(57)【要約】【課題】  互いに離間したグランド端子をグランド電極に容易に接続できると共に、クロストークの防止、放熱性の向上、グランド電位の安定化を図る。【解決手段】  受光素子１５の信号端子１５Ａ,１５Ｂ、電源端子１５Ｄ、高電圧端子１５Ｅは回路基板５上の信号電極９Ａ,９Ｂ等に直接接合する。一方、受光素子１５のグランド端子１５Ｃは回路基板５から離間して配置される共に、グランド端子１５Ｃと回路基板５上のグランド電極１１Ａとの間は接続部材１９を用いて接続する。このとき、接続部材１９は、信号端子１５Ａ,１５Ｂを覆うカバー部１９Ａと、グランド電極１１Ａと接合された複数の脚部１９Ｂと、カバー部１９Ａに設けられグランド端子１５Ｃに接合された凹陥部１９Ｃと、脚部１９Ｂに接続されマザーボード２０側に延びる外部接続部１９Ｄとを備える構成とする。【選択図】        図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号電極、グランド電極が設けられた基板と、該基板の信号電極に信号端子が接続されグランド端子が該基板から離間した位置に配置される電子部品と、該電子部品のグランド端子と基板のグランド電極との間を接続する導電性の接続部材とを備え、
該接続部材は、前記基板から離間して前記電子部品の信号端子を覆うカバー部と、該カバー部から前記基板に向けて延び前記基板のグランド電極に接続される脚部と、前記カバー部に設けられ前記電子部品のグランド端子に接続されるグランド端子接続部と、前記脚部からマザーボード側に向けて延び当該マザーボードのグランドに接続される外部接続部とによって構成してなる電子部品の接続構造。
【請求項２】
前記接続部材のグランド端子接続部は、前記カバー部が前記基板に向けて凹陥して形成され前記電子部品のグランド端子を収容する凹陥部である請求項１に記載の電子部品の接続構造。
【請求項３】
前記電子部品は、送信信号に応じた送信用の光信号を発光する発光素子と、受信用の光信号を受光して該光信号に応じた受信信号を前記信号端子から出力する受光素子とを備える構成としてなる請求項１または２に記載の電子部品の接続構造。
【請求項４】
前記請求項３に記載の電子部品の接続構造を用いた光トランシーバ。
【請求項５】
前記請求項３に記載の電子部品の接続構造を用いた光送受信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば光ファイバに接続される光モジュール等に用いて好適な電子部品の接続構造並びに該接続構造を用いた光トランシーバおよび光送受信装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、光信号の送信、受信を行う光モジュールとして、基板上には各種の信号処理を行う処理回路が設けられ、該基板の端部にはレーザダイオード（ＬＤ）、フォトダイオード（ＰＤ）等の光素子が取付けられると共に、この光素子を基板上の電極を通じて処理回路に接続したものが知られている（例えば、特許文献１参照）。このような光モジュールでは、光素子の複数の端子を用いて基板を挟み、基板の両面に設けられた電極にこれらの端子を接合する構成となっていた。
【０００３】
【特許文献１】特開平９−２１９５７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上述した従来技術による光モジュールでは、光素子の複数の端子が２列に並ぶときには、全ての端子を基板の両面側の電極に容易に接続することができる。しかし、例えば光素子としてＡＰＤ（アバランシェ・フォトダイオード）を含む受光素子を用いるときには、正，負の信号端子、グランド端子、電源端子に加えて高電圧を印加するための高電圧端子が必要となるから、これら５個の端子が略五角形状に配置される。この結果、正，負の信号端子と電源端子、高電圧端子とで基板を挟んだときには、グランド端子が基板から浮いた状態となって、グランド端子と基板上の電極（グランド電極）との間を接続することができないという問題がある。
【０００５】
また、光モジュールの受光素子は発光素子と近接して配置される。このため、発光素子の信号端子と受光素子の信号端子等との間でクロストークが生じ易く、ビットエラーレートが劣化するという問題もある。
