(57)【要約】【課題】    青色半導体レーザーで記録再生が可能な３５０ｎｍ〜５３０ｎｍの波長領域に光吸収を有し、かつ、吸光係数の大きい新規なスチリルピリジニウム骨格を有するＴＣＮＱ錯体を提供。【解決手段】    一般式〔１〕で示されるスチリルピリジニウムカチオンと一般式〔２〕で示されるテトラシアノキノジメタンのラジカルアニオン及び一般式〔２〕で示される中性テトラシアノキノジメタンとからなるＴＣＮＱ錯体。  【化１】2006028052.tif 000007（式中、Ｒ１はアルキル基、アルコキシカルボニル基、アルケニル基を示し、Ｒ２及びＲ３は、例えば、水素原子、アルキル基、アルコキシ基を示し、Ｒ４及びＲ５は、例えば、水素原子、アルキル基、アルコキシ基を示す。）  【化２】2006028052.tif 000008（式中、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９は、例えば、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アミノ基を示す。）【選択図】    なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式〔１〕で示されるスチリルピリジニウムカチオンと一般式〔２〕で示されるテトラシアノキノジメタンのラジカルアニオン及び一般式〔２〕で示される中性テトラシアノキノジメタンとからなることを特徴とするスチリルピリジニウム骨格を有するＴＣＮＱ錯体。
【化１】
2006028052.tif 000005
（式中、Ｒ１は炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシカルボニル基、炭素数１〜２０のアルケニル基を示し、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のフッ化アルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシカルボニル基を示し（ただし、Ｒ２及びＲ３は連結してピロリジン、ピペリジン環を形成してもよい。）、Ｒ４及びＲ５はそれぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、炭素数１〜１０のフッ化アルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ニトロ基、アミド基、スルホン酸基、ハロゲン原子を示す。）
【化２】
2006028052.tif 000006
（式中、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９はそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、アミノ基、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜２０のアルコキシカルボニル基、炭素数１〜２０のアルキルスルホニル基、炭素数１〜２０のアルケニル基を示す。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学記録媒体用色素や非線形光学材料、光学フィルター、光導電材料、導電性付与剤として有用なＴＣＮＱ錯体に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＴＣＮＱ錯体は有機半導体として知られる電荷移動錯体化合物であり、電子を受け入れやすい性質を有するＴＣＮＱ（アクセプター）と、電子を与え易い性質を有する化合物（ドナー）とから構成されるＴＣＮＱ錯体は、現在までに多数合成されている。これらのＴＣＮＱ錯体の特徴的な物性は、ＴＣＮＱに由来することはもちろんであるが、ドナー化合物を選択することにより変化させることができる。
【０００３】
ＴＣＮＱ錯体は軽量、電導の異方性、溶融性、フィルム形成性、加工及び成形の容易さ等、有機化合物のもつ特徴的性質と金属の性質を併せ持っていることから、電解コンデンサ、非線形光学材料、帯電防止剤、導電性フィルム、スイッチング素子、電池等の分野においてその利用が期待されている。
【０００４】
一方、レーザー光により１回限りの情報記録が可能な光学記録媒体としてＣＤ−Ｒが量産化され広く用いられているが、このＣＤ−Ｒの記録再生に使用されるレーザーよりも短波長の赤色半導体レーザーで記録する高密度の有機色素系光学記録媒体（ＤＶＤ−Ｒ）も開発され、実用化されている。近年、ＤＶＤ−Ｒよりさらに短波長のレーザー、即ち青色半導体レーザー（波長３５０ｎｍ〜５３０ｎｍ）を用いたより高密度の記録再生が可能な光学記録媒体が要望されている。
【０００５】
