(57)【要約】【課題】  再生又は記録動作中にオフセット電圧を高精度に測定可能な光ディスク装置及び光ピックアップ制御装置を提供する。【解決手段】  第１タイミング信号ＴＳ１に基づいてレーザ光の出射を一時的に中断する光ピックアップ２５と、モニタ電圧ＭＳと出力パワーの設定基準となる基準電圧ＲＳとの差分を増幅し、差分増幅電圧ＤＳを生成する差動増幅回路１１と、差分増幅電圧ＤＳと直流バイアス電圧ＢＳとを加算して、レーザ光の出力パワーを制御するレーザパワー制御電圧ＣＳを生成する加算回路１４と、直流バイアス電圧ＢＳを生成するバイアス電圧生成回路１５ａと、第２タイミング信号ＴＳ２に基づき、レーザ光の出射が一時的に中断される期間において加算回路１４に対する差分増幅電圧ＤＳの供給を中断し、レーザ光の出射の再開に応じて加算回路１４に対して差分増幅電圧ＤＳを伝達するスイッチ回路１３とを備える。【選択図】  図１
2006147076.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光を光ディスクに出射し、前記レーザ光の出力パワーに応じたモニタ電圧を生成し、第１タイミング信号に基づいて前記レーザ光の出射を一時的に中断する光ピックアップと、
前記モニタ電圧と前記出力パワーの設定基準となる基準電圧との差分を増幅し、差分増幅電圧を生成する差動増幅回路と、
前記差分増幅電圧と直流バイアス電圧とを加算して、前記出力パワーを制御するレーザパワー制御電圧を生成する加算回路と、
前記直流バイアス電圧を生成するバイアス電圧生成回路と、
第２タイミング信号に基づき、前記レーザ光の出射が一時的に中断される期間において前記加算回路に対する前記差分増幅電圧の供給を中断し、前記レーザ光の出射の再開に応じて前記加算回路に対して前記差分増幅電圧を伝達するスイッチ回路と、
前記第１及び第２タイミング信号を生成するコントローラ
とを備えることを特徴とする光ディスク装置。
【請求項２】
前記第２タイミング信号に基づき、前記中断される期間において前記光ピックアップ内の対物レンズの位置を固定し、前記再開に応じて、前記対物レンズの現在の位置と所望位置との誤差を電気的に示すエラー信号を補償して前記対物レンズの動作を制御する補償回路を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の光ディスク装置。
【請求項３】
前記スイッチ回路は、前記第２タイミング信号に応じて前記再開から前記差動増幅回路の応答時間経過後に前記加算回路に対して前記差分増幅電圧を伝達し、前記補償回路は、前記第２タイミング信号に応じて前記再開から前記応答時間経過後に前記対物レンズの固定を解除することを特徴とする請求項２に記載の光ディスク装置。
【請求項４】
前記コントローラは、前記レーザ光の出射が維持される期間において、前記レーザパワー制御電圧の電圧値を検知し、前記加算回路の利得と前記電圧値に基づいて前記直流バイアス電圧の電圧値を算出して前記バイアス電圧生成回路に設定することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の光ディスク装置。
【請求項５】
前記コントローラは、前記レーザ光の出射が維持される期間において、前記差分増幅電圧の電圧値を検知し、前記電圧値がゼロとなるように前記直流バイアス電圧の電圧値を制御して前記バイアス電圧生成回路に設定することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の光ディスク装置。
【請求項６】
光ピックアップから出射されたレーザ光の出力パワーを前記光ピックアップが検出したことにより生成されたモニタ電圧と前記出力パワーの設定基準となる基準電圧との差分を増幅し、差分増幅電圧を生成する差動増幅回路と、
