(57)【要約】【課題】マイクロレンズの製造方法、マイクロレンズアレイの製造方法、及びイメージセンサの製造方法が開示される。【解決手段】マイクロレンズの製造方法は、第１レンズパターンを形成する段階、マイクロレンズの非対称曲率を制御するように第１レンズパターンの一部分上に第２レンズパターンを形成する段階、及び第１レンズパターン及び第２レンズパターンをリフローさせる段階を含む。マイクロレンズアレイの製造方法及びＣＭＯＳイメージセンサの製造方法は、前述したマイクロレンズの製造方法によって、マイクロレンズアレイの中心から離れるほどマイクロレンズの曲率非対称性が大きくなるように、曲率が非対称的なマイクロレンズを形成する。従って、効果的にマイクロレンズの曲率を制御することができる。【選択図】    図３
2006215547.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１レンズパターンを形成する段階と、
マイクロレンズの非対称曲率を制御するように前記第１レンズパターンの一部分上に第２レンズパターンを形成する段階と、
前記第１レンズパターン及び前記第２レンズパターンをリフローさせる段階と、を含むことを特徴とするマイクロレンズの製造方法。
【請求項２】
前記マイクロレンズは、ＣＭＯＳイメージセンサに用いられることを特徴とする請求項１記載のマイクロレンズの製造方法。
【請求項３】
前記マイクロレンズは、電荷結合素子イメージセンサに用いられることを特徴とする請求項１記載のマイクロレンズの製造方法。
【請求項４】
前記マイクロレンズの製造方法は、
前記第１レンズパターンと接触する前記第２レンズパターンの面積を利用して前記マイクロレンズの曲率を制御することを特徴とする請求項１記載のマイクロレンズの製造方法。
【請求項５】
前記マイクロレンズの製造方法は、
前記第１レンズパターン上の前記第２レンズパターンの位置を利用して前記マイクロレンズの曲率を制御することを特徴とする請求項１記載のマイクロレンズの製造方法。
【請求項６】
前記マイクロレンズの製造方法は、
前記第２レンズパターンの厚さを利用して前記マイクロレンズの曲率を制御することを特徴とする請求項１記載のマイクロレンズの製造方法。
【請求項７】
前記マイクロレンズの製造方法は、
前記第２レンズパターン上に第３レンズパターンを形成する段階を更に含み、前記第３レンズパターンが形成された後に前記第１及び第２レンズパターンと共に前記第３レンズパターンをリフローさせて曲率が非対称的なマイクロレンズを形成することを特徴とする請求項１記載のマイクロレンズの製造方法。
【請求項８】
前記第１レンズパターン及び前記第２レンズパターンをリフローさせる段階は、
前記第１レンズパターン及び前記第２レンズパターンを漸次に温度を上昇させながら加熱する段階と、
加熱された前記第１レンズパターン及び前記第２レンズパターンを冷却させる段階と、を含むことを特徴とする請求項１記載のマイクロレンズの製造方法。
【請求項９】
前記第１レンズパターン及び前記第２レンズパターンは、９５％以上の光透過率を有する熱硬化性アクリル樹脂であることを特徴とする請求項１記載のマイクロレンズの製造方法。
【請求項１０】
前記第１レンズパターン及び前記第２レンズパターンをリフローさせる段階は、
前記第１レンズパターン及び前記第２レンズパターンを、１４０℃で５分間、１５０℃で５分間、１６０℃で５分間、及び１７０℃で５分間加熱する段階と、
加熱された前記第１レンズパターン及び前記第２レンズパターンを冷却させる段階と、を含むことを特徴とする請求項９記載のマイクロレンズの製造方法。
【請求項１１】
第１レンズパターンアレイを形成する段階と、
マイクロレンズアレイのそれぞれのマイクロレンズの非対称曲率を制御するように前記第１レンズパターンアレイ上に第２レンズパターンアレイを形成する段階と、
前記第１レンズパターンアレイ及び前記第２レンズパターンアレイをリフローさせる段階と、を含むことを特徴とするマイクロレンズアレイの製造方法。
【請求項１２】
前記マイクロレンズアレイのそれぞれのマイクロレンズは、前記マイクロレンズアレイの中心から離れるほど曲率非対称性が大きいことを特徴とする請求項１１記載のマイクロレンズアレイの製造方法。
【請求項１３】
前記マイクロレンズアレイは、ＣＭＯＳイメージセンサに用いられることを特徴とする請求項１２記載のマイクロレンズアレイの製造方法。
【請求項１４】
前記マイクロレンズアレイは、電荷結合素子イメージセンサに用いられることを特徴とする請求項１２記載のマイクロレンズアレイの製造方法。
【請求項１５】
前記マイクロレンズアレイの製造方法は、
前記第１レンズパターンアレイの第１レンズパターンと接触する前記第２レンズパターンアレイの第２レンズパターンの面積を利用して前記マイクロレンズの曲率を制御することを特徴とする請求項１１記載のマイクロレンズアレイの製造方法。
【請求項１６】
前記マイクロレンズアレイの製造方法は、
前記第１レンズパターンアレイ上の前記第２レンズパターンアレイの位置を利用して前記マイクロレンズの曲率を制御することを特徴とする請求項１１又は１５記載のマイクロレンズアレイの製造方法。
【請求項１７】
前記マイクロレンズアレイの製造方法は、
前記第２レンズパターンアレイの厚さを利用して前記マイクロレンズの曲率を制御することを特徴とする請求項１１記載のマイクロレンズアレイの製造方法。
【請求項１８】
前記マイクロレンズアレイの製造方法は、
前記第２レンズパターンアレイ上に第３レンズパターンアレイを形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項１１記載のマイクロレンズアレイの製造方法。
【請求項１９】
前記第１レンズパターンアレイ及び前記第２レンズパターンアレイをリフローさせる段階は、
前記第１レンズパターンアレイ及び前記第２レンズパターンアレイを漸次に温度を上昇させながら加熱する段階と、
加熱された前記第１レンズパターンアレイ及び前記第２レンズパターンアレイを冷却させる段階と、を含むことを特徴とする請求項１１記載のマイクロレンズアレイの製造方法。
【請求項２０】
前記第１レンズパターンアレイ及び前記第２レンズパターンアレイは、９５％以上の光透過率を有する熱硬化性アクリル樹脂であることを特徴とする請求項１１記載のマイクロレンズアレイの製造方法。
【請求項２１】
前記第１レンズパターンアレイ及び前記第２レンズパターンアレイをリフローさせる段階は、
