(57)【要約】【課題】ビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィドの還元的分解のための方法であって、必要な金属触媒のための更なる被毒防止試薬、例えば水、アルコール又は硫化水素を使用しないで、高い転化率を可能にする方法を提供する。【解決手段】メルカプトオルガニル（アルコキシシラン）を製造するにあたり、ビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィドと水素及び遷移金属触媒とを温度＜１９０℃及び圧力＜１００バールで、水、アルコール又はＨ２Ｓを添加せずに水素添加させる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
メルカプトオルガニル（アルコキシシラン）の製造方法であって、ビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィドを、温度＜１９０℃及び圧力＜１００バールで、水素及び遷移金属触媒を用いて、水、アルコール又はＨ２Ｓを添加せずに水素添加させることを特徴とする方法。
【請求項２】
ビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィドは、一般式（Ｉ）
Ｚ−Ａ−Ｓｘ−Ａ−Ｚ      （Ｉ）
［式中、
ｘは１〜１４の数であり、
Ｚは同一又は異なるＳｉＸ１Ｘ２Ｘ３又はＳｉ（ＯＣＨ２−ＣＨ２−）３Ｎであり、かつ
Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３はそれぞれ互いに無関係に、ヒドロキシ（−ＯＨ）、
１〜１８個の炭素原子（Ｃ１０〜Ｃ１８）を有する直鎖状、分枝鎖状又は環式の炭化水素鎖、
アルキル酸置換基（ＣｙＨ２ｙ＋１）−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−（ｙ＝１〜２５）、置換されたアルキル酸置換基もしくはアルケニル酸置換基、
５〜１２個の炭素原子を有するシクロアルカン基、
直鎖状又は分枝鎖状の炭化水素鎖を有するアルコキシ基、
アルキルエーテル基Ｏ−（ＣＲＩ２−ＣＲＩ２）−Ｏ−Ａｌｋ、
アルキルポリエーテル基Ｏ−（ＣＲＩ２−ＣＲＩ２Ｏ）ａ−Ａｌｋ（式中、ａ＝２〜２５、ＲＩは互いに無関係にＨ又はアルキル基であり、Ａｌｋは１〜３０個の炭素原子（Ｃ１〜Ｃ３０）を有する直鎖状又は分枝鎖状の、飽和又は不飽和のアルキル鎖である）、
Ｃ５〜Ｃ１２原子を有するシクロアルコキシ基を意味してよく、
Ａは直鎖状又は分枝鎖状の、飽和又は不飽和の、脂肪族の、芳香族の又は脂肪族／芳香族の混ざった二価の、Ｃ１〜Ｃ３０を有する炭化水素鎖である］の化合物である、請求項１記載のメルカプトオルガニル（アルコキシシラン）の製造方法。
【請求項３】
ビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィドが、一般式Ｉの化合物の混合物である、請求項１記載のメルカプトオルガニル（アルコキシシラン）の製造方法。
【請求項４】
触媒活性成分は、付加的にドープされているか、もしくは付加的な成分を含有する、請求項１記載のメルカプトオルガニル（アルコキシシラン）の製造方法。
【請求項５】
触媒活性成分が、１種又は複数種のアルカリ金属、アルカリ土類金属、第３主族の元素、第４主族の元素、第５主族の元素、第６主族の元素、第７主族の元素又は副族元素を含有する、請求項４記載のメルカプトオルガニル（アルコキシシラン）の製造方法。
【請求項６】
遷移金属触媒が、触媒活性成分としてニッケル、コバルト、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、イリジウム又は白金を含有する、請求項１記載のメルカプトオルガニル（アルコキシシラン）の製造方法。
【請求項７】
触媒活性金属に対する触媒濃度が、０．０００１〜１ミリモル／１ｇ（ビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィド）である、請求項１記載のメルカプトオルガニル（アルコキシシラン）の製造方法。
【請求項８】
方法を回分方式で実施する、請求項１記載のメルカプトオルガニル（アルコキシシラン）の製造方法。
【請求項９】
方法を連続方式で実施する、請求項１記載のメルカプトオルガニル（アルコキシシラン）の製造方法。
【請求項１０】
反応混合物が添加剤を含有する、請求項１記載のメルカプトオルガニル（アルコキシシラン）の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はメルカプトオルガニル（アルコキシシラン）の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＵＳ６，１４７，２４２号から、３−メルカプトプロピル−トリエトキシシランを、ビス（アルコキシシリルオルガニル）ジスルフィドの等方性分解によって製造する方法が知られている。この場合に、ビス（アルコキシシリルオルガニル）ジスルフィドとアルカリ金属及びクロロシランとを反応させ、シリルアルキルスルファニルシラン中間生成物を得て、次いでアルコールの存在下に転化させて所望のメルカプトアルキルシランが得られる。
【０００３】
該方法は、付加的な試薬（クロロアルキルシラン）を使用せねばならないという欠点を有し、危険なアルカリ金属を使用し、かつ廃棄する必要があること、そしてアルコール分解工程前にシリルアルキルスルファニルシラン中間生成物を単離する必要がある。
【０００４】
更にＵＳ６，４３３，２０６号から、ケイ素含有のオルガノメルカプタンを、水、Ｈ２Ｓもしくはアルコールによって被毒から守らねばならない第ＶＩＩＩ族の金属触媒の使用下に、ビス（オルガニルシリル）ポリスルフィドを水素添加させることによって製造する方法が知られている。
【０００５】
この方法は、少なくとも２つの、付加的な工程段階（被毒防止試薬（Entgiftungsreagenz）の混合及び分離）を必要とするという欠点を有し、これが該方法をよりエネルギー集中的かつ非経済的なものにする。長鎖アルコキシ置換基（＞Ｃ８）を有するアルコキシシランを出発物質として使用する場合に、例えば被毒防止試薬として必要とされるアルコールの後処理及び蒸留による分離は一層エネルギー集中的になる。アルコキシシランの置換のために使用されるアルコールとは異なるアルコールを被毒防止剤（Vergiftungshemmer）として使用する場合に、使用される出発物質と生ずる生成物のエステル交換が生ずることがある。これにより、不所望な混合エステル化されたシラン生成物が生成する。従って被毒防止試薬の添加は、実際的かつ経済的な観点から、既にアルコキシ基として出発材料中に存在するようなアルコールに限定されている。更に、該公知法は、アルコールの代替としてＨ２Ｓ又は水しか使用できないという欠点を有する。Ｈ２Ｓは毒性の高いガスなので、その使用、貯蔵、配量及び廃棄は非常に慎重を要し、危険を冒す必要があり、設備の質と安全性に高い要求を課すものである。水は、アルコキシシランと同時に使用する場合には、出発化合物と生成化合物が加水分解下に分解するので回避すべきである。
【特許文献１】ＵＳ６，１４７，２４２号
【特許文献２】ＵＳ６，４３３，２０６号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の課題は、ビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィドの還元的分解のための方法であって、必要な金属触媒のための更なる被毒防止試薬、例えば水、アルコール又は硫化水素を使用しないで、高い転化率を可能にする方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の対象は、メルカプトオルガニル（アルコキシシラン）の製造方法であって、ビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィドと水素及び遷移金属触媒とを温度＜１９０℃及び圧力＜１００バールで、水、アルコール又はＨ２Ｓを添加せずに水素添加させることを特徴とする方法である。
【０００８】
該反応は、水素化分解条件下に実施することができる。遷移金属触媒は触媒的に有効な量で使用できる。
【０００９】
ビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィドは、一般式（Ｉ）
Ｚ−Ａ−Ｓｘ−Ａ−Ｚ      （Ｉ）
［式中、
ｘは１〜１４、有利には１〜８、好ましくは２〜４、特に有利には２〜２．６及び３．５〜３．９の数であり、
Ｚは同一又は異なるＳｉＸ１Ｘ２Ｘ３又はＳｉ（ＯＣＨ２−ＣＨ２−）３Ｎであり、かつ
Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３はそれぞれ互いに無関係に、ヒドロキシ（−ＯＨ）、
１〜１８個の炭素原子（Ｃ１０〜Ｃ１８）、有利にはＣ１〜Ｃ１０を有する直鎖状、分枝鎖状又は環式の炭化水素鎖、好ましくは、メチル、エチル、プロピル又はブチル、
アルキル酸置換基（ＣｙＨ２ｙ＋１）−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−（ｙ＝１〜２５）、例えばアセトキシ（ＣＨ３−（Ｃ＝Ｏ）Ｏ−）、
５〜１２個の炭素原子を有するシクロアルカン基、
ベンジル基、アルキル置換されたフェニル基、
直鎖状もしくは分枝鎖状の炭化水素鎖を有するアルコキシ基、有利にはＣ１〜Ｃ２４−アルコキシ、特に有利にはメトキシ（ＣＨ３Ｏ−）、エトキシ（Ｃ２Ｈ５Ｏ−）、プロポキシ（Ｃ３Ｈ７Ｏ−）又はブトキシ（Ｃ４Ｈ９Ｏ−）、ドデシルオキシ（Ｃ１２Ｈ２５Ｏ−）、テトラデシルオキシ（Ｃ１４Ｈ２９Ｏ−）、ヘキサデシルオキシ（Ｃ１６Ｈ３３Ｏ−）又はオクタデシルオキシ（Ｃ１８Ｈ３７Ｏ−）、
アルキルエーテル基（Ｏ−（ＣＲＩ２−ＣＲＩ２）−Ｏ−Ａｌｋ）又は
アルキルポリエーテル基（Ｏ−（ＣＲＩ２−ＣＲＩ２Ｏ）ａ−Ａｌｋ）（式中、ａ＝２〜２５、有利にはａ＝２〜１５、特に有利にはａ＝３〜１０、殊に有利にはａ＝３〜６、ＲＩは互いに無関係にＨ又はアルキル基、有利にはＣＨ３基であり、Ａｌｋは１〜３０個の炭素原子（Ｃ１〜Ｃ３０）、有利にはＣ１〜Ｃ２０、特に有利にはＣ４〜Ｃ１８、殊に有利にはＣ８〜Ｃ１６を有する直鎖状又は分枝鎖状の、飽和又は不飽和のアルキル鎖である）、
Ｃ５〜Ｃ１２原子を有するシクロアルコキシ基を意味してよく
Ａは直鎖状又は分枝鎖状の、飽和又は不飽和の脂肪族の、芳香族の又は脂肪族／芳香族の混ざった二価の、Ｃ１〜Ｃ３０を有する炭化水素鎖、有利にはＣ１〜Ｃ３の炭化水素鎖、特に有利には（−ＣＨ２−）、（−ＣＨ２−）２、（−ＣＨ２−）３、（−ＣＨ（ＣＨ３）−ＣＨ２−）又は（−ＣＨ２−ＣＨ（ＣＨ３）−）である］の化合物であってよい。
ビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィドは、一般式（Ｉ）の化合物の混合物であってよい。
【００１０】
