(57)【要約】【課題】  ダミー吐出のスペースを確保し、製造効率を向上させることができる電子デバイス装置の製造方法、電子デバイス装置及び電子機器を提供すること。【解決手段】  本実施形態によれば、基板２に実装するＩＣチップ３上にダミー吐出を行うこととしたので、基板２上にダミー吐出のスペースが確保できない場合であっても、フラッシングを行うことができる。また、別途紙を用意する必要も無いため、製造効率が向上する。また、特にＩＣチップ３と基板２とに跨って実配線パターン７を形成する場合に、ＩＣチップ３上にダミー吐出を行い、その後このＩＣチップ３上から基板２に向けて実配線パターン７を形成するので、ＩＣチップ３上にダミー吐出を行った直後に実配線パターン７を形成するための吐出を行うことができる。これにより、液体材料の吐出を安定させることができる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に実装された電子部品上にノズルから液体材料をダミー吐出するダミー吐出工程と、
前記ダミー吐出工程の後、前記ダミー吐出を行った際のノズルと同一のノズルから前記液体材料を吐出して実パターンを形成する実パターン形成工程と
を具備することを特徴とする電子デバイス装置の製造方法。
【請求項２】
前記ダミー吐出工程では、
前記電子部品のうち、前記実パターンの一部分が前記基板から跨るように形成される第１領域とは異なる第２領域へ向けて、前記ノズルから前記液体材料を吐出し、
前記実パターン形成工程では、
前記第１領域から前記基板に、前記ダミー吐出を行った際のノズルと同一のノズルから前記液体材料を吐出して前記実パターンを形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス装置の製造方法。
【請求項３】
前記実パターン形成工程の後、前記電子部品の少なくとも前記ダミー吐出された液体材料が残存する領域上を封止する工程を更に具備することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電子デバイス装置の製造方法。
【請求項４】
前記実パターン形成工程の後、前記電子部品上にダミー吐出された前記液体材料を除去する工程を更に具備することを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス装置の製造方法。
【請求項５】
前記電子部品には、
前記第２領域へ向けて吐出された前記液体材料が前記第１領域へ流れることを防止する流れ防止手段が備えられていることを特徴とする請求項２に記載の電子デバイス装置の製造方法。
【請求項６】
前記流れ防止手段が、
前記第２領域の表面に設けられ、前記液体材料を定着させることが可能な定着層であることを特徴とする請求項５に記載の電子デバイス装置の製造方法。
【請求項７】
前記流れ防止手段が、
前記第１領域と前記第２領域との境界に設けられ、前記液体材料の流れを塞き止めることが可能な塞き止め部であることを特徴とする請求項５に記載の電子デバイス装置の製造方法。
【請求項８】
前記流れ防止手段が、
前記第１領域と前記第２領域との境界に設けられ、前記第２領域上よりも前記液体材料に対する撥液性の高い撥液層であることを特徴とする請求項５に記載の電子デバイス装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のうちいずれか一項に記載の電子デバイス装置の製造方法により製造された電子デバイス装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の電子デバイス装置が搭載されていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイス装置の製造方法、電子デバイス装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話等の電子機器は、年々薄型化・軽量化の傾向にある。これに伴い電子機器に搭載される電子デバイス装置についても薄型化、軽量化が要求されている。例えば、ウエハの状態でシリコンの裏面を削り、厚さを５０μｍ以下としたＩＣチップ（電子デバイス）を基板に搭載した電子デバイス装置が知られている。
【０００３】
