(57)【要約】【課題】赤外線検出素子の故障による影響が他の赤外線検出素子の出力に及ばず、高速での走査選択が可能となる赤外線検出装置を提供すること。【解決手段】２次元赤外線検出素子部１と、赤外線検出素子（図中、直列接続された抵抗と電圧源で表示）の出力信号を走査選択して出力する水平方向スキャナ５と、水平方向スキャナ５の出力信号を基準電圧と比較して差動増幅する差動増幅器６と、故障信号が入力された時に差動増幅器６の２つの入力の間を短絡するＮ型ＭＯＳＦＥＴスイッチ１０と、水平方向スキャナ５の出力信号を第２の基準電圧と比較し、前者が後者よりも下降した時に故障検知信号を出力するコンパレータ７と、前記故障検知信号が入力されてから１つの赤外線検出素子の走査選択が終るまでの間、前記故障信号をＮ型ＭＯＳＦＥＴスイッチ１０に入力し続けるＳ−Ｒフリップフロップ９とを有する赤外線検出装置を構成する。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に配列され、入射赤外線を電気信号に変換する複数の赤外線検出素子と、前記赤外線検出素子各々の出力信号を走査選択し出力する走査選択手段と、前記走査選択手段の出力信号を第１の基準電圧と比較して差動増幅する差動増幅手段とを備えた赤外線検出装置において、
故障信号を入力とし、前記故障信号が入力された時に前記差動増幅手段の２つの入力の間を短絡する半導体スイッチが具備されていることを特徴とする赤外線検出装置。
【請求項２】
請求項１に記載の赤外線検出装置において、
前記走査選択手段の出力信号を第２の基準電圧と比較し前記走査選択手段の出力信号が前記第２の基準電圧より下降した時に故障検知信号を出力する第１の電圧比較手段と、前記故障検知信号を入力とし、前記故障検知信号が入力されてから前記走査選択手段による走査選択が次の赤外線検出素子の出力信号の走査選択に切り換わるまでの間、前記故障信号を前記半導体スイッチに入力し続ける第１の故障信号出力手段とが更に具備されていることを特徴とする赤外線検出装置。
【請求項３】
請求項１に記載の赤外線検出装置において、
前記走査選択手段の出力信号を第３の基準電圧と比較し前記走査選択手段の出力信号が前記第３の基準電圧より上昇した時に故障検知信号を出力する第２の電圧比較手段と、前記故障検知信号を入力とし、前記故障検知信号が入力されてから前記走査選択手段による走査選択が次の赤外線検出素子の出力信号の走査選択に切り換わるまでの間、前記故障信号を前記半導体スイッチに入力し続ける第２の故障信号出力手段とが更に具備されていることを特徴とする赤外線検出装置。
【請求項４】
請求項１に記載の赤外線検出装置において、
前記赤外線検出素子の故障情報を記憶する故障情報記憶手段と、前記故障情報記憶手段に記憶されている故障情報に基づき、故障している赤外線検出素子の出力信号が前記走査選択手段により走査選択された時に、前記故障信号を前記半導体スイッチに入力する第３の故障信号出力手段とが更に具備されていることを特徴とする赤外線検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は赤外線検出装置に係る。
【背景技術】
【０００２】
近年、被写体の温度分布をリアルタイムで撮像したいと言う要求が強く、２次元の赤外線検出装置の需要が高まっている。これに伴い、安価で高性能な赤外線検出装置開発が望まれている。
【０００３】
