(57)【要約】 【課題】  寿命を向上させた表示装置、その製造方法、及び表示装置の製造装置が開示されている。【解決手段】  表示装置は、表示素子１５０が形成された第１基板１００、表示素子１５０と向かい合うように配置された第２基板２００、及び表示素子を劣化させる劣化物質と表示素子１５０の接触を遮断するために、第１及び第２基板１００，２００の間に配置された遮断部材３００を含む。遮断部材３００は、劣化物質の浸透を抑制する有機物又は無機物で構成してもよく、第１及び第２基板１００，２００の間に空いている空間が形成されないようにすることによって、表示装置の嵩及び重量をより減少させることができ、第２基板２００の反りを防止する長所を有する。【選択図】    図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示素子が形成された第１基板と、
前記表示素子と向かい合うように配置された第２基板と、
前記第１及び第２基板の間に配置された遮断部材と、を含み、前記遮断部材は、第１遮断部材及び第２遮断部材を含む表示装置。
【請求項２】
前記表示素子は、第１電極、前記第１電極と向かい合う第２電極、及び前記第１電極及び第２電極の間に介在された発光層を含む少なくとも１個の有機電界発光素子を含むことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記第２基板は、ガラス基板であることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項４】
前記第２基板は、０．１〜１０ｍｍの厚さを有することを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項５】
前記第２基板は、１〜１０ｍｍの厚さを有することを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１遮断部材又は第２遮断部材は、光硬化性物質又は熱硬化性物質のうち、少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１遮断部材又は第２遮断部材は、吸湿剤を含むことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項８】
前記遮断部材及び前記表示素子の間には、保護層が配置されることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項９】
前記保護層は、有機物を含む有機層であることを特徴とする請求項８記載の表示装置。
【請求項１０】
前記保護層は、無機物を含む無機層であることを特徴とする請求項８記載の表示装置。
【請求項１１】
前記保護層は、有機層及び無機層が交互に形成されることを特徴とする請求項８記載の表示装置。
【請求項１２】
前記保護層は、吸湿物質を更に含むことを特徴とする請求項８記載の表示装置。
【請求項１３】
前記保護層は、カルシウム、バリウム、酸化カルシウム、酸化バリウムからなる群から選択されたいずれか一つ以上を含むことを特徴とする請求項８記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第２基板には、前記遮断部材のうち、前記第１基板及び第２基板の間に流れ出す遮断部材を収納するトレンチ形状の収納溝が形成されていることを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項１５】
第１基板に第１遮断層を形成する段階と、
前記第１遮断層を硬化させる段階と、
第２基板に第２遮断層を形成する段階と、
前記第１遮断層が形成された第１基板及び前記第２遮断層が形成された第２基板をアセンブリする段階と、
前記第１遮断層及び前記第２基板の間の前記第２遮断層を硬化させて、前記第１及び第２基板の間に遮断部材を形成する段階と、を含む表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第１遮断層を硬化させる段階は、前記第１遮断層を半硬化又は完全硬化させることを特徴とする請求項１５記載の表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第１遮断層の上面に保護層を形成する段階を更に含むことを特徴とする請求項１５記載の表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記第２遮断層は、熱及び／又は光によって硬化されることを特徴とする請求項１５記載の表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記第２遮断層は、大気圧より低い圧力下で硬化されることを特徴とする請求項１５記載の表示装置の製造方法。
【請求項２０】
第１基板に第１遮断層を形成する段階と、
前記第１遮断層を硬化させる段階と、
前記硬化された第１遮断層上に第２遮断層を形成する段階と、
第１圧力を有するチャンバー内部で前記第１遮断層及び前記第２遮断層が形成された第１基板と第２基板をアセンブリする段階と、
アセンブリされた前記第１及び第２基板の第１及び第２遮断層を前記第１圧力より高い第２圧力環境下で硬化させる段階と、を含む表示装置の製造方法。
【請求項２１】
前記第１遮断層は有機物を含み、前記第２遮断層は無機物を含むことを特徴とする請求項２０記載の表示装置の製造方法。
【請求項２２】
前記第１及び第２遮断層は、有機物を含むことを特徴とする請求項２０記載の表示装置の製造方法。
【請求項２３】
前記第１及び第２遮断層は、無機物を含むことを特徴とする請求項２０記載の表示装置の製造方法。
【請求項２４】
前記第１圧力は、大気圧以下であることを特徴とする請求項２０記載の表示装置の製造方法。
【請求項２５】
前記第１圧力は、大気圧より大きいことを特徴とする請求項２０記載の表示装置の製造方法。
【請求項２６】
前記第１基板上に表示素子が形成されることを特徴とする請求項２０記載の表示装置の製造方法。
【請求項２７】
前記第２基板上に表示素子が形成されることを特徴とする請求項２０記載の表示装置の製造方法。
【請求項２８】
前記表示素子は、第１電極、前記第１電極と向かい合う第２電極、及び前記第１電極及び第２電極の間に介在された発光層を含む発光素子であることを特徴とする請求項２６又は２７記載の表示装置の製造方法。
【請求項２９】
第１基板に第１遮断層を形成する段階と、
第２基板に第２遮断層を形成する段階と、
前記第２遮断層を硬化させる段階と、
第１圧力を有するチャンバー内部で前記第１基板及び硬化された第２遮断層を有する第２基板をアセンブリする段階と、
アセンブリされた前記第１及び第２基板の第１及び第２遮断層を前記第１圧力より高い第２圧力環境下で硬化させる段階と、を含む表示装置の製造方法。
【請求項３０】
前記第１遮断層は有機物を含み、前記第２遮断層は無機物を含むことを特徴とする請求項２９記載の表示装置の製造方法。
【請求項３１】
前記第１及び第２遮断層は、有機物を含むことを特徴とする請求項２９記載の表示装置の製造方法。
【請求項３２】
前記第１及び第２遮断層は、無機物を含むことを特徴とする請求項２９記載の表示装置の製造方法。
【請求項３３】
前記第１圧力は、大気圧以下であることを特徴とする請求項２９記載の表示装置の製造方法。
