(57)【要約】【課題】共役系高分子の構造と、金属錯体の構造とを同一分子内に有する高分子化合物であって、それを発光素子に用いたとき、高効率、低電圧で駆動できる等、実用性に優れる発光素子を与えることができる高分子化合物を提供する。【解決手段】共役系高分子（A）の構造と、３座配位子を1つ以上有し、中心金属の原子番号が２１以上である金属錯体（B）の構造とを同一分子内に有する高分子化合物。陽極および陰極からなる電極間に、上記高分子化合物を含有する層を有することを特徴とする素子。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
共役系高分子（A）の構造と、３座配位子を1つ以上有し、中心金属の原子番号が２１以上である金属錯体（B）の構造とを同一分子内に有することを特徴とする高分子化合物。
【請求項２】
共役系高分子（A）の主鎖に、上記金属錯体（B）の構造を有することを特徴とする請求項１記載の高分子化合物。
【請求項３】
共役系高分子（A）の側鎖に、上記金属錯体（B）の構造を有することを特徴とする請求項１記載の高分子化合物。
【請求項４】
共役系高分子（A）の末端に、上記金属錯体（B）の構造を有することを特徴とする請求項１記載の高分子化合物。
【請求項５】
共役系高分子（A）が、主鎖に芳香環を含むものであることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の高分子化合物。
【請求項６】
共役系高分子（A）が、下記式（１）で示される繰り返し単位を有するものであることを特徴とする請求項５記載の高分子化合物。
2006219663.tif 000115
〔式中、Ｐ環およびＱ環はそれぞれ独立に芳香環を示すが、Ｐ環は存在してもしなくてもよい。２つの結合手は、Ｐ環が存在する場合は、それぞれＰ環及び/またはＱ環上に存在し、Ｐ環が存在しない場合は、それぞれＹを含む５員環上及び/またはＱ環上に存在する。また、芳香環上及び/またはＹを含む５員環上に置換基を有していてもよい。Ｙは−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｅ−、−Ｂ（Ｒ31）−、−Ｃ（Ｒ1）（Ｒ2）−、−Ｓｉ（Ｒ1）（Ｒ2）−、−Ｐ（Ｒ3）−、−ＰＲ4（＝Ｏ）−、−Ｃ（Ｒ51）（Ｒ52）−Ｃ（Ｒ53）（Ｒ54）−、−Ｏ−Ｃ（Ｒ55）（Ｒ56）−、−Ｓ−Ｃ（Ｒ57）（Ｒ58）−、−Ｎ−Ｃ（Ｒ59）（Ｒ60）−、−Ｓｉ（Ｒ61）（Ｒ62）−Ｃ（Ｒ63）（Ｒ64）−、−Ｓｉ（Ｒ65）（Ｒ66）−、Ｓｉ（Ｒ67）（Ｒ68）−、−Ｃ（Ｒ69）＝Ｃ（Ｒ70）−、−Ｎ＝Ｃ（Ｒ71）−または−Ｓｉ（Ｒ72）＝Ｃ（Ｒ73）−を表し、Ｒ31は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基または置換シリルオキシ基を表し、Ｒ1〜Ｒ4、Ｒ51〜Ｒ73は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、1価の複素環基またはハロゲン原子を表す。〕
【請求項７】
金属錯体（Ｂ）における３座配位子が、芳香環を少なくとも１つ含みかつ、金属がＲｕ、Ｒｈ、Ｗ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ａｕ、ＥｕまたはＴｂであることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の高分子化合物。
【請求項８】
ポリスチレン換算の数平均分子量が１０3〜１０8であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の高分子化合物。
【請求項９】
請求項1〜８のいずれかに記載の高分子化合物を少なくとも1種類含むことを特徴とする高分子組成物。
【請求項１０】
さらに正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料から選ばれる少なくとも１種類の材料を含むことを特徴とする請求項９記載の高分子組成物。
【請求項１１】
請求項１〜８のいずれかに記載の高分子化合物または請求項９もしくは１０記載の高分子組成物の少なくとも１種類を含有することを特徴とするインク組成物。
【請求項１２】
２種類以上の有機溶媒を含有することを特徴とする請求項１１記載のインク組成物。
【請求項１３】
粘度が２５℃において１〜１００ｍＰａ・ｓであることを特徴とする請求項１１または１２記載のインク組成物。
【請求項１４】
請求項１〜８のいずれかに記載の高分子化合物または請求項９もしくは１０記載の高分子組成物を含有する発光材料。
【請求項１５】
請求項１〜８のいずれかに記載の高分子化合物または請求項９もしくは１０記載の高分子組成物を含有する発光性薄膜。
【請求項１６】
請求項１〜８のいずれかに記載の高分子化合物または請求項９もしくは１０記載の高分子組成物を含有する導電性薄膜。
【請求項１７】
請求項１〜８のいずれかに記載の高分子化合物または請求項９もしくは１０記載の高分子組成物を含有する有機半導体薄膜。
【請求項１８】
請求項１７に記載の有機半導体薄膜を有することを特徴とする有機トランジスタ。
【請求項１９】
インクジェット法を用いることを特徴とする請求項１５〜１８のいずれかに記載の薄膜の製造方法。
【請求項２０】
陽極および陰極からなる電極間に、請求項１〜８のいずれかに記載の高分子化合物または請求項９もしくは１０記載の高分子組成物を含有する層を有することを特徴とする素子。
【請求項２１】
陽極および陰極からなる電極間に、さらに電荷輸送層を含むことを特徴とする請求項２０記載の素子。
【請求項２２】
高分子発光素子であることを特徴とする請求項２０または２１記載の素子。
【請求項２３】
陽極および陰極からなる電極間に、有機層を有し、該有機層が請求項１〜８のいずれかに記載の高分子化合物または請求項９もしくは１０記載の高分子組成物を含むことを特徴とする高分子発光素子。
【請求項２４】
有機層が発光層であることを特徴とする請求項２３記載の高分子発光素子。
【請求項２５】
発光層がさらに正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料から選ばれる少なくとも１種類の材料を含むことを特徴とする請求項２４記載の高分子発光素子。
【請求項２６】
請求項２２〜２５のいずれかに記載の高分子発光素子を用いたことを特徴とする面状光源。
【請求項２７】
請求項２２〜２５のいずれかに記載の高分子発光素子を用いたことを特徴とするセグメント表示装置。
【請求項２８】
請求項２２〜２５のいずれかに記載の高分子発光素子を用いたことを特徴とするドットマトリックス表示装置。
【請求項２９】
請求項２２〜２５のいずれかに記載の高分子発光素子をバックライトとすることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高分子化合物およびそれを用いた素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
高分子発光素子（高分子LED）用の材料として、共役系高分子の構造と、金属錯体の構造とを同一分子内に有する高分子化合物が知られている（非特許文献1、特許文献1）。
【非特許文献１】Ｊｏｕｎａｌ  ｏｆ  Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｓｏｃｉｅｔｙ、ｖｏｌ．１２５、ｐ６３６（２００３）
【特許文献１】ＷＯ０３／１０２１０９Ａ１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上記の高分子化合物が有する金属錯体の構造は、配位子が、フェニルピリジンなどの２座配位子で、中心金属がイリジウム（原子番号７７）であり、該高分子化合物を用いた高分子LEDは、発光効率が不十分等、実用的には、その性能が十分とはいえなかった。
本発明の目的は、共役系高分子の構造と、金属錯体の構造とを同一分子内に有する高分子化合物であって、それを発光素子に用いたとき、高効率、低電圧で駆動できる等、実用性に優れる発光素子を与えることができる高分子化合物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
即ち本発明は、共役系高分子（A）の構造と、３座配位子を1つ以上有し、中心金属の原子番号が２１以上である金属錯体（B）の構造とを同一分子内に有する高分子化合物を提供するものである。
【発明の効果】
【０００５】
本発明の高分子化合物を発光層に用いた発光素子は高効率、低電圧で駆動できる等、実用性に優れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
本発明の高分子化合物は、共役系高分子（A）の構造と、３座配位子を1つ以上有し、中心金属の原子番号が２１以上である金属錯体（B）の構造とを同一分子内に有する。
【０００７】
本発明の高分子化合物としては例えば、共役系高分子（A）の主鎖に上記金属錯体（B）の構造を有する高分子化合物；共役系高分子（A）の上記金属錯体（B）の構造を有する高分子化合物；共役系高分子（A）の側鎖に上記金属錯体（B）の構造を有する高分子化合物；等があげられる。
【０００８】
また、本発明の高分子化合物の中では、下記式（Ｅｑ１）を満足するものが好ましい。
ＥＴA−ＥＳA0≧（ＥＴB−ＥＳB0）−０．２ｅＶ      （Ｅｑ１）
ここで、ＥＳA0は共役系高分子（Ａ）の基底状態のエネルギー、ＥＴAは共役系高分子（Ａ）の最低励起三重項状態のエネルギー準位、ＥＳB0は前記金属錯体（Ｂ）の基底状態のエネルギー準位、ＥＴBは該金属錯体（Ｂ）の最低励起三重項状態のエネルギー準位を表す。
（Ｅｑ１）における共役系高分子（Ａ）、該金属錯体（Ｂ）のそれぞれについての基底状態と最低励起三重項状態のエネルギー差（順に、ＥＴA−ＥＳA0、ＥＴB−ＥＳB0）は、実測で決定する方法はあるが、本発明では、通常は、該金属錯体（Ｂ）の上記エネルギー差と、マトリックスとして用いる共役系高分子（Ａ）の上記エネルギー差の相対的な大小関係が、より高い発光効率を得る上で重要であるので、通常は、計算科学的手法で決定する。
【０００９】
中でも上記（Ｅｑ１）を満足する範囲で、さらに下記（Ｅｑ１−２）を満足することが、高発光効率を得る点で好ましい。
ＥＴA−ＥＳA0≧ＥＴB−ＥＳB0（Ｅｑ１−２）
ここで、ＥＴA、ＥＳA0、ＥＴB、ＥＳB0は上記と同じ意味を表す。
さらに、共役系高分子（Ａ）の、最低励起三重項状態のエネルギー準位ＥＴAと、該金属錯体（Ｂ）の、最低励起三重項状態のエネルギー準位ＥＴBが、
ＥＴA≧ＥＴB          （Ｅｑ２）
の関係を満たすもの；
また、共役系高分子（Ａ）の最低励起一重項準位ＥＳA1と、該金属錯体（Ｂ）の、最低励起一重項準位ＥＳB1が
ＥＳA1≧ＥＳB1        （Ｅｑ３）
の関係を満たすことが、より高い発光効率を得る点で好ましい。
【００１０】
上記の、真空準位とＬＵＭＯのエネルギー差を求めるために用いる計算科学的手法としては、半経験的手法及び非経験的手法に基づいた分子軌道法や密度汎関数法等が知られている。例えば、励起エネルギーを求めるには、Hartree-Fock（HF）法、あるいは密度汎関数法を用いても良い。通常は、量子化学計算プログラムGaussian98を用い、三重項発光化合物及び共役系高分子の基底状態と最低励起三重項状態とのエネルギー差（以下、最低励起三重項エネルギーという）、基底状態と最低励起一重項状態とのエネルギー差（以下、最低励起一重項エネルギーという）、基底状態のＨＯＭＯエネルギー準位および基底状態のＬＵＭＯエネルギー準位を求めた。
【００１１】
共役系高分子に対する最低励起三重項エネルギー、最低励起一重項エネルギー、基底状態のＨＯＭＯエネルギー準位および基底状態のＬＵＭＯエネルギー準位の計算は、単量体（ｎ＝１）、２量体（ｎ＝２）及び３量体（ｎ＝３）に対して行い、共役系高分子における励起エネルギーは、ｎ＝１〜３における結果を１/ｎの関数E（１/ｎ）（ここで、Eは最低励起一重項エネルギーもしくは最低励起三重項エネルギーなど、求めようとする励起エネルギー値）とし、線形的にｎ＝０に外挿する事により算出する手法を用いた。また、共役系高分子の繰り返しユニット中に、例えば鎖長が長い側鎖等が含まれる場合は、計算対象とする化学構造を、側鎖部分を最小単位に簡略化（例として、側鎖としてオクチル基を有する場合、側鎖をメチル基として計算する）することができる。また、共重合体におけるＨＯＭＯ、ＬＵＭＯ、一重項励起エネルギー及び三重項励起エネルギーにおいては、共重合比より考えられる最小単位をユニットとして、上記したホモポリマーにおける場合と同様の計算手法により求めることができる。
【００１２】
本発明の高分子化合物における共役系高分子（A）について説明する。
共役系高分子とは、例えば、「有機ＥＬのはなし」（吉野勝美著、日刊工業新聞社）２３頁に記載されているような、多重結合と単結合が繰り返し長くつながっている分子であり、たとえば下記構造の繰り返し構造や、下記構造を適宜組み合わせた構造を含む高分子が典型的な例としてあげられる。
2006219663.tif 000002
（上記ＲX1〜ＲX6は置換基を表す。）
【００１３】
共役系高分子（Ａ）としては、主鎖に芳香環を含まないもの(例えばポリエン、ポリイン類)、主鎖に芳香環を含むもの（フェニルエテニル、フェニルエチニルなどの共重合体を含む）とがあげられる。
主鎖に芳香環を含むものの中では、上記に示したような、置換基を有していても良い２価の芳香環、または、酸素原子、窒素原子、ケイ素原子、ゲルマニウム原子、スズ原子、リン原子、ホウ素原子、硫黄原子、セレン原子およびテルル原子からなる群から選ばれる原子を一つ以上有する２価の複素環、または下記式（１）で示される繰り返し単位、を有しているものが、高発光効率という点で好ましい。
【００１４】
2006219663.tif 000003
〔式中、Ｐ環およびＱ環はそれぞれ独立に芳香環を示すが、Ｐ環は存在してもしなくてもよい。２つの結合手は、Ｐ環が存在する場合は、それぞれＰ環及び/またはＱ環上に存在し、Ｐ環が存在しない場合は、それぞれＹを含む５員環上及び/またはＱ環上に存在する。また、芳香環上及び/またはＹを含む５員環上に置換基を有していてもよい。Ｙは−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓｅ−、−Ｂ（Ｒ31）−、−Ｃ（Ｒ1）（Ｒ2）−、−Ｓｉ（Ｒ1）（Ｒ2）−、−Ｐ（Ｒ3）−、−ＰＲ4（＝Ｏ）−、−Ｃ（Ｒ51）（Ｒ52）−Ｃ（Ｒ53）（Ｒ54）−、−Ｏ−Ｃ（Ｒ55）（Ｒ56）−、−Ｓ−Ｃ（Ｒ57）（Ｒ58）−、−Ｎ−Ｃ（Ｒ59）（Ｒ60）−、−Ｓｉ（Ｒ61）（Ｒ62）−Ｃ（Ｒ63）（Ｒ64）−、−Ｓｉ（Ｒ65）（Ｒ66）−、Ｓｉ（Ｒ67）（Ｒ68）−、−Ｃ（Ｒ69）＝Ｃ（Ｒ70）−、−Ｎ＝Ｃ（Ｒ71）−または−Ｓｉ（Ｒ72）＝Ｃ（Ｒ73）−を表し、Ｒ31は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基または置換シリルオキシ基を表し、Ｒ1〜Ｒ4、Ｒ51〜Ｒ73は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、1価の複素環基またはハロゲン原子を表す。〕
【００１５】
アルキル基としては、直鎖、分岐または環状のいずれでもよい。炭素数は通常１〜２０程度であり、好ましくは炭素数３〜２０である。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基、ブチル基、  ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ラウリル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基などが挙げられ、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基が好ましい。
【００１６】
アルコキシ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよい。炭素数は通常１〜２０程度であり、好ましくは炭素数３〜２０である。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ｉ−プロピルオキシ基、ブトキシ基、  ｉ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、メトキシメチルオキシ基、２−メトキシエチルオキシ基などが挙げられ、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基が好ましい。
【００１７】
アルキルチオ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよい。炭素数は通常１〜２０程度であり、好ましくは炭素数３〜２０である。具体的には、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、  ｉ−プロピルチオ基、ブチルチオ基、  ｉ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基、トリフルオロメチルチオ基などが挙げられ、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基が好ましい。
【００１８】
