(57)【要約】【課題】  インクジェットヘッド用基板の製造プロセスにおける電極パッドの汚染を効果的に防止し、これによって洗浄を必要とすることなく、ボールバンプの電極パッドに対する接合が良好になされるようにする。【解決手段】  電極配線のパッド部（１０３）上に基板製造プロセスで生じる汚染を防止するための層（２０８）を形成する工程と、パッド部と配線部材との接続に先立って層（２０８）を除去する工程とを具える。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
通電に応じてインクを吐出するために利用されるエネルギを発生する素子を有するインクジェットヘッド用基板の製造方法であって、
外部との電気的接続を行うための配線部材が接続されるパッド部を有し、前記素子に通電を行うための電極配線を形成する工程と、
前記パッド部上に基板製造プロセスで生じる汚染を防止するための層を形成する工程と、
前記パッド部と前記配線部材との接続に先立って前記層を除去する工程と、
を具えたことを特徴とするインクジェットヘッド用基板の製造方法。
【請求項２】
前記基板に接合される感光性樹脂でなるインク吐出口形部材との密着性を向上するために、ポリエーテルアミドでなる密着向上層を前記基板上に塗布およびパターニングして形成する工程を具え、該工程の前および後に、それぞれ、前記層の形成工程および除去工程が置かれることを特徴とする請求項１に記載のインクジェットヘッド用基板の製造方法。
【請求項３】
前記密着向上層のパターニングは、ＣＦ４を添加したＯ２ガスを用いるドライエッチングにより行われることを特徴とする請求項２に記載のインクジェットヘッド用基板の製造方法。
【請求項４】
前記電極配線はＡｌもしくはＡｌ合金で形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法。
【請求項５】
前記層形成工程では前記電極配線の前記パッド部以外にも前記層が形成され、
当該形成後に前記電極配線上に前記インクからの保護層を形成する工程を具え、前記層を前記保護層形成工程における前記電極配線のヒロック抑制層として用いることを特徴とする請求項４に記載のインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法。
【請求項６】
前記層はＴｉＷで形成されることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載のインクジェットヘッド用基板の製造方法。
【請求項７】
前記層の除去工程は、過酸化水素を含むエッチング液を用いるウエットエッチングまたはＣｌ２を含むガスを用いるドライエッチングを含むことを特徴とする請求項６に記載のインクジェット記録ヘッド用基板の製造方法。
【請求項８】
請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の製造方法により製造されたインクジェット記録ヘッド用基板。
【請求項９】
通電に応じてインクを吐出するために利用されるエネルギを発生する素子を有するインクジェットヘッド用基板であって、
外部との電気的接続を行うための配線部材が接続されるパッド部を有し、前記素子に通電を行うための電極配線と、
前記パッド部を除く前記電極配線の部位上に配置された保護層と、
該保護層と前記部位との間に配置されたヒロック抑制層と、
を具えたことを特徴とするインクジェットヘッド用基板。
【請求項１０】
前記ヒロック抑制層はＴｉＷで形成されていることを特徴とする請求項９に記載のインクジェットヘッド用基板。
【請求項１１】
請求項８ないし請求項１０のいずれかに記載のインクジェットヘッド用基板と、
該基板に接合されるインク吐出口形成部材と、
前記パッド部に接続され、外部との電気的接続を行うための配線部材と、
を具えたことを特徴とするインクジェットヘッド。
【請求項１２】
