(57)【要約】【課題】  全体形状の縮小化を図るとともに、注型部品の不良率を大幅に低減させ、簡易に製作できるスイッチギアを提供する。【解決手段】  真空バルブの固定側及び可動側に各々の相が円筒状で且つ三相一括で形成された絶縁バリア４０、４１を配置し、この固定側及び可動側の絶縁バリア４０、４１には真空バルブの封着金具を包囲し且つ固定軸及び可動軸のそれぞれと同電位となるような埋め込み金属が埋め込まれている。三相一括の絶縁バリア４０、４１は埋め込み金属部の絶縁層４２ａ、４２ｂで各相を結合して相間接続部としている。これにより、全体形状の縮小化を図るとともに、注型部品の不良率を大幅に低減させることができる。【選択図】  図６
2006049329.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空バルブを有する開閉機器を収納したスイッチギアにおいて、真空バルブの固定側及び可動側にそれぞれ各々の相が円筒状で、且つ三相一括で形成された絶縁バリアを配置し、前記固定側及び可動側の絶縁バリアには真空バルブの封着金具を包囲し且つ固定軸及び可動軸のそれぞれと同電位となるような埋め込み金属を有しており、前記三相一括で形成された絶縁バリアは前記埋め込み金属が存在する部分の絶縁層で各相を結合したことを特徴とするスイッチギア。
【請求項２】
請求項１に記載のスイッチギアにおいて、三相一括で形成された絶縁バリアの各相の間の絶縁層が、相間の中心が最も細く両端が太くなるように湾曲させたことを特徴とするスイッチギア。
【請求項３】
請求項１に記載のスイッチギアにおいて、前記絶縁バリアの前記埋め込み金属が存在する部分の周りの誘電率が、前記絶縁バリアの他の部分の誘電率より高いことを特徴とするスイッチギア。
【請求項４】
請求項１に記載のスイッチギアにおいて、前記三相一括で形成された絶縁バリアの各相間の絶縁層にバリアを設け、固定側からのバリアと可動側からのバリアが重なるまで高くすることを特徴とするスイッチギア。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空遮断器、真空断路器などの真空開閉機器を収納して電源系統を構成するスイッチギアの縮小化に関する。
【背景技術】
【０００２】
代表的なスイッチギアの構成例を図１４に示す。図１４において、外周を軟鋼板で囲まれた容器５１を隔壁５２で前後に仕切り、前方の遮断器室５１ａには真空バルブ５３ａが装着された遮断器５３を収納し、また後方の母線室５１ｂには遮断器５３側の上下の主回路に合せてそれぞれ同形の断路器５４Ａ、５４Ｂを上下に設けている。
【０００３】
断路器５４Ａ側は、支持碍子５６に固定された母線５５に接続され、隣接された盤への接続が行われる。また、断路器５４Ｂ側は、電力ケーブル５７ａから受電されたケーブルヘッド５７に接続されている。そして、これらの機器は、接続導体５８で相互が接続されている。
【０００４】
また、遮断器室５１ａと母線室５１ｂとを仕切っている隔壁５２には、図示していない貫通穴に主回路導体を絶縁層でモールドした絶縁スペーサ５９を設け、相互の室５１ａ、５１ｂの仕切りと、主回路の接続が行われている。これらの室５１ａ、５１ｂには、絶縁媒体として例えばＳＦ６ガスのような絶縁ガスが封入されている。
【０００５】
ＳＦ６ガスは、無色、無害、不活性などの特徴があり、大気圧のガス圧力で空気に比べて２〜３倍の絶縁耐力を有している。このように管理された絶縁ガスを封入したスイッチギアにより、電力の安定した供給が行われている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このような構成において、ＳＦ６ガスは、高い絶縁耐力を有しているので、例えば特開昭６０−２１０１０７号に開示されているように、スイッチギアの縮小化が達成されている。しかしながら、ＳＦ６ガスは、地球温暖化防止京都会議（１９９７年１２月）で温暖化に寄与する効果が炭酸ガスの約２３０００倍とされ、大気に漏らしたり放出をしないようにするべきだということになった。
【０００７】
