(57)【要約】【課題】狭トラック幅化及びオーバーライト特性の向上の両方を同時に達成できる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。【解決手段】下部磁極用の層を積層した後、記録ギャップ用の層を積層し、記録ギャップ用の層上にコイルを形成すると共に上部磁極を形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、ＡＢＳ方向から見た上部磁極の形状を、フレームめっき法におけるレジストの露光の焦点位置を制御することにより、記録ギャップ側の第１の端から少なくとも所定距離離れた位置まで等しくかつ所定距離離れた位置から記録ギャップの反対側の端である第２の端までほぼ連続的に増大する幅を有しており、第２の端の幅が前記第１の端の幅より広くなるように形成する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部磁極用の層を積層した後、記録ギャップ用の層を積層し、該記録ギャップ用の層上にコイルを形成すると共に上部磁極を形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、浮上面方向から見た前記上部磁極の形状を、フレームめっき法におけるレジストの露光の焦点位置を制御することにより、前記記録ギャップ側の第１の端から少なくとも所定距離離れた位置まで等しくかつ該所定距離離れた位置から前記記録ギャップの反対側の端である第２の端までほぼ連続的に増大する幅を有しており、前記第２の端の幅が前記第１の端の幅より広くなるように形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記焦点位置を前記レジストの高さで２μｍ以下の位置とすることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記所定距離を１μｍ以上の長さとすることを特徴とする請求項１又は２に記載の製造方法。
【請求項４】
浮上面方向から見た形状として、前記下部磁極の前記記録ギャップ側の端が、前記上部磁極に対向する部分で凸状に突出しており、該突出部が前記第１の端の幅に等しい幅を有する形状となるように、該上部磁極をマスクとして該下部磁極用の層をドライエッチングすることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項５】
基板表面上に第１のシールド用の層を積層し、該第１のシールド用の層上にシールドギャップ用の層を介して磁気抵抗効果素子用の層を積層した後該磁気抵抗効果素子を形成し、次いで該磁気抵抗効果素子上にシールドギャップ用の層を介して前記下部磁極用の層を積層することを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばハードディスク、フレキシブルディスク等の磁気媒体に磁気記録を行うためのインダクティブ記録ヘッド部を有する薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インダクティブ記録ヘッド部は、ＡＢＳ（浮上面）に露出した先端が記録ギャップを介して互いに対向しており、後部においてヨークとして互いに接触している２つの磁極と、そのヨークの周囲に巻回されているコイルとから主として構成されている。
【０００３】
図１及び図２は、従来のインダクティブ記録ヘッドにおける磁極のＡＢＳ側から見た概略構造を表わす断面図である。
【０００４】
図１において、１０は下部磁極、１１は記録ギャップ、１２は上部磁極をそれぞれ示している。このインダクティブ記録ヘッドにおいては、上部磁極１２の幅ＷＰ２が記録ギャップ側においてもその反対側においても同一となるように形成されている。
【０００５】
このような形状の上部磁極１２を有するインダクティブ記録ヘッドは、磁極への磁束の流入に抵抗が生じるため、オーバーライト特性が比較的低くなってしまう。
【０００６】
