(57)【要約】【課題】  チップサイズパッケージ型の半導体装置の製造方法において、立体的な構造をもつ半導体基板上に形成する配線層の信頼性の向上を図る。【解決手段】  半導体基板１０の表面に第１の絶縁膜１１を介して支持体１４を形成する。次に、半導体基板１０の一部を当該裏面から選択的にエッチングして開口部１０ｗを形成した後、当該裏面に第２の絶縁膜１７を選択的に形成する。次に、開口部１０ｗを含む半導体基板１０の裏面の全面に、銀ペーストと溶媒との混合物を、ノズル３０ａからの噴霧によってスプレー塗布することにより、当該銀ペーストから成る配線層１８を形成する。そして、配線層１８が形成された半導体基板１０をベークし、配線層１８を固化する。さらに、配線層１８を所定のパターンにパターニングする工程を経る。【選択図】    図７
2006049593.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の一部をある面から選択的にエッチングして、当該面に開口部を形成する工程と、
前記開口部を含む前記半導体基板の前記面の全面に、銀ペーストと溶媒との混合物をスプレー塗布することにより、当該銀ペーストから成る配線層を形成する工程と、
前記配線層が形成された前記半導体基板をベークする工程と、
所定のパターンに対応して、前記配線層をパターニングする工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
半導体基板の一部をある面から選択的にエッチングして、当該面に開口部を形成する工程と、
前記開口部を含む前記半導体基板の前記面の全面に、銀ペーストと溶媒との混合物をスプレー塗布することにより、当該銀ペーストから成る配線層を形成する工程と、
前記配線層が形成された前記半導体基板をベークする工程と、
所定のパターンに対応して、前記配線層をパターニングする工程と、
前記配線層上にメッキ層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
半導体基板の一部をある面から選択的にエッチングして、当該面に開口部を形成する工程と、
前記半導体基板を所定の温度に加熱すると共に、前記開口部を含む前記半導体基板の前記面の一部上に、所定のパターンに対応するように、銀ペーストと溶媒との混合物をインクジェット印刷することにより、当該銀ペーストから成り当該所定のパターンを有した配線層を形成する工程と、
前記配線層が形成された前記半導体基板をベークする工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
ダイシングラインによって区分され、第１の絶縁膜を介して当該ダイシングラインに沿ってパッド電極が形成された半導体基板の表面に、樹脂層を介して支持体を形成する工程と、
前記半導体基板の一部を当該裏面から選択的にエッチングして、前記ダイシングラインの一部もしくは全体に沿って開口する開口部を形成する工程と、
前記開口部内を含む半導体基板の裏面上に第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記開口部の底部の前記第１及び第２の絶縁膜の一部を、前記パッド電極の一部上から前記ダイシングラインに至る領域にかけて選択的にエッチングして除去し、前記パッド電極の一部を露出する工程と、
前記開口部を含む前記半導体基板の裏面の全面に、銀ペーストと溶媒との混合物をスプレー塗布することにより、当該銀ペーストから成る配線層を形成する工程と、
前記配線層が形成された前記半導体基板をベークする工程と、
所定のパターンに対応して、前記開口部の底部で露出する前記パッド電極上から前記半導体基板の裏面上に延びるように、前記配線層をパターニングする工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記配線層上を含む半導体基板の裏面上に保護層を形成する工程と、
前記ダイシングラインに沿ったダイシングにより、前記半導体基板を複数の半導体チップに分離する工程と、を有することを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記保護層の一部を開口して前記配線層の一部を露出し、当該配線層の一部上に導電端子を形成する工程を有することを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
ダイシングラインによって区分され、第１の絶縁膜を介して当該ダイシングラインに沿ってパッド電極が形成された半導体基板の表面に、樹脂層を介して支持体を形成する工程と、
