(57)【要約】      （修正有）【課題】  光素子及びその製造方法に関して、静電破壊を防止して、信頼性の向上を図る。【解決手段】  光素子１００は、第１導電型の第１半導体層１０２と第１半導体層上に形成された活性層１０３と活性層上に形成された第２導電型の第２半導体層１０４とを含む発光部１４０と、  基板１０１上に形成された層間絶縁層１１０と層間絶縁層上に形成された第１導電層１２７と層間絶縁層上に形成された第２導電層１２９と第１導電層と第２導電層との間であって第１導電層側方かつ第２導電層側方に形成された絶縁部材１２８とを含む静電破壊防止部１２０とを含み、  第１導電層は第１半導体層と、第２導電層は第２半導体層と電気的に接続され、  第１導電層と第２導電層の少なくとも一方は突出部１２７ａ，１２９ａを有し、  発光部と静電破壊防止部とは電気的に並列接続され、  静電破壊防止部の絶縁破壊電圧は、発光部の駆動電圧より大きく、発光部の静電破壊電圧より小さい。【選択図】      図１
2006229032.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の第１半導体層と、該第１半導体層の上方に形成された活性層と、該活性層の上方に形成された第２導電型の第２半導体層と、を含む発光部と、
層間絶縁層と、
前記層間絶縁層の上方に形成された第１導電層と、該層間絶縁層の上方に形成された第２導電層と、該第１導電層と該第２導電層との間であって、該第１導電層の側方、かつ、該第２導電層の側方に形成された絶縁部材と、を含む静電破壊防止部と、
を含み、
前記第１導電層は、前記第１半導体層と電気的に接続され、
前記第２導電層は、前記第２半導体層と電気的に接続され、
前記第１導電層および前記第２導電層のうちの少なくとも一方は、突出部を有し、
前記発光部と前記静電破壊防止部とは、電気的に並列接続され、
前記静電破壊防止部の絶縁破壊電圧は、前記発光部の駆動電圧より大きく、該発光部の静電破壊電圧より小さい、光素子。
【請求項２】
請求項１において、
前記発光部の静電破壊電圧は、逆方向バイアスに対するものである、光素子。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第１導電層および前記第２導電層は、発光部を駆動するための電極である、光素子。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかにおいて、
前記発光部は、面発光型半導体レーザとして機能し、
前記第１半導体層および前記第２半導体層は、ミラーである、光素子。
【請求項５】
第１導電型の第１半導体層と、該第１半導体層の上方に形成された光吸収層と、該光吸収層の上方に形成された第２導電型の第２半導体層と、を含む受光部と、
層間絶縁層と、
前記層間絶縁層の上方に形成された第１導電層と、該層間絶縁層の上方に形成された第２導電層と、該第１導電層と該第２導電層との間であって、該第１導電層の側方、かつ、該第２導電層の側方に形成された絶縁部材と、を含む静電破壊防止部と、
を含み、
前記第１導電層は、前記第１半導体層と電気的に接続され、
前記第２導電層は、前記第２半導体層と電気的に接続され、
前記第１導電層および前記第２導電層のうちの少なくとも一方は、突出部を有し、
前記受光部と前記静電破壊防止部とは、電気的に並列接続され、
前記静電破壊防止部の絶縁破壊電圧は、前記受光部の駆動電圧より大きく、該受光部の静電破壊電圧より小さい、光素子。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかにおいて、
基板を有し、
前記第１半導体層および前記層間絶縁層は、前記基板の上方に形成されている、光素子。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかにおいて、
前記第１半導体層と前記第１導電層との間に形成された第１電極と、
前記第２半導体層と前記第２導電層との間に形成された第２電極と、
を含む、光素子。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかにおいて、
前記突出部の先端は尖状である、光素子。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれかにおいて、
前記突出部の先端は平坦である、光素子。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかにおいて、
前記層間絶縁層には、穴が形成されており、
前記突出部の先端は、前記穴の上方に形成されており、かつ、前記層間絶縁層と接していない、光素子。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれかにおいて、
前記絶縁部材の上面は、凸状曲面である、光素子。
【請求項１２】
基板の上方に第１導電型の第１半導体層を形成する工程と、該第１半導体層の上方に活性層を形成する工程と、該活性層の上方に第２導電型の第２半導体層を形成する工程と、を含む、半導体多層膜を形成する工程と、
前記第１半導体層と、前記活性層と、前記第２半導体層と、を含む発光部が形成されるように、前記半導体多層膜をパターニングする工程と、
前記基板の上方に層間絶縁層を形成する工程と、
前記層間絶縁層の上方に第１導電層を形成する工程と、
前記層間絶縁層の上方に第２導電層を形成する工程と、
前記第１導電層と前記第２導電層との間であって、該第１導電層の側方、かつ、該第２導電層の側方に絶縁部材を形成する工程と、
を含み、
前記第１導電層は、前記第１半導体層と電気的に接続されるように配置され、
前記第２導電層は、前記第２半導体層と電気的に接続されるように配置され、
前記第１導電層および前記第２導電層のうちの少なくとも一方は、突出部を有するように形成され、
前記第１導電層と、前記第２導電層と、前記絶縁部材と、を含む静電破壊防止部は、前記発光部と電気的に並列接続されるように配置され、
前記静電破壊防止部の絶縁破壊電圧は、前記発光部の駆動電圧より大きく、該発光部の静電破壊電圧より小さくなるように設定される、光素子の製造方法。
【請求項１３】
基板の上方に第１導電型の第１半導体層を形成する工程と、該第１半導体層の上方に光吸収層を形成する工程と、該光吸収層の上方に第２導電型の第２半導体層を形成する工程と、を含む、半導体多層膜を形成する工程と、
前記第１半導体層と、前記光吸収層と、前記第２半導体層と、を含む受光部が形成されるように、前記半導体多層膜をパターニングする工程と、
前記基板の上方に層間絶縁層を形成する工程と、
前記層間絶縁層の上方に第１導電層を形成する工程と、
前記層間絶縁層の上方に第２導電層を形成する工程と、
前記第１導電層と前記第２導電層との間であって、該第１導電層の側方、かつ、該第２導電層の側方に絶縁部材を形成する工程と、
を含み、
前記第１導電層は、前記第１半導体層と電気的に接続されるように配置され、
前記第２導電層は、前記第２半導体層と電気的に接続されるように配置され、