このような不都合を改善する構造として、図２に示すような形状の上部磁極を備えたインダクティブ記録ヘッドが存在する。同図において、２０は下部磁極、２１は記録ギャップ、２２は上部磁極をそれぞれ示している。このヘッドは、上部磁極２２のＷＰ２が記録ギャップ側からその反対側に向かって徐々に大きくなっており、これによって磁束の流入側が広くなるため、オーバーライト特性を向上させることができる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、図２に示す従来のインダクティブ記録ヘッドによると、記録のための実効トラック幅がどうしても広がってしまうという問題が生じる。特に近年、磁気記録の高密度化に伴って磁気ヘッドのトラック幅をより狭くすることが要求されているため、このような実効トラック幅の広がりは大きな問題である。
【０００８】
従って本発明の目的は、狭トラック幅化及びオーバーライト特性の向上の両方を同時に達成できる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明によれば、下部磁極用の層を積層した後、記録ギャップ用の層を積層し、記録ギャップ用の層上にコイルを形成すると共に上部磁極を形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、ＡＢＳ方向から見た上部磁極の形状を、フレームめっき法におけるレジストの露光の焦点位置を制御することにより、記録ギャップ側の第１の端から少なくとも所定距離離れた位置まで等しくかつ所定距離離れた位置から記録ギャップの反対側の端である第２の端までほぼ連続的に増大する幅を有しており、第２の端の幅が前記第１の端の幅より広くなるように形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法が提供される。
【００１０】
上部磁極が、ＡＢＳ方向から見た形状として、記録ギャップの反対側の第２の端が記録ギャップ側の第１の端の幅より広い幅を有する形状となっているので、磁束の入口側の幅が広くなりかつ出口側の幅が狭くなることとなり、オーバーライト特性が大幅に向上する。しかも、記録ギャップ側の第１の端から少なくとも所定距離離れた位置まで等しい幅を有しているので、磁気ヘッドの実効トラック幅が広がってしまうような不都合がなくなる。
【００１１】
焦点位置をレジストの高さで２μｍ以下の位置とすることが好ましい。
【００１２】
所定距離を１μｍ以上の長さとすることも好ましい。
【００１３】
ＡＢＳ方向から見た形状として、下部磁極の記録ギャップ側の端が、上部磁極に対向する部分で凸状に突出しており、突出部が第１の端の幅に等しい幅を有する形状となるように、上部磁極をマスクとして下部磁極用の層をドライエッチングすることも好ましい。
【００１４】
基板表面上に第１のシールド用の層を積層し、第１のシールド用の層上にシールドギャップ用の層を介して磁気抵抗効果（ＭＲ）素子用の層を積層した後このＭＲ素子を形成し、次いでＭＲ素子上にシールドギャップ用の層を介して下部磁極用の層を積層することも好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、上部磁極が、ＡＢＳ方向から見た形状として、記録ギャップの反対側の第２の端が記録ギャップ側の第１の端の幅より広い幅を有する形状となっているので、磁束の入口側の幅が広くなりかつ出口側の幅が狭くなることとなり、オーバーライト特性が大幅に向上する。しかも、記録ギャップ側の第１の端から少なくとも所定距離離れた位置まで等しい幅を有しているので、磁気ヘッドの実効トラック幅が広がってしまうような不都合がなくなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
図３は本発明の一実施形態におけるインダクティブ記録ヘッド部についてＡＢＳ側から見た形状を概略的に示す図である。
【００１７】
同図において、３０は下部磁極、３１は記録ギャップ、３２は上部磁極、３０ａは下部磁極３０の凸状の突出部をそれぞれ示している。上部磁極３２の下端は、記録ギャップ３１を介して下部磁極３０の突出部３０ａの上端に対向している。突出部３０ａは、幅ＷＰ２Ａを有しており、上部磁極３２もその下端から所定距離ＬＳの位置３３までこの幅ＷＰ２Ａに等しい幅を有している。上部磁極３２の幅は、この位置３３から徐々に曲線状に大きくなりその上端では、幅ＷＰ２Ｂとなっている。単なる一例として、各数値は次の通りである。ＷＰ２Ａ＝０．９μｍ、ＷＰ２Ｂ＝１．５μｍ、ＬＧ＝０．３μｍ、ＬＴ＝０．５μｍ。ただし、ＬＧは記録ギャップ長、ＬＴは突出部３０ａの長さである。所定距離（以下、等幅部分長さと称する）ＬＳは後述するように、ＬＳ≧１．０μｍに設定される。
