(57)【要約】【課題】サセプタとしてカーボン材料を用いる場合であれ、半導体基板上にエピタキシャル膜を均一に、しかも安定して成膜することのできるＣＶＤ装置を提供する。【解決手段】カーボン材料からなるサセプタ（１１、１２）を容器１０内に備え、同じく容器１０内に設置された炭化珪素（ＳｉＣ）からなる半導体基板７０を下部サセプタ１２が加熱されることに基づき加熱しつつ、同容器１０内に水素ガス（Ｈ2）を含有するキャリアガスおよびシランガス（ＳｉＨ4）およびプロパンガス（Ｃ3Ｈ8）からなる原料ガスを供給して半導体基板７０の表面にエピタキシャル膜を成膜する。このとき下部サセプタ１２の少なくとも半導体基板７０と対向する面には、例えば熱分解炭素膜等、キャリアガスに対するエッチング耐性の高い膜材１６をあらかじめ成膜しておく。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
カーボン材料からなるサセプタを容器内に備え、同じく容器内に設置された基板を前記サセプタが加熱されることに基づき加熱しつつ、同容器内にキャリアガスおよび原料ガスを供給して前記基板の表面にエピタキシャル膜を成膜せしめるＣＶＤ装置であって、
前記サセプタの少なくとも前記基板と対向する面には、前記キャリアガスに対するエッチング耐性の高い膜材が成膜されてなる
ことを特徴とするＣＶＤ装置。
【請求項２】
前記膜材は、炭素を含有してなる
請求項１に記載のＣＶＤ装置。
【請求項３】
前記膜材は、前記サセプタを形成するカーボン材料よりも緻密性の高い構造を有してなる
請求項２に記載のＣＶＤ装置。
【請求項４】
前記膜材が、熱分解炭素膜からなる
請求項２または３に記載のＣＶＤ装置。
【請求項５】
前記膜材が、金属炭化物膜からなる
請求項２または３に記載のＣＶＤ装置。
【請求項６】
前記金属炭化物膜が、炭化タンタル（ＴａＣ）、炭化二モリブデン（Ｍｏ2Ｃ）、炭化チタン（ＴｉＣ）、炭化ジルコニウム（ＺｒＣ）、炭化バナジウム（ＶＣ）、炭化タングステン（ＷＣ）および炭化ニオブ（ＮｂＣ）の少なくとも１つを含む膜からなる
請求項５に記載のＣＶＤ装置。
【請求項７】
前記基板が炭化珪素（ＳｉＣ）基板であり、当該ＣＶＤ装置は、前記キャリアガスとして水素ガス（Ｈ2）を含有するガスを、前記原料ガスとしてシランガス（ＳｉＨ4）およびプロパンガス（Ｃ3Ｈ8）をそれぞれ前記容器内に供給して、前記基板の表面に炭化珪素（ＳｉＣ）からなるエピタキシャル膜を成長させるものである
請求項１〜６のいずれか一項に記載のＣＶＤ装置。
【請求項８】
請求項７に記載のＣＶＤ装置において、
前記膜材に含有される窒素濃度が１ｐｐｍ以下である
ことを特徴とするＣＶＤ装置。
【請求項９】
前記サセプタの加熱が、高周波誘導加熱によって行われる
請求項１〜８のいずれか一項に記載のＣＶＤ装置。
【請求項１０】
前記サセプタは、重力方向上方に配設された上部サセプタと重力方向下方に配設された下部サセプタとからなり、前記基板は、前記上部サセプタに設けられた基板ホルダに設置されてその表面が前記下部サセプタと対向するようになり、前記キャリアガスおよび原料ガスは、それら基板と下部サセプタとの間を流通するものであり、前記キャリアガスに対するエッチング耐性の高い膜材は、前記下部サセプタの少なくとも前記基板と対向する面に成膜されてなる
請求項１〜９のいずれか一項に記載のＣＶＤ装置。
【請求項１１】
前記基板ホルダには、前記基板が設置された状態で、基板共々これを周方向に回転せしめる回転機構が設けられてなる
請求項１０に記載のＣＶＤ装置。
【請求項１２】
前記基板は、適宜の基板ホルダによって鉛直方向に保持されてなるとともに、前記サセプタは、該鉛直方向に保持された基板の表面を覆うかたちで筒状に形成されてなり、前記キャリアガスおよび原料ガスは、それら基板とサセプタとの間を鉛直方向に流通するものであり、前記キャリアガスに対するエッチング耐性の高い膜材は、前記筒状に形成されたサセプタの少なくとも前記基板と対向する面に成膜されてなる
請求項１〜９のいずれか一項に記載のＣＶＤ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体基板上にエピタキシャル膜を成膜する（成長させる）ＣＶＤ（化学気相成長）装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体基板上にエピタキシャル膜を成膜する装置としては、例えば特許文献１に記載されている装置が知られている。図４に、この特許文献１に記載されている装置の概要を示す。
【０００３】
図４に示されるように、この装置は、大きくは、成膜室１００、ガス流入パイプ１０８、半導体基板（ウェハ）７０を支持するプレート１０１、加熱部７２およびガス排出パイプ１０９を備えて構成される。ここで、成膜室１００の内部中央には、上記ガス流入パイプ１０８の先端ノズル１０８ａが配設され、このガス流入パイプ１０８の先端付近に、上記プレート１０１が略直角に取り付けられている。さらに、プレート１０１の上面には半導体基板７０が配置され、プレート１０１の下面に設けられた加熱部７２によって、半導体基板７０が加熱されるようになっている。また、ガス流入パイプ１０８は、成膜室１００の外部において、水素ガス（Ｈ2）、ジクロロシランガス（ＳｉＨ2Ｃｌ2）、窒素ガス（Ｎ2）およびアセチレンガス（Ｃ2Ｈ2）の供給源にバルブｖ１〜ｖ４を介して、それぞれ接続されている。また一方、成膜室１００には図示しない排気ポンプ等に接続されたガス排出パイプ１０９が設けられ、圧力調整バルブｖ５を介して成膜室１００内のガスを排気できるようになっている。
【０００４】
そして、このように構成された装置では、プレート１０１上に配置された半導体基板７０をまずは加熱部７２によって「１２００℃」等、適宜の温度に加熱する。次いで、ガス排出パイプ１０９によって成膜室１００内の排気を行いつつ、ガス導入パイプ１０８から成膜室１００内に順次上記ガスを供給し、成膜室１００内にこのガスに対応した気相を形成する。これにより、半導体基板７０の表面にエピタキシャル膜８０が成膜されるようになる。
