(57)【要約】【課題】グレートーンマスクを用いて形成されるデバイスパターンと、他のフォトマスクを用いて該デバイスパターンと重なり部分を有するように形成されるゲート電極やコンタクトホール等と関係する正確なマークを備えたグレートーンマスクを提供する。【解決手段】グレートーンマスク２０を用いて形成される第１のデバイスパターン３０と、他のフォトマスクを用いて該第１のデバイスパターン３０と重なり部分を有するように形成されるコンタクトホールＨ等の第２のデバイスパターンを少なくとも一つ有する被転写基板を製造するための、第１のデバイスパターン３０に対応するマスクパターンであって、第１のデバイスパターン３０と第２のデバイスパターンとが重なる部分に対応するグレートーンマスク２０上の領域が半透光部となるマスクパターンと、マスクパターンの半透光部の形成と同時に形成された、第２のデバイスパターンに関係するマークパターン３１とを有する。【選択図】図１
2006267262.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被転写基板上に、厚レジストパターン、薄レジストパターン及び無レジスト領域を形成するための厚レジストパターン形成部、薄レジストパターン形成部、及び無レジスト領域形成部を有し、前記薄レジストパターンは半透光部からなり、前記厚レジストパターン形成部及び前記無レジスト領域形成部はそれぞれ被転写基板上のレジストのポジ型かネガ型かに応じて決定された遮光部又は透光部からなるグレートーンマスクにおいて、
前記グレートーンマスクは、前記グレートーンマスクを用いて形成された第１のデバイスパターンと、他のフォトマスクを用いて該第１のデバイスパターンと重なり部分を有するように形成される第２のデバイスパターンを少なくとも一つ有する被転写基板を製造するための、前記第１のデバイスパターンに対応するマスクパターンであって、前記第１のデバイスパターンと前記第２のデバイスパターンとが重なる部分に対応する前記グレートーンマスク上の領域が半透光部となるマスクパターンと、
前記半透光部の形成と同時に形成される、前記第２のデバイスパターンに関係するマークパターンとを少なくとも有することを特徴とするグレートーンマスク。
【請求項２】
前記第１のデバイスパターンと前記第２のデバイスパターンとが重なる部分に対応する前記グレートーンマスク上の領域が遮光部又は透光部であるマスクパターンと、
前記遮光部又は透光部の形成と同時に形成される、前記第２のデバイスパターンに関係するマークパターンとをさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のグレートーンマスク。
【請求項３】
前記マークパターンが、遮光部と透光部とで形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のグレートーンマスク。
【請求項４】
被転写基板上に、厚レジストパターン、薄レジストパターン及び無レジスト領域を形成するための厚レジストパターン形成部、薄レジストパターン形成部、及び無レジスト領域形成部を有し、前記薄レジストパターンは半透光部からなり、前記厚レジストパターン形成部及び前記無レジスト領域形成部はそれぞれ被転写基板上のレジストのポジ型かネガ型かに応じて決定された遮光部又は透光部からなるグレートーンマスクにおいて、
前記グレートーンマスクは、前記グレートーンマスクを用いて形成された第１のデバイスパターンと、他のフォトマスクを用いて該第１のデバイスパターンと重なり部分を有するように形成される第２のデバイスパターンを少なくとも一つ有する被転写基板を製造するための、前記第１のデバイスパターンに対応するマスクパターンであって、前記第１のデバイスパターンと前記第２のデバイスパターンとが重なる部分に対応する前記グレートーンマスク上の領域が半透光部となるマスクパターンと、
前記遮光部又は透光部の形成と同時に形成され前記半透光部と前記遮光部又は透光部との位置ずれ量が把握された、前記第２のデバイスパターンに関係するマークパターンとを少なくとも有することを特徴とするグレートーンマスク。
【請求項５】
被転写基板上に、厚レジストパターン、薄レジストパターン及び無レジスト領域を形成するための厚レジストパターン形成部、薄レジストパターン形成部、及び無レジスト領域形成部を有し、前記薄レジストパターンは半透光部からなり、前記厚レジストパターン形成部及び前記無レジスト領域形成部はそれぞれ被転写基板上のレジストのポジ型かネガ型かに応じて決定された遮光部又は透光部からなるグレートーンマスクにおいて、
前記グレートーンマスクは、前記グレートーンマスクを用いて形成された第１のデバイスパターンと、他のフォトマスクを用いて該第１のデバイスパターンと重なり部分を有するように形成される第２のデバイスパターンを少なくとも一つ有する被転写基板を製造するための、前記第１のデバイスパターンに対応するマスクパターンであって、前記第１のデバイスパターンと前記第２のデバイスパターンとが重なる部分に対応する前記グレートーンマスク上の領域が遮光部又は透光部となるマスクパターンと、
前記半透光部の形成と同時に形成され前記遮光部又は透光部と前記半透光部との位置ずれ量が把握された、前記第２のデバイスパターンに関係するマークパターンとを少なくとも有することを特徴とするグレートーンマスク。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか一に記載のグレートーンマスクを用いてパターン転写を行う工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜トランジスタ液晶表示装置（Thin Film TransistorLiquid Crystal Display）の製造に用いる薄膜トランジスタ基板（以下ＴＦＴ基板と呼ぶ）等に好適に使用されるグレートーンマスク及びそれを用いた薄膜トランジスタ基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＴＦＴ−ＬＣＤは、ＣＲＴ（陰極線管）に比較して、薄型にしやすく消費電力が低いという利点から、現在商品化が急速に進んでいる。ＴＦＴ−ＬＣＤは、マトリックス状に配列された各画素にＴＦＴが配列された構造のＴＦＴ基板と、各画素に対応して、レッド、グリーン、及びブルーの画素パターンが配列されたカラーフィルターが液晶相の介在の下に重ね合わされた概略構造を有する。ＴＦＴ−ＬＣＤでは、製造工程数が多く、ＴＦＴ基板だけでも５〜６枚のフォトマスクを用いて製造されていた。
このような状況の下、ＴＦＴ基板の製造を４枚のフォトマスクを用いて行う方法、即ち２種の膜厚のフォトレジストパターンを用いる方法によりフォトリソグラフィ工程数を低減する方法が提案されている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、ソース電極とドレイン電極の間（チャネル部）の第１の厚さを有するフォトレジストと、第１の厚さよりも厚い第２の厚さを有するフォトレジストと第１の厚さよりも薄い第３の厚さ（厚さゼロを含む）を有するフォトレジストとを用いる工程を有するものが開示されている。
さらに、特許文献１には、この２種類の膜厚を有するフォトレジストパターンを形成する方法として、２つの方法、即ち、（１）透光部、遮光部、及び半透光部を有するグレートーンマスクを用いる方法、及び（２）レジストのリフローによってレジストを変形する方法が開示されている。
【０００４】
上記したグレートーンマスクとしては、半透光部を、マスクが使用される露光装置の解像度よりも小さいパターン、例えばスリットや格子形態のパターンにより形成するか、半透光膜を設けて、光の照射量を調節する方法があり、半透光膜の場合は、遮光性クロム層を完全に除去せず一定の厚さほど残して、この部分を通って入る光の照射量が減少するようにする。
図２０（ａ）は、ソース電極及びドレイン電極に対応する領域を遮光部２０４とし、それらの間のチャネル部に対応する領域をスリット形状の半透光部２０３とした例であり、図２０（ｂ）は、前記チャネル部に対応する領域を半透光膜で形成した例である。
特許文献１に記載された、チャネル部に対応する領域を半透光部としたグレートーンマスクを、先行例１と呼ぶ。
【０００５】