前記差分増幅電圧と直流バイアス電圧とを加算して、前記出力パワーを制御するレーザパワー制御電圧を生成する加算回路と、
前記直流バイアス電圧を生成するバイアス電圧生成回路と、
前記レーザ光の出射が一時的に中断される期間において前記加算回路に対する前記差分増幅電圧の供給を中断し、前記レーザ光の出射の再開に応じて前記加算回路に対して前記差分増幅電圧を伝達するスイッチ回路
とを備えることを特徴とする光ピックアップ制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、オフセット電圧の測定機能を有する光ディスク装置及び光ピックアップ制御装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光ディスク装置の再生動作時において光ピックアップ内の半導体レーザ素子は、対物レンズを介して光ディスクにレーザ光を照射し、反射光が光電変換されて読み出し動作が行われる。半導体レーザ素子が出射するレーザ光の出力パワーは光ピックアップ内のモニタ素子により検出され、光ピックアップの外部のレーザパワー制御回路がフィードバックループ制御を行ってレーザ光の出力パワーが一定に保たれる。また、光電変換を行う複数の光ディテクタの出力電流は電圧に変換されて、エラー信号及び全加算信号等が生成される。電流／電圧変換を行う回路と、エラー信号及び全加算信号等を生成する回路等は、通常、オペアンプを用いたアナログ回路として実装される。オペアンプは一般に無入力の状態でも出力に直流オフセット（以下において「オフセット電圧」という。）を有するため、オペアンプのオフセット電圧を測定し、測定値をもとに補正を行う必要がある。オフセット電圧の測定は、再生又は記録の開始前に、半導体レーザ素子が出射していない状態で実行される（例えば、特許文献１及び２参照。）。１回の測定ではノイズ等の影響で正しいオフセット電圧を測定できない可能性があるので、オフセット電圧の測定を高精度に行うためには、１２８サンプル程度のオフセット電圧を測定して平均値を算出する必要がある。
【０００３】
近年、記録可能な光ディスク装置の普及が進み、記録速度の向上と比例して、記録の際に半導体レーザ素子が出射するレーザパワーも増大してきている。この結果、光ピックアップ内の温度が上昇し、記録動作中にオフセット電圧の変化が大きくなってきている。よって、一度オフセット電圧を補正しても動作中の温度変化により、補正量に誤差が生じることとなる。したがって、動作中に一時的に半導体レーザ素子の出射を停止させてオフセット電圧を測定することが好ましい。
【０００４】
しかしながら、光ピックアップ内の対物レンズを制御するフォーカスサーボ制御のループ帯域を考慮すると、半導体レーザ素子の出射を停止させて対物レンズの位置を保持できる時間は５００［μｓ］程度である。これに対してレーザパワー制御回路のループ帯域は１０［ｋＨｚ］以下であり、半導体レーザ素子を一瞬オフしてから再出射するという動作において、回路の応答時間により実際にレーザ光が元の出力パワーに戻るまで、２００［μｓ］以上の遅延時間が生じる。更に、レーザ光をオフする際、オペアンプの帯域による応答時間により、１００［μｓ］程度の時間はオフする前の信号レベルが積分応答として残っているため、オフセット電圧を測定できない。したがって、フォーカスサーボを保持できる期間の内、実際にオフセット電圧を測定できる時間は２００［μｓ］以下になってしまう。よって、オフセット電圧の測定をサンプリング周波数８８.２［ｋＨｚ］で行った場合、１７サンプル以下であり、精度が１／８程度に低下する。
