(57)【要約】【課題】リソグラフィ装置、照明系およびフィルタ装置の提供。【解決手段】フィルタ装置は、少なくとも第１および第２ヒート・シンクを含む。第１組の箔の個々の箔は第１ヒート・シンクに熱的に接続され、また、第２組の箔の個々の箔は第２ヒート・シンクに熱的に接続されているため、使用中、第１組の箔の個々の箔を介して熱が実質的に第１ヒート・シンクに導かれ、また、第２組の箔の個々の箔を介して熱が実質的に第２ヒート・シンクに導かれる。第１組の箔は、所定横断面の実質的に第１区画内に延在し、第２組の箔は、所定の横断面の実質的に第２区画内に延在している。第１区画と第２区画は事実上重畳しない。【選択図】図２
2006191061.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）放射線を放出する放射源と、
（ｂ）前記放射源によって放出される前記放射線の所定の横断面から破片粒子を除去するようになされたフィルタ装置であって、前記破片粒子を捕捉するための少なくとも第１組の箔、および、第２組の箔を含むフィルタ装置と、
（ｃ）前記放射源によって放出される前記放射線を調整された放射ビームにするようになされた照明系とを含む、投影放射ビームを形成するようになされた放射系と、
前記投影放射ビームを基板に投射するようになされた投影系とを含むリソグラフィ装置であって、
前記フィルタ装置が、少なくとも第１ヒート・シンクおよび第２ヒート・シンクを更に含み、前記第１組の箔の個々の箔が前記第１ヒート・シンクに熱的に接続され、前記第２組の箔の個々の箔が前記第２ヒート・シンクに熱的に接続され、それにより、使用中、前記第１組の個々の箔を介して熱が実質的に前記第１ヒート・シンクに向かって導かれ、前記第２組の個々の箔を介して熱が実質的に前記第２ヒート・シンクに向かって導かれ、前記第１組の箔が前記所定の横断面の実質的に第１区画内で延在し、前記第２組の箔が前記所定の横断面の実質的に第２区画内で延在し、前記第１区画と前記第２区画が実質的に重畳していないリソグラフィ装置。
【請求項２】
前記第１組の箔のうちの少なくとも１つの箔および／または前記第２組の箔のうちの少なくとも１つの箔が、それぞれのヒート・シンクとの接続を除き、前記フィルタ装置の他のいかなる部分にも接続されていない請求項１に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記フィルタ装置が、前記放射ビームに露光された場合に、実質的にすべての前記フィルタ装置が所定の最高温度未満を維持するようになされた請求項１に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記第１組の箔のうちの少なくとも１つの箔および前記第２組の箔のうちの少なくとも１つの箔が実質的に同じ仮想平面内で延在している請求項１に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記仮想平面内における前記第１組の箔の前記箔と前記第２組の箔の個々の箔の間の距離が、前記第１組の前記箔および前記第２組の個々の箔がそれぞれ個々の最高温度に達した場合に、前記第１組の前記箔と前記第２組の個々の箔の間に一定のギャップが維持されるように選択される請求項４に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記仮想平面が、前記放射源が放射線を放出する位置に一致することが意図されている所定の位置を通って延在している請求項４に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記第１組の箔のうちの少なくとも１つの箔が、前記第２組の箔のうちの２つの箔の間の比較的小さな部分で延在している請求項１に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項８】
使用中、前記第１組の箔の個々の箔および／または前記第２組の箔の個々の箔が、前記放射線が伝搬する経路に沿った破片粒子の進路内で破片粒子を妨害することによって能動的に破片粒子を捕獲することができるよう、前記フィルタ装置の少なくとも一部が移動可能である請求項１に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項９】
前記第１組の箔の個々の箔が第１リングに接続され、前記第２組の箔の個々の箔が第２リングに接続され、前記第１リングおよび前記第２リングが空間的に分離され、かつ、共通の軸線を有する請求項１に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項１０】
前記第１組の箔の個々の箔が前記第２リングに向かって展開し、前記第２組の箔の個々の箔が前記第１リングに向かって延在している請求項９に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項１１】
前記第１および第２ヒート・シンクのうちの少なくとも一方が能動的に冷却されるようになされた請求項１に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項１２】
前記第１および第２ヒート・シンクの各々が、他のすべてのヒート・シンクとは別に冷却されるようになされた請求項１１に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項１３】
前記第１および第２ヒート・シンクのうちの少なくとも一方が、前記第１組または前記第２組のうちのいずれか一方の組の箔の個々の箔に接続するための少なくとも１つの支持部材と、冷却されるようになされた表面を有する冷却手段とを備え、前記冷却手段および前記少なくとも１つの支持部材が、前記冷却手段の前記表面と前記支持部材の間にギャップが形成されるように互いに配置され、更に前記冷却手段が前記ギャップにガスを注入するようになされた請求項１１に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項１４】
前記ギャップにガスが流入する入口位置と前記ギャップからガスが流出する出口位置の間の経路がうねり経路を形成している請求項１３に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項１５】
前記ギャップが、前記冷却手段の前記表面と前記少なくとも１つの支持部材の間の最も狭い間隔が、約２０マイクロメートルから約２００マイクロメートルまで変化する範囲になるようになされた請求項１３に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項１６】
前記ギャップが、前記冷却手段の前記表面と前記支持部材の間の最も狭い間隔が約４０マイクロメートルから約１００マイクロメートルまで変化する範囲になるようになされた請求項１５に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項１７】
前記支持部材の形状がリング形である請求項１３に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項１８】
前記支持部材が回転可能である請求項１７に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項１９】
前記冷却手段の前記表面が前記支持部材に対して静止しているようになされた請求項１３に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項２０】
前記冷却手段の前記表面が流体で冷却されるようになされた請求項１３に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項２１】