前記第１導電層および前記第２導電層のうちの少なくとも一方は、突出部を有するように形成され、
前記第１導電層と、前記第２導電層と、前記絶縁部材と、を含む静電破壊防止部は、前記受光部と電気的に並列接続されるように配置され、
前記静電破壊防止部の絶縁破壊電圧は、前記受光部の駆動電圧より大きく、該受光部の静電破壊電圧より小さくなるように設定される、光素子の製造方法。
【請求項１４】
請求項１２または１３において、
前記絶縁部材は、液滴吐出法を用いて形成される、光素子の製造方法。
【請求項１５】
請求項１２〜１４のいずれかにおいて、
前記第１導電層を形成する工程および前記第２導電層を形成する工程のうちの少なくとも一方の工程の後に、前記層間絶縁層をエッチングして穴を形成する工程を有し、
前記突出部の先端は、前記層間絶縁層と接しないように前記穴の上方に形成される、光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
面発光型半導体レーザは、従来の端面発光型半導体レーザに比べて素子の体積が小さいため、素子自体の静電破壊耐圧が低い。このため、実装プロセスにおいて、機械又は作業者から加えられた静電気によって素子がダメージを受けることがある。通常、実装プロセスでは、静電気を除去するためにさまざまな対策が施されるが、それらの対策には限界がある。
【０００３】
例えば、特開２００４−６５４８号公報には、絶縁膜と、金属膜とを積層して容量素子を構成し、この容量素子が耐圧素子となる技術が開示されている。この場合、絶縁膜および金属膜を積層するため、所望の容量素子を形成しようとすると積層時間が長時間に及ぶ場合がある。
【特許文献１】特開２００４−６５４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、光素子及びその製造方法に関して、静電破壊を防止して、信頼性の向上を図ることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る第１の光素子は、
第１導電型の第１半導体層と、該第１半導体層の上方に形成された活性層と、該活性層の上方に形成された第２導電型の第２半導体層と、を含む発光部と、
層間絶縁層と、
前記層間絶縁層の上方に形成された第１導電層と、該層間絶縁層の上方に形成された第２導電層と、該第１導電層と該第２導電層との間であって、該第１導電層の側方、かつ、該第２導電層の側方に形成された絶縁部材と、を含む静電破壊防止部と、
を含み、
前記第１導電層は、前記第１半導体層と電気的に接続され、
前記第２導電層は、前記第２半導体層と電気的に接続され、
前記第１導電層および前記第２導電層のうちの少なくとも一方は、突出部を有し、
前記発光部と前記静電破壊防止部とは、電気的に並列接続され、
前記静電破壊防止部の絶縁破壊電圧は、前記発光部の駆動電圧より大きく、該発光部の静電破壊電圧より小さい。
【０００６】
この光素子によれば、前記発光部に静電破壊が起こるような電圧が印加されても、前記発光部と並列接続された前記静電破壊防止部に電流が流れる。これにより、前記光素子の静電破壊耐圧を著しく向上させることができる。従って、実装プロセス等における静電破壊を防止できるため、取り扱いに優れるとともに、信頼性の向上を図ることができる。
【０００７】
なお、本発明において、特定のもの（以下、「Ａ」という）の上方に形成された他の特定のもの（以下、「Ｂ」という）とは、Ａ上に直接形成されたＢと、Ａ上に、Ａ上の他のものを介して形成されたＢと、を含む。また、本発明において、Ａの上方にＢを形成するとは、Ａ上に直接Ｂを形成する場合と、Ａ上に、Ａ上の他のものを介してＢを形成する場合と、を含む。
【０００８】
また、本発明において、「発光部の静電破壊電圧」とは、前記発光部に静電破壊が起こる最小の電圧をいう。
【０００９】
本発明に係る光素子において、
前記発光部の静電破壊電圧は、逆方向バイアスに対するものであることができる。
【００１０】
本発明に係る光素子において、
前記第１導電層および前記第２導電層は、発光部を駆動するための電極であることができる。
【００１１】
本発明に係る光素子において、
前記発光部は、面発光型半導体レーザとして機能し、
前記第１半導体層および前記第２半導体層は、ミラーであることができる。
【００１２】
本発明に係る第２の光素子は、
第１導電型の第１半導体層と、該第１半導体層の上方に形成された光吸収層と、該光吸収層の上方に形成された第２導電型の第２半導体層と、を含む受光部と、
前記基板の上方に形成された層間絶縁層と、
前記層間絶縁層の上方に形成された第１導電層と、該層間絶縁層の上方に形成された第２導電層と、該第１導電層と該第２導電層との間であって、該第１導電層の側方、かつ、該第２導電層の側方に形成された絶縁部材と、を含む静電破壊防止部と、
を含み、
前記第１導電層は、前記第１半導体層と電気的に接続され、
前記第２導電層は、前記第２半導体層と電気的に接続され、
前記第１導電層および前記第２導電層のうちの少なくとも一方は、突出部を有し、
前記受光部と前記静電破壊防止部とは、電気的に並列接続され、
前記静電破壊防止部の絶縁破壊電圧は、前記受光部の駆動電圧より大きく、該受光部の静電破壊電圧より小さい。
【００１３】
なお、本発明において、「光吸収層」とは、空乏層を含む概念である。
【００１４】
また、本発明において、「受光部の静電破壊電圧」とは、前記受光部に静電破壊が起こる最小の電圧をいう。
【００１５】
本発明に係る光素子において、
基板を有し、
前記第１半導体層および前記層間絶縁層は、前記基板の上方に形成されていることができる。
【００１６】
本発明に係る光素子において、
前記第１半導体層と前記第１導電層との間に形成された第１電極と、
前記第２半導体層と前記第２導電層との間に形成された第２電極と、
を含むことができる。
【００１７】
本発明に係る光素子において、
前記突出部の先端は尖状であることができる。
【００１８】
本発明に係る光素子において、
前記突出部の先端は平坦であることができる。
【００１９】
本発明に係る光素子において、
前記層間絶縁層には、穴が形成されており、
前記突出部の先端は、前記穴の上方に形成されており、かつ、前記層間絶縁層と接していないことができる。
【００２０】
本発明に係る光素子において、
前記絶縁部材の上面は、凸状曲面であることができる。
【００２１】
本発明に係る第１の光素子の製造方法は、
基板の上方に第１導電型の第１半導体層を形成する工程と、該第１半導体層の上方に活性層を形成する工程と、該活性層の上方に第２導電型の第２半導体層を形成する工程と、を含む、半導体多層膜を形成する工程と、
前記第１半導体層と、前記活性層と、前記第２半導体層と、を含む発光部が形成されるように、前記半導体多層膜をパターニングする工程と、
前記基板の上方に層間絶縁層を形成する工程と、
前記層間絶縁層の上方に第１導電層を形成する工程と、
前記層間絶縁層の上方に第２導電層を形成する工程と、
前記第１導電層と前記第２導電層との間であって、該第１導電層の側方、かつ、該第２導電層の側方に絶縁部材を形成する工程と、
を含み、
