(57)【要約】【課題】  広い全体のゲイン特性と、改善された歪み特性とを切り替えて使用できるゲイン制御増幅方法、ゲイン制御増幅回路およびそれを用いた受信装置を実現する。【解決手段】  入力信号を増幅して出力する、複数段の各ゲイン可変アンプ２、４を設ける。各ゲイン可変アンプ２、４の出力信号レベルの設定値に対する変動を抑制するための制御回路５を設ける。各ゲイン可変アンプ２、４の内、少なくとも１つのゲイン可変アンプ４における最小ゲインの設定値を切り替える制御ライン５ｃを設ける。【選択図】  図１ 
2006033343.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力信号を増幅して出力する、複数段の各ゲイン可変アンプと、
前記各ゲイン可変アンプの出力信号レベルの設定値に対する変動を抑制するための制御電圧を生成して各ゲイン可変アンプに印加するゲイン制御ループ部と、
前記各ゲイン可変アンプの内、少なくとも１つのゲイン可変アンプにおける最小ゲインの設定値を切り替える切り替え部とを有していることを特徴とするゲイン制御増幅回路。
【請求項２】
前記複数段の各ゲイン可変アンプにおける、第１のゲイン可変アンプと第２のゲイン可変アンプとは、互いに異なる制御電圧の領域でゲインが変化するものであり、
前記ゲイン制御ループ部は、前記第１のゲイン可変アンプと前記第２のゲイン可変アンプのゲイン制御端子に共通の制御電圧を与えるものであることを特徴とする請求項１記載のゲイン制御増幅回路。
【請求項３】
前記複数段の各ゲイン可変アンプにおける、第１のゲイン可変アンプと第２のゲイン可変アンプとの間に入力信号の周波数を変換するミキサ回路が設置され、
前記第１のゲイン可変アンプは入力された高周波信号を増幅するものであり、
前記第２のゲイン可変アンプは前記ミキサ回路より出力される周波数変換された信号を増幅するものであることを特徴とする請求項１または２に記載のゲイン制御増幅回路。
【請求項４】
前記ゲイン可変アンプは、ゲイン可変アンプ部分と固定ゲインアンプ部分とを互いに並列接続して備えており、
前記ゲイン可変アンプにおける最小ゲインの切り替えは、前記固定ゲインアンプ部分のゲイン切り替えによって行うことを特徴とする請求項１ないし３の何れか１項に記載のゲイン制御増幅回路。
【請求項５】
前記ゲイン可変アンプ部分は、第一差動増幅部と、前記第一差動増幅部の各第一差動対にそれぞれ接続された各第二差動増幅部とを備え、
前記各第二差動増幅部は、それらの各第二差動対の出力側の各差動入力と、非出力側の各差動入力とが共通化されており、それら共通化された各差動入力に前記制御電圧が印加されて、前記各ゲイン可変アンプの出力信号レベルの設定値に対する変動を抑制するようになっていることを特徴とする請求項４に記載のゲイン制御増幅回路。
【請求項６】
前記ゲイン可変アンプ部分は、差動信号が入力される正負１対の入力端子と、前記正入力端子にベースが接続された第１のトランジスタと、前記負入力端子にベースが接続された第２のトランジスタと、前記第１のトランジスタのエミッタに一端が接続され前記第２のトランジスタのエミッタに他端が接続された抵抗と、前記第１のトランジスタのエミッタとグランドの間に設置された第１の電流源と、前記第２のトランジスタのエミッタとグランドの間に設置された第２の電流源と、前記第１のトランジスタのコレクタにエミッタが接続された第３および第４のトランジスタと、前記第２のトランジスタのコレクタにエミッタが接続された第５および第６のトランジスタと、前記第３および前記第６のトランジスタのベースに接続された第１のゲイン制御端子と、前記第４および前記第５のトランジスタのベースに接続された第２のゲイン制御端子とを備え、
前記第１および前記第２のゲイン制御端子に印加される前記制御電圧の差によって差動出力信号の片側である前記第３のトランジスタのコレクタ電流と前記差動出力信号のもう一方である前記第６のトランジスタのコレクタ電流が制御されて、前記各ゲイン可変アンプの出力信号レベルの設定値に対する変動を抑制するようになっていることを特徴とする請求項４に記載のゲイン制御増幅回路。
【請求項７】
前記固定ゲインアンプ部分は、少なくとも２つの固定ゲインの第三差動増幅部を備え、
前記少なくとも２つの第三差動増幅部には、前記第三差動増幅部の各差動対に流れる電流を断接するためのスイッチ部が設けられていることを特徴とする請求項４ないし６の何れか１項に記載のゲイン制御増幅回路。
【請求項８】
前記固定ゲインアンプ部分は、少なくとも２つの固定ゲインアンプからなり、
前記固定ゲインアンプは、差動信号が入力される正負１対の入力端子と、正入力端子にベースが接続された第７のトランジスタと、負入力端子にベースが接続された第８のトランジスタと、前記第７のトランジスタのエミッタと前記第８のトランジスタのエミッタの間に設置された第２の抵抗と、前記第７のトランジスタのエミッタとグランドの間に設置された第３の電流源と、前記第８のトランジスタのエミッタとグランドの間に設置された第４の電流源とを備え、
前記第７のトランジスタのコレクタ電流と前記第８のトランジスタのコレクタ電流を差動出力信号とし、
前記ゲイン可変アンプの最小ゲイン値の切り替えは前記固定ゲインアンプ部分を構成する各固定ゲインアンプの切り替えによって行うことを特徴とする請求項４ないし６の何れか１項に記載のゲイン制御増幅回路。
【請求項９】
前記固定ゲインアンプ部分のゲイン切り替えは、前記固定ゲインアンプの電流出力部分に設置されたスイッチの切り替えにより行われることを特徴とする請求項８記載のゲイン制御増幅回路。
【請求項１０】
前記固定ゲインアンプ部分のゲイン切り替えは、前記第３および前記第４の電流源の切り替えにより行われることを特徴とする請求項８記載のゲイン制御増幅回路。
【請求項１１】
前記固定ゲインアンプ部分は、第四差動増幅部を備え、
前記第四差動増幅部の各差動対の電流流出部間に架設された、複数の互いに異なる抵抗値の各抵抗が設けられ、
前記複数の各抵抗の接続を互いに切り換える切り換え部が前記ゲイン可変アンプの最小ゲイン値を切り替えるために設けられていることを特徴とする請求項４ないし１０の何れか１項に記載のゲイン制御増幅回路。