Ａは、水素置換基を有する代わりに、非常に多様な置換基、例えば−ＣＮ、ハロゲン、例えば−Ｃｌ、−Ｂｒ又は−Ｆ、アルコール官能性（−ＯＨ）、アルコキシド（−Ｏアルキルもしくは−Ｏ−（Ｃ＝Ｏ）−アルキル）を備えていてよい。Ａとして、有利には、ＣＨ２、ＣＨ２ＣＨ２、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２、ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）、ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２、ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ２、ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２、ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）又はＣＨ２ＣＨ（ＣＨ３）ＣＨ（ＣＨ３）を使用してよい。
【００１１】
基Ｚ＝ＳｉＸ１Ｘ２Ｘ３は、有利には−Ｓｉ（ＯＭｅ）３、−Ｓｉ（ＯＥｔ）３、−ＳｉＭｅ（ＯＭｅ）２、−ＳｉＭｅ（ＯＥｔ）２、−ＳｉＭｅ２（ＯＭｅ）、−ＳｉＭｅ２（ＯＥｔ）、−Ｓｉ（ＯＣ１２Ｈ２５）３、Ｓｉ（ＯＣ１４Ｈ２９）３、Ｓｉ（ＯＣ１６Ｈ３３）３、Ｓｉ（ＯＣ１８Ｈ３７）３、Ｓｉ（ＯＣ１４Ｈ２９）２（ＯＣ１６Ｈ３３）、Ｓｉ（ＯＣ１４Ｈ２９）２（ＯＣ１８Ｈ３７）、Ｓｉ（ＯＣ１６Ｈ３３）２（ＯＣ１４Ｈ２９）、Ｓｉ（ＯＣ１６Ｈ３３）２（ＯＣ１８Ｈ３７）、Ｓｉ（ＯＣ１８Ｈ３７）２（ＯＣ１６Ｈ３３）又はＳｉ（ＯＣ１４Ｈ２９）（ＯＣ１８Ｈ３７）２であってよい。
【００１２】
一般式（Ｉ）のビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィドとして、例えば以下の化合物を使用してよい：
［（ＭｅＯ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３］２Ｓ２、［（ＭｅＯ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３］２Ｓ３、［（ＭｅＯ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３］２Ｓ４、［（ＭｅＯ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３］２Ｓ５、［（ＭｅＯ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３］２Ｓ６、［（ＭｅＯ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３］２Ｓ７、［（ＭｅＯ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３］２Ｓ８、［（ＭｅＯ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３］２Ｓ９、［（ＭｅＯ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３］２Ｓ１０、［（ＭｅＯ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３］２Ｓ１１、［（ＭｅＯ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３］２Ｓ１２、［（ＥｔＯ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３］２Ｓ２、［（ＥｔＯ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３］２Ｓ３、［（ＥｔＯ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３］２Ｓ４、［（ＥｔＯ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３］２Ｓ５、［（ＥｔＯ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３］２Ｓ６、［（ＥｔＯ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３］２Ｓ７、［（ＥｔＯ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３］２Ｓ８、［（ＥｔＯ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３］２Ｓ９、［（ＥｔＯ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３］２Ｓ１０、［（ＥｔＯ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３］２Ｓ１１、［（ＥｔＯ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３］２Ｓ１２、［（ＥｔＯ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３］２Ｓ１３、［（ＥｔＯ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３］２Ｓ１４、［（Ｃ３Ｈ７Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３］２Ｓ２、［（Ｃ３Ｈ７Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３］２Ｓ３、［（Ｃ３Ｈ７Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３］２Ｓ４、［（Ｃ３Ｈ７Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３］２Ｓ５、［（Ｃ３Ｈ７Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３］２Ｓ６、［（Ｃ３Ｈ７Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３］２Ｓ７、［（Ｃ３Ｈ７Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３］２Ｓ８、［（Ｃ３Ｈ７Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３］２Ｓ９、［（Ｃ３Ｈ７Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３］２Ｓ１０、［（Ｃ３Ｈ７Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３］２Ｓ１１、［（Ｃ３Ｈ７Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３］２Ｓ１２、［（Ｃ３Ｈ７Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３］２Ｓ１３、［（Ｃ３Ｈ７Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３］２Ｓ１４、［（Ｃ１２Ｈ２５Ｏ）（ＥｔＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３］Ｓｘ［（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＥｔ）３］、［（Ｃ１２Ｈ２５Ｏ）２（ＥｔＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３］Ｓｘ［（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＥｔ）３］、［（Ｃ１２Ｈ２５Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３］Ｓｘ［（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＥｔ）３］、［（Ｃ１２Ｈ２５Ｏ）（ＥｔＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３］Ｓｘ［（ＣＨ２）３Ｓｉ（Ｃ１２Ｈ２５Ｏ）（ＯＥｔ）２］、［（Ｃ１２Ｈ２５Ｏ）２（ＥｔＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３］Ｓｘ［（ＣＨ２）３Ｓｉ（Ｃ１２Ｈ２５Ｏ）（ＯＥｔ）２］、［（Ｃ１２Ｈ２５Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３］Ｓｘ［（ＣＨ２）３Ｓｉ（Ｃ１２Ｈ２５Ｏ）（ＯＥｔ）２］、［（Ｃ１２Ｈ２５Ｏ）（ＥｔＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３］Ｓｘ［（ＣＨ２）３Ｓｉ（Ｃ１２Ｈ２５Ｏ）２（ＯＥｔ）］、［（Ｃ１２Ｈ２５Ｏ）２（ＥｔＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３］Ｓｘ［（ＣＨ２）３Ｓｉ（Ｃ１２Ｈ２５Ｏ）２（ＯＥｔ）］、［（Ｃ１２Ｈ２５Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３］Ｓｘ［（ＣＨ２）３Ｓｉ（Ｃ１２Ｈ２５Ｏ）２（ＯＥｔ）］、［（Ｃ１２Ｈ２５Ｏ）（ＥｔＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３］Ｓｘ［（ＣＨ２）３Ｓｉ（Ｃ１２Ｈ２５Ｏ）３］、［（Ｃ１２Ｈ２５Ｏ）２（ＥｔＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３］Ｓｘ［（ＣＨ２）３Ｓｉ（Ｃ１２Ｈ２５Ｏ）３］、［（Ｃ１２Ｈ２５Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３］Ｓｘ［（ＣＨ２）３Ｓｉ（Ｃ１２Ｈ２５Ｏ）３］、［（Ｃ１４Ｈ２９Ｏ）（ＥｔＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３］Ｓｘ［（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＥｔ）３］、［（Ｃ１４Ｈ２９Ｏ）２（ＥｔＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３］Ｓｘ［（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＥｔ）３］、［（Ｃ１４Ｈ２９Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３］Ｓｘ［（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＥｔ）３］、［（Ｃ１４Ｈ２９Ｏ）（ＥｔＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３］Ｓｘ［（ＣＨ２）３Ｓｉ（Ｃ１４Ｈ２９Ｏ）（ＯＥｔ）２］、［（Ｃ１４Ｈ２９Ｏ）２（ＥｔＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３］Ｓｘ［（ＣＨ２）３Ｓｉ（Ｃ１４Ｈ２９Ｏ）（ＯＥｔ）２］、［（Ｃ１４Ｈ２９Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３］Ｓｘ［（ＣＨ２）３Ｓｉ（Ｃ１４Ｈ２９Ｏ）（ＯＥｔ）２］、［（Ｃ１４Ｈ２９Ｏ）（ＥｔＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３］