このためには、角形の容器５１を接合させている鉄板相互の気密溶接部や、ケーブルヘッド５７のガス／気中部分に用いられているＯリングのガス漏れ検証などが重要となってくる。また、容器５１の内部点検などのガス開放時には、開放する前に封入されているガスをガス回収機で回収する必要がある。これらは、従来方法の機器においても当然行われていたことであるが、更に重要性が高まり万全の対応が必要となってくる。
【０００８】
これらのことから、ＳＦ６ガスを使用しなければ前述の対応は不必要となるが、ＳＦ６ガスに優る絶縁媒体がないのが現状である。例えば、空気を絶縁媒体にすれば絶縁耐力が劣るので、劣った割合で絶縁距離などを広げなければ成らず全体形状が大型化してしまう。また、一般の気中絶縁では、塵挨や湿潤の影響を受けるので、これらの汚損特性を考慮して沿面距離などを大きくしなければならなかった。これは、最近の趨勢である縮小化に逆行するものである。
【０００９】
また、ＳＦ６ガスを使用しない方法として、例えば特願平９−０１３０２７号に開示されているような真空バルブを固体絶縁物で直接一体モールドする固体絶縁構成があるが、真空バルブはセラミック若しくはガラスを用いた絶縁円筒とその両端を真空封着する金属製の蓋板とから構成されており、これらをエポキシなどの固体絶縁物で直接一体モールドした場合、線膨張率の違いにより熱応力が発生し、割れが発生しやすく、不良率が高くなる恐れがある。このような不良が発生するとモールドされた真空バルブ自体も使用できなくなり、無駄なコストがかかってしまう。
【００１０】
本発明の目的は、空気と固体絶縁の組合わせによる複合絶縁を用いてＳＦ６ガス並みの絶縁耐力を生み出して、全体形状の縮小化を図り、間接モールドを用いることにより注型部品の不良率を大幅に低減させ、簡易に製作できるスイッチギアを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、請求項１に記載の本発明は、真空バルブを有する開閉機器を収納したスイッチギアにおいて、真空バルブの固定側及び可動側にそれぞれ各々の相が円筒状で、且つ三相一括で形成された絶縁バリアを配置し、固定側及び可動側の絶縁バリアには真空バルブの封着金具を包囲し且つ固定軸及び可動軸のそれぞれと同電位となるような埋め込み金属を有しており、三相一括で形成された絶縁バリアは埋め込み金属が存在する部分の絶縁層で各相を結合したことを特徴とする。
【００１２】
このような構成によれば、真空バルブの固定側及び可動側それぞれに配置された円筒状の絶縁バリアにより相間、対地間の耐電圧が向上し、この固定側及び可動側の絶縁バリアに真空バルブの封着金具を包囲し且つ固定軸及び可動軸のそれぞれと同電位になるような金属を埋め込むことにより絶縁バリア内面の電界が抑制され耐電圧が向上する。このため、相間、対地間の絶縁距離を縮小することができる。
【００１３】
また、真空バルブの固定側及び可動側のそれぞれの絶縁バリアを三相一括にすることにより、組立て時の芯出し、盤への取り付けが容易になる。さらに、三相一括の絶縁バリアは埋め込み金属が存在する部分の絶縁層で各相を結合することにより、絶縁バリア外面の電界強度を低減することができ、相間の絶縁耐力が向上する。
【００１４】
さらに、この構成によると、真空バルブはモールドしなくてよいことから、万一発生した注型不良品による無駄なコストを最小限に抑えることができ、絶縁バリアを可動側と固定側で別々に製作することにより注型樹脂を極力低減することが出来る。このように、経済的で且つ小型化したスイッチギアを提供することができる。
【００１５】
請求項２に記載の本発明は、請求項１に記載のスイッチギアにおいて、三相一括で形成された絶縁バリアの各相の間の絶縁層が、相間の中心が最も細く両端が太くなるように湾曲させたことを特徴とする。
【００１６】
このように、三相一括で形成された絶縁バリアの各相の間の絶縁層が、相間の中心が最も細く両端が太くなるように湾曲させることにより、この部分の絶縁層沿面の沿面方向の電界を低減することができ、放電の進展を抑制することが出来る。このため、相間の絶縁耐力が向上する。
【００１７】
