(57)【要約】【課題】磁性層の厚みを薄くしても、高出力を得ることができ、かつ媒体ノイズも低い磁気記録媒体を提供する。【解決手段】非磁性支持体１の上に下地層２を介して第１磁性層３および第２磁性層４を形成する。第１磁性層３は真空斜方蒸着法により成膜し、Ｃｏよりなる強磁性粒子が複数個連なったカラムを有する構造とする。第２磁性層４はスパッタリング法により成膜し、ＣｏＰｔ合金などの磁性材料よりなる多結晶構造とする。第１磁性層３の厚みを薄くすることにより低下した保磁力を、厚みが薄くても高い保磁力を有する第２磁性層４により補う。第２磁性層４の厚みは０．８ｎｍ〜５ｎｍとする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性支持体と、
この非磁性支持体に設けられ、複数の強磁性粒子が集合したカラムを有する第１磁性層と、
この第１磁性層を介して前記非磁性支持体に設けられ、厚みが０．８ｎｍ以上５ｎｍ以下であり、保磁力が前記第１磁性層の保磁力の１．３倍以上である第２磁性層と
を備えたことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記第１磁性層は、前記カラムの間にそれらを分離するように配置された非磁性粒子を有することを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記第１磁性層は、斜方蒸着法により形成されたことを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記第２磁性層は、スパッタリング法により形成されたことを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、非磁性支持体にカラム構造を有する磁性層が形成された磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
ビデオテープレコーダー（ＶＴＲ）などの磁気記録装置においては、高画質化を図るために、高密度記録化が一層強く要求されている。これに対応する磁気記録媒体としては、非磁性支持体の上に、強磁性材料を直接蒸着させて磁性層を形成した、いわゆる金属磁性薄膜型の磁気記録媒体がある。
【０００３】
この金属磁性薄膜型の磁気記録媒体は、保磁力、残留磁化、および角型比などに優れ、また、磁性層の厚みを極めて薄くすることができるので、短波長領域での電磁変換特性が高く、記録減磁あるいは再生時の厚み損失が著しく小さい。さらに、磁性層中に非磁性材料である結合剤を混入する必要がないので、磁性材料の充填密度を高めることができ、磁束密度を高くすることができる。このように、金属磁性薄膜型の磁気記録媒体には数々の利点がある。
【０００４】
特に近年では、電磁変換特性をさらに向上させ、出力をより大きくするために、磁性層を形成する際に、強磁性材料を非磁性支持体に対し斜めに入射させて被着させる、いわゆる斜方蒸着法が開発されている（例えば、特許文献１〜３参照。）。斜方蒸着法により磁性層を形成した磁気テープは、生産効率が高く、特性も安定しているので、既にハイバンド８ミリ用テープ、民生用デジタルビデオ用テープ、または、コンピューターデータ記録用テープ（例えば、ＡＩＴ（Advanced Intelligent Tape ）あるいはＭａｍｍｏｔｈ）として実用化されている。
【０００５】
ところが、近年では、磁気テープなどについてデータストリーマーとしての需要が高まっており、それに伴い更なる高記録密度化が求められている。更に、情報の再生には、従来の誘導型ヘッドに代えて異方性磁気抵抗効果型ヘッド（ＡＭＲヘッド）または巨大磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＧＭＲヘッド）が用いられるようになってきている。これらＡＭＲヘッドおよびＧＭＲヘッドは、磁性層からの微小な漏洩磁束を高感度に検出することができるが、漏洩磁束に対する感度が飽和する検知限界があるので、設計以上に大きな漏洩磁束を検出することができない。よって、磁性層の厚みを薄くすることにより、漏洩磁束に対する感度を最適化する必要がある。
