(57)【要約】【課題】支持デバイス及びリソグラフィ装置を提供すること。【解決手段】パターンを基板に適切に転送し、或いは微小構造を有する他の任意のパターンを適切に転送するために、たとえばエアマウントなどの振動絶縁支持デバイスを使用して、たとえば床などの外部支持構造からの振動の伝達が最小化される。エアマウントの振動絶縁特性を改善するために、エアマウントのガス・チャンバの体積変化によるガス・チャンバ内のガスの圧力変化を小さくするようになされた圧力コントローラを提供することによってエアマウントの（正の）剛性が小さくなっている。振動によって前記ガス・チャンバの体積が変化する。剛性リダクション・デバイスによって、対応する圧力変化が小さくなり、延いては支持されている対象にかかる力が小さくなり、それによりエアマウントの剛性が小さくなる。【選択図】図３
2006191019.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガス・チャンバと圧力コントローラとを備えたガス・チャンバ・アセンブリを備えた、対象物を支持するための振動絶縁支持デバイスであって、
前記ガス・チャンバが支持力を提供するための一定量の加圧ガスを収容するようになされ、
前記圧力コントローラが、前記ガス・チャンバの体積変化による前記ガス・チャンバ内のガスの圧力変化を小さくするようになされた振動絶縁支持デバイス。
【請求項２】
前記圧力コントローラが、前記ガス・チャンバの壁に配置されたたわみ膜を備えた、請求項１に記載の振動絶縁支持デバイス。
【請求項３】
前記たわみ膜にプレストレスがかけられた、請求項２に記載の振動絶縁支持デバイス。
【請求項４】
前記ガス・チャンバ内をスライド可能に移動することができる、前記支持力がかかる可動部材をさらに備え、前記たわみ膜の剛性と前記たわみ膜の表面積の比率が、前記支持デバイスの剛性と前記支持力がかかる前記可動部材の表面積の比率に実質的に等しい、請求項２に記載の振動絶縁支持デバイス。
【請求項５】
前記圧力コントローラが、前記ガス・チャンバを少なくとも部分的に充填する液体を備え、前記ガス・チャンバが対応する飽和液体ダンプをさらに備えた、請求項１に記載の振動絶縁支持デバイス。
【請求項６】
前記圧力コントローラが、前記ガス・チャンバ内に配置された表面の広い部材を備えた、請求項５に記載の振動絶縁支持デバイス。
【請求項７】
表面の広い前記部材がスポンジである、請求項６に記載の振動絶縁支持デバイス。
【請求項８】
前記圧力コントローラが、前記チャンバ内の圧力を能動的に制御するようになされたフィードバック制御ループを有する制御システムを備えた、請求項１に記載の振動絶縁支持デバイス。
【請求項９】
前記ガス・チャンバの体積を決定し、且つ、対応するセンサ信号を出力するようになされたセンサをさらに備え、前記フィードバック制御ループが前記センサ信号に応答して前記ガス・チャンバの体積を制御するようになされた、請求項８に記載の振動絶縁支持デバイス。
【請求項１０】
前記ガス・チャンバ内の圧力を決定し、且つ、対応するセンサ信号を出力するようになされた圧力センサをさらに備え、前記フィードバック制御ループが前記ガス・チャンバ内の圧力を制御するようになされた、請求項８に記載の振動絶縁支持デバイス。
【請求項１１】
前記ガス・チャンバ内に収容されている前記ガスの温度を制御することによって前記ガス・チャンバ内の圧力が制御される、請求項１０に記載の振動絶縁支持デバイス。
【請求項１２】
前記ガス・チャンバが、比較的熱伝達係数の大きい材料を含んだ、前記ガス・チャンバの外部と熱接触している構造体を備えた、請求項１に記載の振動絶縁支持デバイス。
【請求項１３】
前記ガス・チャンバが比較的熱容量の大きい材料を含んだ構造体を備えた、請求項１に記載の振動絶縁支持デバイス。
【請求項１４】
リソグラフィ装置であって、
（ａ）放射ビームを条件付けるようになされた照明システムと、
（ｂ）所望のパターンに従って前記放射ビームをパターン化するようになされたパターン化デバイスを支持するようになされたパターン化デバイス・サポートと、
（ｃ）基板を保持するようになされた基板サポートと、
（ｄ）パターン化された放射ビームを前記基板の目標部分に投射するようになされた投影システムと、
（ｅ）ガス・チャンバ・アセンブリを備えた、前記サポートのうちのいずれか一つを支持するようになされた振動絶縁支持デバイスであって、前記ガス・チャンバ・アセンブリが、
（ｉ）支持力を提供するための一定量の加圧ガスを収容するようになされたガス・チャンバと、
（ｉｉ）前記ガス・チャンバの体積変化による前記ガス・チャンバ内のガスの圧力変化を小さくするようになされた圧力コントローラと
を備えた振動絶縁支持デバイスと
を備えたリソグラフィ装置。
【請求項１５】
前記圧力コントローラが、前記ガス・チャンバの壁に配置されたたわみ膜を備えた、請求項１４に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１６】
前記たわみ膜にプレストレスがかけられた、請求項１５に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１７】
前記振動絶縁支持デバイスが、前記ガス・チャンバ内をスライド可能に移動することができる、前記支持力がかかる可動部材を備え、前記たわみ膜の剛性と前記たわみ膜の表面積の比率が、前記支持デバイスの剛性と前記支持力がかかる前記可動部材の表面積の比率に実質的に等しい、請求項１５に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１８】
