(57)【要約】    【課題】電気抵抗値を、所定値に調整したＭＲ素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気ディスク装置を提供すること。    【解決手段】ＭＲ素子３０と、第１の電極構造体を形成する電極膜３１と、第２の電極構造体を形成する電極膜３３と、抵抗体３９とを含む。第１の電極膜３１及び第２の電極膜３３は、ＭＲ素子３０に対する対の給電体を構成する。抵抗体３９は、第１の電極膜３１及び第２電極膜３３の間に接続され、他の部分と相の異なる相変化部分３９２を有する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気抵抗効果素子と、第１の電極構造体と、第２の電極構造体と、抵抗体とを含む薄膜素子であって、
前記第１の電極構造体及び前記第２の電極構造体は、前記磁気抵抗効果素子に対する対の給電体を構成しており、
前記抵抗体は、金属膜又は合金膜でなり、前記第１の電極構造体及び前記第２の電極構造体の間に設けられ、他の部分と相の異なる相変化部分を有する、
薄膜素子。
【請求項２】
磁気抵抗効果素子と、第１の電極構造体と、第２の電極構造体と、抵抗体とを含む薄膜素子であって、
前記第１の電極構造体及び前記第２の電極構造体は、前記磁気抵抗効果素子に対する対の給電体を構成しており、
前記抵抗体は、金属酸化膜又は合金酸化膜でなり、前記第１の電極構造体及び前記第２の電極構造体の間に設けられ、前記金属酸化膜又は前記合金酸化膜を、部分的に還元して得られた還元部分を有する、
薄膜素子。
【請求項３】
磁気抵抗効果素子と、第１の電極構造体と、第２の電極構造体と、抵抗体とを含む薄膜素子であって、
前記第１の電極構造体及び前記第２の電極構造体は、前記磁気抵抗効果素子に対する対の給電体を構成しており、
前記抵抗体は、金属膜又は合金膜でなり、前記第１の電極構造体及び前記第２の電極構造体の間に設けられ、前記金属膜又は前記合金膜を、部分的に酸化して得られた酸化部分を有する、
薄膜素子。
【請求項４】
再生素子と、スライダとを含む薄膜磁気ヘッドであって、
前記再生素子は、請求項１乃至３の何れかに記載された薄膜素子でなり、
前記スライダは、前記再生素子を支持する、
薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
再生素子と、スライダと、第１の端子と、第２の端子と、抵抗体とを含む薄膜磁気ヘッドであって、
前記スライダは、前記再生素子を支持しており、
前記第１の端子及び前記第２の端子は、前記再生素子に対する対の給電体を構成し、それぞれの一端が互いに間隔を隔てて前記スライダの表面に導出されており、
前記抵抗体は、金属膜又は合金膜でなり、前記スライダの表面において、前記第１の端子及び前記第２の端子の間に設けられ、他の部分と相の異なる相変化部分を有する、
薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
再生素子と、スライダと、第１の端子と、第２の端子と、抵抗体とを含む薄膜磁気ヘッドであって、
前記スライダは、前記再生素子を支持しており、
前記第１の端子及び前記第２の端子は、前記再生素子に対する対の給電体を構成し、それぞれの一端が互いに間隔を隔てて前記スライダの表面に導出されており、
前記抵抗体は、金属酸化膜又は合金酸化膜でなり、前記スライダの表面において、前記第１の端子及び前記第２の端子の間に設けられ、前記金属酸化膜又は前記合金酸化膜を部分的に還元して得られた還元部分を有する、
薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
再生素子と、スライダと、第１の端子と、第２の端子と、スライダと、抵抗体とを含む薄膜磁気ヘッドであって、
前記スライダは、前記再生素子を支持しており、
前記第１の端子及び前記第２の端子は、前記再生素子に対する対の給電体を構成し、それぞれの一端が互いに間隔を隔てて前記スライダの表面に導出されており、
前記抵抗体は、金属膜又は合金膜でなり、前記スライダの表面において、前記第１の端子及び前記第２の端子の間に設けられ、前記金属膜又は前記合金膜を部分的に酸化して得られた酸化部分を有する、
薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
薄膜磁気ヘッドと、ヘッド支持装置とを含む磁気ヘッド装置であって、
前記薄膜磁気ヘッドは、請求項４乃至７の何れかに記載されたものでなり、
前記ヘッド支持装置は、前記薄膜磁気ヘッドを支持する、
磁気ヘッド装置。
【請求項９】
薄膜磁気ヘッドと、ヘッド支持装置と、フレキシブル配線と、抵抗体とを含む磁気ヘッド装置であって、
前記薄膜磁気ヘッドは、再生素子と、スライダとを含んでおり、
前記スライダは、前記再生素子を支持しており、
前記ヘッド支持装置は、一端部で前記薄膜磁気ヘッドを支持しており、
前記フレキシブル配線は、２つのリード導体と、２つの端子とを含み、前記リード導体のそれぞれは一端が前記再生素子に接続され、他端が前記端子によって終端されており、
前記抵抗体は、前記リード導体間又は前記端子間に接続されている、
磁気ヘッド装置。
【請求項１０】
請求項９に記載された磁気ヘッド装置であって、前記抵抗体は、トリミング痕を有する磁気ヘッド装置。
【請求項１１】
請求項９に記載された磁気ヘッド装置であって、前記抵抗体は、金属膜又は合金膜でなり、他とは相の異なる相変化部分を有する、磁気ヘッド装置。
【請求項１２】
請求項９に記載された磁気ヘッド装置であって、前記抵抗体は、金属酸化膜又は合金酸化膜でなり、前記金属酸化膜又は前記合金酸化膜を部分的に還元して得られた還元部分を有する、磁気ヘッド装置。
【請求項１３】
請求項９に記載された磁気ヘッド装置であって、前記抵抗体は、金属膜又は合金膜でなり、前記金属膜又は前記合金膜を部分的に酸化して得られた酸化部分を有する、磁気ヘッド装置。
【請求項１４】
磁気ヘッド装置と、磁気ディスクとを含む磁気ディスク装置であって、
前記磁気ヘッド装置は、請求項８乃至１３の何れかに記載されたものでなり、
前記磁気ディスクは、前記磁気ヘッド装置と協働して、磁気記録の書込み及び読出しに供される
磁気ディスク装置。
【請求項１５】
薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、
前記薄膜磁気ヘッドは、再生素子と、第１の電極構造体と、第２の電極構造体とを含んでおり、
前記第１の電極構造体及び前記第２の電極構造体は、前記再生素子に対する対の給電体を構成しており、
前記第１の電極構造体及び前記第２の電極構造体の間で、前記再生素子の電気抵抗値を測定し、
その後、測定値に基づいて選定された値を持つ抵抗体を、前記再生素子に対して電気的に並列に接続する
工程を含む製造方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載された製造方法であって、
前記抵抗体は、前記第１の電極構造体と、前記第２の電極構造体の間に形成される、製造方法。
【請求項１７】
薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、
前記薄膜磁気ヘッドは、再生素子と、第１の電極構造体と、第２の電極構造体とを含んでおり、
前記第１の電極構造体及び前記第２の電極構造体は、前記再生素子に対する対の給電体を構成しており、
前記第１の電極構造体及び前記第２の電極構造体の間に、金属膜又は合金膜でなる抵抗体を形成し、
次に、前記抵抗体にレーザを照射し、前記金属膜又は前記合金膜に、部分的に相変化を生じさせ、抵抗値を調整する、
工程を含む製造方法。
【請求項１８】
薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、
前記薄膜磁気ヘッドは、再生素子と、第１の電極構造体と、第２の電極構造体とを含んでおり、
前記第１の電極構造体及び前記第２の電極構造体は、前記再生素子に対する対の給電体を構成しており、
前記第１の電極構造体及び前記第２の電極構造体の間に、金属酸化膜又は合金酸化膜でなる抵抗体を形成し、
次に、前記抵抗体にレーザを照射し、前記金属酸化膜又は前記合金酸化膜に、部分的に還元部分を生じさせ、抵抗値を調整する
工程を含む製造方法。
【請求項１９】
薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、
前記薄膜磁気ヘッドは、再生素子と、第１の電極構造体と、第２の電極構造体とを含んでおり、
前記第１の電極構造体及び前記第２の電極構造体は、前記再生素子に対する対の給電体を構成しており、
前記第１の電極構造体及び前記第２の電極構造体の間に、金属膜又は合金膜でなる抵抗体を形成し、
次に、前記抵抗体にレーザを照射し、前記金属膜又は前記合金膜に部分的に、酸化部分を生じさせ、抵抗値を調整する、
工程を含む製造方法。
【請求項２０】
薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、
前記薄膜磁気ヘッドは、再生素子と、第１の端子と、第２の端子とを含んでおり、
前記再生素子は、保護膜によって覆われており、
前記第１の端子及び前記第２の端子は、前記再生素子に対する対の給電体を構成し、それぞれの一端が互いに間隔を隔てて前記保護膜の表面に導出されており、
前記第１の端子及び前記第２の端子の間で、前記再生素子の電気抵抗値を測定し、
その後、測定値に基づいて選定された値を持つ抵抗体を、前記再生素子に対して電気的に並列に接続する、
工程を含む製造方法。
【請求項２１】
薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、
前記薄膜磁気ヘッドは、再生素子と、第１の端子と、第２の端子とを含んでおり、
前記再生素子は、保護膜によって覆われており、
前記第１の端子及び前記第２の端子は、前記再生素子に対する対の給電体を構成し、それぞれの一端が互いに間隔を隔てて前記保護膜の表面に導出されており、
前記保護膜の表面において、前記第１の端子及び前記第２の端子の間に、金属膜又は合金膜でなる抵抗体を形成し、
次に、前記抵抗体にレーザを照射し、前記金属膜又は前記合金膜に部分的に相変化を生じさせ、抵抗値を調整する、
工程を含む製造方法。
【請求項２２】
薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、
前記薄膜磁気ヘッドは、再生素子と、第１の端子と、第２の端子とを含んでおり、
前記再生素子は、保護膜によって覆われており、
前記第１の端子及び前記第２の端子は、前記再生素子に対する対の給電体を構成し、それぞれの一端が互いに間隔を隔てて前記保護膜の表面に導出されており、
前記保護膜の表面において、前記第１の端子及び前記第２の端子の間に、金属酸化膜又は合金酸化膜でなる抵抗体を形成し、
次に、前記抵抗体にレーザを照射し、前記金属酸化膜又は前記合金酸化膜を部分的に還元して、抵抗値を調整する、
工程を含む製造方法。
【請求項２３】
薄膜磁気ヘッドを製造する方法であって、
前記薄膜磁気ヘッドは、再生素子と、第１の端子と、第２の端子とを含んでおり、
前記再生素子は、保護膜によって覆われており、
前記第１の端子及び前記第２の端子は、前記再生素子に対する対の給電体を構成し、それぞれの一端が互いに間隔を隔てて前記保護膜の表面に導出されており、
前記保護膜の表面において、前記第１の端子及び前記第２の端子の間に、金属膜又は合金膜でなる抵抗体を形成し、
次に、前記抵抗体にレーザを照射し、前記金属膜又は前記合金膜を部分的に酸化して、抵抗値を調整する、
工程を含む製造方法。
【請求項２４】
薄膜磁気ヘッドと、ヘッド支持装置と、フレキシブル配線とを含む磁気ヘッド装置の製造方法であって、
前記薄膜磁気ヘッドは、再生素子と、スライダとを含んでおり、
前記スライダは、前記再生素子を支持しており、
前記ヘッド支持装置は、一端部で前記薄膜磁気ヘッドを支持しており、
