(57)【要約】【課題】  本発明は、トラック密度を増加してもフリンジを発生させないディスクリート媒体を用いても、長期間にわたってＳＮＲの低下を生じることがない磁気記録媒体とその製造方法並びに磁気記録装置の提供を目的とする。【解決手段】  本発明は、非磁性基板１上に少なくとも軟磁性裏打ち層２および基板面に対し垂直方向に磁気異方性を有する酸化物グラニュラー記録層４とを有する垂直磁気記録媒体において、前記酸化物グラニュラー記録層は同心円状の記録トラック部１５と、互いに隣接するトラック部間のガードバンド部１４からなり、前記ガードバンド部の材料が前記記録トラック部に含まれる酸化物と同一材料からなる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板上に少なくとも軟磁性裏打ち層および基板面に対し垂直方向に磁気異方性を有する酸化物グラニュラー記録層とを有する垂直磁気記録媒体において、前記酸化物グラニュラー記録層は同心円状の記録トラック部と、互いに隣接するトラック部間のガードバンド部からなり、前記ガードバンド部の材料が前記記録トラック部に含まれる酸化物と同一材料からなることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
前記ガードバンド部が、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｔａ２Ｏ３、ＴｉＯ２のいずれか一種以上を含むことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記酸化物グラニュラー記録層が、少なくともＣｏとＰｔと酸化物とを含むことを特徴とする請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記酸化物グラニュラー記録層が、さらに、Ｃｒ、Ｂ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｚｒからなる群から選ばれる何れか１種以上を含むことを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
前記記録トラック部に含まれる酸化物の体積率が、１５〜４０体積％の範囲内であることを特徴とする請求項１〜４の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
前記酸化物グラニュラー記録層の厚さが、６ｎｍ〜１８ｎｍの範囲内であることを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
同心円状の記録トラック部と、互いに隣接するトラック部間のガードバンド部とを具備してなる記録層を基板上に備えた磁気記録媒体の製造方法において、
基板上に、軟磁性裏打ち層、酸化物グラニュラー記録層、保護膜を形成後、表面にレジストを塗布し、このレジストをパターニング後、ガードバンド部の酸化物グラニュラー記録層を除去し、前記ガードバンド部に酸化物グラニュラー記録層と同一の酸化物を充填させ、その後、表面を平滑化することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項８】
前記レジストのパターニングに、スタンパーを用いたインプリント法を用いることを特徴とする請求項７に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項９】
前記酸化物の充填にスパッタ法を用いることを特徴とする請求項７または８に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
前記表面の平滑化にイオンビームエッチング法を用いることを特徴とする請求項７〜９の何れか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１１】
磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッドとを備えた磁気記録再生装置であって、磁気記録媒体が請求項１〜６のいずれか１項に記載の磁気記録媒体であることを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスク装置等に用いられる磁気記録媒体、その製造方法、および前記磁気記録媒体を備えた磁気記録装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気ディスク装置、フロッピー（登録商標）ディスク装置、磁気テープ装置等の磁気記録装置の適用範囲は著しく増大され、その重要性が増すと共に、これらの装置に用いられる磁気記録媒体について、その記録密度の著しい向上が図られつつある。
特にＭＲヘッド（磁気抵抗効果型ヘッド）、およびＰＲＭＬ（Ｐａｒｔｉａｌ  Ｒｅｓｐｏｎｓｅ  Ｍａｘｉｍｕｍ  Ｌｉｋｅｌｉｈｏｏｄ）技術の導入以来面記録密度の上昇はさらに激しさを増し、近年ではさらにＧＭＲヘッド（巨大磁気抵抗効果型ヘッド）、ＴＭＲヘッド（トンネル磁気抵抗型ヘッド）なども導入され１年に約１００％ものペースで増加を続けている。
【０００３】
これらの磁気記録媒体については、今後更に高記録密度を達成することが要求されており、そのために、磁気記録層の高保磁力化と高信号対雑音比（ＳＮ比）、高分解能を達成することが要求されている。また、近年では高面記録密度を達成するために媒体の絶対膜厚が薄くなってきており、これに伴い記録磁化が熱的擾乱によって弱められるという現象が問題となってきつつあり、特に記録の熱的安定性が大きな技術的課題となってきている。とりわけ、前述のＳＮ比を改善しようとするとこの熱的安定性が低下するケースが多くこれら２つの両立が開発の目標となっている。これは、一般的にＳＮ比に優れた媒体では磁性層を構成する磁性粒子の結晶粒サイズが微細であることが多く、このことは媒体ノイズに有効である反面、磁性の熱的安定性の観点からは不安定領域に近いと言えるためである。
【０００４】
また、近年では線記録密度の向上と同時にトラック密度の増加によって面記録密度を上昇させようとする努力も続けられており、最新の磁気記録装置においてはトラック密度１１０ｋＴＰＩにも達している。しかし、トラック密度を上げていくと、隣接するトラック間の磁気記録情報が互いに干渉し合い、その境界領域の磁化遷移領域がノイズ源となりＳＮ比を損なうという問題が生じやすくなる。このことはそのままビットエラーレート（Ｂｉｔ  Ｅｒｒｏｒ  ｒａｔｅ）の低下につながるため記録密度の向上に対して障害となっている。
また、トラック間距離が近づくために、磁気記録装置は極めて高精度のトラックサーボ技術を要求されると同時に、記録を幅広く実行し、再生は隣接トラックからの影響をできるだけ排除するために記録時よりも狭く実行する方法が一般的に用いられている。この方法ではトラック間の影響を最小限に抑えることができる反面、再生出力を十分得ることが困難であり、そのために十分なＳＮ比を確保することがむずかしいという問題がある。
以上のような媒体の熱的安定性を確保するために近年注目されているのが垂直磁気記録媒体である。
【０００５】
このように垂直磁気記録媒体は将来の高記録密度化のための技術として期待されているが、垂直磁気記録においてもさらなる高記録密度化をするためには、トラック密度を増加する必要がある。また、垂直磁気記録媒体においてもトラック密度を増加させることで問題となる記録端部の書きにじみ（フリンジ）を低減させる必要がある。
このフリンジを解決する方法の１例として、ディスクリートトラックを考えることができる。（例えば以下の特許文献１、２参照）
【特許文献１】特開平６−２５９７０９号公報
【特許文献２】特開平９−９７４１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
先の特許文献１には、データ部を凸部、ガードバンド部を凹部としたディスクリート媒体の構造が提案されている。しかしながら、凹部型のガードバンド部を設けることはディスク表面に凹凸部を存在させることになるため、記録再生ヘッドの浮上特性に影響を与えるという問題があるため好ましくない。
