(57)【要約】【課題】基板上に欠陥を表示する方法及びシステムを提供する。【解決手段】本発明の方法は下記の工程を含んでいる。データが少なくとも１つの不審ビットを含んでいるか否かが判定される工程、データでパターン発生器が制御される工程、パターン発生器を使用して放射ビームがパターン化される工程、パターン化された放射ビーム内のフィーチャが基板のターゲット部分上に投影される工程、前記少なくとも１つの不審ビットに対応するターゲット部分を示すパターン化されたビーム内の１つ以上のマーカーが基板上に投影される工程、である。【選択図】図３
2006191065.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に欠陥を表示する方法であって、
（ａ）データが少なくとも１つの不審ビットを含んでいるか否かを判定する工程と、
（ｂ）前記データでパターン発生器を制御する工程と、
（ｃ）前記パターン発生器を使用して放射ビームをパターン化する工程と、
（ｄ）前記パターン化された放射ビーム内のフィーチャを基板のターゲット部分上に投影する工程と、
（ｅ）工程（ａ）で判定された前記少なくとも１つの不審ビットに対応する、前記ターゲット部分を示す前記パターン化されたビーム内の１つ以上のマーカーを前記基板上に投影する工程と、
を含む方法。
【請求項２】
工程（ａ）は、
前記データが少なくとも１つの不審ビットを含んでいるか否かを判定するためにエラー検出アルゴリズムを使用する工程を含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
工程（ａ）は、
エラー検出基準を前記データと比較する工程を含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記エラー基準は、
デジタル・バイナリ数の１つ以上の最下位ビットが１である場合は、少なくとも１つの不審ビットが存在するものと判定する工程と、
デジタル・バイナリ数の１つ以上の最上位ビットが１である場合は、少なくとも１つの不審ビットが存在するものと判定する工程と、
を含む請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記エラー基準を手動入力する工程をさらに含む請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記基板はフラットパネル・ディスプレイであると共に、前記マーカーは前記少なくとも１つの不審ビットに対応する前記フラットパネル・ディスプレイのパネルの少なくとも１つの不審部分の座標として作用する請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記マーカーに関連する前記フィーチャが所定の仕様内にあるか否かを判定するために前記マーカーを含む前記基板のエリアを検査する工程をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項８】
工程（ｄ）（ｅ）で前記基板は半導体基板、フラットパネル・ディスプレイ基板及びポリマー基板の少なくとも１つを含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】
システムであって、
データが少なくとも１つの不審ビット情報を含むか否かを検出し、不審ビット情報を生成する制御モジュールと、
放射ビームをパターン化するパターン発生器であって、前記データ及び不審ビット情報が前記パターン発生器を制御するために利用されるパターン化発生器と、
前記パターン化された放射ビームを基板のターゲット部分上に投影する投影システムと、
を含むシステム。
【請求項１０】
前記制御モジュールは、
前記データ及び前記少なくとも１つの不審ビットに関するいずれかの不審ビット情報を記憶するメモリと、
前記データ及びいずれかの不審ビット情報を前記パターン発生器へと送るラスタライザと、
を含む請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記パターン化されたビームは、
前記データに関連するパターンと、
前記パターンに関連する、前記不審ビット情報に関連する少なくとも１つのマーカーと、を含む請求項９に記載のシステム。
【請求項１２】
前記制御モジュールは、
少なくとも１つの不審ビットが前記データ内に存在するか否かを判定するためにエラー基準を前記データと比較する検出器を含む請求項９に記載のシステム。
【請求項１３】
前記エラー基準を入力するための入力デバイスをさらに含む請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
前記少なくとも１つのマーカーは前記少なくとも１つの不審ビットの前記基板上の前記座標として作用する請求項１１に記載のシステム。
【請求項１５】
