(57)【要約】【課題】  非記録時において意図せずに情報が消去されることを抑制することが可能な薄膜磁気ヘッドを提供する。【解決手段】  エアベアリング面４０から後方の位置Ｐ１まで延在すると共に記録媒体の記録トラック幅を規定する一定幅Ｗ１を有する先端部１０Ａ１を含む前方主磁極層部分１０Ａと、位置Ｐ１よりも後退した位置Ｐ２から後方に向かって延在することにより前方主磁極層部分１０Ａから分離されると共にその前方主磁極層部分１０Ａのうちの先端部１０Ａ１の一定幅Ｗ１よりも大きな幅Ｗ４を有する後方主磁極層部分１０Ｂとを含むように主磁極層１０を構成する。前方主磁極層部分１０Ａの形状磁気異方性に基づいて、非記録時において不要な磁束が漏洩しにくくなるように前方主磁極層部分１０Ａの磁区構造が適正化される。【選択図】    図３
2006147058.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁束を発生させる薄膜コイルと、
媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在すると共に前記薄膜コイルにおいて発生した磁束を放出することにより前記記録媒体をその表面と直交する方向に磁化させるための磁界を発生させる主磁極層を含み、その主磁極層が、前記記録媒体対向面から後方の第１の位置まで延在すると共に前記記録媒体の記録トラック幅を規定する一定幅を有する一定幅部分を含む第１の主磁極層部分と、前記第１の位置よりも後退した第２の位置から後方に向かって延在することにより前記第１の主磁極層部分から分離されると共にその第１の主磁極層部分の前記一定幅よりも大きな幅を有する第２の主磁極層部分と、を含む磁極層と、を備えた
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記第１の主磁極層部分の幅が、その第１の主磁極層部分の長さ以上となっている
ことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記第１の主磁極層部分が、さらに、前記一定幅部分の後方に連結されると共にその一定幅部分の一定幅からその一定幅よりも大きな幅まで次第に幅が拡がる拡幅部分を含んでいる
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記第１の主磁極層部分が、さらに、前記拡幅部分の後方に連結されると共にその拡幅部分の最大幅以上の一定幅を有する幅広部分を含んでいる
ことを特徴とする請求項３記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記第１の主磁極層部分のうちの前記幅広部分の幅が、前記第２の主磁極層部分の幅以下となっている
ことを特徴とする請求項４記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
前記第２の主磁極層部分の幅が、その第２の主磁極層部分の長さ以上となっている
ことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
前記第２の主磁極層部分が、前記第２の位置から後方に向かって連続的に延在する連続構造を有している
ことを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
前記第２の主磁極層部分が、前記第２の位置から後方に向かって断続的に延在する断続構造を有している
ことを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】
前記磁極層が、さらに、前記記録媒体対向面と前記第１の位置との間の第３の位置から前記第２の位置を経由して後方に向かって延在すると共に前記主磁極層に積層されることにより連結された補助磁極層を含んでいる
ことを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１０】
前記磁極層が、前記媒体進行方向側と反対側に前記補助磁極層が配置され、かつ前記媒体進行方向側に前記主磁極層が配置された積層構造を有している
ことを特徴とする請求項９記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１１】
前記磁極層が、前記媒体進行方向側に前記補助磁極層が配置され、かつ前記媒体進行方向側と反対側に前記主磁極層が配置された積層構造を有している
ことを特徴とする請求項９記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１２】
さらに、前記磁極層の前記媒体進行方向側に配置され、前記記録媒体対向面から後方に向かって延在することによりその記録媒体対向面に近い側においてギャップ層により前記磁極層から隔てられると共に遠い側においてバックギャップを通じて前記磁極層に連結された磁気遮蔽層を備えた
ことを特徴とする請求項１ないし請求項１１のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１３】
記録媒体と、その記録媒体に磁気的処理を施す薄膜磁気ヘッドと、を搭載し、
その薄膜磁気ヘッドが、
磁束を発生させる薄膜コイルと、
媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在すると共に前記薄膜コイルにおいて発生した磁束を放出することにより前記記録媒体をその表面と直交する方向に磁化させるための磁界を発生させる主磁極層を含み、その主磁極層が、前記記録媒体対向面から後方の第１の位置まで延在すると共に前記記録媒体の記録トラック幅を規定する一定幅を有する一定幅部分を含む第１の主磁極層部分と、前記第１の位置よりも後退した第２の位置から後方に向かって延在することにより前記第１の主磁極層部分から分離されると共にその第１の主磁極層部分の前記一定幅よりも大きな幅を有する第２の主磁極層部分と、を含む磁極層と、を備えた
ことを特徴とする磁気記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、少なくとも記録用の誘導型磁気変換素子を備えた薄膜磁気ヘッド、ならびに薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気記録装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、例えばハードディスクなどの磁気記録媒体（以下、単に「記録媒体」という。）の面記録密度の向上に伴い、例えばハードディスクドライブなどの磁気記録装置に搭載される薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められている。この薄膜磁気ヘッドの記録方式としては、例えば、信号磁界の向きを記録媒体の面内方向（長手方向）に設定する長手記録方式や、信号磁界の向きを記録媒体の面と直交する方向に設定する垂直記録方式が知られている。現在のところは長手記録方式が広く利用されているが、記録媒体の面記録密度の向上に伴う市場動向を考慮すれば、今後は長手記録方式に代わり垂直記録方式が有望視されるものと想定される。なぜなら、垂直記録方式では、高い線記録密度を確保可能な上、記録済みの記録媒体が熱揺らぎの影響を受けにくいという利点が得られるからである。
【０００３】
垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドは、主に、記録用の磁束を発生させる薄膜コイルと、エアベアリング面から後方に向かって延在し、薄膜コイルにおいて発生した磁束を放出することにより記録媒体をその表面と直交する方向に磁化させるための磁界を発生させる磁極層とを備えている。この垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドでは、薄膜コイルが通電されることにより記録用の磁束が発生すると、磁極層の先端から磁束が放出されることにより記録用の磁界（垂直磁界）が発生するため、その垂直磁界に基づいて記録媒体の表面が磁化される。これにより、記録媒体に情報が磁気的に記録される。
【０００４】
この垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドの構造に関しては、既にいくつかの構造例が提案されている。具体的には、例えば、磁極層の磁束収容量（いわゆる磁気ボリューム）を補うために、その磁極層に大容積のヨーク層が積層されることにより連結された構造を有する薄膜磁気ヘッドが知られている（例えば、特許文献１，２参照。）。
【特許文献１】特開２００２−１９７６１３号公報
【特許文献２】特開２００４−１６４７１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドの作動特性を確保するためには、例えば、非記録時において意図せずに情報が消去されることを抑制する必要がある。この「非記録時における意図しない情報の消去」とは、非記録時、すなわち薄膜コイルが通電されていない状態（記録用の磁束が発生していない状態）において、磁極層中に残留している磁束（残留磁化）がエアベアリング面から漏洩することにより、記録媒体に記録済みの情報が意図せずに消去される記録性能上の不具合である。しかしながら、従来の薄膜磁気ヘッドでは、非記録時において意図せずに情報が消去されることを抑制する観点において十分な対策が施されていないため、その観点において未だ改善の余地がある。すなわち、垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドの作動特性を確保するためには、非記録時において意図せずに情報が消去されることを抑制することが可能な技術の確立が望まれるところである。
