回路は、
第１の基準電位と、
第２の基準電位と、
入力信号と発振信号が供給され前記入力信号を変調／復調するミキサ回路と、
前記ミキサ回路の出力信号が供給され制御信号により利得が制御される利得制御回路と、
を有し、前記第１と前記第２の基準電位間に前記利得制御回路と前記ミキサ回路が接続された
通信装置。
【請求項１２】
前記利得制御回路は差動回路を有し、前記利得制御信号を差動入力端子に供給し、前記ミキサ回路からの出力電流を前記差動回路の電流源に供給する
請求項１１記載の通信装置。
【請求項１３】
前記差動回路は差動出力を合成するパイ型の負荷回路を有する
請求項１２記載の通信装置。
【請求項１４】
ベースバンド信号を処理するベースバンド処理回路と、該ベースバンド処理回路からの出力信号を変調／復調し、該変調／復調された信号の利得を制御信号で制御する利得制御変調／復調回路を有する通信装置であって、
前記利得制御変調／復調回路は、
前記ベースバンド処理回路の出力信号と発振信号が供給され、４個のトランジスタを有し、第１と第２の変調信号を出力するギルバート型掛算器と、
前記第１と第２の変調信号が供給され、制御信号により利得が制御される前記ギルバート型掛算器の出力と基準電位間に設けられた第１と第２の利得制御回路と
を有する通信装置。
【請求項１５】
前記利得制御回路は差動回路を有し、前記利得制御信号を差動入力端子に供給し、前記ギルバート型掛算器からの出力電流を前記差動回路の電流源に供給する
請求項１４記載の通信装置。
【請求項１６】
前記差動回路は差動出力を合成するパイ型の負荷回路を有する
請求項１５記載の通信装置。
【請求項１７】
前記ベースバンド処理回路はＶＩ変換回路を有し、ベースバンド信号を電圧−電流変換し、変換した電流をカレントミラー回路で所定倍増幅した
請求項１４記載の通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、たとえば移動体通信装置などにおける直交変調器とこれに接続されて利得制御する利得制御増幅器に関する。
【背景技術】
【０００２】
図７に一般的なＣＤＭＡ（Ｃｏｄｅ  Ｄｉｖｉｓｉｏｎ  Ｍｕｌｔｉｐｌｅ  Ａｃｃｅｓｓ：符号分割多重）方式携帯電話のＢＢ（Ｂａｓｅ  ｂａｎｄ；ベースバンド）部からアンテナ端出力までのブロック図を示す。
図７に直交変調器とＧＣＡ回路（利得制御増幅器）さらにＰＡ（パワーアンプ）などで構成される送信系のブロック構成を示す。
ＢＢ（ベースバンド）端子がＩ，Ｑの直交変調器（ＭＯＤ）２０２に接続され、ベースバンド信号を８００ＭＨｚや２ＧＨｚ帯域のＲＦ信号に変換する。Ｉ，Ｑ直交変調器２０２の出力はＧＣＡ回路（利得制御増幅器）２０３Ａ〜２０３Ｃに接続され、ＭＯＤ２０２から出力されたＲＦ信号が増幅される。このＧＣＡ回路１段で約３０ｄＢの利得がある。ＧＣＡ回路２０３Ａ〜２０３Ｃで約８０ｄＢの利得が必要なため３段ＧＣＡ回路が必要である。
ＧＣＡ回路２０３Ｃの出力はＳＡＷフィルタ２０５に接続され、送信信号をＳＡＷフィルタ２０５のバンドパスフィルタで周波数を選択し不要な高調波を除去し、希望の周波数帯域の信号のみを出力する。
ＳＡＷフィルタ２０５から出力された送信信号はＰＡ（パワーアンプ）２０６でさらに電力増幅され、次段のＤＵＰ（デュープレックサー）２０７を介してＡＮＴ（アンテナ）２０８に供給され、出力される。
【０００３】
上述したように、たとえばＣＤＭＡ方式携帯電話の場合、利得制御範囲は８０ｄＢ以上必要とされるので、良好な制御直線性及び温度特性であることが要求される。
そのため利得制御増幅器(ＧＣＡ回路)は３段以上で構成されるのが一般的であり、また変調器（回路）は利得制御しないのが一般的である。
またＭＯＤ（変調器）２０２の後段に接続されている３段利得制御増幅器（ＧＣＡ回路）に関し、図８に示す回路構成が用いられている。
【０００４】
図８に示すＧＣＡ回路２５０の回路構成について述べる。ＮＰＮトランジスタ２５１と２５２のエミッタが共通接続され、ＮＰＮトランジスタ２５１のコレクタと電源Ｖｃｃ間に負荷Ｚ１Ｃが接続され、ＮＰＮトランジスタ２５２のコレクタは電源Ｖｃｃに接続される。ＮＰＮトランジスタ２５１，２５２の共通エミッタにはＭＯＤ２０２の出力信号がたとえば、電圧−電流変換回路などを介して信号電流として供給され、また両トランジスタのベース間に制御電圧Ｖｃが供給される。
この制御電圧ＶｃによりＧａｉｎが制御され、ＮＰＮトランジスタ２５２のコレクタから出力電圧が取り出される。
【０００５】
以下ＭＯＤ２０２とＧＣＡ回路２０３Ａ〜２０３Ｃの回路動作について説明する。しかし変調器（回路）の動作については一般的であるため省略し、その出力を利得制御するＧＣＡ２０３Ａ〜２０３Ｃ（図8のＧＣＡ回路２５０）について説明する。特に、このＧＣＡ回路２５０の温度バラツキの大きさを示すための動作説明を加える。
