(57)【要約】【課題】  簡便な製造方法により容易に結晶化させて有機薄膜を形成することができるとともに、得られた有機薄膜を基板表面に強固に吸着させて物理的な剥がれを防止して、かつ、高い秩序性、結晶性、電気伝導特性を有する有機薄膜を作製できるπ電子共役系有機シラン化合物およびその合成方法を提供すること。【解決手段】  Ｒ１−ＳｉＸ１Ｘ２Ｘ３（Ｒ１はσ＊-π＊共役系を形成する原子を含有する単環式複素環ユニットを含む有機基；Ｘ１〜Ｘ３は加水分解により水酸基を与える基）で表されるπ電子共役系有機シラン化合物。Ｒ１−Ｌｉ（Ｒ１は上記と同義）の化合物、またはＲ１−ＭｇＸ５（Ｒ１は上記と同義；Ｘ５はハロゲン原子）の化合物と、Ｘ４−ＳｉＸ１Ｘ２Ｘ３（Ｘ１〜Ｘ３は上記と同義；Ｘ４は水素原子、ハロゲン原子又は低級アルコキシ基）の化合物とを反応させる上記π電子共役系有機シラン化合物の合成方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｉ）；Ｒ１−ＳｉＸ１Ｘ２Ｘ３      （Ｉ）
（式中、Ｒ１は長周期型元素周期表における４Ａ族、４Ｂ族、５Ｂ族および６Ｂ族元素からなる群から選択される原子を含有する単環式複素環ユニットを含む有機基である；Ｘ１〜Ｘ３は加水分解により水酸基を与える基である）で表されるπ電子共役系有機シラン化合物。
【請求項２】
Ｒ１が、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐ、Ｓｅ、Ｔｅ、ＴｉおよびＺｒからなる群から選択される原子を含有する単環式複素環ユニットを含む有機基である請求項１に記載のπ電子共役系有機シラン化合物。
【請求項３】
Ｒ１が他の単環式複素環ユニットまたは／および単環式芳香族炭化水素環ユニットをさらに含む有機基である請求項１または２に記載のπ電子共役系有機シラン化合物。
【請求項４】
他の単環式複素環ユニットがチオフェン環ユニットであり、単環式芳香族炭化水素環ユニットがベンゼン環ユニットである請求項３に記載のπ電子共役系有機シラン化合物。
【請求項５】
Ｒ１が含有するユニットの合計数が１〜９である請求項１〜４のいずれかに記載のπ電子共役系有機シラン化合物。
【請求項６】
Ｒ１がユニット間にビニレン基を含む有機基である請求項１〜５のいずれかに記載のπ電子共役系有機シラン化合物。
【請求項７】
Ｘ１〜Ｘ３がそれぞれ独立してハロゲン原子または低級アルコキシ基である請求項１〜６のいずれかに記載のπ電子共役系有機シラン化合物。
【請求項８】
一般式（ＩＩ）；Ｒ１−Ｌｉ      （ＩＩ）
（式中、Ｒ１は長周期型元素周期表における４Ａ族、４Ｂ族、５Ｂ族および６Ｂ族元素からなる群から選択される原子を含有する単環式複素環ユニットを含む有機基である）で表される化合物と、
一般式（ＩＩＩ）；Ｘ４−ＳｉＸ１Ｘ２Ｘ３      （ＩＩＩ）
（式中、Ｘ１〜Ｘ３は加水分解により水酸基を与える基である；Ｘ４は水素原子、ハロゲン原子又は低級アルコキシ基である）で表される化合物とを反応させることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のπ電子共役系有機シラン化合物を合成する方法。
【請求項９】
一般式（ＩＶ）；Ｒ１−ＭｇＸ５      （ＩＶ）
（式中、Ｒ１は長周期型元素周期表における４Ａ族、４Ｂ族、５Ｂ族および６Ｂ族元素からなる群から選択される原子を含有する単環式複素環ユニットを含む有機基である；Ｘ５はハロゲン原子である）で表される化合物と、
一般式（ＩＩＩ）；Ｘ４−ＳｉＸ１Ｘ２Ｘ３      （ＩＩＩ）
（式中、Ｘ１〜Ｘ３は加水分解により水酸基を与える基である；Ｘ４は水素原子、ハロゲン原子又は低級アルコキシ基である）で表される化合物とをグリニヤール反応させることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のπ電子共役系有機シラン化合物を合成する方法。
【請求項１０】
長周期型元素周期表における４Ａ族、４Ｂ族、５Ｂ族および６Ｂ族元素からなる群から選択される原子（Ｙ０）を含有する単環式複素環ユニットを含有する化合物の所定部位をハロゲン化し、得られたハロゲン化合物とＹ０原子含有単環式複素環ユニットを含有するグリニヤール試薬を用いてグリニヤール反応を行う操作を繰り返すことによって、Ｒ１におけるＹ０原子含有単環式複素環ユニットの数を制御することを特徴とする請求項８または９に記載のπ電子共役系有機シラン化合物の合成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はπ電子共役系有機シラン化合物およびその合成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、無機材料を用いた半導体に対し、製造が簡単で加工しやすく、デバイスの大型化にも対応でき、かつ量産によるコスト低下が見込め、無機材料よりも多様な機能を有した有機化合物を合成できることから、有機化合物を用いた半導体（有機半導体）の研究開発が行われ、その成果が報告されている。
【０００３】
なかでも、π電子共役系分子を含有する有機化合物を利用することにより、大きな移動度を有するＴＦＴを作製することができることが知られている。この有機化合物としては、代表例としてペンタセンが報告されている（例えば、非特許文献１）。ここでは、ペンタセンを用いて有機半導体層を作製し、この有機半導体層でＴＦＴを形成すると、電界効果移動度が１．５ｃｍ２／Ｖｓとなり、アモルファスシリコンよりも大きな移動度を有するＴＦＴを構築することが可能であるとの報告がなされている。
しかし、上記に示すような、アモルファスシリコンよりも高い電界効果移動度を得るための有機半導体層を作製する場合、抵抗加熱蒸着法や分子線蒸着法などの真空プロセスを必要とするため、製造工程が煩雑となるとともに、ある特定の条件下でしか結晶性を有する膜が得られない。また、基板上への有機化合物膜の吸着が物理吸着であるため、膜の基板への吸着強度が低く、容易に剥がれるという問題がある。更に、膜中での有機化合物の分子の配向をある程度制御するために、通常、あらかじめ膜を形成する基板にラビング処理等による配向制御が行われているが、物理吸着による成膜では、物理吸着した有機化合物と基板との界面での化合物分子の整合性や配向性を制御できるとの報告は未だなされていない。
【０００４】
一方、このＴＦＴの特性の代表的な指針となる電界効果移動度に大きな影響を及ぼす膜の規則性（結晶性・配向性）については、近年、その製造が簡便なことから、有機化合物を用いた自己組織化膜が着目され、その膜を利用する研究がなされている。自己組織化膜とは、有機化合物の一部を、基板表面の官能基と結合させたものであり、きわめて欠陥が少なく、高い秩序性すなわち結晶性を有した膜である。この自己組織化膜は、製造方法がきわめて簡便であるため、基板への成膜を容易に行うことができる。通常、自己組織化膜として、金基板上に形成されたチオール膜や、親水化処理により表面に水酸基を突出可能な基板（例えば、シリコン基板）上に形成されたケイ素系化合物膜が知られている。なかでも、耐久性が高い点で、ケイ素系化合物膜が注目されている。ケイ素系化合物膜は、従来から撥水コーティングとして使用されており、撥水効果の高いアルキル基や、フッ化アルキル基を有機官能基として有するシランカップリング剤が用いて成膜されていた。
しかし、自己組織化膜の導電性は、膜に含まれるケイ素系化合物中の有機官能基によって決定されるが、市販のシランカップリング剤には、有機官能基にπ電子共役系分子が含まれる化合物はなく、そのため自己組織化膜に導電性を付与することが困難である。したがって、ＴＦＴのようなデバイスに適した、π電子共役系分子が有機官能基として含まれるケイ素系化合物が求められている。また、電界効果移動度に大きな影響を与えるもう一つの因子として、材料である有機分子の電子物性が挙げられる。一般に有機薄膜中での電流の流れやすさは、有機薄膜中のある有機材料分子から別の有機材料分子への電子の移動しやすさにより大きく左右される。バンドギャップがより小さいほど、電流が流れやすくなるため、前記電子の移動しやすさは、有機材料分子の有する分子軌道（特にＨＯＭＯ及びＬＵＭＯ）によって大きく変化する。
【０００５】
このようなケイ素系化合物として、分子の末端に官能基としてチオフェン環を１つ有し、チオフェン環が直鎖炭化水素基を介してケイ素原子と結合した化合物が提案されている（例えば、特許第２８８９７６８号公報：特許文献１）。
【非特許文献１】IEEE Electron Device Lett.,18,606-608(1997)
