(57)【要約】【課題】  リードフレームに搭載された半導体素子を樹脂で封止してなるモールドタイプの半導体装置において、新規なディプレス加工の構成を持つリードフレームを実現する。【解決手段】  モールド樹脂４０内にて、アイランド部１１の搭載面１１ａ上の半導体素子２０のボンディング面２０ａとインナーリード部１２のボンディング面１２ａとがボンディングワイヤ３０で結線され、アイランド部１１の搭載面１１ａとインナーリード部１２のボンディング面１２ａとは、アイランド部１１とインナーリード部１２とが同一の基準面１０ａ内に位置するリードフレーム１０に対してディプレス加工を行うことで、半導体素子２０およびインナーリード部１２の両ボンディング面２０ａ、１２ａが段違いとされており、インナーリード部１２のボンディング面１２ａが基準面１０ａに対してアイランド部１１の搭載面１２ａ側にずれるように、ディプレス加工されている。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードフレーム（１０）のアイランド部（１１）の搭載面（１１ａ）に搭載された半導体素子（２０）と、
ボンディング面（１２ａ）が前記アイランド部（１１）の周囲に位置する前記リードフレーム（１０）のインナーリード部（１２）と、
前記半導体素子（２０）のボンディング面（２０ａ）と前記インナーリード部（１２）のボンディング面（１２ａ）とを結線するボンディングワイヤ（３０）とを備え、
前記アイランド部（１１）の前記搭載面（１１ａ）と前記インナーリード部（１２）のボンディング面（１２ａ）とは、前記アイランド部（１１）と前記インナーリード部（１２）とが同一の基準面（１０ａ）内に位置するリードフレーム（１０）に対してディプレス加工を行うことにより、前記半導体素子（２０）のボンディング面（２０ａ）と前記インナーリード部（１２）のボンディング面（１２ａ）とが近づくように段違いの配置とされており、
前記アイランド部（１１）、前記インナーリード部（１２）、前記半導体素子（２０）および前記ボンディングワイヤ（３０）がモールド樹脂（４０）により包み込まれるように封止されてなる半導体装置において、
前記インナーリード部（１２）のボンディング面（１２ａ）が前記基準面（１０ａ）に対して前記アイランド部（１１）の搭載面（１２ａ）側にずれるように、前記インナーリード部（１２）はディプレス加工されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体素子（２０）のボンディング面（２０ａ）の上から見たとき、前記半導体素子（２０）と前記インナーリード部（１２）とが重なっていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記アイランド部（１１）の搭載面（１１ａ）が前記基準面（１０ａ）に対して前記アイランド部（１１）の搭載面（１１ａ）とは反対の面側にずれるように、前記リードフレーム（１０）はディプレス加工されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記リードフレーム（１０）のうち前記モールド樹脂（４０）から突出する部位であるアウターリード部（１３）も、前記基準面（１０ａ）に対して前記アイランド部（１１）の搭載面（１１ａ）側にずれるように、ディプレス加工されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記アイランド部（１１）の平面サイズは、前記半導体素子（２０）の平面サイズよりも小さいことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードフレームに半導体素子を搭載したものを樹脂で封止してなるモールドタイプの半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、この種のモールドタイプの半導体装置は、リードフレームのアイランド部の搭載面に搭載された半導体素子と、ボンディング面がアイランド部の周囲に位置するリードフレームのインナーリード部と、半導体素子のボンディング面とインナーリード部のボンディング面とを結線するボンディングワイヤとを備え、これらアイランド部、インナーリード部、半導体素子およびボンディングワイヤがモールド樹脂により包み込まれるように封止されてなる。
【０００３】
ここで、アイランド部の搭載面とインナーリード部のボンディング面とは、半導体素子のボンディング面とインナーリード部のボンディング面とが近づくように段違いの配置とされている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００４】
このようなリードフレームの構成は、アイランド部とインナーリード部とが同一の基準面内に位置するリードフレームに対してディプレス加工を行うことにより、形成されるものである。
【０００５】
リードフレームは、一般に、金属の平板にアイランド部やインナーリード部およびアウターリード部などのパターンを、プレスやエッチングなどにより形成し、その後、上記ディプレス加工を行うことにより、上記したようなアイランド部とインナーリード部との段違い構成を形成する。