前記関連するパターンが所定の仕様内にあるか否かを判定するために、前記マーカーによってマークされた前記基板の潜在的に問題があるエリアを検査する検査システムをさらに含む請求項９に記載のシステム。
【請求項１６】
前記基板は半導体基板、ガラス基板及びポリマー基板の少なくとも１つを含む請求項９に記載のシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光パターン化デバイス及びその使用方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
パターン化デバイスは入射光線をパターン化するために使用される。静的パターン化デバイスはレチクル又はマスクを含むことができる。動的パターン化デバイスはアナログ又はデジタル信号を受信するとパターンを作成する個別制御可能な素子のアレイを含むことができる。アナログ又はデジタル信号はデータ経路を経て送信される。個別制御可能な素子が所望のパターンを形成するのに適するように、動的パターン化デバイスを制御するために使用されるアルゴリズムは、ラスタライゼーション・アルゴリズム又は光学ラスタライゼーション・アルゴリズムと呼ばれる。パターン化デバイスを使用する環境の例には、それに限定されるものではないがリソグラフィ装置、プロジェクタ、投影ディスプレイ装置等が含まれる。
【０００３】
動的パターン化デバイスの個別制御可能な素子のアレイを制御するために大量のデータがデータ経路によって処理され、且つこれを通して伝送され、それによってデータ経路のどこかにビット・エラーが生ずる可能性がでてくる。これらのビット・エラーがパターン化された光線によって露光されるパターン内にエラーを生ずることがある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従って、エラーがデータ経路内に存在するか否かを検出する方法及びシステムが必要である。ビット・エラーが検出されると、ビット・エラーが露光されたパターンにエラーを生じさせたか否かを判定する必要がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の１つの態様によって、下記の工程を含む方法が提供される。すなわち、データが少なくとも１つの不審ビット（suspicious bit）を含んでいるか否かが判定される工程、データを利用してパターン発生器が制御される工程、パターン発生器が放射ビームをパターン化する工程、パターン化された放射ビーム内のフィーチャ（feature）が基板のターゲット部分上に投影される工程、１つ以上の不審ビットに起因するあり得るパターン・エラーの位置を示すパターン化されたビーム内の１つ以上のマーカーが基板上に投影される工程、である。
【０００６】
本発明の別な態様によって、制御モジュールと、パターン発生器と、投影システムを含むシステムが提供される。制御モジュールはデータに少なくとも１つの不審ビットが含まれているか否かを検出し、不審ビット情報を生成する。パターン発生器は放射ビームをパターン化する。データ及び不審ビット情報はパターン発生器を制御するために利用される。投影システムはパターン化された放射ビームを基板のターゲット部分上に投影する。
【０００７】
本発明のその他の実施例、特徴及び利点、並びに本発明の様々な実施例の構造及び動作は、添付図面を参照して以下に詳細に説明される。
【０００８】
発明の大要は１つ以上の実施例の実例及び／又は（and/or）実施例を示すものであり、本発明の全ての実施形態及び／又は実施例を示すものではなく、従っていかなる意味でも本発明及び添付の特許請求の範囲を限定するものと見なされるべきではない。
【０００９】
本発明に組み込まれ、明細書の一部を構成する添付図面は本発明を図示し、記述と共に本発明の原理を説明し、当業者が本発明を製造し、使用できるようにする役割を更に果たすものである。
【００１０】
ここで添付図面を参照して本発明を説明する。図中、同一の参照番号は同一の、又は機能上、類似の素子を示すものである。
【実施例】
【００１１】
Ｉ．概要
本明細書では集積回路（ＩＣ）の製造にリソグラフィ装置を使用することに特に言及されるが、本明細書に記載のリソグラフィ装置は集積光学系の製造、磁気ドメイン・メモリ用の誘導及び検出パターン、フラットパネル・ディスプレイ、薄膜磁気ヘッド、マイクロ及びマクロ流体デバイス等のような他の用途もあることを理解されたい。
【００１２】
本発明の方法及びシステムはデータ経路内の不審ビットによって基板上の露光されたパターンにエラーが生じたか否かを判定するために使用可能である。本発明の態様の利点の例には、顧客側での生産高の向上、容易な診断、及びデータ経路についての顧客の信頼度の向上が含まれる。
【００１３】
