(57)【要約】【課題】波長が異なるカラー毎に焦点の位置が異なって光感度が低下するのを防止できるイメージセンサ及びその製造方法を提供すること。【解決手段】イメージセンサは、基板（６００）に形成され、第１カラー（Ｂ）の光を受光する第１フォトダイオードと、第１フォトダイオードから離隔されて基板に形成され、第１カラーよりも波長が長い第２カラー（Ｇ）の光を受光する第２フォトダイオードと、第１及び第２フォトダイオードから離隔されて基板に形成され、第２カラーよりも波長が長い第３カラー（Ｒ）の光を受光する第３フォトダイオード（６０２）と、第１〜第３フォトダイオードの上方に配置され、第１カラーの光が通過する領域の厚さ（Ｔ３）よりも第２カラーの光が通過する領域の厚さ（Ｔ２）が厚く、第２カラーの光が通過する領域の厚さよりも第３カラーの光が通過する領域の厚さ（Ｔ１）が厚い保護膜（６０４）とを備える。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に形成され、第１カラーの光を受光する第１フォトダイオードと、
該第１フォトダイオードから離隔されて前記基板に形成され、前記第１カラーの光よりも波長が長い第２カラーの光を受光する第２フォトダイオードと、
前記第１フォトダイオード及び前記第２フォトダイオードから離隔されて前記基板に形成され、前記第２カラーの光よりも波長が長い第３カラーの光を受光する第３フォトダイオードと、
前記第１、第２及び第３フォトダイオードの上方に配置され、前記第１カラーの光が通過する領域の厚さよりも前記第２カラーの光が通過する領域の厚さが厚く、前記第２カラーの光が通過する領域の厚さよりも前記第３カラーの光が通過する領域の厚さが厚い保護膜と
を備えることを特徴とするイメージセンサ。
【請求項２】
前記保護膜が、窒化膜を含むことを特徴とする請求項１に記載のイメージセンサ。
【請求項３】
前記第１、第２及び第３フォトダイオードと前記保護膜との間に介装され、複数のメタルラインと複数の絶縁膜とが積層されたマルチ層をさらに備えることを特徴とする請求項１または２に記載のイメージセンサ。
【請求項４】
複数の前記絶縁膜が、酸化膜を含むことを特徴とする請求項３に記載のイメージセンサ。
【請求項５】
前記第３フォトダイオードの上において、前記保護膜が２０００Å〜３００００Åの厚さであることを特徴とする請求項３に記載のイメージセンサ。
【請求項６】
第１カラーの光を受光する第１フォトダイオード、該第１フォトダイオードから離隔され、前記第１カラーの光よりも波長が長い第２カラーの光を受光する第２フォトダイオード、並びに、前記第１フォトダイオード及び第２フォトダイオードから離隔され、前記第２カラーの光よりも波長が長い第３カラーの光を受光する第３フォトダイオードを基板に形成するステップと、
前記第１、第２及び第３フォトダイオードの上方に保護膜を形成するステップと、
前記第１カラーの光が通過する領域の厚さよりも前記第２カラーの光が通過する領域の厚さが厚く、前記第２カラーの光が通過する領域の厚さよりも前記第３カラーの光が通過する領域の厚さが厚くなるように、前記保護膜を選択的にエッチングするステップと
を含むことを特徴とするイメージセンサの製造方法。
【請求項７】
第１カラーの光を受光する第１フォトダイオード、該第１フォトダイオードから離隔され、前記第１カラーの光よりも波長が長い第２カラーの光を受光する第２フォトダイオード、並びに、前記第１フォトダイオード及び第２フォトダイオードから離隔され、前記第２カラーの光よりも波長が長い第３カラーの光を受光する第３フォトダイオードを基板に形成するステップと、
前記第１、第２及び第３フォトダイオードの上方に保護膜を形成するステップと、
前記保護膜の、前記第１カラーの光が通過する領域及び前記第２カラーの光が通過する領域を、所定の厚さだけエッチングするステップと、
