(57)【要約】      （修正有）【課題】磁気抵抗効果方磁気ヘッド素子を備えた薄膜磁気ヘッドにおいて、上部磁気シールド層から進入する外部磁界が磁気抵抗効果素子を通過しにくくし、再生信号のＳ／Ｎ比の向上を図る。【解決手段】下部磁気シールド層５１及び上部磁気シード層５２に挟まれて、ギャップ膜５３を介してそれぞれ磁気記録媒体との摺動面に露出するフラックスガイド５４と、該フラックスガイド５４に磁気的に結合する磁気抵抗効果素子６０を有する磁気抵抗効果型磁気ヘッド素子５５とを備え、摺動面に平行な断面において、上部磁気シード層５２の両端部に対応する部分の上下両磁気シールド層５２及び５１間の間隔が、磁気抵抗効果素子６０に対応する中央部分の上下両磁気シールド５２及び５１間の間隔より小さく設定されて成る。【選択図】図２
2006147080.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部磁気シールド層及び上部磁気シード層に挟まれて、ギャップ膜を介してそれぞれ磁気記録媒体との摺動面に露出するフラックスガイドと、該フラックスガイドに磁気的に結合する磁気抵抗効果素子を有する磁気抵抗効果型磁気ヘッド素子とを備え、
前記摺動面に平行な断面において、前記上部磁気シード層の両端部に対応する部分の前記上下両磁気シールド層間の間隔が、前記磁気抵抗効果素子に対応する中央部分の前記上下両磁気シールド間の間隔より小さく設定されて成る
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記上部磁気シード層の両端部間の幅が前記上部磁気シード層直下に配置されたデプス規制層の幅より大きく設定され、
前記上部磁気シード層の両端部の下面が前記ギャップ膜に接触して成る
ことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記上部磁気シード層の両端部間の幅が、前記上部磁気シード層直下に配置されたデプス規制層の幅より大きく設定され、
前記磁気抵抗効果素子と前記フラックスガイドのそれぞれの両端に接続された安定化バイアス磁界を与えるハード膜のうち、いずれか一方の上層側のハード膜が前記デプス規制層に包み込まれて、前記上部磁気シード層の両端部の下面が前記上層側のハード膜の下層に位置する前記ギャップ膜に接触して成る
ことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記上部磁気シード層の両端部間の幅が、前記上部磁気シード層直下に設けられたデプス規制層の幅、及び前記磁気抵抗効果素子と前記フラックスガイドのそれぞれの両端に接続された安定化バイアス磁界を与えるハード膜のうち、いずれか一方の上層側の両ハード膜間の幅より大きく設定され、
前記上部磁気シード層の両端部の下面が、前記上層側のハード膜の下層に位置する前記ギャップ膜に接触して成る
ことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記磁気抵抗効果素子と前記フラックスガイドのそれぞれの両端に接続された安定化バイアス磁界を与えるハード膜のうち、少なくとも一方の上層側のハード膜の前記摺動面側の先端幅が、後方側の幅より小さく設定されて成る
ことを特徴とする請求項１、２、３又は４記載の薄膜磁気ヘッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気抵抗効果型磁気ヘッド素子を備えた薄膜磁気ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜磁気ヘッドとして、磁気抵抗効果型磁気ヘッド素子（以下、ＭＲ磁気ヘッド素子という）を再生磁気ヘッド素子として備えた薄膜磁気ヘッドが知られている。ＭＲ磁気ヘッド素子を構成する磁気抵抗効果型素子（以下、ＭＲ素子という）としては、巨大磁気抵抗効果を示すＧＭＲ（Giant Magneto Resistivity）素子、スピンバルブ構造を有するＧＭＲ素子（いわゆるＳＶ素子）、異方性磁気抵抗効果を示すＡＭＲ（Anisotropic Magneto Resistivity）素子などがある。
【０００３】
記録媒体（いわゆるメディア）として磁気テープ等を用いるような、コンタクトスキャン系の薄膜磁気ヘッドでは、ＭＲ素子を備えたＭＲ磁気ヘッドを再生ヘッドに適用している。このようなＭＲ磁気ヘッドにおいては、ハードディスクで採用されているＭＲ素子露出型のＭＲ磁気ヘッド、すなわちＭＲ素子が磁気記録媒体との摺動面に露出しているＭＲ磁気ヘッドを使用した場合、磁気テープとの摺動によってＭＲ素子が磨耗し、ＭＲ素子磨耗による特性変化、摺動ノイズなどに起因する信頼性の低下が起こり使用が困難となる、その他にＳＶ素子やＧＭＲ素子ではＥＳＤ（Electro Static Discharge：静電放電）や腐食などによるＭＲ素子の破壊が発生し使用することが困難になる。
【０００４】
また、ＭＲ磁気ヘッドとして、磁気記録媒体との摺動面に臨んでフラックスガイドを配置し、内側にフラックスガイドと磁気的に結合するＭＲ素子を配置してなる、非露出型のＭＲ磁気ヘッドが知られている（特許文献１参照）。この非露出型のＭＲ磁気ヘッドを使用した場合、磁気記録媒体に記録された信号磁界が摺動面から拾われてフラックスガイドを伝播する間に減衰するために、ＭＲ素子に入る信号磁界は小さいものとなる。
【０００５】
一方、ＭＲ磁気ヘッドでは、ＭＲ磁気ヘッド素子を挟んで上下に磁気シールド層が配置されている。この磁気シールド層で拾われた外部磁界がＭＲ素子（例えばＧＭＲ素子）を通過し再生信号のノイズとなる場合がある。このような状況では信号磁界による再生信号に比べて磁気シールド層で拾われた外部磁界による再生信号（いわゆるノイズ）が通常のＭＲ素子露出型に比べて大きくなりＳ／Ｎ比が劣化する。特に、信号が全面に記録されている一般的な磁気記録システムでは隣接トラックに記録された磁化パターンからの信号磁界によりＳ／Ｎ比が劣化することがある。
【０００６】
特許文献１に示す非露出型のＭＲ磁気ヘッド１は、図３７Ａ，Ｂ及び図３８Ａ，Ｂ（模式図）に示すように、強磁性薄膜からなる下部シールド層２上に絶縁膜からなる第１のギャップ膜３、フラックスガイド４、絶縁膜５、ＭＲ素子である例えばＧＭＲ素子６が順次積層して形成され、さらに絶縁膜からなる第２のギャップ膜７、デプス規制層８を介して上部磁気シード層９が積層されて成る。フラックスガイド４の両側には、安定化バイアス磁界を与えるためのハード膜１１Ａ，１１Ｂが接続される。ＧＭＲ素子６の両側には、ＧＭＲ素子に対して安定化バイアス磁界を与え且つＭＲ素子に電流を供給する電極となるためのハード膜兼電極１２Ａ，１２Ｂが接続される。下部シールド層２の上面にはデプス０の付近から後方にわたって凹溝１３が形成されこの凹溝１３内に絶縁膜１４が埋め込まれる。
【０００７】
【特許文献１】特開２００２ー１３３６１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、上述した非露出型のＭＲ磁気ヘッド１においては、磁気記録媒体の摺動面に平行なフラックスガイドを含むＭＲヘッド素子部付近の断面でみたとき、図３８Ｂに示すように、上部磁気シード層９と下部シールド層間の間隔が、ＭＲ素子付近で最も狭くなるように構成されている。このため磁気抵抗の観点から、例えば隣接トラックの信号磁界（外部磁界）、即ち磁束Ｈｔが上部磁気シード層９から入って下部シールド層２へ通過する場合に、ＧＭＲ素子６を通過し再生し易くなる。