【請求項３４】
前記第１圧力は、大気圧より大きいことを特徴とする請求項２９記載の表示装置の製造方法。
【請求項３５】
前記第１基板上に表示素子が形成されることを特徴とする請求項２９記載の表示装置の製造方法。
【請求項３６】
前記第２基板上に表示素子が形成されることを特徴とする請求項２９記載の表示装置の製造方法。
【請求項３７】
前記表示素子は、第１電極、前記第１電極と向かい合う第２電極、及び前記第１電極及び第２電極の間に介在された発光層を含む発光素子であることを特徴とする請求項３５又は３６記載の表示装置の製造方法。
【請求項３８】
圧力調節装置を含むチャンバーと、
前記チャンバー内部に配置された第１基板を支持する支持ユニットと、
前記第１基板と向かい合う第２基板を把持するグリッパーと、
前記支持ユニット及び前記グリッパーのうち、少なくとも１個を上下動させて、前記第１基板上に前記第２基板を配置する移送ユニットと、
前記第１基板及び第２基板に光を提供する光学ユニットと、を含む表示装置の製造装置。
【請求項３９】
前記支持ユニットは、前記第１基板を昇降させるためのリフトピンを有するリフトアセンブリを更に含むことを特徴とする請求項３８記載の表示装置の製造装置。
【請求項４０】
前記移送ユニットは、前記支持ユニットに設置された上下動ユニットを含むことを特徴とする請求項３８記載の表示装置の製造装置。
【請求項４１】
前記移送ユニットは、前記グリッパーに設置された上下動ユニットを含むことを特徴とする請求項３８記載の表示装置の製造装置。
【請求項４２】
前記移送ユニットは、前記支持ユニットに設置された第１上下動ユニット及び前記グリッパーに設置された第２上下動ユニットを含むことを特徴とする請求項３８記載の表示装置の製造装置。
【請求項４３】
前記光学ユニットは、前記第１及び第２基板に向かう紫外線を発生する光源を含むことを特徴とする請求項３８記載の表示装置の製造装置。
【請求項４４】
前記支持ユニットは、前記第１基板を加熱するヒーターを更に含むことを特徴とする請求項３８記載の表示装置の製造装置。
【請求項４５】
前記チャンバーは、前記支持ユニットの上部で前記第１基板を支持するロボットアームユニットを更に含むことを特徴とする請求項３８記載の表示装置の製造装置。
【請求項４６】
前記圧力調節装置は、前記チャンバー内の圧力を調節するためのポンプであることを特徴とする請求項３８記載の表示装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置、その製造方法、及びその製造装置に係り、より詳細には、寿命を向上させた表示装置、その製造方法、及びその製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、表示装置は、情報処理装置で処理された画像データを画像に変更させる。
【０００３】
表示装置としては、陰極線管方式表示装置（ＣＲＴ）、液晶表示装置（ＬＣＤ）、及びエレクトロルミネッセンス（ＥＬ）、有機電界発光装置（有機ＥＬ）等が代表的である。
【０００４】
このうち、有機電界発光装置は、嵩及び重量が非常に小さいので、最近、多様な情報処理装置に広く適用されている。
【０００５】
反面、有機電界発光装置は、光を発生するために有機膜を含み、有機膜が水分又は酸素と直接接触する場合、有機膜が損傷を受け、有機電界発光装置の寿命は大きく減少する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従って、本発明は、このような従来の問題点を勘案したものであって、本発明の第１目的は、寿命を大幅に向上させた表示装置を提供することにある。
【０００７】
また、本発明の第２目的は、前記表示装置の製造方法を提供することにある。
【０００８】
また、本発明の第３目的は、前記表示装置を製造する製造装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１目的を具現するために、本発明は、表示素子が形成された第１基板、表示素子と向かい合うように配置された第２基板、及び第１及び第２基板の間に配置された遮断部材を含み、遮断部材は、第１遮断部材及び第２遮断部材を含む。
【００１０】
本発明の第２目的を具現するために、本発明による表示装置の製造方法は、第１基板に第１遮断層を形成する段階、第１遮断層を硬化させる段階、第２基板に第２遮断層を形成する段階、第１遮断層が形成された第１基板及び第２遮断層が形成された第２基板をアセンブリする段階、第１遮断層及び第２基板の間の第２遮断層を硬化させて、第１及び第２基板の間に遮断部材を形成する段階を含む。
【００１１】
また、本発明の第２目的を具現するために、本発明による表示装置の製造方法は、第１基板に第１遮断層を形成する段階、第１遮断層を硬化させる段階、硬化された第１遮断層上に第２遮断層を形成する段階、第１圧力を有するチャンバー内部で第１遮断層及び第２遮断層が形成された第１基板と第２基板をアセンブリする段階、及びアセンブリされた第１及び第２基板の第１及び第２遮断層を第１圧力より高い第２圧力環境下で硬化させる段階を含む。
【００１２】
また、本発明の第２目的を具現するために、本発明による表示装置の製造方法は、第１基板に第１遮断層を形成する段階、第２基板に第２遮断層を形成する段階、第２遮断層を硬化させる段階、第１圧力を有するチャンバー内部で前記第１基板及び硬化された第２遮断層を有する第２基板をアセンブリする段階、及びアセンブリされた第１及び第２基板の第１及び第２遮断層を前記第１圧力より高い第２圧力環境下で硬化させる段階を含む。
【００１３】
また、本発明の第３目的を具現するために、本発明による表示装置の製造装置は、圧力調節装置を含むチャンバー、チャンバー内部に配置された第１基板を支持する支持ユニット、第１基板と向かい合う第２基板を把持するグリッパー、支持ユニット及びグリッパーのうち、少なくとも１個を上下動させて、第１基板上に第２基板を配置する移送ユニット、及び第１基板及び第２基板に光を提供する光学ユニットを含む。
【００１４】
本発明によると、酸素及び／又は水分によって寿命が減少する表示素子に酸素及び／又は水分が接触することを防止して、表示装置の寿命を大幅に増加させる効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
図１は、本発明の一実施例による表示装置の斜視図である。図２は、図１のＩ−Ｉ’に沿って切断した断面図である。
【００１６】
図１及び図２を参照すると、表示装置４００は、第１基板１００、第２基板２００、及び遮断部材３００を含む。
【００１７】
好ましくは、第１基板１００は、透明な基板を含む。例えば、第１基板１００はガラス基板である。一実施例で、第１基板１００は直六面体プレート形状を有するものでもよい。
【００１８】
図２を参照すると、第１基板１００は、画像を表示するための表示素子１５０を含む。本実施例において、表示素子１５０は、例えば、第１基板１００上に形成された有機電界発光素子である。
【００１９】
第２基板２００は、表示素子１５０と向かい合うように第１基板１００上に配置される。本実施例において、第２基板２００は、表示素子１５０に対して、表示素子１５０を損傷させる水分及び／又は酸素が直接接触することを防止する。表示素子１５０は、水分及び／又は酸素によって電気的特性及び化学的特性が劣化し、表示素子１５０の寿命は短縮される。
