(57)【要約】【課題】組み立てが簡単な処理システムを提供する。【解決手段】基板Ｗを収納する基板処理室３３と，基板Ｗを保持する保持部材５１Ａ〜５１Ｄ，及び，基板処理室３３の開口７２を閉塞する蓋５２を有する基板保持体４１と，保持部材５１Ａ〜５１Ｄに対する基板Ｗの受け渡し時には基板Ｗが略水平になるようにし，基板処理室３３内では基板Ｗが略垂直になるように基板保持体４１を姿勢変換させる保持体姿勢変換機構４３と，保持部材５１Ａ〜５１Ｄを基板処理室４１の内部と外部とに移動させる保持体移動機構４５と，保持部材５１Ａ〜５１Ｄに対して基板Ｗの受け渡しを行う基板搬送装置２０とを備える。基板処理室３３，基板保持体４１，保持体姿勢変換機構４３及び保持体移動機構４５は，処理システム１本体から一体的に取り外し可能なユニット５を構成する。【選択図】  図２
2006147693.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理システムであって，
基板を収納する基板処理室と，
基板を保持する保持部材，及び，前記基板処理室の開口を閉塞する蓋を有する基板保持体と，
前記保持部材に対する基板の受け渡し時には基板が略水平になるようにし，前記基板処理室内では基板が略垂直になるように前記基板保持体を姿勢変換させる保持体姿勢変換機構と，
前記保持部材を前記基板処理室の内部と外部とに移動させる保持体移動機構と，
前記保持部材に対して基板の受け渡しを行う基板搬送装置とを備え，
前記基板処理室，前記基板保持体，前記保持体姿勢変換機構及び前記保持体移動機構は，処理システム本体から一体的に取り外し可能なユニットを構成することを特徴とする，処理システム。
【請求項２】
前記ユニットは，前記基板保持体，前記保持体姿勢変換機構及び前記保持体移動機構を有する複数の基板姿勢変換移動装置と，前記保持部材に対して基板の受け渡しが行われる受け渡し位置と前記基板処理室に対して前記保持部材を搬入出可能な搬入出位置とに前記基板姿勢変換移動装置をそれぞれ移動させる基板姿勢変換移動装置移動機構とを備えることを特徴とする，請求項１に記載の処理システム。
【請求項３】
前記ユニットを上下に積み重ねて備え，
前記基板搬送装置によって各ユニットの前記保持部材に対して基板の受け渡しを行うことを特徴とする，請求項1又は２に記載の処理システム。
【請求項４】
基板を処理する処理システムであって，
基板を収納する基板処理室と，
基板を保持する保持部材，及び，前記基板処理室の開口を閉塞する蓋を有する基板保持体と，
前記保持部材に対する基板の受け渡し時には基板が略水平になるようにし，前記基板処理室内では基板が略垂直になるように前記基板保持体を姿勢変換させる保持体姿勢変換機構と，
前記保持部材を前記基板処理室の内部と外部とに移動させる保持体移動機構と，
前記保持部材に対して基板の受け渡しを行う基板受け渡し装置と，
前記基板受け渡し装置に対して基板の受け渡しを行う基板搬送装置とを備え，
前記基板処理室，前記基板保持体，前記保持体姿勢変換機構及び前記保持体移動機構は，処理システム本体から一体的に取り外し可能なユニットを構成することを特徴とする，処理システム。
【請求項５】
前記基板保持体を挟んで対向する位置に前記基板受け渡し装置をそれぞれ設け，
前記基板搬送装置によって処理前の基板を一方の基板受け渡し装置に渡し，前記一方の基板受け渡し装置によって処理前の基板を前記保持部材に渡し，
他方の基板受け渡し装置によって処理後の基板を前記保持部材から受け取り，前記基板搬送装置によって処理後の基板を前記他方の基板受け渡し装置から受け取る構成としたことを特徴とする，請求項４に記載の処理システム。
【請求項６】
前記ユニットは，前記基板受け渡し装置を含むことを特徴とする，請求項４又は５に記載の処理システム。
【請求項７】
前記ユニットを上下に積み重ねて備え，
前記基板受け渡し装置によって，各ユニットの保持部材に対して基板の受け渡しを行うことを特徴とする，請求項４又は５に記載の処理システム。
【請求項８】
前記基板処理室下部に，複数種類の処理液を供給する処理液供給口を設け，
前記基板処理室上部及び下部に排出口を設けたことを特徴とする，請求項１〜７のいずれかに記載の処理システム。
【請求項９】
前記保持部材を回転させる回転駆動機構を備えたことを特徴とする，請求項１〜８のいずれかに記載の処理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，半導体ウェハなどの基板を処理液によって処理する処理システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおいては，半導体ウェハ（以下，「ウェハ」という。）を複数種類の処理液によって順次処理する洗浄などの工程を行う処理システムが用いられている。かような処理システムとして，複数枚のウェハを一括して処理するバッチ式のものが広く用いられている。従来，バッチ式の処理システムとして，ワンバス式の処理槽を備えたものが知られている（例えば，特許文献１，２参照。）。これらは，処理槽内に複数枚のウェハを並べて保持し，複数種類の処理液を順次貯留して，ウェハに対して複数種類の浸漬処理を連続して行うように構成されている。そして，ウェハの浸漬処理後は，乾燥処理部において乾燥処理を行うようになっている。
【０００３】
【特許文献１】特開平７−１４２５５０号公報
【特許文献２】特開２００１−１０２３５０号公報
【０００４】
しかしながら，従来の処理システムは，処理槽，乾燥処理部，処理槽や乾燥処理部にウェハを搬送する搬送機構などの組み立てが煩雑であり，また，占有面積が大きかった。さらに，処理槽から乾燥処理部にウェハを搬送する時間が必要であり，スループットを短くすることが難しかった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は，組み立てが簡単な処理システムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため，本発明によれば，基板を処理する処理システムであって，基板を収納する基板処理室と，基板を保持する保持部材，及び，前記基板処理室の開口を閉塞する蓋を有する基板保持体と，前記保持部材に対する基板の受け渡し時には基板が略水平になるようにし，前記基板処理室内では基板が略垂直になるように前記基板保持体を姿勢変換させる保持体姿勢変換機構と，前記保持部材を前記基板処理室の内部と外部とに移動させる保持体移動機構と，前記保持部材に対して基板の受け渡しを行う基板搬送装置とを備え，前記基板処理室，前記基板保持体，前記保持体姿勢変換機構及び前記保持体移動機構は，処理システム本体から一体的に取り外し可能なユニットを構成することを特徴とする，処理システムが提供される。
【０００７】
この処理システムにあっては，前記ユニットは，前記基板保持体，前記保持体姿勢変換機構及び前記保持体移動機構を有する複数の基板姿勢変換移動装置と，前記保持部材に対して基板の受け渡しが行われる受け渡し位置と前記基板処理室に対して前記保持部材を搬入出可能な搬入出位置とに前記基板姿勢変換移動装置をそれぞれ移動させる基板姿勢変換移動装置移動機構とを備えることとしても良い。また，前記ユニットを上下に積み重ねて備え，前記基板搬送装置によって，各ユニットの前記保持部材に対して基板の受け渡しを行うようにしても良い。
【０００８】
