(57)【要約】【課題】  フレキシブル基板に対して精度高く電子部品を搭載し、マルチチップモジュールの電気的な接続信頼性を向上させたマルチチップモジュールを提供する。【解決手段】  配線と絶縁層との積層体が形成された基板の前記配線に複数の電子部品を接合する工程と、前記基板と前記複数の電子部品が接合された積層体とを分離する工程と、該電子部品の裏面同士が向かい合うように、分離した積層体を電子部品間で折りたたむ工程とを有するマルチチップモジュールの製造方法を採用する。【選択図】図４
2006147966.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線と絶縁層との積層体が形成された基板の前記配線に複数の電子部品を接合する工程と、
前記基板と前記複数の電子部品が接合された積層体とを分離する工程と、
該電子部品の裏面同士が向かい合うように、分離した積層体を電子部品間で折りたたむ工程とを有することを特徴とするマルチチップモジュールの製造方法。
【請求項２】
請求項１記載において、
前記絶縁層は溝を有し、
該溝を用いて折りたたむ工程を含むことを特徴とするマルチチップモジュールの製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の電子部品のうち、少なくとも１つが無線により信号を伝送する機能を有し、配線形成工程で同時に形成した配線とアンテナが一体である構造を有することを特徴とするマルチチップモジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マルチチップモジュールの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のマルチチップモジュールの構造が特許文献１に記載されている。
【０００３】
このマルチチップモジュールは、複数の電子部品をフレキシブル基板に形成し、その電子部品間でフレキシブル基板自体を湾曲させて電子部品の裏面同士が対向するようにした構造である。
【０００４】
【特許文献１】US6225688B1
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来の構造では、複数の電子部品をフレキシブル基板にどのように搭載させるか記載されていない。
【０００６】
フレキシブル基板は非常に柔軟性が高いため、ハンドリングが難しい。特に、電子部品を搭載する際にフレキシブル基板の形状が変化してしまうと、搭載精度が低下する。搭載精度が低下すると、マルチチップモジュールの基板と電子部品との電気的な接続信頼性が低下してしまうことになる。
【０００７】
つまり、本発明の目的は、電子部品の搭載精度の高いマルチチップモジュールの製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この目的を達成する代表的な手法の一つは、部品を搭載するフレキシブル基板配線と絶縁層との積層体が基板に固定された状態で複数の電子部品を搭載、接合し、その後分離するようにするものがある。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、半導体チップが搭載された基板を折り曲げたマルチチップモジュールの電気的な接続信頼性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明を採用した電子装置について図を併用しつつ説明する。
【００１１】
なお、全ての図において、同一符号は同一部位を示しているため、重複する説明を省いている場合があり、また説明を容易にするため各部の寸法比を実際とは変えてある。
【実施例１】
【００１２】
図１と図２は、電子部品搭載フレキシブル基板の折り返しプロセスを示す図である。
【００１３】
本実施例のマルチチップモジュールの外観は、図２（５）に示すとおりである。すなわち、複数の半導体チップ２が搭載されたフレキシブル基板１が折り畳まれ、最下層から１番目の半導体チップ２と最下層から２番目の半導体チップ２との背面が向かい合い、同３番目から同５番目の半導体チップ２は同２番目の半導体チップと同じ向きに並んでいる。
