(57)【要約】【課題】  薄型化が可能であり、また様々な記録フォーマットに対応可能な集光線位置微調整装置、積層導波路ホログラムメモリの読取装置および読取方法を提供する。【解決手段】  集光線位置微調整装置は、積層導波路ホログラムメモリ７の各導波層５へレーザ光を導く集光線位置微調整装置であって、調光部材としての振幅変調型空間光変調器４を備える。振幅変調型空間光変調器４は、積層導波路ホログラムメモリ７の入射端面に近接して配置される。振幅変調型空間光変調器４は、積層導波路ホログラムメモリ７の積層された導波層５のそれぞれについてレーザ光の入射光量を変更することが可能である。【選択図】        図１
2006267840.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層導波路ホログラムメモリの各導波層へレーザ光を導く集光線位置微調整装置であって、
積層導波路ホログラムメモリの入射端面に近接して配置された、前記積層導波路ホログラムメモリの積層された導波層のそれぞれについて前記レーザ光の入射光量を変更することが可能な調光部材を備える、集光線位置微調整装置。
【請求項２】
前記調光部材は、前記積層導波路ホログラムメモリの前記導波層の積層方向に沿って積層された複数の画素を含み、
前記積層方向における前記画素のピッチは、前記導波層の積層ピッチと実質的に等しい、請求項１に記載の集光線位置微調整装置。
【請求項３】
前記調光部材の前記画素に入射させる前記レーザ光を集光するための集光レンズを備える、請求項２に記載の集光線位置微調整装置。
【請求項４】
前記集光レンズは、複数の前記画素のそれぞれに対応して設けられている、請求項３に記載の集光線位置微調整装置。
【請求項５】
前記集光レンズはシリンドリカルレンズである、請求項３または４に記載の集光線位置微調整装置。
【請求項６】
前記積層方向における前記画素の積層数は、前記積層方向における前記導波層の積層数より多い、請求項２〜５のいずれか１項に記載の集光線位置微調整装置。
【請求項７】
前記調光部材は、前記積層導波路ホログラムメモリにおける複数の前記導波層に対して同時に前記レーザ光を入射させることが可能である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の集光線位置微調整装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の集光線位置微調整装置を備える、積層導波路ホログラムメモリの読取装置。
【請求項９】
請求項８に記載の読取装置を用いた前記積層導波路ホログラムメモリの読取方法であって、
前記積層導波路ホログラムメモリの複数の前記導波層のうち、少なくとも１つには光学的暗号化情報が記憶され、
前記積層導波路ホログラムメモリの入射端面から、前記光学的暗号化情報が記憶された前記導波層および再生するべき情報が暗号化されて記憶された他の導波層に前記レーザ光を入射させることができるように、前記調光部材を制御する選択工程と、
前記調光部材を介して、前記光学的暗号化情報が記憶された前記導波層および再生するべき情報が暗号化されて記憶された他の導波層に前記レーザ光を同時に入射させることにより、前記光学的暗号化情報を用いて前記再生するべき情報を復号して再生する再生工程とを備える、積層導波路ホログラムメモリの読取方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、集光線位置微調整装置、積層導波路ホログラムメモリの読取装置および読取方法に関し、より特定的には、薄型化および高機能化を図った集光線位置微調整装置、積層導波路ホログラムメモリの読取装置および読取方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、積層導波路ホログラムメモリの各導波層へレーザ光を導くレーザ光入射ヘッドとして用いる集光線位置微調整装置が知られている（たとえば、特許文献１および特許文献２参照）。図９は、従来の集光線位置微調整装置を示す斜視模式図である。図１０〜図１３は、図９に示した集光線位置微調整装置を説明するための模式図である。図９〜図１３を参照して、従来の集光線位置微調整装置を説明する。
