(57)【要約】      （修正有）【課題】製造中及びその後の使用において摩損も粒子生成もなく確実に接地可能な、ＥＵＶリトグラフィー用マスクブランクを提供する。【解決手段】前面４及び背面３を有する基板２を供する工程と、基板背面上へ導電性層５を蒸着する工程と、基板前面上へ少なくとも第一層６及び第二層９から成るコーティングを蒸着する工程と、前面４上の少なくとも１つの所定の位置に取扱い部分が形成され、取り扱い部分は機械的クランプ手段あるいは取扱い装置を用いてマスクブランク１を取り扱えるように設計され、第一層６は、マスクブランク１がその前面から取り扱われる時に、機械的クランプ手段あるいは取扱い装置によって第一層６が圧迫されるように、取扱い部分のそれぞれにおいて露出される構成とする。【選択図】図１
2006049910.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面（４）及び背面（３）を有する基板（２）を供する工程と、
前記基板背面上へ導電性層（５）を蒸着する工程と、
前記基板前面上へ少なくとも第一層（６）及び第二層（９）から成るコーティングを蒸着する工程と、
前記コーティング（６，９）をフォトリトグラフィー処理のため構造化する工程から構成される、フォトリトグラフィー処理、特にＥＵＶリトグラフィー処理において用いるマスクブランク（１）の製造方法であって、
前記前面（４）上の少なくとも１つの所定の位置に取扱い部分（２２；２２ａ−２２ｃ）が形成され、前記取扱い部分にはフォトリトグラフィー処理のための構造化が為されておらず、また前記取り扱い部分は機械的クランプ手段あるいは取扱い装置を用いてマスクブランク（１）を取り扱えるように設計され、及び
前記第一層（６）は、前記マスクブランク（１）がその前面から取り扱われる時に、前記機械的クランプ手段あるいは取扱い装置が前記第一層（６）に当接されるように前記取扱い部分（２２；２２ａ−２２ｃ）のそれぞれにおいて露出されることを特徴とする前記製造方法。
【請求項２】
前記コーティング（６，９）が、基板（２）側壁の少なくとも一部も被覆されるように蒸着され、及び前記コーティング（６，９）が導電性であることを特徴とする請求項１項記載の方法。
【請求項３】
前記コーティング（６，９）がさらに前記基板（２）背面上の前記導電性コーティング（５）と接触するように蒸着されることを特徴とする請求項２項記載の方法。
【請求項４】
前記基板（２）が前記導電性層（５）を蒸着するために機械的クランプ手段あるいは取扱い装置によって保持され、及び前記基板が静電チャックによって保持されている間に前記第一層（６）が前記基板前面上へ蒸着されるように、前記基板がその前面上への前記第一層（６）の蒸着に先立って静電チャックへ移されることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記コーティング（６，９）の表面がＳｉまたはＳｉＯ２から成ることを特徴とする請求項４項記載の方法。
【請求項６】
前記第一層がＳｉ／Ｍｏの多層から形成されることを特徴とする請求項５項記載の方法。
【請求項７】
前記第一層（６）上へ応力補正層（９）がさらに形成され、前記応力補正層が前記第二層を形成することを特徴とする請求項４〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記応力補正層がＣｒまたはＳｉＯ２から成ることを特徴とする請求項７項記載の方法。
【請求項９】
前記応力補正層（９）で前記基板（２）側壁が取り巻かれるように前記応力補正層が形成されることを特徴とする請求項７または８に記載の方法。
【請求項１０】
フォトリトグラフィー処理のために用いられる放射線を弱めあるいは吸収するため、前記マスクブランク（１）前面上へ吸収層（１０）がさらに蒸着されることを特徴とする請求項４〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記応力補正層（９）及び前記吸収層（１０）の蒸着に先立って前記基板（２）が機械的クランプ手段あるいは取扱い装置へ移され、前記機械的クランプ手段あるいは取扱い装置が基板背面（３）から基板（２）を保持し、前記応力補正層（９）及び前記吸収層（１０）がそれぞれ所定の取扱い部分（２２）に少なくとも１個の開口部を有して形成され、かつ前記取扱い部分の下方に位置する前記第一層（６）が露出されるように、前記基板（２）の前面（４）上の少なくとも一部分がマスクされることを特徴とする請求項４〜１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
