(57)【要約】【課題】交換作業を省略することができ、しかも、作業効率に優れた半導体ウエハ等の被精密洗浄物の洗浄方法を提供する。【解決手段】半導体ウエハ等の被精密洗浄物を収容した洗浄槽１にワーキングタンク（液化炭酸ガス貯槽）２から液化炭酸ガスを洗浄液３として供給して高圧下で洗浄する半導体ウエハ等の被精密洗浄物の洗浄方法であって、洗浄後に洗浄槽１から洗浄液３を取り出してワーキングタンク２に回収するようにした洗浄方法である。【選択図】図１
2006297371.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被精密洗浄物を収容した洗浄槽に液化炭酸ガス貯槽から液化炭酸ガスを洗浄液として供給して高圧下で洗浄する被精密洗浄物の洗浄方法であって、洗浄後に洗浄槽から洗浄液を取り出して液化炭酸ガス貯槽に回収するようにしたことを特徴とする被精密洗浄物の洗浄方法。
【請求項２】
上記洗浄液として、液化炭酸ガスのみを洗浄槽に供給するようにした請求項１記載の被精密洗浄物の洗浄方法。
【請求項３】
洗浄成分を含む液化炭酸ガスからなる洗浄成分含有液を、これを貯留する第１液化炭酸ガス貯槽から洗浄槽に供給して高圧下で洗浄し、この洗浄後に洗浄槽から洗浄成分含有液を取り出して上記第１液化炭酸ガス貯槽に回収する工程と、液化炭酸ガスを主体とするリンス液を、これを貯留する第２液化炭酸ガス貯槽から洗浄槽に供給して高圧下で洗浄し、この洗浄後に洗浄槽からリンス液を取り出して上記第２液化炭酸ガス貯槽に回収する工程と、液化炭酸ガスのみを、これを貯留する第３液化炭酸ガス貯槽から洗浄槽に供給して高圧下で洗浄し、この洗浄後に洗浄槽から液化炭酸ガスを取り出して上記第３液化炭酸ガス貯槽に回収する工程とを備えている請求項１記載の被精密洗浄物の洗浄方法。
【請求項４】
洗浄成分を含む液化炭酸ガスからなる洗浄成分含有液を、これを貯留する第１液化炭酸ガス貯槽から洗浄槽に供給して高圧下で洗浄し、この洗浄後に洗浄槽から洗浄成分含有液を取り出して上記第１液化炭酸ガス貯槽に回収する第１工程と、この第１工程ののち、液化炭酸ガスを主体とするリンス液を、これを貯留する第２液化炭酸ガス貯槽から洗浄槽に供給して高圧下で洗浄し、この洗浄後に洗浄槽からリンス液を取り出して上記第２液化炭酸ガス貯槽に回収する第２工程と、この第２工程ののち、液化炭酸ガスを主体とするリンス液を、これを貯留する第３液化炭酸ガス貯槽から洗浄槽に供給して高圧下で洗浄し、この洗浄後に洗浄槽からリンス液を取り出して上記第３液化炭酸ガス貯槽に回収する第３工程と、この第３工程ののちに、液化炭酸ガスのみを、これを貯留する第４液化炭酸ガス貯槽から洗浄槽に供給して高圧下で洗浄し、この洗浄後に洗浄槽から液化炭酸ガスを取り出して上記第４液化炭酸ガス貯槽に回収する第４工程とを備えている請求項１記載の被精密洗浄物の洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ，半導体基板や電気電子部品，光学部品等の被精密洗浄物の洗浄方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体ウエハの製造プロセスにおいて、半導体ウエハの表面に、パターン形成後に不要となったレジスト等の不要物や汚染物質が付着するため、これら不要物や汚染物質をドライクリーニングで精密洗浄して半導体ウエハの表面から除去することが行われている。また同様に、各種レンズ等の光学部品の表面に付着した汚れ等を除去する場合にも、ドライクリーニングで精密洗浄することがよく行われている。ところが、現在行なわれているドライクリーニングでは、石油系溶剤を用いているため、環境を汚染する等の環境問題が生じている。
【０００３】