【０００６】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、非記録時において意図せずに情報が消去されることを抑制することが可能な薄膜磁気ヘッドおよび薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気記録装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、磁束を発生させる薄膜コイルと、媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在すると共に薄膜コイルにおいて発生した磁束を放出することにより記録媒体をその表面と直交する方向に磁化させるための磁界を発生させる主磁極層を含み、その主磁極層が、記録媒体対向面から後方の第１の位置まで延在すると共に記録媒体の記録トラック幅を規定する一定幅を有する一定幅部分を含む第１の主磁極層部分と、第１の位置よりも後退した第２の位置から後方に向かって延在することにより第１の主磁極層部分から分離されると共にその第１の主磁極層部分の一定幅よりも大きな幅を有する第２の主磁極層部分とを含む磁極層とを備えたものである。
【０００８】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドでは、記録媒体対向面から後方の第１の位置まで延在すると共に記録媒体の記録トラック幅を規定する一定幅を有する一定幅部分を含む第１の主磁極層部分と、第１の位置よりも後退した第２の位置から後方に向かって延在することにより第１の主磁極層部分から分離されると共にその第１の主磁極層部分の一定幅よりも大きな幅を有する第２の主磁極層部分とを含むように磁極層のうちの主磁極層が構成されている。この場合には、例えば、第１の主磁極層部分の幅がその第１の主磁極層部分の長さ以上となるように第１の主磁極層部分が構成されていれば、その第１の主磁極層部分の形状磁気異方性に基づいて、記録時における磁束の放出方向と交差する方向の磁化成分が支配的となるように第１の主磁極層部分の磁区構造が決定される。これにより、非記録時において不要な磁束が漏洩しにくくなるように主磁極層の磁区構造が適正化される。
【０００９】
本発明に係る磁気記録装置は、記録媒体と、その記録媒体に磁気的処理を施す薄膜磁気ヘッドとを搭載し、その薄膜磁気ヘッドが、磁束を発生させる薄膜コイルと、媒体進行方向に移動する記録媒体に対向する記録媒体対向面から後方に向かって延在すると共に薄膜コイルにおいて発生した磁束を放出することにより記録媒体をその表面と直交する方向に磁化させるための磁界を発生させる主磁極層を含み、その主磁極層が、記録媒体対向面から後方の第１の位置まで延在すると共に記録媒体の記録トラック幅を規定する一定幅を有する一定幅部分を含む第１の主磁極層部分と、第１の位置よりも後退した第２の位置から後方に向かって延在することにより第１の主磁極層部分から分離されると共にその第１の主磁極層部分の一定幅よりも大きな幅を有する第２の主磁極層部分とを含む磁極層とを備えたものである。
【００１０】
本発明に係る磁気記録装置では、上記した薄膜磁気ヘッドを搭載しているため、その薄膜磁気ヘッドにおいて、非記録時において不要な磁束が漏洩しにくくなるように主磁極層の磁区構造が適正化される。
【００１１】
特に、本発明に係る薄膜磁気ヘッドでは、第１の主磁極層部分が、さらに、一定幅部分の後方に連結されると共にその一定幅部分の一定幅からその一定幅よりも大きな幅まで次第に幅が拡がる拡幅部分を含んでいるのが好ましい。この場合には、第１の主磁極層部分が、さらに、拡幅部分の後方に連結されると共にその拡幅部分の最大幅以上の一定幅を有する幅広部分を含んでいてもよい。この第１の主磁極層部分のうちの幅広部分の幅は、第２の主磁極層部分の幅以下となっているのが好ましい。
【００１２】
また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドでは、第２の主磁極層部分の幅がその第２の主磁極層部分の長さ以上となっているのが好ましい。この場合には、第２の主磁極層部分が、第２の位置から後方に向かって連続的に延在する連続構造を有していてもよいし、あるいは第２の位置から後方に向かって断続的に延在する断続構造を有していてもよい。
【００１３】
また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドでは、磁極層が、さらに、記録媒体対向面と第１の位置との間の第３の位置から第２の位置を経由して後方に向かって延在すると共に主磁極層に積層されることにより連結された補助磁極層を含んでいるのが好ましい。この場合には、磁極層が、媒体進行方向側と反対側に補助磁極層が配置され、かつ媒体進行方向側に主磁極層が配置された積層構造を有していてもよいし、あるいは媒体進行方向側に補助磁極層が配置され、かつ媒体進行方向側と反対側に主磁極層が配置された積層構造を有していてもよい。
【００１４】
また、本発明に係る薄膜磁気ヘッドでは、さらに、磁極層の媒体進行方向側に配置され、記録媒体対向面から後方に向かって延在することによりその記録媒体対向面に近い側においてギャップ層により磁極層から隔てられると共に遠い側においてバックギャップを通じて磁極層に連結された磁気遮蔽層を備えていてもよい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドによれば、磁極層のうちの主磁極層が、記録媒体対向面から後方の第１の位置まで延在すると共に記録媒体の記録トラック幅を規定する一定幅を有する一定幅部分を含む第１の主磁極層部分と、第１の位置よりも後退した第２の位置から後方に向かって延在することにより第１の主磁極層部分から分離されると共にその第１の主磁極層部分の一定幅よりも大きな幅を有する第２の主磁極層部分とを含んで構成されている構造的特徴に基づき、例えば、第１の主磁極層部分の幅がその第１の主磁極層部分の長さ以上となるように第１の主磁極層部分が構成されていれば、非記録時において不要な磁束が漏洩しにくくなるように主磁極層の磁区構造が適正化されるため、非記録時において意図せずに情報が消去されることを抑制することができる。
【００１６】
本発明に係る磁気記録装置によれば、上記した薄膜磁気ヘッドを搭載している構造的特徴に基づき、その薄膜磁気ヘッドにおいて非記録時において不要な磁束が漏洩しにくくなるように主磁極層の磁区構造が適正化されるため、主磁極層の磁区構造が適正化された薄膜磁気ヘッドを搭載し、非記録時において意図せずに情報が消去されることを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１８】
まず、図１および図２を参照して、本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成について説明する。図１および図２は薄膜磁気ヘッドの構成を表しており、図１は全体の断面構成を示し、図２は主要部の平面構成（Ｚ軸方向から見た平面構成）を示している。図１のうち、（Ａ）はエアベアリング面に平行な断面構成（ＸＺ面に沿った断面構成）を示し、（Ｂ）はエアベアリング面に垂直な断面構成（ＹＺ面に沿った断面構成）を示している。なお、図１に示した上向きの矢印Ｍは、薄膜磁気ヘッドに対して記録媒体（図示せず）が相対的に移動する方向（媒体進行方向）を示している。
【００１９】
以下の説明では、図１および図２に示したＸ軸方向の寸法を「幅」、Ｙ軸方向の寸法を「長さ」、Ｚ軸方向の寸法を「厚さ」とそれぞれ表記する。また、Ｙ軸方向のうちのエアベアリング面に近い側を「前方」、その反対側を「後方」と表記する。これらの表記内容は、後述する図３以降においても同様とする。
【００２０】
この薄膜磁気ヘッドは、媒体進行方向Ｍに移動する例えばハードディスクなどの記録媒体に磁気的処理を施すために、例えばハードディスクドライブなどの磁気記録装置に搭載されるものである。具体的には、薄膜磁気ヘッドは、例えば、磁気的処理として記録処理および再生処理の双方を実行可能な複合型ヘッドであり、図１に示したように、例えばアルティック（Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣ）などのセラミック材料により構成された基板１上に、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ；以下、単に「アルミナ」という。）などの非磁性絶縁性材料により構成された絶縁層２と、磁気抵抗効果（ＭＲ；Magneto-resistive effect）を利用して再生処理を実行する再生ヘッド部１００Ａと、例えばアルミナなどの非磁性絶縁性材料により構成された分離層７と、垂直記録方式の記録処理を実行するシールド型の記録ヘッド部１００Ｂと、例えばアルミナなどの非磁性絶縁性材料により構成されたオーバーコート層１７とがこの順に積層された積層構造を有している。
【００２１】
再生ヘッド部１００Ａは、例えば、下部リードシールド層３と、シールドギャップ膜４と、上部リードシールド層５とがこの順に積層された積層構造を有している。このシールドギャップ膜４には、記録媒体に対向する記録媒体対向面（エアベアリング面）４０に一端面が露出するように、再生素子としてのＭＲ素子６が埋設されている。
