(57)【要約】【課題】  めっき対象物である希土類焼結磁石等からめっき液に溶出した成分の再析出を防止し、めっき膜の密着性や信頼性の低下を抑制することのできるめっき方法、めっき装置を提供することを目的とする。【解決手段】  Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石をめっきするに際し、用いるめっき液Ｌ中に酸化性ガスを供給し、めっきの際にめっき液Ｌ中に溶出したＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の成分、例えばＮｄやＦｅを酸化させ、沈殿させるようにした。このとき、めっき液Ｌ中に酸化性ガスを泡状に供給し、めっき液Ｌ中の溶出成分との接触効率を高めるのが好ましい。そして、沈殿した溶出成分の酸化物を回収するため、濾過器１６を備えるのが好ましい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
めっき槽中のめっき液にめっき対象物を浸漬させて、前記めっき対象物にめっきを施すめっき工程と、
前記めっき液中に酸化性ガスを供給し、前記めっき液中に溶出した前記めっき対象物の成分を酸化させる溶出成分酸化工程と、
を備えることを特徴とするめっき方法。
【請求項２】
前記溶出成分酸化工程にて、前記酸化性ガスは、前記めっき槽の下部に気泡の状態で供給されることを特徴とする請求項１に記載のめっき方法。
【請求項３】
前記溶出成分酸化工程で前記めっき対象物の成分が酸化することで生成される酸化物を、前記めっき液中から回収することを特徴とする請求項１または２に記載のめっき方法。
【請求項４】
前記溶出成分酸化工程は、前記めっき工程が行われる前記めっき槽とは別の槽に前記めっき液を導入して行われることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のめっき方法。
【請求項５】
前記めっき対象物は、Ｒ−Ｔ−Ｂ（Ｒは希土類元素の１種又は２種以上、ＴはＦｅ又はＦｅ及びＣｏを必須とする少なくとも１種以上の遷移金属元素）系焼結磁石であることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のめっき方法。
【請求項６】
前記溶出成分酸化工程は、前記めっき液中に溶出した前記めっき対象物の成分を酸化させることで、前記めっき工程にて前記めっき対象物に前記成分が再析出することを防止するためであることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のめっき方法。
【請求項７】
前記溶出成分酸化工程では、酸素濃度３ｖｏｌ％以上の前記酸化性ガスを用いることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載のめっき方法。
【請求項８】
めっき対象物をめっきするためのめっき液を収容しためっき槽と、
前記めっき液中に溶出した前記めっき対象物の成分を酸化させるため、前記めっき液中に酸化性ガスを供給する酸化性ガス供給部と、
前記めっき対象物の成分が前記酸化性ガスによって酸化することで生成された酸化物を回収する酸化物回収部と、
を備えることを特徴とするめっき装置。
【請求項９】
めっき対象物をめっきするためのめっき液を収容した第一の槽と、
前記第一の槽に連通し、前記第一の槽との間で前記めっき液が循環可能とされた第二の槽と、
前記第一の槽から前記第二の槽内に導入された前記めっき液中に酸化性ガスを供給するガス供給部と、
前記第二の槽から前記第一の槽に送給される、前記酸化性ガスが供給された前記めっき液を濾過する濾過部と、
を備えることを特徴とするめっき装置。
【請求項１０】
前記ガス供給部は、前記第一の槽にて前記めっき液中に溶出した前記めっき対象物の成分を酸化させるため、前記第二の槽に導入した前記めっき液中に前記酸化性ガスを供給することを特徴とする請求項９に記載のめっき装置。
【請求項１１】
前記めっき対象物は、Ｒ−Ｔ−Ｂ（Ｒは希土類元素の１種又は２種以上、ＴはＦｅ又はＦｅ及びＣｏを必須とする少なくとも１種以上の遷移金属元素）系焼結磁石であることを特徴とする請求項８から１０のいずれかに記載のめっき装置。                    
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系に代表される希土類焼結磁石等の表面にめっきを施す際に用いるのに適しためっき方法、めっき装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系に代表される希土類焼結磁石等は、表面が酸化されやすいため、金属めっきや、樹脂によるコーティングによって、磁石本体の表面を保護する必要がある（例えば、特許文献１、２参照）。