詳細な説明は６つの小節に区分される。小節ＩＩでは、本明細書で使用される用語が開示される。小節ＩＩＩは本発明の実施例による代表的なリソグラフィ装置を記載する。小節ＩＶは本発明の実施例による代表的な方法を記載する。小節Ｖは本発明の実施例の利点の例の説明を含む。最後に、小節ＶＩでは結論的な見解が記載される。
【００１４】
ＩＩ．用語
本明細書で使用される「ウエーハ」又は「チップ」という用語はより一般的な用語である「基板」又は「ターゲット部分」とそれぞれ同義語であると見なすことができる。本明細書で言及される基板は露光前又は露光後に、例えばトラック（典型的にはレジスト層を基板に塗布し、露光されたレジストを現像するツール）、計測ツール又は検査ツールで処理されることができる。該当する場合は、本明細書の開示内容は上記の、及びその他の基板処理ツールに適用されてもよい。更に、例えば多層ＩＣを作製するために基板を１回以上処理してもよく、従って本明細書で用いられる基板という用語は多重処理層を既に含んでいる基板のことも意味することができる。
【００１５】
本明細書で用いられる「放射線」及び「ビーム」という用語は、例えば３６５、２４８、１９３、１５７、又は１２６ｎｍの波長を有する）紫外線（ＵＶ）放射線、及び（例えば５−２０ｎｍの範囲の波長を有する）極紫外（ＥＵＶ）線、並びにイオン・ビーム又は電子ビームのような粒子ビームを含むあらゆる種類の電磁放射線を包含するものである。
【００１６】
本明細書で用いられる「個別制御可能な素子のアレイ」という用語は入射する放射ビームにパターン化された断面を付与して、所望のパターンを基板のターゲット部内に形成可能であるようにするどのようなデバイスをも意味するものと広義に解釈されるべきである。「ライトバルブ」及び「空間光変調器」（ＳＬＭ）という用語もこの文脈で用いられることができる。このようなパターン化デバイスの例は後述する。
【００１７】
本明細書で用いられる「投影システム」は、使用される露光放射線用に、又は浸漬液の使用、又は真空の使用のようなその他の要因にとって適切な屈折光学系、反射光学系、カタジオプトリック光学系を含む様々な種類の投影システムをも包含するものと広義に解釈されるものとする。本明細書で「レンズ」という用語が用いられる場合、より一般的な用語である「投影システム」と同義語であると見なすことができる。
【００１８】
ＩＩＩ．代表的なリソグラフィ装置
図１は本発明の実施例によるリソグラフィ投影装置１００を概略的に示している。装置１００は放射システム１０２と、パターン発生器１０４と、投影システム１０８（「レンズ」）と、オブジェクト・テーブル１０６（例えば基板テーブル）とを含んでいる。次にリソグラフィ装置１００の動作を概観する。そしてリソグラフィ装置１００の代替実施例を記載する。リソグラフィ装置１００の代替実施例を概観した後、装置１００内の各素子の詳細と代替実施例とが記載される。
【００１９】
Ａ．概観及び代替実施例
放射システム１０２は放射ビーム１１０（例えば紫外線）を供給するために使用可能である。この特定の場合は、放射システム１０２は放射源１１２をも含んでいる。ビーム１１０はビーム・スプリッタ１１８を使用してパターン発生器１０４に向けられた後、引き続いてこれに交差する。パターン発生器１０４（例えばプログラム可能なミラー・アレイ）を使用してビーム１１０にパターンを付与することができる。パターン発生器１０４によって反射された後、ビーム１１０は投影システム１０８を通過し、これがビーム１１０を基板１１４のターゲット部分１２０上に集束する。基板１１４は以下に詳述するオブジェクト・テーブル１０６によって支持される。
【００２０】
代替実施例（図示せず）では、リソグラフィ装置１００は２つ（二段）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスク・テーブル）を有する種類のものでよい。このような「多段」機械では追加のテーブルを並行して使用してもよく、又は１つ以上の他のテーブルが露光用に使用されている間に、１つ以上のテーブル上で準備工程を実行してもよい。
【００２１】
リソグラフィ投影装置１００は、投影システムの最後の素子と基板との間の空隙を満たすように、基板を屈折率が比較的高い流体（例えば水）に液浸するような種類のものでもよい。浸漬液はリソグラフィ装置の他の空隙、例えば基板と投影システムの最初の素子との間に付与してもよい。投影システムの開口数を高めるための浸漬技術はこの分野では公知である。
【００２２】
更に、流体と基板の非照射部分との間の相互作用を可能にするために（例えば基板に化学薬品を選択的に塗布し、又は基板の表面構造を選択的に修正するために）、リソグラフィ装置１００に流体処理セルを備えることができる。
【００２３】
本発明の実施例によるリソグラフィ装置１００は本明細書では基板上のレジストを露光するものとして記載されているが、本発明はそのような使用に限定されるものではなく、レジストを使用しないリソグラフィで装置１００を使用するためにパターン化されたビーム１１０を投影するために使用可能であることが理解されよう。
