(57)【要約】【課題】  共通電極基板の端部によって、薄膜半導体回路層を損傷することのない、フレキシブル性に富む電気泳動表示装置を提供する。【解決手段】  可撓性基板(11)の一面に複数の駆動電極を含む薄膜半導体回路層(12)が形成された半導体回路基板(10)と、透明基板(31)の一面に透明電極層(32)が形成されて、該透明電極層が薄膜半導体回路層(12)に対向するように配置される共通電極基板３０(30)と、薄膜半導体回路層(12)と透明電極層(32)間に配置される電気泳動表示層(20)と、半導体回路基板(10)の外周部に異方性導電膜(43)を介して接続された、可撓性の印刷配線回路基板(40)を含み、共通電極基板(30)の一部が、印刷配線回路基板(40)上で重なるように構成される。【選択図】  図１
2006267977.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性基板の一面に複数の駆動電極を含む薄膜半導体回路層が形成されている半導体回路基板と、
可撓性透明基板の一面に形成された透明電極層が前記薄膜半導体回路層に対向するように配置されている共通電極基板と、
前記薄膜半導体回路層と前記透明電極層間に配置される、分散媒中に帯電粒子を含む電気泳動表示層と、
前記半導体回路基板の外周部に異方性導電膜を介して接続された、可撓性の印刷配線回路基板と、を含み、
前記共通電極基板の外周部と前記印刷配線回路基板とが部分的に重なるように構成された、
電気泳動表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気泳動表示装置を表示部として備えた電子機器。
【請求項３】
複数の駆動電極を含む薄膜半導体回路層を可撓性基板上に接着剤層を介して貼り合わせて半導体回路基板を得る第１の工程と、
前記半導体回路基板の外周部に外部との電気的接続を行う可撓性の印刷配線回路基板の一部を異方性導電膜を介して貼り合わせる第２の工程と、
可撓性透明基板上に透明電極層を形成してなる共通電極基板と前記半導体回路基板とを分散媒中に帯電粒子を含む電気泳動表示層を介して貼り合わせる第３の工程と、を含み、
前記第３の工程の貼り合わせは、前記共通電極基板の外周部と前記印刷配線回路基板とが部分的に重なるようになされる、電気泳動表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２又は第３の工程の貼り合わせは、前記半導体回路基板全体に均一な圧力を与えることによって行われる、請求項３に記載の電気泳動表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記加圧は、前記半導体回路基板及び前記共通電極基板のいずれかの基板の全体に接するダイヤフラムを介して行われる、請求項４に記載の電気泳動表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記ダイヤフラムが基板と接する側を減圧雰囲気下とし、前記ダイヤフラムの他の側を加圧雰囲気下として前記加圧を行う、請求項５に記載の電気泳動表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、媒体中の荷電粒子が電圧の印加によって移動する電気泳動現象を画像形成などに利用した電気泳動表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気泳動表示装置は、例えば、ガラスの表面にＩＴＯ膜（錫がドープされた酸化インジウム膜）を形成した２つの透明電極基板間に電気泳動表示用分散液が封止されて構成される。電気泳動表示分散液は一つ又は複数の種類の色の電気泳動粒子と電気泳動分散媒を含む。２つの電極間への電圧の印加によって電気泳動粒子が電気泳動分散媒中を移動してその存在位置が変わることによって情報の表示を行っている。
【０００３】
しかしながら、電気泳動表示装置の電子ペーパーなどの各種電子機器への応用を考えた場合、全体が柔軟性に富んだ可撓性基板に形成された電気泳動表示装置が望ましい。このような可撓性に富む電気泳動表示装置を得るためには、柔軟性に優れた材料、例えば、プラスチック材料などを薄膜基板として電気泳動表示装置を作成する必要がある。プラスチック材料は一般的に耐熱温度が低く、半導体プロセスには向かない。
【０００４】
