(57)【要約】【課題】遊技媒体投入に関する不正を防ぐことができる遊技機を提供する。【解決手段】パチスロ機内において、メダルＭが通過するメダル通路上に、受光素子４０ｂ，４１ｂと発光素子４０ａ，４１ａとからなる第１及び第２の光センサ４０，４１が並べて設置されている。そして、各光センサ４０，４１によってメダル通路を通過するメダルＭが検知されるようになっている。第２の光センサ４１は、その受光素子４１ｂのメダル通路に対する配置が第１の光センサ４０の受光素子４０ｂの配置と反対になっている。【選択図】      図４
2006061576.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技媒体が通過する遊技媒体通路上に、受光素子と発光素子とからなる光センサを複数並べて設置し、各光センサによって前記遊技媒体通路を通過する遊技媒体が検知される遊技機において、
複数の光センサのうち少なくとも１つの光センサを、該光センサの受光素子の前記遊技媒体通路に対する配置が他の光センサの受光素子の配置と反対になるように設置した遊技機。
【請求項２】
前記複数の光センサの全部又は一部は、前記遊技媒体通路を通過する前記遊技媒体の通過方向に沿って近接設置されている請求項１に記載の遊技機。
【請求項３】
前記近接設置された複数の光センサは、１つの遊技媒体を同時に検知可能となるように設置されている請求項２に記載の遊技機。
【請求項４】
前記複数の光センサのうち少なくとも１つの光センサは、前記遊技媒体通路を挟んで受光素子と発光素子が対向配置され、両素子間を通過した遊技媒体によって前記発光素子の発光した光が遮断されることにより前記遊技媒体の通過を検知するセンサである請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の遊技機。
【請求項５】
前記複数の光センサのうち少なくとも１つの光センサは、前記遊技媒体通路に対して受光素子の受光面と発光素子の発光面とが同一方向を向いて配置され、両素子の前側を通過した遊技媒体によって前記発光素子の光を前記遊技媒体で反射させ、その光を前記受光素子で受光させることにより前記遊技媒体の通過を検知するセンサである請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の遊技機。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、遊技を開始する際に遊技機に投入された遊技媒体（スロットマシンであればメダル）を検知する光センサを備えた遊技機に関する。
【背景技術】
【０００２】
遊技機の一種であるスロットマシン（回胴式遊技機、所謂「パチスロ」）では、遊技媒体としてメダルが用いられ、スロットマシンへのメダルの投入により遊技を開始することができるようになっている。そして、スロットマシンには、メダル投入に関して不正が行われた場合には遊技を開始できないようにするためのメダル検知手段が設置されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
特許文献１に記載されたメダル検知手段は、投入されたメダルが通過するメダル通路に並設された２つのメダルセンサと、それら２つのメダルセンサが検知した情報を判断する制御部とより構成されている。そして、メダル通路にメダルが投入されると、２つのメダルセンサに対するメダルの通過順序と、２つのメダルセンサの検知時間との２つの情報から、制御部はメダルの投入が不正に行われたか否かを判断するようになっている。
【０００４】
メダル検知手段に用いられる前記メダルセンサとしては、発光素子と受光素子とよりなる光センサが使用されている。この光センサは、メダル通路を通過するメダルの通過方向と直交する方向に前記発光素子と受光素子とが対向するように配置されて構成されている（以後、対向型光センサとする）。そして、この対向型光センサよりなるメダルセンサを用いたメダル検知手段においては、発光素子の発光した光が両素子間を通過したメダルによって遮断されることから制御部がメダルの通過を検知するようになっている。なお、光センサとしては前記対向型光センサの他に、メダル通路に対して受光素子の受光面と発光素子の発光面とが同一方向を向いて配置されたものも知られている（以後、反射型光センサとする）。そして、この反射型光センサよりなるメダルセンサを用いたメダル検知手段においては、発光素子の発光した光が両素子の前側を通過したメダルによって反射され、その反射した光を受光素子が受光することから制御部がメダルの通過を検知するようになっている。
【特許文献１】特開平１１−２０３５４１号公報（［００１３］〜［００１５］、図１（ｂ））
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、対向型光センサ又は反射型光センサよりなるメダルセンサをメダル通路に２つ設置した状態において、いずれの型の光センサにおいても、２つのメダルセンサの受光素子はそれぞれメダル通路に対して各受光面が同一方向を向いて配置された状態となっている。このため、例えば、一枚の基板の一面に２個の発光素子を備えた不正装置を製造し、該不正装置をメダル通路に挿入して各発光素子を各受光素子に対して不正に発光させることによって、制御部にメダルの通過を検知させることができ、メダル投入に関する不正が行われる虞があった。
