(57)【要約】【課題】可動部の変形を高感度かつ高精度に検出可能な静電駆動素子を提供する。【解決手段】静電駆動素子２００は可動電極ユニット２００Ａと固定電極ユニット２００Ｂとこれらを間隔を置いて結合しているバンプ２１０とから構成されている。可動電極ユニット２００Ａは、支持枠２０２と、それ自体が可動電極である可動板２０３と、可動板２０３を直動可能に支持しているたわみバネ２０４とを有している。固定電極ユニット２００Ｂは、支持基板２０１と、支持基板２０１に設けられた固定電極２０５とを有している。支持基板２０１は、固定電極２０５と可動板２０３の間に作用する静電引力により固定電極２０５の一部が変位するように、固定電極２０５が位置する領域の一部に厚さ低減部２０７を有している。固定電極ユニット２００Ｂはさらに、厚さ低減部２０７に位置する固定電極２０５の部分の変位量を検出する変位量検出素子を有している。【選択図】      図２
2006215478.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一部が弾性変形し得る可動部と、
可動部を支持している支持体と、
可動部に設けられた可動電極と、
可動部から間隔を置いて位置する基板と、
基板に設けられた固定電極と、
固定電極と可動電極の間に作用する静電引力による可動部の変形を検出するための検出手段とを備えており、検出手段は基板に設けられている、静電駆動素子。
【請求項２】
請求項１において、基板は、固定電極と可動電極の間に作用する静電引力に応じて固定電極の一部が変位するように、固定電極が位置する領域の少なくとも一部に厚さが低減された厚さ低減部を有しており、検出手段は、厚さ低減部に位置する固定電極部分の変位量を検出する変位量検出素子である、静電駆動素子。
【請求項３】
請求項２において、変位量検出素子は、固定電極の一部と、絶縁膜を介して固定電極に設けられた歪みゲージとを含み、歪みゲージの少なくとも一部は基板の厚さ低減部に位置している、静電駆動素子。
【請求項４】
請求項３において、基板は半導体基板から構成され、歪みゲージは半導体基板内に形成されている、静電駆動素子。
【請求項５】
請求項４において、歪みゲージは、半導体基板内に形成された不純物拡散層から構成されている、静電駆動素子。
【請求項６】
請求項３において、絶縁膜と歪みゲージは固定電極を基準にして基板の反対側に位置し、基板は厚さ低減部では基板の構成材料が除去されている、静電駆動素子。
【請求項７】
請求項３において、可動部は、可動電極を備えた可動子と、可動子を変位可能に支持している弾性部材とから構成されている、静電駆動素子。
【請求項８】
請求項７において、弾性部材が、可動子を直動可能に支持しているたわみバネで構成されている、静電駆動素子。
【請求項９】
請求項７において、弾性部材が、可動子を回転可能に支持しているトーションバーで構成されている、静電駆動素子。
【請求項１０】
請求項３において、可動部は、可動電極を備えた弾性変形膜で構成されている、静電駆動素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は静電駆動素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
静電駆動素子は、少なくとも一部が弾性変形し得る可動部と、可動部に設けられた可動電極と、可動部から間隔を置いて配置された固定電極とを備えており、固定電極と可動電極の間に作用する静電引力により可動部が変形されることにより駆動される。可動部は、例えば、可動電極を備えた可動子と、可動子を変位可能に支持している弾性部材とから構成される。
【０００３】
従来、静電駆動素子の弾性部の変形、例えば可動子の位置を検出する方法として、可動子とそれに対向して配置される固定電極間の静電容量を検出する方法や、可動子を支持している弾性部材の変形量をモニターする方法などがある。
【０００４】
可動電極と固定電極の間の静電容量に基づいて可動子の位置を検出する方法は例えば特開平７−１４１４５７号公報に開示されている。図２２は、特開平７−１４１４５７号公報と同様の手法により、固定電極と可動電極の間の静電容量に基づいて可動子の位置を検出するための構成を模式的に示している。図２２において、静電駆動素子は、基板１０１と、可動子としての可動板１０２と、可動板１０２を基板１０１に対して支持する弾性部材１０３と、基板１０１に設けられた固定電極１０４と、可動板１０２に設けられた可動電極１０５とから構成されている。固定電極１０４と可動電極１０５はほぼ同一形状をしており、固定電極１０４と可動電極１０５の間に容量測定装置１０６が接続されている。
【０００５】
図２２に示される構成において可動子の位置は以下のようにして検出される。まず固定電極１０４と可動電極１０５の間に直流電源１０７を接続して電圧を印加すると、これらの電極の間に静電引力が発生することにより、可動板１０２が固定電極１０４の方向に引き寄せられ、この静電引力が弾性部材１０３の弾性反発力と釣り合う位置で可動板１０２が静止する。この状態における可動板１０２の位置すなわち可動板１０２と基板１０１の間隔ｄは、固定電極１０４と可動電極１０５の間の静電容量Ｃによって、次式で表される。  
【数１】
2006215478.tif 000003
ここで、ε。は真空の誘電率、Ｓは固定電極１０４および可動電極１０５の面積である。すなわち、容量測定装置１０６によって測定される電極間の静電容量から、（１）式によって可動板１０２の位置を知ることができる。
【０００６】
一方、弾性部材の変形量に基づいて可動子の位置を検出するための構成は例えば特開平１１−２４２１８０号公報に開示されている。特開平１１−２４２１８０号公報は電磁駆動型の素子に関するものだが、静電駆動型の素子についても同様の構成が適用可能である。図２３は、特開平１１−２４２１８０号公報と同様の手法により、弾性部材の変形量に基づいて可動子の位置を検出するための構成を模式的に示している。また図２４は、図２３に示された弾性部材の周辺部分の平面図である。図２２において、静電駆動素子は、基板１５１と、可動子としての可動板１５２と、可動板１５２を支持している弾性部材１５３と、基板１５１に設けられた固定電極１５４と、可動板１０２に設けられた可動電極１５５とから構成されており、弾性部材１５３の表面あるいは内部に歪みゲージ１１１が形成されている。
【０００７】