【０００５】
なお近年、上記半導体基板としては、高熱伝導率、高耐熱、高い絶縁破壊電界、大電力特性を有する素子を実現することの可能な材料として炭化珪素（ＳｉＣ）が注目されており、各種電子デバイス材料として期待されている。また、こうした炭化珪素（ＳｉＣ）からなる半導体基板を用いる場合には、さらに純度の高い炭化珪素（ＳｉＣ）からなるエピタキシャル膜を上記装置（ＣＶＤ装置）を通じて成膜することも多く、これによって半導体基板としてのさらなる機能の向上を図るようにしている。
【特許文献１】特開２００２−５７１０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上記ＣＶＤ装置に備えられるプレート１０１等、いわゆる基板（ウェハ）の保持体であるサセプタとして、近年は、電気導電性が高く、高い耐熱性を有するとともに、半導体ウェハが汚染されない程度に高純度の材料であるカーボン材料が使用されている。そして、こうしたカーボン材料を使用する場合にはさらに、表面からのカーボン粉の脱落を抑制し、また加熱による微量の不純物元素の表面拡散を抑制する目的で、その表面を炭化珪素（ＳｉＣ）膜でコートすることも多い。
【０００７】
しかしながら、上記サセプタ１０１にこうしたカーボン材料を用いるとともに、半導体基板として上記炭化珪素（ＳｉＣ）基板を用い、これに上記エピタキシャル膜を成膜すべく、これをサセプタ共々「１５００℃」程度に加熱した場合、サセプタ表面がキャリアガスである水素ガス（Ｈ2）と反応してしまうことが発明者等によって確認されている。このようにサセプタ表面と水素ガス（Ｈ2）とが反応すると、上記サセプタ表面のカーボン材料あるいは炭化珪素（ＳｉＣ）膜がエッチングされることによって、カーボンのパーティクルが発生し、これが成膜中のエピタキシャル膜の表面に付着するなどして、同エピタキシャル膜中に欠陥を発生させることとなる。また、このようにカーボン材料あるいは炭化珪素（ＳｉＣ）膜と水素ガス（Ｈ2）とが反応するときには同時に炭化水素ガスを発生させることともなるため、気相中の炭素／珪素比（Ｃ／Ｓｉ）が不安定になる。そしてこのことも上記エピタキシャル膜に欠陥を発生させる要因の一つとなる。さらに、カーボン材料からなるサセプタの表面を上記炭化珪素（ＳｉＣ）膜でコートしたとしても、上述のようにエッチングが進行した場合には、この炭化珪素（ＳｉＣ）膜そのものが短時間で消失してしまうことともなる。
【０００８】
この発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、サセプタとしてカーボン材料を用いる場合であれ、半導体基板上にエピタキシャル膜を均一に、しかも安定して成膜することのできるＣＶＤ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
こうした目的を達成するため、請求項１に記載のＣＶＤ装置では、カーボン材料からなるサセプタを容器内に備え、同じく容器内に設置された基板を前記サセプタが加熱されることに基づき加熱しつつ、同容器内にキャリアガスおよび原料ガスを供給して前記基板の表面にエピタキシャル膜を成膜せしめるＣＶＤ装置として、前記サセプタの少なくとも前記基板と対向する面に、前記キャリアガスに対するエッチング耐性の高い膜材を成膜しておくこととした。
【００１０】
前述のように、カーボン材料は、電気導電性が高く、高い耐熱性を有するなど、ＣＶＤ装置のサセプタとして優れた材料ではあるが、キャリアガス、特に通常のエピタキシャル成長に使用される水素ガス（Ｈ2）を含むキャリアガスに対しては化学的に反応しやすく、該キャリアガスに対するエッチング耐性も低い。この点、この請求項１に記載のＣＶＤ装置のように、こうしたキャリアガスに対するエッチング耐性の高い膜材を上記サセプタの少なくとも上記基板と対向する面に成膜しておくことで、カーボン材料がエッチングされることに起因する同カーボン材料のパーティクルの発生等は抑制され、ひいては基板、特に半導体基板（ウェハ）上へのエピタキシャル膜の成膜も均一になされるようになる。特に、基板に対向したサセプタを加熱することで基板を加熱させる方法では、基板を加熱するサセプタの温度が基板よりも高くなるため、上記サセプタの表面が、キャリアガスにより最もエッチングされやすい箇所となる。このことから、上記サセプタの少なくとも上記基板と対向する面に、上記キャリアガスに対するエッチング耐性の高い膜材を成膜することが重要である。また、こうしてキャリアガスに対するエッチング耐性の高い膜材を上記カーボン材料からなるサセプタに成膜しておくことで、キャリアガスとしてたとえ上記水素ガス（Ｈ2）を含むキャリアガスが用いられる場合であれ、それらカーボン材料と水素との反応による炭化水素ガスの発生も併せて抑制されるようになる。すなわち、気相中の炭素／珪素比（Ｃ／Ｓｉ）が安定化されて、上記エピタキシャル膜中のキャリア濃度も均一に保持されるようになることから、同エピタキシャル膜をより安定に成膜することができるようにもなる。
【００１１】
また、請求項２に記載の発明によるように、上記キャリアガスに対するエッチング耐性の高い膜材として、炭素を含有する材料を採用することとすれば、上記サセプタを形成するカーボン材料への浸透および表面被覆も容易である。また、上記サセプタ自体としても高い電気導電性や耐熱性を維持することができる。
【００１２】
また、さらには請求項３に記載の発明によるように、こうした膜材として、前記サセプタを形成するカーボン材料よりも緻密性の高い構造のものを採用することとすれば、キャリアガスに対する耐エッチング性がより高められるとともに、同膜材自身の機械的強度や耐衝撃性を向上させることができるようになり、ひいては上記サセプタとしての耐久性の向上が図られるようになる。
【００１３】
また、このような膜材として、具体的には、例えば請求項４に記載の発明による「熱分解炭素膜」、あるいは請求項５に記載の発明による「金属炭化物膜」等の材料を採用することが有効である。
【００１４】
