(57)【要約】【課題】セルギャップが安定的に維持される液晶表示パネルを提供する。【解決手段】液晶表示パネルは、コラムスペーサーを含む第１基板と、第１基板に対向配置されている第２基板と、コラムスペーサーと第２基板の間に位置し、コラムスペーサーを第２基板に結合させる高分子層と、第１基板と第２基板の間に位置する液晶層とを含むことを特徴とする。【選択図】図１
2006338011.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コラムスペーサーを含む第１基板と、
前記第１基板に対向配置されている第２基板と、
前記コラムスペーサーと前記第２基板の間に位置し、前記コラムスペーサーを前記第２基板に結合させる高分子層と、
前記第１基板と前記第２基板の間に位置する液晶層と、
を含む液晶表示パネル。
【請求項２】
前記第１基板と前記第２基板のうちの少なくともいずれか１つの基板素材はプラスチックからなることを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項３】
前記第１基板には薄膜トランジスターが形成されており、前記第２基板の基板素材はプラスチックからなることを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項４】
前記コラムスペーサーと前記高分子層の間に位置する第１配向膜をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項５】
前記第２基板は基板素材と前記基板素材上に順に形成されている共通電極層と第２配向膜を含み、
前記高分子層は前記第２配向膜の上に形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項６】
前記第２基板には陥没部が分散形成されており、
前記高分子層は前記陥没部の内に位置することを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項７】
前記第２基板には格子状のブラックマトリックスが形成されており、
前記陥没部は前記ブラックマトリックスに形成されていることを特徴とする、請求項６に記載の液晶表示パネル。
【請求項８】
前記陥没部から前記ブラックマトリックスは除去されていることを特徴とする、請求項７に記載の液晶表示パネル。
【請求項９】
前記ブラックマトリックスは有機物を含むことを特徴とする、請求項７に記載の液晶表示パネル。
【請求項１０】
前記第２基板はオーバーコート層をさらに含み、
前記陥没部は前記オーバーコート層に形成されていることを特徴とする、請求項６に記載の液晶表示パネル。
【請求項１１】
前記陥没部に対応する前記第１基板には光漏れを防止するための金属パターンが形成されていることを特徴とする、請求項６に記載の液晶表示パネル。
【請求項１２】
前記高分子層はアクリル樹脂とエポキシ樹脂を含むことを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項１３】
前記高分子層は紫外線硬化樹脂を含むことを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項１４】
前記第１基板と前記第２基板を相互に付着するとともに、紫外線硬化樹脂を含むシーラントをさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項１５】
コラムスペーサーが形成されている第１基板を備える段階と、
前記コラムスペーサーに対応する位置に予備高分子層（ｐｒｅ−ｐｏｌｙｍｅｒ  ｌａｙｅｒ）が形成されている第２基板を備える段階と、
前記コラムスペーサーと前記予備高分子層が互いに対応するように前記第１基板と前記第２基板を対向配置する段階と、
前記予備高分子層を硬化させる段階と、
を含むことを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。
【請求項１６】
前記第１基板と前記第２基板のうちの少なくともいずれか１つの基板素材はプラスチックからなることを特徴とする、請求項１５に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項１７】
前記第２基板を備える段階は、
基板素材の上に陥没部を分散形成する段階と、
前記陥没部に前記予備高分子層を位置させる段階と、
を含むことを特徴とする、請求項１５に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項１８】
前記第２基板を備える段階は、
基板素材の上に共通電極層と配向膜を順に形成する段階と、
前記配向膜の上に前記予備高分子層を位置させる段階と、
