(57)【要約】【課題】パージガスを用いたガスシールにより処理チャンバからの処理液の漏洩等を防止する技術において、パージガス消費量を低減し、液処理コストを低減すること。【解決手段】チャンバ内にウエハＷを収容してその中でウエハＷの液処理および乾燥処理を行う液処理装置は、処理チャンバの一壁面に孔部８８を貫通するようにモータ２３の回転駆動力をロータ２４に伝えるスピンドル２３ａを有し、スピンドル２３ａの外周と孔部８８の内周との間の間隙部８９を通して処理チャンバ内から処理液が外部に漏洩しないように、ガス供給機構８５により間隙部８９を通して処理チャンバ内へパージガスを供給する。その際に、ガス流量制御機構８１により液処理中のパージガスの供給量を、乾燥処理中のパージガスの供給量よりも多くするように制御する。【選択図】  図７
2006229262.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に被処理体が保持され、被処理体に対して所定の処理液を供給して液処理を行い、液処理後に乾燥処理を行う処理チャンバと、
前記処理チャンバの１壁面に形成された孔部を貫通するように配設された貫通部材と、
前記貫通部材の外周と前記孔部の内周との間に形成される間隙部から前記処理チャンバ内から前記処理液が外部に漏洩しないように、前記間隙部へパージガスを供給するガス供給機構と、
前記液処理中の前記パージガスの供給量を、前記乾燥処理中の前記パージガスの供給量よりも多くするように制御するガス流量制御機構と
を具備することを特徴とする液処理装置。
【請求項２】
内部に基板が保持され、基板に対して所定の処理液を供給して液処理を行い、液処理後に乾燥処理を行う処理チャンバと、
前記処理チャンバ内で基板を保持する保持手段と、
前記処理液を前記基板に向けて吐出する処理液供給機構と、
前記基板が面内回転するように前記保持手段を回転させる回転駆動手段と、
前記処理チャンバの１壁面に形成された孔部を貫通するように配設され、前記回転駆動手段の回転駆動力を前記保持手段に伝えるスピンドルと、
前記スピンドルの外周と前記孔部の内周との間に形成される間隙部から前記処理チャンバ内から前記処理液が外部に漏洩しないように、前記間隙部へパージガスを供給するガス供給機構と、
前記液処理中の前記パージガスの供給量を、前記乾燥処理中の前記パージガスの供給量よりも多くするように制御するガス流量制御機構と
を具備することを特徴とする液処理装置。
【請求項３】
被処理体を保持する処理チャンバの壁面に形成された孔部を貫通するように設けられた貫通部材の外周と前記孔部の内周との間に形成される間隙部へパージガスを供給するガス供給機構を有する液処理装置を用いて、前記パージガスを前記間隙部に供給しつつ前記処理チャンバ内に保持された被処理体に所定の処理液を供給し、前記間隙部を通して前記処理液が前記処理チャンバ内から外部に漏洩しないようにして液処理を行い、さらに、乾燥処理を行う液処理方法であって、
前記液処理中の前記パージガスの供給量を、前記乾燥処理中の前記パージガスの供給量よりも多くするように制御することを特徴とする液処理方法。
【請求項４】
処理チャンバ内で基板を保持する保持手段と前記保持手段を回転させる回転駆動手段を連結し、かつ、前記処理チャンバの壁面に形成された孔部を貫通するように配置されたスピンドルの外周と前記孔部の内周との間に形成される間隙部へパージガスを供給するガス供給機構を有する液処理装置を用いて、前記パージガスを前記間隙部に供給しつつ前記保持手段に保持された基板に所定の処理液を供給し、前記間隙部を通して前記処理液が前記処理チャンバ内から外部に漏洩しないようにして液処理を行い、さらに、乾燥処理を行う液処理方法であって、
前記液処理中の前記パージガスの供給量を、前記乾燥処理中の前記パージガスの供給量よりも多くするように制御することを特徴とする液処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハやＬＣＤ基板等の被処理体に所定の処理液を供給して液処理を行う液処理装置と液処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体デバイスの製造工程においては、基板としての半導体ウエハ（ウエハ）を所定の薬液や純水等の処理液によって処理し、ウエハからパーティクル、有機汚染物、金属不純物等のコンタミネーションや有機物、酸化膜を除去している。このような洗浄処理においては、処理チャンバ内に配置された治具（保持治具）に１枚または複数枚のウエハを保持させ、この保持治具およびウエハを回転させながら所定の処理液をウエハに向けて供給し、次いで水洗や乾燥等の処理が行われる。
【０００３】
ここで、上述した洗浄処理を行う洗浄処理装置においては、処理チャンバ内の保持治具を回転させるために、処理チャンバ外に回転モータ等の回転駆動機構を配置し、保持治具と回転駆動機構とを連結するスピンドルが処理チャンバの１壁面に設けられた孔部を貫通する構造が採られる。スピンドルの外周と孔部の内周との間に生ずる間隙部から処理液が漏洩しないようにこの間隙部にはシール構造が採られ、例えば、処理チャンバの外部から内部に向けて窒素ガス等のパージガスを供給する方法が用いられる。このようなガスシールは、一定流量のパージガスを常時供給することで行われていた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、一定量のパージガスを流し続けた場合には、処理液が供給されておらず液処理が行われていない状態やウエハの搬送時といったパージガスの供給が必要でない場合にもパージガスが消費されるという問題があった。この点については、従来は１回の液処理時間が長く、消費されるパージガス量が多くともパージガスのコストが液処理コストに占める割合が小さかったことから問題とされることはなかった。しかし、処理方法が改善されて処理効率が高まり、処理時間が短縮される傾向にあることから、このパージガス消費量を無視できなくなってきている。
【０００５】
