(57)【要約】【課題】  薄膜付着力が高く膜質が安定したカーボン膜（ｔａ−Ｃ膜）を形成することができるカソーディックアーク成膜方法の提供。【解決手段】  成膜チャンバ４に内に設けられた基板ステージ４２を成膜チャンバ４の底部へ向け、対向電極部４９に対向させる。そして、ＲＦ高周波電源４８に高周波を印加することによって基板ステージ４２に装着した基板４１の成膜面４１ａを逆スパッタする。次に、基板ステージ４２をプラズマビーム導入開口部４ａへ向ける。陰極アーク放電によりカーボンターゲット１１を衝撃してカーボンイオンを含むプラズマビームＢを生成し、そのプラズマビームＢを成膜面４１ａに照射してカーボン膜を成膜する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
陰極アーク放電によりカーボンターゲットを衝撃してカーボンイオンを含むプラズマビームを生成し、そのプラズマビームを成膜容器内に配置された被成膜体に照射してカーボン膜を成膜するカソーディックアーク成膜方法において、
前記被成膜体の前記カーボン膜を成膜する成膜面を、前記カーボン膜を成膜する前に、前記成膜容器内で逆スパッタすることを特徴とするカソーディックアーク成膜方法。
【請求項２】
請求項１記載のカソーディックアーク成膜方法において、
前記被成膜体を保持する保持部材にパルス電圧を印加することによって前記被成膜体の前記成膜面を逆スパッタすることを特徴とするカソーディックアーク成膜方法。
【請求項３】
陰極アーク放電によりカーボンターゲットを衝撃してカーボンイオンを含むプラズマビームを生成し、そのプラズマビームを成膜容器内に配置された被成膜体に照射してカーボン膜を成膜する成膜装置において、
前記被成膜体を保持する保持部材と、
前記保持部材に対向する位置に配置された対向電極と、
前記被成膜体と対向電極との間で電界をかけ、前記被成膜体の前記カーボン膜を成膜する成膜面を前記成膜容器内で逆スパッタする電圧印加手段とを備えたことを特徴とする成膜装置。
【請求項４】
請求項３記載の成膜装置において、
前記電圧印加手段によって印加される電圧がパルス電圧であることを特徴とする成膜装置。
【請求項５】
請求項３または４記載の成膜装置において、
前記成膜容器には、前記プラズマビームを前記成膜容器内に導入するプラズマビーム導入開口部と、
前記プラズマビーム導入開口部を開閉するシャッタとが設けられていることを特徴とする成膜装置。
【請求項６】
請求項３乃至５のいずれか一項に記載の成膜装置において、
前記保持部材は、前記成膜面の面方向を第１の方向と第２の方向とに変更する面方向変更機構を有し、前記第１の方向では、前記成膜容器内に導入されるプラズマビームが前記成膜面に入射し、前記第２の方向では、前記成膜面が前記対向電極と相対することを特徴とする成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、カーボン膜を成膜するカソーディックアーク成膜方法およびカーボン膜の成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
靱性の高いカーボン膜（ｔａ−Ｃ（tetrahedral amorphous carbon）膜）を形成することができるカソーディックアーク成膜方法および成膜装置が知られている（特許文献１）。
【特許文献１】特開２００３−２３９０６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
特許文献１に記載されているカソーディックアーク成膜方法および成膜装置によって靱性の高いカーボン膜（ｔａ−Ｃ膜）を形成することができる。しかし、成膜する基板の表面形状によっては、成膜したｔａ−Ｃ膜の付着力が低下したり、あるいは膜剥離が発生するという問題点がある。また、成膜する基板の表面のばらつきによって膜質（硬度、密度、モルフォロジー、内部応力など）が安定しないという問題点もある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
