(57)【要約】【課題】  レーザーダイオード１を高温環境下から適切に保護する。【解決手段】  トランジスタ２等を介し流れるレーザーダイオード１への供給電流値と、温度センサ１２で検出したレーザーダイオード１の周囲温度との２要素を基に、レーザーダイオード１への供給電流値が上限電流値以下であり、且つ、レーザーダイオード１の周囲温度が復帰温度Ｔ１以下のときにはレーザーダイオード１へ電流供給し、レーザーダイオード１への供給電流値が上限電流値を超えたとき、又は、レーザーダイオード１の周囲温度が保証上限温度Ｔ２を超えたときにはレーザーダイオード１への供給電流を遮断するように主制御回路１１が一定光出力制御回路９を制御し、トランジスタ２をオフする。【選択図】        図１
2006079728.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスクに照射するレーザー光を発光するレーザーダイオードと、
前記レーザーダイオードに電流を供給しレーザー光を発光させる通電回路と、
前記レーザーダイオードが発光したレーザー光の一部を受光し、受光した光量に応じた受光信号を出力するモニタダイオードと、
前記モニタダイオードからの受光信号を基に、前記レーザーダイオードの発光出力を一定に保持するように前記通電回路による電流供給を制御する一定光出力制御回路と、
前記レーザーダイオードの周囲温度を検出する温度検出回路と、
前記通電回路によるレーザーダイオードへの供給電流値と前記温度検出回路により検出したレーザーダイオードの周囲温度とを基に、前記レーザーダイオードへの供給電流値が予め設定した上限電流値以下であって、且つ、前記レーザーダイオードの周囲温度が予め設定した復帰温度以下のときには前記レーザーダイオードへ電流供給し、前記レーザーダイオードへの供給電流値が前記上限電流値を超えたとき、又は、前記レーザーダイオードの周囲温度が予め設定した保証上限温度を超えたときには前記レーザーダイオードへの供給電流を遮断するように前記一定光出力制御回路を制御する主制御回路とを備えた光ディスク装置用高温保護回路。
【請求項２】
主制御回路は、自己の光ディスク装置に使用しているレーザーダイオードの上限電流値を予め記憶させるメモリ部を備えたことを特徴とする請求項１記載の光ディスク装置用高温保護回路。
【請求項３】
主制御回路は、自己の光ディスク装置に使用しているレーザーダイオードの上限電流値を演算する演算回路と、前記演算回路で演算した上限電流値を記憶させるメモリ部とを備えたことを特徴とする請求項１記載の光ディスク装置用高温保護回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明はレーザー光を発光するレーザーダイオードを高温環境下から適切に保護するようにした光ディスク装置用高温保護回路に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
レーザーダイオードより発光されるレーザー光源を用いてディスク再生動作を行う光ディスク機器においては、周囲温度が上昇した場合、レーザーダイオードの発光効率が低下するため、所望の一定発光量を得られるように一定光出力制御回路にてレーザーダイオードへの順方向電流を増やして対応している。この場合、レーザーダイオードはその動作中において接合部の温度が上昇すると順方向電流が大きくなり、この電流値が所定値を超えた場合には劣化が急速に進行し、この結果、レーザーダイオードの寿命が著しく短縮される。このため、一般の光ディスク装置においては、レーザーダイオードの接合部温度を検知するためのサーミスタ等の温度センサをレーザーダイオードの近傍に配置し、この温度センサによる検出温度（周囲温度）が所定値以上になったときにはレーザーダイオードの接合部温度が所定値以上になったものとし、レーザーダイオードに供給される電流を遮断するようにしていた。この電流遮断は前記一定光出力制御回路を介して行われる。
【０００３】
しかし、前記温度センサの配置位置は前記「近傍」であっても機構的制限よりレーザーダイオードからある程度離れて配置せざるを得ず、このため、温度センサとレーザーダイオード間の温度勾配を考慮し、この温度勾配を考慮した温度が所定値以上になったとき、レーザーダイオードへ供給される電流を遮断していたが、上記温度勾配を一定に管理することが困難なことから温度検出の精度が低く、この結果、中には温度が所定値を超えた状態でレーザーダイオードが駆動され、寿命を著しく短縮するといったケースが発生し、レーザーダイオードが適切に保護されないという問題があった。
この問題に対処した従来の光ディスク装置用高温保護回路として、例えば以下のものがある。
【０００４】
上記従来例は、レーザーダイオードの周囲温度が所定範囲内にあるときはモニタダイオードの出力を基に該レーザーダイオードの発光出力を一定に保持し、該周囲温度の上昇に伴い該レーザーダイオードの順方向電流が所定値を超えたときは異常電流判定回路が異常状態を検知し、一定光出力制御回路を制御してレーザーダイオードへの供給電流を遮断し、これによりレーザーダイオードの特性劣化を防止するようにしている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】実開平５−６１８２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来の光ディスク装置用高温保護回路は以上のように構成され、レーザーダイオードに流れる順方向電流が所定値を超えたときにはレーザーダイオードへの供給電流を遮断するようにしたものであるが、この遮断後においてこの遮断状態を解除する場合は、再度レーザーダイオードに通電し発光させる必要がある。この場合、周囲温度が限界を超えた条件下でレーザーダイオードに通電されたり、または、この通電が不適切な条件下で行われたために通電後の直後に再び遮断状態となり、通電と遮断とが交互に繰り返されるチャタリング現象が発生し、これにより、レーザーダイオードの寿命が短縮されるという問題があった。
