(57)【要約】【課題】被処理基板２０の大型化に拘わらず、均一なプラズマ処理を可能とする。【解決手段】プラズマプロセス装置は、被処理基板２０が内部に配置される処理室１２と、処理室１２の内部にプラズマ放電を発生させるプラズマ放電発生部１１，１５と、被処理基板２０の被処理面２０ａに処理ガスを供給するガス供給部１０とを備え、ガス供給部１０の処理ガスを被処理基板２０の被処理面２０ａへ供給した状態で、プラズマ放電発生部１１，１５によってプラズマを発生させることにより、被処理基板２０にプラズマ処理を施すようになっている。さらに、被処理基板２０の外形に沿って被処理基板２０を囲むように設けられ、被処理基板２０の被処理面２０ａよりも高い頂面を有するブロック１４と、ブロック１４により囲まれた領域の隅部に設けられ、ガス供給部１０により供給された処理ガスの流れを遮蔽する遮蔽部材１８とを備えている。【選択図】図２
2006049640.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板が内部に配置される処理室と、
上記処理室の内部にプラズマ放電を発生させるプラズマ放電発生部と、
上記被処理基板の被処理面に処理ガスを供給するガス供給部とを備え、
上記ガス供給部の処理ガスを上記被処理基板の被処理面へ供給した状態で、上記プラズマ放電発生部によってプラズマを発生させることにより、上記被処理基板にプラズマ処理を施すプラズマプロセス装置であって、
上記被処理基板の外形に沿って該被処理基板を囲むように設けられ、上記被処理基板の被処理面よりも高い頂面を有するブロックと、
上記ブロックにより囲まれた領域の隅部に設けられ、上記ガス供給部により供給された処理ガスの流れを遮蔽する遮蔽部材とを備えている
ことを特徴とするプラズマプロセス装置。
【請求項２】
請求項１において、
上記遮蔽部材は、上記被処理基板の被処理面に対向して配置された遮蔽面を有している
ことを特徴とするプラズマプロセス装置。
【請求項３】
請求項１において、
上記遮蔽部材は、上記ブロックの頂面に設けられている
ことを特徴とするプラズマプロセス装置。
【請求項４】
請求項２において、
上記遮蔽部材の遮蔽面は、三角形状に形成され、
上記遮蔽面の二辺は、上記ブロックの長さ方向に沿って延びている
ことを特徴とするプラズマプロセス装置。
【請求項５】
請求項１において、
上記プラズマ放電発生部は、平行に配置された一対の平板電極を備えている
ことを特徴とするプラズマプロセス装置。
【請求項６】
請求項１において、
上記プラズマ処理は、ドライエッチングである
ことを特徴とするプラズマプロセス装置。
【請求項７】
請求項１のプラズマプロセス装置を用いて液晶表示装置を製造する方法であって、
上記液晶表示装置は、複数のスイッチング素子を有するアクティブマトリクス基板と、上記アクティブマトリクス基板に対向して配置された対向基板と、上記対向基板とアクティブマトリクス基板との間に設けられた液晶層とを備え、
上記アクティブマトリクス基板を上記被処理基板とし、上記アクティブマトリクス基板のスイッチング素子をプラズマ処理して形成する
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７において、
上記遮蔽部材は、上記被処理基板の被処理面に対向して配置された遮蔽面を有している
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７において、
上記遮蔽部材は、上記ブロックの頂面に設けられている
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項８において、
上記遮蔽部材の遮蔽面は、三角形状に形成され、
上記遮蔽面の二辺は、上記ブロックの長さ方向に沿って延びている
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項７において、
上記プラズマ放電発生部は、平行に配置された一対の平板電極を備えている
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項７において、
上記プラズマ処理は、ドライエッチングである
