(57)【要約】【課題】半導体パッケージの製造時において、封止樹脂くぼみの発生および封止樹脂かぶり発生を防止することである。さらに、良好なスタンドオフ高さとすることができ、半導体パッケージ製造時の半導体チップの破損が少ない半導体チップ樹脂封止用離型フィルムを提供すること。【解決手段】延伸ポリエステル樹脂フィルムからなる基材フィルムの少なくとも片面に、フッ素樹脂からなるフィルムが積層されてなる半導体チップ樹脂封止用離型フィルムを提供する。【選択図】図１
2006049850.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
延伸ポリエステル樹脂フィルムからなる基材フィルムの少なくとも片面に、フッ素樹脂からなるフィルムが積層されてなる積層フィルムであることを特徴とする半導体チップ封止用離型フィルム。
【請求項２】
基材フィルムの１８０℃での延伸方向の引張弾性率が、１５０〜４００ＭＰａである請求項１に記載の半導体チップ封止用離型フィルム。
【請求項３】
フッ素樹脂が、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体樹脂である請求項１または２に記載の半導体チップ封止用離型フィルム。
【請求項４】
積層フィルムの長手方向および幅方向の長さの加熱寸法変化率が、ともに−１０〜＋５％の範囲である請求項１、２または３に記載の半導体チップ封止用離型フィルム。該加熱寸法変化率は、ＪＩＳ  Ｋ７１３３の６．手順における温度を１８０℃に、加熱時間を３０分間として、同ＪＩＳ  Ｋ７１３３に記載の方法に準じて測定される。
【請求項５】
延伸ポリエステル樹脂フィルムからなる基材フィルムの少なくとも片面に、フッ素樹脂からなるフィルムが積層されてなる積層フィルムであることを特徴とする半導体パッケージ製造用離型フィルム。
【請求項６】
基材フィルムの１８０℃での延伸方向の引張弾性率が、１５０〜４００ＭＰａである請求項５に記載の半導体パッケージ製造用離型フィルム。
【請求項７】
フッ素樹脂が、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体樹脂である請求項５または６に記載の半導体パッケージ製造用離型フィルム。
【請求項８】
積層フィルムの長手方向および幅方向の長さの加熱寸法変化率が、ともに−１０〜＋５％の範囲である請求項５、６または７に記載の半導体パッケージ製造用離型フィルム。該加熱寸法変化率は、ＪＩＳ  Ｋ７１３３の６．手順における温度を１８０℃に、加熱時間を３０分間として、同ＪＩＳ  Ｋ７１３３に記載の方法に準じて測定される。
【請求項９】
半導体パッケージが、端子表面が封止樹脂より露出した半導体パッケージである請求項５〜８のいずれか一項に記載の半導体パッケージ製造用離型フィルム。
【請求項１０】
半導体パッケージが、半導体チップの一部が樹脂でモールドされていない露出面を有する半導体パッケージである請求項５〜８のいずれか一項に記載の半導体パッケージ製造用離型フィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップ封止用離型フィルムに関する。
【背景技術】
【０００２】
樹脂封止型半導体パッケージの製造において、半導体チップの被封止面と金型との間に、離型フィルムが介在する。その理由は、半導体チップを樹脂で封止する際に、封止樹脂と金型との離型性を確保し、製造を円滑に進めるためである。
【０００３】