Ｓｘ［（ＣＨ２）３Ｓｉ（Ｃ１４Ｈ２９Ｏ）２（ＯＥｔ）］、［（Ｃ１４Ｈ２９Ｏ）２（ＥｔＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３］Ｓｘ［（ＣＨ２）３Ｓｉ（Ｃ１４Ｈ２９Ｏ）２（ＯＥｔ）］、［（Ｃ１４Ｈ２９Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３］Ｓｘ［（ＣＨ２）３Ｓｉ（Ｃ１４Ｈ２９Ｏ）２（ＯＥｔ）］、［（Ｃ１４Ｈ２９Ｏ）（ＥｔＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３］Ｓｘ［（ＣＨ２）３Ｓｉ（Ｃ１４Ｈ２９Ｏ）３］、［（Ｃ１４Ｈ２９Ｏ）２（ＥｔＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３］Ｓｘ［（ＣＨ２）３Ｓｉ（Ｃ１４Ｈ２９Ｏ）３］、［（Ｃ１４Ｈ２９Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３］Ｓｘ［（ＣＨ２）３Ｓｉ（Ｃ１４Ｈ２９Ｏ）３］、［（Ｃ１６Ｈ３３Ｏ）（ＥｔＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３］Ｓｘ［（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＥｔ）３］、［（Ｃ１６Ｈ３３Ｏ）２（ＥｔＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３］Ｓｘ［（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＥｔ）３］、［（Ｃ１６Ｈ３３Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３］Ｓｘ［（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＥｔ）３］、［（Ｃ１６Ｈ３３Ｏ）（ＥｔＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３］Ｓｘ［（ＣＨ２）３Ｓｉ（Ｃ１６Ｈ３３Ｏ）（ＯＥｔ）２］、［（Ｃ１６Ｈ３３Ｏ）２（ＥｔＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３］Ｓｘ［（ＣＨ２）３Ｓｉ（Ｃ１６Ｈ３３Ｏ）（ＯＥｔ）２］、［（Ｃ１６Ｈ３３Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３］Ｓｘ［（ＣＨ２）３Ｓｉ（Ｃ１６Ｈ３３Ｏ）（ＯＥｔ）２］、［（Ｃ１６Ｈ３３Ｏ）（ＥｔＯ）２Ｓｉ（Ｃ
Ｈ２）３］Ｓｘ［（ＣＨ２）３Ｓｉ（Ｃ１６Ｈ３３Ｏ）２（ＯＥｔ）］、［（Ｃ１６Ｈ３３Ｏ）２（ＥｔＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３］Ｓｘ［（ＣＨ２）３Ｓｉ（Ｃ１６Ｈ３３Ｏ）２（ＯＥｔ）］、［（Ｃ１６Ｈ３３Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３］Ｓｘ［（ＣＨ２）３Ｓｉ（Ｃ１６Ｈ３３Ｏ）２（ＯＥｔ）］、［（Ｃ１６Ｈ３３Ｏ）（ＥｔＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３］Ｓｘ［（ＣＨ２）３Ｓｉ（Ｃ１６Ｈ３３Ｏ）３］、［（Ｃ１６Ｈ３３Ｏ）２（ＥｔＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３］Ｓｘ［（ＣＨ２）３Ｓｉ（Ｃ１６Ｈ３３Ｏ）３］、［（Ｃ１６Ｈ３３Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３］Ｓｘ［（ＣＨ２）３Ｓｉ（Ｃ１６Ｈ３３Ｏ）３］、［（Ｃ１８Ｈ３７Ｏ）（ＥｔＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３］Ｓｘ［（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＥｔ）３］、［（Ｃ１８Ｈ３７Ｏ）２（ＥｔＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３］Ｓｘ［（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＥｔ）３］、［（Ｃ１８Ｈ３７Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３］Ｓｘ［（ＣＨ２）３Ｓｉ（ＯＥｔ）３］、［（Ｃ１８Ｈ３７Ｏ）（ＥｔＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３］Ｓｘ［（ＣＨ２）３Ｓｉ（Ｃ１８Ｈ３７Ｏ）（ＯＥｔ）２］、［（Ｃ１８Ｈ３７Ｏ）２（ＥｔＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３］Ｓｘ［（ＣＨ２）３Ｓｉ（Ｃ１８Ｈ３７Ｏ）（ＯＥｔ）２］、［（Ｃ１８Ｈ３７Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３］Ｓｘ［（ＣＨ２）３Ｓｉ（Ｃ１８Ｈ３７Ｏ）（ＯＥｔ）２］、［（Ｃ１８Ｈ３７Ｏ）（ＥｔＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３］Ｓｘ［（ＣＨ２）３Ｓｉ（Ｃ１８Ｈ３７Ｏ）２（ＯＥｔ）］、［（Ｃ１８Ｈ３７Ｏ）２（ＥｔＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３］Ｓｘ［（ＣＨ２）３Ｓｉ（Ｃ１８Ｈ３７Ｏ）２（ＯＥｔ）］、［（Ｃ１８Ｈ３７Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３］Ｓｘ［（ＣＨ２）３Ｓｉ（Ｃ１８Ｈ３７Ｏ）２（ＯＥｔ）］、［（Ｃ１８Ｈ３７Ｏ）（ＥｔＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３］Ｓｘ［（ＣＨ２）３Ｓｉ（Ｃ１８Ｈ３７Ｏ）３］、［（Ｃ１８Ｈ３７Ｏ）２（ＥｔＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３］Ｓｘ［（ＣＨ２）３Ｓｉ（Ｃ１８Ｈ３７Ｏ）３］又は［（Ｃ１８Ｈ３７Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３］Ｓｘ［（ＣＨ２）３Ｓｉ（Ｃ１８Ｈ３７Ｏ）３］。
【００１３】
ビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィドは、一般式Ｉの種々のビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィドからなる混合物であってよく、そしてｘ＝１〜１４、有利にはｘ＝１〜８、特に有利にはｘ＝２〜２．８の平均組成を有してよい。短い硫黄鎖が好ましいことがあるのは、該硫黄鎖はＨ２との反応の際に、僅かな気体状副生成物しか形成しないからである。
【００１４】
ビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィドとして、デグサＡＧ社のＳｉ ２６６、Ｓｉ ２６６／２、Ｓｉ ２６１、Ｓｉ ７５及びＳｉ ６９、Ｇｅｎｅｒａｌ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ−Ｏｓｉ社のＳｉｌｑｕｅｓｔ Ａ １５８９、Ｓｉｌｑｕｅｓｔ Ａ １２８９又はＳｉｌｑｕｅｓｔ Ａ １５３０４、信越化学株式会社のＫＢＥ ８４６又はＫＢＥ ８５６、ダイソー株式会社のＣａｂｒｕｓ ４、Ｃａｂｒｕｓ ２Ａ又はＣａｂｒｕｓ ２Ｂ、又は、Ｈｕｎｇ Ｐａｉ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｐａｎｙ社のＨＰ ６６９又はＨＰ １５８９を使用してよい。
【００１５】
ビス（アルコキシシリル）ポリスルフィドは、製法により０．０１〜５質量％の３−クロロオルガニル（アルコキシシラン）を含有してよい。
【００１６】
ビス（アルコキシシリル）ポリスルフィドは、製法により０．００１〜１質量％の元素の硫黄を含有してよい。
【００１７】
ビス（アルコキシシリル）ポリスルフィドは、製法により０．００１〜１質量％のアルコールを含有してよい。
【００１８】
形成されるメルカプトオルガニル（アルコキシシラン）は、一般式（ＩＩ）
Ｚ−Ａ−ＳＨ      （ＩＩ）
［式中、Ｚ及びＡはそれぞれ互いに無関係に式（Ｉ）による意味を有する］の化合物であってよい。
【００１９】
基Ｚは、式ＩＩにおいては、有利には−Ｓｉ（ＯＭｅ）３、−Ｓｉ（ＯＭｅ）２ＯＨ、−Ｓｉ（ＯＭｅ）（ＯＨ）２、−Ｓｉ（ＯＥｔ）３、−Ｓｉ（ＯＥｔ）２ＯＨ、−Ｓｉ（ＯＥｔ）（ＯＨ）２、−ＳｉＭｅ（ＯＭｅ）２、−ＳｉＭｅ（ＯＥｔ）２、−ＳｉＭｅ（ＯＨ）２、−ＳｉＭｅ２（ＯＭｅ）、−ＳｉＭｅ２（ＯＥｔ）、−ＳｉＭｅ２（ＯＨ）、−Ｓｉ［−Ｏ（ＣＯ）ＣＨ３］３、−Ｓｉ（ＯＣ１２Ｈ２５）３、−Ｓｉ（ＯＣ１４Ｈ２９）３、−Ｓｉ（ＯＣ１６Ｈ３３）３、−Ｓｉ（ＯＣ１８Ｈ３７）３、−Ｓｉ（ＯＣ１４Ｈ２９）２（ＯＣ１６Ｈ３３）、−Ｓｉ（ＯＣ１４Ｈ２９）２（ＯＣ１８Ｈ３７）、−Ｓｉ（ＯＣ１６Ｈ３３）２（ＯＣ１４Ｈ２９）、−Ｓｉ（ＯＣ１６Ｈ３３）２（ＯＣ１８Ｈ３７）、−Ｓｉ（ＯＣ１８Ｈ３７）２（ＯＣ１６Ｈ３３）、−Ｓｉ（ＯＣ１４Ｈ２９）（ＯＣ１８Ｈ３７）２又は−Ｓｉ（ＯＣＨ２−ＣＨ２−）３Ｎあってよい。
【００２０】
形成されるメルカプトオルガニル（アルコキシシラン）は、一般式（ＩＩ）の化合物の混合物であってよい。
【００２１】
例えば、一般式（ＩＩ）のメルカプトオルガニル（アルコキシシラン）は以下のものであってよい：
３−メルカプトプロピル（トリメトキシシラン）、
３−メルカプトプロピル（ジメトキシヒドロキシシラン）、
３−メルカプトプロピル（トリエトキシシラン）、
３−メルカプトプロピル（ジエトキシヒドロキシシラン）、
３−メルカプトプロピル（ジエトキシメトキシシラン）、
３−メルカプトプロピル（トリプロポキシシラン）、
３−メルカプトプロピル（ジプロポキシメトキシシラン）、
３−メルカプトプロピル（ジプロポキシヒドロキシシラン）、
３−メルカプトプロピル（トリドデカンオキシシラン）、
３−メルカプトプロピル（ジドデカンオキシヒドロキシシラン）、
３−メルカプトプロピル（トリテトラデカンオキシシラン）、
３−メルカプトプロピル（トリヘキサデカンオキシシラン）、
３−メルカプトプロピル（トリオクタデカンオキシシラン）、
３−メルカプトプロピル（ジドデカンオキシ）テトラデカンオキシシラン、
３−メルカプトプロピル（ドデカンオキシ）テトラデカンオキシ（ヘキサデカンオキシ）シラン、
３−メルカプトプロピル（ジメトキシメチルシラン）、
３−メルカプトプロピル（メトキシメチルヒドロキシシラン）、
３−メルカプトプロピル（メトキシジメチルシラン）、
３−メルカプトプロピル（ヒドロキシジメチルシラン）、
３−メルカプトプロピル（ジエトキシメチルシラン）、
３−メルカプトプロピル（エトキシヒドロキシメチルシラン）、
３−メルカプトプロピル（エトキシジメチルシラン）、
３−メルカプトプロピル（ジプロポキシメチルシラン）、
３−メルカプトプロピル（プロポキシメチルヒドロキシシラン）、
３−メルカプトプロピル（プロポキシジメチルシラン）、
３−メルカプトプロピル（ジイソプロポキシメチルシラン）、