【０００６】
本発明は、このような従来の技術に存在する問題点に着目してなされたものであり、その目的は、遊技媒体投入に関する不正を防ぐことができる遊技機を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記問題点を解決するために、請求項１に記載の発明は、遊技媒体が通過する遊技媒体通路上に、受光素子と発光素子とからなる光センサを複数並べて設置し、各光センサによって前記遊技媒体通路を通過する遊技媒体が検知される遊技機において、複数の光センサのうち少なくとも１つの光センサを、該光センサの受光素子の前記遊技媒体通路に対する配置が他の光センサの受光素子の配置と反対になるように設置したことを要旨とする。
【０００８】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の遊技機において、前記複数の光センサの全部又は一部は、前記遊技媒体通路を通過する前記遊技媒体の通過方向に沿って近接設置されていることを要旨とする。
【０００９】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の遊技機において、前記近接設置された複数の光センサは、１つの遊技媒体を同時に検知可能となるように設置されていることを要旨とする。
【００１０】
請求項４に記載の発明は、請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の遊技機において、前記複数の光センサのうち少なくとも１つの光センサは、前記遊技媒体通路を挟んで受光素子と発光素子が対向配置され、両素子間を通過した遊技媒体によって前記発光素子の発光した光が遮断されることにより前記遊技媒体の通過を検知するセンサであることを要旨とする。
【００１１】
請求項５に記載の発明は、請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の遊技機において、前記複数の光センサのうち少なくとも１つの光センサは、前記遊技媒体通路に対して受光素子の受光面と発光素子の発光面とが同一方向を向いて配置され、両素子の前側を通過した遊技媒体によって前記発光素子の光を前記遊技媒体で反射させ、その光を前記受光素子で受光させることにより前記遊技媒体の通過を検知するセンサであることを要旨とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、遊技媒体投入に関する不正を防ぐことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
（第１の実施形態）
以下、本発明をその一種であるスロットマシン（以下、「パチスロ機」と示す）に具体化した第１の実施形態を図１〜図８にしたがって説明する。
【００１４】
図１に示すように、パチスロ機１１は、前面を開口した直方体形状の本体（図示せず）と、該本体の左端縁側に対して回動開閉可能に軸支された前面扉１２とを備えている。本体の略中央部には３列のドラムよりなるドラムユニットＵが設置され、各ドラムには複数の図柄が該ドラムの周方向に沿って表示されている。そして、このドラムユニットＵでは、各ドラムを回転させて図柄組み合わせゲームが行われ、各ドラムの図柄によって、全ドラムの図柄による図柄組み合わせが形成されるようになっている。これらの図柄組み合わせは、予め定めた複数の組み合わせライン上に形成されるようになっている。ドラムユニットＵの前方位置となる前面扉１２には、前記ドラムユニットＵを透視保護するための保護窓１３が配設されている。また、前面扉１２の前面において保護窓１３の下方位置には、スタートレバー１４、３つの停止ボタン１５、ＢＥＴボタン１６、メダル返却ボタン１７、清算ボタン１８、メダル投入口１９が配設されている。さらに、前面扉１２の前面における下部中央部にはメダル排出口２１が形成されている。また、前面扉１２の前面における下部には、メダル排出口２１から排出されたメダルＭ（図３参照）を受ける受け皿２０が配設されている。
【００１５】
そして、上記構成のパチスロ機１１は、メダルＭを用いてドラムユニットＵによる図柄組み合せゲームが行われる。すなわち、遊技者は、メダル投入口１９からメダルＭを投入するか、あるいはＢＥＴボタン１６を適宜操作してベット数を設定した後、スタートレバー１４を操作してドラムユニットＵの各ドラムを回転させる。各ドラムの回転が開始してから一定時間が経過するか、あるいは遊技者が停止ボタン１５を操作すると、各ドラムの回転が停止する。そして、メダルＭのベット数（賭数）によって有効とされた組み合わせライン上に形成された図柄組み合わせに応じて、遊技者に賞メダルが付与されるようになっている。すなわち、図柄組み合わせが所定の賞態様（役）になった場合には、該賞態様毎に予め決められている枚数の賞メダルが付与されるようになっている。