樹脂封止型半導体パッケージの中でも特に、外部リード端子ピンがパッケージ内部に取り込まれ、該端子表面が封止樹脂より露出した半導体パッケージ（例えば、Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−Ｌｅａｄｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ（以下、ＱＦＮという。）、Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ−Ｌｅａｄｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ（以下、ＳＯＮという。）等）の製造において、離型フィルムに求められる特性としては、次のことが挙げられる。
Ａ１．半導体パッケージにおけるスタンドオフ高さを良好に形成できること。
Ａ２．樹脂封止時に半導体パッケージの端子間において、離型フィルムにたるみやしわが発生しないこと。前記しわの発生は、当該部分で封止樹脂がくぼんだ形状（以下、「くぼみ」ともいう。）となる不具合の原因となる。
Ａ３．離型フィルムと半導体パッケージの端子表面との間にすき間ができないこと。前記すき間の発生は、封止樹脂が該端子表面にまわり込み付着（以下、「樹脂かぶり」ともいう。）する不具合の原因となる。
Ａ４．樹脂封止した後、半導体パッケージからの剥離性に優れること。
【０００４】
半導体パッケージの樹脂モールド用離型フィルムとしてはテトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体（以下、ＦＥＰともいう。）フィルム、ポリエチレンテレフタレート（以下、ＰＥＴという。）フィルム、フッ素樹脂含浸ガラスクロス等が挙げられることは知られている（例えば、特許文献１を参照。）。樹脂モールド成形用離型フィルムとして、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体（以下、ＥＴＦＥともいう。）やＦＥＰやテトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（以下、ＰＦＡともいう。）等の熱可塑性のテトラフルオロエチレン系共重合体よりなる離型フィルムが知られている（例えば、特許文献２を参照。）。また、半導体パッケージ成形用離型フィルムの材料として、ＰＥＴ、ポリブチレンテレフタレート（以下、ＰＢＴともいう。）、ポリスチレン、ポリテトラフルオロエチレン（以下、ＰＴＦＥともいう。）、ナイロン等が知られている（例えば、特許文献３を参照。）。
【０００５】
しかし、ＰＥＴ等のように引張弾性率の高い樹脂のみからなるフィルムが、離型フィルムとして用いられた場合、半導体パッケージの端子表面への樹脂かぶりが発生する問題があった。ＦＥＰ、ＰＦＡ等のように引張弾性率の低い樹脂のみからなるフィルムを離型フィルムとして用いた場合、成形中にフィルムのたるみやしわが発生するため半導体パッケージ端子間にくぼみが発生する問題があった。
【０００６】
ＱＦＮやＳＯＮ等の半導体パッケージ成形用離型フィルムとして、基材フィルムの片面にフッ素系高分子材料からなるフィルムが積層された積層フィルムが知られている。該離型フィルムとしては、ポリイミド−ＰＴＦＥ、アルミニウム−ＰＴＦＥ、ポリイミド−フッ素ゴム−ＦＥＰ薄膜積層フィルムが使用できることが知られている（例えば、特許文献４を参照。）。該積層フィルムでは、フッ素系高分子材料からなる層は、当該フッ素系高分子材料の粉末の水性ディスパージョンを塗布し、乾燥し加熱焼成することにより形成される。
【０００７】
前記操作により形成される層の厚さはある程度限られる。したがって、厚さを厚くしたい場合、所望の厚さになるまで前記操作を繰り返す必要があるため、当該層の厚さを所望の厚さとするためには、非常に煩雑な操作を要する問題があった。すなわち、任意のスタンドオフ高さを有する半導体パッケージを製造するための離型フィルムを得るためには手間と時間がかかる問題があった。スタンドオフ高さとは、半導体チップリードフレームの端子上面と半導体パッケージ封止樹脂上面との高さの差を意味する。また、高価なポリイミドフィルムを基材フィルムとして用いた積層フィルムでは、半導体パッケージの製造コストが高くなる問題があった。
