(57)【要約】【課題】記録素子の配線の誘導による再生素子の配線ヘのクロストーク電流の発生を防止する。【解決手段】基板部分１aと、基板部分の上に絶縁膜９を介して形成された発熱抵抗体１１と、発熱抵抗体の上に絶縁層１２を介して形成された磁気記録素子２８及び磁気再生素子２０と、磁気記録素子に対する配線用の端子４と、磁気再生素子に対する配線用の端子５と、発熱抵抗体に対する配線用の端子３０とを備えた端子配列構造とを有し、端子配列構造における発熱抵抗体１１用の２つの端子３０を端子４及び端子５の両側に配置して磁気ヘッドスライダを構成する。また、磁気ヘッドスライダの端子４に接続される配線３３と、端子５に接続される配線３２と、端子３０に接続される配線３４とを所定の方向へ案内すると共に、配線３４を中央に配置することにより磁気記録素子用の配線３３と磁気再生素子用の配線３２とを分離する配線構造を備えるようにアーム・サスペンション３８を構成する。【選択図】  図７
2006079775.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板部分と、
該基板部分の上に絶縁膜を介して形成された発熱抵抗体と、
該発熱抵抗体の上に絶縁層を介して形成された磁気記録素子及び磁気再生素子と、
該磁気記録素子に対する配線用の第１の端子と、該磁気再生素子に対する配線用の第２の端子と、該発熱抵抗体に対する配線用の第３の端子とを備えた端子配列構造とを有し、該端子配列構造において該発熱抵抗体用の２つの該第３の端子を該第１及び第２の端子の両側に配置したことを特徴とする磁気ヘッドスライダ。
【請求項２】
前記発熱抵抗体は、該基板上に形成される下地絶縁膜膜と、該下地絶縁膜上に形成される下部シールドとの間に配置されることを特徴とする請求項１の磁気ヘッドスライダ。
【請求項３】
前記発熱抵抗体の抵抗値が前記引き出し線の抵抗値よりも高くなる材料によって、該発熱抵抗体及び該引き出し線を構成したことを特徴とする特徴とする請求項１又は２の磁気ヘッドスライダ。
【請求項４】
基板部分と、該基板部分の上に絶縁膜を介して形成された発熱抵抗体と、該発熱抵抗体の上に絶縁層を介して形成された磁気記録素子及び磁気再生素子と、該磁気記録素子に対する配線用の第１の端子と、該磁気再生素子に対する配線用の第２の端子と、該発熱抵抗体に対する配線用の第３の端子とを備え、かつ該第３の端子は該第１及び第２の端子に対して外側に配置された端子配列構造とを有する磁気ヘッドスライダと、
該磁気ヘッドスライダの該第１の端子に接続される第１の配線と、該第２の端子に接続される第２の配線と、該第３の端子に接続される第３の配線とを所定の方向へ案内すると共に、該第３の配線を中央に配置することにより該第１の配線と該第２の配線を分離する配線構造を備える該アーム・サスペンションと、
を有することを特徴とする磁気ヘッドの支持構造。
【請求項５】
基板部分と、該基板部分の上に絶縁膜を介して形成された発熱抵抗体と、該発熱抵抗体の上に絶縁層を介して形成された磁気記録素子及び磁気再生素子と、該磁気記録素子に対する配線用の第１の端子と、該磁気再生素子に対する配線用の第２の端子と、該発熱抵抗体に対する配線用の第３の端子とを備えた端子配列構造とを有し、該端子配列構造における該発熱抵抗体用の２つの該第３の端子を該第１及び第２の端子の両側に配置した磁気ヘッドスライダと、
該磁気ヘッドスライダの該第１の端子に接続される第１の配線と、該第２の端子に接続される第２の配線と、該第３の端子に接続される第３の配線とを所定の方向へ案内すると共に、該第３の配線を中央に配置することにより該第１の配線と該第２の配線を分離する配線構造を備える該アーム・サスペンションと、