前記保護膜の、前記第１カラーの光を通過する領域を、さらに所定の厚さだけエッチングするステップと
を含むことを特徴とするイメージセンサの製造方法。
【請求項８】
前記保護膜が、窒化膜を含むことを特徴とする請求項６または７に記載のイメージセンサの製造方法。
【請求項９】
前記第１、第２及び第３フォトダイオードを形成するステップの後、複数のメタルラインと複数の絶縁膜とが積層されたマルチ層を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項６または７に記載のイメージセンサの製造方法。
【請求項１０】
複数の前記絶縁膜が、酸化膜を含むことを特徴とする請求項９に記載のイメージセンサの製造方法。
【請求項１１】
前記第３フォトダイオード上において、前記保護膜が２０００Å〜３００００Åの厚さであることを特徴とする請求項９に記載のイメージセンサの製造方法。
【請求項１２】
前記保護膜をエッチングするステップにおいて、１００Å〜１００００Åの厚さだけエッチングすることを特徴とする請求項１１に記載のイメージセンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、イメージセンサに関し、特に、波長が異なる色（以下、カラーと記す）の光の焦点の距離を等しくすることができるイメージセンサ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、イメージセンサとは、光学的映像を電気信号に変換する半導体素子であり、代表的なイメージセンサには、電荷結合素子（ＣＣＤ）及びＣＭＯＳイメージセンサがある。
【０００３】
これらのうち、ＣＣＤは、個々のＭＯＳキャパシタが相互に非常に近接して位置し、電荷キャリアがキャパシタに格納された後に伝送される素子である。また、ＣＭＯＳイメージセンサは、ＣＭＯＳ技術を用いて形成した制御回路及び信号処理回路を周辺回路として利用し、画素と同数のＭＯＳトランジスタが配列され、これらのＭＯＳトランジスタを使用して、順に出力を検出するスイッチング方式が採用された素子である。
【０００４】
図１は、ＣＭＯＳイメージセンサの単位画素の配列を示す平面図である。
【０００５】
図１に示されているように、光の三原色であるＲＧＢの色の各々をキャプチャーするための単位画素が格子状に配列されている。
【０００６】
図２は、ＣＭＯＳイメージセンサの単位画素を示す断面図であり、ＲＧＢの色が全て現れるように、図１のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【０００７】
図２に示されているように、高濃度のＰ型(Ｐ＋＋)領域とエピタキシャル層(Ｐ−ｅｐｉ）とが積層された構造を有する基板１００に局部的にフィールド酸化膜１０１が形成されており、基板１００上には、トランスファーゲート(図示せず)を含む複数のゲート電極が形成されている。また、例えば、トランスファーゲートの一方にアラインメントされた基板１００の表面下に、深いイオン注入によるＮ型領域(図示せず）と基板１００の表面に接する領域に位置するＰ型領域(図示せず)とからなるフォトダイオード１０２（以下、「ＰＤ」と記す）が形成されている。
【０００８】
図示していないが、この場合、トランスファーゲートの他方にアラインメントされた基板１００の表面下に、イオン注入による高濃度Ｎ型(Ｎ＋）のフローティング拡散領域が形成されている。
【０００９】
ＰＤ１０２及びトランスファーゲートが形成された上部には、複数のメタルラインと複数の絶縁膜とが混在するマルチ層１０３が形成されている。
【００１０】
複数のメタルラインは、電源ラインまたは信号ラインと単位画素及びロジック回路とを接続させるためのものであって、ＰＤ１０２以外の領域に光が入射するのを防止する機能も果たす。
【００１１】