一方、ＴＦＴ基板の製造方法の別の例として、例えば、特許文献２には、グレートーンマスクを用いる方法とレジストをリフローにより変形する方法の両方を組み合わせて用いたＴＦＴ基板の製造方法が開示されている。
以下、図２１を用いて、特許文献２に記載された方法の一例を説明する。
図２１（ａ）に示したように、ガラス基板１０１上にフォトマスクを用いたリソグラフィー法を適用してゲート電極１０２を形成し、ガラス基板１０１上に、ゲート電極１０２を覆ってゲート絶縁膜１０３を形成し、ゲート絶縁膜１０３上に、シリコン膜１０４，ｎ+シリコン膜１０５，金属膜１０６を順次堆積して積層する。
次に、金属膜１０６上にポジ型のフォトレジストを塗布してレジスト膜１０７を形成し、図２１（ｂ）に示すように、レジスト膜１０７に対し、グレートーンマスク２００を介して露光光を照射する。図２２は、グレートーンマスクの平面図である。遮光部２０４は、ソース電極及びドレイン電極の対向部分であってチャネル部に隣接した領域に対応して形成され、ソース電極及びドレイン電極の残りの部分は半透光部２０３から形成され、ソース電極とドレイン電極の間のチャネル部は透光部２０５で形成されている。
【０００６】
次に、露光後のポジ型のフォトレジストを現像すると、厚マスクパターン１０７ａ部分は、ほとんど溶解せずに残り、薄マスクパターン１０７ｂ部分は、ある程度溶解し、他の部分は全て溶解して無くなる。この結果、図２１（ｃ）に示すように、膜厚の厚い厚マスクパターン１０７ａと、膜厚の薄い薄マスクパターン１０７ｂが同時に形成できる。
次に、厚マスクパターン１０７ａおよび薄マスクパターン１０７ｂをマスクとしてエッチングを行うことで、図２１（ｄ）に示すように、シリコン膜１０４上に、オーミックコンタクト層１０５ａ，１０５ｂおよびソース電極１０６ａ，ドレイン電極１０６ｂを形成する。
オーミックコンタクト層１０５ａ，１０５ｂを形成した後、加熱等により、厚マスクパターン１０７ａと薄マスクパターン１０７ｂとをリフローさせる。このことにより、有機樹脂である各マスクパターンは、シリコン膜１０４平面に広がり、オーミックコンタクト層１０５ａとオーミックコンタクト層１０５ｂの間のシリコン膜１０４上では、厚マスクパターン１０７ａと薄マスクパターン１０７ｂとがつながり、図２１（ｅ）及び図２３の平面図に示すように、リフローマスクパターン１０８が形成される。尚、図２１（ｅ）は、図２３のｘ−ｘ断面を示している。
【０００７】
次に、リフローマスクパターン１０８をマスクとしてシリコン層１０４をエッチング除去し、リフローマスクパターン１０８を除去することで、半導体島上に、オーミックコンタクト層１０５ａ，１０５ｂおよびソース電極１０６ａ，ドレイン電極１０６ｂが形成された状態が得られる（図示せず）。この後、パッシベーション膜（図示せず）を形成し、ソース電極１０６ａ上に他のフォトマスクを用いたリソグラフィー法を適用してコンタクトホール１０９を形成し、このコンタクトホール底部でソース電極１０６ａに接続する画素電極（図示せず）、ゲート電極に接続する端子部電極を形成する（図示せず）。
特許文献２に記載された、ソース電極及びドレイン電極の対向部分を除く領域が半透光部となるグレートーンマスクを、先行例２と呼ぶ。
【０００８】
【特許文献１】特開２０００−１６５８８６号公報
【特許文献２】特開２００２−２６１０７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、上述のような、ＴＦＴ基板の製造においてソース電極及びドレイン電極を形成するために用いられるグレートーンマスクにおいては、他のマスクを用いて形成するゲート電極やコンタクトホール等、ソース電極及び／又はドレイン電極と重なるデバイスパターンと関係するマーク（露光の際の位置合わせマーク、位置精度確認用マーク等）を、グレートーンマスク上のデバイスパターン領域外に備えることが一般的である。
【００１０】
グレートーンマスクの半透光部が、マスクが使用される露光装置の解像度よりも小さいパターンである場合、又は半透光膜の場合であっても先行例１のような電極部が全て遮光部で形成されているグレートーンマスクにおいては、遮光膜を加工するのと同時にマークパターンを形成すればよい。しかしながら、先行例２のように、電極部が遮光部と半透光部で形成されているグレートーンマスクにおいて、半透光部を半透光膜で形成しようとした場合は、従来のように遮光膜にマークパターンを形成したのでは、マークとして正確に機能しない場合があるという問題点があった。理論的には、マークはいずれかのマスクパターンと相関がとれていればよいものである。しかしながら、半透光部を半透光膜で形成しようとした場合、半透光膜の加工と遮光膜の加工とで別々のフォトリソ工程を用いる必要がある。このように、２回描画を行う際には、１回目の描画とパターンずれが起きないようにアライメントをとって２回目の描画を行うが、アライメント精度には限界がありアライメントずれを完全になくすことが困難である。そのため、他のマスクを用いて形成するデバイスパターンとソース電極及び／又はドレイン電極とが重なる部分に対応する部分が半透光部であるにもかかわらず、遮光膜の加工時に該デバイスパターンと関係するマークを形成したのでは、２回描画の際に位置ずれを起こした場合、マスクパターンとマークとの相関関係がずれてしまうということになる。
【００１１】
本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、前記グレートーンマスクを用いて形成された第１のデバイスパターンと、他のフォトマスクを用いて形成された該第１のデバイスパターンと重なり部分を有する第２のデバイスパターンを少なくとも一つ有する被転写基板を製造するためのマスクパターンと、第１のデバイスパターンと重なる第２デバイスパターンと関係する正確なマークを備えたグレートーンマスクを提供することを第１の目的とする。
また、このグレートーンマスクを用いた薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供することを第２の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するため、本発明は次の構成を有する。
（構成１）被転写基板上に、厚レジストパターン、薄レジストパターン及び無レジスト領域を形成するための厚レジストパターン形成部、薄レジストパターン形成部、及び無レジスト領域形成部を有し、前記薄レジストパターンは半透光部からなり、前記厚レジストパターン形成部及び前記無レジスト領域形成部はそれぞれ被転写基板上のレジストのポジ型かネガ型かに応じて決定された遮光部又は透光部からなるグレートーンマスクにおいて、前記グレートーンマスクは、前記グレートーンマスクを用いて形成された第１のデバイスパターンと、他のフォトマスクを用いて該第１のデバイスパターンと重なり部分を有するように形成される第２のデバイスパターンを少なくとも一つ有する被転写基板を製造するための、前記第１のデバイスパターンに対応するマスクパターンであって、前記第１のデバイスパターンと前記第２のデバイスパターンとが重なる部分に対応する前記グレートーンマスク上の領域が半透光部となるマスクパターンと、前記半透光部の形成と同時に形成される、前記第２のデバイスパターンに関係するマークパターンとを少なくとも有することを特徴とするグレートーンマスクである。
【００１３】
（構成２）前記第１のデバイスパターンと前記第２のデバイスパターンとが重なる部分に対応する前記グレートーンマスク上の領域が遮光部又は透光部であるマスクパターンと、前記遮光部又は透光部の形成と同時に形成される、前記第２のデバイスパターンに関係するマークパターンとをさらに含むことを特徴とする構成１に記載のグレートーンマスクである。
（構成３）前記マークパターンが、遮光部と透光部とで形成されていることを特徴とする構成１又は２に記載のグレートーンマスクである。
【００１４】
