(57)【要約】【課題】基板を効率的に処理することができる処理システムを提供する。【解決手段】基板Ｗを処理する処理システム１において，複数枚の基板Ｗを保持部材によって保持し一括して処理するバッチ式基板処理装置５と，基板Ｗを一枚ずつ収納し，バッチ式基板処理装置５と異なる処理を行う枚葉式基板処理装置７Ａ，７Ｂを備えた。さらに，複数枚の基板Ｗを保持して待機させる待機部４４と，待機部４４と前記保持部材との間で基板Ｗを搬送する基板受け渡し装置４３と，待機部４４と枚葉式基板処理装置７Ａ，７Ｂとの間で基板Ｗを一枚ずつ搬送する枚葉搬送装置９とを備えた。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理システムであって，
複数枚の基板を保持部材によって保持し一括して処理するバッチ式基板処理装置と，
基板を一枚ずつ収納し，前記バッチ式基板処理装置と異なる処理を行う枚葉式基板処理装置と，
複数枚の基板を保持して待機させる待機部と，
前記待機部と前記保持部材との間で基板を搬送する基板受け渡し装置と，
前記待機部と前記枚葉式基板処理装置との間で基板を一枚ずつ搬送する枚葉搬送装置とを備えたことを特徴とする，処理システム。
【請求項２】
前記基板を収納するキャリアと前記待機部との間で基板を搬送する基板搬送装置を備えたことを特徴とする，請求項１に記載の処理システム。
【請求項３】
前記バッチ式基板処理装置を上下に積み重ねて備えたことを特徴とする，請求項１又は２に記載の処理システム。
【請求項４】
前記基板受け渡し装置は，各バッチ式基板処理装置の前記保持部材に対して基板の受け渡しを行うことを特徴とする，請求項３に記載の処理システム。
【請求項５】
基板を処理する処理システムであって，
複数枚の基板を保持部材によって保持し一括して処理するバッチ式基板処理装置と，
基板を一枚ずつ収納し，前記バッチ式基板処理装置と異なる処理を行う枚葉式基板処理装置と，
複数枚の基板を保持して待機させる第一及び第二の待機部と，
前記第一の待機部と前記保持部材との間で基板を搬送する第一の基板受け渡し装置と，
前記第二の待機部と前記保持部材との間で基板を搬送する第二の基板受け渡し装置と，
前記第二の待機部と前記枚葉式基板処理装置との間で基板を一枚ずつ搬送する枚葉搬送装置とを備えたことを特徴とする，処理システム。
【請求項６】
基板を収納するキャリアと前記第一の待機部との間で基板を搬送する基板搬送装置を備えたことを特徴とする，請求項５に記載の処理システム。
【請求項７】
前記第一の待機部及び前記第一の基板受け渡し装置と，前記第二の待機部及び前記第二の基板受け渡し装置とを，前記バッチ式基板処理装置を挟んで互いに対向する位置に設けたことを特徴とする，請求項５又は６に記載の処理システム。
【請求項８】
前記バッチ式基板処理装置を上下に積み重ねて備えたことを特徴とする，請求項５，６又は７に記載の処理システム。
【請求項９】
前記第一及び第二の基板受け渡し装置は，各バッチ式基板処理装置の前記保持部材に対して基板の受け渡しを行うことを特徴とする，請求項８に記載の処理システム。
【請求項１０】
前記バッチ式基板処理装置は，基板を収納する基板処理室と，前記保持部材，及び，前記基板処理室の開口を閉塞する蓋を有する基板保持体とを備えることを特徴とする，請求項１〜９のいずれかに記載の処理システム。
【請求項１１】
前記保持部材を前記基板処理室の内部と外部に移動させる保持体移動機構と，
前記保持部材に対する基板の受け渡し時には基板が略水平になるようにし，前記基板処理室内では基板が略垂直になるように前記保持部材を姿勢変換させる保持体姿勢変換機構とを備えることを特徴とする，請求項１０に記載の処理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，半導体ウェハなどの基板に対して，洗浄処理，熱処理等を行う処理システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいて，シリコンウェハ等の半導体基板（以下，「ウェハ」という。）に対してＣＶＤ処理等の熱処理を行う場合，その熱処理前にウェハの洗浄処理が行われている。これらの処理を行う処理システムとして，複数枚のウェハを洗浄する処理槽及び乾燥処理室を有する洗浄装置と，熱処理装置とを備えたものが提案されている（例えば，特許文献１参照。）。
【０００３】
【特許文献１】特開平７−１４２５５０号公報
【０００４】
ところで，一般に，ウェハの洗浄及び乾燥処理に要する処理時間と，熱処理に要する処理時間は異なり，洗浄及び乾燥処理時間のほうが長時間を要する場合がある。そのため，従来の処理システムでは，洗浄装置のスループットと熱処理装置のスループットが合わず，熱処理装置の待機時間が長くなり，効率的に処理できない懸念があった。また，洗浄装置を複数備えることで，洗浄及び乾燥処理のスループットを向上させることが考えられるが，この場合，処理システム全体のフットプリントが過剰に大きくなってしまう懸念があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は，基板を効率的に処理することができる処理システムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため，本発明によれば，基板を処理する処理システムであって，複数枚の基板を保持部材によって保持し一括して処理するバッチ式基板処理装置と，基板を一枚ずつ収納し，前記バッチ式基板処理装置と異なる処理を行う枚葉式基板処理装置と，複数枚の基板を保持して待機させる待機部と，前記待機部と前記保持部材との間で基板を搬送する基板受け渡し装置と，前記待機部と前記枚葉式基板処理装置との間で基板を一枚ずつ搬送する枚葉搬送装置とを備えたことを特徴とする，処理システムが提供される。
【０００７】
この処理システムにあっては，前記基板を収納するキャリアと前記待機部との間で基板を搬送する基板搬送装置を備えても良い。また，前記バッチ式基板処理装置を上下に積み重ねて備えても良い。さらに，前記基板受け渡し装置は，各バッチ式基板処理装置の前記保持部材に対して基板の受け渡しを行うようにしても良い。
【０００８】
また，本発明によれば，基板を処理する処理システムであって，複数枚の基板を保持部材によって保持し一括して処理するバッチ式基板処理装置と，基板を一枚ずつ収納し，前記バッチ式基板処理装置と異なる処理を行う枚葉式基板処理装置と，複数枚の基板を保持して待機させる第一及び第二の待機部と，前記第一の待機部と前記保持部材との間で基板を搬送する第一の基板受け渡し装置と，前記第二の待機部と前記保持部材との間で基板を搬送する第二の基板受け渡し装置と，前記第二の待機部と前記枚葉式基板処理装置との間で基板を一枚ずつ搬送する枚葉搬送装置とを備えたことを特徴とする，処理システムが提供される。
【０００９】
この処理システムにあっては，基板を収納するキャリアと前記第一の待機部との間で基板を搬送する基板搬送装置を備えても良い。また，前記第一の待機部及び前記第一の基板受け渡し装置と，前記第二の待機部及び前記第二の基板受け渡し装置とを，前記バッチ式基板処理装置を挟んで互いに対向する位置に設けても良い。また，前記バッチ式基板処理装置を上下に積み重ねて備えても良い。さらに，前記第一及び第二の基板受け渡し装置は，各バッチ式基板処理装置の前記保持部材に対して基板の受け渡しを行うこととしても良い。
【００１０】