前記吸収層（１０）の蒸着に先立って前記基板（２）が機械的クランプ手段あるいは取扱い装置へ移され、前記機械的クランプ手段あるいは取扱い装置が前記背面（３）から前記基板（２）を保持し、前記吸収層（１０）がそれぞれ所定の取扱い部分（２２）に少なくとも１個の開口部を有して形成され、かつ前記取扱い部分の下方に位置する前記第一層（６）が露出されるように、前記基板（２）の前記前面（４）上の少なくとも一部分がマスクされることを特徴とする請求項４〜１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
前記吸収層（１０）がＣｒ、ＴａＮ、あるいはドープされたＴａＮから成ることを特徴とする請求項１０〜１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
前記吸収層（１０）がイオンビーム補助スパッタリングによって形成されることを特徴とする請求項１０〜１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
前記基板背面（３）上への前記導電性層（５）の蒸着に先立って応力補正層が最初に処理されることを特徴とする請求項１〜１４のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】
前記応力補正層がその組成として、
タンタルを含量として４５〜６５原子％の範囲内、好ましくは４７〜６２原子％の範囲内、及び、
窒素を含量として３５〜５５原子％の範囲内、好ましくは３８〜５０原子％の範囲内で含み、
前記応力補正層の厚さが１７２ｎｍ〜１７８ｎｍの範囲内、好ましくは１７５ｎｍであることを特徴とする請求項１５項記載の方法。
【請求項１７】
前記導電性層（５）がその組成として、
クロムを含量として８８％〜９０原子％の範囲内、好ましくは８８．５〜８９．５原子％の範囲内、
窒素を含量として９〜１１．５原子％の範囲内、好ましくは９〜１１．５原子％の範囲内、及び
炭素を含量として０．７〜０．９原子％の範囲内で、また好ましくは０．８原子％含み、
前記導電性層（５）の厚さが５８ｎｍ〜６２ｎｍの範囲内、好ましくは６０ｎｍであることを特徴とする請求項１〜１６のいずれかに記載の方法。
【請求項１８】
前面（４）及び背面（３）を有する基板（２）、
マスクブランク（１）を静電チャックを用いて保持できるように、前記基板背面上へ蒸着される導電性層（５）、及び
前記基板（２）の前面上へ蒸着されるコーティング（６，９）から構成されるフォトリトグラフィー処理、特にＥＵＶリトグラフィー処理に用いるマスクブランクであって、
前記前面上の少なくとも１つの所定位置に取扱い部分（２２；２２ａ−２２ｃ）がそれぞれ設けられ、前記取扱い部分がフォトリトグラフィー処理のために構造化されていないかあるいは設けられておらず、及び前記取扱い部分が機械的クランプ手段あるいは取扱い装置を用いて前記マスクブランク（１）を取り扱うように設計されており、
前記コーティングが少なくとも第一層（６）及び第二層（９）から構成され、マスクブランク（１）がその前面から取り扱われる場合、前記機械的クランプ手段あるいは取扱い装置が前記第一層（６）に当接するように、前記第一層（６）が前記それぞれの取扱い部分（２２；２２ａ−２２ｃ）において露出されることを特徴とする前記マスクブランク。
【請求項１９】
前記コーティング（６，９）によって前記基板（２）の側壁の少なくとも一部がさらに被覆され、前記コーティング（６，９）が導電性であることを特徴とする請求項１８項記載のマスクブランク。
【請求項２０】
前記コーティング（６，９）が前記基板背面上において前記導電性層（５）とさらに接触することを特徴とする請求項１９項記載のマスクブランク。
【請求項２１】
前記コーティング（６，９）の表面がＳｉまたはＳｉＯ２から成ることを特徴とする請求項２０項記載のマスクブランク。
【請求項２２】
前記コーティングがＳｉ／Ｍｏの多層から成る多層状層（６）に形成されていることを特徴とする請求項２１項記載のマスクブランク。
【請求項２３】
前記コーティングに応力補正層（９）がさらに含まれることを特徴とする請求項２０〜２２のいずれかに記載のマスクブランク。
【請求項２４】
前記応力補正層にＣｒあるいはＳｉＯ２が含まれることを特徴とする請求項２３項記載のマスクブランク。
【請求項２５】
前記応力補正層（９）によって基板（２）側壁が取り巻かれていることを特徴とする請求項２３または２４に記載のマスクブランク。
【請求項２６】
前記取扱い部分（２２）の下方に位置する前記第一層（６）が露出されるように、前記応力補正層（９）が所定の取扱い部分（２２）のそれぞれに形成される少なくとも１個の開口部を有することを特徴とする請求項２３〜２５のいずれかに記載のマスクブランク。
【請求項２７】
フォトリトグラフィー処理のために用いられる放射線を弱めあるいは吸収するため、マスクブランク前面上へ吸収層（１０）がさらに蒸着されることを特徴とする請求項１９〜２６のいずれかに記載のマスクブランク。