を有することを特徴とする磁気ヘッドの支持構造。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか記載の磁気ヘッドスライダを用いて、回転する磁気ディスクに情報の記録再生を行うことを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項７】
請求項１又は２に記載の薄膜磁気ヘッドスライダ用の素子構造を備えたウエハ。
【請求項８】
前記発熱抵抗体の材料としてNiCrなどを用い、該発熱抵抗体と前記第３の端子の間の引き回し線の材料としてNiFe又はCuを使用したことを特徴とする請求項１乃至５記載の磁気ヘッドスライダ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスク装置の高記録密度化を実現するための磁気ヘッドスライダに係わり、特に磁気ディスクと磁気ヘッドの距離を調整する機能を持った浮上量調整可能な薄膜磁気ヘッドスライダ、及びその支持構造、その磁気ヘッドスライダを用いた磁気ディスク装置等に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク装置は、回転する磁気ディスクと、記録再生素子を搭載しロードビームによって支持および径方向位置決めされた薄膜磁気ヘッドスライダ（以下、単にスライダと云う）を有し、スライダが相対的に磁気ディスク上を走行して磁気ディスク上に記録された磁気情報を読み書きする。スライダは空気潤滑軸受として空気のくさび膜効果によって浮上し、磁気ディスクとスライダが直接は固体接触しないようになっている。磁気ディスク装置の高記録密度化及びそのための装置の大容量化、更には装置の小型化を実現するためには、スライダと磁気ディスクの距離、すなわちスライダ浮上量を縮め、線記録密度を上げることが有効である。
【０００３】
通常、スライダ浮上量の設計においては、加工ばらつきや使用環境気圧差、使用環境温度差などによる浮上量低下を見込み、最悪条件でもスライダが磁気ディスクに接触しないように、浮上量マージンを設けている。ヘッド個体毎に又は使用環境に応じて浮上量を調整する機能を設けたスライダを実現すれば、浮上量マージンを廃することができ、スライダと磁気ディスクの接触を防ぎ、かつ記録再生素子の浮上量を大幅に縮めることができる。
【０００４】
この点に関して、薄膜抵抗体から成る発熱抵抗体を記録素子と再生素子の近傍に設け、スライダの一部を必要に応じて加熱して熱膨張させて突出させ、記録素子及び再生素子と磁気記録媒体との距離を調整するスライダ構造が提案されている。この技術については、例えば、特開平５−２０６３５号公報（第３頁および図１）（特許文献１）に開示されている。
【０００５】
【特許文献１】特開平５−２０６３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
この種の薄膜磁気ヘッドを使用した磁気ディスク装置においては、記録時にライト側の配線に流れる高周波電流やフライバック電圧によってリード側の配線にクロストーク電流が流れる。再生ヘッドに供給するセンス電流は、通常２〜３mAであるのに対し、ライト側とリード側の配線とが近接していると、クロストーク電流はセンス電流と同程度かそれ以上になることがある。センス電流は大きいほど再生感度が上がるので、寿命を考慮して許容範囲で大きく設定したい。しかし、クロストーク電流が発生すると、センス電流の許容値を下げざるを得ない。従ってクロストーク電流を減らすために、通常はライト側とリード側の配線とを離してセンス電流の許容値を大きくしている。
【０００７】