を含むことを特徴とする、請求項１５に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項１９】
前記予備高分子層の硬化は紫外線を利用して行われることを特徴とする、請求項１５に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項２０】
前記予備高分子層はインクジェット方式を利用して形成されることを特徴とする、請求項１５に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項２１】
前記第１基板と前記第２基板のうちのいずれか１つの周りにシーラントを形成する段階をさらに含み、
前記予備高分子層と前記シーラントは同時に硬化されることを特徴とする、請求項１５に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項２２】
前記第１基板と前記第２基板のうちのいずれか１つの周りにシーラントを形成する段階と、
第１基板と前記第２基板の対向配置後に前記予備高分子層と前記シーラントを硬化する段階と、
前記予備高分子層と前記シーラントの硬化後に、前記第１基板と前記第２基板の間に液晶層を形成する段階と、
をさらに含むことを特徴とする、請求項１５に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【請求項２３】
前記第１基板と前記第２基板のうちのいずれか１つの周りにシーラントを形成する段階と、
前記シーラントが形成された前記基板の上に滴下方式によって液晶層を形成する段階と、
をさらに含むことを特徴とする、請求項１５に記載の液晶表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示パネルとその製造方法に係わり、より詳しくは、コラムスペーサーと高分子層を利用して両基板の接着力を強化させた液晶表示パネルとその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、薄膜トランジスターが形成されている薄膜トランジスター基板と、カラーフィルター層が形成されているカラーフィルター基板と、これらの間に液晶層が位置している液晶表示パネルとを含む。液晶表示パネルは非発光素子であるため、薄膜トランジスター基板の後面に、光を照射するためのバックライトユニットを配置することが好ましい。バックライトユニットから照射された光は液晶層の配列状態によって透過量が調節される。
【０００３】
液晶表示装置は、それ以外に表示領域に画面を形成するために、薄膜トランジスター基板に形成されているゲート線とデータ線に駆動信号を印加する駆動回路を含む。駆動回路はゲート駆動チップ及びデータ駆動チップ、そしてタイミングコントローラー（ｔｉｍｉｎｇ  ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）と駆動電圧発生部などが形成されている印刷基板などを含む。
【０００４】
液晶表示パネルの光学特性は、両基板の間に形成された液晶層のセルギャップ（ｃｅｌｌ  ｇａｐ）と密接な関係がある。特に、コントラスト比（ｃｏｎｔｒａｓｔ）と視野角の特性は、液晶の複屈折Δｎとセルギャップの掛け算に依存することが知られている。従って、液晶表示パネルのセルギャップが一定でなければ、その光学特性も一定にならない。
【０００５】
しかし、液晶表示パネルが撓む場合、セルギャップが一定にならないという問題がある。特に、基板素材としてプラスチックを用いる場合、プラスチックの長所である柔軟性を生かすためにはセルギャップの維持が重要である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、本発明の目的は、セルギャップが安定的に維持される液晶表示パネルを提供することにある。
また、本発明の他の目的は、セルギャップが安定的に維持される液晶表示パネルを製造する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的は、コラムスペーサーを含む第１基板と、前記第１基板に対向配置されている第２基板と、前記コラムスペーサーと前記第２基板の間に位置し、前記コラムスペーサーを前記第２基板に結合させる高分子層と、前記第１基板と前記第２基板の間に位置する液晶層とを含む液晶表示パネルによって達成することができる。
前記第１基板と前記第２基板のうちの少なくともいずれか１つの基板素材はプラスチックからなることが好ましい。
【０００８】
前記第１基板には薄膜トランジスターが形成されており、前記第２基板の基板素材はプラスチックからなることが好ましい。
前記カルロムスペーサーと前記高分子層の間に位置する第１配向膜をさらに含むことが好ましい。
