(57)【要約】      （修正有）【課題】  特に支持体としてアルミ基板を用いた場合に、放射線画像変換パネルの面内の輝度が良好で、且つ、面内で輝度の均一性に優れた放射線画像変換パネルの製造方法。【解決手段】真空チャンバ９内で、Ａｌ基板５に輝尽性蛍光体層６を蒸着する際に、該基板の中央又は全面を基板ホルダー３の静電チャック機能により保持し、蒸着する。【選択図】図２
2006219516.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空チャンバ内で、基板に輝尽性蛍光体層を蒸着する放射線画像変換パネルの製造方法において、該真空チャンバ内で、基板に輝尽性蛍光体層を蒸着する際に、該基板の中央又は全面を基板ホルダーの静電チャック機能により基板を保持し蒸着することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
【請求項２】
前記輝尽性蛍光体層が下記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体を含有することを特徴とする請求項１に記載の放射線画像変換パネルの製造方法。
一般式（１）
Ｍ1Ｘ・ａＭ2Ｘ′・ｂＭ3Ｘ″：ｅＡ
〔式中、Ｍ1はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓの各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属原子であり、Ｍ2はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉの各原子から選ばれる少なくとも１種の二価金属原子であり、Ｍ3はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎの各原子から選ばれる少なくとも１種の三価金属原子であり、Ｘ、Ｘ′、Ｘ″はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩの各原子から選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子であり、ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇの各原子から選ばれる少なくとも１種の金属原子であり、また、ａ、ｂ、ｅはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｅ≦０．２の範囲の数値を表す。〕
【請求項３】
前記基板がアルミ基板であり、該アルミ基板上に蒸着源ＣｓＢｒ：Ｅｕを用いて蒸着し、ＣｓＢｒ：Ｅｕを有する輝尽性蛍光体層を設けることを特徴とする請求項１又は２に記載の放射線画像変換パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板（支持体）上に輝尽性蛍光体を含有する輝尽性蛍光体（以下、単に蛍光体ともいう）層を有する放射線画像変換パネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より放射線画像を得るために銀塩を使用した、いわゆる放射線写真法が利用されているが、銀塩を使用しないで放射線画像を画像化する方法が開発されている。すなわち、被写体を透過した放射線を輝尽性蛍光体に吸収させ、その後、この輝尽性蛍光体をある種のエネルギーで励起してこの輝尽性蛍光体が蓄積している放射線エネルギーを蛍光として放射させ、この蛍光を検出して画像化する方法が開示されている。
【０００３】
具体的な方法としては、支持体上に輝尽性蛍光体層を設けたパネルを用い、励起エネルギーとして可視光線及び赤外線の一方又は両方を用いる放射線画像変換方法が知られている（例えば、特許文献１を参照）。
【０００４】
ところで、近年、高輝度、高感度、高鮮鋭性の輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換方法として、ＣｓＢｒなどのハロゲン化アルカリを母体にＥｕを賦活した輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネルが提案されている。特にＥｕを賦活剤とすることで、従来不可能であったＸ線変換効率の向上が可能になるとされている。
【０００５】
また、診断画像の解析において、より高鮮鋭性の放射線画像変換パネルが要求されており、鮮鋭性改善のための手段として、例えば形成される輝尽性蛍光体の形状そのものをコントロールし感度及び鮮鋭性の改良を図る試みがされている。
【０００６】
これらの試みの１つとして、例えば、気相堆積法によって支持体上に、支持体の法線方向に対し一定の傾きをもった細長い柱状結晶を形成した輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルが提案されている（例えば特許文献２を参照）。
【０００７】
また、放射線画像変換パネルの画質向上の方法としてＡｌの様な高反射率の基板を用いることにより励起光や輝尽発光が反射され、より高い輝度が得られることがわかっている。
【特許文献１】米国特許第３，８５９，５２７号明細書
【特許文献２】特開平２−５８０００号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、放射線画像変換パネルのサイズが、例えば４５０ｍｍ×４５０ｍｍというような大きさを有しており、厚みが０．５ｍｍと薄いために、Ａｌ基板を基板ホルダーに四隅で固定しても基板の中心が浮いてしまう。
【０００９】
Ａｌ基板が基板ホルダーに密着していないと基板温度の制御ができず、基板温度が基板面内で不均一となり、放射線画像変換パネルの面内の輝度が不均一になるという問題が生じた。
【００１０】
