(57)【要約】【課題】  レーザビームを用いた既存の露光装置により、従来よりも更に細い溝を安定に形成するための細溝形成方法及びそれによって得られた細溝基板を提供する。【解決手段】  露光溝間８に対応する転写溝間の幅と凝集体７に対応する転写溝間の幅とをほぼ等しくし、更に、各凝集体７に対応する転写溝間のエッジ部とそのエッジ部に隣接する露光溝間８に対応する転写溝間のエッジ部との距離を露光溝４に対応する範囲内においてすべてほぼ等しくしている。これにより、実質露光溝４のトラックピッチ（Ｔｐ）に対して半分以下の狭いトラックピッチ（ｔｐ）の転写溝９が形成できることになり、さらに露光溝幅（Ｄ）の半分よりも狭い転写溝幅（ｄ）が得られる。【選択図】  図１
2006215052.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板にレジストを塗布する工程と、該レジストにレーザビームを照射し、その後現像手段により露光溝を形成する工程と、該露光溝内に露光溝の長手方向に沿って連続した高分子の凝集体を形成する工程と、該凝集体をマスクにして基板に露光溝よりも細い溝（転写溝）を形成する工程と、残存の該レジストおよび該凝集体を除去する工程とを少なくとも具備した細溝形成方法において、基板上に形成された、該露光溝間に対応する転写溝間の幅と該凝集体に対応する転写溝間の幅とがほぼ等しいことを特徴とする細溝形成方法。
【請求項２】
請求項１記載の細溝形成方法において、基板上に形成された、該凝集体に対応する転写溝間のエッジ部と該エッジ部に隣接する該露光溝間に対応する転写溝間のエッジ部との距離が該露光溝に対応する範囲内においてすべてほぼ等しいことを特徴としている細溝形成方法。
【請求項３】
請求項２記載の細溝形成方法において、該露光溝に沿って形成された凝集体の列の数が２列以上の場合には、基板上に形成された、各凝集体に対応する転写溝間のエッジ部と該エッジ部に隣接する該露光溝間に対応する転写溝間のエッジ部との距離が該露光溝に対応する範囲内においてすべてほぼ等しく、かつ各凝集体に対応する転写溝間同士の間の距離がすべてにおいてほぼ等しいことを特徴とする細溝形成方法。
【請求項４】
請求項２及び請求項３記載の細溝形成方法において、
凝集体の列の数：Ｎ（Ｎは正の整数）
露光溝のトラックピッチ：Ｔｐ
露光溝の幅：Ｄ
転写溝のトラックピッチ：ｔｐ
転写溝の幅：ｄ                      とすると、
Ｔｐ＝（Ｎ+1）＊ｔｐ
Ｄ=ｄ＋Ｎ＊ｔｐ
ｔｐ−ｄ＝Ｔｐ−Ｄ
の関係式が成り立つことを特徴とする細溝形成方法。
【請求項５】
請求項１記載の細溝形成方法において、該基板とレジストの間に転写溝深さ調整用の下地層を設けていることを特徴とする細溝形成方法。
【請求項６】
請求項１記載の細溝形成方法において、該高分子膜がジブロックコポリマーであることを特徴とする細溝形成方法。
【請求項７】
請求項１記載の細溝形成方法において、該凝集体がラメラ構造であることを特徴とする細溝形成方法。
【請求項８】
請求項１記載の細溝形成方法において、該凝集体の方が酸素プラズマ処理に対してエッチングレートが低いことを特徴とする細溝形成方法。
【請求項９】
基板にレジストを塗布する工程と、該レジストにレーザビームを照射し、その後現像手段により露光溝を形成する工程と、該露光溝内に長手方向に沿って連続した凝集体を形成する工程と、該凝集体をマスクにして基板に露光溝よりも細い溝（転写溝）を形成する工程と、残存の該レジストおよび該凝集体を除去する工程とを少なくとも実施することにより得られた細溝基板において、少なくとも転写溝の片側のエッジ部が転写溝の長手方向に、データ情報やサーボ情報に寄与しない範囲内で転写溝の幅よりも短い周期でうねっていることを特徴とする細溝基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は細溝形成方法及びそれによって得られた細溝基板に係り、特にレーザビームの照射により形成された溝よりも更に細い幅の溝を安定に得る為の細溝形成方法及びそれによって得られた細溝基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報の大容量化に伴い、光記録を用いた高密度記録技術の開発が活発に行われている。