請求項１の発明は、陰極アーク放電によりカーボンターゲットを衝撃してカーボンイオンを含むプラズマビームを生成し、そのプラズマビームを成膜容器内に配置された被成膜体に照射してカーボン膜を成膜するカソーディックアーク成膜方法において、被成膜体のカーボン膜を成膜する成膜面を、カーボン膜を成膜する前に、成膜容器内で逆スパッタすることを特徴とする。
請求項２の発明は、請求項１記載のカソーディックアーク成膜方法において、被成膜体を保持する保持部材にパルス電圧を印加することによって被成膜体の成膜面を逆スパッタすることを特徴とする。
請求項３の発明は、陰極アーク放電によりカーボンターゲットを衝撃してカーボンイオンを含むプラズマビームを生成し、そのプラズマビームを成膜容器内に配置された被成膜体に照射してカーボン膜を成膜する成膜装置において、被成膜体を保持する保持部材と、保持部材に対向する位置に配置された対向電極と、被成膜体と対向電極との間で電界をかけ、被成膜体のカーボン膜を成膜する成膜面を成膜容器内で逆スパッタする電圧印加手段とを備えたことを特徴とする成膜。
請求項４の発明は、請求項３記載の成膜装置において、電圧印加手段によって印加される電圧が、パルス電圧であることを特徴とする。
請求項５の発明は、請求項３または４記載の成膜装置において、成膜容器には、プラズマビームを成膜容器内に導入するプラズマビーム導入開口部と、プラズマビーム導入開口部を開閉するシャッタとが設けられていることを特徴とする。
請求項６の発明は、請求項３乃至５のいずれか一項に記載の成膜装置において、保持部材は、成膜面の面方向を第１の方向と第２の方向とに変更する面方向変更機構を有し、第１の方向では、成膜容器内に導入されるプラズマビームが成膜面に入射し、第２の方向では、成膜面が対向電極と相対することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００５】
本発明によれば、成膜容器内で、成膜面が逆スパッタされてクリーニングされ、その後、カーボン膜を成膜するようにしたので、カーボン膜の薄膜付着力を高めることができ、また膜質が安定する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
以下、図を参照して本発明の実施の形態を説明する。図１はカソーディックアーク成膜装置の概略構成図である。図１に示すように、成膜装置は、プラズマ発生部１、プラズマ移送部２、スキャニング装置３、成膜チャンバ４および装置全体を制御する制御装置５で構成されている。なお、成膜装置内は真空排気装置により真空排気される。
【０００７】
プラズマ発生部１は、ターゲット１１が装着される陰極部１０と、陰極部１０が固定される陽極チャンバ１２と、アーク放電のきっかけを作るためのトリガ１４とを備えている。カーボン膜であるｔａ−Ｃ膜を成膜する本実施の形態の場合には、ターゲット１１としてカーボングラファイトが用いられる。陰極部１０はアーク電源（定電流源）１３の負端子に接続されている。
【０００８】
一方、トリガ１４およびアーク電源１３の正端子に接続されている陽極チャンバ１２はそれぞれ接地されていてアース電位となっている。トリガ１４は、軸１４０を回転軸としてステップモータ等の駆動部１５により回転駆動される。トリガ１４の角度は図示しない角度センサで検出される。
【０００９】
陰極部１０と陽極チャンバ１２とは、絶縁部材６によって電気的に絶縁されている。陽極チャンバ１２の外周には陽極チャンバ１２内にアキシャル磁場を形成する磁気コイル１６が設けられており、電源１７から励磁電流が供給される。なお、図示していないが、陰極部１０には水冷ジャケットのような冷却手段が設けられている。
【００１０】
プラズマ移送部２は、屈曲したトロイダルダクト２０とその周囲に設けられた磁気コイル２１とを有している。磁気コイル２１にも電源１７から励磁電流が供給される。プラズマ移送部２と陽極チャンバ１２とは絶縁材２３を介して互いに固定されていて、両者は電気的に絶縁されている。トロイダルダクト２０にはバイアス電源２２により正のバイアス電圧が印加されている。
【００１１】
成膜チャンバ４内には基板ステージ４２が設けられており、この基板ステージ４２に成膜対象物である基板４１が装着される。基板ステージ４２は基板４１をその平面内で回転することができ、また矢印Ｒが示すように基板４１の角度を９０度変更することができる。すなわち、基板ステージ４２は図示しない回転機構と面方向変更機構とを有している。また、基板ステージ４２はＲＦ高周波電源４８と接続しており、基板ステージ４２には、１３．５６ＭＨｚの高周波電圧が印加される。
