(57)【要約】【課題】  放熱特性の高い半導体発光装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】  半導体発光装置は、発光素子１と、主表面を有し、該主表面上に発光素子が搭載されるリードフレーム２Ａと、リードフレーム２Ａと離間して設けられるリードフレーム２Ｂ（他のリードフレーム）と、リードフレーム２Ａ，２Ｂを固定する樹脂成型部３，７（樹脂部）と、金属を含むロウ材（導電層）を介してリードフレーム２Ａの裏面に接合される放熱部材８とを有する。なお、ロウ材および放熱部材８は発光素子１の直下からその周囲に形成されている。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、
主表面を有し、該主表面上に前記発光素子が搭載されるリードフレームと、
前記リードフレームを固定する樹脂部と、
金属を含む導電層を介して前記リードフレームの裏面に接合される放熱部材とを有する半導体発光装置。
【請求項２】
前記導電層および前記放熱部材は前記発光素子の直下からその周囲に形成される、請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記放熱部材は冷媒通路としての空洞部を有する、請求項１または請求項２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記放熱部材は、前記発光素子が搭載された複数の前記リードフレームを連結するように設けられる、請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記放熱部材は、銅、アルミニウム、銅合金およびアルミニウム合金からなる群のうち少なくとも１種の材質を含む、請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記放熱部材はセラミック材料からなる、請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項７】
前記半導体発光装置は、前記リードフレームと離間して設けられ、ワイヤを介して前記発光素子と電気的に接続される他のリードフレームをさらに備え、
前記放熱部材は前記リードフレームおよび前記他のリードフレームの裏面に前記導電層を介して接合され、
前記リードフレームと前記他のリードフレームとの隙間において、前記導電層を介して前記リードフレームと前記他のリードフレームとが電気的に導通しないように前記導電層が分断された、請求項６に記載の半導体発光装置。
【請求項８】
前記リードフレームには複数の前記発光素子が搭載され、
複数の前記発光素子の下部にそれぞれ前記放熱部材が設けられる、請求項１から請求項７のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項９】
リードフレームの裏面が露出するように該リードフレームを保持する樹脂部を形成する工程と、
前記リードフレームにおける前記裏面が露出した部分に位置する該リードフレームの主表面上に発光素子を搭載する工程と、
露出した前記リードフレームの裏面に金属を含む導電層を介して放熱部材を接合する工程とを備えた半導体発光装置の製造方法。
【請求項１０】
前記リードフレームに搭載された前記発光素子の検査を行なう工程をさらに備え、
前記発光素子の検査が行なわれた後に、前記リードフレームの裏面に放熱部材を接合する、請求項９に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項１１】
前記導電層としてはんだが用いられ、
前記リードフレームと前記放熱部材とを接合する工程は、前記リードフレームの裏面上または前記放熱部材の表面上に前記導電層を塗布した後、該導電層を前記リードフレームの裏面上に接触させて加熱することで行なわれる、請求項９または請求項１０に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項１２】
前記導電層として金および錫を含む化合物が用いられ、
前記リードフレームと前記放熱部材とを接合する工程は、前記リードフレームの裏面上または前記放熱部材の表面上に前記導電層を蒸着した後、該導電層を前記リードフレームの裏面上に接触させて加熱することで行なわれる、請求項９または請求項１０に記載の半導体発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光装置およびその製造方法に関し、特に、高放熱特性が要求される液晶のバックライト、照明装置および画像読取装置などに使用される半導体発光装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオードや半導体レーザなどにおいて、光出力が大きくなるほど、デバイスの温度上昇に伴う光出力の低下などを抑制する観点から、放熱特性の高いパッケージが求められる。