上記特許文献１に記載のように、スライダに発熱抵抗体を設ける場合、発熱抵抗体用の配線の端子が増加するので、発熱抵抗体用の端子の配列を考慮しながら記録素子の配線と再生素子の配線の距離を調整することが重要である。上記特許文献１には、発熱抵抗体用の端子と記録再生素子用の端子の配列及びそれらの配線までも考慮した構造については言及されていない。
【０００８】
本発明の目的は、発熱抵抗体用の端子の配列及び配線を工夫することにより、クロストーク電流の影響を低減するようにした磁気ヘッドスライダを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る磁気ヘッドスライダは、基板部分と、基板部分の上に絶縁膜を介して形成された発熱抵抗体と、発熱抵抗体の上に絶縁層を介して形成された磁気記録素子及び磁気再生素子と、磁気記録素子に対する配線用の第１の端子と、磁気再生素子に対する配線用の第２の端子と、発熱抵抗体に対する配線用の第３の端子とを備えた端子配列構造とを有し、端子配列構造において発熱抵抗体用の２つの第３の端子を第１及び第２の端子の両側に配置したものである。
一例では、前記発熱抵抗体は、基板上に形成される下地絶縁膜膜と、下地絶縁膜上に形成される下部シールドとの間に配置される。
また、好ましい例では、前記発熱抵抗体の抵抗値が前記引き出し線の抵抗値よりも高くなる材料によって、発熱抵抗体及び引き出し線を構成する。
【００１０】
本発明に係る磁気ヘッドの支持構造は、基板部分と、基板部分の上に絶縁膜を介して形成された発熱抵抗体と、発熱抵抗体の上に絶縁層を介して形成された磁気記録素子及び磁気再生素子と、磁気記録素子に対する配線用の第１の端子と、磁気再生素子に対する配線用の第２の端子と、発熱抵抗体に対する配線用の第３の端子とを備え、かつ第３の端子は第１及び第２の端子に対して外側に配置された端子配列構造とを有する磁気ヘッドスライダと、
磁気ヘッドスライダの第１の端子に接続される第１の配線と、第２の端子に接続される第２の配線と、第３の端子に接続される第３の配線とを所定の方向へ案内すると共に、第３の配線を中央に配置することにより第１の配線と第２の配線を分離する配線構造を備えるアーム・サスペンションと、を有する。
本発明は、また、上記磁気ヘッドスライダを用いて、回転する磁気ディスクに情報の記録再生を行う磁気ディスク装置としても把握される。
さらに本発明は、上記の薄膜磁気ヘッドスライダ用の素子構造を備えたウエハとしても把握される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、発熱抵抗体用の配線の端子を、磁気記録素子の端子と磁気再生素子の端子の外側、好ましくは両端に配置することにより、発熱抵抗体用の端子に対する配線によって磁気記録素子の端子への配線と磁気再生素子の端子への配線とを分離して案内することができる。これにより、記録素子の配線の誘導による再生素子の配線ヘのクロストーク電流の発生を防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態に係わるスライダおよびこれを用いた磁気ディスク装置の構成について説明する。
（実施形態１）
図１は、一実施例によるスライダを搭載した磁気ディスク装置の概略構成を示す。
磁気ディスク装置は、磁気情報が格納されスピンドルモータによって回転する磁気ディスク１０と、記録再生素子を搭載しロードビーム１５によって支持および径方向位置決めされたスライダ１を有し、スライダ１が相対的に磁気ディスク１０上を走行して磁気ディスク上に記録された磁気情報を読み書きする。スライダ１は空気潤滑軸受として空気のくさび膜効果によって浮上し、磁気ディスクとスライダが直接は固体接触しないようになっている。線記録密度を上げるために、スライダ浮上量は例えば１０ｎｍ程度又はそれ以下である。