【０００６】
また、ＡＰＤは熱依存性が非常に高いのに対して、光モジュールでは発光素子（ＬＤ）と受光素子（ＡＰＤ）とが近接して配置されるから、ＬＤの加熱によってＡＰＤの受光感度が変動する傾向がある。
【０００７】
さらに、受光素子はＡＰＤがＴＩＡ（インピーダンス変換増幅器）に接続され、該ＴＩＡを用いてＡＰＤから出力される光電流を電圧に変換し、信号端子から出力している。このとき、ＡＰＤから出力される光電流は非常に微弱で、ノイズに弱い傾向がある。これに対し、受光素子のグランド端子を基板のグランド電極に接続しただけでは、グランド端子の電位（グランド電位）が安定しないことがあり、ＡＰＤのバイアス電圧に変動して受光感度が不安定になるという問題もある。
【０００８】
本発明は上述した従来技術の問題に鑑みなされたもので、本発明の目的は、基板から離れた位置のグランド端子を基板上にグランド電極に容易に接続することができ、クロストークの防止、放熱性の向上、グランド電位の安定化を図ることができる電子部品の接続構造、光トランシーバおよび光送受信装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した課題を解決するために、本願の請求項１の発明による電子部品の接続構造は、信号電極、グランド電極が設けられた基板と、該基板の信号電極に信号端子が接続されグランド端子が該基板から離間した位置に配置される電子部品と、該電子部品のグランド端子と基板のグランド電極との間を接続する導電性の接続部材とを備え、該接続部材は、前記基板から離間して前記電子部品の信号端子を覆うカバー部と、該カバー部から前記基板に向けて延び前記基板のグランド電極に接続される脚部と、前記カバー部に設けられ前記電子部品のグランド端子に接続されるグランド端子接続部と、前記脚部からマザーボード側に向けて延び当該マザーボードのグランドに接続される外部接続部とによって構成している。
【００１０】
請求項２の発明では、前記接続部材のグランド端子接続部は、前記カバー部が前記基板に向けて凹陥して形成され前記電子部品のグランド端子を収容する凹陥部によって構成している。
【００１１】
請求項３の発明では、前記電子部品は、送信信号に応じた送信用の光信号を発光する発光素子と、受信用の光信号を受光して該光信号に応じた受信信号を前記信号端子から出力する受光素子とを備える構成としている。
【００１２】
また、請求項４，５の発明では、本発明の電子部品の接続構造を用いて光トランシーバ、光送受信装置を構成している。
【発明の効果】
【００１３】
請求項１の発明によれば、接続部材はカバー部および脚部を備える構成としたから、脚部を基板のグランド電極に接続できると共に、脚部によってカバー部を基板から離間した位置に支持することができる。これにより、カバー部を電子部品のグランド端子の近傍に配置することができるから、カバー部に設けたグランド端子接続部をグランド端子に容易に接続することができる。
【００１４】
また、接続部材のカバー部は電子部品の信号端子を覆う構成としたから、該カバー部によって信号端子をシールドすることができる。これにより、電子部品の近傍にノイズの発生源が配置されるときでも、ノイズの発生源と信号端子との間のクロストークを防ぐことができる。
【００１５】
また、例えば金属の接続部材を電子部品のグランド端子に接続するから、接続部材を用いて電子部品の放熱性を高めることができる。この結果、電子部品の過熱を防止して温度特性を安定化させることができる。
【００１６】
さらに、接続部材はマザーボードのグランドに接続される外部接続部を備える構成としたから、外部接続部を用いて接続部材のグランド電位を安定化させることができる。これにより、電子部品のグランド端子の電位を安定化させることができるから、電子部品内の電圧変動を抑制して特性を安定化することができる。
【００１７】
請求項２の発明によれば、接続部材のグランド端子接続部をカバー部を凹陥させた凹陥部によって形成したから、凹陥部内に電子部品のグランド端子を収容することによって、接続部材を容易に位置決めすることができる。これにより、接続部材の取付け性を高めることができると共に、半田付け等の接合手段を用いて凹陥部に対してグランド端子を容易に接合することができる。
