(57)【要約】      （修正有）【課題】改善された熱伝特性を備えた回路基板を提供する。【解決手段】回路基板４が、絶縁性樹脂基板と表裏に形成された銅の配線パターンからなり、回路基板の上面の発熱性半導体チップを実装する領域ににおける、コーティングされた熱伝性且つ電気絶縁性の層１と、層を熱的に回路基板の下面と接続させる熱伝素子２とを有する。前記熱伝性且つ電気絶縁性の層１はダイヤモンド状炭素を含有し、前記熱伝素子２は銅からなる忠実体である。【選択図】図１
2006049887.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板において、
回路基板（６）の上面における熱伝性且つ電気絶縁性の層（１）と、前記層（１）を熱的に前記回路基板（６）の下面と接続させる熱伝素子（２）とを有することを特徴とする、回路基板。
【請求項２】
前記層（１）は、少なくとも１０２Ωｍの固有の電気抵抗および少なくとも１０２Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有する、少なくとも１つの材料を含有する、請求項１記載の回路基板。
【請求項３】
前記層（１）はダイヤモンド状炭素を含有する、請求項１または２記載の回路基板。
【請求項４】
前記層（１）は１μｍから３μｍの厚さを有する、請求項１から３までのいずれか１項記載の回路基板。
【請求項５】
前記熱伝素子（２）は前記層（１）を直接的に前記回路基板（６）の下面に接続する、請求項１から４までのいずれか１項記載の回路基板。
【請求項６】
前記層（１）は前記熱伝素子（２）の表面の少なくとも一部のコーティングによって実施されている、請求項１から５までのいずれか１項記載の回路基板。
【請求項７】
前記熱伝素子（２）は金属を含有する、請求項１から６までのいずれか１項記載の回路基板。
【請求項８】
前記回路基板（６）は貫通部を有し、該貫通部に前記熱伝素子（２）が配置されている、請求項１から７までのいずれか１項記載の回路基板。
【請求項９】
前記回路基板（６）は材料として銅、ＦＲ４のうちの少なくとも１つを含有する、請求項１から８までのいずれか１項記載の回路基板。
【請求項１０】
前記回路基板（６）の前記下面は少なくとも部分的に、熱伝性且つ電気絶縁性の材料（７）でもってコーティングされている、請求項１から９までのいずれか１項記載の回路基板。
【請求項１１】
前記回路基板（６）の下面コーティング（７）はダイヤモンド状炭素を含有する、請求項１０記載の回路基板。
【請求項１２】
前記回路基板（６）の前記下面コーティング（７）は１μｍから３μｍの厚さを有する、請求項１０または１１記載の回路基板。
【請求項１３】
光電子式の装置において、
請求項１から１２までのいずれか１項記載の回路基板（６）と、少なくとも局所的に層と接触する光電子式のモジュール（２０）とを有することを特徴とする、光電子式の装置。
【請求項１４】
前記層（１）は、熱伝素子（２）と接触する、前記光電子式のモジュール（２０）の部分の少なくとも部分的なコーティング（２１）によって実施されている、請求項１３記載の装置。
【請求項１５】
前記層（１）と接触する、前記光電子式のモジュール（２０）の少なくとも一部が熱伝性且つ電気絶縁性の材料（２１）でもってコーティングされている、請求項１３記載の装置。
【請求項１６】
前記光電子式のモジュール（２０）のコーティング（２１）はダイヤモンド状炭素を含有する、請求項１５記載の装置。
【請求項１７】
前記光電子式のモジュール（２０）は少なくとも１ワットの消費電力を有する、請求項１３から１６までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１８】
前記光電子式のモジュール（２０）は発光ダイオード、レーザダイオードのうちのいずれかのモジュールである、請求項１３から１７までのいずれか１項記載の装置。
【請求項１９】
回路基板の製造方法において、
ａ）回路基板（６）を準備するステップと、
