(57)【要約】【課題】  高記録密度化に対応しつつ、より高い温度環境下であっても十分な出力特性を安定して維持することのできる磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】  ＩｒＭｎからなる固定作用層３２と、これにより＋Ｙ方向へ磁化方向が固定された外側ピンド層３３１および−Ｙ方向へ磁化方向が固定された内側ピンド層３３３とを有するＭＲ膜１４と、一対の導電リード層１６と、内側ピンド層３３３の内部に−Ｙ方向へ向かう電流磁界が生じるように、＋Ｘ方向へセンス電流Ｉｓを流す定電流回路５０とを備え、かつ条件式（１）を満足するように構成する。これにより磁化方向Ｊ３３１，Ｊ３３３が安定化し、高温環境下であっても安定した出力特性が得られ、さらなる高記録密度化に対応することができる。【選択図】      図３
2006049539.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イリジウムマンガン合金（ＩｒＭｎ）を含む固定作用層と、
この固定作用層により第１方向に固定された磁化方向を有する第１の強磁性層と、中間層と、前記固定作用層により前記第１方向と反対の第２方向に固定された磁化方向を有する第２の強磁性層とが前記固定作用層の側から順に積層された磁化固着層と、
この磁化固着層の、前記固定作用層とは反対側に設けられた非磁性層と、
この非磁性層の、前記磁化固着層とは反対側に設けられ、外部磁界に応じて磁化方向が変化するように構成された磁化自由層と
を有する磁気抵抗効果膜と、
この磁気抵抗効果膜の端面の少なくとも一部とそれぞれ隣接し、かつ、互いに対向して延在する一対の導電リード層と、
この一対の導電リード層を介して、前記磁気抵抗効果膜の積層面内方向のうち、前記第２の強磁性層の内部に前記第２方向へ向かう電流磁界が生じる方向へセンス電流を流す電流供給手段と
を備え、かつ、以下の条件式（１）を満足することを特徴とする磁気抵抗効果素子。
０．６ｍＡ≦（Ｍｓ２×Ｔ２−Ｍｓ１×Ｔ１）≦１．５ｍＡ  ……（１）
ただし、
Ｍｓ１；第１の強磁性層の飽和磁化
Ｔ１；第１の強磁性層の厚み
Ｍｓ２；第２の強磁性層の飽和磁化
Ｔ２；第２の強磁性層の厚み
【請求項２】
イリジウムマンガン合金（ＩｒＭｎ）を含む固定作用層と、
この固定作用層により第１方向に固定された磁化方向を有する第１の強磁性層と、中間層と、前記固定作用層により前記第１方向と反対の第２方向に固定された磁化方向を有する第２の強磁性層とが前記固定作用層の側から順に積層された磁化固着層と、
この磁化固着層の、前記固定作用層とは反対側に設けられた非磁性層と、
この非磁性層の、前記磁化固着層とは反対側に設けられ、外部磁界に応じて磁化方向が変化するように構成された磁化自由層と
を有する磁気抵抗効果膜と、
この磁気抵抗効果膜の端面の少なくとも一部とそれぞれ隣接し、かつ、互いに対向して延在する一対の導電リード層と、
この一対の導電リード層を介して、前記磁気抵抗効果膜の積層面内方向のうち、前記第１の強磁性層の内部に前記第１方向へ向かう電流磁界が生じる方向へセンス電流を流す電流供給手段と
を備え、かつ、以下の条件式（２）を満足することを特徴とする磁気抵抗効果素子。
−１．５ｍＡ≦（Ｍｓ２×Ｔ２−Ｍｓ１×Ｔ１）≦０．３９ｍＡ  ……（２）
【請求項３】
以下の条件式（３）を満足することを特徴とする請求項２に記載の磁気抵抗効果素子。
０ｍＡ＜（Ｍｓ２×Ｔ２−Ｍｓ１×Ｔ１）≦０．３９ｍＡ  ……（３）
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の磁気抵抗効果素子を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の磁気抵抗効果素子を有する薄膜磁気ヘッドが一側面に設けられた磁気ヘッドスライダと、
この磁気ヘッドスライダが一端に取り付けられたサスペンションと
を有することを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項６】
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の磁気抵抗効果素子を有する薄膜磁気ヘッドが一側面に設けられた磁気ヘッドスライダと、
この磁気ヘッドスライダが一端に取り付けられたサスペンションと、
このサスペンションの他端を支持するアームと
を含むことを特徴とするヘッドアームアセンブリ。
【請求項７】
磁気記録媒体と、ヘッドアームアセンブリとを備えた磁気ディスク装置であって、
前記ヘッドアームアセンブリは、
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の磁気抵抗効果素子を有する薄膜磁気ヘッドが一側面に設けられた磁気ヘッドスライダと、
この磁気ヘッドスライダが一端に取り付けられたサスペンションと、
このサスペンションの他端を支持するアームと、
を含むことを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項８】
イリジウムマンガン合金（ＩｒＭｎ）を含む固定作用層と、
この固定作用層により第１方向に固定された磁化方向を有する第１の強磁性層と、中間層と、前記固定作用層により前記第１方向と反対の第２方向に固定された磁化方向を有する第２の強磁性層とが前記固定作用層の側から順に積層された磁化固着層と、
この磁化固着層の、前記固定作用層とは反対側に設けられた非磁性層と、
この非磁性層の、前記磁化固着層とは反対側に設けられ、外部磁界に応じて磁化方向が変化するように構成された磁化自由層と
を有する磁気抵抗効果素子を駆動する方法であって、
以下の条件式（１）を満足する場合に、前記磁気抵抗効果素子の積層面内方向のうち、前記第２の強磁性層の内部に前記第２方向へ向かう電流磁界が生じる方向へセンス電流を流し、
以下の条件式（２）を満足する場合に、前記磁気抵抗効果素子の積層面内方向のうち、前記第１の強磁性層の内部に前記第１方向へ向かう電流磁界が生じる方向へセンス電流を流す
ことを特徴とする磁気抵抗効果素子の駆動方法。
０．６ｍＡ≦（Ｍｓ２×Ｔ２−Ｍｓ１×Ｔ１）≦１．５ｍＡ  ……（１）
−１．５ｍＡ≦（Ｍｓ２×Ｔ２−Ｍｓ１×Ｔ１）≦０．３９ｍＡ  ……（２）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、イリジウムマンガン合金（ＩｒＭｎ）系の固定作用層を有する磁気抵抗効果素子を備えた薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置、ならびに上記のような磁気抵抗効果素子の駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、磁気情報（以下、単に情報という。）の記録および読出を行うものとして磁気ディスク装置が用いられている。磁気ディスク装置は、例えば筐体の内部に、情報が格納される磁気ディスクと、この磁気ディスクへの情報の記録および磁気ディスクに記録された情報の再生を行う薄膜磁気ヘッドとを備えたものである。薄膜磁気ヘッドは、磁気ディスクと対向する記録媒体対向面（ＡＢＳ；Air Bearing Surface）を有する記録ヘッドおよび再生ヘッドを含んで構成されている。再生ヘッドは、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ：Giant Magnetoresistive）効果を示す巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）を備えている。特に、スピンバルブ（ＳＶ：spin valve）型のＧＭＲ素子が一般的に用いられている。
【０００３】
このＳＶ型のＧＭＲ素子（ＳＶ−ＧＭＲ素子）は、非磁性の中間層を介して、磁化方向が一定方向に固着された磁性層（磁化固着層）と、磁化方向が磁気ディスクからの信号磁界に応じて変化する磁性層（磁化自由層）とが積層された構造のＳＶ膜を有しており、再生動作の際には、センス電流が積層面内方向へ流れるように構成されている。このようなＧＭＲ素子は、特に、ＣＩＰ（Current in Plane）−ＧＭＲ素子と呼ばれる。この場合、ＳＶ膜の２つの磁性層（磁化固着層および磁化自由層）における磁化方向の相対角度に応じてセンス電流を流した際に電気抵抗（すなわち電圧）が変化するようになっている。磁化固着層は、反強磁性材料からなる固定作用層と隣接している。この固定作用層は、磁化固着層との間に交換結合力を発生させることにより磁化固着層と交換結合している。ＳＶ−ＧＭＲ素子の特性や信頼性は交換結合力の大きさやその熱安定性に依存することから、交換結合力および耐熱性を高めるため、ニッケルマンガン合金（ＮｉＭｎ）や白金マンガン合金（ＰｔＭｎ）を用いた反強磁性層が広く採用されてきている。