【００２４】
Ｂ．放射システム
放射システム１０２は放射源１１２と、コンディショニング・デバイス１２６と、照射源（イルミネータ）１２４とを含んでいる。加えて、イルミネータ１２４は一般に積分器１３０及びコンデンサ１３２のような他の様々な部品を含んでいる。
【００２５】
放射源１１２（例えばエキシマ・レーザ）は放射ビーム１２２を発生可能である。ビーム１２２は直接、又は例えばビーム拡大器のようなコンディショニング・デバイス１２６を横切った後で照射源（イルミネータ）１２４に送られる。調整デバイス１２８を使用して、ビーム１２２内の強度分布の外径又は内径範囲（一般にσアウター及びσインナーとそれぞれ呼ばれる）を設定可能である。このようにして、パターン発生器１０４に衝突するビーム１１０は断面に所望の均一性と強度分布とを有する。
【００２６】
図１に関連して、放射源１１２を（放射源１１２が例えば水銀ランプである場合によくあるように）リソグラフィ投影装置１００のハウジング内に収容可能であることに留意されたい。代替実施例では、放射源１１２はリソグラフィ投影装置１００から離れていてもよい。この場合は、放射ビーム１２２は（例えば適宜の配光ミラーを援用して）装置１００へと向けられよう。この後者のケースは放射源１１２がエキシマ・レーザである場合によくある。これらのケースの双方とも本発明の範囲内で企図されることを理解されたい。
【００２７】
照射源は放射ビームを配光、成形、又は制御するための屈折、反射、カタジオプトリック光学部品を含む様々な種類の光学部品をも包含することができ、このような部品を以下では集合的に、又は単独で「レンズ」と呼ぶことができる。
【００２８】
Ｃ．パターン発生器
パターン発生器１０４は従来のレチクルの代替とみなすことができるＳＬＭを含んでいる。ＳＬＭに加えて、パターン発生器１０４はＳＬＭピクセル及びデータ経路用の駆動電子素子を備えていてもよい。入力された画像データが適当なフォーマットに変換され、データ経路を経て（以下に詳述する）制御モジュール１５０によってＳＬＭに送られる。駆動電子素子は、ＳＬＭパターンが更新されると各ＳＬＭピクセルを順次アドレス指定する。すなわち、各々の新規のＳＬＭ画像フレームを通常の行列アドレス指定によってロードすることが可能である。フレーム速度、すなわち各々の新規フレームをＳＬＭへとロードするために必要な時間は装置の処理能力にとって決定的な要因である。
【００２９】
現在の技術では、多くの用途に必要な処理能力を与えるために必要な大量のピクセル・アレイを供給可能な単一のＳＬＭを構成することができないことがある。従って典型的には、必要なピクセル数を供給するために多重ＳＬＭアレイ（ＭＳＡ）が並行して使用される。例えば、基板上で密接した画像（cohesive image）を形成するために、ＭＳＡの異なるＳＬＭからのピクセルが互いに「縫合」される。これはモーション制御及びグレー・スケール技術を利用して実施可能である。以下の説明では、ＳＬＭへの言及はＭＳＡを含むものと解釈することができる。
【００３０】
一般に、パターン発生器１０４の位置を投影システム１０８に対して固定可能である。しかし、代替実施例では、パターン発生器１０４を投影システム１０８に対して正確に位置決めするために、パターン発生器を位置決めデバイス（図示せず）に接続することが可能である。図１に示すように、パターン発生器１０４は例えばプログラム可能ミラー・アレイのような反射型のものである。
【００３１】
代替として、フィルタが回折光線を除去して、非回折光線が基板に到達するようにできることが理解されよう。回折光学マイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ）デバイスのアレイを対応する態様で使用することも可能である。各々の回折光学ＭＥＭＳデバイスは、入射光線を回折光線として反射する格子を形成するために互いに変形可能な複数の反射リボンを含むことができる。
【００３２】
更に別の代替実施例は、小型ミラーの行列配列を使用したプログラム可能ミラー・アレイを含むことができ、適当な局限化された電界を印可することにより、又は圧電起動手段を使用して、軸を支点に各々のミラーを個々に傾倒可能である。この場合も、アドレス指定されたミラーが入射する放射ビームをアドレス指定されないミラーとは異なる方向に反射するように、ミラーを行列アドレス指定可能である。このようにして、反射されたビームは行列アドレス指定可能なミラーのアドレス指定パターンに従ってパターン化される。必要な行列アドレス指定は適当な電子手段を用いて実行可能である。
【００３３】
