(57)【要約】【課題】高密度記録を達成すると共に、隣接するトラックへの信号の漏れ込み（クロストーク）を低減しうる光情報記録媒体を提供すること。【解決手段】トラックピッチが０．１〜０．６μｍであり、かつ、溝深さが２０〜２００ｎｍであるプリグルーブを有する第１の基板上に、下引き層、色素記録層、及び反射層をこの順に備え、該反射層上に接着層又は粘着層を介して第２の基板を貼り合わせてなることを特徴とする光情報記録媒体。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
トラックピッチが０．１〜０．６μｍであり、かつ、溝深さが２０〜２００ｎｍであるプリグルーブを有する第１の基板上に、下引き層、色素記録層、及び反射層をこの順に備え、該反射層上に接着層又は粘着層を介して第２の基板を貼り合わせてなることを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項２】
前記下引き層が、Ｎｂの酸化物、Ｎｂの窒化物、Ｔａの酸化物、及びＴａの窒化物からなる群より選択される１種の化合物を含んで構成されることを特徴とする請求項１に記載の光情報記録媒体。
【請求項３】
前記下引き層が、Ｎｂの酸化物及び／又はＴａの酸化物を含んで構成される複合酸化物からなることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の光情報記録媒体。
【請求項４】
前記下引き層が、Ｎｂ2Ｏ5−ＳｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5−Ａｌ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ5−Ｔａ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5−ＳｉＯ2、又はＴａ2Ｏ5−Ａｌ2Ｏ3からなることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の光情報記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高密度記録が可能な、貼り合わせ型の光情報記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、文字情報、画像情報、音声情報等を大量に記録・再生するための、レーザー光により一回限りの情報の記録が可能な追記型デジタル・ヴァサタイル・ディスク（所謂ＤＶＤ−Ｒ）と称される光ディスクが提案されている。このＤＶＤ−Ｒは、照射されるレーザー光のトラッキングのための案内溝（プリグルーブ）のトラックピッチがＣＤ−Ｒに比べて半分以下（０．７４〜０．８μｍ）と狭く形成された透明な円盤状基板上に、色素からなる色素記録層、そして通常は該色素記録層の上に光反射層、そして更に必要により保護層を設けてなるディスクを二枚、或いは該ディスクと同じ形状の円盤状保護基板とを該色素記録層を内側にして接着剤で貼り合わせた構造を有している。ＤＶＤ−Ｒへの情報の記録再生は、可視レーザー光（通常は、６３０〜６８０ｎｍの範囲の波長のレーザー光）を照射することにより行われ、ＣＤ−Ｒより高密度の記録が可能であるとされている。
【０００３】
また、最近は、デジタルハイビジョン放送の開始により、画像データ量の一層の増加が見こまれており、それに伴い、光情報記録媒体にも、高容量、高データ転送速度が求められるようになってきた。デジタルハイビジョン放送を家庭で録画しようとした場合、前述のＤＶＤ±Ｒでは既に容量が不足すると言われており、次世代ＤＶＤの開発も行われている。その一例として、このＤＶＤ±Ｒとほぼ同じ構成を有する追記型ＨＤ ＤＶＤが提案されている。
【０００４】
このＨＤ ＤＶＤと呼ばれる光情報記録媒体は、高密度の記録を達成するために、基板には、ＤＶＤ−Ｒよりも狭いトラックピッチ（０．３〜０．５μｍ）を有するプリグルーブが形成されており、また、波長４００〜５００ｎｍの青紫色半導体レーザーを用いて記録再生することができる。このように、トラックピッチが小さい光情報記録媒体は、高密度の記録を可能とするが、隣接するトラックへの信号の漏れ込みが大きくなる、即ち、クロストークが大きくなるという問題を有している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、以上の従来の問題点に鑑みなされたものであり、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、
本発明の目的は、高密度記録を達成すると共に、隣接するトラックへの信号の漏れ込み（クロストーク）を低減しうる光情報記録媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記課題を解決する手段は以下の通りである。即ち、
本発明の光情報記録媒体は、トラックピッチが０．１〜０．６μｍであり、かつ、溝深さが２０〜２００ｎｍであるプリグルーブを有する第１の基板上に、下引き層、色素記録層、及び反射層をこの順に備え、該反射層上に接着層又は粘着層を介して第２の基板を貼り合わせてなることを特徴とする。
このような光情報記録媒体は、上記のようなプリグルーブを有することから、高密度の記録が可能となる。また、色素記録層と基板との間に下引き層を有することから、レーザー光の照射により記録ピットが形成される際の余分な熱の拡散が容易になり、その結果、隣接するトラックへの信号の漏れ込みを低減することができる。
【０００７】
また、本発明における下引き層は、Ｎｂの酸化物、Ｎｂの窒化物、Ｔａの酸化物、及びＴａの窒化物からなる群より選択される１種の化合物を含んで構成されることが好ましく、Ｎｂの酸化物、又はＴａの窒化物を含んで構成されることがより好ましい。中でも、Ｎｂの酸化物及び／又はＴａの酸化物を含んで構成される複合酸化物からなることが好ましい態様である。
下引き層を構成する材料が、具体的には、Ｎｂ2Ｏ5−ＳｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5−Ａｌ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ5−Ｔａ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5−ＳｉＯ2、又はＴａ2Ｏ5−Ａｌ2Ｏ3であることが好ましい態様である。
なお、本発明の光情報記録媒体において、下引き層の厚さは、１〜２００ｎｍの範囲であることが好ましい態様である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、高密度記録を達成すると共に、隣接するトラックへの信号の漏れ込み（クロストーク）を低減しうる光情報記録媒体を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明の光情報記録媒体は、トラックピッチが０．１〜０．６μｍであり、かつ、溝深さが２０〜２００ｎｍであるプリグルーブを有する第１の基板上に、下引き層、色素記録層、及び反射層をこの順に備え、該反射層上に接着層又は粘着層を介して第２の基板を貼り合わせてなることを特徴とする。
本発明の光情報記録媒体の構成によれば、上述のプリグルーブを有することから、高密度の記録を可能とし、また、色素記録層と基板との間に下引き層を有することから、レーザー光の照射により記録ピットが形成される際の余分な熱の拡散が容易になり、その結果、隣接するトラックへの信号の漏れ込みを低減することができる、という優れた効果を有する。
以下、本発明の光情報記録媒体の各構成要素について説明する。
【００１０】
［第１の基板］