【０００７】
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、レーザーダイオードへの電流供給（通電）または電流遮断を適切なタイミングで行い、また、電流遮断後の遮断解除においては通電と遮断とが交互に繰り返されるチャタリング現象の発生を防止し、これにより、レーザーダイオードを高温環境下から確実に保護するようにした光ディスク装置用高温保護回路を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明に係る光ディスク装置用高温保護回路は、レーザーダイオードに電流を供給しレーザー光を発光させる通電回路と、前記発光したレーザー光の一部を受光し、受光光量に応じた受光信号を出力するモニタダイオードと、前記受光信号を基に、前記レーザーダイオードの発光出力を一定に保持するように前記通電回路を制御する一定光出力制御回路と、前記レーザーダイオードの周囲温度を検出する温度検出回路と、前記通電回路によるレーザーダイオードへの供給電流値と前記温度検出回路により検出したレーザーダイオードの周囲温度とを基に、前記レーザーダイオードへ電流を供給または遮断するように前記一定光出力制御回路を制御する主制御回路とを備えたものである。
【発明の効果】
【０００９】
この発明によれば、通電回路によるレーザーダイオードへの供給電流値および温度検出回路により検出したレーザーダイオードの周囲温度の２要素を基に、主制御回路が前記レーザーダイオードへ電流を供給または遮断するように一定光出力制御回路を制御する構成としたので、前記レーザーダイオードへの電流供給または電流遮断の処理基準が明確化され、これにより、これら電流供給または電流遮断が適切なタイミングで行われ、また、通電と遮断とが交互に繰り返されるチャタリング現象の発生が防止され、この結果、レーザーダイオードを高温環境下および過大電流から確実に保護し、レーザーダイオードの特性劣化または破壊等を未然に防止して長寿命化を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、この発明の実施の一形態を説明する。
実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１による光ディスク装置用高温保護回路の構成を示す回路図である。
図１において、ディスクに照射するレーザー光を発光するレーザーダイオード（ＬＤ）１はＰＮＰ形のトランジスタ（ＴＲ）２を介し直流電源Ｖｃｃより電流供給を受ける。
上記トランジスタ２のエミッタ端子には負荷抵抗（Ｒ１）３を介し直流電源Ｖｃｃより電源供給され、コレクタ端子に接続されているコイル（Ｌ）４を経てレーザーダイオード１に電流が流れレーザー光を発光させる。レーザーダイオード１のカソード側は接地されている。このレーザーダイオード１と並列にコンデンサ（Ｃ１）５およびダイオード（Ｄ）６が設けられているが、このコンデンサ５と前記コイル４とでＬＣ直列形のローパスフィルタ（ＬＰＦ）を形成し、直流電源Ｖｃｃを介し外部より混入する外乱およびサージ電圧に起因する高周波成分を抑圧し、この不要な高周波成分がレーザーダイオード１へ流れる電流へ混入するのを防止している。
【００１１】
また、ダイオード６はレーザーダイオード１に逆方向電圧が印加されたときにはこれを吸収し、レーザーダイオード１を破壊から保護するためのものである。
上記説明のトランジスタ２、負荷抵抗３、コイル４およびコンデンサ５等でレーザーダイオード１に対する通電回路を形成している。
また、レーザーダイオード１の近傍にはこのレーザーダイオード１が発光したレーザー光の一部を受光するモニタダイオード（ＭＤ）７が配置され、このモニタダイオード７は受光したレーザー光量に応じた受光信号を出力する。モニタダイオード７のカソード側は接地されている。なお、これらレーザーダイオード１およびモニタダイオード７とは通常、一体に形成される。
【００１２】
上記モニタダイオード７と並列に可変抵抗器（ＶＲ）８が設けられ、モニタダイオード７の受光信号出力レベルの調整を可能にしている。このモニタダイオード７から出力され可変抵抗器８で調整された受光信号Ｓ１は一定光出力制御回路９のモニタ入力端子９ａへ入力する。この一定光出力制御回路９は、その出力端子９ｂがトランジスタ２のベース端子と接続され、モニタダイオード７からの受光信号Ｓ１を基に、レーザーダイオード１の発光出力が常に一定に保持されるように一定光出力制御信号Ｓ２によりトランジスタ２のベース電圧を制御し、レーザーダイオード１への供給電流を制御する。なお、このトランジスタ２のベース端子と直流電源Ｖｃｃとの間に設けているコンデンサ（Ｃ２）１０は不要なノイズ成分等が上記ベース電圧の制御に影響しないようにこのノイズ成分等を吸収するためのものである。
【００１３】
以上説明の一定光出力制御回路９の必要性を図２で説明する。図２はレーザーダイオード１の周囲温度（Ｔｃ）における順方向電流（順電流）に対する光出力特性、モニタ電流特性を示す図である。
光ディスク再生動作においては、ディスクに照射するレーザー光は周囲温度Ｔｃの高低に関係なく常に一定であることが必要であり、従って、このレーザー光を発光するレーザーダイオード１の光出力は周囲温度Ｔｃの高低に関係なく常に一定であることが求められる。しかし、レーザーダイオード１の実際の特性は図２に示すように、順電流（Ｉｆ）を一定とした場合、周囲温度Ｔｃが高くなるほど光出力は低下する。従って、この光出力を一定値に保持するためには順電流を増加する必要がある。そこで、一定光出力制御回路９を設け、前述のようにモニタダイオード７からの受光信号Ｓ１を基にトランジスタ２のベース電圧を制御し、レーザーダイオード１の発光出力が常に一定に保持されるように順電流を制御している。
なお、図２中のモニタ電流特性はモニタダイオード７の受光光量対電流の特性を表す。
【００１４】