（構成４）被転写基板上に、厚レジストパターン、薄レジストパターン及び無レジスト領域を形成するための厚レジストパターン形成部、薄レジストパターン形成部、及び無レジスト領域形成部を有し、前記薄レジストパターンは半透光部からなり、前記厚レジストパターン形成部及び前記無レジスト領域形成部はそれぞれ被転写基板上のレジストのポジ型かネガ型かに応じて決定された遮光部又は透光部からなるグレートーンマスクにおいて、前記グレートーンマスクは、前記グレートーンマスクを用いて形成された第１のデバイスパターンと、他のフォトマスクを用いて該第１のデバイスパターンと重なり部分を有するように形成される第２のデバイスパターンを少なくとも一つ有する被転写基板を製造するための、前記第１のデバイスパターンに対応するマスクパターンであって、前記第１のデバイスパターンと前記第２のデバイスパターンとが重なる部分に対応する前記グレートーンマスク上の領域が半透光部となるマスクパターンと、前記遮光部又は透光部の形成と同時に形成され前記半透光部と前記遮光部又は透光部との位置ずれ量が把握された、前記第２のデバイスパターンに関係するマークパターンとを少なくとも有することを特徴とするグレートーンマスクである。
【００１５】
（構成５）被転写基板上に、厚レジストパターン、薄レジストパターン及び無レジスト領域を形成するための厚レジストパターン形成部、薄レジストパターン形成部、及び無レジスト領域形成部を有し、前記薄レジストパターンは半透光部からなり、前記厚レジストパターン形成部及び前記無レジスト領域形成部はそれぞれ被転写基板上のレジストのポジ型かネガ型かに応じて決定された遮光部又は透光部からなるグレートーンマスクにおいて、前記グレートーンマスクは、前記グレートーンマスクを用いて形成された第１のデバイスパターンと、他のフォトマスクを用いて該第１のデバイスパターンと重なり部分を有するように形成される第２のデバイスパターンを少なくとも一つ有する被転写基板を製造するための、前記第１のデバイスパターンに対応するマスクパターンであって、前記第１のデバイスパターンと前記第２のデバイスパターンとが重なる部分に対応する前記グレートーンマスク上の領域が遮光部又は透光部となるマスクパターンと、前記半透光部の形成と同時に形成され前記遮光部又は透光部と前記半透光部との位置ずれ量が把握された、前記第２のデバイスパターンに関係するマークパターンとを少なくとも有することを特徴とするグレートーンマスクである。
【００１６】
（構成６）構成１乃至５の何れか一に記載のグレートーンマスクを用いてパターン転写を行う工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法である。
【発明の効果】
【００１７】
請求項１に係る本発明のグレートーンマスクによれば、グレートーンマスクを用いて形成された第１のデバイスパターンと、他のフォトマスクを用いて形成された該第１のデバイスパターンと重なり部分を有する第２のデバイスパターンを少なくとも一つ有する被転写基板を製造するためのマスクパターンであって、第１のデバイスパターンと第２のデバイスパターンとが重なる部分に対応するグレートーンマスク上の領域が半透光部となるマスクパターンを含む場合、第２のデバイスパターンに関係するマークパターンが前記半透光部の形成と同時に形成されたものなので、第１のデバイスパターンと重なる第２デバイスパターンと関係する正確なマークを備えたグレートーンマスクを提供することができる。
【００１８】
また、請求項２に係る本発明のグレートーンマスクによれば、第１のデバイスパターンと第２のデバイスパターンとが重なる部分に対応するグレートーンマスク上の領域が遮光部又は透光部であるマスクパターンをさらに含む場合、第２のデバイスパターンに関係する別のマークパターンが遮光部又は透光部の形成と同時に形成されるので、第１のデバイスパターンと重なる第２のデバイスパターンと関係する正確なマークを備えたグレートーンマスクを提供することができる。
また、請求項３に係る本発明のグレートーンマスクによれば、マークパターンが、遮光部と透光部とで形成されていることにより、コントラストの高いマークを備えたグレートーンマスクを提供することができる。
【００１９】
また、請求項４に係る本発明のグレートーンマスクによれば、第１のデバイスパターンと第２のデバイスパターンとが重なる部分に対応するグレートーンマスク上の領域が半透光部となるマスクパターンを含む場合、第２のデバイスパターンに関係するマークパターンが遮光部又は透光部の形成と同時に形成され、半透光部と遮光部又は透光部との位置ずれ量が把握されたものであるため、第１のデバイスパターンと重なる第２のデバイスパターンと関係する正確なマークを備えたグレートーンマスクを提供することができる。
【００２０】
また、請求項５に係る本発明のグレートーンマスクによれば、第１のデバイスパターンと第２のデバイスパターンとが重なる部分に対応するグレートーンマスク上の領域が遮光部又は透光部となるマスクパターンを含む場合、第２のデバイスパターンに関係するマークパターンが半透光部の形成と同時に形成され、遮光部又は透光部と半透光部との位置ずれ量が把握されたものであるため、第１のデバイスパターンと重なる第２のデバイスパターンと関係する正確なマークを備えたグレートーンマスクを提供することができる。
【００２１】
また、請求項６に係る本発明の薄膜トランジスタ基板の製造方法によれば、本発明のグレートーンマスクを用いてパターン転写を行うので、該グレートーンマスクを用いて形成された第１のデバイスパターンと、他のフォトマスクを用いて該第１のデバイスパターンと重なり部分を有するように形成される第２のデバイスパターンとの位置精度が高く、そのため基板の動作不良の生じない、高品質の薄膜トランジスタ基板が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明を実施の形態により詳細に説明する。尚、以下の実施の形態においては、被転写基板上のレジストにポジ型レジストを用いることを前提に、厚レジストパターン形成部を遮光部、無レジスト領域形成部を透光部としたグレートーンマスクについて説明する。
（実施の形態１）
図１の（ａ）は、本実施の形態に係るグレートーンマスク２０の平面図、（ｂ）はＴＦＴ基板におけるソース電極及びドレイン電極付近のパターン３０を示す平面図、（ｃ）は被転写基板上に形成されたレジストパターンを示す平面図である。
図１（ｂ）に示されているように、本実施の形態では、パターン３０における遮光部２２は、ソース電極及びドレイン電極の対向部分であってチャネル部に隣接した領域に対応して形成され、ソース電極及びドレイン電極の残りの部分は半透光部２１から形成され、ソース電極とドレイン電極の間のチャネル部は透光部２３で形成されている。遮光部２２は、被転写基板上では、ポジ型レジストの場合は厚レジストパターン４２を形成し、半透光部２１は、薄レジストパターン４１を形成する。
【００２３】
このようなＴＦＴ基板の製造においてソース電極及びドレイン電極を形成するために用いられるグレートーンマスクにおいて、他のフォトマスクを用いて形成するゲート電極（Ｇ）やコンタクトホール（Ｈ）等、ソース電極（Ｓ）及び／又はドレイン電極（Ｄ）と重なるデバイスパターンと関係するマークをグレートーンマスク上のデバイスパターン領域外に形成しており、本実施の形態では、上記コンタクトホール（Ｈ）と関係するマークパターン３１と、上記ゲート電極（Ｇ）と関係するマークパターン３２とを備えている。なお、本実施の形態では、ソース電極（Ｓ）及びドレイン電極（Ｄ）のデバイスパターンと他のフォトマスクを用いて形成するコンタクトホール（Ｈ）とが重なる部分はグレートーンマスク上の半透光部に対応し、ソース電極（Ｓ）及びドレイン電極（Ｄ）のデバイスパターンと他のフォトマスクを用いて形成するゲート電極（Ｇ）とが重なる部分のうち、ゲート電極（Ｇ）を形成する際に合わせ易いチャネル部と隣接する部分はグレートーンマスク上の遮光部に対応する。
【００２４】
次に、上記グレートーンマスクを製造する方法について図２及び図３を用いて説明する。
本実施の形態で使用するマスクブランク１０は、図２（ａ）に示すように、石英等からなる、主表面のサイズが４５０ｍｍ×５５０ｍｍの大型透明基板１上に、半透光膜２及び遮光膜３を順次形成したものである。
ここで、遮光膜３の材質としては、薄膜で高い遮光性が得られるものが好ましく、例えばＣｒ，Ｓｉ，Ｗ，Ａｌ等が挙げられる。尚、遮光膜３は、表面又は表裏両面に、例えば前記金属の酸化物からなる反射防止層を有するものであってもよい。また、半透光膜２の材質としては、薄膜で、透光部の透過率を１００％とした場合に透過率５０％程度の半透光性が得られるものが好ましく、例えばＣｒ化合物（Ｃｒの酸化物、窒化物、酸窒化物、フッ化物など）、ＭｏＳｉ、Ｓｉ，Ｗ，Ａｌ等が挙げられる。Ｓｉ，Ｗ，Ａｌ等は、その膜厚によって高い遮光性も得られ、或いは半透光性も得られる材質である。また、デバイスパターン領域では、形成されるマスクの遮光部は半透光膜２と遮光膜３の積層となるため、遮光膜単独では遮光性が足りなくても半透光膜と合わせた場合に遮光性が得られれば良い。なお、ここで透過率とは、グレートーンマスクを使用する例えば大型ＬＣＤ用露光機の露光光の波長に対する透過率のことである。また、半透光膜の透過率は５０％程度に限定される必要は全くない。半透光部の透過性をどの程度に設定するかは設計上の問題である。