アリール基は、炭素数は通常６〜６０程度であり、好ましくは７〜４８である。具体的には、フェニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル基（Ｃ1〜Ｃ12は、炭素数１〜１２であることを示す。以下も同様である。）、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、ペンタフルオロフェニル基などが例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル基が好ましい。ここに、アリール基とは、芳香族炭化水素から、水素原子１個を除いた原子団である。ここに芳香族炭化水素としては、縮合環をもつもの、独立したベンゼン環または縮合環２個以上が直接またはビニレン等の基を介して結合したものが含まれる。
Ｃ1〜Ｃ12アルコキシとして具体的には、メトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、ｉ−プロピルオキシ、ブトキシ、ｉ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、２−エチルヘキシルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、３，７−ジメチルオクチルオキシ、ラウリルオキシなどが例示される。
Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル基として具体的にはメチルフェニル基、エチルフェニル基、ジメチルフェニル基、プロピルフェニル基、メシチル基、メチルエチルフェニル基、ｉ−プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、ｉ−ブチルフェニル基、ｔ−ブチルフェニル基、ペンチルフェニル基、イソアミルフェニル基、ヘキシルフェニル基、ヘプチルフェニル基、オクチルフェニル基、ノニルフェニル基、デシルフェニル基、ドデシルフェニル基などが例示される。
【００１９】
アリールオキシ基としては、炭素数は通常６〜６０程度であり、好ましくは７〜４８である。具体的には、フェノキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェノキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基などが例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェノキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェノキシ基が好ましい。
Ｃ1〜Ｃ12アルコキシとして具体的には、メトキシ、エトキシ、プロピルオキシ、ｉ−プロピルオキシ、ブトキシ、ｉ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、シクロヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、２−エチルヘキシルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、３，７−ジメチルオクチルオキシ、ラウリルオキシなどが例示される。
Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェノキシ基として具体的にはメチルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、プロピルフェノキシ基、1,3,5−トリメチルフェノキシ基、メチルエチルフェノキシ基、ｉ−プロピルフェノキシ基、ブチルフェノキシ基、ｉ−ブチルフェノキシ基、ｔ−ブチルフェノキシ基、ペンチルフェノキシ基、イソアミルフェノキシ基、ヘキシルフェノキシ基、ヘプチルフェノキシ基、オクチルフェノキシ基、ノニルフェノキシ基、デシルフェノキシ基、ドデシルフェノキシ基などが例示される。
【００２０】
アリールチオ基としては、炭素数は通常６〜６０程度であり、好ましくは炭素数７〜４８である。具体的には、フェニルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基などが例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニルチオ基が好ましい。
【００２１】
アリールアルキル基は、炭素数は通常７〜６０程度であり、好ましくは７〜４８である。具体的には、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基などが例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル基が好ましい。
【００２２】
アリールアルコキシ基は、炭素数は通常７〜６０程度であり、好ましくは炭素数７〜４８である。具体的には、フェニルメトキシ基、フェニルエトキシ基、フェニルブトキシ基、フェニルペンチロキシ基、フェニルヘキシロキシ基、フェニルヘプチロキシ基、フェニルオクチロキシ基などのフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基などが例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルコキシ基が好ましい。
【００２３】
アリールアルキルチオ基は、炭素数は通常７〜６０程度であり、好ましくは炭素数７〜４８である。具体的には、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基などが例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルチオ基が好ましい。
【００２４】
アリールアルケニル基は、炭素数は通常７〜６０程度であり、好ましくは炭素数７〜４８である。具体的には、フェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基、１−ナフチル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基、２−ナフチル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基などが例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルケニル基、Ｃ2〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルケニル基が好ましい。
【００２５】
アリールアルキニル基は、炭素数は通常７〜６０程度であり、好ましくは炭素数７〜４８である。具体的には、フェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基、１−ナフチル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基、２−ナフチル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基などが例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ2〜Ｃ12アルキニル基が好ましい。
【００２６】
置換アミノ基は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１または２個の基で置換されたアミノ基をいい、該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基は置換基を有していてもよい。炭素数は該置換基の炭素数を含めないで通常１〜６０程度であり、好ましくは炭素数２〜４８である。
具体的には、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ｉ−プロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ｉ−ブチルアミノ基、ｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基、ジトリフルオロメチルアミノ基フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニルアミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジルアミノ基、トリアジルアミノ基フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル）アミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル）アミノ基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基などが例示される。
【００２７】
置換シリル基は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１、２または３個の基で置換されたシリル基をいい、炭素数は通常１〜６０程度であり、好ましくは炭素数３〜４８である。なお該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基は置換基を有していてもよい。
具体的には、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリ−ｉ−プロピルシリル基、ジメチル−ｉ−プロピリシリル基、ジエチル−ｉ−プロピルシリル基、ｔ−ブチルシリルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基、ラウリルジメチルシリル基、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ−ｐ−キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基などが例示される。
【００２８】
置換シリルオキシ基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基 から選ばれる１、２または３個の基で置換されたシリルオキシ基（Ｈ3ＳiＯ-）があげられ、炭素数は通常１〜６０程度であり、好ましくは炭素数３〜３０である。なお該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基は置換基を有していてもよい。
具体的には、トリメチルシリルオキシ基、トリエチルシリルオキシ基、トリ−ｎ−プロピルシリルオキシ基、トリ−ｉ−プロピルシリルオキシ基、ｔ−ブチルシリルジメチルシリルオキシ基、トリフェニルシリルオキシ基、トリ−ｐ−キシリルシリルオキシ基、トリベンジルシリルオキシ基、ジフェニルメチルシリルオキシ基、ｔ−ブチルジフェニルシリルオキシ基、ジメチルフェニルシリルオキシ基などが例示される。
【００２９】
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示される。
【００３０】
１価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子１個を除いた残りの原子団をいい、炭素数は通常４〜６０程度であり、好ましくは４〜２０である。なお、複素環基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。ここに複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、燐、硼素などのヘテロ原子を環内に含むものをいう。具体的には、チエニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基などが例示され、チエニル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルチエニル基、ピリジル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルピリジル基が好ましい。
【００３１】
上記のうち、アルキル鎖を含む基においては、それらは直鎖、分岐または環状のいずれかまたはそれらの組み合わせであってもよく、直鎖でない場合、例えば、イソアミル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、シクロヘキシル基、４−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシクロヘキシル基などが例示される。また、２つのアルキル鎖の先端が連結されて環を形成していても良い。さらに、アルキル鎖の一部のメチル基やメチレン基がヘテロ原子を含む基や一つ以上のフッ素で置換されたメチル基やメチレン基で置き換えられていてもよく、それらのヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子などが例示される。
さらに、置換基の例のうち、アリール基や複素環基をその一部に含む場合は、それらがさらに１つ以上の置換基を有していてもよい。
【００３２】
上記式（１）における芳香環としては、ベンゼン環、ナフタレン環等の芳香族炭化水素環；ピリジン環、ビピリジン環、フェナントロリン環、キノリン環、イソキノリン環、チオフェン環、フラン環、ピロール環などの複素芳香環が挙げられる。
上記式（１）で示される繰り返し単位が置換基として、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、または置換カルボキシル基から選ばれる基を有することが好ましい。
【００３３】
上記式（１）で示される構造としては、下記式（１−１）、（１−２）または（１−３）で示される構造；
2006219663.tif 000004
〔式中、Ａ環、Ｂ環、およびＣ環はそれぞれ独立に芳香環を示す。式（1-1）、（1-2）および（1-3）は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基からなる群から選ばれる置換基を有していてもよい。Ｙは前記と同じ意味を表す。〕
下記式（１−４）または（１−５）で示される構造
2006219663.tif 000005
〔式中、Ｄ環、Ｅ環、Ｆ環およびＧ環はそれぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基からなる群から選ばれる置換基を有していてもよい芳香環を示す。Ｙは前記と同じ意味を表す。〕
が挙げられ、上記式（１−４）または（１−５）で示される構造が好ましい。
またＹは−Ｓ−、−Ｏ−、−Ｃ（Ｒ1）（Ｒ2）−であることが、高発光効率を得るという点で好ましく、さらに好ましくはＹは−Ｓ−、−Ｏ−である。ここで、Ｒ1，Ｒ2は前記と同じ意味を表す。
【００３４】
アシル基は、炭素数は通常２〜２０程度であり、好ましくは炭素数２〜１８である。具体的には、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイル基などが例示される。
【００３５】
アシルオキシ基は、炭素数は通常２〜２０程度であり、好ましくは炭素数２〜１８である。具体的には、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基、ペンタフルオロベンゾイルオキシ基などが例示される。
【００３６】
イミン残基としては、イミン化合物（  分子内に、−Ｎ＝Ｃ-を持つ有機化合物のことをいう。その例として、アルジミン、ケチミン及びこれらのＮ上の水素原子が、アルキル基等で置換された化合物があげられる）から水素原子１個を除いた残基があげられ、通常炭素数２〜２０程度であり、好ましくは炭素数２〜１８である。具体的には、以下の構造式で示される基などが例示される。
2006219663.tif 000006
【００３７】
アミド基は、炭素数は通常２〜２０程度であり、好ましくは炭素数２〜１８である。具体的には、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基、ジペンタフルオロベンズアミド基、などが例示される。
【００３８】
酸イミド基としては、酸イミドからその窒素原子に結合した水素原子を除いて得られる残基があげられ、通常炭素数２〜６０程度であり、好ましくは炭素数２〜４８である。具体的には以下に示す基が例示される。
2006219663.tif 000007
【００３９】
置換カルボキシル基は、通常炭素数２〜６０程度であり、好ましくは炭素数２〜４８である。アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基で置換されたカルボキシル基をいい、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、ｉ−プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、ｉ−ブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシロキシカルボニル基、シクロヘキシロキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシロキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、デシロキシカルボニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、ペンタフルオロエトキシカルボニル基、パーフルオロブトキシカルボニル基、パーフルオロヘキシルオキシカルボニル基、パーフルオロオクチルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基、などが挙げられる。なお該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基は置換基を有していてもよい。置換カルボキシル基の炭素数には該置換基の炭素数は含まれない。