【特許文献１】特許第２８８９７６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記特許文献１にて提案されている化合物は、基板との化学吸着可能な自己組織化膜は作製可能であるが、ＴＦＴなどの電子デバイスに使用できる高い秩序性、結晶性、電気伝導特性を有する有機薄膜を必ずしも作製できなかった。
高い秩序性、すなわち、高い結晶性を得るためには、分子間に高い引力相互作用が働く必要がある。分子間力とは、引力項と反発項により構成されており、前者は分子間距離の６乗に、後者は分子間距離の１２乗に反比例する。したがって、引力項と反発項を足し合わせた分子間力は図１１に示す関係を有する。ここで、図１１での極小点（図中の矢印部分）はファンデルワールス半径と呼ばれており、引力項と反発項との兼ね合いから最も分子間に高い引力が作用するときの分子間距離である。すなわち、より高い結晶性を得るためには、分子間距離を前記ファンデルワールス半径にできる限り近づけることが重要である。したがって、本来、抵抗加熱蒸着法や分子線蒸着法等の真空プロセスにおいては、ある特定の条件下においてのみ、π電子共役系分子同士の分子間相互作用をうまく制御することで、高い秩序性、すなわち結晶性が得られている。このように分子間相互作用により構築される結晶性でのみ、高い電気伝導特性を発現することが可能となる。
【０００７】
一方、上記化合物は、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉの２次元ネットワークを形成することで基板と化学吸着し、かつ、特定の長鎖アルキル同士の分子間相互作用による秩序性が得られる可能性はあるが、官能基である１つのチオフェン分子がπ電子共役系に寄与するのみであるため、分子間の相互作用が弱く、また電気伝導性に不可欠なπ電子共役系の広がりが非常に小さいという問題があった。仮に、上記官能基であるチオフェン分子の分子数を増やすことができたとしても、膜の秩序性を形成する因子が、長鎖アルキル部とチオフェン部との間で、分子間相互作用を整合一致させることは困難である。
【０００８】
更に、電気伝導特性としては、官能基である１つのチオフェン分子では、ＨＯＭＯ−ＬＵＭＯエネルギーギャップが大きく、有機半導体層としてＴＦＴ等に使用しても、十分なキャリア移動度が得られないという課題が存在していた。有機薄膜を用いたデバイスの特性は有機薄膜の秩序性、材料分子の電子物性の2項目から決定されるが、上記のように、従来は有機薄膜の秩序性の改善に関する報告が多く、有機薄膜の秩序性と材料分子の電子物性の双方を考慮した報告はほとんどなされていない。
【０００９】
本発明は、上記事情に鑑みなされたものであり、簡便な製造方法により容易に結晶化させて有機薄膜を形成することができるとともに、得られた有機薄膜を基板表面に強固に吸着させて物理的な剥がれを防止して、かつ、高い秩序性、結晶性、電気伝導特性を有する有機薄膜を作製できるπ電子共役系有機シラン化合物およびその合成方法を提供することを目的とする。
【００１０】
本発明はまた、ＴＦＴのような半導体電子デバイスに用いた場合に、十分なキャリア移動度を確保することができる新規なπ電子共役系有機シラン化合物及びその合成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、一般式（Ｉ）；Ｒ１−ＳｉＸ１Ｘ２Ｘ３      （Ｉ）
（式中、Ｒ１は長周期型元素周期表における４Ａ族、４Ｂ族、５Ｂ族および６Ｂ族元素からなる群から選択される原子を含有する単環式複素環ユニットを含み、置換基を有してもよい有機基である；Ｘ１〜Ｘ３は加水分解により水酸基を与える基である）で表されるπ電子共役系有機シラン化合物に関する。
【００１２】
本発明はまた、
一般式（ＩＩ）；Ｒ１−Ｌｉ      （ＩＩ）
（式中、Ｒ１は長周期型元素周期表における４Ａ族、４Ｂ族、５Ｂ族および６Ｂ族元素からなる群から選択される原子を含有する単環式複素環ユニットを含み、置換基を有してもよい有機基である）で表される化合物、または
一般式（ＩＶ）；Ｒ１−ＭｇＸ５      （ＩＶ）
（式中、Ｒ１は長周期型元素周期表における４Ａ族、４Ｂ族、５Ｂ族および６Ｂ族元素からなる群から選択される原子を含有する単環式複素環ユニットを含み、置換基を有してもよい有機基である；Ｘ５はハロゲン原子である）で表される化合物と、
一般式（ＩＩＩ）；Ｘ４−ＳｉＸ１Ｘ２Ｘ３      （ＩＩＩ）
（式中、Ｘ１〜Ｘ３は加水分解により水酸基を与える基である；Ｘ４は水素原子、ハロゲン原子又は低級アルコキシ基である）で表される化合物とを反応させることを特徴とする上記π電子共役系有機シラン化合物を合成する方法に関する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、一般式（Ｉ）の化合物は、当該化合物分子間で形成されるＳｉ−Ｏ−Ｓｉの２次元ネットワーク化により、基板に化学吸着すると共に、膜の結晶化に必要な分子間相互作用（分子を近距離化させる力）が効率的に働くため、非常に高い安定性を有し、且つ、高度に結晶化された有機薄膜を形成できる。したがって、基板に物理吸着により作製した膜と比較して、より強固に膜を基板表面に吸着（固定）させて、物理的な剥がれを防止できる。しかも、一般式（Ｉ）の化合物は簡便に製造可能である。
また、有機薄膜を構成する化合物のシリル基由来のネットワークと上部を構成する有機残基が直接結合しており、かつシリル基由来のネットワークとπ共役系分子の分子間相互作用によって、高い秩序性（結晶性）結晶性を有する有機薄膜を形成することができる。
さらに、一般式（Ｉ）の化合物は、４Ａ族、４Ｂ族、５Ｂ族および６Ｂ族元素からなる群、特にＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐ、Ｓｅ、Ｔｅ、ＴｉおよびＺｒからなる群から選ばれるヘテロ原子を含む単環式複素環ユニットを少なくとも一つ以上含むため、ＬＵＭＯが安定化された、電子の移動しやすい電子構造を有する。したがって、化合物分子間でのホッピング伝導により、キャリアの移動がスムーズに行われる。さらに、分子軸方向へも高い導電性が得られることで、導電性材料として、有機薄膜トランジスタ材料のみならず、太陽電池、燃料電池、センサー等に広く応用することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
（有機シラン化合物）
本発明のπ電子共役系有機シラン化合物は一般式（Ｉ）；
Ｒ１−ＳｉＸ１Ｘ２Ｘ３      （Ｉ）
で表されるものである。以下、当該化合物を有機シラン化合物（Ｉ）という。
【００１５】
式（Ｉ）においてＲ１は長周期型元素周期表における４Ａ族、４Ｂ族、５Ｂ族および６Ｂ族元素からなる群から選択される原子を含有する単環式複素環ユニットを含んでなり、置換基を有してもよい有機基である。そのような原子を含有する単環式複素環において当該原子部位のσ＊軌道と当該複素環が有する２重結合部位、特にジエン部位のπ＊軌道との間でσ＊-π＊共役が達成されるため、当該原子を含有する単環式複素環は低いＬＵＭＯエネルギー準位を有する。その結果として、化合物の電気伝導特性（半導体特性）が顕著に向上するものと考えられる。一方、Ｓ，Ｎ，Ｏ，Ｃなどの原子のみで構成される化合物では上記のようなσ＊-π＊共役を達成できないので、化合物のＬＵＭＯが有効に安定化されず、結果として化合物の電気伝導特性（半導体特性）が比較的低くなると考えられる。
【００１６】
長周期型元素周期表における４Ａ族、４Ｂ族、５Ｂ族および６Ｂ族元素からなる群から選択される原子（以下、Ｙ０原子という）は単環式複素環に環構成原子として１個以上含有されればよく、好ましくは１〜２個含有される。そのようなＹ０原子として、例えば、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐ、Ｓｅ、Ｔｅ、ＴｉおよびＺｒからなる群から選択される原子が挙げられる。
【００１７】
上記Ｙ０原子を含有する単環式複素環としては５員環〜１２員環が好ましく、より好ましくは５員環あるいは６員環である。
【００１８】
単環式複素５員環ユニットの好ましい具体例として、例えば、以下のユニットが挙げられる。
【化１】
2006028137.tif 000002
【００１９】
上記具体例中、ＹＩは共通して４Ａ族および４Ｂ族元素で表される原子であり、例えば、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、ＴｉまたはＺｒである。
ＹＩＩは共通して５Ｂ族元素で表される原子であり、例えば、Ｐである。
ＹＩＩＩは共通して６Ｂ族元素で表される原子であり、例えば、ＳｅまたはＴｅである。