【０００３】
図９に示すように、積層導波路ホログラムメモリ１００の集光線位置微調整装置において、入射レーザ光（平面波）１０１は、積層導波路ホログラムメモリ１００の入射端面に入射するように照射される。当該入射端面に対向するように配置されたシリンドリカルレンズ１０２（または、同等の機能を有する回折レンズ）により当該入射レーザ光は線状に集光される。集光された入射レーザ光は、積層導波路１０３に結合される（積層導波路ホログラムメモリ１００の入射端面における積層導波路１０３の端部に照射される）。その際、図１０に示すように、積層導波路ホログラムメモリ１００の目的とする（再生されるべき）導波路の端面１０４である直線と、シリンドリカルレンズ１０２（図９参照）もしくはそれと同等の機能を有する回折レンズによって集光された集光線１０５である直線を３次元空間内で一致させる必要がある。このため、図１１および図１２に示すように、ｘ、ｚ、θ、φの４自由度を制御しなければならない。
【０００４】
このうちφの自由度については許容誤差が大きいので、制御する必要はなく、実際にはｘ、ｚ、θの３自由度を持つアクチュエータを用いればよい。ｘ軸は、積層導波路ホログラムメモリ１００における積層導波路１０３の層選択を行なうために、０．１ミクロンの精度で数ミリのストロークを持つ必要がある。従って、図１３に示すように、シリンドリカルレンズ１０２はｘ軸方向に移動スペースを必要とする。
【０００５】
また、積層導波路１０３全般にわたって効率よく入射レーザ光１０１を結合するには、θ軸は０．１ミリラジアンの高精度で制御を行なう必要がある。ｚ軸に関しては、集光線１０５を生成するシリンドリカルレンズ１０２、もしくは同等の機能を有する回折レンズの開口数を小さくし、許容誤差よりも焦点深度を大きくすることで、制御を省略することも可能となる。
【特許文献１】特開２００１−５２１２８号公報
【特許文献２】特開２００２−２７８４３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述したようにシリンドリカルレンズ１０２、もしくは同等の機能を有する回折レンズは、積層導波路１０３の全層に対して光を入射するためには積層導波路ホログラムメモリ１００の積層方向、すなわちｘ軸に対して数ｍｍのストロークを必要とする。このため、シリンドリカルレンズ１０２のための移動スペースを装置の厚み方向に数ｍｍ確保する必要がある。この結果、従来は集光線位置微調整装置の薄型化が困難であった。
【０００７】
また、従来の方式では、一度に光を入射することができるのは複数の積層導波路１０３のうちの１層のみであり、複数層にわたって記録されているデータを同時に再生することはできなかった。このため、様々な媒体の記録フォーマットに対応できないという課題があった。
【０００８】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の目的は、薄型化が可能であり、また様々な記録フォーマットに対応可能な集光線位置微調整装置、積層導波路ホログラムメモリの読取装置および読取方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明に従った集光線位置微調整装置は、積層導波路ホログラムメモリの各導波層へレーザ光を導く集光線位置微調整装置であって、調光部材を備える。調光部材は、積層導波路ホログラムメモリの入射端面に近接して配置される。調光部材は、積層導波路ホログラムメモリの積層された導波層のそれぞれについてレーザ光の入射光量を変更することが可能である。
【００１０】
この発明に従った積層導波路ホログラムメモリの読取装置は、上記集光線位置微調整装置を備える。
【００１１】