【００２５】
また、上記遮光膜３と半透光膜２の材質の組合せに関しては、互いの膜のエッチング特性が異なり、一方の膜のエッチング環境において他方の膜は耐性を有することが望まれる。例えば、遮光膜３をＣｒ，半透光膜２をＭｏＳｉで形成した場合、Ｃｒ遮光膜を塩素系ガスを用いてドライエッチング又は硝酸第２セリウムアンモニウムと過酸素塩を混合させて希釈したエッチング液を用いてウェットエッチングすると、下地のＭｏＳｉ半透光膜との間では高いエッチング選択比が得られるので、ＭｏＳｉ半透光膜に殆どダメージを与えずにＣｒ遮光膜だけをエッチングにより除去することが可能である。さらに、上記遮光膜３と半透光膜２は、基板上に成膜したときに密着性が良好であることが望ましい。
上記マスクブランク１０は、透明基板１上に半透光膜２及び遮光膜３を順次成膜することで得られるが、成膜方法は、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ（化学的気相成長）法など、膜種に適した方法を適宜選択すればよい。また、膜厚に関しては、特に制約はないが、要は良好な遮光性或いは半透光性が得られるように最適化された膜厚で形成すればよい。
【００２６】
次に、このマスクブランク１０上に例えば電子線或いはレーザ描画用のポジ型レジストを塗布し、ベーキングを行って、遮光膜パターンを形成するためのレジスト膜４を形成する（図２（ｂ）参照）。次に、電子線描画機或いはレーザ描画機などを用いて描画を行う。この場合の描画データは、デバイスパターン領域では、図１に示すソース電極及びドレイン電極の対向部分であってチャネル部に隣接した遮光部領域２２に対応する遮光膜パターン３ａのパターンデータである。描画後、これを現像して、マスクブランク上に遮光部に対応するレジストパターン４ａを形成する（図２（ｃ）参照）。
【００２７】
次に、形成されたレジストパターン４ａをマスクとして、遮光膜３をエッチングして、遮光部に対応する遮光膜パターン３ａを形成する（図２（ｃ）参照）。遮光膜３がＣｒ系材料からなる場合、塩素ガスを用いたドライエッチングを用いることが出来る。遮光部に対応する領域以外は、遮光膜３のエッチングにより下地の半透光膜２が露出した状態である。残存するレジストパターン４ａは、酸素によるアッシング或いは濃硫酸などを用いて除去する（図２（ｄ）参照）。
【００２８】
尚、本実施の形態のグレートーンマスクを用いたＴＦＴ基板製造工程においては、ゲート電極上にソース電極及びドレイン電極を所定の間隔で形成するため、ゲート電極とソース及びドレイン電極とのアライメントをとる必要があるため、前述のようにゲート電極とのアライメントに関係するマーク（露光の際の位置合わせマーク、位置精度確認用マーク等）３２をマスク上に設けている。その場合、ソース電極とドレイン電極に挟まれたチャネル部がゲート電極と正確に位置合わせされることが重要であることから、ソース電極とドレイン電極の最もチャネル部側に形成される薄膜パターンと相関のとれたマークを、マスクのデバイスパターン領域外に設けることが好ましく、本実施の形態では、ソース電極とドレイン電極の最もチャネル部側に形成される薄膜パターンは、遮光膜パターンである。従って、本実施の形態においては、前記工程において、遮光膜パターン３ａを形成するための描画データに、ゲート電極と関係するマークを含め、デバイスパターン領域の遮光膜パターンの形成と同時にマークパターン３２の形成も行う。
【００２９】
次に、再び全面に前記レジストを塗布してレジスト膜４を形成する（図２（ｅ）参照）。そして、２回目の描画を行う。この時の描画データは、図１に示すソース電極とドレイン電極に対応するパターンデータである。描画後、これを現像して、半透光膜パターンを形成するためのレジストパターン４ｂを形成する（図３（ｆ）参照）。
次に、形成されたレジストパターン４ｂをマスクとして、透光部となる領域の半透光膜２をエッチングにより除去し、半透光膜パターン２ａを形成する。これにより、半透光部は透光部と画され、半透光部及び透光部が形成される（図３（ｇ）参照）。本実施の形態では、コンタクトホールはグレートーンマスク上のデバイスパターン領域の半透光部に対応するため、前記工程において、半透光膜パターン２ａを形成するための描画データに、コンタクトホールと関係するマークを含め、デバイスパターン領域の半透光膜パターンの形成と同時にマークパターン３１の形成も行う。そして、残存するレジストパターンは酸素アッシング等を用いて除去する（図３（ｈ）参照）。
【００３０】
以上のようにして本実施の形態の図１に示すグレートーンマスク２０が出来上がる。本実施の形態のグレートーンマスクによれば、コンタクトホールはグレートーンマスク上のデバイスパターン領域の半透光部に対応するため、コンタクトホールと関係するマークパターン３１は半透光部の形成と同時に形成される。即ち、本実施の形態において、グレートーンマスクを用いて形成されたソース電極（Ｓ）（第１のデバイスパターン）のチャネル部と隣接する部分を除く領域には、他のフォトマスクを用いて形成されるコンタクトホール（Ｈ）（第２のデバイスパターン）が重なる部分を有する。前記グレートーンマスクを用いて形成されたソース電極（Ｓ）のチャネル部と隣接する部分を除く領域に対応するグレートーンマスク上の領域は半透光部であるため、グレートーンマスク上のコンタクトホールに関係するマークパターンを半透光部の形成と同時に形成することで、マークとしての正確性が向上し、マークを露光時の位置合わせに用いる場合は、前記グレートーンマスク及び他のフォトマスクとの間で正確な位置合わせを行うことが出来、マークを露光後の位置確認に用いる場合は、ソース電極とコンタクトホールとの正確な位置精度を確認することができる。
【００３１】
さらに、本実施の形態においては、ゲート電極を形成する際に合わせやすいチャネル部と隣接する部分はグレートーンマスク上のデバイスパターン領域の遮光部に対応するため、ゲート電極と関係するマークパターン３２は遮光部の形成と同時に形成されたものなので、グレートーンマスクを用いて形成するソース電極及びドレイン電極と重なるゲート電極と関係する正確なマークを備えたグレートーンマスクを得ることができる。本実施の形態では、コンタクトホールと関係するマークパターン３１は半透光部と透光部とで形成され、ゲート電極と関係するマークパターン３２は遮光部と透光部とで形成されている。
【００３２】
また、本実施の形態のグレートーンマスクを用いたＴＦＴ基板の製造方法は、例えば、前述した先行例２の方法において、用いるグレートーンマスクを本実施の形態のグレートーンマスクに変更した例が挙げられる。その場合、他のフォトマスクを用いてゲート電極の形成と同時に形成されたアライメントマークパターンと、本実施の形態のグレートーンマスクのゲート電極に関係するマークパターンとが、露光時の位置合わせや露光後の位置確認に用いられ、また、本実施の形態のグレートーンマスクのコンタクトホールに関係するマークパターンと、コンタクトホールを形成するための他のフォトマスクのアライメントマークパターンとが、露光時の位置合わせや露光後の位置確認に用いられる。このＴＦＴ基板の製造方法によれば、マークを露光時の位置合わせに用いる場合は、前記グレートーンマスク及び他のフォトマスクとの間で正確な位置合わせを行うことが出来、マークを露光後の位置確認に用いる場合は、ソース電極とコンタクトホールとの正確な位置精度を確認することができる。つまり、前記グレートーンマスク及び他のフォトマスクとの間で正確な位置合わせを行うことが出来、ソース電極とコンタクトホールとの正確な位置精度を実現することができる。
【００３３】
