(57)【要約】      （修正有）【課題】多ノズル化され、かつ、チップシュリンクさえた記録素子基板のハンドリングにおいて、吸着固定を安定化させ、傷等をつけないことにより、生産効率や歩留まりの低下を防止するための静電チャック装置を提供する。【解決手段】  絶縁性吸着層２７の表面と、記録素子基板１の液体吐出口７を含む液体吐出口近傍とを接触させないための開口状（凹状）の逃げ部２７ｂが、絶縁性吸着層２７の表面に突起部２７ａを設けることで形成されている。この逃げ部２７ｂにより、液体吐出基板吸着時に、液体吐出口７を含む液体吐出口近傍が静電チャック装置２０に接触しないため、液体吐出口７をゴミ等のかみこみで傷つける事がない。【選択図】図１（ａ）
2006297652.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属基盤上に接着層を介して電極および絶縁性吸着層を順次有し、液体を吐出するための吐出口が表面に設けられた液体吐出基板を静電吸着力により把持する静電チャック装置において、
前記絶縁性吸着層の、前記液体吐出基板の前記液体吐出口を含む液体吐出口近傍と対応する部分に開口状の逃げ部が形成されていることを特徴とする静電チャック装置。
【請求項２】
前記逃げ部は、前記絶縁性吸着層の、前記液体吐出基板の前記液体吐出口を含む液体吐出口近傍と対応する部分の厚さを、前記液体吐出基板の前記液体吐出口を含む液体吐出口近傍以外に対応する部分の厚さよりも薄くして形成されていることを特徴とする請求項１に静電チャック装置。
【請求項３】
前記絶縁性吸着層は複数層からなり、前記液体吐出基板の前記液体吐出口を含む液体吐出口近傍に対応する部分は単層で構成されていることを特徴とする請求項２に記載の静電チャック装置。
【請求項４】
前記電極の一部に周囲と異なる形状を有する位置合わせマークが設けられていることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の静電チャック装置。
【請求項５】
前記金属基盤の、前記位置合わせマークに対応する部分に貫通孔が形成されていることを特徴とする請求項４に記載の静電チャック装置。
【請求項６】
前記位置合わせマークに対応する部分の前記絶縁性吸着層は、単層になっていることを特徴とする請求項５に記載の静電チャック装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インクジェット記録ヘッドの、特に、記録素子基板（液体吐出基板とも言う。）の吸着固定による移載、ハンドリングに使用する静電チャック装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より用いられているインクジェット記録ヘッドの主要部を構成する記録素子基板を、図６の（ａ），（ｂ）を用いて説明する。
【０００３】
記録素子基板（液体吐出基板）１は、基板２上に成膜技術によって電気配線や、インクが充填される液室を構成するノズル部材５などが形成されて構成されている。基板２としては、例えば、厚さ０.５〜１ｍｍのＳｉ基板が用いられる。基板２には、外部から液室内に液体を受け入れるための、長溝状の貫通口からなるインク供給口３が開口されている。基板２上の、インク供給口３の両側の位置には、電気熱変換素子４がそれぞれ１列ずつ配列され、一方の列の電気熱変換素子４と他方の列の電気熱変換素子４は千鳥状に配置されている。
【０００４】
液室９は、各インク供給口３に連通し、各インク供給口３の両側に形成された電気熱変換素子４を内包するように形成されている。液室９内には、インク供給口３から各電気熱変換素子４上の位置に通じるインク流路６が形成されており、各電気熱変換素子４の上方に吐出口７が開口している。
【０００５】
一方、前述の記録素子基板１を用いて、インクジェットヘッドを製造する際には、従来、図７の（ａ），（ｂ）に示すように真空吸着固定による移載、すなわち、バキュームピンセット２００によりハンドリングが行われている。この際、吐出口７を真空吸着すると、各インク供給口３が吸引口になり、空気中のごみが、各電気熱変換素子４の表面に堆積し、焦げの要因となる。また、空気中のごみが、吐出口７に付着し、目詰まりの要因となる。そのため、記録素子基板１のバキュームピンセット２００は、吐出口周辺を除いた部分（図６（ａ）、図７（ａ）中の斜線部）を真空吸着している。