【請求項１２】
前記固定ゲインアンプ部分は、差動信号が入力される正負１対の入力端子と、正入力端子にベースが接続された第７のトランジスタと、負入力端子にベースが接続された第８のトランジスタと、前記第７のトランジスタのエミッタと前記第８のトランジスタのエミッタの間に接続された少なくとも２つの抵抗と、前記第７のトランジスタのエミッタとグランドの間に設置された第３の電流源と、前記第８のトランジスタのエミッタとグランドの間に設置された第４の電流源とを備え、
前記第７のトランジスタのコレクタ電流と前記第８のトランジスタのコレクタ電流を差動出力信号とし、
前記ゲイン可変アンプの最小ゲインの切り替えは前記第７のトランジスタのエミッタと前記第８のトランジスタのエミッタの間に接続された抵抗値の切り替えによって行うことを特徴とする請求項４ないし１０の何れか１項に記載のゲイン制御増幅回路。
【請求項１３】
前記固定ゲインアンプ部分は、第五差動増幅部を備え、
前記第五差動増幅部の各差動対の電流流出部間の電流値を制御するための電流制御素子が設けられ、
前記電流制御素子を制御する制御端子部が前記ゲイン可変アンプの最小ゲイン値を切り替えるために設けられていることを特徴とする請求項４ないし１０の何れか１項に記載のゲイン制御増幅回路。
【請求項１４】
前記固定ゲインアンプ部分は、差動信号が入力される正負１対の入力端子と、正入力端子にベースが接続された第７のトランジスタと、負入力端子にベースが接続された第８のトランジスタと、前記第７のトランジスタのエミッタと前記第８のトランジスタのエミッタの間にソースおよびドレインが接続されたＦＥＴと、前記第７のトランジスタのエミッタとグランドの間に設置された第３の電流源と、前記第８のトランジスタのエミッタとグランドの間に設置された第４の電流源とを備え、
前記第７のトランジスタのコレクタ電流と前記第８のトランジスタのコレクタ電流を差動出力信号とし、
前記第２のゲイン可変アンプの最小ゲインの切り替えは前記第７のトランジスタのエミッタと前記第８のトランジスタのエミッタの間に接続されたＦＥＴのゲート電圧の切り替えによって行うことを特徴とする請求項４ないし１０の何れか１項に記載のゲイン制御増幅回路。
【請求項１５】
請求項１ないし１４の何れか１項に記載のゲイン制御増幅回路を有していることを特徴とする受信装置。
【請求項１６】
入力信号をゲイン可変にて複数段によりそれぞれ増幅して出力し、
出力信号レベルの設定値に対する変動を抑制するようにフィードバックによりゲインを制御し、
前記複数段の増幅の内、少なくとも１つの増幅における最小ゲインの設定値を切り替えることを特徴とするゲイン制御増幅方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デジタル衛星放送等に好適に使用される受信装置におけるゲイン制御に関するものであり、特にデジタル衛星放送受信装置用に設計された半導体集積回路化されたゲイン制御増幅回路としてのゲイン可変アンプを有する受信装置およびゲイン制御方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
デジタル衛星放送では、受信装置の設置条件や受信チャンネルによって入力信号レベルが広範囲に変動する。そのため、上記受信装置では、入力信号レベルに応じて受信装置における信号増幅レベルのゲインを適切に設定することにより、出力信号レベルが一定となるようなゲイン制御ループが使用される。
【０００３】
一般的に、ダイレクトコンバージョン方式の衛星放送用の受信装置におけるゲイン制御増幅回路は、図１２に示すように、２段の各ゲイン可変アンプを使用して増幅動作を実行しており、信号入力端子６１、前段のゲイン可変アンプ６２、処理回路６３、後段のゲイン可変アンプ６４、制御回路６５および出力端子６６を有している。
【０００４】
処理回路６３は、ゲイン可変アンプ６２の出力信号を処理して、その処理後の信号を出力するための回路である。制御回路６５は、出力端子６６に出力される信号のレベルを検出し、出力端子６６における信号レベルを一定値となるように制御するためにゲイン可変アンプ６２、６４に帰還させる制御信号を発生するための回路である。
【０００５】
図１２では、入力端子６１が直接ゲイン可変アンプ６２の入力端子に接続されているが、実際には入力端子６１とゲイン可変アンプ６２の間にはゲイン可変でないアンプが設置される場合もある。
【０００６】
また、図１２では、ゲイン可変アンプ６４の出力信号が直接出力端子６６に接続され、制御回路６５に入力されているが、ゲイン可変アンプ６４と出力端子６６および制御回路６５の入力端子の間には制御回路６５によってゲインが制御されないアンプやフィルタ回路が設置される場合もある。
【０００７】
衛星放送用の受信装置では、広い入力信号レベルに対して安定した受信性能が得られるように、前段のゲイン可変アンプ６２のゲインと後段のゲイン可変アンプ６４のゲインは図１３のように設計される。図１３において、制御信号の制御電圧の変化に対する、前段のゲイン可変アンプ６２におけるゲインの変化を特性線５４にて示し、後段のゲイン可変アンプ６４におけるゲインの変化を特性線５５にて示し、上記二つの各特性線５４、５５を合わせた、全体のゲイン変化を特性線５６にて示す。
【０００８】
続いて、各ゲイン可変アンプ６２、６４に設定されるゲインの各変化について、図１３を用いて説明する。ある入力レベルに対して出力レベルが一定になるための全体のゲインは、その入力レベルに対して一つの値に決まる。このゲインが図１３におけるＧｔ１とすると、ゲイン制御電圧はＶ１に設定されており、前段のゲイン可変アンプ６２および後段のゲイン可変アンプ６４のゲインはそれぞれＧｒ１、Ｇｂ１に設定されている。この様子については特許文献１に詳しく述べられている。
【特許文献１】特開２００２−７６８０５（公開日：２００２年３月１５日）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記従来の構成では、図１３に示すようなゲイン制御をおこなう場合、入力信号の信号レベルが決まれば全体のゲイン配分が決まり、各回路における信号レベルが一意に決まる。これにより、各回路の歪み特性も一意に決まることになり、全体の歪み特性が決定される。また、ゲイン制御によるゲイン可変範囲も決まってしまう。