そこで、環境汚染等の環境問題を引き起こすことがないように、図１４に示すような、二酸化炭素を用いた微細構造体の洗浄方法が提案されている。この洗浄方法は、二酸化炭素ボンベ５１，洗浄成分タンク５２，相溶化剤タンク５３，高圧容器５４，恒温槽５５等を用意し、まず、洗浄対象物を高圧容器５４内に入れ、ついで、二酸化炭素ボンベ５１から高圧容器５４に二酸化炭素を供給して恒温槽５５により高圧容器５４を所定の温度に設定し、つぎに、洗浄成分タンク５２，相溶化剤タンク５３から高圧容器５４に洗浄成分，相溶化剤を供給して洗浄工程を始め、洗浄後リンス工程を行い、このリンス工程終了後に高圧容器５４内を常圧にして二酸化炭素を瞬時に気体として蒸発させるようにしたものである。また、上記洗浄工程およびリンス工程で導出した液体をＣＯ2 回収工程に送給し、このＣＯ2 回収工程の気液分離装置等でガス状二酸化炭素と液状成分とに分離することにより、再利用可能にしている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２ー２３７４８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記の洗浄方法では、二酸化炭素ボンベ５１を用いているため、二酸化炭素ボンベ５１内に最初に収容した二酸化炭素量を使い果たすと、二酸化炭素ボンベ５１内が空になってしまい、二酸化炭素を高圧容器５４に供給することができない。しかも、二酸化炭素ボンベ５１内の二酸化炭素を使い果たすごとに、新しい二酸化炭素ボンベ５１と交換しなければならず、連続的に被精密洗浄物を洗浄することができない。
【０００５】
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、洗浄液を収容する貯槽から洗浄槽に供給した洗浄液を上記貯槽に回収することで、連続的に洗浄槽に洗浄液を供給することができることから、連続的に被精密洗浄物の洗浄が行える被精密洗浄物の洗浄方法の提供をその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するため、本発明の被精密洗浄物の洗浄方法は、被精密洗浄物を収容した洗浄槽に液化炭酸ガス貯槽から液化炭酸ガスを洗浄液として供給して高圧下で洗浄する被精密洗浄物の洗浄方法であって、洗浄後に洗浄槽から洗浄液を取り出して液化炭酸ガス貯槽に回収するようにしたという構成をとる。
【発明の効果】
【０００７】
すなわち、本発明の被精密洗浄物の洗浄方法は、被精密洗浄物を収容した洗浄槽に液化炭酸ガス貯槽から液化炭酸ガスを洗浄液として供給して高圧下で洗浄し、そののち、洗浄槽から洗浄液を取り出して液化炭酸ガス貯槽に回収するようにしている。このように、本発明の被精密洗浄物の洗浄方法では、液化炭酸ガス貯槽から洗浄槽に供給して被精密洗浄物の洗浄に供した液化炭酸ガスを、洗浄後に洗浄槽から上記液化炭酸ガス貯槽に回収しているため、液化炭酸ガス貯槽内に最初に収容していた液化炭酸ガス量を使い果たしても、上記回収した液化炭酸ガスを液化炭酸ガス貯槽から洗浄槽に供給することができるため、連続的に被精密洗浄物の洗浄を行うことができる。なお、本発明において、「被精密洗浄物」とは、半導体ウエハ，半導体基板，半導体装置部品，液晶基板，液晶装置部品，光ディスク，磁気ディスク等の、表面に微細加工（精密加工）が施された微細加工品（精密加工品）や、時計の歯車等の電気電子部品，光学レンズ等の光学部品等の各種の精密機器部品等、その表面に付着した汚染物質等を精密洗浄することが要求される（すなわち、洗浄後に高度の洗浄度が要求される）ものを指す。
【０００８】
また、上記洗浄液として、液化炭酸ガスのみを洗浄槽に供給する場合には、洗浄槽に収容した被精密洗浄物を液化炭酸ガスのみで洗浄することができる。
【０００９】
