(57)【要約】【課題】  メタルバック層間の面放電を抑制しつつ、生産性が高く、低コストかつ高品質である画像表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】  多数の電子放出素子が配列された背面基板と対向配置される矩形の前面基板上に遮光層および蛍光体層をそれぞれパターン形成し、蛍光体層の上に縦方向と横方向とにマトリックス状に分断されたメタルバック層をパターン形成する。【選択図】    図１
2006049132.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多数の電子放出素子が配列された背面基板と対向配置される矩形の前面基板上に遮光層および蛍光体層をそれぞれパターン形成し、前記蛍光体層の上に縦方向と横方向とにマトリックス状に分断されたメタルバック層を形成することを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記蛍光体層の上に化学蒸着法又は物理蒸着法により前記メタルバック層を成膜形成し、前記メタルバック層の上にフォトレジストを塗布し、このフォトレジスト膜を露光・現像して所定のマトリックス状にパターン化し、このマトリックス状にパターン化したフォトレジスト膜をマスクとして前記メタルバック層を選択的にエッチングし、前記フォトレジスト膜を前記前面基板上から除去することを特徴とする請求項１記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記蛍光体層の上にフォトレジストを塗布し、このフォトレジスト膜を露光・現像して所定のマトリックス状にパターン化し、このマトリックス状にパターン化したフォトレジスト膜の凹所に導電性粒子を含むペーストを所定パターンのスクリーンマスクに通過させて落とし込み印刷することにより、前記メタルバック層をマトリックス状にパターン形成することを特徴とする請求項１記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記蛍光体層の上に転写材から前記メタルバック層を転写し、この転写したメタルバック層の上にフォトレジストを塗布し、このフォトレジスト膜を露光・現像して所定のマトリックス状にパターン化し、このマトリックス状にパターン化したフォトレジスト膜をマスクとして前記メタルバック層を選択的にエッチングし、前記フォトレジスト膜を前記前面基板上から除去することを特徴とする請求項１記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記転写材は、導電性粒子を含む熱転写層を有する可撓性のフィルムまたは導電性粒子を含む熱転写層を有する剛性の基板のいずれかであることを特徴とする請求項４記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項６】
第１の下地保護層を前記蛍光体層の上に形成した後に、前記第１の下地保護層の上に前記メタルバック層を形成することを特徴とする請求項２又は４のいずれか１項記載の画像表示装置の製造方法。
【請求項７】
第２の下地保護層を前記メタルバック層の上に形成した後に、前記第２の下地保護層の上に前記フォトレジスト膜を形成することを特徴とする請求項２又は４のいずれか１項記載の画像表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像表示装置の製造方法に係り、とくに電子放出素子を用いた平面型画像表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近時、次世代の画像表示装置として、多数の電子放出素子を並べて、蛍光面と対向配置させた平面型画像表示装置の開発が進められている。電子放出素子には様々な種類があるが、いずれも基本的には電界放出を用いており、これらの電子放出素子を用いた表示装置は、一般に、フィールド・エミッション・ディスプレイ（以下、ＦＥＤと称する）と呼ばれている。ＦＥＤのうち表面伝導型電子放出素子を用いた表示装置は、表面伝導型電子放出ディスプレイ（以下、ＳＥＤと称する）とも呼ばれているが、本明細書中においてはＳＥＤも包含する総称としてＦＥＤという用語を用いる。
