(57)【要約】【課題】本発明は、電子機器の表示部等に用いられる液晶表示装置に関し、良好な表示品質の得られる液晶表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】対向配置された一対の基板２、４と、基板２、４間に封止された負の誘電率異方性を有する液晶６と、エポキシ系架橋剤の濃度が０ｗｔ％以上０．０１ｗｔ％以下である材料を用いて基板２、４の対向面にそれぞれ形成され、液晶６を垂直配向させる配向膜５０、５１と、液晶６に混入された重合性成分が重合して配向膜５０、５１との界面近傍に形成され、液晶６の配向方位を規制するポリマー層５２、５３とを有するように構成する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された一対の基板と、
前記一対の基板間に封止された負の誘電率異方性を有する液晶と、
エポキシ系架橋剤の濃度が０ｗｔ％以上０．０１ｗｔ％以下である材料を用いて前記一対の基板の対向面にそれぞれ形成され、前記液晶を垂直配向させる配向膜と、
前記液晶に混入された重合性成分が重合して前記配向膜との界面近傍に形成され、前記液晶の配向方位を規制するポリマー層と
を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１記載の液晶表示装置において、
前記エポキシ系架橋剤の濃度はほぼ０ｗｔ％であること
を特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の液晶表示装置において、
前記材料は、ポリアミック酸又はポリイミドを含むこと
を特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
前記配向膜のイミド化率は５０％以上であること
を特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項４記載の液晶表示装置において、
前記配向膜のイミド化率は約５０％であること
を特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
前記一対の基板の外周部に切れ目なく形成されたシール材をさらに有していること
を特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器の表示部等に用いられる液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶表示装置は、テレビ受像機やパーソナル・コンピュータのモニタ装置等として用いられるようになっている。これらの用途では、表示画面をあらゆる方向から見ることのできる広い視野角が求められている。広視野角の得られる液晶表示装置として、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）方式の液晶表示装置が知られている。ＭＶＡ方式の液晶表示装置は、一対の基板間に封止された負の誘電率異方性を有する液晶と、液晶分子を基板面にほぼ垂直に配向させる垂直配向膜と、液晶分子の配向方位を規制する配向規制用構造物とを有している。配向規制用構造物としては、線状突起や電極の抜き部（メインスリット）が用いられる。電圧が印加されたときの液晶分子は、配向規制用構造物の延びる方向に垂直な方向に傾斜する。配向規制用構造物を用いて液晶分子の配向方位の互いに異なる複数の領域を１画素内に設けることにより、広い視野角が得られる。
【０００３】
ところが、ＭＶＡ方式の液晶表示装置では、比較的幅の太い線状突起やメインスリットが画素領域内に設けられるため、配向規制用構造物を有さないＴＮモード等の液晶表示装置に比べて画素の開口率が低下してしまい、高い光透過率が得られないという問題がある。
【０００４】
上記の問題を解決するために、バスラインに平行又は垂直に延びる十字状電極と、十字状電極から斜めに分岐して直交４方向に延びる複数のストライプ状電極と、隣り合うストライプ状電極間に形成された微細スリットとを有する画素電極を備えたＭＶＡ方式の液晶表示装置がある。電圧が印加されたときの液晶分子は、画素電極の電極エッジ部に生じる斜め電界により、微細スリットの延びる方向に平行な方向に傾斜する。このＭＶＡ方式の液晶表示装置では、幅の太い線状突起やメインスリットが画素領域内に設けられないので、開口率の低下が抑制される。しかし、ストライプ状電極及び微細スリットによる配向規制力は線状突起やメインスリットによる配向規制力より弱いため、液晶の応答時間が長く、また指押し等により配向の乱れが生じ易いという問題が生じ得る。