【００１３】
スライダ１は、板ばね状のロードビーム１５に取り付けられており、ロードビームによって磁気ディスク面への押し付け荷重を与えられ、ロードビーム１５とともにボイスコイルモータ１６によって磁気ディスク１０の径方向にシーク動作し、磁気ディスク面全体で記録再生を行う。スライダ１は、装置の停止時あるいは読み書き命令が一定時間無い時に、磁気ディスク１０上からランプ１４上に待避する。
【００１４】
なお、上記の例はロード・アンロード機構を備えた磁気ディスク装置であるが、装置の停止中はスライダ１が磁気ディスク１０のある特定の領域で待機するコンタクト・スタート・ストップ方式の磁気ディスク装置にもこのスライダ１は適用され得る。
【００１５】
次に、図２以降の図面を参照して一実施例に係るスライダの構成について詳細に説明する。
図２はスライダの斜視図であり、図３はスライダの空気流出端側から見た図、図４は図３のＸ−Ｘ断面図であり、磁気記録素子２aと磁気再生素子２ｂが形成された薄膜ヘッド部分１ｂの拡大断面図、図５は図３のＹ−Ｙ断面図、図６は発熱抵抗体の構成を示す図４のＺ―Ｚ断面図である。
【００１６】
まず、図４を参照してスライダ１の断面積層構造について説明する。
製造工程では、まず、基板１ａ上に下地絶縁膜９を形成し、次に下地絶縁膜９上にパーマロイからなる発熱抵抗体１１を形成し、その上にアルミナ等からなる発熱抵抗体１１の絶縁層１２を形成する。さらに、発熱抵抗体１１から引き出された内部金属膜１７及びスタッド５１（図５）を形成する。発熱抵抗体１１については後で詳細に説明する。
【００１７】
次に、絶縁層１２上に下部シールド膜１８、アルミナ等から成る下部ギャップ膜１９を形成し、さらに、磁気再生素子である磁気抵抗効果型素子（以下「ＭＲ素子」と云う）２０と、ＭＲ素子２０の磁気信号を引き出すための一対の電極２１を形成する。次に、アルミナ等から成る上部ギャップ膜２２、上部シールド膜２３を形成し、さらに、アルミナ等から成る上部シールド絶縁膜２４を形成する。次に、上部シールド絶縁膜２４上に磁気記録用素子の下部磁極２５を形成し、下部磁極２５から引き出され、発熱抵抗体から引き出された内部金属膜１７の一方と下部磁極２５を導通接続するための内部金属膜３ｃを形成する。次いで、アルミナ等から成る磁気ギャップ膜２６、磁気記録用素子の上部磁極２７を形成する。次に、上部磁極２７に磁界を発生させるための電流を流すコイル２８及び、有機絶縁膜２９を形成する。
【００１８】
さらに、ＭＲ素子２０に接合した電極２１から引き出された再生用引き出し線３ｂと、コイル２８から引き出された記録用引き出し線３ａを形成する。次に、以上の素子群を保護絶縁するためのアルミナ等からなる硬質保護膜１ｂを、成膜した素子全体を覆うように形成し、最後に、コイル２７へ電流を外部より入力するための記録用中継端子４と、磁気信号を外部へ伝達するための再生用中継端子５を形成する。
【００１９】
また、下部磁極２５や上部磁極２７の構成材料の一部である例えばＣｏ・Ｎｉ・Ｆｅ合金よりも、後の工程である浮上面研磨及び洗浄で使用する水溶液中で標準電極電位が高い金属又はセラミックス、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ等の金属、又は、Ａｌ２Ｏ３・ＴｉＣ、ＳｉＣ、ＴｉＣ、ＷＣ，Ｂ４Ｃ等の導電性のあるセラミックスからなる群から選ばれた材料（例えば、金属単体、合金又は、化合物）を、下部磁極２５が内部金属膜２ｃを介して導通接触している発熱抵抗体１１から引き出された一対の内部金属膜１７に、発熱抵抗体１１へ電流を外部から入力するための発熱抵抗体用中継端子３０を形成する（図６参照）。
【００２０】