図８に示したＧＣＡ回路２５０のＮＰＮトランジスタ２５１のコレクタ出力電圧Ｖｏは、以下となる。
Vo=Z1×I1                              ・・・（１）
次に以下の関係式が成り立つ。
Vbe1=Vt×ln(I1/Is)                      ・・・（２）
Vbe2=Vt×ln(I2/Is)                      ・・・（３）
・・・Vt；サーマル電圧
Io=I1+I2                              ・・・（４） 
（２）,(３)式より
Vc=Vbe1-Vbe2=Vt×ln(I1/I2)               ・・・（５）
(5)式より
I1=I2×exp(Vc/Vt)                      ・・・（６）
となる。（６）式を（４）式に代入し、I1,I2を求めると
I1=Io/[1+exp(-Vc/Vt)]                    ・・・（７）
I2=Io/[1+exp(Vc/Vt)]                    ・・・（８）
が得られ、（７）式を（１）式に代入すると
Vo=Z1×Io/[1+exp(-Vc/Vt)]              ・・・（９）
となる。Gain特性を検討するため、仮に入力電圧Vi=1、Z1=Io=1と置くと、
利得Gain=Vo/Vi=1/[1+exp(-Vc/Vt)]      ・・・（１０）
となる。
【０００６】
この（１０）式をグラフ化すると、図９のようになる。
横軸に制御電圧Ｖｃを−０．２Ｖから＋０．２Ｖまでの範囲を０．１Ｖステップの目盛で示し、縦軸にＧａｉｎを１０ｄＢステップの目盛で、０ｄＢから−９０ｄＢの範囲を示している。また温度条件を２７℃、−２５℃、８５℃と３つに設定した場合について、制御電圧Ｖｃに対するそれぞれのＧａｉｎ特性を示してある。
制御電圧Ｖｃが＋０．２Ｖから＋０．１Ｖの範囲では、温度条件に係わらず減衰量はほとんど０ｄＢで、またＶｃが０．１Ｖから０Ｖの範囲でも減衰特性はほぼ同じで、０Ｖで約―６ｄＢである。Ｖｃが０Ｖ以下になると減衰量の温度依存性が出てくる。Ｖｃが−０．１において、８５℃で約―２７ｄＢ、２７℃で約−３４ｄＢ、−２５℃で約−４１ｄＢとなり、その差最大で１０ｄＢ以上となり、温度に対するばらつきが大きくなることを示している。
また、Ｖｃが−０．２Ｖになると、各減衰量は８５℃で約―５４ｄＢ、２７℃で約−６７ｄＢ、−２５℃で約−８２ｄＢとなり、その差は最大で２５ｄＢ以上となり、さらに温度に対するばらつきが大きいことを示している。
このように、図８に示したＧＣＡ回路２５０は良好な制御直線性及び温度特性とは言い難い。
【０００７】
また、図７、図８、図９における無線通信装置とＧＣＡ回路は、ＧＣＡ回路を３段構成にしているため、消費電流が大きくなり、また３段構成とするため素子数が増えＩＣ化する場合チップ面積が大きくなるなどの問題点がある。
【特許文献１】特開平１１−１３６０５１号公報
【特許文献２】特開平８−２２３２３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
以上述べたように、直交変調器ＭＯＤと３段構成の利得制御増幅器（ＧＣＡ回路）を設けた場合、ＧＣＡ回路を３段構成にしているため、消費電流が大きくなり、またそれに伴って素子数が増えＩＣ化する場合チップ面積が大きくなるなどの問題点がある。さらに、ＧＣＡ回路を図８に示す回路構成にすると、制御直線性と温度特性に問題がある。
これらの問題を解決するために、本発明においては変調器と利得制御増幅器（ＧＣＡ回路）の一部を組み合わせる回路構成とし、ＭＯＤからの出力信号を電圧に変換する必要が無く電流でＲＦ信号を授受することができようにする。それによって、ＭＯＤ出力において、ＲＦ電流からＲＦ電圧に変換するＩ−Ｖ変換回路や電圧レベルシフトを行うエミッタフォロアー回路などが不要になり、消費電流を削減できると共にチップ面積を縮小できるようにした。また、ＭＯＤからＧＣＡ回路もレイアウトをし易くした。
ＲＦ信号を電流信号としてＧＣＡ回路に供給するようにしたので、配線容量の問題を回避でき、周波数特性も改善できる。
また、ＭＯＤと組み合わせるＧＣＡ回路の回路構成とさらにその後段のＧＣＡ回路の新たな回路構成により、ＧＣＡ回路の直線性と温度特性を向上させた。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の利得制御変調／復調回路は、第１の基準電位と、第２の基準電位と、入力信号と発振信号が供給され前記入力信号を変調／復調するミキサ回路と、前記ミキサ回路の出力信号が供給され制御信号により利得が制御される利得制御回路と、を有し、前記第１と前記第２の基準電位間に前記利得制御回路と前記ミキサ回路が接続されたことを特徴とする。
【００１０】
