(57)【要約】【課題】  リードフレームと複数のバッドが配設されたパワー半導体素子とそれらを電気的に接合するバンプ及びこれらを樹脂封止体により片面封止する半導体装置において、樹脂封止体の側面に出ているリードフレームの形状を変形することによりバリがなく、バリ取り工程を簡略化して製造可能とする半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】  複数のリード２の下面は、樹脂封止体４の下面から露出しており、リード一端は、樹脂封止体の側面から突出しており、リード突出部分は、樹脂封止されている他の部分より肉薄に変形され、リード突出部分の上面は、リード上面の他の部分と同じ平面にあり、リード突出部分の下面は、リード下面の他の部分と段差７がある。リード突出部部分の金型の周辺部分が肉厚になっている下型６と上型５とに挟み加圧して肉薄部を形成する。【選択図】  図１
2006049682.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の表面電極にそれぞれ電気的に接続された複数のバンプを有する半導体素子と、
リードフレームを構成し、前記バンプを介して前記半導体素子に電気的に接続された複数のリードと、
前記半導体素子、前記バンプ及び前記複数のリードの一部を封止する樹脂封止体とを具備し、
前記複数のリードの下面は、前記樹脂封止体の下面から露出しており、前記リードの一端は、前記樹脂封止体の上面及び前記下面間の側面から突出しており、このリード突出部分は、樹脂封止されている他の部分より肉薄に変形され、前記リード突出部分の上面は、前記リード上面の他の部分と同じ平面にあり、前記リード突出部分の下面は、前記リード下面の他の部分と段差があるかもしくはこの突出部分が先端に行くほど肉薄になるように傾斜していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記樹脂封止体下面から露出している前記複数のリードは、長さの異なる少なくとも２種類を有する複数のリード群から構成され、各リード群は、前記樹脂封止体下面の中心に対して点対称に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記樹脂封止体下面から露出している前記複数のリードは、長さの異なる少なくとも２種類のリードから構成され、前記少なくとも２種類のリードの内、少なくとも長いリードは部分的に前記樹脂封止体内部に埋め込まれていて前記樹脂封止体下面から露出している部分が分割されているように配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
複数の表面電極にそれぞれ電気的に接続された複数のバンプを介して半導体素子にリードフレームを構成する複数のリードを接合する工程と、
前記半導体素子、前記バンプ及び前記複数のリードの一部を封止する樹脂封止体を形成する工程とを具備し、
前記リードの下面は、前記樹脂封止体の下面から露出しており、前記リードの一端は、前記樹脂封止体の上面及び前記下面間の側面から突出しており、このリード突出部分は、樹脂封止されている他の部分より肉薄に変形され、前記リード突出部分の上面は、前記リード上面の他の部分と同じ平面にあり、前記リード突出部分の下面は、前記リード下面の他の部分と段差があるかもしくはこの突出部分が先端に行くほど肉薄になるように傾斜していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記樹脂封止体下面から露出している前記複数のリードは、長さの異なる少なくとも２種類を有する複数のリード群から構成され、各リード群は、前記樹脂封止体下面の中心に対して点対称に配置されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関し、特にパワー半導体素子を搭載するリードフレームに使用される樹脂封止型半導体装置の樹脂封止体から露出しているリードの構造及び半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置において、半導体素子を小型化するために、Ａｕやはんだ等の金属バンプを用いて、フリップチップボンディング（ＦＣＢ）する技術が一般的になってきている。