【特許文献１】特開平２−９１８２７号公報
【特許文献２】特開平２−９８８３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、再生又は記録動作中にオフセット電圧を高精度に測定可能な光ディスク装置及び光ピックアップ制御装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様は、（イ）レーザ光を光ディスクに出射し、レーザ光の出力パワーに応じたモニタ電圧を生成し、第１タイミング信号に基づいてレーザ光の出射を一時的に中断する光ピックアップ；（ロ）モニタ電圧と出力パワーの設定基準となる基準電圧との差分を増幅し、差分増幅電圧を生成する差動増幅回路；（ハ）差分増幅電圧と直流バイアス電圧とを加算して、出力パワーを制御するレーザパワー制御電圧を生成する加算回路；（ニ）直流バイアス電圧を生成するバイアス電圧生成回路；（ホ）第２タイミング信号に基づき、レーザ光の出射が一時的に中断される期間において加算回路に対する差分増幅電圧の供給を中断し、レーザ光の出射の再開に応じて加算回路に対して差分増幅電圧を伝達するスイッチ回路；（ヘ）第１及び第２タイミング信号を生成するコントローラを備える光ディスク装置であることを要旨とする。
【０００７】
本発明の一態様は、（イ）光ピックアップから出射されたレーザ光の出力パワーを光ピックアップが検出したことにより生成されたモニタ電圧と出力パワーの設定基準となる基準電圧との差分を増幅し、差分増幅電圧を生成する差動増幅回路；（ロ）差分増幅電圧と直流バイアス電圧とを加算して、出力パワーを制御するレーザパワー制御電圧を生成する加算回路（ハ）直流バイアス電圧を生成するバイアス電圧生成回路；（ニ）レーザ光の出射が一時的に中断される期間において加算回路に対する差分増幅電圧の供給を中断し、レーザ光の出射の再開に応じて加算回路に対して差分増幅電圧を伝達するスイッチ回路を備える光ピックアップ制御装置であることを要旨とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、再生又は記録動作中にオフセット電圧を高精度に測定可能な光ディスク装置及び光ピックアップ制御装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
次に、図面を参照して、本発明の第１及び第２の実施の形態を説明する。この第１及び第２の実施の形態における図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。
【００１０】
（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施の形態に係る光ディスク装置は、図１に示すように、光ディスク３、光ディスク３にレーザ光を照射する光ピックアップ２５、及び光ピックアップ２５を制御する光ピックアップ制御装置２６ａを備える。光ピックアップ制御装置２６ａは、エラー信号生成回路１７、補償回路１８、全加算信号生成回路２０、アナログ／デジタル（Ａ／Ｄ）変換回路２１ａ、アクチュエータ駆動回路１９、コントローラ２２ａ、及びレーザパワー制御回路１６ａを備える。更に、レーザパワー制御回路１６ａは、差動増幅回路１１、基準電圧生成回路１２ａ、スイッチ回路１３、バイアス電圧生成回路１５ａ、及び加算回路１４を備える。光ピックアップ２５は、レーザ光を光ディスク３に出射し、レーザ光の出力パワーに応じたモニタ電圧ＭＳを生成し、第１タイミング信号ＴＳ１に基づいてレーザ光の出射を一時的に中断する。差動増幅回路１１は、モニタ電圧ＭＳと出力パワーの設定基準となる基準電圧ＲＳとの差分を増幅し、差分増幅電圧ＤＳを生成する。