【０００３】
図６は、従来の半導体発光装置としてのパッケージが複数配列されたリードフレームを示す上面図である。図７（ａ）は、図６に示すパッケージの１つを拡大して示した図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）に示す１つのパッケージからなる半導体発光装置を示した断面図である。
【０００４】
図６，図７を参照して、リードフレーム２上には、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）などの発光素子１０１が搭載される。リードフレーム１０２の主表面上には、発光素子１０１を取り囲むように樹脂成型部（上側）１０３が設けられる。リードフレーム１０２は、リード端子部１０４を有する。リードフレーム１０２は回路パターンに対応するように形成されており、発光素子１０１とリードフレーム１０２とは、ワイヤ１０５によって適宜接続される。樹脂成型部１０３は、反射部１０６を有する。これにより、発光素子１０１から出射された光が反射し、出射角度の調整が行なわれる。リードフレーム１０２の裏面上には、樹脂成型部（下側）１０７が形成される。樹脂成型部１０３，１０７によってリードフレーム１０２が固定されている。
【０００５】
ところで、半導体レーザ素子においては、放熱特性を高める手段として、発光素子の下にサブマウントを設け、発光素子から出た熱をサブマウントを介して金属パッケージに逃がす構造が一般的に採用されている。このような構造は、たとえば特開２００４−１２８４２４号公報（従来例１）に開示されている。
【０００６】
また、特開２００３−７８２１９号公報（従来例２）においては、主表面上に配線としての銅箔層と凹部とを備えたプリント配線板であって、上記凹部の形状が皿上であり、該凹部の底面に放熱部が形成されたプリント配線板が開示されている。
【０００７】
また、特開２０００−１２４５６６号公報（従来例３）においては、高熱伝導性を有するセラミック基板の主表面がメタライズされたメタライズ基板が開示されている。
【特許文献１】特開２００４−１２８４２４号公報
【特許文献２】特開２００３−７８２１９号公報
【特許文献３】特開２０００−１２４５６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記のような半導体発光装置においては、以下のような問題があった。
【０００９】
たとえば液晶のバックライトや照明に用いられる白色ＬＥＤなどに対しては、非常に高い光度が要求される。このような発光素子においては、電気から光への変換効率の向上だけでは要求される光度を実現することが困難であるため、発光素子自体の大型化が図られている。この結果、発光素子から生じる発熱量が大きくなる傾向にある。
【００１０】
これに対し、従来例１のようにパッケージを金属で製作する方法においては、金属部分の形状が複雑になるため、制度の高い加工が必要になり、たとえば金型などを用いた量産に馴染みにくいという問題がある。
【００１１】
また、従来例２，３のように、銅箔上やメタライズ層上に発光素子を搭載する場合は、銅箔やメタライズ層の厚みが小さいため、水平方向における熱の拡散量が小さいという問題がある。
【００１２】
本発明は、上記のような問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、放熱特性の高い半導体発光装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明に係る半導体発光装置は、発光素子と、主表面を有し、該主表面上に発光素子が搭載されるリードフレームと、リードフレームを固定する樹脂部と、金属を含む導電層を介してリードフレームの裏面に接合される放熱部材とを有する。
【００１４】
これにより、発光素子において発生した熱が、リードフレームを介して放熱部材に伝わりやすくなる。結果として放熱特性の高い半導体発光装置が提供される。
【００１５】
上記導電層および放熱部材は発光素子の直下からその周囲に形成されることが好ましい。
【００１６】
これにより、放熱効率をさらに向上させることができる。
【００１７】
放熱部材は冷媒通路としての空洞部を有することが好ましい。