ＹＩ、ＹＩＩおよびＹＩＩＩのうちの１種のＹ基が１のユニットに２個以上含まれる場合、それらのＹ基はそれぞれ独立して上記範囲内で選択されればよい。
【００２０】
単環式複素６員環ユニットの好ましい具体例として、例えば、以下のユニットが挙げられる。
【化２】
2006028137.tif 000003
【００２１】
上記具体例中、ＹＩ、ＹＩＩおよびＹＩＩＩは単環式複素５員環ユニットの上記具体例においてと同様である。
【００２２】
上記単環式複素５員環ユニットおよび単環式複素６員環ユニットの具体例のうち左右対称性を有しないユニットは当該ユニットの鏡像異性体も包含して意味するものとする。
【００２３】
Ｙ０原子を含有する単環式複素環ユニットは１つのＲ１に１個以上含まれていればよく、例えば、１〜３０個含まれてよい。特に、収率、経済性、量産化の観点から、Ｒ１は１〜９個の上記Ｙ０原子含有単環式複素環ユニットを含むことが好ましい。
【００２４】
Ｒ１がＹ０原子含有単環式複素環ユニットを複数個含む場合、それらのユニットは全て同種のものであってもよいし、または一部または全部が異種のものであってもよい。
【００２５】
Ｒ１はπ電子共役を示す他の単環式複素環ユニットまたは／および単環式芳香族炭化水素環ユニットをさらに含んでもよい。
他の単環式複素環ユニットに含有される複素原子としては、例えば、酸素、窒素および硫黄原子が挙げられる。Ｒ１に含まれ得る他の単環式複素環ユニットの具体例として、例えば、フランのような酸素原子含有複素環、ピロール、ピリジン、ピリミジン、ピロリン、イミダゾリンおよびピラゾリン等の窒素原子含有複素環、チオフェンのような硫黄原子含有複素環、オキサゾールおよびイソキサゾール等の窒素及び酸素原子含有複素環、チアゾールおよびイソチアゾール等の硫黄及び窒素原子含有複素環等が挙げられる。なかでも、チオフェンが特に好ましい。
【００２６】
Ｒ１に含まれ得る単環式芳香族炭化水素環ユニットの具体例として、ベンゼン環が挙げられる。
【００２７】
Ｒ１がそのような他の単環式複素環ユニットまたは／および単環式芳香族炭化水素環ユニットを含む場合は、それらのユニットと前記Ｙ０原子含有単環式複素環ユニットとの合計数が、上記したＹ０原子含有単環式複素環ユニット数の範囲内であればよい。
【００２８】
Ｒ１が他の単環式複素環ユニットを複数個含む場合、それらのユニットは全て同種のものであってもよいし、または一部または全部が異種のものであってもよい。Ｒ１が単環式芳香族炭化水素環ユニットを複数個含む場合も同様である。
【００２９】
Ｒ１に上記のようなＹ０原子含有単環式複素環ユニット、他の単環式複素環ユニットおよび単環式芳香族炭化水素環ユニット等のユニットが複数個含まれる場合、それらのユニットは、直線状に結合されていても、または分岐状に結合されていてもよい。分岐状に結合されるとは、少なくとも１個のユニットが分岐点となり、当該ユニットに２個以上のユニットが結合されることを意味する。有機薄膜の結晶性（秩序性）の観点から好ましくは、直線状に結合されていることが好ましい。
【００３０】
Ｒ１が複数種類のユニットを含む場合、複数種類のユニットは規則的な繰り返し単位で配列されて結合していてもよいし、またはランダムに配列されて結合していてもよい。
【００３１】
また、Ｒ１を構成するユニットがＹ０原子含有単環式複素環ユニット、他の単環式複素環ユニットおよび単環式芳香族炭化水素環ユニットのいずれであっても、ユニットの結合位置は、ユニットが５員環の場合には、２，５−位、３，４−位、２，３−位、２，４−位等のいずれでもよく、なかでも２，５−位が好ましい。この場合、特にＹ０原子含有単環式複素環ユニットの結合位置は、上記以外に、１，１−位であってもよい。ユニットが６員環の場合には、１，４−位、１，２−位、１，３−位、２，３−位、２，４−位、２，５−位等のいずれでもよく、なかでも２，５−位が好ましい。なお、結合位置を示す上記値は、環が１個のヘテロ原子を有する場合は当該ヘテロ原子を基準に、環が２個以上のヘテロ原子を有する場合は分子量が最も大きいヘテロ原子を基準に、環がヘテロ原子を有しない場合は任意の炭素原子を基準にした値である。
【００３２】
Ｒ１が複数個のユニットを含む場合、それらのユニットは直接的に結合されていてもよいし、またはビニレン基類によって間接的に結合されていてもよい。ビニレン基類は以下の炭化水素類の両端の水素原子を除いてなる２価の不飽和有機基である。ビニレン基類を与える炭化水素類としては、アルケン、アルカジエン、アルカトリエン等が挙げられる。アルケンとしては、炭素数２〜４の化合物、例えば、エチレン、プロピレン、ブチレン等が挙げられ、なかでもエチレンが好ましい。アルカジエンとしては、炭素数４〜６の化合物、ブタジエン、ペンタジエン、ヘキサジエン等が挙げられる。アルカトリエンとしては、炭素数６〜８の化合物、例えば、ヘキサトリエン、ヘプタトリエン、オクタトリエン等が挙げられる。
【００３３】
Ｒ１が有していてもよい置換基としては、例えば、ヒドロキシル基、置換若しくは無置換のアミノ基、ニトロ基、シアノ基、置換若しくは無置換のアルキル基、置換若しくは無置換のアルケニル基、置換若しくは無置換のシクロアルキル基、置換若しくは無置換のアルコキシ基、置換若しくは無置換の芳香族炭化水素基、置換若しくは無置換の芳香族複素環基、置換若しくは無置換のアラルキル基、置換若しくは無置換のアリールオキシ基、置換若しくは無置換のアルコキシカルボニル基、又は、カルボキシル基、エステル基等が挙げられる。これらの置換基のなかでも、立体障害により有機薄膜の結晶化を阻害しない基が好ましく、例えば炭素数１〜３０、特に１〜４の直鎖アルキル基がより好ましい。
【００３４】
式（Ｉ）中、Ｘ１〜Ｘ３は加水分解により水酸基を与える基である。加水分解により水酸基を与える基としては、特に限定されるものではなく、例えば、ハロゲン原子又は低級アルコキシ基等が挙げられる。ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、ヨウ素、臭素原子が挙げられる。低級アルコキシ基としては、炭素数１〜４のアルコキシ基が挙げられる。例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、２−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等が挙げられ、その一部が更に別の官能基（トリアルキルシリル基、他のアルコキシ基等）で置換されたものでもよい。Ｘ１、Ｘ２及びＸ３は同一であっても、または一部または全部が異なっていてもよいが、全てが同一であることが好ましい。
【００３５】
以上のような有機シラン化合物（Ｉ）の好ましい具体例として、例えば、以下の一般式（１）〜（１１）で表される化合物が挙げられる。
【化３】
2006028137.tif 000004
【００３６】
【化４】
2006028137.tif 000005
【００３７】
一般式（１）〜（１１）において以下に示す共通する番号の基および記号は同様の意味内容を有するものとする。
Ｒ２〜Ｒ４はそれぞれ独立して、前記「Ｒ１が有していてもよい置換基」の範囲内であればいずれの基であってもかまわないが、特に水素原子、炭素数１〜４の炭化水素基、炭素数５〜１２のシクロアルキル基、炭素数６〜１８のアリール基が好ましい。
各一般式において複数のＲ３がある場合、それらのＲ３はそれぞれ独立して上記範囲内から選択されればよい。
Ｘ１〜Ｘ３は式（Ｉ）においてと同様であり、それぞれ独立してフッ素原子、塩素原子、ヨウ素原子、臭素原子、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、２−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基またはｔｅｒｔ−ブトキシ基である。好ましくは、塩素原子、メトキシ基、エトキシ基である。
【００３８】
他の基および記号については以下、各式において個別に説明する。
一般式（１）中、Ｙ１はＳｉ，Ｇｅ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｐ，Ｓｎ，ＴｉまたはＺｒであり、好ましくはＳｉまたはＳｅである。詳しくはＹ１がＳｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｚｒのときは−Ｙ１（Ｒ４）２−、Ｙ１がＰのときは−Ｙ１（Ｒ４）−であり、Ｙ１がＳｅ、Ｔｅのときは−Ｙ１−である。ただし、Ｒ４は水素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、２−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、フェニル基であり、好ましくは水素原子、メチル基である。ｎ１は１〜９、好ましくは２〜８の整数である。