前記半導体基板の一部を当該裏面から選択的にエッチングして、前記ダイシングラインの一部もしくは全体に沿って開口する開口部を形成する工程と、
前記開口部内を含む半導体基板の裏面上に第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記開口部の底部の前記第１及び第２の絶縁膜の一部を、前記パッド電極の一部上から前記ダイシングラインに至る領域にかけて選択的にエッチングして除去し、前記パッド電極の一部を露出する工程と、
前記開口部を含む前記半導体基板の裏面の全面に、銀ペーストと溶媒との混合物をスプレー塗布することにより、当該銀ペーストから成る配線層を形成する工程と、
前記配線層が形成された前記半導体基板をベークする工程と、
所定のパターンに対応して、前記開口部の底部で露出する前記パッド電極上から前記半導体基板の裏面上に延びるように、前記配線層をパターニングする工程と、
前記配線層上にメッキ層を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記メッキ層上を含む半導体基板の裏面上に保護層を形成する工程と、
前記ダイシングラインに沿ったダイシングにより、前記半導体基板を複数の半導体チップに分離する工程と、を有することを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記保護層の一部を開口して前記メッキ層の一部を露出し、当該メッキ層の一部上に導電端子を形成する工程を有することを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
ダイシングラインによって区分され、第１の絶縁膜を介して当該ダイシングラインに沿ってパッド電極が形成された半導体基板の表面に、樹脂層を介して支持体を形成する工程と、
前記半導体基板の一部を当該裏面から選択的にエッチングして、前記ダイシングラインの一部もしくは全体に沿って開口する開口部を形成する工程と、
前記開口部内を含む半導体基板の裏面上に第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記開口部の底部の前記第１及び第２の絶縁膜の一部を、前記パッド電極の一部上から前記ダイシングラインに至る領域にかけて選択的にエッチングして除去し、前記パッド電極の一部を露出する工程と、
前記半導体基板を所定の温度に加熱すると共に、前記開口部を含む前記半導体基板の裏面の一部上に、当該開口部の底部で露出するパッド電極上を含む所定のパターンに対応するように、銀ペーストと溶媒との混合物をインクジェット印刷することにより、当該銀ペーストから成り当該所定のパターンを有した配線層を形成する工程と、
前記配線層が形成された前記半導体基板をベークする工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記配線層上を含む半導体基板の裏面上に保護層を形成する工程と、
前記ダイシングラインに沿ったダイシングにより、前記半導体基板を複数の半導体チップに分離する工程と、を有することを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記保護層の一部を開口して前記配線層の一部を露出し、当該配線層の一部上に導電端子を形成する工程を有することを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
半導体装置の製造方法に関し、特に、チップサイズパッケージ型の半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、パッケージ技術として、チップサイズパッケージ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）が注目されている。チップサイズパッケージとは、半導体チップの外形寸法と略同サイズの外形寸法を有する小型パッケージを意味する。従来より、チップサイズパッケージ型の半導体装置の一種として、ＢＧＡ型の半導体装置が知られている。このＢＧＡ型の半導体装置は、半導体チップのパッド電極と電気的に接続したボール状の導電端子をパッケージの一主面上に格子状に複数配列したものである。
【０００３】
そして、このＢＧＡ型の半導体装置を電子機器に組み込む際には、各導電端子をプリント基板上の配線パターンに圧着することで、半導体チップとプリント基板上に搭載される外部回路とを電気的に接続している。
【０００４】
上述した従来例に係るＢＧＡ型の半導体装置は、例えば次に示すような工程を経た製造方法により製造される。
【０００５】