【０００４】
さらに、磁化固着層を、２つの強磁性層（第１および第２の強磁性層）とこの間に設けられた非磁性中間層とを有する３層のシンセティック構造とすることにより、第１および第２の強磁性層の間に強い交換結合力を生じさせ、反強磁性層との交換結合力を実効的に増大させるようにしたＳＶ−ＧＭＲ素子が考案されている（例えば特許文献１）。また、反強磁性層と磁化固着層との間にマッチング層を挿入することにより、交換結合力を増大させるようにしたものも開示されている（例えば特許文献２）。
【特許文献１】特開２０００−１３７９０６号公報
【特許文献２】特開平９−８２５２４号公報
【０００５】
ところで、近年、磁気ディスクの高記録密度化（大容量化）に伴い、薄膜磁気ヘッドの薄型化（狭ギャップ化）が強く求められてきている。しかし、反強磁性層として、上記のＮｉＭｎやＰｔＭｎなどの規則合金（反強磁性的な特性を発現するために規則正しい原子配列が必要とされる材料）を用いた場合には、十分な交換結合力を確保するために少なくとも１０ｎｍ程度の厚みが必要であることから、薄型化の要求に対して十分に応えることができない。また、反強磁性層の厚みはＳＶ−ＧＭＲ素子全体の厚みに占める割合が比較的高いので、反強磁性層以外の厚みを低減することにより全体の薄型化を図るようにした場合には、反強磁性層に流れるセンス電流の割合が相対的に大きくなってしまうので、再生ヘッドとしての出力劣化を招く結果となる。
【０００６】
一方、イリジウムマンガン合金（ＩｒＭｎ）を反強磁性層に適用したＳＶ−ＧＭＲ素子が開示されている（例えば特許文献３）。このＩｒＭｎを用いた反強磁性層であれば、１０ｎｍを下回る厚みであっても磁化固着層との十分な交換結合力が得られ、その結果、再生ヘッドとしての出力劣化を防ぐことができる。
【特許文献３】特開平９−１４８１３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記特許文献３のＳＶ−ＧＭＲ素子であっても、その厚みが１０ｎｍを下回る場合には耐熱性の面で不十分であり、例えば２００℃以上の高温環境下において反強磁性層と磁化固着層との交換結合力が劣化してしまうおそれがある。
【０００８】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、高記録密度化に対応しつつ、より高い温度環境下であっても十分な出力特性を安定して維持することのできる磁気抵抗効果素子ならびにそれを搭載した薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置を提供することにある。本発明の第２の目的は、上記のような磁気抵抗効果素子の駆動方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１の磁気抵抗効果素子は、磁気抵抗効果膜と、この磁気抵抗効果膜の端面の少なくとも一部とそれぞれ隣接し、かつ、互いに対向して延在する一対の導電リード層と、この一対の導電リード層を介して、磁気抵抗効果膜の積層面内方向のうち、第２の強磁性層の内部に第２方向へ向かう電流磁界が生じる方向へセンス電流を流す電流供給手段とを備え、かつ、以下の条件式（１）を満足するようにしたものである。
０．６ｍＡ≦（Ｍｓ２×Ｔ２−Ｍｓ１×Ｔ１）≦１．５ｍＡ  ……（１）
条件式（１）において、Ｍｓ１は第１の強磁性層の飽和磁化(Ａ／ｍ)であり、Ｔ１は第１の強磁性層の厚み(ｍ)であり、Ｍｓ２は第２の強磁性層の飽和磁化(Ａ／ｍ)であり、Ｔ２は第２の強磁性層の厚み（ｍ）である。ここで、磁気抵抗効果膜は、イリジウムマンガン合金（ＩｒＭｎ）を含む固定作用層と、この固定作用層により第１方向に固定された磁化方向を有する第１の強磁性層と中間層と固定作用層により第１方向と反対の第２方向に固定された磁化方向を有する第２の強磁性層とが固定作用層の側から順に積層された磁化固着層と、この磁化固着層の、固定作用層とは反対側に設けられた非磁性層と、この非磁性層の、磁化固着層とは反対側に設けられ、外部磁界に応じて磁化方向が変化するように構成された磁化自由層とを有している。また、本発明の第１の薄膜磁気ヘッドは上記の磁気抵抗効果素子を有するものであり、本発明の第１のヘッドジンバルアセンブリは、そのような薄膜磁気ヘッドが一側面に設けられた磁気ヘッドスライダと、この磁気ヘッドスライダが一端に取り付けられたサスペンションとを有するものである。また、本発明の第１のヘッドアームアセンブリは、上記のヘッドジンバルアセンブリと、上記のサスペンションの他端を支持するアームとを含むようにしたものである。さらに、本発明の第１の磁気ディスク装置は、磁気記録媒体と、上記のヘッドアームアセンブリとを備えるようにしたものである。
【００１０】
本発明の第２の磁気抵抗効果素子は、磁気抵抗効果膜と、この磁気抵抗効果膜の端面の少なくとも一部とそれぞれ隣接し、かつ、互いに対向して延在する一対の導電リード層と、この一対の導電リード層を介して、磁気抵抗効果膜の積層面内方向のうち、第２の強磁性層の内部に第２方向へ向かう電流磁界が生じる方向へセンス電流を流す電流供給手段とを備え、かつ、以下の条件式（２）を満足するようにしたものである。
−１．５ｍＡ≦（Ｍｓ２×Ｔ２−Ｍｓ１×Ｔ１）≦０．３９ｍＡ  ……（２）
ここで、磁気抵抗効果膜は、イリジウムマンガン合金（ＩｒＭｎ）を含む固定作用層と、この固定作用層により第１方向に固定された磁化方向を有する第１の強磁性層と中間層と固定作用層により第１方向と反対の第２方向に固定された磁化方向を有する第２の強磁性層とが固定作用層の側から順に積層された磁化固着層と、この磁化固着層の、固定作用層とは反対側に設けられた非磁性層と、この非磁性層の、磁化固着層とは反対側に設けられ、外部磁界に応じて磁化方向が変化するように構成された磁化自由層とを有している。また、本発明の第２の薄膜磁気ヘッドは上記の磁気抵抗効果素子を有するものであり、本発明の第２のヘッドジンバルアセンブリは、そのような薄膜磁気ヘッドが一側面に設けられた磁気ヘッドスライダと、この磁気ヘッドスライダが一端に取り付けられたサスペンションとを有するものである。また、本発明の第２のヘッドアームアセンブリは、上記のヘッドジンバルアセンブリと、上記のサスペンションの他端を支持するアームとを含むようにしたものである。さらに、本発明の第２の磁気ディスク装置は、磁気記録媒体と、上記のヘッドアームアセンブリとを備えるようにしたものである。
【００１１】
本発明の第１および第２の磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置では、磁気抵抗効果膜がそれぞれ上記の構成を有することにより、上記の所定方向へセンス電流を流したときに第１の強磁性層の磁化方向と第２の強磁性層の磁化方向とがいずれも反転することなく安定化し、磁化固着層と反強磁性層との交換結合力が増大する。特に、本発明の第２の磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置では、以下の条件式（３）を満足するように構成することが望ましい。
０ｍＡ＜（Ｍｓ２×Ｔ２−Ｍｓ１×Ｔ１）≦０．３９ｍＡ  ……（３）
【００１２】
本発明の磁気抵抗効果素子の駆動方法は、イリジウムマンガン合金（ＩｒＭｎ）を含む固定作用層と、この固定作用層により第１方向に固定された磁化方向を有する第１の強磁性層と中間層と固定作用層により第１方向と反対の第２方向に固定された磁化方向を有する第２の強磁性層とが固定作用層の側から順に積層された磁化固着層と、この磁化固着層の、固定作用層とは反対側に設けられた非磁性層と、この非磁性層の、磁化固着層とは反対側に設けられ、外部磁界に応じて磁化方向が変化するように構成された磁化自由層とを有する磁気抵抗効果素子を駆動する方法である。ここで、以下の条件式（１）を満足する場合に、磁気抵抗効果素子の積層面内方向のうち、第２の強磁性層の内部に第２方向へ向かう電流磁界が生じる方向へセンス電流を流し、以下の条件式（２）を満足する場合に、磁気抵抗効果素子の積層面内方向のうち、第１の強磁性層の内部に第１方向へ向かう電流磁界が生じる方向へセンス電流を流すようにする。
０．６ｍＡ≦（Ｍｓ２×Ｔ２−Ｍｓ１×Ｔ１）≦１．５ｍＡ  ……（１）
−１．５ｍＡ≦（Ｍｓ２×Ｔ２−Ｍｓ１×Ｔ１）≦０．３９ｍＡ  ……（２）
【００１３】