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであり、パージガスを用いたガスシールにより処理チャンバからの処理液の漏洩等を防止する技術において、パージガス消費量を低減し、液処理コストを低減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、本発明の第１の観点では、内部に被処理体が保持され、被処理体に対して所定の処理液を供給して液処理を行い、液処理後に乾燥処理を行う処理チャンバと、前記処理チャンバの１壁面に形成された孔部を貫通するように配設された貫通部材と、前記貫通部材の外周と前記孔部の内周との間に形成される間隙部から前記処理チャンバ内から前記処理液が外部に漏洩しないように、前記間隙部へパージガスを供給するガス供給機構と、前記液処理中の前記パージガスの供給量を、前記乾燥処理中の前記パージガスの供給量よりも多くするように制御するガス流量制御機構とを具備することを特徴とする液処理装置を提供する。
【０００７】
本発明の第２の観点では、内部に基板が保持され、基板に対して所定の処理液を供給して液処理を行い、液処理後に乾燥処理を行う処理チャンバと、前記処理チャンバ内で基板を保持する保持手段と、前記処理液を前記基板に向けて吐出する処理液供給機構と、前記基板が面内回転するように前記保持手段を回転させる回転駆動手段と、前記処理チャンバの１壁面に形成された孔部を貫通するように配設され、前記回転駆動手段の回転駆動力を前記保持手段に伝えるスピンドルと、前記スピンドルの外周と前記孔部の内周との間に形成される間隙部から前記処理チャンバ内から前記処理液が外部に漏洩しないように、前記間隙部へパージガスを供給するガス供給機構と、前記液処理中の前記パージガスの供給量を、前記乾燥処理中の前記パージガスの供給量よりも多くするように制御するガス流量制御機構とを具備することを特徴とする液処理装置を提供する。
【０００８】
本発明の第３の観点では、被処理体を保持する処理チャンバの壁面に形成された孔部を貫通するように設けられた貫通部材の外周と前記孔部の内周との間に形成される間隙部へパージガスを供給するガス供給機構を有する液処理装置を用いて、前記パージガスを前記間隙部に供給しつつ前記処理チャンバ内に保持された被処理体に所定の処理液を供給し、前記間隙部を通して前記処理液が前記処理チャンバ内から外部に漏洩しないようにして液処理を行い、さらに、乾燥処理を行う液処理方法であって、前記液処理中の前記パージガスの供給量を、前記乾燥処理中の前記パージガスの供給量よりも多くするように制御することを特徴とする液処理方法を提供する。
【０００９】
本発明の第４の観点では、処理チャンバ内で基板を保持する保持手段と前記保持手段を回転させる回転駆動手段を連結し、かつ、前記処理チャンバの壁面に形成された孔部を貫通するように配置されたスピンドルの外周と前記孔部の内周との間に形成される間隙部へパージガスを供給するガス供給機構を有する液処理装置を用いて、前記パージガスを前記間隙部に供給しつつ前記保持手段に保持された基板に所定の処理液を供給し、前記間隙部を通して前記処理液が前記処理チャンバ内から外部に漏洩しないようにして液処理を行い、さらに、乾燥処理を行う液処理方法であって、前記液処理中の前記パージガスの供給量を、前記乾燥処理中の前記パージガスの供給量よりも多くするように制御することを特徴とする液処理方法を提供する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、液処理中の前記パージガスの供給量を、乾燥処理中のパージガスの供給量よりも多くすることにより、液処理中は良好なシール性が確保されて処理液の処理チャンバ外への漏洩を防止し、処理液の漏洩のおそれが小さい乾燥処理中はパージガスの供給量を減じてパージガス消費量を低減するので、処理コストひいては製品コストが低減される効果が得られる。また、乾燥処理時のパージガス量が液処理中のパージガス量よりも少ないことからパーティクル発生の可能性を低減して、パーティクルによる被処理体の品質低下を少なくすることもできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について具体的に説明する。本実施形態では、半導体ウエハ（ウエハ）の搬入、洗浄、乾燥、搬出をバッチ式に一貫して行うように構成された洗浄処理装置とその洗浄処理装置を用いた洗浄処理方法について説明する。
【００１２】
図１は洗浄処理装置１の斜視図であり、図２はその平面図である。これら図１および図２に示されるように、洗浄処理装置１は、ウエハＷを収納可能なキャリア（基板収納容器）Ｃの搬入出が行われるイン・アウトポート（容器搬入出部）２と、ウエハＷに対して洗浄処理を実施する洗浄処理ユニット３と、イン・アウトポート２と洗浄処理ユニット３との間に設けられ、洗浄処理ユニット３に対してキャリアＣの搬入出を行うためのステージ部４と、キャリアＣを洗浄するキャリア洗浄ユニット５と、複数のキャリアＣをストックするキャリアストックユニット６とを備えている。なお、参照符号７は電源ユニットであり、８はケミカルタンクボックスである。
【００１３】
イン・アウトポート２は、４個のキャリアＣを載置可能な載置台１０と、キャリアＣの配列方向に沿って形成された搬送路１１を移動可能に設けられ、載置台１０のキャリアＣをステージ部４に搬送し、かつステージ部４のキャリアＣを載置台１０に搬送するためのキャリア搬送機構１２とを有している。キャリアＣ内には、例えば、２６枚のウエハＷが収納可能となっており、キャリアＣはウエハＷの面が鉛直に配列されるように配置されている。
【００１４】
ステージ部４は、キャリアＣを載置するステージ１３を有しており、イン・アウトポート２からこのステージ１３に載置されたキャリアＣがシリンダを用いたキャリア搬送機構３５により洗浄処理ユニット３内に搬入され、洗浄処理ユニット３内のキャリアＣがこのキャリア搬送機構３５によりステージ１３に搬出される。なお、ステージ１３には、載置台１０からキャリア搬送機構１２のアームを回転させてキャリアＣが載置されるため、載置台１０とは逆向きにキャリアＣが載置される。このため、ステージ１３にはキャリアＣの向きを戻すための反転機構（図示せず）が設けられている。
【００１５】
ステージ部４と洗浄処理ユニット３との間には仕切壁１４が設けられており、仕切壁１４には搬入出用の開口部１４ａが形成されている。この開口部１４ａはシャッター１５により開閉可能となっており、処理中にはシャッター１５が閉じられ、キャリアＣの搬入出時にはシャッター１５が開けられる。
【００１６】
キャリア洗浄ユニット５は、キャリア洗浄槽１６を有しており、後述するように洗浄処理ユニット３においてウエハＷが取り出されて空になったキャリアＣが洗浄されるようになっている。
【００１７】
