(57)【要約】【課題】  液晶化合物の中間体として非常に有用な新規フッ素原子含有ベンジルケトン化合物を高収率および高選択性で製造する。【解決手段】  不活性ガス雰囲気中、Ｐｄ触媒および亜鉛粉末の存在下にフッ素原子含有ハロゲン化ベンジルと、脂肪族炭化水素基を含有するシクロヘキシルカルボニルクロライドとを反応させて、下記式（１）で表される化合物を製造する。【化１】2006008685.tif 000038（式（１）中、Ｒ１はメチル、エチル、プロピル、メトキシまたはエトキシを示し、Ｘ１はフッ素原子またはトリフルオロメトキシを示し、Ｒ２は１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンを示し、Ｒ３は炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基を示し、ｌは０または１の整数を表し、ｍは０または１の整数を表し、ｎは１〜３の整数を表す。）【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記構造式（１）
【化１】
2006008685.tif 000035
（式（１）中、Ｒ１はメチル、エチル、プロピル、メトキシまたはエトキシを示し、Ｘ１はフッ素原子またはトリフルオロメトキシを示し、Ｒ２は１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンを示し、Ｒ３は炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基を示し、ｌは０または１の整数を表し、ｍは０または１の整数を表し、ｎは１〜３の整数を表す。）
で表されることを特徴とするフッ素原子含有ベンジルケトン化合物。
【請求項２】
前記フッ素原子含有ベンジルケトン化合物が下記構造式（２）
【化２】
2006008685.tif 000036
（式（２）中、Ｒ３は線状または分鎖した炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基を示し、ｌは０または１の整数を表す。）
によって表されるものである請求項１記載のフッ素原子含有ベンジルケトン化合物。
【請求項３】
前記フッ素原子含有ベンジルケトン化合物が下記構造式（３）
【化３】
2006008685.tif 000037
（式（３）中、Ｒ１はメチル、エチル、プロピル、メトキシまたはエトキシを示し、Ｒ３は炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基を示し、ｌは０または１の整数を表す。）
によって表されるものである請求項１記載のフッ素原子含有ベンジルケトン化合物。
【請求項４】
不活性ガス雰囲気中、Ｐｄ触媒および亜鉛粉末の存在下で、フッ素原子含有ハロゲン化ベンジルと、脂肪族炭化水素基を含有するシクロヘキシルカルボニルハライドとを反応させることを特徴とするフッ素原子含有ベンジルケトン化合物の製造方法。
【請求項５】
前記反応を−５℃〜２５℃の範囲内の温度で行う請求項４記載のフッ素原子含有ベンジルケトン化合物の製造方法。
【請求項６】
フッ素原子含有ハロゲン化アリールメチルが、トリフルオロベンジルブロミドである請求項４記載のフッ素原子含有ベンジルケトン化合物の製造方法。
【請求項７】
Ｐｄ触媒が、Ｐｄ（ＩＩ）化合物およびトリフェニルホスフィンを含むものである請求項４記載のフッ素原子含有ベンジルケトン化合物の製造方法。
【請求項８】
前記Ｐｄ触媒が、Ｐｄ（ＩＩ）アセテートおよびトリフェニルホスフィンを含むものである請求項７記載のフッ素原子含有ベンジルケトン化合物の製造方法。
【請求項９】
前記Ｐｄ触媒の量が、原料成分の総モル数を基準として０．５〜５モル％の範囲内である請求項４〜８の何れか一つに記載のフッ素原子含有ベンジルケトン化合物の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子光学液晶表示材料のための液晶化合物の中間体として有用な新規のフッ素原子含有ベンジルケトン化合物、および当該ケトン化合物の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、時計や計算機のみならず、現在、様々な種類の計測器、自動車用計器版、ワードプロセッサ、携帯情報端末、プリンタ、コンピュータ、およびテレビなどに広く使用されている。かかる液晶表示装置に用いられる液晶材料は複数の液晶化合物の混合物として用いられ、これまで多くの種類の化合物が合成されてきた。この液晶化合物の一つとして、フッ素原子をその芳香族環に有するテトラヒドロナフタレン誘導体は、アクティブマトリクス液晶表示システムに非常に有用であり、かつ、他の化合物との良好な相溶性を有する液晶材料として知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
しかしながら、テトラヒドロナフタレン誘導体は光学的および電気的異方性などの性質が良好であるが、テトラヒドロナフタレン誘導体を製造するためには極めて多くの合成工程が必要であり、特に出発材料として従来使用されているフェニル酢酸の合成には複雑かつ多数の工程が必要であるという点に重大な問題があった。
【０００４】
その結果、この複雑なプロセスがこれまでテトラヒドロナフタレン誘導体を工業的規模で生産する上で障害となってきたのであり、テトラヒドロナフタレン誘導体の工程数が少なく簡便な製造方法が液晶化合物の分野において要求されてきた。
【０００５】
工程数が少なく簡便な製造方法という観点からは、テトラヒドロナフタレン誘導体の最も好適なプロセスには、ウィッティヒ−ホルナー反応によってベンジルケトン化合物をテトラヒドロナフタレン化合物へ変換する方法が挙げられる。
【０００６】