これら「熱分解炭素膜」や「金属炭化物膜」は、上記サセプタを形成するカーボン材料よりも緻密性が高く、且つ純度も高い。このため、それら膜材中に含まれる不純物がカーボン材料よりも低減され、より高純度のエピタキシャル膜を成膜することができるようになる。
【００１５】
また、特に上記「金属炭化物膜」としては、請求項６に記載の発明によるように、炭化タンタル（ＴａＣ）、炭化二モリブデン（Ｍｏ2Ｃ）、炭化チタン（ＴｉＣ）、炭化ジルコニウム（ＺｒＣ）、炭化バナジウム（ＶＣ）、炭化タングステン（ＷＣ）、および炭化ニオブ（ＮｂＣ）の少なくとも１つを含む膜材としてこれを実現することができる。これらの材料は、上記サセプタを形成するカーボン材料よりも耐熱性に優れているため、該サセプタが高温に加熱された場合であっても、上記キャリアガスに対するエッチング耐性を高く維持することができるようになる。
【００１６】
そして、これら請求項１〜６のいずれかに記載のＣＶＤ装置において、特に請求項７に記載の発明によるように、前記基板が炭化珪素（ＳｉＣ）基板であるときに、当該ＣＶＤ装置としても、前記キャリアガスとして水素ガス（Ｈ2）を含有するガスを、前記原料ガスとしてシランガス（ＳｉＨ4）およびプロパンガス（Ｃ3Ｈ8）をそれぞれ前記容器内に供給して、前記基板の表面に炭化珪素（ＳｉＣ）からなるエピタキシャル膜を成長させる装置としてこれを構成することで、前述した炭化珪素（ＳｉＣ）基板への炭化珪素（ＳｉＣ）からなるエピタキシャル膜の成長をより均一に、しかも安定して行うことができるようになる。
【００１７】
また、この場合にはさらに、請求項８に記載の発明によるように、前記膜材に含有される窒素濃度は「１ｐｐｍ」以下であることが特に望ましい。一般に、エピタキシャル膜としての炭化珪素（ＳｉＣ）膜が各種デバイス材料として採用されるためには、その膜中のキャリア濃度は「１×１０16ｃｍ-3」以下に制御されることが多い。このため、バックグラウンドの不純物濃度をそれよりも「１桁」以上低く設定することにより、こうした高品質のエピタキシャル膜の成膜の実現が図られるようになる。また、窒素は炭化珪素（ＳｉＣ）にとってｎ型不純物になるため、前記膜材に含有される窒素濃度を「１ｐｐｍ」以下にすることにより、この窒素がエピタキシャル膜中に取り込まれる影響を極力減らすこともできる。これにより低いバックグラウンドの不純物濃度に維持されるエピタキシャル膜が成長されるようになる。
【００１８】
また、上記請求項１〜８のいずれかに記載のＣＶＤ装置において、請求項９に記載の発明によるように、前記サセプタの加熱が高周波誘導加熱によって行われる構成とすることで、サセプタ、ひいては基板の加熱をより容易に、しかも均一に行うことができるようになる。また、ＣＶＤ装置自体の設計の自由度を高めることができるようにもなる。すなわちこの場合、例えば容器の外部に高周波電流が供給されるコイルを設けることでもこうした加熱やその制御が可能になることから、容器の内部については比較的に自由にそのレイアウト等の設計を行うことができるようになる。
【００１９】
一方、これら請求項１〜９のいずれかに記載の発明を前提としたＣＶＤ装置自体の構成としては、例えば請求項１０に記載の発明によるように、
（ａ１）前記サセプタを、重力方向上方に配設された上部サセプタと重力方向下方に配設された下部サセプタとの２段構造とする。
（ａ２）前記基板についてはこれを、前記上部サセプタに設けられた基板ホルダに設置して、その表面が前記下部サセプタと対向するようにする。
（ａ３）それら対向する基板と下部サセプタとの間に前記キャリアガスおよび原料ガスを流通させる。
（ａ４）前記キャリアガスに対するエッチング耐性の高い膜材についてはこれを、前記下部サセプタの少なくとも前記基板と対向する面に成膜しておく。
といった構成が有効である。ＣＶＤ装置としてのこのような構成によれば、上述した各発明による作用効果に加え、上記基板の表面付近に原料ガスが略平行に供給されて、その表面に順次エピタキシャル膜が成膜されるようになることから、その成膜レートが自ずと向上されるようになるとともに、必要とされる原料ガスについてもこれを必要最小限の量とすることができる。また、特に上記基板のエピタキシャル膜が形成される面が、重力方向に対向していることから、たとえ上記膜材がエッチングされることに起因してパーティクル等が発生したとしても、同エピタキシャル膜表面への付着が抑制されるようになる。さらにこうした構成のＣＶＤ装置では、上記容器内に複数枚の基板を配設することで、これら基板表面に同時にエピタキシャル膜を成膜することもでき、こうした膜形成の効率を高めることもできる。
【００２０】
また、このような構成を有するＣＶＤ装置において、さらに請求項１１に記載の発明によるように、前記基板ホルダに、前記基板が配置された状態で、基板共々これを周方向に回転せしめる回転機構を設ける構成とすれば、上記成膜されるエピタキシャル膜の成膜レート（膜厚）をより均一に維持することができるようにもなる。
【００２１】
また一方、上記請求項１〜９のいずれかに記載の発明を前提としたＣＶＤ装置自体の構成としては、例えば請求項１２に記載の発明によるように、
（ｂ１）前記基板についてはこれを、適宜の基板ホルダによって鉛直方向に保持する。
（ｂ２）該鉛直方向に保持された基板の表面を覆うかたちで、前記サセプタを筒状に形成する。
（ｂ３）それら基板とサセプタとの間に鉛直方向に、前記キャリアガスおよび原料ガスを流通させる。
（ｂ４）前記キャリアガスに対するエッチング耐性の高い膜材についてはこれを、前記筒状に形成されたサセプタの少なくとも前記基板と対向する面に成膜しておく。