例えば、金属めっきには、電解めっきと無電解めっきとがあり、希土類焼結磁石においては、電解めっきが多く用いられている。また、このようなめっきの種類には、Ｎｉめっき、Ｃｕめっき、Ｓｎめっき等が挙げられる。
このようなめっきは、磁石本体を保護するためのものであるため、めっき膜には、磁石の磁気特性等を大幅に低下させることなく、高い耐食性、均一性を有することが要求される。
【０００３】
【特許文献１】特開昭４９−８６８９６号公報
【特許文献２】特開昭６０−６３９０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記したようなＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系の希土類焼結磁石等をめっきしても、めっき膜の密着性を確認する試験や、防錆性を確認するための塩水噴霧試験において予想外に低い結果となることがあった。これはすなわち、めっき膜の信頼性の低下に繋がるため、本発明者らは原因の追究を行った。
その結果、上記したようなＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系の希土類焼結磁石等をめっきする際に、磁石本体に含まれる成分であるＮｄやＦｅがめっき液に溶出していることを発見した。そして、めっき液に溶出した成分（以下、溶出成分）が、めっきの進行に伴い、磁石本体に再析出し、これが、めっき膜の密着性の低下や信頼性の低下、特に塩水噴霧試験における劣化を引き起こしていたのである。
本発明は、このような技術的課題に基づいてなされたもので、めっき対象物である希土類焼結磁石等からめっき液に溶出した成分の再析出を防止し、めっき膜の密着性や信頼性の低下を抑制することのできるめっき方法、めっき装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
かかる目的のもと、本発明は、めっき液中に酸化性ガスを導入し、磁石本体からめっき液中に溶出した成分を酸化させ、磁石本体表面への再析出を防止するというものである。
すなわち、本発明のめっき方法は、めっき槽中のめっき液にめっき対象物を浸漬させて、めっき対象物にめっきを施すめっき工程と、めっき液中に酸化性ガスを供給し、めっき液中に溶出しためっき対象物の成分を酸化させる溶出成分酸化工程と、を備えることを特徴とする。溶出成分酸化工程にて、めっき液中に溶出しためっき対象物の成分を酸化させることで、めっき工程にてめっき対象物に成分が再析出することを防止することができる。
溶出成分酸化工程では、酸化性ガスを、めっき槽の下部に気泡の状態で供給するのが好ましい。これにより、気泡はめっき液中を浮上していき、その過程において、めっき液中に溶出しためっき対象物の成分と高い接触効率で接触する。
溶出成分酸化工程でめっき対象物の成分が酸化することで生成される酸化物は、めっき液中から回収するのが好ましい。これには、濾過器等を適宜用いることができる。
なお、めっき工程と、溶出成分酸化工程は、並行して行っても良いし、別々に行っても良い。また、溶出成分酸化工程は、めっき工程が行われるめっき槽とは別の槽にめっき液を導入して行うようにしても良い。
このようなめっき方法は、めっき液中に溶出しためっき成分がめっき対象物に対して悪影響を及ぼすものであれば、いかなるめっき対象物に対しても有効であるが、Ｒ−Ｔ−Ｂ（Ｒは希土類元素の１種又は２種以上、ＴはＦｅ又はＦｅ及びＣｏを必須とする少なくとも１種以上の遷移金属元素）系焼結磁石をめっき対象物とする場合に有効である。特に、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系焼結磁石をめっきする場合、酸化しやすいＮｄやＦｅがめっき液に溶出する。このＮｄやＦｅをめっき液中で酸化させることで、これらの元素の磁石表面への再析出を有効に抑止できる。
【０００６】
ところで、溶出成分酸化工程では、酸素濃度３ｖｏｌ％以上の酸化性ガスを用いるのが好ましく、さらに酸素濃度１５ｖｏｌ％以上の酸化性ガスを用いるのが好ましい。コストや管理の容易性の面から言えば、空気（大気）を酸化性ガスとして用いるのが特に好ましい。
【０００７】
以上のめっき方法を実施する装置として、本発明は、めっき対象物をめっきするためのめっき液を収容しためっき槽と、めっき液中に溶出しためっき対象物の成分を酸化させるため、めっき液中に酸化性ガスを供給する酸化性ガス供給部と、めっき対象物の成分が酸化性ガスによって酸化することで生成された酸化物を回収する酸化物回収部と、を備えることを特徴とするめっき装置を提供する。