【００４０】
上記式（１−１）、（１−２）、（１−３）、（１−４）、（１−５）における芳香環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、テトラセン環、ペンタセン環、ピレン環、フェナントレン環等の芳香族炭化水素環；ピリジン環、ビピリジン環、フェナントロリン環、キノリン環、イソキノリン環、チオフェン環、フラン環、ピロール環などの複素芳香環が挙げられる。
上記式（１−１）、（１−２）、（１−３）、（１−４）、（１−５）で示される繰り返し単位が置換基として、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、または置換カルボキシル基から選ばれる基を有することが好ましい。
【００４１】
式（１−１）の具体例のうち無置換のものとしては、次のような例が挙げられる。
2006219663.tif 000008
2006219663.tif 000009
【００４２】
式（１−２）の具体例として、無置換のものとしては、次のような例が挙げられる。
2006219663.tif 000010
【００４３】
式（１−３）の具体例として無置換のものとしては、次のような例が挙げられる。
2006219663.tif 000011
【００４４】
式（１−４）の具体例として、無置換のものとしては、次のような例が挙げられる。
2006219663.tif 000012
2006219663.tif 000013
2006219663.tif 000014
【００４５】
2006219663.tif 000015
【００４６】
2006219663.tif 000016
【００４７】
2006219663.tif 000017
【００４８】
2006219663.tif 000018
2006219663.tif 000019
【００４９】
2006219663.tif 000020
2006219663.tif 000021
【００５０】
2006219663.tif 000022
2006219663.tif 000023
2006219663.tif 000024
2006219663.tif 000025
2006219663.tif 000026
2006219663.tif 000027
式（２９）〜（３３）中のＲ1〜Ｒ8はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、アミノ基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ、アリールアルケニル基、アリールエチニル基、カルボキシル基またはシアノ基を表す。を表し、Ｒ1とＲ2、Ｒ3とＲ4は、それぞれ互いに結合して環を形成していてもよい。
【００５１】
式（１−５）の具体例のなかで無置換のものとしては、次のような例が挙げられる。
【００５２】
2006219663.tif 000028
2006219663.tif 000029
【００５３】
2006219663.tif 000030
【００５４】
2006219663.tif 000031
【００５５】
2006219663.tif 000032
【００５６】
2006219663.tif 000033
【００５７】
2006219663.tif 000034
【００５８】
2006219663.tif 000035
【００５９】
2006219663.tif 000036
【００６０】
2006219663.tif 000037
【００６１】
上記具体例は、これらの芳香族炭化水素基または複素環上にさらに置換基を有する基が、溶解性向上の点で好ましい。置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、アミノ基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールエチニル基、カルボキシル基またはシアノ基が例示され、互いに結合して環を形成してもよい。
【００６２】
発光効率の観点から、上記式（１）の中で、（１―４）、（１―５）が好ましく、（１―４）がより好ましく、下記式（１−６）で示される構造がより好ましい。
2006219663.tif 000038
〔式中、Ｒ5およびＲ6は、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、または置換カルボキシル基を示す。aおよびｂはそれぞれ独立に０〜３の整数を示す。Ｒ5およびＲ6がそれぞれ複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Ｙは前記と同じ意味を表す。〕
【００６３】
合成上の観点から、式（1-6）の中で、Ｙは−Ｓ−、−Ｏ−、−Ｃ（Ｒ1）（Ｒ2）−であることが好ましく、さらに好ましくは、Ｙは−Ｓ−または−Ｏ−である。
【００６４】
また、溶媒に対する溶解性の観点から、a＋ｂは１以上が好ましい。
【００６５】
合成上の観点から、上記式（1）、（1-1）から（1-8）におけるＰ環、Ｑ環、Ａ環、Ｂ環、Ｃ環、Ｄ環、Ｅ環、Ｆ環およびＧ環は芳香族炭化水素環であることが好ましい。
【００６６】
本発明の高分子化合物は、さらに、下記式（２）、式（３）、式（４）または式（５）で示される繰り返し単位を有していてもよい。
−Ａｒ1−        （２）
2006219663.tif 000039
−Ａｒ4−Ｘ2−        （４）
−Ｘ3−                  （５）
【００６７】
〔式中、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3およびＡｒ4はそれぞれ独立にアリーレン基、２価の複素環基または金属錯体構造を有する２価の基を示す。Ｘ1、Ｘ2およびＸ3はそれぞれ独立に−ＣＲ15＝ＣＲ16−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｎ（Ｒ17）−、または−（ＳｉＲ18Ｒ19）m−を示す。Ｒ15およびＲ16は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。Ｒ17、Ｒ18およびＲ19は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、アリールアルキル基、または置換アミノ基を含む基を示す。ｆｆは１または２を示す。mは１〜１２の整数を示す。Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18およびＲ19がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
【００６８】
ここに、アリーレン基とは、芳香族炭化水素から、水素原子２個を除いた原子団であり、通常炭素数は６〜６０程度であり、好ましくは６〜２０である。ここに芳香族炭化水素としては、縮合環をもつもの、独立したベンゼン環または縮合環２個以上が直接またはビニレン等の基を介して結合したものが含まれる。
アリーレン基としては、フェニレン基（例えば、下図の式１〜３）、ナフタレンジイル基（下図の式４〜１３）、ビフェニル−ジイル基（下図の式２０〜２５）、ターフェニル−ジイル基（下図の式２６〜２８）、縮合環化合物基（下図の式２９〜３５）、フルオレン−ジイル基（下図の式３６〜３８）、スチルベン−ジイル（下図の式Ａ〜Ｄ），ジスチルベン−ジイル（下図の式Ｅ，Ｆ）などが例示される。中でもフェニレン基、ビフェニレン基、スチルベン−ジイル基が好ましい。
【００６９】
2006219663.tif 000040
【００７０】
2006219663.tif 000041
【００７１】
2006219663.tif 000042
【００７２】
2006219663.tif 000043
【００７３】
2006219663.tif 000044
【００７４】
2006219663.tif 000045
【００７５】
また、２価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子２個を除いた残りの原子団をいい、炭素数は通常３〜６０程度である。
ここに複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素、ヒ素などのヘテロ原子を環内に含むものをいう。
【００７６】
２価の複素環基としては、例えば以下のものが挙げられる。
ヘテロ原子として、窒素を含む２価の複素環基；ピリジンージイル基（下図の式３９〜４４）、ジアザフェニレン基（下図の式４５〜４８）、キノリンジイル基（下図の式４９〜６３）、キノキサリンジイル基（下図の式６４〜６８）、アクリジンジイル基（下図の式６９〜７２）、ビピリジルジイル基（下図の式７３〜７５）、フェナントロリンジイル基（下図の式７６〜７８）、など。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、セレンなどを含みフルオレン構造を有する基（下図の式７９〜９３）。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基：（下図の式９４〜９８）が挙げられる。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、セレンなどを含む５員環縮合複素基：（下図の式９９〜１１０）が挙げられる。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位で結合し２量体やオリゴマーになっている基：（下図の式１１１〜１１２）が挙げられる。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位でフェニル基に結合している基：（下図の式１１３〜１１９）が挙げられる。
ヘテロ原子として酸素、窒素、硫黄、などを含む５員環縮合複素環基にフェニル基やフリル基、チエニル基が置換した基：（下図の式１２０〜１２５）が挙げられる。
【００７７】
2006219663.tif 000046
【００７８】
2006219663.tif 000047
【００７９】
2006219663.tif 000048
【００８０】
2006219663.tif 000049
【００８１】
2006219663.tif 000050
【００８２】
2006219663.tif 000051
【００８３】
2006219663.tif 000052
【００８４】
2006219663.tif 000053
【００８５】
2006219663.tif 000054
【００８６】
2006219663.tif 000055
【００８７】
上記の式１〜１２５において、Ｒはそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。また、式１〜１２５の基が有する炭素原子は、窒素原子、酸素原子または硫黄原子と置き換えられていてもよく、水素原子はフッ素原子に置換されていてもよい。
【００８８】
上記式（１）から（１２）、（１−１）から（１−１０）および上記例示式中で示される、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基はすべて同様の意味を示す。
【００８９】
有機溶媒への溶解性を高めるためには、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3、Ａｒ4は置換基を有することが好ましく１つ以上に環状または長鎖のあるアルキル基、アルコキシ基が含まれることが好ましく、シクロペンチル基、シクロへキシル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ペンチルオキシ基、イソアミルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基が例示される。
【００９０】
また、２つの置換基が連結されて環を形成していても良い。さらに、アルキル鎖の一部の炭素原子がヘテロ原子を含む基で置き換えられていてもよく、それらのヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子などが例示される。
【００９１】
上記式（３）で示される繰り返し単位としては下記式（７）、（９）、（１０）、（１１）、（１２）、（１３）、または（１４）で示される繰り返し単位があげられる。
2006219663.tif 000056
［式中、Ａｒ15およびＡｒ16は、それぞれ独立に３価の芳香族炭化水素基または３価の複素環基を表し、Ｒ40は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、置換基を有していても良いアリール基または１価の複素環基を表し、Ｘは単結合あるいは下記基のいずれかを表す。
2006219663.tif 000057
（式中Ｒ41は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミノ基、アミド基、イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。を表す。Ｒ41が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい）〕
2006219663.tif 000058
〔式中、Ｒ20は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。nは０〜４の整数を示す。Ｒ20が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
2006219663.tif 000059
〔式中、Ｒ21およびＲ22は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。oおよびpはそれぞれ独立に０〜３の整数を示す。Ｒ21およびＲ22がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
2006219663.tif 000060
式中、Ｒ23およびＲ26は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。qおよびrはそれぞれ独立に０〜４の整数を示す。Ｒ24およびＲ25は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。Ｒ23およびＲ26がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
2006219663.tif 000061
〔式中、Ｒ27は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。ｓは０〜２の整数を示す。Ａｒ13およびＡｒ14はそれぞれ独立にアリーレン基、２価の複素環基または金属錯体構造を有する２価の基を示す。ｓｓおよびｔｔはそれぞれ独立に０または１を示す。Ｘ4は、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ2、Ｓｅ，またはＴｅを示す。Ｒ27が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
2006219663.tif 000062
〔式中、Ｒ28およびＲ29は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。tおよびuはそれぞれ独立に０〜４の整数を示す。Ｘ5は、Ｏ、Ｓ、ＳＯ2、Ｓｅ，Ｔｅ、Ｎ−Ｒ30、またはＳｉＲ31Ｒ32を示す。Ｘ6およびＸ7は、それぞれ独立にＮまたはＣ−Ｒ33を示す。Ｒ30、Ｒ31、Ｒ32およびＲ33はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基を示す。Ｒ28、Ｒ29およびＲ33がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
2006219663.tif 000063
〔式中、Ｒ34およびＲ39は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。vおよびwはそれぞれ独立に０〜４の整数を示す。Ｒ35、Ｒ36、Ｒ37およびＲ38は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。Ａｒ5はアリーレン基、２価の複素環基または金属錯体構造を有する２価の基を示す。Ｒ34およびＲ39がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。〕
【００９２】
また、上記式（４）で示される繰り返し単位として、下記式（８）で示される繰り返し単位があげられる。
2006219663.tif 000064