光記録では、その限界が光の回折により、記録ビット径が５００ｎｍ前後といわれている。この回折限界は光の波長（λ）に比例し、さらに、レンズの性能指数（ＮＡ）に反比例する。このため、高密度化の１つの方向は、光の波長を短波長化すること、絞り込みレンズを高ＮＡ化することにある。また、別の方法としては、この回折限界によらない光学現象を利用する方法がある。たとえば、特許文献１のように、ＳＩＬ（Ｓｏｌｉｄ  Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ  Ｌｅｎｓ）を用いて高ＮＡ化を実現し、通常の光学レンズを用いたものより小さなスポット径を得ている。以下、この技術の原理を説明する。まず、ＳＩＬは屈折率ｎが大きな透明物質からなる球面レンズを例えば半球面に研磨し作製する。次に絞り込みレンズで絞られたレーザ光の焦点をこの底面に合せる。ＳＩＬの中に入ったレーザ光の速度は屈折率の分だけ遅くなり、波長は１／ｎに短くなっている。つまり、ＳＩＬ中での回折限界は通常の１／ｎと小さくなる。見方を変えれば対物レンズのＮＡをｎ倍に増やせたといってもよい。
【０００３】
従来から用いられている光記録用基板には露光手段により予めトラッキング用の溝（グルーブ）などが形成されている。ここで上記のＳＩＬを用いた場合などの高密度記録では、このトラッキング用の溝幅を従来よりも更に狭くした基板が必要となる。
【０００４】
【特許文献１】米国特許第５，１２１，２５６号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
更なる細い溝を得る為に、露光ビームに使用するレーザの波長を更に短くしようとすると新たに莫大な費用が発生し、その割には波長比率分の効果しか得られない。また、記録トラックピッチを狭くする為に、基板露光時に基板１回転あたりの半径方向への露光ビームの移動距離（露光ピッチ）を狭くしていくと、隣の溝への露光時に影響を受けて最終的に形成される幅が広くなり目的の狭い溝を形成するのが難しくなる（光の隣接効果）という問題も生じてくる。
【０００６】
また、細溝を形成しようとＳＩＬを用いた場合、入射光の波長λに対して波長が１／ｎのまま試料に伝播するため、分解能がｎ倍、すなわち、通常の１／ｎの回折限界が得られるが、ＳＩＬの内部ではＮＡを高められてもレーザ光がＳＩＬを抜けて空気中に出ると、再び元のビームスポット径に戻ってしまう。そのため、ＳＩＬの底面である底面と試料（ディスクの記録膜上など）との間をλ／４以下と非常に接近（近接場）させる必要があり、露光装置が複雑となる。
【０００７】
本発明は、このような従来技術における問題点を解決し、レーザビームを用いた既存の露光装置により、従来よりも更に細い溝を安定に形成するための細溝形成方法及びそれによって得られた細溝基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
かかる課題を解決するために、本発明では以下のプロセスを得て細溝を形成している。
まず、基板となるガラス基板やＳｉ基板上にレジストを目的の厚さだけ塗布する。そして、レーザ露光装置を用いてレジスト上にレーザビームを照射し露光を行う。その後、露光したレジストを現像処理することにより露光溝を形成する。次に、異種のポリマーを重合させた高分子膜を塗布した後にこの高分子膜をアニールすることにより露光溝内の長手方向に沿って連続した凝集体を形成する。更に凝集体以外のポリマーを除去する為に酸素プラズマ処理を施す。そして、エッチング処理によって凝集体をマスクにして基板に露光溝よりも細い溝（転写溝）を形成する。最後に残存のレジストおよび凝集体を除去することにより、露光溝幅よりも狭い転写溝を表面に形成した基板を得ることができる。