本発明の光情報記録媒体の第１の基板は、従来の光ディスクの基板として用いられている各種の材料から任意に選択することができる。
基板材料としては、例えば、ガラス、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂、エポキシ樹脂、アモルファスポリオレフィン及びポリエステルなどを挙げることができ、所望によりそれらを併用してもよい。上記材料の中では、耐湿性、寸法安定性及び価格などの点からポリカーボネートが好ましい。
第１の基板の厚さは、０．５〜１．２ｍｍとすることが好ましく、０．６〜１．１ｍｍとすることがより好ましい。
【００１１】
本発明においては、第１の基板に形成されるプリグルーブは、高密度の記録を達成するために、トラックピッチが０．１〜０．６μｍであり、かつ、溝深さが２０〜２００ｎｍであることを必須とする。トラックピッチは０．３３〜０．５０μｍの範囲であることがより好ましい。また、溝深さは、５０〜１５０ｎｍの範囲とすることが好ましく、７０〜１００ｎｍの範囲とすることがより好ましい。
更に、第１の基板に形成されるプリグルーブの溝幅（半値幅）は、１００〜３００ｎｍの範囲であることが好ましく、１２０〜２５０ｎｍの範囲であることがより好ましい。
加えて、プリグルーブの溝傾斜角度は、２０〜８０°の範囲であることが好ましく、３０〜７０°の範囲であることがより好ましい。
【００１２】
色素記録層が設けられる側の基板表面（プリグルーブが形成された面側）には、平面性の改善、接着力の向上及び色素記録層の変質防止の目的で、下塗層が設けられてもよい。
下塗層の材料としては例えば、ポリメチルメタクリレート、アクリル酸・メタクリル酸共重合体、スチレン・無水マレイン酸共重合体、ポリビニルアルコール、Ｎ−メチロールアクリルアミド、スチレン・ビニルトルエン共重合体、クロルスルホン化ポリエチレン、ニトロセルロース、ポリ塩化ビニル、塩素化ポリオレフィン、ポリエステル、ポリイミド、酢酸ビニル・塩化ビニル共重合体、エチレン・酢酸ビニル共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート等の高分子物質；及びシランカップリング剤などの表面改質剤などを挙げることができる。下塗層は、上記物質を適当な溶剤に溶解又は分散して塗布液を調製した後、この塗布液をスピンコート、ディップコート、エクストルージョンコートなどの塗布法により基板表面に塗布することにより形成することができる。
下塗層の層厚は一般に０．００５〜２０μｍの範囲にあり、好ましくは０．０１〜１０μｍの範囲である。
【００１３】
［下引き層］
本発明における下引き層は、色素記録層の保存性を高める、熱伝導率を調整することを目的として、基板と後述する色素記録層との間に設けられている。
下引き層に用いられる材料としては、記録及び再生に用いられるレーザー光を透過する材料であり、上記の機能を発現し得るものであれば、特に、制限されるものではないが、例えば、ガスや水分の透過性の低い材料であることが好ましい。
具体的には、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｔｅ、Ｓｎ、Ｍｏ、Ｇｅ、Ｎｂ、Ｔａ等の元素の窒化物、酸化物、炭化物、又は硫化物からなる材料が好ましい。中でも、高湿・高温時の保存安定性の点から、Ｎｂの酸化物、Ｎｂの窒化物、Ｔａの酸化物、及びＴａの窒化物からなる群より選択される１種の化合物を含んで構成されることが好ましく、中でも、Ｎｂの酸化物及び／又はＴａの酸化物を含んで構成される複合酸化物からなることがより好ましい。
【００１４】
下引き層を構成する材料として、より具体的には、ＺｎＳ、ＭｏＯ2、ＧｅＯ2、ＴｅＯ、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＺｎＯ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2、ＳｎＯ2、ＺｎＯ−Ｇａ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5−ＳｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5−Ａｌ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ5−Ｔａ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5−ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5−Ａｌ2Ｏ3が好ましい。中でも、良好な保存性が得られることから、Ｎｂ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5−ＳｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5−Ａｌ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ5−Ｔａ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5−ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5−Ａｌ2Ｏ3が好ましく、Ｎｂ2Ｏ5−ＳｉＯ2、Ｎｂ2Ｏ5−Ａｌ2Ｏ3、Ｎｂ2Ｏ5−Ｔａ2Ｏ5、Ｔａ2Ｏ5−ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5−Ａｌ2Ｏ3が特に好ましい。
【００１５】
また、上記の下引き層を構成する材料の中で、複合酸化物、即ち２種以上の酸化物を含む材料は、その酸化物種又はその比率を変更することにより、膜（下引き層）の屈折率が変化する。この下引き層の屈折率の変化に伴い、光情報記録媒体の反射率が変化することから、複合酸化物を下引き層に用いる場合には、その組成等を調整することにより光情報記録媒体の反射率を変更させることも可能である。
【００１６】
また、下引き層は、真空蒸着、ＤＣスパッタリング、ＲＦスパッタリング、イオンプレーティングなどの真空成膜法により形成することができる。中でも、スパッタリングを用いることがより好ましく、ＲＦスパッタリングを用いることが更に好ましい。
本発明における下引き層の厚さは、記録ピット形成時の熱の拡散を制御するという観点から、１〜２００ｎｍの範囲であることが好ましく、５〜１００ｎｍの範囲であることがより好ましく、１０〜４０ｎｍの範囲であることが更に好ましい。
【００１７】
［色素記録層］
色素記録層は、記録及び再生に使用されるレーザー光を吸収し得る色素を含有する層であって、デジタル情報などの符号情報（コード化情報）が記録される。
色素記録層に含有される色素の具体例としては、シアニン色素、オキソノール色素、金属錯体系色素、アゾ色素、フタロシアニン色素等が挙げられる。
また、特開平４−７４６９０号公報、特開平８−１２７１７４号公報、同１１−５３７５８号公報、同１１−３３４２０４号公報、同１１−３３４２０５号公報、同１１−３３４２０６号公報、同１１−３３４２０７号公報、特開２０００−４３４２３号公報、同２０００−１０８５１３号公報、及び同２０００−１５８８１８号公報等に記載されている色素を用いることも可能である。
また、トリアゾール化合物、トリアジン化合物、シアニン化合物、メロシアニン化合物、アミノブタジエン化合物、フタロシアニン化合物、桂皮酸化合物、ビオロゲン化合物、アゾ化合物、オキソノールベンゾオキサゾール化合物、ベンゾトリアゾール化合物、オキソノール化合物等の有機化合物も好適に用いられる。
上記化合物の中では、シアニン化合物、フタロシアニン化合物、オキソノール化合物が特に好ましい。
【００１８】
以下に、本発明における色素記録層に好適なフタロシアニン色素について説明する。