本発明の磁気抵抗効果素子の駆動方法では、上記の条件式（１）および（２）のように、第１の強磁性層における飽和磁化および厚みの積と、第２の強磁性層における飽和磁化および厚みの積との差に応じてセンス電流の流れる方向が適切に選択されるので、第１の強磁性層の磁化方向と第２の強磁性層の磁化方向とがいずれも反転することなく安定化し、磁化固着層と反強磁性層との交換結合力が増大する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の第１の磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置によれば、ＩｒＭｎを含む固定作用層と、この固定作用層により第１方向に固定された磁化方向を有する第１の強磁性層と中間層と固定作用層により第２方向に固定された磁化方向を有する第２の強磁性層とが固定作用層の側から順に積層された磁化固着層と、この磁化固着層の、固定作用層とは反対側に設けられた非磁性層と、この非磁性層の、磁化固着層とは反対側に設けられ、外部磁界に応じて磁化方向が変化するように構成された磁化自由層とを有する磁気抵抗効果膜と、この磁気抵抗効果膜の端面の少なくとも一部とそれぞれ隣接し、かつ、互いに対向して延在する一対の導電リード層と、この一対の導電リード層を介して、磁気抵抗効果膜の積層面内方向のうち、第２の強磁性層の内部に第２方向へ向かう電流磁界が生じる方向へセンス電流を流す電流供給手段とを備え、かつ、所定の条件式（１）を満足するようにしたので、より高い温度環境下であっても第１および第２の磁化方向を安定化することができ、磁化固着層と固定作用層との交換結合力を増大させることができる。したがって、磁気抵抗効果膜を薄型化することにより高記録密度化に対応しつつ、高温環境下であっても十分な出力特性を安定して維持することができる。
【００１５】
本発明の第２の磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置によれば、ＩｒＭｎを含む固定作用層と、この固定作用層により第１方向に固定された磁化方向を有する第１の強磁性層と中間層と固定作用層により第２方向に固定された磁化方向を有する第２の強磁性層とが固定作用層の側から順に積層された磁化固着層と、この磁化固着層の、固定作用層とは反対側に設けられた非磁性層と、この非磁性層の、磁化固着層とは反対側に設けられ、外部磁界に応じて磁化方向が変化するように構成された磁化自由層とを有する磁気抵抗効果膜と、この磁気抵抗効果膜の端面の少なくとも一部とそれぞれ隣接し、かつ、互いに対向して延在する一対の導電リード層と、この一対の導電リード層を介して、磁気抵抗効果膜の積層面内方向のうち、第１の強磁性層の内部に第１方向へ向かう電流磁界が生じる方向へセンス電流を流す電流供給手段とを備え、かつ、所定の条件式（２）を満足するようにしたので、より高い温度環境下であっても第１および第２の磁化方向を安定化することができ、磁化固着層と固定作用層との交換結合力を増大させることができる。したがって、磁気抵抗効果膜を薄型化することにより高記録密度化に対応しつつ、高温環境下であっても十分な出力特性を安定して維持することができる。特に、所定の条件式（３）を満足するようにすると、第１の強磁性層と第２の強磁性層との磁気モーメントのバランスがより良好となり、磁化固着層からの漏れ磁界を低減することができる。
【００１６】
本発明の磁気抵抗効果素子の駆動方法によれば、ＩｒＭｎを含む固定作用層と、この固定作用層により第１方向に固定された磁化方向を有する第１の強磁性層と中間層と固定作用層により第２方向に固定された磁化方向を有する第２の強磁性層とが固定作用層の側から順に積層された磁化固着層と、この磁化固着層の、固定作用層とは反対側に設けられた非磁性層と、この非磁性層の、磁化固着層とは反対側に設けられ、外部磁界に応じて磁化方向が変化するように構成された磁化自由層とを有する磁気抵抗効果素子を駆動する場合において、所定の条件式（１）を満足するときに、磁気抵抗効果素子の積層面内方向のうち、第２の強磁性層の内部に第２方向へ向かう電流磁界が生じる方向へセンス電流を流し、所定の条件式（２）を満足するときに、磁気抵抗効果素子の積層面内方向のうち、第１の強磁性層の内部に第１方向へ向かう電流磁界が生じる方向へセンス電流を流すようにしたので、より高い温度環境下であっても磁化固着層と固定作用層との交換結合力を増大させ、十分に安定した出力を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００１８】
［第１の実施の形態］
最初に、図１から図３を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る磁気抵抗効果素子を有する薄膜磁気ヘッドの構成について説明する。
【００１９】
図１は、ＨＤＤ（Hard Disc Drive）などの磁気ディスク装置におけるスライダの一側面に形成された、本実施の形態の磁気抵抗効果素子としての再生ヘッド部１０Ａを有する薄膜磁気ヘッド１０の構成を表す分解斜視図である。図２は、図１に示したII−II線に沿った矢視方向の構造を表す断面図である。さらに、図３は図２に示したIII−III線に沿った矢視方向の構造を表す断面図である。したがって、図２および図３は互いに直交する断面を表している。
【００２０】
図１および図２に示したように、薄膜磁気ヘッド１０は、スライダを構成するアルティック（Ａｌ2Ｏ3・ＴｉＣ）等からなるブロック状の基体１の一側面上に、再生ヘッド部１０Ａと記録ヘッド部１０Ｂとが順に積層されて一体に構成されたものである。再生ヘッド部１０Ａは、磁気ディスク（図示せず）の記録面に記録された磁気情報を再生するためのものであり、一方の記録ヘッド部１０Ｂは、磁気ディスクの記録面に磁気情報を記録するためのものである。
【００２１】
再生ヘッド部１０Ａは、センス電流がＭＲ膜１４の内部を積層面内方向に流れるように構成されたＣＩＰ（Current In Plane）−ＧＭＲ（Giant Magnetoresistive）構造をなしている。具体的には、再生ヘッド部１０Ａは、磁気ディスクの記録面と対向するエアベアリング面（ＡＢＳ；Air Bearing Surface）１Ｆに露出する側において、基体１の上に下部シールド層１１、下部ギャップ層１２、ＭＲ膜１４、上部ギャップ層２０および上部シールド層２１が順に積層されたものである。ここで、下部ギャップ層１２と上部ギャップ層２０との間には、ＭＲ膜１４の両側の端面に隣接して延在する一対の磁区制御層１５（１５Ｌ，１５Ｒ）および一対の導電リード層１６（１６Ｌ，１６Ｒ）とが配置されている（図３）。また、上部ギャップ層２０は、ＭＲ膜１４の後方をも取り囲むように設けられている。
【００２２】
下部シールド層１１および上部シールド層２１は、例えば、ニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ）などの軟磁性金属材料によりそれぞれ構成され、下部ギャップ層１２および上部ギャップ層２０を介してＭＲ膜１４を積層方向（Ｚ方向）に挟むことにより、不要な磁界の影響がＭＲ膜１４に及ばないように機能するものである。下部ギャップ層１２は酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、二酸化珪素（ＳｉＯ2）またはダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）などの絶縁性材料からなり、下部シールド層１１とＭＲ膜１４との電気的な絶縁をおこなう。上部ギャップ層２０は、下部ギャップ層１１と同様の絶縁性材料からなり、上部シールド層２０とＭＲ膜１４との電気的な絶縁をおこなう。
【００２３】
ＭＲ膜１４は、磁気ディスクの記録情報に起因した信号磁界変化を検知するセンサ部分として機能し、例えば下部ギャップ層１１の側から下地層３１、固定作用層（ピンニング層）３２、磁化固着層（ピンド層）３３、非磁性層３４、磁化自由層（フリー層）３５および保護層３６が順に積層されたスピンバルブ構造をなすものである。
【００２４】
下地層（バッファ層ともいう。）３１は、例えば５ｎｍの厚みを有するニッケルクロム合金（ＮｉＣｒ）等からなり、固定作用層３２と磁化固着層３３との交換結合が安定化するように機能するものである。固定作用層３２は、反強磁性を示すイリジウムマンガン合金（ＩｒＭｎ）からなり、例えば５．５ｎｍの厚みを有している。固定作用層３２は、一定方向（＋Ｙ方向）のスピン磁気モーメントと、これと反対方向（−Ｙ方向）のスピン磁気モーメントとが完全に打ち消し合った状態にあり、磁化固着層３３の磁化方向を＋Ｙ方向または−Ｙ方向へ固定する、いわゆるピンニング層として機能するものである。
【００２５】
