(57)【要約】【課題】  比較的低コストで所要の微細配線パターンを容易に形成可能とし、更なる高密度配線化に寄与することができる「配線基板の製造方法」を提供すること。【解決手段】  耐熱性を有し、アルカリ性溶液で可溶なシート状基材１０に、金型１を用いたエンボス加工により、配線パターンの形状に対応した凹部を転写し、凹部を充填して面全体に導体１１を形成した後、シート状基材１０の面が露出するまで導体１１を研磨して平坦化し、さらに露出している導体１２，１３の面を粗化する。この後、下層の配線層を覆って形成された絶縁層上に半硬化状態の樹脂層を介在させて、シート状基材１０の粗化された側の面を重ね合わせて接着し、最後にシート状基材１０をアルカリ性溶液で溶解除去する。【選択図】  図２
2006147701.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
耐熱性を有し、かつアルカリ性溶液で可溶な材料からなるシート状基材に、エンボス加工により、所要の配線パターンの形状に対応した凹部を転写する工程と、
前記シート状基材の前記凹部が転写されている側の面に、該凹部を充填して面全体に導体を形成する工程と、
前記導体を、前記シート状基材の面が露出するまで研磨し、平坦化する工程と、
前記シート状基材の面から露出している前記凹部に充填された導体の面を粗化する工程と、
下層の配線層を覆って形成された絶縁層上に半硬化状態の樹脂層を介在させて、前記シート状基材の粗化された側の面を重ね合わせてラミネートする工程と、
前記シート状基材をアルカリ性溶液で溶解除去する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
耐熱性を有し、かつアルカリ性溶液で可溶な材料からなるシート状基材に、エンボス加工により、所要の配線パターンの形状に対応した凹部を転写する工程と、
前記シート状基材の前記凹部が転写されている側の面に、該凹部を充填して面全体に導体を形成する工程と、
前記導体を、前記シート状基材の面上に該導体の一部が層状に残るように研磨し、平坦化する工程と、
前記シート状基材の面上に残された層状の導体の面を粗化する工程と、
下層の配線層を覆って形成された絶縁層上に半硬化状態の樹脂層を介在させて、前記シート状基材の粗化された側の面を重ね合わせてラミネートする工程と、
前記シート状基材をアルカリ性溶液で溶解除去する工程と、
前記樹脂層の面が露出するまで前記層状の導体をエッチングにより除去する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記エンボス加工により前記所要の配線パターンの形状に対応した凹部を転写する工程において、該凹部の形状に合致した凸部を押圧面側に有し、かつ、当該配線パターンのランド部分に対応する凸部の内側に該凸部と同じ高さの凹部を有するように成形された型を用いて当該エンボス加工を行い、
最終的に前記配線パターンが前記樹脂層上に形成された後、該配線パターンのランド部分において露出している樹脂層に、前記下層の配線層に達するビアホールを形成し、さらに該ビアホールに導体を充填する工程を含むことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記エンボス加工により前記所要の配線パターンの形状に対応した凹部を転写する工程において、該凹部の形状に合致した凸部を押圧面側に有し、かつ、当該配線パターンのランド部分に対応する凸部の突出端面内に更に突起状の凸部を有するように成形された型を用いて当該エンボス加工を行い、
最終的に前記配線パターンが前記樹脂層上に形成された後、該配線パターンのランド部分において前記突起状の凸部の形状に対応した導体により、層間絶縁層を介して上層に形成された配線パターンとの層間接続を行うことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記シート状基材を構成する材料として、光硬化性樹脂又は熱硬化性樹脂を用いることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線パターンを形成する技術に係り、特に、高密度配線を実現するのに適応された配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子部品の小型化に伴い部品内部の配線パターンの高密度化が進んできている。このような電子部品では、ライン幅及びライン間スペースが微細な配線パターンを形成する必要があり、また、配線抵抗を下げるために配線パターンの膜厚を厚くすることが要求される。このような要求を満足する電子部品の配線パターンを形成する方法としては、代表的にフォトリソグラフィ技術を利用した方法がある。
