(57)【要約】【課題】  中心導体のポート部とアース部の厚さが厚く、且つ、幅寸法の精度が良くなって、小型で、性能の良好な非可逆回路素子を提供する。【解決手段】  本発明の非可逆回路素子において、中心導体８，９，１０のポート部８ａ、９ａ、１０ａとアース部８ｂ、９ｂ、１０ｂは、フェライト部材６の側面６ｂ、６ｃに形成された凹部からなる溝６ｅ内に設けられたため、ポート部８ａ、９ａ、１０ａとアース部８ｂ、９ｂ、１０ｂの幅寸法は、フェライト部材６の側面６ｂ、６ｃに形成された溝６ｅによって一定幅に形成できて、幅寸法の精度が良く、電気的な性能を良好にできるばかりか、溝６ｅ内に導電材を充填することによって、ポート部８ａ、９ａ、１０ａとアース部８ｂ、９ｂ、１０ｂの厚さを厚くでき、従って、フェライト部材６の角部上での接続の信頼性が高くなって、断線の生じ難いものが得られる。【選択図】        図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気閉回路を形成する第１，第２のヨークと、この第１，第２のヨーク間に配置された磁石、及びフェライト部材と、前記磁石と前記フェライト部材との間に位置した状態で、誘電体を挟んで上下方向に一部が交叉するように、前記フェライト部材上に配置された導電材からなる第１，第２，第３の中心導体とを備え、前記フェライト部は板材で形成され、前記中心導体と前記誘電体は、前記フェライト部材の一面側に直接、薄膜、或いは厚膜によって形成されると共に、前記中心導体のそれぞれは、一端から延びるポート部と、他端から延びるアース部を有し、前記中心導体の前記ポート部と前記アース部は、前記フェライト部材の側面に形成された凹部からなる複数の溝内に設けられたことを特徴とする非可逆回路素子。
【請求項２】
前記ポート部と前記アース部は、前記導電材が前記溝内を埋めて形成されたことを特徴とする請求項１記載の非可逆回路素子。
【請求項３】
前記フェライト部材の他面側には、前記アース部に接続されたアース膜部が設けられ、前記第１のヨークに導通されたことを特徴とする請求項１、又は２記載の非可逆回路素子。
【請求項４】
前記フェライト部材は、四角形の前記板材で形成され、前記フェライト部材の対向する前記側面には、前記溝が設けられたことを特徴とする請求項１から３の何れかに記載の非可逆回路素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はアンテナ共用器等に使用して好適な非可逆回路素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の非可逆回路素子の図面を説明すると、図１６は従来の非可逆回路素子の側面図、図１７は従来の非可逆回路素子に係る回路基板の平面図、図１８は従来の非可逆回路素子に係るフェライト部材の斜視図、図１９は従来の非可逆回路素子に係るフェライト部材を裏返した状態の斜視図である。
【０００３】
次に、従来の非可逆回路素子の構成を図１６〜図１９に基づいて説明しすると、プリント基板からなる回路基板５０は、複数の円弧状の貫通孔５０ａを有すると共に、この回路基板５０上には、第１，第２の配線パターン５１ａ、５１ｂが設けられている。
【０００４】
磁性板からなるＵ字状の下ヨークである第１のヨーク５２は、底板５２ａと、この底板５２ａから上方に延びる円弧状の複数の側板５２ｂを有し、この第１のヨーク５２は、底板５２ａを回路基板５０の下方に位置した状態で、側板５２ｂが円弧状の貫通孔５０ａ内に挿通されている。
【０００５】
第１，第２，第３の中心導体５３，５４，５５は、円板状のフェライト部材５６の表面に誘電体（図示せず）を介して薄膜や厚膜によって形成され、一端側から延びる３個のポート部Ｐと、他端側から延びる３個のアース部Ａを有し、そして、第１，第２，第３の中心導体５３，５４，５５は、フェライト部材５６の上面５６ａに形成され、また、ポート部Ｐとアース部Ａは、フェライト部材５６の円周面５６ｂに設けられている。
【０００６】
