(57)【要約】  【課題】  レーザダイオードの温度特性における常温での駆動電流に重畳する高周波電流の振幅マージン分をキャンセルすることが可能な回路を有する光ピックアップを備えた光ディスク装置を提供する。  【解決手段】  レーザダイオードの発光パワーの制御精度を高めるために前記レーザダイオードの周囲温度を検出するための予め設けられているサーミスタ１１ａを併用して、サーミスタ１１ａを高周波重畳モジュール回路７８の重畳振幅調整端子７ａと接地間に外付けの抵抗に代わって接続する回路構成にし、温度上昇によりサーミスタ１１ａの抵抗値が低下すると、高周波重畳モジュール回路７８は、出力する高周波電流の振幅を大きくする。これにより、レーザダイオードの温度特性における常温での重畳振幅のマージン分をキャンセルでき、この分、重畳振幅値を常温において小さく設定できる。【選択図】      図２
2006338701.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ディスクに対してレーザ光を発光するレーザダイオードと、このレーザダイオードに
駆動電流を供給するレーザダイオード駆動回路と、高周波電流を生成して前記駆動電流に
対して重畳する回路であり、この回路の重畳振幅調整端子と接地間に接続された外付けの
抵抗の抵抗値によって前記高周波電流の振幅を設定することができるように回路構成され
た高周波重畳モジュール回路と有する光ピックアップを備えた光ディスク装置において、
前記レーザダイオードの発光パワーの制御精度を高めるために前記レーザダイオードの周
囲温度を検出するための予め設けられているサーミスタを併用して、前記サーミスタを前
記高周波重畳モジュール回路の重畳振幅調整端子と接地間に前記外付けの抵抗に代わって
接続する回路構成にし、温度上昇により前記サーミスタの抵抗値が低下すると、前記高周
波重畳モジュール回路は、出力する高周波電流の振幅を大きくすることを特徴とする光デ
ィスク装置。
【請求項２】
光ディスクに対してレーザ光を発光するレーザダイオードと、このレーザダイオードに
駆動電流を供給するレーザダイオード駆動回路と、高周波電流を生成して前記駆動電流に
対して重畳する回路であり、この回路の重畳振幅調整端子と接地間に接続された外付けの
抵抗の抵抗値によって前記高周波電流の振幅を設定することができるように回路構成され
た高周波重畳モジュール回路と有する光ピックアップを備えた光ディスク装置において、
前記レーザダイオードの発光パワーの制御精度を高めるために前記レーザダイオードの周
囲温度を検出するための予め設けられている温度変化に応じて抵抗値が変化する温度検出
素子を併用して、前記温度検出素子を前記高周波重畳モジュール回路の重畳振幅調整端子
と接地間に前記外付けの抵抗に代わって接続する回路構成にしたことを特徴とする光ディ
スク装置。
【請求項３】
前記温度検出素子は、温度が上昇すると抵抗値が小さくなるサーミスタであり、温度上
昇により前記サーミスタの抵抗値が低下すると、前記高周波重畳モジュール回路は、出力
する高周波電流の振幅を大きくすることを特徴とする請求項２に記載の光ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスクに記録された情報を再生、または光ディスクに対して情報を記録
／再生する光ディスク装置に関し、特に、光ディスクにレーザ光を照射することにより、
光ディスクに対して情報を書き込んだり情報を読み出したりする光ピックアップのレーザ
光の駆動制御に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から知られているように、光ディスク装置では、光ディスクに対して情報を光学的
に書き込んだり、光ディスクに記録された情報を光学的に読み出したりする光ピックアッ
プが備えられ、光ピックアップのレーザダイオードは、レーザ駆動回路により駆動される
。このレーザ駆動回路は、レーザダイオードから出射されたレーザ光の一部をフォトダイ
オードを用いて受光し、このフォトダイオードの出力信号に基いてレーザダイオードの駆
動電流を自動的に制御する自動パワー制御回路が用いられ、レーザダイオードの発光パワ
ーが一定に制御される。
【０００３】
そして、光ディスクにレーザ光を照射したときの反射光がレーザダイオードに戻ること
