(57)【要約】【課題】外囲器内部の高電位部と、外囲器外部とアース電位部との接続を、製造が容易であり安価に得られる高抵抗膜で実現する。【解決手段】前面基板と背面基板間が真空雰囲気となった外囲器を有し、前記前面基板は、ガラス基板上の画像表示領域として蛍光体とこの蛍光体周囲のブラックマトリックス層を有し、さらに前記蛍光体の上面及び前記ブラックマトリックス層の上面の一部にメタルバック層を含む高電位部を有した平面型表示装置である。画像表示領域の周囲には、間隔をおいてアース用抵抗体が形成されており、このアース用抵抗体と、前記高電位部との間のガラス上面には、上面に凹凸を有した高抵抗膜が印刷形成されている。【選択図】      図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面基板と背面基板間が真空雰囲気となった外囲器を有し、前記前面基板は、ガラス基板上の画像表示領域として蛍光体とこの蛍光体周囲のブラックマトリックス層を有し、さらに前記蛍光体の上面及び前記ブラックマトリックス層の上面の一部にメタルバック層を含む高電位部を有した平面型表示装置において、
上記画像表示領域の周囲には、間隔をおいてアース用抵抗体が形成されており、このアース用抵抗体と、前記画像表示領域内の前記高電位部との間のガラス上面には、上面に凹凸を有した高抵抗膜が印刷形成されていることを特徴とする平面型表示装置。
【請求項２】
前記高抵抗膜は、前記アース用抵抗体とメタルバック層を接続していることを特徴とする請求項１記載の平面型表示装置。
【請求項３】
前記高抵抗膜は、前記アース用抵抗体とブラックマトリックス層を接続していることを特徴とする請求項１記載の平面型表示装置。
【請求項４】
前記高抵抗膜は、前記凹凸部の層とその下の層と２層構造であることを特徴とする請求項１記載の平面型表示装置。
【請求項５】
前記高抵抗膜の上には、外囲器の側壁端部が位置することを特徴とする請求項１記載の平面型表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、平面型の画像表示装置に関し、特に、外囲器内と外部のパネル周縁部との間を電圧分断する技術に特徴を備えるものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、次世代の画像表示装置として、電子放出素子を多数並べ、蛍光面と対向配置させた平面型画像表示装置の開発が進められている。電子放出素子には様々な種類があるが、いずれも基本的には電界放出を用いており、これらの電子放出素子を用いた表示装置は、一般に、フィールド・エミッション・ディスプレイ（以下、ＦＥＤと称する）と呼ばれている。ＦＥＤの内、表面伝導型エミッタを用いた表示装置は、表面伝導型電子放出ディスプレイ（以下、ＳＥＤと称する）とも呼ばれているが、本願においてはＳＥＤも含む総称としてＦＥＤという用語を用いる。
【０００３】
ＦＥＤは、一般に、所定の隙間を置いて対向配置された前面基板および背面基板を有し、これらの基板は、矩形枠状の側壁を介して周縁部同士を互いに接合することにより真空外囲器を構成している。真空容器の内部は、真空度が１０−４Ｐａ程度以下の高真空に維持されている。また、背面基板および前面基板に加わる大気圧荷重を支えるために、これらの基板の間には複数の支持部材が配設されている。
【０００４】
前面基板の画素領域の内面には赤（Ｒ）、青（Ｂ）、緑（Ｇ）の蛍光体層を含む蛍光面が形成されている。一方、背面基板の内面には、蛍光体を励起して発光させるための電子を放出する多数の電子放出素子が設けられている。また、多数の走査線および信号線がマトリックス状に形成され、各電子放出素子に接続されている。走査線及び信号線を介して、映像信号に相当する電圧が電子放出素子に印加される。
【０００５】
蛍光面にはアノード電圧が印加され、電子放出素子から出た電子ビームがアノード電圧により加速されて蛍光面に衝突することにより、蛍光体が発光し映像が表示される。
【０００６】