通常、光学記録媒体に使用される色素としては、アゾ色素、シアニン色素等が知られており、置換基の導入や対イオンの組合せ等により有機溶媒に対する溶解性や光及び熱に対する化学的安定性を発現させている。これらの色素とＴＣＮＱとを組み合わせた光学記録媒体用色素についても種々提案されている。
【０００６】
特許文献１には、シアニン系色素骨格を有したＴＣＮＱ錯体が提案されており、半導体レーザーで記録可能な色素の記録感度がさらに向上するという効果が得られているものの、シアニン系色素骨格を有する色素は、光吸収波長が６３０ｎｍ〜８００ｎｍであり、３５０ｎｍ〜５３０ｎｍの光吸収を必要とする青色半導体レーザー用の色素として適用することができない。
【０００７】
特許文献２には、スチリル系色素骨格を有した光学記録媒体用色素が提案されている。該公報記載の色素は、３５０ｎｍ〜５３０ｎｍ領域に光吸収を有しているが、記録層を共蒸着法より成膜しているため、組成制御が困難であり、高真空度に保つ必要があり、装置が煩雑となる欠点があった。
【０００８】
また、特許文献３には、スチリルピリジニウムカチオンを有した有機導電性化合物が提案されているが、該公報記載の色素は、スチリルピリジニウム骨格に電子供与基であるジアルキルアミノ基を有していないため、大きな吸光係数を得ることができないという解決すべき課題を有していた。
【０００９】
【特許文献１】特許２７３６２４１号公報
【特許文献２】特開平１１−０３４４８９号公報
【特許文献３】特公平６−８４３５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の目的は、青色半導体レーザーで記録再生が可能な３５０ｎｍ〜５３０ｎｍの波長領域に光吸収を有し、かつ、吸光係数の大きい新規なスチリルピリジニウム骨格を有するＴＣＮＱ錯体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、鋭意検討を行った結果、特定のスチリルピリジニウム系化合物及びＴＣＮＱまたはその誘導体とから形成されるＴＣＮＱ錯体が、３５０ｎｍ〜５３０ｎｍの波長領域に光吸収を有し、かつ、大きな吸光係数を有することを見いだし、本発明を完成するに至った。
【００１２】
すなわち、本発明は、一般式〔１〕で示されるスチリルピリジニウムカチオンと一般式〔２〕で示されるテトラシアノキノジメタンのラジカルアニオン及び一般式〔２〕で示される中性テトラシアノキノジメタンとからなることを特徴とするスチリルピリジニウム骨格を有するＴＣＮＱ錯体である。
【００１３】
【化１】
2006028052.tif 000002
【００１４】
（式中、Ｒ１は炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシカルボニル基、炭素数１〜２０のアルケニル基を示し、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のフッ化アルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシカルボニル基を示し（ただし、Ｒ２及びＲ３は連結してピロリジン、ピペリジン環を形成してもよい。）、Ｒ４及びＲ５はそれぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、炭素数１〜１０のフッ化アルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ニトロ基、アミド基、スルホン酸基、ハロゲン原子を示す。）
【００１５】
【化２】
2006028052.tif 000003
【００１６】
（式中、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９はそれぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、アミノ基、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜２０のアルコキシカルボニル基、炭素数１〜２０のアルキルスルホニル基、炭素数１〜２０のアルケニル基を示す。）
【発明の効果】
【００１７】
本発明のスチリルピリジニウム骨格を有するＴＣＮＱ錯体は、青色半導体レーザーで記録再生可能な３５０ｎｍ〜５３０ｎｍの波長領域に光吸収を有し、スチリルピリジニウム骨格にジアルキルアミノ基を導入することにより、従来のスチリルピリジニニウム骨格を有するＴＣＮＱ錯体に比べ、吸光係数を向上させることが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明のスチリルピリジニウム骨格を有するＴＣＮＱ錯体について、以下、詳細に説明する。
【００１９】