【特許文献１】特開昭６２−１０２４２７号公報
【特許文献２】特開平６−１１１３１５号公報
【特許文献３】特開平７−２５４１２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、斜方蒸着法により形成した磁性層では、厚みを例えば３０ｎｍ以下に薄くすると保磁力が１００ｋＡ／ｍを下回ってしまい、磁気特性が著しく低下してしまうという問題があった。
【０００７】
なお、斜方蒸着法に代わる磁性層の成膜方法としてはスパッタリング法があり、ハードディスクなどの磁気記録媒体では、コバルト（Ｃｏ）−クロム（Ｃｒ）合金、あるいはコバルト−クロム−白金（Ｐｔ）合金などをスパッタリング法により成膜した磁性層が広く用いられている。しかし、これらの磁性層は、媒体ノイズを低減させるために、加熱しながら成膜することで強磁性結晶を磁性層内に析出させ、強磁性結晶間の相互作用を最適にする必要がある。よって、非磁性支持体に耐熱性に劣る高分子フィルムを用いる磁気テープなどでは、用いることが難しい。また、白金などの貴金属は高価であり、成膜面積が広い磁気テープなどに用いるのは価格の面からも好ましくない。
【０００８】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、磁性層の厚みを薄くしても、高出力を得ることができ、かつ媒体ノイズも低い磁気記録媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の磁気記録媒体は、非磁性支持体と、この非磁性支持体に設けられ、複数の強磁性粒子が集合したカラムを有する第１磁性層と、この第１磁性層を介して非磁性支持体に設けられ、厚みが０．８ｎｍ以上５ｎｍ以下であり、保磁力が第１磁性層の保磁力の１．３倍以上である第２磁性層とを備えたものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の磁気記録媒体によれば、強磁性粒子が集合したカラムを有する第１磁性層と、第１磁性層よりも高い保磁力を有する第２磁性層とを備えるようにしたので、媒体ノイズを低く抑えつつ、出力を大きくすることができる。また、非磁性支持体に第１磁性層を介して第２磁性層を設けるようにしたので、加熱することなく第２磁性層内の強磁性結晶間の相互作用を最適化することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００１２】
図１は、本発明の一実施の形態に係る磁気記録媒体である磁気テープの断面構造を表すものであり、図２は図１に示した第１磁性層３の一構造例を模式的に表すものである。この磁気テープは、例えば、ＡＭＲヘッドあるいはＧＭＲヘッドを用いた記録再生システムに対して用いるのに適したものであり、非磁性支持体１の一面に、下地層２，第１磁性層３，第２磁性層４，保護層５および潤滑層６が非磁性支持体１の側からこの順に積層されている。また、非磁性支持体１の他面には、バックコート層７が設けられている。
【００１３】
非磁性支持体１は、例えば、ポリエチレンテレフタレートあるいはポリエチレンナフタレートなどのポリエステル類、ポリエチレンあるいはポリプロピレンなどのポリオレフィン類、セルローストリアセテートなどのセルロース誘導体、ポリカーボネート，ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミドなどのプラスチック類により構成されている。
【００１４】
下地層２は、例えば、バインダー樹脂、フィラーおよび界面活性剤などを含有する塗料により構成されており、非磁性支持体１の表面に微細な凹凸を付加したり、機械的な強度を高めたりすることにより、磁気テープの耐久性、走行性および成膜時のハンドリング性を向上させるものである。