前記パッド部と前記配線部材との接続がボールバンプを介して行われていることを特徴とする請求項１１に記載のインクジェットヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インクを吐出して記録を行うインクジェットヘッド用基板の製造方法、該方法を用いて製造されるインクジェットヘッド用基板、該基板を用いるインクジェットヘッドに関し、特にＴＡＢテープ等の電気配線との電気接続に用いられるバンプ用電極パッドの改良に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
インクジェットヘッドは、次のような製造工程を経て作成される。すなわち、まずインクを吐出するために利用されるエネルギを発生する記録素子（通電に応じインクに膜沸騰を生じさせる熱エネルギを発生する発熱素子（ヒータ）など）やその駆動のためのマトリックス配線および駆動用ＩＣなどを基体上に形成して基板を作成する工程がある。次に、記録素子に対応してインク吐出口やインク流路パターン等を形成するノズル形成部材を上記基板に接合し、ヘッドチップ（以下、単に「チップ」ともいう）を作成する工程がある。さらに、このチップを、インクジェット記録装置本体との電気接続を行うためのＴＡＢテープに電気的に接続する工程がある。この接続は通常、チップ上の電極パッド上に設けられたバンプとＴＡＢ（Tape Automated Bonding）テープのインナーリードとを熱および超音波を併用することによって行われる。
【０００３】
バンプとしては、パッシベーション膜としてＳｉＯ２やＳｉＮなどの膜を形成してパターニングした後、Ａｌ電極上に密着向上層としてのＴｉ，Ｃｕ，Ｗ等の材料からなるバリヤメタルを通常１〜３層設け、さらにその上にフォトリソグラフィ工程によってレジストパターンを形成した後、電解メッキによって金層を成長させて形成する、いわゆるメッキバンプが主流である。
【０００４】
しかしながら、メッキバンプを形成するには、複数回にわたる真空成膜と露光・現像工程が必要である。また、メッキバンプの場合は、ウエハごとの一括処理でメッキを形成するため、その後の処理で不良となったチップにも金メッキバンプが形成されることになり、コストの増大を招きやすい。さらには、ウエハ当たりの電極パッド数が少ない場合（すなわちバンプ数が少ない場合）ほど、１バンプ当たりのコストが高くなってしまう。
【０００５】
このようなことから、近年、ボールバンプが用いられている。ボールバンプはワイヤーボンディング法を応用して形成されるものであり、キャピラリーと呼ばれるセラミックからなる管を通して出されたワイヤーの先端部にアーク放電によってボールを形成する。そして、このボール部に熱および超音波を併用して接合し、その後キャピラリーを上昇させカットクランパーでワイヤーをつかみ、引っ張り応力によってワイヤーを破断させることにより、ボール部分のみを切り離してバンプを形成する。なお、ボールを電極パッドに接合させる方法としては上述の熱および超音波を併用するものの他、熱のみを用いるものも知られている。
【０００６】
ボールバンプは、メッキバンプの形成に必要とするような高価な真空成膜装置や露光装置を必要としない。また、パッシベーション膜やバリヤメタルが不要であるため、特に、ウエハ当たりのパッド数が少ない場合には、メッキバンプと比較してコストの点で有利なものである。
【０００７】
図１４は、インクジェットヘッド用基板１１にインク吐出口（ノズル）１２等を形成するための感光性樹脂材でなるノズル形成部材１３を設けて構成されるヘッドチップを示す斜視図である。図１４に示すように、装置本体側から電源電力や駆動信号をヘッドチップへ供給する際の電気的接続を得るための接続構成に関し、基板１１の端部には電極パッド１１０が形成される。そして、この電極パッドに対するＴＡＢテープ等の接続がボールバンプを介して行われる。
【０００８】
図１４に示すようなノズルを基板に形成するインクジェットヘッド用基板においては、電極パッドが形成された状態で、基板１１とノズル形成部材１３との密着性の向上を目的として基板１１上にポリエーテルアミド樹脂の層が配置される。この樹脂はアルカリエッチング耐性に優れ、かつ、シリコン等の無機膜との密着性も良好であり、さらには、インクジェットヘッドの保護膜としても用いることができる等の利点があり、特に好ましいものである。