請求項３に記載の本発明は、請求項１に記載のスイッチギアにおいて、絶縁バリアの埋め込み金属が存在する部分の周りの誘電率が、絶縁バリアの他の部分の誘電率より高いことを特徴とする。
【００１８】
このように、各相の絶縁バリアの埋め込み金属が存在する部分の周りの誘電率を絶縁バリアの他の部分の誘電率より高くすることにより、各相を接続する絶縁層沿面の電界を低減することができ、相間の絶縁耐力が向上する。
【００１９】
請求項４に記載の本発明は、請求項１に記載のスイッチギアにおいて、三相一括で形成された絶縁バリアの各相間の絶縁層にバリアを設け、固定側からのバリアと可動側からのバリアが重なるまで高くすることを特徴とする。
【００２０】
このように、三相一括で形成された絶縁バリアの各相間の絶縁層にバリアを設け、固定側からのバリアと可動側からのバリアが重なるまで高くすることにより、相間に多重バリアが形成されるため、さらに相間の耐電圧が向上する。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、相間、対地間の絶縁耐力が向上し、全体形状の縮小を図ることができる。
【００２２】
また、真空バルブはモールドしなくてよいことから、万一発生した注型不良品による無駄なコストを最小限に抑えることができるとともに、絶縁バリアを可動側と固定側で別々に製作することにより、樹脂量の低減を図ることができ、経済的で且つ簡易に製作できるスイッチギアを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、以下の図において、同符号は同一部分または対応部分を示す。
【００２４】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係るスイッチギアを正面からみた断面図である。同図において、１０は筐体、１１はＴ型母線、１２は操作機構、１３は固定側接続軸、１４は真空バルブ、１５は操作ロッド、２０（２０ａ、２０ｂ）は蓋板、２１（２１ａ、２１ｂ）は封着金具、２２は絶縁容器、２３（２３ａ、２３ｂ）は電極、２４はシールド、２５はベローズ、２６は固定軸、２７は可動軸、３０は固定側バリア、３１は可動側バリア、３２（３２ａ、３２ｂ）は埋め込み金属、３３はマルチバンドである。
【００２５】
真空バルブ１４の固定側及び可動側には、それぞれ円筒状に形成された固定側絶縁バリア３０及び可動側絶縁バリア３１が配置されている。固定側絶縁バリア３０には、真空バルブ１４の封着金具２１ａを包囲するように形成された埋め込み金属３２ａが埋め込まれており、固定軸２６と同電位になっている。また、可動側絶縁バリア３１にも固定側と同様に真空バルブ１４の封着金具２１ｂを包囲するように形成された埋め込み金属３２ｂが埋め込まれており、この可動側の埋め込み金属３２ｂは可動側通電導体と一体形成されている。さらに、固定側絶縁バリア３０及び可動側絶縁バリア３１は円筒状であるが、埋め込み金属３２ａ、３２ｂの付近の外径だけが大きくなっている。
【００２６】
真空バルブ１４の可動軸２７は、操作ロッド１５を介して操作機構１２と接続され、この操作機構１２により真空バルブ１４内の電極２３ａ、２３ｂの開閉が行われる。また、可動軸２７は、マルチバンド３３を介して埋め込み金属３２ｂと一体形成された可動側通電導体と接続され、このマルチバンド３３で摺動する可動軸２７と固定されてある可動側通電導体との間の通電が行われる。
【００２７】
可動側通電導体は、図示していない避雷器及び筐体１０の背後に固定されたケーブルヘッドに接続されており、このケーブルヘッドより受電することが出来る。固定軸２６は、固定側接続軸１３を介して筐体１０の上壁に固定されたＴ型母線１１に接続され、このＴ型母線１１により隣接された盤への接続が行われる。接地された筐体１０の内部には乾燥空気が充填されている。
【００２８】