【００１０】
しかしながら、受信装置の使用環境によっては、それほど広いゲイン可変幅は必要ではないが良好な歪み特性が要求される場合や、逆に歪み特性はそれほど良好である必要はないが広いゲイン可変幅が必要になる場合などが存在する。
【００１１】
図１３に示すゲイン特性を有する受信装置では、ゲイン可変幅を変更することは不可能であり、また、ある入力レベルに対してゲイン配分が一意に決められてしまうため、使用環境において別個に要求される広いゲイン可変幅と良好な歪み特性を同時に両立しなければならないという問題を生じる。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係るゲイン制御増幅回路は、上記課題を解決するために、入力信号を増幅して出力する、複数段の各ゲイン可変アンプと、前記各ゲイン可変アンプの出力信号レベルの設定値に対する変動を抑制するためのゲイン制御ループ部と、前記各ゲイン可変アンプの内、少なくとも１つのゲイン可変アンプにおける最小ゲインの設定値を切り替える切り替え部とを有していることを特徴としている。
【００１３】
上記構成によれば、例えば、後段のゲイン可変アンプの最少ゲイン値を切り替えることにより、広いゲイン可変幅が必要な場合には最少ゲイン値を下げて広いゲイン可変幅を実現できる。また、上記構成では、後段のゲイン可変アンプで全体の歪み特性が決定されるような条件下において、後段のゲイン可変アンプの最小ゲインの設定値を高く設定すれば、一定の入力信号レベルについて考えると増幅回路全体のゲインは一定であることから、後段のゲイン可変アンプへの入力信号レベルを大きくすることができ、歪み特性を改善することができる。
【００１４】
この結果、上記構成は、全体としての広いゲイン特性と改善された歪み特性とを切り替えて使用できて、別個に要求される広いゲイン可変幅と良好な歪み特性を一つの増幅回路において両立できる。
【００１５】
前記ゲイン制御増幅回路では、前記複数段の各ゲイン可変アンプにおける、第１のゲイン可変アンプと第２のゲイン可変アンプとは、互いに異なる制御電圧の領域でゲインが変化するものであり、前記ゲイン制御ループ部は、前記第１のゲイン可変アンプと前記第２のゲイン可変アンプのゲイン制御端子に共通の制御電圧を与えるものであってもよい。
【００１６】
前記ゲイン制御増幅回路においては、前記複数段の各ゲイン可変アンプにおける、第１のゲイン可変アンプと第２のゲイン可変アンプとの間に入力信号の周波数を変換するミキサ回路が設置され、前記第１のゲイン可変アンプは入力された高周波信号を増幅するものであり、前記第２のゲイン可変アンプは前記ミキサ回路より出力される周波数変換された信号を増幅するものであってもよい。
【００１７】
前記ゲイン制御増幅回路では、前記ゲイン可変アンプは、ゲイン可変アンプ部分と固定ゲインアンプ部分とを互いに並列接続して備えており、前記ゲイン可変アンプにおける最小ゲインの切り替えは、前記固定ゲインアンプ部分のゲイン切り替えによって行うものであってもよい。
【００１８】
前記ゲイン制御増幅回路においては、前記ゲイン可変アンプ部分は、第一差動増幅部と、前記第一差動増幅部の各第一差動対にそれぞれ接続された各第二差動増幅部とを備え、前記各第二差動増幅部は、それらの各第二差動対の出力側の各差動入力と、非出力側の各差動入力とが共通化されており、それら共通化された各差動入力に前記制御電圧が印加されて、前記各ゲイン可変アンプの出力信号レベルの設定値に対する変動を抑制するようになっていてもよい。
【００１９】
前記ゲイン制御増幅回路では、前記ゲイン可変アンプ部分は、差動信号が入力される正負１対の入力端子と、前記正入力端子にベースが接続された第１のトランジスタと、前記負入力端子にベースが接続された第２のトランジスタと、前記第１のトランジスタのエミッタに一端が接続され前記第２のトランジスタのエミッタに他端が接続された抵抗と、前記第１のトランジスタのエミッタとグランドの間に設置された第１の電流源と、前記第２のトランジスタのエミッタとグランドの間に設置された第２の電流源と、前記第１のトランジスタのコレクタにエミッタが接続された第３および第４のトランジスタと、前記第２のトランジスタのコレクタにエミッタが接続された第５および第６のトランジスタと、前記第３および前記第６のトランジスタのベースに接続された第１のゲイン制御端子と、前記第４および前記第５のトランジスタのベースに接続された第２のゲイン制御端子とを備え、前記第１および前記第２のゲイン制御端子に印加される前記制御電圧の差によって差動出力信号の片側である前記第３のトランジスタのコレクタ電流と前記差動出力信号のもう一方である前記第６のトランジスタのコレクタ電流が制御されて、前記各ゲイン可変アンプの出力信号レベルの設定値に対する変動を抑制するようになっていてもよい。
【００２０】
前記ゲイン制御増幅回路においては、前記固定ゲインアンプ部分は、少なくとも２つの固定ゲインの第三差動増幅部を備え、前記少なくとも２つの第三差動増幅部には、前記第三差動増幅部の各差動対に流れる電流を断接するためのスイッチ部が設けられていてもよい。
【００２１】
前記ゲイン制御増幅回路では、前記固定ゲインアンプ部分は、少なくとも２つの固定ゲインアンプからなり、前記固定ゲインアンプは、差動信号が入力される正負１対の入力端子と、正入力端子にベースが接続された第７のトランジスタと、負入力端子にベースが接続された第８のトランジスタと、前記第７のトランジスタのエミッタと前記第８のトランジスタのエミッタの間に設置された第２の抵抗と、前記第７のトランジスタのエミッタとグランドの間に設置された第３の電流源と、前記第８のトランジスタのエミッタとグランドの間に設置された第４の電流源とを備え、前記第７のトランジスタのコレクタ電流と前記第８のトランジスタのコレクタ電流を差動出力信号とし、前記ゲイン可変アンプの最小ゲイン値の切り替えは前記固定ゲインアンプ部分を構成する各固定ゲインアンプの切り替えによって行うものであってもよい。
【００２２】