【０００９】
その配置にあたっては、ポリエーテルアミド樹脂を塗布した後に、所望のパターンに加工される。ポリエーテルアミド樹脂のパターニングには、反応ガスによるドライエッチング法を用いる。この際、反応ガスとしてＯ２ガスを用い、ＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）ないしはプラズマアッシングを用いることができる。しかしながら、近年、ガス組成とエッチング速度との相関から、ＣＦ４を添加することにより格段にエッチング速度が向上することが解かり、ＣＦ４を添加したガスでエッチングを行うのが一般的となっている。ガス組成についてＣＦ４の添加量は任意に変更可能であるが、エッチングレートや残渣低減の観点からは、Ｏ２流量に対して２％以上加えることが好ましいとされている。
【００１０】
【特許文献１】特開２００２−１９１２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、ＣＦ４を添加したドライエッチングを行うことによって生じる新たな問題として、密着向上層のパターニング工程を経ると、ボンディングを行う電極パッド表面がＣＦ４から成るフッ化物質で汚染され、ボールバンプを行う際に接合不良を招くことがあることが見出された。
【００１２】
また、汚染状態が甚だしい場合には、接合強度（一般的にシェアテスタにより測定される強度で評価）が弱くなるという不都合が発生し、さらに甚だしい場合にはバンプが電極から剥がれてしまう所謂「バンプ抜け」が発生することもある。そこでその問題を解決するために、上記ボール部を接合する際の超音波を強くすることも考えられるが、基板のパッド部にクラックが生じるという問題が発生する。
【００１３】
従って、これらのような問題に対処するため、一般の半導体製造工程においては、ボールバンプ工程の前に、熱処理やプラズマ処理等により電極パッド部の洗浄を行う場合がある。
【００１４】
しかしながら、電極パッド表面の汚染物質を除去するための洗浄を施すことは、ヘッドチップの製造プロセスにおいては好ましいことではない。微細なノズルが形成された基板ないしヘッドチップに対して熱処理もしくはプラズマ洗浄等を行うと、感光性樹脂材料等で形成されたノズルに変形が生じる、または、ノズル最表面に塗布される撥水膜に劣化が生じるからである。そのため、一般の半導体製造工程で行われるような洗浄をヘッドチップの製造プロセスに適用することはできない。
【００１５】
なお、上記した問題は、ＣＦ４を添加したドライエッチングを適用する場合の汚染によって顕著に生じるが、基板製造プロセスにおいてその他の要因によるパッドの汚染によっても同様に生じるものである。
【００１６】
本発明は、かかる問題に鑑みてなされたもので、基板製造プロセスにおける電極パッドの汚染を効果的に防止し、これによって洗浄を必要とすることなく、ボールバンプの電極パッドに対する接合が良好になされるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
そのために、本発明は、通電に応じてインクを吐出するために利用されるエネルギを発生する記録素子を有するインクジェットヘッド用基板の製造方法であって、
外部との電気的接続を行うための配線部材が接続されるパッド部を有し、前記記録素子に通電を行うための電極配線を形成する工程と、
前記パッド部上に基板製造プロセスで生じる汚染を防止するための層を形成する工程と、
前記パッド部と前記配線部材との接続に先立って前記層を除去する工程と、
を具えたことを特徴とする。
【００１８】
また、本発明は、かかる製造方法により製造されたインクジェット記録ヘッド用基板に存する。
【００１９】
また、本発明は、通電に応じてインクを吐出するために利用されるエネルギを発生する記録素子を有するインクジェットヘッド用基板であって、
外部との電気的接続を行うための配線部材が接続されるパッド部を有し、前記記録素子に通電を行うための配線部分を有する電極配線と、