本発明の利得制御変調／復調回路は、ベースバンド信号を増幅する第１と第２の増幅器と、前記第１と第２の増幅器の出力信号と発振信号が供給され、４個のトランジスタを有し、第１と第２の変調信号を出力するギルバート型掛算器と、前記第１と第２の変調信号が供給され、制御信号により利得が制御される前記ギルバート型掛算器の出力と基準電位間に設けられた第１と第２の利得制御回路とを有する。
【００１１】
本発明の通信装置は、ベースバンド信号を処理するベースバンド処理回路と、該ベースバンド処理回路からの出力信号を変調／復調し、該変調／復調された信号の利得を制御信号で制御する利得制御変調／復調回路を有する通信装置であって、前記利得制御変調／復調回路は、第１の基準電位と、第２の基準電位と、入力信号と発振信号が供給され前記入力信号を変調／復調するミキサ回路と、前記ミキサ回路の出力信号が供給され制御信号により利得が制御される利得制御回路と、を有し、前記第１と前記第２の基準電位間に前記利得制御回路と前記ミキサ回路が接続されたことを特徴とする。
【００１２】
本発明の通信装置は、ベースバンド信号を処理するベースバンド処理回路と、該ベースバンド処理回路からの出力信号を変調／復調し、該変調／復調された信号の利得を制御信号で制御する利得制御変調／復調回路を有する通信装置であって、前記利得制御変調／復調回路は、前記ベースバンド処理回路の出力信号と発振信号が供給され、４個のトランジスタを有し、第１と第２の変調信号を出力するギルバート型掛算器と、前記第１と第２の変調信号が供給され、制御信号により利得が制御される前記ギルバート型掛算器の出力と基準電位間に設けられた第１と第２の利得制御回路とを有する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の利得制御変調／復調回路（器）を用いることにより、利得制御増幅器を兼用し、利得制御増幅器の段数を削減できるため、低消費電流化が可能となると共に、直線性や温度特性も向上させた。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
図1に本発明の利得制御変調回路（器）を用いた通信装置１０の送信ブロックのブロック構成を示す。図１に示す通信装置１０は、ＢＢ（ベースバンド）ブロック、ＭＯＤブロック、ＲＦＡＧＣブロックで構成されている。
ＢＢブロックは、Ｉ（同相）信号、Ｑ（直交位相）信号がそれぞれ供給される電圧増幅器、またはＶＩ（電圧−電流）変換回路１３，１４で構成される。Ｉ，Ｑ信号はこのＢＢブロックで電圧を増幅して、電圧を電流に変換した後ＭＯＤブロックのミキサ１５，１６にベースバンド信号を出力する。
ＭＯＤブロックは、本発明においては、上述のミキサ１５，１６、ＶＣＯ（Ｖｏｌｔａｇｅ  Ｃｏｎｔｏｌ  Ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ）２１、Ｄｉｖ（分周器）２２、ＲＦ合成器１７、さらにＲＦＡＧＣの１段を構成する利得制御増幅器（ＧＣＡ回路）１８で構成されている。
ＢＢブロックのＶＩ変換回路１３，１４から出力された信号がミキサ１５，１６に供給される。一方このミキサ１５，１６にはＶＣＯ２１からの発振信号がＤｉｖ２２で分周され発振信号±ＬＯ＿Ｉ，±ＬＯ＿Ｑが供給される。そしてこのミキサ１５，１６の出力端子から出力されるＲＦ信号は一般に電圧ＲＦ信号であるが、図１に示すようにミキサ１５，１６出力は電流出力とした。この電流（ＲＦ）信号は、ＲＦ合成器１７でＲＦ電流信号が合成されてＧＣＡ回路１８に電流ＲＦ信号が出力される。
ＧＣＡ回路１８はＭＯＤブロックの一部に構成されていて、制御電圧（Ｖｃ）により利得が制御され、ＲＦ（電流）合成器１７から供給された電流ＲＦ信号の振幅を制御された利得に応じて増幅し、後段のＲＦＡＧＣブロックを構成するＧＣＡ回路（１９）に出力する。
ＲＦＡＧＣ（ＲＦ自動利得制御増幅器）ブロックは、従来は３段構成であったが、１段のＧＣＡ回路（１８）はＭＯＤブロックに構成されているので、本発明においては２段構成（１９，２０）となっている。
【００１５】
このように、本発明におけるＭＯＤブロックは変調器と利得制御増幅器の一部を組み合わせる回路構成とし、またＭＯＤからの出力信号を電圧に変換する必要が無く電流でＲＦ信号を授受することができようにした。それによって、ＭＯＤ出力において、ＲＦ電流からＲＦ電圧に変換するＩ−Ｖ変換回路や電圧レベルシフトを行うエミッタフォロアー回路などが不要になり、消費電流を削減できると共にチップ面積を縮小できるようにした。また、ＭＯＤからＧＣＡ回路へのレイアウトをし易くした。
ＲＦ信号を電流信号としてＧＣＡ回路に供給するようにしたので、配線容量の問題を回避でき、周波数特性も改善できる。
また、ＭＯＤと組み合わせるＧＣＡ回路の回路構成とさらにその後段のＧＣＡ回路の新たな回路構成により、ＧＣＡ回路の直線性と温度特性を向上させることができる。