ｂ）前記回路基板（６）に貫通部を製造するステップと、
ｃ）前記回路基板（６）の前記貫通部に熱伝素子（２）を挿入するステップと、
ｄ）前記回路基板（６）の下面の少なくとも一部をダイヤモンド状炭素でもってコーティング（７）するステップとを有することを特徴とする、回路基板の製造方法。
【請求項２０】
光電子式のモジュールから熱を排出するための、ダイヤモンド状炭素でもってコーティングされたボディ（２，２２）の使用。
【請求項２１】
前記ボディ（２，２２）は銅から構成されている、請求項２０記載の使用。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板、光電子式の装置、回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば引用文献１に記載されている発光ダイオード装置では、発光ダイオード素子が導電性の接続基板上に固定されている。導電性の接続基板は基体を有する。基体内にはこの基体の材料に比べてより良好な熱伝性の挿入体が配置されている。
【特許文献１】ＤＥ  １０２  ３４９  ９５  Ａ１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の課題は、改善された熱伝特性を備えた回路基板を提供することである。本発明の別の課題は、その種の回路基板を有する光電子式の装置を提供することである。さらに本発明の課題は、その種の回路基板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
回路基板に関する課題は、回路基板の上面における熱伝性且つ電気絶縁性の層と、層を熱的に回路基板の下面と接続させる熱伝素子とを有することによって解決される。
【０００５】
光電子式の装置に関する課題は、請求項１から１２までのいずれか１項記載の回路基板と、少なくとも局所的に層と接触する光電子式のモジュールとを有することによって解決される。
【０００６】
回路基板の製造方法に関する課題は、回路基板を準備するステップと、回路基板に貫通部を製造するステップと、回路基板の貫通部に熱伝素子を挿入するステップと、回路基板の下面の少なくとも一部をダイヤモンド状炭素でもってコーティングするステップとを有することによって解決される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
熱伝性且つ電気絶縁性の層を有する回路基板が提供される。熱伝性且つ電気絶縁性の層は例えば回路基板の上面に設けられている。回路基板は例えば、電気絶縁性の材料を含有する基体を有する。回路基板の基体の表面の少なくとも一部には、導電性の材料を包含する構造化された導体路が被着されている。例えばこの導体路を介して、回路基板上に固定すべきモジュールは電気的に接触することができる。
【０００８】
さらに回路基板は熱伝素子を有する。熱伝素子は熱伝性且つ電気絶縁性の層を回路基板の下面と接続させる。
【０００９】
このために有利には、層と熱伝素子の表面の少なくとも一部との間には平面状の接触部が設けられている。この平面状の接触部を介して層は熱的に熱伝素子と結合され、その結果、熱は層から（有利には熱伝導でもって）熱伝素子に移動することができる。熱は熱伝素子から有利にはやはり大部分が熱伝導でもって回路基板の下面に移動する。
【００１０】
この関係において「大部分が熱伝導でもって」とは、例えば熱放射のような放熱の他のメカニズムも考えられることを意味している。しかしながらそのようなことはそれほど重要ではなく、せいぜい放熱については無視できる程度の僅かなものでしかない。
【００１１】
熱を熱伝素子から回路基板の下面に放熱することができ、またこの熱伝素子から平面状に回路基板の下面において分散させることができる。しかしながら例えば熱を、先行して回路基板の下面において分散されることなく、熱伝素子から回路基板の下面に取り付けられているヒートシンクに放熱することも可能である。
【００１２】
