(57)【要約】【課題】  マスクパターンの対向するエッジの微小段差の位置の相違により大量発生する微小図形の数を削減する。【解決手段】  検出部３は、マスクパターンの平行に対向する両エッジ（対向エッジ）の夫々について垂直に点接触するエッジ（垂直交差エッジ）を検出する。判断部４は、垂直交差エッジの位置座標を利用して、対向エッジと平行方向における両垂直交差エッジの位置のずれ量が所定量以下であるか否かを判断する。補正部５は、ずれ量が所定量以下であれば両垂直交差エッジの位置が両対向エッジと垂直に点接触する同一の垂線上になるように両垂直交差エッジの位置を補正する。【選択図】  図１
2006267876.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記憶手段に記憶されているマスクパターンの外形線を構成する長さが０より長いエッジにおいて、平行に対向する第１エッジと第２エッジについて、前記第１エッジと垂直に点接触する第３エッジを検出し、前記第２エッジと垂直に点接触する第４エッジを検出する検出ステップと、
前記第１エッジと平行方向における前記第３エッジの位置と前記第４エッジの位置とのずれ量が所定量以下であるかを判断する判断ステップと、
前記ずれ量が前記所定量以下であれば前記第３エッジと前記第４エッジとが前記第１エッジに垂直に交わる同一の垂線上になるように前記第３エッジおよび前記第４エッジの少なくとも一方の位置を補正する補正ステップと、
を有することを特徴とするパターン補正方法。
【請求項２】
前記補正ステップにおいて、前記第３エッジが前記第１エッジと垂直に点接触する垂線上に前記第４エッジが位置するように前記第４エッジの位置を補正することを特徴とする請求項１に記載のパターン補正方法。
【請求項３】
第１記憶手段に記憶されている光近接効果補正後のマスクパターンの外形線を構成する長さが０より長いエッジにおいて、平行に対向する第１エッジと第２エッジについて、前記第１エッジと垂直に点接触する第３エッジを検出し、前記第２エッジと垂直に点接触する第４エッジを検出する検出ステップと、
前記第１エッジと平行方向における前記第３エッジの位置と前記第４エッジの位置とのずれ量が所定量以下であるかを判断する判断ステップと、
前記ずれ量が前記所定量以下であれば前記第３エッジが前記第１エッジと垂直に点接触する垂線上に前記第４エッジが位置するように前記第４エッジの位置を補正する補正ステップと、
前記補正ステップにより得られるマスクパターンに基づくウェハ転写後のイメージパターンと、第２記憶手段に記憶されている光近接効果補正前のマスクパターンとの比較を行い、この比較の結果に基づいて前記イメージパターンを構成する外形線のエッジの位置と前記光近接効果補正前のマスクパターンを構成する外形線のエッジの位置との差分が許容範囲に入っているかを検証する検証ステップと、
前記差分が許容範囲に入っていない場合、前記補正ステップにおける補正後の前記第４エッジと垂直に点接触するエッジの位置を当該第４エッジが位置する直線と垂直に点接触させながら所定量平行移動させる再補正ステップと、
を有することを特徴とするパターン補正方法。
【請求項４】
補正対象のマスクパターンを記憶する第１記憶手段と、
前記第１記憶手段に記憶されているマスクパターンの外形線を構成する長さが０より長いエッジにおいて、平行に対向する第１エッジと第２エッジについて、前記第１エッジと垂直に点接触する第３エッジを検出し、前記第２エッジと垂直に点接触する第４エッジを検出する検出手段と、
前記第１エッジと平行方向における前記第３エッジの位置と前記第４エッジの位置とのずれ量が所定量以下であるかを判断する判断手段と、
前記ずれ量が前記所定量以下であれば前記第３エッジが前記第１エッジと垂直に点接触する垂線上に前記第４エッジが位置するように前記第４エッジの位置を補正する補正手段と、
前記補正手段により補正されたマスクパターンを記憶する第２記憶手段と、
を備えたことを特徴とするパターン補正装置。
【請求項５】
請求項１から請求項３に記載のパターン補正方法の何れかにより補正されたマスクパターンに基づいて描画されたことを特徴とするフォトマスク。
【請求項６】
請求項１から請求項３に記載のパターン補正方法の何れかにより補正されたマスクパターンに基づいて製造されたことを特徴とするデバイス。
【請求項７】
請求項１から請求項３に記載のパターン補正方法の何れかにより補正されたマスクパターンに基づいて描画されたフォトマスクを用いて製造されたことを特徴とするデバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デバイスのレイアウト設計に関連するパターン補正方法、およびパターン補正装置、並びに、それらにより補正されたマスクパターンを利用して作成されるフォトマスク、およびデバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
デバイスの設計段階において、マスクパターンに微小図形が発生しないようにレイアウト設計が行われる。ところが、近年の半導体技術の微細化に伴い、マスクのパターン形状をウェハ上に予定された形状および寸法どおりに形成することが困難になってきた。このため、微細化されたマスクパターンにおいては予めマスクパターンに図形を付加したり、疎密に応じてサイズを補正する光近接効果補正（ＯＰＣ：Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）が行われるようになってきた。この光近接効果補正によりマスクパターンのエッジに発生した微小段差が微小図形の大量発生と、図形分割後の図形数の増大によるデータボリュームの増加につながっていた。
【０００３】
このため、微小図形の削減を目的とした光近接効果補正後のマスクパターンの補正方法が種々提案されている（例えば、特許文献１参照。）。特許文献１に開示された補正方法は、マスクパターンのエッジに発生した微小段差をなくすために片側単位でエッジの補正を行うものである。
【特許文献１】特開２００３−１９５４７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
光近接効果補正によりマスクパターンの対向するエッジの微小段差の位置の相違が微小図形の大量発生と、図形分割後のデータボリュームの低減を妨げている大きな要因になる。しかしながら、特許文献１に開示された補正方法は、片側単位でエッジの補正を行うものであるため、マスクパターンの対向するエッジの微小段差の位置の相違により大量発生する微小図形の数に対する対策と、図形分割後のデータボリュームの低減に有効な対策がなされたものではない。
【０００５】
そこで、本発明は、マスクパターンの対向するエッジの微小段差の位置の相違により大量発生する微小図形の数の減少と図形分割後のデータボリュームの低減を可能にするパターン補正方法、およびパターン補正装置、並びに、それらにより補正されたマスクパターンを利用して作成されるフォトマスク、およびデバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のパターン補正方法は、記憶手段に記憶されているマスクパターンの外形線を構成する長さが０より長いエッジにおいて、平行に対向する第１エッジと第２エッジについて、前記第１エッジと垂直に点接触する第３エッジを検出し、前記第２エッジと垂直に点接触する第４エッジを検出する検出ステップと、前記第１エッジと平行方向における前記第３エッジの位置と前記第４エッジの位置とのずれ量が所定量以下であるかを判断する判断ステップと、前記ずれ量が前記所定量以下であれば前記第３エッジと前記第４エッジとが前記第１エッジに垂直に交わる同一の垂線上になるように前記第３エッジおよび前記第４エッジの少なくとも一方の位置を補正する補正ステップと、を有する。
【０００７】
上記パターン補正方法において、前記補正ステップにおいて、前記第３エッジが前記第１エッジと垂直に点接触する垂線上に前記第４エッジが位置するように前記第４エッジの位置を補正する。
【０００８】
本発明のパターン補正方法は、第１記憶手段に記憶されている光近接効果補正後のマスクパターンの外形線を構成する長さが０より長いエッジにおいて、平行に対向する第１エッジと第２エッジについて、前記第１エッジと垂直に点接触する第３エッジを検出し、前記第２エッジと垂直に点接触する第４エッジを検出する検出ステップと、前記第１エッジと平行方向における前記第３エッジの位置と前記第４エッジの位置とのずれ量が所定量以下であるかを判断する判断ステップと、前記ずれ量が前記所定量以下であれば前記第３エッジが前記第１エッジと垂直に点接触する垂線上に前記第４エッジが位置するように前記第４エッジの位置を補正する補正ステップと、前記補正ステップにより得られるマスクパターンに基づくウェハ転写後のイメージパターンと、第２記憶手段に記憶されている光近接効果補正前のマスクパターンとの比較を行い、この比較の結果に基づいて前記イメージパターンを構成する外形線のエッジの位置と前記光近接効果補正前のマスクパターンを構成する外形線のエッジの位置との差分が許容範囲に入っているかを検証する検証ステップと、前記差分が許容範囲に入っていない場合、前記補正ステップにおける補正後の前記第４エッジと垂直に点接触するエッジの位置を当該第４エッジが位置する直線と垂直に点接触させながら所定量平行移動させる再補正ステップと、を有することを特徴とする。
【０００９】