キャリアストックユニット６は、洗浄前のウエハＷが入ったキャリアＣや洗浄前のウエハＷが取り出されて空になったキャリアＣを一時的に待機させるためや、洗浄後のウエハＷを収納するための空のキャリアＣを予め待機させるためのものであり、上下方向に複数のキャリアＣがストック可能となっており、その中の所定のキャリアＣを載置台１０に載置したり、その中の所定の位置にキャリアＣをストックしたりするためのキャリア移動機構を内蔵している。
【００１８】
次に、洗浄処理ユニット３について説明する。図３は洗浄処理ユニット３の内部を示す断面図、図４および図５は洗浄処理ユニットの洗浄処理部を示す断面図であり、図４は内側チャンバ２７を外側チャンバ２６の外部に出した状態（内側チャンバ２７が「退避位置」にある状態）、図５は外側チャンバ２６の内部に内側チャンバ２７を配置した状態（内側チャンバ２７が「処理位置」にある状態）を示している。
【００１９】
洗浄処理ユニット３の内部には、図３に示すように、洗浄処理部２０と、洗浄処理部２０の直下にキャリアＣを待機させるキャリア待機部３０と、キャリア待機部３０に待機されたキャリアＣ内の複数のウエハＷを押し上げて洗浄処理部２０に移動させ、かつ洗浄処理部２０の複数のウエハＷを保持してキャリア待機部３０のキャリアＣに収納させるためのウエハ移動機構４０とが設けられている。
【００２０】
キャリア待機部３０は、キャリア搬送機構３５のスライドステージ３２を載置するステージ３１を有しており、ステージ３１上でキャリアＣを待機させるようになっている。キャリア搬送機構３５は、ベース部材３４と、その上に設けられた２本のガイドレール３３と、ガイドレール３３に沿って、ステージ部４のステージ１３とキャリア待機部３０のステージ３１との間を移動するスライドステージとを有している。キャリア待機部分であるステージ３１は、ロータ２４の直下に設けられている。
【００２１】
なお、図３に示すように、キャリア待機部３０上方のウエハ移動路の途中には、ウエハ移動路を挟んで前後に発光子および受光子が配置された複数対の光学センサからなるウエハ検知部１１５が設けられており、このウエハ検知部１１５をウエハが通過することにより、ウエハＷの枚数確認および正規に保持されていないウエハ（いわゆるジャンプスロット）の有無の確認が行われる。
【００２２】
ウエハ移動機構４０は、ウエハＷを保持するウエハ保持部材４１と、鉛直に配置されウエハ保持部材４１を支持する支持棒４２と、支持棒４２を介してウエハ保持部材４１を昇降する昇降駆動部４３とを有している。昇降駆動部４３によりウエハ保持部材４１を昇降させることにより、キャリア待機部３０にあるキャリアＣに収納された洗浄処理前のウエハＷを上方の洗浄処理部２０のロータ２４内に移動させ、またはロータ２４内の洗浄処理後のウエハＷをキャリア待機部３０にあるキャリアＣに移動させるようになっている。
【００２３】
なお、ウエハ保持部材４１にはウエハＷを保持するための溝が所定のピッチで、例えば、５２箇所形成されており、ウエハＷはこの溝を１箇所飛ばしに保持され、洗浄処理前のウエハＷをロータ２４への搬入するために使用する溝と、洗浄処理が終了した後のウエハＷを保持するための溝とを、区別して用いるようになっている。
【００２４】
洗浄処理部２０は、ウエハＷのエッチング処理後にレジストマスク、エッチング残渣であるポリマー層等を除去するものであり、鉛直に設けられた支持壁１８と、スピンドル（回転軸）２３ａを水平にして支持壁１８に固定された回転駆動機構の１つであるモータ２３と、モータ２３のスピンドル２３ａに取り付けられたロータ２４と、モータ２３のスピンドル２３ａを囲繞する円筒状の支持筒２５と、支持筒２５に支持され、ロータ２４を囲繞するように構成される外側チャンバ２６と、外側チャンバ２６の内側に配置された状態で薬液処理を行う内側チャンバ２７とを有している。
【００２５】
ロータ２４は、鉛直にされた複数（例えば２６枚）のウエハＷを垂直状態として水平方向に所定間隔で配列した状態で保持可能となっており、このロータ２４は、モータ２３によってスピンドル２３ａを介して、係止部材７１ａ・７１ｂ（７１ａの背面に位置するため図示せず）・７２ａ・７２ｂ（７２ｂは７２ａの背面に位置するため図示せず）によって係止され、ウエハ保持部材８３ａ・８３ｂ（８３ｂは８３ａの背面に位置するため図示せず）により保持された複数のウエハＷとともに回転されるようになっている。なお、係止部材７１ａ・７１ｂ・７２ａ・７２ｂは、所定の間隔をおいて配置された一対の円盤７０ａ・７０ｂに架設されている。
【００２６】
外側チャンバ２６は円筒状をなし、処理位置（図３の二点鎖線）と支持筒２５の外側の退避位置（図３の実線）との間で移動可能に構成されており、ウエハＷの搬入出時には図３に示すように退避位置に位置される。また、図４に示すように、外側チャンバ２６が処理位置にあり、内側チャンバ２７が退避位置にある際には、外側チャンバ２６とモータ２３側の垂直壁２６ａと先端側の垂直壁２６ｂとで処理空間５１が形成される（図４参照）。
【００２７】
内側チャンバ２７は外側チャンバ２６よりも径が小さい円筒状をなし、図５に示す処理位置と図３、図４に示す支持筒２５の外側の退避位置との間で移動可能に構成されており、ウエハＷの搬入出時には外側チャンバ２６とともに退避位置に位置される。また、図５に示すように内側チャンバ２７が処理位置にある際には、内側チャンバ２７と、垂直壁２６ａ・２６ｂとで処理空間５２が形成される。なお、処理空間５１および処理空間５２は、シール機構により密閉空間とされる。また、支持筒２５のモータ２３側端部には外側チャンバ２６、内側チャンバ２７を係止する係止部材２５ａが設けられている。
【００２８】
処理空間５１を形成する外側チャンバ２６の上端近傍部分には、複数の吐出口５３を有する２本の吐出ノズル５４（１本のみ図示）が、吐出口５３が水平方向に並ぶようにして、垂直壁２６ｂに取り付けられている。吐出ノズル５４からは、図示しない供給源から供給された純水、ＩＰＡ等の揮発性薬剤、各種薬液等の処理液や窒素（Ｎ２）ガスが吐出可能となっている。吐出ノズル５４から吐出される処理液は、例えば、吐出口５３から扇状に拡がる液膜の形で吐出され、１箇所の吐出口５３から吐出される処理液が１枚のウエハ処理面に当たるように処理液を吐出することができるようになっている。
【００２９】
処理空間５２を形成する内側チャンバ２７の上端近傍には、複数の吐出口５５を有する２本の吐出ノズル５６（１本のみ図示）が、吐出口５５が水平方向に並ぶようにして配置されている。吐出ノズル５６からは、図示しない供給源から供給された各種薬液、純水、ＩＰＡ等の処理液や、Ｎ２ガス等が吐出可能となっている。
【００３０】