そこで、出願人は耐熱基板上に薄膜半導体装置を別途製造し、これを剥離して可撓性のプラスチック（樹脂）基板上に転写する手法を提案している（非特許文献１、特許文献１〜３）。また、電気泳動粒子の分散媒を基板間に封止する柔軟性のあるシール材も提案されている（非特許文献２）。
【０００５】
可撓性の樹脂基板上に形成された薄膜半導体回路基板に、電気泳動表示層を塗工した共通電極基板（透明電極基板）をラミネートすることにより、簡易に柔軟性のある電気泳動表示装置を形成することができる。
【特許文献１】特開平１０−１２５９３１号公報
【特許文献２】特開平１１−２６７３３号公報
【特許文献３】特開２００４−３２７８３６号公報
【非特許文献１】S.Utsunomiya et.al., SID 03 Digest.P864-867
【非特許文献２】Y.Reznikov et.al., Asia Display IMID 04 Digest,P297-299
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、薄膜半導体回路基板に共通電極基板（透明電極基板）をラミネートする際、薄膜半導体回路基板よりも共通電極基板の方の面積が小さいと、共通電極基板の端部が薄膜半導体回路層のデバイス回路（例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）回路）に触れてしまい、半導体素子を損傷したり、デバイス回路にクラックが発生して、信頼性が著しく低下する。これは特に、電気泳動表示層が無い部分、すなわち薄膜半導体回路基板上に共通電極基板が重なる箇所で顕著である。
【０００７】
よって、本発明の目的は、薄膜半導体回路を損傷することのない、フレキシブル性に富む電気泳動表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため本発明の電気泳動表示装置は、可撓性基板の一面に複数の駆動電極を含む薄膜半導体回路層が形成されている半導体回路基板と、可撓性透明基板の一面に形成された透明電極層が上記薄膜半導体回路層に対向するように配置されている共通電極基板と、上記薄膜半導体回路層と上記透明電極層間に配置される、分散媒中に帯電粒子を含む電気泳動表示層と、上記半導体回路基板の外周部に異方性導電膜を介して接続された、可撓性の印刷配線回路基板と、を含み、上記共通電極基板の外周部と上記印刷配線回路基板とが部分的に重なるように構成されている。
かかる構成とすることによって、薄膜半導体回路層のデバイス回路が共通電極基板の端部によって損傷することを回避する。
【０００９】
本発明の電子機器は上述した構成の電気泳動表示装置を表示部として備える。
かかる構成とすることによって、表示部の信頼性を向上させることができる。ここで電子機器は、携帯電話、電子ペーパー、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイ、その他各種のものが含まれる。
【００１０】
また、本発明の電気泳動表示装置の製造方法は、複数の駆動電極を含む薄膜半導体回路層を可撓性基板上に接着剤層を介して貼り合わせて半導体回路基板を得る第１の工程と、上記半導体回路基板の外周部に外部との電気的接続を行う可撓性の印刷配線回路基板の一部を異方性導電膜を介して貼り合わせる第２の工程と、可撓性透明基板上に透明電極層を形成してなる共通電極基板と上記半導体回路基板とを分散媒中に帯電粒子を含む電気泳動表示層を介して貼り合わせる第３の工程と、を含み、上記第３の工程の貼り合わせは、上記共通電極基板の外周部と上記印刷配線回路基板とが部分的に重なるようになされる。
かかる構成とすることによって、薄膜半導体回路層のデバイス回路が共通電極基板の端部によって損傷することを回避した電気泳動表示装置を得ることが可能となる。
【００１１】
上記第２又は第３の工程の貼り合わせは、上記半導体回路基板全体に均一な圧力を与えることによって行われることが好ましい。それにより、貼り合わせ工程中において、薄膜半導体層にダメージを与えることを回避可能となる。
【００１２】
上記加圧は、上記半導体回路基板及び上記共通電極基板のいずれかの基板の全体に接するダイヤフラムを介して行われる。それにより、基板全体への均一な加圧が可能となる。
【００１３】