といった構成も有効である。ＣＶＤ装置としてのこのような構成によっても、上述した各発明による作用効果に加え、上記基板の表面付近に原料ガスが直接供給されて、その表面に順次エピタキシャル膜が成膜されるようになることから、その成膜レートが自ずと向上されるようになるとともに、必要とされる原料ガスについてもこれを必要最小限の量とすることができるようにもなる。またこの場合にも、上記基板は、そのエピタキシャル膜が形成される面が、鉛直方向に略平行となるように配設されることで、たとえ上記膜材がエッチングされることに起因してパーティクル等が発生したとしても、同エピタキシャル膜表面への付着が抑制されるようになる。さらにこうした構成のＣＶＤ装置では、上記筒状のサセプタに少なくとも２枚の複数枚の基板を配設することができるため、これら基板表面に同時にエピタキシャル膜を成膜することもでき、こうした膜形成の効率を高めることもできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
（第１の実施の形態）
以下、この発明にかかるＣＶＤ装置の第１の実施の形態について、図１を参照して説明する。この実施の形態にかかるＣＶＤ装置においては、例えば炭化珪素（ＳｉＣ）の単結晶からなる半導体基板（ウェハ）の表面に、さらに純度の高い炭化珪素（ＳｉＣ）からなるエピタキシャル膜を成膜するＣＶＤ装置として構成されている。
【００２３】
図１に示されるように、このＣＶＤ装置の容器１０の内部の上面側および底面側には、それぞれ断熱材７１ａおよび７１ｂが設けられている。そしてこのうち、容器１０の上面側に設けられた断熱材７１ａには、これと隣接するようにカーボン材料からなる上部サセプタ１１が配設されており、一方、容器１０の底面側に設けられた断熱材７１ｂには、これと隣接するように同じくカーボン材料からなる下部サセプタ１２が配設されている。そして、これら上部サセプタ１１と下部サセプタ１２とは、所定の間隔、例えば「１０〜４０ｍｍ」程度の間隙を介して、互いに対向するように配設されており、これら上部サセプタ１１および下部サセプタ１２の間が原料ガスの流通経路となっている。
【００２４】
ここで、上記上部サセプタ１１には、下部サセプタ１２と対向する面に凹部１１ａが設けられており、この凹部１１ａの中央には貫通孔１３が形成されている。そしてこの凹部１１ａ内に、上記貫通孔１３に挿通された回転軸１５によって支持されている円盤状の基板ホルダ１４が配設される。この基板ホルダ１４には、例えば適宜の押さえ機構などによって上記炭化珪素（ＳｉＣ）の単結晶からなる半導体基板７０が装着されており、その表面が下向きに上記下部サセプタ１２と対向するかたちとなる。そして、図示しないモータ等の動力源によって上記回転軸１５が回転されると、この回転に基づいて上記基板７０が上記基板ホルダ１４と共に回転する。
【００２５】
一方、上記下部サセプタ１２の表面には熱分解炭素膜からなる膜材１６が成膜されている。この熱分解炭素膜は、プロパンガス（Ｃ3Ｈ8）等の炭化水素系ガスもしくは炭化水素化合物等を熱分解することにより生成される周知の炭素膜であり、上記上部サセプタ１１および下部サセプタ１２を形成するカーボン材料よりも緻密な構造を有し、且つ純度も高い。なお、この熱分解炭素膜からなる膜材１６は、ＣＶＤ法（化学気相成長法）等によって、その膜厚が約「２０〜６０μｍ」程度となるように成膜されており、またこのときに上記膜材１６中に含有される窒素濃度は「１ｐｐｍ」以下に制御されている。
【００２６】
そして、容器１０の底面側の外壁面にはコイル７２が設けられており、このコイル７２への高周波電流の通電により、上記下部サセプタ１２が誘導加熱される。
また、容器１０の長手方向の端面には、原料ガスおよびキャリアガスの供給口、並びに排出口が形成されている。なお、この実施の形態にかかるＣＶＤ装置では、上記原料ガスとして、プロパンガス（Ｃ3Ｈ8）およびシランガス（ＳｉＨ4）を主成分とするガスを、また上記キャリアガスとして水素ガス（Ｈ2）を含有するガスをそれぞれ用いている。そして、これらが混合された処理ガスＧが、同図１に矢指する態様で上部サセプタ１１および下部サセプタ１２の間を流通して、すなわち上記基板７０の表面と略平行に流動して、容器１０の外部へ排出される。
【００２７】
次に、こうした構造からなるＣＶＤ装置による上記基板７０への炭化珪素（ＳｉＣ）膜の成膜手順について説明する。
同膜の成膜に際してはまず、成膜対象とする半導体基板７０を上記基板ホルダ１４に装着した後、容器１０を閉じ、該基板７０共々基板ホルダ１４を回転させながら、また容器１０内にキャリアガスを導入しながら、上記コイル７２に例えば「８ｋＨｚ」程度の周波数に設定された高周波電流を流す。これにより、底面側の下部サセプタ１２がまず誘導加熱され、次いで、この下部サセプタ１２の輻射熱により、上部サセプタ１１、基板ホルダ１４および上記基板７０の表面が、例えば「１５００℃」以上になるように加熱される。こうして上記基板７０の表面が十分に加熱された状態で、上記キャリアガスに加え、容器１０内に原料ガスを導入する。これにより、上記基板７０の表面で上記原料ガスが熱分解されて、同基板７０の表面に炭化珪素（ＳｉＣ）の単結晶からなるエピタキシャル膜が成膜される。そしてこのとき、このエピタキシャル膜中のキャリア濃度は、上記基板７０に対向する上記膜材１６中の窒素濃度を上述のように「１ｐｐｍ」以下にすることによって、「１×１０16ｃｍ-3」以下に制御されることができるようになる。またこのとき、上記基板７０は回転しているため、同基板７０の表面のうち、原料ガスの上流側に位置する部分が順次入れ替わり、上記エピタキシャル膜は均一な膜厚分布を保ちながら成膜されるようにもなる。しかも、この実施の形態では上述のように、下部サセプタ１２の表面に上記熱分解炭素膜からなる膜材１６をあらかじめ成膜している。これにより、同サセプタ１２を形成するカーボン材料が上記キャリアガスに含まれる水素（Ｈ2）と反応してエッチングされることに起因する同カーボン材料のパーティクルの発生等は抑制され、ひいては上記基板７０上へのエピタキシャル膜の成膜も均一になされるようになる。また、こうしてキャリアガスに対するエッチング耐性の高い膜材１６を上記下部サセプタ１２に成膜しておくことで、カーボン材料と水素との反応による炭化水素ガスの発生も併せて抑制されるようになる。すなわち、気相中の炭素／珪素比（Ｃ／Ｓｉ）が安定化されて、上記エピタキシャル膜中のキャリア濃度も均一に保持されるようになることから、同エピタキシャル膜をより安定に成膜することができるようにもなる。
【００２８】