前記流体が水である請求項２０に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項２２】
前記ガスがアルゴンである請求項１３に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項２３】
前記ガスが前記ギャップを通って流れる前に前記ガスを保持するための凹所が、前記支持部材に設けられている請求項１３に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項２４】
前記冷却手段が、前記ギャップへの前記ガスの注入に先立って前記ガスを冷却するようになされた請求項１３に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項２５】
前記第１組の箔のうちの少なくとも１つの箔および／または前記第２組の箔のうちの少なくとも１つの箔が、実質的に前記放射源が放射線を放出する位置に一致することが意図された所定の位置を通って延在している平坦な仮想平面と実質的に一致し、緊張したワイヤが前記少なくとも１つの箔と前記所定の位置の間の前記平坦な仮想平面内で延在している請求項１に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項２６】
前記緊張したワイヤが前記少なくとも１つの箔に接続された請求項２５に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項２７】
前記緊張したワイヤが少なくとも１つのばね部材によって堅固に保持されている請求項２５に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項２８】
前記緊張したワイヤが前記少なくとも１つの箔から熱絶縁されている請求項２５に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項２９】
前記緊張したワイヤが、タンタルおよびタングステンからなるグループの金属のうちの少なくとも１つを含む材料を使用して構築された請求項２５に記載されたリソグラフィ装置。
【請求項３０】
放射ビームを形成するようになされた放射系であって、
（ａ）放射線を放出する放射源と、
（ｂ）前記放射源によって放出される前記放射線の所定の横断面から破片粒子を除去するようになされたフィルタ装置であって、前記破片粒子を捕捉するための少なくとも第１組の箔および第２組の箔を含むフィルタ装置と、
（ｃ）前記放射源によって放出される前記放射線を調整された放射ビームにするようになされた照明系とを含み、
前記フィルタ装置が、更に、少なくとも第１ヒート・シンクおよび第２ヒート・シンクを含み、前記第１組の箔の個々の箔が前記第１ヒート・シンクに熱的に接続され、前記第２組の箔の個々の箔が前記第２ヒート・シンクに熱的に接続され、それにより、使用中、前記第１組の個々の箔を介して熱が実質的に前記第１ヒート・シンクに向かって導かれ、前記第２組の個々の箔を介して熱が実質的に前記第２ヒート・シンクに向かって導かれ、前記第１組の箔が前記所定の横断面の実質的に第１区画内で延在し、前記第２組の箔が前記所定の横断面の実質的に第２区画内で延在し、前記第１区画と前記第２区画が実質的に重畳していない放射系。
【請求項３１】
放射源によって放出される、リソグラフィ、詳細にはＥＵＶリソグラフィに使用することができる放射線の所定の横断面から破片粒子を除去するためのフィルタ装置であって、
前記破片粒子を捕捉するための少なくとも第１組の箔および第２組の箔と、
少なくとも第１ヒート・シンクおよび第２ヒート・シンクとを含み、
前記第１組の箔の個々の箔が前記第１ヒート・シンクに熱的に接続され、前記第２組の箔の個々の箔が前記第２ヒート・シンクに熱的に接続され、それにより、使用中、前記第１組の箔の個々の箔を介して熱が実質的に前記第１ヒート・シンクに向かって導かれ、前記第２組の箔の個々の箔を介して熱が実質的に前記第２ヒート・シンクに向かって導かれ、前記第１組の箔が前記所定の横断面の実質的に第１区画内で延在し、前記第２組の箔が前記所定の横断面の実質的に第２区画内で延在し前記第１区画と前記第２区画が実質的に重畳していないフィルタ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィ装置、放射系およびフィルタ装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、基板、一般的には基板の目標部分に所望のパターンを適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に使用することができる。その場合、マスクまたはレチクルとも呼ばれているパターン付与手段を使用してＩＣの個々の層に形成すべき回路パターンが生成される。このパターンが基板（例えば、シリコン・ウェハ）上の目標部分（例えば、部分的に１つまたは複数のダイからなっている）に転送される。パターンの転送は、通常、基板の上に提供されている放射線感応材料（レジスト）の層への画像化を介して実施される。通常、１枚の基板には、順次パターン投与される目標部分に隣接する回路網が含まれている。知られているリソグラフィ装置には、パターン全体を１回で目標部分に露光することによって目標部分の各々が照射される、いわゆるステッパと、パターンを放射ビームで所与の方向（走査方向）に走査し、かつ、基板をこの方向に平行に、または非平行に同期走査することによって目標部分の各々が照射される、いわゆるスキャナがある。パターンを基板に転写することによってパターン付与手段から基板へパターンを転送することも可能である。
【０００３】
リソグラフィ装置では、基板上に画像化することができるフィーチャのサイズは、投影放射線の波長によって制限されている。デバイスの密度がより大きく、したがって動作速度がより速い集積回路を製造するためには、より小さいフィーチャを画像化することが望ましい。現在使用されているほとんどのリソグラフィ投影装置には、水銀灯若しくはエキシマ・レーザによって生成される紫外光が使用されているが、５ｎｍないし２０ｎｍの範囲のより短い波長放射、詳細には約１３ｎｍの波長放射線の使用が提案されている。
【０００４】
このような放射線は、極紫外線（ＥＵＶ）または軟Ｘ線と呼ばれており、可能な放射源には、例えばレーザ生成プラズマ源、放電プラズマ源または電子ストレージ・リングからのシンクロトロン放射がある。これらのタイプの放射線には、ビームの散乱および吸収を回避するために、装置内におけるビーム経路を排気する必要がある。ＥＵＶ放射のための屈折型光学エレメントの構築に適した公知の材料が存在しないため、ＥＵＶリソグラフィ装置は、放射（照明）内および投影系内にミラーを使用しなければならない。ＥＵＶ放射のための多層膜ミラーであっても、反射率が比較的小さく、その上極めて汚染されやすく、そのために反射率が更に小さくなり、延いては装置のスループットを小さくしている。そのため、維持すべき真空レベルに更なる仕様が課され、とりわけ炭化水素の分圧を極めて小さい値に維持するべく余儀なくされている。
【０００５】
典型的な放電プラズマ源の場合、電気放電によってプラズマが形成される。次に、このプラズマが圧縮され、それによりプラズマが高度にイオン化され、極めて高い温度に達してＥＵＶ放射を放出する。ＥＵＶ放射の生成に使用される材料は、一般的にはキセノン蒸気若しくはリチウム蒸気であるが、クリプトンまたは錫若しくは水などの他のガスを使用することも可能である。しかしながら、これらのガスは、ＥＵＶレンジの放射を比較的大量に吸収し、および／または投影ビームの更に下流側の光学系を損傷することがあるため、リソグラフィ装置の残りの部分に存在するこれらのガスを最少化しなければならない。放電プラズマ源については、例えば、米国特許第５０２３８９７号および米国特許第５５０４７９５号（それらの記載内容を引用によって本明細書の記載として援用する）に開示されている。