【０００９】
本発明では、前記プロセスにおいて、レーザビーム照射により形成された露光溝よりも大幅に狭い溝を最終的に基板上に転写した場合に、それぞれの転写溝のトラックピッチが半径方向で一定になるように、露光溝間に対応する転写溝間の幅と凝集体に対応する転写溝間の幅とをほぼ等しくしている（以下、本発明における幅とは、溝深さの半分の位置での値を示す）。更に、基板上に形成された、各凝集体に対応する転写溝間のエッジ部とそのエッジ部に隣接する露光溝間に対応する転写溝間のエッジ部との距離を露光溝に対応する範囲内においてすべてほぼ等しくしている。これにより、実質露光溝のトラックピッチに対して半分以下の狭いトラックピッチの転写溝が形成できることになり、さらに露光溝幅の半分よりも狭い転写溝幅が得られる。ここで、露光溝間に対応する転写溝間の幅と凝集体に対応する転写溝間の幅とを露光溝の幅よりも狭い範囲で変化させることにより、転写溝と転写溝間の幅の比（duty比）を自由に変えることができる。
【００１０】
露光溝に沿って形成された凝集体の列の数が２列以上の場合には、基板上に形成された転写溝の幅がすべて一定になるように、各露光溝間に対応する転写溝とそれに隣接する凝集体に対応する転写溝との距離が露光溝に対応する範囲内においてすべてほぼ等しく、かつ各凝集体に対応する転写溝間同士の間の距離ともほぼ等しくしている。
本発明では、凝集体の列の数をＮ（Ｎは正の整数）、露光溝のトラックピッチをＴｐ、露光溝の幅をＤ、転写溝のトラックピッチをｔｐ、転写溝の幅をｄ、とすると、
Ｔｐ＝（Ｎ+1）＊ｔｐ
Ｄ＝ｄ＋Ｎ＊ｔｐ
ｔｐ−ｄ＝Ｔｐ−Ｄ
の関係式が成り立つ。
【００１１】
すなわち、目的の転写溝のトラックピット（ｔｐ）と転写幅（ｄ）と凝集体の列の数（Ｎ）が決まれば、最初に実施するレーザビーム照射時の露光溝のトラックピッチ（Ｔｐ）と露光溝の幅（Ｄ）が求まるのである。また、大まかな凝集体の幅（ｔｐ−ｄ）も計算により求まり、この幅になるように用いる高分子材料の2種類の分子量及び2種類間の体積分率比を決めれば良い。実際には、凝集体の幅がそのまま転写溝間の幅と一致するとは限らないので、必要に応じて予めエッチング後の転写溝間の幅と凝集体の幅との関係を求めておけばよい。
【００１２】
本発明では、凝集体をマスクにして基板に転写溝を形成する工程及び残存のレジストおよび凝集体を除去する工程として、リアクティブイオンエッチング(RIE)を利用している。
【００１３】
転写溝の深さを制御する為に、エッチングしやすいＳｉＯ２などの膜を基板とレジストの間に転写溝深さ調整用下地膜として設けてもよい。この膜の厚さは、凝集体の幅よりも厚く凝集体の幅の２倍よりも薄い方が好ましい。
【００１４】
露光溝内に連続した凝集体を形成する一つの方法として、異種高分子を化学結合で繋げたブロック共重合体を用いる方法がある。この共重合体は、異種高分子間の反発力によりミクロドメイン構造と呼ばれる数10ｎｍの周期を持つ規則構造を形成することが知られており、この中で、２種類の高分子の体積分率をそれぞれ同じくらいにすると、ラメラ状になる。本発明ではこのようなラメラ状の構造を用いることにより、連続した凝集体を安定に得ることができる。もちろん、ラメラ状構造に限ったことではなく、要するに、ＲＩＥを実施する時にマスクの役目をする連続した凝集体であればよい。
【００１５】