【００１４】
この構造の製造プロセスを図１と図２を用いて説明する。
【００１５】
まず、図１（１）のように、十字形状のフレキシブル基板１の中央部及び各突起部に半導体チップ２を搭載する。なお、図１（１）中には半導体チップと接合した配線は図示していない。
【００１６】
なお、半導体チップ２の機能として、（ａ）各々が別の機能を有する半導体チップ、（ｂ）中心に配置された半導体チップが専ら演算処理を行い、周辺に配置された半導体チップがメモリー機能を有する半導体チップ（ｃ）アンテナを接続することにより無線で信号を伝送するための半導体チップなど、求められる機能に対応して半導体チップが配置される。
【００１７】
次に、図１（２）に示すように、半導体チップ２を搭載したフレキシブル基板１の突起部の一つを図示するように折り曲げ、図１（３）、図２（４）、（５）のように、反時計回りの順番で、折り曲げていく。なお、この順番は時計回りでもかまわない。ただし、発熱する半導体チップを有する場合には、該半導体チップが最上面に配置されるように折り曲げることで、良好な放熱性を有することが可能となる。
【００１８】
図３に、接着工程図を示す。
【００１９】
図１（２）のように折り曲げた状態で、電子機器に搭載することも可能であるが、この状態では工程中に元の折り曲げる前の状態に戻ってしまう。
【００２０】
そこで、図３上図のように、フレキシブル基板１の配線１５と半導体チップ２が接合され、そのフレキシブル基板１が折り曲げられた後、図３下図のようにフレキシブル基板間に接着剤３を注入し、固定する。
【００２１】
このように、固定すれば、マルチチップモジュールの形状変化を防止することができる。
【００２２】
図４と図５に、図１で折り返したフレキシブル基板の第一の製造プロセスを示す。
【００２３】
図４（１）に示すように、フレキシブル基板よりも硬い基板としてシリコンウェハ４を用意し、その上に金属膜５を形成する。最終工程での分離を容易にするために、ここでは、蒸着や、無電解銅めっき、ＣＶＤなどを用いることが可能であるが、半導体工程で量産に用いられているスパッタを用いた。
【００２４】
具体的には、スパッタによって、シリコンウェハ４側から銅（０．５マイクロメートル）／クロム（７５ナノメートル）の多層膜（図中には簡潔のため、多層膜として示していない）を形成した。また、この材料として、銅とクロムの多層膜、銅単膜、アルミ、金を用いることも可能である。
【００２５】
ここでのクロムの機能は、絶縁膜６との接着を確保することにあり、その膜厚はそれらの接着を維持する最低限でかまわない。所要膜厚は、スパッタエッチングおよびスパッタの条件、クロムの膜質などによっても変動する。なお、本実施例で使用したクロム膜に代えてチタン膜などでも代替できる。一方、銅の膜厚は、ピンホールが生じない最低膜厚（例えば、０．１マイクロメートル）とした。
【００２６】
次に、図４（２）に示すように、感光性ポリイミドを用いて絶縁層６を形成し、端子となる部分を開口させた。開口方法については、感光性ポリイミドを用いたが、全面にポリイミドを塗布し、レーザ加工やドライエッチングなどの手法を用いても問題はない。また、非感光性ポリイミドを塗布し、加熱することで半硬化とし、その上にレジストを塗布し、露光、現像を行なうと、現像に用いるアルカリにより、ポリイミドを同時に開口させ、開口後、酢酸ブチル等の溶剤を用い、レジストを除去し、ポリイミドを加熱硬化させる技術を用いても良い。また、絶縁層の材料として、ポリイミドを用いたが、エポキシなどの樹脂を用いても問題ではなく、また、場合によっては、無機系の絶縁層を用いても良い。
【００２７】