【００２２】
下部リードシールド層３および上部リードシールド層５は、いずれもＭＲ素子６を周辺から磁気的に分離するものであり、エアベアリング面４０から後方に向かって延在している。この下部リードシールド層３は、例えば、ニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ（例えばＮｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）；以下、単に「パーマロイ（商品名）」という。）などの磁性材料により構成されており、その厚さは約１．０μｍ〜２．０μｍである。上部リードシールド層５は、例えば、パーマロイなどの磁性材料により構成された上部リードシールド層部分５Ａと、ルテニウム（Ｒｕ）やアルミナなどの非磁性材料により構成された非磁性層５Ｂと、パーマロイなどの磁性材料により構成された上部リードシールド層部分５Ｃとがこの順に積層された積層構造（３層構造）を有している。なお、上部リードシールド層５は、必ずしも積層構造を有している必要はなく、単層構造を有していてもよい。
【００２３】
シールドギャップ膜４は、ＭＲ素子６を周辺から電気的に分離するものであり、例えばアルミナなどの非磁性絶縁性材料により構成されている。
【００２４】
ＭＲ素子６は、例えば、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ；Giant Magneto-resistive effect）またはトンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ；Tunneling Magneto-resistive effect）などを利用して磁気的処理（再生処理）を実行するものである。
【００２５】
記録ヘッド部１００Ｂは、例えば、絶縁層９，１１により周囲を埋設された磁極層２０と、磁気連結用の開口（バックギャップ１２ＢＧ）が設けられたギャップ層１２と、絶縁層１５により被覆された薄膜コイル１４と、ライトシールド層３０とがこの順に積層された積層構造を有している。なお、図２では、薄膜磁気ヘッドのうちの主要部として、記録ヘッド部１００Ｂのうちの薄膜コイル１４、磁極層２０およびライトシールド層３０のみを抜粋して示している。
【００２６】
磁極層２０は、薄膜コイル１４において発生した記録用の磁束を収容し、その磁束を記録媒体に向けて放出することにより磁気的処理（記録処理）を実行するものであり、より具体的には、垂直記録方式の記録処理として、記録用の磁束を放出することにより記録媒体をその表面と直交する方向に磁化させるための磁界（垂直磁界）を発生させるものである。この磁極層２０は、薄膜コイル１４に対してリーディング側に配置されており、エアベアリング面４０から後方に向かって延在し、具体的にはギャップ層１２に設けられたバックギャップ１２ＢＧに対応する位置まで延在している。この「リーディング側」とは、図１に示した媒体進行方向Ｍに向かって移動する記録媒体の移動状態を１つの流れと見た場合に、その流れの流入する側（媒体進行方向Ｍ側と反対側）をいい、ここでは厚さ方向（Ｚ軸方向）における下側をいう。これに対して、流れの流出する側（媒体進行方向Ｍ側）は「トレーリング側」と呼ばれ、ここでは厚さ方向における上側をいう。
【００２７】
この磁極層２０は、例えば、図１に示したように、絶縁層９により周囲を埋設された補助磁極層８と、絶縁層１１により周囲を埋設された主磁極層１０とがこの順に積層された積層構造を有しており、すなわちリーディング側に補助磁極層８が配置され、かつトレーリング側に主磁極層１０が配置された２層構造を有している。
【００２８】
補助磁極層８は、主要な磁束の収容部分として機能するものであり、主磁極層１０に積層されることにより連結されている。この「連結」とは、磁気的に導通可能に連結されていることを意味しており、この「連結」の意味するところは、以降の説明においても同様である。この補助磁極層８は、例えば、エアベアリング面４０よりも後退した位置から後方に向かって延在し、具体的にはバックギャップ１２ＢＧに対応する位置まで延在しており、パーマロイや鉄コバルト系合金などの高飽和磁束密度を有する磁性材料により構成されている。この鉄コバルト系合金としては、例えば、鉄コバルト合金（ＦｅＣｏ）や鉄コバルトニッケル合金（ＦｅＣｏＮｉ）などが挙げられる。特に、補助磁極層８は、例えば、非記録時において意図せずに情報が消去されることを抑制する観点において磁区構造を適正化することを考慮すれば、相対的に高い磁歪定数λ（λ＞約１０×１０-6）を有する鉄コバルトニッケル合金（飽和磁束密度Ｂｓ＝２．３Ｔ）や鉄ニッケル合金（飽和磁束密度Ｂｓ＝２．０Ｔ）などの磁性材料よりも、相対的に低い磁歪定数λ（λ≦約１０×１０-6）を有するパーマロイ（飽和磁束密度Ｂｓ＝１．０Ｔ）や鉄ニッケルコバルト合金（飽和磁束密度Ｂｓ＝１．８Ｔ）などの磁性材料により構成されているのが好ましい。なお、補助磁極層８の詳細な構成に関しては、後述する（後述する図３参照）。
【００２９】
主磁極層１０は、主要な磁束の放出部分として機能するものであり、補助磁極層８に積層されることにより連結されている。この主磁極層１０は、例えば、エアベアリング面４０から後方に向かって延在し、具体的にはバックギャップ１２ＢＧに対応する位置まで延在しており、補助磁極層８と同様に、パーマロイや鉄コバルト系合金などの高飽和磁束密度を有する磁性材料により構成されている。特に、主磁極層１０は、エアベアリング面４０に露出した露出面１０Ｍを有しており、その露出面１０Ｍは、例えば、図１（Ａ）に示したように、トレーリング側に位置する端縁（図１（Ａ）中の上側に位置する端縁；いわゆるトレーリングエッジ）を互いに対向する２つの対辺のうちの長い方の対辺（上底）とし、かつリーディング側に位置する端縁（図１（Ａ）中の下側に位置する端縁：いわゆるリーディングエッジ）を互いに対向する２つの対辺のうちの短い方の対辺（下底）とする左右対象の逆台形状を有している。なお、主磁極層１０の詳細な構成に関しては、後述する（後述する図３参照）。
【００３０】
絶縁層９は、補助磁極層８を周囲から電気的に分離するものであり、例えば、アルミナなどの非磁性絶縁性材料により構成されている。また、絶縁層１１は、主磁極層１０を周囲から電気的に分離するものであり、例えば、絶縁層９と同様にアルミナなどの非磁性絶縁性材料により構成されている。
【００３１】
ギャップ層１２は、磁極層２０とライトシールド層３０との間を磁気的に分離するためのギャップを構成するものである。このギャップ層１２は、例えば、アルミナなどの非磁性絶縁性材料やルテニウム（Ｒｕ）などの非磁性導電性材料により構成されており、その厚さは約４０．０ｎｍである。
【００３２】
薄膜コイル１４は、記録用の磁束を発生させるものであり、例えば、銅（Ｃｕ）などの高導電性材料により構成されている。この薄膜コイル１４は、例えば、図１および図２に示したように、バックギャップ１２ＢＧを中心として巻回された巻線構造（スパイラル構造）を有している。なお、図１および図２では、薄膜コイル１４を構成している複数の巻線のうちの一部のみを示している。
【００３３】
絶縁層１５は、薄膜コイル１４を被覆して周辺から電気的に分離するものであり、バックギャップ１２ＢＧを塞がないようにギャップ層１２上に配置されている。この絶縁層１５は、例えば、加熱されることにより流動性を示すフォトレジスト（感光性樹脂）やスピンオングラス（ＳＯＧ；Spin On Glass ）などの非磁性絶縁性材料により構成されており、絶縁層１５の端縁近傍部分は、その端縁に向けて落ち込むように丸みを帯びた斜面を構成している。この絶縁層１５の最前端（エアベアリング面４０に最も近い端縁）の位置は、薄膜磁気ヘッドの記録性能を決定する重要な因子のうちの他の１つである「スロートハイトゼロ位置ＴＰ」であり、エアベアリング面４０とスロートハイトゼロ位置ＴＰとの間の距離は、いわゆる「スロートハイトＴＨ」である。なお、図１および図２では、例えば、スロートハイトゼロ位置ＴＰがフレアポイントＦＰに一致している場合を示している。
【００３４】
ライトシールド層３０は、磁極層２０から放出された磁束の広がり成分を取り込むことにより、その磁束の広がりを抑制させる磁気遮蔽層である。特に、ライトシールド層３０は、例えば、上記したように磁束の広がりを抑制させる機能と共に、磁極層２０から記録媒体に向けて磁束が放出された際に、記録媒体を経由した（記録処理に利用された）磁束を回収することにより磁極層２０へ再供給し、すなわち薄膜磁気ヘッドと記録媒体との間で磁束を循環させる機能を有している。このライトシールド層３０は、薄膜コイル１４のトレーリング側、すなわち磁極層２０のトレーリング側に配置されており、エアベアリング面４０から後方に向かって延在することによりそのエアベアリング面４０に近い側においてギャップ層１２により磁極層２０から隔てられると共に遠い側においてバックギャップ１２ＢＧを通じて磁極層２０に連結されている。
【００３５】