特に、放熱性を必要とするパワー半導体素子は、半導体装置の低背化からフリップチップが用いられており、その際にリードフレームを用いる事が多くなってきている。そして、これをモールド樹脂で封止する場合にオン抵抗低減の為にリードフレームの一方の面をモールド樹脂から露出させて片面モールド形状とする場合が多い。
図１０は、従来の片面モールド形状の半導体装置を樹脂封止する金型の断面図である。この金型により樹脂封止される半導体装置は、例えば、２つのＭＯＳ型パワートランジスタが形成されゲート端子１０３ａ及びソース端子１０３ｂをリード１０３として表面に露出する半導体素子を有するパワー半導体装置である。この半導体装置は、複数の表面電極（図示しない）にそれぞれ電気的に接続された複数のバンプ１０２を有する半導体素子１０１と、リードフレームを構成し、バンプ１０２を介して半導体素子１０１に電気的に接続された複数のリード１０３と、半導体素子１０１、バンプ１０２及びリード１０３の一部を封止するエポキシ樹脂などからなる樹脂封止体１０４とを備えている。
【０００３】
複数のリード１０３の下面は、樹脂封止体１０４の下面から露出しており、リード１０３の一端は、樹脂封止体１０４の上面及び下面間の側面から突出している。リード１０３の突出部分は、樹脂封止されている他の部分より肉薄に変形されており、リード１０３の突出部分の下面は、リード１０３の下面の他の部分と同じ平面にあり、平坦面を共通している。リード１０３の突出部分の上面は、リード１０３の上面の他の部分と段差がある。
このような段差は、モールド樹脂成型時に金型の下型１０６及び上型（フレーム押さえ）１０５によって挟まれることによって肉薄部分が生じることによって作られる。金型を用いて樹脂モールドを形成する際、位置決めや樹脂バリの発生を抑制する等のために、リード１０３を上から金型の上型１０５で押しつぶす。そのため、リード１０３の樹脂封止体１０４から露出している部分が変形（凹み量は、１〜３０μｍ程度）する。
【０００４】
その際、リード１０３は、平面に加工している下型１０６の反力を受けるため、金型のキャビティ内部で上方に曲げ変形する。そのため、取り出した成型品には、樹脂バリ１０７が存在する。樹脂バリ１０７があると、顧客がはんだ実装不可能となる。したがって、樹脂バリ１０７を除去する工程が必要となる。特にバリ量が多い場合には、バリ取り作業時間・コストが大きくなるという問題があった。
このようなリードが樹脂封止体から露出する従来の半導体装置には特許文献１及び特許文献２がある。特許文献１にはリードフレームに半導体素子をマウントした上でワイヤボンディングしたものをトランスファモールド金型内に配置して樹脂モールドしてなる半導体装置が記載されている。リードフレームには、トランスファモールド金型と接触する面でその金型のキャビティに臨む外周部分に相当する箇所に隆起部が形成されている。このような構成により、トランスファモールド成形時のバリ発生を確実に防止できるようにして、トランスファモールド金型の寿命を延ばすとともに、バリ取り工程を省略してランニングコストを下げることができる。
【０００５】
また、特許文献２に記載された半導体装置は、半導体チップが樹脂封止されて形成された封止部と、半導体チップを支持するタブと、封止部裏面の周縁部に並んで被実装面を露出して配置された複数のリードと、半導体チップのパッドとこれに対応するリードとを接続するワイヤとからなる。そして、組み立て時、各リードがその被実装面側に予め折り曲げられたリードフレームを用いて、リードの被実装面を下金型のキャビティ形成面に密着させて金型クランプを行ってモールドすることにより、封止部の裏面に各リードの被実装面を確実に露出させることができ、したがって、封止部へのリード潜り込みを防止できる。