この発明に従った積層導波路ホログラムメモリの読取方法は、上記読取装置を用いた積層導波路ホログラムメモリの読取方法であって、選択工程と再生工程とを備える。積層導波路ホログラムメモリの複数の導波層のうち、少なくとも１つには光学的暗号化情報が記憶されている。選択工程では、積層導波路ホログラムメモリの入射端面から、光学的暗号化情報が記憶された導波層および再生するべき情報が暗号化されて記憶された他の導波層にレーザ光を入射させることができるように、前記調光部材を制御する。再生工程では、調光部材を介して、光学的暗号化情報が記憶された導波層および再生するべき情報が暗号化されて記憶された他の導波層にレーザ光を同時に入射させることにより、光学的暗号化情報を用いて再生するべき情報を復号して再生する。
【発明の効果】
【００１２】
この発明によれば、調光部材により積層導波路ホログラムメモリの導波層の選択を行なうことができるので、集光線位置微調整装置および読取装置の薄型化（小型化）を図ることができる。また、調光部材により光学的暗号化情報が記憶された導波層および再生するべき情報が暗号化されて記憶された他の導波層にレーザ光を同時に入射させることができるので、再生するべき情報を容易に復号して再生するというように、様々な記録フォーマットに対応することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下に、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。
【００１４】
（実施の形態１）
図１は、本発明による集光線位置微調整装置を用いた積層導波路ホログラムメモリの読取装置の実施の形態を説明するための断面模式図である。図２は、図１に示した集光線位置微調整装置を構成する振幅変調型空間光変調器を示した図である。図１および図２を参照して、本発明による集光線位置微調整装置を説明する。
【００１５】
図１に示すように、本発明による集光線位置微調整装置は、積層導波路ホログラムメモリ７の入射端面に対向するように配置される振幅変調型空間光変調器４と、振幅変調型空間光変調器４の画素６に対応して配置されたシリンドリカルレンズ３と、振幅変調型空間光変調器４の位置を調節するための移動部材１１と、光源である半導体レーザ１と、コリメータ２と、振幅変調型空間光変調器４、移動部材１１および半導体レーザ１を制御するための制御部１０とを備える。移動部材１１としては、電動モータ、アクチュエータなど任意の部材を用いることができる。また、調光部材（空間光変調器ともいう）としての振幅変調型空間光変調器４は半導体レーザ１から出射されたレーザ光の透過・遮断を制御可能なものであればどのような形式の装置を用いてもよい。振幅変調型空間光変調器４の画素６は、積層導波路ホログラムメモリ７の導波層５にそれぞれ対向するように配置されている。上記画素６は、図２に示すように積層導波路ホログラムメモリ７の導波層５の延在方向と同じ方向（水平方向）に長い長方形の平面形状を有している。振幅変調型空間光変調器４としては、後述するように液晶パネルを用いてもよいが、光の透過率を変更することができる（光の透過・遮断を切換えることができる）部材であれば、任意の部材を用いることができる。たとえば、液晶パネルに代えて、磁気光学効果を用いた光変調器などを振幅変調型空間光変調器４として用いてもよい。また、積層導波路ホログラムメモリ７の各導波層５は、たとえばコア部の厚さが１μｍ、コア部を挟むクラッド部の厚さが９μｍの合計厚さが１０μｍの層により構成されていてもよい。積層導波路ホログラムメモリ７としては、上記のような厚さ１０μｍの導波層５をたとえば１００層積み重ねてトータル厚みを１ｍｍとした記録媒体であってもよい。
【００１６】
次に、図１に示した集光線位置微調整装置の動作を説明する。光源である半導体レーザ１から放射された光は、コリメータ２により平行光に変換される。そして、当該平行光は、画素６に対応したピッチでシリンドリカルレンズ３が形成されているシリンドリカルレンズアレイが配置された振幅変調型空間光変調器４に入射される。振幅変調型空間光変調器４上に形成されたシリンドリカルレンズ３に入射した光は、ｘ軸方向にのみ集光される。そして、集光された光は、再生したい所望の導波層５に対応する画素６だけ光が透過するように設定された振幅変調型空間光変調器４を透過する。透過した光は、積層導波路ホログラムメモリ７の入射端面で所定の導波層５に照射されるように、線状に集光される。当該集光された光が導波層５に入射することにより、当該導波層５に記憶された画像などの情報を取出す（再生する）ことができる。