【００１８】
請求項３の発明によれば、電子部品は発光素子と受光素子とを備える構成としたから、受光素子および発光素子の近傍に、これらの信号端子や信号ライン（配線）等が配置されたとしても、接続部材のカバー部によって受光素子の信号端子をシールドすることができ、受光素子の受信信号と発光素子の送信信号との間でクロストークが生じるのを防止することができる。また、発熱源となる発光素子の近傍に受光素子が配置されると共に、該受光素子の熱依存性が高いときでも、接続部材を用いて受光素子の放熱性を高めることができ、受光感度を安定化させることができる。さらに、外部接続部を用いて接続部材をマザーボードのグランド電極に接続するから、接続部材を通じて受光素子のグランド端子の電位を安定化することができる。これにより、受光素子のバイアス電圧を安定化することができるから、受光感度を安定化することができる。
【００１９】
請求項４，５の発明によれば、本発明の電子部品の接続構造を用いて光トランシーバ、光送受信装置を構成するから、受光素子の受光感度を安定化して微弱な光信号でも確実に受光して検出することができ、長距離通信に適用することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、実施の形態として本発明の電子部品の接続構造を光トランシーバに適用した場合を例に挙げて、図１ないし図９を参照しつつ詳細に説明する。
【００２１】
図において、１は光トランシーバを示し、該光トランシーバ１は、後述するケーシング２、回路基板５、回路部品６、光合分波器１３等によって構成されている。
【００２２】
２は例えば樹脂材料を用いて形成され後述する回路基板５、光合分波器１３等を収容するケーシングで、該ケーシング２は、略四角形の箱状に形成されると共に、その前端側にはケーシング２の外側に向けて突出したフック部２Ａが設けられている。そして、ケーシング２の底部には後側には後述のピン端子７が挿通される複数の挿通孔２Ｂが穿設されている。
【００２３】
３はケーシング２の前端側に取付けられたアダプタケースで、該アダプタケース３は、例えば樹脂材料を用いて略四角形の筒状に形成され、その内部にフック部２Ａが収容されている。そして、アダプタケース３内には、光ファイバ等に接続された相手方の光コネクタ（図示せず）が挿入され、該光コネクタがフック部２Ａに係合する構成となっている。
【００２４】
４は回路基板５等を覆う金属製のカバー部材で、該カバー部材４は、断面コ字状をなしてケーシング２の前，後方向に沿って延びている。そして、カバー部材４は、ケーシング２にアダプタケース３、回路基板５、光合分波器１３が取付けられた状態で、回路基板５等を覆うように上側から装着されるものである。
【００２５】
５はケーシング２内に取付けられた略四角形状の回路基板（基板）で、該回路基板５は、その前端側に後述の光合分波器１３を取付けるための略四角形状の切欠き部５Ａが設けられている。また、回路基板５には、複数の回路部品６が搭載されると共に、外部との間で信号を入出力するための複数のピン端子７が列設されている。
【００２６】
ここで、回路部品６は、送信回路をなすレーザドライバ８を構成し、受信回路をなすリミッタアンプ９（ポストアンプ）を構成すると共に、後述するＡＰＤ１６を駆動するための高電圧Ｖpd（例えば５０Ｖ程度）を発生する高電圧発生回路１０を構成している。
【００２７】
このとき、レーザドライバ８は、信号電極８Ａ，８Ｂを介して後述する光合分波器１３のＬＤ１４に接続されている。また、リミッタアンプ９は、信号電極９Ａ，９Ｂを介して光合分波器１３の受光素子１５に接続され、高電圧発生回路１０は、光合分波器１３の受光素子１５に接続されている。
【００２８】
