(57)【要約】【課題】  製膜後の透明導電膜について、煩雑な工程を経ることなく、かつ、廃液処理の必要がない簡便な方法で、表面改質処理を行うことができる透明導電膜の製造方法を提供する。また、透明導電膜と異方導電性フィルム接着剤との間で、高い接着強度及び低い接触抵抗を長期間維持することが可能であり、かつ耐久性に優れた透明導電膜を製造する方法を提供する。【解決手段】  透明基材上に、スパッタリング法により酸化亜鉛を含有する透明導電膜を製膜するステップと、前記透明導電膜の製膜後、反応性イオンエッチング法により前記透明導電膜の表層部を除去するステップと、を含む透明導電膜の製造方法、及びその製造方法により得られた透明導電膜を含む透明導電基板である。上記方法により、透明導電膜の表面改質処理を行うことで、全体として均一な化学組成を有し、かつ、その表面が粗面化された透明導電膜を得ることができる。【選択図】 図１
2006049045.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基材上に、スパッタリング法により酸化亜鉛を含有する透明導電膜を製膜するステップと、
前記透明導電膜の製膜後、反応性イオンエッチング法により前記透明導電膜の表層部を除去するステップと、
を含むことを特徴とする透明導電膜の製造方法。
【請求項２】
前記反応性イオンエッチング法が、ＣＨＦ３ガス又はＳＦ６ガスを用いた反応性イオンエッチング法であることを特徴とする請求項１記載の透明導電膜の製造方法。
【請求項３】
前記スパッタリング法による製膜条件が、プラズマ出力０．３〜４Ｗ／ｃｍ２であり、製膜時間５〜１２０分間であり、かつ、前記反応性イオンエッチング法による前記表層部除去の処理条件が、プラズマ出力３０Ｗ〜２ｋＷであり、処理時間０．１〜５分間であることを特徴とする請求項１又は２記載の透明導電膜の製造方法。
【請求項４】
透明基材と、
前記透明基材上に設けられた透明導電膜と、
を備えた透明導基板において、
前記透明導電膜は、請求項１〜３のいずれかに記載の方法により製造され、前記反応性イオンエッチングによって、その表面には、高低差が１０Åから１００Åである凹凸が設けられていることを特徴とする透明導電基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示パネル等の表示用機器や光学機器に用いる透明導電膜の製造方法に関する。さらに詳しくは、以下のような特徴を有する透明導電膜の製造方法に関する。
【０００２】
・透明導電膜全体の化学組成の均一性が良好である。  
・耐久性に優れている。
【０００３】
さらに、煩雑な処理を必要とせず、より簡便な工程からなる製造方法に関する。また、本発明は、上記製造方法により製造された透明導電膜を含む透明導電基板に関する。
【背景技術】
【０００４】
液晶表示パネルや、エレクトロルミネッセンス物質を用いた発光パネル等の表示用機器、光学機器においては、その表示部や光線透過部に透明導電膜が用いられている。  
例えば、液晶表示パネルは概ね以下のような構成を採用している。
【０００５】
・液晶表示パネルの表面及び裏面をなす透明基材。この透明基材の間の間隙には次に述べる液晶が封入される。また、各透明基材には、液晶に対向するように透明導電膜が設けられている。  
・上記表面の透明基材及び裏面の透明基材の間の間隙に封入される液晶（材料）。  
・上記液晶の周縁に配置され、液晶を密閉するシール材。
【０００６】
このような構成に基づき、液晶駆動回路からの電気信号を上記透明導電膜を介して液晶に印加することによって、液晶表示を行うことができるようにしてある。そして、液晶駆動回路からの電気配線の端子を透明導電膜と接続するに際しては、カーボン粒子や銀等の金属粒子を含む導電性接着剤（以下、異方導電性フィルム接着剤と記載することもある）を用いて行う。したがって、これら透明導電膜と導電性接着剤との間の接着強度を充分に高めることが、この液晶表示を精度良く行う上で重要である。また、この液晶表示パネルの周縁部に用いるシール材と、透明導電膜との間の接着強度を高めることも、液晶表示の精度の向上を図るうえで重要である。
【０００７】
このような高い接着強度という要請に応えるため、透明導電膜の表面を粗面化し、接着強度の向上を図るアイデアが従来から種々提案されている。
【０００８】