【０００９】
ＭＲ素子（ＡＭＲ素子、ＧＭＲ素子、ＳＶ素子）を用いた薄膜磁気ヘッドにおいて、高い再生出力を得るために磁気記録媒体から発生する磁束をＭＲ素子に効率よく検出するには、摺動面からＭＲ素子迄の距離を極力近づける必要がある。ＭＲ素子のアプリケーションとして、ヘリカルＶＴＲのようなコンタクト系磁気ヘッドに適用させることを考えた場合、ヘッドの磨耗による特性変化と耐サーマルノイズの２つの問題に加えて、つぎのような問題が挙げられる。すなわち、ＡＭＲ素子を適用した場合には「バイアス点の変動によるアシンメトリーの変化」の問題、スピンバルブ構造のＧＭＲ素子を適用した場合には「反強磁性層の腐食」の問題がある。以上に理由により、ＭＲ素子を摺動面に露出して配置させることは、信頼性の面で困難となる。
【００１０】
従って、ＧＭＲ素子を用いた非露出型ＭＲ磁気ヘッドが有利になる。しかし、図３８Ｂで説明したようにＭＲ素子を摺動面に露出させない形態の非露出型ＭＲ磁気ヘッドでは、上部磁気シード層で拾われた外部磁界がＧＭＲ素子を通過し不要信号を再生する場合がある。非露出型ＭＲ磁気ヘッドの場合、摺動面から拾われた磁気記録媒体に記録された信号磁界は、フラックスガイド４を伝播する間に減衰するためにＭＲ素子に入る信号磁界が小さなものになる。
【００１１】
このような状況では、非露出型Ｍ磁気ヘッドは、信号磁界による再生信号に比べて上部磁気シード層で拾われた外部磁界による再生信号（いわゆるノイズ）が通常のＭＲ素子露出型の磁気ヘッドにくらべて大きくなりＳ／Ｎが劣化する。特に、信号磁界が全面に記録されている一般的な磁気記録システムでは、隣接トラックに記録された磁化パターンからの信号磁界によってＳ／Ｎが劣化することがある。
【００１２】
本発明は、上述の点に鑑み、磁気シールド層から進入する外部磁界が磁気抵抗効果素子を通過しにくくし、再生信号のＳ／Ｎ比を向上するようにした磁気抵抗効果型磁気ヘッド素子を備えた薄膜磁気ヘッドを提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、下部磁気シールド層及び上部磁気シード層に挟まれて、ギャップ膜を介してそれぞれ磁気記録媒体との摺動面に露出するフラックスガイドと、該フラックスガイドに磁気的に結合する磁気抵抗効果素子を有する磁気抵抗効果型磁気ヘッド素子とを備え、摺動面に平行な断面において、上部磁気シード層の両端部に対応する部分の上下両磁気シールド層間の間隔が、磁気抵抗効果素子に対応する中央部分の上下両磁気シールド間の間隔より小さく設定されて成ることを特徴とする。
【００１４】
好ましくは、上部磁気シード層の両端部間の幅が上部磁気シード層直下に配置されたデプス規制層の幅より大きく設定され、上部磁気シード層の両端の下面がギャップ膜に接触させた構成とする。
【００１５】
好ましくは、上部磁気シード層の両端部間の幅が、上部磁気シード層直下に配置されたデプス規制層の幅より大きく設定され、磁気抵抗効果素子とフラックスガイドのそれぞれの両端に接続された安定化バイアス磁界を与えるハード膜のうち、いずれか一方の上層側のハード膜がデプス規制層に包み込まれて、上部磁気シード層の両端の下面が上層側のハード膜の下層に位置するギャップ膜に接触させた構成とする。
【００１６】
好ましくは、上部磁気シード層の両端部間の幅が、上部磁気シード層直下に設けられたデプス規制層の幅、及び磁気抵抗効果素子と前記フラックスガイドのそれぞれの両端に接続された安定化バイアス磁界を与えるハード膜のうち、いずれか一方の上層側の両ハード膜間の幅より大きく設定され、上部磁気シード層の両端部の下面が上層側のハード膜の下層に位置するギャップ膜に接触させた構成とする。
【００１７】
好ましくは、磁気抵抗効果素子とフラックスガイドのそれぞれの両端に接続された安定化バイアス磁界を与えるハード膜のうち、少なくとも一方の上層側のハード膜の摺動面側の先端幅が、後方側の幅より小さく設定された構成とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係る薄膜磁気ヘッドによれば、摺動面に平行な断面において、上部磁気シード層の両端部に対応する部分の上下両磁気シールド層間の距離が、磁気抵抗効果素子に対応する中央部分の上下両磁気シールド層間の距離より小さく設定される。この構成により、  例えば隣接トラックの信号磁界が上部磁気シード層で拾われた場合にも、この信号磁界は上部磁気シード層の両端を通過して下部磁気シールド層に流れ、磁気抵抗効果素子への通過が抑制され、隣接トラックの信号磁界を再生するという、隣接再生を低減することができる。
従って、ヘリカル磁気記録システムやリニア磁気記録システムのような記録信号がいたるところに記録されているシステムにおいても、長波長の場合に引き起こされる隣接再生によるＳ／Ｎ比の劣化を抑えることができる。
また、磁気テープなどを用いるコンタクトスキャン系の磁気ヘッドに、本発明の磁気抵抗効果型素子が摺動面に露出しない非露出型薄膜磁気ヘッドを適用することにより、磨耗による特性変化、摺動ノイズなどによる特性変化の少ない薄膜磁気ヘッドを提供することができる。
【００１９】
上記薄膜磁気ヘッドにおいて、上部磁気シード層の両端部間の幅を上部磁気シード層直下に配置されたデプス規制層の幅より大きく設定し、上部磁気シード層の両端部の下面がギャップ膜に接触するように構成することにより、上部磁気シード層の両端部に対応する部分の上下両磁気シールド層間の距離を、磁気抵抗効果素子に対応する中央部分の上下両磁気シールド層間の距離より小さくすることができる。従って、隣接再生を低減することができる。
【００２０】
上記薄膜磁気ヘッドにおいて、上部磁気シード層の両端部間の幅を上部磁気シード層直下に設けられたデプス規制層の幅より大きく設定し、上層側のハード膜をデプス規制層に包み込むようにして、上部磁気シード層の両端部の下面が上層側のハード膜の下層に位置するギャップ膜に接触するように構成することにより、更に上部磁気シード層の両端部に対応する部分の上下両磁気シールド層間の距離を、磁気抵抗効果素子に対応する中央部分の上下両磁気シールド層間の距離より小さくすることができる。従って、隣接再生を低減することができる。
【００２１】
上記薄膜磁気ヘッドにおいて、上部磁気シード層の両端部間の幅を上部磁気シード層直下に設けられたデプス規制層の幅及び上層側の両ハード膜間の幅より大きく設定し、上部磁気シード層の両端部がデプス規制層及び上層側のハード膜を包み込むようにして、上部磁気シード層の両端部の下面が上層側のハード膜の下層に位置するギャップ膜に接触するように構成することにより、更に上部磁気シード層の両端部に対応する部分の上下両磁気シールド層間の距離を、磁気抵抗効果素子に対応する中央部分の上下両磁気シールド層間の距離より小さくすることができる。従って、隣接再生を低減することができる。
【００２２】