前記フレキシブル配線は、２つのリード導体と、２つの端子とを含み、前記リード導体のそれぞれは一端が前記再生素子に接続され、他端が前記端子によって終端されており、
前記再生素子の電気抵抗値を、予め測定しておき、
その後、測定値に基づいて選定された値を持つ抵抗体を、前記リード導体間又は前記端子間に接続する、
工程を含む磁気ヘッド装置の製造方法。
【請求項２５】
薄膜磁気ヘッドと、ヘッド支持装置と、フレキシブル配線とを含む磁気ヘッド装置の製造方法であって、
前記薄膜磁気ヘッドは、再生素子と、スライダとを含んでおり、
前記スライダは、前記再生素子を支持しており、
前記ヘッド支持装置は、一端部で前記薄膜磁気ヘッドを支持しており、
前記フレキシブル配線は、２つのリード導体と、２つの端子とを含み、前記リード導体のそれぞれは一端が前記再生素子に接続され、他端が前記端子によって終端されており、
前記リード導体間又は前記端子間に、金属膜又は合金膜でなる抵抗体を形成し、
次に、前記抵抗体にレーザを照射し、前記金属膜又は前記合金膜を、部分的に除去して、抵抗値を調整する、
工程をふくむ製造方法。
【請求項２６】
薄膜磁気ヘッドと、ヘッド支持装置と、フレキシブル配線とを含む磁気ヘッド装置の製造方法であって、
前記薄膜磁気ヘッドは、再生素子と、スライダとを含んでおり、
前記スライダは、前記再生素子を支持しており、
前記ヘッド支持装置は、一端部で前記薄膜磁気ヘッドを支持しており、
前記フレキシブル配線は、２つのリード導体と、２つの端子とを含み、前記リード導体のそれぞれは一端が前記再生素子に接続され、他端が前記端子によって終端されており、
前記リード導体間又は前記端子間に、金属膜又は合金膜でなる抵抗体を形成し、
次に、前記抵抗体にレーザを照射して、前記金属膜又は前記合金膜に、部分的に相変化を生じさせ、抵抗値を調整する、
工程を含む製造方法。
【請求項２７】
薄膜磁気ヘッドと、ヘッド支持装置と、フレキシブル配線とを含む磁気ヘッド装置の製造方法であって、
前記薄膜磁気ヘッドは、再生素子と、スライダとを含んでおり、
前記スライダは、前記再生素子を支持しており、
前記ヘッド支持装置は、一端部で前記薄膜磁気ヘッドを支持しており、
前記フレキシブル配線は、２つのリード導体と、２つの端子とを含み、前記リード導体のそれぞれは一端が前記再生素子に接続され、他端が前記端子によって終端されており、
前記リード導体間又は前記端子間に、金属酸化膜又は合金酸化膜でなる抵抗体を形成し、
次に、前記抵抗体にレーザを照射して、前記金属酸化膜又は前記合金酸化膜に、部分的に還元部分を生じさせ、抵抗値を調整する、
工程を含む製造方法。
【請求項２８】
薄膜磁気ヘッドと、ヘッド支持装置と、フレキシブル配線とを含む磁気ヘッド装置の製造方法であって、
前記薄膜磁気ヘッドは、再生素子と、スライダとを含んでおり、
前記スライダは、前記再生素子を支持しており、
前記ヘッド支持装置は、一端部で前記薄膜磁気ヘッドを支持しており、
前記フレキシブル配線は、２つのリード導体と、２つの端子とを含み、前記リード導体のそれぞれは一端が前記再生素子に接続され、他端が前記端子によって終端されており、
前記リード導体間又は前記端子間に、金属膜又は合金膜でなる抵抗体を形成し、
次に、前記抵抗体にレーザを照射して、前記金属膜又は前記合金膜に部分的に、酸化部分を生じさせ、抵抗値を調整する、
工程を含む製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置、磁気ディスク装置及びこれらの製造技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜素子（以下ＭＲ素子と称する）は、磁気記憶素子、磁気センサまたは薄膜磁気ヘッドなどに用いられる。ＭＲ素子としては、強磁性トンネル接合膜（以下ＴＭＲ膜と称する）及び、スピンバルブ膜（以下ＳＶ膜と称する）などを用いた巨大磁気抵抗効果素子（以下ＧＭＲ素子と称する）が知られている。
【０００３】
ＭＲ素子の主要な用途は、薄膜磁気ヘッドである。薄膜磁気ヘッドにおいては、ハードディスクドライブ(ＨＤＤ)の大容量及び小型化に対応すべく、高感度、高出力の薄膜磁気ヘッドが要求されている。その要求に対して、薄膜磁気ヘッドの懸命な特性改善が進められている。
【０００４】
現在の薄膜磁気ヘッドは、ＳＶ膜を用いたものが主流であるが、一方で、ＴＭＲ膜を用いた薄膜磁気ヘッドは、ＳＶ膜を用いた薄膜磁気ヘッドの２倍以上の抵抗変化率が期待できることから、その開発も精力的に行われている。
【０００５】
ＳＶ膜とＴＭＲ膜は、センス電流を流す方向の違いからヘッド構造が異なる。一般に、膜面に対して平行にセンス電流を流すヘッド構造をＣＩＰ(Current In Plane)構造、膜面に対して垂直にセンス電流を流すヘッド構造をＣＰＰ(Current Perpendicular to Plane)構造(特許文献１参照)と呼ぶ。ＣＰＰ構造は、磁気シールドそのものを電極として用いることができるため、ＣＩＰ構造の狭リードギャップ化において深刻な問題になっている、磁気シールドと素子との間のショート(絶縁不良)が本質的に生じない。そのため、高記録密度化においてＣＰＰ構造は大変有利である。
【０００６】
ＴＭＲ膜は、基本的に、ＣＰＰ構造となるので、上述した利点が得られる。ＳＶ膜においても、上述したＣＰＰ構造の利点を確保すべく、従来多用されていたＣＩＰ構造から、ＣＰＰ構造への転換が図られつつある。例えば、スペキュラー型やデュアル型などの多層膜構造がその例である。
【０００７】
ところが、ＣＰＰ構造においては、例えば、ＴＭＲ膜を例に採ると、厚さ１ｎｍ程度、もしくはそれ以下の厚さの極薄のトンネルバリア層が支配的要因となって、ヘッド抵抗値が決まり、かつ、極薄トンネルバリア層の制御が困難であることから、ヘッド抵抗値が目標とする抵抗値に対してばらついてしまうという問題があった。ヘッド抵抗値の変動は、再生出力特性のばらつきにそのまま反映されてしまう。
【０００８】
上述した問題は、薄膜磁気ヘッドに限らず、ＳＶ膜またはＴＭＲ膜を用いた他の薄膜デバイス、例えば、ＭＲＡＭなどの磁気記憶素子や、磁気センサなどにおいても、生じる。
【特許文献１】特開平５−２７５７６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の課題は、ＭＲ素子の抵抗値を、所定値に調整した薄膜素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気ディスク装置を提供することである。
【００１０】
本発明のもう一つの課題は、ＭＲ素子の抵抗値を所定値に調整する方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述した課題を解決するため、本発明は、薄膜素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気ディスク装置を開示するほか、それらの製造方法をも開示する。
【００１２】
１．薄膜素子
本発明に係る薄膜素子は、薄膜磁気ヘッドにおいて、再生素子として用いることができる他、ＭＲＡＭなどの磁気記憶素子や、磁気センサなどにも適用できる。本発明は、３つの異なる態様の薄膜素子を開示する。
【００１３】
（１）第１の態様に係る薄膜素子
第１の態様に係る薄膜素子は、磁気抵抗効果素子と、第１の電極構造体と、第２の電極構造体と、抵抗体とを含む。前記第１の電極構造体及び前記第２の電極構造体は、前記磁気抵抗効果素子に対する対の給電体を構成している。前記抵抗体は、金属膜又は合金膜でなり、前記第１の電極構造体及び前記第２の電極構造体を接続するように設けられ、他の部分と相の異なる相変化部分を有する。
【００１４】
第１の電極構造体及び第２の電極構造体は、ＭＲ素子に対する対の給電体を構成するから、第１の電極構造体及び第２の電極構造体により、ＭＲ素子にセンス電流を供給し、ＭＲ素子の外部磁界に応答する抵抗値変化から、外部磁界を、センス電流の変化として検出することができる。なお、本発明において、電極構造体とは、外部と接続される部分（端子）と、ＭＲ素子との間に形成される電気的導電路をいう。具体的には、ＭＲ素子に隣接する電極膜、電極膜から延びるリード部、及び、リード部の一端が接続されるリード電極膜などを含む。
【００１５】
抵抗体は、他の部分と相の異なる相変化部分を有するから、第１の電極構造体及び第２の電極構造体の間で見た合成抵抗値を、相変化部分に生じる抵抗値の変化に応じて調整することができる。このため、仮に、製造工程において、ＭＲ素子の抵抗値がばらついた場合でも、相変化部分に生じる抵抗値を調整することによって、第１の電極構造体及び第２の電極構造体の間で見た合成抵抗値を、所望の値に合わせ、製造工程で生じる不具合を修正することができる。
【００１６】
第１の態様に係る薄膜素子によれば、ＭＲ素子の抵抗値が目標とする抵抗値に対してばらついてしまったとしても、抵抗体の相変化部分の面積を調整することによって、第１の電極構造体及び第２の電極構造体の間で見た抵抗値を、目標値に合わせることができる。従って、本発明によれば、従来の問題点を確実に解消することができる。
【００１７】
（２）第２の態様に係る薄膜素子
第２の態様に係る薄膜素子は、抵抗体が、金属酸化膜又は合金酸化膜でなり、前記金属酸化膜又は前記合金酸化膜を部分的に還元して得られた還元部分を有する点で、第１の態様に係る薄膜素子と異なる。他の構成要件は、第１の態様に係る薄膜素子と共通である。
【００１８】
還元部分を生じさせるには、抵抗体に、例えば、レーザを照射する。これにより、レーザの照射を受けた部分が還元されて、金属化され、還元部分が生じる。従って、還元を受けていない酸化部分に対する還元部分の相対比を調整することにより、第１の電極構造体及び第２の電極構造体の間で見た合成抵抗値を、所望の値に合わせることができる。
【００１９】
（３）第３の態様に係る薄膜素子
第３の態様に係る薄膜素子は、抵抗体が、金属膜又は合金膜でなり、前記金属膜又は前記合金膜を部分的に酸化して得られた酸化部分を有する点で、第１及び第２の態様に係る薄膜素子と異なる。他の構成要件は、第１及び第２の態様に係る薄膜素子と共通である。
【００２０】
酸化部分を生成するには、抵抗体に、例えば、レーザを照射する。これにより、レーザの照射を受けた部分が酸化されて、高抵抗の酸化部分が生じる。従って、酸化されていない部分に対する酸化部分の面積的相対比を調整することにより、第１の電極構造体及び第２の電極構造体の間で見た合成抵抗値を、所望の値に合わせることができる。
【００２１】
２．薄膜磁気ヘッド
本発明は、４つの異なる態様の薄膜磁気ヘッドを開示する。
【００２２】
（１）第１の態様に係る薄膜磁気ヘッド
第１の態様に係る薄膜磁気ヘッドは、上述した本発明に係る薄膜素子を、再生素子として用いたものである。勿論、薄膜磁気ヘッドの基本的構成として、再生素子のほかに、記録素子、及び、スライダを備えなければならない。記録素子は、前記再生素子と重なる位置に設けられる。前記スライダは、前記再生素子及び前記記録素子を支持する。
【００２３】
この第１の態様に係る薄膜磁気ヘッドは、本発明に係る薄膜素子を、再生素子として用いるので、薄膜素子の有する作用効果をそのまま奏することになる。
【００２４】
（２）第２の態様に係る薄膜磁気ヘッド
第２の態様に係る薄膜磁気ヘッドは、再生素子と、スライダと、第１の端子と、第２の端子と、抵抗体とを含む。前記スライダは、前記再生素子を支持する。前記第１の端子及び前記第２の端子は、前記再生素子に対する対の給電体を構成し、それぞれの一端が互いに間隔を隔てて前記スライダの表面に導出されている。
【００２５】
前記抵抗体は、金属膜又は合金膜でなり、前記スライダの表面において、前記第１の端子及び前記第２の端子の間に設けられ、他の部分と相の異なる相変化部分を有する。
【００２６】
第１の端子及び第２の端子は、いわゆるバンプを構成するものであって、再生素子に対する対の給電体を構成するから、第１の端子及び第２の端子により、再生素子にセンス電流を供給し、再生素子の外部磁界に応答する抵抗値変化から、外部磁界を、センス電流の変化として検出することができる。
【００２７】