例えば下記特許文献１には、透明基材上に製膜され、酸化インジウムと酸化錫を主成分とする透明導電膜の表面を、アルカリ溶液により表面処理した後、酸を含有する処理液でさらに処理して、良好なオーミック接触が得られる透明導電膜を得る方法が提案されている。しかしながら、この方法を採用する場合、強酸や強アルカリ溶液による処理工程のほか、水洗工程や乾燥工程等煩雑な工程を経て製造されることから、製品の歩留りの低下を招くおそれがある。また、これら表面処理に用いた強アルカリ溶液および強酸溶液の廃液処理や洗浄排水処理のため、多大の設備費や用役費を要するという問題があり、ひいては製造コストの上昇を招く場合も想定される。
【０００９】
また、下記特許文献２では、酸化インジウム及び酸化錫を含む透明導電膜を、強酸性の腐食液に浸漬する方法を提案している。しかしながら、この文献の方法で用いている腐食液は、その取扱いに危険性を伴うだけでなく、その廃液処理や洗浄排水の処理のために多大の設備費や用役費を要するいう問題がある。
【００１０】
さらに、これら強酸や強アルカリ溶液による表面処理の場合、透明導電膜の構成成分の強酸や強アルカリ溶液への溶解速度の違いに基づき、表面処理後の透明導電膜の表層部の化学組成が、透明導電膜内部の化学組成と異なってしまう。またさらに、その表面の形態が粗面化されすぎたものとなる恐れがある。
【００１１】
このような表層部の化学組成の変化や、表面の過度の粗面化は、透明導電膜の劣化の要因となる。そして、この劣化の進展にともなって、導電性接着剤やシール材との接着強度の低下や、透明導電膜の内部と表層部との境界領域における電気抵抗の増大を招くという問題があった。
【００１２】
これに対して、上述した酸やアルカリの排水処理の問題が生じない方法が、下記特許文献３に記載されている。この特許文献３によれば、透明基材上にスパッタリング法によって製膜した透明導電膜に逆スパッタリングを施して透明導電膜の表層部を除去する方法が提案されている。このような構成によって、透明導電膜の表面を粗面化するのである。    
【特許文献１】特開昭５８−２２３６２５号公報
【特許文献２】特開昭６２−１５３８３０号公報
【特許文献３】特開平１１−２０００３３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、この特許文献３の方法では、大型の真空装置や、逆スパッタ用の電源設備等が必要となるため、工業的には、採用しくいものであった。  
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、製膜後の透明導電膜について、煩雑な工程を経ることなく、かつ、廃液処理の必要がない簡便な方法で、表面改質処理を行うことができる透明導電膜の製造方法を提供することを目的とする。ここで、表面改質処理とは、透明導電膜について、その表面を適度に粗面化し、かつその表層部と内部との化学組成を実質的に同一にすることを意味する。
【００１４】
また、本発明の他の目的は、透明導電膜と異方導電性フィルム接着剤（又は、シール材）との間で、高い接着強度及び低い接触抵抗を長期間維持することが可能であり、かつ耐久性に優れた透明導電膜を製造する方法を提供することである。  
また、本発明の他の目的は、上記製造方法で製造された透明導電膜を含む透明導電基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明者等は、上記課題を解決するために鋭意研究を重ねた結果、スパッタリング法によって透明基材上に製膜した透明導電膜に、反応性イオンエッチングを施して、透明導電膜の表層部を除去すれば、煩雑な工程を経ることなく、かつ表面改質処理後の廃液処理を行わずに、透明導電膜について表面改質できることを見出した。
【００１６】
また、このように表面改質処理を施した透明導電膜は、導電性接着剤（又はシール材）との接着強度が高くなる。さらに、その表層部と内部との化学組成が実質的に同一であることから、劣化の要因が少なく耐久性に優れたものである。本発明者等は、これら知見に基づいて本発明を完成するに至ったのである。
【００１７】
すなわち、本発明に係る透明導電膜の製造方法及び透明導電基板の特徴的な構成は、下記の通りである。なお、本特許において、表面改質処理とは、透明導電膜について、その表面を粗面化し、かつその表層部と内部との化学組成を実質的に同一にすることを意味する。