上記ダイヤフラムが基板と接する側を減圧雰囲気下とし、上記ダイヤフラムの他の側を加圧雰囲気下として上記加圧を行うことが好ましい。それによりダイヤフラムと上記基板間に空気を含まないため、ダイヤフラムの密着性が増してより均一な加圧が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する。
【００１５】
図１は、電気泳動表示装置１の断面を示している。また、図２は、電気泳動表示装置１の平面を概略的に示しており、同図中のＡ−Ａ’方向の断面が図１に相当している。両図において対応する部分には同一符号を付している。
各図に示されるように、電気泳動表示装置１は、大別して可撓性の半導体回路基板１０、電気泳動表示層２０及び可撓性の共通電極基板３０、外部回路との電気的接続を行う可撓性印刷配線回路（ＦＰＣ）基板４０によって構成される。
【００１６】
半導体回路基板１０は、電気回路を形成する絶縁性下地基板としての可撓性基板１１上に薄膜半導体回路層１２が形成されている。可撓性基板１１は、例えば、膜厚２００μｍのポリカーボネート基板である。この可撓性基板１１上に、例えば、ＵＶ（紫外線）硬化型接着剤１１ａを介して半導体回路層１２が積層（貼り合わせ）されている。このような可撓性基板（樹脂基板）１１上に、薄膜半導体回路層１２を形成する場合には、例えば、既述した、特開平１０−１２５９３１号公報、特開平１１−２６７３３号公報、特開２００４−３２７８３６号公報等で紹介されている、耐熱基板（ガラス基板）上で薄膜半導体回路を形成し、該耐熱基板からこの薄膜半導体回路を含む薄膜半導体回路層を剥離して樹脂基板上に全体的にあるいは部分的に転写する薄膜回路の転写手法（以下、「薄膜回路転写法」という。）を使用することができる。
【００１７】
薄膜半導体回路層１２には、行方向及び列方向にそれぞれ複数配列された配線群、画素電極群、画素駆動回路、接続端子等が形成されている。画素駆動回路には既述ＴＦＴが使用されている。また、薄膜半導体回路層１２には、駆動画素を選択する行デコーダ５１及び列デコーダ５２（図２参照）が形成されている。
【００１８】
マトリクス状に配列された複数の画素電極（駆動電極）１３ａは画像（２次元情報）を表示する表示領域部１３を形成している。また、薄膜半導体回路層１２の外周部（表示領域部１３の外周）には共通電極基板３０の透明電極層３２と半導体回路基板１０の回路配線との接続用の接続電極１４が形成されている。半導体回路基板１０の膜厚は、例えば、薄膜回路形成の際の基板の物理的強度の点から２５μｍ以上あることが望ましく、基板の可撓性（フレキシビリティ）確保の点からは２００μｍ以下であることが望ましい。
【００１９】
半導体回路基板１０の表示領域部１３上及びその外周領域に多数のマイクロカプセル２１がバインダ２２で固定されて電気泳動表示層２０を形成している。電気泳動表示層２０の形成領域１６が図２中に梨地で示されている。マイクロカプセル２１内には電気泳動分散媒、電気泳動粒子が含まれている。電気泳動粒子は印加電圧に応じて電気泳動分散媒中を移動する性質を有し、一種類（一色）以上の電気泳動粒子が使用される。電気泳動表示層２０の膜厚は、例えば、５０〜７５μｍである。
【００２０】
この電気泳動表示層２０上を共通電極基板３０が覆っている。共通電極基板３０は下面に透明電極層３２が形成された薄膜フィルム（透明な絶縁性合成樹脂基材）３１で構成されている。薄膜フィルム３１は電気泳動表示層２０の封止及び保護の役割を担っている。例えば、共通電極基板３０の下地となる薄膜フィルム３１はポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムである。共通電極基板３０の膜厚は、１０〜２００μｍが望ましく、より好ましくは２５〜７５μｍである。
【００２１】
透明電極層３２は、例えば、錫がドープされた酸化インジウム膜（ＩＴＯ膜）である。透明電極層３２の領域は図２中に斜線で示されており、共通電極基板３０と同じ領域になっている。
【００２２】
半導体回路基板１０の外周部には、外部回路との電気的接続を行う可撓性印刷配線回路（ＦＰＣ）基板４０が接続されている。この接続はＦＰＣ基板４０の接続電極（接続端子）４２と半導体回路基板１０の接続電極（接続端子）１５とを異方性導電膜（ＡＣＦ）４３を介して貼り合わせることによって行われている。
【００２３】
半導体回路基板１０の回路配線と共通電極基板３０の透明電極層３２とは、電気泳動表示層２０の形成領域１６の外側にて接続されている。具体的には、透明電極層３２と薄膜半導体回路層１２の接続電極（端子）１４とが導電性接続部材２３を介して接続される。