また、洗浄成分を含む液化炭酸ガスからなる洗浄成分含有液を、これを貯留する第１貯槽から洗浄槽に供給して高圧下で洗浄し、この洗浄後に洗浄槽から洗浄成分含有液を取り出して上記第１貯槽に回収する工程と、液化炭酸ガスを主体とするリンス液を、これを貯留する第２貯槽から洗浄槽に供給して高圧下で洗浄し、この洗浄後に洗浄槽からリンス液を取り出して上記第２貯槽に回収する工程と、液化炭酸ガスのみを、これを貯留する第３貯槽から洗浄槽に供給して高圧下で洗浄し、この洗浄後に洗浄槽から液化炭酸ガスを取り出して上記第３貯槽に回収する工程とを備えている場合には、洗浄槽に収容した被精密洗浄物を、洗浄成分を含む液化炭酸ガスからなる洗浄成分含有液，液化炭酸ガスを主体とするリンス液，液化炭酸ガスのみでそれぞれ別々に洗浄することができ、しかも、洗浄成分含有液，リンス液，液化炭酸ガスのみをそれぞれ別々に回収することができる。
【００１０】
また、洗浄成分を含む液化炭酸ガスからなる洗浄成分含有液を、これを貯留する第１液化炭酸ガス貯槽から洗浄槽に供給して高圧下で洗浄し、この洗浄後に洗浄槽から洗浄成分含有液を取り出して上記第１液化炭酸ガス貯槽に回収する第１工程と、この第１工程ののち、液化炭酸ガスを主体とするリンス液を、これを貯留する第２液化炭酸ガス貯槽から洗浄槽に供給して高圧下で洗浄し、この洗浄後に洗浄槽からリンス液を取り出して上記第２液化炭酸ガス貯槽に回収する第２工程と、この第２工程ののち、液化炭酸ガスを主体とするリンス液を、これを貯留する第３液化炭酸ガス貯槽から洗浄槽に供給して高圧下で洗浄し、この洗浄後に洗浄槽からリンス液を取り出して上記第３液化炭酸ガス貯槽に回収する第３工程と、この第３工程ののちに、液化炭酸ガスのみを、これを貯留する第４液化炭酸ガス貯槽から洗浄槽に供給して高圧下で洗浄し、この洗浄後に洗浄槽から液化炭酸ガスを取り出して上記第４液化炭酸ガス貯槽に回収する第４工程とを備えていると、洗浄槽に収容した被精密洗浄物を、洗浄成分含有液で洗浄したのち２回のリンス洗い（リンス液での洗浄）とすすぎ洗い（液化炭酸ガスのみでの洗浄）を行うことができる。なお、第２工程および第３工程で用いられるリンス液は、その成分が同じであってもよいし、異なっていてもよい。
【００１１】
上記洗浄成分としては、塩基性化合物が好ましい。これは、レジストに多用される高分子物質を加水分解する作用があるためと考えられる。塩基性化合物の具体例としては、第四級アンモニウム水酸化物，第四級アンモニウムフッ化物，アルキルアミン，アルカノールアミン，ヒドロキシルアミン（ＮＨ2 ＯＨ）およびフッ化アンモニウム（ＮＨ4 Ｆ）よりなる群から選択される１種以上の化合物が、洗浄能力が高く好ましい。特に、難剥離物質であるノボラック型フェノール樹脂系レジストを半導体基板から除去する場合等、最も洗浄能力が必要とされる場合には、洗浄成分として、第四級アンモニウム水酸化物，第四級アンモニウムフッ化物，ヒドロキシルアミン，フッ化アンモニウムのいずれか１種以上を選択することが好ましい。
【００１２】
第四級アンモニウム水酸化物の好ましい具体例としては、水酸化テトラメチルアンモニウム，水酸化テトラエチルアンモニウム，水酸化テトラプロピルアンモニウム，水酸化テトラブチルアンモニウム，コリン［ＨＯＣＨ2 ＣＨ2 Ｎ（ＣＨ3 ）3 ］+ ＯＨ- があげられる。
【００１３】
第四級アンモニウムフッ化物の好ましい具体例としては、フッ化テトラメチルアンモニウム，フッ化テトラエチルアンモニウム，フッ化テトラプロピルアンモニウム，フッ化テトラブチルアンモニウム，フッ化コリン［ＨＯＣＨ2 ＣＨ2 Ｎ（ＣＨ3 ）3 ］+ Ｆ- があげられる。
【００１４】
アルキルアミンの好ましい具体例としては、メチルアミン，ジメチルアミン，トリメチルアミン，エメチルアミン，ジエメチルアミン，トリエチルアミン，プロピルアミン，ジプロピルアミン，トリプロピルアミン等の脂肪族アミンがあげられる。アルカノールアミンの好ましい具体例としては、モノエタノールアミン，ジエタノールアミン，トリエタノールアミンがあげられる。