続いて、電気めっきを実施するための給電膜７を全面に形成する。ここでは、蒸着や、無電解銅めっき、ＣＶＤなども用いることが可能であるが、ポリイミドとの接着強度が強いためスパッタを用いることとした。スパッタの前処理として、導体の導通を確保するためにスパッタエッチングを行った。本実施例におけるスパッタ膜としては、クロム（７５ナノメートル）／銅（０．５マイクロメートル）の多層膜（図中には簡潔のため、多層膜として示していない）を形成した。ここでのクロムの機能は、その下に位置する絶縁層５との接着を確保することにあり、その膜厚はそれらの接着を維持する最低限でかまわない。所要膜厚は、スパッタエッチングおよびスパッタの条件、クロムの膜質などによっても変動する。なお、本実施例で使用したクロム膜に代えてチタン膜やチタン／白金膜、タングステンなどでも代替できる。一方、銅の膜厚は、後の工程で電気銅めっき１０及び電気ニッケルめっき９を形成したときに、膜厚分布が生じない最小限度の膜厚が好ましく、めっき前処理として行なう酸洗などでの膜減り量も考慮に入れたうえで膜厚分布を誘発しない膜厚を決定する。銅の膜厚を必要以上に厚くした場合、例えば１マイクロメートルを越える銅厚の場合には、スパッタ時間が長くなって生産効率が低下するという問題に加えて、後の工程で実施する給電膜２のエッチング除去の際に長時間エッチングが避けられず、その結果として電気ニッケルめっき３、電気銅めっき６のサイドエッチングが大きくなる。
【００２８】
次に、図４（３）に示すように、フォトリソグラフィー技術を用い、電気ニッケルめっき１０を電気銅めっき９で挟み込んで積層した構造を形成する部分のみが開口した配線の逆パターンをレジスト８を用いて形成する。
【００２９】
さらに、図４（４）に示すように、配線は、硫酸・硫酸銅めっき液を用い、界面活性剤による洗浄、水洗、希硫酸による洗浄、水洗を行った後、給電膜７を陰極に接続し、リンを含有する銅板を陽極に接続して電気銅めっき１０を形成した。
【００３０】
はんだ拡散防止膜である電気ニッケルめっき９は、給電膜７を陰極に接続し、ニッケル板を陽極に接続して電気ニッケル膜を形成した。電気ニッケルめっき膜を形成する前に、界面活性剤による洗浄、水洗、希硫酸による洗浄、水洗を行なうと良好な膜質の電気ニッケルめっき膜が得られる場合がある。なお、銅、ニッケルとも電気めっきを用いて導体を形成する方法を示したが、無電解めっきを用いることも可能である。
【００３１】
また、配線は銅以外に、金または銀を包含するものであってもよく、はんだ拡散防止膜である電気ニッケルめっき９は、ニッケル合金であってもよい。本工程で形成した電気ニッケルめっき９は、外部回路との接続に用いる電極となる。ここでの膜厚は、この開口部分に搭載する、はんだの拡散を防止することが出来る最低限度の膜厚が必要である。本実施例では、電気ニッケルめっきに、ワット浴を用いたが、めっき液の種類は問わない。電気ニッケルめっきは、界面活性剤による洗浄、水洗、希硫酸による洗浄、水洗を行った後、給電膜２を陰極に接続し、ニッケル板を陽極に接続して電気ニッケル膜を形成した。なお、ここで形成するニッケルは電気めっきを用いて形成する方法を示したが、無電解めっきを用いることも可能である。また、電気ニッケルめっきの代わりに、ニッケルを主とする合金であってもよい。
【００３２】
次に、図４（５）に示すように、レジスト８からなる配線の逆パターンおよび電気めっきの給電膜７をエッチング処理により除去する。電気銅めっき膜および電気ニッケルめっき膜を形成したのちにレジスト８を使用した配線の逆パターンを除去し、エッチング処理をすることで予め成膜した給電膜７を除去する。銅のエッチングには、塩化第二鉄、アルカリ系エッチング液等の種類があるが、本実施例では硫酸／過酸化水素水を主成分とするエッチング液を用いた。１０秒以上のエッチング時間がないと制御が困難となって実用的観点では不利であるが、あまりに長い時間エッチングを行なうと、サイドエッチングが大きくなり、タクトが長くなるという問題も生じるため、エッチング液およびエッチング条件は、適宜実験により求めるのがよい。
【００３３】
引き続いて実施する給電膜７のクロム部分のエッチングには、クロムのエッチング液には、フェリシアン系、塩酸系等の種類があるが、本実施例では、過マンガン酸カリウムとメタケイ酸を主成分とするエッチング液を用いた。
