(57)【要約】【課題】  高品位の半導体装置を短い時間、且つ、比較的低コストで製造することを可能とし、製造の高速化と効率化を達成して、量的対応を容易にするリードフレーム及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】  半導体装置を形成する形成領域を複数有するリードフレームであって、前記形成領域は、半導体チップを載置するダイパッドと、前記ダイパッドの隅部から延出し、前記ダイパッドと前記リードフレームとを接続すると共に、前記ダイパッドと前記リードフレームとの間に空間部を形成する吊りリードとを有し、前記吊りリードは、幅が変化する形状を有することを特徴とするリードフレームを提供する。【選択図】          図１
2006049372.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置を形成する形成領域を複数有するリードフレームであって、
前記形成領域は、半導体チップを載置するダイパッドと、
前記ダイパッドの隅部から延出し、前記ダイパッドと前記リードフレームとを接続すると共に、前記ダイパッドと前記リードフレームとの間に空間部を形成する吊りリードとを有し、
前記吊りリードは、幅が変化する形状を有することを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
半導体装置を形成する形成領域を複数有するリードフレームを形成するステップであって、
半導体チップを載置するダイパッドに接続する吊りリードに空間部を形成するステップと、
前記空間部が形成されたリードフレームの露出面側を複数回に分けて圧印加工するステップと、
前記圧印加工されたリードフレームを樹脂封止するステップとを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記圧印加工は、前記ダイパッド及び前記吊りリードに対して行うことを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
半導体装置を形成する形成領域を複数有するリードフレームを製造するリードフレームの製造方法であって、
複数回に分けて前記リードフレームを圧印加工した際に、各々の圧印加工による前記リードフレームの変形を吸収しあうように、前記ダイパッドと前記リードフレームとを接続する吊りリードに空間部を形成するステップを有することを特徴とするリードフレームの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般には、リードフレームに係り、特に、樹脂封止型半導体装置用のリードフレームに関する。本発明は、例えば、複数の半導体チップを一括して封止する一括モールド（ＭＡＰ：Ｍｏｌｄｅｄ  Ａｒｒａｙ  Ｐａｃｋａｇｉｎｇ）タイプのリードフレームに好適である。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の小型化及び多機能化の要請から、電子機器に搭載される半導体装置の薄型化及び高品位化が望まれている。特に、モバイル（携帯型電子機器）用の超小型の半導体装置として、リード（外部端子）がパッケージ（樹脂封止）領域の外部にほとんど突出しない構造を有するＳＯＮ（Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）、ＱＦＮ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ）と呼ばれる半導体パッケージが注目されている。ＳＯＮとは、半導体チップから２方向（即ち、２側面）にリードが配列された半導体パッケージである。ＱＦＮとは、半導体チップから４方向（即ち、４側面）にリードが配列された半導体パッケージである。
【０００３】
最近では、電子機器の価格競争がますます激化し、また、流動的なユーザーのニーズに合わせてタイミングよく市場に製品を提供することが必須となり、かかる電子機器に使用される高品位な半導体装置をますます効率的、且つ、高速で製造しなければならなくなってきている。そこで、リードフレーム上に載置された複数の半導体チップを一括して封止する一括モールドタイプの半導体装置の製造方法が提案されている。
【０００４】
一括モールドとは、具体的には、１つの半導体装置を形成する領域が複数形成された１つのリードフレームを用いて、かかる領域の各々に半導体チップを搭載した後、リードフレームを一括してモールドするものである。一括モールド後は、切断装置等を用いて切断加工を施して個片化し、半導体装置を得る。なお、リードフレームにおいて、１つの半導体装置を形成する領域は、互いに分離しておらず一体的に連結されている（図１０参照）。
