(57)【要約】【課題】高い磁気特性と優れた記録特性を両立する高密度記録可能な磁気記録媒体及びそれを備えた磁気記録装置を提供する。【解決手段】高密度磁気記録媒体として、非磁性基板上に、軟磁性材料により形成された軟磁性裏打ち層、下地層、記録層、希土類金属優勢組成の希土類遷移金属合金層及び保護層を具備する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板上に、軟磁性材料により形成された軟磁性裏打ち層、下地層、強磁性材料により形成された記録層、希土類遷移金属合金層の順に具備し記録層の残留磁化が膜面内方向より膜面に対して垂直方向の方が大きい垂直磁気記録方式の記録媒体において、該希土類遷移金属合金層が希土類金属優勢の組成であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
該希土類遷移金属合金層の希土類がＴｂもしくはＧｄ及びＴｂとＧｄの合金、遷移金属がＦｅもしくはＣｏ及びＦｅとＣｏの合金で形成されることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
請求項１記載の磁気記録媒体に対して、上記記録層の膜面に対して垂直方向の磁化を与え、磁気ヘッドと、上記磁気記録媒体を上記磁気ヘッドに対して相対的に駆動するための駆動装置とを備えた垂直磁気記録方式の磁気記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は情報の記録再生を行うための磁気記録再生装置に関し、特に高密度記録に適した磁気記録媒体及び磁気記録装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報化社会の発展には目覚しいものがあり、文字情報のみならず音声及び画像情報を高速に処理することができる装置の１つとしてコンピュータ等に装着されている磁気記録装置が知られている。現在は、この磁気記録装置の記録密度を向上させつつ、磁気記録装置を小型化する方向に開発が進められてきている。典型的な磁気記録装置は、複数の磁気ディスクをスピンドル上に回転可能に装着している。各磁気ディスクは、基板とその上に形成された磁性膜からなり、情報の記録は、特定の磁化方向を有する磁区を磁性膜中に形成することにより行われる。従来、記録される磁化の方向は、磁性膜面内であり、面内記録方式と呼ばれている。面内記録方式の磁気記録装置の高密度記録化は、磁性膜の膜厚を薄くし、構成する磁性結晶粒の粒径を微小化させ、且つ、各粒子間の磁気的相互作用を低減させることで達成してきた。しかし、結晶粒の微小化と各粒子間の磁気的相互作用の低減は、記録されたビットを構成する磁化の熱安定性を低下させることが問題となっている。
【０００３】
この問題を緩和するために提案されているのが、垂直磁気記録方式で、これは、記録される磁化の方向を、基板に対して垂直方向にする。その結果、隣接ビット間は、静磁気的に安定で、且つ、記録遷移領域は鋭くなる。さらに記録層と基板の間に軟磁性材料で構成された層（軟磁性裏打ち層）を加えることで、記録時の磁場を急峻にすることができるので、高い磁気異方性をもつ材料への記録が可能になり、磁化の熱安定性が向上するので、より高密度の記録が可能になる。
【０００４】
磁化の熱安定性は、磁気エネルギーと熱エネルギーの比で決まる。磁気エネルギーは、磁気異方性エネルギーと結晶粒体積の積で決まり、この磁気エネルギーを高めることで磁化の熱安定性は増加する。記録密度を増加させる為に有効な手段は、結晶粒の微細化であり、これは、磁化反転単位の減少を意味し、磁気エネルギーは低下する。従って、磁気エネルギーの大きさを保つ為には磁気異方性エネルギーが従来よりも高い材料を使う必要がある。
【０００５】