【００２４】
共通電極基板３０は、図１及び図２に示すように、共通電極基板３０の外周部分１７がＦＰＣ基板４０の上で部分的に重なるように形成されている。このような共通電極基板３０がＦＰＣ基板４０上にオーバーラップした構造は以下のような利点を有する。
【００２５】
図８は、上記実施例の利点を説明するための比較例であり、図２と対応する部分には同一符号を付している。
【００２６】
図８に示すように、比較例では、共通電極基板３０の左端部がＦＰＣ基板４０と接続部材１４との間に位置している。この場合、共通電極基板３０と薄膜半導体回路層１２とを貼り合わせると、共通電極基板３０のエッジ、従って、透明電極層３２の硬いＩＴＯ膜が半導体回路基板１０の薄膜半導体層１２に突き当たる状態が生じ得る。これは薄膜半導体層１２のクラック発生の原因となる。また、可撓性基板の場合にはクラックが成長し易い。半導体回路基板１０の接続電極１５と行デコーダ５１及び列デコーダ５２との間には配線やデバイス回路が設けられているので、当該クラックは薄膜半導体層１２内のデバイス回路や配線の破壊、信頼性低下の原因となる。
【００２７】
一方、図２に示す本発明の電気泳動表示装置１では、外周部分１７において共通電極基板３０がＦＰＣ基板４０とオーバーラップしている。このため、共通電極基板３０のエッジは配線やデバイス回路が存在するＦＰＣ基板接続部近傍の領域の半導体回路基板１０に突き当たらない。また、ＦＰＣ基板４０の絶縁基板４１は機械的強度が高くＩＴＯ膜によるダメージを受けない。
【００２８】
このように、共通電極基板３０がＦＰＣ基板４０と部分的に重なる部分があることにより、共通電極基板３０の端部が、半導体回路基板１０のデバイス回路が存在する部分で接触することを回避出来、素子の破壊や、クラックの発生を防ぐことができる。
【００２９】
次に、上述した電気泳動表示装置の製造方法について図３及び図４を参照して説明する。両図において、図１と対応する部分には同一符号を付している。
【００３０】
まず、図３（Ａ）に示すように、共通電極基板３０を作製する。共通電極基板３０は、透明な絶縁材料である、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム３１上に透明な導電膜としてＩＴＯ３２をスパッタ法などによって蒸着し、ＩＴＯ膜が形成されたＰＥＴフィルムを得ることができる。
【００３１】
次に、図３（Ｂ）に示すように、共通電極基板３０のＩＴＯ面上にマイクロカプセル２１とバインダ２２の混合液を、例えば、ロールコーターを用いて均一に塗布する。塗布後、８０℃で２０分間乾燥させ、共通電極基板３０上に電気泳動表示層２０を形成して、例えば、膜厚１００μｍの電気泳動表示シートを形成する。
【００３２】
一方、図４（Ａ）に示すように、半導体回路基板１０は上記電気泳動表示シートとは別途の工程によって作製される。一般的に耐熱温度が低い樹脂基板上への薄膜半導体回路の形成においては、低温プロセスの半導体製造技術を使用することが可能であるが、半導体膜の性能が低く、従ってＴＦＴの性能も低い。そこで、実施例では、既述した薄膜回路転写法を使用して半導体回路基板１０を形成する。
【００３３】
すなわち、図示しない石英ガラス基板などの耐熱基板上に剥離層を介してポリシリコンの半導体膜を成膜し、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、信号配線、画素電極群などのマトリクス表示器用回路を形成した薄膜半導体回路層１２を形成する。この薄膜半導体回路層１２上に図示しない仮転写基板を水溶性接着剤で貼り合わせ、剥離層を光照射などによって破壊して薄膜半導体回路１２を仮転写基板側に転写する。次に、仮転写基板の薄膜半導体回路１２を非溶解性接着剤を介して可撓性の樹脂基板１１に貼り合わせる。可撓性基板１１は、例えば、膜厚２００μｍのポリカーボネート基板である。更に、仮転写基板と薄膜半導体回路基板間の水溶性接着剤を溶解して除去し、仮転写基板を分離する。
【００３４】
このようにして、仮転写基板から可撓性基板１１上に電極配線１３や接続電極１４、接続端子１５等が形成された薄膜半導体回路１２を剥離転写して半導体回路基板１０を形成する。
【００３５】