しかしながら、出発原料としてのフッ素置換ベンジルケトン化合物は、一般にそれ自体の合成が困難であるという問題を有している。即ち、従来のフッ素を含有しないベンジルケトン化合物はグリニヤール反応によって製造することが可能であるが、これに反してフッ素置換ベンジルケトン化合物の場合は、フッ素原子の電子求引的性質によってグリニャール化合物の形成が妨げられる。更に、例えグリニヤール化合物が得られたとしても、その化合物が容易に二量体になり、それ以上のグリニャール反応が進行しないという問題がある。
【０００７】
一方、ベンジルカルボニル合成に関しては、亜鉛およびパラジウム触媒を使用した塩化アシルおよび臭化ベンジルの還元カップリングによるベンジルケトンの合成のための簡便な方法が開示されている（例えば、非特許文献１参照。）。
【０００８】
しかしながら、その文献ではその芳香族環にフッ素原子を持たない通常の臭化ベンジルを出発材料として使用することを開示しているに過ぎず、例えば、（ＣＨ３）２ＣＨＣＯＣｌおよび（ＣＨ３）３ＣＣＯＣｌなどの分岐型脂肪族炭化水素基を有する塩化アシル類を用いた場合、目標とする化合物の収率が一層低くなってしまう他、さらに、その穏やかな反応条件に起因する副生成物の生成が避けられないものであった。
【０００９】
【特許文献１】日本国出願公開第２００１−０１０９９１号
【非特許文献１】「Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  Ｌｅｔｔｅｒｓ誌  １９８１年、１１３５〜１１３８ページ」
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明が解決しようとする課題は、液晶化合物の中間体として非常に有用な、新規フッ素原子含有ベンジルケトン化合物を提供すること、更に、かかる新規フッ素原子含有ベンジルケトン化合物を、高収率および高選択性で製造することができる製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、触媒として、Ｐｄ触媒および亜鉛粉末とを組合せ、更に、酸素を除去した不活性ガス雰囲気下で行うなど、反応条件を制御することによって、芳香族環に置換基としてフッ素原子を有し、かつ、その化学構造に脂環式構造を有していても高収率および高選択性を容易に提供することを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１２】
即ち、本発明は、下記構造式（１）
【００１３】
【化１】
2006008685.tif 000002
で表される新規のフッ素原子含有ベンジルケトン化合物を提供するものである。
【００１４】
構造式（１）中、Ｒ１はメチル、エチル、プロピル、メトキシまたはエトキシを示し、Ｘ１はフッ素またはトリフルオロメトキシを示し、Ｒ２は１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンを示し、Ｒ３は炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基を示し、ｌは０または１の整数を表し、ｍは０または１の整数を表し、ｎは１〜３の整数を表す。
【００１５】
また、本発明は、不活性ガス雰囲気中、Ｐｄ触媒および亜鉛粉末の存在下に、フッ素原子含有ハロゲン化アリールメチルと、脂肪族炭化水素基を含有するシクロヘキシルカルボニルハライドとを反応させることを特徴とするフッ素原子含有ベンジルケトン化合物の製造方法に関するものである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、新規なフッ素原子含有ベンジルケトン化合物を高収率および高選択性の簡単な方法によって製造すること可能であり、それによって工業規模におけるテトラリン型液晶化合物の製造が大幅に改善される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明の実施態様を以下に詳述する。本発明の新規のフッ素原子含有ベンジルケトン化合物は、下記構造式（１）で表される。
【００１８】
【化２】
2006008685.tif 000003
【００１９】
構造式（１）中、Ｒ１はメチル、エチル、メトキシまたはエトキシを示し、Ｘ１はフッ素原子またはトリフルオロメトキシを示し、Ｒ２は１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンを示し、Ｒ３は炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基を示し、ｌは０または１の整数を表し、ｍは０または１の整数を表し、ｎは１〜３の整数を表す。
【００２０】
かかる新規フッ素原子含有ベンジルケトン化合物は、例えば置換基としてフッ素原子のみを有するベンジルケトン化合物、置換基としてフッ素原子に加えてアルキル基を有するベンジルケトン化合物、置換基としてトリフルオロメトキシ基のみを有するベンジルケトン化合物、および置換基としてフッ素原子に加えてアルコキシ基を有するベンジルケトン化合物などの化合物が挙げられる。
【００２１】
置換基としてフッ素原子のみを有するベンジルケトン化合物の例は、以下の構造で表されるものが挙げられる。尚、該構造式中、Ｒ３は構造式（１）において定義されるものと同義である。
【００２２】
【化３】
2006008685.tif 000004
【００２３】
【化４】
2006008685.tif 000005
【００２４】
【化５】
2006008685.tif 000006
【００２５】
置換基としてフッ素に加えてアルキル基を有するベンジルケトン化合物の例は、以下の構造で表される。ここで、Ｒ３は構造式（１）において定義されるものと同義である。
【００２６】
【化６】
2006008685.tif 000007
【００２７】
置換基としてトリフルオロメトキシ基のみを有するベンジルケトン化合物の例は、以下の構造で表される。ここで、Ｒ３は構造式（１）において定義されるものと同義である。
【００２８】
【化７】
2006008685.tif 000008
【００２９】
置換基としてフッ素原子に加えてアルコキシ基を有するベンジルケトン化合物の例は、以下の構造で表される。該構造式中、Ｒ３は構造式（１）において定義されるものと同義である。