【特許文献１】特開平１０−２７８７４公報
【特許文献２】特開２００２−５７２６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、このような事情によりなされたものであり、リードフレームと複数のバッドが配設されたパワー半導体素子とそれらを電気的に接合するバンプ及びこれらを樹脂封止体により片面封止する半導体装置において、樹脂封止体の側面に出ているリードフレームの形状を変形することによりバリがなく、バリ取り工程を簡略化して製造可能とする半導体装置及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような課題を解決するために、本発明の半導体装置の一態様は、複数の表面電極にそれぞれ電気的に接続された複数のバンプを有する半導体素子と、リードフレームを構成し、前記バンプを介して前記半導体素子に電気的に接続された複数のリードと、前記半導体素子、前記バンプ及び前記複数のリードの一部を封止する樹脂封止体とを具備し、前記複数のリードの下面は、前記樹脂封止体の下面から露出しており、前記リードの一端は、前記樹脂封止体の上面及び前記下面間の側面から突出しており、このリード突出部分は、樹脂封止されている他の部分より肉薄に変形され、前記リード突出部分の上面は、前記リード上面の他の部分と同じ平面にあり、前記リード突出部分の下面は、前記リード下面の他の部分と段差があるか又はこの突出部分が先端に行くほど肉薄になるように傾斜していることを特徴としている。
【０００８】
また、本発明の半導体装置の製造方法の一態様は、複数の表面電極にそれぞれ電気的に接続された複数のバンプを介して半導体素子にリードフレームを構成する複数のリードを接合する工程と、前記半導体素子、前記バンプ及び前記複数のリードの一部を封止する樹脂封止体を形成する工程とを具備し、前記リードの下面は、前記樹脂封止体の下面から露出しており、前記リードの一端は、前記樹脂封止体の上面及び前記下面間の側面から突出しており、このリード突出部分は、樹脂封止されている他の部分より肉薄に変形され、前記リード突出部分の上面は、前記リード上面の他の部分と同じ平面にあり、前記リード突出部分の下面は、前記リード下面の他の部分と段差があるか又はこの突出部分が先端に行くほど肉薄になるように傾斜していることを特徴としている。
【発明の効果】
【０００９】
樹脂封止体を形成する金型の下型との接触面が平坦な上型と、周辺部が肉厚で他より上方に突出している上型との接触面を有する下型とにより肉薄に変形されたリードの樹脂封止体側面から突出する部分を、以上のような構造にすることにより、顧客が実装時においてバリ残りのため実装することができない不具合を回避することが可能になる。また、半導体装置の製造時におけるバリ取り工程を簡略化することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、実施例を参照して発明を実施するための最良の形態を説明する。
【実施例１】
【００１１】
まず、図１及び図２を参照して実施例１を説明する。
図１は、この実施例に係る半導体装置を樹脂封止する金型の断面図、図２は、この実施例に係る半導体装置の断面図及び平面図である。図２は、複数のリードの下面が樹脂封止体下面から露出しており、このリードの一端が樹脂封止体上面及び下面間の側面から突出している片面樹脂モールド形状（これを片面封止という）の半導体装置を形成する図１の金型で作られた半導体装置である。図２（ｂ）は、半導体素子１を被覆する樹脂封止体４の下面を示す平面図である。この半導体装置は、例えば、２つのＭＯＳ型パワートランジスタが形成されゲート端子３ａ及びソース端子３ｂをリード３として表面に露出する半導体素子１を有するパワー半導体装置である。この半導体装置は、複数の表面電極（図示しない）にそれぞれ電気的に接続された複数のバンプ２を有する半導体素子１と、リードフレームを構成し、バンプ２を介して半導体素子１に電気的に接続された複数のリード３と、半導体素子１、バンプ２及びリード３の一部を封止する、例えば、エポキシ樹脂などからなる樹脂封止体４とを備えている。リード３には、ゲート端子３ａ及びソース端子３ｂが含まれている。