【００２０】
本実施例において、第２基板２００は第１基板１００と同様なものでよい。または、第２基板２００は、ソーダライムガラス基板でもよい。また、第２基板２００として、ボロシリケートガラス基板、シリケートガラス基板、及び鉛ガラス基板等を使用することができる。
【００２１】
第２基板２００の厚さは、水分及び酸素のような劣化物質が第２基板２００を通じて表示素子１５０に浸透することを抑制するために、例えば、０．１ｍｍ〜１０ｍｍの厚さを有し得る。好ましくは、第２基板２００は、１ｍｍ〜１０ｍｍの厚さを有するものでよい。第２基板２００の厚さは、水分及び／又は酸素と表示素子１５０の間の相互化学反応防止、第２基板２００の耐衝撃性、表示装置４００全体の重量を考慮して、前記範囲が好ましい。表示素子１５０が第１基板１００及び第２基板２００の間に配置される場合、水分及び／又は酸素は、第１及び第２基板１００、２００の間に形成された空間を通じて表示素子１５０と接触する。
【００２２】
前記空間を通じて前記水分及び／又は酸素が前記表示素子１５０と接触することを防止するために、表示素子１５０を遮断部材３００によって密封する。同時に、遮断部材３００は、第１基板１００及び第２基板２００を相互結合する役割を果たす。
【００２３】
本実施例において、第１基板１００及び第２基板２００の間に配置された遮断部材３００は、例えば、有機物である。遮断部材３００に含まれた有機物は、表示素子１５０を損傷させる水分及び／又は酸素と結合し、水分及び／又は酸素が表示素子１５０と接触することを防止する。この結果、表示素子１５０の寿命は大幅に向上する。
【００２４】
本実施例において、遮断部材３００は、熱によって硬化される熱硬化性物質を含み得る。または、遮断部材３００は、光、例えば、紫外線等によって硬化される光硬化性物質を含み得る。これとは別に、遮断部材３００は、熱及び／又は光によって硬化される物質を含むことができる。水分及び／又は酸素が表示素子１５０と接触することを防止して、表示素子１５０の寿命を向上させるために、遮断部材３００は、水分及び／又は酸素に対して化学反応する、例えば、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、又は酸化バリウム（ＢａＯ）等を更に含むことができる。これら以外にも、遮断部材３００は、水分及び／又は酸素と化学反応する任意の物質を含んでいても良い。
【００２５】
また、第１及び第２基板２００の間に配置された遮断部材３００は、第１基板１００及び／又は第２基板２００の垂れを防止することができる。以下、本発明による表示装置の多様な実施例を添付図面を参照して、詳細に説明する。
【００２６】
図３は、図２に図示された表示装置のＡ部分を拡大した拡大図である。図３に図示された表示装置は、表示素子を除くと、図２に図示された表示装置と同じ構成を有する。従って、同じ構成要素についての重複説明は省略して、同じ構成要素には同じ名称及び参照符号を付与する。
【００２７】
図３を参照すると、表示素子１５０は、複数個の有機発光素子１５４を含む。各有機発光素子１５４は、第１電極１５１、第２電極１５２、及び発光層１５３を含む。
【００２８】
第１電極１５１は、例えば、第１基板１００上に配置され、第２電極１５２は、第１電極１５１と対向配置され、発光層１５３は、第１電極１５１及び第２電極１５２の間に介在される。本実施例において、第１電極１５１は透明で導電性である酸化スズインジウム薄膜（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム薄膜（ＩＺＯ）、又はアモルファス酸化スズインジウム薄膜（α−ＩＴＯ）等を含む。第１電極１５１の上面又は底面には、反射膜（図示せず）が形成されていてもよい。反射膜は、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｌ、Ａｇ等のように、反射性を有する金属を含む。表示装置の解像度が１０２４×７６８である場合、第１基板１００上には、約１０２４×７６８×３個の第１電極１５１がマトリックス形態にて配置される。
【００２９】
好ましくは、第２電極１５２は、カルシウム、バリウム、マグネシウム、銀、銅、アルミニウム、又はこれらの合金等のような金属薄膜を含む。第２電極１５２の上面には、キャッピング膜（図示せず）が形成されていてもよい。前記保護膜としては、透明な酸化スズインジウム（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）、又はアモルファス酸化スズインジウム（α−ＩＴＯ）等を挙げることができる。
【００３０】
第２電極１５２を通じて供給された電子が、第１電極１５１を通じて供給された正孔と前記発光層１５３内で結合する場合、前記発光層１５３内で励起状態の分子が生成される。前記励起状態の分子は、基底状態の分子に変換されながら、前記第２基板２００に向かって光を発生する。必要に応じて、第１電極１５１と第２電極１５２との間には、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等のうち、少なくとも一つが更に形成されてもよい。
【００３１】
図４は、図２に図示された表示装置の表示素子の一部を拡大した拡大図である。本発明による表示装置は、表示素子を除くと、図２に図示された表示装置と同じ構成を有する。従って、同じ構成要素についての重複説明は省略して、同じ構成要素には同じ名称及び参照符号を付与する。
【００３２】
図４を参照すると、表示素子１５０は、少なくとも１個の有機電界発光素子１５４を含む。各有機電界発光素子１５４は、第１電極１５１、第２電極１５２、及び発光層１５３を含む。
【００３３】
例えば、第２電極１５２は、第１基板１００上に配置され、発光層１５３は、第２電極１５２の上面に配置され、第１電極１５１は、発光層１５３の上面に配置される。
【００３４】
本実施例において、第１基板１００上に形成された第２電極１５２は、好ましくは、透明で導電性である酸化スズインジウム（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）、又はアモルファス酸化スズインジウム（α−ＩＴＯ）を含む。好ましくは、解像度が１０２４×７６８である表示装置の場合、第２電極１５２は、１０２４×７６８×３個が第１基板１００上にマトリックス形態にて配置される。
【００３５】
第１電極１５１は、金属物質、例えば、カルシウム、バリウム、マグネシウム、銀、銅、アルミニウム、又はこれらの合金からなる。
【００３６】
第２電極１５２を通じて供給された正孔が、第１電極１５１を通じて供給された電子と前記発光層１５３内で結合する場合、発光層１５３内で励起状態の分子が生成される。励起状態の分子は、基底状態の分子に変換されながら、前記第１基板２００に向かって光を発生する。
【００３７】
必要に応じて、第１電極１５１と第２電極１５２との間には、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等のうち、少なくとも一つが更に形成されてもよい。
【００３８】