以上説明したように、この実施の形態にかかるＣＶＤ装置によれば、以下に列記するような効果が得られるようになる。
（１）カーボン材料からなるサセプタ１１および１２のうち容器１０の底面側に設けられて誘導加熱される下部サセプタ１２の表面に、水素ガス（Ｈ2）に対するエッチング耐性の高い熱分解炭素膜からなる膜材１６をあらかじめ成膜しておく構造とした。このような構造を採用したことにより、カーボン材料のパーティクルの発生等が抑制され、また気相中の炭素／珪素（Ｃ／Ｓｉ）が安定化されて上記エピタキシャル膜中のキャリア濃度も均一に保持されることから、同エピタキシャル膜が均一に、しかも安定して成膜されるようになる。また、こうした熱分解炭素膜は、上記サセプタ１２を形成するカーボン材料よりも緻密性が高く、且つ純度も高い。このため、カーボン材料に含まれる不純物がこうした熱分解炭素膜中の被覆によって見かけ上低減されることともなり、より高純度のエピタキシャル膜を成膜することができるようになる。
【００２９】
（２）上記膜材１６として、炭素を含有する材料を採用することとした。このような構造により、上記サセプタ１２を形成するカーボン材料への浸透および表面被覆が容易であり、上記サセプタ１２自体としても高い電気導電性や耐熱性を維持することができるようになる。
【００３０】
（３）同じく上記膜材１６として、上記サセプタ１２を形成するカーボン材料よりも緻密性の高い構造のものを採用することとした。このような構造により、キャリアガスに対する耐エッチング性が高められるとともに、同膜材１６自身の機械的強度や耐衝撃性を向上させることができるようになり、ひいては上記サセプタ１２としての耐久性の向上が図られるようになる。
【００３１】
（４）上記成膜対象とする半導体基板７０として炭化珪素（ＳｉＣ）基板を用い、キャリアガスとして水素ガス（Ｈ2）を含有するガスを、また原料ガスとしてシランガス（ＳｉＨ4）およびプロパンガス（Ｃ3Ｈ8）をそれぞれ上記容器１０内に供給して、上記基板７０上に炭化珪素（ＳｉＣ）からなるエピタキシャル膜を成長させることととした。このような構造により、上記炭化珪素（ＳｉＣ）からなる基板７０への炭化珪素（ＳｉＣ）からなるエピタキシャル膜の成長をより均一に、しかも安定して行うことができるようになる。
【００３２】
（５）上記膜材１６に含有される窒素濃度は「１ｐｐｍ」以下であることとした。このようにすることで、エピタキシャル膜のバックグラウンドの不純物濃度を制御することができれば、一般に各種デバイスとして採用される炭化珪素（ＳｉＣ）膜に要求されるように、上記エピタキシャル膜中のキャリア濃度を「１×１０16ｃｍ-3」以下に制御することが可能になる。すなわちこれにより、より高い品質を有するエピタキシャル膜の成膜が実現されるようになる。
【００３３】
（６）上記下部サセプタ１２の加熱が高周波電流の供給されるコイル７２によって行われる構成とした。このような構成によれば、上記下部サセプタ１２、ひいては上記基板７０の加熱をより容易に、しかも均一に行うことができるようになる。また、ＣＶＤ装置自体の設計の自由度を高めることができるようにもなる。すなわち、例えば容器１０の外部にコイル７２を設けることでもこうした加熱やその制御が可能になることから、容器１０の内部については比較的自由にそのレイアウト等の設計を行うことができるようになる。
【００３４】
（７）ＣＶＤ装置自体の構成として上述の構成を採用したことにより、上記基板７０の表面付近に原料ガスが略平行に供給されて、その表面に順次エピタキシャル膜が成膜されるようになることから、その成膜レートが自ずと向上されるようになるとともに、必要とされる原料ガスについてもこれを必要最小限の量とすることができる。また、特に上記基板７０のエピタキシャル膜が形成される面が重力方向下方に向いていることから、たとえ上記膜材１６がエッチングされることに起因してパーティクル等が発生したとしても、同エピタキシャル膜表面への付着が抑制されるようになる。
【００３５】
（８）上記基板ホルダ１４に、上記基板７０が配置された状態で、該基板７０共々これを周方向に回転せしめる回転機構を設ける構成とした。このような構成により、上記成膜されるエピタキシャル膜の成膜レート（膜厚）をより均一に維持することができるようにもなる。
【００３６】
（第２の実施の形態）
次に、この発明にかかるＣＶＤ装置の第２の実施の形態について、図２を参照して説明する。この実施の形態にかかるＣＶＤ装置も、例えば炭化珪素（ＳｉＣ）の単結晶からなる半導体基板（ウェハ）の表面に、さらに純度の高い炭化珪素（ＳｉＣ）からなるエピタキシャル膜を成膜する装置であり、ＣＶＤ装置としての基本的な部分の構成は先の第１の実施の形態と同様である。ただしここでは、容器内にて、複数枚の半導体基板に同時にエピタキシャル膜を成膜することができるようにしている。
【００３７】
この実施の形態にかかるＣＶＤ装置は、その容器２０が例えば円筒状からなる。そして、図２に示されるように、この円筒状からなる容器２０の底面中央には原料ガスおよびキャリアガスの供給口が、また側面の複数箇所にはこれらガスの排出口がそれぞれ形成されている。また、この容器２０の内部の上面側および中ほどには、それぞれ略円盤形状の断熱材７１ｃおよび７１ｄが設けられている。
【００３８】
そして、容器２０の上面側に設けられた断熱材７１ｃには、これと隣接するようにカーボン材料からなる円盤形状の上部サセプタ２１が配設されており、その中心部にはこの上部サセプタ２１全体を回転させる回転軸２５ｃが取り付けられている。また、上部サセプタ２１の該回転軸２５ｃの周囲には複数の凹部２１ａ、２１ｂが設けられおり、これら凹部２１ａ、２１ｂの中央にはそれぞれ貫通孔２３ａ、２３ｂが形成されている。そしてこれら凹部２１ａ、２１ｂ内に、上記貫通孔２３ａ、２３ｂに挿通された回転軸２５ａ、２５ｂによって支持されている円盤状の基板ホルダ２４ａ、２４ｂがそれぞれ配設される。この基板ホルダ２４ａ、２４ｂには、先の第１の実施の形態と同様に、半導体基板７０ａ、７０ｂが装着されており、その表面が以下に説明する下部サセプタ２２と下向きに対向するかたちとなる。なお、回転軸２５ａおよび２５ｂと回転軸２５ｃとは略平行であり、回転軸２５ａ、２５ｂを中心軸として基板ホルダ２４ａ、２４ｂおよび基板７０ａ、７０ｂが回転すると同時に、回転軸２５ｃを中心軸として上部サセプタ２１も回転する。