本発明のスチリルピリジニウム骨格を有するＴＣＮＱ錯体は前記一般式〔１〕で示されるスチリルピリジニウムカチオンと前記一般式〔２〕で示されるテトラシアノキノジメタンのラジカルアニオン及び一般式〔２〕で示される中性テトラシアノキノジメタンとを構成成分とするスチリルピリジニウム骨格を有するＴＣＮＱ錯体である。
【００２０】
前記一般式〔１〕において、Ｒ１は炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシカルボニル基、炭素数１〜２０のアルケニル基を示し、直鎖、分岐鎖または環状の置換基を有していてもよい。
【００２１】
上記置換基Ｒ１の炭素数１〜２０のアルキル基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ペンチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、ジメチルシクロヘキシル、トリメチルペンチル、エチルペンチル、オクチル、テトラメチルオクチル、デシル、トリデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、ノナデシル基等があげられ、好ましくは炭素数３〜１９のアルキル基である。
【００２２】
また、炭素原子を酸素原子で置換したアルキル基でも良く、例えば、メトキシメチル、メトキシエチル、メトキシプロピル、メトキシブチル、メトキシヘキシル、メトキシオクチル、エトキシエチル、エトキシエチル、エトキシプロピル、エトキシブチル、エトキシヘキシル、エトキシオクチル、プロポキシメチル、プロポキシプロピル、プロポキシヘキシル、ブトキシエチルなどがあげられる。
【００２３】
また、炭素数１〜２０のアルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、イソプロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、２ーメトキシエトキシカルボニル、ペンチルオキシカルボニル、ヘキシルオキシカルボニル、オクチルオキシカルボニル、ウンデシルオキシカルボニル、ドデシルオキシカルボニル、ヘキサデシルオキシカルボニル、オクタデシルオキシカルボニル等があげられ、好ましくは炭素数３〜１９のアルコキシカルボニル基である。
【００２４】
また、炭素数１〜２０のアルケニル基としては、例えば、ビニル、アリル、１−プロペニル、２−ペンテニル、１，３−ブタジエニル、２−オクテニル、３−ドデセニル基等があげられ、好ましくは炭素数３〜１９のアルケニル基である。
【００２５】
前記一般式〔１〕において、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のフッ化アルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシカルボニル基を示し（ただし、Ｒ２及びＲ３は連結してピロリジンまたはピペリジン環を形成してもよい）、直鎖、分岐鎖または環状の置換基を有していてもよい。
【００２６】
上記置換基Ｒ２及びＲ３の炭素数１〜１０のアルキル基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ペンチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、ジメチルシクロヘキシル、トリメチルペンチル、エチルペンチル、オクチル、テトラメチルヘキシル、デシル基等があげられ、好ましくは炭素数１〜８のアルキル基である。
【００２７】
また、炭素原子を酸素原子で置換したアルキル基でも良く、例えば、メトキシメチル、メトキシエチル、メトキシプロピル、メトキシブチル、メトキシヘキシル、メトキシオクチル、エトキシエチル、エトキシエチル、エトキシプロピル、エトキシブチル、エトキシヘキシル、エトキシオクチル、プロポキシメチル、プロポキシプロピル、プロポキシヘキシル、ブトキシエチルなどがあげられる。
【００２８】
また、炭素数１〜１０のフッ化アルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル、２，２，２−トリフルオロプロピル、３，３，３−トリフルオロプロピル、４，４，４−トリフルオロブチル、５，５，５−トリフルオロペンチル、６，６，６−トリフルオロヘキシル、８，８，８−トリフルオロオクチル、１０，１０，１０−トリフルオロデシル、２−メチル−３，３，３−トリフルオロプロピル、ペルフルオロエチル、ペルフルオロプロピル、ペルフルオロブチル、ペルフルオロヘキシル、ペルフルオロオクチル、ペルフルオロデシル基等があげられ、好ましくは炭素数１〜８のフッ化アルキル基である。
【００２９】