により、このレーザダイオードにノイズ、所謂スクープノイズが発生する。レーザダイオ
ードは、例えば６６０ｎｍの波長でレーザ光を発光させると、このレーザ光が光ディスク
の記録面に照射されるが、反射光がレーザダイオードに戻り、レーザダイオードにはスク
ープノイズが発生することになる。
【０００４】
そこで、スクープノイズを低減するため、レーザダイオードの駆動電流に高周波電流を
重畳する高周波重畳モジュール回路がＩＣ化されて光ピックアップに実装されている。こ
のような高周波重畳モジュール回路を使用すると、例えば、波長６６０ｎｍのレーザ光は
、波長６５０ｎｍ位から６７０ｎｍ位まで振られ、これにより、戻り光量の影響を少なく
することができる。
【０００５】
図３はレーザダイオードに供給される駆動電流とレーザダイオードの発光パワーとの関
係（Ｉ−Ｌ特性）の一例を説明するための図である。図３において、Ｌ１はレーザダイオ
ードの温度が例えば２０℃における駆動電流と発光パワーとの関係を示し、Ｌ２はレーザ
ダイオードの温度が例えば７０℃における駆動電流と発光パワーとの関係を示す。Ｉｔｈ
１はレーザダイオードの温度が例えば２０℃における駆動電流の閾値（例えば、４０．９
５ｍＡ）を示し、Ｉｔｈ２はレーザダイオードの温度が例えば７０℃における駆動電流の
閾値（例えば、６３．００ｍＡ）を示す。Ｓ１はレーザダイオードの温度が例えば２０℃
において重畳された高周波電流を示し、Ｓ２はレーザダイオードの温度が例えば７０℃に
おいて重畳された高周波電流を示す。
【０００６】
図３に示すように、高周波電流Ｓ１の振幅が閾値Ｉｔｈ１を越えると（駆動電流では小
さくなる方向）、斜線部分で示す高周波電流Ｓ１はレーザダイオードには供給されないが
、閾値Ｉｔｈ１以下になると（駆動電流では大きくなる方向）、高周波電流Ｓ１はレーザ
ダイオードに供給されるので、レーザダイオードはスイッチング動作を行う。即ち、レー
ザダイオードは、高周波電流Ｓ１の振幅が閾値Ｉｔｈ１を越えると発光せず、高周波電流
Ｓ１の振幅が閾値Ｉｔｈ１以下になると発光する。ところが、高周波電流Ｓ２の振幅が閾
値Ｉｔｈ２以下になると、高周波電流Ｓ２はレーザダイオードに供給されて、レーザダイ
オードが発光するが、高周波電流Ｓ２の振幅は閾値Ｉｔｈ２を越える箇所がないので、レ
ーザダイオードは発光したままになり、レーザダイオードはスイッチング動作ができない
。
【０００７】
また、図３に示すように、駆動電流と発光パワーとの関係は、Ｌ１やＬ２などで示すよ
うに、温度によってシフトしたり、傾きが寝る方向に大きくなったりしている。この傾き
が例えばＬ２で示すようになると、前述したようにレーザダイオードはスイッチング動作
を行うことができない。
【０００８】
そこで、重畳される高周波電流の振幅を大きくすれば、駆動電流と発光パワーとの関係
が温度によってシフトしたり、その傾きが寝る方向に大きくなったりしても、レーザダイ
オードをスイッチング動作させることが可能にするが、このスイッチング動作による不要
輻射やＤＶＤ−ＲＷやＤＶＤ−ＲＡＭなどの書換え可能な光ディスクのデータ破壊を引き
起こす悪影響が懸念される。
【０００９】
書換え可能な光ディスクは、記録時には、結晶状の部分にレーザ光が照射されると、そ
の結晶状の部分が非晶質状（アモルファス状）になり、この非晶質状の部分にデータに対
応するピットが刻まれる。そして、再生時には、レーザ光に高周波電流を重畳した状態で
、ピットを読んで行くが、レーザ光の発光パワーのピークが例えば５ｍＷ〜６ｍＷのよう
に大きいので、結晶状の部分に何回もレーザ光を当てて行くと、結晶状の部分が徐々に非
晶質状になって行く。例えば、非晶質状が長さ３Ｔになっていたものが、その長さが３．
５Ｔとか４Ｔとか、長くなって来ると、正確にデータを読み出せなくなる。つまり、この
書換え可能な光ディスクは、データ破壊を起こすことになり、したがって、重畳される高
周波電流の振幅は小さければ小さい程良いことになる。
【００１０】
図４は、従来の光ディスク装置において、光ピックアップの光ピックアップ回路部に含
まれる高周波重畳モジュール回路およびサーミスタ、並びにサーボ制御部の制御回路部に
含まれる温度検出処理回路の一部を示す回路図である。
【００１１】
光ピックアップ回路部４１において、高周波重畳モジュール回路７８は、高周波電流を
