(57)【要約】      （修正有）【課題】  低電圧動作が可能で、製造工程が容易で量産性に優れた液晶光変調器および液晶表示装置を提供する。【解決手段】  ２つの樹脂基板の間に液晶が挟まれた液晶光変調器において、液晶分子の配向を制御する微細な筋状溝構造が、前記筋状溝構造を有する型を用いた樹脂基板上への形状転写により、少なくとも一方の樹脂基板の表面にあらかじめ形成されることを特徴とする液晶光変調器。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの樹脂基板の間に液晶が挟まれた液晶光変調器において、液晶分子の配向を制御する微細な筋状溝構造が、前記筋状溝構造を有する型を用いた樹脂基板上への形状転写により、少なくとも一方の樹脂基板の表面にあらかじめ形成されていることを特徴とする液晶光変調器。
【請求項２】
２つの樹脂基板の間に液晶が挟まれた液晶光変調器において、樹脂基板の間隔を一定に保持する柱状スペーサ構造および液晶分子の配向を制御する微細な筋状溝構造が、前記柱状スペーサ構造および前記筋状溝構造を有する型を用いた樹脂基板上への形状転写により、少なくとも一方の樹脂基板の表面にあらかじめ形成されていることを特徴とする液晶光変調器。
【請求項３】
２つの樹脂基板において、前記筋状溝構造の方向の組み合わせを同じにするか、または違えることにより、液晶分子が一方向に配向するか、またはねじれて配向していることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶光変調器。
【請求項４】
前記筋状溝構造の間隔と深さにより、光変調効果の駆動電圧、応答速度、コントラスト比が制御されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の液晶光変調器。
【請求項５】
前記樹脂基板上への形状転写は、熱可塑性樹脂を用いた熱転写であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶光変調器。
【請求項６】
前記樹脂基板上への形状転写は、光硬化性樹脂を用いた転写であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶光変調器。
【請求項７】
前記筋状溝構造の間隔は、1ミクロン以下であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の液晶光変調器。
【請求項８】
前記柱状スペーサ構造の高さは、20ミクロン以下であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の液晶光変調器。
【請求項９】
前記樹脂基板の厚みは、400ミクロン以下であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の液晶光変調器。
【請求項１０】
前記液晶が、ネマティック液晶、コレステリック液晶及びスメクティック液晶から選ばれる少なくとも一つの液晶であることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の液晶光変調器。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の液晶光変調器を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の液晶表示装置であって、前記液晶光変調器の前記柱状スペーサ構造が、画素のブラックマトリックス上に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１３】
２つの樹脂基板の間に液晶が挟まれ、その少なくとも一方の樹脂基板の表面に液晶分子の配向を制御する微細な筋状溝構造が形成された液晶光変調器の製造方法であって、該微細な筋状溝構造が前記筋状溝構造を有する型を樹脂基板上に形状転写することにより形成されたことを特徴とする液晶光変調器の製造方法。
【請求項１４】
２つの樹脂基板の間に液晶が挟まれ、その少なくとも一方の樹脂基
板の表面に樹脂基板の間隔を一定に保持する柱状スペーサ構造および液晶分子の配向を制御する微細な筋状溝構造が形成された液晶光変調器の製造方法であって、柱状スペーサ構造および前記筋状溝構造を有する型を樹脂基板上に形状転写することにより形成されたことを特徴とする、液晶光変調器の製造方法。