図２３と図２４に示される構成において可動子の位置は以下のようにして検出される。まず固定電極１５４と可動電極１５５の間に電圧を印加することにより、図２２の静電駆動素子と同様に可動板１５２を変位させる。このとき、弾性部材１５３の変形に応じて歪みゲージ１１１も変形する。歪みゲージ１１１の抵抗値は、その変形量によって変化するので、歪みゲージ１１１の抵抗値は可動板１５２の位置に応じて変化する。従って、歪みゲージ１１１の抵抗値をモニターすることにより、可動板１５２の位置を知ることができる。
【特許文献１】特開平７−１４１４５７号公報
【特許文献２】特開平１１−２４２１８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
一般に静電駆動素子は非常に高い駆動電圧を必要とする場合が多いが、図２２に示すような電極間の静電容量を検出する方法では、電極間に高電圧が印加された状態で電極間の容量を測定する必要があるため、容量測定装置１０６の回路の設計が難しい。また電極間の静電容量の値は一般に非常に小さく、さらに式（１）からわかるように、静電容量Ｃは電極面積Ｓに比例し電極間隔ｄに反比例するため、電極面積の小さい場合や電極間隔の大きい、言い換えるとストロークの大きい素子では十分な感度が確保できない。
【０００９】
また、弾性部材の変形量に基づいて可動子の位置を検出する方法は、電極間隔を直接検出しているわけではないので誤差が大きい。また可動子を支持している弾性部材は、素子の駆動効率を確保するため一般には非常に細く設計されることが多く、弾性部材の表面や内部に歪ゲージを形成することは非常に困難である。
【００１０】
本発明は、このような実状を考慮して成されたものであり、その目的は、可動部の変形を高感度かつ高精度に検出することが可能な静電駆動素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は静電駆動素子に向けられている。本発明による静電駆動素子は、少なくとも一部が弾性変形し得る可動部と、可動部を支持している支持体と、可動部に設けられた可動電極と、可動部から間隔を置いて位置する基板と、基板に設けられた固定電極と、固定電極と可動電極の間に作用する静電引力による可動部の変形を検出するための検出手段とを備えており、検出手段は基板に設けられている。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、可動部の変形を高感度かつ高精度に検出することが可能な静電駆動素子が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
静電駆動素子としては、例えば、可動部が、可動電極を備えた可動子と、可動子を変位可能に支持している弾性部材とから構成されているタイプがあり、それらの中にさらに、可動子が直線的に移動するタイプや、可動子が回転するタイプがある。また、別のタイプとして、可動部が可動電極を備えた弾性変形膜で構成されていて、可動部それ自体が変形するタイプもある。以下、本発明のこれらの素子への適用例を実施形態として説明する。
【００１４】
［第一実施形態］
本実施形態は、可動部が可動子と弾性部材とからなり、可動子が直線的に移動するタイプの静電駆動素子である直動型静電駆動素子に向けられている。図１は、本発明の第一実施形態による直動型静電駆動素子を示す斜視図である。図２は、図１に示されたII−II線に沿った直動型静電駆動素子の断面図である。
【００１５】
図１と図２に示されるように、本実施形態による直動型静電駆動素子２００は、可動電極ユニット２００Ａと、固定電極ユニット２００Ｂと、これらを間隔を置いて結合しているバンプ２１０とから構成されている。
【００１６】
可動電極ユニット２００Ａは、少なくとも一部が弾性変形し得る可動部と、可動部を支持している支持枠２０２とを有し、可動部は、可動子としての可動板２０３と、可動板２０３を変位可能に支持している弾性部材とを有し、弾性部材は、可動板２０３を直動可能に支持しているたわみバネ２０４で構成されている。可動板２０３と支持枠２０２とたわみバネ２０４はシリコンから構成されている。可動板２０３はそれ自体が可動電極を構成している。
【００１７】
固定電極ユニット２００Ｂは、支持基板２０１と、支持基板２０１に設けられた固定電極２０５とを有している。支持基板２０１は、固定電極２０５と可動板２０３の間に作用する静電引力に応じて固定電極２０５の一部が変位するように、固定電極２０５が位置する領域の一部に厚さが低減された厚さ低減部２０７を有している。
【００１８】
支持基板２０１は、半導体基板、これに限らないが、例えば単結晶シリコン基板から作製される。厚さ低減部２０７は、例えば、単結晶シリコンの薄い膜で構成される。以下では厚さ低減部２０７はシリコン膜状部とも呼ぶことにする。
【００１９】
図３は、図２に示された厚さ低減部すなわちシリコン膜状部の周辺部分を拡大して示している。図３に示されるように、支持基板２０１と固定電極２０５の間にはこれらを絶縁する酸化シリコン膜２３５が設けられている。
【００２０】
固定電極ユニット２００Ｂはさらに、厚さ低減部２０７に位置する固定電極２０５の部分の変位量を検出する変位量検出素子２３１を有している。変位量検出素子２３１は、固定電極２０５の一部と酸化シリコン膜２３５とシリコン膜状部２０７と歪みゲージ２３２とから構成されている。歪みゲージ２３２は酸化シリコン膜２３５を介して固定電極２０５に設けられており、その一部は厚さ低減部２０７に位置している。歪みゲージ２３２は支持基板２０１内に形成されており、シリコン膜状部２０７とは異なる導電型をしている。
【００２１】
図４は、図３に示された歪みゲージを模式的に示す平面図である。図４に示されるように、歪みゲージ２３２は、同一形状の四個の不純物拡散層２１１と２１２と２１３と２１４を有している。四個の不純物拡散層２１１と２１２と２１３と２１４は端子２２１と２２２と２２３と２２４を介して電気的に接続され、ブリッジ回路を構成している。なお図４は、固定電極２０５と端子２２１〜２２４から延びる配線を省略して描かれている。
【００２２】
不純物拡散層２１１は部分的に厚さ低減部２０７に位置し、ほかの三個の不純物拡散層２１２と２１３と２１４は厚さ低減部２０７の外に位置している。このため、厚さ低減部２０７内に位置しているシリコン膜状部２０７が変形したとき、不純物拡散層２１１の抵抗だけが変化する。
【００２３】