また、フェライト部材５６の下面５６ｃには、ポート部Ｐのそれぞれに接続されるランド部Ｂと、アース部Ａに接続される接続導体５７が設けられている。
更に、円板状のフェライト部材５６の円周面５６ｂには、ポート部Ｐから延びる電極Ｄ１と、誘電体（図示せず）を挟んで電極Ｄ１に対向するように、アース部Ａから延びる電極Ｄ２が設けられて、複数のコンデンサＣが形成されている。
【０００７】
このような構成を有するフェライト部材５６は、回路置き板５０上に載置され、ポート部Ｐのそれぞれが第１の配線パターン５１ａに半田付けされると共に、アース部Ａが第２の配線パターン５１ｂに半田付けされる。
【０００８】
磁性板からなるＵ字状の上ヨークである第２のヨーク５８は、上板５８ａと、この上板５８ａから下方に延びる円弧状の複数の側板５８ｂを有し、この第２のヨーク５８は、上板５８ａの内面に磁石５９を取り付けた状態で、側板５８ｂが貫通孔５０ａに挿入され、第１のヨーク５２の側板５２ｂに結合して、第１のヨーク５２とで磁気閉回路が形成されている。（例えば、特許文献１参照）
【０００９】
しかし、従来の非可逆回路素子は、第１，第２，第３の中心導体５３，５４，５５の３個のポート部Ｐと３個のアース部Ａが円板状のフェライト部材５６の円周面５６ｂに形成されているため、ポート部Ｐとアース部Ａの幅寸法の精度が悪くなって、電気的な性能を悪くするばかりか、ポート部Ｐとアース部Ａの厚さが薄く、従って、インピーダンスを小さくするために幅寸法を大きくする必要が生じて、大型になる。
【００１０】
また、ポート部Ｐとアース部Ａの厚さが薄くなると、フェライト部材５６の上面５６ａに形成された第１，第２，第３の中心導体５３，５４，５５と、フェライト部材５６の円周面５６ｂに形成されたポート部Ｐ、及びアース部Ａとの間の接続、即ち、フェライト部材５６の角部上での接続の信頼性が低く、断線を生じ易くなると共に、ポート部Ｐとアース部Ａがフェライト部材５６の円周面５６ｂに分散して形成されるため、ポート部Ｐとアース部Ａの形成に６工程必要とし、生産性が悪く、コスト高になる。
【００１１】
次に、従来の非可逆回路素子の製造方法を図１８，図１９に基づいて説明すると、先ず、円板状のフェライト部材５６が個々に製造され、しかる後、１個のフェライト部材５６の上面５６ａに第１，第２，第３の中心導体５３，５４，５５を形成した後、このフェライト部材５６を裏返して、フェライト部材５６の下面５６ｃには、ランド部Ｂと接続導体５７を形成する。
【００１２】
次に、３個のポート部Ｐのそれぞれがフェライト部材５６の円周面５６ｂに３工程によって形成された後、３個のアース部Ａのそれぞれがフェライト部材５６の円周面５６ｂに３工程によって形成されると、従来の非可逆回路素子の製造が完了する。
【００１３】
そして、従来の非可逆回路素子の製造方法は、円板状のフェライト部材５６が個々に生産されるため、フェライト部材５６の生産性が悪く、コスト高になる上に、第１，第２，第３の中心導体５３，５４，５５の３個のポート部Ｐと３個のアース部Ａは、円板状のフェライト部材５６の円周面５６ｂに分散して形成されるため、ポート部Ｐとアース部Ａの形成に６工程必要とし、生産性が悪く、コスト高になる。
【００１４】
【特許文献１】特開２００４−１４６８８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
従来の非可逆回路素子は、第１，第２，第３の中心導体５３，５４，５５の３個のポート部Ｐと３個のアース部Ａが円板状のフェライト部材５６の円周面５６ｂに形成されているため、ポート部Ｐとアース部Ａの幅寸法の精度が悪くなって、電気的な性能を悪くするばかりか、ポート部Ｐとアース部Ａの厚さが薄く、従って、インピーダンスを小さくするために幅寸法を大きくする必要が生じて、大型になる。
【００１６】
また、ポート部Ｐとアース部Ａの厚さが薄くなると、フェライト部材５６の上面５６ａに形成された第１，第２，第３の中心導体５３，５４，５５と、フェライト部材５６の円周面５６ｂに形成されたポート部Ｐ、及びアース部Ａとの間の接続、即ち、フェライト部材５６の角部上での接続の信頼性が低く、断線を生じ易くなると共に、ポート部Ｐとアース部Ａがフェライト部材５６の円周面５６ｂに分散して形成されるため、ポート部Ｐとアース部Ａの形成に６工程必要とし、生産性が悪く、コスト高になる。