入射赤外線を熱に変換し、その熱による温度上昇を温度検出素子で検出することによって赤外線を検出する赤外線検出装置が知られている。そのような装置においては、赤外線の検出感度を高めるために、温度検出素子が細い梁で支持されている場合があり、その梁が機械的衝撃によって破損し、その結果、温度検出回路がオープン（断線状態）となる故障が起こる可能性がある。下記特許文献１には複数の温度検出素子より構成される温度検出装置が記載され、各温度検出素子のオープン故障を検出する構成が記載されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１１７２６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１には、オープン故障の検出方法についての記載はあるが、その故障発生による影響は考慮されていない。そのような故障発生による影響の問題としては、例えば、次のようなものがある。
【０００６】
入射赤外線を電気信号に変換して出力する複数の赤外線検出素子の複数個を配列し、各赤外線検出素子を順次走査選択し、その素子の出力信号を、差動増幅器によって、基準電圧と比較して差動増幅し、入射赤外線の強度に応じた電気信号として取り出す赤外線検出装置において、オープン故障が起こり、その故障を起こした赤外線検出素子が走査選択された時には、オープン故障を起こしていない素子の出力信号とは大きく異なる電圧が差動増幅器に入力される。その結果、サーモパイル（複数の熱電対を、熱起電力が直列合成されるように接続したもの）型のように高出力インピーダンスを持つ赤外線検出素子を用いた場合、梁折れ素子の次の素子に走査選択が切り換わった時に、差動増幅器に印加される素子側の入力電圧が素子の出力信号に等しくなるまでに長い時間を要してしまい、従って、走査選択速度を低速にしなければならないと言う問題がある。
【０００７】
本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、発明が解決しようとする課題は、赤外線検出素子の故障による影響が他の赤外線検出素子の出力に及ばず、高速での走査選択が可能となる赤外線検出装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
入射赤外線を電気信号に変換する複数の赤外線検出素子を配列し、各前記赤外線検出素子の出力信号を走査選択し基準電圧と比較して差動増幅する赤外線検出装置であって、故障信号が入力された時に前記差動増幅手段の２つの入力の間を短絡する半導体スイッチを具備する赤外線検出装置を構成する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の実施により、赤外線検出素子の故障による影響が他の赤外線検出素子の出力に及ばず、高速での走査選択が可能となる赤外線検出装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
（第１の実施の形態）
以下、本発明の第１の実施の形態について説明する。図１は、本発明の第１の実施の形態である赤外線検出装置を説明する回路構成図である。図において、１は、基板（図示せず）上に構成される２次元赤外線検出素子部、２は、２次元赤外線検出素子部１の画素数分のアドレスをカウントするカウンタ、３は垂直走査信号を出力する垂直方向デコーダ、４は水平走査信号を出力する水平方向デコーダ、５は水平方向スキャナ、６は差動増幅器、である。尚、２次元赤外線検出素子部１、水平方向スキャナ５の詳細回路については、図１中に記載しているが、差動増幅器６の詳細回路については、一般的に知られている差動増幅回路を図５に別に示す。
【００１１】
２次元赤外線検出素子部１は、画素ij（i,jは整数で、1≦i≦m、1≦j≦n）が基板上に、縦にｍ個、横にｎ個、２次元配列して構成され、各画素ijは赤外線検出素子（図中、直列接続された抵抗と電圧源によって表されている）とＮ型ＭＯＳＦＥＴスイッチＭijとの組合わせで構成されている。このように基板上に２次元配列された赤外線検出素子として、サーモパイル（複数の熱電対を、熱起電力が直列合成されるように接続したもの）を仮定すると、等価回路としては、図１に示したように、抵抗と電圧源の直列回路として表すことができる。この赤外線検出素子においては、入射赤外線が吸収され、それによってサーモパイル中の熱電対の温接点の温度が上昇し、その温度上昇に応じた熱起電力が発生し、それが出力電圧として出力される。すなわち、この赤外線検出素子は入射赤外線を電気信号に変換して出力する。