本発明のパターン補正装置は、補正対象のマスクパターンを記憶する第１記憶手段と、前記第１記憶手段に記憶されているマスクパターンの外形線を構成する長さが０より長いエッジにおいて、平行に対向する第１エッジと第２エッジについて、前記第１エッジと垂直に点接触する第３エッジを検出し、前記第２エッジと垂直に点接触する第４エッジを検出する検出手段と、前記第１エッジと平行方向における前記第３エッジの位置と前記第４エッジの位置とのずれ量が所定量以下であるかを判断する判断手段と、前記ずれ量が前記所定量以下であれば前記第３エッジが前記第１エッジと垂直に点接触する垂線上に前記第４エッジが位置するように前記第４エッジの位置を補正する補正手段と、前記補正手段により補正されたマスクパターンを記憶する第２記憶手段と、を備えたことを特徴とする。
【００１０】
本発明のフォトマスクは、上記何れかのパターン補正方法により補正されたマスクパターンに基づいて描画されたものである。
本発明のデバイスは、上記何れかのパターン補正方法により補正されたマスクパターンに基づいて製造されたものである。
本発明のデバイスは、上記何れかのパターン補正方法により補正されたマスクパターンに基づいて描画されたフォトマスクを用いて製造されたものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、マスクパターンの対向する両エッジの夫々に垂直に点接触するエッジ同士の位置を合わせることによって描画図形の数が減り、データボリュームの増加を防止することが可能になる。また、上記のデータボリュームの増加の防止により、マスクパターンのデータ転送時間の短縮が図られる。また、本発明のフォトマスクおよびデバイスによれば、描画図形の数の少ないマスクパターンを利用して作成されるので、製造時間を短縮することが図られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
《第１の実施の形態》
本発明の第１の実施の形態におけるパターン補正装置の機能構成について図１および図２を参照しつつ説明する。図１は本実施の形態におけるパターン補正装置の機能ブロック図である。図２は図１のパターン補正装置の機能を説明するための補足図である。
図１に示すパターン補正装置１は、入力データ記憶部２、検出部３、判断部４、補正部５、および出力データ記憶部６として機能する各部を有している。
【００１３】
入力データ記憶部２は、光近接効果補正（ＯＰＣ）により補正されたマスクパターンを記憶する記憶装置である。なお、入力データ記憶部２に記憶するマスクパターンとして、光近接効果補正（ＯＰＣ）以外の手法により補正されたマスクパターンであってもよい。
検出部３は、入力データ記憶部２に記憶されているマスクパターンの外形線を構成する長さが０より長いエッジ（以下、適宜、外形構成エッジという。）の各位置座標（入力データ記憶部２に記憶されている。）を利用して、平行に対向する両エッジ（以下、適宜、対向エッジという。）の夫々について垂直に点接触するエッジ（以下、適宜、垂直交差エッジという。）を検出する。図２の例では、検出部３は、マスクパターンの平行に対向するエッジ１１とエッジ１２について、エッジ１１と垂直に点接触するエッジ１３を検出し、エッジ１２と垂直に点接触するエッジ１４を検出する。
【００１４】
判断部４は、検出部３により検出された垂直交差エッジの位置座標を利用して、両対向エッジと平行方向における両垂直交差エッジの位置のずれ量が所定量以下であるか否かを判断する。図２の例では、判断部４は、エッジ１１と平行方向におけるエッジ１３の位置とエッジ１４の位置とのずれ量１５が所定量以下であるかを判断する。
補正部５は、ずれ量が所定量以下であれば両垂直交差エッジの位置が対向エッジに垂直に交わる同一の垂線上になるように両垂直交差エッジの位置を補正する。図２の例では、補正部５は、ずれ量が所定量以下であればエッジ１３とエッジ１４とがエッジ１４のエッジ１２に点接触する位置におけるエッジ１２に対する垂線１６上になるようにエッジ１３を垂線１６上の位置に補正し、マスクパターンの補正を行う。
出力データ記憶部６は、入力データ記憶部２に記憶されているマスクパターンに対して補正が行われたマスクパターンを記憶する。
【００１５】
次に、図１のパターン補正装置において行われるパターン補正方法について図３を参照しつつ説明する。図３は図１のパターン補正装置が実行するパターン補正方法の処理の流れを示すフローチャートである。
検出部３は、入力データ記憶部２に記憶されているマスクパターンの外形構成エッジにおいて、平行に対向する両対向エッジの夫々について垂直に点接触する垂直交差エッジを検出する（ステップＳ１）。判断部４は、両対向エッジと平行方向におけるステップＳ１において検出された両垂直交差エッジの位置のずれ量が所定量以下であるか否かを判断する（ステップＳ２）。補正部５は、ステップＳ２においてずれ量が所定量以下であると判断された両垂直交差エッジに関して両垂直交差エッジの位置が対向エッジに垂直に交わる垂線（例えば、一方の垂直交差エッジが対向エッジに点接触する位置における垂線）上になるように両垂直交差エッジの位置を補正し、出力データ記憶部６に記憶する（ステップＳ３）。
【００１６】
以上説明したようにマスクパターンを補正すれば、図２に示すように、補正前までは４分割必要であったのに対して、補正後は２分割でよくなり、大量発生する微小図形の数と、図形分割後のデータボリュームの低減が可能になる。
【００１７】
《第２の実施の形態》
本発明の第２の実施の形態におけるパターン補正装置の機能構成について図４〜図１８を参照しつつ説明する。図４は本実施の形態におけるパターン補正装置の機能ブロック図である。図５〜図１８は図４のパターン補正装置の機能を説明するための補足図である。
図４に示すパターン補正装置１００は、入力データ記憶部１０１、エッジ検出部１０２、外向き図形発生部１０３、内向き図形発生部１０４、非接触エッジ検出部１０５、所定アングルエッジ検出部１０６、接触エッジ検出部１０７、対向図形発生部１０８、パターン内図形選択部１０９、選択図形合成部１１０、６頂点図形選択部１１１、４頂点図形発生部１１２、外部図形発生部１１３、接触図形選択部１１４、非接触図形選択部１１５、図形付加部１１６、および出力データ記憶部１１７として機能する各部を有する。
【００１８】
入力データ記憶部１０１は、光近接効果補正（ＯＰＣ）により補正されたマスクパターンを記憶する記憶装置である。なお、入力データ記憶部２に記憶するマスクパターンとして、光近接効果補正（ＯＰＣ）以外の手法により補正されたマスクパターンであってもよい。
エッジ検出部１０２は、入力データ記憶部１０１に記憶されているマスクパターンの外形構成エッジの各位置座標を利用して、マスクパターンの予め定められた量（第１１規定量）以上の長さのエッジに挟まれ、それらと垂直に点接触するマスクパターンの予め定められた量(第１２規定量)以下の長さのエッジを検出する。
図５の例では、エッジ１５１〜１５４は第１１規定量以上の長さのエッジであり、エッジ１５５、１５６は第１２規定量以下の長さのエッジであって、エッジ１５５はエッジ１５２と隣り合う関係がマスクパターンの存在しない方の角（外角）が９０度で点接触し、エッジ１５１と隣り合う関係がマスクパターンの存在する方の角（内角）が９０度で点接触した頂点の間に挟まれ、エッジ１５６はエッジ１５４と隣り合う関係が外角９０度で点接触し、エッジ１５３と隣り合う関係が内角９０度で点接触した頂点の間に挟まれているとすると、エッジ検出部１０２は、エッジ１５１〜１５６の中から、エッジ１５５、１５６を検出する。
【００１９】
外向き図形発生部１０３は、エッジ検出部１０２により検出されたエッジの夫々について、エッジを当該エッジに平行にかつマスクパターンの外側方向に予め定められた量（第１３規定量）移動させる間に当該エッジが通過する領域からなる図形を作成する。
図６を参照すると、外向き図形発生部１０３は、エッジ検出部１０２により検出されたエッジ１５５を当該エッジ１５５に平行に且つマスクパターンの外側方向に第１３規定量移動させる間にエッジ１５５が通過する領域からなる図形１５７を作成する。また、外向き図形発生部１０３は、エッジ検出部１０２により検出されたエッジ１５６を当該エッジ１５６に平行に且つマスクパターンの外側方向に第１３規定量移動させる間にエッジ１５６が通過する領域からなる図形１５８を作成する。
【００２０】
内向き図形発生部１０４は、エッジ検出部１０２により検出されたエッジの夫々について、エッジを当該エッジに平行にかつマスクパターンの内側方向に予め定められた量（第１３規定量）移動させる間に当該エッジが通過する領域からなる図形を作成する。
図７を参照すると、内向き図形発生部１０４は、エッジ検出部１０２により検出されたエッジ１５５を当該エッジ１５５に平行に且つマスクパターンの内側方向に第１３規定量移動させる間にエッジ１５５が通過する領域からなる図形１５９を作成する。また、内向き図形発生部１０４は、エッジ検出部１０２により検出されたエッジ１５６を当該エッジ１５６に平行に且つマスクパターンの内側方向に第１３規定量移動させる間にエッジ１５６が通過する領域からなる図形１６０を作成する。
【００２１】
非接触エッジ検出部１０５は、外向き図形発生部１０３により作成された図形を構成するエッジのうち、内向き図形発生部１０４により作成された図形を構成するエッジと線接触していないエッジ（非接触エッジ）を検出する。
図６〜図８を参照すると、非接触エッジ検出部１０５は、外向き図形発生部１０３により作成された図形１５７を構成するエッジのうち内向き図形発生部１０４により作成された図形１５９、１６０を構成するエッジと線接触していないエッジ（非接触エッジ）１６１〜１６３を検出する。また、非接触エッジ検出部１０５は、外向き図形発生部１０３により作成された図形１５８を構成するエッジのうち内向き図形発生部１０４により作成された図形１５９、１６０を構成するエッジと線接触していないエッジ（非接触エッジ）１６４〜１６６を検出する。