【０００６】
ここにおいて、リードフレームの基準面とは、ディプレス加工前におけるリードフレームの板材の表面または裏面、あるいは当該表面と当該裏面との間の中心面のことを意味する。
【０００７】
このようなアイランド部とインナーリード部との段違い構成を採用する主な理由は、次の通りである。
【０００８】
まず、アイランド部の搭載面を下げることにより、半導体素子のボンディング面をインナーリード部のボンディング面に近づけ、それによってワイヤボンディング性を向上させることが挙げられる。
【０００９】
また、周知のように、モールド樹脂を成型するにあたっては、アウターリードが樹脂成形用金型における上型と下型との境界となる。そこで、上記段違い構成とすることにより、アウターリード部を中心として上下のモールド部の体積のバランスをよくすることでモールド成型時における樹脂の流れをよくすることが挙げられる。
【００１０】
そして、従来においては、上記した特許文献１にも記載されているように、ディプレス加工は、インナーリード部は上記基準面に位置するとともにアイランド部の搭載面が上記基準面よりも、アイランド部の搭載面とは反対の面側にずれた状態で段違いとなるように、行われていた。
【特許文献１】特開２００３−１９７６６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
上述したように、従来では、この種の半導体装置においては、アイランド部の搭載面が上記基準面よりも、アイランド部の搭載面とは反対の面側にずれた状態で段違いとなるように、リードフレームのディプレス加工が行われていたが、本発明者は、従来とは異なるリードフレームのディプレス加工構成について検討を行うこととした。
【００１２】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、リードフレームに半導体素子を搭載したものを樹脂で封止してなるモールドタイプの半導体装置において、新規なディプレス加工の構成を持つリードフレームを実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明は、リードフレーム（１０）のアイランド部（１１）の搭載面（１１ａ）に搭載された半導体素子（２０）と、ボンディング面（１２ａ）がアイランド部（１１）の周囲に位置するリードフレーム（１０）のインナーリード部（１２）と、半導体素子（２０）のボンディング面（２０ａ）とインナーリード部（１２）のボンディング面（１２ａ）とを結線するボンディングワイヤ（３０）とを備え、アイランド部（１１）の搭載面（１１ａ）とインナーリード部（１２）のボンディング面（１２ａ）とは、アイランド部（１１）とインナーリード部（１２）とが同一の基準面（１０ａ）内に位置するリードフレーム（１０）に対してディプレス加工を行うことにより、半導体素子（２０）のボンディング面（２０ａ）とインナーリード部（１２）のボンディング面（１２ａ）とが近づくように段違いの配置とされており、アイランド部（１１）、インナーリード部（１２）、半導体素子（２０）およびボンディングワイヤ（３０）がモールド樹脂（４０）により包み込まれるように封止されてなる半導体装置において、インナーリード部（１２）のボンディング面（１２ａ）が基準面（１０ａ）に対してアイランド部（１１）の搭載面（１２ａ）側にずれるように、インナーリード部（１２）はディプレス加工されていることを特徴としている。
【００１４】
つまり、従来は、アイランド部（１１）の搭載面（１１ａ）がリードフレーム（１０）の基準面（１０ａ）よりも、アイランド部（１１）の搭載面（１１ａ）とは反対の面側にずれて段違いとなるようにディプレス加工がなされていた（図５参照）。
【００１５】
それに対して、本発明の半導体装置では、従来ではディプレス加工後も基準面（１０ａ）に位置していたインナーリード部（１２）のボンディング面（１２ａ）を、基準面（１０ａ）に対してアイランド部（１１）の搭載面（１１ａ）側にずれるように、ディプレス加工がなされている。
【００１６】
このように、本発明によれば、リードフレーム（１０）に半導体素子（２０）を搭載したものを樹脂で封止してなるモールドタイプの半導体装置において、新規なディプレス加工の構成を持つリードフレーム（１０）を実現することができる。
【００１７】
そして、本発明のインナーリード部（１２）は、ディプレス加工という塑性加工によって折り曲げ部（１２ｂ）を有することになり、この塑性加工によるインナーリード部（１２）の硬化現象が生じる。つまり、本発明では、インナーリード部（１２）の機械的強度が向上する。そのため、ワイヤボンディング性の向上につながる。
【００１８】
また、請求項２に記載の発明では、請求項１に記載の半導体装置において、半導体素子（２０）のボンディング面（２０ａ）の上から見たとき、半導体素子（２０）とインナーリード部（１２）とが重なっていることを特徴としている。
【００１９】
つまり、本発明によれば、平面的にみたとき、半導体素子（２０）とインナーリード部（１２）とが重なっている。一般的な従来のこの種の半導体装置においては、平面的に半導体素子とインナーリード部とは、重ならず、半導体素子の端面とインナーリード部の端面とは離間して配置されていた。