特に、ライトシールド層３０は、例えば、互いに別体として構成された２つの構成要素、すなわち主要な磁束の取り込み口として機能するＴＨ規定層１３と、そのＴＨ規定層１３から取り込まれた磁束の流路として機能するヨーク層１６とを含んで構成されている。ＴＨ規定層１３は、ギャップ層１２に隣接しながら、エアベアリング面４０からそのエアベアリング面４０とバックギャップ１２ＢＧとの間の位置、具体的にはエアベアリング面４０と薄膜コイル１４との間の位置まで延在している。このＴＨ規定層１３は、例えば、パーマロイや鉄コバルト系合金などの高飽和磁束密度を有する磁性材料により構成されており、例えば、図２に示したように、幅Ｗ５を有する矩形状の平面形状を有している。このＴＨ規定層１３には、薄膜コイル１４を埋設している絶縁層１５が隣接しており、すなわちＴＨ規定層１３は、絶縁層１５の最前端位置（スロートハイトゼロ位置ＴＰ）を規定することによりスロートハイトＴＨを規定する役割を担っている。一方、ヨーク層１６は、絶縁層１５を覆うようにエアベアリング面４０からバックギャップ１２ＢＧに対応する位置まで延在しており、前方においてＴＨ規定層１３に乗り上げて連結されていると共に後方においてバックギャップ１２ＢＧを通じて磁極層２０に隣接して連結されている。このヨーク層１６は、例えば、ＴＨ規定層１３と同様に、パーマロイや鉄コバルト系合金などの高飽和磁束密度を有する磁性材料により構成されており、図２に示したように、ＴＨ規定層１３と同様に幅Ｗ５を有する矩形状の平面形状を有している。
【００３６】
次に、図１〜図３を参照して、補助磁極層８および主磁極層１０の詳細な構成について説明する。図３は、補助磁極層８および主磁極層１０の平面構成を表しており、図２に対応している。
【００３７】
主磁極層１０は、例えば、図３示したように、途中で分断された略羽子板型の平面形状を有している。すなわち、主磁極層１０は、例えば、エアベアリング面４０から後方の位置Ｐ１（第１の位置）まで延在する前方主磁極層部分１０Ａ（第１の主磁極層部分）と、位置Ｐ１よりも後退した位置Ｐ２（第２の位置）から後方に向かって延在することにより前方主磁極層部分１０Ａから分離された後方主磁極層部分１０Ｂ（第２の主磁極層部分）とを含んで構成されている。この「後方主磁極層部分１０Ｂが前方主磁極層部分１０Ａから分離されている」とは、前方主磁極層部分１０Ａと後方主磁極層部分１０Ｂとが同一階層中において物理的に連結されておらず、すなわち後方主磁極層部分１０Ｂが空間Ｓを隔てて前方主磁極層部分１０Ａから隔てられている、という意味である。前方主磁極層部分１０Ａと後方主磁極層部分１０Ｂとの間の距離、すなわち空間Ｓに基づいて規定される分離距離ＬＳは、約０．５μｍ〜３．０μｍである。なお、空間Ｓには、図１に示したように、絶縁層１１の一部が埋設されている。
【００３８】
前方主磁極層部分１０Ａは、薄膜コイル１４において発生した記録用の磁束を実質的に記録媒体に向けて放出する部分であり、例えば、図３に示したように、略羽子板型の平面形状を有していると共に、全体として長さＬ１２３を有している。具体的には、前方主磁極層部分１０Ａは、エアベアリング面４０から後方に向かって順に、記録媒体の記録トラック幅を規定する一定幅Ｗ１を有する先端部１０Ａ１（一定幅部分）と、その先端部１０Ａ１の後方に連結されると共に先端部１０Ａ１の一定幅Ｗ１からその一定幅Ｗ１よりも大きな幅Ｗ２（Ｗ２＞Ｗ１）まで次第に幅が拡がる中間部１０Ａ２（拡幅部分）と、その中間部１０Ａ２の後方に連結されると共に中間部１０Ａ２の最大幅Ｗ２以上の一定幅Ｗ３（Ｗ３≧Ｗ２）を有する後端部１０Ａ３（幅広部分）とを含み、これらの先端部１０Ａ１、中間部１０Ａ２および後端部１０Ａ３が一体化された構造を有している。この前方主磁極層部分１０Ａでは、例えば、後端部１０Ａ３が位置Ｐ１まで延在しており、すなわち後端部１０Ａ３が位置Ｐ１において終端している。この後端部１０Ａ３の幅Ｗ３は、例えば、後述する後方主磁極層部分１０Ｂの幅Ｗ４以下となっている（Ｗ３≦Ｗ４）。ここでは、例えば、後端部１０Ａ３の幅Ｗ３が、中間部１０Ａ２の最大幅Ｗ２および後方主磁極層部分１０Ｂの幅Ｗ４の双方に等しくなっていると共に（Ｗ３＝Ｗ２，Ｗ４）、ライトシールド層３０（ＴＨ規定層１３，ヨーク層１６）の幅Ｗ５よりも小さくなっている（Ｗ３＜Ｗ５）。特に、前方主磁極層部分１０Ａの幅（最大幅）Ｗ３は、例えば、その前方主磁極層部分１０Ａの長さＬ１２３以上となっており（Ｗ３≧Ｌ１２３）、すなわち前方主磁極層部分１０Ａは、全体として横長の（Ｙ軸方向よりもＸ軸方向において長い）平面形状を有している。この前方主磁極層部分１０Ａの幅が先端部１０Ａ１（幅Ｗ１）から中間部１０Ａ２（最大幅Ｗ２）へ拡がる位置、すなわち主磁極層１０の幅が記録媒体の記録トラック幅を規定する幅Ｗ１から拡がり始める位置は、薄膜磁気ヘッドの記録性能を決定する重要な因子のうちの１つである「フレアポイントＦＰ」である。
【００３９】
後方主磁極層部分１０Ｂは、薄膜コイル１４において発生した記録用の磁束を収容することにより前方主磁極層部分１０Ａに供給する部分であり、例えば、図３に示したように、前方主磁極層部分１０Ａのうちの先端部１０Ａ１の一定幅Ｗ１よりも大きな幅Ｗ４（Ｗ４＞Ｗ１）および長さＬ４を有する矩形型の平面形状を有している。ここでは、例えば、後方主磁極層部分１０Ｂの幅Ｗ４が、前方主磁極層部分１０Ａのうちの後端部１０Ａ３の幅Ｗ３に等しくなっていると共に（Ｗ４＝Ｗ３）、ライトシールド層３０（ＴＨ規定層１３，ヨーク層１６）の幅Ｗ５よりも小さくなっている（Ｗ４＜Ｗ５）。この後方主磁極層部分１０Ｂの幅Ｗ４は、例えば、その後方主磁極層部分１０Ｂの長さＬ４以上となっており（Ｗ４≧Ｌ４）、すなわち後方主磁極層部分１０Ｂは、概ね横長（Ｙ軸方向よりもＸ軸方向において長い矩形（長方形）型）の平面形状を有している。特に、後方主磁極層部分１０Ｂは、例えば、位置Ｐ２から後方に向かって連続的に延在する連続構造を有している。この「連続構造」とは、延在範囲内において分断されない（切れ目がない）ように延在している構造、という意味である。
【００４０】
補助磁極層８は、主磁極層１０のうちの後方主磁極層部分１０Ｂに収容された記録用の磁束を前方主磁極層部分１０Ａに供給するものである。この補助磁極層８は、例えば、図３に示したように、エアベアリング面４０よりも後退した位置、具体的にはエアベアリング面４０と位置Ｐ１との間の位置Ｐ３（第３の位置）から位置Ｐ２を経由して後方に向かって延在していると共に、幅Ｗ０を有する縦長（Ｘ軸方向よりもＹ軸方向において長い矩形（長方形）型）の平面形状を有している。この補助磁極層８の幅Ｗ０は、例えば、主磁極層１０のうちの前方主磁極層部分１０Ａの幅（最大幅）Ｗ３および後方主磁極層部分１０Ｂの幅Ｗ４の双方よりも小さくなっている（Ｗ０＜Ｗ３，Ｗ４）。特に、補助磁極層８は、位置Ｐ１よりも前方および位置Ｐ２よりも後方の双方において主磁極層１０（前方主磁極層部分１０Ａ，後方主磁極層部分１０Ｂ）と部分的に重なり合っており、その補助磁極層８と前方主磁極層部分１０Ａとが互いに重なり合う部分の重なり距離ＬＰ、すなわち位置Ｐ３と位置Ｐ１との間の距離は、約０．５μｍ〜２．０μｍである。
【００４１】
次に、図１〜図３を参照して、薄膜磁気ヘッドの動作について説明する。
【００４２】
この薄膜磁気ヘッドでは、情報の記録時において、図示しない外部回路から記録ヘッド部１００Ｂのうちの薄膜コイル１４に電流が流れると、その薄膜コイル１４において記録用の磁束が発生する。このとき発生した磁束は、磁極層２０（補助磁極層８，主磁極層１０（前方主磁極層部分１０Ａ，後方主磁極層部分１０Ｂ））に収容されたのち、その磁極層２０内を前方主磁極層部分１０Ａのうちの先端部１０Ａ１へ向けて流れる。この際、磁極層２０の内部を後方主磁極層部分１０Ｂから前方主磁極層部分１０Ａに流れる磁束のうち、一部の磁束は後方主磁極層部分１０Ｂから補助磁極層８を経由することにより前方主磁極層部１０Ａに間接的に流入し、残りの磁束は後方主磁極層部分１０Ｂから空間Ｓを経由することにより前方主磁極層部分１０Ａに直接的に流入する。しかも、磁極層２０の内部を流れる磁束は、その磁極層２０の幅の減少に伴い、フレアポイントＦＰにおいて絞り込まれて集束するため、先端部１０Ａ１のうちの露出面１０Ｍにおいてトレーリングエッジ近傍に集中する。このトレーリングエッジ近傍に集中した磁束が外部へ放出されると、記録媒体の表面と直交する方向（垂直方向）に記録用の磁界（垂直磁界）が発生することにより、その垂直磁界に基づいて記録媒体が垂直方向に磁化されるため、記録媒体に情報が磁気的に記録される。なお、情報の記録時には、先端部１０Ａ１から放出された磁束の広がり成分がライトシールド層３０に取り込まれるため、その磁束の広がりが抑制される。このライトシールド層３０に取り込まれた磁束は、バックギャップ１２ＢＧを通じて磁極層２０に環流される。
【００４３】
一方、情報の再生時においては、再生ヘッド部１００ＡのＭＲ素子６にセンス電流が流れると、記録媒体に基づく再生用の信号磁界に応じてＭＲ素子６の抵抗値が変化する。このＭＲ素子６の抵抗変化がセンス電流の変化として検出されるため、記録媒体に記録されている情報が磁気的に再生される。
【００４４】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、エアベアリング面４０から後方の位置Ｐ１まで延在すると共に記録媒体の記録トラック幅を規定する一定幅Ｗ１を有する先端部１０Ａ１を含む前方主磁極層部分１０Ａと、位置Ｐ１よりも後退した位置Ｐ２から後方に向かって延在することにより前方主磁極層部分１０Ａから分離されると共にその前方主磁極層部分１０Ａのうちの先端部１０Ａ１の一定幅Ｗ１よりも大きな幅Ｗ４を有する後方主磁極層部分１０Ｂとを含むように主磁極層１０を構成したので、以下の理由により、非記録時において意図せずに情報が消去されることを抑制することができる。
【００４５】
