(57)【要約】【課題】負荷を起動するために必要となる電圧値の温度による変化を抑制する。【解決手段】入力電圧に応じて負荷の起動を制御する負荷起動集積回路であって、前記入力電圧が入力される電圧入力端子と、前記電圧入力端子と接続された第１の抵抗と、前記第１の抵抗と直列に制御電極が接続され、入力電極の電圧に基づいて前記負荷の起動を制御するトランジスタと、前記第１の抵抗と直列に、かつ、前記トランジスタの出力電極と並列に接続された第２の抵抗と、を備え、前記トランジスタは、前記制御電極と前記出力電極との間の電位差が温度の上昇に連れて小さくなる特性を有し、前記第２の抵抗の温度係数が前記第１の抵抗の温度係数よりも小さいこととする。【選択図】  図１
2006238312.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力電圧に応じて負荷の起動を制御する負荷起動集積回路であって、
前記入力電圧が印加される電圧入力端子と、
第１の抵抗と、
制御電極には前記電圧入力端子からの入力電圧が前記第１の抵抗を介して印加され、入力電極に発生する電圧に基づいて前記負荷の起動を制御するトランジスタと、
前記第１の抵抗と直列に接続されるとともに、前記トランジスタの制御電極と出力電極との間に並列に接続された第２の抵抗と、を備え、
前記トランジスタは、前記制御電極と前記出力電極との間の電圧が温度の上昇に連れて小さくなる特性を有し、
前記第２の抵抗の温度係数が前記第１の抵抗の温度係数よりも小さいこと、
を特徴とする負荷起動集積回路。
【請求項２】
入力電圧に応じて負荷の起動を制御する負荷起動集積回路であって、
前記入力電圧が第１の抵抗を介して印加される電圧入力端子と、
制御電極には前記電圧入力端子からの入力電圧が印加され、入力電極に発生する電圧に基づいて前記負荷の起動を制御するトランジスタと、
前記第１の抵抗と直列に接続されるとともに、前記トランジスタの制御電極と出力電極との間に並列に接続された第２の抵抗と、を備え、
前記トランジスタは、前記制御電極と前記出力電極との間の電圧が温度の上昇に連れて小さくなる特性を有し、
前記第２の抵抗の温度係数が前記第１の抵抗の温度係数よりも小さいこと、
を特徴とする負荷起動集積回路。
【請求項３】
入力電圧に応じて負荷の起動を制御する負荷起動集積回路であって、
前記入力電圧が印加される電圧入力端子と、
第１の抵抗と、
制御電極には前記電圧入力端子からの入力電圧が前記第１の抵抗を介して印加され、入力電極に発生する電圧に基づいて前記負荷の起動を制御するトランジスタと、
第２の抵抗を、前記第１の抵抗と直列に接続するとともに前記トランジスタの制御電極と出力電極との間に並列に接続可能な接続端子と、を備え、
前記トランジスタは、前記制御電極と前記出力電極との間の電圧が温度の上昇に連れて小さくなる特性を有し、
前記第２の抵抗の温度係数が前記第１の抵抗の温度係数よりも小さいこと、
を特徴とする負荷起動集積回路。
【請求項４】
入力電圧に応じて負荷の起動を制御する負荷起動集積回路であって、
前記入力電圧が印加される電圧入力端子と、
第１の抵抗と、
制御電極には前記電圧入力端子からの入力電圧が前記第１の抵抗を介して印加され、入力電極に発生する電圧に基づいて前記負荷の起動を制御するトランジスタと、
前記第１の抵抗と直列に接続されるとともに、前記トランジスタの制御電極と出力電極との間に並列に接続された第２の抵抗と、を備え、
前記トランジスタは、前記制御電極と前記出力電極との間の電圧が温度の上昇に連れて大きくなる特性を有し、
前記第２の抵抗の温度係数が前記第１の抵抗の温度係数よりも大きいこと、
を特徴とする負荷起動集積回路。
【請求項５】
入力電圧に応じて負荷の起動を制御する負荷起動集積回路であって、
前記入力電圧が第１の抵抗を介して印加される電圧入力端子と、
制御電極には前記電圧入力端子からの入力電圧が印加され、入力電極に発生する電圧に基づいて前記負荷の起動を制御するトランジスタと、