回路基板の１つの実施形態においては熱伝性且つ電気絶縁性の層が、少なくとも１０２Ωｍの固有の電気抵抗を有する材料を含有する。有利には層は少なくとも１０５Ωｍ、殊に有利には１０９Ωｍの固有の電気抵抗を有する。
【００１３】
さらに、材料は少なくとも１００Ｗ／ｍＫ、有利には少なくとも３００Ｗ／ｍＫ、殊に有利には少なくとも６００Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有する。
【００１４】
さらには回路基板の１つの実施形態においては、材料がモーススケールによる少なくとも２の高度によって傑出している。有利には少なくとも５の硬度、殊に有利には少なくとも８の硬度を有する。このスケールによれば純粋なダイヤモンドの硬度は１０である。
【００１５】
回路基板の別の実施例においては、熱伝性且つ電気絶縁性の層が付加的に少なくとも５００ｋｇ／ｍｍ２、有利には少なくとも１０００ｋｇ／ｍｍ２、殊に有利には少なくとも２０００ｋｇ／ｍｍ２のヴィッカースによるマイクロ硬度を有する。
【００１６】
さらには、層は有利には殊に耐熱性がある。層は少なくとも１５０℃までの空気において耐熱性があり、有利には層が少なくとも２５０℃まで、殊に有利には少なくとも３５０℃まで耐熱性がある。
【００１７】
また層は高い耐食性によって傑出することも可能である。殊に有利には、層は塩、酸およびアルカリに対して耐性がある。
【００１８】
要約すれば、層は少なくとも非常に良好に熱伝性であるか、非常に良好に電気絶縁性であるか、機械的に、例えば引っ掻き傷に対して殊に耐性がある。有利には層が前述の特性のうちの少なくとも２つの特性を有する。殊に有利には層が非常に良好に熱伝性であり、非常に良好に電気絶縁性であり、さらには機械的に非常に耐性があることによって傑出している。さらには層が有利には殊に耐熱性および耐食性がある。
【００１９】
回路基板の１つの実施形態においては、熱伝性且つ電気絶縁性の層の厚さは１μｍから３μｍである。層厚は例えば、層材料の誘電率に適合されている。有利には、回路基板上に固定されているモジュールの動作時に電気的な降伏を可能な限り阻止できるように、層の厚さは選定される。
【００２０】
さらには、層はこのためにダイヤモンド状炭素を包含することができる。ダイヤモンドライクカーボン（diamond-like carbon,DLC）としても公知であるダイヤモンド状炭素は、殊に良好な熱伝導率、高い電気抵抗および高い機械的な負荷耐性によって傑出している。ダイヤモンド状炭素の熱伝導率は７００Ｗ／ｍＫにまでなり、固有の電気抵抗は約１０１０Ωｍになり、誘電率は約８になり、ダイヤモンド状炭素のモース硬度は９になり、またダイヤモンド状炭素を含有する層のヴィッカースによる硬度は２０００ｋｇ／ｍｍ２から５０００ｋｇ／ｍｍ２になる。
【００２１】
しかしながらダイヤモンド状炭素以外に、他の材料、例えば別のダイヤモンド状の材料（ダイヤモンドライクナノコンポジット−ＤＬＮ（diamond-like nanocomposite））からなる層も考えられる。
【００２２】
回路基板の有利な実施形態においては、熱伝素子が熱伝性且つ電気絶縁性の層を直接的に回路基板の下面と接続する。すなわち、熱伝素子が層と回路基板の下面との間の熱的な接続部を表す。この接続部では例えば、層における熱伝素子に流入する熱を実質的にまっすぐに回路基板の下面まで伝達することができる。実質的にまっすぐにとは、層における熱伝素子に流入する熱の一部は例えば側方で回路基板の基体において放熱される可能性があることを意味している。しかしながら熱の大部分は熱伝素子によって直接的に回路基板上面から回路基板下面に伝達される。
【００２３】
回路基板の別の実施形態においては、熱伝的且つ電気絶縁性の層が、熱伝素子の表面の少なくとも一部のコーティングによって実施されている。例えば回路基板の上面側にある熱伝素子の表面の部分がコーティングされている。
【００２４】
熱伝素子のコーティングを例えばプラズマコーティング法、例えばＰＥＣＶＤ（プラズマＣＶＤ）によって行うことができる。このようにして製造される層は殊に、その均一な厚さおよび均質な組成によって傑出している。
