(57)【要約】【課題】  エネルギー効率が良く、しかも安価に、単結晶に限りなく近い結晶方向性が揃った多結晶半導体を製造することができる多結晶半導体製造用ルツボ及び多結晶半導体製造方法を提供する。【解決手段】  本発明にかかる多結晶半導体製造方法は、半導体の種結晶８を底面に配置したルツボ６内に半導体材料７を装入し、不活性な雰囲気下、ルツボ６内で半導体材料７を加熱手段によって加熱融解し、ルツボ６底部から冷却を開始し、徐々にルツボ全体を冷却して融解材料を凝固させる多結晶半導体製造方法であって、特に半導体材料７としてＳｉを用い、種結晶８として３Ｃ−ＳｉＣを用いた点に特徴を有している。【選択図】  図１
2006219336.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ルツボ内部底面に種結晶を配置すると共に、その内部に半導体材料を装入し、不活性な雰囲気下で、ルツボ内の半導体材料を加熱手段によって加熱融解し、前記種結晶を配置した底部から熱を奪いながら徐々に上方に向かって、融解した半導体材料を凝固させる多結晶半導体製造用ルツボにおいて、
前記ルツボ内の底面に、所定の間隔をもって複数の溝が形成され、あるいは所定の間隔をもって複数の円錐若しくは角錐の窪み部が形成され、
前記溝の側面と垂直な面とのなす角、あるいは前記円錐若しくは角錐の窪み部の側面と中心線とのなす角が、５０〜７０度に形成されていることを特徴とする多結晶半導体製造用ルツボ。
【請求項２】
ルツボ内部底面に種結晶を配置すると共に、その内部に半導体材料を装入し、不活性な雰囲気下で、ルツボ内の半導体材料を加熱手段によって加熱融解し、前記種結晶を配置した底部から熱を奪いながら徐々に上方に向かって、融解した半導体材料を凝固させる多結晶半導体製造方法において、
前記半導体材料がＳｉであり、種結晶が３Ｃ−ＳｉＣであることを特徴とする多結晶半導体製造方法。
【請求項３】
前記請求項１に記載されたルツボを用いて、前記ルツボ内部底面に形成された溝の底部、あるいは窪み部の底部に種結晶を配置すると共に、ルツボの内部に半導体材料を装入し、不活性な雰囲気下で、ルツボ内の半導体材料を加熱手段によって加熱融解し、前記種結晶を配置した底部から熱を奪いながら徐々に上方に向かって、融解した半導体材料を凝固させる多結晶半導体製造方法において、
前記半導体材料がＳｉであり、種結晶が３Ｃ−ＳｉＣであることを特徴とする多結晶半導体製造方法。
【請求項４】
前記種結晶が、Ｓｉ基板上に気相成長した３Ｃ−ＳｉＣ／Ｓｉへテロ成長基板であることを特徴とする請求項２または請求項３記載の多結晶半導体製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、単結晶に限りなく近い結晶方向性が揃った多結晶半導体を、好適に製造することができる多結晶半導体製造用ルツボ及び多結晶半導体製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路等に用いられる半導体の材料として、また太陽電池の材料として、シリコンが広く用いられている。このシリコンは工業生産の面からも資源の面からも優れた材料であり、特に太陽電池の材料として、実用化されているもののほとんどがシリコンである。
現在、電力供給用太陽電池としては、単結晶シリコンを用いたものが主流であるが、安価な太陽電池を実現するためには、高品位の多結晶シリコンの太陽電池が必要である。
【０００３】
この多結晶シリコンの製造方法として、例えば、特開平９−７１４９７号公報には、錐状底部にシリコンの単結晶を種結晶として配置し、その近傍のルツボ底部を冷却することにより、原料の固体シリコンの溶融時に種結晶を融解させずに高品位の多結晶シリコンを得る方法が開示されている。
また、特開平１０−７４９３号公報には、平らなルツボ内側底面に単結晶シリコンを種結晶として隙間なく配置させ、ルツボ底部の温度を精密に制御することにより種結晶の融解を阻止し、結晶方向性が揃った高品位の多結晶シリコンを得る方法が開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開平９−７１４９７号公報