【００１８】
空洞部に冷媒を流すことで、法熱効率をさらに向上させることができる。
【００１９】
放熱部材は、発光素子が搭載された複数のリードフレームを連結するように設けられてもよい。
【００２０】
これにより、放熱部材を複数のリードフレームを連結する部材として用いることができる。
【００２１】
放熱部材は、銅、アルミニウム、銅合金およびアルミニウム合金からなる群のうち少なくとも１種の材質を含むものであってもよいし、セラミック材料からなるものであってもよい。
【００２２】
上記いずれの素材を用いた場合も、放熱部材は放熱効率を向上させる部材として十分に機能する。
【００２３】
上記半導体発光装置は、１つの局面では、リードフレームと離間して設けられ、ワイヤを介して発光素子と電気的に接続される他のリードフレームをさらに備える。セラミック材料からなる放熱部材はリードフレームおよび他のリードフレームの裏面に導電層を介して接合されてもよい。この場合、リードフレームと他のリードフレームとの隙間において、導電層を介してリードフレームと他のリードフレームとが電気的に導通しないように導電層が分断される。
【００２４】
これにより、簡便な手法で、複数のリードフレーム上に発光素子が搭載された半導体発光装置の放熱効率を向上させることができる。
【００２５】
リードフレームには複数の発光素子が搭載され、複数の発光素子の下部にそれぞれ放熱部材が設けられてもよい。
【００２６】
これにより、リードフレーム上に複数の発光素子が搭載された半導体発光装置の放熱効率を向上させることができる。
【００２７】
本発明に係る半導体発光装置の製造方法は、リードフレームの裏面が露出するように該リードフレームを保持する樹脂部を形成する工程と、リードフレームにおける裏面が露出した部分に位置する該リードフレームの主表面上に発光素子を搭載する工程と、露出したリードフレームの裏面に金属を含む導電層を介して放熱部材を接合する工程とを備える。
【００２８】
上記工程により、放熱特性の高い半導体発光装置が提供される。
【００２９】
上記半導体発光装置の製造方法は、リードフレームに搭載された発光素子の検査を行なう工程をさらに備え、発光素子の検査が行なわれた後に、リードフレームの裏面に放熱部材を接合するようにしてもよい。
【００３０】
これにより、良品の発光素子が搭載されたリードフレームにのみ放熱部材を取付けることができ、放熱部材の歩留まりを向上させることができる。また、取付け作業の効率を向上させることができる。結果として、半導体発光装置の製造コストが低減される。
【００３１】
上記半導体発光装置の製造方法において、１つの局面では、導電層としてはんだが用いられる。ここで、リードフレームと放熱部材とを接合する工程は、リードフレームの裏面上または放熱部材の表面上に導電層を塗布した後、該導電層をリードフレームの裏面上に接触させて加熱することで行なわれる。
【００３２】
また、上記半導体発光装置の製造方法において、他の局面では、導電層として金および錫を含む化合物が用いられる。ここで、リードフレームと放熱部材とを接合する工程は、リードフレームの裏面上または放熱部材の表面上に導電層を蒸着した後、該導電層をリードフレームの裏面上に接触させて加熱することで行なわれる。
【００３３】
上記いずれの局面においても、上述した放熱特性の高い半導体発光装置が簡便な工程により提供される。
【発明の効果】
【００３４】
本発明によれば、放熱特性の高い半導体発光装置およびその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下に、本発明に基づく半導体発光装置およびその製造方法の実施の形態について、図１から図５を用いて説明する。
【００３６】
（実施の形態１）
図１は、本発明の１つの実施の形態に係る半導体発光装置を示した図であり、（ａ）は上面図を示し、（ｂ）は（ａ）におけるI−I断面を示す。
【００３７】
本実施の形態に係る半導体発光装置は、発光素子１と、主表面を有し、該主表面上に発光素子が搭載されるリードフレーム２Ａと、リードフレーム２Ａと離間して設けられるリードフレーム２Ｂ（他のリードフレーム）と、リードフレーム２Ａ，２Ｂを固定する樹脂成型部３，７（樹脂部）と、金属を含むロウ材（導電層）を介してリードフレーム２Ａの裏面に接合される放熱部材８とを有する。なお、図１の例では、ロウ材および放熱部材８は発光素子１の直下からその周囲に形成されている。
【００３８】