次に、図４（Ｂ）に示されるように、薄膜半導体回路基板１０に外部回路との接続を行う可撓性印刷配線回路（ＦＰＣ）基板４０を接続する。
【００３６】
ＦＰＣ基板４０は、絶縁層、金属薄膜の配線層、絶縁層が積層された可撓性基板４１で、その端部に配線層に接続された接続電極４２が露出している。接続は、ＦＰＣ基板４０の接続電極４２と半導体回路基板１０の接続端子１５との間に異方性導電膜（ＡＣＦ）４３を介在させることによって行われる。例えば、８０℃で０．６ＭＰａの圧力で異方性導電膜４３を挟み、異方性導電膜４３の接着剤（樹脂）を利用したラミネート加工（貼り合わせ）によって半導体回路基板１０及びＦＰＣ基板４０相互の接続を行う。基板同士のより好適な貼り合せについては後述する。
【００３７】
図４（Ｃ）に示すように、半導体回路基板１０上に設けられている透明電極層３２（図４（Ｄ）参照）との通電用の接続電極１４上に、導電性接続部材２３を配置する。
【００３８】
なお、インクジェット（液滴吐出）法、オフセット印刷法等によって導電性接続部材２３を接続電極１４上に適量配置することとしてもよい。
【００３９】
次に、図４（Ｄ）に示すように、半導体回路基板１０と電気泳動表示シート（２０，３０）とを貼り合わせる。
【００４０】
まず、半導体回路基板１０上の表示領域部１３に電気泳動表示層２０が位置するように、電気泳動表示シートと、半導体回路基板１０とを対向させて位置合せし、後述の真空ラミネータにて減圧雰囲気下で９０℃、０．８ＭＰａの圧力によってラミネート加工を行い、半導体回路基板１０、電気泳動表示層２０及び共通電極基板３０を貼り合わせて電気泳動表示装置１を作製する。ここで、共通電極基板３０は、部分１７においてＦＰＣ基板４０と重なるように形成されているため、ラミネート加工の際、共通電極基板３０の端部が半導体回路基板１０のデバイス回路に当たって素子を破壊したり、クラックを生じさせることを防ぐことができる。
【００４１】
図５及び図６を参照して真空ラミネート加工について説明する。
実施例では、可撓性の基板上に接着剤層１１ａで薄膜半導体層１２が貼り合わされている。この接着剤層１１ａは微小な厚みのバラツキや凹凸を有している場合がある。
【００４２】
例えば、半導体回路基板１０とＦＰＣ基板４０の貼り合わせは、図５（Ｂ）に示すように、樹脂基板１１上に、接着剤層１１ａを介して転写されたデバイスの接続電極１５に異方性導電膜４３を介してＦＰＣ基板４１の接続電極４２を重ね、加熱圧着ツール２００によって圧着することができる。
【００４３】
しかし、接着層１１ａに上述したような厚みのバラツキや凹凸があると、剛直な棒状やローラ状の加熱圧着ツール２００を使用して加熱圧着を行った場合、ＦＰＣ基板４１と加熱圧着ツール２００との間に隙間が生じて未加圧部分ができ、導通不良が生じ得る。また、未加圧部分をなくすべく、加圧力を高めると、接着層１１ａや、異方性導電膜４３の変形（導電粒子破壊）、電極パッド１５あるいは４２等の破損が生じ得る。
【００４４】
そこで、実施例では図５（Ａ）に示すような、圧着対象物の表面の凹凸に追従可能なダイアフラムを備えた貼り合わせ装置を使用して基板全体を均一な力で圧着する。
【００４５】
図６は、ダイアフラムで熱圧着を行うラミネート装置２００の例を説明する説明図である。
【００４６】
同図（Ａ）は、圧着の対象体１をラミネート装置２００内にセットした状態を示しており、凹型の上側チャンバ２１１と下側チャンバ２２１とが互いに対向するように配置されて開閉可能な閉空間を形成している。対象体１は、上述した半導体回路基板１０及びＦＰＣ基板４０に、あるいは半導体回路基板１０及び共通電極基板３０に相当する。
【００４７】
上側チャンバ２１１の凹部内には、対象体１の載置と加熱の役割を担う加熱板２１２が配置されている。加熱版２１２の表面には対象体１を保護する保護膜（保護フイルム）２１３が形成されており、対象体１は保護膜２１３を介して加熱される。上側チャンバ２１１と加熱板２１２と間には空気排気用の通路（隙間）が形成されている。
【００４８】
下側チャンバ２２１の凹部内には、対象体１の加熱の役割を担う加熱板２２２が配置されている。加熱版２２２の表面にはダイヤフラム２５０を保護する保護膜（保護フイルム）２２３が形成されている。ダイヤフラム２５０はエア圧（流体圧）に応じて伸縮する柔軟な材料で形成されている。下側チャンバ２２１と加熱板２２２と間には空気導入用の通路（隙間）が形成されている。
【００４９】