【００３４】
次に、図４（６）に示すように、感光性ポリイミドを用いて絶縁層６を形成し、バンプパッド１３となる部分を開口させる。この開口方法については、図４（２）に示す絶縁層の形成方法と同様である。
【００３５】
なお、本実施例では、銅／ニッケルからなる配線を一層としたが、図４（２）から図４（６）に示したプロセスを繰り返すことで、多層配線とすることも可能である。
【００３６】
また、配線材料として、銅／ニッケル以外に銅単体、ニッケル単体を用いることも可能である。配線の形成方法についても、スパッタによりクロム／銅／クロムを成膜した後、フォトリソグラフィーとエッチング技術を用いて配線を形成することも可能である。また、ここでの電気ニッケルめっきははんだ拡散を防止するために設けているが、スパッタによりクロム／銅／ニッケルまたはニッケル合金の成膜、エッチング技術による配線／はんだ拡散防止層を形成することも可能である。
【００３７】
次に、図５（７）に示したように、図４の工程で形成したバンプパッド１３の上に、半導体装置２をその一部に含む電子部品１１を搭載する。
【００３８】
電子部品１１の搭載方法であるが、はんだボール１２を電子部品側に形成することが一般的であり、電子部品１１にはんだボール１２を形成し、バンプパッド１３上にフラックスと共に搭載し、加熱することでバンプパッド１３にはんだボール１２を接続する。図４の工程で形成した配線側に形成することも可能である。バンプパッド上に所定量のフラックスとはんだボールを搭載することで、はんだボールはフラックスの粘着力によりバンプパッド１３上に仮固定される。
【００３９】
はんだボールが搭載された図４の工程で形成した配線または電子部品１１をリフロー炉に投入することではんだボール１２は一旦溶融し、その後再び固体化することで、はんだボール１２が搭載され、その上に電子部品１１を搭載するものである。
【００４０】
はんだをはんだボールで供給する以外にも、印刷機を用いてはんだペーストをバンプパッド１３上に印刷塗布し、これをリフローすることではんだバンプ形成する方法もある。何れの方法においても、はんだ材料は様々なものを選択することが可能となり、現時点において市場に供給されている、はんだ材料の多くが使用できる。この他、はんだ材料は限定されるものの、めっき技術を用いることで、はんだバンプを形成する方法もある。
【００４１】
また、金や銅を核としたボールを使用したバンプや導電材料を配合した樹脂を使用して形成したバンプを使用しても良い。
【００４２】
本実施例では、はんだ拡散による拡散層の厚さによって、電気ニッケルめっき膜９の必要膜厚を決定する。なお、その条件は、はんだの種類やリフロー条件によって異なってくる。
【００４３】
はんだボール搭載時のリフロー条件は、ベルト式のリフロー炉を用い、最大温度２６５℃、２４０℃以上で３０秒保持される時間でリフローを行った。はんだボールは、ＳｎとＣｕを主成分とし、第三成分として、Ａｇ又はＢｉ又は両方を添加したものを用いた。
【００４４】
次に、図５（８）に示すように、電子部品１１とフレキシブル基板１の間に、アンダーフィル１４を注入する。注入後、加熱硬化を行なう。ここでは、エポキシ樹脂から成るアンダーフィルを用い、注入後に２００℃で６０分加熱硬化させた。なお、部品が小さい場合には、必ずしもアンダーフィルを必要としない。
【００４５】
次に、図５（９）に示すように、アンダーフィル９を電子部品１１と基板との間に充填した後、シリコンウェハを除去した。
【００４６】
ここでは、図４（１）で形成した金属膜５に沿って分離する。
【００４７】
分離方法として、機械的に分離する方法や、図４（２）記載の絶縁層６の一部にレーザまたは機械的に切り込みを入れ、エッチング液に浸すことで分離することも可能である。分離後、金属膜（銅／クロム）はエッチングすることで、除去する。この段階で、半導体チップを搭載した反対側（裏面）には、電気ニッケルめっきが露出しており、この部分と基板をはんだを用いて接続する。