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被処理基板にプラズマ処理を施すプラズマプロセス装置、及びそれを用いた液晶表示装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、減圧された処理室の内部に設置された被処理基板に対し、プラズマエッチング等のドライエッチングや、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等のプラズマ処理を施すプラズマプロセス装置が知られている。プラズマプロセス装置は、例えば薄膜トランジスタ（Thin-Film Transistor：ＴＦＴ）等の半導体装置を製造する場合に、好適に用いられている。
【０００３】
ここで、一般的なドライエッチング装置について簡単に説明する。ドライエッチング装置は、真空容器である処理室と、処理室の内部に収容された一対の電極板と、上記処理室内に処理ガスを導入するガス供給手段とを備えている。
【０００４】
上記一対の電極板は、互いに平行に配置されたカソード電極とアノード電極とにより構成されている。上記カソード電極は、高周波電源が接続されると共に、半導体基板等の被処理基板がアノード電極側の表面に設置されるようになっている。一方、上記アノード電極は、電気的に接地されると共に、ガス供給手段の処理ガスをカソード電極側へ導入するための複数のガス導入口が形成されている。
【０００５】
そして、減圧された処理室の内部に対して、処理ガスをガス供給手段からガス導入口を介して導入すると共に、高周波電源から供給された高周波電圧によりカソード電極とアノード電極との間でプラズマを発生させる。このことにより、上記被処理基板にドライエッチングを行うようになっている。
【０００６】
ところが、上記ドライエッチング装置では、被処理基板の外縁領域における処理ガスの流速が、中央領域よりも速くなるという問題がある。その結果、処理ガスの密度分布が被処理基板の外縁領域と中央領域とで異なることとなり、被処理基板に対して均一な処理を施すことが困難になってしまう。
【０００７】
そこで、従来より、被処理基板の被処理面よりも頂面が高いブロックを被処理基板の周囲に設けることが知られている（例えば、特許文献１参照）ここで、特許文献１のドライエッチング装置について、図８を用いて説明する。
【０００８】
エッチング装置１００は、図８に示すように、処理室１０４に収容された下部電極１０６及び上部電極板１１８を備えている。
【０００９】
上部電極板１１８は、処理室１０４の上部に固定されることにより、上部電極板１１８と処理室１０４の上壁との間にはチャンバが区画形成されている。また、処理室１０４には、上記チャンバに連通するガス供給管１２０が接続されている。さらに、上部電極板１１８には、複数のガス導入口１２２が貫通形成されている。このことにより、ガス供給管１２０から上記チャンバへ供給された処理ガスが、各ガス導入口１２２を介して、処理室１０４の内部へ導入されるようになっている。
【００１０】
一方、下部電極１０６は、処理室１０４の下方に設けられ、整合器１１０を介して高周波電源１１２に接続されている。こうして、上部電極板１１８と下部電極１０６との間でプラズマ放電を発生させるようになっている。
【００１１】
被処理基板Ｌは、下部電極１０６の上面に載置され、被処理基板Ｌの周縁を枠状のクランプ１１４により下方へ押圧することにより下部電極１０６に固定されている。被処理基板Ｌは、上記各電極１０６，１１８の間でプラズマ放電を発生させると共に、処理室１０４内に処理ガスを導入することによって、ドライエッチングが施される。また、処理室１０４の下方には、排気管１２４が接続され、処理室１０４内の排気ガスを外部へ排出するようになっている。
【００１２】
そして、上記クランプ１１４の内周面には、枠状のブロック１１６が設けられている。ブロック１１６の頂面は、被処理基板Ｌの被処理面よりも高く配置されている。このことにより、上記ブロック１１６の内周面が処理ガスの流れを遮るため、被処理基板Ｌの外縁領域における処理ガスの流速を低下させることができる。その結果、処理ガスの密度分布が中央領域と外縁領域とで均一化されるため、被処理基板Ｌの全体に対して均一なドライエッチングを行うことが可能となる。