面内記録方式の記録媒体にはＣｏＰｔＣｒ基合金が使用されている。これは、ＣｏＣｒ合金が２相分離を起こし、磁性結晶粒の周りを非磁性結晶粒界が取り囲む記録媒体として好ましい構造をとることを利用している。Ｐｔを添加するのは磁気異方性エネルギーが向上するためである。しかしながら、ＣｏＣｒ合金にＰｔを添加すると２相分離構造をとりづらくなる傾向がある。そのため、垂直記録方式では、ＣｏＰｔＣｒ基合金のＰｔの組成比を従来よりも高め、ＣｏＰｔＣｒ基合金層に酸素あるいは酸化物を添加し、磁性結晶粒が酸化物に囲われたグラニュラー構造形成する方法が提案されており、酸化物を含有するＣｏＰｔＣｒ基合金媒体と呼ばれている。酸化物を含有するＣｏＰｔＣｒ基合金媒体の場合、酸化物によって結晶粒界を形成しており結晶粒間の磁気的な相互作用を低減でき、また非加熱でこの構造を形成可能なので結晶粒成長を従来よりも抑制できる特徴がある。この他にも、高い磁気異方性の材料として、Ｃｏと白金族元素あるいは白金族元素を主体とする合金からなる多層膜、ＦｅあるいはＣｏとＰｔとの合金等があり、これらを用いた垂直記録媒体の研究・開発も行われている。一方で、複数の磁性材料を用いて記録層を形成する方法も研究・開発が行われており、グラニュラー構造の磁性材料と希土類遷移金属合金を積層した構造が特許文献１に開示されている。
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−３１７２２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
このような、高い磁気異方性は記録媒体の保磁力を増加させることになる。そのため、記録が従来よりも困難になるので記録時にヘッドから印加する記録磁場を高める必要があり、高い飽和磁化をもつ材料をヘッドに用いる必要がある。現在、飽和磁化が２．４Ｔと非常に高いＦｅＣｏ合金を用いられているが、これ以上の高い飽和磁化を持つ材料は開発されておらず、これ以上の大きな記録磁場を得ることは困難な状況となった。
【０００８】
本発明の目的は、上記従来技術の問題を解決するもので、高い磁気特性を有し、且つ、記録特性に優れた新規磁気記録媒体を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１の様態は、非磁性基板上に、軟磁性材料により形成された軟磁性裏打ち層、配向制御層、強磁性記録層、希土類金属優勢の希土類遷移金属合金層を具備し、磁気特性及び記録特性に優れた垂直磁気記録方式の新規磁気記録媒体を提供する。
【００１０】
我々は、高い磁気異方性を有する強磁性材料によって形成する記録層の記録特性を向上させる手段として、希土類金属優勢の希土類遷移金属合金層を記録層上に形成することが有効であることを見出した。グラニュラー記録層上に希土類遷移金属合金層を形成する技術は特許文献１において開示されているが、希土類遷移金属合金層に要求される特性については言及されていない。希土類遷移金属合金はフェリ磁性体であり、希土類金属の磁気モーメントと遷移金属の磁気モーメントは反平行に結合している。希土類遷移金属合金は組成によって希土類金属と遷移金属の磁気モーメントの大きさが等しくなり、見かけ上の磁化が０になる温度（補償温度と称す）が変化する。室温において希土類金属の磁気モーメントの大きさが遷移金属の磁気モーメントよりも大きな場合、希土類金属優勢の希土類遷移金属合金と呼び、全体の磁化の方向は、希土類金属の磁気モーメントの向きになる。一方、室温において遷移金属の磁気モーメントの大きさが希土類金属の磁気モーメントよりも大きな場合、遷移金属優勢の希土類遷移金属合金と呼ぶ。また、室温において、希土類金属と遷移金属の磁気モーメントの大きさが等しい場合、補償組成の希土類遷移金属合金と呼ぶ。即ち、希土類遷移金属合金には３つの種類がある。
【００１１】
記録層の上に希土類遷移金属合金層を形成した場合、記録層は磁性遷移金属によって形成されている為、記録層の磁気モーメントと希土類遷移金属合金層の遷移金属の磁気モーメントに交換結合が働き、両層の遷移金属の磁気モーメントは平行になる。その結果、記録層の磁気モーメントと希土類遷移金属合金層中の希土類金属の磁気モーメントは反平行になる。そこで、記録層上に希土類金属優勢の希土類遷移金属合金層を形成すると、前述した交換結合により記録層と希土類遷移金属合金層の遷移金属の磁気モーメントが平行になる為、記録層と希土類遷移金属合金層の磁気モーメントは反平行となる。