前記バッチ式基板処理装置は，基板を収納する基板処理室と，前記保持部材，及び，前記基板処理室の開口を閉塞する蓋を有する基板保持体とを備えることとしても良い。さらに，前記保持部材を前記基板処理室の内部と外部に移動させる保持体移動機構と，前記保持部材に対する基板の受け渡し時には基板が略水平になるようにし，前記基板処理室内では基板が略垂直になるように前記保持部材を姿勢変換させる保持体姿勢変換機構とを備えても良い。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば，バッチ式基板処理装置の後に枚葉式基板処理装置で処理する場合は，バッチ式基板処理装置において処理した基板を待機部に待機させ，バッチ式基板処理装置において次の基板の処理を行っている間に，待機部から枚葉式基板処理装置に基板を順次搬送して，枚葉式基板処理装置で処理することができる。また，枚葉式基板処理装置の後にバッチ式基板処理装置で処理する場合は，バッチ式基板処理装置において処理を行っている間に，枚葉式基板処理装置において処理した基板を待機部に順次搬送して待機させ，その後，バッチ式基板処理装置で一括して処理することができる。従って，基板を効率的に処理することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下，本発明の好ましい実施の形態を，基板の一例としてのウェハを洗浄する処理システムに基づいて説明する。図１に示すように，処理システム１は，複数枚のウェハＷを収納したキャリアＣを搬入出するキャリア搬入出部２，キャリアＣからウェハＷを取り出すウェハ搬入出部３，バッチ式基板処理装置としての基板洗浄装置５を備えた洗浄処理部６，枚葉式基板処理装置としてのプラズマ処理装置７Ａ，７Ｂを備えたプラズマ処理部８を備えている。また，ウェハ搬送部３，洗浄処理部６及びプラズマ処理部８の間でウェハＷを搬送する枚葉搬送装置９を備えたウェハ搬送部１０を備えている。ウェハ搬入出部３は，Ｙ軸方向（左右方向）に沿って配設されており，キャリア搬入出部２は，Ｘ軸方向（前後方向）においてウェハ搬入出部３の前方に配置されている。洗浄処理部６とウェハ搬送部１０は，Ｘ軸方向においてウェハ搬入出部３の後方に配置されている。ウェハ搬送部１０は，ウェハ搬入出部３の後側壁中央部に接続され，Ｘ軸方向に沿って配設されている。洗浄処理部６は，ウェハ搬入出部３側からみてウェハ搬送部１０の右側方に配置されており，洗浄処理部６の前部はウェハ搬入出部３の後部右側に接続されている。プラズマ処理部８は，Ｘ軸方向において洗浄処理部６とウェハ搬送部１０の後方に配置され，ウェハ搬送部１０の後端部に接続されている。
【００１３】
キャリアＣの一側面には，ウェハＷをキャリアＣ内に対して搬入出するための開口１３が形成されている。また，図示はしないが，キャリアＣの内壁には，複数個，例えば２５個のスロットが所定間隔を空けて形成されている。ウェハＷは各スロットに１枚ずつ収容されており，図２に示すように，互いに略平行な姿勢で所定間隔を空けて配列された状態で，キャリアＣ内に収納されている。
【００１４】
キャリア搬入出部２には，４個のキャリア載置台１５Ａ，１５Ｂ，１５Ｃ，１５Ｄが，Ｙ軸方向に並べて設けられている。キャリアＣは，開口１３をキャリア搬入出部２に向け，ウェハＷを略水平にした状態で，各キャリア載置台１５Ａ〜１５Ｄ上にそれぞれ載置される。
【００１５】
ウェハ搬入出部３には，ウェハＷをキャリアＣと洗浄処理部６との間で一枚ずつ搬送する基板搬送装置２０が備えられている。基板搬送装置２０は，ウェハＷを1枚ずつ略水平に保持する２本の搬送アーム２１Ａ，２１Ｂを備えている。また，図２に示すように，各搬送アーム２１Ａ，２１Ｂを水平方向に個別にスライドさせるスライド機構２２，鉛直方向（Ｚ軸方向）の回転中心軸を中心として回転させる回転機構２３，Ｚ軸方向に昇降させる昇降機構２４を備えている。さらに，搬送アーム２１Ａ，２１Ｂ，スライド機構２２，回転機構２３，昇降機構２４は，Ｙ軸方向に延設されたレール２５を備えた水平移動機構２６に沿って，一体的に移動可能になっている。そして，スライド機構２２，回転機構２３，昇降機構２４，水平移動機構２６を各々駆動させることにより，各搬送アーム２１Ａ，２１Ｂによって，各キャリア載置台１５Ａ〜１５Ｄに載置されたキャリアＣからウェハＷを一枚ずつ取り出し，洗浄処理部６に受け渡し，また，ウェハ搬送部１０からウェハＷを受け取って各キャリアＣに収納できるように構成されている。
【００１６】
図１に示すように，洗浄処理部６とウェハ搬入出部３との間の壁面には，開口３１が形成されており，開口３１を開閉するシャッター３２が備えられている。また，洗浄処理部６とウェハ搬送部１０との間の壁面には，開口３３が形成されており，開口３３を開閉するシャッター３４が備えられている。
【００１７】
洗浄処理部６内には，キャリアＣから取り出した後で基板洗浄装置５に搬入する前にウェハＷを待機させる第一の待機部としての保持装置４１と，保持装置４１と基板洗浄装置５との間で複数枚のウェハＷを一括して搬送する第一の基板受け渡し装置４２が備えられている。また，洗浄処理部６内には，基板洗浄装置５からウェハＷを搬出する第二の基板受け渡し装置４３，及び，基板受け渡し装置４３からウェハＷを受け取って，基板洗浄装置５から搬出した後でプラズマ処理装置７Ａ，７Ｂに搬入する前にウェハＷを待機させる第二の待機部としての保持装置４４が設けられている。保持装置４１及び基板受け渡し装置４２と，保持装置４４及び基板受け渡し装置４３とは，基板洗浄装置５を挟んで互いに対向する両側の位置にそれぞれ配置されている。即ち，保持装置４１と基板受け渡し装置４２は，ウェハ搬送部１０側からみて基板洗浄装置５の右側，即ち，ウェハ搬入出部３側からみると手前側に配置されている。一方，保持装置４４及び基板受け渡し装置４３は，ウェハ搬送部１０側からみて基板洗浄装置５の左側，即ち，プラズマ処理部８側に配置されている。さらに，保持装置４１は開口３１と対向するように配置され，保持装置４４は開口３３と対向するように配置されている。
【００１８】
図３に示すように，保持装置４１は，ウェハＷの周縁部を保持する５つの保持部材４７Ａ，４７Ｂ，４７Ｃ，４７Ｄ，４７Ｅを備えている。各保持部材４７Ａ〜４７Ｅは，Ｚ軸方向に向けて立設されている。保持部材４７Ａ〜４７Ｅのうち，保持部材４７Ａ，４７Ｂは，ウェハ搬入出部３側からみてＹ軸方向においてウェハＷの左右両端部を挟んで互いに対向する位置に設けられている。保持部材４７Ｃ，４７Ｄは，ウェハ搬入出部３側からみて保持部材４７Ａ，４７Ｂよりも後方（基板洗浄装置５側）に，ウェハＷの後部両側を挟んで互いに対向する位置にそれぞれ配置されている。保持部材４７Ｅは，ウェハ搬入出部３側からみて保持部材４７Ｃ，４７Ｄより後方に，ウェハＷの後端部を保持する位置に配置されている。
【００１９】
各保持部材４７Ａ〜４７Ｅには，複数個（例えば２５個）の保持溝４８が，所定間隔を空けてＺ軸方向に並べて形成されている。ウェハＷは，各保持部材４７Ａ〜４７Ｅの保持溝４８に周縁部の５箇所がそれぞれ挿入された状態で，略水平に保持される。そして，各保持溝４８にウェハＷが挿入されることにより，複数枚のウェハＷが所定間隔を空けて互いに平行な姿勢で保持されるようになっている。また，保持部材４７Ａ，４７Ｂの間を通じて，搬送アーム２１Ａを進入させることにより，ウェハＷを保持部材４７Ａ〜４７Ｅに受け渡すことができるようになっている。
【００２０】
また，保持装置４１には，保持部材４７Ａ〜４７Ｅを開閉させる開閉駆動機構４９が備えられている。開閉駆動機構４９の駆動により，保持部材４７Ａ〜４７Ｅをそれぞれ内側に向かって移動させて互いに近接させると，ウェハＷを保持する状態となり，保持部材４７Ａ〜４７Ｅをそれぞれ外側に向かって移動させて互いに離隔させると，ウェハＷの保持を解除することができる。
【００２１】
図３に示すように，基板受け渡し装置４２は，２本の保持部材５１Ａ，５１Ｂを備えたチャック５２を備えている。チャック５２には，保持部材５１Ａ，５１Ｂを開閉させる開閉駆動機構５４が設けられている。また，各保持部材５１Ａ，５１Ｂの互いに対向する面には，複数個（例えば２５個）の保持溝５５が，所定間隔を空けてＺ軸方向に並べて形成されている。ウェハＷは，各保持部材５１Ａ，５１Ｂの保持溝５５に周縁部２箇所がそれぞれ挿入された状態で保持される。そして，各保持溝５５にウェハＷが挿入されることにより，複数枚のウェハＷが所定間隔を空けて互いに平行な姿勢で保持されるようになっている。
【００２２】