【０００５】
図１０及び図１１は、従来のリードフレーム１０００の一例を示す概略平面図であって、図１０はリードフレーム１０００の略全体を示す図、図１１は図１０に示すリードフレーム１０００を拡大して示す図である。図１０及び図１１を参照するに、半導体チップを載置するダイパッド１１００や、半導体チップと直接接続されるインナーリード１２００などを含む１つの半導体装置を形成する領域ＳＦＲが、吊りリード（タイバー）１３００によって隣接する半導体装置を形成する領域ＳＦＲと接続されていることが分かるであろう。なお、ダイパッド１１００とインナーリード１２００との間は、空間ＳＰＰとなっている。また、図１２は、一括モールド後のリードフレーム１０００を示す概略断面図である。図１２を参照するに、ダイパッド１１００に載置された半導体チップ１４００は、樹脂１５００によってリードフレーム１０００全体に亘って封止されている。このようなリードフレーム１０００を、図１１及び図１２に二点鎖線で示すパッケージラインＰＫＬに沿って切断加工を施し、個片化した半導体装置を得ることができる。
【０００６】
一方、上述したように、半導体装置は小さくなってきており、それに伴い、リードフレームと樹脂とは、点接触に近い状態で封止されることになる。かかる状態で切断加工を行うと、振動などによってリードフレームから樹脂が剥離して不良品となってしまう。そこで、図１０、図１１及び図１２に示すように、半導体パッケージの露出面において、リードフレーム１０００の一部の領域（図中斜線部）に、厚さがリードフレーム１０００の板厚の半分程度の薄肉部１６００を形成し、樹脂１５００を露出面に周り込ませて、リードフレーム１０００と樹脂１５００との剥離を防止することが提案されている。なお、一般に、薄肉部１６００の形成には、エッチング（ハーフエッチング）が利用されているが、他の薄肉部の形成技術としては従来から幾つか提案されている（例えば、特許文献１乃至４参照。）。
【特許文献１】特公平７−２２１９２号公報
【特許文献２】特開２００３−３０３９３５号公報
【特許文献３】特許第２５０４８６０号
【特許文献４】特開平５−２９１４５４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来、図１０及び図１１に示すような一括モールドタイプの半導体装置の製造は、エッチングによって薄肉部を形成しているために、製造の高速化と効率化を十分に達成することができなかった。エッチングは、一般に、高価であり、半導体装置の製造コストの低減が見込みにくい。即ち、エッチングは、形成する薄肉部に対応したマスクでリードフレームを覆うマスキング工程が複雑であり、生産数量が増加した場合も同手法の繰り返しであるため、量的対応に不向きであるからである。
【０００８】
そこで、本発明者らは、エッチングに代えてプレス加工、例えば、圧印加工（コイニング）によって薄肉部を形成することを検討した。圧印加工とは、リードフレームの平坦化のために用いられる（一般に、板厚を０．０１ｍｍ程度つぶす）加工技術である。しかし、図１０及び図１１に示すリードフレーム１０００の薄肉部１６００を形成するために従来の圧印加工をそのまま用いると、リードフレーム１０００を板厚の半分程度（０．１ｍｍ程度）までつぶさなければならないため、圧印加工によるダイパッド１１００及び吊りリード１３００の伸び（変形）を吸収しきれず、リードフレーム１０００に反り等が発生して、リードフレーム１０００（ダイパッド１１００やインナーリード１２００など）の平坦度が劣化してしまう。平坦度が劣化したリードフレーム１０００は、半導体チップの載置やワイヤボンディングができず製品にならない。
【０００９】
また、一括モールドタイプのリードフレームでは、半導体装置を形成する領域が吊りリードを介して拘束されており、吊りリードの変形が隣接する半導体装置を形成する領域に伝播してしまうため、現状では、エッチングを利用して薄肉部を形成するしかなかった。
【００１０】