次に、先の特許文献２には、ガードバンド部を埋め込み材で埋め込みし、ディスク表面を平坦としたディスクリート媒体が提案されている。しかしながら、ガードバンド部材として酸化物、窒化物、炭化物、硼化物、重合化合物が例示されているが、これらの材料ではトラック部の材料との組み合わせで特性が徐々に悪化していくという問題が生じる。
例えば、ＣｏＣｒとの組み合わせでは、ガードバンド部の酸素などがトラック部に拡散することで特性が悪化する。また、ＣｏＰｔＯとの組み合わせでは、トラック部の酸素がガードバンド部に拡散したり、逆にガードバンド部の酸素、窒素、カーボンがトラック部に拡散することで特性が徐々に悪化する問題があるため好ましくない。
【０００７】
本発明は、高記録密度を実現するための技術である垂直磁気記録方式において、トラック密度を増加してもフリンジを発生させないディスクリート媒体を用いても、長期間にわたってＳＮＲの低下を生じることがない磁気記録媒体とその製造方法並びに磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
すなわち本発明は以下に関する。
（１）本発明の磁気記録媒体は、非磁性基板上に少なくとも軟磁性裏打ち層および基板面に対し垂直方向に磁気異方性を有する酸化物グラニュラー記録層とを有する垂直磁気記録媒体において、前記酸化物グラニュラー記録層は同心円状の記録トラック部と、互いに隣接するトラック部間のガードバンド部からなり、前記ガードバンド部の材料が前記記録トラック部に含まれる酸化物と同一材料からなることを特徴とする。
（２）本発明の磁気記録媒体は、先の１項記載のガードバンド部が、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｔａ２Ｏ３、ＴｉＯ２のいずれか一種以上を含むことを特徴とする。
（３）本発明の磁気記録媒体は、先の１〜２項に記載の酸化物グラニュラー記録層が、少なくともＣｏとＰｔと酸化物とを含むことを特徴とする。
（４）本発明の磁気記録媒体は、先の１〜３項のいずれかに記載の酸化物グラニュラー記録層が、さらに、Ｃｒ、Ｂ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｚｒからなる群から選ばれる何れか１種以上を含むことを特徴とする。
（５）本発明の磁気記録媒体は、先の１〜４項のいずれかに記載の記録トラック部に含まれる酸化物の体積率が、１５〜４０体積％の範囲内であることを特徴とする。
（６）本発明の磁気記録媒体は、先の１〜５項のいずれかに記載の酸化物グラニュラー記録層の厚さが、６ｎｍ〜１８ｎｍの範囲内であることを特徴とする。
【０００９】
（７）本発明の磁気記録媒体の製造方法は、同心円状の記録トラック部と、互いに隣接するトラック部間のガードバンド部とを具備してなる記録層を基板上に備えた磁気記録媒体の製造方法において、基板上に、軟磁性裏打ち層、酸化物グラニュラー記録層、保護膜を形成後、表面にレジストを塗布し、このレジストをパターニング後、ガードバンド部の酸化物グラニュラー記録層を除去し、前記ガードバンド部に酸化物グラニュラー記録層と同一の酸化物を充填させ、その後、表面を平滑化することを特徴とする。
（８）本発明の磁気記録媒体の製造方法は、先の７項に記載のレジストのパターニングに、スタンパーを用いたインプリント法を用いることを特徴とする。
（９）本発明の磁気記録媒体の製造方法は、先の７または８項に記載の酸化物の充填にスパッタ法を用いることを特徴とする。
（１０）本発明の磁気記録媒体の製造方法は、先の７〜９項のいずれかに記載の表面の平滑化にイオンビームエッチング法を用いることを特徴とする。
【００１０】
（１１）本発明の磁気記録再生装置は、磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッドとを備えた磁気記録再生装置であって、磁気記録媒体が先の１〜６項のいずれか１項に記載の磁気記録媒体であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