本明細書で前述した状況では、個別制御可能な素子のアレイは１つ以上のプログラム可能ミラー・アレイを含むことができる。本明細書で言及されるミラー・アレイに関するこれ以上の情報は参照として全体が本明細書に組み込まれる、例えば米国特許明細書第５，２９６，８９１号及び第５，５２３，１９３号、及びＰＣＴ特許出願第ＷＯ９８／３８５９７号及び第ＷＯ９８／３３０９６号から収集可能である。
【００３４】
プログラム可能なＬＣＤアレイを使用することも可能である。このような構造の例は、参照として全体が本明細書に組み込まれる米国特許明細書第５，２２９，８７２号に記載されている。
【００３５】
他の種類のパターン発生器の実施例は、それに限定されるものではないが、傾倒式反射デバイス、ピストン式反射デバイス、グレートーン透過デバイス、及びグレートーン反射デバイスを含むことができる。
【００３６】
Ｄ．制御モジュール
制御モジュール１５０はデータ経路を含み、典型的には「マスク・ファイル」を記憶するための記憶デバイス及びラスタライザを含む。記憶デバイスは基板にプリントされる画像全体を格納する。ラスタライザはＳＬＭにロードするための画像の適宜の部分を、基板に所望の画像を転写するために必要なパターンを表すＳＬＭピクセル値のマップへと変換する。制御モジュール１５０は典型的には１つ以上のフレーム・バッファ及び新規のＳＬＭフレームがロードされるごとにＳＬＭを行列アドレス指定するために必要なその他の従来の部品をも含んでいる。適当な画像デジタル化及びＳＬＭ駆動電子素子は関連分野の当業者には明らかになろう。例えば、制御モジュール１５０はビット・マップをベースにしたマスク書き込み装置と極めて類似したものでよいが、使用される特定の種類のＳＬＭの個々のＳＬＭピクセルをアドレス指定するための適宜の行列アドレス指定駆動回路を備えている。
【００３７】
前述のように、制御モジュール１５０は、パターン発生器１０４の個々のＳＬＭの起動状態（例えば電圧又は傾倒角度）を制御するデータをパターン発生器１０４に供給する。従って、充分な高速度でデータを供給する能力は所望の基板走査速度（後述する）及びひいては製造速度を得るための重要な考慮事項である。例えば、フラットパネル・ディスプレイ（ＦＰＤ）を製造する場合は、装置は典型的にはレーザが１０／２０ｎｓｅｃのパルス間隔で、５０ＫＨｚでパルス発生するパルス走査モードで動作する。ＦＰＤを生成するために走査されなければならない基板エリアが大きいので、許容できる処理能力を得るために高周波が使用される。この周波数でパルス間にＳＬＭフレームをロードするため、約１０から１００Ｇｐｉｘｅｌ／秒又はそれ以上のオーダーのデータ伝送速度が必要であることがある。このような高いデータ伝送速度を処理するには極めて複雑で高価なデータ処理及び駆動システムが必要である。更に、このような高いデータ伝送速度ではデータ・エラー発生の機会が比例して大きくなり無視できないものとなる。
【００３８】
別途指定されない限り、本明細書のこれ以降の記述を通して、「データ伝送の要求基準」という用語は画像フレームを更新するためにＳＬＭに伝送されなければならないデータ量を意味するものと理解されたい。
【００３９】
図２は制御モジュール１５０の代表的な実施例を示している。この実施例では、制御モジュール１５０は入力デバイス（オプション）２０８と、検出器２０４と、メモリ２０２（オプション）とラスタライザ２０６とを含んでいる。
【００４０】
入力デバイス２０８はエラー基準を入力するために使用可能である。例えば、入力デバイス２０８はシステムのオペレータがエラー基準を規定できるようにユーザー・インターフェースを含むことができる。
【００４１】
エラー基準が手動的に入力されるか否かに関わらず、検出器２０４は、データが１つ以上の不審ビット、すなわち露光された画像にエラーを生じさせる可能性があるビット又はビットの組み合わせ、を含んでいるか否かを判定するため、エラー基準を受け、これに適合するかどうかをチェックする。データ・ストリーム又はデータ・ブロック内のビット・エラーの検出器を実装する代表的な機構には、それに限定されるものではないが、巡回冗長検査（ＣＲＣ）、チェックサム、又は奇偶検査ビットを含めることができる。データ経路内の不審ビットは必ずしも露光された画像内に生ずるエラーと対応しないことを理解されたい。すなわち、露光された画像の（プリントされたマーカーに補助された）検査は、不審ビットが重大なものではなく、投影される画像を受け入れ不能なレベルまで劣化させてはいないことを実証可能であろう。不審ビットが検出されると、検出器２０４は不審ビット情報を作成するために使用可能である。
【００４２】
不審ビット情報を記憶するためにメモリ２０２を利用可能である。しかし、不審ビットに関する情報は必ずしもメモリに記憶される必要はない。すなわち、不審ビット情報を例えばメタ情報としてデータに関連付け、ラスタライザ２０６に直接送ることが可能である。
【００４３】