また、炭素数１〜１０のアルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、イソプロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、２ーメトキシエトキシカルボニル、ペンチルオキシカルボニル、ヘキシルオキシカルボニル、オクチルオキシカルボニル、デシルオキシカルボニル基等があげられ、好ましくは炭素数１〜８のアルコキシカルボニル基である。
【００３０】
前記一般式〔１〕において、Ｒ４及びＲ５はそれぞれ独立して、水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ基、炭素数１〜１０のフッ化アルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ニトロ基、アミド基、スルホン酸基、ハロゲン原子を示し、直鎖、分岐鎖または環状の置換基を有していてもよい。
【００３１】
上記置換基Ｒ４及びＲ５の、炭素数１〜１０のアルキル基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ペンチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、ジメチルシクロヘキシル、トリメチルペンチル、エチルペンチル、オクチル、テトラメチルヘキシル、デシル基等があげられ、好ましくは炭素数１〜８のアルキル基である。
【００３２】
また、炭素数１〜１０のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、２ーメトキシエトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、オクチルオキシ、デシルオキシ基等があげられ、好ましくは炭素数１〜８のアルコキシ基である。
【００３３】
また、炭素数１〜１０のフッ化アルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル、２，２，２−トリフルオロプロピル、３，３，３−トリフルオロプロピル、４，４，４−トリフルオロブチル、５，５，５−トリフルオロペンチル、６，６，６−トリフルオロヘキシル、８，８，８−トリフルオロオクチル、１０，１０，１０−トリフルオロデシル、２−メチル−３，３，３−トリフルオロプロピル、ペルフルオロエチル、ペルフルオロプロピル、ペルフルオロブチル、ペルフルオロヘキシル、ペルフルオロオクチル、ペルフルオロデシル基等があげられ、好ましくは炭素数１〜８のフッ化アルキル基である。
【００３４】
また、炭素数１〜１０のアルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、イソプロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、２ーメトキシエトキシカルボニル、ペンチルオキシカルボニル、ヘキシルオキシカルボニル、オクチルオキシカルボニル、デシルオキシカルボニル基等があげられ、好ましくは炭素数１〜８のアルコキシカルボニル基である。
【００３５】
前記一般式〔２〕中、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、アミノ基、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のアルコキシ基、炭素数１〜２０のアルコキシカルボニル基、炭素数１〜２０のアルキルスルホニル基、炭素数１〜２０のアルケニル基を示す。
【００３６】
上記置換基Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８及びＲ９の炭素数１〜２０のアルキル基としては、例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ペンチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、ジメチルシクロヘキシル、トリメチルペンチル、エチルペンチル、オクチル、テトラメチルオクチル、デシル、トリデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、ノナデシル基等があげられる。
【００３７】
また、炭素数１〜２０のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、２ーメトキシエトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、オクチルオキシ、ウンデシルオキシ、ドデシルオキシ、ヘキサデシルオキシ、オクタデシルオキシ基等があげられる。
【００３８】