【０００６】
レーザ生成プラズマ源の場合、例えば（クラスタ）キセノンの噴流がノズルから放出され、例えばインクジェット様ノズルから小滴または細いワイヤとして生成されることができる。ノズルから一定の距離を隔てた位置で、ＥＵＶ放射を放射することになる、プラズマの生成に適した波長のレーザ・パルスが噴流に照射される。水滴、氷粒子、リチウムまたは錫などの他の材料をノズルから放出してＥＵＶの発生に使用することも可能である。代替レーザ生成プラズマ源では、延在する固体（または液体）材料を照射してＥＵＶ放射のためのプラズマが生成される。レーザ生成プラズマ源については、例えば、米国特許第５４５９７７１号、米国特許第４８７２１８９号および米国特許第５５７７０９２号（それらの記載内容を引用によって本明細書の記載として援用する）に開示されている。
【０００７】
ＥＵＶ放射の発生中、粒子が放出される。以下、破片粒子（デブリス粒子）と呼ぶこれら粒子には、イオン、原子、分子および微小小滴が含まれている。これらの粒子は、リソグラフィ装置、詳細にはリソグラフィ装置の照明系および投影系の性能および／または寿命に有害な影響を及ぼすことがあるため、ＥＵＶ放射からこれらの粒子を除去しなければならない。
【０００８】
国際特許出願公告第ＷＯ  ９９／４２９０４号（その記載内容を引用によって本明細書の記載として援用する）に、使用中、放射が放射源から遠ざかって伝搬する経路に配置されるフィルタが開示されている。このフィルタは、したがって、放射源と例えば照明系の間に配置することができる。このフィルタは、使用中、原子および超微小粒子等の破片粒子を捕捉する複数の箔またはプレートを含む。また、これらの箔またはプレートによって、このような超微小粒子から成るクラスタを捕捉できる。これらの箔またはプレートは、放射がフィルタを通過して依然として伝搬することができるように配向されている。プレートは、平坦であってもまたは円錐状であっても良く、また、放射源の周りに放射状に配置することができる。放射源、フィルタおよび投影系は、緩衝ガス（例えば、圧力が約０．５トールのクリプトン）中に配置できる。したがって、汚染物質粒子の温度が緩衝ガスの温度、例えば室温になるため、フィルタの末端に到達するまでの間に粒子の速度が十分に減速する。粒子の速度を減速させることにより、粒子が箔によって捕捉される可能性を高くしている。公知のこの汚染物質捕捉の圧力は、このような緩衝ガスが印加されると、その環境の圧力に概ね等しくなる。
【０００９】
国際特許出願公告第ＷＯ  ０３／０３４１５３号（その記載内容を引用によって本明細書の記載として援用する）に、放射源を離れた放射が最初に第１組の箔を通過し、次に第２組の箔を通過するよう、第１組の箔および第２組の箔を備えた汚染物質捕捉が開示されている。第１組および第２組のプレートまたは箔は、それぞれ第１組の通路および第２組の通路を規定している。この２つの組の通路は互いに間隔を隔てており、それらの間に、ガス・サプライによってフラッシング・ガスが供給される空間を形成している。汚染物質捕捉からガスを除去するための排気系を提供することができる。ガスの圧力および２つの組の通路の間の空間の圧力は、破片粒子の速度が有効に減速するよう、比較的高くすることができるため、破片粒子が第２組の箔によって捕捉される可能性を更に高くすることができる。第１および第２組の通路は、２つの組の通路の間の空間から第１または第２組のいずれかの通路へガスが移動する際に、ガスに対する抵抗を与える。したがって、存在しているガスは、多かれ少なかれ、２つの組の通路の間の空間に拘束される。
【００１０】
放射源から発散する放射が汚染物質捕捉を容易に通過することができるようにプレートレットまたは箔が配置されている場合であっても、箔またはプレートレットは、実際にＥＵＶ放射の一部を吸収し、したがってＥＵＶ放射の一部を加熱する。また、衝突する破片粒子によってこれらの箔が加熱され、そのために箔および箔を支持している支持構造が著しく加熱され、延いては箔および支持構造が熱膨張する原因になっている。汚染物質捕捉の光透過率は、リソグラフィ装置にとっては極めて重要であるため、箔の熱膨張による箔の変形を最小化しなければならない。
【００１１】
欧州特許出願公告第ＥＰ−１４３４０９８号は、内部リングおよび外部リングを備えた汚染障壁、つまり箔・捕捉即ち汚染物質捕捉を提供することによってこの問題に対処している。箔またはプレートの各々は、少なくともその一方の外端が内部リングおよび外部リングのうちの少なくとも一方のリングの溝にスライド可能に配置されている。箔またはプレートの一方の外端をスライド可能に配置することにより、箔またはプレートは、機械的な張力を生じることなく半径方向に膨張することができるため、プレートまたは箔に熱誘導変形が生じることはない。この汚染捕捉は、プレートまたは箔に熱的に接続されている方のリングを冷却するようになされた冷却手段を備えることができる。
【００１２】
欧州特許出願公告第ＥＰ−１４３４０９８号の中で提案されている汚染捕捉の箔には、依然として極めて熱くなる可能性がある。箔の温度が高くなると、例えば脱着および／または蒸発によって箔から破片粒子が放出されることになる。これは、とりわけＳｎが破片として箔上に付着する場合に言える。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
使用中に到達すると思われる最高温度が、従来技術で知られているフィルタが同様の動作状況の下で到達すると思われる最高温度より低いフィルタ装置を有するリソグラフィ装置、そのようなフィルタ装置を有する放射系、および／またはそのようなフィルタ装置そのものが提供されることが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の一観点によれば、投影放射ビームを形成するようになされた放射系と、投影放射ビームを基板に投射するようになされた投影系とを備えたリソグラフィ装置が提供される。放射系は、放射を放出する放射源と、放射源によって放出される放射の所定の横断面から破片粒子を除去するようになされたフィルタ装置であって、破片粒子を捕捉するための少なくとも第１組の箔および第２組の箔を備えたフィルタ装置と、放射源によって放出される放射を調整された放射ビームにするようになされた照明系とを備えている。フィルタ装置は、更に、少なくとも第１ヒート・シンクおよび第２ヒート・シンクを備えている。第１組の個々の箔は第１ヒート・シンクに熱的に接続され、また、第２組の個々の箔は第２ヒート・シンクに熱的に接続されているため、使用中、第１組の個々の箔を介して熱が実質的に第１ヒート・シンクに向かって導かれ、また、第２組の個々の箔を介して熱が実質的に第２ヒート・シンクに向かって導かれる。第１組の箔は、所定の横断面の実質的に第１区画内で延在し、第２組の箔は、所定の横断面の実質的に第２区画内で延在している。第１区画と第２区画は実質的に重畳していない。
【００１５】
本発明の一観点によれば、放射を放出する放射源と、放射源によって放出される放射の所定の横断面から破片粒子を除去するようになされたフィルタ装置であって、破片粒子を捕捉するための少なくとも第１組の箔および第２組の箔を備えたフィルタ装置と、放射源によって放出される放射を調整された放射ビームにするようになされた照明系とを備えた、放射ビームを形成するようになされた放射系が提供される。フィルタ装置は、更に、少なくとも第１ヒート・シンクおよび第２ヒート・シンクを備えている。第１組の箔の個々の箔は第１ヒート・シンクに熱的に接続され、また、第２組の箔の個々の箔は第２ヒート・シンクに熱的に接続されているため、使用中、第１組の個々の箔を介して熱が実質的に第１ヒート・シンクに向かって導かれ、また、第２組の個々の箔を介して熱が実質的に第２ヒート・シンクに向かって導かれる。第１組の箔は、所定の横断面の実質的に第１区画内で延在し、第２組の箔は、所定の横断面の実質的に第２区画内で延在している。第１区画と第２区画は実質的に重畳していない。