生成してレーザダイオード（図示せず）の駆動電流（図示しないレーザダイオード駆動回
路からの駆動電流）に対して重畳する回路であり、この回路の重畳振幅調整端子７ａと接
地間に接続された外付けの抵抗Ｒ３の抵抗値によって前記高周波電流の振幅を設定するこ
とができるように回路構成されている。サーミスタ１１ａは、レーザダイオードに係る温
度を検出して監視する温度監視回路（図示せず）に含まれ、レーザダイオードに係る温度
を検出するためのものである。
【００１２】
制御回路部４２においては、サーミスタ１１ａの一端との接続点に＋入力端子（非反転
入力端子）が接続されていると共に、−入力端子（反転入力端子）が出力端子に接続され
ているオペアンプ１３ａと、このオペアンプ１３ａの出力端子に入力端子が接続されたＡ
／Ｄ変換回路１３ｂとが備えられている。抵抗Ｒ４は、一端が例えば５Ｖ電圧ラインに接
続され、他端がオペアンプ１３ａの＋入力端子に接続されたプルアップ用抵抗である。
【００１３】
オペアンプ１３ａの出力電圧（アナログ電圧）が、Ａ／Ｄ変換回路１３ｂの入力端子に
与えられ、Ａ／Ｄ変換回路１３ｂにてデジタル信号に変換される。このデジタル信号は、
図示しないサーボ制御部に入力され、これにより、サーボ制御部はレーザダイオード駆動
回路を制御してレーザダイオードの発光パワーが一定になるように制御する。
【００１４】
即ち、この発光パワーの制御は、レーザダイオードに係る温度が上がると、この温度を
感知したサーミスタ１１ａは自体の温度も上がり、サーミスタ１１ａの抵抗が小さくなる
。これにより、オペアンプ１３ａの＋入力端子の電位が下がって、オペアンプ１３ａの出
力端子の電位が下がり、Ａ／Ｄ変換回路１３ｂの入力端子に与えられる電圧は以前よりも
下がる。この結果、Ａ／Ｄ変換回路１３ｂからは、温度が以前よりも上がったことを示す
デジタル信号が出力され、このデジタル信号を入力したサーボ制御部（図示せず）は、レ
ーザダイオード駆動回路を制御して、レーザダイオードへの駆動電流を多く流し、レーザ
ダイオードの発光パワーが一定になるようにする。
【特許文献１】特開２００４−２５３０３２号公報
【特許文献２】特開平１１−２１３４２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
このようにレーザダイオードの温度が上昇した時に、レーザダイオードの駆動信号に重
畳される高周波電流の振幅を大きくすることにより、レーザダイオードは高温でもスイッ
チング動作が可能になるが、従来の回路構成では、高周波重畳モジュール回路７８は重畳
振幅調整端子７ａに固定抵抗値の抵抗Ｒ３を接続して高周波電流の振幅を決定しているの
で、温度が上昇しても高周波電流の振幅を大きくすることができない。
【００１６】
例えば、図３に示すように、駆動電流と発光パワーとの関係が、Ｌ１やＬ２などで示す
ように、温度によってシフトしたり、傾きが寝る方向に大きくなったりしている。その傾
きが例えば７０℃でＬ２で示すようになると、高周波電流Ｓ２の振幅が閾値Ｉｔｈ２を超
えていないので、レーザダイオードはスイッチング動作を行うことができない。
【００１７】
そこで、このような従来の光ディスク装置において、高周波電流の振幅を高温でも閾値
を越えることができるように、高周波電流の振幅を大きくすると、この結果、常温でも高
周波電流の振幅が大きくなり、ＥＭＩや書換え可能な光ディスクのデータ破壊を引き起こ
す悪影響を及ぼすという課題が生じる。
【００１８】
なお、特許文献１の従来技術では、光学式ヘッド装置の光源部を構成するレーザ駆動装
置において、レーザ（レーザダイオード）およびレーザ駆動回路と、レーザ駆動電流に対
して高周波電流を生成する高周波生成回路と、レーザ駆動電流の電流モニター回路と、レ
ーザ光出力を監視するための光検出器と、レーザ駆動電流に対して高周波電流を重畳する
か否かを選択するための選択手段と、レーザ光出力が一定になるように制御するＡＰＣ回
路と、高周波電流の重畳時および非重畳時におけるレーザ駆動電流の電流値またはレーザ
光出力の検出値に基いて高周波電流の振幅を制御する制御回路とが設けられている。
【００１９】
しかしながら、前記高周波生成回路は、重畳振幅調整端子と接地間に接続された外付け