リードフレーム２Ａ上に搭載される発光素子１は、たとえばＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）である。リードフレーム２Ａ，２Ｂの主表面上には、発光素子１を取り囲むように樹脂成型部（上側）３が設けられる。リードフレーム２は回路パターンに対応するように形成されている。発光素子１とリードフレーム２Ｂとは、Ａｕなどからなるワイヤ５によって適宜接続される。樹脂成型部３は、反射部６を有する。これにより、発光素子１から出射された光が反射し、出射角度の調整が行なわれる。リードフレーム２Ａ，２Ｂの裏面上には、樹脂成型部（下側）７が形成される。樹脂成型部３，７によってリードフレーム２Ａ，２Ｂが固定されている。
【００３９】
リードフレーム２Ａ，２Ｂとしては、たとえばＦｅ−Ｎｉ−Ｐ系化合物を微細に分散析出させた銅合金が使用可能である。これにより、強度および耐熱性に優れたリードフレームが得られる。また、上記素材を用いた場合、リードフレームの熱伝導度は３１０（Ｗ／ｍ・Ｋ）程度となる。この熱伝導度は、銅の４００（Ｗ／ｍ・Ｋ）程度および銀の４２０（Ｗ／ｍ・Ｋ）程度と比較すると劣るが、金の３１０（Ｗ／ｍ・Ｋ）程度と同程度である。また、セラミックである窒化アルミニウム（ＡｌＮ）の１５０〜２００（Ｗ／ｍ・Ｋ）程度およびアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）の２０〜４０（Ｗ／ｍ・Ｋ）程度と比較すると非常に優れている。
【００４０】
上記リードフレーム２Ａ，２Ｂの厚みについては、適宜変更が可能であるが、たとえば０．３ｍｍ以上０．５ｍｍ以下程度の厚みとすることが考えられる。この程度の厚みであれば、水平方向の熱伝達効率と、リードフレームの折曲げ加工性とを十分に確保することができる。
【００４１】
リードフレーム２Ａ，２Ｂの主表面（図１（ｂ）における上側の面）上には、Ａｇめっきなどが施されている。これにより、発光素子１から出射された光が効率よく前方（図１（ｂ）における上側）に向けて反射される。
【００４２】
リードフレーム２Ａと放熱部材８とを接合する導電層を形成するロウ材としては、たとえばはんだ、金および錫を含む化合物（以下、ＡｕＳｎと称する場合がある。）などが使用可能である。これらの素材を用いることで、発光素子１およびリードフレーム２Ａと放熱部材８との間の熱伝導特性を顕著に向上させることができる。また、上記ロウ材として、樹脂が配合されたＡｇペーストを使用することも可能である。この場合は、比較的低温（たとえば１５０℃程度）でリードフレーム２Ａと放熱部材８とを接合することができる。
【００４３】
放熱部材８としては、たとえば銅、アルミニウム、銅合金およびアルミニウム合金などを含む素材や、セラミック材料が用いられる。これらいずれの素材を用いた場合も、放熱部材８は放熱効率を向上させる部材として十分に機能する。
【００４４】
近年、青色ＬＥＤに蛍光体を塗布して擬似白色にしたり、赤／緑／青色のＬＥＤを使用して白色にしたりすることにより得られる白色ＬＥＤが提供されるようになり、その需要が増大している。液晶のバックライトや照明に用いられるような白色ＬＥＤには、非常に大きな光度が要求される。そのため、発光素子の大型化が図られている。たとえば、従来は０．３ｍｍ角程度の発光素子に２０ｍＡ程度の電流が流されていたが、近年では、１ｍｍ角程度の発光素子に３５０ｍＡの電流が流されるようになっている。これを電力に換算すると、近年の電力（１Ｗ程度）は従来の電力（０．０７Ｗ）の１０倍以上となっている。上記電力の増大に比例して、発光素子からの発熱量も増大する。したがって、発光素子において発生した熱エネルギーをいかに速やかに拡散、伝導させて放熱するかということが重要となっている。
【００４５】
これに対し、本実施の形態に係る上述した構成を有する半導体発光装置においては、発光素子１において発生した熱が、リードフレーム２Ａを介して放熱部材８に伝わりやすくなる。結果として放熱特性の高い半導体発光装置が提供される。ここで、リードフレーム２Ａと放熱部材８とを接合することで、単に放熱部材８を発光素子１の下部に設けた場合と比較して、熱伝導性をさらに高めることができる。また、リードフレーム２Ａと放熱部材８とを上記ロウ材（導電層）を用いて接合することで、単にリードフレーム２Ａと放熱部材８とを接触させた場合と比較して、熱伝導性をさらに高めることができる。
【００４６】
図１（ｂ）に示すように、放熱部材８は空洞部９を有している。空洞部９には、たとえばシリコンオイルなどの熱伝導性の高い液体を流すことにより放熱特性をさらに向上させることができる。すなわち、冷媒通路としての空洞部を有することにより、半導体発光装置の放熱特性が向上する。