これらの吐出ノズル５４・５６は外側・内側チャンバ２６・２７にそれぞれ２本より多く配設することが可能であり、また、吐出ノズル５４・５６の他にも、処理液に応じて異なる構造のノズルを、各チャンバの上部以外の場所に設けることもできる。これら吐出ノズル５４・５６としては、例えば、ＰＴＦＥやＰＦＡ等のフッ素樹脂製のもの、ステンレス製のものが好適に用いられる。吐出ノズル５４・５６は同等の構造を有するものを用いることが可能であり、例えば、吐出ノズル５４の一形態である吐出ノズル５４ａ・５４ｂの斜視図を図６に示す。
【００３１】
図６（ａ）に示す吐出ノズル５４ａの一表面には、吐出口５３ａが形成された吐出口部材９１ａ（両端を除く２６箇所）・９１ｂ（両端の２箇所）が取り付けられており、１個の吐出口部材９１ａに形成された吐出口５３ａから吐出される処理液は、例えば扇形に平面状に拡がって１枚のウエハＷの処理面に所定の角度で当たるように設計されている。また、吐出ノズル５４ａの背面には、処理液の供給管９２が配設されている。
【００３２】
吐出口部材９１ｂに形成された吐出口５３ａから吐出される処理液は、ウエハＷには当たらずに排液または回収液となるが、吐出口部材９１ｂは、吐出口部材９１ｂのすぐ隣に配設されている吐出口部材９１ａから吐出される処理液が所定のウエハＷ（２６枚並べられたウエハの両端に位置するウエハ）の処理面に当たるように、吐出口部材９１ａから吐出される処理液の吐出方向を制御する役割を果たす。つまり、逆に吐出口部材９１ｂを設けなかった場合には、吐出口部材９１ａの両端の２箇所から吐出される処理液の軌道が曲がってしまい、所定のウエハＷの処理面に当たらなくなり、液処理が不均一なものになるという問題を生ずるが、吐出口部材９１ｂを設けることにより、このような問題が解決される。
【００３３】
なお、吐出ノズル５４ａにおいて、吐出口５３ａが千鳥状に配置されているのは、吐出口部材９１ａ・９１ｂの大きさを考慮し、またウエハＷの保持間隔に対応させたものである。従って、吐出口部材９１ａ・９１ｂの形状を変更することにより１列に配置することもできる。その場合には、吐出ノズル５４ａを細くすることが可能であるから、吐出ノズル５４ａの配置スペースが小さくなり、例えば、処理チャンバの小型化を図ることも可能となる。
【００３４】
図６（ｂ）に示す吐出ノズル５４ｂは、吐出口５３ｂが吐出ノズル５４ｂの箱体９３の表面に一体的に形成された形態を有している。この場合には、吐出口５３ｂを１列に配設することが容易であり、また、吐出ノズル５４ａに用いた吐出口部材９１ａ・９１ｂの取り付けも必要でなく、形状をコンパクトなものとすることができる。吐出ノズル５４ｂについても吐出口５３ｂは２８箇所形成されており、両端の２箇所については前出した吐出ノズル５４ａの両端の２箇所と同様の目的で形成されている。
【００３５】
垂直壁２６ａは支持筒２５に取り付けられており、支持筒２５とスピンドル２３ａとの間にはベアリング２８が設けられている。そして、垂直壁２６ａと支持筒２５の先端部にはシール部２９が形成されている。このシール部２９近傍の構成をより詳しく図７の断面図に示す。ガス供給機構８５からガス流量制御機構８１を通して支持筒２５に形成されたガス導入孔８６へ、外側・内側チャンバ２６・２７の処理雰囲気に悪影響を与えない窒素ガス等のパージガスが供給される。
【００３６】
ガス供給機構８５は主としてパージガス供給源やパージガス供給源の開閉バルブ等で構成されている。また、ガス流量制御機構８１は、後述するように、処理液の吐出の有無や外側・内側チャンバ２６・２７の開閉状態を知らせる信号を基に電磁開閉バルブ等の流量制御弁の開閉制御や絞り制御等を行い、また、圧力センサ９０からの信号値に応じてパージガス流量を決定して流量制御弁等の開閉制御や絞り制御等を行い、さらに、処理液の種類や温度によってパージガスの流量を設定して流量制御弁等の開閉制御や絞り制御等を行う設定制御部の他、流量計（フローメータ）等を有する。
【００３７】
支持筒２５の垂直壁２６ａ側の先端近傍の内周側には、例えば、正六角形の各頂点に相当する位置６箇所に孔部８７が形成されており、各孔部８７に連通するようにガス導入孔８６は６箇所形成されている。また、スピンドル２３ａの外周とスピンドル２３ａが貫通している垂直壁２６ａに形成された孔部８８の内周との間には、例えば、幅が０．２ｍｍ程度のリング状の間隙部８９が形成されており、各孔部８７が間隙部８９に連通している。
【００３８】
このような構成により、ガス供給機構８５からガス流量制御機構８１を経て供給されるパージガスは、ガス導入孔８６と孔部８７を経て間隙部８９からリング状となって外側・内側チャンバ２６・２７によって形成される処理空間５１・５２へ供給されるようになっており、このリング状のパージガスにより間隙部８９から処理液が処理空間５１・５２から外部に漏洩することが防止される。こうして洗浄処理部２０が漏洩した処理液により汚染されることが回避される。なお、パージガスの一部は、モータ２３で発生するパーティクル等が処理空間５１に侵入することを防止するために、モータ２３側へも流れるようになっており、パーティクルのウエハＷへの付着を防止することができるようになっている。
【００３９】
内側チャンバ２７の上部内壁には、円盤７０ａ・７０ｂの内側面（ウエハＷに対向する面）を洗浄するための処理液の吐出ノズル７５ａ・７５ｂが配設されており、また、垂直壁２６ａ・２６ｂには、円盤７０ａ・７０ｂのそれぞれ垂直壁２６ａ・２６ｂと対向する外側面を洗浄するための処理液の吐出ノズル７４ａ・７４ｂが配設されている。これらの吐出ノズル７４ａ・７４ｂ・７５ａ・７５ｂは、主に、種々の薬液処理後に純水で円盤７０ａ・７０ｂの洗浄を行う目的に使用される。
【００４０】
垂直壁２６ｂの下部には、図４の状態において処理空間５１から使用済みの薬液、純水、ＩＰＡを排出する第１の排液ポート６１が設けられており、第１の排液ポート６１の上方には図５の状態において処理空間５２から使用済みの薬液、純水、ＩＰＡを排出する第２の排液ポート６２が設けられている。また、第１の排液ポート６１および第２の排液ポート６２には、それぞれ第１の排液管６３および第２の排液管６４が接続されている。
【００４１】
図８は第１・第２の排液ポート６１・６２からの排液経路の一実施形態を示した説明図である。第２の排液ポート６２に接続された第２の排液管６４は、６連バルブＶ１〜Ｖ６に接続されている。例えば、内側チャンバ２７による処理空間５２を用いた洗浄処理において異なる４種類の薬液（薬液１〜４）を適宜使い分けるとすると、バルブＶ１〜Ｖ４のそれぞれに薬液１〜４を割り当てて、薬液１〜４毎にリターンラインに送り、薬液１〜４を再利用することが可能となっている。