このような構造の記録媒体に記録を行った場合、記録層には希土類遷移金属合金層からの逆向きの磁気モーメントにより形成される漏洩磁場と記録ヘッドからの磁場を併せた磁場が加わることになり、希土類金属優勢の希土類遷移金属合金層が無い場合よりも強い磁場を記録層に印加することができる。この効果により、従来よりも記録能力が向上する。補償組成の希土類遷移金属合金を記録層上に形成した場合、希土類遷移金属合金層の磁気モーメントは０であり、希土類遷移金属合金層の磁気モーメントが記録時に影響を与えない。一方、遷移金属優勢の希土類遷移金属合金を記録層上に形成した場合、記録層と希土類遷移金属合金層の磁気モーメントの方向は平行になる。この場合、記録時には希土類遷移金属合金層の磁気モーメントの方向は記録磁場と反対向きとなるの記録磁場を弱める作用を示すことになる。つまり、希土類優勢組成の希土類遷移金属合金を用いた場合のみ、記録能力を向上させる作用を得ることが可能となる。
【００１２】
希土類金属元素としてはＧｄあるいはＴｂもしくはそれらの合金、遷移金属元素としてはＦｅあるいはＣｏもしくはそれらの合金であることが望ましい。希土類遷移金属合金の希土類金属優勢組成は各元素によって異なるが、長波長（例えば波長＝６８０ｎｍ）の光源で極カー効果測定を行うと、希土類金属優勢組成の場合と遷移金属優勢の場合で磁化曲線の符号が異なる。図１に典型的な極カー効果測定を行った場合の磁化曲線を示す。遷移金属優勢の希土類遷移金属合金の場合、振動試料型磁力計等の磁化測定装置で測定する場合の符号と一致した挙動を示す（図１（ａ））が、希土類金属優勢の希土類遷移金属合金の場合、符号が逆転することが分かる（図１（ｂ））。これは、極カー効果が遷移金属の磁気モーメントの方向に依存する現象であることに起因しており、遷移金属優勢の希土類遷移金属合金の場合は遷移金属の磁気モーメントの方向が全体の磁気モーメントの方向と一致する。一方、希土類金属優勢の希土類遷移金属合金の場合は希土類遷移金属の磁気モーメントの方向が全体の磁気モーメントの方向になるので遷移金属モーメントの方向は磁気モーメントの向きと反平行になり、符号が逆になる。従って、記録層の極カー効果測定を行ってその挙動で判別する、あるいは、Ｘ線光電子分光法、オージェ電子分光法あるいは２次イオン質量分析法等の組成分析方法を用いて希土類遷移金属合金の組成を分析し、同組成の希土類遷移金属合金の極カー効果を測定することにより希土類金属優勢か否かを判別することができる。
【００１３】
記録層の材料としては、高い磁気異方性を持つ材料であることが望ましい。具体的な材料として、酸化物を含有するＣｏＰｔＣｒ基合金、Ｃｏと白金族元素あるいは白金族元素を主体とする合金からなる多層膜、ＦｅあるいはＣｏとＰｔからなるＬ１０規則合金等が挙げられる。
【００１４】
本発明の第２の様態に従えば、本発明の磁気記録媒体に対して、記録層の膜面に対して垂直方向の磁化を与え、かつ、上記軟磁性裏打ち層の膜面に対して平行方向の磁化を与え、記録層と軟磁性裏打ち層と協同して磁気回路を構成する磁気ヘッドと、該磁気記録媒体を該ヘッドに対して相対的に駆動するための駆動装置とを備えた磁気記録装置が提供される。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の磁気記録媒体によれば、高密度磁気記録媒体として、非磁性基板上に、軟磁性材料により形成された軟磁性裏打ち層、下地層、記録層、希土類金属優勢組成の希土類遷移金属合金層及び保護層を具備することにより、高い磁気特性と優れた記録特性を両立する高密度記録可能な磁気記録媒体及びそれを備えた磁気記録装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下に、本発明の磁気記録媒体及び磁気記録装置について実施例を用いて具体的に説明するが、本発明はこれに限定されない。
【００１７】
（実施例１）
