(57)【要約】【課題】    基板から剥離したレジスト膜と基板との再密着を抑制することができるレジスト膜の除去方法及びレジスト膜除去装置を提供する。【解決手段】  レジスト膜６を水１１の中に浸漬させた状態にし、密着界面に対して水１１を進入させ、半導体ウェハ５からレジスト膜６を浮かび上がらせる。さらに、攪拌翼３０によって、剥離したレジスト膜６を水１１とともに内部空間２で回流させる。【選択図】      図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に付着したレジスト膜を液体の中に浸漬させた状態で加熱して、前記レジスト膜にクラックを生じさせるとともに、前記クラックを介して前記液体を前記基板と前記レジスト膜との界面に侵入させて前記基板から前記レジスト膜を剥離させることを特徴とするレジスト膜の除去方法。
【請求項２】
請求項１に記載したレジスト膜の除去方法において、
前記液体は、流動していることを特徴とするレジスト膜の除去方法。
【請求項３】
請求項２に記載したレジスト膜の除去方法において、
前記加熱は、放射熱によることを特徴とするレジスト膜の除去方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか1つに記載するレジスト膜の除去方法において、
前記液体はレジスト膜よりも比重が大きいことを特徴とするレジスト膜の除去方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか1つに記載するレジスト膜の除去方法において、
前記液体は水またはアルコールであることを特徴とするレジスト膜の除去方法。
【請求項６】
レジスト膜を液体の中に浸漬させるための液体収容容器と、前記液体収容容器に前記液体を供給する液体供給手段と、前記レジスト膜が付着した基板を配置するテーブルと、前記基板を加熱する加熱手段とを有することを特徴とするレジスト膜除去装置。
【請求項７】
請求項６に記載のレジスト膜除去装置において、
前記液体を流動させるための流動発生手段を有すること特徴とするレジスト膜除去装置。
【請求項８】
請求項６又は７に記載したレジスト膜除去装置において、
前記加熱手段は、前記テーブルに設けたヒータであることを特徴としたレジスト膜除去装置。
【請求項９】
請求項６又は７に記載したレジスト膜除去装置において、
前記加熱手段は、放射熱を発生させる放射加熱器であることを特徴としたレジスト膜除去装置。
【請求項１０】
請求項６〜９のいずれか1つにレジスト膜除去装置において、
前記液体はレジスト膜よりも比重が大きいことを特徴とするレジスト膜除去装置。
【請求項１１】
請求項６〜９のいずれか1つにレジスト膜除去装置において、
前記液体は水またはアルコールであることを特徴とするレジスト膜除去装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レジスト膜の除去方法及びレジスト膜除去装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体の製造においては、シリコンウエハなどの半導体基板にパターンを転写する一般的な方法としてフォトグラフィー法が用いられている。
このフォトグラフィー法で形成されるレジスト膜は、エッチングやイオン注入の工程が終了するたびに除去され、次の工程の際に新たなレジスト膜が形成される。また、レジスト膜は有機材料であるため、加熱されたり無機物などの粒子が注入されたりすると、容易に変質して硬化してしまう性質がある。
【０００３】
さて、このレジスト膜を除去する方法として、酸素プラズマによりレジスト膜を灰化除去する方法や、有機溶媒（フェノール系・ハロゲン系など）を用いてレジスト膜を加熱溶解させる方法、または濃硫酸・過酸化水素を用いる加熱溶解法が知られている。しかし、これらの方法は何れも、多くのエネルギーと時間及び化学材料が必要であり、リソグラフィー工程の負担となる。
【０００４】
そこで、従来より、こうしたレジスト膜を除去する方法として、リソグラフィー工程の負担を軽減し、低エネルギーで容易にレジスト膜を除去できる方法が種々提案されている（例えば、特許文献1）。特許文献１によれば、半導体の基板（以下、単に基板という。