また、レーザドライバ８、リミッタアンプ９、高電圧発生回路１０は、ピン端子７を通じてマザーボード２０側の駆動電源（図示せず）に接続されると共に、ケーシング２の外周側等に設けられたグランド端子１１を通じてマザーボード２０側のグランド電極（図示せず）に接続されている。さらに、切欠き部５Ａの奥所側には、回路基板５の表面側に位置して信号電極８Ａ，８Ｂが設けられている。また、切欠き部５Ａの幅方向一側（腕部側）には、回路基板５の裏面側に位置して高電圧電極と駆動電源に接続される電源電極（いずれも図示せず）とが設けられると共に、回路基板５の表面側に位置して信号電極９Ａ，９Ｂとグランド端子１１等に接続されたグランド電極１１Ａとが設けられている。そして、信号電極９Ａ，９Ｂは、回路基板５の後側に向けて延びる配線１２Ａ，１２Ｂを通じて回路基板５の中央部側に設けられたリミッタアンプ９に接続されている。
【００２９】
また、レーザドライバ８は、ピン端子７を介して後述のパラレルシリアル変換回路２１に接続されている。そして、レーザドライバ８は、パラレルシリアル変換回路２１から出力される時系列なシリアル信号を増幅して出力し、光合分波器１３のＬＤ１４を駆動する。
【００３０】
一方、リミッタアンプ９は、ピン端子７を介して後述のクロック信号抽出回路２２等に接続されている。そして、リミッタアンプ９は、光合分波器１３の受光素子１５から出力されるシリアル信号となった受信信号を増幅して波形整形し、クロック信号抽出回路２２に向けて波形整形した受信信号を出力する。
【００３１】
１３は回路基板５の前端側に位置して切欠き部５Ａ内に取付けられた電子部品としての光合分波器で、該光合分波器１３は、伝熱性の金属材料等からなる箱状の筐体内に例えば発光素子としてのレーザダイオード１４（以下、ＬＤ１４という）および受光素子１５が収容された素子収容部１３Ａと、素子収容部１３Ａから前側に向けて突出し相手方の光コネクタと接続する際に接続端部として機能するフェルールホルダ１３Ｂとによって構成されている。
【００３２】
また、受光素子１５は、アバランシェ・フォトダイオード１６（以下、ＡＰＤ１６という）と、該ＡＰＤ１６の出力側に接続されたプリアンプとしてのトランスインピーダンスアンプ１７（Transimpedance Amplifier：以下、ＴＩＡ１７という）とによって構成され、これらのＡＰＤ１６とＴＩＡ１７とは例えばＴＯキャンと呼ばれる略筒状の中空ケース１８内に収容されている。
【００３３】
ここで、ＬＤ１４は、２本の信号端子１４Ａ，１４Ｂを備え、該信号端子１４Ａ，１４Ｂや配線（図示せず）を通じてレーザドライバ８に接続されている。これにより、ＬＤ１４は、レーザドライバ８から出力される送信信号に応じて駆動し、送信用の光信号を出力する。
【００３４】
一方、受光素子１５は、正，負の信号端子１５Ａ，１５Ｂ、グランド端子１５Ｃ、電源端子１５Ｄ、高電圧端子１５Ｅの合計５本の端子を備えている。ここで、ＡＰＤ１６は、そのカソードが高電圧端子１５Ｅに接続されると共に、アノードがＴＩＡ１７の入力端子に接続されている。また、ＴＩＡ１７は、グランド端子１５Ｃと駆動電圧Ｖccが供給される電源端子１５Ｄとに接続されると共に、その正，負の出力端子が信号端子１５Ａ，１５Ｂにそれぞれ接続されている。ここで、グランド端子１５Ｃは、後述する接続部材１９を通じてマザーボード２０側のグランド電極（図示せず）に接続されると共に、中空ケース１８にも接続されている。
【００３５】
そして、高電圧発生回路１０は、例えば数Ｖ程度の駆動電圧Ｖccを昇圧して５０Ｖ程度の高電圧を発生し、ＡＰＤ１６に対して該高電圧を逆バイアスとして印加する。これにより、ＡＰＤ１６には、受光した受信用の光信号に応じた光電流が流れる。そして、ＴＩＡ１７は、ＡＰＤ１６側のインピーダンスを変換すると共に、ＡＰＤ１６から出力される光電流を電圧に変換して増幅する。これにより、ＴＩＡ１７は、増幅した電圧信号（電気信号）からなる受信信号Ｖoutを正，負の信号端子１５Ａ，１５Ｂからそれぞれ出力する構成となっている。
【００３６】
１９は光合分波器１３（受光素子１５）のグランド端子１５Ｃと回路基板５のグランド電極１１Ａとの間を接続する導電性の接続部材で、該接続部材１９は、例えば１枚の金属材料からなる平板をプレス加工した板金部材によって形成され、回路基板５の表面に位置して切欠き部５Ａの幅方向一側に設けられ、受光素子１５の中空ケース１８の半田付け等によって接合されている。
【００３７】