【００１７】
そこで、本発明は中心導体のポート部とアース部の厚さが厚く、且つ、幅寸法の精度が良くなって、小型で、性能の良好な非可逆回路素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記課題を解決するための第１の解決手段として、磁気閉回路を形成する第１，第２のヨークと、この第１，第２のヨーク間に配置された磁石、及びフェライト部材と、前記磁石と前記フェライト部材との間に位置した状態で、誘電体を挟んで上下方向に一部が交叉するように、前記フェライト部材上に配置された導電材からなる第１，第２，第３の中心導体とを備え、前記フェライト部は板材で形成され、前記中心導体と前記誘電体は、前記フェライト部材の一面側に直接、薄膜、或いは厚膜によって形成されると共に、前記中心導体のそれぞれは、一端から延びるポート部と、他端から延びるアース部を有し、前記中心導体の前記ポート部と前記アース部は、前記フェライト部材の側面に形成された凹部からなる複数の溝内に設けられた構成とした。
【００１９】
また、第２の解決手段として、前記ポート部と前記アース部は、前記導電材が前記溝内を埋めて形成された構成とした。
また、第３の解決手段として、前記フェライト部材の他面側には、前記アース部に接続されたアース膜部が設けられ、前記第１のヨークに導通された構成とした。
また、第４の解決手段として、前記フェライト部材は、四角形の前記板材で形成され、前記フェライト部材の対向する前記側面には、前記溝が設けられた構成とした。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の非可逆回路素子は、磁気閉回路を形成する第１，第２のヨークと、この第１，第２のヨーク間に配置された磁石、及びフェライト部材と、磁石とフェライト部材との間に位置した状態で、誘電体を挟んで上下方向に一部が交叉するように、フェライト部材上に配置された導電材からなる第１，第２，第３の中心導体とを備え、フェライト部は板材で形成され、中心導体と誘電体は、フェライト部材の一面側に直接、薄膜、或いは厚膜によって形成されると共に、中心導体のそれぞれは、一端から延びるポート部と、他端から延びるアース部を有し、中心導体のポート部とアース部は、フェライト部材の側面に形成された凹部からなる複数の溝内に設けられた構成とした。
即ち、中心導体のポート部とアース部は、フェライト部材の側面に形成された凹部からなる溝内に設けられたため、ポート部とアース部の幅寸法は、フェライト部材の側面に形成された溝によって一定幅に形成できて、幅寸法の精度が良く、電気的な性能を良好にできるばかりか、溝内に導電材を充填することによって、ポート部とアース部の厚さを厚くでき、従って、インピーダンスを小さくするために幅寸法を大きくすること無く対応できて、小型のものが得られる。
また、ポート部とアース部の厚さが厚くなると、フェライト部材の一面側に形成された中心導体と、フェライト部材の側面に形成されたポート部、及びアース部との間の接続、即ち、フェライト部材の角部上での接続の信頼性が高くなって、断線の生じ難いものが得られる。
【００２１】
また、ポート部とアース部は、導電材が溝内を埋めて形成されたため、ポート部とアース部の厚さを厚くでき、従って、インピーダンスを小さくするために幅寸法を大きくすること無く対応できて、小型のものが得られると共に、ポート部とアース部の厚さが厚くなると、フェライト部材の一面側に形成された中心導体と、フェライト部材の側面に形成されたポート部、及びアース部との間の接続、即ち、フェライト部材の角部上での接続の信頼性が高くなって、断線の生じ難いものが得られる。
【００２２】
また、フェライト部材の他面側には、アース部に接続されたアース膜部が設けられ、第１のヨークに導通されたため、アース部の接地を確実にできる。
【００２３】