前記第２基板は基板素材と前記基板素材上に順次に形成されている共通電極層と第２配向膜を含み、前記高分子層は前記第２配向膜の上に形成されていることが好ましい。
【０００９】
前記第２基板には陥没部が分散形成されており、前記高分子層は前記陥没部の内に位置することが好ましい。
前記第２基板には格子状のブラックマトリックスが形成されており、前記陥没部は前記ブラックマトリックスに形成されていることが好ましい。
前記陥没部から前記ブラックマトリックスは除去されていることが好ましい。
【００１０】
前記ブラックマトリックスは有機物を含むことが好ましい。
前記第２基板はオーバーコート層をさらに含み、前記陥没部は前記オーバーコート層に形成されていることが好ましい。
前記陥没部に対応する前記第１基板には光漏れを防止するための金属パターンが形成されていることが好ましい。
【００１１】
前記高分子層はアクリル樹脂とエポキシ樹脂を含むことが好ましい。
前記高分子層は紫外線硬化樹脂を含むことが好ましい。
前記第１基板と前記第２基板を相互に付着するとともに、紫外線硬化樹脂を含むシーラントをさらに含むことが好ましい。
前記本発明の他の目的は、コラムスペーサーが形成されている第１基板を備える段階と、前記コラムスペーサーに対応する位置に予備高分子層が形成されている第２基板を備える段階と、前記コラムスペーサーと前記予備高分子層が互いに対応するように前記第１基板と前記第２基板を対向配置する段階と、前記予備高分子層を硬化させる段階とを含む液晶表示パネルの製造方法によって達成されることができる。
【００１２】
前記第１基板と前記第２基板のうちの少なくともいずれか１つの基板素材はプラスチックからなることが好ましい。
前記第２基板を備える段階は、基板素材の上に陥没部を分散形成する段階と、 前記陥没部に前記予備高分子層を位置させる段階とを含むことが好ましい。
前記第２基板を備える段階は、基板素材の上に共通電極層と配向膜を順に形成する段階と、前記配向膜上に前記予備高分子層を位置させる段階とを含むことが好ましい。
【００１３】
前記予備高分子層の硬化は紫外線を利用して行われることが好ましい。
前記予備高分子層はインクジェット方式を利用して形成されることが好ましい。
前記第１基板と前記第２基板のうちのいずれか１つの周りにシーラントを形成する段階をさらに含み、前記予備高分子層と前記シーラントは同時に硬化されることが好ましい。
前記第１基板と前記第２基板のうちのいずれか１つの周りにシーラントを形成する段階と、第１基板と前記第２基板の対向配置後に前記予備高分子層と前記シーラントを硬化する段階と、前記予備高分子層と前記シーラントの硬化後に前記第１基板と前記第２基板の間に液晶層を形成する段階とをさらに含むことが好ましい。
【００１４】
前記第１基板と前記第２基板のうちのいずれか１つの周りにシーラントを形成する段階と、前記シーラントが形成された前記基板の上に滴下方式によって液晶層を形成する段階とをさらに含むことが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、セルギャップが安定的に維持される液晶表示パネルが提供される。また、セルギャップが安定的に維持される液晶表示パネルを製造する方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、添付した図面を参照して、本発明についてさらに詳しく説明する。
いろいろな実施形態において、同一の構成要素について同一の参照番号を付与し、同一の構成要素については第１実施形態で代表的に説明し、他の実施形態では省略しているものがある。
図１〜図３を参照して、本発明の第１実施形態による液晶表示パネルについて説明する。図１は本発明の第１実施形態による第１基板の配置図であり、図２は本発明の第１実施形態による第２基板の配置図であり、図３は本発明の第１実施形態による液晶表示パネルの断面図である。
【００１７】
液晶表示パネル１は、コラムスペーサー１６１が形成されている第１基板１００と、第１基板１００に対向配置されている第２基板２００と、コラムスペーサー１６１と第２基板２００の間に位置する高分子層３００と、両基板１００、２００を付着させるシーラント４００と、両基板１００、２００とシーラント４００が形成する空間に位置する液晶層５００とを含む。
【００１８】
第１基板１００を説明すれば、次の通りである。第１基板素材１１０の上にゲート配線１２１、１２２が形成されている。ゲート配線１２１、１２２は、図１の横方向に互いに平行に延在しているゲート線１２１と、ゲート線１２１に接続されている薄膜トランジスターのゲート電極１２２とを含む。
