(57)【要約】【課題】グルーブの側壁に荒れを生じないガラス原盤の製造方法を提供する。【解決手段】ガラス基板１上にフォトレジスト２を塗布し、フォトレジスト２の吸収波長よりも短い波長のレーザ光を用いて、フォトレジスト２の露光を行った後、現像を行ってフォトレジストパターン４を形成し、フォトレジスパターン３をマスクとしてガラス基板１のエッチングを行い、グルーブ５を形成する際、グルーブ５を形成後、フロロカーボン系ガスを用いて、０．５Ｐａ〜５Ｐａの雰囲気ガス下で印加電圧が５０〜５００Ｖでドライエッチングする。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板上にフォトレジストを塗布し、前記フォトレジストの吸収波長よりも短い波長のレーザ光を用いて、前記フォトレジストの露光を行った後、現像を行ってフォトレジストパターンを形成し、前記フォトレジスパターンをマスクとして前記ガラス基板のエッチングを行い、グルーブを形成するガラス原盤の製造方法において、
前記グルーブを形成後、フロロカーボン系ガスを用いて、０．５Ｐａ〜５Ｐａの雰囲気ガス下で印加電圧が５０〜５００Ｖでドライエッチングすることを特徴とするガラス原盤の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＣＤやＤＶＤ等の光ディスクの成形に用いられるガラス原盤の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般にオーディオ、画像用途、コンピュ−タメモリとして高密度データが蓄積できる光ディスクは、ガラス原盤を用いて作製される。
従来のガラス原盤を用いた光ディスクの製造方法は、特許文献１に記載されている。
【０００３】
即ち、ガラス基板上にフォトレジストパターンを形成した後、このフォトレジストパターンをマスクとして、前記ガラス基板をプラズマエッチングすることにより幅が底幅と略同一な矩形状のグルーブを形成し、次に、前記フォトレジストパターンを除去してガラス原盤を作製する。更に、前記ガラス原盤のグルーブ上にＮｉ膜を形成し、Ｎｉ電鋳を行い前記ガラス原盤からＮｉ層を剥がしマスターを作製する。このマスターのＮｉ膜表面の酸化皮膜処理を行うことによって、酸化皮膜を形成し、この酸化皮膜上にニッケル電鋳法により、Ｎｉ層を形成した後、前記マスターからＮｉ層を剥離してマザースタンパを作製する。このマザーをスタンパとして射出成形することにより光ディスクを作製する。
【特許文献１】特開平１１−２９６９１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、前記レーザ光は、その光強度が中心で高く、外側で低いガウス分布を有しているため、前記グルーブ部は、底部が平らであるが、側壁が荒れるといた問題を生じていた。特に、ブルーレイのカッティングマシンで光源として、波長２６６ｎｍのレーザ光を用い、前記フォトレジストがｉ線用（吸収波長３６５ｎｍ）の場合には、特にグルーブの側壁の荒れがひどくなる。
図３にその様子を示す。図３は、従来例で作製されたガラス原盤におけるｉ線用フォトレジストに波長が２６６ｎｍのレーザ光を照射した際のグルーブの側壁の荒れ状態を示す図である。
この結果、上記したガラス原盤を用いて作製された光ディスクは、トラッキングが取れなかったり、グルーブノイズが発生したりしていた。
【０００５】
そこで、本発明は、前述の課題に鑑みて提案されるものであって、グルーブの側壁に荒れを生じないガラス原盤の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願発明は、ガラス基板上にフォトレジストを塗布し、前記フォトレジストの吸収波長よりも短い波長のレーザ光を用いて、前記フォトレジストの露光を行った後、現像を行ってフォトレジストパターンを形成し、前記フォトレジスパターンをマスクとして前記ガラス基板のエッチングを行い、グルーブを形成するガラス原盤の製造方法において、前記グルーブを形成後、フロロカーボン系ガスを用いて、０．５Ｐａ〜５Ｐａの雰囲気ガス下で印加電圧が５０〜５００Ｖでドライエッチングすることを特徴とするガラス原盤の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、グルーブを形成後、フロロカーボン系ガスを用いて、０．