このようなＦＥＤでは、前面基板と背面基板との隙間を数ｍｍ以下に設定することができ、現在のテレビやコンピュータのディスプレイとして使用されている陰極線管（ＣＲＴ）と比較して、軽量化、薄型化を達成することができる。
【０００７】
上記のように構成されたＦＥＤにおいて、実用的な表示特性を得るためには、通常の陰極線管と同様の蛍光体を用い、更に、蛍光体の上にメタルバックと呼ばれるアルミ薄膜を有する蛍光面を用いることが必要となる。
【０００８】
この場合、蛍光面に印加するアノード電圧は最低でも数ｋＶ、できれば１０ｋＶ以上にすることが望まれる。しかし、前面基板と背面基板との間の隙間は、解像度や支持部材の特性などの観点からあまり大きくすることはできず、１〜２ｍｍ程度に設定する必要がある。そのため、ＦＥＤでは、高いアノード電圧を蛍光面に印加すると、前面基板と背面基板との小さい隙間に強電界が形成されることを避けられず、両基板間の放電（絶縁破壊）が問題となる。
【０００９】
放電が起こると、瞬間的に１００Ａ以上の電流が流れることがあり、電子放出素子や蛍光面の破壊あるいは劣化、さらには駆動回路の破壊を引き起こす可能性もある。これらをまとめて放電によるダメージと呼ぶことにする。このような不良発生につながる放電は製品としては許容されない。したがって、ＦＥＤを実用化するためには、長期間に渡り、放電によるダメージが発生しないように構成しなければならない。しかしながら、放電を長期間に渡って完全に抑制するのは非常に難しい。
【００１０】
一方、放電が発生しないようにするのではなく、放電が起きても電子放出素子ヘの影響を無視できるよう、放電の規模を抑制するという対策も考えられる。このような考え方に関連する技術として、例えば、特開２０００−３１１６４２号公報には、蛍光面に設けられたメタルバックに切り欠きを入れてジグザグなどのパターンを形成し、蛍光面の実効的なインダクタンス・抵抗を高める技術が開示されている。また、特開平１０−３２６５８３号公報には、メタルバックを分割或は分断する技術が開示されている。
【００１１】
これらの技術を適用する場合には、予め形成したメタルバックの一部領域を何らかの手段で取り除く必要がある。あるいは、メタルバックを形成する際に、例えばマスキングを行って所定の領域のみにメタルバックが分断して形成されるような製造方法とする必要がある。
【００１２】
また、真空度を長期に渡って維持するために、真空チャンバー中で、通常ゲッタと呼ばれるガス吸着膜を蛍光面上に形成し、そのまま大気暴露することなく、前面基板と背面基板を封着するという方法が好適である。
【特許文献１】特開２０００−３１１６４２号公報
【特許文献２】特開平１０−３２６５８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
上記したように、平面型表示装置では、蛍光面に印加するアノード電圧は数ｋＶ〜１０ｋＶ以上の電圧が利用される。このために、真空中のメタルバッが接触しているブラックマトリックス層も高電位となる。ここで、平面型表示装置を構成する前面基板の周囲には、アース用の抵抗体が形成される。そして、ブラックマトリックス層もこのアース用抵抗を介して電気的に接地される。ここでアース用抵抗とブラックマトリックス層との間は、外囲器の壁の内と外の関係にあるが、電位差が大きく、電気的に近接していると沿面放電を発生する危険がある。このような危険を防止するためにアース用抵抗とメタルバックとの間は沿面距離が大きい方が好ましい。
【００１４】
従来の対策としては、前面基板を構成するガラス基板の一部であって、メタルバックの共通端子と周囲のアース用抵抗との間の部分を、すりガラス加工している。そしてすりガラス加工部分に高抵抗膜をスプレー塗布している。この作業時には、不要な部分に高抵抗膜が付着しないようにマスキング技術を採用して、高抵抗膜のスプレー塗布作業が行われる。
【００１５】
しかし上記のすりガラス加工、及びスプレー塗布作業は極めて時間とコストがかかり、製品価格に影響を及ぼすことになる。
【００１６】