従って、本発明の目的は、特に支持体としてアルミ基板を用いた場合、放射線画像変換パネルの面内の輝度が良好で、且つ、面内で輝度の均一性に優れた放射線画像変換パネルの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の上記目的は以下の構成により達成される。
【００１２】
（請求項１）
真空チャンバ内で、基板に輝尽性蛍光体層を蒸着する放射線画像変換パネルの製造方法において、該真空チャンバ内で、基板に輝尽性蛍光体層を蒸着する際に、該基板の中央又は全面を基板ホルダーの静電チャック機能により基板を保持し蒸着することを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
【００１３】
（請求項２）
前記輝尽性蛍光体層が下記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体を含有することを特徴とする請求項１に記載の放射線画像変換パネルの製造方法。
【００１４】
一般式（１）
Ｍ1Ｘ・ａＭ2Ｘ′・ｂＭ3Ｘ″：ｅＡ
〔式中、Ｍ1はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓの各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属原子であり、Ｍ2はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉの各原子から選ばれる少なくとも１種の二価金属原子であり、Ｍ3はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎの各原子から選ばれる少なくとも１種の三価金属原子であり、Ｘ、Ｘ′、Ｘ″はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩの各原子から選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子であり、ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇの各原子から選ばれる少なくとも１種の金属原子であり、また、ａ、ｂ、ｅはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｅ≦０．２の範囲の数値を表す。〕
（請求項３）
前記基板がアルミ基板であり、該アルミ基板上に蒸着源ＣｓＢｒ：Ｅｕを用いて蒸着し、ＣｓＢｒ：Ｅｕを有する輝尽性蛍光体層を設けることを特徴とする請求項１又は２に記載の放射線画像変換パネルの製造方法。
【発明の効果】
【００１５】
本発明による放射線画像変換パネルの製造方法は、特に支持体としてアルミ基板を用いた場合、放射線画像変換パネルの面内の輝度が良好で、且つ、面内で輝度の均一性に優れた効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明を更に詳細に述べる。
【００１７】
ボートにＣｓＢｒを４００ｇ充填し、基板とともに図２の真空装置内にセットする。このとき静電チャックにより基板は保持され、密着性が保たれる。１．０×１０-3Ｐａまで真空に引いた後、Ａｒを導入し、５．０×１０-2Ｐａに真空度を調節する。基板を回転して８０℃まで加熱したあと、ボートに電流を印加して基板にＣｓＢｒ：Ｅｕを蒸着する。５００μｍとなったところで蒸着を終了し、基板を冷却後取り出す。基板と蒸発源間距離、基板中心の真下からボートまでの距離、制御板などにより膜厚は面内で均一に保たれている。
【００１８】
基板温度は熱電対で基板中央と基板端部、その中間の３箇所測定した。基板温度は蒸着時の最高温度を記した。また同様に３箇所をＲＥＧＩＵＳ（コニカミノルタ（株）製）により輝度測定した。基板中央の輝度を１とした。
【００１９】
静電チャックにより密着性を高めることにより基板温度制御ができ、基板温度の均一性が保たれ、輝度の均一性が達成されるを見出した。
【００２０】
尚、基板温度の均一性とは、基板を回転して、蒸着する場合、基板中心と基板端部、その中間部のそれぞれの３つの表面温度が蒸着開始から終了までのそれぞれの時間において、該３つの表面の温度の差が１０℃以内であることをいう。
【００２１】
また、輝度の均一性とは輝尽性蛍光体プレートの全面の輝度の最大値と最小値が５％以内であることをいう。
【００２２】
以下、図１、２を用いて本発明を更に詳細に述べる。
【００２３】
図１は基板ホルダーに静電チャック機能を有しないチャンバーの一例を示す概略図である。
【００２４】
図２は基板ホルダーに電極１０を有し且つ、静電チャック機能を有する本発明のチャンバーの一例を示す概略図である。
【００２５】
図１は、チャンバー内の基板ホルダーに静電チャクック機能をゆうしないので、ボート７から蒸着源ＣｓＢｒ：ＥｕをＡｌ基板５上に蒸着する場合、Ａｌ基板５は基板ホルダーに保持金具４で保持されてはいるが、Ａｌ基板と基板ホルダーとの密着性が悪く、基板ホルダーを回転し蒸着しても、温媒、冷媒２で、特に、Ａｌ基板の両端部及び中央の温度制御が難しく、均一な蒸着膜（膜厚）が得られず、従い均一な輝度特性も得られない。
【００２６】
それに、反して、上述した如く、図１の本発明の基板ホルダーに電極１０を有し、静電チャックを有する本発明のチャンバー内でボート７から蒸着源ＣｓＢｒ：ＥｕをＡｌ基板５上に蒸着する場合、図２の如く、基板ホルダー３とＡｌ基板５との密着性に優れ、Ａｌ基板の温度も、温媒、冷媒２で両端部及び中央の温度制御可能で均一となり、蒸着膜（膜厚）も均一に形成することができ、均一な輝度特性を得ることができる。
【００２７】
本発明に用いられる基板としては、Ａｌ基板が好ましいが、Ａｌ基板以外の金属（Ｓｉ、Ｂ等）、その合金、セラッミックス、セラミックと金属の複合材料、樹脂等も用いることができる。