前記第１の抵抗と直列に接続されるとともに、前記トランジスタの制御電極と出力電極との間に並列に接続された第２の抵抗と、を備え、
前記トランジスタは、前記制御電極と前記出力電極との間の電圧が温度の上昇に連れて大きくなる特性を有し、
前記第２の抵抗の温度係数が前記第１の抵抗の温度係数よりも大きいこと、
を特徴とする負荷起動集積回路。
【請求項６】
入力電圧に応じて負荷の起動を制御する負荷起動集積回路であって、
前記入力電圧が印加される電圧入力端子と、
第１の抵抗と、
制御電極には前記電圧入力端子からの入力電圧が前記第１の抵抗を介して印加され、入力電極に発生する電圧に基づいて前記負荷の起動を制御するトランジスタと、
第２の抵抗を、前記第１の抵抗と直列に接続するとともに前記トランジスタの制御電極と出力電極との間に並列に接続可能な接続端子と、を備え、
前記トランジスタは、前記制御電極と前記出力電極との間の電圧が温度の上昇に連れて大きくなる特性を有し、
前記第２の抵抗の温度係数が前記第１の抵抗の温度係数よりも大きいこと、
を特徴とする負荷起動集積回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、負荷の起動を制御する負荷起動集積回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路内等に設けられた負荷の起動・停止を、外部のマイコン等から出力される電圧値に応じて制御することが一般的に行われている。このように、負荷の起動を制御する集積回路のことを負荷起動集積回路という。例えば、特許文献１には、マイコンからの入力電圧に応じて負荷（ＦＥＴ素子）の起動を制御する負荷起動集積回路（ＦＥＴドライブ回路）が開示されている。
【０００３】
図５は、従来の負荷起動集積回路を含んで構成される処理回路の構成を示す回路図である。処理回路３０には、負荷起動集積回路３１、抵抗（負荷）３２、ＰＮＰ型トランジスタ３３、及び抵抗３４が含まれている。また、負荷起動集積回路３１は、マイコン等から負荷の起動または停止を指示するための入力電圧ＶＩＮが入力される電圧入力端子４１、抵抗４２，４３、及びＮＰＮ型トランジスタ４４を備えている。
【０００４】
抵抗４２の一端は電圧入力端子４１と接続され、抵抗４２の他端が抵抗４３の一端と接続され、抵抗４３の他端が接地されている。なお、抵抗４２，４３の温度係数は等しいものとする。ＮＰＮ型トランジスタ４４は、ベースが抵抗４２，４３の接続点に接続され、コレクタには抵抗３４を介して電源電圧ＶＣＣが印加され、エミッタが接地されている。また、ＰＮＰ型トランジスタ３３は、ベースがＮＰＮ型トランジスタ４４と抵抗３４との接続点に接続され、エミッタには電源電圧ＶＣＣが印加され、コレクタは負荷である抵抗３２の一端と接続されている。そして、抵抗３２の他端は接地されている。
【０００５】
このような構成において、入力電圧ＶＩＮの電圧値の上昇に伴ってＮＰＮ型トランジスタ４４のベース電位ＶＢが上昇し、ベース・エミッタ間電圧ＶＢＥが所定の電圧を超えると、ＮＰＮ型トランジスタ４４がオンとなる。ＮＰＮ型トランジスタ４４がオンになると、ＰＮＰ型トランジスタ３３がオンとなり、負荷３２が起動される。逆に、入力電圧ＶＩＮの電圧値がある値を下回ると、ＮＰＮ型トランジスタ４４がオフとなり、負荷３２の動作は停止する。
【特許文献１】特開平１０−５９２６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ここで、ＮＰＮ型トランジスタ４４がオンとなる際のＶＢＥ（＝ＶＢ）は温度により変化する。例えば、２５℃におけるＶＢＥを７００ｍＶ、温度係数を−２ｍＶ／℃とすると、１５０℃ではＶＢＥが４５０ｍＶとなり、−４０℃ではＶＢＥが８３０ｍＶとなる。一方、抵抗４２，４３の温度係数は等しいため、その抵抗値の比率は温度により変化しない。したがって、入力電圧ＶＩＮを抵抗４２，４３の抵抗値で分割して求められるＮＰＮ型トランジスタ４４のベース電位ＶＢは温度によっては変化しない。
【０００７】