【００１８】
（１）本発明は、透明基材上に、スパッタリング法により酸化亜鉛を含有する透明導電膜を製膜するステップと、前記透明導電膜の製膜後、反応性イオンエッチング法により前記透明導電膜の表層部を除去するステップと、を含むことを特徴とする透明導電膜の製造方法である。
【００１９】
スパッタリング法により製膜された透明導電膜は、その表層部と内部とでは、化学組成が異なる場合がある。この製膜後の透明導電膜に、反応性イオンエッチングを施せば、内部とは化学組成の異なる表層部を除去し、新たな表層部を形成することができる。この新たな表層部と、内部とでは化学組成が実質的に同一になるため、全体として均一な化学組成を有する透明導電膜を得ることができるのである。また、この反応性イオンエッチングにより、透明導電膜の新たな表層部は粗面化されている。このように、本発明の製造方法は、透明導電膜について、反応性イオンエッチングによる表面改質処理を実行することが特徴である。
【００２０】
また、透明導電膜の表面改質処理は、既存の装置を用いて複雑な操作を行うことなく実行できる。このため、本発明によれば、煩雑な工程を経ることなく、透明導電膜の表面改質処理を行うことができるのである。
【００２１】
（２）また、本発明は、前記反応性イオンエッチング法が、ＣＨＦ３ガス又はＳＦ６ガスを用いた反応性イオンエッチング法であることを特徴とする上記（１）記載の透明導電膜の製造方法である。
【００２２】
反応性イオンエッチング法では、反応性ガスとして、ＣＨＦ３ガス又はＳＦ６ガスを用いることが好ましい。これらのガスを用いることにより、透明導電膜に良好な表面改質処理を行うことができる。これらのガスは、単独で用いることも好ましいし、混合して用いることも好ましい。また、これらのガスと、他のガスを混合して用いることも好ましい。このように、反応性ガスを用いて、透明導電膜の表面改質処理を行うことにより、廃液処理を行う必要がなく、簡便な方法で透明導電膜について表面改質することが可能となる。
【００２３】
（３）また、本発明は、前記スパッタリング法による製膜条件が、プラズマ出力０．３〜４Ｗ／ｃｍ２であり、製膜時間５〜１２０分間であり、かつ、前記反応性イオンエッチング法による前記表層部除去の処理条件が、プラズマ出力３０Ｗ〜２ｋＷであり、処理時間０．１〜５分間であることを特徴とする上記（１）又は（２）記載の透明導電膜の製造方法である。
【００２４】
上記条件下において、透明導電膜の表面改質処理を行うことにより、処理後の透明導電膜について、その表層部と内部との化学組成が実質的に均一となり、かつ、その表面に適当な高低差を有する凹凸を設けることができる。
【００２５】
（４）また、本発明は、透明基材と、前記透明基材上に設けられた透明導電膜と、を備えた透明導基板において、前記透明導電膜は請求項１〜３のいずれかに記載の方法により製造され、前記反応性イオンエッチングによって、その表面には、高低差が１０Åから１００Åである凹凸が設けられていることを特徴とする透明導電基板である。
【００２６】
透明導電膜の表面に設ける凹凸の高低差が、上記範囲内であれば、透明導電膜と、異方導電性フィルム接着剤やシール剤との接着強度が向上する。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の製造方法によれば、従来法のような煩雑な処理工程を経ることなく、かつ、廃液処理を行う必要のない簡便な方法で、透明導電膜の表層部を除去することができる。  
また、この製造方法によれば、透明導電膜の表層部を除去する際に、透明導電膜の表面を粗面化するため、透明導電膜と、異方導電性フィルム接着剤との間の接着強度が高い透明導電膜を得ることができる。また、透明導電膜の表層部と内部との化学組成が、実質的に同一であることから劣化の要因が少ない。このため、本発明の製造方法では、低抵抗を長期間維持し、耐久性に優れた透明導電膜を得ることができる。
【００２８】
また、本発明の透明導電基板は、上記透明導電膜を利用しているので、耐久性に優れている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
透明基材
本発明の透明導電膜１２の製造方法において、透明基材１０としては、従来から用いられているガラス基板や、高い透明性を有する合成樹脂製のフィルムやシート等が好ましい。このような合成樹脂の一例としては、ポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリアリレート樹脂等が、好適に用いられる。