【００１２】
水平方向スキャナ５は、上記赤外線検出素子各々の出力信号を順次走査選択して出力する走査選択手段であり、赤外線検出素子列ごとに接続されたＮ型ＭＯＳＦＥＴスイッチＭ１〜Ｍｎによって構成されている。
【００１３】
差動増幅器６は、走査選択手段である水平方向スキャナ５の出力信号を第１の基準電圧と比較して差動増幅する差動増幅手段である。
【００１４】
以上に説明した構成は、従来例においても見られるものであるが、本実施の形態が従来例と異なる点は、以下に説明するように、赤外線検出素子の故障情報に基づく信号（故障信号と呼ぶ）によって差動増幅器６の２つの入力の間を短絡する半導体スイッチ（図１におけるＮ型ＭＯＳＦＥＴスイッチ１０）を備えていることである。
【００１５】
図１において、７はコンパレータ、８は電圧源、９はＳ−Ｒフリップフロップ、１０はＮ型ＭＯＳＦＥＴスイッチであり、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴスイッチ１０が、制御端子に故障信号が印加された時に差動増幅手段である差動増幅器６の２つの入力の間を短絡する半導体スイッチとしての役割を果たす。
【００１６】
また、コンパレータ７は、走査選択手段である水平方向スキャナ５の出力信号を第２の基準電圧と比較し、水平方向スキャナ５の出力信号が前記第２の基準電圧より下降した時に故障検知信号を出力する第１の電圧比較手段としての役割を果たし、電圧源８はコンパレータ７に前記第２の基準電圧を印加する役割を果たし、Ｓ−Ｒフリップフロップ９は、前記故障検知信号を入力とし、前記故障検知信号が入力されてから走査選択手段である水平方向スキャナ５による走査選択が次の赤外線検出素子の出力信号の走査選択に切り換わるまでの間、前記故障信号を半導体スイッチであるＮ型ＭＯＳＦＥＴスイッチ１０に入力し続ける第１の故障信号出力手段としての役割を果たす。
【００１７】
図２に、図１中の垂直方向デコーダ３、水平方向デコーダ４の各出力波形のタイムチャート、及び、２次元赤外線検出素子部１と差動増幅器６に印加される第１の基準電圧Ｖref、水平方向スキャナ５の出力電圧Ｖｐ、差動増幅器６の出力電圧Ｖoutの各電圧波形、及び、コンパレータ７、Ｓ−Ｒフリップフロップ９、外部からの基準クロックＣＬＫの各出力波形（夫々、ＣＯ、ＳＷ、ＣＬＫで示す）のタイムチャートを示す。
【００１８】
尚、サーモパイル型の赤外線検出素子は、入射赤外線を吸収し熱に変換する受熱部がマイクロマシーニング加工により基板部に対して中空に置かれると共に、梁を介して基板に支えられ、該梁内に熱電対（抵抗）が配線されて、受熱部と基板部の温度差により電圧を発生して、入射赤外線を電気信号に変換する構成が一般的である。図１に示したように、各赤外線検出素子の一端は第１の基準電圧Ｖrefに保たれている導線に接続しているので、その他端からは、電圧Ｖrefに入射赤外線の強さに応じて発生した電圧が重畳された電圧が出力信号として出力される。
【００１９】
次に、図１及び図２に従い、本発明の第１の実施の形態の赤外線検出装置の動作について説明する。
【００２０】