【００４８】
次に、図５（９）が示す工程で形成された電子部品搭載済みのフレキシブル基板が図１５上図が示すように折り返され、図１５下図のようになる。
【００４９】
図１５上図は図１（１）に示した基板１上に半導体チップ２を搭載した状態である。
【００５０】
図１５下図に記す鎖線部分が図１５上図に示す断面を示している。
【００５１】
図４から図５では、半導体チップが搭載される部分を拡大して記したが、実際には、図１５に示すように、シリコンウェハ４に多数個形成する。
【実施例２】
【００５２】
図１で折り返したフレキシブル基板１の第二の製造プロセスを図６と図７に示す。
【００５３】
この製造プロセスは、図１、図２に示す折り曲げ工程を容易にする製造プロセスである。
【００５４】
図６（１）−（５）に示すプロセスは、図４（１）−（５）を用いて説明した上述のプロセスである。
【００５５】
次に、図６（６）に示すように、感光性ポリイミドを用いて絶縁層６を形成し、バンプパッド１３となる部分を開口させる。それと同時に、電子部品間の折り曲げ部分に沿って溝を形成する。この開口方法については、図４（２）に示す絶縁層の形成方法と同様である。
【００５６】
なお、本実施例では、銅／ニッケルからなる配線を一層としたが、図４（２）から（４）を繰り返すことで、多層配線とすることも可能である。また、配線材料として、銅／ニッケル以外に銅単体、ニッケル単体を用いることも可能である。配線の形成方法についても、スパッタによりクロム／銅／クロムを成膜した後、フォトリソグラフィーとエッチング技術を用いて配線を形成することも可能である。また、ここでの電気ニッケルめっきははんだ拡散を防止するために設けているが、スパッタによりクロム／銅／ニッケルまたはニッケル合金の成膜、エッチング技術による配線／はんだ拡散防止層を形成することも可能である。配線層を多層化した場合には、折り曲げ部分の溝形成は、最上面のみに行なえば十分である。なお、ここで最上部の配線に絶縁層が掛からないわけであるが、図３に示すような樹脂充填を行なうことで、絶縁は確保出来る。
【００５７】
図７（７）から（９）は図５（７）から（９）と同一工程である。
【００５８】
この溝で、図１５に示すように、折り返されて完成された構造は、図２（５）に示した基板１上に半導体チップ２を搭載した状態となる。
【００５９】
図６から図７では、半導体チップが搭載される部分を拡大して記した。
【００６０】
実際のシリコンウェハの基板は、図１６に示すように、シリコンウェハ４に多数個形成する。
【実施例３】
【００６１】
図８から図９は、図１で折り返したフレキシブル基板１の第三の製造プロセスを示す図である。
【００６２】
図８（１）と図４（１）との大きな相違点は、印刷法で形成された応力緩和材料１６の有無です。
【００６３】
本実施例では、シリコンウェハ４上に配線と絶縁層を形成し、最終工程でシリコンウェハを分離することで薄いフレキシブル基板を形成する。
【００６４】
応力緩和材料の形成は、露光・現像を用いたフォトリソグラフィーの技術を用いても可能であるが、コスト的には、材料利用効率が高い本実施例で用いた方法を用いることが望ましい。本実施例では、日立化成工業（株）製  ＨＩＭＡＬ  ＨＬ−Ｐ２００を用いた。
【００６５】
図９に、塗布形状の鳥瞰図を示す。ここで、形成した応力緩和材料１６は、半導体チップ２に接続されたはんだに掛かる応力を低減させるとともに、応力緩和材がクッション材となるため、本マルチチップモジュールを他の基板に搭載する際に必要となる加熱工程で、はんだが再溶融、膨張し、はんだが浸透することで電気的短絡を防止する効果が認められる。
【００６６】
図８（２）−（６）は、図４（２）−図５（７）と同一の工程である。
【００６７】
本工程の以下の工程は、図５（８）、図５（９）と同様な工程により、形成される。
【００６８】