【０００８】
また、半導体チップの一部が樹脂でモールドされていない露出面を有する半導体パッケージ（以下、チップ露出型半導体パッケージという。）の製造において、離型フィルムに求められる特性としては、次のことが挙げられる。
Ｂ１．樹脂封止時に半導体チップ周縁部の離型フィルムにたるみやしわが発生しないこと。当該部分で離型フィルムにたるみやしわが発生した場合、封止樹脂がくぼんだ形状（以下、「くぼみ」ともいう。また、上記Ａ２の「くぼみ」も含めて「くぼみ」ということもある。）となる問題がある。
Ｂ２．離型フィルムと半導体チップ表面との間にすき間ができないこと。前記すき間が発生した場合、封止樹脂が該チップ表面にまわり込み付着（以下、「樹脂かぶり」ともいう。また、上記Ａ３の「樹脂かぶり」も含めて「樹脂かぶり」ということもある。）する問題がある。
Ｂ３．樹脂封止時に、金型が離型フィルムを介して半導体チップと接触する際、半導体チップを保護し、破損を防止できること。
Ｂ４．樹脂封止した後、半導体パッケージからの剥離性に優れること。
【０００９】
チップ露出型半導体パッケージの製造において、金型表面に凸状突起を設け、樹脂モールドする際に、該金型表面に配置された離型フィルムの一部を前記凸状突起が押し下げることにより離型フィルムを引き延ばす。その結果、半導体チップ周囲における離型フィルムのしわが、なくせることは知られている。また、半導体チップの破損を防ぐために、バネによって上下するフローティングブロックを有する金型を用いることがしられている（例えば、特許文献５を参照。）。しかし、特定の構成の離型フィルムを用いることにより、離型フィルムのしわの防止や、半導体チップの破損を防止ができることの開示はない。
【００１０】
【特許文献１】特開平８−１９７５６７号公報
【特許文献２】特開２００１−３１０３３６号公報
【特許文献３】特開平８−１８６１４１号公報
【特許文献４】特開２００１−２５０８３８号公報
【特許文献５】特開２００２−２５４４８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の目的は、半導体パッケージの製造において、くぼみの発生や、樹脂かぶりの発生を防止できる半導体チップ封止用離型フィルムを提供することにある。また、ＱＦＮやＳＯＮ等の端子表面が封止樹脂より露出した半導体パッケージの製造においては、さらに良好なスタンドオフ高さを形成しうる半導体チップ封止用離型フィルムを提供することにある。チップ露出型半導体パッケージの製造においては、さらに半導体チップを破損させない半導体チップ封止用離型フィルムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、延伸ポリエステル樹脂フィルムからなる基材フィルムの少なくとも片面に、フッ素樹脂からなるフィルムが積層されてなる半導体チップ封止用離型フィルムを提供する。
本発明は、延伸ポリエステル樹脂フィルムからなる基材フィルムの少なくとも片面に、フッ素樹脂からなるフィルムが積層されてなる積層フィルムであることを特徴とする半導体パッケージ製造用離型フィルムを提供する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の離型フィルムを用いて半導体パッケージを製造すると、半導体パッケージにくぼみや樹脂かぶりが生ずることがない。ＱＦＮやＳＯＮ等の端子表面が封止樹脂より露出した半導体パッケージにおいては、さらに良好なスタンドオフ高さを得ることができる。また、本発明の離型フィルムでは、フッ素樹脂からなるフィルムを任意の厚さとすることが容易であるため、当該積層フィルムを用いて半導体パッケージを製造すれば、任意のスタンドオフ高さに容易に調整できる。
【００１４】