【００２５】
回路基板の１つの実施形態においては熱伝素子が半導体材料または金属を含有する。有利には熱伝素子は例えば銅を含有する。殊に有利には熱伝素子は銅からなる。
【００２６】
回路基板の別の実施形態においては、回路基板は貫通部を有し、この貫通部内に熱伝素子が配置されている。貫通部は例えば回路基板を通過する孔でよい。貫通部には熱伝素子が例えば挿入されている。機械的に固定するために熱伝素子を、例えば耐熱性の接着剤を用いて回路基板の基体に接着することができる。しかしながら熱伝素子を貫通部内に固定するために、他の接着方式、例えばハンダ付けも考えられる。
【００２７】
回路基板は市販の両面がコーティングされているＦＲ４基板でよい。このことは前述の回路基板が、通常の場合大きな熱を発生するモジュールと関連して使用されるメタルコアプリント基板（ＭＣＰＣＢ−Metall Core Printed Circuit Board）に代わる殊に廉価なものであるという利点を有する。
【００２８】
別の実施形態においては、回路基板はその下面が熱伝性且つ電気絶縁性の材料でもってコーティングされている。この下面コーティングは有利には回路基板基体の下面を覆い、また熱伝素子も少なくとも部分的に覆う。有利には熱伝素子を覆う下面コーティングの領域と、回路基板の残りの下面を覆う領域との間には接続部が設けられている。このようにして、熱伝素子から放出される熱を回路基板の下面に分散させることが可能である。この場合には熱を非常に大きな面積において下面から周囲に放熱することができる。例えば回路基板をその下面を用いて熱的にヒートシンクと結合することができ、その結果熱は回路基板の下面から大きな面積においてヒートシンクに放熱される。
【００２９】
殊に有利には、下面コーティングは１μｍから３μｍの厚さである。下面コーティングの厚さをそのように薄くすることは、熱が下面において有利には平面状に分散されることに寄与する。
【００３０】
下面コーティングは例えばダイヤモンド状炭素を含有する。この場合には良好な熱伝導率および高電気抵抗以外にも、下面コーティングはさらに付加的に、高い機械的な耐性によって傑出しており、この機械的な耐性によって例えば回路基板の引っ掻き傷からの保護がもたらされる。有利には下面コーティングはプラズマコーティング法を用いて回路基板の下面に被着されている。
【００３１】
さらには光電子式の装置が提供され、この装置は上述の回路基板のうちの１つおよび光電子式のモジュールを有する。
【００３２】
有利には光電子式のモジュールは少なくとも局所的に熱伝性且つ電気絶縁性の層と接触している。このために層は例えば、熱伝素子と接触している光電子式のモジュールの部分の少なくとも部分的なコーティングによって実施されている。
【００３３】
例えば層はモジュールの面上に被着されており、この層を介して非常に多くの熱を放出することができる。この層は例えば光電子的なモジュールの熱的な接続部の露出されている面の部分領域でよい。さらには、層が光電子式のモジュールの１つまたは複数の半導体チップの表面の少なくとも一部に直接的に被着させるか、層は半導体チップの接触金属化部の少なくとも一部に被着されていることが可能である。モジュールの動作時にチップ内に発生する熱をこのようにして直接的に熱伝素子に放熱することができる。
【００３４】
層をコーティングとして熱伝素子の表面に設け、光電子式のモジュールをそのようなコーティングから解放することも可能である。この場合、光電子式のモジュールの少なくとも一部は層に載着されるか、層に固定されている。モジュールを例えば耐熱性の接着剤またはハンダを用いて層に固定することができる。チップの熱的な接続部を少なくとも部分的に層に載着させることも可能である。しかしながら、半導体チップの少なくとも一部を層に直接的に載着させることも可能である。
【００３５】