【００１６】
図１に破線に示すように、本体において前記ドラムユニットＵの下方となる位置には、パチスロ機１１内へ投入されたメダルＭを貯留するためのホッパー２３が設置されている。このホッパー２３の下端には前記メダル排出口２１が位置し、図柄組み合わせが所定の賞態様になった場合には、ホッパー２３内に貯留されたメダルＭがメダル排出口２１へと払い出されるようになっている。前面扉１２の裏面側において前記メダル投入口１９の下方位置には、該メダル投入口１９と前記ホッパー２３とを繋ぐようにメダルセレクタ３０が配設されている。すなわち、メダルセレクタ３０は前記メダル投入口１９から投入されたメダルＭがホッパー２３へ向かうように、メダル投入口１９から斜め下方へ延設されている。また、前面扉１２の裏面側において、前記メダルセレクタ３０の下方位置にはメダル流路２４が設けられている。そして、メダルセレクタ３０は、メダル投入口１９から投入されたメダルＭを取り込んで正規のサイズのメダルＭと不正のサイズのメダル（図示せず）とを選別するようになっている。
【００１７】
次に、前記メダルセレクタ３０について具体的に説明する。図２及び図３に示すように、前記メダルセレクタ３０は、長板状をなすメダルセレクタ本体３１と、該メダルセレクタ本体３１の上側部及び中央部に組付けられた第１カバー部材３２及び第２カバー部材３３とより外郭が形成されている。前記メダルセレクタ本体３１の内面には、案内リブ３１ａが複数箇所に突出形成されている。そして、メダルセレクタ本体３１の内面と、該内面に対する第１及び第２カバー部材３２，３３の対向面と、複数の案内リブ３１ａとに囲まれた領域に、メダルＭが通過可能なメダル通路３４（遊技媒体通路）が形成されている。このメダル通路３４の通路幅、言い換えると、メダルセレクタ本体３１の内面と、第１及び第２カバー部材３２，３３との対向面間の距離は一枚のメダルＭの厚みよりわずかに大きく形成されている。すなわち、メダル通路３４の通路幅は、一枚のメダルＭのみが通過可能となる幅に設定されている。
【００１８】
メダルセレクタ３０の上端部には、前記メダル通路３４の入口である取込口３５が形成されている。また、メダルセレクタ３０の下端部にはメダル通路３４の出口２９が形成されている。そして、メダル通路３４は、前記取込口３５から前記出口２９へ向かって下り傾斜するように形成されている。前記取込口３５は、開口幅がメダルＭの直径より若干広く形成されている。取込口３５よりもメダル通路３４の下流側は、対向する案内リブ３１ａ間の距離がメダルＭの直径よりわずかに広く、かつ取込口３５よりも狭くなっている。このため、正規のメダルＭよりも直径が大きい不正のメダルがメダル投入口１９から投入されたとき、該不正メダルは、この取込口３５で詰まるようになっており、メダル通路３４内へ侵入することが不可能となっている。また、メダルセレクタ本体３１には、取込口３５よりもメダル通路３４の下流位置にメダル逃がしスリット３６が穿設されている。第１カバー部材３２には取込口３５よりもメダル通路３４の下流位置に振分け部材３７が設けられている。そして、メダルセレクタ３０は、正規のメダルＭよりも直径が小さい不正のメダルが取込口３５からメダル通路３４内へ投入されると、前記振分け部材３７によって小径のメダルをメダル逃がしスリット３６方向へ押圧するようになっている。振分け部材３７によって押圧された不正のメダルは、メダル逃がしスリット３６からメダルセレクタ３０外へと排出され、さらに、メダル流路２４を介し、メダル排出口２１を通過して受け皿２０へと排出されるようになっている。
【００１９】
前記メダル逃がしスリット３６よりもメダル通路３４の下流位置では、前記案内リブ３１ａの一部が下方へ開口するように形成されている。そして、メダルセレクタ３０において、取込口３５と出口２９との間に返却口３８が形成され、この返却口３８の下側に前記メダル流路２４が配設されている。また、前記返却口３８よりも上方位置となる第１カバー部材３２には開閉部材３９が設けられている。この開閉部材３９は、電磁石（図示せず）の励磁又は消磁によって、メダル通路３４内に出没可能となっている。すなわち、メダルセレクタ３０において、電磁石が励磁されている場合には、開閉部材３９がメダル通路３４内に突出して返却口３８を閉状態とし、メダルＭを返却口３８へと排出させないようになっている。一方、メダルセレクタ３０において、電磁石が消磁されている場合には、開閉部材３９がメダル通路３４内から退出して返却口３８を開状態とし、メダルＭを返却口３８からメダル流路２４へと排出させるようになっている。そして、メダル通路３４には、前記返却口３８よりも下流位置にメダルＭの検知用の第１の光センサ４０と第２の光センサ４１が並べて設置されている。
【００２０】