【００１７】
本実施の形態においてシリンドリカルレンズ３に入射される平行光は、常に振幅変調型空間光変調器４全体を照射するように構成されている。これは、振幅変調型空間光変調器４を積層導波路ホログラムメモリ７における導波層５の積層方向、すなわちｘ軸方向に移動することなく積層導波路ホログラムメモリ７の所望の導波層５に光を入射するためである。
【００１８】
この振幅変調型空間光変調器４は、上述のように表示装置として使用されている液晶パネルを使用する。また、本実施の形態で用いる液晶パネルは、積層導波路ホログラムメモリ７の導波層５に対応するように、図２に示すような１次元開口型の液晶パネルを使用する。
【００１９】
なお、振幅変調型空間光変調器４として２次元マトリックス型の液晶パネルを使用してもよいが、この場合には平面形状が矩形の開口である画素を透過した光を水平方向（ｙ軸方向）に連結して集光線を形成することになる。従って、導波路幅方向（導波層幅方向）、すなわちｙ軸方向において集光線に光量分布が生じる可能性がある。そのため、ｙ軸方向において光量分布の生じない、図２に示したような１次元開口型の液晶パネルを振幅変調型空間光変調器４として使用するほうが好ましい。
【００２０】
また、図１および図２に示した振幅変調型空間光変調器４としての１次元開口型液晶パネルの画素ピッチｐ１（縦方向（ｘ軸方向）における画素６の高さ）は、積層導波路ホログラムメモリ７の積層導波路（積層導波層）ピッチｐ２（ｘ軸方向において隣接する導波層５の間の距離）と実質的に等しくになるように設定されている。このように設定することで、図３〜図５に示すように振幅変調型空間光変調器４としての１次元開口型液晶パネルのチルトθ、及びｘ軸方向位置を調整すれば、積層された導波層と液晶パネルの開口位置（画素６の位置）が一致するため、振幅変調型空間光変調器４としての液晶パネルの開口（画素）を制御するだけで任意の層選択を行なうことができる。なお、図３〜図５は、振幅変調型空間光変調器４と積層導波路ホログラムメモリ７の入射端面との位置調整を説明するための模式図である。
【００２１】
また、図１から分かるように、振幅変調型空間光変調器４としての１次元開口型液晶パネルにおける画素６の数は、積層導波路ホログラムメモリ７に積層された導波層の数よりも多くなるように構成されている。これは、製造、組立公差等が原因で、振幅変調型空間光変調器４としての液晶パネルと積層導波路ホログラムメモリ７との相対位置がｘ軸方向にずれた場合でも、液晶パネルのｘ軸方向の画素ピッチｐ１の長さの範囲内で振幅変調型空間光変調器４の位置調整を行えば、振幅変調型空間光変調器４としての液晶パネルの画素６と積層導波路ホログラムメモリ７に積層された導波層５とを対向するように配置することができる。つまり、振幅変調型空間光変調器４についてその位置を調整する移動部材１１（図１参照）としてわずかな距離（画素ピッチｐ１程度）の位置調整を行なう微調整機構のみでも十分位置調整を行なうことができる。
【００２２】
たとえば、具体例として、積層導波路ホログラムメモリ７の積層ピッチｐ２を１０μｍ、振幅変調型空間光変調器４としての１次元開口型液晶パネルの画素ピッチｐ１を１０μｍ、組立公差によるｘ軸方向のずれ量（積層導波路ホログラムメモリ７に対する振幅変調型空間光変調器４の位置のずれ量）を±５０μｍとすると、少なくとも５画素分だけ上下に余裕を持たせた振幅変調型空間光変調器４としての液晶パネルを用意することで、上記公差などがある場合でも、十分な位置合せを行なうことができる。つまり、移動部材１１による振幅変調型空間光変調器４のｘ軸方向での移動量を、画素ピッチｐ１である１０μｍ以内としても、ｘ軸方向における振幅変調型空間光変調器４の位置の微調整を行うことが可能となる。従って、従来のようにｘ軸方向に数ｍｍのストロークを必要とするシリンドリカルレンズ１０２（図１３参照）の移動機構が不要となり、当該シリンドリカルレンズ１０２の移動に必要な無駄なスペースを確保する必要がなくなる。このため、装置の薄型化をはかることが可能となる。