そこでこの発明は、外囲器内部の高電位部と、外囲器外部とアース電位部との接続を、製造が容易であり安価な高抵抗膜で実現できる平面型表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記課題を解決するため、本発明の一実施の態様では、前面基板と背面基板間が真空雰囲気となった外囲器を有し、前記前面基板は、ガラス基板上の画像表示領域として蛍光体とこの蛍光体周囲のブラックマトリックス層を有し、さらに前記蛍光体の上面及び前記ブラックマトリックス層の上面の一部にメタルバック層を含む高電位部を有した平面型表示装置において、上記画像表示領域の周囲には、間隔をおいてアース用抵抗体が形成されており、このアース用抵抗体と、前記画像表示領域内の前記ブラックマトリックス層との間のガラス上面には、上面に凹凸を有した高抵抗膜が印刷形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
上記構成の平面型表示装置によると、外囲器内の高電位部と外囲器外のアース電位部との間の高抵抗部は、簡単な製造方法で実現される。よって、製造コストを安価に抑えることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、図面を参照しながら、この発明を適用したＦＥＤの実施の形態について詳細に説明する。
【００２０】
図１および図２に示すように、このＦＥＤは、それぞれ矩形状のガラスをメイン基板としている前面基板２、および背面基板１を備え、これらの基板は１〜２ｍｍの隙間を置いて対向配置されている。前面基板２および背面基板１は、矩形枠状の側壁３を介して周縁部同士が接合され、内部が１０−４Ｐａ程度以下の高真空に維持された偏平な矩形状の真空外囲器４を構成している。
【００２１】
前面基板２の画像表示領域の内面には蛍光面６が形成されている。この蛍光面６は、後述するように、赤、緑、青に発光する蛍光体層とマトリックス状の黒色遮光層（ブラックマトリックスと称される）とで構成されている。蛍光体層はストライプ状あるいはドット状に形成されている。蛍光面６上には、アノード電極として機能するメタルバック層７が形成されている。表示動作時には、メタルバック層７に所定のアノード電圧が印加される。
【００２２】
背面基板１の内面上には、蛍光体層を励起する電子ビームを放出する多数の電子放出素子８が設けられている。これらの電子放出素子８は、画素毎に対応して複数列および複数行に配列されている。電子放出素子は図示しないマトリックス配線（走査線、信号線）からの信号により駆動される。
【００２３】
背面基板１および前面基板２の間には、これらの基板に作用する大気圧荷重を支えるために、板状あるいは柱状に形成された多数のスペーサ１０が配置されている。
【００２４】
蛍光面６にはメタルバック層７を介してアノード電圧が印加され、電子放出素子８から放出された電子ビームはアノード電圧により加速され蛍光面６に衝突する。これにより、対応する蛍光体層が発光し画像が表示される。
【００２５】
次に、上記ＦＥＤにおける蛍光面６およびメタルバック層７について詳細に説明する。なお、本発明ではメタルバック層という用語を用いているが、この層は、金属（メタル）に限定されるものではなく、種々の材料を使うことが可能である。しかし本願においては、便宜上、メタルバック層という用語を用いる。
【００２６】
図３（ａ）、図３（ｂ）及び図４に示すように、前面基板２の内面に設けられた蛍光面６は、蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂ、および黒色遮光層２２を有し、電気的に絶縁性の材料で形成されている。黒色遮光層（ブラックマトリックス）２２は、例えば、所定の隙間を置いて平行に並んだ多数のストライプ部２２ａおよび蛍光面６の周縁に沿って延びた矩形枠部２２ｂで形成されている。黒色遮光層２２の表面、つまり、露出面は、１０μｍ以下のスケールの微細な凹凸形状となっている。また、赤、青、緑に発光する多数の蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂは、黒色遮光層２２のストライプ部２２ａの間に形成されている。蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂは、ストライプ状あるいは縦横マトリックス状、或は千鳥状、或は格子状に配列されてもよい。