【００２２】
所定アングルエッジ検出部１０６は、非接触エッジ検出部１０５により検出されたエッジ（非接触エッジ）の中から所定方向に延びたエッジ（所定アングルエッジ）を検出する。
図８、図９を参照すると、所定方向がエッジ１５１〜１５４の延びる方向であるとすると、所定アングルエッジ検出部１０６は、非接触エッジ検出部１０５により検出されたエッジ（非接触エッジ）１６１〜１６６の中から、エッジ１５１〜１５４と平行なエッジ（所定アングルエッジ）１６１、１６３、１６４、１６６を検出する。
【００２３】
接触エッジ検出部１０７は、所定アングルエッジ検出部１０６により検出されたエッジ（所定アングルエッジ）の中から入力データ記憶部１０１に記憶されているマスクパターンの外形構成エッジと線接触しているエッジ（線接触エッジ）を検出する。
図９、図１０を参照すると、接触エッジ検出部１０７は、所定アングルエッジ検出部１０６により検出されたエッジ（所定アングルエッジ）１６１、１６３、１６４、１６６の中からマスクパターンの外形構成エッジと線接触しているエッジ（線接触エッジ）１６３、１６４を検出する。
【００２４】
対向図形発生部１０８は、接触エッジ検出部１０７により検出されたエッジ（線接触エッジ）の夫々について、線接触エッジからその垂線方向に存在する外形構成エッジまでの距離が予め定められた量（第１４規定量）以下であるかを判断し、以下であれば、線接触エッジをその垂線方向に存在する外形構成エッジまで平行に移動させる間に当該線接触エッジが通過する領域からなる図形を作成する。
図１１を参照すると、エッジ１６３とエッジ１５３との距離、およびエッジ１６４とエッジ１５２との距離が第１４規定量以下であるとすると、対向図形発生部１０８は、接触エッジ検出部１０７により検出されたエッジ（線接触エッジ）１６３をその垂線方向に存在するエッジ（外形構成エッジ）１５３まで平行に移動させる間に当該エッジ１６３が通過する領域からなる図形１６７を作成し、エッジ（線接触エッジ）１６４をその垂線方向に存在するエッジ（外形構成エッジ）１５２まで平行に移動させる間に当該エッジ１６４が通過する領域からなる図形１６８を作成する。
【００２５】
パターン内図形選択部１０９は、対向図形発生部１０８により作成された図形のうち、入力データ記憶部１０１に記憶されているマスクパターン内に完全に含まれる図形を選択する。
選択図形合成部１１０は、パターン内図形選択部１０９により選択された図形を合成して新たに図形を作成する。
図１２を参照すると、対向図形発生部１０８により作成された図形１６７と図形１６８はマスクパターンに完全に含まれているので、パターン内図形選択部１０９により図形１６７と図形１６８とが選択され、選択図形合成部１１０は、選択された図形１６７と図形１６８とを合成して図形１６９を作成する。
なお、所定方向として複数の方向を任意に設定でき、複数設定した場合には、所定アングルエッジ検出部１０６、接触エッジ検出部１０７、対向図形発生部１０８、パターン内図形選択部１０９、選択図形合成部１１０は、各所定方向毎に処理を行う。
【００２６】
６頂点図形選択部１１１は、選択図形合成部１１０によって合成された図形の中から、頂点の数が６つの図形を選択する。
図１３を参照すると、選択図形合成部１１０によって作成された図形１６９が６つの頂点１７０〜１７５を有しているので、６頂点図形選択部１１１は、頂点の数が６つの図形（６頂点図形）として図形１６９を選択する。
【００２７】
４頂点図形発生部１１２は、６頂点図形選択部１１１により選択された図形（６頂点図形）の夫々について、６頂点図形の３つの頂点を頂点とし、当該６頂点図形の領域の全てを含む頂点の数が４つの図形（長方形）を作成する。
図１４を参照すると、４頂点図形発生部１１２は、６頂点図形選択部１１１により選択された図形１６９に対して、その頂点１７０、１７１、１７５を頂点とし、図形１６９の領域を全て含む図形１７６を作成する。
【００２８】
外部図形発生部１１３は、４頂点図形発生部１１２により作成された４頂点の図形の夫々について、４頂点の図形の領域からその作成の基となった６頂点の図形の領域を除いた図形を作成する。
図１３〜図１５を参照すると、外部図形発生部１１３は、４頂点図形発生部１１２により作成された４頂点の図形１７６の領域からその作成の基となった６頂点の図形１６９の領域を除いた図形１７７を作成する。
【００２９】
接触図形選択部１１４は、外向き図形発生部１０３により作成された図形の中から、６頂点図形選択部１１１により選択された図形（６頂点図形）のいずれかと線接触する図形を選択する。
図６、図１３、図１６を参照すると、図形１５７、１５８が図形１６９と線接触しているので、接触図形選択部１１４は、外向き図形発生部１０３により作成された図形１５７、１５８の中から、６頂点図形選択部１１１により選択された図形（６頂点図形）１６９と線接触している図形１５７、１５８を選択する。
【００３０】
非接触図形選択部１１５は、接触図形選択部１１４により選択された図形の中から、外部図形発生部１１３により作成された図形と重ならない図形を選択する。
図１５〜図１７を参照すると、図形１５７と図形１７７とは重ならないが、図形１５８と図形１７７は重なるので、非接触図形選択部１１５は、接触図形選択部１１４により選択された図形１５７、１５８の中から外部図形発生部１１３により作成された図形１７７と重ならない図形１５７を選択する。
【００３１】
図形付加部１１６は、非接触図形選択部１１５により選択された図形を入力データ記憶部１０１に記憶されているマスクパターンに付加してマスクパターンの補正を行う。
図１８を参照すると、図形付加部１１６は、入力データ記憶部１０１に記憶されているマスクパターンに非接触図形選択部１１５により選択された図形１５７を付加して、付加して得られる形状を新たなマスクパターンとする。
【００３２】
出力データ記憶部１１７は、入力データ記憶部１０１に記憶されているマスクパターンに対して図形付加部１１６により図形が付加された後のマスクパターンを記憶する記憶装置である。
【００３３】
次に、図４のパターン補正装置において行われるパターン補正方法について図１９を参照しつつ説明する。図１９は図４のパターン補正装置が実行するパターン補正方法の処理の流れを示すフローチャートである。
エッジ検出部１０２は、入力データ記憶部１０１に記憶されているマスクパターンの外形構成エッジの各位置座標を利用して、マスクパターンの予め定められた量（第１１規定量）以上の長さのエッジに挟まれ、それらと垂直に点接触するマスクパターンの予め定められた量（第１２規定量）以下の長さのエッジを検出する（ステップＳ１０１）。
【００３４】
外向き図形発生部１０３は、ステップＳ１０１において検出されたエッジの夫々について、エッジを当該エッジに平行にかつマスクパターンの外側方向に予め定められた量（第１３規定量）移動させる間に当該エッジが通過する領域からなる図形を作成する（ステップＳ１０２）。内向き図形発生部１０４は、ステップＳ１０１において検出されたエッジの夫々について、エッジを当該エッジに平行にかつマスクパターンの内側方向に予め定められた量（第１３規定量）移動させる間に当該エッジが通過する領域からなる図形を作成する（ステップＳ１０３）。非接触エッジ検出部１０５は、ステップＳ１０２において作成された図形を構成するエッジのうち、ステップＳ１０３において作成された図形を構成するエッジと線接触していないエッジ（非接触エッジ）を検出する（ステップＳ１０４）。
【００３５】
所定アングルエッジ検出部１０６は、ステップＳ１０４において検出されたエッジ（非接触エッジ）の中から所定方向に延びたエッジ（所定アングルエッジ）を検出する（ステップＳ１０５）。接触エッジ検出部１０７は、ステップＳ１０５において検出されたエッジ（所定アングルエッジ）の中から入力データ記憶部１０１に記憶されているマスクパターンの外形構成エッジと線接触しているエッジ（線接触エッジ）を検出する（ステップＳ１０６）。対向図形発生部１０８は、ステップＳ１０６において検出されたエッジ（線接触エッジ）の夫々について、線接触エッジからその垂線方向に存在する外形構成エッジまでの距離が予め定められた量（第１４規定量）以下であるかを判断し、以下であれば、線接触エッジをその垂線方向に存在する外形構成エッジまで平行に移動させる間に当該線接触エッジが通過する領域からなる図形を作成する（ステップＳ１０７）。なお、第１４規定量以下でない線接触エッジに関して、対向図形発生部１０８は図形の作成を行わない。
【００３６】
パターン内図形選択部１０９は、ステップＳ１０７において作成された図形のうち、入力データ記憶部１０１に記憶されているマスクパターン内に完全に含まれる図形を選択する（ステップＳ１０８）。選択図形合成部１１０は、ステップＳ１０８において選択された図形を合成して新たに図形を作成する（ステップＳ１０９）。６頂点図形選択部１１１は、ステップＳ１０９において合成されて新たに作成された図形の中から、頂点の数が６つの図形を選択する（ステップＳ１１０）。４頂点図形発生部１１２は、ステップＳ１０９において選択された図形（６頂点図形）の夫々について、６頂点図形の３つの頂点を頂点とし、当該６頂点図形の領域の全てを含む頂点の数が４つの図形（長方形）を作成する（ステップＳ１１１）。
【００３７】