【０００３】
ＦＥＤにおいて、実用的な表示特性を得るためには、通常の陰極線管と同様の蛍光体を用い、さらに蛍光体の上に「メタルバック」と呼ばれるアルミニウム薄膜を形成した蛍光面を用いることが必要となる。メタルバックは、電子源から放出された電子により蛍光体から発せられた光のうちで、電子源側に進む光を前面基板側へ反射して輝度を高めること、蛍光体層に導電性を付与しアノード電極の役割を果たすこと、および真空外囲器内に残留するガスが電離して生じるイオンにより、蛍光体層が損傷するのを防ぐことなどを目的としたものである。この場合、蛍光面に印加するアノード電圧は最低でも数ｋＶ、できれば１０ｋＶ以上にすることが望まれる。
【０００４】
しかし、ＦＥＤの前面基板と背面基板との間隙は、解像度や支持部材の特性などの観点からあまり大きくすることができず、１〜２ｍｍ程度に設定する必要がある。このため、ＦＥＤでは、前面基板と背面基板との狭い間隙に強電界が形成され、長時間にわたって画像形成させると両基板間において放電（メタルバック膜間の面放電；真空アーク放電）が生じ易くなる。放電が発生すると、数アンペアから数百アンペアに及ぶ大きな放電電流が瞬時に流れるため、カソード部の電子放出素子やアノード部の蛍光面が破壊され、あるいは損傷を受けるおそれがある。このような不良発生につながる放電は製品としては許容されない。したがって、ＦＥＤを実用化するためには、長期間にわたり放電によるダメージが発生しないようにする必要がある。
【０００５】
特許文献１は、放電が発生したときのダメージを緩和するために、アノード電極として用いているメタルバック膜（Ａｌ膜）を分割し、抵抗部材を介して蛍光面外に設けられた共通電極と接続する技術を開示している。
【特許文献１】特開平１０−３２６５８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、上記の従来技術においては、蛍光体層の全面を覆うようにメタルバック膜を成膜した後に、面放電の防止を目的としてメタルバック膜を分割する分断工程が必要になるので、生産性が低く、コスト高になりやすいという問題点があった。また、従来のメタルバック膜分断工程において、メタルバック膜のみをきれいに分断することが難しく、その下地層である蛍光体層が損傷を受けるおそれがあった。
【０００７】
本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、面放電の発生を抑制しつつ、生産性が高く、低コストかつ高品質である画像表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る画像表示装置の製造方法は、多数の電子放出素子が配列された背面基板と対向配置される矩形の前面基板上に遮光層および蛍光体層をそれぞれパターン形成し、前記蛍光体層の上に縦方向と横方向とにマトリックス状に分断されたメタルバック層をパターン形成することを特徴とする。
【０００９】
本発明においては、蛍光体層の上に化学蒸着法又は物理蒸着法によりメタルバック層を成膜形成し、メタルバック層の上にフォトレジストを塗布し、このフォトレジスト膜を露光・現像して所定のマトリックス状にパターン化し、このマトリックス状にパターン化したフォトレジスト膜をマスクとしてメタルバック層を選択的にエッチングし、フォトレジスト膜を前面基板上から除去するようにしてもよい（図１参照）。
【００１０】
また、本発明においては、蛍光体層の上にフォトレジストを塗布し、このフォトレジスト膜を露光・現像して所定のマトリックス状にパターン化し、このマトリックス状にパターン化したフォトレジスト膜の凹所に導電性粒子を含むペーストを所定パターンのスクリーンマスクに通過させて落とし込み印刷することにより、前記メタルバック層をマトリックス状にパターン形成するようにしてもよい（図４参照）。
【００１１】