図１に示すように，チャック５２は，チャック５２を移動させる移動機構６１のアーム６２に支持されている。アーム６２の基端部には，アーム６２をＺ軸方向の回転中心軸を中心として回転させる回転駆動器６３が備えられている。そして，回転駆動器６３は，回転駆動器６３を支持しＺ軸方向に昇降させる昇降器６４に支持されている。そして，アーム６２，回転駆動器６３，昇降器６４を各々駆動させることにより，チャック５２を保持装置４１の上方において移動させ，保持部材４７Ａ〜４７Ｅに保持されたウェハＷを受け取り，基板洗浄装置５に搬送することができるように構成されている。
【００２３】
図２に示すように，基板洗浄装置５の筐体７０内には，ウェハＷを複数枚保持して姿勢変換と移動を行う基板姿勢変換移動機７１と，ウェハＷを収納して処理する基板処理室としてのチャンバ７２とが備えられている。チャンバ７２は，正面をウェハ搬送部１０側に向けた状態で配置されている。基板姿勢変換移動機７１は，ウェハ搬送部１０側からみてチャンバ７２の手前側に配置されている。筐体７０の側面には，基板受け渡し装置４２，４３を筐体７０内に進入及び退出させるための開口７４が形成されている。筐体７０の天井部には，筐体７０内にダウンフローを供給するＦＦＵ（ファンフィルターユニット）７５が備えられている。なお，筐体７０，基板姿勢変換移動機７１，チャンバ７２は，基板洗浄装置５としてユニット化されている。即ち，筐体７０を処理システム１に対して組み込むことで，基板姿勢変換移動機７１，チャンバ７２を処理システム１に対して一体的に組み込み，また，筐体７０を処理システム１から取り外すことで，基板姿勢変換移動機７１，チャンバ７２を処理システム１から一体的に取り外すことができるユニットとして構成されている。この場合，基板洗浄装置５の処理システム１に対する組み込み，取り外しを簡単に行うことができる。なお，ＦＦＵ７５も，上記のユニットに含めるようにしても良い。
【００２４】
図４に示すように，基板姿勢変換移動機７１は，ウェハＷを複数枚並べて保持可能な基板保持体７６を備えている。基板保持体７６は，２本の保持部材８１Ａ，８１Ｂを有するチャック８２，及び，後述するチャンバ７２の開口を閉塞するための略円板形状の蓋８３を備えている。図４において，蓋８３は略水平に支持されており，チャック８２は蓋８３の上面側において保持部材８１Ａ，８１Ｂが上方に向かうように配置されている。また，チャック８２を支持するシャフト８４が，蓋８３の中央部を貫通して下面側に突出するように設けられている。蓋８３の下面側において，シャフト８４には回転駆動器８５が接続されている。回転駆動器８５を駆動すると，蓋８３に対してシャフト８４が回転し，シャフト８４と一体的にチャック８２が回転する構成になっている。
【００２５】
各保持部材８１Ａ，８１Ｂには，複数個（例えば２５個）の保持溝８８が，所定間隔を空けてＺ軸方向に並べて形成されている。ウェハＷは，各保持部材８１Ａ，８１Ｂの保持溝８８に周縁部２箇所がそれぞれ挿入された状態で保持される。そして，各保持溝８８にウェハＷが挿入されることにより，複数枚のウェハＷが所定間隔を空けて互いに平行な姿勢で保持されるようになっている。
【００２６】
チャック８２は，保持部材８１Ａ，８１Ｂを支持する支持部材９１Ａ，９１Ｂを備えている。支持部材９１Ａ，９１Ｂはシャフト８４に接続されており，シャフト８４から互いに反対側に向かって延設されている。保持部材８１Ａ，８１Ｂは，それぞれ支持部材９１Ａ，９１Ｂの先端部に支持され，上方に向かって延設されている。さらに，各支持部材９１Ａ，９１Ｂには，伸縮部９３が設けられている。そして，支持部材９１Ａ，９１Ｂ及びシャフト８４には，伸縮部９３の内部に形成された空洞に空気などの気体を供給する送気路９５が内設されている。この送気路９５を介して，各保持部材８１Ａ，８１Ｂの伸縮部９３に気体を供給すると，伸縮部９３が伸長して支持部材９１Ａ，９１Ｂが伸び，保持部材８１Ａ，８１Ｂがそれぞれ外側に向かって移動する。また，送気路９５を介して，各保持部材８１Ａ，８１Ｂの伸縮部９３から気体を吸引すると，伸縮部９３が収縮して支持部材９１Ａ，９１Ｂが縮み，保持部材８１Ａ，８１Ｂが互いに近接するように内側に向かって移動する。即ち，保持部材８１Ａ，８１Ｂを互いに近接させることでウェハＷを保持し，保持部材８１Ａ，８１Ｂを互いに離隔させることでウェハＷの保持を解除するようになっている。
【００２７】
また，基板姿勢変換移動機７１は，基板保持体７６をＸ軸方向の回転中心軸を中心として回転させて水平保持状態から鉛直保持状態に変換する保持体姿勢変換機構１０１と，保持体姿勢変換機構１０１を支持して基板保持体７６及び保持体姿勢変換機構１０１を一体的にＹ軸方向にスライドさせる保持体移動機構１０２とを備えている。
【００２８】
保持体姿勢変換機構１０１は支持体１０３を備え，さらに，支持体１０３によってＸ軸方向の回転中心軸を中心として回転可能に支持された回転部材１０４Ａ，１０４Ｂを備えている。各回転部材１０４Ａ，１０４Ｂの先端は，蓋８３の下面の周縁両端部にそれぞれ固着されている。また，保持体姿勢変換機構１０１は，回転部材１０４Ｂを回転させるモータ１０５を備えている。支持体１０３は保持体移動機構１０２に沿ってスライド可能になっている。
【００２９】
モータ１０５を駆動させると，回転部材１０４Ｂが回転し，基板保持体７６と回転部材１０４Ａが回転部材１０４Ｂと一体的に，Ｘ軸方向を中心として回転するようになっている。これにより，保持部材８１Ａ，８１Ｂを，ウェハＷを略水平姿勢にして保持する水平保持状態（図５において一点鎖線）から，ウェハＷを略鉛直姿勢にして保持する鉛直保持状態（図５において二点鎖線）に姿勢変換することができる。具体的には，基板受け渡し装置４２によって略水平に並べて保持されたウェハＷをチャック８２に受け渡す時は，ウェハＷが略水平になるようにし，チャンバ７２内ではウェハＷが略垂直になるようにし，基板受け渡し装置４３にウェハＷを受け渡す時は，ウェハＷが略水平になるように姿勢変換させることができる。また，支持体１０３を保持体移動機構１０２に沿ってスライドさせることで，基板保持体７６を支持体１０３と一体的にチャンバ７２に向かって移動させ，チャック８２をチャンバ７２の内部と外部とに移動させることができる。
【００３０】
図５及び図６に示すように，チャンバ７２には，Ｙ軸方向に沿って配置された略円筒状の筒状部１１０が設けられており，この筒状部１１０によってウェハＷの周縁部を囲んで収納する構成となっている。また，チャック８２及びウェハＷをチャンバ７２内に搬入出するための略円形の開口１１１が形成されている。開口１１１は，チャンバ７２の前側面（ウェハ搬送部１０側に向いた面）に，Ｙ軸方向に向かって開口されており，また，チャンバ７２内にチャック８２が装入された状態で，基板保持体７６の蓋８３によって閉塞されるようになっている。開口１１１の周囲において，蓋８３とチャンバ７２の前面との間には，Ｏリング１１２が密着される。
【００３１】
図６に示すように，筒状部１１０の下部には，薬液やリンス液などの処理液を供給する処理液供給口１１５を備えた処理液供給機構１１６Ａ，１１６Ｂと，排液及び排気を行う下部排出口１１７が設けられている。下部排出口１１７は，筒状部１１０の下端中央部に開口されており，処理液供給機構１１６Ａ，１１６Ｂは，排出口１１７の両側にそれぞれ配置されている。筒状部１１０の上部には，乾燥用気体やパージ用気体などを供給する気体供給口１１８と，排液及び排気を行なう上部排出口１１９が設けられている。気体供給口１１８は，筒状部１１０の上端中央部に開口されている。上部排出口１１９は，気体供給口１１８よりも処理液供給機構１１６Ｂ側に下がった位置に開口されている。
【００３２】
処理液供給機構１１６Ａは，Ｙ軸方向の中心軸を中心として回転可能な略円柱状の回転部材１２１と，回転部材１２１を回転させる図示しない駆動器を備えている。回転部材１２１は，筒状部１１０に設けられたケース１２２内に収納されている。回転部材１２１の外周面の一部は，チャンバ７２内に向かって露出されており，この露出された面に，処理液供給口１１５が開口されている。また，回転部材１２１の内部には，処理液供給路１２３が設けられており，処理液供給口１１５に接続されている。この回転部材１２１を回転させると，処理液供給口１１５の向きが上向きと横向きとの間で自在に変化し，処理液供給口１１５からの処理液の供給方向が，ウェハＷに対して変化するようになっている。このようにすると，ウェハＷに処理液が効率良く接触し，処理効率を向上させることができる。なお，処理液供給機構１１６Ｂは，処理液供給機構１１６ＡとＹ−Ｚ面に対して対称な構成を有し，ほぼ同様の構成であるため，説明を省略する。