図５は、本発明の第３実施例による表示装置の断面図である。本発明の第３実施例による表示装置は、保護層を除くと、図１に図示された表示装置と同じである。従って、同じ構成要素についての重複説明は省略して、同じ構成要素には同じ名称及び参照符号を付与する。
【００３９】
図５を参照すると、第１基板１００上には、表示素子１５０が形成され、表示素子１５０の上面には、第１遮断部材３００ａが配置される。第１遮断部材３００ａは、表示素子１５０をカバーして、水分及び／又は酸素が表示素子１５０と接触することを防止する。
【００４０】
第１遮断部材３００ａの上面には、保護層３１０を形成してもよい。保護層３１０は、有機物からなる有機層、無機物からなる無機層、有機物と無機物の両者を含む複合膜であり得る。また、保護層３１０は吸湿剤を含む吸湿層を更に含むものでもよい。
【００４１】
本実施例において、保護層３１０が有機物を含む場合、保護層３１０はポリアセチレン薄膜、又はポリイミド薄膜であり得る。
【００４２】
一方、保護層３１０が無機物を含む場合、保護層３１０は、ＳｉＯ膜、ＳｉＮ膜、ＳｉＯＮ膜、ＭｇＯ膜、ＡｌＯ膜、ＡｌＮ膜、又はＴｉＯ膜であり得る。
【００４３】
保護層３１０の上面には、第２遮断部材３００ｂが形成される。第２遮断部材３００ｂは、保護層３１０及び第１遮断部材３００ａをカバーして、水分及び／又は酸素が表示素子１５０と接触することを防止する。
【００４４】
図６は、図５に図示された保護層をより具体的に示す断面図である。
【００４５】
図６を参照すると、酸素及び／又は水分が表示素子１５０を接触することを防止するために、保護層３１０は、第１遮断部材３００ａと接触する有機層３１２、及び第２遮断部材３００ｂと接触する無機層３１５で構成されていてもよい。本実施例において、有機層３１２には無機層３１５が接触する。
【００４６】
これと異なり、保護層３１０は、第１遮断部材３００ａと接触する無機層、及び第２遮断部材３００ｂと接触する有機層で構成されていてもよい。
【００４７】
これと異なり、少なくとも一つの有機層及び少なくとも一つの無機層は、第１及び第２遮断部材３００ａ、３００ｂの間で交互に配置されていてもよい。あるいは、交互に配置された有機層及び無機層の間に、吸湿剤を含む吸湿層を更に含むものでもよい。吸湿剤は、例えば、カルシウム、バリウム、酸化カルシウム、及び酸化バリウムを含む。これと異なり、保護層３１０は、有機物及び無機物を含む複合膜であり得る。
【００４８】
図７は、本発明の第４実施例による表示装置の平面図である。図８は、図７のＩＩ−ＩＩ’に沿って切断した断面図である。本発明の第４実施例による表示装置は、第２基板に形成された収納溝を除くと、図１に図示された表示装置と同じである。従って、同じ構成要素についての重複説明は省略して、同じ構成要素には同じ名称及び参照符号を付与する。
【００４９】
図７及び図８を参照すると、第１基板１００は、直六面体プレート形状を有し、第１基板１００は、第１平面積を有する。第２基板２００は、第１基板１００と同様な直六面体プレート形状を有し、第２基板２００は、第１平面積とほぼ同じ第２平面積を有する。
【００５０】
第２基板２００の上面の周辺部には、周辺部に沿って収納溝２６０が形成される。収納溝２６０は、第１及び第２基板１００、２００の間から流れ出す遮断部材３００が第１基板１００に形成された駆動回路部（図示せず）を汚染することを防止する。
【００５１】
これと異なり、収納溝２６０は、第１基板２００の周辺部上に断続的に形成されても良い。
【００５２】
図９は、本発明の第５実施例による表示装置の第１基板を示す断面図である。
【００５３】
図９を参照すると、表示装置を製造するために、第１基板１００には、表示素子１５０が形成される。第１基板１００は、透明な基板、例えば、ガラス基板を含み、第１基板１００は平面上で見た時、直六面体プレート形状を有する。
【００５４】
第１基板１００上には、表示素子１５０が形成される。表示素子１５０を製造するために、第１基板１００上には、第１導電性物質からなる第１電極が形成される。第１電極の上面には、有機物からなる発光層が形成され、発光層の上面には、第２導電性物質を含む第２電極が形成される。第１導電性物質は、透明な導電性物質、例えば、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）、酸化スズインジウム（ＩＴＯ）、又はアモルファス酸化スズインジウム（α−ＩＴＯ）であり得、第２導電性物質は、不透明な導電性物質、例えば、金属であり得る。これと異なり、第１導電性物質は、不透明な導電性物質、例えば、金属を含み、第２導電性物質は透明な導電性物質、例えば、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）、酸化スズインジウム（ＩＴＯ）、又はアモルファス酸化スズインジウム（α−ＩＴＯ）を含むことができる。
【００５５】
その後、第１基板１００の上面には、第１基板１００の上面に形成された表示素子１５０をカバーするように第１遮断層３０１が形成される。第１遮断層３０１を形成するために、第１基板１００の上面に形成された表示素子１５０の上面には、水分及び／又は酸素が表示素子１５０と接触することを遮断するための第１遮断物質を塗布する。
【００５６】
この際、第１遮断物質は有機物又は無機物を含む。第１遮断物質は、熱硬化性物質又は光硬化性物質であり得る。この際、遮断物質は、スクリーン印刷、ロール印刷、スリットコーティング、滴下工程等によって、表示素子１５０の上面に塗布される。第１遮断層３０１は、熱及び／又は光によって硬化される。硬化時には、完全硬化されても、あるいは半硬化されてもよい。第１遮断層３０１は、第１基板１００が第２基板２００と接合しない状態で硬化されるので、硬化時に発生する気体等を空気中に放出することができる。従って、硬化時に発生する気体によって表示素子１５０が劣化されることを防止することができる。
【００５７】
図１０は、図９に図示された第１基板にアセンブリされる第２基板を示す断面図である。
【００５８】
図１０を参照すると、第１基板１００と同様な形状を有する第２基板２００には、第２遮断層３０２が薄膜形態で形成されている。本実施例において、第２遮断層３０２は、例えば、第１遮断層３０１と同様に劣化物質を遮断する遮断物質で構成される。
【００５９】
図１１は、アセンブリされた第１基板１００及び第２基板２００を示す断面図である。図１１を参照すると、第１基板１００に形成された第１遮断層３０１は、第２基板２００に形成された薄膜形態の第２遮断層３０２によってカバーされている。
【００６０】
その後、第２遮断層３０２には、熱及び／又は光が提供され、第１及び第２基板１００、２００の間に形成された第２遮断層３０２は硬化される。第２遮断層３０２によって、第１基板１００及び第２基板２００が、空いている空間なしに接合される。
【００６１】
本実施例において、第１基板１００に形成された第１遮断層３０１を完全硬化又は半硬化させた後、第１基板１００及び第２基板２００を接合して、第２基板２００に形成された第２遮断層３０２を熱及び／又は光硬化させる。第１基板１００が第２基板２００と接合しない状態で第１遮断層３０１が硬化されるので、硬化時に発生する気体によって表示素子１５０が劣化されることを防止することができる。第１及び第２基板１００、２００の間には、水分及び／又は酸素が表示素子１５０に到達する時間を遅延させる第１遮断層３０１及び第２遮断層３０２で構成された遮断部材３００が形成される。