また，本発明によれば，基板を処理する処理システムであって，基板を収納する基板処理室と，基板を保持する保持部材，及び，前記基板処理室の開口を閉塞する蓋を有する基板保持体と，前記保持部材に対する基板の受け渡し時には基板が略水平になるようにし，前記基板処理室内では基板が略垂直になるように前記基板保持体を姿勢変換させる保持体姿勢変換機構と，前記保持部材を前記基板処理室の内部と外部とに移動させる保持体移動機構と，前記保持部材に対して基板の受け渡しを行う基板受け渡し装置と，前記基板受け渡し装置に対して基板の受け渡しを行う基板搬送装置とを備え，前記基板処理室，前記基板保持体，前記保持体姿勢変換機構及び前記保持体移動機構は，処理システム本体から一体的に取り外し可能なユニットを構成することを特徴とする，処理システムが提供される。
【０００９】
この処理システムにあっては，前記基板受け渡し装置を前記基板保持体の両側に設け，前記基板搬送装置によって処理前の基板を一方の基板受け渡し装置に渡し，前記一方の基板受け渡し装置によって処理前の基板を前記保持部材に渡し，他方の基板受け渡し装置によって処理後の基板を前記保持部材から受け取り，前記基板搬送装置によって処理後の基板を前記他方の基板受け渡し装置から受け取る構成としても良い。前記ユニットは，前記基板受け渡し装置を含むこととしても良い。さらに，前記ユニットを上下に積み重ねて備え，前記基板受け渡し装置によって，各ユニットの保持部材に対して基板の受け渡しを行うこととしても良い。
【００１０】
また，前記基板処理室下部に，複数種類の処理液を供給する処理液供給口を設け，前記基板処理室上部及び下部に排出口を設けても良い。前記保持部材を回転させる回転駆動機構を備えても良い。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば，基板処理室，前記基板保持体，前記保持体姿勢変換機構及び前記保持体移動機構等を処理システム本体から一体的に組み込み及び取り外し可能になっているので，処理システムに対する基板処理室，前記基板保持体，前記保持体姿勢変換機構及び前記保持体移動機構等の組み込み及び取り外しが容易であり，処理システムの組立，解体，改造等の作業効率を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下，本発明の好ましい実施の形態を，基板の一例としてのウェハを洗浄する処理システムに基づいて説明する。図１に示すように，処理システム１には，複数枚のウェハＷを収納したキャリアＣを搬入出するキャリア搬入出部２，キャリアＣからウェハＷを取り出すウェハ搬送ユニット３，処理ユニット５が備えられている。キャリア搬入出部２は，前後方向（Ｘ軸方向）においてウェハ搬送ユニット３の前方に配置されている。処理ユニット５は，Ｘ軸方向においてウェハ搬送ユニット３の後方に配置されている。また，処理ユニット５の後方には，処理ユニット５において使用する処理液を貯蔵又は生成する処理液貯蔵ユニット６，処理システム１に配設された各種の電動駆動機構や電子制御装置のための電源と制御装置が収納された電源・制御ボックス７，処理液貯蔵ユニット６内の処理液を処理ユニット５に供給する際の制御等を行う処理液貯蔵ユニット制御ボックス８などが設置されている。
【００１３】
キャリアＣの一側面には，ウェハＷをキャリアＣ内に対して搬入出するための開口１３が形成されている。また，図示はしないが，キャリアＣの内壁には，複数個，例えば２５個のスロットが所定間隔を空けて形成されている。ウェハＷは各スロットに１枚ずつ収容されており，互いに略平行な姿勢で所定間隔を空けて配列された状態で，キャリアＣ内に収納されている。
【００１４】
キャリア搬入出部２には，２個のキャリア載置台１５Ａ，１５Ｂが，左右方向（Ｙ軸方向）に並べて設けられている。キャリアＣは，開口１３をキャリア搬入出部２に向け，ウェハＷを略水平にした状態で，各キャリア載置台１５Ａ，１５Ｂ上にそれぞれ載置される。
【００１５】
ウェハ搬送ユニット３には，ウェハＷを搬送する基板搬送装置２０が備えられている。図２に示すように，基板搬送装置２０は，ウェハＷを1枚ずつ略水平に保持する２本の搬送アーム２１Ａ，２１Ｂを備えている。また，各搬送アーム２１Ａ，２１Ｂを水平方向に個別にスライドさせるスライド機構２２を備えている。スライド機構２２は，スライド機構２２を鉛直方向（Ｚ軸方向）の回転中心軸を中心として回転させる回転機構２３に支持されている。さらに，基板搬送装置２０には，回転機構２３をＺ軸方向に昇降させる昇降機構２４が備えられ，昇降機構２４は，昇降機構２４をＹ軸方向に移動させる水平移動機構２５に支持されている。そして，スライド機構２２，回転機構２３，昇降機構２４，水平移動機構２５を各々駆動させることにより，各搬送アーム２１Ａ，２１Ｂによって，各キャリア載置台１５Ａ，１５Ｂに載置されたキャリアＣからウェハＷを一枚ずつ取り出し，後述する処理ユニット５内の基板姿勢変換移動装置３０Ａ，３０Ｂに受け渡し，また，基板姿勢変換移動装置３０Ａ，３０ＢからウェハＷを一枚ずつ取り出して各キャリアＣに収納できるように構成されている。
【００１６】
処理ユニット５は，筐体２８を備えている。筐体２８の内部には，ウェハＷを複数枚保持して搬送する２個の基板姿勢変換移動装置３０Ａ，３０Ｂ，及び，基板姿勢変換移動装置３０Ａ，３０ＢをＹ軸方向に移動させる移動機構３１を備えた基板搬送エリア３２と，ウェハＷを収納して処理する基板処理室としてのチャンバ３３を備えた処理エリア３４とが設けられている。基板搬送エリア３２は，処理エリア３４の前方（ウェハ搬送ユニット３側）に配置されている。筐体２８の前側面には，基板搬送装置２０の搬送アーム２１Ａ，２１Ｂを基板搬送エリア３２内に進入及び退出させるための開口３５Ａ，３５Ｂが，ウェハ搬送ユニット３側からみて右側と左側にそれぞれ形成されている。図２に示すように，筐体２８の天井部には，搬送エリア３１と処理エリア３４にダウンフローを供給するＦＦＵ（ファンフィルターユニット）３６が備えられている。なお，基板姿勢変換移動装置３０Ａ，３０Ｂ，移動機構３１，チャンバ３３は，筐体２８とともに処理システム１本体に一体的に組み込むことが可能な，また，処理システム１本体から一体的に取り外すことが可能なユニットとして構成されている。さらに，ＦＦＵ３６も，上記のユニットに含めるようにしても良い。
【００１７】
基板姿勢変換移動装置３０Ａ，３０Ｂは，ウェハ搬送ユニット３側からみてチャンバ３３の正面の右側と左側に，Ｙ軸方向に並べて設けられており，互いに同様の構成を有する。図３に示すように，各基板姿勢変換移動装置３０Ａ，３０Ｂは，ウェハＷを複数枚並べて保持可能な基板保持体４１を備えている。さらに，基板保持体４１を水平方向の回転中心軸を中心として回転させて水平保持状態から鉛直保持状態に姿勢変換する保持体姿勢変換機構４３と，基板保持体４１及び保持体姿勢変換機構４３を一体的にＸ軸方向に移動させる保持体移動機構４５とを備えている。
【００１８】
基板保持体４１は，ウェハＷの周縁部を保持する４本の保持部材５１Ａ，５１Ｂ，５１Ｃ，５１Ｄ，及び，後述するチャンバ３３の開口を閉塞するための略円板形状の蓋５２を備えている。図３において，蓋５２は略水平に支持されている。保持部材５１Ａ〜５１Ｄは，蓋５２の一平面（図３においては下面）５２ａに取り付けられ，Ｚ軸方向に向けて延設されている。保持部材５１Ａ〜５１Ｄのうち，保持部材５１Ａ，５１Ｂは，Ｙ軸方向において平面５２ａの中央部を挟んで互いに対向する位置に設けられている。また，保持部材５１Ｃ，５１Ｄは，保持部材５１Ａ，５１ＢよりもＸ軸方向において後側に配置されている。
【００１９】