前記圧力コントローラが、前記ガス・チャンバを少なくとも部分的に充填する液体を備え、前記ガス・チャンバが対応する飽和液体ダンプをさらに備えた、請求項１４に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１９】
前記圧力コントローラが、前記ガス・チャンバ内に配置された表面の広い部材を備えた、請求項１８に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２０】
表面の広い前記部材がスポンジである、請求項１９に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２１】
前記圧力コントローラが、前記チャンバ内の圧力を能動的に制御するようになされたフィードバック制御ループを有する制御システムを備えた、請求項１４に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２２】
前記振動絶縁支持デバイスが、前記ガス・チャンバの体積を決定し、且つ、対応するセンサ信号を出力するようになされたセンサを備え、前記フィードバック制御ループが前記センサ信号に応答して前記ガス・チャンバの体積を制御するようになされた、請求項２１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２３】
振動絶縁支持デバイスが、前記ガス・チャンバ内の圧力を決定し、且つ、対応するセンサ信号を出力するようになされた圧力センサを備え、前記フィードバック制御ループが前記ガス・チャンバ内の圧力を制御するようになされた、請求項２１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２４】
前記ガス・チャンバ内に収容されている前記ガスの温度を制御することによって前記ガス・チャンバ内の圧力が制御される、請求項２３に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２５】
前記ガス・チャンバが、熱伝達係数の大きい材料を含んだ、前記ガス・チャンバの外部と熱接触している構造体を備えた、請求項１４に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２６】
前記ガス・チャンバが比較的熱容量の大きい材料を含んだ構造体を備えた、請求項１４に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２７】
前記一つのサポートが基板である、請求項１４に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２８】
前記一つのサポートがパターン化デバイスである、請求項１４に記載のリソグラフィ装置。
【請求項２９】
前記パターン化デバイス・サポート及び基板サポートの両方が、
（ｉ）支持力を提供するための一定量の加圧ガスを収容するようになされたガス・チャンバと、
（ｉｉ）前記ガス・チャンバの体積変化による前記ガス・チャンバ内のガスの圧力変化を小さくするようになされた圧力コントローラと
を備えたガス・チャンバ・アセンブリを備えた個々の振動絶縁支持デバイスによって支持されるよう、前記サポートのうちのもう一つのサポートを支持するようになされた追加振動絶縁支持デバイスをさらに備えた、請求項１４に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３０】
対象物からの振動を絶縁する方法で対象物を支持するための振動絶縁サポートであって、
加圧ガスを収容するようになされたガス・チャンバと、
前記ガス・チャンバに対して若干移動することができる、前記加圧ガスによって支持された可動部材と、
前記チャンバの体積の変化に基づいて前記チャンバ内の圧力を調整する圧力コントローラとを備えた振動絶縁サポート。
【請求項３１】
前記圧力コントローラが、前記ガス・チャンバの壁に配置されたたわみ膜を備えた、請求項３０に記載の振動絶縁支持デバイス。
【請求項３２】
前記圧力コントローラが、前記ガス・チャンバを少なくとも部分的に充填する液体を備え、前記ガス・チャンバが対応する飽和液体ダンプをさらに備えた、請求項３０に記載の振動絶縁支持デバイス。
【請求項３３】
前記圧力コントローラが、前記ガス・チャンバ内に配置された表面の広い部材を備えた、請求項３０に記載の振動絶縁支持デバイス。
【請求項３４】
表面の広い前記部材がスポンジである、請求項３３に記載の振動絶縁支持デバイス。
【請求項３５】
前記圧力コントローラが、前記チャンバ内の圧力を能動的に制御するようになされたフィードバック制御ループを有する制御システムを備えた、請求項３０に記載の振動絶縁支持デバイス。
【請求項３６】