以上説明したように、本発明の磁気記録媒体は、非磁性基板上に少なくとも軟磁性裏打ち層および基板面に対し垂直方向に磁気異方性を有する酸化物グラニュラー記録層とを有する垂直磁気記録媒体において、酸化物を含有した酸化物グラニュラー記録層は同心円状の記録トラック部と、互いに隣接する記録トラック部間のガードバンド部からなり、前記ガードバンド部の材料が、酸化物グラニュラー記録層からなる記録トラック部の酸化物と同一材料からなることを特徴とし、長期間にわたってＳＮＲの低下を生じることがない磁気記録媒体を得ることができる。
【００１２】
本発明の製造方法によれば、記録トラック部と、互いに隣接する記録トラック部間のガードバンド部からなり、前記ガードバンド部の材料が、酸化物グラニュラー記録層からなる記録トラック部の酸化物と同一材料からなることを特徴とし、長期間にわたってＳＮＲの低下を生じることがない磁気記録媒体を製造することができる。
本発明に係る磁気記録装置によれば、同心円状の記録トラック部と、互いに隣接する記録トラック部間のガードバンド部からなり、前記ガードバンド部の材料が、酸化物グラニュラー記録層からなる記録トラック部の酸化物と同一材料からなることを特徴とし、長期間にわたってＳＮＲの低下を生じることがない磁気記録媒体を備えた磁気記録再生装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下に、酸化物グラニュラー記録層を有し、そこにトラック部、ガードバンド部が形成された形態の磁気記録媒体を製造する方法の一例について説明する。
１）  円盤状の非磁性基板１上に、軟磁性裏打ち層２、配向制御層３、酸化物グラニュラー記録層４、保護膜５を順次形成して記録層６を形成する。（図１−Ａ参照）なお、図１−Ａにおいては円盤状の非磁性基板１の表面側磁気記録領域の一部分のみを拡大して示している。
２）  １）の工程で形成した記録層６の表面にレジスト７を塗布して媒体８を得る。必要に応じて焼成を行い余分な有機溶剤等を除去する。（図１−Ｂ参照）
３）  所望のトラック間距離にあわせて設計された凹凸部９ａを表面に形成された金属製の型（スタンパー）９を先の２）に記載した工程で得た媒体８の表面に密着させ、高圧でプレスすることにより先の媒体８の表面にトラック形状の凹凸部１０を形成する（以下インプリントプロセスと呼ぶ）。（図１−Ｃ参照）なお、先のスタンパー９は実際には円盤状の非磁性基板１に合致する形状の円盤状であるが、図１−Ｃではスタンパー９の凹凸部１０の一部分のみを示した。
【００１４】
４）  ドライエッチング、反応性イオンエッチングなどの手法を用いて先の３）に記載した工程で得られた媒体表面のレジスト７、保護膜５、酸化物グラニュラー記録層４、配向制御層３、軟磁性裏打ち層２の一部を剥ぎ取る。
この処理の結果、先の３）に記載した工程で形成されたトラックの凹凸に沿った磁気記録層の一部からなる凹凸部１１が残ることになる（以下エッチングプロセスと呼ぶ）。
ここで得られる凹凸部１１は、磁気記録するべきトラック部となる円周型の凸部１１ａとこれらの凸部１１ａの間に位置する円周溝型の凹溝１１ｂとが直径方向に同心円状に間欠的に形成された構造となる（図１−Ｄ参照）
５）  これらの構造の上から、先に用いた酸化物グラニュラー記録層４と同じ材料の酸化物をスパッタリングなどの手法を用いて堆積させ、堆積層１２を形成し、非磁性基板１の直径方向に間欠的に形成された先の凸部１１ａ、１１ａの間に形成された極めて細長い凹溝１１ｂに該非磁性物質を充填させる（以下埋め込みプロセスと呼ぶ）。
このとき磁気記録媒体上の凹溝１１ｂの奥までこの非磁性物質を充填することが必要である。（図１−Ｅ参照）
【００１５】
６）  その後、ポリッシュまたはドライエッチングなどの平滑化手法により磁気記録媒体表面に残る凹凸を平滑化して磁気記録媒体表面を平滑面１３とする（以下平滑化プロセスと呼ぶ）。この処理により各凹溝１１ｂの内部に非磁性物質からなるガードバンド部１４が形成され、これらのガードバンド部１４…により区画されるように各記録トラック部１５が同心円状に形成される。（図１−Ｆ参照）
