(57)【要約】【課題】半導体レーザ素子に接続されたワイヤによる反射光が多分割受光領域に信号光に対する雑音光である迷光となって入射するのを抑制する。【解決手段】半導体レーザ素子１と受光素子４を有し、半導体レーザ素子１に接続されたワイヤ８が半導体レーザ素子１により自動的に形成される光遮蔽領域１３に形成される。または、ワイヤ８を半導体レーザ素子１からの出射光の方向とほぼ垂直方向に張る。このように、ワイヤの位置またはワイヤを張る方向を制御するという極めて簡単な方法で、ワイヤからの反射光による迷光を低減することができるためその製造効果は絶大である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一の端面から前光を出射し他の端面から後光を出射する半導体レーザ素子と前記一の端面に対向して配置された前方傾斜面と前記他の端面に対向して配置された後方傾斜面と前記半導体レーザ素子の近傍に配置された受光素子とを有する集積型光半導体装置において、
前記前光および前記後光の出射点を結ぶ仮想線の上方で、前記仮想線と交わる方向にワイヤが接続されており、
前記前方傾斜面で反射された前記前光の反射光および前記後方傾斜面で反射された前記後光の反射光が前記半導体レーザ素子で遮られることにより前記半導体レーザ素子の上方に形成される光遮蔽領域の高さよりも前記半導体レーザの上面からの前記ワイヤの高さが低くなるようにすることを特徴とする集積型光半導体装置。
【請求項２】
前記後方傾斜面は前記前方傾斜面よりも急な傾斜であることを特徴とする請求項１記載の集積型光半導体装置。
【請求項３】
前記半導体レーザ素子の上面で、前記半導体レーザ素子の上面とほぼ垂直な方向に前記ワイヤが接続されていることを特徴とする請求項１および２に記載の集積型光半導体装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の集積型光半導体装置を用いた光ピックアップ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンピュータ等の情報の読み出しおよび記録、また音楽用の録音再生等に必要な光ディスク装置や情報信号読み取り装置の光ピックアップの主要部品として利用される集積型光半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の光ピックアップは、個別の半導体レーザ素子と個別の受光素子を組み立てて構成していた。近年になりそれらを同一パッケージに内蔵した集積型光半導体装置を用いるのが主流となっている。集積型光半導体装置には、半導体レーザから出射された光を反射するための傾斜面を内蔵する受光素子を使用しているものがある。
【０００３】
図５は従来の集積型光半導体装置の主要な構造を示す。受光素子４にはエッチングにより凹部９が形成されており、凹部９の底面に半導体レーザ素子１がボンディングされている。半導体レーザ素子１を駆動するために、その上面側と下面側から電源を供給する必要がある。通常、下面側は半田などにより半導体レーザを固定するのと併せて端子を引き出し、上面側はワイヤ８を接続することで端子を引き出す。動作状態の半導体レーザ素子１からは前方と後方に光が放出される。前方および後方に放射される光を前光２および後光３とする。また、前光２および後光３が照射される凹部９の斜面をそれぞれ前方傾斜面６、後方傾斜面７とする。前方傾斜面６は、凹部９の底面に対して４５°の角度になっているので、前光２を受光素子の主面に対して垂直方向に反射することができる。前光２は、この前方傾斜面６にて垂直に立ち上げられ、そして、光ディスクにて反射される。この際に、光ディスクに記録された情報を読み取り、信号光１０として多分割受光領域５へ戻ってくる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら上記構成では、半導体レーザ素子１の前光２または後光３が前方傾斜面６または後方傾斜面７にて反射し、その一部が、さらにワイヤ８にて散乱されて多分割受光領域５に入射することがあった。この散乱光は、信号光１０に対して雑音光であり、迷光１１と呼ばれる。
【０００５】
従来の集積型光半導体装置を用いたピックアップは、この迷光１１が光信号特性悪化、あるいはトラッキングサーボの誤動作発生の一因となることがあった。      
【０００６】
本発明は、半導体レーザ素子周辺からの反射光による迷光を低減した集積型光半導体装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この課題を解決するために集積型光半導体装置は、一の端面から前光を出射し他の端面から後光を出射する半導体レーザ素子と前記一の端面に対向して配置された前方傾斜面と前記他の端面に対向して配置された後方傾斜面と前記半導体レーザ素子の近傍に配置された受光素子とを有する集積型光半導体装置において、
前記前光および前記後光の出射点を結ぶ仮想線の上方で、前記仮想線と交わる方向にワイヤが接続されており、
前記前方傾斜面で反射された前記前光の反射光および前記後方傾斜面で反射された前記後光の反射光が前記半導体レーザ素子で遮られることにより前記半導体レーザ素子の上方に形成される光遮蔽領域の高さよりも前記半導体レーザの上面からの前記ワイヤの高さが低くなるようにすることを特徴とするものである。