【００６２】
図１２は、本発明の第６実施例による表示装置の製造方法を示す断面図である。本実施例による表示装置の製造方法は、第１基板を製造する過程を除くと、実施例５と同じなので、その重複説明は省略して、同じ構成要素には同じ参照符号及び名称を付与する。
【００６３】
図１２を参照すると、第１基板１００に第１遮断層３０１が形成された後、第１遮断層３０１の上面には、保護層３０５が形成される。
【００６４】
保護層３０５は、水分及び／又は酸素と化学的に反応する物質、例えば、カルシウム、バリウム、酸化カルシウム、又は酸化バリウム等を含むことができる。
【００６５】
これと異なり、保護層３０５は、有機物を含む有機膜、無機物を含む無機膜、有機物と無機物の両者を含む複合膜で構成されてもよい。この際、有機膜又は無機膜は、それぞれ吸湿剤を含むことができる。これと異なり、保護層３０５は、有機膜及び無機膜を第１遮断層３０１の上面に相互に形成することができる。
【００６６】
図１３は、本発明の一実施例による表示装置の構造を示す断面図である。
【００６７】
図１３を参照すると、表示装置５００は、第１基板５１０、第２基板５２０、遮断部５３０を含む。
【００６８】
第１基板５１０は、例えば、ガラス基板のように透明な基板である。これと異なり、第１基板５１０は、不透明な基板を使用しても良い。
【００６９】
第１基板５１０上には、例えば、表示素子５１２が配置される。表示素子５１２は、外部情報処理装置から入力された画像信号に対応する画像を表示する。
【００７０】
本実施例で、表示装置５００の解像度が１０２４×７６８である時、１０２４×７６８×３個の表示素子５１２が第１基板５１０上に形成される。表示素子５１２は、例えば、有機発光層によって画像を表示する有機電界発光素子（ＯＬＥＤ）であり得る。有機電界発光素子は、第１基板５１０上にマトリックス形態で配置された第１電極、第１電極上に配置された有機発光層、及び各有機発光層をカバーする第２電極を含むことができる。
【００７１】
第２基板５２０は、第１基板５１０上に配置され、これによって表示素子５１２は、第２基板５２０と向かい合う。第２基板５２０は、例えば、ガラス基板のような透明な基板又は不透明な基板を含むことができる。
【００７２】
第１基板５１０及び第２基板５２０の間に介在された表示素子５１２は、酸素及び／又は水分等によって寿命及び表示特性が大きく劣化する。
【００７３】
表示素子５１２の寿命及び表示特性を向上させるために、遮断部５３０を第１及び第２基板５１０、５２０の間に介在させる。好ましくは、遮断部５３０は、第１及び第２基板５１０、５２０の間を完全に満たし、表示素子５１２を劣化させる酸素、水分のような劣化物質を遮断する。
【００７４】
遮断部５３０は、劣化物質を遮断する第１遮断部５３２及び第２遮断部５３４を含む。
【００７５】
第１遮断部５３２は、例えば、第１基板５１０上に配置され、第１基板５１０上に配置された表示素子５１２をカバーする。第１遮断部５３２は、酸素、水分のような劣化物質が表示素子５１２と接触することを防止する。また、第１遮断部５３２は、第１及び第２基板５１０、５２０の間で気泡が発生することを抑制する。第１及び第２基板５１０、５２０の間で気泡が発生する場合、表示素子５１２が表示する画像に気泡のイメージが含まれ、画像の表示品質は大幅に劣化する。
【００７６】
第１遮断部５３２は、例えば、ポリアセチレン、ポリイミド、エポキシ樹脂のような有機物を含み得る。これと異なり、第１遮断部５３２は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化チタンのような無機物を含み得る。本実施例において、第１遮断部５３２は、熱によって硬化される熱硬化性物質又は光によって硬化される光硬化性物質を含むものでもよい。
【００７７】
第２遮断部５３４は、例えば、第２基板５２０上に配置される（図１３においては、第２基板が逆位置にあるので、第２基板５２０の下面上に配置されている）。第２遮断部５３４は、酸素、水分のような劣化物質が表示素子５１２と接触することを防止する。また、第２遮断部５３４は、第１及び第２基板５１０、５２０を互いに接合する。第２遮断部５３４は、例えば、ポリアセチレン、ポリイミド、エポキシ樹脂のような有機物を含み得る。これと異なり、第２遮断部５３４は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化チタンのような無機物を含むものでもよい。第２遮断部５３４は、熱によって硬化される熱硬化性物質又は光によって硬化される光硬化性物質を含むものでもよい。
【００７８】
第１基板５１０に形成された第１遮断部５３２は、第２基板５２０に形成された第２遮断部５３４と結合する前に一次的に硬化される。この際、第１遮断部５３２は、好ましくは、半硬化又は完全硬化され得る。
【００７９】
また、第２基板５２０のうち、遮断部５３０が形成された面には、第２基板５２０の縁に沿ってトレンチ５２２が形成されてもよい。トレンチ５２２は、第１及び第２基板５１０、５２０の間に流動性を有する第２遮断部５３４を収納して、第２遮断部５３４が第１及び第２基板５１０、５２０に漏洩することを抑制する。
【００８０】
図１４は、本発明の一実施例による表示装置の製造方法による第１基板、表示素子、及び第１遮断層を示す断面図である。図１５は、図１４に図示された表示素子の断面図である。
【００８１】
図１４を参照すると、ガラス基板のように透明な第１基板５１０には、表示素子５１２が形成される。図１５を参照すると、表示素子５１２を製造するために、第１基板５１０上には、透明で導電性である第１電極５１３がマトリックス形態にて形成される。第１電極５１３を電気的に絶縁するために、第１基板５１０にはバンク５１６が形成される。バンク５１６は、マトリックス形態にて配置された第１電極５１３の間に介在する。従って、バンク５１６は、平面上で見た時、格子構造を有する。
【００８２】
バンク５１６から絶縁された各第１電極５１３の上面には、有機発光層５１４が形成される。各有機発光層５１４は、赤色光を発生するための赤色有機物、緑色光を発生するための緑色有機物、又は青色光を発生するための青色有機物のうち、いずれか一つを含む。有機発光層５１４は、赤色有機物、緑色有機物、及び青色有機物を利用した蒸着工程、又はインクジェット印刷工程によって形成することができる。
【００８３】
第１基板５１０に形成されたバンク５１６及び有機発光層５１４の上面には、第２電極５１５が配置される。第２電極５１５は、カルシウム、バリウム、マグネシウム、銀、銅、アルミニウム、又はこれらの合金等のような金属薄膜を含む。
【００８４】
第１電極５１３、有機発光層５１４、及び第２電極５１５を含む表示素子５１２を有する第１基板５１０の上面には、第１遮断層５３２が形成される。第１遮断層５３２は、表示素子５１２をカバーして表示素子５１２の有機発光層が酸素、水分のような劣化物質によって損傷されることを防止する。
【００８５】
本実施例において、第１遮断層５３２は、シルクスクリーン印刷、スピンコーティング、スリットコーティング、及び滴下工程等によって形成され得る。好ましくは、本実施例において、第１遮断層５３２は、滴下工程によって形成される。滴下工程を利用すると、簡単で速く第１遮断層５３２を形成することができる。