第１の端子及び第２の端子の間に、抵抗体が接続されているから、第１の端子及び第２の端子の間で見た抵抗値が、再生素子を構成するＭＲ素子の抵抗値と抵抗体の抵抗値の合成値となる。
【００２８】
抵抗体は、他の部分と相の異なる相変化部分を有するから、第１の端子及び第２の端子の間で見た合成抵抗値を、相変化部分に生じる抵抗値の変化に応じて調整することができる。このため、仮に、ＭＲ素子の抵抗値がばらついた場合でも、相変化部分に生じる抵抗値を調整することによって、第１の端子及び第２の端子の間で見た合成抵抗値を、所望の値に合わせることができる。
【００２９】
（３）第３の態様に係る薄膜磁気ヘッド
第３の態様に係る薄膜磁気ヘッドは、抵抗体が、金属酸化膜又は合金酸化膜でなり、前記金属酸化膜又は前記合金酸化膜を部分的に還元して得られた還元部分を有する。薄膜磁気ヘッドとして備えるべき他の構成要件は、第２の態様に係る薄膜磁気ヘッドと共通である。
【００３０】
第３の態様に係る薄膜磁気ヘッドの場合、抵抗体について、酸化部分に対する還元部分の相対比を調整することにより、第１の端子及び第２の端子の間で見た合成抵抗値を、所望の値に合わせることができる。
【００３１】
（４）第４の態様に係る薄膜磁気ヘッド
第４の態様に係る薄膜磁気ヘッドは、抵抗体が、金属膜又は合金膜でなり、前記金属膜又は前記合金膜を部分的に酸化して得られた酸化部分を有する。薄膜磁気ヘッドとして備えるべき他の構成要件は、第２の態様に係る薄膜磁気ヘッドと共通である。
【００３２】
第４の態様に係る薄膜磁気ヘッドにおいては、酸化されていない部分に対する酸化部分の面積的相対比を調整することにより、第１の端子及び第２の端子の間で見た合成抵抗値を、所望の値に合わせることができる。
【００３３】
３．磁気ヘッド装置
本発明において、磁気ヘッド装置とは、薄膜磁気ヘッドをジンバルに取り付けたヘッド・ジンバル・組立体（Head Gimbal Assembly 以下、ＨＧＡと称する）、ＨＧＡをアームに取り付けたヘッド・アーム組立体（Head Arm Assembly 以下、ＨＡＡと称する）及び複数のＨＡＡをスタックしたヘッド・スタック組立体（Head Stack Assembly 以下、ＨＳＡと称する）を含む概念である。また、ヘッド支持装置の構成部分には、ジンバル、フレクシャ、サスペンション、アーム、ロードビーム、ベースプレートなど、多様の技術用語が用いられているいるが、少なくとも、磁気ヘッドに対し荷重をかけることができ、しかも、ピッチ運動及びロール運動を許容する支持装置であれば、用いられている技術用語の相違にかかわらず、本発明にいうヘッド支持装置に含まれる。
【００３４】
（１）第１の態様に係る磁気ヘッド装置
第１の態様に係る磁気ヘッド装置は、先に述べた本発明に係る薄膜磁気ヘッドと、ヘッド支持装置とを含む。前記ヘッド支持装置は、前記薄膜磁気ヘッドを支持する。
【００３５】
従って、本発明に係る磁気ヘッド装置は、先に述べた薄膜磁気ヘッドの有する利点を全て共有することができる。
【００３６】
（２）第２の態様に係る磁気ヘッド装置
第２の態様に係る磁気ヘッド装置は、薄膜磁気ヘッドと、ヘッド支持装置と、フレキシブル配線と、抵抗体とを含む。前記薄膜磁気ヘッドは、再生素子と、スライダとを含んでおり、前記スライダは、前記再生素子を支持している。前記ヘッド支持装置は、一端部で前記薄膜磁気ヘッドを支持している。前記フレキシブル配線は、２つのリード導体と、２つの端子とを含み、前記リード導体のそれぞれは一端が前記再生素子に接続され、他端が前記端子によって終端されている。前記抵抗体は、前記リード導体間又は前記端子間に接続されている。
【００３７】
第２の態様に係る磁気ヘッド装置において、再生素子に接続されているリード導体間、又は、端子間に、抵抗体が設けられているから、抵抗体は、再生素子に対して、電気的に並列に入る。このため、端子間で見た抵抗値が、再生素子自体の抵抗値と抵抗体の抵抗値の合成値となる。従って、仮に、個々の磁気ヘッド装置において、再生素子の抵抗値が異なっている場合でも、抵抗体の抵抗値を、再生素子の抵抗値に合わせて選定することにより、２つの端子の間で見た合成抵抗値を、所望の値に合わせることができる。
【００３８】
２つの端子間に接続される抵抗体の抵抗値は、次のような手段によって適正値に設定することができる。
【００３９】
第１の手段は、薄膜磁気ヘッドの製造工程の何れかの段階で再生素子の抵抗値を測定しておき、その値に基づいて、２つの端子間で見た抵抗値が、異なる磁気ヘッド装置間で、常に一定となるように抵抗体を選択する手法である。
【００４０】
第２の手段は、磁気ヘッド装置として完成した後に、２つの端子間で再生素子３の抵抗値を測定し、その測定値に基づいて、接続されるべき抵抗体の抵抗値を決定する手法である。
【００４１】
第３の手段は、抵抗体をトリミングすることである。この場合には、抵抗体は、抵抗値調整用トリミング痕を有することになる。２つの端子間で見た合成抵抗値は、抵抗体の厚み、幅及び長さに対するトリミング痕の大きさによって調整される。このため、仮に、再生素子の抵抗値がばらついた場合でも、トリミング痕の大きさを調整することによって、２つの端子の間で見た合成抵抗値を、所望の値に合わせることができる。
【００４２】
第４の手段は、抵抗体を、金属膜又は合金膜で構成し、この抵抗体に相変化部分を生じさせることである。この構成によれば、２つの端子の間で見た合成抵抗値を、相変化部分に生じる抵抗値の変化に応じて調整することができる。
【００４３】
第５の手段は、抵抗体を、金属酸化膜又は合金酸化膜で構成し、還元部分を生じさせることである。これにより、酸化部分に対する還元部分の相対比を調整することにより、２つの端子の間で見た合成抵抗値を、所望の値に合わせることができる。
【００４４】
第６の手段は、抵抗体を、金属膜又は合金膜で構成し、前記金属膜又は前記合金膜を部分的に酸化して得られた酸化部分を生じさせることである。酸化されていない部分に対する酸化部分の面積的相対比を調整することにより、２つの端子の間で見た合成抵抗値を、所望の値に合わせることができる。
【００４５】
４．磁気ディスク装置
本発明に係る磁気ディスク装置は、磁気ヘッド装置と、磁気ディスクとを含む。前記磁気ヘッド装置は、先に述べた本発明に係る磁気ヘッド装置である。前記磁気ディスクは、前記磁気ヘッド装置と協働して、磁気記録の書込み及び読出しに供される。
【００４６】
５．薄膜磁気ヘッドの製造方法
本発明は、更に、複数の態様に属する薄膜磁気ヘッドの製造方法を開示する。
【００４７】
（１）第１の態様に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法
第１の態様に係る製造方法は、その主要なプロセスが、多数の薄膜磁気ヘッド（薄膜磁気ヘッド要素）が整列して設たウエハ上で実行される。薄膜磁気ヘッドは、再生素子と、第１の電極構造体と、第２の電極構造体とを含んでいる。前記第１の電極構造体及び前記第２の電極構造体は、前記再生素子に対する対の給電体を構成している。
【００４８】
上記構成において、まず、前記第１の電極構造体及び前記第２の電極構造体の間で、前記再生素子の電気抵抗値を測定する。電気抵抗は、磁場中で測定することが好ましい。
【００４９】
その後、測定値に基づいて選定された値を持つ抵抗体を、前記再生素子に対して電気的に並列に接続する。これにより、第１の電極構造体及び第２の電極構造体の間で見た合成抵抗値を、所定値に合わせることができる。
【００５０】
ところで、ウエハから薄膜磁気ヘッドの個品を取り出すには、ウエハからバー状集合体を切り出し、更に、バー状集合体の空気ベアリング面（以下ABSと称する）となる面を研磨して、再生素子に含まれるMR素子のハイト調整をし、その後に個品に分割する。上述したハイト調整によって、再生素子を構成するMR素子の面積が縮小され、その抵抗値が上昇する。
【００５１】
第１の態様に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法において、再生素子に含まれるMR素子の電気抵抗値の測定は、ハイト調整前の段階で実行される。従って、抵抗体の抵抗値は、ハイト調整による上昇分を見積もったMR素子の抵抗値を基準にして、定める必要がある。
【００５２】
上記処理を含むことにより、第１の端子及び第２の端子の間で見た合成抵抗値を、所定値に正確に合わせる（理論的には誤差零）ことができる。
【００５３】
測定値に基づいて選定された値を持つ抵抗体を、再生素子を構成するＭＲ素子に対して電気的に並列に接続するタイミングは、様々である。その例を示すと次のとおりである。
（ａ）抵抗体を、第１の電極構造体と、第２の電極構造体との間に配置する。
（ｂ）薄膜磁気ヘッドの完成形において、スライダに設けられる他端（バンプ）の間に、抵抗体を設ける。
（ｃ）ＨＧＡの段階で、フレキシブル配線のリード導体間または端子間に抵抗体を接続する。
【００５４】
（２）第２の態様に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法
第２の態様に係る製造方法では、第1の電極構造体及び第２の電極構造体の間に抵抗体を接続し、レーザ照射による抵抗値調整を行なう。具体的には、まず、再生素子に対する対の給電体を構成する第１の電極構造体及び第２の電極構造体の間に、金属膜又は合金膜でなる抵抗体を形成する。次に、前記抵抗体にレーザを照射して、前記金属膜又は前記合金膜に、部分的に相変化を生じさせ、抵抗値を調整する。
【００５５】
上記工程を経ることにより、第１の電極構造体及び第２の電極構造体の間で見た合成抵抗値を、相変化部分に生じる抵抗値の変化に応じて調整することができる。このため、仮に、再生素子を構成するＭＲ素子の抵抗値がばらついた場合でも、相変化部分に生じる抵抗値を調整することによって、第１の電極構造体及び第２の電極構造体の間で見た合成抵抗値を、所望の値に合わせることができる。
【００５６】
（３）第３の態様に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法
第３の態様に係る製造方法は、抵抗体にレーザを照射して抵抗値を調整する点は、第３の態様に係る製造方法と共通であるが、前記抵抗体は、金属酸化膜又は合金酸化膜でなり、前記抵抗体にレーザを照射して還元部分を生じさせ、抵抗値を調整する点に特徴がある。
【００５７】
（４）第４の態様に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法
第４の態様に係る製造方法も、抵抗体にレーザを照射して抵抗値を調整する点は、第２及び第３の態様に係る製造方法と共通であるが、前記抵抗体は、金属膜又は合金膜でなり、前記抵抗体にレーザを照射して酸化部分を生じさせ、抵抗値を調整する点に特徴がある。
【００５８】
（５）第５の態様に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法
第５の態様に係る製造方法では、薄膜磁気ヘッドは、再生素子と、第１の端子と、第２の端子とを含んでいる。前記再生素子は、保護膜によって覆われている。前記第１の端子及び前記第２の端子は、前記再生素子に対する対の給電体を構成し、それぞれの一端が互いに間隔を隔てて前記保護膜の表面に導出されている。
【００５９】
上記の構成において、前記第１の端子及び前記第２の端子の間で、前記再生素子の電気抵抗値を測定し、その後、測定値に基づいて選定された値を持つ抵抗体を、前記再生素子に対して電気的に並列に接続する。
【００６０】
上記プロセスを含むことにより、再生素子の電気抵抗値を測定することができるので、仮に、再生素子を構成するＭＲ素子の抵抗値がばらついた場合でも、第１の端子及び第２の端子の間で見た合成抵抗値を、所定値に正確に合わせる（理論的には誤差零）ことができる。
【００６１】
測定値に基づいて選定された値を持つ抵抗体は、薄膜磁気ヘッドに備えられた第１の端子と、第２の端子との間に接続するか、または、ＨＧＡの段階で、フレキシブル配線のリード導体間又は端子間に接続する。
【００６２】