各保持部材５１Ａ，５１Ｂ，５１Ｃ，５１Ｄには，複数個（例えば２５個）の保持溝５３が，所定間隔を空けてＺ軸方向に並べて形成されている。ウェハＷは，各保持部材５１Ａ，５１Ｂ，５１Ｃ，５１Ｄの保持溝５３に周縁部の４箇所がそれぞれ挿入された状態で，略水平に保持される。そして，各保持溝５３にウェハＷが挿入されることにより，複数枚のウェハＷが所定間隔を空けて互いに平行な姿勢で保持されるようになっている。また，図４に示すように，保持部材５１Ａ，５１Ｂの間を通じて，搬送アーム２１Ａ（２１Ｂ）を進入，退出させることにより，ウェハＷを保持部材５１Ａ〜５１Ｄに受け渡し，また，保持部材５１Ａ〜５１Ｄから取り出すことができるようになっている。
【００２０】
なお，各保持部材５１Ａ〜５１Ｄにおける保持溝５３の間の間隔は，キャリアＣに形成されたスロットの間の間隔より小さいことが好ましい。即ち，保持部材５１Ａ〜５１Ｄによって保持されたウェハＷ同士の間の間隔は，キャリアＣに収納されたウェハＷ同士の間の間隔よりも小さいことが好ましい。この場合，基板保持体４１の保持部材５１Ａ〜５１Ｄの長さが短くなり，チャンバ３３内の容積を小さくすることができる。従って，チャンバ３３と基板保持体４１を小型化し，処理ユニット５の占有面積を小さくすることができる。さらに，チャンバ３３内に供給される処理液や乾燥用気体の使用量を低減することができるので，省コストを図ることができる。なお，保持部材５１Ａ〜５１Ｄによって保持されたウェハＷ同士の間の間隔は，例えば約３ｍｍ〜５ｍｍ程度にすると良い。
【００２１】
図３に示すように，保持体姿勢変換機構４３は，Ｚ軸方向に延設された２本のアーム６１Ａ，６１Ｂを備えた支持体６２を備えている。各アーム６１Ａ，６１Ｂの先端には，図３においてＹ軸方向の回転中心軸を中心としてアーム６１Ａ，６１Ｂに対して回転可能な回転部材６３がそれぞれ取り付けられている。各回転部材６３の先端は，蓋５２の平面（図３においては上面）５２ｂの周縁両端部にそれぞれ固着されている。また，アーム６１Ｂの回転部材６３を回転させるモータ６４が，支持体６２によって支持されている。このモータ６４を駆動させると，アーム６１Ｂの回転部材６３が回転し，基板保持体４１が回転部材６３と一体的に，図３においてＹ軸方向を中心として回転するようになっている。これにより，基板保持体４１の姿勢を，ウェハＷが略水平になるように保持する水平保持状態（図３）から，ウェハＷが略鉛直になるように保持する鉛直保持状態（図５）に姿勢変換することができる。具体的には，基板搬送装置２０によって略水平に保持されるウェハＷを保持部材５１Ａ〜５１Ｄに対して受け渡す時は，ウェハＷを略水平にして保持し，チャンバ３３内にウェハＷを搬入出する時は，ウェハＷが略垂直になるように姿勢変換させることができる。
【００２２】
また，保持体姿勢変換機構４３は，支持体６２を支持しＺ軸方向を中心として回転させる支持体回転器６５を備えている。支持体回転器６５は，支持体６２の下部に取り付けられ，保持体移動機構４５の上面に支持されている。支持体回転器６５を駆動させると，基板保持体４１が支持体６２と一体的に回転する。従って，基板保持体４１を鉛直保持状態にした後，保持部材５１Ａ〜５１Ｄが蓋５２の前方に配置された状態（図５）から後方に配置された状態（図６）に姿勢変換することができる。
【００２３】
保持体移動機構４５は，移動機構３１によって図７に示すようにＹ軸方向にスライド可能に支持されている。保持体移動機構４５を駆動させると，支持体回転器６５がＸ軸方向に移動し，支持体６２及び基板保持体４１が支持体回転器６５と一体的に移動するようになっている。
【００２４】
図８及び図９に示すように，チャンバ３３には，Ｘ軸方向に沿って配置された略円筒状の筒状部７１が設けられており，この筒状部７１によってウェハＷの周縁部を囲んで収納する構成となっている。また，保持部材５１Ａ〜５１Ｄ及びウェハＷをチャンバ３３内に搬入出するための開口７２が形成されている。開口７２は，チャンバ３３の前側面に，Ｘ軸方向に向かって開口されており，また，チャンバ３３内に保持部材５１Ａ〜５１Ｄが装入された状態で，基板保持体４１の蓋５２によって閉塞されるようになっている。開口７２の周囲において，蓋５２とチャンバ３３の前面との間には，Ｏリング７３が設けられている。
【００２５】
筒状部７１の内側には，ウェハＷの上部を保持する保持部材７５Ａ，７５Ｂが備えられている。保持部材７５Ａ，７５ＢはＸ軸方向に向けて延設されている。各保持部材７５Ａ，７５Ｂには，複数個（例えば２５個）の保持溝７６が，所定間隔を空けてＸ軸方向に並べて形成されている。保持溝７６の間の間隔は，保持部材５１Ａ〜５１Ｄにおける保持溝５３の間の間隔と同じになっている。
【００２６】
筒状部７１の下端部内面には，チャンバ３３内に薬液やリンス液などの複数種類の処理液を供給し，また，排液及び排気を行うための処理液供給・排出口８０が開口されている。処理液供給・排出口８０には，供給・排出路８１が接続されている。図９に示すように，供給・排出路８１には，切換弁８２を介して，処理液を供給する処理液供給路８３と，排液路８４と，吸引ポンプ８５を備えた排気路８６とが接続されている。処理液供給路８３には切換弁８７を介して，ＳＣ−１液（アンモニアと過酸化水素と水の混合溶液）を供給する薬液供給ライン８８，ＳＣ−２液（塩酸と過酸化水素水と水の混合溶液）を供給する薬液供給ライン８９，ＤＨＦ液（希フッ化水素水）を供給する薬液供給ライン９０，純水（ＤＩＷ）をリンス液として供給するリンス液供給ライン９１が接続されている。なお，このように処理液供給・排出口８０をチャンバ３３の下部に設けると，処理液供給・排出口から処理液が落下してウェハＷに付着することを防止できる。
【００２７】
筒状部７１の上端部内面には，チャンバ３３内にウェハＷの乾燥処理用やパージ用の気体を供給し，また，排液及び排気を行うための気体供給・排出口１００が開口されている。気体供給・排出口１００には，供給・排出路１０１が接続されている。供給・排出路１０１には，切換弁１０２を介して，気体供給路１０３と，排液路１０４と，排気路１０５とが接続されている。気体供給路１０３には，切換弁１０７を介して，窒素（Ｎ２）ガスなどの不活性ガスを供給する不活性ガス供給ライン１０８，加熱された窒素ガスなどの不活性ガスを乾燥用ガスとして供給する加熱ガス供給ライン１０９，ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）蒸気を乾燥用ガスとして供給するＩＰＡ供給ライン１１０が接続されている。
【００２８】
次に，以上のように構成された処理システム１を用いたウェハＷの洗浄工程を説明する。先ず，図示しないキャリア搬送装置によって，２５枚の処理前のウェハＷを所定間隔で収納したキャリアＣを，図１に示すようにキャリア載置台１５Ａに載置する。そして，基板搬送装置２０のスライド機構２２，回転機構２３，昇降機構２４，水平移動機構２５を駆動させることにより，搬送アーム２１Ａによって，キャリア載置台１５Ａ上のキャリアＣ内から一枚のウェハＷを取り出す。ウェハＷを取り出すときは，スライド機構２２の駆動により搬送アーム２１Ａを所定の高さに位置する一枚のウェハＷの下方に進入させ，昇降機構２４の駆動により僅かに上昇させ，搬送アーム２１Ａの上面にウェハＷの下面を載せるようにし，搬送アーム２１Ａを後退させ，ウェハＷをキャリアＣのスロットから抜き取るようにする。そして，回転機構２３の駆動によりスライド機構２２を回転させて，取り出されたウェハＷ，搬送アーム２１Ａ及びスライド機構２２が処理ユニット５側に向かうようにする。
【００２９】
一方，処理ユニット５においては，基板姿勢変換移動装置３０Ａの基板保持体４１をチャンバ３３の外に出し，移動機構３１の駆動により，基板保持体４１が筐体２８の開口３５Ａに対向する位置，即ち，基板保持体４１の保持部材５１Ａ〜５１Ｄに対してウェハＷの受け渡しが行われる受け渡し位置Ｐ１Ａに移動させて，待機させておく。待機状態では，図２に示すように，基板保持体４１の蓋５２を略水平にして，保持部材５１Ａ〜５１Ｄが蓋５２の下方に向くようにする。