上層側のハード膜の摺動面側の先端幅を、後方側の幅より小さく設定することにより、上部磁気シード層の両端部に対応する部分の上下両磁気シールド層間の距離を、磁気抵抗効果素子に対応する中央部分の上下両磁気シールド層間の距離より小さくさせることができる。これによって、隣接再生を低減することを可能にする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、図面を参照して本発明に係る薄膜磁気ヘッドの実施の形態を説明する。
【００２４】
図１及び図２に、本発明にかかる薄膜磁気ヘッドの第１実施の形態を示す。本例は非露出型ＭＲ磁気ヘッドによる再生磁気ヘッドに適用した場合である。
本実施の形態に係る非露出型ＭＲ磁気ヘッド５０は、それぞれ強磁性薄膜による下部シールド層５１と上部磁気シード層５２に挟まれて絶縁膜からなるギャップ膜５３〔５３ａ，５３ｂ，５３ｃ〕を介してフラックスガイド５４及びＭＲ磁気ヘッド素子５５を配置して構成される。すなわち、下部シールド層５１上に絶縁膜からなる第１ギャップ膜５３ａ、両端にハード膜５６Ａ，５６Ｂを接続したフラックスガイド５４、絶縁膜からなる第２ギャップ膜５３ｂ、両端にハード膜兼電極５７Ａ，５７Ｂを接続したＭＲ素子６０、絶縁膜からなる第３ギャップ膜５３Ｃ、さらにデプス規制層５８が順次積層され、その上に上部磁気シード層５２形成される。フラックスガイド５４とＭＲ素子６０は、互いに磁気的に結合させるために一部オーバーラップして形成される。デプス規制層５８の前端がデプス０の位置となる。下部磁気シールド層５１の上面にはデプス０の付近から後方にわたって凹溝６１が形成されこの凹溝６１内に絶縁膜６２が埋め込まれる。
【００２５】
そして、本実施の形態においては、図１に示すように、上層側に位置するＭＲ素子６０のハード膜兼電極５７Ａ，５７Ｂの形状を、磁気記録媒体との摺動面側を幅を狭くした幅狭部５７ａと後方に延長して幅を広くした幅広部５７ｂとを有した形状にし、且つデプス規制層５８を摺動面に平行する方向における幅ｗ１が上部磁気シード層５２の幅ｗ２より短くして形成し、図２Ｂに示すように、上部磁気シード層５２の両端５２ａ，５２ｂが、その下面を第３ギャップ膜５５ｃに接触させて従来より下部シールド層５１に近づくように構成される。
【００２６】
ハード膜兼電極５７Ａ，５７Ｂの幅狭部５７ａは、同じ幅でＭＲ素子６０の後方まで延長して形成される。幅広部５７ｂは、幅狭部５７ａの端部から後方に向って幅が漸次広くなり、途中から同じ広い幅で後方に延長するように形成される。幅狭部５７ａの幅は、例えば５μｍ以下、５μｍ〜０．５μｍ程度とするのが望ましい。フラックスガイド５４のハード膜５６Ａ，５６Ｂは、上部磁気シード層５２の両端５２ａ，５２ｂ直下まで延びるように幅広の同じ幅で四角形に形成される。デプス規制層５８が上部磁気シード層５２の幅より小さく形成されるので、上部磁気シード層５２の両端はデプス規制層５８を包み込むように形成される。
【００２７】
フラックスガイド５４は軟磁性薄膜で形成され、その両端のハード膜５６Ａ，５６Ｂは、フラックスガイド５４に安定化バイアス磁気を与えるものである。このハード膜５６Ａ，５６Ｂは、例えばＣｒ膜を下地にＣｏＮｉＰｔ膜を成膜して形成される。このＣｏＮｉＰｔ膜の膜厚は、１２０ｎｍ〜２００ｎｍが適当であるが、後述するような隣接再生の効果を低減、すなわち隣接記録トラックからの信号磁界の再生を低減するために１２０ｎｍ程度が望ましい。
【００２８】
ＭＲ素子ヘッド素子５５は、ＭＲ素子６０とハード膜兼電極５７Ａ，５７Ｂとで形成される。本例ではＭＲ素子をＳＶ素子、すなわち巨大磁気抵抗効果を示すスピンバルブ構造のＧＭＲ素子で形成される。ハード膜兼電極５７Ａ，５７Ｂは、ＭＲ素子６０に安定化バイアス磁界を与え、且つＭＲ素子６０に電流を供給する電極となるものである。このハード膜兼電極５７Ａ，５７Ｂは、例えばＣｒ膜を下地にＣｏＮｉＰｔ膜を成膜して形成される。このＣｏＮｉＰｔ膜の膜厚は、６０ｎｍ〜１２０ｎｍが適当であるが、隣接再生の効果を低減するために６０ｎｍ程度が望ましい。
【００２９】
デプス規制層５８は、フォトレジスト膜を低温で硬化させたレジストキュア膜で形成される。デプス規制層５８の膜厚は、０．２μｍ〜０．５μｍが適当であるが、レジスト膜厚の制御性及び隣接再生の低減から０．３μｍ程度が望ましい。
【００３０】
第１本実施の形態に係る非露出型ＭＲ磁気ヘッド５０によれば、ＭＲ素子６０のハード膜兼電極５７Ａ，５７Ｂの形状を摺動面側を幅狭にし、且つデプス規制層５８の幅を上部磁気シード層５２の幅より短く形成して、上部磁気シード層５２の両端５２ａ，５２ｂがデプス規制層５８を包み込むように下部シールド層５１に近づくように構成されるので、図  の従来の構成に比較して上部磁気シード層５２の両端での上下両シールド層５２及び５１間の間隔が狭まる。これによって、図２Ｂに示すように、隣接記録トラックからの信号磁界（いわゆる不要な外部磁界：磁束）Ｈ1 が上部磁気シード層５２で拾われた場合にも、この隣接記録トラックの信号磁界は上部磁気シード層５２の両端５２ａ，５２ｂを通過して下部シールド層５１へ流れ、ＭＲ素子６０への通過が抑制され、隣接記録トラックの信号磁界Ｈ1 を再生するといういわゆる隣接再生を低減することができる。
【００３１】
従って、ヘリカル磁気記録システムやリニア磁気記録システムのような記録信号がいたるところに記録されているシステムにおいても、長波長の場合に引き起こされる隣接再生によるＳ／Ｎ比の劣化を抑えることができる。
【００３２】
また、磁気テープなどを用いるコンタクトスキャン系の磁気ヘッドに、本実施の形態のＭＲ素子６０が摺動面に露出しない非露出型ＭＲ磁気ヘッドを適用することにより、磨耗による特性変化、摺動ノイズなどによる特性変化の少ない薄膜磁気ヘッドを提供することができる。
【００３３】
図３及び図４に、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの第２実施の形態を示す。本例も非露出型ＭＲ磁気ヘッドによる再生磁気ヘッドに適用した場合である。
本実施の形態に係る非露出型ＭＲ磁気ヘッド６４は、前述と同様に、それぞれ強磁性薄膜による下部シールド層５１と上部磁気シード層５２に挟まれて絶縁膜からなるギャップ膜５３〔５３ａ，５３ｂ，５３ｃ〕を介してフラックスガイド５４及びＭＲ磁気ヘッド素子５５を配置して構成される。すなわち、下部シールド層５１上に絶縁膜からなる第１ギャップ膜５３ａ、両端にハード膜５６Ａ，５６Ｂを接続したフラックスガイド５４、絶縁膜からなる第２ギャップ膜５３ｂ、両端にハード膜兼電極５７Ａ，５７Ｂを接続したＭＲ素子６０、絶縁膜からなる第３ギャップ膜５３Ｃ、さらにデプス規制層５８が順次積層され、その上に上部磁気シード層５２形成される。フラックスガイド５４とＭＲ素子６０は、互いに磁気的に結合させるために一部オーバーラップして形成される。デプス規制層５８の前端がデプス０の位置となる。
【００３４】