）に付着したレジスト膜に対してクラックを生じさせ、そのクラックを介してレジスト膜に洗浄液を浸透させる。つまり、レジスト膜に浸透した洗浄液は、時間の経過とともに基板とレジスト膜との密着界面に進入し、レジスト膜を浮かび上がらせる。これにより、レジスト膜は流水などによって基板から洗い流される。従って、レジスト膜を低エネルギーで容易に基板から除去することができる。
【特許文献１】特開２００1−９３８０６
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１に記載されるレジスト膜の除去方法では、一度、レジスト膜が基板から浮き上がって剥離しても、基板とレジスト膜との離間距離が短いために、再度、分子間力により密着してしまう。これによって、レジスト膜の除去が困難になる問題が生じていた。
【０００６】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板から剥離したレジスト膜と基板との再密着を抑制することができるレジスト膜の除去方法及びレジスト膜除去装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のレジスト膜の除去方法は、基板に付着したレジスト膜を液体の中に浸漬させた状態で加熱して、前記レジスト膜にクラックを生じさせるとともに、前記クラックを介して前記液体を前記基板と前記レジスト膜との界面に侵入させて前記基板から前記レジスト膜を剥離させる。
【０００８】
本発明のレジスト膜の除去方法によれば、レジスト膜を加熱することにより、熱応力を生じさせてクラックを発生させる。また、クラックを介して基板とレジスト膜との界面に液体を進入させて、基板からレジスト膜を剥離させる。従って、レジスト膜は液体の中に
浸漬されているので、基板と剥離したレジスト膜との間には液体が常に存在する。その結果、分子間力による基板と剥離したレジスト膜との再密着を抑制することができる。
【０００９】
このレジスト膜の除去方法は、前記液体は、流動している。このレジスト膜の除去方法によれば、液体が流動するので、剥離したレジスト膜は、液体とともに流動する。従って、分子間力による基板と剥離したレジスト膜との再密着を確実に抑制することができる。
【００１０】
このレジスト膜の除去方法は、前記加熱は、放射熱による。このレジスト膜の除去方法によれば、放射熱によって基板が加熱される。これにより、局部的に加熱を行うことができる。従って、クラックを容易に発生させることができ、レジスト膜６を除去する時間を短縮することができる。
【００１１】
このレジスト膜の除去方法は、前記液体はレジスト膜よりも比重が大きい。このレジスト膜の除去方法によれば、レジスト膜は液体よりも比重が小さい。これにより、剥離したレジスト膜には浮力が生じるので、基板と剥離したレジスト膜との離間距離は広くなる。従って、分子間力による基板と剥離したレジスト膜との再密着をより抑制することができる。
【００１２】
このレジスト膜の除去方法は、前記液体は水またはアルコールである。このレジスト膜の除去方法によれば、液体には水またはアルコールを使用することができる。従って、水やアルコールはレジスト膜と反応しないため、安価で、危険性の少ない液体として容易に取り扱うことができる。
【００１３】
本発明のレジスト膜の除去装置は、レジスト膜を液体の中に浸漬させるための液体収容容器と、前記液体収容容器に前記液体を供給する液体供給手段と、前記レジスト膜が付着した基板を配置するテーブルと、前記基板を加熱する加熱手段とを有する。
【００１４】
本発明のレジスト膜除去装置によれば、液体収容容器に収容された液体の中にレジスト膜を浸漬させて、加熱手段により基板を加熱する。これによれば、基板とレジスト膜との界面には液体が進入し、この界面に進入した液体が基板を加熱する熱によって沸騰気化し、レジスト膜は基板から浮き上がる。さらに、レジスト膜は液体の中に浸漬されているので、基板と剥離したレジスト膜との間には常に液体が存在する。従って、分子間力による基板と剥離したレジスト膜との再密着を抑制することができる。
【００１５】
このレジスト膜の除去装置は、前記液体を流動させるための流動発生手段を有する。このレジスト膜の剥離装置によれば、液体が流動するので、剥離したレジスト膜は、液体とともに流動する。従って、分子間力による基板と剥離したレジスト膜との再密着を確実に抑制することができれる。
