(57)【要約】【課題】水素ガス除去能力回復のためのメンテナンスにかかわる負担を軽減し得る水素ガス除去装置を提供する。【解決手段】水素ガス除去対象装置の装置内にて発生する水素ガスを金属酸化物を含む酸化部Ｏｘにて酸化して除去するように構成された水素ガス除去装置であって、  酸化部Ｏｘが、金属酸化物の多孔状焼結体５１にて構成されている。【選択図】図２
2006162243.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水素ガス除去対象装置の装置内にて発生する水素ガスを金属酸化物を含む酸化部にて酸化して除去するように構成された水素ガス除去装置であって、
前記酸化部が、金属酸化物の多孔状焼結体にて構成されている水素ガス除去装置。
【請求項２】
前記多孔状焼結体が、金属酸化物の粉末とその金属酸化物よりも沸点が低いバインダーとの混合物をそのバインダーの沸点よりも高温に加熱して前記金属酸化物の粉末を多孔状に焼結させて形成される請求項１記載の水素ガス除去装置。
【請求項３】
前記金属酸化物が酸化第２銅（ＣｕＯ）であり、その酸化第２銅の多孔状焼結体の密度が４．０ｇ／ｃｍ3以上である請求項１又は２記載の水素ガス除去装置。
【請求項４】
前記金属酸化物が一酸化ニッケル（ＮｉＯ）であり、その一酸化ニッケルの多孔状焼結体の密度が５．０〜６．５ｇ／ｃｍ3の範囲である請求項１又は２記載の水素ガス除去装置。
【請求項５】
前記金属酸化物が一酸化コバルト（ＣｏＯ）であり、その一酸化コバルトの多孔状焼結体の密度が４．０〜６．２ｇ／ｃｍ3の範囲である請求項１又は２記載の水素ガス除去装置。
【請求項６】
前記多孔状焼結体の平均細孔半径が３００〜３０００ｎｍの範囲である請求項１又は２記載の水素ガス除去装置。
【請求項７】
前記多孔状焼結体を形成する前記金属酸化物の原料粉末の大部分の粒径が、０．１〜１０μｍの範囲である請求項１〜６のいずれか１項に記載の水素ガス除去装置。
【請求項８】
前記水素ガス除去対象装置が吸収式冷凍機である請求項１〜７のいずれか１項に記載の水素ガス除去装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、水素ガス除去対象装置の装置内にて発生する水素ガスを金属酸化物を含む酸化部にて酸化して除去するように構成された水素ガス除去装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
かかる水素ガス除去装置は、吸収式冷凍機等の水素ガス除去対象装置の装置内で発生する水素ガスを酸化部にて酸化して凝縮可能な状態にすることで、水素ガスを除去するように構成したものである。
つまり、水素ガス除去対象装置の一例としての吸収式冷凍機では、再生器、凝縮器、吸収器及び蒸発器、並びに、それらを接続する配管等を構成する装置構成材として、一般に鉄やステンレス鋼等の金属が用いられ、冷媒と吸収剤の組み合わせとして、水と臭化リチウムの組み合わせやアンモニアと水の組み合わせ等が用いられるものであり、その装置構成材の鉄やステンレス鋼が冷媒や吸収剤溶液と反応して水素ガスが発生する。この水素ガスは吸収式冷凍機内においては凝縮することがなく、蒸発器や吸収器等の気相部に滞留して、低圧が要求される蒸発器や吸収器等の器内圧力が次第に上昇することになるので、吸収式冷凍機の能力が低下することになる。
そこで、水素ガス除去装置を設けて、吸収式冷凍機内の水素ガスを除去するようにして、吸収式冷凍機の能力低下を抑制するようになっている。
【０００３】
このような水素ガス除去装置において、従来では、酸化部を、金属酸化物を担持させた多孔質球状アルミナにて構成していた。
ちなみに、銅イオンを含む水溶液に多孔質球状アルミナを浸漬して、多孔質球状アルミナに銅イオンを含浸し、これを高温で酸化させることにより、多孔質球状アルミナに金属酸化物としての酸化銅を担持させる（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
【特許文献１】特開昭５９−３２９４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、このような水素ガス除去装置は、水素ガス除去対象装置の装置内にて発生する水素ガスを酸化部の金属酸化物にて酸化することにより、換言すれば、水素ガス除去対象装置の装置内にて発生する水素ガスにて酸化部の金属酸化物を還元させることにより、水蒸気を発生させて水素ガスを除去するものである。従って、水素ガスによる酸化部の金属酸化物の還元が進行して、酸化部における金属酸化物の含有量が少なくなると、水素ガス除去能力が低下するので、酸化部を金属酸化物の含有量が多い状態にする水素ガス除去能力回復のためのメンテナンスが必要である。この水素ガス除去能力回復のためのメンテナンスでは、例えば、金属酸化物の還元が進行した酸化部を水素ガス除去対象装置から取り出して酸素含有雰囲気中で加熱することにより、金属を酸化させて金属酸化物の含有量を多くして、そのように金属酸化物の含有量を多くした酸化部を水素ガス除去対象装置に装填することになる。
【０００６】
そして、内部が満たされた状態と仮定したときの酸化部全体の体積に対する金属酸化物の体積の比率（以下、金属酸化物の体積効率と記載する場合がある）を大きくするほど、酸化部における金属酸化物の含有量が水素ガス除去能力に影響が現れる程度に少なくなるまでの時間を長くすることが可能となって、水素ガス除去能力回復のためのメンテナンスの頻度を低くすることが可能となる。
【０００７】
しかしながら、上記従来の水素ガス除去装置では、酸化部を、金属酸化物を担持させた多孔質球状アルミナにて構成することから、酸化部に多孔質球状アルミナが存在する分、金属酸化物の体積効率を大きくし難い。
従って、従来では、酸化部における金属酸化物の体積効率を大きくし難いため、酸化部における金属酸化物の含有量が水素ガス除去能力に影響が現れる程度に少なくなるまでの時間が短いので、水素ガス除去能力回復のためのメンテナンスの頻度を高くする必要があり、そのメンテナンスにかかわる負担が大きいものとなっていた。
【０００８】
本発明は、かかる実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、水素ガス除去能力回復のためのメンテナンスにかかわる負担を軽減し得る水素ガス除去装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の水素ガス除去装置は、水素ガス除去対象装置の装置内にて発生する水素ガスを金属酸化物を含む酸化部にて酸化して除去するように構成されたものであって、