そこで、本発明は、このような従来の課題を解決し、高品位な半導体装置を短い時間、且つ、比較的低コストで製造することを可能とし、製造の高速化と効率化を達成して、量産対応を容易にするリードフレーム及び半導体装置の製造方法を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのリードフレームは、半導体装置を形成する形成領域を複数有するリードフレームであって、前記形成領域は、半導体チップを載置するダイパッドと、前記ダイパッドの隅部から延出し、前記ダイパッドと前記リードフレームとを接続すると共に、前記ダイパッドと前記リードフレームとの間に空間部を形成する吊りリードとを有し、前記吊りリードは、幅が変化する形状を有することを特徴とする。かかるリードフレームは、空間部により、ダイパッドの平坦度を維持できると共に、形成領域の変形が隣接する形成領域に伝播することを防止することができる。前記吊りリードは、前記ダイパッド及び前記リードフレームと接続する端部の幅が中央部の幅よりも太い形状であることが好ましい。前記吊りリードは、略凸形状又は略凹形状であることが好ましい。前記空間部は、略Ｉ字形状又は略十字形状であることが好ましい。
【００１２】
本発明の別の側面としての半導体装置の製造方法は、半導体装置を形成する形成領域を複数有するリードフレームを形成するステップであって、半導体チップを載置するダイパッドに接続する吊りリードに空間部を形成するステップと、前記空間部が形成されたリードフレームの露出面側を複数回に分けて圧印加工するステップと、前記圧印加工されたリードフレームを樹脂封止するステップとを有することを特徴とする。かかる半導体装置の製造方法は、複数回に分けて圧印加工をすることで、圧印加工の際に生じる形成領域の変形を空間部に吸収させることができる。前記圧印加工は、前記ダイパッド及び前記吊りリードに対して行う。前記吊りリードは、幅が変化する形状を有することが好ましい。
【００１３】
本発明の更に別の側面としてのリードフレームの製造方法は、半導体装置を形成する形成領域を複数有するリードフレームを製造するリードフレームの製造方法であって、複数回に分けて前記リードフレームを圧印加工した際に、各々の圧印加工による前記リードフレームの変形を吸収しあうように、前記ダイパッドと前記リードフレームとを接続する吊りリードに空間部を形成するステップを有することを特徴とする。かかるリードフレームの製造方法は、空間部によって、圧印加工を可能とする。
【００１４】
本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施例によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、高品位の半導体装置を短い時間、且つ、比較的低コストで製造することを可能とし、製造の高速化と効率化を達成して、量的対応を容易にするリードフレーム及び半導体装置の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、添付図面を参照して、本発明の一側面としてのリードフレームについて説明する。なお、各図において、同一の部材について同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。ここで、図１は、本発明のリードフレーム１の１ピッチ全体を示す概略平面図である。図２は、リードフレーム１の一部を拡大した概略平面図である。
【００１７】
図１及び図２を参照するに、リードフレーム１は、半導体装置の組立に用いられる銅合金又は鉄合金の薄材（帯状又は板材）である。リードフレーム１は、後述するように、複数のパターン１００が吊りリード１４０を介して連結されている。ここで、パターン１００とは、ダイパッド、リードなどが形成され、それらに半導体チップのマウント、ワイヤボンディング及びモールドがなされ、その後、切断加工が施され半導体装置を形成するものである。
【００１８】
リードフレーム１は、本実施形態では、１ピッチあたり縦横に複数のパターン１００をマトリックス状に配置したマトリックスフレームであり、例えば、０．２ｍｍ程度の板厚を有する。リードフレーム１には、リードフレーム１の搬送及び位置決めを行う基準ピンと嵌合し、リードフレーム１（の１ピッチ）の位置合わせの機能を有する基準孔ＳＨが１ピッチ毎に設けられており、また、例えば、切断加工の際に、切断する位置の基準となる基準マークＳＭが複数のパターン１００の縦横の行列毎に設けられている。更に、リードフレーム１には、例えば、リードなどの打ち抜き加工やモールド等の加工工程を経ることによって発生するリードフレーム１の変形（即ち、リードフレーム１の撓みや波うち）を防止するために、ピッチ間に矩形形状の孔ＯＨが設けられ、リードフレーム１のピッチ間において、変形の伝播を遮断する機能を有する。
【００１９】
本発明のリードフレーム１は、１ピッチ内の複数のパターン１００、特に、パターン１００のレイアウト（形状）に大きな特徴を有する。以下では、リードフレーム１のパターン１００について説明する。図３及び図４は、リードフレーム１のパターン１００の一例を示す概略平面図である。なお、図３は、圧印加工（コイニング）前のパターン１００を示し、図４は、圧印加工後のパターン１００を示す。