【請求項２８】
前記吸収層（１０）がＣｒ、ＴａＮ、またはドープされたＴａＮから成ることを特徴とする請求項２７項記載のマスクブランク。
【請求項２９】
前記導電性層（５）と前記基板背面（３）との間に応力補正層が設けられることを特徴とする請求項１８〜２８のいずれかに記載のマスクブランク。
【請求項３０】
前記応力補正層がその組成として、
タンタルを含量として４５〜６５原子％の範囲内、好ましくは４７〜６２原子％の範囲内、及び、
窒素を含量として３５〜５５原子％の範囲内、好ましくは３８〜５０原子％の範囲内で含み、
前記応力補正層の厚さが１７２ｎｍ〜１７８ｎｍの範囲内、好ましくは１７５ｎｍであることを特徴とする請求項２９項記載のマスクブランク。
【請求項３１】
前記導電性層（５）がその組成として、
クロムを含量として８８％〜９０原子％の範囲内、好ましくは８８．５〜８９．５原子％の範囲内、
窒素を含量として９〜１１．５原子％の範囲内、好ましくは９．５〜１１原子％の範囲内、及び
炭素を含量として０．７〜０．９原子％の範囲内で、また好ましくは０．８原子％含み、
前記導電性層（５）の厚さが５８ｎｍ〜６２ｎｍの範囲内、好ましくは６０ｎｍであることを特徴とする請求項１８〜３０のいずれかに記載のマスクブランク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は概略的にはフォトリトグラフィー処理、特におよそ１３ｎｍの領域におけるＥＵＶリトグラフィー（極端紫外リトグラフィー）処理に用いるマスクブランクの製造に関する。本発明は特にフォトリトグラフィー処理、特にＥＵＶリトグラフィー処理の取扱いに適するマスクブランクの製造方法、及び本方法において製造されるマスクブランクに関する。
【背景技術】
【０００２】
マイクロエレクトロニクスのみならず例えばマイクロシステムエンジニアリング等の他の用途においてより高度な集積密度を達成するためには、リトグラフィー照射により短波長を使用する必要がある。将来およそ３５ｎｍ未満の幅の構造体を製造するために、１３ｎｍ前後の波長領域が用いられることが現在においても予測される。この観点においてフォトリトグラフィーのための高度に精密なマスクブランクを製造することは極めて重要である。何故なら、もしマスクブランクに欠陥があれば、例えフォトマスク中の誤差が極めて僅かであっても、それぞれのチップにその誤差が再現されるためである。従ってマスクブランクには本質的に欠陥があってはならない。フォトマスクの汚損あるいは損傷をひき起こすすべての原因はその製造中あるいはその後の静電チャック、機械的クランプ手段、あるいは取扱い装置を用いた取扱い中に生ずるので、これらの原因は可能な限り取り除かれなければならない。
【０００３】
マスクブランクの製造には高度に正確な技術が要求され、機械的摩損及び粒子生成を可能な限り避けるためマスクブランクの保持及び取扱いには最大の注意を払う必要がある。フォトマスクは多数の半導体基板の露光に用いられるため、マスクブランクあるいはフォトマスクの製造及び取扱いに高コストを投じることが正当化されている。この分野では例えごく僅かな改良であっても高コストを要する。それゆえ、マスクブランクあるいはフォトマスクの製造及び取扱いにおいて用いられる方法が比較的複雑であり高コストであっても驚くには当らない。これが集積回路等の製造における極めて僅かな収率の改善に高いコストを掛けられる理由である。
【０００４】
静電チャックは、背面に導電性コーティングが施された半導体基板を保持する手段として従来公知である。前記チャックと前記基板背面上の導電性コーティング間の接触面が比較的大きいため、保持操作中には低い圧迫力しか生じない。そのため前記背面上コーティングに対する摩損及び機械的応力が減じられる。２００３年４月１６日に出願された関連特許出願ＤＥ１０３１７７９２．２、「ＥＵＶリトグラフィーに用いるマスクブランク及びその製造方法」及び２００４年４月１６日に本願出願人によって出願された対応米国特許出願Ｎｏ．１０／８２５，６８１には背面に導電性コーティングが施されたマスクブランクが開示されている。この背面コーティングはイオン補助蒸着（イオンビーム蒸着）、とりわけイオンビーム補助スパッタリングを用いて処理され、高度に耐摩損性かつ耐久性であるコーティングが得られる。前記２つの特許出願の内容は、前記背面コーティングの特性及び蒸着方法に関する開示の参考に供するため特に本願に参照として記載した。
【０００５】
ＤＥ１０２３９８５８Ａ１（ＵＳ２００４０４１１０２Ａ１の対応出願）には基板表面のでこぼこを無くする方法及び構成が開示されている。ここでは、基板前面への多層反射コーティング処理が行われている。ＥＵＶ反射マスクの背面導電性コーティングについても開示されている。
【０００６】