当該電子デバイス装置と外部（例えば電源等）との電気的接続は、基板上に形成された電極を介してなされる。具体的には、外部と接続される電極が基板上に形成され、電子デバイスと当該電極とが配線により接続される。この配線は、例えば金属（配線用）を含んだ液体材料をノズル等により基板及び電子デバイスへ吐出することで、所望のパターン（実パターン）に形成される（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
一方、この方法では、例えばノズル内で液体材料が固化し、当該ノズル内が詰まることがある。ノズル内が詰まると、当該ノズルから吐出される液体材料の量が減少し、実パターンを形成したときに印字抜けの部分が形成されることがある。このため、液体材料を吐出する際には、いきなり実パターンを形成するのではなく、一度実パターンを形成する場所とは別の場所、例えば基板上の空きスペースや、別途用意した紙の上等に液体材料をダミー吐出し（フラッシング）、液体材料の吐出量を安定させてから基板上に液体材料を吐出している。  
【特許文献１】特開２００４−２８１５３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、電子デバイス装置が小型化することで、基板上に配線がほぼ隙間無く形成され、ダミー吐出に十分な空きスペースが形成されなくなる傾向にある。また、別途紙を用意してダミー吐出を行うのでは手間がかかり、製造効率が悪くなってしまう。
【０００６】
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、ダミー吐出のスペースを確保し、製造効率を向上させることができる電子デバイス装置の製造方法、電子デバイス装置及び電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明に係る電子デバイス装置の製造方法は、基板に実装された電子部品上にノズルから液体材料をダミー吐出するダミー吐出工程と、前記ダミー吐出工程の後、前記ダミー吐出を行った際のノズルと同一のノズルから前記液体材料を吐出して実パターンを形成する実パターン形成工程とを具備することを特徴とする。
【０００８】
ここで、ダミー吐出は、ノズルから液体材料が安定して吐出されるために行うものである。  
本発明では、基板に実装する電子部品上にダミー吐出を行うこととしたので、基板上にダミー吐出をする十分なスペースを確保できない場合であっても、フラッシングを行うことができる。別途紙などを用意する必要も無いため、製造効率が向上する。
【０００９】
また、前記ダミー吐出工程では、前記電子部品のうち、前記実パターンの一部分が前記基板から跨るように形成される第１領域とは異なる第２領域へ向けて、前記ノズルから前記液体材料を吐出し、前記実パターン形成工程では、前記第１領域から前記基板に、前記ダミー吐出を行った際のノズルと同一のノズルから前記液体材料を吐出して前記実パターンを形成することが好ましい。
【００１０】
液体材料の吐出をできるだけ安定させるには、実パターンを形成する直前にダミー吐出を行うことが好ましい。本発明では、特に電子部品と基板とに跨って実パターンを形成する場合に、電子部品上にダミー吐出を行い、その後この電子部品上から基板に向けて実パターンを形成するので、電子部品上にダミー吐出を行った直後に実パターン形成が行われることになる。これにより、液体材料の吐出を安定させることができる。
【００１１】
また、前記実パターン形成工程の後、前記電子部品の少なくとも前記ダミー吐出された液体材料が残存する領域上を封止する工程を更に具備することが好ましい。  
電子部品上にダミー吐出された液体材料は、放置しておくと電子部品上の例えば第１領域へ向けて流れ込むおそれがある。実パターンが例えば配線パターンである場合には、流れ込んだ部分の配線が短絡されてしまう。本発明では、実パターンを形成した後に電子部品上を封止するので、当該電子部品上の液体材料が第１領域に流れ込むのを防止することができる。
【００１２】
また、前記実パターン形成工程の後、前記電子部品上にダミー吐出された前記液体材料を除去する工程を更に具備することが好ましい。  
電子部品上から液体材料を除去することで、電子部品上の液体材料が第１領域に流れ込むのを防止することができる。例えば、実パターン形成後、電子部品上にテープ等を貼り付けて液体材料を付着させ、当該テープを取り外すことで、電子部品上から液体材料を除去することができる。
【００１３】