実施例１で作製した磁気ディスクの概略断面図を図１に示す。図１に示すように、磁気ディスク１０は、基板１上に、密着層２、軟磁性裏打ち層３、下地層４、記録層５、希土類金属優勢組成の希土類遷移金属合金層６、及び保護層７を順次積層した構造を有する。密着層２は、基板１とその上に積層された膜との剥離を防ぐための層であり、軟磁性裏打ち層３は、情報記録の際に記録層に印加される磁場を集束するための層である。下地層４は、記録層５の配向性を向上させるため及び記録層５と軟磁性裏打ち層３との磁気的な結合を切断するための層である。記録層５は、情報が磁化情報として記録される層であり、その磁化方向は膜面に対して垂直方向となる。保護層８は、基板１上に順次積層された積層膜２〜７を保護するための層である。以下に、この例で作製した磁気ディスクの作製方法を説明する。
【００１８】
基板１には直径２．５インチ（６．５ｃｍ）の円板状のガラス基板を用いた。その基板１上に、密着層２としてＴｉ膜を、ＤＣスパッタリングにより形成した。スパッタリング条件は、ガス圧０．２８Ｐａ、投入電力５００Ｗとし、ターゲットはＴｉとした。密着層２の膜厚は５ｎｍとした。
【００１９】
次いで、密着層２上に、軟磁性裏打ち層３としてＣｏＴａＺｒ膜をＤＣスパッタリングにより形成した。スパッタリング条件は、ガス圧０．２８Ｐａ、投入電力４００Ｗとし、ターゲットの組成はＣｏ８８Ｔａ１０Ｚｒ２（ａｔ％）とした。軟磁性裏打ち層３の膜厚は１００ｎｍとした。
【００２０】
次に、軟磁性裏打ち層３上に、下地層４としてＲｕ膜をＤＣスパッタリングにより形成した。スパッタリング条件は、ガス圧１．３Ｐａ、投入電力２００Ｗとし、Ｒｕターゲットを用いた。下地層４の膜厚は１５ｎｍとした。
【００２１】
さらに、下地層４上に、記録層５として酸化物を含有したＣｏＰｔＣｒ−ＳｉＯ２合金磁性膜をＲＦスパッタリングにより形成した。ターゲットの組成はＣｏ７４Ｐｔ１６Ｃｒ１０（ａｔ％）−ＳｉＯ２（ＣｏＰｔＣｒ：ＳｉＯ２＝９４：６ｍｏｌ％）とした。スパッタリング条件は、ガス圧２．１Ｐａ、投入電力８００Ｗとした。記録層５の膜厚は１０ｎｍとした。
【００２２】
さらに、記録層５上に、希土類金属優勢な希土類遷移金属合金層６としてＴｂＣｏ層をスパッタリングにより形成した。形成方法は、ＴｂターゲットとＣｏターゲットを用いた同時スパッタ法を用いて行った。スパッタリング条件は、ガス圧１．０Ｐａ、Ｔｂターゲットの投入電力５０Ｗ、Ｃｏターゲットの投入電力を１００Ｗとした。希土類金属優勢な希土類遷移金属合金層６の膜厚は４ｎｍとした。
【００２３】
最後に、希土類金属優勢な希土類遷移金属合金層６上に、保護層７としてアモルファスカーボン膜をＤＣスパッタリングにより形成した。スパッタリング条件は、ガス圧０．２０Ｐａ、投入電力３００Ｗとし、保護層７の膜厚は３ｎｍとした。
【００２４】
（比較例１）
比較例１で作製した磁気ディスクの概略断面図を図２に示す。図２に示すように、磁気ディスク１０は、基板１上に、密着層２、軟磁性裏打ち層３、下地層４、記録層５、及び保護層７を順次積層した構造を有する。すなわち、実施例１の希土類金属優勢な希土類遷移金属層が無い構造である。各層の材料、膜厚、作製条件は、実施例１と同様にして作製した。
【００２５】
次に、実施例１及び比較例１の磁気特性を極カー効果測定装置により測定した。その結果を表１に示す。
【００２６】
【表１】
2006147045.tif 000003
【００２７】
次に、これらの例で作製した磁気ディスクの保護層上に１ｎｍの厚さの潤滑剤を塗布した後、その磁気ディスクを、図４に示した磁気記録装置６０内に装着して記録再生特性を評価した。図４（ａ）は磁気記録装置６０の概略平面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）中の破線Ａ−Ａ'における磁気記録装置６０の概略断面図である。図４（ｂ）に示すように、磁気ディスク１０は回転駆動系のスピンドル５２に同軸上に取り付けられ、スピンドル５２により回転される。
【００２８】
この磁気記録装置６０で磁気ディスク１０に情報を記録する際には、２．４Ｔの高飽和磁束密度を有する軟磁性膜を用いた薄膜磁気ヘッドを用い、情報を再生する際には、巨大磁気抵抗効果を有するスピンバルブ型磁気ヘッドを用いた。記録用の薄膜磁気ヘッド及び再生用のスピンバルブ型磁気ヘッドは一体化されており、図４では磁気ヘッド５３として示した。この一体型磁気ヘッド５３は磁気ヘッド用駆動系５４により制御される。磁気記録装置６０の磁気ヘッド面と磁気ディスク面との距離は５ｎｍに保った。