【請求項１５】
前記樹脂基板上に形状転写することが、熱可塑性樹脂を用いた熱転写であることを特徴とする請求項１３又は１４に記載の液晶光変調器の製造方法。
【請求項１６】
前記樹脂基板上に形状転写することが、光硬化性樹脂を用いた転写であることを特徴とする請求項１３又は１４に記載の液晶光変調器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は液晶を用いて光を変調する液晶光変調器と、それを用いた液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶材料に電界を加えて、液晶分子の配向状態を変化させるという電気光学効果を応用すると、光変調器が実現できる。液晶光変調器は、他の電気光学効果を示す光学結晶に比べて低電圧で動作するため、表示装置用の電気光学素子として、近年注目されている。(例えば、非特許文献１参照)
そのような液晶光変調器の一つとして、２つの透明電極間における液晶分子の配向方向を、あらかじめ基板上に形成した合成樹脂の配向膜（摩擦処理したポリイミド薄膜など）により制御・均一化した液晶素子がある。この場合、液体である液晶の厚み（通常、数ミクロン）を一定に保つために、均一なサイズの合成樹脂のスペーサ粒子が液晶層に分散されるか、合成樹脂の柱状スペーサ構造がフォトリソグラフィー工程により形成される。このような素子では、透明電極間に印加される電圧強度により液晶配向が変化し、それに応じて複屈折効果や旋光能が制御されるため、入射光の偏光状態が変化する。そのため、この素子を２つの偏光板で挟むと、印加電圧により透過光を変調することができる。(例えば、非特許文献２〜３参照)
しかし、上記液晶光変調器とそれを用いた液晶表示装置は、以下に述べるような課題を抱える。
スペーサ粒子を用いた場合、外部から基板に加重が加わるとスペーサが移動してしまうため、基板間隔すなわち液晶層の厚みが変動して表示画像が乱れる問題が生じる。また、フォトリソグラフィー工程により合成樹脂の柱状スペーサ構造を形成した場合は、光硬化性樹脂の均一塗布、仮焼成、パターン露光、焼成など、煩雑な作製工程を要するといった課題がある。
一方、上記以外の課題として、この素子では透明基板上の配向膜が強い配向規制力を有するため、液晶分子を駆動する際には、強い配向規制力に抗する高い印加電圧が必要となり、その結果、消費電力が大きくなる。
また、液晶分子を均一に並べる配向膜を形成するために、基板上にポリイミド膜を均一に塗布した上で高温焼成し、摩擦（ラビング）処理を行わなければならない。それに伴う微細塵や静電気の発生により、薄膜トランジスタを含む表示パネルの製造歩留まりが低下して、製造コストが高くなる。
さらに現在、液晶表示装置の薄型・軽量化さらに柔軟化のため、ガラス基板に代わって薄い透明樹脂基板の導入が進められているが、ポリイミドは高温焼成（通常180℃）を必要とし、樹脂基板上に形成すると、基板が熱処理で変形して（収縮やそりなど）、表面の平坦性が著しく低下する。それにより、表示パネルの製造が困難になり、製造歩留まりが著しく低下するといった課題がある。
【０００３】
【非特許文献１】「液晶デバイスハンドブック」（日本学術振興会第１４２委員会編、日刊工業新聞社）
【非特許文献２】T.Oh-ide,M.Higa and K.Hujimura: "A black/white reflective type STN-LCD using polymer film substrates",Proc Asia Display,P1.2-1,pp.169-172(1995)
【非特許文献３】K.Ochi,E.Yamakawa,K.Hashimoto and K.Kohriyama:"Full color display system using reflective memory type chiral nematic LCDs",Proc.Int.Display Workshops,PLC1-1,pp.281-284(2000)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