【００１５】
下地層２を構成するバインダー樹脂としては、例えば、水性ポリエステル樹脂，水性アクリル樹脂，あるいは水性ポリウレタン樹脂が挙げられる。フィラーとしては、例えば、耐熱性ポリマーの粒子、二酸化ケイ素あるいは炭酸カルシウムなどの粒子が挙げられる。フィラーの平均粒径は３ｎｍ〜５ｎｍ程度が好ましく、フィラーによって形成される表面突起の密度は５０万個／ｍｍ2 〜３０００万個／ｍｍ2 程度とすることが好ましい。下地層２を構成するフィラーの平均粒径およびフィラーによって形成される表面突起の密度は、目的とする磁気テープの特性、例えば走行耐久性および電磁変換特性に応じて設定される。
【００１６】
なお、下地層２は任意の構成要素であり、必要に応じて設けられる。例えば、下地層２に代えて、リソグラフィー技術などにより非磁性支持体１に凹凸を形成するようにしたり、めっきあるいは真空薄膜形成技術などにより金属，無機化合物あるいは有機高分子よりなる突起部を設けるようにしてもよい。
【００１７】
第１磁性層３は、例えば真空斜方蒸着法により形成されたものであり、例えば図２に示したように、強磁性粒子１１と非磁性粒子１２とを含む斜方柱状構造を有している。強磁性粒子１１は、複数個が集合し、例えばほぼ一列に連なって１つのカラム１３を形成している。カラム１３は複数形成されており、磁性層２の積層方向ｙに対してそれぞれほぼ同一方向に傾斜している。なお、カラム１３は例えば直線状ではなくわずかに湾曲した形状となっている。
【００１８】
強磁性粒子１１は、例えば、鉄（Ｆｅ），コバルトあるいはニッケル（Ｎｉ）などの強磁性単体金属、またはコバルト−ニッケル系合金，コバルト−鉄系合金，鉄−ニッケル系合金，コバルト−鉄−ニッケル系合金などの強磁性合金により構成されている。強磁性粒子１１の平均粒径は例えば１０ｎｍ以下であることが好ましく、３ｎｍ〜６ｎｍの範囲内であればより好ましい。強磁性粒子１１は小さい方が媒体ノイズを低くすることができるので好ましいが、あまり微細化すると、超常磁性を示すようになり、残留磁化がなくなってしまうからである。なお、強磁性粒子１１の粒径というのは、ｃ軸に対して垂直な方向の直径を意味している。
【００１９】
非磁性粒子１２は、真空斜方蒸着の際に酸素ガスを導入することにより形成されたものであり、例えば強磁性粒子１１を構成する磁性材料の酸化物により構成されている。非磁性粒子１２は、各カラム１３を囲み、各カラム１３の間を互いに分離するように位置しており、強磁性粒子１１の間における磁気的相互作用を分離する機能を有している。このような構造により、第１磁性層３は媒体ノイズが極めて小さいという特性を有している。
【００２０】
なお、強磁性粒子１１と非磁性粒子１２とは、電子線回折あるいは透過型電子顕微鏡を用いた高分解能観察により識別することができる。また、これらの手法と元素マッピングの手法とを組み合わせることにより、第１磁性層３の微細構造が解析される。元素マッピングの手法としてはエネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ）やエネルギーフィルター法が挙げられる。
【００２１】
第２磁性層４は磁性材料を含んでおり、第１磁性層３の保磁力に対して１．３倍以上の保磁力を有するように構成されている。すなわち、第１磁性層３の保磁力をＨｃ１、第２磁性層４の保磁力をＨｃ２とすると、Ｈｃ２≧Ｈｃ１×１．３となるように構成されている。第２磁性層４の保磁力の大きさは、構成材料、構造、および膜厚などにより決定されるが、例えば第１磁性層３とは異なる構造を有するように構成することにより、保磁力を高くすることが好ましい。第１磁性層３は厚みが薄くなると保磁力Ｈｃ１が小さくなるという特性を有しているが、その小さくなった保磁力を厚みを厚くすることなく第２磁性層４により補うためである。
【００２２】