【００１２】
複数のリード３下面は、樹脂封止体４下面から露出しており、リード３の一端は、樹脂封止体４の上面及び下面間の側面から突出している。リード３の突出部分は、樹脂封止されている他の部分より肉薄に変形（凹み量は、１〜３０μｍ程度）されており、リード３の突出部分の上面は、リード３の上面の他の部分と同じ平面にあり、平坦面を共通している。リード３の突出部分の下面は、リード３の他の部分より肉薄になって、段差７が形成されている。
【００１３】
次に、図１を参照して半導体装置の製造方法を説明する。
シリコンなどからなる半導体素子１には複数の表面電極にそれぞれ電気的に接続された、例えば、Ａｕやはんだなどからなる複数のバンプ２が形成されている。この半導体素子にバンプ２を介してリードフレームを構成する複数のリード３を接合する。リードフレームを所定の形状に成形する。リード３を接合した半導体素子１を下型６に載置する。リード３の先端部分は、下型６周辺の肉厚部分に配置される。下型６は、周辺部分が肉厚になっており、その表面は、他の部分より突出している。リード３の先端部分は、下型６周辺の肉厚部分に載置される。そして、下型６周辺の肉厚部分に対応する様に上型（フレーム押さえ）５を載せてリード３の端部を押圧する。その後、金型の上型５及び下型６により構成されたキャビティ内にエポキシ樹脂などを封入し硬化して半導体素子１を封止する樹脂封止体４を形成する。この樹脂封止の時に樹脂封止体４から露出するリード３端部に肉薄部が形成される。
【００１４】
この実施例では、金型を構成する下型の周辺部に肉厚部が施されているため、金型の下型の反力を受けずキャビティ内部で上方に曲げ変形することがない。従って、樹脂バリの発生を著しく減少させることができる。樹脂バリの発生は、従来２５／５０ｐ程度発生していてバリ取りを必要としていたが、この実施例では、０／５０ｐに抑制されて殆どバリ取りは不必要となる。
【実施例２】
【００１５】
次に、図３を参照して実施例２を説明する。
図３（ａ）は、この実施例に係る半導体装置を樹脂封止する金型の断面図、図３（ｂ）は、この実施例に係る半導体装置の平面図である。この実施例に係る半導体装置は、複数のリードの下面が樹脂封止体下面から露出しており、このリードの一端が樹脂封止体上面及び下面間の側面から突出している片面樹脂モールド形状の半導体装置である。樹脂封止体は図の金型で作られる。
半導体装置は、例えば、２つのＭＯＳ型パワートランジスタが形成されゲート端子２３ａ及びソース端子２３ｂをリード２３として表面に露出する半導体素子２１を有するパワー半導体装置である。この半導体装置は、複数の表面電極（図示しない）にそれぞれ電気的に接続された複数のバンプ２２を有する半導体素子２１と、リードフレームを構成し、バンプ２２を介して半導体素子２１に電気的に接続された複数のリード２３と、半導体素子２１、バンプ２２及びリード２３の一部を封止する、例えば、エポキシ樹脂などからなる樹脂封止体２４とを備えている。リード２３には、ゲート端子２３ａ及びソース端子２３ｂが含まれている。
【００１６】
リード２３下面は、樹脂封止体２４下面から露出しており、リード２３の一端は、樹脂封止体２４上面及び下面間の側面から突出している。リード２３の突出部分は、樹脂封止されている他の部分より肉薄に変形（凹み量は、１〜３０μｍ程度）されており、リード２３突出部分の上面は、リード２３の上面の他の部分と同じ平面にあり、平坦面を共通している。リード２３の突出部分の下面は、リード２３の先端にいくに従って肉薄になるように傾斜面２７を有している。
