(57)【要約】【課題】  本発明の１つの態様は、シリコン基板のエッチングプロセスを正確に制御して、所望の形状を有する微細針の成形鋳型を製造することを目的とする。【解決手段】  本発明に係る１つの態様による微細針の成形鋳型の製造方法は、（１００）面方位の主面を有するシリコン半導体基板上にシリコン酸化膜を形成するステップと、所定の間隔を隔てて直線上に配置された複数の離散領域でシリコン半導体基板を露出させたシリコン酸化膜によるマスクを形成するステップと、シリコン酸化膜によるマスクを用い、水酸化カリウム水溶液でシリコン半導体基板をウェットエッチングするステップと、シリコン半導体基板をエッチングすることにより形成された複数の凹部が互いに連通したときに、水酸化カリウム水溶液に代わって、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液でシリコン半導体基板をウェットエッチングするステップと、を有することを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
微細針を成形するための鋳型の製造方法であって、
（１００）面方位の主面を有するシリコン半導体基板上にシリコン酸化膜を形成するステップと、
所定領域でシリコン半導体基板を露出させたシリコン酸化膜によるマスクを形成するステップと、
シリコン酸化膜によるマスクを用い、水酸化カリウム水溶液でシリコン半導体基板をウェットエッチングするステップと、
シリコン半導体基板をエッチングすることにより形成された複数の凹部が互いに連通したときに、水酸化カリウム水溶液に代わって、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液でシリコン半導体基板をウェットエッチングするステップとを有することを特徴とする製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の鋳型の製造方法であって、
約２０重量％で約５８℃の水酸化カリウム水溶液を用いて、シリコン半導体基板をウェットエッチングすることを特徴とする製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の鋳型の製造方法であって、
約２２重量％で約８０℃の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて、シリコン半導体基板をウェットエッチングすることを特徴とする製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の鋳型の製造方法であって、
水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて、約４０分間以上シリコン半導体基板をウェットエッチングすることを特徴とする製造方法。
【請求項５】
請求項３に記載の鋳型の製造方法であって、
水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて、約２時間以上シリコン半導体基板をウェットエッチングすることを特徴とする製造方法。
【請求項６】
請求項１に記載の鋳型の製造方法であって、
シリコン酸化膜によるマスクは、所定の間隔を隔てて直線上に配置された複数の離散領域でシリコン半導体基板を露出させることを特徴とする製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の鋳型の製造方法であって、
複数の離散領域のそれぞれは、円形、矩形、三角形、または多角形形状を有することを特徴とする製造方法。
【請求項８】
請求項６に記載の鋳型の製造方法であって、
各離散領域の重心は、隣接する重心間距離が一定となるように直線上に配置されていることを特徴とする製造方法。
【請求項９】
請求項１に記載の鋳型の製造方法であって、
シリコン酸化膜によるマスクは、ホルダ領域およびこれより直線的に延びるニードル領域においてシリコン半導体基板を露出させることを特徴とする製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の鋳型の製造方法であって、
シリコン酸化膜によるマスクは、ニードル領域の先端部が約１５度〜３０度の鋭角を有するように形成されることを特徴とする製造方法。
【請求項１１】
微細針を成形するための鋳型の製造方法であって、
（１００）面方位の主面を有するシリコン半導体基板上にシリコン酸化膜を形成するステップと、
所定の領域でシリコン半導体基板を露出させたシリコン酸化膜によるマスクを形成するステップと、
シリコン酸化膜によるマスクを用い、約２０重量％で約５８℃の水酸化カリウム水溶液を用いて、シリコン半導体基板をウェットエッチングするステップと、