本発明に好適なフタロシアニン色素は、下記一般式（１）で表される化合物であることが好ましい。
【００１９】
【化１】
2006147131.tif 000002
【００２０】
上記一般式（１）中、Ｒα1〜Ｒα8及びＲβ1〜Ｒβ8は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ホルミル基、カルボキシル基、スルホ基、炭素原子数１乃至２０のアルキル基、炭素原子数６乃至１４のアリール基、炭素原子数１乃至１０のヘテロ環基、炭素原子数１乃至２０のアルコキシ基、炭素原子数６乃至１４のアリールオキシ基、炭素原子数２乃至２１のアシル基、炭素原子数１乃至２０のアルキルスルホニル基、炭素原子数６乃至２０のアリールスルホニル基、炭素原子数１乃至２５のカルバモイル基、炭素原子数０乃至３２のスルファモイル基、炭素原子数２乃至２１のアルコキシカルボニル基、炭素原子数７乃至１５のアリールオキシカルボニル基、炭素原子数２乃至２１のアシルアミノ基、炭素原子数１乃至２０のスルホニルアミノ基、炭素原子数０乃至３６のアミノ基を表す。中でも、スルファモイル基が好ましい。
また、Ｍは２個の水素原子、金属、金属酸化物、又は配位子を有する金属を表す。
【００２１】
一般式（１）において、Ｒα1〜Ｒα8のすべてが同時に水素原子ではないことが好ましく、更に、Ｒα1及びＲα2のいずれか一方、Ｒα3及びＲα4のいずれか一方、Ｒα5及びＲα6のいずれか一方、Ｒα7及びＲα8のいずれか一方の計４つが、同時に置換基を有することが好ましく、特にこのとき、Ｒβ1〜Ｒβ8のすべてが同時に水素原子であることが好ましい。
【００２２】
一般式（１）において、Ｒα1〜Ｒα8及びＲβ1〜Ｒβ8の好ましい例としては、水素原子、ハロゲン原子、カルボキシル基、スルホ基、炭素数１乃至１６のアルキル基、炭素原子数６乃至１０のアリール基、炭素原子数１乃至１６のアルコキシ基、炭素原子数６乃至１０のアリールオキシ基、炭素原子数１乃至１６のアルキルスルホニル基、炭素原子数２乃至２０のスルファモイル基、炭素原子数２乃至１７のアルコキシカルボニル基、炭素原子数７乃至１１のアリールオキシカルボニル基、炭素原子数２乃至１８のアシルアミノ基、炭素原子数１乃至１８のスルホニルアミノ基を挙げることができる。
また、より好ましいものは、水素原子、ハロゲン原子、カルボキシル基、スルホ基、炭素原子数１乃至１６のアルコキシ基、炭素原子数６乃至１０のアリールオキシ基、炭素原子数１乃至１４のアルキルスルホニル基、炭素原子数６乃至１４のアリールスルホニル基、炭素原子数２乃至１６のスルファモイル基、炭素原子数２乃至１３のアルコキシカルボニル基、炭素原子数２乃至１４のアシルアミノ基、炭素原子数１乃至１４のスルホニルアミノ基である。
【００２３】
更に好ましくは、Ｒα1〜Ｒα8が、水素原子、ハロゲン原子、スルホ基、炭素原子数８乃至１６のアルコキシ基、炭素原子数１乃至１２のスルホニル基、炭素原子数１乃至１２のスルファモイル基、炭素原子数２乃至１２のアシルアミノ基、炭素原子数１乃至１２のスルホニルアミノ基、また、Ｒβ1〜Ｒβ8が、水素原子、又はハロゲン原子である。
特に好ましくは、Ｒα1〜Ｒα8のうち少なくとも１つが、炭素原子数１乃至１０のアルキルスルホニル基、炭素数６乃至１４のアリールスルホニル基、炭素原子数１乃至１０のスルファモイル基、Ｒβ1〜Ｒβ8が水素原子である。
【００２４】
一般式（１）において、Ｒα1〜Ｒα8及びＲβ1〜Ｒβ8は更に置換基を有していてもよく、該置換基の例としては、以下に記載のものを挙げることができる。
即ち、炭素原子数１〜２０の鎖状又は環状のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、シクロヘキシル基）、炭素原子数６〜１８のアリール基（例えば、フェニル基、クロロフェニル基、２，４−ジ−ｔ−アミルフェニル基、１−ナフチル基）、炭素原子数２〜２０のアルケニル基（例えば、ビニル基、２−メチルビニル基）、炭素原子数２〜２０のアルキニル基（例えば、エチニル基、２−メチルエチニル基、２−フェニルエチニル基）、ハロゲン原子（例えば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、シアノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、炭素原子数２〜２０のアシル基（例えば、アセチル基、ベンゾイル基、サリチロイル基、ピバロイル基）、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基（例えば、メトキシ基、ブトキシ基、シクロヘキシルオキシ基）、炭素原子数６〜２０のアリールオキシ基（例えば、フェノキシ基、１−ナフトキシ基、トルオイル基）、炭素原子数１〜２０のアルキルチオ基（例えば、メチルチオ基、ブチルチオ基、ベンジルチオ基、３−メトキシプロピルチオ基）、炭素原子数６〜２０のアリールチオ基（例えば、フェニルチオ基、４−クロロフェニルチオ基）、炭素原子数１〜２０のアルキルスルホニル基（例えば、メタンスルホニル基、ブタンスルホニル基）、炭素原子数６〜２０のアリールスルホニル基（例えば、ベンゼンスルホニル基、パラトルエンスルホニル基）、炭素原子数１〜１７のカルバモイル基（例えば、無置換のカルバモイル基、メチルカルバモイル基、エチルカルバモイル基、ｎ−ブチルカルバモイル基、ジメチルカルバモイル基）、炭素原子数１〜１６のアミド基（例えば、アセトアミド基、ベンズアミド基）、炭素原子数２〜１０のアシルオキシ基（例えば、アセトキシ基、ベンゾイルオキシ基）、炭素原子数２〜１０のアルコキシカルボニル基（例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基）、５若しくは６員のヘテロ環基（例えば、ピリジル基、チエニル基、フリル基、チアゾリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基等の芳香族ヘテロ環基；ピロリジン環基、ピペリジン環基、モルホリン環基、ピラン環基、チオピラン環基、ジオキサン環基、ジチオラン環基等のヘテロ環基）である。
【００２５】
一般式（１）において、Ｒα1〜Ｒα8及びＲβ1〜Ｒβ8の置換基として好ましいものは、炭素原子数１〜１６の鎖状又は環状のアルキル基、炭素原子数６〜１４のアリール基、炭素原子数１〜１６のアルコキシ基、炭素原子数６〜１４のアリールオキシ基、ハロゲン原子、炭素原子数２〜１７のアルコキシカルボニル基、炭素原子数１〜１０のカルバモイル基、炭素数１〜１０のアミド基であり、中でも好ましいものは、炭素原子数１〜１０の鎖状又は環状のアルキル基、炭素原子数７〜１３のアラルキル基、炭素原子数６〜１０のアリール基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数６〜１０のアリールオキシ基、塩素原子、炭素原子数２〜１１のアルコキシカルボニル基、炭素原子数１〜７のカルバモイル基、炭素数１〜８のアミド基であり、特に好ましいものは、炭素原子数１〜８の鎖状分岐又は環状のアルキル基、炭素原子数７〜１１のアラルキル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基、炭素原子数３〜９のアルコキシカルボニル基、フェニル基及び塩素原子であり、更に優れて好ましいものは炭素原子数１〜６のアルコキシ基である。
【００２６】
一般式（１）において、Ｍは金属であることが好ましく、中でも、亜鉛、マグネシウム、銅、ニッケル、又はパラジウムが好ましく、更に、銅、亜鉛、又はマグネシウムが好ましく、特に、銅又は亜鉛が好ましい。
また、一般式（Ｉ）で表されるフタロシアニン色素の分子内に、置換されてもよい、フェロセニル基を有してもよい。
【００２７】