図４は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドに対する比較例としての薄膜磁気ヘッドの構成を説明するためのものであり、図３に対応している。図５は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドに関する主磁極層の磁区構造を説明するためのものであり、図３に対応している。図６は、比較例の薄膜磁気ヘッドに関する主磁極層の磁区構造を説明するためのものであり、図４に対応している。
【００４６】
この比較例の薄膜磁気ヘッドは、図４に示したように、磁極層２０が主磁極層１０（前方主磁極層部分１０Ａ，後方主磁極層部分１０Ｂ）に代えて主磁極層１００を含んでいる点を除き、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド（図１〜図３参照）と同様の構成を有している。この主磁極層１００は、エアベアリング面４０から後方に向かって順に、一定幅Ｗ１０１（Ｗ１０１＝Ｗ１）を有する先端部１０１と、その先端部１０１の後方に連結されると共に幅Ｗ１０１からその幅Ｗ１０１よりも大きな幅Ｗ１０２（Ｗ１０２＞Ｗ１０１，Ｗ１０２＝Ｗ２，Ｗ３）まで次第に幅が拡がる中間部１０２と、その中間部１０２の後方に連結されると共に幅Ｗ１０２に等しい幅Ｗ１０３（Ｗ１０３＝Ｗ１０２）を有する後端部１０３とを含み、これらの先端部１０１、中間部１０２および後端部１０３が一体化された構造を有しており、すなわちエアベアリング面４０から後方に向かって連続的に延在する連続構造を有している。
【００４７】
比較例の薄膜磁気ヘッドでは、図４に示したように、エアベアリング面４０から後方に向かって連続的に延在する連続構造を有している主磁極層１００の構造的要因に起因して、その主磁極層１００が全体として縦長（Ｘ軸よりもＹ軸方向において長い矩形型）の平面形状を有しているため、その縦長の主磁極層１００の形状磁気異方性に基づいて磁区構造が決定される。具体的には、例えば、図６に示したように、主磁極層１００の磁区構造中において、Ｘ軸に平行な磁化成分１００Ｘの占有割合よりもＹ軸方向に平行な磁化成分１００Ｙの占有割合が大きくなり、すなわち記録時における磁束の放出方向（Ｙ軸方向）と平行な方向の磁化成分１００Ｙが支配的となるように主磁極層１００の磁区構造が決定される。
【００４８】
この場合には、情報の記録時において主磁極層１００から記録媒体（図示せず）に向けて記録用の磁束が供給されたのち、情報の記録後において主磁極層１００から記録媒体への記録用の磁束の供給が中断された場合に、磁化成分１００Ｙが支配的な主磁極層１００の磁区構造に起因して、その主磁極層１００中に残留している磁束（残留磁化）が非記録時において不要な磁束として外部へ漏洩しやすくなる。しかも、この場合には、主磁極層１００の磁区構造中において、先端部１０１における不要な磁束の漏洩しやすさ、すなわち磁束の放出部分である先端部１０１において不要な磁束が漏洩する程度（例えば漏洩量や漏洩頻度等）を考慮したときに、その不要な磁束の漏洩しやすさに大きな影響を及ぼす特定の磁区の占有面積が大きくなると共に、その特定の磁区の磁化方向が磁化成分１００Ｘの磁化方向よりも磁化成分１００Ｙの磁化方向に向きやすくなるため、主磁極層１００から不要な磁束が漏洩する可能性が高くなる。この「特定の磁区」とは、主磁極層１００中の複数の磁区のうち、先端部１０１の近傍に位置すると共に磁束の放出方向に近い方向に磁化された磁区であり、具体的には図６中において網掛けを施すことにより特定した磁区である。これにより、不要な磁束に基づいて不要な磁界が発生しやすくなるため、記録媒体に記録済みの情報が意図せずに消去されやすくなる。したがって、比較例の薄膜磁気ヘッドでは、不要な磁束に起因して記録媒体に記録済みの情報が意図せずに消去されることを抑制する観点において、主磁極層１００の磁区構造が適性化されないため、その主磁極層１００の磁区構造を適正化することにより、非記録時において意図せずに情報が消去されることを抑制することが困難である。
【００４９】
これに対して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、図３に示したように、主磁極層１０が前方主磁極層部分１０Ａおよびその前方主磁極層部分１０Ａから分離された後方主磁極層部分１０Ｂを含んで構成されており、すなわち図４に示した主磁極層１００を後端部１０３の途中において分断した構造に対応する構造を有している主磁極層１０の構造的特徴に基づいて、その主磁極層１００のうちの実質的な磁束の放出部分である前方主磁極層部分１０Ａが横長（Ｙ軸よりもＸ軸方向において長い矩形型）の平面形状を有しており、具体的には前方主磁極層部分１０Ａの幅（最大幅）Ｗ３がその前方主磁極層部分１０Ａの長さＬ１２３以上となっているため（Ｗ３≧Ｌ１２３）、その横長の前方主磁極層部分１０Ａの形状磁気異方性に基づいて磁区構造が決定される。具体的には、例えば、図５に示したように、前方主磁極層部分１０Ａの磁区構造中において、Ｙ軸に平行な磁化成分１０Ｙの占有割合よりもＸ軸方向に平行な磁化成分１０Ｘの占有割合が大きくなり、すなわち記録時における磁束の放出方向（Ｙ軸方向）と交差する方向の磁化成分１０Ｘが支配的となるように前方主磁極層部分１０Ａの磁区構造が決定される。
【００５０】
この場合には、情報の記録時において主磁極層１０から記録媒体に向けて記録用の磁束が供給されたのち、情報の記録後において主磁極層１０から記録媒体への記録用の磁束の供給が中断された場合に、磁化成分１０Ｘが支配的な前方主磁極層部分１０Ａの磁区構造に基づいて、その前方主磁極層部分１０Ａ中に残留している磁束が非記録時において不要な磁束として外部へ漏洩しにくくなる。しかも、この場合には、前方主磁極層部分１０Ａの磁区構造中において、先端部１０Ａ１における不要な磁束の漏洩しやすさを考慮したときに、その不要な磁束の漏洩しやすさに大きな影響を及ぼす特定の磁区（図５中において網掛けを施すことにより特定した磁区）の占有面積が小さくなると共に、その特定の磁区の磁化方向が磁化成分１０Ｙの磁化方向よりも磁化成分１０Ｘの磁化方向に向きやすくなるため、前方主磁極層部分１０Ａから不要な磁束が漏洩する可能性が低くなる。これにより、不要な磁束に基づいて不要な磁界が発生しにくくなるため、記録媒体に記録済みの情報が意図せずに消去されにくくなる。したがって、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、不要な磁束に起因して記録媒体に記録済みの情報が意図せずに消去されることを抑制する観点において、前方主磁極層部分１０Ａの磁区構造が適正化されるため、主磁極層１０の磁区構造を適正化することにより、非記録時において意図せずに情報が消去されることを抑制することができるのである。
【００５１】
ここで、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの技術的意義に関して補足しておく。すなわち、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドでは、上記したように、主磁極層１０の磁区構造を適正化することにより、非記録時において意図せずに情報が消去されることを抑制するために、互いに分離された前方主磁極層部分１０Ａおよび後方主磁極層部分１０Ｂを含む分離構造を有するように主磁極層１０を構成しているが、この主磁極層１０の分離構造は、あくまで本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド、すなわち垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドに適用されることにより十分な技術的意義をもたらすものである。具体的には、垂直記録方式の薄膜磁気ヘッドでは、一般的に、記録媒体の表面と直交する方向に磁束を放出することにより強力な記録磁界を発生させるために、軟磁性層（いわゆる裏打ち層）上に記録層が設けられた２層構造を有する記録媒体を使用した場合に、主磁極層１０中に残留している磁束が記録媒体に引き込まれやすい傾向にあり、すなわち垂直記録方式では本質的に非記録時において意図せずに情報が消去されやすい傾向にあることを考慮すれば、強力な記録磁界を発生させつつ、非記録時において意図せずに情報が消去されることを抑制する観点において、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの技術的意義があるのである。
【００５２】
上記した他、本実施の形態では、図３に示したように、後方主磁極層部分１０Ｂの幅Ｗ４がその後方主磁極層部分１０Ｂの長さＬ４以上となるようにしたので（Ｗ４≧Ｌ４）、その後方主磁極層部分１０Ｂも前方主磁極層部分１０Ａと同様に横長（Ｙ軸方向よりもＸ軸方向において長い矩形型）の平面形状を有している。この場合には、図５に示したように、横長の後方主磁極層部分１０Ｂの形状磁気異方性に基づいて磁区構造が決定されるため、前方主磁極層部分１０Ａと同様に磁化成分１０Ｘが支配的となるように後方主磁極層部分１０Ｂの磁区構造が決定される。したがって、上記した前方主磁極層部分１０Ａの磁区構造と不要な磁束の漏洩しやすさとの間の関係と同様の作用により、後方主磁極層部分１０Ｂの磁区構造によっても不要な磁束が漏洩しにくくなり、すなわち不要な磁束に起因して記録媒体に記録済みの情報が意図せずに消去されることを抑制する観点において後方主磁極層部分１０Ｂの磁区構造が適正化されるため、この観点においても非記録時において意図せずに情報が消去されることを抑制することができる。
【００５３】