また、本発明においては、蛍光体層の上に転写材からメタルバック層を転写し、この転写したメタルバック層の上にフォトレジストを塗布し、このフォトレジスト膜を露光・現像して所定のマトリックス状にパターン化し、このマトリックス状にパターン化したフォトレジスト膜をマスクとしてメタルバック層を選択的にエッチングし、フォトレジスト膜を前面基板上から除去するようにしてもよい（図５参照）。この場合に、転写材には、アルミニウム（Ａｌ）等の導電性粒子を含む熱転写層を有する可撓性のフィルムを用いてもよいし、あるいはアルミニウム（Ａｌ）等の導電性粒子を含む熱転写層を有する剛性の基板を用いてもよい。
【００１２】
さらに、本発明では、第１の下地保護層を蛍光体層の上に形成した後に、第１の下地保護層の上にメタルバック層を形成してもよいし、また、第２の下地保護層をメタルバック層の上に形成した後に、第２の下地保護層の上にフォトレジスト膜を形成してもよい（図１および図５参照）。
【００１３】
メタルバック層の厚みは、通常の場合はおよそ５０〜２００ｎｍ（０．０５〜０．２μｍ）の範囲であることが望ましい。メタルバック層の厚みが５０μｍを下回ると、メタルバック層の本来的な機能であるアノード機能が低下して、背面基板の電子放出素子から放出される電子線の引き込みが不十分になり、画面が不鮮明になるなどの画質劣化の原因となりやすいからである。一方、メタルバック層の厚みが２００μｍを上回ると、これを通過する電子線の減衰が大きくなり、蛍光体層まで到達する電子線の保有エネルギーが小さくなるからである。
【００１４】
マトリックスパターンのメタルバック層において、その分断幅は縦方向と横方向とで異なる。縦方向の分断幅は、横方向の分断幅に比べて狭く、２０〜３０μｍ（最大でも５０μｍ未満に抑えられる）とするのが一般的である。隣り合うＲＧＢ画素間の距離が大きくなりすぎると、画質の鮮明さが損なわれてシャープな映像が得られなくなるからである。これに対して、横方向の分断幅は、比較的広くすることが許容されており、５０〜１５０μｍとするのが一般的である。縦方向に比べて横方向は画質の劣化にそれほど敏感に影響を及ぼさないからである。また、横方向の分断は、面放電の発生を抑制するほうに重点がおかれているからである。
【００１５】
なお、本明細書において「縦方向のメタルバック層の分断」とは、矩形状の基板の短辺と平行な方向（Ｙ方向）にメタルバック層の電気的導通を妨げる絶縁ラインを設けて、隣り合うメタルバック層間の電気的導通をなくさせることをいうものと定義する。また、「横方向のメタルバック層の分断」とは、矩形状の基板の長辺と平行な方向（Ｘ方向）にメタルバック層の電気的導通を妨げる絶縁ラインを設けて、隣り合うメタルバック層間の電気的導通をなくさせることをいうものと定義する。これらの縦横方向に延び出す絶縁ラインは、メタルバック層の一部を切り欠いて除去した物理的な分断ばかりでなく、メタルバック層を構成する良導体の一部を化学的処理によって絶縁体に変えることも含まれる（例えばアルミニウム金属膜の一部を選択的に酸化させて酸化アルミニウムとする所謂ケミカルカット）。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、メタルバック層がマトリックス状に形成されるので、メタルバック層間における面放電の発生が有効に防止される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明を実施するための最良の形態について添付の図面を参照して説明する。
【００１８】
（第１の実施形態）  
先ず第１の実施形態の画像表示装置としてのＦＥＤを製造する方法について図１を参照して説明する。
【００１９】
ＦＥＤの前面基板となるガラス基板２を所定の薬液を用いて洗浄処理し、パーティクル、油脂類、金属イオンなどが実質的に存在しない所望の清浄面を得る。次いで、洗浄した前面基板２の内面に黒色顔料などの光吸収物質を含む遮光層形成溶液を塗布し、塗布膜を加熱乾燥した後に、マトリックスパターンに対応する位置に開孔を有するパターニング用マスクを用いて露光し、現像し、図１の（ａ）に示すマトリックスパターン遮光層２ｂを形成する。これと同時に、マトリックスパターン遮光層２ｂの周囲に、図２に示すように前面基板２の周縁部に沿って矩形枠遮光層２ａが形成される。