また、接続部材１９は、回路基板５から離間して受光素子１５の信号端子１５Ａ，１５Ｂを覆うカバー部１９Ａと、該カバー部１９Ａの長さ方向（回路基板５の前，後方向）両端側に位置して回路基板５に向けて延びた例えば３本の脚部１９Ｂと、カバー部１９Ａの長さ方向途中位置に凹設されたグランド端子接続部としての凹陥部１９Ｃと、１本の脚部１９Ｂの先端に接続して設けられた外部接続部１９Ｄとによって構成されている。
【００３８】
ここで、カバー部１９Ａは、配線１２Ａ，１２Ｂに沿って回路基板５の前，後方向に延びる細長い平板状に形成され、配線１２Ａ，１２Ｂを部分的に覆っている。また、３本の脚部１９Ｂは、カバー部１９Ａの前側に１本、後側に２本設けられ、これらの脚部１９Ｂの先端は半田付け等によって回路基板５のグランド電極１１Ａにそれぞれ接合されている。さらに、後側の２本の脚部１９Ｂは、回路基板５の幅方向に離間して設けられ、これら２本の脚部１９Ｂ間に信号電極９Ａ，９Ｂに接続された配線１２Ａ，１２Ｂが配置されている。
【００３９】
また、凹陥部１９Ｃは、カバー部１９Ａが回路基板５に向けて部分的に凹陥して形成され、例えばＶ字状の溝をなしている。そして、凹陥部１９Ｃは、その内部に受光素子１５のグランド端子１５Ｃを収容した状態で、半田付け等によってグランド端子１５Ｃに接合されている。また、カバー部１９Ａの受光素子１５側には、凹陥部１９Ｃを挟んだ長さ方向両側に受光素子１５の中空ケース１８に当接する四角形のフランジ部１９Ｅ（当接部）が設けられ、これらのフランジ部１９Ｅは半田付け等によって中空ケース１８に接合されている。
【００４０】
さらに、外部接続部１９Ｄは、略Ｌ字状に屈曲して形成されると共に、その基端側が回路基板５の幅方向端部側に位置する脚部１９Ｂに接続して設けられている。一方、外部接続部１９Ｄの先端側は、回路基板５の端部から外側に突出してケーシング２の外周側に配置されると共に、回路基板５の方向に沿って延び、ケーシング２に底部よりも下側（マザーボード２０側）に突出している。これにより、外部接続部１９Ｄは、マザーボード２０側のグランド（図示せず）に接続される構成となっている。
【００４１】
２０は光送受信装置が実装されるマザーボードで、該マザーボード２０には、後述のパラレルシリアル変換回路２１、クロック信号抽出回路２２、シリアルパラレル変換回路２３、データ符号化回路２４，２５、コネクタジャック２６等が実装されている。そして、パラレルシリアル変換回路２１、クロック信号抽出回路２２、シリアルパラレル変換回路２３は、光トランシーバ１と共に光送受信装置２７を構成している。また、データ符号化回路２４，２５等は、該光送受信装置２７と共に、例えば光ファイバケーブル用のデータ形式とＬＡＮ（Local Area Network）ケーブル用のデータ形式とを相互に変換するメディアコンバータを構成している。
【００４２】
２１はマザーボード２０に実装されたパラレルシリアル変換回路で、該パラレルシリアル変換回路２１は、ピン端子７を介してレーザドライバ８に接続されると共に、光信号用データ符号化回路２４に接続されている。そして、光信号を送信するときは、パラレルシリアル変換回路２１は、光信号用データ符号化回路２４から出力される光ファイバケーブル用のパラレル信号を時系列なシリアル信号に変換し、レーザドライバ８を用いて光合分波器１３のＬＤ１４を駆動する。
【００４３】
２２はマザーボード２０に実装されたクロック信号抽出回路で、該クロック信号抽出回路２２は、ピン端子７を介してリミッタアンプ９に接続されると共に、シリアルパラレル変換回路２３を介して光信号用データ符号化回路２４に接続されている。そして、光信号を受信するときは、クロック信号抽出回路２２は、リミッタアンプ９によって波形整形された受信信号を用いてクロック信号を抽出し、シリアルパラレル変換回路２３は、受信信号をパラレル信号に変換してマザーボード２０側の光信号用データ符号化回路２４に出力する。
【００４４】
２４はパラレルシリアル変換回路２１とシリアルパラレル変換回路２３とに接続された光信号用データ符号化回路で、該光信号用データ符号化回路２４は、例えば１０００ＢＡＳＥ−Ｘ等の光ファイバケーブルに用いるイーサネット（登録商標）の規格に基づいてデータ形式の変換を行っている。