なお、マルチ層１０３には、複数のメタルライン下部のメタルライン前絶縁膜(Pre-Metal Dielectric；以下、「ＰＭＤ」と記す）とメタルラインとの間の複数のメタルライン間絶縁膜(Inter Metal Dielectric；以下、「ＩＭＤ」と記す）も含まれる。ＰＭＤとＩＭＤには、主にシリコン酸化膜などの酸化膜を使用する。
【００１２】
マルチ層１０３上には、メタルラインを保護するための保護膜１０４が形成されている。保護膜１０４は、薄い酸化膜とその上の厚い窒化膜とが積層された構造を含む。
【００１３】
保護膜１０４上には、メタルライン形成による段差の発生を低減するための第１オーバーコート層１０５が形成されており、第１オーバーコート層１０５上には、単位画素毎にＲＧＢのカラーフィルタアレイ１０６（Color Filter Array；以下、「ＣＦＡ」と記す）が形成されている。
【００１４】
通常、光の三原色である赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）を使用するが、この他にも補色であるイエロー（Ｙ）、マゼンタ（Ｍｇ）、シアン（Ｃｙ）を使用することができる。
【００１５】
ＣＦＡ１０６上には、ＣＦＡ１０６の形成により発生する段差を低減して、マイクロレンズ形成の際、工程マージンを確保するための第２オーバーコート層１０７が形成されており、第２オーバーコート層１０７上には、マイクロレンズ１０８（以下、「ＭＬ」と記す）が形成されている。
【００１６】
ＭＬ１０８上には、ＭＬ１０８が傷つけられたり、破損されたりするのを防止するための保護膜が形成されているが、図２では保護膜を省略している。
【００１７】
したがって、入射された光は、ＭＬ１０８によりフォーカスされて、ＰＤ１０２に入射する。
【００１８】
イメージセンサは、光を感知するフォトダイオード領域すなわち、受光領域と光電変換による電気信号を処理してデータ化するロジック回路部分とから構成され、０．１８μｍ級のＣＭＯＳイメージセンサは、３層以上のメタルラインを有するロジック回路を必要とする。３層以上のメタルラインは、３層以上のＩＭＤを必要とする。
【００１９】
したがって、図２に示されているように、ＭＬ１０８からＰＤ１０２までの深さＤが５μｍ〜８μｍになる。光は、物質を通過する時、その波長に応じて屈折率が変わる特性があり、これを波長依存性屈折率と言う。
【００２０】
図３は、同じ物質において、異なる波長の光が入射する場合における光の経路を示す図である。
【００２１】
図３では、波長が互いに異なる２つの光λ１、λ２(ここで、波長はλ１＞λ２)が同じ物質に入射する場合を示す。
【００２２】
この時、波長の短い光λ２の方が、屈折角が小さくなることが分かる。屈折角が小さいというのは、より大きく光の経路が屈折するということを意味する。したがって、可視光線領域において、赤(Ｒ)、緑(Ｇ)、青(Ｂ)の各光の屈折の程度は、青(Ｂ)＞緑(Ｇ)＞赤(Ｒ）となる。
【００２３】
図４は、白色光がレンズを通過した後、光が焦点に集光される状態を示す図である。
【００２４】
図４に示されているように、図３で説明したように、短い波長の光であるほど、焦点距離が短くなり（Ａ参照）、長い波長の光であるほど焦点距離が長くなる（Ｂ参照）ことが確認できる。
【００２５】
図５は、異なる物質において、同じ波長の光が入射する場合における光の経路を示す図である。
【００２６】
図５に示されているように、異なる物質の場合、同じ波長の光に対する屈折角が屈折率によって変わり、任意の波長において、物資の屈折率が大きいほど、光がより屈折されることが分かる。
【００２７】
図１、２に示されているＲＧＢ配列の場合、受光部のカラー毎に焦点の深さが異なり、赤(Ｒ)が最も深い所で焦点が形成され、緑(Ｇ）はそれよりも浅い所で、そして青(Ｂ）が、最も浅い所で焦点が形成される。
【００２８】