第１特徴構成は、前記酸化部が、金属酸化物の多孔状焼結体にて構成されている点を特徴とする。
【００１０】
即ち、酸化部が、金属酸化物の多孔状焼結体（以下、単に多孔状焼結体と称する場合がある）にて構成されており、その多孔状焼結体は、金属酸化物のみにて構成するようにしたり、あるいは、金属酸化物以外の構成物の量を極力少なくする状態で構成するようにすることが可能であるので、酸化部における金属酸化物の体積効率を大きくすることが可能となる。
そして、酸化部における金属酸化物の体積効率を大きくすることが可能となることから、酸化部における金属酸化物の含有量が水素ガス除去能力に影響が現れる程度に少なくなるまでの時間を長くすることが可能となるので、水素ガス除去能力回復のためのメンテナンスの頻度を低くすることが可能となる。
従って、水素ガス除去能力回復のためのメンテナンスにかかわる負担を軽減し得る水素ガス除去装置を提供することができるようになった。
【００１１】
第２特徴構成は、上記第１特徴構成に加えて、
前記多孔状焼結体が、金属酸化物の粉末とその金属酸化物よりも沸点が低いバインダーとの混合物をそのバインダーの沸点よりも高温に加熱して前記金属酸化物の粉末を多孔状に焼結させて形成される点を特徴とする。
【００１２】
即ち、金属酸化物の粉末とその金属酸化物よりも沸点が低いバインダーとの混合物をそのバインダーの沸点よりも高温に加熱すると、バインダーが気化して混合物から抜けてその抜けた部分が細孔となる状態で金属酸化物の粉末が焼結することになって、金属酸化物の粉末が多孔状に焼結するので、多孔状焼結体が形成される。
ちなみに、金属の粉末とバインダーとの混合物を加熱して、その加熱過程で金属を酸化させながら焼結させて、多孔状焼結体を形成したり、あるいは、金属の粉末とバインダーとの混合物を加熱して金属の粉末を焼結させて、その焼結後に金属を酸化させて、多孔状焼結体を形成する場合が考えられるが、これらの場合は、多孔状焼結体中に酸化されていない金属部分が残る虞があり、金属酸化物の体積効率を大きくする上で、多少不利となる。
これに対して、金属酸化物そのものの粉末とバインダーとの混合物を加熱して、多孔状焼結体を形成するようにすると、金属酸化物の体積効率を大きくする上で好ましい。
従って、金属酸化物の体積効率を一層大きくして、水素ガス除去能力回復のためのメンテナンスにかかわる負担を一層軽減するようにする上で好適な手段を提供することができるようになった。
【００１３】
第３特徴構成は、上記第１又は第２特徴構成に加えて、
前記金属酸化物が酸化第２銅（ＣｕＯ）であり、その酸化第２銅の多孔状焼結体の密度が４．０ｇ／ｃｍ3以上である点を特徴とする。
【００１４】
即ち、本願発明の発明者らは、水素ガス除去能力回復のためのメンテナンスにかかわる負担をより一層軽減すべく鋭意研究し、上記第１又は第２特徴構成を備えたものにおいて、金属酸化物として酸化第２銅を用い、その酸化第２銅の多孔状焼結体の密度を４．０ｇ／ｃｍ3以上に設定すると、水素ガス除去能力回復のためのメンテナンスにかかわる負担をより一層軽減するようにする上で好ましいことを見出した。
【００１５】
つまり、酸化第２銅は酸化力が強いので、金属酸化物として酸化第２銅を用いることにより、水素ガス除去能力を一層向上させることができ、更に、その酸化第２銅の多孔状焼結体の密度を４．０ｇ／ｃｍ3以上に設定して、金属酸化物の体積効率を大きくすることにより、酸化第２銅の多孔状焼結体に水素ガスを浸透させ、その水素ガスにて金属酸化物を還元させて水素ガスを除去するようにするに当たって、水素ガス除去能力を高くすることができることを見出した。
【００１６】
ちなみに、外部から酸化第２銅の多孔状焼結体を還元反応に好適な温度に加熱して、水素ガス除去を行わせる場合があり、このような場合に、多孔状焼結体の密度を高くすると、多孔状焼結体の熱伝導が大きくなって、多孔状焼結体全体にわたって温度分布を小さくすることができて、多孔状焼結体全体にわたって還元反応に適した温度に維持することができるので、この点からも水素ガス除去能力を高くすることができる。
従って、金属酸化物として酸化第２銅を用い、その酸化第２銅の多孔状焼結体の密度を４．０ｇ／ｃｍ3以上に設定することにより、水素ガス除去能力を向上させることができるので、水素ガス除去能力回復のためのメンテナンスにかかわる負担をより一層軽減することができるようになった。
【００１７】
第４特徴構成は、上記第１又は第２特徴構成に加えて、
前記金属酸化物が一酸化ニッケル（ＮｉＯ）であり、その一酸化ニッケルの多孔状焼結体の密度が５．０〜６．５ｇ／ｃｍ3の範囲である点を特徴とする。
【００１８】
即ち、本願発明の発明者らは、水素ガス除去能力回復のためのメンテナンスにかかわる負担をより一層軽減すべく鋭意研究し、上記第１又は第２特徴構成を備えたものにおいて、金属酸化物として一酸化ニッケルを用い、その一酸化ニッケルの多孔状焼結体の密度を５．０〜６．５ｇ／ｃｍ3の範囲に設定すると、水素ガス除去能力回復のためのメンテナンスにかかわる負担を軽減すると共に、水素ガス除去能力を向上させるようにする上で好ましいことを見出した。
【００１９】
つまり、一酸化ニッケルは酸化力が強いので、金属酸化物として一酸化ニッケルを用いることにより、水素ガス除去能力を一層向上させることができる。
そして、その多孔状焼結体の密度を５．０ｇ／ｃｍ3よりも小さく設定すると、金属酸化物の体積効率が小さくなるので、水素ガス除去能力回復のためのメンテナンスの頻度が高くなる傾向となり、多孔状焼結体の密度を６．５ｇ／ｃｍ3よりも大きく設定すると、金属酸化物の体積効率が大きくなって、水素ガス除去能力回復のためのメンテナンスの頻度を低くすることが可能となるものの、多孔状焼結体の細孔が微細過ぎて水素ガスが多孔状焼結体内に浸透し難くなるので、水素ガス除去能力が低くなり易い。
そして、その一酸化ニッケルの多孔状焼結体の密度を５．０〜６．５ｇ／ｃｍ3の範囲に設定することにより、金属酸化物の体積効率を大きくしながら、水素ガスが多孔状焼結体内に浸透し易いようにすることが可能となって、水素ガス除去能力を高くすることができるのである。