【０００３】
フォトリソグラフィ技術を利用して配線パターンを形成する方法は、一般的に当業者には周知の技術であるので特に図示はしないが、その典型的な工程として、配線パターンに対応してフォトマスクを作製する工程、配線パターンが形成される基板の表面に導体層と感光性のレジストを形成する工程、フォトマスクをレジストの上に重ねて露光する工程、露光処理後に現像し、レジストの未露光部分を除去する工程、配線パターンとなる導体層以外の部分の導体層をエッチングして除去する工程、導体層（配線パターン）上に残されたレジストを除去する工程を含む。この方法では感光性のレジストを用いており、かかる感光性のレジストは、一般的に露光表面においてかなり微細で正確なパターニングが可能であるため、ライン幅及びライン間スペースが微細な配線パターンを形成することができる。現状の技術では、ライン幅（Ｌ）、ライン間スペース（Ｓ）ともに、Ｌ，Ｓ＝１０〜１３μｍ程度となっている。
【０００４】
また、微細な配線パターンを形成する別の方法として、配線パターンの転写を利用した方法が知られている。例えば、特許文献１に記載された技術では、フィルム基材に形成された溝部に導体ペーストを充填し、これを表面に接着層が形成されたセラミック基材上に張り合わせ、フィルム基材を剥離してセラミック基材上に配線パターンを形成（転写）した後、これらを焼成している。
【特許文献１】特開２０００−１８３５０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述したように従来のフォトリソグラフィ技術を利用した配線パターン形成技術では、パターンの線幅やパターン間隔が微細な配線パターン（導体）を形成することが可能であるが、導体膜厚を厚くするためには成膜時間が長くかかるといった問題があった。また、この方法による配線パターンの形成には、フォトマスクの製作、レジスト形成、露光、現像、エッチング、レジスト除去といった多くの工程が必要であるため、工程が複雑化して時間がかかり、使用する装置設備も高価であり、ひいては製造コストが高くなるといった問題があった。
【０００６】
また、上述したように配線パターンの高密度化（現状の技術では、Ｌ，Ｓ＝１０〜１３μｍ程度）が進んできてはいるものの、使用する露光パターニング用レジストの制約などもあり、露光処理による高密度配線化が限界となってきている。このため、かかる露光処理を行わずに別の手段（例えば、上記の特許文献１に教示されるような配線パターンの転写を利用した方法）により高密度配線を実現することができれば望ましい。
【０００７】
本発明は、かかる従来技術における課題に鑑み創作されたもので、上記の従来技術（特許文献１）とは別のアプローチから、比較的低コストで所要の微細配線パターンを容易に形成可能とし、更なる高密度配線化に寄与することができる配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の従来技術の課題を解決するため、本発明の一形態によれば、耐熱性を有し、かつアルカリ性溶液で可溶な材料からなるシート状基材に、エンボス加工により、所要の配線パターンの形状に対応した凹部を転写する工程と、前記シート状基材の前記凹部が転写されている側の面に、該凹部を充填して面全体に導体を形成する工程と、前記導体を、前記シート状基材の面が露出するまで研磨し、平坦化する工程と、前記シート状基材の面から露出している前記凹部に充填された導体の面を粗化する工程と、下層の配線層を覆って形成された絶縁層上に半硬化状態の樹脂層を介在させて、前記シート状基材の粗化された側の面を重ね合わせてラミネートする工程と、前記シート状基材をアルカリ性溶液で溶解除去する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法が提供される。
【０００９】
この形態に係る配線基板の製造方法によれば、従来技術において代表的に用いられていたフォトリソグラフィ技術（露光処理）を利用せずに、エンボス加工による配線パターンの転写を利用しているので、比較的低コストで所要の微細配線パターンを容易に形成することができ、更なる高密度配線化が可能となる。
【００１０】