傾斜面を形成する場合において、リード２３を接合した半導体素子２１を下型２６に載置する。下型２６は、周辺部分が肉厚になっており、その表面は、他の部分より突出し、他の部分と肉厚部分との間は傾斜面でつながっている。そして、リード２３の先端部分は、下型２６周辺の肉厚部分に配置される。その後、下型２６周辺部分に対応する様に上型（フレーム押さえ）２５を載せてリード２３の端部を押圧する。その後、上型２５及び下型２６により構成されたキャビティ内にエポキシ樹脂などを封入し硬化して半導体素子２１を封止する樹脂封止体２４を形成する。この樹脂封止の時に樹脂封止体２４から露出するリード３端部に傾斜面を有する肉薄部が形成される。
【００１７】
この実施例では、金型を構成する下型の周辺部に傾斜面を有する肉厚部が施されているため、金型の下型の反力を受けずキャビティ内部で上方に曲げ変形することがない。従って、樹脂バリの発生を著しく減少させることができる。樹脂バリの発生は、従来２５／５０ｐ程度発生していてバリ取りを必要としていたが、この実施例では、０／５０ｐに抑制されて殆どバリ取りは不必要となる。
【実施例３】
【００１８】
次に、図４及び図５を参照して実施例３を説明する。
図４は、リードフレームと複数のバッドが配設されたパワー半導体素子とそれらを電気的に接合するバンプ及びこれらを樹脂封止体により片面封止する半導体装置の断面図及びこの半導体装置の下面を示す平面図、図５は、図４に示す半導体装置のリード部分を変形させた構造を有するこの実施例に係る半導体装置を樹脂封止する金型の断面図及びこの樹脂封止された半導体装置の下面を示す平面図である。
従来のリードフレームと複数のバッドが配設されたパワー半導体素子とそれらを電気的に接合するバンプ及びこれらを樹脂封止体により片面封止する半導体装置において、例えば、ソース端子及びゲート端子がリードとして樹脂封止体表面に露出している場合、ソース端子はリードが長く、ゲート端子はリードが短い。この場合、図２（ｂ）に示すように、長いリードと短いリードが半導体装置の長手方向に対し、非対称になる事が多い。
【００１９】
ところが、このような構造の場合、長いリードと短いリードの間を半導体素子が橋渡しとなり、半導体装置の組立時や顧客が実装する時に、半導体装置へ曲げなどの外力が加わって半導体素子へ直接外力が伝わり易すく、したがって、クラック発生などの問題があった。
そこで、このような問題を解決するために、図４に示すような半導体装置が開発された。この半導体装置は、例えば、２つのＭＯＳ型パワートランジスタが形成されゲート端子３３ａ及びソース端子３３ｂをリード３３として表面に露出する半導体素子３１を有するパワー半導体装置である。この半導体装置は、複数の表面電極（図示しない）にそれぞれ電気的に接続された複数のバンプ３２を有する半導体素子３１と、リードフレームを構成し、バンプ３２を介して半導体素子３１に電気的に接続された複数のリード３３と、半導体素子３１、バンプ３２及びリード３３の一部を封止する、例えば、エポキシ樹脂などからなる樹脂封止体３４とを備えている。
【００２０】
複数のリード３３下面は、樹脂封止体３４下面から露出しており、リード３３の一端は、樹脂封止体３４の上面及び下面間の側面から突出している。樹脂封止体３４下面から露出している複数のリード３３は、長さの異なる２種類のゲート端子３３ａ及びソース端子３３ｂを１つの組とする複数のリード群（この図では２群からなる）から構成され、各リード群は、樹脂封止体３４下面の中心３８に対して点対称に配置されている。
このようなモールド樹脂で片面封止する半導体装置は、樹脂封止体の表面に出ているリードが４本以上であり、かつ少なくとも２種類の長さがある。また、２種類の長さの内、少なくとも一方のリードの長さは、半導体装置の長辺方向の長さに対し、半分以上の長さを有するように構成されている。
このような構造の場合、半導体装置の組立時や顧客が実装する時に半導体装置へ曲げなどの外力が加わっても、リードの存在により強度を強くすることが出来るため、半導体素子へ直接外力が伝達し難くく、従って、クラックなどの問題が解消することが可能になる。