【特許文献１】特開平１１−１４９９９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
ところで、近年、被処理基板となる例えば液晶表示装置のアクティブマトリクス基板等は、急速に大型化が進められている。このように被処理基板の大型化が進むと、プラズマ処理の均一化はさらに困難なものとなり、上記従来のように、単に、被処理基板の周りにブロックを設けるだけでは、上記プラズマ処理の均一化を実現することは極めて難しくなるという問題がある。
【００１４】
本発明は、斯かる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、被処理基板の大型化に拘わらず、均一なプラズマ処理を可能にしようとすることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
すなわち、本発明者らは、プラズマプロセス装置の改良について鋭意研究を重ねた結果、プラズマ領域がその性質上円状又は楕円状に広がるために、四角形の被処理基板の四隅へプラズマが広がり難いことに加え、処理ガスの流れが被処理基板の四隅において顕著に速くなっており、そのために、上記被処理基板に対するプラズマ処理が不均一になってしまうという事実を見出した。
【００１６】
そこで、上記の目的を達成するために、この発明では、被処理基板の周囲に被処理基板の外形に沿ってブロックを設けると共に、上記ブロックにより囲まれた領域の隅部に、処理ガスの流れを遮蔽する遮蔽部材を設けるようにした。
【００１７】
具体的に、本発明に係るプラズマプロセス装置は、被処理基板が内部に配置される処理室と、上記処理室の内部にプラズマ放電を発生させるプラズマ放電発生部と、上記被処理基板の被処理面に処理ガスを供給するガス供給部とを備え、上記ガス供給部の処理ガスを上記被処理基板の被処理面へ供給した状態で、上記プラズマ放電発生部によってプラズマを発生させることにより、上記被処理基板にプラズマ処理を施すプラズマプロセス装置であって、上記被処理基板の外形に沿って該被処理基板を囲むように設けられ、上記被処理基板の被処理面よりも高い頂面を有するブロックと、上記ブロックにより囲まれた領域の隅部に設けられ、上記ガス供給部により供給された処理ガスの流れを遮蔽する遮蔽部材とを備えている。
【００１８】
上記遮蔽部材は、上記被処理基板の被処理面に対向して配置された遮蔽面を有していることが好ましい。
【００１９】
上記遮蔽部材は、上記ブロックの頂面に設けられていてもよい。
【００２０】
上記遮蔽部材の遮蔽面は、三角形状に形成され、上記遮蔽面の二辺は、上記ブロックの長さ方向に沿って延びていることが好ましい。
【００２１】
上記プラズマ放電発生部は、平行に配置された一対の平板電極を備えるようにしてもよい。
【００２２】
上記プラズマ処理は、ドライエッチングであることが好ましい。
【００２３】
また、本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、上記プラズマプロセス装置を用いて液晶表示装置を製造する方法であって、上記液晶表示装置は、複数のスイッチング素子を有するアクティブマトリクス基板と、上記アクティブマトリクス基板に対向して配置された対向基板と、上記対向基板とアクティブマトリクス基板との間に設けられた液晶層とを備え、上記アクティブマトリクス基板を上記被処理基板とし、上記アクティブマトリクス基板のスイッチング素子をプラズマ処理して形成する。
【００２４】
上記遮蔽部材は、上記被処理基板の被処理面に対向して配置された遮蔽面を有していることが好ましい。
【００２５】
上記遮蔽部材は、上記ブロックの頂面に設けられていてもよい。
【００２６】
上記遮蔽部材の遮蔽面は、三角形状に形成され、上記遮蔽面の二辺は、上記ブロックの長さ方向に沿って延びていることが好ましい。
【００２７】
上記プラズマ放電発生部は、平行に配置された一対の平板電極を備えるようにしてもよい。
【００２８】
上記プラズマ処理は、ドライエッチングであることが好ましい。
【００２９】
−作用−
次に、本発明の作用について説明する。
【００３０】