次に、前記第１の光センサ４０及び第２の光センサ４１について詳細に説明する。なお、第１の光センサ４０と第２の光センサ４１は、同一構成の光センサであるが、説明を分かり易くするために異なる部材番号を付している。図５（ａ）〜（ｂ）に示すように、各光センサ４０，４１は、それぞれ発光素子４０ａ，４１ａ及び受光素子４０ｂ，４１ｂを収容した合成樹脂製のケース体４５の上面に、基板４２が接合されて構成されている。両光センサ４０，４１は基板４２に２個並列に搭載され、その基板４２が取付金具４３（図３に示す）を用いてメダルセレクタ本体３１に固定されている。図４に示すように、前記各ケース体４５は、それぞれ胴部４６の一端側から第１足部４７が鉛直方向に延び、胴部４６の他端側から第２足部４８が鉛直方向に延びるように形成されている。すなわち、各ケース体４５は、胴部４６の両端側から鉛直方向に延びる第１足部４７と第２足部４８によって凹状（逆Ｕ字状）に形成されている。第１足部４７と第２足部４８とは互いに相対向し、第１足部４７と第２足部４８の対向面にはそれぞれ光透過用のスリットＳが縦長細孔状に穿設されている。また、第１足部４７と第２足部４８の対向面間の間隔は、メダルＭの厚みよりわずかに大きく形成され、第１足部４７と第２足部４８との間には一枚のメダルＭのみが通過可能になっている。
【００２１】
そして、各ケース体４５は、第１の光センサ４０のケース体４５に対して第２の光センサ４１のケース体４５の向きが反対となるようにメダル通路３４（メダルセレクタ本体３１）上に設置されている。さらに、各ケース体４５は、それぞれメダル通路３４を通過する１枚のメダルＭが第１足部４７と第２足部４８の対向面間を通過できるようにメダル通路３４上に設置されている。両光センサ４０，４１は、第１の光センサ４０がメダル通路３４の上流側に設置され、第２の光センサ４１は第１の光センサ４０よりもメダル通路３４の下流側に設置されている。また、第１及び第２の光センサ４０，４１は、メダル通路３４のメダルＭの通過方向に沿って近接設置されている。すなわち、メダル通路３４におけるメダルＭの通過方向に沿ったケース体４５間の間隔、具体的には両ケース体４５のスリットＳ間の間隔が、メダルＭの直径より小さくなるように両ケース体４５は設置されている。このため、両光センサ４０，４１は同時に一枚のメダルＭの通過を検知することができるようになっている。
【００２２】
各ケース体４５の第１足部４７にはＬＥＤからなる発光素子４０ａ，４１ａが収容され、第２足部４８にはフォトトランジスタからなる受光素子４０ｂ，４１ｂが収容されている。すなわち、第１の光センサ４０のケース体４５における第１足部４７には第１の発光素子４０ａが収容され、第２足部４８には第１の受光素子４０ｂが収容されている。一方、第２の光センサ４１のケース体４５における第１足部４７には第２の発光素子４１ａが収容され、第２足部４８には第２の受光素子４１ｂが収容されている。各発光素子４０ａ，４１ａ及び各受光素子４０ｂ，４１ｂはそれぞれ端子Ｔによって前記基板４２に接続されている。また、前記基板４２はパチスロ機１１全体の制御を行う主制御基板（図示せず）に接続され、各光センサ４０，４１からの信号が主制御基板へと送られるようになっている。そして、上記構成の第１及び第２の光センサ４０，４１は、メダル通路３４を挟んで各受光素子４０ｂ，４１ｂと各発光素子４０ａ，４１ａが対向配置され、両素子間を通過したメダルＭによって前記発光素子４０ａ，４１ａの発光した光が遮断されることによりメダルＭの通過を検知する。すなわち、図６（ａ）〜（ｅ）に示すように、第１及び第２の光センサ４０，４１は、各発光素子４０ａ，４１ａの発光面Ｈａから発光された光を各受光素子４０ｂ，４１ｂの受光面Ｈｂで受光可能に構成された対向型の光センサである。そして、各光センサ４０，４１は、各発光素子４０ａ，４１ａの発光した光の各受光素子４０ｂ，４１ｂにおける受光状態（ＯＮ状態）又は非受光状態（ＯＦＦ状態）に応じた信号を主制御基板に出力する。
【００２３】
なお、前記主制御基板は、各光センサ４０，４１によるメダルＭの検知時間及び各光センサ４０，４１に対するメダルＭの通過順序が、規定時間内及び規定順序である場合、正規のメダルＭを受付けるような制御を行う。これに対して、主制御基板は、規定時間外又は規定順序でない場合、投入メダルエラーとなり、投入されたメダルを無効とするような制御を行う。なお、前記検知時間が規定時間内か否かとは、第１の光センサ４０のみがメダルＭを検知している時間、第１及び第２の光センサ４０，４１が同時にメダルＭを検知している時間、及び第２の光センサ４１のみがメダルＭを検知している時間のいずれもが規定時間内であるか否かのことである。また、前記通過順序が規定順序であるか否かとは、メダルＭを検知する順序が、第１の光センサ４０のみの検知、第１及び第２の光センサ４０，４１両方の検知、第２の光センサ４１のみの検知、第１及び第２の光センサ４０，４１両方の非検知が、規定順序で行われるか否かのことである。
【００２４】
ここで、第１の光センサ４０と第２の光センサ４１における各発光素子４０ａ，４１ａと各受光素子４０ｂ，４１ｂの配置について詳細に説明する。図６（ａ）〜（ｅ）に示すように、第１の光センサ４０と第２の光センサ４１は、各ケース体４５の向きが反対となるようにメダル通路３４に設置されて構成されている。このため、メダル通路３４を挟んだ第１足部４７と第２足部４８の位置が反対になっている。したがって、第１の受光素子４０ｂと第２の受光素子４１ｂは、各受光面Ｈｂがメダル通路３４に沿って同一方向を向くようにメダル通路３４上に配置されるのではなく、一方の受光素子（第２の受光素子４１ｂ）の受光面Ｈｂが、他方の受光素子（第１の受光素子４０ｂ）の受光面Ｈｂ側を向いてメダル通路３４上に配置されている。