【００１６】
本発明の一観点によれば、リソグラフィ、詳細にはＥＵＶリソグラフィに使用することができる放射ビームから破片粒子を除去するためのフィルタ装置が提供される。このフィルタ装置は、放射源によって放出される放射の所定の横断面から破片粒子を除去するようになされており、破片粒子を捕捉するための少なくとも第１組の箔および第２組の箔と、少なくとも第１ヒート・シンクおよび第２ヒート・シンクとを備えている。第１組の箔の個々の箔は第１ヒート・シンクに接続され、また、第２組の箔の個々の箔は第２ヒート・シンクに接続されているため、使用中、第１組の個々の箔を介して熱が実質的に第１ヒート・シンクに向かって導かれ、また、第２組の個々の箔を介して熱が実質的に第２ヒート・シンクに向かって導かれる。第１組の箔は、所定の横断面の実質的に第１区画内で延在し第２組の箔は、所定の横断面の実質的に第２区画内で延在している。第１区画と第２区画は実質的に重畳していない。
【００１７】
本発明の前記各観点によれば、放射源によって放出される放射の所定の横断面が少なくとも２つの非重畳区画に分割される。これらの区画の各々は異なる組の箔を備えており、これらの各々の組の箔は、必ずしも１つの組の箔によって所定の横断面のすべてがカバーされるように拡がる必要はないため、比較的短い箔を使用することが可能である。短い箔の使用は、その箔に熱的に接続されているヒート・シンクに伝達しなければならない箔毎の熱の量が比較的少ないことを意味している。つまり、これは、箔の各々が比較的短い箔の場合、使用中、箔の各々が、比較的長い箔、つまり所定の横断面全体を「横切る」１つの組の箔に属している箔が到達する温度と比較してそれより低い最大温度に到達することを意味している。
【００１８】
以下、添付の模式図を見ながら単なる実施例として本発明の説明を行なう。図中、対応する参照符号は対応する部品を表す。
【実施例】
【００１９】
図１は、本発明の一実施例としてのリソグラフィ装置を模式図で示したものである。このリソグラフィ装置は、
放射ビームＢ（例えば、ＵＶ放射、ＥＵＶ放射またはＸ線放射）を調整するようになされた照明系（イルミネータ）ＩＬと、
パターン付与手段（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構築された、特定のパラメータに従って該パターン付与手段を正確に位置決めするようになされた第１位置決め手段ＰＭに接続された支持構造（例えば、マスク・テーブル）ＭＴと、
基板（例えば、レジスト被覆ウェハ）Ｗを保持するように構築された、特定のパラメータに従って該基板を正確に位置決めするようになされた第２位置決め手段ＰＷに接続された基板テーブル（例えば、ウェハ・テーブル）ＷＴと、
パターン付与手段ＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗの目標部分Ｃ（例えば、１つまたは複数のダイが含まれている）に投影するようになされた投影系（例えば、屈折投影レンズ系）ＰＳとを含む。
【００２０】
照明系は、放射を導き、整形し、または制御するための屈折光学部品、反射光学部品、磁気光学部品、電磁光学部品、静電光学部品または他のタイプの光学部品、または、それらの任意の組合せ等の各種光学部品を含むことができる。
【００２１】
支持構造は、パターン付与手段を支持している。つまり、支持構造は、パターン付与手段の重量を支えている。支持構造は、パターン付与手段の配向、リソグラフィ装置の設計および他の条件、例えばパターン付与手段が真空環境中で保持されているか否か等に応じた方法でパターン付与手段を保持している。支持構造には、パターン付与手段を保持するための機械式クランプ技法、真空クランプ技法、静電クランプ技法または他のクランプ技法を使用することができる。支持構造は、例えば必要に応じて固定または移動させることができるフレームであっても、またはテーブルであってもよい。支持構造は、例えば投影系に対してパターン付与手段を所望の位置に確実に配置することができる。本明細書における「レチクル」または「マスク」という用語の使用はすべて、より一般的な「パターン付与手段」という用語の同義語と見なすことができる。
【００２２】
本明細書で使用されている「パターン付与手段」という用語は、放射ビームの横断面にパターンを付与し、それにより基板の目標部分にパターンを作るべく使用することができる任意のデバイスを意味するものとして広義に解釈されたい。放射ビームに付与されるパターンは、例えばそのパターンが移相フィーチャまたはいわゆる補助フィーチャを備えている場合、基板の目標部分における所望のパターンに必ずしも厳密に対応しているとは限らないことに留意されたい。放射ビームに付与されるパターンは、通常、目標部分に生成される、例えば集積回路などのデバイス中の特定の機能層に対応している。
【００２３】
パターン付与手段は、透過型であっても或いは反射型であってもよい。パターン付与手段の実施例には、マスク、プログラム可能なミラー・アレイおよびプログラム可能なＬＣＤパネルがある。マスクについてはリソグラフィにおいては良く知られており、バイナリ、交番移相および減衰移相などのマスク・タイプ、および様々なハイブリッド・マスク・タイプが含まれる。プログラム可能なミラー・アレイの実施例には、マトリックスに配列された微小ミラーが使用されている。微小ミラーの各々は、入射する放射ビームが異なる方向に反射するよう、個々に傾斜させることができる。この傾斜したミラーによって、ミラー・マトリックスで反射する放射ビームにパターンが付与される。
【００２４】
本明細書に使用されている「投影系」という用語には、使用する露光放射に適した、または液浸液の使用または真空の使用などの他の要因に適した、屈折光学系、反射光学系、カタディオプトリック光学系、磁気光学系、電磁光学系および静電光学系、または、それらの任意の組合せを始めとする任意の種類の投影系が包含されているものとして広義に解釈されたい。本明細書における「投影レンズ」という用語の使用はすべて、より一般的な「投影系」という用語の同義語と見なすことができる。
【００２５】
図に示すように、この装置は反射型（例えば、反射型マスクを使用した）タイプの装置である。別法としては、この装置は、透過型（例えば、透過型マスクを使用した）の装置であってもよい。
【００２６】
リソグラフィ装置は、２つ（二重ステージ）以上の基板テーブル（および／または複数のマスク・テーブル）を有するタイプの装置であっても良く、このような「多重ステージ」機械の場合、追加テーブルを並列に使用することができ、或いは１つまたは複数の他のテーブルを露光のために使用している間、１つまたは複数のテーブルに対して予備ステップを実行することができる。
【００２７】
また、リソグラフィ装置は、基板の少なくとも一部が比較的屈折率の大きい液体、例えば水で覆われ、それにより投影系と基板の間の空間が充填されるタイプの装置であってもよい。また、リソグラフィ装置内の他の空間、例えばマスクと投影系の間の空間に液浸液を充填することも可能である。液浸技法は、当分野においては、投影系の開口数を大きくすることで良く知られている。本明細書に使用されている「液浸」という用語は、基板などの構造を液体中に浸すことを意味しているのではなく、単に、露光の間、投影系と基板の間に液体が充填されることを意味しているにすぎない。
【００２８】