【００１２】
成膜チャンバ４内にはシャッタ４１０も設けられており、シャッタ４１０の開閉動作により成膜チャンバ４とビーム導入ダクト部４３とを連通、遮断することができる。換言すると、成膜チャンバ４には、プラズマビームＢが成膜チャンバ４内に導入するプラズマビーム導入開口部４ａと、このプラズマビーム導入開口部４ａを開閉するシャッタ４１０とが設けられている。シャッタ４１０は、不図示の開閉機構を用いて矢印Ｓで示すような移動軌跡を通って成膜チャンバ４の底部に、すなわち、図１の破線で示す位置まで移動することができる。成膜チャンバ４の底部には対向電極部４９が設けられており、この対向電極部４９はアース電位に保たれて放電の安定化に寄与する。シャッタ４１０を成膜チャンバ４の底部に移動するに従って、対向電極部４９は矢印Ｔに示すように、成膜チャンバ４の下部に設けられた対向電極格納部４１１に格納される。すなわち、シャッタ４１０と対向電極部４９は互いに干渉しないように駆動される。
【００１３】
さらに図１において、４４はＡｒガス供給装置であり、成膜チャンバ４内には、Ａｒガス供給装置４４からバルブＶ１、Ｖ２およびマスフローコントローラ４５を介してＡｒガスが供給される。成膜チャンバ４には真空ポンプ４７が設けられており、真空ポンプ４７と成膜チャンバ４の間には可変コンダクタンスバルブＶ３が設けられている。チャンバ４内にＡｒガスを供給しつつ可変コンダクタンスバルブＶ３で調整しながら真空排気することにより、チャンバ４内を所定圧力のＡｒガス雰囲気に置換することができる。また、Ａｒガスの供給を止め、真空排気することによって、成膜チャンバ４内を真空状態に保つことができる。
【００１４】
成膜チャンバ４とプラズマ移送部２とは絶縁部材４０を介して固定されていて、互いに電気的に絶縁されている。成膜チャンバ４のビーム導入ダクト部４３の周囲にはスキャニング装置３が設けられており、プラズマ移送部２から出射されたプラズマビームＢをビームに直交する方向に偏向走査する。
【００１５】
スキャニング装置３は、例えば、一対のＣ字形状磁気コア（不図示）から成る。一方の磁気コアの磁極はビーム導入ダクト部４３を挟んで図示上下に配設され、他方の磁気コアの磁極はビーム導入ダクト部４３を挟んで紙面に直交する方向に配設される。この場合、プラズマビームＢは図示上下方向および紙面に直交する方向に偏向走査される。スキャニング装置３の磁気コアにはソレノイドコイル（不図示）が巻き付けられており、そのソレノイドコイルには電源４６により励磁電流が供給される。
【００１６】
次に成膜プロセスの前に行う逆スパッタリングプロセスの工程を、図２を参照して説明する。工程Ｓ２０１では、基板ステージ４２を下方に向けて配置し、すなわち、基板４１の成膜面４１ａを対向電極部４９と相対し、また、シャッタ４１０をプラズマビーム導入開口部４ａを塞ぐ位置とする。そして対向電極部４９を成膜チャンバ４の下方の逆スパッタリング位置に上昇させる。これら基板ステージ４２、シャッタ４１０および対向電極部４９を図１では実線で示している。シャッタ４１０でプラズマビーム導入開口部４ａを塞ぐのは、逆スパッタリングプロセスで発生した不純物がプラズマ移送部２に侵入しないようにするためである。
【００１７】
工程Ｓ２０２では、成膜チャンバ４内の雰囲気を次のように制御する。すなわち、Ａｒガスのガス流量を３０ｓｃｃｍに、圧力を０．５〜１０Ｐａに制御する。Ａｒガスのガス流量はマスフローコントローラ４５によって制御され、成膜チャンバ４内の圧力は可変コンダクタンスバルブＶ３によって調圧される。次に工程Ｓ２０３では、ＲＦ高周波電源４８によって基板ステージ４２に１３．５６ＭＨｚの高周波を、２００〜６００ＷのＲＦ電力で印加する。基板４１の成膜面４１ａが所定量逆スパッタされた後、たとえば所定時間逆スパッタリングプロセスを行った後、工程Ｓ２０４において、ＲＦ高周波電源を止める。以上のようにして基板４１の成膜面４１ａが逆スパッタされる。
【００１８】