チップ露出型半導体パッケージにおいては、さらに半導体チップを破損させることなく半導体パッケージを製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
本発明における基材フィルムに用いられるポリエステル樹脂としては、ＰＥＴ、ＰＢＴ、ポリエチレンナフタレート等が挙げられる。なかでも、価格等の面からＰＥＴが好ましい。
【００１６】
本発明におけるポリエステル樹脂の融点は、封止樹脂の成形温度より高いことが好ましく、成形温度＋２０℃以上であることがより好ましく、成形温度＋５０℃以上であることが最も好ましい。該融点が封止樹脂成形温度より高いと、封止樹脂成形時に基材フィルムの変形が少ないため好ましい。
【００１７】
本発明における基材フィルムは、半導体パッケージ製造時の樹脂封止用金型の成形時の締め付け圧力（以下、成形圧力ともいう。）、金型の成形時温度（以下、成形温度ともいう。）下で、圧縮変形が小さいものが好ましい。具体的には、１８０℃での延伸方向の引張弾性率が１５０〜４００ＭＰａのフィルムが好ましく、１７５〜３００ＭＰａがより好ましい。
本発明における基材フィルムとしては、二軸延伸ポリエステル樹脂フィルムが好ましい。
【００１８】
本発明におけるフッ素樹脂としては、熱可塑性のテトラフルオロエチレン系共重合体が好ましい。熱可塑性のテトラフルオロエチレン系共重合体を本発明の離型フィルムに用いた場合、半導体チップ封止樹脂の成形圧力、成形温度下で、低圧縮弾性率であるため、封止樹脂かぶりがなく、かつ、スタンドオフ高さを良好にできるため好ましい。フッ素樹脂の具体例としては、ＥＴＦＥ、ＦＥＰ、ＰＦＡ等が挙げられる。ＥＴＦＥが、成形性に優れ、樹脂との剥離性に優れ、低価格であるので、より好ましい。
【００１９】
ＥＴＦＥとしては、テトラフルオロエチレンとエチレンとの共重合体およびテトラフルオロエチレンとエチレンとその他のモノマーとの共重合体が好ましい。
【００２０】
その他のモノマーとしては、クロロトリフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン、パーフルオロ（アルキルビニルエーテル）、フッ化ビニリデン等のフルオロオレフィン、ＣＨ２＝ＣＨＲｆ（ただし、Ｒｆは炭素数１〜８のポリフルオロアルキル基を表す。以下においても同じ。）やＣＨ２＝ＣＦＲｆ等のポリフルオロアルキルエチレン類、ＣＦ２＝ＣＦＯＣＨ２Ｒｆ等のポリフルオロアルキルトリフルオロビニルエーテル類等が挙げられる。これらは、単独でまたは２種以上を併用してもよい。
特に、前記ＣＨ２＝ＣＨＲｆが好ましい。Ｒｆとしては、炭素数が３〜６のパーフルオロアルキル基がより好ましく、Ｃ４Ｆ９が最も好ましい。
【００２１】
前記ＥＴＦＥの組成として、テトラフルオロエチレンに基づく重合単位／エチレンに基づく重合単位のモル比は、７０／３０〜３０／７０が好ましく、６５／３５〜４０／６０がより好ましく、６０／４０〜４５／５５が最も好ましい。
【００２２】
その他のモノマーに基づく重合単位を含有する場合、その他のモノマーに基づく重合単位の含有量は、テトラフルオロエチレンとエチレンとに基づく重合単位の合計モル数に対して０．０１〜３０モル％が好ましく、０．０５〜１５モル％がより好ましく、０．１〜１０モル％が最も好ましい。
【００２３】
本発明におけるフッ素樹脂からなるフィルム（以下、フッ素樹脂フィルムともいう。）の厚さは、任意に選択できる。該厚さを適宜選択することにより、半導体パッケージのスタンドオフ高さを調整できる。フッ素樹脂フィルムの厚さは、１〜５０μｍが好ましく、２〜３０μｍがより好ましく、３〜１５μｍが最も好ましい。該フィルムの厚さがあまりに厚いと、半導体チップと金型の間で圧縮されたフィルムがリードフレームの端子間または半導体チップ周縁部に膨出し、封止樹脂の欠在部を生じることがある。また、該フィルムの厚さがあまりに薄いと、得られた半導体パッケージのスタンドオフ高さがほとんど形成されず、リードフレームの端子上面への樹脂かぶりが発生することがある。また、チップ露出型半導体パッケージにおいては、半導体チップ表面への樹脂かぶりが発生することがある。