【００４７】
上述したように、本実施の形態においては、発光素子１が搭載されるリードフレーム２Ａと放熱部材８との間の熱伝導度が高く、全体として放熱特性が高い半導体発光装置が得られる。
【００４８】
図２（ａ）〜（ｄ）は、上記半導体発光装置の製造工程における各工程を示した断面図である。
【００４９】
本実施の形態に係る半導体発光装置の製造方法は、図２（ａ）〜（ｄ）に示すように、リードフレーム２Ａの裏面が露出するようにリードフレーム２Ａ，２Ｂを保持する樹脂成型部３，７（樹脂部）を形成する工程（図２（ａ））と、リードフレーム２Ａ，２Ｂを折り曲げ加工する工程（図２（ｂ））と、リードフレーム２Ａにおける裏面が露出した部分に位置する該リードフレーム２Ａの主表面上に発光素子１を搭載する工程（図２（ｃ））と、露出したリードフレーム２Ａの裏面に金属を含むロウ材（導電層）を介して放熱部材８を接合する工程（図２（ｄ））とを備える。
【００５０】
図２（ａ）を参照して、たとえばインサート成型などにより、リードフレーム２Ａ，２Ｂを固定する樹脂成型部３，７が形成される。ここで、リードフレーム２Ａ，２Ｂのパターンを、１枚の板状部材上に連続して複数形成し（たとえば上述した図６のような状態）、１つ１つのパターン上に樹脂成型部３，７を形成した後に、板状部材を分断する方法を採用することで、量産が容易になる。
【００５１】
図２（ｂ）を参照して、リードフレーム２Ａ，２Ｂが折り曲げ加工されて所定の形状に成型される。これにより、リード端子部が形成される。
【００５２】
図２（ｃ）を参照して、リードフレーム２Ａの主表面上に、発光素子１がダイボンドされる。ダイボンド材としては、Ａｇペースト、はんだ、ＡｕＳｎなどが用いられる。その後、ワイヤ５を用いて発光素子とリードフレーム２Ｂとが接続される。そして、発光素子１の特性試験（検査工程）が行なわれる。
【００５３】
図２（ｄ）を参照して、上記検査工程の結果リードフレーム２Ａ上に搭載された発光素子１が良品であると判別されたデバイスにおいてのみ、該リードフレーム２Ａの裏面上に金属を含むロウ材を介して放熱部材８を接合する。
【００５４】
このようにすることで、良品の発光素子１が搭載されたリードフレーム２Ａにのみ放熱部材８を取付けることができ、放熱部材１の歩留まりを向上させることができる。また、取付け作業の効率を向上させることができる。結果として、半導体発光装置の製造コストが低減される。
【００５５】
ここで、リードフレーム２Ａと放熱部材８とを接合するロウ材（導電層）としてはんだが用いられる場合は、リードフレーム２Ａと放熱部材８とを接合する工程は、リードフレーム２Ａの裏面上または放熱部材８の表面上に上記ロウ材を塗布した後、該ロウ材をリードフレーム２Ａの裏面上に接触させて加熱することで行なわれる。
【００５６】
また、リードフレーム２Ａと放熱部材８とを接合するロウ材（導電層）として金および錫を含む化合物（ＡｕＳｎ）が用いられる場合は、リードフレーム２Ａと放熱部材８とを接合する工程は、リードフレーム２Ａの裏面上または放熱部材８の表面上に上記ロウ材を蒸着した後、該ロウ材をリードフレーム２Ａの裏面上に接触させて加熱することで行なわれる。
【００５７】
上記いずれの場合においても、上述した放熱特性の高い半導体発光装置が簡便な工程により提供される。
【００５８】
（実施の形態２）
図３は、実施の形態２に係る半導体発光装置を示した断面図である。
【００５９】
本実施の形態に係る半導体発光装置は、実施の形態１に係る半導体発光装置の変形例であって、図３に示すように、リードフレーム２Ａに複数の発光素子１が搭載され、複数の発光素子１の下部にそれぞれ放熱部材８が設けられていることを特徴とする。
【００６０】
上記のようにリードフレーム２Ａ上に複数の発光素子１が搭載される場合であっても、１つの放熱部材８を用いて放熱特性の向上を図ることは可能である。しかしながら、図３に示すように放熱部材８を分割して複数設置することにより、全体として放熱部材８を小型化することができるので、半導体発光装置の重量低減、コスト低減を図ることができる。また、複数の発光素子１からの熱による複数の発光素子１間の干渉が抑制され、複数の発光素子１は電気的に互いに絶縁されるので、電気配線の自由度も向上する。
【００６１】
本実施の形態においては、以上のように、リードフレーム２Ａ上に複数の発光素子１が搭載された半導体発光装置の放熱効率を向上させることができる。
【００６２】
なお、本実施の形態において、上述した実施の形態１と同様の事項については、詳細な説明は繰り返されない。
【００６３】
（実施の形態３）