前記ゲイン制御増幅回路においては、前記固定ゲインアンプ部分のゲイン切り替えは、前記固定ゲインアンプの電流出力部分に設置されたスイッチの切り替えにより行われてもよい。
【００２３】
前記ゲイン制御増幅回路では、前記固定ゲインアンプ部分のゲイン切り替えは、前記第３および前記第４の電流源の切り替えにより行われてもよい。
【００２４】
前記ゲイン制御増幅回路においては、前記固定ゲインアンプ部分は、第四差動増幅部を備え、前記第四差動増幅部の各差動対の電流流出部間に架設された、複数の互いに異なる抵抗値の各抵抗が設けられ、前記複数の各抵抗の接続を互いに切り換える切り換え部が前記ゲイン可変アンプの最小ゲイン値を切り替えるために設けられていてもよい。
【００２５】
前記ゲイン制御増幅回路では、前記固定ゲインアンプ部分は、差動信号が入力される正負１対の入力端子と、正入力端子にベースが接続された第７のトランジスタと、負入力端子にベースが接続された第８のトランジスタと、前記第７のトランジスタのエミッタと前記第８のトランジスタのエミッタの間に接続された少なくとも２つの抵抗と、前記第７のトランジスタのエミッタとグランドの間に設置された第３の電流源と、前記第８のトランジスタのエミッタとグランドの間に設置された第４の電流源とを備え、前記第７のトランジスタのコレクタ電流と前記第８のトランジスタのコレクタ電流を差動出力信号とし、前記ゲイン可変アンプの最小ゲインの切り替えは前記第７のトランジスタのエミッタと前記第８のトランジスタのエミッタの間に接続された抵抗値の切り替えによって行うものであってもよい。
【００２６】
前記ゲイン制御増幅回路においては、前記固定ゲインアンプ部分は、第五差動増幅部を備え、前記第五差動増幅部の各差動対の電流流出部間の電流値を制御するための電流制御素子が設けられ、前記電流制御素子を制御する制御端子部が前記ゲイン可変アンプの最小ゲイン値を切り替えるために設けられていてもよい。
【００２７】
前記ゲイン制御増幅回路では、前記固定ゲインアンプ部分は、差動信号が入力される正負１対の入力端子と、正入力端子にベースが接続された第７のトランジスタと、負入力端子にベースが接続された第８のトランジスタと、前記第７のトランジスタのエミッタと前記第８のトランジスタのエミッタの間にソースおよびドレインが接続されたＦＥＴと、前記第７のトランジスタのエミッタとグランドの間に設置された第３の電流源と、前記第８のトランジスタのエミッタとグランドの間に設置された第４の電流源とを備え、前記第７のトランジスタのコレクタ電流と前記第８のトランジスタのコレクタ電流を差動出力信号とし、前記第２のゲイン可変アンプの最小ゲインの切り替えは前記第７のトランジスタのエミッタと前記第８のトランジスタのエミッタの間に接続されたＦＥＴのゲート電圧の切り替えによって行うものであってもよい。
【００２８】
本発明の受信装置は、前記課題を解決するために、前記の何れかに記載のゲイン制御増幅回路を有していることを特徴としている。
【００２９】
本発明のゲイン制御増幅方法は、前記課題を解決するために、入力信号をゲイン可変にて複数段によりそれぞれ増幅して出力し、出力信号レベルの設定値に対する変動を抑制するようにゲインをフィードバックにより制御し、前記複数段の増幅の内、少なくとも１つの増幅における最小ゲインの設定値を切り替えることを特徴としている。
【発明の効果】
【００３０】
本発明のゲイン制御増幅回路は、以上のように、入力信号を増幅して出力する、複数段の各ゲイン可変アンプと、前記各ゲイン可変アンプの出力信号レベルの設定値に対する変動を抑制するためのゲイン制御ループ部と、前記各ゲイン可変アンプの内、少なくとも１つのゲイン可変アンプにおける最小ゲインの設定値を切り替える切り替え部とを有している構成である。
【００３１】
それゆえ、上記構成は、ゲイン可変幅、すなわち受信可能な信号レベル範囲の広い状態と、歪み特性の良好な状態とを互いに切り替えて使用できて、上記各状態を両立できるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
本発明の実施の各形態について図１ないし図１１および図１３に基づいて説明すると以下の通りである。
【００３３】
（実施の第一形態）
図１に本発明の実施の第一形態であるゲイン制御増幅回路の構成を示す。上記ゲイン制御増幅回路は、受信装置に好適に用いられるものである。なお、以下の実施の各形態においては、本実施の形態に記載の各構成と同一の機能を有する部材については、同一の部材番号を付与して、それらの説明を省いている。
【００３４】
上記ゲイン制御増幅回路においては、図１に示すように、複数段の（本実施の形態では２段）の各ゲイン可変アンプ２、４が、互いに直列と接続されて設けられている。ゲイン制御増幅回路では、ゲイン可変アンプ２に対し入力信号を入力するための入力端子１と、ゲイン可変アンプ４からの増幅された出力信号を外部に取り出すための出力端子６とが設けられている。
【００３５】
また、各ゲイン可変アンプ２、４の間には、信号の周波数を変換する変換機能、または、帯域制限のためのフィルタ機能を有する処理回路３が挿入されて設けられている。さらに、出力端子６への出力信号レベルを検出して、各ゲイン可変アンプ２、４のゲインをフィードバックによりそれぞれ調整して制御する制御回路（ゲイン制御ループ部）５が設けられている。
【００３６】
上記制御回路５はゲイン可変アンプ４の出力信号レベルが一定値になるように、複数段、例えば２段の、互いに直列に接続された各ゲイン可変アンプ２、４のゲインを第一および第二の各制御信号（制御電圧）によりそれぞれ制御する。図１のように、制御回路５がゲイン可変アンプ２、４のそれぞれに対し個別の第一および第二の各制御電圧を各制御ライン５ａ、５ｂを介して与えてゲインをそれぞれ制御する場合、各ゲイン可変アンプ２、４は同じ制御電圧範囲でゲインが変化する回路であっても図１３に示すような、高範囲にてゲインを変化させることが可能となるゲイン特性を得ることができる。上記ゲインとは、入力信号を制御信号に基づき増幅して出力信号として出力する際の増幅率を示す。
【００３７】
本実施の形態では、後段のゲイン可変アンプ４における最少ゲインの設定値の大小を、制御ライン５ｃを介した制御回路５内からの第三の制御信号（制御電圧）による切り替え部（図示せず）を切り替えることにより制御することで、広いゲイン可変幅と良好な歪み特性との双方を簡便に実現することができる。