【０００５】
そこで、上記の画素構成を有する液晶表示装置には、光又は熱により重合可能なモノマーを液晶に混入しておき、電圧を印加して液晶分子が傾斜した状態でモノマーを重合させることによって液晶分子の傾斜方向を記憶させるポリマー配向支持（ＰＳＡ；Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｓｕｓｔａｉｎｅｄ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）技術が導入されている（例えば特許文献１）。ＰＳＡ技術を用いた液晶表示装置では、液晶分子の傾斜方向を記憶する重合膜が液晶と配向膜との界面に形成されるため、強い配向規制力が得られる。したがって、液晶の応答時間が短く、液晶分子を微細スリットの延びる方向に平行な方向に確実に傾斜させることができ、指押し等によっても配向の乱れが生じ難いＭＶＡ方式の液晶表示装置を実現できる。
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−１４９６４７号公報
【特許文献２】特開２０００−２２１５１０号公報
【特許文献３】特開２００２−３２３７０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、ＰＳＡ技術を用いた液晶表示装置の表示画面には、表示むらが視認される場合があった。ディップ式の真空注入法を用いて液晶が注入された液晶表示装置では、表示むらは例えば液晶注入口に対向する辺の近傍に視認される。一方、滴下注入（ＯＤＦ；Ｏｎｅ  Ｄｒｏｐ  Ｆｉｌｌｉｎｇ）法を用いて作製された液晶表示装置では、表示むらは例えば基板上の隣り合う位置に滴下された液晶同士が拡散して接触する位置に視認される。例えば、基板上にマトリクス状に液晶を滴下した場合には、格子状の表示むらが視認される。このように、ＰＳＡ技術を用いた液晶表示装置は、表示むらが視認され易く、良好な表示品質が得られないという問題を有している。特にＯＤＦ法を用いて作製された液晶表示装置では、真空注入法を用いて作製された液晶表示装置に比較して上記の問題が顕著に生じる。
【０００８】
本発明の目的は、良好な表示品質の得られる液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的は、対向配置された一対の基板と、前記一対の基板間に封止された負の誘電率異方性を有する液晶と、エポキシ系架橋剤の濃度が０ｗｔ％以上０．０１ｗｔ％以下である材料を用いて前記一対の基板の対向面にそれぞれ形成され、前記液晶を垂直配向させる配向膜と、前記液晶に混入された重合性成分が重合して前記配向膜との界面近傍に形成され、前記液晶の配向方位を規制するポリマー層とを有することを特徴とする液晶表示装置によって達成される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、良好な表示品質の得られる液晶表示装置を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の一実施の形態による液晶表示装置について図１乃至図３を用いて説明する。まず、本実施の形態の原理について説明する。ＰＳＡ技術を用いた従来の液晶表示装置の表示画面に視認される表示むらは、一部の領域での光透過率が他の領域での光透過率と異なってしまうことにより生じる。例えばＯＤＦ法を用いて作製された液晶表示装置では、滴下された液晶同士が拡散して接触する領域での光透過率が他の領域での光透過率と異なっている。これは、液晶同士が拡散して接触する領域ではモノマーの重合が起こり易いことが原因と考えられる。当該領域で重合が起こり易い要因として、液晶が拡散する際に基板表面の異物が当該領域に集まってしまい、その異物を核としてモノマーが重合すること等が考えられる。液晶を滴下する前に予め除去することが困難な異物としては、配向膜表面に析出するエポキシ系架橋剤があることが分かった。一般にエポキシ系架橋剤は、ＩＴＯ等との密着性を高めるために配向膜に混入される。またエポキシ系架橋剤を配向膜に混入することによって、配向膜の電圧保持率が向上し、配向膜の帯電による残留ＤＣ電圧の発生が抑制されるため、配向膜の電気特性が向上する。大気圧中で液晶が滴下されるＯＤＦ法を用いて作製される液晶表示装置で比較的重要になる配向膜の耐水性も、エポキシ系架橋剤を混入することによって向上している。