【特許文献２】特開平１０−７４９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、前記提案の製造方法にあっては、ルツボ底部に配置する種結晶は半導体材料と同一材料のシリコンであるため、種結晶を常に融点以下に保持する必要があり、そのため種結晶が配置されたルツボ底部を冷却する必要があった。
即ち、前記提案の製造方法にあっては、半導体材料を加熱溶融しながら、その一部を冷却するといった不都合が生じ、エネルギー効率を著しく低下せしめるという課題があった。
【０００６】
また、ルツボ内の半導体材料と種結晶の界面は半導体材料の融解中に溶け出すため、種結晶の厚みが２０ｍｍ以上必要であるなど、製造コストが高くなり、太陽電池などの製造コストを上昇させるという課題があった。
さらに、シリコンの単結晶は、シリコン融液より密度が低いため、そのままではルツボ底に配置しておくことが困難であり、何らかの固定手段を講じなければならず、ルツボの製作費が嵩むという課題があった。
【０００７】
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、エネルギー効率が良く、しかも安価に、単結晶に限りなく近い結晶方向性が揃った多結晶半導体を製造することができる多結晶半導体製造用ルツボ及び多結晶半導体製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は上記目的を達成するためになされたものであり、本発明にかかる多結晶半導体製造用ルツボは、ルツボ内部底面に種結晶を配置すると共に、その内部に半導体材料を装入し、不活性な雰囲気下で、ルツボ内の半導体材料を加熱手段によって加熱融解し、前記種結晶を配置した底部から熱を奪いながら徐々に上方に向かって、融解した半導体材料を凝固させる多結晶半導体製造用ルツボにおいて、前記ルツボ内の底面に、所定の間隔をもって複数の溝が形成され、あるいは所定の間隔をもって複数の円錐若しくは角錐の窪み部が形成され、前記溝の側面と垂直な面とのなす角、あるいは前記円錐若しくは角錐の窪み部の側面と中心線とのなす角が、５０〜７０度に形成されていることを特徴としている。
【０００９】
上記本発明にかかる多結晶半導体製造用ルツボによれば、ルツボ内の底面に、所定の間隔をもって複数の溝が形成され、あるいは所定の間隔をもって円錐若しくは角錐の窪み部が形成されているため、半導体材料の冷却時に溝あるいは窪み部の谷底部が冷却されされ易く、種結晶を基点として［１００］方向に沿って結晶が成長しやすくなり、結晶方位の揃った半導体結晶を作成することができる。
尚、前記不活性な雰囲気下とは、真空あるいは、半導体材料が加熱時に酸化されない不活性ガス等が存在する雰囲気下をいう。
【００１０】
この場合、前記溝の側面と垂直な面とのなす角、あるいは円錐若しくは角錐の窪み部の側面と中心線とのなす角が、５０〜７０度に形成されているため、種結晶を基点として［１００］方向に沿って結晶がより成長しやすくなり、より結晶方位の揃った半導体結晶を作成することができ、単結晶に限りなく近い多結晶半導体を製造することができる。
ここで、前記溝の側面と垂直な面とのなす角、あるいは円錐若しくは角錐の窪み部の側面と中心線とのなす角が、５０〜７０度に設定されるのは、［１００］方向を生成面とすると（１１１）面の安定面が５４．７度となり、即ち、５４．７度より大きな角度にすれば、ルツボ壁からランダムに発生した単結晶が（１１１）安定面により抑制され、多結晶化が妨げられ、グレイン（粒子）が大きくなるためである。
したがって、前記溝の側面と垂直な面とのなす角、あるいは円錐若しくは角錐の窪み部の側面と中心線とのなす角が５４〜５６度であることが好ましく、最適値は５４．７度以上である。
【００１１】
また、本発明は上記目的を達成するためになされたものであり、本発明にかかる多結晶半導体製造方法は、ルツボ内部底面に種結晶を配置すると共に、その内部に半導体材料を装入し、不活性な雰囲気下で、ルツボ内の半導体材料を加熱手段によって加熱融解し、前記種結晶を配置した底部から熱を奪いながら徐々に上方に向かって、融解した半導体材料を凝固させる多結晶半導体製造方法において、前記半導体材料がＳｉであり、種結晶が３Ｃ−ＳｉＣであることを特徴としている。