【００２４】
本発明の離型フィルムは、基材フィルムの少なくとも片面に、フッ素樹脂フィルムが積層されてなるフィルムである。使用条件に応じてフッ素樹脂フィルムが基材フィルムの片面に積層されてもよいし、両面に積層されてもよい。基材フィルムの両面にフッ素樹脂フィルムが積層される場合、一方の面に積層されたフッ素樹脂フィルム表面はエンボス処理されることが好ましい。
【００２５】
本発明の離型フィルムにおいて、基材フィルムとフッ素樹脂フィルムとは、接着層を介して積層されることが好ましい。通常、該接着層には接着剤の薄層が用いられる。接着剤としては、ポリエステル系接着剤、アクリル変成系接着剤、イソシアネート系接着剤、ポリエチレンイミン系接着剤、ポリウレタン系接着剤、シランカップリング剤系接着剤等が挙げられる。なかでも、ポリエステル系接着剤が好ましい。該接着層の厚さは、０．１〜５μｍが好ましく、０．５〜３μｍがより好ましい。フッ素樹脂フィルムと基材フィルムとの接着強度は５（Ｎ／１０ｃｍ）以上が好ましい。接着強度が５（Ｎ／１０ｃｍ）以上であると、半導体パッケージ製造時における樹脂封止工程で、当該接着部分が剥離しにくい。
【００２６】
本発明における積層フィルムの長手方向および幅方向の長さの加熱寸法変化率は、ともに−１０〜＋５％の範囲であることが好ましく、−５〜＋２％であることがさらに好ましい。該加熱寸法変化率は、ＪＩＳ  Ｋ７１３３の６．手順における温度を１８０℃に、加熱時間を３０分間として、同ＪＩＳ  Ｋ７１３３に記載の方法に準じて測定される。
【００２７】
本発明の離型フィルムの製造方法は特に限定されないが、ドライラミネート法により製造することが好ましい。該製造時、基材フィルムとフッ素樹脂フィルムとを積層する前に、該フッ素樹脂フィルムの接着面はコロナ処理等の表面処理がなされ、接着性を向上させておくことが好ましい。
【００２８】
本発明の離型フィルムは、半導体パッケージの製造時、半導体チップの樹脂封止工程に使用される。特に、外部リード端子ピンがパッケージ内部に取り込まれ該端子上面が封止樹脂より露出した、外部リード端子ピンのない半導体パッケージ製造時や、チップ露出型半導体パッケージ製造時に使用されることが好ましい。外部リード端子ピンのない半導体パッケージとしては、ＱＦＮ、ＳＯＮ等が挙げられる。また、はんだボール等の外部接続端子と接触する端子が封止樹脂より露出されるフリップチップタイプまたはウエハレベルのＣＳＰ等その他の半導体パッケージの製造時にも使用できる。
【００２９】
以下に、本発明の離型フィルムを用いた半導体パッケージの製造方法の一例を図を用いて説明するが、本発明はこれに限定されない。
【００３０】
図１は、本発明の離型フィルム１を示す。離型フィルム１は、二軸延伸ポリエステル樹脂フィルムからなる基材フィルム２の片面に接着層を介してフッ素樹脂フィルム３が積層されている（ただし接着層は図示せず。）。
【００３１】
図２は、本発明の離型フィルム１を用いて半導体チップを樹脂封止し、ＱＦＮを製造する工程を示す断面図である。図２の（Ａ）に示すように、トランスファー射出成形装置の下金型５上に半導体チップ６が載置される。半導体チップ６と上金型４の間に離型フィルム１が挿入される。半導体チップ６は端子７を具備する。次に（Ｂ）に示すように、上金型４と下金型５とが、離型フィルム１と半導体チップ６を介して閉じられる。
【００３２】
金型が閉じられた後、（Ｃ）に示すように、封止樹脂８が、金型内に注入され充填される。次いで上金型４と下金型５が開かれる。封止樹脂８で封止された半導体チップ６は取り出され、カッターで切断される。その結果、（Ｄ）に示すＱＦＮ１１か得られる。（Ｄ）において、端子の上面９と封止樹脂上面１０との高さの差がスタンドオフ高さである。