被処理基板にプラズマ処理を施す場合には、まず、処理室の内部に被処理基板を配置する。続いて、ガス供給部によって上記被処理基板の被処理面に処理ガスを供給した状態で、プラズマ放電発生部によって処理室の内部にプラズマ放電を発生させる。プラズマ放電発生部が平行に配置された一対の平板電極を備えている場合には、これら各平板電極間でプラズマ放電が発生する。このことにより、被処理基板の被処理面には、例えばドライエッチング等のプラズマ処理が施される。
【００３１】
このとき、ガス供給部から供給される処理ガスは、被処理基板の被処理面における中央領域から外縁領域へ放射状に流れる。被処理基板の周囲には、被処理面よりも頂面が高いブロックが設けられているため、被処理面の外縁領域に近付いた処理ガスの流れは、上記ブロックの内周面により遮られる。すなわち、上記被処理面の外縁領域における処理ガスの流速を低下させることが可能となる。
【００３２】
ところが、仮に、従来のようにブロックのみが設けられているとすると、処理ガスの流れは、上記ブロックにより囲まれた領域の隅部において速くなってしまう。これに対し、本発明では、上記ブロックにより囲まれた領域の隅部に遮蔽部材を設けるようにしたので、上記領域の隅部における処理ガスの流れを遮蔽して、その流速を確実に低下させることが可能となる。
【００３３】
その結果、被処理基板における被処理面の全体に亘って、処理ガスの流速が均一となるため、処理ガス及びプラズマの密度分布を一様にして、上記被処理基板に対するプラズマ処理を均一に行うことが可能となる。
【００３４】
また、上記遮蔽部材が上記被処理面に対向する遮蔽面を有することにより、ブロックの内周面に遮られて被処理面から離れる方向に流れる処理ガスは、そのガス流れ方向に垂直な遮蔽面によって効果的に遮蔽される。
【発明の効果】
【００３５】
本発明によれば、被処理基板の外形に沿ってブロックを設けると共に、そのブロックにより囲まれた領域の隅部に遮蔽部材を設けるようにしたので、そのブロックにより囲まれた領域の隅部における処理ガスの流れを、遮蔽部材により遮蔽することができる。その結果、ブロックにより囲まれた領域の隅部において、処理ガスの流速を確実に低下させることができるため、被処理基板の大型化に拘わらず、均一なプラズマ処理を被処理基板に施すことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。尚、本発明は、以下の実施形態に限定されるものではない。
【００３７】
《発明の実施形態１》
図１〜図３は、本発明に係るプラズマプロセス装置及び液晶表示装置の製造方法の実施形態を示している。
【００３８】
まず、プラズマプロセス装置の製造対象である液晶表示装置について説明する。液晶表示装置は、詳細な図示を省略するが、アクティブマトリクス基板と、上記アクティブマトリクス基板に対向して配置された対向基板と、上記対向基板とアクティブマトリクス基板との間に設けられた液晶層とを備えている。
【００３９】
拡大断面図である図１に示すように、上記アクティブマトリクス基板Ｋは、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと略称する）等の複数のスイッチング素子３０を有している。
【００４０】
すなわち、アクティブマトリクス基板Ｋは、ガラス基板１と、ガラス基板１の上に形成されたＴＦＴ３０と、ＴＦＴ３０を覆う層間絶縁膜である保護膜８と、透明導電膜９とを備えている。
【００４１】
上記ガラス基板１の上には、ゲート配線２がパターニングされていると共に、窒化シリコンにより構成されたゲート絶縁膜３が、ゲート配線２を覆って基板全面に設けられている。ゲート絶縁膜３の上には、半導体層である真性半導体層４及びｎ型半導体層５と、ｎ型半導体層５を覆って基板上に形成されたソース配線材料（ソース電極材料及びドレイン電極材料を含む）であるベース層６及びトップ層７とが、島状に順次積層して形成されている。
【００４２】
上記ベース層６及びトップ層７は、ソース電極、ドレイン電極、及びソース配線を形成している。ここで、ソース電極とドレイン電極との間には、これらを互いに分断するトランジスタのギャップ部（以下、トランジスタギャップ部と称する）が形成されている。トランジスタギャップ部は、トップ層７、ベース層６、及びｎ型半導体層５を貫通し、真性半導体層４の内部にまで達している。この工程は、以下に説明するドライエッチング装置によって行なわれる。