【０００６】
また、一方、吸着固定の他方式として、静電吸着があり、半導体ウェハーの成膜プロセス装置のステージにおいて、静電チャックとして商品化されているが、チップをハンドリングするピンセットの様な製品は、見受けられない。
【０００７】
また、特許文献１や２には、静電チャックに印加する電荷を変化させることで、ウェハーの脱着を容易にすることが開示されている。また、特許文献３では、金属基盤上に静電チャック用シートを接着剤を介して接着し、ポリイミドフィルムよりなる第１の絶縁層、第１の接着層、第１の絶縁層の被吸着物を載置する面に分極電荷を発生させる為の銅箔よりなる電極層、第２の接着層、及びポリイミドフィルムよりなる第２の絶縁層を順次積層してなる積層体であることを特徴とする静電チャック装置が開示されている。
【０００８】
上記の静電チャック装置は、主に真空中でウェハーにイオンビームエッチングや、イオン注入、プラズマエッチング、プラズマＣＶＤ等の加工をするもので、ウェハーの配線面と反対側の裏面をチャックするのに用いられている。
【特許文献１】特許第02576294号明細書
【特許文献２】特許第02779950号明細書
【特許文献３】特公平5-87177号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上述したような記録素子基板１をチャッキングしてインクジェット記録ヘッドを組み立てるには、以下のような課題がある。
【００１０】
近年のフォトグレードに代表されるような、記録画像の多色化、高画質化に伴い、インクジェット記録ヘッドとしては、ノズル数の増加などが図られている。また、プリンタの低価格化に応えるため、記録素子基板の電子回路の高集積化による小型化、すなわち、チップシュリンクが進められている。
【００１１】
図７に示すチップシュリンクされた記録素子基板１の幅Ｗが例えば１ｍｍであった場合、この吸引口２００ｖは開口幅が０．２ｍｍ以下となり、真空吸着面積が減少し、不安定な吸着固定を生じやすい。また、その外側の接触部２００ｆの幅は片側で０．１ｍｍ程度しか取れず、現実にはナイフエッジのようになってしまう為、ノズル部材５を傷つけてしまうことや、バキュームピンセット２００と記録素子基板１のノズル部材５との位置合わせが困難である為に、位置合わせが不十分な状態で、ハンドリングを行うと、吐出口７に傷をつけてしまうことがあった。
【００１２】
このように、多ノズル化され、かつ、チップシュリンクされた記録素子基板では、吐出口周辺を除いた真空吸着面積が減少し、不安定な吸着固定を生じやすい。よって、インクジェット記録ヘッド生産工程の記録素子基板のハンドリングにおいて、ピックアップエラーによる生産効率の低下や搭載位置精度ずれによる歩留まり低下が課題となってきている。
【００１３】
更に、ハンドリング時の接触による吐出口の傷も歩留まり低下の原因になっている。前述の静電チャックにおいても、通常は、ウェハーの裏面をチャッキングする為、傷に対しては殆ど考慮されていなかった。例えば、ハンドリング時の接触において静電チャック装置と液体吐出基板の吐出口近傍との間にゴミ等をかみこむと吐出口を損傷する。
【００１４】
本発明は上記の従来技術の問題点に着目してなされたものである。本発明の目的は、多ノズル化され、かつ、チップシュリンクされた記録素子基板のハンドリングにおいて、吸着固定を安定化させ、傷等をつけないことにより、生産効率や歩留まりの低下を防止するための静電チャック装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を達成するため、本発明は、金属基盤上に接着層を介して電極および絶縁性吸着層を順次有し、液体を吐出するための吐出口が表面に設けられた液体吐出基板を静電吸着力により把持する静電チャック装置において、前記絶縁性吸着層の、前記液体吐出基板の前記液体吐出口を含む液体吐出口近傍と対応する部分に開口状の逃げ部が形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の静電チャック装置によれば、インクジェット記録ヘッド生産工程の記録素子基板のハンドリングにおいて、液体吐出口にゴミ等のかみこみを起こさない、正確なハンドリングが可能となる。その結果、生産効率や歩留まりの低下を防止することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