【００３８】
上記切り替え部の具体的な各例についてはそれぞれ後述する。なお、上記では、制御ライン５ｃを、制御ライン５ｂと別ラインとした例を挙げたが、時分割や周波数分割などの手法を用いて同一ラインとすることも可能である。
【００３９】
まず、図２を用いてゲイン可変幅の拡大について説明する。図２中、特性線５７は最少ゲインを下げたときの後段のゲイン可変アンプ４における特性を示すものであり、特性線５８は後段のゲイン可変アンプ４における最小ゲインを下げたときの全体のゲイン特性を示すものである。前段のゲイン可変アンプ２の特性線５４を変更せず、後段のゲイン可変アンプ４の最少ゲインのみを変化させることで、全体のゲイン特性は図２中の特性線５６から、最小ゲインが低下した特性線５８へ変化させることができる。
【００４０】
これにより、全体のゲイン可変幅は後段のゲイン可変アンプ４の最少ゲインを下げた分だけ広くすることができる。図２の例では、後段のゲイン可変アンプ４についてゲインが変化する制御電圧範囲を一定にしてゲイン可変幅のみを広げているため、全体のゲイン特性５８の傾きは最少ゲインを変える前のゲイン変化特性５６に比べて若干変化するため、図１におけるゲイン可変アンプ２、４のゲイン特性の傾き、すなわち図２における特性線５７と特性線５８との特性の傾きは、図１中の制御回路５とあわせて制御ループが安定に動作するように設計する必要がある。
【００４１】
次に、歪み特性について図３を用いて説明する。図３中、特性線５９は最少ゲインを上げたときの後段のゲイン可変アンプ４における特性を示すものであり、特性線６０は後段のゲイン可変アンプ４の最少ゲインを上げたときの全体のゲイン特性を示すものである。また、図３中のＧｔ１は、ある入力信号レベルの信号が入力された際に必要となる全体のゲインであり、Ｖ１は後段のゲイン可変アンプ４の最少ゲインを下げないときに全体のゲインがＧｔ１になる制御電圧であり、Ｖ２は後段のゲイン可変アンプ４の最少ゲインを下げたときに全体のゲインがＧｔ１になる制御電圧である。ここで、後段のゲイン可変アンプ４の最少ゲインを下げたときの前段のゲイン可変アンプ２におけるゲインはＧｒ３、後段のゲイン可変アンプ４におけるゲインはＧｂ３である。
【００４２】
図３より、制御電圧Ｖ１の時に比べて制御電圧Ｖ２のときには前段のゲイン可変アンプ２のゲインは小さく設定されていることがわかる。全体のゲイン、すなわち入力信号レベルは後段のゲイン可変アンプ４の最少ゲインを変えても同じであることから、前段のゲイン可変アンプ２のゲインが低いことは後段のゲイン可変アンプ４に入力される信号レベルが小さくなることを意味する。
【００４３】
後段のゲイン可変アンプ４で発生する歪み成分は、一般的に、入力信号レベルが小さい場合に小さくなることから、後段のゲイン可変アンプ４によって全体の歪み特性が決まるような場合には、後段のゲイン可変アンプ４の最少ゲインを高くすることによって全体の歪み特性を改善することができる。
【００４４】
（実施の第二形態）
図４に本発明の実施の第二形態であるゲイン制御増幅回路の構成を示す。図４に示すように、制御回路５の出力は１つの制御電圧として、ゲイン可変アンプ２およびゲイン可変アンプ４のゲインが共通の制御信号によって制御される場合には、図１３のゲイン特性を得るためにはゲイン可変アンプ２およびゲイン可変アンプ４は互いに異なる制御電圧範囲でゲインが変化するように回路を設計する必要がある。
【００４５】
半導体集積回路化を考えた場合、制御回路５は図４中の制御回路５以外の回路と別の半導体集積回路に形成される場合があり、その場合には制御回路５からの信号を１つにして共通の制御電圧によりゲイン可変アンプ２およびゲイン可変アンプ４をそれぞれ制御することによって半導体集積回路のピン数を削減することができる。
【００４６】
（実施の第三形態）
図５に本発明の実施の第三形態に係るゲイン制御増幅回路の構成を示す。上記ゲイン制御増幅回路では、図５に示すように、ゲイン可変アンプ２の出力信号を周波数変換して出力するミキサ回路７が図４に示す処理回路３に代えて設けられている。ミキサ回路７で発生する歪みを考えた場合、ミキサ回路７の入力信号レベルが大きい場合に歪みの発生も大きくなり、ゲイン制御増幅回路全体の歪み特性が悪くなってしまう。
【００４７】
また、ミキサ回路７への入力信号レベルを前段で必要以上に減衰すると、入力信号レベルが低い場合に全体のＮＦが劣化してしまう。したがって、ミキサ回路７の前段にゲイン可変アンプ２を配置してミキサ回路７への入力信号レベルの範囲を広くしすぎないようにする必要がある。また、ミキサ回路７の前段のゲイン可変アンプ２における出力信号レベルを一定にしようとしても、高周波信号に対するゲイン可変アンプ２では十分な減衰量を得ることは困難である。これは、高周波信号では電源や半導体基板、寄生容量等の経路からのまわり込みが発生するためである。
【００４８】
そこで、実際の半導体集積回路では図５に示すようにミキサ回路７の前段にゲイン可変アンプ２を配置し、さらにミキサ回路７の後段にゲイン可変アンプ４を配置することが好ましい。この構成により、ミキサ回路７への入力信号レベルをある程度一定化し、全体として十分なゲイン可変範囲を得ることができる。
【００４９】
さらに、本発明のように後段のゲイン可変アンプ４の最少ゲインを下げることは、周波数変換された後の信号に対してゲインを下げるため、高周波信号に対しては十分に得ることの困難な減衰量を比較的容易に得ることができる。
【００５０】
（実施の第四形態）
図６に本発明の実施の第四形態に係るゲイン制御増幅回路の構成を示す。上記ゲイン制御増幅回路においては、図６に示すように、後段のゲイン可変アンプ４はゲイン可変アンプ部分８と、固定ゲインアンプ部分９とを互いに並列に接続して備えている。ゲイン可変アンプ部分８は広範囲にゲインが変化するアンプとすると、並列に接続された固定ゲインアンプ部分９を配置することで、最少ゲインは固定ゲインアンプ部分９で決定されるようにすることができる。この構成ではゲイン可変アンプ４の最少ゲインが固定ゲインアンプ部分９で決定されるため、最少ゲインの切り替えは固定ゲインアンプ部分９のゲインを切り替えることで実現される。