前記電極配線の前記パッド部を除く部位上に配置された保護層と、
該保護層と前記電極配線の前記部位との間に配置されたヒロック抑制層と、
を具えたことを特徴とする。
【００２０】
以上において、前記汚染防止層またはヒロック抑制層はＴｉＷで形成されるものとすることができる。
【００２１】
さらに本発明は、上記のいずれかのインクジェットヘッド用基板と、
該基板に接合されるインク吐出口形成部材と、
前記パッド部に接続され、外部との電気的接続を行うための配線部材と、
を具えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、インクジェットヘッド用基板の製造プロセスにおいて生じるパッド部の汚染、例えば密着向上層のパターニング時のフッ化物質によるパッド部の表面汚染が適切に防止されるため、ボールバンプの接合が良好に行われるようになる。この結果、ボールバンプの接合を安定させることが可能となり、ボールバンプ抜けをなくすことが可能となる。
【００２３】
さらに、汚染防止層の材料を適切に選択し（例えばＴｉＷ）、その形成工程では電極配線のパッド部以外にも前記層が形成されるようになし、当該形成後に電極配線上に保護層を形成する工程を置くようにすれば、前記層を保護層形成工程におけるＡｌ等電極配線のヒロック抑制層として用いることができ、ヒロックに起因した電気的不良をなくすことが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、図面を参照して本発明を詳細に説明する。
【００２５】
（インクジェットヘッド用基板の実施形態）
図１は、本発明の一実施形態によるインクジェットヘッド用基板における主にヒータ部１０１、スルーホール部１０２および電極パッド部１０３の膜構成を示す模式的断面図である。特に電極パッド部１０３の膜構成は図１４のＡ−Ａ断面として示されるものである。
【００２６】
図１に示すように、基体１１０上には蓄熱層２０１が配置されている。そして、その上に第１の電気配線膜２０２、層間絶縁膜２０３、発熱抵抗体層２０４、第２電気配線膜２０５、ヒロック抑制層２０８、保護膜２０６、耐摩耗性膜２０７およびポリエーテルアミド樹脂でなる密着向上層２０９が順次、適切に配置されることでインクジェットヘッド用基板１１が構成される。そして、この基板１１がノズル形成部材１３（図１４）と接合されることでヘッドチップが作成されるが、ポリエーテルアミド樹脂でなる密着向上層２０９が介在することで、両者の密着性が向上する。
【００２７】
ここで、第１の電気配線層２０２は、電極パッド１０３から例えば複数のヒータ部１０１に対して共通に電力を供給するための共通電源配線または共通グランド配線を構成するためのものである。一方、第２電極配線層２０５は、スルーホール部１０２において第１の電極配線層２０２と接続されて、各ヒータ部１０１に電力を供給するためのものであり、ヒータ毎の電源配線またはグランド配線を構成するためのものである。そして、ヒータ部１０１においては、発熱抵抗体層２０４上の第２電極配線層２０５の一部を除去してその部分の発熱抵抗体層を露出することで、発熱部が形成される。また、第２電極配線層２０５は、電極パッド部１０３において第１の電気配線層２０２と接続されるとともに、電極パッド１１０を構成するためのものである。
【００２８】
ここで、発熱抵抗体層２０４は電気抵抗値が高い材料で形成されており、電極配線層２０２および２０５を介して外部から電流を流すことによって、第２電極配線層２０５の非存在部分である発熱部が熱エネルギを発生し、インクを発泡させる。また、電極配線層２０２および２０５を形成する材料には、ＡｌもしくはＡｌを含む合金材料が主に用いられている。
【００２９】
層間絶縁膜２０３は電気的絶縁を要する部位に配置される。また、保護膜２０６はＳｉＯあるいはＳｉＮ等でなり、インクからの保護を行うために所要部位に配置される。耐摩耗性膜２０７は主としてインクの沸騰に伴うキャビテーションから発熱部の保護を行うために配置されるものであり、機械的安定性の高い金属（Ｔａ等）でなる。
【００３０】