【００１６】
つぎに図１に示した、通信装置の主要部の一部であるＢＢブロックとＭＯＤブロックの実施形態例を図２に示す。
図２に示すように、ＢＢブロックはＩ信号を増幅する差動増幅器とＱ信号を増幅する差動増幅器で構成されている。ここでは電圧増幅型の回路構成についてのべるが、これに限定されるべきでなく、電流増幅型の増幅器などでも良い。この実施形態例については後述する。
Ｉ信号を増幅する差動増幅器において、ＮＰＮトランジスタ５１のエミッタとＮＰＮトランジスタ５２のエミッタが共通接続され、この共通接続点は定電流源Ｉ１０を介してグランドに接続されている。ＮＰＮトランジスタ５１とＮＰＮトランジスタ５２のベース間にＶＩ（Ｉ）信号が供給され、各コレクタは一方のミキサの入力と接続されている。
また、Ｑ信号を処理する回路も同様に、ＮＰＮトランジスタ５３のエミッタとＮＰＮトランジスタ５４のエミッタが共通接続され、この共通接続点は定電流源Ｉ１１を介してグランドに接続されている。ＮＰＮトランジスタ５３とＮＰＮトランジスタ５４のベース間にＶＱ（Ｑ）信号が供給され、各コレクタは他方のミキサの入力と接続されている。
【００１７】
つぎにＭＯＤブロックについて述べる。このＭＯＤブロックは主にギルバート型掛算器で構成されていている。具体的には、Ｉ信号を変調するミキサとＱ信号を変調するミキサ、さらにこのミキサ出力の電流ＲＦ信号を合成するＲＦ合成器１７とＧＣＡ回路１８とで構成されている。
具体的には、Ｉ信号を変調するミキサにおいて、ＮＰＮトランジスタ５５のエミッタはＮＰＮトランジスタ５６のエミッタと共通接続され、この共通接続点が上述したＢＢブロックの差動増幅器を構成するＮＰＮトランジスタ５１のコレクタに接続される。またＮＰＮトランジスタ５７のエミッタはＮＰＮトランジスタ５８のエミッタと共通接続され、この共通接続点が上述したＢＢブロックの差動増幅器を構成するＮＰＮトランジスタ５２のコレクタに接続される。ＮＰＮトランジスタ５５のベースはＮＰＮトランジスタ５８のベースに接続され発振信号＋ＬＯ＿Ｉが供給され、ＮＰＮトランジスタ５６のベースはＮＰＮトランジスタ５７のベースに接続され発振信号−ＬＯ＿Ｉが供給される。
Ｑ信号を変調するミキサにおいて、ＮＰＮトランジスタ５９のエミッタはＮＰＮトランジスタ６０のエミッタと共通接続され、この共通接続点が上述したＢＢブロックの差動増幅器を構成するＮＰＮトランジスタ５３のコレクタに接続される。またＮＰＮトランジスタ６１のエミッタはＮＰＮトランジスタ６２のエミッタと共通接続され、この共通接続点が上述したＢＢブロックの差動増幅器を構成するＮＰＮトランジスタ５４のコレクタに接続される。ＮＰＮトランジスタ５９ベースはＮＰＮトランジスタ６２のベースに接続され発振信号＋ＬＯ＿Ｑが供給され、ＮＰＮトランジスタ６０のベースはＮＰＮトランジスタ６１のベースに接続され発振信号−ＬＯ＿Ｑが供給される。
ＮＰＮトランジスタ５５のコレクタとＮＰＮトランジスタ５７のコレクタが接続され＋Ｉｍｉｘ＿Ｉの信号を出力する。ＮＰＮトランジスタ５６のコレクタとＮＰＮトランジスタ５８のコレクタが接続され−Ｉｍｉｘ＿Ｉの信号を出力する。同様に、ＮＰＮトランジスタ５９のコレクタとＮＰＮトランジスタ６１のコレクタが接続され＋Ｉｍｉｘ＿Ｑの信号を出力する。ＮＰＮトランジスタ６０のコレクタとＮＰＮトランジスタ６２のコレクタが接続され−Ｉｍｉｘ＿Ｑの信号を出力する。
【００１８】
つぎにＲＦ合成回路１７に相当する回路構成について述べる。それぞれのミキサはオープンコレクタの回路構成となっているので、各コレクタを接続することにより構成することができる。
ＮＰＮトランジスタ５５とＮＰＮトランジスタ５７のコレクタ共通接続点とＮＰＮトランジスタ５９とＮＰＮトランジスタ６１のコレクタ共通接続点が接続され、＋Ｉｍｉｘ＿Ｉと＋Ｉｍｉｘ＿Ｑと電流合成され、＋Ｉｍｏｄの変調されたＲＦ電流が出力される。
また、ＮＰＮトランジスタ５６とＮＰＮトランジスタ５８のコレクタ共通接続点とＮＰＮトランジスタ６０とＮＰＮトランジスタ６２のコレクタ共通接続点が接続され、−Ｉｍｉｘ＿Ｉと−Ｉｍｉｘ＿Ｑが電流合成され、−Ｉｍｏｄの変調されたＲＦ電流が出力される。
【００１９】
つぎにＲＦ合成器１７のＲＦ信号レベルを制御電圧により制御するＧＣＡ回路１８について述べる。このＧＣＡ回路１８は、ＭＯＤブロックの一部として構成されているところに特徴があり、たとえば差動型増幅器で構成されている。
ＲＦ合成回路１７の出力である、＋ＩｍｏｄがＮＰＮトランジスタ６５とＮＰＮトランジスタ６６の共通エミッタに接続され、ＮＰＮトランジスタ６５コレクタは負荷Ｚ１（７１）を介して電源Ｖｃｃに接続され、このコレクタから出力電圧が取り出される。またＮＰＮトランジスタ６６のコレクタは直接電源Ｖｃｃに接続される。