【００２５】
また、第１の発光素子４０ａと第２の発光素子４１ａは、対応する受光素子４０ｂ，４１ｂに発光するために、各発光面Ｈａがメダル通路３４を向いて配置されている。すなわち、第１の発光素子４０ａと第２の発光素子４１ａも、各発光面Ｈａがメダル通路３４に沿って同一方向を向いてメダル通路３４上に配置されるのではなく、一方の発光素子（第２の発光素子４１ａ）の発光面Ｈａが、他方の発光素子（第１の発光素子４０ａ）の発光面Ｈａ側を向いてメダル通路３４上に配置されている。この結果、一対の光センサ４０，４１は、第１の光センサ４０の第１の受光素子４０ｂのメダル通路３４に対する配置が、第２の光センサ４１の第２の受光素子４１ｂの配置と反対になるように設置されている。そして、第１の光センサ４０と第２の光センサ４１とが上記のように設置された状態では、第１の発光素子４０ａの発光面Ｈａから発光される光の出射方向と、第２の発光素子４１ａの発光面Ｈａから発光される光の出射方向とは互いに反対方向を向いている。
【００２６】
次に、第１の光センサ４０と第２の光センサ４１によるメダルＭの検知について図６〜図８にしたがって説明する。なお、以下の説明においてメダルセレクタ３０は、前記電磁石の励磁によって開閉部材３９がメダル通路３４内に突出し、返却口３８を閉状態としているものとする。図８は、メダルＭの通過に伴い変化する第１の受光素子４０ｂと第２の受光素子４１ｂの態様（ＯＮ状態とＯＦＦ状態の切替え）及び各態様の時間ｔ（ｍｓｅｃ）を示すものである。
【００２７】
さて、取込口３５からメダルセレクタ３０内へ投入された正規のメダルＭは、メダル逃がしスリット３６及び返却口３８からメダルセレクタ３０外へ排出されることなくメダル通路３４を通過する。図６（ａ）及び図７（ａ）に示すように、メダルＭが第１の光センサ４０に達する前は、第１及び第２の受光素子４０ｂ，４１ｂはそれぞれ光を受光してＯＮ状態となっている（図８の時間帯Ａ）。時間帯Ａでは、第１及び第２の光センサ４０，４１の何れにおいてもメダルＭが検知されていない。
【００２８】
続いて、図６（ｂ）及び図７（ｂ）に示すように、メダルＭが第１の光センサ４０に達した場合は、第１の発光素子４０ａの出射光が遮断されることにより第１の受光素子４０ｂはＯＦＦ状態となる一方で、第２の受光素子４１ｂは第２の発光素子４１ａの出射光を受光し続けるのでＯＮ状態のままである（図８の時間帯Ｂ）。時間帯Ｂでは、第１の光センサ４０においてメダルＭが検知されるが、第２の光センサ４１ではメダルＭが検知されていない。
【００２９】
続いて、図６（ｃ）及び図７（ｃ）に示すように、メダルＭが第１及び第２の光センサ４０，４１に達した場合は、第１の発光素子４０ａの出射光と第２の発光素子４１ａの出射光とが共に遮断されることにより、第１及び第２の受光素子４０ｂ，４１ｂは共にＯＦＦ状態となる（図８の時間帯Ｃ）。すなわち、両光センサ４０，４１は、同時にメダルＭを検知する。このとき、第１の光センサ４０がメダルＭを検知した直後に、第２の光センサ４１がメダルＭを検知し、両光センサ４０，４１の検知タイミングには長いインターバルが存在していない。したがって、１つの光センサ（この場合は第１の光センサ４０）のみがメダルＭを検知している時間を短くする、すなわち、両光センサ４０，４１がメダルＭを検知している状態を速やかに形成してメダルＭの検知をより正確に行うようになっている。時間帯Ｃでは、第１及び第２の光センサ４０，４１においてメダルＭが同時に検知されている。
【００３０】
続いて、図６（ｄ）及び図７（ｄ）に示すように、メダルＭが第１の光センサ４０を通過した場合は、第１の受光素子４０ｂが第１の発光素子４０ａの出射光を受光してＯＮ状態となる一方、第２の受光素子４１ｂはＯＦＦ状態のままである（図８の時間帯Ｄ）。時間帯Ｄでは、第１の光センサ４０においてメダルＭが検知されないが、第２の光センサ４１ではメダルＭが検知されている。続いて、図６（ｅ）及び図７（ｅ）に示すように、メダルＭが第２の光センサ４１を通過した場合は、第１及び第２の受光素子４０ｂ，４１ｂはそれぞれ光を受光してＯＮ状態となる（図８の時間帯Ｅ）。時間帯Ｅでは、第１及び第２の光センサ４０，４１の何れにおいてもメダルＭが検知されていない。
【００３１】
これらの検知結果を基に主制御基板は、各光センサ４０，４１によるメダルＭの検知時間が規定時間内か否かを判断する。さらに、主制御基板は、第１及び第２の光センサ４０，４１に対するメダルＭの通過順序が規定順序であるか否かを判断する。そして、主制御基板は、メダルＭの検知時間が規定時間内であり、かつ、メダルＭの通過順序が規定順序であるとき、正規の投入メダルと判断し、そのメダルＭを受付ける。これに対して、主制御基板は、規定時間内でない場合又は規定順序でない場合、不正なメダル投入と判断し、そのメダルＭを無効とする。
【００３２】