一般式（１）で表されるフタロシアニン色素の具体例を以下に示すが、本発明はこれに限定されるものではない。
なお、下記表１〜表４において、Ｒx／Ｒy（ｘ及びｙは、α１〜α８、β１〜β８のいずれかを表わす。）という表記は、Ｒx及びＲyのいずれか一方という意味である。また、Ｒα1〜Ｒα8及びＲβ1〜Ｒβ8において、無置換の場合、即ち、水素原子が結合している場合は表記を省略している。
【００２８】
【表１】
2006147131.tif 000003
【００２９】
【表２】
2006147131.tif 000004
【００３０】
【表３】
2006147131.tif 000005
【００３１】
【表４】
2006147131.tif 000006
【００３２】
【化２】
2006147131.tif 000007
【００３３】
本発明に用いられるフタロシアニン色素は、例えば、白井−小林共著、（株）アイピーシー発行「フタロシアニン−化学と機能−」（ｐ．１〜６２）、Ｃ．Ｃ．Ｌｅｚｎｏｆｆ−Ａ．Ｂ．Ｐ．Ｌｅｖｅｒ共著、ＶＣＨ発行’Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅｓ−Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ａｎｄ Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ’（ｐ．１〜５４）等に記載、引用、若しくは、これらに類似の方法により合成することができる。
【００３４】
次に、本発明における色素記録層に好適なオキソノール色素について説明する。
ここで、オキソノール色素とはアニオン性発色団を有するポリメチン色素と定義する。
本発明においては、記録特性に優れる点で、下記一般式（Ｉ）で表されるオキソノール色素が特に好適に用いられる。
【００３５】
【化３】
2006147131.tif 000008
【００３６】
上記一般式（Ｉ）中、Ａ、Ｂ、Ｃ、及びＤは、ＡとＢのハメットのσｐ値の合計、及びＣとＤのハメットのσｐ値の合計が、それぞれ０．６以上となる電子吸引性基である。ＡとＢ若しくはＣとＤは連結して環を形成していてもよい。また、Ｒはメチン炭素上の置換基を表す。ｍは０乃至３の整数を表し、ｎは０乃至２ｍ＋１の整数を表す。ｎが２以上の整数のとき、複数個のＲは互いに同一でも異なっていてもよく、また、互いに連結して環を形成していてもよい。
Ｙt+はｔ価のカチオンを表し、ｔは１乃至１０の整数を表す。
【００３７】
一般式（Ｉ）はアニオンの局在位置の表記の違いによる複数の互変異性体を含むものであるが、特に、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄのいずれかが−ＣＯ−Ｅ（Ｅは置換基）である場合、酸素原子上に負電荷を局在させて表記することが一般的である。例えば、Ｄが−ＣＯ−Ｅである場合、下記一般式（II）のような表記が一般的であり、このような表記のものも一般式（Ｉ）に含まれる。
【００３８】
【化４】
2006147131.tif 000009
【００３９】
上記一般式（II）におけるＡ、Ｂ、Ｃ、Ｒ、ｍ、Ｙt+、及びｔは、一般式（Ｉ）のＡ、Ｂ、Ｃ、Ｒ、ｍ、Ｙt+、及びｔと同義である。
【００４０】
以下、上記一般式（Ｉ）で表されるオキソノール色素について説明する。
一般式（Ｉ）において、Ａ、Ｂ、Ｃ、及びＤは、ＡとＢのハメットの置換基定数σｐ値の合計、及びＣとＤのハメットの置換基定数σｐ値の合計が、それぞれ０．６以上となる電子吸引性基を表す。Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤはそれぞれ同一でもよく、また異なっていてもよい。また、ＡとＢ、又は、ＣとＤは、連結して環を形成していてもよい。
ここで、ハメットの置換基定数σｐ値（以下、単に「σｐ値」と称する場合がある。）は、例えば、Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．９１，１６５（１９９１）及びこれに引用されている参考文献に記載されており、記載されていないものについても同文献に記載の方法によって求めることが可能である。
【００４１】
Ａ、Ｂ、Ｃ、及びＤで表される電子吸引性基のσｐ値は、各々独立に、０．３０〜０．８５の範囲にあることが好ましく、更に好ましくは、０．３５〜０．８０の範囲である。
また、ＡとＢ（ＣとＤ）が連結して環を形成している場合、Ａ（Ｃ）のσｐ値は、−Ａ−Ｂ−Ｈ（−Ｃ−Ｄ−Ｈ）基のσｐ値を意味し、Ｂ（Ｄ）のσｐ値は、−Ｂ−Ａ−Ｈ（−Ｄ−Ｃ−Ｈ）基のσｐ値を意味する。この場合、両者は結合の方向が異なるためσｐ値は異なる。
【００４２】
Ａ、Ｂ、Ｃ、及びＤで表される電子吸引性基の好ましい具体例としては、シアノ基、ニトロ基、炭素原子数１乃至１０のアシル基（例：アセチル、プロピオニル、ブチリル、ピバロイル、ベンゾイル）、炭素原子数２乃至１２のアルコキシカルボニル基（例：メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、イソプロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、デシルオキシカルボニル）、炭素原子数７乃至１１のアリールオキシカルボニル基（例：フェノキシカルボニル）、炭素原子数１乃至１０のカルバモイル基（例：メチルカルバモイル、エチルカルバモイル、フェニルカルバモイル）、炭素原子数１乃至１０のアルキルスルホニル基（例：メタンスルホニル）、炭素原子数６乃至１０のアリールスルホニル基（例：ベンゼンスルホニル）、炭素原子数１乃至１０のアルコキシスルホニル基（例：メトキシスルホニル）、炭素原子数１乃至１０のスルファモイル基（例：エチルスルファモイル、フェニルスルファモイル）、炭素原子数１乃至１０のアルキルスルフィニル基（例：メタンスルフィニル、エタンスルフィニル）、炭素原子数６乃至１０のアリールスルフィニル基（例：ベンゼンスルフィニル）、炭素原子数１乃至１０のアルキルスルフェニル基（例：メタンスルフェニル、エタンスルフェニル）、炭素原子数６乃至１０のアリールスルフェニル基（例：ベンゼンスルフェニル）、ハロゲン原子、炭素原子数２乃至１０のアルキニル基（例：エチニル）、炭素原子数２乃至１０のジアシルアミノ基（例：ジアセチルアミノ）、ホスホリル基、カルボキシル基、５員若しくは６員のヘテロ環基（例えば：２−ベンゾチアゾリル、２−ベンゾオキサゾリル、３−ピリジル、５−（１Ｈ）−テトラゾリル、４−ピリミジル）を挙げることができる。
【００４３】
一般式（Ｉ）において、Ｒで表されるメチン炭素上の置換基としては、例えば、以下に記載のものを挙げることができる。
即ち、炭素原子数１〜２０の鎖状又は環状のアルキル基（例：メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル）、炭素原子数６〜１８の置換又は無置換のアリール基（例：フェニル、クロロフェニル、アニシル、トルイル、２，４−ジ−ｔ−アミル、１−ナフチル）、アルケニル基（例：ビニル、２−メチルビニル）、アルキニル基（例：エチニル、２−メチルエチニル、２−フェニルエチニル）、ハロゲン原子（例：Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、シアノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アシル基（例：アセチル、ベンゾイル、サリチロイル、ピバロイル）、アルコキシ基（例：メトキシ、ブトキシ、シクロヘキシルオキシ）、アリールオキシ基（例：フェノキシ、１−ナフトキシ）、アルキルチオ基（例：メチルチオ、ブチルチオ、ベンジルチオ、３−メトキシプロピルチオ）、アリールチオ基（例：フェニルチオ、４−クロロフェニルチオ）、アルキルスルホニル基（例：メタンスルホニル、ブタンスルホニル）、アリールスルホニル基（例：ベンゼンスルホニル、パラトルエンスルホニル）、炭素原子数１〜１０のカルバモイル基、炭素原子数１〜１０のアミド基、炭素原子数２〜１２のイミド基、炭素原子数２〜１０のアシルオキシ基、炭素原子数２〜１０のアルコキシカルボニル基、ヘテロ環基（例：ピリジル、チエニル、フリル、チアゾリル、イミダゾリル、ピラゾリルなどの芳香族ヘテロ環、ピロリジン環、ピペリジン環、モルホリン環、ピラン環、チオピラン環、ジオキサン環、ジチオラン環などの脂肪族ヘテロ環）である。