３−メルカプトプロピル（イソプロポキシジメチルシラン）、
３−メルカプトプロピル（ジブトキシメチルシラン）、
３−メルカプトプロピル（ブトキシジメチルシラン）、
３−メルカプトプロピル（ジイソブトキシメチルシラン）、
３−メルカプトプロピル（イソブトキシメチルヒドロキシシラン）、
３−メルカプトプロピル（イソブトキシジメチルシラン）、
３−メルカプトプロピル（ジドデカンオキシメチルシラン）、
３−メルカプトプロピル（ドデカンオキシジメチルシラン）、
３−メルカプトプロピル（ジテトラデカンオキシメチルシラン）、
３−メルカプトプロピル（テトラデカンオキシメチルヒドロキシシラン）、
３−メルカプトプロピル（テトラデカンオキシジメチルシラン）、
３−メルカプトエチル（トリメトキシシラン）、
３−メルカプトエチル（トリエトキシシラン）、
３−メルカプトエチル（ジエトキシメトキシシラン）、
３−メルカプトエチル（トリプロポキシシラン）、
３−メルカプトエチル（ジプロポキシメトキシシラン）、
３−メルカプトエチル（トリドデカンオキシシラン）、
３−メルカプトエチル（トリテトラデカンオキシシラン）、
３−メルカプトエチル（トリヘキサデカンオキシシラン）、
２−メルカプトエチル（トリオクタデカンオキシシラン）、
２−メルカプトエチル（ジドデカンオキシ）テトラデカンオキシシラン、
２−メルカプトエチル（ドデカンオキシ）テトラデカンオキシ（ヘキサデカンオキシ）シラン、
２−メルカプトエチル（ジメトキシメチルシラン）、
２−メルカプトエチル（メトキシメチルヒドロキシシラン）、
２−メルカプトエチル（メトキシジメチルシラン）、
２−メルカプトエチル（ジエトキシメチルシラン）、
２−メルカプトエチル（エトキシジメチルシラン）、
２−メルカプトエチル（ヒドロキシジメチルシラン）、
１−メルカプトメチル（トリメトキシシラン）、
１−メルカプトメチル（トリエトキシシラン）、
１−メルカプトメチル（ジエトキシメトキシシラン）、
１−メルカプトメチル（ジエトキシヒドロキシシラン）、
１−メルカプトメチル（ジプロポキシメトキシシラン）、
１−メルカプトメチル（トリプロポキシシラン）、
１−メルカプトメチル（トリメトキシシラン）、
１−メルカプトメチル（ジメトキシメチルシラン）、
１−メルカプトメチル（メトキシジメチルシラン）、
１−メルカプトメチル（ジエトキシメチルシラン）、
１−メルカプトメチル（エトキシメチルヒドロキシシラン）、
１−メルカプトメチル（エトキシジメチルシラン）、
３−メルカプトブチル（トリメトキシシラン）、
３−メルカプトブチル（トリエトキシシラン）、
３−メルカプトブチル（ジエトキシメトキシシラン）、
３−メルカプトブチル（トリプロポキシシラン）、
３−メルカプトブチル（ジプロポキシメトキシシラン）、
３−メルカプトブチル（ジメトキシメチルシラン）、
３−メルカプトブチル（ジエトキシメチルシラン）、
３−メルカプトブチル（ジメチルメトキシシラン）、
３−メルカプトブチル（ジメチルエトキシシラン）、
３−メルカプトブチル（ジメチルヒドロキシシラン）、
３−メルカプトブチル（トリドデカンオキシシラン）、
３−メルカプトブチル（トリテトラデカンオキシシラン）、
３−メルカプトブチル（トリヘキサデカンオキシシラン）、
３−メルカプトブチル（ジドデカンオキシ）テトラデカンオキシシラン、
３−メルカプトブチル（ドデカンオキシ）テトラデカンオキシ（ヘキサデカンオキシ）シラン、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（トリメトキシシラン）、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（トリエトキシシラン）、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（ジエトキシメトキシシラン）、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（トリプロポキシシラン）、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（ジプロポキシメトキシシラン）、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（トリドデカンオキシシラン）、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（トリテトラデカンオキシシラン）、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（トリヘキサデカンオキシシラン）、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（トリオクタデカンオキシシラン）、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（ジドデカンオキシ）テトラデカンオキシシラン、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（ドデカンオキシ）テトラデカンオキシ（ヘキサデカンオキシ）シラン、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（ジメトキシメチルシラン）、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（メトキシジメチルシラン）、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（ジエトキシメチルシラン）、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（エトキシジメチルシラン）、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（ヒドロキシジメチルシラン）、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（ジプロポキシメチルシラン）、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（プロポキシジメチルシラン）、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（ジイソプロポキシメチルシラン）、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（イソプロポキシジメチルシラン）、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（ジブトキシメチルシラン）、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（ブトキシジメチルシラン）、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（ジイソブトキシメチルシラン）、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（イソブトキシジメチルシラン）、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（ジドデカンオキシメチルシラン）、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（ドデカンオキシジメチルシラン）、
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（ジテトラデカンオキシメチルシラン）、又は
３−メルカプト−２−メチル−プロピル（テトラデカンオキシジメチルシラン）、
［（Ｃ９Ｈ１９Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）２］（ＭｅＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ９Ｈ１９Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）３］（ＭｅＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ９Ｈ１９Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）４］（ＭｅＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ９Ｈ１９Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）５］（ＭｅＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ９Ｈ１９Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）６］（ＭｅＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１２Ｈ２５Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）２］（ＭｅＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１２Ｈ２５Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）３］（ＭｅＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１２Ｈ２５Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）４］（ＭｅＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１２Ｈ２５Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）５］（ＭｅＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１２Ｈ２５Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）６］（ＭｅＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１３Ｈ２７Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）２］（ＭｅＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１３Ｈ２７Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）３］（ＭｅＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１３Ｈ２７Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）４］（ＭｅＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１３Ｈ２７Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）５］（ＭｅＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