前記第１レンズパターンアレイ及び前記第２レンズパターンアレイを、１４０℃で５分間、１５０℃で５分間、１６０℃で５分間、及び１７０℃で５分間加熱する段階と、
加熱された前記第１レンズパターンアレイ及び前記第２レンズパターンアレイを冷却させる段階と、を含むことを特徴とする請求項２０記載のマイクロレンズアレイの製造方法。
【請求項２２】
半導体基板上に光を感知するための光感知器を形成する段階と、
前記光感知器の上部に第１レンズパターンを形成する段階と、
マイクロレンズの非対称曲率を制御するように前記第１レンズパターンの一部分上に第２レンズパターンを形成する段階と、
前記第１レンズパターン及び前記第２レンズパターンをリフローさせる段階と、を含むことを特徴とするイメージセンサの製造方法。
【請求項２３】
前記マイクロレンズは、マイクロレンズアレイの中心から遠いほど曲率非対称性が大きいことを特徴とする請求項２２記載のイメージセンサの製造方法。
【請求項２４】
前記イメージセンサの製造方法は、ＣＭＯＳイメージセンサの製造に用いられることを特徴とする請求項２３記載のイメージセンサの製造方法。
【請求項２５】
前記イメージセンサの製造方法は、電荷結合素子イメージセンサの製造に用いられることを特徴とする請求項２３記載のイメージセンサの製造方法。
【請求項２６】
前記マイクロレンズの曲率は、前記マイクロレンズアレイの中心から遠い部分の曲率が、前記マイクロレンズアレイの中心に近い部分の曲率より大きいことを特徴とする請求項２２記載のイメージセンサの製造方法。
【請求項２７】
前記光感知器及び前記第１レンズパターンの間にカラーフィルターを形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項２２記載のイメージセンサの製造方法。
【請求項２８】
前記イメージセンサの製造方法は、
前記第１レンズパターンと接触する前記第２レンズパターンの面積を利用して前記マイクロレンズの曲率を制御することを特徴とする請求項２２記載のイメージセンサの製造方法。
【請求項２９】
前記イメージセンサの製造方法は、
前記第１レンズパターン上の前記第２レンズパターンの位置を利用して前記マイクロレンズの曲率を制御することを特徴とする請求項２２又は２８記載のイメージセンサの製造方法。
【請求項３０】
前記イメージセンサの製造方法は、
前記第２レンズパターンの厚さを利用して前記マイクロレンズの曲率を制御することを特徴とする請求項２２記載のイメージセンサの製造方法。
【請求項３１】
前記イメージセンサの製造方法は、
前記第２レンズパターン上に第３レンズパターンを形成する段階を更に含み、前記第３レンズパターンが形成された後に前記第１及び第２レンズパターンと共に前記第３レンズパターンをリフローさせて曲率が非対称的なマイクロレンズを形成することを特徴とする請求項２２記載のイメージセンサの製造方法。
【請求項３２】
前記第１レンズパターン及び前記第２レンズパターンをリフローさせる段階は、
前記第１レンズパターン及び前記第２レンズパターンを漸次に温度を上昇させながら加熱する段階と、
加熱された前記第１レンズパターン及び前記第２レンズパターンを冷却させる段階と、を含むことを特徴とする請求項２２記載のイメージセンサの製造方法。
【請求項３３】
前記第１レンズパターン及び前記第２レンズパターンは、９５％以上の光透過率を有する熱硬化性アクリル樹脂であることを特徴とする請求項２２記載のイメージセンサの製造方法。
【請求項３４】
前記第１レンズパターン及び前記第２レンズパターンをリフローさせる段階は、
前記第１レンズパターン及び前記第２レンズパターンを、１４０℃で５分間、１５０℃で５分間、１６０℃で５分間、及び１７０℃で５分間加熱する段階と、
加熱された第１レンズパターン及び前記第２レンズパターンを冷却させる段階と、を含むことを特徴とする請求項３３記載のイメージセンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はイメージセンサに係り、より詳細には、イメージセンサに用いられるマイクロレンズの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、イメージセンサとは、光学画像を電気信号に変換させる半導体素子であって、代表的には電荷結合素子（ＣＣＤ）とＣＭＯＳイメージセンサが広く使用されている。このうち、ＣＭＯＳイメージセンサは、ウェハ工程を通じて大量生産が可能であり、電力消費が低く、周辺回路と両立性が良く、１チップ化が可能なので、デジタルカメラ、スマートフォン、ＰＤＡ、ノートパソコン、防犯カメラ、バーコード探知器、ＨＤＴＶ解像度カメラ、玩具用品等に広く適用されている。
【０００３】
イメージセンサは、光を感知する光感知部（通常、フォトダイオードを含む）、及び感知された光を電気的信号に変換し処理するロジック回路部で構成されるが、光感度を向上させるために単位画素の面積のうち、光感知部の面積が占める比率を大きくする必要がある。しかし、根本的にチップのサイズに限界があり、使用されるピクセルの数が増加しており、ロジック回路部を完全に除去することは不可能なので、単位画素の面積のうち、光感知部の面積が占めることができる比率には限界がある。
【０００４】
従って、光感度を向上させるために、フォトダイオード以外の領域に入射する光の経路を変更して光をフォトダイオードに集める集光技術が登場した。このような集光のために、それぞれの単位画素毎に光を集光するマイクロレンズが使用される。通常、マイクロレンズは曲率が一定な平凸レンズで具現される。
【０００５】
図１は、曲率が一定な平凸レンズの断面図である。
【０００６】
図１を参照すると、平凸レンズの曲面が全て原点（Ｐ）を中心とする半径Ｒの円の一部であることがわかる。
【０００７】
従来技術によるイメージセンサにおけるマイクロレンズは、その中心がフォトダイオード等の光感知器の中心の上部に位置するように形成される。このような場合に、モジュールレンズを通じて入る光が、受光面に対して垂直に入射し、マイクロレンズアレイの中心部に集中されることによって、マイクロレンズアレイの中心部から遠いフォトダイオードは相対的に少ない量の光を受光することになる。従って、このような場合に、イメージセンサによって撮像されたイメージには、周辺が黒く見えるシェーディング（ｓｈａｄｉｎｇ）現象が生じる。
【０００８】
図２は、従来技術によるシェーディング現象を説明するためのイメージセンサの断面図である。
【０００９】