まず、カウンタ２では、入力する基準クロックＣＬＫに基づき、２次元赤外線検出素子１の画素数分のアドレスがカウントされ、垂直方向デコーダ３、水平方向デコーダ４に出力される。垂直方向デコーダ３、水平方向デコーダ４では、カウンタ２からのアドレスカウントをデコードして、各行ごとの垂直方向選択信号Ｙ１〜Ｙｍ、或いは各列ごとの水平方向選択信号Ｘ１〜Ｘｎとし、垂直方向選択信号Ｙ１〜Ｙｍを２次元赤外線検出素子部１内の垂直方向スキャナ（Ｎ型ＭＯＳＦＥＴスイッチＭ11〜Ｍmnのゲート端子）に、水平方向選択信号Ｘ１〜Ｘｎを水平方向スキャナ５（Ｎ型ＭＯＳＦＥＴスイッチＭ１〜Ｍｎのゲート端子）に夫々印加する。尚、図２に示すタイムチャートのように、垂直方向選択信号Ｙ１〜Ｙｍ或いは水平方向選択信号Ｘ１〜ＸｎがＨ（ハイ）レベルになると、接続されているＮ型ＭＯＳＦＥＴスイッチがオン（導通）する。この結果、まず垂直方向選択信号Ｙ１がＨレベルになると、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴスイッチＭ11〜Ｍ1nがオンし、画素11〜1nの出力信号がＶ１〜Ｖｎとして水平方向スキャナ５に送られ、同時に水平方向選択信号Ｘ１がＨレベルになって、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴスイッチＭ１がオンし、水平方向スキャナ５の出力電圧Ｖｐとして画素11の出力信号が走査選択される。その後、順次水平方向選択信号Ｘ２〜ＸｎがＨレベルとなり、水平方向スキャナ５の出力電圧Ｖｐとして画素11の出力信号に続いて、画素12〜1nの出力信号が走査選択される。
【００２１】
次に、垂直方向選択信号Ｙ２がＨレベルとなり、又、水平方向選択信号Ｘ１〜Ｘｎが順次Ｈレベルとなり、水平方向スキャナ出力電圧Ｖｐとして画素21〜2nの出力信号が走査選択される。従って、これら動作の繰り返しにより、水平方向スキャナ出力電圧Ｖｐとして画素11〜1n、21〜2n、‥、m1〜mnの順に走査選択され、再び画素11からの走査選択が繰り返される。
【００２２】
差動増幅器６では、上記水平方向スキャナ５の出力電圧Ｖｐ（第１の基準電圧Ｖrefに入射赤外線の強さに応じて発生した電圧が重畳されたもの）とＶrefとの差分電圧が増幅され、従って、出力電圧Ｖoutとして、各赤外線検出素子にて入射赤外線の強さに応じて発生した電圧分のみが増幅されて出力される。
【００２３】
コンパレータ７は、電圧源８から出力される、第１の基準電圧ＶrefとＧｎｄ電圧（接地電圧）との間の所定の第２の基準電圧であるＶthと、水平方向スキャナ５の出力電圧Ｖｐとを比較し、電圧Ｖｐが電圧Ｖthより降下した時に、故障検知信号としてＨ（ハイ）レベルの出力電圧を出力し、それをＳ−Ｒフリップフロップ９に入力する。
【００２４】
Ｓ−Ｒフリップフロップ９は、コンパレータ７の出力すなわち故障検知信号をＳ（セット）入力、基準クロックＣＬＫをＲ（リセット）入力とし、コンパレータ７の出力（故障検知信号）がＨレベルになった時に、Ｑ出力より故障信号としてＨレベルを出力し、コンパレータ７の出力がＬ（ロー）レベルになった後も、基準クロックＣＬＫがＬレベルからＨレベルに立ち上がるまで、すなわち、走査選択手段である水平方向スキャナ５による走査選択が次の赤外線検出素子の出力信号の走査選択に切り換わるまで、Ｑ出力（故障信号）をＨレベルを保持する。
【００２５】
Ｎ型ＭＯＳＦＥＴスイッチ１０は、ゲート端子がＨレベルになった時にオンとなってドレイン−ソース間を短絡（ショート）し、従って、Ｓ−Ｒフリップフロップ９のＱ出力がＨレベルの時すなわち故障信号が入力されている時に、継続的に差動増幅器６の２入力間を短絡（ショート）する様に動作する。
【００２６】