また、一定光出力制御回路９はレーザーダイオード１への電流供給をオン（供給）またはオフ（遮断）させるオンオフ制御端子９ｃを備え、主制御回路１１からのオンオフ制御信号Ｓ５が入力するように構成されている。
この主制御回路１１は周囲温度の上昇によるレーザーダイオード１の異常電流を検知し、このレーザーダイオード１を高温環境下から適切に保護する中枢的役割を担うものであり、例えばマイクロコンピュータからなり、電圧入力端子１１ａ、温度入力端子１１ｂおよび制御出力端子１１ｃを備えている。
上記電圧入力端子１１ａにはトランジスタ２のエミッタ端子よりレーザーダイオード１の順方向電流を表す電圧信号Ｓ３が入力し、温度入力端子１１ｂにはサーミスタ（ＴＨ）等の温度センサ１２および抵抗（Ｒ２）１３とからなる温度検出回路からの温度信号Ｓ４が入力する。また、制御出力端子１１ｃは前記オンオフ制御信号Ｓ５を一定光出力制御回路９のオンオフ制御端子９ｃに対し出力する。
なお、主制御回路１１は光ディスク装置のその他各部を制御するようにしてもよい。
また、上記温度検出回路はレーザーダイオード１の近傍に配置され、レーザーダイオード１の周囲温度を検出する。この温度検出回路はサーミスタ等の温度センサ１２と抵抗１３とを直列接続し、この直列回路に直流電源Ｖｃｃを印加し、周囲温度により変化する温度センサ１２の抵抗変化を電圧信号に変換して温度信号Ｓ４として出力する。
【００１５】
次に、図１の基本動作について説明する。
直流電源Ｖｃｃより電源供給されることにより図１の回路は動作状態となり、トランジスタ２のベース端子には一定光出力制御回路９により順方向のベース電圧が印加されてトランジスタ２がオンし、負荷抵抗３およびコンデンサ５とＬＰＦを形成するコイル４を経てレーザーダイオード１にコレクタ電流、即ち、順方向電流が流れる。このときのレーザーダイオード１の順方向電流をＩｆ、トランジスタ２のベース電流をＩｂとした場合、負荷抵抗３の両端電圧Ｖｒは以下となる。
Ｖｒ＝ｒ１（Ｉｆ＋Ｉｂ）              ・・・（１）
但し、Ｉｆ＞Ｉｂ  である。
上記式（１）のＶｒは「Ｉｆ＞Ｉｂ」より、ほぼレーザーダイオード１の順方向電流Ｉｆを表し、電圧信号Ｓ３として主制御回路１１の電圧入力端子１１ａへ送出される。式（１）より、ＶｒはＩｆの増加に比例して増加する。
レーザーダイオード１は上記順方向電流Ｉｆによりレーザー光を発光し、この発光の一部がモニタダイオード７により受光される。このモニタダイオード７は受光量に応じた受光信号を出力し、この出力を可変抵抗器８で調整した受光信号Ｓ１が一定光出力制御回路９のモニタ入力端子９ａへ入力する。この受光信号Ｓ１が一定であればレーザーダイオード１の光出力が一定であることを意味し、従って、出力端子９ｂからの一定光出力制御信号Ｓ２も一定でよく、これによりベース電流Ｉｂも一定となる。
【００１６】
上記に対し、例えば受光信号Ｓ１がモニタダイオード７の受光量の増大を示している信号である場合には、レーザーダイオード１の順方向電流Ｉｆが所定値以上に増大して流れていることを表し、この場合、一定光出力制御回路９はトランジスタ２のベース電流Ｉｂを減ずるように一定光出力制御信号Ｓ２を出力し、レーザーダイオード１の順方向電流の増大を抑制する。
上記とは反対に、受光信号Ｓ１がモニタダイオード７の受光量の減少を示している信号である場合には、レーザーダイオード１の順方向電流Ｉｆが所定値以下に減少していることを表すので、この場合には、一定光出力制御回路９はトランジスタ２のベース電流Ｉｂを増加するように一定光出力制御信号Ｓ２を出力し、レーザーダイオード１の順方向電流の減少を抑制する。
以上のように、レーザーダイオード１が正常な周囲温度環境下の範囲内で動作する場合には一定光出力制御回路９によりレーザーダイオード１の順方向電流Ｉｆが制御され、レーザーダイオード１の発光出力の変動を抑制し常に一定に保持される。
【００１７】
次に、レーザーダイオード１への通電の動作について図３に従い説明する。
図３はレーザーダイオード１に対する通電制御の処理を示すフローチャートである。
図３において、ステップＳＴ１ではレーザ点灯要求ありかを判断し、ＮＯではこの判断を繰り返し、ＹＥＳではステップＳＴ２でレーザ点灯させる。次いでステップＳＴ３では、主制御回路１１は例えばホストコンピュータ等からレーザ点灯要求の指令を受けた場合、温度エラー状態であるかについて判断し、温度エラー状態でない場合（ステップＳＴ３−ＮＯ）、ステップＳＴ４へ進む。
ここで、「温度エラー状態」とは、以前において復帰温度（「Ｔ１」とする）を超えている場合、または、以前において保証上限温度（「Ｔ２」とする；Ｔ２＞Ｔ１）を超えている場合を云う。また、「復帰温度Ｔ１」とは、レーザーダイオード１の順方向電流値が所定の上限電流値（Ｉｍａｘ）以下であるときに、レーザーダイオード１に通電を許容、または通電を遮断した後にこの遮断を解除し通電の復帰を許容する温度であり、「保証上限温度Ｔ２」とは、レーザーダイオード１の順方向電流値に関係なく、レーザーダイオード１への通電を遮断する温度である。また、上限電流値（Ｉｍａｘ）は個々のレーザーダイオード１のバラツキを考慮して設定する。例えば、このバラツキ中で最も小さい値のものを上限電流値（Ｉｍａｘ）として設定する。
【００１８】
ステップＳＴ４では、主制御回路１１は温度センサ１２等の温度検出回路からの温度信号Ｓ４が示す温度センサ値が保証上限温度Ｔ２以下であるかについて判断し、保証上限温度Ｔ２以下である場合（ステップＳＴ４−ＹＥＳ）、ステップＳＴ５へ進み、保証上限温度Ｔ２以下でない場合（ステップＳＴ４−ＮＯ）、ステップＳＴ６へ進む。
ステップＳＴ５では、主制御回路１１はレーザーダイオード１への通電を指令するオンオフ制御信号Ｓ５を一定光出力制御回路９のオンオフ制御端子９ｃに対し出力し、処理開始状態（スタート）へリターンする。この結果、レーザーダイオード１は一定光出力制御回路９により通電状態に設定される。
ステップＳＴ６では、主制御回路１１は温度エラーを通知し、処理開始状態（スタート）へリターンする。