発熱抵抗体用中継端子３０の面積は、磁気記録素子の下部磁極２５や上部磁極２７の浮上面における断面積よりも大きく設定される。この薄膜抵抗体による発熱抵抗体１１は、薄膜プロセスを用いて形成されている。
薄膜抵抗体として、一例では例えば、材質がNiCr、厚さが０．１５μｍ、幅が４．５μｍの細線を、奥行き６０μｍ、幅６０μｍの領域に蛇行させ、間隙はアルミナで埋めて発熱体を形成した。抵抗値は約５００Ωである。
【００２１】
図２及び図３において、スライダ１は、アルミナとチタンカーバイドの焼結体（以後アルチックと略す）に代表される材料の基板（ウエハ）部分１ａと、薄膜磁気ヘッド部分１ｂから成る。薄膜磁気ヘッド部分１ｂは、基板１a上に薄膜プロセスで形成された磁気記録素子２aと磁気再生素子２b、磁気記録素子２aおよび磁気再生素子２bと導通接触して形成された引きだし線となる内部の金属膜３、磁気記録素子２aを外部に電気的に接続するための記録用中継端子４、磁気再生素子２bを外部に電気的に接続するための再生用中継端子５、スライダの一部を加熱して熱膨張、突出させ、記録再生素子の浮上量を調整するための発熱抵抗体１１、発熱抵抗体１１と導通接触して形成された引きだし線となる内部の金属膜１７、発熱抵抗体１１を外部に電気的に接続するための発熱抵抗体用中継端子３０、放電防止用の中継端子３１から成る。
【００２２】
スライダ１は、例えば長さ１．２５ｍｍ、幅１．０ｍｍ、厚さ０．３ｍｍのほぼ直方体形状をしており、浮上面６、空気流入端面７、空気流出端面８、両側の側面、背面の計６面から構成される（ピコ・スライダ）。また、スライダ１は、質量減による位置決め精度の向上や低コスト化のために小型化を図った、例えば長さ０．８５ｍｍ、０．７ｍｍ、厚さ０．２３ｍｍの構成としてもよい（フェムト・スライダ）。浮上面６にはイオンミリングやエッチングなどのプロセスによって微細な段差（ステップ軸受）が設けられており、磁気ディスクと対向して空気圧力を発生し、背面に負荷される荷重を支える空気軸受の役目を果たしている。
【００２３】
浮上面６には、実質的に平行な３種類の段差面が形成される。最も磁気ディスクに近いレール面６ａ、レール面より約１００ｎｍ乃至２００ｎｍ深いステップ軸受面である浅溝面６ｂ、レール面より約１μｍ深くなっている深溝面６ｃの３種類である。磁気ディスクが回転することで生じる空気流が、ステップ軸受である浅溝面６ｂからレール面である６ａへ進入する際に、先すぼまりの流路によって圧縮され、正の空気圧力を生じる。一方、レール面６ａや浅溝面６ｂから深溝面６ｃへ空気流が進入する際には流路の拡大によって、負の空気圧力が生じる。なお、図２は溝の深さを強調して示してある。
【００２４】
スライダ１は空気流入端７側の浮上量が空気流出端側８の浮上量より大きくなるような姿勢で浮上するように設計されている。従って、流出端近傍の浮上面がディスクに最も接近する。流出端近傍では、レール面6ａが周囲の浅溝面6ｂ、深溝面6ｃに対して突出しているので、スライダピッチ姿勢およびロール姿勢が一定限度を超えて傾かない限り、レール面６ａが最もディスクに近づくことになる。磁気記録再生素子２は、レール面６ａの薄膜ヘッド部分１ｂに属する部分に形成されている。ロードビームから押し付けられる荷重と、浮上面６で生じる正負の空気圧力とがうまくバランスし、磁気記録再生素子２からディスクまでの距離を１０ｎｍ程度の適切な値に保つよう、浮上面６の形状が設計されている。
【００２５】
なお、ここでは浮上面６が実質的に平行な３種類の面６ａ、６ｂ、６ｃから形成される、二段ステップ軸受浮上面のスライダについて説明したが、４種類以上の平行な面から形成されるステップ軸受浮上面のスライダでも本発明は同様の効果が得られる。