このようなめっき装置において、酸化性ガス供給部は、めっき槽内のめっき液中に酸化性ガスを供給することもできるし、めっき槽から外部の別の槽等に引き込んだめっき液中に、酸化性ガスを供給するようにしても良い。
【０００８】
以上のめっき方法を実施する他の装置として、本発明は、めっき対象物をめっきするためのめっき液を収容した第一の槽と、第一の槽に連通し、第一の槽との間でめっき液が循環可能とされた第二の槽と、第一の槽から第二の槽内に導入されためっき液中に酸化性ガスを供給するガス供給部と、第二の槽から第一の槽に送給される、酸化性ガスが供給されためっき液を濾過する濾過部と、を備えることを特徴とするめっき装置を提供する。ガス供給部では、第一の槽にてめっき液中に溶出しためっき対象物の成分を酸化させるため、第二の槽に導入しためっき液中に酸化性ガスを供給することができる。
このようなメッキ装置は、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石をめっき対象物とする場合に特に有効である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、めっき対象物からめっき液に溶出した成分の再析出を防止し、めっき膜の密着性や信頼性の低下を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、添付図面に示す実施の形態に基づいてこの発明を詳細に説明する。
ここでまず、本発明が適用される希土類焼結磁石について説明する。
本発明は、特にＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石に適用することが望ましいが、他の希土類焼結磁石に本発明を適用することも可能である。以下、本発明をＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石に適用する場合を例に挙げる。
Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石は、希土類元素（Ｒ）を２５〜３７ｗｔ％含有する。ここで、本発明におけるＲはＹを含む概念を有しており、したがってＹ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ及びＬｕの１種又は２種以上から選択される。Ｒの量が２５ｗｔ％未満であると、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の主相となるＲ2Ｔ14Ｂ相の生成が十分ではなく軟磁性を持つα−Ｆｅなどが析出し、保磁力が著しく低下する。一方、Ｒが３７ｗｔ％を超えると主相であるＲ2Ｔ14Ｂ相の体積比率が低下し、残留磁束密度が低下する。またＲが酸素と反応し、含有する酸素量が増え、これに伴い保磁力発生に有効なＲリッチ相が減少し、保磁力の低下を招く。したがって、Ｒの量は２５〜３７ｗｔ％とする。望ましいＲの量は２８〜３５ｗｔ％、さらに望ましいＲの量は２９〜３３ｗｔ％である。
【００１１】
また、本発明が適用されるＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石は、ホウ素（Ｂ）を０．５〜４．５ｗｔ％含有する。Ｂが０．５ｗｔ％未満の場合には高い保磁力を得ることができない。一方で、Ｂが４．５ｗｔ％を超えると残留磁束密度が低下する傾向がある。したがって、Ｂの上限を４．５ｗｔ％とする。望ましいＢの量は０．５〜１．５ｗｔ％、さらに望ましいＢの量は０．８〜１．２ｗｔ％である。
本発明が適用されるＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石は、Ｃｏを２．０ｗｔ％以下（０を含まず）、望ましくは０．１〜１．０ｗｔ％、さらに望ましくは０．３〜０．７ｗｔ％含有することができる。ＣｏはＦｅと同様の相を形成するが、キュリー温度の向上、粒界相の耐食性向上に効果がある。
【００１２】
また、本発明が適用されるＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石は、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｖ、Ａｇ、Ｇｅ等の元素を適宜含有させることができる。一方で、酸素、窒素、炭素等の不純物元素を極力低減することが望ましい。特に磁気特性を害する酸素は、その量を５０００ｐｐｍ以下、さらには３０００ｐｐｍ以下とすることが望ましい。酸素量が多いと非磁性成分である希土類酸化物相が増大して、磁気特性を低下させるからである。