【００２０】
次に、赤（Ｒ）の蛍光体としてＹ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ3+をフォトレジスト溶液（溶剤を含む）に対して所定の割合で調合した混合溶液をスピンコーティング法によって前面基板２上に所定膜厚に塗布する。塗布膜を加熱乾燥した後に、赤（Ｒ）パターンに対応する位置に開孔を有するマスクを用いて露光し、現像し、洗浄乾燥する。これにより赤（Ｒ）の短冊状パターンが形成される。同様にして、緑（Ｇ）蛍光体としてＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌを、青（Ｂ）蛍光体としてＺｎＳ：Ａｇをそれぞれ用いて、緑（Ｇ）と青（Ｂ）についても赤（Ｒ）パターンに隣接する位置に所定のパターンをそれぞれ形成する。そして、最終的に基板２を焼成してフォトレジストを焼失させ、図２および図３に示すように短冊状のＲＧＢ三色パターンの蛍光体層３が縦横（Ｙ方向とＸ方向）に規則配列された蛍光面を得る。この蛍光面にはピッチ６００μｍの正方画素をマトリックス状に配列し、蛍光体層３の縦区分線３１Ｖの幅を２０〜３０μｍの範囲とした。
【００２１】
次に、図１の（ｃ）に示すように蛍光体層３の上に所定膜厚の第１の下地保護層４を塗布した。第１の下地保護層４は、後述するエッチングダメージから蛍光体層３を保護するものであり、水ガラス及び／またはアクリル樹脂やニトロセルロース等の有機樹脂を含む接着剤からなるものである。この第１の下地保護層４の膜厚は、蛍光体層３を保護するに十分なものとするが、後工程のエッチング時間の短縮化を考慮して過剰に厚くならないようにする。
【００２２】
次に、図１の（ｄ）に示すように第１の下地保護層４の上に真空蒸着法によりＡｌ膜からなる所定膜厚のメタルバック層５を成膜した。メタルバック層５の膜厚は例えば０．１μｍとした。さらにメタルバック層５の上に第２の下地保護層６を形成した。第２の下地保護層６は、後述する現像ダメージからメタルバック層５を保護するものであり、水ガラス及び／またはアクリル樹脂やニトロセルロース等の有機樹脂を含む接着剤からなるものである。
【００２３】
次に、第２の下地保護層６の上にポジ型フォトレジスト液をスピンコーティング法により塗布し、ベークして所定膜厚のフォトレジスト膜７を形成した。図１の（ｆ）に示すように平面視野内でマトリックスパターン遮光層２ｂに対応する位置に開口を有するマスク８を用いてフォトレジスト膜７を露光した。これを現像すると、露光部分が現像液に溶解し、図１の（ｇ）に示すマトリックス状のレジストパターン７ａを得た。
【００２４】
現像液を水洗除去し、乾燥した後に、プラズマ放電エッチング法を用いてレジストパターン７ａをマスクとして、図１の（ｈ）に示すように第２の下地保護層６及びメタルバック層５を選択エッチングした。
【００２５】
所定温度と所定時間の条件で基板２ごと焼成し、レジストパターン７ａ及び第２の下地保護層パターン６ａの有機成分を焼失させ、これによりマトリックス状のメタルバック層パターン５ａを得た。このメタルバック層パターン５ａの相互間スペースが、図１の（ｉ）に示す分断部３１となる。これらの分断部３１には図示しない抵抗調整層が充填され、抵抗調整層の上面はメタルバック層パターン５ａの上面と面一にされる。
【００２６】
次いで、上記のように形成した蛍光面を、電子放出素子とともに真空外囲器１４内に配置する。これには、蛍光面を有する前面基板２と、複数の電子放出素子１８を有する背面基板１とを、フリットガラス等により真空封着し、真空容器を形成する方法が採られる。さらに、真空外囲器１４内でパターンの上から所定のゲッタ材を蒸着し、メタルバック層５の領域にゲッタ材の蒸着膜を形成する。このようにして画像表示装置としての所望のＦＥＤが得られた。
【００２７】