例えば、第１磁性層３は斜方蒸着法により形成されたカラム１３を有する構造となっているが、第２磁性層４は他の方法で形成されることにより、他の構造を有するように構成されることが好ましい。例えば、スパッタリング法などの真空薄膜形成技術により形成された磁性材料の多結晶膜や、または、磁性材料の結晶間を非磁性材料により分離したいわゆるグラニュラー構造を有する膜により構成されることが好ましい。このような構造とすれば、材料を選択することにより、薄い膜厚で第１磁性層３よりも高い保磁力を得ることができるからである。
【００２３】
第２磁性層４を構成する磁性材料としては、例えば、鉄，コバルトあるいはニッケルなどの強磁性単体金属、またはコバルト−ニッケル系合金，コバルト−鉄系合金，鉄−ニッケル系合金，コバルト−鉄−ニッケル系合金，コバルト−クロム系合金，コバルト−白金系合金，コバルト−白金−ホウ素（Ｂ）系合金，コバルト−クロム−タンタル（Ｔａ）系合金，コバルト−クロム−白金−タンタル系合金などの強磁性合金が挙げられる。また、これらに酸素、あるいは他の１または２以上の元素を含有させるようにしてもよい。
【００２４】
第２磁性層４の厚みは、０．８ｎｍ以上５ｎｍ以下であることが好ましい。これにより薄いと十分な保磁力を得ることができず、これよりも厚いと第２磁性層４による媒体ノイズが大きくなり、信号対雑音比（Carrier to Noise Ratio；ＣＮＲ）が小さくなってしまうからである。
【００２５】
保護層５は、走行耐久性および耐食性を向上させるためのものであり、グラファイト、ダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ；Diamond-Like Carbon ）、ダイヤモンド、または二酸化ケイ素（ＳｉＯ2 ）などにより構成されている。特に、ＤＬＣにより構成するようにすれば、薄膜強度を向上させることができるので好ましい。
【００２６】
潤滑層６は、走行性を向上させるためのものであり、例えば、パーフルオロカーボン系材料、あるいはコハク酸を主骨格とするモノエステル系材料などの潤滑剤を含む膜により構成されている。
【００２７】
バックコート層７は、走行性を向上させると共に、帯電を防止するためのものであり、例えば、カーボンブラックなどの無機顔料粒子を結合剤に分散させた膜により構成されている。バックコート層７の厚みは例えば０．２μｍ〜０．７μｍ程度であることが好ましい。
【００２８】
なお、図示しないが、下地層２と第１磁性層３との間、または第１磁性層３と第２磁性層４との間に、第１磁性層３または第２磁性層４の特性を向上させるための中間層を設けるようにしてもよい。この中間層を構成する材料としては、例えば、コバルト，銅（Ｃｕ），ニッケル，鉄，ジルコニウム（Ｚｒ），タンタル，タングステン（Ｗ），銀（Ａｇ），アルミニウム（Ａｌ），マンガン（Ｍｎ），クロム，チタン（Ｔｉ），バナジウム（Ｖ），ニオブ（Ｎｂ），モリブデン（Ｍｏ），あるいはルテニウム（Ｒｕ）などの単体金属、これらの２種以上を組み合わせた合金、またはこれらの元素と酸素あるいは窒素との化合物が挙げられる。また、酸化ケイ素、窒化ケイ素、インジウムとスズとの酸化物（ＩＴＯ）、あるいは酸化インジウムなどの化合物も挙げられる。このような中間層を設けるようにすれば、第１磁性層３の強磁性粒子１１または第２磁性層４における磁性材料の結晶を微細化することができ、またこれらの結晶配向性を向上させることができるので、好ましい。
【００２９】
また、図示しないが、バックコート層７の上にも潤滑層６を設けるようにしてもよい。
【００３０】
この磁気テープは、例えば、次のようにして製造することができる。
【００３１】
まず、非磁性支持体１の一面に、例えば、バインダー樹脂、フィラーおよび界面活性剤などを含む塗料を塗布し、下地層２を形成する。次いで、下地層２の上に、例えば真空薄膜形成技術により、必要に応じて図示しない中間層を形成する。真空薄膜形成技術としては、例えば、真空蒸着法、イオンプレーティング法、あるいはスパッタリング法などの物理的成膜（ＰＶＤ；physical vapor deposition ）法が挙げられる。