また、前記電子部品には、前記第２領域へ向けて吐出された前記液体材料が前記第１領域へ流れることを防止する流れ防止手段が備えられていることが好ましい。  
これにより、電子部品上の液体材料が第１領域に流れ込むのを防止することができる。特に、ダミー吐出を行ってから実パターンを形成し終えるまでに液体材料が第１領域に流れ込むことを回避することができる点で意義を有する。例えば、電子部品上を封止する場合や、電子部品上から液体材料を除去する場合には、まずダミー吐出を行い、実パターンの形成を行ってから、本発明の構成を併せて採用すると効果が大きい。
【００１４】
また、前記流れ防止手段が、前記第２領域の表面に設けられ、前記液体材料を定着させることが可能な定着層であることが好ましい。  
これにより、電子部品上にダミー吐出された液体材料を定着層に定着させることができるので、第１の領域に流れ込むのを防ぐことができる。
【００１５】
また、前記流れ防止手段が、前記第１領域と前記第２領域との境界に設けられ、前記液体材料の流れを塞き止めることが可能な塞き止め部であることが好ましい。  
これにより、電子部品上にダミー吐出された液体材料が第１領域付近まで流れてきたとしても、塞き止め部により塞き止められるので、第１領域に流れ込むのを防ぐことができる。
【００１６】
また、前記流れ防止手段が、前記第１領域と前記第２領域との境界に設けられ、前記第２領域上よりも前記液体材料に対する撥液性の高い撥液層であることが好ましい。  
これにより、電子部品上にダミー吐出された液体材料が第１領域付近まで流れてきたとしても撥液層により弾かれるので、当該撥液層よりも第１領域側へ進むことができない。これにより、液体材料が第１領域に流れ込むのを防ぐことができる。
【００１７】
本発明の別の観点に係る電子デバイス装置は、上記の電子デバイス装置の製造方法により製造されたことを特徴とする。  
上記の電子デバイス装置に製造方法では、ダミー吐出を確実に行うことができ、ノズルからの吐出量を安定させてから実パターンが形成されるので、印字抜けの無い、信頼性できる電子デバイス装置を得ることができる。
【００１８】
本発明の別の観点に係る電子機器は、上記の電子デバイス装置が搭載されていることを特徴とする。  
印字抜けの無い、信頼性できる電子デバイス装置が搭載されているので、動作不良の無い高品質の電子機器を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態を図面に基づき説明する。  
図１は、本実施形態に係る電子デバイスの実装方法を用いて製造できる回路基板（電子デバイス装置）の平面図である。  
回路基板１は、基板２と、ＩＣチップ（電子部品）３とを主として構成されている。
【００２０】
基板２は、例えばガラスやポリイミド等の材料からなる。基板２の表面２ａには、配線４や絶縁スロープ５等が設けられている。配線４は、ＩＣチップ３と、例えば電源等の外部機構とを接続するためのものであり、例えばアルミニウム、金、銀、銅等の金属からなる。絶縁スロープ５は、例えばポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；benzocyclobutene）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；polybenzoxazole）等の樹脂材料からなり、例えば内側がＩＣチップ３の側面に接するように設けられ、ＩＣチップ３から基板２側（外側）に向けて下っていく（図２参照）傾斜面５ａを有している。なお、図１ではＩＣチップ３の角部も囲むように設けられているが、角部を開けてＩＣチップ３の側面にのみ設けられるものであってもよい。
【００２１】
ＩＣチップ３は、例えばシリコン等の半導体に集積回路が形成されてなる電子部品であり、面３ａが第１領域Ｌ（図１の一点鎖線枠内、斜線部分）と第２領域Ｍ（図１の二点鎖線枠内）とに区画されている。ＩＣチップ３は、例えば電子機器などの駆動素子として用いられる。集積回路は、例えば第２領域Ｍ側に形成されている。このＩＣチップ３は、例えば面３ｂが接着層１６（図２参照）を介して基板２に接着されることで、基板２に実装されている。
【００２２】