約２０重量％で約５８℃の水酸化カリウム水溶液を用いて、シリコン半導体基板をウェットエッチングするステップと、を有することを特徴とする製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、医療用針などの微細針の成形鋳型を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
通常、治療などの目的で皮下注射を行うとき、患者の適当な皮膚または筋肉に微細針（注射針）を突き刺して、薬剤が微細針を介して体内に注入される。同様に、例えば、糖尿病患者の血糖値を定期的に測定するとき、別の微細針（ランセット）を指先などの適当な身体部分に穿刺して、微量の血液が採取される。このように、微細針を体内に突き刺すとき、患者は、相当の痛みまたは不快感を感じ、穿刺された部位における細胞が広範な領域に亙って損傷を受けることがある。したがって、患者に与える痛み（不快感）をできるだけ抑え、侵襲性のより低い微細針が強く要望されている。
【０００３】
同様に、血液または体液の流れが速い体内部位に留置して、薬剤を長期間安定して徐放できる低侵襲性の薬物配送システム（微細針）に対する要請も高い。
【０００４】
こうした低侵襲性の微細針がこれまで数多く提案されている。例えば、特許文献１に開示された微細針は、遠位端にアンカ部、および近位端にタンク部を有し、アンカ部がピラミッド状の外形形状（ギザギザ形状）を有する複数の突起部を有するように構成されている。
【０００５】
このアンカ部は、シリコン基板上に形成された互いに連通する複数の四角錐形状の凹部上にポリ乳酸を充填・形成することにより構成される。また、四角錐形状の凹部（すなわち、アンカ部を形成するための鋳型）は、（１００）面方位の主面を有するシリコン半導体基板上に形成された離散的に配置された複数の円形領域を含む所定のマスクを介し、水酸化カリウム水溶液（ＫＯＨ）を用いてウェットエッチングすることにより（シリコン結晶の（１１１）面に沿ってエッチングすることにより）形成される。
【特許文献１】特開２００３−２７５３２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、シリコン基板上の離散的に配置された複数の円形領域でエッチングが進むにつれ、図１１に示すように、円形領域を中心としてエッチングされる領域３０が拡張し、隣接する領域３０と連通すると、その連結部３１におけるシリコン基板のエッチングが急速に進み、（一部破線で示すように）均一なギザギザ形状が形成されることなく、（実線で示すように）歪な形状にエッチングされた凹部（鋳型）３２が形成され得る。
【０００７】
このように、水酸化カリウム水溶液を用いてシリコン基板をウェットエッチングすることにより、微細針の成形鋳型を形成することは大量生産に適している反面、鋳型の適正なギザギザ形状が形成されるように、シリコン基板のエッチングプロセスを正確に制御することは困難であった。
【０００８】
そこで本発明の１つの態様は、このような問題を解決しようとするためになされたもので、シリコン基板のエッチングプロセスを正確に制御できる微細針の成形鋳型の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る１つの態様による微細針を成形するための鋳型の製造方法は、（１００）面方位の主面を有するシリコン半導体基板上にシリコン酸化膜を形成するステップと、所定の間隔を隔てて直線上に配置された複数の離散領域でシリコン半導体基板を露出させたシリコン酸化膜によるマスクを形成するステップと、シリコン酸化膜によるマスクを用い、水酸化カリウム水溶液でシリコン半導体基板をウェットエッチングするステップと、シリコン半導体基板をエッチングすることにより形成された複数の凹部が互いに連通したときに、水酸化カリウム水溶液に代わって、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液でシリコン半導体基板をウェットエッチングするステップとを有することを特徴とする。
【００１０】
また、約２０重量％で約５８℃の水酸化カリウム水溶液を用いて、シリコン半導体基板をウェットエッチングすることが好ましい。
【００１１】
さらに、約２２重量％で約８０℃の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて、シリコン半導体基板をウェットエッチングすることが好ましい。
【００１２】
好適には、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて、約４０分間以上シリコン半導体基板をウェットエッチングする。これにより、所望のギザギザ形状を有する微細針を実現することができる。
【００１３】