本発明における高分子膜としてジブロックコポリマーを利用するのが好ましい。例えば、ポリスチレン（ＰＳ）とポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）からなるジブロックコポリマーなどである。この組み合わせでは、ＲＩＥにより酸素プラズマ処理に対してエッチングレートが低いＰＭＭＡを選択的に除去することが可能となり、結果としてＰＳを凝集体として残すことが出きる。もちろん、ＰＳとＰＭＭＡとの体積分率を逆にして、ＰＭＭＡを凝集体として残しても良い。
また、ブロック共重合体を用いなくとも、同様な効果が得られる物質・方法であれば良い。
【００１６】
本発明の細溝基板は、基板にレジストを塗布する工程と、レジストにレーザビームを照射し、その後現像手段により露光溝を形成する工程と、露光溝内に長手方向に沿って連続した凝集体を形成する工程と、凝集体をマスクにして基板に露光溝よりも細い溝（転写溝）を形成する工程と、残存のレジストおよび凝集体を除去する工程とを少なくとも実施することにより得られるが、少なくとも転写溝の片側のエッジ部が転写溝の長手方向に、データ情報やサーボ情報に寄与しない範囲内で転写溝の幅よりも短い周期でうねっていても良い。すなわち、露光溝よりも狭い転写溝を得るために、露光溝内に長手方向に沿って連続した凝集体を形成し、これをマスクにして基板に直接転写しているため、凝集体のエッジ部のギザギザやうねりも転写されてしまう場合があるためである。ただし、この凝集体のエッジ部のギザギザやある周期的なうねりが転写されても、データ情報やサーボ情報に寄与しない範囲内で転写溝の幅よりも短い周期であれば問題ない。
【００１７】
本発明では、露光溝よりも狭い転写溝を得るために、前記記載のように露光溝内に長手方向に沿って連続した凝集体を形成し、これをマスクにして基板に直接転写して細溝基板を得ても良いが、目的に応じては、直接転写した細溝基板を原盤として更に従来の方法でニッケルスタンパを作製して同一の細溝基板を多数枚形成しても良いし、あるいはナノインプリント法などにより同一の細溝基板を多数枚形成しても良い。
【００１８】
また、自己組織化した凝集体に対応した部分が、最終的に転写溝となってもあるいは転写溝間となっても目的に応じてどちらになっても良い。
【００１９】
更に、細溝が形成された基板の形状はディスク状に限らない。例えばカード状でも良い。
【００２０】
また本発明で形成された細溝基板は、高密度記録用媒体の基板以外に用いても良い。例えばナノピラー（ナノスケール柱状構造）としてバイオデバイスなどである。
【発明の効果】
【００２１】
かくして本発明によれば、レーザビームを用いた既存の露光装置により、従来よりも更に細い溝を安定に形成するための細溝形成方法及びそれによって得られた細溝基板が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、図面に基づき、本発明を実施するための最良の形態（以下、実施の形態）について詳細に説明する。
【００２３】
（実施例）
図１は、本実施の形態が適用される細溝基板の形成方法を説明するための図である。ここでは、凝集体の列を２列になるように形成した場合について示している。
【００２４】
まず図1（ａ）に示すように、基板として表面にＳｉＯ２膜２を約１００ｎｍ形成した直径１３０ｍｍのＳｉ基板１を用い、この基板上にｉ線用レジスト３を回転塗布（膜厚約１２０ｎｍ）した後、１７０℃、１０分の条件でプリベークを行った(以下、図は基板断面図を示す)。そして、波長３５１ｎｍのＫｒレーザを搭載した露光装置を用いてレジスト上にレーザビームを照射し露光を行った。その後、露光したレジスト３を現像処理することにより、図１（ｂ）に示すような約２８０ｎｍの溝幅の露光溝４を形成した（この図では溝幅をわかりやすくする為に溝形状を矩形にしているが、実際には露光ビーム入射側の方が奥側に比べて広くなる。従って本発明では、溝深さの半分の位置における溝の長手方向に直角方向の長さを幅と定義する）。