【００５１】
（実施の第五形態）
図７に本発明の実施の第五形態に係るゲイン制御増幅回路に使用されるゲイン可変アンプの回路図を示す。なお、以下の実施の各形態においては、本実施の形態に記載の各構成と同一の機能を有する部材については、同一の部材番号を付与して、それらの説明を省いている。
【００５２】
上記ゲイン可変アンプでは、差動信号の入力端子１０、第１の固定ゲインアンプ部分３４、第２の固定ゲインアンプ部分３５、ゲイン可変アンプ部分３６、各出力端子３０、負荷抵抗部３７および負荷抵抗部３７が設けられている。第１の固定ゲインアンプ部分３４、および第２の固定ゲインアンプ部分３５は、少なくとも２つの固定ゲインアンプ部分となっている。
【００５３】
第１の固定ゲインアンプ部分３４は、差動増幅部であり、各トランジスタ１１、１２、抵抗２１、各電流源２４、２５、各スイッチ（切り替え部）３８、３９から構成される。各トランジスタ１１、１２は、差動対を形成している。抵抗２１は、各トランジスタ１１、１２の電流流出部である各エミッタ間を接続するものである。第２の固定ゲインアンプ部分３５は、同様に差動増幅部であり、各トランジスタ１３、１４、抵抗２２、各電流源２６、２７、各スイッチ（切り替え部）４０、４１から構成される。ここで、それぞれの第１および第２の各固定ゲインアンプ３４、３５を構成する各抵抗２１、２２は互いに異なる値に設定されている。
【００５４】
ゲイン可変アンプ部分３６は、各トランジスタ１５、１６、１７、１８、１９、２０、抵抗２３、各電流源２８、２９、から構成される。各トランジスタ１５、１６は、第一差動増幅部を構成する差動対である。各トランジスタ１７、１８、および、各トランジスタ１９、２０は、それぞれ、第二差動増幅部を構成する差動対である。
【００５５】
各トランジスタ１７、１８の差動対の電流流出側は、トランジスタ１５の電流流入側に接続されている。トランジスタ１７の電流流入側には、負荷抵抗３２を介して電源に接続されている。トランジスタ１８の電流流入側は、直接、電源に接続されている。トランジスタ１８のベース（制御端子）は、トランジスタ１９のベースに接続されている。各トランジスタ１８、１９のベースは、ゲイン制御端子３１の一方端子に接続されている。
【００５６】
一方、各トランジスタ１９、２０の差動対の電流流出側は、トランジスタ１６の電流流入側に接続されている。トランジスタ２０の電流流入側には、負荷抵抗３３を介して電源に接続されている。トランジスタ１９の電流流入側は、直接、電源に接続されている。トランジスタ２０のベースは、トランジスタ１７のベースに接続されている。各トランジスタ１７、２０のベースは、ゲイン制御端子３１の他方端子に接続されている。
【００５７】
固定ゲインアンプ部分（第三差動増幅部）３４および固定ゲインアンプ部分（第三差動増幅部）３５、ゲイン可変アンプ部分３６はそれぞれ入力端子１０にそれぞれ入力された電圧値に対応した電流値を出力し、それらの電流値が加算されて負荷抵抗部３７に流れることにより出力端子３０に出力電圧値として出力される。また、ゲイン可変アンプ部分３６には、ゲイン制御端子３１が前述の制御ライン５ｃからの制御信号（制御電圧）を入力するように設けられている。
【００５８】
スイッチ３８とスイッチ３９は、固定ゲインアンプ部分３４の差動対における電流流入側の電流を断接するように設置されている。スイッチ４０とスイッチ４１は、固定ゲインアンプ部分３５の差動対における電流流入側の電流を断接するように設置されている。
【００５９】
スイッチ３８とスイッチ３９、および、スイッチ４０とスイッチ４１はそれぞれ同時に、かつ択一的に、短絡（閉）、または開放される。つまり、スイッチ３８とスイッチ３９が短絡している場合はスイッチ４０とスイッチ４１は開放され、スイッチ３８とスイッチ３９が開放の場合はスイッチ４０とスイッチ４１は短絡される。本実施の形態では、回路の性質上、電流源２４と電流源２５、電流源２６と電流源２７、電流源２８と電流源２９には同じ電流値の直流電流が流されている。
【００６０】
ここで、固定ゲインアンプ部分３４の抵抗２１と負荷抵抗３２および負荷抵抗３３の関係は最少ゲインとして設定したいゲインの一つになるように設定され、固定アンプ部分３５の抵抗２２と負荷抵抗３２および負荷抵抗３３の関係は最少ゲインとして設定したい、他のもう一つのゲインとなるように設定されている。
【００６１】
また、図７に示すゲイン可変アンプの最大ゲインは、ゲイン可変アンプ部分３６の抵抗２３と負荷抵抗３２および負荷抵抗３３によって決まるため、この関係は要求される最大ゲインから決める必要がある。ゲイン制御端子３１の設定が、ゲイン可変アンプ部分３６が比較的高いゲインで動作するような値になっている場合には、固定ゲインアンプ部分３４や固定ゲインアンプ部分３５のゲインが低いために、図７に示す回路のゲインはゲイン可変アンプ部分３６によって決定される。
【００６２】
ゲイン制御端子３１の設定が、ゲイン可変アンプ部分３６が低いゲインで動作するような設定となっている場合、ゲイン可変アンプ部分３６からの出力電流は無視できるほどに小さくなるため、この場合には図７の回路のゲインは、各固定ゲインアンプ部分３４、３５のうち、有効になっている方の回路によって決定される。
【００６３】
すなわち、スイッチ３８およびスイッチ３９が短絡、かつ、スイッチ４０およびスイッチ４１が開放となっている場合には、有効となっている固定ゲインアンプ部分３４にて最少ゲインが決まる。一方、スイッチ３８およびスイッチ３９が開放、かつ、スイッチ４０およびスイッチ４１が短絡となっている場合には、有効となっている固定ゲインアンプ部分３５にて最少ゲインが決定される。
【００６４】
このように、スイッチ３８およびスイッチ３９、スイッチ４０およびスイッチ４１の切り替えにより図７のゲイン可変アンプの最少ゲインを切り替えることができる。
【００６５】
（実施の第六形態）
図８に本発明の実施の第六形態に係るゲイン制御増幅回路に使用されるゲイン可変アンプの回路図を示す。ここで、図７に示す各スイッチ３８〜４１に代えて、各スイッチ４２〜４５が、各差動対の電流流出側に、上記各差動対の電流を断接するように設けられている。