このように構成された実施形態においては、真空バルブ１４の固定側及び可動側それぞれに配置された円筒状の絶縁バリア３０、３１により相間、対地間の耐電圧が向上し、この固定側及び可動側の絶縁バリア３０、３１に真空バルブ１４の封着金具２１ａ、２１ｂを包囲し且つ固定軸２６及び可動軸２７のそれぞれと同電位になるような埋め込み金属３２ａ、３２ｂを埋め込むことにより、絶縁バリア３０、３１内面の電界が抑制され耐電圧が向上する。このため、相間、対地間の絶縁距離を縮小することができる。
【００２９】
さらに、埋め込み金属３２ａ、３２ｂが存在する部分の絶縁バリア３０、３１外径を他の箇所より大きくすることにより、絶縁バリア３０、３１外面の最大電界強度が抑制されるため、耐電圧がより向上し、相間、対地間の距離をさらに縮小することができる。
【００３０】
また、絶縁バリア３０、３１外径を大きくする部分を埋め込み金属３２ａ、３２ｂが存在する部分だけにすることにより、絶縁樹脂の使用量を低減することができ、経済的な効果もある。
【００３１】
更に、この構成によると、真空バルブ１４はモールドしなくてよいことから、万一発生した注型不良品による無駄なコストを最小限に抑えることができ、絶縁バリア３０、３１を可動側と固定側で別々に製作することにより注型樹脂を極力低減することが出来る。
【００３２】
このように、経済的で且つ小型化したスイッチギアを提供することができる。
【００３３】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態に係るスイッチギアについて説明する。
【００３４】
図２（ａ）は、第２の実施形態の構成を示すもので、図１におけるＡ部拡大図である。また、図２（ｂ）は、絶縁バリアの絶縁層厚さと最大電界強度の関係を示す特性図である。
【００３５】
この実施形態においては、埋め込み金属３２ａ部の固定側絶縁バリア３０の絶縁層厚さをＬ、埋め込み金属３２ａから接地電位である筐体１０までの距離をＧとすると、０．３＜Ｌ／Ｇ＜０．７となるように埋め込み金属３２ａ付近の固定側絶縁バリア３０の外径を大きくしている。固定側を用いて説明したが、可動側も同様に構成されている。
【００３６】
次に、このように構成された実施形態の作用・効果について説明する
図１で示した様な構成における絶縁バリア３０、３１外面の最大電界は、埋め込み金属３２の外側沿面部となり、絶縁破壊時の放電はこの最大電界部を起点とした放電となる。従って、この部分の最大電界強度を低減することにより絶縁耐力を向上させることが出来る。
【００３７】
図２（ｂ）で示したように、埋め込み金属３２ａから固定側絶縁バリア３０の外面までの絶縁層厚さをＬ、埋め込み金属３２ａから接地電位である筐体１０までの距離をＧとした時に、０．３＜Ｌ／Ｇ＜０．７となるように埋め込み金属３２ａ付近の固定側絶縁バリア３０の外径を大きくすることにより、固定側絶縁バリア３０外面の最大電界を最も低減することが出来るため、対地間、相間の絶縁耐力をさらに向上させることが出来る。本説明は、固定側を用いて説明したが、可動側についても同様である。
【００３８】
（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態に係るスイッチギアについて説明する。
【００３９】
図３は、本発明の第３の実施形態に係るスイッチギアを正面からみた断面図である。
【００４０】
この実施形態は、図３に示すように、絶縁バリア３０、３１の埋め込み金属３２ａ、３２ｂ部の外径で突出した部分３４ａ、３４ｂの絶縁物の誘電率を、絶縁バリア３０、３１の他の部分の誘電率より低くして絶縁バリア低誘電率部としたものである。
【００４１】
このように、絶縁バリア３０、３１の埋め込み金属３２ａ、３２ｂ部の外径で突出した部分３４ａ、３４ｂの絶縁物の誘電率を、他の部分の誘電率より低くして絶縁バリア低誘電率部とすることにより、絶縁バリア３０、３１外面の最大電界を低減することができるため、対地間、相間の絶縁耐力が向上する。
【００４２】
（第４の実施形態）
次に、本発明の第４の実施形態に係るスイッチギアについて説明する。
【００４３】
図４は、本発明の第４の実施形態に係るスイッチギアを正面からみた断面図である。
【００４４】