不純物拡散層２１１の抵抗変化は次のようにして検出される。まず、不純物拡散層２１１〜２１４と支持基板２０１の間に逆バイアスを印加しておき、端子２２２と端子２２４の間に直流電源を接続した状態で、端子２２１と端子２２３の間に発生する電圧を測定することにより、不純物拡散層２１１の変形による抵抗変化を端子２２１と端子２２３の間の電圧変化として検出することができる。三個の不純物拡散層２１２〜２１４はシリコン膜状部の変形量検出には寄与しないが、温度の変動による不純物拡散層２１１の特性変化を相殺する働きをする。
【００２４】
図２に示されるように、支持枠２０２と支持基板２０１は、金やはんだなどからなるバンプ２１０によって互いに固定されており、支持基板２０１は可動板２０３から間隔を置いて位置している。支持基板２０１は表面に配線２０８を有し、支持枠２０２は表面に配線２０９を有し、支持基板２０１の配線２０８と支持枠２０２の配線２０９はバンプ２１０によって電気的に接続されている。配線２０９は可動板２０３と電気的に接続されており、配線２０８は電源や駆動回路（図示せず）と電気的に接続される。図２には示されていないが、支持基板２０１の表面には、配線２０８のほかに、固定電極２０５や変位量検出素子２３１を電源や駆動回路に接続するための配線が形成されている。
【００２５】
次に直動型静電駆動素子２００の作用について説明する。
【００２６】
図１と図２において、可動板２０３を配線２０９とバンプ２１０と配線２０８とを介して接地した状態で、固定電極２０５に電圧を印加すると、可動板２０３と固定電極２０５の間に静電引力が発生する。これにより、可動板２０３は、固定電極２０５の方に引き寄せられ、静電引力がたわみバネ２０４の弾性反発力と釣り合う位置で静止する。このとき、固定電極２０５とシリコン膜状部２０７にも静電引力が作用する。この静電引力Ｆは次式で表される。
【数２】
2006215478.tif 000004
【００２７】
ここで、Ｓはシリコン膜状部２０７の面積、ｄは固定電極２０５と可動板２０３の間隔、Ｖは固定電極２０５に印加されている電圧である。
【００２８】
シリコン膜状部２０７は静電引力Ｆによって変形し、その変形量ｘは膜に作用している力Ｆに比例する。これを数式で表現すると、
【数３】
2006215478.tif 000005
【００２９】
と表現される。ここでｋはシリコン膜状部２０７と酸化シリコン膜２３５と固定電極２０５を合わせた実効的な弾性定数である。
【００３０】
歪みゲージ２３２の出力電圧、すなわち図４において端子２２１と端子２２３の間に発生する電位差δＨは、下式で表される。
【数４】
2006215478.tif 000006
【００３１】
ここで、Ｖｓは端子２２２と端子２２４の間に接続されている直流電源の電圧、ｇはゲージ率すなわち歪みゲージの感度を表す定数、Ｌは歪みゲージを構成する不純物拡散層２１１のうち厚さ低減部２０７に位置する部分の長さ、βはシリコン膜状部２０７の変形量に対して不純物拡散層２１１がどの程度変形するかを表す定数である。
【００３２】
式（２）〜式（４）をまとめると、次式が成立する。
【数５】
2006215478.tif 000007
【００３３】
すなわち、歪みゲージの出力電圧の変化量δＨと固定電極２０５に印加されている電圧Ｖをモニターすることにより、式（５）に基づいて、固定電極２０５と可動板２０３の間隔、言い換えると可動板２０３の位置が計算される。このようにして計算される可動板２０３の位置すなわちｄの値と、目標値とのズレが最小になるように、固定電極２０５に印加する電圧をフィードバック制御することにより、可動板２０３の位置を正確に制御することができる。
【００３４】
本実施形態では、歪みゲージがゲージ率ｇの非常に大きい、言い換えると歪み検出感度の非常に高い物質であるＳｉで構成されるため、シリコン膜状部２０７の微小な変形を高感度に検出することが可能である。従って、可動板２０３の位置を高感度に検出することが可能となる。また、式（５）に示されるように、歪みゲージの出力電圧は可動板２０３の位置を直接反映するため、信頼性の高い位置検出が可能である。さらに、歪みゲージは酸化シリコン膜２３５によって固定電極２０５から絶縁されているため、固定電極２０５に印加される高電圧が変位量検出素子の感度に悪影響を及ぼさない。
【００３５】
なお、以上の説明は、静電引力を作用させた際にシリコン膜状部２０７の変形量が可動板２０３の変位量に対して無視できる程度に小さいことを前提にしているため、シリコン膜状部２０７と酸化シリコン膜２３５と固定電極２０５の厚さやシリコン膜状部２０７の面積、言い換えると弾性定数ｋの値は、この前提条件が維持される範囲でなるべく小さい値に設計する必要がある。
【００３６】
次に直動型静電駆動素子２００の作製方法について説明する。
【００３７】
直動型静電駆動素子２００は、図１と図２において、支持枠２０２と可動板２０３とたわみバネ２０４などを備える可動電極ユニット２００Ａと、支持基板２０１と固定電極２０５と変位量検出素子２３１などを備える固定電極ユニット２００Ｂとを別々に作製した後、可動電極ユニット２００Ａと固定電極ユニット２００Ｂをバンプ２１０によって接続することにより完成される。
【００３８】
以下、可動電極ユニット２００Ａと固定電極ユニット２００Ｂの作製方法を説明する。
【００３９】
可動電極ユニット２００Ａは図５〜図７に示される方法により作製される。
【００４０】
まず図５に示されるように、活性層３２０とＢＯＸ（Buried Oxide）３２１と支持層３２２とから構成されるＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板３０１のおもて面とうら面に熱酸化膜を形成した後、熱酸化膜の一部をエッチングすることによりマスク３０２を形成する。さらにアルミニウムなどの導電膜を形成した後、導電膜の一部をエッチングすることにより配線３０３を形成する。
【００４１】
次に図６に示されるように、マスク３０２に被覆されていないＳＯＩ基板３０１の活性層３２０と支持層３２２をエッチングにより除去する。次に図７に示されるように、ＢＯＸ３２１及びマスク３０２の露出している部分を除去することにより、可動板３０５と支持枠３４０を形成する。なお、図には示されていないが、たわみバネの部分も図６に示す工程で同時に形成される。このようにして可動電極ユニット２００Ａが完成する。
【００４２】