従って、金属酸化物として一酸化ニッケルを用い、その一酸化ニッケルの多孔状焼結体の密度を５．０〜６．５ｇ／ｃｍ3の範囲に設定することにより、水素ガス除去能力を向上させることができるので、水素ガス除去能力回復のためのメンテナンスにかかわる負担をより一層軽減することができるようになった。
【００２０】
第５特徴構成は、上記第１又は第２特徴構成に加えて、
前記金属酸化物が一酸化コバルト（ＣｏＯ）であり、その一酸化コバルトの多孔状焼結体の密度が４．０〜６．２ｇ／ｃｍ3の範囲である点を特徴とする。
【００２１】
即ち、本願発明の発明者らは、水素ガス除去能力回復のためのメンテナンスにかかわる負担をより一層軽減すべく鋭意研究し、上記第１又は第２特徴構成を備えたものにおいて、金属酸化物として一酸化コバルトを用い、その一酸化コバルトの多孔状焼結体の密度を４．０〜６．２ｇ／ｃｍ3の範囲に設定すると、水素ガス除去能力回復のためのメンテナンスにかかわる負担を軽減すると共に、水素ガス除去能力を向上させるようにする上で好ましいことを見出した。
【００２２】
つまり、一酸化コバルトは酸化力が強いので、金属酸化物として一酸化コバルトを用いることにより、水素ガス除去能力を一層向上させることができる。
そして、その一酸化コバルトの多孔状焼結体の密度を４．０〜６．２ｇ／ｃｍ3の範囲に設定することにより、先に第４特徴構成について説明したのと同様に、金属酸化物の体積効率を大きくしながら、水素ガスが多孔状焼結体内に浸透し易いようにすることが可能となって、水素ガス除去能力を高くすることができるのである。
従って、金属酸化物として一酸化コバルトを用い、その一酸化コバルトの多孔状焼結体の密度を４．０〜６．２ｇ／ｃｍ3の範囲に設定することにより、水素ガス除去能力を向上させることができるので、水素ガス除去能力回復のためのメンテナンスにかかわる負担をより一層軽減することができるようになった。
【００２３】
第６特徴構成は、上記第１又は第２特徴構成に加えて、
前記多孔状焼結体の平均細孔半径が３００〜３０００ｎｍの範囲である点を特徴とする。
【００２４】
即ち、本願発明の発明者らは、水素ガス除去能力回復のためのメンテナンスにかかわる負担をより一層軽減すべく鋭意研究し、上記第１又は第２特徴構成を備えたものにおいて、多孔状焼結体の平均細孔半径を３００〜３０００ｎｍの範囲に設定すると、水素ガス除去能力回復のためのメンテナンスにかかわる負担を軽減すると共に、水素ガス除去能力を向上させるようにする上で好ましいことを見出した。
【００２５】
つまり、多孔状焼結体の平均細孔半径を３０００ｎｍよりも大きく設定すると、金属酸化物の体積効率が小さくなるので、水素ガス除去能力回復のためのメンテナンスの頻度が高くなる傾向となり、多孔状焼結体の平均細孔半径を３００ｎｍよりも小さく設定すると、金属酸化物の体積効率が大きくなって、水素ガス除去能力回復のためのメンテナンスの頻度を低くすることが可能となるものの、多孔状焼結体の細孔が微細過ぎて水素ガスが多孔状焼結体内に浸透し難くなるので、水素ガス除去能力が低くなり易い。
【００２６】
そして、多孔状焼結体の平均細孔半径を３００〜３０００ｎｍの範囲に設定すると、金属酸化物の体積効率を大きくしながら、水素ガスが多孔状焼結体内に浸透し易いようにすることが可能となって、水素ガス除去能力を高くすることができるのである。
従って、多孔状焼結体の平均細孔半径を３００〜３０００ｎｍの範囲に設定することにより、水素ガス除去能力を向上させることができるので、水素ガス除去能力回復のためのメンテナンスにかかわる負担をより一層軽減することができるようになった。
【００２７】
第７特徴構成は、上記第１〜第６特徴構成のいずれかに加えて
前記多孔状焼結体を形成する前記金属酸化物の原料粉末の大部分の粒径が、０．１〜１０μｍの範囲である点を特徴とする。
【００２８】
即ち、本願発明の発明者らは、装置の低廉化を図りながら、水素ガス除去能力回復のためのメンテナンスにかかわる負担を軽減すべく鋭意研究し、上記第１〜第６特徴構成のいずれかを備えたものにおいて、多孔状焼結体を形成する金属酸化物の原料粉末の大部分の粒径を０．１〜１０μｍの範囲に設定すると、装置の低廉化を図りながら、水素ガス除去能力回復のためのメンテナンスにかかわる負担を軽減する上で好ましいことを見出した。
【００２９】
つまり、多孔状焼結体を形成する金属酸化物の原料粉末のうち、粒径が０．１μｍよりも小さいものが多くなるほど、多孔状焼結体の密度を大きくすることができるものの、原料粉末の価格が高騰化して装置が高騰化することになり、多孔状焼結体を形成する金属酸化物の原料粉末のうち、粒径が１０μｍよりも大きいものが多くなるほど、多孔状焼結体の密度が小さくなって水素ガス除去能力回復のためのメンテナンスの頻度が高くなる傾向となる。
そして、多孔状焼結体を形成する金属酸化物の原料粉末の大部分の粒径を０．１〜１０μｍの範囲に設定すると、装置の低廉化を図りながら、水素ガス除去能力回復のためのメンテナンスにかかわる負担を軽減することが可能となることを見出したのである。
従って、多孔状焼結体を形成する金属酸化物の原料粉末の大部分の粒径を０．１〜１０μｍの範囲に設定することにより、装置の低廉化を図りながら、水素ガス除去能力回復のためのメンテナンスにかかわる負担を軽減することができるようになった。
【００３０】
第８特徴構成は、上記第１〜第７徴構成のいずれかに加えて、
前記水素ガス除去対象装置が吸収式冷凍機である点を特徴とする。
【００３１】
即ち、吸収式冷凍機内において上述のように発生する水素ガスが、酸化部の金属酸化物にて酸化されて凝縮可能な状態の水蒸気となって、水素ガスが除去される。
そして、酸化部を金属酸化物の多孔状焼結体にて構成することにより、金属酸化物の体積効率を大きくして、水素ガス除去能力回復のためのメンテナンスの頻度を低くすることが可能となるのである。
従って、水素ガス除去能力回復のためのメンテナンスにかかわる負担を軽減し得る吸収式冷凍機用の水素ガス除去装置を提供することができるようになった。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、図面に基づいて、本発明を吸収式冷凍機用の水素ガス除去装置に適用した場合の第１実施形態を説明する。
先ず、図１に基づいて、水素ガス除去装置Ｅを備えた二重効用の吸収式冷凍機について説明する。