（６）第６の態様に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法
第６の態様に係る製造方法では、その主要なプロセスが、多数の薄膜磁気ヘッド（薄膜磁気ヘッド要素）が整列して設けたウエハ上で実行される点では、第５の態様に係る製造方法と共通であるが、前記抵抗体は、金属膜又は合金膜でなり、前記抵抗体にレーザを照射して、相変化を生じさせ、抵抗を調整する点に特徴がある。
【００６３】
（７）第７の態様に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法
第７の態様に係る製造方法でも、その主要なプロセスは、多数の薄膜磁気ヘッド要素を整列して設けたウエハ上で実行される。特徴点は、前記抵抗体を、金属酸化膜又は合金酸化膜で構成し、前記抵抗体にレーザを照射して還元し、抵抗値を調整することである。
【００６４】
（８）第８の態様に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法
第８の態様に係る製造方法でも、その主要なプロセスは、多数の薄膜磁気ヘッド要素を整列して設けたウエハ上で実行される。特徴点は、前記抵抗体を、金属膜又は合金膜で構成し、前記抵抗体にレーザを照射して酸化し、抵抗値を調整することである。
【００６５】
第５乃至第８の態様に係る製造方法では、再生素子の電気抵抗測定及び抵抗調整プロセスを、ウエハの上で実行することを前提として説明した。ウエハ上で電気抵抗を測定し、又は、調整した場合は、上述したように、ハイト調整による上昇分を見積もったＭＲ素子の抵抗値を基準にして、抵抗値を定めなければならない。
【００６６】
そこで、第５乃至第８の態様に係るプロセスを、ハイト調整後のバー状集合体の上で、実行する。この場合は、測定抵抗値自体を基準にして、抵抗体の抵抗値を定めることができるので、高精度で、抵抗値を調整することができる。
【００６７】
６．磁気ヘッド装置の製造方法
本発明は、更に、磁気ヘッド装置の製造方法について開示する。
【００６８】
（１）第１の態様に係る磁気ヘッド装置の製造方法
本発明の適用される磁気ヘッド装置は、薄膜磁気ヘッドと、ヘッド支持装置と、フレキシブル配線とを含む。前記薄膜磁気ヘッドは、再生素子と、スライダとを含んでいる。前記スライダは、前記再生素子を支持している。前記ヘッド支持装置は、一端部で前記薄膜磁気ヘッドを支持している。前記フレキシブル配線は、２つのリード導体と、２つの端子とを含み、前記リード導体のそれぞれは一端が前記再生素子に接続され、他端が前記端子によって終端されている。
【００６９】
上記構成において、前記再生素子の電気抵抗値を、予め測定しておき、その後、測定値に基づいて選定された値を持つ抵抗体を、前記リード導体間又は前記端子間に接続する。電気抵抗は、磁場中で測定することが好ましい。
【００７０】
上記プロセスを含むことにより、再生素子の電気抵抗値を正確に測定することができるので、仮に、再生素子を構成するＭＲ素子の抵抗値がばらついた場合でも、フレキシブル配線の端子間で見た合成抵抗値を、所定値に正確に合わせる（理論的には誤差零）ことができる。磁気ヘッド装置の場合は、既に、再生素子に含まれるＭＲ素子のハイト調整が終了しているので、測定して得られた電気抵抗値それ自体を基準にして、抵抗体の抵抗値を定めることができる。この点は、以下の各態様においても、同様に当てはまる。
【００７１】
（２）第２の態様に係る磁気ヘッド装置の製造方法
第２の態様に係る製造方法でも、磁気ヘッド装置は、薄膜磁気ヘッドと、ヘッド支持装置と、フレキシブル配線とを含む。前記薄膜磁気ヘッドは、再生素子と、スライダとを含んでいる。前記スライダは、前記再生素子を支持している。前記ヘッド支持装置は、一端部で前記薄膜磁気ヘッドを支持している。前記フレキシブル配線は、２つのリード導体と、２つの端子とを含み、前記リード導体のそれぞれは一端が前記再生素子に接続され、他端が前記端子によって終端されている。
【００７２】
上記構成において、前記リード導体間又は前記端子間に、金属膜又は合金膜でなる抵抗体を形成し、次に、前記抵抗体にレーザを照射して、前記金属膜又は前記合金膜を、部分的に除去して、抵抗値を調整する。
【００７３】
上記プロセスによれば、抵抗体が部分的に除去（トリミング）され、２つの端子間で見た合成抵抗値は、抵抗体の厚み、幅及び長さに対するトリミング痕の大きさによって調整される。このため、仮に、再生素子の抵抗値がばらついた場合でも、トリミング痕の大きさを調整することによって、２つの端子間で見た合成抵抗値を、所望の値に合わせることができる。
【００７４】
（３）第３の態様に係る磁気ヘッド装置の製造方法
第３の態様に係る製造方法でも、磁気ヘッド装置は、薄膜磁気ヘッドと、ヘッド支持装置と、フレキシブル配線とを含む。前記薄膜磁気ヘッドは、再生素子と、スライダとを含んでいる。前記スライダは、前記再生素子を支持している。前記ヘッド支持装置は、一端部で前記薄膜磁気ヘッドを支持している。前記フレキシブル配線は、２つのリード導体と、２つの端子とを含み、前記リード導体のそれぞれは一端が前記再生素子に接続され、他端が前記端子によって終端されている。
【００７５】
上記構成において、前記リード導体間又は前記端子間に、金属膜又は合金膜でなる抵抗体を形成し、次に、前記抵抗体にレーザを照射して、前記金属膜又は前記合金膜に、部分的に相変化を生じさせ、抵抗値を調整する。
【００７６】
（４）第４の態様に係る磁気ヘッド装置の製造方法
第４の態様に係る製造方法でも、磁気ヘッド装置は、薄膜磁気ヘッドと、ヘッド支持装置と、フレキシブル配線とを含む。前記薄膜磁気ヘッドは、再生素子と、スライダとを含んでいる。前記スライダは、前記再生素子を支持している。前記ヘッド支持装置は、一端部で前記薄膜磁気ヘッドを支持している。前記フレキシブル配線は、２つのリード導体と、２つの端子とを含み、前記リード導体のそれぞれは一端が前記再生素子に接続され、他端が前記端子によって終端されている。
【００７７】
上記構成の磁気ヘッド装置において、前記リード導体間又は前記端子間に、金属酸化膜又は合金酸化膜でなる抵抗体を形成し、次に、前記抵抗体にレーザを照射して、前記金属酸化膜又は前記合金酸化膜に、部分的に還元部分を生じさせ、抵抗値を調整する。
【００７８】
（５）第５の態様に係る磁気ヘッド装置の製造方法
第５の態様に係る製造方法でも、磁気ヘッド装置は、薄膜磁気ヘッドと、ヘッド支持装置と、フレキシブル配線とを含む。前記薄膜磁気ヘッドは、再生素子と、スライダとを含んでいる。前記スライダは、前記再生素子を支持している。前記ヘッド支持装置は、一端部で前記薄膜磁気ヘッドを支持している。前記フレキシブル配線は、２つのリード導体と、２つの端子とを含み、前記リード導体のそれぞれは一端が前記再生素子に接続され、他端が前記端子によって終端されている。
【００７９】
上記構成において、前記リード導体間又は前記端子間に、金属膜又は合金膜でなる抵抗体を形成し、次に、前記抵抗体にレーザを照射して、前記金属膜又は前記合金膜に部分的に、酸化部分を生じさせ、抵抗値を調整する。
【００８０】
本発明の他の目的、構成及び利点については、添付図面を参照し、更に詳しく説明する。添付図面は単なる例示に過ぎない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００８１】
１．薄膜素子
本発明に係る薄膜素子は、薄膜磁気ヘッドにおいて、再生素子として用いることができる他、ＭＲＡＭなどの磁気記憶素子や、磁気センサなどにも適用できる。本発明は、３つの異なる態様の薄膜素子を開示する。
【００８２】
（１）第１の態様に係る薄膜素子
図１は第１の態様に係るＭＲ素子の平面図、図２は図１の２−２線に沿った断面図である。第１の態様に係る薄膜素子は、ＭＲ素子３０と、第１の電極構造体を形成する電極膜３１と、第２の電極構造体を形成する電極膜３３と、抵抗体３９とを含む。
【００８３】
ＭＲ素子３０は、ＳＶ膜又はＴＭＲ膜を含んでいる。限定するものではないが、ＭＲ素子３０の一例を図２に示してある。図２を参照すると、ＭＲ素子３０は、ＣＰＰ構造を有する。ＣＩＰ構造であってもよいが、ＣＰＰ構造であることが特に好ましい。ＣＰＰ構造は、磁気シールドそのものを電極として用いることができるため、磁気シールドと素子との間のショート(絶縁不良)が本質的に生じないからである。ＴＭＲ膜は、基本的に、ＣＰＰ構造となる。ＳＶ膜においても、上述したＣＰＰ構造を採用できる。スペキュラー型やデュアル型などの多層膜構造がその例である。
【００８４】
ＭＲ素子３０は、フリー層３０２を含み、フリー層３０２に隣接する非磁性層３０３を有し、非磁性層３０３に、磁化方向が固定されたピンド層３０４が隣接している。ピンド層３０４には反強磁性層３０５が隣接ている。ピンド層３０４は、反強磁性層３０５との交換結合により、磁化方向が固定される。
【００８５】
フリー層３０２、非磁性層３０３、ピンド層３０４及び反強磁性層３０５の膜構造及び組成材料等については、既に知られている技術を、任意に適用できる。一例をあげると、フリー層３０２及びピンド層３０４は、例えば、ＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ等で構成され、反強磁性層３０５はＦｅＭｎ、ＭｎＩｒ、ＮｉＭｎ、ＣｒＭｎＰｔ、ＰｔＭｎなどによって構成される。非磁性層３０３は、ＳＶ膜の場合はＣｕ等を主成分とする導電性材料層で構成され、ＴＭＲ膜の場合は、Ａｌ2Ｏ3層などの絶縁性材料層で構成される。
【００８６】
第１の電極膜３１は、基体１の一面上に設けられており、下部磁気シールドとしての機能を果たす。第１の電極膜３１の一面上には、下地金属膜３０６が薄く形成されており、ＭＲ素子３０はその上に形成されている。
【００８７】
第２の電極膜３３は、上部磁気シールド膜として兼用されるもので、上部金属膜３０１を介して、フリー層３０２に隣接している。第２の電極膜３３は絶縁層２７によって覆われている。
【００８８】
ＭＲ素子３０の幅方向の両側部には、磁区制御膜３５、３５が備えられている。磁区制御膜３５、３５は、フリー層３０２の磁区を制御する。磁区制御膜３５、３５は、絶縁膜３７、３７によって、ＭＲ素子３０から電気的にへだてられている。絶縁膜３７、３７は、酸化絶縁物で構成され、ＭＲ膜３０に接触している。具体的には、絶縁膜３７、３７は、Ａｌ2Ｏ3、または、ＳｉＯ2等の酸化絶縁材料からなる。
【００８９】
上述したＭＲ素子において、ＭＲ素子３０と、第１の電極膜３１及び第２の電極膜３３とを含んでおり、第１の電極膜３１及び第２の電極膜３３のそれぞれは、ＭＲ素子３０の両面に隣接している。したがって、ＭＲ素子３０の膜面に対して垂直方向にセンス電流を流すＭＲ素子を得ることができる。
【００９０】
ＣＰＰ構造のＳＶ膜またはＴＭＲ膜は、少なくとも１つのフリー層３０２を含んでおり、フリー層３０２に発生することのあるバルクハウゼンノイズを抑制しなければならない。図示実施例の磁気抵抗効果素子は、磁区制御膜３５、３５を含んでおり、磁区制御膜３５、３５は、ＭＲ素子３０の幅方向の両側部に配置され、フリー層３０２の磁区を制御する。
【００９１】
絶縁膜３７、３７は、磁区制御膜３５、３５と、第１の電極膜３１及び第２の電極膜３３との間に層状に介在し、ＭＲ素子３０との間では、両者間を完全に遮断するように形成されている。この構造によれば、第１の電極膜３１及び第２の電極膜３３及びＭＲ素子３０から磁区制御膜３５、３５へのセンス電流の漏洩を、絶縁膜３７、３７によって、確実に防止することができる。第１の電極膜３１及び第２の電極膜３３は、下部及び上部の磁気シールド膜としても兼用されているから、ＭＲ素子３０に対する磁気的外乱を回避し得る。
【００９２】
図示実施例では、ＭＲ素子３０は、ＳＶ膜又はＴＭＲ膜を含んでいるから、高感度、高出力の薄膜素子が得られる。特に、ＴＭＲ膜を用いた場合には、ＳＶ膜を用いた場合の２倍以上の抵抗変化率が期待できる。
【００９３】
第１の電極膜３１及び第２の電極膜３３は、ＭＲ素子３０に対する対の給電体を構成するから、第１の電極膜３１及び第２の電極膜３３により、ＭＲ素子３０にセンス電流を供給し、ＭＲ素子３０の外部磁界に応答する抵抗値変化から、外部磁界を、センス電流の変化として検出することができる。