図２に本発明の実施形態に共通の、前面基板２、特に蛍光面の構造を示す。前面基板２の蛍光面は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に発光する多数の矩形状の蛍光体層３を有している。前面基板２の長手方向をＸ軸とし、これと直交する幅方向をＹ軸とした場合に、蛍光体層Ｒ，Ｇ，ＢはＸ軸方向に所定のギャップ間隔に繰り返し配列され、Ｙ軸方向には同一色の蛍光体層が所定のギャップ間隔に繰り返し配列されている。なお、所定のギャップ間隔といっても製造上の誤差の範囲内で、または設計上の公差の範囲内で変動することが許容されているため、ＸＹ平面内において蛍光体層間のギャップ間隔は正確には一定値であるとは言えないが、ここでは便宜上ほぼ一定値であるものとして説明する。
【００２８】
蛍光面はパターン化された遮光層２ａ，２ｂを備えている。この遮光層は、図２に示すように、前面基板２の周縁部に沿って延びた矩形枠遮光層２ａと、矩形枠遮光層２ａの内側で蛍光体層Ｒ，Ｇ，Ｂの間をマトリックス状に延びたマトリックスパターン遮光層２ｂとを有する。
【００２９】
マトリックスパターン遮光層２ｂが存在しない領域に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の蛍光体層３（画素）が配置されている。マトリックスパターン遮光層２ｂの上には、図３に示すように抵抗調整層が充填された縦区分線３１Ｖ、およびＡｌ2Ｏ3にケミカルカットされた横区分線（ストライプ）３１Ｈが設けられている。
【００３０】
蛍光体層３は、図３に示すようにＸ方向にＲ，Ｇ，Ｂと並んでいるため、縦線部３１Ｖは横線部３１Ｈよりもはるかに幅が狭くなっている。例えばピッチ６００μｍの正方画素の場合には、縦線部３１Ｖの幅は３０μｍ、横線部３１Ｈの幅は１００μｍである。
【００３１】
こうして第１の実施形態で得られたＦＥＤにおけるパターン間の電気的切断（メタルバック層間の面放電の抑制）の程度を調べた結果、放電が発生した場合の放電電流のピーク値が抑えられ、エネルギーの瞬間的な集中が回避された。そして、放電エネルギーの最大値が低減される結果、電子放出素子や蛍光面の破壊・損傷や劣化が防止された。
【００３２】
（第２の実施形態）  
次に、図４を参照して第２の実施形態の画像表示装置としてのＦＥＤを製造する方法について説明する。
【００３３】
ＦＥＤの前面基板となるガラス基板２を所定の薬液を用いて洗浄処理し、パーティクル、油脂類、金属イオンなどが実質的に存在しない所望の清浄面を得る。次いで、洗浄した前面基板２の内面に黒色顔料などの光吸収物質を含む遮光層形成溶液を塗布し、塗布膜を加熱乾燥した後に、マトリックスパターンに対応する位置に開孔を有するパターニング用マスクを用いて露光し、現像し、図４の（ａ）に示すマトリックスパターン遮光層２ｂを形成する。
【００３４】
次に、赤（Ｒ）の蛍光体としてＹ2Ｏ2Ｓ：Ｅｕ3+をフォトレジスト溶液（溶剤を含む）に対して所定の割合で調合した混合溶液をスピンコーティング法によって前面基板２上に所定膜厚に塗布する。塗布膜を加熱乾燥した後に、赤（Ｒ）パターンに対応する位置に開孔を有するマスクを用いて露光し、現像し、洗浄乾燥する。これにより赤（Ｒ）の短冊状パターンが形成される。同様にして、緑（Ｇ）蛍光体としてＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌを、青（Ｂ）蛍光体としてＺｎＳ：Ａｇをそれぞれ用いて、緑（Ｇ）と青（Ｂ）についても赤（Ｒ）パターンに隣接する位置に所定のパターンをそれぞれ形成し、図４の（ｂ）に示すようにマトリックスパターン遮光層２ｂが存在しない領域にＲＧＢ三色パターンの蛍光体層３を形成した。そして、最終的に基板２を焼成してフォトレジストを焼失させ、図２および図３に示すように短冊状のＲＧＢ三色パターンの蛍光体層３が縦横（Ｙ方向とＸ方向）に規則配列された蛍光面を得る。この蛍光面にはピッチ６００μｍの正方画素をマトリックス状に配列し、蛍光体層３の縦区分線３１Ｖの幅を２０〜３０μｍの範囲とした。
【００３５】