一方、固定電極ユニット２００Ｂは図８〜図１０に示される方法により作製される。
【００４３】
まず図８に示されるように、活性層３３０とＢＯＸ３３１と支持層３３２とから構成されるＳＯＩ基板３１０の活性層３３０の一部にイオン注入などの方法によりドーパントを拡散することにより、不純物拡散層３１１を形成する。この不純物拡散層は歪みゲージを構成する。
【００４４】
次に図９に示されるように、活性層３３０と支持層３３２の表面に熱酸化膜３１２を形成した後、活性層３３０の表面に形成されている熱酸化膜３１２にコンタクトホール３１３を形成する。さらに活性層３３０の表面に形成されている熱酸化膜３１２の表面にアルミニウムなどの導電膜を形成した後、導電膜の一部をエッチングすることにより、配線３１４と固定電極３１５を形成する。ここで、配線３１４は、歪みゲージを電源や駆動回路（図示せず）に接続するために使用される。また図９には示されていないが、配線３１４のほかに、固定電極３１５を電源や駆動回路（図示せず）に接続するための配線や、図２中の配線２０８に相当する配線も、この工程で同時に形成される。
【００４５】
次に図１０に示されるように、支持層３３２の表面に形成されている熱酸化膜３１２の一部をエッチングすることによりマスク３１６を形成する。さらに支持層３３２のうちマスク３１６に被覆されていない部分をエッチングした後、ＢＯＸ３３１の露出している部分を除去することにより、シリコン膜状部３１８を形成する。このようにして固定電極ユニット２００Ｂが完成する。
【００４６】
最後に、図１０に示される固定電極ユニットと図７に示される可動電極ユニットとをダイシングなどの方法によりチップに切り出した後、可動板３０５と固定電極３１５が対向するように各々のユニット同士をアライメントしてバンプで接合することにより、図１に示される直動型静電駆動素子２００が完成する。
【００４７】
本実施形態においては、可動板と固定電極間に作用する静電引力による固定電極の変位量から可動板の位置検出を行なうため、従来の方法に比べて高精度で高信頼性のある可動板の位置検出が可能となる。また、固定電極の変位量測定には、変位量検出膜と歪み検出感度の非常に高いＳｉからなる歪みゲージを用いるため、高感度の位置検出が可能となる。さらに、新たな変位量検出膜を形成することもなく、歪みゲージはＳｉ基板への不純物拡散だけで形成されるため、変位量検出素子すなわち可動板の位置検出手段を簡単な構成により容易に作製できる。また、変位量検出素子を固定電極部分に形成するため、歪みゲージの設計にあたっては大きさなどの制約はなく、弾性部材に形成した従来の場合に比べて自由度が増す。
【００４８】
なお、本実施形態は、発明の趣旨を逸脱しない範囲内において、様々な変形が可能である。まず、固定電極と歪みゲージを互いに絶縁する膜として酸化シリコン膜を使用する例を示したが、ポリイミドやシリコーン樹脂などの有機材料や、窒化シリコン膜などのほかの無機材料を使用してもよい。また固定電極や配線を構成する材料としてアルミニウムを使用する例を示したが、チタンや銅やモリブデンなどのほかの導電体や、多結晶シリコンなどの半導体を使用してもよい。またシリコン基板を加工することによりたわみバネを形成する例を示したが、ポリイミドやシリコーン樹脂などの有機材料や、窒化シリコンや酸化シリコンなどの無機材料によってたわみバネを構成してもよい。ただしこの場合には、可動板２０３を電源や駆動回路に接続するための配線をたわみバネの表面または内部に形成する必要がある。また基板の材料にシリコンを使用する例を示したが、化合物半導体などのほかの半導体を使用してもよい。また、歪みゲージが同一形状の個の不純物拡散層２１１〜２１４から構成される例を示したが、温度の変動しない環境下で使用する場合等においては、厚さ低減部２０７に位置しない不純物拡散層２１２〜２１４は省略しても良い。
【００４９】
［第二実施形態］
本実施形態は、可動部が可動子と弾性部材とからなり、可動子が回転するタイプの静電駆動素子に向けられている。より詳しくは、可動子が反射面を有するとともに所定の角度範囲内で回転し得る光偏向素子に向けられている。図１１は、本発明の第二実施形態による光偏向素子を示す斜視図である。図１２は、図１１に示されたXII−XII線に沿った光偏向素子の断面図である。
【００５０】
図１１と図１２に示されるように、本実施形態による光偏向素子４００は、可動電極ユニット４００Ａと、固定電極ユニット４００Ｂと、これらを間隔を置いて結合しているバンプ４１２とから構成されている。
【００５１】
可動電極ユニット４００Ａは、少なくとも一部が弾性変形し得る可動部と、可動部を支持している支持枠４０２とを有し、可動部は、可動子としての可動板４０３と、可動板４０３を変位可能に支持している弾性部材とを有し、弾性部材は、可動板４０３を回転軸４１５の周りに回転可能に支持しているトーションバー４０４で構成されている。可動板４０３と支持枠４０２とトーションバー４０４はシリコンから構成されている。可動板４０３はそれ自体が可動電極を構成している。また可動板４０３は反射面４０７を有している。
【００５２】
固定電極ユニット４００Ｂは、支持基板４０１と、支持基板４０１に設けられた二つの固定電極４０５および４０６とを有している。支持基板４０１は、可動板４０３と固定電極４０５および４０６のそれぞれとの間に作用する静電引力に応じて固定電極４０５の一部が変位するように、固定電極４０５および４０６がそれぞれ位置する領域の一部に厚さが低減された厚さ低減部４０８および４０９を有している。固定電極４０５および４０６は回転軸４１５に対して対称に設けられている。同様に厚さ低減部４０８および４０９も回転軸４１５に対して対称に設けられている。
【００５３】
支持基板４０１は、半導体基板、これに限らないが、例えば単結晶シリコン基板から作製される。厚さ低減部４０８および４０９は、例えば、単結晶シリコンの薄い膜で構成される。以下では厚さ低減部４０８および４０９はシリコン膜状部とも呼ぶことにする。支持基板４０１と固定電極４０５および４０６の間にはこれらを絶縁する酸化シリコン膜４３３が設けられている。
【００５４】