【００３０】
【化８】
2006008685.tif 000009
【００３１】
該構造式中、上述の構造式（１）において炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基として定義されるＲ３は、線状または分鎖したアルキル基であってもよく、例えば、メチル、エチル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、ｎ−ヘプチル、およびｎ−オクチルが挙げられる。これらのなかでも、最終的な化合物の異方性という観点から、特にメチルまたはプロピルが好ましい。
【００３２】
また、これらの構造の中で、この化合物を正の誘電異方性（ｐ型の）の液晶化合物に使用する場合、上記のＡ１〜Ａ３、Ｇ１〜Ｇ３、およびＫ１〜Ｋ３の使用が好ましく、その最終的な液晶化合物製品の優れた異方性から、特に以下の構造式（２）で表される化合物が好ましい。
【００３３】
【化９】
2006008685.tif 000010
【００３４】
構造式（２）中、Ｒ３は線状または分鎖した炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基を示し、ｌは０または１の整数を表す。
【００３５】
前記構造式（２）で表される化合物の例には、上述のＡ１〜Ａ３から成る基が挙げられる。さらに、特に構造式（２）で表される化合物は、高収率および高選択性で得られるという点からも好ましい化合物である。
【００３６】
一方、この化合物を負の誘電異方性（ｎ型の）の液晶化合物に使用する場合、上記のＤ１〜Ｄ３、Ｆ１〜Ｆ３、Ｊ１〜Ｊ３、Ｌ１〜Ｌ３、およびＭ１〜Ｍ３の使用が好ましく、その最終的な製品としての液晶化合物の優れた異方性から、特に以下の構造式（３）で表される化合物が好ましい。
【００３７】
【化１０】
2006008685.tif 000011
【００３８】
構造式（３）中、Ｒ１は水素原子、メチル、エチル、プロピル、メトキシまたはエトキシを示し、Ｒ３は炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基を示し、ｌは０または１の整数を表す。構造式（３）によって表される化合物の例には、上述のＪ１、Ｊ２、Ｌ１、Ｌ２、Ｍ１、およびＭ２から成る基が挙げられる。
【００３９】
上記の化合物は本発明の製法方法、即ち、不活性ガス雰囲気中、Ｐｄ触媒および亜鉛粉末の存在下で、フッ素原子含有ハロゲン化ベンジルと、脂肪族炭化水素基を含有するシクロヘキシルカルボニルクロライドとを反応させることを特徴とするフッ素原子含有ベンジルケトン化合物の製造方法によって製造することができる。
【００４０】
本発明の製造方法における原料成分であるフッ素原子含有ハロゲン化ベンジルは、例えば以下の構造式（４）で表されるものが好ましい。
【００４１】
【化１１】
2006008685.tif 000012
【００４２】
該構造式中、Ｒ１、ｎおよびｍは構造式（１）において定義されるものと同義であり、Ｙ１は塩素原子および臭素原子から選択されるハロゲン原子を示す。
【００４３】
さらに、構造式（４）の化合物の具体的な例には、下記に示す構造式Ａ−ｂ−１、Ｂ−ｂ−１、Ｃ−ｂ−１、Ｄ−ｂ−１、Ｅ−ｂ−１、Ｆ−ｂ−１、Ｇ−ｂ−１、Ｈ−ｂ−１、Ｉ−ｂ−１、Ｊ−ｂ−１、Ｋ−ｂ−１、Ｌ−ｂ−１、Ｍ−ｂ−１、Ａ−ｂ−２、Ｂ−ｂ−２、Ｃ−ｂ−２、Ｄ−ｂ−２、Ｅ−ｂ−２、Ｆ−ｂ−２、Ｇ−ｂ−２、Ｈ−ｂ−２、Ｉ−ｂ−２、Ｊ−ｂ−２、Ｋ−ｂ−２、Ｌ−ｂ−２、及びＭ−ｂ−２によって表されるものが挙げられる。
【００４４】
【化１２】
2006008685.tif 000013
【００４５】
【化１３】
2006008685.tif 000014
【００４６】
これらの化合物の中でも、優れた反応性を有する点において、上述のＡ−ｂ−１、Ｂ−ｂ−１、Ｃ−ｂ−１、Ｄ−ｂ−１、Ｅ−ｂ−１、Ｆ−ｂ−１、Ｇ−ｂ−１、Ｈ−ｂ−１、Ｉ−ｂ−１、Ｊ−ｂ−１、Ｋ−ｂ−１、Ｌ−ｂ−１、及びＭ−ｂ−１などの臭化ベンジルの化合物が好ましい。さらに、ｐ型の液晶化合物を製造するには、Ａ−ｂ−１およびＢ−ｂ−１が好適であり、その優れた反応性により特にＡ−ｂ−１が好ましい。
【００４７】
一方、ｎ型の液晶化合物を製造するには、Ｄ−ｂ−１、Ｊ−ｂ−１、Ｌ−ｂ−１、およびＭ−ｂ−１が好ましい。
【００４８】
本発明のもう一つの出発原料である、脂肪族炭化水素基を含有するシクロヘキシルカルボニルハライドは、以下の構造式（５）で表されるものが好ましい。該構造式中、Ｒ２、Ｒ３、およびｌは構造式（１）で定義されるものと同義であり、Ｙ２は塩素および臭素などのハロゲンを示す。
【００４９】
【化１４】
2006008685.tif 000015
【００５０】
前記シクロヘキシルカルボニルクロライド化合物の例としては、例えば、下記に示す構造式ｃｈ−１〜ｃｈ−３によって表されるものが挙げられる。ここで、Ｒ３は構造式（１）で定義されるものと同義であり、Ｙ２は塩素および臭素などのハロゲンを示す。
【００５１】
【化１５】
2006008685.tif 000016
【００５２】
さらに、これらのｃｈ−１〜ｃｈ−３の中では、そのテトラリン化合物の異方性という目的から、ｃｈ−１およびｃｈ−２が特に好ましい。
【００５３】
また、ｃｈ−１およびｃｈ−２の特に好適な化合物の例としては、具体的には下記に示す構造式ｃｈ−１−ａ、ｃｈ−１−ｂ、ｃｈ−１−ｃ、ｃｈ−１−ｄ、ｃｈ−１−ｅ、ｃｈ−１−ｆ、ｃｈ−１−ｇ、ｃｈ−１−ｈ、ｃｈ−２−ａ、ｃｈ−２−ｂ、ｃｈ−２−ｃ、ｃｈ−２−ｄ、ｃｈ−２−ｅ、ｃｈ−２−ｆ、ｃｈ−２−ｇ、およびｃｈ−２−ｈで表されるものが挙げられる。
【００５４】
【化１６】
2006008685.tif 000017
【００５５】
上記のように、本発明の方法はＰｄ触媒および亜鉛粉末の存在下で行われる。ここで、Ｐｄ触媒は、パラジウムハロゲン化物、硫酸塩、リン酸塩などの従来のＰｄ触媒を任意に使用することができる。しかしながら、本発明において、配位子としてトリフェニルホスフィンを有するパラジウム−（ＩＩ）触媒は、トリフェニルホスフィンが非常に低コスト材料であるにもかかわらず、当該触媒が優れた活性を示すという点で好ましい。