【００１８】
（第１の実施形態）
図１（ａ），図１（ｂ）は、第１の実施形態の静電チャック装置の静電吸着固定状態を示す図で、この静電チャック装置は図６の（ａ），（ｂ）で示した記録素子基板（液体吐出基板）を吸着するものである。
【００１９】
前述のように、記録素子基板１は、基板２上に成膜技術によって電気配線や、インクが充填される液室を構成する部材などが形成されて構成されている。基板２としては、例えば、厚さ０.５〜１mmのＳｉ基板が用いられる。基板２には、外部から液室内に液体を受け入れるための、長溝状の貫通口からなる１つ以上のインク供給口３が開口されている。基板２上の、インク供給口３の両側の位置には電気熱変換素子（エネルギー発生手段）４がそれぞれ１列ずつ配列されている。
【００２０】
液室は、インク供給口３に連通し、インク供給口３の両側に形成された電気熱変換素子４を内包するように形成されている。液室内には、インク供給口３から各電気熱変換素子４上の位置に通じるインク流路が形成されており、各電気熱変換素子４の上方に、それに対向する位置に吐出口７が開口している。
【００２１】
インク供給口３は、基板２の結晶方位を利用し、異方性エッチングによって、電気熱変換素子４の形成面から裏面に向かって広がった形状に開口されている。また、液室を形成するノズル部材５は、フォトリソ技術によって所定のパターンで成膜された、エポキシ系材料の構造膜からなっている。この記録素子基板１は、電極６からの電気信号により、インク流路から供給されたインク中に電気熱変換素子４によって気泡を発生させて、吐出口７からインクを吐出させるものである。
【００２２】
ところで、前述の従来例で述べたように、このような、記録素子基板１の移載、すなわち、ハンドリングには、真空吸着によるバキュームピンセットが、利用されている。一方、吸着固定の他の方式として、静電吸着があり、半導体ウェハーの成膜プロセス装置のステージにおいて、静電チャックとして商品化されている。
【００２３】
本実施形態では、上述の記録素子基板１を用いてインクジェットヘッドを製造する際に、静電吸着固定による移載、すなわち、エアバキュームを使わない静電チャック装置２０により強力に吸着してハンドリングをするものである。特に吸着の際に、ゴミ等の異物をかみこむことにより吐出口７を傷つけることを防止するために、ハンドリング時に静電チャック装置２０が吐出口７に接触しないことが特徴である。すなわち、絶縁性吸着層２７は、記録素子基板（液体吐出基板）１の液体吐出口７を含む液体吐出口近傍に対応する部分の厚さが、前記記録素子基板１の液体吐出口を含む液体吐出口近傍以外に対応する部分の厚さより薄いことが特徴である。
【００２４】
本実施形態について、図１（ａ），図１（ｂ）を使用して、詳細に説明する。図１（ａ）は図１（ｂ）のＡ−Ａ’断面図で、図１（ｂ）は図１（ａ）の矢印Ｂから見た矢視図である。図１（ａ）のように、静電チャック装置２０は、金属基盤２１の上に接着層２２を介してプラス電極２３、マイナス電極２４が積層され、さらに、これらの上に接着層２６を介して絶縁性吸着層２７が積層されている。尚、絶縁性吸着層２７には、耐電圧特性に優れたポリイミドフィルムを用いるのが好ましい。ポリイミドフィルムとしては、デュポン社製のカプトン、宇部興産製のユーピレックス等が挙げられる。更に同種の材料として、東洋紡績社製のバイオレックス等のポリアミドイミドフィルムが挙げられる。また、接着層２２，２６には、ポリイミド系、エポキシ系、変性ポリアミド系のものが好ましい。
【００２５】
図１（ｂ）には、静電チャック装置２０の絶縁性吸着層２７の表面に吸着される記録素子基板１を２点鎖線で示しており、その二点鎖線の二重枠のうちの内側の枠に囲まれた領域が、記録素子基板１の液体吐出口７を含む液体吐出口近傍に相当している。
【００２６】