低電圧動作が可能で、製造工程が容易で量産性に優れた液晶光変調器および液晶表示装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上述の課題を克服するため、本発明の液晶光変調器および液晶表示装置では、液晶分子の配向を制御する微細な筋状溝構造と、樹脂基板の間隔を一定に保持する柱状スペーサ構造とが、少なくとも一方の樹脂基板の表面に、微細構造を有する型を用いた形状転写により、一度に、あるいは逐次で形成される。ここで形状転写とは、例えば、熱可塑性樹脂を用いた熱プレスなどによる熱転写、あるいは光硬化樹脂を用いた転写等を意味する。
すなわち、本発明は、
（１）２つの樹脂基板の間に液晶が挟まれた液晶光変調器において、液晶分子の配向を制御する微細な筋状溝構造が、前記筋状溝構造を有する型を用いた樹脂基板上への形状転写により、少なくとも一方の樹脂基板の表面にあらかじめ形成されていることを特徴とする液晶光変調器。
（２）２つの樹脂基板の間に液晶が挟まれた液晶光変調器において、樹脂基板の間隔を一定に保持する柱状スペーサ構造および液晶分子の配向を制御する微細な筋状溝構造が、前記柱状スペーサ構造および前記筋状溝構造を有する型を用いた樹脂基板上への形状転写により、少なくとも一方の樹脂基板の表面にあらかじめ形成されていることを特徴とする液晶光変調器。
（３）２つの樹脂基板において、前記筋状溝構造の方向の組み合わせわせを同じにするか、または違えることにより、液晶分子が一方向に配向するか、またはねじれて配向していることを特徴とする上記（１）または（２）に記載の液晶光変調器。
（４）前記筋状溝構造の間隔と深さにより、光変調効果の駆動電圧、応答速度、コントラスト比が制御されていることを特徴とする上記（１）〜（３）のいずれかに１つに記載の液晶光変調器。
【０００６】
（５）前記樹脂基板上への形状転写は、熱可塑性樹脂を用いた熱転写であることを特徴とする上記（１）〜（４）のいずれか１つに記載の液晶光変調器。
（６）前記樹脂基板上への形状転写は、光硬化性樹脂を用いた転写であることを特徴とする上記（１）〜（４）のいずれか１つに記載の液晶光変調器。
（７）前記筋状溝構造の間隔は、1ミクロン以下であることを特徴とする上記（１）〜（６）のいずれか１つに記載の液晶光変調器。
（８）前記柱状スペーサ構造の高さは、20ミクロン以下であることを特徴とする（１）〜（７）のいずれか１つに記載の液晶光変調器。
（９）前記樹脂基板の厚みは、400ミクロン以下であることを特徴とする（１）〜（８）のいずれか１つに記載の液晶光変調器。
（１０）前記液晶が、ネマティック液晶、コレステリック液晶及びスメクティック液晶から選ばれる少なくとも一つの液晶であることを特徴とする（１）〜（９）のいずれか１つに記載の液晶光変調器。
（１１）上記（１）〜（１０）のいずれか１つに記載の液晶光変調器を含むことを特徴とする液晶表示装置。
（１２）上記（１１）に記載の液晶表示装置であって、前記液晶光変調器の前記柱状スペーサ構造が、画素のブラックマトリックス上に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
（１３）２つの樹脂基板の間に液晶が挟まれ、その少なくとも一方の樹脂基板の表面に液晶分子の配向を制御する微細な筋状溝構造が形成された液晶光変調器の製造方法であって、該微細な筋状溝構造が前記筋状溝構造を有する型を樹脂基板上に形状転写することにより形成されたことを特徴とする液晶光変調器の製造方法。
（１４）２つの樹脂基板の間に液晶が挟まれ、その少なくとも一方の樹脂基板の表面に樹脂基板の間隔を一定に保持する柱状スペーサ構造および液晶分子の配向を制御する微細な筋状溝構造が形成された液晶光変調器の製造方法であって、柱状スペーサ構造および前記筋状溝構造を有する型を樹脂基板上に形状転写することにより形成されたことを特徴とする、液晶光変調器の製造方法。
（１５）前記樹脂基板上に形状転写することが、熱可塑性樹脂を用いた熱転写であることを特徴とする上記（１３）又は（１４）に記載の液晶光変調器の製造方法。
（１６）前記樹脂基板上に形状転写することが、光硬化性樹脂を用いた転写であることを特徴とする上記（１３）又は（１４）に記載の液晶光変調器の製造方法。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によると、液晶配向を制御する微細な筋状溝構造とスペーサ構造が、基板上に一度あるいは逐次の工程で容易に作製されるため、極めて量産性に優れる。また液晶を配向させるため従来用いられていたポリイミド膜とそのラビング処理が一切不要になるため、製造歩留まりを向上させることができる。