【００８６】
好ましくは、第１遮断層５３２は、ポリアセチレン、ポリイミド、又はエポキシ樹脂のような有機物を含み得る。これと異なり、第１遮断層５３２は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化チタンのような無機物を含むものでもよい。これと異なり、第１遮断層５３２は、有機物及び無機物を含む複合膜を含むものでもよい。本実施例において、第１遮断層５３２は、熱によって硬化される熱硬化性物質又は光によって硬化される光硬化性物質を含むことができる。
【００８７】
図１６は、図１４に図示された第１遮断層が硬化されることを示す断面図である。
【００８８】
図１６を参照すると、第１基板５１０上に第１遮断層５３２が形成された後、第１遮断層５３２は一次的に一部又は全部が硬化される。
【００８９】
図１７は、図１６に図示された第１遮断層上に形成された第２遮断層を示す断面図である。
【００９０】
図１７を参照すると、一部又は全部が硬化された第１遮断層５３２上には、第２遮断層５３４が形成される。第２遮断層５３４は、シルクスクリーン印刷、スピンコーティング、スリットコーティング、及び滴下工程等によって第１遮断層５３２上に形成することができる。好ましくは、本実施例において、第２遮断層５３４は、滴下工程によって形成される。滴下工程を利用すると、簡単で速く第２遮断層５３４を形成することができる。
【００９１】
好ましくは、第２遮断層５３４は、ポリアセチレン、ポリイミド、又はエポキシ樹脂のような有機物を含み得る。これと異なり、第２遮断層５３４は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化チタンのような無機物を含むものでもよい。これと異なり、第２遮断層５３４は、有機物及び無機物を含む複合膜を含むものでもよい。本実施例において、第２遮断層５３４は、熱によって硬化される熱硬化性物質又は光によって硬化される光硬化性物質を含むことができる。
【００９２】
本実施例において、第２遮断層５３４は、酸素、水分のような劣化物質による表示素子の損傷を防止して、第１基板５１０及び第２基板５２０を互いに接合する。
【００９３】
図１８は、図１７に図示された第１基板に第２基板を結合することを示す断面図である。
【００９４】
図１８を参照すると、第２遮断層５３４が形成された第１基板５１０、及び第２遮断層５３４と向かい合う第２基板５２０は、チャンバー５４０の内部で整列している。
【００９５】
この際、チャンバー５４０の内部は第１圧力を有する。この際、第１圧力は、例えば、大気圧より低い圧力又は大気圧より高い圧力であり得る。本実施例において、第１圧力は、大気圧より低い圧力を有する。
【００９６】
チャンバー５４０の内部の圧力が調節された後、第１基板５１０及び第２基板５２０は、互いにアセンブリされる。この際、第１基板５１０及び第２基板５２０は、第２遮断層５３４によって互いに結合される。
【００９７】
チャンバー５４０の内部で第１基板５１０及び第２基板５２０がアセンブリされた後、第１及び第２基板５１０、５２０の間には、ボイド（ｖｏｉｄ）が発生する虞がある。
【００９８】
画像を発生する表示素子５１２上にボイドが形成される場合、ボイドは表示素子５１２から発生される画像の表示品質を大きく劣化させてしまう。
【００９９】
図１９は、図１８に図示された第２遮断層を硬化する工程を示す断面図である。
【０１００】
図１９を参照すると、ボイドを減少させるために、チャンバー５４０でアセンブリされた第１基板５１０及び第２基板５２０は、チャンバー５４０の外部で接合される。具体的に、第１基板５１０及び第２基板５２０は、例えば、チャンバー５４０内の第１圧力より高い第２圧力で接合される。第１基板５１０及び第２基板５２０を第２圧力で接合する場合、第１基板５１０及び第２基板５２０の間に形成されたボイドは、圧力差によって第１及び第２基板５１０、５２０の外部に押し出される。
【０１０１】
この際、第１及び第２基板５１０、５２０を接合する第２遮断層５３４には、例えば、熱又は光が提供され、これによって、第２遮断層５３４は硬化する。
【０１０２】
図２０は、本発明の他の実施例による表示基板の製造方法によって第１基板、表示素子、及び第１遮断層を形成することを示す断面図である。
【０１０３】
図２０を参照すると、ガラス基板のように透明な第１基板６１０には、表示素子６１２が形成される。表示素子６１２は、外部情報処理装置から印加された画像信号を画像に変更させる。本実施例において、表示素子６１２は前述した実施例による表示素子６１２とほぼ同じ構成を有するので、その重複説明は省略して、本実施例による表示素子６１２のうち、前述した表示素子と同じ部分には同じ名称を付与する。
【０１０４】
本実施例において、第１基板６１０に形成された表示素子６１２をカバーする第１遮断層６３２は、シルクスクリーン印刷、スピンコーティング、スリットコーティング、及び滴下工程等によって形成することができる。好ましくは、本実施例において、第１遮断層６３２は、滴下工程によって形成される。滴下工程を利用すると、簡単で速く第１遮断層６３２を形成することができる。
【０１０５】
好ましくは、第１遮断層６３２は、ポリアセチレン、ポリイミド、又はエポキシ樹脂のような有機物を含み得る。これと異なり、第１遮断層６３２は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化チタンのような無機物を含むものでもよい。これと異なり、第１遮断層６３２は、有機物及び無機物を含む複合膜を含むものでもよい。第１遮断層６３２は、熱によって硬化される熱硬化性物質又は光によって硬化される光硬化性物質を含むことができる。
【０１０６】
図２１は、第２遮断層を示す断面図である。
【０１０７】
図２１を参照すると、第２基板６２０上には、第２遮断層６３４が形成される。第２遮断層６３４は、シルクスクリーン印刷、スピンコーティング、スリットコーティング、及び滴下工程等によって第２基板６２０上に形成することができる。好ましくは、本実施例において、第２遮断層６３４は、滴下工程等によって形成され得る。滴下工程を利用すると、簡単で速く第２遮断層６３４を形成することができる。
【０１０８】
好ましくは、第２遮断層６３４は、ポリアセチレン、ポリイミド、又はエポキシ樹脂のような有機物を含むことができる。これと異なり、第２遮断層６３４は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化チタンのような無機物を含むものでもよい。これと異なり、第２遮断層６３４は、有機物及び無機物を含む複合膜を含むものでもよい。本実施例において、第２遮断層６３４は、熱によって硬化される熱硬化性物質又は光によって硬化される光硬化性物質を含むことができる。
【０１０９】
本実施例において、第２遮断層６３４は、酸素、水分のような劣化物質による表示素子の損傷を防止して、第１基板６１０及び第２基板６２０を互いに接合する。
【０１１０】
図２２は、図２１に図示された第２遮断層が硬化されることを示す断面図である。
【０１１１】
図２２を参照すると、第２基板６２０上に第２遮断層６３４が形成された後、第２遮断層６３４は一次的に硬化される。第２遮断層６３２は、全部又は一部が硬化され得る。
【０１１２】