前記第１導電層は、前記第１半導体層と電気的に接続されるように配置され、
前記第２導電層は、前記第２半導体層と電気的に接続されるように配置され、
前記第１導電層および前記第２導電層のうちの少なくとも一方は、突出部を有するように形成され、
前記第１導電層と、前記第２導電層と、前記絶縁部材と、を含む静電破壊防止部は、前記発光部と電気的に並列接続されるように配置され、
前記静電破壊防止部の絶縁破壊電圧は、前記発光部の駆動電圧より大きく、該発光部の静電破壊電圧より小さくなるように設定される。
【００２２】
本発明に係る第２の光素子の製造方法は、
基板の上方に第１導電型の第１半導体層を形成する工程と、該第１半導体層の上方に光吸収層を形成する工程と、該光吸収層の上方に第２導電型の第２半導体層を形成する工程と、を含む、半導体多層膜を形成する工程と、
前記第１半導体層と、前記光吸収層と、前記第２半導体層と、を含む受光部が形成されるように、前記半導体多層膜をパターニングする工程と、
前記基板の上方に層間絶縁層を形成する工程と、
前記層間絶縁層の上方に第１導電層を形成する工程と、
前記層間絶縁層の上方に第２導電層を形成する工程と、
前記第１導電層と前記第２導電層との間であって、該第１導電層の側方、かつ、該第２導電層の側方に絶縁部材を形成する工程と、
を含み、
前記第１導電層は、前記第１半導体層と電気的に接続されるように配置され、
前記第２導電層は、前記第２半導体層と電気的に接続されるように配置され、
前記第１導電層および前記第２導電層のうちの少なくとも一方は、突出部を有するように形成され、
前記第１導電層と、前記第２導電層と、前記絶縁部材と、を含む静電破壊防止部は、前記受光部と電気的に並列接続されるように配置され、
前記静電破壊防止部の絶縁破壊電圧は、前記受光部の駆動電圧より大きく、該受光部の静電破壊電圧より小さくなるように設定される。
【００２３】
本発明に係る光素子の製造方法において、
前記絶縁部材は、液滴吐出法を用いて形成されることができる。
【００２４】
本発明に係る光素子の製造方法において、
前記第１導電層を形成する工程および前記第２導電層を形成する工程のうちの少なくとも一方の工程の後に、前記層間絶縁層をエッチングして穴を形成する工程を有し、
前記突出部の先端は、前記層間絶縁層と接しないように前記穴の上方に形成されることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００２６】
１．  まず、本実施形態に係る光素子１００について説明する。
【００２７】
図１は、図２のI−I線断面図であり、図２は、光素子１００を模式的に示す平面図である。図３は、光素子１００の回路図である。
【００２８】
光素子１００は、図１および図２に示すように、基板１０１と、発光部１４０と、層間絶縁層１１０と、静電破壊防止部１２０と、を含む。図１および図２に示す例では、発光部１４０が面発光型半導体レーザとして機能する場合について説明する。
【００２９】
基板１０１としては、例えば第１導電型（例えばｎ型）ＧａＡｓ基板などを用いることができる。基板１０１は、発光部１４０および静電破壊防止部１２０を支持している。言い換えれば、発光部１４０および静電破壊防止部１２０は、同一基板（同一チップ）に形成され、モノリシック構造を成している。
【００３０】
発光部１４０は、基板１０１上に形成されている。発光部１４０は、第１導電型（例えばｎ型）の第１半導体層１０２と、第１半導体層１０２の上に形成された活性層１０３と、活性層１０３の上に形成された第２導電型（例えばｐ型）の第２半導体層１０４と、を含む。具体的には、第１半導体層１０２は、例えば、ｎ型Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ層とｎ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ層とを交互に積層した４０ペアの分布ブラッグ反射型（ＤＢＲ）ミラーである。活性層１０３は、例えば、ＧａＡｓウェル層とＡｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓバリア層とから構成される量子井戸構造を３層重ねた多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有する。第２半導体層１０４は、例えば、ｐ型Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓ層とｐ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ａｓ層とを交互に積層した２５ペアのＤＢＲミラーを有する。第２半導体層１０４の最上層１０６は、第２導電型（ｐ型）ＧａＡｓ層からなるコンタクト層である。また、第１半導体層１０２、活性層１０３、および第２半導体層１０４を構成する各層の組成および層数は特に限定されるわけではない。ｐ型の第２半導体層１０４、不純物がドーピングされていない活性層１０３、およびｎ型の第１半導体層１０２により、ｐｉｎダイオードが形成される。
【００３１】
発光部１４０のうち、第２半導体層１０４および活性層１０３は、柱状の半導体堆積体（以下「柱状部」という）１３０を構成している。柱状部１３０の平面形状は、例えば図２に示すような円形である。
【００３２】
また、図１に示すように、例えば、第２半導体層１０４を構成する層のうちの少なくとも１層を酸化狭窄層１０５とすることができる。酸化狭窄層１０５は、活性層１０３に近い領域に形成されている。酸化狭窄層１０５としては、例えば、ＡｌＧａＡｓ層を酸化したものなどを用いることができる。酸化狭窄層１０５は、開口部を有する絶縁層である。酸化狭窄層１０５はリング状に形成されている。より具体的には、酸化狭窄層１０５は、水平面で切断した断面形状が、柱状部１３０の平面形状の円形と同心のリング状に形成されている。
【００３３】
第１半導体層１０２の上面上には、第１電極１０７が形成されている。第１電極１０７は、第１半導体層１０２と電気的に接続されている。第１電極１０７は、図２に示すように、接触部１０７ａと、引き出し部１０７ｂと、パッド部１０７ｃと、を含む。第１電極１０７は、接触部１０７ａにおいて第１半導体層１０２と接触している。なお、第１電極１０７は、引き出し部１０７ｂおよびパッド部１０７ｃにおいても、第１半導体層１０２と接触することができる。第１電極１０７の接触部１０７ａの平面形状は、例えば図２に示すように、リング形状を半分としたものの端部から直線状に延びた形状（Ｕ字形状）である。接触部１０７ａは、層間絶縁層１１０を取り囲むように設けられている。第１電極１０７の引き出し部１０７ｂは、接触部１０７ａとパッド部１０７ｃとを接続している。引き出し部１０７ｂは、例えば、図２に示すような直線状の平面形状を有する。第１電極１０７のパッド部１０７ｃは、電極パッドとして外部の配線等と接続される。パッド部１０７ｃは、例えば、図２に示すような円形の平面形状を有する。
【００３４】