【００４３】
また、上記保護膜８は、例えば窒化シリコン等により構成されている。上記透明導電膜９は、ドレイン電極を構成するベース層６にコンタクトされることにより画素電極として機能するようになっている。
【００４４】
そして、ドライエッチングを利用してＴＦＴ３０が形成された上記アクティブマトリクス基板Ｋと、カラーフィルタ等が形成された上記対向基板との双方には、配向膜が形成される。液晶表示装置は、上記アクティブマトリクス基板Ｋ及び対向基板が貼り合わせられ、各基板同士の間の空隙に液晶が注入されることによって製造される。
【００４５】
次に、プラズマプロセス装置であるドライエッチング装置について、図２を参照して説明する。尚、図２で上側を「上方向」とし、下側を「下方向」とする。
【００４６】
ドライエッチング装置Ｓは、図２に示すように、被処理基板２０が内部に配置される処理室１２と、上記処理室１２の内部にプラズマ放電を発生させるプラズマ放電発生部３１と、上記被処理基板２０の被処理面２０ａに処理ガスを供給するガス供給部１０とを備えている。
【００４７】
本実施形態のドライエッチング装置Ｓは、いわゆる平行平板型のＲＩＥ（Reactive Ion Etching）方式のエッチング装置である。すなわち、上記プラズマ放電発生部３１は、処理室１２の内部で互いに平行に配置された一対の平板電極１１，１５を備えている。
【００４８】
上記平板電極１１，１５は、処理室１２の上部に配置された上部電極１１と、処理室１２の下部に配置された下部電極１５とにより構成されている。上部電極１１は電気的に接地される一方、下部電極１５には、高周波電源１７が接続されている。このことにより、上部電極１１はアノード電極に構成される一方、下部電極１５はカソード電極に構成されている。
【００４９】
上部電極１１には、ガス供給部１０が接続されている。また、図示は省略するが、上部電極１１の内部には、ガス供給部１０から処理ガスが導入されるチャンバが形成されている。さらに、上部電極１１の下面には、上記チャンバの内部と処理室１２とを連通する複数のガス導入口が形成されている。こうして、ガス供給部１０は、処理ガスを、上部電極１１の上記チャンバ及び上記各ガス導入口を介して、処理室１２内へシャワー状に供給するようになっている。
【００５０】
下部電極１５の上には、被処理基板２０が設置される。被処理基板２０は、例えば、四角板状に形成されたガラス基板を有し、ガラス基板の上には、エッチングの対象となる半導体層等が積層されている。
【００５１】
また、処理室１２には、処理室１２内を排気する真空ポンプ等の排気手段に接続された排気口１６が設けられている。
【００５２】
こうして、ガス供給部１０の処理ガスを被処理基板２０の被処理面２０ａへ供給した状態で、上部電極１１及び下部電極１５によってプラズマを発生させることにより、被処理基板２０にプラズマ処理を施すようにしている。
【００５３】
また、下部電極１５の上には、被処理基板２０の被処理面２０ａよりも高い頂面を有するブロック１４が、被処理基板２０の外形に沿って被処理基板２０を囲むように設けられている。
【００５４】
上記ブロック１４は、ブロック本体１９とベース部２１とにより構成されている。ベース部２１は、下部電極１５の上に設けられ、被処理基板２０を囲む矩形リング板状に形成されている。一方、ブロック本体１９は、ベース部２１の上に設けられ、ベース部２１の内周面に連続する内周面を有し、上下方向に延びる矩形筒状に形成されている。このことにより、ブロック１４の頂面であるブロック本体１９の上端面は、被処理基板２０の被処理面２０ａよりも上方に配置されるようになっている。ブロック１４は、耐プラズマ性を有するセラミックス等の絶縁材料により形成されている。
【００５５】
そして、斜視図である図３に示すように、上記ブロック１４により囲まれた領域の隅部には、ガス供給部１０により供給された処理ガスの流れを遮蔽する遮蔽部材１８が設けられている。
【００５６】
上記遮蔽部材１８は、ブロック１４の頂面に設けられ、被処理基板２０の被処理面２０ａに対向して配置された遮蔽面１８ａを有している。