この吸収式冷凍機は、冷媒として水を用い、吸収剤として臭化リチウムを用いるものであり、冷媒液を蒸発させる蒸発器１、その蒸発器１で発生した冷媒蒸気を吸収剤の水溶液である吸収液に吸収させる吸収器２、その吸収器２にて冷媒蒸気を吸収した低濃度の吸収液（以下、希液と称する場合がある）を加熱して希液から冷媒蒸気を発生させる高温再生器３、その高温再生器３による冷媒蒸気の発生で中濃度になった吸収液（以下、中液と称する場合がある）を高温再生器３にて発生した冷媒蒸気にて加熱して冷媒蒸気を更に発生させる低温再生器４、高温再生器３及び低温再生器４で発生された冷媒蒸気を凝縮させる凝縮器５、及び、吸収式冷凍機内で発生した水素ガスを除去する水素ガス除去装置Ｅ等を設けて構成し、吸収器２には、低温再生器４による冷媒蒸気の発生で高濃度になった吸収液（以下、濃液と称する場合がある）を供給するようになっている。
【００３３】
以下、吸収式冷凍機の各部について説明を加える。
蒸発器１と吸収器２は、容器６を用いて一体的に構成してある。つまり、容器内６を通気自在な状態で仕切り体７にて横方向に仕切り、その容器６内の一方側に、冷媒液を散布する冷媒散布具８と、その冷媒散布具８にて冷媒液が散布される蒸発器コイル９と、冷媒散布具８から散布された冷媒液を溜める蒸発器液溜部１０とを配設して、蒸発器１を構成し、又、容器６内の他方側に、濃液を散布する吸収液散布具１１と、その吸収液散布具１１にて濃液が散布される吸収器コイル１２とを配設すると共に、蒸発器１にて発生した冷媒蒸気を吸収した希液を貯留する吸収器液溜部１３を容器６の底部に形成して、吸収器２を構成してある。
【００３４】
蒸発器液溜部１０には、後述する凝縮器５の凝縮器液溜部１４から冷媒液を冷媒液供給路１５を通じて供給し、その蒸発器液溜部１０の冷媒液を冷媒ポンプ１６により冷媒液循環路１７を通じて冷媒散布具８に圧送するようにしてある。
吸収液散布具１１には、後述する低温再生器４の低温再生器液溜部１８から濃液を濃液路１９を通じて供給するようにしてある。
【００３５】
そして、蒸発器コイル９には冷水取り出し用の冷水路２０を通じて冷水を通流させ、吸収器コイル１２には冷却水路２１を通じて冷却水を通流させている。尚、この冷却水路２１は、吸収器コイル１２、後述する凝縮器５の凝縮器コイル２２の順に冷却水を通流させるように配管してある。
【００３６】
吸収器液溜部１３の希液を吸収液ポンプ２３にて希液路２４を通じて高温再生器３に供給し、その高温再生器３において、ガスバーナ２５の燃焼により吸収液を加熱して冷媒蒸気を発生させる。
図中の２６は、高温再生器３で発生した冷媒蒸気から吸収液を分離する分離器であり、その分離器２６にて吸収液を分離した冷媒蒸気を、冷媒蒸気路２７を通じて、後述する低温再生器４の低温再生器コイル２８を通過させた後、凝縮器５内に供給するようにしてある。
この分離器２６には、冷媒蒸気に随伴する液滴状の吸収液を分離する分離具２６ａを内装してある。
【００３７】
又、図中の２９は、温水取り出し用の温水器であり、この温水器２９は、冷媒蒸気取り出し路３０を通じて高温再生器３から取り出した冷媒蒸気と温水路３１を通流する湯水とを熱交換させて、冷媒蒸気の顕熱と凝縮潜熱により湯水を加熱して、温水路３１を通じて湯を取り出すように構成してある。
【００３８】
低温再生器４と凝縮器５は、容器３２を用いて一体的に構成してある。つまり、容器３２内を通気自在な状態で仕切り体３３にて横方向に仕切り、その容器３２内の一方側に、中液路３４を通じて高温再生器３から中液が供給される前記低温再生器液溜部１８と、冷媒蒸気路２７を通じて高温再生器３から冷媒蒸気が供給される前記低温再生器コイル２８とを設けて、低温再生器４を構成し、又、容器３２内の他方側に、前記凝縮器液溜部１４と、前記冷却水路２１を通じて冷却水が供給される前記凝縮器コイル２２とを設けて、凝縮器５を構成してある。
【００３９】
そして、低温再生器４において、低温再生器コイル２８を通流する冷媒蒸気にて低温再生器液溜部１８の吸収液を加熱して冷媒蒸気を発生させて吸収液を濃縮し、そのように濃縮した濃液を前記濃液路１９を通じて吸収器２の吸収液散布具１１に供給するようになっている。
凝縮器５において、冷媒蒸気路２７を通じて高温再生器３から供給される冷媒蒸気、及び、仕切り体３３を通過して低温再生器４から供給される冷媒蒸気を凝縮器コイル２２を通流する冷却水にて冷却して凝縮させて、その冷媒液を凝縮器液溜部１４に溜め、その凝縮器液溜部１４の冷媒液を冷媒液供給路１５を通じて蒸発器１の蒸発器液溜部１０に供給するようになっている。
【００４０】
又、中液路３４を通流する中液により希液路２４を通流する希液を加熱する高温熱交換器３５、及び、濃液路１９を通流する濃液により希液路２４を通流する希液を加熱する低温熱交換器３６を設けてある。
【００４１】
この吸収式冷凍機は、冷水路２０を通じて冷水を取り出す冷房運転と、温水路３１を通じて温水を取り出す暖房運転とに切り換え自在なように構成してあり、その冷暖切換用として、希液路２４に希液路開閉弁３７を、中液路３４に中液路開閉弁３８をそれぞれ設けると共に、冷媒蒸気路２７に、冷媒蒸気路開閉弁３９を分離器２６と低温再生器コイル２８との間、及び、その低温再生器コイル２８と凝縮器５との間のそれぞれに位置させて設けてある。
そして、冷房運転を実行するときは、吸収液ポンプ２３及び冷媒ポンプ１６を作動させ、且つ、希液路開閉弁３７、中液路開閉弁３８及び２個の冷媒蒸気路開閉弁３９を全て開弁し、暖房運転を実行するときは、吸収液ポンプ２３及び冷媒ポンプ１６を停止させ、且つ、希液路開閉弁３７、中液路開閉弁３８及び２個の冷媒蒸気路開閉弁３９を全て閉弁することになる。
【００４２】
つまり、冷房運転においては、高温再生器３及び低温再生器４にて発生した冷媒蒸気を凝縮器５に供給して、その冷媒蒸気を凝縮器コイル２２の作用により凝縮させて、冷媒液を凝縮器液溜部１４に貯留し、その凝縮器液溜部１４の冷媒液を蒸発器液溜部１０に供給する。そして、その蒸発器液溜部１０の冷媒液を冷媒ポンプ１６により冷媒散布具８から蒸発器１内に散布し、その散布冷媒液を蒸発器コイル９の作用にて蒸発させて、その蒸発による気化熱奪取により、蒸発器コイル９を通流する冷水を冷却して、冷水路２０を通じて冷水を取り出すようになっている。
一方、低温再生器４からの吸収液を吸収液散布具１１から吸収器２内に散布して、その散布吸収液に蒸発器１にて発生した冷媒蒸気を吸収させ、その冷媒蒸気の吸収により濃度が低くなった吸収液を高温再生器３、低温再生器４を順次経由させて通流させて、高温再生器３及び低温再生器４のそれぞれにおいて吸収液から冷媒蒸気を発生させて吸収液を濃縮し、濃縮した吸収液を前述のように吸収液散布具１１から吸収器２内に散布するようになっている。