【００２０】
それに対して、本発明によれば、平面的にみたとき、半導体素子（２０）とインナーリード部（１２）とが重なって配置されているため、結果として、半導体装置の平面サイズを小さくすることができ、パッケージの小型化に有利である。
【００２１】
また、請求項３に記載の発明では、請求項１または請求項２に記載の半導体装置において、アイランド部（１１）の搭載面（１１ａ）が基準面（１０ａ）に対してアイランド部（１１）の搭載面（１１ａ）とは反対の面側にずれるように、リードフレーム（１０）はディプレス加工されていることを特徴としている。
【００２２】
それによれば、アウターリード部（１３）を中心として上下のモールド部の体積のバランスをよくするという点で好ましい構成とすることができる。
【００２３】
また、請求項４に記載の発明では、請求項１〜請求項３に記載の半導体装置において、リードフレーム（１０）のうちモールド樹脂（４０）から突出する部位であるアウターリード部（１３）が、基準面（１０ａ）に対してアイランド部（１１）の搭載面（１１ａ）側にずれるように、当該アウターリード部（１３）もディプレス加工されていることを特徴としている。
【００２４】
本発明によっても、アウターリード部（１３）をディプレス加工することで、アウターリード部（１３）をモールド樹脂（４０）の中心に近づけることができ、アウターリード部（１３）を中心として上下のモールド部の体積のバランスをよくするという点で好ましい構成とすることができる。
【００２５】
また、請求項５に記載の発明では、請求項１〜請求項４に記載の半導体装置において、アイランド部（１１）の平面サイズは、半導体素子（２０）の平面サイズよりも小さいことを特徴としている。
【００２６】
本発明のようにすれば、リードフレーム（１０）においてアイランド部（１１）を小さくすることができ、その分、インナーリード部（１３）をアイランド部（１１）の方へ延ばすことができる。
【００２７】
それにより、平面的にみたとき半導体素子（２０）とインナーリード部（１２）とが重なった構成を実現しやすくできる。そのため、上記請求項２に記載の発明でも述べたように、装置の平面サイズを小さくできる。つまり、本発明は、パッケージの小型化に有利なものである。
【００２８】
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００３０】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係るモールドタイプの半導体装置１００の概略断面構成を示す図であり、図２は、図１に示される半導体装置１００におけるボンディングワイヤ３０による接続部の拡大平面図である。
【００３１】
［構成等］
この半導体装置１００は、大きくは、リードフレーム１０のアイランド部１１の搭載面１１ａに搭載された半導体素子２０と、ボンディング面１２ａがアイランド部１１の周囲に位置するリードフレーム１０のインナーリード部１２と、半導体素子２０のボンディング面２０ａとインナーリード部１２のボンディング面１２ａとを結線するボンディングワイヤ３０とを備え、アイランド部１１、インナーリード部１２、半導体素子２０およびボンディングワイヤ３０がモールド樹脂４０により包み込まれるように封止されてなるものである。
【００３２】
ここで、インナーリード部１２は、アイランド部１１の周囲からモールド樹脂４０の端部まで延びるように複数本配置されたものであり、モールド樹脂４０の外部にてアウターリード部１３となって突出している。
【００３３】
つまり、インナーリード部１２は、リードフレーム１０のリード部１２、１３のうちモールド樹脂４０に封止されモールド樹脂４０の内部に位置する部分であり、このリード部１２、１３のうちインナーリード部１２から連続してモールド樹脂４０の外部に引き出されている部分が、アウターリード部１３である。
【００３４】
このアウターリード部１３は、この半導体装置１００を外部基板などに実装するときに、はんだ付けなどにより外部と接続される部位である。図１では、アウターリード部１３は、ストレート形状であるが、半導体装置１００の実装形態に応じて、適宜曲げられるなど、フォーミングされていてもよい。
【００３５】
本実施形態では、これらアイランド部１１とリード部１２、１３とは、１枚のリードフレーム１０から分離形成されたものである。なお、これらアイランド部１１およびリード部１２、１３などがパターニングされたリードフレーム１０の平面形状については、後述の図３を参照のこと。
【００３６】
このリードフレーム１０は、Ｃｕや４２アロイなどの通常のリードフレーム材料からなるものであり、１枚のリードフレーム１０をプレスやエッチング加工することによってアイランド１１とリード部１２とが分離されている。
【００３７】
ここで、アイランド部１１の搭載面１１ａは、アイランド部１１における半導体素子２０が搭載される面であり、半導体素子２０のボンディング面２０ａおよびインナーリード部１２のボンディング面１２ａは、それぞれ半導体素子２０、インナーリード部１２におけるボンディングワイヤ３０が接続される面である。
【００３８】