また、本実施の形態では、パーマロイなどの相対的に低い磁歪定数λを有する磁性材料を使用して補助磁極層８を構成すれば、以下の理由により、この観点においても非記録時において意図せずに情報が消去されることを抑制することができる。
【００５４】
図７は、補助磁極層８の磁区構造に関する利点を説明するためのものであり、図３に対応している。図８は、補助磁極層８の磁区構造に関する問題点を説明するためのものであり、やはり図３に対応している。磁性膜の磁区構造に関しては、一般的に、上記したように磁性膜の形状磁気異方性に基づいて磁区構造が決定されることの他、磁性膜の磁歪定数λに依存する誘導磁気異方性に基づいて磁区構造が決定されることも知られている。より具体的には、鉄ニッケル合金などの相対的に高い磁歪定数λを有する磁性材料を使用して磁性膜を構成した場合には、磁性膜の磁区構造に関して誘導磁気異方性よりも形状磁気異方性が優先的に寄与するため、その磁性膜の形状磁気異方性に基づいて磁区構造が決定される。一方、パーマロイなどの相対的に低い磁歪定数λを有する磁性材料を使用して磁性膜を構成した場合には、そのパーマロイなどの磁性材料の磁歪定数λが小さいため、磁性膜が誘導磁気異方性に基づいて着磁方向に着磁されやすい。
【００５５】
上記した磁性膜の磁区構造の決定原理を考慮すると、図８に示したように、相対的に高い磁歪定数λを有する磁性材料を使用して、縦長の矩形型の平面形状を有するように補助磁極層８を構成した場合には、その縦長の補助磁極層８の形状磁気異方性に基づいて磁区構造が決定されるため、補助磁極層８の磁区構造中では、Ｘ軸に平行な磁化成分８Ｘの占有割合よりもＹ軸方向に平行な磁化成分８Ｙの占有割合が大きくなり、すなわち磁化成分８Ｙが支配的になる。これにより、上記した主磁極層１００の磁区構造と不要な磁束の漏洩しやすさとの間の関係と同様の理由により、補助磁極層８の磁区構造によっても不要な磁束が漏洩しやすくなり、すなわち不要な磁束に起因して記録媒体に記録済みの情報が意図せずに消去されることを抑制する観点において補助磁極層８の磁区構造が適正化されないため、この観点においても非記録時において意図せずに情報が消去されることを抑制することが困難である。
【００５６】
これに対して、図７に示したように、相対的に低い磁歪定数λを有する磁性材料を使用して、例えば磁場中においてめっき膜を成長させることにより縦長の矩形型の平面形状を有するように補助磁極層８を構成した場合には、その補助磁極層８の誘導磁気異方性に基づいて着磁方向に着磁されることにより磁区構造が決定されるため、補助磁極層８の磁区構造中では、縦長の平面形状を有しているにもかかわらず、Ｙ軸に平行な磁化成分８Ｙの占有割合よりもＸ軸方向に平行な磁化成分８Ｘの占有割合が大きくなり、すなわち磁化成分８Ｘが支配的になる。したがって、上記した前方主磁極層部分１０Ａの磁区構造と不要な磁束の漏洩しやすさとの間の関係と同様の作用により、補助磁極層８の磁区構造によっても不要な磁束が漏洩しにくくなり、すなわち不要な磁束に起因して記録媒体に記録済みの情報が意図せずに消去されることを抑制する観点において補助磁極層８の磁区構造が適正化されるため、この観点においても非記録時において意図せずに情報が消去されることを抑制することができるのである。
【００５７】
また、本実施の形態では、主磁極層１０と共に補助磁極層８を含むように磁極層２０を構成したので、上記したように、磁極層２０の内部を後方主磁極層部分１０Ｂから前方主磁極層部分１０Ａに磁束が流れる過程において、一部の磁束が後方主磁極層部分１０Ｂから空間Ｓを経由することにより前方主磁極層部分１０Ａに直接的に流入する他、残りの磁束が後方主磁極層部分１０Ｂから補助磁極層８を経由することにより前方主磁極層部１０Ａに間接的に流入する。この場合には、主磁極層１０のみを含んで補助磁極層８を含まないように磁極層２０を構成した場合と比較して、後方主磁極層部分１０Ｂから前方主磁極層部分１０Ａに磁束が流入しやすくなり、すなわち前方主磁極層部分１０Ａのうちの先端部１０Ａ１に供給される磁束の供給量が増加するため、記録用の磁界（垂直磁界）の強度を増加させることができる。
【００５８】
なお、本実施の形態では、図３に前方主磁極層部分１０Ａの構造を示しているが、その前方主磁極層部分１０Ａの構造は必ずしも図３に示した構造に限られずに自由に変更可能である。図９〜図１２は、前方主磁極層部分１０Ａの構造に関する変形例を説明するためのものであり、いずれも図３に対応している。なお、図９〜図１２に示した一連の前方主磁極層部分１０Ａに関して、以下で説明する特徴以外の構造は、図３に示した場合と同様である。
【００５９】
第１に、本実施の形態では、図３に示したように、前方主磁極層部分１０Ａのうちの後端部１０Ａ３の幅Ｗ３が中間部１０Ａ２の最大幅Ｗ２以上である場合（Ｗ３≧Ｗ２）に、後端部１０Ａ３の幅Ｗ３が中間部１０Ａ２の幅Ｗ２に等しくなるようにしたが（Ｗ３＝Ｗ２）、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、図９に示したように、後端部１０Ａ３の幅Ｗ３が中間部１０Ａ２の幅Ｗ２よりも大きくなるようにしてもよい（Ｗ３＞Ｗ２）。図９では、例えば、後端部１０Ａ３の幅Ｗ３を後方主磁極層部分１０Ｂの幅Ｗ４に等しくしたまま（Ｗ３＝Ｗ４）、中間部１０Ａ２の幅Ｗ２を後端部１０Ａ３の幅Ｗ３よりも小さくした場合（Ｗ２＜Ｗ３）を示している。この場合においても、図５に対応する図１０に示したように、前方主磁極層部分１０Ａの磁区構造中において磁化成分１０Ｘが支配的となるため、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。この場合には、特に、図５に示した前方主磁極層部分１０Ａと比較して、前方主磁極層部分１０Ａの磁区構造中において不要な磁束の漏洩しやすさに大きな影響を及ぼす特定の磁区（図１０中において網掛けを施すことにより特定した磁区）の占有面積がより小さくなるため、前方主磁極層部分１０Ａから不要な磁束が漏洩する可能性を極めて低くすることができる。
【００６０】
第２に、本実施の形態では、図３に示したように、前方主磁極層部分１０Ａのうちの後端部１０Ａ３の幅Ｗ３が後方主磁極層部分１０Ｂの幅Ｗ４以下である場合（Ｗ３≦Ｗ４）に、後端部１０Ａ３の幅Ｗ３が後方主磁極層部分１０Ｂの幅Ｗ４に等しくなるようにしたが（Ｗ３＝Ｗ４）、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、図１１に示したように、後端部１０Ａ３の幅Ｗ３が後方主磁極層部分１０Ｂの幅Ｗ４よりも小さくなるようにしてもよい（Ｗ３＜Ｗ４）。図１１では、例えば、上記したように後端部１０Ａ３の幅Ｗ３を後方主磁極層部分１０Ｂの幅Ｗ４よりも小さくした他、図９において説明した変形態様を前方主磁極層部分１０Ａに適用し、すなわち後端部１０Ａ３の幅Ｗ３を中間部１０Ａ２の幅Ｗ２よりも大きくした場合（Ｗ３＞Ｗ２）を示している。この場合においても、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００６１】
第３に、本実施の形態では、図３に示したように、先端部１０Ａ１および中間部１０Ａ２と共に後端部１０Ａ３を含むように前方主磁極層部分１０Ａを構成したが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、図１２に示したように、先端部１０Ａ１および中間部１０Ａ２のみを含んで後端部１０Ａ３を含まないように前方主磁極層部分１０Ａを構成してもよい。この場合には、中間部１０Ａ２が位置Ｐ１まで延在し、すなわち中間部１０Ａ２が位置Ｐ１において終端する。この場合においても、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００６２】
また、本実施の形態では、図３に示したように、後方主磁極層部分１０Ｂが位置Ｐ２から後方に向かって連続的に延在する連続構造を有するようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、後方主磁極層部分１０Ｂが位置Ｐ２から後方に向かって断続的に延在する断続構造を有するようにしてもよい。具体的には、例えば、後方主磁極層部分１０Ｂを途中で２つに分断することにより、図１３に示したように、幅Ｗ４および長さＬ４１を有する前方の先端部１０Ｂ１と、幅Ｗ４および長さＬ４２を有する後方の後端部１０Ｂ２とを含む２パーツ構造となるように後方主磁極層部分１０Ｂを構成してもよい。この後方主磁極層部分１０Ｂでは、幅Ｗ４が長さＬ４以上である横長の後方主磁極層部分１０Ｂ（Ｗ４≧Ｌ４）を２つに分断したことに伴い、先端部１０Ｂ１の幅Ｗ４がその先端部１０Ｂ１の長さＬ４１よりも大きくなり（Ｗ４＞Ｌ４１）、すなわち先端部１０Ｂ１が横長の平面形状を有していると共に、後端部１０Ｂ２の幅Ｗ４がその後端部１０Ｂ２の長さＬ４２よりも大きくなり（Ｗ４＞Ｌ４２）、すなわち後端部１０Ｂ２も同様に横長の平面形状を有している。この場合には、図５に対応する図１４に示したように、横長の先端部１０Ｂ１の形状磁気異方性に基づいて、磁化成分１０Ｘが支配的となるように先端部１０Ｂ１の磁区構造が決定されると共に、同様に横長の後端部１０Ｂ２の形状磁気異方性に基づいて、磁界成分１０Ｘが支配的となるように後端部１０Ｂ２の磁区構造が決定される。しかも、この場合には、図３に示した後方主磁極層部分１０Ｂと比較して、先端部１０Ｂ１および後端部１０Ｂ２のいずれにおいても縦横比（幅／長さ）がより大きくなり、すなわち先端部１０Ｂ１および後端部１０Ｂ２の双方の平面形状がより横長化するため、磁区構造中における磁化成分１０Ｘの占有割合がより大きくなる。したがって、不要な磁束に起因して記録媒体に記録済みの情報が意図せずに消去されることを抑制する観点において、補助磁極層８の磁区構造をより適正化することができる。なお、図１３および図１４に示した後方主磁極層部分１０Ｂに関する上記以外の特徴は、それぞれ図３および図５に示した場合と同様である。