７）  最後に再びプラズマＣＶＤなどの成膜方法を用いて保護膜１６となるべきＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ  Ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎ）膜を成膜する。（図１−Ｇ参照）また、必要に応じて保護膜１６の上に潤滑層１７を形成する。
【００１６】
以上の工程により、図１Ｈに示す構造の垂直磁気記録媒体Ａを得ることができる。
この形態において得られた垂直磁気記録媒体Ａは、円盤状の非磁性基板１の表面に、軟磁性裏打ち層２と配向制御層３と酸化物グラニュラー記録層４と保護膜５を順次形成してなる記録層６が積層され、該記録層６は、同心円状の所定幅の記録トラック部１５を構成するように同心円状の複数の凹溝１１ｂにより分離され、各凹溝１１ｂには非磁性物質が充填されてガードバンド部１４が形成され、これらのガードバンド部１４と記録トラック部１５とを覆って保護膜１６と潤滑層１７が形成されている。
【００１７】
前述した工程で用いる非磁性基板１としては、Ａｌを主成分とした例えばＡｌ−Ｍｇ合金等のＡｌ合金基板や、結晶化ガラス、アモルファスガラス、シリコン、チタン、セラミックス、カーボン、各種樹脂からなる基板など、非磁性基板であれば任意のものを用いることができる。結晶化ガラス基板としては、リチウム系結晶化基板を用いることができ、アモルファス基板としては、ソーダライムガラス、アルミノシリケートガラスが挙げることができる。
前記非磁性基板１の平均表面粗さＲａを１ｎｍ以下、好ましくは０．５ｎｍ以下とすると、後工程で形成する酸化物グラニュラー記録層４の垂直配向性が良好となる、更に、インプリント工程での圧力分布が小さくなり、加工の均一性が向上する点から好ましい。
前記非磁性基板１の表面の微小うねりＷａを０．３ｎｍ以下とすると、インプリント工程での圧力分布が小さくなり、加工の均一性が向上する点から好ましい。
【００１８】
前記軟磁性裏打ち層２は、軟磁性材料からなるもので、この材料としてはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉを含む材料を挙げることができる。この材料としては、ＦｅＣｏ合金（ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＳｉＢ、ＦｅＣｏＺｒ、ＦｅＣｏＺｒＢなど）、ＦｅＴａ合金（ＦｅＴａＮ、ＦｅＴａＣなど）、Ｃｏ合金（ＣｏＴａＺｒ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＢなど）を挙げることができる。
【００１９】
前記軟磁性裏打ち層２を積層構造とすることが好ましい。即ち、軟磁性膜の間にＲｕ、Ｒｅ、Ｃｕを設け、所定の厚さにすることで、上下に設けられた軟磁性膜を反強磁性結合させることができるためである。このような構成とすることで、垂直磁気記録媒体特有の問題であるＷＡＴＥ（Ｗｉｄｅ  Ａｒｅａ  Ｔｒａｃｋ  Ｅｒａｓｕｒｅ）の現象を改善することが可能となる。
【００２０】
前記配向制御膜３は、その上に設けられる酸化物グラニュラー記録層４の結晶配向性や結晶サイズを制御するためのものである。この膜に用いられる材料は、ｈｃｐ構造またはｆｃｃ構造を有するものが好適である。特にＲｕが好ましい。
前記配向制御膜３の厚さは３０ｎｍ以下であることが好ましい。配向制御膜３の厚さが３０ｎｍを超えると記録再生時における磁気ヘッドと軟磁性裏打ち層２との距離が大きくなるため、ＯＷ特性（オーバーライト特性）や再生信号の分解能が低下するため好ましくない。
前記酸化物グラニュラー記録層４はその磁化容易軸を基板面に対し垂直方向に有しているものとする。この層の構成元素としては、少なくともＣｏとＰｔと酸化物を含んでおり、さらにＳＮＲ特性改善などの目的でＣｒ、Ｂ、Ｃｕ、Ｔａ、Ｚｒなどの元素を添加することもできる。
【００２１】