そして、図１に示される半導体装置１００においては、アイランド部１１の搭載面１１ａとインナーリード部１２のボンディング面１２ａとは、半導体素子２０のボンディング面２０ａとインナーリード部１２のボンディング面１２ａとが近づくように段違いの配置とされている。
【００３９】
以下、この段違い配置の構成を、「リードフレームの段違い構成」ということにする。そして、このリードフレームの段違い構成は、アイランド部１１とインナーリード部１２とが同一の基準面１０ａ内に位置するリードフレーム１０に対してディプレス加工を行うことにより形成される。
【００４０】
本実施形態では、図１に示されるように、インナーリード部１２のボンディング面１２ａが、図１中の一点鎖線に示される基準面１０ａに対して、アイランド部１１の搭載面１１ａ側（つまり、図１中の上側）にずれるように、インナーリード部１２はディプレス加工されている。
【００４１】
ここにおいて、リードフレームの基準面１０ａとは、ディプレス加工前におけるリードフレーム１０の板材の表面または裏面、あるいは当該表面と当該裏面との間の中心面のことを意味する。
【００４２】
本実施形態では、当該板材の中心面が基準面１０ａとなっているが、もちろん、この基準面１０ａは、当該板材の表面（図１中のアウターリード１３の上面）または裏面（図１中のアウターリード１３の下面）でもよい。
【００４３】
このように、ボンディング面１２ａが基準面１０ａに対してアイランド部１１の搭載面１１ａ側にずれるように、ディプレス加工されることによって、インナーリード部１２は、折り曲げ部１２ｂを有した形状となり、それによって、上記リードフレームの段違い構成が実現されている。
【００４４】
そして、図１に示されるように、アイランド部１１の搭載面１１ａには、ダイマウント材５０を介して半導体素子２０が搭載され、搭載面１１ａに固定されている。ここでは、アイランド部１１は、半導体素子２０よりも平面サイズが小さいものであり、半導体素子２０は、アイランド部１１からはみ出している。なお、アイランド部１１が半導体素子２０よりも平面サイズが大きくても問題ないことは言うに及ばない。
【００４５】
この半導体素子２０は、シリコン半導体などの半導体基板を用いて半導体プロセスによりトランジスタなどの素子が形成されたＩＣチップなどである。
【００４６】
また、このダイマウント材５０としては、たとえば、はんだ、Ａｇ（銀）ペースト、樹脂に導電性フィラーを混合してなる導電性接着剤などの導電性接合部材などを採用することができる。
【００４７】
そして、図１に示されるように、半導体素子２０の上面すなわちボンディング面２０ａと各インナーリード部１２の上面すなわちボンディング面１２ａとは、上記ボンディングワイヤ３０を介して結線され電気的に接続されている。
【００４８】
このボンディングワイヤ３０は、Ａｕやアルミニウムなどからなるもので、通常のワイヤボンディング法により形成可能なものである。
【００４９】
具体的には、図２に示されるように、半導体素子２０のボンディング面２０ａには、アルミなどからなるボンディングパッド２０ｂが設けられており、このボンディングパッド２０ｂとインナーリード部１２のボンディング面１２ａとが、ボンディングワイヤ３０により結線されている。
【００５０】
また、モールド樹脂４０は、上述したように、装置１００のほぼ全体を封止しているが、このモールド樹脂６０は、エポキシ系樹脂などの通常のモールド材料を用いてトランスファーモールド法により形成できるものである。
【００５１】
［製造方法等］
次に、本半導体装置１００の製造方法について述べるが、ここでは、図３〜図６を参照して、従来のリードフレームの製造方法と比較しながら、本実施形態のリードフレーム１０の製造方法を中心に述べることにする。
【００５２】
図３は、多連状態のリードフレーム１０の部分的な平面図であり、アイランド部１１およびリード部１２、１３を形成した状態のリードフレーム１０の部分平面構成を示す図である。
【００５３】
また、図４（ａ）、（ｂ）は、それぞれ上記図３に示されるリードフレーム１０であって且つディプレス加工する前の平板状態のもののＡ−Ａ概略断面図、Ｂ−Ｂ概略断面図である。
【００５４】
また、図５（ａ）、（ｂ）は、それぞれ上記図３に示されるリードフレーム１０であって且つ従来の方法によりディプレス加工した後の状態のもののＡ−Ａ概略断面図、Ｂ−Ｂ概略断面図である。また、図５（ｃ）は、（ｂ）において、さらに半導体素子２０を搭載し実装した状態を示す断面図である。
【００５５】
また、図６（ａ）、（ｂ）は、それぞれ上記図３に示されるリードフレーム１０であって且つ本実施形態の方法によりディプレス加工した後の状態のもののＡ−Ａ概略断面図、Ｂ−Ｂ概略断面図である。
【００５６】
図３および図４に示されるようなリードフレーム１０は、平板の板材をエッチングもしくはパンチングすることにより、アイランド部１１およびリード部１２、１３など、所望のパターンを形成することで作られる。
【００５７】
この状態では、図４に示されるように、アイランド部１２とインナーリード部１２とが同一の基準面１０ａ内に位置している。なお、通常は、リードフレーム１０は多連の状態で製造工程に供され、モールド樹脂４０による封止工程を行った後、最終的に個片化される。
【００５８】