ここで、ある赤外線検出素子内（ここでは画素21）の梁が折れ、熱電対を構成する抵抗が断線となった場合を考える。この場合、水平方向スキャナ５の出力電圧Ｖｐは、梁折れ画素（画素21）より前の画素の出力信号を走査選択している時は、Ｖｐの波形は各画素の入射赤外線の強さに応じた起電圧が基準電圧Ｖrefに重畳される波形となるが、梁折れ画素（画素21）の出力信号の走査選択時は、回路オープン（開放）となる為、水平方向スキャナ５からは電圧が出力されず、差動増幅器６の入力電圧はＧｎｄ電圧（０Ｖ）に降下する。差動増幅器６の入力電圧がＧｎｄ電圧（０Ｖ）に降下すると、コンパレータ７では、この入力電圧が電圧源８の出力電圧Ｖthより降下したことが検知されて、出力がＨレベルとなり、それが故障検知信号としてＳ−Ｒフリップフロップ９へ入力され、Ｓ−Ｒフリップフロップ９のＱ出力もＨレベルとなり、それが故障信号としてＮ型ＭＯＳＦＥＴスイッチ１０に入力され、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴスイッチ１０がオンし、差動増幅器６の２入力間が短絡（ショート）され、水平方向スキャナ５の出力電圧Ｖｐが加わる方の入力端子にも第１の基準電圧Ｖrefが印加されることになり、当該入力端子はＧｎｄ電圧（０Ｖ）から基準電圧Ｖrefに上昇する。従って、差動増幅器６の出力電圧Ｖoutとしては、赤外線検出素子の起電圧がない場合と同等の出力値となる（図２中、「梁折れ」で表示）。
【００２７】
水平方向スキャナ５の出力電圧Ｖｐが加わる方の入力端子がＧｎｄ電圧（０Ｖ）から基準電圧Ｖrefに上昇すると、コンパレータ７の出力はＬレベルとなるが、Ｓ−Ｒフリップフロップ９のＱ出力はＨレベルが保持され、基準クロックＣＬＫがＬレベルからＨレベルに立ち上がる時、即ち、水平方向スキャナ５による走査選択が梁折れ画素（画素21）の次の画素22の出力信号の走査選択に切り換わる時にＳ−Ｒフリップフロップ９のＱ出力がＬレベルとなって、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴスイッチ１０がオフし、梁折れ画素（画素21）より前の画素を走査選択している状態と同一の状態に戻る。
【００２８】
この結果、梁折れ画素（画素21）の次の画素22の走査選択に切り換わった時にも、Ｖrefに等しくなっていたＶｐは、画素22の起電圧が基準電圧Ｖrefに重畳された電圧に直ぐに到達し、梁折れ画素（画素21）での電圧飛び（ＶｐがＶrefと大きく異なること）による影響を受けることなく、高速で、赤外線検出素子にて発生した電圧分のみを差動増幅器６で増幅して取り出すことができる。
【００２９】
尚、図示はしないが、差動増幅器６の入力回路構成等により、梁折れ画素の走査選択での回路オープン（開放）時に、水平方向スキャナ５の出力電圧Ｖｐが入力する差動増幅器６の入力電圧が電源電圧に上昇する場合には、電圧源８の出力電圧Ｖthを基準電圧Ｖrefと前記電源電圧との間の電圧値に設定し、コンパレータ７で、水平方向スキャナ５の出力電圧Ｖｐが電圧源８の出力電圧Ｖthより上昇した時に、Ｈ（ハイ）レベルの出力電圧を出力する様に設定すれば、同一の効果を得ることができる。この場合に、電圧源８の出力電圧Ｖth、コンパレータ７、Ｓ−Ｒフリップフロップ９は、夫々、請求項３に記載の第３の基準電圧、第２の電圧比較手段、第２の故障信号出力手段に該当する。
【００３０】
（第２の実施の形態）
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。図３は、本発明の第２の実施の形態を示す赤外線検出装置を説明する回路構成図である。図３において、図１に示す回路構成図と同一の構成要素については、同一の符号を記して詳細な説明は省略する。本実施の形態においては、図１に示すコンパレータ７、電圧源８、Ｓ−Ｒフリップフロップ９を必要としない。
【００３１】