図６（Ｂ）は、対象体を熱圧着している状態を示している。同図（Ａ）と対応する部分には同一符号を付している。
【００５０】
図６（Ｂ）に示すように、上側チャンバ２１１と下側チャンバ２２１とを閉じ、図示しない真空ポンプで上側チャンバ２１１内を吸引してチャンバ内部を減圧する。次に、下側チャンバ内に図示しないエアポンプあるいは圧縮空気タンクから加圧空気を導入してダイヤフラムを膨張させる。
【００５１】
それにより、柔軟なダイヤフラム２５０は対象体１の表面の凹凸に沿って密着して該表面を均一に加圧する。対象体１である基板の撓みに沿って圧力が加わるので基板全体に均等な圧力が加わって、局所的に高い圧力の偏在が回避されているため、既述薄膜半導体層１２や接続電極１５等へのクラック発生が回避される。
【００５２】
例えば、異方性導電膜４３を使用して半導体回路基板とＦＰＣ基板４０とを貼り合せる場合、異方性導電膜４３の材料特性（熱硬化性エボキシ樹脂）を考慮し、軟化温度でラミネートを開始し、その後、エポキシ樹脂の硬化温度に上げて該エポキシ樹脂を硬化させることによって信頼性の高い貼り合わせを行うことができる。
【００５３】
上述したラミネート装置２００は真空ラミネートを行っており、チャンバ内を減圧雰囲気下とすることができるので、ダイヤフラム２５０と対象体１との間に空気を挟まないため、よりダイヤフラム２５０と対象体１との密着性が増して好ましい。しかしながら、減圧を行わない圧縮空気によるダイヤフラム２５０の加圧だけでも対象体に均等な圧力が加わることが期待でき、工程時間が短縮出来るので、適宜に真空（減圧）工程を選択出来る。
【００５４】
なお、上述した実施例では各種膜材料の一例を示したが、これに限定されるものではなく、種々の材料を使用可能である。
【００５５】
例えば、可撓性基板１１としては軽量性、可撓性、弾性などに優れた樹脂材料を用いることができる。例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂の何れでもよく、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン-プロピレン共重合体、エチレン-酢酸ビニル共重合体等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ-(４-メチルペンテン-1)、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリル-スチレン共重合体、ブタジエンースチレン共重合体、ポリオ共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリシクロへキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルイミド、ポリアセタール、ポリフェニレンオキシド、変性ポリフェニレンオキシド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不蝕和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて（例えば２層以上の積層体として）用いることができる。可撓性基板１１の厚みは１〜５００μｍ程度、より好ましくは、機械的強度と可撓性の点から２５〜２００μｍ程度である。
【００５６】
薄膜半導体回路層１２としては、例えば、図示しないゲート線及びデータ線に接続されたＴＦＴ及びこれに接続された電極を含む画素部と、ゲート線及びデータ線に電圧を与えて画素部を駆動するためのＴＦＴを含むドライバ部とから構成されている。
【００５７】
可撓性基板１１と薄膜半導体回路層１２との間の接着層として用いられる材料は、例えば、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、紫外線硬化型接着剤等の光硬化型接着剤、嫌気硬化型接着剤等の各種硬化型接着剤を用いることができる。特に、工程のタクトタイム低減の観点からは光硬化性接着剤を用いることが好ましい。上記の光硬化性材料としては、例えば、エポキシ系、アクリレート系、シリコーン系の光硬化性材料を用いることができる。また、接着層の厚さは、１μｍ〜１ｍｍ程度、さらに好ましくは１０〜１００μｍ程度である。
【００５８】
上述したように、本発明の電気泳動表示装置は電気泳動分散媒と分散媒中に封入された電気泳動粒子とを封入したマイクロカプセルとバインダとで均一に塗工されている。