ＩＣチップ３の面３ａの第１領域Ｌには、集積回路に接続された接続端子６が、当該面３ａの四辺に沿うように配列されている。この接続端子６は、実配線パターン７を介して基板上の配線４に電気的に接続されている。実配線パターン７は、例えばアルミニウム、銀、銅等の導電材料からなり、ＩＣチップ３の第１領域Ｌから絶縁スロープ５を跨いで配線４に達するように形成されている。このように、ＩＣチップ３に形成された集積回路は、接続端子６、実配線パターン７及び配線４を介して、電源等の外部機構に電気的に接続されている。
【００２３】
面３ａの第２領域Ｍには、集積回路が形成された部分を覆うようにパッシベーション膜８（図２参照）が設けられている。パッシベーション膜８は、例えばＳｉＯ２やＳｉＮ等の無機絶縁材料からなり、集積回路を外部から絶縁している。
【００２４】
パッシベーション膜８上には定着層９が形成されており、当該定着層９上にはダミー吐出パターン１０が形成されている。定着層９は、例えばエポキシ樹脂やウレタン樹脂等の絶縁材料からなり、例えばメタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、エーテル系化合物等の液体に対して親液性を有しており、図１のＸ方向に長手方向を有する定着層９ａ及び図１のＹ方向に長手方向を有する定着層９ｂを有している。ダミー吐出パターン１０は、実配線パターン７と同一の材料（例えばアルミニウム、銀、銅等の導電材料）からなり、定着層９ａ及び定着層９ｂのそれぞれの上に例えば一定間隔で３列形成される。一つ一つのダミー吐出パターン１０は、例えば半球状に形成されている。封止部１１は、例えば例えばポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；benzocyclobutene）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；polybenzoxazole）等の樹脂材料からなり、これら定着層９及びダミー吐出パターン１０を覆うとともに、第２領域Ｍを封止するように形成されている。
【００２５】
図２は、図１におけるＡ−Ａ断面図である。  
同図には、基板２が多層になっている様子が示されている。基板２は、例えば上記の配線４を含む上層と、内部電極１３を含む中層と、外部電極１４を含む下層とからなる３層構造になっている。
【００２６】
中層の内部電極１３には、例えば抵抗器や、キャパシタ、インダクタ等の受動部品又は集積回路部品等の能動部品等が接続されている。下層の外部電極１４は、接続電極１５に接続されている。接続電極１５は、例えば半田等のロウ材（導電性を有する金属や合金であって、溶融させて電気的な接続を図るためのもの）からなり、当該回路基板１を外部に実装する際には外部機構の電極等に接続される接続部となる。
【００２７】
また、同図には、上述した傾斜面５ａがＩＣチップ３から基板２側に向けて下っていく様子、ＩＣチップ３が接着層１６を介して基板２に接着されている様子、パッシベーション膜８が第２領域Ｍに設けられている様子等がそれぞれ示されている。
【００２８】
次に、液滴吐出装置について説明する。  
図３は、液滴吐出装置２０の構成を示す斜視図である。  
液滴吐出装置２０は、基台２１、ステージ２２、液滴吐出ヘッド２３、α方向ガイド軸２４、β方向ガイド軸２５、駆動モータ２６及び２７、定着層形成部２８、ヒータ２９、液体材料供給部３０及び制御部３１を主として構成されている。
【００２９】
この液滴吐出装置２０は、回路基板１に例えば金属インク（液体材料）等を吐出し、実配線パターン７を形成するための装置である。本実施形態で用いられる液体材料は、例えば金、銀、銅等の金属を分散媒に分散させた分散液である。分散媒としては、上記金属を分散できるものであり、凝集を起こさないものであればよく、例えば、水やアルコール類、炭化水素系化合物等が挙げられる。
【００３０】
基台２１は、当該液滴吐出装置２０を構成する他の部材、例えばα方向ガイド軸２４やβ方向ガイド軸２５等を固定する。  
ステージ２２は、例えば取付部（図示せず）を介してβ方向ガイド軸２５に取り付けられており、例えば図示しない回動機構によりθ方向に回動可能に設けられ、基台２１実配線パターン７を形成する基板２を支持する。ステージ２２には基板２がずれないように基準位置に固定する固定機構（図示せず）が設けられている。
【００３１】
液滴吐出ヘッド２３は、例えば取付部（図示せず）を介してα方向ガイド軸２４に取り付けられており、基板２に液体材料を吐出するノズル３２等を有している。  