また、フェライト部材は、四角形の板材で形成され、フェライト部材の対向する側面には、溝が設けられたため、フェライト部材におけるポート部とアース部の形成は、一方の側面側と他方の側面側の２工程で行うことができて、生産性が良く、安価であると共に、帯状フェライト部材から複数個のフェライト部材が製造可能となって、生産性が良く、安価なものが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
本発明の非可逆回路素子の図面を説明すると、図１は本発明の非可逆回路素子の第１実施例に係る要部の平面図、図２は本発明の非可逆回路素子の第１実施例に係る要部の断面図、図３は本発明の非可逆回路素子の第１実施例に係り、第２のヨークと磁石を取り去った状態を示す要部の平面図である。
【００２５】
また、図４は本発明の非可逆回路素子の第１実施例に係り、収容部の状態を示す回路基板の平面図、図５は本発明の非可逆回路素子の第１実施例に係り、収容部の状態を示す回路基板の要部の斜視図、図６は本発明の非可逆回路素子の第１実施例に係るフェライト部材の斜視図、図７は本発明の非可逆回路素子の第１実施例に係り、フェライト部材を裏返した状態の斜視図である。
【００２６】
また、図８はアイソレータからなる非可逆回路素子の等価回路図、図９はサーキュレータからなる非可逆回路素子の等価回路図、図１０は本発明の非可逆回路素子をアンテナ共用器に適用した場合の回路図である。
【００２７】
また、図１１は本発明の非可逆回路素子の第１実施例に係り、その製造方法を説明するための大判フェライト部材の平面図、図１２は本発明の非可逆回路素子の第１実施例に係り、その製造方法を説明するための大判フェライト部材の下面図、図１３は本発明の非可逆回路素子の第１実施例に係り、その製造方法を説明するための斜視図、図１４は本発明の非可逆回路素子の第２実施例に係るフェライト部材の斜視図、図１５は本発明の非可逆回路素子の第２実施例に係り、フェライト部材を裏返した状態の斜視図である。
【００２８】
次に、本発明の非可逆回路素子をアンテナ共用器に適用した場合を例にして、その構成を図１〜図７に基づいて説明すると、アンテナ共用器等の高周波回路モジュールに使用される回路基板１は、ＬＴＣＣ（低温焼成セラミック）等の複数の絶縁板が積層された多層基板からなり、一面側（上面側）には、底面２ａと側面２ｂを有した四角形状の凹部からなる収容部２が設けられている。
【００２９】
そして、この回路基板１の上面や積層間には、配線パターン３が設けられると共に、収容部２の底面２ａには、配線パターン３の一部である複数（３個）の接続パターン３ａが設けられており、この等の接続パターン３ａは、回路基板１内に設けられた銀等からなるそれぞれの接続導体４によって、回路基板１の上面に設けられた配線パターン３に接続されている。
【００３０】
第１，第２，第３のコンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３は、チップ型のコンデンサや薄膜、或いは厚膜によって形成されたコンデンサで構成され、第１，第２，第３のコンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３は、収容部２の近傍の回路基板１の上面に設けられた配線パターン３に接続され、収容部２の外周部に分散された状態で配置されると共に、抵抗器Ｒは、チップ型の抵抗器や薄膜、或いは厚膜によって形成された抵抗器で構成され、この抵抗器Ｒは、第３のコンデンサＣ３の近傍で配線パターン３に接続されている。
なお、ここでは図示しないが、第１，第２，第３のコンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３や抵抗器Ｒ以外のコンデンサや抵抗器等の種々の電子部品が回路基板１に搭載された構成となっている。
【００３１】