【００１３】
次に、本発明を適用するＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の製造方法について説明する。
本発明を適用するＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石は、以下のようにして製造することができる。
原料合金は、真空又は不活性ガス、望ましくはＡｒ雰囲気中でストリップキャスト法、その他公知の溶解法により作製することができる。ストリップキャスト法は、原料金属をＡｒガス雰囲気などの非酸化性雰囲気中で溶解して得た溶湯を回転するロールの表面に噴出させる。ロールで急冷された溶湯は、薄板または薄片（鱗片）状に急冷凝固される。この急冷凝固された合金は、結晶粒径が１〜５０μｍの均質な組織を有している。原料合金は、ストリップキャスト法に限らず、高周波誘導溶解等の溶解法によって得ることができる。なお、溶解後の偏析を防止するため、例えば水冷銅板に傾注して凝固させることができる。また、還元拡散法によって得られた合金を原料合金として用いることもできる。
Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を得る場合、Ｒ2Ｔ14Ｂ結晶粒を主体とする合金（低Ｒ合金）と、低Ｒ合金よりＲを多く含む合金（高Ｒ合金）とを用いる所謂混合法を本発明に適用することもできる。
【００１４】
原料合金は粉砕工程に供される。混合法による場合には、低Ｒ合金及び高Ｒ合金は別々に又は一緒に粉砕される。粉砕工程には、粗粉砕工程と微粉砕工程とがある。まず、原料合金を、粒径数百μｍ程度になるまで粗粉砕する。粗粉砕は、スタンプミル、ジョークラッシャー、ブラウンミル等を用い、不活性ガス雰囲気中にて行うことが望ましい。粗粉砕に先立って、原料合金に水素を吸蔵させた後に放出させることにより粉砕を行うことが効果的である。この水素放出処理は、希土類焼結磁石として不純物となる水素を減少させることを目的として行われる。水素吸蔵のための加熱保持の温度は、２００℃以上、望ましくは３５０℃以上とする。保持時間は、保持温度との関係、原料合金の厚さ等によって変わるが、少なくとも３０分以上、望ましくは１時間以上とする。水素放出処理は、真空中又はＡｒガスフローにて行う。なお、水素吸蔵処理、水素放出処理は必須の処理ではない。この水素粉砕を粗粉砕と位置付けて、機械的な粗粉砕を省略することもできる。
【００１５】
粗粉砕工程後、微粉砕工程に移る。微粉砕には主にジェットミルが用いられ、粒径数百μｍ程度の粗粉砕粉末を、平均粒径２．５〜６μｍ、望ましくは３〜５μｍとする。ジェットミルは、高圧の不活性ガスを狭いノズルより開放して高速のガス流を発生させ、この高速のガス流により粗粉砕粉末を加速し、粗粉砕粉末同士の衝突やターゲットあるいは容器壁との衝突を発生させて粉砕する方法である。
【００１６】
混合法による場合、２種の合金の混合のタイミングは限定されるものではないが、微粉砕工程において低Ｒ合金及び高Ｒ合金を別々に粉砕した場合には、微粉砕された低Ｒ合金粉末及び高Ｒ合金粉末を窒素雰囲気中で混合する。低Ｒ合金粉末及び高Ｒ合金粉末の混合比率は、重量比で８０：２０〜９７：３程度とすればよい。低Ｒ合金及び高Ｒ合金を一緒に粉砕する場合の混合比率も同様である。なお、成形時の潤滑及び配向性の向上を目的とした脂肪酸又は脂肪酸の誘導体や炭化水素、例えばステアリン酸系やオレイン酸系であるステアリン酸亜鉛、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸アルミニウム、ステアリン酸アミド、オレイン酸アミド、エチレンビスイソステアリン酸アミド、炭化水素であるパラフィン、ナフタレン等を微粉砕時に０．０１〜０．３ｗｔ％程度添加することができる。
【００１７】
以上で得られた微粉砕粉末は例えば磁場中成形に供される。
磁場中成形における成形圧力は０．３〜３ｔｏｎ／ｃｍ2（３０〜３００ＭＰａ）の範囲とすればよい。成形圧力は成形開始から終了まで一定であってもよく、漸増または漸減してもよく、あるいは不規則変化してもよい。成形圧力が低いほど配向性は良好となるが、成形圧力が低すぎると成形体の強度が不足してハンドリングに問題が生じるので、この点を考慮して上記範囲から成形圧力を選択する。磁場中成形で得られる成形体の最終的な相対密度は、通常、５０〜６０％である。
印加する磁場は、１２〜２０ｋＯｅ（９６０〜１６００ｋＡ／ｍ）程度とすればよい。印加する磁場は静磁場に限定されず、パルス状の磁場とすることもできる。また、静磁場とパルス状磁場を併用することもできる。