【００２９】
この磁気記録装置６０の磁気ヘッド５３により、磁気ディスク１０の第１記録層５及び第２記録層６の膜面に対して垂直方向の磁化を与え、かつ、軟磁性裏打ち層３の膜面に対して平行方向の磁化を与え、記録層及び軟磁性裏打ち層３と協同して磁気回路を構成することができる。また磁気記録装置６０には、この磁気ヘッド５３に対して磁気ディスク１０を相対的に駆動するための駆動装置５４を備えている。
【００３０】
この磁気ディスク１０を用いて、実施例１及び比較例１の線記録密度２０ｋＦＣＩの信号を記録した際の再生出力とし、記録ヘッドの電流依存性を測定した。その結果を、図５に示す。
【００３１】
実施例１の場合、記録電流が増加するとともに再生出力は増加し、記録電流が４０ｍＡで出力は飽和に達した。一方、比較例１の場合、記録電流の増加とともに再生出力は増加するが最大の記録電流である５０ｍＡにおいても再生出力の値は実施例１よりも低くなっており、飽和に達していないと考えられる。以上の結果から、希土類金属優勢の希土類遷移金属合金層を付加することにより、記録を容易にすることが可能になることが分かる。
【００３２】
この磁気ディスク１０を用いて、線記録密度２０ｋＦＣＩの信号を記録した際の再生出力（Ｓｌｆ）とし、線記録密度８００ｋＦＣＩの信号を記録した際のノイズ（Ｎｄ）との比を磁気ディスクの記録再生特性（Ｓｌｆ／Ｎｄ比）として評価した。表２にＳｌｆ／Ｎｄ比の測定結果を示す。
【００３３】
【表２】
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【００３４】
実施例１のＳｌｆ／Ｎｄ比は比較例よりも優れた記録再生特性を示すことが分かる。これは、比較例１の場合、記録が未飽和である為に出力も低く、ノイズも増大していると考えられる。
【００３５】
（実施例２）
実施例２では、種々の材料を用いて希土類金属優勢な希土類遷移金属合金層を形成した。膜構造は実施例１と同様にした。
【００３６】
表３に、作製した磁気記録媒体の希土類遷移金属合金層、磁気特性及び線記録密度２０ｋＦＣＩの信号を記録した際の再生出力（Ｓｌｆ）とし、線記録密度８００ｋＦＣＩでのノイズ（Ｎｄ）との比を磁気ディスクの記録再生特性（Ｓｌｆ／Ｎｄ比）結果を示した。
【００３７】
【表３】
2006147045.tif 000005
【００３８】
（比較例２）
比較例２では、遷移金属優勢な希土類遷移金属合金層を形成した。膜構造は実施例１と同様にした。表４に、作製した磁気記録媒体の希土類遷移金属合金層、磁気特性及び線記録密度２０ｋＦＣＩの信号を記録した際の再生出力（Ｓｌｆ）とし、線記録密度８００ｋＦＣＩでのノイズ（Ｎｄ）との比を磁気ディスクの記録再生特性（Ｓｌｆ／Ｎｄ比）結果を示した。
【００３９】
【表４】
2006147045.tif 000006
【００４０】
このように、遷移金属優勢な希土類遷移金属合金層を形成した場合、保磁力は比較例１よりもさらに増加する。これは、記録層と希土類遷移金属合金層間の交換結合によるものと考えている。また、希土類金属優勢組成の希土類遷移金属合金を用いた場合のような記録向上の特性がないため、記録特性は劣化する。
【００４１】
（実施例３）
実施例３では、下地層４としてＰｄを記録層５としてＣｏ／Ｐｄ多層膜を用いた。その他の膜構造は実施例１と同様にした。以下に、この例で作製した下地層及び記録層の作製方法を説明する。
【００４２】
軟磁性裏打ち層３上に、下地層４としてＰｄ膜をＤＣスパッタリングにより形成した。スパッタリング条件は、ガス圧１．３Ｐａ、投入電力４００Ｗとし、Ｐｄターゲットを用いた。下地層４の膜厚は５ｎｍとした。
【００４３】
さらに、下地層４上に、記録層５としてＣｏ／Ｐｄ多層膜を形成した。試料は、Ｃｏターゲット及びＰｄターゲットを交互に放電させてＣｏ膜及びＰｄ膜を交互に形成することにより作製した。Ｃｏの膜厚は０．２ｎｍ、Ｐｄの膜厚は０．８ｎｍとし、積層周期は２０周期とした。
【００４４】
（比較例３）