【００９４】
第１の電極膜３１のリード部３１１及び第２の電極膜３３のリード部３３１の間には、抵抗体３９が接続されている。従って、第１の電極膜３１のリード部３１１及び第２の電極膜３３のリード部３３１の間で見た抵抗値が、ＭＲ素子３０の抵抗値と抵抗体３９の抵抗値の合成値となる。
【００９５】
抵抗体３９は、相変化部分３９２（図1参照）を有する。従って、第１の電極膜３１のリード部３１１及び第２の電極膜３３のリード部３３１の間で見た合成抵抗値を、相変化部分３９２に生じる抵抗値の変化に応じて調整することができる。このため、仮に、ＭＲ素子３０の抵抗値がばらついた場合でも、相変化部分３９２に生じる抵抗値を調整することによって、リード部３１１及びリード部３３１の間で見た合成抵抗値を、所望の値に合わせることができる。
【００９６】
ＣＰＰ構造のＭＲ素子３０においては、例えば、ＴＭＲ膜を例に採ると、厚さ１ｎｍ程度、もしくはそれ以下の厚さの極薄のトンネルバリア層が支配的要因となって、ＭＲ素子３０の抵抗値が決まり、かつ、極薄トンネルバリア層である非磁性層３０３の制御が困難であることから、ＭＲ素子３０の抵抗値が目標とする抵抗値に対してばらついてしまうという問題があった。
【００９７】
第１の態様に係る薄膜素子によれば、ＭＲ素子３０の抵抗値が目標とする抵抗値に対してばらついてしまったとしても、抵抗体３９の相変化部分３９２の面積を調整することによって、第１の電極膜３１のリード部３１１及び第２の電極膜３３のリード部３３１の間で見た合成抵抗値を、目標値に合わせることができる。従って、本発明によれば、従来の問題点を確実に解消することができる。
【００９８】
具体的には、抵抗体３９を、β相のＴａによって構成し、α相の相変化部分を生じさせる。α相を生じさせるには、β相のＴａに、例えば、レーザを照射して加熱する。この場合、α相は、ｂｃｃ構造（体心立方構造）を持ち、比抵抗が０．１０〜１．５０μΩｍである。β相は、正方晶系であって、比抵抗が１．８０〜２．００μΩｍである。従って、α相及びβ相の面積比を調整することによって、リード部３１１及びリード部３３１の間で見た合成抵抗値を、所望の値に合わせることができる。
【００９９】
別の態様として、抵抗体３９は、ＧｅＳｂＴｅまたはＳｂＴｅを主成分とし、アモルファス相または結晶相の相変化部分を生じさせることもできる。この場合は、結晶相を主成分とする抵抗体３９に、例えば、レーザを照射して加熱し、加熱した後、急冷却する。これにより、高抵抗のアモルファス相となる。アモルファス相を主成分とする場合は、強いレーザを照射する。急冷却はしない。これにより、低抵抗の結晶相を生じさせることができる。
【０１００】
このような処理により得られるアモルファス相または結晶相の面積を調整することにより、第１の電極膜３１のリード部３１１及び第２の電極膜３３のリード部３３１の間で見た合成抵抗値を、所望の値に合わせることができる。
【０１０１】
抵抗体３９を構成する材料は、相変化を生じさせることにより、抵抗値が変わるものであればよいので、上述した材料に限定されない。
【０１０２】
（２）第２の態様に係る薄膜素子
第２の態様に係る薄膜素子は、外観的には、図１に示すものと同じであるので、図１を引用して説明する。第２の態様に係る薄膜素子は、抵抗体３９が、金属酸化膜又は合金酸化膜でなり、この金属酸化膜又は合金酸化膜を部分的に還元して得られた還元部分３９２を有する点で、第１の態様に係る薄膜素子と異なる。他の構成要件は、第１の態様に係る薄膜素子と共通である。
【０１０３】
この場合は、抵抗体３９に、例えば、レーザを照射する。これにより、レーザの照射を受けた部分が還元されて、金属化され、還元部分３９２が生じる。従って、還元を受けていない酸化部分に対する還元部分３９２の面積相対比を調整することにより、第１の電極膜３１のリード部３１１及び第２の電極膜３３のリード部３３１の間で見た合成抵抗値を、所望の値に合わせることができる。
【０１０４】
この場合に選択されるべき抵抗体３９としては、Ａｇ又はＰｔの何れかの酸化物を主成分とするものが適している。但し、抵抗体３９を構成する材料は、還元によって、抵抗値が変わるものであればよいので、上述した材料に限定されない。
【０１０５】
（３）第３の態様に係る薄膜素子
第３の態様に係る薄膜素子も、外観的には、図１に示すものと同じであるので、図１を参照して説明する。第３の態様に係る薄膜素子は、抵抗体３９が、金属膜又は合金膜でなり、前記金属膜又は前記合金膜を部分的に酸化して得られた酸化部分３９２を有する点で、第１、第２の態様に係る薄膜素子と異なる。他の構成要件は、第１、第２の態様に係る薄膜素子と共通である。
【０１０６】
酸化部分３９２を生成するには、抵抗体３９に、例えば、レーザを照射する。これにより、レーザの照射を受けた部分が酸化されて、酸化部分３９２が生じる。従って、酸化されていない部分に対する酸化部分３９２の面積的相対比を調整することにより、第１の電極膜３１のリード部３１１及び第２の電極膜３３のリード部３３１の間で見た合成抵抗値を、所望の値に合わせることができる。この場合に選択されるべき抵抗体３９としては、Ｚｎを主成分とするものを挙げることができる。但し、抵抗体３９を構成する材料は、酸化によって、抵抗値が変わるものであればよいので、上述した材料に限定されない。
【０１０７】
以上の説明ではリード部３１１とリード部３３１の間に抵抗体を形成する例にて説明したが、第１の電極構造体と第２の電極構造体との間であれば抵抗体を形成する場所に制約はない。例えば、電極膜同士の間や、リード部の一端が接続されるリード電極膜同士の間に形成しても良く、その他の組み合わせは自由である。
【０１０８】
２．薄膜磁気ヘッド
本発明は、複数の異なる態様の薄膜磁気ヘッドを開示する。
【０１０９】
（１）第１の態様に係る薄膜磁気ヘッド
図３は第１の態様に係る薄膜磁気ヘッドを、空気流出端側（トレーリング側）から見た図であって、記録素子を省略し、再生素子の部分のみを抽出して示す図、図４は図３に示した薄膜磁気ヘッドの電磁変換部分を拡大して示す断面図、図５は図４の５−５線に沿った断面図である。
【０１１０】
第１の態様に係る薄膜磁気ヘッドは、上述した本発明に係る薄膜素子（図１、図２参照）を、再生素子３として用いたものである。勿論、薄膜磁気ヘッドの基本的構成として、再生素子３のほかに、記録素子２、及び、スライダ１を備えなければならない。記録素子２は、再生素子３と重なる位置に設けられる。スライダ１は、再生素子３及び記録素子２を支持する。その詳細について、説明すると次のとおりである。
【０１１１】
まず、記録素子２は、例えば、誘導型磁気変換素子あり、書込用磁極端がＡＢＳに面し、保護膜２７によって覆われている。保護膜２７は、例えば、アルミナなどによって構成されている。
【０１１２】
記録素子２は、下部磁性膜２１と、上部磁性膜２２と、記録ギャップ膜２４と、コイル膜２３とを含む。下部磁性膜２１は、その大部分を構成するヨーク部２１０の先端に、下部磁極部分２１１を有する。上部磁性膜２２は、ヨーク部２１１の先端部に上部磁極２２２が設けられている。下部磁極部分２１１及び上部磁極部分２２２は、幅が極めて狭く絞り込まれており、それによって、書込み磁界を集中させる構造になっている。下部磁性膜２１及び上部磁性膜２２は、それぞれのヨーク部２１０、２２１が、ＡＢＳを基準にして後方側において、結合部２５により、磁気的に連結されている。
【０１１３】
記録ギャップ膜２４は、下部磁極部分２１１と、上部磁極２２２との間に設けられている。コイル膜２３は、下部磁性膜２１を構成するヨーク部２１０、及び、上部磁性膜２２のヨーク部２２１の間に生じるインナーギャップ内の絶縁膜２６内に、絶縁された状態で配設されている。。コイル膜２３の両端は、第３の端子２９１及び第４の端子２９２（図３参照）に接続されている。記録素子２としては、上記の形態に限定されず、これまで提案され、又はこれから提案されることのある記録素子を広く適用できる
再生素子３は、実質的に、図２に示した積層構造を有し、記録素子２との関係では、図５に示すようになっている。即ち、再生素子３の最上層を構成する第２の電極構造体３３の上には、アルミナなどでなる絶縁層３４が広く拡がっており、記録素子２は、この絶縁膜３４の上に形成されている。
【０１１４】
図３を参照すると、再生素子３は、第１の電極膜３１から延びたリード部３１１と、第２の電極膜３３から延びたリード部３３１との間に、抵抗体３９が接続されている。更にリード部３１１には、リード電極膜３１２の一端が接続されており、リード部３３１には、リード電極膜３３２の一端が接続されている。リード電極膜３１２の他端は、第１の端子３１３に接続されており、リード電極膜３３２の他端は、第２の端子３３３に接続されている。第１の端子３１３及び第２の端子３３３は、保護膜２７の表面１３（図４参照）に露出し、その表面にフレキシブル配線などが接続される。
【０１１５】
この第１の態様に係る薄膜磁気ヘッドは、本発明に係る薄膜素子を、再生素子として用いるので、薄膜素子の有する作用効果をそのまま奏することになる。
【０１１６】
（２）第２の態様に係る薄膜磁気ヘッド
図６は第２の態様に係る薄膜磁気ヘッドを、トレーリング側から見た図であって、記録素子を省略し、再生素子部分のみを抽出して示す図である。第２の態様に係る薄膜磁気ヘッドも、再生素子３と、記録素子２と、スライダ１と、第１の端子３１３と、第２の端子３３３と、抵抗体３９とを含む。
【０１１７】
再生素子３は、ＳＶ膜又はＴＭＲ膜などでなるＭＲ素子を含んでいる。この再生素子３は、先に述べた本発明に係る薄膜素子である必要はない。即ち、リード部３１１及びリード部３３１に直接に付与される抵抗体を有する必要はない。記録素子２は、再生素子３と重なる位置に設けられている。スライダ１は、再生素子３及び記録素子２を支持している。第１の端子３１３及び第２の端子３３３は、再生素子３に対する対の給電体を構成し、それぞれの一端が互いに間隔を隔ててスライダ１の表面に導出されている。その詳細は、図４及び図５に図示し、説明したとおりである。
【０１１８】
抵抗体３９は、スライダ１の表面、具体的にはトレーリング側において、外面を構成する保護膜２７の表面に付着され、第１の端子３１３及び第２の端子３３３を接続する。抵抗体３９は、金属膜又は合金膜でなり、他の部分と相の異なる相変化部分３９２を有する。
【０１１９】
上述したように、抵抗体３９は、相変化部分３９２を有するから、第１の端子３１３及び第２の端子３３３の間で見た合成抵抗値を、相変化部分３９２に生じる抵抗値の変化に応じて調整することができる。このため、仮に、再生素子３の抵抗値がばらついた場合でも、相変化部分３９２に生じる抵抗値を調整することによって、第１の端子３１３及び第２の端子３３３の間で見た合成抵抗値を、所望の値に合わせることができる。
【０１２０】
相変化部分を生じさせる際に抵抗体として選択されるべき材料の具体例、相変化を生じさせるための具体的手段、及び、相変化部分の作用などについては、第１の態様に係る薄膜素子の説明において、述べたとおりである。
【０１２１】
（３）第３の態様に係る薄膜磁気ヘッド
第３の態様に係る薄膜素子も、外観的には、図６に示すものと同じであるので、図６を引用して説明する。第３の態様に係る薄膜磁気ヘッドは、抵抗体３９が、金属酸化膜又は合金酸化膜でなり、金属酸化膜又は合金酸化膜を部分的に還元して得られた還元部分３９２を有する点で、第１及び第２の態様に係る薄膜磁気ヘッドと異なる。他の構成要件は、第１及び第２の態様に係る薄膜磁気ヘッドと共通である。
【０１２２】
抵抗体として選択されるべき材料の具体例、還元を生じさせるための具体的手段、及び、還元部分の作用などについては、第２の態様に係る薄膜素子の説明において、述べたとおりである
（４）第４の態様に係る薄膜磁気ヘッド