ここで、アイランド部１１は、リードフレーム１０の外枠部に対して吊りリード１４を介して連結されており、複数本のリード部１２、１３はタイバー１５によって連結されている。
【００５９】
また、ここで、図３中の破線で囲まれた矩形の領域内が、最終的にモールド樹脂４０により封止される領域であり、モールド樹脂４０で封止された後、吊りリード１４は上記外枠から切断され、また、各タイバー１５も分断されるものである。
【００６０】
次に、このようなアイランド部１１とインナーリード部１２とが同一の基準面１０ａ内に位置するリードフレーム１０に対して、ディプレス加工を行う。
【００６１】
従来では、図５に示されるように、アイランド部１１の搭載面１１ａがリードフレーム１０の基準面１０ａよりも、アイランド部１１の搭載面１１ａとは反対の面側（つまり、図５中のアイランド部１１の下面側）にずれて段違いとなるようにディプレス加工が行われていた。
【００６２】
それに対して、本実施形態では、図６に示されるように、インナーリード部１２のボンディング面１２ａが、リードフレーム１０の基準面１０ａに対して、アイランド部１１の搭載面１１ａ側（つまり、図６中の上側）にずれるように、インナーリード部１２をディプレス加工する。
【００６３】
このように、ディプレス加工することによって、インナーリード部１２は、アウターリード部１３側の部位からアイランド部１１側の部位が持ち上がるように折り曲げられた折り曲げ部１２ｂを有した形状となる。それによって、上記リードフレームの段違い構成を有する本実施形態のリードフレーム１０ができあがる。
【００６４】
このようにしてディプレス加工された本実施形態のリードフレーム１０に対して、そのアイランド部１１の搭載面１１ａに、ダイマウント材５０を介して半導体素子２０を搭載して固定する。
【００６５】
その後、半導体素子２０のボンディング面２０ａとインナーリード部１２のボンディング面１２ａとをボンディングワイヤ３０にて結線し、両ボンディング面１２ａ、２０ａを電気的に接続する。
【００６６】
次に、金型を用いたトランスファーモールド法にてモールド成型を行い、モールド樹脂４０による封止を行う。
【００６７】
ここで、図示しないが、モールド樹脂４０を成型するにあたって、アウターリード部１３が樹脂成形用金型における上型と下型との境界となる。そして、上記金型に設けられたゲートから溶融状態にある樹脂が、金型内に注入、充填される。樹脂を冷却固化した後、金型を開放する。
【００６８】
そして、モールド樹脂４０にて封止されたワークに対して、上述したようなリードフレーム１０における吊りリード１４やタイバー１５のカットやリードフレーム１０の個片化などを行う。それにより、本実施形態の半導体装置１００ができあがる。
【００６９】
［効果等］
ところで、本実施形態によれば、リードフレーム１０のアイランド部１１の搭載面１１ａに搭載された半導体素子２０と、ボンディング面１２ａがアイランド部１１の周囲に位置するリードフレーム１０のインナーリード部１２と、半導体素子２０のボンディング面２０ａとインナーリード部１２のボンディング面１２ａとを結線するボンディングワイヤ３０とを備え、アイランド部１１とインナーリード部１２とが同一の基準面１０ａ内に位置するリードフレーム１０に対してディプレス加工を行うことにより、上記「リードフレームの段違い構成」を形成しており、アイランド部１１、インナーリード部１２、半導体素子２０およびボンディングワイヤ３０がモールド樹脂４０により包み込まれるように封止されてなる半導体装置において、インナーリード部１２のボンディング面１２ａが基準面１０ａに対してアイランド部１１の搭載面１２ａ側にずれるように、インナーリード部１２はディプレス加工され、曲げられていることを特徴とする半導体装置１００が提供される。
【００７０】
つまり、従来は、上記図５に示したように、アイランド部１１の搭載面１１ａがリードフレーム１０の基準面１０ａよりも、アイランド部１１の搭載面１１ａとは反対の面側にずれて段違いとなるようにディプレス加工がなされていた。
【００７１】
それに対して、本実施形態の半導体装置１００では、従来ではディプレス加工後も基準面１０ａに位置していたインナーリード部１２のボンディング面１２ａを、基準面１０ａに対してアイランド部１１の搭載面１１ａ側にずれるように、ディプレス加工がなされている。
【００７２】
このように、本実施形態によれば、リードフレーム１０に半導体素子２０を搭載したものを樹脂で封止してなるモールドタイプの半導体装置において、従来にはない新規なディプレス加工の構成を持つリードフレーム１０を実現することができる。
【００７３】
そして、本実施形態のインナーリード部１２は、ディプレス加工という塑性加工によって折り曲げ部１２ｂを有することになり、この塑性加工によるインナーリード部１２の硬化現象が生じる。つまり、本実施形態では、インナーリード部１２の機械的強度が向上する。
【００７４】
そのため、上記図５に示したインナーリード部１２がストレート形状である従来のリードフレーム１０に比べて、本実施形態のリードフレーム１０では、ワイヤボンディング性の向上を図ることができる。
【００７５】
（第２実施形態）