第１基板素材１１０とゲート配線１２１、１２２の上には、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）などからなるゲート絶縁膜１３１が形成されている。
【００１９】
ゲート電極１２２のゲート絶縁膜１３１の上部には非晶質シリコンなどの半導体からなる半導体層１３２が形成されており、半導体層１３２の上部にはシリサイドまたはｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質で作られた抵抗接触層１３３が形成されている。半導体層１３２はゲート電極１２２の上部に島状で形成されており、抵抗接触層１３３はゲート電極１２２を中心に２つの部分に分けられている。
【００２０】
抵抗接触層１３３及びゲート絶縁膜１３１の上にはデータ配線１４１、１４２、１４３が形成されている。データ配線１４１、１４２、１４３は、図１の縦方向に形成されてゲート線１２１と交差して画素を定義するデータ線１４１と、データ線１４１から分岐して抵抗接触層１３３の上部まで延長されているソース電極１４２と、ソース電極１４２と分離されていてゲート電極１２２を中心にソース電極１４２の反対側に形成されているドレイン電極１４３とを含む。
【００２１】
データ配線１４１、１４２、１４３及びこれらにより覆われていない半導体層１３２の上部には、窒化ケイ素、ＰＥＣＶＤ方法によって蒸着されたａ−Ｓｉ：Ｃ：Ｏ膜またはａ−Ｓｉ：Ｏ：Ｆ膜及びアクリル系有機絶縁膜などからなる保護膜１５１が形成されている。 保護膜１５１にはドレイン電極１４３を露出する接触口１５３が形成されている。
保護膜１５１の上部には画素電極１５２が形成されている。画素電極１５２はＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）または ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）などからなり、接触口１５３を通じてドレイン電極１４３と接続されている。
【００２２】
保護膜１５１の上部には、また、第２基板２００に向かって突出しているコラムスペーサー１６１が形成されている。コラムスペーサー１６１は、通常、有機膜をパターニングして製造し、第１基板１００と第２基板２００の間のセルギャップを維持する役割を果たす。コラムスペーサー１６１は、第２基板２００のブラックマトリックス２１１に対応する部分に形成することにより、開口率を減少させることがなく好ましい。
【００２３】
画素電極１５２とコラムスペーサー１６１の上には第１配向膜１７１が形成されている。第１配向膜１７１は、通常、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）からなり、液晶分子を一定の方向に配列させることができるようにラビングされている。
第１基板１００に対向配置されている第２基板２００について以下のように説明する。
第２基板２００は、第２絶縁基板２１０と、第２絶縁基板２１０の上に格子状に形成されているブラックマトリックス２１１と、赤色、緑色及び青色または青緑色、紅色及び黄色の３原色を有するカラーフィルター２２１と、カラーフィルター２２１の上に形成された共通電極２３１と第２配向膜２４１を含む。
【００２４】
ブラックマトリックス２１１は、各画素間を区分し、黒色系統の顔料が添加された感光性有機物質で作られている。黒色系統の顔料としては、カーボンブラックやチタンオキサイドなどを用いることができる。しかし、ブラックマトリックス２１１は実施形態とは異なって、クロム、クロムオキサイド及びクロムナイトライドなどの単一またはこれらの組み合わせでなる多重の金属層で構成することもできる。
【００２５】
ブラックマトリックス２１１は、第１基板１００のゲート線１２１とデータ線１４１に沿って格子状をしている。半導体層１３２に光が入射することを防止するために半導体層１３２の上部にも形成されている。 一方、第１基板のコラムスペーサー１６１に対応する部分には陥没部２１２が形成されているが、第１実施形態では陥没部２１２からブラックマトリックス２１１は完全に除去されている。陥没部２１２には後述する高分子層３００が位置するようになる。陥没部２１２の形態はコラムスペーサー１６１の上端部の形状に対応し、面積はコラムスペーサー１６１の上端部より多少大きく設定することが好ましい。
【００２６】
カラーフィルター２２１は、それぞれ赤色、緑色及び青色または青緑色、紫紅色及び黄色が繰り返されて形成され、液晶層５００を通過した光に色を付与する役割を果たす。カラーフィルター２２１は着色感光性有機物質を用いて公知の顔料分散法によって形成することができる。
共通電極２３１は第２基板２００の全面にかけて形成されており、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質からなる。共通電極２３１は、第１基板１００の画素電極１５２と共に液晶層５００に直接信号電圧を印加するようになる。