図２を参照すると、光感知器２１０Ｌ、２１０Ｃ、２１０Ｒのそれぞれの上部にマイクロレンズ２２０Ｌ、２２０Ｃ、２２０Ｒのそれぞれが位置することがわかる。図２に示すように、モジュールレンズ（図示せず）を通じて入る光は、マイクロレンズアレイの中心部に位置したマイクロレンズ２２０Ｃに対しては受光面５２に垂直方向に入射することになるが、マイクロレンズアレイの中心部から遠いマイクロレンズ２２０Ｌ、２２０Ｒに対しては受光面５２に対して傾斜して入射することになる。従って、マイクロレンズアレイの中心部から遠い光感知器２１０Ｌ、２１０Ｒは、その中心部に光が集光されず、エッジに光が集光され受光効率が低下する。更に、モジュールレンズを通じて入る光がマイクロレンズアレイの中心部に集中されるので、マイクロレンズアレイの中心から遠く離れている光感知器２１０Ｌ、２１０Ｒは、相対的に受光できる光量が少ない。
【００１０】
シェーディング現象を減少させるために、従来、マイクロレンズアレイの中心部から遠いマイクロレンズの位置をマイクロレンズアレイの中心部側に移動させる方法が使用された。マイクロレンズアレイの中心部から遠いマイクロレンズの位置を中心部側に移動させることによって、マイクロレンズアレイの中心部から遠い光感知器の中心部に光が集光されるようにすることができるので、受光効率を向上させることができる。しかし、このような方法は、例えば、シェアドピクセル（ｓｈａｒｅｄ−ｐｉｘｅｌ）構造のイメージセンサのように、マイクロレンズの位置を適切にシフトすることができない場合には適用されにくい。シェアドピクセル又はピクセルシェアド構造のＣＭＯＳイメージセンサは、非特許文献１にその構造が詳細に開示されている。
【００１１】
特許文献１には、「固体撮像装置及び固体撮像装置の製造方法」が開示されている。特許文献１の固体撮像装置は、マイクロレンズアレイの中心から遠いマイクロレンズの曲率を非対称的にすることによって、効果的に光感知器の中心部に集光することができるので、受光効率を向上させることができる。更に、特許文献１の固体撮像装置の製造方法は、マイクロレンズを加熱してこれを回転させることによって、遠心力を利用して回転軸から遠いマイクロレンズであるほど、該当マイクロレンズの曲率が更に非対称になるようにする。しかし、特許文献１の固体撮像装置の製造方法は、実際のマイクロレンズ製造工程に適用されにくい。特許文献１の固体撮像装置の製造方法は、マイクロレンズの製造工程時にウェハをモジュールレンズ単位に切断した後、切断されたそれぞれのウェハ片を回転させながら工程を進行しなければならず、これはイメージセンサの製造単価を上昇させて、イメージセンサの製作時間を大幅増加させるので、深刻な問題になる。
【特許文献１】特開平１１−３４０４４６号公報
【非特許文献１】Ｎｅｗ  Ｐｉｘｅｌ−Ｓｈａｒｅｄ  Ｄｅｓｉｇｎ  ａｎｄ  Ｓｐｌｉｔ−Ｐａｔｈ  Ｒｅａｄｏｕｔ  ｏｆ  ＣＭＯＳ  Ｉｍａｇｅ  Ｓｅｎｓｏｒ  Ｃｉｒｃｕｉｔｓ，Ｈｗａｎｇ−Ｃｈｅｒｎｇ  Ｃｈｏｗ，Ｙｕｎｇ−Ｋｕｏ  Ｈｏ  ２００２年
【００１２】
従って、効果的にマイクロレンズの曲率を非対称的に形成することができるマイクロレンズの製造方法が必要とされる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
前記のような問題点を解決するための本発明の目的は、非対称的な曲率を有するマイクロレンズを効果的に製作することができるマイクロレンズの製造方法を提供することにある。
【００１４】
本発明の他の目的は、マイクロレンズアレイの中心から遠いマイクロレンズであるほど、その曲率の非対称性が大きいマイクロレンズアレイを効果的に製作することができるマイクロレンズアレイの製造方法を提供することにある。
【００１５】
本発明の更に他の目的は、マイクロレンズアレイの中心から遠いマイクロレンズであるほど、その曲率の非対称性が大きいマイクロレンズアレイを含むイメージセンサを効果的に製作することができるイメージセンサの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
前記目的を達成するためのマイクロレンズの製造方法は、第１レンズパターンを形成する段階、マイクロレンズの非対称曲率を制御するように第１レンズパターンの一部分上に第２レンズパターンを形成する段階、及び第１レンズパターン及び第２レンズパターンをリフローさせる段階を含む。
【００１７】
本発明の他の目的を達成するためのマイクロレンズアレイの製造方法は、第１レンズパターンアレイを形成する段階、マイクロレンズアレイのそれぞれのマイクロレンズの非対称曲率を制御するように第１レンズパターンアレイ上に第２レンズパターンアレイを形成する段階、及び第１レンズパターンアレイ及び第２レンズパターンアレイをリフローさせる段階を含む。マイクロレンズアレイは、マイクロレンズアレイの中心から遠いマイクロレンズであるほど、曲率非対称性が大きくなるように形成されることができる。
【００１８】
この際、マイクロレンズアレイの中心は、光が受光面に垂直に入射される地点であって、モジュールレンズの中心に相当する地点であり得る。マイクロレンズアレイの中心から離れるほど、モジュールレンズを通じて入射される光が受光面に対して傾くことになる。
【００１９】
本発明の更に他の目的を達成するためのイメージセンサの製造方法は、半導体基板上に光を感知するための光感知器を形成する段階、光感知器の上部に第１レンズパターンを形成する段階、マイクロレンズの非対称曲率を制御するように第１レンズパターンの一部分上に第２レンズパターンを形成する段階、及び第１レンズパターン及び第２レンズパターンをリフローさせる段階を含む。
【００２０】
この際、マイクロレンズはマイクロレンズアレイの中心から離れるほど、マイクロレンズの曲率非対称性が大きくなるようにすることができる。
【００２１】
実施例によっては、イメージセンサの製造方法は、光感知器及び第１レンズパターンの間にカラーフィルターを形成する段階を更に具備することもできる。
【００２２】
マイクロレンズの曲率が非対称的であるというのは、１つのマイクロレンズの曲面の曲率が一定ではないことを意味する。特に、本発明において、曲率が非対称的であるというのは、１つのマイクロレンズの曲面のうち、マイクロレンズアレイの中心に近い部分の曲率とマイクロレンズアレイの中心から遠い部分の曲率が異なることを意味する。
【００２３】
曲率非対称性とは、曲率が大きい部分のマイクロレンズの曲率と曲率が小さい部分の曲率との間の差異を意味する。
【００２４】