本発明の別の態様によれば、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いて、約２時間以上シリコン半導体基板をウェットエッチングする。これにより、所望のストレート形状を有する微細針を得ることができる。
【００１４】
好適には、複数の離散領域のそれぞれは、円形形状を有し、各円形領域の中心は、隣接する中心間距離が一定となるように直線上に配置されている。
【００１５】
本発明に係るさらに別の態様による微細針の成形鋳型の製造方法は、（１００）面方位の主面を有するシリコン半導体基板上にシリコン酸化膜を形成するステップと、所定の間隔を隔てて直線上に配置された複数の離散領域でシリコン半導体基板を露出させたシリコン酸化膜によるマスクを形成するステップと、シリコン酸化膜によるマスクを用い、約２０重量％で約５８℃の水酸化カリウム水溶液を用いて、シリコン半導体基板をウェットエッチングするステップと、約２０重量％で約５８℃の水酸化カリウム水溶液を用いて、シリコン半導体基板をウェットエッチングするステップと、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の１つの態様によれば、シリコン基板を水酸化カリウム水溶液でエッチングした後、水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液でエッチングすることにより、シリコン基板のエッチングプロセスを正確に制御して、所望の形状を有する微細針の成形鋳型を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明に係る成形鋳型で製造される微細針１は、概略、図１（ａ）〜（ｃ）に示すように、ホルダ部２とニードル部３を有する。ニードル部３は、これに限定されないが、例えば、ピラミッド状の外形形状（ギザギザ形状）を有する複数の突起部４を有する。この微細針１は任意の適当な支持装置（図示せず）を用いて、ホルダ部２を支持した上で、ニードル部３を患者の皮膚などに突き刺すことにより、患者の血液を採取する。
【００１８】
ここで図２〜図１０を参照しながら、本発明に係る実施形態による微細針の成形鋳型の製造方法について以下説明する。
【００１９】
まず、図２（ａ）に示すように、（１００）結晶面を主面とするシリコン半導体（Ｓｉ）基板１０の少なくとも一方の主面上に、厚さ１μｍのシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）１２を形成する。択一的には、両面上にシリコン酸化膜を形成したシリコン基板１０が一般に市販されており、これを原材料として用いてもよい。そして、硫酸過水（Ｈ２ＳＯ４：Ｈ２Ｏ２＝２：１）を用いて、このシリコン基板１０を１０分間洗浄する。
【００２０】
次に、図２（ｂ）に示すように、厚さ１μｍのフォトレジスト１４（例えば、東京応化工業株式会社から市販されているOFPR-800（登録商標））をシリコン酸化膜１２上に塗布する。このとき、例えばスピンコート法（１回目：５００ｒｐｍ，５秒間、２回目：３０００ｒｐｍ，３０秒間）を用いて、フォトレジスト１４を均一に塗布することが好ましい。フォトレジスト１４を塗布した後、９０℃で１０分間プリベークする。
【００２１】
次に、図３および図４に示すように、マスクＭ１を用いて、フォトレジスト１４にパターン形成する。このマスクＭ１は、概略、図３のハッチングで示す領域において、フォトレジスト１４をカバーしない。すなわち、マスクＭ１は、ホルダ領域１６、および直線状に並ぶ離散的に配置された複数の円形領域（離散領域）１８をカバーせず、シリコン酸化膜１２が露出している。ここで、直線状に並ぶ離散領域１８は、円形形状を有するものとして説明するが、矩形、三角形または任意の多角形（１２８角形）など他の任意の形状を有していてもよい。また、マスクＭ１は、ここでは図示しないが、ホルダ領域１６と、ホルダ領域１６より直線的に延びるニードル領域においてシリコン半導体基板を露出させるように設計してもよい。
【００２２】
後述するが、ホルダ領域１６において微細針１のホルダ部２に相当するホルダ領域での凹部が形成され、ニードル領域（複数の円形領域１８）においてニードル部３に対応する凹部が形成される。
【００２３】
図３に示すように、ホルダ領域１６が例えば約３ｍｍ四方の正方形形状（ｌ１＝ｌ２＝３ｍｍ）を有する一方、各円形領域１８は、図５に示すように、一定の直径Ｄ（例えば、約７０μｍ〜約１１０μｍ、好適には９０μｍ）を有し、隣接する円形領域１８に外接する正方形１９の頂点間距離ｓが一定（例えば、約１．５μｍ〜約４．５μｍ、好適には３．５μｍ）となるように配列されている。すなわち、円形領域１８の中心は、隣接する中心間距離が一定となるように直線上に配置されている。また円形領域１８の直径Ｄは、ニードル部３の長手方向に直交する太さｗ（図１参照）を決定し、直径Ｄが９０μｍであるとき、ニードル部３の太さは約１２７μｍとなる。