【００３９】
一方、上記上部サセプタ２１と対向する同容器２０の中ほどの断熱材７１ｄには、これと隣接するようにカーボン材料からなる円盤形状（正確には中心部がくり抜かれたドーナツ状）の下部サセプタ２２が配設されており、さらにその下方の上記ガス供給口の壁面にも、これに沿うかたちで円筒状のサセプタ２２ａが配設されている。そしてこのうち、下部サセプタ２２の表面には熱分解炭素膜からなる膜材２６が成膜されている。この熱分解炭素膜も、プロパンガス（Ｃ3Ｈ8）等の炭化水素系ガスもしくは炭化水素化合物等を熱分解することにより生成される周知の炭素膜であり、上記上部サセプタ２１および下部サセプタ２２を形成するカーボン材料よりも緻密な構造を有し、且つ純度も高い。なお、この熱分解炭素膜からなる膜材２６も、ＣＶＤ法（化学気相成長法）等によって、その膜厚が約「２０〜６０μｍ」程度となるように成膜されており、またこのときに上記膜材２６中に含有される窒素濃度は「１ｐｐｍ」以下に制御されている。
【００４０】
また、上記容器２０中ほどの断熱材７１ｄの下方にはコイル７２が設けられており、このコイル７２への高周波電流の通電によって上記下部サセプタ２２が誘導加熱される。
なお、この実施の形態にかかるＣＶＤ装置でも、上記原料ガスとして、プロパンガス（Ｃ3Ｈ8）およびシランガス（ＳｉＨ4）を主成分とするガスを、また上記キャリアガスとして水素ガス（Ｈ2）を含有するガスをそれぞれ用いている。ただし、このＣＶＤ装置では、これらキャリアガスおよび原料ガスからなる処理ガスＧは、同図２に矢指する態様で上記容器２０の底面側から同容器２０の中ほどまで鉛直方向に流通した後、上部サセプタ２１に沿って同容器２０の外周方向に流通し、上記基板７０ａ、７０ｂの表面と略平行に流動した後、容器２０の外部へ排出される。
【００４１】
次に、こうした構造からなるＣＶＤ装置による上記基板７０ａ、７０ｂへの炭化珪素（ＳｉＣ）膜の成膜手順について説明する。
同膜の成膜に際してはまず、成膜対象とする半導体基板７０ａ、７０ｂを上記基板ホルダ２４ａ、２４ｂにそれぞれ装着した後、容器２０を閉じ、該基板７０ａ、７０ｂ共々基板ホルダ２４ａ、２４ｂおよび上記上部サセプタ２１を回転させる。また、容器２０内にキャリアガスを導入し、上記コイル７２に例えば８ｋＨｚ程度の周波数に設定された高周波電流を流す。これにより、上記下部サセプタ２２がまず誘導加熱され、次いで、この下部サセプタ２２の輻射熱により、上部サセプタ２１、基板ホルダ２４ａ、２４ｂ、および上記基板７０ａ、７０ｂの表面が、例えば「１５００℃」以上になるように加熱される。こうして上記基板７０ａ、７０ｂの表面が十分に加熱された状態で、上記キャリアガスに加え、容器２０内に原料ガスを導入する。これにより、これら基板７０ａ、７０ｂの表面で上記原料ガスが熱分解されて、同基板７０ａ、７０ｂの表面に同時に炭化珪素（ＳｉＣ）の単結晶からなるエピタキシャル膜が成膜される。そしてこのとき、このエピタキシャル膜中のキャリア濃度は、上記基板７０ａ、７０ｂに対向する上記膜材２６中の窒素濃度を上述のように「１ｐｐｍ」以下に制御することによって、「１×１０16ｃｍ-3」以下に制御されることができるようになる。またこのときも、上記基板７０ａ、７０ｂは回転しているため、これら基板７０ａ、７０ｂの表面のうち、原料ガスの上流側に位置する部分が順次入れ替わり、上記エピタキシャル膜は均一な膜厚分布を保ちながら成膜されるようにもなる。しかも、この実施の形態にかかるＣＶＤ装置においても、先の第１の実施の形態と同様に、下部サセプタ２２の表面に上記熱分解炭素膜からなる膜材２６をあらかじめ成膜している。これにより、同サセプタ２２を形成するカーボン材料が上記キャリアガスに含まれる水素（Ｈ2）と反応してエッチングされることに起因する同カーボン材料のパーティクルの発生等は抑制され、ひいては上記基板７０上へのエピタキシャル膜の成膜も均一になされるようになる。また、こうしてキャリアガスに対するエッチング耐性の高い膜材２６を上記下部サセプタ２２に成膜しておくことで、カーボン材料と水素との反応による炭化水素ガスの発生も併せて抑制されるようになる。すなわち、気相中の炭素／珪素比（Ｃ／Ｓｉ）が安定化されて、上記エピタキシャル膜中のキャリア濃度も均一に保持されるようになることから、同エピタキシャル膜をより安定に成膜させることができるようにもなる。
【００４２】
以上説明したように、この第２の実施の形態にかかるＣＶＤ装置によっても、先の第１の実施の形態による前記（１）〜（８）の効果と同等、もしくはそれに準じた効果が得られるとともに、さらに以下のような効果が得られるようになる。
【００４３】
（９）上記上部サセプタ２１には複数の基板ホルダ２４ａ、２４ｂを設け、これら基板ホルダ２４ａ、２４ｂのそれぞれに複数の基板７０ａ、７０ｂを装着することとした。このような構成により、これら複数の基板７０ａ、７０ｂの表面に、同時にエピタキシャル膜を成膜することができ、その生産効率を大幅に高めることができるようになる。
【００４４】
（第３の実施の形態）
次に、この実施の形態にかかるＣＶＤ装置の第３の実施の形態について、図３を参照して説明する。この実施の形態にかかるＣＶＤ装置も、半導体基板（ウェハ）の表面にさらに純度の高いエピタキシャル膜を成膜する装置であるが、容器をはじめ、その内部の構成が先の第１および第２の実施の形態とは異なっている。
【００４５】
このＣＶＤ装置も、その容器３０は筒状（円筒状には限らない）からなる。そして、図３に示されるように、この容器３０の中央部には基板ホルダ３１が配設されている。この基板ホルダ３１の表面には２枚の半導体基板７０ａ、７０ｂが、その表面が鉛直方向に略平行となるかたちで保持されている。
【００４６】