加算回路１４は、差分増幅電圧ＤＳと直流バイアス電圧ＢＳとを加算して、レーザ光の出力パワーを制御するレーザパワー制御電圧ＣＳを生成する。バイアス電圧生成回路１５ａは直流バイアス電圧ＢＳを生成する。スイッチ回路１３は、第２タイミング信号ＴＳ２に基づき、レーザ光の出射が一時的に中断される期間において加算回路１４に対する差分増幅電圧ＤＳの供給を中断し、レーザ光の出射の再開に応じて加算回路１４に対して差分増幅電圧ＤＳを伝達する。コントローラ２２ａは、第１タイミング信号ＴＳ１及び第２タイミング信号ＴＳ２を生成する。基準電圧生成回路１２ａは基準電圧ＲＳを生成する。
【００１１】
また、差動増幅回路１１の入力は、基準電圧生成回路１２ａと、光ピックアップ２５内のモニタ電圧生成回路７に接続される。スイッチ回路１３は、差動増幅回路１１及びコントローラ２２ａに入力が接続され、加算回路１４に出力が接続される。加算回路１４は、スイッチ回路１３及びバイアス電圧生成回路１５ａに入力が接続され、光ピックアップ２５内のレーザ駆動回路９に出力が接続される。モニタ電圧生成回路７、レーザパワー制御回路１６ａ、及びレーザ駆動回路９が構成するフィードバックループにより、モニタ電圧生成回路７が生成するモニタ電圧ＭＳが基準電圧ＲＳと同電位になるようにレーザ光の出力パワーが一定に保たれる。
【００１２】
尚、直流バイアス電圧ＢＳの電圧値は、レーザ光の出射中にスイッチ回路１３をオン状態とした場合のレーザパワー制御電圧ＣＳと、スイッチ回路１３をオフ状態として電圧ＳＳが０［Ｖ］である場合のレーザパワー制御電圧ＣＳとが、ほぼ等しくなるような値に予め設定される。
【００１３】
更に、光ピックアップ２５は、モニタ電圧生成回路７及びレーザ駆動回路９に加えて、半導体レーザ素子１、モニタ素子６、ハーフミラー１０、対物レンズ２、磁気アクチュエータ８、複数の光ディテクタ４ａ，４ｂ，・・・・・、複数の電流／電圧（Ｉ／Ｖ）変換回路５ａ，５ａ，・・・・・を備える。半導体レーザ素子１としては、例えばレーザダイオードが使用できる。モニタ素子６としては、例えばモニタダイオードが使用できる。半導体レーザ素子１は、レーザ駆動回路９の出力にアノードが接続され、カソードが接地される。モニタ素子６は、半導体レーザ素子１の近傍に配置され、モニタ電圧生成回路７の入力にアノードが接続され、カソードが接地される。複数のＩ／Ｖ変換回路５ａ，５ａ，・・・・・の入力は複数の光ディテクタ４ａ，４ｂ，・・・・・の出力にそれぞれ接続される。
【００１４】
また、レーザ駆動回路９は、レーザパワー制御電圧ＣＳに応じた駆動電流を半導体レーザ素子１に供給する。半導体レーザ素子１が出射するレーザ光の出力パワーは、レーザ駆動回路９が生成する駆動電流により制御される。モニタ素子６は、半導体レーザ素子１が出射するレーザ光の出力パワーに応じた電流を発生する。モニタ電圧生成回路７は、モニタ素子６からの電流を電圧に変換してモニタ電圧ＭＳを生成する。対物レンズ２は、半導体レーザ素子１が出射するレーザ光を光ディスク３の記録面に集光する。磁気アクチュエータ８は、アクチュエータ駆動回路１９により制御され、対物レンズ２の位置を微調整する。ハーフミラー１０は、光ディスク３により反射されたレーザ光の光路を変える。複数の光ディテクタ４ａ，４ｂ，・・・・・は、ハーフミラー１０からのレーザ光を検出して光量に応じた電流を発生する。複数のＩ／Ｖ変換回路５ａ，５ａ，・・・・・は、複数の光ディテクタ４ａ，４ｂ，・・・・・が出力する電流を電圧にそれぞれ変換する。
【００１５】