又、吸収器２にて濃液が冷媒蒸気を吸収することにより生じた吸収熱を吸収器コイル１２を通流する冷却水に与え、凝縮器５にて冷媒蒸気が凝縮することにより発生する凝縮熱を凝縮器コイル２２を通流する冷却水に与えて、吸収熱及び凝縮熱を冷却水を通じて外部に取り出すようになっている。
【００４３】
更に、この吸収式冷凍機には、吸収液や冷媒の循環系における低圧部（例えば、蒸発器１又は吸収器２）に吸引作用する吸引部４１、及び、その吸引部４１にて吸引された水素ガスを貯留する貯留タンク４２を設け、前記水素ガス除去装置Ｅをその貯留タンク４２に設けることにより、吸収式冷凍機の機内で発生した水素ガスを貯留タンク４２において水素ガス除去装置Ｅにて除去することで、水素ガス発生による機内の圧力上昇（特に、低圧が要求される蒸発器１や吸収器２における器内圧力の上昇）を防止して吸収式冷凍機の能力低下を防止するようにしてある。
【００４４】
前記吸引部４１は、エジェクタ４４を用いて、吸収液ポンプ２３にて送出される希液の一部を駆動流体として容器６内における吸収器構成空間、即ち吸収器２に吸引路４６を通じて吸引作用する構成であり、吸収液ポンプ２３にて送出される希液の一部を駆動流体として希液分岐路４５にてエジェクタ４４に導いて、その希液の高速流動により吸引路４６を通じて吸収器２に吸引作用して、吸収器２の器内気体（冷媒蒸気及び水素ガスを含む）を吸入するように構成してある。ちなみに、上述のように蒸発器１と吸収器２は、容器６内に互いに連通状態に構成してあるので、蒸発器１の器内気体（冷媒蒸気及び水素ガスを含む）をも、吸引路４６を通じて吸引する。
【００４５】
貯留タンク４２は、Ｕ字状の噴出路４７にてエジェクタ４４の噴出口に接続した状態で配置し、エジェクタ４４から噴出された希液と器内気体との混合流体を噴出路４７を通じて貯留タンク４２内にその底部から供給して、貯留タンク４２内において希液と不凝縮性の水素ガスとを気液分離状態にて貯留するように構成してある。
噴出路４７には、貯留タンク４２からエジェクタ４４への流体の逆流を阻止するチェックバルブ４８を設けてある。
又、貯留タンク４２と吸収器２とをＵ字状の希液戻し路４９にて接続してあり、その希液戻し路４９を通じて、貯留タンク４２にて水素ガスと分離した希液を吸収器２の吸収器液溜部１３に戻すように構成してある。
【００４６】
次に、図２に基づいて、水素ガス除去装置Ｅについて説明を加える。
この水素ガス除去装置Ｅは、金属酸化物（この実施形態では酸化第２銅（ＣｕＯ））を含む酸化部Ｏｘと、その酸化部Ｏｘを加熱する加熱手段としての電気ヒータ５２と、それら酸化部Ｏｘ及び電気ヒータ５２を装着する耐食金属製の装置ブロック５３とを備えており、貯留タンク４２内の水素ガスを金属酸化物にて酸化させて凝縮可能な状態（水蒸気）にすることで、機内の水素ガスを除去するように構成してある。
また、電気ヒータ５２により酸化部Ｏｘを加熱して酸化反応を促進することで効率的に機内の水素ガスを除去するようにしてある。
【００４７】
前記酸化部Ｏｘは、金属酸化物の多孔状焼結体５１にて構成してある。
【００４８】
次に、水素ガス除去装置Ｅを貯留タンク４２に取り付ける取り付け構成について説明する。
貯留タンク４２を形成する器壁における貯留タンク４２の気相部を囲繞する器壁４２ａ（この実施形態では上壁）には水素ガス除去装置Ｅの取付口４２ｂを形成してあり、多孔状焼結体５１及び電気ヒータ５２を装着した装置ブロック５３を貯留タンク４２の外部から上記取付口４２ｂに挿入した状態で器壁４２ａに対し連結固定することにより、水素ガス除去装置Ｅを貯留タンク４２に取り付ける。
【００４９】
また、この取り付けにおいて、装置ブロック５３は貯留タンク４２の内部と外部とに跨らせた状態でボルトなどの連結及び連結解除操作が自在な連結手段により器壁４２ａに連結固定し、装置ブロック５３と器壁４２ａとの間はシール手段によりシールする。
【００５０】
すなわち、水素ガス除去装置Ｅは、それが貯留タンク４２の器壁の一部（換言すれば、取付口４２ｂに対する蓋）を形成する状態にして貯留タンク４２の器壁４２ａに対し着脱自在に取り付けてあり、これにより、製作時における水素ガス除去装置Ｅの組み付けやその後における水素ガス除去装置Ｅのメンテナンス等を容易にする。
【００５１】
装置ブロック５３には、それを器壁４２ａに取り付けた状態において貯留タンク４２の気相部に開口させる酸化部収容孔５３ａと貯留タンク４２の外部に開口させるヒータ挿入孔５３ｂを形成してあり、多孔状焼結体５１は酸化部収用孔５３ａに収容して装置ブロック５３に装着し、電気ヒータ５２はヒータ挿入孔５３ｂに対し嵌入状に挿入して装置ブロック５３に装着してある。
すなわち、貯留タンク４２内の水素ガスをフィルタ５４を通じ酸化部収容孔５３ａに流入させることで、その水素ガスを酸化部収容孔５３ａ内において電気ヒータ５２による加熱下で多孔状焼結体５１と反応させるように、また、電気ヒータ５２はメンテナンス時などにおいて貯留タンク４２の気密を破ることなく装置ブロック５３から取り外せるようにしてある。
【００５２】
又、水素ガスにより多孔状焼結体５１の金属酸化物の還元が進行して、金属酸化物の含有量が少なくなって、水素ガス除去能力回復のためのメンテナンスが必要となると、水素ガス除去装置Ｅを貯留タンク４２から取り外して、多孔状焼結体５１を酸化部収容孔５３ａから取り出す。そして、取り出した多孔状焼結体５１を酸化雰囲気にて加熱して金属（この実施形態では銅）を酸化させて、水素ガス除去能力を回復させる。
【００５３】
又、水素ガス除去装置Ｅには、多孔状焼結体５１の温度を検出する加熱温度センサ５７を装備してある。
そして、吸収式冷凍機の運転制御を司る制御器５５は、前記加熱温度センサ５７の検出温度が設定温度になるように電気ヒータ５２の出力を調整する酸化部温度制御を実行するように構成してある。前記設定温度は１２０〜２５０°Ｃの範囲内に設定して、制御器５５に記憶させてある。
【００５４】
前記多孔状焼結体５１の製作方法について説明を加える。
この多孔状焼結体５１は、金属酸化物（この実施形態では酸化第２銅）の粉末とその金属酸化物よりも沸点が低いバインダー（この実施形態ではポリビニールアルコール）との混合物をそのバインダーの沸点よりも高温に加熱して、金属酸化物の粉末を多孔状に焼結させて形成する。