上記構成の基板１１において、密着向上層２０９を配置するにあたっては、ポリエーテルアミド樹脂を塗布した後に、所望のパターンに加工される。このパターニングに際して、ＣＦ４を添加したＯ２ガスを用いるドライエッチング法を適用することにより、エッチング速度ないしはパターニングの速度を向上することができる。
【００３１】
しかしながら、上述したように、かかるパターニング工程を経ると、ボンディングを行う電極パッド表面がＣＦ４から成るフッ化物質で汚染され、ボールバンプを行う際に接合不良を招くことがある。また、汚染物質を除去するための洗浄を施すことは、インクジェットヘッドの製造プロセスにおいては好ましいことではない。
【００３２】
そこで本発明は、電極パッド１０３の上層に汚染防止層を形成してから密着向上層のパターニングに供し、その後に当該汚染防止層の除去を行うものである。そして、本実施形態では、汚染防止層の材料を適切に選択することで、電極配線層のヒロック発生を抑制するためにも利用することを主たる特徴とする。
【００３３】
ここで、一般的に電極配線層に使用されるＡｌもしくはＡｌ合金は、保護膜２０６の形成時に加わる温度が４００℃以上になるとヒロックの発生が顕著になり、このヒロックが保護層による電極配線層の段差カバレッジ性を低下させ、また電気的不良の原因となる。このため、これを保護するための保護層には十分な厚さが必要となってしまう。
【００３４】
これに対し、本実施形態では、電極配線上にヒロック抑制層２０８となる膜を形成することで、保護層形成時に加わる温度が４００℃以上になっても、ヒロックの発生を抑制することができる。つまり本実施形態は、第２電極配線２０５上にヒロック抑制層２０８を形成し、かつ、密着向上層のパターニング後には、電極パッド部１０３においてボールバンプが接合される領域のみヒロック抑制層２０８を除去して第２電気配線層２０５を露出させる。これらにより、密着向上層のパターニング工程による電極パッド１０３の汚染を防止し、かつ洗浄工程も不要としつつ、ボールバンプの接合が良好に行われるようになるとともに、電極配線のヒロック抑制を可能とするものである。
【００３５】
（インクジェットヘッド用基板の製造工程）
図２〜図１０を参照して、図１に示したインクジェットヘッド用基体の製造方法の実施形態を説明する。なお、これらの図では、各工程における電極パッド部１０３の膜構造を模式的に示しているが、図１に示したヒータ部１０１やスルーホール部１０２等、基板の全てにおける膜構造が以下に示す工程のいくつかの工程によって同時に形成され得ることは勿論である。
【００３６】
まず、図２に示すように、Ｓｉでなる基体１２０（以降は図示を省略）上に、ＳｉＯ膜をＣＶＤ成膜装置により成膜し、レジスト塗布・露光を行った後、ドライエッチング装置によりエッチングを施して所望の平面形状の蓄熱層２０１とした。ここで、基体１２０としては、Ｓｉ基体に対し、発熱部を選択的に駆動するためのスイッチングトランジスタ等の半導体素子でなる駆動回路を予め作り込こんでおいたものとすることができる。
【００３７】
次に、図３に示すように、ＡｌまたはＡｌ合金の膜をスパッタ成膜装置により成膜し、レジスト塗布・露光を行った後、ウエットエッチング装置によりエッチングを施してパターニングを行い、所望の平面形状の第１電気配線層２０２とした。
【００３８】
次に、図４に示すように、ＳｉＯ膜をＣＶＤ成膜装置により成膜し、レジスト塗布・露光を行った後、ウエットエッチング装置によりエッチングを施し、所望の平面形状の層間絶縁膜２０３とした。
【００３９】
次に、図５に示すように、ＴａＳｉＮ膜をスパッタ成膜装置により成膜し、レジスト塗布・露光を行った後、ドライエッチング装置によりエッチングを施して所望の平面形状のヒータ層２０４とした。
【００４０】
次に、図６に示すように、ＴａＳｉＮ膜およびＡｌまたはＡｌ合金の膜をスパッタ成膜装置により成膜し、レジスト塗布・露光を行った後、ドライエッチング装置によりエッチングを施し、所望の平面形状のヒータ層２０４および第２電気配線層２０５とした。なお、この工程の後、ヒータ部１０１上において、ヒータ形成を行う工程が介挿される。
【００４１】