固定電極ユニット４００Ｂはさらに、それぞれ、厚さ低減部４０８および４０９に位置する固定電極４０５および４０６の部分の変位量を検出する変位量検出素子４３０および４３１を有している。変位量検出素子４３０および４３１は、それぞれ、固定電極４０５および４０６の一部と、酸化シリコン膜４３３と、シリコン膜状部４０８および４０９と、歪みゲージ４１０および４１１とから構成されている。歪みゲージ４１０および４１１は、それぞれ、酸化シリコン膜４３３を介して固定電極４０５および４０６に設けられており、その一部は厚さ低減部４０８および４０９に位置している。歪みゲージ４１０および４１１は共に支持基板４０１内に形成されており、シリコン膜状部４０８および４０９とは異なる導電型をしている。
【００５５】
歪みゲージ４１０および４１１は、第一実施形態と同様に、同一形状の四個の不純物拡散層を有しており、それらのうちの一個の不純物拡散層は部分的に厚さ低減部４０８および４０９に位置し、ほかの三個の不純物拡散層は厚さ低減部４０８および４０９の外に位置している。さらにこれらの四個の不純物拡散層は図４に示されるブリッジ回路を構成している。
【００５６】
図１２に示されるように、支持枠４０２と支持基板４０１は、金やはんだなどからなるバンプ４１２によって互いに固定されており、支持基板４０１は可動板４０３から間隔を置いて位置している。支持基板４０１は表面に配線４１４を有し、支持枠４０２は表面に配線４１３を有し、支持基板４０１の配線４１４と支持枠４０２の配線４１３はバンプ４１２によって電気的に接続されている。配線４１３は可動板４０３と電気的に接続されており、配線４１４は電源や駆動回路（図示せず）と電気的に接続される。図１２には示されていないが、支持基板４０１の表面には、配線４１４のほかに、固定電極４０５および４０６や変位量検出素子４３０および４３１を電源や駆動回路に接続するための配線が形成されている。
【００５７】
本実施形態の光偏向素子４００の作製方法は、第一実施形態の直動型静電駆動素子２００と同様であるので、ここでは説明を省略する。
【００５８】
次に光偏向素子４００の作用について説明する。
【００５９】
図１１と図１２において、可動板４０３を配線４１３とバンプ４１２と配線４１４とを介して接地し、固定電極４０６を接地した状態で、固定電極４０５に電圧を印加すると、可動板４０３と固定電極４０５の間に静電引力が発生する。これにより、図１３に示されるように、可動板４０３が二つのトーションバー４０４を結ぶ回転軸４１５の周りに回転して、静電引力がトーションバー４０４の弾性反発力と釣り合う位置で可動板４０３が静止する。このとき、可動板４０３の表面に形成された反射面４０７も同時に回転する。また可動板４０３の回転角は固定電極４０５に印加する電圧に依存している。このため、固定電極４０５に印加する電圧を制御することにより、反射面４０７に入射する光を所望の方向に向けて反射させることが可能となる。
【００６０】
可動板４０３を回転させる際には、第一実施形態と同様に変位量検出素子４３０を構成する固定電極４０５やシリコン膜状部４０８が静電引力によって変形するので、この変形量を歪みゲージ４１０によって検出することにより、シリコン膜状部４０８と可動板４０３の間隔、言い換えると可動板４０３の回転角を知ることができる。可動板の回転角Θは、可動板４０３の回転角が小さい範囲では、次式で表される。
【数６】
2006215478.tif 000008
【００６１】
ここでｋはシリコン膜状部４０８と酸化シリコン膜４３３と固定電極４０５を合わせた実効的な弾性定数、δＨは図４に示されるブリッジ回路における端子２２１と端子２２３間に発生する電圧Ｈの変化量、Ｖｓは図４に示されるブリッジ回路における端子２２２と端子２２４の間に接続されている直流電源の電圧、ｇはシリコン膜状部４０８に形成されている歪みゲージ４１０のゲージ率、Ｌは歪みゲージを構成する不純物拡散層のうち厚さ低減部４０８に位置している部分の長さ、Ｓはシリコン膜状部４０８の面積、Ｘは可動板４０３の回転軸を通る平面が支持基板４０１と垂直に交わる交線４２０からシリコン膜状部４０８の中央部までの距離、Ｘ０は非駆動時の可動板４０３と固定電極４０５の間隔、Ｖは固定電極４０５に印加されている電圧である。またβは、シリコン膜状部４０８の変形量に対して厚さ低減部４０８に位置している不純物拡散層がどの程度変形するかを表す定数である。
【００６２】
すなわち、歪みゲージの出力電圧の変化量δＨと固定電極４０５に印加されている電圧Ｖをモニターすることにより、式（６）によって可動板４０３の回転角Θが計算される。この回転角Θの値を使用して、固定電極４０５に印加する電圧をフィードバック制御することにより、可動板４０３の回転角を正確に制御することができる。
【００６３】
なお、可動板４０３を図１３とは反対の方向に回転させる場合は、可動板４０３を接地した状態で、固定電極４０５を接地して、固定電極４０６に電圧を印加して可動板４０３を回転させ、可動板４０３と固定電極４０６間に作用する静電引力を変位量検出素子４３１を使用して上述の方法によって検出すればよい。
【００６４】
本実施形態においても、歪みゲージがＳｉで構成されるため、式（６）中のｇの値は非常に大きい値になり、シリコン膜状部４０８および４０９の微小な変形を高感度に検出することが可能である。従って、可動板４０３の回転角の僅かな変化を高感度に検出することが可能となる。また、式（６）に示されるように、歪みゲージの出力電圧は可動板４０３の回転角を直接反映するため、信頼性の高い角度検出が可能である。さらに歪みゲージは酸化シリコン膜４３３によって固定電極４０５および４０６から絶縁されているため、固定電極に印加される高電圧が、変位量検出素子の感度に悪影響を及ぼさない。
【００６５】
以上の説明は、静電引力を作用させた際にシリコン膜状部４０８および４０９の変形量が可動板４０３の変位量に対して無視できる程度に小さいことを前提にしているため、シリコン膜状部４０８および４０９と酸化シリコン膜４３３と固定電極４０５および４０６の厚さやシリコン膜状部４０８および４０９の面積、言い換えると弾性定数ｋの値は、この前提条件が維持される範囲でなるべく小さい値に設計する必要がある。
【００６６】
本実施形態においては、可動板と固定電極間に作用する静電引力による固定電極の変位量から可動板の角度つまり位置検出を行なうため、従来の方法に比べて、高精度で、高信頼性のある可動板の位置検出が可能となる。また、固定電極の変位量測定には、変位量検出膜と歪み検出感度の非常に高いＳｉからなる歪みゲージを用いるため、高感度の位置検出が可能となる。さらに、新たな変位量検出膜を形成することもなく、歪みゲージはＳｉ基板への不純物拡散だけで形成されるため、変位量検出素子すなわち可動板の位置検出手段を簡単な構成により容易に作製できる。また、変位量検出素子を固定電極部分に形成するため、歪みゲージの設計にあたっては大きさなどの制約はなく、弾性部材に形成した従来の場合に比べて自由度が増す。