【００２３】
なお、振幅変調型空間光変調器４としての１次元開口型液晶パネルのｘ軸方向における移動に必要なストロークは、最大で液晶パネルの積層方向での画素サイズ（画素６の高さ）である。また、当該積層方向での移動における位置調整の精度は、画素サイズの１０分の１程度あれば十分である。よって、例えば、移動部材１１として、最近駆動電圧の低電圧化が進む圧電素子や、光ピックアップの収差補正装置などで用いられている超小型ステッピングモータを使用することで、十分対応することが可能となる。
【００２４】
また、本実施の形態においては、積層導波路ホログラムメモリ７の導波層５の層選択に振幅変調型空間光変調器４として１次元開口型液晶パネルを用いているため、電気制御により複数の導波層５のうち複数層に光を入射することが可能となる。従って、例えば、図６に示すように、積層導波路ホログラムメモリ７の最下層となる導波層５ａに鍵となるコードを記録しておき、常に当該最下層となる導波層５ａと、鍵で暗号化された他の各層（たとえば導波層５ｂまたは導波層５ｃなど）の情報を同時に再生し、光学的に暗号を復号する用途などにも利用できる。このような積層導波路ホログラムメモリ７の再生方法を、図６および図７を参照して簡単に説明する。なお、図６は、積層導波路ホログラムメモリ７の再生方法を説明するための模式図である。また、図７は、積層導波路ホログラムメモリ７の再生方法を示すフローチャートである。
【００２５】
図６および図７に示すように、本発明による積層導波路ホログラムメモリ７の再生方法では、まず鍵となるコードを記録した層（導波層５ａ）と鍵で暗号化された情報が記録された他の層（導波層５ｂ）とを再生対象の層として選択する工程（Ｓ１０）を実施する。
次に、選択した２つの層のそれぞれに同時に光を入射させることで、２つの層からコードと情報とを同時に再生し、光学的に暗号を復号する工程（Ｓ２０）を実施する。この工程（Ｓ２０）では、図６に示すように導波層５ａ、５ｂのそれぞれに対応する画素６が光を透過することが可能な状態となり、当該画素６から導波層５ａ、５ｂのそれぞれにレーザ光が入射する。その結果、導波層５ａ、５ｂのそれぞれから暗号の鍵となるコードおよび暗号化された情報が同時に再生される。そして、暗号化された情報が再生されたコードにより復号され、当該復号された情報が積層導波路ホログラムメモリ７から出力される。
【００２６】
また、図８に示すように、振幅変調型空間光変調器４として画素１６がマトリックス状に配置された２次元マトリックス型液晶パネルを用いてもよい。図８は、本発明による集光線位置微調整装置を用いた積層導波路ホログラムメモリの読取装置の実施の形態の変形例を説明するための模式図である。図８には、当該変形例において用いられる振幅変調型空間光変調器４が示されている。図８は図２に対応する。
【００２７】
図８に示したように振幅変調型空間光変調器４として画素１６がマトリックス状に配置された２次元マトリックス型液晶パネルを用いることにより、積層ホログラムメモリの一部（例えば導波層５の水平方向（ｙ軸方向）での一部分）、例えばアドレス信号やサーボ信号が記録された領域のみを再生することができる。この結果、高速位置検出、高速サーボフィードバックなどの機能を実現できる。
【００２８】
上述した本発明に従った集光線位置微調整装置の特徴的な構成を要約すれば、この発明に従った集光線位置微調整装置は、図１などに示すように、積層導波路ホログラムメモリ７の各導波層５へレーザ光を導く集光線位置微調整装置であって、調光部材としての振幅変調型空間光変調器４を備える。振幅変調型空間光変調器４は、積層導波路ホログラムメモリ７の入射端面に近接して配置される。振幅変調型空間光変調器４は、積層導波路ホログラムメモリ７の積層された導波層５のそれぞれについてレーザ光の入射光量を変更することが可能である。