【００５６】
配位子としてトリフェニルホスフィンを有するパラジウム−（ＩＩ）触媒には、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム−（ＩＩ）−クロライド、およびトリフェニルホスフィンを有するパラジウム−（ＩＩ）−アセテートが挙げられる。これらの触媒の中で、トリフェニルホスフィンを有するパラジウム−（ＩＩ）−アセテートが特に好ましい。
【００５７】
さらに、パラジウム−（ＩＩ）触媒は、亜鉛粉末との複合体として使用される。本発明では、このように反応触媒を複合体として用いることにより、触媒活性を高度に活性化させることができる。
【００５８】
また、亜鉛粉末は、高収率および高選択性を達成できる点からその直径が、５〜１０μｍの範囲であることが好ましい。
【００５９】
前記反応は、窒素および二酸化炭素などの不活性ガス雰囲気中で行うことにより副生成物の生成を効果的に回避することができる。具体的には、この反応は系内の酸素含有率が１重量％未満を保つように、反応容器に窒素および二酸化炭素などの不活性ガスを供給しながら行うこと好ましい。
【００６０】
さらに、反応温度を−５℃〜２５℃の範囲内に制御して反応を行うことが好ましい。本発明の製造方法では、反応温度を前記範囲内に調節することによって、フッ素原子の強い電子求引的性質により反応性が非常に弱いものとして当業者に認識されているフッ素原子含有ハロゲン化ベンジルを使用しているにも拘わらず、目的とするベンジルケトン化合物を高収率および高選択性で得ることができる。また、必要に応じて、この反応には任意に溶媒を使用することができる。好適な溶媒の例には、エチレングリコールジメチルエーテルおよびエチレングリコールジエチルエーテルが挙げられる。
【００６１】
かかる反応は、具体的には以下の方法によって好ましく行うことができる。即ち、反応容器内に所定量の触媒、および亜鉛粉末、更に必要に応じてトリフェニルホスフィンを入れておき、その後、その内容物をポンプによって真空状態にし、前述の不活性ガスによってパージする。好ましくは、酸素濃度が１容量％以下になるまで、真空排気およびパージを数回繰り返す。
【００６２】
次に、乾燥した有機溶媒を反応容器に加えるが、好ましくは、その後内容物の温度が−５℃〜１０℃の範囲内になるように反応容器を冷却する。
【００６３】
フッ素原子含有ハロゲン化ベンジルおよびシクロヘキシルカルボニルクロライド化合物の混合物を、反応容器に滴下または継続的に加える。ここで、反応温度を一定に保つように、混合物の添加速度を制御することが好ましい。その後、反応が完了するまで同じ温度で混合物を攪拌することによって目的とする生成物を得ることができる。
【００６４】
本発明の方法によって得られる生成物は、常法により精製することができる。例えば、生成物が冷えている場合は室温まで加温した後、固体成分を除去するために生成物を濾過し、その後適切な溶媒によって液体相を洗浄する。さらに、必要に応じて濾過および洗浄を繰返し、その後蒸留または再結晶化によって目的とする精製された化合物が得られる。
【００６５】
本発明を以下の実施例によってさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。
【実施例】
【００６６】
実施例１  （化合物Ａ１−１の合成）
【化１７】
2006008685.tif 000018
【００６７】
０．４４ｍｍｏｌのＰｄ−（ＩＩ）−アセテート、０．８８ｍｍｏｌのトリフェニルホスフィンおよび８８ｍｍｏｌの亜鉛を反応容器に入れる。内容物を膜ポンプで真空にし、Ｎ２でパージする。酸素を完全に除去するために、この手順を２回繰り返す。
【００６８】
ナトリウムおよびベンゾフェノンの存在下で青色に変化するまで還流することによって乾燥し、その後蒸留した３０ｍｌのエチレングリコールジメチルエーテルを加える。
その後、反応容器を０℃まで冷却する。
【００６９】
３０ｍｌのエチレングリコールジメチルエーテルに、４４ｍｍｏｌの３，４，５−トリフルオロベンジルブロミド、および４４ｍｍｏｌの４−プロピルシクロヘキシルカルボニルクロライドを加えた混合物を混合物の温度が０℃を維持するようにゆっくりと加える。
【００７０】
この混合物を同じ温度で１時間攪拌し、その後室温まで加温し、濾過し、触媒の混合物をジエチルエーテルで洗浄し、溶媒を留去し、ジエチルエーテルを加え、固体部分をフィルターで分離し、有機相を水で２回、ＮａＣｌ水溶液で１回洗浄する。
【００７１】
溶媒を留去し、固体をメタノールに溶解し、濾過し、その溶媒を留去する。固体を蒸留する。浴温度８０℃、０．０１１ヘクトパスカルの条件で副生成物を除去し、本発明の目的とするベンジルケトン化合物を得た。目的とするベンジルケトン化合物の収率および選択性を表１に示す。尚、以下にマススペクトル及びＮＭＲの分析データを示す。
【００７２】
ＭＳ  ［ｍ／ｚ］  ２９７  ［Ｍ−１］，  １５３  （Ｐｒ−Ｃｙｃ−ＣＯ＋），  １４５  （Ｆ３−Ａｒｙｌ−ＣＨ２＋），  １２５  （Ｐｒ−Ｃｙｃ＋），  ８３  （Ｃ６Ｈ１１＋），  ６９  （Ｃ５Ｈ９＋），  ５５  （Ｃ４Ｈ７＋），  ４１  （Ｃ３Ｈ５＋）１Ｈ−ＮＭＲ  （３００  ＭＨｚ，  ＣＤＣｌ３，  σ［ｐｐｍ］）：  ０．８０−１．０５  （ｍ，  ５  Ｈ，  ＣＨ３／ＣＨ２）；  １．１０−１．４０  （ｍ，  ３Ｈ，  ＣＨ２／ＣＨ）；  １．４２−１．４８  （ｍ，  ４Ｈ，  ＣＨ２）；  １．７６−１．９９  （ｍ，  ４Ｈ  ＣＨ２）；  ２．３９  （ｍ，  １Ｈ，  ＣＨ）；  ３．６７  （ｄ，  ２Ｈ，  ＣＨ２）；  ６．８１  （ｍ，  ２Ｈ，  ＣＨａｒ）