〔式中、Ａｒ6、Ａｒ7、Ａｒ8およびＡｒ9はそれぞれ独立にアリーレン基または２価の複素環基を示す。Ａｒ10、Ａｒ11およびＡｒ12はそれぞれ独立にアリール基、または１価の複素環基を示す。Ａｒ6、Ａｒ7、Ａｒ8、Ａｒ9、およびＡｒ10は置換基を有していてもよい。ｘおよびｙはそれぞれ独立に０または１を示し、０≦ｘ＋ｙ≦１である。〕
【００９３】
本発明において、上記式（８）で示される構造の中では、下記式（１５）で示される構造が好ましい。
2006219663.tif 000065
〔式中、Ｒ22、Ｒ23およびＲ24は、それぞれ独立にアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を示す。ｘおよびｙはそれぞれ独立に０〜４の整数を示す。ｚは１〜２の整数を示す。aaは０〜５の整数を示す。〕
【００９４】
上記式（１５）におけるＲ24としては、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、置換アミノ基が好ましい。置換アミノ基としてはジアリールアミノ基が好ましく、更に好ましくは、ジフェニルアミノ基である。
【００９５】
上述の中で、好ましい組合せは、高分子と組み合わせる金属錯体によって異なるが、上記式（１−６）と上記式（７）、（８）または（９）が好ましく、さらに好ましくは式（１−６）と式（８）、（９）の組合せである。
上記式（１−６）出示される構造において、ＹがＳ原子、Ｏ原子であることが更に好ましい。
【００９６】
また、本発明の高分子化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、素子にしたときの発光特性や寿命が低下する可能性があるので、安定な基で保護されていても良い。主鎖の共役構造と連続した共役結合を有しているものが好ましく、例えば、炭素―炭素結合を介してアリール基または複素環基と結合している構造が例示される。具体的には、特開平９−４５４７８号公報の化１０に記載の置換基等が例示される。
【００９７】
また、本発明の高分子化合物は、ランダム、ブロックまたはグラフト共重合体であってもよいし、それらの中間的な構造を有する高分子、例えばブロック性を帯びたランダム共重合体であってもよい。量子収率の高い高分子を得る観点からは完全なランダム共重合体よりブロック性を帯びたランダム共重合体やブロックまたはグラフト共重合体が好ましい。主鎖に枝分かれがあり、末端部が３つ以上ある場合やデンドリマーも含まれる。
【００９８】
本発明の高分子化合物は、ポリスチレン換算の数平均分子量が１０3〜１０8であることが好ましい。より好ましくは１０4〜１０7である。
【００９９】
本発明の高分子化合物は、具体的には、モノマーとなる、反応性置換基を複数有する化合物を、必要に応じ、有機溶媒に溶解し、例えばアルカリや適当な触媒を用い、有機溶媒の融点以上沸点以下で製造することができる。例えば、“オルガニック  リアクションズ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ）”，第１４巻，２７０−４９０頁，ジョンワイリー  アンド  サンズ（Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９６５年、  “オルガニック  シンセシス（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ）”，コレクティブ第６巻（Ｃｏｌｌｅｃｔｉｖｅ  Ｖｏｌｕｍｅ  ＶＩ），４０７−４１１頁，ジョンワイリー  アンド  サンズ（Ｊｏｈｎ  Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９８８年、ケミカル  レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．），第９５巻，２４５７頁（１９９５年）、ジャーナル  オブ  オルガノメタリック  ケミストリー（Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．），第５７６巻，１４７頁（１９９９年）、マクロモレキュラー  ケミストリー  マクロモレキュラー  シンポジウム（Ｍａｋｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｙｍｐ．），第１２巻，２２９頁（１９８７年）などに記載の公知の方法を用いることができる。
本発明の高分子化合物の製造方法において、縮合重合させる方法としては、既知の縮合反応を用いることにより製造できる。縮合重合において、二重結合を生成する場合は、例えば特開平５−２０２３５５号公報に記載の方法が挙げられる。すなわち、ホルミル基を有する化合物とホスホニウムメチル基を有する化合物との、もしくはホルミル基とホスホニウムメチル基とを有する化合物のＷｉｔｔｉｇ反応による重合、ビニル基を有する化合物とハロゲン原子を有する化合物とのＨｅｃｋ反応による重合、モノハロゲン化メチル基を２つあるいは２つ以上有する化合物の脱ハロゲン化水素法による重縮合、スルホニウムメチル基を２つあるいは２つ以上有する化合物のスルホニウム塩分解法による重縮合、ホルミル基を有する化合物とシアノ基を有する化合物とのＫｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応による重合などの方法、ホルミル基を２つあるいは２つ以上有する化合物のＭｃＭｕｒｒｙ反応による重合などの方法が例示される。
本発明の高分子化合物が縮合重合によって主鎖に三重結合を生成する場合には、例えば、Ｈｅｃｋ反応が利用できる。
【０１００】
また、二重結合や三重結合を生成しない場合には、例えば該当するモノマーからＳｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、Ｎｉ（０）錯体により重合する方法、ＦｅＣｌ3等の酸化剤により重合する方法、電気化学的に酸化重合する方法、あるいは適当な脱離基を有する中間体高分子の分解による方法などが例示される。
【０１０１】
これらのうち、Ｗｉｔｔｉｇ反応による重合、Ｈｅｃｋ反応による重合、Ｋｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応による重合、およびＳｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、ニッケルゼロ価錯体により重合する方法が、構造制御がしやすいので好ましい。
【０１０２】
本発明の高分子化合物の原料モノマーが有する反応性置換基が、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基またはアリールアルキルスルホネート基である場合は、ニッケルゼロ価錯体存在下で縮合重合する製造方法が好ましい。
原料化合物としては、ジハロゲン化化合物、ビス（アルキルスルホネート）化合物、ビス（アリールスルホネート）化合物、ビス（アリールアルキルスルホネート）化合物あるいはハロゲン−アルキルスルホネート化合物、ハロゲン−アリールスルホネート化合物、ハロゲン−アリールアルキルスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールスルホネート化合物、アルキルスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物、アリールスルホネート−アリールアルキルスルホネート化合物が挙げられる。
【０１０３】
また、本発明の高分子化合物の原料モノマーが有する反応性置換基が、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸基、またはホウ酸エステル基である場合は、ハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基およびアリールアルキルスルホネート基のモル数の合計と、ホウ酸基およびホウ酸エステル基のモル数の合計の比が実質的に１（通常０．７〜１．２の範囲）であり、ニッケル触媒またはパラジウム触媒を用いて縮合重合する製造方法が好ましい。
具体的な原料化合物の組み合わせとしては、ジハロゲン化合物、ビス（アルキルスルホネート）化合物、ビス（アリールスルホネート）化合物またはビス（アリールアルキルスルホネート）化合物とジホウ酸化合物またはジホウ酸エステル化合物との組み合わせが挙げられる。
また、ハロゲン−ホウ酸化合物、ハロゲン−ホウ酸エステル化合物、アルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アルキルスルホネート−ホウ酸エステル化合物、アリールスルホネート−ホウ酸化合物、アリールスルホネート−ホウ酸エステル化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸化合物、アリールアルキルスルホネート−ホウ酸エステル化合物挙げられる。
有機溶媒としては、用いる化合物や反応によっても異なるが、一般に副反応を抑制するために、用いる溶媒は十分に脱酸素処理を施し、不活性雰囲気化で反応を進行させることが好ましい。また、同様に脱水処理を行うことが好ましい。但し、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応のような水との２相系での反応の場合にはその限りではない。
【０１０４】
反応させるために適宜アルカリや適当な触媒を添加する。これらは用いる反応に応じて選択すればよい。該アルカリまたは触媒は、反応に用いる溶媒に十分に溶解するものが好ましい。アルカリまたは触媒を混合する方法としては、反応液をアルゴンや窒素などの不活性雰囲気下で攪拌しながらゆっくりとアルカリまたは触媒の溶液を添加するか、逆にアルカリまたは触媒の溶液に反応液をゆっくりと添加する方法が例示される。
【０１０５】
本発明の高分子化合物を高分子ＬＥＤ等の素子に用いる場合、その純度が発光特性等の素子の性能に影響を与えるため、重合前のモノマーを蒸留、昇華精製、再結晶等の方法で精製したのちに重合することが好ましい。また重合後、再沈精製、クロマトグラフィーによる分別等の純化処理をすることが好ましい。
【０１０６】
次に、本発明の高分子化合物における金属錯体（Ｂ）について説明する。
金属錯体（B）は、３座配位子を1つ以上有し、中心金属の原子番号が２１以上である。
ここに、３座配位子としては、同一分子内の独立した３つの原子を通して一つの金属原子または金属イオンに配位する配位子があげられる。
３座配位子は芳香環を少なくとも１つ含むことが好ましく、さらに縮合環を含むことが、高発光効率を得る点で好ましい。また、金属と配位する原子は、炭素、窒素、酸素、イオウ、リンが好ましい。
【０１０７】
３座配位子としては、例えば以下のものが挙げられる。
（図中＊は金属イオンへの配位原子を示す。また、Ｒは水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、1価の複素環基またはハロゲン原子を表し、同一分子内のＲは同じであっても異なっていても良い。）
2006219663.tif 000066
2006219663.tif 000067
３座配位子以外の配位子は、特に限定されないが、用いる中心金属の取りうる価数により適宜単座配位子、あるいは２座配位子となり、３座配位子を２つ有していもよい。
【０１０８】
3座配位子以外の配位子も、芳香環を少なくとも１つ含むことが好ましく、さらに縮合環を含むことが、高発光効率を得る点で好ましい。また、金属と配位する原子は、炭素、窒素、酸素、イオウ、リンが好ましく、中でも炭素、窒素、リンがさらに好ましい。さらに、配位子は、溶解性向上等の観点で、置換基を有していてもよい。
３座配位子以外の配位子としては、例えば以下のものが挙げられる。
（図中＊はおよびＲは上記と同じ意味である）
2006219663.tif 000068
３座配位子と、それ以外の配位子の組み合わせは、特に限定されないが、中心金属の価数によって適宜好ましい組み合わせを選ぶことができるが、発光色を可視域に調整する観点で、少なくとも１つの単座配位子と組み合わせることが好ましい。
【０１０９】
中心金属としては、原子番号２１以上の原子で、好ましくは、該錯体にスピン−軌道相互作用があり、一重項状態と三重項状態間の項間交差を起こしうる金属であり、その例としては、第４、５周期の遷移金属、Ｗ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ａｕ、ランタノイド類、Ｒｅ、Ｓｃ、Ｐｔ、Ｒｕなどが挙げられ、発光効率の観点からＲｕ、Ｒｈ、Ｗ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ａｕ、Ｅｕ、Ｔｂが好ましく、Ｗ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ａｕがより好ましく、Ｗ、Ａｕがさらに好ましく、Ａｕが最も好ましい。
本発明で用いる金属錯体の中では、発光性の金属錯体が好ましく、三重項励起状態からの発光を示す金属錯体がより好ましい。
ここに三重項励起状態からの発光を示す金属錯体としては、例えば、燐光発光や、この燐光発光に加えて蛍光発光が観測される化合物も含まれる。
【０１１０】
高分子化合物における金属錯体（Ｂ）の構造としては、以下の構造（Ｂ−１）〜（Ｂ−５）を具体的に挙げることができる。
【０１１１】
2006219663.tif 000069
（Ｂ−１）
（上式中、Ｒは前記と同じ意味を表す。またＸＸは、高分子鎖との結合位置を表す。）
【０１１２】
2006219663.tif 000070
（Ｂ−２）
（上式中、Ｒは前記と同じ意味を表す。またＸＸは、高分子鎖との結合位置を表す。）
【０１１３】
2006219663.tif 000071
2006219663.tif 000072
2006219663.tif 000073
2006219663.tif 000074
2006219663.tif 000075
（Ｂ−３）
（上式中、Ｒは前記と同じ意味を表す。またＸＸは、高分子鎖との結合位置を表す。）
【０１１４】
2006219663.tif 000076
2006219663.tif 000077
（Ｂ−４）
（上式中、Ｒは前記と同じ意味を表す。またＸＸは、高分子鎖との結合位置を表す。）
【０１１５】
2006219663.tif 000078
（Ｂ−５）
（上式中、Ｒは前記と同じ意味を表す。またＸＸは、高分子鎖との結合位置を表す。）
【０１１６】
本発明の高分子化合物における金属錯体（Ｂ）の量は、組み合わせる共役系高分子（Ａ）の種類や、最適化したい特性により異なるので、特に限定されないが、高分子（A）の量を１００重量部としたとき、通常０．０１〜８０重量部、好ましくは０．１〜６０重量部である。
【０１１７】
また本発明の高分子化合物は、共役系高分子（Ａ）が、分子内に金属錯体（Ｂ）を部分構造として有するものであるが、その形態は、金属錯体（Ｂ）の配位子と、共役系高分子が結合している。その例としては、一般式（１）で示される繰り返し単位を含み、ポリスチレン換算の数平均分子量が１０3〜１０8であり、その側鎖、主鎖、および／または末端に金属錯体（Ｂ）の構造を有するものが挙げられる。
【０１１８】
共役系高分子（A）の側鎖に金属錯体（B）の構造を有する高分子高分子化合物はたとえば下式で示される繰り返し単位を含む。
2006219663.tif 000079
〔式中Ａｒ18は、二価の芳香環、または、酸素原子、窒素原子、ケイ素原子、ゲルマニウム原子、スズ原子、リン原子、ホウ素原子、硫黄原子、セレン原子およびテルル原子からなる群から選ばれる原子を一つ以上有する二価の複素環基を表し、該Ａｒ18は、−Ｌ−Ｘで示される基１個以上４個以下を有し、Ｘは金属錯体を含む一価の基を表し、Ｌは、単結合、−Ｏ−，−Ｓ−，―ＣＯ−，−ＣＯ2−、−ＳＯ−，―ＳＯ2―，−ＳｉＲ68Ｒ69−，ＮＲ70−，−ＢＲ71−，−ＰＲ72−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ73）―、置換されていてもよいアルキレン基、置換されていてもよいアルケニレン基、置換されていてもよいアルキニレン基、置換されていてもよいアリーレン基、または置換されていてもよい２価の複素環基を表し、該アルキレン基、該アルケニレン基、該アルキニレン基が−ＣＨ2−基を含む場合、該アルキレン基に含まれる−ＣＨ2−基の一つ以上、該アルケニレン基に含まれる−ＣＨ2−基の一つ以上、該アルキニレン基に含まれる−ＣＨ2−基の一つ以上がそれぞれ、−Ｏ−、−Ｓ−、―ＣＯ−、−ＣＯ2−、−ＳＯ−、―ＳＯ2―、−ＳｉＲ74Ｒ75−、ＮＲ76−、−ＢＲ77−、−ＰＲ78−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ79）―からなる群から選ばれる基と置き換えられていてもよい。Ｒ68、Ｒ69、Ｒ70、Ｒ71、Ｒ72、Ｒ73、Ｒ74、Ｒ75、Ｒ76、Ｒ77、Ｒ78、Ｒ79は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基およびシアノ基からなる群より選ばれる基を示す。Ａｒ18は、―Ｌ−Ｘで示される基以外にさらにアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基からなる群から選ばれる置換基を有していてもよい。Ａｒ18が複数の置換基を有する場合、それらは同一であってもよいし、それぞれ異なっていてもよい。〕
ここで、２価の芳香環とは、フェニレン、ナフチレン、あるいは上記一般式（１）であらわされるような環が例としてあげられる。
【０１１９】
共役系高分子（A）の主鎖に金属錯体（B）の構造を有する高分子化合物はたとえば下式で示される繰り返し単位を含む。