図４は、実施の形態３に係る半導体発光装置を示した図であり、（ａ）は半導体発光装置の断面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す半導体発光装置における放熱部材１０の上面図である。
【００６４】
本実施の形態に係る半導体発光装置は、実施の形態１，２に係る半導体発光装置の変形例であって、図４（ａ），（ｂ）に示すように、セラミック材料からなる放熱部材１０がリードフレーム２Ａおよびリードフレーム２Ｂ（他のリードフレーム）の裏面にメタライズ層１１（導電層）を介して接合されており、リードフレーム２Ａとリードフレーム２Ｂとの隙間において、メタライズ層１１を介してリードフレーム２Ａ，２Ｂが電気的に導通しないようにメタライズ層１１が分断（セラミック材料の露出部分１１Ａが形成）されていることを特徴とする。
【００６５】
上記半導体発光装置において、たとえば、リードフレーム２Ｂ上にも図示しない発光素子が搭載される場合がある。この場合、上記のような構造を採用することで、リードフレーム２Ａ，２Ｂ間の電気的短絡を防止しながら、リードフレーム２Ａ，２Ｂ上の発光素子から生じた熱を効率よく外部へと逃がすことができる。
【００６６】
本実施の形態においては、以上のように、簡便な手法で、複数のリードフレーム（リードフレーム２Ａ，２Ｂ）上にそれぞれ発光素子が搭載された半導体発光装置の放熱効率を向上させることができる。
【００６７】
なお、本実施の形態において、上述した実施の形態１，２と同様の事項については、詳細な説明は繰り返されない。
【００６８】
（実施の形態４）
図５は、実施の形態４に係る半導体発光装置を示した上面図である。
【００６９】
本実施の形態に係る半導体発光装置は、実施の形態１〜３に係る半導体発光装置の変形例であって、図５に示すように、放熱部材１２が、発光素子１が搭載された複数のリードフレームを連結するように設けられていることを特徴とする。
【００７０】
これにより、放熱部材１２を複数のリードフレームを連結する部材として用いることができる。結果として、発光素子１が高密度で配置された半導体発光装置が提供される。
【００７１】
放熱部材１２の内部には、冷媒流路としての空洞部が設けられている。循環ポンプ１３は、放熱特性を向上させるための冷媒を上記冷媒流路内に循環させる。
【００７２】
本実施の形態においては、以上のように、発光素子が高密度で配置された放熱特性の高い半導体発光素子を得ることができる。
【００７３】
なお、本実施の形態において、上述した実施の形態１〜３と同様の事項については、詳細な説明は繰り返されない。
【００７４】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、上述した各実施の形態の特徴部分を適宜組み合わせることは、当初から予定されている。また、今回開示された実施の形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本発明の実施の形態１に係る半導体発光装置を示した図であり、（ａ）は上面図を示し、（ｂ）は（ａ）におけるI−I断面を示す。
【図２】図１に示す半導体発光装置の製造工程における各工程を示した断面図である。
【図３】本発明の実施の形態２に係る半導体発光装置を示した断面図である。
【図４】本発明の実施の形態３に係る半導体発光装置を示した図であり、（ａ）は半導体発光装置の断面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す半導体発光装置における放熱部材の上面図である。
【図５】本発明の実施の形態４に係る半導体発光装置を示した上面図である。
【図６】リードフレーム上に発光素子を取り囲む樹脂成型部を形成した状態を示す上面図である。
【図７】従来の半導体発光装置を示す図であり、（ａ）は上面図であり、（ｂ）は断面図である。
【符号の説明】
【００７６】
１，１０１  発光素子、２Ａ，２Ｂ，１０２  リードフレーム、３，１０３  樹脂成型部（上側）、１０４  リード端子部、５，１０５  ワイヤ、６，１０６  反射部、７，１０７  樹脂成型部（下側）、８  放熱部材（金属）、９  空洞部、１０  放熱部材（セラミック）、１１  メタライズ層、１１Ａ  露出部分（セラミック材料）、１２  放熱部材（連結用）、１３  循環ポンプ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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