前記ガス・チャンバ内に含有されている前記ガスの温度を制御することによって前記ガス・チャンバ内の圧力が制御される、請求項３０に記載の振動絶縁支持デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、支持デバイス及びこのような支持デバイスを備えたリソグラフィ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、基板、一般的には基板の目標部分に所望のパターンを適用するマシンである。リソグラフィ装置は、たとえば集積回路（ＩＣ）の製造に使用することができる。その場合、マスク或いはレチクルとも呼ばれているパターン化デバイスを使用してＩＣの個々の層に形成すべき回路パターンが生成され、生成されたパターンが基板（たとえばシリコン・ウェハ）上の目標部分（たとえば部分的に１つ又は複数のダイが含まれている）に転送される。パターンの転送は、通常、基板の上に提供されている放射線感応材料（レジスト）の層への画像化を介して実施される。通常、１枚の基板には、順次パターン化される目標部分に隣接する回路網が含まれている。知られているリソグラフィ装置には、パターン全体を１回で目標部分に露光することによって目標部分の各々が照射される、いわゆるステッパと、パターンを放射ビームで所与の方向（「走査」方向）に走査し、且つ、基板をこの方向に平行に、或いは非平行に同期走査することによって目標部分の各々が照射される、いわゆるスキャナがある。パターンを基板に転写することによってパターン化デバイスから基板へパターンを転送することも可能である。
【０００３】
基板に転送されるパターンには極めて微小な構造が含まれていることがあり、振動などの何らかの機械的外乱によって微小構造が誤って転送され、そのために基板が使用不能になることがある。支持構造或いは床などのあらゆる外部構造からリソグラフィ装置、詳細にはリソグラフィ装置の基板テーブル、パターン支持構造及び／又は投影システムへの振動及び他の機械的な外乱の伝達を最小化するために、１つ又は複数の振動絶縁支持デバイスを使用してリソグラフィ装置を支持することが知られている。
【０００４】
このような振動絶縁支持デバイスは、リソグラフィ装置を支持している。つまり、振動絶縁支持デバイスは、リソグラフィ装置にかかる引力を少なくとも部分的に補償している。したがって、振動絶縁支持デバイスは、リソグラフィ装置とたとえば床などの外部構造との間の機械的な接続を提供している。外部構造に存在する振動は、その振動の周波数に応じて、振動絶縁支持デバイスによって（一部が）減衰し、且つ／又は（一部が）外部構造からリソグラフィ装置へ伝達される。特定の周波数の振動が減衰する量及び／又は振動が伝達される量は、振動絶縁支持デバイスの剛性によって様々である。剛性が比較的小さい場合、比較的大きい振動を絶縁することができる。したがって剛性の小さい振動絶縁支持デバイスを有することが望ましい。
【０００５】
良く知られている振動絶縁支持デバイスは、エアマウントである。このようなエアマウントは、一定量の加圧空気を含有したガス・チャンバ及び一部がガス・チャンバ内に配置された可動部材を備えている。空気の圧力によって可動部材に支持力が付与される。リソグラフィ装置若しくはその一部などの対象が可動部材上で支持される。知られているエアマウントは、所定の最小フィーチャ・サイズを有するパターンを適切に転送することができるよう、所定の周波数を超える振動の絶縁に適したこのような（正の）剛性を有している。しかしながら、より小さいフィーチャ・サイズを有するより小さい構造を転送する必要があり、したがって剛性がより小さい振動絶縁支持デバイスが必要である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
剛性の小さい振動絶縁デバイスを有することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施例によれば、構造を支持するための振動絶縁支持デバイスが提供される。振動絶縁支持デバイスは、支持力を提供するための一定量の加圧ガスを含有するようになされたガス・チャンバと、体積変化によるガス・チャンバ内のガスの圧力変化を小さくするようになされた剛性リダクション・デバイスとを備えたガス・チャンバ・アセンブリを備えている。
【０００８】
本発明の一実施例によれば、パターンをパターン化デバイスから基板へ転送するようになされたリソグラフィ装置であって、振動絶縁支持デバイスがパターン化デバイス支持構造及び基板支持構造のうちの少なくともずれか一方を支持し、また、該振動絶縁支持デバイスが、支持力を提供するための一定量の加圧ガスを含有するようになされたガス・チャンバと、体積変化によるガス・チャンバ内のガスの圧力変化を小さくするようになされた剛性リダクション・デバイスとを備えたガス・チャンバ・アセンブリを備えたリソグラフィ装置が提供される。
【０００９】
剛性リダクション・デバイスは、剛性を小さくするためにガス・チャンバ内の圧力を低くするため、「圧力変動リデューサ」と呼ぶことができ、また、「圧力コントローラ」と呼ぶことも可能である。
【００１０】
本発明の一実施例では、ガス・チャンバと圧力コントローラとを備えたガス・チャンバ・アセンブリを備えた、対象を支持するための振動絶縁支持デバイスであって、ガス・チャンバが支持力を提供するための一定量の加圧ガスを含有するようになされ、圧力コントローラが前記ガス・チャンバの体積変化によるガス・チャンバ内のガスの圧力変化を小さくするようになされた振動絶縁支持デバイスが提供される。
【００１１】