【００１８】
上部磁極は、図３に示したようにその幅が位置３３から徐々に曲線状に大きくなる形状の他に、図４に示すように上部磁極の下端から所定距離ＬＳの位置４３から徐々に直線的に大きくなる形状であってもよい。図４において、４０は下部磁極、４１は記録ギャップ、４２は上部磁極、４０ａは下部磁極４０の突出部をそれぞれ示しており、上部磁極４２の下端は、記録ギャップ４１を介して下部磁極４０の突出部４０ａの上端に対向している。突出部４０ａは、幅ＷＰ２Ａを有しており、上部磁極４２もその下端から所定距離ＬＳの位置４３までこの幅ＷＰ２Ａに等しい幅を有している。上部磁極４２の幅は、この位置４３から徐々に直線状に大きくなりその上端では、幅ＷＰ２Ｂとなっている。
【００１９】
図５は、図３の実施形態における薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する工程図であり、磁気ヘッドのトラックの中心を通る平面による断面図及びＡＢＳ方向から見た断面図をそれぞれ示している。なお、本実施形態は、インダクティブ記録ヘッド部とＭＲ再生ヘッド部とが一体的に積層形成されている複合型薄膜磁気ヘッドの場合である。ただし、本発明が、インダクティブ記録ヘッド部のみが設けられている薄膜磁気ヘッドについても適用可能であることはいうまでもない。
【００２０】
まず、ＡｌＴｉＣ等のセラミック材料による図示しない基板上に、絶縁層５０を積層する。この絶縁層５０は、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等の絶縁材料を、スパッタ法等で好ましくは１０００〜２００００ｎｍ程度の層厚に形成する。
【００２１】
次いで、その上に下部シールド５１用の層を積層し、さらにその上にシールドギャップ用の絶縁層５２を積層する。下部シールド５１用の層は、ＦｅＡｉＳｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮｉ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等の材料を、スパッタ法又はめっき法等で好ましくは１００〜５０００ｎｍ程度の層厚に形成する。シールドギャップ用の絶縁層５２は、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等の絶縁材料を、スパッタ法等で好ましくは１０〜２００ｎｍ程度の層厚に形成する。
【００２２】
次いで、絶縁層５２上のＭＲ素子５３を形成し、このＭＲ素子５３の両端に電気的に接続されるようにリード導体５４を形成する。ＭＲ素子５３は、磁性体の単層構造としてもよいが、磁性層及び非磁性層を交互に積層した多層構造とすることが好ましい。磁性層の材料としては、ＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＲｈ、ＦｅＭｎ、ＮｉＭｎ、Ｃｏ、Ｆｅ、ＮｉＯ、ＮｉＦｅＣｒ等が好ましく、非磁性層の材料としては、Ｔａ、Ｃｕ、Ａｇ等が好ましい。また、多層構造として、例えばＮｉＦｅＲｈ／Ｔａ／ＮｉＦｅの三層構造、ＮｉＦｅ／Ｃｕ／ＮｉＦｅ／ＦｅＭｎ、ＮｉＦｅ／Ｃｕ／Ｃｏ／ＦｅＭｎ、Ｃｕ／Ｃｏ／Ｃｕ／ＮｉＦｅ、Ｆｅ／Ｃｒ、Ｃｏ／Ｃｕ、Ｃｏ／Ａｇ等の複数層構造を１ユニットとして複数ユニットを積層した構造としてもよい。多層構造の場合、磁性層の層厚は、０．５〜５０ｎｍ、特に１〜２５ｎｍとすることが好ましく、非磁性層の層厚も、０．５〜５０ｎｍ、特に１〜２５ｎｍとすることが好ましい。上述のユニットの繰り返し積層数は、１〜３０回、特に１〜２０回が好ましい。ＭＲ素子５３全体としての層厚は、５〜１００ｎｍ、特に１０〜６０ｎｍであることが好ましい。ＭＲ素子用の層を積層するには、スパッタ法、めっき法等が用いられる。リード導体５４は、Ｗ、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔａ、Ｍｏ、ＣｏＰｔ等の導電性材料をスパッタ法、めっき法等で１０〜５００ｎｍ、特に５０〜３００ｎｍ程度の層厚に形成することが好ましい。
【００２３】