【００３３】
処理液供給路１２３には，切換弁１３１を介して，ＳＣ−１液（アンモニアと過酸化水素と水の混合溶液）を供給する薬液供給ライン１３２，ＳＣ−２液（塩酸と過酸化水素水と水の混合溶液）を供給する薬液供給ライン１３３，ＤＨＦ液（希フッ化水素水）を供給する薬液供給ライン１３４，純水（ＤＩＷ）をリンス液として供給するリンス液供給ライン１３５が接続されている。
【００３４】
下部排出口１１７には，排出路１４１が接続されている。排出路１４１には，切換弁１４２を介して，排液路１４４と，吸引ポンプ１４５を備えた排気路１４６とが接続されている。
【００３５】
気体供給口１１８には，気体供給路１５１が接続されている。気体供給路１５１には，切換弁１５２を介して，窒素（Ｎ２）ガスなどの不活性ガスを供給する不活性ガス供給ライン１５３，加熱された窒素ガスなどの不活性ガスを乾燥用ガスとして供給する加熱ガス供給ライン１５４，ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）蒸気を乾燥用ガスとして供給するＩＰＡ供給ライン１５５が接続されている。
【００３６】
上部排出口１１９には，排出路１５７が接続されている。排出路１５７には，切換弁１５８を介して，排液路１５９と排気路１６１とが接続されている。
【００３７】
図７に示すように，基板受け渡し装置４３は，２本の保持部材１６５Ａ，１６５Ｂを備えたチャック１６６を備えている。チャック１６６には，保持部材１６５Ａ，１６５Ｂを開閉させる開閉駆動機構１６７が設けられている。また，各保持部材１６５Ａ，１６５Ｂの互いに対向する面には，複数個（例えば２５個）の保持溝１６８が，所定間隔を空けてＺ軸方向に並べて形成されている。ウェハＷは，各保持部材１６５Ａ，１６５Ｂの保持溝１７８に周縁部２箇所がそれぞれ挿入された状態で保持される。そして，各保持溝１６８にウェハＷが挿入されることにより，複数枚のウェハＷが所定間隔を空けて互いに平行な姿勢で保持されるようになっている。
【００３８】
図１に示すように，チャック１６６は，チャック１６６を移動させる移動機構１７０のアーム１７１に支持されている。アーム１７１の基端部には，アーム１７１をＺ軸方向の回転中心軸を中心として回転させる回転駆動器１７２が備えられている。そして，回転駆動器１７２は，回転駆動器１７２を支持しＺ軸方向に昇降させる昇降器１７４に支持されている。そして，アーム１７１，回転駆動器１７２，昇降器１７４を各々駆動させることにより，チャック１６６を保持装置４４の上方において移動させ，基板洗浄装置５の基板保持体７６からウェハＷを受け取り，保持装置４４に搬送することができるように構成されている。
【００３９】
図７に示すように，保持装置４４は，ウェハＷの周縁部を保持する５つの保持部材１７７Ａ，１７７Ｂ，１７７Ｃ，１７７Ｄ，１７７Ｅを備えている。各保持部材１７７Ａ〜１７７Ｅは，Ｘ軸方向に向けて延設されている。保持部材１７７Ａ〜１７７Ｅのうち，保持部材１７７Ａ，１７７Ｂは，ウェハ搬送部１０側からみてＸ軸方向においてウェハＷの左右両端部を挟んで互いに対向する位置に設けられている。保持部材１７７Ｃ，１７７Ｄは，ウェハ搬送部１０側からみて保持部材１７７Ａ，１７７Ｂよりも後方に，ウェハＷの後部両側を挟んで互いに対向する位置にそれぞれ配置されている。保持部材１７７Ｅは，ウェハ搬送部１０側からみて保持部材１７７Ｃ，１７７Ｄより後方に，ウェハＷの後端部を保持する位置に配置されている。
【００４０】
各保持部材１７７Ａ〜１７７Ｅには，複数個（例えば２５個）の保持溝１７８が，所定間隔を空けてＺ軸方向に並べて形成されている。ウェハＷは，各保持部材１７７Ａ〜１７７Ｅの保持溝１７８に周縁部の５箇所がそれぞれ挿入された状態で，略水平に保持される。そして，各保持溝１７８にウェハＷが挿入されることにより，複数枚のウェハＷが所定間隔を空けて互いに平行な姿勢で保持されるようになっている。また，保持部材１７７Ａ，１７７Ｂの間を通じて，後述する搬送アーム１８１Ａを進入させることにより，ウェハＷを保持部材１７７Ａ〜１７７Ｅから取り出すことができるようになっている。
【００４１】
また，保持装置４４には，保持部材１７７Ａ〜１７７Ｅを開閉させる開閉駆動機構１７９が備えられている。開閉駆動機構１７９の駆動により，保持部材１７７Ａ〜１７７Ｅをそれぞれ内側に向かって移動させて互いに近接させると，ウェハＷを保持する状態となり，保持部材１７７Ａ〜１７７Ｅをそれぞれ外側に向かって移動させて互いに離隔させると，ウェハＷの保持を解除することができる。
【００４２】
なお，上述した保持装置４１の保持部材４７Ａ〜４７Ｅに設けた保持溝４８の間の間隔，チャック５２の保持部材５１Ａ，５１Ｂに設けた保持溝５５の間の間隔，チャック８２の保持部材８１Ａ，８１Ｂに設けた保持溝８８の間の間隔，チャック１６６の保持部材１６５Ａ，１６５Ｂに設けた保持溝１６８の間の間隔，及び，保持装置４４の保持部材１７７Ａ〜１７７Ｅに設けた保持溝１７８の間の間隔は，互いに同じ間隔になっている。さらに，これらの間隔は，キャリアＣに形成されたスロットの間の間隔より小さくしても良い。即ち，保持装置４１，チャック５２，チャック８２，チャック１６６，保持装置４４によってそれぞれ保持されたときのウェハＷ同士の間の間隔は，キャリアＣに収納されたときのウェハＷ同士の間の間隔よりも小さくしても良い。このように，ウェハＷ同士の間の間隔を小さくしてチャンバ７２に収納すると，チャンバ７２内のウェハＷの収納スペース（容積）を小さくすることができる。従って，チャンバ７２を小型化することができる。さらに，チャンバ７２内に供給される処理液や乾燥用気体の使用量を低減することができるので，省コストを図ることができる。また，保持部材４７Ａ〜４７Ｅ，保持部材５１Ａ，５１Ｂ，保持部材８１Ａ，８１Ｂ，保持部材１６５Ａ，１６５Ｂ，保持部材１７７Ａ〜１７７Ｅの長さを短くして，洗浄処理部６を小型化することができる。なお，保持装置４１，チャック５２，チャック８２，チャック１６６，保持装置４４によってそれぞれ保持されたときのウェハＷ同士の間の間隔は，例えば約３ｍｍ〜５ｍｍ程度にすれば良い。
【００４３】
図１に示すように，ウェハ搬送部１０に備えられた枚葉搬送装置９は，基板搬送装置２０とほぼ同様の構成を有している。即ち，ウェハＷを1枚ずつ略水平に保持する２本の搬送アーム１８１Ａ，１８１Ｂを備え，また，図示はしないが，各搬送アーム１８１Ａ，１８１Ｂを水平方向に個別にスライドさせるスライド機構，Ｚ軸方向の回転中心軸を中心として回転させる回転機構，Ｚ軸方向に昇降させる昇降機構を備えている。さらに，搬送アーム１８１Ａ，１８１Ｂ，スライド機構，回転機構，昇降機構は，Ｘ軸方向に延設されたレール１８２を備えた水平移動機構に沿って，一体的に移動可能になっている。そして，スライド機構，回転機構，昇降機構，水平移動機構を各々駆動させることにより各搬送アーム１８１Ａ，１８１Ｂを移動させ，各搬送アーム１８１Ａ，１８１Ｂによって，ウェハＷを洗浄処理部６から受け取ってプラズマ処理部８に搬送し，また，プラズマ処理部８から受け取ってウェハ搬入出部３側に搬送できるように構成されている。
【００４４】
ウェハ搬送部１０の前端部（ウェハ搬入出部３側の端部）には，ウェハＷを載置する受け渡し部１８３が備えられている。ウェハ搬送部１０は，受け渡し部１８３を介してウェハ搬入出部３に接続されている。なお，受け渡し部１８３には，ウェハＷの位置決め装置（ノッチアライナー）を設けても良い。
【００４５】
図１に示すように，プラズマ処理部８には，ウェハＷを一枚ずつ収納して減圧ＣＶＤ処理を行うプラズマ処理装置７Ａ，７Ｂ，及び，プラズマ処理装置７Ａ，７ＢにウェハＷを搬送する搬送装置１９１を備えたロードロック室１９２が設けられている。また，ロードロック室１９２とウェハ搬送部１０との間には，ウェハＷを裁置する載置ステージ１９３が備えられている。
【００４６】