【００６７】
なお、本実施形態は、発明の趣旨を逸脱しない範囲内において、様々な変形が可能である。まず、固定電極と歪みゲージを互いに絶縁する膜として酸化シリコン膜を使用する例を示したが、ポリイミドやシリコーン樹脂などの有機材料や、窒化シリコン膜などのほかの無機材料を使用してもよい。また固定電極や配線を構成する材料としてアルミニウムを使用する例を示したが、チタンや銅やモリブデンなどのほかの導電体や、多結晶シリコンなどの半導体を使用してもよい。またシリコン基板を加工することによりトーションバーを形成する例を示したが、ポリイミドやシリコーン樹脂などの有機材料や、窒化シリコンや酸化シリコンなどの無機材料によってトーションバーを構成してもよい。ただしこの場合には、可動板４０３を電源や駆動回路に接続するための配線をトーションバーの表面または内部に形成する必要がある。また基板の材料にシリコンを使用する例を示したが、化合物半導体などのほかの半導体を使用してもよい。また説明を簡単にするために、可動板４０３の回転角を計算する数式として、可動板の回転角が小さい場合にだけ適用可能な近似式である式（６）を例にあげて説明したが、可動板の回転角が大きい場合においては、式（６）をより厳密な式に変更してもよい。また、歪みゲージが同一形状の4個の不純物拡散層から構成される例を示したが、温度の変動しない環境下で使用する場合等においては、厚さ低減部４０８および４０９に位置しない不純物拡散層は省略しても良い。
【００６８】
［第三実施形態］
本実施形態は、可動部が弾性変形膜からなり、可動部それ自体が変形し得るタイプの静電駆動素子に向けられている。より詳しくは、可動部が反射面を有するとともに変形し得る可変形状ミラーに向けられている。図１４は、本発明の第三実施形態による可変形状ミラーを示す斜視図である。図１５は、図１４に示されたXV−XV線に沿った可変形状ミラーの断面図である。
【００６９】
図１４と図１５に示されるように、本実施形態による可変形状ミラー５００は、ミラーユニット５００Ａと、固定電極ユニット５００Ｂと、これらを間隔を置いて結合しているスペーサー５０４とから構成されている。
【００７０】
ミラーユニット５００Ａは、少なくとも一部が弾性変形し得る可動部と、可動部を支持している支持枠５０２とを有し、可動部は、可動電極を備えた弾性変形膜５０３で構成されている。また弾性変形膜５０３の可動電極は反射面を兼ねている。弾性変形膜５０３は、例えば、ポリイミド膜などの樹脂膜とアルミニウムなどの金属膜との積層膜で構成されている。
【００７１】
固定電極ユニット５００Ｂは、支持基板５０１と、支持基板５０１に設けられた複数の固定電極５０５とを有している。固定電極５０５は、円形電極と、円形電極の周囲に同中心で位置する輪帯状電極とから構成されている。支持基板５０１は、固定電極５０５と弾性変形膜５０３の間に作用する静電引力に応じて固定電極５０５の一部が変位するように、各固定電極５０５が位置する領域の一部に厚さが低減された厚さ低減部５０６を有している。
【００７２】
支持基板５０１は厚さ低減部５０６では支持基板５０１の構成材料が除去されている。つまり支持基板５０１は厚さ低減部５０６において貫通穴を有している。言い換えれば厚さ低減部５０６は厚さがなく、支持基板５０１に形成された貫通穴で構成されている。以下では厚さ低減部５０６は貫通穴とも呼ぶことにする。
【００７３】
図１６は、図１５に示された厚さ低減部すなわち貫通穴の周辺部分を拡大して示している。図１６に示されるように、固定電極ユニット５００Ｂはさらに、厚さ低減部５０６に位置する固定電極５０５の部分の変位量を検出する変位量検出素子５３０を有している。変位量検出素子５３０は、固定電極５０５の一部と、固定電極５０５上に設けられた絶縁膜としてのポリイミド膜５０７と、ポリイミド膜５０７上に設けられた歪みゲージ５０８とから構成される。つまり、ポリイミド膜５０７と歪みゲージ５０８は固定電極５０５を基準にして支持基板５０１の反対側に位置している。歪みゲージ５０８は、多結晶シリコン膜を所定の形状にパターニングしてゲージ抵抗体を形成することにより作製される。
【００７４】
歪みゲージ５０８は、同一形状の四個のゲージ抵抗体を有しており、それらのうちの一個のゲージ抵抗体は部分的に厚さ低減部５０６に位置し、ほかの三個のゲージ抵抗体は厚さ低減部５０６の外に位置している。四個のゲージ抵抗体は配線５０９によって互いに接続されており、第一実施形態と第二実施形態における図４に示される歪みゲージと同様にブリッジ回路を構成している。
【００７５】
図１６には示されていないが、支持基板５０１の表面には、配線５０９のほかに、固定電極５０５や変位量検出素子５３０を電源や駆動回路に接続するための配線が形成されている。また支持枠５０２の表面には、弾性変形膜５０３を電源や駆動回路に接続するための配線が形成されている。
【００７６】
次に可変形状ミラー５００の作用について説明する。
【００７７】
図１４〜図１６において、弾性変形膜５０３の可動電極を接地した状態で、固定電極５０５に電圧を印加すると、弾性変形膜５０３と固定電極５０５の間に静電引力が発生すること。これにより、弾性変形膜５０３が、その弾性反発力が静電引力と釣り合う位置まで変形する。複数個の固定電極５０５の各々に印加する電圧を個別に制御することにより、弾性変形膜５０３の形状を様々な形状に変化させることができる。このとき、固定電極５０５にも静電引力が作用するため、固定電極５０５のうち厚さ低減部すなわち貫通穴５０６に位置する部分が弾性変形膜５０３の方向に変形する。この固定電極５０５の変形量を歪みゲージ５０８によって検出することにより、第一実施形態と同様に、各固定電極５０５とこれに対向する弾性変形膜５０３の部分との間隔、言い換えると弾性変形膜５０３の形状をリアルタイムにモニターすることができる。このようにして得られた弾性変形膜５０３の形状と所望の弾性変形膜形状との差分を計算して、その値が小さくなるように各々の固定電極５０５に印加される電圧を変化させることにより、弾性変形膜５０３およびその一部によって構成される反射面の形状を正確に制御することができる。
【００７８】