次に逆スパッタリングプロセスの後に行う成膜プロセスの工程を、図３を参照して説明する。工程Ｓ３０１では、基板ステージ４２の角度を９０度変更し、図１の破線で示すように基板４１の成膜面４１ａをプラズマビーム導入開口部４ａに向ける。このとき、基板４１の成膜面４１ａはプラズマビームＢが入射する。なお、プラズマビームＢが成膜面４１ａに斜め入射するように基板ステージ４２を任意角度で傾動させることもできる。工程Ｓ３０２では、シャッタ４１０をプラズマビーム導入開口部４ａを閉じる位置から開放する位置へ移動する。このとき、シャッタ４１０は、図１の破線で示すように、成膜チャンバ４の底部へ移動する。なお、シャッタ４１０の移動に先立って対向電極部４９を対向電極格納部４１１へ格納する。
【００１９】
工程Ｓ３０３では、Ａｒガスの供給を止め、成膜チャンバ４内を真空排気することによって、成膜チャンバ４内を真空状態に制御する。工程Ｓ３０４では、プラズマ移送部２から成膜チャンバ４へプラズマビームＢを移送して基板４１の成膜面４１ａに照射する。基板４１の成膜面４１ａに成膜されたｔａ−Ｃ膜が所定の膜厚になった後、すなわち、所定時間成膜した後、工程Ｓ３０５でプラズマビームＢの照射を止め、シャッタ４１０でプラズマビーム導入開口部４ａを塞ぐ。以上のようにして、基板４１の成膜面４１ａにｔａ−Ｃ膜が成膜される。
【００２０】
次に、工程Ｓ３０４で行われるプラズマビームＢの照射について詳細に説明する。プラズマ発生部１内でアーク放電を生じさせる際には、図１の破線で示す位置に退避していたトリガ１４を駆動部１５により回転駆動してターゲット１１側に倒す。陰極部１０と陽極チャンバ１２との電位差はアーク電源１３により数１０〜数１００ボルトに設定されており、トリガ１４の先端に設けられたグラファイトから成るトリガチップ１４ａがターゲット１１の表面に接触するとアーク放電が発生する。
【００２１】
アーク放電が発生するとプラズマが生成され、このプラズマにはターゲット１１から放出されたターゲットイオン（正イオン）が含まれている。ターゲット１１がグラファイトの場合には、アーク放電によりカーボンイオンを含むプラズマが生成される。このとき、グラファイトターゲット１１からはカーボンイオンの他にマクロパーティクルと呼ばれる多数のカーボン原子から成るクラスターが放出される。
【００２２】
制御装置５はアーク電源１３の状態を常時モニタし、アーク放電の発生を検出したならば駆動部１５へ指令を送り、ターゲット１１の表面からトリガ１４を引き上げる。このとき、アーク放電発生時のトリガ１４の角度位置が上述した角度センサにより検出され、検出された角度位置は制御装置５に設けられた記憶部（不図示）に記憶される。アーク放電発生後、放電状態は時間が経過するにつれて弱まってくるので、再びトリガ１４を記憶された位置まで駆動部１５により移動させて、安定したアーク放電が維持されるように制御する。
【００２３】
陽極チャンバ１２内には上述したように磁気コイル１６によるアキシャル磁場が形成されており、アーク放電により生成されたカーボンイオンや電子を含むプラズマは、このアキシャル磁場により集束されるとともにプラズマ移送部２のトロイダルダクト２０へと導かれる。プラズマ移送部２においても、トロイダルダクト２０の周囲に設けられた磁気コイル２１によりトロイダルダクト２０の軸に沿ったアキシャル磁場が形成されており、プラズマはこの磁場に沿って成膜チャンバ４へと移送される。
【００２４】
プラズマビームＢにはカーボンイオンや中性のカーボンパーティクル等が含まれている。プラズマビームＢのプラズマ密度はプラズマ断面中心から周辺へと低くなっており、図１の符号Ｂで示した領域は所定密度以上の範囲を表している。カーボンイオンは電荷を帯びているため互いに反撥し、そのラジアル分布はカーボンパーティクルの分布形よりもブロードになっている。そのため、トロイダルダクト２０に正のバイアス電圧を印加してダクト内にラジアル電場を形成し、ダクト中央にカーボンイオンを集めて高密度プラズマとなるようにしている。
【００２５】
プラズマビームＢがトロイダルダクト２０の屈曲部で曲げられた際に、電気的に中性なカーボンパーティクルはそのまま直進してトロイダルダクト２０によりトラップされる。このように、プラズマビームＢの移送経路を曲線的にすることにより、膜質低下の原因となるカーボンパーティクルをビームＢから除去することができる。