また、炭素数１〜２０のアルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、イソプロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、２ーメトキシエトキシカルボニル、ペンチルオキシカルボニル、ヘキシルオキシカルボニル、オクチルオキシカルボニル、ウンデシルオキシカルボニル、ドデシルオキシカルボニル、ヘキサデシルオキシカルボニル、オクタデシルオキシカルボニル基等があげる。
【００３９】
また、炭素数１〜２０のアルキルスルホニル基としては、例えば、メタンスルホニル、エタンスルホニル、ヘキシルスルホニル、オクタンスルホニル、ウンデカンスルホニル、オクタデカンスルホニル基等があげられる。
【００４０】
また、炭素数１〜２０のアルケニル基としては、例えば、ビニル、アリル、１−プロペニル、２−ペンテニル、１，３−ブタジエニル、２−オクテニル、３−ドデセニル基等があげられる。
【００４１】
本発明のＴＣＮＱ錯体は、例えば、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．８４，３３７４（１９６２）、有機合成化学、第４６巻６３８（１９８８）などの一般的合成法に準じて合成することができる。あるいは、ヨードイオンの還元性を利用し、スチリルピリジニウムアイオダイドと中性のＴＣＮＱを反応させる公知の方法で合成することも可能である。
【００４２】
本発明のスチリルピリジニウム骨格を有するＴＣＮＱ錯体は、一般式〔１〕で示されるスチリルピリジニウムカチオンと一般式〔２〕で示されるテトラシアノキノジメタンのラジカルアニオン及び一般式〔２〕で示される中性テトラシアノキノジメタンとから構成されるＴＣＮＱ錯体である。
【００４３】
上記、テトラシアノキノジメタンのラジカルアニオン及び中性テトラシアノキノジメタン組成比は元素分析及び文献（Ａ．Ｒｅｍｂａｕｍ  ｅｔｃ．，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，９３，２５３２，（１９７１））に従った紫外−可視吸収スペクトル測定から決定することができる。なお、ラジカルアニオン１に対して中性テトラシアノキノジメタン０．６以上２．０未満が好ましく、より好ましくは０．９以上１．２未満である。
【００４４】
上記条件下で合成したスチリルピリジニウム骨格を有するＴＣＮＱ錯体は、３５０ｎｍ〜５３０ｎｍの波長領域に光吸収を有し、青色半導体レーザーで記録再生可能な光学記録媒体用色素として有効であり、スチリルピリジニウム骨格にジアルキルアミノ基を導入することにより、吸光係数の大きな色素を得ることができる。
【実施例】
【００４５】
以下、本発明の実施形態を、実施例に基づいて説明する。なお、本発明は実施例によりなんら限定されない。実施例中、「部」は「質量部」を表す。
【００４６】
実施例１
ＴＣＮＱとして７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン４．１部とアセトニトリル２００部とを還流冷却器及び攪拌機付きフラスコに入れて加熱し、これにスチリルピリジニウム化合物として１−ブチル−４−（２−（４−（ジメチルアミノ）フェニル）エテニル）ピリジニウムアイオダイド４．１部を添加した。添加後、１時間加熱還流を行い、反応させた。反応終了後室温まで冷却し、結晶をろ別し、アセトンで再結晶することにより、１−ブチル−４−（２−（４−（ジメチルアミノ）フェニル）エテニル）ピリジニウム・ＴＣＮＱ錯体４．８部（収率７０％）を得た。
【００４７】
得られたＴＣＮＱ錯体をアセトンに溶解し、紫外−可視吸収スペクトル測定（（株）日立ハイテクノロジーズ製）の結果、ラジカルアニオン１に対して中性アニオンは１．０１であった。また、元素分析（ヤナコ分析工業（株）製）の結果、理論値Ｃ；７４．８７、Ｈ；４．８２、Ｎ；２０．３１％に対して、実測値Ｃ；７４．７３、Ｈ；４．８０、Ｎ；２０．３８％であった。示差熱分析（セイコーインスツルメンツ（株）製）の結果、分解点２３１℃であった。また、紫外−可視吸収スペクトル測定の結果、最大吸収波長λｍａｘ；３９８ｎｍ、モル吸光係数ε（Ｌ・ｍｏｌ−１・ｃｍ−１）；６９７８０であった。結果を表１に示す。
【００４８】
実施例２
ＴＣＮＱとして２，３，５，６−テトラフルオロ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン５．２部、スチリルピリジニウム化合物として１−ノニル−４−（２−（３−メトキシ−４−（ジメチルアミノ）フェニル）エテニル）ピリジニウムアイオダイド５．３部を用いた以外は実施例１と同様にしてＴＣＮＱ錯体を収率６０％で得た。また、実施例１と同様にして物性評価を行った結果、ラジカルアニオン１に対して中性アニオンは０．９８であった。また、元素分析の結果、理論値Ｃ；６４．３０、Ｈ；４．５８、Ｎ；１４．１５％に対して、実測値Ｃ；６４．７９、Ｈ；４．５１、Ｎ；１３．８８％であった。示差熱分析の結果、融点２１９℃、分解点２２８℃であった。また、紫外−可視吸収スペクトル測定の結果、３８７ｎｍ、モル吸光係数ε８７９００であった。結果を表１に示す。
