(57)【要約】【課題】再生信号のＳＮ比の低下を抑制しつつトラックピッチの狭小化を図れるランドアンドグルーブ記録方式の光ディスクを提供する。【解決手段】案内溝Ｇと案内溝間Ｌとを有する光ディスクであって、３個以上の光スポットを用いて隣接トラックからの漏れ込み信号を除去または低減する機構を備えた光ディスク記録再生装置に装着され、案内溝Ｇと案内溝間Ｌの両方に信号が記録されるものにおいて、案内溝Ｇの深さｄを、光ディスク記録再生装置から照射される再生光の波長をλ、再生光の入射側に存在するカバー層１６または基板１１の屈折率をｎとしたとき、λ／１２ｎ以上λ／６ｎ未満に形成する。【選択図】図２
2006147128.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
案内溝と案内溝間とを有する光ディスクであって、３個以上の光スポットを用いて隣接トラックからの漏れ込み信号を除去または低減する機構を備えた光ディスク記録再生装置に装着され、前記案内溝と前記案内溝間の両方に信号が記録されるものにおいて、前記案内溝の深さが、前記光ディスク記録再生装置から照射される再生光の波長をλ、前記再生光の入射側に存在するカバー層または基板の屈折率をｎとしたとき、λ／１２ｎ以上λ／６ｎ未満であることを特徴とする光ディスク。
【請求項２】
請求項１に記載の光ディスクにおいて、主光ビームのスポット径φをφ＝０．８４×λ／ＮＡ（ＮＡは対物レンズの開口数）として表し、トラックピッチをＴｐとしたとき、Ｔｐ／φ≦０．７０であることを特徴とする光ディスク。
【請求項３】
請求項１に記載の光ディスクにおいて、主光ビームのスポット径φをφ＝０．８４×λ／ＮＡ（ＮＡは対物レンズの開口数）として表し、トラックピッチをＴｐとしたとき、０．５０≦Ｔｐ／φ≦０．７０であることを特徴とする光ディスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスクに係り、特に、クロストーク低減機構を有する光ディスク記録再生装置に装着されて案内溝と案内溝間の両方に信号が記録される光ディスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
情報信号の記録が可能な光ディスクとしては、従来より、レーザ光の照射によって記録層に光学定数の変化を生じさせる相変化タイプの光ディスク、レーザ光の照射によって記録層に物理的形状の変化を生じさせる形状変化タイプの光ディスク、さらに希土類遷移金属系非晶質合金薄膜のような磁気光学効果を有する材料層を記録層に使用する光磁気ディスクが知られている。
【０００３】
このような記録型光ディスクヘの情報信号の記録は、通常、透明基板の一主面上に螺旋状あるいは同心円状の連続溝として形成された案内溝に沿って行われる。
【０００４】
すなわち、透明基板には、この案内溝に対応する領域（以下、グルーブ部）と案内溝間の丘に対応する領域（以下、ランド部）とが形成されていて、従来における情報信号の記録は、これらグルーブ部とランド部のいずれか一方を記録トラックとし、他方は隣り合うトラックを分離するガードバンドとなっている。
【０００５】
このような光ディスクにおける記録容量の増加は、線方向の記録密度とトラック方向の記録密度を向上することによって達成される。このうち、線方向の記録密度の向上は、記録光のスポット径を小さくしピット長を短くすることで達成される。一方、トラック方向の記録密度の向上は、トラックピッチを狭くすることによって達成される。
【０００６】
また、これとは別に、グルーブ部とランド部の両方に情報信号を記録するランドアンドグルーブ記録方式の光ディスクも従来より提案されている（例えば、特許文献１参照。）。本方式の光ディスクは、グルーブ部とランド部のうちのいずれか一方にのみ情報信号を記録する方式の光ディスクよりも、トラック方向の記録密度の向上を図る上で有利である。しかしながら、本方式においても、記録密度を高めるためにトラックピッチを狭くすると、信号再生用の光スポット内にグルーブ部とランド部の両方の記録トラックが重なるようになり、信号再生時に隣接トラックからの信号の漏れ込み（クロストーク）が生じ、再生信号のＳＮ比が劣化するという問題を生じる。