この実施形態は、図４に示すように、絶縁バリア３０、３１の埋め込み金属３２ａ、３２ｂ部の周り３５ａ、３５ｂの誘電率を、絶縁バリア３０、３１の他の部分の誘電率より高くして絶縁バリア高誘電率部としたものである。
【００４５】
このように、絶縁バリア３０、３１の埋め込み金属３２ａ、３２ｂ部の周り３５ａ、３５ｂの誘電率を、絶縁バリア３０、３１の他の部分の誘電率より高くして絶縁バリア高誘電率部とすることにより、絶縁バリア３０、３１外面の最大電界を低減することができるため、対地間、相間の絶縁耐力が向上する。
【００４６】
なお、第３の実施形態では、絶縁バリア３０、３１の埋め込み金属３２ａ、３２ｂ部の外径で突出した部分３４ａ、３４ｂの絶縁物の誘電率を低くして絶縁バリア低誘電率部とし、また、この第４の実施形態のように、絶縁バリア３０、３１の埋め込み金属３２ａ、３２ｂ部の周り３５ａ、３５ｂの誘電率を高くして絶縁バリア高誘電率部としているが、絶縁バリア３０、３１の埋め込み金属３２ａ、３２ｂ部の周りから、外径で突出した部分までの間を、誘電率が徐々に変化する傾斜材料で構成することもできる。
【００４７】
（第５の実施形態）
次に、本発明の第５の実施形態に係るスイッチギアについて説明する。
【００４８】
図５は、本発明の第５の実施形態に係るスイッチギアを正面からみた断面図である。
【００４９】
この実施形態は、図５に示すように、絶縁バリア３０、３１外面の突出部を間に挟んでその上側と下側の絶縁バリア３０、３１にひだ３６を設けたものである。
【００５０】
このように、絶縁バリア３０、３１外面の突出部を間に挟んでその上側と下側の絶縁バリア３０、３１にひだ３６を設けることにより、バリア沿面の絶縁距離が長くなり、且つ絶縁バリア３０、３１外面の突出部から進展する放電をバリア効果により抑制することができるため、対地間、相間の絶縁耐力が向上する。
【００５１】
（第６の実施形態）
次に、本発明の第６の実施形態に係るスイッチギアについて説明する。
【００５２】
図６は、本発明の第６の実施形態に係るスイッチギアを正面からみた断面図である。
【００５３】
この実施形態は、図６に示すように、真空バルブ１４の固定側及び可動側に各々の相が円筒状で且つ三相一括で形成された絶縁バリア４０、４１を配置したもので、この固定側及び可動側の絶縁バリア４０、４１には真空バルブ１４の封着金具２１を包囲し且つ固定軸２６及び可動軸２７のそれぞれと同電位となるような埋め込み金属３２ａ、３２ｂが埋め込まれている。三相一括の絶縁バリア４０、４１は埋め込み金属３２ａ、３２ｂ部の絶縁層４２ａ、４２ｂで各相を結合して相間接続部としている。
【００５４】
このように、真空バルブ１４の固定側及び可動側のそれぞれの絶縁バリアを三相一括にすることにより、組立て時の芯出し、盤への取り付けが容易になる。
【００５５】
更に、三相一括の絶縁バリア４０、４１は埋め込み金属３２ａ、３２ｂ部の絶縁層４２ａ、４２ｂで各相を結合することにより、絶縁バリア４０、４１外面の電界強度を低減することができ、相間の絶縁耐力を向上させることが出来る。
【００５６】
（第７の実施形態）
次に、本発明の第７の実施形態に係るスイッチギアについて説明する。
【００５７】
図７は、本発明の第７の実施形態に係るスイッチギアを正面からみた断面図である。
【００５８】
この実施形態は、図７に示すように、三相一括で形成された絶縁バリア４０、４１の各相の間の絶縁層即ち相間接続部４２ａ、４２ｂを、相間の中心が最も細く両端が太くなるように湾曲させたものである。
【００５９】
このように、三相一括で形成された絶縁バリア４０、４１の各相の間の絶縁層即ち相間接続部４２ａ、４２ｂを、相間の中心が最も細く両端が太くなるように湾曲させることにより、この相間接続部４２ａ、４２ｂの絶縁層沿面の沿面方向の電界を低減することができ、放電の進展を抑制することが出来る。このため、相間の絶縁耐力を向上させることができる。
【００６０】
（第８の実施形態）
次に、本発明の第８の実施形態に係るスイッチギアについて説明する。
【００６１】
図８は、本発明の第８の実施形態に係るスイッチギアを正面からみた断面図である。
【００６２】