最初に、ダイシングラインによって区分された半導体基板を準備する。ここで、半導体基板の表面には電子デバイスが形成されている。次に、半導体基板の表面に、電子デバイスと接続されたパッド電極を形成する。さらに、半導体基板の表面に支持体を形成する。次に、ダイシングラインに沿って、半導体基板の一部を当該裏面から選択的にエッチングして、パッド電極を露出する開口部を形成する。次に、開口部内で露出するパッド電極と電気的に接続されて当該開口部内から半導体基板の裏面上に延びる配線層を形成する。さらに、配線層が所定の配線パターンとなるように、当該配線層を選択的にエッチングしてパターニングする。次に、配線層上を含む半導体基板の裏面上に、配線層の一部を露出する保護層を形成し、当該配線層の一部上に導電端子を形成する。最後に、ダイシングラインに沿ったダイシングにより、前記半導体基板を複数の半導体チップに分離する。
【０００６】
なお、上述した技術に関連する技術文献としては、例えば以下の特許文献が挙げられる。
【特許文献１】特許公表２００２−５１２４３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述したような従来例に係るＢＧＡ型の半導体装置の製造方法における配線層の形成は、例えばアルミニウム（Ａｌ）を用いたスパッタ法により行われる。しかしながら、アルミニウム（Ａｌ）から成る配線層は腐食に対する耐性が低い。また、開口部のような立体的な構造を有する半導体基板の主面に、アルミニウム（Ａｌ）を用いたスパッタ法により配線層を形成する場合、当該主面の段差により、配線層のカバレッジが充分に得られない場合がある。従って、そのような配線層を形成する場合、半導体装置の信頼性が低下するという問題が生じていた。
【０００８】
また、アルミニウム（Ａｌ）から成る配線層の替わりに、銅（Ｃｕ）から成る配線層を形成する場合、いわゆる銅汚染が生じて、半導体装置の信頼性が低下していた。さらに、この問題に対処するには、銅汚染を抑止するための製造工程を増やす必要があるため、製造コストが増大していた。
【０００９】
そこで本発明は、チップサイズパッケージ型の半導体装置の製造方法において、立体的な構造をもつ半導体基板上に形成する配線層の信頼性の向上を図る。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の半導体装置の製造方法は、上記課題に鑑みて為されたものであり、半導体基板の一部をある面から選択的にエッチングして、当該面に開口部を形成する工程と、開口部を含む半導体基板の上記面の全面に、銀ペーストと溶媒との混合物をスプレー塗布することにより、当該銀ペーストから成る配線層を形成する工程と、配線層が形成された半導体基板をベークする工程と、所定のパターンに対応して配線層をパターニングする工程と、を有することを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板の一部をある面から選択的にエッチングして、当該面に開口部を形成する工程と、開口部を含む半導体基板の上記面の全面に、銀ペーストと溶媒との混合物をスプレー塗布することにより、当該銀ペーストから成る配線層を形成する工程と、配線層が形成された半導体基板をベークする工程と、所定のパターンに対応して配線層をパターニングする工程と、配線層上にメッキ層を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板の一部をある面から選択的にエッチングして、当該面に開口部を形成する工程と、半導体基板を所定の温度に加熱すると共に、開口部を含む半導体基板の上記面の一部上に、所定のパターンに対応するように、銀ペーストと溶媒との混合物をインクジェット印刷することにより、当該銀ペーストから成り当該所定のパターンを有した配線層を形成する工程と、配線層が形成された半導体基板をベークする工程と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、銀ペーストと溶媒との混合物を半導体基板上にスプレー塗布する。そのため、腐食に対する耐性が高い配線層を、開口部のような立体的な構造を有する半導体基板上に形成することができる。また、立体的な構造を有する半導体基板上に形成される配線層のカバレッジを、従来例に比して極力向上させることが可能となる。また、上記銀ペーストとして、例えば数ナノメートル〜数十ナノメートル程度の径を有する銀粒子を含むペーストを用いた場合には、当該銀ペーストにより形成される配線層の抵抗の増大を極力低く抑えることができる。
【００１４】
さらに、上述したような配線層上にメッキ層を形成することで、半導体装置に高電圧が印加される場合に生じる配線層のエレクトロマイグレーションに対する耐性を極力高めることが可能となる。