外部図形発生部１１３は、ステップＳ１１１において作成された４頂点の図形の夫々について、４頂点の図形の領域からその作成の基となった６頂点の図形の領域を除いた図形を作成する（ステップＳ１１２）。接触図形選択部１１４は、ステップＳ１０２において作成された図形の中から、ステップＳ１１０において選択された図形（６頂点図形）のいずれかと線接触する図形を選択する（ステップＳ１１３）。非接触図形選択部１１５は、ステップＳ１１３において選択された図形の中から、ステップＳ１１２において作成された図形と重ならない図形を選択する（ステップＳ１１４）。図形付加部１１６は、ステップＳ１１４において選択された図形を入力データ記憶部１０１に記憶されているマスクパターンに付加してマスクパターンの補正を行い、補正後のマスクパターンを出力データ記憶部１１７に格納する（ステップＳ１１５）。
【００３８】
なお、接触図形選択部１１４、非接触図形選択部１１５、および図形付加部１１６を次の機能を有する第１および第２処理部に置き換えてもよい。
第１処理部は、内向き図形発生部１０４により作成された図形の中から、外部図形発生部１１３により作成された図形と線接触する図形を選択する。
図２０を参照すると、第１処理部は、内向き図形発生部１０４により作成された図形１５９、１６０の中から、外部図形発生部１１３により作成された図形１７７と線接触する図形１６０を選択する。
【００３９】
第２処理部は、第１処理部により選択された図形を入力データ記憶部１０１に記憶されているマスクパターンから削除してマスクパターンの補正を行う。
図２１を参照すると、第２処理部は、入力データ記憶部１０１に記憶されているマスクパターンから第１処理部により選択された図形１６０を削除して、削除して得られる形状を新たなマスクパターンとする。
【００４０】
《第３の実施の形態》
本発明の第３の実施の形態におけるパターン補正装置の機能構成について図２２〜図４６を参照しつつ説明する。図２２は本実施の形態におけるパターン補正装置の機能ブロック図である。図２３〜図４６は図２２のパターン補正装置の機能を説明するための補足図である。
図２２に示すパターン補正装置２００は、入力データ記憶部２０１、エッジ検出部２０２、外向き図形発生部２０３、内向き図形発生部２０４、エッジ発生部２０５、第１接触エッジ検出部２０６、長さエッジ検出部２０７、第２接触エッジ検出部２０８、図形発生部２０９、図形選択部２１０、コーナエッジ検出部２１１、対向図形発生部２１２、パターン内図形選択部２１３、非接触エッジ検出部２１４、エッジ接触部検出部２１５、外図形発生部２１６、６頂点図形選択部２１７、４頂点図形選択部２１８、交差エッジ検出部２１９、外部図形発生部２２０、接触図形選択部２２１、第１接触図形抽出部２２２、第２接触図形抽出部２２３、図形付加部２２４、図形削除部２２５、および出力データ記憶部２２６として機能する各部を有する。
【００４１】
入力データ記憶部２０１は、光近接効果補正（ＯＰＣ）により補正されたマスクパターンを記憶する記憶装置である。なお、入力データ記憶部２０１に記憶するマスクパターンとして、光近接効果補正（ＯＰＣ）以外の手法により補正されたマスクパターンであってもよい。
エッジ検出部２０２は、入力データ記憶部２０１に記憶されているマスクパターンの外形構成エッジの各位置座標を利用して、マスクパターンの予め定められた量（第２１規定量）以上の長さのエッジに挟まれ、それらと垂直に点接触するマスクパターンの予め定められた量(第２２規定量)以下の長さのエッジを検出する。
図２３の例では、エッジ２５１〜２５８は第２１規定量以上の長さのエッジであり、エッジ２５９〜２６２は第２２規定量以下の長さのエッジであって、エッジ２５９はエッジ２５１と隣り合う関係がマスクパターンの存在しない方の角（外角）９０度で点接触し、エッジ２５２と隣り合う関係がマスクパターンの存在する方の角（内角）９０度で点接触した頂点の間に挟まれ、エッジ２６０はエッジ２５４と隣り合う関係が外角９０度で点接触し、エッジ２５３と隣り合う関係が内角９０度で点接触した頂点の間に挟まれ、エッジ２６１はエッジ２５６と隣り合う関係が外角９０度で点接触し、エッジ２５５と隣り合う関係が内角９０度で点接触した頂点の間に挟まれ、エッジ２６２はエッジ２５７と隣り合う関係が外角９０度で点接触し、エッジ２５８と隣り合う関係が内角９０度で点接触した頂点の間に挟まれているとすると、エッジ検出部２０２は、エッジ２５１〜２６２の中からエッジ２５９〜２６２を検出する。
【００４２】
外向き図形発生部２０３は、エッジ検出部２０２により検出されたエッジの夫々について、エッジを当該エッジに平行にかつマスクパターンの外側方向に予め定められた量（第２３規定量）移動させる間に当該エッジが通過する領域からなる図形を作成する。
図２４を参照すると、外向き図形発生部２０３は、エッジ検出部２０２により検出されたエッジ２５９をエッジ２５９に平行に且つマスクパターンの外側方向に第２３規定量移動させる間にエッジ２５９が通過する領域からなる図形２６３を作成する。また、外向き図形発生部２０３は、エッジ検出部２０２により検出されたエッジ２６０をエッジ２６０に平行に且つマスクパターンの外側方向に第２３規定量移動させる間にエッジ２６０が通過する領域からなる図形２６４を作成する。また、外向き図形発生部２０３は、エッジ検出部２０２により検出されたエッジ２６１をエッジ２６１に平行に且つマスクパターンの外側方向に第２３規定量移動させる間にエッジ２６１が通過する領域からなる図形２６５を作成する。また、外向き図形発生部２０３は、エッジ検出部２０２により検出されたエッジ２６２をエッジ２６２に平行に且つマスクパターンの外側方向に第２３規定量移動させる間にエッジ２６２が通過する領域からなる図形２６６を作成する。
【００４３】
内向き図形発生部２０４は、エッジ検出部２０２により検出されたエッジの夫々について、エッジを当該エッジに平行にかつマスクパターンの内側方向に予め定められた量（第２３規定量）移動させる間に当該エッジが通過する領域からなる図形を作成する。
図２５を参照すると、内向き図形発生部２０４は、エッジ検出部２０２により検出されたエッジ２５９をエッジ２５９に平行に且つマスクパターンの内側方向に第２３規定量移動させる間にエッジ２５９が通過する領域からなる図形２６７を作成する。また、内向き図形発生部２０４は、エッジ検出部２０２により検出されたエッジ２６０をエッジ２６０に平行に且つマスクパターンの内側方向に第２３規定量移動させる間にエッジ２６０が通過する領域からなる図形２６８を作成する。また、内向き図形発生部２０４は、エッジ検出部２０２により検出されたエッジ２６１をエッジ２６１に平行に且つマスクパターンの内側方向に第２３規定量移動させる間にエッジ２６１が通過する領域からなる図形２６９を作成する。また、内向き図形発生部２０４は、エッジ検出部２０２により検出されたエッジ２６２をエッジ２６２に平行に且つマスクパターンの内側方向に第２３規定量移動させる間にエッジ２６２が通過する領域からなる図形２７０を作成する。
【００４４】
エッジ発生部２０５は、マスクパターンのエッジ（外形構成エッジ）の中から、隣り合う関係がマスクパターンの存在しない方の角（外角）９０度で点接触したエッジを検出し、その隣り合うエッジの接触点からそれらのエッジ上に予め定められた量（第２４規定量）以下のエッジを作成する。
図２６を参照すると、エッジ発生部２０５は、マスクパターンのエッジ（外形構成エッジ）の中から、隣り合う関係が外角９０度で点接触したエッジとして、エッジ２５１、２５９と、エッジ２５３、２６０と、エッジ２５５、２６１と、エッジ２５４、２５７と、エッジ２５７、２６２と、を検出する。そして、エッジ発生部２０５は、エッジ２５１、２５９についてそれらの接触点からそれらのエッジ上に位置する第２４規定量以下のエッジ２７１、２７２を作成する。エッジ発生部２０５は、エッジ２５３、２６０についてそれらの接触点からそれらのエッジ上に位置する第２４規定量以下のエッジ２７３、２７４を作成する。エッジ発生部２０５は、エッジ２５５、２６１についてそれらの接触点からそれらのエッジ上に位置する第２４規定量以下のエッジ２７５、２７６を作成する。エッジ発生部２０５は、エッジ２５４、２５７についてそれらの接触点からそれらのエッジ上に位置する第２４規定量以下のエッジ２７７、２７８を作成する。エッジ発生部２０５は、エッジ２５７、２６２についてそれらの交点からそれらの上に位置する第２４規定量以下のエッジ２７９、２８０を作成する。
【００４５】
第１接触エッジ検出部２０６は、入力データ記憶部２０１に記憶されているマスクパターンの夫々のエッジ（外形構成エッジ）のうち、エッジ発生部２０５により作成されたエッジの少なくとも一つに線接触しているエッジを検出する。
図２６、図２７を参照すると、第１接触エッジ検出部２０６は、エッジ２５１〜２６２のうち、エッジ２７１に線接触するエッジ２５１、エッジ２７２に線接触するエッジ２５９、エッジ２７３に線接触するエッジ２６０、エッジ２７４、２７７に線接触するエッジ２５４、エッジ２７５に線接触するエッジ２６１、エッジ２７６に線接触するエッジ２５６、エッジ２７８、２７９に線接触するエッジ２５７、およびエッジ２８０に線接触するエッジ２６２を検出する。
【００４６】
長さエッジ検出部２０７は、第１接触エッジ検出部２０６により検出されたエッジの中から、予め規定した量（第２５規定量）以上のエッジを検出する。
図２７、図２８を参照すると、エッジ２５１〜２５８は第２５規定量以上の長さのエッジであり、エッジ２５９〜２６２は第２５規定量未満のエッジであるとすると、長さエッジ検出部２０７は、第１接触エッジ検出部２０６により検出されたエッジ２５１、２５４、２５６、２５７、２５９、２６０、２６１、２６２の中から、エッジ２５１、２５４、２５６、２５７を検出する。
【００４７】
第２接触エッジ検出部２０８は、エッジ発生部２０５により作成されたエッジの中から、長さエッジ検出部２０７により検出されたエッジのいずれかと線接触しているエッジを検出する。