【００５９】
電気泳動分散媒としては、例えば、水、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、オクタノール、メチルセルソルブ等のアルコール系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル等の各種エステル類、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類、ペンタン、ヘキサン、オクタン等の脂肪族炭化水素、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の脂環式炭化水素、ベンゼン、トルエン、キシレン、ヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化炭化水素、カルボン酸塩又はその他の種々の油類等の単独又はこれらの混合物に界面活性剤等を配合したものを用いることができる。
【００６０】
電気泳動粒子は、前述したように、電気泳動分散媒中で電位差による電気泳動を行って所望の電極側に移動する性質を有する粒子（高分子あるいはコロイド）である。例えば、アニリンブラックやカーボンブラック等の黒色顔料、二酸化チタンや亜鉛華、三酸化アンチモン、酸化アルミニウム等の白色顔料、モノアゾやジスアゾ、ポリアゾ等のアゾ系顔料、イソインドリノンや黄鉛、黄色酸化鉄、カドミウムイエロー、チタンイエロー、アンチモン等の黄色顔料、キナクリドンレッドやクロムバーミリオン等の赤色顔料、フタロシアニンブルーやインダスレンブルー、アントラキノン系染料、紺青、群青、コバルトブルー等の青色顔料、フタロシアニングリーン等の緑色顔料等である。此等の粒子は単独で使用しても良いし、或いは二種類以上を共に用いても良い。さらにこれらの顔料には必要に応じて電解質や界面活性剤、金属石鹸、樹脂、ゴム、油、ワニス、コンパウンド等の粒子からなる荷電制御剤、或いはチタンカップリング剤等の分散剤、潤滑剤、安定化剤等を添加することができる。
【００６１】
マイクロカプセル２１を構成する材料としては、アラビアゴム・ゼラチン系の化合物やウレタン系の化合物等の柔軟性を有するものを用いるのが好ましい。マイクロカプセル２１は界面重合法や不溶化反応法、相分離法或いは界面沈殿法等の公知のマイクロカプセル化手法を用いて形成できる。またマイクロカプセル２１は、大きさがほぼ均一であることが優れた表示機能を発揮せしめる上で好ましい。大きさがほぼ均一なマイクロカプセル２１は、例えば、濾過又は比重差分級等を用いて得ることができる。マイクロカプセル２１の大きさは通常３０〜６０μｍ程度である。
【００６２】
電気泳動表示層２０は、上述のマイクロカプセル２１をバインダ樹脂２２中に所望の誘電率調節剤とともに混合し、得られた樹脂組成物（エマルジョンあるいは有機溶媒溶液）を基材上にロールコーターを用いる方法やロールラミネータを用いる方法、スクリーン印刷による方法、スプレー法等の公知のコーティング法を用いて形成することができる。
【００６３】
使用できるバインダ樹脂２２としては、マイクロカプセル２１と親和性が良好で電極との密着性に優れ、かつ絶縁性を有するものであれば特に制限はない。
【００６４】
かかるバインダ樹脂２２として、上述した絶縁性合成樹脂基材と同様、下記に例示するものを用いることができる。
【００６５】
例えば、ポリエチレン、塩素化ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、ポリプロピレン、ＡＢＳ樹脂、メタクリル酸メチル樹脂、塩化ビニル樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニルアクリル酸エステル共重合体、塩化ビニル−メタクリル酸共重合体、塩化ビニル−アクリロニトリル共重合体、エチレン−ビニルアルコール−塩化ビニル共重合体、プロピレン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリデン樹脂、酢酸ビニル樹脂、ポリビニルアルコール、ポリビニルホルマール、セルロース系樹脂等の熱可塑性樹脂。