尚、図６に、発熱抵抗体１１を、流出端側から見た図（図４のＺ−Ｚ断面図）を示す。発熱抵抗体１１からの配線１７は、２つに分かれて夫々端子３０に接続される。
【００２６】
本実施例においては、発熱抵抗体１１の端子の配列及びその端子への配線構造は、以下に述べる理由により有意義である。
発熱抵抗体１１用の端子３０が２つ、磁気記録素子用の端子４が２つ、及び磁気再生素子用の端子５が２つであり、合計６個の端子がサスペンションジンバル上の配線パッドにボンディングされる。３本ずつの配線に分かれてジンバルの腕２本の上を通り、再び６本に合流し、サスペンションの根元まで配線が引き回される際に、スライダ中央の配線がサスペンション上で外側に案内され、スライダ両端の配線がサスペンション上で中央に案内される。
【００２７】
図７を参照して、端子の配列及び配線構造について説明する。
本実施例では、端子の配列及び配線構造において、発熱抵抗体１１用の２つの端子３０を、記録用中継端子４と再生用中継端子５の外側、即ち端子４と５の両端側に配置することにより、それらの端子に対する配線について、発熱抵抗体１１用の配線３４を記録ヘッド用の配線３３と再生ヘッド用の配線３２との間に配置している。即ち発熱抵抗体１１用の配線３４によって、記録ヘッド用の配線３３と再生ヘッド用の配線３２を分離させ、配線３２，３３の距離を離すことが可能となる。これにより、記録時に記録ヘッドの配線３３の誘導によって再生ヘッドの配線３２ヘクロストーク電流が発生することを防止できる。この端子の配列及び配線構造は垂直型のヘッド構造でも適用できる。
【００２８】
図８は、磁気ディスク装置に使用されるアーム・サスペンション３８における配線構造を示す。
図８において、プリアンプ３５及び発熱抵抗体制御部３９から磁気ヘッド３６へ至る配線路３７が、アーム・サスペンション３８上にプリント形成して設けられている。このプリント形成された配線路３７の先端には、磁気再生素子及び磁気記録素子、及び発熱抵抗体１１のそれぞれの端子が接続されている。これらの配線路３７は、プリアンプ３５と磁気ヘッド３６との間を結ぶ、２本の磁気再生素子用の配線３２と、２本の磁気記録素子用の配線３３と、及び発熱抵抗体１１と発熱抵抗体制御部３９との間を結ぶ２本の配線３４、の合計６本の配線から成る。
この配線構造から理解できるように、発熱抵抗体１１用の配線３４によって、磁気再生素子用の配線３２と、磁気記録素子の配線３３が分離され、配線３２と３３の間の距離が離される。
【００２９】
（実施形態２）
図９は、各端子の配列と配線構造の例を示す。
この例は、磁気記録素子の端子４、磁気再生素子の端子５、及び発熱体抵抗素子１１用の端子３０の順位に並べて配置した例である。すなわち発熱体抵抗素子１１用の端子３０は、磁気再生素子の端子５の外側に配置され。この場合、磁気記録素子側の配線３３と磁気再生素子側の配線３２は、発熱抵抗体１１用の配線３４で分離されているが、磁気記録素子用の配線３３と磁気再生素子用の配線３２が左右非対称になるので、サスペンションの振動特性に悪影響を与える可能性が有る。しかしながら、発熱抵抗体１１用の配線３４によって両者の配線３２と３３を分離しているので、記録時に記録ヘッド側の配線の誘導によるリード側の配線ヘのクロストーク電流の発生は防げる。
【００３０】
図１０は、更に他の比較例における各端子の配列と配線構造の例を示す図である。
この例は、発熱抵抗体用中継端子３０を、記録用中継端子４と、再生用中継端子５の間に配列した例である。この場合、発熱抵抗体の端子３０に接続される配線３４が外側になり、磁気再生素子用の配線３３と磁気再生素子用の配線３２は、近づくことになるので、記録時に記録ヘッド側の配線の誘導によるリード側の配線ヘのクロストーク電流の発生に関して不利になる。