【００１２】
前記種結晶の３Ｃ−ＳｉＣの昇華温度は、半導体材料のＳｉ（シリコン）の融点よりはるかに高く化学的に安定かつ強度が高いことから、従来のシリコン単結晶を種結晶として用いる場合のように、半導体材料のＳｉを融解中に種結晶の融解を防ぐための冷却を行う必要がない。
従って、従来のようにエネルギー損失は少なく、エネルギーの効率を高め、製造コストを低減することができる。更に、３Ｃ−ＳｉＣ単結晶は、嵩密度３．１６とシリコンの融液密度２．５６より重く、特別な固定方法を用いなくとも、ルツボの底面に配置することができる。
【００１３】
特に、本発明にかかる多結晶半導体製造方法は、上記した多結晶半導体製造用ルツボを用いるのが好ましい。
このように、上記多結晶半導体製造用ルツボの内部底面に形成された溝の底部、あるいは窪み部の底部に３Ｃ−ＳｉＣの種結晶が配置されると、前記したエネルギーの効率の向上、製造コストを低減、更に種結晶の固定手段が不要となるほか、半導体材料の冷却時に溝あるいは窪み部の谷底部が効率よく冷却されることによって、種結晶を基点として［１００］方向に沿って結晶が成長しやすくなり、結晶方位の揃った半導体結晶を作成することができ、単結晶に限りなく近い多結晶半導体を製造することができる。
【００１４】
なお、前記種結晶として、Ｓｉ基板上に気相成長した３Ｃ−ＳｉＣ／Ｓｉへテロ成長基板を用いることができる。
【発明の効果】
【００１５】
以上のように本発明にかかる多結晶半導体製造用ルツボによれば、単結晶に限りなく近い結晶方向性が揃った多結晶半導体を得ることができる。
また、本発明にかかる多結晶半導体製造方法によれば、エネルギー効率が良く、しかも安価に多結晶半導体を得ることができる。また、前記多結晶半導体製造用ルツボを用いて、前記製造方法を実施すれば、単結晶に限りなく近い結晶方向性が揃った多結晶半導体を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下に、本発明にかかる多結晶半導体製造方法を図１及び図２に基づいて説明する。
なお、図１は本発明の実施形態に基づく多結晶半導体の製造装置の概略的な構成を示す断面図である。また、図２は図１に示した製造装置に用いられているルツボの斜視図である。この置は、密閉容器１を備え、その内部は大気から遮断され、不活性な雰囲気下に保たれている。この不活性な雰囲気下とは、例えば、真空ポンプによって、密閉容器１の内部が真空に保たれるように構成されていても良いし、あるいはまたアルゴンガスのような不活性ガスを容器内に供給し、不活性ガス雰囲気に保たれるように構成されていても良い。
即ち、密閉容器１の内部雰囲気が非酸化的環境に保たれ、半導体を密閉容器１内で加熱融解しても酸化による影響を受けないように構成されていれば良い。
【００１７】
また、密閉容器内１には、加熱体２及び熱絶縁体３からなる円筒状の加熱炉４が設けられている。またこの熱絶縁体３の外側には、誘導加熱コイル５が巻付けられ、誘導加熱コイル５に通電することにより、加熱体２を加熱するように構成されている。
また、図示しないが、前記加熱体２を所定の温度に制御するため、熱電対、制御回路等（図示せず）が設けられ、誘導加熱コイル５に与える電力を制御するように構成されている。
【００１８】
また、図１に示すように、密閉容器１内の加熱炉４が形成する内部空間に、Ｓｉからなる半導体材料７および３Ｃ−ＳｉＣからなる種結晶８が装入されるルツボ６が配置される。このルツボ６は、たとえばシリカガラスで升形状に形成され、支持台９上に載置されている。
【００１９】
前記支持台９は、たとえば表層、底層がグラファイト、中間層がカーボンファイバから形成され、回転軸１１に取付けられた台座１０上に載置されている。
したがって、前記回転軸１１によって台座１０上が回転すると、支持台９、ルツボ６も回転軸１１のまわりに回転し、この回転によってルツボ６内の半導体材料７は均一の加熱される。
【００２０】