【００３０】
次に，スライド機構２２の駆動により，ウェハＷを保持した搬送アーム２１ＡをＸ軸方向に移動させ，開口３５Ａから基板搬送エリア３２内に進入させ，基板姿勢変換移動装置３０Ａに備えた基板保持体４１に対して，保持部材５１Ａ，５１Ｂの間から蓋５２の下方に進入させる。そして，ウェハＷの周縁部を各保持部材５１Ａ〜５１Ｄの保持溝５３に挿入させたら，搬送アーム２１Ａを下降させてウェハＷの下面から離し，保持部材５１Ａ，５１Ｂの間から退出させる。これにより，搬送アーム２１Ａによって略水平に保持されたウェハＷが，略水平な姿勢のままで保持部材５１Ａ〜５１Ｄに渡される。
【００３１】
こうして，搬送アーム２１ＡによってウェハＷを一枚ずつキャリアＣから取り出し，基板姿勢変換移動装置３０Ａの基板保持体４１に受け渡していく。なお，ウェハＷを上方の保持溝５３から順に挿入させていくようにすると，搬送アーム２１Ａが下方のウェハＷに接触するおそれがないので，ウェハＷの損傷を防止でき，保持溝５３の間隔が狭い場合であっても，余裕を持ってウェハＷを受け渡すことができる。
【００３２】
基板姿勢変換移動装置３０Ａの保持部材５１Ａ〜５１Ｄに２５枚のウェハＷを略水平に並べて保持させたら，保持体姿勢変換機構４３に備えたモータ６４を駆動させ，アーム６１Ｂの回転部材６３を回転させる。これにより，基板保持体４１を各アーム６１Ａ，６１Ｂの回転部材６３と一体的に，Ｙ軸方向を中心として，前方に向かって約９０°回転させる。そして，保持部材５１Ａ〜５１Ｄの向きを略鉛直から略水平にして，ウェハＷを略水平姿勢で並べて保持した水平保持状態（図３）から，ウェハＷを略鉛直姿勢で並べて保持した鉛直保持状態（図５）に姿勢変換させる。水平保持状態から鉛直保持状態にするとき，保持部材５１Ａ〜５１Ｄは前方かつ上方に向かって移動し，保持部材５１Ｃ，５１Ｄの保持溝５３によってウェハＷを後方から持ち上げるように移動する。そして，鉛直保持状態では，保持部材５１Ａ〜５１ＤによってウェハＷの下半分が保持されるようになっている。
【００３３】
基板保持体４１を鉛直保持状態にしたら，支持体回転器６５を駆動させ，支持体６２と一体的に基板保持体４１をＺ軸方向を中心として約１８０°回転させ，図６に示すように，保持部材５１Ａ〜５１Ｄ及びウェハＷを後方に向け，蓋５２を前方に向ける。そして，移動機構３１の駆動により，基板姿勢変換移動装置３０Ａを左方に向かって移動させ，基板保持体４１がチャンバ３３の開口７２に対向する位置，即ち，チャンバ３３に対して保持部材５１Ａ〜５１Ｄを搬入出可能な搬入出位置Ｐ２（図７）に配置させるとともに，保持体移動機構４５の駆動により，基板保持体４１及び支持体６２を支持体回転器６５と一体的に後方に移動させる。これにより，図７に示すように，開口７２からチャンバ３３の内部に保持部材５１Ａ〜５１Ｄ及びウェハＷを進入させ，開口７２を基板保持体４１の蓋５２によって閉塞する。図８及び図９に示すように，チャンバ３３内では，ウェハＷの上部両側に保持部材７５Ａ，７５Ｂが配置される。
【００３４】
こうしてウェハＷをチャンバ３３に収納し，チャンバ３３内を密閉したら，チャンバ３３内で洗浄処理を開始する。先ず，切換弁８２，８７の切換により，薬液供給ライン８８，処理液供給路８３，供給・排出路８１を連通させ，薬液供給ライン８８から処理液供給路８３，供給・排出路８１，処理液供給・排出口８０を介して，薬液としてＳＣ−１液を供給する。ＳＣ−１液は，ウェハＷの下方に位置する処理液供給・排出口８０からチャンバ３３内に供給される。ＳＣ−１液の供給により，チャンバ３３内の雰囲気は気体供給・排出口１００から供給・排出路１０１に押し出され，排気路１０５によって排気される。そして，チャンバ３３内にＳＣ−１液を貯留してウェハＷ全体を浸漬させ，所定時間の浸漬処理を行う。なお，ウェハＷが処理液によって押し上げられても，ウェハＷの上部周縁部が保持部材７５Ａ，７５Ｂの保持溝７６に挿入されるので，ウェハＷは保持部材５１Ａ〜５１Ｄと保持部材７５Ａ，７５Ｂによって確実に保持されるようになっている。
【００３５】
ＳＣ−１液による浸漬処理が終了したら，切換弁８２，８７を切り換えてリンス液供給ライン９１，処理液供給路８３，供給・排出路８１を連通させ，リンス液供給ライン９１から処理液供給路８３，供給・排出路８１，処理液供給・排出口８０を介してチャンバ３３内に純水を供給する。また，切換弁１０２の切り換えにより供給・排出路１０１と排液路１０４を連通させ，気体供給・排出口１００，供給・排出路１０１，及び，排液路１０４を介して排液可能にする。そして，純水によってＳＣ−１液を押し上げ，気体供給・排出口１００に押し出して排液させることにより，チャンバ３３内のＳＣ−１液を純水に置換しながら，ウェハＷを純水によってリンス処理する。処理液供給・排出口８０から供給された純水は，ウェハＷの下方からウェハＷの間を通って気体供給・排出口１００に向かって上昇し，排液される。こうしてチャンバ３３内に液流が形成されることにより，ウェハＷ及びチャンバ３３の内面からＳＣ−１液を確実に洗い流すことができる。
【００３６】
リンス処理が終了したら，切換弁８２の切り換えにより供給・排出路８１と排液路８４を連通させ，処理液供給・排出口８０，供給・排出路８１及び排液路８４を介してチャンバ３３内から純水を排液する。なお，排液を行う際は，不活性ガス供給ライン１０５から窒素ガスを供給し，窒素ガスにより処理液をチャンバ３２内から押し出すように排液しても良い。純水を排液したら，薬液供給ライン８９から処理液供給路８３，供給・排出路８１及び処理液供給・排出口８０を介してチャンバ３３内に薬液としてＳＣ−２液を供給し，ウェハＷを浸漬処理する。
【００３７】
ＳＣ−２液による浸漬処理が終了したら，前述したＳＣ−１液から純水への置換と同様にして，ＳＣ−２液を純水に置換し，純水によってウェハＷをリンス処理する。リンス処理が終了したら，処理液供給・排出口８０，供給・排出路８１及び排液路８４を介してチャンバ３３内から純水を排液する。
【００３８】
次に，薬液供給ライン９０から処理液供給路８３，供給・排出路８１及び処理液供給・排出口８０を介してチャンバ３３内に薬液としてＤＨＦ液を供給し，ウェハＷを浸漬処理する。
【００３９】
ＤＨＦ液による浸漬処理が終了したら，前述したＳＣ−１液から純水への置換と同様にして，ＤＨＦ液を純水に置換し，純水によってウェハＷをリンス処理する。リンス処理が終了したら，処理液供給・排出口８０，供給・排出路８１及び排液路８４を介してチャンバ３３内から純水を排液する。こうして，一連の洗浄処理が終了する。なお，上述したＳＣ−１，ＳＣ−２，ＤＨＦなどの薬液による浸漬処理においては，処理液供給・排出口８０から薬液を供給し続けながら，気体供給・排出口１００，供給・排出路１０１及び排液路１０４を介して排液するようにしても良い。この場合，処理液供給・排出口８０からウェハＷの間を通って上昇し，気体供給・排出口１００に向かう流れが形成される。これにより，ウェハＷを薬液に効率良く接触させ，処理効率を向上させることができる。
【００４０】
洗浄処理が終了したら，ウェハＷの乾燥処理を開始する。乾燥処理においては，先ず，切換弁１０２，１０７の切り換えにより供給・排出路１０１，気体供給路１０３，ＩＰＡ供給ライン１１０を連通させ，ＩＰＡ供給ライン１１０から気体供給路１０３，供給・排出路１０１及び気体供給・排出口１００を介して，乾燥用気体としてＩＰＡ蒸気を供給する。また，切換弁８２の切り換えにより供給・排出路８１と排気路８６を連通させ，処理液供給・排出口８０，供給・排出路８１及び排気路８６を介してチャンバ３３内を排気する。従って，ＩＰＡ蒸気は，ウェハＷの上方に位置する気体供給・排出口１００からウェハＷの間を通って下降し，処理液供給・排出口８０に向かって流れるように供給される。こうして，所定時間ＩＰＡ蒸気をチャンバ３３内に供給し，ウェハＷに付着した純水をＩＰＡに置換させる。