柱状部１３０および層間絶縁層１１０の上には、第２電極１０９が形成されている。第２電極１０９は、第２半導体層１０４と電気的に接続されている。第２電極１０９は、図２に示すように、接触部１０９ａと、引き出し部１０９ｂと、パッド部１０９ｃと、を含む。第２電極１０９は、接触部１０９ａにおいて第２半導体層１０４と接触している。第２電極１０９の接触部１０９ａの平面形状は、例えば図２に示すようなリング形状である。接触部１０９ａは、柱状部１３０上に開口部１８０を有する。即ち、開口部１８０によって、第２半導体層１０４の上面上に接触部１０９ａの設けられていない領域が形成される。この領域が、レーザ光の出射面１０８である。出射面１０８の形状は、例えば、図２に示すような円形などである。第２電極１０９の引き出し部１０９ｂは、接触部１０９ａとパッド部１０９ｃとを接続している。引き出し部１０９ｂは、例えば、図２に示すような直線状の平面形状を有する。第２電極１０９のパッド部１０９ｃは、電極パッドとして外部の配線等と接続される。パッド部１０９ｃは、例えば、図２に示すような円形の平面形状を有する。
【００３５】
図１および図２に示す光素子１００では、第１電極１０７は第１半導体層１０２と接合し、かつ、第２電極１０９は第２半導体層１０４と接合している。第１電極１０７および第２電極１０９によって活性層１０３に電流が注入される。
【００３６】
層間絶縁層１１０は、第１半導体層１０２の上に形成されている。層間絶縁層１１０は、柱状部１３０を取り囲むように形成されている。層間絶縁層１１０の上には、第２電極１０９の引き出し部１０９ｂおよびパッド部１０９ｃが形成されている。層間絶縁層１１０は、第２電極１０９と第１半導体層１０２とを電気的に分離している。また、層間絶縁層１１０の上には、後述する第１、第２導電層１２７，１２９の突出部１２７ａ，１２９ａおよび絶縁部材１２８が形成されている。層間絶縁層１１０の上面側には、穴１２２が形成されており、この穴１２２の上に、第１、第２導電層１２７，１２９の突出部１２７ａ，１２９ａの一部および絶縁部材１２８が形成されている。穴１２２の形状は、特に限定されず、例えば、図１および図２に示すような球面の一部を切り取った形状とすることができる。
【００３７】
静電破壊防止部１２０は、第１導電層１２７と、絶縁部材１２８と、第２導電層１２９と、を含む。第１導電層１２７は、突出部１２７ａと、電極接触部１２７ｂと、を含むことができる。第１導電層１２７は、少なくとも層間絶縁層１１０の上に形成されている。具体的には、第１導電層１２７の突出部１２７ａが層間絶縁層１１０の上に形成されている。また、第１導電層１２７は、例えば、図２に示すように、第１電極１０７の接触部１０７ａを二等分する線（I−I線）を中心線とする平面形状に形成されている。第１導電層１２７の突出部１２７ａは、例えば第２電極１０９の接触部１０９ａに向かって突出している。突出部１２７ａの平面形状は、例えば図２に示すような直線状である。突出部１２７ａの先端は尖状に形成されている。即ち、突出部１２７ａの先端の側面は、鋭角を成している。突出部１２７ａの先端は、層間絶縁層１１０の穴１２２の上方に形成されている。また、突出部１２７ａの先端は、層間絶縁層１１０と接しておらず、突出部１２７ａの先端の下面は、絶縁部材１２８と接している。第１導電層１２７の電極接触部１２７ｂは、第１電極１０７の上面と接触している。これにより、第１導電層１２７は、第１電極１０７を介して第１半導体層１０２と電気的に接続されている。電極接触部１２７ｂの平面形状は特に限定されず、例えば図２に示すような矩形とすることができる。
【００３８】
第２導電層１２９は、突出部１２９ａと、電極接触部１２９ｂと、を含むことができる。第２導電層１２９は、少なくとも層間絶縁層１１０の上に形成されている。具体的には、第２導電層１２９の突出部１２９ａが層間絶縁層１１０の上に形成されている。また、第２導電層１２９は、例えば、図２に示すように、第１電極１０７の接触部１０７ａを二等分する線（I−I線）を中心線とする平面形状に形成されている。第２導電層１２９の突出部１２９ａは、例えば第１電極１０７の接触部１０７ａに向かって突出している。突出部１２９ａの平面形状は、例えば図２に示すような直線状である。突出部１２９ａの先端は尖状に形成されている。即ち、突出部１２９ａの先端の側面は、鋭角を成している。突出部１２９ａの先端は、層間絶縁層１１０の穴１２２の上方に形成されている。また、突出部１２９ａの先端は、層間絶縁層１１０と接しておらず、突出部１２９ａの先端の下面は、絶縁部材１２８と接している。第２導電層１２９の電極接触部１２９ｂは、第２電極１０９の接触部１０９ａの上面と接触している。これにより、第２導電層１２９は、第２電極１０９を介して第２半導体層１０４と電気的に接続されている。電極接触部１２９ｂの平面形状は特に限定されず、例えば図２に示すような矩形とすることができる。
【００３９】
第１導電層１２７の突出部１２７ａの先端と、第２導電層１２９の突出部１２９ａの先端とは、図１および図２に示すように、絶縁部材１２８を介して対向している。言い換えるならば、少なくとも第１導電層１２７の突出部１２７ａの側方、かつ、少なくとも第２導電層１２９の突出部１２９ａの側方には、絶縁部材１２８が形成されている。また、第１導電層１２７、絶縁部材１２８、および第２導電層１２９は、例えば、図２に示すように、第１電極１０７の接触部１０７ａを二等分する線（I−I線）上に並んで配置されている。絶縁部材１２８は、層間絶縁層１１０の穴１２２の上に形成されている。絶縁部材１２８は、穴１２２を埋め込んでいる。後述する絶縁部材前駆体１２８ａを形成する工程において、絶縁部材前駆体１２８ａは、例えば、第１、第２導電層１２７，１２９の突出部１２７ａ，１２９ａの側面によって堰き止められ、図２に示すように、穴１２２の縁によって堰き止められることができる。従って、絶縁部材１２８は、例えば、穴１２２の内側であって、突出部１２７ａ，１２９ａの形成されていない領域に形成される。この場合、絶縁部材１２８の上面は、凸状曲面である。なお、絶縁部材１２８の形状は、第１導電層１２７の突出部１２７ａの先端と、第２導電層１２９の突出部１２９ａの先端との間に絶縁部材１２８が配置されるならば、特に限定されない。
【００４０】
絶縁部材１２８としては、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等の固体などを用いることができる。また、絶縁部材１２８としては、例えば図４に示すように、空気などの気体を用いることもできる。絶縁部材１２８として、ポリイミド樹脂等の固体を用いることにより、例えば、光素子１００を実装するような場合に、アンダーフィル材等が穴１２２に入り込み、第１導電層１２７の突出部１２７ａと第２導電層１２９の突出部１２９ａとの間にアンダーフィル材が配置されるのを防ぐことができる。これにより、絶縁部材１２８を所望の材質、形状とすることができる。なお、絶縁部材１２８として、実装工程に用いられるアンダーフィル材等を採用する場合には、実装工程前は、図４に示すように、絶縁部材１２８として空気などの気体を用い、実装工程において、第１導電層１２７の突出部１２７ａと第２導電層１２９の突出部１２９ａとの間にアンダーフィル材を配置することができる。これにより、光素子１００の製造工程を簡素化することができる。