【００２１】
この実施例では、図４に示す半導体装置のリードに対して変形加工を施す。図８（ａ）に示すようにリード３３を接合した半導体素子３１を下型３６に載置する。リード３３の先端部分は、下型３６周辺の肉厚部分に配置される。下型３６は、周辺部分が肉厚になっており、その表面は、他の部分より突出している。リード３３の先端部分は、下型３６周辺の肉厚部分に載置される。そして、下型３６周辺の肉厚部分に対応する様に上型（フレーム押さえ）３５を載せてリード３３の端部を押圧する。その後、金型の上型３５及び下型３６により構成されたキャビティ内にエポキシ樹脂などを封入し硬化して半導体素子３１を封止する樹脂封止体３４を形成する。この樹脂封止の時に樹脂封止体３４から露出するリード３３端部に肉薄部が形成される。
リード３３の突出部分は、樹脂封止されている他の部分より肉薄に変形（凹み量は、１〜３０μｍ程度）されており、リード３３の突出部分の上面は、リード３３の上面の他の部分と同じ平面にあり、平坦面を共通している。リード３３の突出部分の下面は、リード３３の他の部分より肉薄になって、段差３７が形成されている。
【００２２】
この実施例では、金型を構成する下型の周辺部に肉厚部が施されているため、金型の下型の反力を受けずキャビティ内部で上方に曲げ変形することがない。従って、樹脂バリの発生を著しく減少させることができる。樹脂バリの発生は、従来２５／５０ｐ程度発生していてバリ取りを必要としていたが、この実施例では、０／５０ｐに抑制されて殆どバリ取りは不必要となる。
【実施例４】
【００２３】
次に、図６を参照して実施例４を説明する。
図６は、図４に示す半導体装置のリード部分を変形させた構造を有するこの実施例に係る半導体装置を樹脂封止する金型の断面図及びこの樹脂封止された半導体装置の下面を示す平面図である。
この実施例では、図４に示す半導体装置のリードに対して変形加工を施す。図６（ａ）に示すようにリード４３を接合した半導体素子４１を下型４６に載置する。リード４３の先端部分は、下型４６周辺の傾斜面に配置される。下型４６は、周辺部分が肉厚になっており、その表面は、他の部分より突出し、他の部分と肉厚部分との間は傾斜面でつながっている。リード４３の先端部分は、下型４６周辺の肉厚部分に載置される。そして、下型４６周辺の傾斜面に対応する様に上型（フレーム押さえ）４５を載せてリード４３の端部を押圧する。その後、金型の上型４５及び下型４６により構成されたキャビティ内にエポキシ樹脂などを封入し硬化して半導体素子４１を封止する樹脂封止体４４を形成する。この樹脂封止の時に樹脂封止体４４から露出するリード４３端部に肉薄部が形成される。
【００２４】
リード４３の突出部分は、樹脂封止されている他の部分より肉薄に変形（凹み量は、１〜３０μｍ程度）されており、リード４３の突出部分の上面は、リード４３の上面の他の部分と同じ平面にあり、平坦面を共通している。リード４３の突出部分の下面は、リード４３の他の部分より肉薄になって、突出部分の下面には傾斜面４７が形成されている。
この実施例では、金型を構成する下型の周辺部に肉厚部が施されているため、金型の下型の反力を受けずキャビティ内部で上方に曲げ変形することがない。従って、樹脂バリの発生を著しく減少させることができる。樹脂バリの発生は、従来２５／５０ｐ程度発生していてバリ取りを必要としていたが、この実施例では０／５０ｐに抑制されて殆どバリ取りは不必要となる。
【実施例５】
【００２５】
次に、図７及び図８を参照して実施例５を説明する。
図７は、リードフレームと複数のバッドが配設されたパワー半導体素子とそれらを電気的に接合するバンプ及びこれらを樹脂封止体により片面封止する半導体装置の断面図及びこの半導体装置の下面を示す平面図、図８は、図７に示す半導体装置のリード部分を変形させた構造を有するこの実施例に係る半導体装置を樹脂封止する金型の断面図及びこの樹脂封止された半導体装置の下面を示す平面図である。