【００４１】
ＩＰＡ蒸気による処理が終了したら，切換弁１０７の切り換えにより気体供給路１０３と加熱ガス供給ライン１０９を連通させ，加熱ガス供給ライン１０９から気体供給路１０３，供給・排出路１０１及び気体供給・排出口１００を介して，乾燥用気体として窒素ガスを供給する。また，処理液供給・排出口８０，供給・排出路８１及び排気路８６を介してチャンバ３３内を排気する。窒素ガスは，気体供給・排出口１００からウェハＷの間を通って下降し，処理液供給・排出口８０に向かって流れる。こうして，加熱された窒素ガスを所定時間供給し，ウェハＷを乾燥させる。
【００４２】
窒素ガスによる乾燥処理が終了したら，切換弁８２，１０２を閉じて窒素ガスの供給と排気を停止させる。そして，基板姿勢変換移動装置３０Ａの保持体移動機構４５を駆動させ，基板保持体４１を前方に移動させ，蓋５２を離して開口７２を開き，チャンバ３３の外部に保持部材５１Ａ〜５１Ｄ及びウェハＷを退出させる。そして，移動機構３１の駆動により，基板姿勢変換移動装置３０Ａを右方に向かって移動させ，搬入出位置Ｐ２から受け渡し位置Ｐ１Ａに戻す。さらに，支持体回転器６５を駆動させ，支持体６２と一体的に基板保持体４１をＺ軸方向を中心として約１８０°回転させ，図５に示すように，保持部材５１Ａ〜５１Ｄ及びウェハＷを前方に向け，蓋５２を後方に向ける。そして，保持部材５１Ａ〜５１Ｄの向きを略水平から略鉛直にして，ウェハＷを略鉛直に保持した鉛直保持状態（図５）から，ウェハＷを略水平にした水平保持状態（図３）に姿勢変換させる。
【００４３】
基板保持体４１を姿勢変換したら，搬送アーム２１ＢによってウェハＷを一枚ずつ保持部材５１Ａ〜５１Ｄから略水平な姿勢のままで取り出して搬送し，キャリアＣに収納する。なお，ウェハＷを下方の保持溝５３から順に取り出すようにすると，搬送アーム２１Ｂが下方のウェハＷに接触するおそれがないので，ウェハＷの損傷を防止でき，保持溝５３の間隔が狭い場合であっても，余裕を持ってウェハＷを取り出すことができる。
【００４４】
洗浄処理を行った２５枚のウェハＷを基板保持体４１から取り出し，キャリアＣに収納したら，キャリアＣを図示しないキャリア搬送装置によってキャリア載置台１５Ａから搬送する。こうして，処理システム１における一連の工程が終了する。
【００４５】
なお，チャンバ３３においてウェハＷの処理を行っている間に，他方の基板姿勢変換移動装置３０Ｂは，基板保持体４１が開口３５Ｂに対向する位置，即ち，基板保持体４１の保持部材５１Ａ〜５１Ｄに対してウェハＷの受け渡しが行われる受け渡し位置Ｐ１Ｂに配置させ，基板保持体４１に，キャリア載置台１５Ｂに載置したキャリアＣから未処理のウェハＷを受け渡す作業を行うようにしても良い。この場合，基板姿勢変換移動装置３０Ｂの基板保持体４１を，処理前のウェハＷを待機させる待機部とし，基板姿勢変換移動装置３０Ａの基板保持体４１に保持されたウェハＷの処理が終了した後，基板姿勢変換移動装置３０Ａを受け渡し位置Ｐ１Ａ側に移動させたら，直ぐに基板姿勢変換移動装置３０Ｂを搬入出位置Ｐ２に移動させ，基板姿勢変換移動装置３０Ｂの基板保持体４１に保持されたウェハＷをチャンバ３３内に搬入して，洗浄処理を開始することができる。基板姿勢変換移動装置３０Ｂの姿勢変換，及び，ウェハＷをチャンバ３３に搬入出させる方法は，基板姿勢変換移動装置３０Ａとほぼ同様である。
【００４６】
また，基板姿勢変換移動装置３０Ｂの基板保持体４１に保持されたウェハＷがチャンバ３３内で処理されている間に，受け渡し位置Ｐ１Ａに戻した基板姿勢変換移動装置３０Ａの基板保持体４１から洗浄後のウェハＷを取り出して，キャリアＣに収納して処理システム１から搬出し，次の処理前のウェハＷを収納したキャリアＣをキャリア載置台１５Ａに載置して，基板姿勢変換移動装置３０Ａの基板保持体４１に処理前のウェハＷを受け渡す作業を行うようにしても良い。このように，基板姿勢変換移動装置３０Ａの基板保持体４１を，処理後のウェハＷをキャリアＣに搬送するまで待機させる待機部，また，処理前のウェハＷを待機させる待機部とすることで，キャリアＣと基板姿勢変換移動装置３０Ａ，３０Ｂの基板保持体４１との間で，ウェハＷの受け渡しが効率的に行われ，ウェハＷの処理を連続的に行うことができ，スループットを向上させることができる。
【００４７】
かかる処理システム１によれば，１個のチャンバ３３によって，ウェハＷの複数種類の浸漬処理を連続して行うことができる。従って，処理槽を複数設ける必要が無いので，省スペースを図ることができる。さらに，浸漬処理に連続して，ウェハＷの乾燥処理も行うことができるので，乾燥処理部をチャンバ３３と別途に設ける必要が無い。また，処理槽から乾燥処理部に搬送するための搬送装置が不要である。従って，従来の処理槽と乾燥処理部を備えた処理システムよりも，処理システムのフットプリントを小さくすることができる。また，処理槽同士や処理槽から乾燥処理部にウェハを搬送する時間が無くなるので，洗浄処理開始から乾燥処理終了までの処理時間を短縮することができる。従って，スループットを向上させることができる。
【００４８】
また，処理ユニット５は，チャンバ３３，基板姿勢変換移動装置３０Ａ，３０Ｂ等を処理システム１本体に対して一体的に組み込み及び取り外し可能な構成になっているので，処理システム１に対する処理ユニット５の組み込み及び取り外しが容易である。従って，処理システム１の組立，解体，レイアウトの変更などの改造等における作業効率を向上させることができる。
【００４９】
以上，本発明の好適な実施の形態の一例を示したが，本発明はここで説明した形態に限定されない。例えば，本実施の形態では，基板搬送装置２０によってウェハＷを1枚ずつ基板姿勢変換移動装置３０Ａ，３０Ｂに受け渡し，基板姿勢変換移動装置３０Ａ，３０Ｂから取り出す構成としたが，勿論，複数枚のウェハＷを一括して基板姿勢変換移動装置３０Ａ，３０Ｂに受け渡し，また，基板姿勢変換移動装置３０Ａ，３０Ｂから取り出す構成としても良い。
【００５０】
本実施の形態では，基板搬送エリア３２には２個の基板姿勢変換移動装置３０Ａ，３０Ｂを備え，処理エリア３４には１個のチャンバ３３を備えることとしたが，勿論，基板搬送エリア３２には１個または３個以上の基板姿勢変換移動装置を備えても良く，また，処理エリア３４には２個以上のチャンバ３３を備えても良い。例えば図１０に示すように，基板搬送エリア３２に３個の基板姿勢変換移動装置３０Ａ，３０Ｂ，３０ＣをＹ軸方向に並べて備え，処理エリア３４に２個のチャンバ３３Ａ，３２ＢをＹ軸方向に並べて備えても良い。このように，処理システム１内に複数のチャンバや基板姿勢変換移動装置を備えると，ウェハＷの処理を複数のチャンバ３３で並行して行うことができるので，スループットを向上させることができる。
【００５１】