図７は、本発明の第２実施形態に係るモールドタイプの半導体装置２００の概略断面構成を示す図であり、図８は、図７に示される半導体装置２００におけるボンディングワイヤ３０による接続部の拡大平面図である。上記実施形態との相違点を中心に述べることとし、同一部分は簡略的に述べることにする。
【００７６】
図７に示されるように、本実施形態の半導体装置２００においても、リードフレーム１０のアイランド部１１の搭載面１１ａに半導体素子２０が搭載され、半導体素子２０のボンディング面２０ａとインナーリード部１２のボンディング面１２ａとがボンディングワイヤ３０により結線され、アイランド部１１とインナーリード部１２とが同一の基準面１０ａ内に位置するリードフレーム１０に対してディプレス加工を行うことにより、上記「リードフレームの段違い構成」を形成しており、アイランド部１１、インナーリード部１２、半導体素子２０およびボンディングワイヤ３０がモールド樹脂４０により包み込まれるように封止されていることは、上記実施形態と同様である。
【００７７】
また、本実施形態の半導体装置２００においても、インナーリード部１２のボンディング面１２ａが基準面１０ａに対してアイランド部１１の搭載面１２ａ側にずれるように、インナーリード部１２はディプレス加工され、曲げられていることは、上記実施形態と同様である。
【００７８】
こうして、本実施形態によっても、リードフレーム１０に半導体素子２０を搭載したものを樹脂で封止してなるモールドタイプの半導体装置において、従来にはない新規なディプレス加工の構成を持つリードフレーム１０を実現することができる。
【００７９】
そして、本半導体装置２００によっても、塑性加工によるインナーリード部１２の硬化現象によって、インナーリード部１２の機械的強度が向上し、ワイヤボンディング性の向上を図ることができる。
【００８０】
ここにおいて、本実施形態の半導体装置２００では、独自の構成として、さらに、半導体素子２０のボンディング面２０ａの上から見たとき（図８参照）、半導体素子２０とインナーリード部１２とが重なっているものとしている。
【００８１】
つまり、本実施形態によれば、平面的にみたとき、半導体素子２０とインナーリード部１２とが重なっている。一般的な従来のこの種の半導体装置においては、平面的に半導体素子とインナーリード部とは、重ならず、半導体素子の端面とインナーリード部の端面とは離間して配置されていた。
【００８２】
それに対して、本実施形態によれば、平面的にみたとき、半導体素子２０とインナーリード部１２とが重なって配置されているため、結果として、半導体装置２００の平面サイズを小さくすることができ、パッケージの小型化に有利である。
【００８３】
また、従来では、上記図５（ｂ）に示されるようにインナーリード部１２はストレートなので、平面的に半導体素子２０とインナーリード部１２とが重なって配置されていると、ワイヤボンディングの際にインナーリード部１２のボンディング面１２ａの下部を治具等で支持することが困難であり、支持するにしても複雑な形状の治具を要するなどの問題がある（図５（ｃ）参照）。
【００８４】
それに対して、本実施形態の半導体装置２００では、上述したように、インナーリード部１２の機械的強度が向上しているため、ワイヤボンディングの際にインナーリード部１２のボンディング面１２ａの下部を治具等で支持しなくても、ワイヤボンディング性を確保することができる。
【００８５】
また、本実施形態においては、図７に示されるように、アイランド部１１の平面サイズは、半導体素子２０の平面サイズよりも小さいことが好ましい。
【００８６】
このようにすることによって、リードフレーム１０においてアイランド部１１を小さくすることができ、その分、インナーリード部１３をアイランド部１１の方へ延ばすことができる。
【００８７】
それにより、平面的にみたとき半導体素子２０とインナーリード部１２とが重なっている本実施形態独自の構成を実現しやすくできる。つまり、アイランド部１１の平面サイズは、半導体素子２０の平面サイズよりも小さくすることは、パッケージの小型化に有利なものである。
【００８８】
また、図９は、図７に示される半導体装置２００におけるボンディングワイヤ３０による接続部の他の例を示す拡大平面図である。この例は、上記図８に示される例に比べて、半導体素子２０とインナーリード部１２との重なり領域を大きくしたものであり、さらなる装置の小型化を図ることができる。
【００８９】
ちなみに、従来では、この種のモールドタイプの半導体装置においては、ボンディング装置やボンディング精度によって、半導体素子とインナーリード部の端面と間の距離には限界があり、さらなる小型化や細密化が困難であった。
【００９０】
これは、ボンディング装置のキャピラリーが、半導体素子やリードフレームに当接するとか、物理的距離として半導体素子側面とインナーリード部の端面との接触が不可であるためである。
【００９１】
また、従来では、リードフレームの加工上、ディプレス加工による折り曲げ部は、完全な直角としては形成することができないので、装置全体すなわちパッケージ全体の体格も大きくなるという問題もあった。
【００９２】
本実施形態の半導体装置２００は、このような装置の小型化に関する従来の制約に束縛されることなく、従来よりも半導体装置すなわちパッケージの小型化を図ることができるものである。