なお、回転軸１１を上下方向に移動可能に構成することにより、加熱炉４とルツボ６の距離を制御でき、温度調節を行なうことができる。また、この製造装置にあっては、従来の装置において設けられていたルツボ６の底面を冷却する冷却手段を設ける必要はない。
【００２１】
また、図２に示すように、前記升形状のルツボ６の平底面部には、種結晶８である３Ｃ−ＳｉＣが配置されている。この種結晶８はＳｉウエーハの表面に３Ｃ−ＳｉＣ膜を気相成長させた３Ｃ−ＳｉＣ／Ｓｉへテロ成長基板である。
この３Ｃ−ＳｉＣ／Ｓｉへテロ成長基板は、Ｓｉ半導体材料の加熱溶融中にシリコン基板は溶融し、３Ｃ−ＳｉＣ単結晶膜だけがルツボ６の底部に残留する。
しかも、３Ｃ−ＳｉＣの嵩密度３．１６は、シリコンの融液密度２．５６密度より大きいため、特別な固定手段を講じなくても結晶膜は、ルツボ６の底部に配置された状態が維持される。
【００２２】
このように構成された多結晶半導体製造装置において、まずルツボ６の底面全域に種結晶８である３Ｃ−ＳｉＣ／Ｓｉへテロ成長基板を敷き詰め、ルツボ６の内部に半導体材料７であるＳｉを装入する。
そして、前記Ｓｉを溶解させる際には、ルツボ６の底部の下面温度を、Ｓｉの融点以上であって、種結晶の融点以下に温度制御する。このとき、Ｓｉの融点は１４２０度、３Ｃ−ＳｉＣの融点が２８３０度であるため、容易に制御することができる。
特に、従来のように、種結晶８に半導体材料７と同一の単結晶Ｓｉが用いられていないため、ルツボ６の底部を冷却する必要がなく、エネルギー効率を向上させることができる。
【００２３】
Ｓｉ半導体材料７を融解後、ルツボ６の冷却を開始し、種結晶８の表面の方向である［１００］方向に沿って半導体の結晶を成長させる。このとき、ルツボ６の底面に配置された種結晶８の表面の方向に沿って、結晶が成長することとなり、単結晶に限りなく近い結晶方向性が揃った多結晶半導体が得られる。
半導体材料７が凝固した後、結晶をルツボ６から取り出し、予め定める厚さに切断してＳｉ半導体基板を形成する。
【００２４】
以上説明したように、本発明にかかる多結晶半導体製造方法は、半導体の種結晶８を底面に配置したルツボ６内に半導体材料７を装入し、不活性な雰囲気下、ルツボ６内で半導体材料７を加熱手段によって加熱融解し、ルツボ６底部から冷却を開始し、徐々にルツボ全体を冷却して融解材料を凝固させる多結晶半導体製造方法であって、特に半導体材料７としてＳｉを用い、種結晶８として３Ｃ−ＳｉＣを用いた点に特徴を有している。
【００２５】
更に、単結晶に限りなく近い結晶方向性が揃った多結晶半導体を製造することができる多結晶半導体製造用ルツボについて、図３乃至図６に基づいて説明する。
図３に本発明に係わるルツボ２０はその底部に、所定の間隔をもって形成された複数の溝２１（溝状凹凸形状）を有するシリカガラスルツボの一部断面としたものを示す。底部の溝２１の谷底部２２に種結晶８となる３Ｃ−ＳｉＣ基板若しくは３Ｃ−ＳｉＣ／Ｓｉ
へテロ成長基板が配置される。
このように、ルツボ２０の底面に溝２２が形成されているため冷却効率が高められ、配置された種結晶から結晶凝固が始まる。従って、これが基点となり、ルツボ内全域に結晶方位を伝搬することが可能となる。
【００２６】
なお、より好ましくは、ルツボ２０の底部外側２３には、ルツボ肉厚が薄くなるように溝２２に対峙して溝２４を形成するのが良い。これにより、さらに冷却効率が高められ、配置された種結晶８から結晶凝固が始まり、これが基点となりルツボ内全域に結晶方位を伝搬することが可能となる。
【００２７】
また、面方位が（１００）の種結晶が用いられるルツボにあっては、前記溝２２を形成する側面２５，２６と垂直な面とのなす角αは、５０〜７０度に設定されている。より好ましくは５４〜５６度、最適には５４．７度以上に形成されていることが好ましい。
一方、面方位が（１１１）の種結晶が用いられるルツボにあっても、面方位が（１００）の種結晶が用いられるルツボと同様に、前記溝２２を形成する側面２５，２６と垂直な面とのなす角αは、５０〜７０度に設定されている。より好ましくは５４〜５６度、最適には５４．７度以上に形成されていることが好ましい。
【００２８】