次いで、ＭＲ素子５３及びリード導体５４上に、シールドギャップ用の絶縁層５５を積層する。この絶縁層５５は、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等の絶縁材料を、スパッタ法等で、５〜５００ｎｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍ程度の層厚に形成する。
【００２４】
以上述べたＭＲ再生ヘッド部の各層は、レジストパターンを用いた一般的なリフトオフ法やミリング法又はこれらを併用した方法でパターニングされる。
【００２５】
次いで、ＭＲ素子５３の上部シールドを兼用する記録ヘッド部の下部磁極５６用の磁性層を積層し、その上に記録ギャップ５７用の絶縁層を積層する。下部磁極５６用の層は、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮｉ、ＦｅＮ等の軟磁性材料を、めっき法、スパッタ法等で好ましくは５００〜４０００ｎｍ程度の層厚に形成する。記録ギャップ５７用の絶縁層は、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等の材料を、スパッタ法等で、１０〜５００ｎｍ程度の層厚に形成する。
【００２６】
その後、記録ギャップ５７上に、コイル５８及びこのコイル５８を取り囲む絶縁層５９を形成する。コイル５８は、Ｃｕ等の導電性材料を、フレームめっき法等で、２０００〜５０００ｎｍ程度の厚さに形成する。絶縁層５９は、フォトレジスト材料を熱硬化させて、３０００〜２００００ｎｍ程度の層厚に形成する。
【００２７】
以上の工程を経て得た層構造が、図５（Ａ）に示されている。なお、コイル５８は、同図に示す用に２層であってもよいし、３層以上であっても、また、単層であってもよい。
【００２８】
次いで、図５（Ｂ）に示すように、このように形成した絶縁層５９上に、ＡＢＳ側の磁極部と後側のヨーク部とを有する上部磁極６０をフレームめっき法で形成する。上部磁極６０は、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮｉ、ＦｅＮ等の軟磁性材料を、好ましくは３０００〜５０００ｎｍ程度の層厚に形成する。この際、上部磁極６０の磁極部のＡＢＳ側から見た形状が、図３又は図４のごとくなるように形成される。
【００２９】
以下、このような形状の上部磁極６０を形成するためのフレームめっき法について説明する。図６は、本実施形態におけるフレームめっき法による上部磁極の形成工程を詳しく説明する工程図である。
【００３０】
図６（Ａ）に示す記録ギャップ５７上に、図６（Ｂ）に示すように、Ｃｕ、ＮｉＦｅ、Ａｕ等の好ましくはめっきすべき層と同様の成分による低抵抗膜６１を、１０〜５００ｎｍ程度の膜厚で成膜する。
【００３１】
次いで、図６（Ｃ）に示すように、低抵抗膜６１上にレジスト６２を塗布する。この際、レジスト６２の層厚が、めっき層の厚みよりも厚くなるようにする。次いで、図６（Ｄ）に示すように、マスクパターンを露光してこのレジスト６２に転写し、現像する。このマスクパターンに関するレジスト６２の露光条件を、本実施形態では適宜制御して図３又は図４のごとき形状を得ているのである。図７は、その露光条件として露光の焦点位置を変えることによって、レジスト６２のパターン形状が制御されることを示す図である。
【００３２】
図７において、縦軸の数値はレジストの高さ［μｍ］を示しており、また、斜線部分は現像後に残るレジスト部分を示している。また、図７（Ａ）は焦点位置を基板表面から高さ５．０μｍの位置とした場合、図７（Ｂ）は焦点位置を高さ４．０μｍの位置とした場合、図７（Ｃ）は焦点位置を高さ３．０μｍの位置とした場合、図７（Ｄ）は焦点位置を高さ２．０μｍの位置とした場合、図７（Ｅ）は焦点位置を高さ１．０μｍの位置とした場合、図７（Ｆ）は焦点位置を高さ０．０μｍの位置とした場合をそれぞれ示している。
【００３３】
図７からも明らかのように、マスクパターンに関するレジスト６２の露光の焦点位置を制御することにより、所望のレジスト形状を得ることが可能となる。なお、以上は、露光条件として露光の焦点位置を制御する例について説明したが、露光光学系の開口数を制御しても同様の効果を得ることが可能である。
【００３４】