【００１２】
本実施の形態では、エポキシ系架橋剤の濃度が比較的低い（０ｗｔ％以上０．０１ｗｔ％以下）材料（例えばポリアミック酸又はポリイミド）を用いて配向膜を形成することにより、重合化の核となり得るエポキシ系架橋剤の析出を抑え、ＰＳＡ技術を用いた液晶表示装置の表示むらを抑制している。エポキシ系架橋剤の濃度が低いほど表示むらの抑制効果は高く、エポキシ系架橋剤が全く含まれない（濃度０ｗｔ％）材料を用いるのが望ましい。また本実施の形態では、上記のように表示むらを抑制するとともに、配向膜のイミド化率を５０％以上とすることによって、配向膜の電気特性や耐水性も向上させている。
【００１３】
次に、本実施の形態による液晶表示装置の構成について説明する。図１は、本実施の形態による液晶表示装置の概略構成を示している。図１に示すように、液晶表示装置は、絶縁膜を介して互いに交差して形成されたゲートバスライン及びドレインバスラインと、画素毎に形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）及び画素電極とを備えたＴＦＴ基板２を有している。また、液晶表示装置は、カラーフィルタ（ＣＦ）や共通電極が形成されてＴＦＴ基板２に対向配置された対向基板４と、両基板２、４の対向面に形成された配向膜とを有している。両基板２、４は、それらの対向面の外周部の全周に切れ目なく形成されたシール材を介して貼り合わされている。両基板２、４間には、負の誘電率異方性を有する垂直配向型の液晶が封止されている。
【００１４】
ＴＦＴ基板２には、複数のゲートバスラインを駆動するドライバＩＣが実装されたゲートバスライン駆動回路８０と、複数のドレインバスラインを駆動するドライバＩＣが実装されたドレインバスライン駆動回路８２とが接続されている。これらの駆動回路８０、８２は、制御回路８４から出力された所定の信号に基づいて、走査信号やデータ信号を所定のゲートバスラインあるいはドレインバスラインに出力するようになっている。ＴＦＴ基板２のＴＦＴ素子形成面と反対側の面には偏光板８７が配置され、対向基板４の共通電極形成面と反対側の面には、偏光板８６が偏光板８７に対しクロスニコルに配置されている。偏光板８７のＴＦＴ基板２と反対側の面にはバックライトユニット８８が配置されている。
【００１５】
図２は本実施の形態による液晶表示装置の１画素の構成を示し、図３は図２のＡ−Ａ線で切断した液晶表示装置の断面構成を示している。図２では、液晶分子８の配向方位を併せて模式的に示している。図２及び図３に示すように、液晶表示装置のＴＦＴ基板２は、ガラス基板１０上に形成された複数のゲートバスライン１２と、絶縁膜３０を介してゲートバスライン１２に交差して形成された複数のドレインバスライン１４とを有している。ゲートバスライン１２及びドレインバスライン１４により囲まれた画素領域を横切って、ゲートバスライン１２に並列して延びる蓄積容量バスライン１８が形成されている。ゲートバスライン１２及びドレインバスライン１４の交差位置近傍には、画素毎に配置されるスイッチング素子としてＴＦＴ２０が形成されている。ＴＦＴ２０のドレイン電極２１は、ドレインバスライン１４に電気的に接続されている。またゲートバスライン１２の一部は、ＴＦＴ２０のゲート電極として機能している。ドレインバスライン１４上及びＴＦＴ２０上の基板全面には保護膜３１が形成されている。
【００１６】
保護膜３１上の各画素領域には、例えばＩＴＯ等の透明導電膜からなる画素電極１６が形成されている。画素電極１６は、保護膜３１が開口されたコンタクトホール２４を介してＴＦＴ２０のソース電極２２に電気的に接続されている。画素電極１６は、ゲートバスライン１２にほぼ平行に延びる線状電極１６ａと、線状電極１６ａに十字状に交差し、ドレインバスライン１４にほぼ平行に延びる線状電極１６ｂとを有している。また画素電極１６は、線状電極１６ａ又は１６ｂから斜めに分岐し、１画素内で直交４方向にストライプ状に延びる複数の線状電極１６ｃと、隣り合う線状電極１６ｃ間に形成された微細スリット１６ｄとを有している。画素電極１６上の基板全面には、液晶分子８を基板面にほぼ垂直配向させる配向膜５０が形成されている。配向膜５０は、エポキシ系架橋剤の濃度が０ｗｔ％以上０．０１ｗｔ％以下である材料を用いて形成されている。配向膜５０と液晶６との界面には、例えば液晶分子８の配向方位を規制するポリマー層５２が形成されている。