【００３０】
透明導電膜
次に、透明基材１０上に設けられる透明導電膜１２を説明する。この透明導電膜１２には、酸化亜鉛を含む透明導電膜１２や、酸化亜鉛に３価以上の金属酸化物を添加した透明導電膜１２を用いることが好ましい。酸化亜鉛を含む透明導電膜１２としては、例えば（１）特開平６−１８７８３２号公報や（２）特開平６−２３４５６５号公報に記載されている透明導電膜１２を用いることが好ましい。一方、酸化亜鉛に３価以上の金属酸化物を添加した透明導電膜１２としては、例えば（３）特開平８−１７１８２４号公報や（４）特開平３−５０１４８号公報に記載されている透明導電膜１２を用いることが好ましい。
【００３１】
なお、酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜１２を製膜する場合、すなわち、上記（３）及び（４）に記載されている透明導電膜１２を製膜する場合には、以下の方法で作成したスパッタリングターゲットを用いることが好ましい。まず、酸化亜鉛に、さらに必要に応じてドープ金属化合物を加え、これらを混合して、仮焼する。この仮焼したものを仮焼物と呼ぶ。次に、この仮焼物を成形した後、焼成（本焼）することにより、スパッタリングターゲットを得る。このようにして、得られたスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリングすることにより、上記透明基材１０上に、酸化亜鉛（ＺｎＯ）を主成分とする透明導電膜１２を形成する方法を採用することが好ましい。
【００３２】
一方、上述した酸化インジウム化合物と酸化亜鉛化合物とを主成分とする透明導電膜１２を製膜する場合、すなわち、上記（１）及び（２）に記載されている透明導電膜１２を製膜する場合には、以下に述べる方法で作成したスパッタリングターゲットを用いることが好ましい。まず、インジウム化合物と酸化亜鉛化合物に、さらに必要に応じてドープ金属化合物を加え、これらを混合して、仮焼する。この仮焼したものを仮焼物と呼ぶ。次に、この仮焼物を成形した後、焼成（本焼）することにより、スパッタリングターゲットを得る。このようにして、得られたスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリングすることにより、上記透明基材１０上に、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）と酸化亜鉛（ＺｎＯ）を含む透明導電膜１２を形成する方法を採用することが好ましい。
【００３３】
この酸化インジウムと酸化亜鉛とを含む透明導電膜１２は、Ｉｎ２Ｏ３とＺｎＯのみからなることも好ましいが、これら２成分の合計に対して、原子比で０．２以下の配合割合で、ドープ金属を含有することも好ましい。このようなドープ金属としては、例えば、スズ、アルミニウム、アンチモン、ガリウム、セレン等が好適に用いられる。
【００３４】
このドープ金属を含有する透明導電膜１２は、ドープ金属を含有した酸化インジウム及び酸化亜鉛を主成分とするターゲットを用いて製膜することにより、得ることができる。なお、上記透明導電膜１２は、用いるターゲットとほぼ同一組成で製膜される。このターゲットは、原料調合工程において、ドープ金属を、インジウム化合物及び酸化亜鉛化合物に配合することにより、得られるものである。
【００３５】
透明導電膜１２の組成は、ＩｎとＺｎの原子比である［Ｉｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｚｎ］）が０．２〜０．９であることが好ましく、０．４５〜０．８５であることがより好ましい。ここで、［Ｉｎ］は、透明導電膜１２中のインジウム原子の数を表し、［Ｚｎ］は、透明導電膜１２中の亜鉛原子の数を表す。
【００３６】
透明導電膜１２の膜厚は、２００〜６０００オングストロームであることが好ましく、６００〜２０００オングストロームであることがより好ましい。スパッタリング法により、透明基材１０上に、この透明導電膜１２を製膜するにあたっては、マグネトロンスパッタリング装置を用いることが好適である。この装置を用いたスパッタリング時の条件としては、通常、プラズマ出力を、ターゲットの表面積１ｃｍ２あたり０．３〜４Ｗの範囲とし、製膜時間を５〜１２０分間とすることが好ましい。このような条件下で製膜を行うことにより、上記範囲の膜厚を有する透明導電膜１２が得られるのである。なお、製膜時のプラズマ出力は、ターゲットの表面積や、透明導電膜１２の膜厚により変動する場合がある。