磁化固着層３３は、いわゆるシンセティック構造と呼ばれる３層構造をなしており、固定作用層３２の側から順に外側ピンド層３３１と中間層３３２と内側ピンド層３３３とが形成されたものである。外側ピンド層３３１は、第１方向（＋Ｙ方向）に固着された磁化方向Ｊ３３１を有しており、一方の内側ピンド層３３３は、磁化方向Ｊ３３１とは反対の第２方向（−Ｙ方向）に固着された磁化方向Ｊ３３３を有している。外側ピンド層３３１および内側ピンド層は、コバルト鉄合金（ＣｏＦｅ）、鉄タンタル合金（ＦｅＴａ）、ＮｉＦｅ、コバルト鉄ホウ素合金（ＣｏＦｅＢ）および鉄ニッケルコバルト合金（ＦｅＮｉＣｏ）等により構成され、例えば１．５ｎｍ〜２．０ｎｍの厚みをなしている。さらに、中間層３３２は、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）またはイリジウム（Ｉｒ）などの非磁性金属材料からなり、例えば０．８ｎｍの厚みをなしている。外側ピンド層３３１および内側ピンド層３３３は、中間層３３２を介して互いに反強磁性的な交換結合をしており、それらの磁化方向Ｊ３３１，Ｊ３３３が固定作用層３２によって固着されている。外側ピンド層３３１は、単層構造としてもよいし、または積層構造としてもよい。例えば、組成比の異なるコバルト鉄合金が３層積層された構造（例えば「Ｃｏ90Ｆｅ10／Ｆｅ70Ｃｏ30／Ｃｏ90Ｆｅ10」など）としてもよい。
【００２６】
ここで、外側ピンド層３３１の飽和磁化および厚みをそれぞれＭｓ１，Ｔ１とし、内側ピンド層３３３の飽和磁化および厚みをそれぞれＭｓ２，Ｔ２とした場合に、以下の条件式（１）を満足するように構成されている。なお、数値の単位はミリアンペア(ｍＡ)である。
０．６ｍＡ≦（Ｍｓ２×Ｔ２−Ｍｓ１×Ｔ１）≦１．５ｍＡ  ……（１）
この式は、外側ピンド層３３１と内側ピンド層３３３とにおける磁気モーメントの比を規定するものといえる。
【００２７】
非磁性層３４は、例えば銅や金などの高い電気伝導率を有する（電気抵抗の小さな）非磁性金属材料からなり、その厚みは例えば１．７ｎｍである。非磁性層３４は、磁化自由層３５と磁化固着層３３（主に内側ピンド層３３３）との磁気的な結合を切り離すように機能するものである。読出動作時に流れるセンス電流Ｉｓは、一方の導電リード層１６Ｒから主に非磁性層３４を通過して他方の導電リード層１６Ｌへ向けて流れるように構成されている。このとき、上述した電気抵抗の小さな材料により非磁性層３４を構成することにより、そのセンス電流Ｉｓの受ける散乱を最小限に抑えることができる。
【００２８】
磁化自由層３５は、例えば１ｎｍ〜４ｎｍの厚みをなし、外部磁界（例えば磁気ディスクからの信号磁界）に応じて変化する磁化方向を示すものである。磁化自由層２５は、コバルト鉄合金（ＣｏＦｅ）やニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ）などの強磁性材料からなる単層構造であってもよいし、例えばＣｏＦｅやＮｉＦｅなどからなる一対の強磁性層の間に銅やルテニウムなどからなる非磁性層が形成された３層構造であってもよい。保護層３６は、例えば、１ｎｍ〜５ｎｍの厚みを有する銅やタンタルなどにより構成され、製造過程において、成膜後のＭＲ膜１４を保護するように機能する。
【００２９】
一対の磁区制御層１５（１５Ｌ，１５Ｒ）は、磁気バイアスを印加することにより磁化自由層３５における磁区の向きを揃え、単磁区化を促進し、バルクハウゼンノイズの発生を抑制するように機能する。一対の磁区制御層１５（１５Ｌ，１５Ｒ）は、例えばコバルト白金合金（ＣｏＰｔ）などの硬磁性材料により構成されている。一対の導電リード層１６（１６Ｌ，１６Ｒ）は、ＭＲ膜１４に対して積層面内方向（ここでは＋Ｘ方向）へセンス電流Ｉｓを流すための電流経路となるものであり、それぞれ一対の電極１６ＬＰ，１６ＲＰに接続されている。一対の電極１６ＬＰ，１６ＲＰは電流供給手段としての定電流回路５０と接続されており、一対の導電リード層１６（１６Ｌ，１６Ｒ）を介してＭＲ膜１４にセンス電流が流れるようになっている。
【００３０】
このような構成の再生ヘッド部１０Ａでは、ＭＲ膜１４の磁化自由層３５の磁化方向が、磁気ディスクからの信号磁界に応じて変化する。このため、内側ピンド層３３３の磁化方向Ｊ３３３との相対的な変化を生じることとなる。ここで一対の導電リード層１６を介してＭＲ膜１４へセンス電流Ｉｓを流すと磁化方向の相対的変化が電気抵抗の変化として現れるので、これを利用することにより信号磁界を検知し磁気情報を読み出すようになっている。
【００３１】
一方、記録ヘッド部１０Ｂは、下部磁極としても機能する上部シールド層２１、記録ギャップ層４１、ポールチップ４２、コイル４３、絶縁層４４、連結部４５および上部磁極４６を有している。
【００３２】
記録ギャップ層４１は、Ａｌ2Ｏ3などの絶縁材料によって形成され、コイル４３のＸＹ平面における中心部に対応する位置に、磁路形成のための開口部４１Ａを有してる。銅（Ｃｕ）や金（Ａｕ）などにより構成されたコイル４３は、開口部４１Ａを中心として渦を巻くように記録ギャップ層４１上に設けられており、フォトレジストなどからなる絶縁層４４によって覆われている。コイル４３の両端末はそれぞれ電極４３Ｓ，４３Ｅに接続されている。上部磁極４６は、記録ギャップ層４１、開口部４１Ａおよび絶縁層４４を覆うように形成されている。この上部磁極４６は、例えばニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ）などの高飽和磁束密度を有する軟磁性材料よりなり、連結部４５を介して開口部４１Ａにおいて上部シールド層２１と接続しており、互いに磁気的に連結している。
【００３３】
このような構成を有する記録ヘッド部１０Ｂは、コイル４３に流れる書込電流により、主に下部磁極としての上部シールド層２１と上部磁極４６とを含むように構成される磁路内部に磁束が発生する。これにより記録ギャップ層４１の近傍に信号磁界が生じるので、その信号磁界によって磁気ディスクの記録面上における所定の領域部分を磁化し、情報を記録するようになっている。
【００３４】
次に、図１から図３を参照して、薄膜磁気ヘッド１０の製造方法について説明する。
【００３５】
まず、スパッタリング法などを用い、基体１上の、薄膜磁気ヘッド１０を形成することとなる所望の領域に下部シールド層１１をフレームめっき法などにより選択的に形成する。ここでは、０．５μｍ〜３μｍの厚みをなすように形成する。下部シールド層１１の構成材料としては、ＮｉＦｅのほか、コバルト鉄ニッケル合金（ＣｏＦｅＮｉ）、コバルト鉄合金（ＣｏＦｅ）、窒化鉄（ＦｅＮ）または鉄ジルコニウム窒化物（ＦｅＺｒＮ）などを用いることができる。次いで、この下部シールド層１１を覆うようにスパッタリングなどを用いて、例えば１０ｎｍ〜５０ｎｍの厚みをなす下部ギャップ層１２を形成する。
【００３６】
続いて、下部ギャップ層１２上の最もＡＢＳ１Ｆ側の位置にＭＲ膜１４を形成すると共に、このＭＲ膜１４と隣接する磁区制御層１５Ｌ，１５Ｒおよび導電リード層１６Ｌ，１６Ｒを形成する。ここでは、まず、下部ギャップ層１２を覆うように全面に亘って下地層３１、固定作用層３２、磁化固着層３３、非磁性層３４、磁化自由層３５および保護層３６が順に積層された多層膜を形成し、その多層膜を選択的に覆うようにマスクパターン（図示せず）を形成する。このマスクパターンは、磁区制御層１５Ｌ，１５Ｒおよび導電リード層１６Ｌ，１６Ｒの形状に対応する開口部を有している。このマスクパターンを利用したミリングにより上記の多層膜をエッチングしたのち、多層膜を除去した領域に、スパッタリング法を用いて磁区制御層１５Ｌ，１５Ｒと導電リード層１６Ｌ，１６Ｒとを順に積層する。そののち、マスクパターンをアセトンやＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）等の有機溶剤により溶解除去する。さらに、ＭＲ膜１４と導電リード層１６Ｌ，１６Ｒとを合わせた形状をなす他のマスクパターン（図示せず）を形成し、これをマスクとして利用したミリングにより不要な部分の多層膜を除去する。こうすることにより、ＭＲ膜１４、磁区制御層１５Ｌ，１５Ｒおよび導電リード層１６Ｌ，１６Ｒの形成が完了する。なお、上記のマスクパターンは、溶解除去操作を容易とするため、断面が逆台形状（底面が最も幅が狭く、上面に向かうほど幅が広がる形状）とすることが望ましい。
【００３７】
こののち、ＭＲ膜１４、磁区制御層１５Ｌ，１５Ｒおよび導電リード層１６Ｌ，１６Ｒを覆うように上部ギャップ層２０を形成する。ここでは、スパッタリング法やＣＶＤ法などにより、例えば１０ｎｍ〜５０ｎｍの厚みをなすように形成する。さらに上部ギャップ層２０の上に、フレームめっき法などを用いて０．５μｍ〜３．０μｍの厚みの上部シールド層２１を形成する。なお、これら上部ギャップ層２０および上部シールド層２１は、少なくとも下部シールド層１１と対応する領域を占めるように形成する。以上により、再生ヘッド部１０Ａの形成が一旦終了する。
【００３８】