【００２７】
共通電極２３１の上には第２配向膜２４１が形成されている。第２配向膜２４１は、通常、ポリイミドからなり、液晶分子を一定の方向に配列させることができるようにラビングされている。
ここで、第１基板素材１１０と第２基板素材２１０のうちの少なくともいずれか１つはプラスチックで形成することができる。プラスチックの種類としては、ポリカーボン（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎ）、ポリイミド 、ＰＥＳ（poly ether sulfone）、ＰＡＲ（Polyarylate）、ＰＥＮ（Polyethylene naphtahalate）、ＰＥＴ（PolyEthyleneTerephthalate）などを用いることが可能である。基板素材１１０、２１０としてプラスチックを用いれば、液晶表示パネル１の柔軟性が増加する長所がある。
【００２８】
プラスチック基板を使用する場合、工程温度をプラスチック基板の熱的許容範囲である１５０〜２００℃内に維持しなければならない。特に、第１基板素材１１０としてプラスチック基板を使用する場合には、金属層または無機膜の形成時に温度が高く上がらないように注意しなければならない。
第１基板１００のコラムスペーサー１６１の上の第１配向膜１７１と第２基板２００の陥没部２１２に位置した第２配向膜２４１の間には、高分子層３００が位置している。高分子層３００は、第１配向膜１７１と第２配向膜２４１にそれぞれ接着されており、アクリル樹脂のような紫外線硬化樹脂を含んでいる。また、高分子層３００は、熱硬化樹脂であるエポキシ樹脂をさらに含むこともできる。
【００２９】
コラムスペーサー１６１は、球状のプラスチックスペーサーに比べて第２基板２００と接する部分の面積が広い。従って、第１基板１００と第２基板２００は比較的に強く接着される。また、コラムスペーサー１６１は球状のプラスチックスペーサーと異なって形成位置を自由に調節することができるので、両基板１００、２００を全体にかけて均一に結合させることができる。これによって、液晶表示パネル１のセルギャップが安定的に維持され、特に液晶表示パネル１が撓む場合にもセルギャップが安定的に維持される。
【００３０】
液晶表示パネル１の表示領域の外郭には両基板１００、２００を結合させるシーラント４００が備えられている。シーラント４００は、液晶表示パネル１の周縁に沿って形成されており、アクリル樹脂のような紫外線硬化樹脂を含んでいる。シーラント４００は、また、熱硬化樹脂であるエポキシ樹脂、アミン系硬化剤、アルミナパウダーのような充填材（ｆｉｌｌｅｒ）、スペーサーをさらに含むように構成できる。
【００３１】
液晶層５００は、両基板１００、２００及びシーラント４００が形成する空間に位置し、画素電極１５２と共通電極２３１の電圧差によって配列が変化する。
以下では、本発明の実施形態による液晶表示パネルの製造方法を図４ａ〜図４ｇを参照して説明する。第１基板１００は、通常の方法によって形成でき、具体的な説明は省略する。
【００３２】
図４ａに示すように、第２基板素材２１０の上にブラックマトリックス２１１を形成する。ブラックマトリックス２１１を形成する過程は、次の通りである。まず、感光性有機物質に黒色顔料を添加してブラックマトリックス感光液を作る。 黒色顔料としては、カーボンブラックやチタンオキサイドを用いることができる。ブラックマトリックス感光液を第２基板素材２１０の上に塗布して、露光、現像、ベイクすれば、ブラックマトリックス２１１が完成される。ここで、ブラックマトリックス２１１の内に分散配置されている陥没部２１２を形成する。陥没部２１２の位置、大きさ、個数は、第１基板１００のコラムスペーサー１６１の位置、大きさ、個数によって変わる。
【００３３】
次に、図４ｂに示すように、ブラックマトリックス２１１の間にカラーフィルター２２１を形成する。カラーフィルター２２１の製造は、各色相のカラーフィルター組成物ごとの塗布、露光、現像、ベイクを経て行うことができる。カラーフィルター２２１はこれとは異なって、インクジェット方法を利用して形成することもできる。
次に、図４ｃに示すように、カラーフィルター２２１とカラーフィルター２２１が覆われないブラックマトリックス２１１の上に、共通電極２３１と第２配向膜２４１を順に形成して第２基板２００を完成する。共通電極２３１と第２配向膜２４１の一部は陥没部２１２の内に位置する。
【００３４】
共通電極２３１は、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質をスパッタリング方法によって蒸着して設けることができる。