【００３７】
このようにして製膜した透明導電膜１２は、その表層部１２ａと内部１２ｂとでは、化学組成を異にしており、殊にその表層部１２ａでは、内部１２ｂの化学組成に較べて、ＺｎＯの含有割合が低くなっている。ここで、表層部１２ａとは、透明導電膜１２の表面から５０オングストローム以内の領域であり、実質的には表面から１０〜３０オングストロームの以内の領域である。なお、この表層部１２ａの領域は、透明導電膜１２の膜厚により若干異なる場合もある。このように表層部１２ａの化学組成が、内部１２ｂの化学組成と異なる場合には、透明導電膜１２としての機能の低下をもたらす要因となることがある。このため、内部１２ｂとは化学組成が異なる表層部１２ａを除去し、全体として均一な化学組成を有する透明導電膜１２を得ることが望ましい。
【００３８】
反応性イオンエッチング
そこで、本発明の製造方法においては、反応性イオンエッチング法により、透明導電膜１２について、内部１２ｂとはその化学組成が異なる表層部１２ａを除去し、新たな表層部１２ｃを形成する。この新たな表層部１２ｃと内部１２ｂとの化学組成に、実質的な差異がなくなり、透明導電膜１２全体で均一な化学組成とすることにより、透明導電膜１２としての機能低下の要因を除くのである。
【００３９】
また、本発明の製造方法においては、上記反応性イオンエッチング法により、透明導電膜１２の表層部１２ａを処理する際に、同時に、透明導電膜１２の表面の粗面化も行う。この表面の粗面化により、処理された透明導電膜１２と、異方導電性フィルム接着剤やシール材等との接着強度が高められる。このため、異方導電性フィルム接着剤やシール材との高い接着強度や、低い接触抵抗を長期間に渡って安定的に維持すことのできる透明導電膜１２が得られるのである。
【００４０】
この反応性イオンエッチング法により、透明導電膜１２の表面改質処理時の好ましい条件は、以下の通りである。反応性ガスは、ＣＨＦ３ガス又はＳＦ６ガスであることが好ましく、圧力は０．０１〜５０Ｐａであることが好ましく、プラズマ出力は３０Ｗ〜１０ｋＷであることが好ましく、処理時間は、０．１〜５分間であることが好ましい。なお、具体的な条件は、表面改質処理によって除去する透明導電膜１２の表層部１２ａの深さを考慮して、適宜選定すればよい。
【００４１】
また、上記反応性ガスとして、ＣＨＦ３ガス又はＳＦ６ガスを単独で用いることも好ましいし、これらのガスを混合して用いることも好ましい。さらに、これらのガスと、他のガスを混合して用いることも好ましい。
【００４２】
表面改質処理を上記条件下で行う理由としては、圧力を０．０１Ｐａ未満とする場合、プラズマ出力を３０Ｗ未満とする場合、又は、処理時間を０．１分間未満とする場合には、表面改質処理の効果が充分に得られないことがあるからである。一方、圧力が５０Ｐａを超える場合、プラズマ出力が１０ｋＷを超える場合、又は、処理時間が５分間を超える場合には、透明導電膜１２の導電性の低下を招く恐れがあるからである。この場合、処理後の透明導電膜１２の表面に設けられる凹凸は、高低差が１０〜１００Åであることが好ましい。
【００４３】
上述した透明導電膜１２の表面改質処理は、既存の装置、例えば、従来から透明導電膜１２にコンタクトホールを形成する際に用いられる反応性イオンエッチング装置等を利用して、簡便に行うことができる。この反応性イオンエッチング装置を利用する場合、反応性ガスとして上述したＣＨＦ３ガス等を用いれば、通常のエッチング操作とほぼ同様の操作を行うことにより、透明導電膜１２の表面改質処理を実行することができる。このため、表面改質処理のために、特別な設備費をかける必要がなくなるうえに、一連の生産工程に、表面改質処理工程を容易に組み込むことができる。このように、本実施の形態の製造方法によれば、透明導電膜１２の生産と、その表面改質処理とを簡便な操作で、かつ効率よく実施することができるのである。
【００４４】