また、前記ステップＳＴ３の判断において、温度エラー状態である場合（ステップＳＴ３−ＹＥＳ）、ステップＳＴ７へ進む。
【００１９】
ステップＳＴ７では、主制御回路１１は前記温度信号Ｓ４が示す温度センサ値が復帰温度Ｔ１以下であるかについて判断し、復帰温度Ｔ１以下である場合（ステップＳＴ７−ＹＥＳ）、ステップＳＴ８へ進み、復帰温度Ｔ１以下でない場合（ステップＳＴ７−ＮＯ）、ステップＳＴ９へ進む。
ステップＳＴ８では、主制御回路１１はレーザーダイオード１への通電を指令するオンオフ制御信号Ｓ５を一定光出力制御回路９のオンオフ制御端子９ｃに対し出力し、処理開始状態（スタート）へリターンする。この結果、レーザーダイオード１は一定光出力制御回路９により通電状態に設定される。
ステップＳＴ７では、主制御回路１１は温度エラーを通知し、処理開始状態（スタート）へリターンする。
【００２０】
次に、図３のフローに従い通電処理した後におけるレーザーダイオード１への通電の維持または通電電流遮断の動作について図４に従い説明する。
図４はレーザーダイオード１に対する通電維持または通電電流遮断の制御の処理を示すフローチャートである。
図４において、ステップＳＴ１１ではレーザ点灯状態確認要求ありかを判断し、ＮＯではこの判断を繰り返し、ＹＥＳではステップＳＴ１２でレーザ点灯させる。次いでステップＳＴ１３では、主制御回路１１は例えばホストコンピュータ等より図３のフローに従い通電処理した後のレーザ点灯状態確認要求の指令を受けた場合には、前記温度信号Ｓ４が示す温度センサ値が保証上限温度Ｔ２以下であるかについて判断し、保証上限温度Ｔ２以下である場合（ステップＳＴ１３−ＹＥＳ）、ステップＳＴ１４へ進む。
【００２１】
ステップＳＴ１４では、主制御回路１１は通電状態にあるレーザーダイオード１の現在の順方向電流値が所定の上限電流値Ｉｍａｘ以下であるかについて判断し、上限電流値Ｉｍａｘ以下である場合（ステップＳＴ１４−ＹＥＳ）、レーザーダイオード１に対する現在の通電状態を遮断することなく維持し、処理開始状態（スタート）へリターンする。
上記レーザーダイオード１の現在の順方向電流値はトランジスタ２からの電圧信号Ｓ３より検出する。前述のように、トランジスタ２のエミッタ端子に接続されている負荷抵抗３の両端には式（１）に示す電圧Ｖｒが発生しており、この電圧Ｖｒが電圧信号Ｓ３として主制御回路１１の電圧入力端子１１ａに入力している。この電圧Ｖｒがレーザーダイオード１の順方向電流Ｉｆを表していることは既に説明した通りである。従って、主制御回路１１はこの電圧信号Ｓ３からレーザーダイオード１の現在の順方向電流Ｉｆを検出することができる。
【００２２】
また、前記ステップＳＴ１３の判断において前記温度信号Ｓ４が示す温度センサ値が保証上限温度Ｔ２以下でない場合（ステップＳＴ１３−ＮＯ）、ステップＳＴ１５へ進む。
ステップＳＴ１５では、主制御回路１１は温度エラーを通知し、ステップＳＴ１６へ進む。または、前記ステップＳＴ１４の判断においてレーザーダイオード１の現在の順方向電流が所定の上限電流値Ｉｍａｘ以下でない場合（ステップＳＴ１４−ＮＯ）、ステップＳＴ１６へ進む。
ステップＳＴ１６では、主制御回路１１はレーザーダイオード１への通電電流の遮断を指令するオンオフ制御信号Ｓ５を一定光出力制御回路９のオンオフ制御端子９ｃに対し出力し、処理開始状態（スタート）へリターンする。この結果、レーザーダイオード１は一定光出力制御回路９によりトランジスタ２がオフされ、電流遮断状態に設定されて発光動作を停止する。これにより、大電流によるレーザーダイオード１の劣化や破壊が未然に防止される。
【００２３】
上記図３および図４の説明のように、レーザーダイオード１への通電は温度センサ１２等の温度検出回路からの温度信号Ｓ４の状態をもとに判断し、これに対し、電流遮断はこの温度信号Ｓ４の状態と、レーザーダイオード１に流れている順方向電流値とをもとに判断している。
以上に説明したレーザーダイオード１の通電または遮断について纏めたものを図５に示す。
図５はレーザーダイオード１の通電または遮断の条件を示す図である。
図５において、電圧信号Ｓ３が示すレーザーダイオード１の順方向電流値（レーザー電流値）が所定の上限電流値Ｉｍａｘ以下（≦）の場合には、温度信号Ｓ４が示す温度センサ値が復帰温度Ｔ１以下のときには通電を許容し、保証上限温度Ｔ２を超えるときには遮断する。また、レーザーダイオード１の順方向電流値（レーザー電流値）が所定の上限電流値Ｉｍａｘを超える（＞）場合には、温度信号Ｓ４が示す温度センサ値に関係なく常に遮断する。
【００２４】
なお、復帰温度Ｔ１〜保証上限温度Ｔ２の間においてはその直前の状態に維持される。例えば、その直前の状態が遮断状態であれば保証上限温度Ｔ２となっても遮断状態に維持され、その直前の状態が通電状態であれば復帰温度Ｔ１を超えても保証上限温度Ｔ２を超えない限り通電状態に維持される。
この図５に示した条件を前記特許文献１等の従来技術と比較した場合、従来においては上記温度センサ値または上限電流値Ｉｍａｘのいずれか一方をもとにレーザーダイオード１を通電または遮断していた。従って、レーザーダイオード１の周囲温度や順方向電流値等の条件によっては通電と遮断の条件が接近または重なり、この結果、通電と遮断とを交互繰り返すチャタリング現象が発生するという問題が生じていたが、以上に説明した図１の構成においては通電と遮断の条件が明確に区分けされ、このようなチャタリング現象は発生しない。
【００２５】
次に、図３および図４で説明したオンオフ制御信号Ｓ５の発生の構成とその動作について図６をもとに説明する。
図６は例えばマイクロコンピュータからな主制御回路１１中におけるオンオフ制御信号Ｓ５の発生に関する部分の内部回路構成図である（以下、「オンオフ制御信号発生回路」とする）。