なお、マスクＭ１のニードル領域が複数の離散的な三角形状または多角形形状の領域で構成される場合、個々の三角形状または多角形形状の重心は、隣接する重心間距離が一定となるように直線上に配置される。
【００２４】
さらに、フォトレジスト１４は、両面マスクアライナを用いて露光され、フォトレジスト現像液（ＮＭＤ−３（登録商標））を用いて２０秒間現像され、１２０℃で１０分間ポストベークされる。
【００２５】
続けて、レジスト残渣を除去するためにデスカム処理を行い、酸素（Ｏ２）ガス（条件：２０ｓｃｃｍ，８Ｐａ、２０Ｗ、２分間）およびフルオロホルム（ＣＨＦ３）ガス（条件：５ｓｃｃｍ，５Ｐａ、１００Ｗ、１時間）を用いて、図６のように、シリコン酸化膜１２に対して反応性イオンエッチングを行い、図７のように、エタノールおよびアセトンを用いて、フォトレジスト１４を除去する。
【００２６】
本発明の１つの態様によれば、残存するシリコン酸化膜１２をマスクとし、水酸化カリウム水溶液（ＫＯＨ）をエッチャント（条件：約２０重量％，約５８℃）として用い、シリコン基板１０をウェットエッチング（異方性エッチング）する。すると、シリコン基板１０上の円形領域１８を中心に凹部２０が（１１１）面方位に沿って徐々に拡張するように形成され、図８および図９に示すように、隣接する凹部２０が互いに連通する。
【００２７】
図８および図９に示すように、隣接する円形領域１８における凹部２０が互いに連通したとき（図８、図９および図１４参照）、水酸化カリウム水溶液に代えて、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）水溶液をエッチャント（条件：約２２重量％，約８０℃）として用い、シリコン基板１０をウェットエッチングする。約２２重量％で約８０℃水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液を用いた場合、約４０分間で所望するニードル部３に相当する凹部２０が形成される。
【００２８】
次に、ＢＨＦ（フッ化水素酸：フッ化アンモニウム＝１：１０）を用いて、シリコン酸化膜１２を除去する（図１０）。
【００２９】
こうして形成された図１０に示す微細針のための成形鋳型５の中に、加熱溶融した樹脂などの充填材料Ｍを流し込むことにより、微細針１を得ることができる。なお、充填材料Ｍは、任意の樹脂材料または金属材料を用いることができるが、成形された微細針１は、生適合性材料またポリ乳酸などの生分解性材料で構成されることが好ましい。
【実施例１】
【００３０】
上記実施形態において、マスクＭ１の各円形領域１８の直径Ｄおよび円形領域１８に外接する正方形１９の頂点間距離ｓをパラメータとして、表１に示すさまざまな組み合わせ（No.1〜No.9）に対して、水酸化カリウム水溶液（条件：約２０重量％，約５８℃）を用いて、シリコン基板１０をウェットエッチングした。
【表１】
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【００３１】
シリコン酸化膜１２をマスクとし、水酸化カリウム水溶液（条件：約２０重量％，約５８℃）を用いて、シリコン基板１０をウェットエッチングするとき、頂点間距離ｓが短い場合、図１２に示すように、ピラミッド状の凹部が形成される前に（ピラミッド状の凹部の底部が頂点を有さず、平面状態のまま）、凹部２０が連通してしまい（６０分後）、さらに続けてエッチングすると、９０分後、図１３に示すように、各凹部２０の間の連結部がさらに太くなり、所望のピラミッド形状は得られなかった。
一方、頂点間距離ｓが長い場合、ピラミッド状の凹部２０を連通させるために要するエッチング時間が長くなり、プロセス上好ましくないことが分かった。そして、表１のパラメータの組み合わせでは、直径Ｄが９０μｍで、頂点間距離ｓが３．５μｍであるマスクＭ１を用いたとき、図１４のように最適なピラミッド状の凹部２０が最短の時間（１６５分間）で形成されることが分かった。
【００３２】
図１４に示す状態になった後においても、水酸化カリウム水溶液を用いてさらにエッチングし続けると、図１５に示すように、隣接する凹部２０の間で歪な形状にエッチングされ、均一なギザギザ形状を得ることができなかった。これは、水酸化カリウムの（１１１）面に対するエッチング速度が（１００）面に比べて極めて遅いため、マスクＭの寸法に微小な誤差やエッチングムラがあった場合、凹部２０の連結部分で急激にエッチングが進むためであると考えられている。しかし、本発明によれば、図１６に示すように、隣接する凹部２０が連通したときに、水酸化カリウム水溶液に代わって、（１１１）面に対する他の面（例えば（１１０）面）のエッチング選択比がより大きい水酸化テトラメチルアンモニウム（約２２重量％，約８０℃，４０分間）を用いることにより、マスクＭ１の寸法誤差やエッチングムラを吸収して、安定して所望のギザギザ形状を有する凹部２０を形成することができた。