第４の態様に係る薄膜素子も、外観的には、図６に示すものと同じであるので、図６を引用して説明する。第４の態様に係る薄膜磁気ヘッドは、抵抗体３９が、金属膜又は合金膜でなり、金属膜又は合金膜を部分的に酸化して得られた酸化部分３９２を有する点で、第２及び第３の態様に係る薄膜磁気ヘッドと異なる。他の構成要件は、第２及び第３の態様に係る薄膜磁気ヘッドと共通である。
【０１２３】
抵抗体３９として選択されるべき材料の具体例、酸化させるための具体的手段、及び、酸化部分の作用などについては、第３の態様に係る薄膜素子の説明において述べたとおりである
３．磁気ヘッド装置
本発明において、磁気ヘッド装置とは、薄膜磁気ヘッドをジンバルに取り付けたヘッド・ジンバル・組立体（Head Gimbal Assembly 以下、ＨＧＡと称する）、ＨＧＡをアームに取り付けたヘッド・アーム組立体（Head Arm Assembly  以下、ＨＡＡと称する）及び複数のＨＡＡをスタックしたヘッド・スタック組立体（Head Stack Assembly 以下、ＨＳＡと称する）を含む概念である。
【０１２４】
（１）第１の態様に係る磁気ヘッド装置
図７は第１の態様に係る磁気ヘッド装置の構成を示す斜視図、図８は図７に示した磁気ヘッド装置の一部を示す正面図、図９は図７及び図８に示した磁気ヘッド装置のフレキシブル配線分を拡大して示す図である。第１の態様に係る磁気ヘッド装置は、先に述べた本発明に係る薄膜磁気ヘッド４と、ヘッド支持装置５とを含む。ヘッド支持装置５は、薄膜磁気ヘッド４を支持する。
【０１２５】
薄膜磁気ヘッド４として、図３〜図６に示したものを用いる。薄膜磁気ヘッド４は、図３〜図５を参照して既に述べたように、スライダ１と、記録素子２と、再生素子３とを含んでいる。
【０１２６】
ヘッド支持装置５は、一端部で薄膜磁気ヘッド４を支持している。ヘッド支持装置５は、図８に拡大して示すように、金属薄板でなる支持体５１の長手方向の一端にある自由端に、同じく金属薄板でなる可撓体を取付け、この可撓体の下面に薄膜磁気ヘッド４を取付けた構造となっている。具体的には、可撓体は、支持体５１の先端を自由端とした舌状片５２４を有する。支持体５１の下面には、例えば半球状の荷重用突起５２５が設けられている。この荷重用突起５２５により、支持体５１の自由端から舌状片５２４へ荷重力が伝えられる。本発明に適用可能なヘッドヘッド支持装置５は、上記実施例に限定するものではなく、これまで提案され、またはこれから提案されることのあるヘッド支持装置５を広く適用できる。
【０１２７】
薄膜磁気ヘッド４は、舌状片５２４の下面に接着等の手段によって取付けられ、ピッチ動作及びロール動作が許容されるように支持されている。
【０１２８】
フレキシブル配線６は、コネクタ部６１を有し、ヘッド支持装置５の一面に沿って配置されている。フレキシブル配線６の代わりに撚り線を用い、コネクタ部６１をヘッド支持装置５に取り付けた構成を採用してもよい。
【０１２９】
フレキシブル配線６は、一般には、タブテープと称されるもので構成され、絶縁性及び可撓性に富むプラスチックシートの内部に配線を埋設して構成されており、この配線は一端が薄膜磁気ヘッド４の第１の端子３１３及び第２の端子３３３に接続されている。
【０１３０】
フレキシブル配線６の内部に埋設された配線の他端は、コネクタ部６１に導かれる。コネクタ部６１は、ヘッド支持装置５の他端側に備えられ、一面側に複数の端子６１１〜６１４を有している。コネクタ部６１に導かれた配線の他端は、端子６１１〜６１４に接続される。端子６１１、６１２は、リード導体６１５，６１６により、再生素子３に接続される。端子６１３、６１４も、リード導体６１７，６１８により記録素子２に接続される。
【０１３１】
本発明に適用可能なヘッド支持装置５６は、上記実施例に限定するものではなく、これまで提案され、またはこれから提案されることのあるヘッド支持装置５を、広く適用できる。例えば、支持体６１と舌状片５２４とを、タブテープ（ＴＡＢ）等のフレキシブルな高分子系配線板を用いて一体化したもの等を用いることもできる。また、従来より周知のジンバル構造を持つものを自由に用いることができる。
【０１３２】
薄膜磁気ヘッド４は、図３〜図６に示した構造を有しており、従って、図７〜図９に示した磁気ヘッド装置は、図３〜図６を参照して説明した作用効果を奏する。
【０１３３】
（２）第２の態様に係る磁気ヘッド装置
図１０に示す第２の態様に係る磁気ヘッド装置も、薄膜磁気ヘッド４と、ヘッド支持装置５と、フレキシブル配線６と、抵抗体３９とを含む。薄膜磁気ヘッド４は、再生素子３と、記録素子２と、スライダ１とを含んでいる。再生素子３は、ＳＶ膜又はＴＭＲ膜でなるMR素子を含んでいる。記録素子２は、再生素子３と重なる位置に設けられている。スライダ１は、再生素子３及び記録素子２を支持している。
【０１３４】
ヘッド支持装置５は、一端部で薄膜磁気ヘッド４を支持している。フレキシブル配線６のコネクタ部６１は、ヘッド支持装置５の他端側に備えられ、２つの端子６１１、６１２を含み、端子６１１、６１２のそれぞれは、再生素子３に接続されている。この構造は、図7〜図９の図示と異ならない。図7〜図９の図示と異なる点は、抵抗体39を有する点である。抵抗体３９は、２つの端子６１１、６１２の間に設けられている。抵抗体３９は、リード導体６１５，６１６の間に設けてもよい。
【０１３５】
第２の態様に係る磁気ヘッド装置において、再生素子３に接続されている２つの端子６１１、６１２の間に抵抗体３９が設けられているから、端子６１１、６１２の間で見た抵抗値が、再生素子３自体の抵抗値と抵抗体３９の抵抗値の合成値となる。このため、仮に、個々の磁気ヘッド装置において、再生素子３の抵抗値が異なっている場合でも、端子６１１、６１２の間の抵抗値を、再生素子３の抵抗値に合わせて選定することにより、２つの端子６１１、６１２の間で見た合成抵抗値を、所望の値に合わせることができる。
【０１３６】
２つの端子６１１、６１２の間に接続される抵抗体３９の抵抗値は、次のような手段によって適正値に設定することができる。
【０１３７】
第１の手段は、薄膜磁気ヘッド４の製造工程の何れかの段階で再生素子３の抵抗値を測定しておき、その値に基づいて、２つの端子６１１、６１２の間で見た抵抗値が、異なる磁気ヘッド装置間で、常に一定となるように抵抗体３９を選択する手法である。
【０１３８】
第２の手段は、磁気ヘッド装置として完成した後に、２つの端子６１１、６１２の間で再生素子３の抵抗値を測定し、その測定値に基づいて、接続されるべき抵抗体３９の抵抗値を決定する手法である。図１１は上述した第１及び第２の手法によって抵抗体３９を設けた例を示している。
【０１３９】
第３の手段は、抵抗体３９をトリミングすることである。この場合には、図１２に図示するように、抵抗体３９は、抵抗値調整用トリミング痕３９１を有することになる。２つの端子６１１、６１２の間で見た合成抵抗値は、抵抗体３９の厚み、幅及び長さに対するトリミング痕３９１の大きさによって調整される。このため、仮に、再生素子３の抵抗値がばらついた場合でも、トリミング痕３９１の大きさを調整することによって、２つの端子６１１、６１２の間で見た合成抵抗値を、所望の値に合わせることができる。トリミングはレーザを用いて実行することができる。
【０１４０】
第４の手段は、図１３に図示するように、抵抗体３９を、金属膜又は合金膜で構成し、この抵抗体３９に相変化部分３９２を生じさせることである。この構成によれば、２つの端子６１１、６１２の間で見た合成抵抗値を、相変化部分３９２に生じる抵抗値の変化に応じて調整することができる。
【０１４１】
相変化部分を生じさせる際に抵抗体として選択されるべき材料の具体例、相変化を生じさせるための具体的手段、及び、相変化部分の作用などについては、第１の態様に係る薄膜素子の説明において、述べたとおりである。
【０１４２】
第５の手段は、抵抗体３９を、金属酸化膜又は合金酸化膜で構成し、前記金属酸化膜又は前記合金酸化膜を部分的に還元して得られた還元部分３９２を生じさせることである。この場合は、抵抗体３９に、例えば、レーザを照射する。これにより、レーザの照射を受けた部分が還元されて、金属化され、低抵抗の還元部分３９２が生じる。従って、還元を受けていない酸化部分に対する還元部分３９２の相対比を調整することにより、２つの端子６１１、６１２の間で見た合成抵抗値を、所望の値に合わせることができる。
【０１４３】
還元部分を生じさせる際に抵抗体として選択されるべき材料の具体例、還元のための具体的手段、及び、還元部分の作用などについては、第２の態様に係る薄膜素子の説明において、述べたとおりである。
【０１４４】
第６の手段は、抵抗体３９を、金属膜又は合金膜で構成し、前記金属膜又は前記合金膜を部分的に酸化して、酸化部分３９２を生じさせることである。酸化部分３９２を生じさせる際に抵抗体として選択されるべき材料の具体例、酸化のための具体的手段、及び、酸化部分３９２の作用などについては、第３の態様に係る薄膜素子の説明において、述べたとおりである。
【０１４５】
４．磁気ディスク装置
本発明に係る磁気ディスク装置は、磁気ヘッド装置と、磁気ディスクとを含む。前記磁気ヘッド装置は、先に述べた本発明に係る磁気ヘッド装置である。前記磁気ディスクは、前記磁気ヘッド装置と協働して、磁気記録の書込み及び読出しに供される。
【０１４６】
図１４は、図７〜図１３に示した磁気ヘッド装置を用いた磁気ディスク装置の斜視図である。図示された磁気ディスク装置は、軸７０の回りに回転可能に設けられた磁気ディスク７１と、薄膜磁気ヘッド４と、薄膜磁気ヘッド４を磁気ディスク７１のトラック上に位置決めするためのアッセンブリキャリッジ装置とを備えている。
【０１４７】
アセンブリキャリッジ装置は、軸７４を中心にして回動可能なキャリッジ７５と、このキャリッジ７５を回動駆動する例えばボイスコイルモータ(ＶＣＭ)からなるアクチュエータ７６とから主として構成されている。
【０１４８】
キャリッジ７５には、軸７４の方向にスタックされた複数の駆動アーム７７の基部が取り付けられており、各駆動アーム７７の先端部には、薄膜磁気ヘッド４を搭載したヘッド支持装置５が固着されている。各ヘッド支持装置５は、その先端部に有する薄膜磁気ヘッド４が、各磁気ディスク７１の表面に対して対向するように駆動アーム７７の先端部に設けられている。
【０１４９】
ヘッド支持装置５及び薄膜磁気ヘッド４が、図７〜図１３を参照して説明した磁気ヘッド装置を構成する。従って、図１４に示した磁気ディスク装置は、図７〜図１３を参照して説明した作用効果を奏する。
【０１５０】
５．薄膜磁気ヘッドの製造方法
本発明は、更に、複数の異なる態様に属する薄膜磁気ヘッドの製造方法を開示する。
【０１５１】
（１）第１の態様に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法
第１の態様に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法は、その主要なプロセスが、再生素子３を形成した直後（記録素子は形成されていない）のウエハ上において実行される。
【０１５２】
図１５を参照すると、多数の再生素子Q1〜Qnが、基体１上に、例えばマトリクス状に整列して設けられている。再生素子Q1〜Qnのそれぞれは、図１６、図１７に示すように、ＭＲ素子３０と、第１の電極膜３１と、第２の電極膜３３とを含んでいる。ＭＲ素子３０は、ＭＲ素子３０は、図２、図５などに示したような具体的膜構成を有するＳＶ膜又はＴＭＲ膜を含む。第１の電極膜３１及び第２の電極膜３３は、ＭＲ素子３０に対する対の給電体を構成している。
【０１５３】
上記構成において、まず、図１８に図示するように、プローブ８１１、８１２を、第１の電極膜３１のリード部３１１と、第２の電極膜３３のリード部３３１に当て、第１の電極膜３１及び第２の電極膜３３の間で、ＭＲ素子３０の電気抵抗値を、測定装置８１で測定する。電気抵抗は、磁場中で測定することが好ましい。この測定値は、測定装置８１又は測定装置８１に接続されたコンピュータシステム内に記憶しておくとよい。
【０１５４】
上記プロセスを含むことにより、ＭＲ素子３０の電気抵抗値を正確に測定することができるので、仮に、再生素子３を構成するＳＶ膜又はＴＭＲ膜の抵抗値がばらついた場合でも、第１の端子３１３及び第２の端子３３３の間で見た合成抵抗値を、所定値に正確に合わせることができる。