【００２０】
パターン１００は、１つの半導体装置を形成する形成領域であり、ここでは、ＳＯＮを例に説明する。但し、パターン１００は、後述するように、ＳＯＮに限定するものではなく、種々の半導体パッケージに対応させてそのレイアウトを変更することができることは言うまでもない。また、図３において、二点鎖線は、樹脂封止されるパッケージラインＰＫＬを示している。
【００２１】
パターン１００は、図３及び図４に示すように、ダイパッド１１０と、インナーリード１２０と、セクションバー１３０と、吊りリード１４０と、空間部１５０とを有する。ダイパッド１１０、インナーリード１２０、セクションバー１３０及び吊りリード１４０は、リードフレーム１に打ち抜き加工を施すことで形成される空間ＳＰＰによって規定される。
【００２２】
ダイパッド１１０は、半導体チップをマウント（載置）する部分であり、アイランドとも呼ばれる。ダイパッド１１０は、切断加工の際の振動などによって封止した樹脂が剥離することを防止するために、中心部分の板厚に対して半分程度（即ち、本実施形態では、０．１ｍｍ程度）の薄肉部１１２（図４中斜線領域）を周囲に有する。本実施形態のダイパッド１１０は、後述するように、圧印加工（コイニング）によって薄肉部１１２を形成する。但し、ダイパッド１１０は、圧印加工による変形（伸張）が後述する空間部１５０で吸収されるため、半導体装置の小型化に対応して小型化する半導体チップを載置するに十分な平坦度を有する。
【００２３】
インナーリード１２０は、金線などを介して半導体チップの表面電極と電気的に直接接続される（ワイヤボンディング）部分である。インナーリード１２０は、ダイパッド１１０と同様に、切断加工の際の振動などによって封止した樹脂が剥離することを防止するために、中心部分の板厚に対して半分程度（即ち、本実施形態では、０．１ｍｍ程度）の薄肉部１２２を外縁に有する。本実施形態のインナーリード１２０は、圧印加工によって薄肉部１２２（図４中斜線部分）を形成するが、かかる加工によるインナーリード１２０の変形（伸張）は、空間ＳＰＰによって吸収される（即ち、空間ＳＰＰに力を逃がすことができる）。従って、インナーリード１２０は、ワイヤボンディングに必要な平坦度を有する。
【００２４】
インナーリード１２０は、本実施形態では、ダイパッド１１０の２側面に対して３つ配置されているが、その個数及び配置位置は例示的である。勿論、ダイパッド１１０の４側面に対してインナーリード１２０を配置してもよいし、例えば、ダイパッド１１０の２側面に対して３つずつのインナーリード１２０を、他方の２側面に対して２つずつのインナーリード１２０を配置してもよい。なお、パターン１００は、ＳＯＮであるため、回路基板等（外部）の電極と接続するアウタリードはなく、インナーリード１２０のパッケージ露出面がアウタリードの機能を有する。
【００２５】
セクションバー１３０は、リードフレーム１（パターン１００）のインナーリード１２０及び後述する吊りリード１４０間を結合する機能を有する。なお、セクションバー１３０は、モールド後に取り除かれる。
【００２６】
吊りリード１４０は、ダイパッド１１０の２側面において、ダイパッド１１０の隅部１１０ａから延伸し、ダイパッド１１０とリードフレーム１とを接続する。換言すれば、吊りリード１４０は、ダイパッド１１０を支持する（吊るす）機能を有する。本実施形態の吊りリード１４０は、パターン１００がＳＯＮであるため、ダイパッド１１０のインナーリード１２０の配置された２側面とは異なる２側面に対して設けられている。なお、図４に示すように、圧印加工が施される。
【００２７】
吊りリード１４０は、図３に示すように、ダイパッド１１０とリードフレーム１（セクションバー１３０）との間に空間部１５０を有し、かかる空間部１５０によって、第１のリード１４２と第２のリード１４４とに分割される。換言すれば、吊りリード１４０は、ダイパッド１１０の１側面において、第１のリード１４２及び第２のリード１４４の２つのリードでダイパッド１１０を支持している。
【００２８】
第１のリード１４２及び第２のリード１４４は、空間部１５０及び空間ＳＰＰによって、屈曲（湾曲）形状、且つ、幅（図３及び図４において横方向）が変化する形状を有する。なお、特開平５−２９１４５４号公報には、屈曲形状のリードが開示されているが、かかるリードはダイパッドとインナーリードを接続するものであり、また、インナーリードの形成時に除去するものであるため、本発明における吊りリード１４０とは異なる。本実施形態では、第１のリード１４２及び第２のリード１４４は、中央部分が近接するような略凸形状（互いに向き合う方向に）、且つ、ダイパッド１１０の隅部１１０ａから延出する方向において、幅が細くなった後に再度太くなる形状となっている。但し、後述するように、本発明は、第１のリード１４２及び第２のリード１４４の形状を上記に限定するものではなく、少なくとも部分的に細いデザインであればよい。