【００４５】
２５は光信号用データ符号化回路２４に接続されたＬＡＮ用データ符号化回路で、ＬＡＮ用データ符号化回路２５は、例えば１０００ＢＡＳＥ−Ｔ等のＬＡＮケーブルに用いるイーサネット（登録商標）の規格に基づいてデータ形式の変換を行っている。このため、２つのデータ符号化回路２４，２５によって、ＬＡＮケーブル用のデータと光ファイバケーブル用のデータを相互に変換する構成となっている。また、ＬＡＮ用データ符号化回路２５は、マザーボード２０に実装されたコネクタジャック２６を用いてＬＡＮケーブルに接続されるものである。
【００４６】
本実施の形態による光送受信装置は上述の如き構成を有するもので、次にその作動について説明する。
【００４７】
まず、光トランシーバ１をマザーボード２０に実装すると共に、コネクタジャック２６をＬＡＮケーブルに接続する。次に、光トランシーバ１のアダプタケース３内に相手方の光コネクタ（図示せず）を挿入して連結する。これにより、相手方の光コネクタ中の光ファイバがフェルールホルダ１３Ｂで保持される光フェルール中の光ファイバを通じて光合分波器１３内の素子に光結合されるから、光合分波器１３を用いて相手方の光ファイバに対して送信信号に応じた光信号を送信することができると共に、相手方の光ファイバから受信した光信号を受信信号に変換して外部に出力することができる。
【００４８】
然るに、本実施の形態では、光合分波器１３のグランド端子１５Ｃと回路基板５のグランド電極１１Ａとの間を接続部材１９を用いて接続すると共に、接続部材１９はカバー部１９Ａおよび脚部１９Ｂを備える構成としたから、脚部１９Ｂを回路基板５のグランド電極１１Ａに接続できると共に、脚部１９Ｂによってカバー部１９Ａを回路基板５から離間した位置に支持することができる。これにより、カバー部１９Ａを回路基板５から離れた（浮いた）位置に配置されたグランド端子１５Ｃの近傍に配置することができるから、カバー部１９Ａに設けた凹陥部１９Ｃをグランド端子１５Ｃに容易に接続することができる。この結果、受光素子１５近傍で回路基板５の面積が狭くなるときでも、光合分波器１３のグランド端子１５Ｃと回路基板５のグランド電極１１Ａとの間を容易に接続することができ、生産性を向上することができる。
【００４９】
また、接続部材１９のカバー部１９Ａは受光素子１５の信号端子１５Ａ,１５Ｂを覆う構成としたから、該カバー部１９Ａによって信号端子１５Ａ,１５Ｂをシールドすることができる。これにより、光合分波器１３のように受光素子１５の近傍にノイズの発生源となるＬＤ１４が配置されるときでも、ＬＤ１４の信号端子１４Ａ,１４Ｂやレーザドライバ８と受光素子１５の信号端子１５Ａ,１５Ｂとの間のクロストークを防ぐことができ、ビットエラーレートの劣化を防止することができる。
【００５０】
また、金属の接続部材１９を光合分波器１３のグランド端子１５Ｃに接続するから、接続部材１９を用いて受光素子１５の放熱性を高めることができる。この結果、光合分波器１３のように発熱源となるＬＤ１４と温度依存性の高いＡＰＤ１６とが近接して配置される場合でも、受光素子１５の過熱を防止してＡＰＤ１６の温度特性や受光感度を安定化させることができる。
【００５１】
特に、接続部材１９は凹陥部１９Ｃがグランド端子１５Ｃに接合されるのに加えて、フランジ部１９Ｅが受光素子１５の中空ケース１８に接合される構成としたから、受光素子１５と接続部材１９との間の熱抵抗を減少させることができ、接続部材１９を用いた放熱性をさらに高めることができる。
【００５２】
さらに、接続部材１９はマザーボード２０のグランドに接続される外部接続部１９Ｄを備える構成としたから、外部接続部１９Ｄを用いて接続部材１９のグランド電位を安定化させることができる。これにより、受光素子１５に受光感度の高いＡＰＤ１６を用いたときでも、受光素子１５のグランド端子１５Ｃの電位を安定化させることができるから、受光素子１５内の電圧変動を抑制して受光特性、受光感度を安定化することができる。
【００５３】