図６は、抵抗４２の抵抗値を３５ＫΩ、抵抗４３の抵抗値を９０ＫΩ、抵抗３２，３４の抵抗値を１００ＫΩ、電源電圧ＶＣＣを３．０Ｖとした場合の、入力電圧ＶＩＮに対する負荷３２に供給される出力電圧ＶＯＵＴの変化を示すグラフである。図に示すように、入力電圧ＶＩＮの値を上げていくと、あるところでＮＰＮ型トランジスタ４４がオンとなり、出力電圧ＶＯＵＴが上昇していることがわかる。このようにＮＰＮ型トランジスタ４４がオンとなる際の入力電圧ＶＩＮの値は、ＮＰＮ型トランジスタ４４の温度特性によって変化している。つまり、ＮＰＮ型トランジスタ４４がオンとなる際の入力電圧ＶＩＮの値は、１５０℃では約５００ｍＶ、２５℃では約９５０ｍＶ、−４０℃では約１１０ｍＶとり、−４０℃〜１５０℃の範囲で約６００ｍＶの差が生じている。
【０００８】
したがって、例えば、処理回路３０の動作を保証する温度の範囲を−４０℃〜１５０℃とする場合、負荷３２を起動させるための入力電圧ＶＩＮは例えば１．２Ｖ以上、負荷３２を停止させるための入力電圧ＶＩＮは例えば４００ｍＶ以下とする必要がある。つまり、負荷起動集積回路３１を用いる場合、入力電圧ＶＩＮを入力するマイコンは、このように差が大きい入力電圧ＶＩＮを出力可能でなければならない。しかし、マイコンによっては、出力可能な電圧値の範囲が狭く、このように差が大きい入力電圧ＶＩＮを負荷起動集積回路３１に入力することができない場合がある。
【０００９】
本発明は上記課題を鑑みてなされたものであり、負荷を起動するために必要となる電圧値の温度による変化を抑制する負荷起動集積回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するため、本発明の負荷起動集積回路は、入力電圧に応じて負荷の起動を制御する負荷起動集積回路であって、前記入力電圧が印加される電圧入力端子と、第１の抵抗と、制御電極には前記電圧入力端子からの入力電圧が前記第１の抵抗を介して印加され、入力電極に発生する電圧に基づいて前記負荷の起動を制御するトランジスタと、前記第１の抵抗と直列に接続されるとともに、前記トランジスタの制御電極と出力電極との間に並列に接続された第２の抵抗と、を備え、前記トランジスタは、前記制御電極と前記出力電極との間の電圧が温度の上昇に連れて小さくなる特性を有し、前記第２の抵抗の温度係数が前記第１の抵抗の温度係数よりも小さいこととする。
【００１１】
また、本発明の負荷起動集積回路は、入力電圧に応じて負荷の起動を制御する負荷起動集積回路であって、前記入力電圧が第１の抵抗を介して印加される電圧入力端子と、制御電極には前記電圧入力端子からの入力電圧が印加され、入力電極に発生する電圧に基づいて前記負荷の起動を制御するトランジスタと、前記第１の抵抗と直列に接続されるとともに、前記トランジスタの制御電極と出力電極との間に並列に接続された第２の抵抗と、を備え、前記トランジスタは、前記制御電極と前記出力電極との間の電圧が温度の上昇に連れて小さくなる特性を有し、前記第２の抵抗の温度係数が前記第１の抵抗の温度係数よりも小さいこととすることもできる。
【００１２】
また、本発明の負荷起動集積回路は、入力電圧に応じて負荷の起動を制御する負荷起動集積回路であって、前記入力電圧が印加される電圧入力端子と、第１の抵抗と、制御電極には前記電圧入力端子からの入力電圧が前記第１の抵抗を介して印加され、入力電極に発生する電圧に基づいて前記負荷の起動を制御するトランジスタと、第２の抵抗を、前記第１の抵抗と直列に接続するとともに前記トランジスタの制御電極と出力電極との間に並列に接続可能な接続端子と、を備え、前記トランジスタは、前記制御電極と前記出力電極との間の電圧が温度の上昇に連れて小さくなる特性を有し、前記第２の抵抗の温度係数が前記第１の抵抗の温度係数よりも小さいこととすることもできる。
【００１３】