【００４１】
静電破壊防止部１２０の絶縁破壊電圧は、発光部１４０の駆動電圧より大きく、発光部１４０の静電破壊電圧より小さくなるように設定される。これにより、発光部１４０を正常に発光動作させることができ、かつ、発光部１４０の静電破壊を防止することができる。具体的には、以下の通りである。
【００４２】
発光部１４０と静電破壊防止部１２０とは、図３の回路図に示すように、電気的に並列接続されている。発光部１４０を駆動する際、発光部１４０には順バイアス電圧が印加され、それと同じ電圧が静電破壊防止部１２０に印加される。この際に、静電破壊防止部１２０の絶縁破壊電圧は、発光部１４０の駆動電圧よりも大きいことにより、発光部１４０のみに電流を流すことができる。即ち、発光部１４０に駆動電圧を印加しても、静電破壊防止部１２０には絶縁部材１２８があるため電流が流れない。その結果、発光部１４０では正常に発光動作が行われる。そして、発光部１４０に静電破壊が起こるような電圧が印加される場合には、静電破壊防止部１２０の絶縁破壊電圧が、発光部１４０に静電破壊が起こる最小の電圧（静電破壊電圧）より小さいことにより、絶縁部材１２８が絶縁破壊を起こす。その結果、発光部１４０と並列接続された静電破壊防止部１２０に電流が流れ、発光部１４０の静電破壊を防ぐことができる。
【００４３】
例えば、静電破壊防止部１２０の絶縁破壊電圧は、絶縁部材１２８の材質、第１導電層１２７の突出部１２７ａの先端と第２導電層１２９の突出部１２９ａの先端との距離Ｌなどを調整することで設定できる。例えば、距離Ｌに、絶縁部材１２８の単位長さ当たりの絶縁破壊電圧Ｖｕｎｉｔを乗じた値を、静電破壊防止部１２０の絶縁破壊電圧Ｖとすることができる。即ち、
Ｖ＝Ｌ×Ｖｕｎｉｔ
である。Ｖｕｎｉｔは、例えば、絶縁部材１２８が空気からなる場合には約３０ｋＶ／ｃｍ、ポリイミド樹脂からなる場合には約７ｋＶ／ｃｍ、エポキシ樹脂からなる場合には約６．５ｋＶ／ｃｍ、Ｓｉからなる場合には約３００ｋＶ／ｃｍ、ＧａＡｓからなる場合には約４００ｋＶ／ｃｍ、ＳｉＯ２からなる場合には約６０００ｋＶ／ｃｍ、ＳｉＮからなる場合には約５０００ｋＶ／ｃｍなどである。発光部１４０の駆動電圧は、例えば、３Ｖ程度である。また、通常、発光部１４０の順方向バイアスに対する静電破壊電圧は、逆方向バイアスに対する静電破壊電圧に比べ大きい。具体的には、発光部１４０の順方向バイアスに対する静電破壊電圧は、例えば、５００Ｖ程度であり、逆方向バイアスに対する静電破壊電圧は、例えば、３００Ｖ程度である。従って、静電破壊防止部１２０の絶縁破壊電圧は、発光部１４０の逆方向バイアスに対する静電破壊電圧より小さくなるように設定されるのが好ましい。これにより、順方向バイアスに対しても、逆方向バイアスに対しても、発光部１４０の静電破壊を防ぐことができる。例えば、発光部１４０の駆動電圧が３Ｖ、逆方向バイアスに対する静電破壊電圧が３００Ｖ、絶縁部材１２８が空気からなる場合には、距離Ｌは、１．０μｍより大きく、１００μｍより小さい範囲に設定されることができる。
【００４４】
また、図１および図２に示す例では、第１、第２導電層１２７，１２９の突出部１２７ａ，１２９ａの先端は、尖状である。例えば、図５に示すような第１、第２導電層１２７，１２９の突出部１２７ａ，１２９ａの先端が平坦である場合（即ち、突出部１２７ａ，１２９ａの平面形状が、例えば矩形などである場合）、第１導電層１２７と第２導電層１２９との間に電圧が印加されると、平等電界が生じる。これに対し、図１および図２に示す例では、第１導電層１２７と第２導電層１２９との間に電圧が印加されると、不平等電界が生じ、電界集中が起こる。そのため、図１および図２に示す例では、図５に示す例に比べ、静電破壊防止部１２０の絶縁破壊電圧が低くなる。従って、第１、第２導電層１２７，１２９の突出部１２７ａ，１２９ａの先端の形状は、静電破壊防止部１２０の絶縁破壊電圧が所望の値となるように適宜決定される。
【００４５】
また、図１および図２に示す例では、層間絶縁層１１０の上面側に穴１２２が形成されている。例えば、図６に示すように、層間絶縁層１１０に穴１２２を形成しないこともできる。この場合、第１導電層１２７の突出部１２７ａの側方、かつ、第２導電層１２９の突出部１２９ａの側方に配置されている層間絶縁層１１０が、静電破壊防止部１２０における絶縁部材１２８となる。
【００４６】
例えば、図１および図２に示す例のように、層間絶縁層１１０に穴１２２が形成されていることにより、図６に示すような例に比べ、第１導電層１２７から、層間絶縁層１１０を経路とする第２導電層１２９までの最短距離を長くすることができる。具体的には、前記最短距離は、図１および図２に示す例では、断面図における穴１２２の一方の縁から、穴１２２の底面を経路とする他方の縁までの距離であり、図６に示す例では、第１導電層１２７から、層間絶縁層１１０の上面を経路とする第２導電層１２９までの距離である。従って、層間絶縁層１１０に穴１２２が形成されていることにより、形成されていない場合に比べ、静電破壊防止部１２０に電圧が印加される場合に、層間絶縁層１１０の絶縁破壊電圧を大きくすることができる。さらに、層間絶縁層１１０の穴１２２の大きさ及び深さを調整することにより、静電破壊防止部１２０の絶縁破壊電圧に比べ、層間絶縁層１１０の絶縁破壊電圧を大きくすることができる。これにより、静電破壊防止部１２０の絶縁破壊電圧よりも小さい電圧が静電破壊防止部１２０に印加された場合に、層間絶縁層１１０を経由して静電破壊防止部１２０に電流が流れるのを防ぐことができる。即ち、静電破壊防止部１２０を設計通りに動作させることができる。そして、静電破壊防止部１２０の動作は、層間絶縁層１１０の材質に影響されないため、層間絶縁層１１０の材質を自由に選択することができる。
【００４７】
また、逆に、図６に示すような層間絶縁層１１０に穴１２２を形成しない場合には、図１および図２に示すような例に比べ、第１導電層１２７から、層間絶縁層１１０を経路とする第２導電層１２９までの微少な沿面放電を利用することができる。従って、静電破壊防止部１２０の絶縁破壊電圧を同じにするような場合には、穴１２２を形成しない場合の方が、穴１２２を形成する場合に比べ、第１導電層１２７の突出部１２７ａと第２導電層１２９の突出部１２９ａとの距離Ｌを大きくすることができる。これにより、第１、第２導電層１２７，１２９の突出部１２７ａ，１２９ａの形成位置のマージンを大きく取ることができる。
【００４８】
また、層間絶縁層１１０の穴１２２を大きくし、かつ、深くすることにより、第１導電層１２７と、第２導電層１２９との間で放電が起こる際に、該放電が層間絶縁層１１０に与えるダメージを抑制することができる。
【００４９】
また、絶縁部材１２８として、例えば、Ｓｉ、ＧａＡｓなどの半導体材料を用いる場合には、これらの半導体材料にドーパント（例えば、Ｓｉの場合、ホウ素やリンなど）をドーピングすることにより、静電破壊防止部１２０の絶縁破壊電圧を低くすることができる。従って、半導体材料の不純物濃度を調整することにより、静電破壊防止部１２０の絶縁破壊電圧を所望の値とすることができる。