次に、ＴｉＷ膜をスパッタ成膜装置により成膜し、レジスト塗布・露光を行った後、ドライエッチング装置によりエッチングを施して所望の平面形状のヒロック抑制層２０８とした。この際は、図７に示すように、第２電気配線層２０５上のすべて、すなわち電極パッド部１０３の上部についてもＴｉＷ膜が形成される。
【００４２】
次に、図８に示すように、ＳｉＮ膜をＣＶＤ成膜装置により成膜し、レジスト塗布・露光を行った後、ドライエッチング装置によりエッチングを施し、所望の平面形状の保護層２０６とした。この工程を通じ、電極パッド部を含め第２電気配線層２０５はヒロック抑制層によって覆われているので、ヒロックの発生が抑制される。なお、この工程の後、ヒータ部１０１上について耐摩耗性層２０７の形成を行う工程が介挿される。
【００４３】
次に、図９に示すように、基板１１とノズル形成部材１３とのポリエーテルアミド樹脂を塗布し、ＣＦ４を添加したＯ２ガスを用いるドライエッチング法を適用することにより、ノズル形成部材１３との密着性を向上する適切な平面形状の密着向上層２０９とした。
【００４４】
次に、図１０に示すように、過酸化水素を含むエッチング液を用いるウエットエッチング、またはＣｌ２を含むガスを用いるドライエッチングを施し、電極パッド部１０３上でＴｉＷ膜（ヒロック抑制層２０８）を除去し、その部位すなわちボールバンプ接合部で第２電気配線層２０５を露出する。汚染防止層としてＴｉＷを用いることは、かかるエッチングによって除去でき、かつそのエッチングは他の構成部に対しダメージを実質的に与えないことから好ましく、さらにこれを配線上でのヒロック抑制層としても兼用できることから、好ましいものである。
【００４５】
次に、上記工程を経て製造された基板１１に対し、感光性樹脂材料等のノズル形成部材１３を適切に接合することで、所望の形状および配列のノズルが形成される。さらに、ノズル形成部材１３を接合した基板を、ダイシングソーなどにより分離切断して、図１４に示したようなヘッドチップを得ることができる。
【００４６】
（インクジェットヘッドおよび記録装置の実施形態）
続いて、上記ヘッドチップを用いて構成されるインクジェットヘッドについて説明する。  
図１１および図１２は上記ヘッドチップを用いて構成されるインクジェットヘッドの例を示す斜視図である。
【００４７】
インクジェットヘッドＨ１０００は、概して、記録素子ユニットＨ１００２とインク供給ユニットＨ１００３とタンクホルダＨ２０００とからなっている。ここで、図３に示すように、記録素子ユニットＨ１００２は、上記製造工程を経て作成されたヘッドチップの形態である第１（例えばブラックインク吐出用）の記録素子基板Ｈ１１００および第２（例えばシアン、マゼンタおよびイエローインク吐出用）の記録素子基板Ｈ１１０１、基台である第１のプレートＨ１２００、可撓性の配線部材であるＴＡＢテープ等の電気配線部材Ｈ１３００、電気コンタクト基板Ｈ２２００、および記録素子基板の収容部である第２のプレートＨ１４００で構成され、これらが一体に組み立てられてインク供給ユニットＨ１３００に取り付けられる。また、インク供給ユニットＨ１００３は、タンクホルダＨ２０００に着脱可能に取り付けられる各色用インクタンクからのインク供給経路を構成する種々の部材が設けられ、さらに記録素子ユニットＨ１００２とはジョイントシール部材Ｈ２３００を介して流体連通する。そして、インク供給ユニットＨ１００３はタンクホルダＨ２０００に収納される。
【００４８】
記録素子ユニットＨ１００２は、概ね以下の工程を経て作製される。すなわち、
・第１のプレートＨ１２００と第２のプレートＨ１４００との接合によるプレート接合体の形成、
・プレート接合体への、２つの記録素子基板Ｈ１１００およびＨ１１０１のマウント、
・電気配線部材Ｈ１３００の電極端子Ｈ１３０２と各記録素子基板（ヘッドチップ）の電極パッド部１１０との位置合せおよびボールバンプ接続、電気配線部材の上記プレート接合体への接合、
・電気配線テープＨ１３００の電極端子Ｈ１３０２と各記録素子基板の電極部との接続、および、
・上記電気接続部の封止。
である。
【００４９】