基板側壁へのコーティングはマイクロエレクトロニクス分野では比較的稀に存在するが、マスクブランク分野、特にＥＵＶリトグラフィーでは全く知られていない。ＪＰ０３−２１２９１６Ａには絶縁基板側面へ保護層が処理された多層薄膜コンデンサーが開示されている。ＪＰ２００１−２９１６６１Ａには、基板前面上に多数層が蒸着され、コーティングが前面上へオーバーエッチングによって構造化される時に円錐形構造物が形成されないようにする反射マスクの製造方法が開示されている。
【０００７】
ＵＳ５，７５６，２３７には、マスク基板背面にウェットエッチングによって楔形状の溝が形成され、この溝に沿って射影マスクが分割分離されている射影マスクが開示されている。射影マスクの製造中にマスク基板側縁がフォトレジスト層で被覆される。しかしながら、この側縁コーティングは再度取り除かれる。
【０００８】
ＵＳ２００３／００３１９３４Ａ１には基板上に構造体が形成された基板から成るフォトマスクが開示されている。パターンのそれぞれ異なる部分の電位を同一に保持することにより静電放電による損傷を防止できるように、この基板及びパターン上には透明な導電性層が処理されている。しかしながら、構造化されていない部分は機械的クランプ手段あるいは取扱い装置を用いて取扱うために使用されていない。
【０００９】
ＵＳ２００２／００７６６２５Ａ１には、基板上にＥＵＶ放射線を反射するための多層反射層が設けられている該基板を含んだＥＵＶリトグラフィー用マスクブランクについて開示されている。この多層反射層にはＥＵＶ放射線を吸収するための吸収層が処理されている。
【００１０】
機械的装置を用いてマスクブランクを保持あるいは取扱うためには、マスクブランクあるいはマスクブランクから後続して製造されるフォトマスクを、その前面から取扱う必要がある。摩損を回避するため、基板の前面上に例えばコーティングを施さないままの状態に置いた特別な取扱い部分を設けることがＡＳＭＬ社によって提唱されている。従って、かかる部分においては、機械的クランプ手段あるいは取扱い装置がマスク基板の前面を直接圧迫する。マスク基板の前面は極めて平坦であり表面粗さは極僅かであるため、マスクの保持あるいは取扱い中に機械的摩損が生ずることが防止される。
【００１１】
このようなマスクの設計方法を図３に示す。図３に示すように、パターン部分２０はマスクブランク１の前面に設けられ、このパターン部分中において実際のフォトマスクが構造化あるいはパターン化によって形成される。マスクブランクの縁部分には符号の付されていない多数の部分が残されている。前記前面には未構造化部分２１も設けられ、これら未構造化部分によって前記パターン部分２０が取り囲まれている。符号２２ａ〜２２ｃはＡＳＭＬ社が提唱している未コーティングのままに残された別の領域となった取扱い部分を示している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明の第一の観点によれば、フォトリトグラフィー処理に用いられるより簡単かつ確実な方式で取扱いが可能なマスクブランクを作製するためのマスクブランク製造方法が提供される。また本発明の別の観点によれば、コスト効率的方式で製造可能であり、かつ製造中及びその後の使用において摩損も粒子生成も少なく保持及び取扱い可能なマスクブランクの製造方法が提供される。本発明のさらに別の観点によれば、特にマスクブランクの取扱い及び機械加工中により簡単有利かつより確実な方式で接地可能なマスクブランクが提供される。本発明のさらに別の観点によれば、対応マスクブランクもまた提供される。
【００１３】
本発明によれば、
前面及び背面を有する基板を供する工程と、
前記基板背面上へ導電性層を蒸着する工程と、
前記基板前面上へ少なくとも第一層及び第二層から成るコーティングを蒸着する工程と、
前記コーティングをフォトリトグラフィー処理のため構造化する工程から構成されるフォトリトグラフィー処理、特にＥＵＶリトグラフィー処理に用いられるマスクブランクの製造方法であって、
前記前面上の少なくとも１つの所定の位置に取扱い部分が形成され、前記取扱い部分にはフォトリトグラフィー処理のための構造化が為されておらず、また前記取扱い部分は機械的クランプ手段あるいは取扱い装置を用いて取扱えるように設計され、
前記第一層は、前記マスクブランクがその前面から取扱われる時に、前記機械的クランプ手段あるいは取扱い装置によって前記第一層が圧迫されるように、前記取扱い部分のそれぞれに露出されることを特徴とする前記マスクブランク製造方法が提供される。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