【０００７】
ランドアンドグルーブ記録方式の光ディスクにおけるクロストークを抑制する技術としては、光学的な位相を考慮してクロストーク量が極小となるように、グルーブ部の深さｄをλ／６ｎ（但し、λはレーザ波長、ｎは透明基板の屈折率）の近傍に設定する技術が従来より提案されている（例えば、特許文献２参照。）。グルーブ部の位相深さｄを上記条件を満たすように設定した光ディスクは、隣接トラックからのクロストーク量が極小値になり、たとえばグルーブ部を再生しているときにそれと隣接するランド部にレーザ光が照射されても、ランド部からの戻り光量は小さい値に抑えられる。このことは、グルーブ部とランド部の関係を逆にした場合でも同じである。
【０００８】
しかしながら、グルーブ部の深さｄをλ／６ｎ近傍に設定してもクロストーク量を完全にゼロにすることはできず、クロストーク量は再生光のスポット径とトラックピッチによって変化する。そして、記録密度を高めるためにトラックピッチを再生光のスポット径φ（０・８４×λ／ＮＡで求まる値。但し、λは再生光の波長、ＮＡは対物レンズの開口数）の０．７倍以下に狭くした場合には、やはり信号再生時におけるクロストークが実用上問題となってくる。
【０００９】
一方、光ディスク記録再生装置においてクロストークを抑制する技術としては、主光ビームと主光ビームの両隣に位置する２つの副光ビームの３つの光ビームを用い、各副光ビームの反射光信号に基づいて主光ビームの反射光信号中に含まれる隣接トラックの信号成分を除去する、いわゆるクロストークキャンセル技術が従来より提案されている（例えば、特許文献３参照。）。
【特許文献１】特開昭５７−５０３３０号公報
【特許文献２】特開平５−２８２７０５号公報
【特許文献３】特開平９−１７１６２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、光ディスクにおいては、ランド部とグルーブ部の段差部が垂直面をもって形成されることが理想的であるが、段差部を垂直に形成することは実際上困難であり、傾斜角が５０度程度の傾斜面になっているのが一般的である。この傾斜面をもって形成される段差部の幅は、グルーブ部の深さによって決まるため、深さを一定にしてトラックピッチを狭くして行くと、相対的に段差部の幅の比率が広がり、その分グルーブ部およびランド部の平坦部分が狭くなる。また、トラックピッチが同一であっても、グルーブ部の深さが深くなるにしたがって段差部の幅が相対的に広くなり、グルーブ部およびランド部の平坦部分が狭くなる。このように、高密度化のためにトラックピッチを狭めていくと、グルーブ部およびランド部の平坦部分が狭くなり、光検出器への戻り光の光量が減少するために再生信号強度が低下し、再生信号のＳＮ比が低下することとなる。
【００１１】
ランドアンドグルーブ記録方式の光ディスクにおいて、トラックピッチを再生光のスポット径φの０．６倍以下にした場合にも、前述のクロストークキャンセル機構を備えた光ディスク記録再生装置を利用すれば、隣接トラックからのクロストークを除去または軽減することができるが、グルーブ部およびランド部の平坦部分が狭くなることによる再生信号のＳＮ比の低下は補うことができない。
【００１２】
本発明は、かかる従来技術の課題を解決するためになされたものであり、その目的は、再生信号のＳＮ比の低下を抑制しつつトラックピッチの狭小化を図れるランドアンドグルーブ記録方式の光ディスクを提供するにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、前記の課題を解決するため、案内溝と案内溝間とを有する光ディスクであって、３個以上の光スポットを用いて隣接トラックからの漏れ込み信号を除去または低減する機構を備えた光ディスク記録再生装置に装着され、前記案内溝と前記案内溝間の両方に信号が記録されるものにおいて、前記案内溝の深さが、前記光ディスク記録再生装置から照射される再生光の波長をλ、前記再生光の入射側に存在するカバー層または基板の屈折率をｎとしたとき、λ／１２ｎ以上λ／６ｎ未満であるという構成にした。
【００１４】
