(57)【要約】【課題】ペルチェ素子に流れる電流に起因するクロストークを低減可能なプラガブル型光トランシーバモジュールを提供する。【解決手段】光送信モジュール３の第１のパッケージ１９は、ペルチェ素子１７に接続された第１の端子２１およびレーザドライバ１５に接続された第２の端子２３を有する。光受信モジュールの第２のパッケージ２７は、フォトダイオード２５からの受信信号ＩＬを出力するための端子２９および端子３１を有する。第１の回路基板７は、光送信モジュール３の第１の端子２１に接続されている。第２の回路基板９は、光受信モジュール５の端子２９、３１および光送信モジュール３の第２の端子２３に接続されている。第１および第２の回路基板７、９の一方は他方の上に搭載されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ファイバとの間で信号光を送受する光トランシーバモジュールであって、該光トランシーバモジュールは、
該信号光を発生するレーザダイオードと、前記レーザダイオードの温度を調整するためのペルチェ素子と、当該レーザダイオードと該ペルチェ素子とを内部に収納し、前記ペルチェ素子に供給する信号を受ける複数の第１の端子および前記レーザダイオードに供給する信号を受ける複数の第２の端子を有するパッケージを含む光送信モジュールと、
前記光送信モジュールの前記第１の端子に接続された第１の回路基板と、
前記光送信モジュールの前記第２の端子に接続された第２の回路基板と
を備え、
前記第１および第２の回路基板の一方は他方の上に搭載されている、ことを特徴とする光トランシーバモジュール。
【請求項２】
前記光トランシーバモジュールはさらに、送信信号処理素子とペルチェ素子駆動回路とを含み、
該送信信号処理素子は、前記第２の回路基板の第１の面上に搭載され、かつ、前記第２の端子に接続されており、
前記ペルチェ素子駆動回路は、前記第１の回路基板上に搭載され、かつ、前記光送信モジュールの前記第１の端子に接続されている、ことを特徴とする請求項１に記載された光トランシーバモジュール。
【請求項３】
前記光トランシーバモジュールはさらに、光受信モジュールと受信信号処理素子とを含み、
該光受信モジュールは、前記信号光を受け該信号光に対応する電気信号を出力する第３の端子を備える第２のパッケージを有し、
該受信信号処理素子は前記第２の回路基板の前記第１の面とは反対の第２の面に搭載され、前記第３の端子は該第２の面に接続されており、
前記第１の回路基板の前記第１の面と前記第２の面との間にはシールド用導電層が設けられている、請求項１または請求項２に記載の光トランシーバモジュール。
【請求項４】
前記光送信モジュールの前記第１の端子は、前記第１のパッケージの側面に位置しており、
前記光送信モジュールの前記第２の端子は、前記第１のパッケージの背面に位置しており、
前記複数の第２の端子は、接地線に接続された第１〜第３の接地端子と、前記前記レーザダイオードのための差動信号を受ける一対の信号端子とから構成され、
前記一対の信号端子の一方は、前記第１の接地端子と前記第２の接地端子との間に位置しており、
前記一対の信号端子の他方は、前記第２の接地端子と前記第３の接地端子との間に位置している、ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載された光トランシーバモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光トランシーバモジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、光通信モジュールが記載されている。光通信モジュールのパッケージは、光結合等する部品が装着されている前面と、この前面とは反対の背面と、側面とを備える。差動入力信号（高周波信号）のための一対のリード端子はパッケージの背面に設けられている。一対のリード端子の各々は、接地用のリード端子の間に位置している。また、ペルチェ素子のための駆動信号、ＬＤドライバのための電源等のためのリード端子はパッケージの側面に設けられている。これらのリード端子には、信号周波数に比較して極めて低周波成分の信号が加えられる。
【０００３】