ここでは、露光溝４のトラックピッチ（Ｔｐ）を３６０ｎｍとしている。次に、このＳｉ基板上のレジスト３のポストベークを実施後、図１（ｃ）に示すように、レジスト上に異種のポリマーを重合させた高分子膜５を回転塗布して露光溝内に充填した。本実施例では、高分子材料として、ポリスチレン（ＰＳ）とポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）からなるジブロックコポリマーを用い、トルエンに１％の濃度で溶解した溶液を調整して使用した。ここで、それぞれの高分子の体積分率はほぼ同じであるが、ＰＳが凝集するように多少比率を制御している。そして高分子膜５を塗布後、真空中で２３０℃、４時間アニールすることにより、図１（ｄ）に示すように、露光溝内の長手方向に沿ってＰＭＭＡ６に囲まれた連続したＰＳからなる凝集体７を形成した。本実施例の場合には、ラメラ構造になっている。この試料に対して、ＣＦ４ガスを用い、出力１００Ｗ、３０ｓｃｃｍ、０．１Ｔｏｒｒで６０秒間リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）を行った。その結果、図１（ｅ）に示すように、ＣＦ４ガスに対してエッチング耐性の低いＰＭＭＡ６が選択的にエッチングされ、さらに残存したＰＳの凝集体７及び露光溝間８をマスクにしてＳｉ基板のＳｉＯ２膜２に溝９が転写される。この場合の、転写溝幅は４０ｎｍ、転写溝間幅は８０ｎｍである。最後にＯ２ガスを用いてＲＩＥを実施し、残存のレジスト３およびＰＳの凝集体７を除去することにより、最終的に図１（ｆ）に示すように、露光溝幅（２８０ｎｍ）よりも狭い転写溝９（４０ｎｍ）を表面に形成した基板を得ることができた。
【００２５】
目的に応じて、この基板をマスターにしてナノインプリント法などにより凹凸が逆転した基板を作製しても良い。
【００２６】
転写溝の深さを制御する為に、エッチングしやすいＳｉＯ２などの膜を基板とレジストの間に転写溝深さ調整用下地膜２として設けたが、この膜の厚さは凝集体の幅よりも厚く凝集体の幅の２倍よりも薄い方が好ましい。場合によっては、下地膜を設けずに直接基板に転写しても良い。
【００２７】
本実施例では露光溝内に連続した凝集体を形成するために、異種高分子を化学結合で繋げたブロック共重合体を用いたが、ジブロックコポリマーのようなブロック共重合体を用いなくとも、同様な効果が得られる物質・方法であれば良い。また、本実施例のようなラメラ状構造に限ったことではなく、要するに、ＲＩＥを実施する時にマスクの役目をする連続した凝集体であればよい。
【００２８】
本実施例では、図１に示したように、凝集体の列の数をＮ（Ｎは正の整数）、露光溝のトラックピッチをＴｐ、露光溝の幅をＤ、転写溝のトラックピッチをｔｐ、転写溝の幅をｄ、とすると、
Ｔｐ＝（Ｎ+1）＊ｔｐ
Ｄ＝ｄ＋Ｎ＊ｔｐ
ｔｐ−ｄ＝Ｔｐ−Ｄ
の関係式が成り立つ。
【００２９】
すなわち、最終的に必要とする転写溝のトラックピット（ｔｐ）と転写幅（ｄ）と凝集体の列の数（Ｎ）が決まれば、最初に実施するレーザビーム照射時の露光溝のトラックピッチ（Ｔｐ）と露光溝の幅（Ｄ）が求まるのである。また、大まかな凝集体の幅（ｔｐ−ｄ）も計算により求まり、この幅になるように用いる高分子材料の2種類の分子量及び2種類間の体積分率比を決めれば良い。実際には、凝集体の幅がそのまま転写溝間の幅と一致するとは限らないので、必要に応じて予めＲＩＥ後の転写溝間の幅と凝集体の幅との関係を求めておけばよい。
【００３０】
これにより、実質露光溝のトラックピッチの半分よりも狭いトラックピッチの転写溝が形成でき、さらに露光溝幅の半分よりも狭い転写溝が得られる。
【００３１】