上記実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
（１）メダル通路３４（遊技媒体通路）上に一対（複数）の光センサ４０，４１が並んで設置された状態において、１つの光センサ４１は、該光センサ４１の受光素子４１ｂのメダル通路３４に対する配置が、他の光センサ４０の受光素子４０ｂの配置と反対となるように設置されている。このため、複数の光センサ４０，４１の各受光素子４０ｂ，４１ｂの受光面Ｈｂがメダル通路３４に沿って全て同一方向を向いて配置されるのではなく、少なくとも１つの光センサ４１の受光素子４１ｂが他の光センサ４０の受光素子４０ｂ側を向いて配置されている。したがって、複数の光センサ４０，４１がメダル通路３４上に設置された状態で、不正装置を用いて各受光素子４０ｂ，４１ｂへ不正発光するためには、一枚の基板の両面それぞれに発光素子を備えた不正装置を製造しなくてはならず、このような不正装置の製造は非常に面倒となる。また、一般に、メダル通路３４は１枚のメダルＭ（遊技媒体）のみを通過可能とするように通路幅が狭く設定されている。そして、このようなメダル通路３４に、基板の両面それぞれに発光素子を備えた不正装置を挿入するには、基板を薄型化しなくてはならず不正装置の製造が非常に面倒となる。したがって、不正装置を用いてメダルＭの通過を容認させる不正が行われるのを防ぐことができ、メダル投入に関する不正を防ぐことができる。
【００３３】
（２）複数の光センサ４０，４１の全部を、メダルＭの通過方向に沿って近接設置した。このため、複数の光センサ４０，４１は、そのセンサ間の距離（メダルＭの通過方向に沿った距離）が短くなり、各光センサ４０，４１によるメダルＭの検知タイミングのインターバルを短くしてメダルＭを検知することができる。従って、複数の光センサ４０，４１間での検知タイミングの長いインターバルを利用した不正を行いにくくすることができ、メダル投入に関する不正を防ぐことができる。
【００３４】
（３）複数の光センサ４０，４１が、１つのメダルＭを同時に検知可能とするように近接設置されることにより、近接設置された光センサ４０，４１間のメダルＭの通過方向に沿った距離を短くすることができ、それら光センサ４０，４１によってメダルＭを同じ検知タイミングで検知することができる。したがって、メダルＭの通過を正規に容認させるためには、各光センサ４０，４１個別でメダルＭを検知するだけでなく、近接する光センサ４０，４１で同時に検知することが必要となる。このため、例えば、各光センサ４０，４１個別の検知のみでメダルＭの通過を容認させる場合と比較して、メダルＭの通過を容認し難くしてメダル投入に関する不正を防ぐことができる。
【００３５】
（４）発光素子４０ａ，４１ａ及び受光素子４０ｂ，４１ｂをケース体４５に収容した。このため、ケース体４５をメダル通路３４に設置することで、光センサ４０，４１のパチスロ機１１に対する設置を容易に行うことができる。また、ケース体４５の第１足部４７と第２足部４８との間をメダルＭが通過するように光センサ４０，４１がメダル通路３４に設置されている。このため、不正装置を用いてメダル投入に関する不正を行うには、メダル通路３４に挿入された不正装置が、ケース体４５における第１足部４７と第２足部４８との間に挿入可能となるように不正装置を製造しなくてはならず、このような不正装置の製造は非常に困難である。したがって、不正装置を用いてメダル投入に関する不正が行われるのを防ぐことができる。
【００３６】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態を図９〜図１２にしたがって説明する。なお、第２の実施形態は、第１の実施形態の光センサを変更したのみの構成であるため、同様の部分についてはその詳細な説明を省略する。なお、図１１において、第１及び第２の光センサ５０，５１では第１足部４７を上下方向へ展開した状態を模式的に示している。
【００３７】
さて、第２の実施形態の光センサは第１の光センサ５０と第２の光センサ５１とより構成されている。なお、第１の光センサ５０と第２の光センサ５１は、同一構成の光センサであるが、説明を分かり易くするために異なる部材番号を付している。各光センサ５０，５１は、それぞれ発光素子５０ａ，５１ａ及び受光素子５０ｂ，５１ｂを収容した合成樹脂製の前記ケース体４５の上面に、前記基板４２が接合されて構成されている。そして、第１の光センサ５０がメダル通路３４の上流側に設置され、第２の光センサ５１は第１の光センサ４０よりもメダル通路３４の下流側に設置されている。また、第１及び第２の光センサ５０，５１は、メダル通路３４のメダルＭの通過方向に沿って近接設置されている。
【００３８】