特許文献２には、レセプタクル型光通信モジュールが記載されている。この光通信モジュールは、送信用モジュールおよび受信用モジュールを含んでおり、また、送信用モジュールおよび受信用モジュールをそれぞれプリント基板に接続するフレキシブルプリント配線基板を備える。これらフレキシブルプリント配線基板によれば、差動信号を伝送する配線対を用いて、従来のリードピン接続では高速信号伝送配線の特性インピーダンスのマッチングを取る事が困難であった特性インピーダンスを実現できる。
【０００４】
特許文献３には、光送受信モジュールが記載されている。この光送受信モジュールは、ケース本体および蓋本体を有する金属ケースを用いると共に、光ファイバを保持するレセプタクル部と光コネクタを受け入れる挿入口との隙間、ケース本体と蓋本体との隙間を塞ぐ遮蔽蓋を備える。この遮蔽蓋を用いて、外部への電磁波ノイズの放射を防いでいる。
【０００５】
特許文献４には、光モジュールが記載されている。この光モジュールは、受光素子部および発光素子部と回路基板とをそれぞれ接続するリードピンを覆ってシールドするブラケットを有する。このブラケットをノイズ対策用シールドとして用いている。
【０００６】
特許文献５には、光リンク用送受信モジュールが記載されている。この送受信モジュールでは、発光素子及び受光素子のリードと接合した第１の基板と、該第１の基板の対向する両側端にそれぞれフレキシブル基板を介して接合された第２及び第３の基板とを含む。送信側回路と受信側回路をそれぞれ第２及び第３の基板上に分離形成することによりクロストークの影響を低減している。
【特許文献１】特開２００３−２２９６２５号公報
【特許文献２】特開２００３−２４９７１１号公報
【特許文献３】特開２００３−２７０４９２号公報
【特許文献４】特開２００３−１０７２９７号公報
【特許文献５】特開平１１−３４５９８７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
光トランシーバモジュールは、ペルチェ素子を含む光送信モジュールと光受信モジュールとを小型の同一パッケージ内に収納しており、内部で発生するノイズがその特性に影響を及ぼす。具体的には、温度制御された光送信モジュールでは、レーザダイオードおよび／または変調素子の温度を一定に保つためにペルチェ素子を内蔵しており、１アンペア程度の電流をペルチェ素子に流す回路から、高速信号ラインにノイズが回り込む。つまり、光送信モジュール付近でクロストークが生じる。
【０００８】
特許文献１の送信モジュールはペルチェ素子を含むが、この送信モジュールは光トランシーバと異なる。特許文献２の光通信モジュール、特許文献４の光モジュールおよび特許文献５の光リンク用送受信モジュールでは、ペルチェ素子を含む大型の送信モジュールを用いることができない。特許文献３の光送受信モジュールは、該モジュールの内部において生じる上記のクロストークを低減できない。したがって、求められていることは、ペルチェ素子を含む送信モジュールを用い上記のクロストークを低減可能な光トランシーバモジュールである。
【０００９】
本発明は、このような事情を鑑みてなされたものであり、ペルチェ素子に流れる電流に起因するクロストークを低減可能な光トランシーバモジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一側面に係る光トランシーバモジュールは、光ファイバとの間で信号光を送受する光トランシーバモジュールである。該光トランシーバモジュールは、（ａ）該信号光を発生するレーザダイオードと、前記レーザダイオードの温度を調整するためのペルチェ素子と、当該レーザダイオードと該ペルチェ素子とを内部に収納し、前記ペルチェ素子に供給する信号を受ける複数の第１の端子および前記レーザダイオードに供給する信号を受ける複数の第２の端子を有するパッケージを含む光送信モジュールと、（ｂ）前記光送信モジュールの前記第１の端子に接続された第１の回路基板と、（ｃ）前記光送信モジュールの前記第２の端子に接続された第２の回路基板とを備え、前記第１および第２の回路基板の一方は他方の上に搭載されている、ことを特徴とする。
【００１１】
この光トランシーバモジュールは、第１の回路基板が光送信モジュールの第１の端子に接続されると共に第２の回路基板が光送信モジュールの第２の端子に接続されるので、ペルチェ素子に流れる大電流に起因するグランド電位の変動が低減可能である。また、第１および第２の回路基板の一方は他方の上に搭載されているので、これら回路基板を光トランシーバモジュールのパッケージ内にコンパクトに収容できる。