前記酸化物グラニュラー記録層４を構成する酸化物としては、ＳｉＯ２、ＳｉＯ、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｔａ２Ｏ３、ＴｉＯ２を挙げることができる。これら酸化物の体積率は１５〜４０体積％であることが好ましい。酸化物の体積率が１５体積％未満であると、ＳＮＲ特性が不十分となるため好ましくない。酸化物の体積率が４０体積％を超えると、高記録密度に対応するだけの保磁力を得ることができないため好ましくない。
前記酸化物グラニュラー記録層４のニュークリエーション磁界（−Ｈｎ）は１．５（ｋＯｅ）以上であることが好ましい。−Ｈｎが１．５（ｋＯｅ）未満であると、熱揺らぎが発生するので好ましくない。
前記酸化物グラニュラー記録層４の厚さは６〜１８ｎｍであることが好ましい。酸化物グラニュラー層４の厚さがこの範囲であると、十分な出力を確保することができ、ＯＷ特性の悪化が生じないために好ましい。
【００２２】
前述したインプリントプロセスで用いるスタンパー９は、金属プレートに電子線描画などの方法を用いて微細なトラックパターンを形成したものであり、材料としてはインプリントプロセスに耐えうる硬度、耐久性が要求される。例えばＮｉなどが使用されるが、前述の目的に合致するものであれば材料は問わない。
前述の磁気記録媒体上に塗布されるレジスト７は広く工業的に使用されているフォトレジストなど、さまざまな種類のものを使用することができる。通常はスピンコートなどを用いて薄く均一に塗布した後、オーブンで一定温度、所望の処理時間で焼成をかけ、不要な有機溶剤などを除去することが多い。このプロセスに関しては使用するレジスト７の性質に合わせて適宜プロセスを調整することができる。
【００２３】
前述のエッチングプロセスには、反応性イオンエッチング、イオンミリングなどの方法を適宜用いることができる。酸化物グラニュラー記録層４を完全に切断し、凹溝（ガードバンド部の元になる部分）を形成後、記録トラック部１５の上部に残ったレジストを除去する。
前述の埋め込みプロセスにおいて、ガードバンド部１５にあたる埋め込み材料は酸化物グラニュラー記録層４に含まれている酸化物を用いることが好ましい。酸化物グラニュラー記録層４に用いた材料と同一の酸化物を用いることで、酸素との共有結合の大きさの違いによって引き起こる酸素原子の移動（記録トラック部１５の酸化物からガードバンド部１４への酸素原子の移動、またはガードバンド部１４から記録トラック部１５への酸素原子の移動）が起こりにくくなる。上記酸素原子の移動により、長期間高温での保持後にＳＮＲや保磁力といった特性が変化するといった問題が発生するので、上述の構成を採用することで長期間高温での保持後にＳＮＲや保磁力といった特性が変化するといった問題を回避できる。
【００２４】
前述の埋め込みプロセスでは、極めて細く深い凹溝１１ｂに均一に該非磁性材料を充填する必要があるので、どのようなプロセス条件を用いるかは重要である。代表的なプロセスとしてはスパッタリング法があるが、堆積速度、ガス圧など条件を慎重に選ぶことが必要である。この埋め込みプロセスが正確になされないとトラック間の磁気的相互作用が十分遮断されず十分な記録再生特性を期待できない。また、隙間の部分が酸素などのガスと接触し耐食性に悪影響を及ぼす懸念がある。
前述の平坦化プロセスでは、埋め込みプロセス後に生じるであろう媒体表面の凹凸を、磁気記録媒体として十分なレベルまで平滑にする処理とする。この手段としては、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｐｏｌｉｓｈ）、ＩＢＥ（Ｉｏｎ  Ｂｅａｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）などが用いられる。媒体の性能を損なわず、媒体表面を十分平滑に加工できる限りにおいてはいかなる手法を用いても本発明の効果には支障ない。
磁気ヘッドの浮上量ができるだけ小さいことが高密度磁気記録の実現には有効である。
従って本発明の磁気記録媒体においての表面粗さ（Ｒａ）は、１ｎｍ以下、更には、０．５ｎｍ以下であることが好ましく、中でも０．３ｎｍ以下であることが好ましい。
【００２５】