次に、高周波回路素子Ｋの１つであるアイソレータからなる本発明の非可逆回路素子Ｋ１の構成を説明すると、回路基板１に形成された第１のヨーク５と、ＹＩＧ（Ｙｔｔｒｉｕｍ  ｉｒｏｎ  ｇａｒｎｅｔ）等からなる四角形の板材からなるフェライト部材６と、誘電体７を介して上下方向に一部が交叉した状態で、フェライト部材６上に形成された第１，第２，第３の中心導体８，９，１０と、この第１，第２，第３の中心導体８，９，１０上に配置された磁石１１と、磁石１１を覆うように配置され、第１のヨーク５に結合して第１のヨーク５とで磁気閉回路を形成する第２のヨーク１２と、第１，第２，第３のコンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３と、抵抗器Ｒとで構成されている。
【００３２】
更に、非可逆回路素子Ｋ１の構成を詳述すると、下ヨークである接地用の第１のヨーク５は、磁性材である鉄等のメッキ等によって形成され、収容部２の底面２ａと側面２ｂに設けられた磁性材の膜部５ａと、この膜部５ａに接続され、収容部２の外周近傍に位置する回路基板１の上面（表面）に設けられた磁性膜部５ｂを有する。
【００３３】
そして、収容部２の内面に設けられた膜部５ａは、接続パターン３ａと非導通状態に形成されると共に、回路基板１の表面に設けられた磁性膜部５ｂは、接地用の配線パターン３に接続されている。
その結果、第１，第２，第３のコンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３と抵抗器Ｒの一方側の電極は、接続導体４に接続されたホット側の配線パターン３に接続されると共に、第１，第２，第３のコンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３と抵抗器Ｒの他方側の電極は、磁性膜部５ｂに接続された接地側の配線パターン３に接続されて、接地される。
【００３４】
フェライト部材６は、特に図６，図７に示すように、一面（上面）６ａと、互いに対向する側面６ｂ、６ｃと、一面６ａに対向する他面（下面）６ｄと、一面６ａと他面６ｄに到る状態で、互いに対向する側面６ｂ、６ｃにそれぞれ設けられた凹部からなる複数の溝６ｅを有する。
【００３５】
このフェライト部材６の一面６ａ側（上面側）には、誘電体７と、第１，第２，第３の中心導体８，９，１０が直接、蒸着法やスパッタ等の薄膜技術や印刷や塗布等の厚膜技術によって形成されている。
そして、誘電体７は、薄膜、及び厚膜の場合、窒化シリコン、チタン酸バリウム系、チタン酸鉛系等が使用され、また、第１，第２，第３の中心導体８，９，１０は、薄膜の場合、銀やアルミ等が使用され、更に、厚膜の場合、銀ペーストや銀ーパラジュームペースト等が使用される。
【００３６】
また、第１，第２，第３の中心導体８，９，１０は、特に図６，図７に示すように、一端側から延びるポート部８ａ、９ａ、１０ａと、他端側から延びるアース部８ｂ、９ｂ、１０ｂを有し、このポート部８ａ、９ａ、１０ａとアース部８ｂ、９ｂ、１０ｂは、四角形のフェライト部材６の対向する側面６ｂ、６ｃに設けられた溝６ｅ内に導電材が充填されて形成されると共に、フェライト部材６の他面６ｄ側（下面側）には、ポート部８ａ、９ａ、１０ａに接続されたランド部８ｃ、９ｃ、１０ｃと、アース部８ｂ、９ｂ、１０ｂに接続され、ランド部８ｃ、９ｃ、１０ｃと非導通状態にあるアース膜部８ｄが設けられている。
【００３７】
そして、このような構成を有するフェライト部材６は、収容部２内に挿入され、それぞれのランド部８ｃ、９ｃ、１０ｃが接続パターン３ａ上に載置されて、ポート部８ａ、９ａ、１０ａが接続パターン３ａに半田付けされて接続されると共に、アース膜部８ｄが底面２ａ上の膜部５ａに載置され、アース部８ｂ、９ｂ、１０ｂが第１のヨーク５に半田付けされて接地される。
【００３８】
その結果、第１の中心導体８は、ポート部８ａ側が接続パターン３ａを介して第１のコンデンサＣ１の一端側に接続され、アース部８ｂ側が第１のヨーク５に接地された状態となり、また、第２の中心導体９は、ポート部９ａ側が接続パターン３ａを介して第２のコンデンサＣ２の一端側に接続され、アース部９ｂ側が第１のヨーク５に接地された状態となり、更に、第３の中心導体１０は、ポート部１０ａ側が接続パターン３ａを介して第３のコンデンサＣ３と抵抗器Ｒの一端側に接続され、アース部１０ｂ側が第１のヨーク５に接地された状態となる。