の抵抗の抵抗値によって高周波電流の振幅を設定することができるように回路構成された
高周波重畳モジュール回路を用いている訳ではなく、高周波電流の振幅を可変にするのに
、高周波電流の重畳時および非重畳時におけるレーザ駆動電流の電流値またはレーザ光出
力の検出値に基いて、高周波電流の振幅を制御しているので、高周波電流の振幅を変える
のに回路構成が複雑化する傾向にある。要するに、この従来技術は、高周波重畳モジュー
ル回路を用いた回路構成ではないので、回路構成が複雑化する傾向にある。
【００２０】
特許文献２の従来技術では、サブプロセッサのＣＰＵが、サーミスタで検出された温度
に対応する高周波振幅温度依存特性データを用いて、当該振幅データによって規定された
振幅変化をレーザダイオードの駆動信号に重畳させている。
【００２１】
しかしながら、この従来技術も、重畳振幅調整端子と接地間に接続された外付けの抵抗
の抵抗値によって高周波電流の振幅を設定することができるように回路構成された高周波
重畳モジュール回路を用いている訳ではなく、サーミスタで検出された温度に対応する高
周波振幅温度依存特性データに基いて高周波電流の振幅を制御しているので、高周波電流
の振幅を変えるのに回路構成が複雑化する傾向にある。要するに、この従来技術も、高周
波重畳モジュール回路を用いた回路構成ではないので、回路構成が複雑化する傾向にある
。
【００２２】
本発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、レーザダイオードの温
度特性における常温での駆動電流に重畳する高周波電流の振幅マージン分をキャンセルす
ることが可能な回路を有する光ピックアップを備えた光ディスク装置を提供することを目
的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
上記目的を達成するために、請求項１の発明は、光ディスクに対してレーザ光を発光す
るレーザダイオードと、このレーザダイオードに駆動電流を供給するレーザダイオード駆
動回路と、高周波電流を生成して前記駆動電流に対して重畳する回路であり、この回路の
重畳振幅調整端子と接地間に接続された外付けの抵抗の抵抗値によって前記高周波電流の
振幅を設定することができるように回路構成された高周波重畳モジュール回路と有する光
ピックアップを備えた光ディスク装置において、前記レーザダイオードの発光パワーの制
御精度を高めるために前記レーザダイオードの周囲温度を検出するための予め設けられて
いるサーミスタを併用して、前記サーミスタを前記高周波重畳モジュール回路の重畳振幅
調整端子と接地間に前記外付けの抵抗に代わって接続する回路構成にし、温度上昇により
前記サーミスタの抵抗値が低下すると、前記高周波重畳モジュール回路は出力する高周波
電流の振幅を大きくすることを特徴とする光ディスク装置を提供する。
【００２４】
この構成において、高周波重畳モジュール回路の重畳振幅調整端子と接地間に外付けの
抵抗に代わってサーミスタを接続する回路構成にすると、レーザダイオードが温度上昇す
ると、周囲の温度が上昇し、この温度上昇により、サーミスタ自体の温度も上昇する。こ
れにより、サーミスタの抵抗値が低下し、高周波重畳モジュール回路は、出力する高周波
電流の振幅を大きくする。
【００２５】
この構成によれば、レーザダイオードが温度上昇すると、レーザダイオードの駆動電流
に重畳される高周波電流の振幅が大きくなるので、常温での高周波電流の振幅を大きくす
ることなく、高温でも確実にレーザダイオードのスイッチングが可能になり、書換え可能
な光ディスクのデータ破壊を防止できると共に、ＥＭＩに対しても効果的となる。即ち、
レーザダイオードの温度特性における常温での重畳振幅（レーザダイオードの駆動電流に
重畳される高周波電流の振幅）のマージン分をキャンセルでき、この分、重畳振幅値を常
温において小さく設定できる。よって、書換え可能な光ディスクのデータ破壊を防止でき
ると共に、ＥＭＩに対しても効果的となる。また、そのキャンセルできる回路は、従来か
ら使用されている部品（この場合、サーミスタ）を併用して行うため、回路構成が複雑化
することなく、コストアップも発生することはない。
【００２６】
請求項２の発明は、光ディスクに対してレーザ光を発光するレーザダイオードと、この