【００４４】
Ｒとして好ましいものは、ハロゲン原子、炭素原子数１乃至８の鎖状又は環状のアルキル基、炭素原子数６乃至１０のアリール基、炭素原子数１乃至８のアルコキシ基、炭素原子数６乃至１０のアリールオキシ基、炭素原子数３乃至１０のヘテロ環基であり、特に塩素原子、炭素原子数１乃至４のアルキル基（例：メチル、エチル、イソプロピル）、フェニル、炭素原子数１乃至４のアルコキシ基（例：メトキシ、エトキシ）、フェノキシ、炭素原子数４乃至８の含窒素ヘテロ環基（例：４−ピリジル、ベンゾオキサゾール−２−イル、ベンゾチアゾール−２−イル）が好ましい。
【００４５】
ｎは、０乃至２ｍ＋１の整数を表すが、ｎが２以上の整数のとき、複数個のＲは互いに同一でも異なっていてもよく、また、互いに連結して環を形成してもよい。このとき、環員数は４乃至８が好ましく、特に５又は６が好ましい。また、環の骨格を構成する原子は、炭素原子、酸素原子、又は窒素原子が好ましく、特に炭素原子が好ましい。
【００４６】
Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、及びＲは、更に置換基を有していてもよく、置換基の例としては、一般式（Ｉ）におけるＲで表される置換基として例示されたものと同様のものを挙げることができる。
【００４７】
前記一般式（Ｉ）で表されるオキソノール色素は、熱分解性の観点から、ＡとＢ、又は、ＣとＤが連結して環を形成することが好ましく、そのような環として、以下のような具体例（１）〜（６４）が挙げられる。なお、具体例（１）〜（６４）中、Ｒａ、Ｒｂ、及びＲｃは、各々独立に、水素原子、又は置換基を表す。
【００４８】
【化５】
2006147131.tif 000010
【００４９】
【化６】
2006147131.tif 000011
【００５０】
【化７】
2006147131.tif 000012
【００５１】
これらの中でも、好ましい環は、（８）、（９）、（１０）、（１１）、（１２）、（１３）、（１４）、（１６）、（１７）、（３６）、（３９）、（４１）、（５４）、及び（５７）で示されるものである。更に好ましくは、（８）、（９）、（１０）、（１３）、（１４）、（１６）、（１７）、及び（５７）で示されるものである。最も好ましくは、（９）、（１０）、（１３）、（１７）、及び（５７）で示されるものである。
【００５２】
Ｒａ、Ｒｂ、及びＲｃで表される置換基は、それぞれ、前記Ｒで表される置換基と同義である。
また、Ｒａ、Ｒｂ、及びＲｃは、それぞれ、互いに連結して炭素環又は複素環を形成してもよい。形成される炭素環としては、例えば、シクロヘキシル環、シクロペンチル環、シクロヘキセン環、ベンゼン環などの飽和又は不飽和の４〜７員の炭素環を挙げることができる。また、複素環としては、例えば、ピペリジン環、ピペラジン環、モルホリン環、テトラヒドロフラン環、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、及びピラジン環などの飽和又は不飽和の４〜７員の複素環を挙げることができる。これらの炭素環又は複素環は、前記Ｒで表される置換基として例示されたもので更に置換されていてもよい。
【００５３】
一般式（Ｉ）において、ｍは０乃至３の整数であるが、このｍの値によって該オキソノール色素の吸収波長が大きく変化する。そのため、記録再生に用いるレーザーの発振波長に応じて最適な吸収波長の色素を設計する必要があるが、この点においてｍの値の選択は重要である。記録再生に用いるレーザーの中心発振波長が７８０ｎｍの場合（ＣＤ−Ｒ記録用の半導体レーザー）、一般式（Ｉ）においてｍは２又は３が好ましく、中心発振波長が６３５ｎｍ又は６５０ｎｍの場合（ＤＶＤ−Ｒ記録用の半導体レーザー）、ｍは１又は２が好ましく、中心発振波長が５５０ｎｍ以下の場合（例えば、中心発振波長４０５ｎｍの青紫色半導体レーザー）は、ｍは０又は１が好ましい。
【００５４】
一般式（Ｉ）において、Ｙt+で表されるｔ価のカチオンは、無機又は有機の何れのカチオンでもよい。
無機のカチオンとしては、例えば、水素イオン、金属イオン、アンモニウムイオン（ＮＨ4+）を挙げることができ、好ましくは金属イオンであり、特に、アルカリ金属イオン（例：Ｌｉ+、Ｎａ+、Ｋ+）、又は遷移金属イオン（例：Ｃｕ2+、Ｃｏ2+）が好ましい。また、遷移金属イオンの場合、有機リガンドが配位しているものでもよい。
【００５５】
また、Ｙt+で表されるｔ価の有機のカチオンとしては、オニウムイオンが好ましく、下記一般式（III）で表されるものが特に好ましい。
下記一般式（III）で表される化合物は、対応するジピリジルと目的の置換基を持つハロゲン化物とのメンシュトキン反応（例えば、特開昭６１−１４８１６２号公報参照）、特開昭５１−１６６７５号公報、及び特開平１−９６１７１号公報に記載の方法に準ずるアリール化反応により容易に得ることができる。
【００５６】
【化８】
2006147131.tif 000013
【００５７】
上記一般式（III）中、Ｒ31及びＲ32は、各々独立に、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、又はヘテロ環基を表し、Ｒ33は置換基を表す。また、ｓは０乃至８の整数を表し、ｓが２以上の整数のとき、複数個のＲ33はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、また、互いに連結して環を形成していてもよい。
【００５８】
一般式（III）において、Ｒ31又はＲ32で表されるアルキル基は、炭素原子数１〜１８が好ましく、更に炭素数１〜８が好ましい、また、直鎖、分岐又は環状であってもよい。具体的には、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、イソアミル、ｎ−ヘキシル、シクロヘキシル、２−エチルヘキシル、ｎ−オクチルを挙げることができる。
【００５９】
一般式（III）において、Ｒ31又はＲ32で表されるアルケニル基は、炭素数２〜１８が好ましく、更に炭素数２〜８が好ましい。具体的には、例えば、ビニル、２−プロペニル、２−メチルプロペニル、１，３−ブタジエニルを挙げることができる。
【００６０】
一般式（III）において、Ｒ31又はＲ32で表されるアルキニル基は、炭素数２〜１８が好ましく、更に炭素数２〜８が好ましい。具体的には、例えば、エチニル、プロピニル、３，３−ジメチルブチニルを挙げることができる。
【００６１】
一般式（III）において、Ｒ31若しくはＲ32で表されるアリール基は、炭素数６〜１８が好ましく、更に炭素数６〜１０が好ましい。具体的には、例えば、フェニル、１−ナフチル、２−ナフチルを挙げることができる。
【００６２】
一般式（III）において、Ｒ31又はＲ32で表されるヘテロ環基は、炭素数４〜７の飽和、又は不飽和のヘテロ環基が好ましく、含有されるヘテロ原子としては、窒素原子、酸素原子、硫黄原子が好ましい。具体的には、例えば、４−ピリジル、２−ピリジル、２−ピラジル、２−ピリミジル、４−ピリミジル、２−イミダゾリル、２−フリル、２−チオフェニル、２−ベンゾオキサゾリル、２−ベンゾチオキサゾリルを挙げることができる。