そして、本実施の形態においては、図３に示すように、上層側に位置するＭＲ素子６０のハード膜兼電極５７Ａ，５７Ｂの形状を、磁気記録媒体との摺動面側を幅を狭くした幅狭部５７ａと後方に延長して幅を広くした幅広部５７ｂとを有した形状にし、且つデプス規制層５８を摺動面に平行する方向における幅ｗ１が上部磁気シード層５２の幅ｗ２より短くして形成し、上部磁気シード層５２の両端５２ａ，５２ｂが、その下面を第２ギャップ膜５５ｂに接触させデプス規制層５８及びハード膜兼電極５７Ａ，５７Ｂを包み込むように形成して下部シールド層５１に近づくように構成される。すなわち、下部シールド層５２の両端に対応する部分における上下両磁気シールド層５２及び５１間の間隔ｄ2 は、ＭＲ素子６０に対応する中央部の上下両磁気シールド層５２及び５１間の間隔ｄ3 より小さく設定される。
【００３５】
ＭＲ素子６０のハード膜兼電極５７Ａ，５７Ｂの幅狭部５７ａは、同じ幅でＭＲ素子６０の後方まで延長して形成される。幅広部５７ｂは、幅狭部５７ａの端部から同じ広い幅で後方に延長するように形成される。フラックスガイド５４のハード膜５６Ａ，５６Ｂも同様に、磁気記録媒体との摺動面側を幅を狭くした幅狭部５６ａと後方に延長して幅を広くした幅広部５６ｂとを有した形状に形成される。幅狭部５６ａは、同じ幅でＭＲ素子６０の後方まで延長して形成される。幅広部５６ｂは、幅狭部５６ａの端部から同じ広い幅で後方に延長するように形成される。上部磁気シード層５２の両端はデプス規制層５８を包み込むように形成される。
【００３６】
下部シールド層５１、フラックスガイド５４及びその両端のハード膜５６Ａ，５６Ｂ、ＭＲ素子ヘッド素子５５及びその両端のハード膜兼電極５７Ａ，５７Ｂ、及びデプス規制層５８等は、第１実施の形態と同様に構成されるので、重複説明を省略する。
【００３７】
第２実施の形態に係る非露出型ＭＲ磁気ヘッド６４によれば、ＭＲ素子６０のハード膜兼電極５７Ａ，５７Ｂの形状を摺動面側を幅狭にし、且つデプス規制層５８の幅を上部磁気シード層５２の幅より短く形成して、上部磁気シード層５２の両端５２ａ，５２ｂがデプス規制層５８及びＭＲ素子６０のハード膜兼電極５７Ａ，５７Ｂを包み込むように下部シールド層５１に近づくように構成されるので、上部磁気シード層５２の両端５２ａ，５２ｂの部分に対応する上下両磁気シールド層５２及び５１間の間隔ｄ2 がＭＲ素子６０に対応する中央部における上下両磁気シールド層５２及び５１間の間隔ｄ3 より狭まる。これによって、図４Ｂに示すように、隣接記録トラックからの信号磁界（いわゆる不要な外部磁界：磁束）Ｈ1 が上部磁気シード層５２で拾われた場合にも、この隣接記録トラックの信号磁界は上部磁気シード層５２の両端５２ａ，５２ｂを通過して下部シールド層５１へ流れ、ＭＲ素子６０へは流れず、隣接再生を低減、もしくは無くすことができる。
【００３８】
従って、前述と同様に、ヘリカル磁気記録システムやリニア磁気記録システムのような記録信号がいたるところに記録されているシステムにおける隣接再生によるＳ／Ｎ比の劣化を抑えることができる。
また、非露出型ＭＲ磁気ヘッドであることによって、磨耗による特性変化、摺動ノイズなどによる特性変化の少ない薄膜磁気ヘッドを提供することができる。
【００３９】
図５に、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの第３実施の形態を示す。本例も非露出型ＭＲ磁気ヘッドによる再生ヘッドに適用した場合であり、平面図のみを示す。
本実施の形態に係る非露出型ＭＲ磁気ヘッド６５は、ＭＲ素子６０のハード膜兼電極５７Ａ，５７Ｂの形状を、磁気記録媒体との摺動面側を幅を狭くした幅狭部５７ａと後方に延長して幅を広くした幅広部５７ｂとを有した形状にする。すなわち、ハード膜兼電極５７Ａ，５７Ｂの幅狭部５７ａは、同じ幅でＭＲ素子６０の後方まで延長して形成される。幅広部５７ｂは、幅狭部５７ａの端部から後方に向って幅が漸次広くなり、途中から同じ広い幅で後方に延長するように形成される。
【００４０】
また、同様にフラックスガイド５４のハード膜５６Ａ，５６Ｂの形状を、磁気記録媒体との摺動面側を幅を狭くした幅狭部５６ａと後方に延長して幅を広くした幅広部５６ｂとを有した形状にする。すなわち、ハード膜５６Ａ，５６Ｂの幅狭部５６ａは、同じ幅でＭＲ素子６０の後方まで延長して形成される。幅広部５６ｂは、幅狭部５６ａの端部から後方に向って幅が漸次広くなり、途中から同じ広い幅で後方に延長するように形成される。
【００４１】
そして、この場合も第２実施の形態と同様に、上部磁気シード層５２の両端５２ａ，５２ｂがデプス規制層５８及びハード膜兼電極５７Ａ，５７Ｂを包み込むように形成して下部シールド層５１に近づくように構成される。その他の構成は、図３及び図４の第２実施の形態と同様であるので、詳細説明を省略する。
【００４２】
第３実施の形態に係る非露出型ＭＲ磁気ヘッド６５によれば、前述と同様に、上部磁気シード層５２の両端５２ａ，５２ｂの部分に対応する上下両磁気シールド層５２及び５１間の間隔がＭＲ素子６０に対応する中央部における上下両磁気シールド層５２及び５１間の間隔より狭まるので、隣接再生を低減、もしくは無くすことができる。
従って、ヘリカル磁気記録システムやリニア磁気記録システムのような記録信号がいたるところに記録されているシステムにおける隣接再生によるＳ／Ｎ比の劣化を抑えることができる。
また、非露出型ＭＲ磁気ヘッドであることによって、磨耗による特性変化、摺動ノイズなどによる特性変化の少ない薄膜磁気ヘッドを提供することができる。
【００４３】
図６Ａ，Ｂ及び図７Ａ，Ｂに、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの第４実施の形態を示す。本例も非露出型ＭＲ磁気ヘッドによる再生磁気ヘッドに適用した場合である。
本実施の形態に係る非露出型ＭＲ磁気ヘッド６７は、前述と同様に、それぞれ強磁性薄膜による下部シールド層５１と上部磁気シード層５２に挟まれて絶縁膜からなるギャップ膜５３〔５３ａ，５３ｂ，５３ｃ〕を介してフラックスガイド５４及びＭＲ磁気ヘッド素子５５を配置して構成される。すなわち、下部シールド層５１上に絶縁膜からなる第１ギャップ膜５３ａ、両端にハード膜５６Ａ，５６Ｂを接続したフラックスガイド５４、絶縁膜からなる第２ギャップ膜５３ｂ、両端にハード膜兼電極５７Ａ，５７Ｂを接続したＭＲ素子６０、絶縁膜からなる第３ギャップ膜５３Ｃ、さらにデプス規制層５８が順次積層され、その上に上部磁気シード層５２形成される。フラックスガイド５４とＭＲ素子６０は、互いに磁気的に結合させるために一部オーバーラップして形成される。デプス規制層５８の前端がデプス０の位置となる。
【００４４】
そして、本実施の形態においては、図６Ａ，Ｂに示すように、磁気記録媒体との摺動面側から見て、上層側に位置するＭＲ素子６０のハード膜兼電極５７Ａ，５７Ｂの形状、すなわち両ハード膜兼電極５７Ａ，５７Ｂの差し渡る幅ｗ3 が上部磁気シード層５２の幅ｗ2 より短くし、且つデプス規制層５８の幅ｗ1 が両ハード膜兼電極５７Ａ，５７Ｂの差し渡る幅ｗ3 より短く形成される。そして、上部磁気シード層５２の両端５２ａ，５２ｂが、その下面を第２ギャップ膜５３ｂに接触させてデプス規制層５８及びハード膜兼電極５７Ａ，５７Ｂを包み込むように形成される。すなわち、この場合も図６Ｂ及び図７Ｂに示すように、上部磁気シールド層５２の両端に対応する部分における上下両磁気シールド層５２及び５１間の間隔ｄ2 及び上部磁気シード層５２の両端近傍に対応する部分における上下両磁気シールド層５２及び５１間の間隔ｄ4 は、ＭＲ素子６０に対応する中央部の上下両磁気シールド層５２及び５１間の間隔ｄ3 より小さく設定される。