【００３２】
続いて、非磁性支持体１の一面に、真空斜方蒸着法により第１磁性層３を形成する。真空斜方蒸着法は、成膜性が良好であり、生産性も高く、操作も容易であるので好ましい。図３は、第１磁性層３の成膜に用いる連続巻取式斜方蒸着装置の一例を表すものである。図３に示したように、この連続巻取式斜方蒸着装置では、非磁性支持体１を供給リール２１から供給し、ドラム２２を介して巻き取りリール２３により巻き取りながら、非磁性支持体１に第１磁性層３を形成する。ドラム２２は、例えば−２０℃程度に冷却されており、これにより非磁性支持体１の熱変形が防止される。
【００３３】
蒸着は、電子銃２４から坩堝２５内の蒸着源２５Ａに電子ビーム２４Ａを照射することにより行う。蒸着源２５Ａには上述した磁性材料を用いる。蒸着雰囲気は、真空ポンプ２６により、例えば１×１０-1Ｐａ〜１×１０-3Ｐａ程度に減圧する。蒸着する領域は、ドラム２２の近傍に配置されたマスク２７により制御し、磁性材料の蒸気が非磁性支持体１に対して斜めに入射するように調節されている。磁性材料の蒸気が入射する最大入射角θmax は例えば７０°以上９０°以下の範囲内、最低入射角θmin は例えば３０°以上６０°以下の範囲内とすることが好ましい。非磁性支持体１の走行に伴い、磁性材料の蒸気の入射角は高入射角から低入射角に連続的に変化する。これにより、強磁性粒子１１が形成され、カラム１３は連続的にわずかに湾曲した形状となる。
【００３４】
また、マスク２７とドラム２２との間に酸素導入管２８を配置して、蒸着雰囲気に酸素ガスを局所的に導入することが好ましい。これにより、カラム１３を分離するように、磁性材料の酸化物よりなる非磁性粒子１２が形成される。
【００３５】
第１磁性層３を形成したのち、第１磁性層３の上に、例えば真空薄膜形成技術により、必要に応じて図示しない中間層を形成する。次いで、第１磁性層３の上に、例えば真空薄膜形成技術により、第２磁性層４を形成する。真空薄膜形成技術としては、例えば上述したような物理的成膜法が挙げられるが、中でもスパッタリング法が好ましい。第２磁性層４は膜厚が薄く、また高い磁気特性を得るためには組成制御が重要であるが、スパッタリング法は材料組成の自由度が高く、かつ成膜安定性にも優れているからである。
【００３６】
図４は、第２磁性層４の成膜に用いる連続巻取式スパッタリング装置の一例を表すものである。図４に示したように、この連続巻取式スパッタリング装置では、非磁性支持体１を供給リール３１から供給し、ドラム３２を介して巻き取りリール３３により巻き取りながら、ドラム３２と、ドラム３２に対向して配置されたターゲット３４との間に電圧を印加するなどして、ターゲット３４の原子をはじき出し、非磁性支持体１の上に堆積させる。第２磁性層４の膜厚は、電圧、例えば直流電圧あるいは高周波電圧の大きさ、および非磁性支持体１の走行速度などにより制御する。
【００３７】
続いて、第２磁性層４の上に、例えば、化学気相成長（ＣＶＤ；Chemical Vapor Deposition ）法あるいは物理的蒸着法により保護層５を形成する。ＣＶＤ法としては、メッシュ電極ＤＣプラズマ方式、電子ビーム励起プラズマソース方式、冷陰極イオンソース方式、イオン化蒸着方式、または触媒ＣＶＤ方式などの公知の方式のいずれを用いてもよい。
【００３８】
そののち、非磁性支持体１の他面に、例えば無機顔料粒と結合剤とを有機溶剤と共に混練して調整した塗料を塗布し、バックコート層７を形成する。更に、保護層５および必要に応じてバックコート層７の上に、例えば潤滑剤を含む塗料を塗布し、潤滑層６を形成する。これにより、図１に示した磁気テープが完成する。
【００３９】