図２６、図２８、図２９を参照すると、第２接触エッジ検出部２０８は、エッジ発生部２０５により作成されたエッジ２７１〜２８０の中から長さエッジ検出部２０７により検出されたエッジ２５１、２５４、２５６、２５７のいずれかと線接触しているエッジ２７１、２７４、２７６、２７７、２７８、２７９を検出する。
【００４８】
図形発生部２０９は、第２接触エッジ検出部２０８により検出されたエッジのうち第２接触エッジ検出部２０８により検出されたエッジの他のエッジと点接触していないエッジの夫々について、エッジを当該エッジに平行にかつマスクパターンの内側方向にマスクパターンを変更する上で最小となる量（以下、適宜、最小グリッド長という。）移動させる間に当該エッジが通過する領域からなる図形を作成する。また、図形発生部２０９は、第２接触エッジ検出部２０８により検出されたエッジのうち第２接触エッジ検出部２０８により検出されたエッジの他のエッジと点接触しているエッジの夫々について、一方のエッジおよび互いに接触している接触点を当該エッジに平行にかつマスクパターンの内側方向に最小グリッド長分移動させる間に当該エッジが通過する領域、他方のエッジおよびその接触点を当該エッジに平行にかつマスクパターンの内側方向に最小グリッド長分移動させる間に当該エッジが通過する領域、接触点が２方向に移動する間に通過する線を２辺とする正方形の領域、からなる図形を作成する。
図３０を参照すると、図形発生部２０９は、検出された他のエッジと点接触していないエッジ２７１、２７４、２７６、２７９に対して、図形２８１、２８２、２８３、２８４を作成する。また、図形発生部２０９は、互いに点接触するエッジ２７７とエッジ２７８とを利用してコーナを埋めるように図形２８５を作成する。
【００４９】
図形選択部２１０は、図形発生部２０９により作成された図形の中から頂点の数が６つの図形を選択する。
図３０、図３１を参照すると、図形２８１〜２８４は頂点の数が４つの図形であり、図形２８５は頂点の数が６つの図形であることから、図形選択部２１０は、図形発生部２０９により作成された図形２８１〜２８５の中から図形２８５を選択する。
【００５０】
コーナエッジ検出部２１１は、図形選択部２１０により選択された図形（６頂点図形）のエッジのうち、入力データ記憶部２０１に記憶されているマスクパターンのエッジ（外形構成エッジ）と線接触するエッジ（コーナエッジ）を検出する。
図３１、図３２を参照すると、コーナエッジ検出部２１１は、図形選択部２０９により選択された図形（６頂点図形）２８５のエッジのうち、マスクパターンのエッジ（外形構成エッジ）と線接触しているエッジ２７７、２７８を検出する。
【００５１】
対向図形発生部２１２は、コーナエッジ検出部２０９により検出されたエッジ（コーナエッジ）の夫々について、エッジ（コーナエッジ）からその垂線方向に存在する外形構成エッジまでの距離が予め定められた量（第２６規定量）以下であるかを判断し、以下であれば、エッジ（コーナエッジ）をその垂線方向に存在する外形構成エッジまで平行に移動させる間に通過する領域からなる図形を作成する。
図３３を参照すると、エッジ２７７とエッジ２５１との距離、およびエッジ２７８とエッジ２５５との距離が第２６規定量以下であるとすると、対向図形発生部２１２は、コーナエッジ検出部２０９により検出されたエッジ２７７をその垂線方向に存在する外形構成エッジ２５１まで平行に移動させる間にエッジ２７７が通過する領域からなる図形２８６を作成し、エッジ２７８をその垂線方向に存在する外形構成エッジエッジ２５５まで平行に移動させる間にエッジ２７８が通過する領域からなる図形２８７を作成する。
【００５２】
パターン内図形選択部２１３は、対向図形発生部２１２により作成された図形のうち、入力データ記憶部２０１に記憶されているマスクパターン内に完全に含まれる図形を選択する。
図３４を参照すると、対向図形発生部２１２により作成された図形２８６と図形２８７はマスクパターンに完全に含まれているので、パターン内図形選択部２１３は、対向図形発生部２１２により作成された図形２８６、２８７のうち、図形２８６、２８７を選択する。
【００５３】
非接触エッジ検出部２１４は、パターン内図形選択部２１３により選択された各図形のエッジの中から、コーナエッジ検出部２０９により検出されたエッジのいずれとも線接触していないエッジ（非接触エッジ）を検出する。
図３４、図３５を参照すると、非接触エッジ検出部２１４は、パターン内図形選択部２１３により選択された図形２８６、２８７のエッジの中から、コーナエッジ検出部２０９により検出されたエッジ２７７、２７８のいずれとも線接触していないエッジ２８８〜２９３を検出する。
【００５４】
エッジ接触部検出部２１５は、非接触エッジ検出部２１４によって検出されたエッジの夫々について、入力データ記憶部２０１に記憶されているマスクパターンのエッジと線接触している部分（線接触部）を検出する。
図３６を参照すると、エッジ接触部検出部２１５は、非接触エッジ検出部２１４によって検出されたエッジの夫々について、入力データ記憶部２０１に記憶されているマスクパターンのエッジと線接触している線接触部を構成するエッジ２９４〜２９６を検出する。
【００５５】
外図形発生部２１６は、エッジ接触部検出部２１５により検出されたエッジのうちエッジ接触部検出部２１５により検出されたエッジの他のエッジと接触していない夫々について、エッジを当該エッジに平行にかつマスクパターンの外側方向に最小グリッド長分移動させる間に当該エッジが通過する領域からなる図形を作成する。また、外図形発生部２１６は、エッジ接触部検出部２１５により検出されたエッジの他のエッジと点接触しているエッジの夫々について、一方のエッジおよび互いに接触している接触点を当該エッジに平行にかつマスクパターンの外側方向に最小グリッド長分移動させる間に当該エッジが通過する領域、他方のエッジおよびその接触点を当該エッジに平行にかつマスクパターンの外側方向に最小グリッド長分移動させる間に当該エッジが通過する領域、接触点が２方向に移動する間に通過する線を２辺とする正方形の領域、からなる図形を作成する。
図３７を参照すると、外図形発生部２１６は、エッジ接触部検出部２１５により検出された他のエッジと線接触していないエッジ２９４を利用してマスクパターンの外側に図形２９７を作成する。外図形発生部２１６は、エッジ接触部検出部２１５により検出された互いに線接触するエッジ２９５、エッジ２９６とを利用してマスクパターンの外側にそのコーナを埋めるように図形２９８を作成する。
【００５６】
６頂点図形選択部２１７は、外図形発生部２１６により作成された図形の中から、頂点の数が６つの図形（６頂点図形）を選択する。
図３７、図３８を参照すると、図形２９７は頂点の数が４つの図形であり、図形２９８は頂点の数が６つの図形であるので、６頂点図形選択部２１７は、外図形発生部２１６により作成された図形２９７、２９８の中から、図形２９８を選択する。
【００５７】
４頂点図形選択部２１８は、外図形発生部２１６により作成された図形の中から、頂点の数が４つの図形（４頂点図形）を選択する。
図３７、図３９を参照すると、図形２９７は頂点の数が４つの図形であり、図形２９８は頂点の数が６つの図形であるので、４頂点図形選択部２１８は、外図形発生部２１６により作成された図形２９７、２９８の中から、図形２９７を選択する。
【００５８】
交差エッジ検出部２１９は、パターン内図形選択部２１３により選択された図形において、選択された図形のエッジと選択された他の図形のエッジとが外角（選択された図形が存在しない方の角）９０度で互いに点接触するエッジの組を検出する。
図３４、図４０を参照すると、図形２８６のエッジ２９９と図形２８７のエッジ３００とが互いに外角９０度で交わっており、図形２８６のエッジ３０１と図形２８７のエッジ３０２とが互いに外角９０度で交わっているので、交差エッジ検出部２１９は、パターン内図形選択部２１３により選択された図形２８６、２８７において、互いに外角９０度に点接触するエッジ２９９とエッジ３００との組、およびエッジ３０１とエッジ３０２との組を検出する。
【００５９】
外部図形発生部２２０は、交差エッジ検出部２１９により検出されたエッジの組毎に、組を構成するエッジの夫々について当該エッジの元図形の外側方向に平行に第２４規定量移動させ、組を構成する両エッジの通過する領域からなる図形を作成する。
図４０、図４１を参照すると、外部図形発生部２２０は、交差エッジ検出部２１９により検出されたエッジ２９９、３００を、当該エッジの元の図形２８６、２８７の外側方向に平行に第２４規定量移動させ、エッジ２９９、３００の通過する領域からなる図形３０３を作成する。また、外部図形発生部２２０は、交差エッジ検出部２１９により検出されたエッジ３０１、３０２を、当該エッジの元の図形２８６、２８７の外側方向に平行に第２４規定量移動させ、エッジ３０１、３０２の通過する領域からなる図形３０４を作成する。
【００６０】
接触図形選択部２２１は、外向き図形発生部２０３により作成された図形のうち、外部図形発生部２２０により作成された図形のいずれかと線接触する図形を選択する。
図２４、図４２を参照すると、接触図形選択部２２１は、外向き図形発生部２０３により作成された図形２６３〜２６６のうち、外部図形発生部２１８により作成された図形３０３、３０４のいずれかと線接触している図形２６３を選択する。
【００６１】
第１接触図形抽出部２２２は、接触図形選択部２２１により選択された図形の中から、４頂点図形選択部２１８により選択された図形（４頂点図形）のいずれかと線接触する図形を抽出する。
図３９、図４２、図４３を参照すると、図形２６３と図形２９７とが線接触することから、第１接触図形抽出部２２２は、接触図形選択部２２１により選択された図形２６３の中から、４頂点図形選択部２１８により選択された図形２９７と線接触している図形２６３を抽出する。