１３Ｃ−ＮＭＲ  （７５．４  ＭＨｚ，  ＣＤＣｌ３，  σ［ｐｐｍ］）：  １４．６  （ＣＨ３）；  ２０．１  （ＣＨ２）；  ２８．７  （２ｘＣＨ２）；  ３２．５  （２ｘＣＨ２）；  ３６．９  （ＣＨ２）；  ３９．７  （ＣＨ２）；  ４６．６  （ＣＨ２）；  ４２．６  （ＣＨ）；  ５１．３  （ＣＨ）；  １１３．９  （２ｘＣＨａｒ）；  １３０．８  （Ｃａｒ）；  １３９．３  （ＣＦａｒ；  １５１．３  （２ｘＣＦａｒ）  ２０９．８  （Ｃ＝Ｏ）
１９Ｆ−ＮＭＲ  （２８２．２  ＭＨｚ，  ＣＤＣｌ３，  σ［ｐｐｍ］）：  −１４５．９  （２Ｆ，  ｍ）；  −１７４．３  （ｍ）
【００７３】
実施例２  （以下の化合物Ｂ１−１の合成）
【化１８】
2006008685.tif 000019
【００７４】
出発材料として３，５−ジフルオロベンジルブロミドを使用する他は、実施例１と同じ方法で本発明のベンジル化合物を合成した。目的とするベンジルケトン化合物の収率および選択性を表１に示す。尚、以下にマススペクトルの分析データを示す。
【００７５】
ＭＳ  ［ｍ／ｚ］  １５３  （Ｐｒ−Ｃｙｃ−ＣＯ＋），  １２７  （Ｆ２−Ａｒｙｌ−ＣＨ２＋），  １２５  （Ｐｒ−Ｃｙｃ＋），  ８３  （Ｃ６Ｈ１１＋），  ６９  （Ｃ５Ｈ９＋），  ５５  （Ｃ４Ｈ７＋），  ４１  （Ｃ３Ｈ５＋）
【００７６】
実施例３  （化合物Ｂ１−１の合成）
出発材料として３，５−ジフルオロベンジルブロミドを使用すること、および反応容器内の温度を２５℃に制御する他は、実施例１と同じ方法で本発明のベンジル化合物を合成した。目的とするベンジルケトン化合物の収率および選択性を表１に示す。尚、以下にマススペクトルの分析データを示す。
【００７７】
ＭＳ  ［ｍ／ｚ］  １５３  （Ｐｒ−Ｃｙｃ−ＣＯ＋），  １２７  （Ｆ２−Ａｒｙｌ−ＣＨ２＋），  １２５  （Ｐｒ−Ｃｙｃ＋），  ８３  （Ｃ６Ｈ１１＋），  ６９  （Ｃ５Ｈ９＋），  ５５  （Ｃ４Ｈ７＋），  ４１  （Ｃ３Ｈ５＋）
【００７８】
実施例４  （以下の化合物Ｃ１−１の合成）
【化１９】
2006008685.tif 000020
【００７９】
出発材料として２，５−ジフルオロベンジルブロミドを使用する他は、実施例  １と同じ方法で本発明のベンジル化合物を合成した。目的とするベンジルケトン化合物の収率および選択性を表１に示す。尚、以下にマススペクトルの分析データを示す。
【００８０】
ＭＳ  ［ｍ／ｚ］  １５３  （Ｐｒ−Ｃｙｃ−ＣＯ＋），  １２７  （Ｆ２−Ａｒｙｌ−ＣＨ２＋），  １２５  （Ｐｒ−Ｃｙｃ＋），  ８３  （Ｃ６Ｈ１１＋），  ６９  （Ｃ５Ｈ９＋），  ５５  （Ｃ４Ｈ７＋），  ４１  （Ｃ３Ｈ５＋）
【００８１】
実施例５  （化合物Ｃ１−１の合成）
出発材料として２，５−ジフルオロベンジルブロミドを使用すること、および反応容器内の温度を２５℃に制御する他は、実施例１と同じ方法で本発明のベンジル化合物を合成した。目的とするベンジルケトン化合物の収率および選択性を表１に示す。尚、以下にマススペクトルの分析データを示す。
【００８２】
ＭＳ  ［ｍ／ｚ］  １５３  （Ｐｒ−Ｃｙｃ−ＣＯ＋），  １２７  （Ｆ２−Ａｒｙｌ−ＣＨ２＋），  １２５  （Ｐｒ−Ｃｙｃ＋），  ８３  （Ｃ６Ｈ１１＋），  ６９  （Ｃ５Ｈ９＋），  ５５  （Ｃ４Ｈ７＋），  ４１  （Ｃ３Ｈ５＋）
【００８３】
実施例６  （化合物Ｃ１−１の合成）
出発材料として２，５−ジフルオロベンジルブロミドを使用すること、および触媒として０．４４ｍｍｏｌのビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム−（ＩＩ）−クロライドおよび８８ｍｍｏｌの亜鉛を使用する他は、実施例１と同じ方法で本発明のベンジル化合物を合成した。目的とするベンジルケトン化合物の収率および選択性を表１に示す。尚、以下にマススペクトルの分析データを示す。
【００８４】
ＭＳ  ［ｍ／ｚ］  １５３  （Ｐｒ−Ｃｙｃ−ＣＯ＋），  １２７  （Ｆ２−Ａｒｙｌ−ＣＨ２＋），  １２５  （Ｐｒ−Ｃｙｃ＋），  ８３  （Ｃ６Ｈ１１＋），  ６９  （Ｃ５Ｈ９＋），  ５５  （Ｃ４Ｈ７＋），  ４１  （Ｃ３Ｈ５＋）
【００８５】
実施例７  （以下の化合物Ｄ１−１の合成）
【化２０】
2006008685.tif 000021
【００８６】
出発材料として２，３−ジフルオロベンジルブロミドを使用する他は、実施例１と同じ方法で本発明のベンジル化合物を合成した。目的とするベンジルケトン化合物の収率および選択性を表１に示す。尚、以下にマススペクトルの分析データを示す。
【００８７】
ＭＳ  ［ｍ／ｚ］  １５３  （Ｐｒ−Ｃｙｃ−ＣＯ＋），  １２７  （Ｆ２−Ａｒｙｌ−ＣＨ２＋），  １２５  （Ｐｒ−Ｃｙｃ＋），  ８３  （Ｃ６Ｈ１１＋），  ６９  （Ｃ５Ｈ９＋），  ５５  （Ｃ４Ｈ７＋），  ４１  （Ｃ３Ｈ５＋）
【００８８】
実施例８  （以下の化合物Ｅ１−１の合成）
【化２１】
2006008685.tif 000022
【００８９】
０．０２ｍｍｏｌのＰｄ−（ＩＩ）−アセテート、０．４６ｍｍｏｌのトリフェニルホスフィンおよび４．５ｍｍｏｌの亜鉛を反応容器に入れる。内容物を膜ポンプで真空にし、Ｎ２でパージする。酸素を完全に除去するために、この手順を２回繰り返す。ナトリウムおよびベンゾフェノンの存在下で青色に変化するまで還流することによって乾燥し、その後蒸留した２ｍｌのエチレングリコールジメチルエーテルを加える。その後、反応容器を０℃まで冷却する。３ｍｌのエチレングリコールジメチルエーテルに、２．１２ｍｍｏｌの２−フルオロベンジルブロミド、および２．１３ｍｍｏｌの４−プロピルシクロヘキシルカルボニルクロライドを加えた混合物を混合物の温度が０℃を維持するようにゆっくりと加える。
【００９０】
この混合物を同じ温度で１時間攪拌し、その後室温まで加温する。その後、実施例１と同じ方法によって本発明の目的とするベンジルケトン化合物を得る。目的とするベンジルケトン化合物の収率および選択性を表１に示す。尚、以下にマススペクトル及びＮＭＲの分析データを示す。
【００９１】