更に、エラー信号生成回路１７及び全加算信号生成回路２０は、複数のＩ／Ｖ変換回路５ａ，５ａ，・・・・・の出力とＡ／Ｄ変換回路２１ａの入力との間にそれぞれ接続される。補償回路１８は、Ａ／Ｄ変換回路２１ａ及びコントローラ２２ａに入力が接続され、アクチュエータ駆動回路１９に出力が接続される。或いは、補償回路１８をアナログ回路で構成する場合、エラー信号生成回路１７の出力が補償回路１８の入力に接続される。
【００１６】
また、エラー信号生成回路１７は、複数のＩ／Ｖ変換回路５ａ，５ａ，・・・・・の出力から、対物レンズ２の現在の位置と対物レンズ２を移動したい所望位置との誤差を電気的に示すエラー信号ＥＳ１を生成する。全加算信号生成回路２０は、複数のＩ／Ｖ変換回路５ａ，５ａ，・・・・・の出力を加算して全加算信号ＡＳを生成する。Ａ／Ｄ変換回路２１ａは、アナログ信号であるエラー信号ＥＳ１及び全加算信号ＡＳをデジタル信号に変換する。補償回路１８は、デジタル信号に変換されたエラー信号ＥＳ２の位相補償及び利得補償を行い、アクチュエータ制御信号ＡＣＳを生成する。アクチュエータ駆動回路１９は、アクチュエータ制御信号ＡＣＳを増幅し、磁気アクチュエータ８を駆動して対物レンズ２の位置を制御する。エラー信号生成回路１７、Ａ／Ｄ変換回路２１ａ、補償回路１８、及びアクチュエータ駆動回路１９により、フォーカスサーボループが構成される。
【００１７】
尚、Ａ／Ｄ変換回路２１ａは、レーザ光の出射が一時的に中断される期間において、エラー信号ＥＳ１及び全加算信号ＡＳから、複数のＩ／Ｖ変換回路５ａ，５ａ，・・・・・、エラー信号生成回路１７、及び全加算信号生成回路２０のオフセット電圧を測定する。即ち、オフセット電圧の測定の際には、エラー信号生成回路１７と全加算信号生成回路２０の入力が無い状態で、それぞれの出力をデジタルデータとして取り込む。したがって、半導体レーザ素子１によるレーザ光の出射を止め、複数の光ディテクタ４ａ，４ｂ，・・・・・にレーザ光が入射していない状態で、エラー信号ＥＳ１及び全加算信号ＡＳがデジタルデータとして取り込まれる。測定されたオフセット電圧は、例えば補償回路１８により平均値が算出されて、オフセットデータとして記憶される。記憶されたオフセットデータは、オフセット電圧の補正に利用される。
【００１８】
更に、コントローラ２２ａは、第１タイミング信号ＴＳ１を用いてレーザ駆動回路９の動作タイミングを制御し、第２タイミング信号ＴＳ２を用いてスイッチ回路１３及び補償回路１８の動作タイミングを制御する。第１タイミング信号ＴＳ１は、強制的にレーザ駆動回路９の動作を停止させる信号である。例えば、第１タイミング信号ＴＳ１がハイレベルの期間においてレーザ光の出射が中断される。
【００１９】
これに対して第２タイミング信号ＴＳ２は、補償回路１８が生成するアクチュエータ制御信号ＡＣＳの固定及びスイッチ回路１３のオン・オフを制御する信号である。例えば、第２タイミング信号ＴＳ２がハイレベルの期間において、補償回路１８が生成するアクチュエータ制御信号ＡＣＳが固定される。よって、半導体レーザ素子１がオフしている期間、対物レンズ２の位置が保持され、レーザ光の再出射後において、対物レンズ２の位置が大きくずれることを防止できる。
【００２０】
また、第２タイミング信号ＴＳ２がハイレベルの期間においてスイッチ回路１３がオフ状態となり、第２タイミング信号ＴＳ２がロウレベルの期間において第２タイミング信号ＴＳ２がロウレベルの期間はオン状態となる。
【００２１】
次に、図２に示すフローチャート及び図３に示すタイムチャートを参照して、第１の実施の形態に係る光ディスク装置の動作を説明する。但し、比較例として、図１に示すスイッチ回路１３、加算回路１４、及びバイアス電圧生成回路１５ａを具備しない場合、即ち差動増幅回路１１が生成する差分増幅電圧ＤＳがレーザ駆動回路９に直接供給される場合の各信号波形を、図３（ｂ）及び（ｃ）に破線で示している。