【００４５】
ＭＲ素子６０の両ハード膜兼電極５７Ａ，５７Ｂは同じ幅で摺動面側から後方に延長して形成される。フラックスガイド５４のハード膜５６Ａ，５６Ｂは、ハード膜兼電極５７Ａ，５７Ｂより幅広に形成され、同じ幅で摺動面側から後方に延長して形成される。
【００４６】
下部シールド層５１、フラックスガイド５４及びその両端のハード膜５６Ａ，５６Ｂ、ＭＲ素子ヘッド素子５５及びその両端のハード膜兼電極５７Ａ，５７Ｂ、及びデプス規制層５８等は、第１実施の形態と同様に構成されるので、重複説明を省略する。
【００４７】
第４実施の形態に係る非露出型ＭＲ磁気ヘッド６７によれば、上部磁気シード層５２の両端５２ａ，５２ｂ側がデプス規制層５８及びＭＲ素子６０のハード膜兼電極５７Ａ，５７Ｂを包み込むように下部シールド層５１に近づくように構成されるので、上部磁気シード層５２の両端５２ａ，５２ｂ側の上下両磁気シールド層５２及び５１間の間隔ｄ2 ｄ4 がＭＲ素子６０に対応する中央部における上下両磁気シールド層５２及び５１間の間隔ｄ3 より狭まる。これによって、図７Ｂに示すように、隣接記録トラックからの信号磁界（いわゆる不要な外部磁界：磁束）Ｈ1 が上部磁気シード層５２で拾われた場合にも、この隣接記録トラックの信号磁界は上部磁気シード層５２の両端５２ａ，５２ｂ側を通過して下部シールド層５１へ流れ、ＭＲ素子６０へは流れずあるいはＭＲ素子６０への通過が抑制され、隣接再生を低減、もしくは無くすことができる。
【００４８】
従って、前述と同様に、ヘリカル磁気記録システムやリニア磁気記録システムのような記録信号がいたるところに記録されているシステムにおける隣接再生によるＳ／Ｎ比の劣化を抑えることができる。
また、非露出型ＭＲ磁気ヘッドであることによって、磨耗による特性変化、摺動ノイズなどによる特性変化の少ない薄膜磁気ヘッドを提供することができる。
【００４９】
図８及び図９Ａ，Ｂに、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの第５実施の形態を示す。本例も非露出型ＭＲ磁気ヘッドによる再生磁気ヘッドに適用した場合である。
本実施の形態に係る非露出型ＭＲ磁気ヘッド６８は、前述と同様に、それぞれ強磁性薄膜による下部シールド層５１と上部磁気シード層５２に挟まれて絶縁膜からなるギャップ膜５３〔５３ａ，５３ｂ，５３ｃ〕を介してフラックスガイド５４及びＭＲ磁気ヘッド素子５５を配置して構成される。すなわち、下部シールド層５１上に絶縁膜からなる第１ギャップ膜５３ａ、両端にハード膜５６Ａ，５６Ｂを接続したフラックスガイド５４、絶縁膜からなる第２ギャップ膜５３ｂ、両端にハード膜兼電極５７Ａ，５７Ｂを接続したＭＲ素子６０、絶縁膜からなる第３ギャップ膜５３Ｃ、さらにデプス規制層５８が順次積層され、その上に上部磁気シード層５２形成される。フラックスガイド５４とＭＲ素子６０は、互いに磁気的に結合させるために一部オーバーラップして形成される。デプス規制層５８の前端がデプス０の位置となる。
【００５０】
そして、本実施の形態においては、図８及び図９Ｂに示すように、磁気記録媒体との摺動面側から見て、上層側に位置するＭＲ素子６０のハード膜兼電極５７Ａ，５７Ｂの形状、すなわち両ハード膜兼電極５７Ａ，５７Ｂの差し渡る幅ｗ3 が上部磁気シード層５２の幅ｗ2 及びデプス規制層５８の幅ｗ1 より短く形成される。そして、上部磁気シード層５２の両端５２ａ，５２ｂが、その下面を第２ギャップ膜５３ｂに接触させてデプス規制層５８及びハード膜兼電極５７Ａ，５７Ｂを包み込むように形成される。すなわち、この場合、デプス規制層５８がハード膜兼電極５７Ａ，５７Ｂを包み込むように形成され、このデプス規制層５８を包み込むように上部磁気シード層５２の両端５２ａ，５２ｂが形成される。この場合、上部磁気シード層５２の両端５２ａ，５２ｂの第２ギャップ膜５３ｂに接する幅が、図７Ｂのものより広くなる。これによって、図９Ｂに示すように、上部磁気シールド層５２の両端に対応する部分における上下両磁気シールド層５２及び５１間の間隔ｄ2 は、ＭＲ素子６０に対応する中央部の上下両磁気シールド層５２及び５１間の間隔ｄ3 より小さく設定される。
【００５１】
上層側に位置するＭＲ素子６０のハード膜兼電極５７Ａ，５７Ｂは、磁気記録媒体との摺動面側を幅を狭くした幅狭部５７ａと後方に延長して幅を広くした幅広部５７ｂとを有した形状に形成される。幅狭部５７ａは、同じ幅でＭＲ素子６０の後方まで延長して形成される。幅広部５７ｂは、幅狭部５７ａの端部から同じ広い幅で後方に延長するように形成される。下層側に位置するフラックスガイド５４のハード膜５６Ａ，５６Ｂは、上部磁気シード層５２の両端５２ａ，５２ｂ直下まで延びるように幅広の同じ幅で四角形に形成される。
【００５２】
デプス規制層５８は、ＭＲ素子６０のハード膜兼電極５７Ａ，５７Ｂを包み込むように、且つ十分幅を狭くするように形成される。このデプス規制層５８としては、図８に示すように、例えばＭＲ素子６０の両端からのそれぞれの突出長さｔ1 が５μｍ以下、好ましくは０．５〜５μｍの範囲になるように形成する。ハード膜兼電極５７Ａ，５７Ｂの先端幅はそれに応じて設定されることになる。
【００５３】
下部シールド層５１、フラックスガイド５４及びその両端のハード膜５６Ａ，５６Ｂ、ＭＲ素子ヘッド素子５５及びその両端のハード膜兼電極５７Ａ，５７Ｂ、及びデプス規制層５８等は、第１実施の形態と同様に構成されるので、重複説明を省略する。
【００５４】
第５実施の形態に係る非露出型ＭＲ磁気ヘッド６８によれば、前述と同様に、上部磁気シード層５２の両端５２ａ，５２ｂがデプス規制層５８及びＭＲ素子６０のハード膜兼電極５７Ａ，５７Ｂを包み込むように下部シールド層５１に近づくように構成されるので、上部磁気シード層５２の両端５２ａ，５２ｂの部分に対応する上下両磁気シールド層５２及び５１間の間隔ｄ2 がＭＲ素子６０に対応する中央部における上下両磁気シールド層５２及び５１間の間隔ｄ3 より狭まる。これによって、図９Ｂに示すように、隣接記録トラックからの信号磁界（いわゆる不要な外部磁界：磁束）Ｈ1 が上部磁気シード層５２で拾われた場合にも、この隣接記録トラックの信号磁界は上部磁気シード層５２の両端５２ａ，５２ｂを通過して下部シールド層５１へ流れ、ＭＲ素子６０へは流れず、隣接再生を低減、もしくは無くすことができる。
【００５５】
従って、前述と同様に、ヘリカル磁気記録システムやリニア磁気記録システムのような記録信号がいたるところに記録されているシステムにおける隣接再生によるＳ／Ｎ比の劣化を抑えることができる。
また、非露出型ＭＲ磁気ヘッドであることによって、磨耗による特性変化、摺動ノイズなどによる特性変化の少ない薄膜磁気ヘッドを提供することができる。
【００５６】
次に、図１０〜図３６（模式図）を用いて、本発明に係る非露出型の磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施の形態を説明する。本例は、トップ型ＳＶ素子を用い、ヘリカルスキャン方式の薄膜磁気ヘッドに適用した場合である。なお、記録最長波長０．２９μｍ、トラックピッチ３．３μｍに対するヘリカルスキャン方式の薄膜磁気ヘッドに適用した場合の具体的寸法も併せて示す。