【００４２】
また、バルブＶ５は、後述する外側チャンバ２６による処理空間５１を用いた洗浄処理と共通する薬液、例えば、ＩＰＡや純水を用いる場合の廃棄ルートとして用いることができるようになっている。バルブＶ６はさらに４連バルブＶ６ａ〜Ｖ６ｄに接続されており、バルブＶ６ａ〜Ｖ６ｄにはそれぞれ廃棄１〜４のルートが形成されている。こうして、薬液１〜４をそれぞれバルブＶ６ａ〜Ｖ６ｄに割り当てることにより薬液１〜４の分別廃棄、分別回収が可能となっている。
【００４３】
一方、第１の排液ポート６１に接続された第１の排液管６３は、４連バルブＶ７〜Ｖ１０に接続されている。例えば、外側チャンバ２６による処理空間５１を用いた洗浄処理において異なる３種類の薬液（薬液５〜７）を適宜使い分けるとすると、バルブＶ７〜Ｖ９のそれぞれに薬液５〜７を割り当てて、薬液５〜７毎にリターンラインに送り、薬液５〜７を再利用することができるようになっている。また、バルブＶ１０はさらに３連バルブＶ１０ａ〜Ｖ１０ｃに接続されており、バルブＶ１０ａ〜Ｖ１０ｃにはそれぞれ廃棄５〜７のルートが形成されている。こうして、薬液５〜７をそれぞれバルブＶ１０ａ〜Ｖ１０ｃに割り当てることにより薬液５〜７の分別廃棄が可能となっている。
【００４４】
ここで、例えば、外側チャンバ２６による処理空間５１を用いて、薬液５による洗浄処理に続いて純水による水洗処理を行うとすると、水洗処理によって廃棄される洗浄水には、その前段で使用された薬液５が含まれることとなる。そこで、廃棄５のルートは薬液５を用いた洗浄処理における劣化した薬液５を回収するルートとして使用し、廃棄６のルートを薬液５による洗浄処理後の水洗処理により排出される薬液５を含んだ洗浄水の廃棄ルートとして使用し、廃棄７のルートを薬液５が殆ど含まれていなくなった状態以降の洗浄水の廃棄ルートとして使用することも可能である。
【００４５】
つまり、使用する薬液が別の薬液と混合する場合に、それらの混合液を種類別に回収することも可能であり、その目的のためには、使用する薬液の種類に応じて、バルブＶ１０ａ〜Ｖ１０ｃに限定されず、さらに多くのバルブを設け、廃棄ルートを増設すればよい。こうして、純度の高い薬液の回収が可能となり、再利用処理を容易なものとすることが可能となる。
【００４６】
垂直壁２６ｂの上部には、図４の状態において処理空間５１を排気する第１の排気ポート６５が設けられており、第１の排気ポート６５の下方には図５の状態において処理空間５２を排気する第２の排気ポート６６が設けられている。また、第１の排気ポート６５および第２の排気ポート６６には、それぞれ第１の排気管６７および第２の排気管６８が接続されている。
【００４７】
ここで、第１・第２の排気ポート６５・６６からの排気経路の一実施形態を示す説明図を図９に示す。第２の排気ポート６６に接続された第２の排気管６８には３連バルブＶ１１〜Ｖ１３が配設され、排気１〜３で示される３つの排気ルートが形成され、それぞれにミストトラップＭ１〜Ｍ３が配設されるとともに、ミストトラップＭ１〜Ｍ３にそれぞれドレインＤ１〜Ｄ３が設けられている。これにより、例えば、内側チャンバ２７による処理空間５２において使用する薬液が、アミン系のもの、フッ化アンモニウム系のもの、水系のものの３系統があった場合に系統毎にバルブＶ１１〜Ｖ１３を切り替えて、専用の排気ルートを用いて排気し、またミストトラップＭ１〜Ｍ３において系統毎にミストを捕集し、ドレインＤ１〜Ｄ３を通して分別廃棄することが可能となる。
【００４８】
第１の排気ポート６５に接続された第１の排気管６７についても、３連バルブＶ１４〜Ｖ１６が配設され、排気４〜６で示される３つの排気ルートが形成されている。それぞれの排気ルートにミストトラップＭ４〜Ｍ６が配設されるとともにミストトラップＭ４〜Ｍ６にそれぞれドレインＤ４〜Ｄ６が設けられている。これらの廃棄ルートの用い方は、前述した第２の排気管６８からの廃棄方法と同様であり、使用する薬液の系統により排気ルートを分けることができる。
【００４９】
なお、図９においては、説明を容易とするために第１・第２の排気ポート６５・６６とバルブＶ１１〜Ｖ１６を区別して示したが、バルブＶ１１〜Ｖ１６を直接に第１・第２の廃棄ポート６５・６６の位置に配設することも可能であり、図示した合計６つの排気ルートより多くの排気ルートを設けることもできる。
【００５０】
また、第１・第２の排気ポート６５・６６の配設位置は、図４・５に示される位置に限定されるものではない。例えば、処理空間５２を形成する垂直壁２６ｂの一部分は、処置空間５１を形成する垂直壁２６ｂの一部分でもあることから、図１０（ａ）の説明図に示すように、処理空間５２を形成する垂直壁２６ｂの部分に、第１・第２の排気ポート６５・６６を併設しても構わない。図１０（ａ）に示した第１・第２の排気ポート６５・６６からの排気経路は、例えば、図９と同じ構成とすることができ、バルブＶ１１〜Ｖ１６の切替によって排気ルートを選択することができる。
【００５１】
さらに、バルブＶ１１〜Ｖ１６の切替により排気ルートを選択することが可能であることを考慮すると、図１０（ｂ）の説明図に示すように、処理空間５２を形成する垂直壁２６ｂの一部分に１箇所のみ排気ポート６５ａを設けて排気管６７ａを接続し、排気管６７ａに６連バルブＶ１１〜Ｖ１６を配設して、図９や図１０（ａ）と同様に６つの排気ルートを形成することも可能である。液処理に使用される処理液に応じて６連バルブＶ１１〜Ｖ１６を切り替えることにより、適切な排気ルートを選択することができる。
【００５２】
図１１は、第１・第２の排気ポート６５・６６の一実施形態を示す断面図である。垂直壁２６ｂに形成された孔部７６は蓋体７７により開口／閉口され、その動作は、蓋体７７をスライド移動可能とするシリンダ７８の制御により行われる。蓋体７７と垂直壁２６ｂとの間はシール材７９により気密シールが可能となっている。また、孔部７６の外周部の垂直壁２６ｂの形状は、液溜まりが生じ難いような段差構造となっている。シリンダ７８の上部側面には第１・第２の排気管６７・６８が形成されており、蓋体７７が点線位置にあるときは処理空間５１・５２と第１・第２の排気管６７・６８が孔部７６を通じて連通し、排気が行われ、一方、実線位置では孔部７６が閉塞されて処理空間５１・５２が密閉空間とされる。
【００５３】