【００２２】
（イ）図２に示すステップＳ１１の通常動作時においては、図３（ａ）及び（ｂ）の時刻ｔ０〜ｔ１の期間に示すように、第１タイミング信号ＴＳ１及び第２タイミング信号ＴＳ２はロウレベルである。第１タイミング信号ＴＳ１がロウレベルであるため、図１に示すレーザ駆動回路９は、レーザパワー制御電圧ＣＳに基づいて半導体レーザ素子１に駆動電流を供給する。第２タイミング信号ＴＳ２がロウレベルであるので、スイッチ回路１３はオン状態に保たれ、差動増幅回路１１が生成する差分増幅電圧ＤＳが加算回路１４に伝達される。また、補償回路１８は、デジタル信号に変換されたエラー信号ＥＳ２に利得補償及び位相補償を施し、アクチュエータ駆動回路１９に供給する。
【００２３】
（ロ）ステップＳ１２において、オフセット電圧測定処理が開始されると、コントローラ２２ａは、図３（ａ）及び（ｂ）の時刻ｔ１に示すように、第１タイミング信号ＴＳ１及び第２タイミング信号ＴＳ２をロウレベルからハイレベルに立ち上げる。第１タイミング信号ＴＳ１がハイレベルに立ち上がると、半導体レーザ素子１に対する駆動電流の供給が中断され、レーザ光の出射が中断される。レーザ光の出射が中断されると、図３（ｃ）の時刻ｔ１においてモニタ電圧ＭＳが低下する。この結果、モニタ電圧ＭＳと図３（ｄ）に示す基準電圧ＲＳとの差分が増大し、図３（ｅ）の時刻ｔ１において差分増幅電圧ＤＳの電圧値が大幅に上昇する。更に、第２タイミング信号ＴＳ２がハイレベルに立ち上がることにより、スイッチ回路１３がオフ状態となる。よって、図３（ｆ）の時刻ｔ１において、スイッチ回路１３の出力電圧ＳＳが０［Ｖ］となる。この時、図３（ｇ）に示す直流バイアス電圧ＢＳが加算回路１４に供給され続けるので、レーザパワー制御電圧ＣＳの電圧値は、図３（ｈ）に示すように、図３（ａ）に示す第１タイミング信号ＴＳ１がハイレベルになる前の電圧値とほぼ同等の電圧値を維持できる。更に、補償回路１８が生成するアクチュエータ制御信号ＡＣＳが固定されることにより、対物レンズ２の位置が固定される。
【００２４】
（ハ）ステップＳ１３において、Ａ／Ｄ変換回路２１ａは、半導体レーザ素子１によるレーザ光の出射がオフしている間に、エラー信号ＥＳ１と全加算信号ＡＳをサンプリングする。ここでＡ／Ｄ変換回路２１ａは、例えば１２８サンプル程度のオフセット電圧を測定する。補償回路１８は、測定されたオフセット電圧の平均値をオフセットデータとして算出する。尚、オフセットデータの算出は、オフセット電圧のサンプリングが完了していれば、レーザ光の出射の再開後に行っても良い。
【００２５】
（ニ）ステップＳ１４において、コントローラ２２ａは、図３（ａ）の時刻ｔ２に示すように、第１タイミング信号ＴＳ１をハイレベルからロウレベルに立ち下げる。第１タイミング信号ＴＳ１がハイレベルからロウレベルに立ち下がると、レーザ駆動回路９が半導体レーザ素子１の駆動を再開し、レーザ光が再出射される。図３（ｈ）に示すように、レーザパワー制御電圧ＣＳは第１タイミング信号ＴＳ１がハイレベルになる前の電圧値とほぼ同等の電圧値が維持される。この時点では、スイッチ回路１３はオフ状態であり、対物レンズ２は固定状態である。一方、比較例においては、図３（ｅ）に示す差分増幅電圧ＤＳが最大値であるため、レーザ光の出力パワーが最大レベルとなり、図３（ｃ）の破線に示すようにモニタ電圧ＭＳが大幅に増加している。この状態で対物レンズ２の位置の固定を解除した場合、レーザ光の出力パワーの増加により、エラー信号ＥＳ１が非常に大きくなっているので、フォーカスサーボに異常が生じ、対物レンズ２に対する位置制御の動作が不安定になる。したがって、比較例においては、レーザ光の出力パワーが安定する時刻、即ち図３の時刻ｔ４程度まで補償回路１８の動作を再開させることができず、対物レンズ２の位置を安定して保持できる５００［μｓ］程度の期間を超えてしまうこととなる。