なお，処理システム１における各装置の制御は，制御部１９５の命令によって行われている。制御部１９５には，基板洗浄装置５の制御を行うプログラム，プラズマ処理装置７Ａ，７Ｂの制御を行うプログラム，基板洗浄装置５における処理とプラズマ処理装置７Ａ，７Ｂにおける処理との間の時間調整等を行う機能などが格納されている。さらに，制御部１９５に対する上位の制御部１９６が備えられており，下位の制御部１９５と上位の制御部１９６との間で，制御命令や，処理システム１における処理に関するデータなどの各種信号が送受信される構成になっている。また，制御部１９６は，処理システム１の制御部１９５の他，他の処理システムに備えられた下位の制御部も制御している。
【００４７】
次に，以上のように構成された処理システム１を用いたウェハＷの処理工程を説明する。先ず，図示しないキャリア搬送装置によって，２５枚のウェハＷを所定間隔で収納したキャリアＣをキャリア載置台１５Ａ〜１５Ｄに載置する。そして，基板搬送装置２０を駆動させ，搬送アーム２１Ａによってキャリア載置台１５Ａ〜１５Ｄ上のキャリアＣ内から一枚のウェハＷを取り出す。そして，搬送アーム２１Ａと取り出したウェハＷを開口３１に対向する位置に移動させ，開口３１から保持装置４１の保持部材４７Ａ，４７Ｂの間に搬送アーム２１Ａ及びウェハＷを進入させ，ウェハＷの周縁部を保持部材４７Ａ〜４７Ｅの保持溝４８に挿入させる。ウェハＷを保持部材４７Ａ〜４７Ｅの保持溝４８に受け渡したら，搬送アーム２１ＡをウェハＷから離し，保持部材４７Ａ，４７Ｂの間から退出させ，開口３１から退出させる。ウェハＷは保持部材４７Ａ〜４７Ｅによって略水平に保持される。こうして，搬送アーム２１ＡによってウェハＷを一枚ずつキャリアＣから取り出し，保持装置４１の保持部材４７Ａ〜４７Ｅに受け渡していき，保持部材４７Ａ〜４７ＥにウェハＷを略水平に並べて保持させる。また，搬送アーム２１ＡによってウェハＷを一枚ずつ受け渡すことで，保持部材４７Ａ〜４７Ｅの保持溝４８の間隔がキャリアＣのスロットの間隔よりも狭くなっている場合でも，ウェハＷを各保持溝４８の位置に合わせて挿入し，確実に受け渡すことができる。
【００４８】
保持部材４７Ａ〜４７ＥにウェハＷを複数枚，例えば２５枚保持させたら，次に，保持部材５１Ａ，５１Ｂを開いた状態のチャック５２を基板受け渡し装置４２の回転駆動器６３，昇降器６４の駆動により移動させ，保持部材４７Ａ〜４７Ｅに保持されたウェハＷの上方から保持部材５１Ａ，５１Ｂを下降させ，ウェハＷの両側に配置させる。そして，開閉駆動機構５４の駆動により，保持部材５１Ａ，５１Ｂをそれぞれ内側に移動させ，ウェハＷの周縁部を各保持部材５１Ａ，５１Ｂの保持溝５５に挿入させる。こうして，保持部材５１Ａ，５１ＢによってウェハＷの両側を保持したら，開閉駆動機構４９の駆動により，保持部材４７Ａ〜４７Ｅをそれぞれ外側に向かって移動させ，保持部材４７Ａ〜４７ＥによるウェハＷの保持を解除する。そして，昇降器６４の駆動により，ウェハＷを受け取ったチャック５２を保持部材４７Ａ〜４７Ｅから上昇させる。さらに，アーム６２を回転させて，チャック５２及びウェハＷを基板洗浄装置５の基板保持体７６に向かって移動させる。
【００４９】
一方，基板洗浄装置５では，基板保持体７６をチャンバ７２の外に配置し，蓋８３を略水平にして，チャック８２を蓋８３の上方に向けておく。さらに，保持部材８１Ａ，８１Ｂをそれぞれ外側に移動させ，チャック８２を開いた状態にして待機させておく。
【００５０】
そして，チャック５２及びウェハＷをチャック８２の上方から下降させ，チャック５２及びウェハＷが保持部材８１Ａ，８１Ｂに接触しないようにして，保持部材８１Ａ，８１Ｂの間に配置させる。例えば，Ｘ軸方向においてウェハＷの中心を挟んで互いに対向する周縁部２箇所をチャック５２の保持部材５１Ａ，５１Ｂによって保持し，また，Ｙ軸方向においてウェハＷの中心を挟んで互いに対向する周縁部２箇所の外側に，チャック８２の保持部材８１Ａ，８１Ｂをそれぞれ配置させるようにする。なお，回転駆動器８５の駆動により，チャック８２を回転させることで，保持部材８１Ａ，８１Ｂがチャック５２及びウェハＷに接触しない位置に調整することができる。そして，保持部材８１Ａ，８１ＢをウェハＷの両側に配置させたら，保持部材８１Ａ，８１Ｂを内側に向かって移動させ，各保持部材８１Ａ，８１Ｂの保持溝８８にウェハＷの周縁部を挿入させる。保持部材８１Ａ，８１ＢによってウェハＷの周縁部を保持したら，開閉駆動機構５４の駆動により，保持部材５１Ａ，５１Ｂをそれぞれ外側に移動させ，ウェハＷの周縁部から保持部材５１Ａ，５１Ｂを離隔させる。こうして，ウェハＷをチャック５２からチャック８２に受け渡したら，昇降器６４の駆動により，チャック５２をチャック８２から上昇させ，アーム６２を回転させて，チャック５２をチャック８２の上方から退避させ，保持装置４１側に移動させる。
【００５１】
次に，保持体姿勢変換機構１０１のモータ１０５を駆動させ，回転部材１０４Ｂを回転させる。これにより，基板保持体７６を回転部材１０４Ａ，１０４Ｂと一体的に，Ｘ軸方向を中心として約９０°回転させ，チャック８２がチャンバ７２側に向かうようにする。即ち，チャック８２の保持部材８１Ａ，８１Ｂの向きを略鉛直から略水平にして，ウェハＷを略水平姿勢で並べて保持した水平保持状態（図５において一点鎖線）から，ウェハＷを略鉛直姿勢で並べて保持した鉛直保持状態（図５において二点鎖線）に姿勢変換させる。
【００５２】
基板保持体７６を鉛直保持状態にしたら，基板保持体７６を保持体移動機構１０２に沿ってスライドさせ，チャンバ７２の開口１１１に向かって移動させる。そして，図５に示すように，チャンバ７２内にチャック８２及びウェハＷを進入させ，開口１１１を基板保持体７６の蓋８３によって閉塞する。
【００５３】
こうしてウェハＷをチャンバ７２に収納し，チャンバ７２内を密閉したら，チャンバ７２内で洗浄処理を開始する。先ず，薬液供給ライン１３２，処理液供給路１２３，及び，処理液供給機構１１６Ａ，１１６Ｂの処理液供給口１１５を介して，薬液としてＳＣ−１液を供給する。ＳＣ−１液は，ウェハＷの下方両側に位置する処理液供給機構１１６Ａ，１１６Ｂの各処理液供給口１１５からチャンバ７２内に供給される。ＳＣ−１液の供給により，チャンバ７２内の雰囲気は上部排出口１１９から押し出され，排出路１５７及び排気路１６１を介して排気される。なお，薬液を貯留する際は，下部排出口１１７に接続された排出路１４１の切換弁１４２は閉じておき，排液が行われないようにしておく。そして，チャンバ７２内にＳＣ−１液を貯留してウェハＷ全体を浸漬させ，所定時間の浸漬処理を行う。
【００５４】
ＳＣ−１液による浸漬処理が終了したら，切換弁１３１を切り換えてリンス液供給ライン１３５と処理液供給路１２３を連通させ，リンス液供給ライン１３５，処理液供給路１２３，処理液供給機構１１６Ａ，１１６Ｂの処理液供給口１１５を介して，チャンバ７２内に純水を供給する。また，切換弁１５８の切り換えにより排出路１５７と排液路１５９を連通させ，上部排出口１１９，排出路１５７及び排液路１５９を介して排液を行う。そして，純水によってＳＣ−１液を上部排出口１１９に押し出して排液させることにより，チャンバ７２内のＳＣ−１液を純水に置換しながら，ウェハＷを純水によってリンス処理する。処理液供給口１１５から供給された純水は，ウェハＷの間を通って上部排出口１１９に向かい，排液される。こうしてチャンバ７２内に液流が形成されることにより，ウェハＷ及びチャンバ７２の内面からＳＣ−１液を確実に洗い流すことができる。さらに，処理液供給機構１１６Ａ，１１６Ｂの各回転部材１２１を回転させ，処理液供給口１１５が上向きになる位置と横向きになる位置との間で往復するように動かしながら，純水を供給しても良い。この場合，処理液供給口１１５からの純水の供給方向が上向きと横向きとの間で変化し，ウェハＷに様々な方向の液流が接触するので，さらに効率よく確実に薬液を洗い流すことができる。
【００５５】