さらに光電子式の装置の別の実施形態においては、層と接触している光電子式のモジュールの少なくとも一部が少なくとも部分的に熱伝性且つ電気絶縁性の材料でもってコーティングされていることも可能である。有利にはモジュールのコーティングと層が相互に熱的に接触している。例えば層を、モジュールのコーティングと対向している熱伝素子の表面をコーティングすることによって実施することができる。有利には、光電子式のモジュールのコーティングはダイヤモンド状炭素を含有する。殊に有利には、熱伝素子における層も光電子式のモジュールの層もダイヤモンド状炭素を含有する。殊に有利には２つの層がダイヤモンド状炭素からなる。
【００３６】
光電子式の装置の別の実施形態においては、モジュールは少なくとも１Ｗの消費電力を有する。通常の場合そのようなモジュールは動作時に高い熱出力を発生させる。したがって熱を殊に迅速且つ効果的にモジュールから放熱するための措置を講じる必要がある。上記の回路基板は通常使用される金属コア基板に代わる殊に廉価なものである。
【００３７】
さらに回路基板を製造するための方法が提供される。このために先ず回路基板が準備される。回路基板は市販のプリント回路基板（Printed Circuit Board−ＰＣＢ）、例えば両面が銅でコーティングされているＦＲ４基板でよい。
【００３８】
後続の方法ステップでは回路基板に貫通部が製造される。貫通部は例えば回路基板の穿孔または打ち抜きによって製造することができる。
【００３９】
この方法ステップに続いて、熱伝素子が貫通部に挿入される。有利には、熱伝素子は回路基板の貫通部内に固定される。このことは例えば熱伝素子を耐熱性の接着剤でもって接着するかハンダ付けすることによって行うことができる。熱伝素子は例えば銅小片または銅リベットである。有利には銅小片は少なくとも、回路基板の上面に向けられた表面が熱伝性且つ電気絶縁性の材料でもってコーティングされている。殊に有利にはこの層はダイヤモンド状炭素を含有する。
【００４０】
さらなる方法ステップにおいては回路基板の下面をダイヤモンド状炭素でもってコーティングすることができる。有利にはこの層は熱伝素子を覆い、また回路基板の下面の残りの表面も少なくとも部分的に覆う。このようにして熱伝素子を殊に良好に導電的に、回路基板の下面に結合することができる。
【００４１】
さらには、ダイヤモンド状炭素でコーティングされているボディが、光電子式のモジュールから熱を放出するために使用されることが提案される。ボディは例えば熱伝素子でよい。熱伝素子は有利には熱を良好に伝達する材料を含有し、また少なくとも表面がダイヤモンド状炭素でもってコーティングされている。しかしながらボディは局所的にダイヤモンド状炭素でもってコーティングされている光電子式のモジュールでもよい。この場合有利にはモジュールは、非常に多くの熱を周囲に放熱することができる面がコーティングされている。つまり例えば、モジュールの熱的な接続部をダイヤモンド状炭素でもってコーティングすることができる。しかしながら、半導体チップ、チップ支台またはチップのコンタクト金属化部をダイヤモンド状炭素でもってコーティングすることも可能である。
【００４２】
以下では、前述の回路基板を実施例および付属の図面に基づき詳細に説明する。
【実施例】
【００４３】
実施例および図面において同一の構成要素および同じ作用を有する構成要素にはそれぞれ同一の参照番号が付されている。図示されている構成要素ならびに構成要素の相互の大きさの比率は縮尺通りに示していない。むしろ、図面の幾つかの細部はより良い理解のために誇張して大きく示している。
【００４４】
図１は本願発明による回路基板の第１の実施例の断面図を示す。回路基板６は例えばＦＲ４からなる基体４を有する。例えば回路基板６は両面が銅でコーティングされているＦＲ４基板によって実施されている。しかしながらＦＲ２、ＦＲ３、ＣＥＭ１、ＣＥＭ２、テフロン、アルマイド（Armaid）または他の材料のような他のボード材料もボードの基体として考えられる。
【００４５】