【００１８】
次いで、成形体を真空又は不活性ガス雰囲気中で焼結する。焼結温度は、組成、粉砕方法、平均粒径と粒度分布の違い等、諸条件により調整する必要があるが、１０００〜１２００℃で１〜１０時間程度焼結すればよい。
焼結後、得られた焼結体に時効処理を施すことができる。この工程は、保磁力を制御する重要な工程である。時効処理を２段に分けて行う場合には、８００℃近傍、６００℃近傍での所定時間の保持が有効である。８００℃近傍での熱処理を焼結後に行うと、保磁力が増大するため、混合法においては特に有効である。また、６００℃近傍の熱処理で保磁力が大きく増加するため、時効処理を１段で行う場合には、６００℃近傍の時効処理を施すとよい。
【００１９】
このようにして得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石は、ＮＣ（Numerical Control）制御の加工機械等により、所定形状に加工される。
この後、このＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石をめっき対象物とし、本発明を適用してめっき処理する。
なおここで、本発明を適用してめっき処理するＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石は、上記した製造方法に限らず、他の製造方法によって製造したものであっても良い。
【００２０】
Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石は、めっきの前処理として、バレル研磨、脱脂処理、酸処理、アルカリ超音波洗浄等が施される。ここで、前処理の種類や順序等は前記したものに限るものではない。
前処理を施したＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石は、めっき槽に浸漬され、めっき処理が施される。
ここで、めっきには、Ｎｉめっき、Ｃｕめっき、Ｓｎめっき等を用いることができ、めっき槽には、用いるめっきの種類に応じためっき液が満たされる。また、めっき法としては、電解めっきあるいは無電解めっきを用いることができる。
【００２１】
さて、このようにＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石をめっきするに際し、用いるめっき液中に酸化性ガスを供給するのが好ましい。これは、めっきの際にめっき液中に溶出してしまうＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の成分を酸化させ、沈殿させるためである。
例えば、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系焼結磁石にワット浴にて電気Ｎｉめっきを施す場合、ＮｄやＦｅがめっき液中に溶出する。
これには、めっき液中に酸化性ガスを気泡に供給し、めっき液中の溶出成分との接触効率を高めるのが良い。このためめっき槽の底部に、多数の孔が形成された配管を設け、この配管に酸化性ガスを送り込み、孔から酸化性ガスをめっき液中に放出するのが好ましい。孔からめっき液中に放出された酸化性ガスは気泡となり、めっき液中を上昇していき、その過程でめっき液中の溶出成分と接触する。酸化性ガスと接触した溶出成分は酸化して、ネオジウムや鉄の酸化物となり、めっき液中で沈殿する。
沈殿した溶出成分の酸化物を回収するため、めっき槽には、フィルタ等の酸化物回収手段を備えるのが好ましい。
【００２２】
このようにして、めっき槽でＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石のめっきを行う過程でめっき液中に溶出した溶出成分は、酸化性ガスとの接触により酸化して沈殿するので、溶出成分がＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の表面に再析出するのを防止できる。その結果、めっき膜の密着性や信頼性の低下を回避することができる。
しかも、このような手法によれば、既存のめっき装置においても、酸化性ガスを放出するための配管、ポンプ等を追設するのみで実現できるため、非常に有効である。
【００２３】
さてここで、酸化性ガスとしては、酸素を含んだガスであれば、いかなるものを用いても良い。もちろん、酸素のみを供給しても良いが、コスト等を考えると、空気（大気）を用いるのが好適である。