一方、上記容器３０の内部の壁面には筒状に断熱材７１ｅが配設されている。そして上記断熱材７１ｅには、これと隣接するようにカーボン材料からなる筒状のサセプタ３２が、上述した半導体基板７０ａ、７０ｂを覆うかたちで配設されている。そして、これら基板７０ａ、７０ｂとサセプタ３２との間が処理ガスの流通経路となる。
【００４７】
また、この実施の形態においても、上記サセプタ３２の表面には熱分解炭素膜からなる膜材３６が成膜されている。この熱分解炭素膜も、プロパンガス（Ｃ3Ｈ8）等の炭化水素系ガスもしくは炭化水素化合物等を熱分解することにより生成される周知の炭素膜であり、上記サセプタ３２を形成するカーボン材料よりも緻密な構造を有し、且つ純度も高い。なお、この熱分解炭素膜からなる膜材３６は、ＣＶＤ法（化学気相成長法）等によって、その膜厚が約「２０〜６０μｍ」程度となるように成膜されており、またこのときに上記膜材３６中に含有される窒素濃度は「１ｐｐｍ」以下に制御されている。
【００４８】
また、上記容器３０の外壁面にはコイル７２が設けられており、このコイル７２への高周波電流の通電によって上記サセプタ３２が誘導加熱される。
なお、この実施の形態にかかるＣＶＤ装置でも、上記原料ガスとして、プロパンガス（Ｃ3Ｈ8）およびシランガス（ＳｉＨ4）を主成分とするガスを、また上記キャリアガスとして水素ガス（Ｈ2）を含有するガスをそれぞれ用いている。そして、これらの混合された処理ガスＧは、この実施の形態においては、同図３に矢指する態様で鉛直方向下方から上方に向かって流通する。このとき、上記基板ホルダ３１は鉛直方向下方にむかって楔型形状に形成されていることで、こうした処理ガスの流速の低下を抑制し得る構成としている。
【００４９】
次に、こうした構造からなるＣＶＤ装置による上記基板７０ａ、７０ｂへの炭化珪素（ＳｉＣ）膜の成膜手順について説明する。
同膜の成膜に際してはまず、成膜対象とする半導体基板７０ａ、７０ｂを上記基板ホルダ３１にそれぞれ配設した後、容器３０を閉じ、同容器３０内にキャリアガスを導入しながら、上記コイル７２に例えば８ｋＨｚ程度の周波数に設定された高周波電流を流す。これにより、上記サセプタ３２がまず誘導加熱され、次いで、このサセプタ３２の輻射熱により、上記基板ホルダ３１および上記基板７０ａ、７０ｂの表面が、例えば「１５００℃」以上になるように加熱される。こうして上記基板７０ａ、７０ｂの表面が十分に加熱された状態で、上記キャリアガスに加え、容器３０内に原料ガスを導入する。これにより、これら基板７０ａ、７０ｂの表面で上記原料ガスが熱分解されて、同基板７０ａ、７０ｂの表面に同時に炭化珪素（ＳｉＣ）の単結晶からなるエピタキシャル膜が成膜される。そしてこのとき、このエピタキシャル膜中のキャリア濃度は、上記基板７０ａ、７０ｂに対向する上記膜材３６中の窒素濃度を上述のように「１ｐｐｍ」以下に制御することによって、「１×１０16ｃｍ-3」以下に制御されることができるようになる。しかも、この実施の形態にかかるＣＶＤ装置においても、先の第１および第２の実施の形態と同様に、上記サセプタ３２の表面に上記熱分解炭素膜からなる膜材３６をあらかじめ成膜している。これにより、同サセプタ３２を形成するカーボン材料が上記キャリアガスに含まれる水素（Ｈ2）と反応してエッチングされることに起因する同カーボン材料のパーティクルの発生等は抑制され、ひいては上記基板７０ａ、７０ｂ上へのエピタキシャル膜の成膜も均一になされるようになる。また、こうしてキャリアガスに対するエッチング耐性の高い膜材３６を上記サセプタ３２に成膜しておくことで、カーボン材料と水素との反応による炭化水素ガスの発生も併せて抑制されるようになる。すなわち、気相中の炭素／珪素比（Ｃ／Ｓｉ）が安定化されて、上記エピタキシャル膜中のキャリア濃度も均一に保持されるようになることから、同エピタキシャル膜をより安定に成膜させることができるようにもなる。
【００５０】
以上説明したように、この第３の実施の形態にかかるＣＶＤ装置によっても、先の第１の実施の形態による前記（１）〜（８）の効果、および第２の実施の形態による前記（９）の効果と同等、もしくはそれに準じた効果が得られるとともに、さらに以下のような効果が得られるようになる。
【００５１】
（１０）ＣＶＤ装置自体の構成として、上述の構成を採用したことにより、上記基板７０ａ、７０ｂは、そのエピタキシャル膜が形成される面が、鉛直方向に略平行となるように配設される。このため、たとえ上記膜材３６がエッチングされることに起因してパーティクル等が発生したとしても、同エピタキシャル膜表面への付着が抑制されるようになる。さらに、上記基板ホルダ３１には少なくとも２枚の基板７０ａ、７０ｂを配設することができるため、これら基板７０ａ、７０ｂ表面に同時にエピタキシャル膜を成膜することもでき、この場合も生産効率を高めることができるようになる。
【００５２】
（その他の実施の形態）
なお、この発明にかかるＣＶＤ装置は、上記第１〜３の実施の形態として示した構成に限らず、これらを適宜変更した、以下の態様にて実施することもできる。
【００５３】
・上記第１および第２の実施の形態では、半導体基板を基板ホルダ共々、周方向に回転させることとした。また、特に第２の実施の形態ではさらに、基板ホルダが設けられたサセプタ自体も回転させることとした。しかし、基板の取り付け角度や処理ガスの流通態様の調整を通じて、半導体基板表面に均一にエピタキシャル膜を成膜することができれば、前述した各回転機構の配設を割愛する構成とすることもできる。
【００５４】
・また、これら第１および第２の実施の形態において、上部サセプタ（１１、２１）と下部サセプタ（１２、２２）とはそれぞれ重力方向について上方および下方に配設されるものであればよく、その配設角度等は任意である。要は、これらサセプタ間、すなわち半導体基板と下部サセプタ（１２、２２）間を上記処理ガスが流通することのできる構造であればよい。
【００５５】
・特に第１および第２の実施の形態においては上述のように、上部サセプタ（１１、２１）側に半導体基板を設置する構造が確かに望ましい。しかし、上記熱分解炭素膜からなる膜材（１６、２６）の被覆によって下部サセプタ（１２、２２）の前記水素ガス（Ｈ2）によるエッチングが抑制され、同下部サセプタからのパーティクル等の発生も十分に抑制される場合には、上記半導体基板をこの下部サセプタ側に設置する構造とすることもできる。