したがって、光の入射方向に関してフォトダイオードの位置が一定である場合、カラー毎に焦点の位置が変わるので、光感度が低下することになる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２９】
本発明は、上記の従来の技術の問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、波長が異なるカラー毎に焦点の位置が異なって光感度が低下するのを防止することができるイメージセンサ及びその製造方法を提供することにある。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、各色の光が通過する領域の保護膜の厚さを、赤(Ｒ)＞緑(Ｇ)＞青(Ｂ）の順に、異ならせることによって、３つのカラーの焦点を類似する位置に形成することができる。カラー毎に焦点距離を調整して光特性を高めることができるので、イメージセンサの性能を高めるという効果を奏する。
【課題を解決するための手段】
【００３１】
多様な波長が物質に入射する時、波長毎に屈折角が変わる特性があるので、本発明では、屈折率の大きな窒化膜を使用する保護膜の厚さを、カラー毎に焦点距離を調整するために、変化させる。
【００３２】
即ち、上記の目的を達成するために、本発明のイメージセンサは、基板に形成され、第１カラーの光を受光する第１フォトダイオードと、該第１フォトダイオードから離隔されて前記基板に形成され、前記第１カラーの光よりも波長が長い第２カラーの光を受光する第２フォトダイオードと、前記第１フォトダイオード及び前記第２フォトダイオードから離隔されて前記基板に形成され、前記第２カラーの光よりも波長が長い第３カラーの光を受光する第３フォトダイオードと、前記第１、第２及び第３フォトダイオードの上方に配置され、前記第１カラーの光が通過する領域の厚さよりも前記第２カラーの光が通過する領域の厚さが厚く、前記第２カラーの光が通過する領域の厚さよりも前記第３カラーの光が通過する領域の厚さが厚い保護膜とを備えることを特徴としている。
【００３３】
また、上記の目的を達成するために、本発明の第１のイメージセンサの製造方法は、第１カラーの光を受光する第１フォトダイオード、該第１フォトダイオードから離隔され、前記第１カラーの光よりも波長が長い第２カラーの光を受光する第２フォトダイオード、並びに、前記第１フォトダイオード及び第２フォトダイオードから離隔され、前記第２カラーの光よりも波長が長い第３カラーの光を受光する第３フォトダイオードを基板に形成するステップと、前記第１、第２及び第３フォトダイオードの上方に保護膜を形成するステップと、前記第１カラーの光が通過する領域の厚さよりも前記第２カラーの光が通過する領域の厚さが厚く、前記第２カラーの光が通過する領域の厚さよりも前記第３カラーの光が通過する領域の厚さが厚くなるように、前記保護膜を選択的にエッチングするステップとを含むことを特徴としている。
【００３４】
また、上記の目的を達成するために、本発明の第２のイメージセンサの製造方法は、第１カラーの光を受光する第１フォトダイオード、該第１フォトダイオードから離隔され、前記第１カラーの光よりも波長が長い第２カラーの光を受光する第２フォトダイオード、並びに、前記第１フォトダイオード及び第２フォトダイオードから離隔され、前記第２カラーの光よりも波長が長い第３カラーの光を受光する第３フォトダイオードを基板に形成するステップと、前記第１、第２及び第３フォトダイオードの上方に保護膜を形成するステップと、前記保護膜の、前記第１カラーの光が通過する領域及び前記第２カラーの光が通過する領域を、所定の厚さだけエッチングするステップと、前記保護膜の、前記第１カラーの光を通過する領域を、さらに所定の厚さだけエッチングするステップとを含むことを特徴としている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、添付された図面を参照して、本発明の最も好ましい実施の形態を説明する。