次に、ガス流量制御機構８１の制御形態、すなわちパージガスの供給／停止または減量等の制御形態について説明する。処理液が処理空間５１・５２（外側・内側チャンバ２６・２７内）に供給されている状態もしくは処理空間５１・５２が形成されている状態、つまり外側・内側チャンバ２６・２７が密閉されている状態、または処理空間５１・５２の圧力つまり外側・内側チャンバ２６・２７内の圧力が所定圧力以上の状態にある場合には、ガス流量制御機構８１は、間隙部８９を通して所定流量のパージガスを処理空間５１・５２に供給する。
【００５４】
一方、処理液が処理空間５１・５２に供給されていない状態、もしくは処理空間５１・５２が形成されずに解放されている状態、または処理空間５１・５２の圧力が所定圧力未満の状態にある場合には、パージガスの供給を停止または減量するように、ガス流量制御機構８１の制御が行われる。通常、このようなガス流量制御機構８１の制御は、自動で行われるが、液処理の進行状況を把握しながら手動で行うこともできる。
【００５５】
先ず、処理液が処理空間５１・５２に供給されている状態か否かは、例えば、吐出ノズル５４・５６へ処理液を供給する図示しない処理液供給機構の動作状態を示す信号により判断することができ、この信号をガス流量制御機構８１へ送ることによってパージガス流量を制御することができる。例えば、処理液供給機構の有する送液ポンプが作動して処理液が吐出ノズル５４・５６に送液されている状態を示す信号がガス流量制御機構８１へ送られている場合には、ガス流量制御機構８１は、所定量のパージガスをガス導入孔８６へ向けて供給するように、電磁開閉バルブ等を操作する。
【００５６】
一方、処理液供給機構の送液ポンプが作動していない信号がガス流量制御機構８１に送られている場合には、処理液が吐出ノズル５４・５６からは吐出されていないと判断して、ガス供給機構８５からのパージガスのガス導入孔８６へ向けての供給を停止または減量するようにガス流量制御機構８１が動作する。
【００５７】
ここで、処理液供給機構からの処理液の供給／停止は一定のシーケンスによって制御されることが一般的であることから、そのシーケンスに従って処理液の供給が始まる所定時間前にパージガスの供給を開始し、一方、処理液の供給が停止した後にも所定時間が経過するまではパージガスを供給するようにガス流量制御機構８１を制御することも好ましい。
【００５８】
パージガスの供給／停止はＯＮ／ＯＦＦ制御により行うことができ、この場合にはパージガスの流路には、構造の簡単な電磁開閉バルブ等の開閉スイッチのＯＮ／ＯＦＦ動作のみで制御可能な部品を配設することができることから、装置コストが安価となり、また、パージガスの消費が抑えられ処理コストの低減が図られるという利点がある。なお、パージガスの供給が停止されるときは、モータ２３の回転もまた停止状態にあることが一般的であることから、パージガスの供給を停止しても、モータ２３で発生するパーティクルが間隙部８９を通して処理空間５１・５２に拡散することは殆どなく、ウエハＷの処理品質に不良が生じることはない。
【００５９】
一方、パージガスの流量が所定の流量となるように増減制御する場合には、電磁バルブ等の開口度が所定の状態となるように制御する必要があり、このために制御系が複雑となり、また電磁バルブ等自体も高価なものとなり、コスト的に不利となる。またパージガス流量を減量して少量としても、パージガスの供給を停止する場合と比較すると、一定量のパージガスを流し続ける点でランニングコストの点では不利である。
【００６０】
しかし、従来のように常に所定量のパージガスを流し続ける場合と比較してランニングコストが抑えられることはいうまでもなく、また、確実に処理液の漏洩を防止することが可能となる利点がある。さらに、モータ２３に発生するパーティクルが間隙部８９を通して処理空間５１・５２に侵入することを確実に防止することが可能となる。従って、パージガスの供給を停止するかまたは減量するかは、ウエハＷの品質や処理コスト等を勘案して、適宜決定すればよい。
【００６１】
続いて、処理空間５１・５２が形成されている状態か否か、つまり外側・内側チャンバ２６・２７が密閉されている状態か解放されている状態かの判断は、洗浄処理部２０に光学式センサ（非接触式センサ）やスイッチセンサ（接触式センサ）等を配設して、外側・内側チャンバ２６・２７が待避位置にあるか処理位置にあるかを検出することにより行うことができる。
【００６２】
例えば、内側チャンバ２７による処理空間５２を用いた処理を前提として、図４に示したように内側チャンバ２７が待避位置にある状態においては、内側チャンバ２７の右側面が係止部材２５ａの左側面に設けられた図示しないスイッチセンサと接触して、スイッチセンサがＯＮの状態にあるとする。この状態ではパージガスの供給を停止または減量して供給している状態とする。一方、内側チャンバ２７を用いた洗浄処理を行うために、内側チャンバ２７を処理位置側にスライドさせると、スイッチセンサと非接触の状態となり、スイッチセンサはＯＦＦの状態に切り替わる。このときのスイッチセンサの信号の変化を検知して、パージガスの供給を開始するようにガス流量制御機構８１を制御することができる。
【００６３】
逆に、内側チャンバ２７が処理位置にあるときにスイッチセンサがＯＮの状態となり、処理位置から待避位置へ移動する際にスイッチセンサがＯＦＦの状態となるように、例えば、内側チャンバ２７が処理位置にあるときに、内側チャンバ２７の右側面と垂直壁２６ｂの内側が近接する位置に、スイッチセンサを設けることもできる。さらに、内側チャンバ２７にスライド移動途中に光学式センサを配設して、内側チャンバ２７のスライドの状態に合わせて、ガス流量制御機構８１にパージガスの供給や停止または減量を指示する信号を送ってもよい。
【００６４】
次に、処理空間５１・５２の圧力、つまり外側・内側チャンバ２６・２７内の圧力が所定圧力（例えば、大気圧）よりも高い状態にあるか否かは、例えば、垂直壁２６ｂに配設した圧力センサ９０の圧力測定値により判断することができる。使用する処理液の吐出量や、処理液の温度によって処理空間５１・５２の圧力は変動することから、処理空間５１・５２の圧力に応じてパージガスの流量、供給圧を変化させることで処理液の漏洩を効率的に防止することが可能となる。このため、圧力センサ９０を用いたガス流量制御機構８１の制御は、主として洗浄処理中に用いられ、例えば、圧力センサ９０の圧力測定値の大きさと比例するように、パージガスの流量を増減するようにガス流量制御機構８１を制御することができる。
【００６５】