【００３３】
図３は、本発明の離型フィルムを用いて半導体チップを樹脂封止し、チップ露出型半導体パッケージが製造される工程を示す断面図である。図３の（Ｅ）に示すように、あらかじめ半導体チップ１４が搭載された基板１５は、下金型１３に載置される。離型フィルム１は、上金型１２と、半導体チップ１４との間に供給される。図３（Ｆ）に示すように、半導体チップ１４の露出面となる部分が離型フィルム１で被覆された状態で、上金型１２と下金型１３とによりクランプされる。（Ｇ）に示すように、加熱した金型によって軟化した封止樹脂１６が空間部に流入し半導体チップ１４の側面周囲を囲むようにして充填される。次いで金型は開き、（Ｈ）に示すような、露出面を有する複数の半導体チップが基板上で一括して封止樹脂１６により封止された半導体パッケージが取り出される。該半導体パッケージの封止樹脂１６は、基板１５とともに刃物１７を用いて切断される。（Ｉ）に示すような、チップ露出型半導体パッケージ１８が得られる。
【実施例】
【００３４】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、該実施例により本発明は何ら限定されない。例１、２、５、６、９、１０は実施例であり、例３、４、７、８、１１、１２は比較例である。
【００３５】
［例１］離型フィルムＰの作成例
厚さ２５μｍ、幅１２００ｍｍの二軸延伸ＰＥＴフィルム（商品名：ＧＥＣ２５、帝人デュポン社製、引張弾性率：ＭＤ／ＴＤ＝５３７８／５２４５ＭＰａ）の片面に、ポリエステル系接着剤（商品名：ＡＧ−９０１４Ａ、旭硝子社製）が塗布され、乾燥され、厚さ０．５μの接着層が形成された。厚さ１２μｍ、幅１２００ｍｍのＥＴＦＥフィルム（商品名：アフレックス１２Ｎ、旭硝子社製）の片面がコロナ処理された。当該処理面と二軸延伸ＰＥＴフィルムの接着剤塗布面とが、４０℃でドライラミネート法により接着されて積層された。ＥＴＦＥ／ＰＥＴの二層積層された後、二軸延伸ＰＥＴフィルムのもう一方の面も同様の方法でＥＴＦＥフィルムが積層された。ＥＴＦＥ／ＰＥＴ／ＥＴＦＥの三層が積層された離型フィルムＰが得られた。当該離型フィルムＰの長手方向（ＭＤ）と幅方向（ＴＤ）の加熱寸法変化率（％）が測定された。測定値を表１に示す。加熱寸法変化率は、ＪＩＳ  Ｋ７１３３の６．手順における温度を１８０℃に、加熱時間を３０分間として、同ＪＩＳ  Ｋ７１３３に記載の方法に準じて測定された。
【００３６】
［例２］離型フィルムＱの作成例
厚さ３８μｍの二軸延伸ＰＥＴフィルム（商品名：ＧＥＣ３８、帝人デュポン社製、引張弾性率：ＭＤ／ＴＤ＝３４３７／３４９３ＭＰａ）、片面がコロナ処理された厚さ５μｍのＥＴＦＥフィルム（旭硝子社製）を用いる以外は実施例１と同じ方法で、ＥＴＦＥ／ＰＥＴ／ＥＴＦＥの三層が積層された離型フィルムＱが得られた。当該離型フィルムＱの長手方向（ＭＤ）と幅方向（ＴＤ）の加熱寸法変化率（％）が測定され、測定値を表１に示す。加熱寸法変化率は、ＪＩＳ  Ｋ７１３３の６．手順における温度を１８０℃に、加熱時間を３０分間として、同ＪＩＳ  Ｋ７１３３に記載の方法に準じて測定された。
【００３７】
［例３］離型フィルムＲ
離型フィルムＲとして厚さ５０μｍのＥＴＦＥフィルム（商品名：アフレックス５０Ｎ、旭硝子社製）を用いた。当該離型フィルムＲの長手方向（ＭＤ）と幅方向（ＴＤ）の加熱寸法変化率（％）が測定され、測定値を表１に示す。加熱寸法変化率は、ＪＩＳ  Ｋ７１３３の６．手順における温度を１８０℃に、加熱時間を３０分間として、同ＪＩＳ  Ｋ７１３３に記載の方法に準じて測定された。
【００３８】
［例４］離型フィルムＳ
離型フィルムＳとして厚さ２５μｍのＰＥＴフィルム（商品名：ＧＥＣ２５、帝人デュポンフィルム社製）を用いた。当該離型フィルムＳの長手方向（ＭＤ）と幅方向（ＴＤ）の加熱寸法変化率（％）が測定され、測定値を表１に示す。加熱寸法変化率は、ＪＩＳ  Ｋ７１３３の６．手順における温度を１８０℃に、加熱時間を３０分間として、同ＪＩＳ  Ｋ７１３３に記載の方法に準じて測定された。