ＭＳ  ［ｍ／ｚ］  １５３  （Ｐｒ−Ｃｙｃ−ＣＯ＋），  １２５  （Ｐｒ−Ｃｙｃ＋），  １０９  （Ｆ−Ａｒｙｌ−ＣＨ２＋），  ８３  （Ｃ６Ｈ１１＋），  ６９  （Ｃ５Ｈ９＋），  ５５  （Ｃ４Ｈ７＋），  ４１  （Ｃ３Ｈ５＋）
【００９２】
実施例９  （化合物Ｅ１−１の合成）
反応容器内の温度を２５℃に制御する他は、実施例  ８と同じ方法で本発明のベンジル化合物を合成した。尚、以下にマススペクトルの分析データを示す。
【００９３】
ＭＳ  ［ｍ／ｚ］  １５３  （Ｐｒ−Ｃｙｃ−ＣＯ＋），  １２５  （Ｐｒ−Ｃｙｃ＋），  １０９  （Ｆ−Ａｒｙｌ−ＣＨ２＋），  ８３  （Ｃ６Ｈ１１＋），  ６９  （Ｃ５Ｈ９＋），  ５５  （Ｃ４Ｈ７＋），  ４１  （Ｃ３Ｈ５＋）
【００９４】
実施例１０  （化合物Ｅ１−１の合成）
触媒として０．４４ｍｍｏｌのビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム−（ＩＩ）−クロライドおよび８８ｍｍｏｌの亜鉛を使用する他は、実施例８と同じ方法で本発明のベンジル化合物を合成した。尚、以下にマススペクトルの分析データを示す。
【００９５】
ＭＳ  ［ｍ／ｚ］  １５３  （Ｐｒ−Ｃｙｃ−ＣＯ＋），  １２５  （Ｐｒ−Ｃｙｃ＋），  １０９  （Ｆ−Ａｒｙｌ−ＣＨ２＋），  ８３  （Ｃ６Ｈ１１＋），  ６９  （Ｃ５Ｈ９＋），  ５５  （Ｃ４Ｈ７＋），  ４１  （Ｃ３Ｈ５＋）
【００９６】
実施例１１  （化合物Ｅ１−１の合成）
触媒として０．４４ｍｍｏｌのテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）および８８ｍｍｏｌの亜鉛を使用する他は、実施例８と同じ方法で本発明のベンジル化合物を合成した。尚、以下にマススペクトルの分析データを示す。
【００９７】
ＭＳ  ［ｍ／ｚ］  １５３  （Ｐｒ−Ｃｙｃ−ＣＯ＋），  １２５  （Ｐｒ−Ｃｙｃ＋），  １０９  （Ｆ−Ａｒｙｌ−ＣＨ２＋），  ８３  （Ｃ６Ｈ１１＋），  ６９  （Ｃ５Ｈ９＋），  ５５  （Ｃ４Ｈ７＋），  ４１  （Ｃ３Ｈ５＋）
【００９８】
実施例１２  （以下の化合物Ｆ１−１の合成）
【化２２】
2006008685.tif 000023
【００９９】
出発原料として２−フルオロ−３−メチルベンジルブロミドを使用することの他、実施例１と同様に本発明のベンジル化合物を合成した。目的とするベンジルケトン化合物の収率および選択性を表１に示す。尚、以下にマススペクトルの分析データを示す。
【０１００】
ＭＳ  ［ｍ／ｚ］  １５３  （Ｐｒ−Ｃｙｃ−ＣＯ＋），  １２５  （Ｐｒ−Ｃｙｃ＋），  １０９  （Ｆ−Ａｒｙｌ−ＣＨ２＋），  ８３  （Ｃ６Ｈ１１＋），  ６９  （Ｃ５Ｈ９＋），  ５５  （Ｃ４Ｈ７＋），  ４１  （Ｃ３Ｈ５＋）
【０１０１】
実施例１３  （化合物Ｅ１−１の合成）
反応容器内の温度を２５℃に制御する他は、実施例１２と同じ方法で本発明のベンジル化合物を合成した。目的とするベンジルケトン化合物の収率および選択性を表１に示す。尚、以下にマススペクトルの分析データを示す。
【０１０２】
ＭＳ  ［ｍ／ｚ］  １５３  （Ｐｒ−Ｃｙｃ−ＣＯ＋），  １２５  （Ｐｒ−Ｃｙｃ＋），  １０９  （Ｆ−Ａｒｙｌ−ＣＨ２＋），  ８３  （Ｃ６Ｈ１１＋），  ６９  （Ｃ５Ｈ９＋），  ５５  （Ｃ４Ｈ７＋），  ４１  （Ｃ３Ｈ５＋）
【０１０３】
実施例１４  （化合物Ｅ１−１の合成）
触媒として０．４４ｍｍｏｌのテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）および８８ｍｍｏｌの亜鉛を使用する他は、実施例１２と同じ方法で本発明のベンジル化合物を合成した。目的とするベンジルケトン化合物の収率および選択性を表１に示す。尚、以下にマススペクトルの分析データを示す。
【０１０４】
ＭＳ  ［ｍ／ｚ］  １５３  （Ｐｒ−Ｃｙｃ−ＣＯ＋），  １２５  （Ｐｒ−Ｃｙｃ＋），  １０９  （Ｆ−Ａｒｙｌ−ＣＨ２＋），  ８３  （Ｃ６Ｈ１１＋），  ６９  （Ｃ５Ｈ９＋），  ５５  （Ｃ４Ｈ７＋），  ４１  （Ｃ３Ｈ５＋）
【０１０５】
実施例１５  （以下の化合物Ｇ１−１の合成）
【化２３】
2006008685.tif 000024
【０１０６】
出発材料として４−フルオロベンジルブロミドを使用する他は、実施例１と同様に本発明のベンジル化合物を合成した。目的とするベンジルケトン化合物の収率および選択性を表１に示す。尚、以下にマススペクトルの分析データを示す。
【０１０７】
ＭＳ  ［ｍ／ｚ］  １５３  （Ｐｒ−Ｃｙｃ−ＣＯ＋），  １２５  （Ｐｒ−Ｃｙｃ＋），  １０９  （Ｆ−Ａｒｙｌ−ＣＨ２＋），  ８３  （Ｃ６Ｈ１１＋），  ６９  （Ｃ５Ｈ９＋），  ５５  （Ｃ４Ｈ７＋），  ４１  （Ｃ３Ｈ５＋）
【０１０８】
実施例１６  （以下の化合物Ｈ１−１の合成）
【化２４】
2006008685.tif 000025
【０１０９】
出発材料として１−フルオロ−２−メチルベンジルブロミドを使用する他は、実施例１と同じ方法で本発明のベンジル化合物を合成した。目的とするベンジルケトン化合物の収率および選択性を表１に示す。尚、以下にマススペクトルの分析データを示す。
【０１１０】
ＭＳ  ［ｍ／ｚ］  ２７６  ［Ｍ＋］，  １５３  （Ｐｒ−Ｃｙｃ−ＣＯ＋），  １２５  （Ｐｒ−Ｃｙｃ＋），  １２３  （Ｆ（ＣＨ３）−Ａｒｙｌ−ＣＨ２＋），  ８３  （Ｃ６Ｈ１１＋），  ６９  （Ｃ５Ｈ９＋），  ５５  （Ｃ４Ｈ７＋），  ４１  （Ｃ３Ｈ５＋）
【０１１１】
実施例１７  （化合物Ｈ１−１の合成）
反応容器内の温度を２５℃に制御する他は、実施例１６と同じ方法で本発明のベンジル化合物を合成した。目的とするベンジルケトン化合物の収率および選択性を表１に示す。尚、以下にマススペクトルの分析データを示す。
【０１１２】