リンス処理が終了したら，下部排出口１１７，排出路１４１及び排液路１４４を介して，チャンバ７２内から純水を排液する。なお，排液を行う際は，不活性ガス供給ライン１５３，気体供給路１５１及び気体供給口１１８を介して窒素ガスを供給し，窒素ガスにより処理液をチャンバ７２内から押し出すように排液しても良い。純水を排液したら，薬液供給ライン１３３から処理液供給路１２３，処理液供給機構１１６Ａ，１１６Ｂの処理液供給口１１５を介して，チャンバ７２内に薬液としてＳＣ−２液を供給して，ウェハＷを浸漬処理する。
【００５６】
ＳＣ−２液による浸漬処理が終了したら，前述したＳＣ−１液から純水への置換と同様にして，ＳＣ−２液を純水に置換し，純水によってウェハＷをリンス処理する。リンス処理が終了したら，下部排出口１１７，排出路１４１及び排液路１４４を介して，チャンバ７２内から純水を排液する。
【００５７】
次に，薬液供給ライン１３４から処理液供給路１２３，処理液供給機構１１６Ａ，１１６Ｂの処理液供給口１１５を介して，チャンバ７２内に薬液としてＤＨＦ液を供給して，ウェハＷを浸漬処理する。
【００５８】
ＤＨＦ液による浸漬処理が終了したら，前述したＳＣ−１液から純水への置換と同様にして，ＤＨＦ液を純水に置換し，純水によってウェハＷをリンス処理する。リンス処理が終了したら，下部排出口１１７，排出路１４１及び排液路１４４を介して，チャンバ７２内から純水を排液する。こうして，一連の洗浄処理が終了する。なお，上述したＳＣ−１，ＳＣ−２，ＤＨＦなどの薬液による浸漬処理においては，処理液供給機構１１６Ａ，１１６Ｂの各処理液供給口１１５から薬液を供給しながら，上部排出口１１９，及び，排液路１５９を介して排液することにより，チャンバ７２内に液流を形成するようにしても良い。この場合，各処理液供給口１１５からウェハＷの間を通って上昇し，上部排出口１１９に向かう流れが形成される。これにより，ウェハＷに薬液を効率良く接触させることができる。また，回転部材１２１を回転させ，処理液供給口１１５からの処理液の供給方向を変化させるようにしても良い。これにより，薬液をさらに効率良くウェハＷに接触させることができ，薬液処理を促進させることができる。
【００５９】
洗浄処理が終了したら，ウェハＷの乾燥処理を開始する。乾燥処理においては，先ず，切換弁１５２の切り換えにより気体供給路１５１とＩＰＡ供給ライン１５５を連通させ，ＩＰＡ供給ライン１５５から気体供給路１５１，気体供給口１１８を介して，乾燥用気体としてＩＰＡ蒸気を供給する。また，切換弁１４２の切り換えにより排出路１４１と排気路１４６を連通させ，下部排出口１１７，排出路１４１及び排気路１４６を介してチャンバ７２内を排気する。従って，ＩＰＡ蒸気は，ウェハＷの上方に位置する気体供給口１１８からウェハＷの間を通って下降し，下部排出口１１７に向かって流れるように供給される。こうして，所定時間ＩＰＡ蒸気をチャンバ７２内に供給し，ウェハＷに付着した純水をＩＰＡに置換させる。
【００６０】
ＩＰＡ蒸気による処理が終了したら，切換弁１５２の切り換えにより気体供給路１５１と加熱ガス供給ライン１５４を連通させ，加熱ガス供給ライン１５４から気体供給路１５１及び気体供給口１１８を介して，乾燥用気体として窒素ガスを供給する。また，下部排出口１１７，排出路１４１及び排気路１４６を介してチャンバ７２内を排気する。窒素ガスは，気体供給口１１８からウェハＷの間を通って下降し，下部排出口１１７に向かって流れる。こうして，加熱された窒素ガスを所定時間供給し，ウェハＷを乾燥させる。
【００６１】
窒素ガスによる乾燥処理が終了したら，窒素ガスの供給と排気を停止させる。こうして，基板洗浄装置５におけるウェハＷの洗浄処理と乾燥処理が終了する。なお，上述したＳＣ−１，ＳＣ−２，ＤＨＦなどの薬液による浸漬処理，リンス処理，ＩＰＡ蒸気や窒素ガスなどの乾燥用気体による乾燥処理においては，基板保持体７６に設けた回転駆動器８５の駆動によりチャック８２を回転させ，チャック８２と一体的にウェハＷを回転させるようにしても良い。図５において，回転駆動器８５を駆動させると，蓋８３は静止したまま，チャック８２がＹ軸方向の中心軸を中心として回転させられる。ウェハＷは，チャック８２と一体的に，ウェハＷの中心部を中心として回転させられる。こうして，チャンバ７２内でウェハＷを回転させることにより，薬液やリンス液をウェハＷに効率良く接触させることができ，処理効率を向上させることができる。また，乾燥処理においては，遠心力によってウェハＷから液滴が除去され，乾燥を促進させることができる。
【００６２】
基板洗浄装置５での洗浄及び乾燥処理が終了したら，基板保持体７６を保持体移動機構１０２に沿ってスライドさせ，蓋８３を離して開口１１１を開き，チャンバ７２内からチャック８２及びウェハＷを退出させる。さらに，モータ１０５の駆動により，回転部材１０４Ａを回転させる。これにより，基板保持体７６を回転部材１０４Ａ，１０４Ｂと一体的に，Ｘ軸方向を中心として約９０°回転させ，チャック８２及びウェハＷが蓋８３の上方に向かうようにする。即ち，チャック８２の保持部材８１Ａ，８１Ｂの向きを略鉛直から略水平にして，鉛直保持状態から水平保持状態に姿勢変換させる。
【００６３】
基板保持体７６を姿勢変換したら，保持部材１６５Ａ，１６５Ｂを開いた状態のチャック１６６を基板受け渡し装置４３の回転駆動器１７２，昇降器１７４の駆動により移動させ，チャック８２に保持されたウェハＷの上方から保持部材１６５Ａ，１６５Ｂを下降させ，保持部材８１Ａ，８１Ｂに接触しないようにして，ウェハＷの両側に配置させる。なお，回転駆動器８５の駆動により，チャック８２を回転させることで，保持部材８１Ａ，８１Ｂがチャック１６６に接触しない位置に調整することができる。ウェハＷの両側に保持部材１６５Ａ，１６５Ｂを配置させたら，保持部材１６５Ａ，１６５Ｂを内側に向かって移動させ，各保持部材１６５Ａ，１６５Ｂの保持溝１６８にウェハＷの周縁部を挿入させる。保持部材１６５Ａ，１６５ＢによってウェハＷの周縁部を保持したら，保持部材８１Ａ，８１Ｂをそれぞれ外側に移動させ，ウェハＷの周縁部から保持部材８１Ａ，８１Ｂを離隔させる。こうして，ウェハＷをチャック８２からチャック１６６に受け渡したら，昇降器１７４の駆動により，チャック１６６をチャック８２から上昇させ，アーム１７１を回転させて，チャック１６６をチャック８２の上方から退避させ，保持装置４４側に移動させる。
【００６４】
一方，保持装置４４では，保持部材１７７Ａ〜１７７Ｅをそれぞれ外側に向かって移動させ，保持解除状態にしておく。そして，基板受け渡し装置４３の昇降器１７４の駆動により，チャック１６６及びウェハＷを下降させ，チャック１６６及びウェハＷが保持部材１７７Ａ〜１７７Ｅに接触しないようにして，保持部材１７７Ａ〜１７７Ｅに囲まれた位置にウェハＷを配置させる。さらに，開閉駆動機構１７９の駆動により，保持部材１７７Ａ〜１７７Ｅをそれぞれ内側に移動させ，ウェハＷの周縁部を各保持部材１７７Ａ〜１７７Ｅの保持溝１７８に挿入させる。こうして，保持部材１７７Ａ〜１７７ＥによってウェハＷを保持したら，保持部材１６５Ａ，１６５Ｂをそれぞれ外側に向かって移動させてウェハＷから離隔させ，保持部材１６５Ａ，１６５ＢによるウェハＷの保持を解除する。そして，昇降器１７４の駆動により，チャック１６６を保持部材１７７Ａ〜１７７Ｅ及びウェハＷから上昇させる。
【００６５】
その後，枚葉搬送装置９の搬送アーム１８１Ａによって，保持部材１７７Ａ〜１７７Ｅに保持された複数枚のウェハＷから一枚ずつウェハＷを取り出して搬送し，プラズマ処理部８の載置ステージ１９３に載置する。プラズマ処理部８では，ロードロック室１９２内の搬送装置１９１によって載置ステージ１９３に載置されたウェハＷを一枚ずつ取り出し，プラズマ処理装置７Ａに搬入する。プラズマ処理装置７ＡにウェハＷを搬入したら，次のウェハＷを搬送アーム１８１Ａによって保持部材１７７Ａ〜１７７Ｅから取り出して，載置ステージ１９３に載置し，搬送装置１９１によってプラズマ処理装置７Ｂに搬入する。
【００６６】