１３Ｈ２７Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）６］（ＭｅＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１４Ｈ２９Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）２］（ＭｅＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１４Ｈ２９Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）３］（ＭｅＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１４Ｈ２９Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）４］（ＭｅＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１４Ｈ２９Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）５］（ＭｅＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１４Ｈ２９Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）６］（ＭｅＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ９Ｈ１９Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）２］２（ＭｅＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ９Ｈ１９Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）３］２（ＭｅＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ９Ｈ１９Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）４］２（ＭｅＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ９Ｈ１９Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）５］２（ＭｅＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ９Ｈ１９Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）６］２（ＭｅＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１２Ｈ２５Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）２］２（ＭｅＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１２Ｈ２５Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）３］２（ＭｅＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１２Ｈ２５Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）４］２（ＭｅＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１２Ｈ２５Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）５］２（ＭｅＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１２Ｈ２５Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）６］２（ＭｅＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１３Ｈ２７Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）２］２（ＭｅＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１３Ｈ２７Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）３］２（ＭｅＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１３Ｈ２７Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）４］２（ＭｅＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１３Ｈ２７Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）５］２（ＭｅＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１３Ｈ２７Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）６］２（ＭｅＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１４Ｈ２９Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）２］２（ＭｅＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１４Ｈ２９Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）３］２（ＭｅＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１４Ｈ２９Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）４］２（ＭｅＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１４Ｈ２９Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）５］２（ＭｅＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１４Ｈ２９Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）６］２（ＭｅＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ９Ｈ１９Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）２］（ＥｔＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ９Ｈ１９Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）３］（ＥｔＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ９Ｈ１９Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）４］（ＥｔＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ９Ｈ１９Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）５］（ＥｔＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ９Ｈ１９Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）６］（ＥｔＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１２Ｈ２５Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）２］（ＥｔＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１２Ｈ２５Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）３］（ＥｔＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１２Ｈ２５Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）４］（ＥｔＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１２Ｈ２５Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）５］（ＥｔＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１２Ｈ２５Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）６］（ＥｔＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１３Ｈ２７Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）２］（ＥｔＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１３Ｈ２７Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）３］（ＥｔＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１３Ｈ２７Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）４］（ＥｔＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１３Ｈ２７Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）５］（ＥｔＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１３Ｈ２７Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）６］（ＥｔＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１４Ｈ２９Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）２］（ＥｔＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１４Ｈ２９Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