【００５７】
先ず、図１０Ａ，Ｂに示すように、表面に酸化膜がコーティングされている非磁性基板２１上に、下部磁気シールド層となる例えばＦｅＡｌＳｉ合金あるいはＮｉＦｅ合金などによる強磁性薄膜２２ａを例えばスパッタリング法あるいはメッキ法等により成膜する。本例では膜厚１．５μｍ程度の強磁性薄膜２２ａを成膜する。
【００５８】
次に、図１１Ａ，Ｂに示すように、下部磁気シールド層となる強磁性薄膜２２ａの所要領域に、フォトリソグラフィー技術とイオンエッチング技術を用いて凹溝（グルーブ）２３を形成する。この凹溝２３は、下部磁気シールド層としたときに再生ギャップ部が形成される部分以外に形成される。本例では深さ１５０ｎｍ程度の凹溝２３を形成する。そして、この凹溝２３内に例えばＡｌ2 Ｏ3 等による非磁性非導電性膜（絶縁膜）２４を埋め込む。本例では非磁性非導電性膜２４をスパッタリング法により膜厚１６０ｎｍ程度成膜した後、平坦化して凹溝２３内に埋め込む。
【００５９】
次に、図１２Ａ，Ｂに示すように、非磁性非導電性膜２４上を含む強磁性薄膜２２ａ上の全面に、例えばＡｌ2 Ｏ3 などの非磁性非導電性膜（絶縁膜）による第１ギャップ膜２５ａを成膜する。本例ではスパッタリング法により膜厚１２０ｎｍ程度の非磁性非導電性膜を成膜した後、ケミカルポリシングにより面粗度を向上させると共に、膜厚を１００ｎｍ程度に制御して第１ギャップ膜２５ａを形成する。
【００６０】
次に、図１３Ａ，Ｂに示すように、フラックスガイドとなる例えばＮｉＦｅ等による軟磁性薄膜２６ａを成膜する。フラックスガイド材としては、その他、耐磨耗性の良いＣｏＺｒＮｂＴａ，ＣｏＺｒＮｂ等のアモルファス材料を使用することも可能である。
本例では軟磁性薄膜２６ａをスパッタリング法により３０ｎｍ〜１００ｎｍ程度の膜厚で成膜する。軟磁性薄膜２６ａの膜厚に関しては、効率及び信頼性を考慮すると７０ｎｍ程度が最適である。
【００６１】
次に、図１４Ａ，Ｂに示すように、フラックスガイドとなる軟磁性薄膜２６ａ上に、ラックスガイドに対して安定化バイアス磁界を与えるためのハード膜を形成する領域に対応して一対の開口２７ａ，２７ｂを有するフォトレジストマスク２８をフォトリソグラフィー技術を用いて形成する。このフォトレジストマスク２８を介してイオンエッチング技術を用いて、軟磁性薄膜２６ａに一対の開口２６ｅ，２６ｆを形成する。この開口２６ｅ，２６ｆは軟磁性薄膜２６ａの膜厚にわたって形成する。次いで、開口２６ｅ，２６ｆ内を含む全面にハード膜となる材料薄膜２９を成膜する。ハード膜材としては、例えばＣｒ／ＣｏＮｉＰｔ等の積層膜を用いることができる。本例では、この積層膜による材料薄膜２９をスパッタリング法により１２０ｎｍ〜１６０ｎｍ程度の膜厚で成膜する。
【００６２】
次に、図１５Ａ，Ｂに示すように、後に形成するＭＲ素子とフラックスガイドとの絶縁性を向上するために、ハード膜となる材料薄膜２９上に連続して例えばＡｌ2 Ｏ3 等による非磁性非導電性膜（絶縁膜）３０を成膜する。本例では非磁性非導電性膜３０を５０ｎｍ程度の膜厚で成膜する。
【００６３】
次に、図１６Ａ，Ｂに示すように、フォトレジストマスク２８と共にその上の材料薄膜２９及び非磁性非導電性膜３０をリフトオフして、フラックスガイドとなる軟磁性薄膜２６ａにアバット接続された一対のハード膜２９Ａ，２９Ｂを形成する。ハード膜２９Ａ，２９Ｂの膜厚としては、本例では隣接再生を低減（すなわち隣接記録トラックからの磁束の再生を阻止）するために１２０ｎｍ程度が望ましい。
【００６４】
次に、図１７Ａ，Ｂに示すように、ハード膜２９Ａ，２９Ｂ上と軟磁性薄膜２６ａのフラックスガイド形状に対応する部分上にフォトレジストマスク（図示せず）をフォトリソグラフィー技術を用いて形成し、このフォトレジストマスクを介して軟磁性薄膜２６ａをパターニング、例えばイオンエッチング技術によりパターニングし、フラックスガイド２６を形成する。
【００６５】
このとき、フラックスガイド２６とハード膜２９Ａ，２９Ｂは、隣接再生を低減する為に図３、図５に示す形状に形成することも有効である。図３では、四角形状のフラックスガイド２６の両端（磁気記録媒体の摺動方向と交差する方向の両端）にアバット接続するハード膜２９Ａ，２９Ｂを、フラックスガイド２６にアバット接続してＭＲ素子までが縦長で幅狭の四角形状となり、ＭＲ素子より後方に延長する部分が幅広の四角形状となるパターン形状に形成する。図５では、四角形状のフラックスガイド２６の両端（磁気記録媒体の摺動方向と交差する方向の両端）にアバット接続するハード膜２９Ａ，２９Ｂを、フラックスガイド２６にアバット接続してＭＲ素子までが後方に行くに従って幅が漸次広くなるような幅狭となり、ＭＲ素子より後方に延長する部分が幅広の四角形状となるパターン形状に形成する。
【００６６】
次に、図１８Ａ，Ｂに示すように、フラックスガイド２６及びハード膜２９Ａ，２９Ｂを覆うように全面に、フラックスガイド２６と後に形成するＭＲ素子とを電気的に絶縁するために、例えばＡｌ2 Ｏ3 等の非磁性非導電性膜（絶縁膜）による第２ギャップ膜２５ｂを成膜する。本例では第２ギャップ膜２５ｂをスパッタリング法により９０ｎｍ程度の膜厚で成膜し、ケミカルポリシングにより面粗度を向上し平坦化すると共に、フラックスガイド２６上の膜厚を７０ｎｍ程度に制御する。第２ギャップ膜２５ｂの膜厚は、再生効率と信頼性から決定れる。ウェハ工程内あるいは動作時のＥＳＤ環境などで十分対策が施されるのであれば、本例では第２ギャップ膜２５ｂの最終膜厚は、５０ｎｍ程度以下でも良い。
【００６７】
次に、図１９Ａ，Ｂに示すように、第２ギャップ膜２５ｂ上にＭＲ素子となるＭＲ素子膜３３ａを例えばスパッタリング法により成膜する。ＭＲ素子膜３３ａとしてスピンバルブ構造のＧＭＲ素子膜を成膜する場合は、フリー層の磁化容易軸が無磁界の状態で磁気記録媒体との摺動面に対して平行となり、ピン層の磁化容易軸が上記摺動面に対して垂直となるように成膜する。また、ＧＭＲ素子膜は、信号再生効率を考慮しフリー層が前の工程で成膜されたフラックスガイドに最も近接するように最下層に形成される構造（いわゆるトップ型ＧＭＲ素子）に成膜することが望ましい。
【００６８】
次に、図２０Ａ，Ｂに示すように、ＭＲ素子に対して安定化バイアス磁界を与え、且つＭＲ素子に電流を供給する電極となるための一対のハード膜兼電極３４Ａ，３４Ｂを、ＭＲ素子となるＭＲ素子膜３３ａにアバット接続されるように形成する。この一対のハード膜兼電極３４Ａ，３４Ｂは、前述フラックスガイド２６のハード膜２９Ａ，２９Ｂと同様の方法で形成する。
【００６９】
すなわち、ＭＲ素子膜３３ａ上に、ハード膜兼電極を形成する領域に対応して一対の開口を有するフォトレジストマスクをフォトリソグラフィー技術を用いて形成し、このフォトレジストマスクを介してイオンエッチング技術を用いてＭＲ素子膜３３ａに一対の開口を形成する。次いで、全面にハード膜となる材料薄膜を成膜し、その上にＭＲ素子に電流を供給する電極となる電極材料膜を成膜し、フォトレジストマスクと共にその上のハード膜の材料薄膜及び電極材料膜をリフトオフして、ＭＲ素子膜３３ａにアバット接続された一対のハード膜兼電極３４Ａ，３４Ｂを形成する。