【００１５】
上記リンス液としては、液化炭酸ガスにリンス剤を混合させたものを用いてもよいし、液化炭酸ガスのみを用いてもよい。リンス剤としては、アルコールおよびアルキルスルホキシドが好適に用いられる。アルコールの具体例としては、メタノール，エタノール，ｎ−プロパノール，イソプロパノール，ｎ−ブタノール，イソブタノール，ジエチレングリコールモノメチルエーテル，ジエチレングリコールモノエチルエーテル，ヘキサフルオロイソプロパノールがあげられ、中でも、メタノール，エタノール，イソプロパノールが好ましい。また、アルキルスルホキシドとしてはジメチルスルホキシドが好ましい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
つぎに、本発明の実施の形態を図面にもとづいて詳しく説明する。ただし、これに限定されるものではない。
【００１７】
図１は本発明の被精密洗浄物の洗浄方法の一実施の形態に用いられる洗浄装置を示している。この実施の形態では、被精密洗浄物として、半導体ウエハを用いている。図において、１は圧力５ＭＰａ程度の高圧下で半導体ウエハ（図示せず）を洗浄するための洗浄槽であり、例えば、洗浄槽１内に注入した洗浄液３（図６参照）内で、複数枚の半導体ウエハを収容したカセットを回転させる洗浄手段等を備えている。２は内部に洗浄液３として液化炭酸ガスが収容されたワーキングタンク（液化炭酸ガス貯槽）で、２ａは上記ワーキングタンク２内で洗浄液３上に形成される上部空間で、４は上記ワーキングタンク２を収容する真空断熱容器で、５は内部に補充液（図示せず）として液化炭酸ガスが収容された補充液貯槽で、６はフィルタ装置であり、洗浄槽１から取り出した洗浄液３中の不純物（半導体ウエハの表面に付着していたレジスト等の汚染物質等）を除去するメッシュタイプの第１フィルタ６ａと、この第１フィルタ６ａを経た洗浄液３中の洗浄成分，リンス剤等を吸着除去する第２フィルタ６ｂとを備えている。７はヒータ（図示せず）を有する蒸留器であり、上記第１フィルタ６ａを経た洗浄液３をヒータで加熱してガス成分と液体成分とに分離し、液体成分をドレン管７ａより外部に排出することにより洗浄液３中の不純物（水分，油分等）を除去し、ガス成分をワーキングタンク２の上部空間２ａに導入している。８は圧縮機で、９は真空ポンプである。図において、９ｂ，１１ａ，１５ａ，１６ａ，１７ａ，１８ａ，１９ａ，２１ａ，２２ａ，２３ａ，２４ａ，２５ａは開閉弁である。
【００１８】
上記の洗浄装置を用い、例えば、つぎのようにして半導体ウエハをドライクリーニングして精密洗浄することができる。まず、前処理工程を行う。この前処理工程では、洗浄槽１内に半導体ウエハを収容し、つぎに、真空ポンプ９を作動させ、フィルタ装置６内および洗浄槽１内の水分を第１液取出管１１，液出口管１ａ，ガス流通管１２，第１連結管１３，第２連結管１４および入口管９ａ，真空ポンプ９を介して大気中に放出し（図２の矢印参照）、つぎに、蒸留器７に溜まるガス（炭酸ガス）をガス取出管１５，ガス流通管１２を介して洗浄槽１の上部空間１ｂに導入し、後述する洗浄槽１に補充液を補充する際における、ドライアイス化を防止し（図３の矢印参照）、つぎに、補充液貯槽５から液導入管１６，液出口管１ａを介して洗浄槽１に補充液（液化炭酸ガス）を補充し（図４の矢印参照）、つぎに、洗浄時の液温を上げるため、蒸留器７に溜まるガスをガス取出管１５，ガス流通管１２を介して洗浄槽１内に導入するとともに、ワーキングタンク２の上部空間２ａに溜まるガス（炭酸ガス）をガス出口管２ｂ，第３連結管１７，ガス導入管１８，第１連結管１３，ガス流通管１２を介して洗浄槽１の上部空間１ａに導入して加圧する（図５の矢印参照）。
【００１９】