【００６２】
第２接触図形抽出部２２３は、内向き図形発生部２０４により作成された図形の中から、６頂点図形選択部２１７により選択された図形（６頂点図形）のいずれかと線接触する図形を抽出する。
図２５、図３８、図４４を参照すると、図形２６９と図形２９８とが線接触することから、第２接触図形抽出部２２３は、内向き図形発生部２０４により作成された図形２６７〜２７０の中から、６頂点図形選択部２１７により選択された図形（６頂点図形）２９８と線接触している図形２６９を抽出する。
【００６３】
図形付加部２２４は、第１接触図形抽出部２２２により抽出された図形を入力データ記憶部２０１に記憶されているマスクパターンに付加してマスクパターンの補正を行う。
図４５を参照すると、図形付加部２２４は、入力データ記憶部２０１に記憶されているマスクパターンに第１接触図形抽出部２２２により抽出された図形２６３を付加して、付加して得られる形状を新たなマスクパターンとする。
【００６４】
図形削除部２２５は、第２接触図形抽出部２２３により抽出された図形を図形付加部２２４により新たに作成されたマスクパターンから削除してマスクパターンの補正を行う。
図４６を参照すると、図形削除部２２５は、第２接触図形抽出部２２３により抽出された図形２６９を図形付加部２２２により新たに作成されたマスクパターンから削除してマスクパターンの補正を行う。
【００６５】
出力データ記憶部２２６は、図形削除部２２５により新たに作成されたマスクパターンを記憶する記憶装置である。
【００６６】
次に、図２２のパターン補正装置において行われるパターン補正方法について図４７を参照しつつ説明する。図４７は図２２のパターン補正装置が実行するパターン補正方法の処理の流れを示すフローチャートである。
エッジ検出部２０２は、入力データ記憶部２０１に記憶されているマスクパターンの外形構成エッジの各位置座標を利用して、マスクパターンの予め定められた量（第２１規定量）以上の長さのエッジに挟まれ、それらと垂直に点接触するマスクパターンの外形構成エッジの予め定められた量（第２２規定量）以下の長さのエッジを検出する（ステップＳ２０１）。外向き図形発生部２０３は、ステップＳ２０１において検出されたエッジの夫々について、エッジを当該エッジに平行にかつマスクパターンの外側方向に予め定められた量（第２３規定量）移動させる間に当該エッジが通過する領域からなる図形を作成する（ステップＳ２０２）。内向き図形発生部２０４は、ステップＳ２０１において検出されたエッジの夫々について、エッジを当該エッジに平行にかつマスクパターンの内側方向に予め定められた量（第２３規定量）移動させる間に当該エッジが通過する領域からなる図形を作成する（ステップＳ２０３）。
【００６７】
エッジ発生部２０５は、マスクパターンを構成するエッジの中から、隣り合うエッジが外角９０度で互いに点接触するエッジを検出し、その隣り合うエッジの接触点からそれらのエッジ上に予め定められた量（第２４規定量）のエッジを作成する（ステップＳ２０４）。第１接触エッジ検出部２０６は、入力データ記憶部２０１に記憶されているマスクパターンのエッジ（外形構成エッジ）のうち、ステップＳ２０４において作成されたエッジの少なくとも一つに線接触しているエッジを検出する（ステップＳ２０５）。長さエッジ検出部２０７は、ステップＳ２０４において検出されたエッジの中から、予め規定した量（第２５規定量）以上のエッジを検出する（ステップＳ２０６）。第２接触エッジ検出部２０８は、ステップＳ２０４において作成されたエッジの中から、ステップＳ２０６において検出されたエッジのいずれかと線接触しているエッジを検出する（ステップＳ２０７）。
【００６８】
図形発生部２０９は、ステップＳ２０７において検出されたエッジを利用して、上述した処理により、マスクパターン内に図形を作成する（ステップＳ２０８）。図形選択部２１０は、ステップＳ２０８において作成された図形の中から頂点の数が６つの図形を選択する（ステップＳ２０９）。コーナエッジ検出部２１１は、ステップＳ２０９において選択された図形（６頂点図形）のエッジのうち、入力データ記憶部２０１に記憶されているマスクパターンのエッジ（外形構成エッジ）と線接触するエッジ（コーナエッジ）を検出する（ステップＳ２１０）。対向図形発生部２１２は、ステップＳ２１０において検出されたエッジ（コーナエッジ）の夫々について、エッジ（コーナエッジ）からその垂線方向に存在する外形構成エッジまでの距離が予め定められた量（第２６規定量）以下であるかを判断し、以下であれば、エッジ（コーナエッジ）をその垂線方向に存在する外形構成エッジまで平行に移動させる間に通過する領域からなる図形を作成する（ステップＳ２１１）。なお、第２６規定量以下でないコーナエッジに関して、対向図形発生部２１２は図形の作成を行わない。パターン内図形選択部２１３は、ステップＳ２１１において作成された図形のうち、入力データ記憶部２０１に記憶されているマスクパターン内に完全に含まれる図形を選択する（ステップＳ２１２）。
【００６９】
非接触エッジ検出部２１４は、ステップＳ２１２において選択された各図形のエッジの中から、ステップＳ２１０において検出されたエッジ（コーナエッジ）のいずれとも線接触していないエッジ（非接触エッジ）を検出する（ステップＳ２１３）。エッジ接触部検出部２１５は、ステップＳ２１３において検出されたエッジの夫々について、入力データ記憶部２０１に記憶されているマスクパターンの外形構成エッジと線接触している接触部分を構成するエッジを検出する（ステップＳ２１４）。外図形発生部２１６は、ステップＳ２１４において検出されたエッジを利用して、上述した処理により、マスクパターンの外側に図形を作成する（ステップＳ２１５）。６頂点図形選択部２１７は、ステップＳ２１５において作成された図形の中から、頂点の数が６つの図形（６頂点図形）を選択する（ステップＳ２１６）。４頂点図形選択部２１８は、ステップＳ２１５において作成された図形の中から、頂点の数が４つの図形（４頂点図形）を選択する（ステップＳ２１７）。
【００７０】
交差エッジ検出部２１９は、ステップＳ２１２において選択された図形において、選択された図形のエッジと選択された他の図形のエッジとが外角９０度で互いに点接触するエッジの組を抽出する（ステップＳ２１８）。外部図形発生部２２０は、ステップＳ２１８において検出されたエッジの組毎に、組を構成するエッジの夫々を当該エッジの元図形の外側方向に平行に第２４規定量分移動させ、組を構成する両エッジの通過する領域からなる図形を作成する（ステップＳ２１９）。
【００７１】
接触図形選択部２２１は、ステップＳ２０２において作成された図形のうち、ステップＳ２１９において作成された図形のいずれかと線接触する図形を選択する（ステップＳ２２０）。第１接触図形抽出部２２２は、ステップＳ２２０において選択された図形の中から、ステップＳ２１７において選択された図形（４頂点図形）のいずれかと線接触する図形を抽出する（ステップＳ２２１）。第２接触図形抽出部２２３は、ステップＳ２０２において作成された図形の中から、ステップＳ２１６において選択された図形（６頂点図形）のいずかと線接触する図形を抽出する（ステップＳ２２２）。
【００７２】
図形付加部２２４は、ステップＳ２２１において抽出された図形を入力データ記憶部２０１に記憶されているマスクパターンに付加してマスクパターンの補正を行う（ステップＳ２２３）。図形削除部２２５は、ステップＳ２２１において抽出された図形をステップＳ２２３において補正された後のマスクパターンから削除してマスクパターンの補正を行い、補正後のマスクパターンを出力データ記憶部２２６に格納する（ステップＳ２２４）。
【００７３】
《第４の実施の形態》
本発明の第４の実施の形態におけるパターン補正装置の機能構成について図４８〜図５４を参照しつつ説明する。図４８は本実施の形態におけるパターン補正装置の機能ブロック図である。図４９〜図５４は図４８のパターン補正装置の機能を説明するための補足図である。
図４８に示すパターン補正装置５００は、補正マスクパターンデータ記憶部５０１、モデル記憶部５０２、ターゲットデータ記憶部５０３、転写イメージ作成部５０４、検査ポイント作成部５０５、規格内判断部５０６、パターン修正部５０７、およびフォトマスク作成データ記憶部５０８として機能する各部を有している。
【００７４】
補正マスクパターンデータ記憶部５０１は、光近接効果補正（ＯＰＣ）により補正されたマスクパターンに対して第１から第３の実施の形態において説明したパターン補正方法により補正されたマスクパターンを記憶する記憶装置である。図４９は、光近接効果補正（ＯＰＣ）により補正されたマスクパターンに対して第３の実施の形態において説明したパターン補正方法により図形５５１を追加し、図形５５２が削除されたマスクパターン５３０を示しており、補正マスクパターンデータ記憶部５０１は図４９に示すようなマスクパターンを記憶している。
【００７５】
モデル記憶部５０２は、マスクパターンからウェハに転写後の転写イメージのパターン（以下、適宜、転写イメージパターンという。）を求めるための関数を記憶する記憶装置である。
ターゲットデータ記憶部５０３は、光近接効果補正（ＯＰＣ）により補正される前のマスクパターンを記憶する記憶装置である。図５０は、光近接効果補正（ＯＰＣ）により補正される前のマスクパターン５４０を示しており、ターゲットデータ記憶部５０３は図５０に示すようなマスクパターンを記憶している。
【００７６】