最後に保護膜１６を形成する。一般的にはＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ  Ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎ）の薄膜をＰ−ＣＶＤなどを用いて成膜するが、手法はこの限りではない。ここでの保護膜は一般的に磁気記録媒体保護膜として使用されているものと同じと考えてよい。保護層としてはこの他、Ｃ、水素化Ｃ、窒素化Ｃ、アルモファスＣ、ＳｉＣ等の炭素質層やＳｉＯ２、Ｚｒ２Ｏ３、ＴｉＮなど、通常用いられる保護層材料を用いることができる。また、前述の保護層１６が２層以上の層から構成されていてもよい。保護層の膜厚は１〜１０ｎｍ、特に１〜５ｎｍであり、耐久性を確保できる範囲でできるだけ薄く設定することが好ましい。
保護層１６の上には潤滑層１７を形成する。潤滑層１７に用いる潤滑剤としては、フッ素系潤滑剤、炭化水素系潤滑剤及びこれらの混合物等が挙げられ、通常１〜４ｎｍの厚さで潤滑層を形成する。
【００２６】
本発明の磁気記録装置は、少なくとも上述した構造の磁気記録媒体Ａと、これを記録方向に駆動する駆動部と、記録部と再生部からなる磁気ヘッドと、磁気ヘッドを磁気記録媒体に対して相対運動させる手段と、磁気ヘッドへの信号入力と磁気ヘッドからの出力信号再生を行うための記録再生信号処理手段を有する磁気記憶装置である。
さらに上述の磁気ヘッドの再生部をＧＭＲヘッドあるいはＴＭＲヘッドで構成することにより、高記録密度においても十分な信号強度を得ることができ、高記録密度を持った磁気記憶装置を実現することができる。またこの磁気ヘッドを、浮上量を０．００５μｍ〜０．０２０μｍと、従来より低い高さで浮上させると、出力が向上して高い装置Ｓ／Ｎが得られ、大容量で高信頼性の磁気記憶装置を提供することができる。また、最尤復号法による信号処理回路を組み合わせるとさらに記録密度を向上でき、例えば、トラック密度１００ｋＴＰＩ以上、線記録密度１０００ｋｂｐＩ以上、１平方インチ当たり１００Ｇビット／インチ以上の記録密度で記録・再生する場合にも十分なＳ／Ｎが得られる。
【００２７】
より具体的には、図２に示すように磁気記録再生装置が構成される。図２に示すこの例の磁気記録再生装置Ｂは、上面側が開口した矩形箱状の筐体２１と、筐体２１の開口を塞ぐ図示略のトップカバーを有する。
筐体２１内には、上述の構成を有する磁気記録媒体２２、この磁気記録媒体２２を支持および回転させる駆動手段としてのスピンドルモータ２３、磁気記録媒体２２に対して磁気信号の記録および再生を行う磁気ヘッド２４（単磁極ヘッド）、磁気ヘッド２４を先端に搭載したサスペンションを有しかつ磁気ヘッド２４を磁気記録媒体２２に対して移動自在に支持するヘッドアクチュエータ２５、ヘッドアクチュエータ２５を回転自在に支持する回転軸２６、回転軸２６を介してヘッドアクチュエータ２５を回転および位置決めするボイスコイルモータ２７、ヘッドアンプ回路２８が収納されている。
【実施例】
【００２８】
「実施例１」
洗浄済みのＨＤ用ガラス基板（オハラ（株）製、外径０．８５インチ）をセットした真空チャンバをあらかじめ１．０×１０−５Ｐａ以下に真空排気した。さらに該基板上に６５Ｆｅ−２５Ｃｏ−１０Ｂ（ａｔ％）を加熱なしで５０ｎｍ、Ｒｕを０．８ｎｍ、ついで６５Ｆｅ−２５Ｃｏ−１０Ｂ（ａｔ％）を５０ｎｍ成膜し、軟磁性裏打ち層を形成した。
ついで、Ｒｕからなる配向制御膜を２０ｎｍ、６５Ｃｏ−１０Ｃｒ−１５Ｐｔ−１０ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）からなる酸化物グラニュラー記録層を１２ｎｍ、カーボンからなる保護膜を４ｎｍ形成した。
次に、保護膜まで形成した媒体を真空チャンバ内から取り出し、表面にレジストをスピンコートで塗布した。塗布した後に約１００℃の恒温槽で２０分焼成して余分な溶剤を除去した。
【００２９】
次にあらかじめ用意していたＮｉ製スタンパーを用いてインプリントを施して複数のサンプルを形成した。スタンパーは、トラックピッチ（Ｔｒａｃｋ  ｐｉｔｃｈ）１５０ｎｍの同心円状の凹溝が形成されたものとした。
次にこれらのサンプルを高真空チャンバ内にセットし、イオンビームエッチングを用いて同心円状の各凹溝（ガードバンド部に対応する円環溝）の部分の酸化物グラニュラー記録層を含む記録膜を除去した。