また、カバー部１９Ａを部分的に凹陥させた凹陥部１９Ｃによってグランド端子接続部を形成したから、凹陥部１９Ｃ内に受光素子１５のグランド端子１５Ｃを収容することによって、接続部材１９を容易に位置決めすることができる。これにより、接続部材１９の取付け性を高めることができると共に、半田付け等の接合手段を用いて凹陥部１９Ｃに対してグランド端子１５Ｃを容易に接合することができる。
【００５４】
さらに、接続部材１９はカバー部１９Ａ、脚部１９Ｂ、凹陥部１９Ｃ、外部接続部１９Ｄ等によって構成したから、１枚の板金をプレス加工することによって容易に接続部材１９を形成することができ、製造コストを低減することができる。
【００５５】
特に、本実施の形態では、受光素子１５のグランド端子１５Ｃと回路基板５のグランド電極１１Ａとの間を接続部材１９を用いて接続し、光トランシーバ１や光送受信装置２７を構成するから、受光素子１５の受光感度を安定化して微弱な光信号でも確実に受光して検出することができ、長距離通信に適用することが可能となる。
【００５６】
なお、前記実施の形態では、グランド端子接続部はカバー部１９Ａを略Ｖ字状に凹陥した凹陥部１９Ｃによって構成したが、例えば図１０に示す第１の変形例のように、略コ字状に凹陥した凹陥部１９Ｃ′によって構成してもよく、図１１に示す第２の変形例のように、２個の略Ｖ字状の突起間に挟まれて凹陥した凹陥部１９Ｃ″によって構成してもよい。
【００５７】
また、前記実施の形態では、接続部材１９には受光素子１５の中空ケース１８に接合するフランジ部１９Ｅを設ける構成としたが、該フランジ部１９Ｅを省く構成としてもよい。
【００５８】
また、前記実施の形態では、電子部品としてＬＤ１４（発光素子）と受光素子１５とを備えた光合分波器１３を用いる構成としたが、電子部品を受光素子だけを用いて構成してもよい。また、受光素子１５にはＡＰＤ１６を用いる構成としたが、ＰＩＮフォトダイオード（ＰＩＮ  ＰＤ）を用いる構成としてもよく、フォトトランジスタを用いる構成としてもよい。
【００５９】
さらに、前記実施の形態では、受光素子１５を備えた電子部品に適用するものとしたが、信号端子とグランド端子とを備えた他の電子部品にも広く適用できるものである。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の実施の形態による光トランシーバをカバー部材の一部を破断して示す斜視図である。
【図２】図１中の光トランシーバを示す分解斜視図である。
【図３】図２中のＡ部を拡大して示す部分拡大斜視図である。
【図４】図３中の光合分波器、接続部材等を拡大して示す部分拡大正面図である。
【図５】図４中の光合分波器、接続部材等を拡大して示す部分拡大平面図である。
【図６】図１中の接続部材を単体で示す斜視図である。
【図７】図１中の光トランシーバを用いた光送受信装置の構成を示すブロック図である。
【図８】図１中の受光素子を示す回路図である。
【図９】図１中の光トランシーバを用いたメディアコンバータの構成を示すブロック図である。
【図１０】第１の変形例による接続部材を光合分波器等と一緒に示す図４と同様位置の部分拡大正面図である。
【図１１】第２の変形例による接続部材を光合分波器等と一緒に示す図４と同様位置の部分拡大正面図である。
【符号の説明】
【００６１】
１  光トランシーバ
５  回路基板（基板）
８  レーザドライバ
９  リミッタアンプ
９Ａ,９Ｂ  信号電極
１１  グランド端子
１１Ａ  グランド電極
１３  光合分波器（電子部品）
１４  レーザダイオード（ＬＤ）
１５  受光素子
１５Ａ,１５Ｂ  信号端子
１５Ｃ  グランド端子
１５Ｄ  電源端子
１５Ｅ  高電圧端子
１６  アバランシェ・フォトダイオード（ＡＰＤ）
１７  トランスインピーダンスアンプ（ＴＩＡ）
１９  接続部材
１９Ａ  カバー部
１９Ｂ  脚部
１９Ｃ,１９Ｃ′,１９Ｃ″  凹陥部（グランド端子接続部）
１９Ｄ  外部接続部
１９Ｅ  フランジ部
２０  マザーボード
２７  光送受信装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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