【００３６】
図６は、本発明の実施の形態に係るイメージセンサの単位画素を示す断面図である。
【００３７】
図６に示されているように、本発明の実施の形態に係るイメージセンサは、フォトダイオード６０２（以下、「ＰＤ」と記す）と、ＰＤ６０２の上に形成された複数のマルチ層６０３と、マルチ層６０３上にＲ(Ｙ，Ｔ１)＞Ｇ(Ｍｇ，Ｔ２)＞Ｂ(Ｃｙ，Ｔ３)の順にカラー毎に異なる厚さで形成された保護膜６０４と、第１オーバーコート層６０５と、カラーフィルタアレイ６０６（以下、「ＣＦＡ」と記す）と、第２オーバーコート層６０７と、マイクロレンズ６０８（以下、「ＭＬ」と記す)とを備えている。
【００３８】
保護膜６０４は、第１オーバーコート層６０５、第２オーバーコート層６０７、ＩＭＤ及びＰＭＤなどで用いられる酸化膜に比べて、屈折率の高い窒化膜からなり、波長が最も長い赤(Ｒ)用のカラーフィルタに対応する部分でＴ１の厚さを有し、波長が赤(Ｒ)よりも短い緑(Ｇ)用のカラーフィルタに対応する部分でＴ２の厚さを有し、波長が最も短い青(Ｂ)用のカラーフィルタに対応する部分でＴ３の厚さを有するように形成される。
【００３９】
以下に、図６の構成をさらに詳細に説明する。
【００４０】
高濃度のＰ型(Ｐ＋＋)領域とエピタキシャル層(Ｐ−ｅｐｉ）とが積層された構造を有する基板６００に局部的にフィールド酸化膜６０１が形成されており、基板６００上には、トランスファーゲート(図示せず)を含む複数のゲート電極が形成されている。また、例えば、トランスファーゲートの一方にアラインメントされた基板６００の表面下に、深いイオン注入によるＮ型領域(図示せず）と基板６００の表面に接する領域に位置したＰ型領域(図示せず)とからなるフォトダイオード６０２（以下、「ＰＤ」と記す）が形成されている。
【００４１】
図示していないが、この場合、トランスファーゲートの他方にアラインメントされた基板６００の表面下に、イオン注入による高濃度Ｎ型(Ｎ＋）のフローティング拡散領域が形成されている。
【００４２】
ＰＤ６０２及びトランスファーゲートが形成された上には、複数のメタルラインと複数の絶縁膜とが混在するマルチ層６０３が形成されている。
【００４３】
複数のメタルラインは、電源ラインまたは信号ラインと単位画素及びロジック回路とを接続するためのものであって、ＰＤ６０２以外の領域に光が入射するのを防止する機能も果たす。
【００４４】
なお、マルチ層６０３には、複数のメタルライン下部のメタルライン前絶縁膜(以下、「ＰＭＤ」と記す）とメタルラインとの間の複数のメタルライン間絶縁膜(以下、「ＩＭＤ」と記す）も含まれる。ＰＭＤとＩＭＤには、主にシリコン酸化膜などの酸化膜を使用する。
【００４５】
マルチ層６０３上には、メタルラインを保護するための保護膜６０４が形成されている。保護膜６０４は、薄い酸化膜とその上の厚い窒化膜とが積層された構造を含む。
【００４６】
保護膜６０４上には、メタルライン形成による段差の発生を低減するための第１オーバーコート層６０５が形成されており、第１オーバーコート層６０５上には、単位画素毎にＲＧＢのＣＦＡ６０６が形成されている。
【００４７】
通常、光の三原色である赤(Ｒ)、緑(Ｇ)、青(Ｂ)を使用するが、この他にも、補色であるイエロー(Ｙ)、マゼンタ(Ｍｇ)、シアン(Ｃｙ）を使用することができる。
【００４８】
ＣＦＡ６０６上には、ＣＦＡ６０６形成により発生する段差を低減して、マイクロレンズを形成する際、工程マージンを確保するための第２オーバーコート層６０７が形成されており、第２オーバーコート層６０７上には、ＭＬ６０８が形成されている。
【００４９】