【００１５】
また、本発明によれば、銀ペーストと溶媒との混合物を、開口部を含む半導体基板の一部上に選択的にインクジェット印刷する。そのため、開口部のような立体的な構造を有する半導体基板上に、フォトリソグラフィを行わずに所定のパターンを有した配線層を形成することができる。また、立体的な構造を有する半導体基板上に形成される配線層のカバレッジを、従来例に比して極力向上させることが可能となる。
【００１６】
結果として、チップサイズパッケージ型の半導体装置の製造方法において、立体的な構造をもつ半導体基板上に形成する配線層の信頼性を向上することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
次に、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法について図面を参照して説明する。図１、図２、及び図５乃至図１１は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。また、図３及び図４は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す上面図である。なお、図１乃至図１１では、半導体基板のうち、ダイシングラインＤＬの近傍を示している。
【００１８】
最初に、図１に示すように、ダイシングラインによって区分され、不図示の電子デバイスが形成された半導体基板１０を準備する。ここで、不図示の電子デバイスは、例えば、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）や赤外線センサ等の受光素子、もしくは発光素子であるものとする。もしくは、不図示の電子デバイスは、上記受光素子や発光素子以外の電子デバイスであってもよい。また、半導体基板１０は、例えばシリコン基板から成るものとするが、その他の材質の基板であってもよい。
【００１９】
次に、不図示の電子デバイスを含む半導体基板１０の表面上に、層間絶縁膜として第１の絶縁膜１１を形成する。第１の絶縁膜１１は、例えばＰ−ＴＥＯＳ膜やＢＰＳＧ膜等から成る。
【００２０】
次に、半導体基板１０の表面上に、第１の絶縁膜１１を介して、不図示の電子デバイスと接続された外部接続用電極であるパッド電極１２を形成する。パッド電極１２は、スパッタ法により形成されたアルミニウム（Ａｌ）から成る電極であることが好ましいが、その他の金属から成る電極であってもよい。
【００２１】
次に、パッド電極１２上を含む半導体基板１０の表面上に、樹脂層１３を介して基板状もしくはテープ状の支持体１４を形成する。ここで、不図示の電子デバイスが受光素子や発光素子である場合、支持体１４は、例えばガラスのような透明もしくは半透明の性状を有した材料により形成される。不図示の電子デバイスが受光素子や発光素子ではない場合、支持体１４は、透明もしくは半透明の性状を有さない材料により形成されるものであってもよい。
【００２２】
次に、図２に示すように、ダイシングラインの一部もしくは全体に沿って開口する第１のレジスト層１５を、半導体基板１０の裏面上に形成する。そして、第１のレジスト層１５をマスクとして、好ましくは等方性エッチングにより、半導体基板１０の一部を当該裏面から選択的にエッチングする。このエッチングにより、ダイシングラインＤＬの一部もしくは全体に沿って半導体基板を開口する開口部１０ｗが形成される。開口部１０ｗは、半導体基板１０を貫通するようにして形成される。ここで、開口部１０ｗの底部では第１の絶縁膜１１が露出される。なお、このエッチングは、異方性エッチングにより行われてもよい。
【００２３】
開口部１０ｗを半導体基板１０の裏面からみた場合、その上面図は、図３もしくは図４の様になる。即ち、図３に示すように、開口部１０ｗは、半導体基板の主面のうちパッド電極１２が存在する領域を、ダイシングラインＤＬの一部に沿って局所的に開口する。もしくは、図４に示すように、開口部１０ｗは、半導体基板の主面のうちパッド電極１２が存在する領域を、ダイシングラインＤＬの全体に沿って、溝状に開口する。
【００２４】
次に、図５に示すように、開口部１０ｗ内を含む半導体基板１０の裏面上に、裏面絶縁膜として第２の絶縁膜１６を形成する。第２の絶縁膜１６は、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）もしくはシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）から成り、例えばプラズマＣＶＤ法によって形成される。