従って、本発明は、素材に対して穏やかで殆ど摩損を生じない方式のマスクブランクの取扱いが、従来技術において提案されたようなマスクブランクの前面上へ未コーティング部分を残しておくことだけによってでなく、前記取扱い部分へ適当なコーティング処理を行うことによっても達成可能であるとの知見に基づいている。通常、マスクブランク表面は極めて平坦であり荒さの残存は低度である。本願発明者によって見出されたように、このような表面は蒸着法を用いた相対的に欠陥がなく極めて均質なコーティングの形成に適する。かかるコーティングは、高度な平面性及び低欠陥密度によっても特徴付けられ、また高度に耐摩損性であり、かつ比較的高い応力にも耐えることができる。
【００１５】
前記前面コーティングの形成に工程のより少ない及び／またはより簡単な方法を用いることが有利である。特に、マスク基板の前面は、取扱い部分の形成に複雑なマスキング技術あるいはエッチング技術を用いることなく少なくとも工程の幾つかにおいてその全面を処理することが可能である。
【００１６】
さらに別の実施態様においては、前記コーティングは、基板側壁の少なくともある程度の部分が導電性コーティングで被覆される方式で蒸着される。かかる方式によれば、マスクブランクを前記側面へ電気的に接触させることも可能である。かかる方式は、例えば放射によって生ずる望ましくない充電を回避するためマスクブランクを接地し、及び／またはマスクを一定電位に保持するためには望ましい。何故なら、静電チャックを用いてさらにより確実かつ再現可能な方式でマスクブランクを保持できるからである。このようなマスクブランク側部からの接地を利用してマスクを破壊する可能性もある制御できない放電の発生を抑制することも可能である。
【００１７】
また別の実施態様によれば、前記コーティングは、該コーティングが基板背面上の導電性コーティングと接触するようにさらに蒸着される。従って、マスクブランクの前面も、コーティングの特に前記第一層が露出している前記取扱い部分の領域において接触される。このことは、本発明に従ったマスクブランクは前記前面、側壁、あるいは背面を任意に選択して確実に接地することができるので、本発明に従って達成できる別の重要な利点であることを示している。特に、接地目的のため、マスクブランクの取扱いに用いたものと同一の装置を用いることも可能である。
【００１８】
マスク基板背面上へ前記導電性コーティングを蒸着するため、機械的クランプ手段をマスク基板の前面あるいは側面から接近させて該マスク基板を保持することができる。前記導電性層がマスク基板の背面へ一旦処理されれば、後続する工程においてマスク基板の背面からかみ合う静電チャックを用いてマスク基板を確実に保持することができる。マスク基板の側壁も同様に露出させて該側壁上へ前記導電性層を蒸着することができる。
【００１９】
さらに別の実施態様によれば、前記前面上へ蒸着された前記第一層上へさらに緩衝層あるいは応力補正層を前記前面コーティングの第二層として形成することができる。一実施態様として、前記緩衝層あるいは応力補正層を前記取扱い部分中に蒸着することも可能である。但し、さらに別の実施態様に従って、例えば蒸着処理中に前記前面を適切にマスキングすることにより、前記取扱い部分中に前記緩衝層あるいは応力補正層が蒸着されないようにすることも可能である。かかる方式によって、前記取扱い部分内にある機械的クランプ手段あるいは取扱い装置が前記前面からのマスクブランクの機械的取扱い中に前記多層状層に当接するか、あるいは前記緩衝層または応力補性層に当接するかを確認することができる。
【００２０】
さらに別の実施態様によれば、前記緩衝層あるいは応力補正層上へさらに例えばクロム（Ｃｒ）、ＴａＮまたはドープされたＴａＮから成る吸収層を蒸着することができる。前記吸収層の蒸着を行うに際しては、マスク基板を静電チャックあるいは機械的クランプ手段を用いて保持することができる。一実施態様として、前記取扱い部分中に吸収層が形成されないように、蒸着処理中前記前面がマスクされる。さらに別の実施態様に従って、マスク基板の前面はマスクされず、後続して前記多層状層あるいは前記緩衝層または応力補正層が前記取り扱い部分中に露出されるように、前記取扱い部分が例えばウェットエッチング処理によって再度露出される。
【００２１】
さらに別の実施態様によれば、基板背面上への前記導電性層の蒸着に先立って背面コーティングによる応力を補正するため応力補正層が最初に処理される。
【００２２】
さらに別の実施態様によれば、前記目的のため、前記応力補正層へ窒化タンタルを含ませ、また特には前記応力補正層を本質的にすべて窒化タンタルから構成することができる。前記応力補正層の化学組成を特に、タンタル含量４５〜６５原子％、好ましくは４７〜６２原子％、及び窒素含量３５〜５５原子％、好ましくは３８〜５０原子％とすることができる。
【００２３】
この層の厚さは１７２ｎｍ〜１７８ｎｍの範囲内、好ましくは１７５ｎｍとすることができる。このような応力補正層へ事実上導電性であるコーティングが処理される。
【００２４】