【実施例２】
【００３３】
実施例２では、シリコン基板１０の表面をより滑らかにエッチングするためにイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）を添加した水酸化カリウム水溶液（条件：約２０重量％，約５８℃）を用いて、シリコン基板１０をウェットエッチングした後に、水酸化テトラメチルアンモニウム（約２２重量％，約８０℃）を用いて、２時間（実施例１では４０分間）シリコン基板１０をウェットエッチングした。すると、図１７および図１８に示すように、ギザギザ形状ではなく、ストレート形状の微細針１を得ることができた。
【００３４】
なお、ニードル部３とホルダ部２の間の連結部において、応力が集中しやすく、屈曲または破断することがある。これに対処するために、マスクＭ１のホルダ領域１６に近い円形領域１８の直径Ｄを大きくし（例えば、約１４０μｍ）、頂点間距離ｓを１．５μｍにすることにより、図１９および図２０に示すように、連結部が太く形成されたストレート形状の微細針１を実現することができた。
【実施例３】
【００３５】
上記実施形態と同様のエッチングプロセス・条件を用い、さまざまなマスクパターンを適用して、任意の形状の微細針１を形成できることを確認した。
【００３６】
具体的には、図２１〜図２５に示すように、マスクＭ２〜Ｍ６は、先端角度がそれぞれ３０度，４５度，６０度，７５度，９０度で、図示の寸法ａ〜ｄ（共通）がそれぞれ約１００μｍ、約１００μｍ、約１０００μｍ、約２００μｍとなるように設計した。こうして、それぞれ図２６〜図３０に示すストレート形状の微細針１を得ることができた。
【００３７】
また、図３１および図３２に示すように、マスクＭ７およびＭ８の先端角度が１５度および３０度で、図示の寸法ａ〜ｄ（共通）がそれぞれ約３００μｍ、約１００μｍ、約１０００μｍ、約２００μｍである。こうして、図３３および図３４に示すストレート形状の微細針１を得ることができた。
【００３８】
さらに、図３５に示すマスクＭ９（ａ＝１００，ｂ＝１００，ｃ＝２００，ｄ＝１００，ｅ＝２００，ｆ＝１０００μｍ）、および図３６に示すマスクＭ１０（ａ＝１００，ｂ＝１００，ｃ＝２００，ｄ＝１００，ｅ＝２００，ｆ＝１０００μｍ）を用いて、図３７および図３８に示すように、任意の形状を有する微細針１を得ることができた。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】（ａ）は微細針の概略形状を示す斜視図で、（ｂ）はその平面図、そして（ｃ）はその側面図である。
【図２】本発明に係る微細針の成形鋳型を製造するための半導体基板を示す断面図であり、シリコン酸化膜が形成されている。
【図３】本発明のマスクによりカバーされない領域を示す平面図である。
【図４】図２と同様の断面図であって、シリコン酸化膜上のフォトレジストを示す。
【図５】本発明のマスクの隣接する円形領域の拡大図を示す。
【図６】図２と同様の断面図であって、エッチングされたシリコン酸化膜を示す。
【図７】図２と同様の断面図であって、フォトレジストが除去された様子を示す。
【図８】図３と同様の平面図であって、互いに連通した隣接する凹部を示す。
【図９】図２と同様の断面図であって、残存するシリコン酸化膜をマスクとしてエッチングされたシリコン基板を示す。
【図１０】図２と同様の断面図であって、残存するシリコン酸化膜が取り除かれた様子を示す。
【図１１】従来技術により凹部が形成されたシリコン基板の平面図である。
【図１２】水酸化カリウム水溶液を用いてエッチングするとき、頂点間距離が短い場合の凹部の拡大写真である。
【図１３】図１２に示す状態からさらにエッチングし続けた場合の凹部の拡大写真である。
【図１４】水酸化カリウム水溶液を用いてエッチングするとき、頂点間距離およびエッチング時間が最適である場合の凹部の拡大写真である。
【図１５】図１４に示す状態からさらにエッチングし続けた場合の凹部の拡大写真である。
【図１６】図１５に示す状態から、水酸化テトラメチルアンモニウムを用いてエッチングした場合の凹部の拡大写真である。
【図１７】図１６に示す状態からさらにエッチングし続けた場合の凹部の拡大写真である。
【図１８】図１７のニードル部をさらに拡大した写真である。
【図１９】図１７と同様の写真であって、ニードル部とホルダ部の間の連結部が太く形成された微細針の成形鋳型を示す。
【図２０】図１９の拡大写真である。
【図２１】別のストレート形状を有する微細針を形成するためのマスクを示す平面図である。
【図２２】別のストレート形状を有する微細針を形成するためのマスクを示す平面図である。
【図２３】別のストレート形状を有する微細針を形成するためのマスクを示す平面図である。
【図２４】別のストレート形状を有する微細針を形成するためのマスクを示す平面図である。