【００３９】
一般式（２）中、Ｙ２はＳｅまたはＴｅである。詳しくはＹ２がＳｅ、Ｔｅのときは−Ｙ２−である。
ｎ１は１〜９、好ましくは２〜８の整数である。
【００４０】
一般式（３）中、Ｙ３はＳｉ，Ｇｅ，Ｐ，Ｓｎ，ＴｉまたはＺｒであり、好ましくはＳｉ,Ｐである。詳しくはＹ３がＳｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｚｒのときは−Ｙ３（Ｒ４）＝、Ｙ３がＰのときは−Ｙ３＝である。ただし、Ｒ４は式（１）においてと同様であり、好ましくは水素原子、メチル基である。
ｎ１は１〜９、好ましくは２〜８の整数である。
【００４１】
一般式（４）中、Ｙ４およびＹ５はそれぞれ独立してＳｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，ＴｉまたはＺｒであり、好ましくはＳｉである。
ｎ１は１〜９、好ましくは２〜８の整数である。
【００４２】
一般式（５）中、Ｙ６〜Ｙ８はそれぞれ独立してＳ，Ｎ，Ｏ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｐ，Ｓｎ，ＴｉまたはＺｒである。ただし、Ｙ６〜Ｙ８のうち少なくとも１個の基、好ましくは少なくともＹ７はＳｉ，Ｇｅ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｐ，Ｓｎ，ＴｉまたはＺｒである。詳しくはＹ６がＳｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｚｒのときは−Ｙ６（Ｒ４）２−、Ｙ６がＮ，Ｐのときは−Ｙ６（Ｒ４）−であり、Ｙ６がＳ、Ｏ、Ｓｅ、Ｔｅのときは−Ｙ６−である。ただし、Ｒ４は式（１）においてと同様であり、好ましくは水素原子、メチル基である。詳しいＹ７およびＹ８は上記詳しいＹ６に準じるものとする。
ｎ２＋ｎ３＋ｎ４は１〜９、好ましくは５〜９の整数である。但し、ｎ２は１以上、好ましくは２以上であり、ｎ３は１以上であり、ｎ４は１以上、好ましくは２以上である。
【００４３】
一般式（６）中、Ｙ９はＳｉ，Ｇｅ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｐ，Ｓｎ，ＴｉまたはＺｒである。詳しくはＹ９がＳｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｚｒのときは−Ｙ９（Ｒ４）２−、Ｙ９がＰのときは−Ｙ９（Ｒ４）−であり、Ｙ９がＳｅ、Ｔｅのときは−Ｙ９−である。ただし、Ｒ４は式（１）においてと同様であり、好ましくは水素原子、メチル基である。
Ｚ１およびＺ２はそれぞれ独立してＮ，Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｐ，Ｓｎ，ＴｉまたはＺｒである。詳しくはＺ１がＣ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｚｒのときは−Ｚ１（Ｒ４）＝、Ｚ１がＮ、Ｐのときは−Ｚ１＝である。ただし、Ｒ４は式（１）においてと同様であり、好ましくは水素原子、メチル基である。詳しいＺ２は上記詳しいＺ１に準じるものとする。
ｎ２＋ｎ３＋ｎ４は１〜９、好ましくは５〜９の整数である。但し、ｎ２は１以上、好ましくは２以上であり、ｎ３は１以上、好ましくは２以上であり、ｎ４は１以上、好ましくは２以上である。
【００４４】
一般式（７）中、Ｙ１０〜Ｙ１１はそれぞれ独立してＳ，Ｎ，Ｏ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｐ，Ｓｎ，ＴｉまたはＺｒである。ただし、Ｙ１０〜Ｙ１１のうち少なくとも１個の基はＳｉ，Ｇｅ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｐ，Ｓｎ，ＴｉまたはＺｒである。詳しくはＹ１０がＳｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｚｒのときは−Ｙ１０（Ｒ４）２−、Ｙ１０がＮ，Ｐのときは−Ｙ１０（Ｒ４）−であり、Ｙ１０がＳ、Ｏ、Ｓｅ、Ｔｅのときは−Ｙ１０−である。ただし、Ｒ４は式（１）においてと同様であり、好ましくは水素原子、メチル基である。詳しいＹ１１は上記詳しいＹ１０に準じるものとする。
ｎ５＋ｎ６は１〜９、好ましくは５〜８の整数である。但し、ｎ５は０以上、好ましくは１以上であり、ｎ６は０以上、好ましくは１以上である。
【００４５】
一般式（８）中、Ｙ１２はＳｉ，Ｇｅ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｐ，Ｓｎ，ＴｉまたはＺｒである。詳しくはＹ１２がＳｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｚｒのときは−Ｙ１２（Ｒ４）２−、Ｙ１２がＰのときは−Ｙ１２（Ｒ４）−であり、Ｙ１２がＳｅ、Ｔｅのときは−Ｙ１２−である。ただし、Ｒ４は式（１）においてと同様であり、好ましくは水素原子、メチル基である。
Ｚ３はＮ，Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｐ，Ｓｎ，ＴｉまたはＺｒである。詳しくはＺ３がＣ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｚｒのときは−Ｚ３（Ｒ４）＝、Ｚ３がＮ、Ｐのときは−Ｚ３＝である。ただし、Ｒ４は式（１）においてと同様であり、好ましくは水素原子、メチル基である。
ｎ５＋ｎ６は１〜９、好ましくは５〜８の整数である。但し、ｎ５は１以上、好ましくは２以上であり、ｎ６は０以上、好ましくは１以上である。
【００４６】
一般式（９）中、Ｙ１３はＳｉ，Ｇｅ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｐ，Ｓｎ，ＴｉまたはＺｒである。詳しくはＹ１３がＳｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｚｒのときは−Ｙ１３（Ｒ４）２−、Ｙ１３がＰのときは−Ｙ１３（Ｒ４）−であり、Ｙ１３がＳｅ、Ｔｅのときは−Ｙ１３−である。ただし、Ｒ４は式（１）においてと同様であり、好ましくは水素原子、メチル基である。
Ｚ４はＮ，Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｐ，Ｓｎ，ＴｉまたはＺｒである。詳しくはＺ４がＣ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｚｒのときは−Ｚ４（Ｒ４）＝、Ｚ４がＮ、Ｐのときは−Ｚ４＝である。ただし、Ｒ４は式（１）においてと同様であり、好ましくは水素原子、メチル基である。
ｎ５＋ｎ６は１〜９、好ましくは５〜８の整数である。但し、ｎ５は１以上、好ましくは２以上であり、ｎ６は０以上、好ましくは１以上である。
【００４７】
一般式（１０）中、Ｙ１４〜Ｙ１５はそれぞれ独立してＳ，Ｎ，Ｏ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｐ，Ｓｎ，ＴｉまたはＺｒである。ただし、Ｙ１４〜Ｙ１５のうち少なくとも１個の基はＳｉ，Ｇｅ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｐ，Ｓｎ，ＴｉまたはＺｒである。詳しくはＹ１４がＳｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｚｒのときは−Ｙ１４（Ｒ４）２−、Ｙ１４がＮ，Ｐのときは−Ｙ１４（Ｒ４）−であり、Ｙ１４がＳ、Ｏ、Ｓｅ、Ｔｅのときは−Ｙ１４−である。ただし、Ｒ４は式（１）においてと同様であり、好ましくは水素原子、メチル基である。詳しいＹ１５は上記詳しいＹ１４に準じるものとする。
ｎ５＋ｎ６は１〜９、好ましくは５〜８の整数である。但し、ｎ５は０以上、好ましくは１以上であり、ｎ６は０以上、好ましくは１以上である。
【００４８】
一般式（１１）中、Ｙ１６はＳｉ，Ｇｅ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｐ，Ｓｎ，ＴｉまたはＺｒである。詳しくはＹ１６がＳｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｚｒのときは−Ｙ１６（Ｒ４）２−、Ｙ１６がＰのときは−Ｙ１６（Ｒ４）−であり、Ｙ１６がＳｅ、Ｔｅのときは−Ｙ１６−である。ただし、Ｒ４は式（１）においてと同様であり、好ましくは水素原子、メチル基である。