【００２５】
次に、図６に示すように、開口部１０ｗの底部において、パッド電極１２の一部上からダイシングラインＤＬに至る領域にかけて開口する第２のレジスト層１７を、第２の絶縁膜１６上に形成する。そして、第２のレジスト層１７をマスクとして、半導体基板１０の裏面側から、好ましくは異方性のドライエッチングにより、第２の絶縁膜１６のエッチングを行う。このエッチングにより、パッド電極１２の一部上からダイシングラインＤＬに至る領域にかけて形成された第１の絶縁膜１５及び第２の絶縁膜１６が除去される。即ち、開口部１０ｗの底部においてパッド電極１２の一部及び半導体基板１０の裏面の一部が露出される。
【００２６】
次に、図７に示すように、開口部１０ｗ内を含む半導体基板１０の裏面の全面に対して、銀ペーストと溶媒との混合物を、ノズル３０ａからの噴霧によりスプレー塗布する。
【００２７】
従来より、銀ペーストは、例えば特開２００２−２３１８５４号公報に示されるように、半導体チップを電気的もしくは機械的に保護するための保護膜として、半導体基板の一方の面に形成される場合がある。これに対して、本実施形態に係る銀ペーストは、上記保護膜に用いられるものとは異なり、次に示す特徴を有して配線層１８を構成するものである。
【００２８】
即ち、上記銀ペーストとして、例えば数ミクロンメートル〜数十ミクロンメートル程度の径を有して粒子化された銀（Ａｇ）粒子を含むペーストを用いているが、特に、数ナノメートル〜数十ナノメートル程度の径を有して粒子化された銀（Ａｇ）粒子を含むペーストであることが好ましい。また、上記溶媒は、銀ペーストをスプレー塗布可能な程度の粘度に保ち、かつ当該銀ペーストを半導体基板１０上に所定の密着性を以って密着させる性状を有するものである。例えば、上記溶媒は、トルエン（Ｃ６Ｈ５ＣＨ３）やキシレン（Ｃ６Ｈ４・ＣＨ３・ＣＨ３）等の有機剤から成る。もしくは上記溶媒は、上述したような性状を有するものであれば上記有機剤に限定されず、その他の溶媒であってもよい。
【００２９】
この銀ペーストと溶媒との混合物のスプレー塗布により、開口部１０ｗ内で露出されたパッド電極１２の一部上及び樹脂層１３の一部上、及び開口部１０ｗ内を含む半導体基板１０の裏面の第２の絶縁膜１６上を覆うようにして、銀ペーストから成る配線層１８が形成される。
【００３０】
次に、配線層１８が形成された半導体基板１０をベークして、配線層１８を固化する。ここで、配線層１８が形成された半導体基板１０は、例えば１５０℃程度の温度により１０分程度ベークされる。ただし、このベークに必要な温度及び時間は、銀ペーストや溶媒に応じて異なるため、上記温度及び時間に限定されるものではない。
【００３１】
上述したような配線層１８を構成する銀ペーストは、一般に、アルミニウム（Ａｌ）に比して腐食に対する耐性が高い。即ち、銀ペーストから成る配線層１８は、アルミニウム（Ａｌ）から成る配線層に比して、高い信頼性を有して形成される。
【００３２】
また、銀ペーストから成る配線層１８は、銅（Ｃｕ）から成る配線層にみられた銅汚染のような化学的な汚染が生じない。そのため、銀（Ａｇ）から成る配線層１８を形成する工程は、銅（Ｃｕ）から成る配線層を形成する場合に行われていた銅汚染のような化学的な汚染の抑止工程を必要としない。従って、製造コストの増大を極力低く抑えることができる。
【００３３】
また、スプレー塗布により上記混合物が開口部１０ｗの底部や側壁にも行き渡るため、従来例に比して配線層１８のカバレッジを向上することができる。
【００３４】
また、銀ペーストとして、特に数ナノメートル〜数十ナノメートル程度の径を有する銀粒子を含むペーストを用いるため、当該銀ペーストにより形成される配線層１８の抵抗の増大を極力低く抑えることができる。
【００３５】
また、銀ペーストと混合する溶媒が有機剤から成る場合、配線層１８のエレクトロマイグレーションに対する耐性を向上することができる。
【００３６】
次に、図８に示すように、開口部１０ｗ内を含む半導体基板１０の裏面の配線層１８上に、当該配線層１８を所定のパターンにパターニングするための第３のレジスト層２０を選択的に形成する。
【００３７】
第３のレジスト層２０は、配線層１８が除去される領域を開口するようにして形成される。図８では、第３のレジスト層２０は、開口部１０ｗの底部のうちパッド電極１２が形成されていないダイシングラインＤＬに沿った領域を開口するようにして形成されている。また、図示しないが、第３のレジスト層２０は、上記開口部１０ｗの底部のダイシングラインＤＬに沿った領域以外にも、上記所定のパターンに対応して不要となる配線層１８上を開口するようにして形成される。
【００３８】