【００１２】
本発明のプラガブル型光トランシーバモジュールは、（ｄ）前記第２の回路基板の第１の面上に搭載され前記光送信モジュールの前記第２の端子に接続された送信信号処理素子と、（ｅ）前記光送信モジュールの前記第１の端子を介して前記ペルチェ素子に接続され前記第１の回路基板上に搭載されたペルチェ素子駆動回路とをさらに備える。
【００１３】
また、本発明の光トランシーバモジュールは、（ｆ）光ファイバからの信号光を受けるフォトダイオードと、前記フォトダイオードからの受信信号を出力するための端子を有し前記フォトダイオードを搭載する第２のパッケージとを含む光受信モジュールと、（ｇ）前記第２の回路基板の前記第１の面とは反対の第２の面上に搭載され前記光受信モジュールの前記端子に接続された受信信号処理素子とをさらに備え、該第２の回路基板は、該第１の面と該第２の面との間にシールド用導電層を有することを特徴とする。
【００１４】
この光トランシーバモジュールでは、微弱な電気信号を扱う受信信号処理素子に送信信号処理素子からのノイズが回り込むことによって生じる受信特性の劣化（送信部と受信部との間のクロストーク）を低減できる。
【００１５】
本発明のプラガブル型光トランシーバモジュールでは、前記光送信モジュールの前記第１の端子は、前記第１のパッケージの側面に位置しており、前記光送信モジュールの前記第２の端子は、前記第１のパッケージの背面に位置しており、前記複数の第２の端子は、接地線に接続された第１〜第３の接地端子と、前記前記レーザドライバに差動信号を提供するための一対の信号端子とから構成され、前記一対の信号端子の一方は、前記第１の接地端子と前記第２の接地端子との間に位置しており、前記一対の信号端子の他方は、前記第２の接地端子と前記第３の接地端子との間に位置している。
【００１６】
この光トランシーバモジュールによれば、第１のパッケージの側面上の第１の端子を介して駆動信号をペルチェ素子に供給すると共に、第１のパッケージの側面と異なる背面上の第２の端子を介してレーザダイオードのための変調信号を供給するので、ペルチェ素子に流れる大電流に起因するクロストークを防ぐことができる。また、第２の端子中の一対の信号端子の各々が接地端子間に位置するので、第２の端子が疑似的なコプレナー構造を構成する。このコプレナー構造を介して差動変調信号を入力できる。
【発明の効果】
【００１７】
以上説明したように、本発明によれば、ペルチェ素子に流れる電流に起因するクロストークを低減可能である光トランシーバモジュールが提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明の知見は、例示として示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解できる。引き続いて、添付図面を参照しながら、本発明の光トランシーバモジュールに係る実施の形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。
【００１９】
図１は、プラガブル型光トランシーバモジュールの主要な構成部品を示す斜視図である。図２は、光送信モジュールの構成部品を示す模式図である。図３は、光受信モジュールの構成部品を示す模式図である。
【００２０】
プラガブル型光トランシーバモジュール１は、光送信モジュール３と、光受信モジュール５と、第１の回路基板７と、第２の回路基板９とを備える。図２を参照すると、光送信モジュール３は、光ファイバ１１にレンズを介して提供する信号光Ｌ１を発生するレーザダイオード１３と、レーザダイオード１３に接続されたレーザドライバ１５と、レーザダイオード１３の温度を調整するためのペルチェ素子１７と、第１のパッケージ１９とを含む。レーザダイオード１３としては、例えば分布帰還型半導体レーザおよび外部変調器付き半導体レーザを用いることができる。第１のパッケージ１９は、ペルチェ素子１７に接続された第１の端子２１およびレーザドライバ１５に接続された第２の端子２３を有する。図３を参照すると、光受信モジュール５は、光ファイバからの信号光Ｌ２を受けるフォトダイオード２５と、フォトダイオード２５を搭載する第２のパッケージ２７とを含む。信号光Ｌ２は、第２のパッケージ２７に保持されたレンズを介してフォトダイオード２５に入射する。フォトダイオード２５としては、例えばｐｉｎフォトダイオードおよびアバランシェフォトダイオードを用いることができる。第２のパッケージ２７は、フォトダイオード２５からの受信信号ＩＬを出力するための端子２９および端子３１を有している。