図６において、レーザーダイオード１の順方向電流値を表すトランジスタ２からの電圧信号Ｓ３は電圧入力端子１１ａを経てＡ／Ｄ変換部１１１へ入力し、アナログの電圧信号Ｓ３をディジタル信号Ｓ３’に変換する。ディジタル信号に変換された電圧信号Ｓ３’は第１の比較部１１２の一端に入力する。この第１の比較部１１２の他端には所定の上限電流値Ｉｍａｘに相当する基準電圧信号が予め設定されている。なお、この上限電流値Ｉｍａｘは前述のように、個々のレーザーダイオード１のバラツキを考慮して設定したものであり、例えば、このバラツキ中で最も小さい値のものを上限電流値Ｉｍａｘとして設定する。
【００２６】
この第１の比較部１１２は入力された電圧信号Ｓ３’が上限電流値Ｉｍａｘに相当する基準電圧信号を超えるとき（Ｓ３’＞Ｉｍａｘ）にはハイレベル（以下、「Ｈ」とする）の信号を出力し、それ以外ではローレベル（以下、「Ｌ」とする）の信号を出力する。
第１の比較部１１２の比較出力はインバータ１１３へ入力し、極性が反転される。このインバータ１１３の反転出力はＡＮＤゲート１１４の一端へ入力する。
一方、温度検出回路からの温度信号Ｓ４は温度入力端子１１ｂを経てＡ／Ｄ変換部１１５へ入力し、アナログの温度信号Ｓ４をディジタル信号Ｓ４’に変換する。ディジタル信号に変換された温度信号Ｓ４’は第２の比較部１１６および第３の比較部１１７それぞれの一端に入力する。この第２の比較部１１６の他端には所定の復帰温度Ｔ１に相当する基準信号が予め設定され、第３の比較部１１７の他端には所定の保証上限温度Ｔ２に相当する基準信号が予め設定されている。
この第２の比較部１１６は入力された温度信号Ｓ４’が復帰温度Ｔ１に相当する基準信号以下のとき（Ｓ４’≦Ｔ１）にはＨの信号を出力し、それ以外ではＬの信号を出力する。
【００２７】
また、第３の比較部１１７は入力された温度信号Ｓ４’が保証上限温度Ｔ２に相当する基準信号を超えるとき（Ｓ４’＞Ｔ２）にはＨの信号を出力し、それ以外ではＬの信号を出力する。
第２の比較部１１６の比較出力はＲＳ形のフリップフロプ（Ｆ．Ｆ．）１１８のＲ（リセット）端子へ入力し、第３の比較部１１７の比較出力はこのフリップフロプ１１８のＳ（セット）端子へ入力する。
フリップフロプ１１８の出力は出力端１１８ａの反転Ｑ出力を使用し、この反転Ｑ出力はＡＮＤゲート１１４の他端へ入力する。このＡＮＤゲート１１４はインバータ１１３からの信号とフリップフロプ１１８の反転Ｑ出力信号との論理積を演算し、演算結果であるＨまたはＬの信号をオンオフ制御信号出力部１１９へ出力する。なお、ＡＮＤゲート１１４の出力は、Ｈを通電（復帰）、Ｌを遮断に割り当てるものとする。
このオンオフ制御信号出力部１１９はＡＮＤゲート１１４からのＨ（通電）またはＬ（遮断）の信号を一定光出力制御回路９に適合させたオンオフ制御信号Ｓ５にしてオンオフ制御端子９ｃへ出力する。
【００２８】
次に、以上説明のオンオフ制御信号発生回路の具体的動作について説明する。
Ａ／Ｄ変換部１１１で変換されたディジタルの電圧信号Ｓ３’は第１の比較部１１２において上限電流値Ｉｍａｘに相当する基準電圧信号と比較される。
上記比較結果が「Ｓ３’≦Ｉｍａｘ」、即ち、レーザーダイオード１の順方向電流値（レーザー電流値）が所定の上限電流値Ｉｍａｘ以下の場合、この第１の比較部１１２はＬを出力する。従って、インバータ１１３の反転出力はＨとなり、このＨがＡＮＤゲート１１４の一端へ入力する。
一方、Ａ／Ｄ変換部１１５で変換されたディジタルの温度信号Ｓ４’は第２の比較部１１６において復帰温度Ｔ１に相当する基準信号と比較され、また、第３の比較部１１７において温度信号Ｓ４’が保証上限温度Ｔ２に相当する基準信号と比較される。
上記比較結果が「Ｓ４’≦Ｔ１」、即ち、レーザーダイオード１の周囲温度が復帰温度Ｔ１以下の場合、第２の比較部１１６はＨを出力し、第３の比較部１１７はＬを出力する。
【００２９】
従って、フリップフロプ１１８のＳ端子はＬとなり、Ｒ端子はＨとなり、これにより、反転Ｑ出力はＨとなる。このＨがＡＮＤゲート１１４の他端へ入力する。
以上より、ＡＮＤゲート１１４の一端および他端はいずれもＨとなり、その論理積出力はＨとなる。このＨ出力は前記のように通電（復帰）を表し、この結果、オンオフ制御信号出力部１１９よりレーザーダイオード１を通電状態に設定するオンオフ制御信号Ｓ５が一定光出力制御回路９のオンオフ制御端子９ｃへ出力される。
上記に対し、第２の比較部１１６及び第３の比較部１１７における比較結果が、「Ｓ４’＞Ｔ２」、即ち、レーザーダイオード１の周囲温度が保証上限温度Ｔ２を超える場合、第２の比較部１１６はＬを出力し、第３の比較部１１７はＨを出力する。
従って、フリップフロプ１１８のＳ端子はＨとなり、Ｒ端子はＬとなり、これにより、反転Ｑ出力はＬとなる。これにより、ＡＮＤゲート１１４の他端はＬとなる。
以上より、ＡＮＤゲート１１４の一端はＨ、他端はＬとなり、その論理積出力はＬとなる。このＬ出力は前記のように遮断を表し、この結果、オンオフ制御信号出力部１１９よりレーザーダイオード１を遮断状態に設定するオンオフ制御信号Ｓ５が一定光出力制御回路９のオンオフ制御端子９ｃへ出力される。
【００３０】
さらに、第１の比較部１１２における比較結果が「Ｓ３’＞Ｉｍａｘ」、即ち、レーザーダイオード１の順方向電流値（レーザー電流値）が所定の上限電流値Ｉｍａｘを超える場合、この第１の比較部１１２はＨを出力する。従って、インバータ１１３の反転出力はＬとなり、このＬがＡＮＤゲート１１４の一端へ入力する。
この結果、ＡＮＤゲート１１４の論理積出力はフリップフロプ１１８からの信号レベル、即ち、温度検出回路からの温度信号Ｓ４の状態（高低）に関係なく常にＬとなり、オンオフ制御信号出力部１１９からはレーザーダイオード１を遮断状態に設定するオンオフ制御信号Ｓ５が出力されることとなる。
なおＳ４’が復帰温度Ｔ１〜保証上限温度Ｔ２の間においてはフリップフロプ１１８のＳ端子およびＲ端子双方ともＬとなり、反転Ｑ出力は変化しない。これにより、オンオフ制御信号Ｓ５は直前の状態に維持される。
以上の説明より、図５に示した条件の動作となる。
【００３１】