【０１５５】
測定値に基づいて選定された値を持つ抵抗体３９を、ＭＲ素子３０に対して電気的に並列に接続するタイミングは、様々である。その例を示すと次のとおりである。
（ａ）抵抗体３９を、第１の電極膜３１のリード部３１１と、第２の電極膜３３のリード部３３１との間に配置する。図１９はその具体例を示している。
（ｂ）第１の電極膜３１及び第２の電極膜３３の間で、ＭＲ素子３０の電気抵抗値を測定した後、図３〜図５に示した薄膜磁気ヘッドを完成させる。薄膜磁気ヘッドの状態では、再生素子３、記録素子２、第１の電極膜３１及び第２の電極膜３３は、保護層２７によって覆われ、ＭＲ素子３０に対する対の給電体を構成する第１の端子３１３及び第２の端子３３３が、互いに間隔を隔てて保護層２７の表面に導出されている。そこで、抵抗体３９を、保護層２７の表面において、第１の端子３１３及び第２の端子３３３を接続するように設ける。
（ｃ）ＨＧＡの段階で、コネクタ部６１の端子６１１、６１２の間に抵抗体３９を接続する。図１０、図１１はその具体的適用結果を示している。抵抗体３９は、リード導体６１５、６１６の間に配置してもよい。
【０１５６】
もっとも、ウエハから薄膜磁気ヘッドの個品を取り出すには、ウエハからバー状集合体を切り出し、更に、バー状集合体のＡＢＳとなる面を研磨して、再生素子に含まれるＭＲ素子のハイト調整をし、その後に個品に分割する。上述したハイト調整によって、再生素子を構成するＭＲ素子の面積が縮小され、その抵抗値が上昇する。
【０１５７】
上述した薄膜磁気ヘッドの製造方法において、再生素子Q1〜Qnに含まれるMR素子３０の電気抵抗値の測定は、ハイト調整前のウエハの段階で実行される。従って、抵抗体３９の抵抗値は、ハイト調整による上昇分を見積もったＭＲ素子３０の抵抗値を基準にして、定める必要がある。
【０１５８】
（２）第２の態様に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法
第２の態様に係る製造方法では、抵抗体３９は、金属膜又は合金膜でなり、第１の電極膜３１及び第２の電極膜３３を接続するように設けられる。この構成において、図２０に示すように、レーザ照射手段８２により、抵抗体３９にレーザを照射して相変化を生じさせ、抵抗値を調整する。抵抗調整プロセスにおいて、プローブ８１１、８１２を、第１の電極膜３１のリード部３１１と、第２の電極膜３３のリード部３３１に当て、第１の電極膜３１及び第２の電極膜３３の間で、ＭＲ素子３０の電気抵抗値を、測定装置８１で測定する。電気抵抗は、磁場中で測定することが好ましい。この測定値は、測定装置８１又は測定装置８１に接続されたコンピュータシステム内に記憶しておくとよい。
【０１５９】
上記工程を経ることにより、第１の電極膜３１のリード部３１１と、第２の電極膜３３のリード部３３１との間で見た合成抵抗値を、相変化部分３９２の面積の大小に応じて調整することができる。このため、仮に、ＭＲ素子３０の抵抗値がばらついた場合でも、相変化部分３９２により抵抗値を調整することによって、第１の電極膜３１及び第２の電極膜３３の間で見た合成抵抗値を、所望の値に合わせることができる。
【０１６０】
具体的には、抵抗体３９を、β相のＴａによって構成し、α相の相変化部分を生じさせる。α相を生じさせるには、β相のＴａに、例えば、レーザを照射して加熱する。この場合、α相は、ｂｃｃ構造（体心立方構造）を持ち、比抵抗が０．１０〜１．５０μΩｍである。β相は、正方晶系であって、比抵抗が１．８０〜２．００μΩｍである。従って、α相及びβ相の面積比を調整することによって、第１の電極膜３１のリード部３１１と、第２の電極膜３３のリード部３３１との間で見た合成抵抗値を、所望の値に合わせることができる。
【０１６１】
別の態様として、抵抗体３９は、ＧｅＳｂＴｅまたはＳｂＴｅを主成分とし、アモルファス相または結晶相の相変化部分３９２を生じさせる。抵抗体３９を構成するＧｅＳｂＴｅまたはＳｂＴｅが結晶相を主成分とする場合は、抵抗体３９に、例えば、レーザを照射して加熱し、加熱した後、急冷却する。これにより、高抵抗のアモルファス相となる。アモルファス相を主成分とする場合は、強いレーザを照射する。急冷却はしない。これにより、低抵抗の結晶相を生じさせることができる。
【０１６２】
このような処理により得られるアモルファス相または結晶相の面積を調整することにより、第１の電極膜３１のリード部３１１と、第２の電極膜３３のリード部３３１との間で見た合成抵抗値を、所望の値に合わせることができる。なお、抵抗体３９は、レーザ照射等により相変化が生じ、抵抗値が変わればよいので、上記材料には限定されない。
【０１６３】
（３）第３の態様に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法
第３の態様に係る製造方法では、抵抗体３９は、金属酸化膜又は合金酸化膜でなり、図２０に図示するように、抵抗体３９にレーザを照射する。そして、金属酸化膜又は合金酸化膜を部分的に還元して得られた還元部分３９２を生じさせ、抵抗値を調整する。レーザ照射手段８２によりレーザを照射して抵抗値を調整する点、ＭＲ素子３０の電気抵抗値を測定装置８１で測定する点及び電気抵抗は磁場中で測定する点等は、第２の態様に係る製造方法と共通である。
【０１６４】
上記プロセスによれば、レーザの照射を受けた部分が還元されて、金属化され、低抵抗の還元部分３９２が生じる。従って、還元を受けていない酸化部分に対する還元部分３９２の相対比を調整することにより、第１の電極膜３１のリード部３１１と、第２の電極膜３３のリード部３３１との間で見た合成抵抗値を、所望の値に合わせることができる。
【０１６５】
この場合に選択されるべき抵抗体３９としては、Ａｇ又はＰｔの何れかの酸化物を主成分とするものが適している。但し、レーザ照射等により還元部分が生じ、抵抗値が変化すればよいので、上記材料には限定されない。
【０１６６】
（４）第４の態様に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法
第４の態様に係る製造方法も、抵抗体３９にレーザを照射して抵抗値を調整する点は、第２及び第３の態様に係る製造方法と共通であるが、抵抗体３９は、金属膜又は合金膜でなり、図２０に図示するように、抵抗体３９にレーザを照射することにより、酸化部分３９２を生じさせ、それによって抵抗値を調整する。レーザ照射手段８２によりレーザを照射して抵抗値を調整する点、ＭＲ素子３０の電気抵抗値を測定装置８１で測定する点及び電気抵抗は磁場中で測定する点等は、第２の態様に係る製造方法と共通である。
【０１６７】
上記プロセスによれば、レーザの照射を受けた部分が酸化されて、高抵抗の酸化部分３９２が生じる。従って、酸化されていない部分に対する酸化部分３９２の面積的相対比を調整することにより、第１の電極膜３１のリード部３１１と、第２の電極膜３３のリード部３３１との間で見た合成抵抗値を、所望の値に合わせることができる。この場合に選択されるべき抵抗体３９としては、Ｚｎを主成分とするものを挙げることができる。但し、レーザ照射等により酸化部分が生じ、抵抗値にかわればよいので、上記材料には限定されない。
【０１６８】
（５）第５の態様に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法
第５の態様に係る製造方法では、図２１に図示するように、複数の薄膜磁気ヘッド要素Ｑ１〜Ｑｎを整列して設けたウエハを用いて実行される。
【０１６９】
薄膜磁気ヘッド要素Ｑ１〜Ｑｎのそれぞれは、例えば、図４及び図５に示した構造を有する。即ち、図４及び図５を参照すると、再生素子３と、記録素子２と、第１の端子３１３と、第２の端子３３３と、保護膜２７と、抵抗体３９とを含んでいる。再生素子３は、ＳＶ膜又はＴＭＲ膜でなるMR素子を含んでいる。記録素子２は、再生素子３と重なる位置に設けられている。保護膜２７は、再生素子３及び記録素子２を覆っている。第１の端子３１３及び第２の端子３３３は、再生素子３に対する対の給電体を構成し、それぞれの一端が互いに間隔を隔てて保護膜２７の表面に導出されている。
【０１７０】
上記構成において、図２２に示すように、第１の端子３１３及び第２の端子３３３にプローブ８１１、８１２を当て、再生素子３の電気抵抗値を、測定装置８１により測定する。そして、その後、測定値に基づいて選定された値を持つ抵抗体３９を、再生素子３に対して電気的に並列に接続する。図２３は、その一例を示している。電気抵抗は磁場中で測定する点等は第２の態様に係る製造方法と共通である。
【０１７１】
上記プロセスを含むことにより、ＭＲ素子３０の電気抵抗値を正確に測定することができるので、仮に、再生素子３を構成するＳＶ膜又はＴＭＲ膜の抵抗値がばらついた場合でも、第１の端子３１３及び第２の端子３３３の間で見た合成抵抗値を、所定値に正確に合わせることができる。
【０１７２】
測定値に基づいて選定された値を持つ抵抗体３９を、ＭＲ素子３０に対して電気的に並列に接続するタイミングとしては、抵抗体３９を、第１の端子３１３と、第２の端子３３３との間に配置するか、または、ＨＧＡの段階で、コネクタ部６１の端子６１１、６１２の間に抵抗体３９を配置する。
【０１７３】
もっとも、ウエハから薄膜磁気ヘッドの個品を取り出すには、ウエハからバー状集合体を切り出し、更に、バー状集合体のＡＢＳとなる面を研磨して、再生素子に含まれるMR素子のハイト調整をし、その後に個品に分割する。上述したハイト調整によって、再生素子３を構成するMR素子の面積が縮小され、その抵抗値が上昇する。そこで、抵抗体３９の抵抗値は、ハイト調整による上昇分を見積もったＭＲ素子３０の抵抗値を基準にして、定める必要がある。
【０１７４】
（６）第６の態様に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法
第６の態様に係る製造方法では、図２４に示すように、複数の薄膜磁気ヘッド要素Ｑ１〜Ｑｎを整列して設けた集合体を用いて、薄膜磁気ヘッド４を製造する。端的にいえば、再生素子３及び記録素子２を作った後のウエハにおいて、第１の端子３１３と第２の端子３３３との間に抵抗体３９を接続し、レーザ照射による抵抗値調整を行なう。薄膜磁気ヘッド要素Ｑ１〜Ｑｎのそれぞれは、例えば、図４、図５に示したような構造を有する。
【０１７５】
上記構成において、抵抗体３９を、保護膜２７の表面において、第１の端子３１３及び第２の端子３３３を接続するように設ける。抵抗体３９は、金属膜又は合金膜でなり、抵抗体３９にレーザを照射して、相変化を生じさせ、抵抗を調整する。レーザ照射による相変化を利用する点、及び、その詳細は、第３の態様に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法と共通である。
【０１７６】
この場合も、ウエハ分割後のハイト調整によって、ＭＲ素子３０の面積が縮小され、その抵抗値が上昇する。そこで、抵抗体３９の抵抗値は、ハイト調整による上昇分を見積もったＭＲ素子３０の抵抗値を基準にして定める必要がある。
【０１７７】
（７）第７の態様に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法
第７の態様に係る製造方法でも、図２４に示すような集合体が用いられる。抵抗体３９は、金属酸化膜又は合金酸化膜でなり、抵抗体３９にレーザを照射して還元し、抵抗値を調整する。レーザ照射による還元反応を利用する点、及び、その詳細は、第４の態様に係る製造方法と共通である。
【０１７８】
（８）第８の態様に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法
第８の態様に係る製造方法でも、図２４に示すような方法が用いられる。抵抗体３９は、金属膜又は合金膜でなり、抵抗体３９にレーザを照射して酸化し、抵抗値を調整する。レーザ照射による酸化作用を利用する点では、第５の態様に係る製造方法と共通である。
【０１７９】