【００２１】
第１の回路基板７は、光送信モジュール３の第１の端子２１に接続されている。第２の回路基板９は、光受信モジュール５の端子２９、３１および光送信モジュール３の第２の端子２３に接続されている。第１および第２の回路基板７、９の一方は他方の上に搭載されている。
【００２２】
第１のパッケージ１９は、レーザダイオード１３、レーザドライバ１５およびペルチェ素子１７を収容しており、レーザドライバ１５は、配線基板３３上に伝送線路３５を介して第２の端子２３に接続されており、伝送線路３５を介してレーザダイオード１３のための変調信号ＶＭＯＤ、ＶＭＯＤＢを受ける。ペルチェ素子１７は、第１の端子２１を介して駆動信号ＩＤＲＶを受けている。
【００２３】
この光トランシーバモジュール１では、図１に示されるように、第１の回路基板７は光送信モジュール３の第１の端子２１に接続されると共に、第２の回路基板９は光送信モジュール２の第２の端子２３に接続されるので、ペルチェ素子１７に流れる大電流に起因するクロストークが低減可能である。また、第１および第２の回路基板７、９の一方は他方の上に搭載されているので、これら回路基板７、９を光トランシーバモジュール１のパッケージ（図４の参照番号４５）内に収容できる。
【００２４】
クロストークについてさらに詳細に説明する。安定した出力特性を得るために、光通信モジュールに内蔵したペルチェ素子を用いてレーザダイオードの温度（および外部変調器）の温度を調整している。ペルチェ素子が熱を吸収したり発生したりするためには、最大で０．５〜１アンペア程度の電流がペルチェ素子に流れる。このペルチェ素子のために大きなパッケージが必要であり、このパッケージの端子には、ペルチェ素子のための大電流だけでなく、レーザダイオードのための高速変調信号も印加される。これまでの光データリンクのように、高速信号ための端子の近くで大電流を流すと、回路基板の接地パターンを介して高速信号のための回路にノイズが回り込むことが考えられる。ペルチェ素子の駆動には、レーザダイオードの変調信号に比べて十分に低い周波数（ほとんど直流）成分からなる大きな電流信号（上述のように、１Ａ程度の振幅を持つ）が必要である。この大電流が、ペルチェ素子のための駆動回路を介して接地パターンに流れると、接地パターンのインピーダンスのため、接地パターンの電位がＧＮＤ電位ではなくなる。高速信号は、この接地パターンの電位の変動の影響を受けて、光送信モジュールの高周波領域における周波数特性が劣化する。
【００２５】
一方、光トランシーバモジュール１は第１の回路基板７上に搭載された駆動回路４１を更に備えることができる。駆動回路４１は、ペルチェ素子１７に流れる電流を制御する。
【００２６】
光トランシーバモジュール１では、ペルチェ素子１７の接続される回路基板７が、変調素子１５（またはレーザダイオード１３）が接続される回路基板９とは異なるので、ペルチェ素子に流れる大電流に起因して回路基板の接地パターンの電位が変動しない。
【００２７】
光トランシーバモジュール１は、第２の回路基板９の第１の面９ａ上に搭載された送信信号処理素子３７と、第２の回路基板９の第２の面９ｂ上に搭載された受信信号処理素子３９とを更に備えることができる。送信信号処理素子３７は、第１の面９ａ上の配線パターン９ｃを介して第２の端子２３に接続されている。配線パターン９ｃ上の変調信号ＶＭＯＤ、ＶＭＯＤＢは、例えば１．０ＶＰＰ程度の振幅を持つ。光受信モジュール５の端子２９、３１は、第２の面９ｂ上の配線パターン９ｄを介して受信信号処理素子３９に接続されている。例えば、配線パターン９ｄ上の受信信号は、光パワーの弱い微弱な信号を受信したときには、１０ｍＶＰＰ程度の振幅を持つ。第２の回路基板９は、第１の面９ａと第２の面９ｂとの間に設けられたシールド用の導電層９ｅを含む。
【００２８】
この光トランシーバモジュール１によれば、微弱な電気信号を扱う受信信号処理素子３９に送信信号処理素子３７からのノイズが回り込むことによって生じる受信特性の劣化を低減できる。つまり、送信部と受信部との間のクロストークの発生を防ぐことができる。
【００２９】