以上のように、この実施の形態１によれば、トランジスタ２、負荷抵抗３およびローパスフィルタを形成するコイル４等からなる通電回路によるレーザーダイオード１への供給電流値と、温度センサ１２と抵抗１３とからなる温度検出回路により検出したレーザーダイオード１の周囲温度との２要素を基に、レーザーダイオード１への供給電流値が上限電流値Ｉｍａｘ以下であり、且つ、レーザーダイオード１の周囲温度が復帰温度Ｔ１以下のときにはレーザーダイオード１へ電流供給（通電）し、レーザーダイオード１への供給電流値が上限電流値Ｉｍａｘを超えたとき、又は、レーザーダイオード１の周囲温度が保証上限温度Ｔ２を超えたときにはレーザーダイオード１への供給電流を遮断するように主制御回路１１が一定光出力制御回路９を制御する構成としたので、レーザーダイオード１への通電または遮断の処理基準が明確となり、これにより、これら通電または遮断が適切なタイミングで行われ、上限電流値Ｉｍａｘを超える過大電流や高温環境下からレーザーダイオード１を保護し、レーザーダイオードの特性劣化または破壊等を未然に防止して長寿命化を実現することができる。
また、レーザーダイオード１に対する通電または遮断の処理基準の明確化により、通電と遮断とが交互に繰り返されるチャタリング現象の発生が防止され、これにより、レーザーダイオード１の特性劣化や破壊等が防止されて長寿命化を実現することができる。
【００３２】
実施の形態２．
図７はこの発明の実施の形態２による光ディスク装置用高温保護回路の構成を示す回路図である。
図７において、図１と同一のものについては同一符合を付してあり、この実施の形態２による光ディスク装置用高温保護回路の構成が実施の形態１（図１）の構成と異なる点は、主制御回路１４の構成である。ただし、主制御回路１４の全体機能は図１の主制御回路１１と同様である。なお、図１と同一符合のものについての説明は省略する。
図７に示すように、主制御回路１４はアナログ形式の比較器と制御系としてのマイクロコンピュータとにより構成している。この構成の詳細を図８に示す。
図８は主制御回路１４中におけるオンオフ制御信号Ｓ５の発生に関するオンオフ制御信号発生回路の構成図である。
図８において、実施の形態１で説明した図６と同一のものについては同一符合を付してあり、図６の構成と異なる点は、アナログ形式の第１の比較器１４１、Ａ／Ｄ変換部１４２、アナログ形式の第２の比較器１４３、アナログ形式の第３の比較器１４４、Ａ／Ｄ変換部１４５、およびＡ／Ｄ変換部１４６である。なお、図６と同一符合のものについての説明は省略する。
【００３３】
上記構成において、アナログ形式の第１の比較器１４１は、その一端には電圧入力端子１１ａを経てトランジスタ２よりアナログ形式の電圧信号Ｓ３が入力し、他端には所定の上限電流値Ｉｍａｘに相当するアナログ形式の基準電圧信号を予め設定しておき、双方アナログ形式の信号においてレベル比較する。この第１の比較器１４１による比較結果をＡ／Ｄ変換部１４２でアナログ信号からディジタル信号へ変換する。この場合、Ａ／Ｄ変換部１４２からは、「Ｓ３＞Ｉｍａｘ」にはＨ信号を出力し、それ以外ではＬ信号を出力するように第１の比較器１４１およびＡ／Ｄ変換部１４２を設定しておく。これにより、インバータ１１３以降の動作が図６と共通となる。
【００３４】
また、アナログ形式の第２の比較器１４３および第３の比較器１４４は、それぞれの一端には温度入力端子１１ｂを経て温度検出回路よりアナログ形式の温度信号Ｓ４が入力し、第２の比較器１４３の他端には所定の復帰温度Ｔ１に相当するアナログ形式の基準信号を予め設定しておき、第３の比較器１４４の他端には所定の保証上限温度Ｔ２に相当するアナログ形式の基準信号を予め設定しておき、それぞれ双方アナログ形式の信号においてレベル比較する。この第２の比較器１４３および第３の比較器１４４それぞれによる比較結果をＡ／Ｄ変換部１４５およびＡ／Ｄ変換部１４６でアナログ信号からディジタル信号へ変換する。この場合、Ａ／Ｄ変換部１４５からは、「Ｓ４≦Ｔ１」にはＨ信号を出力し、それ以外ではＬ信号を出力するように第２の比較器１４３およびＡ／Ｄ変換部１４５を設定しておく。同様に、Ａ／Ｄ変換部１４６からは、「Ｓ４＞Ｔ２」にはＨ信号を出力し、それ以外ではＬ信号を出力するように第３の比較器１４４およびＡ／Ｄ変換部１４６を設定しておく。これにより、フリップフロプ１１８以降の動作が図６と共通となる。
【００３５】
以上のように、この実施の形態２によれば、レーザーダイオード１の順方向電流を表す電圧信号Ｓ３と上限電流値Ｉｍａｘに相当する基準電圧信号との比較、レーザーダイオード１の周囲温度を検出する温度センサ１２等の温度検出回路からの温度信号Ｓ４と復帰温度Ｔ１に相当する基準信号との比較、およびこの温度信号Ｓ４と保証上限温度Ｔ２に相当する基準信号との比較をそれぞれアナログ形式の第１の比較器１４１、第２の比較器１４３および第３の比較器１４４においてアナログ形態の信号で行い、これら各比較器出力をそれぞれＡ／Ｄ変換してディジタル信号化するように構成したので、結果として実施の形態１の主制御回路１１と同機能の主制御回路１４を形成でき、これにより、この主制御回路１４を形成する高価なマイクロコンピュータの構成を簡素化することができる。
また、主制御回路１４の全体機能が実施の形態１の主制御回路１１と同機能であるので、実施の形態１と同様の効果、即ち、上限電流値Ｉｍａｘを超える過大電流や高温環境下からレーザーダイオード１を保護するとともに、通電と遮断とが交互に繰り返されるチャタリング現象の発生が防止され、これにより、レーザーダイオード１の特性劣化や破壊等が防止されて長寿命化を実現することができる。
【００３６】
実施の形態３．
図９はこの発明の実施の形態３による光ディスク装置用高温保護回路の構成を示す回路図である。
図９において、図１と同一のものについては同一符合を付してあり、この実施の形態３による光ディスク装置用高温保護回路の構成が実施の形態１（図１）の構成と異なる点は、主制御回路１５の構成である。尚、図１と同一符合のものについての説明は省略する。
図９に示すように、主制御回路１５は制御系としてのマイクロコンピュータ１５ＡとＥＥＰＲＯＭ等の不揮発性のメモリ部１５Ｂとにより構成している。この構成の詳細を図１０に示す。