図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受け取っている。放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ向かって放射が伝搬する経路にはフィルタ装置ＦＳが提供されている。このフィルタ装置ＦＳは、実質的に放射を透過し、かつ、放射から破片粒子を除去している。放射源が例えばエキシマ・レーザである場合、放射源およびリソグラフィ装置は、個別の構成要素にすることができる。その場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとは見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラーおよび／またはビーム・エキスパンダを備えたビーム引渡しシステムを使用して放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ引き渡される。それ以外の例えば放射源が水銀灯などの場合、放射源は、リソグラフィ装置の一構成部品にすることができる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要に応じてビーム引渡しシステムと共に放射系と呼ぶことができる。
【００２９】
イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調整するためのアジャスタを備えることができる。通常、イルミネータの瞳平面内における強度分布の少なくとも外部および／または内部ラジアル・エクステント（一般に、それぞれ外側σおよび内側σと呼ばれる）は調整が可能である。また、イルミネータＩＬは、インテグレータおよびコンデンサなどの他の様々な部品を備えることができる。イルミネータを使用して放射ビームを調整し、所望する一様な強度分布をその横断面に持たせることができる。
【００３０】
支持構造（例えば、マスク・テーブルＭＴ）上に保持されているパターン付与手段（例えば、マスクＭＡ）に放射ビームＢが入射し、パターン付与手段によってパターン付与される。マスクＭＡを透過した放射ビームＢは、放射ビームを基板Ｗの目標部分Ｃに集束させる投影系ＰＳを通過する。基板テーブルＷＴは、第２位置決め手段ＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉デバイス、直線エンコーダまたは容量センサ）を使用して正確に移動させることができ、それにより例えば異なる目標部分Ｃを放射ビームＢの光路内に配置することができる。同様に、第１位置決め手段ＰＭおよびもう１つの位置センサＩＦ１を使用して、例えばマスク・ライブラリから機械的に検索した後、または走査中に、マスクＭＡを放射ビームＢの光路に対して正確に配置することができる。通常、マスク・テーブルＭＴの移動は、第１位置決め手段ＰＭの一部を形成している長行程モジュール（粗位置決め）および短行程モジュール（精密位置決め）を使用して実現されることができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２位置決め手段ＰＷの一部を形成している長行程モジュールおよび短行程モジュールを使用して実現されることができる。ステッパ（スキャナではなく）の場合、マスク・テーブルＭＴは、短行程アクチュエータのみに接続することができ、或いは固定することも可能である。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスク・アライメント・マークＭ１、Ｍ２および基板アライメント・マークＰ１、Ｐ２を使用して整列させることができる。図には、専用目標部分を占有している基板アライメント・マークが示されているが、基板アライメント・マークは、目標部分と目標部分の間の空間に配置することも可能である（このような基板アライメント・マークは、スクライブ・レーン・アライメント・マークとして公知である）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に提供される場合、ダイとダイの間にマスク・アライメント・マークを配置することができる。
【００３１】
図に示す装置は、以下に示すモードのうちの少なくとも１つのモードで使用することができる。
１．ステップ・モード：マスク・テーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴが基本的に静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターン全体が目標部分Ｃに１回で投影される（即ち単一静止露光）。次に、基板テーブルＷＴがＸおよび／またはＹ方向にシフトされ、異なる目標部分Ｃが露光されることができる。ステップ・モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一静止露光で画像化される目標部分Ｃのサイズが制限される。
２．走査モード：放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影されている間、マスク・テーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴが同期走査される（即ち単一動的露光）。マスク・テーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影系ＰＳの倍率（縮小率）および画像反転特性によって決まる。走査モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一動的露光における目標部分の幅（非走査方向の幅）が制限され、また、走査運動の長さによって目標部分の高さ（走査方向の高さ）が決まる。
３．その他のモード：プログラム可能なパターン付与手段を保持するべくマスク・テーブルＭＴが基本的に静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影されている間、基板テーブルＷＴが移動または走査される。このモードでは、通常、パルス放射源が使用され、走査中、基板テーブルＷＴが移動する毎に、或いは連続する放射パルスと放射パルスの間に、必要に応じてプログラム可能なパターン付与手段が更新される。この動作モードは、上で参照したタイプのプログラム可能なミラー・アレイなどのプログラム可能なパターン付与手段を利用しているマスクレス・リソグラフィに容易に適用することができる。
【００３２】
上で説明した使用モードの組合せおよび／またはその変形形態或いは全く異なる使用モードを使用することも可能である。
【００３３】
図２は、使用中、放射源（図示せず）によって放出される放射の所定の横断面から破片粒子を除去するようになされたフィルタ装置ＦＳを模式図で示したものである。図２に示すフィルタ装置ＦＳは、使用中、放射源が放射を生成する位置と一致するように意図された所定の位置から見たものである。箔Ｆ１、Ｆ２は、追って明らかになる理由によってそれぞれ線で示されている。この実施例では、所定の横断面は、Ｓ１で指示される部分とＳ２で指示される部分の間で延在しているため、フィルタ装置ＦＳの区画である。したがってこの実施例では、所定の横断面は実質的にリング形の横断面である。フィルタ装置ＦＳは、破片粒子を捕捉するための第１組の箔Ｆ１および第２組の箔Ｆ２を備えている。第１組の個々の箔Ｆ１は、支持部材Ｓ１、この実施例では第１リングＦＲに熱的に接続されている。第２組の個々の箔Ｆ２は、支持部材Ｓ２、この実施例では第２リングＳＲに熱的に接続されている。第１リングＦＲおよび第２リングＳＲは空間的に分離されており、同じ軸ＲＡを有している。第１組の個々の箔Ｆ１は、第２リングＳＲに向かって延在し、第２組の個々の箔Ｆ２は、第１リングＦＲに向かって延在している。つまり、支持部材Ｓ１をリング形にし、同じく支持部材Ｓ２もリング形にすることができる。第１組の箔Ｆ１の個々の箔Ｆ１は、例えば支持部材Ｓ１にはんだ付けされている。第２組の箔Ｆ２の個々の箔Ｆ２は、例えば支持部材Ｓ２にはんだ付けされている。箔Ｆ１、Ｆ２は、実質的にモリブデンを含む材料を使用して構築することができる。また、支持部材も、実質的にモリブデンを含む材料を使用して構築することができる。