【００２７】
メタルバック層７は、真空薄膜プロセスにより、蛍光面６のほぼ全面上に一括して形成されている。例えば、メタルバック層７は、真空雰囲気中で、蛍光面６上にアルミニウムを蒸着あるいはスパッタリングすることにより形成される。この際、蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂ上に直接成膜すると、蛍光体層の蒸着面は凸凹しているため、鏡面を形成することができない。そこで、蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂの表面をラッカーなどにより平滑化処理した後、メタルバック層７を成膜する。このラッカーによる平滑化処理は蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂにのみ選択的に行い、黒色遮光層２２上の凹凸形状面は維持される。
【００２８】
メタルバック層７の内、蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂに重なった領域は電気的に連続したストライプ状の導電性薄膜７ａを構成している。これに対し、メタルバック層７の内、黒色遮光層２２に重なった領域は、メタルバック層７で不連続な導電性薄膜７ｂとして形成されている。すなわち、黒色遮光層２２とメタルバック層７との境界部分において、黒色遮光層の表面状態は凹凸状となっている。そのため、黒色遮光層２２上に蒸着法などでメタルバック層７を形成すると、凹凸によって蒸着されない影の部分が多数生じる。その結果、メタルバック層７の黒色遮光層２２と重なった領域は島状に独立した不連続な導電性薄膜７ｂとなり、電気的に分断された薄膜となる。
【００２９】
この場合、黒色遮光層２２上に位置した不連続な導電性薄膜７ｂは、蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂ上に位置した導電性薄膜７ａよりも高い抵抗値を有し、その差は、例えば、１０５Ω／□以上となっている。
【００３０】
また、メタルバック層７は、このメタルバック層に通電するための端子部３１を含んで形成されている。メタルバック層７の膜厚は、電子ビームの透過能や膜強度を考慮すると、５０〜２００ｎｍ程度が好適である。
【００３１】
なお、本発明では、電気的に分断という表現を用いているが、一般に絶縁体といえでも抵抗値は無限大ではなく、厳密な意味で電気的に分断されるということはありえない。しかし、本願では、不連続膜になることで、連続膜の状態に比べ著しく抵抗が高くなることを、電気的に分断と表現している。
【００３２】
上記のように構成されたＦＥＤによれば、導電性薄膜としてのメタルバック層７は、黒色遮光層２２と重なった領域に電気的に不連続な導電性薄膜７ｂを有しているため、前面基板２と背面基板１との間で放電が生じた場合でもその際の放電電流を十分に抑制でき、放電によるダメージを回避することが可能となる。
【００３３】
これにより、アノード電圧を上げることができるとともに、前面基板と背面基板との間のギャップを小さくすることが可能となり、輝度や解像度などの表示特性が向上した画像表示装置を得ることができる。また、アノード電圧が低いほど、蛍光体劣化が問題となるが、上記のようにアノード電圧を高く設定可能であることから、蛍光体劣化を緩和し、製品の寿命を延ばすことが可能となる。
【００３４】
また、表面が凹凸形状に形成された遮光層を含む蛍光面６に真空成膜プロセスによってメタルバック層７を形成することにより、遮光層上に位置し電気的に不連続な領域を含むメタルバック層を蛍光面のほぼ全面上に一回の成膜プロセスにより一括して形成することができる。これにより、放電によるダメージが発生しない画像表示装置を低コストで製造することが可能となる。
【００３５】