前記したマイクロレンズアレイの製造方法及びイメージセンサの製造方法において、マイクロレンズの曲率はマイクロレンズアレイの中心から遠い部分の曲率がマイクロレンズアレイの中心に近い部分の曲率より大きいことが好ましい。
【００２５】
この際、マイクロレンズの曲率は、第２レンズパターンの面積によって制御されることもでき、第１レンズパターン上の前記第２レンズパターンの位置によって制御されることもでき、第２レンズパターンの厚さを利用して制御されることもできる。
【００２６】
実施例によっては、前述した本発明の製造方法は、第１レンズパターン上に２以上の層を形成した後、リフローを行って曲率が非対称的なマイクロレンズを形成することもできる。例えば、本発明の製造方法は、第２レンズパターン上に第３レンズパターンを形成する段階を更に含み、第１レンズパターン、第２レンズパターン、及び第３レンズパターンに対してリフロー工程を行って曲率が非対称的なマイクロレンズを形成することもできる。
【００２７】
従って、効果的にマイクロレンズの曲率を制御することができ、曲率が非対称的なマイクロレンズを容易に生成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明による好ましい実施例を添付図面を参照して詳細に説明する。
【００２９】
図３は、本発明の一実施例によるマイクロレンズの製造方法を示す動作流れ図である。
【００３０】
図３を参照すると、本発明の一実施例によるマイクロレンズの製造方法は、まず、第１レンズパターンを形成する（Ｓ３１０）。
【００３１】
第１レンズパターンは光感知器の上部に形成されることができ、この際、光感知器はフォトダイオード等のように光を受光して、受光された光を電気信号に変換する全ての装置を含む。第１レンズパターンと光感知器との間には光透過層又は平坦化層が形成されることができる。
【００３２】
例えば、第１レンズパターンは９５％以上の光透過率を有する熱硬化性アクリル樹脂でも良い。又、第１レンズパターンは感光性樹脂又は熱可塑性を有する材質でも良い。
【００３３】
第１レンズパターンは、露光及び現像を通じて形成されることができる。この際、第１レンズ層が形成された後、第１レンズ層に露光及び現像工程を行って、第１レンズパターンを形成することができる。
【００３４】
第１レンズパターンは、フォトレジストを利用したフォトリソグラフィ工程により形成されることもできる。この際、第１レンズ層が形成され、第１レンズ層上に第１レンズ層の一部を露出させるようにフォトレジストパターンを形成する。より具体的には、第１レンズ層上にフォトレジスト膜を形成した後、フォトレジスト膜に露光及び現像工程を行って、第１レンズ層上にフォトレジストパターンを形成することができる。その後、フォトレジストパターンをエッチングマスクとして使用して、第１レンズ層の露出された部分を除去する。これによって、第１レンズパターンが形成される。
【００３５】
次に、本発明の一実施例によるマイクロレンズの製造方法は、第１レンズパターンの一部分上に第２レンズパターンを形成する（Ｓ３２０）。
【００３６】
この際、第２レンズパターンは、第１レンズパターンと同じ物質でも良い。例えば、第２レンズパターンは９５％以上の光透過率を有する熱硬化性アクリル樹脂でも良い。又、第２レンズパターンは感光性樹脂又は熱可塑性を有する材料でも良い。
【００３７】
第２レンズパターンは、露光及び現像を通じて形成されることができる。この際、第２レンズ層が形成された後、第２レンズ層に露光及び現像工程を行って第２レンズパターンを形成することができる。
【００３８】
第２レンズパターンは、フォトレジストを利用したフォトリソグラフィ工程により形成されることもできる。この際、第２レンズ層が形成され、第２レンズ層上に第２レンズ層の一部を露出させるようにフォトレジストパターンを形成する。より具体的には、第２レンズ層上にフォトレジスト膜を形成した後、フォトレジスト膜に露光及び現像工程を行って、第２レンズ層上にフォトレジストパターンを形成することができる。その後、フォトレジストパターンをエッチングマスクとして使用して、第２レンズ層の露出された部分を除去する。これによって、第２レンズパターンが形成される。
【００３９】
第２レンズパターンは、第１レンズパターンの一部分上にのみ形成される。これは、第２レンズパターンがマイクロレンズの曲率を非対称的に形成するためのものであるからである。
【００４０】
続いて、本発明の一実施例によるマイクロレンズの製造方法は、第１レンズパターン及び第２レンズパターンをリフローさせて曲率が非対称的なマイクロレンズを形成する（Ｓ３３０）。
【００４１】
この際、マイクロレンズの製造方法は、第１レンズパターン及び第２レンズパターンを漸次に温度を上昇させながら加熱した後、冷却させることができる。
【００４２】
例えば、第１レンズパターン及び第２レンズパターンを、１４０℃で５分間、１５０℃で５分間、１６０℃で５分間、及び１７０℃で５分間加熱した後、冷却させることができる。
【００４３】
リフロー工程を通じて軟化された第１レンズパターン及び第２レンズパターンは、その表面張力及び粘性によって平凸レンズの形状を有することになる。但し、第１レンズパターンの一部分上に第２レンズパターンを形成したので、第２レンズパターンが形成された部分の曲率が大きいマイクロレンズが形成される。
【００４４】
図４は、曲率が非対称的なマイクロレンズの断面図である。
【００４５】
図４を参照すると、曲率が非対称的なマイクロレンズは、図１に示した曲率が一定な平凸レンズとは異なり、マイクロレンズの曲面のうち、曲率が大きい部分は半径が小さい円４２０の一部で、曲率が小さい部分は半径が大きい円４１０の一部である。
【００４６】
曲率とは、曲線又は曲面の曲がり程度を示す変化率を意味する。一般的に、曲線上の点が曲線に沿って一定の速度で移動する時、その進行方向は移動した距離（曲線の弧の長さ）によって変化する。この際、移動方向の変化率を曲線の曲率という。平面曲線上の１点、ＰからＱまで曲線に沿って移動した移動距離をΔｓ、２点、Ｐ、Ｑでの２個の接線が形成する角をΔθとすると、曲率ｋは数式１のようである。
【００４７】
【数１】
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【００４８】
一般に、曲率が大きいと曲率半径が小さく、曲率が小さいと曲率半径が大きい。
【００４９】
曲率が非対称的であるというのは、図４に示したマイクロレンズのように一つのマイクロレンズの曲面の曲率が一定ではないことを意味する。