【００２９】
吊りリード１４０は、図４に示すように、全体に圧印加工が施されて変形（伸張）するが、かかる変形は空間部１５０及び空間ＳＰＰに吸収される。なお、第１のリード１４２及び第２のリード１４４が屈曲形状であるために、直線形状の吊りリードと比較して、空間部１５０が吊りリード１４０の変形を吸収しやすくなる。また、第１のリード１４２及び第２のリード１４４の幅に変化（部分的に細い箇所）をもたせることで、強度の弱い部分ができ、空間部１５０が吊りリード１４０の変形をより吸収しやすくなる。換言すれば、吊りリード１４０を屈曲形状、且つ、幅が変化する形状とすることで、圧印加工の際の力が強度の弱い部分（即ち、幅の細い部分）に集中し、空間部１５０に逃げやすくなる。また、後述するように、吊りリード１４０の変形を空間部１５０に吸収させるために、吊りリード１４０の全体に対して一回で圧印加工を施すのではなく、吊りリード１４０を複数の領域に分割して複数回の圧印加工を施すことが好ましい。
【００３０】
空間部１５０は、上述したように、吊りリード１４０に設けられ、圧印加工の際に生じるダイパッド１１０及び吊りリード１４０の変形を吸収する（換言すれば、圧印加工の際の力を逃がす）機能を有する。即ち、空間部１５０を積極的に変形させることによって、ダイパッド１１０が撓んだり、吊りリード１４０がダイパッド方向や隣接するパターン１００の方向に延伸したりすることを低減し、ダイパッド１１０の平坦度を維持することができる。また、空間部１５０は、圧印加工の際の変形を１つのパターン１００内で完結させ、隣接するパターン１００に変形が伝播することを防止（低減）する機能も有する。本実施形態のリードフレーム１は、空間部１５０によって、圧印加工の際に生じるダイパッド１１０及び吊りリード１４０の変形（パターン１００全体の変形）を許容することができる。
【００３１】
空間部１５０は、本実施形態では、略Ｉ字形状を有し、吊りリード１４０（第１のリード１４２及び第２のリード１４４）を屈曲形状にしている。即ち、空間部１５０は、空間ＳＰＰと協同して吊りリード１４０の形状を規定する。なお、空間部１５０は、略Ｉ字形状に限定されず、上述した作用及び効果を有する形状であればよく、後述するように、略十字形状であってもよい。空間部１５０は、ダイパッド１１０及び吊りリード１４０の変形を十分に吸収できるように、圧印加工によって延伸するダイパッド１１０及び吊りリード１４０に応じて、大きさ（寸法及び形状）を決定する。
【００３２】
空間部１５０は、ダイパッド１１０の薄肉部１１２やインナーリード１２０の薄肉部１２２の形成に圧印加工を用いることを可能とし、ハーフエッチングを用いる場合と比較して生産スピードを格段に向上させることができる。なお、かかる圧印加工は、一回で行うのではなく、複数回に分けて行われるが、一回の圧印加工にかかる時間は数秒であり、ハーフエッチングよりも早く薄肉部１１２及び１２２を形成することができる。
【００３３】
このように、リードフレーム１は、パターン１００のレイアウト、特に、吊りリード１４０（第１のリード１４２及び第２のリード１４４）の形状及び空間部１５０により、圧印加工を用いてダイパッド１１０及びインナーリード１２０の薄肉部１１２及び１２２を形成した場合に生じるダイパッド１１０及び吊りリード１４０の変形を吸収し、ダイパッド１１０の平坦度を維持することができる。また、圧印加工によるパターン１００の変形が、隣接するパターン１００に伝播することを防止することができる。従って、リードフレームを短い時間で高品位に製造することができ、半導体装置の製造の高速化と効率化を達成することを可能とする。
【００３４】
上述したように、吊りリード１４０の形状及び空間部１５０の形状は、図３及び図４に示す形状でなくてもよい。例えば、図５に示すように、吊りリード１４０Ａ（第１のリード１４２Ａ及び第２のリード１４４Ａ）の凸形状をよりシャープに、空間部１５０Ａの形状をよりシャープなＩ字形状としたパターン１００Ａもパターン１００と同様の効果を得ることができる。また、図６（ａ）に示すような、中央部分が離反するような略凹形状（互いに相反する方向に）の吊りリード１４０Ｂ（第１のリード１４２Ｂ及び第２のリード１４４Ｂ）と、略十字形状の空間部１５０Ｂとを有するパターン１００Ｂや、図６（ｂ）に示すような、吊りリード１４０Ｃ（第１のリード１４２Ｃ及び第２のリード１４４Ｃ）の凹形状をよりシャープに、空間部１５０Ｃの形状をよりシャープな十字形状としたパターン１００Ｃもパターン１００と同様の効果を得ることができる。ここで、図５及び図６は、リードフレーム１のパターン１００Ａ乃至１００Ｃの一例を示す概略平面図である。