【００１６】
このレジスト膜の除去装置は、前記加熱手段は、前記テーブルに設けたヒータである。このレジスト膜の除去装置によれば、ヒータによって基板が加熱される。これにより、構造が簡素で取り扱いも容易に基板を加熱することができる。
【００１７】
このレジスト膜の除去装置は、前記加熱手段は、放射熱を発生させる放射加熱器である。このレジスト膜の除去装置によれば、放射熱によって基板が加熱される。これにより、局部的に加熱を行うことができる。従って、クラックを容易に発生させることができ、レジスト膜６を除去する時間を短縮することができる。
【００１８】
このレジスト膜の除去装置は、前記液体はレジスト膜よりも比重が大きい。このレジスト膜の除去装置によれば、レジスト膜は液体よりも比重が小さい。従って、剥離したレジ
スト膜には浮力が生じるので、基板と剥離したレジスト膜との離間距離は広くなる。その結果、分子間力による基板と剥離したレジスト膜との再密着をより抑制することができる。
【００１９】
このレジスト膜の除去装置は、前記液体は水またはアルコールである。このレジスト膜の除去装置によれば、液体には水またはアルコールを使用することができる。従って、レジスト膜と反応をすることなく、安価で、危険性の少ない液体として容易に取り扱うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
（第１実施形態）
以下、本発明に係るレジスト膜除去装置の第１実施形態を図１に従って詳細に説明する。
【００２１】
図１はレジスト膜除去装置の説明図である。液体収容容器としてのチャンバ１は、略直方体の形状をした箱体であり、その内部空間２にはテーブルとしてのステージ４が設けられている。ステージ４は、チャンバ１の底部３に配置されて、図示しない搬送手段によってチャンバ１の内外へ搬入搬出可能になっている。ステージ４は上面４ａが平滑な板状の形状をしており、その上面４ａに基板としての半導体ウェハ５を載置固定するようになっている。本実施例では、ステージ４はアルミニウムにより形成しているが、素材はそれに限定されるものではなく、スチールなどの金属や樹脂により形成されていてもよい。
【００２２】
ステージ４の上には、半導体ウェハ５が配置されている。半導体ウェハ５は上方から見て略円形状の形状をしており、シリコンにより形成されている。この半導体ウェハ５は、上面５ａにレジスト膜６が形成されている。レジスト膜６は、イオン注入工程においてマスクとして使用されており、無機物であるイオンが打ち込まれ、さらにイオン注入の際に高温に曝されているために表面は硬化している。
【００２３】
チャンバ１の一側面１ａの上方には、液体供給手段としての導入管９の一端が接続され、その導入管９の他端は液体供給室１０に接続されている。そして、液体供給室１０は、導入管９を介して、液体としての水１１（純水または水道水）を内部空間２に導入するようになっている。また、導入管９には導入バルブ１２が設けられ、その導入バルブ１２によって内部空間２に導入する水１１の流量を調整する。
【００２４】
さらに、チャンバ１の底部３には、排水管１３の一端が接続され、その排水管１３の他端は図示しない回収室に接続されている。そして、チャンバ１の内部空間２の水１１は、排水管１３を介して外部に排出されるようになっている。また、排水管１３には、排水バルブ１４が設けられ、その排水バルブ１４を閉じることによって、内部空間２には水１１が貯留される。
【００２５】
ステージ４の内部には加熱手段としてのヒータ２０が内蔵されている。そして、ステージ４がこのヒータ２０によって加熱されることで、その上面に配置される半導体ウェハ５及びレジスト膜６が加熱される。ヒータ２０は、例えばセラミックヒータなどの加熱器であり、図示しない外部の電源により起動することができる。
【００２６】
次に、本実施形態によるレジスト膜除去装置によって、半導体ウェハ５に形成されたレジスト膜６を除去する方法を説明する。
硬化したレジスト膜６を除去する場合、先ずステージ４の上に半導体ウェハ５を配置固定する。次に導入バルブ１２を開放した導入管９を介して、液体供給室１０から水１１を内部空間２に導入する。本実施例では水１１には純水を使用している。そして、排水バル
ブ１４を閉じて、水１１を内部空間２に貯留させ、レジスト膜６が水１１によって浸漬する量の水１１が内部空間２に導入された後に導入バルブ１２が閉じられる。