さらに別の実施態様によれば、前記導電性層の組成を特に、クロム含量８８〜９０原子％、好ましくは８８．５〜８９．５原子％；窒素含量９〜１１．５原子％、好ましくは９．５〜１１原子％；及び炭素含量０．７〜０．９原子％、好ましくは０．８原子％から構成することができる。この導電性層の層厚は５８〜６２ｎｍの範囲内、好ましくは６０ｎｍとすることができる。しかしながら、本発明においては原則として前記導電性層の形成に他の適する金属を用いることも可能である。
【００２５】
前述した層の１つ、あるいはいくつか、あるいはすべての蒸着に本発明に従ってイオンビーム補助蒸着法（イオンビーム蒸着；ＩＢＤ）、特にイオンビーム補助スパッタリングを用いることが可能である。この方法によれば、とりわけ均質かつ欠陥のかなり少ない層を残存荒さの少ない状態で形成させることができる。
【発明の効果】
【００２６】
従って、本発明によれば、マスクブランクの取扱い装置を同時に用いることにより、本発明に従ったマスクブランクをその前面、側壁、あるいは背面から任意に選択して接地することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
本発明について以下に実施例を用いて、また添付図面を参照しながら説明し、本発明のさらに他の特徴、利点及び達成される目的について明らかにする。
図面中の同一符号は同一あるいは本質的に同じ方式で作用する構成要素あるいは構成要素群を示す。
【００２８】
図１に示すように、全体を符号１で示されたマスクブランクは、公知のＬＴＥ材料（低温膨張材料）、例えば本願出願人が用いているＺｅｒｏｄｕｒ（登録商標）から作製された基板２から構成される。基板２は背面３及び前面４を有している。図１に示すように、背面３上には導電性コーティング５が蒸着され、この導電性コーティングは本質的に完全に背面３を被覆している。前記背面コーティング及び背面コーティングの形成方法に関する詳細については、２００３年４月１６日出願の関連特許出願ＤＥ１０３１７７９２、「ＥＵＶリトグラフィーに用いるマスクブランク及びその製造方法」、及び本願出願人によって２００４年４月１６日に出願された対応米国特許出願Ｎｏ．１０／８２５，６１８に開示されている。これら特許出願の内容は本願に参照資料として挙げられる。これら特許出願中に記載されているように、導電性背面コーティングはイオンビーム補助蒸着（ＩＢＤ）、特にイオンビーム補助スパッタリングを用いて処理され、耐摩損性が極めて高いことで特徴付けられる。特に、ＤＩＮ５８１９６−５（ＤＩＮ：ドイツ工業規格）に従った布を用いた摩損に対する前記導電性コーティングの耐久性は少なくともカテゴリー２に該当し、ＤＩＮ５８１９６−４に従った消しゴムを用いた摩損に対する前記導電性コーティングの耐久性は少なくともカテゴリー２に該当し、ＤＩＮ５８１９６−２に従った接着テープを用いて試験した場合の前記導電性コーティングの接着強度は本質的に脱離０％に相当する。前記特許出願にはさらに、１００ｎｍ前後の層厚における前記導電性コーティングの抵抗率は少なくとも１０−７Ωｃｍ前後、好ましくは少なくとも１０−６Ωｃｍ前後、さらに好ましくは少なくとも１０−５Ωｃｍ前後であることが開示されている。かかる方式で背面上へコーティングされたマスクブランクは、機械的摩損あるいは取扱いによる粒子の生成を伴うことなく、前記背面上において静電チャックを用いて保持あるいは取り扱うことが可能である。
【００２９】
図１に示すように、前記前面４上には多層状層６、特にＳｉ／Ｍｏの多層から成る多層状層が形成され、この多層状層は公知方法を用いて放射線、特にＥＵＶ放射を反射するように設計及び使用することができる。図１に示されるように、部位７においても多層状層６によって基板２の側壁が被覆されている。図１に概略的に示されるように、背面上において、多層状層６は導電性背面コーティング５と接触している。この接触点８は当然側壁コーティング７の下端に形成され、基板２側壁とかなり面一に近い。別の実施態様（図示せず）として、前記導電性背面コーティング５で基板２の縦方向下縁部を僅かに被覆して、導電性背面コーティング５と多層状層６との接触点を基板２の側壁部位に形成することも可能である。図１に示すように、前記導電性コーティング５は基板２の背面３を完全には被覆していない。基板２の縁部位が少なくとも一定部分において導電性コーティング５で被覆されていないことについては以下においてより詳細に説明する。
【００３０】