【００１７】
一方、対向基板４は、ガラス基板１１上に形成されたＣＦ樹脂層４０を有している。各画素には、赤色、緑色、青色のいずれか１色のＣＦ樹脂層４０が形成されている。ＣＦ樹脂層４０上の基板全面には、透明導電膜からなる共通電極４１が形成されている。共通電極４１上の全面には、液晶分子８を基板面にほぼ垂直に配向させる配向膜５１が形成されている。配向膜５１は、ＴＦＴ基板２側の配向膜５０と同様に、エポキシ系架橋剤の濃度が０ｗｔ％以上０．０１ｗｔ％以下である材料を用いて形成されている。配向膜５１と液晶６との界面には、ポリマー層５３がＴＦＴ基板２側のポリマー層５２と同様に形成されている。ポリマー層５２、５３は、例えば液晶６に所定の電圧を印加した状態で、液晶６に混入されたモノマー等の重合性成分を光又は熱により重合させることによって形成される。ポリマー層５２、５３によって、電圧印加を取り去っても液晶分子８は基板面に対し所定のプレチルト角で傾斜し、液晶表示パネルを実際に駆動する際の液晶分子８の傾斜方向が規制される。これにより、電圧印加時の液晶分子８は１画素内で直交４方向にほぼ均等に傾斜するため、広視野角の液晶表示装置が得られる。
【００１８】
本実施の形態によれば、エポキシ系架橋剤の濃度が０ｗｔ％以上０．０１ｗｔ％以下である材料を用いて配向膜５０、５１を形成することによって、表示むらのない良好な表示品質を得られる。また本実施の形態によれば、配向膜５０、５１のイミド化率を５０％以上とすることによって、配向膜５０、５１の電気特性や耐水性も向上する。表示むらの視認され易い、ＯＤＦ法を用いて作製された液晶表示装置に本実施の形態を適用することによって、特に高い効果が生じる。
以下、本実施の形態による液晶表示装置について、実施例を用いてより具体的に説明する。
【００１９】
（実施例１）
ジアミンａ及び酸無水物ａを含む垂直配向膜用材料ＶＡ−ＰＩａと、ジアミンｂ及び酸無水物ｂを含む垂直配向膜用材料ＶＡ−ＰＩｂとを用意した。これら２種類の配向膜用材料をそれぞれ４つに分け、そのうち各３つにはエポキシ系架橋剤を３種類の濃度（０．０１ｗｔ％、０．１ｗｔ％、０．２ｗｔ％）でそれぞれ混入し、また各１つにはエポキシ系架橋剤を混入せず（濃度０ｗｔ％）、８種類の配向膜用材料を生成した。図２に示したような画素電極１６を有するＴＦＴ基板２と、突起やスリット等の配向規制用構造物が形成されていない対向基板４とを洗浄した後、両基板２、４上に上記の８種類の配向膜用材料をそれぞれ印刷した。７０℃でプリキュアを行って配向膜用材料中の溶媒を除去した後、両基板２、４を２００℃で１０分間加熱して配向膜用材料を本硬化させ、配向膜５０、５１を形成した。次に、両基板２、４を洗浄し、ＴＦＴ基板２の外周部の全周に切れ目なくシール材を塗布した。続いて、光により重合するモノマーが濃度０．３ｗｔ％で混入されたｎ型液晶をＴＦＴ基板２のシール材で囲まれた領域内の複数箇所に滴下した。次に、ＴＦＴ基板２と対向基板４とを貼り合わせ、１２０℃で６０分間の熱処理を行ってシール材を硬化させた。本例ではモノマーを重合させる際に液晶層に電圧を印加する必要があるため、パネル毎に分断して面取りを行った。
【００２０】
次に、ゲートバスライン１２には電圧を印加せず、各ドレインバスライン１４と共通電極４１との間にＤＣ１７Ｖの電圧を印加することにより、各画素電極１６と共通電極４１との間の液晶層にＤＣ１７Ｖの電圧を印加した。この状態で液晶６にＵＶ光を１００秒間照射した。ＵＶ光は、パネル全面が均一な照度になるように照射した。これにより、液晶６に混入されたモノマーを重合させ、液晶６と配向膜５０、５１との各界面にポリマー層５２、５３をそれぞれ形成した。その後、基板２、４の外側に偏光板８６、８７をクロスニコルに貼り付けた。以上の工程を経て、配向膜５０、５１の材料が異なる８種類の液晶表示パネルを作製した。
【００２１】