図２３は、図２２に図示された第１基板に第２基板を結合することを示す断面図である。
【０１１３】
図２３を参照すると、第２遮断層６３４が形成された第２基板６２０及び第２遮断層６３４と向かい合う第１基板６１０は、チャンバー６４０の内部で整列している。
【０１１４】
この際、チャンバー６５０の内部は、第１圧力を有する。この際、第１圧力は、例えば、大気圧より低い圧力又は大気圧より高い圧力であり得る。本実施例において、第１圧力は大気圧より低い圧力を有する。
【０１１５】
チャンバー６５０の内部の圧力が調節された後、第１基板６１０及び第２基板６２０は、互いにアセンブリされる。この際、第１基板６１０及び第２基板６２０は、第１遮断層６３４によって互いに結合される。
【０１１６】
チャンバー６５０の内部で第１基板６１０及び第２基板６２０がアセンブリされた後、第１及び第２基板６１０、６２０の間にはボイドが発生する虞がある。
【０１１７】
画像を発生する表示素子６１２上にボイドが形成される場合、ボイドは表示素子６１２から発生された画像の表示品質を大きく劣化させてしまう。
【０１１８】
図２４は、図２３に図示された第２遮断層を硬化する工程を示す断面図である。
【０１１９】
図２４を参照すると、ボイドを減少させるために、チャンバー６５０でアセンブリされた第１基板６１０及び第２基板６２０は、チャンバー６５０の外部で接合される。具体的に、第１基板６１０及び第２基板６２０は、例えば、チャンバー６５０内の第１圧力より高い第２圧力で接合される。第１基板６１０及び第２基板６２０を第２圧力で接合する場合、第１基板６１０及び第２基板６２０の間に形成されたボイドは、圧力差によって第１及び第２基板６１０、６２０の外部に押し出される。
【０１２０】
この際、第１及び第２基板６１０、６２０を接合する第２遮断層６３４には、例えば、熱又は光が提供され、これによって、第２遮断層６３４は硬化する。
【０１２１】
図２５は、本発明の他の実施例による表示基板の製造方法によって第１基板及び表示素子を形成することを示す断面図である。
【０１２２】
図２５を参照すると、ガラス基板のように透明な第１基板７１０には、表示素子７１２が形成される。表示素子７１２は、外部情報処理装置から印加された画像信号を画像に変更させる。本実施例において、表示素子７１２は前述した実施例による表示素子７１２とほぼ同じ構成を有するので、その重複説明は省略して、本実施例による表示素子７１２のうち、前述した表示素子と同じ部分には同じ名称を付与する。
【０１２３】
図２６は、第２基板に形成された第１遮断層を示す断面図である。
【０１２４】
図２６を参照すると、第２基板７２０上には第１遮断層７３２が形成される。第１遮断層７３２は、シルクスクリーン印刷、スピンコーティング、スリットコーティング、及び滴下工程等によって第２基板７２０上に形成されることができる。好ましくは、本実施例において、第１遮断層７３２は、滴下工程等によって形成することができる。滴下工程を利用すると、簡単で速く第１遮断層７３２を形成することができる。好ましくは、第１遮断層７３２は、ポリアセチレン、ポリイミド、又はエポキシ樹脂のような有機物を含むことができる。これと異なり、第１遮断層７３２は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化チタンのような無機物を含むことができる。これと異なり、第１遮断層７３２は、有機物及び無機物を含む複合膜を含むことができる。第１遮断層７３２は、熱によって硬化される熱硬化性物質又は光によって硬化される光硬化性物質を含むことができる。
【０１２５】
第１遮断層７３２は、表示素子７１２が酸素及び／又は水分のような劣化物質によって損傷されることを防止する。
【０１２６】
図２７は、図２６に図示された第１遮断層が硬化されることを示す断面図である。
【０１２７】
図２７を参照すると、第２基板７２０上に第１遮断層７３２が一次的に硬化される。この際、第１遮断層７３２は、全部又は一部が硬化される。
【０１２８】
図２８は、図２７に図示された第１遮断層上に形成された第２遮断層を示す断面図である。
【０１２９】
図２８を参照すると、第１遮断層７３２上には、第２遮断層７３４が形成される。
【０１３０】
第２遮断層７３４は、ポリアセチレン、ポリイミド、又はエポキシ樹脂のような有機物を含むことができる。これと異なり、第２遮断層７３４は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化チタンのような無機物を含むことができる。これと異なり、第２遮断層７３４は、有機物及び無機物を含む複合膜を含むことができる。第２遮断層７３４は、熱によって硬化される熱硬化性物質又は光によって硬化される光硬化性物質を含むことができる。
【０１３１】
本実施例において、第２遮断層７３４は、酸素、水分のような劣化物質による表示素子の損傷を防止して、第１基板７１０及び第２基板７２０を互いに接合する。
【０１３２】
図２９は、図２８に図示された第２基板に第１基板を結合することを示す断面図である。
【０１３３】
図２９を参照すると、第２遮断層７３４が形成された第２基板７２０、及び第２遮断層７３４と向かい合う第１基板７１０は、チャンバー７４０の内部に整列される。
【０１３４】
この際、チャンバー７４０の内部は第１圧力を有する。この際、第１圧力は、例えば、大気圧より低い圧力又は大気圧より高い圧力であり得る。本実施例において、第１圧力は、大気圧より低い圧力を有する。
【０１３５】
チャンバー７４０の内部の圧力が調節された後、第１基板７１０及び第２基板７２０は、互いにアセンブリされる。この際、第１基板７１０及び第２基板７２０は、第１遮断層７３４によって互いに結合される。
【０１３６】
チャンバー７４０の内部で第１基板７１０及び第２基板７２０がアセンブリされた後、第１及び第２基板７１０、７２０の間には、ボイド（ｖｏｉｄ）が発生する虞がある。
【０１３７】
画像を発生する表示素子７１２上にボイドが形成される場合、ボイドは表示素子７１２から発生された画像の表示品質を大きく劣化させてしまう。
【０１３８】
図３０は、図２９に図示された第２遮断層を硬化する工程を示す断面図である。
【０１３９】
図３０を参照すると、ボイドを減少させるために、チャンバー７４０でアセンブリされた第１基板７１０及び第２基板７２０は、チャンバー７４０の外部で接合される。具体的に、第１基板７１０及び第２基板７２０は、例えば、チャンバー７４０内の第１圧力より高い第２圧力で接合される。第１基板７１０及び第２基板７２０を第２圧力で接合する場合、第１基板７１０及び第２基板７２０の間に形成されたボイドは、圧力差によって第１及び第２基板７１０、７２０の外部に押し出される。
【０１４０】
この際、第１及び第２基板７１０、７２０を接合する第２遮断層７３４には、例えば、熱又は光が提供され、これによって、第２遮断層７３４は硬化する。
【０１４１】
図３１は、本発明の一実施例による表示装置の製造装置を示す断面図である。
【０１４２】
図３１を参照すると、表示装置の製造装置８００は、チャンバー８１０、支持ユニット８２０、グリッパー８３０、移送ユニット８４０、及び光学ユニット８５０を含む。
【０１４３】
チャンバー８１０は、基板８６０を収納するに適合な嵩を有し、外部に対して密閉された工程環境を提供する。チャンバー８１０は、好ましく、チャンバー８１０の内部圧力を精密に調節するための圧力調節装置８１５を含む。