そして、配線層１８を所定のパターンにパターニングするため、第３のレジスト層２０をマスクとして、配線層１８を選択的にエッチングする。ここで、配線層１８のエッチングは、好ましくはウェットエッチングにより行われる。エッチング溶液としては、例えば硝酸第２鉄が用いられる。もしくは、エッチング溶液は、上記第３のレジスト層２０をマスクとして銀ペーストをエッチングできるものであれば、硝酸第２鉄以外から成るものであってもよい。もしくは、上記配線層１８のエッチングは、上記ウェットエッチング以外のエッチングにより行われてもよい。
【００３９】
さらに、図示しないが、配線層１８上に、例えばニッケル（Ｎｉ）及び金（Ａｕ）等のメッキ層を形成してもよい。
【００４０】
次に、図９に示すように、第３のレジスト層２０を除去した後、配線層１８上を含む半導体基板１０の裏面上に保護層２１を形成する。この保護層２１は、レジスト材料もしくはその他の材料から成る。また、配線層１８の一部を露出するように保護層２１を開口して、当該配線層１８の一部上に導電端子２２を形成する。この導電端子２２は、例えばハンダから成り、ボール状に形成される。
【００４１】
最後に、図１０に示すように、ダイシングラインＤＬに沿ったダイシングにより、半導体基板１０及びそれに積層される各層を、複数の半導体チップ１０Ａ及びそれに積層される各層から成る半導体装置に分離する。
【００４２】
ここで、配線層１８は、従来例のようなアルミニウム（Ａｌ）から成る配線層に比して、高い腐食に対する耐性を有している。そのため、ダイシングの際に、腐食の一因となる水分が配線層１８の形成領域の近傍に及んでも、配線層１８の信頼性の低下を極力回避することができる。
【００４３】
なお、上述した本実施形態に係る半導体装置の製造方法の配線層１８を形成する工程は、銀ペーストと溶媒との混合物のスプレー塗布に限定されず、次に示すようなインクジェット印刷により行われてもよい。
【００４４】
即ち、図１１に示すように、開口部１０ｗの底部で露出するパッド電極１２上を含む所定のパターンに対応するように、銀ペーストと溶媒との混合物を、半導体基板１０の裏面の一部上に選択的にインクジェット印刷する。ここで、上記銀ペーストは、数ナノメートル程度の径を有して粒子化された銀（Ａｇ）粒子を含むペーストであることが好ましい。
【００４５】
上記インクジェット印刷は、半導体基板１０の裏面に対して水平に移動するノズル３０ｂから、指向性を有して銀ペーストと溶媒との混合物を噴霧することにより行う。ノズル３０ｂは、所定のパターンに対応して移動するため、所定のパターンに対応した配線層１８が形成される。
【００４６】
また、インクジェット印刷による配線層１８の形成工程では、ノズル３０ｂから噴霧された銀ペーストと溶媒との混合物が、開口部１０ｗのような立体的な構造を有した半導体基板１０の裏面上で良好なカバレッジを有して印刷されるように、半導体基板１０を所定の温度に加熱することが好ましい。ここで、上記所定の温度は、４０℃〜１００℃程度であることが好ましい。その後、配線層１８が形成された半導体基板１０を所定の温度及び時間によりベークし、配線層１８を固化する。
【００４７】
上述したようなインクジェット印刷により、開口部１０ｗのような立体的な構造を有する半導体基板１０上に、レジスト層の形成やフォトリソグラフィを行わずに所定のパターンを有した配線層１８を形成することができる。また、立体的な構造を有する半導体基板１０上に形成される配線層１８のカバレッジを、従来例に比して極力向上させることが可能となる。
【００４８】
次に、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法について図面を参照して説明する。図１２乃至図１４は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。なお、図１２乃至図１４では、半導体基板のうち、ダイシングラインＤＬの近傍を示している。また、図１２乃至図１４では、第１の実施形態の図１乃至図１１に示したものと同一の構成要素については、同一の符号を付して説明する。
【００４９】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法のうち、開口部１０ｗを含む半導体基板１０の裏面上に銀ペーストから成り所定のパターニングされた配線層１８を形成する工程までは、図１乃至図８及び図１１に示した第１の実施形態に係る各工程と同様である。なお、銀ペーストと溶媒との混合物のスプレー塗布により配線層１８を形成した場合は、そのパターニングのマスクとして用いた第３のレジスト層２０は除去されているものとする。
【００５０】