８種類の液晶表示パネルの後方から光を照射し、主に表示むらの有無に注目して表示確認を行った。表１は、８種類の液晶表示パネルの表示品質の評価を示している。表１では、良好な表示品質の得られた液晶表示パネルを「○」で表し、比較的良好な表示品質の得られた液晶表示パネルを「△」で表し、表示品質が若干低い液晶表示パネルを「×」で表し、表示品質が極めて低い液晶表示パネルを「××」で表している。表１に示すように、液晶表示パネルの表示品質は、配向膜用材料のモノマー種（ジアミン、酸無水物）にはよらず、エポキシ系架橋剤の濃度により変化している。配向膜５０、５１におけるエポキシ系架橋剤の濃度が低いほど良好な表示品質が得られ、比較的良好な表示品質を得るためにはエポキシ系架橋剤の濃度を０ｗｔ％以上０．０１ｗｔ％以下にする必要があることが分かった。特に、エポキシ系架橋剤を含有していない（濃度０ｗｔ％）配向膜５０、５１を備えた液晶表示パネルでは、表示むらがほとんど視認されず、良好な表示品質が得られた。
【００２２】
【表１】
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【００２３】
以上の結果から、ＰＳＡ技術を用いたＭＶＡ方式の液晶表示装置において、エポキシ系架橋剤の濃度が０ｗｔ％以上０．０１ｗｔ％以下である材料を用いて配向膜５０、５１を形成することによって、表示むらのない良好な表示品質を得られることが分かった。
【００２４】
（実施例２）
ジアミンｃ及び酸無水物ｃを含み、イミド化率が互いに異なる３種類の垂直配向膜用材料ＶＡ−ＰＩｃ１〜ＶＡ−ＰＩｃ３を用意した。配向膜用材料ＶＡ−ＰＩｃ１のイミド化率を０％とし、配向膜用材料ＶＡ−ＰＩｃ２のイミド化率を５０％とし、配向膜用材料ＶＡ−ＰＩｃ３のイミド化率を７５％とした。各配向膜用材料ＶＡ−ＰＩｃ１〜ＶＡ−ＰＩｃ３のエポキシ系架橋剤の濃度はいずれも０ｗｔ％とした。図２に示したような画素電極１６を有するＴＦＴ基板２と、突起やスリット等の配向規制用構造物が形成されていない対向基板４とを洗浄した後、両基板２、４上に上記の３種類の配向膜用材料をそれぞれ印刷した。７０℃でプリキュアを行って配向膜用材料中の溶媒を除去した。その後、両基板２、４を２００℃で１０分間加熱して配向膜用材料を本硬化させ、配向膜５０、５１を形成した。配向膜５０、５１を熱硬化させる工程での熱イミド化により、配向膜用材料ＶＡ−ＰＩｃ１のイミド化率は約３０％となった。一方、配向膜用材料ＶＡ−ＰＩｃ２、ＶＡ−ＰＩｃ３は、予め化学的イミド化が行われているため熱イミド化がほとんど生じず、配向膜用材料ＶＡ−ＰＩｃ２、ＶＡ−ＰＩｃ３を用いた場合のイミド化率は熱硬化前後でそれぞれほとんど変化していないことが確認された。次に、両基板２、４を洗浄し、ＴＦＴ基板２の外周部の全周に切れ目なくシール材を塗布した。続いて、光により重合するモノマーが濃度０．３ｗｔ％で混入されたｎ型液晶をＴＦＴ基板２のシール材で囲まれた領域内の複数箇所に滴下した。次に、ＴＦＴ基板２と対向基板４とを貼り合わせ、１２０℃で６０分間の熱処理を行ってシール材を硬化させた。本例ではモノマーを重合させる際に液晶層に電圧を印加する必要があるため、パネル毎に分断して面取りを行った。
【００２５】
次に、ゲートバスライン１２には電圧を印加せず、各ドレインバスライン１４と共通電極４１との間にＤＣ１７Ｖの電圧を印加することにより、各画素電極１６と共通電極４１との間の液晶層にＤＣ１７Ｖの電圧を印加した。この状態で液晶６にＵＶ光を１００秒間照射した。ＵＶ光は、パネル全面が均一な照度になるように照射した。これにより、液晶６に混入されたモノマーを重合させ、液晶６と配向膜５０、５１との各界面にポリマー層５２、５３をそれぞれ形成した。その後、基板２、４の外側に偏光板８６、８７をクロスニコルに貼り付けた。以上の工程を経て、配向膜５０、５１のイミド化率が異なる３種類の液晶表示パネルを作製した。
【００２６】
３種類の液晶表示パネルの電圧保持率を測定した。表２は、３種類の液晶表示パネルの電圧保持率の評価を示している。表２では、比較的高い電圧保持率の得られた液晶表示パネルを「○」で表し、高い電圧保持率の得られなかった液晶表示パネルを「×」で表している。表２に示すように、イミド化率が５０％以上の配向膜５０、５１を備えた液晶表示パネルでは高い電圧保持率が得られた。一方、イミド化率が０％の材料を用い、熱硬化後にイミド化率が３０％となった配向膜５０、５１を備えた液晶表示パネルでは、高い電圧保持率が得られなかった。イミド化率が７５％の配向膜５０、５１を備えた液晶表示パネルは、イミド化率が５０％の配向膜５０、５１を備えた液晶表示パネルより若干高い電圧保持率が得られたが、イミド化率が極めて高い材料を用いると材料コストが増加する場合があるため、配向膜５０、５１のイミド化率が約５０％であることが好ましいと考えられる。