ここで、絶縁性吸着層２７の表面と、記録素子基板１の液体吐出口７を含む液体吐出口近傍（図１（ｂ）に示す２点鎖線の二重枠のうちの内側の枠に囲まれた領域）とを接触させないための開口状（凹状）の逃げ部２７ｂが、絶縁性吸着層２７の表面に突起部２７ａを設けることで形成されている。この逃げ部２７ｂにより、液体吐出基板吸着時に、液体吐出口７を含む液体吐出口近傍が静電チャック装置２０に接触しないため、液体吐出口７をゴミ等のかみこみで傷つける事がない。この突起部２７ａは、塗布型のポリアミドイミド等を使用して形成されており、実質的に絶縁性吸着層２７の厚さを変えていることになる。この塗布型のポリアミドイミドとしては、東洋紡績製のバイオマックス等が挙げられる。
【００２７】
ここで、本実施形態の静電チャック装置２０の電極は、図１（ｂ）に示すようにプラス電極２３とマイナス電極２４を櫛歯状に構成した双極型であり、この電極に２ｋＶの電圧をかけて記録素子基板１との表面に電位差を生じさせ、吸着固定したところ、電位による破壊もなく、良好な吸着状態であった。
【００２８】
（第２の実施形態）
図２（ａ），図２（ｂ）は、第２の実施形態の静電チャック装置の静電吸着固定状態を示す図で、本実施形態の静電チャック装置も図６の（ａ），（ｂ）で示した記録素子基板（液体吐出基板）を吸着するものである。なお、図２（ａ），図２（ｂ）では第１の実施形態と同一の構成要素には同一符号を付している。
【００２９】
本実施形態について、図２（ａ），図２（ｂ）を使用して、詳細に説明する。図２（ａ）は図２（ｂ）のＡ−Ａ’断面図で、図２（ｂ）は図２（ａ）の矢印Bから見た矢視図である。
【００３０】
図２（ａ）のように、静電チャック装置３０は、金属基盤２１の上に接着層２２を介してプラス電極２３、マイナス電極２４が積層され、これらの上に接着層２６を介して絶縁性吸着層２７が接着され、さらに、絶縁性吸着層２７の上に接着層２８を介して、液体吐出基板１と吸着接触する絶縁性吸着層２９が積層されている。尚、絶縁性吸着層２７，２９には、前述の第１の実施形態と同様、耐電圧特性に優れたポリイミドフィルムを用いるのが好ましい。また、接着層２２，２６，２８も前述の第１の実施形態と同様、ポリイミド系、エポキシ系、変性ポリアミド系のものが好ましい。
【００３１】
図２（ｂ）には、静電チャック装置３０の絶縁性吸着層２９の表面に吸着される記録素子基板１を２点鎖線で示しており、その二点鎖線の二重枠のうちの内側の枠に囲まれた領域が、記録素子基板１の液体吐出口７を含む液体吐出口近傍に相当している。
【００３２】
ここで、絶縁性吸着層２９の表面と、記録素子基板１の液体吐出口７を含む液体吐出口近傍（図２（ｂ）に示す２点鎖線の二重枠のうちの内側の枠に囲まれた領域）とを接触させないための逃げ部２９ａが、絶縁性吸着層２９に開口を設けることで形成されている。言い換えれば、本実施形態の静電チャック装置は、２層の絶縁性吸着層２７，２９からなる絶縁性吸着層を有し、この絶縁性吸着層の、記録素子基板１の液体吐出口７を含む液体吐出口近傍に対応する部分は絶縁性吸着層２９に開口を設けることによって絶縁性吸着層２７のみの単層で構成し、記録素子基板１の液体吐出口７を含む液体吐出口近傍以外に対応する部分は２層の絶縁性吸着層２７，２９からなることを特徴とする。これにより、前述の第１の実施形態と同様、液体吐出口７をゴミ等のかみこみで傷つける事がない。
【００３３】
（第３の実施形態）
図３（ａ），図３（ｂ）は、第３の実施形態の静電チャック装置の静電吸着固定状態を示す図で、この静電チャック装置は図６の（ａ），（ｂ）で示した記録素子基板（液体吐出基板）を吸着するものである。なお、図３（ａ），図３（ｂ）では第１および第２の実施形態と同一の構成要素には同一符号を付している。
【００３４】
本実施形態について、図３（ａ），図３（ｂ）を使用して、詳細に説明する。図３（ａ）は図３（ｂ）のＡ−Ａ’断面図で、図３（ｂ）は図３（ａ）の矢印Ｂから見た矢視図である。
【００３５】
図３（ｂ）のように、本実施形態の静電チャック装置４０は前述の第２の実施形態に加えて、プラス電極２３とマイナス電極２４の一部に周囲と異なる形状を有する位置合わせマーク４１を備えている。
【００３６】