本実施の形態の製造方法によれば、従来法のように、透明導電膜１２の表面改質処理時に、強酸や強アルカリ溶液を使用しない。このため、従来法において生じていた表面改質処理時の問題、すなわち、透明導電膜１２の構成成分毎の強酸や強アルカリ溶液への溶解速度の違いに基づいて、表面改質処理後の表層部１２ｃの化学組成が、透明導電膜１２における内部１２ｂの化学組成と異なってしまう問題や、表面改質処理時に、透明導電膜１２の表面の形態が、粗面化されすぎたものとなってしまう問題が生じることはない。このため、本実施の形態の製造方法により得られる透明導電膜１２は、これらの問題に起因する導電性の低下や、導電性接着剤やシール材との接着強度の低下が見られず、耐久性に優れたものである。
【００４５】
したがって、本発明の製造方法によって得られる表面改質された透明導電膜１２は、液晶表示パネルや、エレクトロルミネッセンス物質を用いた発光パネル等の表示機器、及び各種光学機器類における透明電極に適用することにより、これらの機器類の性能向上、及び長期の安定的な使用に寄与することができる。
【００４６】
以下、本発明の透明導電膜１２の製造方法について、図面に基づき詳細に説明する。
【実施例１】
【００４７】
透明導電膜の製膜
図１には、本実施例１の透明導電基板１００の製造方法を示す部分断面工程図が示されている。図１（１）に示すように、透明基材１０として、厚さ１００ミクロンのポリカーボネートフィルムを用いた。さらに、図１（２）に示すように、マグネトロンスパッタリング装置内で、Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯターゲットを用いて、上記透明基材１０の表面に透明導電膜１２を製膜した。なお、このＩｎ２Ｏ３−ＺｎＯターゲットの組成は、ＺｎとＩｎの原子比である［Ｚｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｚｎ］）が０．１５となるように調製した。ここで、［Ｉｎ］は、ターゲット中のインジウム原子の数を表し、［Ｚｎ］は、ターゲット中の亜鉛原子の数を表す。上記スパッタリング時の条件は、プラズマ出力を、ターゲット表面積に対して１Ｗ／ｃｍ２とし、製膜時間を４０分間とした。
【００４８】
得られた透明導電膜１２は、その厚さが１０００オングストロームであり、非晶性で透明性に優れていた。また、その表面抵抗は、３５Ω／□であった。図１（２）に示すように、透明基材１０上に製膜された透明導電膜１２は、その内部１２ｂの表面が、表層部１２ａで覆われる構成を有していた。この透明導電膜１２の化学組成をオージェ電子分光法により分析した結果、表層部１２ａにおけるＺｎとＩｎの原子比である［Ｚｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｚｎ］）は、０．０５であることが判明した。これに対し、内部１２ｂにおけるＺｎとＩｎの原子比である［Ｚｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｚｎ］）は、０．１５であることが判明した。これらの結果に基づき、表層部１２ａにおいては、内部１２ｂよりもＺｎの含有割合が低いことが確認された。
【００４９】
透明導電膜の表面改質処理
この透明導電膜１２の表面に、フォトプロセスによりパターニングを施した。パターンの形状は、ライン間隔０．０５ｍｍ、ライン幅０．４５ｍｍの直線状とし、これらの直線状のパターンを１２０本平行に設けた。次に、エッチング液として、濃度が３重量％である蓚酸水溶液を用いて、上記透明導電膜１２にエッチング処理を施し、図１（３）に示すように、透明基材１０上に透明電極１４を形成した。なお、本明細書中、透明電極１４は、その機能に注目して呼ぶものであり、実質的には、透明導電膜１２と同様である。したがって、本実施例１において得られた透明電極１４も、上記Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯの透明導電膜１２と同様に、特許請求の範囲に記載の透明導電膜の一例に相当するものである。
【００５０】
次に、反応性イオンエッチング法により、上記エッチング後の透明電極１４の表面改質処理を行った。この表面改質処理時の条件は、反応性ガスとしてＣＨＦ３及びＯ２ガスの混合ガスを用い、透明基材１０の温度を室温とし、反応圧力を１Ｐａとし、反応時間を１分間とした。この表面改質処理により、図１（４）に示すように、透明導電膜１２の表層部１２ａを除去し、新たな表層部１２ｃを形成した。また、以下、この表面改質後の透明電極１４が形成されたポリカーボネートフィルム全体を透明導電基板１００と呼ぶ。