また、本発明の負荷起動集積回路は、入力電圧に応じて負荷の起動を制御する負荷起動集積回路であって、前記入力電圧が印加される電圧入力端子と、第１の抵抗と、制御電極には前記電圧入力端子からの入力電圧が前記第１の抵抗を介して印加され、入力電極に発生する電圧に基づいて前記負荷の起動を制御するトランジスタと、前記第１の抵抗と直列に接続されるとともに、前記トランジスタの制御電極と出力電極との間に並列に接続された第２の抵抗と、を備え、前記トランジスタは、前記制御電極と前記出力電極との間の電圧が温度の上昇に連れて大きくなる特性を有し、前記第２の抵抗の温度係数が前記第１の抵抗の温度係数よりも大きいこととすることもできる。
【００１４】
また、本発明の負荷起動集積回路は、入力電圧に応じて負荷の起動を制御する負荷起動集積回路であって、前記入力電圧が第１の抵抗を介して印加される電圧入力端子と、制御電極には前記電圧入力端子からの入力電圧が印加され、入力電極に発生する電圧に基づいて前記負荷の起動を制御するトランジスタと、前記第１の抵抗と直列に接続されるとともに、前記トランジスタの制御電極と出力電極との間に並列に接続された第２の抵抗と、を備え、前記トランジスタは、前記制御電極と前記出力電極との間の電圧が温度の上昇に連れて大きくなる特性を有し、前記第２の抵抗の温度係数が前記第１の抵抗の温度係数よりも大きいこととすることもできる。
【００１５】
また、本発明の負荷起動集積回路は、入力電圧に応じて負荷の起動を制御する負荷起動集積回路であって、前記入力電圧が印加される電圧入力端子と、第１の抵抗と、制御電極には前記電圧入力端子からの入力電圧が前記第１の抵抗を介して印加され、入力電極に発生する電圧に基づいて前記負荷の起動を制御するトランジスタと、第２の抵抗を、前記第１の抵抗と直列に接続するとともに前記トランジスタの制御電極と出力電極との間に並列に接続可能な接続端子と、を備え、前記トランジスタは、前記制御電極と前記出力電極との間の電圧が温度の上昇に連れて大きくなる特性を有し、前記第２の抵抗の温度係数が前記第１の抵抗の温度係数よりも大きいこととすることもできる。
【発明の効果】
【００１６】
負荷を起動するために必要となる電圧値の温度による変化を抑制する負荷起動集積回路を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
＝＝負荷起動集積回路の構成＝＝
図１は、本発明の一実施形態である負荷起動集積回路１を含んで構成される処理回路１０の構成を示す回路図である。処理回路１０には、負荷起動集積回路１、抵抗（負荷）１１、ＰＮＰ型トランジスタ１２、及び抵抗１３が含まれている。また、負荷起動集積回路１は、マイコン等から負荷の起動または停止を指示するための入力電圧ＶＩＮが入力される電圧入力端子２１、抵抗（第１の抵抗）２２、抵抗（第２の抵抗）２３、ＮＰＮ型トランジスタ２４、及びグランド端子２５を備えている。
【００１８】
抵抗２２の一端は電圧入力端子２１と接続され、抵抗２２の他端が抵抗２３の一端と接続され、抵抗２３の他端がグランド端子２５を介して接地されている。なお、抵抗２２の温度係数をα１、抵抗２３の温度係数をα２とすると、α１＞α２の関係となっている。ＮＰＮ型トランジスタ２４は、ベース（制御電極）が抵抗２２，２３の接続点に接続され、コレクタ（入力電極）には抵抗１３を介して電源電圧ＶＣＣが印加され、エミッタ（出力電極）がグランド端子２５を介して接地されている。また、ＰＮＰ型トランジスタ１２は、ベースがＮＰＮ型トランジスタ２４と抵抗１３との接続点に接続され、エミッタには電源電圧ＶＣＣが印加され、コレクタは負荷である抵抗１１の一端と接続されている。そして、抵抗１１の他端はグランド端子２５を介して接地されている。
【００１９】
＝＝負荷起動集積回路の動作＝＝
このような構成において、入力電圧ＶＩＮの電圧値の上昇に伴ってＮＰＮ型トランジスタ２４のベース電位ＶＢが上昇し、ベース・エミッタ間電圧ＶＢＥが所定の電圧を超えると、ＮＰＮ型トランジスタ２４がオンとなる。ＮＰＮ型トランジスタ２４がオンになると、ＰＮＰ型トランジスタ１２がオンとなり、負荷１１が起動される。逆に、入力電圧ＶＩＮの電圧値がある値を下回ると、ＮＰＮ型トランジスタ２４がオフとなり、負荷１１の動作は停止する。