その後の工程については、図１４に示す。ここで完成した構造が、図１に示したフレキシブル基板１上に半導体チップ２を搭載した状態である。図１５には、図１（２）に示した、折り曲げている工程と図５（９）の対比を示す。図１５下図に記す鎖線部分が図１４上図に示す断面を示している。
【００６９】
図８から図９では、半導体チップが搭載される部分を拡大して記したが、実際には、図１５に示すように、シリコンウェハ４に多数個形成する。
【実施例４】
【００７０】
実施例１から３においては、外部接続部分のパッド形状は平坦であった。これに、落下等の衝撃に耐えうるように、パッドに凸形状を付ける方法について記す。なお、本説明では、実施例１から３に示した外部接続用端子部分を拡大して示す。
【００７１】
図１０から図１４に、図１で折り返したフレキシブル基板１の第四の製造プロセスを示す。
【００７２】
まず、図１０（１）に示す工程を行う。図４（１）と同一の工程である。図４（１）では、金属膜５を単層で示したが、本発明の実施例では、後の説明を容易にするため、スパッタ銅５１とスパッタクロム５２を分けて示してある。
【００７３】
次に、図１０（２）に示す工程を行う。この工程では、フォトリソグラフィー技術を用い、電気銅めっき１０を形成する部分のみが開口した配線の逆パターンをレジスト８を用いて形成する。図１０（２）下図は、上面から見た形状を示す。
【００７４】
次に、図１０（３）に示す工程を行う。この工程では、表面のクロムをエッチングを用いて除去する。クロムのエッチング液には、フェリシアン系、塩酸系等の種類があるが、本実施例では、過マンガン酸カリウムとメタケイ酸を主成分とするエッチング液を用いた。
【００７５】
次に、図１１（４）に示す工程を行う。この工程では、硫酸・硫酸銅めっき液を用い、界面活性剤による洗浄、水洗、希硫酸による洗浄、水洗を行った後、給電膜７を陰極に接続し、リンを含有する銅板を陽極に接続して電気銅めっき６を形成した。また、図１１（４）下図は、上面から見た形状を示す。
【００７６】
次に、図１１（５）に示す工程を行う。この工程では、レジスト８からなる配線の逆パターンをエッチング処理により除去する。
【００７７】
次に、図１２（６）に示す工程を行うが、この工程は、図４（２）と同一の工程である。図１２（６）下図は、上面から見た形状を示す。
【００７８】
次に、図１２（７）に示す工程を行う。この工程では、電気めっきを実施するための給電膜７を全面に形成する。ここでは、蒸着や、無電解銅めっき、ＣＶＤなども用いることが可能であるが、ポリイミドとの接着強度が強いためスパッタを用いることとした。スパッタの前処理として、導体の導通を確保するためにスパッタエッチングを行った。本実施例におけるスパッタ膜としては、クロム（７５ナノメートル）／銅（０．５マイクロメートル）の多層膜（発明の実施の形態５では、図１０（１）に倣って、スパッタ銅５１、スパッタクロム５２を分けて示した）を形成した。ここでのクロムの機能は、その下に位置する絶縁層５との接着を確保することにあり、その膜厚はそれらの接着を維持する最低限でかまわない。所要膜厚は、スパッタエッチングおよびスパッタの条件、クロムの膜質などによっても変動する。なお、本実施例で使用したクロム膜に代えてチタン膜やチタン／白金膜、タングステンなどでも代替できる。一方、銅の膜厚は、後の工程で電気銅めっき１０及び電気ニッケルめっき９を形成したときに、膜厚分布が生じない最小限度の膜厚が好ましく、めっき前処理として行なう酸洗などでの膜減り量も考慮に入れたうえで膜厚分布を誘発しない膜厚を決定する。銅の膜厚を必要以上に厚くした場合、例えば１マイクロメートルを越える銅厚の場合には、スパッタ時間が長くなって生産効率が低下するという問題に加えて、後の工程で実施する給電膜２のエッチング除去の際に長時間エッチングが避けられず、その結果として電気ニッケルめっき３、電気銅めっき６のサイドエッチングが大きくなる。
【００７９】
次に、図１２（８）から図１４（１３）の工程を行うが、これらの工程は、図４（３）−図５（８）と同一の工程である。
【００８０】