次いで、図６（Ｅ）に示すように、このようにパターニングされたレジスト６２′を用いてＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮｉ、ＦｅＮ等の軟磁性材料をめっきして上部磁極６０を得る。その後、図６（Ｆ）に示すように、有機溶剤等を用いて、レジスト６２′を剥離する。
【００３５】
なお、上部磁極６０は、フレームめっき法の代わりに、スパッタ法とミリング法とを組み合わせたドライプロセスで形成することも可能である。
【００３６】
次いで、図５（Ｃ）に示すように、このようにして形成した上部磁極６０をマスクとして、イオンミリング、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）等のドライエッチングを行い、前述の低抵抗膜６１及び記録ギャップ５７用の絶縁層のマスクに覆われていない部分を除去し、さらに下部磁極５６用の磁性層の途中までマスクに覆われていない部分を除去する。
【００３７】
これにより、図５（Ｄ）に示すように、上部磁極６０の下端に、記録ギャップ５７を介して対向しかつ同じ幅を有する突出部５６ａが下部磁極５６に形成される。次いで、パッドバンプ等を形成した後、保護層６３を積層する。この保護層６３は、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等の絶縁材料を、スパッタ法等で好ましくは５０００〜５００００ｎｍ程度の層厚に形成する。
【００３８】
図３に関連して説明したように、本実施形態によれば、上部磁極３２（６０）はその下端から等幅部分長さＬＳだけ幅ＷＰ２Ａを有しており、この上部磁極３２（６０）の幅は、その後上方に向かって徐々に曲線状に大きくなりその上端では、この幅ＷＰ２Ａより大きい幅ＷＰ２Ｂとなっている。この等幅部分長さＬＳを、ＬＳ≧１．０μｍに設定すると、ヘッドの実効トラック幅は広がらない。図８は、上部磁極のこの等幅部分長さＬＳと実効トラック幅との関係を示す特性図である。これは、上部磁極及び下部磁極寸法を、ＷＰ２Ａ＝０．９μｍ、ＷＰ２Ｂ＝１．５μｍ、ＬＧ＝０．３μｍ、ＬＴ＝０．５μｍとした場合の特性である。また、図９は、トラック幅とオーバーライト特性との関係を示す特性図である。
【００３９】
図８から明らかのように、等幅部分長さＬＳが１．０μｍ以上の場合は、実効トラック幅が１．０μｍに維持されているが、等幅部分長さＬＳがこれより短くなると、実効トラック幅は急激に広がってしまう。
【００４０】
図９からわかるように、本実施形態の磁気ヘッドは、上部磁極の上端の幅が広がっているため、トラック幅が小さくなった場合にも良好なオーバーライト特性を維持できるが、従来の上部磁極が全て等幅の磁気ヘッドではトラック幅が小さくなると、オーバーライト特性が大幅に悪化してしまう。
【００４１】
従って、本実施形態によれば、上部磁極の上端の幅ＷＰ２Ｂをその下端の幅ＷＰ２Ａより大きくすると共に、等幅部分長さＬＳを１．０μｍ以上とすることによって、狭トラック幅化及びオーバーライト特性の向上の両方を同時に達成することができる。
【００４２】
図１０は、本発明の他の実施形態における薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する工程図であり、磁気ヘッドのトラックの中心を通る平面による断面図及びＡＢＳ方向から見た断面図をそれぞれ示している。本実施形態も、インダクティブ記録ヘッド部とＭＲ再生ヘッド部とが一体的に積層形成されている複合型薄膜磁気ヘッドの場合である。
【００４３】
図３の実施形態では、下部磁極が上部磁極の下端と対向する部分に凸状の突出部３０ａを有しているが、本実施形態では、下部磁極の上端は平坦な形状となっている。
【００４４】
本実施形態において、基板上の絶縁層５０、下部シールド５１、シールドギャップ用の絶縁層５２、ＭＲ素子５３、リード導体５４、シールドギャップ用の絶縁層５５、下部磁極１００用の磁性層、記録ギャップ５７用の絶縁層、コイル５８及びこのコイル５８を取り囲む絶縁層５９を形成するまでの製造工程は、図５に述べたものと全く同様である。この状態の層構造が、図１０（Ａ）に示されている。
【００４５】
次いで、図１０（Ｂ）に示すように、このように形成した絶縁層５９上に、ＡＢＳ側の磁極部と後側のヨーク部とを有する上部磁極６０をフレームめっき法で形成する。この上部磁極６０の形成も、図５に述べたものと全く同様である。