【００５０】
曲率非対称性は、曲率が大きい部分のマイクロレンズの曲率と曲率が小さい部分の曲率との間の差を意味する。
【００５１】
図５乃至図９は、図３に図示された本発明の一実施例によるマイクロレンズの製造方法を説明するための断面図である。
【００５２】
図５を参照すると、本発明の一実施例によるマイクロレンズの製造方法は、まず、第１レンズパターン５１０を形成する。この際、第１レンズパターン５１０は９５％以上の光透過率を有する熱硬化性アクリル樹脂でも良い。又、第１レンズパターン５１０は、感光性樹脂又は熱可塑性を有する材料でも良い。第１レンズパターン５１０は露光及び現像又はフォトリソグラフィ工程を通じて生成されることができるというのは、前述した通りである。
【００５３】
図６を参照すると、本発明の一実施例によるマイクロレンズの製造方法は、第１レンズパターン５１０の一部分上に第２レンズパターン６１０を形成する。この際、第２レンズパターン６１０は、第１レンズパターン５１０と同じ物質であっても良い。例えば、第２レンズパターン６１０は９５％以上の光透過率を有する熱硬化性アクリル樹脂でも良い。又、第２レンズパターン６１０は、感光性樹脂又は熱可塑性を有する材料でも良い。第２レンズパターン６１０が露光及び現像又はフォトリソグラフィ工程を通じて生成されることができるというのは、前述した通りである。第２レンズパターン６１０は、第１レンズパターン５１０のうち、曲率を大きくしようとする部分上に形成されることが好ましい。
【００５４】
図７乃至図９は、図６に示した第１レンズパターン及び第２レンズパターンのリフロー工程による変化を示した断面図である。
【００５５】
例えば、リフロー工程は、図６に図示された第１レンズパターン及び第２レンズパターンを、１４０℃で５分間、１５０℃で５分間、１６０℃で５分間、及び１７０℃で５分間加熱した後、冷却させる工程である。リフロー工程を通じて軟化された第１レンズパターン及び第２レンズパターンは、その表面張力及び粘性によって平凸レンズの形状を有することになる。但し、第１レンズパターンの一部分上に第２レンズパターンを形成したので、図９に示したように、第２レンズパターンが形成された部分の曲率が大きいマイクロレンズが形成される。
【００５６】
図１０乃至図１５は、本発明の一実施例によるマイクロレンズの曲率制御方法を説明するための断面図である。
【００５７】
図１０及び図１１を参照すると、第１レンズパターン上に形成される第２レンズパターンの面積を利用して、マイクロレンズの曲率を制御することができることがわかる。この際、第２レンズパターンの面積とは、第２レンズパターンが第１レンズパターンと接する面の面積を意味する。即ち、第１レンズパターン１１１の一部分上に広く分布される第２レンズパターン１１２を形成して、第１レンズパターン１１１及び第２レンズパターン１１２をリフローさせると、マイクロレンズの曲率を図１０に示したように形成することができる。又、第１レンズパターン１２１の一部分上に狭く分布される第２レンズパターン１２２を形成して第１レンズパターン１２１及び第２レンズパターン１２２をリフローさせると、マイクロレンズの曲率を図１１に示したように形成することができる。
【００５８】
図１２及び図１３を参照すると、第１レンズパターン上に形成される第２レンズパターンの位置を利用してマイクロレンズの曲率を制御することができることがわかる。即ち、第１レンズパターン１３１の中心部に第２レンズパターン１３２を形成して第１レンズパターン１３１及び第２レンズパターン１３２をリフローさせると、マイクロレンズの曲率を図１２に示したように形成することができる。又、第１レンズパターン１４１のエッジに第２レンズパターン１４２を形成して第１レンズパターン１４１及び第２レンズパターン１４２をリフローさせると、マイクロレンズの曲率を図１３に示したように形成することができる。
【００５９】
図１４及び第１５を参照すると、第１レンズパターン上に形成される第２レンズパターンの厚さを利用してマイクロレンズの曲率を制御することができることがわかる。即ち、第１レンズパターン１５１の一部分上に厚さが薄い第２レンズパターン１５２を形成して、第１レンズパターン１５１及び第２レンズパターン１５２をリフローさせると、マイクロレンズの曲率を図１４に示したように形成することができる。又、第１レンズパターン１６１の一部分上に厚さが厚い第２レンズパターン１６２を形成して、第１レンズパターン１６１及び第２レンズパターン１６２をリフローさせると、マイクロレンズの曲率を図１５に示したように形成することができる。
【００６０】
本発明の一実施例によるマイクロレンズの製造方法は、第１レンズパターン上に２以上の層を形成した後にリフローを行って、曲率が非対称的なマイクロレンズを形成することもできる。例えば、マイクロレンズの製造方法は、第２レンズパターン上に第３レンズパターンを形成する段階を更に含み、第１レンズパターン、第２レンズパターン、及び第３レンズパターンに対してリフロー工程を行って、曲率が非対称的なマイクロレンズを形成することもできる。
【００６１】
図１０乃至図１５を通じて説明したように、本発明の一実施例によるマイクロレンズの製造方法において、第２レンズパターンの面積、位置、及び厚さのうち、いずれか一つによってマイクロレンズの曲率を制御することができる。また、必要によって、第２レンズパターンの面積、位置、及び厚さのうち、２以上を共に調節してマイクロレンズの曲率を制御することもできる。
【００６２】
図１６は、本発明の一実施例によるマイクロレンズアレイの製造方法を示す動作流れ図である。
【００６３】
図１６を参照すると、本発明の一実施例によるマイクロレンズアレイの製造方法は、まず、第１レンズパターンアレイを形成する（Ｓ１６１）。
【００６４】
第１レンズパターンアレイは光感知器の上部に形成されることができ、この際、光感知器はフォトダイオード等のように光を受光して、受光された光を電気信号に変換する全ての装置を含む。第１レンズパターンアレイと光感知器との間には光透過層又は平坦化層が形成されることができる。
【００６５】
例えば、第１レンズパターンアレイは、９５％以上の光透過率を有する熱硬化性アクリル樹脂でも良く、感光性樹脂又は熱可塑性を有する材料でも良い。
【００６６】
第１レンズパターンアレイは、露光及び現像を通じて形成されることもでき、フォトレジストを利用したフォトリソグラフィ工程により形成されることもできる。