５Ｐａ〜５Ｐａの雰囲気ガス下で印加電圧が５０〜５００Ｖでドライエッチングするので、グルーブの側壁の荒れを低減したガラス原盤が得られる。この結果、このガラス原盤を用いて作製された光ディスクは、良好なトラッキングエラーが得られ、グルーブノイズを低減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明に係るガラス原盤の製造方法の実施の形態について、図１乃至図２を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の実施の形態に係るガラス原盤の製造方法を示す断面図である。図２は、本発明の実施の形態を用いて作製されたガラス原盤におけるｉ線用フォトレジストに波長が２６６ｎｍのレーザ光を照射した際のグルーブの側壁の荒れ状態を示す図である。
【０００９】
（潜像形成工程）
図１（Ａ）に示すように、光学研磨を施した直径２００ｎｍの石英ガラス基板１を洗浄及び乾燥した後、ｉ線用のフォトレジスト２を塗布し、次に、波長２６６ｎｍのレーザ光をレンズで集光させて潜像３を形成する。
【００１０】
（グルーブ形成工程）
この後、同図（Ｂ）に示すように、潜像３の露光及び現像を行ってフォトレジストパターン４を形成する。
【００１１】
（エッチング工程）
次に、同図（Ｃ）に示すように、フォトレジストパターン４をマスクとして、フロロカーボン系ガスを用いて、０．３Ｐａ〜３Ｐａの雰囲気ガス下で１００Ｖ〜７００Ｖの電圧を印加して異方性の高いドライエッチングを行って、グルーブ５を形成する。
【００１２】
（グルーブ側壁処理工程）
次に、同図（Ｄ）に示すように、酸素アッシングを行って、フォトレジストパターン４を除去した後、再びフロロカーボン系ガスを用いて、０．５Ｐａ〜５Ｐａの雰囲気ガス下で５０〜５００Ｖの電圧を印加して、グルーブ５の側壁の荒れを低減してガラス原盤６を作製する。
ここでは、フロロカーボン系ガスとしては、ＣＦ4、ＣＨＦ3、Ｃ3Ｆ8、Ｃ4Ｆ8等が用いられる。
しかし、５Ｐａ以上の場合には、Ｃ3Ｆ8、Ｃ4Ｆ8では、エッチングレートが上がらず、エッチングがほとんどできない。また、０．５Ｐａ以下では、グルーブの側壁が荒れる。このため、０．５Ｐａ〜５Ｐａである場合には、フロロカーボン系ガスを用いると、グルーブ５の側壁の荒れを低減できる。
その様子を図２に示す。
【００１３】
このガラス原盤６を用いたスタンパ及び光ディスクは、公知の製造方法により作製することができる。
【００１４】
以上のように、本発明の実施の形態によれば、ガラス基板１上にエッチングガスを用いて、グルーブ５を形成した後、フロロカーボン系ガスを用いて、０．５Ｐａ〜５Ｐａの雰囲気ガス下で印加電圧が５０〜５００Ｖでドライエッチングするので、グルーブ５の側壁の荒れを低減したガラス原盤６が得られる。この結果、このガラス原盤６を用いて作製された光ディスクは、良好なトラッキングエラーが得られ、グルーブノイズを低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施の形態に係るガラス原盤の製造方法を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態を用いて作製されたガラス原盤におけるｉ線用フォトレジストに波長が２６６ｎｍのレーザ光を照射した際のグルーブの側壁の荒れ状態を示す図である。
【図３】従来例で作製されたガラス原盤におけるｉ線用フォトレジストに波長が２６６ｎｍのレーザ光を照射した際のグルーブの側壁の荒れ状態を示す図である。
【符号の説明】
【００１６】
１…ガラス基板、２…フォトレジスト、３…潜像、４…フォトレジストパターン、５…グルーブ、６…ガラス原盤
【図１】
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【図２】
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【図３】
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