次に、図１２に示すように、開口部１０ｗ内を含む配線層１８上に、メッキ層１９をメッキ法により形成する。メッキ層１９は、その下層の配線層１８を電気的もしくは機械的に保護して、配線層１８を構成する銀ペーストのエレクトロマイグレーションに対する耐性を高めるためのものである。メッキ層１９を構成する金属は、配線層１８を構成する銀ペーストのエレクトロマイグレーションに対する耐性を高めるものであれば限定されないが、ニッケル（Ｎｉ）及び金（Ａｕ）であることが好ましい。
【００５１】
さらに、図１３に示すように、メッキ層１９上を含む半導体基板１０の裏面上に保護層２１を形成する。また、メッキ層１９の一部を露出するように保護層２１を開口して、当該メッキ層１９の一部上に導電端子２２を形成する。
【００５２】
最後に、図１４に示すように、ダイシングラインＤＬに沿ったダイシングにより、半導体基板１０及びそれに積層される各層を、複数の半導体チップ１０Ａ及びそれに積層される各層から成る半導体装置に分離する。
【００５３】
上述したように、第１及び第２の実施形態では、配線層１８上にメッキ層１９を形成することで、半導体装置に高電圧が印加される場合においても、配線層１９のエレクトロマイグレーションに対する耐性を極力高めることが可能となる。
【００５４】
なお、上述した第１及び第２の実施形態では、配線層１８上に導電端子２２を形成したが、本発明はこれに限定されない。即ち、本発明は、導電端子が形成されない半導体装置、例えばＬＧＡ（Ｌａｎｄ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）型の半導体装置に適用されるものであってもよい。
【００５５】
また、上述した第１及び第２の本実施形態では、半導体基板１０の裏面上にパッド電極１２と接続された配線層１８が形成されるものとしたが、本発明はこれに限定されない。即ち、配線層１８は、少なくとも開口部１０ｗのような立体的な構造を有した半導体基板上に形成されるものであれば、パッド電極１２と接続されないものであってもよい。
【００５６】
また、上述した第１及び第２の本実施形態では、開口部１０ｗは半導体基板１０を貫通するようにして形成されたが、本発明はこれに限定されない。即ち、開口部１０ｗは、半導体基板１０の裏面から当該半導体基板１０を貫通せずに形成された凹部であってもよい。この場合、半導体基板１０の表面に形成された支持体１４は、上記いずれかの工程において除去されてもよい。もしくは、支持体１４は、除去されずに残されてもよい。もしくは、支持体１４の形成は省略されても構わない。
【００５７】
また、上述した第１及び第２の本実施形態では、開口部１０ｗは半導体基板１０の裏面を開口するようにして形成され、当該開口部１０ｗを含む当該裏面上に配線層１８を形成したが、本発明はこれに限定されない。即ち、支持体１４が形成されなければ、開口部１０ｗは半導体基板１０の表面を開口するものであってもよく、当該表面に配線層１８が形成されるものであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す上面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す上面図である。
【図５】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図６】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図７】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図８】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図９】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１０】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１１】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１２】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１３】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１４】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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