また、本発明の他の形態によれば、耐熱性を有し、かつアルカリ性溶液で可溶な材料からなるシート状基材に、エンボス加工により、所要の配線パターンの形状に対応した凹部を転写する工程と、前記シート状基材の前記凹部が転写されている側の面に、該凹部を充填して面全体に導体を形成する工程と、前記導体を、前記シート状基材の面上に該導体の一部が層状に残るように研磨し、平坦化する工程と、前記シート状基材の面上に残された層状の導体の面を粗化する工程と、下層の配線層を覆って形成された絶縁層上に半硬化状態の樹脂層を介在させて、前記シート状基材の粗化された側の面を重ね合わせてラミネートする工程と、前記シート状基材をアルカリ性溶液で溶解除去する工程と、前記樹脂層の面が露出するまで前記層状の導体をエッチングにより除去する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法が提供される。
【００１１】
この形態に係る配線基板の製造方法によれば、研磨（平坦化）処理を止めるタイミングが異なっている点、露出している層状の導体をエッチング除去する工程が増えた点を除けば、上記の形態に係る配線基板の製造方法と実質的に同じであるので同様の効果を奏することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の一実施形態に係る配線基板の製造方法について、その配線形成工程を示す図１〜図３を参照しながら説明する。
【００１３】
先ず最初の工程では（図１、図２（ａ）参照）、所定の材料からなるシート状基材１０に、加熱を伴うエンボス加工により、所要の配線パターンの形状に対応した凹部を転写する。このシート状基材１０は、後述するように配線パターンを一時的に転写しておくための部材にすぎず、後の工程で容易に除去される必要があるため、本実施形態では、配線パターンにダメージを与えないような「アルカリ性溶液に可溶である」という条件が要求される。また、シート状基材１０には、本工程で行う熱処理や後の工程で配線パターンの下地層への接着（転写）の際に行う熱処理にも十分耐えられるだけの「耐熱性」も要求される。
【００１４】
このような条件（耐熱性を有し、アルカリ性溶液に可溶であること）を満たすシート状基材１０を構成する材料としては、例えば、露光パターニング用レジストの材料として典型的に用いられている光硬化性のアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等が好適に用いられる。かかる光硬化性樹脂に代えて、熱硬化性のエポキシ系樹脂やフェノール樹脂等を用いてもよい。
【００１５】
また、上記の加熱を伴うエンボス加工（ホットエンボス法）は、図１に例示するような金型１を用いて行う。図１において、（ａ）は（ｂ）のＢ−Ｂ’線に沿って見たときの、金型１をシート状基材１０に押圧して上記の凹部を転写する様子を模式的に示したものであり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線に沿って金型１の押圧面ＰＳ側から見た平面構成を模式的に示したものである。この金型１は、図示のように押圧面ＰＳ側に所要の配線パターンの形状に対応した凸部２，３を有し、かつ、当該配線パターンのランド部分に対応する凸部３の内側に該凸部と同じ高さの凹部３ａを有するように成形されている。凸部２，３は、所要の配線パターンの形状に対応した凹部の形状に合致しており、これにより、当該配線パターンの幅と厚みを規定する。本実施形態では、凸部２，３の幅は８〜１０μｍ程度、厚みは１５μｍ程度に選定されている。
【００１６】
このように配線パターンの形状に対応した凸部２，３をシート状基材１０に押圧することで、当該凸部に対応した凹部（配線パターン溝）をシート状基材１０に転写することができる。図２（ａ）は、凹部（配線パターン溝）をシート状基材１０に転写した後の状態を示している。なお、図１（ａ）において、５はシート状基材１０を支持するための支持体を示す。また、本工程では金属からなる金型１を用いているが、この金型に代えて、ガラスからなる「型」を用いることも可能である。
【００１７】
次の工程では（図２（ｂ）参照）、金型１からシート状基材１０を取り外した後、このシート状基材１０の凹部が転写されている側の面（図示の例では、上側）に、当該凹部を充填して面全体に導体層１１を形成する。例えば、凹部の内壁を含めて全面（凹部が形成されている側の面）に、無電解めっきにより銅（Ｃｕ）のシード層を形成し、さらにこのシード層を給電層として電解めっきによりＣｕの導体層１１を形成する。ここに、シート状基材１０の凹部に埋め込まれた導体の部分は、配線パターンとなる部分である。なお、この段階では電解Ｃｕめっきによる堆積処理が行われているにすぎないので、図示のように導体層１１の表面は平坦とはなっていない（つまり、凹凸がある）。
【００１８】
なお、本工程では無電解Ｃｕめっきと電解Ｃｕめっきにより導体層１１を形成しているが、他の手段として、例えば、無電解Ｃｕめっきに代えてスパッタリングや蒸着等を行ってもよいし、電解Ｃｕめっきに代えてＣＶＤ法等を用いてもよい。