【００５７】
遮蔽部材１８は直角二等辺三角形の板状に形成され、遮蔽部材１８の直角の角部がブロック本体１９の直角の角部に一致するように配置されている。このことにより、ブロック１４により囲まれた被処理基板２０上の領域の隅部は、遮蔽部材１８の下面である三角形状の遮蔽面１８ａにより覆われている。このとき、上記遮蔽面１８ａの直角角部を形成する二辺は、図３に示すように、ブロック１４の長さ方向（つまり、ブロック本体１９の直角角部を形成する二辺の長さ方向）に沿って延びている。また、遮蔽部材１８は、上記ブロック１４と同様に、セラミックス等により形成されている。
【００５８】
以上の構成により、上記ドライエッチング装置Ｓによりエッチング処理を行う場合には、処理ガスが、ガス供給部１０から上部電極１１のガス導入口を介して被処理基板２０の被処理面２０ａ上の領域へ供給される。上方から流入した処理ガスは、被処理基板２０の被処理面２０ａにおける中央領域から外側の外縁領域へ向かって流れる。
【００５９】
このとき、本実施形態ではブロック１４が設けられているために、被処理基板２０の四辺の中央領域に対応する外縁領域では、上記ブロック１４の内壁面により処理ガスの流れを遮蔽して、その流速を低下させることができる。
【００６０】
さらに、本実施形態では遮蔽部材１８が設けられているために、被処理基板２０の４つの角部に対応する外縁領域（つまり、ブロック１４により囲まれた領域の隅部）では、上記ブロック１４の内壁面に加えて、上記遮蔽部材１８の遮蔽面１８ａにより、処理ガスの流れを遮蔽してその流速を低下させることができる。
【００６１】
このようにして、ブロック１４により囲まれた被処理基板２０上の領域において、処理ガスの流速を均一にした状態で、上記高周波電源１７を駆動することにより上部電極１１と下部電極１５との間にプラズマ放電を発生させる。
【００６２】
その結果、被処理基板２０上の全ての領域において処理ガス及びプラズマの密度分布を一様なものとすることができるため、被処理基板２０の大型化に拘わらず、均一なドライエッチング処理を被処理基板２０に施すことができる。
【００６３】
また、上記ドライエッチング装置Ｓにより、例えばソースドレイン電極を形成する場合には、その歩留まりを改善できると共に、半導体層の膜厚を薄型化することが可能となる。また、半導体膜が成膜された基板において、外縁領域に対してもＴＦＴ等の半導体装置を形成することができる。言い換えれば、プラズマ処理された被処理基板２０を全面に亘って有効に利用することができる。
【００６４】
（実施例）
次に、上記実施形態で説明したドライエッチング装置Ｓにより具体的にエッチング処理を行った実施例について説明する。
【００６５】
被処理基板２０には、６８０ｍｍ×８８０ｍｍの基板サイズを有するＴｉ膜が形成されたガラス基板を用いた。また、処理ガスには、Ｃｌ2／ＢＣｌ3ガスを適用した。
【００６６】
図４は、上記遮蔽部材１８を有しない比較例の結果であり、エッチング処理後の基板表面におけるエッチングレートを示している。図４において、被処理基板２０に記載されている数値は、その数値が記載されている位置におけるエッチングレートの値を示している。この比較例では、エッチングレートの平均が４５２Å／ｍｉｎであり、基板面内のばらつき度合いは２６％であった。
【００６７】
一方、図５は、遮蔽部材１８を有する実施例の結果であり、エッチング処理後の基板表面におけるエッチングレートを示している。図５において、被処理基板２０に記載されている数値は、図４と同様に、その数値が記載されている位置におけるエッチングレートの値を示している。この実施例では、エッチングレートの平均が４１２Å／ｍｉｎであり、基板面内のばらつき度合いは１６％であった。
【００６８】
図４及び図５に示されるように、比較例では、被処理基板２０の四隅においてエッチングレートが増大しているのに対し、本実施例のように遮蔽部材１８を設けることにより、被処理基板２０の四隅におけるエッチングレートを効果的に低減できることが分かる。さらに、エッチングレートのばらつき度合いについても、２６％から１６％に低減することができた。言い換えれば、エッチングレートを被処理基板２０の全面に亘って均一化を図ることが可能となる。
【００６９】