【００５１】
さらに、表面改質後の透明電極１４についても、表面改質処理前の透明導電膜１２と同様に、その化学組成を測定した。この結果、新たな表層部１２ｃにおけるＺｎとＩｎの原子比である［Ｚｎ］／（［Ｉｎ］＋［Ｚｎ］）と、内部１２ｂにおけるその原子比は、いずれも０．１５であった。この結果に基づき、透明電極１４の新たな表層部１２ｃと、内部１２ｂとでは、実質的に同一の化学組成であることが確認された。
【００５２】
次いで、この透明導電基板１００における透明電極１４表面の周縁部にシール材を接着することにより、透明電極１４上に液晶注入部を設けた。この液晶注入部に、下記の化学構造を繰り返し単位構造として有する高分子強誘電性液晶を塗布した。さらに、別の透明導電基板１００を、その透明電極１４が高分子強誘電性液晶の塗布面と接するように、重ね合わせて接合することにより、液晶セルを作成した。この時、上側の透明電極１４の直線状のパターンと、下側の透明電極１４の直線状のパターンと、が直交するように、上側の透明導電基板１００を接合した。そして、この作成した液晶セルの端部の透明電極１４の端子に、液晶駆動回路からの配線の接合端子を導電性接着剤（ヒートシールコネクタ）により接合し、評価サンプルを作成した。
【００５３】
【化１】
2006049045.tif 000003
【００５４】
このようにして作成した評価サンプルを温度６５℃、湿度９０％の雰囲気中に放置し、接触抵抗の時間変化を観察した。その結果を表１及び図２に示した。図２に示すグラフにおいては、縦軸は抵抗値（Ω）を表し、横軸は経過時間（時間）を表す。
【００５５】
【表１】
2006049045.tif 000004
【００５６】
『比較例１』
上記実施例１における反応性イオンエッチングの操作を行わない点を除き、上記実施例１と同様の方法により、評価サンプルを作成した。すなわち、実施例１と同様の方法により、ポリカーボネートフィルム上にＩｎ２Ｏ３−ＺｎＯからなる透明導電膜１２を製膜し、この透明導電膜１２についてパターニングを施して透明電極１４を形成した後、この透明電極１４を含む透明導電基板を用いて、液晶セルの評価サンプルを作成した。  
次いで、この評価サンプルを上記実施例１と同様の高温高湿状態に放置して、耐久テストを行った後、接触抵抗の時間変化を観察した。その結果を表１、図２に示した。
【実施例２】
【００５７】
上記実施例１で用いたポリカーボネートフィルムの代わりに、透明基材２０としてガラスを使用し、反応性ガスとして、ＣＨＦ３及びＯ２ガスの混合ガスの代わりに、ＳＦ６及びＯ２ガスの混合ガスを用いた。これらの点を除いては、上記実施例１と同様の方法により、ガラス上にＩｎ２Ｏ３−ＺｎＯからなる透明導電膜１２を製膜し、この透明導電膜１２についてパターニングを施して透明電極１４を形成した後、この透明電極１４を含む透明導電基板２００を製造した。さらに、上記実施例１と同様の方法により、この透明導電基板２００を用いて、液晶セルの評価サンプルを作成した。なお、本実施例２においては、表面改質処理後のＩｎ２Ｏ３−ＺｎＯからなる透明電極１４が形成されたガラス全体を透明導電基板２００と呼ぶ。
【００５８】
次いで、この評価サンプルを実施例１と同様の高温高湿状態に放置して、耐久テストを行った後、接触抵抗の時間変化を観察した。その結果を表１、図２に示した。
【００５９】
『比較例２』
上記実施例２における反応性イオンエッチングの操作を行わない点を除き、上記実施例２と同様の方法により、評価サンプルを作成した。すなわち、実施例２と同様に、ガラス上にＩｎ２Ｏ３−ＺｎＯからなる透明導電膜１２を製膜し、この透明導電膜１２についてパターニングを施して透明電極１４を形成した。この透明電極１４を含む透明導電基板２００を用いて、液晶セルの評価サンプルを作成した。  
次いで、この評価サンプルを実施例１と同様の高温高湿状態に放置して、耐久テストを行った後、接触抵抗の時間変化を観察した。その結果を表１、図２に示した。
【実施例３】
【００６０】
透明導電膜の製膜