この実施形態は、図８に示すように、三相一括で形成された絶縁バリア４０、４１の各相の埋め込み金属周り３５ａ、３５ｂの誘電率を、絶縁バリア４０、４１の他の部分の誘電率より高くして絶縁バリア高誘電率部としている。
【００６３】
このように、各相の埋め込み金属周り３５ａ、３５ｂの誘電率を絶縁バリア４０、４１の他の部分の誘電率より高くして絶縁バリア高誘電率部とすることにより、各相を接続する絶縁層即ち相間接続部４２ａ、４２ｂ沿面の電界を低減することができ、相間の絶縁耐力を向上させることが出来る。
【００６４】
（第９の実施形態）
次に、本発明の第９の実施形態に係るスイッチギアについて説明する。
【００６５】
図９は、本発明の第９の実施形態に係るスイッチギアを正面からみた断面図である。
【００６６】
この実施形態は、図９に示すように、三相一括で形成された絶縁バリア４０、４１の各相間の絶縁層即ち相間接続部４２ａ、４２ｂにバリア即ち相間バリア４３ａ、４３ｂを設け、固定側からの相間バリア４３ａと可動側からの相間バリア４３ｂを重なるまで高くしたものである。
【００６７】
このように、三相一括で形成された絶縁バリア４０、４１の各相間の絶縁層即ち相間接続部４２ａ、４２ｂに相間バリア４３ａ、４３ｂを設け、固定側からの相間バリア４３ａと可動側からの相間バリア４３ｂを重なるまで高くすることにより、相間に多重バリアが形成されるため、さらに相間の耐電圧を向上させることができる。
【００６８】
（第１０の実施形態）
次に、本発明の第１０の実施形態に係るスイッチギアについて説明する。
【００６９】
図１０は、本発明の第１０の実施形態に係るスイッチギアを正面からみた断面図である。
【００７０】
この実施形態は、図１０に示すように、固定側絶縁バリア３０と可動側絶縁バリア３１の間に例えばエチレンプロピレンゴムのような弾力性のある絶縁物即ち弾力性絶縁物３７を挿入して構成してある。
【００７１】
このように、固定側絶縁バリア３０と可動側絶縁バリア３１の間に弾力性絶縁物３７を挿入することにより、固定側絶縁バリア３０と可動側絶縁バリア３１の間を進展する放電を抑制することができ、相間の耐電圧が向上する。
【００７２】
なお、本説明は、単相で形成された絶縁バリア３０、３１を用いて説明したが、三相一括で形成された絶縁バリア４０、４１で構成しても同様な作用、効果が得られる。
【００７３】
（第１１の実施形態）
次に、本発明の第１１の実施形態に係るスイッチギアについて説明する。
【００７４】
図１１は、本発明の第１１の実施形態に係るスイッチギアを正面からみた断面図である。
【００７５】
この実施形態は、図１１に示すように、絶縁バリア３０、３１の真空バルブ１４側のバリア長さを、真空バルブ１４のシールド２４と重ならない長さにしたものである。
【００７６】
このように、絶縁バリア３０、３１の真空バルブ１４側のバリア長さが、真空バルブのシールド２４と重ならない長さとしたことにより、真空バルブ内のシールド２４と対地との浮遊静電容量が小さくなるため、シールド２４の電位がより５０％電位に近づき、真空バルブ１４内の極間の絶縁耐力を向上させることが出来る。
【００７７】
なお、本説明は、単相で形成された絶縁バリア３０、３１を用いて説明したが、三相一括で形成された絶縁バリア４０、４１で構成しても同様な作用、効果が得られる。
【００７８】
（第１２の実施形態）
次に、本発明の第１２の実施形態に係るスイッチギアについて説明する。
【００７９】
図１２は、本発明の第１２の実施形態に係るスイッチギアを正面からみた断面図である。
【００８０】
この実施形態は、図１２に示すように、固定側絶縁バリア３８に真空バルブ１４の封着金具２１を包囲する埋め込み金属３２ａと固定側接続軸１３が一体となった固定側接続軸兼埋め込み金属３９がモールドされており、固定側絶縁バリア３８の固定側接続軸側の形状が円錐状で構成され、直接Ｔ型母線１１と接続できる構成即ち接続部付き絶縁バリアとなっている。なお、図１２において、１１ａはＴ型母線１１の筐体内接続部、１１ｂは弾力性絶縁物である。
【００８１】