次に、メタルバック層５の上にポジ型フォトレジスト液をスピンコーティング法により塗布し、ベークして所定膜厚のフォトレジスト膜７を形成した。図４の（ｃ）に示すように平面視野内でマトリックスパターン遮光層２ｂに対応する位置に開口を有するマスク８を用いてフォトレジスト膜７を露光した。これを現像すると、露光部分が現像液に溶解し、図４の（ｄ）に示すマトリックス状のレジストパターン７ａを得た。
【００３６】
現像液を水洗除去し、乾燥した後に、蛍光体層３のパターンに対応する開口を有するスクリーンマスク１０を用いて、図４の（ｅ）に示すようにレジストパターン７ａの凹所にＡｌペースト１５を落とし込むようにスクリーン印刷した。Ａｌペースト１５は図示しない混合攪拌器内で十分に混合・攪拌された後にスクリーンマスク１０を介して基板２に供給される。
【００３７】
所定温度と時間のベーク条件で基板２ごと焼成し、レジストパターン７ａを焼失させ、これによりマトリックス状のメタルバック層パターン１５を得た。このメタルバック層パターン１５の相互間スペースが、図４の（ｆ）に示す分断部３１となる。これらの分断部３１には図示しない抵抗調整層が充填され、抵抗調整層の上面はメタルバック層パターン１５の上面と面一にされる。その後の工程は上記第１の実施形態と実質的に同条件で行って所望のＦＥＤを得た。
【００３８】
こうして第２の実施形態で得られたＦＥＤにおけるパターン間の電気的切断（メタルバック層間の面放電の抑制）の程度を調べた結果、良好な結果が得られた。
【００３９】
（第３の実施形態）  
次に、図５を参照して第３の実施形態の画像表示装置としてのＦＥＤを製造する方法について説明する。なお、本実施形態が上記の実施形態と重複する部分の説明は省略する。
【００４０】
本実施形態ではメタルバック層をＡｌ転写フィルム２４を用いて形成する。転写フィルム２４は、ベースフィルム上に離型剤層（必要に応じて保護膜）を介してＡｌ膜と接着剤層が順に積層された構造を有しており、図５の（ａ）に示すように送給リール４０から巻取リール４１に向けて順次送給されるようになっている。この転写フィルム２４を、被処理基板２に接するように配置し、押圧し、熱転写処理を行う。押圧方式としては、スタンプ方式、ローラー方式等がある。熱転写処理した後に、当該基板を転写処理室から搬出し、所定長さだけフィルム２４をリール４１に巻き取り、次の基板を搬入して配置し、熱転写処理する。このようにして次々に多数の基板に対してＡｌ膜を転写していく。
【００４１】
転写処理室に搬入される被処理基板２は、上記第１の実施形態と同様にして遮光層パターン２ｂ、蛍光体層３、第１の下地保護膜４を形成したものである。この被処理基板２をＡｌ転写フィルム２４に押し付けて、図５の（ｂ）に示すようにメタルバック層としてのＡｌ膜２５を第１の下地保護膜４の上に熱転写した。図５の（ｃ）に示すように、さらにメタルバック層５の上に第２の下地保護層２６を形成した。
【００４２】
次に、第２の下地保護層２６の上にポジ型フォトレジスト液をスピンコーティング法により塗布し、ベークして所定膜厚のフォトレジスト膜２７を形成した。図５の（ｄ）に示すように平面視野内でマトリックスパターン遮光層２ｂに対応する位置に開口を有するマスク２８を用いてフォトレジスト膜２７を露光した。これを現像すると、露光部分が現像液に溶解し、図５の（ｅ）に示すマトリックス状のレジストパターン２７ａを得た。
【００４３】
現像液を水洗除去し、乾燥した後に、プラズマ放電エッチング法を用いてレジストパターン２７ａをマスクとして、図５の（ｆ）に示すように第２の下地保護層２６及びメタルバック層２５を選択エッチングした。
【００４４】
所定温度と所定時間の条件で基板２ごと焼成し、レジストパターン２７ａ及び第２の下地保護層パターン２６ａの有機成分を焼失させ、これによりマトリックス状のメタルバック層パターン２５ａを得た。このメタルバック層パターン２５ａの相互間スペースが、図５の（ｇ）に示す分断部３１となる。これらの分断部３１には図示しない抵抗調整層が充填され、抵抗調整層の上面はメタルバック層パターン２５ａの上面と面一にされる。
【００４５】