ラスタライザ２０６はデータ及び不審ビット情報をパターン発生器１０４に送る。データ及び不審ビット情報はパターン発生器１０４の個別制御可能な素子を制御するために使用される。特に、データは基板１１４上に投影されるパターンに対応することができ、又、不審ビット情報は基板上で露光されるパターンに潜在的エラーを表示するために、基板１１４上に投影される１つ以上のマーカーに対応することができる。
【００４４】
図２は説明を目的として示されており、限定されるものではないことを理解されたい。検出器２０４及びラスタライザ２０６は制御モジュール１５０内で異なる配置が可能であることが当業者には理解されよう。例えば、代替実施例では、検出器２０４及びラスタライザ２０６は（図２に示すように）連続的、同時的、又はそれらのある種の組み合わせで動作可能である。これらの代替実施例は本発明の範囲内で企図されることを理解されたい。
【００４５】
Ｅ．投影システム
投影システム１０８（例えば水晶及び／又はＣａＦ２レンズ系、又はこれらの材料から製造されたレンズ素子を含むカタジオプトリック系又はミラー系）を、ビーム・スプリッタ１１８から受光されたパターン化されたビームを基板１１４のターゲット部分１２０（例えば１つ以上のダイ）上に投影するために、使用可能である。投影システム１０８は、パターン発生器１０４の画像を基板１１４上に投影可能である。或いは、投影システム１０８は二次放射源の画像を投影することが可能であり、パターン発生器１０４の素子がそのためのシャッターとして動作する。投影システム１０８は更に二次放射源を形成し、且つマイクロスポットを基板１１４上に投影するためのマイクロレンズ・アレイ（ＭＬＡ）をも含むことができる。
【００４６】
Ｆ．オブジェクト・テーブル
オブジェクト・テーブル１０６には基板１１４（例えばレジストを被覆したシリコン・ウエーハ、投影システム・ディスプレイ、半導体基板、ガラス基板、ポリマー基板、又は投影テレビジョン・ディスプレイ・デバイス）を保持するための基板ホルダ（特には図示せず）を備えることが可能である。加えて、オブジェクト・テーブル１０６は、基板１１４を投影システム１０８に対して正確に位置決めするために、位置決めデバイス１１６に接続することができる。
【００４７】
異なるターゲット部分１２０をビーム１１０の経路内に位置決めするために、位置決めデバイス１１６（及びオプションとしてビーム・スプリッタ１４０を介して干渉ビーム１３８を受光する底板１３６上のオプションの干渉測長デバイス１３４）を援用して、オブジェクト・テーブル１０６を正確に移動可能である。使用する場合は、パターン発生器１０４用の位置決めデバイスは例えば走査中に、ビーム１１０の経路に対するパターン発生器１０４の位置を正確に修正するために使用可能である。一般に、オブジェクト・テーブル１０６の移動は、図１には明示していない長行程モジュール（粗動位置決め）及び短行程モジュール（微動位置決め）を援用して実現される。パターン発生器１０４を位置決めするために同類のシステムを使用することも可能である。その代わりに／それを補足して、必要な相対移動を行うためにビーム１１０を可動式にし、一方、オブジェクト・テーブル１０６及び／又はパターン発生器１０４が固定位置を有するようにすることも可能である。
【００４８】
代替構造の実施例では、オブジェクト・テーブル１０６が固定され、基板１１４がオブジェクト・テーブル１０６の上方を移動可能にすることができる。その場合は、オブジェクト・テーブル１０６には平坦な最上面上に多数の開口部を設け、基板１１４を支持することができるガス・クッションを備えるために開口部を通してガスが供給される。これは従来から空気支承機構と呼ばれている。基板１１４は、これをビーム１１０の経路に対して基板１１４を正確に位置決めすることが可能な１つ以上のアクチュエータ（図示せず）を利用してオブジェクト・テーブル１０６の上方を移動させられる。或いは、開口部を通るガスの通過を選択的に開始、停止することによって、基板１１４をオブジェクト・テーブルの上方で移動させることが可能である。
【００４９】
１実施例では、リソグラフィ装置１００は基板１１４上で露光される画像を検査する検査デバイス（特には図示せず）を含むことができる。代替実施例では、基板１１４を手動的に検査することができる。
【００５０】
例えば事前バイアス機構、光学的近接修正機構、位相変更技術及び多重露光技術が使用される場合は、パターン発生器１０４上に「ディスプレイ」されるパターンは基板層又は基板上に最終的に転写されるパターンと大幅に異なる場合があることを理解されたい。同様に、基板上に最終的に生成されるパターンはパターン発生器１０４上にいずれかの時点で形成されるパターンとは対応しないことがある。これは、基板の各部分上に形成される最終パターンが、パターン発生器１０４上のパターン及び／又は基板の相対位置が変化する所定期間又は所定の露光回数にわたって増強される構成の場合にあり得る。