【００２０】
ここで、ＮＰＮ型トランジスタ２４がオンとなる際のＶＢＥ（＝ＶＢ）は温度が上昇するに連れて小さくなる。例えば、２５℃におけるＶＢＥを７００ｍＶ、温度係数を−２ｍＶ／℃とすると、１５０℃ではＶＢＥが４５０ｍＶとなり、逆に、−４０℃ではＶＢＥが８３０ｍＶとなる。
【００２１】
また、抵抗２２の温度Ｔ０における抵抗値をＲ１０とすると、抵抗２２の温度Ｔにおける抵抗値Ｒ１は、Ｒ１＝Ｒ１０（１＋α１（Ｔ−Ｔ０））となる。同様に、抵抗２３の温度Ｔ０における抵抗値をＲ２０とすると、抵抗２３の温度Ｔにおける抵抗値Ｒ２は、Ｒ２＝Ｒ２０（１＋α２（Ｔ−Ｔ０））となる。そして、抵抗２２の両端の電位差をＶＲ１、抵抗２３の両端の電位差をＶＲ２（＝ＶＢ）とすると、ＶＩＮ＝ＶＲ１＋ＶＲ２であり、ＶＲ１：ＶＲ２＝Ｒ１：Ｒ２である。
【００２２】
いま、抵抗２２，２３の温度係数は、α１＞α２の関係となっているため、Ｒ１とＲ２との関係においては、温度が上昇するに連れてＲ１の比率が高くなる。そのため、ある入力電圧ＶＩＮを入力した場合のＶＲ２（＝ＶＢ）は、温度が上昇するに連れて小さくなる。つまり、負荷起動集積回路１においては、温度が上昇するに連れてＮＰＮ型トランジスタ２４がオンとなる際のＶＢＥが小さくなるが、入力電圧ＶＩＮを抵抗２２，２３で分割して得られるベース電位ＶＢも小さくなる。したがって、負荷１１を起動するために必要となる入力電圧ＶＩＮの電圧値の温度による変化を抑制することができる。
【００２３】
図２は、本実施形態の処理回路１０において、抵抗２２の抵抗値を３５ＫΩ、抵抗２３の抵抗値を９０ＫΩ、抵抗１１，１３の抵抗値を１００ＫΩ、電源電圧ＶＣＣを３．０Ｖとした場合の、入力電圧ＶＩＮに対する負荷３２に供給される出力電圧ＶＯＵＴの変化を示すグラフである。なお、抵抗値は２５℃におけるものであり、抵抗２２の温度係数α１は４４６７ｐｐｍ／℃、抵抗２３の温度係数α２は１２２９ｐｐｍ／℃である。図に示すように、入力電圧ＶＩＮの値を上げていくと、あるところでＮＰＮ型トランジスタ２４がオンとなり、出力電圧ＶＯＵＴが上昇する。ＮＰＮ型トランジスタ２４がオンとなる際の入力電圧ＶＩＮの値は、ＮＰＮ型トランジスタ２４の温度特性によって変化するが、抵抗２２，２３の温度係数がα１＞α２の関係となっていることにより、従来の負荷起動集積回路に比して温度による変化が抑制されている。
【００２４】
具体的には、ＮＰＮ型トランジスタ２４がオンとなる際の入力電圧ＶＩＮの値は、１５０℃では約５５０ｍＶ、２５℃では約９５０ｍＶ、−４０℃では約１０５ｍＶとなり、−４０℃〜１５０℃の範囲における差は約５００ｍＶとなり、従来の約６００ｍＶよりも小さくなっている。
【００２５】
以上、本実施形態の負荷起動集積回路１について説明したが、前述したように、抵抗（第２の抵抗）２３の温度係数を抵抗（第１の抵抗）２２の温度係数よりも小さくし、温度の上昇に連れてＮＰＮ型トランジスタ２４のベース電位ＶＢを下げている。これにより、処理回路１０の負荷１１を起動するために必要となる入力電圧ＶＩＮの電圧値の温度による変化を抑制することができる。したがって、入力電圧ＶＩＮを入力するマイコン等の出力可能な電圧値の範囲が狭い場合であっても、負荷起動集積回路１を用いることが可能となる。つまり、マイコンの適用範囲が広がることとなる。
【００２６】
以上、本発明の実施形態について説明したが、上記実施形態は本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得ると共に、本発明にはその等価物も含まれる。
【００２７】