ＭＳ  ［ｍ／ｚ］  ２７６  ［Ｍ＋］，  １５３  （Ｐｒ−Ｃｙｃ−ＣＯ＋），  １２５  （Ｐｒ−Ｃｙｃ＋），  １２３  （Ｆ（ＣＨ３）−Ａｒｙｌ−ＣＨ２＋），  ８３  （Ｃ６Ｈ１１＋），  ６９  （Ｃ５Ｈ９＋），  ５５  （Ｃ４Ｈ７＋），  ４１  （Ｃ３Ｈ５＋）
【０１１３】
実施例１８  （以下の化合物Ｊ１−１の合成）
【化２５】
2006008685.tif 000026
【０１１４】
出発材料として２，３−ジフルオロ−４−プロピルベンジルブロミドを使用し、触媒として２．２ｍｍｏｌのビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム−（ＩＩ）−クロライドおよび８８ｍｍｏｌの亜鉛を使用する他は、実施例１と同じ方法で本発明のベンジル化合物を合成した。目的とするベンジルケトン化合物の収率および選択性を表１に示す。尚、以下にマススペクトルの分析データを示す。
【０１１５】
ＭＳ  ［ｍ／ｚ］  ３２２  ［Ｍ＋］，  １６９  （Ｆ（Ｃ３Ｈ７）−Ａｒｙｌ−ＣＨ２＋）  １５３  （Ｐｒ−Ｃｙｃ−ＣＯ＋），  １２５  （Ｐｒ−Ｃｙｃ＋），  ８３  （Ｃ６Ｈ１１＋），  ６９  （Ｃ５Ｈ９＋），  ５５  （Ｃ４Ｈ７＋），  ４１  （Ｃ３Ｈ５＋）
【０１１６】
実施例１９  （化合物Ｊ１−１の合成）
触媒として０．４４ｍｍｏｌのテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）および８８ｍｍｏｌの亜鉛を使用する他は、実施例１８と同じ方法で本発明のベンジル化合物を合成した。目的とするベンジルケトン化合物の収率および選択性を表  １に示す。尚、以下にマススペクトルの分析データを示す。
【０１１７】
ＭＳ  ［ｍ／ｚ］  ３２２  ［Ｍ＋］，  １６９  （Ｆ（Ｃ３Ｈ７）−Ａｒｙｌ−ＣＨ２＋）  １５３  （Ｐｒ−Ｃｙｃ−ＣＯ＋），  １２５  （Ｐｒ−Ｃｙｃ＋），  ８３  （Ｃ６Ｈ１１＋），  ６９  （Ｃ５Ｈ９＋），  ５５  （Ｃ４Ｈ７＋），  ４１  （Ｃ３Ｈ５＋）
【０１１８】
実施例２０  （以下の化合物Ｋ１−１の合成）
【化２６】
2006008685.tif 000027
【０１１９】
出発材料として４−（トリフルオロ）メトキシ−ベンジルブロミドを使用する他は、実施例１と同じ方法で本発明のベンジル化合物を合成した。目的とするベンジルケトン化合物の収率および選択性を表１に示す。尚、以下にマススペクトルの分析データを示す。
【０１２０】
ＭＳ  ［ｍ／ｚ］  １７５  （Ｆ３ＣＯ−Ａｒｙｌ−ＣＨ２＋）  １５３  （Ｐｒ−Ｃｙｃ−ＣＯ＋），  １２５  （Ｐｒ−Ｃｙｃ＋），  ８３  （Ｃ６Ｈ１１＋），  ６９  （Ｃ５Ｈ９＋），  ５５  （Ｃ４Ｈ７＋），  ４１  （Ｃ３Ｈ５＋）
【０１２１】
実施例２１  （化合物Ｋ１−１の合成）
反応容器内の温度を２５℃に制御する他は、実施例２０と同じ方法で本発明のベンジル化合物を合成した。目的とするベンジルケトン化合物の収率および選択性を表１に示す。尚、以下にマススペクトルの分析データを示す。
【０１２２】
ＭＳ  ［ｍ／ｚ］  １７５  （Ｆ３ＣＯ−Ａｒｙｌ−ＣＨ２＋）  １５３  （Ｐｒ−Ｃｙｃ−ＣＯ＋），  １２５  （Ｐｒ−Ｃｙｃ＋），  ８３  （Ｃ６Ｈ１１＋），  ６９  （Ｃ５Ｈ９＋），  ５５  （Ｃ４Ｈ７＋），  ４１  （Ｃ３Ｈ５＋）
【０１２３】
実施例２２  （以下の化合物Ｍ１−１の合成）
【化２７】
2006008685.tif 000028
【０１２４】
出発材料として２，３−ジフルオロ−４−エトキシベンジルブロミドを使用すること、および触媒として０．４４ｍｍｏｌのビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム−（ＩＩ）−クロライドおよび８８ｍｍｏｌの亜鉛を使用し、反応容器内の温度を２５℃に制御する他は、実施例１と同じ方法で本発明のベンジル化合物を合成した。
目的とするベンジルケトン化合物の収率および選択性を表１に示す。尚、以下にマススペクトルの分析データを示す。
【０１２５】
ＭＳ  ［ｍ／ｚ］  ３２４  ［Ｍ＋］，  １５３  （Ｐｒ−Ｃｙｃ−ＣＯ＋），  １４３  （ＯＨ＋＝（Ｆ，Ｆ，Ｏ＝）Ｃ６Ｈ２），  １２５  （Ｐｒ−Ｃｙｃ＋），  ８３  （Ｃ６Ｈ１１＋），  ６９  （Ｃ５Ｈ９＋），  ５５  （Ｃ４Ｈ７＋），  ４１  （Ｃ３Ｈ５＋）
【０１２６】
実施例２３  （化合物Ｍ１−１の合成）
触媒として２．２ｍｍｏｌのテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）および８８ｍｍｏｌの亜鉛を使用する他は、実施例２２と同じ方法で本発明のベンジル化合物を合成した。目的とするベンジルケトン化合物の収率および選択性を表１に示す。尚、以下にマススペクトルの分析データを示す。
【０１２７】
ＭＳ  ［ｍ／ｚ］  ３２４  ［Ｍ＋］，  １５３  （Ｐｒ−Ｃｙｃ−ＣＯ＋），  １４３  （ＯＨ＋＝（Ｆ，Ｆ，Ｏ＝）Ｃ６Ｈ２），  １２５  （Ｐｒ−Ｃｙｃ＋），  ８３  （Ｃ６Ｈ１１＋），  ６９  （Ｃ５Ｈ９＋），  ５５  （Ｃ４Ｈ７＋），  ４１  （Ｃ３Ｈ５＋）
【０１２８】
実施例２４  （以下の化合物Ｄ２−１の合成）
【化２８】
2006008685.tif 000029
【０１２９】
１．０ｍｍｏｌのＰｄ  （ＩＩ）−アセテート、２．０ｍｍｏｌのトリフェニルホスフィンおよび８８ｍｍｏｌの亜鉛を反応容器に入れる。内容物を膜ポンプで真空にし、Ｎ２でパージする。酸素を完全に除去するために、この手順を２回繰り返す。
【０１３０】
ナトリウムおよびベンゾフェノンの存在下で青色に変化するまで還流することによって乾燥し、その後蒸留した８０ｍｌのエチレングリコールジメチルエーテルを加える。その後、反応容器を０℃まで冷却する。
【０１３１】
６０ｍｌのエチレングリコールジメチルエーテルに、６５ｍｍｏｌの２，３−ジフルオロベンジルブロミド、および５５ｍｍｏｌの４’−プロピルシクロヘキシル−４−シクロヘキシルカルボニルクロライドを加えた混合物を混合物の温度が０℃を維持するようにゆっくりと加える。この混合物を同じ温度で５時間攪拌し、その後室温まで加温する。