次いで、上記のように形成した蛍光面を、電子放出素子とともに真空外囲器１４内に配置する。これには、蛍光面を有する前面基板２と、複数の電子放出素子１８を有する背面基板１とを、フリットガラス等により真空封着し、真空容器を形成する方法が採られる。さらに、真空外囲器１４内でパターンの上から所定のゲッタ材を蒸着し、メタルバック層５の領域にゲッタ材の蒸着膜を形成する。このようにして画像表示装置としての所望のＦＥＤが得られた。
【００４６】
こうして第３の実施形態で得られたＦＥＤにおけるパターン間の電気的切断（メタルバック層間の面放電の抑制）の程度を調べた結果、良好な結果が得られた。
【００４７】
次に、図６と図７を参照して上記の実施形態に共通のＦＥＤ蛍光面の構造を説明する。ＦＥＤは、それぞれ矩形状のガラス板からなる前面基板２と背面基板１を有し、両基板１，２は１〜２ｍｍの間隔をおいて対向配置されている。これら前面基板２と背面基板１は、矩形枠状の側壁１３を介して周縁部同士が接合させ、内部が１０-4Ｐａ程度以下の高真空に維持された偏平な矩形状の真空外囲器１４を構成している。
【００４８】
前面基板２の内面には蛍光面を構成する蛍光体層３が形成されている。この蛍光面は赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色に発光する蛍光体層３とマトリックス状の遮光層２２ｂとで構成されている。蛍光面上には、アノード電極として機能するとともに蛍光体層３の光を反射する光反射膜として機能するメタルバック層５が形成されている。表示動作時、メタルバック層５には図示しない回路により所定のアノード電圧が印加されるようになっている。
【００４９】
背面基板１の内面上には、蛍光体層３を励起するための電子ビームを放出する多数の電子放出素子１８が設けられている。これらの電子放出素子１８は、画素ごとに対応して複数列および複数行に配列されている。電子放出素子１８マトリックス状に配設された図示しない配線により駆動されるようになっている。また、背面基板１と前面基板２との間には、これら基板１，２に作用する大気圧に耐えられるようにするために補強として、板状または柱状の多数のスペーサ１９が設けられている。
【００５０】
蛍光面にはメタルバック層７を介してアノード電圧が印加され、電子放出素子１８から放出された電子ビームはアノード電圧により加速されて蛍光面に衝突する。これにより対応する蛍光体層３が発光し、画像が表示される。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】（ａ）〜（ｉ）は本発明の第１の実施形態に係る画像表示装置の製造方法を示す工程図。
【図２】画像表示装置（ＦＥＤ）の一部を切り欠いて前面基板の蛍光面およびメタルバック層を示す平面図。
【図３】画像表示装置（ＦＥＤ）の蛍光面を拡大して示す平面図。
【図４】（ａ）〜（ｆ）は本発明の第２の実施形態に係る画像表示装置の製造方法を示す工程図。
【図５】（ａ）〜（ｇ）は本発明の第３の実施形態に係る画像表示装置の製造方法を示す工程図。
【図６】画像表示装置（ＦＥＤ）の概要を示す斜視図。
【図７】図６のＡ−Ａ線に沿って切断した断面図。
【符号の説明】
【００５２】
１…背面基板、２…前面基板、２ａ，２ｂ遮光層パターン、３…蛍光体層、
４…第１の下地保護層（水ガラス層、接着剤層）、
６，２６…第２の下地保護層（水ガラス層、接着剤層）、
５…メタルバック層（Ａｌ膜）、５ａ…メタルバックパターン、
７，２７…レジスト膜、７ａ…レジストパターン、１０…マスク、
１３…側壁、１５…ペースト（焼成後にメタルバックパターン）、
１８…電子放出素子、１９…スペーサ、
２４…Ａｌ転写フィルム、２５…熱転写されたＡｌ膜、
２５ａ…メタルバックパターン、
３１…分断部、
３１Ｖ…縦区分線（メタルバック分断線、抵抗調整層）
３１Ｈ…横区分線（ストライプ、ケミカルカット、抵抗調整層）
【図１】
2006049132.tif 000003
【図２】
2006049132.tif 000004
【図３】
2006049132.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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