【００５０】
なお、本発明は、発光部１４０が面発光型半導体レーザである場合に限定されず、その他の発光素子（例えば半導体発光ダイオードや有機ＬＥＤ）に適用することができる。
【００５１】
２．  次に、本実施形態に係る光素子１００の製造方法の一例について、図１、図２、図７〜図１１を参照しながら説明する。図７〜図１１は、図１および図２に示す本実施形態の光素子１００の一製造工程を模式的に示す断面図であり、それぞれ図１に示す断面図に対応している。
【００５２】
（１）まず、図７に示すように、基板１０１として、例えばｎ型ＧａＡｓ基板を用意する。次に、基板１０１の上に、組成を変調させながらエピタキシャル成長させることにより、半導体多層膜１５０を形成する。半導体多層膜１５０は、第１半導体層１０２、活性層１０３、および第２半導体層１０４を構成する半導体層を順に積層したものである。なお、第２半導体層１０４を成長させる際に、活性層１０３近傍の少なくとも１層を、後に酸化されて酸化狭窄層１０５となる層１０５ａとすることができる。酸化狭窄層１０５となる層１０５ａとしては、例えば、Ａｌ組成が０．９５以上のＡｌＧａＡｓ層などを用いることができる。ＡｌＧａＡｓ層のＡｌ組成とは、III族元素に対するアルミニウム（Ａｌ）の組成である。また、第２半導体層１０４を成長させる際に、最上層１０６はコンタクト層となるように形成される。
【００５３】
（２）次に、図８に示すように、半導体多層膜１５０をパターニングし、所望の形状の第１半導体層１０２、活性層１０３、および第２半導体層１０４を形成する。これにより、柱状部１３０が形成される。半導体多層膜１５０のパターニングは、公知のリソグラフィ技術およびエッチング技術により行うことができる。
【００５４】
次に、例えば４００℃程度の水蒸気雰囲気中に、上記工程によって柱状部１３０が形成された基板１０１を投入することにより、前述の酸化狭窄層１０５となる層１０５ａを側面から酸化して、酸化狭窄層１０５を形成する。酸化狭窄層１０５を有する発光部１４０では、駆動する際に、酸化狭窄層１０５が形成されていない部分（酸化されていない部分）のみに電流が流れる。従って、酸化狭窄層１０５を形成する工程において、形成する酸化狭窄層１０５の範囲を制御することにより、電流密度の制御が可能となる。
【００５５】
（３）次に、図９に示すように、第１半導体層１０２上に、柱状部１３０を取り囲むように層間絶縁層１１０を形成する。層間絶縁層１１０としては、例えば、ポリイミド樹脂などを用いることができる。具体的には、まず、例えばスピンコート法等を用いて前駆体（ポリイミド前駆体など）を、柱状部１３０を覆うように全面に塗布する。次に、例えばホットプレート等を用いて全体を加熱して、前駆体中の溶媒を除去する。次に、全体を例えば３５０℃程度の炉に入れて、前駆体をイミド化させることにより、ほぼ完全に硬化した樹脂層（ポリイミド樹脂層など）が形成される。次に、例えばＣＭＰ法等により、柱状部１３０の上面を露出させる。次に、公知のリソグラフィ技術およびエッチング技術により、樹脂層をパターニングして、第１半導体層１０２の上面であって、第１電極１０７の形成領域を露出させる。このようにして、所望の形状の層間絶縁層１１０を形成することができる。
【００５６】
次に、第１、第２電極１０７，１０９を形成する。これらの電極は、例えば、真空蒸着法およびリフトオフ法の組み合わせ等により、所望の形状に形成することができる。なお、第２電極１０９を形成する際に、柱状部１３０の上面に開口部１８０を形成する。第２半導体層１０４の上面のうち、開口部１８０により露出する面が出射面１０８となる。第１電極１０７としては、例えば、金（Ａｕ）とゲルマニウム（Ｇｅ）の合金、ニッケル（Ｎｉ）、および金（Ａｕ）の積層膜を用いることができる。第２電極１０９としては、例えば、金（Ａｕ）と亜鉛（Ｚｎ）の合金、および金（Ａｕ）の積層膜を用いることができる。なお、各電極を形成する順番は、特に限定されない。
【００５７】
次に、第１、第２導電層１２７，１２９を形成する。これらの導電層は、例えば、真空蒸着法およびリフトオフ法の組み合わせ等により、所望の形状に形成することができる。第１、第２導電層１２７，１２９としては、例えば、高融点金属を用いることが好ましい。高融点金属を用いることにより、静電破壊防止部１２０に電流が流れる際の発熱により、第１、第２導電層１２７，１２９が熔解するのを防ぐことができる。高融点金属としては、例えば、チタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、パラジウム（Ｐｄ）、および、これらの金属を組み合わせた合金などを用いることができる。なお、第１、第２導電層１２７，１２９としては、例えば、金（Ａｕ）などを用いることもできる。第１、第２導電層１２７，１２９として同じ材料を用いることにより、これらの導電層を１回の製造工程にて形成することができる。また、第１、第２導電層１２７，１２９として異なる材料を用いることもできる。第１、第２導電層１２７，１２９としては、例えば、積層膜（例えば、チタンの上に白金を積層させた膜など）を用いることができる。
【００５８】
（４）次に、層間絶縁層１１０の上面側に穴１２２を形成する。まず、上記工程により形成されたものの上面側の全面にマスク層１５２を形成する。マスク層１５２としては、例えばレジストなどを用いることができる。次に、公知のリソグラフィ技術およびエッチング技術等を用いてマスク層１５２をパターニングすることにより、図１０に示すように、穴１２２の形成予定領域が開口されたマスク層１５２が形成される。
【００５９】
次に、マスク層１５２をマスクとして、例えばドライエッチング法により、層間絶縁層１１０をエッチングする。これにより、穴１２２が形成される。この際、マスク層１５２の開口部から露出している第１、第２導電層１２７，１２９の突出部１２７ａ，１２９ａの先端は、エッチングされずに宙に浮いた状態となる。ドライエッチング法には、例えば、ＣＦ４プラズマなどを用いることができる。
【００６０】
（５）次に、図１１に示すように、絶縁部材前駆体１２８ａを形成する。具体的には、層間絶縁層１１０に形成された穴１２２に対して、絶縁部材１２８の材料を含む液滴１２８ｂを吐出して、絶縁部材前駆体１２８ａを形成する。液滴１２８ｂの吐出は、例えば、絶縁部材前駆体１２８ａが第１、第２導電層１２７，１２９の側面を覆うまで行われる。このとき、絶縁部材前駆体１２８ａは、第１、第２導電層１２７，１２９の側面によって堰き止められ、図２に示すように、穴１２２の縁によって堰き止められることが可能である。絶縁部材前駆体１２８ａは、エネルギー（光、熱など）を付加することによって硬化可能な性質を有する。絶縁部材前駆体１２８ａとしては、例えば、ポリイミド樹脂やエポキシ樹脂の前駆体が挙げられる。また、絶縁部材前駆体１２８ａとしては、例えばＳｉ、ＧａＡｓ、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＡｌＯ３などの粒子を、例えば水、プロパンジオール、酢酸ブチル、メシチレン、デカリンなどの溶媒に分散させたものなどが挙げられる。