【００１９】
次の工程では（図２（ｃ）参照）、シート状基材１０の凹部を充填して面全体に形成された導体層１１（図２（ｂ））の表面を、例えば、機械研磨により研磨して平坦化し、この研磨処理をシート状基材１０の表面（すなわち、配線パターン１２，１３の面）が露出するまで継続し、当該表面が露出した時点で研磨（平坦化）処理を止める。
【００２０】
機械研磨としては、バフ研磨、ベルト研磨、パミス研磨等が好適に用いられる。図示の例はバフ研磨の様子を模式的に示しており、これは、研磨材を埋め込んだ円筒状のバフ６（例えば、不織布）を回転させて、研磨対象物の表面（この場合、導体層１１の表面）に押し当てて研磨する方法であり、冷却水で対象物表面及びバフを湿潤させながら行うものである。また、ベルト研磨は、同様に冷却水で対象物表面及び研磨ベルト（研磨材を埋め込んだもの）を湿潤させながら、研磨ベルトを回転するローラ上を搬送させながら対象物表面に押し当てて研磨する方法である。また、パミス研磨は、パミス（軽石）の粉末を水に分散させたスラリーによって対象物（Ｃｕ）表面を研磨する方法である。
【００２１】
なお、本工程では機械研磨により導体層１１の表面を平坦化しているが、平坦化のための他の手段として、例えば、機械研磨に代えて化学研磨や化学機械研磨、電解研磨等を行ってもよい。
【００２２】
次の工程では（図２（ｄ）参照）、平坦化されたシート状基材１０のＣｕ配線パターン１２，１３（図２（ｃ））が形成されている側の面を、例えば、ウエットエッチング（塩化第二鉄を主成分としたエッチング液、塩化第二銅を主成分としたエッチング液等）により粗化する（図中、ＣＰで示す部分）。この粗化は、次の工程で積層される層間絶縁層となるべき半硬化状態（Ｂステージ）の樹脂との接着性を高めるために行われる。
【００２３】
なお、本工程ではＣｕ配線パターン１２，１３の表面をウエットエッチングにより粗化しているが、粗化するための手段はこれに限定されないことはもちろんである。例えば、プラズマ等を用いたドライプロセスを施してもよい。
【００２４】
次の工程では（図３（ａ）参照）、予め用意した配線層を含む下地層２０（コアとなる回路基板）上に、半硬化状態（Ｂステージ）の樹脂１４を介在させて、シート状基材１０の粗化された側の面（配線パターン１２，１３が形成されている側の面）を重ね合わせ、加熱及び加圧して接着する（ラミネート）。予め用意する下地層２０の形態としては、少なくとも、所要の形状にパターニングされた配線層２１を覆って層間絶縁層２２が積層された構造を有していれば十分であり、例えば、プリント配線板や多層配線板であってもよい。下地層２０を構成する配線層２１（配線パターン）の材料としては、配線パターン１２，１３と同様に銅（Ｃｕ）が用いられ、層間絶縁層２２の材料としては、熱硬化性のエポキシ樹脂やアクリル樹脂等、光硬化性のエポキシ樹脂やポリイミド樹脂等が用いられる。また、半硬化状態の樹脂層１４としては、例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂が好適に用いられる。
【００２５】
本工程により、半硬化状態の樹脂層１４が熱硬化され、この熱硬化された樹脂層１４上にＣｕ配線パターン１２，１３が接着（転写）されたことになる。
【００２６】
次の工程では（図３（ｂ）参照）、シート状基材１０（図３（ａ））を、アルカリ性溶液を用いて溶解除去する。アルカリ性溶液としては、例えば、露光パターニング用レジスト材（感光性樹脂）を除去するのに一般的に用いられている水酸化ナトリウムを主成分とした溶液が好適に用いられる。あるいは、配線基板のプロセスにおいて穴明け処理の際に発生する樹脂スミアを除去するのに多く用いられているアルカリ過マンガン酸塩溶液（過マンガン酸ナトリウム、過マンガン酸カリウム等を含む溶液）を用いてもよい。
【００２７】
本工程により、配線パターン１２，１３が下地層１５（図３（ａ）の層間絶縁層２２及び熱硬化された樹脂層１４）上に形成された積層体が出来上がる。このとき、配線パターン１３（ランド部分）の内側の部分（凹部１３ａ）から樹脂層１４が露出している。
【００２８】
最後の工程では（図３（ｃ）参照）、配線パターン１３において凹部１３ａから露出している下地層１５（層間絶縁層）に、例えば、ＵＶ−ＹＡＧレーザ、ＣＯ2 レーザ、エキシマレーザ等のレーザ加工により、下層の配線層２１に達するビアホールを形成する。さらにこのビアホールに、例えば、電解Ｃｕめっきにより導体１６を充填して、当該配線パターン１３と下層の配線層２１とを接続する（層間接続）。
【００２９】