−ＩｍｏｄがＮＰＮトランジスタ６７とＮＰＮトランジスタ６８の共通エミッタに接続され、ＮＰＮトランジスタ６８コレクタは負荷Ｚ１（７２）を介して電源Ｖｃｃに接続され、このコレクタから出力電圧が取り出される。またＮＰＮトランジスタ６７のコレクタは直接電源Ｖｃｃに接続される。
ＮＰＮトランジスタ６５のベースとＮＰＮトランジスタ６８のベースが共通接続され、制御電圧＋Ｖｃが供給される。また、ＮＰＮトランジスタ６６のベースとＮＰＮトランジスタ６７のベースが共通接続され、制御電圧−Ｖｃが供給される。
【００２０】
図２に示すＢＢブロックとＭＯＤブロックの動作について述べる。ＢＢブロックのＮＰＮトランジスタ５１，５２の両ベース間にＶＩ（Ｉ）信号が供給され、増幅されてそれぞれのコレクタから＋Ｉ＿ＢＢＩと−Ｉ＿ＢＢＩの電流信号が出力される。＋Ｉ＿ＢＢＩ信号はミキサを構成するＮＰＮトランジスタ５５，５６の共通エミッタに供給される。−Ｉ＿ＢＢＩ信号はミキサを構成するＮＰＮトランジスタ５７，５８の共通エミッタに供給され、ＮＰＮトランジスタ５５，５８のベースには発振信号＋ＬＯ＿ＩがＮＰＮトランジスタ５６，５７のベースには−ＬＯ＿Ｉがそれぞれ供給される。ＮＰＮトランジスタ５５とＮＰＮトランジスタ５７のコレクタ出力を加算して変調信号＋Ｉｍｉｘ＿Ｉを出力する。また同様に、ＮＰＮトランジスタ５６とＮＰＮトランジスタ５８のコレクタ出力を加算して変調信号−Ｉｍｉｘ＿Ｉを出力する。
Ｑ信号の変調についても同様に、ＢＢブロックのＮＰＮトランジスタ５３，５４の両ベース間にＶＱ（Ｑ）信号が供給され、増幅されてそれぞれのコレクタから＋Ｉ＿ＢＢＱと−Ｉ＿ＢＢＱの電流信号が出力される。＋Ｉ＿ＢＢＱ信号はミキサを構成するＮＰＮトランジスタ５９，６０の共通エミッタに供給される。−Ｉ＿ＢＢＱ信号はミキサを構成するＮＰＮトランジスタ６１，６２の共通エミッタに供給され、ＮＰＮトランジスタ５９，６２のベースには発振信号＋ＬＯ＿Ｑが、またＮＰＮトランジスタ６０，６１のベースには−ＬＯ＿Ｑがそれぞれ供給される。ＮＰＮトランジスタ５９とＮＰＮトランジスタ６１のコレクタ出力を加算して変調信号＋Ｉｍｉｘ＿Ｑを出力する。また同様に、ＮＰＮトランジスタ６０とＮＰＮトランジスタ６２のコレクタ出力を加算して変調信号−Ｉｍｉｘ＿Ｑを出力する。
【００２１】
変調信号＋Ｉｍｉｘ＿Ｉと＋Ｉｍｉｘ＿Ｑが加算されて＋ＩｍｏｄのＲＦ変調信号が得られる。また変調信号−Ｉｍｉｘ＿Ｉと−Ｉｍｉｘ＿Ｑが加算されて−ＩｍｏｄのＲＦ変調信号が得られる。そして、ミキサで得られたそれぞれの変調信号＋Ｉｍｏｄ、−ＩｍｏｄをＧＣＡ回路１８に供給する。
ＧＣＡ回路１８において、制御電圧Ｖｃ（，−Ｖｃ）を可変して利得を可変して、ＮＰＮトランジスタ６５のコレクタ、ＮＰＮトランジスタ６８のコレクタからＲＦ信号を取り出す。このＧＣＡ回路については、図８に示した回路構成とその特性も同じである。
しかし、このＧＣＡ回路１８については後述する（図３，５に示す）ように、他の実施形態例の回路構成であってもよく、これらの回路構成に限定されるべきものではない。
【００２２】
上述したように、変調器（回路）とこれを用いた通信装置はＧＣＡ回路をＭＯＤの一部に組み合わせたことにより、ＭＯＤ出力信号を電圧に変換する必要が無く電流でＲＦ信号を授受することができる。それによって、ＭＯＤ出力において、ＲＦ電流からＲＦ電圧に変換するＩ−Ｖ変換回路や電圧レベルシフトを行うエミッタフォロアー回路などが不要になり、消費電流を削減できると共にチップ面積を縮小できるようにした。また、ＭＯＤからＧＣＡ回路もレイアウトをし易くした。
ＲＦを電流信号としてＧＣＡ回路に供給するようにしたので、配線容量の問題を回避でき、周波数特性も改善できる。
【００２３】
図２の通信装置５０において、ＢＢブロック７０はバイポーラトランジスタを用いた２個の差動増幅器で構成した。ＢＢブロックに用いるベースバンド信号を処理する回路はこれ以外に、後述する図４に示すたとえばＭＯＳトランジスタなどで構成したＶＩ変換回路を用いて構成することもできるが、本発明はこれらの回路に限定されるべきものではない。
【００２４】
つぎに、他の実施形態例であるＢＢブロック部とＭＯＤブロックを有する通信装置９０の構成について図３を用いて述べる。
図３において、ＢＢブロックを構成する回路構成とＭＯＤブロックの一部を構成するＧＣＡ回路の回路構成が図２の対応ブロックと異なっている。しかし、ＭＯＤブロックを構成するミキサの回路構成は図２に示した回路構成と同じであり、またＭＯＤ全体の動作は図２と基本的に同じであるので詳細な説明は省略し、各ブロックの動作について説明する。
【００２５】
図３において、ＢＢブロック回路１１０はＶＩ変換回路１２０Ａ，１２０Ｂの２個のＶＩ変換回路で構成されていて、その実施形態例の回路構成であるＶＩ変換回路１２０を図４に示す。