第２配向膜２４１の形成過程を見れば、通常、ジアミン化合物と無水物を溶媒の中で反応させたポリアミン酸（ｐｏｌｙｍｉｃ  ａｃｉｄ）を共通電極２３１の上に印刷した後、乾燥、加熱硬化してポリアミン酸をポリイミドに生成し、作られたポリイミドをラビングして第２配向膜２４１を完成する。ラビングは、円形ロールにラビング布を巻いて高速で回転させながらラビング布を第２配向膜２４１と接触させることによって、第２配向膜２４１は液晶分子を一定の方向に配列させることができる構造に変化する。
【００３５】
第２基板２００が完成した後、図４ｄに示すように、陥没部２１２の内に予備高分子層３１０を形成する。予備高分子層３１０は硬化によって高分子層３００を形成するようになり、第２配向膜２４１と接している。予備高分子層３１０の形成にはインクジェット方式を利用することができ、陥没部２１２の内に形成されるので、安定的に位置することができる。
【００３６】
次に、図４ｅに示すように、第２基板２００の周縁に沿ってシーラント４００を形成する。シーラント４００を所望するラインで形成する方法としては、スクリーンマスク（ｓｃｒｅｅｎ  ｍａｓｋ）法とディスペンス（ｄｉｓｐｅｎｓｅ）法がある。スクリーンマスク法の工程が簡便であるため、広く使用されているが、マスクが配向膜と接触することで不良を誘発するという問題があり、基板の大きさが大きくなるほど対応が難しくなり、次第にディスペンス法が多く使用されてきている。図示していないが、シーラント４００には液晶注入のための注入口が形成されている。
【００３７】
次に、図４ｆに示すように、第１基板１００と第２基板２００とを相互に接合する。この時、第１基板のコラムスペーサー１６１と予備高分子層３１０が互いに対応するように接合しなければならない。この状態で予備高分子層３１０に紫外線を加えて硬化させる。予備高分子層３１０は、紫外線によって重合を開始する単量体を含んでいる。予備高分子層３１０の硬化時、シーラント４００も同時に硬化されることが好ましい。この過程を通じて第１基板１００と第２基板２００は周縁だけでなく表示領域においても強く結合する。
【００３８】
次に、図４ｇに示すように、両基板１００、２００の間に液晶を注入して液晶層５００を形成する。このような方式をフィリング（ｆｉｌｌｉｎｇ）方式と言う。液晶注入は真空と窒素圧力を利用して行われる。予備高分子層３１０が硬化されて高分子層液晶が注入されるので、高分子層３００と液晶が接触しても問題が発生しない。
以下では、本発明の第１実施形態による液晶表示パネルの他の製造方法について、図５ａ及び図５ｂを参照して説明する。
【００３９】
第１基板１００と第２基板２００は、前述した方法と同一の方法で製造され、第２基板２００の上にシーラント４００を塗布する時に注入口は形成しない。
この状態で図５ａに示すように、第２基板２００の上に滴下（ｄｒｏｐｐｉｎｇ）方式で液晶層５００を形成する。この方式はフィリング方式に比べて液晶層５００の形成時間を短縮できる長所がある。この方式で液晶層５００は硬化される前の予備高分子層３１０と接するようになる。従って、予備高分子層３１０は液晶層５００に混じらない特性のものか、または液晶層の物性を変化させない特性を持たなければならない。液晶層５００の形成時、シーラント４００は加熱によって部分的に硬化しているように構成できる。
【００４０】
次に、図５ｂに示すように、第１基板１００と第２基板２００を相互に接合する。この時、第１基板のコラムスペーサー１６１と予備高分子層３１０が互いに対応するように接合しなければならない。この状態で紫外線を加えて予備高分子層３１０とシーラント４００を硬化させ、液晶表示パネル１を完成する。
以下、図６〜図８を参照して、本発明の第２実施形態〜第４実施形態による液晶表示パネルについて説明するものであるが、ここでは第１実施形態による液晶表示パネルと異なる部分を中心に説明する。
【００４１】
図６に示した第２実施形態では、陥没部２１２に対応する第１基板１００に陥没部２１２による光漏れを防止するための金属パターン１２３が形成されている。金属パターン１２３は、これに限定されないが、ゲート配線１２１、１２２と同一階層に配置することが好ましい。
陥没部２１２が形成された部分は、コラムスペーサー１６１によって液晶層５００が存在しない。従って、第１基板１００の背面から供給された光は透過量が制御されないままコラムスペーサー１６１と高分子層３００を経て外部に進行する。これによって光漏れが発生して表示品質を低下させ得るが、金属パターン１２３はこれを防止する役割を果たす。金属パターン１２３は陥没部２１２より多少大きく構成することが好ましい。
【００４２】