これは、記録素子基板１を静電チャック装置により吸着してハンドリングしてインクジェット記録ヘッドを製造する際に、前述の第２の実施形態における逃げ部２７ｂと、記録素子基板１の液体吐出口７を含む液体吐出口近傍との位置合わせは、０．１ｍｍ以下の精度で行う必要があり、カメラ等を使用して確実に位置合わせが出来なければならないためである。従って、カメラを使用しての位置合わせには、プラス電極２３とマイナス電極２４の一部に、周囲と異なる形状を有する位置合わせマーク４１を設けることが有効である。位置合わせマーク４１はプラス電極２３とマイナス電極２４をエッチングで作製するときに一緒に形成すればよい。
【００３７】
また、本実施形態では絶縁性吸着層２７，２９、接着層２２，２６，２８のいずれも光透過性を持つものとする。本実施形態の静電チャック装置４０の他の構成は、前述の第２の実施形態と同様である。
【００３８】
逃げ部２９ａと、記録素子基板１の液体吐出口７を含む液体吐出口近傍との正確な位置合わせのためには、あらかじめ静電チャック装置４０の位置合わせマーク４１と逃げ部２９ａの位置関係を測定しておき、記録素子基板１を静電チャック装置４０により吸着する際に、カメラにより位置合わせマーク４１と記録素子基板１の任意の位置合わせマーク（不図示）とを読み取り、その後あらかじめ測定しておいた静電チャック装置４０の位置合わせマーク４１と逃げ部２９ａの位置関係を補正することで可能である。なお、カメラにより位置合わせマーク４１を読み取る場合は、矢印Ｂの方向から光を照射し、このときの位置合わせマーク４１の反射像をカメラで認識することになる。また、本実施形態のように絶縁性吸着層２７，２９にポリイミドフィルムを用いた場合、インクジェットヘッドを長期間製造すると、ポリイミドフィルム表面に傷がついたり、接着層が剥がれたり、耐電圧特性が劣化する場合がある。そのような場合、別の静電チャック装置と交換する必要があり、本実施形態のように、あらかじめ静電チャック装置の位置合わせマーク４１と逃げ部２９ａの位置関係を測定しておけばよい。
【００３９】
このように、本実施形態によれば、記録素子基板１を静電チャック装置４０により吸着し、ハンドリングしてインクジェットヘッドを組み立てる際に、前述の第２の実施形態における逃げ部２９ａと、記録素子基板１の液体吐出口７を含む液体吐出口近傍との位置合わせをすることが可能となる。
【００４０】
（第４の実施形態）
図４（ａ），図４（ｂ）は、第４の実施形態の静電チャック装置の静電吸着固定状態を示す図で、この静電チャック装置も図６の（ａ），（ｂ）で示した記録素子基板（液体吐出基板）を吸着するものである。なお、図４（ａ），図４（ｂ）では第１〜３の実施形態と同一の構成要素には同一符号を付している。
【００４１】
本実施形態について、図４（ａ），図４（ｂ）を使用して、詳細に説明する。図４（ａ）は図４（ｂ）のＡ−Ａ’断面図で、図４（ｂ）は図４（ａ）の矢印Ｂから見た矢視図である。
【００４２】
図４（ｂ）に示すように、本実施形態の静電チャック装置５０は、プラス電極２３、マイナス電極２４の一部に周囲と異なる形状を有する位置合わせマーク４１を設けている点で、前述の第３の実施形態と同様である。本実施形態では前述の第３の実施形態に加えて、金属基盤２１の、位置合わせマーク４１に対応する部分に貫通穴２１ａを設け、位置合わせマーク４１をカメラにより認識する際に、透過光を照射可能にしたものである。本実施形態の静電チャック装置５０の他の構成は、前述の第２及び第３の実施形態と同様である。
【００４３】
プラス電極２３，マイナス電極２４の各々に設けられた位置合わせマーク４１をカメラにより認識する場合、第３の実施形態のように位置合わせマーク４１に向けて照光しその反射像をカメラで得る方法では絶縁性吸着層２７の表面反射の影響で位置認識精度が低くなることがある。この為、本実施形態のように、金属基盤２１の貫通穴２１ａを通して位置合わせマーク４１を照光しその透過像を認識する方が位置認識精度の点でより有効である。
【００４４】
本実施形態によれば、静電チャック装置５０の逃げ部２９ａと、記録素子基板１の液体吐出口７を含む液体吐出口近傍との位置合わせを、第３の実施形態よりも高精度に行うことが可能となる。
【００４５】