そして、酸化第２銅の多孔状焼結体５１の密度は、４．０ｇ／ｃｍ3以上に設定するのが好ましい。
但し、酸化第２銅の結晶の比重は、６．４であるので、酸化第２銅の多孔状焼結体５１の密度は、６．４ｇ／ｃｍ3よりも小さいものとなる。
【００５５】
更に説明を加えると、金属酸化物とバインダーとの混合物を所定の形状（円柱状、球状、立方体状、直方体状等）に加圧成形して、そのように加圧成形した金属酸化物とバインダーとの混合物をバインダーの沸点よりも高温に加熱してバインダーを気化させて、金属酸化物の粉末を多孔状に焼結させて、多孔状焼結体５１を形成する。
金属酸化物とバインダーとの混合物を所定の形状に加圧成形するに当たっては、極力大きい形状に成形して、多孔状焼結体５１を極力大きく形成するようにして、酸化部収容孔５３ａに収容する多孔状焼結体５１の個数を極力少なくする（例えば、２〜５個程度）ようにしてある。ちなみに、この実施形態では、前記混合物を円柱状に成形することにより、多孔状焼結体５１を円柱状に形成し、その円柱状の多孔状焼結体５１の複数個を積み重ねて、全体として、酸化部収用孔５３ａに収容可能な円柱状となるようにしてある。
【００５６】
つまり、酸化部Ｏｘを構成する多孔状焼結体５１の個数を少なくすることにより、多孔状焼結体５１の取扱いを容易にして、製作時における水素ガス除去装置Ｅの組み付けや、水素ガス除去能力回復のためのメンテナンスを一層簡略化している。
【００５７】
以下、前記多孔状焼結体５１の製作条件について説明する。
即ち、多孔状焼結体５１の製作条件である金属酸化物の原料粉末の粒径、バインダーの量、金属酸化物の粉末とバインダーとの混合物の成形圧力、焼成温度及び焼成時間夫々は、以下に記載する範囲内で所定の値に設定する。
【００５８】
金属酸化物の原料粉末の大部分（例えば８０ｗｔ％以上）の粒径：０．０５〜３０μｍ、好ましくは、０．１〜１０μｍ
バインダーの量：０．１〜１０ｗｔ％、好ましくは、１〜５ｗｔ％
成形圧力：２．５〜１４７ＭＰａ、好ましくは、４．９〜９８ＭＰａ
焼成温度：４００〜１１００°Ｃ、好ましくは、５００〜１０００°Ｃ
焼成時間：０．２〜６ｈ、好ましくは、０．５〜５ｈ
【００５９】
図３に、多孔状焼結体５１を形成する金属酸化物（酸化第２銅）の原料粉末の粒径の分布の一例を示す。この図３に示す例では、多孔状焼結体５１を形成する金属酸化物（酸化第２銅）の原料粉末のうちの約９５ｗｔ％の粒径が、０．１〜１０μｍの範囲である。
【００６０】
次に、多孔状焼結体５１の密度を４．０ｇ／ｃｍ3以上に設定することにより、水素ガス除去能力を向上させることができることを検証した結果を説明する。
この検証試験では、吸収液ポンプ２３を一時的に停止させて貯留タンク４２への水素ガスの導入を停止した状態で、多孔状焼結体５１による水素ガスの除去により、貯留タンク４２内の圧力が上位圧力（例えば１２ｋＰａ）から下位圧力（例えば９．３３ｋＰａ）にまで低下するのに要する時間（以下、圧力低下所要時間と称する場合がある）を測定して、その測定した圧力低下所要時間を比較することにより、水素ガス除去能力を比較した。
【００６１】
密度が４．０ｇ／ｃｍ3の多孔状焼結体５１の場合、前記圧力低下所要時間は４．５時間であり、密度が６．２ｇ／ｃｍ3の多孔状焼結体５１の場合、前記圧力低下所要時間は４〜５時間であった。記載は省略するが、密度が４．０、６．２ｇ／ｃｍ3以外の４．０ｇ／ｃｍ3以上の多孔状焼結体５１でも、前記圧力低下所要時間は、密度が４．０ｇ／ｃｍ3の多孔状焼結体５１と略同等であった。
又、密度が３．０ｇ／ｃｍ3の多孔状焼結体５１の場合は、貯留タンク４２内の圧力を９．８０ｋＰａにまでしか低下させることができなかった。
【００６２】
つまり、密度が４．０ｇ／ｃｍ3よりも小さい３．０ｇ／ｃｍ3の多孔状焼結体５１では、金属酸化物の体積効率が小さいので、貯留タンク４２内の水素ガスを十分に除去するまでに、金属酸化物の含有量が少なくなって、水素ガス除去能力が低下するので、貯留タンク４２内の圧力を９．８０ｋＰａにまでしか低下させることができないのである。
【００６３】
次に、多孔状焼結体５１の密度を４．０ｇ／ｃｍ3以上に設定することにより水素ガス除去能力を向上させることができることを、１時間当たりの水素ガス除去量（ｃｍ3／ｈ）を比較することにより検証した結果を説明する。
この検証試験では、密度が異なる多孔状焼結体５１夫々について、多孔状焼結体５１の加熱温度が１８０°Ｃのとき及び２１０〜２３０°Ｃのときの夫々において、１時間当たりの水素ガス除去量を測定して、その測定した１時間当たりの水素ガス除去量を比較することにより、水素ガス除去能力を比較した。
【００６４】
図４に、多孔状焼結体５１の密度と１時間当たりの水素ガス除去量との関係を示す。ちなみに、図４は、密度が３．５〜６．２ｇ／ｃｍ3の多孔状焼結体５１夫々について１時間当たりの水素ガス除去量を測定し、その測定データから、密度が３．５〜６．２ｇ／ｃｍ3における多孔状焼結体５１の密度と１時間当たりの水素ガス除去量との関係を求めたものであり、この関係から、密度が３．５〜６．２ｇ／ｃｍ3以外の多孔状焼結体５１の１時間当たりの水素ガス除去量を推測することができる。
ちなみに、従来の水素ガス除去装置における標準的な１時間当たりの水素ガス除去量は、４５ｃｍ3／ｈである。
【００６５】
図４から、多孔状焼結体５１の密度を４．０ｇ／ｃｍ3以上に設定すると、金属酸化物の体積効率を大きくして、１時間当たりの水素ガス除去量を多くすることができることが分かる。
又、多孔状焼結体５１の加熱温度が１８０°Ｃのときよりも２１０〜２３０°Ｃのときの方が１時間当たりの水素ガス除去量が多いことが分かる。
【００６６】
つまり、密度が４．０ｇ／ｃｍ3よりも小さい多孔状焼結体５１では、酸化第２銅の体積効率が小さいので、１時間当たりの水素ガス除去量が低くなり、一方、密度が４．０ｇ／ｃｍ3以上の多孔状焼結体５１では、酸化第２銅の体積効率が大きくなるので、１時間当たりの水素ガス除去量が高くなるのである。
更に、多孔状焼結体５１の密度を４．０ｇ／ｃｍ3以上にすることにより、多孔状焼結体５１の熱伝導が大きくなるので、上述のように電気ヒータ５２にて多孔状焼結体５１を前記設定温度に加熱して水素ガス除去を行わせる場合に、多孔状焼結体５１全体にわたって温度分布を小さくして、多孔状焼結体５１全体にわたって還元反応に適した温度に維持することができるので、このことによっても１時間当たりの水素ガス除去量が多くなる。