本例では、ハード膜の材料薄膜としてＣｒ／ＣｏＮｉＰｔ等の積層膜をスパッタリング法により膜厚６０ｎｍ〜１２０ｎｍ程度成膜し、電極材料膜としてＴｉ：５ｎｍ／Ｃｕ：５０ｎｍ／Ｔｉ：５ｎｍを連続して成膜する。ハード膜の材料薄膜の厚みは、隣接再生を低減（すなわち隣接記録トラックからの磁束の再生を阻止）するために６０ｎｍ程度が望ましい。
【００７０】
このときに、隣接記録トラックからの信号磁界をＭＲ素子に届きにくいようにハード膜兼電極３４Ａ，３４Ｂの形状を図１、図３、図５、図６、図８に示すようにする。このようなハード膜兼電極３４Ａ，３４Ｂのパターンにすることにより、ＭＲ素子から離れた場所のシールド間隔をＭＲ素子部と同等あるいはそれ以下に狭くすることができるために、隣接記録トラックの信号磁束は、ＭＲ素子部ではなくその狭くなった部分を通過するようになり、隣接記録トラクからの信号再生はより小さくなる。
【００７１】
また、ハード膜兼電極３４Ａ，３４Ｂは、このハード膜兼電極３４Ａ，３４Ｂと上部磁気シード層間の絶縁性を重視し隣接再生低減のために、図８及び図９に示すように、後に形成されるデプス規制層のパターン内に納まるような形状にすることも有効である。
【００７２】
次に、図２１Ａ，Ｂに示すように、ハード膜兼電極３４Ａ，３４Ｂ上とＭＲ素子膜３３ａのＭＲ素子形状に対応する部分上にフォトレジストマスク（図示せず）をフォトリソグラフィー技術を用いて形成し、このフォトレジストマスクを介してＭＲ素子膜３３ａをパターニング、すなわち例えばイオンエッチング技術によりＭＲ素子膜３３ａの膜厚以上のオーバーエッチングでパターニングし、ＭＲ素子３３を形成する。
【００７３】
次に、図２２Ａ，Ｂに示すように、ＭＲ素子３３及びハード膜兼電極３４Ａ，３４Ｂを覆うように全面に、第３ギャップ膜２５ｃを成膜する。第３ギャップ膜２５ｃは、ＭＲ素子３３と後に形成する上部磁気シールド層とを絶縁するために、例えばＡｌ2 Ｏ3 等による非磁性非導電性膜（絶縁膜）で形成する。本例では第３ギャップ膜２５ｃをスパッタリング法により５０ｎｍ程度の膜厚で成膜する。
【００７４】
次に、図２３及び図２４Ａ，Ｂに示すように、第３ギャップ膜２５ｃ上にヘッドのデプス規制層３７を形成する。このデプス規制層３７は、上部磁気シールド層形成面の段差解消により上部磁気シールド層の特性を安定化させると同時に、ヘッドの磨耗可能量（いわゆるデプス）を定めるためのものである。デプス規制層３７は、ヘッドのギャップが開き出す地点にフォトレジスト膜を所定の方法にて硬化させたレジストキュア膜にて形成する。ここでは、レジストキュア膜の作成方法として比較的低温でフォトレジスト膜を硬化させることができる電子ビーム照射による硬化法（ＥＢキュア法）を適用する。ＥＢキュアにおいては、硬化時にかかる温度が１２０℃程度以下であり、ＭＲ素子の熱劣化を回避したプロセスを構築できる。
本例ではこのときのフォトレジスト膜の膜厚を０．３μｍ〜０．５μｍとする。フォトレジスト膜厚の制御性及び隣接再生の低減から０．３μｍが望ましい。
【００７５】
ここで、隣接再生を低減するためにＭＲ素子から離れた位置での上下磁気シールド層間の間隔を狭くするが、このとき、図６に示す磁気ヘッドの場合には、デプス規制層の幅をＭＲ素子の幅と同等か、または１０μｍを越えない幅に形成することが望ましい。すなわち、ＭＲ素子の片側で見たとき、デプス規制層のＭＲ素子端部から突出する距離ｔ1 が５μｍ以下（０を含む）、好ましくは０．５〜５μmとする。隣接再生低減としては１μｍ程度が最適である。このような形態では隣接トラックから入ってきた信号磁界が磁気抵抗の観点からＭＲ素子部ではなくデプス規制層が形成されていない部分を通過するようになり、隣接トラックからの信号磁界による再生出力が弱くなる（図７Ｂ参照）。
【００７６】
次に、図２５及び図２６Ａ，Ｂに示すように、下部磁気シールド層の形状と同じパターンのフォトレジストマスク（図示せず）を介して表面より下層の強磁性薄膜２２ａまでにわたって例えばイオンエッチングによりパターニングし、強磁性薄膜２２ａによる下部磁気シールド層２２を形成する。
【００７７】
次に、図２７及び図２８Ａ，Ｂに示すように、第3ギャップ膜２５ｃの後方上面から段差背面、非磁性基板２１の上面の一部にかけて絶縁膜３８を形成する。絶縁膜３８は、下部磁気シールド層２２（特に後方背面に臨む面）と後に形成されるリード配線との間を絶縁するための膜である。この絶縁膜３８は、フォトレジスト膜を所定の方法で硬化させたレジストキュア膜により形成する。レジストキュア膜の形成方法は、前述のデプス規制層３７となるレジストキュア膜の形成方法と同じである。
【００７８】
次に、図２９及び図３０Ａ，Ｂに示すように、第２ギャップ膜２５ｂ、第3ギャップ膜２５ｃに対して、フラックスガイド２６のハード膜２９Ａ，２９Ｂに達する接続孔４１ａ，４１ｂと、ＭＲ素子３３のハード膜兼電極３４Ａ，３４Ｂに達する接続孔４２ａ，４２ｂを夫々形成する。各接続孔４１ａ，４１ｂ及び４２ａ，４２ｂは、それぞれフラックスガイド２６及びＭＲ素子３３に電流を供給するためのリード配線用接続孔である。各接続孔４１ａ，４１ｂ及び４２ａ，４２ｂは、フォトレジストマスクを用いてイオンエッチングにより形成する。
フラックスガイド２６にリード配線を接続する目的は加工時のヘッドのデプス量をフラックスガイド２６の抵抗値から推定するためであると同時に、システムで使用するときに必要に応じて外部からの静電気をＭＲ素子３３以外に逃すためである。
【００７９】
次に、図３１及び図３２Ａ，Ｂ，Ｃに示すように、フラックスガイド２６のハード膜２９Ａ，２９Ｂに接続孔４１ａ，４１ｂを通じて接続されたリード配線４４Ａ，４４Ｂを形成し、ＭＲ素子３３のハード膜兼電極３４Ａ，３４Ｂに接続孔４２ａ，４２ｂを通じて接続されたリード配線４５Ａ，４５Ｂを形成する。リード配線４１ａ，４１ｂ及び４２ａ，４２ｂは、リード配線パターンの開口を有するフォトレジストマスクを形成し、例えばＴｉ／Ｃｕ／Ｔｉ等の積層膜をスパッタリング法により成膜した後、リフトオフして形成する。
【００８０】
次に、図３３及び図３４Ａ，Ｂ，Ｃに示すように、リード配線４１ａ，４１ｂ及び４２ａ，４２ｂと後に形成される上部磁気シールド層とを絶縁するための絶縁膜４６を形成する。この絶縁膜４６は、フォトレジスト膜を所定の方法で硬化させたレジストキュア膜により形成する。レジストキュア膜の形成方法は、前述と同じ方法で形成する。
次いで、強磁性体による上部磁気シールド層４７を形成する。上部磁気シールド層４７は、例えばＮｉＦｅ系、Ｃｏ系のアモルファス薄膜等をメッキ法あるいはスパッタリング法により所要の膜厚で成膜し、その後フォトリソグラフィー技術及びイオンエッチング技術を用いて所定形状にパターニングして形成する。
【００８１】
次に、図３５及び図３６Ａ，Ｂに示すように、リード配線４１Ａ，４１Ｂ及び４２Ａ，４２Ｂの各端子部４９Ａ，４９Ｂ及び５０Ａ，５０Ｂを形成した後、上面全面に薄膜磁気ヘッドを使用環境時に保護するための例えばＡｌ2 Ｏ3 等による保護膜４８を成膜し、全面を平坦化研磨し、端子部４９Ａ，４９Ｂ及び５０Ａ，５０Ｂを外部に露出する。本例では保護膜４８を２０μｍ程度の膜厚で成膜した後に平坦化研磨する。次いで、磁気記録媒体との摺動面５１を形成する。