【００３１】
以上、図９及び図１０に示す比較例から判断して、図２，３乃至図７のように、発熱抵抗体１１用の端子３０を記録再生用端子４，５の両側に配列した構造が好ましいことが理解できる。尚、サスペンションの振動特性への悪影響を犠牲にするならば、図９の端子の配列及び配線構造でもクロストーク電流の発生は防止できる。
【００３２】
（実施形態３）
上述した実施形態１においては、発熱抵抗体１１の端子３０を他の端子４，５の両端に配置している。このため、図７からも分るように、引き回し線１７（図７の配線３４）の長さが相対的に長くなる。即ち、引き回し線１７の材料を発熱抵抗体１１と同じ高抵抗の材料で構成すると、配線からの発熱ロスが大きくなる。そこで、発熱抵抗体１１で極力効果的に発熱させる為に発熱抵抗体１１を極力高抵抗の材料にして、引き回し線１７を極力低抵抗の材料にする。
【００３３】
具体的には、発熱抵抗体１１にはNiCrなどを用い、引き回し線１７にはNiFeあるいはCuなどを使用する。これにより、発熱抵抗体１１の抵抗は少なくとも引き回し線１７の２倍以上になる。よって、引き回し線１７での余計な発熱ロスを抑え、発熱させたい発熱抵抗体１１で効果的に発熱させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】一実施例に係るスライダを搭載した磁気ディスク装置の斜視図。
【図２】一実施例におけるスライダの斜視図。
【図３】一実施例におけるスライダの空気流出端面側から見た図。
【図４】一実施例におけるスライダの薄膜磁気ヘッド部分の拡大断面図（図３のＸ―Ｘ断面図）。
【図５】一実施例におけるスライダの断面拡大図（図３のＹ―Ｙ断面図）。
【図６】図４のＺ―Ｚ断面図。
【図７】一実施例におけるスライダの各端子の配列及び配線構造を示す図。
【図８】一実施例におけるアーム・サスペンション上の伝送線路の概略平面図。
【図９】他の例における各端子の配列及び配線構造を示す図。
【図１０】比較例としてあげた各端子の配列及び配線構造を示す図。
【符号の説明】
【００３５】
１：スライダ、１ａ：スライダ基板部分、１ｂ：スライダ薄膜ヘッド部分、２：記録再生素子、３：引き出し線、３ａ：記録用引き出し線、３ｂ：再生用引き出し線、３ｃ：内部金属膜、４：記録用中継端子、５：再生用中継端子、６：浮上面、６ａ：レール面、６ｂ：浅溝面、６ｃ：深溝面、７：空気流入端、８：空気流出端、９：下地絶縁膜、１０：磁気ディスク、１１：発熱抵抗体、１２：絶縁層、１３：磁気ディスク装置、１４：ランプ、１５：ロードビーム、１６：ボイスコイルモータ、１７：発熱抵抗体の引き回し線、１８：下部シールド膜、１９：下部ギャップ膜、２０：磁気抵抗効果型素子、２１：磁気信号を引き出すための電極、２２：上部ギャップ膜、２３：上部シールド膜、２４：上部シールド絶縁膜、２５：下部磁極、２６：磁気ギャップ膜、２７：上部磁極、２８：コイル、２９：有機絶縁膜、３０：発熱抵抗体用中継端子、３１：放電防止用中継端子、３２：磁気再生素子用の配線、３３：磁気記録素子用の配線、３４：発熱抵抗体用の配線、３８：アーム・サスペンション
【図１】
2006079775.tif 000003
【図２】
2006079775.tif 000004
【図３】
2006079775.tif 000005
【図４】
2006079775.tif 000006
【図５】
2006079775.tif 000007
【図６】
2006079775.tif 000008
【図７】
2006079775.tif 000009
【図８】
2006079775.tif 000010
【図９】
2006079775.tif 000011
【図１０】
2006079775.tif 000012