基体は有利には１．４ｍｍから２．４ｍｍの厚さを有する。基体４には電気的な接続部３ａ，３ｂが被着されており、この接続部はモジュールを接続するため、またモジュールと電気的に接触するために使用される。有利には接続部３ａ，３ｂは銅を含有する。回路基板基体４の下面には銅層５を被着することができる。
【００４６】
さらに回路基板６は貫通部、例えば孔を有し、この貫通部には熱伝素子２が挿入されている。基体４に機械的に固定するために、熱伝素子２は例えば耐熱的に接着されているか、ハンダ付けされている。熱伝素子２の直径は有利にはほぼ孔の直径に相当する。有利には直径を回路基板６に実装すべきモジュール２０（図３を参照されたい）の熱的な接続部２２の面に適合させることができる。熱伝素子２の直径は例えば３ｍｍ〜５ｍｍである。
【００４７】
有利には熱伝素子２は銅小片によって実施されている。熱伝素子２は有利には銅からなる中実体である。しかしながら択一的には、熱伝素子が適切に熱を伝達する別の材料から構成されることも可能である。
【００４８】
本発明の実施例においては、熱伝素子２には熱伝性且つ電気絶縁性の層１が被着されている。層１はダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ）からなり、プラズマコーティング法を用いて被着されている。層１の厚さは有利には約２μｍである。この層１は約１０１０Ωｍの固有の電気抵抗および５００Ｗ／ｍＫ〜７００Ｗ／ｍＫの熱伝導率を有する。層はこの層１と接続されている光電子式のモジュール２０と熱伝素子２の熱的な結合を著しく改善する。層１と熱伝素子２との間には安定した機械的な結合が存在する。この層を用いることにより、銅からなる熱伝素子の使用時には光電子式のモジュール２０の熱的な接続部２２からボード下面までの区間にわたる熱抵抗を約０．１Ｋ／Ｗに低減することができる。これは熱伝性且つ電気絶縁性の層１が設けられていない場合の熱抵抗の約１／１０である。この場合熱伝素子２のみが依然として重要なことに、装置の熱抵抗に寄与する。
【００４９】
図２は本願発明による回路基板の別の実施例を示す。この実施例においては、回路基板６の下面に下面コーティング７が被着されている。下面コーティング７は有利にはダイヤモンド状炭素からなる。その厚さは有利には１μｍ〜３μｍである。有利には下面コーティング７は回路基板６の下面を可能な限り完全に覆う。これによって有利には、下面コーティング７は熱伝素子２の下面も完全に覆う。一方では、下面コーティング７は熱伝素子２を通り移動する熱を回路基板６の下面において平面状に分散させることに使用される。他方では、下面コーティング７は回路基板とヒートシンクとの間の熱的な結合を改善する。このヒートシンクには回路基板６を例えば、この回路基板６の下面を用いて被着することができる。ここでは下面コーティング７が図２に示されているように銅層５も可能な限り完全に覆っている。
【００５０】
さらには、熱伝素子２のみがその下面に下面コーティング７を有し、回路基板６の残りの下面はコーティングされていないことも可能である。このようにして、熱が先行して平面状に回路基板下面７において分散されることなく、熱を熱伝素子２から直接的にヒートシンクに放熱することができる。
【００５１】
図３は、本願発明による光電子式の装置の実施例を示す。ここでは例示的に、発光ダイオード２０を備えた光電子式の装置が示されている。発光ダイオードの電気的な接続部２３ａ，２３ｂは回路基板６の接続部３ａ，３ｂにハンダ付けされている。発光ダイオードの熱的な接続部２２は熱伝性且つ電気絶縁性の層１にハンダ付けされているか、耐熱的に接着されている。択一的に層１は発光ダイオードの熱的な接続部２２のコーティングによって形成されている。この場合には層１が熱伝素子２に例えば接着されているか、ハンダ付けされている。さらには、発光ダイオード２０も熱的な接続部２２に熱伝性且つ電気絶縁性の層１を有することができ、熱伝素子２も熱伝性且つ電気絶縁性の層１を有することも可能である。
【００５２】
有利には、発光ダイオード２０は少なくとも１Ｗの消費電力を有する高出力発光ダイオードである。ここでは発光ダイオード２０は例えば白色を放出することに適したものでよい。