【００６７】
そして、前記圧力低下所要時間が短いということは、即ち、１時間当たりの水素ガス除去量が多いということであり、上述のように、圧力低下所要時間を比較することにより水素ガス除去能力を比較する場合に、圧力低下所要時間が短いということ、及び、１時間当たりの水素ガス除去量を比較することにより水素ガス除去能力を比較する場合に、１時間当たりの水素ガス除去量が多いということは、いずれも、酸化第２銅の多孔状焼結体５１における単位体積当たりの水素ガス除去量が多い、即ち、水素ガス除去能力が高いということになる。
つまり、上記の２種類の検証試験により、多孔状焼結体５１の密度を４．０ｇ／ｃｍ3以上に設定することにより、水素ガス除去能力を向上させることができることを検証することができた。
【００６８】
又、酸化第２銅の多孔状焼結体５１の密度が大きくなって、酸化第２銅の結晶の比重に相当する６．４ｇ／ｃｍ3に近づくほど、多孔状焼結体５１の細孔が微細になる傾向となる。
そして、酸化第２銅の多孔状焼結体５１の密度が６．３ｇ／ｃｍ3以下では、酸化第２銅の多孔状焼結体５１に水素ガスを十分に浸透させることができて、高い水素ガス除去能力が得られることが推測できる。
つまり、水素ガス除去能力をより一層高くするには、酸化第２銅の多孔状焼結体５１の密度を、４．０〜６．３ｇ／ｃｍ3の範囲に設定するのが好ましい。
【００６９】
上述のように、酸化第２銅の多孔状焼結体５１の密度を４．０ｇ／ｃｍ3以上に設定して、水素ガス除去能力を高くすることにより、多孔状焼結体５１の体積を大きくするのを回避しながら、例えば、単位時間当たりに所定量ずつ発生する水素ガスを多孔状焼結体５１にて除去できる時間を長くすることができることになる。
つまり、酸化第２銅の多孔状焼結体５１の密度を４．０ｇ／ｃｍ3以上に設定することにより、水素ガス除去装置を小型化しながら、水素ガス除去能力回復のためのメンテナンスの頻度を低くすることができて、そのメンテナンスにかかわる負担を軽減することができるのである。
【００７０】
例えば、吸収式冷凍機の運転時間がメンテナンス用設定時間に達する毎に、あるいは、高温再生器３のガスバーナ２５の積算燃焼量がメンテナンス用設定積算燃焼量に達する毎に、水素ガス除去能力回復のためのメンテナンスを行うことになり、本発明の水素ガス除去装置によれば、前記メンテナンス用設定時間を長く設定する、あるいは、前記メンテナンス用設定積算燃焼量を多く設定することが可能となって、水素ガス除去能力回復のためのメンテナンスにかかわる負担を軽減することができるのである。
【００７１】
〔第２実施形態〕
以下、本発明の第２実施形態を説明するが、この第２実施形態では、多孔状焼結体５１が異なる以外は、第１実施形態と同様に構成してあるので、第１実施形態と同じ構成要素や同じ作用を有する構成要素については説明を省略し、主として、多孔状焼結体５１について説明する。
即ち、図１に示すように、水素ガス除去装置Ｅを備えた二重効用の吸収式冷凍機は、第１実施形態と同様の構成であり、図２に示すように、水素ガス除去装置Ｅは、貯留タンク４２に第１実施形態と同様の構成にて取り付けてある。
【００７２】
前記多孔状焼結体５１は、第１実施形態と同様に、金属酸化物（この実施形態では酸化第２銅）の粉末とその金属酸化物よりも沸点が低いバインダー（この実施形態ではポリビニールアルコール）との混合物をそのバインダーの沸点よりも高温に加熱して金属酸化物の粉末を多孔状に焼結させて形成するが、その多孔状焼結体５１の平均細孔半径を、３００〜３０００ｎｍの範囲に設定してある。
【００７３】
多孔状焼結体５１の平均細孔半径は、水銀圧入法、ガス吸着法等の種々の測定法による細孔分布測定装置を用いて測定した値であり、この実施形態では、株式会社島津製作所製の水銀圧入法によるオートポア９２２０型の細孔分布測定装置を用いて測定した値である。
【００７４】
更に説明を加えると、第１実施形態と同様に、金属酸化物とバインダーとの混合物を、極力大きい形状に成形して、多孔状焼結体５１を極力大きく形成するようにして、酸化部収容孔５３ａに収容する多孔状焼結体５１の個数を極力少なくする（例えば、２〜５個程度）ようにしてある。
【００７５】
前記多孔状焼結体５１の製作条件、即ち、金属酸化物の粉末の粒径、バインダーの量、金属酸化物の粉末とバインダーとの混合物の成形圧力、焼成温度及び焼成時間夫々は、多孔状焼結体５１の平均細孔半径を３００〜３０００ｎｍの範囲内の所定の値に設定すべく、上記の第１実施形態において説明したのと同様の範囲内で所定の値に設定する。
【００７６】
次に、多孔状焼結体５１の平均細孔半径を３００〜３０００ｎｍの範囲に設定することにより、水素ガス除去能力を向上させることができることを検証した結果を説明する。
この検証試験では、第１実施形態と同様に、圧力低下所要時間を比較することにより、水素ガス除去能力を比較した。
【００７７】
平均細孔半径が１５００ｎｍの多孔状焼結体５１の場合、前記圧力低下所要時間は６．２時間であった。記載は省略するが、平均細孔半径が１５００ｎｍ以外の３００〜３０００ｎｍの範囲の多孔状焼結体５１でも、前記圧力低下所要時間は、平均細孔半径が１５００ｎｍの多孔状焼結体５１と略同等であった。
又、平均細孔半径が４４００ｎｍの多孔状焼結体５１の場合、貯留タンク４２内の圧力を１０．１ｋＰａにまでしか低下させることができず、平均細孔半径が１３０ｎｍの多孔状焼結体５１の場合は、貯留タンク４２内の圧力を１１．３ｋＰａにまでしか低下させることができなかった。
【００７８】
つまり、平均細孔半径が３００〜３０００ｎｍの範囲よりも大きい４４００ｎｍの多孔状焼結体５１では、金属酸化物の体積効率が小さいので、貯留タンク４２内の水素ガスを十分に除去するまでに、金属酸化物の含有量が少なくなって、水素ガス除去能力が低下してしまい、一方、平均細孔半径が３００〜３０００ｎｍの範囲よりも小さい１３０ｎｍの多孔状焼結体５１では、多孔状焼結体５１の細孔が微細過ぎて水素ガスが多孔状焼結体５１内に浸透し難いので、水素ガス除去能力が低く、貯留タンク４２内の水素ガスを十分に除去することができないのである。
従って、多孔状焼結体５１の平均細孔半径を３００〜３０００ｎｍの範囲に設定することにより、水素ガス除去能力を向上させることができることを検証することができた。
【００７９】
〔別実施形態〕
次に別実施形態を説明する。
（イ）  水素ガス除去装置Ｅの設置箇所は、上記の各実施形態において例示した貯留タンク４２に限定されるものではない。