かかる記録素子ユニットＨ１１０２を用いて組み立てたインクジェットヘッドＨ１１００は、プリンタ、複写機、通信システムを有するファクシミリ、プリンタ部を有するワードプロセッサなどの装置に搭載可能であり、さらには各種処理装置と複合的に組み合わせた産業記録装置にも搭載可能なものである。
【００５０】
図１３は上記インクジェットヘッドを用いるインクジェット記録装置の一構成例を示す模式的斜視図である。
【００５１】
図示の装置において、キャリッジ５００は無端ベルト５０１に固定され、かつガイドシャフト５０２に沿って移動可能になっている。無端ベルト５０１はプーリ５０３および５０４に巻回され、プーリ５０３にはキャリッジ駆動モータ５０４の駆動軸が連結されている。従って、キャリッジ５００は、モータ５０４の回転駆動に伴いガイドシャフト５０２に沿って往復方向（Ａ方向）に主走査される。キャリッジ５００上には、カートリッジ形態の上記インクジェットヘッドＨ１０００が搭載され、さらに使用するインク色に対応した個数のインクタンク４０４が搭載される。
【００５２】
また、図示の装置には、キャリッジの主走査方向上の移動位置を検出するなどの目的でリニアエンコーダ５０６が設けられている。リニアエンコーダ５０６の一方の構成要素としてはキャリッジ５００の移動方向に沿って設けられたリニアスケール５０７があり、このリニアスケール５０７には所定密度で、等間隔にスリットが形成されている。一方、キャリッジ５００には、リニアエンコーダ５０６の他方の構成要素として、例えば、発光部および受光センサを有するスリットの検出系５０８および信号処理回路が設けられている。従って、リニアエンコーダ５０６からは、キャリッジ５００の移動に伴って、インク吐出タイミングを規定するための吐出タイミング信号およびキャリッジの位置情報が出力される。
【００５３】
記録媒体としての記録紙Ｐは、キャリッジ５００のスキャン方向と直交する矢印Ｂ方向に間欠的に搬送される。記録紙Ｐは搬送方向上流側の一対のローラユニット５０９および５１０と、下流側一対のローラユニット５１１および５１２とにより支持され、一定の張力を付与されて記録素子ユニットＨ１１０２の吐出口形成面に対する平坦性を確保した状態で搬送される。各ローラユニットに対する駆動力は、図示しない用紙搬送モータから伝達される。
【００５４】
以上のような構成によって、キャリッジ５００の移動に伴いインクジェットヘッドの吐出口の配列幅に対応した幅のプリントと用紙Ｐの搬送とを交互に繰り返しながら、用紙Ｐ全体に対するプリントが行われる。
【００５５】
なお、キャリッジ５００は、プリント開始時またはプリント中に必要に応じてホームポジションで停止する。このホームポジションには、各インクジェットヘッド４１０の吐出口が設けられた面（吐出口面）をキャッピングするキャップ部材５１３が設けられ、このキャップ部材５１３には吐出口から強制的にインクを吸引して吐出口の目詰まり等を防止するための吸引回復手段（不図示）が接続されている。また、記録素子ユニットＨ１１０２の吐出口形成面を払拭するためのワイピング部材５５０が昇降可能に設けられている。
【００５６】
（その他）
なお、上述の実施形態では、電極パッド上の汚染防止層の形成工程を利用してヒロック抑制層が電極配線層上に形成されるようにしたが、電極パッド上の汚染防止のみを目的とする膜の形成および除去を行う形態であってもよい。しかし上述の実施形態のように、汚染防止膜としてその形成材料を適切に選択すること、すなわちＴｉＷを用いることは、過酸化水素を含むエッチング液を用いるウエットエッチングによってこれを除去でき、かかるウエットエッチングは他の構成部に対しダメージを実質的に与えないこと、およびこれをヒロック抑制層としても兼用できることから、好ましいものである。
【００５７】
また、上述の実施形態では主として、ポリエーテルアミド樹脂膜とした密着向上膜のドライエッチング工程で生じる電極パッドの汚染を防止するものとして説明した。しかし本発明はこれに限られることなく、基板ないしヘッドの製造プロセスで生じる電極パッド上の一般的な汚染を防止し、ボールバンプ工程での接合性を良好にする上でも有効であることは勿論である。すなわち、本発明は、密着向上層の形成ないしドライエッチング工程を用いるパターニングを必須の要件とするものではなく、基板の製造プロセスで生じる電極パッド上の一般的な汚染を防止するためにも広く適用できるものである。