尚、本実施の形態において、使用するマスクブランクは、半透光膜２と遮光膜３の間にバッファー膜を形成したものであってもよい。すなわち、半透光膜２と遮光膜３との間に、エッチングストッパーとしての機能を有するバッファー膜を設けることで、１回目のフォトリソ工程において、レジストパターンの形成されていない領域の遮光膜をエッチングにより除去する際に、下層の半透光膜の膜減りなどのダメージを防止することができる。このようにバッファー膜を設けることで、遮光膜３及び半透光膜２は、エッチング特性が似かよった材質、例えば同一材料の膜や主成分が同じ材料の膜等で構成することが可能である。なお、バッファー膜の材質は、遮光膜３をエッチングする環境に耐性を有する材質から選択される。また、半透光部におけるバッファー膜を除去する必要がある場合には、ドライエッチング等の方法で下地の半透光膜２にダメージを与えずに除去できる材質であることも要求される。バッファー膜として例えばＳｉＯ２又はＳＯＧ（Spin On Glass）等を用いることが出来る。これらの材質は、遮光膜をＣｒ系材料で構成する場合、遮光膜との間で高いエッチング選択比を取ることが出来る。また、これらの材質は透過性が良好であり、半透光部に介在してもその透過特性を損わないため除去しないでおくことも可能である。
【００３４】
さらに、マスクブランクとして、半透光膜と遮光膜が積層されたものを用いるのではなく、透過率の膜厚依存性を有する遮光膜が形成されたものを用い、遮光膜をエッチングして半透光膜を露出させる工程（図２（ｃ）参照）として、遮光膜を所望の透過率となるような膜厚にエッチングする工程に置き換えることもできる。
また、ゲート電極及びコンタクトホールと関係するマークパターンは１つずつ示したが、例えば、露光時の位置合わせ用マークと露光後の位置確認用マーク等、複数の目的のマークをそれぞれに設けても良い。さらに、マークパターンの形状についても図示したような形状に係らず、マークの目的に応じた形状を任意に選定することが出来る。
【００３５】
（実施の形態２）
図４は本実施の形態に係るグレートーンマスク２０の平面図である。デバイスパターン領域外に、コンタクトホールと関係するマークパターン３１と、ゲート電極と関係するマークパターン３２とを備えている。尚、ＴＦＴ基板におけるソース電極及びドレイン電極付近のパターンを示す平面図、及び被転写基板上に形成されたレジストパターンを示す平面図は、前述の図１と同様であるため、図示は省略する。
次に、上記グレートーンマスクを製造する方法について図５及び図６を用いて説明する。
実施の形態１で用いたマスクブランク１０を用意する（図５（ａ）参照）。
次に、マスクブランク１０上に描画用のポジ型レジストを塗布し、ベーキングを行って、半透光膜パターンを形成するためのレジスト膜４を形成する（図５（ｂ）参照）。次に、電子線描画機或いはレーザ描画機などを用いて描画を行う。この時の描画データは、図１に示す、ソース電極とドレイン電極に対応するパターンデータである。描画後、これを現像して、マスクブランク上にレジストパターン４ｃを形成する（図５（ｃ）参照）。
【００３６】
尚、本実施の形態では、コンタクトホールはグレートーンマスク上のデバイスパターン領域の半透光部に対応するため、コンタクトホールと関係するマークパターン３１の形成については、前記工程において、半透光膜パターンを形成するための描画データに、コンタクトホールと関係するマークを含め、次に続く遮光膜のエッチング及び半透光膜のエッチングにおいて、デバイスパターン領域の半透光膜パターンの形成と同時にマークパターン３１の形成も行う。
次に、形成されたレジストパターン４ｃをマスクとして、遮光膜３をエッチングして、引続き、半透光膜２をエッチングする（図５（ｃ）、（ｄ）参照）。残存するレジストパターン４ｃは、酸素によるアッシング或いは濃硫酸などを用いて除去する。
【００３７】
次に、再び全面に前記レジストを塗布してレジスト膜４を形成する（図５（ｅ）参照）。そして、２回目の描画を行う。この時の描画データは、図１に示すソース電極及びドレイン電極の対向部分であってチャネル部に隣接した遮光部領域２２に対応する遮光膜パターンデータである。描画後、これを現像して、遮光膜パターンを形成するためのレジストパターン４ｄを形成する（図６（ｆ）参照）。尚、ゲート電極とのアライメントに関するマークの形成については、ソース電極とドレイン電極の最もチャネル部側に形成される薄膜パターンと相関のとれたマークを形成するため、本実施の形態では、前記工程において、遮光膜パターンを形成するための描画データに、ゲート電極と関係するマークを含め、次に続く遮光膜のエッチングにおいて、デバイスパターン領域の遮光膜パターンの形成と同時にマークパターン３２の形成も行う。
次に、形成されたレジストパターン４ｄをマスクとして、露出した半透光膜上の遮光膜をエッチングにより除去する。これにより、遮光部は半透光部と画され、半透光部及び遮光部が形成される（図６（ｇ）参照）。そして、残存するレジストパターンは酸素アッシング等を用いて除去する（図６（ｈ）参照）。
【００３８】
次に、再び全面に前記レジストを塗布してレジスト膜を形成し、描画、現像して、ゲート電極と関係するマークパターン３２における半透光膜を除去するためのレジストパターン４ｅを形成する（図６（ｉ）参照）。そして、ゲート電極と関係するマークパターン３２において露出した半透光膜をエッチングにより除去し（図６（ｊ）参照）、残存するレジストパターン４ｅを除去することにより、本実施の形態のグレートーンマスク２０が出来上がる（図６（ｋ）参照）。尚、上記図６（ｉ）〜（ｋ）の工程は実施しなくてもよいが、ゲート電極と関係するマークパターン３２における半透光膜を除去することで、マークのコントラストが得やすくなるので好ましい。
また、遮光膜が半透光膜のエッチングに対して充分な耐性を有する場合は、マークパターン３２における半透光膜を除去するためのレジストパターン４ｅ（図６参照）を、図６（ｉ）に示されるようにマークパターン３２と同じ位置が開口するように形成するのではなく、マークパターン３２を含む大きめの領域が開口するように形成することで、レジストパターン４ｅを形成するための描画の位置ずれが発生しても問題とならずに済む。さらに、遮光膜が半透光膜のエッチングに対して充分な耐性を有する場合、レジストパターン４ｅを形成せずに、マークパターン３２において露出した半透光膜を局所的に除去してもよい。
【００３９】
本実施の形態のグレートーンマスクは、その製造工程において、半透光膜パターンを形成した後、遮光膜パターンを形成している点が前述の実施の形態１とは異なるが、コンタクトホールと関係するマークパターン３１は半透光部の形成と同時に形成され、ゲート電極と関係するマークパターン３２は遮光部の形成と同時に形成されたものなので、ゲート電極やコンタクトホール等のパターンと関係する正確なマークを備えたグレートーンマスクを得ることができる。また、本実施の形態では、コンタクトホールと関係するマークパターン３１は遮光部と透光部とで形成されているため、前述の実施の形態１のマスクにおけるマークパターン３１と比べると高いコントラストが得られる。また、本実施の形態においても、実施の形態１と同様の方法を用いてＴＦＴ基板を製造することができ、実施の形態１と同様に、マークを露光時の位置合わせに用いる場合は、前記グレートーンマスク及び他のフォトマスクとの間で正確な位置合わせを行うことが出来、マークを露光後の位置確認に用いる場合は、ソース電極とコンタクトホールとの正確な位置精度を確認することができる。
【００４０】
尚、本実施の形態においても、実施の形態１同様に、半透光膜２と遮光膜３の間にバッファー膜を形成したマスクブランクを用いることもできる。
さらに、マスクブランクとして、半透光膜と遮光膜が積層されたものを用いるのではなく、透過率の膜厚依存性を有する遮光膜が形成されたものを用い、遮光膜をエッチングして半透光膜を露出させる工程（図６（ｇ）参照）として、遮光膜を所望の透過率となるような膜厚にエッチングする工程に置き換えることもできる。
【００４１】
（実施の形態３）
実施の形態３は、前述の実施の形態１、２のグレートーンマスクが半透光膜パターン上に遮光膜パターンが形成され、遮光部が、半透光膜とその上の遮光膜により形成されているのに対し、後述の図９（ｉ）に示すように、遮光膜パターン３ｄ上に半透光膜パターン２ｄが形成され、遮光部が、遮光膜とその上の半透光膜により形成されているグレートーンマスク２０である。図７は本実施の形態のグレートーンマスク２０の平面図であるが、遮光部において遮光膜パターンと半透光膜パターンの上下が逆となる以外は例えば図１と同様である。尚、ＴＦＴ基板におけるソース電極及びドレイン電極付近のデバイスパターンを示す平面図、及び被転写基板上に形成されたレジストパターンを示す平面図は、前述の図１と同様であるため、図示は省略する。