【００３９】
平板状の磁石１１が第１，第２，第３の中心導体８，９，１０上に載置されると共に、磁性板からなるコ字状、或いは箱形の上ヨークである第２のヨーク１２は、磁石１１と収容部２を覆うように配置される。
そして、第２のヨーク１２の側部が第１のヨーク５の磁性膜部５ｂに半田付けされると共に、第２のヨーク１２が第１のヨーク５と磁気的に結合して、第１のヨーク５とで磁気閉回路が形成されて、アイソレータからなる非可逆回路素子Ｋ１が構成される。
【００４０】
このような構成を有するアイソレータからなる非可逆回路素子Ｋ１は、図８の等価回路図に示すように、第１の中心導体８のポート部８ａと第１のコンデンサＣ１の一端が接続され、第１の中心導体８のアース部８ｂと第１のコンデンサＣ１の他端が接地された状態となり、また、第２の中心導体９のポート部９ａと第２のコンデンサＣ２の一端が接続され、第２の中心導体９のアース部９ｂと第２のコンデンサＣ２の他端が接地された状態となり、更に、第３の中心導体１０のポート部１０ａと第３のコンデンサＣ３、及び抵抗器Ｒの一端が接続され、第３の中心導体１０のアース部１０ｂと第３のコンデンサＣ３、及び抵抗器Ｒの他端が接地された状態となる。
【００４１】
なお、上記実施例では、アイソレータからなる非可逆回路素子で説明したが、抵抗器Ｒを無くしたサーキュレータからなる非可逆回路素子でも良い。
そして、サーキュレータからなる非可逆回路素子は、図９の等価回路図に示すように、第１の中心導体８のポート部８ａと第１のコンデンサＣ１の一端が接続され、第１の中心導体８のアース部８ｂと第１のコンデンサＣ１の他端が接地された状態となり、また、第２の中心導体９のポート部９ａと第２のコンデンサＣ２の一端が接続され、第２の中心導体９のアース部９ｂと第２のコンデンサＣ２の他端が接地された状態となり、更に、第３の中心導体１０のポート部１０ａと第３のコンデンサＣ３の一端が接続され、第３の中心導体１０のアース部１０ｂと第３のコンデンサＣ３の他端が接地された状態となる。
【００４２】
また、回路基板１の一面側には、高周波回路素子Ｋを形成し、表面弾性波素子からなるデュプレクサＫ２が搭載されると共に、この回路基板１には、非可逆回路素子Ｋ１やデュプレクサＫ２からなる高周波回路素子Ｋの他に、ここでは図示しないが、パワーアンプＫ３や表面弾性波からなるＳＡＷフイルタＫ４が搭載されて、高周波回路を備えたアンテナ共用器が形成されている。
【００４３】
そして、図１０は本発明の非可逆回路素子をアンテナ共用器に適用した場合の回路図で、このアンテナ共用器の送信側は、アンテナ端子Ａ１に接続されたデュプレクサＫ２と、このデュプレクサＫ２に接続された非可逆回路素子Ｋ１と、この非可逆回路素子Ｋ１に接続されたパワーアンプＫ３と、送信側端子１３を有し、送信側端子１３から入力された送信信号は、パワーアンプＫ３で増幅され、非可逆回路素子Ｋ１を通過する。
【００４４】
また、この非可逆回路素子Ｋ１は、パワーアンプＫ３で増幅さえた送信信号がアンテナＡで反射され、パワーアンプＫ３に逆流するのを防止する高周波回路素子Ｋであり、この非可逆回路素子Ｋ１によってアンテナＡ側からパワーアンプＫ３に信号が流れるのを阻止すると共に、非可逆回路素子Ｋ１を通過した送信信号は、デュプレクサＫ２を介してアンテナ端子Ａ１から出力される。
【００４５】
更に、アンテナ共用器の送信側は、アンテナ端子Ａ１に接続されたデュプレクサＫ２と、このデュプレクサＫ２に接続されたＳＡＷフイルタＫ４と、受信側端子１４を有し、アンテナ端子Ａ１から入力される受信信号は、デュプレクサＫ２を介して、帯域通過フイルタであるＳＡＷフイルタＫ４を通って受信側端子１４から出力される。
【００４６】
そして、このデュプレクサＫ２は、２つの帯域通過フイルタ（図示せず）で構成され、送信信号の周波数帯域では、アンテナ端子Ａ１と非可逆回路素子Ｋ１とを高周波的に接続し、受信信号の周波数帯域では、アンテナ端子Ａ１とＳＡＷフイルタＫ４とを高周波的に接続するものである。