このように本実施の形態によれば、第１磁性層３の上に、第１磁性層３の保磁力に対して１．３倍以上の保磁力を有する厚み０．８ｎｍ以上５ｎｍ以下の第２磁性層４を有するようにしたので、第１磁性層３の厚みを薄くしても出力を大きくすることができ、かつ媒体ノイズも低く抑えることができる。また、第２磁性層４の成膜時に加熱しても、非磁性支持体１に与える影響を小さくすることができる。
【実施例】
【００４０】
更に、本発明の具体的な実施例について説明する。
【００４１】
図１に示した構造を有する磁気テープを以下のようにして作製した。まず、非磁性支持体１として、厚み６．３μｍ、幅１５０ｍｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを用意し、その一面に、アクリルエステルを主成分とする水溶性ラテックスに直径２０ｎｍの酸化ケイ素粒子を分散させた塗料を塗布し、下地層２を形成した。下地層２における酸化ケイ素粒子の密度は、１×１０7 個／ｍｍ2 程度とした。
【００４２】
次いで、下地層２の上に、図３に示した連続巻取式斜方蒸着装置を用いて、蒸着源２５Ａをコバルトとし、酸素ガスの導入量を６．５×１０-4ｍ3 ／ｍｉｎとして、斜方蒸着法により第１磁性層３を形成した。すなわち、強磁性粒子１１をコバルト、非磁性粒子１２を酸化コバルト（ＣｏＯ）により構成した。第１磁性層３の厚みは３０ｎｍとした。
【００４３】
続いて、第１磁性層３の上に、図４に示した連続巻取式スパッタリング装置を用いて、ターゲット３４をＣｏ80Ｐｔ20とし、成膜時のアルゴンガス圧を０．２Ｐａとして、第２磁性層４を形成した。その際、磁性支持体１の走行速度を制御することにより、第２磁性層４の厚みを表１に示したように実施例１では０．８ｎｍ、実施例２では１．２ｎｍ、実施例３では３．０ｎｍ、実施例４では５．０ｎｍと変化させた。なお、この第２磁性層４の厚みは、磁性支持体１を基準となる走行速度で走行させた場合に成膜される第２磁性層４の厚みを求め、この走行速度と厚みとの関係から計算により求めたものである。
【００４４】
そののち、第２磁性層４の上に、プラズマＣＶＤ法によりＤＬＣよりなる厚み１０ｎｍの保護層５を形成し、更に、保護層５の上にパーフルオロポリエーテル系の潤滑剤を塗布して潤滑層６を形成した。また、非磁性支持体１の他面に、平均粒径２０ｎｍのカーボン粒子とウレタン樹脂からなる塗料を塗布し、厚み０．５μｍのバックコート層７を形成し、磁気テープの原反を得た。そののち、この原反を８ｍｍ幅に裁断して実施例１〜４の磁気テープを得た。
【００４５】
実施例１〜４に対する比較例１として、第２磁性層を形成しなかったことを除き、他は実施例１〜４と同様にして磁気テープを作製した。また、比較例２として、第１磁性層の厚みを３５ｎｍとし、第２磁性層を形成しなかったことを除き、他は実施例１〜４と同様にして磁気テープを作製した。更に、比較例３として、第２磁性層を形成する際のターゲットをＣｏ70Ｐｔ30とし、第２磁性層の厚みを３．０ｎｍとしたことを除き、他は実施例１〜４と同様にして磁気テープを作製した。加えて、比較例４として、第２磁性層の厚みを６．０ｎｍとしたことを除き、他は実施例１〜４と同様にして磁気テープを作製した。
【００４６】
作製した実施例１〜４および比較例１〜４の磁気テープについて、磁気特性および電磁変換特性をそれぞれ調べた。磁気特性としては、試料振動型磁力計を用い、磁化曲線を測定することにより、保磁力を調べた。第１磁性層３と第２磁性層４とを形成した実施例１〜４および比較例３，４では、第１磁性層３と第２磁性層４との両方からの信号が合わさって検出されるので、第２磁性層４の保磁力Ｈｃ２は、「測定した信号−比較例１により得られた第１磁性層３からの信号＝第２磁性層からの信号」として算出した。
【００４７】
電磁変換特性の測定にはドラムテスタを用い、記録ヘッドにはギャップ長０．２２μｍ、トラック幅２０μｍのＭＩＧ（Metal-in-Gap）ヘッドを用いた。電磁変化特性としては、ＭＩＧヘッドで記録波長２．０μｍにて記録し、トラック幅５μｍのニッケル鉄−ＡＭＲヘッドを用いて再生したときの信号出力を測定した。また、記録波長３．０μｍにて記録再生し、信号出力と媒体ノイズとの比より信号対雑音比ＣＮＲを測定した。得られた結果を表１に示す。なお、信号出力および信号対雑音比ＣＮＲは、比較例１の値を基準とした相対値で表した。よって、比較例１におけるそれらの値は零とした。