レーザダイオードに駆動電流を供給するレーザダイオード駆動回路と、高周波電流を生成
して前記駆動電流に対して重畳する回路であり、この回路の重畳振幅調整端子と接地間に
接続された外付けの抵抗の抵抗値によって前記高周波電流の振幅を設定することができる
ように回路構成された高周波重畳モジュール回路と有する光ピックアップを備えた光ディ
スク装置において、前記レーザダイオードの発光パワーの制御精度を高めるために前記レ
ーザダイオードの周囲温度を検出するための予め設けられている温度変化に応じて抵抗値
が変化する温度検出素子を併用して、前記温度検出素子を前記高周波重畳モジュール回路
の重畳振幅調整端子と接地間に前記外付けの抵抗に代わって接続する回路構成にしたこと
を特徴とする光ディスク装置を提供する。
【００２７】
この構成において、高周波重畳モジュール回路の重畳振幅調整端子と接地間に外付けの
抵抗に代わって温度検出素子を接続する回路構成にすると、レーザダイオードが温度上昇
すると、周囲の温度が上昇し、この温度上昇を検出した時の温度検出素子の抵抗値により
、高周波重畳モジュール回路は、出力する高周波電流の振幅を大きくする。
【００２８】
この構成によれば、レーザダイオードが温度上昇すると、レーザダイオードの駆動電流
に重畳される高周波電流の振幅が大きくなるので、常温での高周波電流の振幅を大きくす
ることなく、高温でも確実にレーザダイオードのスイッチングが可能になり、書換え可能
な光ディスクのデータ破壊を防止できると共に、ＥＭＩに対しても効果的となる。即ち、
レーザダイオードの温度特性における常温での重畳振幅（レーザダイオードの駆動電流に
重畳される高周波電流の振幅）のマージン分をキャンセルでき、この分、重畳振幅値を常
温において小さく設定できる。よって、書換え可能な光ディスクのデータ破壊を防止でき
ると共に、ＥＭＩに対しても効果的となる。また、そのキャンセルできる回路は、従来か
ら使用されている部品（この場合、サーミスタ）を併用して行うため、回路構成が複雑化
することなく、コストアップも発生することはない。
【００２９】
請求項３の発明では、請求項２の発明において、前記温度検出素子は、温度が上昇する
と、抵抗値が小さくなるサーミスタであり、温度上昇により前記サーミスタの抵抗値が低
下すると、高周波重畳モジュール回路は、出力する高周波電流の振幅を大きくするので、
レーザダイオードが温度上昇したとき、レーザダイオードの駆動電流に重畳される高周波
電流の振幅を大きくするのを、予め設けられているサーミスタを併用して簡単に実現する
ことができる。
【発明の効果】
【００３０】
以上のように本発明によれば、光ディスクに対してレーザ光を発光するレーザダイオー
ドと、このレーザダイオードに駆動電流を供給するレーザダイオード駆動回路と、高周波
電流を生成して前記駆動電流に対して重畳する回路であり、この回路の重畳振幅調整端子
と接地間に接続された外付けの抵抗の抵抗値によって前記高周波電流の振幅を設定するこ
とができるように回路構成された高周波重畳モジュール回路と有する光ピックアップを備
えた光ディスク装置において、前記レーザダイオードの発光パワーの制御精度を高めるた
めに前記レーザダイオードの周囲温度を検出するための予め設けられているサーミスタを
併用して、前記サーミスタを前記高周波重畳モジュール回路の重畳振幅調整端子と接地間
に前記外付けの抵抗に代わって接続する回路構成にし、温度上昇により前記サーミスタの
抵抗値が低下すると、前記高周波重畳モジュール回路は出力する高周波電流の振幅を大き
くするので、常温での高周波電流の振幅を大きくすることなく、高温でも確実にレーザダ
イオードのスイッチングが可能になり、書換え可能な光ディスクのデータ破壊を防止でき
ると共に、ＥＭＩに対しても効果的となる。即ち、レーザダイオードの温度特性における
常温でのレーザダイオードの駆動電流に重畳される高周波電流の振幅のマージン分をキャ
ンセルでき、この分、重畳振幅値を常温において小さく設定できる。よって、書換え可能
な光ディスクのデータ破壊を防止できると共に、ＥＭＩに対しても効果的となる。また、
そのキャンセルできる回路は、従来から使用されている部品（この場合、サーミスタ）を
併用して行うため、回路構成が複雑化することなく、コストアップも発生することはない
。
【００３１】