ただし、上記の関係式が成り立つにはいくつかの必要条件がある。その一つとして、レーザビーム照射により形成された露光溝よりも大幅に狭い溝を、ＲＩＥにより基板上に転写した場合に、それぞれの転写溝のトラックピッチ（ｔｐ）が半径方向で一定になるように、露光溝間に対応する転写溝間の幅と凝集体に対応する転写溝間の幅とをほぼ等しくする必要がある。ここで、図２を用いて詳細に説明する。ここでは、わかりやすくするために凝集体の列が１列の場合においての、露光溝間に対応する転写溝間の幅と凝集体に対応する転写溝間の幅との関係を変化させた場合の比較例を示している（図１（ｅ）に対応した断面図：図２（ａ）〜（ｃ）において露光溝の幅Ｄ及び露光溝のトラックピットＴｐは同じ、凝集体７は露光溝４のほぼ中央部に形成、凝集体７の幅を可変して形成）。例えば、図２（ａ）のように、「露光溝間８に対応する転写溝間１１の幅>凝集体７に対応する転写溝間１０の幅」の場合には、凝集体７に対応する転写溝間１０の両側の溝におけるトラックピッチ（tp1）が、露光溝間８に対応する転写溝間１１の両側の溝におけるトラックピット（tp2）に比べて狭くなってしまう。また、図２（ｃ）のように、「露光溝間８に対応する転写溝間１１の幅<凝集体７に対応する転写溝間１０の幅」の場合には、凝集体７に対応する転写溝間１０の両側の溝におけるトラックピッチ（tp1）が、露光溝間８に対応する転写溝間１１の両側の溝におけるトラックピット（tp2）に比べて広くなってしまう。すなわち、半径方向の転写溝９のトラックピッチ（ｔｐ）を半径方向で一定にする為には、図２（ｂ）に示したように、露光溝間８に対応する転写溝間１１の幅と凝集体７に対応する転写溝間１０の幅とをほぼ等しくする必要がある。できれば露光溝間８に対応する転写溝間１１の幅と凝集体７に対応する転写溝間１０の幅とを一致させるのが好ましいが、実際には露光マージンなどの影響で多少の幅の誤差が生じてしまう。従って、本発明では記録再生装置で問題とならない程度の幅の誤差であれば良い。図１に示す本実施例の場合には、露光溝間に対応する転写溝間の幅と凝集体に対応する転写溝間の幅との差を、２ｎｍ以下にしている。また、露光溝間８に対応する転写溝間１１の幅と凝集体７に対応する転写溝間１０の幅とを同じ大きさだけ同時に露光溝４の幅よりも狭い範囲で変化させることにより、転写溝９のduty比を自由に変えることができる。
【００３２】
この時、露光溝間８に対応する転写溝間１１の幅と凝集体７に対応する転写溝間１０の幅とをほぼ等しくしたとしても、基板上に形成された、各凝集体７に対応する転写溝間１０のエッジ部とそのエッジ部に隣接する露光溝間８に対応する転写溝間１１のエッジ部との距離が露光溝４に対応する範囲内においてすべてほぼ等しくしていないと、今度は半径方向の転写溝の幅が大きく異なってしまう。これに関しては、図３を用いて詳細に説明する。ここでは説明上、露光溝４が３列で露光溝内における凝集体の列が１列の場合を示している。図３（ａ）及び図３（ｃ）は、凝集体７に対応する転写溝間１０の一方のエッジ部と、このエッジ部に隣接する露光溝間８Ａに対応する転写溝間１１Ａの一方のエッジ部との距離（ｄ１）と、凝集体７に対応する転写溝間１０の他方のエッジ部と、このエッジ部に隣接する露光溝間８Ｂに対応する転写溝間１１Ｂのエッジ部との距離（ｄ２）の大きさが大きく異なる場合を示している。この場合の半径毎のトラックピッチ（ｔｐ）は同じであるが、転写溝９の幅は一定でなくなってしまう。それに対して、図３（ｂ）に示したように、凝集体７に対応する転写溝間１０の一方のエッジ部と、このエッジ部に隣接する露光溝間８Ａに対応する転写溝間１１Ａの一方のエッジ部との距離（ｄ１）と、凝集体７に対応する転写溝間１０の他方のエッジ部と、このエッジ部に隣接する露光溝間８Ｂに対応する転写溝間１１Ｂのエッジ部との距離（ｄ２）の大きさがほぼ同じ場合には、半径毎のトラックピッチ（ｔｐ）及び転写溝の幅（ｄ）はほぼ一定となる。図３（ｂ）のように凝集体７の列の数が１列の場合には、露光溝４内の中央部に凝集体７を形成すれば良い。  