以下、図８及び図９を用いて、本実施の形態に係るグレートーンマスク２０の製造方法を説明する。
【００４２】
本実施の形態では、まず、図８（ａ）に示すように、実施の形態１と同様の透明基板１上に、遮光膜３を形成したマスクブランク１１を用いる。  
このマスクブランク上に、描画用のポジ型レジストを塗布し、ベーキングを行って、遮光膜パターンを形成するためのレジスト膜４を形成する（図８（ｂ）参照）。次に、電子線描画機或いはレーザ描画機などを用いて描画を行う。この時の描画データは、図１に示すソース電極及びドレイン電極の対向部分であってチャネル部に隣接した遮光部領域２２に対応する遮光膜パターンデータである。描画後、これを現像して、遮光膜パターンを形成するためのレジストパターン４ｆを形成する（図８（ｃ）参照）。
【００４３】
次に、形成されたレジストパターン４ｆをマスクとして、遮光膜３をウェット又はドライエッチングして、遮光部に対応するパターン３ｄを形成する（図８（ｄ）参照）。遮光膜３がＣｒ系材料からなる場合、ウェットエッチングには、例えば硝酸第２セリウムアンモニウムと過酸素塩を混合させて希釈したエッチング液等を用いることが出来、ドライエッチングには、Ｃｌ２＋Ｏ２等の塩素系ガスを含むドライエッチングガスを用いることができる。残存するレジストパターン４ｆは、酸素によるアッシング或いは濃硫酸などを用いて除去する。尚、ゲート電極とのアライメントに関するマークの形成については、本実施の形態では、前記工程において、遮光膜パターンを形成するための描画データに、ゲート電極と関係するマークを含め、デバイスパターン領域の遮光膜パターンの形成と同時にマークパターン３２の形成も行う（図８（ｃ）、（ｄ）参照）。
【００４４】
次に、全面に半透光膜２を形成する（図８（ｅ）参照）。次いで、半透光膜２上にレジストを塗布して半透光膜パターンを形成するためのレジスト膜４を形成する（図９（ｆ）参照）。そして、２回目の描画を行う。この時の描画データは、図１に示すソース電極とドレイン電極に対応するパターンデータである。描画後、これを現像して、半透光膜パターンを形成するためのレジストパターン４ｇを形成する（図９（ｇ）参照）。尚、本実施の形態では、コンタクトホールはグレートーンマスク上のデバイスパターン領域の半透光部に対応するため、コンタクトホールと関係するマークパターン３１の形成については、前記工程において、半透光膜パターンを形成するための描画データに、コンタクトホールと関係するマークを含め、次に続く半透光膜のエッチングにおいて、デバイスパターン領域の半透光膜パターンの形成と同時にマークパターン３１の形成も行う。
【００４５】
次に、形成されたレジストパターン４ｇをマスクとして、透光部となる領域の半透光膜２をウェット又はドライエッチングにより除去する。これにより、デバイスパターン領域の半透光部は透光部と画され、半透光部及び透光部が形成される（図９（ｈ）参照）。なお、残存するレジストパターンは酸素アッシング等を用いて除去する（図９（ｉ）参照）。
本実施の形態のグレートーンマスクにおいても、コンタクトホールと関係するマークパターン３１は半透光部の形成と同時に形成され、ゲート電極と関係するマークパターン３２は遮光部の形成と同時に形成されたものなので、ゲート電極やコンタクトホール等のパターンと関係する正確なマークを備えたグレートーンマスクを得ることができる。尚、本実施の形態では、コンタクトホールと関係するマークパターン３１は半透光部と透光部とで形成され、ゲート電極と関係するマークパターン３２は遮光部と半透光部とで形成されている。
また、本実施の形態においても、実施の形態１と同様の方法を用いてＴＦＴ基板を製造することができ、実施の形態１と同様に、マークを露光時の位置合わせに用いる場合は、前記グレートーンマスク及び他のフォトマスクとの間で正確な位置合わせを行うことが出来、マークを露光後の位置確認に用いる場合は、ソース電極とコンタクトホールとの正確な位置精度を確認することができる。
尚、本実施の形態においては、遮光膜３と半透光膜２のエッチング選択性が小さい材質を組み合わせることも可能である。
【００４６】
（実施の形態４）
本実施の形態は、実施の形態３と同様のグレートーンマスクを、実施の形態３と異なる方法で製造した例である。
以下、図１０及び図１１を用いて説明する。
図１０（ａ）に示すように、実施の形態３で用いたマスクブランク１１を用意する。
このマスクブランク上に、描画用のポジ型レジストを塗布し、ベーキングを行って、遮光膜パターンを形成するためのレジスト膜４を形成する（図１０（ｂ）参照）。次に、電子線描画機或いはレーザ描画機などを用いて描画を行い、これを現像して、遮光膜パターンを形成するためのレジストパターン４ｈを形成する（図１０（ｃ）参照）。
【００４７】
次に、形成されたレジストパターン４ｈをマスクとして、遮光膜３をウェット又はドライエッチングして、遮光部に対応するパターン３ｅを形成する（図１０（ｄ）参照）。残存するレジストパターン４ｈは、酸素によるアッシング或いは濃硫酸などを用いて除去する。尚、ゲート電極と関係するマークの形成は、前記工程において、遮光膜パターンを形成するための描画データに、ゲート電極と関係するマークを含め、デバイスパターン領域の遮光膜パターンの形成と同時にマークパターン３２の形成も行う（図１０（ｃ）、（ｄ）参照）。
【００４８】
次に、少なくともマークパターン３１，３２の形成領域（通常はマスクのデバイスパターン形成領域以外の周辺部）を遮蔽板５０で覆って半透光膜２を形成する（図１０（ｅ）参照）。次いで、全面にレジストを塗布して半透光膜パターンを形成するためのレジスト膜４を形成する（図１１（ｆ）参照）。そして、２回目の描画を行い、これを現像して、半透光膜パターンを形成するためのレジストパターン４ｉを形成する（図１１（ｇ）参照）。尚、コンタクトホールはグレートーンマスク上のデバイスパターン領域の半透光部に対応するため、コンタクトホールと関係するマークパターン３１の形成は、前記工程において、半透光膜パターンを形成するための描画データに、コンタクトホールと関係するマークを含め、デバイスパターン領域の半透光膜パターンの形成と同じにマークパターン３１の形成も行う。
【００４９】
次に、形成されたレジストパターン４ｉをマスクとして、透光部となる領域の半透光膜２をウェット又はドライエッチングにより除去する。これにより、デバイスパターン領域の半透光部は透光部と画され、半透光部及び透光部が形成される（図１１（ｈ）参照）。残存するレジストパターンは酸素アッシング等を用いて除去する（図１１（ｉ）参照）。
尚、上述の図１１（ｈ）のエッチング工程において、コンタクトホールと関係するマークパターン３１の形成は、レジストパターン４ｉをマスクとして遮光膜３ｅをエッチングすることにより行うため、半透光膜２をエッチングする環境において、遮光膜３ｅのエッチング速度が半透光膜２のエッチング速度よりも遅く、半透光膜２のエッチングが終了しても遮光膜３ｅのエッチングが終了していない場合は、遮光膜３ｅのみ追加エッチングを行ってもよい。例えば、図１１（ｈ’）に示すように、マスク基板を傾斜させた状態で、スプレーノズル５１を用いて上記マークパターン３１形成部分にのみエッチング液を噴き付ける方法が挙げられる。
【００５０】
本実施の形態のグレートーンマスクにおいても、ゲート電極やコンタクトホール等のパターンと関係する正確なマークを備えたグレートーンマスクを得ることができる。また、本実施の形態では、コンタクトホールと関係するマークパターン３１と、ゲート電極と関係するマークパターン３２のいずれも遮光部と透光部で形成されるため、前述の実施の形態３のマスクにおけるマークパターンのコントラストを改善することができる。
【００５１】
（実施の形態５）
図１２の（ａ）は、本実施の形態に係るグレートーンマスク２０の平面図、（ｂ）はＴＦＴ基板におけるソース電極及びドレイン電極付近のパターン３４を示す平面図、（ｃ）は被転写基板上に形成されたレジストパターンを示す平面図である。