図３に示されるように、第２のパッケージ２７としては、例えばＣＡＮ型パッケージを用いることができる。例えば、ＣＡＮ型パッケージはステムとレンズホルダから成り、ＣＡＮ型パッケージ上にはスリーブが搭載される。
【００３０】
また、図２に示されるように、第１のパッケージ１９としては、第２のパッケージ２７よりも大きな収容領域を提供できる大型のパッケージを用いる。光送信モジュール３用の第１のパッケージ１９では、第１の端子２１は第１のパッケージ１９の側面１９ａに位置しており、第２の端子２３は第１のパッケージ１９の背面１９ｂに位置している。複数の第２の端子２３は、それぞれ、接地線に接続された第１〜第３の接地端子２３ａ〜２３ｃと、レーザドライバ１５に差動信号を提供するための一対の信号端子２３ｄ、２３ｅとである。一対の信号端子の一方２３ｄは、第１の接地端子２３ａと第２の接地端子２３ｂとの間に位置しており、一対の信号端子の他方２３ｅは、第２の接地端子２３ｂと第３の接地端子２３ｃとの間に位置している。
【００３１】
この光トランシーバモジュール１によれば、第１のパッケージ１９の側面１９ａ上の第１の端子２１を介して駆動信号ＩＤＲＶをペルチェ素子１７に供給すると共に、第１のパッケージ１９の背面１９ｂ上の第２の端子２３を介してレーザドライバ１５に変調信号を供給するので、ペルチェ素子１７に流れる大電流に起因するクロストークが低減可能である。また、第２の端子２３中の一対の信号端子２３ｄ、２３ｅの各々が接地端子２３ａ〜２３ｃ間に位置するので、第２の端子２３が疑似的なコプレナー構造を構成する。差動変調信号ＶＭＯＤ、ＶＭＯＤＢがコプレナー構造を介して入力される。この構造により、１０Ｇｂｐｓ程度の高速の信号を光送信モジュール内に導入できる。
【００３２】
第１のパッケージ１９は、側面１９ａの反対側に別の側面１９ｃと、背面１９ｂの反対側に前面１９ｄと、ペルチェ素子１７等を搭載するベース１９ｅと、側面１９ａ、別の側面１９ｃ、背面１９ｂおよび前面１９ｄと溶接される蓋１９ｆとを含む。第１のパッケージ１９は、レーザダイオード１３、レーザドライバ１５、ペルチェ素子１７およびモニタ用フォトダイオードを気密に封止する。
【００３３】
図４は、光トランシーバモジュールの外観を示す斜視図である。光トランシーバモジュールは、光送信モジュール３と、光受信モジュール５と、第１の回路基板７と、第２の回路基板９とを収容する第３のパッケージ４５を含む。第３のパッケージ４５は、所定の軸に沿って配置された第１〜第３の部分４５ａ、４５ｂ、４５ｃを含む。第１の部分４５ａには、レセプタクル部が設けられている。第２の部分４５ｂには、光送信モジュール３と、光受信モジュール５と、第１の回路基板７と、第２の回路基板９とが収容される。第３の部分４５ｃには、光トランシーバモジュール１の電気接続のための開口４５ｄが設けられている。カードエッジ９ｆは第３のパッケージ４５の開口４５ｄに位置している。本実施例では、第２の回路基板９がカードエッジ９ｆを有しているけれども、第１の回路基板７がカードエッジを含むことができる。光トランシーバモジュール１では、カードエッジのための別の回路基板を設ける必要がない。
【００３４】
図５は、光トランシーバモジュールを示す斜視図である。光トランシーバモジュール１では、第１の回路基板７は、第２の回路基板９から支持台４７によって離間されている。これにより、第１の回路基板７および第２の回路基板９は、Ｚ方向に配列されている。第２の回路基板９は、Ｙ方向に伸びる第１のエッジ部９ｇと、Ｙ方向に伸びる第２のエッジ部９ｈと、Ｘ方向に伸びる第３のエッジ部９ｉとを有している。第１のエッジ部９ｇは、光受信モジュール５の端子２９、３１に接続された配線パターン９ｄの端部を有する。第２のエッジ部９ｈは、光送信モジュール３の第２の端子２３に接続された配線パターン９ｃの端部を有する。第２の回路基板９は、第２のエッジ９ｈ部および第３のエッジ部９ｉにより形成されるの切り欠き部４９を有しており、光送信モジュール３は該切り欠き部４９に位置している。第２のエッジ部９ｈは、光送信モジュール３の第１のパッケージ１９の背面１９ｂに沿って伸びている。第３のエッジ部９ｉは第１のパッケージ１９の側面１９ａに沿って伸びている。
【００３５】
この光トランシーバモジュール１では、第１および第２の回路基板７、９の一方を他方の上に搭載すると共に第２の回路基板９に切り欠き部４９を設けることにより、ペルチェ素子１７を含む大型の光送信モジュール３を光トランシーバモジュール１のパッケージ１９に収容できる。