案内溝の深さを上記の範囲に規制すると、クロストークが極小となる溝深さであるλ／６ｎよりも溝深さが浅くなるため、グルーブ部およびランド部の平坦部分に対する段差部の割合を小さくすることができて、トラックピッチを狭小化した場合の再生信号のＳＮ比の低下を抑制することができる。溝深さを浅くすることによって大きくなるクロストークは、クロストークキャンセル機構によって問題のないレベルに抑えることができるので、光ディスクの狭トラック化による記録密度の向上を図ることができる。すなわち、トラックピッチを所定値以下に狭小化した場合は、クロストークキャンセル機構によるクロストークに起因するノイズ減少の効果を十分に活かすため、この効果によって得られるマージンを、信号成分を増大させるための手段としてグルーブ部およびランド部の平坦部分を広げることができるため、結果として、従来の最適な溝深さより浅い部分で、エラーレートが最も良好となる。
【００１５】
なお、クロストークが極小となる溝深さであるλ／６ｎやそれよりも深い溝深さに設定した場合、グルーブ部およびランド部の平坦部分を十分に確保することができないため、クロストークキャンセル機構によるクロストーク成分の除去が有効であっても、信号成分自体を大きくすることはできない。
【００１６】
特に、トラックピッチが狭まった場合、具体的には、主光ビームのスポット径φをφ＝０．８４×λ／ＮＡ（ＮＡは対物レンズの開口数）として表し、トラックピッチをＴｐとしたとき、Ｔｐ／φ≦０．７０となった場合に効果が顕著に現れ、Ｔｐ／φ≧０．５０までトラックピッチが狭まった範囲において、有効に効果が現れる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の光ディスクは、案内溝と案内溝間とを有する光ディスクであって、３個以上の光スポットを用いて隣接トラックからの漏れ込み信号を除去または低減する機構を備えた光ディスク記録再生装置に装着され、前記案内溝と前記案内溝間の両方に信号が記録されるものにおいて、案内溝の深さを、光ディスク記録再生装置から照射される再生光の波長をλ、再生光の入射側に存在するカバー層または基板の屈折率をｎとしたとき、λ／１２ｎ以上λ／６ｎ未満に規制したので、グルーブ部およびランド部の平坦部分に対する段差部の割合を小さくすることができ、トラックピッチを狭小化した場合の再生信号のＳＮ比の低下を抑制することができる。よって、クロストークキャンセル機構によるクロストーク抑制効果と相俟って、光ディスクの狭トラック化による記録密度の向上を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明に係る光ディスクの実施形態を添付図面をもとに説明する。
【００１９】
図１は、実施形態例に係る光ディスクの断面図であって、相変化材料からなる記録層を備えた単板構造の膜面入射型光ディスクを示している。この図から明らかなように、本例の光ディスクは、案内溝（グルーブ）Ｇおよび案内溝間（ランド）Ｌが形成された基板１１と、この基板１１上にスパッター法により順次成膜された反射層１２、第１誘電体層１３、相変化材料からなる記録層１４、第２誘電体層１５と、第２誘電体層１５の上にスピンコート法により形成された紫外線硬化樹脂からなる透明なカバー層１６とから構成されている。基板１１には、グルーブＧとランドＬの幅が概ね同じとなるよう形成されたポリカーボネートの射出成形品を用いた。反射層１２にはＡｇＡｕ合金を用い、膜厚は約５０ｎｍとした。第１誘電体層１３および第２誘電体層１５にはＺｎＳ−ＳｉＯ２を用い、膜厚はそれぞれ約２０ｎｍ、約５５ｎｍとした。記録層１４にはＧｅ５Ｓｂ２Ｔｅ８組成の相変化記録材料を用い、膜厚は約２０ｎｍとした。カバー層１６の厚みは約０．１ｍｍとした。
【００２０】
なお、前述の各材料や膜厚は実施の一例を示すものであり、本発明の要旨がこれに限定されるものではない。これらについては、光ディスクの記録再生方式（反射率変調方式、光磁気記録方式）や容量によって適宜選ぶことができる。
【００２１】