【００２７】
【表２】
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【００２８】
また、イミド化率が５０％以上の配向膜５０、５１を備えた液晶表示パネルでは、電圧保持率以外の電気特性も比較的良好であり、耐水性も比較的高かった。なお、３種類の液晶表示パネルの後方から光を照射し、主に表示むらの有無に注目して表示確認を行ったところ、いずれも比較的良好な表示品質が得られた。
【００２９】
以上の結果から、ＰＳＡ技術を用いたＭＶＡ方式の液晶表示装置において、配向膜５０、５１のイミド化率を５０％以上にすることによって、良好な電気特性及び高い耐水性を得られることが分かった。
【００３０】
本発明は、上記実施の形態に限らず種々の変形が可能である。
例えば、上記実施の形態では、ＯＤＦ法を用いて作製された液晶表示装置を例に挙げたが、本発明はこれに限らず、ディップ式の真空注入法等を用いて作製された液晶表示装置にも適用できる。
【００３１】
また上記実施の形態では、透過型の液晶表示装置を例に挙げたが、本発明はこれに限らず、反射型や半透過型等の他の液晶表示装置にも適用できる。
【００３２】
さらに上記実施の形態では、対向基板４上にＣＦ樹脂層４０が形成された液晶表示装置を例に挙げたが、本発明はこれに限らず、ＴＦＴ基板２上にＣＦが形成された、いわゆるＣＦ−ｏｎ−ＴＦＴ構造の液晶表示装置にも適用できる。
【００３３】
以上説明した実施の形態による液晶表示装置は、以下のようにまとめられる。
（付記１）
対向配置された一対の基板と、
前記一対の基板間に封止された負の誘電率異方性を有する液晶と、
エポキシ系架橋剤の濃度が０ｗｔ％以上０．０１ｗｔ％以下である材料を用いて前記一対の基板の対向面にそれぞれ形成され、前記液晶を垂直配向させる配向膜と、
前記液晶に混入された重合性成分が重合して前記配向膜との界面近傍に形成され、前記液晶の配向方位を規制するポリマー層と
を有することを特徴とする液晶表示装置。
（付記２）
付記１記載の液晶表示装置において、
前記エポキシ系架橋剤の濃度はほぼ０ｗｔ％であること
を特徴とする液晶表示装置。
（付記３）
付記１又は２に記載の液晶表示装置において、
前記材料は、ポリアミック酸又はポリイミドを含むこと
を特徴とする液晶表示装置。
（付記４）
付記１乃至３のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
前記配向膜のイミド化率は５０％以上であること
を特徴とする液晶表示装置。
（付記５）
付記４記載の液晶表示装置において、
前記配向膜のイミド化率は約５０％であること
を特徴とする液晶表示装置。
（付記６）
付記１乃至５のいずれか１項に記載の液晶表示装置において、
前記一対の基板の外周部に切れ目なく形成されたシール材をさらに有していること
を特徴とする液晶表示装置。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の一実施の形態による液晶表示装置の概略構成を示す図である。
【図２】本発明の一実施の形態による液晶表示装置の１画素の構成を示す図である。
【図３】本発明の一実施の形態による液晶表示装置の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【００３５】
２  ＴＦＴ基板
４  対向基板
６  液晶
８  液晶分子
１０、１１  ガラス基板
１２  ゲートバスライン
１４  ドレインバスライン
１６  画素電極
１６ａ、１６ｂ、１６ｃ  線状電極
１６ｄ  微細スリット
１８  蓄積容量バスライン
２０  ＴＦＴ
２１  ドレイン電極
２２  ソース電極
３０  絶縁膜
３１  保護膜
４０  ＣＦ樹脂層
４１  共通電極
５０、５１  配向膜
８０  ゲートバスライン駆動回路
８２  ドレインバスライン駆動回路
８４  制御回路
８６、８７  偏光板
８８  バックライトユニット
【図１】
2006215326.tif 000005
【図２】
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【図３】
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