【０１４４】
圧力調節装置８１５は、例えば、チャンバー８１０の内部の圧力を大気圧より低く調節又はチャンバー８１０の内部の圧力を大気圧より高く調節することができる。圧力調節装置８１５は、例えば、真空ポンプであり得る。
【０１４５】
支持ユニット８２０は、チャンバー８１０の底面部分に配置され得る。支持ユニット８２０は、基板８６０を支持する。
【０１４６】
基板８６０は、第１基板８６２及び第２基板８６４を含む。第１基板８６２には、画像を表示する表示素子８６２ｂが配置され、表示素子８６２ｂは、第１遮断層８６２ａによってカバーされている。本実施例において、第１遮断層８６２ａに含まれた揮発性溶剤は、除去された状態でチャンバー８２０の内部に提供される。
【０１４７】
第２基板８６４は、第１基板８６２と向かい合うようにチャンバー８１０の内部に配置され、第２遮断層（図示せず）を含む。第２遮断層は、第１基板８６２及び第２基板８６４を互いに結合する。
【０１４８】
支持ユニット８２０は、例えば、基板８６０の第１基板８６２を支持する。
【０１４９】
一方、支持ユニット８２０は、リフトピン８１２を含むリフトピンアセンブリ８１４を含む。リフトピンアセンブリ８１４は、支持ユニット８２０に支持された第１基板８６２を支持ユニット８２０の上面から所定間隔だけ離隔させる。
【０１５０】
また、支持ユニット８２０は、第１基板８６２を加熱するためのヒーター８６６を更に含むことができる。ヒーター８６６は、第１基板８６２を加熱して、第１基板８６２に形成された第１遮断層８６２ａが熱硬化性物質を含む場合、第１遮断層８６２aを硬化させることができるようにする。
【０１５１】
グリッパー８３０は、第１基板８６２と向かい合う第２基板８６４を把持して、第２基板８６４が指定された位置に固定されるようにする。
【０１５２】
移送ユニット８４０はグリッパー８３０に設けられ、グリッパー８３０と支持ユニット８２０との間隔を調節する。移送ユニット８４０によってグリッパー８３０と支持ユニット８２０との間隔は、狭くなるか又は広くなる。これと異なり、移送ユニット８４０は、支持ユニット８２０上に形成されることができる。
【０１５３】
一方、グリッパー８３０によって把持された第２基板８６４の垂れを防止するために、グリッパー８３０によって把持された第２基板８６４の底面には、ロボットアーム８６７が配置されることができる。ロボットアーム８６７は、グリッパー８３０と共に上下動する。
【０１５４】
光学ユニット８５０は、チャンバー８１０の上端に配置される。光学ユニット８５０は、紫外線のような光を発生する光源（ランプ）８５２、及びランプ８５２から発生する光を反射する反射板８５４を含む。
【産業上の利用可能性】
【０１５５】
以上で詳細に説明したように、本発明によると、表示素子が酸素及び／又は水分のような劣化物質によって劣化されることを抑制して、表示装置の寿命を大幅延長させる。
【０１５６】
また、本発明によると、２個の透明基板の間に、空いている空間なしに、劣化物質を遮断するための遮断部材が形成されることによって、表示装置の寿命を増加させると共に、表示装置の重量及び嵩を同時に減少させることができ、表示装置が大型化されるにつれて発生する表示素子の劣化を防止する等の多様な効果を有する。
【０１５７】
以上、本発明の実施例によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できる。
【図面の簡単な説明】
【０１５８】
【図１】本発明の一実施例による表示装置の斜視図である。
【図２】図１のＩ−Ｉ’に沿って切断した断面図である。
【図３】図２に図示された表示装置の表示素子の一部を拡大した拡大図である。
【図４】図２に図示された表示装置の表示素子の一部を拡大した拡大図である。
【図５】本発明の第３実施例による表示装置の断面図である。
【図６】図５に図示された保護層が有機層及び無機層からなることを示す断面図である。
【図７】本発明の第５実施例による表示装置の平面図である。
【図８】図７のＩＩ−ＩＩ’に沿って切断した断面図である。
【図９】本発明の第６実施例による表示装置の第１基板を示す断面図である。
【図１０】図９に図示された第１基板にアセンブリされる第２基板に流動性接合層を形成することを示す断面図である
【図１１】図１０に図示された第１基板及び第２基板がアセンブリされることを示す断面図である。
【図１２】本発明の第７実施例による表示装置の製造方法を示す断面図である。
【図１３】本発明の一実施例による表示装置の構造を示す断面図である。
【図１４】本発明の一実施例による表示装置の製造方法による第１基板、表示素子、及び第１遮断層を示す断面図である。
【図１５】図１４に図示された表示素子の断面図である。
【図１６】図１４に図示された第１遮断層に含まれた揮発性溶剤が揮発されることを示す断面図である。
【図１７】図１６に図示された第１遮断層上に形成された第２遮断層を示す断面図である。
【図１８】図１７に図示された第１基板に第２基板を結合することを示す断面図である。
【図１９】図１８に図示された第２遮断層を硬化する工程を示す断面図である。
【図２０】本発明の他の実施例による表示基板の製造方法によって、第１基板、表示素子、及び第１遮断層を形成することを示す断面図である。
【図２１】第２遮断層を示す断面図である。
【図２２】図２１に図示された第２遮断層に含まれた揮発性溶剤が揮発されることを示す断面図である。
【図２３】図２２に図示された第１基板に第２基板を結合することを示す断面図である。
【図２４】図２３に図示された第２遮断層を硬化する工程を示す断面図である。
【図２５】本発明の更に他の実施例による表示基板の製造方法によって、第１基板及び表示素子を形成することを示す断面図である。
【図２６】第２基板に形成された第１遮断層を示す断面図である。
【図２７】図２６に図示された第１遮断層に含まれた揮発性溶剤が揮発されることを示す断面図である。
【図２８】図２７に図示された第１遮断層上に形成された第２遮断層を示す断面図である。
【図２９】図２８に図示された第２基板に第１基板を結合することを示す断面図である。
【図３０】図２９に図示された第２遮断層を硬化する工程を示す断面図である。
【図３１】本発明の一実施例による表示装置の製造装置を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１５９】
１００    第１基板
１５０    表示素子
１５１    第１電極
１５２    第２電極
１５３    発光層
１５４    有機発光素子
２００    第２基板
２６０    収納溝
３００    遮断部材
３００ａ    第１遮断部材
３００ｂ    第２遮断部材
３０１    第１遮断層
３０２    第２遮断層
３１０    保護層
３１２    有機層
３１５    無機層
４００    表示装置
【図１】
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【図２】
2006049308.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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