【００２７】
一方、ヒータ２０は、導入管９から水１１が内部空間２に導入されると同時に発熱されて、ステージ４を加熱させる。これより、ステージ４の上面４ａに配置された半導体ウェハ５も加熱される。
【００２８】
そして、半導体ウェハ５が加熱されると、その上面５ａに形成されたレジスト膜６も加熱される。これによって、レジスト膜６の表面に接触している水１１の一部が暖められて気化する。この気化した水１１の一部は、レジスト膜６に付着して浸透する。そして、レジスト膜６は、この浸透した水１１によって膨潤する作用と、加熱された半導体ウェハ５及びレジスト膜６との熱膨張率の差異による熱応力の作用と、水１１の一部が気化する際の膨張による圧力との相乗効果によってクラックが生じる。
【００２９】
さらに、水１１は、このクラックを介して半導体ウェハ５とレジスト膜６との密着界面に進入する。このとき、密着界面に侵入した水１１はヒータ２０からの加熱により沸騰気化して、半導体ウェハ５からレジスト膜６を浮かび上がらせる。
【００３０】
また、レジスト膜６は、水１１の中に浸漬されているために、半導体ウェハ５と剥離したレジスト膜６との間には、水１１が常に存在する。このため、半導体ウェハ５と剥離したレジスト膜６の離間距離は一定間隔以上に保たれる。
【００３１】
そして、レジスト膜６が半導体ウェハ５から充分に剥離したならば、排水バルブ１４を開けて、内部空間２に貯留された水１１をチャンバ１の外部に排出させる。このとき、剥離したレジスト膜６は、この排出される水１１と一緒に排水管１３を介して排出される。これにより、半導体ウェハ５からレジスト膜６が洗い流される。
【００３２】
次に、上記実施形態の効果を記載する。
（１）本実施形態によれば、レジスト膜６は水１１の中に浸漬させた。また、密着界面に水１１を進入させ、その水１１をヒータ２０の加熱によって沸騰気化させることにより、半導体ウェハ５からレジスト膜６を浮かび上がらせた。これによれば、半導体ウェハ５と剥離したレジスト膜６の間には水１１が常に存在する。これより、半導体ウェハ５と剥離したレジスト膜６の離間距離は一定間隔以上に保たれる。その結果、分子間力による半導体ウェハ５と剥離したレジスト膜６との再密着を抑制することができる。
【００３３】
（２）本実施形態によれば、密着界面に水１１を進入させ、その水１１をヒータ２０の加熱によって沸騰気化させることにより、半導体ウェハ５からレジスト膜６を浮かび上がらせた。つまり、水１１が気化した圧力により半導体ウェハ５からレジスト膜６を離させた。これは、水１１密着界面に進入させてレジスト膜６を浮かび上がらせるのに比較して、半導体ウェハ５と剥離したレジスト膜６との離間距離は大きくなる。従って、分子間力によって、半導体ウェハ５と剥離したレジスト膜６とが再密着するのをし難くすることができる。
【００３４】
（３）本実施形態によれば、レジスト膜６を水１１の中に浸漬させて、半導体ウェハ５をヒータ２０によって加熱した。従って、レジスト膜６の表面に接触している水１１の一部は、ヒータ２０の熱によって暖められて気化し、気化した水１１の一部はレジスト膜に付着する。この時、剥離したレジスト膜では、気化した水１１による浮力が生じる。その結果、半導体ウェハ５と剥離したレジスト膜６の離間距離は広がるので、分子間力による半導体ウェハ５と剥離したレジスト膜６との再密着をより抑制することができる。
【００３５】
（４）本実施形態によれば、レジスト膜６を水１１の中に浸漬させて、半導体ウェハ５をヒータ２０によって加熱した。これによって、密着界面に進入した水１１がヒータ２０の加熱によって沸騰気化し、半導体ウェハ５からレジスト膜６を浮かび上がらせる。従って、レジスト膜６を容易に浮かび上がらすことができるため、レジスト膜６を除去する時間を短縮することができる。
【００３６】
（５）本実施形態によれば、内部空間２に水１１を導入した。従って、レジスト膜と反応しない液体によって半導体ウェハ５からレジスト膜６を剥離することができる。その結果、安価で、危険性の少ない液体として容易に取り扱うことができる。
【００３７】
（６）本実施形態によれば、レジスト膜６を水１１の中に浸漬させた。また、半導体ウェハ５からレジスト膜６を剥離した後に、剥離したレジスト膜６を内部空間２に貯留された水１１と一緒に排水管１３を介して外部に排出させた。従って、剥離したレジスト膜６と半導体ウェハ５との離間距離を保ちながら、すなわち、半導体ウェハ５と剥離したレジスト膜６との再密着を抑制したまま、半導体ウェハ５からレジスト膜６を洗い流すことができる。