転写イメージ作成部５０４は、補正マスクパターンデータ記憶部５０１に記憶されているマスクパターンに対して、或いは、後述するパターン修正部５０７により修正された後のマスクパターンに対して、モデル記憶部５０２に記憶されているモデル関数を利用して、ウェハへの転写後の転写イメージのパターン（転写イメージパターン）の外郭線を作成する。なお、モデル関数を利用してマスクパターンに対するウェハ転写後の転写イメージパターンの外郭線を作成することは通常行われている既知の光学シミュレーションなどの手法を利用するものとし、ここでは、モデル関数やそれを利用したウェハ転写後の転写イメージのパターンの外郭線の作成の詳細は省略する。
図４９のマスクパターン５３０に対して図５１に示すような転写時のパターンの外郭線５６１、５６２が作成される。
【００７７】
検査ポイント作成部５０５は、ターゲットデータ記憶部５０３に記憶されているマスクパターン上の複数の位置に、転写イメージパターンとのエッジ位置の差分と、ずれている方向を検査するためのポイント（検査ポイント）を作成する。図５０のマスクパターン５４０に対して図５２に示すような検査ポイント５７１〜５７９を作成する。
【００７８】
規格内判断部５０６は、転写イメージ作成部５０４により作成された転写イメージパターンの外郭線を、ターゲットデータ記憶部５０３に記憶されているマスクパターンに重ね合わせる。そして、規格内判断部５０６は、検査ポイント作成部５０５により作成した検査ポイント毎に、ターゲットデータ記憶部５０３に記憶されているマスクパターンのエッジと転写イメージ作成部５０４により作成された転写イメージの外郭線とのターゲット記憶部５０３に記憶されているマスクパターンのエッジに対する垂直方向の差分と、エッジ位置がずれている方向（外郭線がターゲット記憶部５０３に記憶されているマスクパターンの外方向、内方向）とを検出し、その差分が予め規定された量以下であるか否かを判断する。図５３に示すように、規格内判断部５０６は、転写イメージ作成部５０４により作成された転写イメージの外郭線５６１、５６２をターゲットデータ記憶部５０３に記憶されているマスクパターン５４０に重ね合わせる。そして、検査ポイント５７３、５７４において差分が予め規定された量を超えている（許容範囲外）とすると、規格内判断部５０６は、各検査ポイント５７１〜５７９における差分と、エッジ位置のずれている方向を検出し、差分が予め定められた量を超えている検査ポイント５７３、５７４を検出する。
【００７９】
パターン修正部５０７は、規格内判断部５０６により差分が予め定められた量を超えると判断された検出ポイントに関して、補正マスクパターンデータ記憶部５０１に記憶されているマスクパターン或いはパターン修正部５０７により修正された後は修正された後のマスクパターンにおけるその検査ポイントを含むエッジを外郭線がターゲットデータ記憶部５０３に記憶されているマスクパターンに対してずれている方向と反対方向に所定量平行に移動させ、マスクパターンを修正する。なお、パターン修正部５０７は、差分が許容範囲外のときに、第１から第３の実施の形態のパターン補正方法により補正されたエッジと垂直に点接触するエッジの位置を当該補正されたエッジが位置する直線と垂直に点接触させながら所定量平行移動させている。
図５４に示すように、パターン修正部５０７は、検査ポイント５７３、５７４を含むエッジ５８０、５８１をマスクパターンの内側方向に平行に移動させて新たなエッジ５８２、５８３として、マスクパターン５３０をマスクパターン５４１に修正する。
【００８０】
フォトマスク作成データ記憶部５０８は、規格内判断部５０６により全ての検出ポイントにおいて差分が予め定められた量以下であると判断されたときの、マスクパターン（補正マスクパターンデータ記憶部５０１に記憶されているマスクパターン、或いは、パターン修正部５０７により修正された後のマスクパターン）を記憶する記憶装置である。
【００８１】
次に、図４８のパターン補正装置において行われるパターン補正方法について図５５を参照しつつ説明する。図５５は図４８のパターン補正装置が実行するパターン補正方法の処理の流れを示すフローチャートである。
検査ポイント作成部５０５は、ターゲットデータ記憶部５０３に記憶されているマスクパターン上の複数の位置に転写イメージとのエッジ位置の差分と、ずれている方向を検査するポイントして検査ポイントを作成する（ステップＳ５０１）。
【００８２】
転写イメージ作成部５０４は、補正マスクパターンデータ記憶部５０１に記憶されているマスクパターンに対して、モデル記憶部５０２に記憶されているモデル関数を利用して、ウェハへの転写後の転写イメージのパターンの外郭線を作成する（ステップＳ５０２）。規格内判断部５０６は、転写イメージ作成部５０４により作成された転写後の転写イメージパターンの外郭線を、ターゲットデータ記憶部５０３に記憶されているマスクパターンに重ね合わせる。そして、規格内判断部５０６は、検査ポイント作成部５０５により作成した検査ポイント毎に、ターゲットデータ記憶部５０３に記憶されているマスクパターンのエッジと転写イメージ作成部５０４により作成された転写イメージパターンの外郭線とのターゲットデータ記憶部５０３に記憶されているマスクパターンのエッジに対する垂直方向の差分と、ずれている方向を検出する（ステップＳ５０３）。検査ポイントの何れかにおいて差分が予め規定された量を超えていると（Ｓ５０３：ＮＯ）、ステップＳ５０４の処理へ進み、検査ポイントの全てにおいて差分が予め規定された量以下であると（Ｓ５０３：ＹＥＳ）、ステップＳ５０６の処理へ進む。
【００８３】
パターン修正部５０７は、規格内判断部５０６により差分が予め定められた量を超えると判断された検出ポイントに関して、上述した処理により、マスクパターンの修正を行い（ステップＳ５０４）、転写イメージ作成部５０４は、修正されたマスクパターンに対するウェハへの転写後の転写イメージパターンの外郭線を作成し（ステップＳ５０５）、ステップＳ５０３の処理へ戻る。
【００８４】
規格内判断部５０５は、転写イメージ作成部５０４により外郭線が作成され差分が予め定められた量以下であると判断されたときのマスクパターンを記憶部５０８に記憶し（ステップＳ５０６）、処理を終了する。
【００８５】
上記第１から第４の実施の形態において補正されたマスクパターン、或いは、さらに第４の実施の形態において補正されたマスクパターンを利用し、このマスクパターンが描画されるフォトマスクを提供することができる。フォトマスクへの描画は通常行われている手法により行うことが可能であり、詳細な説明は省略する。例えば、感光体が形成された透明基板に対して感光体が形成された側からマスクパターンの形状で露光光（紫外線、Ｘ線、電子線など）を照射し、照射後に現像を行う。
【００８６】
上記第１から第４の実施の形態において補正されたマスクパターン、或いは、さらに第４の実施の形態において補正されたマスクパターンを利用して、デバイスを製造することができる。
また、上記第１から第４の実施の形態において補正されたマスクパターン、或いは、さらに第４の実施の形態において補正されたマスクパターンを利用し作成されたフォトマスクを用いて製造されるデバイスを提供することができる。フォトマスクを用いたデバイスの製造は通常行われている手法により行うことが可能であり、詳細な説明は省略する。例えば、露光装置、フォトマスク、ターゲット（基板、基板の上に形成された被加工層、さらに被加工層の上に形成されたレジスト）の順に並べ、露光装置によりフォトマスクを介してターゲットに露光光（紫外線、Ｘ線、電子線など）を照射し、その後、現像、エッチング、レジスト除去の各処理を行う。
【００８７】
以上説明した各実施の形態によれば、マスクパターンの対向するエッジおいて、対向するエッジと平行方向における、対向する一方のエッジに垂直に点接触するエッジの位置と他方のエッジに垂直に点接触するエッジの位置とがずれている場合に、垂直に点接触するエッジ同士が対向するエッジに対する同一の垂線上になるようにそれらの位置を補正する。これにより、微小図形の大量発生と、図形分割後の図形数の増大によるデータボリュームの増大を防止することが可能になる。
【００８８】
以上、本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明は上述の実施の形態に限られるものではなく、特許請求の範囲に記載した限りにおいて様々な設計変更が可能なものである。
【図面の簡単な説明】
【００８９】
【図１】第１の実施の形態におけるパターン補正装置の機能ブロック図。
【図２】図１のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。
【図３】図１のパターン補正装置が実行するパターン補正方法の処理の流れを示すフローチャート。
【図４】第２の実施の形態におけるパターン補正装置の機能ブロック図。
【図５】図４のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。
【図６】図４のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。
【図７】図４のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。
【図８】図４のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。
【図９】図４のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。
【図１０】図４のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。
【図１１】図４のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。