第１の光センサ５０と第２の光センサ５１は、各ケース体４５の向きが反対となるようにメダル通路３４に設置されている。このため、メダル通路３４を挟んだ第１足部４７と第２足部４８の位置が反対になっている。図９及び図１０（ａ）〜（ｂ）に示すように、第１の光センサ５０が備えるケース体４５の第１足部４７には、第１の発光素子５０ａ及び第１の受光素子５０ｂが上下に位置するように収容され、第２の光センサ５１が備えるケース体４５の第１足部４７には、第２の発光素子５１ａ及び第２の受光素子５１ｂが上下に位置するように収容されている。そして、第１及び第２の光センサ５０，５１は、両素子の前側を通過したメダルＭによって、発光素子５０ａ，５１ａの発光した光を反射させ、その光を受光素子５０ｂ，５１ｂで受光させることによりメダルＭの通過を検知する。各光センサ５０，５１は、各発光素子５０ａ，５１ａの発光した光の各受光素子５０ｂ，５１ｂにおける受光状態（ＯＮ状態）又は非受光状態（ＯＦＦ状態）に応じた信号を主制御基板に出力する。
【００３９】
そして、図１１（ａ）〜（ｅ）に示すように、第１の光センサ５０は、メダル通路３４に対して、第１の発光素子５０ａの発光面Ｈａと第１の受光素子５０ｂの受光面Ｈｂとが同一方向を向いて配置されている。同様に、第２の光センサ５１は、メダル通路３４に対して、第２の発光素子５１ａの発光面Ｈａと第２の受光素子５１ｂの受光面Ｈｂとが同一方向を向いて配置されている。そして、第１の光センサ５０と第２の光センサ５１は、第２の受光素子５１ｂ（及び第２の発光素子５１ａ）のメダル通路３４に対する配置が、第１の受光素子５０ｂ（及び第１の発光素子５０ａ）の配置と反対になるように設置されている。第１及び第２の光センサ５０，５１が上記のように設置された状態では、第１の発光素子５０ａの発光面Ｈａから発光される光の出射方向と、第２の発光素子５１ａの発光面Ｈａから発光される光の出射方向とは互いに反対方向を向いている。
【００４０】
次に、第１の光センサ５０と第２の光センサ５１によるメダルＭの検知について図１１及び図１２にしたがって説明する。なお、第１の光センサ５０及び第２の光センサ５１に対するメダルＭの通過の態様は、第１の実施形態の図７に示す態様と同様であるため、図７を援用して説明する。また、図１２は、メダルＭの通過に伴い変化する第１の受光素子５０ｂと第２の受光素子５１ｂの態様（ＯＮ状態とＯＦＦ状態の切替え）及び各態様の時間ｔ（ｍｓｅｃ）を示すものである。
【００４１】
さて、図７（ａ）及び図１１（ａ）に示すように、メダルＭが第１の光センサ５０に達する前は、メダルＭによって光が反射されないので、各受光素子５０ｂ，５１ｂは光を受光しておらず両受光素子５０ｂ，５１ｂはＯＦＦ状態となっている（図１２の時間帯Ａ）。時間帯Ａでは、第１及び第２の光センサ５０，５１の何れにおいてもメダルＭが検知されていない。
【００４２】
続いて、図７（ｂ）及び図１１（ｂ）に示すように、メダルＭが第１の光センサ５０に達した場合は、第１の発光素子５０ａの出射光がメダルＭによって反射され、その光が第１の受光素子５０ｂで受光されることにより第１の受光素子５０ｂはＯＮ状態となる。一方、第２の受光素子５１ｂは、光を受光しないのでＯＦＦ状態のままである（図１２の時間帯Ｂ）。時間帯Ｂでは、第１の光センサ５０においてメダルＭが検知されるが、第２の光センサ５１ではメダルＭが検知されていない。
【００４３】
続いて、図７（ｃ）及び図１１（ｃ）に示すように、メダルＭが第１及び第２の光センサ５１に達した場合は、第１の発光素子５０ａの出射光と第２の発光素子５１ａの出射光とが共にメダルＭによって反射されることにより、第１及び第２の受光素子５０ｂ，５１ｂは共にＯＮ状態となる（図１２の時間帯Ｃ）。すなわち、両光センサ５０，５１は、同時にメダルＭを検知する。時間帯Ｃでは、第１及び第２の光センサ５０，５１においてメダルＭが同時に検知されている。
【００４４】
続いて、図７（ｄ）及び図１１（ｄ）に示すように、メダルＭが第１の光センサ５０を通過した場合は、第１の発光素子５０ａの出射光が反射されないことから第１の受光素子５０ｂはＯＦＦ状態となる一方、第２の受光素子５１ｂはＯＮ状態のままである（図１２の時間帯Ｄ）。時間帯Ｄでは、第１の光センサ５０においてメダルＭが検知されないが、第２の光センサ５１ではメダルＭが検知されている。続いて、図７（ｅ）及び図１１（ｅ）に示すように、メダルＭが第２の光センサ５１を通過した場合は、第１及び第２の受光素子５０ｂ，５１ｂはそれぞれ光を受光することができなくなりＯＦＦ状態となる（図１２の時間帯Ｅ）。時間帯Ｅでは、第１及び第２の光センサ５０，５１の何れにおいてもメダルＭが検知されていない。そして、主制御基板は、これらの検知結果を基に第１の実施形態と同様に、正規のメダル投入か又は不正なメダル投入かを判断し、その判断結果にしたがって制御を行う。
【００４５】
したがって、第２の実施形態では、第１の実施形態の（１）〜（４）と同様の効果を発揮することができるとともに、以下の効果も発揮することができる。
（５）複数の光センサ５０，５１のうち１つの光センサ５１を、メダル通路３４に対して受光素子５０ｂ，５１ｂの受光面Ｈｂと発光素子５０ａ，５１ａの発光面Ｈａとが同一方向を向いて配置されたセンサ（反射型光センサ）とした。そして、複数の光センサ５０，５１がメダル通路３４上に複数並べて設置された状態では、１つの光センサ５１の受光素子５１ｂと発光素子５１ａのメダル通路３４に対する配置が他の光センサ５０の受光素子５０ｂと発光素子５０ａの配置と反対になるように設置されている。したがって、複数の光センサ５０，５１がメダル通路３４上に並んで設置された状態で、不正装置を用いて各受光素子５０ｂ，５１ｂへの不正発光するためには、一枚の基板の両面それぞれに発光素子を備えた不正装置を製造しなくてはならない。このような不正装置の製造は非常に面倒となり、不正装置を用いて遊技媒体投入に関する不正が行われるのを防ぐことができる。