続いて、上部シールド層２１を選択的に覆うように開口部４１Ａを有する記録ギャップ層４１を形成する。ここでは、スパッタリング法やＣＶＤ法を用いて１０ｎｍ〜５０ｎｍの厚みとなるようにする。
【００３９】
記録ギャップ層を形成したのち、フレームめっき法によりポールチップ４２、コイル４３および連結部４５を形成する。さらに、コイル４３を覆うように絶縁層４４を形成したのち、全体を覆うようにフレームめっき法などにより上部磁極４６を形成する。
【００４０】
最後に、上部磁極４６を含む全てを覆うように、スパッタリング等により保護膜を形成し、ＣＭＰなどにより平坦化処理をおこなう。これにより、記録ヘッド部１０Ｂの形成が一応終了する。こののち、例えば、基体１を機械研磨するなどしてＡＢＳ１Ｆを形成するなど所定の工程を経ることにより、薄膜磁気ヘッド１０が完成する。
【００４１】
続いて、上記のように構成された薄膜磁気ヘッド１０における再生ヘッド部１０Ａの駆動方法および作用について説明する。
【００４２】
本実施の形態では、外側ピンド層３３１と内側ピンド層３３３とにおける磁気モーメントの比を規定する条件式（１）を満足していることから、外側ピンド層３３１の磁化方向Ｊ３３１に対して内側ピンド層３３３の磁化方向Ｊ３３３が支配的となっている。このため、磁化方向Ｊ３３３をアシストする方向（−Ｙ方向）へ電流磁界を発生させることにより磁化方向Ｊ３３１，Ｊ３３３を安定化させ、固定作用層３２との交換結合力を増大させることができる。したがって、本実施の形態の再生ヘッド部１０Ａを用いて磁気ディスクの磁気情報を読み出す（センシングする）場合には、ＭＲ膜１４の内部（実質的には非磁性層３４）を通過するように＋Ｘ方向へセンス電流Ｉｓを流し、内側ピンド層３３３の内部に−Ｙ方向へ向かう電流磁界を発生させるようにする。その結果、磁化固着層３３と固定作用層３２との交換結合が安定化しＭＲ膜１４の耐熱性が向上するので、より高い温度環境下であっても十分な出力特性を安定して得ることができる。
【００４３】
ここで、条件式（１）の下限値を下回った場合に、ＭＲ膜１４の内部を通過するように＋Ｘ方向へセンス電流Ｉｓを流すようにしてしまうと、磁化方向Ｊ３３１，Ｊ３３３が反転してしまい、正確なセンシングができなくなる場合がある。一方、条件式（１）の上限値を上回った場合には、磁化自由層３５に対する磁化固着層３３からの漏れ磁界の影響が無視できないほど大きくなってしまい、再生波形の対称性が悪化するという問題が発生するので好ましくない。
【００４４】
このように、本実施の形態では、ＩｒＭｎからなる固定作用層３２を有すると共に条件式（１）を満足するＭＲ膜１４に対して、＋Ｘ方向へセンス電流Ｉｓを流すことにより内側ピンド層３３３の内部に−Ｙ方向へ向かう電流磁界を発生させるようにしたので、高温環境下であっても安定した出力特性を得ることができる。よって、さらなる高記録密度化に有利となる。
【００４５】
［第２の実施の形態］
次に、図４を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドについて説明する。
【００４６】
図４は、本実施の形態の薄膜磁気ヘッド１０における再生ヘッド部１０Ａの断面構成を表すものであり、上記第１の実施の形態における図３に対応している。図４では、図３に示した構成要素と実質的に同一の部分には同一の符号を付している。
【００４７】
なお、以下の説明では、本実施の形態の再生ヘッド部１０Ａの構成およびその駆動方法について、主に上記第１の実施の形態と異なる点について説明し、他の事項の説明については適宜省略する。
【００４８】
上記第１の実施の形態では、磁化固着層３３において条件式（１）を満足するように構成し、その場合の駆動方法について説明するようにした。これに対し、本実施の形態では、磁化固着層３３において下記の条件式（２）を満足するように構成する。
−１．５ｍＡ≦（Ｍｓ２×Ｔ２−Ｍｓ１×Ｔ１）≦０．３９ｍＡ  ……（２）
【００４９】
本実施の形態では、外側ピンド層３３１と内側ピンド層３３３とにおける磁気モーメントの比を規定する条件式（２）を満足している。この条件式（２）は、外側ピンド層３３１の磁化方向Ｊ３３１に対して内側ピンド層３３３の磁化方向Ｊ３３３が支配的となるものと、一般的に予想される範囲（後述の条件式（３）の範囲）を含んでいるが、実際には（後述の実施例１に示すように）、内側ピンド層３３３の磁化方向Ｊ３３３に対して外側ピンド層３３１の磁化方向Ｊ３３１が支配的となる。このため、磁化方向Ｊ３３１をアシストする方向（＋Ｙ方向）へ電流磁界を発生させることにより磁化方向Ｊ３３１，Ｊ３３３を安定化させ、固定作用層３２との交換結合力を増大させることができる。したがって、本実施の形態の再生ヘッド部１０Ａを用いて磁気ディスクの磁気情報を読み出す（センシングする）場合には、ＭＲ膜１４の内部（実質的には非磁性層３４）を通過するように−Ｘ方向へセンス電流Ｉｓを流し、外側ピンド層３３１の内部に＋Ｙ方向へ向かう電流磁界を発生させるようにする。その結果、磁化固着層３３と固定作用層３２との交換結合が安定化しＭＲ膜１４の耐熱性が向上するので、より高い温度環境下であっても十分な出力特性を安定して得ることができる。
【００５０】
ここで、条件式（２）の上限値を上回った場合に、ＭＲ膜１４の内部を通過するように−Ｘ方向へセンス電流Ｉｓを流すようにしてしまうと、磁化方向Ｊ３３１，Ｊ３３３が反転してしまい、正確なセンシングができなくなる場合がある。一方、条件式（２）の下限値を下回った場合には、磁化自由層３５に対する磁化固着層３３からの漏れ磁界の影響が無視できないほど大きくなってしまい、再生波形の対称性が悪化するという問題が発生するので好ましくない。本実施の形態では、特に、下記の条件式（３）を満足するようにすると、外側ピンド層３３１と内側ピンド層３３３との磁気モーメントのバランスがより良好となり、磁化固着層３３からの漏れ磁界を低減することができ、磁化自由層３５の磁化方向の安定化に有利となる。
０＜（Ｍｓ２×Ｔ２−Ｍｓ１×Ｔ１）≦０．３９  ……（３）
【００５１】
このように、本実施の形態では、ＩｒＭｎからなる固定作用層３２を有すると共に条件式（２）（より好ましくは条件式（３））を満足するＭＲ膜１４に対して、−Ｘ方向へセンス電流Ｉｓを流すことにより外側ピンド層３３１の内部に＋Ｙ方向へ向かう電流磁界を発生させるようにしたので、高温環境下であっても安定した出力特性を得ることができる。よって、さらなる高記録密度化に有利となる。
【実施例】
【００５２】
次に、本発明の具体的な実施例について説明する。
【００５３】
以下に述べる本発明の実施例は、上記実施の形態において説明した図３または図４のＭＲ素子を備えた薄膜磁気ヘッドのサンプルを作製し、所定方向へセンス電流Ｉｓを流した場合に外側ピンド層および内側ピンド層における磁化方向がどのように変化するかについて調査したものである。
【００５４】
＜実施例１＞
本実施例では、以下の構造のＭＲ膜１４について、１３０℃の環境温度下において４ｍＡのセンス電流を印加し、外側ピンド層３３１および内側ピンド層３３３における磁化方向Ｊ３３１，Ｊ３３３がどのように変化するかについて調査した。その結果を表１に示す。
【００５５】
【表１】
2006049539.tif 000003
【００５６】
本実施例のＭＲ膜１４は、５ｎｍ厚のＮｉＣｒからなる下地層３１と、５．５ｎｍ厚のＩｒＭｎからなる固定作用層３２と、Ｃｏ90Ｆｅ10からなる外側ピンド層３３１と、０．８ｎｍ厚のルテニウムからなる中間層３３２と、Ｃｏ90Ｆｅ10からなる内側ピンド層３３３と、１．７ｎｍ厚の銅からなる非磁性層３４と、１．０ｎｍ厚のＣｏＦｅ層および２．０ｎｍ厚のＮｉＦｅ層からなる２層構造の磁化自由層３５と、０．５ｎｍ厚のルテニウム層および２．０ｎｍ厚のタンタル層からなる保護層３６とが順に積層されたものである。Ｃｏ90Ｆｅ10の飽和磁化Ｍｓは１５１０ｋＡ／ｍである。
【００５７】
表１では、最も左側の列（項目）から順に、条件番号、外側ピンド層の厚み（ｎｍ）、内側ピンド層の厚み（ｎｍ）、飽和磁化と厚みとの積（以下、磁気膜厚という。）の差分Δ（Ｍｓ×Ｔ）＝Ｍｓ１×Ｔ１−Ｍｓ２×Ｔ２（ｍＡ）および磁化方向の反転率（％）を示す。ここで、磁化方向の反転率は、＋Ｘ方向（内側ピンド層をアシストする方向）へセンス電流Ｉｓを流す場合と、−Ｘ方向（外側ピンド層をアシストする方向）へセンス電流Ｉｓを流す場合とについて、それぞれ内側ピンド層３３３および外側ピンド層３３１の磁化方向Ｊ３３３，Ｊ３３１が反転してしまう確率を調査したものである。すなわち、反転率が０％であるということは、その条件下において全てのサンプルの磁化方向Ｊ３３３，Ｊ３３１が反転せずに保持されたことを示す。一方、反転率が１００％であるということは、その条件下において全てのサンプルの磁化方向Ｊ３３３，Ｊ３３１が反転してしまったことを示す。