）３］（ＥｔＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１４Ｈ２９Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）４］（ＥｔＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１４Ｈ２９Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）５］（ＥｔＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１４Ｈ２９Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）６］（ＥｔＯ）２Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ９Ｈ１９Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）２］２（ＥｔＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ９Ｈ１９Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）３］２（ＥｔＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ９Ｈ１９Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）４］２（ＥｔＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ９Ｈ１９Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）５］２（ＥｔＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、 
［（Ｃ９Ｈ１９Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）６］２（ＥｔＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１２Ｈ２５Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）２］２（ＥｔＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１２Ｈ２５Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）３］２（ＥｔＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１２Ｈ２５Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）４］２（ＥｔＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１２Ｈ２５Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）５］２（ＥｔＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１２Ｈ２５Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）６］２（ＥｔＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１３Ｈ２７Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）２］２（ＥｔＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１３Ｈ２７Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）３］２（ＥｔＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１３Ｈ２７Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）４］２（ＥｔＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１３Ｈ２７Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）５］２（ＥｔＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１３Ｈ２７Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）６］２（ＥｔＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１４Ｈ２９Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）２］２（ＥｔＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１４Ｈ２９Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）３］２（ＥｔＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１４Ｈ２９Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）４］２（ＥｔＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１４Ｈ２９Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）５］２（ＥｔＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１４Ｈ２９Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）６］２（ＥｔＯ）Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ９Ｈ１９Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）２］３Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ９Ｈ１９Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）３］３Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ９Ｈ１９Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）４］３Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ９Ｈ１９Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）５］３Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ９Ｈ１９Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）６］３Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１２Ｈ２５Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）２］３Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１２Ｈ２５Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）３］３Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１２Ｈ２５Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）４］３Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１２Ｈ２５Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）５］３Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１２Ｈ２５Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）６］３Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１３Ｈ２７Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）２］３Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１３Ｈ２７Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）３］３Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１３Ｈ２７Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）４］３Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１３Ｈ２７Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）５］３Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１３Ｈ２７Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）６］３Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１４Ｈ２９Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）２］３Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１４Ｈ２９Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）３］３Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１４Ｈ２９Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）４］３Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１４Ｈ２９Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）５］３Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、
［（Ｃ１４Ｈ２９Ｏ−（ＣＨ２−ＣＨ２Ｏ）６］３Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ、又は