【００４６】
なお、本実施形態は以下のように変更してもよい。
・  各実施形態では、発光素子４０ａ，４１ａ，５０ａ，５１ａ及び受光素子４０ｂ，４１ｂ，５０ｂ，５１ｂをケース体４５内に収容したが、発光素子４０ａ，４１ａ，５０ａ，５１ａ及び受光素子４０ｂ，４１ｂ，５０ｂ，５１ｂをメダル通路３４上に直接設置してもよい。
【００４７】
・  各実施形態において、ケース体４５を、第１足部４７と第２足部４８とを胴部４６によって繋ぐ形状にしなくてもよく、発光素子４０ａ，４１ａ，５０ａ，５１ａや受光素子４０ｂ，４１ｂ，５０ｂ，５１ｂを収容した第１足部４７と第２足部４８のみをメダル通路３４上に設置してもよい。
【００４８】
・  各実施形態において、対向型光センサと、反射型光センサとを並べて設置してもよい。例えば第１の光センサ４０（対向型光センサ）と第１の光センサ５０（反射型光センサ）とを並べて設置してもよい。このとき、１つの光センサ（例えば第１の光センサ５０）の受光素子５０ｂのメダル通路３４に対する配置が他の光センサ（例えば第１の光センサ４０）の受光素子４０ｂの配置と反対になるように第１の光センサ４０と第１の光センサ５０とをメダル通路３４上に設置する。
【００４９】
・  各実施形態において、対向型光センサ又は反射型光センサを３つ以上設置し、少なくとも１つの光センサを、別の形態の光センサとしてもよい。
・  各実施形態において、対向型光センサ又は反射型光センサを３つ以上設置してもよい。このとき、少なくとも１つの光センサを、該光センサの受光素子のメダル通路３４に対する配置が、他の光センサの受光素子の配置と反対になるように設置する。また、全ての光センサのうち一部（例えば、光センサが５つとした場合の２つ又は３つ）を１枚のメダルＭを同時に検知可能となるように近接設置してもよく、全部の光センサを１枚のメダルＭを同時に検知可能となるように近接設置してもよい。
【００５０】
・  各実施形態では、第１の光センサ４０，５０と第２の光センサ４１，５１とを、１つのメダルＭを同時に検知可能となるようにメダル通路３４上に設置したが、同時検知が不可能となるように、第１の光センサ４０，５０と第２の光センサ４１，５１とを離してメダル通路３４上に設置してもよい。
【００５１】
・  第２の実施形態の反射型の光センサ５０，５１を、発光素子５０ａ，５１ａと受光素子５０ｂ，５１ｂとをメダルＭの通過方向に沿って左右に並んで設置された反射型光センサとしてもよい。
【００５２】
・  各実施形態では、遊技機としてパチスロ機に具体化したが、遊技媒体としてメダルＭを用いる他の遊技機に具体化してもよい。
・  各実施形態では、遊技機としてメダルＭを用いるパチスロ機に具体化したが、遊技媒体として遊技球（パチンコ球）を用いる遊技機（パチンコ式スロットマシン）に具体化してもよい。
【００５３】
次に、上記実施形態及び別例から把握できる技術的思想について以下に追記する。
（イ）前記各光センサを構成する受光素子と発光素子は、胴部の両端側から鉛直方向に延びる第１足部と第２足部とからなる凹状のケース体に収容されており、前記各光センサは、前記ケース体の前記第１足部と前記第２足部との間を前記遊技媒体が通過するように前記遊技媒体通路に設置されている請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の遊技機。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】パチスロ機の機表側を示す正面図。
【図２】メダルセレクタを示す斜視図。
【図３】メダルセレクタ本体内を示す斜視図。
【図４】第１の実施形態の第１及び第２の光センサを示す斜視図。
【図５】（ａ）は両光センサの正面図、（ｂ）は側面図。
【図６】（ａ）〜（ｅ）は各光センサに対するメダルの通過態様を示す説明図。
【図７】（ａ）〜（ｅ）は各光センサに対するメダルの通過態様を示す斜視図。
【図８】各光センサの受光素子の態様を時間とともに説明する説明図。
【図９】第２の実施形態の第１及び第２の光センサを示す斜視図。
【図１０】（ａ）は両光センサの正面図、（ｂ）は側面図。
【図１１】（ａ）〜（ｅ）は各光センサに対するメダルの通過態様を示す説明図。
【図１２】各光センサの受光素子の態様を時間とともに説明する説明図。
【符号の説明】
【００５５】
Ｈａ…発光面、Ｈｂ…受光面、Ｍ…遊技媒体としてのメダル、３４…遊技媒体通路としてのメダル通路、４０，４１，５０，５１…光センサ、４０ａ，４１ａ，５０ａ，５１ａ…発光素子、４０ｂ，４１ｂ，５０ｂ，５１ｂ…受光素子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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