図１２（ｂ）に示されているように、本実施の形態では、デバイスパターン３４は、ソース電極及びドレイン電極に対応する領域に形成された半透光膜パターン２１と、ソース電極及びドレイン電極の対向部分に対応する領域に形成され、かつチャネル部に対応する透光部２３側に、所望のマージン領域２４を空けて前記半透光膜パターン２１の上に形成された遮光膜パターン２２を有する。即ち、遮光膜パターン２２が半透光膜パターン２１と積層された部分が遮光部、遮光部以外の半透光膜が形成された領域が半透光部、半透光膜２１も遮光膜２２も形成されていない領域が透光部である。従って、本実施の形態では、ソース電極及びドレイン電極のデバイスパターンと他のフォトマスクを用いて形成するコンタクトホール（Ｈ）とが重なる部分はグレートーンマスク上の半透光部に対応し、ソース電極及びドレイン電極のデバイスパターンと他のフォトマスクを用いて形成するゲート電極（Ｇ）とが重なる部分のうち、ゲート電極（Ｇ）を形成する際に合わせ易いチャネル部と隣接する部分もグレートーンマスク上の半透光部に対応する。
【００５２】
本実施の形態では、上記コンタクトホールと関係するマークパターンと、上記ゲート電極と関係するマークパターンを兼用するマークパターン３３をマスク２０のデバイスパターン領域外に備えている。上記コンタクトホールと関係するマークパターンは半透光部の形成と同時に形成された場合、上記ゲート電極と関係するマークパターンも兼ねることができる。
【００５３】
次に、上記グレートーンマスクを製造する方法について図１３及び図１４を用いて説明する。
図１３（ａ）に示すように、実施の形態３で用いたマスクブランク１１を用意する。
このマスクブランク上に、描画用のポジ型レジストを塗布し、ベーキングを行って、遮光膜パターンを形成するためのレジスト膜４を形成する（図１３（ｂ）参照）。次に、電子線描画機或いはレーザ描画機などを用いて描画を行う。この時の描画データは、図１２（ｂ）に示す、ソース電極とドレイン電極の対向部分に、チャネル部側に所望のマージン領域を空けた位置に対応する遮光膜パターン２２のパターンデータである。描画後、これを現像して、マスクブランク上に遮光部に対応するレジストパターン４ｊを形成する（図１３（ｃ）参照）。尚、このマージン領域は、２回描画のアライメント精度を考慮して、想定されるアライメントずれよりも大きいチャネル部側からの幅とすることが好ましく、本実施の形態の場合は、０．１〜１μｍ程度幅のマージン領域とすることが好ましい。
【００５４】
次に、形成されたレジストパターン４ｊをマスクとして、遮光膜３をウェット又はドライエッチングして、遮光部に対応するパターン３ｆを形成する（図１３（ｄ）参照）。残存するレジストパターン４ｊは、酸素によるアッシング或いは濃硫酸などを用いて除去する。
次に、全面に半透光膜２を形成する（図１３（ｅ）参照）。次いで、半透光膜２上にレジストを塗布して半透光膜パターンを形成するためのレジスト膜４を形成する（図１４（ｆ）参照）。そして、２回目の描画を行う。この時の描画データは、図１２（ｂ）に示すソース電極とドレイン電極に対応するパターンデータである。描画後、これを現像して、半透光膜パターンを形成するためのレジストパターン４ｋを形成する（図１４（ｇ）参照）。本実施の形態では、コンタクトホールはグレートーンマスク上のデバイスパターン領域の半透光部に対応するため、コンタクトホールと関係するマークパターン３３の形成については、前記工程において、半透光膜パターンを形成するための描画データに、コンタクトホールと関係するマークを含め、次に続く半透光膜のエッチングにおいて、デバイスパターン領域の半透光膜パターンの形成と同時にマークパターン３３の形成も行う。また、ゲート電極を形成する際に合わせ易いチャネル部と隣接する部分もグレートーンマスク上の半透光部に対応するため、上記半透光膜パターンの形成と同時に形成された上記マークパターン３３は、ゲート電極と関係するマークパターンも兼ねることができる。
【００５５】
次に、形成されたレジストパターン４ｋをマスクとして、透光部となる領域の半透光膜２をウェット又はドライエッチングにより除去する。これにより、デバイスパターン領域の半透光部は透光部と画され、半透光部及び透光部が形成される（図１４（ｈ）参照）。なお、残存するレジストパターンは酸素アッシング等を用いて除去する（図１４（ｉ）参照）。
本実施の形態においては、コンタクトホールはグレートーンマスク上の半透光部に対応し、ゲート電極を形成する際に合わせ易いチャネル部と隣接する部分もグレートーンマスク上の半透光部に対応するため、半透光部の形成と同時に形成されたコンタクトホールと関係するマークパターン３３は、ゲート電極と関係するマークパターンも兼ねることができ、ゲート電極やコンタクトホール等のパターンと関係する正確なマークを備えたグレートーンマスクが得られる。本実施の形態では、上記マークパターン３３は半透光部と透光部とで形成されている。本実施の形態のグレートーンマスクを用いてＴＦＴ基板を製造する際、マークを露光時の位置合わせに用いる場合は、前記グレートーンマスク及び他のフォトマスクとの間で正確な位置合わせを行うことが出来、マークを露光後の位置確認に用いる場合は、ソース電極とコンタクトホールとの正確な位置精度を確認することができる。
尚、本実施の形態では、実施の形態３で用いたマスクブランク１１を用いてマスク製造を行う場合を説明したが、これに限らず、前述の実施の形態１で用いた透明基板１上に半透光膜２と遮光膜３を形成したマスクブランク１０を用いても同様に本実施の形態のマスクを得ることができる。
【００５６】
（実施の形態６）
本実施の形態は、実施の形態５と同様のグレートーンマスクを、実施の形態５と同じマスクブランクを使用するが、異なる方法で製造した例である。
以下、図１５及び図１６を用いて説明する。
図１５（ａ）に示すように、実施の形態５で用いたマスクブランク１１を用意する。
このマスクブランク上に、描画用のポジ型レジストを塗布し、ベーキングを行って、遮光膜パターンを形成するためのレジスト膜４を形成する（図１５（ｂ）参照）。次に、電子線描画機或いはレーザ描画機などを用いて描画を行い、これを現像して、遮光膜パターンを形成するためのレジストパターン４ｍを形成する（図１５（ｃ）参照）。
【００５７】
次に、形成されたレジストパターン４ｍをマスクとして、遮光膜３をウェット又はドライエッチングして、遮光部に対応するパターン３ｇを形成する（図１５（ｄ）参照）。残存するレジストパターン４ｍは、酸素によるアッシング或いは濃硫酸などを用いて除去する。
次に、全面に半透光膜２を形成する（図１５（ｅ）参照）。次いで、全面にレジストを塗布して半透光膜パターンを形成するためのレジスト膜４を形成する（図１６（ｆ）参照）。そして、２回目の描画を行い、これを現像して、半透光膜パターンを形成するためのレジストパターン４ｎを形成する（図１６（ｇ）参照）。尚、コンタクトホールと関係するマークパターン３３の形成については、前記工程において、半透光膜パターンを形成するための描画データに、コンタクトホールと関係するマークを含め、次に続く半透光膜のエッチングにおいて、デバイスパターン領域の半透光膜パターンの形成と同時にマークパターン３３の形成も行う。前述のように、ゲート電極を形成する際に合わせ易いチャネル部と隣接する部分もグレートーンマスク上の半透光部に対応するため、上記半透光膜パターンの形成と同時に形成された上記マークパターン３３は、ゲート電極と関係するマークパターンも兼ねることができる。
【００５８】
次に、形成されたレジストパターン４ｎをマスクとして、透光部となる領域の半透光膜２をウェット又はドライエッチングにより除去する。これにより、デバイスパターン領域の半透光部は透光部と画され、半透光部及び透光部が形成される（図１６（ｈ）参照）。残存するレジストパターンは酸素アッシング等を用いて除去する（図１６（ｉ）参照）。
尚、上述の図１６（ｈ）のエッチング工程において、上記マークパターン３３の形成は、レジストパターン４ｎをマスクとして、半透光膜２をエッチングし、引き続き遮光膜３ｇをエッチングすることにより行うため、マークパターン３３部分の遮光膜３ｇのみ追加エッチングを行ってもよい。
【００５９】
本実施の形態においても、ゲート電極やコンタクトホール等のパターンと関係する正確なマークを備えたグレートーンマスクを得ることができる。尚、本実施の形態では、上記コンタクトホールと関係するマークパターンと、ゲート電極と関係するマークパターンを兼用するマークパターン３３は遮光部と透光部で形成されるため、前述の実施の形態５のマスクにおけるマークパターンのコントラストを改善することができる。