【００４６】
本実施形態では、その後、下部磁極１００までのミリングを行うことなく、図１０（Ｃ）に示すように、パッドバンプ等を形成し、保護層６３を積層する。従って、本実施形態では、下部磁極１００の上端は平坦な形状となることを除いて、図３の実施形態の場合とほぼ同じ工程を行う。
【００４７】
本実施形態における、その他の構成、作用効果及び変更態様等は、図３の実施形態の場合とほぼ同様である。
【００４８】
図１１は、本発明のさらに他の実施形態における薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する工程図であり、磁気ヘッドのトラックの中心を通る平面による断面図及びＡＢＳ方向から見た断面図をそれぞれ示している。本実施形態も、インダクティブ記録ヘッド部とＭＲ再生ヘッド部とが一体的に積層形成されている複合型薄膜磁気ヘッドの場合である。
【００４９】
図３の実施形態では、上部磁極の磁極部とヨーク部とが同じフレームめっき工程で同時に形成されているが、本実施形態では、磁極部とヨーク部とが別個の工程で形成される。
【００５０】
本実施形態において、基板上の絶縁層５０、下部シールド５１、シールドギャップ用の絶縁層５２、ＭＲ素子５３、リード導体５４、シールドギャップ用の絶縁層５５、下部磁極５６用の磁性層及び記録ギャップ５７用の絶縁層を形成するまでの製造工程は、図５に述べたものと全く同様である。この状態の層構造が、図１１（Ａ）に示されている。℃Å
次いで、図１１（Ｂ）に示すように、記録ギャップ５７用の絶縁層上に、スロートハイトを決めるための絶縁層１１０を形成する。ただし、この絶縁層１１０は必ずしも形成しなくともよい。
【００５１】
次いで、図１１（Ｃ）に示すように、上部磁極の磁極部１１１ａ及びヨーク後端部１１１ｂをフレームめっき法で形成する。この工程も上部磁極の磁極部１１１ａ及びヨーク後端部１１１ｂのみを形成する点を除いて、図５に述べたものと全く同様である。
【００５２】
その後、図１１（Ｄ）に示すように、このようにして形成した上部磁極の磁極部１１１ａをマスクとして、イオンミリング、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）等のドライエッチングを行い、フレームめっき工程で用いた低抵抗膜及び記録ギャップ５７用の絶縁層のマスクに覆われていない部分を除去し、さらに下部磁極５６用の磁性層の途中までマスクに覆われていない部分を除去する。
【００５３】
これにより、図１１（Ｅ）に示すように、上部磁極の磁極部１１１ａの下端に、記録ギャップ５７を介して対向しかつ同じ幅を有する突出部５６ａが下部磁極５６に形成される。次いで、例えばＡｌ２Ｏ３等の材料により、平坦化用の非磁性絶縁層１１２を形成し、上部磁極の磁極部１１１ａ及びヨーク後端部１１１ｂが所定の高さとなるまで研磨して平坦化する。
【００５４】
次いで、図１１（Ｆ）に示すように、絶縁層１１２上に、図５の場合と同様に、コイル１１３及びこのコイル１１３を取り囲む絶縁層１１４を形成し、さらに、その上に上部磁極のヨーク部１１５を形成する。このヨーク部１１５は、先に形成した上部磁極の磁極部１１１ａ及びヨーク後端部１１１ｂと一体化されて最終的に上部磁極となる。
【００５５】
ヨーク部１１５の前端（ＡＢＳ側端）は、図１１（Ｆ）に示すように、磁極部１１１ａ上に補助磁極部１１５ａとして連接するように形成され、その幅が磁極部１１１ａの上端の幅以上に形成される。補助磁極部１１５ａは、その前端（ＡＢＳ側）をＡＢＳ側端まで形成しない方が好ましい。ＡＢＳ側端まで形成する場合、補助磁極部１１５ａのＡＢＳ側から見た形状を、その幅が磁極部１１１ａの上端の幅から連続的に広がるように形成することも好ましい。
【００５６】
次いで、図１１（Ｇ）に示すように、パッドバンプ等を形成し、保護層１１６を積層する。
【００５７】
本実施形態における、その他の構成、作用効果及び変更態様等は、図３の実施形態の場合とほぼ同様である。
【００５８】