その後、ＲＦスパッタ法を用いてＳｉＯ２膜を堆積させた（即ち、各凹溝状のガードバンド部にＳｉＯ２を充填した）。ＳｉＯ２の平均膜厚は８０ｎｍになるように調整した。
更に、イオンビームエッチングを用いて各トラック部において酸化物グラニュラー記録層が露出したところまで表面平滑化をおこなった。最後に、ＣＶＤ法にてＤＬＣ膜を厚さ４ｎｍ形成し、潤滑材を２ｎｍ塗布して磁気記録媒体を作製した。このサンプルの磁気記録媒体を実施例１とする。
【００３０】
「比較例１〜３」
ガードバンド部の材料をＳｉ、Ｃｒ、Ｃｒ２Ｏ３を用いたこと以外は、上述の実施例１に準じて磁気記録媒体を作製した。
【００３１】
実施例１および比較例１〜３の磁気記録媒体を１００℃のオーブンに７２０時間投入した後でのＳＮＲと保磁力の変化を求めた試験結果を以下の表１に示す。
ＳＮＲの評価は、ＧＵＺＩＫ社製リードライトアナライザＲＷＡ１６３２、およびスピンスタンドＳ１７０１ＭＰを用い、書き込み部にシールディッドタイプヘッド、再生部にＧＭＲ素子を用いた磁気ヘッドを使用し、Ｓｐ−ｐを１６０ｋＦＣＩの、Ｎを９６０ｋＦＣＩでのｒｍｓ値（ｒｏｏｔ  ｍｅａｎ  ｓｑｕａｒｅ−ｉｎｃｈｅｓ）である。
【００３２】
【表１】
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【００３３】
表１の結果より、酸化物グラニュラー記録層とガードバンド部の酸化物の材料が同一のＳｉＯ２である実施例１の磁気記録媒体はＳＮＲ、保磁力とも経時変化がほとんどないことがわかる。一方、比較例１〜３の磁気記録媒体は、ＳＮＲが低下し、保磁力も低下しており、磁気記録媒体として好ましくないことがわかる。
【００３４】
「実施例２〜６」
酸化物グラニュラー記録層とガードバンド部の酸化物の材料を変えたこと以外は、前述の実施例１に準じて磁気記録媒体を作製した。その試験結果を表２に示す
【００３５】
【表２】
2006079805.tif 000004
【００３６】
表２に示す試験結果より、酸化物グラニュラー記録層とガードバンド部の酸化物の材料が同じである実施例２〜６の磁気記録媒体はＳＮＲ、保磁力とも経時変化がほとんどないことがわかる。
【００３７】
「実施例７、８」
酸化物グラニュラー記録層の組成を変えたこと以外は、実施例１に準じて磁気記録媒体を作製した。その試験結果を表３に示す。
【００３８】
【表３】
2006079805.tif 000005
【００３９】
表３に示す実施例７、８の結果から、酸化物グラニュラー記録層の組成（トラック部の組成）が、体積率で１７〜３９体積％の範囲である実施例７および８の磁気記録媒体は、特にＳＮＲ、保磁力とも経時変化が小さいことがわかる。このことから余裕を見て、酸化物の体積比が１５〜４０体積％の範囲であれば、ＳＮＲ、保磁力とも経時変化が小さくなる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】図１は本発明に係る磁気記録媒体の製造方法を示すもので、図１（Ａ）は基板上に記録層を形成した状態を示す断面図、図１（Ｂ）はレジストを形成した状態を示す断面図、図１（Ｃ）はスタンパーによりインプリントした状態を示す断面図、図１（Ｄ）はエッチングにより各部を除去した状態を示す断面図、図１（Ｅ）は堆積層を形成した状態を示す断面図、図１（Ｆ）は表面を平滑化した状態を示す断面図、図１（Ｇ）は保護層を形成した状態を示す断面図、図１（Ｈ）は潤滑層を形成した状態を示す断面図である。
【図２】図２は本発明に係る磁気記録再生装置の一例を示す構成図である。
【符号の説明】
【００４１】
１…非磁性基板、２…軟磁性裏打ち層、３…配向性御層、４…酸化物グラニュラー層、５…保護層、６…記録層、７…レジスト、８…媒体、９…スタンパー、１１…凹凸部、１１ａ…凸部、１１ｂ…凹溝、１２…堆積層、１４…ガードバンド部、１５…記録トラック部、１６…保護膜、１７…潤滑層、
【図１】
2006079805.tif 000006
【図２】
2006079805.tif 000007