【００２９】
このようにすれば、従来のように集光レンズを大きく移動することなく、振幅変調型空間光変調器４を用いて積層導波路ホログラムメモリ７の各導波層５について層選択を行なうことができる。このため、集光線位置微調整装置の薄型化（小型化）を図ることができる。
【００３０】
上記集光線位置微調整装置において、振幅変調型空間光変調器４は、積層導波路ホログラムメモリ７の導波層５の積層方向（図１のｘ軸方向）に沿って積層された複数の画素６を含んでいてもよい。積層方向における画素６のピッチｐ１は、導波層５の積層ピッチｐ２と実質的に等しくてもよい。
【００３１】
この場合、振幅変調型空間光変調器４と積層導波路ホログラムメモリ７とについて積層方向のシフト及びチルトを初期調整すれば、全ての導波層５と振幅変調型空間光変調器４の画素６との位置を一致させることができる。その後、振幅変調型空間光変調器４を制御するだけで容易に導波層５の層選択を行なうことができる。
【００３２】
上記集光線位置微調整装置は、振幅変調型空間光変調器４に（振幅変調型空間光変調器４の画素６に）入射させるレーザ光を集光するための集光レンズとしてのシリンドリカルレンズ３からなるシリンドリカルレンズアレイをさらに備えていてもよい。
【００３３】
この場合、シリンドリカルレンズ３により積層導波路ホログラムメモリ７の入射端面における各導波層５の端部にレーザ光を集光することができる。このため、積層導波路ホログラムメモリ７からの情報の再生を確実に行なうことができる（結合効率を向上させることができる）。
【００３４】
上記集光線位置微調整装置において、集光レンズとしてのシリンドリカルレンズ３は、複数の画素６のそれぞれに対応して（つまり、１つの画素６に対して１つのシリンドリカルレンズ３が）設けられていてもよい。この場合、画素６が位置する範囲に入射する光をシリンドリカルレンズ３により効率よく集光できる。この結果、入射したレーザ光を積層導波路ホログラムメモリ７の各導波層５に確実に結合することができる。
【００３５】
また、上記集光線位置微調整装置において、集光レンズがシリンドリカルレンズ３であるので、上記画素６が積層導波路ホログラムメモリ７の各導波層５の端部形状に沿って横長の形状を有しているときに、当該横長形状の画素６の伸びる軸に沿ってシリンドリカルレンズ３を配置すれば、上記画素６の全体にわたって安定してレーザ光の集光を行なうことができる。この結果、導波層５全体に対して均一なレーザ光を入射させることができる。
【００３６】
上記集光線位置微調整装置において、図１に示すように、積層方向（図１のｘ軸方向）における画素６の積層数は、積層方向における導波層の積層数より多くてもよい。
【００３７】
この場合、振幅変調型空間光変調器４と積層導波路ホログラムメモリ７の導波層５とが、装置の組立時の組立公差により相対的にシフトしたときであっても、振幅変調型空間光変調器４において導波層５と対向する表面の範囲を超えて導波層５が位置する可能性を低減できる。このため、上記導波層５の積層方向に沿って大きなストロークで振幅変調型空間光変調器４の位置調整を行なう必要が無い。このため、集光線位置微調整装置の薄型化を確実に図ることができる。
【００３８】
上記集光線位置微調整装置において、振幅変調型空間光変調器４は、積層導波路ホログラムメモリ７における複数の導波層５に対して同時にレーザ光を入射させることが可能であってもよい。具体的には、制御部１０により、振幅変調型空間光変調器４の複数の画素６が同時にレーザ光を透過可能な状態（たとえば透明な状態）になるように制御されてもよい。この場合、複数の導波層５から同時に情報を再生するような様々な積層導波路ホログラムメモリ７の記録フォーマットを利用することができる。
【００３９】
この発明に従った積層導波路ホログラムメモリの読取装置は、図１に示すように上記集光線位置微調整装置を備える。このようにすれば、薄型化を図った読取装置を実現できる。
【００４０】