例えば、図５に示すように、上記の各実施形態において設置した吸引部４１及び貯留タンク４２を省略して、水素ガス除去装置Ｅを分離器２６に設けたり、図６に示すように、更に、分離器２６を省略して、高温再生器３の気相部に設けても良い。
これらの場合、前記吸引部４１及び貯留タンク４を省略することができるので、構造を簡略化して低廉化を図ることが可能となる。
水素ガス除去装置Ｅを高温再生器３に設ける場合、図６に示すように、高温再生器３の気相部に設けられる内装分離具２６ａよりも冷媒蒸気通流方向における下流側の部分に設けるのが望ましい。
又、水素ガス除去装置Ｅを分離器２６や高温再生器３に設ける場合、上記の各実施形態と同様に、水素ガス除去装置Ｅ（具体的には装着ブロック５３）をそれが器壁の一部を形成する状態にして分離器２６や高温再生器３の器壁に対し着脱自在に連結固定する構造、及び、水素ガス除去装置Ｅを分離器２６や高温再生器３の器壁に取り付けた状態において電気ヒータ５２を分離器２６や高温再生器３の気密性を破ることなく分離器２６や高温再生器３の外部から取り外し可能な構造にするのが望ましい。
【００８０】
又、例えば、上記の各実施形態において、水素ガス除去装置Ｅを貯留タンク４２に加えて、分離器２６や高温再生器３に設ける等、水素ガス除去装置Ｅを複数箇所に設けても良い。
【００８１】
（ロ）  上記の実施形態では、多孔状焼結体５１を、その密度が４．０ｇ／ｃｍ3以上になること及びその平均細孔半径が３００〜３０００ｎｍの範囲になることのいずれか一方を満足させるように形成する場合について例示したが、多孔状焼結体５１を、その密度が４．０ｇ／ｃｍ3以上になること及びその平均細孔半径が３００〜３０００ｎｍの範囲になることの両方を満足するように形成しても良い。
【００８２】
（ハ）  多孔状焼結体５１の製作方法は、上記の各実施形態において例示した方法、即ち、金属酸化物の粉末とバインダーとの混合物をそのバインダーの沸点よりも高温に加熱する方法に限定されるものではなく、種々の方法が可能である。
例えば、金属の粉末とバインダーとの混合物をバインダーの沸点よりも高温に加熱して、その加熱過程で金属を酸化させながら焼結させる方法、あるいは、金属の粉末とバインダーとの混合物をバインダーの沸点よりも高温に加熱して金属の粉末を焼結させて、その焼結後に金属を酸化させる方法が可能である。
【００８３】
（ニ）  上記の各実施形態では、前記酸化部Ｏｘを複数個の多孔状焼結体５１にて構成する場合について例示したが、酸化部Ｏｘを１個の多孔状焼結体５１にて構成しても良い。この場合は、金属酸化物とバインダーとの混合物を、酸化部収容孔５３ａよりもやや小さい形状に加圧成形して、それを加熱することにより、多孔状焼結体５１を酸化部収容孔５３ａに収容可能な形状に形成するようにして、酸化部Ｏｘを１個の多孔状焼結体５１にて構成する。
【００８４】
（ホ）  上記の各実施形態においては、多孔状焼結体５１を金属酸化物のみを多孔状に焼結させて形成する場合について例示したが、金属酸化物以外のものを含む状態で金属酸化物を多孔状に焼結させて形成しても良い。但し、多孔状焼結体５１に金属酸化物以外のものを含ませると、金属酸化物の体積効率が小さくなるので、金属酸化物以外のものの含有率を極力小さくするのが望ましい。
【００８５】
（ヘ）  酸化部Ｏｘとしての多孔状焼結体５１を加熱する加熱手段の具体構成としては、上記の各実施形態において例示した電気ヒータ５２を熱源とする構成に限定されるものではなく、例えば、高温再生器３のガスバーナ２５の燃焼排ガスを熱源とする構成等、種々の構成が可能である。
【００８６】
（ト）  多孔状焼結体５１を形成する金属酸化物としては、上記の各実施形態において例示した酸化第２銅に限定されるものではなく、一酸化ニッケル（ＮｉＯ）、一酸化コバルト（ＣｏＯ）、酸化クロム、酸化鉄、酸化モリブデン、酸化鉛、酸化マンガン、酸化アルミ等、還元反応により水素ガスを酸化させて凝縮可能な状態にし得るものであれば、どのような金属酸化物でも良い。
尚、多孔状焼結体５１を形成する金属酸化物として、一酸化ニッケルを用いる場合、その一酸化ニッケルの多孔状焼結体５１の密度は、５．０〜６．５ｇ／ｃｍ3の範囲が好ましく、又、多孔状焼結体５１を形成する金属酸化物として、一酸化コバルトを用いる場合、その一酸化コバルトの多孔状焼結体の密度は、４．０〜６．２ｇ／ｃｍ3の範囲が好ましい。
又、多孔状焼結体５１を形成するために金属酸化物の粉末に混合させるバインダーとしては、上記の各実施形態において例示したポリビニールアルコールに限定されるものではなく、例えば、サリチル酸、樟脳（Ｃ10Ｈ16Ｏ、二環式飽和テルペンケトン）、ステアリン酸等の金属塩を用いることが可能である。
【００８７】
（チ）  水素ガス除去対象装置の具体例は、上記の実施形態において例示した如き二重効用の吸収式冷凍機に限定されるものではない。
例えば、水素ガス除去対象装置を吸収式冷凍機とする場合、上記の実施形態の如き二重効用のもの以外に、単効用や三重効用のものでも良い。又、冷媒と吸収剤の組み合わせは、上記の実施形態の如き水と臭化リチウムの組み合わせ以外に、アンモニアと水の組み合わせ等、種々の冷媒と吸収剤の組み合わせのものが可能である。
又、吸収式冷凍機以外に、装置内にて水素ガスを発生する種々の装置を本発明の水素ガス除去装置による水素ガス除去対象とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】実施形態に係る水素ガス除去装置を備えた吸収式冷凍機の構成図
【図２】実施形態に係る水素ガス除去装置及びその取り付け構造を示す縦断面図
【図３】多孔状焼結体を形成する金属酸化物の原料粉末の粒径の分布を示す図
【図４】酸化第２銅の多孔状焼結体における密度と水素ガス除去能力との関係を示す図
【図５】別実施形態に係る水素ガス除去装置を備えた吸収式冷凍機の構成図
【図６】別実施形態に係る水素ガス除去装置を備えた吸収式冷凍機の構成図
【符号の説明】
【００８９】
５１  多孔状焼結体
Ｏｘ  酸化部
【図１】
2006162243.tif 000003
【図２】
2006162243.tif 000004
【図３】
2006162243.tif 000005
【図４】
2006162243.tif 000006
【図５】
2006162243.tif 000007
【図６】
2006162243.tif 000008