【００６３】
一般式（III）におけるＲ31及びＲ32は、更に置換基を有していてもよく、その置換基としては、一般式（Ｉ）におけるＲで表される置換基として例示されたものと同様のものを挙げることができる。
【００６４】
一般式（III）においてＲ33で表される置換基は、一般式（II）のＲと同義であり、好ましくは、炭素数１〜１８のアルキル基であり、より好ましくは、炭素数１〜８の無置換アルキル基である。
【００６５】
一般式（III）において、ｓは０乃至８の整数を表すが、ｓは０乃至４の整数が好ましく、更に０乃至２の整数であることが好ましく、特に０が好ましい。ｓが２以上の整数のとき、複数個のＲ33はそれぞれ同一でも異なっていてもよく、また、互いに連結して環を形成していてもよい。
【００６６】
また、一般式（III）において二つのピリジン環は、何れの位置で連結していてもよいが、ピリジン環の２位若しくは４位で連結するのが好ましく、特に、両ピリジン環の４位同士で連結するのが好ましい。
【００６７】
一般式（Ｉ）で表されるオキソノール色素は、任意の位置で結合して多量体を形成していてもよく、この場合の各単位は互いに同一でも異なっていてもよい。
また、一般式（Ｉ）で表されるオキソノール色素は、ポリスチレン、ポリメタクリレート、ポリビニルアルコール、セルロース等のポリマー鎖に結合していてもよい。
【００６８】
本発明に用いられる一般式（Ｉ）で表されるオキソノール色素の具体例としては、特開昭６３−２０９９９５号公報、特開平１０−２９７１０３号公報、同１１−７８１０６号公報、同１１−３４８４２０公報、特開２０００−５２６５８公報、特願平１１−７８１０６号公報に記載されたオキソノール色素の具体例を挙げることができる。
その一部の化合物を以下に例示する。
【００６９】
【化９】
2006147131.tif 000014
【００７０】
【化１０】
2006147131.tif 000015
【００７１】
【化１１】
2006147131.tif 000016
【００７２】
【化１２】
2006147131.tif 000017
【００７３】
以上、本発明における色素記録層に用いられる色素について説明したが、前述の下引き層と組み合わせることにより、クロストークを充分に低減しうる観点から、フタロシアニン色素を用いることが特に好ましい。
【００７４】
これらの色素などの記録物質の含有量は、十分な記録特性を得るために、色素記録層中に、５０〜１００質量％の範囲であることが好ましく、５５〜１００質量％の範囲であることがより好ましく、６０〜１００質量％の範囲であることが更に好ましい。
【００７５】
また、色素記録層には、該色素記録層の耐光性を向上させるために、種々の褪色防止剤を含有することが好ましい。褪色防止剤としては、有機酸化剤や一重項酸素クエンチャーを挙げることができる。褪色防止剤として用いられる有機酸化剤としては、特開平１０−１５１８６１号に記載されている化合物が好ましい。一重項酸素クエンチャーとしては、既に公知の特許明細書等の刊行物に記載のものを利用することができる。その具体例としては、特開昭５８−１７５６９３号、同５９−８１１９４号、同６０−１８３８７号、同６０−１９５８６号、同６０−１９５８７号、同６０−３５０５４号、同６０−３６１９０号、同６０−３６１９１号、同６０−４４５５４号、同６０−４４５５５号、同６０−４４３８９号、同６０−４４３９０号、同６０−５４８９２号、同６０−４７０６９号、同６３−２０９９９５号、特開平４−２５４９２号、特公平１−３８６８０号、及び同６−２６０２８号等の各公報、ドイツ特許３５０３９９号明細書、そして日本化学学会誌１９９２年１０月号第１１４１頁などに記載のものを挙げることができる。
【００７６】
好ましい一重項酸素クエンチャーの例としては、下記一般式（ａ）で表わされる化合物を挙げることができる。
【００７７】
【化１３】
2006147131.tif 000018
【００７８】
上記一般式（ａ）中、Ｒ31は置換基を有していてもよいアルキル基を表わし、Ｑ-はアニオンを表わす。
【００７９】
一般式（ａ）において、Ｒ31は置換されていてもよい炭素数１〜８のアルキル基が一般的であり、無置換の炭素数１〜６のアルキル基が好ましい。アルキル基に導入し得る置換基としては、ハロゲン原子（例、Ｆ，Ｃｌ）、アルコキシ基（例、メトキシ、エトキシ）、アルキルチオ基（例、メチルチオ、エチルチオ）、アシル基（例、アセチル、プロピオニル）、アシルオキシ基（例、アセトキシ、プロピオニルオキシ）、ヒドロキシ基、アルコキシカルボニル基（例、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル）、アルケニル基（例、ビニル）、アリール基（例、フェニル、ナフチル）を挙げることができる。これらの中で、ハロゲン原子、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルコキシカルボニル基が好ましい。Ｑ-のアニオンの例としては、ＣｌＯ4-、ＡｓＦ6-、ＢＦ4-、及びＳｂＦ6-が好ましい。
【００８０】
前記一重項酸素クエンチャーなどの褪色防止剤の使用量は、通常、色素の質量の０．１〜５０質量％の範囲であり、好ましくは、０．５〜４５質量％の範囲、更に好ましくは、３〜４０質量％の範囲、特に好ましくは５〜２５質量％の範囲である。
【００８１】
更に、本発明における色素記録層には、前述の色素に加え、結合剤を使用することができる。この結合剤の例としては、ゼラチン、セルロース誘導体、デキストラン、ロジン、ゴムなどの天然有機高分子物質；及びポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリイソブチレン等の炭化水素系樹脂；ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル・ポリ酢酸ビニル共重合体等のビニル系樹脂；ポリアクリル酸メチル、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル樹脂；ポリビニルアルコール、塩素化ポリエチレン、エポキシ樹脂、ブナラール樹脂、ゴム誘導体、フェノール・ホルムアルデヒド樹脂等の熱硬化性樹脂の初期縮合物などの合成有機高分子を挙げることができる。
【００８２】
色素記録層の材料として結合剤を用いる場合、結合剤の使用量は、一般に色素の質量の０．０１倍量〜５０倍量の範囲にあり、好ましくは０．１倍量〜５倍量の範囲にある。
【００８３】
本発明において、色素記録層の形成は、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ、又は溶剤塗布等の方法によって行うことができるが、溶剤塗布が好ましい。
色素記録層を溶剤塗布により形成する方法としては、まず、色素等の記録物質を、結合剤等と共に適当な溶剤に溶解して塗布液を調製し、次いで、この塗布液を基板上に塗布して塗膜を形成した後、乾燥する方法がある。
塗布液中の記録物質（上記の色素、化合物）の濃度は、一般に０．０１〜１５質量％の範囲であり、好ましくは０．１〜１０質量％の範囲、より好ましくは０．５〜５質量％の範囲、最も好ましくは０．５〜３質量％の範囲である。
【００８４】
塗布液の溶剤としては、酢酸ブチル、乳酸エチル、セロソルブアセテートなどのエステル；メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトンなどのケトン；ジクロルメタン、１，２−ジクロルエタン、クロロホルムなどの塩素化炭化水素；ジメチルホルムアミドなどのアミド；メチルシクロヘキサンなどの炭化水素；ジブチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル；エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロバノール、ｎ−ブタノール、ジアセトンアルコールなどのアルコール；２，２，３，３−テトラフルオロプロパノールなどのフッ素系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのグリコールエーテル類などを挙げることができる。