また，処理エリア３４にチャンバ３３をＺ軸方向に配列しても良い。即ち，チャンバ３３の開口７２は側面に設けられており，ウェハＷをチャンバ３３の側方から搬入する構成となっているので，チャンバ３３を上下に配列してもウェハＷの搬入出の邪魔になるおそれがない。また，図１１に示すように，複数個の処理ユニット５をＺ軸方向に多段に積み重ねて配置しても良い。即ち，ウェハＷをチャンバ３３の側方から搬入する構成のため，処理ユニット５のＺ軸方向の高さを低く抑えることができるので，多段に重ねても処理システム１の高さが高くなりすぎない。また，処理ユニット５をＺ軸方向に多段に備え，さらに，Ｙ軸方向にも各段に複数個ずつ並べるようにしても良い。このように，処理ユニット５を複数個配置する場合も，各処理ユニット５が一体的に組み入れ及び取り外し可能な構成になっているので，処理システム１の組立，解体，改造等を簡単に行うことができる。なお，処理ユニット５を多段に備える場合は，基板搬送装置２０の昇降機構２４の駆動による搬送アーム２１Ａ，２１ＢのＺ軸方向の移動距離を大きくして，搬送アーム２１Ａ，２１Ｂを各処理ユニット５の開口３５Ａ，３５Ｂ及び基板保持体４１の高さに昇降可能な構成とし，搬送アーム２１Ａ，２１Ｂによって各処理ユニット５の保持部材５１Ａ〜５１Ｄに対してウェハＷの受け渡しを行うようにしても良い。
【００５２】
図１２及び図１３は，本発明の第二の実施形態にかかる処理システム１３０を示している。図１２に示す処理システム１３０は，処理ユニット５に代えて洗浄処理部１３１が設けられていることを除けば，処理システム１とほぼ同様の構成を備えている。
【００５３】
洗浄処理部１３１内には，処理ユニット１３５と，基板搬送装置２０によってウェハＷの受け渡しが行われ，かつ，後述する処理ユニット１３５内のチャック１６２に対してウェハＷの受け渡しを行う基板受け渡し装置１３６Ａ，１３６Ｂとが備えられている。基板受け渡し装置１３６Ａ，１３６Ｂは，処理ユニット１３５を挟んで対向する両側（後述する処理ユニット１３５内のチャック１６２の両側）の位置にそれぞれ設けられている。基板受け渡し装置１３６Ａは，ウェハ搬送ユニット３側からみて処理ユニット１３５の右方に配置されている。他方の基板受け渡し装置１３６Ｂは，ウェハ搬送ユニット３側からみて処理ユニット１３５の左方に配置されている。
【００５４】
基板受け渡し装置１３６Ａは，ウェハＷの周縁部を保持する４つの保持部材１４０Ａ，１４０Ｂ，１４０Ｃ，１４０Ｄを備えたチャック１４１を備えている。各保持部材１４０Ａ〜１４０Ｄは，Ｚ軸方向に向けられている。保持部材１４０Ａ，１４０Ｂは，Ｙ軸方向においてウェハＷを挟んで互いに対向する位置に設けられている。保持部材１４０Ｃ，１４０Ｄは，それぞれ保持部材１４０Ａ，１４０ＢよりもＸ軸方向において後方に配置されている。また，図示はしないが，各保持部材１４０Ａ〜１４０Ｄには，複数個（例えば２５個）の保持溝が，所定間隔を空けてＺ軸方向に並べて形成されている。ウェハＷは，各保持部材１４０Ａ〜１４０Ｄの保持溝に周縁部４箇所がそれぞれ挿入された状態で，略水平に保持される。そして，各保持溝にウェハＷが挿入されることにより，複数枚のウェハＷが所定間隔を空けて互いに平行な姿勢で保持されるようになっている。また，保持部材１４０Ａ，１４０Ｂの間を通じて，基板搬送装置２０の搬送アーム２１Ａを進入させることにより，ウェハＷを保持部材１４０Ａ〜１４０Ｄに受け渡すことができる。
【００５５】
さらに，チャック１４１には，保持部材１４０Ａ〜１４０Ｄを開閉させる開閉駆動機構１４３が設けられている。開閉駆動機構１４３の駆動により，保持部材１４０Ａ〜１４０Ｄをそれぞれ内側に向かって移動させて互いに近接させると，ウェハＷを保持可能な状態となり，保持部材１４０Ａ〜１４０Ｄをそれぞれ外側に向かって移動させて互いに離隔させると，ウェハＷの保持を解除することができる。
【００５６】
チャック１４１はアーム１４６に支持されている。アーム１４６は，アーム１４６をアーム１４７に対してＺ軸方向の回転中心軸を中心として回転させる回転駆動器１４８を介して，アーム１４７の先端に支持されている。アーム１４７の基端には，アーム１４７をＺ軸方向の回転中心軸を中心として回転させる回転駆動器１４９が設けられている。また，アーム１４７の基端側には，アーム１４６，回転駆動器１４８，アーム１４７，回転駆動器１４９を一体的にＺ軸方向に昇降させる昇降器（図示せず）が設けられている。そして，回転駆動器１４８，１４９，昇降器を各々駆動させることにより，チャック１４１を移動させることができる。具体的には，搬送アーム２１ＡからウェハＷを受け取る基板受け取り位置Ｐ３と処理ユニット１３５内とに，チャック１４１を移動させることができる。これらチャック１４１，アーム１４６，回転駆動器１４８，アーム１４７，回転駆動器１４９，昇降器によって，基板受け渡し装置１３６Ａが構成されている。
【００５７】
処理ユニット１３５の筐体１５０内には，チャンバ１５２と，基板姿勢変換移動装置１５３とが備えられている。チャンバ１５２は，保持部材７５Ａ，７５Ｂが設けられていないことを除けば，処理システム１に備えたチャンバ３３とほぼ同様の構成を有し，開口７２をＸ軸方向において前方に向けた状態で配置されている。基板姿勢変換移動装置１５３は，基板保持体１５４の構造が基板保持体４１と異なり，また，支持体回転器６５を設ける必要が無いことを除けば，基板姿勢変換移動装置３０Ａ，３０Ｂとほぼ同様の構成を有し，Ｘ軸方向においてチャンバ３３の前方に備えられている。筐体１５０の左右両側面には，基板受け渡し装置１３６Ａ，１３６Ｂのチャック１４１を筐体１５０内に進入及び退出させるための開口１５５が形成されている。筐体１５０の天井部にはＦＦＵ１５６が備えられている。なお，チャンバ１５２，基板姿勢変換移動装置１５３は，筐体１５０とともに処理システム１本体に一体的に組み込むことが可能な，また，処理システム１本体から一体的に取り外すことが可能なユニットとして構成されている。さらに，ＦＦＵ１５６も，上記のユニットに含めるようにしても良い。
【００５８】
図１４に示すように，基板保持体１５４は，２本の保持部材１６１Ａ，１６１Ｂを有するチャック１６２，及び，蓋５２を備えている。チャック１６２は蓋５２の上面側において保持部材１６１Ａ，１６１Ｂが上方に向かうように配置されている。また，チャック１６２を支持するシャフト１６４が，蓋５２の中央部を貫通して下面側に突出するように設けられている。蓋５２の下面側において，シャフト１６４には回転駆動器１６５が接続されている。回転駆動器１６５を駆動すると，蓋５２に対してシャフト１６４が回転し，シャフト１６４と一体的にチャック１６２が回転する構成になっている。
【００５９】
各保持部材１６１Ａ，１６１Ｂには，複数個（例えば２５個）の保持溝１６８が，所定間隔を空けて図１４においてＺ軸方向に並べて形成されている。ウェハＷは，各保持部材１６１Ａ，１６１Ｂの保持溝１６８に周縁部２箇所がそれぞれ挿入された状態で，略水平に保持される。そして，各保持溝１６８にウェハＷが挿入されることにより，複数枚のウェハＷが所定間隔を空けて互いに平行な姿勢で保持されるようになっている。
【００６０】
チャック１６２は，保持部材１６１Ａ，１６１Ｂを支持する支持部材１７１Ａ，１７１Ｂを備えている。保持部材１６１Ａ，１６１Ｂは，それぞれ支持部材１７１Ａ，１７１Ｂの先端部に支持されている。各支持部材１７１Ａ，１７１Ｂには，伸縮部１７３が設けられている。支持部材１７１Ａ，１７１Ｂ及びシャフト１６４には，伸縮部１７３の内部に形成された空洞に空気などの気体を供給する送気路１７５が内設されている。この送気路１７５を介して，各保持部材１６１Ａ，１６１Ｂの伸縮部１７３に気体を供給すると，伸縮部１７３が伸長して支持部材１７１Ａ，１７１Ｂが伸び，保持部材１６１Ａ，１６１Ｂがそれぞれ外側に向かって移動する。また，送気路１７５を介して，各保持部材１６１Ａ，１６１Ｂの伸縮部１７３から気体を吸引すると，伸縮部１７３が収縮して支持部材１７１Ａ，１７１Ｂが縮み，保持部材１６１Ａ，１６１Ｂが互いに近接するように内側に向かって移動する。即ち，保持部材１６１Ａ，１６１Ｂを互いに近接させることでウェハＷを保持し，保持部材１６１Ａ，１６１Ｂを互いに離隔させることでウェハＷの保持を解除するようになっている。