α方向ガイド軸２４は、基台２１のα方向に延在するように設けられている。β方向ガイド軸２５は、基台２１のβ方向に延在するように設けられている。駆動モータ２６はα方向ガイド軸２４を回転させ、駆動モータ２７はβ方向ガイド軸を回転させる。例えば、α方向ガイド軸２４及びβ方向ガイド軸２５は、各軸の表面に沿って螺旋状の溝（図示せず）を有しており、当該溝には、液滴吐出ヘッド２３及びステージ２２の取付部がそれぞれ係合されている。この構成により、α方向ガイド軸２４が回転することで液滴吐出ヘッド２３が軸に沿ってα方向に移動し、β方向ガイド軸２５が回転することでステージ２２が軸に沿ってβ方向に移動するようになっており、このように液滴吐出ヘッド２３と支持するステージ２２とが相対的に走査することで、基板２の全体に液体材料が吐出されるようになっている。
【００３２】
定着層形成部２８は、基板２に実装されるＩＣチップ３上に定着層９ａ及び９ｂを形成する。当該定着層９ａ及び９ｂの原料となるエポキシ樹脂やウレタン樹脂を供給する供給部（図示しない）を有し、当該供給部から供給される原料を例えば基板２に滴下すること等により、基板２に定着層９ａ及び９ｂを形成するようになっている。
【００３３】
ヒータ２９は、例えばランプアニールにより基板２を加熱する。液体材料供給部３０は、基板２に吐出する液体材料を供給する。制御部３１は、ステージ２２の回動機構、液滴吐出ヘッド２３、駆動モータ２６並びに２７、定着層形成部２８、ヒータ２９及び液体材料供給部３０へ制御信号を供給し、それぞれの動作を制御する。
【００３４】
図４は、液滴吐出ヘッド２３の構成を示す断面図である。  
液滴吐出ヘッド２３は、ノズル３２、液体室３３、ピエゾ素子３４を有する。当該液滴吐出ヘッド２３は、複数の吐出ノズルを備えたマルチノズルタイプであり、その長手方向がβ方向に一致している。
【００３５】
ノズル３２は、液滴吐出ヘッド２３の長手方向に一定間隔で複数配置されており、液体材料を吐出する。液体室３３は、液体材料供給部３０に繋がっており、液体材料供給部３０から供給される液体材料を保持する。液体室３３の上壁部３３ａは、弾性変形可能な材料から形成される。ピエゾ素子３４は、液体室３３の上壁部３３ａに当接するように設けられ、制御部３１に電気的に接続されている。このピエゾ素子３４は、電気信号が供給されると膨張する圧電素子である。ここでは、例えば上壁部３３ａ側に膨張するようになっている。
【００３６】
液体室３３に液体材料を保持させた状態で、例えば制御部３１からピエゾ素子３４に電気信号を供給すると、ピエゾ素子３４が上壁部３３ａ側に膨張する。ピエゾ素子３４の膨張により、上壁部３３ａが弾性変形して液体室３３の内部に食い込み、液体室３３内部に圧力が加わる。この圧力によりノズル３２から液体材料が吐出されるようになっている。
【００３７】
次に、上述のように構成された回路基板１の製造方法を説明する。  
図５は、回路基板１の製造工程を示すフローチャートである。  
まず、基板２に、例えばフォトリソグラフィ法等により、所定のパターンで配線４や内部電極１３等を形成し（ＳＴ１）、当該配線４、内部電極１３のパターンが形成された基板２に、接着層１６を介してＩＣチップ３を実装する（ＳＴ２）。基板２にＩＣチップ３を実装したら、当該基板２のＩＣチップ３の周囲に絶縁スロープ５を形成する（ＳＴ３）。絶縁スロープ５を形成した段階で、基板２は図６のように形成される。この状態で基板２を液滴吐出装置２０内に搬送する。搬送する際には、液滴吐出装置２０のα方向と基板２の縦方向とが（液滴吐出装置２０のβ方向と基板２の横方向とが）平行になるように位置を合わせておく。
【００３８】
液滴吐出装置２０内に基板２を搬送し、位置合わせをしたら、まず、図７に示すようにＩＣチップ３の第２領域Ｍに定着層９ａを形成する（ＳＴ４）。定着層９ａの原料を定着層形成部２８から第２領域Ｍに供給し、定着層９ａを例えば薄膜状に形成する。このとき、例えば基板２の縦方向が長手方向となる形状に形成する。
【００３９】
次に、図８に示すように、ＩＣチップ３の第２領域Ｍの定着層９ａ上に、Ｙ方向へダミー吐出し（ＳＴ５）、当該Ｙ方向へのダミー吐出を行った後は、ＩＣチップ３の第１領域ＬにＹ方向の実配線パターン７を形成する（ＳＴ６）。
【００４０】
ＳＴ５では、液滴吐出ヘッド２３に設けられた総てのノズル３２について、同時にダミー吐出を行う。接続端子６のピッチとノズル３２とのピッチを合わせて、液滴吐出ヘッド２３をＹ方向に移動しながらダミー吐出する。同図に示すように、例えば３列程度ダミー吐出パターン１０を形成する。ダミー吐出パターン１０の列数は、定着層９ａの短手方向の長さに合わせて２列以下にしたり、４列以上にしても勿論構わない。