尚、本実施形態のように金属基盤２１の貫通穴２１ａ通して位置合わせマーク４１を照明し、その透過像をカメラで認識する際に、静電チャック装置の絶縁特性上、絶縁性吸着層２７を介して認識することが必須であるため、絶縁性吸着層２７の、位置合わせマーク４１に対応する箇所には絶縁性吸着層２９が積層されていないことが望ましい。つまり、位置合わせマーク４１に対応する部分は絶縁性吸着層２７の単層のみになっていることが望ましい。
【００４６】
（第５の実施形態）
図５（ａ），図５（ｂ）は、第５の実施形態の静電チャック装置の静電吸着固定状態を示す図で、この静電チャック装置も図６の（ａ），（ｂ）で示した記録素子基板（液体吐出基板）を吸着するものである。なお、図５（ａ），図５（ｂ）では第１〜４の実施形態と同一の構成要素には同一符号を付している。
【００４７】
本実施形態について、図５（ａ），図５（ｂ）を使用して、詳細に説明する。図５（ａ）は図５（ｂ）のＡ−Ａ’断面図で、図５（ｂ）は図５（ａ）の矢印Ｂから見た矢視図である。
【００４８】
図５（ｂ）に示すように、本実施形態の静電チャック装置６０は図６の（ａ），（ｂ）で示した記録素子基板（液体吐出基板）を２つ同時に吸着可能にしたものである。例えばカラープリントを可能にするインクジェットヘッドの場合、ブラックインク用の記録素子基板１Ｂとカラーインク用の記録素子基板１Ｃの２つが搭載される。このような２つの記録素子基板１Ｂ，１Ｃを吸着可能となる静電チャック装置６０を構成するには、図５（ａ）に示すように、金属基盤２１の上に接着層２２を介してプラス電極２３Ａとマイナス電極２４Ａの組、プラス電極２３Ｂとマイナス電極２４Ｂの組が積層され、これらの電極上に接着層２６を介して絶縁性吸着層２７が積層され、さらに、絶縁性吸着層２７の上に、液体吐出基板１Ｂ，１Ｃと吸着接触する２つの絶縁性吸着層２９Ａ，２９Ｂがそれぞれ、接着層２８を介して積層されている。
【００４９】
尚、絶縁性吸着層２７，２９Ａ，２９Ｂには、前述の第２〜第４の実施形態と同様、耐電圧特性に優れたポリイミドフィルムを用いるのが好ましい。また、プラス電極２３Ａとマイナス電極２４Ｂにはそれぞれ前述の第３及び第４の実施形態と同様、位置合わせマーク４１が設けられている。
【００５０】
さらに、本実施形態では、金属基盤２１の、位置合わせマーク４１に対応する部分に貫通穴２１ａを設け、位置合わせマーク４１をカメラにより認識する際に、透過光を照射可能にしたのは前述の第４の実施形態と同様である。
【００５１】
本実施形態の静電チャック装置６０は、液体吐出口（不図示）が設けられたブラックインク用の記録素子基板１Ｂとカラーインク用の記録素子基板１Ｃを使用してインクジェット記録ヘッド（不図示）を組み立てるために使用されるもので、それぞれの記録素子基板の液体吐出口（不図示）を含む液体吐出口近傍と接触しないように、各々に逃げ部２９ａが設けられた２つの絶縁性吸着層２９Ａ，２９Ｂが、この静電チャック装置６０で組み立てられるインクジェットヘッド（不図示）でのブラックインク用の記録素子基板１Ｂとカラーインク用の記録素子基板１Ｃの配置と等しくなるように貼り付けられている。
【００５２】
複数の記録素子基板を吸着する静電チャック装置６０においても前述の実施例同様、絶縁性吸着層６８Ｂ，６８Ｃの各逃げ部６８ｂと、記録素子基板１Ｂ，１Ｃの液体吐出口を含む液体吐出口近傍との正確な位置合わせのためには、あらかじめ静電チャック装置６０の位置合わせマーク４１と逃げ部２９ａとの位置関係を測定しておき、記録素子基板１Ｂ，１Ｃを静電チャック装置６０により吸着する際に、カメラにより位置合わせマーク４１と記録素子基板１Ｂ，１Ｃの任意の位置合わせマーク（不図示）とを読み取り、その後、あらかじめ測定しておいた静電チャック装置６０の位置合わせマーク４１と逃げ部２９ａとの位置関係を補正することで、液体吐出口にゴミ等のかみこみを起こさない、正確な吸着位置決めが可能である。特に、複数の記録素子基板を吸着する静電チャック装置６０においては、あらかじめ測定しておいた静電チャック装置６０の位置合わせマーク４１と複数の記録素子基板に対する逃げ部２９ａの位置関係の管理が重要で、逆に、静電チャック装置６０を製作する際に、位置合わせマーク４１を基準に逃げ部２９ａの位置を測定しながら２つの絶縁性吸着層２９Ａ，２９Ｂを貼り付けることが必要になる。