【００５８】
表１の結果により、磁気膜厚の差分Δ（Ｍｓ×Ｔ）が０．６０ｍＡ以上であるとき（条件番号１〜３の場合）には、＋Ｘ方向（内側ピンド層をアシストする方向）へセンス電流Ｉｓを流すことにより磁化方向Ｊ３３３，Ｊ３３１を安定化させることが可能なことがわかった。この状態が第１の実施の形態（図３）に対応する。一方、この条件下で−Ｘ方向（外側ピンド層をアシストする方向）へセンス電流Ｉｓを流してしまうと、５７％〜１００％の確率で磁化方向Ｊ３３３，Ｊ３３１を反転させてしまう結果となった。また、磁気膜厚の差分Δ（Ｍｓ×Ｔ）が０．３８ｍＡ以下であるとき（条件番号６〜２１の場合）には、−Ｘ方向（外側ピンド層をアシストする方向）へセンス電流Ｉｓを流すことにより磁化方向Ｊ３３３，Ｊ３３１を安定化させることができた。この状態が第２の実施の形態（図４）に対応する。ここでは＋Ｘ方向（内側ピンド層をアシストする方向）へセンス電流Ｉｓを流してしまうと、２２％〜１００％の確率で磁化方向Ｊ３３３，Ｊ３３１を反転させてしまう結果となった。
【００５９】
ここで、磁気膜厚の差分Δ（Ｍｓ×Ｔ）が０より大きく０．３８ｍＡ以下の場合、（外側ピンド層３３１よりも内側ピンド層３３３の厚みのほうが大きいことから、）本来、内側ピンド層３３３の磁化方向Ｊ３３３が支配的となるはずである。しかしながら、実際には、この条件下では外側ピンド層３３１の磁化方向Ｊ３３１が支配的となっており、−Ｘ方向（外側ピンド層をアシストする方向）へセンス電流Ｉｓを流すことにより磁化固着層３３の磁化方向が安定化するという結果が得られた。
【００６０】
このことは、図５に示したように、固定作用層３２における外側ピンド層３３１と隣接する界面近傍に強磁性的な挙動を示す層（強磁性的界面層３２Ｓ）が形成され、これに影響された結果と考えることができる。すなわち、強磁性的界面層３２Ｓが外側ピンド層３３１と同一の磁化方向Ｊ３２Ｓを有しており、これによって、強磁性的界面層３２Ｓおよび外側ピンド層３３１の合成の磁気モーメントと、内側ピンド層３３３の磁気モーメントとの均衡が保たれる磁気膜厚の差分Δ（Ｍｓ×Ｔ）の条件が条件式（３）の範囲となっているものと考えられる。したがって、外側ピンド層３３１および内側ピンド層３３３を同一材料により構成する場合には、内側ピンド層３３３の厚みＴ２を外側ピンド層３３１の厚みＴ１よりもわずかに大きくすることにより互いの磁気モーメントのバランスが良好となり、磁化自由層３５などに悪影響を与えかねない磁化固着層３３から漏れ磁界をより低減することができる。
【００６１】
なお、磁気膜厚の差分Δ（Ｍｓ×Ｔ）が０．３８ｍＡより大きく０．６０ｍＡ未満の場合（条件番号４および５の場合）には、＋Ｘ方向または−Ｘ方向のどちらの方向へセンス電流Ｉｓを流しても磁化方向Ｊ３３３，Ｊ３３１が反転してしまい、安定化しなかった。
【００６２】
以上説明したように、本実施例では、条件式（１）を満足するときには、内側ピンド層３３３の内部に−Ｙ方向へ向かう電流磁界が生じるように、＋Ｘ方向へセンス電流Ｉｓを流し、条件式（２）を満足するときには、外側ピンド層３３１の内部に＋Ｙ方向へ向かう電流磁界が生じるように、−Ｘ方向へセンス電流Ｉｓを流すようにすると、１３０℃という高温環境下であっても外側ピンド層３３１および内側ピンド層３３３における磁化方向Ｊ３３１，Ｊ３３３が安定化することが確認された。
【００６３】
＜実施例２＞
本実施例では、以下の構造のＭＲ膜１４について、１３０℃の環境温度下において４ｍＡのセンス電流を印加し、外側ピンド層３３１および内側ピンド層３３３における磁化方向Ｊ３３１，Ｊ３３３がどのように変化するかについて調査した。その結果を表２に示す。
【００６４】
【表２】
2006049539.tif 000004
【００６５】
本実施例のＭＲ膜１４は、５ｎｍ厚のＮｉＣｒからなる下地層３１と、５．５ｎｍ厚のＩｒＭｎからなる固定作用層３２と、０．５ｎｍ厚のＣｏ90Ｆｅ10層，０．５ｎｍ厚のＦｅ70Ｃｏ30層および０．５ｎｍ〜１．０ｎｍ厚のＣｏ90Ｆｅ10層からなる３層構造の外側ピンド層３３１と、０．８ｎｍ厚のルテニウムからなる中間層３３２と、Ｃｏ90Ｆｅ10からなる内側ピンド層３３３と、１．７ｎｍ厚の銅からなる非磁性層３４と、１．０ｎｍ厚のＣｏＦｅ層および２．０ｎｍ厚のＮｉＦｅ層からなる２層構造の磁化自由層３５と、０．５ｎｍ厚のルテニウム層および２．０ｎｍ厚のタンタル層からなる保護層３６とが順に積層されたものである。Ｃｏ90Ｆｅ10の飽和磁化Ｍｓは１５１０ｋＡ／ｍであり、Ｆｅ70Ｃｏ30層の飽和磁化Ｍｓは１７８０ｋＡ／ｍである。
【００６６】
表２の結果により、磁気膜厚の差分Δ（Ｍｓ×Ｔ）が０．６０ｍＡ以上であるとき（条件番号２２の場合）には、＋Ｘ方向（内側ピンド層をアシストする方向）へセンス電流Ｉｓを流すことにより磁化方向Ｊ３３３，Ｊ３３１を安定化させることが可能なことがわかった。この状態が第１の実施の形態（図３）に対応する。また、磁気膜厚の差分Δ（Ｍｓ×Ｔ）が０．３８ｍＡ以下であるとき（条件番号２５〜４２の場合）には、−Ｘ方向（外側ピンド層をアシストする方向）へセンス電流Ｉｓを流すことにより磁化方向Ｊ３３３，Ｊ３３１を安定化させることができた。この状態が第２の実施の形態（図４）に対応する。ここでは＋Ｘ方向（内側ピンド層をアシストする方向）へセンス電流Ｉｓを流してしまうと、２２％〜１００％の確率で磁化方向Ｊ３３３，Ｊ３３１を反転させてしまう結果となった。
【００６７】
なお、磁気膜厚の差分Δ（Ｍｓ×Ｔ）が０．３８ｍＡより大きく０．６０ｍＡ未満の場合（条件番号２３および２４の場合）には、＋Ｘ方向または−Ｘ方向のどちらの方向へセンス電流Ｉｓを流しても磁化方向Ｊ３３３，Ｊ３３１が反転してしまい、安定化しなかった。
【００６８】
このように、本実施例では、上記実施例１とは異なり、３層構造の外側ピンド層を有するようにしたが、実施例１と同様の結果が得られた。
【００６９】
以上、いくつかの実施の形態および実施例（以下、実施の形態等）を挙げて本発明を説明したが、本発明は、これらの実施の形態等に限定されず、種々変形可能である。例えば、本実施の形態等では、磁化固着層における第１および第２の強磁性層として、コバルト鉄系合金を用いるようにこれに限定されるものではなく、他の強磁性材料により構成するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明の第１実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成を表す分解斜視図である。
【図２】図１に示した薄膜磁気ヘッドのII−II線に沿った矢視方向の構造を表す断面図である。
【図３】図２に示した薄膜磁気ヘッドのIII−III線に沿った矢視方向の要部構成を表す断面図である。
【図４】本発明の第２実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの要部構成を表す断面図である。
【図５】図３に対応する薄膜磁気ヘッドの要部構成を表す他の断面図である。
【符号の説明】
【００７１】
１…基体、１Ｆ…記録媒体対向面（ＡＢＳ）、１０…薄膜磁気ヘッド、１０Ａ…再生ヘッド部、１０Ｂ…記録ヘッド部、１１…下部シールド層、１２…下部ギャップ層、１４…ＭＲ素子、１５（１５Ｌ，１５Ｒ）…磁区制御層、１６（１６Ｌ，１６Ｒ）…導電リード層、２０…上部ギャップ層、２１…上部シールド層、３２…固定作用層、３３…磁化固着層、３３１…外側ピンド層、３３２…中間層、３３３…内側ピンド層、３４…非磁性層、３５…磁化自由層、５０…定電流回路。
【図１】
2006049539.tif 000005
【図２】
2006049539.tif 000006
【図３】
2006049539.tif 000007
【図４】
2006049539.tif 000008
【図５】
2006049539.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月27日(2005.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イリジウムマンガン合金（ＩｒＭｎ）を含む固定作用層と、
この固定作用層により第１方向に固定された磁化方向を有する第１の強磁性層と、中間層と、前記固定作用層により前記第１方向と反対の第２方向に固定された磁化方向を有する第２の強磁性層とが前記固定作用層の側から順に積層された磁化固着層と、
この磁化固着層の、前記固定作用層とは反対側に設けられた非磁性層と、
この非磁性層の、前記磁化固着層とは反対側に設けられ、外部磁界に応じて磁化方向が変化するように構成された磁化自由層と
を有する磁気抵抗効果膜と、