【００４７】
次に、本発明の非可逆回路素子の第１実施例に係る製造方法を図１１〜図１３に基づいて説明すると、先ず、図１１，図１２に示すように、四角形の大判フェライト部材１５を用意して、この大判フェライト部材１５には、複数の短冊状で四角形の帯状フェライト部材１６が形成できるようになっている。
【００４８】
また、図１１，図１２に示す実施例では、大判フェライト部材１５が二点鎖線Ｓ１の位置で区切られて、３個の帯状フェライト部材１６が形成できるようになると共に、この二点鎖線Ｓ１と、二点鎖線Ｓ１に直交する二点鎖線Ｓ２とよって区切られた四角形の領域のそれぞれが単一のフェライト部材６を形成するようになっている。
【００４９】
更に、図１１，図１２に示す大判フェライト部材１５には、対向する側面に設けられた多数の溝６ｅと、この溝６ｅを形成するために、二点鎖線Ｓ１の位置に形成された多数の孔１５ａを有する。
【００５０】
次に、図１１に示すように、大判フェライト部材１５の上面におけるそれぞれの帯状フェライト部材１６に対応する位置には、複数組の第１，第２，第３の中心導体８，９，１０と誘電体７が厚膜、或いは薄膜によって一列状態に形成されると共に、図１２に示すように、大判フェライト部材１５の下面におけるそれぞれの帯状フェライト部材１６に対応する位置には、複数組の第１，第２，第３の中心導体８，９，１０のランド部８ｃ、９ｃ、１０ｃ、及びこのランド部８ｃ、９ｃ、１０ｃと非導通状態のアース膜部８ｄが厚膜、或いは薄膜によって形成される。
【００５１】
この時、複数組のそれぞれの第１，第２，第３の中心導体８，９，１０のポート部８ａ、９ａ、１０ａとアース部８ｂ、９ｂ、１０ｂの端部は、帯状フェライト部材１６の長手方向（二点鎖線Ｓ１方向）の側部に位置するように配置されており、その結果、隣り合う帯状フェライト部材１６間では、中心導体８，９，１０の端部が孔１５ａに位置した状態になっている。
【００５２】
次に、大判フェライト部材１５を二点鎖線Ｓ１の位置で切断すると、図１３に示すように、複数の短冊状で四角形の帯状フェライト部材１６が形成されると共に、それぞれの帯状フェライト部材１６には、長手方向に位置した対向する側面１６ａ、１６ｂと、この側面１６ａ、１６ｂに位置する溝６ｅが形成される。
【００５３】
しかる後、図１３に示すように、複数枚の帯状フェライト部材１６が同じ向き（中心導体側を上方にした状態）にして、板状のスペーサ１７を介して積層される。
なお、スペーサ１７を使用しないで、複数枚の帯状フェライト部材１６を積層しても良い。
【００５４】
次に、複数枚の帯状フェライト部材１６が積層された状態で、図１３に示すように、複数の帯状フェライト部材１６の側面１６ａの溝６ｅ内には、導電ペーストを塗布する工程等の同一工程によってポート部やアース部を形成すると共に、複数の帯状フェライト部材１６の側面１６ｂの溝６ｅ内にも、導電ペーストを塗布する工程等の同一工程によってポート部やアース部を形成する。
この時、導電ペースト等の導電材は、溝６ｅ内に充填されてポート部やアース部が形成される。
【００５５】
すると、図６，図７に示すように、それぞれのフェライト部材６における第１，第２，第３の中心導体８，９，１０のポート部８ａ、９ａ、１０ａは、ランド部８ｃ、９ｃ、１０ｃに接続されると共に、それぞれのフェライト部材６における第１，第２，第３の中心導体８，９，１０のアース部８ｂ、９ｂ、１０ｂは、アース膜部８ｄに接続された状態となる。
【００５６】
次に、溝６ｅからはみ出した側面１６ａ、１６ｂ上の導電ペーストを除去した後、帯状フェライト部材１６を焼成し、しかる後に、それぞれの帯状フェライト部材１６が二点鎖線Ｓ２の位置で切断されると、図６，図７に示すような個々のフェライト部材６が形成されて、本発明の非可逆回路素子のフェライト部材６の製造が完了する。
【００５７】