その後、混合物を希塩酸および水で急冷し、ジエチルエーテル中に３回抽出し、その槽を濾過して層の分離前に余分な亜鉛を除去する。有機層を回収し、乾燥し（Ｎａ２ＳＯ４）、溶媒の一部を除去し、−２０℃に冷却して生成物を結晶化させる。
【０１３２】
この生成物を濾過し、少量の冷却したジエチルエーテルで洗浄し、乾燥する。この洗液を回収し、溶媒の一部を除去し、再度結晶化させて本発明の目的とするベンジルケトン化合物を得る。目的とするベンジルケトン化合物の収率および選択性を表１に示す。尚、以下にマススペクトル及びＮＭＲの分析データを示す。
【０１３３】
ＭＳ  ［ｍ／ｚ］  （ＴＭＳ  ｄｅｒｉｖ．／ＴＭＳ−ｅｎｏｌｅｔｈｅｒ）  ４３４  （Ｍ＋＋ＴＭＳ），  ３０７  （Ｃ２３Ｈ３２Ｆ２＋），  ２５５  （Ｃ２０Ｈ３５Ｏ２＋），  ７３  （ＴＭＳ＋，  ｂａｓｅ  ｐｅａｋ）
１Ｈ−ＮＭＲ  （３００  ＭＨｚ，  ＣＤＣｌ３，  σ［ｐｐｍ］）：  ０．８０−１．２０  （ｍ，  ２０Ｈ，  ＣＨ／ＣＨ２）；  ０．８７  （ｔ，  ３Ｈ，  ３ＪＨＨ＝７．１  Ｈｚ，  ＣＨ３）；  １．２０−１．４４  （ｍ，  ５Ｈ，  ＣＨ２／ＣＨ）；  １．６４−１．９０  （ｍ，  ８Ｈ，  ＣＨ／ＣＨ２）；  １．９２−２．００  （ｍ，  ２Ｈ  ＣＨ２）；  ２．３７−２．４６  （ｍ，  １Ｈ，  ＣＨ）；  ２．７９  （ｄ，  ２Ｈ，  ４ＪＨＦ＝１．４６  Ｈｚ，  ＣＨ２）；  ６．８６−６．９４  （ｍ，  １Ｈ，  ＣＨａｒ）；  ６．９８−７．１１  （ｍ，  ２Ｈ，  ＣＨａｒ）
１３Ｃ−ＮＭＲ  （７５．４  ＭＨｚ，  ＣＤＣｌ３，  σ［ｐｐｍ］）：  １４．４  （ＣＨ３）；  ２０．３  （ＣＨ２）；  ２８．８  （２ｘＣＨ２）；  ２９．３  （２ｘＣＨ２）；  ３０．０  （２ｘＣＨ２）；  ３３．６  （２ｘＣＨ２）；  ３７．５  （ＣＨ２）；  ３９．８  （ＣＨ）；  ４０．５  （ＣＨ２，  ｔ，  Ｊ＝２．２３  Ｈｚ）；  ４２．６  （ＣＨ）；  ４３．２  （ＣＨ）；  ５１．０  （ＣＨ）；  １１６．０  （ＣＨａｒ，  ｄ，  Ｊ＝１７．１）；  １２３．９  （ＣＨａｒ，  ｄｄ）；  １２４．３  （Ｃａｒ，  ｄ）；  １２６．４  （ＣＨａｒ，  ｄｄ）；  １４８．１  （ＣＦａｒ，  ｄｄ，  １ＪＣＦ＝１２０．４  Ｈｚ，  ２ＪＣＦ＝１３．２  Ｈｚ）；  １５１．３  （ＣＦａｒ，  ｄｄ，  １ＪＣＦ＝１２１．１  Ｈｚ，  ２ＪＣＦ＝１３．１  Ｈｚ）；  ２０９．３  （Ｃ＝Ｏ）
１９Ｆ−ＮＭＲ  （２８２．２  ＭＨｚ，  ＣＤＣｌ３，  σ［ｐｐｍ］）：  −１４９．６  （ｍ）；  −１５３．５  （ｍ）
【０１３４】
比較例１  （下記化合物の合成）
【化２９】
2006008685.tif 000030
【０１３５】
原料成分としてベンジルブロミドを使用すること、および反応容器内の温度を２５℃に制御する他は、実施例１と同様に本発明のベンジル化合物を調製した。ベンジルケトン化合物の収率および選択性を表１に示す。
【０１３６】
比較例２（金属ニッケルの存在下での以下の構造化合物の合成）
【化３０】
2006008685.tif 000031
【０１３７】
２５ｍｌのエチレングリコールジメチルエーテルに０．２ｇ（２８．５ｍｍｏｌ）のリチウムワイヤー、４．２ｇ（１３．４ｍｍｏｌ）のＮｉＩ２、および０．３ｇ（２．３ｍｍｏｌ）のナフタレンを加えた混合物をナトリウムおよびベンゾフェノンの存在下で青色に変化するまで還流することによって乾燥し、その後アルゴンを流しながら蒸留し、リチウムワイヤーが消滅して黒色の金属ニッケルが形成されるまで超音波槽にて５０℃で加熱する。
【０１３８】
その後、その混合物を８５℃まで加熱し、１０ｍｌのエチレングリコールジメチルエーテルに、１．８ｇ（１０．０ｍｍｏｌ）の４，５−トリフルオロベンジルブロミド、および２．０ｇ（１０．６ｍｍｏｌ）の４−プロピルシクロヘキシルカルボニルクロライドを加えた溶液を３０分以内に滴下する。この混合物を同じ温度で３０分間撹拌する。この混合物から少量のサンプルを取り出し、水を１滴加え、ＧＣ／ＭＳで分析する。
【０１３９】
目標とする化合物の収率は６９％であり、唯一の副生成物として、以下の構造で表される化合物が９％の収率で得られた。
【０１４０】
【化３１】
2006008685.tif 000032
【０１４１】
比較例３  （以下の構造式によって表される、０．８ｇ（１．９ｍｍｏｌ）のＭｇ−アントラセン−ＴＨＦ複合体を使用した３，４，５−トリフルオロベンジルクロライドのグリニヤール化合物の合成）
【０１４２】
【化３２】
2006008685.tif 000033
【０１４３】
ＴＨＦ（分子篩上で乾燥）を０℃に冷却するときに、この混合物を通して窒素をバブリングさせる。その後、０．４ｇ（２．２ｍｍｏｌ）のトリフルオロベンジルクロライドをゆっくり滴下する。完了後、混合物を室温で２時間撹拌する。この混合物から少量のサンプルを取り出し、水を１滴加え、ＧＣ／ＭＳで分析する。得られたサンプルの８２％がトリフルオロベンジルクロライドのままで、残りはビス（トリフルオロフェニルメタン）であった。その結果、グリニャール試薬の生成は、少量が観測されただけであった。
【０１４４】
【表１】
2006008685.tif 000034
１）ＴｋＰｄ：  テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム  （０）
２）ＢＰＣｌ：  ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム−（ＩＩ）−クロライド
３）ＰｄＯＡｃ：  パラジウム−（ＩＩ）−アセテート，  ＴＰＰ：  トリフェニルホスフィン，  ＰｄＯＡｃ／ＴＰＰ  ＝  １／２
４）  ＧＣ／ＭＳによって検査；  １００％に満たない部分は、少量の更なる副生成物である。
５）  単離収率