さらに、高温焼成が不可欠なポリイミド膜が不要となるため、熱処理に弱い樹脂基板や透明電極にダメージを与えることなく、生産性を高めることが可能となる。すなわち、樹脂基板を容易に使用でき、軽量で柔軟な液晶光変調器や液晶表示装置を安価に構成できる。
また、筋状溝構造の弱い配向規制力で液晶配向が初期配向するため、液晶を低い印加電圧で駆動できる。
該樹脂基板は、それのみで液晶光変調器や液晶表示装置を構成するための基板として用いることが可能であることは勿論、ガラス基板上に適当な方法で固定した樹脂基板に対し微細な筋状溝構造を形成することで用いることも可能である。
以上説明したように、液晶分子の配向を制御する微細な筋状溝構造と、樹脂基板の間隔を一定に保持する柱状スペーサ構造とを、熱可塑性樹脂を用いた熱転写加工あるいは光硬化性樹脂を用いた転写加工により、基板の表面にあらかじめ形成することによって、透明電極の間に、製造が容易で低電圧動作が可能な液晶光変調器および液晶表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下に本発明の実施の形態を説明する。
図１は、本発明による液晶光変調器の一実施例の構成を示す断面模式図である。
本実施例の液晶光変調器では、液晶１が２つの樹脂基板３ａ、３ｂの間に挟まれている。液晶１を均一に分子配向させるため、一方の樹脂基板３ａ表面に微細な筋状溝構造４が設けられており、液晶分子は筋状溝構造４の方向に初期配向する。さらに素子内には、樹脂基板の間隔を一定に保持するため、柱状スペーサ構造５が樹脂基板表面に設けられている。透明電極２ａ、２ｂはリード線６を介して、交流電圧を供給する駆動電圧源７に接続されている。さらに本実施例の液晶光変調器は、偏光透過軸が直交した偏光板８により挟まれている。一方の偏光板に入射光９が入射される。
図１の実施例の場合、透明電極が一方の樹脂基板３ｂに２対に分割されて複数設けられているため、透明電極間に電圧を印加すると、透明電極間に加わる電圧により、樹脂基板面に平行な電界が生じる。それにより液晶分子は、筋状溝構造４が伸びる方向から、その電界方向に再配向する。それに伴って、液晶層の光学異方性（複屈折）が変化し、光の偏光方向が変化するため、電圧強度に応じて出射光１０が変調される。この実施例では、一方の基板にのみ透明電極を設けたが、所望の光変調効果に応じて、双方の基板に透明電極を設けて、液晶層の厚み方向に電圧を印加して液晶分子を駆動してもよい。
筋状溝構造と柱状スペーサ構造は、それらの凹凸が逆転した板状またはロール状の金属の型を、加熱により軟化した樹脂基板にプレスすること、もしくは光硬化性樹脂にプレスしつつ紫外線を照射することにより、容易に作製できる。また、それぞれの基板に柱状ス
ペーサ構造と筋状溝構造を作り分けてもよい。また筋状溝構造を両方の基板に設ければ、さらに面内均一な液晶配向が得られる。
【０００９】
さらに両者の溝構造の方向を違えれば、容易にツイストネマティック配向の液晶素子を構成することも可能である。とりわけ溝方向を直交させると、既存の液晶ディスプレイに活用され、高コントラストな表示特性が得られる９０度ツイストネマティック液晶素子を構成できる。また両基板に配向機能を持たせる場合、一方の基板の配向機能を、既存の配向膜（摩擦処理したポリイミド膜、斜法蒸着したＳｉＯ膜もしくはＩＴＯ膜、偏光紫外線を照射した色素膜や樹脂膜など）で担わせても支障はない。
液晶配向機能を示す筋状溝構造は、平行に複数配置され、周期的な構造であることが望ましいが、必ずしも一定間隔である必要はない。その間隔は、1ミクロン以下が良好で、比較的溝構造の周期が大きな場合、液晶は溝構造の伸びる方向に配向する。なぜなら、溝表面に沿って細長い液晶分子が並ぶ場合、配向の歪みが最小化されるように液晶配向が定まるためである。一方、溝の周期を小さしていくと、液晶配向の弾性歪みを緩和する（すなわち極めて微細な配向の曲がりを避ける）ため、基板面に垂直に配向するようになる。なお、筋状溝構造が伸びる方向は、基板面に平行でもよいが、液晶分子の初期配向を基板から起こしたい場合には、柱状スペーサ構造の筋方向を基板面から傾斜させてもよい（プレチルト角の付加）。それにより、初期配向もしくは電圧印加時の面内液晶配向を安定化することも可能である。
【００１０】
また柱状スペーサ構造の配置間隔はもとより、筋状溝構造の間隔、溝の深さを変えることにより、液晶配向に対する拘束力が大きく変化するため、光変調効果の駆動電圧、応答速度、コントラスト比などの基本的な光変調特性を制御することも可能となる。溝の形状は、波状もしくは角状でよく、非対称な筋状の起伏構造であっても支障はない。