【００６１】
液滴１２８ｂを吐出する液滴吐出法としては、例えば、ディスペンサ法、インクジェット法等が挙げられる。ディスペンサ法は、液滴を吐出する方法として一般的な方法であり、比較的広い領域に液滴１２８ｂを吐出する場合に有効である。インクジェット法は、液滴吐出用のインクジェットヘッド１９２を用いて液滴を吐出する方法であり、液滴を吐出する位置および吐出する液滴の量について高精度に制御することができる。そのため、微細な構造の絶縁部材１２８を作製することができる。
【００６２】
インクジェットヘッド１９２のインクジェットノズル１９０の位置と、液滴１２８ｂの吐出位置とのアライメントは、一般的な半導体集積回路の製造工程における露光工程や検査工程で用いられる公知の画像認識技術を用いて行われる。例えば、インクジェットヘッド１９２のインクジェットノズル１９０の位置と、層間絶縁層１１０の穴１２２とのアライメントを画像認識により行う。アライメント後、インクジェットヘッド１９２に印加する電圧を制御した後、液滴１２８ｂを吐出する。
【００６３】
例えば、インクジェットノズル１９０から吐出される液滴１２８ｂの吐出角度にある程度のばらつきがある場合に、液滴１２８ｂが着弾した位置が層間絶縁層１１０の穴１２２の内側であれば、穴１２２内に絶縁部材前駆体１２８ａが濡れ広がり、自動的に位置の補正がなされる。
【００６４】
（６）次に、図１および図２に示すように、絶縁部材前駆体１２８ａを硬化させて、絶縁部材１２８を形成する。具体的には、絶縁部材前駆体１２８ａに対して、エネルギー（光、熱など）を付与する。絶縁部材前駆体１２８ａを硬化する際は、絶縁部材前駆体１２８ａの材料の種類により適切な方法を用いる。具体的には、例えば、熱エネルギーの付加、あるいは、紫外線、レーザ光等の光照射が挙げられる。
【００６５】
なお、上述の工程は、絶縁部材１２８を液滴吐出法により形成する例であるが、例えば、ＣＶＤ法等により形成した絶縁部材１２８をパターニングすることもできる。また、例えば、図４に示すように、絶縁部材１２８として空気などの気体を用いる場合には、上述の絶縁部材前駆体１２８ａを形成する工程および絶縁部材前駆体１２８ａを硬化させる工程は、省略することができる。
【００６６】
以上の工程により、図１および図２に示すように、本実施形態の光素子１００が得られる。
【００６７】
３．  本実施形態に係る光素子１００によれば、発光部１４０に静電破壊が起こるような電圧が印加されても、発光部１４０と並列接続された静電破壊防止部１２０に電流が流れる。これにより、光素子１００の静電破壊耐圧を著しく向上させることができる。従って、実装プロセス等における静電破壊を防止できるため、取り扱いに優れるとともに、信頼性の向上を図ることができる。
【００６８】
また、本実施形態に係る光素子１００によれば、第１導電層１２７および第２導電層１２９を自由に配置することができる。従って、例えば、第１導電層１２７と、絶縁部材１２８と、第２導電層１２９とを、厚み方向に積層して静電破壊防止部１２０を形成するような場合（以下「厚み方向積層例」ともいう。）に比べ、第１導電層１２７と、第２導電層１２９との間の距離を容易に調整することができる。即ち、第１導電層１２７と第２導電層１２９との間に形成された静電破壊防止部１２０の絶縁破壊電圧を容易に調整することができ、設計の自由度を向上させることができる。
【００６９】
また、本実施形態に係る光素子１００によれば、第１導電層１２７のうち、第２導電層１２９と対向している部分（第１導電層１２７の突出部１２７ａの先端の側面）の面積、および、第２導電層１２９のうち、第１導電層１２７と対向している部分（第２導電層１２９の突出部１２９ａの先端の側面）の面積を、例えば、厚み方向積層例に比べ、容易に小さくすることができる。従って、本実施形態に係る光素子１００によれば、静電破壊防止部１２０の容量を容易に小さくすることができ、延いては、発光部１４０を高速に駆動させることができる。
【００７０】
また、本実施形態に係る光素子１００によれば、第１、第２導電層１２７，１２９のうち、層間絶縁層１１０の上に形成されている部分の面積を自由に設定することができる。従って、例えば、前記面積を小さくすることにより、第１、第２導電層１２７，１２９と、層間絶縁層１１０と、例えば第１半導体層１０２とによって構成される寄生容量を小さくすることができる。その結果、発光部１４０を高速に駆動させることができる。
【００７１】
４．  次に、本実施形態に係る光素子１００の変形例について、図面を参照しながら説明する。なお、上述した図１および図２に示す光素子１００と異なる点について説明し、同様の点については説明を省略する。図１２〜図１４は、光素子１００の変形例の一例を模式的に示す断面図であり、図１５は、図１６のXV−XV線断面図であり、図１６〜図１８は、光素子１００の変形例の一例を模式的に示す平面図である。
【００７２】
例えば、図１２に示すように、発光部１４０に換えて受光部１６０を形成することができる。受光部１６０は、例えばｐｉｎ型フォトダイオードとして機能する。受光部１６０は、第１導電型（例えばｎ型）の第１半導体層１６２と、第１半導体層１６２の上に形成された光吸収層１６３と、光吸収層１６３の上に形成された第２導電型（例えばｐ型）の第２半導体層１６４と、を含むことができる。第１半導体層１６２は例えばｎ型ＧａＡｓ層からなり、光吸収層１６３は例えば不純物が導入されていないＧａＡｓ層からなり、第２半導体層１６４は例えばｐ型ＧａＡｓ層からなることができる。この場合、出射面１０８に換えて、光の入射面１６８が形成される。なお、本発明は、ｐｉｎ型フォトダイオード以外の受光素子にも適用可能である。なお、本発明を適用できる受光素子としては、例えば、ｐｎ型フォトダイオード、アバランシェ型フォトダイオード、ＭＳＭ型フォトダイオードなどが挙げられる。
【００７３】
また、例えば、図示はしないが、発光部１４０と受光部１６０とを積層したもの（例えば、モニタフォトダイオード付きの面発光型半導体レーザなど）にも、本発明を適用することができる。
【００７４】
また、例えば、図１３に示すように、層間絶縁層１１０の上面を傾斜させることができる。図示の例では、層間絶縁層１１０の上面は、柱状部１３０側が高くなるように形成されている。これにより、例えば図１および図２に示すような例に比べ、平面視における素子面積を増やさずに、第１導電層１２７の突出部１２７ａおよび第２導電層１２９の突出部１２９ａの形成可能な面積を増やすことができる。従って、設計の自由度を向上させることができる。なお、層間絶縁層１１０の上面は、例えば、柱状部１３０の側面と層間絶縁層１１０との密着性を強くすることにより、傾斜させることができる。
【００７５】