【００６６】
スイッチ４２とスイッチ４３、スイッチ４４とスイッチ４５が同時に制御され、スイッチ４２とスイッチ４３が短絡のときにはスイッチ４４とスイッチ４５が開放、スイッチ４２とスイッチ４３が開放の時にはスイッチ４４とスイッチ４５が短絡されるように、各スイッチ４２〜４５の切り替えが制御される。
【００６７】
図８の回路では、スイッチ４２とスイッチ４３が短絡の場合には固定ゲインアンプ部分３４が有効となり、その最少ゲインは抵抗２１と負荷抵抗３２および負荷抵抗３３によって決定される。また、スイッチ４４とスイッチ４５が短絡の場合には固定ゲインアンプ部分３５が有効となり、その最少ゲインは抵抗２２と負荷抵抗３２および負荷抵抗３３により決定される。
【００６８】
（実施の第七形態）
図９に本発明の実施の第七形態に係るゲイン制御増幅回路に使用されるゲイン可変アンプの回路図を示す。本実施の形態では、スイッチ４８が短絡の時にはスイッチ４９は開放、スイッチ４８が開放のときにはスイッチ４９は短絡に設定される。スイッチ４８が短絡の場合には、固定ゲインアンプ部分（第四差動増幅部）５０のゲインは抵抗４６と負荷抵抗３２および負荷抵抗３３によって決定され、スイッチ４９が短絡の場合には、固定ゲインアンプ部分５０のゲインは抵抗４７と負荷抵抗３２および負荷抵抗３３によって決定される。
【００６９】
したがって、抵抗４６と抵抗４７を互いに異なる抵抗値に設定しておき、スイッチ４８、スイッチ４９の各断接を互いに択一的に切り替えることにより、図９の回路で表されるゲイン可変アンプの最少ゲインを複数段階にて互いに切り替えることができる。なお、図９では、２段階での切り替えの例を挙げたが、さらに抵抗の数を増やし、それぞれの断接を行うスイッチを設けることで、任意の段階での切り替えが可能となる。
【００７０】
（実施の第八形態）
図１０に本発明の実施の第八形態に係るゲイン制御増幅回路に使用されるゲイン可変アンプの回路図を示す。本実施の形態では、電流制御素子として、ＦＥＴ５１が、ゲート端子５２を有して設けられている。ＦＥＴ５１のドレイン−ソース間抵抗はゲート端子（制御端子部）５２に印加する電圧によって変化する。したがって、ゲート端子５２に印加する電圧を制御することによって固定ゲインアンプ部分（第五差動増幅部）５３のゲインを変化させることができる。
【００７１】
最少ゲインを小さくしたい場合にはゲート端子５２に印加する電圧を低くしてＦＥＴ５１のドレイン−ソース間抵抗が大きくなるように、一方、最少ゲインを大きくしたい場合にはゲート端子５２への電圧を高くしてＦＥＴ５１のドレイン-ソース間抵抗が小さくなるように制御することで最少ゲインを連続的に切り替えることができる。
【００７２】
なお、上記実施の各形態では、用いた各トランジスタに、ＮＰＮトランジスタを用いた例を挙げたが、上記に限定されることはなく、例えば、上記ＮＰＮトランジスタに代えて、ＰＮＰトランジスタや、Ｐ型やＮ型のＦＥＴを用いることができる。また、上記各電流源２４〜２９については、トランジスタおよび抵抗、または抵抗のみからなる定電流源であることが好ましい。
【００７３】
次に、上記実施の各形態の何れかに記載のゲイン制御装置の例を備えた本発明の受信装置について、図１１に基づき説明する。図１１に示すように、高周波信号をベースバンド等の低い周波数に変換するＲＦ部７１と、低い周波数となったデジタル変調波を、位相再生・タイミング再生等にて復調を行う復調部７２とで構成される。
【００７４】
図１１の受信装置のＲＦ部７１は、ＲＦ入力端子７３、各可変利得型増幅器７４、８４、８５、各ミキサ回路７５、７６、９０°移相器７７、電圧制御型局部発振器（ＶＣＯ）７８、ＰＬＬ回路７９、局部発振器８０、ＶＣＯ制御端子８１、各ローパスフィルタ（ＬＰＦ）８２、８３、増幅器制御端子８６を備えている。ＲＦ入力端子７３は、放送局から送信される高周波信号が入力される端子である。
【００７５】
可変利得型増幅器７４は、ＲＦ入力端子７３から入力された高周波信号を増幅する。ＶＣＯ７８は、高周波信号をベースバンド信号に周波数変換するため、制御電圧で周波数を制御したローカル信号を出力する。局部発振器８０は、前記ローカル信号の基準となる発振器である。
【００７６】
ＰＬＬ回路７９は、前記局部発振器８０を基準とし、前記ローカル信号が設定周期に応じた値に収束するようにフィードバック制御する。このフィードバック信号は、ＶＣＯ制御端子８１から入力される。
【００７７】
９０°移相器７７は、ＶＣＯ７８の信号の位相を９０°ずらした９０°移相信号を生成し、位相をずらさない０°の信号とともに出力する。各ミキサ回路７５、７６でＩ信号とＱ信号との直交ベースバンド信号を検波するために高周波信号の周波数変換を行う。
【００７８】
ミキサ回路７５は９０°移相器７７から出力される０°の信号を用いて、高周波信号をＩ信号のベースバンド信号に復調する。ミキサ回路７６は９０°移相器７７から出力される９０°移相信号を用いて、高周波信号をＱ信号のベースバンド信号に復調する。この２つの各ミキサ回路７５、７６により、受信した高周波信号は直交ベースバンド信号に復調される。
【００７９】
ＬＰＦ８２、８３は、ミキサ回路７５、７６の出力から、希望帯域以外の周波数成分を遮断する。可変利得型増幅器８４、８５は、ＬＰＦ８２、８３の出力を増幅する。なお、可変利得型増幅器７４、８４、８５は、増幅器制御端子８６から入力される制御信号により、ゲイン（増幅率）が制御される。
【００８０】
図１１の受信装置の復調部７２は、アナログ−デジタル変換器（ＡＤＣ）８７、８８、電圧制御型局部発振器（ＶＣＯ）８９、ＶＣＯ制御端子９０、レベル検出器９１、ループフィルタ９２、１００、１０３、デジタル−アナログ変換器（ＤＡＣ）９３、１０４、複素演算器９４、各ＦＩＲフィルタ９５、９６、Ｉ出力端子９７、Ｑ出力端子９８、位相・周波数検出器９９、数値制御発振器（ＮＣＯ）１０１、タイミング検出器１０２を備えている。
【００８１】
ＲＦ部７１で周波数変換されたベースバンド信号は、各ＡＤＣ８７、８８にて、ＶＣＯ８９の発振周波数でサンプリングされ、デジタル変換される。ベースバンド信号は、これ以降デジタル信号で処理される。
【００８２】