ＭＬ６０８上には、ＭＬ６０８が傷つけられたり、破損されたりするのを防止するための保護膜が形成されているが、図６では保護膜を省略している。したがって、入射された光は、ＭＬ６０８によりフォーカスされて、ＰＤ６０２に入射する。この時、互いに異なる波長の光を受光する単位画素毎に、保護膜６０４の厚さが異なるようにすることによって、入射される波長の異なる光に対してＰＤ６０２で焦点を結ばせることができる。
【００５０】
図７は、波長に応じて厚さが異なる保護膜を採用した場合に光が焦点を形成する状態を示す図である。
【００５１】
図７に示されているように、マイクロレンズＭＬを介して入射された光が、屈折率の大きな窒化膜などを利用した保護膜ＰＬで屈折され、光の波長に応じて保護膜ＰＬの厚さを異ならせることにより、３つの波長の光が実質的に同じ位置で焦点を形成していることが分かる。
【００５２】
以下では、図６の構造を有するイメージセンサの製造工程を、添付した図面を参照して説明する。
【００５３】
図８Ａ〜８Ｃは、本発明の実施の形態に係るイメージセンサの製造方法の各工程を示す断面図である。
【００５４】
図８Ａに示されているように、Ｐ＋＋領域とＰ−エピタキシャル層とが積層された基板７００に、フィールド酸化膜７０１及びウェル(図示せず)などとを形成する。
【００５５】
次に、基板７００にゲート導電膜(図示せず）を形成した後、イオン注入を利用してゲート導電膜の一方にアラインメントされる深いＮ−領域を形成した後、ゲート導電膜の側壁にスペーサを形成する。
【００５６】
次に、ゲート導電膜の他方でスペーサにアラインメントされる高濃度Ｎ型のフローティング拡散領域(図示せず）を形成した後、Ｎ−領域の上に浅いＰ０領域を形成して、Ｐ０領域とＮ−領域とからなるフォトダイオードＰＤを形成する。
【００５７】
一方、フォトダイオードＰＤは、このように埋没フォトダイオードの形態に形成することも、基板７００上に位置するように形成することもできる。
【００５８】
次に、積層構造をなす複数のメタルラインと複数の絶縁膜とが混在するマルチ層７０３を形成する。
【００５９】
次に、最終メタルラインが形成されたプロファイルに沿って、保護膜７０４を形成する。この時、保護膜７０４は、厚い窒化膜及び薄い酸化膜の構造をなす。
【００６０】
保護膜７０４上に、最も長い波長に該当するＲ領域をマスキングし、ＧとＢとの受光領域を開放させるフォトレジストパターン７０５を形成する。最初の蒸着の際、保護膜７０４は、Ｔ１の厚さを有する。Ｔ１は、２０００Å〜３００００Å程度の厚さである。
【００６１】
次に、図８Ｂに示されているように、フォトレジストパターン７０５をエッチングマスクとして開放されたＧとＢ受光領域の保護膜７０４をエッチングして、エッチングされた部分の保護膜７０４の厚さがＴ２になるようにする。
【００６２】
エッチングにはドライエッチングを利用し、周期律表上のハロゲン元素を含むガスを利用する。その代表的な例がＳＦ６、Ｃl２、ＣｘＨｙＦｚ(ここでｘ，ｙ，ｚは０より大きい自然数)である。
【００６３】
エッチングの際には、各波長帯の周波数に応じてエッチングされる厚さを適切に調節し、１００Å〜１００００Åの範囲の厚さをエッチングする。
【００６４】
そして、フォトレジストストリップ処理を実施して、フォトレジストパターン７０５を除去する。
【００６５】
Ｇ及びＢの部分が一部エッチングされた保護膜７０４上に、最も長い波長に該当するＲ領域及び次に長い波長に該当するＧ領域をマスキングし、最も短い波長に該当するＢの受光領域を開放させるフォトレジストパターン７０６を形成する。
【００６６】
次に、図８Ｃに示されているように、フォトレジストパターン７０６をエッチングマスクとして開放されたＢ受光領域の保護膜７０４をエッチングして、エッチングされた部分の保護膜７０４の厚さがＴ３になるようにする。
【００６７】
エッチングにはドライエッチングを利用し、図８Ｂに関して説明した工程で使用したエッチングレシピーを採用する。
【００６８】
エッチングの際には、各波長帯の周波数に応じてエッチングされる厚さを適切に調節し、１００Å〜１００００Åの範囲の厚さをエッチングする。