ＨＳ−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ２−Ｓｉ（ＯＣＨ２−ＣＨ２−）３Ｎ。
【００２２】
その水素化は、１〜９９バール、有利には１〜８０バール、特に有利には１〜４９バール、殊に有利には１〜３５バールの過圧の水素圧で実施してよい。
【００２３】
その水素化は、１００〜１８５℃、有利には１０５〜１７５℃、特に有利には１１０〜１６５℃、殊に有利には１２０〜１５５℃の温度で実施してよい。
【００２４】
完全な水素化のための反応時間は、３００分未満、有利には２７０分未満、特に有利には２４０分未満、殊に有利には２１０分未満であってよい。
【００２５】
反応混合物には、反応前、反応中又は反応完了時に添加剤を添加してよい。
【００２６】
添加剤は、使用される触媒の寿命の延長をもたらすことができる。添加剤は、使用される触媒のより簡単な又は改善された取り扱いをもたらしうる。添加剤は、使用される触媒の再利用性を高めることができる。添加剤は、本方法の経済性を改善することができる。
【００２７】
添加剤は、硫黄有機化合物、チタンアルコキシラート、アミン、有機もしくは無機の酸又は塩基又はそれらの混合物であってよい。
【００２８】
添加剤は、カルボン酸、ＤＭＳＯ、モノアルキルアミン、ジアルキルアミン又はトリアルキルアミンであってよい。添加剤は、Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４又はＴｉ（ＯＣ３Ｈ７）４であってよい。
【００２９】
遷移金属触媒は、触媒活性成分がニッケル、コバルト、ロジウム、ルテニウム、パラジウム、イリジウム又は白金からなる触媒であってよい。
【００３０】
触媒活性成分は、更にドープされていても、もしくは付加的な成分、例えば
アルカリ金属、有利にはＬｉ、Ｎａ、Ｋ又はＲｂ、
アルカリ土類金属、有利にはＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ又はＢａ、
第３主族の元素、有利にはＢ、Ａｌ、Ｇａ又はＩｎ、
第４主族の元素、有利にはＣ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ又はＰｂ、
第５主族の元素、有利にはＮ、Ｐ、Ａｓ又はＳｂ、
第６主族の元素、有利にはＯ、Ｓ、Ｓｅ又はＴｅ、
第７主族の元素、有利にはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ又はＩ、又は
副族元素、有利にはＳｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ又はＣｄ
を含有してよい。
【００３１】
有利なドーピング成分は、水酸化物、酸化物、ハロゲン化物、例えばフッ化物、塩化物、臭化物又はヨウ化物、硫化物又は窒化物であってよい。
【００３２】
ドープされた遷移金属触媒は、ドーピング成分として、有利にはＦｅ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ又はＩｒの水素化物、酸化物、ハロゲン化物、硫化物及び／又は窒化物を含有してよい。
【００３３】
ドープされた遷移金属触媒は、ラネー型で、遷移金属及び／又は遷移金属化合物、例えばモリブデンでドープされた多孔質の骨格触媒であってよい。
【００３４】
ドープされた遷移金属触媒は、ラネー型で、遷移金属及び／又は遷移金属化合物、例えばモリブデンでドープされた多孔質の活性化金属触媒であってよい。ドープされた遷移金属触媒は、有利には、ラネー型で、遷移金属及び／又は遷移金属化合物、例えばモリブデンでドープされた活性化ニッケル金属触媒であってよい。
【００３５】
ドーピング成分の質量割合（元素として又は化学化合物として存在して）は、ドープされる遷移金属触媒の質量に対して、０．００００１〜８０質量％、有利には０．０００１〜５０質量％、特に有利には０．００１〜１５質量％、殊に有利には０．０１〜７．５質量％であってよい。
【００３６】
触媒活性成分は、周知慣用の触媒担体材料、例えば珪藻土、炭素、活性炭、ケイ酸、キーゼルグール、クレー又はアルミノケイ酸塩の１つに施与されていてよい。
【００３７】
触媒活性成分は、微細な非担持の活性化金属からなってよい。非担持の活性化金属は、固体として、懸濁液中で又はワックス又は油中に埋包させて使用してよい。
【００３８】
触媒活性金属に対する触媒濃度は、１ｇのビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィドあたり０．０００１〜１ミリモルであってよい。
【００３９】
有利には、活性金属としてのコバルトについては、触媒活性金属に対する触媒濃度は１ｇのビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィドあたり０．００１〜１ミリモル、特に有利には０．００８〜０．５ミリモル、殊に有利には０．０１〜０．１ミリモルであってよい。
【００４０】
有利には、活性金属としてのニッケルについては、触媒活性金属に対する触媒濃度は１ｇのビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィドあたり０．００１〜１ミリモル、特に有利には０．０１〜１ミリモル、殊に有利には０．１〜０．９ミリモルであってよい。
【００４１】
有利には、活性金属としてのルテニウムについては、触媒活性金属に対する触媒濃度は１ｇのビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィドあたり０．００１〜１ミリモル、特に有利には０．００５〜０．５ミリモル、殊に有利には０．００５〜０．３ミリモルであってよい。
【００４２】
有利には、活性金属としてのロジウムについては、触媒活性金属に対する触媒濃度は１ｇのビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィドあたり０．００１〜１ミリモル、特に有利には０．００５〜０．５ミリモル、殊に有利には０．００５〜０．１ミリモルであってよい。
【００４３】
有利には、活性金属としてのパラジウムについては、触媒活性金属に対する触媒濃度は１ｇのビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィドあたり０．００１〜１ミリモル、特に有利には０．００５〜１ミリモル、殊に有利には０．０５〜０．３ミリモルであってよい。
【００４４】
有利には、活性金属としてのイリジウムについては、触媒活性金属に対する触媒濃度は１ｇのビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィドあたり０．００１〜１ミリモル、特に有利には０．００５〜０．５ミリモル、殊に有利には０．００５〜０．１ミリモルであってよい。
【００４５】
有利には、活性金属としての白金については、触媒活性金属に対する触媒濃度は１ｇのビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィドあたり０．００１〜１ミリモル、特に有利には０．００５〜０．５ミリモル、殊に有利には０．００５〜０．１ミリモルであってよい。
【００４６】
所定の温度Ｔ及び一定圧力ｐでの水素化分解の速度の比較のためのパラメータとして、“出発材料の転化率”／“ミリモル（触媒金属）”／“分”の関係によって定量的に表現できる転化率を用いることができる。
【００４７】
転化率は、０．００１〜１０ｇ（ビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィド）／１ミリモル（触媒活性金属）／分であってよい。
【００４８】
有利には、活性金属としてのコバルトについて、転化率は、０．００１〜１０ｇ、特に有利には０．０１〜１０ｇ、殊に有利には０．１〜５ｇ（ビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィド）／１ミリモル（触媒活性金属）／分であってよい。
【００４９】
有利には、活性金属としてのニッケルについて、転化率は、０．００１〜１０ｇ、特に有利には０．００１〜１０ｇ、殊に有利には０．１〜５ｇ（ビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィド）／１ミリモル（触媒活性金属）／分であってよい。
【００５０】
有利には、活性金属としてのルテニウムについて、転化率は、０．０１〜１０ｇ、特に有利には０．１〜５ｇ、殊に有利には０．２〜２ｇ（ビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィド）／１ミリモル（触媒活性金属）／分であってよい。
【００５１】
有利には、活性金属としてのロジウムについて、転化率は、０．００１〜１０ｇ、特に有利には０．１〜５ｇ、殊に有利には０．２〜３ｇ（ビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィド）／１ミリモル（触媒活性金属）／分であってよい。
【００５２】
有利には、活性金属としてのパラジウムについて、転化率は、０．００１〜１０ｇ、特に有利には０．１１〜５ｇ、殊に有利には０．１５〜３ｇ（ビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィド）／１ミリモル（触媒活性金属）／分であってよい。
【００５３】
有利には、活性金属としてのイリジウムについて、転化率は、０．０１〜１０ｇ、特に有利には０．１〜５ｇ、殊に有利には０．１５〜３ｇ（ビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィド）／１ミリモル（触媒活性金属）／分であってよい。
【００５４】
有利には、活性金属としての白金について、転化率は、０．０１〜１０ｇ、特に有利には０．１〜５ｇ、殊に有利には０．１５〜３ｇ（ビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィド）／１ミリモル（触媒活性金属）／分であってよい。
【００５５】
所定の温度Ｔ及び一定圧力ｐでの水素化分解の速度の比較のためのパラメータとして、“形成された生成物のミリモル数”／“触媒活性金属”／“分”の関係によって定量的に表現できるモル転化率を用いることができる。
【００５６】
モル転化率は、０．００１〜５０ミリモル（メルカプトオルガニル（アルコキシシラン））／１ミリモル（触媒活性金属）／分であってよい。
【００５７】
有利には、鉄、ニッケル、コバルト、ルテニウム、ロジウム、白金、イリジウム又はパラジウムを含有する遷移金属触媒について、モル転化率は、０．００１〜５０ミリモル、有利には０．０１〜４０ミリモル、特に有利には０．０５〜３０ミリモル、殊に有利には０．１〜２０ミリモル（メルカプトオルガニル（アルコキシシラン））／１ミリモル（含まれる第ＶＩＩＩ族の遷移金属）／分であってよい。
【００５８】
本発明による方法により、９０質量％より多く、有利には９２質量％より多く、特に有利には９４質量％より多く、殊に有利には９６質量％より多くの使用したビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィドをメルカプトオルガニル（アルコキシシラン）に転化させることができる。
【００５９】