【００４９】
実施例３
ＴＣＮＱとして２−ブトキシ−７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン４．８部、スチリルピリジニウム化合物として１−ペンチル−２−ニトロ−４−（２−（２，６−ジメチル−４−（ブチルメチルアミノ）フェニル）エテニル）ピリジニウムアイオダイド４．８部を用いた以外は実施例１と同様にしてＴＣＮＱ錯体を収率４３％で得た。また、実施例１と同様にして物性評価を行った結果、ラジカルアニオン１に対して中性アニオンは１．０５であった。また、元素分析の結果、理論値Ｃ；７１．２９、Ｈ；６．４０、Ｎ；１５．７７％に対して、実測値Ｃ；７０．９８、Ｈ；６．５３、Ｎ；１５．６６％であった。示差熱分析の結果、融点２２０℃、分解点２２５℃であった。また、紫外−可視吸収スペクトル測定の結果、最大吸収波長λｍａｘ；４００ｎｍ、モル吸光係数ε；９８７６０であった。結果を表１に示す。
【００５０】
実施例４
ＴＣＮＱとして７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン３．３部、スチリルピリジニウム化合物として１−ブチル−４−（２−（３−メトキシカルボニル−４−（ジメチルアミノ）フェニル）エテニル）ピリジニウムアイオダイド３．８部を用いた以外は実施例１と同様にしてＴＣＮＱ錯体を収率４５％で得た。また、実施例１と同様にして物性評価を行った結果、ラジカルアニオン１に対して中性アニオンは１．０６であった。また、元素分析の結果、理論値Ｃ；７２．２７、Ｈ；４．７２、Ｎ；１８．７３％に対して、実測値Ｃ；７２．５５、Ｈ；４．７７、Ｎ；１８．６９％であった。示差熱分析の結果、融点２２７℃、分解点２３８℃であった。また、紫外−可視吸収スペクトル測定の結果、最大吸収波長λｍａｘ；３９６ｎｍ、モル吸光係数ε；７５０９０であった。結果を表１に示す。
【００５１】
実施例５
ＴＣＮＱとして７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン３．９部、スチリルピリジニウム化合物として１−テトラデシル−４−（２−（４−（ジメチルアミノ）フェニル）エテニル）ピリジニウムアイオダイド５．２部を用いた以外は実施例１と同様にしてＴＣＮＱ錯体を収率６３％で得た。また、実施例１と同様にして物性評価を行った結果、ラジカルアニオン１に対して中性アニオンは０．９６であった。また、元素分析の結果、理論値Ｃ；７１．４７、Ｈ；５．４３、Ｎ；１６．８７％に対して、実測値Ｃ；７１．６５、Ｈ；５．４０、Ｎ；１６．８４％であった。示差熱分析の結果、融点２１９℃、分解点２３６℃であった。また、紫外−可視吸収スペクトル測定の結果、最大吸収波長λｍａｘ；３９９ｎｍ、モル吸光係数ε；８８７６０であった。結果を表１に示す。
【００５２】
比較例
ＴＣＮＱとして７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン３．９部、スチリルピリジニウム化合物として１−プロピル−４−（２−（フェニル）エテニル）ピリジニウムアイオダイド７．１部を用いた以外は実施例１と同様にしてＴＣＮＱ錯体を収率９３％で得た。また、実施例１と同様にして物性評価を行った結果、ラジカルアニオン１に対して中性アニオンは１．０２であった。また、元素分析の結果、理論値Ｃ；７５．９３、Ｈ；４．１４、Ｎ；１９．９２％に対して、実測値Ｃ；７５．８１、Ｈ；４．５３、Ｎ；１９．６６％であった。示差熱分析の結果、融点２６０℃、分解点２７３℃であった。また、紫外−可視吸収スペクトル測定の結果、最大吸収波長λｍａｘ；３９８ｎｍ、モル吸光係数ε；８０００であった。結果を表１に示す。
【００５３】
【表１】
2006028052.tif 000004
【００５４】
表１に示すように、本発明の実施例１〜５のスチリルピリジニウム骨格を有するＴＣＮＱ錯体は、３５０ｎｍ〜５３０ｎｍの波長領域に光吸収を有し、かつ、高い吸光係数を有しているが、比較例のスチリルピリジニウム骨格を有するＴＣＮＱ錯体は、吸光係数が低い結果となった。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明は、特定のスチリルピリジニウムカチオンとＴＣＮＱ、またはその誘導体とから形成されたスチリルピリジニウム骨格を有するＴＣＮＱ錯体であり、本発明のＴＣＮＱ錯体は、３５０ｎｍ〜５３０ｎｍの波長領域に大きな光吸収を有し、青色半導体レーザーで記録再生可能な光学記録媒体用色素として好適である。