【００５３】
図４は前述の発光ダイオード２０のケーシングの断面図を斜視的に表したものである。ケーシングは例えば基体２６を有し、この基体２６をプラスチック成形体から構成することができ、また例えば射出成形法またはトランスファー成形法によって製造することができる。成形体は例えばエポキシ樹脂またはアクリル樹脂をベースとするプラスチック材料を含有する。基体２６には熱的な接続部２２ならびに電気的な接続部２３ａ，２３ｂが埋め込まれている。熱的な接続部２２にはチップ実装領域２５が設けられており、このチップ実装領域２５に発光ダイオードチップを実装することができる。
【００５４】
発光ダイオードは例えば薄膜構造の発光ダイオードチップでよく、この発光ダイオードチップにおいては成長基板が除去されており、また熱を殊に良好に伝達する支台を介して、チップの動作時に発生する熱が熱的な接続部２２に放熱される。薄膜発光ダイオードチップは殊に以下の特徴によって優れたものである：
−ビーム生成エピタキシャル層列において支台素子に向けられている第１の主面には、エピタキシャル層列内で生成される電磁ビームの少なくとも一部をこれに後方反射させる反射性の層が被着されているか、構成されている。
−エピタキシャル層列は２０μｍ以下、殊に１０μｍの範囲の厚さを有する。
−エピタキシャル層列は、理想的にはエピタキシャル層列において光をほぼエルゴード的に分散させる混合構造を有する少なくとも１つの面を備えた少なくとも１つの半導体層を包含する。すなわち、このエピタキシャル層列は可能な限りエルゴード的で確率的な分散特性を有する。
【００５５】
薄膜発光ダイオードチップの基本原理は例えば、I. SchnitzerらのAppl. Phys. Lett. 63(16), 18. １９９３年１０月、第２１７４頁から第２１７６頁に記載されており、その限りにおいてこの刊行物の開示内容は参照により本明細書に取り入れられる。
【００５６】
薄膜発光ダイオードチップはランベルトの表面放射器に非常に類似するものであり、したがって殊に良好にヘッドライトの使用に適している。
【００５７】
熱的な接続部２２は例えば電気的な接続部２３ｂと電気的に接触している。有利には熱的な接続部２２は良好に電気および熱を伝達する材料、例えば銅を含有する。有利には接続部２２は銅からなる。
【００５８】
熱的な接続部２２の下面をダイヤモンド状炭素からなる層２１でもってコーティングすることができる。このために熱的な接続部２２の下面は有利には、基体２６の下面２４よりも僅かに突出している。層２１はダイヤモンド状炭素を有する付加的なコーティングでも層１でもよい。その高い抵抗に基づき層２１はその非常に良好な熱伝導特性の他に発光ダイオードを電気的に減結合するためにも寄与する。
【００５９】
本明細書はドイツ連邦共和国特許明細書１０２００４０３６９６０．７−３４の優先権を主張し、したがってその開示内容は参照により本願明細書に取り入れられる。
【００６０】
本発明は実施例に基づく説明に制限されているものではない。むしろ本発明は新たなそれぞれの特徴ならびにそれらの特徴のそれぞれの組み合わせ、殊に請求項に記載されている特徴のそれぞれの組み合わせを包含するものであり、それはたとえこの特徴またはこれらの組み合わせ自体が明示的に請求項または実施例に示されていない場合であっても包含得するものである。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本願発明による回路基板の第１の実施例の概略的な断面図。
【図２】本願発明による回路基板の第２緒実施例の概略的な断面図。
【図３】本願発明による光電子式の装置の実施例。
【図４】光電子式の装置において使用される発光ダイオードのケーシングの実施例の断面図の斜視図。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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