基板１１の材料としては、ポリカーボネートのほか、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン系樹脂（特に非晶質ポリオレフィン）、ポリエステル系樹脂、ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂等の樹脂材料、ガラス、またはガラス上に光硬化性樹脂等の放射線硬化性樹脂からなる樹脂層を設けたもの等を使用することができる。なお、高生産性、低コストおよび吸湿性等の点からは、ポリカーボネートの射出成形品が好ましい。
【００２２】
反射層１２は、ＡｇＡｕ合金のように、高い光反射率を有する金属層または合金層をもって形成される。具体的には、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔａ、ＣｒおよびＰｄから選択される金属またはこれらの金属群から選択された少なくとも１種類の金属を主成分とする合金を用いることができる。なお、反射層１２を構成する金属層または合金層には、例えばＭｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉなどの金属および半金属を添加元素として含むことができる。
【００２３】
第１誘電体層１３と第２誘電体層１５とは、記録層１４を介してその両側に設けられる。第１誘電体層１３および第２誘電体層１５を形成する材料としては、ＺｎＳとＳｉＯ２の混合物のほかに、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ２０３、ＳｎＯ２、Ｔａ２Ｏ５等の酸化物やＳｉＮ、ＧｅＮ、ＴａＮ、ＡｌＮ等の窒化物などを挙げることができる。
【００２４】
記録層１４は、相変化材料のほか、公知に属する任意のヒートモード記録材料またはフォトンモード記録材料をもって形成することができる。このうち相変化材料からなる記録層１４は、変形が生じにくい点で優れている。相変化材料による記録層は、結晶相から非結晶相への、またはその逆の相変化によりデータを記録する。相変化型記録材料の具体例としては、Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系、ＭＡ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系（ＭＡはＡｕ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｒ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｔｌ、Ｓ、ＳｅおよびＰｔのうちの少なくとも１元素）、Ｓｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｉｎ−Ｓｅ−Ｔｌ系、Ｉｎ一Ｓｅ−Ｔｌ−ＭＢ系（ＭＢはＡｕ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｒ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｔｌ、Ｓ、ＳｅおよびＰｔのうちの少なくとも１元素）、Ｓｎ−Ｓｂ−Ｓｅ系などを挙げることができる。
【００２５】
カバー層１６の材料としては、通常、プレポリマー成分およびモノマー成分をベンゾフェノンやベンゾインエーテル等の光重合開始剤を用いて硬化反応させた紫外線硬化樹脂が用いられる．プレポリマー成分としては、例えば、ポリエステルアクリレート、ポリウレタンアクリレート、エポキシアクリレート  ポリエーテルアクリレー卜等が挙げられる。また、モノマー成分としては、例えば、ジシクロペンタニルジアクリレート、エチレンオキサイド（ＥＯ）変性ビスフェノールＡアクリレート、トリメチルプロパントリアクリレート、ＥＯ変性トリメチロールプロパントリアクリレートジペンタエリスリトールヘキサアクリレート等が挙げられる。その他、ポリカーボネートなどの透明な薄いシートを感圧硬化型樹脂を介して貼り付けてカバー層とすることも可能である。
【００２６】