【００６３】
なお、確認までに説明しておくと、図１３では、後方主磁極層部分１０Ｂを２つに分断し、すなわち後方主磁極層部分１０Ｂの分断数を２つに設定した場合について説明したが、その後方主磁極層部分１０Ｂの分断数は２つ以上の範囲内において自由に変更可能である。
【００６４】
また、本実施の形態では、図１に示したように、リーディング側に補助磁極層８が配置され、かつトレーリング側に主磁極層１０が配置された積層構造を有するように磁極層２０を構成したが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、図１５に示したように、補助磁極層８および主磁極層１０の配置関係を逆にすることにより、トレーリング側に補助磁極層８が配置され、かつリーディング側に主磁極層１０が配置された積層構造を有するように磁極層２０を構成してもよい。ここでは、例えば、主磁極層１０の位置を変更させずに、補助磁極層８の位置を変更させたことに伴い、図１において補助磁極層８が配置されていた箇所が絶縁層９により埋設されていると共に、補助磁極層８の配置箇所を確保するようにギャップ層１２の延在範囲が狭められている。この場合には、特に、補助磁極層８およびＴＨ規定層１３の周囲を埋設し、それらの補助磁極層８およびＴＨ規定層１３と共に平坦化された絶縁層１８と、その絶縁層１８および補助磁極層８により構成された平坦面上に配置された絶縁層１９とを新たに備えており、薄膜コイル１４を被覆している絶縁層１５の最前端の位置が、絶縁層１８の最前端の位置よりも後退している。絶縁層１８は、補助磁極層８およびＴＨ規定層１３を周囲から電気的に分離すると共に、特に、スロートハイトゼロ位置ＴＰを規定するものであり、例えば、アルミナなどの非磁性絶縁性材料により構成されている。絶縁層１９は、補助磁極層８と薄膜コイル１４との間を電気的に分離すると共に、バックギャップ１２ＢＧに対応するバックギャップ１９ＢＧを構成するものであり、例えば、絶縁層１８と同様にアルミナなどの非磁性絶縁性材料により構成されている。この場合においても、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。なお、図１５に示した薄膜磁気ヘッドに関する上記以外の特徴は、図１に示した場合と同様である。
【００６５】
また、本実施の形態では、図１に示したように、主磁極層１０と共に補助磁極層８を含むように磁極層２０を構成したが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、図１６に示したように、主磁極層１０のみを含んで補助磁極層８を含まないように磁極層２０を構成してもよい。この場合には、補助磁極層８を含まないように磁極層２０を構成したことに伴い、その補助磁極層８の周囲を埋設していた絶縁層９が省略されており、分離層７と主磁極層１０および絶縁層１１とが互いに隣接している。特に、主磁極層１０のみを含むように磁極層２０を構成する場合には、後方主磁極層部分１０Ｂから前方主磁極層部分１０Ａに磁束を流入しやすくするために、上記実施の形態において説明した場合（図３参照）よりも分離距離ＬＳ（＝約０．５μｍ〜３．０μｍ）を小さくし、すなわち後方主磁極層部分１０Ｂを前方主磁極層部分１０Ａにより近づけるのが好ましく、具体的には分離距離ＬＳ＝約０．５μｍ以下であるのが好ましい。この場合においても、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。なお、図１６に示した薄膜磁気ヘッドに関する上記以外の特徴は、図１に示した場合と同様である。
【００６６】
以上をもって、本発明の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドについての説明を終了する。
【００６７】
次に、図１７および図１８を参照して、本発明の薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気記録装置の構成について説明する。図１７は磁気記録装置の斜視構成を表しており、図１８は磁気記録装置の主要部の斜視構成を拡大して表している。この磁気記録装置は、上記実施の形態において説明した薄膜磁気ヘッドを搭載したものであり、例えばハードディスクドライブである。
【００６８】
この磁気記録装置は、例えば、図１７に示したように、筐体２００の内部に、情報が磁気的に記録される記録媒体としての複数の磁気ディスク（例えばハードディスク）２０１と、各磁気ディスク２０１に対応して配置され、磁気ヘッドスライダ２０２を一端部において支持する複数のサスペンション２０３と、このサスペンション２０３の他端部を支持する複数のアーム２０４とを備えている。磁気ディスク２０１は、筐体２００に固定されたスピンドルモータ２０５を中心として回転可能になっている。アーム２０４は、動力源としての駆動部２０６に接続されており、筐体２００に固定された固定軸２０７を中心として、ベアリング２０８を介して旋回可能になっている。駆動部２０６は、例えば、ボイスコイルモータなどの駆動源を含んで構成されている。この磁気記録装置は、例えば、固定軸２０７を中心として複数のアーム２０４が一体的に旋回可能なモデルである。なお、図１７では、磁気記録装置の内部構造を見やすくするために、筐体２００を部分的に切り欠いて示している。
【００６９】
磁気ヘッドスライダ２０２は、図１８に示したように、例えばアルティックなどの非磁性絶縁性材料により構成された略直方体構造を有する基体２１１の一面に、記録処理および再生処理の双方を実行する薄膜磁気ヘッド２１２が取り付けられた構成を有している。この基体２１１は、例えば、アーム２０４の旋回時に生じる空気抵抗を減少させるための凹凸構造が設けられた一面（エアベアリング面２２０）を有しており、そのエアベアリング面２２０と直交する他の面（図１８中、右手前側の面）に、薄膜磁気ヘッド２１２が取り付けられている。この薄膜磁気ヘッド２１２は、上記実施の形態において説明した構成を有するものである（図１〜図３参照）。この磁気ヘッドスライダ２０２は、情報の記録時または再生時において磁気ディスク２０１が回転すると、その磁気ディスク２０１の記録面（磁気ヘッドスライダ２０２と対向する面）とエアベアリング面２２０との間に生じる空気流を利用して、磁気ディスク２０１の記録面から浮上するようになっている。なお、図１８では、磁気ヘッドスライダ２０２のうちのエアベアリング面２２０側の構造を見やすくするために、図１７に示した状態とは上下を反転させた状態を示している。
【００７０】
この磁気記録装置では、情報の記録時または再生時においてアーム２０４が旋回することにより、磁気ディスク２０１のうちの所定の領域（記録領域）まで磁気ヘッドスライダ２０２が移動する。そして、磁気ディスク２０１と対向した状態において薄膜磁気ヘッド２１２が通電されると、上記実施の形態において説明した動作原理に基づいて薄膜磁気ヘッド２１２が動作することにより、その薄膜磁気ヘッド２１２が磁気ディスク２０１に記録処理または再生処理を施す。
【００７１】
この磁気記録装置では、上記実施の形態において説明した薄膜磁気ヘッド２１２を搭載しているので、その薄膜磁気ヘッド２１２において非記録時において不要な磁束が漏洩しにくくなるように前方主磁極層部分１０Ａの磁区構造が適正化される。したがって、主磁極層１０の磁区構造が適正化された薄膜磁気ヘッド２１２を搭載し、非記録時において意図せずに情報が消去されることを抑制することができる。
【００７２】
なお、この磁気記録装置に搭載されている薄膜磁気ヘッド２１２に関する上記以外の構成、動作、作用、効果および変形例は上記実施の形態と同様であるので、その説明を省略する。
【実施例】
【００７３】
次に、本発明に関する実施例について説明する。
【００７４】
上記実施の形態において説明した一連の薄膜磁気ヘッドを磁気記録装置（図１７および図１８参照）に搭載させることにより、その磁気記録装置を使用して記録処理を実行しながら記録性能を調べたところ、以下の一連の結果が得られた。
【００７５】
まず、図３に示した構造的特徴を有する主磁極層を備えた薄膜磁気ヘッド（以下、単に「本発明の薄膜磁気ヘッド」という。）を使用して記録信号の劣化状況を調べたところ、図１９に示した結果が得られた。図１９は、記録信号の劣化状況に関する記録幅依存性を表しており、「横軸」は記録幅Ｗ（μｍ）、すなわち記録媒体上の記録トラック幅を示し、「縦軸」は信号強度比Ｓ（−）を示している。この記録信号の劣化状況を調べる際には、薄膜コイルに通電させることにより薄膜磁気ヘッドを使用して記録媒体に正常に記録処理を施し、引き続き薄膜コイルに通電させない状態において薄膜磁気ヘッドを使用して正常な記録時と同様に記録媒体をトレースしたのち、薄膜磁気ヘッドを使用して記録媒体に正常に再生処理を施した。このとき、トレース前の記録信号の強度Ｓ１およびトレース後の再生信号の強度Ｓ２を調べることにより、それらの強度Ｓ１，Ｓ２に基づいて信号強度比Ｓ（＝Ｓ２／Ｓ１）を算出した。すなわち、信号強度比Ｓは、トレースの前後における記録信号の減衰状況、すなわち非記録時における意図しない情報の消去されやすさを表す指標である。図１９に示したデータの測定データ数Ｎは、Ｎ＝４０である。