【００４８】
【表１】
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【００４９】
表１に示したように、第１磁性層３の上に第２磁性層４を設けた実施例１〜４によれば、第２磁性層を設けていない比較例１，２に比べて、信号出力および信号対雑音比ＣＮＲを共に向上させることができた。これに対して、比較例３では第２磁性層の保磁力Ｈｃ２が小さいので、比較例１に比べて信号出力は向上したものの、信号出力の向上よりも媒体ノイズの増大の方が大きく影響してしまい、信号対雑音比ＣＮＲが低下してしまった。また、比較例４では、第２磁性層の厚みが厚いので、信号出力の向上よりも媒体ノイズの増大が大きくなり、信号対雑音比ＣＮＲが低下してしまった。
【００５０】
すなわち、第１磁性層３の上に、第１磁性層３の保磁力に対して１．３倍以上の保磁力を有する厚み０．８ｎｍ以上５ｎｍ以下の第２磁性層４を設けるようにすれば、第１磁性層３の厚みを薄くしても信号出力を大きくすることができ、かつ媒体ノイズも低く抑えることができることが分かった。
【００５１】
以上、実施の形態および実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態および実施例に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態および実施例では、磁気テープの積層構造について一例を挙げて説明したが、全ての層を備えていなくてもよく、他の層を更に備えていてもよい。また、第１磁性層３および第２磁性層４は単層構造でもよいが、２層以上の積層構造とされていてもよい。
【００５２】
更に、上記実施の形態および実施例では、磁気テープを構成する各層の材料および成膜方法などについて具体的に例を挙げて説明したが、他の材料により構成してもよく、他の成膜方法により形成してもよい。
【００５３】
加えて、上記実施の形態および実施例では、ＡＭＲヘッドまたはＧＭＲヘッドに対して用いる場合について説明したが、それら同等以上の測定感度をもつ他の時期抵抗効果型ヘッドに対して用いてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
磁性層の膜厚を薄くしても、媒体ノイズを低く抑えつつ、信号出力を大きくすることができ、ＡＭＲヘッドまたはＧＭＲヘッドなどの高感度ヘッドに対して用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の一実施の形態に係る磁気記録媒体の構成を表す断面図である。
【図２】図１に示した磁気記録媒体の第１磁性層の構成を表す断面図である。
【図３】図１に示した磁気記録媒体を製造する際に用いる蒸着装置の構成を表す断面図である。
【図４】図１に示した磁気記録媒体を製造する際に用いるスパッタリング装置の構成を表す断面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１…非磁性支持体、２…下地層、３…第１磁性層、４…第２磁性層、５…保護層、６…潤滑層、７…バックコート層、１１…強磁性粒子、１２…非磁性粒子、１３…カラム、２１，３１…供給リール、２２，３２…ドラム、２３，３３…巻き取りリール、２４…電子銃、２４Ａ…電子ビーム、２５…坩堝、２５Ａ…蒸着源、２６…真空ポンプ、２７…マスク、２８…酸素導入管、３４…ターゲット。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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