上記溶剤は使用する色素の溶解性を考慮して単独で、或いは二種以上を組み合わせて使用することができる。塗布液中には更に酸化防止剤、ＵＶ吸収剤、可塑剤、潤滑剤など各種の添加剤を目的に応じて添加してもよい。
【００８５】
前記溶剤塗布の塗布方法としては、スプレー法、スピンコート法、ディップ法、ロールコート法、ブレードコート法、ドクターロール法、スクリーン印刷法などを挙げることができる。
色素記録層の層厚は一般に１０〜５００ｎｍの範囲にあり、好ましくは１５〜３００ｎｍの範囲にあり、より好ましくは２０〜１５０ｎｍの範囲にある。
なお、色素記録層は単層でも重層でもよい。
【００８６】
［反射層］
情報の再生時における反射率の向上の目的で、色素記録層に隣接して反射層が設けられる。反射層の材料である光反射性物質はレーザー光に対する反射率が高い物質であり、その例としては、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉなどの金属及び半金属或いはステンレス鋼を挙げることができる。これらの物質は単独で用いてもよいし、或いは二種以上の組合せで、又は合金として用いてもよい。これらのうちで好ましいものは、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ及びステンレス鋼である。特に好ましくは、Ａｕ金属、Ａｇ金属、Ａｌ金属或いはこれらの合金であり、最も好ましくは、Ａｇ金属、Ａｌ金属或いはそれらの合金である。
反射層は、例えば、上記光反射性物質を蒸着、スパッタリング又はイオンプレーティングすることにより基板若しくは色素記録層の上に形成することができる。
反射層の層厚は、一般的には１０〜３００ｎｍの範囲にあり、５０〜２００ｎｍの範囲にあることが好ましい。
【００８７】
［接着層又は粘着層］
接着層又は粘着層は、上記反射層と第２の基板とを貼り合わせるために形成される。
接着層を構成する材料としては、光硬化性樹脂が好ましく、中でも、ディスクの反りを防止するため、硬化収縮率の小さいものが好ましい。このような光硬化性樹脂としては、例えば、大日本インキ化学工業（株）製の「ＳＤ−６４０」、「ＳＤ−３４７」等のＵＶ硬化性樹脂（ＵＶ硬化性接着剤）を挙げることができる。
【００８８】
接着剤は、例えば、反射層からなる被貼り合わせ面上に、所定量塗布し、その上に、第２の基板を載置した後、スピンコートにより接着剤を、被貼り合わせ面と第２の基板との間に均一になるように広げた後、硬化させることが好ましい。
【００８９】
また、粘着層に用いられる粘着剤としては、アクリル系、ゴム系、シリコン系の粘着剤を使用することができるが、透明性、耐久性の観点から、アクリル系の粘着剤が好ましい。かかるアクリル系の粘着剤としては、２−エチルヘキシルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレートなどを主成分とし、凝集力を向上させるために、短鎖のアルキルアクリレートやメタクリレート、例えば、メチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルメタクリレートと、架橋剤との架橋点となりうるアクリル酸、メタクリル酸、アクリルアミド誘導体、マレイン酸、ヒドロキシルエチルアクリレート、グリシジルアクリレートなどと、を共重合したものを用いることが好ましい。主成分と、短鎖成分と、架橋点を付加するための成分と、の混合比率、種類を、適宜、調節することにより、ガラス転移温度（Ｔｇ）や架橋密度を変えることができる。
【００９０】
上記粘着剤と併用される架橋剤としては、例えば、イソシアネート系架橋剤が挙げられる。かかるイソシアネート系架橋剤としては、トリレンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、ナフチレン−１，５−ジイソシアネート、ｏ−トルイジンイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、トリフェニルメタントリイソシアネート等のイソシアネート類、また、これらのイソシアネート類とポリアルコールとの生成物、また、イソシアネート類の縮合によって生成したポリイソシアネート類を使用することができる。これらのイソシアネート類の市販されている商品としては、日本ポリウレタン社製のコロネートＬ、コロネートＨＬ、コロネート２０３０、コロネート２０３１、ミリオネートＭＲ、ミリオネートＨＴＬ；武田薬品社製のタケネートＤ−１０２、タケネートＤ−１１０Ｎ、タケネートＤ−２００、タケネートＤ−２０２；住友バイエル社製のデスモジュールＬ、デスモジュールＩＬ、デスモジュールＮ、デスモジュールＨＬ；等を挙げることができる。
【００９１】
粘着剤は、例えば、反射層からなる被貼り合わせ面上に、所定量、均一に塗布し、その上に、第２の基板を載置した後、硬化させてもよいし、予め、第２の基板の片面に、所定量を均一に塗布して粘着剤塗膜を形成しておき、該塗膜を被貼り合わせ面に貼り合わせ、その後、硬化させてもよい。
【００９２】
本発明において、接着層又は粘着層の厚さは、弾力性を持たせるため、１〜１０００μｍの範囲が好ましく、５〜５００μｍの範囲がより好ましく、１０〜１００μｍの範囲が特に好ましい。
【００９３】
［第２の基板］
第２の基板には、プリグルーブが形成されていない点以外は、第１の基板と同じ材質で、同じ形状のものを使用することができる。
また、第２の基板にも第１の基板と同様のプリグルーブが形成され、また、貼り合わせ面に、色素記録層が形成されていてもよい。更に、第２の基板と色素記録層との間に下引き層が設けられてもよいし、色素記録層の基板とは反対の面に反射層が設けられてもよい。なお、第２の基板側に設けられる、下引き層、色素記録層、及び反射層も、上述の各層と同様である。このように、第２の基板側に色素記録層が形成されている積層体と、上述のように、第１の基板上に、下引き層、色素記録層、及び反射層がこの順に形成されている積層体と、を両基板を外側にして接着層により貼り合せることにより、両面で情報の記録及び再生が可能な光情報記録媒体を得ることができる。
【００９４】
［保護層］
本発明の光情報記録媒体では、色素記録層を物理的及び化学的に保護する目的で、該色素記録層に隣接して保護層が設けられることある。なお、第２の基板側にも色素記録層が形成されている場合にも、当該色素記録層に隣接して保護層を設けてもよい。
【００９５】
保護層に用いられる材料の例としては、ＺｎＳ、ＺｎＳ−ＳｉＯ2、ＳｉＯ、ＳｉＯ2、ＭｇＦ2、ＳｎＯ2、Ｓｉ3Ｎ4等の無機物質、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等の有機物質を挙げることができる。保護層は、例えば、プラスチックの押出加工で得られたフィルムを接着剤を介して反射層上にラミネートすることにより形成することができる。或いは真空蒸着、スパッタリング、塗布等の方法により設けられてもよい。
【００９６】
また、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂の場合には、これらを適当な溶剤に溶解して塗布液を調製した後、この塗布液を塗布し、乾燥することによっても形成することができる。ＵＶ硬化性樹脂の場合には、この塗布液を塗布し、ＵＶ光を照射して硬化させることによっても形成することができる。これらの塗布液中には、更に帯電防止剤、酸化防止剤、ＵＶ吸収剤等の各種添加剤を目的に応じて添加してもよい。保護層の層厚は一般には０．１μｍ〜１ｍｍの範囲にある。