本発明の他の実施例によれば、リソグラフィ装置は、放射ビームを条件付けるようになされた照明システムと、所望のパターンに従って放射ビームをパターン化するようになされたパターン化デバイスを支持するようになされたパターン化デバイス・サポートと、基板を保持するようになされた基板サポートと、パターン化された放射ビームを基板の目標部分に投射するようになされた投影システムと、ガス・チャンバ・アセンブリを備えた、前記サポートのうちのいずれか一方のサポートを支持するようになされた振動絶縁支持デバイスであって、ガス・チャンバ・アセンブリが、支持力を提供するための一定量の加圧ガスを含有するようになされたガス・チャンバ、及びガス・チャンバの体積変化によるガス・チャンバ内のガスの圧力変化を小さくするようになされた圧力コントローラを備えた振動絶縁支持デバイスとを備えている。
【００１２】
本発明のさらに他の実施例では、加圧ガスを含有するようになされたガス・チャンバと、ガス・チャンバに対して若干移動することができる、加圧ガスによって支持された可動部材と、チャンバの体積の変化に基づいてチャンバ内の圧力を調整する圧力コントローラとを備えた、対象からの振動を絶縁する方法で対象を支持するための振動絶縁サポートが提供される。
【００１３】
以下、本発明の実施例について、単なる実施例にすぎないが、添付の略図を参照して説明する。図において、対応する参照記号は対応する部品を表している。
【実施例】
【００１４】
図１は、本発明の一実施例によるリソグラフィ装置を略図で示したものである。このリソグラフィ装置は、放射ビームＢ（たとえばＵＶ放射）を条件付けるようになされた照明システム（イルミネータ）ＩＬ、及びパターン化デバイス（たとえばマスク）ＭＡを支持するように構築された、特定のパラメータに従って該パターン化デバイスを正確に位置決めするようになされた第１のポジショナＰＭに接続された支持構造即ちパターン化デバイス・サポート（たとえばマスク・テーブル）ＭＴを備えている。このリソグラフィ装置は、さらに、基板（たとえばレジスト被覆ウェハ）Ｗを保持するように構築された、特定のパラメータに従って該基板を正確に位置決めするようになされた第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル即ち基板サポート（たとえばウェハ・テーブル）ＷＴ、及びパターン化デバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗの目標部分Ｃ（たとえば１つ又は複数のダイが含まれている）に投影するようになされた投影システム（たとえば屈折投影レンズ系）ＰＳを備えている。
【００１５】
照明システムＩＬは、放射を導き、整形し、或いは制御するための屈折光学コンポーネント、反射光学コンポーネント、磁気光学コンポーネント、電磁光学コンポーネント、静電光学コンポーネント或いは他のタイプの光学コンポーネント、若しくはそれらの任意の組合せなどの様々なタイプの光学コンポーネントを備えることができる。
【００１６】
支持構造即ちパターン化デバイス・サポートは、パターン化デバイスを支持している。つまり、支持構造即ちパターン化デバイス・サポートは、パターン化デバイスの重量を支えている。支持構造即ちパターン化デバイス・サポートは、パターン化デバイスの配向、リソグラフィ装置の設計及び他の条件、たとえばパターン化デバイスが真空環境中で保持されているか否か等に応じた方法でパターン化デバイスを保持している。支持構造即ちパターン化デバイス・サポートには、パターン化デバイスを保持するための機械式クランプ技法、真空クランプ技法、静電クランプ技法或いは他のクランプ技法を使用することができる。支持構造即ちパターン化デバイス・サポートは、たとえば必要に応じて固定若しくは移動させることができるフレームであっても、或いはテーブルであっても良い。支持構造即ちパターン化デバイス・サポートは、たとえば投影システムに対してパターン化デバイスを所望の位置に確実に配置することができる。本明細書における「レチクル」或いは「マスク」という用語の使用はすべて、より一般的な「パターン化デバイス」という用語の同義語と見なすことができる。
【００１７】
本明細書に使用されている「パターン化デバイス」という用語は、放射ビームの断面にパターンを付与し、それにより基板の目標部分にパターンを生成するべく使用することができる任意のデバイスを意味するものとして広義に解釈されたい。放射ビームに付与されるパターンは、たとえばそのパターンが移相フィーチャ若しくはいわゆる補助フィーチャを備えている場合、基板の目標部分における所望のパターンに必ずしも厳密に対応している必要はないことに留意されたい。放射ビームに付与されるパターンは、通常、目標部分に生成される、たとえば集積回路などのデバイス中の特定の機能層に対応している。
【００１８】
パターン化デバイスは、透過型であっても或いは反射型であっても良い。パターン化デバイスの実施例には、マスク、プログラム可能ミラー・アレイ及びプログラム可能ＬＣＤパネルがある。マスクについてはリソグラフィにおいては良く知られており、バイナリ、交番移相及び減衰移相などのマスク・タイプ、及び様々なハイブリッド・マスク・タイプが知られている。プログラム可能ミラー・アレイの実施例には、マトリックスに配列された微小ミラーが使用されている。微小ミラーの各々は、入射する放射ビームが異なる方向に反射するよう、個々に傾斜させることができる。この傾斜したミラーによって、ミラー・マトリックスで反射する放射ビームにパターンが付与される。
【００１９】