【００５８】
さらに、上例では電極配線層をスルーホール部を介して接続される２層構成とした。そして、一方（下層）を複数のヒータ部に対する共通電源配線または共通グランド配線を構成するもの、他方（上層）を各ヒータ部に対する個別電源配線または個別グランド配線を構成するものとした。しかし電極パッド部からヒータ部に至る電極配線の構成はこれに限られることなく、適宜定め得ることは勿論である。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の一実施形態によるインクジェットヘッド用基板の膜構成を示す模式的断面図である。
【図２】図１に示したインクジェットヘッド用基体の製造方法の実施形態を、特に電極パッド部における膜構造を中心として説明するための模式的断面図である。
【図３】図１に示したインクジェットヘッド用基体の製造方法の実施形態を、特に電極パッド部における膜構造を中心として説明するための模式的断面図である。
【図４】図１に示したインクジェットヘッド用基体の製造方法の実施形態を、特に電極パッド部における膜構造を中心として説明するための模式的断面図である。
【図５】図１に示したインクジェットヘッド用基体の製造方法の実施形態を、特に電極パッド部における膜構造を中心として説明するための模式的断面図である。
【図６】図１に示したインクジェットヘッド用基体の製造方法の実施形態を、特に電極パッド部における膜構造を中心として説明するための模式的断面図である。
【図７】図１に示したインクジェットヘッド用基体の製造方法の実施形態を、特に電極パッド部における膜構造を中心として説明するための模式的断面図である。
【図８】図１に示したインクジェットヘッド用基体の製造方法の実施形態を、特に電極パッド部における膜構造を中心として説明するための模式的断面図である。
【図９】図１に示したインクジェットヘッド用基体の製造方法の実施形態を、特に電極パッド部における膜構造を中心として説明するための模式的断面図である。
【図１０】図１に示したインクジェットヘッド用基体の製造方法の実施形態を、特に電極パッド部における膜構造を中心として説明するための模式的断面図である。
【図１１】図２〜図１０の工程を経て製造された基板ないしヘッドチップを用いて構成されるインクジェットヘッドの一例を示す斜視図である。
【図１２】図１１のインクジェットヘッドの主たる構成要素である記録素子ユニット、インク供給ユニットおよびタンクホルダーを分解して示す斜視図である。
【図１３】図１１および図１２に示すインクジェットヘッドを用いるインクジェット記録装置の一構成例を示す模式的斜視図である。
【図１４】インクジェットヘッド用基板にノズル形成部材を設けて構成されるヘッドチップの一般的構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００６０】
１１  基板
１２  インク吐出口
１３  ノズル形成部材
１０１  ヒータ部
１０２  スルーホール部
１０３  電極パッド部
１１０  電極パッド
２０１  蓄熱層
２０２  第１電気配線層
２０３  層間絶縁膜
２０４  発熱抵抗体
２０５  第２電気配線層
２０６  保護層
２０７  耐摩耗性膜
２０８  ヒロック抑制層
２０９  密着向上層
Ｈ１０００  インクジェットヘッド
Ｈ１００２  記録素子ユニット
Ｈ１００３  インク供給ユニット
Ｈ１１００、Ｈ１１０１  記録素子基板（ヘッドチップ）
Ｈ１３００  電気配線部材（ＴＡＢテープ）
Ｈ２０００  タンクホルダ
Ｈ２２００  電気コンタクト基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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