【００３９】
［例５〜８］ＱＦＮの製造例
例１〜４で作成した離型フィルムを用いて、図２に示す方法で半導体チップ１２０個の樹脂封止を行い、ＱＦＮが製造される。金型の温度は、１７５℃、成形圧力８ＭＰａ、成形時間１００秒、封止樹脂として熱硬化性エポキシ樹脂が用いられる。図２（Ｃ）で得られる切断前のＱＦＮを目視で観察した。離型フィルムのしわによって発生する、前記ＱＦＮのリード端子間の樹脂のくぼみのありなしを評価する。また、切断後のＱＦＮを目視で観察し、〇：樹脂欠けがない、×：樹脂欠けがある、として表２に示す。得られるＱＦＮのスタンドオフ高さをＱＦＮの各端子について測定し、〇：良好なスタンドオフ高さが得られる、×：良好なスタンドオフ高さが得られない、として表２に示す。
【００４０】
［例９〜１２］チップ露出型半導体パッケージの製造例
例１〜４で作成した離型フィルムを用いて、図３に示す方法で半導体チップ１２個の樹脂封止を行い、チップ露出型半導体パッケージを製造できる。金型の温度は、１７５℃、成形圧力１２ＭＰａ、成形時間１５０秒、封止樹脂として熱硬化性エポキシ樹脂を用いる。図３（Ｈ）で得られた切断前のチップ露出型半導体パッケージの半導体チップ周囲の樹脂のくぼみを目視で観察し、〇：周囲にくぼみが発生していない、×：周囲にくぼみが発生している、として表３に示す。半導体チップ表面への樹脂かぶりを目視で観察し、〇：樹脂かぶりが発生していない、×：樹脂かぶりが発生している、として表３に示す。半導体チップの破損を目視で観察し、〇：破損した半導体チップがない、×：破損した半導体チップがある、として表３に示す。図３（Ｇ）で樹脂を充填し、金型を開いた後に離型フィルムを剥離する際の剥がれやすさ（剥離性）を、○：簡単に剥がれる、×：半導体パッケージに付着し剥がれない、で表し表３に示す。
【００４１】
【表１】
2006049850.tif 000003
【００４２】
【表２】
2006049850.tif 000004
【００４３】
【表３】
2006049850.tif 000005
【産業上の利用可能性】
【００４４】
本発明の離型フィルムを用いて半導体パッケージを製造すると、半導体チップを樹脂封止する際に離型フィルムにしわが発生することにより、半導体パッケージにくぼみが生ずることを防止できる。また、樹脂かぶりの発生を防止できる。ＱＦＮ等の端子表面が封止樹脂より露出した半導体パッケージにおいてはさらに、良好なスタンドオフ高さを得ることができる。また、本発明の離型フィルムでは、フッ素樹脂からなるフィルムの厚さは任意に選択できるので、当該積層フィルムを用いて半導体パッケージを製造すれば、スタンドオフ高さを任意に調整することができる。チップ露出型半導体パッケージにおいては、製造時のチップの破損を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明の離型フィルムの一例の断面図である。
【図２】本発明の離型フィルムを用いてＱＦＮを製造する工程を示す断面図である。
【図３】本発明の離型フィルムを用いてチップ露出型半導体パッケージを製造する工程を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１：離型フィルム
２：基材フィルム
３：フッ素樹脂フィルム
４、１２：上金型
５、１３：下金型
６、１４：半導体チップ
７：端子
８、１６：封止樹脂
９：端子上面
１０：封止樹脂上面
１１：ＱＦＮ
１５：基板
１７：刃物
１８：チップ露出型半導体パッケージ
【図１】
2006049850.tif 000006
【図２】
2006049850.tif 000007
【図３】
2006049850.tif 000008