図１に示すように、前記多層状層６にはさらに別の層、すなわち例えばＳｉＯ２、Ｓｉ、ＲｕまたはＴａ２Ｏ５から成る緩衝層あるいは応力補正層９と例えばＣｒ、ＴａＮまたはドープされたＴａＮ、特にＢｏｒ、ＣまたはＧｅでドープされたＴａＮから成る吸収層１０が処理される。前記吸収層１０及び前記緩衝層９を既知方式のフォトリトグラフィーを用いて構造化あるいはパターンすることによりマスクブランク１の中心部位にマスク領域２０（図３参照）を形成することができる。図１及び図３から分かるように、本発明に従ってマスクブランク１の側面上の縁部分には前記緩衝層９及び／または吸収層１０が設けられていない。そのためこれら縁部分においては、第一の実施態様の場合、前記多層状層６が露出されている。前記第一の実施態様では、かかる露出された多層状層を用いて、マスクブランクをその前面から取り扱う場合に機械的クランプ手段あるいは取扱い装置が直接圧迫できる取扱い部分がマスクブランク１の前面上に形成される。本発明に従って、これら多層状層６の露出面部分は十分な耐摩損性に形成され、また応力に耐えることができるので、前記取扱い部分２２においては基板前面からの取扱いが可能とされている。
【００３１】
前記第一の実施態様によれば、前記多層状層６の最上層には一定最小量の導電性があるため、前面から基板を取り扱う場合、前記取扱い部分において接触を起こすことによりマスクブランク１を接地することが可能である（図３参照）。これにより接地電流は、多層状層、特にその最上層を経て、前記取扱い部分２２（図３参照）から側壁部分７及び接触点８を経て導電性背面コーティング５へと通過し、そこから静電チャック（図示せず）を経て流出される。従って無制御な放電が生じた場合でも、マスクは静電チャックによって一定電位に保持されるため、マスクは猶安全に保持される。前記接地は、例えば特に電子ビームを用いた書込み中におけるフォトレジスト層の照射の際の望ましくない放電を防止するためにも必要である。静電チャックを用いることによりマスクブランク１は常に一定電位に保持されるので、マスクブランク１を終始信頼できる状態に保持することが可能である。
【００３２】
前記多層状層６の最上層はシリコン層であってもよい。このシリコン層は十分な厚さ、例えば約１１ｍｍとされ、このシリコン層の上部約３ｎｍだけが酸化される一方において残り部分が酸化されずに保持され、十分な導電性が与えられる。あるいは、前記多層状層６の最上層を例えばＲｕ、Ｔａ２Ｏ５等のいずれか他の適する耐摩損性材料を用いて形成してもよい。
【００３３】
図２は本発明の第二の実施態様に従ったマスクブランクの概略的断面を示した図である。図１とは異なり、緩衝層あるいは応力補正層がさらにマスクブランク１の側端部分７上に形成され、そして該層は背面接触点８まで延びている。代替構成として、前記側壁部分７の少なくとも一部を前記緩衝層あるいは応力補正層９で被覆することも可能である。前記緩衝層あるいは応力補正層９として特に適するものはＳｉＯ２層である。しかしながら、当業者には容易に明らかであるようにいずれか他の材料を用いることも可能である。第二の実施態様によれば、前記取扱い部分２２（図３参照）における接触は、原則として、接地用ロッド等を前記緩衝層を通して押しつけて該緩衝層の下方に位置する導電性層と接触させることによっても遂行可能である。かかる接触方式は特にマスクブランク１の側壁において採られるべきである。前記第二の実施態様に従って、マスクブランク１の前面から接近する機械的クランプ手段あるいは取扱い装置が前記取扱い部分中の緩衝層９に直接当接する。
【００３４】
もしかかる方式が回避されるべきであれば、図４に示した第三の実施態様に従って、前記取り扱い部分２２の下方に位置する緩衝層９中に１または２以上の切欠きを形成して多層状層６が露出されるようにしてもよい。前記第三の実施態様に従えば、前記チャックあるいは取扱い装置は、前記第一の実施態様と同様に、取扱い部分２２中の多層状層６に直接当接することができる。
【００３５】
以下において、本発明に従ったマスクブランクの製造方法について図５を参照しながら説明する。下記説明から明らかとなるように、基板は任意に選択される機械的クランプ手段あるいは静電チャックを用いて保持される。
【００３６】
図５に示すように、まずマスク基板の前面から接近する機械的クランプ手段によってマスク基板が保持される。本発明に従ったマスクブランクの製造は、好ましくはイオンビーム補助スパッタリング法を用いて実施される。次いで背面上へのコーティング処理を受けるマスク基板は、導電性コーティングに当接して背面からマスク基板を保持する静電チャックへと移動される。次いで基板前面上へ多層状層が蒸着される。この多層状層によって基板前面の全体が被覆される。多層状層の最上層は、マスク基板前面を接地するのに十分な一定最小量の導電性をもつ。前記多層状層の蒸着処理中マスク基板の側壁は露出されているため、この側壁も多層状層で必然的にある程度までコーティングされ、それによって前記の多層状層の最上層へも一定最小量の導電性が付与される。従ってマスク基板側壁への導電性コーティングは不可避的になされる。
【００３７】