図４に示すように、ＰＭＯＳトランジスタ１２５とＰＭＯＳトランジスタ１２６で差動増幅器を構成し、出力信号はカレントミラー回路を用いて電流出力とする構成となっている。
＋Ｖｉｎの信号経路において、電源Ｖｃｃに定電流源Ｉ１２０の一方の端子が接続され、他方の端子はＰＭＯＳトランジスタ１２５のソースと、オペアンプ１２７の反転入力端子と抵抗１２９の一方の端子とに接続されている。オペアンプ１２７の非反転入力端子に入力信号Ｖｉｎが供給される。出力はＰＭＯＳトランジスタ１２５のゲートに接続されている。このＰＭＯＳトランジスタ１２５のドレインはソース接地のＮＭＯＳトランジスタ１２１のドレインとゲートに接続される。またＮＭＯＳトランジスタ１２１のゲートはカレントミラーを構成するソース接地型のＮＭＯＳトランジスタ１２２のゲートに接続され、このＮＭＯＳトランジスタ１２２のドレインから出力信号が電流として出力される。
ここで、カレントミラーを構成するＮＭＯＳトランジスタ１２１とＮＭＯＳトランジスタ１２２の面積比（ゲート幅の比）は１：ｍと設定し、ＮＭＯＳトランジスタ１２１に流れる電流のｍ倍の電流をＮＭＯＳトランジスタ１２２のドレインから出力するようにしている。
一方、−Ｖｉｎの信号経路において、電源Ｖｃｃに定電流源Ｉ１２１の一方の端子が接続され、他方の端子はＰＭＯＳトランジスタ１２６のソースと、オペアンプ１２８の反転入力端子と抵抗１２９の他方の端子とに接続されている。オペアンプ１２８の非反転入力端子に入力信号−Ｖｉｎが供給される。出力はＰＭＯＳトランジスタ１２６のゲートに接続されている。このＰＭＯＳトランジスタ１２６のドレインはソース接地のＮＭＯＳトランジスタ１２３のドレインとゲートに接続される。またＮＭＯＳトランジスタ１２３のゲートはカレントミラーを構成するソース接地ＮＭＯＳトランジスタ１２４のゲートに接続され、このＮＭＯＳトランジスタ１２４のドレインから出力信号が電流として出力される。
ここで、カレントミラーを構成するＮＭＯＳトランジスタ１２３とＮＭＯＳトランジスタ１２４の面積比（ゲート幅の比）は１：ｍと設定し、ＮＭＯＳトランジスタ１２３に流れる電流のｍ倍の電流をＮＭＯＳトランジスタ１２４のドレインから出力するようにしている。
【００２６】
つぎに、このＶＩ変換回路１２０の動作について述べる。
入力信号Ｖｉｎがオペアンプ１２７の入力で端子Ａの電圧と比較され、その差電圧が差動増幅器を構成するＰＭＯＳトランジスタ１２５のゲートに供給され、電流を増減してソース電圧の端子ＡがＶｉｎに等しくなるように帰還がかかる。同様に−Ｖｉｎがオペアンプ１２８の入力で端子Ｂの電圧と比較され、その差電圧がＰＭＯＳトランジスタ１２６のゲートに供給され、電流を増減して端子Ｂの電圧が−Ｖｉｎに等しくなるように帰還がかかる。そして、入力電圧（Ｖｉｎ，−Ｖｉｎ）がレベルシフトされて増幅器の端子Ａ，Ｂにそれぞれ出力される。
その結果、端子Ａと端子Ｂ間に発生した電圧差を抵抗１２９で電流に変換する。この電流即ち信号電流（交流）が図４に示すようにＰＭＯＳトランジスタ１２６、ＮＭＯＳトランジスタ１２３、ＮＭＯＳトランジスタ１２１、ＰＭＯＳトランジスタ１２５さらに抵抗１２９と流れる。
ＮＭＯＳトランジスタ１２１とＮＭＯＳトランジスタ１２２はカレントミラー回路を構成しているので、ＮＭＯＳトランジスタ１２１に流れる電流をｍ倍した電流がＮＭＯＳトランジスタ１２２のドレインから信号電流が流れる。また同様に、ＮＭＯＳトランジスタ１２３に流れる電流をｍ倍した電流がＮＭＯＳトランジスタ１２４のドレインから信号電流が流れる。
【００２７】
図４に示した入力信号Ｖｉｎが図３に示したＢＢブロックの入力信号ＶＩ信号のとき、ＶＩ変換回路１２０をＶＩ変換回路１２０Ａとし、入力信号ＶｉｎがＶＱ信号のとき、ＶＩ変換回路１２０をＶＩ変換回路１２０Ｂとする。
図３のＶＩ変換回路１２０Ａにおいて、Ｖｉｎ（ＶＩ）信号が入力され、その結果ＮＭＯＳトランジスタ１２２のドレインから出力された信号電流（−Ｉ＿ＢＢＩ）はミキサを構成するＮＰＮトランジスタ９７，９８の共通エミッタに供給される。またＮＭＯＳトランジスタ１２４のドレインから出力される信号電流（＋Ｉ＿ＢＢＩ）はミキサを構成するＮＰＮトランジスタ９５，９６の共通エミッタに供給される。
またＶＩ変換器１２０Ｂにおいても同様に、入力信号Ｖｉｎ（ＶＱ）が供給されると、カレントミラーを構成するＮＭＯＳトランジスタの各ドレインから出力される信号電流はミキサを構成するＮＰＮトランジスタ１０１，１０２、ＮＰＮトランジスタ９９，１００の共通エミッタにそれぞれ供給される。
【００２８】