つぎに、洗浄工程を行う。この洗浄工程では、圧縮機８を作動させ、洗浄槽１の上部空間１ｂに溜まるガス（炭酸ガス）をガス流通管１２，第１連結管１３，第２連結管１４，第１ガス導出管１９を介して圧縮機８に導入してここで加圧し、この圧縮ガスを第２ガス導出管２０，第３連結管１７，ガス出口管２ｂを介してワーキングタンク２の上部空間２ａに導入して加圧し、ワーキングタンク２内の洗浄液３をワーキングタンク２の液出口管２ｃから押し出し、液供給管２１を介して洗浄槽１を注入する（図６の矢印参照）。ついで、所定量の洗浄液３が洗浄槽１に注入されると、洗浄槽１の洗浄手段等を作動させて半導体ウエハを洗浄する。
【００２０】
この洗浄ののち、圧縮機８を作動させ、ワーキングタンク２の上部空間２ａに溜まるガスをガス出口管２ｂ，第３ガス導出管２２，第１ガス導出管１９を介して圧縮機８に導入してここで加圧し、この圧縮ガスを第２ガス導出管２０，ガス導入管１８，第１連結管１３，ガス流通管１２を介して洗浄槽１の上部空間１ｂに導入して加圧し、洗浄槽１内の洗浄液３を洗浄槽１の液出口管１ａから押し出し、第１液取出管１１を介してフィルタ装置６に導入する。そして、このフィルタ装置６の第１および第２フィルタ６ａ，６ｂを通して洗浄液３中の不純物を除去したのち、第２液取出管２３，液出口管２ｃを介してワーキングタンク２に回収する（図７の矢印参照）。また、上記フィルタ装置６の第１フィルタ６ａを経た洗浄液３を送給管２４を介して蒸留器７に導入してここで気液分離し、液体成分をドレン管７ａより外部に排出したのち、蒸留器７に溜まるガス成分をガス取出管１５，第１連結管１３，ガス導入管１８，第３連結管１７，ガス出口管２ｂを介してワーキングタンク２の上部空間２ａに導入し、チラー等の冷却手段（図示せず）で凝縮させてワーキングタンク２に溜めることもできる（図８の矢印参照）。
【００２１】
つぎに、後処理工程を行う。この後処理工程では、圧縮機８を作動させ、洗浄槽１内に溜まるガス（残留炭酸ガス）をガス流通管１２，第１連結管１３，第２連結管１４，第１ガス導出管１９を介して圧縮機８に導入してここで加圧し、この圧縮ガスを第２ガス導出管２０，第３連結管１７，ガス出口管２ｂを介してワーキングタンク２の上部空間２ａに導入し、洗浄槽１内を減圧する（図９の矢印参照）。また、ワーキングタンク２の上部空間２ａに導入したガスを上記冷却手段で凝縮し、ワーキングタンク２内に溜める。つぎに、洗浄槽１内のガスをガス流通管１２，第１連結管１３，第２連結管１４，放出管２５を介して大気中に放出したのち（図１０の矢印参照）、真空ポンプ９を作動させ、洗浄槽１内のガスをガス流通管１２，第１連結管１３，第２連結管１４，入口管９ａ，真空ポンプ９を介して大気中に放出することを行う（図１１の矢印参照）。
【００２２】
上記のように、この実施の形態では、ワーキングタンク２および補充液貯槽５から洗浄槽１に供給して半導体ウエハの洗浄に供した洗浄液３を、洗浄後に洗浄槽１からワーキングタンク２に回収しているため、連続的に半導体ウエハを洗浄することができる。
【００２３】
図１２は本発明の被精密洗浄物の洗浄方法の他の実施の形態に用いる洗浄装置を示している。この実施の形態では、洗浄液として、洗浄成分を含む液化炭酸ガスからなる洗浄成分含有液３４が収容された第１ワーキングタンク（第１液化炭酸ガス貯槽）３１と、リンス用洗浄液として、液化炭酸ガスを主体とし所定量のリンス剤を含むリンス液３５が収容された第２ワーキングタンク（第２液化炭酸ガス貯槽）３２と、すすぎ用洗浄液として、液化炭酸ガス３６のみが収容された第３ワーキングタンク（第３液化炭酸ガス貯槽）３３とを用いている。そして、第１〜第３ワーキングタンク３１〜３３の液出口管３１ｃ〜３３ｃを液供給管２１を介して洗浄槽１に連結するとともに、第１〜第３接続管３７〜３９を介して第２液取出管２３に連結している。また、第１〜第３ワーキングタンク３１〜３３のガス出口管３１ｂ〜３３ｂを第４〜第６連結管４０〜４２を介して第２ガス導出管２０に連結している。図において、３１ａ〜３３ａは第１〜第３ワーキングタンク３１〜３３の上部空間で、３１ｄ〜３３ｄ，３１ｅ〜３３ｅ，３７ａ〜４２ａは開閉弁である。それ以外の部分は上記実施の形態と同様であり、同様の部分には同じ符号を付している。