本明細書に使用されている「投影システム」という用語には、使用する露光放射に適した、或いは液浸液の使用若しくは真空の使用などの他の要因に適した、屈折光学系、反射光学系、カタディオプトリック光学系、磁気光学系、電磁光学系及び静電光学系、若しくはそれらの任意の組合せを始めとする任意のタイプの投影システムが包含されているものとして広義に解釈されたい。本明細書における「投影レンズ」という用語の使用はすべて、より一般的な「投影システム」という用語の同義語と見なすことができる。
【００２０】
図に示すように、この装置は透過型（たとえば透過型マスクを使用した）タイプの装置である。別法としては、この装置は、反射型（たとえば上で参照したタイプのプログラム可能ミラー・アレイを使用した、或いは反射型マスクを使用した）タイプの装置であっても良い。
【００２１】
リソグラフィ装置は、場合によっては２つ（二重ステージ）以上の基板テーブル（及び／又は複数のマスク・テーブル）を有するタイプの装置であり、このような「多重ステージ」マシンの場合、追加テーブルを並列に使用することができ、或いは１つ又は複数の他のテーブルを露光のために使用している間、１つ又は複数のテーブルに対して予備ステップを実行することができる。
【００２２】
また、リソグラフィ装置は、基板の少なくとも一部が比較的屈折率の大きい液体、たとえば水で覆われ、それにより投影システムと基板の間の空間が充填されるタイプの装置であっても良い。また、リソグラフィ装置内の他の空間、たとえばマスクと投影システムの間の空間に液浸液を充填することも可能である。液浸技法は、当分野においては、投影システムの開口数を大きくすることで良く知られている。本明細書に使用されている「液浸」という用語は、基板などの構造を液体中に浸すことを意味しているのではなく、単に、露光の間、投影システムと基板の間に液体が充填されることを意味しているにすぎない。
【００２３】
図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受け取っている。放射源がたとえばエキシマ・レーザである場合、放射源及びリソグラフィ装置は、個別の構成要素にすることができる。その場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとは見なされず、放射ビームは、たとえば適切な誘導ミラー及び／又はビーム・エキスパンダを備えたビーム引渡しシステムＢＤを使用して放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ引き渡される。それ以外のたとえば放射源が水銀灯などの場合、放射源は、リソグラフィ装置の一構成部品にすることができる。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビーム引渡しシステムＢＤと共に放射システムと呼ぶことができる。
【００２４】
イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調整するためのアジャスタＡＤを備えることができる。通常、イルミネータのひとみ平面内における強度分布の少なくとも外部及び／又は内部ラジアル・エクステント（一般に、それぞれσ−外部及びσ−内部と呼ばれている）は調整が可能である。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の様々なコンポーネントを備えることができる。イルミネータを使用して放射ビームを条件付け、所望する一様な強度分布をその断面に持たせることができる。
【００２５】
支持構造（たとえばマスク・テーブルＭＴ）上に保持されているパターン化デバイス（たとえばマスクＭＡ）に放射ビームＢが入射し、パターン化デバイスによってパターン化される。マスクＭＡを透過した放射ビームＢは、放射ビームを基板Ｗの目標部分Ｃに集束させる投影システムＰＳを通過する。基板テーブル即ち基板サポートＷＴは、第２のポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ（たとえば干渉デバイス、直線エンコーダ若しくは容量センサ）を使用して正確に移動させることができ、それによりたとえば異なる目標部分Ｃを放射ビームＢの光路内に配置することができる。同様に、第１のポジショナＰＭ及びもう１つの位置センサ（図１には明確に示されていない）を使用して、たとえばマスク・ライブラリから機械的に検索した後、若しくは走査中に、マスクＭＡを放射ビームＢの光路に対して正確に配置することができる。通常、マスク・テーブル即ちパターン化デバイス・サポートＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの一部を形成している長ストローク・モジュール（粗位置決め）及び短ストローク・モジュール（精密位置決め）を使用して実現されている。同様に、基板テーブル即ち基板サポートＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの一部を形成している長ストローク・モジュール及び短ストローク・モジュールを使用して実現されている。ステッパ（スキャナではなく）の場合、マスク・テーブルＭＴは、短ストローク・アクチュエータのみに接続することができ、或いは固定することも可能である。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスク・アライメント・マークＭ１、Ｍ２及び基板アライメント・マークＰ１、Ｐ２を使用して整列させることができる。図には、専用目標部分を占有している基板アライメント・マークが示されているが、基板アライメント・マークは、目標部分と目標部分の間の空間に配置することも可能である（このような基板アライメント・マークは、スクライブ・レーン・アライメント・マークとして知られている）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に提供される場合、ダイとダイの間にマスク・アライメント・マークを配置することができる。