【００５１】
加えて、投影されたビームが１つ以上のマーカーを基板上に投影するように、ビームをパターン化するために不審ビット情報を利用することが可能である。例えば、パターン化されたビームは（露光される画像に関連する）パターン及び（不審ビット情報に関連する）少なくとも１つのマーカーを含むことができる。少なくとも１つのマーカーは、不審ビット情報に基づいてエラーが疑われる基板１１４の近接部分に、投影システム１０８によって投影可能である。すなわち、露光される画像に関連するパターン内に、又は露光される画像に関連するパターンの外側の基板の境界に１つ以上のマーカーが現れることが可能である。
【００５２】
Ｇ．代表的な動作モード
図示した装置１００は４つの好適なモードで使用可能である。
【００５３】
１．ステップ・モード：パターン発生器１０４上のパターン全体が一度に（すなわち単一に「フラッシュ」で）ターゲット部分１２０上に投影される。次にオブジェクト・テーブル１０６がパターン化されたビーム１１０によって照射される異なるターゲット部分１２０用の異なる位置へとｘ及び／又はｙ方向に移動される。
【００５４】
２．走査モード：所与のターゲット部分１２０が単一の「フラッシュ」で露光されないこと以外は基本的にステップ・モードと同じである。その代わりに、パターン発生器１０４を速度ｖで所定の方向（いわゆる「走査方向」、例えばｙ方向）に移動可能であることにより、パターン化されたビーム１１０は個別制御可能な素子１０４のアレイを走査するようにされる。それと同時に、オブジェクト・テーブル１０６は速度Ｖ＝Ｍｖで同じ方向又は反対方向に同時に移動される。但し、Ｍは投影システム１０８の倍率である。このようにして、解像度を損ねることなく比較的大きいターゲット部分１２０の露光が可能である。
【００５５】
３．パルス・モード：パターン発生器１０４は基本的に固定状態に保たれ、パターン全体がパルス式放射システム１０２を用いて基板１１４のターゲット部分１２０上に投影される。パターン化されたビーム１１０が基板１１４を横切る線を走査するように、オブジェクト・テーブル１０６は基本的に一定の速度で移動される。パターン発生器１０４上のパターンは必要に応じて放射システム１０２のパルス間で更新され、パルスのタイミングは連続的なターゲット部分１２０が基板１１４上の必要な位置で露光されるようなタイミングにされる。その結果、パターン化されたビーム１１０は基板１１４の条片（strip）用に完全なパターンを露光するように基板１１４を横切って走査可能である。この工程は基板１１４が１行ずつ順に露光され終わるまで繰り返される。
【００５６】
４．連続走査モード：実質的に一定の放射システム１０２が使用され、パターン化されたビーム１１０が基板１１４を横切って走査し、これを露光するとパターン発生器１０４上のパターンが更新されること以外は、基本的にパルス・モードと同一である。
【００５７】
利用される動作モードに関わりなく、パターン発生器１０４のＳＬＭ又はＭＳＡによって作成されるパターン（すなわち各々の個別制御可能素子の「オン」又は「オフ」状態、以下では「ＳＬＭピクセル」と呼ばれる）は、所望の画像を基板に転写するために周期的に更新される。例えば、ステップ・モード及び走査モードでは、パターンは各ステップ又は走査動作の間に更新可能である。パルス・モードでは、ＳＬＭパターンは必要に応じて放射システムのパルス間に更新される。連続走査モードでは、ＳＬＭパターンはビームが基板を横切って走査すると更新される。
【００５８】
上記の使用モードの組み合わせ及び／又は変形、又は完全に異なる使用モードを用いることも可能である。
【００５９】
ＩＶ．代表的な方法
図３は本発明の実施例による代表的な方法を示すフローチャート３００を図示している。フローチャート３００は、データが少なくとも１つの不審ビットを含んでいるか否かが判定される工程３１０から開始される。例えば、検出器２０４は、データ内に不審ビット又は不審ビットの組み合わせが存在するか否かを判定するためにデータ・セットをエラー基準と比較することが可能である。エラー基準の例には、それに限定されるものではないが、下記が含まれる。（ｉ）デジタル・バイナリ数の最下位ビットが１である場合は少なくとも１つの不審ビットは存在しない。及び（ｉｉ）デジタル・バイナリ数の最上位ビットが１である場合は少なくとも１つの不審ビットが存在する。
【００６０】
ある実施例では、エラー基準は例えば入力デバイス２０８によって手動入力可能である。別の実施例では、エラー基準はデータ内の各ビットと比較される。更に別の実施例では、不審ビットの検出にはエラー検出アルゴリズムの使用を含めることができる。エラー検出アルゴリズムの例には、それに限定されるものではないが、奇偶検査アルゴリズム、エラー・コード検出アルゴリズム（例えば巡回冗長検査）、それらの組み合わせ、又は他の何らかのエラー検出アルゴリズムを含めることができる。