この発明に従った積層導波路ホログラムメモリの読取方法は、上記読取装置を用いた積層導波路ホログラムメモリ７の読取方法であって、選択工程としての図７の工程（Ｓ１０）と再生工程としての図７の工程（Ｓ２０）とを備える。積層導波路ホログラムメモリ７の複数の導波層５のうち、少なくとも１つ（図６の導波層５ａ）には光学的暗号化情報としての鍵となるコードが記憶されている。選択工程（工程（Ｓ１０））では、積層導波路ホログラムメモリ７の入射端面から、鍵となるコードが記憶された導波層５ａおよび再生するべき情報が暗号化されて記憶された他の導波層５ｂにレーザ光を入射させることができるように、前記調光部材としての振幅変調型空間光変調器４を制御する（具体的には、上記導波層５ａ、５ｂに対応する画素６をレーザ光が透過可能な状態（たとえば透明状態）に制御する）。再生工程（図７の工程（Ｓ２０）では、振幅変調型空間光変調器４を介して、鍵となるコードが記憶された導波層５ａおよび再生するべき情報が暗号化されて記憶された他の導波層５ｂにレーザ光を同時に入射させることにより、当該コードを用いて再生するべき情報を復号して再生する。この場合、暗号化された情報を復号して容易に再生することができる。したがって、上記のような暗号化を行なう記録フォーマットなど、複数の導波層から同時に再生を行なうことが必要となるような様々な記録フォーマットに対応することができる。
【００４１】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施の形態ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明による集光線位置微調整装置を用いた積層導波路ホログラムメモリの読取装置の実施の形態を説明するための断面模式図である。
【図２】図１に示した集光線位置微調整装置を構成する振幅変調型空間光変調器を示した図である。
【図３】振幅変調型空間光変調器と積層導波路ホログラムメモリの入射端面との位置調整を説明するための模式図である。
【図４】振幅変調型空間光変調器と積層導波路ホログラムメモリの入射端面との位置調整を説明するための模式図である。
【図５】振幅変調型空間光変調器と積層導波路ホログラムメモリの入射端面との位置調整を説明するための模式図である。
【図６】積層導波路ホログラムメモリ７の再生方法を説明するための模式図である。
【図７】積層導波路ホログラムメモリ７の再生方法を示すフローチャートである。
【図８】本発明による集光線位置微調整装置を用いた積層導波路ホログラムメモリの読取装置の実施の形態の変形例を説明するための模式図である。
【図９】従来の集光線位置微調整装置を示す斜視模式図である。
【図１０】図９に示した集光線位置微調整装置を説明するための模式図である。
【図１１】図９に示した集光線位置微調整装置を説明するための模式図である。
【図１２】図９に示した集光線位置微調整装置を説明するための模式図である。
【図１３】図９に示した集光線位置微調整装置を説明するための模式図である。
【符号の説明】
【００４３】
１  半導体レーザ、２  コリメータ、３  シリンドリカルレンズ、４  振幅変調型空間光変調器、５，５ａ〜５ｃ  導波層、６，１６  画素、７  積層導波路ホログラムメモリ、１０  制御部、１１  移動部材。
【図１】
2006267840.tif 000003
【図２】
2006267840.tif 000004
【図３】
2006267840.tif 000005
【図４】
2006267840.tif 000006
【図５】
2006267840.tif 000007
【図６】
2006267840.tif 000008
【図７】
2006267840.tif 000009
【図８】
2006267840.tif 000010
【図９】
2006267840.tif 000011
【図１０】
2006267840.tif 000012
【図１１】
2006267840.tif 000013
【図１２】
2006267840.tif 000014
【図１３】
2006267840.tif 000015