図４に示すＶＩ変換回路１２０において、出力トランジスタ、ＮＭＯＳトランジスタ１２２，１２４の各ドレインは直接ミキサを構成するＮＰＮトランジスタ９９，１００、ＮＰＮトランジスタ１０１，１０２の共通エミッタに接続されている。ＢＢブロック、ミキサ、利得制御増幅器（ＧＣＡ回路）を電源Ｖｃｃとグランド間に接続するとき、ＶＩ変換回路１２０にはＮＭＯＳトランジスタ１２２，１２４のＶＤＳ（ドレイン−ソース間）電圧だけ必要でその電圧は小さくでき、それ以外の電圧（Ｖｃｃ−ＶＤＳ）はミキサと利得制御増幅器（ＧＣＡ回路）で設定することができ、設計マージンが多くなり、またそれに伴って、ミキサまたは利得制御増幅器（ＧＣＡ回路）の動作電圧を大きくすることができるので、線形性領域が広くなる利点がある。
【００２９】
つぎに、ミキサの動作については図２に示した通信装置９０のミキサと同じであるのでここでは数式を用いて概略を説明し、詳細な説明は省略する。
ＢＢブロックからの出力電流をそれぞれ＋Ｉ＿ＢＢＩ，−Ｉ＿ＢＢＩ，＋Ｉ＿ＢＢＱ，−Ｉ＿ＢＢＱとする。
信号成分；  Ｉ＿ＢＢＩ＝cosωｂ、Ｉ＿ＢＢＱ＝sinωｂ
ＬＯ成分；  Ｉ＿ＬＯＩ＝cosωlo、Ｉ＿ＬＯＱ＝sinωlo
と設定すると、ＭＩＸ動作により生成される電流Ｉｍｉｘ＿Ｉ，Ｉｍｉｘ＿Ｑはそれぞれ
Ｉｍｉｘ＿Ｉ＝cosωlo＊cosωb                            ・・・（１１）
Ｉｍｉｘ＿Ｑ＝−sinωlo＊sinωｂ                         ・・・（１２）
となる。この式（１１）、（１２）より、ミキサ出力電流Ｉｍｏｄは、
Ｉｍｏｄ＝（Ｉｍｉｘ＿Ｉ）＋（Ｉｍｉｘ＿Ｑ）
＝cos(ωlo＋ωｂ)                                  ・・・（１３）
となり、イメージ信号成分（cos(ωlo-ωｂ)）は除去される。このイメージ成分が除去された変調波（信号）がミキサ出力にカスコード接続されたＧＣＡ回路（１８）に供給される。
【００３０】
つぎに、図３において、ＲＦ（電流）合成器１７から出力されたＲＦ信号のレベルを制御電圧（＋Ｖｃ，−Ｖｃ）で利得を制御する他の実施形態例のＧＣＡ回路（１８）の構成について述べる。このＧＣＡ回路（１８）は、ＭＯＤブロックの一部として構成されているところに特徴があり、差動型増幅器で構成され、図２のＧＣＡ回路（１８）とは負荷回路の構成が異なる。
ＲＦ合成回路１７の出力から＋ＩｍｏｄがＮＰＮトランジスタ１０５とＮＰＮトランジスタ１０６の共通エミッタに供給される。ＮＰＮトランジスタ１０５のコレクタはキャパシタＣ１とインダクタＬ１が並列接続された負荷Ｚ１を介して電源Ｖｃｃに接続されまた抵抗Ｒ２の一方の端子に接続されている。またこのコレクタから出力電圧が取り出される。
ＮＰＮトランジスタ１０６のコレクタは抵抗Ｒ１を介して電源Ｖｃｃに接続されると共に、抵抗Ｒ２の他方の端子に接続される。
同様に、−ＩｍｏｄがＮＰＮトランジスタ１０７とＮＰＮトランジスタ１０８の共通エミッタに供給される。ＮＰＮトランジスタ１０８のコレクタはキャパシタＣ１ＡとインダクタＬ１Ａが並列接続された負荷Ｚ１Ａを介して電源Ｖｃｃに接続されまた抵抗Ｒ２Ａの一方の端子に接続されている。またこのコレクタから出力電圧が取り出される。
ＮＰＮトランジスタ１０７のコレクタは抵抗Ｒ１Ａを介して電源Ｖｃｃに接続されると共に、抵抗Ｒ２Ａの他方の端子に接続される。
Ｚ１とＺ１Ａの回路はキャパシタＣ１とインダクタＬ１またはキャパシタＣ１ＡとインダクタＬ１Ａとでそれぞれ構成されているが、これは並列共振回路を構成して、所望の周波数たとえば８００ＭＨｚまたは２ＧＨｚの周波数で並列共振して、キャリアを取り出すバンドパスフィルタとしての働きをし、これらのキャリアを出力端子から取り出している。
【００３１】
このＧＣＡ回路（１８）の動作について、図５を用いて具体的に説明する。図５においてまず回路構成に付いて述べる。ミキサから出力される信号電流Ｉｏｂの出力端子がＮＰＮトランジスタ１５１とＮＰＮトランジスタ１５２の共通エミッタに接続され、ＮＰＮトランジスタ１５１のコレクタは負荷Ｚ１Ｂ（１５４）を介して電源Ｖｃｃに接続されまた抵抗Ｒ２Ｂ（１５３）の一方の端子に接続されている。またこのコレクタから出力電圧が取り出される。
ＮＰＮトランジスタ１５２のコレクタは抵抗Ｒ１Ｂ（１５５）を介して電源Ｖｃｃに接続されると共に、抵抗Ｒ２Ｂ（１５３）の他方の端子に接続される。即ち、差動回路の出力回路がパイ（Π）型構成になっていて、差動出力を合成している。
つぎにこのＧＣＡ回路１５０の回路動作を以下に示す。信号電流がＮＰＮトランジスタ１５１，１５２の共通エミッタから入力され、制御電圧Ｖｃを可変することによりこの信号電流の減衰量が変わる。この回路においては、負荷回路がＺ１Ｂ，Ｒ２Ｂ，Ｒ１Ｂで構成され、ＮＰＮトランジスタ１５１のコレクタから出力（信号）Ｖｏが導出される。
出力Ｖｏは次式で表せる。  
Vo=〔Z１Ｂ//(R１Ｂ+R２Ｂ)〕×I１Ｂ+〔(Z１Ｂ+R２Ｂ)//R1Ｂ×Z１Ｂ/(Z１Ｂ+R２Ｂ)〕×I２Ｂ
=Rmax×Iob/[1+exp(-Vc/Vt)]+Rmin×Iob/[1+exp(Vc/Vt)]        ・・・（１４）