また、本発明によれば、光ディスクに対してレーザ光を発光するレーザダイオードと、
このレーザダイオードに駆動電流を供給するレーザダイオード駆動回路と、高周波電流を
生成して前記駆動電流に対して重畳する回路であり、この回路の重畳振幅調整端子と接地
間に接続された外付けの抵抗の抵抗値によって前記高周波電流の振幅を設定することがで
きるように回路構成された高周波重畳モジュール回路と有する光ピックアップを備えた光
ディスク装置において、前記レーザダイオードの発光パワーの制御精度を高めるために前
記レーザダイオードの周囲温度を検出するための予め設けられている温度変化に応じて抵
抗値が変化する温度検出素子を併用して、前記温度検出素子を前記高周波重畳モジュール
回路の重畳振幅調整端子と接地間に前記外付けの抵抗に代わって接続する回路構成にした
ので、レーザダイオードが温度上昇すると、レーザダイオードの駆動電流に重畳される高
周波電流の振幅が大きくなり、これにより、常温での高周波電流の振幅を大きくすること
なく、高温でも確実にレーザダイオードのスイッチングが可能になり、書換え可能な光デ
ィスクのデータ破壊を防止できると共に、ＥＭＩに対しても効果的となる。即ち、レーザ
ダイオードの温度特性における常温での重畳振幅（レーザダイオードの駆動電流に重畳さ
れる高周波電流の振幅）のマージン分をキャンセルでき、この分、重畳振幅値を常温にお
いて小さく設定できる。よって、書換え可能な光ディスクのデータ破壊を防止できると共
に、ＥＭＩに対しても効果的となる。また、そのキャンセルできる回路は、従来から使用
されている部品（この場合、温度検出素子）を併用して行うため、回路構成が複雑化する
ことなく、コストアップも発生することはない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、添付図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。図１は本発明の
一実施形態に係る光ディスク装置における光ピックアップのレーザ駆動系に関係する構成
を示すブロック図である。
【００３３】
図１において、光ディスク装置１は、光ディスク２を回転させるスピンドルモータ１４
と、光ディスク２に対して情報を光学的に書き込んだり読み出したりする光ピックアップ
３と、再生時には光ピックアップ３により読み出された再生信号であるＲＦ信号を復調し
、記録時には光ディスク２に記録すべき信号を変調させた変調信号を光ピックアップ３に
与える信号処理部１２と、光ピックアップ３およびスピンドルモータ１４を制御するサー
ボ制御部１３とを備えている。
【００３４】
光ピックアップ３は、光ディスク２に対してレーザ光を出射するレーザダイオード（以
下ＬＤという）５、このＬＤ５を駆動させるＬＤ駆動回路６、ＬＤ５の駆動電流に対して
重畳させる高周波電流を生成する高周波重畳回路７および前記高周波電流の振幅を制御す
る振幅制御回路８から成る高周波重畳モジュール回路７８、ＬＤ５の駆動電流を監視する
電流監視回路９、ＬＤ５の光出力を検出して監視するための光検出回路１０、およびＬＤ
５に係る温度を検出して監視する温度監視回路１１を備えている。
【００３５】
高周波重畳モジュール回路７８は、パラメータとして高周波電流の周波数と振幅があり
、周波数を設定するための周波数設定端子（図示せず）と、駆動電流に重畳される高周波
電流の振幅を調整するための重畳振幅調整端子７ａ（図２）を有する。周波数設定端子と
接地間に例えば６．８ｋΩの抵抗を接続すると、高周波電流の周波数は３００ＭＨｚにな
り、重畳振幅調整端子７ａと接地間に例えば３．９ＫΩの抵抗を接続すると、高周波電流
の振幅はｐ−ｐで５０ｍＡになる。なお、これらの数値は一例であるので、これらに限る
ことはない。
【００３６】
サーボ制御部１３は、光ピックアップ３の対物レンズ４を光ディスク２の記録面に対し
て垂直方向および水平方向に移動させる各アクチュエータのコイルに対する電流制御を行
うことによりフォーカスサーボ制御およびトラッキングサーボ制御を行ったり、スピンド
ルモータ１４の回転を制御したり、あるいは、光ディスク２の半径方向に対して光ピック
アップ３を移動させるスレッド（図示せず）の駆動機構を制御したりする。
【００３７】
ところで、光ピックアップ３には、ＬＤ５が発生するスクープノイズを低減するために