【００６７】
その後、本発明の一実施例によるマイクロレンズアレイの製造方法は、マイクロレンズアレイの中心から遠いマイクロレンズであるほど曲率非対称性が大きくなるように、第１レンズパターンアレイ上に第２レンズパターンアレイを形成する（Ｓ１６２）。
【００６８】
この際、第２レンズパターンアレイは、第１レンズパターンアレイと同じ物質でも良い。例えば、第２レンズパターンアレイは９５％以上の光透過率を有する熱硬化性アクリル樹脂、感光性樹脂、又は熱可塑性を有する材料でも良い。
【００６９】
第２レンズパターンアレイは露光及び現像工程を通じて形成されることができ、フォトレジストを利用したフォトリソグラフィ工程により形成されることもできる。
【００７０】
第２レンズパターンアレイの第２レンズパターンは、第１レンズパターンアレイの第１レンズパターンの一部分上にのみ形成される。これは、第２レンズパターンがマイクロレンズの曲率を非対称的に形成するためのものであるからである。
【００７１】
第２レンズパターンが第１レンズパターン上に形成される位置や、第２レンズパターンの面積又は第２レンズパターンの厚さ等は、第１レンズパターン及び第２レンズパターンがどの位置のモジュールレンズに相当するかによって変わる。即ち、第１レンズパターン及び第２レンズパターンがマイクロレンズアレイの中心に近いマイクロレンズに相当するものであれば、第２レンズパターンはマイクロレンズの曲率非対称性を小さくするように形成される。又、第１レンズパターン及び第２レンズパターンがマイクロレンズアレイの中心から遠いマイクロレンズに相当するものであれば、第２レンズパターンはマイクロレンズの曲率非対称性を大きくするように形成される。この際、マイクロレンズの曲率を制御するために、第２レンズパターンの位置、面積、及び厚さを調節できるのは、図１０乃至図１５を通じて前述した通りである。
【００７２】
次に、本発明の一実施例によるマイクロレンズアレイの製造方法は、第１レンズパターンアレイ及び第２レンズパターンアレイをリフローさせる（Ｓ１６３）。
【００７３】
この際、リフロー結果として生成されるマイクロレンズアレイ内のマイクロレンズは、マイクロレンズアレイの中心から遠いほど、マイクロレンズの曲率非対称性が大きくなる。
【００７４】
マイクロレンズアレイの中心は、マイクロレンズアレイ上で光が受光面に対して垂直に入射する地点である。マイクロレンズアレイの中心は、モジュールレンズの中心に相当する地点でも良い。マイクロレンズアレイの中心から離れるほど、モジュールレンズを通じて入射する光が受光面に対して傾くことになる。
【００７５】
この際、リフロー工程では、第１レンズパターン及び第２レンズパターンの温度を漸次に上昇させながら加熱した後、冷却させる。
【００７６】
例えば、リフロー工程では、第１レンズパターン及び第２レンズパターンを、１４０℃で５分間、１５０℃で５分間、１６０℃で５分間、及び１７０℃で５分間加熱した後に冷却させる。
【００７７】
リフロー工程を通じて軟化された第１レンズパターン及び第２レンズパターンは、その表面張力及び粘性によって平凸レンズの形状を有することになる。但し、第１レンズパターンの一部分上に第２レンズパターンを形成したので、第２レンズパターンが形成された部分の曲率が大きいマイクロレンズが形成される。
【００７８】
本発明の一実施例によるマイクロレンズアレイの製造方法は、図１６に示した各段階を行って、マイクロレンズアレイの中心から離れるほど、マイクロレンズの曲率非対称性が大きいマイクロレンズアレイを形成する。
【００７９】
図１７は、本発明の一実施例によるマイクロレンズアレイを光が入射する側から見た平面図である。
【００８０】
図１７を参照すると、マイクロレンズアレイは、マイクロレンズ１０を複数個含む。図１７に図示されていないが、マイクロレンズアレイの上部にはモジュールレンズが形成される。光はモジュールレンズを通じてマイクロレンズアレイに入射される。
【００８１】
マイクロレンズアレイには、マイクロレンズアレイの中心１４に近いマイクロレンズもあり、マイクロレンズアレイの中心１４から遠いマイクロレンズもある。図１７を参照すると、それぞれのマイクロレンズのレンズ面の一番高い部分１２が表示されている。レンズ面の一番高い部分１２は、受光面５２に平行な平面が光が入射する側からマイクロレンズアレイに接近すると仮定する時、それぞれのマイクロレンズがこの平面と最初に接する部分である。図１７に示したように、それぞれのマイクロレンズのレンズ面の一番高い部分１２は、マイクロレンズアレイの中心１４から遠いマイクロレンズであるほど、そのマイクロレンズの中心から離れている。この際、それぞれのマイクロレンズのレンズ面の一番高い部分１２は、それぞれのマイクロレンズの中心からマイクロレンズアレイの中心１４の反対側に位置することになる。マイクロレンズのレンズ面の一番高い部分がそのマイクロレンズの中心から離れているというのは、そのマイクロレンズの曲率非対称性が大きいことを意味する。従って、図１７に図示されたマイクロレンズアレイのマイクロレンズは、マイクロレンズアレイの中心１４から離れるほど、マイクロレンズアレイの曲率非対称性が大きいことがわかる。このように、マイクロレンズの曲率を非対称的になるようにすることで、マイクロレンズアレイの中心から遠いマイクロレンズを通じて受光効率を向上させることができる。
【００８２】
図１８は、本発明の一実施例によるマイクロレンズアレイのシェーディング現象改善を説明するためのイメージセンサの断面図である。
【００８３】
図１８を参照すると、光感知器２１０Ｌ、２１０Ｃ、２１０Ｒのそれぞれの上部にマイクロレンズ１８１Ｌ、１８１Ｃ、１８１Ｒのそれぞれが位置することがわかる。図１８に示したように、モジュールレンズ（図示せず）を通じて入射される光は、マイクロレンズアレイの中心１４に近いマイクロレンズ１８１Ｃには受光面５２に垂直方向に入射されるが、マイクロレンズアレイの中心１４から遠いマイクロレンズ１８１Ｌ、１８１Ｒには受光面５２に対して傾斜して入射される。
【００８４】
曲率が殆ど一定なマイクロレンズ１８１Ｃとは異なり、マイクロレンズアレイの中心１４から遠いマイクロレンズ１８１Ｌ、１８１Ｒはその曲率が非対称的である。即ち、マイクロレンズ１８１Ｌ、１８１Ｒは、それぞれマイクロレンズアレイの中心１４に近い側のレンズ面の曲率よりマイクロレンズアレイの中心１４から遠い側の曲率がより大きい。
【００８５】