【０００８】
また、本発明に係る集積型光半導体装置は、前記後方傾斜面は前記前方傾斜面よりも急な傾斜であることを特徴とするものである。
【０００９】
また、本発明に係る集積型光半導体装置は、前記半導体レーザ素子の上面で、前記半導体レーザ素子の上面とほぼ垂直な方向に前記ワイヤが接続されていることを特徴とするものである。
【００１０】
本発明の集積型光半導体装置は、上記構成により、半導体レーザ素子に接続されたワイヤからの反射光が受光素子の多分割受光領域に入射することを抑制することができるので、迷光を低減することが可能となる。
【発明の効果】
【００１１】
以上説明したように、本発明の集積型光半導体装置によれば、その主たる構成要素である半導体レーザと受光素子等に他の要素を新たに付加することなく、それらの要素により自動的に形成される光遮蔽領域にワイヤを配置する、または、ワイヤを張る方向を制御するという極めて簡単な方法で、半導体レーザ素子周辺からの反射光による迷光を低減することができるためその製造効果は絶大である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明の実施の形態について、図１から図４を用いて説明する。
【００１３】
図１は本発明の集積型光半導体装置の構造を示す斜視図であり、図２は半導体レーザ素子付近の詳細な断面図である。
【００１４】
各構成要素は、従来の集積型光半導体装置とほぼ同じである。受光素子４にはエッチングにより凹部９が形成されており、凹部９の底面に半導体レーザ素子１がボンディングされている。半導体レーザ素子１には電源供給のためのワイヤ８が接続されている。動作状態の半導体レーザ素子１からは前方と後方に光が放出される。前方および後方に放射される光を前光２および後光３とする。また、前光２および後光３が照射される凹部９の斜面をそれぞれ前方傾斜面６、後方傾斜面７とする。前方傾斜面６は、凹部９の底面に対して４５°の角度になっているので、前光２を受光素子の主面に対して垂直方向に反射することができる。
【００１５】
前光２は、この前方傾斜面６にて垂直に立ち上げられ、そして、光ディスクにて反射される。この際に、光ディスクに記録された情報を読み取り、信号光１０として多分割受光領域５へ戻ってくる。
【００１６】
図２は半導体レーザ素子１近傍の詳細図である。本発明では、前光２の前方傾斜面６での反射光および後光３の後方傾斜面７での反射光が半導体レーザ素子１で遮られることにより自動的に形成される光遮蔽領域１３にワイヤ８を配置することを考案した。例えば半導体レーザ素子の長さ２５０μｍ、厚さ９０μｍ、半導体レーザ素子１前端と前方傾斜面６の上端および半導体レーザ素子１後端と後方傾斜面７の上端の距離がそれぞれ１００μｍ、２００μｍ、凹部深さが３０μｍの場合の半導体レーザ素子１の上面からのワイヤ高さＨと迷光の関係の実験結果を図３に示す。このときのワイヤを張る方向は、半導体レーザ１から放出される前光２および後光３の進行方向との角度をθとしたとき、θはほぼ０である。
【００１７】
ワイヤ高さが１１０μｍ近傍以下で迷光が急激に減少する。この理由は、ワイヤの高さが低くなるとワイヤがほぼ光遮蔽領域１３に位置するために、ワイヤでの反射による迷光発生が抑制されているためである。
【００１８】
一方、図４はワイヤ高さを一定にしたときのワイヤ角度θと迷光の関係の実験結果である。ワイヤ高さ遮光領域が半導体レーザの陰により形成されているために、半導体レーザ近傍で遮光領域が広い。そのため、ワイヤ高さが低いほど広いワイヤ角度範囲で迷光を低減することができる。
【００１９】
このように本発明によれば、ワイヤ８を光遮蔽領域１３に配置することでワイヤでの反射による迷光を減少させることができる。
【００２０】
なお、本実施の形態では、ワイヤの高さ制御とワイヤを張る方向の制御を同時に実施しているが、個別に実施してもその効果があるのは明白である。
【産業上の利用可能性】
【００２１】
本発明の半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子周辺からの反射光による迷光を低減することができるため、高信頼性が要求される集積型光半導体装置等に適用する上で有用である。  
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の実施の形態を説明するための集積型光半導体装置の構造を示す斜視図
【図２】本発明の実施の形態を説明するための半導体レーザ素子付近の詳細な断面図
【図３】本発明の実施の形態を説明するためのワイヤ高さと迷光の関係を示す図
【図４】本発明の実施の形態を説明するためのワイヤ角度と迷光の関係を示す図
【図５】従来の集積型光半導体装置の構造を示す斜視図
【符号の説明】
【００２３】
１  半導体レーザ素子
２  前光
３  後光
４  受光素子
５  多分割受光領域
８  ワイヤ
１１  迷光
１３  光遮蔽領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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