このような構造の場合、長いリードと短いリードがあると、顧客がはんだ実装する場合、短いリード側が浮いてしまい、電気的にオープンすることが多いという問題があった。
【００２６】
そこで、このような問題を解決するために、図７に示すような半導体装置が開発された。この半導体装置は、例えば、２つのＭＯＳ型パワートランジスタが形成されゲート端子５３ａ及びソース端子５３ｂをリード５３として表面に露出する半導体素子５１を有するパワー半導体装置である。この半導体装置は、複数の表面電極（図示しない）にそれぞれ電気的に接続された複数のバンプ５２を有する半導体素子５１と、リードフレームを構成し、バンプ５２を介して半導体素子５１に電気的に接続された複数のリード５３と、半導体素子５１、バンプ５２及びリード５３の一部を封止する、例えば、エポキシ樹脂などからなる樹脂封止体５４とを備えている。
【００２７】
複数のリード５３下面は、樹脂封止体５４下面から露出しており、リード５３の一端は、樹脂封止体５４の上面及び下面間の側面から突出している。樹脂封止体５４下面から露出している複数のリード５３は、短いゲート端子５３ａと長イソース端子５３ｂの２種類のリードを有している。そして、長いリードであるソース端子５３ｂは、予め樹脂封止体５４の表面から出る下面側をハーフエッチ又は刻印で削れられて肉薄になっており、削られている部分には樹脂封止時を行う時にモールド樹脂が入る構造になっている。この時、ソース端子５３ｂは、２つに分断された様に樹脂封止体５４表面に現れる。分断したソース端子５３ｂの一方は、ゲート端子５３ａと同じ長さにしている。
このような構造であると、顧客での実装時にソース側とゲート側のはんだのつりあいが良くなり、片側のリードが浮くという問題がなくなる。そのため電気的なオープンも発生しない。
【００２８】
この実施例では、図４に示す半導体装置のリードに対して変形加工を施す。図８（ａ）に示すようにリード５３を接合した半導体素子５１を下型５６に載置する。リード５３の先端部分は、下型５６周辺の肉厚部分に配置される。下型５６は、周辺部分が肉厚になっており、その表面は、他の部分より突出している。リード５３の先端部分は、下型５６周辺の肉厚部分に載置される。そして、下型５６周辺の肉厚部分に対応する様に上型（フレーム押さえ）５５を載せてリード５３の端部を押圧する。その後、金型の上型５５及び下型５６により構成されたキャビティ内にエポキシ樹脂などを封入し硬化して半導体素子５１を封止する樹脂封止体５４を形成する。この樹脂封止の時に樹脂封止体５４から露出するリード５３端部に肉薄部が形成される。
リード５３の突出部分は、樹脂封止されている他の部分より肉薄に変形（凹み量は、１〜３０μｍ程度）されており、リード５３の突出部分の上面は、リード５３の上面の他の部分と同じ平面にあり、平坦面を共通している。リード５３の突出部分の下面は、リード５３の他の部分より肉薄になって、段差５７が形成されている。
【００２９】
この実施例では、金型を構成する下型の周辺部に肉厚部が施されているため、金型の下型の反力を受けずキャビティ内部で上方に曲げ変形することがない。従って、樹脂バリの発生を著しく減少させることができる。樹脂バリの発生は、従来２５／５０ｐ程度発生していてバリ取りを必要としていたが、この実施例では０／５０ｐに抑制されて殆どバリ取りは不必要となる。
【実施例６】
【００３０】
次に、図９を参照して実施例６を説明する。
図９は、図７に示す半導体装置のリード部分を変形させた構造を有するこの実施例に係る半導体装置を樹脂封止する金型の断面図及びこの樹脂封止された半導体装置の下面を示す平面図である。