なお、圧力センサ９０を用いたパージガス流量の制御は、液処理中であることを確認した上で行うことが好ましい。これは、使用する処理液によっては、また液処理条件によっては、処理液を供給している場合であっても処理空間５１・５２の圧力が上がらない場合も考えられ、このような場合に圧力センサ９０の測定値が小さいからといってパージガスの供給を停止すれば、処理液の間隙部８９からの漏洩が起こる可能性が大きくなるためである。従って、処理液の漏洩が起こらないように、ガス流量制御機構８１の他の制御因子とも比較しながら、圧力センサ９０によるガス流量制御機構８１の制御を行うことが好ましい。
【００６６】
なお、上述した種々のガス流量制御機構８１の制御因子は総合的に判断して用いることが、より好ましい。例えば、処理液を供給していない状態ではパージガスの供給を停止または減量しなければならないわけではなく、他の条件でパージガスの供給を必要としているならば、パージガスの供給を行うようにガス流量制御機構８１を制御することが好ましい。
【００６７】
上述のようにしてガス流量制御機構８１を制御するにあたって、例えば、内側チャンバ２７による処理空間５２において所定の薬液を用いた液処理を行い、外側チャンバ２６による処理空間５１において水洗および／または乾燥処理を行うように、外側チャンバ２６と内側チャンバ２７を使い分けた場合には、一般的に薬液を用いた処理では薬液温度が高く、処理空間５２の圧力が大きくなり易い一方で、水洗処理や乾燥処理では処理空間内の圧力が大きくは上がらないことから、内側チャンバ２７を用いる場合に供給するパージガスの流量が、外側チャンバ２６を用いる場合に供給するパージガスの流量よりも多くなるように、ガス流量制御機構８１を制御することも好ましい。つまり、内側・外側チャンバ２６・２７の用途別にパージガスの流量設定を行い、また、流量制御を行うことも好ましい。
【００６８】
さらに、乾燥処理時のパージガス流量は、水洗処理時よりも少なくともよいこと等を考慮すると、同一の処理空間を用いて異なる処理を行う場合には、その処理毎にパージガス流量を異ならしめるようにガス流量制御機構８１を制御することもできる。
【００６９】
ところで、近年、処理液の種類が多様化し、粘性が低い薬液や界面活性剤等を含んだ濡れ性の良好な薬液が使用されるようになってきているが、このような薬液は間隙部８９に侵入し易い性質を有する。間隙部８９に薬液が侵入、滞留した場合には、その後の洗浄処理や乾燥処理の際に間隙部８９を通してパージガスを処理空間５１・５２へ供給したときに、薬液がミストとなって処理空間５１・５２に飛散、拡散し、処理中のウエハＷに付着してパーティクルとなるおそれがある。
【００７０】
そこで、例えば、間隙部８９に侵入し易い薬液を用いる場合には、水洗時等に供給するパージガス流量よりも多くパージガスを供給する等、使用する薬液の種類によってパージガスの流量を変えることにより、薬液の間隙部８９への侵入を防止を図ることも好ましい。これにより、ウエハＷへのパーティクルの付着が回避され、品質を高く保つことが可能となる。
【００７１】
次に、上述した洗浄処理装置１を用いたウエハＷの洗浄処理方法について説明する。載置台１０の所定位置に処理すべきウエハＷが収容されたキャリアＣを載置し、キャリア搬送機構１２を用いてキャリアＣをステージ部４へ搬入する。このときキャリアＣは、ステージ部４に設けられたステージ１３上に待機しているスライドステージ３２上に載置される。続いて、スライドステージ３２をキャリア待機部３０側へ移動させ、外側・内側チャンバ２６・２７を待避位置側にスライドさせた状態として、昇降駆動部４３によりウエハ保持部材４１を上昇させることにより、キャリアＣに収容されたウエハＷを上方の洗浄処理部２０のロータ２４内に移動させ、ウエハＷをロータ２４内で保持した後に、ウエハ保持部材４１を降下させる。この過程ではパージガスは供給されていない。
【００７２】
外側・内側チャンバ２６・２７を処理位置にスライドさせて図５の状態に示されるように、処理空間５２を形成する。例えば、こうして洗浄処理の開始が可能となった時点で、パージガスの供給を開始する。そして、モータ２３による回転駆動によりロータ２４を所定速度で回転させ、ウエハＷを回転させながら吐出ノズル５６から所定の薬液を吐出し、例えば、レジスト除去処理を行う。この処理は、所定時間ほど１回または複数回行う。薬液を吐出しながら圧力センサ９０を用いて処理空間５２の圧力を測定し、測定圧力に応じて、パージガスの流量を増減させることができる。
【００７３】
このように、ウエハＷの搬送時等のパージガスが必要でないときにはパージガスが供給されないことから、消費量が抑えられて処理コストを低減することができる。また、モータ２３の回転開始よりもパージガスの供給開始が時間的に早いことから、モータ２３でパーティクルが発生しても、パージガスによりパーティクルが処理空間５２に拡散することが防止される。さらに処理液が間隙部８９を通じて処理空間５２外部に漏洩することも防止され、洗浄処理部２０の環境が良好に保たれる。さらにまた、洗浄処理中に処理空間５２の圧力に応じてパージガスの流量を制御することができることから、処理液の処理空間５２外部への漏洩を効率的かつ確実に行うことができる。
【００７４】
次に、薬液の吐出とモータ２３の回転を停止し、十分に薬液が第２の排液ポート６２から排出された時点で、内側チャンバ２７を待避位置へスライドさせて、外側チャンバ２６による処理空間５１を形成し、純水を用いたリンス処理を行う。ここで、この薬液の吐出の終了または内側チャンバ２７の待避位置へのスライド移動の開始から次のリンス処理の開始まで間は、パージガスの供給を停止してもよいが、この間の時間が短い場合には継続してパージガスを供給しても構わない。
【００７５】
処理空間５１が形成された時点では所定量のパージガスが供給されている状態として、再びモータ２３による回転駆動によりロータ２４を所定速度で回転させ、ウエハＷを回転させながら吐出ノズル５４から純水をウエハＷに向けて吐出させるリンス処理を行う。このリンス処理の間に、圧力センサ９０が検出する処理空間５１の圧力値に従ってパージガス流量を変化させてもよい。
【００７６】
リンス処理が終了した後にはＩＰＡ乾燥処理を行う。洗浄処理装置１では、リンス処理とＩＰＡ乾燥処理は連続して行うことができ、この場合にはパージガスの供給を停止しなくともよい。但し、ＩＰＡ乾燥処理時のパージガス流量を水洗処理時のパージガス流量と異ならしめるときは、ガス流量制御機構８１による流量制御を行う。
【００７７】