図４に、図３中の垂直方向デコーダ３、水平方向デコーダ４の各出力波形タイムチャート、及び、２次元赤外線検出素子部１と差動増幅器６に印加される基準電圧Ｖref、水平方向スキャナ５の出力電圧Ｖｐ、差動増幅器６の出力電圧Ｖoutの各電圧波形、及び、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴスイッチ１０の入力波形（ＳＷで示す）タイムチャートを示す。
【００３２】
次に、図３及び図４に従い、本発明の第２の実施の形態の赤外線検出装置の動作について説明する。尚、２次元赤外線検出素子部１の走査選択動作については、第１の実施の形態と同一である為、説明は省略する。
【００３３】
差動増幅器６では、水平方向スキャナ５の出力電圧Ｖｐ（第１の基準電圧Ｖrefに入射赤外線の強さに応じて発生した電圧が重畳されたもの）と電圧Ｖrefの差分電圧が増幅され、従って、出力電圧Ｖoutとしては、各赤外線検出素子にて入射赤外線の強さに応じて発生した電圧分のみが増幅されて取り出されることとなる。
【００３４】
Ｎ型ＭＯＳＦＥＴスイッチ１０では、ゲート端子がＨレベルになった時に、オンとなってドレイン−ソース間を短絡（ショート）し、差動増幅器６の２入力間を短絡（ショート）する様に動作する。
【００３５】
Ｎ型ＭＯＳＦＥＴスイッチ１０のゲート端子には、図示しないメモリー付マイクロコンピュータからの故障信号が入力されるようになっており、メモリー付マイクロコンピュータは、２次元赤外線検出素子部１の梁折れ画素を予め検査し、その検査によって得た赤外線検出素子の故障情報を記憶していて、赤外線検出素子出力信号の走査選択により梁折れ画素からの出力信号が走査選択される時に、Ｈレベルの故障信号をＮ型ＭＯＳＦＥＴスイッチ１０のゲート端子に入力する様に動作する。このように、このメモリー付マイクロコンピュータは、請求項４に記載の故障情報記憶手段及び第３の故障信号出力手段の両方の役割を果たす。
【００３６】
ここで、ある赤外線検出素子内（ここでは画素21）の梁が折れていて、熱電対を構成する抵抗が断線している場合を考える。この場合、水平方向スキャナ５の出力電圧Ｖｐは、梁折れ画素（画素21）より前の画素を走査選択している時は、各画素の入射赤外線の強さに応じた起電圧が基準電圧Ｖrefに重畳される波形となるが、梁折れ画素（画素21）の走査選択時は、回路オープン（開放）となる為、水平方向スキャナ５の出力電圧Ｖｐは出力されない。しかしながら、この時、２次元赤外線検出素子部１の梁折れ画素を予め記憶しているメモリー付マイクロコンピュータからＨレベルの信号が出力され、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴスイッチ１０のゲート端子に印加されるので、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴスイッチ１０がオンし、差動増幅器６の２入力間が短絡（ショート）され、水平方向スキャナ５の出力電圧Ｖｐが加わる方の入力端子にも基準電圧Ｖrefが印加されることになる。従って、差動増幅器６の出力電圧Ｖoutとしては、赤外線検出素子の起電圧がない場合と同等の出力値となる（図４中、「梁折れ」で表示）。
【００３７】
次に、梁折れ画素（画素21）の次の画素22の走査選択に切り換わると、メモリー付マイクロコンピュータからの信号がＬレベルとなって、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴスイッチ１０がオフし、梁折れ画素（画素21）より前の画素を走査選択している状態と同一の状態に戻る。この結果、梁折れ画素（画素21）の次の画素22の走査選択に切り換わった時にも、Ｖrefに等しくなっていたＶｐは、画素22の起電圧が基準電圧Ｖrefに重畳された電圧に直ぐに到達し、梁折れ画素（画素21）による影響を受けることなく、差動増幅器６により、高速で、赤外線検出素子にて発生した電圧分のみを増幅して取り出すことができる。