Ｚ５はＮ，Ｃ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｐ，Ｓｎ，ＴｉまたはＺｒである。詳しくはＺ５がＣ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｚｒのときは−Ｚ５（Ｒ４）＝、Ｚ５がＮ、Ｐのときは−Ｚ５＝である。ただし、Ｒ４は式（１）においてと同様であり、好ましくは水素原子、メチル基である。
ｎ５＋ｎ６は１〜９、好ましくは５〜８の整数である。但し、ｎ５は１以上、好ましくは２以上であり、ｎ６は０以上、好ましくは１以上である。
【００４９】
（合成方法）
以下、本発明の有機シラン化合物（Ｉ）の合成方法を説明する。
本発明の有機シラン化合物（Ｉ）は、
一般式（ＩＩ）；Ｒ１−Ｌｉ      （ＩＩ）
（式中、Ｒ１は前記式（Ｉ）においてと同義である）で表される化合物と、
一般式（ＩＩＩ）；Ｘ４−ＳｉＸ１Ｘ２Ｘ３      （ＩＩＩ）
（式中、Ｘ１、Ｘ２およびＸ３は前記式（Ｉ）においてと同義である；Ｘ４は水素原子、ハロゲン原子（例えば、フッ素、塩素、ヨウ素または臭素原子）又は低級アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、２−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基等）である）で表される化合物とを反応させるか、又は、
一般式（ＩＶ）；Ｒ１−ＭｇＸ５      （ＩＶ）
（式中、Ｒ１は前記式（Ｉ）においてと同義である；Ｘ５はハロゲン原子である）で表される化合物と、
上記一般式（ＩＩＩ）で表される化合物とをグリニヤール反応させることにより得ることができる。
【００５０】
一般式（ＩＩ）又は（ＩＶ）の化合物は、例えば、Ｒ１Ｈ（式中、Ｒ１は前記式（Ｉ）においてと同義である）で表される化合物を、アルキルリチウムと反応させて得るか、あるいはＲ１Ｘ５（式中、Ｒ１は前記式（Ｉ）においてと同義である；Ｘ５はハロゲン原子、例えば、フッ素、塩素、ヨウ素または臭素原子である）で表される化合物をアルキルマグネシウムハライド又は金属マグネシウム等と反応させて得ることができる。
【００５１】
この反応で用いられるアルキルリチウムとしては、ｎ−ブチルリチウム、ｓ−ブチルリチウム、ｔ−ブチルリチウム等の低級（炭素数１〜４程度）アルキルリチウムが挙げられる。その使用量は化合物Ｒ１Ｈ１モルに対して１〜５モルが好ましく、より好ましくは１〜２モルである。アルキルマグネシウムハライドとしてはエチルマグネシウムブロミド、メチルマグネシウムクロリド等が挙げられる。その使用量は原料化合物Ｒ１Ｘ５１モルに対して１〜１０モルが好ましく、より好ましくは１〜４モルである。
【００５２】
一般式（ＩＩ）の化合物と一般式（ＩＩＩ）の化合物との反応、又は一般式（ＩＶ）の化合物と一般式（ＩＩＩ）の化合物との反応に際して、反応温度は、例えば、−１００〜１５０℃が好ましく、より好ましくは−２０〜１００℃である。反応時間は、例えば、０．１〜４８時間程度である。反応は、通常、反応に影響のない有機溶媒中で行われる。反応に悪影響のない有機溶媒としては、例えば、ヘキサン、ペンタン、ベンゼン、トルエン等脂肪族又は芳香族炭化水素、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）等のエーテル系溶媒等が挙げられ、これらは単独で又は混合液として用いることができる。なかでも、ジエチルエーテルとＴＨＦが好適である。反応は、任意に触媒を用いてもよい。触媒としては、白金触媒、パラジウム触媒、ニッケル触媒等、触媒として公知のものを用いることができる。
【００５３】
以下、上記一般式（ＩＩ）の化合物を得るための化合物Ｒ１Ｈの合成方法について後述の具体例（合成ルート１〜５）を参照しながら説明する。なお、上記一般式（ＩＶ）の化合物を得るための化合物Ｒ１Ｘ５の合成方法については、Ｒ１Ｈを、Ｎ−ブロモスクシンイミド、Ｎ−クロロスクシンイミド等のハロゲン化材によりハロゲン化することにより合成可能である。
【００５４】
・前記一般式（１）の化合物においてシリル基がＨに置換されたもの
以下では長周期型元素周期表における４Ａ族、４Ｂ族、５Ｂ族および６Ｂ族元素からなる群から選択される原子（Ｙ０原子）としてＳｅまたはＳｉを含有する単環式複素環ユニットを含むＲ１Ｈの合成方法について説明するが、同様の手法を用いれば、Ｇｅ，Ｔｅ，Ｐ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｚｒ等の他のヘテロ原子を含有する単環式複素環ユニットを含むＲ１Ｈも合成可能であることは明らかである。
【００５５】
セレノフェン環に由来するユニットから構成される５員環の前駆体（Ｒ１Ｈ）の合成方法としては、「Polymer (2003,44,5597-5603）」で報告がなされており、本発明においても、前記報告での方法に基づいて合成可能である。
また、シロール環に由来するユニットから構成される前駆体（Ｒ１Ｈ）の合成方法としては、「Journal of Organometallic Chemistry (2002,653,223-228）」、「Journal of Organometallic Chemistry (1998,559,73-80)」、「Coordination Chemistry Reviews (2003,244,1-44）」の報告がなされており、本発明においても、前記報告での方法に基づいて合成である。
【００５６】
Ｙ０原子含有単環式複素環ユニット（例えば、セレノフェン環ユニット、シロール環ユニット）の数は、出発原料として予め用意したＹ０原子含有単環式複素環ユニットを含有する化合物の所定部位をハロゲン化し、得られたハロゲン化合物とＹ０原子含有単環式ユニットを含有するグリニヤール試薬を用いてグリニヤール反応を行う操作を繰り返すことによって制御可能である（例えば、合成ルート１；第１〜第４反応式、合成ルート２；第１〜第２反応式、下記反応式Ａ、合成ルート３；第１反応式参照）。
【００５７】
【化５】
2006028137.tif 000006
【００５８】
合成ルート１の第１〜第４反応式では、セレノフェン環のみからなる前駆体（Ｒ１Ｈ）の合成方法が示されており、セレノフェンの１量体から２あるいは３量体を合成する反応が示されている。この手法によりセレノフェン環の数を一つずつ増やすことが可能であるため、４量体以上の前駆体についても同様の反応を繰り返すことによって合成可能である。
合成ルート２の第１反応式、上記反応式Ａ、および合成ルート３の第１反応式では、シロール環のみからなる前駆体の合成方法が示されており、シロールの１または２量体から２あるいは４〜６量体を合成する反応が示されている。この手法においても、シロール環の数を一つずつ増やすことが可能であるため、３量体あるいは７量体以上の前駆体についても同様の反応を繰り返すことによって合成可能である。
【００５９】
また、グリニヤール試薬を適用する方法以外にも、適当な金属触媒（Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｓｎ等）を利用したカップリングによってもＲ１における単環式複素環ユニットの数を制御しつつＲ１Ｈを合成できる。
【００６０】
・前記一般式（５）および（６）の化合物においてシリル基がＨに置換されたもの
また、Ｒ１が３種類のブロック型ユニットを含有するブロック型のＲ１Ｈは、中央のブロックを含有する化合物の両端に、端のブロックを含有する化合物を結合させることにより合成可能である。その方法としては、例えば、Ｓｕｚｕｋｉカップリングを使用する方法、あるいはグリニヤール反応を使用する方法がある。
【００６１】