図５に示すように、次いでマスク基板が機械的クランプ手段へ移され、それによって保持される。次いで緩衝層及び吸収層がマスク基板の前面上へ蒸着される。前記緩衝層及び吸収層の蒸着処理中、前記取り扱い部分が形成される部分（図３参照）へマスクを用いて該取扱い部分へ前記多層状層が形成されないようにする。このような方法により図１に示したマスクブランクを作製することができる。
【００３８】
前記緩衝層及び吸収層を蒸着するためマスク基板を機械的クランプ手段へ移動する代わりに、原則として本発明によれば、マスク基板を同じ静電チャックあるいは別の静電チャックを用いて基板背面から保持しながら前記緩衝層及び吸収層を蒸着することも可能である。
【００３９】
図５に示した方法の変形は図６に示されているが、この変形ではマスク基板が猶静電チャックによって保持されている状態で前記緩衝層がマスク基板前面上へ蒸着される。それゆえ、前記緩衝層はマスク基板側壁にも蒸着されて図２に示した前記第二の実施態様に従ったマスクブランクが作製される。
【００４０】
図６に示すように、次いでマスク基板が機械的クランプ手段へ移され、それからマスク基板前面上へ吸収層が蒸着される。前記吸収層の蒸着中は、前記取扱い部分に前記吸収層が蒸着されないようにマスクが再度用いられる。このような方法により図４に示したマスクブランクを作製することも可能である。
図６に示すように、マスク基板が同一静電チャックあるいは異なる静電チャックで基板背面から保持される時に、前記吸収層をマスク基板前面上へ蒸着することも勿論可能である。
【００４１】
図７には、図６に示した方法のさらなる変形が示されている。この変形例では基板前面上への吸収層の蒸着中にマスクは使用されないため、マスク基板前面は吸収層で完全に被覆される。この変形例は、後続の工程において、吸収層の下に位置する緩衝層あるいは応力補正層、あるいは緩衝層の下に位置する多層状層が、例えばウェットエッチングによって所定の取扱い部分に露出される点でのみ相違する。かかる方法により、最終的に図２あるいは図４に示したマスクブランクを得ることができる。図７に示した方法においては、マスク基板がその背面から同一の静電チャックあるいは異なる静電チャックによって保持されている時、マスク基板前面上へ吸収層を蒸着させることも勿論可能である。
【００４２】
上記説明を検討すれば当業者には直ちに明らかであるように、上述した導電性層の応力を補正するため、基板背面への導電性層の処理前に、窒化タンタルから成る応力補正層を最初に処理することが可能である。前記したように、この応力補正層上へクロム、窒素及び炭素から成る第二層を処理することが可能である。
【００４３】
上記説明を検討すれば当業者には容易に明らかであるように、上記解決手段の全体的概念及び特許請求の範囲において限定した保護範囲から逸脱することなく本発明にさらなる変更及び変形を加えることが可能である。特に、フォトリトグラフィー、特にＥＵＶリトグラフィー用のマスクブランクの作製に上記材料以外の材料を用いることも可能である。さらに、応力補正層を交互的に用い、あるいは多層状層の下へ付加的に設けることも可能である。本発明は、このような変形及び他の変形及び変更も本願特許請求の範囲において限定される本発明の保護範囲内に含むものである。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の第一の実施態様に従ったマスクブランクの略断面図である。
【図２】本発明の第二の実施態様に従ったマスクブランクの略断面図である。
【図３】本発明に従ったマスクブランクの略平面図である。
【図４】本発明の第三の実施態様に従ったマスクブランク部分平面図である。
【図５】本発明に従った方法をフローチャートで示した図である。
【図６】図５に示した方法の変形をフローチャートで示した図である。
【図７】図６に示した方法の変形をフローチャートで示した図である。
【符号の説明】
【００４５】
１：マスクブランク
２：基板
３：背面
４：前面
５：導電性背面コーティング
６：Ｓｉ／Ｍｏ多層状層
７：基板２側壁上Ｓｉ／Ｍｏ多層状層
８：接触点
９：緩衝層
１０：吸収層
１１：基板２側壁上緩衝層
１５：基板２縁部
１６：緩衝層９中の切欠き
２０：パターン部分
２１：無構造化部分
２２：取扱い部分
２２ａ：マスクブランク１角部に近接した取扱い部分
２２ｂ：中央取扱い部分
２２ｃ：さらに別の取扱い部分
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【外国語明細書】
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【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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