次に、図１のディスク構造を有する光ディスクについてトラックピッチとグルーブ深さを種々変化させ、信号の記録再生を行ったときの隣接トラックからのクロストーク量の変化と再生信号のエラーレートの変化とについて説明する。但し、信号の記録再生は、記録再生光の波長が４０５ｎｍ、対物レンズのＮＡが０．８５で、主光ビームと主光ビームの両隣に位置する２つの副光ビームからなる３つの光ビームを光ディスクに照射し、各副光ビームの反射光信号に基づいて主光ビームの反射光信号中に含まれる隣接トラックの信号成分を除去するクロストークキャンセル機構を具備した光ディスク記録再生装置を用いて行った。
【００２７】
信号の記録は、グルーブトラックを中心トラックとして行った。また、エラーレートの測定においては、ＰＲ（１，７）方式で変調された記録信号を最短マーク長１４０ｎｍ、線速４．５５ｍ／ｓで記録した。再生系にはＰＲＭＬ方式を用いた。一方、クロストーク量の測定においては、５６０ｎｍマーク／スペースの繰り返しパターンを記録し、クロストーク量は、記録トラックのキャリアレベルをＣ＿ｃｅｎｔｅｒ、記録トラックに隣接する両サイドトラックに漏れ込んだキャリアレベルの平均値をＣ＿ｓｉｄｅとしたとき、クロストーク量＝（Ｃ＿Ｓｉｄｅ）−（Ｃ＿ｃｅｎｔｅｒ）として求めた。
【００２８】
図２にグルーブ深さをλ／６ｎに固定し、トラックピッチを種々変更した場合のクロストーク量とエラーレートの測定結果を示す。なお、図２中に示したエラーレートは記録パワーを変えて測定した場合のうち、最もエラーレートが低かった値を記載した。図２から明らかなように、クロストーク量はトラックピッチを狭くするにしたがって増加する。また、クロストークキャンセラ機構を使用しない場合のエラーレートも、トラックピッチの狭小化とともに増加する。すなわち、クロストークが極小となる位相深さにグルーブ深さｄを設定しても、トラックピッチが狭くなるとクロストーク量は増加する。そして、実用レベルのエラーレートは４×１０−４であるので、両サイドトラックまで記録したとき、クロストークキャンセラ機構を使用しない場合は、トラックピッチ０．２８μｍ程度までが実用レベルの限界であることが分かる。この場合のトラックピッチは、主光ビームのスポット径φをφ＝０．８４×λ／ＮＡとして表し、トラックピッチをＴｐとしたとき、Ｔｐ／φ＝０．７０となる。
【００２９】
これに対して、クロストークキャンセラ機構を使用した場合は、使用しない場合に比べて低いエラーレートに抑えられており、グルーブトラックにのみ記録した孤立トラックのエラーレートに近い値までエラーレートを抑える、つまり隣接トラックの記録の影響がないレベルにまでクロストークをなくすことが出来ている。しかし、トラックピッチを０．２０μｍまで狭くした場合には、実用レベルのエラーレートぎりぎりとなる。この場合のトラックピッチは、前記と同一の条件のもとで、Ｔｐ／φ＝０．５０となる。
【００３０】
一方、孤立トラックのエラーレートは十分低い値ではあるが、トラックピッチの狭小化に伴い上昇している。孤立トラックのエラーレートは隣接するランドあるいはグルーブに記録されていない、すなわちクロストークの影響がない状態にあるので、孤立トラックのエラーレート上昇は、トラックピッチの狭小化に伴いグルーブ部の平坦部分が狭くなることによる再生ＳＮの低下に起因するものである。
【００３１】
クロストークキャンセラ機構を使用した場合のエラーレートは、クロストークの影響のないモデルである孤立トラックでのエラーレー卜以上には改善することが出来ないため、狭トラック化した場合のクロストークキャンセラ機構の効果を有効に作用させつつ、更なるエラーレートの低減を目指すには、孤立トラックのエラーレートを低減する必要のあることが分かる。すなわち、トラックピッチの狭小化に伴って低下するグルーブ部の平坦部分を出来るだけ確保し、再生ＳＮの低下を抑えることが必要である。
【００３２】
図３に、トラックピッチを０．２０μｍとし、グルーブ深さｄを種々変更した場合のクロストーク量とエラーレートの測定結果を示す。この図から明らかなように、グルーブ深さが浅くなると光学的な位相条件がずれ、クロストーク量が増加する。
【００３３】
両サイドトラックにも記録した場合において、クロストークキャンセラ機構を使用しない場合には、クロストーク量が大きいためにグループ深さによらず実用レベルのエラーレートである４×１０−４をクリアすることができない。これに対して、クロストークキャンセラ機構を使用した場合には、クロストーク量は増加するにもかかわらず、エラーレートは少なくとも１桁近く低下する。なお、クロストークキャンセラ機構を使用した場合のエラーレートの低下はグルーブ深さｄを浅くしたときの孤立トラック記録のエラーレートが低下していることに対応している。