図１２は、本発明のまたさらに他の実施形態における薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する工程図であり、磁気ヘッドのトラックの中心を通る平面による断面図及びＡＢＳ方向から見た断面図をそれぞれ示している。本実施形態も、インダクティブ記録ヘッド部とＭＲ再生ヘッド部とが一体的に積層形成されている複合型薄膜磁気ヘッドの場合である。
【００５９】
図１１の実施形態では、下部磁極が上部磁極の下端と対向する部分に凸状の突出部５６ａを有しているが、本実施形態では、下部磁極の上端は平坦な形状となっている。
【００６０】
本実施形態において、基板上の絶縁層５０、下部シールド５１、シールドギャップ用の絶縁層５２、ＭＲ素子５３、リード導体５４、シールドギャップ用の絶縁層５５、下部磁極１２０用の磁性層、記録ギャップ５７用の絶縁層、上部磁極の磁極部１１１ａ及びヨーク後端部１１１ｂを形成するまでの製造工程は、図１１に述べたものと全く同様である。この状態の層構造が、図１２（Ｃ）に示されている。
【００６１】
本実施形態では、その後、下部磁極１２０までのミリングを行うことなく、図１２（Ｄ）に示すように、平坦化用の非磁性絶縁層１１２を形成し、上部磁極の磁極部１１１ａ及びヨーク後端部１１１ｂが所定の高さとなるまで研磨して平坦化する。
【００６２】
以後、図１１（Ｆ）及び（Ｇ）と同様な工程により、コイル１１３及びこのコイル１１３を取り囲む絶縁層１１４を形成し、さらに、その上に上部磁極のヨーク部１１５を形成し、その後、パッドバンプ等を形成し、保護層１１６を積層する。この工程が、図１２（Ｅ）及び（Ｆ）に示されている。即ち、本実施形態では、下部磁極１２０の上端が平坦な形状となることを除いて、図１１の実施形態の場合とほぼ同じ工程を行う。
【００６３】
本実施形態における、その他の構成、作用効果及び変更態様等は、図３の実施形態の場合とほぼ同様である。
【００６４】
以上述べた実施形態は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】従来の一般的なインダクティブ記録ヘッド部についてＡＢＳ側から見た形状を概略的に示す図である。
【図２】従来の他のインダクティブ記録ヘッド部についてＡＢＳ側から見た形状を概略的に示す図である。
【図３】本発明の一実施形態におけるインダクティブ記録ヘッド部についてＡＢＳ側から見た形状を概略的に示す図である。
【図４】図３の実施形態の変更態様におけるインダクティブ記録ヘッド部についてＡＢＳ側から見た形状を概略的に示す図である。
【図５】図３の実施形態における薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する工程図である。
【図６】図３の実施形態におけるフレームめっき法による上部磁極の形成工程を詳しく説明する工程図である。
【図７】露光の焦点位置を変えることによって、レジストのパターン形状が制御されることを示す図である。
【図８】上部磁極の等幅部分長さＬＳと実効トラック幅との関係を示す特性図である。
【図９】図３の実施形態におけるトラック幅とオーバーライト特性との関係を示す特性図である。
【図１０】本発明の他の実施形態における薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する工程図である。
【図１１】本発明のさらに他の実施形態における薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する工程図である。
【図１２】本発明のまたさらに他の実施形態における薄膜磁気ヘッドの製造方法を説明する工程図である。
【符号の説明】
【００６６】
３０、４０、５６、１００、１２０  下部磁極
３０ａ、４０ａ、５６ａ  突出部
３１、４１、５７  記録ギャップ
３２、４２、６０  上部磁極
５０、５９、１１０、１１２、１１４  絶縁層
５１  下部シールド
５２、５５  シールドギャップ用の絶縁層
５３  ＭＲ素子
５４  リード導体
５８、１１３  コイル
６１  低抵抗膜
６２  レジスト
６３、１１６  保護層
１１１ａ  磁極部
１１１ｂ  ヨーク後端部
１１５  ヨーク部
１１５ａ  補助磁極部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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