【００４１】
ＳＴ６では、ノズル３２から液体材料を基板２へ吐出しながら、液滴吐出ヘッド２３をβ方向ガイド軸２５に沿って、β方向（Ｙ方向）へ移動させる。例えば接続端子６から絶縁スロープ５を通って配線４まで、あるいは、配線４から絶縁スロープ５を通って接続端子６まで（どちらの方向でも良い）移動させる。ノズル３２からは液体材料を１滴ずつ吐出し、滴下した液体材料が連なるように移動させることを繰り返して、実配線パターン７を形成する。絶縁スロープ５には傾斜面５ａが形成されているため、ＩＣチップ３と配線４との間には急激な段差があるにもかかわらず、当該絶縁スロープ５の傾斜面５ａ上に沿って実配線パターン７を形成することができる。Ｙ方向の実配線パターン７を形成した後は、ステージ２２に設けられた回動機構により当該ステージ２２を９０°回動させ、液滴吐出装置２０のβ方向と基板２のＸ方向とが平行になるように位置を合わせる。
【００４２】
実配線パターン７を形成し、ステージ２２を回動したら、図９に示すように、ＩＣチップ３の第２領域Ｍに定着層９ｂを形成する（ＳＴ７）。液滴吐出装置２０の動作は、ＳＴ４において第２領域Ｍに定着層９ａを形成した場合と同様である。ＳＴ７では、先に形成した定着層９ａ及びダミー吐出パターン１０の上から新たに定着層９ｂを形成する。基板２の向きが９０°ずれているため、液滴吐出装置２０の動作が同じでも、ＩＣチップ３の第２領域Ｍには、定着層９ｂの長尺方向がＹ方向となるように形成される。すなわち、定着層９ａ及び定着層９ｂの長尺方向は９０°ずれて形成される。
【００４３】
定着層９ｂの形成後、図１０に示すように、ＩＣチップ３の第２領域ＭにＸ方向へダミー吐出し（ＳＴ８）、当該Ｘ方向へのダミー吐出を行った後は、ＩＣチップ３の第１領域Ｌに縦方向の実配線パターン７を形成する（ＳＴ９）。
【００４４】
ＳＴ８における液滴吐出装置２０の動作は、ＳＴ５で行ったダミー吐出の際と同様である。定着層９ｂの一端側から液滴吐出ヘッド２３をβ方向に移動させ、例えば３列程度のダミー吐出パターン１０を形成する。ＳＴ５と同様に、定着層９ａの短手方向の長さに合わせてダミー吐出パターン１０の列数を２列以下にしたり、４列以上にしても勿論構わない。
【００４５】
また、ＳＴ９における液滴吐出装置２０の動作については、ＳＴ６で行った実配線パターン７形成時の動作と同様である。ノズル３２から液体材料を基板２へ吐出しながら、接続端子６から絶縁スロープ５を通って配線４まで、あるいは、配線４から絶縁スロープ５を通って接続端子６まで（どちらの方向でも良い）移動させる。ノズル３２からは液体材料を１滴ずつ吐出し、滴下した液体材料が連なるように実配線パターン７を形成する。
【００４６】
実配線パターン７の形成後、回路基板１を焼成する（ＳＴ１０）。この焼成処理では、例えば通常のホットプレート、電気炉などによる処理の他、ランプアニールによって行うこともできる。ランプアニールに使用する光の光源としては、特に限定されないが、赤外線ランプ、キセノンランプ、ＹＡＧレーザー、アルゴンレーザー、炭酸ガスレーザー、ＸｅＦ、ＸｅＣｌ、ＸｅＢｒ、ＫｒＦ、ＫｒＣｌ、ＡｒＦ、ＡｒＣｌなどのエキシマレーザーなどを光源として使用することができる。これらの光源は一般には、出力１０Ｗ以上５０００Ｗ以下の範囲のものが用いられるが、本実施形態では１００Ｗ以上１０００Ｗ以下の範囲で十分である。また、基板２を例えば２００℃で２時間程度加熱する。液体材料に含まれる溶媒を蒸発させ、溶媒中に分散していた金属微粒子を互いに融着させる。  
その後、図１１に示すように、例えば例えばポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；benzocyclobutene）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；polybenzoxazole）等の樹脂材料からなる封止部１１を形成して第２領域Ｍを封止する（ＳＴ１１）。  
このようにして、回路基板１が完成する。
【００４７】
本実施形態によれば、基板２に実装するＩＣチップ３上にダミー吐出を行うこととしたので、基板２上にダミー吐出のスペースが確保できない場合であっても、フラッシングを行うことができる。また、別途紙を用意する必要も無いため、製造効率が向上する。