この実施例では、図７に示す半導体装置のリードに対して変形加工を施す。図９（ａ）に示すようにリード６３を接合した半導体素子６１を下型６６に載置する。リード６３の先端部分は、下型６６周辺の傾斜面に配置される。下型６６は周辺部分が肉厚になっており、その表面は、他の部分より突出し、他の部分と肉厚部分との間は傾斜面でつながっている。リード６３の先端部分は、下型６６周辺の肉厚部分に載置される。そして、下型６６周辺の傾斜面に対応する様に上型（フレーム押さえ）６５を載せてリード６３の端部を押圧する。その後、金型の上型６５及び下型６６により構成されたキャビティ内にエポキシ樹脂などを封入し硬化して半導体素子６１を封止する樹脂封止体６４を形成する。この樹脂封止の時に樹脂封止体６４から露出するリード６３端部に肉薄部が形成される。
【００３１】
リード６３の突出部分は、樹脂封止されている他の部分より肉薄に変形（凹み量は、１〜３０μｍ程度）されており、リード６３の突出部分の上面は、リード６３の上面の他の部分と同じ平面にあり、平坦面を共通している。リード６３の突出部分の下面は、リード６３の他の部分より肉薄になって、突出部分の下面には傾斜面６７が形成されている。
この実施例では、金型を構成する下型の周辺部に肉厚部が施されているため、金型の下型の反力を受けずキャビティ内部で上方に曲げ変形することがない。従って、樹脂バリの発生を著しく減少させることができる。樹脂バリの発生は、従来２５／５０ｐ程度発生していてバリ取りを必要としていたが、この実施例では０／５０ｐに抑制されて殆どバリ取りは不必要となる。
【００３２】
以上、実施例においてＭＯＳトランジスタを用いてパワー半導体装置を説明したが、本発明のパワー半導体装置は、ＭＯＳ型トランジスタに限らず、例えば、バイポーラトランジスタを用いることもでき、また、前述の２種類のリードを用いるものに限らず、例えば、３種類のリードを用いる半導体装置も含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の一実施例である実施例１に係る半導体装置を樹脂封止する金型の断面図。
【図２】本発明の一実施例である実施例１に係る半導体装置の断面図及び平面図。
【図３】本発明の一実施例である実施例２に係る半導体装置を樹脂封止する金型の断面図及びこの実施例に係る半導体装置の平面図。
【図４】リードフレームと複数のバッドが配設されたパワー半導体素子とそれらを電気的に接合するバンプ及びこれらを樹脂封止体により片面封止する半導体装置の断面図及びこの半導体装置の下面を示す平面図。
【図５】本発明の一実施例である実施例３に係る半導体装置を樹脂封止する金型の断面図及びこの樹脂封止された半導体装置の下面を示す平面図。
【図６】本発明の一実施例である実施例４に係る半導体装置を樹脂封止する金型の断面図及びこの樹脂封止された半導体装置の下面を示す平面図。
【図７】リードフレームと複数のバッドが配設されたパワー半導体素子とそれらを電気的に接合するバンプ及びこれらを樹脂封止体により片面封止する半導体装置の断面図及びこの半導体装置の下面を示す平面図。
【図８】本発明の一実施例である実施例５に係る半導体装置を樹脂封止する金型の断面図及びこの樹脂封止された半導体装置の下面を示す平面図。
【図９】本発明の一実施例である実施例６に係る半導体装置を樹脂封止する金型の断面図及びこの樹脂封止された半導体装置の下面を示す平面図。
【図１０】従来の片面樹脂モールド形状の半導体装置を樹脂封止する金型の断面図。
【符号の説明】
【００３４】
１、２１、３１、４１、５１、６１・・・半導体素子
２、２２、３２、４２、５２、６２・・・バンプ
３、２３、３３、４３、５３、６３・・・リード
３ａ、２３ａ、３３ａ、４３ａ、５３ａ、６３ａ・・・ゲート端子
３ｂ、２３ｂ、３３ｂ、４３ｂ、５３ｂ、６３ｂ・・・ソース端子
４、２４、３４、４４、５４、６４・・・樹脂封止体
５、２５、３５、４５、５５、６５・・・金型の上型（フレーム押さえ）
６、２６、３６、４６、５６、６６・・・金型の下型
７、３７、５７・・・段差
２７、４７、６７・・・傾斜面
３８、４８・・・樹脂封止体下面の中心
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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