この後、図中破線で示すように各配線パターン１２，１３と導体１６を覆うようにして全面に層間絶縁層１７を形成する。この層間絶縁層１７の材料としては、下地層１５の層間絶縁層２２と同様に、熱硬化性のエポキシ樹脂やアクリル樹脂等、光硬化性のエポキシ樹脂やポリイミド樹脂等が用いられる。このようにして形成された層間絶縁層１７及びこれにより覆われた配線パターン１２，１３は、図３（ａ）に示した層間絶縁層２２及びこれにより覆われた配線層２１と同様に、次に形成されるべき配線パターンを転写するための下地層１８を構成する。
【００３０】
以上の工程により、本実施形態に係る配線基板の製造方法において１層分の配線層が下地層１５上に形成されたことになる。以降、所要の層数となるまでこの配線層（配線パターン）の形成工程を繰り返すことで、所望の配線基板を作製することができる。
【００３１】
以上説明したように、本実施形態に係る配線基板の製造方法によれば、従来技術において配線パターンの形成の際に多用されていたフォトリソグラフィ技術（露光処理）を利用せずに、金型１を用いたエンボス加工により配線パターンの転写を行うようにしているので、製造工程が簡素化され、それに要する時間も短縮され、製造コストを抑えることができる。つまり、従来技術に比して、低コストで所要の微細配線パターンを容易に形成することができ、更なる高密度配線化を実現することが可能となる。
【００３２】
また、金型１の押圧面ＰＳ側に所要の配線パターンの形状に対応した凸部２，３を設ける際に（図１参照）、当該配線パターンのランド部分に対応する凸部３の内側に該凸部と同じ高さの凹部３ａを形成しているので、最終的に配線パターン１２，１３が下地層１５上に形成（転写）されたときに（図３（ｂ）参照）、配線パターン１３（ランド部分）の内側の凹部１３ａから下地層１５（樹脂層１４及び層間絶縁層２２）を露出させることができる。このため、この凹部１３ａから露出している下地層１５に、例えばレーザ加工等によりビアホールが形成し易くなり、このビアホールに充填された導体１６を介して下層の配線層２１との接続（層間接続）が行い易くなる。
【００３３】
また、従来の露光処理を利用した配線パターン（導体）の形成方法では、導体膜厚を厚くするためには成膜時間が長くかかるといった問題があったが、本実施形態に係る方法では、金型１に設ける凸部２，３の形状を適宜加工することで配線パターンの幅と厚みを自由に規定することができるので、膜厚の厚いパターンでも薄いパターンと同様に短時間で形成（転写）することが可能となる。これは、配線抵抗の低減に寄与するものである。
【００３４】
上述した実施形態に係る配線基板の製造方法（図１〜図３）では、図２（ｃ）の工程においてシート状基材１０の表面（配線パターン１２，１３の面）が露出するまで研磨（平坦化）を行った場合を例にとって説明したが、この研磨（平坦化）処理を止めるタイミングはこれに限定されないことはもちろんである。例えば、シート状基材１０の表面が露出する前の段階（つまり、シート状基材１０の面上に導体層１１の一部が層状に残っている状態）で研磨（平坦化）処理を止めてもよい。その場合の実施形態について、その配線形成工程を示す図４及び図５を参照しながら説明する。
【００３５】
先ず、図４（ａ）及び（ｂ）の工程では、上述した図２（ａ）及び（ｂ）の工程で行った処理と同様にして、配線パターンの形状に対応した凹部をシート状基材１０に転写し、さらに当該凹部を充填してシート状基材１０上に導体層１１を形成した後、図４（ｃ）の工程では、導体層１１（図４（ｂ））を、例えばバフ研磨により、シート状基材１０の面上に導体層１１の一部が層状に（１〜２μｍ程度）残るように研磨して平坦化する。さらに図４（ｄ）の工程では、シート状基材１０の面上に残された層状の導体層１１の面を、例えばウエットエッチングにより粗化し（図中、ＣＰ１で示す部分）、図５（ａ）の工程では、上述した図３（ａ）の工程で行った処理と同様にして、下地層２０上に、半硬化状態の樹脂層１４を介在させて、シート状基材１０の粗化された側の面（層状の導体層１１が形成されている側の面）を重ね合わせ、加熱及び加圧して接着する（ラミネート）。
【００３６】
さらに図５（ｂ）の工程では、上述した図３（ｂ）の工程で行った処理と同様にして、アルカリ性溶液を用いてシート状基材１０（図５（ａ））を溶解除去する。このとき、層状の導体層１１が露出しており、下地層１５（樹脂層１４及び層間絶縁層２２）はこの導体層１１によって覆われた状態にある。よって、図５（ｃ）の工程では、この露出している層状の導体層１１を、例えばウエットエッチング（塩化第二鉄を主成分としたエッチング液、塩化第二銅を主成分としたエッチング液等）により除去する。このとき、配線パターン１２，１３の部分（Ｃｕ）も同時にエッチングされるが、この部分の厚みは、元々の配線パターンの厚み（１５μｍ程度）に、研磨の際に残したＣｕ層の厚み（１〜２μｍ程度）を加えたものであるため、露出しているＣｕ層を均一に１〜２μｍ程度エッチング除去すれば、本来の配線パターンの厚みは十分に確保される。