【００２６】
図に示す装置は、以下に示すモードのうちの少なくとも１つのモードで使用することができる。
１．ステップ・モード：マスク・テーブル即ちパターン化デバイス・サポートＭＴ及び基板テーブル即ち基板サポートＷＴが基本的に静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターン全体が目標部分Ｃに１回で投影される（即ち単一静止露光）。次に、基板テーブル即ち基板サポートＷＴがＸ及び／又はＹ方向にシフトされ、異なる目標部分Ｃが露光される。ステップ・モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一静止露光で画像化される目標部分Ｃのサイズが制限される。
２．走査モード：放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影されている間、マスク・テーブル即ちパターン化デバイス・サポートＭＴ及び基板テーブル即ち基板サポートＷＴが同期走査される（即ち単一動的露光）。マスク・テーブル即ちパターン化デバイス・サポートＭＴに対する基板テーブル即ち基板サポートＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの倍率（縮小率）及び画像反転特性によって決まる。走査モードでは、露光視野の最大サイズによって、単一動的露光における目標部分の幅（非走査方向の幅）が制限され、また、走査運動の長さによって目標部分の高さ（走査方向の高さ）が決まる。
３．その他のモード：プログラム可能パターン化デバイスを保持するべくマスク・テーブル即ちパターン化デバイス・サポートＭＴが基本的に静止状態に維持され、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影されている間、基板テーブル即ち基板サポートＷＴが移動若しくは走査される。このモードでは、通常、パルス放射源が使用され、走査中、基板テーブル即ち基板サポートＷＴが移動する毎に、或いは連続する放射パルスと放射パルスの間に、必要に応じてプログラム可能パターン化デバイスが更新される。この動作モードは、上で参照したタイプのプログラム可能ミラー・アレイなどのプログラム可能パターン化デバイスを利用しているマスクレス・リソグラフィに容易に適用することができる。
【００２７】
上で説明した使用モードの組合せ及び／又はその変形形態或いは全く異なる使用モードを使用することも可能である。
【００２８】
図２は、リソグラフィ装置或いはリソグラフィ装置の一部などの対象４を支持するための従来のエアマウント２を略図で示したものである。エアマウント２は、床６の上に支持されているが、適切な他の任意の構造を使用して支持することも可能である。エアマウント２のガス・チャンバには、たとえば空気などの一定量のガス８が入っている。ガス・チャンバは、ガス・チャンバ壁１０及びガス・チャンバ壁１０に対して移動させることができる可動部材１２によって形成されている。ガス８の圧力によって可動部材１２に力が印加される。この力を使用して対象４にかかる引力を補償することができる。
【００２９】
床６が振動すると、つまり、ガス・チャンバ壁１０に時間依存力がかかると、ガス・チャンバ壁１０は、可動部材１２に対する移動を試行し、その結果、ガス８を含有している体積が変化する。体積が変化することによって圧力が変化し、延いては可動部材１２にかかる力が変化する。したがって、床６が振動すると、（一部が）対象４に伝達されることになる。伝達比は、とりわけ振動の周波数及びエアマウント２の剛性に依存している。本発明の実施例によれば、剛性が小さくなるようにエアマウント２を設計することができる。
【００３０】
図３は、本発明の一実施例によるエアマウント２０を略図で示したものである。エアマウント２０は、ガス・チャンバ壁１０と可動部材１２の間に、上記の量のガス８を含有しており、それにより対象４と床６の間に支持力を提供している。エアマウント２０は、そのガス・チャンバ壁１０にたわみ膜２２を備えている。このたわみ膜２２の形状は、ガス・チャンバ内の圧力及びガス・チャンバの外部の圧力によって変化する。ガス・チャンバ内の圧力が高くなると、たわみ膜２２が外側に向かって移動し、したがってガス・チャンバの体積が増加し、それにより圧力の増加が少なくとも部分的に補償される。ガス・チャンバ内の圧力が低くなると、たわみ膜２２が内側に向かって移動し、したがってガス・チャンバの体積が減少し、それにより圧力の減少が少なくとも部分的に補償される。したがってたわみ膜２２は、ガス・チャンバ壁１０に対する振動の影響を効果的に緩和している。したがってエアマウント２０の剛性が効果的に減少している。
【００３１】
たわみ膜２２は、プレストレスをかけることが可能である。つまり、対象４を支持しているエアマウント２０が定常状態にある場合に、所定の張力がたわみ膜２２にかかっている状態にすることができる。したがって、たわみ膜２２は、圧力変化の影響下でより容易に伸びることができ、それによりエアマウント２０の剛性がさらに小さくなっている。