また、酸化性ガスにおける酸素濃度は、めっき液中への溶出成分を速やかに酸化できるものとするのが好ましいが、めっき処理中のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石自体の酸化を回避できるようにするのが好ましい。
例えば、組成２６．５ｗｔ％Ｎｄ−５．９ｗｔ％Ｄｙ−０．２５ｗｔ％Ａｌ−０．５ｗｔ％Ｃｏ−０．０７ｗｔ％Ｃｕ−１．０ｗｔ％Ｂ−Ｆｅ．ｂａｌのＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石に対し、ワット浴にて電気Ｎｉめっきを施す場合、酸素濃度３ｖｏｌ％以上、より好ましくは１５ｖｏｌ％以上、さらに好ましくは２０〜３０ｖｏｌ％の酸化性ガスである。めっきを行うめっき槽中に酸化性ガスを供給する場合、酸化性ガスの濃度が高すぎるとＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石が酸化性ガスによって酸化されてしまうことがあるからである。また、供給する酸化性ガスの流量は、めっき浴の種類やめっき槽のサイズによって異なるため、一概には規定できないが、５〜５０Ｌ（リットル）／ｍｉｎでめっき液中に放出するのが好ましい。
【００２４】
ところで、上記では、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石のめっきを行うめっき槽中に酸化性ガスを放出するようにしたが、めっき液中に沈殿した溶出成分の酸化物が、放出される酸化性ガスの気泡によってめっき槽内を浮遊し、良好なめっき処理の阻害要因となることも考えられる。
この場合、図１に示すめっき装置１０のように、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石のめっきを行うめっき槽（第一の槽）１１と、溶出成分の除去処理を行う処理槽（別の槽、第二の槽）１２とを、分けて設けるのが好ましい。これには、めっき槽１１と、処理槽１２とを、送出側配管１３、戻し側配管１４を介して接続し、めっき槽１１と処理槽１２との間で、めっき液Ｌを循環可能とする。そして、処理槽１２には、底部に、多数の孔１５ａが形成された配管（酸化性ガス供給部、ガス供給部）１５を設け、この配管１５に、図示しないポンプ等を介し、酸化性ガスを送り込むようになっている。これにより、配管１５の孔１５ａから、酸化性ガスが処理槽１２のめっき液Ｌ中に気泡状となって放出されるようになっている。孔１５ａからめっき液Ｌ中に放出された酸化性ガスがめっき液Ｌ中の溶出成分と接触することで、溶出成分は酸化物となりめっき液Ｌ中で沈殿するわけであるが、沈殿した酸化物は、めっき槽１１と処理槽１２との間でのめっき液Ｌの循環過程の適宜箇所、例えば戻し側配管１４に設けられた濾過器（酸化物回収部、濾過部）１６にて、回収されるようになっている。
【００２５】
めっき装置１０においては、このように、めっき槽１１でＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石のめっきを行う過程でめっき液Ｌ中に溶出した溶出成分は、処理槽１２にめっき液Ｌとともに送られ、酸化性ガスとの接触により酸化し、濾過器１６で回収される。これにより、めっき槽１１におけるめっき液Ｌ中の溶出成分を低減することができ、溶出成分のＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石表面への再析出防止効果を、一層確実なものとすることができる。
【００２６】
なお、本発明は、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石は、同じ種類のめっきを複数回行う場合や、複数種のめっきを順次行う場合にも適用できる。複数種のめっきを行う場合には、それぞれの種類のめっきを行うめっき槽に対し、上記したような構成を適用しても良いし、特に悪影響を及ぼす成分が溶出するめっき槽に対してのみ、上記したような構成を適用しても良い。
これ以外にも、本発明の主旨を逸脱しない限り、上記実施の形態で挙げた構成を取捨選択したり、他の構成に適宜変更することが可能である。
【実施例１】
【００２７】
ここで、酸化性ガスを用いてめっき液への溶出成分を酸化させることによる効果を確認したのでその結果を示す。
まず、めっき対象となるＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石は、以下のようにして製造した。
ストリップキャスト法により、２６．５ｗｔ％Ｎｄ−５．９ｗｔ％Ｄｙ−０．２５ｗｔ％Ａｌ−０．５ｗｔ％Ｃｏ−０．０７ｗｔ％Ｃｕ−１．０ｗｔ％Ｂ−Ｆｅ．ｂａｌの組成を有する原料合金を作製した。
次いで、室温にて原料合金に水素を吸蔵させた後、Ａｒ雰囲気中で６００℃×１時間の脱水素を行う水素粉砕処理を行った。