その後、アンダーフィル９を充てんした後、シリコンウェハを除去した。ここでは、図４（１）で形成した金属膜５に沿って分離する。分離後、金属膜（銅）をエッチングすることで、除去する。エッチングすることで、図１１（４）で形成した銅めっきがエッチングされる。更にスパッタクロム５０をエッチングする段階で、半導体チップを搭載した反対側（裏面）には、電気ニッケルめっきが露出しており、この部分と基板をはんだを用いて接続する。
【００８１】
最後に、図１４（１４）が示す工程を行う。この工程では、半導体チップを搭載した反対側（裏面）で露出している電気ニッケルめっきと基板をはんだを用いて接続する。
【実施例５】
【００８２】
実施例１では、基板１に半導体チップ２が５個搭載された図を示したが、搭載個数に特に制限を設けるものではない。
【００８３】
図１７に、半導体チップ２を９個搭載した例を示す。折り曲げ方にも特に制限を設ける物ではないが、図１７に示すとおり折り曲げると図１（１）と同様な形状となる。
【００８４】
また、半導体チップの並べ方であるが、図１８に示すように、複数個の半導体チップを並列して並べることも可能である。ここでは、中心に大形半導体チップを配置した様子を示しているが、小形半導体チップを複数個搭載することも可能である。
【実施例６】
【００８５】
図１９に、無線通信デバイスを搭載したフレキシブル基板の斜視図である。
【００８６】
ここでは、無線通信デバイス１７を搭載する部分に配線形成工程でアンテナ１８を形成したものである。ここでも、折り曲げ方には制約はないが、無線通信デバイス１７が最表面となるように折り返す方法が、電波の減衰を防ぐ上からも適当である。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】電子部品搭載フレキシブル基板の折り返しプロセスを示す図である。
【図２】電子部品搭載フレキシブル基板の折り返しプロセスを示す図である。
【図３】接着工程図である。
【図４】図１で折り返したフレキシブル基板１の第一の製造プロセスを示す図である。
【図５】図１で折り返したフレキシブル基板１の第一の製造プロセスを示す図である。
【図６】図１で折り返したフレキシブル基板１の第二の製造プロセスを示す図である。
【図７】図１で折り返したフレキシブル基板１の第二の製造プロセスを示す図である。
【図８】図１で折り返したフレキシブル基板１の第三の製造プロセスを示す図である。
【図９】応力緩和材料の塗布形状の鳥瞰図である。
【図１０】図１で折り返したフレキシブル基板１の第四の製造プロセスを示す図である。
【図１１】図１で折り返したフレキシブル基板１の第四の製造プロセスを示す図である。
【図１２】図１で折り返したフレキシブル基板１の第四の製造プロセスを示す図である。
【図１３】図１で折り返したフレキシブル基板１の第四の製造プロセスを示す図である。
【図１４】図１で折り返したフレキシブル基板１の第四の製造プロセスを示す図である。
【図１５】フレキシブル基板上に半導体チップ２を搭載した状態図である。
【図１６】シリコンウェハに多数個形成したフレキシブルフレキシブル基板の斜視図である。
【図１７】半導体チップ２を９個搭載したフレキシブル基板の斜視図である。
【図１８】複数個の半導体チップを並列して搭載したフレキシブル基板の斜視図である。
【図１９】無線通信デバイスを搭載したフレキシブル基板の斜視図である。
【符号の説明】
【００８８】
１…基板、２…半導体チップ、３…接着剤、４…シリコンウェハ、５…金属膜、６…絶縁膜、７…給電膜、８…レジスト、９…電気ニッケルめっき、１０…電気銅めっき、１１…電子部品、１２…はんだボール、１３…バンプパッド、１４…アンダーフィル、１５…配線、１６…応力緩和材料、スパッタ銅…５１、スパッタクロム…５２、無線通信デバイス…１７、アンテナ…１８
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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