図１（１）に示すように、透明基材１０として、厚さ１００ミクロンのポリカーボネートフィルムを用いた。さらに、図１（２）に示すように、マグネトロンスパッタリング装置内で、Ａ１２Ｏ３−ＺｎＯターゲットを用いて、上記透明基材１０の表面に透明導電膜２２を製膜した。なお、このＡ１２Ｏ３−ＺｎＯターゲットの組成は、ＺｎとＡｌの原子比である［Ａｌ］／（［Ａｌ］＋［Ｚｎ］）が０．０３となるように調製した。ここで、［Ａｌ］は、ターゲット中のインジウム原子の数を表し、［Ｚｎ］は、ターゲット中の亜鉛原子の数を表す。上記スパッタリング時の条件は、プラズマ出力を、ターゲット表面積に対して１Ｗ／ｃｍ２とし、製膜時間を４０分間とした。
【００６１】
得られた透明導電膜２２は、その厚さが１０００オングストロームであり、非晶性で透明性に優れていた。また、その表面抵抗は、８５Ω／□であった。図１（２）に示すように、透明基材１０上に製膜された透明導電膜２２は、その内部２２ｂの表面が、表層部２２ａで覆われる構成を有していた。この透明導電膜２２の化学組成をオージェ電子分光法により分析した結果、表層部２２ａにおけるＡｌとＺｎの原子比である［Ａｌ］／（［Ａｌ］＋［Ｚｎ］）は、０．０５であることが判明した。これに対し、内部２２ｂにおけるＺｎとＡｌの原子比である［Ａｌ］／（［Ａｌ］＋［Ｚｎ］）は、０．０３であることが判明した。これらの結果に基づき、表層部２２ａにおいては、内部２２ｂよりもＺｎの含有割合が低いことが確認された。
【００６２】
透明導電膜の表面改質処理
この透明導電膜２２の表面に、フォトプロセスによりパターニングを施した。パターンの形状は、ライン間隔０．０５ｍｍ、ライン幅０．４５ｍｍの直線状とし、これらの直線状のパターンを１２０本平行に設けた。次に、エッチング液として、濃度が３重量％である蓚酸水溶液を用いて、上記透明導電膜２２にエッチング処理を施し、図１（３）に示すように、透明基材１０上に透明電極２４を形成した。なお、本実施例３において得られた透明電極２４も、上記Ａ１２Ｏ３−ＺｎＯ透明導電膜２２と同様に、特許請求の範囲に記載の透明導電膜の一例に相当するものである。
【００６３】
得られた透明電極２４について、実施例１と同様の方法で、反応性イオンエッチングを施し、表面改質処理を行った。この表面改質処理により、図１（４）に示すように、透明導電膜２２の表層部２２ａを除去し、新たな表層部２２ｃを形成した。以下、表面改質処理後の透明電極２４が形成されたポリカーボネートフィルム全体を透明導電基板３００と呼ぶ。
【００６４】
さらに、表面改質後の透明電極２４についても、表面改質処理前の透明導電膜２２と同様に、その化学組成を測定した。この結果、新たな表層部２２ｃにおけるＺｎとＡｌの原子比である［Ａｌ］／（［Ａｌ］＋［Ｚｎ］）と、内部２２ｂにおけるその原子比は、いずれも０．０３であった。この結果に基づき、透明電極２４の新たな表層部２２ｃと、内部２２ｂとでは、実質的に同一の化学組成であることが確認された。
【００６５】
上記実施例１と同様の方法により、上記透明導電基板３００を含む液晶セルを作成した。この作成した液晶セルの端部の透明電極２４の端子に、液晶駆動回路からの配線の接合端子を導電性接着剤（ヒートシールコネクタ）により接合し、評価サンプルを作成した。この評価サンプルを実施例１と同様の高温高湿状態に放置して、耐久テストを行った後、接触抵抗の時間変化を観察した。その結果を表１、図２に示した。
【実施例４】
【００６６】
本実施例１〜３において、作成した評価サンプルにおける透明導電膜１２、２２と、異方導電膜との接触抵抗を測定し、得られた接触抵抗の値に基づき、透明導電膜１２、２２の性能を確認した。さらに、上記実施例１〜３の評価サンプルを、温度６０℃、湿度９０％の雰囲気中に、２４０時間放置した。その後、再び各評価サンプルの接触抵抗を測定したところ、上記雰囲気中に放置する前に測定した接触抵抗の値と、ほぼ同様の値であった。この結果より、本実施例１〜３の透明導電膜１２、２２は耐久性に優れることが確認できた。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本実施例による透明導電基板の製造方法を示す部分断面工程図である。
【図２】接触抵抗の時間変化を示すグラフである。
【符号の説明】
【００６８】
１０、２０  透明基材
１２、２２  透明導電膜
１２ａ、１２ｃ、２２ａ、２２ｃ  表層部
１２ｂ、２２ｂ  内部
１４、２４  透明電極
１００、２００、３００  透明導電基板
【図１】
2006049045.tif 000005
【図２】
2006049045.tif 000006