柱状スペーサ構造の高さは、所望の液晶層の厚みとなるよう選択、作製される。通常、液晶層の厚みは、1〜20μｍの範囲である。
柱状スペーサ構造の配置間隔は、表示装置を構成するのであれば、画素単位が望ましく、画素間の遮光部として設けられるブラックマトリックス上に設けることが望ましい。柱状スペーサ構造の横幅は100μｍ以下が望ましく、成形や取り扱いの容易さから、2〜50μｍが適当である。
樹脂基板の厚みは、通常、400μｍ以下であるが、それに限定されるものではない。100μｍ程度になると高い柔軟性が得られる。数μｍの薄い樹脂基板で液晶層を挟んで、さらに素子構造に補強するため、ガラス基板で挟んでもよい。
本発明の樹脂基板としては、透明なものが好ましく、厚みが400μｍ以下、特に50〜200μｍのポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリスチレン、シクロオレフィンポリマーなど柔軟な樹脂フィルム基板を用いることができる。柔軟な樹脂フィルム基板を用いた場合、軽量で曲げることが可能な液晶光変調器を構成することができる。また、樹脂基板として光硬化性樹脂単体もしくは光硬化性樹脂を上記樹脂フィルム上に接着したものを使うこともでき、光硬化性樹脂はラジカル硬化系、カチオン硬化系のどちらでもよく、またラジカル硬化系とカチオン硬化系を併用したものであっても構わない。
【００１１】
液晶としては、ネマティック液晶、コレステリック液晶、スメクティック液晶を用いることができる。ただし高速応答を得るには、低粘性かつ高弾性の液晶材料が適しており、化学構造としては、液晶の屈折率異方性Δｎ（Δｎ＝異常光屈折率ｎｅ−常光屈折率ｎｏ）が大きいシアノ系、ビフェニル系、ターフェニル系、ピリミジン系、トラン系、フッ素系のネマティック液晶が適している。スメクティック液晶を用いる場合、自発分極を有して高速応答を示す強誘電性液晶が有用である。例えば、シッフ塩基系強誘電性液晶、アゾ系強誘電性液晶、アゾキシ系強誘電性液晶、ビフェニル系強誘電性液晶、エステル系強誘電性液晶、もしくはフェニルピリミジン系強誘電性液晶などが好ましい。また、液晶の初
期配向と電界方向が一致するような場合、誘電率異方性が負の液晶材料を用いてもよい。
透明電極としては、錫をドープした酸化インジウム（ＩＴＯ）をはじめ、酸化インジウム、酸化錫などが好適である。それらの透明電極は、真空蒸着、イオンプレーティング、スパッタリングなどの技術で成膜することができる。また、金属酸化物以外の透明電極として、ポリチオフェン系樹脂などの透明な有機系導電性材料を、スピンコートや印刷法などにより塗布してもよい。
また、上記の液晶光変調器の実施例にバックライトを設けることにより、高コントラストの表示装置を構成することができる。さらに、液晶光変調器に光を反射する反射板や拡散板を設けることにより、バックライトを用いず低消費電力の反射型表示装置を構成することも可能である。そのような反射型表示装置の場合、一方の透明基板を不透明化したり、透明電極を金属電極に置き換えることも可能である。
【実施例】
【００１２】
以下に基板作成および作成した基板への酸化インジウム（ＩＴＯ）の成膜に関して実施例を示す。尚、基板作成方法、ＩＴＯ成膜方法に関して下記に例示したが、本発明はこれに限定されるものではなく、下記例示以外の基板作成方法、ＩＴＯ等の透明電極の成膜方法を用いることが可能である。
〈基板作成〉
以下の要領にて微細な筋状溝構造を有する基板を作成し、前述の液晶光変調器および液晶表示装置を作成するための基板として用いた。
300nm ピッチ筋状溝構造の転写
［実施例１］
凸部頂点間距離l （以下、ピッチともいう）が300nm の凸凹の深さが270nm の筋状溝構造を有する0.3 ｍｍ厚みのニッケル製基板を型とし、0.3 ｍｍ厚みの樹脂シートに熱プレスによって筋状溝構造を転写した。
樹脂には、ポリスチレン（ＰＳジャパン製ＰＳＪポリスチレン  SGP10 、Tg：94℃）を用いた。
熱プレスはニッケル製型の上に樹脂シートを固定し、真空雰囲気下で加熱を行い、樹脂のTgよりも60℃高い温度において、5 ＭＰａの圧力を５分間保持した後、加圧状態を保持したままTgよりも20〜30℃低い温度まで約５分間で冷却して、樹脂シートを取り出した。