【００９３】
（第３実施形態）
図１０は、本発明の第３実施形態に係るモールドタイプの半導体装置３００の概略断面構成を示す図である。上記第１実施形態との相違点を中心に述べることとし、同一部分は簡略的に述べることにする。
【００９４】
図１０に示されるように、本実施形態の半導体装置３００においても、リードフレーム１０のアイランド部１１の搭載面１１ａに半導体素子２０が搭載され、半導体素子２０のボンディング面２０ａとインナーリード部１２のボンディング面１２ａとがボンディングワイヤ３０により結線され、アイランド部１１とインナーリード部１２とが同一の基準面１０ａ内に位置するリードフレーム１０に対してディプレス加工を行うことにより、上記「リードフレームの段違い構成」を形成しており、アイランド部１１、インナーリード部１２、半導体素子２０およびボンディングワイヤ３０がモールド樹脂４０により包み込まれるように封止されていることは、上記第１実施形態と同様である。
【００９５】
また、本実施形態の半導体装置３００においても、インナーリード部１２のボンディング面１２ａが基準面１０ａに対してアイランド部１１の搭載面１２ａ側にずれるように、インナーリード部１２はディプレス加工され、曲げられていることは、上記第１実施形態と同様である。
【００９６】
こうして、本実施形態によっても、リードフレーム１０に半導体素子２０を搭載したものを樹脂で封止してなるモールドタイプの半導体装置において、従来にはない新規なディプレス加工の構成を持つリードフレーム１０を実現することができる。
【００９７】
そして、本半導体装置３００によっても、塑性加工によるインナーリード部１２の硬化現象によって、インナーリード部１２の機械的強度が向上し、ワイヤボンディング性の向上を図ることができる。
【００９８】
ここにおいて、本実施形態の半導体装置３００では、独自の構成として、さらに、図１０に示されるように、アイランド部１１の搭載面１１ａが基準面１０ａに対してアイランド部１１の搭載面１１ａとは反対の面側（つまり、図１０中の下側）にずれるように、リードフレーム１０はディプレス加工されている。
【００９９】
このようなディプレス加工は、リードフレーム１０においてアイランド部１１を連結する吊りリード（上記図３参照）をディプレスすることにより行われる。それによれば、アウターリード部１３を中心として上下のモールド部の体積のバランスをよくするという点で好ましい構成とすることができる。
【０１００】
具体的に言うと、モールド樹脂４０を成型するにあたって、アウターリード部１３が樹脂成形用金型における上型と下型との境界となるが、本実施形態では、図１０において、アイランド部１１を基準面１０ａよりも下側に下げることにより、半導体素子２０も下がることになる。
【０１０１】
その結果、本実施形態においては、上記したアウターリード部１３を中心とした上下のモールド部の体積のバランスがよくなり、モールド成型時における樹脂の流れをよくすることができる。
【０１０２】
（第４実施形態）
図１１は、本発明の第４実施形態に係るモールドタイプの半導体装置４００の概略断面構成を示す図である。ここでも、上記第１実施形態との相違点を中心に述べることとし、同一部分は簡略的に述べることにする。
【０１０３】
図１１に示されるように、本実施形態の半導体装置４００においても、リードフレーム１０のアイランド部１１の搭載面１１ａに半導体素子２０が搭載され、半導体素子２０のボンディング面２０ａとインナーリード部１２のボンディング面１２ａとがボンディングワイヤ３０により結線され、アイランド部１１とインナーリード部１２とが同一の基準面１０ａ内に位置するリードフレーム１０に対してディプレス加工を行うことにより、上記「リードフレームの段違い構成」を形成しており、アイランド部１１、インナーリード部１２、半導体素子２０およびボンディングワイヤ３０がモールド樹脂４０により包み込まれるように封止されていることは、上記第１実施形態と同様である。
【０１０４】
また、本実施形態の半導体装置４００においても、インナーリード部１２のボンディング面１２ａが基準面１０ａに対してアイランド部１１の搭載面１２ａ側にずれるように、インナーリード部１２はディプレス加工され、曲げられていることは、上記第１実施形態と同様である。
【０１０５】
こうして、本実施形態によっても、リードフレーム１０に半導体素子２０を搭載したものを樹脂で封止してなるモールドタイプの半導体装置において、従来にはない新規なディプレス加工の構成を持つリードフレーム１０を実現することができる。
【０１０６】
そして、本半導体装置４００によっても、塑性加工によるインナーリード部１２の硬化現象によって、インナーリード部１２の機械的強度が向上し、ワイヤボンディング性の向上を図ることができる。
【０１０７】
ここにおいて、本実施形態の半導体装置４００では、独自の構成として、さらに、図１１に示されるように、リードフレーム１０のアウターリード部１３が、基準面１０ａに対してアイランド部１１の搭載面１１ａ側（つまり、図１１中の上側）にずれるように、当該アウターリード部１３もディプレス加工されている。
【０１０８】