【００５６】
・上記各実施の形態では、膜材（１６、２６、３６）が上記サセプタ（１２、２２、３２）の全面を覆うように成膜されるとしたが、これら膜材（１６、２６、３６）は、少なくとも半導体基板に対向する面に成膜されていればよい。要は、少なくとも上記半導体基板に対向する面において、カーボン材料のエッチングに起因するパーティクル等の発生が抑制される構造であれば、これらパーティクル等の半導体基板表面への付着等は抑制することができる。
【００５７】
・上記各実施の形態では、膜材（１６、２６、３６）として熱分解炭素膜を用いることとしたが、これに代えて金属炭化物膜を用いることもできる。この金属炭化物膜として具体的には、炭化タンタル（ＴａＣ）、炭化二モリブデン（Ｍｏ2Ｃ）、炭化チタン（ＴｉＣ）、炭化ジルコニウム（ＺｒＣ）、炭化バナジウム（ＶＣ）、炭化タングステン（ＷＣ）および炭化ニオブ（ＮｂＣ）等が挙げられ、これら材料の少なくとも１つを含有する膜を用いることができる。このような金属炭化物膜は、上記各実施の形態で用いた熱分解炭素膜と同様に、その被覆対象とするサセプタ（１２、２２、３２）を形成するカーボン材料よりも緻密な構造を有し、且つ純度の高い材料である上にさらに耐熱性にも優れている。このため、これらサセプタ（１２、２２、３２）が高温に加熱された場合であっても、上記金属炭化物膜と水素ガス（Ｈ2）との反応性は低く抑えられるとともにカーボン材料のエッチングに起因するパーティクル等の発生も抑制され、ひいては高品質のエピタキシャル膜の成膜が図られるようになる。
【００５８】
・上記各実施の形態では、高周波誘導加熱によって上記サセプタを加熱することとしたが、加熱手段はこうした高周波誘導加熱に限られない。上記サセプタがヒータ等によって直接加熱される構成としてもよい。要は、半導体基板が加熱された上記サセプタの熱輻射によって均一に加熱されることで、均一に上記エピタキシャル膜の成膜を図ることのできる構成であればよい。
【００５９】
・上記各実施の形態では、原料ガスとしてシランガス（ＳｉＨ4）およびプロパンガス（Ｃ3Ｈ8）を用いることとしたが、ガスの種類はこれらに限られない。シラン系またはジクロロシラン系ガスとしては例えば、ジクロロシランガス（ＳｉＨ2Ｃｌ2）、テトラクロロシランガス（ＳｉＣｌ4）、トリクロロシランガス（ＳｉＨＣｌ3）等を、また不飽和炭化水素ガスとしては例えば、アセチレンガス（Ｃ2Ｈ2）、エチレンガス（Ｃ2Ｈ4）等を採用してもよい。
【００６０】
・上記各実施の形態では、キャリアガスとして水素ガス（Ｈ2）を含有するガスを採用し、膜材（１６、２６、３６）として水素ガス（Ｈ2）に対するエッチング耐性の高い材料を用いることとした。これに代えて、上記キャリアガスとしては、例えばヘリウムガス（Ｈｅ）、アルゴンガス（Ａｒ）等を採用することもでき、また単一ガスのほか、これらを適宜混合した混合ガスを採用することもできる。その場合であれ要は、上記膜材（１６、２６、３６）としてこれらキャリアガスに対するエッチング耐性の高い材料を採用することとすればよく、これによってエッチングに起因するパーティクル等の発生を抑制することができるようになる。
【００６１】
・上記各実施の形態では、半導体基板として炭化珪素（ＳｉＣ）からなる基板を用い、この表面に炭化珪素（ＳｉＣ）膜からなるエピタキシャル膜を成膜することとしたが、この発明にかかるＣＶＤ装置において成膜（成長）対象とするエピタキシャル膜や基板はこれに限らない。例えばシリコン（Ｓｉ）からなる基板表面に他のエピタキシャル膜を成膜する装置として同ＣＶＤ装置を用いることもできる。なお、このように炭化珪素（ＳｉＣ）以外の基板を採用した場合には、上記エピタキシャル膜中に窒素のほか、ホウ素、アルミニウム等の不純物が含有されるおそれがある。このような場合であっても、前記キャリア濃度を「１×１０16ｃｍ-3」以下に制御するためには、バックグラウンドのこうした不純物濃度を該「１×１０16ｃｍ-3」よりも「１桁」以上低く設定することが望ましい。要は、上記膜材に含有される不純物濃度がそれぞれの元素に対して「１ｐｐｍ」以下であればよい。
【００６２】
・上記各実施の形態では、半導体基板の表面に対向する面に膜材（１６、２６、３６）が成膜されていることとしたが、半導体基板を設置する側のサセプタや基板ホルダの表面も、不純物濃度が低い材料であることが望ましい。その意味では、これら半導体基板を設置する側のサセプタや基板ホルダの表面にも、上記膜材と同じ材質の膜材や炭化珪素（ＳｉＣ）膜を成膜しておくことが望ましい。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】この発明にかかるＣＶＤ装置の第１の実施の形態について、その容器の断面構造を示す断面図。
【図２】この発明にかかるＣＶＤ装置の第２の実施の形態について、その容器の断面構造を示す断面図。
【図３】この発明にかかるＣＶＤ装置の第３の実施の形態について、その容器の断面構造を示す断面図。
【図４】従来のＣＶＤ装置を示す概略構成図。
【符号の説明】
【００６４】
１０、２０、３０…容器、１１、２１・・・上部サセプタ、１２、２２・・・下部サセプタ、２２ａ、３２…サセプタ、１１ａ、２１ａ、２１ｂ、３１ａ、３１ｂ…凹部、１３、２３ａ、２３ｂ…貫通孔、１４、２４ａ、２４ｂ、３１…基板ホルダ、１５、２５ａ、２５ｂ、２５ｃ…回転軸、１６、２６、３６…膜材、１０８…ガス流入パイプ、７０、７０ａ、７０ｂ…半導体基板、７１ａ、７１ｂ、７１ｃ、７１ｄ、７１ｅ…断熱材、７２…コイル、１００…成膜室、１０１…プレート、１０８ａ…先端ノズル、１０９…ガス排出パイプ。
【図１】
2006028625.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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