【００２６】
成膜チャンバ４に導かれたプラズマビームＢは、基板ステージ４２に装着された基板４１に照射される。このとき、スキャニング装置３を用いてプラズマビームＢをその直交する方向に偏向走査することにより、基板４１の広い領域に均一にプラズマビームＢを照射することができる。
【００２７】
本実施の形態の成膜装置では、プラズマビームＢを基板４１に照射して成膜を行う際に、成膜チャンバ４内は真空ポンプ４７により真空状態に保たれる。以上のようにして基板４１の成膜面４１ａにプラズマビームＢは照射される。
【００２８】
本発明の実施の形態による成膜装置は次のような作用効果を奏する。
（１）ｔａ−Ｃ膜の成膜プロセスの前に成膜チャンバ４内で、逆スパッタリングプロセスを行い、その後基板４１の成膜面４１ａにｔａ−Ｃ膜を成膜する。したがって、基板４１の成膜面４１ａに付着した不純物や、基板４１の成膜面４１ａに生成した自然酸化膜などを除去した後に成膜することになるので、基板４１へ成膜したｔａ−Ｃ膜の薄膜付着力を高めることができる。また、逆スパッタリングプロセスにより、基板４１の成膜面４１ａを均一にした後、ｔａ−Ｃ膜を成膜するので、複数の基板４１の成膜面４１ａは均一となり、基板間によるｔａ−Ｃ膜の膜質のばらつきを防ぐことができる。よって、ｔａ−Ｃ膜の膜質（高度、密度、モルフォロジー、内部応力など）の向上と安定化を図ることができる。
（２）逆スパッタリングプロセスも成膜プロセスも同一成膜チャンバ４内で行う。よって、基板４１の逆スパッタリングプロセスを行った後、基板４１の成膜面４１ａに不純物が付着することなく成膜プロセスを行うことができる。逆スパッタリングプロセスを行うチャンバと成膜プロセスを行うチャンバが異なると、チャンバ間の移動中に基板４１の成膜面４１ａに不純物が付着するおそれがある。特に近年は薄膜の薄層化が進み、微量の不純物の原子が付着しただけでも問題が生じる場合がある。よって、成膜する薄膜の膜厚が薄くなればなるほど本発明の効果は大きくなる。
（３）逆スパッタリングプロセス中、シャッタ４１０でプラズマビーム導入開口部４ａを塞ぐ。よって、逆スパッタリングプロセスで基板４１の成膜面４１ａから逆スパッタされた物質がプラズマ発生部１やプラズマ移送部２に飛散することがなく、飛散物質によるｔａ−Ｃの膜質の低下を防止することができる。
（４）基板ステージ４２は矢印Ｒ方向に回転することができる。よって、回転角度を適宜選択することによって成膜チャンバ４に対するイオン移送部２などの位置を自由に配置することができ、成膜装置の設計の自由度が大きくなる。
【００２９】
上述した実施の形態では、スキャニング装置３で交流磁場を形成してカーボンイオンＣを偏向するようにしたが、永久磁石を用いたり電場を形成してカーボンイオンＣを偏向するようにしても良い。また、トロイダルダクト２０はダブルベントタイプとしたが、シングルベントタイプのダクトを用いても良い。
【００３０】
上述した実施の形態による成膜装置では、逆スパッタリングプロセスで、基板ステージ４２に高周波電圧を印加して逆スパッタリングを行うようにしたが、ＲＦ高周波電源４８の変わりにパルスＤＣ電源を用いて、所定周波数のパルス電圧を基板ステージに４２に印加してもよい。
【００３１】
基板ステージ４２に高周波を印加した場合、発生するプラズマを安定させるために電源側のインピーダンスとプラズマ側のインピーダンスをマッチングさせる必要がある。しかし、基板ステージ４２に所定周波数のパルス電圧を印加する場合はインピーダンスのマッチングさせる必要はない。基板ステージ４２に、基板４１を回転または傾斜させるための駆動部を内蔵させたり、または基板４１を加熱または冷却させる機能を基板ステージ４２が備えた場合、一般に基板ステージ４２の構造が複雑になるので、インピーダンスをマッチングさせることが困難になる。このような場合、基板ステージ４２に印加する電圧としてインピーダンスのマッチングをとる必要のないパルス電圧を用いると、安定したプラズマで逆スパッタリングプロセスを行うことができるという効果を有する。
【００３２】