2006219663.tif 000080
2006219663.tif 000081
〔式中Ｌ1、Ｌ2は金属錯体構造を示し、式中の２価または3価の結合基は、金属錯体の配位子が高分子主鎖を形成する繰り返し単位と結合している。〕
【０１２０】
共役系高分子（A）の末端に金属錯体（B）の構造を有する高分子化合物はたとえば下式で示される構造を含む。
2006219663.tif 000082
〔式中Ｌ3は金属錯体を含む一価の基を表し、１価の結合基は、金属錯体の配位子が有してＸと結合している。Ｘは単結合、置換されていてもよいアルケニレン基、置換されていてもよいアルキニレン基、置換されていてもよいアリーレン基、または置換されていてもよい２価の複素環基を表す。〕
【０１２１】
金属錯体構造を側鎖、主鎖、末端に有する高分子化合物は、例えば、金属錯体構造を有する単量体を、原料の一つとして用いて、前記の方法を用いて製造することができる。
【０１２２】
本発明は上記の高分子化合物を含む発光材料に関する。この場合、金属錯体が発光性金属錯体であることが好ましい。
【０１２３】
次に、本発明で用いる金属錯体の製造法に説明する。本発明の高分子化合物は、金属錯体構造を高分子と同一分子内に含むものなので、高分子に組み込むことができる反応性の基を有する金属錯体を製造する必要がある。
反応性基を有する金属錯体は例えば用いようとする錯体を臭素やＮ−ブロモスクシイミド等の一般的な臭素化剤により臭素化し、これを錯体モノマーとし、前記の高分子化合物の製造法で重合して製造することが出来る。既に反応性基を有する配位子を用いて目的とする金属錯体を合成する事も可能である。
【０１２４】
前記の方法とは別にあらかじめ三座配位子部位やその他の配位部位を組み込んだ高分子化合物を合成し、ここに錯体構造を導入して本発明で用いる高分子化合物を製造することも可能である。
【０１２５】
また、本発明の高分子化合物を用いて製膜したときの製膜性、素子特性を改良する観点で、本発明の高分子化合物と、他の低分子有機化合物、および／または高分子化合物を混合した高分子組成物として用いても良い。
本発明の高分子組成物は、本発明の高分子化合物を少なくとも1種類含むものである。また、本発明の高分子化合物に加えて、正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料から選ばれる少なくとも１種類の材料を含むものである。
組み合わせる低分子有機化合物、高分子化合物は、特に限定されないが、正孔注入・輸送性（正孔輸送材料）、電子注入・輸送性（電子輸送材料）を有するものが好ましく用いられ、具体的には、低分子有機化合物としては、トリフェニルアミン、テトラフェニルジアミン、ビスカルバゾリルビフェニルおよびこれらの誘導体等が挙げられ、高分子化合物としてはポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、またはポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体等があげられる。
【０１２６】
また本発明の高分子化合物は、金属錯体（Ｂ）の構造を分子内に有するが、
該金属錯体（Ｂ）としては、金属が第４および第５周期の遷移金属並びにＷ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ａｕおよびランタノイドから選ばれる金属と、単座配位子と、１個以上の芳香環を含みかつ環構造内に３個の配位原子を含む三座配位子とを有し、１０℃以上で可視光域に発光を示す金属錯体（Ｂ’）があげられる。
【０１２７】
さらに本発明の高分子化合物としては、金属錯体（Ｂ）が、金属が第４および第５周期の遷移金属並びにＷ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ａｕおよびランタノイドから選ばれる金属と、芳香環を有する単座配位子と、１個以上の芳香環を含みかつ環構造内に３個の配位原子を含む三座配位子とを有する金属錯体（Ｂ’’）であるものがあげられる。
【０１２８】
金属錯体（Ｂ’）および（Ｂ’’）が有する金属は第４および第５周期の遷移金属並びにＷ，Ｏｓ、Ｉｒ、Ａｕおよびランタノイドから選ばれる金属であり、その具体例としては、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ａｕ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕが例としてあげられ、高効率を得るという観点から、Ｒｕ，Ｒｈ，Ｗ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ａｕ，Ｅｕ、Ｔｂが好ましく、さらにＷ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ａｕが好ましく、さらに好ましくはＷ，Ａｕであり、Ａｕが最も好ましい。
【０１２９】
金属錯体（Ｂ’）が有する単座配位子としては、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アシル基、アミド基、酸イミド基、アミノ基、シリル基、カルボキシル基、複素環配位子、カルボニル配位子、アルケン配位子、アルキン配位子、アミン配位子、イミン配位子、イソニトリル配位子、ホスフィン配位子、ホスフィンオキシド配位子、ホスファイト配位子、エーテル配位子、スルホン配位子、スルホキシド配位子またはスルフィド配位子などが例として挙げられる。いずれの配位子もフッ素や塩素などのハロゲン原子が置換していても良い。
【０１３０】
アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アシル基、アミド基および酸イミド基としては前記と同様の基である。
【０１３１】
複素環配位子としては、０価でも１価でもよく、０価のものとしては例えば、２，２’−ビピリジル、１，１０−フェナントロリン、２−(４−チオフェン−２−イル)ピリジン、２−(ベンゾチオフェン−２−イル)ピリジンなどが例示され、１価のものとしては例えば、フェニルピリジン、２-(パラフェニルフェニル)ピリジン、７−ブロモベンゾ[ｈ]キノリン、２−(４−フェニルチオフェン−２−イル)ピリジン、２−フェニルベンゾオキサゾール、２-(パラフェニルフェニル)ベンゾオキサゾール、２−フェニルベンゾチアゾール、２−(パラフェニルフェニル)ベンゾチアゾールなどが例示される。
カルボニル配位子としては、一酸化炭素やアセトン、べンゾフェノンなどのケトン類、アセチルアセトン、アセナフトキノンなどのジケトン類、アセチルアセトナート、ジベンゾメチラート、テノイルトリフルオロアセトナートなどのアセトナート配位子などが例示される。
アルケン配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、エチレン、プロピレン、ブテン、ヘキセンまたはデセン等が挙げられる。
アルキン配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、アセチレン、フェニルアセチレンまたはジフェニルアセチレン等が挙げられる。
アミン配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、トリエチルアミンまたはトリブチルアミン等が挙げられる。
イミン配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、ベンゾフェノンイミンまたはメチルエチルケトンイミン等が挙げられる。
イソニトリル配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、ｔ−ブチルイソニトリルまたはフェニルイソニトリル等が挙げられる。
ホスフィン配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、トリフェニルホスフィン、トリトリルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィンまたはトリブチルホスフィン等が挙げられる。
ホスフィンオキシド配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、トリブチルホスフィンオキシドまたはトリフェニルホスフィンオキシド等が挙げられる。
ホスファイト配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、トリフェニルホスファイト、トリトリルホスファイト、トリブチルホスファイトまたはトリエチルホスファイト等が挙げられる。
エーテル配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、ジメチルエーテル、ジエチルエーテルまたはテトラヒドロフラン等が挙げられる。
スルホン配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、ジメチルスルホンまたはジブチルスルホン等が挙げられる。
スルホキシド配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、ジメチルスルホキシドまたはジブチルスルホキシド等が挙げられる。
スルフィド配位子としては特に限定されるものではないが、例えば、エチルスルフィドまたはブチルスルフィド等が挙げられる。
【０１３２】
金属錯体（Ｂ’’）が有する単座配位子としては、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルケニル基または複素環基などが例としてあげられる。いずれの配位子もフッ素や塩素などのハロゲン原子が置換していてもよい。
【０１３３】
単座配位子としては、芳香環を有していることが好ましく、さらには芳香環中の配位原子が炭素または窒素であるか、芳香環が縮合環であることが好ましい。
【０１３４】
発光効率の観点から、芳香環中の配位原子が炭素または窒素である単座配位子としては、下記式（Ｓ−１）に示される構造であることが好ましい。
【０１３５】
2006219663.tif 000083
〔上記式（Ｓ−１）中、＊は金属に配位している原子を表し、Ｒは前記と同様の基を表す。〕
【０１３６】
発光効率の観点から、縮合環である単座配位子としては、下記式（Ｓ−２）に示される構造であることが好ましい。
【０１３７】
2006219663.tif 000084
〔上記式（Ｓ−２）中、＊は金属に配位している原子を表し、Ｒは前記と同様の基を表す。〕
【０１３８】
合成上の観点から、式（Ｓ−１）および（Ｓ−２）中、Ｒは水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子であることが好ましい。
【０１３９】
特に下記式（Ｂ’−１）〜（Ｂ’−３）で示される３座配位子が縮合環を含まない場合は、単座配位子が縮合環を有していることが好ましい。
【０１４０】
金属錯体（Ｂ’）および（Ｂ’’）は、下記一般式（Ｂ’−１）、（Ｂ’−２）または（Ｂ’−３）で表される構造と単座配位子とを有する金属錯体が好ましい。
2006219663.tif 000085
（Ｂ’−１）
〔式中、Ｍは第４および第５周期の遷移金属並びにＷ，Ｏｓ、Ｉｒ、Ａｕおよびランタノイドから選ばれる金属を表し、Ｈ環、Ｉ環およびＪ環はそれぞれ独立に芳香環を表し、各々の環構造内に存在しているＸ1、Ｙ1およびＺ1は、それぞれ独立に金属Ｍへの配位原子を表わす。Ｊ１およびＪ２はそれぞれ独立に炭素数１〜６のアルキレン基、炭素数２〜６のアルケニレン基または炭素数２〜６のアルキニレン基を表し、該アルキレン基、該アルケニレン基および該アルキニレン基の炭素原子がそれぞれ酸素原子または硫黄原子で置換されていてもよい。ｊ１およびｊ２はそれぞれ独立に０または１を表す。〕
2006219663.tif 000086
（Ｂ’−２）
〔式中、Ｍは第４および第５周期の遷移金属並びにＷ，Ｏｓ、Ｉｒ、Ａｕおよびランタノイドから選ばれる金属を表し、Ｋ環およびＬ環は、それぞれ独立に芳香環を表し、各々の環構造内に存在しているＸ2、Ｙ2およびＺ2は、それぞれ独立に金属Ｍへの配位原子を表わし、Ｊ３は炭素数１〜６のアルキレン基、炭素数２〜６のアルケニレン基または炭素数２〜６のアルキニレン基を表し、該アルキレン基、該アルケニレン基および該アルキニレン基の炭素原子がそれぞれ酸素原子または硫黄原子に置換されていてもよく、ｊ３は０または１を表す。〕
2006219663.tif 000087
（Ｂ’−３）
〔式中、Ｍは第４および第５周期の遷移金属並びにＷ，Ｏｓ、Ｉｒ、Ａｕおよびランタノイドから選ばれる金属を表し、Ｏ環は芳香環を表し、環構造内に存在するＸ3，Ｙ3およびＺ3は、それぞれ独立に金属Ｍへの配位原子を表わす。〕
【０１４１】
上記式（Ｂ’−1）におけるＭは、第４および第５周期の遷移金属並びにＷ，Ｏｓ、Ｉｒ、Ａｕおよびランタノイドから選ばれる金属であり、その具体例としては、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ａｕ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕが例としてあげられ、高効率を得るという観点から、Ｒｕ，Ｒｈ，Ｗ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ａｕ，Ｅｕ、Ｔｂが好ましく、さらにＷ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ａｕが好ましく、さらに好ましくはＷ，Ａｕであり、Ａｕが最も好ましい。
【０１４２】
上記式（Ｂ’−1）におけるＨ環、Ｉ環およびＪ環はそれぞれ独立に芳香環を表す。
芳香環としては、芳香族炭化水素環、複素芳香環があげられる。芳香環は単環であっても、縮合環であってもよい。
【０１４３】
単環の芳香族炭化水素環としては、例えば、ベンゼンがあげられる。
縮合環の芳香族炭化水素環としては、例えば、ナフタレン、アントラセン、フェナンスレン等があげられる。
単環の複素芳香環としては、例えば、ピリジン、ピリミジン、ピリダジン、キノリン等があげられる
縮合環の複素芳香環としては、例えば、キノキサリン、フェナントロリン、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ジベンゾシロール等があげられる。
【０１４４】
式（Ｂ’−1）において、Ｈ環のＸ1、Ｉ環のＸ2、Ｊ環のＸ3は、各々の環構造内に含まれる、金属（Ｍ）への配位原子である。
配位原子としては、炭素原子、窒素原子、酸素原子、珪素原子、硫黄原子、リン原子、ヒ素原子、セレン原子が挙げられ、炭素原子、窒素原子、酸素原子、珪素原子、硫黄原子、リン原子が好ましく、炭素原子、窒素原子、酸素原子、硫黄原子がさらに好ましい。
【０１４５】
Ｉ環の具体例として、芳香族炭化水素環としては以下のものがあげられる。
2006219663.tif 000088
上記中のＲは前記と同様の意味を表し、複数個のＲは同一であっても異なっていてもよい。また図中＊は中心金属Ｍと結合する部位を示す。
【０１４６】
また、Ｉ環の具体例として、複素芳香環としては、以下のものが例示される（Ｉ１３〜Ｉ６２）。
2006219663.tif 000089
2006219663.tif 000090
2006219663.tif 000091
2006219663.tif 000092
上記式中  Ｒ、*は前記と同じ意味を表す。
【０１４７】
Ｈ環、Ｊ環の具体例としては上記Ｉ環具体例のそれぞれの結合手のひとつが置換基Ｒに置換された基が例示される。
【０１４８】
式（Ｂ’−1）において、ｊ１およびｊ２はそれぞれ独立に０または１を表し、Ｊ１およびＪ２はそれぞれ独立に炭素数１〜６のアルキレン基、炭素数２〜６のアルケニレン基または炭素数２〜６のアルキニレン基を表し、該アルキレン基、該アルケニレン基および該アルキニレン基の炭素原子がそれぞれ酸素原子または硫黄原子に置換されていてもよい。
【０１４９】
ここに、炭素数１〜６のアルキレン基としては、−CH2−、−C2H4−、−C3H6−、−C4H8−、があげられる。炭素原子（の一部）が酸素に置換されているものとしては、−OCH2−、−CH2OC2H4−、があげられ、炭素原子（の一部）が硫黄に置換されているものとしては、−SCH2−、−CH2SC2H4−、があげられる。
【０１５０】
炭素数２〜６のアルケニレン基としては、−CH=CH−CH2−、−CH=CH−C2H4−、−CH2−CH=CH−C2H4−、があげられる。炭素原子（の一部）が酸素に置換されているものとしては−CH=CH−CH2O−があげられ、炭素原子（の一部）が硫黄に置換されているものとしては、−CH=CH−CH2S−があげられる。
【０１５１】
炭素数２〜６のアルキニレン基としては−C≡C−CH2−、−C≡C−C2H4−、−CH2−C≡C−C2H4−があげられる。炭素原子（の一部）が酸素に置換されているものとしては−CH≡CH−CH2O−があげられ、炭素原子（の一部）が硫黄に置換されているものとしては、
−CH≡CH−CH2S−があげられる。
【０１５２】
上記式（Ｂ’−１）の３座配位子としては以下のものが例示される。
2006219663.tif 000093
【０１５３】
2006219663.tif 000094
【０１５４】
2006219663.tif 000095
【０１５５】
2006219663.tif 000096
【０１５６】
2006219663.tif 000097