【００３２】
本発明の一実施例では、たわみ膜の剛性（Ｋｍｅｍｂｒａｎｅ）とたわみ膜の表面積（Ａｍｅｍｂｒａｎｅ）の比率は、エアマウントの剛性（Ｋａｉｒｍｏｕｎｔ）と可動部材即ちエアマウントの表面積（Ａａｉｒｍｏｕｎｔ）の比率に等しく、Ｋｍｅｍｂｒａｎｅ／Ａｍｅｍｂｒａｎｅ＝Ｋａｉｒｍｏｕｎｔ／Ａａｉｒｍｏｕｎｔである。したがって、エアマウントの外部の圧力変化による妨害が最小化されている。
【００３３】
図４は、本発明の他の実施例によるエアマウント４０を略図で示したものである。壁１０及び可動部材１２によって形成されたガス・チャンバは、ガス・チャンバの少なくとも一部を充填している液体４４を備えている。ガス・チャンバは、さらに、対応する飽和液体ダンプ４２を備えている。したがって、圧力変動による相転移がガスと液体の間に生じ、その結果、生じた圧力変化が減少する。同様に、一定量のガスを含有することができる液体を使用することができ、それにより、一定量のガスとその液体に含まれている一定量のガスとの間の平衡が得られる。一実施例は、ガス・チャンバ内に配置された、スポンジなどの表面の広い部材を備えている。表面の広いこのような部材は、ガスから液体及び液体からガスへの移行を容易にしている。
【００３４】
有利には、ガス・チャンバ内に存在している液体４４及び液体ダンプ４２は、断熱過程ではなく、体積変化の等温過程を誘導している。ガス、液体４４及び液体ダンプ４２の温度は、等温過程では変化しないため、温度変化に起因するガスの圧力変化は一切存在しない。体積変化の過程が等温過程ではない場合、高熱伝達係数などの適切な熱特性を有する適切な材料をガス・チャンバの壁に使用することによって、発生する熱の伝達を改善することができることに留意されたい。
【００３５】
本発明の一実施例では、ガス・チャンバは、熱伝達係数の大きい材料を含んだ構造を備えることができる。この構造は、ガス・チャンバの内部とガス・チャンバの外部の間の熱伝達を改善するためにガス・チャンバの外部と熱接触しており、それにより、上で言及した温度変化による圧力変化を小さくしている。
【００３６】
本発明の一実施例では、ガス・チャンバは、ガスの温度が変化した場合に、ガス・チャンバ内のガスとの間で熱交換するための熱容量の大きい材料を含んだ構造を備えることができる。熱容量が大きく、且つ、材料とガスとの間で熱が交換されるため、ガスの温度変化が小さく、延いては温度変化による圧力変化が小さくなっている。
【００３７】
図５は、エアマウント５０のガス・チャンバ内のガスの圧力変化を能動的に小さくするためのフィードバック制御ループを備えた他の実施例を略図で示したものである。エアマウント５０は、センサ５２、アクチュエータ・システム５６、及びセンサ５２とアクチュエータ・システム５６を動作結合するための適切な接続５４を備えている。
【００３８】
センサ５２には圧力センサを使用することができ、また、アクチュエータ・システム５６には、ガスの圧力制御に適したアクチュエータ・システムを使用することができる。センサ５２がエアマウント５０内の圧力変化を知覚すると、アクチュエータ・システム５６は、それに応答して圧力を一定に維持するべく制御することができる。
【００３９】
センサ５２には、可動部材１２とガス・チャンバの反対側の壁１０との間の距離を知覚するための距離センサを使用することも可能である。この距離は、ガス・チャンバの体積の測度であり、この距離の変化は、ガス・チャンバの体積変化の測度である。上で言及したように、アクチュエータ・システム５６には、ガス・チャンバ内のガスの圧力の直接的若しくは間接的制御に適したアクチュエータ・システムを使用することができる。アクチュエータ・システム５６は、たとえばガスの温度を制御し、それにより圧力を間接的に制御することができる。また、アクチュエータ・システム５６は、体積の直接的な制御に適しており、たとえば、アクチュエータ・システム５６は、ガス・チャンバの体積を変化させるための圧電素子若しくは他のアクチュエータを備えることができる。他の例示的実施例では、図４に示し、且つ、図４に関連して説明したように、圧力変化を小さくする必要が生じた場合に、蒸発を誘導するために制御システムがガス・チャンバ内に存在している液体を能動的に蒸発させることができる。別法としては、体積が変化することによって圧力が変化するため、センサは、ガス・チャンバの体積変化を知覚する圧力センサであっても良い。
【００４０】
図６は、本発明の一実施例による、提供される重力補償力がガスの静圧によるものだけではないエアマウント６０を略図で示したものである。アクチュエータ・システム６２は、上向きのガスの流れを提供し、それにより可動部材１２に上向きの力を提供している。重力補償力は、たとえば図５に示すフィードバック回路を使用してアクチュエータ・システム６２を制御することによって制御することができる。アクチュエータ・システム６２には、たとえば、空気流を誘導するためのファン或いは水流を提供するためのウォータ・ジェット若しくは他の適切な任意のアクチュエータ・システムを使用することができる。
【００４１】
図３〜６に関連して上で説明したエアマウントの剛性を小さくするためのデバイスは、エアマウントの所望の剛性を得るために任意の組合せで提供することができることに留意されたい。
【００４２】