ＩＰＡ乾燥処理は、ロータ２４を所定回転数で回転させながら、吐出ノズル５４から所定量のＩＰＡをウエハＷに向けて吐出して行われる。ＩＰＡ乾燥処理中も処理空間５１の圧力値に従ってパージガスの流量を変化させることができる。
【００７８】
ＩＰＡ乾燥処理が終了した後には、吐出ノズル５４から、例えばＮ２ガスを吐出させながらウエハＷを乾燥させるガス乾燥処理を行う。このガス乾燥処理においては、ロータ２４およびウエハＷは静止した状態でもよく、所定の回転数で回転させてもよい。このガス乾燥処理により、ＩＰＡ乾燥処理後にウエハＷの表面に微量に残留するＩＰＡがほぼ完全に除去される。ガスを供給することなく、ウエハＷを高速回転させるスピン乾燥によって、ウエハＷの乾燥を行ってもよい。
【００７９】
なお、上述したように、所定時間、所定回数のリンス処理が終了した後のウエハＷに洗浄水が付着した状態から引き続いてＩＰＡ等を用いた乾燥処理を行ってもよいが、純水の供給を停止した状態で、ロータ２４およびウエハＷを、例えば、８００ｒｐｍ程度の高速回転で回転させ、ウエハＷに付着している純水を振り切るスピン乾燥処理を行い、その後にＩＰＡ乾燥処理を行うことも好ましい。このスピン乾燥時には、パージガス流量をリンス処理の流量よりも少なく設定することができる。
【００８０】
洗浄処理装置１では、このようなガス乾燥処理もまたリンス処理やＩＰＡ乾燥処理に連続させて行うことが可能であるから、パージガスの供給も連続して行うことができる。ＩＰＡを用いない乾燥処理においては、薬液、純水、ＩＰＡ等の処理液を用いた場合よりも少ない流量のパージガスで足りる。
【００８１】
上述した一連の洗浄処理が終了した後には、次処理の開始まで、パージガスの供給を停止し、または少量を供給し続け、続いての洗浄処理を行わない場合にはパージガスの供給を停止する。このパージガスの供給停止のタイミングは、吐出ノズル５４からのＮ２ガスの吐出停止や外側チャンバ２６の待避位置へのスライド移動に合わせることができる。こうして、洗浄処理が行われない間には、パージガスの消費が抑制されることから、処理コストが低減される。
【００８２】
外側チャンバ２６を待避位置へスライドさせてロータ２４が露出した状態とし、先にウエハＷをロータ２４内へ搬入した際に使用された保持溝とは異なる保持溝でウエハＷを受け取るようにウエハ保持部材４１を上昇させる。洗浄後のウエハＷが保持されたウエハ保持部材４１を降下させ、その際にウエハ検知部１１５により再度ウエハＷの枚数等が確認される。そして、ウエハ保持部材４１がキャリア待機部３０に待機しているキャリアＣと通過する際に、ウエハＷがキャリアＣのウエハ保持溝に保持される。
【００８３】
ウエハＷが収容されたキャリアＣは、キャリア搬送機構３５によりステージ部４へ搬出され、さらにキャリア搬送機構１２によりイン・アウトポート２の載置台１０に載置され、作業者または自動搬送装置により搬出され、一連の洗浄処理が終了する。そして、別に処理するウエハＷを収容したキャリアＣがある場合には、前述した工程に従って、再び所定の洗浄処理を開始することができる。
【００８４】
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明が上記実施の形態に限定されるものでないことはいうまでもなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態では外側チャンバ２６および内側チャンバ２７の２つの処理チャンバを用いて液処理を行う場合について説明したが、チャンバは１つであってもよいし、３つ以上あってもよい。
【００８５】
また、上記実施の形態では、複数枚のウエハを一度に処理する場合について説明したが、１枚のウエハを処理するいわゆる枚葉式の洗浄処理装置、洗浄処理方法にも本発明を適用することが可能である。さらに、上記実施の形態では、ロータ２４とモータ２３を連結し、処理チャンバの壁面を貫通するスピンドル２３ａを貫通部材の例として説明したが、処理チャンバ内に配設される治具や部材と処理チャンバ外に配設される治具や部材が、処理チャンバの壁面を貫通するように配設された貫通部材によって連結された構造を有する全ての液処理装置に本発明を適用することが可能である。さらにまた、上記実施の形態では半導体ウエハの洗浄処理に適用した場合について示したが、これに限らず液晶表示装置（ＬＣＤ）用基板等の他の基板の洗浄処理装置に用いることができ、洗浄処理に限らず、例えば、レジスト塗布・現像処理装置にも適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】本発明の液処理装置に係る洗浄処理装置の一実施形態を示す斜視図。
【図２】本発明の液処理装置に係る洗浄処理装置の一実施形態を示す平面図。
【図３】本発明の液処理装置に係る洗浄処理装置に用いられる洗浄処理ユニットの一実施形態を示す断面図。
【図４】図３に示した洗浄処理ユニットにおいて、内側チャンバを外側チャンバの外部に出した状態を示す断面図。
【図５】図３に示した洗浄処理ユニットにおいて、外側チャンバの内部に内側チャンバを配置した状態を示す断面図。
【図６】吐出ノズルの構成の一実施形態を示す斜視図。
【図７】図４・５記載のシール部近傍の構成を示す断面図。
【図８】図４・５記載の第１・第２の排液ポートからの排液経路の一実施形態を示す説明図。
【図９】図４・５記載の第１・第２の排気ポートからの排気経路の一実施形態を示す説明図。
【図１０】第１・第２の排気ポートの別の設置形態と排気経路の実施形態を示す説明図。
【図１１】図４・５記載の第１・第２の排気ポートの一実施形態を示す断面図。
【符号の説明】
【００８７】
１；洗浄処理装置
２０；洗浄処理部
２３；モータ
２４；ロータ
２６；外側チャンバ
２７；内側チャンバ
２９；シール部
５１；処理空間
５３・５５；吐出口
５４・５６；吐出ノズル
８５；ガス供給機構
８６；ガス導入孔
８７；孔部
８８；孔部
８９；間隙部
９０；圧力センサ
Ｗ；半導体ウエハ（基板）
Ｃ；キャリア（基板収納容器）
【図１】
2006229262.tif 000003
【図２】
2006229262.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2006229262.tif 000009
【図８】
2006229262.tif 000010
【図９】
2006229262.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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