各ＡＤＣ８７、８８からの出力は、複素演算器９４によってＮＣＯ１０１から出力されるcosΔθ・sinΔθと複素乗算される。複素乗算された信号は、各ＦＩＲフィルタ９５、９６により、希望帯域以外の周波数成分を遮断され、Ｉ出力端子９７、Ｑ出力端子９８から出力される。また、復調部７２では、伝送路で生じた位相・周波数誤差、タイミング誤差、レベル誤差の補正を行う。
【００８３】
位相・周波数誤差については、ＦＩＲフィルタ９５、９６の出力を用い、位相・周波数検出器９９で位相・周波数誤差が検出される。その検出結果が、ループフィルタ１００で平衡化され、ＮＣＯ１０１のΔθを調整する。その結果、位相・周波数誤差が取り除かれる。
【００８４】
タイミング誤差については、各ＦＩＲフィルタ９５、９６の出力を用い、タイミング検出器１０２でタイミング誤差が検出され、ループフィルタ１０３で平衡化される。平衡化された結果は、ＤＡＣ１０４でアナログ信号に変換され、ＶＣＯ制御端子９０から出力される。この出力信号により、ＶＣＯ８９の発振周波数を制御する。その結果、タイミング誤差が取り除かれる。
【００８５】
レベル誤差については、各ＡＤＣ８７、８８の出力を用い、レベル検出器９１でレベル誤差が検出され、ループフィルタ９２で平衡化される。平衡化された結果は、ＤＡＣ９３でアナログ信号の制御信号に変換される。変換された制御信号は、ＲＦ部７１の増幅器制御端子８６から入力され、ＲＦ部７１内の可変利得型増幅器７４、８４、８５を制御する。これにより、レベル誤差が取り除かれる。上記レベル検出器９１、ループフィルタ９２、ＤＡＣ９３は、図１、図４、図５、および図６に示す制御回路５に相当する。
【００８６】
本発明のゲイン制御増幅回路は、上記受信装置のＲＦ部７１における、可変利得型増幅器７４、ミキサ回路７５、ＬＰＦ８２、および可変利得型増幅器８４からなるのラインや、可変利得型増幅器７４、ミキサ回路７６、ＬＰＦ８３、および可変利得型増幅器８５からなるラインに好適に利用できるものである。
【産業上の利用可能性】
【００８７】
本発明のゲイン制御増幅方法、ゲイン制御増幅回路およびそれを用いた受信装置は、複数段の各ゲイン可変アンプの内、少なくとも１つのゲイン可変アンプにおける最小ゲインの設定値を切り替えることにより、広い全体ゲイン特性と、改善された歪み特性とを切り替えて使用できるから、デジタル衛星放送といった種々な各受信条件にそれぞれ対応する必要がある過酷な受信条件下となる通信分野に好適に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】本発明に係る、ゲイン可変アンプを有するゲイン制御増幅回路の実施の第一形態を示す要部回路ブロック図である。
【図２】上記ゲイン制御増幅回路におけるゲイン特性の一例を示すグラフである。
【図３】上記ゲイン制御増幅回路のゲイン特性における他の例を示すグラフである。
【図４】本発明に係るゲイン制御増幅回路の実施の第二形態を示す要部回路ブロック図である。
【図５】本発明に係るゲイン制御増幅回路の実施の第三形態を示す要部回路ブロック図である。
【図６】本発明に係るゲイン制御増幅回路の実施の第四形態を示す要部回路ブロック図である。
【図７】本発明に係るゲイン制御増幅回路の実施の第五形態に使用されるゲイン可変アンプの回路図である。
【図８】本発明に係るゲイン制御増幅回路の実施の第六形態に使用されるゲイン可変アンプの回路図である。
【図９】本発明に係るゲイン制御増幅回路の実施の第七形態に使用されるゲイン可変アンプの回路図である。
【図１０】本発明に係るゲイン制御増幅回路の実施の第八形態に使用されるゲイン可変アンプの回路図である。
【図１１】本発明の受信装置の要部回路ブロック図である。
【図１２】従来の、ゲイン可変アンプを有するゲイン制御増幅回路の要部回路ブロック図である。
【図１３】上記従来のゲイン制御増幅回路のゲイン特性を示すグラフである。
【符号の説明】
【００８９】
１                          入力端子
２、４                      ゲイン可変アンプ
３                          処理回路
５                          制御回路
６                          出力端子
７                          ミキサ回路
８                          ゲイン可変アンプ部分
９                          固定ゲインアンプ部分
１０                        入力端子
１１〜１２                  トランジスタ
２１〜２３                  抵抗
３２、３３、４６、４７      抵抗
２４〜２９                  電流源
３０                        出力端子
３１                        ゲイン制御端子
３４、３５、５０、５３      固定ゲインアンプ部分
３６                        ゲイン可変アンプ部分
３７                        負荷抵抗部
３８〜４５、４８、４９      スイッチ
５１                        ＦＥＴ
５２                        ゲート端子
【図１】
2006033343.tif 000003
【図２】
2006033343.tif 000004
【図３】
2006033343.tif 000005
【図４】
2006033343.tif 000006
【図５】
2006033343.tif 000007
【図６】
2006033343.tif 000008
【図７】
2006033343.tif 000009
【図８】
2006033343.tif 000010
【図９】
2006033343.tif 000011
【図１０】
2006033343.tif 000012
【図１１】
2006033343.tif 000013
【図１２】
2006033343.tif 000014
【図１３】
2006033343.tif 000015