2006219663.tif 000098
2006219663.tif 000099
2006219663.tif 000100
【０１５７】
2006219663.tif 000101
2006219663.tif 000102
2006219663.tif 000103
上記式中  Ｒ、*は前記と同じ意味を表す。
【０１５８】
合成上の観点から、Ｈ環、Ｉ環、Ｊ環は単環の芳香族炭化水素環または単環の複素環であることが好ましい。
【０１５９】
次に式（Ｂ’−2）の構造を有する金属錯体について説明する。
式（Ｂ’−2）において、Ｍは第４および第５周期の遷移金属並びにＷ，Ｏｓ、Ｉｒ、Ａｕおよびランタノイドから選ばれる金属であり、その具体例としては、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ａｕ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕが例としてあげられ、高効率を得るという観点から、Ｒｕ，Ｒｈ，Ｗ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ａｕ，Ｅｕ、Ｔｂが好ましく、さらにＷ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ａｕが好ましく、さらに好ましくはＷ，Ａｕであり、Ａｕが最も好ましい。
【０１６０】
式（Ｂ’−2）において、Ｋ環およびＬ環はそれぞれ独立に芳香環を表し、各々の環構造内に存在しているＸ2、Ｙ2およびＺ2は、それぞれ独立に金属Ｍへの配位原子を表わし、Ｊ３は炭素数１〜６のアルキレン基、炭素数２〜６のアルケニレン基または炭素数２〜６のアルキニレン基を表し、該アルキレン基、該アルケニレン基および該アルキニレン基の炭素原子がそれぞれ酸素原子または硫黄原子に置換されていてもよく、ｊ３は０または１を表す。
ここに、芳香環、炭素数１〜６のアルキレン基、炭素数２〜６のアルケニレン基または炭素数２〜６のアルキニレン基の定義、具体例は、式（Ｂ’−1）におけるそれらの定義、具体例と同様である。
【０１６１】
Ｋ環としては、以下のものが例示されるが、錯体の安定性の観点から、縮合環が好ましい。
2006219663.tif 000104
上記式中  Ｒ、*は前記と同じ意味を表す。
【０１６２】
Ｌ環の具体例としては、前記  Ｉ１〜Ｉ６２のそれぞれの結合手のひとつが置換基Ｒに置換された基があげられ、合成上の観点から、単環の芳香族炭化水素環または単環の複素環であることが好ましい。
【０１６３】
上記式（Ｂ’−２）の３座配位子としては以下のものが例示される。
2006219663.tif 000105
2006219663.tif 000106
2006219663.tif 000107
2006219663.tif 000108
【０１６４】
次に式（Ｂ’−３）の構造を有する金属錯体について説明する
式（Ｂ’−３）において、Ｍは第４および第５周期の遷移金属並びにＷ，Ｏｓ、Ｉｒ、Ａｕおよびランタノイドから選ばれる金属であり、その具体例としては、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ａｕ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕが例としてあげられ、高効率を得るという観点から、Ｒｕ，Ｒｈ，Ｗ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ａｕ，Ｅｕ、Ｔｂが好ましく、さらにＷ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ａｕが好ましく、さらに好ましくはＷ，Ａｕであり、Ａｕが最も好ましい。
【０１６５】
Ｏ環は芳香環を表し、各々の環構造内に存在するＸ3，Ｙ3およびＺ3は、それぞれ独立に金属Ｍへの配位原子を表わす。
ここに、芳香環の定義、具体例は、式（Ｂ’−1）におけるそれらの定義、具体例と同様である。
【０１６６】
Ｏ環の具体例、すなわち上記式（Ｂ’−３）の３座配位子としては、以下のものがあげられるが、錯体の安定性の観点から、縮合環が好ましい。
【０１６７】
2006219663.tif 000109
上記式中  Ｒ、*は前記と同じ意味を表す。
【０１６８】
上記式（Ｂ’−１）〜（Ｂ’−３）の構造を有する金属錯体化合物は、３座配位子を２つ有していてもよいし、１つの３座配位子と単座配位子のほかに２座配位子を有していてもよい。
２座配位子としては、特に限定されるものではないが、例えばアルキル基やハロゲン原子で置換されていてもよいフェニルピリジン、フェナントロリン、フェニルキノリンや特表２００３−５１５８９７に記載の２座配位子などが挙げられる。
【０１６９】
次に、本発明の素子について説明する。
本発明の素子は、陽極および陰極からなる電極間に、本発明の高分子化合物または高分子組成物を含む層を有することを特徴とする。
本発明の素子としては、高分子発光素子、光電素子等があげられる。
【０１７０】
本発明の素子が高分子発光素子の場合、本発明の高分子化合物または高分子組成物を含む層が有機層であり、さらに発光層すなわち発光性薄膜であることが好ましい。
【０１７１】
また、本発明の高分子ＬＥＤとしては、陰極と発光層との間に、電子輸送層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極と発光層との間に、正孔輸送層を設けた高分子ＬＥＤ、陰極と発光層との間に、電子輸送層を設け、かつ陽極と発光層との間に、正孔輸送層を設けた高分子ＬＥＤ等が挙げられる。
また、上記少なくとも一方の電極と発光層との間に該電極に隣接して導電性高分子を含む層を設けた高分子ＬＥＤ；少なくとも一方の電極と発光層との間に該電極に隣接して平均膜厚２ｎｍ以下のバッファー層を設けた高分子ＬＥＤが挙げられる。
【０１７２】
具体的には、以下のａ）〜ｄ）の構造が例示される。
ａ）陽極／発光層／陰極
ｂ）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
ｃ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
ｄ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（ここで、／は各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。）
【０１７３】
ここで、発光層とは、発光する機能を有する層であり、正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層であり、電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層である。なお、電子輸送層と正孔輸送層を総称して電荷輸送層と呼ぶ。
発光層、正孔輸送層、電子輸送層は、それぞれ独立に２層以上用いてもよい。
【０１７４】
また、電極に隣接して設けた電荷輸送層のうち、電極からの電荷注入効率を改善する機能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を有するものは、特に電荷注入層（正孔注入層、電子注入層）と一般に呼ばれることがある。
【０１７５】
また、電極との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して前記の電荷注入層又は膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けてもよく、また、界面の密着性向上や混合の防止等のために電荷輸送層や発光層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。
【０１７６】
さらに、電子を輸送し、かつ正孔を閉じ込めるために発光層との界面に正孔阻止層を挿入してもよい。
【０１７７】
積層する層の順番や数、および各層の厚さについては、発光効率や素子寿命を勘案して適宜用いることができる。
【０１７８】
本発明において、電荷注入層（電子注入層、正孔注入層）を設けた高分子ＬＥＤとしては、陰極に隣接して電荷注入層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極に隣接して電荷注入層を設けた高分子ＬＥＤが挙げられる。
【０１７９】
例えば、具体的には、以下のｅ）〜ｐ）の構造が挙げられる。
ｅ）陽極／電荷注入層／発光層／陰極
ｆ）陽極／発光層／電荷注入層／陰極
ｇ）陽極／電荷注入層／発光層／電荷注入層／陰極
ｈ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｉ）陽極／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
ｊ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
ｋ）陽極／電荷注入層／発光層／電荷輸送層／陰極
ｌ）陽極／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｍ）陽極／電荷注入層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｎ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷輸送層／陰極
ｏ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｐ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
【０１８０】
電荷注入層の具体的な例としては、導電性高分子を含む層、陽極と正孔輸送層との間に設けられ、陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送材料との中間の値のイオン化ポテンシャルを有する材料を含む層、陰極と電子輸送層との間に設けられ、陰極材料と電子輸送層に含まれる電子輸送材料との中間の値の電子親和力を有する材料を含む層などが例示される。
【０１８１】
上記電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度は、１０-5Ｓ／ｃｍ以上１０3Ｓ／ｃｍ以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、１０-5Ｓ／ｃｍ以上１０2Ｓ／ｃｍ以下がより好ましく、１０-5Ｓ／ｃｍ以上１０1Ｓ／ｃｍ以下がさらに好ましい。
【０１８２】
通常は該導電性高分子の電気伝導度を１０-5Ｓ／ｃｍ以上１０3Ｓ／ｃｍ以下とするために、該導電性高分子に適量のイオンをドープする。
【０１８３】
ドープするイオンの種類は、正孔注入層であればアニオン、電子注入層であればカチオンである。アニオンの例としては、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンなどが例示され、カチオンの例としては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンなどが例示される。
【０１８４】
電荷注入層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜１００ｎｍであり、２ｎｍ〜５０ｎｍが好ましい。
【０１８５】
電荷注入層に用いる材料は、電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択すればよく、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリピロールおよびその誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体、ポリキノリンおよびその誘導体、ポリキノキサリンおよびその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖または側鎖に含む重合体などの導電性高分子、金属フタロシアニン（銅フタロシアニンなど）、カーボンなどが例示される。
【０１８６】
膜厚２ｎｍ以下の絶縁層は電荷注入を容易にする機能を有するものである。上記絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられる。膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤとしては、陰極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤが挙げられる。
【０１８７】
具体的には、例えば、以下のｑ）〜ａｂ）の構造が挙げられる。
ｑ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／陰極
ｒ）陽極／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｓ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｔ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｕ）陽極／正孔輸送層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｖ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｗ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／電子輸送層／陰極
ｘ）陽極／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｙ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｚ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ａａ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ａｂ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
【０１８８】
正孔阻止層は、電子を輸送しかつ、陽極から輸送された正孔を閉じ込める働きを有するものであり、発光層の陰極側の界面に設けられ、発光層のイオン化ポテンシャルよりも大きなイオン化ポテンシャルを有する材料、例えば、バソクプロイン、８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体などから構成される。
【０１８９】
正孔阻止層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜１００ｎｍであり、２ｎｍ〜５０ｎｍが好ましい。
【０１９０】
具体的には、例えば、以下のａｃ）〜ａｎ）の構造が挙げられる。
ａｃ）陽極／電荷注入層／発光層／正孔阻止層／陰極
ａｄ）陽極／発光層／正孔阻止層／電荷注入層／陰極
ａｅ）陽極／電荷注入層／発光層／正孔阻止層／電荷注入層／陰極
ａｆ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／陰極
ａｇ）陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電荷注入層／陰極
ａｈ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電荷注入層／陰極
ａｉ）陽極／電荷注入層／発光層／正孔阻止層／電荷輸送層／陰極
ａｊ）陽極／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ａｋ）陽極／電荷注入層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ａｌ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電荷輸送層／陰極
ａｍ）陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ａｎ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
【０１９１】
高分子ＬＥＤ作製の際に、本発明の高分子化合物を用いることにより、溶液から成膜する場合、この溶液を塗布後乾燥により溶媒を除去するだけでよく、また電荷輸送材料や発光材料を混合した場合においても同様な手法が適用でき、製造上非常に有利である。溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。
【０１９２】
インク組成物（例えば、印刷法等では溶液として用いられる）としては、少なくとも１種類の本発明の高分子化合物が含有されていればよい。
該インク組成物は、本発明の高分子化合物以外に、通常は溶媒を含み、また正孔輸送材料、電子輸送材料、発光材料、安定剤、粘度および/または表面張力を調節するための添加剤、酸化防止剤などの添加剤を含んでいてもよい。
該インク組成物中における本発明の高分子化合物の割合は、溶媒を除いた該インク組成物の全重量に対して通常は２０ｗｔ％〜１００ｗｔ％であり、好ましくは４０ｗｔ％〜１００ｗｔ％である。
またインク組成物中の溶媒の割合は、該インク組成物の全重量に対して１ｗｔ％〜９９．９ｗｔ％であり、好ましくは６０ｗｔ％〜９９．９ｗｔ％であり、さらに好ましく９０ｗｔ％〜９９．８ｗｔ％である。