、高周波重畳モジュール回路７８が実装されている。この高周波重畳モジュール回路７８
は、スクープノイズの低減には有効的であるが、ＬＤ５を高速スイッチングするため、不
要輻射やレーザ光のピークパワーによる書換え可能な光ディスク（ＤＶＤ−ＲＷやＤＶＤ
−ＲＡＭなど）のデータ破壊を引き起こす悪影響が懸念される。これら懸念事項を考慮す
れば、重畳振幅を小さくすれば良いのであるが、以下に示すパラメータを考えなければい
けないので、ＬＤ５の駆動電流に重畳される高周波電流の振幅を簡単には小さくすること
ができない。
【００３８】
パラメータとしては、ＬＤの閾値Ｉｔｈ、ＬＤの微分効率、ＬＤの温度特性、高周波重
畳モジュール回路のバラツキ、重畳振幅設定抵抗のバラツキ、高周波重畳モジュール回路
への供給電源変動がある。ＬＤの閾値Ｉｔｈとは、例えば、図３中のＩｔｈ１やＩｔｈ２
などのことを言う。ＬＤの微分効率とは、例えば、図３中の駆動電流・発光パワーの特性
（Ｉ−Ｌ特性）を示すラインＬ１が駆動電流方向に曲がって、高周波電流Ｓ１の波形がラ
インＬ１を切れなくなる所が発生することのないようにするためのＩ−Ｌ特性の微分効率
のことを言う。ＬＤの温度特性とは、温度変化による駆動電流・発光パワーの特性（Ｉ−
Ｌ特性）のことを言い、また、駆動電流・発光パワーの特性（Ｉ−Ｌ特性）のリニアリテ
ィのずれのことを言う。重畳振幅設定抵抗のバラツキとは、高周波重畳モジュール回路の
重畳振幅調整端子に接続される抵抗の抵抗値のバラツキのことを言う。高周波重畳モジュ
ール回路への供給電源変動とは、高周波重畳モジュール回路への供給される電源電圧の変
動のことを言う。
【００３９】
さて、本実施形態では、それらのパラメータの内、ＬＤの温度特性のマージン分をキャ
ンセルできる回路を提供する。ＬＤの温度特性により、Ｉ−Ｌ特性の微分効率が悪化する
ため、この分を考慮して常温での高周波電流の振幅を設計しないと、高周波電流の振幅は
高温で閾値Ｉｔｈを越えることができず、ＬＤのスイッチングができない状態が発生する
。そこで、高周波電流の振幅が高温でも閾値Ｉｔｈを越えることができるように、高周波
電流の振幅を大きくすると、この結果、常温でも高周波電流の振幅が大きくなり、ＥＭＩ
や書換え可能な光ディスクのデータ破壊を引き起こす悪影響を及ぼすことになる。
【００４０】
この問題を回避するには、温度変化と共に重畳振幅を大きくすれば、常温での高周波電
流の振幅を大きくすることなく、高温でも確実にＬＤのスイッチングができるようになる
。現在市販されている高周波重畳モジュール回路はＩＣ化されており、高周波電流の振幅
レベルは、外付けの抵抗により設定するようになっている。したがって、その抵抗の抵抗
値を周囲温度と共に可変すれば良いことになる。また、光ピックアップは、レーザ光のパ
ワー制御の精度の向上を図るため、レーザダイオードの温度を検出するためのサーミスタ
を搭載している。このサーミスタを利用すれば、温度と共に高周波電流の振幅を可変する
ことが可能となる。なお、サーミスタに限らず、温度によって抵抗値が変化する温度検出
素子であれば何れでも良い。
【００４１】
図２は、本実施形態において、光ピックアップの光ピックアップ回路部に含まれる高周
波重畳モジュール回路およびサーミスタ、並びにサーボ制御部の制御回路部に含まれる温
度検出処理回路の一部を示す回路図である。
【００４２】
光ピックアップ回路部２１において、高周波重畳モジュール回路７８は前述した高周波
重畳回路７および振幅制御回路８を含む回路であり、サーミスタ１１ａはＬＤ５に係る温
度を検出して監視する温度監視回路１１に含まれ、ＬＤ５に係る温度を検出するためのサ
ーミスタである。制御回路部２２においては、高周波重畳モジュール回路７８の重畳振幅
調整端子７ａとサーミスタ１１ａの一端との接続点に＋入力端子（非反転入力端子）が接
続されていると共に、−入力端子（反転入力端子）が出力端子に接続されているオペアン
プ１３ａと、このオペアンプ１３ａの出力端子に抵抗Ｒ１を介して入力端子が接続された
Ａ／Ｄ変換回路１３ｂとが備えられている。
【００４３】
抵抗Ｒ１の一端は抵抗Ｒ２を介して接地され、これにより、オペアンプ１３ａの出力電
圧が抵抗Ｒ１と抵抗Ｒ２とにより分圧され、この分圧された電圧（アナログ電圧）がＡ／