【００６９】
次に、フォトレジストパターン７０６を除去した後、洗浄工程を実施する。
【００７０】
一方、上記の実施の形態では、最初のエッチングをＢ及びＧ領域で実施し、２番目のエッチングをＢ領域で実施したが、Ｂ領域とＧ領域とをそれぞれ個別にエッチングすることもできる。
【００７１】
また、Ｒ領域の焦点のために、Ｒ領域の場合、別のエッチングを実施できる。
【００７２】
図示していないが、後続の工程により第１オーバーコート層、ＣＦＡ、第２オーバーコート層、ＭＬ及びＬＴＯ(Low Thermal Oxide)を形成することにより、イメージセンサの形成を完了する。
【００７３】
上述したようになされる本発明は、カラー毎に焦点距離を調節できるため、イメージセンサの光特性を向上させることができ、多層のメタルラインが要求される高性能ロジック素子をＣＭＯＳイメージセンサに集積するＳＯＣ(System On Chip）を可能にする。
【００７４】
また、今後メタルラインの数が増加して、受光部からフォトダイオードまでの距離が遠くなっても、カラー毎の焦点距離の調整が可能なので、光特性を調節できることが実施の形態により分かる。
【００７５】
なお、本発明は、上記の実施の形態に限定されるものではなく、本発明に係る技術的思想から逸脱しない範囲内で様々な変更が可能であり、それらも本発明の技術的範囲に属する。
【００７６】
例えば、上記した本発明の実施の形態では、ＣＭＯＳイメージセンサ一例として説明したが、この他にも受光部とマイクロレンズとを有する全てのイメージセンサに適用可能である。
【００７７】
また、上記した実施の形態では、ＲＧＢ構成のカラーフィルタアレイを一例として説明したが、それ以外にＹＭｇＣｙの構成のカラーフィルタアレイを採用する場合にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】ＣＭＯＳイメージセンサの単位画素の配列を示す平面図である。
【図２】ＲＧＢの色が全て現れるように、図１のＡ−Ａ’線に沿ったＣＭＯＳイメージセンサの単位画素を示す断面図である。
【図３】同じ物質に異なる波長が入射された場合における光の経路を示す図である。
【図４】白色光がレンズを通過するときに現れる、焦点形成の程度を示す図である。
【図５】異なる物質に同じ波長の光が入射した場合における光の経路を示す図である。
【図６】本発明の実施の形態に係るイメージセンサの単位画素を示す断面図である。
【図７】波長に応じて保護膜の厚さを変化させた場合における焦点位置を示す図である。
【図８Ａ】本発明の実施の形態に係るイメージセンサの製造方法の各工程を示す断面図である。
【図８Ｂ】本発明の実施の形態に係るイメージセンサの製造方法の各工程を示す断面図である。
【図８Ｃ】本発明の実施の形態に係るイメージセンサの製造方法の各工程を示す断面図である。
【符号の説明】
【００７９】
６００      基板
６０１      フィールド酸化膜
６０２      フォトダイオード
６０３      マルチ層
６０４      保護膜
６０５      第１オーバーコート層
６０６      カラーフィルタアレイ
６０７      第２オーバーコート層
６０８      マイクロレンズ
【図１】
2006191047.tif 000003
【図２】
2006191047.tif 000004
【図３】
2006191047.tif 000005
【図４】
2006191047.tif 000006
【図５】
2006191047.tif 000007
【図６】
2006191047.tif 000008
【図７】
2006191047.tif 000009
【図８Ａ】
2006191047.tif 000010
【図８Ｂ】
2006191047.tif 000011
【図８Ｃ】
2006191047.tif 000012