比較例３では、実施例３の希土類金属優勢な希土類遷移金属合金層が無い構造の試料を作製した。各層の材料、膜厚、作製条件は、実施例３と同様に作製した。
【００４５】
（実施例４）
実施例４では、軟磁性裏打ち層３としてＦｅＴａＣ、下地層４としてＰｔを記録層５としてＦｅＰｔ規則合金を用いた。その他の膜構造は実施例１と同様にした。以下に、この例で作製した下地層及び記録層の作製方法を説明する。
【００４６】
密着層２上に、軟磁性裏打ち層３としてＦｅ７９Ｔａ１２Ｃ９（ａｔｍ％）膜をＤＣスパッタリングにより形成した。スパッタリング条件は、ガス圧０．５Ｐａ、投入電力４００Ｗとし、Ｆｅ７９Ｔａ１２Ｃ９（ａｔｍ％）合金ターゲットを用いた。軟磁性裏打ち層３の膜厚は１００ｎｍとした。膜形成後にＦｅの微結晶を析出させる為に真空中で４００℃、３０秒間カーボンヒータにより加熱した後に徐冷した。
【００４７】
軟磁性裏打ち層３上に、下地層４としてＰｔ膜をＤＣスパッタリングにより形成した。スパッタリング条件は、ガス圧０．７５Ｐａ、投入電力４００Ｗとし、Ｐｔターゲットを用いた。下地層４の膜厚は５ｎｍとした。
【００４８】
さらに、下地層４上に、記録層５としてＦｅ５０Ｐｔ５０（ａｔｍ％）合金膜を形成した。試料は、Ｆｅ５０Ｐｔ５０（ａｔｍ％）合金ターゲットを使用し、ガス圧１．０Ｐａ、投入電力４００Ｗ、基板温度を４００℃とした。膜厚は８ｎｍとした。
【００４９】
（比較例４）
比較例４では、実施例４で作製した試料と同様の構造で、希土類金属優勢の希土類遷移金属合金層を取り除いた構造の試料を作製した。
【００５０】
表５に、実施例３および比較例３で作製した磁気記録媒体の磁気特性と、線記録密度２０ｋＦＣＩの信号を記録した際の再生出力（Ｓｌｆ）と線記録密度８００ｋＦＣＩでのノイズ（Ｎｄ）との比を下地層と記録層の材料を併せて示した。
【００５１】
【表５】
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【００５２】
この結果から、希土類金属優勢の希土類遷移金属合金層を付加することにより、記録再生特性が向上することが分かる。これは、記録層の遷移金属モーメントと希土類遷移金属合金層の遷移金属モーメントには常に交換結合が働くために平行になり、希土類遷移金属合金層の希土類モーメントは遷移金属モーメントに対して反平行になるためで、酸化物を含有するＣｏＰｔＣｒ基合金の場合と同様の効果があることが分かる。
【００５３】
上記実施例では、磁気ディスクの基板材料としてガラスを用いた例を説明したが、本発明はこれに限定されない。場合によっては、アルミニウム、ポリカーボネードなどのプラスチック、あるいは、樹脂等を用いても良い。
【００５４】
上記実施例では、基板上に下地層及び記録層を積層した磁気ディスクについて説明したが、本発明はこれに限定されない。下地層自体に記録層を支持する機能を有する場合には、基板を備えなくても良い場合がある。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】希土類金属優勢な希土類遷移金属合金及び遷移金属優勢な希土類遷移金属合金の極カー曲線である。
【図２】実施例1の磁気ディスクの断面構造を示す概略図である。
【図３】比較例１の磁気ディスクの断面構造を示す概略図である。
【図４】本発明で作製した磁気ディスクを備えた磁気記録装置の概略図であり、図４(ａ)は平面図であり、図４(ｂ)は図４(ａ)中のＡ−Ａ'断面図である。
【図５】実施例１及び比較例１における線記録密度２０ｋＦＣＩでの再生出力の記録電流依存性である。
【符号の説明】
【００５６】
１    基板
２    密着層
３    軟磁性裏打ち層
４    下地層
５    記録層
６    希土類遷移金属合金層
７    保護層
１０    磁気ディスク
６０    磁気記録装置
５２    スピンドル
５３    磁気ヘッド
５４    磁気ヘッド駆動系
【図１】
2006147045.tif 000008
【図２】
2006147045.tif 000009
【図３】
2006147045.tif 000010
【図４】
2006147045.tif 000011
【図５】
2006147045.tif 000012