図６は、遮蔽部材１８の大きさを変化させて実施した別の実施例を示している。この実施例では、ソースドレインメタル膜のエッチングと、Ｎ＋半導体膜のエッチング（チャネルエッチング）とを行なった後に、残された膜の厚みを測定した。
【００７０】
図７に示すように、遮蔽部材１８は、直角二等辺三角形の形状とし、その直角の角部を形成する二辺をＸ，Ｙとする。そして、Ｘ及びＹの長さがａ，ｂ，ｃであるものを、それぞれ実施例ａ、実施例ｂ、実施例ｃとし、これら実施例ａ〜ｃについて、上記実施例と同じ条件でエッチング処理を行った。図６では、被処理基板２０の中央位置の膜厚を○印で示し、隅部の膜厚を△印で示し、上記中央位置と隅部との間の中間位置の膜厚を□印で示している。また、図６で最も左側の列に示されている○、△、□印は、遮蔽部材１８が設けられていない比較例を示している。
【００７１】
図６に示されるように、遮蔽部材１８が設けられていない比較例では、膜厚のばらつき度合いが比較的大きく４１％であった。これに対し、実施例ａのように遮蔽部材１８を設けることにより、膜厚のばらつき度合いは２１％と小さくできることが分かった。言い換えれば、遮蔽部材１８を設けることにより、被処理基板２０における膜厚のばらつきを抑えることが可能となる。
【００７２】
さらに、実施例ｂ及び実施例ｃにおける膜厚のばらつき度合いは、それぞれ２％、３％であり、遮蔽部材１８を比較的大きくすることによって、膜厚のばらつき度合いを小さくできることが分かった。すなわち、本発明によると、エッチング処理後の膜厚のばらつき度合いを、４１％から２％へ飛躍的に低減できることが分かった
《その他の実施形態》
上記実施形態１では、遮蔽部材１８を三角板状に形成したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、直角三角形の斜面が凸状に湾曲した扇形状や、凹状に湾曲した形状としてもよい。すなわち、遮蔽部材１８の形状には特に限定が無く、例えば四角形状等の形状であってもよい。
【００７３】
また、Ｔｉ膜のエッチングだけではなく、Ａｌ膜及びＴｉＮ膜等の金属膜（金属化合物膜）や、Ｓｉ膜等の半導体膜のエッチングにも本発明を適用することができる。
【００７４】
また、上記実施形態では、ＲＩＥ型のエッチング装置を例に挙げて説明したが、本発明は斯かる構成に限定されるものではなく、その他に、例えばマグネトロンＲＩＥ型プラズマ処理装置や、ＩＣＰ型プラズマ処理装置等の各種プラズマ処理装置にも本発明を適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００７５】
以上説明したように、本発明は、被処理基板にプラズマ処理を施すプラズマプロセス装置、及びそれを用いた液晶表示装置について有用であり、特に、被処理基板の大型化に拘わらず、均一なプラズマ処理を可能とする場合に適している。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】アクティブマトリクス基板を拡大して示す断面図である。
【図２】実施形態１のドライエッチング装置を模式的に示す断面図である。
【図３】ブロック及び遮蔽部材を示す斜視図である。
【図４】比較例によるエッチングレートの分布を示す図である。
【図５】実施例によるエッチングレートの分布を示す図である。
【図６】遮蔽部材の一辺の長さと膜厚との関係を示すグラフ図である。
【図７】遮蔽部材を示す平面図である。
【図８】従来のドライエッチング装置を示す断面図である。
【符号の説明】
【００７７】
Ｓ    ドライエッチング装置（プラズマプロセス装置）
Ｋ    アクティブマトリクス基板
１０    ガス供給部
１１    上部電極（平板電極、プラズマ放電発生部）
１２    処理室
１４    ブロック
１５    下部電極（平板電極、プラズマ放電発生部）
１８    遮蔽部材
１８ａ  遮蔽面
２０    被処理基板
２０ａ  被処理面
３０    ＴＦＴ（スイッチング素子）
３１    プラズマ放電発生部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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