【００４８】
また、本実施形態によれば、特にＩＣチップ３と基板２とに跨って実配線パターン７を形成する場合に、ＩＣチップ３上にダミー吐出を行い、その後このＩＣチップ３上から基板２に向けて実配線パターン７を形成するので、ＩＣチップ３上にダミー吐出を行った直後に実配線パターン７を形成するための吐出を行うことができる。これにより、液体材料の吐出を安定させることができる。
【００４９】
（第２実施形態）  
次に、本発明の第２実施形態を説明する。  
第１実施形態と同様、以下の図では、各部材を認識可能な大きさとするため、縮尺を適宜変更している。また、第１実施形態と同一の構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略する。本実施形態では、回路基板１０１の製造工程が第１実施形態とは異なっているため、この点を中心に説明する。
【００５０】
図１２は、回路基板１０１の製造工程を示すフローチャートである。  
まず、基板２に、配線４や内部電極１３等を形成し（ＳＴ１０１）、当該基板２に、接着層１６を介してＩＣチップ３を実装し（ＳＴ１０２）、ＩＣチップ３の周囲に絶縁スロープ５を形成する（ＳＴ１０３）点は、第１実施形態と同様である。
【００５１】
絶縁スロープ５を形成した段階で、基板２は図１３及び図１４のように形成される。図１２は、当該基板２の平面図である。同図に示すように、ＩＣチップ３上には、第２領域Ｍを囲むように、塞き止め部５０が形成されており、この点で第１実施形態とは異なっている。
【００５２】
図１４は、図１３におけるＢ−Ｂ断面図である。塞き止め部５０は、例えばポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；benzocyclobutene）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；polybenzoxazole）等の樹脂材料等の材料で形成され、第２領域Ｍ内にダミー吐出された液体材料が第１領域の方へ流れるのを防ぐためのものである。同図に示すように、この塞き止め部５０は、パッシベーション膜８上に、例えばｔ１の高さに設けられる。ｔ１は、例えば第２領域Ｍ内にダミー吐出された液体材料が当該塞き止め部５０を乗り越えてしまうことのない十分な高さにすることができる。
【００５３】
なお、絶縁スロープ５が形成された状態で、基板２を液滴吐出装置２０内に搬送し、液滴吐出装置２０のα方向と基板２の縦方向とが（液滴吐出装置２０のβ方向と基板２の横方向とが）平行になるように位置を合わせておく点については、第１実施形態と同様である。
【００５４】
液滴吐出装置２０内では、ＩＣチップ３の第２領域Ｍに横方向へダミー吐出し（ＳＴ１０４）、当該横方向へのダミー吐出を行った後は、ＩＣチップ３の第１領域Ｌに横方向の実配線パターン７を形成する（ＳＴ１０５）。その後、ステージ２２を回動して、ＩＣチップ３の第２領域Ｍに縦方向へダミー吐出し（ＳＴ１０６）、当該縦方向へのダミー吐出を行った後は、ＩＣチップ３の第１領域Ｌに縦方向の実配線パターン７を形成する（ＳＴ１０７）。図１５は、ＳＴ１０４及びＳＴ１０６によりダミー吐出パターン１０が形成された様子を示す図であり、図１６は、ＳＴ１０５及びＳＴ１０７により実配線パターン７が形成された様子を示す図である。
【００５５】
次に、ダミー吐出により形成されたダミー吐出パターン１０を第２領域Ｍから除去する（ＳＴ１０８）。まず、図１７に示すように、例えばアクリル系、ゴム系、シリコーン系、スチレンイソプレンスチレン系（ＳＩＳ系）、ペトロラムタム系（石油系）
等の材料で形成される粘着部材５５を第２領域Ｍ全体に貼り付け、次に、図１８に示すように、当該粘着部材５５を第２領域Ｍから引き剥がすと、ダミー吐出パターン１０及び塞き止め部５０が第２領域Ｍから除去される。このように、ダミー吐出パターン１０を第２領域Ｍから除去することができる。
【００５６】
ダミー吐出パターン１０を除去したら、回路基板１０１を焼成し（ＳＴ１０）、実配線パターン７を配線として形成する。回路基板１０１を焼成する際には、第１実施形態と同様の方法で行うことができる。  
このようにして、回路基板１０１が完成する。
【００５７】
本実施形態によれば、実配線パターン７の形成後、ＩＣチップ３上に残ったダミー吐出パターン１０を除去することで、ＩＣチップ３上のダミー吐出パターン１０が第１領域Ｌに流れ込むのを防止することができる。