【００６０】
（実施の形態７）
図１７の（ａ）は、本実施の形態に係るグレートーンマスク２０の平面図、（ｂ）はＴＦＴ基板におけるソース電極及びドレイン電極付近のデバイスパターン３０を示す平面図、（ｃ）は被転写基板上に形成されたレジストパターンを示す平面図である。図１７（ｂ）に示されているように、本実施の形態では、デバイスパターン３０は前述の実施の形態１等と同じである。
本実施の形態では、マスクのデバイスパターン領域外に備えた、ゲート電極と関係するマークパターン３５が、コンタクトホールと関係するマークパターンを兼ねている。
【００６１】
次に、上記グレートーンマスクを製造する方法について図１８及び図１９を用いて説明する。
図１８（ａ）に示すように、実施の形態１で用いたマスクブランク１０を用意する。
次に、このマスクブランク上に描画用のポジ型レジストを塗布し、ベーキングを行って、遮光膜パターンを形成するためのレジスト膜４を形成する（図１８（ｂ）参照）。次に、電子線描画機或いはレーザ描画機などを用いて描画を行う。この場合の描画データは、図１７（ｂ）に示すソース電極及びドレイン電極の対向部分であってチャネル部に隣接した遮光部領域２２に対応する遮光膜パターンのパターンデータである。描画後、これを現像して、マスクブランク上に遮光部に対応するレジストパターン４ｐを形成する（図１８（ｃ）参照）。
次に、形成されたレジストパターン４ｐをマスクとして、遮光膜３をエッチングして、遮光部に対応する遮光膜パターン３ｈを形成する（図１８（ｃ）参照）。残存するレジストパターン４ｐは、酸素によるアッシング或いは濃硫酸などを用いて除去する（図１８（ｄ）参照）。
【００６２】
尚、本実施の形態では、コンタクトホールはグレートーンマスク上の半透光部に対応するが、コンタクトホールと関係するマークパターンを上記遮光膜パターン形成と同時に形成し、そのマークは半透光膜パターンとの位置ずれ量が把握されたものとする。さらに、このマークパターンは、ゲート電極を形成する際に合わせやすいチャネル部と隣接する部分がグレートーンマスク上の遮光部に対応するため、ゲート電極と関係するマークパターンも兼ねることができる。従って、本実施の形態においては、前記工程において、遮光膜パターン３ｈを形成するための描画データに、コンタクトホールと関係するマークと、ゲート電極と関係するマークを兼用するマークを含め、デバイスパターン領域の遮光膜パターンの形成と同時に上記兼用のマークパターン３５の形成も行う（図１８（ｃ）、（ｄ）参照）。
【００６３】
次に、再び全面に前記レジストを塗布してレジスト膜４を形成する（図１８（ｅ）参照）。そして、２回目の描画を行う。この時の描画データは、図１７（ｂ）に示すソース電極とドレイン電極に対応するパターンデータである。描画後、これを現像して、半透光膜パターンを形成するためのレジストパターン４ｑを形成する（図１９（ｆ）参照）。
次に、形成されたレジストパターン４ｑをマスクとして、透光部となる領域の半透光膜２をエッチングにより除去し、半透光膜パターン２ｈを形成する。これにより、半透光部は透光部と画され、半透光部及び透光部が形成される（図１９（ｇ）参照）。残存するレジストパターンは酸素アッシング等を用いて除去する（図１９（ｈ）参照）。
【００６４】
本実施の形態においては、コンタクトホールはグレートーンマスク上の半透光部に対応するが、コンタクトホールと関係するマークパターンを遮光膜パターン形成と同時に形成し、そのマークは半透光膜パターンとの位置ずれ量が把握されたものとすることにより、コンタクトホールと関係する正確なマークとして機能する。さらに、かかる遮光膜パターン形成と同時に形成され、半透光膜パターンとの位置ずれ量が把握されたマークパターンは、ゲート電極を形成する際に合わせやすいチャネル部と隣接する部分がグレートーンマスク上の遮光部に対応するため、ゲート電極と関係するマークパターンも兼ねることができる。従って、ゲート電極やコンタクトホール等のパターンと関係する正確なマークパターン３５を備えたグレートーンマスクが得られる。
また、本実施の形態においても、実施の形態１と同様の方法を用いてＴＦＴ基板を製造することができる。その場合、本実施の形態のグレートーンマスクを用いて形成されたコンタクトホールと関係するマークパターンと、コンタクトホールを形成するための他のフォトマスクのアライメントマークパターンとの位置合わせ又は位置確認を行う際は、予め把握されたマークパターンの位置ずれ量を補正した位置をマークパターンの位置として用いる。その結果、実施の形態１と同様に、マークを露光時の位置合わせに用いる場合は、前記グレートーンマスク及び他のフォトマスクとの間で正確な位置合わせを行うことが出来、マークを露光後の位置確認に用いる場合は、ソース電極とコンタクトホールとの正確な位置精度を確認することができる。
【００６５】
本実施の形態では、上記マークパターン３５は遮光膜で形成し、遮光部と透光部とで形成されているため、マークのコントラストが得やすくなる。また、例えば前述の実施の形態２よりも少ない工程数で、コントラストの高いマークを得ることができる。
尚、本実施の形態では、遮光部の形成と同時に形成され半透光部と遮光部との位置ずれ量が把握された、コンタクトホールと関係するマークパターンがマスク上に形成され、ゲート電極と関係するマークパターンも兼ねることができる場合を説明したが、この実施の形態に限らず、例えば半透光部の形成と同時に形成され遮光部と半透光部との位置ずれ量が把握された、ゲート電極と関係するマークパターンがマスク上に形成されていることにより、コンタクトホールと関係するマークパターンも兼ねることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】（ａ）は実施の形態１のグレートーンマスクの平面図、（ｂ）はそのデバイスパターンの平面図、（ｃ）は被転写基板上のレジストパターンの平面図である。
【図２】実施の形態１のグレートーンマスクの製造工程図である。
【図３】実施の形態１のグレートーンマスクの製造工程図である。
【図４】実施の形態２のグレートーンマスクの平面図である。
【図５】実施の形態２のグレートーンマスクの製造工程図である。
【図６】実施の形態２のグレートーンマスクの製造工程図である。
【図７】実施の形態３のグレートーンマスクの平面図である。
【図８】実施の形態３のグレートーンマスクの製造工程図である。
【図９】実施の形態３のグレートーンマスクの製造工程図である。
【図１０】実施の形態４のグレートーンマスクの製造工程図である。
【図１１】実施の形態４のグレートーンマスクの製造工程図である。
【図１２】（ａ）は実施の形態５のグレートーンマスクの平面図、（ｂ）はそのデバイスパターンの平面図、（ｃ）は被転写基板上のレジストパターンの平面図である。
【図１３】実施の形態５のグレートーンマスクの製造工程図である。
【図１４】実施の形態５のグレートーンマスクの製造工程図である。
【図１５】実施の形態６のグレートーンマスクの製造工程図である。
【図１６】実施の形態６のグレートーンマスクの製造工程図である。
【図１７】（ａ）は実施の形態７のグレートーンマスクの平面図、（ｂ）はそのデバイスパターンの平面図、（ｃ）は被転写基板上のレジストパターンの平面図である。
【図１８】実施の形態７のグレートーンマスクの製造工程図である。
【図１９】実施の形態７のグレートーンマスクの製造工程図である。
【図２０】（ａ）と（ｂ）は従来のグレートーンマスクパターンの平面図である。
【図２１】従来のＴＦＴ基板の製造工程図である。
【図２２】従来のグレートーンマスクパターンの平面図である。
【図２３】従来の製造段階におけるＴＦＴ基板の平面図である。
【符号の説明】
【００６７】
１  透明基板
２  半透光膜
３  遮光膜
１０，１１  マスクブランク
２０  グレートーンマスク
２１  半透光部
２２  遮光部
２３  透光部
３０  デバイスパターン
３１  コンタクトホールと関係するマークパターン
３２  ゲート電極と関係するマークパターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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