（９）第９の態様に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法
第１乃至第８の態様に係る製造方法は、薄膜磁気ヘッド要素Ｑ１〜Ｑｎをマトリクス状に配置したウエハ上で実行されるものであるが、ウエハから切断されたバー状集合体において、実行してもよい。図２５〜図２８にその一例を示す。
【０１８０】
まず、図２５に示すように、ウエハを構成する基体１を、一方向に切断して、バー状集合体を得る。次に、図２６に示すように、バー状集合体の上で、第１の端子３１３及び第２の端子３３３にプローブ８１１、８１２を当て、再生素子３の電気抵抗値を、測定装置８１により測定する。そして、その後、図２７に図示するように、測定値に基づいて選定された値を持つ抵抗体３９を、再生素子３に対して電気的に並列に接続する。
【０１８１】
上記プロセスを含むことにより、ＭＲ素子３０の電気抵抗値を測定することができるので、仮に、再生素子３を構成するＳＶ膜又はＴＭＲ膜の抵抗値がばらついた場合でも、第１の端子３１３及び第２の端子３３３の間で見た合成抵抗値を、所定値に合わせることができる。
【０１８２】
バー状集合体を用いる場合、ABS加工を終えて、MR素子のハイト調整が済んだ後に、抵抗値を測定することが好ましい。こうすることにより、最終的な再生素子３の抵抗値を測定し、それを基準にした抵抗値選定が可能になる。理論的には誤差零を実現することができる。
【０１８３】
測定値に基づいて選定された値を持つ抵抗体３９を、ＭＲ素子３０に対して電気的に並列に接続するタイミングとしては、第１の端子３１３及び第２の端子３３３の間に、抵抗体３９を配置する（図２７参照）か、又は、ＨＧＡの段階で、コネクタ部６１の端子６１１、６１２の間、又は、リード導体６１５，６１６の間に抵抗体３９を配置する（図１０、図１１参照）。
【０１８４】
（１０）第１０の態様に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法
別の態様として、図２８に図示するように、バー状集合体において、第１の端子３１３と第２の端子３３３との間に抵抗体３９を接続し、レーザ照射による抵抗値調整を行なう。
抵抗体３９は、金属膜又は合金膜で構成し、抵抗体３９にレーザを照射して、相変化を生じさせ、抵抗を調整してもよい。レーザ照射による相変化を利用する点、及び、その詳細は、第３の態様及び第７の態様に係る製造方法と共通である。抵抗値の調整は、ABS加工を終えて、ＭＲ素子のハイト調整が済んだ後に実行することが好ましい。こうすることにより、最終的な再生素子３の抵抗値を基準にした抵抗値調整が可能になるからである。
【０１８５】
（１１）第１１の態様に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法
更に別の態様として、抵抗体３９は、金属酸化膜又は合金酸化膜で構成し、抵抗体３９にレーザを照射して還元し、抵抗値を調整する。レーザ照射による還元反応を利用する点、及び、その詳細は、第３の態様及び第７の態様に係る製造方法と共通である。
【０１８６】
（１２）第１２の態様に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法
更に別の態様として、抵抗体３９は、金属膜又は合金膜で構成し、抵抗体３９にレーザを照射して酸化し、抵抗値を調整してもよい。レーザ照射による酸化作用を利用する点では、第４の態様及び第８の態様に係る製造方法と共通である。
【０１８７】
６．磁気ヘッド装置の製造方法
本発明は、更に、磁気ヘッド装置の製造方法について開示する。この製造方法は、図７〜図１３に示した磁気ヘッド装置の実現に向けられている。
【０１８８】
（１）第１の態様に係る磁気ヘッド装置の製造方法
第１の態様に係る製造方法は、図７〜図９に図示した磁気ヘッド装置の製造に向けられている。この磁気ヘッド装置の製造に当たり、再生素子３の電気抵抗値を、予め測定しておき、その後、測定値に基づいて選定された値を持つ抵抗体３９を、２つの端子６１１、６１２の間に接続する。再生素子３の電気抵抗値は、図１８、図２２及び図２６に示した方法の転用によって測定することができる。
【０１８９】
２つの端子６１１、６１２の間に接続される抵抗体３９の抵抗値は、次のような手段によって適正値に設定することができる。
【０１９０】
第１の手段は、薄膜磁気ヘッド４の製造工程の何れかの段階で再生素子３の抵抗値を測定しておき、その値に基づいて、２つの端子６１１、６１２の間で見た抵抗値が、異なる磁気ヘッド装置間で、常に一定となるように抵抗体３９を選択する手法である。
【０１９１】
第２の手段は、磁気ヘッド装置として完成した後に、２つの端子６１１、６１２の間で再生素子３の抵抗値を測定し、その測定値に基づいて、接続されるべき抵抗体３９の抵抗値を決定する手法である。この第２の手段によれば、ハイト調整の済んだ最終的な再生素子３の抵抗値を測定することになるから、端子６１１及び端子６１２の間で見た合成抵抗値を、所定値に正確に合わせる（理論的には誤差零）ことができる。
【０１９２】
（２）第２の態様に係る磁気ヘッド装置の製造方法
第２の態様に係る磁気ヘッド装置の製造方法では、抵抗体３９をトリミングする。トリミングはレーザを用いて実行することができる。この場合には、図１２に図示するように、抵抗体３９は、抵抗値調整用トリミング痕３９１を有することになる。２つの端子６１１、６１２の間で見た合成抵抗値は、抵抗体３９の厚み、幅及び長さに対するトリミング痕３９１の大きさによって調整される。このため、仮に、再生素子３の抵抗値がばらついた場合でも、トリミング痕３９１の大きさを調整することによって、２つの端子６１１、６１２の間で見た合成抵抗値を、所望の値に合わせることができる。
【０１９３】
（３）第３の態様に係る磁気ヘッド装置の製造方法
第３の態様に係る磁気ヘッド装置の製造方法では、図１３に図示したように、抵抗体３９を、金属膜又は合金膜で構成し、この抵抗体３９に相変化部分３９２を生じさせる。この構成によれば、２つの端子６１１、６１２の間で見た合成抵抗値を、相変化部分３９２に生じる抵抗値の変化に応じて調整することができる。
【０１９４】
相変化部分を生じさせる際に抵抗体として選択されるべき材料の具体例、相変化を生じさせるための具体的手段、及び、相変化部分の作用などについては、第１の態様に係る薄膜素子の説明において、述べたとおりである。
【０１９５】
（４）第４の態様に係る磁気ヘッド装置の製造方法
第４の態様に係る磁気ヘッド装置の製造方法では、抵抗体３９を、金属酸化膜又は合金酸化膜で構成し、前記金属酸化膜又は前記合金酸化膜を部分的に還元して得られた還元部分３９２を生じさせる。この場合は、抵抗体３９に、例えば、レーザを照射する。これにより、レーザの照射を受けた部分が還元されて、金属化され、低抵抗の還元部分３９２が生じる。従って、還元を受けていない酸化部分に対する還元部分３９２の相対比を調整することにより、２つの端子６１１、６１２の間で見た合成抵抗値を、所望の値に合わせることができる。
【０１９６】
還元部分を生じさせる際に抵抗体として選択されるべき材料の具体例、還元のための具体的手段、及び、還元部分の作用などについては、第２の態様に係る薄膜素子の説明において、述べたとおりである。
【０１９７】
（５）第５の態様に係る磁気ヘッド装置の製造方法
第５の態様に係る磁気ヘッド装置の製造方法では、抵抗体３９を、金属膜又は合金膜で構成し、前記金属膜又は前記合金膜を部分的に酸化して、酸化部分３９２を生じさせる。。酸化部分３９２を生じさせる際に抵抗体として選択されるべき材料の具体例、酸化のための具体的手段、及び、酸化部分３９２の作用などについては、第３の態様に係る薄膜素子の説明において、述べたとおりである。
【０１９８】
上述した第１〜第５の態様に係る磁気ヘッド装置の製造方法では、何れの場合も、抵抗値の調整が、ＡＢＳ加工を終え、ＭＲ素子のハイト調整が終了した後に実行されるので、最終的な再生素子３の抵抗値を基準にした抵抗値調整が行なわれることになる。このため、高精度の抵抗値調整を実行することができる、という利点が得られる。
【０１９９】
以上、好ましい実施例を参照して本発明の内容を具体的に説明したが、本発明の基本的技術思想及び教示に基づいて、当業者であれば、種々の変形態様を採り得ることは自明である。
【図面の簡単な説明】
【０２００】
【図１】本発明に係るＭＲ素子の平面図である。
【図２】図１の２−２線に沿った断面図である。
【図３】本発明に係る薄膜磁気ヘッドを、空気流出端側（トレーリング側）から見た図であって、記録素子を省略し、再生素子の部分のみを抽出して示す図である。
【図４】図３に示した薄膜磁気ヘッドの電磁変換部分を拡大して示す断面図である。
【図５】図４の５−５線に沿った断面図である。
【図６】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの更に別の実施例を、トレーリング側から見た図であって、記録素子を省略し、再生素子部分のみを抽出して示す図である。
【図７】本発明に係る磁気ヘッド装置の構成を示す斜視図である。
【図８】図７に示した磁気ヘッド装置の一部を示す正面図である。
【図９】図７及び図８に示した磁気ヘッド装置のフレキシブル配線分を拡大して示す図である。
【図１０】本発明に係る磁気ヘッド装置の別の実施例を示す斜視図である。
【図１１】図１０に示した磁気ヘッド装置のフレキシブル配線分を拡大して示す図である。
【図１２】本発明に係る磁気ヘッド装置の別の例におけるフレキシブル配線分を拡大して示す図である。
【図１３】本発明に係る磁気ヘッド装置の更に別の例におけるコネクタのフレキシブル配線分を拡大して示す図である。
【図１４】図７〜図１３に示した磁気ヘッド装置を用いた磁気ディスク装置の斜視図である。
【図１５】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す図である。
【図１６】図１５に示したウエハの一部を拡大して示す図である。
【図１７】図１５及び図１６に示したウエハにおける再生素子の断面図である。
【図１８】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す図である。
【図１９】図１８に示した工程の後の工程を示す図である。
【図２０】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの別の製造方法を示す図である。
【図２１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の別の例を示す図である。
【図２２】図２１に示した工程の後の工程を示す図である。
【図２３】図２２に示した工程の後の工程を示す図である。
【図２４】図２２に示した工程の後の工程を示す図である。
【図２５】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の別の例を示す図である。
【図２６】図２５に示した工程の後の工程を示す図である。
【図２７】図２６に示した工程の後の工程を示す図である。
【図２８】図２５に示した工程の後の工程を示す図である。
【符号の説明】
【０２０１】
１                      基体
３０                      ＭＲ素子
３１                      第１の電極膜
３３                      第２の電極膜
３１１                      第１のリード部
３３１                      第２のリード部
３９                      抵抗体
３９１                      トリミング痕
３９２                      相変化部分、還元部分又は酸化部分
【図１】
2006049571.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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