【００７６】
なお、本発明の薄膜磁気ヘッドに関する記録信号の劣化状況を調べる際には、その記録信号の劣化状況を比較評価するために、図４に示した構造的特徴を有する主磁極層を備えた比較例の薄膜磁気ヘッドに関する記録信号の劣化状況も同様に調べることにより、その結果を図２０に示した。図２０に示したデータの測定データ数Ｎは、Ｎ＝５０である。
【００７７】
図２０に示した結果から判るように、比較例の薄膜磁気ヘッドでは、記録幅Ｗの変化に伴い、信号強度比Ｓが広い範囲に渡って分布し、具体的には信号強度比Ｓが約０．０３〜１．０の範囲に渡って広く分布した。この結果は、比較例の薄膜磁気ヘッドでは、主磁極層の形状磁気異方性に起因して磁区構造が適正化されないため、非記録時において意図せずに情報が消去されやすいことを表している。これに対して、図１９に示した結果から判るように、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、記録幅Ｗの変化に伴い、信号強度比Ｓが狭い範囲に渡って分布し、具体的には信号強度比Ｓが約０．９４〜１．０の範囲に渡って分布した。特に、薄膜磁気ヘッドの製品レベルにおいて許容可能な信号強度比Ｓの下限が０．８５であるとすると、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、記録信号の劣化状況が全て許容範囲内となった。この結果は、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、主磁極層の形状磁気異方性に基づいて磁区構造が適正化されるため、非記録時において情報が消去されにくいことを表している。このことから、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、主磁極層の磁区構造を適正化することにより、非記録時において意図せずに情報が消去されることを抑制することが可能であることが確認された。
【００７８】
続いて、図９、図１１および図１２に変形例として示した構造的特徴を有する主磁極層を備えた薄膜磁気ヘッド（以下、単に「本発明の薄膜磁気ヘッド」という。）を使用して性能歩留を調べたところ、表１に示した結果が得られた。表１は、薄膜磁気ヘッドの性能歩留を表している。この薄膜磁気ヘッドの性能歩留を調べる際には、一連の主磁極層を備えた薄膜磁気ヘッドを使用して、記録信号の劣化状況を調べた場合と同様に信号強度比を算出し、上記した製品レベルにおいて許容可能な信号強度比（＝０．８５以上）を満たす個数割合を各薄膜磁気ヘッドごとに調べることにより、その個数割合を「本発明」の「性能歩留（％）」として表１に示した。すなわち、「性能歩留」とは、性能歩留（％）＝（製品レベルにおいて許容可能な信号強度比を満たした薄膜磁気ヘッドの個数／薄膜磁気ヘッドの全個数）×１００で表される指数である。表１に示した「本発明」のうち、「Ｓ１」は図９に示した主磁極層を使用した場合を示し、「Ｓ２」は図１１に示した主磁極層を使用した場合を示し、「Ｓ３」は図１２に示した主磁極層を使用した場合を示している。なお、本発明の薄膜磁気ヘッドに関する性能歩留を調べる際には、その性能歩留を比較評価するために、図４に示した構造的特徴を有する主磁極層を備えた比較例の薄膜磁気ヘッドに関する性能歩留も同様に調べることにより、その結果を表１に「比較例」の「性能歩留（％）」として併せて示した。
【００７９】
【表１】
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【００８０】
表１に示した結果から判るように、比較例の薄膜磁気ヘッドでは製造歩留が４５％であったが、本発明の薄膜磁気ヘッドではＳ１（図９に示した主磁極層を使用した場合）、Ｓ２（図１１に示した主磁極層を使用した場合）およびＳ３（図１２に示した主磁極層を使用した場合）のいずれの場合においても製造歩留が１００％であった。なお、確認までに説明しておくと、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、図１９を参照して上記したように、図３に示した主磁極層を使用した場合においても性能歩留がやはり１００％であった。このことから、本発明の薄膜磁気ヘッドでは、非記録時において意図せずに情報が消去されることを抑制する観点において、製品レベルにおいて許容可能な性能歩留を確保することが可能であることが確認された。
【００８１】
以上、実施の形態および実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態および実施例に限定されず、種々の変形が可能である。具体的には、例えば、上記実施の形態および実施例では、本発明を複合型薄膜磁気ヘッドに適用する場合について説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、書き込み用の誘導型磁気変換素子を有する記録専用の薄膜磁気ヘッドや、記録・再生兼用の誘導型磁気変換素子を有する薄膜磁気ヘッドにも適用可能である。もちろん、本発明を、書き込み用の素子および読み出し用の素子の積層順序を逆転させた構造の薄膜磁気ヘッドについても適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【００８２】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、例えば、ハードディスクに磁気的に情報を記録するハードディスクドライブなどの磁気記録装置に適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの断面構成を表す断面図である。
【図２】図１に示した薄膜磁気ヘッドのうちの主要部の平面構成を表す平面図である。
【図３】図１に示した薄膜磁気ヘッドのうちの補助磁極層および主磁極層の平面構成を表す平面図である。
【図４】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドに対する比較例の薄膜磁気ヘッドのうちの主磁極層の平面構成を表す平面図である。
【図５】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドのうちの主磁極層の磁区構造に関する利点を説明するための平面図である。
【図６】比較例の薄膜磁気ヘッドのうちの主磁極層の磁区構造に関する問題点を説明するための平面図である。
【図７】補助磁極層の磁区構造に関する利点を説明するための平面図である。
【図８】補助磁極層の磁区構造に関する問題点を説明するための平面図である。
【図９】前方主磁極層部分の構造に関する第１の変形例を表す平面図である。
【図１０】図９に示した前方主磁極層部分の磁区構造を説明するための平面図である。
【図１１】前方主磁極層部分の構造に関する第２の変形例を表す平面図である。
【図１２】前方主磁極層部分の構造に関する第３の変形例を表す平面図である。
【図１３】後方主磁極層部分の構造に関する変形例を表す平面図である。
【図１４】図１３に示した後方主磁極層部分の磁区構造を説明するための平面図である。
【図１５】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構造に関する変形例を表す断面図である。
【図１６】本発明の一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構造に関する他の変形例を表す断面図である。
【図１７】本発明の薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気記録装置の斜視構成を表す斜視図である。
【図１８】図１７に示した磁気記録装置の主要部の斜視構成を拡大して表す斜視図である。
【図１９】本発明の薄膜磁気ヘッドに関する記録信号の劣化状況に関する記録幅依存性を表す図である。
【図２０】比較例の薄膜磁気ヘッドに関する記録信号の劣化状況に関する記録幅依存性を表す図である。
【符号の説明】
【００８４】
１…基板、２，９，１１，１５，１８，１９…絶縁層、３…下部リードシールド層、４…シールドギャップ膜、５…上部リードシールド層、５Ａ，５Ｃ…上部リードシールド層部分、５Ｂ…非磁性層、６…ＭＲ素子、７…分離層、８…補助磁極層、８Ｘ，８Ｙ，１０Ｘ，１０Ｙ…磁化成分、１０…主磁極層、１０Ａ…前方主磁極層部分、１０Ａ１，１０Ｂ１…先端部、１０Ａ２…中間部、１０Ａ３，１０Ｂ２…後端部、１０Ｂ…後方主磁極層部分、１０Ｍ…露出面、１２…ギャップ層、１２ＢＧ，１９ＢＧ…バックギャップ、１３…ＴＨ規定層、１４…薄膜コイル、１６…ヨーク層、１７…オーバーコート層、２０…磁極層、３０…ライトシールド層、４０，２２０…エアベアリング面、１００Ａ…再生ヘッド部、１００Ｂ…記録ヘッド部、２００…筐体、２０１…磁気ディスク、２０２…磁気ヘッドスライダ、２０３…サスペンション、２０４…アーム、２０５…スピンドルモータ、２０６…駆動部、２０７…固定軸、２０８…ベアリング、２１１…基体、２１２…薄膜磁気ヘッド、ＦＰ…フレアポイント、Ｌ４，Ｌ１２３…長さ、ＬＰ…重なり距離、ＬＳ…分離距離、Ｍ…媒体進行方向、Ｐ１〜Ｐ３…位置、Ｓ…空間、ＴＨ…スロートハイト、ＴＰ…スロートハイトゼロ位置、Ｗ０〜Ｗ５…幅。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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