従って、図２に示したイメージセンサとは異なり、図１８に示したイメージセンサは、マイクロレンズアレイの中心１４から遠い光感知器２１０Ｌ、２１０Ｒに対しても、その中心部に効果的に集光することができ、遮光膜（図示せず）を通じて遮断される光を減少させることができ、斜光成分の光が到達可能なレンズ面を増加させることができ、受光効率を向上させることができる。
【００８６】
図１９乃至図２９は、本発明の一実施例によるＣＭＯＳイメージセンサの製造方法を説明するための断面図である。
【００８７】
図１９を参照すると、基板９００上にアクティブ領域（図示せず）及びフィールド領域（図示せず）を定義するフィールド酸化膜（図示せず）を形成する。前記アクティブ領域の表面部位にフォトダイオード９０２のような光感知器を形成し、前記基板９００上に前記フォトダイオード９０２と接続されるトランジスタ９１２を形成する。前記トランジスタ９１２は、前記フォトダイオード９０２のスイッチング素子の役割を果たす。より具体的には、半導体基板９００上にゲート絶縁膜９０４を形成した後、前記ゲート絶縁膜９０４上にゲート電極９０６を形成する。その後、前記ゲート電極９０６間の半導体基板９００の上部表面部位に不純物を注入して、ソース／ドレイン領域９１０を形成する。以後、前記ゲート電極９０６の両側壁にスペーサ９０８を形成して、前記ゲート絶縁膜９０４、ゲート電極９０６、ソース／ドレイン領域９１０、及びスペーサ９０８を含むトランジスタ９１２を完成することができる。
【００８８】
図２０を参照すると、前記トランジスタ９１２が形成された半導体基板９００をカバーするように絶縁膜９１４が形成されている。絶縁膜９１４は透明な材質で形成することができる。絶縁膜９１４に使用することができる透明な物質の例としては、酸化シリコン等が挙げられる。前記絶縁膜９１４に露光及び現像工程を行って、前記トランジスタ９１２の所定部位を露出させる第１コンタクトホール９１６を形成する。
【００８９】
その後、図２１を参照すると、前記第１コンタクトホール９１６を埋める第１金属層（図示せず）を形成する。第１金属層は、チタニウム、タングステン、銅等のような金属物質を含むことができる。第１金属層は、化学気相蒸着方法（ＣＶＤ）やスパッタリング方法を利用して形成することができる。その後、こうした金属物質を含む第１金属層を絶縁膜９１４の表面が露出されるまで化学的機械的研磨方法（ＣＭＰ）で研磨して、第１コンタクトホール９１６を埋める第１金属パッド９１８を形成する。
【００９０】
図２２を参照すると、絶縁膜９１４及び第１金属パッド９１８上に層間絶縁膜９２０を形成する。層間絶縁膜９２０は、シリコン酸化物のような透明な材質からなる。その後、通常的なフォトリソグラフィ工程を行って、層間絶縁膜９２０を部分的に除去し、第１金属パッド９１８を露出させる第２コンタクトホール９２２を形成する。
【００９１】
図２３を参照すると、第２コンタクトホール９２２を埋める第２金属層（図示せず）を形成する。第２金属層は化学気相蒸着方法（ＣＶＤ）やスパッタリング方法を利用して形成することができる。第２金属層は、銅、チタニウムやタングステン等のような金属物質を含むことができる。その後、第２金属層を層間絶縁膜９２０の表面が露出されるまで化学的機械的研磨方法（ＣＭＰ）で研磨して、第２コンタクトホール９２２を埋める第２金属パッド９２４を形成する。これによって、層間絶縁膜９２０及び第２金属パッド９２４を含む層間絶縁膜構造物を完成することができる。
【００９２】
図２４を参照すると、層間絶縁膜９２０及び第２金属パッド９２４上に第１感光性膜９２６を形成する。第１感光性膜９２６は、湿気やスクラッチ等から素子を保護する役割を行う。第１感光性膜９２６は、フォトレジストのような感光性物質を含むことができる。
【００９３】
その後、図２５を参照すると、第１感光性膜９２６の上部にカラーフィルター９２８を形成する。カラーフィルター９２８は、青色、緑色、及び赤色カラーフィルターのアレイ構造を有する。本実施例では、一つの受光素子であるフォトダイオード９０２が図示されているものであって、上部に青色、緑色、及び赤色カラーうちの一つのカラーフィルターが形成される。カラーフィルター９２８はフォトレジストのような感光性物質を含むことができる。カラーフィルター９２８として使用することができるフォトレジストの例としては、メタアクリル樹脂、交差結合されたメタアクリル樹脂等が挙げられる。
【００９４】
図２６を参照すると、第１感光性膜９２６及び前記カラーフィルター９２８上に第２感光性膜９３０を形成する。一般に、カラーフィルターは段差を有する。従って、後続の工程で形成されるマイクロレンズを平坦化された表面で形成するためには、カラーフィルターによる段差を無くさなければならない。第２感光性膜９３０は、前述したカラーフィルター９２８の段差を無くす役割を果たす。又、第２感光性膜９３０は、フォトレジストのような感光性物質を含むことができる。この場合、第２感光性膜は、第１感光性膜に含まれたフォトレジストと同じであるか、他の種類のフォトレジストを含むことができる。
【００９５】
図２７を参照すると、前記カラーフィルター９２８上に第１レンズパターン９３２ａを形成する。第１レンズパターン９３２ａはフォトダイオード９０２の上部に形成される。第１レンズパターンは９５％以上の光透過率を有する熱硬化性アクリル樹脂でも良く、感光性樹脂又は熱可塑性を有する材料でも良い。第１レンズパターンは、露光及び現像を通じて形成されることもでき、フォトレジストを利用したフォトリソグラフィ工程により形成されることもできる。
【００９６】
図２８を参照すると、第１レンズパターン９３２ａの一部分上に第２レンズパターン９３２ｂを形成する。この際、第２レンズパターン９３２ｂは、第１レンズパターン９３２ａと同じ物質でも良い。第２レンズパターン９３２ｂは、露光及び現像を通じて形成されることができ、フォトレジストを利用したフォトリソグラフィ工程により形成されることもできる。
【００９７】
複数のマイクロレンズを含むマイクロレンズアレイで構成されたイメージセンサにおいて、第２レンズパターン９３２ｂが第１レンズパターン９３２ａ上に形成される位置や、第２レンズパターン９３２ｂの面積又は第２レンズパターン９３２ｂの厚さ等は、第１レンズパターン９３２ａ及び第２レンズパターン９３２ｂがどの位置のマイクロレンズに相当するかによって変わる。即ち、第１レンズパターン９３２ａ及び第２レンズパターン９３２ｂがマイクロレンズアレイの中心に近いマイクロレンズに相当するものであれば、第２レンズパターン９３２ｂはマイクロレンズの曲率非対称性を小さくするように形成される。又、第１レンズパターン９３２ａ及び第２レンズパターン９３２ｂがマイクロレンズアレイの中心から遠いマイクロレンズに相当するものであれば、第２レンズパターン９３２ｂはマイクロレンズの曲率非対称性を大きくするように形成される。この際、マイクロレンズの曲率を制御するために、第２レンズパターン９３２ｂの位置、面積、及び厚さを調節することができるのは、図１０乃至図１５を通じて前述した通りである。