例えば、シロール環を有する化合物の両末端に、チオフェンあるいはベンゼン由来のユニットをそれぞれ結合させる方法（合成ルート４；第１〜第３反応式、合成ルート５；第１反応式参照）としては、まず、シロール環を有する化合物にｎ−ＢｕＬｉ、Ｂ（Ｏ−ｉＰｒ）３を付与することによって脱ブロモ化及びホウ素化させる。このときの溶媒は、エーテルが好ましい。また、ホウ素化させる場合の反応は、２段階であり、初期は反応を安定化させるために１段階目は−７８℃で行い、２段階目は−７８℃から室温に徐々に温度を上昇させることが好ましい。続いて、末端にハロゲン基（例えば、ブロモ基）を有する単純ベンゼン系化合物あるいは単純チオフェン系化合物と上記のホウ素化された化合物を、例えばトルエン溶媒中に展開させ、Ｐｄ（ＰＰｈ３）４、Ｎａ２ＣＯ３の存在下、８５℃の反応温度にて、反応を完全に進行させれば、カップリングを起こさせることが可能である。なお、シロール環を有する化合物を用いる場合について説明したが、ヘテロ原子としてＧｅ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｐ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｚｒを含有する単環式複素環化合物についても、２，５−位の反応性はシロールと同様である。したがって、上記と同様の合成方法により、Ｇｅ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｐ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｚｒをヘテロ原子として含有する単環式複素環化合物の両末端に、チオフェンあるいはベンゼン由来のユニットをそれぞれ結合させることができる。また、上記ではチオフェンあるいはベンゼン由来のユニットを結合させる場合について説明したが、チオフェンあるいはベンゼン由来のユニット部分が、前記Ｓｉ、Ｇｅ，Ｓｅ，Ｔｅ，Ｐ，Ｓｎ，Ｔｉ，Ｚｒをヘテロ原子として含む単環式複素環化合物に由来するユニットであってもかまわない。
【００６２】
上記したＲ１Ｈのいずれの合成方法においても、予め所定の部位に所望の置換基（例えばアルキル基）を有する原料を用いることにより、Ｒ１Ｈに置換基を導入できる。例えば、合成ルート１において原料として２−オクタデシルセレノフェンを用いれば、２−オクタデシルターセレノフェンを得ることができる（第４反応式）。その後は、前記一般式（ＩＩＩ）のシラン化合物と反応させることによって、所定の対応部位に所望の置換基を有する有機シラン化合物（Ｉ）を得ることができる。
【００６３】
本発明の有機シラン化合物（Ｉ）の合成方法の具体例を合成ルート１〜５に示す。
【００６４】
【化６】
2006028137.tif 000007
【００６５】
【化７】
2006028137.tif 000008
【００６６】
【化８】
2006028137.tif 000009
【００６７】
【化９】
2006028137.tif 000010
【００６８】
【化１０】
2006028137.tif 000011
【００６９】
以上のようにして得られる有機シラン化合物（Ｉ）は、公知の手段、例えば転溶、濃縮、溶媒抽出、分留、結晶化、再結晶、クロマトグラフィー等により反応溶液から単離、精製することができる。
【００７０】
（有機薄膜）
これら有機シラン化合物（Ｉ）は、例えば、以下のように膜とすることができる。
まず、有機シラン化合物（Ｉ）をヘキサン、クロロホルム、四塩化炭素等の非水系有機溶媒に溶解する。得られた溶液中に、有機薄膜を形成しようとする基板（好ましくは、水酸基、カルボキシル基等の活性水素を有する基板）を浸漬して、引き上げる。あるいは、得られた溶液を基板表面に塗布してもよい。その後、非水系有機溶媒で洗浄し、水洗し、放置するか加熱することにより乾燥して、有機薄膜を定着させる。
【００７１】
基板には親水化処理により上記活性水素を付与してもよい。親水化処理は、例えば、過酸化水素と濃硫酸との混合溶液中に浸漬すること等によって行うことができる。
【００７２】
得られた有機薄膜は、直接電気材料として用いてもよいし、更に電解重合等の処理を施して用いてもよい。有機薄膜は、本発明の有機シラン化合物（Ｉ）を用いることで、図１に示すようにＳｉ−Ｏ−Ｓｉネットワーク化が起こるとともに、隣接分子間距離が小さくなり、かつ高度に秩序化（結晶化）される。また、Ｒ１の各ユニットが直線状に結合されている場合には、隣接分子におけるユニット同士は結合することなく、隣接分子環距離が更に小さくなり、より高度に結晶化された有機薄膜を得ることができる。
以下、本発明の有機シラン化合物及びその製造方法を実施例によりさらに具体的に説明する。
【実施例】
【００７３】
合成例１  前記一般式（１）（Ｘ１＝Ｘ２＝Ｘ３＝Ｃｌ、Ｙ＝Ｓｅ、Ｒ２＝Ｒ３＝Ｈ、ｎ１＝３）で表されるターセレノフェントリクロロシランの合成（グリニヤール法）
前記合成ルート１に従った。詳しくは、まず、１００ｍｌナスフラスコにクロロホルム５０ｍｌとセレノフェン７０ｍＭを仕込み、温度を０℃とし、ＮＢＳ（Ｎ−ブロモスクシンイミド）を２０Ｍ加え１時間攪拌した。純水にて抽出した後、減圧下、８０℃にて精製し、２−ブロモセレノフェンを得た。続いて、窒素雰囲気下の５０ｍｌナスフラスコに乾燥ＴＨＦ５ｍｌ、２−ブロモセレノフェン３０ｍＭを仕込み、マグネシウムを加えた後、２時間攪拌した。その後、触媒であるＮｉ（ｄｐｐｐ）Ｃｌ２（ジクロロ［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ニッケル（ＩＩ））及び２−ブロモセレノフェン３０ｍＭを含む乾燥ＴＨＦ５ｍｌを加え、０℃にて１２時間反応させた。純水にて抽出した後、フラッシュクロマトグラフィにて精製しジセレノフェンを得た。
次いで、１００ｍｌナスフラスコにクロロホルム５０ｍｌとジセレノフェン７０ｍＭを仕込み、温度を０℃とし、ＮＢＳ（Ｎ−ブロモスクシンイミド）を７０Ｍ加え１時間攪拌した。純水にて抽出した後、減圧下、８０℃にて精製し、２−ブロモジセレノフェンを得た（収率５０％）。続いて、窒素雰囲気下の５０ｍｌナスフラスコに乾燥ＴＨＦ５ｍｌ、ジセレノフェンの合成の中間体である２−ブロモセレノフェン７ｍＭを仕込み、マグネシウムを加えた後、２時間攪拌した。その後、触媒であるＮｉ（ｄｐｐｐ）Ｃｌ２（ジクロロ［１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン］ニッケル（ＩＩ））及び２−ブロモジセレノフェン３ｍＭを含む乾燥ＴＨＦ５ｍｌを加え、０℃にて１２時間反応させた。純水にて抽出した後、フラッシュクロマトグラフィにて精製しターセレノフェンを得た（３０％）。
さらに、１００ｍｌナスフラスコにクロロホルム５０ｍｌとターセレノフェン５ｍＭを仕込み、温度を０℃とし、ＮＢＳを２０Ｍ加え１時間攪拌した。純水にて抽出した後、減圧下、８０℃にて精製し、２−ブロモターセレノフェンを合成した。さらに、窒素雰囲気下にて、２００ｍｌナスフラスコに乾燥ＴＨＦ５ｍｌ、２−ブロモターセレノフェン、マグネシウムを加えた後、２時間攪拌することにより、グリニヤール試薬を得た。
攪拌機、還流冷却器、温度計、滴下ロートを備えた２００ｍｌナスフラスコにＳｉＣｌ４（テトラクロロシラン）２０ｍＭ、トルエン５０ｍｌを仕込み、氷冷し、内温２０℃以下にて、グリニヤール試薬を２時間かけて加え、滴下終了後、３０℃にて１時間成熟を行った（グリニヤール反応）。
次いで、反応液を減圧にてろ過し、塩化マグネシウムを除いた後、ろ液からトルエン及び未反応のテトラクロロシランをストリップし、この溶液を蒸留して、標題化合物を４０％の収率で得た。
【００７４】
得られた化合物について、赤外吸収スペクトル測定を行ったところ、１０８０ｃｍ−１にＳｉＣ由来の吸収が観測され、化合物がＳｉＣ結合を有することが確認できた。
更に化合物の核磁気共鳴（ＮＭＲ）測定を行った。得られた化合物を直接ＮＭＲ測定することは、化合物の反応性が高いことより不可能であるため、化合物をエタノールと反応させ（塩化水素の発生を確認した）、末端の塩素をエトキシ基に変換した後、測定を行った。
７．７ｐｐｍ（ｓ）  （１Ｈ、セレノフェン環由来）
７．２ｐｐｍ〜７．１ｐｐｍ（ｍ）（６Ｈ、セレノフェン環由来）
３．８ｐｐｍ〜３．７ｐｐｍ（ｍ）（６Ｈ、エトキシ基のメチレン基由来）
１．３０ｐｐｍ〜１．２０ｐｐｍ（ｍ）（９Ｈ、エトキシ基のメチル基由来）
これらの結果から、得られた化合物が標題化合物であることを確認した。
【００７５】
合成例２  前記一般式（１）（Ｘ１＝Ｘ２＝Ｘ３＝ＯＣＨ３、Ｙ＝Ｓｅ、Ｒ２＝Ｒ３＝Ｈ、ｎ１＝４）で表されるクオーターセレノフェントリメトキシシランの合成
まず、窒素雰囲気下の５０ｍｌナスフラスコに乾燥ＴＨＦ５ｍｌ、合成例１の中間体である２−ブロモジセレノフェン５ｍＭを仕込み、マグネシウムを加えた後、２時間攪拌した。その後、触媒であるＮｉ（ｄｐｐｐ）Ｃｌ２及び２−ブロモジセレノフェン５ｍＭを含む乾燥ＴＨＦ５ｍｌを加え、０℃にて１０時間反応させた。純水にて抽出した後、フラッシュクロマトグラフィにて精製しクオーターセレノフェンを得た（３５％）。
続いて、１００ｍｌナスフラスコにクロロホルム５０ｍｌと、合成例２の中間体であるクオーターセレノフェン７０ｍＭを仕込み、温度を０℃とし、ＮＢＳを７０Ｍ加え１時間攪拌した。純水にて抽出した後、減圧下、８０℃にて精製し、２−ブロモクオーターセレノフェンを形成した（収率４０％）。窒素雰囲気下にて、２００ｍｌナスフラスコに乾燥ＴＨＦ５ｍｌ、２−ブロモクオーターセレノフェン、マグネシウムを加えた後、２時間攪拌することにより、グリニヤール試薬を形成した。