【００３４】
フィルタ装置ＦＳは、更に、第１ヒート・シンクＨＳ１および第２ヒート・シンクＨＳ２を備えている。第１組の個々の箔Ｆ１は、第１ヒート・シンクＨＳ１に熱的に接続されており、また、第２組の個々の箔Ｆ２は、第２ヒート・シンクＨＳ２に熱的に接続されている。このようなヒート・シンクの可能な構造については、以下で更に考察する。使用中、第１組の個々の箔Ｆ１を介して熱が実質的に第１ヒート・シンクＨＳ１に向かって導かれ、また、第２組の個々の箔Ｆ２を介して熱が実質的に第２ヒート・シンクＨＳ２に向かって導かれる。第１組の箔Ｆ１は、所定の横断面の実質的に第１区画内で延在し、第２組の箔Ｆ２は、所定の横断面の実質的に第２区画内で延在している。第１区画には、第１組のすべての箔Ｆ１が含まれており、また、第２区画には、第２組のすべての箔Ｆ２が含まれている。第１区画と第２区画は、実質的に重畳していない。
【００３５】
図２から、箔Ｆ１、Ｆ２は、箔の各々が支持部材Ｓ１から支持部材Ｓ２へ向かって延在した状況と比較すると、はるかに短くすることができることが分かる。また、対応するヒート・シンクに向けて伝達すべき箔Ｆ１、Ｆ２毎の熱の量も、箔を支持部材Ｓ１またはＳ２のいずれか一方に接続しなければならない状況、および箔を接続することも或いは接続しなくてもよい支持部材Ｓ１と支持部材Ｓ２の間の距離全体に渡って箔が延在している状況においてヒート・シンクに伝達しなければならない熱の量と比較すると、はるかに少なくなっている。
【００３６】
箔Ｆ１、Ｆ２の構造的な強度のため、および／または箔Ｆ１、Ｆ２の間隔を等しくするために、実質的に熱絶縁性で、かつ、比較的剛直なワイヤを使用して箔Ｆ１、Ｆ２の自由端を接続することができる。分かり易くするために、これらのワイヤは、いずれの図にも示されていない。
【００３７】
また、図２〜図５に示すように、それぞれ第１組および第２組の箔Ｆ１、Ｆ２を、それぞれのヒート・シンクＨＳ１、ＨＳ２との接続を除き、フィルタ装置ＦＳの他のいかなる部分にも接続されないようにすることも可能であり、それにより、フィルタ装置ＦＳの良好な光透過率が得られ、また、個々の箔から遠くへ熱を導くための単一経路が箔毎に得られる。第１区画と第２区画の相対寸法、および第１箔Ｆ１と第２箔Ｆ２の相対寸法は、使用中におけるフィルタ装置ＦＳの各々の位置が、使用中に放射ビームに露光された場合に、所定の最高温度未満を維持するように選択することができる。また、個々のヒート・シンクＨＳ１、ＨＳ２の冷却パワーも、フィルタ装置ＦＳの各々の位置が、放射ビームに露光された場合に、所定の最高温度未満を維持するように選択することができる。したがってフィルタ装置ＦＳは、通常、フィルタ装置ＦＳの各々の位置がその所定の最高温度未満を維持するように構成することができる。以下、ヒート・シンクＨＳ１、ＨＳ２の可能な構造について詳細に説明する。
【００３８】
図２に示すように、第１組の１つの箔Ｆ１および第２組の１つの箔Ｆ２は、実質的に同じ仮想平面内で延在している。その仮想平面内における第１組の箔Ｆ１と第２組の箔Ｆ２の間の距離は、使用中、第１組の箔Ｆ１および第２組の箔Ｆ２がそれぞれ個々の最高温度に達した場合に、第１組の箔Ｆ１と第２組の箔Ｆ２の間に一定のギャップが維持されるように選択されている。これは、箔の各々がそれぞれ最大熱膨張に達しても、１つの仮想平面内の箔が依然として熱的に接続していないことを意味している。箔Ｆ１、Ｆ２の各々は、使用中、放射を生成する放射源（図示せず）と一致するように意図された所定の位置を通って延在している仮想平面と一致している。したがって、箔Ｆ１、Ｆ２は、それぞれ図２〜図５に線で示されている。したがって放射は、使用中、箔Ｆ１、Ｆ２に沿って伝搬することになる。
【００３９】
本発明の一実施例によるフィルタ装置ＦＳの箔Ｆ１、Ｆ２は、例えばＥＵＶ放射に露光された場合に、所定の最高温度未満を維持するため、所定の温度が、例えば、箔が加熱されると錫・破片粒子によって形成された錫小滴が箔Ｆ１、Ｆ２から蒸発する温度未満になるようにフィルタ装置を設計することが可能である。
【００４０】
図３は、本発明によるフィルタ装置の一実施例を示したもので、第１組の箔Ｆ１が第２組の２つの箔Ｆ２の間の比較的小さな部分で延在し、また、第２組の箔Ｆ２が第１組の２つの箔Ｆ１の間の比較的小さな部分で延在している。これには、図３に示す実施例において、図２に示す実施例に生じるような、第１組の箔Ｆ１と第２組の箔Ｆ２の間に存在するギャップによる光透過率の突発ピークが生じない利点がある。また、フィルタ装置ＦＳを回転軸ＲＡの周りに回転させなければならない場合、放射が伝搬する方向に沿って箔Ｆ１、Ｆ２によって妨害されることなく破片粒子が移動することができる所定の横断面に存在している角区画が存在しないことになる。適用されている第１箔Ｆ１の数より少ない数の第２箔Ｆ２を適用することが可能であり、それによりすべての箔Ｆ１とＦ２の間を同じような距離にすることができる。
【００４１】
図４は、本発明によるフィルタ装置ＦＳの一実施例を示したもので、ギャップは、いずれも同じ仮想平面内で延在している第１箔Ｆ１と第２箔Ｆ２の間で依然として可能であるが、箔Ｆ１の長さおよび箔Ｆ２の長さが接線方向に交番しているため、フィルタ装置が回転軸ＲＡの周りに回転すると、第１箔Ｆ１と第２箔Ｆ２の間のギャップの各々が、第１箔Ｆ１または第２箔Ｆ２のいずれかによって「覆われる」ことになる。
【００４２】
図５は、本発明によるフィルタ装置ＦＳの一実施例を示したもので、第１組の箔Ｆ１および第２組の箔Ｆ２の両方が、多かれ少なかれ無作為にそれぞれ所定の横断面の第１区画および第２区画全体に分布している。これには、フィルタ装置ＦＳの光透過率の可能不均質性が、多かれ少なかれ所定の横断面全体に延在する利点がある。つまり、光透過率の若干のピークが依然として生じることになるが、その相対高さをはるかに低くすることができる。既に指摘したように、使用中、第１組の個々の箔Ｆ１および／または第２組の個々の箔Ｆ２が、放射が伝搬する経路に沿った破片粒子の進路内で破片粒子を妨害することによって能動的に破片粒子を捕獲することができるよう、フィルタ装置ＦＳの少なくとも一部を移動させることができる。
【００４３】
図６、図７は、いずれも本発明によるフィルタ装置の一実施例の一部を示したものである。図６、図７は、いずれも図２〜図５に示すフィルタ装置の側面図と見なすことができる。図に示す、この実施例では第１リングＦＲである第１支持部材Ｓ１の形状は円錐形である。また、図に示す、この実施例では第２リングＳＲである第２支持部材Ｓ２の形状は円筒形である。当然、第２リングＳＲの形状も円錐形にすることができる。図６、図７は、図２〜図５の各々に示されている線Ｉ−Ｉに沿う横断面を示したものである。また、図には、回転軸ＲＡを仮想線ＶＬに沿って伸張させることができ、かつ、放射源ＳＯを仮想線ＶＬに一致するように配置することができることが示されている。図６に示す実施例では、所定の横断面は、図７に示すように、第１リングＦＲから第２リングＳＲに向かって延在する、少なくとも第１リングＦＲまたは第２リングＳＲに接続された箔Ｆを含むことができる。しかしながら、図７に示すように、所定の横断面は、図２〜図５に示すいずれかの方法で２つの組の箔Ｆ１、Ｆ２を含むこともできる。これは、支持部材Ｓ１と支持部材Ｓ２の間を延在している、所定の位置、つまり、使用中、放射源ＳＯと一致する位置を通って延在する平坦な仮想平面と一致する少なくとも１つの箔にも適用される。