本実施形態によっても、アウターリード部１３をディプレス加工することで、アウターリード部１３を中心として上下のモールド部の体積のバランスをよくするという点で好ましい構成とすることができる。
【０１０９】
具体的に言うと、樹脂成形用金型における上型と下型との境界となるアウターリード部１３を、ディプレス加工して折り曲げ部１３ａを形成することにより、図１１において基準面１０ａよりも上げている。
【０１１０】
それによって、アウターリード部１３をモールド樹脂４０の中心に近づけることができるため、本実施形態においては、上記したアウターリード部１３を中心とした上下のモールド部の体積のバランスがよくなり、モールド成型時における樹脂の流れをよくすることができる。
【０１１１】
ここで、本実施形態および上記第３実施形態では、リードフレーム１０においてインナーリード部１２以外にもディプレスする箇所がある。このような場合には、ディプレス加工は複数回行ってもよいが、ディプレス用の金型をリードフレーム１０の曲げ形状に合わせて作るなどにより、１回のディプレス加工で行うこともできる。
【０１１２】
（他の実施形態）
なお、上記した各実施形態は、適宜組み合わせてもよい。
【０１１３】
たとえば、インナーリード部１２のボンディング面１２ａが基準面１０ａに対してアイランド部１１の搭載面１２ａ側にずれるように、インナーリード部１２をディプレス加工しつつ、平面的に半導体素子２０とインナーリード部１２とが重なって配置されるようにしてもよい。
【０１１４】
さらに、これに加えて、上記図１０や上記図１１に示したようにアイランド部１１の搭載面１１ａやアウターリード部１３を基準面１０ａからずらすように、リードフレーム１０をディプレス加工してもよい。
【０１１５】
要するに、本発明は、リードフレームのアイランド部の搭載面に半導体素子を搭載し、半導体素子のボンディング面とインナーリード部のボンディング面とをボンディングワイヤにより結線し、アイランド部とインナーリード部とが同一の基準面内に位置するリードフレームに対してディプレス加工を行うことにより、上記「リードフレームの段違い構成」を形成し、アイランド部、インナーリード部、半導体素子およびボンディングワイヤをモールド樹脂４０により封止してなる半導体装置において、インナーリード部のボンディング面が基準面に対してアイランド部の搭載面側にずれるように、インナーリード部をディプレス加工して曲げたことを主たる特徴とするものであり、その他の部分は、適宜設計変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１１６】
【図１】本発明の第１実施形態に係るモールドタイプの半導体装置の概略断面構成を示す図である。
【図２】図１に示される半導体装置におけるボンディングワイヤによる接続部の拡大平面図である。
【図３】多連リードフレームの部分平面図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）は、それぞれ図３に示されるリードフレームの平板状態におけるＡ−Ａ概略断面図、Ｂ−Ｂ概略断面図である。
【図５】（ａ）、（ｂ）は、それぞれ図３に示されるリードフレームの従来のディプレス加工後におけるＡ−Ａ概略断面図、Ｂ−Ｂ概略断面図であり、（ｃ）は、（ｂ）において半導体素子を搭載し実装した状態を示す断面図である。
【図６】（ａ）、（ｂ）は、それぞれ図３に示されるリードフレームの本実施形態のディプレス加工後におけるＡ−Ａ概略断面図、Ｂ−Ｂ概略断面図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係るモールドタイプの半導体装置の概略断面構成を示す図である。
【図８】図７に示される半導体装置におけるボンディングワイヤによる接続部の拡大平面図である。
【図９】図７に示される半導体装置におけるボンディングワイヤによる接続部の他の例を示す拡大平面図である。
【図１０】本発明の第３実施形態に係るモールドタイプの半導体装置の概略断面構成を示す図である。
【図１１】本発明の第４実施形態に係るモールドタイプの半導体装置の概略断面構成を示す図である。
【符号の説明】
【０１１７】
１０…リードフレーム、１０ａ…リードフレームの基準面、
１１…リードフレームのアイランド部、１１ａ…アイランド部の搭載面、
１２…リードフレームのインナーリード部、
１２ａ…インナーリード部のボンディング面、
１３…リードフレームのアウターリード部、
２０…半導体素子、２０ａ…半導体素子のボンディング面、
３０…ボンディングワイヤ、４０…モールド樹脂。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2006147745.tif 000006
【図５】
2006147745.tif 000007
【図６】
2006147745.tif 000008
【図７】
2006147745.tif 000009
【図８】
2006147745.tif 000010
【図９】
2006147745.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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