さらに、攪拌機、還流冷却器、温度計、滴下ロートを備えた１００ｍｌナスフラスコにトリメトキシクロロシラン１０ｍＭ、トルエン３０ｍｌを仕込み、氷冷したのち、グリニヤール試薬を２時間かけて加え、滴下終了後、３０℃にて１時間成熟を行った（グリニヤール反応）。
次いで、反応液を減圧にてろ過し、塩化マグネシウムを除いた後、ろ液からトルエン及び未反応のトリメトキシクロロシランをストリップし、この溶液を蒸留して、標題化合物を４５％の収率で得た。
【００７６】
得られた化合物について、赤外吸収スペクトル測定を行ったところ、１０９０ｃｍ−１にＳｉＣ由来の吸収が観測され、化合物がＳｉＣ結合を有することが確認できた。
更に化合物の核磁気共鳴（ＮＭＲ）測定を行った。
７．８ｐｐｍ（ｓ）（１Ｈ、セレノフェン環由来）
７．４ｐｐｍ〜７．３ｐｐｍ（ｍ）（８Ｈ、セレノフェン環由来）
３．５０ｐｐｍ（ｍ）（９Ｈ、メチル基由来）
これらの結果から、得られた化合物が標題化合物であることを確認した。
【００７７】
合成例３  前記一般式（１）（Ｘ１＝Ｘ２＝Ｘ３＝ＯＣ２Ｈ５、Ｙ＝Ｓｅ、Ｒ２＝Ｒ３＝Ｈ、ｎ１＝８）で表されるオクチセレノフェントリエトキシシランの合成
まず、窒素雰囲気下の５０ｍｌナスフラスコに乾燥ＴＨＦ５ｍｌ、合成例２の中間体である２−ブロモクオーターセレノフェン５ｍＭを仕込み、マグネシウムを加えた後、３時間攪拌した。その後、触媒であるＮｉ（ｄｐｐｐ）Ｃｌ２及び前記２−ブロモクオーターセレノフェン５ｍＭを含む乾燥ＴＨＦ５ｍｌを加え、０℃にて１２時間反応させた。純水にて抽出した後、フラッシュクロマトグラフィにて精製しオクチセレノフェンを得た（３０％）。
続いて、１００ｍｌナスフラスコにクロロホルム５０ｍｌと、前記オクチセレノフェン１０ｍＭを仕込み、温度を０℃とし、ＮＢＳを１０Ｍ加え１時間攪拌した。純水にて抽出した後、減圧下、８０℃にて精製し、２−ブロモクオーターセレノフェンを形成した。
さらに、窒素雰囲気下にて、２００ｍｌナスフラスコに乾燥ＴＨＦ５ｍｌ、２−ブロモオクチセレノフェン、マグネシウムを加えた後、２時間攪拌することにより、グリニヤール試薬を形成した。さらに、攪拌機、還流冷却器、温度計、滴下ロートを備えた１００ｍｌナスフラスコにトリエトキシクロロシラン１０ｍＭ、トルエン３０ｍｌを仕込み、氷冷したのち、グリニヤール試薬を２時間かけて加え、滴下終了後、３０℃にて１時間成熟を行った（グリニヤール反応）。次いで、反応液を減圧にてろ過し、塩化マグネシウムを除いた後、ろ液からトルエン及び未反応のトリエトキシクロロシランをストリップし、この溶液を蒸留して、標題化合物を３５％の収率で得た。
【００７８】
得られた化合物について、赤外吸収スペクトル測定を行ったところ、１０８０ｃｍ−１にＳｉＣ由来の吸収が観測され、化合物がＳｉＣ結合を有することが確認できた。
更に化合物の核磁気共鳴（ＮＭＲ）測定を行った。
７．７ｐｐｍ（ｓ）（１Ｈ、セレノフェン環由来）
７．２ｐｐｍ〜７．１ｐｐｍ（ｍ）（１６Ｈ、セレノフェン環由来）
３．８ｐｐｍ〜３．７ｐｐｍ（ｍ）（６Ｈ、エトキシ基のメチレン基由来）
１．３ｐｐｍ〜１．２ｐｐｍ（ｍ）（９Ｈ、エトキシ基のメチル基由来）
これらの結果から、得られた化合物が標題化合物であることを確認した。
【００７９】
合成例４  置換基（メチル基）を有する前記一般式（１）（Ｘ１＝Ｘ２＝Ｘ３＝Ｃｌ、Ｙ＝Ｓｉ、Ｒ２＝Ｈ、Ｒ３＝ＣＨ３、ｎ１＝２）で表されるシロール化合物の合成
合成ルート２に従った。詳しくは、まず、２０ｍＭの２，５−ブロモ−３，４−ジメチル−1Ｈ−シロールをエタノール溶媒に溶解させた後、２２ｍＭブチルリチウムを含むエタノール溶液に加え、５位のブロモ基をＬｉ基に変換させた後、１２ｍＭＣｕＣＮのＴＨＦ溶液を加え銅の酸化的付加を行った。続いて、３０ｍＭトリメチルエチレンジアミン及び１００ｍＭのパラ−ジニトロベンゼンを加えることにより２分子カップリングを達成し、収率６０％で５’−ジブロモ−３，４，３’，４’テトラメチル−１Ｈ，１Ｈ’−［２，２’］ビシローリル（５，５’−ｄｉｂｒｏｍｏ−３，４，３’，４’ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ−１Ｈ，１Ｈ’−［２，２’］ｂｉｓｉｌｏｌｙｌ）を得た。
続いて、窒素雰囲気下にて、２００ｍｌナスフラスコに乾燥ＴＨＦ５ｍｌ、前記５，５’−ジブロモ−３，４，３’，４’テトラメチル−１Ｈ，１Ｈ’−［２，２’］ビシローリル、マグネシウムを加えた後、１時間攪拌することにより、５位のみがＭｇと反応したグリニヤール試薬を形成した。さらに、攪拌機、還流冷却器、温度計、滴下ロートを備えた１００ｍｌナスフラスコにトリメチルクロロシラン１０ｍＭ、ＴＨＦ３０ｍｌを仕込み、氷冷したのち、前記グリニヤール試薬を加え、３０℃にて１時間成熟を行った。次いで、反応液を減圧にてろ過し、塩化マグネシウムを除いた後、ろ液からトルエン及び未反応のトリメチルクロロシランをストリップすることにより、５−トリメチルシリル−５’−ブロモ−３，４，３’，４’テトラメチル−１Ｈ，１Ｈ’−［２，２’］ビシローリルを合成した。続いて、前記５−トリメチルシリル−５’−ブロモ−３，４，３’，４’テトラメチル−１Ｈ，１Ｈ’−［２，２’］ビシローリルをＴＨＦ２０ｍｌに溶解させ、ＰＨＮ＋Ｍｅ３Ｆ−を用いてトリメチルシリル基を脱離させることにより、５−ブロモ−３，４，３’，４’テトラメチル−１Ｈ，１Ｈ’−［２，２’］ビシローリルを得た。さらに、窒素雰囲気下にて、２００ｍｌナスフラスコに乾燥ＴＨＦ５ｍｌ、前記５−ブロモ−３，４，３’，４’テトラメチル−１Ｈ，１Ｈ’−［２，２’］ビシローリル、マグネシウムを加えた後、１時間攪拌することにより、グリニヤール試薬を形成したのち、攪拌機、還流冷却器、温度計、滴下ロートを備えた１００ｍｌナスフラスコにテトラクロロシラン１０ｍＭ、ＴＨＦ３０ｍｌを仕込み、氷冷したのち、前記グリニヤール試薬を加え、３０℃にて１時間成熟を行った。次いで、反応液を減圧にてろ過し、塩化マグネシウムを除いた後、ろ液からＴＨＦ及び未反応のテトラクロロシランをストリップすることにより標記化合物を３０％の収率で得た。
【００８０】
得られた化合物について、赤外吸収スペクトル測定を行ったところ、１０８０ｃｍ−１にＳｉＣ由来の吸収が観測され、化合物がＳｉＣ結合を有することが確認できた。
更に得られた化合物の核磁気共鳴（ＮＭＲ）測定を行った。得られた化合物を直接ＮＭＲ測定することは、化合物の反応性が高いことより不可能であるため、化合物をエタノールと反応させ（塩化水素の発生を確認した）、末端の塩素をエトキシ基に変換した後、測定を行った。
４．５ｐｐｍ（ｍ）（１Ｈ、シロール環由来）
４．３〜４．２ｐｐｍ（ｍ）（４Ｈ  Ｓｉと直接結合した水素由来）
３．８ｐｐｍ〜３．７ｐｐｍ（ｍ）（６Ｈ、エトキシ基のメチレン基由来）
２．０ｐｐｍ〜１．９ｐｐｍ（ｍ）（１２Ｈ、シロール環メチル基由来）
１．５ｐｐｍ〜１．４ｐｐｍ（ｍ）（９Ｈ、エトキシ基のメチル基由来）
これらの結果から、得られた化合物が標題化合物であることを確認した。
【００８１】
合成例５  置換基（メチル基）を有する前記一般式（１）（Ｘ１＝Ｘ２＝Ｘ３＝Ｃｌ、Ｙ＝Ｓｉ、Ｒ２＝Ｈ、Ｒ３＝ＣＨ３、ｎ１＝６）で表されるシロール化合物の合成
まず、合成例４と同様に、中間体である５，５’−ジブロモ−３，４，３’，４’テトラメチル−１Ｈ，１Ｈ’−［２，２’］ビシローリルを合成した。その後、合成ルート３に従った。詳しくは、まず、窒素雰囲気下にて、２００ｍｌナスフラスコに乾燥ＴＨＦ５ｍｌ、前記５，５’−ジブロモ−３，４，３’，４’テトラメチル−１Ｈ，１Ｈ’−［２，２’］ビシローリルを５ｍＭ、マグネシウムを加えた後、５時間攪拌することにより、グリニヤール試薬を形成した。続いて、攪拌機、還流冷却器、温度計、滴下ロートを備えた１００ｍｌナスフラスコに５−ブロモ−３，４，３’，４’テトラメチル−１Ｈ，１Ｈ’−［２，２’］ビシローリルを１０ｍＭ、ＴＨＦ３０ｍｌを仕込み、氷冷したのち、前記グリニヤール試薬を加え、０℃にて１５時間反応させた。純水にて抽出した後、フラッシュクロマトグラフィにて精製し、中間体（Ａ）を合成した。