図１０は主制御回路１５中におけるオンオフ制御信号Ｓ５の発生に関するオンオフ制御信号発生回路の構成図である。
図１０において、実施の形態１で説明した図６と同一のものについては同一符合を付してあり、図６の構成と異なる点は、第１の比較部１１２に設定する上限電流値Ｉｍａｘを予め記憶させておくＥＥＰＲＯＭ等の不揮発性のメモリ部１５Ｂを設けている点である。
【００３７】
このメモリ部１５Ｂを設けている理由を以下に説明する。
前述のように、上限電流値Ｉｍａｘは個々のレーザーダイオード１にバラツキがある。このようなバラツキが存在する中で上限電流値Ｉｍａｘを設定する場合、通常、このバラツキ中で最も小さい値のものを上限電流値Ｉｍａｘとして設定する。これにより、全てのレーザーダイオード１の劣化や破壊等を防止している。しかし、このように設定した場合、バラツキ中で上限電流値Ｉｍａｘが大きいレーザーダイオード１については余裕が生じ、その性能を十分に利用していないこととなる。従って、全てのレーザーダイオード１を効率よく動作させるためには、個々のレーザーダイオード１ごとに上限電流値Ｉｍａｘを設定することが望ましいと云える。
そこで、自己の光ディスク装置に実際に使用するレーザーダイオード１そのものの上限電流値Ｉｍａｘを事前に別途求めておき、この上限電流値Ｉｍａｘをメモリ部１５Ｂに予め記憶させておく。
上記メモリ部１５Ｂに記憶された上限電流値Ｉｍａｘを読出し、第１の比較部１１２に設定する。以降の動作については図６と同様であり、説明は省略する。
以上により、個々のレーザーダイオード１の特性に応じた通電または遮断の動作設定が可能となり、レーザーダイオード１の特性バラツキが吸収されることとなる。
【００３８】
以上のように、この実施の形態３によれば、主制御回路１５にメモリ部１５Ｂを設け、このメモリ部１５Ｂに自己の光ディスク装置に実際に使用しているレーザーダイオード１の上限電流値Ｉｍａｘを予め記憶し、この記憶した上限電流値Ｉｍａｘを第１の比較部１１２に設定し、Ａ／Ｄ変換部１１１からの電圧信号Ｓ３’と比較する構成としたので、実際に使用しているレーザーダイオード１の特性に応じた通電または遮断の動作設定が可能となり、レーザーダイオード１の特性バラツキを吸収することができる。
なお、主制御回路１５の全体機能としては実施の形態１の主制御回路１１と同機能であり、従って、上限電流値Ｉｍａｘを超える過大電流や高温環境下からレーザーダイオード１を保護するとともに、通電と遮断とが交互に繰り返されるチャタリング現象の発生を防止し、これにより、レーザーダイオード１の特性劣化や破壊等が防止されて長寿命化を実現することができるといった効果の点については実施の形態１と同様である。
【００３９】
実施の形態４．
図１１はこの発明の実施の形態４による光ディスク装置用高温保護回路の構成を示す回路図であり、実施の形態３（図９）の構成を発展させたものである。
図１１において、図１または図９と同一のものについては同一符合を付してあり、この実施の形態４による光ディスク装置用高温保護回路の構成が実施の形態１（図１）の構成と異なる点は、主制御回路１６の構成であり、また、この主制御回路１６の構成が実施の形態３（図９）の構成と異なる点は、上限電流値Ｉｍａｘのデータをこの主制御回路１６内の処理として求め、メモリ部１５Ｂに対し書き込むようにした点である。なお、図１と同一符合のものについての説明は省略する。
図１１に示すように、主制御回路１６は制御系としてのマイクロコンピュータ１６Ａと図９と同様のメモリ部１５Ｂとにより構成している。この構成の詳細を図１２に示す。
図１２は主制御回路１６中におけるオンオフ制御信号Ｓ５の発生に関するオンオフ制御信号発生回路の構成図であり、実施の形態１で説明した図６と同一のものについては同一符合を付してある。
【００４０】
図１２において、図１０の構成と異なる点は、自己（当該光ディスク装置）に実際に使用するレーザーダイオード１そのものの上限電流値Ｉｍａｘを演算し、この演算した上限電流値ＩｍａｘのデータをＥＥＰＲＯＭ等の不揮発性のメモリ部１５Ｂに書き込むためのＲＯＭ（読出し専用メモリ）１６１および演算部１６２を設けた点である。このＲＯＭ１６１と演算部１６２とで演算回路を形成している。
上記ＲＯＭ１６１には上限電流値Ｉｍａｘの演算に要するデータを予め記憶させておく。この予め記憶させておくデータについて図１３をもとに説明する。
図１３は周囲温度Ｔｃ（℃）に対するレーザーダイオード１の順方向電流（レーザー電流）（ｍＡ）の特性の一例を示す図である。併せて、復帰温度Ｔ１および保証上限温度Ｔ２との関係を表している。
【００４１】
図１３に示すように、レーザーダイオード１の順方向電流（レーザー電流）は周囲温度Ｔｃが上昇するに連れて、その光出力を一定に保持するために増加する。そして、保証上限温度Ｔ２を超えた付近を上限電流値Ｉｍａｘとしている。ここで、上限電流値Ｉｍａｘを例えば周囲温度Ｔｃ＝２０℃を基準に規定するとした場合、上限電流値Ｉｍａｘは下記のように表せられる。
上限電流値Ｉｍａｘ＝Ｉｏｐ＋Ｉｔｈ  ・・・（２）
上記式において、Ｉｏｐは周囲温度Ｔｃが２０℃のときのレーザーダイオード１の順方向電流（レーザー電流）であり、Ｉｔｈは周囲温度Ｔｃが２０℃から所定温度（例えば略９０℃）に上昇することによる順方向電流の上昇値である。図８は上記式（２）のように表せられる上限電流値Ｉｍａｘが略６０（ｍＡ）であることを示している。
ただし、この図８に示す特性図は一例であり、個々のレーザーダイオード１でバラツキがあることは既に説明した通りであり、実施の形態１（図６）における上限電流値Ｉｍａｘはバラツキのある図８に示す特性の順方向電流（レーザー電流）が最も小さい値としたものである。
【００４２】
従って、例えば図８に示す特性の順方向電流（レーザー電流）がバラツキ中で最も小さい値とすれば、図８中に記載の「Ｉｍａｘ」が実施の形態１（図６）において設定した上限電流値Ｉｍａｘを意味することとなる。