【図１２】図４のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。
【図１３】図４のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。
【図１４】図４のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。
【図１５】図４のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。
【図１６】図４のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。
【図１７】図４のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。
【図１８】図４のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。
【図１９】図４のパターン補正装置が実行するパターン補正方法の処理の流れを示すフローチャート。
【図２０】図４のパターン補正装置の変形例の機能を説明するための補足図。
【図２１】図４のパターン補正装置の変形例の機能を説明するための補足図。
【図２２】第３の実施の形態におけるパターン補正装置の機能ブロック図。
【図２３】図２２のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。
【図２４】図２２のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。
【図２５】図２２のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。
【図２６】図２２のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。
【図２７】図２２のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。
【図２８】図２２のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。
【図２９】図２２のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。
【図３０】図２２のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。
【図３１】図２２のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。
【図３２】図２２のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。
【図３３】図２２のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。
【図３４】図２２のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。
【図３５】図２２のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。
【図３６】図２２のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。
【図３７】図２２のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。
【図３８】図２２のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。
【図３９】図２２のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。
【図４０】図２２のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。
【図４１】図２２のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。
【図４２】図２２のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。
【図４３】図２２のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。
【図４４】図２２のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。
【図４５】図２２のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。
【図４６】図２２のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。
【図４７】図２２のパターン補正装置が実行するパターン補正方法の処理の流れを示すフローチャート。
【図４８】第３の実施の形態におけるパターン補正装置の機能ブロック図。
【図４９】図４８のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。
【図５０】図４８のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。
【図５１】図４８のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。
【図５２】図４８のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。
【図５３】図４８のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。
【図５４】図４８のパターン補正装置の機能を説明するための補足図。
【図５５】図４８のパターン補正装置が実行するパターン補正方法の処理の流れを示すフローチャート。
【符号の説明】
【００９０】
１  パターン補正装置
２  入力データ記憶部
３  検出部
４  判断部
５  補正部
６  出力データ記憶部
【図１】
2006267876.tif 000003
【図２】
2006267876.tif 000004
【図３】
2006267876.tif 000005
【図４】
2006267876.tif 000006
【図５】
2006267876.tif 000007
【図６】
2006267876.tif 000008
【図７】
2006267876.tif 000009
【図８】
2006267876.tif 000010
【図９】
2006267876.tif 000011
【図１０】
2006267876.tif 000012
【図１１】
2006267876.tif 000013
【図１２】
2006267876.tif 000014
【図１３】
2006267876.tif 000015
【図１４】
2006267876.tif 000016
【図１５】
2006267876.tif 000017
【図１６】
2006267876.tif 000018
【図１７】
2006267876.tif 000019
【図１８】
2006267876.tif 000020
【図１９】
2006267876.tif 000021
【図２０】
2006267876.tif 000022
【図２１】
2006267876.tif 000023
【図２２】
2006267876.tif 000024
【図２３】
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【図２４】
2006267876.tif 000026
【図２５】
2006267876.tif 000027
【図２６】
2006267876.tif 000028
【図２７】
2006267876.tif 000029
【図２８】
2006267876.tif 000030
【図２９】
2006267876.tif 000031
【図３０】
2006267876.tif 000032
【図３１】
2006267876.tif 000033
【図３２】
2006267876.tif 000034
【図３３】
2006267876.tif 000035
【図３４】
2006267876.tif 000036
【図３５】
2006267876.tif 000037
【図３６】
2006267876.tif 000038
【図３７】
2006267876.tif 000039
【図３８】
2006267876.tif 000040
【図３９】
2006267876.tif 000041
【図４０】
2006267876.tif 000042
【図４１】
2006267876.tif 000043
【図４２】
2006267876.tif 000044
【図４３】
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【図４４】
2006267876.tif 000046
【図４５】
2006267876.tif 000047
【図４６】
2006267876.tif 000048
【図４７】
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【図４８】
2006267876.tif 000050
【図４９】
2006267876.tif 000051
【図５０】
2006267876.tif 000052
【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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