Ｄ変換回路１３ｂの入力端子に与えられ、Ａ／Ｄ変換回路１３ｂにてデジタル信号に変換
される。このデジタル信号は、図１に示すサーボ制御部１３に入力され、これにより、サ
ーボ制御部１３は、ＬＤ駆動回路６を制御して、温度変化があってもＬＤ５の発光パワー
が一定になるように制御する。
【００４４】
即ち、この発光パワーの制御は、ＬＤ５に係る温度が上がると、この温度を感知したサ
ーミスタ１１ａは自体の温度も上がり、サーミスタ１１ａの抵抗が小さくなる。これによ
り、オペアンプ１３ａの＋入力端子の電位が下がって、オペアンプ１３ａの出力端子の電
位も下がり、Ａ／Ｄ変換回路１３ｂの入力端子に与えられる電圧は以前よりも下がる。こ
の結果、Ａ／Ｄ変換回路１３ｂからは、温度が以前よりも上がったことを示すデジタル信
号が出力され、このデジタル信号を入力したサーボ制御部１３は、ＬＤ駆動回路６を制御
して、ＬＤ５への駆動電流を多く流し、ＬＤ５の発光パワーが一定になるようにする。
【００４５】
また、前述したように、ＬＤ５の温度が上がることにより、サーミスタ１１ａの抵抗が
小さくなると、高周波重畳モジュール回路７８の重畳振幅調整端子７ａの電位が下がり、
高周波重畳モジュール回路７８においては、振幅制御回路８は、高周波重畳回路７で生成
される高周波電流の振幅が大きくなるように制御し、この結果、高周波重畳回路７は、以
前よりも大きい振幅の高周波電流を出力する。そして、この高周波電流は、ＬＤ駆動回路
６からの駆動信号に重畳され、ＬＤ５に与えられる。
【００４６】
このようにＬＤ５の温度が上昇した時に、ＬＤ５の駆動信号に重畳される高周波電流の
振幅を大きくすることにより、ＬＤ５は高温でもスイッチング動作が可能になり、スクー
プノイズの低減を図ることができる。ところで、例えば、図３に示すように、駆動電流と
発光パワーとの関係が、Ｌ１やＬ２などで示すように、温度によってシフトしたり、傾き
が寝る方向に大きくなったりしている。
【００４７】
従来の光ディスク装置では、その傾きが例えば７０℃でＬ２で示すようになると、高周
波電流Ｓ２の振幅が閾値Ｉｔｈ２を超えていないので、ＬＤ５はスイッチング動作を行う
ことができないが、本実施形態の光ディスク装置では、例えば７０℃になって駆動電流と
発光パワーとの関係がＬ２で示すようになっても、高周波電流Ｓ２の振幅が閾値Ｉｔｈ２
を少し越える程度に大きくしているので、ＬＤ５はスイッチング動作を行うことができ、
これにより、ＬＤ温度特性による重畳振幅（重畳される高周波電流の振幅）のマージン分
をキャンセルすることができ、この分、重畳振幅値を常温において小さく設定することが
できる。
【００４８】
したがって、本実施形態では、書換え可能な光ディスクのデータ破壊の防止やＥＭＩの
防止に対して効果的となる。また、本実施形態では、現在使用されている部品（この場合
はサーミスタ）を併用して使うため、回路構成が複雑化することなく、コストアップも発
生するようなことはない。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の一実施形態に係る光ディスク装置における光ピックアップのレーザ駆動系に関係する構成を示すブロック図である。
【図２】前記実施形態において、光ピックアップの光ピックアップ回路部に含まれる高周波重畳モジュール回路およびサーミスタ、並びにサーボ制御部の制御回路部に含まれる温度検出処理回路の一部を示す回路図である。
【図３】レーザダイオードに供給される駆動電流とレーザダイオードの発光パワーとの関係（Ｉ−Ｌ特性）の一例を説明するための図である。
【図４】従来の光ディスク装置において、光ピックアップの光ピックアップ回路部に含まれる高周波重畳モジュール回路およびサーミスタ、並びにサーボ制御部の制御回路部に含まれる温度検出処理回路の一部を示す回路図である。
【符号の説明】
【００５０】
１    光ディスク装置
３    光ピックアップ
５    ＬＤ（レーザダイオード）
６    ＬＤ駆動回路
７ａ    重畳振幅調整端子
１１ａ    サーミスタ（温度検出素子）
７８    高周波重畳モジュール回路
【図１】
2006338701.tif 000003
【図２】
2006338701.tif 000004
【図３】
2006338701.tif 000005
【図４】
2006338701.tif 000006