（第２実施形態）
以下、本発明を具体化した第２実施形態を図２に従って説明する。なお、第１実施形態ではレジスト膜６を水１１の中に浸漬させて、半導体ウェハ５をヒータ２０によって加熱した。これに対して、第２実施形態ではレジスト膜６を水１１の中に浸漬させて、半導体ウェハ５をヒータ２０によって加熱しつつ、レジスト膜６に対して振動を与える点が相違する。従って、説明の便宜上その相違する点のみを図２に従って説明する。
【００３８】
ステージ４の一側面４ｂには、振動発生手段としての振動発生装置２５がステージ４に密着するように取着されている。振動発生装置２５は、例えば電磁バイブレータや圧電素子等からなる加振器であり、図示しない外部電源により起動される。
【００３９】
次に、本実施形態によるレジスト膜除去装置によって、レジスト膜６を除去する方法を説明する。
振動発生装置２５は、導入管９から水１１が内部空間２に導入されると、図示しない外部電源によって起動され、駆動が開始される。振動発生装置２５は、自らの振動によってステージ４を共振させ、同時にステージ４の上面４ａに配置された半導体ウェハ５とレジスト膜６とを振動させる。
【００４０】
これによって、一度剥離したレジスト膜６は、剥離した後も振動が与えられているために、半導体ウェハ５と剥離したレジスト膜６の離間距離は一定間隔以上に保たれる。そして、レジスト膜６が半導体ウェハ５から充分に剥離したならば、排水バルブ１４を開けて、内部空間２に貯留された水１１をチャンバ１の外部に排出させる。このとき、剥離したレジスト膜６は、この排出される水１１と一緒に排水管１３を介して排出される。これにより、半導体ウェハ５からレジスト膜６が洗い流される。
【００４１】
従って、第２の実施形態によれば、前記第１実施形態の効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
（１）本実施形態によれば、半導体ウェハ５から剥離したレジスト膜６は、振動発生装置２５によって振動が与えられる。従って、半導体ウェハ５と剥離したレジスト膜６の離間距離は一定間隔以上に保たれる。その結果、分子間力による半導体ウェハ５と剥離したレジスト膜６との再密着を抑制することができる。
（第３実施形態）
以下、本発明を具体化した第３実施形態を図３に従って説明する。なお、第１実施形態ではレジスト膜６を水１１の中に浸漬させて、半導体ウェハ５をヒータ２０によって加熱
した。これに対して、第３実施形態ではレジスト膜６を水１１の中に浸漬させて、半導体ウェハ５をヒータ２０によって加熱しつつ、水１１を攪拌させている点が相違する。従って、説明の便宜上その相違する点のみを図３に従って説明する。
【００４２】
チャンバ１の上面１ｂ、すなわち、レジスト膜６と相対向する位置には加流発生手段である攪拌翼３０が配設されている。攪拌翼３０は、回転軸３１の一端に固着された左右対称な２枚のプロペラであって、回転軸３１の他端が図示しない駆動装置に連結され、同駆動装置によって回転駆動する。これにより、内部空間２に貯留された水１１が回流される。
【００４３】
次に本実施形態によるレジスト膜除去装置によって、レジスト膜６を除去する方法を説明する。
回転軸３１は、導入管９から水１１が内部空間２に導入されると、図示しない駆動装置によって、回転駆動する。回転軸３１が回転すると、その一端に固着された攪拌翼３０は回転軸３１の回転に伴って回転を行い、内部空間２に貯留された水１１を攪拌させる。このため、一度剥離したレジスト膜６は、水１１とともに内部空間２を回流する。
【００４４】
そして、レジスト膜６が半導体ウェハ５から充分に剥離したならば、排水バルブ１４を開けて、内部空間２に貯留された水１１をチャンバ１の外部に排出させる。このとき、剥離したレジスト膜６は、この排出される水１１と一緒に排水管１３を介して排出される。これにより、半導体ウェハ５からレジスト膜６が洗い流される。
【００４５】
従って、第３の実施形態によれば、前記第１実施形態の効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