【００５８】
また、ＩＣチップ３に、ダミー吐出パターン１０の流れを塞き止めることが可能な塞き止め部５０を設けたので、ダミー吐出パターン１０が第１領域Ｌ付近まで流れてきたとしても、塞き止め部５０により塞き止めることができるので、第１領域Ｌに流れ込むのを防ぐことができる。
【００５９】
（電子機器）  
次に、本発明に係る電子機器について、携帯電話を例に挙げて説明する。  
図１９（ａ）は、携帯電話３００の全体構成を示す斜視図である。  
携帯電話３００は、筺体３０１、複数の操作ボタンが設けられた操作部３０２、画像や動画、文字等を表示する表示部３０３を有する。筐体３０１の内部あるいは表示部３０３に、上記実施形態に係る回路基板１、１０１が搭載されている。
【００６０】
図１９（ｂ）は、表示部３０３を示す斜視図である。表示部３０３は、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置からなる表示パネル３１１の一辺端に、電子デバイス３１２を実装した回路基板３１３を接続してなる構成を備えている。そして、この回路基板３１３には、本発明の実装方法を用いて電子デバイスを実装された回路基板１、１０１が好適に用いられており、実パターン３４に印字抜け部分の無い回路基板１を搭載しているので、動作不良の無い高品質の携帯電話３００を得ることができる。
【００６１】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。  
例えば、図２０（回路基板１０１の構成を示す平面図）及び図２１（図２０のＣ−Ｃ断面図）に示すように、ＩＣチップ３上には、塞き止め部５０の代わりに、ダミー吐出を行う液体材料に対する撥液性が高い材料からなる撥液層６０を形成しておいてもよい。ＩＣチップ３に液体材料がダミー吐出され、当該液体材料が第１領域Ｌ付近まで流れてきたとしても撥液層６０により弾かれるので、当該撥液層６０よりも第１領域Ｌ側へ進むことができない。これにより、液体材料が第１領域Ｌに流れ込むのを防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の第１実施形態に係る回路基板の構成を示す平面図である。
【図２】図１におけるＡ−Ａ断面図である。
【図３】液滴吐出装置の構成を示す図である。
【図４】液滴吐出装置の一部の構成を示す図である。
【図５】本実施形態に係る回路基板の製造工程を示すフローチャートである。
【図６】本実施形態に係る回路基板の製造の様子を示す図（その１）である。
【図７】本実施形態に係る回路基板の製造の様子を示す図（その２）である。
【図８】本実施形態に係る回路基板の製造の様子を示す図（その３）である。
【図９】本実施形態に係る回路基板の製造の様子を示す図（その４）である。
【図１０】本実施形態に係る回路基板の製造の様子を示す図（その５）である。
【図１１】本実施形態に係る回路基板の製造の様子を示す図（その６）である。
【図１２】本実施形態に係る回路基板の製造工程を示すフローチャートである。
【図１３】本発明の第２実施形態に係る回路基板の構成を示す平面図である。
【図１４】回路基板の構成を示す断面図である。
【図１５】本実施形態に係る回路基板の製造の様子を示す図（その１）である。
【図１６】本実施形態に係る回路基板の製造の様子を示す図（その２）である。
【図１７】本実施形態に係る回路基板の製造の様子を示す図（その３）である。
【図１８】本実施形態に係る回路基板の製造の様子を示す図（その４）である。
【図１９】本発明に係る電子機器の構成を示す図である。
【図２０】回路基板の他の形態を示す平面図である。
【図２１】回路基板の構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【００６３】
１、１０１…回路基板  ２…基板  ３…ＩＣチップ  ４…配線  ５…絶縁スロープ  ６…接続端子  ７…実配線パターン  ９…定着層  １０…ダミー吐出パターン  １１…封止部  ２０…液滴吐出装置  ３２…ノズル  ３００…携帯電話
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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