続いて、１００ｍｌナスフラスコにクロロホルム５０ｍｌと、前記中間体（Ａ）１０ｍＭを仕込み、温度を０℃とし、ＮＢＳを１０Ｍ加え１時間攪拌した。純水にて抽出した後、減圧下、８０℃にて精製し、中間体（Ａ）の一端の水素原子がブロモ化された化合物を形成した。窒素雰囲気下にて、２００ｍｌナスフラスコに乾燥ＴＨＦ５ｍｌ、前記中間体（Ａ）の一端の水素原子がブロモ化された化合物を５ｍＭ、マグネシウムを加えた後、１時間攪拌することにより、グリニヤール試薬を形成した。攪拌機、還流冷却器、温度計、滴下ロートを備えた１００ｍｌナスフラスコにテトラクロロシラン５ｍＭ、ＴＨＦ３０ｍｌを仕込み、氷冷したのち、前記グリニヤール試薬を加え、３０℃にて１時間成熟を行った。次いで、反応液を減圧にてろ過し、塩化マグネシウムを除いた後、ろ液からＴＨＦ及び未反応のテトラクロロシランをストリップすることにより標題化合物を２０％の収率で得た。
【００８２】
得られた化合物について、赤外吸収スペクトル測定を行ったところ、１１００ｃｍ−１にＳｉＣ由来の吸収が観測され、化合物がＳｉＣ結合を有することが確認できた。）
更に得られた化合物の核磁気共鳴（ＮＭＲ）測定を行った。得られた化合物を直接ＮＭＲ測定することは、化合物の反応性が高いことより不可能であるため、化合物をエタノールと反応させ（塩化水素の発生を確認した）、末端の塩素をエトキシ基に変換した後、測定を行った。
４．４ｐｐｍ（ｍ）（１Ｈ、シロール環由来）
４．３ｐｐｍ〜４．２ｐｐｍ（ｍ）（１２Ｈ  Ｓｉと直接結合した水素由来）
３．８ｐｐｍ〜３．７ｐｐｍ（ｍ）（６Ｈ、エトキシ基のメチレン基由来）
２．１ｐｐｍ〜２．０ｐｐｍ（ｍ）（３６Ｈ、シロール環メチル基由来）
１．５ｐｐｍ〜１．４ｐｐｍ（ｍ）（９Ｈ、エトキシ基のメチル基由来）
これらの結果から、得られた化合物が標題の化合物であることを確認した。
【００８３】
準備例１  ２−ブロモターチオフェンの合成
攪拌機、還流冷却器、温度計、滴下ロートを備えた１００ｍｌガラスフラスコに、ターチオフェン１ｍＭを四塩化炭素に溶解させた後、ＮＢＳ、ＡＩＢＮ（アゾイソブチロニトリル）を加え、２．５時間攪拌した後に減圧濾過することによって、２−ブロモターチオフェンを得た。
【００８４】
合成例６  置換基（メチル基）を有する前記一般式（５）（Ｘ１＝Ｘ２＝Ｘ３＝ＯＣ２Ｈ５、Ｙ６＝Ｙ８＝Ｓ、Ｙ７＝Ｓｉ、Ｒ２＝Ｈ、中央の５員環のＲ３＝ＣＨ３、両端の５員環のＲ３＝Ｈ、ｎ２＝ｎ４＝３、ｎ３＝２）で表されるシロール化合物の合成
まず、合成例４と同様に、中間体である５，５’−ジブロモ−３，４，３’，４’テトラメチル−１Ｈ，１Ｈ’−［２，２’］ビシローリルを合成した。その後、合成ルート４（ｍ＝３、ｎ＝２）の第２式以降の反応式に従った。詳しくは、攪拌器、還流冷却器、温度計、滴下ロートを備えた５００ｍｌガラスフラスコに０．５ｍＭのｎ−ブチルリチウムを仕込み、−７８℃に冷却した後に前記５，５’−ジブロモ−３，４，３’，４’テトラメチル−１Ｈ，１Ｈ’−［２，２’］ビシローリルを滴下ロートを用いて３０分かけて加え、リチウム化合物に変換した後、１．５ｍＭのビス（ピナコラト）ジボロンを加え、１２時間かけて、−７８℃から室温まで容器の内温を上昇させることにより反応を進行させた。反応終了後、２Ｍ塩酸を加えることにより、ジボロン化合物（Ｃ）を合成した。さらに、前記ジボロン化合物（Ｃ）をトルエン溶液に溶解させたのち、３モル％Ｐｄ（ＰＰｈ）３及び少量の炭酸ナトリウム水溶液を含む攪拌器、還流冷却器、温度計、滴下ロートを備えた２００ｍｌガラスフラスコに仕込み、準備例１にて合成した２−ブロモターチオフェンのトルエン溶液を滴下ロートを用いて加え、８５℃で１２時間反応させることによりシロール環の２位及び５”位がターチオフェンと直接結合した中間体（Ｄ）を形成した。
さらに、
続いて、１００ｍｌナスフラスコにクロロホルム５０ｍｌと、前記中間体（Ｄ）５ｍＭを仕込み、温度を０℃とし、ＮＢＳを５Ｍ加え１時間攪拌した。純水にて抽出した後、減圧下、８０℃にて精製し中間体（Ｅ）を形成した。窒素雰囲気下にて、２００ｍｌナスフラスコに乾燥ＴＨＦ５ｍｌ、前記中間体（Ｅ）を５ｍＭ、マグネシウムを加えた後、１時間攪拌することにより、グリニヤール試薬を形成した。その後、攪拌機、還流冷却器、温度計、滴下ロートを備えた１００ｍｌナスフラスコにトリエトキシクロロシラン５ｍＭ、ＴＨＦ３０ｍｌを仕込み、氷冷したのち、前記グリニヤール試薬を加え、３０℃にて１時間成熟を行った。次いで、反応液を減圧にてろ過し、塩化マグネシウムを除いた後、ろ液からＴＨＦ及び未反応のテトラクロロシランをストリップすることにより標題化合物を１５％の収率で得た。
【００８５】
得られた化合物について、赤外吸収スペクトル測定を行ったところ、１０９０ｃｍ−１にＳｉＣ由来の吸収が観測され、化合物がＳｉＣ結合を有することが確認できた。）
更に得られた化合物の核磁気共鳴（ＮＭＲ）測定を行った。
７．７ｐｐｍ（ｓ）（１Ｈ、チオフェン環由来）
７．３ｐｐｍ〜７．２ｐｐｍ（ｍ）（１２Ｈ、チオフェン環由来）
４．５ｐｐｍ〜４．３ｐｐｍ（ｍ）（４Ｈ  Ｓｉと直接結合した水素由来）
３．７ｐｐｍ〜３．６ｐｐｍ（ｍ）（６Ｈ、エトキシ基のメチレン基由来）
２．２ｐｐｍ〜２．１ｐｐｍ（ｍ）（１２Ｈシロール環メチル基由来）
１．４ｐｐｍ〜１．３ｐｐｍ（ｍ）（９Ｈ、エトキシ基のメチル基由来）
これらの結果から、得られた化合物が標題化合物であることを確認した。
【００８６】
準備例２  ４−ブロモクオーターフェニルの合成
攪拌機、還流冷却器、温度計、滴下ロートを備えた１００ｍｌガラスフラスコに、クオーターフェニル０．５ｍＭを四塩化炭素に溶解させた後、ＮＢＳ、ＡＩＢＮを加え、３時間攪拌した後に減圧濾過することによって、ブロモクオーターフェニルを得た。
【００８７】
合成例７  置換基（メチル基）を有する前記一般式（６）（Ｘ１＝Ｘ２＝Ｘ３＝Ｃｌ、Ｙ９＝Ｓｉ、Ｚ１＝Ｚ２＝Ｃ、中央の５員環のＲ３＝ＣＨ３、両端の６員環のＲ３＝Ｈ、ｎ２＝ｎ４＝４、ｎ３＝１）で表されるシロール化合物の合成
合成ルート５（ｍ＝４、ｎ＝１）に従った。詳しくは、２−ブロモターチオフェンの代わりに４−ブロモクオーターフェニルを用いたこと、８５℃で１２時間反応させる代わりに８０℃で１５時間反応させたこと、５，５’−ジブロモ−３，４，３’，４’テトラメチル−１Ｈ，１Ｈ’−［２，２’］ビシローリルの代わりに２，５−ジブロモ−３，４−ジメチル−１Ｈ−シロールを用いたこと、およびトリエトキシクロロシランの代わりにテトラクロロシランを用いたことを除き、合成例６と同様の手法により、標題化合物を合成した。
【００８８】
得られた化合物について、赤外吸収スペクトル測定を行ったところ、１１００ｃｍ−１にＳｉＣ由来の吸収が観測され、化合物がＳｉＣ結合を有することが確認できた。
更に得られた化合物の核磁気共鳴（ＮＭＲ）測定を行った。得られた化合物を直接ＮＭＲ測定することは、化合物の反応性が高いことより不可能であるため、化合物をエタノールと反応させ（塩化水素の発生を確認した）、末端の塩素をエトキシ基に変換した後、測定を行った。
７．６ｐｐｍ〜７．５ｐｐｍ（ｍ）（８Ｈ、ベンゼン環由来）
７．５ｐｐｍ〜７．４ｐｐｍ（ｍ）（２０Ｈ、ベンゼン環由来）
７．２ｐｐｍ（ｍ）（１Ｈ、ベンゼン環由来）
７．１ｐｐｍ（ｍ）（４Ｈ、ベンゼン環由来）
４．３ｐｐｍ（ｍ）（２Ｈ  Ｓｉと直接結合した水素由来）
３．８ｐｐｍ〜３．７ｐｐｍ（ｍ）（６Ｈ、エトキシ基のメチレン基由来）
２．１ｐｐｍ〜２．０ｐｐｍ（ｍ）（１２Ｈ、シロール環のメチル基由来）
１．５ｐｐｍ〜１．４ｐｐｍ（ｍ）（９Ｈ、エトキシ基のメチル基由来）
これらの結果から、得られた化合物が標題化合物であることを確認した。
【００８９】
・準位エネルギーの検討
合成例１〜７に合成した有機シラン化合物のＬＵＭＯ準位エネルギーは分子軌道計算により−２．６ｅＶと見積もられる。一方、上記有機シラン化合物のＬＵＭＯ準位エネルギーを光電子分光法を用いて評価したところ、いずれもＬＵＭＯ準位が−２．５ｅＶ以下であることを確認できた。すなわち、いずれの化合物も、ヘテロ原子を含まない化合物と比較して、ＬＵＭＯが安定化されることを確認した。つまり、上記有機シラン化合物は、ヘテロ原子を含まない化合物と比較して、小さなバンドギャップを有することが明らかであり、したがって上記有機シラン化合物は、高い半導体特性を有する化合物であることがわかった。
【産業上の利用可能性】
【００９０】
本発明の有機シラン化合物は電気伝導特性（半導体特性）、配向性（結晶性・秩序性）および基板に対する密着性に優れているので、ＴＦＴ、太陽電池、燃料電池、センサー等の半導体電子デバイスの製造に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】有機薄膜の分子配列を説明するための概念図である。
【図２】分子間距離と分子間力との関係を説明するための概略図である。
【図１】
2006028137.tif 000012
【図２】
2006028137.tif 000013