また、図１４、図１５は、本発明の非可逆回路素子の第２実施例に係り、この第２実施例の構成を説明すると、フェライト部材６の他面（下面）には、第１実施例で形成したランド部８ｃ、９ｃ、１０ｃとアース膜部８ｄを無くしたもので、第２実施例のフェライト部材６のその他の構成は、第１実施例と同様であり、同一部品に同一番号を付し、ここではその説明を省略する。
【００５８】
そして、本発明の非可逆回路素子の第２実施例に係るその製造方法は、第１実施例で形成したランド部８ｃ、９ｃ、１０ｃとアース膜部８ｄを無くした以外、前記第１実施例の製造方法と同一であり、ここでは、第２実施例に係る製造方法の説明を省略する。
【００５９】
なお、上記実施例では、大判フェライト部材１５から帯状フェライト部材１６を形成するもので説明したが、予め帯状フェライト部材１６を形成し、この帯状フェライト部材１６に中心導体を形成するようにしても良い。
【００６０】
また、上記実施例では、非可逆回路素子がアンテナ共用器に適用されたもので説明したが、回路基板１を無くすると共に、第１のヨークを磁性板で形成した単独の非可逆回路素子で構成されたものでも良い。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の非可逆回路素子の第１実施例に係る要部の平面図。
【図２】本発明の非可逆回路素子の第１実施例に係る要部の断面図。
【図３】本発明の非可逆回路素子の第１実施例に係り、第２のヨークと磁石を取り去った状態を示す要部の平面図。
【図４】本発明の非可逆回路素子の第１実施例に係り、収容部の状態を示す回路基板の平面図。
【図５】本発明の非可逆回路素子の第１実施例に係り、収容部の状態を示す回路基板の要部の斜視図。
【図６】本発明の非可逆回路素子の第１実施例に係るフェライト部材の斜視図。
【図７】本発明の非可逆回路素子の第１実施例に係り、フェライト部材を裏返した状態の斜視図。
【図８】アイソレータからなる非可逆回路素子の等価回路図。
【図９】サーキュレータからなる非可逆回路素子の等価回路図。
【図１０】本発明の非可逆回路素子をアンテナ共用器に適用した場合の回路図。
【図１１】本発明の非可逆回路素子の第１実施例に係り、その製造方法を説明するための大判フェライト部材の平面図。
【図１２】本発明の非可逆回路素子の第１実施例に係り、その製造方法を説明するための大判フェライト部材の下面図。
【図１３】本発明の非可逆回路素子の第１実施例に係り、その製造方法を説明するための斜視図。
【図１４】本発明の非可逆回路素子の第２実施例に係るフェライト部材の斜視図。
【図１５】本発明の非可逆回路素子の第２実施例に係り、フェライト部材を裏返した状態の斜視図。
【図１６】従来の非可逆回路素子の側面図。
【図１７】従来の非可逆回路素子に係る回路基板の平面図。
【図１８】従来の非可逆回路素子に係るフェライト部材の斜視図。
【図１９】従来の非可逆回路素子に係るフェライト部材を裏返した状態の斜視図。
【符号の説明】
【００６２】
１：回路基板
２：収容部
２ａ：底面
２ｂ：側面
３：配線パターン
３ａ：接続パターン
４：接続導体
Ｋ：高周波回路素子
Ｋ１：非可逆回路素子
Ｃ１：第１のコンデンサ
Ｃ２：第２のコンデンサ
Ｃ３：第３のコンデンサ
Ｒ：抵抗器
５：第１のヨーク
５ａ：膜部
５ｂ：磁性膜部
６：フェライト部材
６ａ：一面（上面）
６ｂ、６ｃ：側面
６ｄ：他面（下面）
６ｅ：溝
７：誘電体
８：第１の中心導体
８ａ：ポート部
８ｂ：アース部
８ｃ：ランド部
８ｄ：アース膜部
９：第２の中心導体
９ａ：ポート部
９ｂ：アース部
９ｃ：ランド部
１０：第３の中心導体
１０ａ：ポート部
１０ｂ：アース部
１０ｃ：ランド部
１１：磁石
１２：第２のヨーク
Ｋ２：デュプレクサ
Ｋ３：パワーアンプ
Ｋ４：ＳＡＷフイルタ
Ａ：アンテナ
Ａ１：アンテナ端子
１３：送信側端子
１４：受信側端子
１５：大判フェライト部材
１５ａ：孔
１６：帯状フェライト部材
１６ａ、１６ｂ：側面
１７：スペーサ
Ｓ１，Ｓ２：二点鎖線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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