【００２６】
（ホ）ステップＳ１５において、コントローラ２２ａは、差動増幅回路１１の応答時間を考慮し、差分増幅電圧ＤＳがほぼ元の電圧値に戻るタイミングで、タイミング信号ＴＳ２をハイレベルからロウレベルに立ち下げる。差動増幅回路１１の応答時間は、例えば実装する差動増幅回路１１の規格等により定められる。図３（ｂ）の時刻ｔ３において、タイミング信号ＴＳ２がハイレベルからロウレベルに立ち下がると、スイッチ回路１３がオンし、対物レンズ２の固定が解除される。スイッチ回路１３がオンすると、差分増幅電圧ＤＳが加算回路１４に供給され、フィードバックループが再び構成される。この時、図３（ｆ）に示すように、スイッチ回路１３の出力信号ＳＳには若干の過渡応答が現れるが、元の電圧値へ戻っていく。
【００２７】
また、図３（ｇ）に示す直流バイアス電圧ＢＳの設定誤差と、レーザパワー制御回路１６ａの応答速度により、図３（ｈ）に示すレーザパワー制御電圧ＣＳが元の電圧値に戻るには遅延が生じてしまうが、比較例に比べて遅延を短縮できる。このように、第１の実施の形態によれば、レーザ光の出射の再開時に生じる過渡応答を短時間に抑えることが可能となるので、対物レンズ２の位置を保持できる期間内にオフセット電圧を十分に測定できる。したがって、再生又は記録動作中にオフセット電圧を高精度に測定可能な光ディスク装置及び光ピックアップ制御装置を提供できる。
【００２８】
（第１の実施の形態の変形例）
第１の実施の形態の変形例に係る光ディスク装置として図４に示すように、基準電圧生成回路１２ｂ及びバイアス電圧生成回路１５ｂのそれぞれの入力に、コントローラ２２ｂの出力が接続される構成でも良い。コントローラ２２ｂは、基準電圧ＲＳ及び直流バイアス電圧ＢＳの電圧値を、例えばデジタル信号により設定する。この場合、基準電圧生成回路１２ｂ及びバイアス電圧生成回路１５ｂとしてＡ／Ｄ変換回路が使用できる。コントローラ２２ｂは、基準電圧ＲＳ及び直流バイアス電圧ＢＳの電圧値データを複数セット保持し、光ディスクの種類及び再生・記録速度等に応じて最適な基準電圧ＲＳ及び直流バイアス電圧ＢＳの電圧値を選択して基準電圧生成回路１２ｂ及びバイアス電圧生成回路１５ｂに設定する。
【００２９】
（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施の形態に係る光ディスク装置は、図５に示すように、Ａ／Ｄ変換回路２１ｂの入力に加算回路１４の出力が接続される点が図１と異なる。バイアス電圧生成回路１５ｂの入力にコントローラ２２ｃの出力が接続される点が図１と異なる。コントローラ２２ｃは、図６のステップＳ２１に示すように、レーザ光の出射が維持される期間において、レーザパワー制御電圧ＣＳの電圧値を検知し、加算回路１４の利得とレーザパワー制御電圧ＣＳの電圧値に基づいて直流バイアス電圧ＢＳの電圧値を算出する。算出された電圧値はバイアス電圧生成回路１５ｂに設定される。その他の構成については図１と同様である。
【００３０】
上述したように、直流バイアス電圧ＢＳの設定が不適切である場合、レーザ光の出射を再開した際の過渡応答が大きくなってしまう。これに対して図５においては、レーザパワー制御電圧ＣＳをＡ／Ｄ変換回路２１ｂによりデジタルデータに変換し、コントローラ２２ｃがレーザパワー制御電圧ＣＳの電圧値を測定可能とする。
【００３１】
ここで、レーザパワー制御電圧ＣＳの電圧値をＣＳ［Ｖ］、加算回路１４の利得（増幅率）をＧとすると、直流バイアス電圧ＢＳの最適な電圧値ＢＳ［Ｖ］は：