【００３８】
以上の説明により明らかなように、本発明の実施の形態によれば、差動増幅器６の２入力の間を短絡するＮ型ＭＯＳＦＥＴスイッチ１０を、赤外線検出素子部１の故障（梁折れ）画素の走査選択時にオンさせる構成としたので、赤外線検出素子（画素）の故障（梁折れ）による影響を他の赤外線検出素子の出力に及ぼさない様にし、高速にて走査選択を行うことができる。
【００３９】
又、水平方向スキャナ５の出力電圧Ｖｐと、電圧源８にて基準電圧ＶrefとＧｎｄ電圧或いは電源電圧との間の電圧値Ｖthに設定した電圧とを比較して、水平方向スキャナ５の出力電圧Ｖｐが電圧源８の設定電圧より、夫々、下降或いは上昇したことをコンパレータ７にて検知し、Ｓ−Ｒフリップフロップ９は、この故障検知信号（Ｈレベル）を入力されてから水平方向スキャナ５による走査選択が次の赤外線検出素子の出力信号に切り換わるまで、故障信号（Ｈレベル）を継続して出力し、その故障信号を差動増幅器６の２入力の間を短絡するＮ型ＭＯＳＦＥＴスイッチ１０のゲート端子に印加する構成としたので、実使用中に梁折れが発生した場合でも、赤外線検出素子（画素）の故障（梁折れ）による影響を他の赤外線検出素子の出力に及ぼさない様にし、高速にて走査選択を行うことができる。
【００４０】
更に、図示しないメモリー付マイクロコンピュータにて、２次元赤外線検出素子部１の故障（梁折れ）画素を予め記憶していて、梁折れ画素が走査選択される時にＨレベルの故障信号を出力し、差動増幅器６の２入力の間を短絡するＮ型ＭＯＳＦＥＴスイッチ１０のゲート端子に印加する構成としたので、赤外線検出素子（画素）の故障（梁折れ）による影響を他の赤外線検出素子の出力に及ぼさない様にし、高速にて走査選択を行うことができる。
【００４１】
尚、前述の本発明の実施の形態では、赤外線検出素子としてサーモパイルを仮定したが、赤外線検出素子はサーモパイルに限定されるものではなく、赤外線検出素子として、熱電対、赤外線光電池等を用いてもよい。
【００４２】
又、赤外線検出素子として、２次元に配列するものについて説明を行ってきたが、１次元に配列する赤外線検出素子の場合には、赤外線検出素子部１が画素11〜1nの１行で構成されることとなり、垂直方向デコーダ３、及び赤外線検出素子部１内の垂直方向スキャナの役目をするＮ型ＭＯＳＦＥＴスイッチが省略される以外は、前述した本発明の実施の形態と同一構成となる為、動作及び得られる効果も同一となる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の第１の実施の形態である赤外線検出装置を説明する回路構成図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態である赤外線検出装置の動作を説明するタイムチャートである。
【図３】本発明の第２の実施の形態である赤外線検出装置を説明する回路構成図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態である赤外線検出装置の動作を説明するタイムチャートである。
【図５】赤外線検出装置の構成要素である差動増幅器の詳細回路図である。
【符号の説明】
【００４４】
１：２次元赤外線検出素子部、２：カウンタ、３：垂直方向デコーダ、４：水平方向デコーダ、５：水平方向スキャナ、６：差動増幅器、７：コンパレータ、８：電圧源、９：Ｓ−Ｒフリップフロップ、１０：Ｎ型ＭＯＳＦＥＴスイッチ。
【図１】
2006162319.tif 000003
【図２】
2006162319.tif 000004
【図３】
2006162319.tif 000005
【図４】
2006162319.tif 000006
【図５】
2006162319.tif 000007