【００４４】
また、図６、図７に示す実施例の場合、箔と、使用中、放射源ＳＯと一致する所定の位置との間で、緊張したワイヤＴＷを前述の平坦な仮想平面内で延在させることも可能である。これは、放射源ＳＯから伝搬する、緊張したワイヤＴＷが存在しない場合に箔に衝突することになる放射が、その箔の代わりに緊張したワイヤＴＷに衝突して加熱することを意味している。その結果、箔が緊張したワイヤＴＷの影になり、（ＥＵＶ）放射を吸収することがないため、（ＥＵＶ）放射の吸収による加熱が生じることはない。したがって、箔が動作環境下で到達する温度が著しく低くなる。
【００４５】
この緊張したワイヤＴＷは、箔Ｆに接続することができる。これは、例えば箔の前面部分が事実上緊張したワイヤである場合、その前面部分と箔の残りの部分との間に一列の穿孔を提供することによって適用することができる。
【００４６】
図６に示すように、緊張したワイヤＴＷをばねなどの弾性エレメントＲＥによって堅固に保持することが可能である。また、緊張したワイヤＴＷを箔Ｆから熱絶縁することも可能である。緊張したワイヤＴＷは、ワイヤが箔の一体部品でない場合、タンタルおよび／またはタングステンを含む材料を使用して構築することができる。
【００４７】
図６に示す実施例では、緊張したワイヤＴＷは、第１リングＦＲの直径に沿って完全に延在しているが、図７に示すように、２本の緊張したワイヤＴＷを使用することが可能であり、緊張したワイヤＴＷの各々を第１支持部材Ｓ１上の位置から第２支持部材Ｓ２上の最も近い位置へ延在させることができる。
【００４８】
図８、図９は、ヒート・シンクＨＳ１およびヒート・シンクＨＳ２の構築方法をより詳細に示したものである。ヒート・シンクＨＳ１およびＨＳ２の各々は、それぞれ支持部材Ｓ１および支持部材Ｓ２を備えており、また、それぞれ冷却手段ＣＳ１およびＣＳ２を備えている。部品Ｓ１および部品Ｓ２は、いずれも１つのリング形支持部材に付属させることができる。
【００４９】
図８は、このようなリング形支持部材の横断面を模式図で示したものである。対称軸ＳＡは、線Ｌで示されている。箔Ｆ１および箔Ｆ２は、いずれも支持部材の軸に接続することができる。その場合、この軸は線Ｌに一致させることができる。しかしながら、追って示すように、箔Ｆ１および箔Ｆ２は、互いに接続されていなくてもよい。支持部材部品Ｓ１およびＳ２を備えた支持部材がリング形である実施例では、対称軸ＳＡは、放射を生成する放射源と一致することが意図されている所定の位置を通って延在する仮想直線に一致させることができる。
【００５０】
また、箔Ｆ１およびＦ２を接続して１つの箔を形成することも可能である。このような実施例の場合、支持部材Ｓ１および支持部材Ｓ２は、箔によって分離された個別の支持部材であってもよい。例えば、支持部材Ｓ１は、外部リングの横断面を表し、一方、支持部材Ｓ２は、内部リングの横断面を表すことができる。その場合、線Ｌは、対称軸を表していない。
【００５１】
また、線Ｌは、対称の平面を表すことも可能であり、また、フィルタ装置は、互いに平行な複数の箔を備えることも可能である。
【００５２】
フィルタ装置は、冷却手段ＣＳを備えている。この冷却手段ＣＳは、部品ＣＳ１およびＣＳ２を備えることができる。
【００５３】
個々の支持部材がリング形である場合、個々の冷却手段ＣＳもリング形にすることができる。したがって、いくつかの実施例では、線Ｌは、同じく冷却手段ＣＳの対称軸を表すことができる。次に、図８に示すフィルタ装置の一部を更に説明するために、上側部分即ち線Ｌより上側のみを参照して説明する。上側部分の説明は、同じく下側部分にも適用される。
【００５４】
冷却手段ＣＳ１は、冷却されるようになされた表面Ａ１を有している。冷却手段ＣＳ１および支持部材Ｓ１は、冷却手段ＣＳ１の表面Ａ１と支持部材Ｓ１の間にギャップＧが形成されるように互いに配置されている。冷却手段ＣＳ１は、更に、ギャップＧにガスを注入するようになされている。点線の矢印は、ガスおよびガスが流れる方向を示している。図８に示す実施例では、ガスがギャップＧに流れ込む入口位置ＥＰと、ガスがギャップＧから流出する出口位置ＸＰとの間の経路Ｐは、うねり経路Ｐを形成している。経路Ｐはうねっているため、ギャップに注入されたガスは、入口位置ＥＰから出口位置ＸＰへ向かって流れる際に大きな抵抗を受ける。このようなうねり経路によって、ギャップＧからその周囲へのガスのリークに対する抵抗が提供される。この経路は、直線経路であっても良く、それにより、図に示す実施例と比較すると、出口位置ＸＰへ向かって移動する際にガスが受ける抵抗が小さくなる。支持部材Ｓ１は、ガスがギャップＧから流出する前に、ガスを保持するための凹所Ｒ１を備えることができる。この凹所の圧力は約１０００Ｐａにすることができ、一方、周囲の圧力は約１０Ｐａにすることができる。したがって凹所Ｒ１は、注入されたガスが支持部材Ｓ１を冷却するバッファを提供することができる。
【００５５】
ギャップＧは、表面Ａ１と支持部材Ｓ１の間の最も狭い間隔が、約２０マイクロメートルから約２００マイクロメートルまで変化する範囲になるようにすることができる。また、ギャップは、表面Ａ１と支持部材Ｓ１の間の最も狭い間隔が、約４０マイクロメートルから約１００マイクロメートルまで変化する範囲になるようにすることができる。
【００５６】
冷却手段ＣＳ１の表面Ａ１は、流体で冷却されるようになされており、そのために冷却手段ＣＳ１は、表面Ａ１の表面下に延在する通路を備えることができる。使用中、比較的冷たい水を通路入口ＣＥＡに送り込み、通路Ｃを通して流し、通路出口ＣＸで通路から流出させることができる。その場合、表面Ａ１の表面下が通路入口ＣＥＡで通路Ｃに流入する水と同じように冷たい水で冷却されることになる。また、冷却手段ＣＳ１は、ギャップＧにガスを注入する前にガスを冷却するように構成することも可能である。水を送り込むための入口を通路入口ＣＥＡで示す位置に有する代わりに、ＣＥＧで示す位置から水を通路に送り込むことが有利であり、それにより、使用中、ギャップＧにガスが注入される注入通路ＩＣに沿って最初に水が流れるため、注入通路ＩＣ内でガスを冷却することができ、或いは注入通路ＩＣに流入する前にガスが冷却されている場合は、注入通路内のガスを更に冷たい状態に維持することができる。また、当然、注入通路ＩＣおよび表面Ａ１は、独立した冷却機構を使用して冷却することができる。
【００５７】
水を使用する代わりに、適切な他の任意の冷媒を使用することができる。図には示されていないが、通路Ｃの入口および出口がそれぞれ供給装置および排出装置に接続されており、したがって冷却手段を冷却するために使用される水および／または他の一切の冷媒が冷却手段の周囲および／またはフィルタ装置に流入しないことは明らかであろう。注入通路ＩＣを介してギャップＧに注入されるガスには、アルゴンまたは良好な冷却特性を有し、かつ、比較的不活性である他の任意のガスを使用することができる。
【００５８】
フィルタ装置がＥＵＶ放射に露光され、ＥＵＶ放射が集光システムに向かって伝搬する経路から破片粒子が除去され、また、フィルタ装置が真空環境中で約３，０００ｒｐｍで回転すると、箔および１つまたは複数のそれらの支持部材は、ＥＵＶ放射を吸収する結果として約１ｋＷのパワーを吸収し、箔上の破片粒子に影響を及ぼすものと思われる。凹所Ｒ１の圧力が１０００Ｐａに達し、支持部材と冷却手段ＣＳ１の冷却された表面の温度差が約２００Ｋになり、かつ、表面Ａ１の面積が約１．２６＊１０−２ｍ２になるようにギャップＧにアルゴン・ガスが注入されると、いかなる理論にも一切関係なく、約１．３ｋＷに等しい一定の量の熱を除去することが可能であることを示している。この接続における熱伝達係数は、約０．７Ｗ／ｍ２＊Ｋ＊Ｐａであると計測され、効率は、約０．８５であることが仮定されている。ギャップ中の支持部材Ｓ１と表面Ａ１の間の最短距離は、約４０マイクロメートルと約１００マイクロメートルの間であることが仮定されている。この場合、周囲の圧力は、約１０ｍｂａｒにすることができる。この評価では、支持部材を構築している材料は、厚さが約２ｃｍ、直径が約２００ｍｍのステンレス鋼が仮定されている。