これに対し、バラツキ中で順方向電流（レーザー電流）が最も大きい値の特性もの（図示せず）については、その上限電流値は図８中に記載のように「Ｉｍａｘ’」となり、図示の「Ｉｍａｘ」より大きな値となる。この「Ｉｍａｘ’」と「Ｉｍａｘ」との幅がレーザーダイオード１の上限電流値のバラツキ幅を表す。
図１２のＲＯＭ１６１には上記のように例えば２０℃を基準にしたＩｔｈのデータおよび図８のような周囲温度Ｔｃとレーザーダイオード１の順方向電流（レーザー電流）との標準的な関係を表すテーブルとしての「特性データ」とを予め記憶させておく。ただし、Ｉｔｈのデータは一定値（コンスタント値）とする。一定値とするのはこの値自体のバラツキは少ないことによる。なお、上記基準とする温度は２０℃に限るものではなく他の温度としてもよい。
【００４３】
演算部１６２には上記ＲＯＭ１６１からのデータの他に、Ａ／Ｄ変換部１１１よりレーザーダイオード１の順方向電流を表す電圧信号Ｓ３’、およびＡ／Ｄ変換部１１５より周囲温度Ｔｃを表す温度信号Ｓ４’がそれぞれ入力する。また、この演算部１６２には上記式（２）を予め設定しておく。
以上の構成により、演算部１６２には現在の周囲温度Ｔｃのデータと、この周囲温度Ｔｃにおける現在のレーザーダイオード１の順方向電流のデータとが入力することとなる。この周囲温度Ｔｃのデータおよび前記ＲＯＭ１６１に記憶されている特性データともとに、演算部１６２は入力されたレーザーダイオード１の順方向電流のデータをＩｔｈの基準としている２０℃の順方向電流Ｉｏｐに換算する。この２０℃に換算した順方向電流Ｉｏｐと前記ＲＯＭ１６１に記憶されている２０℃のＩｔｈのデータとをもとに、演算部１６２は予め設定されている前記式（２）の演算を行う。この演算結果のデータを上限電流値Ｉｍａｘとし、メモリ部１５Ｂへ書き込み、記憶させる。
第１の比較部１１２に対してはこのメモリ部１５Ｂ記憶された上限電流値Ｉｍａｘのデータが読み出され、設定される。以降については図１と同様の動作となり、その説明は省略する。
【００４４】
以上のように、この実施の形態４によれば、主制御回路１６にＲＯＭ１６１と演算部１６２とで形成する演算回路、およびメモリ部１５Ｂを設け、ＲＯＭ１６１と演算部１６２とで形成される演算回路において自己の光ディスク装置に実際に使用しているレーザーダイオード１の上限電流値Ｉｍａｘを演算し、この演算した上限電流値Ｉｍａｘをメモリ部に記憶させ、この記憶した上限電流値Ｉｍａｘを第１の比較部１１２に設定し、Ａ／Ｄ変換部１１１からの電圧信号Ｓ３’と比較する構成としたので、実施の形態３と同様に、実際に使用しているレーザーダイオード１の特性に応じた通電または遮断の動作設定が可能となり、レーザーダイオード１の特性バラツキを吸収することができる。
また、上限電流値Ｉｍａｘを人的作業等を介してメモリ部１５Ｂに別途記憶させる実施の形態３の構成に対し、個々の上限電流値Ｉｍａｘをメモリ部１５Ｂに別途入力する時間を不要にできるとともに、誤入力により所定の性能が得られなくなるといった不具合の発生を防止することができる。
【００４５】
なお、この実施の形態４においても、主制御回路１６の全体機能としては実施の形態１の主制御回路１１と同機能であり、従って、上限電流値Ｉｍａｘを超える過大電流や高温環境下からレーザーダイオード１を保護するとともに、通電と遮断とが交互に繰り返されるチャタリング現象の発生を防止し、これにより、レーザーダイオード１の特性劣化や破壊等が防止されて長寿命化を実現することができるといった効果の点については実施の形態１と同様である。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】この発明の実施の形態１による光ディスク装置用高温保護回路の構成を示す回路図である。
【図２】図１のレーザーダイオードの周囲温度における順方向電流対光出力特性、およびモニタ電流特性を示す図である。
【図３】図１のレーザーダイオードに対する通電制御の処理を示すフローチャートである。
【図４】図１のレーザーダイオードに対する通電維持または通電電流遮断の制御の処理を示すフローチャートである。
【図５】図１のレーザーダイオードの通電または遮断の条件を示す図である。
【図６】図１の主制御回路中におけるオンオフ制御信号の発生に関する部分の内部回路構成図である。
【図７】この発明の実施の形態２による光ディスク装置用高温保護回路の構成を示す回路図である。
【図８】図７の主制御回路中におけるオンオフ制御信号の発生に関する部分の内部回路構成図である。
【図９】この発明の実施の形態３による光ディスク装置用高温保護回路の構成を示す回路図である。
【図１０】図９の主制御回路中におけるオンオフ制御信号の発生に関する部分の内部回路構成図である。
【図１１】この発明の実施の形態４による光ディスク装置用高温保護回路の構成を示す回路図である。
【図１２】図１１の主制御回路中におけるオンオフ制御信号の発生に関する部分の内部回路構成図である。
【図１３】周囲温度に対するレーザーダイオードの順方向電流の特性の一例を示す図である。
【符号の説明】
【００４７】
１  レーザーダイオード、２  トランジスタ、３  負荷抵抗、４  コイル、５，１０  コンデンサ、６  ダイオード、７  モニタダイオード、８  可変抵抗器、９  一定光出力制御回路、１１，１４，１５，１６  主制御回路、１２  温度センサ、１３  抵抗、１５Ａ，１６Ａ  マイクロコンピュータ、１５Ｂ  メモリ部、１１１，１１５，１４２，１４５，１４６  Ａ／Ｄ変換部、１１２，１１６，１１７  比較部、１１３  インバータ、１１４  ＡＮＤゲート、１１８  フリップフロプ、１１９  オンオフ制御信号出力部、１４１，１４３，１４４  比較器、１６１  ＲＯＭ、１６２  演算部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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