水素粉砕処理が施された合金に、粉砕性の向上並びに成形時の配向性の向上に寄与する潤滑剤を０.０５〜０.１％混合した。潤滑剤の混合は、例えばナウターミキサー等により５〜３０分間ほど行う程度でよい。その後、ジェットミルを用いて平均粒径が５．０μｍの微粉砕粉末を得た。
【００２８】
微粉砕粉末を磁場中成形し、これによって得られた成形体を真空中およびＡｒ雰囲気中で１０８０℃まで昇温し４時間保持して焼結を行った。次いで得られた焼結体に８００℃×１時間と５６０℃×１時間（ともにＡｒ雰囲気中）の２段時効処理を施した。
【００２９】
このようにして得られたＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を、縦４０ｍｍ、横３０ｍｍ、厚さ５ｍｍの平板状に加工した後、めっきの前処理として、バレル研磨、脱脂処理、酸処理、アルカリ超音波洗浄を施した。
【００３０】
この後、６０Ｌ（リットル）のワット浴に、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を浸漬し、電気Ｎｉメッキを行った。このとき、成膜速度は３（μｍ／ｈｒ）とし、浸漬後５時間経過した時点で、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石をめっき液から引き上げ、比較試料１を作製した。
めっき後のめっき液の一部を採取し、ＩＣＰ分析を行ったところ、Ｎｄ、Ｆｅの溶出が認められた。
【００３１】
また、酸化性ガスとしての空気を流量２０（Ｌ／ｍｉｎ）でめっき液に導入し、気泡として放出させながら、比較試料１と同一のめっき条件にてＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石のめっきを行い、試料１を作製した。
このとき、空気の気泡を放出させためっき液中には微細な析出物が認められた。これを濾過器により回収したところ、黄土色を呈した粒子状およびゲル状の物質であることが判明した。この物質をＥＰＭＡにて分析したところ、Ｎｄ、Ｆｅ、およびＯ(酸素)を含むことが確認された。
【００３２】
めっき処理後、試料１、比較試料１の双方について、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の表面に形成されためっき膜を評価した。評価項目としては、めっき膜厚、密着性、信頼性とした。めっき膜厚は、蛍光Ｘ線分析で計測した。
密着性は、以下に示す方法で評価した。まずめっき後の磁石表面に１０ｍｍの幅で深さ３０〜４０μｍ、長さ２０〜３０ｍｍの切れ目を２本平行に入れる。さらに、これら２本の切れ目の片端に、これら２本の切れ目とほぼ垂直になるように同様の深さの切れ目を形成し、ほぼコ字状の切れ目を形成した。この切れ目の先端部分（２本の切れ目にほぼ垂直に形成した切れ目の部分）から、磁石平面に対し垂直にめっき膜のみを引き剥がし、そのときの引き剥がし力を測定した。
信頼性は、３５℃、濃度５％のＮａＣｌ水溶液を２４時間噴霧して塩水噴霧試験を行い、試験後の試料について、めっき膜のハガレ、点錆、フクレを目視にて観察し、評価した。
その結果を表１に示す。
【００３３】
【表１】
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【００３４】
表１に示すように、試料１、比較試料１とも、平均めっき膜厚は１５μｍで同等であった。密着性、信頼性に関しては、酸化性ガスの放出を行わなかった比較試料１に対し、酸化性ガスの放出を行った試料１は、ハガレ、点錆ともに認められず、良好な結果が得られた。これにより、酸化性ガスの放出を行うことで、密着性、信頼性が向上しているのがわかる。
【実施例２】
【００３５】
次に、２種類のめっきを施した場合について、酸化性ガスを用いてめっき液への溶出成分を酸化させることによる効果を確認したのでその結果を示す。
めっき対象となるＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石は、実施例１と同様にして、製造し、前処理を行った。
ここで、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の形状は縦４０ｍｍ、横３０ｍｍ、厚さ５ｍｍの平板状とした。
【００３６】
この後、６０Ｌ（リットル）の青化銅めっき液に、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を浸漬し、電気Ｃｕめっきを行った。このとき、成膜速度は４（μｍ／ｈｒ）とし、浸漬後２．５時間経過した時点で、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石をめっき液から引き上げた。