本明細書においては、とりわけＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用が参照されているが、本明細書において説明したリソグラフィ装置は、集積光学系、磁気領域メモリのための誘導及び検出パターン、フラット・パネル・ディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造などの他のアプリケーションを有していることを理解されたい。このような代替アプリケーションのコンテキストにおいては、本明細書における「ウェハ」或いは「ダイ」という用語の使用はすべて、それぞれより一般的な「基板」或いは「目標部分」という用語の同義語と見なすことができることは当業者には理解されよう。本明細書において参照されている基板は、たとえばトラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、且つ、露光済みレジストを現像するツール）、度量衡学ツール及び／又は検査ツール中で、露光前若しくは露光後に処理することができる。適用可能である場合、本明細書における開示は、このような基板処理ツール及び他の基板処理ツールに適用することができる。また、基板は、たとえば多層ＩＣを生成するために複数回に渡って処理することができるため、本明細書において使用されている基板という用語は、処理済みの複数の層が既に含まれている基板を指している場合もある。
【００４３】
また、本発明による実施例の使用について、とりわけ光リソグラフィのコンテキストの中で参照したが、本発明は、他のアプリケーション、たとえば転写リソグラフィに使用することができ、コンテキストが許容する場合、光リソグラフィに限定されないことは理解されよう。転写リソグラフィの場合、基板に生成されるパターンは、パターン化デバイスのトポグラフィによって画定される。パターン化デバイスのトポグラフィが、基板に供給されたレジストの層にプレスされ、次に、レジストを硬化させるべく、電磁放射、熱、圧力若しくはそれらの組合せが印加される。レジストが硬化すると、パターン化デバイスがレジストから除去され、後にパターンが残る。
【００４４】
本明細書に使用されている「放射」及び「ビーム」という用語には、紫外（ＵＶ）放射（たとえば波長が３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ或いは１２６ｎｍの放射若しくはその近辺の波長の放射）、極紫外（ＥＵＶ）放射（たとえば波長の範囲が５〜２０ｎｍの放射）及びイオン・ビーム或いは電子ビームなどの粒子線を含むあらゆるタイプの電磁放射が包含されている。
【００４５】
コンテキストが許容する場合、「レンズ」という用語は、屈折光学コンポーネント、反射光学コンポーネント、磁気光学コンポーネント、電磁光学コンポーネント及び静電光学コンポーネントを始めとする様々なタイプの光学コンポーネントのうちの任意の１つ或いは組合せを意味している。
【００４６】
以上、本発明の特定の実施例について説明したが、説明した以外の方法で本発明を実践することができることは理解されよう。たとえば、本発明は、上で開示した方法を記述した１つ又は複数の機械可読命令シーケンスを含んだコンピュータ・プログラムの形態を取ることができ、或いはこのようなコンピュータ・プログラムが記憶されているデータ記憶媒体（たとえば半導体記憶装置、磁気ディスク若しくは光ディスク）の形態を取ることができる。
【００４７】
以上の説明は、本発明の例証を意図したものであり、本発明を何ら制限するものではない。したがって、特許請求の範囲に示す各請求項の範囲を逸脱することなく、上で説明した本発明に改変を加えることができることは当業者には明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の一実施例によるリソグラフィ装置を示す図である。
【図２】従来のエアマウント即ちガス・チャンバ・アセンブリを有する振動絶縁支持デバイスを示す図である。
【図３】本発明の一実施例によるエアマウントを示す図である。
【図４】本発明の一実施例によるエアマウントを示す図である。
【図５】本発明の一実施例によるエアマウントを示す図である。
【図６】本発明の一実施例によるエアマウントを示す図である。
【符号の説明】
【００４９】
ＡＤ  放射ビームの角強度分布を調整するためのアジャスタ
Ｂ  放射ビーム
ＢＤ  ビーム引渡しシステム
Ｃ  基板の目標部分
ＣＯ  コンデンサ
ＩＦ  位置センサ
ＩＬ  照明システム（イルミネータ）
ＩＮ  インテグレータ
ＭＡ  パターン化デバイス（マスク）
ＭＴ  支持構造即ちパターン化デバイス・サポート（マスク・テーブル）
Ｍ１、Ｍ２  マスク・アライメント・マーク
ＰＭ  第１のポジショナ
ＰＳ  投影システム
ＰＷ  第２のポジショナ
Ｐ１、Ｐ２  基板アライメント・マーク
ＳＯ  放射源
Ｗ  基板
ＷＴ  基板テーブル即ち基板サポート
２、２０、４０、５０、６０  エアマウント
４  対象
６  床
８  ガス
１０  ガス・チャンバ壁
１２  可動部材
４２  飽和液体ダンプ
４４  液体
５２  センサ
５４  センサとアクチュエータ・システムの間の接続
５６、６２  アクチュエータ・システム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【外国語明細書】
2006191019000001.pdf