本実施形態においても、第一実施形態と第二実施形態と同様に、歪みゲージの出力電圧は弾性変形膜５０３の形状を直接反映するため、信頼性の高い反射面形状の検出が可能である。さらに歪みゲージはポリイミド膜５０７によって固定電極５０５から絶縁されているため、固定電極５０５に印加される高電圧が変位量検出素子５３０の感度に悪影響を及ぼさない。また後述するように、支持基板５０１は高価なＳＯＩ基板でなく通常のシリコン基板から作製されるため、製造コストが低減される。
【００７９】
なお、以上の説明は、静電引力を作用させた際に固定電極５０５の変形量が弾性変形膜５０３の変形量に対して無視できる程度に小さいことを前提にしているため、固定電極５０５やポリイミド膜５０７の厚さや貫通穴５０６の底面の面積、言い換えると弾性定数ｋの値は、この前提条件が維持される範囲でなるべく小さい値に設計する必要がある。
【００８０】
次に可変形状ミラー５００の作製方法について説明する。
【００８１】
可変形状ミラー５００は、図１４と図１５に示される、支持枠５０２と弾性変形膜５０３などを備えるミラーユニット５００Ａと、支持基板５０１と固定電極５０５と変位量検出素子５３０などを備える固定電極ユニット５００Ｂを別々に作製した後、ミラーユニット５００Ａと固定電極ユニット５００Ｂをスペーサー５０４によって接続することにより完成される。
【００８２】
以下、ミラーユニット５００Ａと固定電極ユニット５００Ｂの作製方法を説明する。
【００８３】
ミラーユニット５００Ａは図１７〜図１８に示される方法により作製される。
【００８４】
まず図１７に示されるように、シリコン基板６０１のおもて面とうら面に熱酸化膜６０５を形成した後、シリコン基板６０１のうら面の熱酸化膜の一部をエッチングすることによりマスク６０２を形成する。さらにシリコン基板６０１のおもて面にポリイミド膜６０３とアルミニウム膜６０４を形成する。アルミニウム膜６０４は、可動電極のほかに反射面としても使用されるため、真空蒸着法などの手法により反射率の高い膜に形成されることが望ましい。また図１７には示されていないが、アルミニウム膜６０４を一部加工するか、アルミニウム膜６０４をシャドウマスクを介して成膜することにより、可動電極としてのアルミニウム膜６０４を電源や駆動回路に接続するための配線を、この工程で同時に形成する。
【００８５】
次に図１８に示されるように、シリコン基板６０１のうちマスク６０２に被覆されていない部分をエッチングし、さらに露出した熱酸化膜６０５及びマスク６０２を除去することにより、支持枠６１８を形成する。このようにしてミラーユニット５００Ａが完成する。
【００８６】
一方、固定電極ユニット５００Ｂは図１９〜図２１に示される方法により作成される。
【００８７】
まず図１９に示されるように、シリコン基板６１０のおもて面とうら面に熱酸化膜６１１を形成した後、シリコン基板６１０のうら面の熱酸化膜の一部をエッチングすることによりマスク６１２を形成する。さらにシリコン基板６１０のおもて面の熱酸化膜の上に導電膜を形成してこれをパターニングすることにより固定電極６１３を形成した後、さらにそれらの表面にポリイミド膜６１４を形成する。
【００８８】
次に図２０に示されるように、ポリイミド膜６１４の表面にシリコン膜をＰ−ＣＶＤ（Plasma Assisted Chemical Vapor Deposition）によって形成した後、これをパターニングすることにより、歪みゲージ６１５を形成する。さらに導電膜を形成してこれをパターニングすることにより、歪みゲージ６１５を互いに接続してブリッジを構成するための配線６１６を形成する。また図２０には示されていないが、配線６１６のほかに、歪みゲージ６１５や固定電極６１３を電源や駆動回路（図示せず）に接続する配線も、この工程で同時に形成する。
【００８９】
次に、図２１に示されるように、シリコン基板６１０のうちマスク６１２に被覆されていない部分をエッチングによって除去した後、露出した熱酸化膜６１１及びマスク６１２を除去することにより、支持基板６１７を形成する。このようにして固定電極ユニット５００Ｂが完成する。
【００９０】
最後に図１８に示されるミラーユニット５００Ａと図２１に示される固定電極ユニット５００Ｂとをダイシングなどの方法によりチップに切り出した後、各ユニット同士をアライメントしてスペーサーを挟んで接着することにより、図１４〜図１６に示される可変形状ミラー５００が完成する。
【００９１】
本実施形態においては、弾性変形膜と固定電極間に作用する静電引力による固定電極の変位量から反射面の形状つまり位置検出を行なうため、従来の方法に比べて、高精度で高信頼性のある弾性変形膜の形状検出が可能となる。また、固定電極の変位量測定には、基板上に新たに成膜した膜をパターニングした歪みゲージを用いるため、非常に簡単な構成により高感度の位置検出が可能となる。また、基板上に新たに形成した膜をパターニングして歪みゲージを形成するため、基板の仕様に関する自由度が高い。さらに、歪みゲージを固定電極部分に形成するため、歪みゲージの設計にあたっては大きさなどの制約はなく、弾性部材に形成した従来の場合に比べて自由度が増す。
【００９２】
なお、本実施形態は、発明の趣旨を逸脱しない範囲内において、様々な変形が可能である。まず、固定電極と歪みゲージを絶縁する膜としてポリイミド膜を使用する例を示したが、シリコーン樹脂などのほかの樹脂を使用してもよく、また酸化シリコン膜や窒化シリコン膜などの無機絶縁膜を使用してもよい。また歪みゲージの材料に多結晶シリコン膜を使用する例を示したが、変形によって抵抗値の変化する物質であれば、アモルファスシリコン膜などのほかの形態のシリコン膜や、チタンなどの金属膜を使用してもよい。また弾性変形膜がポリイミド膜とアルミニウム膜によって構成される例を示したが、ポリイミドの代わりにシリコーン樹脂などのほかの有機材料や、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料や、シリコンなどの半導体材料を使用してもよく、またアルミニウム膜の代わりに金や白金などほかの金属膜を使用してもよく、また弾性変形膜を、これらの金属膜または半導体膜だけによって構成してもよい。また、図１８に示す工程の後で、ポリイミド膜６０３のうち、アルミニウム膜６０４が形成されていない面に、アルミニウムや金等から構成される金属薄膜を反射膜として形成しても良い。この場合、入射光がポリイミド膜を通さずに直接反射膜に入射するため、反射率の向上が容易になる。また固定電極が同心円状に配置された例を示したが、これに限らず固定電極がいかなる配置であってもよい。また変位量検出素子が、固定電極と、その表面に絶縁膜を介して形成される歪みゲージとから構成される例を示したが、第一実施形態や第二実施形態と同様に、可動電極と、その下層に絶縁膜を介して形成されたシリコン膜と、その内部に形成された歪みゲージとによって構成されてもよく、また逆に、第一実施形態や第二実施形態に、本実施形態で使用した変位量検出素子を使用してもよい。また、歪みゲージが同一形状の4個のゲージ抵抗体から構成される例を示したが、温度の変動しない環境下で使用する場合等においては、厚さ低減部５０６に位置しないゲージ抵抗体は省略しても良い。