該インク組成物の粘度は印刷法によって異なるが、２５℃において０．５〜５００mＰa・sの範囲があげられ、１〜１００ｍＰａ・ｓが好ましく、インクジェットプリント法などインク組成物が吐出装置を経由するもの場合には、吐出時の目づまりや飛行曲がりを防止するために粘度が２５℃において１〜２０ｍＰａ・ｓの範囲であることが好ましい。
【０１９３】
インク組成物に用いる溶媒としては、本発明の高分子化合物または高分子組成物を溶解または均一に分散できるものが好ましい。該溶媒としてクロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、メシチレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−へプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルベンゾエート、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコールおよびその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。また、これらの有機溶媒は、単独で、または複数組み合わせて用いることができる。上記溶媒のうち、ベンゼン環を少なくとも１個以上含む構造を有し、かつ融点が０℃以下、沸点が１００℃以上である有機溶媒を１種類以上含むことが好ましい。
【０１９４】
溶媒の種類としては、本発明の高分子化合物または高分子組成物の有機溶媒への溶解性、成膜時の均一性、粘度特性等の観点から、芳香族炭化水素系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒が好ましく、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メシチレン、ｎ−プロピルベンゼン、ｉ−プロピルベンゼン、ｎ−ブチルベンゼン、ｉ−ブチルベンゼン、ｓ−ブチルベンゼン、アニソール、エトキシベンゼン、１−メチルナフタレン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、シクロヘキシルベンゼン、ビシクロヘキシル、シクロヘキセニルシクロヘキサノン、ｎ−ヘプチルシクロヘキサン、ｎ−ヘキシルシクロヘキサン、メチルベンゾエート、２−プロピルシクロヘキサノン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、２−オクタノン、２−ノナノン、２−デカノン、ジシクロヘキシルケトンが好ましく、キシレン、アニソール、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン、ビシクロヘキシルメチルベンゾエートのうち少なくとも１種類を含むことがより好ましい。
【０１９５】
インク組成物の溶媒の種類は、成膜性の観点や素子特性等の観点から、２種類以上であることが好ましく、２〜３種類であることがより好ましく、２種類であることがさらに好ましい。
【０１９６】
インク組成物に２種類の溶媒が含まれる場合、そのうちの１種類の溶媒は２５℃において固体状態でもよい。成膜性の観点から、１種類の溶媒は沸点が１８０℃以上の溶媒であり、他の１種類の溶媒は沸点が１８０℃以下の溶媒であることが好ましく、１種類の溶媒は沸点が２００℃以上の溶媒であり、他の１種類の溶媒は沸点が１８０℃以下の溶媒であることがより好ましい。また、粘度の観点から、２種類の溶媒ともに、６０℃において０．２ｗｔ％以上の本発明の高分子化合物または高分子組成物が溶解することが好ましく、２種類の溶媒のうちの１種類の溶媒には、２５℃において０．２ｗｔ％以上の本発明の高分子化合物または高分子組成物が溶解することが好ましい。
【０１９７】
インク組成物に３種類の溶媒が含まれる場合、そのうちの１〜２種類の溶媒は２５℃において固体状態でもよい。成膜性の観点から、３種類の溶媒のうちの少なくとも１種類の溶媒は沸点が１８０℃以上の溶媒であり、少なくとも１種類の溶媒は沸点が１８０℃以下の溶媒であることが好ましく、３種類の溶媒のうちの少なくとも１種類の溶媒は沸点が２００℃以上３００℃以下の溶媒であり、少なくとも１種類の溶媒は沸点が１８０℃以下の溶媒であることがより好ましい。また、粘度の観点から、３種類の溶媒のうちの２種類の溶媒には、６０℃において０．２ｗｔ％以上の本発明の高分子化合物または高分子組成物が溶解することが好ましく、３種類の溶媒のうちの１種類の溶媒には、２５℃において０．２ｗｔ％以上の本発明の高分子化合物または高分子組成物が溶解することが好ましい。
【０１９８】
インク組成物に２種類以上の溶媒が含まれる場合、粘度および成膜性の観点から、最も沸点が高い溶媒が、インク組成物の全溶媒の重量の４０〜９０ｗｔ％であることが好ましく、５０〜９０ｗｔ％であることがより好ましく、６５〜８５ｗｔ％であることがさらに好ましい。
【０１９９】
本発明のインク組成物としては、粘度および成膜性の観点から、アニソールおよびビシクロヘキシルからなる組成物、アニソールおよびシクロヘキシルベンゼンからなる組成物、キシレンおよびビシクロヘキシルからなる組成物、キシレンおよびシクロヘキシルベンゼンからなる組成物、メシチレンおよびメチルベンゾエートからなる組成物が好ましい。
【０２００】
本発明のインク組成物が含むことができる添加剤のなかで、
正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリピロールもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、またはポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体があげられる。
電子輸送材料としては、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンもしくはその誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、ナフトキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンもしくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンもしくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、または８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体があげられる。
発光材料としては、ナフタレン誘導体、アントラセンもしくはその誘導体、ペリレンもしくはその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエンもしくはその誘導体、またはテトラフェニルブタジエンもしくはその誘導体などがあげられる。
安定剤としては、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤などがあげられる。
粘度および/または表面張力を調節するための添加剤としては、粘度を高めるための高分子量の高分子化合物（増粘剤）や貧溶媒、粘度を下げるための低分子量の化合物、表面張力を下げるための界面活性剤などを適宜組み合わせて使用すれば良い。
【０２０１】
前記の高分子量の高分子化合物としては、本発明の高分子化合物と同じ溶媒に可溶性で、発光や電荷輸送を阻害しないものであれば良い。例えば、高分子量のポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、あるいは本発明の高分子化合物のうち分子量が大きいものなどを用いることができる。重量平均分子量が５０万以上が好ましく、１００万以上がより好ましい。貧溶媒を増粘剤として用いることもできる。すなわち、溶液中の固形分に対する貧溶媒を少量添加することで、粘度を高めることができる。この目的で貧溶媒を添加する場合、溶液中の固形分が析出しない範囲で、溶媒の種類と添加量を選択すれば良い。保存時の安定性も考慮すると、貧溶媒の量は、溶液全体に対して５０ｗｔ％以下であることが好ましく、３０ｗｔ％以下であることが更に好ましい。
【０２０２】
酸化防止剤としては、本発明の高分子化合物と同じ溶媒に可溶性で、発光や電荷輸送を阻害しないものであれば良く、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤などが例示される。酸化防止剤を用いることにより、本発明の高分子化合物、溶媒の保存安定性を改善し得る。
【０２０３】
本発明の高分子化合物の溶媒への溶解性の観点から、溶媒の溶解度パラメータと、高分子化合物の溶解度パラメータとの差が１０以下であることをが好ましく、７以下であることがより好ましい。
【０２０４】
溶媒の溶解度パラメーターと本発明の高分子化合物の溶解度パラメーターは、「溶剤ハンドブック（講談社刊、１９７６年）」に記載の方法で求めることができる。
【０２０５】
インク組成物に含まれる本発明の高分子化合物は、１種類でも２種類以上でもよく、素子特性等を損なわない範囲で本発明の高分子化合物または高分子組成物以外の高分子化合物を含んでいてもよい。
【０２０６】
発光層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０２０７】
本発明の高分子ＬＥＤにおいては、発光層に本発明の高分子化合物または高分子組成物以外の発光材料を混合して使用してもよい。また、本発明の高分子ＬＥＤにおいては、本発明以外の発光材料を含む発光層が、本発明の高分子化合物または高分子組成物を含む発光層と積層されていてもよい。
【０２０８】
該発光材料としては、公知のものが使用できる。低分子化合物では、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセンもしくはその誘導体、ペリレンもしくはその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエンもしくはその誘導体、またはテトラフェニルブタジエンもしくはその誘導体などを用いることができる。
【０２０９】
具体的には、例えば特開昭５７−５１７８１号、同５９−１９４３９３号公報に記載されているもの等、公知のものが使用可能である。
【０２１０】
本発明の高分子ＬＥＤが正孔輸送層を有する場合、使用される正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリピロールもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、またはポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体などが例示される。
【０２１１】
具体的には、該正孔輸送材料として、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示される。
【０２１２】
これらの中で、正孔輸送層に用いる正孔輸送材料として、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、またはポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体等の高分子正孔輸送材料が好ましく、さらに好ましくはポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体である。低分子の正孔輸送材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。
【０２１３】
ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体は、例えばビニルモノマーからカチオン重合またはラジカル重合によって得られる。
【０２１４】
ポリシランもしくはその誘導体としては、ケミカル・レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．）第８９巻、１３５９頁（１９８９年）、英国特許ＧＢ２３００１９６号公開明細書に記載の化合物等が例示される。合成方法もこれらに記載の方法を用いることができるが、特にキッピング法が好適に用いられる。
【０２１５】
ポリシロキサンもしくはその誘導体は、シロキサン骨格構造には正孔輸送性がほとんどないので、側鎖または主鎖に上記低分子正孔輸送材料の構造を有するものが好適に用いられる。特に正孔輸送性の芳香族アミンを側鎖または主鎖に有するものが例示される。
【０２１６】
正孔輸送層の成膜の方法に制限はないが、低分子正孔輸送材料では、高分子バインダーとの混合溶液からの成膜による方法が例示される。また、高分子正孔輸送材料では、溶液からの成膜による方法が例示される。
【０２１７】
溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送材料を溶解させるものであれば特に制限はない。該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。
【０２１８】
溶液からの成膜方法としては、溶液からのスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。
【０２１９】
混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダーとして、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が例示される。
【０２２０】
正孔輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該正孔輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０２２１】
本発明の高分子ＬＥＤが電子輸送層を有する場合、使用される電子輸送材料としては公知のものが使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンもしくはその誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、ナフトキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンもしくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンもしくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、または８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体等が例示される。
【０２２２】
具体的には、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示される。
【０２２３】
これらのうち、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、または８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体が好ましく、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。
【０２２４】
電子輸送層の成膜法としては特に制限はないが、低分子電子輸送材料では、粉末からの真空蒸着法、または溶液もしくは溶融状態からの成膜による方法が、高分子電子輸送材料では溶液または溶融状態からの成膜による方法がそれぞれ例示される。溶液または溶融状態からの成膜時には、高分子バインダーを併用してもよい。
【０２２５】
溶液からの成膜に用いる溶媒としては、電子輸送材料および／または高分子バインダーを溶解させるものであれば特に制限はない。該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。
【０２２６】
溶液または溶融状態からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。
【０２２７】
混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また、可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダーとして、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、またはポリシロキサンなどが例示される。
【０２２８】
電子輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該電子輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０２２９】
本発明の高分子ＬＥＤを形成する基板は、電極を形成し、該高分子ＬＥＤの各層を形成する際に変化しないものであればよく、例えばガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン基板などが例示される。不透明な基板の場合には、反対の電極が透明または半透明であることが好ましい。
【０２３０】
通常、陽極および陰極からなる電極のうち少なくとも一方が透明または半透明であり、陽極側が透明または半透明であることが好ましい。