このように前記溝２１が形成されているため、種結晶８を基点として［１００］方向に沿って結晶が成長しやすくなり、結晶方位の揃った半導体結晶を作成することができ、単結晶に限りなく近い多結晶半導体を製造することができる。
【００２９】
また、溝２２は延設された凹部のみを意味するものではなく、図４に示すようなアレイ状に窪み部２７が配置されたものも含むものである。そして、この窪み部２７の底部に３Ｃ−ＳｉＣの種結晶８を配置することにより、同様に３Ｃ−ＳｉＣの種結晶８が基点となり、ルツボ２８全体に方位の揃った凝固結晶が得られる。
【００３０】
更に、図５に示すように、ルツボ３０はその底部に、所定の間隔をもって形成された複数の、円錐若しくは角錐の窪み部３１であっても良い。図５では円錐の窪み部３１を示している。なお、角錐の窪み部３１としては、図６に示すような四角錐に限られるものではなく、多角錐であっても良い。
【００３１】
また、この窪み部３１の谷底部３２に種結晶８となる３Ｃ−ＳｉＣ基板若しくは３Ｃ−ＳｉＣ／Ｓｉへテロ成長基板が配置される。この谷底部３２の深さは、ルツボの底部厚さＨの０．４〜０．８Ｈに形成されている。効率よく冷却するためである。
このように、ルツボ３０の底面に窪み部３１が形成されているため、溝の場合と同様に、冷却効率が高められ、配置された種結晶８から結晶凝固が始まる。従って、これが基点となり、ルツボ内全域に結晶方位を伝搬することが可能となる。
【００３２】
また、面方位が（１００）の種結晶が用いられるルツボにあっては、前記円錐若しくは角錐の窪み部３１を形成する周面（側面）と中心線とのなす角αは、５０〜７０度に設定されている。より好ましくは５４〜５６度、最適には５４．７度以上に形成されていることが好ましい。
一方、面方位が（１１１）の種結晶が用いられるルツボにあっても、面方位が（１００）の種結晶が用いられるルツボと同様、前記円錐若しくは角錐の窪み部３１を形成する側面と中心線とのなす角αは、５０〜７０度に設定されている。より好ましくは５４〜５６度、最適には５４．７度以上に形成されていることが好ましい。
なお、前記角錐の窪み部３１としては、例えば、正三角錐、正四角錐等に形成するのが好ましい。また面方位が（１００）の種結晶が用いられるルツボにあっては、ルツボ内の底面に、所定の間隔をもって複数の正四角錐の窪み部が形成されるのが好ましく、面方位が（１１１）の種結晶が用いられるルツボにあっては、ルツボ内の底面に、所定の間隔をもって複数の正三角錐の窪み部が形成されるのが好ましい。
【００３３】
このように、所定の間隔をもって形成された、複数の円錐若しくは角錐の窪み部３１が形成されているため、種結晶を基点として［１００］方向に沿って結晶が成長しやすくなり、結晶方位の揃った半導体結晶を作成することができ、単結晶に限りなく近い多結晶半導体を製造することができる。
【００３４】
以上説明したように、本発明にかかる多結晶半導体製造用ルツボは、前記ルツボ内の底面に、所定の間隔をもって複数の溝が形成され、あるいは所定の間隔をもって複数の円錐若しくは角錐の窪み部が形成され、種結晶の面方位に対応して、前記溝の側面と垂直な面とのなす角、あるいは円錐若しくは角錐の窪み部の側面と中心線とのなす角が、所定の角度に設定されている点に特徴がある。
【実施例】
【００３５】
〔実施例１〕
四角錐の窪み（一辺２０ｍｍ・２０ｍｍ、深さ１５ｍｍ）を、一列１２個とし、１２列を底部に配置したルツボ（一辺５５ｃｍ、高さ４０ｃｍの升形状）を用いて、その谷底部に、面方位（１００）の種結晶として、種結晶３Ｃ−ＳｉＣ／Ｓｉを配置すると共に、ルツボ内に１４０kgのポリシリコンを充填し、これをポリシリコンの融点１４２０℃以上に加熱融解し、所定の冷却温度により冷却凝固させた。
凝固したシリコンを切断し、断面を観察したところ、窪みの頂点より上方に向けて半導体結晶が均一の方向を持って成長していた。上方に向かうに従って、ドメインは大きくなっていることが確認され、通常のルツボを使用した時に比較し、著しく多結晶半導体の品質は向上していた。
【００３６】
〔実施例２〕
図１、図２に示すような平底ルツボ（一辺５５ｃｍ、高さ４０ｃｍの升形状）の底面に、面方位（１００）の種結晶として、３Ｃ−ＳｉＣの膜厚が１μｍの３Ｃ−ＳｉＣ／Ｓｉ基板を全面に配置し、融解されるべきポリシリコン１４０ｋｇを充填した。