プラズマ処理装置７Ａ，７Ｂでは，それぞれウェハＷを減圧ＣＶＤ処理し，ウェハＷの表面に薄膜を形成させる。減圧ＣＶＤ処理が終了したら，搬送装置１９１によってウェハＷをプラズマ処理装置７Ａ（７Ｂ）から搬出し，再びウェハＷを載置ステージ１９３に載置する。そして，枚葉搬送装置９の搬送アーム１８１Ｂによって，載置ステージ１９３からウェハＷを取り出して搬送し，受け渡し部１８３に載置する。受け渡し部１８３にウェハＷが載置されたら，基板搬送装置２０の搬送アーム２１Ｂによって受け渡し部１８３からウェハＷを一枚ずつ取り出し，キャリア載置台１５Ａ〜１５Ｄ上のキャリアＣ内に収納する。
【００６７】
枚葉搬送装置９は，プラズマ処理装置７Ａ（７Ｂ）からウェハＷを搬出して受け渡し部１８３に搬送したら，保持装置４４から次のウェハＷを取り出し，プラズマ処理装置７Ａ（７Ｂ）に搬入する。こうして，洗浄及び乾燥処理済のウェハＷを保持装置４４によって複数枚並べて待機させておき，枚葉搬送装置９によってウェハＷを一枚ずつ順次取り出してプラズマ処理部８に搬入していく。プラズマ処理部８では，２台のプラズマ処理装置７Ａ，７ＢによってウェハＷの処理を並行して行うことができるので，ウェハＷを効率的に処理することができる。
【００６８】
以上のように，プラズマ処理装置７Ａ，７Ｂにおいて２５枚のウェハＷを順次処理して，キャリアＣに収納していき，キャリアＣ内に減圧ＣＶＤ処理済のウェハＷが２５枚収納されたら，キャリア載置台１５Ａ〜１５Ｄ上からキャリアＣを搬出する。こうして，処理システム１における一連の工程が終了する。
【００６９】
なお，上記の一連の工程において，保持装置４１の保持部材４７Ａ〜４７Ｅから基板受け渡し装置４２にウェハＷを受け渡したら，次のウェハＷをキャリアＣから搬送して保持部材４７Ａ〜４７Ｅに受け渡し始めるようにし，基板洗浄装置５において洗浄及び乾燥処理が完了したウェハＷが基板保持体７６から搬出される前に，保持部材４７Ａ〜４７Ｅに２５枚のウェハＷを移載するようにしても良い。この場合，基板保持体７６からウェハＷを搬出したら，保持部材４７Ａ〜４７Ｅに待機させた次のウェハＷをすぐに基板保持体７６に受け渡し，洗浄処理を続けて開始させることができる。従って，基板洗浄装置５を長く待機させることなく効率的に稼動させ，スループットを向上させることができる。
【００７０】
また，基板洗浄装置５の基板保持体７６から洗浄及び乾燥後のウェハＷを取り出したら，次の未処理のウェハＷを基板保持体７６に受け渡して洗浄処理を開始するようにし，保持装置４４に保持された２５枚のウェハＷが枚葉搬送装置９によって総て取り出される前に，基板洗浄装置５での洗浄及び乾燥処理を完了させ，保持装置４４からウェハＷが総て取り出されたら，すぐに次の洗浄及び乾燥処理を終了したウェハＷを保持装置４４に受け渡すようにしても良い。この場合，保持装置４４からプラズマ処理部８にウェハＷを連続的に搬送することができるので，スループットを向上させることができる。
【００７１】
また，基板洗浄装置５における洗浄及び乾燥処理の処理時間は，通常，各プラズマ処理装置７Ａ，７Ｂにおける減圧ＣＶＤ処理の処理時間よりも長いが，基板洗浄装置５で一括して処理するウェハＷの枚数（即ち，保持装置４４に一度に受け渡されるウェハＷの枚数）を例えば５〜２５枚程度にすることにより，基板洗浄装置５での洗浄及び乾燥処理の処理時間と，保持装置４４に一度に受け渡されたウェハＷをプラズマ処理部８で総て熱処理するために要する時間とを，ほぼ同じ長さに調節することができる。即ち，洗浄処理部６のスループットと，プラズマ処理部８のスループットとを合わせることが可能であり，プラズマ処理装置７Ａ，７Ｂを待機させることなく，ウェハＷの減圧ＣＶＤ処理を連続して行うことができ，効率的である。
【００７２】
かかる処理システム１によれば，基板洗浄装置５から搬出した洗浄及び乾燥処理済みの複数枚のウェハＷを保持装置４４に搬送して待機させ，基板洗浄装置５において次の複数枚のウェハＷを処理している間に，保持装置４４からプラズマ処理装置７Ａ，７Ｂに基板を順次搬入して，プラズマ処理装置７Ａ，７Ｂで処理することができる。従って，ウェハＷを効率的に処理することができる。
【００７３】
また，複数枚のウェハＷをチャンバ７２内で一括して洗浄処理及び乾燥処理する基板洗浄装置５を用いたことにより，チャンバ７２の外に乾燥処理部を別個に設ける必要がなく，省スペースを図ることができる。さらに，処理システム１に複数のプラズマ処理装置７Ａ，７Ｂを備えても，処理システム１のフットプリントが大きくなりすぎず，好適に配置することができる。
【００７４】
基板洗浄装置５においては，処理槽から乾燥処理部にウェハＷを搬送する必要がなく，連続的に洗浄処理と乾燥処理を行い，洗浄処理開始から乾燥処理終了までの時間を短縮できるため，スループットが良好である。従って，プラズマ処理装置７Ａ，７Ｂの待機時間を短くすることができ，効率的に処理することができる。さらに，２個のプラズマ処理装置７Ａ，７Ｂによって並行して処理することができるので，減圧ＣＶＤ処理のスループットが良好であり，基板洗浄装置５において洗浄及び乾燥処理された後のウェハＷの待機時間を短くすることができる。
【００７５】
また，制御部１９５において基板洗浄装置５の制御，プラズマ処理装置７Ａ，７Ｂの制御，基板洗浄装置５における処理とプラズマ処理装置７Ａ，７Ｂにおける処理との間の時間調整等を行う構成になっているので，基板洗浄装置とプラズマ処理装置をそれぞれ別の処理システムに備える場合よりも，上位の制御部１９６の制御が簡単になる。即ち，基板洗浄装置とプラズマ処理装置をそれぞれ別の処理システムに備えた場合，上位制御部１９６において，基板洗浄装置を備えた処理システムとプラズマ処理装置を備えた処理システムとの間の時間調整など，煩雑な作業を行わなければならないが，一つの処理システム１に基板洗浄装置５とプラズマ処理装置７Ａ，７Ｂとを備え，制御部１９５によって時間調整を行うことにより，上位制御部１９６の仕事量を軽減することができる。
【００７６】
以上，本発明の好適な実施の形態の一例を示したが，本発明はここで説明した形態に限定されない。例えば，基板は半導体ウェハに限らず，その他のＬＣＤ基板用ガラスやＣＤ基板，プリント基板，セラミック基板などであっても良い。
【００７７】
本実施の形態では，基板搬送装置２０によってウェハＷを1枚ずつキャリアＣから取り出し，保持装置４１に受け渡す構成としたが，例えば，保持溝４８，５５，８８，１６８，１７８の間隔がそれぞれキャリアＣに形成されたスロットの間の間隔と同じである場合は，勿論，複数枚のウェハＷを一括してキャリアＣから取り出し，保持装置４１に受け渡す構成としても良い。
【００７８】
本実施の形態では，洗浄及び乾燥処理後のウェハＷは保持装置４４に待機させることとしたが，保持装置４１に待機させるようにしても良い。例えば，図８に示すように，保持装置４１及び基板受け渡し装置４２のみを設け，保持装置４４及び基板受け渡し装置４３は設けない構成とする。そして，未処理のウェハＷを基板搬送装置２０によってキャリアＣから保持装置４１に渡し，基板受け渡し装置４２によって保持装置４１から受け取って基板洗浄装置５のチャック８２に渡し，洗浄及び乾燥処理後，ウェハＷを基板受け渡し装置４２によって基板洗浄装置５のチャック８２から受け取って保持装置４１に渡して待機させ，枚葉搬送装置９によって保持装置４１からウェハＷを取り出してプラズマ処理部８に搬送する構成としても良い。
【００７９】
処理システム１には，基板処理装置５を２台以上備えても良い。例えば，図９に示すように，ウェハ搬入出部３側からみてウェハ搬送部１０を挟んで対向する左右両側２箇所に，それぞれ洗浄処理部を配置する。図９において，洗浄処理部６Ａは，実施の形態に示した洗浄処理部６と同様の構成及び配置になっている。洗浄処理部６Ｂは，洗浄処理部６ＡとＸ−Ｚ平面に対して対称な構成を有し，ウェハ搬入出部側からみてウェハ搬送部１０の左側方に配置されている。洗浄処理部６Ｂの前部はウェハ搬入出部３の後部左側に接続されている。このように，基板処理装置５を複数設けると，ウェハＷの洗浄及び乾燥処理を複数の基板処理装置５で並行して行うことができるので，洗浄及び乾燥処理のスループットを向上させることができる。
【００８０】