【００６１】
図１２に示すように，基板受け渡し装置１３６Ｂは，Ｘ−Ｚ平面を中心として基板受け渡し装置１３６Ａとほぼ対称な構造になっているので，詳細な説明を省略する。基板受け渡し装置１３６Ｂのチャック１４１は，基板受け渡し装置１３６Ｂの回転駆動器１４８，１４９，昇降器を各々駆動させることにより，処理ユニット１３５内と，搬送アーム２１ＢによってウェハＷが取り出される基板取り出し位置Ｐ４とに移動させることができる。
【００６２】
なお，上述した基板受け渡し装置１３６Ａ，１３６Ｂの保持部材１４０Ａ〜１４０Ｄに設けた保持溝の間の間隔，及び，基板保持体１５４の保持部材１６１Ａ，１６１Ｂに設けた保持溝１６８の間の間隔は，互いに同じ間隔になっている。さらに，これらの間隔は，キャリアＣに形成されたスロットの間の間隔より小さくしても良い。この場合，ウェハＷ同士の間の間隔を小さくしてチャンバ１５２に収納することができるので，チャンバ１５２内の容積を小さくしてチャンバ１５２を小型化することができる。さらに，チャンバ１５２内に供給される処理液や乾燥用気体の使用量を低減することができるので，省コストを図ることができる。また，基板受け渡し装置１３６Ａ，１３６Ｂの各保持部材１４０Ａ〜１４０Ｄの長さが短くなるので，洗浄処理部１３１全体を小型化することができる。なお，基板受け渡し装置１３６Ａ，１３６Ｂのチャック１４１と基板保持体１５４のチャック１６２によってそれぞれ保持されたときのウェハＷ同士の間の間隔は，例えば約３ｍｍ〜５ｍｍ程度にすると良い。
【００６３】
次に，以上のように構成された処理システム１３０を用いたウェハＷの処理工程を説明する。先ず，基板搬送装置２０の搬送アーム２１ＡによってキャリアＣ内から処理前のウェハＷを取り出したら，基板受け取り位置Ｐ３に配置した右方の基板受け渡し装置１３６Ａのチャック１４１における保持部材１４０Ａ，１４０Ｂの間に，搬送アーム２１Ａ及びウェハＷを進入させる。そして，ウェハＷの周縁部を保持部材１４０Ａ〜１４０Ｄの保持溝に挿入させる。ウェハＷを保持部材１４０Ａ〜１４０Ｄに渡したら，搬送アーム２１ＡをウェハＷから離し，保持部材１４０Ａ，１４０Ｂの間から退出させる。こうして，基板搬送装置２０によって保持部材１４０Ａ〜１４０Ｄに複数枚のウェハＷを順次渡して並べて保持させたら，チャック１４１を筐体１５０内に移動させる。
【００６４】
一方，処理ユニット１３５では，基板保持体１５４をチャンバ１５２の外に配置し，蓋５２を略水平にして，チャック１６２を蓋５２の上方に向けておく。さらに，保持部材１６１Ａ，１６１Ｂをそれぞれ外側に移動させ，チャック１６２を開いた状態にして待機させておく。この状態で，基板受け渡し装置１３６Ａのチャック１４１及びウェハＷをチャック１６２の上方から下降させ，チャック１４１及びウェハＷが保持部材１６１Ａ，１６１Ｂに接触しないようにして，ウェハＷを保持部材１６１Ａ，１６１Ｂの間に配置させる。なお，回転駆動器１６５の駆動によりチャック１６２を回転させることで，保持部材１６１Ａ，１６１Ｂがチャック１４１の保持部材１４０Ａ〜１４０Ｄに接触しない位置に配置されるように調整することができる。そして，保持部材１６１Ａ，１６１ＢをウェハＷの両側に配置させたら，保持部材１６１Ａ，１６１Ｂを内側に向かって移動させ，各保持部材１６１Ａ，１６１Ｂの保持溝１６８にウェハＷの周縁部を挿入させる。保持部材１６１Ａ，１６１ＢによってウェハＷの周縁部を保持したら，開閉駆動機構１４３の駆動により，保持部材１４０Ａ〜１４０Ｄをそれぞれ外側に移動させ，ウェハＷの周縁部から保持部材１４０Ａ〜１４０Ｄを離隔させる。こうして，ウェハＷをチャック１４１からチャック１６２に渡したら，チャック１４１をチャック１６２から上昇させ，筐体１５０から退出させる。
【００６５】
基板保持体１５４にウェハＷを保持させたら，回転部材６３の回転と一体的に，基板保持体１５４を水平保持状態から鉛直保持状態に姿勢変換させる。このときの基板保持体１５４の回転方向は，チャック１６２が開口７２に向かうようにする。即ち，チャック１６２は蓋５２の後方に移動させ，回転駆動器１６５は蓋５２の前方に移動させるようにする。そして，開口７２からチャンバ１５２内にチャック１６２及びウェハＷを進入させ，図１５に示すように，開口７２を蓋５２によって閉塞する。そして，前述した処理システム１のチャンバ３３における洗浄及び乾燥処理と同様の処理を行う。なお，処理ユニット１３５においては，例えばウェハＷを浸漬処理する際，回転駆動器１６５の駆動によりチャック１６２を回転させることで，チャンバ１５２内に貯留した処理液内でウェハＷを回転させるようにしても良い。また，リンス処理や乾燥処理の際，ウェハＷを回転させながら，リンス液や乾燥用の気体を供給するようにしても良い。このようにウェハＷを回転させることで，処理効率を向上させることができ，処理時間をさらに短縮することが可能である。
【００６６】
洗浄及び乾燥処理が終了したら，チャンバ１５２内からチャック１６２及びウェハＷを退出させ，基板保持体１５４を鉛直保持状態から水平保持状態に姿勢変換させる。そして，左方の基板受け渡し装置１３６Ｂのチャック１４１を筐体１５０内に移動させ，保持部材１４０Ａ〜１４０Ｄを開いた状態のチャック１４１を，チャック１６２及びウェハＷに接触しないようにして，ウェハＷの上方から下降させる。そして，保持部材１４０Ａ〜１４０ＤをウェハＷの周囲に配置させたら，保持部材１４０Ａ〜１４０Ｄを内側に向かって移動させ，各保持部材１４０Ａ〜１４０Ｄの保持溝にウェハＷの周縁部を挿入させる。保持部材１４０Ａ〜１４０ＤによってウェハＷの周縁部を保持したら，保持部材１６１Ａ，１６１Ｂをそれぞれ外側に移動させ，ウェハＷの周縁部から離隔させる。こうして，チャック１４１によってウェハＷをチャック１６２から受け取ったら，チャック１４１及びウェハＷをチャック１６２から上昇させ，筐体１５０から退出させ，基板取り出し位置Ｐ４に移動させる。
【００６７】
その後，基板搬送装置２０の搬送アーム２１Ｂを，基板受け渡し装置１３６Ｂの保持部材１４０Ａ，１４０Ｂの間から進入させ，搬送アーム２１Ｂによって一枚のウェハＷを支持し，保持部材１４０Ａ〜１４０Ｄの保持溝からウェハＷの周縁部を抜き取り，保持部材１４０Ａ，１４０Ｂの間から搬送アーム２１Ｂ及びウェハＷを退出させ，ウェハＷをキャリアＣに戻す。こうして，基板搬送装置２０の搬送アーム２１Ｂによって，チャック１４１から処理後のウェハＷを一枚ずつ受け取って，キャリアＣに戻していく。
【００６８】
なお，上記の一連の工程において，基板受け渡し装置１３６Ａのチャック１４１からチャック１６２にウェハＷを渡したら，すぐに基板受け取り位置Ｐ３に戻して，処理ユニット１３５において洗浄及び乾燥処理が行われている間に，次のウェハＷをキャリアＣから基板受け渡し装置１３６Ａのチャック１４１に渡すようにしても良い。即ち，基板受け渡し装置１３６Ａのチャック１４１を，処理前のウェハＷを待機させる待機部として利用するようにしても良い。この場合，基板受け渡し装置１３６Ｂのチャック１４１によってチャック１６２からウェハＷを搬出したら，基板受け渡し装置１３６Ａのチャック１４１に保持させた次のウェハＷをすぐにチャック１６２に渡し，洗浄処理を続けて開始させることができる。従って，処理後のウェハＷの搬出から次のウェハＷの搬入までの間，処理ユニット１３５を長く待機させることなく効率的に稼動させ，スループットを向上させることができる。
【００６９】