図７に示した第３実施形態では、陥没部２１２にブラックマトリックス２１１が存在する。但し、陥没部２１２のブラックマトリックス２１１は、周囲のブラックマトリックス２１１に比べて薄くなっている。このような構成とすることで、第２実施形態のように、別途の金属パターン１２３を形成することなく、陥没部２１２による光漏れを防止することができる。
【００４３】
図８に示した第４実施形態では、オーバーコート層２５１に陥没部２５２が形成されている。オーバーコート層２５１は、カラーフィルター２２１とカラーフィルター２２１が設けられていないブラックマトリックス２１１を覆っている。オーバーコート層２５１はカラーフィルター２２１を保護するものであり、有機物で構成することができる。陥没部２５２からオーバーコート層２５１は除去されている。陥没部２５２はブラックマトリックス２１１の上に設けられているので、光漏れを防止する。オーバーコート層２５１の上には共通電極２３１と第２配向膜２４１が形成されている。
【００４４】
以上、本発明のいくつかの実施形態を図示して説明したが、本発明が属する技術分野の通常の知識を有する当業者であれば、本発明の原則や精神から逸脱せずに本実施形態を変形できることが分かる。本発明の範囲は添付された請求範囲とその均等物によって決めなければならない。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の第１実施形態による第１基板の配置図である。
【図２】本発明の第１実施形態による第２基板の配置図である。
【図３】本発明の第１実施形態による液晶表示パネルの断面図である。
【図４ａ】本発明の第１実施形態による液晶表示パネルの一製造方法を説明するための断面図である。
【図４ｂ】本発明の第１実施形態による液晶表示パネルの一製造方法を説明するための断面図である。
【図４ｃ】本発明の第１実施形態による液晶表示パネルの一製造方法を説明するための断面図である。
【図４ｄ】本発明の第１実施形態による液晶表示パネルの一製造方法を説明するための断面図である。
【図４ｅ】本発明の第１実施形態による液晶表示パネルの一製造方法を説明するための断面図である。
【図４ｆ】本発明の第１実施形態による液晶表示パネルの一製造方法を説明するための断面図である。
【図４ｇ】本発明の第１実施形態による液晶表示パネルの一製造方法を説明するための断面図である。
【図５ａ】本発明の第１実施形態による液晶表示パネルの他の製造方法を説明するための断面図である。
【図５ｂ】本発明の第１実施形態による液晶表示パネルの他の製造方法を説明するための断面図である。
【図６】本発明の第２実施形態による液晶表示パネルの配置図である。
【図７】本発明の第３実施形態による液晶表示パネルの配置図である。
【図８】本発明の第４実施形態による液晶表示パネルの配置図である。
【符号の説明】
【００４６】
１１０  第１基板素材
１２１  ゲート線
１２２  ゲート電極
１３１  ゲート絶縁膜
１３２  半導体層
１３３  抵抗接触層
１４１  データ線
１４２  ソース電極
１４３  ドレイン電極
１５１  保護膜
１５２  画素電極
１５３  接触口
１６１  コラムスペーサー
１７１  第１配向膜
２１０  第２基板素材
２１１  ブラックマトリックス
２１２、 ２５２  陥没部
２２１  カラーフィルター
２３１  共通電極
２４１  第２配向膜
２５１  オーバーコート層
３００  高分子層
３１０  予備高分子層
４００  シーラント
５００  液晶層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４ａ】
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【図４ｂ】
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【図４ｃ】
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【図４ｄ】
2006338011.tif 000009
【図４ｅ】
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【図４ｆ】
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【図４ｇ】
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【図５ａ】
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【図５ｂ】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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