また、例えば、図１４に示すように、第１電極１０７は、基板１０１の裏面に形成されることができる。この場合、第１電極１０７を基板１０１の裏面全面に形成することができるので、図１および図２に示す例のように、第１電極１０７を第１半導体層１０２の上に形成する場合に比べ、第１電極１０７と第２電極１０９との間の抵抗を低減することができる。例えば、図１４に示すように、光素子１００は、搭載部材（ステム）１７０上に搭載されることができる。第１導電層１２７は、突出部１２７ａと、パッド部１２７ｃと、を含む。搭載部材１７０と第１導電層１２７のパッド部１２７ｃとは、例えば第１ボンディングワイヤ１７７などにより接続される。これにより、第１導電層１２７は、第１ボンディングワイヤ１７７と、搭載部材１７０と、第１電極１０７と、基板１０１と、を介して、第１半導体層１０２と電気的に接続される。搭載部材１７０には、第１リード端子１７１と、第２リード端子１７２とが設けられている。第２リード端子１７２は、搭載部材１７０を貫通している。第２リード端子１７２の上面と、第２電極１０９とは、第２ボンディングワイヤ１７８により接続されている。第２リード端子１７２は、絶縁層１７４により、搭載部材１７０と電気的に分離されている。
【００７６】
また、例えば、図１５および図１６に示すように、第１電極１０７を第１導電層１２７とし、第２電極１０９を第２導電層１２９とすることができる。言い換えるならば、第１、第２導電層１２７，１２９は、発光部１４０を駆動するための電極であることができる。これにより、光素子１００の製造工程を簡素化することができる。第１導電層１２７は、突出部１２７ａと、接触部１２７ｄと、を含む。第１導電層１２７の接触部１２７ｄは、第１電極１０７の接触部１０７ａでもある。また、例えば、図１５および図１６に示すように、第１導電層１２７は突出部１２７ａを有し、第２導電層１２９は突出部を有しないこともできる。同様に、図示はしないが、第２導電層１２９は突出部１２９ａを有し、第１導電層１２７は突出部を有しないこともできる。即ち、第１導電層１２７および第２導電層１２９のうちの少なくとも一方は、突出部を有する。このことは、上述した光素子１００の例のすべてに適用される。
【００７７】
また、例えば、図１７に示すように、第１導電層１２７の突出部１２７ａおよび絶縁部材１２８を複数形成することもできる。図１７に示す例では、第１導電層１２７の突出部１２７ａおよび絶縁部材１２８は、３つ形成されている。２つの突出部１２７ａは、例えば第１電極１０７の接触部１０７ａの端部から、それぞれ第２電極１０９の接触部１０９ａに向かって突出している。このように、突出部１２７ａおよび絶縁部材１２８を複数形成することにより、静電破壊防止部１２０の信頼性を向上させることができる。即ち、例えば、第１導電層１２７のパターニングを行う工程において、いずれかの突出部１２７ａが所望の形状に形成されなくても、残りの突出部１２７ａが所望の形状に形成されていれば、静電破壊防止部１２０の信頼性を確保することができる。このことは、第２導電層１２９の突出部１２９ａについても同様であり、第２導電層１２９の突出部１２９ａを複数形成することができる。
【００７８】
また、例えば、図１８に示すように、第２導電層１２９を第２電極１０９の引き出し部１０９ｂとすることもできる。第１導電層１２７の突出部１２７ａの平面形状は、例えば図１８に示すような矩形である。突出部１２７ａは、図１８に示すように、例えば第１電極１０７の接触部１０７ａの端部から、第２電極１０９の引き出し部１０９ｂに向かって突出している。突出部１２７ａは、絶縁部材１２８を介して、第２電極１０９の引き出し部１０９ｂと対向している。穴１２２の平面形状は、例えば図１８に示すような矩形である。
【００７９】
なお、上述した変形例は例示に過ぎず、これらに限定されるわけではない。
【００８０】
上記のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できるであろう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。
【００８１】
例えば、上述した実施形態の光素子１００では、柱状部１３０が一つ設けられている場合について説明したが、柱状部１３０が複数個設けられている場合、あるいは、半導体多層膜１５０をパターニングする工程において、柱状部１３０を形成しない場合においても本発明の形態は損なわれない。また、複数の光素子１００がアレイ化されている場合でも、同様の作用および効果を奏する。また、例えば、上述した実施形態において、各半導体層におけるｐ型とｎ型とを入れ替えても本発明の趣旨を逸脱するものではない。また、例えば、エピタキシャルリフトオフ（ＥＬＯ）法などを用いる場合、光素子１００の基板１０１は切り離されることができる。即ち、光素子１００は基板１０１を有しないことができる。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】第１の実施形態に係る光素子を模式的に示す断面図。
【図２】第１の実施形態に係る光素子を模式的に示す平面図。
【図３】第１の実施形態に係る光素子の回路図。
【図４】第１の実施形態に係る光素子を模式的に示す断面図。
【図５】第１の実施形態に係る光素子を模式的に示す平面図。
【図６】第１の実施形態に係る光素子を模式的に示す断面図。
【図７】第１の実施形態に係る光素子の製造方法を模式的に示す断面図。
【図８】第１の実施形態に係る光素子の製造方法を模式的に示す断面図。
【図９】第１の実施形態に係る光素子の製造方法を模式的に示す断面図。
【図１０】第１の実施形態に係る光素子の製造方法を模式的に示す断面図。
【図１１】第１の実施形態に係る光素子の製造方法を模式的に示す断面図。
【図１２】第１の実施形態に係る光素子の変形例を模式的に示す断面図。
【図１３】第１の実施形態に係る光素子の変形例を模式的に示す断面図。
【図１４】第１の実施形態に係る光素子の変形例を模式的に示す断面図。
【図１５】第１の実施形態に係る光素子の変形例を模式的に示す断面図。
【図１６】第１の実施形態に係る光素子の変形例を模式的に示す平面図。
【図１７】第１の実施形態に係る光素子の変形例を模式的に示す平面図。
【図１８】第１の実施形態に係る光素子の変形例を模式的に示す平面図。
【符号の説明】
【００８３】
１００  光素子、１０１  基板、１０２  第１半導体層、１０３  活性層、１０４  第２半導体層、１０５  酸化狭窄層、１０６  最上層、１０７  第１電極、１０８  出射面、１０９  第２電極、１１０  層間絶縁層、１２０  静電破壊防止部、１２２  穴、１２７  第１導電層、１２８  絶縁部材、１２９  第２導電層、１３０  柱状部、１４０  発光部、１５０  半導体多層膜、１５２  マスク層、１６０  受光部、１６２  第１半導体層、１６３  光吸収層、１６４  第２半導体層、１６８  入射面、１７０  搭載部材、１７１  第１リード端子、１７２  第２リード端子、１７４  絶縁層、１７７  第１ボンディングワイヤ、１７８  第２ボンディングワイヤ、１８０  開口部、１９０  インクジェットノズル，１９２  インクジェットヘッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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