【００９８】
図２９を参照すると、図２８に示した第１レンズパターン９３２ａ及び第２レンズパターン９３２ｂをリフローさせて、マイクロレンズアレイの中心から離れるほど、マイクロレンズ９３２の曲率非対称性が大きくなるように曲率が非対称的なマイクロレンズ９３２を形成する。例えば、第１レンズパターン９３２ａ及び第２レンズパターン９３２ｂを、１４０℃で５分間、１５０℃で５分間、１６０℃で５分間、及び１７０℃で５分間加熱した後、冷却させることができる。リフロー工程を通じて軟化された第１レンズパターン９３２ａ及び第２レンズパターン９３２ｂは、その表面張力及び粘性によって平凸レンズの形状を有することになる。但し、第１レンズパターン９３２ａの一部分上に第２レンズパターン９３２ｂを形成したので、第２レンズパターン９３２ｂが形成された部分の曲率が大きいマイクロレンズ９３２が形成される。その後、通常的な工程を行って本発明によるＣＭＯＳイメージセンサを完成することができる。
【００９９】
図１９乃至図２９を通じてＣＭＯＳイメージセンサの製造方法を説明したが、本発明の技術思想はＣＭＯＳイメージセンサの製造に限定されるものではない。図３及び図１６に図示されたマイクロレンズの製造方法又はマイクロレンズアレイの製造方法によって曲率が非対称的なマイクロレンズを生成する限り、電荷結合素子イメージセンサを製造する場合にも本発明の技術思想の範囲を外れるものではない。
【産業上の利用可能性】
【０１００】
前記のような本発明のマイクロレンズの製造方法、マイクロレンズアレイの製造方法、及びＣＭＯＳイメージセンサの製造方法は、第１レンズパターンを形成して第１レンズパターンの一部分上に第２レンズパターンを形成した後、第１レンズパターン及び第２レンズパターンをリフローさせることによって、効果的に曲率が非対称的なマイクロレンズを生成することができる。これによって、第２レンズパターンの面積、位置、又は厚さ等によって効果的にマイクロレンズの曲率を制御することができる。結果的に、マイクロレンズのサイズに関係なく、マイクロレンズアレイの中心から遠いマイクロレンズでも光感知器の中心部に集光するようにすることができ、斜光成分の光が到達可能なレンズ面を増加させることができ、シェーディング現象を減少させることができる。
【０１０１】
以上、本発明の実施例によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できる。
【図面の簡単な説明】
【０１０２】
【図１】曲率が一定な平凸レンズの断面図である。
【図２】従来技術によるシェーディング現象を説明するためのイメージセンサの断面図である。
【図３】本発明の一実施例によるマイクロレンズの製造方法を示す動作流れ図である。
【図４】曲率が非対称的なマイクロレンズの断面図である。
【図５】図３に示した本発明の一実施例によるマイクロレンズの製造方法を説明するための断面図である。
【図６】図３に示した本発明の一実施例によるマイクロレンズの製造方法を説明するための断面図である。
【図７】図３に示した本発明の一実施例によるマイクロレンズの製造方法を説明するための断面図である。
【図８】図３に示した本発明の一実施例によるマイクロレンズの製造方法を説明するための断面図である。
【図９】図３に示した本発明の一実施例によるマイクロレンズの製造方法を説明するための断面図である。
【図１０】本発明の一実施例によるマイクロレンズの曲率制御方法を説明するための断面図である。
【図１１】本発明の一実施例によるマイクロレンズの曲率制御方法を説明するための断面図である。
【図１２】本発明の一実施例によるマイクロレンズの曲率制御方法を説明するための断面図である。
【図１３】本発明の一実施例によるマイクロレンズの曲率制御方法を説明するための断面図である。
【図１４】本発明の一実施例によるマイクロレンズの曲率制御方法を説明するための断面図である。
【図１５】本発明の一実施例によるマイクロレンズの曲率制御方法を説明するための断面図である。
【図１６】本発明の一実施例によるマイクロレンズアレイの製造方法を示す動作流れ図である。
【図１７】本発明の一実施例によるマイクロレンズアレイを、光が入射する方向から見た平面図である。
【図１８】本発明の一実施例によるマイクロレンズアレイのシェーディング現象改善を説明するためのイメージセンサの断面図である。
【図１９】本発明の一実施例によるＣＭＯＳイメージセンサの製造方法を説明するための断面図である。
【図２０】本発明の一実施例によるＣＭＯＳイメージセンサの製造方法を説明するための断面図である。
【図２１】本発明の一実施例によるＣＭＯＳイメージセンサの製造方法を説明するための断面図である。
【図２２】本発明の一実施例によるＣＭＯＳイメージセンサの製造方法を説明するための断面図である。
【図２３】本発明の一実施例によるＣＭＯＳイメージセンサの製造方法を説明するための断面図である。
【図２４】本発明の一実施例によるＣＭＯＳイメージセンサの製造方法を説明するための断面図である。
【図２５】本発明の一実施例によるＣＭＯＳイメージセンサの製造方法を説明するための断面図である。
【図２６】本発明の一実施例によるＣＭＯＳイメージセンサの製造方法を説明するための断面図である。
【図２７】本発明の一実施例によるＣＭＯＳイメージセンサの製造方法を説明するための断面図である。
【図２８】本発明の一実施例によるＣＭＯＳイメージセンサの製造方法を説明するための断面図である。
【図２９】本発明の一実施例によるＣＭＯＳイメージセンサの製造方法を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【０１０３】
Ｓ３１０    第１レンズパターンの形成段階
Ｓ３２０    第２レンズパターンの形成段階
Ｓ３３０    マイクロレンズの形成段階
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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