BS=CS/G             ・・・・・（１）
により算出される。
【００３２】
このように、第２の実施の形態によれば、レーザ光を再出射した際の過渡応答を最小限に抑えることが可能となり、レーザパワー制御電圧ＣＳが元のレベルに戻るまでの遅延を第１の実施の形態よりも短縮できる。
【００３３】
（第２の実施の形態の変形例）
本発明の第２の実施の形態の変形例に係る光ピックアップ制御装置２６ｃとして図７に示すように、Ａ／Ｄ変換回路２１ｃの入力に差動増幅回路１１の出力が接続される構成でも良い。Ａ／Ｄ変換回路２１ｃは、差分増幅電圧ＤＳをデジタルデータに変換してコントローラ２２ｄに伝達する。コントローラ２２ｄは、差動増幅回路１１が生成する差分増幅電圧ＤＳが０［Ｖ］となるように、直流バイアス電圧ＢＳの電圧値を制御する。更にコントローラ２２ｄは、差分増幅電圧ＤＳが０［Ｖ］となる直流バイアス電圧ＢＳの電圧値をバイアス電圧生成回路１５ｂに設定する。
【００３４】
この結果、第２の実施の形態と同様に、レーザ光を再出射した際の過渡応答を最小限に抑えることが可能となり、レーザパワー制御電圧ＣＳが元のレベルに戻るまでの遅延を短縮できる。
【００３５】
（その他の実施の形態）
上記のように、本発明は第１及び第２の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
【００３６】
例えば、図１に示すレーザパワー制御回路１６ａ、エラー信号生成回路１７、及び全加算信号生成回路２０がアナログ回路として実装され、Ａ／Ｄ変換回路２１ａ及び補償回路１８がデジタル回路として実装される場合、アナログ回路及びデジタル回路を半導体チップ上にそれぞれモノリシックに集積化し、別個の半導体集積回路として構成可能である。或いは、アナログ・デジタル混載プロセスにより、レーザパワー制御回路１６ａ、エラー信号生成回路１７、全加算信号生成回路２０、Ａ／Ｄ変換回路２１ａ、及び補償回路１８を同一の半導体チップ上にモノリシックに集積化しても良い。
【００３７】
このように本発明は、ここでは記載していない様々な実施の形態等を包含するということを理解すべきである。したがって、本発明はこの開示から妥当な特許請求の範囲の発明特定事項によってのみ限定されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】第１の実施の形態に係る光ディスク装置の構成例を示すブロック図である。
【図２】第１の実施の形態に係る光ピックアップ制御装置の動作を示すフローチャートである。
【図３】第１の実施の形態に係る光ピックアップ制御装置の具体的な動作を示すタイムチャートである。
【図４】第１の実施の形態の変形例に係る光ピックアップ制御装置の構成を示すブロック図である。
【図５】第２の実施の形態に係る光ディスク装置の構成例を示すブロック図である。
【図６】第２の実施の形態に係る光ピックアップ制御装置の動作を示すフローチャートである。
【図７】第２の実施の形態の変形例に係る光ディスク装置の構成例を示すブロック図である。
【符号の説明】
【００３９】
２…対物レンズ
１１…差動増幅回路
１３…スイッチ回路
１４…加算回路
１５ａ、１５ｂ…バイアス電圧生成回路
１６ａ〜１６ｃ…レーザパワー制御回路
１８…補償回路
２２ａ〜２２ｃ…コントローラ
２５…光ピックアップ
２６ａ〜２６ｃ…光ピックアップ制御装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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