ここで、露光溝に沿って形成された凝集体の列の数が２列以上の場合、例えば図４に示したように３列の場合には、基板上に形成された、各凝集体７に対応する転写溝間１０のエッジ部と露光溝間８に対応する転写溝間１１のエッジ部との距離（ｄ１及びｄ２）がほぼ等しく、かつ各凝集体７に対応する転写溝間１０の間の距離（ｄ３及びｄ４）ともほぼ等しくしている。即ち、ｄ１≒ｄ２≒ｄ３≒ｄ４である。結局、凝集体の列の数が２列以上の場合には、基板上に形成された転写溝の幅がすべて一定になるように、各露光溝間に対応する転写溝とそれに隣接する凝集体に対応する転写溝との距離が露光溝に対応する範囲内においてすべてほぼ等しく、かつ各凝集体に対応する転写溝間同士の間の距離ともほぼ等しくしている。図１に示した本実施例では、一つの凝集体に対応する転写溝間の一方のエッジ部と、このエッジ部に隣接する露光溝間に対応する転写溝間の一方のエッジ部との距離と、もう一つの凝集体に対応する転写溝間のエッジ部と、このエッジ部に隣接する露光溝間に対応する転写溝間のエッジ部との距離と、この二つの凝集体に対応する転写溝間の間の距離とのそれぞれの差を最大でも２ｎｍ以下にしている。
【００３３】
なお上記の幅の差及び距離の差の値は、最終的に形成しようとする転写溝の大きさによって異なる。記録再生装置の仕様によって多少変わってくるが、本発明においては転写溝の大きさの１０％以内に抑えるようにしている。更に５％以内が特に好ましい。
【００３４】
本実施例で作製した細溝基板は、少なくとも転写溝の片側のエッジ部が転写溝の長手方向に、データ情報やサーボ情報に寄与しない範囲内で転写溝の幅よりも短い周期でうねっている。すなわち、露光溝よりも狭い転写溝を得るために、露光溝内に長手方向に沿って連続した凝集体を形成し、これをマスクにして基板に直接転写しているため、凝集体のエッジ部のギザギザやうねりが転写された為である。ただし、この凝集体のエッジ部のギザギザやある周期的なうねりが転写されても、データ情報やサーボ情報に寄与しない範囲内で転写溝の幅よりも短い周期であれば問題ない。
【００３５】
本実施例では自己組織化した凝集体に対応した部分が最終的に転写溝間となっているが、目的に応じて転写溝となっても良い。
【００３６】
本実施例では、露光溝よりも狭い転写溝を得るために、露光溝内に長手方向に沿って連続した凝集体を形成し、これをマスクにして基板に直接転写して細溝基板を得た。更に多くの細溝基板を得るために、前記プロセスで得た細溝基板を原盤として、電鋳プロセスを経てニッケルスタンパを取り、それを元にポリカーボネイト基板上に同一の細溝構造を転写したが、このような電鋳プロセスを得ずに、直接細溝基板をマスターにしてナノインプリント法などにより同一構造の細溝基板を多数枚形成しても良い。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本実施例における細溝基板の形成方法を説明する為の図
【図２】本実施例において凝集体の幅を変えた場合のトラックピッチの変化を説明する為の図
【図３】本実施例において凝集体の形成位置を変えた場合の転写溝幅の変化を説明する為の図
【図４】本実施例において凝集体の列の数が３列の場合における転写幅の大きさを説明する為の図
【符号の説明】
【００３８】
１    Ｓｉ基板
２    ＳｉＯ２膜
３    ｉ線用レジスト
４    露光溝
５    高分子膜
６    ＰＭＭＡ部分
７    ポリスチレンからなる凝集体
８、８Ａ、８Ｂ    露光溝間
９    転写溝
１０    凝集体に対応する転写溝間
１１，１１Ａ、１１Ｂ    露光溝間に対応する転写溝間
【図１】
2006215052.tif 000003
【図２】
2006215052.tif 000004
【図３】
2006215052.tif 000005
【図４】
2006215052.tif 000006