（１）本実施形態によれば、水１１を攪拌翼３０によって回流させた。これにより、一度剥離したレジスト膜６は、水１１とともに内部空間２を回流する。従って、半導体ウェハ５と剥離したレジスト膜６の離間距離は広がるので、分子間力による半導体ウェハ５と剥離したレジスト膜６との再密着を確実に抑制することができる。
【００４６】
なお、本実施形態は以下のように変更してもよい。
・上記実施形態では、レジスト膜６よりも比重の重い液体を導入してもよい。これにより、レジスト膜６は水１１よりも比重が小さくなるので、剥離したレジスト膜６には浮力が生じる。従って、半導体ウェハ５と剥離したレジスト膜６の離間距離は広がるので、分子間力による半導体ウェハ５と剥離したレジスト膜６との再密着をより抑制することができる。
【００４７】
・上記実施形態では、内部空間２に水１１を導入した。これに代えて、アルコールを導入してもよい。これにより、密着界面に液体が浸透し易くなり、レジスト膜６の除去をより容易にすることができる。従って、レジスト膜６を除去する時間を短縮することができる。
【００４８】
・上記実施形態では、内部空間２に水１１を導入した。これに代えて、界面活性剤を添加した水１１を導入してもよい。これにより、密着界面に水１１が進入し易くなり、一度剥離したレジスト膜６と半導体ウェハ５との離間距離が界面活性剤の膜によって保たれる。従って、半導体ウェハ５と剥離したレジスト膜６との再密着を一段と抑制することができる。
【００４９】
・上記実施形態では、内部空間２に水１１を導入した。これに代えて、半導体ウェハ５に吸着する吸着物質を添加した水を導入してもよい。これにより、密着界面に進入した水１１においては、この吸着物質が半導体ウェハ５の表面に吸着するため、半導体ウェハ５
とレジスト膜６との間に吸着物質の層が形成される。従って、剥離したレジスト膜６は、この吸着物質の層によって半導体ウェハ５との密着を阻害されるため、半導体ウェハ５と剥離したレジスト膜６の再密着は確実に抑制される。なお、吸着物質としてはＫＯＨ、ＫＩ、ＫＳＣＮ、ＮａＣｌ、ＮａＯＨ、ＮａＢｒなどが一例として挙げられる。
【００５０】
・上記実施形態では、ヒータ２０によって半導体ウェハ５を加熱した。これに代えて、レーザ光や赤外線などの放射熱を発生する放射加熱器によって、半導体ウェハ５を加熱してもよい。これにより、特にレーザ光は局部的に加熱をすることができるため、レジスト膜６に大きな熱応力を生じさせる。従って、容易にクラックを発生させることができ、レジスト膜６を除去する時間を短縮することができる。
【００５１】
・上記実施形態では、ヒータ２０によって半導体ウェハ５を加熱した。これに代えて、高周波による誘導加熱器によって、半導体ウェハ５を加熱してもよい。これにより、例えば、アルミニウムにより形成されるステージ４を誘導加熱器の高周波によって加熱し、このステージ４を通じて、半導体ウェハ５を加熱することができる。
【００５２】
・上記実施形態においては、基板として半導体ウェハ５を使用したが、基板はこれに限定されない。例えば、半導体ウェハ５の上に配置された金属配線膜やシリコン酸化膜等を基板として、その基板上に形成されたレジスト膜６を剥離してもよい。つまり、特許請求の範囲に記載された基板は、金属配線膜やシリコン酸化膜等の各種の膜が形成された基板も含むものとする。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明の第１実施形態に係るレジスト膜の除去方法の説明図。
【図２】本発明の第２実施形態に係るレジスト膜の除去方法の説明図。
【図３】本発明の第３実施形態に係るレジスト膜の除去方法の説明図。
【符号の説明】
【００５４】
１…液体収容容器としてのチャンバ、２…内部空間、３…底部、４…テーブルとしてのステージ、５…基板としての半導体ウェハ、６…レジスト膜、９…液体供給手段としての導入管、１０…液体供給室、１１…液体としての水、１２…導入バルブ、１３…排水管、１４…排水バルブ、２０…加熱手段としてのヒータ、２５…振動発生手段としての振動発生装置、３０…流動発生手段としての攪拌翼、３１…回転軸
【図１】
2006162866.tif 000003
【図２】
2006162866.tif 000004
【図３】
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