本発明による方法により、含まれるビス（アルコキシシリルオルガニル）モノスルフィドの相対割合（モル％）は一定に保つことができる。
【００６０】
本発明による方法により、含まれるビス（アルコキシシリルオルガニル）モノスルフィドの相対割合（モル％）を高めることができる。
【００６１】
本発明による方法により、含まれるビス（アルコキシシリルオルガニル）モノスルフィドの相対割合（モル％）が低下することがある。
【００６２】
本発明による方法では、出発材料中に含まれるビス（アルコキシシリルオルガニル）モノスルフィドの相対割合は、＜１０質量％、有利には＜８質量％、特に有利には＜６質量％、殊に有利には＜４質量％であってよい。
【００６３】
本発明による方法は、回分法又は連続法であってよい。
【００６４】
回分法は、例えば撹拌オートクレーブ又はバス反応器（Buss-Reaktor）中でのスラリー法又は懸濁液法であってよい。
【００６５】
連続法は、連続的な液体供給及びガス供給を伴うスラリー法であってよい。
【００６６】
連続法では、気／液／固−反応のための公知の反応器を使用できる。固定床反応器のための典型的な代替物は、トリクルベッド反応器及び液相反応器であってよく、懸濁液反応器のための典型的な代替は、撹拌槽、気泡塔及び流動床である。
【００６７】
これらの転化率は、資源集約型の緩慢な反応条件にも拘わらず、今まで先行技術から知られていた＜１００バールについての転化率と比較してより良好であるか、少なくとも同じである。
【００６８】
被毒防止試薬、例えば水、アルコール及びＨ２Ｓを省くことによる水素化の不利な弊害は確認できない。
【００６９】
本発明による方法では、公知の触媒に対して緩慢な条件下でより高い活性を達成することができる。０．４２ｇ（ビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィド）／ミリモル（触媒金属）／分までの転化率を得ることができる。この高い転化率は、温度及び圧力に関してより緩慢な反応条件下でさえも意想外にも得ることができる。より高い転化率によって、空時収量がかなり改善されるだけでなく、メルカプトオルガニル（アルコキシシラン）をＨ２による還元的分解によってビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィドから製造するためのエネルギー消費比も低くなる。エネルギー消費が低くなり、そして反応条件がより緩慢になることで、設備に課される要求が低くなり、とりわけ摩耗が少なくなる。メルカプトオルガニル（アルコキシシラン）の製造時のエネルギー消費をより低減させることによって、工程のエネルギー収支が改善され、そして環境への負荷も低くなる。
【実施例】
【００７０】
第１表では、ＵＳ６，４３３，２０６号からの比較例をめとめている。ポリスルファンシランとして、詳細に特定されていないが、主にビス（３−トリエトキシシリルプロピル）ジスルフィドを含有するジスルファンシラン混合物が使用される。副生成物の形成などは報告されない。
【００７１】
第１表
【００７２】
【表１】
2006077008.tif 000002
【００７３】
第２表及び第３表では、ジスルファンシランを基礎とする本発明による実施例をまとめている。油浴により加熱される８機の並列のオートクレーブからなり、それらの反応器容量が２０ｍｌであり、かつ錨形状のマグネットスターラーを備え、それが反応器中央に存在する固定軸上を１３００回転／分で回転する、Ｃｈｅｍｓｃａｎ社製の装置中で、第２表及び第３表中の条件に従いＳｉ２６６（デグサＡＧ社製の市販製品／［ビス（アルコキシシリルオルガニル）ジスルフィド］）を接触水素化する。該反応を指示された時間後に完了させる。
【００７４】
第２表及び第３表中の欄“生成物組成”では、成分として、メルカプトプロピル（トリエトキシシラン）、ビス（トリエトキシシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（トリエトキシシリルプロピル）トリスルフィド及びビス（トリエトキシシリルプロピル）テトラスルフィドだけが考慮される。ビス（トリエトキシシリルプロピル）モノスルフィド及び３−クロロプロピル（トリエトキシシラン）は無視する。
【００７５】
挙げられる生成物組成は、１Ｈ−ＮＭＲによって測定する。
【００７６】
該試験に使用されるＳｉ２６６は、ＧＣ／ＨＰＬＣとＮＭＲ−分析との組合せによれば
１．７質量％のビス（トリエトキシシリルプロピル）モノスルフィド、
８４質量％のビス（トリエトキシシリルプロピル）ジスルフィド、
１２質量％のビス（トリエトキシシリルプロピル）トリスルフィド及び
１質量％のビス（トリエトキシシリルプロピル）テトラスルフィド
を含有する。
【００７７】
測定されたポリスルファン混合物の平均鎖長は、約２．１４（Ｓ２〜Ｓ１０の平均値を考慮したにすぎない）である。使用されるＳｉ２６６中には、０．８質量％の３−クロロプロピル（トリエトキシシラン）が含まれている。
【００７８】
第２表
【００７９】
【表２】
2006077008.tif 000003
【００８０】
第３表
【００８１】
【表３】
2006077008.tif 000004
【００８２】
第４表において、テトラスルファンシランを基礎とする本発明による実施例をまとめている。油浴により加熱される８機の並列のオートクレーブからなり、それらの反応器容量が２０ｍｌであり、かつ錨形状のマグネットスターラーを備え、それが反応器中央に存在する固定軸上を１３００回転／分で回転する、Ｃｈｅｍｓｃａｎ社製の装置中で、第４表中の条件に従いＳｉ６９（デグサＡＧ社製の市販製品／［ビス（アルコキシシリルオルガニル）テトラスルフィド］）を接触水素化する。
【００８３】
該反応を指示された時間後に完了させる。
【００８４】
第４表中の欄“生成物組成”では、成分としての、メルカプトプロピル（トリエトキシシラン）、ビス（トリエトキシシリルプロピル）ジスルフィド、ビス（トリエトキシシリルプロピル）トリスルフィド及びビス（トリエトキシシリルプロピル）テトラスルフィドだけが考慮される。ビス（トリエトキシシリルプロピル）モノスルフィド及び３−クロロプロピル（トリエトキシシラン）は無視する。
【００８５】
挙げられる生成物組成は、１Ｈ−ＮＭＲによって測定する。
【００８６】
該試験に使用されるＳｉ６９は、ＧＣ／ＨＰＬＣとＮＭＲ−分析との組合せによれば
０．１質量％のビス（トリエトキシシリルプロピル）モノスルフィド、
１７質量％のビス（トリエトキシシリルプロピル）ジスルフィド、
２７質量％のビス（トリエトキシシリルプロピル）トリスルフィド、
２５質量％のビス（トリエトキシシリルプロピル）テトラスルフィド及び
約２９質量％の、ｘが５以上の−Ｓｘ−を有するビス（トリエトキシシリルプロピル）ポリスルフィド
を含有する。
【００８７】
測定されたポリスルファン混合物の平均鎖長は３．７５である。Ｓｉ６９中には、１．４質量％の３−クロロプロピル（トリエトキシシリル）が含まれている。
【００８８】
第４表
【００８９】
【表４】
2006077008.tif 000005
【００９０】
前記の表中に含まれる略語は以下のものを意味する：
ＳＨ＝３−メルカプトプロピル（トリエトキシシラン）、
Ｓ２＝ビス（トリエトキシシリルプロピル）ジスルフィド、
Ｓ３＝ビス（トリエトキシシリルプロピル）トリスルフィド、
Ｓ４＝ビス（トリエトキシシリルプロピル）テトラスルフィド。
【００９１】
Ｓｉ６９［ビス（アルコキシシリルオルガニル）テトラスルフィド］及びＳｉ２６６［ビス（アルコキシシリルオルガニル）ジスルフィド］は、デグサＡＧ社の市販のビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィドである。
【００９２】
Ｈ １０５ ＢＡ／Ｗ ５％ Ｒｕ、Ｅ １０５ ＲＳ／Ｗ ５％ Ｐｄ、ＣＥ １０５ Ｒ／Ｗ ５％ Ｐｄ ＋ ０，５％ Ｍｏ、Ｅ １０５ Ｙ／Ｗ ５％ Ｐｄ並びにＢ １１１ Ｗと略記された触媒はデグサＡＧ社から購入する。
【００９３】
コード番号Ｈ １０５ ＢＡ／Ｗ ５％ Ｒｕを有する触媒、コード番号Ｅ １０５ ＲＳ／Ｗ ５％ Ｐｄを有する触媒、コード番号ＣＥ １０５ Ｒ／Ｗ ５％ Ｐｄ＋０．５％ Ｍｏを有する触媒及びコード番号Ｅ １０５ Ｙ／Ｗ ５％ Ｐｄを有する触媒は、貴金属成分、例えばルテニウム又はパラジウムを多孔質の高表面積の担体材料上に施与することによって製造される貴金属粉末触媒である。貴金属成分の割合は、この場合に触媒の乾燥質量に対して５質量％である。触媒は、粉末形で流動性の固体として使用される。前記の触媒は活性炭上に担持されている。
【００９４】
コード番号Ｂ １１１ Ｗを有する触媒は、微細な元素ニッケルを水溶液中に懸濁させることによって製造される活性化金属触媒である。該触媒は、金属成分の分離後に粉末形の固体として使用される。
【００９５】
触媒Ｇ−９６ Ｂ及びＴ ８０２７はＳｕｅｄ−Ｃｈｅｍｉｅ ＡＧ社の市販製品である。
【００９６】
触媒Ｇ−９６Ｂは６６％のニッケルとアルカリ性促進剤とを含有する。
【００９７】
触媒Ｔ８０２７は５２％のニッケルと２．４％のジルコニウムを含有する。
【００９８】
生成物の分析のためには、とりわけＢｒｕｋｅｒ社のＤＲＸ５００ＮＭＲ装置を当業者に公知の通則及び使用上の指示に従って使用する。測定周波数は２９Ｓｉ核については９９．３５ＭＨｚであり、そして１Ｈ核については５００．１３ＭＨｚである。参照としてテトラメチルシラン（ＴＭＳ）を用いる。
【００９９】
ビス（アルコキシシリルオルガニル）ポリスルフィド及びメルカプトオルガニル（アルコキシシラン）及びその混合物の分析はＧＣ、ＨＰＬＣ及びＮＭＲによって行ってよい（U. Goerl, J. Muenzenberg, D. Luginsland, A. Mueller Kautschuk Gummi Kunststoffe 1999, 52(9), 588、D. Luginsland  Kautschuk Gummi Kunststoffe 2000, 53(1-2), 10又はM. W. Backer et al, Polmer Preprints 2003, 44(1), 245）。
【０１００】
ＵＳ６，４３３，２０６号からの被毒防止試薬を添加しない比較例は、詳細に特定されていないジスルファンシランについて、ニッケルの場合に、１９０〜２００℃及び＜１００バールで０．０２１〜０．０３８ｇ／ミリモル／分の転化率を提供する。
【０１０１】
ＵＳ６，４３３，２０６号からの被毒防止試薬を添加しない比較例は、詳細に特定されていないジスルファンシランについて、パラジウムの場合に、１９０〜２００℃及び２３５バールで０．１０７ｇ／ミリモル／分の転化率を提供する。
【０１０２】
ルテニウムを基礎とする触媒を用いる本発明による方法は、温度及び圧力に関して緩慢な条件（最大９５バールで最大１７５℃）において０．４２ｇ／ミリモル／分の転化率を達成する。ドープされたニッケルを基礎とする触媒を用いる本発明による方法は、温度及び圧力に関して緩慢な条件（最大５５バールで最大１４３℃）において０．３８〜０．４７ｇ／ミリモル／分の転化率を達成する。ドープされたパラジウムを基礎とする触媒を用いる本発明による方法は、温度及び圧力に関して緩慢な条件（最大５０バールで１７５℃）において０．１８４ｇ／ミリモル／分の転化率を達成する。
【０１０３】
パラジウムを基礎とする触媒を用いる本発明による方法は、温度及び圧力に関して緩慢な条件（最大１０バールで１２４℃）において０．２４７ｇ／ミリモル／分の転化率を達成する。