これをポリシリコンの融点１４２０℃以上に加熱融解し、所定の冷却温度により冷却凝固させた。凝固したシリコンを切断し、断面を観察したところ、半導体結晶が均一の方向性を持って底面からルツボ上部に向けて成長していた。凝固したシリコンの底部には、熱膨張差により粉々に成ってはいるものの、３Ｃ−ＳｉＣ膜が残存しており、多結晶半導体の品質は、Ｓｉ単結晶を種結晶に用いたときよりも向上していた。
【００３７】
〔実施例３〕
図３に示すような溝付きルツボ（一辺５５ｃｍ、高さ４０ｃｍの升形状、溝部幅１ｃｍ、深さ１ｃｍ）の溝底部に、面方位（１００）の種結晶として、３Ｃ−ＳｉＣの膜厚が１μｍの３Ｃ−ＳｉＣ／Ｓｉ基板を配置し、融解されるべきポリシリコン１４０ｋｇを充填した。
これをポリシリコンの融点１４２０℃以上に加熱融解し、所定の冷却温度により冷却凝固させた。凝固したシリコンを切断し、断面を観察したところ、溝底部に配置した種結晶から半導体結晶が均一の方向性を持って、底面からルツボ上部に向けて成長していた。多結晶半導体の品質は、配向性の高いドメインが大きく、平底に種結晶を全面に配置したときよりも向上していた。
【００３８】
〔実施例４〕
図６に示すような複数の四角錐形状の窪みが形成されたルツボ（一辺５５ｃｍ、高さ４０ｃｍの升形状、窪み：一辺１ｃｍの四角錐、深さ０．８ｃｍ，この窪みを一列２４個×２４列配置）の窪みの谷底部に、面方位（１００）の種結晶として、３Ｃ−ＳｉＣの膜厚が１μｍの３Ｃ−ＳｉＣ／Ｓｉ基板を配置し、融解されるべきポリシリコン１４０ｋｇを充填した。これをポリシリコンの融点１４２０℃以上に加熱融解し、所定の冷却温度により冷却凝固させた。
凝固したシリコンを切断し、断面を観察したところ、窪みの底部種結晶部より上方に向けて半導体結晶が均一の方向を持って成長していた。上方に向かうに従って、ドメインは大きくなっていることが確認され、通常のルツボを使用した時に比較し、著しく多結晶半導体の品質は向上していた。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
上記多結晶半導体製造用ルツボの実施形態の説明において、半導体材料としてＳｉ、種結晶として３Ｃ−ＳｉＣ／Ｓｉ基板を用いた場合を例に説明したが、種結晶としてＢＰ／Ｓｉ、ＺｒＳＯ4を用いた場合にも適用することができる。
一方、多結晶半導体製造方法は、半導体材料としてＳｉ、種結晶として３Ｃ−ＳｉＣを用いた場合に適用されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】図１は本発明の実施形態に基づく多結晶半導体の製造装置の概略的な構成を示す断面図である。
【図２】図２は図１に示した製造装置に用いられているルツボの斜視図である。
【図３】図３は本発明の実施形態に基づく多結晶半導体製造用ルツボの概略的な構成を示す断面図である。
【図４】図３は本発明の実施形態に基づく多結晶半導体製造用ルツボの変形例を示す断面図である。
【図５】図５は本発明の実施形態に基づく多結晶半導体製造用ルツボの他の変形例を示す断面図である。
【図６】図６はルツボに形成される窪み部の他の変形例を示す平面図である。
【符号の説明】
【００４１】
１    密閉容器
２    加熱体
３    熱絶縁体
４    加熱炉
５    誘導加熱コイル
６    ルツボ
７    半導体材料
８    種結晶
９    支持台
１０  台座
１１  回転軸
２０  ルツボ
２１  溝
２２  谷底部
２３  底部外側
２４  溝
２５  側面
２６  側面
２７  窪み部
２８  ルツボ
３０  ルツボ
３１  窪み部
３２  谷底部
３３  側面（周面）
【図１】
2006219336.tif 000003
【図２】
2006219336.tif 000004
【図３】
2006219336.tif 000005
【図４】
2006219336.tif 000006
【図５】
2006219336.tif 000007
【図６】
2006219336.tif 000008