メタルバック層７の矩形状の短冊部分に対しては、共通電極を介して高電圧を与えることができる。図３（ｂ）は，共通電極３１ａ，３１ｂと、メタルバック層７の短冊状の導電性薄膜７ａとの関係を取り出して示している。導電性薄膜７ａはそれぞれ、抵抗部７ｃを介して共通電極３１ａ，３１ｂに接続されている。
【００３６】
さらに上記のメタルバック層７の上面あるいはブラックマトリックスの上面にはゲッタ膜が形成される。
【００３７】
次に図５を参照してこの実施形態の特徴部について説明する。この図は、メタルバック層を真空外囲器内のメタルバック層７がブラックマトリックス２２に電気的接続し、このブラックマトリックス２２が高抵抗膜５００を介して、真空外囲器外のアース用抵抗体（ブラックマトリックス）２２３に導通している様子を示している。
【００３８】
即ち、ガラス２の中央領域に形成されている画像表示領域の周囲には、間隔（例えば４０００μｍ）をおいてアース用抵抗体（ブラックマトリックス）２２３が形成されている。このアース用抵抗体２２３は、アース線に接続されている。またその周囲は、導電性薄膜で覆われてもよい。外囲器内のブラックマトリックス２２は、露光により形成された層２２１と、印刷により形成された層２２２を有する。さらにまた、メタルバック層７は、導電性薄膜７ａの部分が，例えば共通電極３１ａに導通される場合、抵抗部７ｃを介して接続されている。共通電極３１ａ，３１ｂは大半の部分がブラックマトリックス２２４により覆われている。
【００３９】
ここで、アース用抵抗体２２３と、外囲器内部のブラックマトリックス２２との間には、ガラス上面には、上面に凹凸を有した高抵抗膜５００が印刷形成されている。そしてこの高抵抗膜５００の上に、矩形枠状の側壁３の端部が接合されている。側壁３の端部は絶縁性の例えば接着剤により接合される。
【００４０】
高抵抗膜５００は、フリンジコート（ＦＣ）印刷により行うことで、容易に製造可能である。そして上面を凹凸形状することで、沿面距離を４０００μｍ以上とすることができる。これにより、外囲器内と外囲器外との放電発生を効果を有効に抑えることがきる。この高抵抗膜５００は、印刷に限ることなく露光でもよく、さらに他のプロセスと兼用で形成することが可能である。
【００４１】
抵抗値としては、陽極（メタルバック層）に供給する高電圧値に応じて設定され、また凹凸の段差も側壁３の幅（厚み）、表示装置全体の大きさと、強度の設定に応じて、有効な効果が得られる最適値のものが選択される。また１層目と２層目（凹凸部）の抵抗値が異なるものであってもよい。
【００４２】
また高抵抗膜５００の一端部は、真空外囲器内において、メタルバック層に直接接続されてもよいし、ブラックマトリックス層を介して接続されてもよい。さらには、高抵抗膜５００の一端部は、共通電極３１ａ，または３１ｂに接続されてもよい。要は、外部のアース用抵抗体に接続される端部において、大きな電位降下が実現されていればよい。
【００４３】
その他、この発明は上述した実施の形態に限定されることなく、この発明の範囲内で種々変形可能である。各構成要素の寸法、材料等は、上述の実施の形態で示した数値、材料に限定されることなく、必要に応じて種々選択可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】この発明の実施の形態に係るＦＥＤを示す斜視図。
【図２】図１の線Ａ−Ａに沿った上記ＦＥＤの断面図。
【図３】上記ＦＥＤにおける前面基板の蛍光面およびブラックマトリックス層を示す説明図。
【図４】上記ＦＥＤにおける前面基板の蛍光面およびメタルバック層を示す説明図。
【図５】本発明の一実施の形態における特徴部分を示す説明図。
【符号の説明】
【００４５】
１…背面基板、２…前面基板、３…側壁、４…真空外囲器、６…蛍光面、７…メタルバック層、７ａ、７ｂ…導電性薄膜、８…電子放出素子、２２…黒色遮光層（ブラックマトリックス）、２２ａ…ストライプ部、２２ｂ…枠状部、３１…共通電極、１００…レジスト、１０１…陰部、２００…ゲッタ膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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