但し、Rmax=Z1Ｂ×(R1Ｂ+R2Ｂ)/(R1Ｂ+R2Ｂ+Z1Ｂ)  , Rmin=Z1Ｂ×R1Ｂ/(R1Ｂ+R2Ｂ+Z1Ｂ)
Vc=VBE1-VBE2 , Vt:ボルツマン定数
この回路の特性を分かり易くするため、仮に入力電圧Vi=1、Z1Ｂ=R1Ｂ=R2Ｂ=IoB=1と置くと、
利得Gain=(2/3)/ [1+exp(-Vc/Vt)]+(1/3)/[1+exp(Vc/Vt)]          ・・・（１５）
となる。
【００３２】
この（１５）式をグラフ化すると、図６のようになる。横軸には制御電圧Ｖｃを示し、０．１Ｖステップで−０．２Ｖから＋０．２Ｖの範囲を示している。また縦軸にはＧａｉｎ（利得）を示し、１ｄＢステップで−３ｄＢから−１０ｄＢの範囲を示している。
温度条件は−２５℃，２７℃，８５℃のとし、制御電圧Ｖｃを可変したときのＧａｉｎを示した。図６から、利得制御範囲が、最大利得と、最小利得によって制限されて有限な幅に制御される。そして、その制御特性は中利得、この例においては−６ｄＢに関してほぼ点対称になり、さらに温度―２５℃〜＋８５℃の範囲における特性のばらつきは非常に小さい。実際には、この利得制御変調回路（器）の後段に利得制御増幅器を２段置き、これらをオーバーラップさせ、温度特性を相殺し、良好な直線性及び、温度特性を持つ。なお、本発明はＣＤＭＡ方式における利得制御変調回路（器）として説明したが、この通信方式に限定されるものではなく、本発明を応用できる他の方式にも有効である。
【００３３】
上述したように、通信装置の送信系の変調回路について説明したが、これに限定されるべきものでなく、本発明は通信装置の受信系の復調回路、たとえばミキサ回路とその周辺回路にも適用できることは明らかである。
【００３４】
このように、変調器（回路）と利得制御増幅器の一部を組み合わせる回路構成とし変調（復調）器（回路）出力に独立して従来３段構成にされていたＧＣＡ回路を２段の回路構成とし、消費電流を削減できるようにした。またＭＯＤ出力信号を電圧に変換する必要が無く電流でＲＦ信号を授受することができようにしたことにより、ＭＯＤからＧＣＡ回路へのレイアウトをし易くした。さらにＭＯＤ出力信号を電流出力としてＧＣＡ回路に供給するようにしたので、配線容量の問題を回避でき、周波数特性も改善できる。
ＭＯＤ出力において、ＲＦ電流からＲＦ電圧に変換するＩ−Ｖ変換回路や電圧レベルシフトを行うエミッタフォロアー回路などが不要になり、消費電流を削減できると共にチップ面積を縮小できるようにした。
また、ＭＯＤと組み合わせるＧＣＡ回路の回路構成とさらにその後段のＧＣＡ回路の新たな回路構成により、ＧＣＡ回路の直線性と温度特性を向上させた。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の利得制御変調回路を有する通信装置の全体ブロックを示すブロック構成図である。
【図２】図１に示した通信装置の利得制御変調回路の回路構成を示す回路図である。
【図３】図１に示した通信装置の他の利得制御変調回路の回路構成を示す回路図である。
【図４】図３に示したベースバンドブロックに用いられるＶＩ変換回路の構成図を示した図である。
【図５】図３に示した利得制御変調回路に用いられる利得制御増幅器の回路構成を示した図である。
【図６】図４に示した利得制御増幅器の減衰特性を示した特性図である。
【図７】従来の変調器と利得制御増幅器を有するＣＤＭＡ携帯電話の全体ブロックを示すブロック構成図である。
【図８】図７に示した利得制御増幅器の回路構成を示す回路図である。
【図９】図８に示した利得制御増幅器の減衰特性を示した特性図である。
【符号の説明】
【００３６】
１０，２００…通信装置、１３，１４，１２０，１２０Ａ，１２０Ｂ…ＶＩ変換回路、１５，１６，２０２…ミキサ、１８，１９，２０，２０３Ａ，２０３Ｂ，２０３Ｃ…ＧＣＡ回路（利得制御増幅器）、２１…ＶＣＯ（電圧制御型発振器）、２２…Ｄｉｖ（分周器）、５１〜６８，９５〜１０８，１５１，１５２…ＮＰＮバイポーラトランジスタ、７１，７２，１５４…負荷（インピーダンス）、５０，９０…利得制御変調回路（器）、１２１〜１２４…ＮＭＯＳトランジスタ、１２５，１２６…ＰＭＯＳトランジスタ、１２７，１２８…オペアンプ、１２９，１５３，１５５…抵抗、２０１…変調器、２０５…ＳＡＷ（ソーフィルタ）、２０６…パワーアンプ（ＰＡ）、２０８…ＤＵＰ（ディユープレックサ）、２０８…ＡＮＴ（アンテナ）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2006191278.tif 000009
【図８】
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【図９】
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