該陽極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、およびそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性ガラスを用いて作成された膜（ＮＥＳＡなど）や、金、白金、銀、銅等が用いられ、ＩＴＯ、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、該陽極として、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。
【０２３１】
陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して、適宜選択することができるが、例えば１０ｎｍから１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【０２３２】
また、陽極上に、電荷注入を容易にするために、フタロシアニン誘導体、導電性高分子、カーボンなどからなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層を設けてもよい。
【０２３３】
本発明の高分子ＬＥＤで用いる陰極の材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましい。例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、およびそれらのうち２つ以上の合金、あるいはそれらのうち１つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１つ以上との合金、グラファイトまたはグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などが挙げられる。陰極を２層以上の積層構造としてもよい。
【０２３４】
陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して、適宜選択することができるが、例えば１０ｎｍから１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。
【０２３５】
陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が用いられる。また、陰極と有機物層との間に、導電性高分子からなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層を設けても良く、陰極作製後、該高分子ＬＥＤを保護する保護層を装着していてもよい。該高分子ＬＥＤを長期安定的に用いるためには、素子を外部から保護するために、保護層および／または保護カバーを装着することが好ましい。
【０２３６】
該保護層としては、高分子化合物、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物などを用いることができる。また、保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板などを用いることができ、該カバーを熱効果樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。スペーサーを用いて空間を維持すれば、素子がキズつくのを防ぐことが容易である。該空間に窒素やアルゴンのような不活性なガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができ、さらに酸化バリウム等の乾燥剤を該空間内に設置することにより製造工程で吸着した水分が素子にタメージを与えるのを抑制することが容易となる。これらのうち、いずれか１つ以上の方策をとることが好ましい。
【０２３７】
本発明の高分子発光素子は、面状光源、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置または液晶表示装置のバックライトに用いることができる。
【０２３８】
本発明の高分子ＬＥＤを用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。また、パターン状の発光を得るためには、前記面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部の有機物層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極または陰極のいずれか一方、または両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯｎ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号などを表示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。更に、ドットマトリックス素子とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる発光材料を塗り分ける方法や、カラーフィルターまたは発光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス素子は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴなどと組み合わせてアクティブ駆動しても良い。これらの表示素子は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダーなどの表示装置として用いることができる。
【０２３９】
さらに、前記面状の発光素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、あるいは面状の照明用光源として好適に用いることができる。また、フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。
【０２４０】
本発明の高分子化合物または高分子組成物は、導電性材料または半導体材料としても使うことができる。上記に記載した発光素子の作製方法と同様の方法で、導電性薄膜または有機半導体薄膜を製膜、素子化することができ、該半導体薄膜は、電子移動度または正孔移動度のいずれか大きいほうが、１０-5ｃｍ2／Ｖ／秒以上であることが好ましい。
【０２４１】
また、該有機半導体薄膜は有機太陽電池材料や有機トランジスタ材料として用いることができる。
【０２４２】
つぎに本発明の別の様態として、光電素子について説明する。
光電素子としては、たとえば光電変換素子があり、少なくとも一方が透明または半透明な二組の電極間に本発明の高分子化合物または高分子組成物を含む層を挟持させた素子や、基板上に製膜した本発明の高分子化合物または高分子組成物を含む層上に形成した櫛型電極を有する素子が例示される。特性を向上するために、フラーレンやカーボンナノチューブ等を混合してもよい。
光電変換素子の製造方法としては、特許第３１４６２９６号公報に記載の方法が例示される。具体的には、第一の電極を有する基板上に高分子薄膜を形成し、その上に第二の電極を形成する方法、基板上に形成した一組の櫛型電極の上に高分子薄膜を形成する方法が例示される。第一または第二の電極のうち一方が透明または半透明である。
高分子薄膜の形成方法やフラーレンやカーボンナノチューブを混合する方法については特に制限はないが、発光素子で例示したものが好適に利用できる。
【実施例】
【０２４３】
以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０２４４】
ここで、ポリスチレン換算の数平均分子量は、テトラヒドロフランを溶媒として、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ：ＨＬＣ−８２２０ＧＰＣ、東ソー製もしくはＳＣＬ−１０Ａ、島津製作所製）により求めた。
【０２４５】
〔合成例１〕  化合物（Ｍ−２）の合成
アルゴン雰囲気下、１００ｍＬの三口フラスコに水素化ナトリウム（６０ｗｔ％ｉｎ  ｍｉｎｅｒａｌ  ｏｉｌ，８７ｍｇ，２．１７ｍｍｏｌ）を秤り取りヘキサンで洗浄してデカンテーションにより上澄を除いた。ここに脱水ＴＨＦ（２００ｍｌ）、次いで２，７−ジブロモカルバゾール（７０４ｍｇ，２．１７ｍｍｏｌ）を加え室温で３０分撹拌した。目視で水素の発生が終了したことを確認し、化合物（Ｍ−１）（１．０ｇ，２．１７ｍｍｏｌ）を加えて室温で撹拌した。反応開始時には懸濁しているが１時間ほど経過するとオレンジ色の溶液となる。さらに室温で１時間程撹拌した後、溶媒を減圧留去し、得られた固体をジクロロメタン（３００ｍｌ）に溶解し、セライトろ過を行った。ヘキサンを適量加えて再結晶することにより化合物（Ｍ−２）を得た（１．３ｇ）。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ2Ｃｌ2，３００ＭＨｚ）δ６．７４（ｄ，２Ｈ）、７．１７（ｄｄ，２Ｈ）、７．３２（ｍ，４Ｈ）、７．６８（ｍ，６Ｈ）、８．０９（ｄｄ，３Ｈ）．
ＭＳ（ＥＳＩ−ｐｏｓｉｔｉｖｅ）ｍ／ｚ：５９４．１（［Ｍ＋Ｈ］+）．
化合物（Ｍ−１）
2006219663.tif 000110
化合物（Ｍ−２）
2006219663.tif 000111
【０２４６】
〔実施例１〕  高分子化合物（Ｐ−１）の合成
上記化合物（Ｍ−２）２５ｍｇ (０．０３３ｍｍｏｌ)、２，７−ジブロモ−３，６−オクチルオキシジベンゾフラン ４７５ｍｇ（０．８２ｍｍｏｌ）、２，２‘−ビピリジル３５１ｍｇとを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これに、あらかじめアルゴンガスでバブリングして、脱気したテトラヒドロフラン（脱水溶媒）３５ｍｌを加えた。次に、この混合溶液に、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ｎｉ（ＣＯＤ）2｝を６３０ｍｇ加え、室温で３０分間攪拌した後、６０℃で３．３時間反応した。なお、反応は、窒素ガス雰囲気中で行った。反応後、この溶液を冷却した後、メタノール１５ｍｌ／イオン交換水１５ｍｌ／２５％アンモニア水２．５ｍｌの混合溶液中にそそぎ込み、約２時間攪拌した。次に、生成した沈殿物を、ろ過することにより回収した。この沈殿物を減圧乾燥した後、トルエンに溶解した。この溶液を濾過し、不溶物を除去した後、この溶液を、アルミナを充填したカラムを通すことにより精製した。次にこの溶液を１規定塩酸、２．５％アンモニア水、イオン交換水で洗浄し、メタノール中にそそぎ込み、再沈して、生成した沈殿を回収した。この沈殿を減圧乾燥して、重合体（Ｐ−１）１２０ｍｇを得た。
この重合体のポリスチレン換算数平均分子量は、２．６×１０4であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は４．５×１０4であった。
なお、２，７−ジブロモ−３，６−オクチルオキシジベンゾフランはＥＰ１３４４７８８記載の方法で合成した。
【０２４７】
〔実施例２〕  高分子化合物（Ｐ−２）の合成
上記化合物（Ｍ−２）５０ｍｇ (０．０６７ｍｍｏｌ)、２，７−ジブロモ−３，６−オクチルオキシジベンゾフラン ４５０ｍｇ（０．７７ｍｍｏｌ）、２，２‘−ビピリジル３５４ｍｇとを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これに、あらかじめアルゴンガスでバブリングして、脱気したテトラヒドロフラン（脱水溶媒）３５ｍｌを加えた。次に、この混合溶液に、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ｎｉ（ＣＯＤ）2｝を６２３ｍｇ加え、室温で３０分間攪拌した後、６０℃で３．３時間反応した。なお、反応は、窒素ガス雰囲気中で行った。反応後、この溶液を冷却した後、メタノール１５ｍｌ／イオン交換水１５ｍｌ／２５％アンモニア水２．５ｍｌの混合溶液中にそそぎ込み、約２時間攪拌した。次に、生成した沈殿物を、ろ過することにより回収した。この沈殿物を減圧乾燥した後、トルエンに溶解した。この溶液を濾過し、不溶物を除去した後、この溶液を、アルミナを充填したカラムを通すことにより精製した。次にこの溶液を１規定塩酸、２．５％アンモニア水、イオン交換水で洗浄し、メタノール中にそそぎ込み、再沈して、生成した沈殿を回収した。この沈殿を減圧乾燥して、重合体（Ｐ−２）１１６ｍｇを得た。
この重合体のポリスチレン換算数平均分子量は、３．０×１０4であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は４．８×１０4であった。
【０２４８】
〔実施例３〕
高分子化合物（Ｐ−２）の２ｗｔ％トルエン溶液を調製した。
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸の溶液（バイエル社、ＢａｙｔｒｏｎＰ）を用いてスピンコートにより８０ｎｍの厚みで成膜し、ホットプレート上で２００℃で１０分間乾燥した。次に、上記調製した高分子化合物（Ｐ−３）の２ｗｔ％トルエン溶液を用いてスピンコートにより６００ｒｐｍの回転速度で成膜した。膜厚は約８０ｎｍであった。さらに、これを減圧下８０℃で１時間乾燥した後、陰極バッファー層として、ＬｉＦを約４ｎｍ、陰極として、カルシウムを約５ｎｍ、次いでアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着して、ＥＬ素子を作製した。なお真空度が、１×１０-4Ｐａ以下に到達したのち、金属の蒸着を開始した。得られた素子に室温で電圧を引加することにより、発光スペクトルにおいて４６０ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。なおＥＬ特性はOLED  TEST  SYSTEM（東京システム開発社製）により測定した。
【０２４９】
〔実施例４〕
高分子化合物（Ｐ−２）を用いて、ホール電流が主として流れる素子を作製した。素子は次のようにして作製した。
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸の溶液（バイエル社、ＢａｙｔｒｏｎＰ）を用いてスピンコートにより８０ｎｍの厚みで成膜し、ホットプレート上で２００℃で１０分間乾燥した。次に、高分子化合物（Ｐ−３）の１．７ｗｔ％トルエン溶液を用いてスピンコートにより２８００ｒｐｍの回転速度で成膜した。膜厚は約８０ｎｍであった。さらに、これを減圧下８０℃で１時間乾燥した後、陰極バッファー層として、Auを約１００ｎｍ蒸着して、素子を作製した。なお真空度が、１×１０-4Ｐａ以下に到達したのち、金属の蒸着を開始した。
作製した素子に５Vおよび１０Vの電圧を印加したときの電流密度は、各々２．０×1０-5A/cm2、４．４×１０-5A/cm2であった。電流密度の測定は、ピコアンメータ４１４０Ｂ（横河ヒューレットパッカード社製）を用いた。
【０２５０】
〔比較例１〕
比較のために、金属錯体構造を含まない、下記高分子化合物（Ｐ−３）を用いて、同様の素子を作製した。作製した素子に５V、１０Vの電圧を印加したときの電流密度は、各々３．１×1０-6A/cm2、８．７×１０-6A/cm2で、高分子化合物（Ｐ−２）の方が良好なホール電流注入特性および輸送性を示した。
なお、高分子化合物（Ｐ−３）はＥＰ１３４４７８８に記載の方法で合成した（ポリスチレン換算の数平均分子量は、Ｍｎ＝１．１×１０5、重量平均分子量は、Ｍｗ＝２．７×１０5）。
高分子化合物（Ｐ−３）
2006219663.tif 000112
【０２５１】
〔実施例５〕
２，７−ジブロモ−３，６−オクチルオキシジベンゾフラン（０．４０ｇ、０．６９ｍｍｏｌ）、化合物Ｍ−３（０．０６６ｇ、０．０６９ｍｍｏｌ）および２，２’−ビピリジル（０．２９ｇ、１．９ｍｍｏｌ）を脱水したテトラヒドロフラン２０ｍＬに溶解した後、窒素でバブリングして系内を窒素置換する。窒素雰囲気下において、この溶液に、ビス（１、５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ｎｉ（ＣＯＤ）2｝（０．５２ｇ、１．９ｍｏｌ）加え、６０℃まで昇温し、８時間反応させる。反応後、この溶液を冷却した後、２５％アンモニア水１０ｍｌ／メタノール１２０ｍｌ／イオン交換水５０ｍｌ混合溶液中にそそぎ込み、約１時間攪拌する。次に、生成した沈殿を、ろ過することにより回収し、この沈殿をエタノールで洗浄した後、２時間減圧乾燥する。次に、この沈殿をトルエン３０ｍＬに溶解し、１Ｎ塩酸３０ｍＬを加えて１時間攪拌し、水層を除去して有機層に４％アンモニア水３０ｍＬを加え、１時間攪拌した後に水層を除去する。有機層はメタノール２００ｍＬに滴下して１時間攪拌し、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥し、トルエン３０ｍＬに溶解させる。その後、アルミナカラム（アルミナ量２０ｇ）を通して精製を行い、回収したトルエン溶液をメタノール２５０ｍＬに滴下して１時間攪拌し、析出した沈殿をろ過して２時間減圧乾燥し、下記高分子化合物（Ｐ−４）が得られる。
2006219663.tif 000113
化合物Ｍ−３
(高分子化合物Ｐ−４)
2006219663.tif 000114
化合物Ｍ−３はＩｎｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，２００４，４３（６），１９５０−１９５６．に記載の方法で合成できる。