この熱プレスによりパターン転写した300nm ピッチの樹脂基板の凹凸の深さｈをＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）により測定したところ270nm であり、ニッケル製型の筋状溝構造が精密に転写されていることが確認できた。
得られた樹脂基板を２枚使用して、両者の溝構造が向かい合い、溝構造の方向が平行になるように重ね合わせ、その間に液晶の厚みが10μｍとなるようネマティック液晶材料を充填したところ、溝方向を光軸とする複屈折効果が確認された。これにより、液晶分子が溝方向に配向することが確認された。
【００１３】
［実施例２］
実施例１において、樹脂として、シクロオレフィンポリマー（日本ゼオン製ゼオノア  1020R 、Tg：105 ℃）を用いる以外は実施例１と同様に行った。図２にはシクロオレフィンポリマー上に転写した筋状溝構造のＳＥＭ断面写真を示す。
［実施例３］
実施例１において、樹脂として、ポリカーボネート（帝人化成製パンライトK1285 、Tg：145 ℃）を用いる以外は実施例１と同様に行った。                
［実施例４］
実施例１において、樹脂として、アクリル樹脂( 旭化成ケミカルズ製デルペット  80N 、ＰＭＭＡ、Tg：114 ℃）を用いる以外は実施例１と同様に行った。  
250nm ピッチ筋状溝構造の転写
［実施例５］
実施例２において、型として、ピッチが250nm の凸凹の深さが220nm の筋状溝構造を有するニッケル製基板を用いる以外は実施例２と同様に行った。
［実施例６］
実施例３において、型として、ピッチが250nm の凸凹の深さが220nm の筋状溝構造を有するニッケル製基板を用いる以外は実施例３と同様に行った。
【００１４】
スパッタリング法を用いたＩＴＯの積層
［実施例７］
樹脂基板として、実施例２で作成した筋状溝構造転写樹脂基板を用い、ＩＴＯの積層を行った。層膜比較用に表面が平滑なガラス基板を、スパッタリング装置内の樹脂基板の近傍に設置し、スパッタ圧力６．７×１０-1Ｐａ，被膜速度0.1 〜0.3nm/sec の条件において、樹脂基板の表面温度が樹脂のＴｇよりも10℃以上低い温度となるようにしつつ、平滑基板へのＩＴＯ厚みｔが３０nmとなるように積層操作を行った。
筋状溝構造への積層状態をＳＥＭにより観察したところ、ＩＴＯ膜の平均厚みが３０nmであった。また、ＩＴＯ膜の製膜状態には欠陥がみられず、良好な成膜状態であることが確認された。
ＩＴＯを積層した樹脂基板を２枚使用して、両者の溝構造が向かい合い、両溝構造の方向が平行となるように重ね合わせ、その間に液晶層の厚みが10μｍとなるようネマティック液晶材料を充填したところ、いずれも溝構造を光軸とする複屈折効果が確認され、液晶分子が溝方向に配向することが確認された。
［実施例８］
実施例７において、樹脂基板として、実施例３で作成した筋状溝構造転写樹脂基板を用いる以外は実施例７と同様に行った。
［実施例９］
実施例７において、樹脂基板として、実施例５で作成した筋状溝構造転写樹脂基板を用いる以外は実施例７と同様に行った。
［実施例１０］
実施例７において、樹脂基板として、実施例６で作成した筋状溝構造転写樹脂基板を用いる以外は実施例７と同様に行った。
以上の実施例１〜１０における樹脂基板のＳＥＭ測定による筋状溝構造（ピッチ、凹凸深さｈ）、及び該基板間に充填された液晶分子の該溝方向への配向の有無は、次の表１にまとめて示されている。
【００１５】
【表１】
2006215349.tif 000003
【産業上の利用可能性】
【００１６】
本発明は液晶を用いて光を変調する液晶光変調器と、それを用いた液晶表示装置に関する。本発明によると、樹脂基板を容易に使用でき、軽量で柔軟な液晶光変調器や液晶表示装置を安価に構成できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明による液晶光変調器の一実施例を示す断面図。
【図２】実施例２に示した筋状溝構造転写樹脂基板の走査型電子顕微鏡写真（断面）。
【符号の説明】
【００１８】
１           液晶
２ａ,２ｂ    透明電極
３ａ,３ｂ    樹脂基板
４           筋状溝構造
５           スペーサ構造
６           リード線
７           駆動電源
８           偏光板
９           入射光
１０         出射光
【図１】
2006215349.tif 000004
【図２】
2006215349.tif 000005