【００９３】
また支持基板としてシリコンを使用する例を示したが、ガラスや樹脂などのほかの材料から構成される基板を使用してもよい。
【００９４】
これまで、図面を参照しながら本発明の実施形態を述べたが、本発明は、これらの実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において様々な変形や変更が施されてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】本発明の第一実施形態による直動型静電駆動素子を示す斜視図である。
【図２】図１に示されたII−II線に沿った直動型静電駆動素子の断面図である。
【図３】図２に示された厚さ低減部すなわちシリコン膜状部の周辺部分を拡大して示している。
【図４】図３に示された歪みゲージを模式的に示す平面図である。
【図５】図１と図２に示された可動電極ユニットの作製方法における最初の工程を示している。
【図６】可動電極ユニットの作製方法における図５の工程に続く工程を示している。
【図７】可動電極ユニットの作製方法における図６の工程に続く工程を示している。
【図８】図１〜図３に示された固定電極ユニットの作製方法における最初の工程を示している。
【図９】固定電極ユニットの作製方法における図８の工程に続く工程を示している。
【図１０】固定電極ユニットの作製方法における図９の工程に続く工程を示している。
【図１１】本発明の第二実施形態による光偏向素子を示す斜視図である。
【図１２】図１１に示されたXII−XII線に沿った光偏向素子の断面図である。
【図１３】図１２において、可動板が一定角度回転した様子を示している。
【図１４】本発明の第三実施形態による可変形状ミラーを示す斜視図である。
【図１５】図１４に示されたXV−XV線に沿った可変形状ミラーの断面図である。
【図１６】図１５に示された厚さ低減部すなわち貫通穴の周辺部分を拡大して示している。
【図１７】図１４と図１５に示されたミラーユニットの作製方法における最初の工程を示している。
【図１８】ミラーユニットの作製方法における図１７の工程に続く工程を示している。
【図１９】図１４〜図１６に示された固定電極ユニットの作製方法における最初の工程を示している。
【図２０】固定電極ユニットの作製方法における図１９の工程に続く工程を示している。
【図２１】固定電極ユニットの作製方法における図２０の工程に続く工程を示している。
【図２２】固定電極と可動電極の間の静電容量に基づいて可動子の位置を検出するための構成を模式的に示している。
【図２３】弾性部材の変形量に基づいて可動子の位置を検出するための構成を模式的に示している。
【図２４】図２３に示された弾性部材の周辺部分の平面図である。
【符号の説明】
【００９６】
２００…直動型静電駆動素子、２００Ａ…可動電極ユニット、２００Ｂ…固定電極ユニット、２０１…支持基板、２０２…支持枠、２０３…可動板、２０４…バネ、２０５…固定電極、２０７…厚さ低減部（またはシリコン膜状部）、２０８…配線、２０９…配線、２１０…バンプ、２１１…不純物拡散層、２１２…不純物拡散層、２１３…不純物拡散層、２１４…不純物拡散層、２２１…端子、２２２…端子、２２３…端子、２２４…端子、２３１…変位量検出素子、２３２…歪みゲージ、２３５…酸化シリコン膜、３０１…ＳＯＩ基板、３０２…マスク、３０３…配線、３０５…可動板、３１０…ＳＯＩ基板、３１１…不純物拡散層、３１２…熱酸化膜、３１３…コンタクトホール、３１４…配線、３１５…固定電極、３１６…マスク、３１８…シリコン膜状部、３２０…活性層、３２１…支持層、３２２…支持層、３３０…活性層、３３２…支持層、３４０…支持枠、４００…光偏向素子、４００Ａ…可動電極ユニット、４００Ｂ…固定電極ユニット、４０１…支持基板、４０２…支持枠、４０３…可動板、４０４…トーションバー、４０５…固定電極、４０６…固定電極、４０７…反射面、４０８…厚さ低減部（またはシリコン膜状部）、４０９…厚さ低減部（またはシリコン膜状部）、４１０…歪みゲージ、４１１…歪みゲージ、４１２…バンプ、４１３…配線、４１４…配線、４１５…回転軸、４２０…交線、４３０…変位量検出素子、４３１…変位量検出素子、４３３…酸化シリコン膜、５００…可変形状ミラー、５００Ａ…ミラーユニット、５００Ｂ…固定電極ユニット、５０１…支持基板、５０２…支持枠、５０３…弾性変形膜、５０４…スペーサー、５０５…固定電極、５０６…厚さ低減部（または貫通穴）、５０７…ポリイミド膜、５０８…歪みゲージ、５０９…配線、５３０…変位量検出素子、６０１…シリコン基板、６０２…マスク、６０３…ポリイミド膜、６０４…アルミニウム膜、６０５…熱酸化膜、６１０…シリコン基板、６１１…熱酸化膜、６１２…マスク、６１３…固定電極、６１４…ポリイミド膜、６１５…歪みゲージ、６１６…配線、６１７…支持基板、６１８…支持枠。
【図１】
2006215478.tif 000009
【図２】
2006215478.tif 000010
【図３】
2006215478.tif 000011
【図４】
2006215478.tif 000012
【図５】
2006215478.tif 000013
【図６】
2006215478.tif 000014
【図７】
2006215478.tif 000015
【図８】
2006215478.tif 000016
【図９】
2006215478.tif 000017
【図１０】
2006215478.tif 000018
【図１１】
2006215478.tif 000019
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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