【００９７】
［記録方法］
本発明の光情報記録媒体への情報（デジタル情報）の記録方法について説明する。
本発明の光情報記録媒体への情報の記録には、少なくとも、レーザー光を射出するレーザーピックアップと、光情報記録媒体を回転させる回転機構と、を有する記録装置を用いる。まず、回転機構を用いて、未記録の光情報記録媒体を所定の記録線速度にて回転させながら、レーザーピックアップからレーザー光を照射する。この照射光により、色素記録層中の色素がその光を吸収して局所的に温度上昇し、例えば、ピットが生成してその光学特性が変わることにより情報が記録される。
なお、記録された情報の再生は、回転させた状態の光情報記録媒体の色素記録層に向けてレーザーピックアップからレーザー光を照射して行う。
【００９８】
レーザー光の記録波形は、１つのピットの形成する際には、パルス列でも１パルスでもかまわない。実際に記録しようとする長さ（ピットの長さ）に対する割合が重要である。
レーザー光のパルス幅としては、実際に記録しようとする長さに対して２０〜９５％の範囲が好ましく、３０〜９０％の範囲がより好ましく、３５〜８５％の範囲が更に好ましい。ここで、記録波形がパルス列の場合には、その和が上記の範囲にあることを指す。
【００９９】
レーザー光のパワーとしては、記録線速度によって異なるが、記録線速度が６．６１ｍ／ｓの場合、１〜１００ｍＷの範囲が好ましく、３〜５０ｍＷの範囲がより好ましく、５〜２０ｍＷの範囲が更に好ましい。また、記録線速度が２倍になった場合には、レーザー光のパワーの好ましい範囲は、それぞれ２1/2倍となる。
【０１００】
また、記録密度を高めるために、ピックアップに使用される対物レンズのＮＡは０．５５以上が好ましく、０．６０以上がより好ましい。
更に、記録及び再生の光源として、半導体レーザーを用いることが好ましい。半導体レーザーの波長は、色素記録層中の記録物質（色素）の極大吸収波長又は最大吸収波長より長波側の裾となる波長近傍であることが望ましい。そのような波長とすることで、記録前後の色素記録層の屈折率変化をより有効に利用することができる。
本発明においては、３５０〜４５０ｎｍの範囲の中心発振波長を有する半導体レーザーを用いることが好適である。
【実施例】
【０１０１】
次に、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【０１０２】
［実施例１］
スパイラル状のプリグルーブ（トラックピッチ：０．４μｍ、溝深さ：９０ｎｍ、溝幅（半値幅）：３０ｎｍ）を有する厚さ０．６ｍｍ、直径１２０ｍｍ、内径（中心孔径）１５ｍｍのポリカーボネート樹脂基板（帝人化成（株）製、商品名：パンライトＡＤ５５０３）を、射出成形にて作製した。
得られた基板のプリグルーブ上に、ＲＦスパッタリングにより、ＺｎＯ−Ｇａ2Ｏ3（ＺｎＯ：３質量部、Ｇａ2Ｏ3：７質量部）からなるターゲットを用いて、膜厚２０ｎｍの下引き層を形成した。
【０１０３】
そして、下引き層上に、下記に示すフタロシアニン色素Ａ２．０ｇを２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノール１００ｍｌに溶解して塗布液を調製し、この塗布液をスピンコート法により塗布し、色素記録層を形成した。
次に、色素記録層上に、ＤＣスパッタリングにより、膜厚１００ｎｍの反射層（Ａｇ：９８．４質量部、Ｐｄ：０．７質量部、Ｃｕ：０．９質量部）を形成した。
【０１０４】
【化１４】
2006147131.tif 000019
【０１０５】
次いで、反射層上に、紫外線硬化性樹脂（大日本インキ社製ＳＤ６４０）を滴下、塗布し、その上に、第２の基板を載せた後、３６００ｒ．ｐ．ｍで回転させて、紫外線硬化樹脂を延展させてから、ＵＶを照射することで、紫外線硬化性樹脂を硬化させ、２枚の基板を貼り合わせた。
これにより、実施例１における光情報記録媒体を得た。
なお、第２の基板は、プリグルーブを有していない以外は、第１の基板と同素材、同形状である。
【０１０６】
［実施例２］
実施例１において、フタロシアニン色素Ａを下記に示すフタロシアニン色素Ｂに代え、また、ＳｉＯ2からなるターゲットを用いて、膜厚２７ｎｍの下引き層を形成した以外は、実施例１と同様にして、実施例２における光情報記録媒体を得た。
【０１０７】
【化１５】
2006147131.tif 000020
【０１０８】
［実施例３］
実施例２において、Ｎｂ2Ｏ5からなるターゲットを用いて、膜厚２２ｎｍの下引き層を形成した以外は、実施例２と同様にして、実施例３における光情報記録媒体を得た。
【０１０９】
［実施例４］
実施例２において、Ｎｂ2Ｏ5−ＳｉＯ2（Ｎｂ2Ｏ5：７質量部、ＳｉＯ2：３質量部）からなるターゲットを用いて、膜厚２１ｎｍの下引き層を形成した以外は、実施例２と同様にして、実施例４における光情報記録媒体を得た。
【０１１０】
［実施例５］
実施例２において、Ｎｂ2Ｏ5−Ａｌ2Ｏ3（Ｎｂ2Ｏ5：７質量部、Ａｌ2Ｏ3：３質量部）からなるターゲットを用いて、膜厚２２ｎｍの下引き層を形成した以外は、実施例２と同様にして、実施例５における光情報記録媒体を得た。
【０１１１】
［実施例６］
実施例２において、Ｔａ2Ｏ5−Ｎｂ2Ｏ5（Ｔａ2Ｏ5：５質量部、Ｎｂ2Ｏ5：５質量部）からなるターゲットを用いて、膜厚２０ｎｍの下引き層を形成した以外は、実施例２と同様にして、実施例６における光情報記録媒体を得た。
【０１１２】
［実施例７］
実施例２において、Ｔａ2Ｏ5−ＳｉＯ2（Ｔａ2Ｏ5：７質量部、ＳｉＯ2：３質量部）からなるターゲットを用いて、膜厚２０ｎｍの下引き層を形成した以外は、実施例２と同様にして、実施例７における光情報記録媒体を得た。
【０１１３】
［実施例８］
実施例２において、Ｔａ2Ｏ5−Ａｌ2Ｏ3（Ｔａ2Ｏ5：７質量部、Ａｌ2Ｏ3：３質量部）からなるターゲットを用いて、膜厚２０ｎｍの下引き層を形成した以外は、実施例２と同様にして、実施例８における光情報記録媒体を得た。
【０１１４】
［比較例１］
実施例１において、下引き層を設けなかった以外は、実施例１と同様にして、比較例１における光情報記録媒体を得た。
【０１１５】
＜評価＞
得られた実施例１〜８、及び比較例１の光情報記録媒体に対し、以下のようにして、隣接するトラックへの信号の漏れ込み（クロストーク）の評価を行った。
【０１１６】
〔ＰＲＳＮＲ（Partial Response Signal to Noise Ratio）値の測定〕
得られた光情報記録媒体を、波長＝４０５ｎｍ、ＮＡ＝０．６５のＬＤ／ＰＵＨを搭載した測定機（パルステック工業社製ＯＤＵ−１０００）にセットし、ＥＴＭ、ＲＬ（１，１０）変調されたランダム信号を記録し、ＰＲＳＮＲを測定した。この時、１トラックのみ記録し再生した値（ＰＲＳＮＲ（Ｓ））と、３トラック記録し中央のトラックを再生した値（ＰＲＳＮＲ（Ｍ））と、を測定した。記録は、線速＝６．６１ｍ／ｓ、実施例１及び比較例１は、９ｍＷ（１トラック記録）／８．７ｍＷ（３トラック記録）で行い、その他の実施例２〜７は、１０ｍＷ（１トラック記録）／９．６ｍＷ（３トラック記録）で行い、再生は０．５ｍＷで、記録発光パターンを最適化して行った。
結果を表５に示す。
【０１１７】
【表５】
2006147131.tif 000021
【０１１８】
表５に明らかなように、比較例１の光情報記録媒体は、ＰＲＳＮＲ（Ｍ）値が得られないなど、良好な記録特性が得られないものの、実施例１〜７の光情報記録媒体は、ＰＲＳＮＲ（Ｓ）値及びＰＲＳＮＲ（Ｍ）値が共に良好で、記録特性に優れることが分かる。
これは、下引き層の存在により、ピットを形成する際の余分な熱が下引き層に拡散し、ピットが必要以上に大きく形成されないためと思われる。