【００５３】
本実施形態は、２つの記録素子基板１Ｂ，１Ｃに適用されるものについて述べたが、これに限られるわけではなく、近年多く使用されている写真画質のインクジェット記録装置のように６つの記録素子基板を使用するものでも、非常に有効である。
【００５４】
本実施形態によれば、複数の記録素子基板を吸着する静電チャック装置でも液体吐出口にゴミ等のかみこみを起こさない、正確な吸着位置決めが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１（ａ）】本発明の第１の実施形態の静電チャック装置を示す図であり、図１（ｂ）のＡ−Ａ’断面図である。
【図１（ｂ）】本発明の第１の実施形態の静電チャック装置を示す図であり、図１（ａ）の矢印Ｂから見た矢視図である。
【図２（ａ）】本発明の第２の実施形態の静電チャック装置を示す図であり、図２（ｂ）のＡ−Ａ’断面図である。
【図２（ｂ）】本発明の第２の実施形態の静電チャック装置を示す図であり、図２（ａ）の矢印Ｂから見た矢視図である。
【図３（ａ）】本発明の第３の実施形態の静電チャック装置を示す図であり、図３（ｂ）のＡ−Ａ’断面図である。
【図３（ｂ）】本発明の第３の実施形態の静電チャック装置を示す図であり、図３（ａ）の矢印Ｂから見た矢視図である。
【図４（ａ）】本発明の第４の実施形態の静電チャック装置を示す図であり、図４（ｂ）のＡ−Ａ’断面図である。
【図４（ｂ）】本発明の第４の実施形態の静電チャック装置を示す図であり、図４（ａ）の矢印Ｂから見た矢視図である。
【図５（ａ）】本発明の第５の実施形態の静電チャック装置を示す図であり、図５（ｂ）のＡ−Ａ’断面図である。
【図５（ｂ）】本発明の第５の実施形態の静電チャック装置を示す図であり、図５（ａ）の矢印Ｂから見た矢視図である。
【図６】本発明に使用される記録素子基板を説明する図である。
【図７】従来の記録素子基板のハンドリングを説明する図である。
【符号の説明】
【００５６】
１，１Ｂ、１Ｃ  記録素子基板（液体吐出基板）
７    吐出口
２０、３０、４０、５０、６０  静電チャック装置
２１    金属基盤
２１ａ    貫通穴
２２    接着層
２３，２３Ａ，２３Ｂ    プラス電極
２４，２４Ａ，２４Ｂ    マイナス電極
２７，２９，２９Ａ，２９Ｂ    絶縁性吸着層
２７ａ    突起部
２７ｂ，２９ａ    逃げ部
４１    位置合わせマーク
【図１（ａ）】
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【図１（ｂ）】
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【図２（ａ）】
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【図２（ｂ）】
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【図３（ａ）】
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【図３（ｂ）】
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【図４（ａ）】
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【図４（ｂ）】
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【図５（ａ）】
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【図５（ｂ）】
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【図６】
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【図７】
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