【００３５】
以下、図７乃至図９を参照して、上述のリードフレーム１を用いた半導体装置の製造方法を、リードフレーム１の製造方法とあわせて説明する。図７は、本発明の一側面としての半導体装置の製造方法３００を説明するためのフローチャートである。図８は、ステップ３１０のリードフレーム１の製造の詳細なフローチャートである。図９は、ステップ３１６の圧印加工を複数回に分けて施すことについて説明するための図である。
【００３６】
図７を参照するに、まず、金属製の薄材（帯状又は板状）から、半導体装置を形成するパターン１００を複数有するリードフレーム１を製造する（ステップ３１０）。具体的には、図８に示すように、空間部１５０（又は空間部１５０Ａ乃至１５０Ｃ）の形状に対応したダイ及びパンチを用いて、リードフレーム１に空間部１５０を形成する（ステップ３１２）。
【００３７】
次に、図３に示すダイパッド１１０及びインナーリード１２０の形状に対応したダイ及びパンチを用いて、リードフレーム１に打ち抜き加工を施し、ダイパッド１１０及びインナーリード１２０を形成する（ステップ３１４）。なお、本実施形態では、空間部１５０を形成した後に、ダイパッド１１０及びインナーリード１２０を形成しているが、ダイパッド１１０及びインナーリード１２０を形成した後に空間部１５０を形成してもよい。以上により、図３に示すパターン１００の形状を得ることができる。
【００３８】
次に、ステップ３１２及び３１４を経て形成されたパターン１００のパッケージの露出面に対して複数回に分けて圧印加工を施す（ステップ３１６）。即ち、ダイパッド１１０の半導体チップが載置される面と反対側の面において、ダイパッド１１０の周囲（吊りリード１４０を含む）及びインナーリード１２０の外縁を板厚の半分程度の板厚にし、薄肉部１１２及び１２２を形成する。圧印加工は、リードフレーム１の一列に対して一括して施される。この際、図４に示す斜線領域に対して１回の圧印加工によってつぶすと、圧印加工の際の力が集中する（即ち、吊りリード１４０の変形を吸収する）第１のリード１４２及び第２のリード１４４の部分的に幅が細い箇所が制約を受けてしまう（即ち、ダイ及びパンチに拘束されてしまうため）ため、空間部１５０が吊りリード１４０の変形を完全に吸収することができない。そこで、１回の圧印加工で図４に示す斜線領域の全てをつぶすのではなく、図９（ａ）及び図９（ｂ）に示すように、斜線領域を、例えば、領域αと領域βに分け、１回目の圧印加工で領域αをつぶし、２回目の圧印加工で領域βをつぶすというように、複数回の圧印加工によって斜線領域をつぶすようにする。これにより、１回目の圧印加工の際の力（吊りリード１４０の領域αの伸張）を領域βに集中させて空間部１５０に逃がし、２回目の圧印加工の際の力（吊りリード１４０の領域βの伸張）を１回目の圧印加工でつぶした領域αに集中させて空間部１５０に逃がすことが可能となり、吊りリード１４０の変形を空間部１５０に吸収させることができる。なお、圧印加工の回数は２回に限定されるものではなく、図９（ｃ）に示すように、斜線領域を領域α、領域β及び領域γの３つに分け、３回の圧印加工で斜線領域の全てをつぶすようにしてもよい。このようにして、圧印加工によりダイパッド１１０及びインナーリード１２０は変形（伸張）するが、かかる変形は、ダイパッド１１０及びインナーリード１２０を形成する際に打ち抜いた空間ＳＰＰによって吸収される。また、吊りリード１４０の変形（伸張）は、複数回に分けて圧印加工を施すことによって空間部１５０に吸収される。これにより、ダイパッド１１０及びインナーリード１２０は、マウント及びワイヤボンディングに必要な平坦度を維持することができる。従って、高価なハーフエッチングに代えて、圧印加工によるダイパッド１１０及びインナーリード１２０の薄肉部１１２及び１２２の形成が可能となり、短い時間でリードフレーム１を製造することが可能になると共に、製造コストを抑えることができる。また、特開平５−２９１４５４号には、コイニングについての記載があるものの、ダイパッドに対してはコイニングを施しておらず（即ち、ダイパッドはつぶさない）、本発明とは大きく主旨が異なる。更に、特開平５−２９１４５４号公報は、マトリックスフレームではないため、圧印加工による１つのパターンの変形が隣接するパターンに伝播するという問題が発生せず、根本的に本発明とは異なることに注意されたい。
【００３９】