ポリアミド系樹脂、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリフェニレンオキサイド、ポリスルホン、ポリアミドイミド、ポリアミノビスマレイミド、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンスルホン、ポリアリレート、グラフト化ポリフィニレンエーテル、ポリエーテルエテルケトン、ポリエーテルイミド等の高分子。ポリ四フッ化エチレン、ポリフッ化エチレンプロピレン、四フッ化エチレン−パーフロロアルコキシエチレン共重合体、エチレン−四フッ化エチレン共重合体、ポリフッ化ビニリデン、ポリ三フッ化塩化エチレン、フッ素ゴム等のフッ素系樹脂。シリコーン樹脂、シリコンゴム等の珪素樹脂。その他のバインダ材として、メタクリル酸−スチレン共重合体、ポリブチレン、メタクリル酸メチル−ブタジエン−スチレン共重合体等を用いることができる。また、バインダ材は、特開平１０−１４９１１８号公報に記載の如く、電気泳動表示液の誘電率と分散剤の誘電率を略同じとするのが好ましい。
【００６６】
共通電極基板３０は、前述したように、薄膜フィルム３１上に透明電極層３２が形成されたものである。薄膜フィルム３１としては絶縁性の透明基材であれば、上述した可撓性基板１１の種々の材料を用いることができる。薄膜フィルム３１の厚みは可撓性基板１１の厚みよりも薄い方がよい。より好ましくは可撓性基板１１の厚みの半分以下程度である。
【００６７】
用いられる透明電極層３２としては、例えば、上述したＩＴＯ膜の他に、フッ素がドープされた酸化スズ膜（ＦＴＯ膜）、アンチモンがドープされた酸化亜鉛膜、インジウムがドープされた酸化亜鉛膜、アルミニウムがドープされた酸化亜鉛膜等を例示することができる。薄膜フィルム３１上に透明電極を形成する方法には特に制限はないが、例えば、スパッタ法、電子ビーム法、イオンプレーティング法、真空蒸着法又は化学的気相成長法（ＣＶＤ法）等により形成することができる。
【００６８】
（電子機器）
本発明の電気泳動表示装置は各種の電子機器の表示部に適用可能である。図５は、電気泳動表示装置を表示部に使用した電子機器の例を示している。
【００６９】
同図は携帯電話への適用例であり、携帯電話５３０は、アンテナ部５３１、音声出力部５３２、音声入力部５３３、操作部５３４、及び本発明の電気泳動表示装置１００を備えている。このように本発明の電気泳動表示装置１００を携帯電話５３０の表示部として利用可能である。
【００７０】
上記例に限らず本発明の電気泳動表示装置は、画像表示や文字表示を行う種々の電子機器に適用可能である。例えば、電子ペーパー、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイなどにも活用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】図１は本発明の実施例を示す電気泳動表示装置の断面図である。
【図２】図２は本発明の電気泳動表示装置を上面から見た図である。
【図３】図３は本発明の電気泳動表示装置（共通電極基板３０）の製造工程を説明する工程図である。
【図４】図４は本発明の電気泳動表示装置（半導体回路基板）の製造工程を説明する工程図である。
【図５】図５はダイヤフラムを用いて基板全体に均一に圧力を加えて加熱圧着する例を説明する説明図である。
【図６】図６はダイヤフラムを使用する品空ラミネート装置を説明する説明図である。
【図７】図７は本発明の電気泳動表示装置を表示部に使用した電子機器の例を説明する説明図である。
【図８】図８は比較例を示す説明図である。
【符号の説明】
【００７２】
１  電気泳動表示装置、１０  半導体回路基板、１１  可撓性基板、１１ａ  接着剤層、１２  薄膜半導体回路層、１３  表示領域部、１３ａ  駆動（画素）電極配線、１４  接続電極、１５  接続端子、１６  電気泳動表示層形成領域、２０  電気泳動表示層、２１  マイクロカプセル、２２  バインダ、２３  導電性接続部材、３０  共通電極基板、３１  薄膜フィルム、３２  透明電極層、４０  可撓性印刷配線回路（ＦＰＣ）基板、４１  可撓性基板、４２  接続電極、４３  異方性導電膜、５１  行デコーダ、５２  列デコーダ、２５０  ダイヤフラム５３０  携帯電話
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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