この磁気抵抗効果膜の端面の少なくとも一部とそれぞれ隣接し、かつ、互いに対向して延在する一対の導電リード層と、
この一対の導電リード層を介して、前記磁気抵抗効果膜の積層面内方向のうち、前記第１の強磁性層の内部に前記第１方向へ向かう電流磁界が生じる方向へセンス電流を流す電流供給手段と
を備え、かつ、以下の条件式（３）を満足することを特徴とする磁気抵抗効果素子。
０ｍＡ＜（Ｍｓ２×Ｔ２−Ｍｓ１×Ｔ１）≦０．３８ｍＡ  ……（３）
ただし、
Ｍｓ１；第１の強磁性層の飽和磁化
Ｔ１；第１の強磁性層の厚み
Ｍｓ２；第２の強磁性層の飽和磁化
Ｔ２；第２の強磁性層の厚み
【請求項２】
請求項１に記載の磁気抵抗効果素子を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
請求項１に記載の磁気抵抗効果素子を有する薄膜磁気ヘッドが一側面に設けられた磁気ヘッドスライダと、
この磁気ヘッドスライダが一端に取り付けられたサスペンションと
を有することを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項４】
請求項１に記載の磁気抵抗効果素子を有する薄膜磁気ヘッドが一側面に設けられた磁気ヘッドスライダと、
この磁気ヘッドスライダが一端に取り付けられたサスペンションと、
このサスペンションの他端を支持するアームと
を含むことを特徴とするヘッドアームアセンブリ。
【請求項５】
磁気記録媒体と、ヘッドアームアセンブリとを備えた磁気ディスク装置であって、
前記ヘッドアームアセンブリは、
請求項１に記載の磁気抵抗効果素子を有する薄膜磁気ヘッドが一側面に設けられた磁気ヘッドスライダと、
この磁気ヘッドスライダが一端に取り付けられたサスペンションと、
このサスペンションの他端を支持するアームと、
を含むことを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項６】
イリジウムマンガン合金（ＩｒＭｎ）を含む固定作用層と、
この固定作用層により第１方向に固定された磁化方向を有する第１の強磁性層と、中間層と、前記固定作用層により前記第１方向と反対の第２方向に固定された磁化方向を有する第２の強磁性層とが前記固定作用層の側から順に積層された磁化固着層と、
この磁化固着層の、前記固定作用層とは反対側に設けられた非磁性層と、
この非磁性層の、前記磁化固着層とは反対側に設けられ、外部磁界に応じて磁化方向が変化するように構成された磁化自由層と
を有する磁気抵抗効果素子を駆動する方法であって、
以下の条件式（１）を満足する場合に、前記磁気抵抗効果素子の積層面内方向のうち、前記第２の強磁性層の内部に前記第２方向へ向かう電流磁界が生じる方向へセンス電流を流し、
以下の条件式（３）を満足する場合に、前記磁気抵抗効果素子の積層面内方向のうち、前記第１の強磁性層の内部に前記第１方向へ向かう電流磁界が生じる方向へセンス電流を流す
ことを特徴とする磁気抵抗効果素子の駆動方法。
０．６ｍＡ≦（Ｍｓ２×Ｔ２−Ｍｓ１×Ｔ１）≦１．５ｍＡ  ……（１）
０ｍＡ＜（Ｍｓ２×Ｔ２−Ｍｓ１×Ｔ１）≦０．３８ｍＡ  ……（３）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の磁気抵抗効果素子は、磁気抵抗効果膜と、この磁気抵抗効果膜の端面の少なくとも一部とそれぞれ隣接し、かつ、互いに対向して延在する一対の導電リード層と、この一対の導電リード層を介して、磁気抵抗効果膜の積層面内方向のうち、第１の強磁性層の内部に第１方向へ向かう電流磁界が生じる方向へセンス電流を流す電流供給手段とを備え、かつ、以下の条件式（３）を満足するようにしたものである。
０ｍＡ＜（Ｍｓ２×Ｔ２−Ｍｓ１×Ｔ１）≦０．３８ｍＡ  ……（３）
条件式（３）において、Ｍｓ１は第１の強磁性層の飽和磁化（Ａ／ｍ）であり、Ｔ１は第１の強磁性層の厚み（ｍ）であり、Ｍｓ２は第２の強磁性層の飽和磁化（Ａ／ｍ) であり、Ｔ２は第２の強磁性層の厚み（ｍ）である。  ここで、磁気抵抗効果膜は、イリジウムマンガン合金（ＩｒＭｎ）を含む固定作用層と、この固定作用層により第１方向に固定された磁化方向を有する第１の強磁性層と中間層と固定作用層により第１方向と反対の第２方向に固定された磁化方向を有する第２の強磁性層とが固定作用層の側から順に積層された磁化固着層と、この磁化固着層の、固定作用層とは反対側に設けられた非磁性層と、この非磁性層の、磁化固着層とは反対側に設けられ、外部磁界に応じて磁化方向が変化するように構成された磁化自由層とを有している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明の薄膜磁気ヘッドは上記の磁気抵抗効果素子を有するものであり、本発明のヘッドジンバルアセンブリは、そのような薄膜磁気ヘッドが一側面に設けられた磁気ヘッドスライダと、この磁気ヘッドスライダが一端に取り付けられたサスペンションとを有するものである。また、本発明のヘッドアームアセンブリは、上記のヘッドジンバルアセンブリと、上記のサスペンションの他端を支持するアームとを含むようにしたものである。さらに、本発明の磁気ディスク装置は、磁気記録媒体と、上記のヘッドアームアセンブリとを備えるようにしたものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置では、磁気抵抗効果膜がそれぞれ上記の構成を有することにより、上記の所定方向へセンス電流を流したときに第１の強磁性層の磁化方向と第２の強磁性層の磁化方向とがいずれも反転することなく安定化し、磁化固着層と反強磁性層との交換結合力が増大する。  
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の磁気抵抗効果素子の駆動方法は、イリジウムマンガン合金（ＩｒＭｎ）を含む固定作用層と、この固定作用層により第１方向に固定された磁化方向を有する第１の強磁性層と中間層と固定作用層により第１方向と反対の第２方向に固定された磁化方向を有する第２の強磁性層とが固定作用層の側から順に積層された磁化固着層と、この磁化固着層の、固定作用層とは反対側に設けられた非磁性層と、この非磁性層の、磁化固着層とは反対側に設けられ、外部磁界に応じて磁化方向が変化するように構成された磁化自由層とを有する磁気抵抗効果素子を駆動する方法である。ここで、以下の条件式（１）を満足する場合に、磁気抵抗効果素子の積層面内方向のうち、第２の強磁性層の内部に第２方向へ向かう電流磁界が生じる方向へセンス電流を流し、以下の条件式（３）を満足する場合に、磁気抵抗効果素子の積層面内方向のうち、第１の強磁性層の内部に第１方向へ向かう電流磁界が生じる方向へセンス電流を流すようにする。
０．６ｍＡ≦（Ｍｓ２×Ｔ２−Ｍｓ１×Ｔ１）≦１．５ｍＡ  ……（１）
０ｍＡ＜（Ｍｓ２×Ｔ２−Ｍｓ１×Ｔ１）≦０．３８ｍＡ  ……（３）
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の磁気抵抗効果素子の駆動方法では、上記の条件式（１）および（３）のように、第１の強磁性層における飽和磁化および厚みの積と、第２の強磁性層における飽和磁化および厚みの積との差に応じてセンス電流の流れる方向が適切に選択されるので、第１の強磁性層の磁化方向と第２の強磁性層の磁化方向とがいずれも反転することなく安定化し、磁化固着層と反強磁性層との交換結合力が増大する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の磁気抵抗効果素子、薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置によれば、ＩｒＭｎを含む固定作用層と、この固定作用層により第１方向に固定された磁化方向を有する第１の強磁性層と中間層と固定作用層により第２方向に固定された磁化方向を有する第２の強磁性層とが固定作用層の側から順に積層された磁化固着層と、この磁化固着層の、固定作用層とは反対側に設けられた非磁性層と、この非磁性層の、磁化固着層とは反対側に設けられ、外部磁界に応じて磁化方向が変化するように構成された磁化自由層とを有する磁気抵抗効果膜と、この磁気抵抗効果膜の端面の少なくとも一部とそれぞれ隣接し、かつ、互いに対向して延在する一対の導電リード層と、この一対の導電リード層を介して、磁気抵抗効果膜の積層面内方向のうち、第１の強磁性層の内部に第１方向へ向かう電流磁界が生じる方向へセンス電流を流す電流供給手段とを備え、かつ、所定の条件式（３）を満足するようにしたので、より高い温度環境下であっても第１および第２の磁化方向を安定化することができ、磁化固着層と固定作用層との交換結合力を増大させることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