【００２４】
上記の洗浄装置を用い、例えば、つぎのようにして半導体ウエハをドライクリーニングして精密洗浄することができる。この洗浄方法では、まず、上記実施の形態と同様にして前処理工程を行う。このとき、洗浄時の液温を上げるために、第１〜第３ワーキングタンク３１〜３３の上部空間３１ａ〜３３ａのいずれか１つに溜まるガスを利用することができる。ついで、第１ワーキングタンク３１に収容した洗浄成分含有液３４を用い、上記実施の形態と同様にして洗浄工程を行い、つぎに、第２ワーキングタンク３３に収容したリンス液３５を用い、上記実施の形態の洗浄工程と同様にしてリンス工程を行い、つぎに、第３ワーキングタンク３３に収容した液化炭酸ガス３６のみを用い、上記実施の形態の洗浄工程と同様にしてすすぎ工程を行う。このとき、フィルタ装置６に導入した洗浄液を第１フィルタ６ａを通したのち蒸留器７に導入してここで気液分離することはしない。そののち、上記実施の形態と同様にして後処理工程を行う。このとき、洗浄槽１の上部空間１ｂに溜まるガスを、第１〜第３ワーキングタンク３１〜３３の上部空間３１ａ〜３３ａのいずれか１つ（通常は、第３ワーキングタンク３３の上部空間３３ａ）に導入することができる。
【００２５】
上記のように、この実施の形態でも、上記実施の形態と同様の作用・効果を奏する。しかも、洗浄成分含有液３４で洗浄したのち、リンス洗いおよびすすぎ洗いが行える。
【００２６】
図１３は本発明の被精密洗浄物の洗浄方法のさらに他の実施の形態に用いる洗浄装置を示している。この実施の形態では、洗浄液として、洗浄成分を含む液化炭酸ガスからなる洗浄成分含有液５６が収容された第１ワーキングタンク（第１液化炭酸ガス貯槽）５１と、リンス用洗浄液として、液化炭酸ガスを主体とし所定量のリンス剤を含むリンス液５７，５８（この実施の形態では、両リンス液５７，５８の成分は異なっているが、同じであってもよい）が収容された第２および第３ワーキングタンク（第２および第３液化炭酸ガス貯槽）５２，５３と、すすぎ用洗浄液として、液化炭酸ガス５９のみが収容された第４ワーキングタンク（第４液化炭酸ガス貯槽）５４とを用いている。そして、第１〜第４ワーキングタンク５１〜５４の液出口管５１ｃ〜５４ｃを液供給管２１を介して洗浄槽１に連結するとともに、第１〜第４接続管６１〜６４を介して第２液取出管２３に連結している。また、第１〜第４ワーキングタンク５１〜５４のガス出口管５１ｂ〜５４ｂを第４〜第６連結管６６〜６９を介して第２ガス導出管２０に連結している。図において、５１ａ〜５４ａは第１〜第４ワーキングタンク５１〜５４の上部空間で、５１ｄ〜５４ｄ，５１ｅ〜５４ｅ，６１ａ〜６４ａ，６６ａ〜６９ａは開閉弁である。それ以外の部分は、図１〜図１１に示す実施の形態（この実施の形態の説明では、図１〜図１１に示す実施の形態を上記実施の形態という）と同様であり、同様の部分には同じ符号を付している。
【００２７】
上記の洗浄装置を用い、例えば、つぎのようにして半導体ウエハをドライクリーニングして精密洗浄することができる。この洗浄方法では、まず、上記実施の形態と同様にして前処理工程を行う。このとき、洗浄時の液温を上げるために、第１〜第４ワーキングタンク５１〜５４の上部空間５１ａ〜５４ａのいずれか１つに溜まるガスを利用することができる。