【００３４】
孤立トラック記録のエラーレートがグルーブ深さｄを浅くしたときに低下するのは、トラックピッチを０．２μｍと狭くした場合でもグルーブ探さを浅くすることによってグルーブ部とランド部の段差部に生じる傾斜部の幅を減らすことができるため、グルーブ部およびランド部の平坦部分を確保しやすくなり、狭トラックピッチ化による再生ＳＮの低下を抑えることができたことによるものである。すなわち、グルーブ深さを浅くすることによってクロストークキャンセラ機構の効果を有効に利用しつつ、その効果で得られるマージンを再生信号の増大に寄与させることができることを示している。
【００３５】
なお、図３においてクロストークキャンセラ機構を使用した場合のエラーレートは、グルーブ深さλ／１０で最小となり、さらに浅くした場合、エラーレートは増加し始めている。これはグルーブ深さが浅くなりすぎると記録時の熱が隣接トラックまで拡散しやすくなり、クロスライトによる信号劣化が生じ始めるためである。
【００３６】
したがって、実用レベルのエラーレートが４×１０−４であることを考慮すれば、クロストークキャンセラ機構を使用する場合には、光ディスク記録再生装置から照射される再生光の波長をλ、再生光の入射側に存在するカバー層１６の屈折率をｎとしたとき、λ／１２ｎ以上λ／６ｎ未満となるようにグループ深さｄを設定すればよいことが分かる。
【００３７】
図４に、トラックピッチを図３の場合よりも広い０．２８μｍとし、グルーブ深さｄを種々変更した場合のクロストーク量とエラーレートの測定結果を示す。この図から明らかなように、トラックピッチを０．２８μｍとした場合においても、グルーブ深さｄが浅くなるとクロストーク量は増加しており、クロストークキャンセラ機構を使用しない場合には、クロストーク量の増加に伴いエラーレートが増加している。しかし、クロストークキャンセラ機横を使用した場合には、逆にエラーレートが低下している。このことから、クロストークキャンセラ機構を使用した場合には、トラックピッチの広さによらずグルーブ深さを浅くすることによりエラーレートマージンが広がること、すなわちクロストークキャンセラ機構の効果を有効に利用しつつ、その効果で得られるマージンを再生信号の増大に寄与させることができることが分かる。
【００３８】
なお、前記の測定例では、グルーブトラックを中心とした場合の結果について示したが、ランドトラックを中心とした場合についても同様の結果であった。
【００３９】
また、前記実施形態においては、カバー層１６側から記録再生光（レーザ光）を入射する膜面入射型光ディスクを例にとって説明したが、基板１１上に第２誘電体層１５、相変化材料からなる記録層１４、第１誘電体層１３および反射層１２をこの順に積層し、基板１１側から記録再生光を入射する基板面入射型光ディスクであっても同様の効果が得られた。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】実施形態例に係る光ディスクの断面図である。
【図２】グルーブ深さをλ／６ｎに固定し、トラックピッチを種々変更した場合のクロストーク量とエラーレートの測定結果を示す表図である。
【図３】トラックピッチを０．２０μｍとし、グルーブ深さｄを種々変更した場合のクロストーク量およびエラーレートの測定結果を示す表図である。
【図４】トラックピッチを０．２８μｍとし、グルーブ深さｄを種々変更した場合のクロストーク量およびエラーレートの測定結果を示す表図である。
【符号の説明】
【００４１】
１１    基板
１２    反射層
１３    第１誘電体層
１４    記録層
１５    第２誘電体層
１６    カバー層
【図１】
2006147128.tif 000003
【図２】
2006147128.tif 000004
【図３】
2006147128.tif 000005
【図４】
2006147128.tif 000006