【００３６】
本実施例では、光受信モジュール５の端子２９、３１は、フレキシブルプリント−リジット基板５７を介して接続されている。このフレキシブルプリント−リジット基板５７は、フレキシブルプリント基板５７ａと、この基板５７ａの両端にそれぞれリジット配線基板５７ｂ、５７ｃとを含む。リジット配線基板５７ｂが光受信モジュール５の端子２９、３１に接続されており、リジット配線基板５７ｃが回路基板９の配線パターン９ｄに接続されている。フレキシブルプリント−リジット基板５７の使用により、カードエッジ９ｆに加わる力が光受信モジュール５に加わることがない。一方、本実施例では、光送信モジュール３の端子２１、２３は、フレキシブルプリント−リジット基板を用いること無く、それぞれの回路基板７，９の配線パターンにハンダ付けされている。しかしながら、光送信モジュール３の端子２１、２３とそれぞれの回路基板７、９との接続のために、フレキシブルプリント−リジット基板５７を用いることができ、これによりカードエッジ９ｆに加わる力が光送信モジュール３にも加わることがない。また、光受信モジュール５の端子２９、３１が、フレキシブルプリント−リジット基板を用いること無く、回路基板９の配線パターンにハンダ付けされていてもよい。
【００３７】
図６は、図５に示されたI−I線に沿ってとられた断面図である。第１の回路基板７は、第２の回路基板９のカードエッジ部９ｆ上を覆っていない。光送信モジュール３の第１の端子２１と光送信モジュール３のベース１９ｅの底面３ｇとの距離Ｄ１は、光送信モジュール３の第２の端子２３と光送信モジュール３のベース１９ｅの底面３ｇとの距離Ｄ２より大きい。これ故に、第１の端子２１は、第１の回路基板７の第１の面７ａ上の配線パターン５１ａ、５１ｂと接続されると共に、第２の端子２３は、第２の回路基板９上の配線パターン９ｃと接続される。第２の端子２３は、第２の端子２３、回路基板３３、レーザドライバ１５、レーザダイオード１３の伝送経路に好適な特性を与える高さに位置決めされている。また、第１の端子２１は、第１の回路基板７と第２の回路基板９との間に回路素子を配置できる高さに位置決めされる。配線パターン５１ｂは、図１に示されるように、レーザダイオード１３の変調電流およびバイアス電流を調整するための回路素子５３に接続されている。配線パターン５１ａは、図１に示されるように、駆動回路４１に接続されている。
【００３８】
好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本実施の形態では、例えば、レーザダイオードといった半導体発光素子を説明したけれども、本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】図１は、光トランシーバモジュールの主要な構成部品を示す斜視図である。
【図２】図２は、光送信モジュールの構成部品を示す模式図である。
【図３】図３は、光受信モジュールの構成部品を示す模式図である。
【図４】図４は、光トランシーバモジュールの外観を示す斜視図である。
【図５】図５は、光トランシーバモジュールを示す斜視図である。
【図６】図６は、図５に示されたI−I線に沿ってとられた断面図である。
【符号の説明】
【００４０】
１…プラガブル型光トランシーバモジュール、３…光送信モジュール、５…光受信モジュール、７…第１の回路基板、９…第２の回路基板、９ｅ…シールド用導電層、９ｆ…カードエッジ、１１…光ファイバ、１３…レーザダイオード、１５…レーザドライバ、１７…ペルチェ素子、１９…第１のパッケージ、１９ａ…側面、１９ｂ…背面、２１…第１の端子、２３…第２の端子、２３ａ〜２３ｃ…接地端子、２３ｄ、２３ｅ…信号端子、２５…フォトダイオード、２７…第２のパッケージ、２９、３１…端子、３３…回路基板、３７…送信信号処理素子、３９…受信信号処理素子、４５…パッケージ、４９…切り欠き部、５７…フレキシブルプリント−リジット基板、Ｌ１、Ｌ２…信号光、ＶＭＯＤ、ＶＭＯＤＢ…変調信号、
ＩＤＲＶ…駆動信号、ＩＬ…受信信号  
【図１】
2006229067.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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