また，基板受け渡し装置１３６Ｂのチャック１４１を，処理後のウェハＷをキャリアＣに搬送するまで待機させる待機部としても良い。即ち，処理ユニット１３５においてウェハＷの洗浄及び乾燥処理が行われている間に，基板受け渡し装置１３６Ｂのチャック１４１に保持された処理済みのウェハＷをキャリアＣに戻すようにしてもよい。この場合，処理ユニット１３５においてウェハＷの処理が終了したら，ウェハＷをチャック１６２から基板受け渡し装置１３６Ｂのチャック１４１にすぐに渡すことができるので，次の未処理のウェハＷを基板受け渡し装置１３６Ａのチャック１４１からチャック１６２に渡し，洗浄及び乾燥処理を続けて開始させることができる。従って，処理ユニット１３５を長く待機させることなく効率的に稼動させ，スループットを向上させることができる。
【００７０】
かかる処理システム１３０においても，チャンバ１５２，基板姿勢変換移動装置１５３は，処理システム１３０本体に対して一体的に組み込み及び取り外し可能な処理ユニット１３５を構成しているので，処理システム１３０に対する処理ユニット１３５の組み込み及び取り外しが容易であり，処理システム１３０の組立，解体，改造等の作業効率を良好にすることができる。
【００７１】
以上，本発明の第二の実施の形態を示したが，本発明はここで説明した形態に限定されない。例えば，基板保持体１５４において，チャック１６２は蓋５２に対して回転可能に取り付けられていることとしたが，勿論，蓋５２に対して固定して取り付けるようにしても良い。
【００７２】
処理ユニット１３５は，筐体１５０，チャンバ１５２，基板姿勢変換移動装置１５３を含むものとしたが，基板受け渡し装置１３６Ａ，１３６Ｂを含む洗浄処理部１３１全体を一つのユニットとしても良い。即ち，チャンバ１５２，基板姿勢変換移動装置１５３に加えて基板受け渡し装置１３６Ａ，１３６Ｂも収納した筐体を備え，チャンバ１５２，基板姿勢変換移動装置１５３，基板受け渡し装置１３６Ａ，１３６Ｂを，筐体とともに処理システム１本体に一体的に組み込み可能な，かつ，処理システム１３０本体から一体的に取り外し可能な構成としても良い。
【００７３】
また，複数の処理ユニット１３５をＸ軸方向に横に並べて配列したり，上下に配列したりしても良い。例えば，図１６に示すように，洗浄処理部１３１内に２台の処理ユニット１３５をＺ軸方向に積み重ねて設置しても良い。図１６において，処理ユニット１３５Ａ，１３５Ｂは，実施の形態に示した処理ユニット５とほぼ同様の構成になっており，処理ユニット１３５Ｂは，処理ユニット１３５Ａの上方に配置されている。基板受け渡し装置１８１Ａ，１８１Ｂは，それぞれ処理ユニット１３５Ａ，１３５Ｂを挟んで対向する左右両側の位置（チャック１６２の両側）に配置されている。基板受け渡し装置１８１Ａ，１８１Ｂは，基板受け渡し装置１３６Ａ，１３６Ｂと同様に，チャック１４１，アーム１４６，回転駆動器１４８，アーム１４７，回転駆動器１４９を備えている。さらに，アーム１４７の基端側には，アーム１４６，回転駆動器１４８，アーム１４７，回転駆動器１４９を一体的にＺ軸方向に昇降させる昇降器１８２が設けられている。昇降器１８２を駆動させると，各処理ユニット１３５Ａ，１３５Ｂのチャック１６２に対してウェハＷを受け渡し可能な高さに，チャック１４１を昇降させることができる。かかる構成においては，基板受け渡し装置１８１Ａ，１８１Ｂによって，各処理ユニット１３５Ａ，１３５Ｂのチャック１６２に対してウェハＷの受け渡しを行うようになっている。即ち，基板受け渡し装置１３６Ａによって処理前のウェハＷを基板搬送装置２０から受け取り，昇降して各処理ユニット１３５Ａ，１３５Ｂのチャック１６２に渡し，また，基板受け渡し装置１３６Ｂによって処理後のウェハＷを各処理ユニット１３５Ａ，１３５Ｂのチャック１６２から受け取り，基板搬送装置２０によって基板受け渡し装置１３６ＢからウェハＷを受け取るようになっている。このように，処理ユニットを複数個配置する場合も，各処理ユニット１３５Ａ，１３５Ｂが一体的に組み入れ及び取り外し可能な構成になっているので，処理システム１３０の組立，解体，改造等を簡単に行うことができる。なお，処理ユニットは３台以上多段に積み重ねても良い。また，複数の洗浄処理部１３１をＺ軸方向に多段に積み重ねて配置しても良い。
【００７４】
本発明において，基板は半導体ウェハに限らず，その他のＬＣＤ基板用ガラスやＣＤ基板，プリント基板，セラミック基板などであっても良い。また，チャンバ内に供給する処理液や乾燥用気体などは，実施の形態に示したものに限定されない。処理ユニットは洗浄処理を行うものに限定されず，その他の種々の処理流体を用いて，他の処理を基板に対して施すものであっても良い。
【産業上の利用可能性】
【００７５】
本発明は，半導体ウェハなどの基板を洗浄する装置に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】第一の実施の形態にかかる処理システムの概略平面図である。
【図２】第一の実施の形態にかかる処理システムの概略側面図である。
【図３】水平保持状態の基板姿勢変換移動装置の斜視図である。
【図４】搬送アームによってウェハを基板保持体に受け渡す状態を示した断面図である。
【図５】鉛直保持状態の基板姿勢変換移動装置の斜視図である。
【図６】鉛直保持状態にして後向きに変えた基板姿勢変換移動装置の斜視図である。
【図７】蓋によってチャンバを閉塞した状態の基板姿勢変換移動装置の斜視図である。
【図８】チャンバの断面図である。
【図９】図８におけるＡ−Ａ線によるチャンバの断面図である。
【図１０】チャンバを複数備えた実施形態にかかる処理システムの概略平面図である。
【図１１】処理ユニットを多段に備えた実施形態にかかる処理システムの概略断面図である。
【図１２】第二の実施の形態にかかる処理システムの概略平面図である。
【図１３】第二の実施の形態にかかる処理システムの概略縦断面図である。
【図１４】第二の実施の形態にかかる処理システムに備えた基板保持体の斜視図である。
【図１５】第二の実施の形態にかかる処理システムにおいてチャンバにウェハを収納した状態を示す断面図である。
【図１６】第二の実施の形態にかかる処理システムにおいて処理ユニットを多段に備えた状態を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００７７】
Ｗ      ウェハ
１      処理システム
５      処理ユニット
３０Ａ，３０Ｂ  基板姿勢変換移動装置
３１    移動機構
３３    チャンバ
４１    基板保持体
４３    保持体姿勢変換機構
４５    保持体移動機構
５１Ａ，５１Ｂ，５１Ｃ，５１Ｄ  保持部材
５２    蓋
７２    開口
８０    処理液供給・排出口
１００  気体供給・排出口
【図１】
2006147693.tif 000003
【図２】
2006147693.tif 000004
【図３】
2006147693.tif 000005
【図４】
2006147693.tif 000006
【図５】
2006147693.tif 000007
【図６】
2006147693.tif 000008
【図７】
2006147693.tif 000009
【図８】
2006147693.tif 000010
【図９】
2006147693.tif 000011
【図１０】
2006147693.tif 000012
【図１１】
2006147693.tif 000013
【図１２】
2006147693.tif 000014
【図１３】
2006147693.tif 000015
【図１４】
2006147693.tif 000016
【図１５】
2006147693.tif 000017
【図１６】
2006147693.tif 000018