【図２５】別のストレート形状を有する微細針を形成するためのマスクを示す平面図である。
【図２６（ａ）】図２１のマスクを用いて製造された微細針の拡大写真である。
【図２６（ｂ）】図２６（ａ）のニードル部をさらに拡大した写真である。
【図２７（ａ）】図２２のマスクを用いて製造された微細針の拡大写真である。
【図２７（ｂ）】図２７（ａ）のニードル部をさらに拡大した写真である。
【図２８（ａ）】図２３のマスクを用いて製造された微細針の拡大写真である。
【図２８（ｂ）】図２８（ａ）のニードル部をさらに拡大した写真である。
【図２９（ａ）】図２４のマスクを用いて製造された微細針の拡大写真である。
【図２９（ｂ）】図２９（ａ）のニードル部をさらに拡大した写真である。
【図３０（ａ）】図２５のマスクを用いて製造された微細針の拡大写真である。
【図３０（ｂ）】図３０（ａ）のニードル部をさらに拡大した写真である。
【図３１】別のストレート形状を有する微細針を形成するためのマスクを示す平面図である。
【図３２】別のストレート形状を有する微細針を形成するためのマスクを示す平面図である。
【図３３（ａ）】図３１のマスクを用いて製造された微細針の拡大写真である。
【図３３（ｂ）】図３３（ａ）のニードル部をさらに拡大した写真である。
【図３４（ａ）】図３２のマスクを用いて製造された微細針の拡大写真である。
【図３４（ｂ）】図３４（ａ）のニードル部をさらに拡大した写真である。
【図３５】別のストレート形状を有する微細針を形成するためのマスクを示す平面図である。
【図３６】別のストレート形状を有する微細針を形成するためのマスクを示す平面図である。
【図３７（ａ）】図３５のマスクを用いて製造された微細針の拡大写真である。
【図３７（ｂ）】図３７（ａ）のニードル部をさらに拡大した写真である。
【図３８（ａ）】図３６のマスクを用いて製造された微細針の拡大写真である。
【図３８（ｂ）】図３８（ａ）のニードル部をさらに拡大した写真である。
【符号の説明】
【００４０】
１  微細針、２  ホルダ部、３  ニードル部、４  突起部、１０  シリコン半導体基板、１２  シリコン酸化膜、１４  フォトレジスト、１６  ホルダ領域、１８  円形領域、２０  凹部、Ｍ１〜Ｍ９  マスク。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６（ａ）】
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【図２６（ｂ）】
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【図２７（ａ）】
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【図２７（ｂ）】
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【図２８（ａ）】
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【図２８（ｂ）】
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【図２９（ａ）】
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【図２９（ｂ）】
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【図３０（ａ）】
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【図３０（ｂ）】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３（ａ）】
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【図３３（ｂ）】
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【図３４（ａ）】
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【図３４（ｂ）】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７（ａ）】
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【図３７（ｂ）】
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【図３８（ａ）】
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【図３８（ｂ）】
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