ついで、第１ワーキングタンク５１に収容した洗浄成分含有液５６を用い、上記実施の形態と同様にして洗浄工程（第１行程）を行い、つぎに、第２ワーキングタンク５２に収容したリンス液５７を用い、上記実施の形態の洗浄工程と同様にしてリンス工程（第２行程）を行い、つぎに、第３ワーキングタンク５３に収容したリンス液５８を用い、上記実施の形態の洗浄工程と同様にしてリンス工程（第３行程）を行い、つぎに、第４ワーキングタンク５４に収容した液化炭酸ガス５９のみを用い、上記実施の形態の洗浄工程と同様にしてすすぎ工程（第４行程）を行う。このとき、フィルタ装置６に導入した洗浄液を第１フィルタ６ａを通したのち蒸留器７に導入してここで気液分離することはしない。そののち、上記実施の形態と同様にして後処理工程を行う。このとき、洗浄槽１の上部空間１ｂ（図４〜図８参照）に溜まるガスを、第１〜第４ワーキングタンク５１〜５４の上部空間５１ａ〜５４ａのいずれか１つ（通常は、第２および第３ワーキングタンク５２，５３の上部空間５２ａ，５３ａの一方）に導入することができる。
【００２８】
上記のように、この実施の形態でも、上記実施の形態と同様の作用・効果を奏する。しかも、洗浄成分含有液５６で洗浄したのち、２回のリンス洗いおよびすすぎ洗いが行える。
【００２９】
なお、上記各実施の形態では、圧力５ＭＰａ程度の高圧下で洗浄，リンス洗いやすすぎ洗いをしているが、これに限定するものではなく、圧力４〜７ＭＰａの範囲内の高圧下であればよい。また、上記各実施の形態において、洗浄液３等を圧送するのに、ポンプを用いてもよい。また、図１２および図１３に示す実施の形態では、液化炭酸ガスにリンス剤を混合したリンス液３５，５７，５８でリンス洗いをしているが、液化炭酸ガスのみでリンス洗いをしてもよい。また、図１〜図１１に示す実施の形態において、洗浄行程を複数回行ってもよいし、図１２および図１３に示す実施の形態において、洗浄行程，リンス行程およびすすぎ行程をそれぞれ複数回（図１３に示す実施の形態では、リンス行程を３回以上）行ってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の被精密洗浄物の洗浄方法の一実施の形態に用いる洗浄装置を示す構成図である。
【図２】上記洗浄方法の前処理工程の説明図である。
【図３】上記洗浄方法の前処理工程の説明図である。
【図４】上記洗浄方法の前処理工程の説明図である。
【図５】上記洗浄方法の前処理工程の説明図である。
【図６】上記洗浄方法の洗浄工程の説明図である。
【図７】上記洗浄方法の洗浄工程の説明図である。
【図８】上記洗浄方法の洗浄工程の説明図である。
【図９】上記洗浄方法の後処理工程の説明図である。
【図１０】上記洗浄方法の後処理工程の説明図である。
【図１１】上記洗浄方法の後処理工程の説明図である。
【図１２】本発明の被精密洗浄物の洗浄方法の他の実施の形態に用いる洗浄装置を示す構成図である。
【図１３】本発明の被精密洗浄物の洗浄方法のさらに他の実施の形態に用いる洗浄装置を示す構成図である。
【図１４】従来例を示す構成図である。
【符号の説明】
【００３１】
１  洗浄槽
２  ワーキングタンク
３  洗浄液
【図１】
2006297371.tif 000003
【図２】
2006297371.tif 000004
【図３】
2006297371.tif 000005
【図４】
2006297371.tif 000006
【図５】
2006297371.tif 000007
【図６】
2006297371.tif 000008
【図７】
2006297371.tif 000009
【図８】
2006297371.tif 000010
【図９】
2006297371.tif 000011
【図１０】
2006297371.tif 000012
【図１１】
2006297371.tif 000013
【図１２】
2006297371.tif 000014
【図１３】
2006297371.tif 000015
【図１４】
2006297371.tif 000016