【００５９】
図９は、本発明の一実施例によるリソグラフィ装置の他の部分、放射系およびフィルタ装置を示したものである。この状況では、支持部材Ｓ１およびＳ２は、対称軸ＳＡの周りに回転可能に配置されたリング形支持部材の部品と、使用中、支持部材に対して静止した状態を維持することができる冷却手段ＣＳとを備えており、その部品Ｓ１、Ｓ２が模式図で示されている。箔Ｆ１、Ｆ２は、対称軸ＳＡに対して放射状に延在している。凹所Ｒ１に向かって導かれている部分と凹所Ｒ２に向かって導かれている部分に分かれている１つの注入通路ＩＣを設けることができる。更なる構造上の特徴は、図８に示す特徴と同じである。図９に示す冷却手段ＣＳの動作は、図８に示す冷却手段の動作と同じである。支持部材Ｓ１、Ｓ２は、このような実施例では箔Ｆ１、Ｆ２が接続されている外部リング（図示せず）に向けて力を伝達する駆動機構によって回転させることができるが、支持部材Ｓ１、Ｓ２は、例えば熱絶縁接続を介して実際に冷却手段ＣＳに接続することも可能であり、また、冷却手段ＣＳは、支持部材Ｓ１、Ｓ２の回転を駆動することも可能である。この後者の実施例の場合、例えば外部リングに必ずしも箔Ｆ１、Ｆ２を接続する必要はない。
【００６０】
本明細書においては、とりわけＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用が参照されているが、本明細書において説明したリソグラフィ装置は、集積光学系、磁気領域メモリのための誘導および検出パターン、フラット・パネル・ディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造などの他のアプリケーションを有していることを理解されたい。このような代替アプリケーションのコンテキストにおいては、本明細書における「ウェハ」または「ダイ」という用語の使用はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「目標部分」という用語の同義語と見なすことができることは当業者には理解されよう。本明細書において参照されている基板は、例えばトラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ、露光済みレジストを現像するツール）、度量衡学ツールおよび／または検査ツール中で、露光前または露光後に処理することができる。適用可能である場合、本明細書における開示は、このような基板処理ツールおよび他の基板処理ツールに適用することができる。また、基板は、例えば多層ＩＣを生成するために複数回に渡って処理することができるため、本明細書において使用されている基板という用語は、処理済みの複数の層が既に含まれている基板を指している場合もある。
【００６１】
以上、本発明による実施例の使用について、とりわけ光リソグラフィのコンテキストの中で参照したが、本発明は、他のアプリケーション、例えば転写リソグラフィに使用することができ、コンテキストが許容する場合、光リソグラフィに限定されないことは理解されよう。転写リソグラフィの場合、基板に作られるパターンは、パターン付与手段のトポグラフィによって規定される。パターン付与手段のトポグラフィが、基板に供給されたレジストの層にプレスされ、次に、レジストを硬化させるべく、電磁放射、熱、圧力またはそれらの組合せが印加される。レジストが硬化すると、パターン付与手段がレジストから除去され、後にパターンがレジストに残る。
【００６２】
本明細書に使用されている「放射」および「ビーム」という用語には、紫外（ＵＶ）放射（例えば、波長が３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍまたは１２６ｎｍの放射またはその近辺の波長の放射）、極紫外（ＥＵＶ）放射（例えば、波長の範囲が５〜２０ｎｍの放射）を含むあらゆるタイプの電磁放射が包含されている。
【００６３】
コンテキストが許容する場合、「レンズ」という用語は、屈折光学部品、反射光学部品、磁気光学部品、電磁光学部品および静電光学部品を始めとする様々なタイプの光学部品のうちの任意の１つ或いは組合せを意味している。
【００６４】
以上、本発明の特定の実施例について説明したが、説明した以外の方法で本発明を実践することができることは理解されよう。例えば、本発明は、上で開示した方法を記述した１つまたは複数の機械可読命令シーケンスを含んだコンピュータ・プログラムの形態を取ることができ、或いはこのようなコンピュータ・プログラムが記憶されているデータ記憶媒体（例えば、半導体記憶装置、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態を取ることができる。
【００６５】
以上の説明は、本発明の例証を意図したものであり、本発明を何ら制限するものではない。したがって、特許請求の範囲に示す各請求項の範囲を逸脱することなく、上で説明した本発明に改変を加えることができることは当業者には明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明の一実施例によるリソグラフィ装置を示す模式図である。
【図２】本発明の一実施例による、リソグラフィ装置の一部、放射系の一部およびフィルタ装置を示す模式図である。
【図３】本発明の一実施例による、リソグラフィ装置の一部、放射系の一部およびフィルタ装置を示す模式図である。
【図４】本発明の一実施例による、リソグラフィ装置の一部、放射系の一部およびフィルタ装置を示す模式図である。
【図５】本発明の一実施例による、リソグラフィ装置の一部、放射系の一部およびフィルタ装置を示す模式図である。
【図６】本発明の一実施例による、リソグラフィ装置の一部、放射系の一部およびフィルタ装置を示す模式図である。
【図７】本発明の一実施例による、リソグラフィ装置の一部、放射系の一部およびフィルタ装置を示す模式図である。
【図８】本発明の一実施例による、リソグラフィ装置の一部、放射系の一部およびフィルタ装置を示す模式図である。
【図９】本発明の一実施例による、リソグラフィ装置の一部、放射系の一部およびフィルタ装置を示す模式図である。
【符号の説明】
【００６７】
Ａ１  表面
Ｂ  放射ビーム
Ｃ  目標部分
Ｃ  通路
ＣＥＡ  通路入口
ＣＳ、ＣＳ１、ＣＳ２  冷却手段
ＣＸ  通路出口
Ｇ  ギャップ
ＦＲ  第１リング
ＦＳ  フィルタ装置
Ｆ、Ｆ１、Ｆ２  箔
ＥＰ  入口位置
ＨＳ１、ＨＳ２  ヒート・シンク
ＩＣ  注入通路
ＩＦ１、ＩＦ２  位置センサ
ＩＬ  照明系（イルミネータ）
Ｌ  線
ＭＡ  パターン付与手段（マスク）
ＭＴ  支持構造（マスク・テーブル）
Ｍ１、Ｍ２  マスク・アライメント・マーク
Ｐ  経路
ＰＭ  第１位置決め手段
ＰＳ  投影系
ＰＷ  第２位置決め手段
Ｐ１、Ｐ２  基板アライメント・マーク
ＲＡ  回転軸
ＲＥ  弾性エレメント
Ｒ１、Ｒ２  凹所
ＳＡ  対称軸
ＳＯ  放射源
ＳＲ  第２リング
Ｓ１、Ｓ２  支持部材
ＴＷ  緊張したワイヤ
ＶＬ  仮想線
Ｗ  基板
ＷＴ  基板テーブル
ＸＰ  出口位置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【外国語明細書】
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