【００２８】
本発明の輝尽性蛍光体としては、前記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体が好ましく、その中でＣｓＢｒ：Ｅｕが特に好ましい。
【００２９】
前記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体について説明する。
【００３０】
Ｍ1はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓから選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属原子であり、Ｍ2はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉから選ばれる少なくとも１種の２価金属原子であり、Ｍ3はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎから選ばれる少なくとも１種の３価金属原子であり、Ｘ、Ｘ′及びＸ″はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩから選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子であり、ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｃｓ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇから選ばれる少なくとも１種の金属原子であり、また、ａ、ｂ及びｃは、それぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｅ≦０．２の範囲の数値を表す。
【００３１】
これら一般式（１）において、Ｍ1はＫ、Ｒｂ及びＣｓから選ばれる少なくとも１種の金属原子であることが好ましく、ＸはＢｒ及びＩから選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子であることが好ましい。
【００３２】
また、Ｍ2はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａから選ばれる少なくととも一種の金属原子であることが好ましく、Ｍ3はＹ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ａｌ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｇａ及びＩｎから選ばれることが好ましい。さらに、ｂとしては０≦ｂ≦０．０１であることが好ましく、ＡはＥｕ、Ｃｓ、Ｓｍ、Ｔｌ及びＮａから選ばれることが好ましい。
【００３３】
尚、本発明の輝尽性蛍光体層上に保護膜を用いても良い。
【実施例】
【００３４】
以下に、実施例を挙げて、本発明を具体的に説明するが、本発明の実施態様はこれらに、限定されるものではない。
【００３５】
実施例１
１ｍｍ厚（Ａｌ基板の厚み）のＡｌ支持体の表面に図２に示したチャンバーを用いて輝尽性蛍光体（ＣｓＢｒ：Ｅｕ）を有する輝尽性蛍光体層を形成した。
【００３６】
Ａｌ支持体を図２に示すように基板ホルダーを回転させながら蒸着を行ない、輝尽性蛍光体層の厚みが３００μｍになるように調整した。
【００３７】
尚、蒸着にあたっては、前記支持体を蒸着器内に設置し、次いで、蛍光体原料（ＣｓＢｒ：Ｅｕ）を蒸着源としてプレス成形しボート７にいれた。
【００３８】
その後、蒸着器内を一旦排気し、Ｎ2ガスを導入し、０．１３３Ｐａに真空度を調整した後、基板温度を表１の温度に保持しながら、蒸着した。輝尽性蛍光体層の膜厚が３００μｍとなったところで蒸着を終了させ、次いで、この蛍光体層を温度４００℃で加熱処理した。乾燥空気の雰囲気内で、支持体及び硼珪酸ガラスを有する保護層周縁部を接着剤で封止して、蛍光体層が密閉された構造の放射線画像変換パネル試料１を得た。
【００３９】
次に、図１のチャンバーをもちいて、後は実施例１と同様にして、放射線画像変換パネル試料２を得た。尚、蒸着時の基板温度は表１に記載の如くである。
【００４０】
《輝度、輝度分布の評価》
輝度はコニカ（株）製Ｒｅｇｉｕｓ３５０を用いて評価を行った。
【００４１】
鮮鋭性評価と同様にＸ線をタングステン管球にて８０ｋＶｐ、１０ｍＡｓで爆射線源とプレート間距離２ｍで照射した後、Ｒｅｇｉｕｓ３５０にプレートを設置して読みとった。得られたフォトマルからの電気信号を元に評価を行った。
【００４２】
撮影された面内のフォトマルからの電気信号分布を相対評価し、標準偏差を求め、それぞれ各試料の輝度分布（Ｓ．Ｄ．）とした。値が小さい程、賦活剤の均一性に優れている。
【００４３】
【表１】
2006219516.tif 000003
【００４４】
表１から明らかなように、本発明の製造方法で得られる放射線画像変換パネル１が比較のの製造方法から得られる放射線画像変換パネル２に比して優れていることが分かる。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】図１は基板ホルダーに静電チャック機能を有しないチャンバーの一例を示す概略図である。
【図２】図２は基板ホルダーに電極１０を有し且つ、静電チャック機能を有する本発明のチャンバーの一例を示す概略図である。
【符号の説明】
【００４６】
１  基板回転機構
２  温媒、冷媒
３  基板ホルダー
４  保持金具
５  Ａｌ基板
６  蒸着膜
７  ボート
８  真空ポンプ
９  真空チャンバー
１０  電極
【図１】
2006219516.tif 000004
【図２】
2006219516.tif 000005