パルス電圧を基板ステージ４２に印加することによって、基板４１の成膜面４１ａが逆スパッタされ、クリーニングされるプロセスは次の通りである。基板ステージ４２に対して負の電圧が印加されているとき基板４１の成膜面４１ａに負の電位が発生する。このため、成膜チャンバ４内のＡｒプラスイオンが基板４１の成膜面４１ａに衝突し、基板４１の成膜面４１ａが逆スパッタされる。そして、基板４１の成膜面４１ａに付着した不純物や汚染物質、自然酸化膜は除去される。
【００３３】
逆スパッタリングプロセスで、パルス電圧を印加する場合の成膜チャンバ４内の雰囲気の条件は、Ａｒガスのガス流量が３０ｓｃｃｍに、圧力が０．５〜１０Ｐａである。また、パルスＤＣ電源によって基板ステージ４２に印加するパルス電圧の条件は、負側の印加電圧が−２００〜−６００Ｖ、正側の印加電圧が＋２０〜＋１２０Ｖ、パルス幅が１〜３０μｓ、パルス周波数が１０ｋＨｚ〜１００ｋＨｚである。
【００３４】
負側の印加電圧−２００〜−６００Ｖのほかに、正側の印加電圧＋２０〜＋１２０Ｖを印加することにより、負側の電圧を印加した際基板４１の成膜面４１ａにチャージされる負の電荷を中和することができる。これにより、基板４１に直流の電界により発生するアーク放電を防止することができる。
【００３５】
上述した実施の形態による成膜装置では、逆スパッタリングプロセスから成膜プロセスへ移る際、基板ステージ４２の角度を９０度変更したが、成膜装置の構成によって、またはプラズマビームＢを基板４１の成膜面４１ａに入射させる角度によって基板ステージ４２の角度は適宜変更してもよい。
【００３６】
上述した実施の形態による成膜装置では、基板表面にｔａ−Ｃ膜を成膜するものとしたが、ｔａ−Ｃ膜の成膜の対象は基板に限定されない。たとえば、非球面レンズ成形用金型の表面を逆スパッタし、非球面レンズ成形用金型の表面処理被膜としてｔａ−Ｃ膜を成膜してもよい。この場合、金型の表面の硬度が増加して、金型の寿命を飛躍的に向上することができる。
【００３７】
逆スパッタリングプロセスにおける成膜チャンバ４内の雰囲気は、上述した実施の形態の成膜チャンバ４内の雰囲気に限定されるものではなく、成膜の対象となる被成膜体によって、導入するガスの種類やガス流量、成膜チャンバ４内の圧力など適宜変更することができる。また、逆スパッタリングプロセスにおける基板ステージ４２に印加する電圧の条件は、上述した実施の形態の基板ステージ４２に印加する電圧の条件に限定されるものではなく、成膜の対象となる被成膜体によって、高周波電圧の周波数やＲＦ電力、パルス電圧の印加電圧やパルス幅、パルス周波数など適宜変更することができる。
【００３８】
特許請求の範囲の要素と実施の形態との対応関係を説明する。
本発明のカーボンターゲットはターゲット１１に対応し、成膜容器は成膜チャンバ４に対応し、被成膜体は基板４１または非球面レンズ成形用金型にそれぞれ対応する。保持部材は基板ステージ４２に対応し、対向電極は対向電極部４９に対応し、電圧印加手段はＲＦ高周波電源４８またはパルスＤＣ電源にそれぞれ対応する。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明によるカソーディックアーク成膜装置の一実施の形態を示す図であり、成膜装置の概略構成を示したものである。
【図２】基板ステージに高周波を印加したときの逆スパッタリングプロセス工程を説明するフローチャートである。
【図３】成膜プロセス工程を説明するフローチャートである。
【符号の説明】
【００４０】
１  プラズマ発生部
２  プラズマ移送部
３ スキャニング装置
４  成膜チャンバ
４ａ  プラズマビーム導入開口部
５  制御装置
１０  陰極部
１１  ターゲット
１２  陽極チャンバ
１３  アーク電源
１４  トリガ
１５  駆動部
２０  トロイダルダクト
４１  基板
４１ａ  成膜面
４２  基板ステージ
４３  ビーム導入ダクト部
４４  Ａｒガス供給装置
４５  マスフローコントローラ
４８  ＲＦ高周波電源
４９  対向電極部
４１０  シャッタ
４１１  対向電極格納部
Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３  バルブ
【図１】
2006028563.tif 000003
【図２】
2006028563.tif 000004
【図３】
2006028563.tif 000005