【００８２】
これ以後は、通常と同様の加工組み立てを行い、ヘリカル用のＭＲ磁気ヘッドチップを得る。
【００８３】
なお、上述の実施の形態の非露出型ＭＲ磁気ヘッドにおいて、フラックスガイドは、磁気記録媒体から侵入する静電破壊電流をＭＲ素子に流れ込ませないように、下部磁気シールド層又は／及び上部磁気シード層、あるいはアース端子部に電気的に接続してもよい。
【００８４】
上例では、ＭＲ素子３３とフラックスガイド２６との位置関係をＭＲ素子３３がフラックスガイド２６の上に一部オーバーラップする構成とした場合であるが、その他、フラックスガイド２６の下にＭＲ素子３３が配置された構成とすることもできる。
【００８５】
本発明の薄膜磁気ヘッドは、上例の再生磁気ヘッド専用のＭＲ磁気ヘッドに限らず、ＭＲ磁気ヘッド（再生用）と磁気ギャップを有する一対の磁気コアにコイル導体を巻装した磁気誘導型薄膜磁気ヘッドとを積層した、いわゆる複合型磁気ヘッドにも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの第１実施の形態を示す平面図である。
【図２】Ａ，Ｂ  図１のＡーＡ線上の断面図及び図２ＡのＢーＢ線上の断面図である。
【図３】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの第２実施の形態を示す平面図である。
【図４】Ａ，Ｂ  図３のＡーＡ線上の断面図及び図４ＡのＢーＢ線上の断面図である。
【図５】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの第３実施の形態を示す平面図である。
【図６】Ａ，Ｂ  本発明に係る薄膜磁気ヘッドの第４実施の形態を示す平面図及びそのＣーＣ線上の断面図である。
【図７】Ａ，Ｂ  図６ＡのＡーＡ線上の断面図及び図７ＢのＢーＢ線上の断面図である。
【図８】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの第５実施の形態を示す平面図である。
【図９】Ａ，Ｂ  図８ＡのＡーＡ線上の断面図及び図９ＢのＢーＢ線上の断面図である。
【図１０】Ａ，Ｂ  本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その１）である。
【図１１】Ａ，Ｂ  本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その２）である。
【図１２】Ａ，Ｂ  本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その３）である。
【図１３】Ａ，Ｂ  本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その４）である。
【図１４】Ａ，Ｂ  本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その５）である。
【図１５】Ａ，Ｂ  本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その６）である。
【図１６】Ａ，Ｂ  本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その７）である。
【図１７】Ａ，Ｂ  本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その８）である。
【図１８】Ａ，Ｂ  本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その９）である。
【図１９】Ａ，Ｂ  本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その１０）である。
【図２０】Ａ，Ｂ  本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その１１）である。
【図２１】Ａ，Ｂ  本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その１２）である。
【図２２】Ａ，Ｂ  本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その１３）である。
【図２３】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その１４）である。
【図２４】Ａ，Ｂ  図２３のＡーＡ線上の断面図及びＢーＢ線上の断面図である。
【図２５】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その１５）である。
【図２６】Ａ，Ｂ  図２５のＡーＡ線上の断面図及びＢーＢ線上の断面図である。
【図２７】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その１６）である。
【図２８】図２７のＡーＡ線上の断面図である。
【図２９】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その１７）である。
【図３０】Ａ，Ｂ  図２９のＣーＣ線上の断面図及びＤーＤ線上の断面図である。
【図３１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その１８）である。
【図３２】Ａ，Ｂ，Ｃ  図３１のＡーＡ線上の断面図、ＣーＣ線上の断面図及びＤーＤ線上の断面図である。
【図３３】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その１９）である。
【図３４】Ａ，Ｂ，Ｃ  図３３のＡーＡ線上の断面図、ＣーＣ線上の断面図及びＤーＤ線上の断面図である。
【図３５】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実施の形態を示す製造工程図（その２０）である。
【図３６】図３５のＡーＡ線上の断面図である。
【図３７】Ａ，Ｂ  従来例に係る薄膜磁気ヘッドを示す平面図及びそのＣーＣ線上の断面図である。
【図３８】Ａ，Ｂ  図３７ＡのＡーＡ線上の断面図及び図３８ＢのＢーＢ線上の断面図である。
【符号の説明】
【００８７】
２１・・非磁性基板、２２・・下部磁気シールド層、２５〔２５ａ，２５ｂ，２５ｃ〕・・ギャップ膜、２６・・フラックスガイド、２９Ａ，２９Ｂ・・ハード膜、３３・・ＭＲ素子、３４Ａ，３４Ｂ・・ハード膜兼電極、３７・・デプス規制層、４７・・上部磁気シード層、５０、６４、６５、６７、６８・・非露出型ＭＲ磁気ヘッド、５１・・下部磁気シールド層、５２・・上部磁気シード層、５２ａ，５２ｂ・・上部磁気シード層の両端部、５３〔５３Ａ，５３Ｂ，５３Ｃ〕・・ギャップ膜、５４・・フラックスガイド、５５・・ＭＲ磁気ヘッド素子、５６Ａ，５６Ｂ・・ハード膜、５７Ａ，５７Ｂ・・ハード膜兼電極、５８・・デプス規制層、６０・・ＭＲ素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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