このようなステップ３１２乃至３１６を経ることによって、リードフレーム１が製造される。
【００４０】
再び、図７に戻って、ステップ３１０で製造されたリードフレーム１に半導体チップを載置（マウント）する（ステップ３２０）。この際、リードフレーム１に形成されたパターン１００の全てに対して半導体チップを載置する。また、本実施形態では、ダイパッド１１０の半導体チップを載置する面は、ダイパッド１１０及びインナーリード１２０を形成するために打ち抜き加工を施した際にバリが生じる面としている。一般に、バリ側の平坦幅は保たれるため（即ち、平坦幅はダレによって減少する）、ダイパッド１１０及びインナーリード１２０を平坦にするために通常行われる（例えば、板厚を０．０１ｍｍ程度つぶすような）圧印加工は、行う必要がない。勿論、ダイパッド１１０及びインナーリード１２０を平坦にするための圧印加工及びダレが生じる側に半導体チップを載置しても何ら問題はない。
【００４１】
次いで、半導体チップが載置されたリードフレーム１を樹脂封止する（ステップ３３０）。リードフレーム１は、ＭＡＰタイプのリードフレームであるため、載置した複数の半導体チップを一括して樹脂封止する。そして、樹脂封止が行われたリードフレーム１に対して、パッケージラインＰＫＬに沿って切断加工を施し（ステップ３４０）、個片化された半導体装置を得る。
【００４２】
半導体装置の製造方法３００によれば、上述したリードフレーム１を利用すると共に、圧印加工を複数回に分けて行うことで、高品位の半導体装置を短い時間、且つ、低コストで製造することができ、製造の高速化と効率化を達成し、量的対応を容易にすることができる。
【００４３】
以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されないことは言うまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。例えば、パターンを個々に樹脂封止し、切断加工に代えてパンチングで個片化を行うキャビティタイプのリードフレームにも適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の一側面としてのリードフレームの一例を示す概略平面図である。
【図２】図１に示すリードフレームの一部を拡大した概略平面図である。
【図３】図１及び図２に示すリードフレームのパターンの一例を示す概略平面図である。
【図４】図１及び図２に示すリードフレームのパターンの一例を示す概略平面図である。
【図５】図４に示すパターンとは異なるパターンを示す概略平面図である。
【図６】図４に示すパターンとは異なるパターンを示す概略平面図である。
【図７】本発明の一側面としての半導体装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図８】図７に示すステップ３１０のリードフレームの製造の詳細なフローチャートである。
【図９】図８に示すステップ３１６の圧印加工を複数回に分けて施すことについて説明するための図である。
【図１０】従来のリードフレームの全体を示す概略平面図である。
【図１１】図１０に示すリードフレームの一部を拡大して示す平面図である。
【図１２】一括モールド後のリードフレームを示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００４５】
１            リードフレーム
１００        パターン
１１０        ダイパッド
１１０ａ      隅部
１１２        薄肉部
１２０        インナーリード
１２２        薄肉部
１３０        セクションバー
１４０        吊りリード
１４２        第１のリード
１４４        第２のリード
１５０        空間部
１００Ａ      パターン
１４０Ａ      吊りリード
１４２Ａ      第１のリード
１４４Ａ      第２のリード
１５０Ａ      空間部
１００Ｂ      パターン
１４０Ｂ      吊りリード
１４２Ｂ      第１のリード
１４４Ｂ      第２のリード
１５０Ｂ      空間部
１００Ｃ      パターン
１４０Ｃ      吊りリード
１４２Ｃ      第１のリード
１４４Ｃ      第２のリード
１５０Ｃ      空間部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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