また，複数の基板洗浄装置をＸ軸方向に並べて配列したり，上下に配列したりしても良い。さらに，複数の基板洗浄装置と保持装置４１との間で，一つの基板受け渡し装置４２によってウェハＷを搬送できる構成にしても良く，複数の基板洗浄装置５と保持装置４４との間で，一つの基板受け渡し装置４３によってウェハＷを搬送できる構成にしても良い。例えば，図１０に示すように，洗浄処理部６内に２台の基板洗浄装置５Ａ，５Ｂを上下に積み重ねて設置しても良い。図１０において，基板洗浄装置５Ａは，実施の形態に示した基板洗浄装置５とほぼ同様の構成及び配置になっており，基板洗浄装置５Ｂは，基板洗浄装置５Ａの上方に配置されている。保持装置４１，４４も，実施の形態に示したものとほぼ同様の構成及び配置になっている。基板受け渡し装置４２のチャック５２は，基板洗浄装置５Ｂの基板保持体７６にウェハＷを受け渡すことが可能な高さまで上昇可能であり，基板受け渡し装置４３のチャック１６６は，基板洗浄装置５Ｂの基板保持体７６からウェハＷを受け取ることが可能な高さまで上昇可能になっている。そして，基板受け渡し装置４２によってウェハＷを保持装置４１から各基板洗浄装置５Ａ，５Ｂに搬送し，また，基板受け渡し装置４３によってウェハＷを各基板洗浄装置５Ａ，５Ｂから保持装置４４に搬送する構成となっている。さらに，基板洗浄装置５は３台以上多段に積み重ねても良い。また，複数の洗浄処理部６をＺ軸方向に多段に重ねて配置しても良い。
【００８１】
本実施の形態では，プラズマ処理部８に２台のプラズマ処理装置７Ａ，７Ｂを備えることとしたが，プラズマ処理装置は１台又は３台以上備えても良い。例えば，図９に示すように，ロードロック室１９２の後側面，右側面，及び左側面に，それぞれプラズマ処理装置７Ａ，７Ｂ，７Ｃを接続する。このように，プラズマ処理装置を複数設けることで，減圧ＣＶＤ処理を複数のプラズマ処理装置で並行して行い，減圧ＣＶＤ処理のスループットを向上させることができる。また，プラズマ処理装置を多段に積み重ねて備えても良い。
【００８２】
また，基板洗浄装置５のチャンバ７２内に供給する処理液や乾燥用気体などは，実施の形態に示したものに限定されない。さらに，バッチ式基板処理装置は，洗浄処理を行う基板洗浄装置に限定されず，その他の種々の処理液や気体などを用いて，他の処理を基板に対して施すものであっても良い。
【００８３】
また，枚葉式基板処理装置は，減圧ＣＶＤ処理を行うプラズマ処理装置に限定されず，他の種類の装置であっても良い。例えば，拡散炉，エッチング装置，ステッパなどの露光装置等を枚葉式基板処理装置として備えても良い。
【００８４】
本実施の形態では，バッチ式基板処理装置でウェハを処理した後に枚葉式基板処理装置で処理する場合を説明したが，枚葉式基板処理装置の種類に応じて，最初に枚葉式基板処理装置で処理し，その後，バッチ式基板処理装置で処理するようにしても良い。例えば，枚葉式基板処理装置がエッチング装置である場合は，最初にウェハをエッチング装置によってエッチング処理し，その後，基板洗浄装置において洗浄及び乾燥処理を行えば良い。
【００８５】
図１１に例示した処理システム２１０は，処理システム１のプラズマ処理装置７Ａ，７Ｂに換えて２台の枚葉式のエッチング装置２１１Ａ，２１１Ｂを備えたエッチング処理部２１２を備えている。かかる処理システム２１０においては，先ず，基板搬送装置２０の搬送アーム２１ＡによってウェハＷを一枚ずつキャリアＣから取り出したら，受け渡し部１８３に載置し，枚葉搬送装置９の搬送アーム１８１Ａによって，受け渡し部１８３から載置ステージ１９３にウェハＷを搬送する。そして，ロードロック室１９２内の搬送装置１９１によってウェハＷを載置ステージ１９３からエッチング装置２１１Ａ（２１１Ｂ）に搬送する。エッチング装置２１１Ａ（２１１Ｂ）でエッチング処理を行ったら，ウェハＷを載置ステージ１９３に戻し，枚葉搬送装置９の搬送アーム１８１ＢによってウェハＷを載置ステージ１９３から保持装置４４に搬送する。そして，保持装置４４にエッチング処理済のウェハＷが複数枚，例えば２５枚受け渡されたら，基板受け渡し装置４３のチャック１６６によってウェハＷを保持して搬送し，基板保持体７６のチャック８２にウェハＷを受け渡す。そして，基板洗浄装置５においてウェハＷの洗浄と乾燥処理を行う。洗浄及び乾燥処理が終了したら，基板受け渡し装置４２のチャック５２によって，基板保持体７６のチャック８２からウェハＷを受け取って搬送し，保持装置４１に受け渡す。そして，基板搬送装置２０の搬送アーム２１Ｂによって，保持装置４１に保持されたウェハＷを一枚ずつキャリアＣに収納していく。なお，基板洗浄装置５で洗浄及び乾燥処理を行っている間に，エッチング装置２１１Ａ，２１１ＢではウェハＷを順次エッチング処理し，保持装置４４に搬送して待機させることができる。そして，基板洗浄装置５で洗浄及び乾燥処理が終了したら，次のウェハＷを保持装置４４から搬送して，洗浄及び乾燥処理を連続的に行うことができる。また，基板洗浄装置５で洗浄及び乾燥処理を行っている間に，保持装置４１に搬送したウェハＷをキャリアＣに戻す作業を行い，基板洗浄装置５で洗浄及び乾燥処理が終了したら，すぐにウェハＷを保持装置４１に受け渡して，キャリアＣに戻すことができる。このように，処理システム２１０においては，エッチング装置２１１Ａ，２１１Ｂから搬出した後で基板洗浄装置５に搬入する前にウェハＷを待機させる待機部として保持装置４４を使用し，基板洗浄装置５から搬出した後でキャリアＣに搬入する前にウェハＷを待機させる待機部として保持装置４１を使用するように構成されている。
【００８６】
かかる処理システム２１０によれば，基板洗浄装置５において先に搬入したウェハＷの洗浄及び乾燥処理を行っている間に，エッチング装置２１１Ａ，２１１Ｂにおいて複数枚のウェハＷを順次エッチング処理し，ウェハＷを保持装置４４に順次搬送して待機させることができる。そして，基板洗浄装置５で先に搬入したウェハＷの洗浄及び乾燥処理が終了したら，すぐに保持装置４４から基板洗浄装置５に複数枚のウェハＷを搬送し，一括して洗浄及び乾燥処理することができる。従って，基板洗浄装置５を長く待機させることなく，ウェハＷを効率的に処理することができる。
【産業上の利用可能性】
【００８７】
本発明は，例えば，基板を熱処理する前に洗浄処理する処理システム，基板をエッチング処理した後に洗浄処理する処理システムなどに適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】本実施の形態にかかる処理システムの概略平面図である。
【図２】ウェハ搬入出部と洗浄処理部の概略縦断面図である。
【図３】第一の保持装置と基板受け渡し装置のチャックの斜視図である。
【図４】基板保持体の斜視図である。
【図５】基板洗浄装置の概略縦断面図である。
【図６】図５におけるＡ−Ａ線によるチャンバの縦断面図である。
【図７】第二の保持装置と基板受け渡し装置のチャックの斜視図である。
【図８】第二の保持装置と第二の基板受け渡し装置を設けず，第一の保持装置と第一の基板受け渡し装置のみを設けた実施形態にかかる処理システムの概略平面図である。
【図９】洗浄処理部とプラズマ処理装置を増設した実施形態にかかる処理システムの概略平面図である。
【図１０】基板洗浄装置を上下に配列した実施形態にかかる洗浄処理部の概略縦断面図である。
【図１１】エッチング処理装置を設けた処理システムの概略平面図である。
【符号の説明】
【００８９】
Ｃ      キャリア
Ｗ      ウェハ
１      処理システム
５      基板洗浄装置
６      洗浄処理部
７Ａ，７Ｂ  プラズマ処理装置
８      プラズマ処理部
９      枚葉搬送装置
１０    ウェハ搬送部
２０    基板搬送装置
４１    保持装置
４２    基板受け渡し装置
４３    基板受け渡し装置
４４    保持装置
７６    基板保持体
７２    チャンバ
８１Ａ，８１Ｂ  保持部材
８２    チャック
８３    蓋
１０１  保持体姿勢変換機構
１０２  保持体移動機構
１１１  開口
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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