例えば、本実施形態においては、トランジスタとしてバイポーラトランジスタを用いているが、バイポーラトランジスタのかわりに、ＭＯＳＦＥＴを用いることとしてもよい。その場合において、ＭＯＳＦＥＴの制御電極と出力電極との間の電位差が温度の上昇に連れて小さくなる特性を有している場合には、抵抗（第２の抵抗）２３の温度係数を抵抗（第１の抵抗）２２の温度係数よりも小さくすることにより、本実施形態と同様の効果を得ることができる。また、ＭＯＳＦＥＴの制御電極と出力電極との間の電位差が温度の上昇に連れて大きくなる特性を有している場合には、抵抗（第２の抵抗）２３の温度係数を抵抗（第１の抵抗）２２の温度係数よりも大きくすることにより、本実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００２８】
また、図２においては、負荷１１が起動する際の入力電圧ＶＩＮの差が、−４０℃〜１５０℃の範囲において約５００ｍＶとなることを示したが、抵抗２２，２３の温度係数の差をより大きくすることにより、この入力電圧ＶＩＮの差を更に縮めることが可能である。また、本実施形態においては、負荷起動集積回路１が起動を制御する負荷を抵抗１１としたが、負荷は抵抗に限られない。
【００２９】
また、負荷起動集積回路１には抵抗２２，２３が含まれることとしたが、抵抗２２，２３のいずれか一方については外付けとすることも可能である。図３は、抵抗（第１の抵抗）２２を外付けとする場合の負荷起動集積回路１を含んで構成される処理回路の一例を示す回路図である。図に示すように、電圧入力端子２１には、負荷起動集積回路１の外部に設けられた抵抗２２を介して入力電圧ＶＩＮが印加されている。そして、ＮＰＮ型トランジスタ２４のベースには、電圧入力端子２１からの入力電圧が印加されている。また、抵抗２３は、抵抗２２と直列に接続されるとともに、ＮＰＮ型トランジスタ２４のベースとエミッタとの間に並列に接続されている。このような構成とすることにより、本実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００３０】
そして、図４は、抵抗（第２の抵抗）２３を外付けとする場合の負荷起動集積回路１を含んで構成される処理回路の一例を示す回路図である。図に示すように、負荷起動集積回路１は、抵抗２３を、抵抗２２と直列に接続するとともにＮＰＮ型トランジスタ２４のベースとエミッタとの間に並列に接続可能な接続端子２６を備えている。そして、負荷起動集積回路１の外部に設けられた抵抗２３は、一端が接続端子２６に接続され、他端がグランド端子２５に接続されている。このような構成とすることにより、本実施形態と同様の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の一実施形態である負荷起動集積回路を含んで構成される処理回路の回路図である。
【図２】本実施形態の負荷起動集積回路を用いた処理回路における、入力電圧ＶＩＮに対する負荷に供給される出力電圧ＶＯＵＴの変化を示すグラフである。
【図３】第１の抵抗を外付けとする場合の負荷起動集積回路を含んで構成される処理回路の一例を示す回路図である。
【図４】第２の抵抗を外付けとする場合の負荷起動集積回路を含んで構成される処理回路の一例を示す回路図である。
【図５】従来の負荷起動集積回路を含んで構成される処理回路の回路図である。
【図６】従来の負荷起動集積回路を用いた処理回路における、入力電圧ＶＩＮに対する負荷に供給される出力電圧ＶＯＵＴの変化を示すグラフである。
【符号の説明】
【００３２】
１    負荷起動集積回路
１０  処理回路
１１  抵抗（負荷）
１２  ＰＮＰ型トランジスタ
１３  抵抗
２１  電圧入力端子
２２  抵抗（第１の抵抗）
２３  抵抗（第２の抵抗）
２４  ＮＰＮ型トランジスタ
２５  グランド端子
２６  接続端子
【図１】
2006238312.tif 000003
【図２】
2006238312.tif 000004
【図３】
2006238312.tif 000005
【図４】
2006238312.tif 000006
【図５】
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【図６】
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