【００３７】
さらに図５（ｄ）の工程では、上述した図３（ｃ）の工程で行った処理と同様にして、配線パターン１３において凹部１３ａから露出している下地層１５（層間絶縁層）に、下層の配線層２１に達するビアホールを形成し、さらにこのビアホールに導体１６を充填して当該配線パターン１３と下層の配線層２１とを接続する（層間接続）。さらに、各配線パターン１２，１３と導体１６を覆うようにして全面に層間絶縁層１７（破線で表示）を形成する。
【００３８】
以上の工程（図４〜図５）により、上述した実施形態に係る配線基板の製造方法（図１〜図３）の場合と同様に、１層分の配線層が下地層１５上に形成されたことになる。
【００３９】
この実施形態に係る配線基板の製造方法（図４〜図５）によれば、研磨（平坦化）処理を止めるタイミングが異なっている点（図４（ｃ））、露出している層状の導体層１１をエッチング除去する工程（図５（ｃ））が増えた点を除けば、上述した実施形態（図１〜図３）の場合と製造工程が同じであるので同様の効果を奏することができる。
【００４０】
上述した各実施形態に係る配線基板の製造方法（図１〜図５）では、シート状基材１０に所要の配線パターンの形状に対応した凹部（配線パターン溝）を転写するための金型として、図１に示したように押圧面ＰＳ側に当該配線パターンの形状に対応した凸部２，３を有し、かつ、当該配線パターンのランド部分に対応する凸部３の内側に該凸部と同じ高さの凹部３ａを有するように成形された金型１を用いた場合を例にとって説明したが、使用する金型の形態はこれに限定されないことはもちろんであり、他にも種々の形状の金型又はガラス型を適宜用いることが可能である。図６はその一例を示したものである。
【００４１】
図６（ａ）に示す実施形態では、シート状基材１０に配線パターン溝を転写するための金型として、図示のように押圧面ＰＳ側に当該配線パターンの形状に対応した凸部２，３を有し、かつ、当該配線パターンのランド部分に対応する凸部３の内側に更に突起状の凸部３ｂを有するように成形された金型１ａを用いている。そして、上述した各実施形態に係る配線基板の製造方法（図１〜図５）と同様の製造工程を経て、最終的に図６（ｂ）に示すように配線パターン１２，１３が下地層１５（樹脂層１４及び層間絶縁層２２）上に形成され、さらに層間絶縁層１７（破線で表示）を形成された後、当該配線パターンのランド部分１３において上記の突起状の凸部３ｂの形状に対応した導体１３ｂを介して、上層に形成されるべき配線パターン（図示せず）との層間接続を行うようにしている。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の一実施形態に係る配線基板の製造方法の工程（その１）を示す断面図（一部は平面図）である。
【図２】図１の製造工程に続く工程（その２）を示す断面図である。
【図３】図２の製造工程に続く工程（その３）を示す断面図である。
【図４】本発明の他の実施形態に係る配線基板の製造方法の工程（その１）を示す断面図である。
【図５】図４の製造工程に続く工程（その２）を示す断面図である。
【図６】本発明の更に他の実施形態に係る配線基板の製造方法の工程（一部分）を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４３】
１，１ａ…金型、
２，３，３ｂ…（金型の）凸部、
３ａ…（金型の）凹部、
１０…シート状基材、
１１…導体層（Ｃｕ層）、
１２，１３，２１…導体（配線パターン）、
１３ａ…（配線パターンの）凹部、
１３ｂ…（配線パターンの）凸部、
１４…樹脂層（層間絶縁層）、
１５，１８，１８ａ，２０…下地層、
１６…導体、
１７，２２…層間絶縁層、
ＣＰ，ＣＰ１…粗化された面、
ＰＳ…（金型の）押圧面。
【図１】
2006147701.tif 000003
【図２】
2006147701.tif 000004
【図３】
2006147701.tif 000005
【図４】
2006147701.tif 000006
【図５】
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【図６】
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