そのうえ、第１の強磁性層と第２の強磁性層との磁気モーメントのバランスが良好となり、磁化固着層からの漏れ磁界を低減することができる。したがって、磁気抵抗効果膜を薄型化することにより高記録密度化に対応しつつ、高温環境下であっても十分な出力特性を安定して維持することができる。  
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の磁気抵抗効果素子の駆動方法によれば、ＩｒＭｎを含む固定作用層と、この固定作用層により第１方向に固定された磁化方向を有する第１の強磁性層と中間層と固定作用層により第２方向に固定された磁化方向を有する第２の強磁性層とが固定作用層の側から順に積層された磁化固着層と、この磁化固着層の、固定作用層とは反対側に設けられた非磁性層と、この非磁性層の、磁化固着層とは反対側に設けられ、外部磁界に応じて磁化方向が変化するように構成された磁化自由層とを有する磁気抵抗効果素子を駆動する場合において、所定の条件式（１）を満足するときに、磁気抵抗効果素子の積層面内方向のうち、第２の強磁性層の内部に第２方向へ向かう電流磁界が生じる方向へセンス電流を流し、所定の条件式（３）を満足するときに、磁気抵抗効果素子の積層面内方向のうち、第１の強磁性層の内部に第１方向へ向かう電流磁界が生じる方向へセンス電流を流すようにしたので、より高い温度環境下であっても磁化固着層と固定作用層との交換結合力を増大させ、十分に安定した出力を得ることができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
上記第１の実施の形態では、磁化固着層３３において条件式（１）を満足するように構成し、その場合の駆動方法について説明するようにした。これに対し、本実施の形態では、磁化固着層３３において下記の条件式（２）を満足するように構成する。
−１．５ｍＡ≦（Ｍｓ２×Ｔ２−Ｍｓ１×Ｔ１）≦０．３８ｍＡ  ……（２）
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
ここで、条件式（２）の上限値を上回った場合に、ＭＲ膜１４の内部を通過するように−Ｘ方向へセンス電流Ｉｓを流すようにしてしまうと、磁化方向Ｊ３３１，Ｊ３３３が反転してしまい、正確なセンシングができなくなる場合がある。一方、条件式（２）の下限値を下回った場合には、磁化自由層３５に対する磁化固着層３３からの漏れ磁界の影響が無視できないほど大きくなってしまい、再生波形の対称性が悪化するという問題が発生するので好ましくない。本実施の形態では、特に、下記の条件式（３）を満足するようにすると、外側ピンド層３３１と内側ピンド層３３３との磁気モーメントのバランスがより良好となり、磁化固着層３３からの漏れ磁界を低減することができ、磁化自由層３５の磁化方向の安定化に有利となる。
０＜（Ｍｓ２×Ｔ２−Ｍｓ１×Ｔ１）≦０．３８  ……（３）
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
表１では、最も左側の列（項目）から順に、条件番号、外側ピンド層の厚み（ｎｍ）、内側ピンド層の厚み（ｎｍ）、飽和磁化と厚みとの積（以下、磁気膜厚という。）の差分Δ（Ｍｓ×Ｔ）＝Ｍｓ２×Ｔ２−Ｍｓ１×Ｔ１（ｍＡ）および磁化方向の反転率（％）を示す。ここで、磁化方向の反転率は、＋Ｘ方向（内側ピンド層をアシストする方向）へセンス電流Ｉｓを流す場合と、−Ｘ方向（外側ピンド層をアシストする方向）へセンス電流Ｉｓを流す場合とについて、それぞれ内側ピンド層３３３および外側ピンド層３３１の磁化方向Ｊ３３３，Ｊ３３１が反転してしまう確率を調査したものである。すなわち、反転率が０％であるということは、その条件下において全てのサンプルの磁化方向Ｊ３３３，Ｊ３３１が反転せずに保持されたことを示す。一方、反転率が１００％であるということは、その条件下において全てのサンプルの磁化方向Ｊ３３３，Ｊ３３１が反転してしまったことを示す。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
表２の結果により、磁気膜厚の差分Δ（Ｍｓ×Ｔ）が０．６０ｍＡ以上であるとき（条件番号２２の場合）には、＋Ｘ方向（内側ピンド層をアシストする方向）へセンス電流Ｉｓを流すことにより磁化方向Ｊ３３３，Ｊ３３１を安定化させることが可能なことがわかった。この状態が第１の実施の形態（図３）に対応する。また、磁気膜厚の差分Δ（Ｍｓ×Ｔ）が０．３９ｍＡ以下であるとき（条件番号２５〜４２の場合）には、−Ｘ方向（外側ピンド層をアシストする方向）へセンス電流Ｉｓを流すことにより磁化方向Ｊ３３３，Ｊ３３１を安定化させることができた。この状態が第２の実施の形態（図４）に対応する。ここでは＋Ｘ方向（内側ピンド層をアシストする方向）へセンス電流Ｉｓを流してしまうと、２２％〜１００％の確率で磁化方向Ｊ３３３，Ｊ３３１を反転させてしまう結果となった。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
なお、磁気膜厚の差分Δ（Ｍｓ×Ｔ）が０．３９ｍＡより大きく０．６０ｍＡ未満の場合（条件番号２３および２４の場合）には、＋Ｘ方向または−Ｘ方向のどちらの方向へセンス電流Ｉｓを流しても磁化方向Ｊ３３３，Ｊ３３１が反転してしまい、安定化しなかった。
以上
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月21日(2005.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イリジウムマンガン合金（ＩｒＭｎ）を含む固定作用層と、
この固定作用層により第１方向に固定された磁化方向を有する第１の強磁性層と、中間層と、前記固定作用層により前記第１方向と反対の第２方向に固定された磁化方向を有する第２の強磁性層とが前記固定作用層の側から順に積層された磁化固着層と、
この磁化固着層の、前記固定作用層とは反対側に設けられた非磁性層と、
この非磁性層の、前記磁化固着層とは反対側に設けられ、外部磁界に応じて磁化方向が変化するように構成された磁化自由層と
を有する磁気抵抗効果膜と、
この磁気抵抗効果膜の端面の少なくとも一部とそれぞれ隣接し、かつ、互いに対向して延在する一対の導電リード層と、
この一対の導電リード層を介して、前記磁気抵抗効果膜の積層面内方向のうち、前記第１の強磁性層の内部に前記第１方向へ向かう電流磁界が生じる方向へセンス電流を流す電流供給手段と
を備え、かつ、以下の条件式（３）を満足することを特徴とする磁気抵抗効果素子。
０ｍＡ＜（Ｍｓ２×Ｔ２−Ｍｓ１×Ｔ１）≦０．３８ｍＡ  ……（３）
ただし、
Ｍｓ１；第１の強磁性層の飽和磁化
Ｔ１；第１の強磁性層の厚み
Ｍｓ２；第２の強磁性層の飽和磁化
Ｔ２；第２の強磁性層の厚み
【請求項２】
請求項１に記載の磁気抵抗効果素子を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
請求項１に記載の磁気抵抗効果素子を有する薄膜磁気ヘッドが一側面に設けられた磁気ヘッドスライダと、
この磁気ヘッドスライダが一端に取り付けられたサスペンションと
を有することを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項４】
請求項１に記載の磁気抵抗効果素子を有する薄膜磁気ヘッドが一側面に設けられた磁気ヘッドスライダと、
この磁気ヘッドスライダが一端に取り付けられたサスペンションと、
このサスペンションの他端を支持するアームと
を含むことを特徴とするヘッドアームアセンブリ。
【請求項５】
磁気記録媒体と、ヘッドアームアセンブリとを備えた磁気ディスク装置であって、
前記ヘッドアームアセンブリは、
請求項１に記載の磁気抵抗効果素子を有する薄膜磁気ヘッドが一側面に設けられた磁気ヘッドスライダと、
この磁気ヘッドスライダが一端に取り付けられたサスペンションと、
このサスペンションの他端を支持するアームと、
を含むことを特徴とする磁気ディスク装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、イリジウムマンガン合金（ＩｒＭｎ）系の固定作用層を有する磁気抵抗効果素子を備えた薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、高記録密度化に対応しつつ、より高い温度環境下であっても十分な出力特性を安定して維持することのできる磁気抵抗効果素子ならびにそれを搭載した薄膜磁気ヘッド、ヘッドジンバルアセンブリ、ヘッドアームアセンブリおよび磁気ディスク装置を提供することにある。  
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】