【００６１】
工程３２０では、パターン発生器を制御するためにデータが利用される。例えば、ラスタライザ２０６はパターン発生器１０４にデータを送ることが可能である。１実施例では、データ内に不審ビットが検出されると、不審ビット情報にアクセスし、且つデータと共に送信可能である。別の実施例では、不審ビット情報はデータと共にパターン発生器１０４に送られる前にメモリ（例えばメモリ２０２）内に記憶される。
【００６２】
工程３３０では、パターン発生器が放射ビームをパターン化する。例えば、パターン発生器１０４は上記のように放射ビームをパターン化することができる。
【００６３】
工程３４０では、パターン化された放射ビーム内のフィーチャが基板のターゲット部分上に投影される。例えば、投影システム１０８はパターン化されたビームを基板１１４の一部上に投影可能である。基板の例には、それに限定されるものではないが、半導体基板、ガラス基板、フラットパネル・ディスプレイ基板、及びポリマー基板、又はマスクレスの用途で使用される何らかの他の基板を含めることができる。
【００６４】
工程３５０では、工程３１０で不審ビットが判定された場合に、パターン化されたビーム内の１つ以上のマーカーが基板上のターゲット部分のそれぞれ１つの近傍に投影される。例えば、フラットパネル・ディスプレイ（ＦＰＤ）デバイスでは、ＦＰＤデバイスのパネルの一部の近傍にマーカー（単数又は複数）をプリントして、マーカーが不審ビット（単数又は複数）に対応する座標として作用するようにすることが可能である。例えば、パターンの内側又は外側のパネル上にＸ座標のマーカー及びＹ座標のマーカーをプリントすることが可能である。パターン内の単一のマーカーも可能である。
【００６５】
マーカーがある基板エリアを検査して、マーカーに関連するフィーチャが所定の仕様内にあるか否かを判定することが可能である。検査可能なフィーチャの例には、それに限定されるものではないが、フィーチャの位置、画像のコントラスト、画像の対数スロープ、微小寸法の均一性、焦点外れの挙動、又はその他のフィーチャを含めることができる。
【００６６】
Ｖ．利点の例
本発明の利点の例には、それに限定されるものではないが、下記を含めることができる。
・ビット・エラーによる所定の仕様外にある製品を特定でき、従って顧客には配送されないので顧客側の生産高が高まる。加えて、（同一であってもなくても）複数の製品が同じ基板上にプリントされた場合に良好な製品と不良品とを区別できる。良好な製品を配送できる。本発明がなければ、顧客は基板全体を廃棄しなければならなくなることがあろう。
・潜在的に問題があるエリアを表示するために１つ以上のマーカーが基板上にプリントされるので、診断が容易になる。
・データ経路内のビット・エラーを検出及び特定可能なので、データ経路についての顧客の信頼性が高まる。
【００６７】
ＶＩ．結論
本発明の様々な実施例をこれまで記載してきたが、例示目的で提示されたもので、限定的なものではないことを理解されたい。本発明の趣旨と範囲から逸脱することなく、形式と細部に多くの変更が可能であることが当業者には理解されよう。従って、本発明の幅と範囲は上記の代表的な実施例のいずれかによって限定されるものではなく、特許請求の範囲及びその均等物によってのみ規定されるものである。
【００６８】
特許請求の範囲を解釈する際に、大要及び要約の段落ではなく、詳細な発明の段落が用いられることを意図することを理解されたい。大要及び要約の段落は発明者（単数又は複数）によって企図された本発明のあらゆる代表的な実施例ではなく、その１つ又はそれ以上の実施例を開示するものであり、従って、本発明及び添付の特許請求の範囲を限定することを決して意図するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明の実施例による代表的なリソグラフィ装置を示す図面である。
【図２】本発明の実施例による代表的な制御モジュールを示す図面である。
【図３】本発明の実施例による方法のフローチャートを示す図面である。
【符号の説明】
【００７０】
１００  リソグラフィ投影装置
１０２  放射システム
１０４  パターン発生器
１０６  オブジェクト・テーブル
１０８  投影システム
１１０  ビーム
１１２  放射源
１１４  基板
１１６  位置決めデバイス
１１８  ビーム・スプリッタ
１２０  ターゲット部分
１２２  ビーム
１２４  照射源
１２６  コンディショニング・デバイス
１２８  調整デバイス
１５０  制御モジュール
２０２  メモリ
２０４  検出器
２０６  ラスタライザ
２０８  入力デバイス
３００  フローチャート
【図１】
2006191065.tif 000003
【図２】
2006191065.tif 000004
【図３】
2006191065.tif 000005