このとき、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石のめっきを行うめっき槽とは別の処理槽にめっき液を導入し、この処理槽に、酸化性ガスとしての空気を流量２０（Ｌ／ｍｉｎ）で導入し、めっき液中に気泡を放出させた。
【００３７】
続いて、６０Ｌ（リットル）のワット浴に、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を浸漬し、電気Ｎｉめっきを行った。このとき、成膜速度は３（μｍ／ｈｒ）とし、浸漬後１．７時間経過した時点で、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石をめっき液から引き上げた。
このとき、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石のめっきを行うめっき槽とは別の処理槽にめっき液を導入し、この処理槽に、酸化性ガスとしての空気を流量２０（Ｌ／ｍｉｎ）で導入し、めっき液中に気泡を放出させた。
【００３８】
めっき処理後、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の表面に形成されためっき膜を、実施例１と同様にして評価した。
その結果を表１に示す。
表１に示すように、試料２において、Ｃｕのめっき膜厚は１０μｍ、Ｎｉのめっき膜厚は５μｍであった。密着性、信頼性に関しては、試料１と同様、ハガレ、点錆ともに認められず、良好な結果が得られた。これにより、２層めっきの場合であっても、酸化性ガスの放出を行うことで、密着性、信頼性が向上しているのがわかる。
【実施例３】
【００３９】
次に、酸化性ガスの酸化濃度を変化させたときの効果を確認したのでその結果を示す。
めっき対象となるＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石は、実施例１と同様にして、製造し、前処理を行った。
【００４０】
この後、６０Ｌ（リットル）のワット浴に、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石を浸漬し、Ｎｉめっきを行った。このとき、成膜速度は３（μｍ／ｈｒ）とし、浸漬後５時間経過した時点で、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石をめっき液から引き上げた。
このとき、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石のめっきを行うめっき槽とは別の処理槽にめっき液を導入し、この処理槽に、酸化性ガスを、流量２０（Ｌ／ｍｉｎ）で導入し、めっき液中に気泡を放出させた。ここで、試料３においては、酸化性ガスとして、酸素濃度９９ｖｏｌ％以上の酸素ガスを用いた。また、試料４としては、酸素濃度３ｖｏｌ％（残部は窒素）の酸化性ガスを用いた。
【００４１】
めっき処理後、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の表面に形成されためっき膜を、実施例１と同様にして評価した。
その結果を表１に示す。
表１に示すように、試料３、４とも、めっき膜厚は１５μｍであった。密着性、信頼性に関しては、純酸素を用いた試料３では、ハガレ、点錆ともに認められず、良好な結果が得られたのに対し、酸素濃度の低い（空気（大気）よりも低い）酸化性ガスを用いた試料４では、実施例１で示した比較試料１ほどではないものの、軽いハガレと点錆が認められた。
これにより、酸化性ガスの酸素濃度が高ければ密着性、信頼性は向上するものの、酸化性ガスの酸素濃度が３ｖｏｌ％以下となると、密着性、信頼性の低下を抑制する度合いが、若干弱まることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本実施の形態におけるめっき装置の一例を示す図であり、（ａ）は立断面図、（ｂ）は平面図である。
【符号の説明】
【００４３】
１０…めっき装置、１１…めっき槽（第一の槽）、１２…処理槽（別の槽、第二の槽）、１５…配管（酸化性ガス供給部、ガス供給部）、１５ａ…孔、１６…濾過器（酸化物回収部、濾過部）、Ｌ…めっき液                                           
【図１】
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