このように、固定側絶縁バリア３８に真空バルブの封着金具２１を包囲する埋め込み金属３２ａと固定側接続軸１３が一体となった固定側接続軸兼埋め込み金属３９がモールドされており、固定側絶縁バリア３８の固定側接続軸側の形状が円錐状で構成され、直接Ｔ型母線１１と接続できる接続部付き絶縁バリアとして構成としたことにより、部品点数を削減でき、さらに、真空バルブ固定側からＴ型母線１１までの距離を大幅に縮小することが出来る。これにより小形で経済的なスイッチギアを提供することが出来る。
【００８２】
（第１３の実施形態）
次に、本発明の第１３の実施形態に係るスイッチギアについて説明する。
【００８３】
図１３（ａ）は、本発明の第１３の実施形態に係るスイッチギアの側面図、同図（ｂ）は同図（ａ）におけるＡ−Ａ線に沿った断面を上方からみた断面図である。
【００８４】
この実施形態は、図１３に示すように、各相の開閉機器の配置が、盤の上方からみると斜めに配置されて構成されている。なお、図１３において１６はケーブルヘッドである。
【００８５】
このように、各相の開閉機器の配置が、盤の上方からみると斜めに配置されて構成されていることにより、真空バルブ固定側からＴ型母線までの固定側接続軸は直線導体でよく、三相全てに同じ部品を適用することが出来る。また、斜めに配置することにより、同じ盤幅で相間の絶縁距離が長くなり相間耐電圧を向上することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るスイッチギアを正面からみた断面図。
【図２】（ａ）は第２の実施形態の構成を示すもので、図１におけるＡ部拡大図、（ｂ）は絶縁バリアの絶縁層厚さと最大電界強度の関係を示す特性図。
【図３】本発明の第３の実施形態に係るスイッチギアを正面からみた断面図。
【図４】本発明の第４の実施形態に係るスイッチギアを正面からみた断面図。
【図５】本発明の第５の実施形態に係るスイッチギアを正面からみた断面図。
【図６】本発明の第６の実施形態に係るスイッチギアを正面からみた断面図。
【図７】本発明の第７の実施形態に係るスイッチギアを正面からみた断面図。
【図８】本発明の第８の実施形態に係るスイッチギアを正面からみた断面図。
【図９】本発明の第９の実施形態に係るスイッチギアを正面からみた断面図。
【図１０】本発明の第１０の実施形態に係るスイッチギアを正面からみた断面図。
【図１１】本発明の第１１の実施形態に係るスイッチギアを正面からみた断面図。
【図１２】本発明の第１２の実施形態に係るスイッチギアを正面からみた断面図。
【図１３】（ａ）は、本発明の第１３の実施形態に係るスイッチギアの側面図、同図（ｂ）は同図（ａ）におけるＡ−Ａ線に沿った断面を上方からみた断面図。
【図１４】スイッチギアの従来例を正面からみた断面図。
【符号の説明】
【００８７】
１０…筐体
１１…Ｔ型母線
１１ａ…筐体内接続部
１１ｂ…弾力性絶縁物
１２…操作機構
１３…固定側接続軸
１４…真空バルブ
１５…操作ロッド
１６…ケーブルヘッド
２０（２０ａ、２０ｂ）…蓋板
２１（２１ａ、２１ｂ）…封着金具
２２…絶縁容器
２３（２３ａ、２３ｂ）…電極
２４…シールド
２５…ベローズ
２６…固定軸
２７…可動軸
３０…固定側絶縁バリア
３１…可動側絶縁バリア
３２（３２ａ、３２ｂ）…埋め込み金属
３３…マルチバンド
３４（３４ａ、３４ｂ）…絶縁バリア低誘電率部
３５（３５ａ、３５ｂ）…絶縁バリア高誘電率部
３６…ひだ
３７…弾力性絶縁物
３８…接続部付き絶縁バリア
３９…固定側接続軸兼埋め込み金属
４０…固定側三相一括絶縁バリア
４１…可動側三相一括絶縁バリア
４２（４２ａ、４２ｂ）…相間接続部
４３（４３ａ、４３ｂ）…相間バリア
５１…容器
５１ａ…遮断器室
５１ｂ…母線室
５２…隔壁
５３…遮断器
５３ａ…真空バルブ
５４（５４Ａ、５４Ｂ）…断路器
５５…母線
５６…支持碍子
５７…ケーブルヘッド
５７ａ…電力ケーブル
５８…接続導体
５９…絶縁スペーサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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