(57)【要約】【課題】  配向異常を抑制し、コントラストの向上を実現できる液晶装置、電子機器を提供する。【解決手段】  第１基板２上に形成された第１電極１０と、第２基板３上に形成された第２電極１１との間に液晶層２３が挟持されてなるドットＤを複数具備する液晶装置１であって、第１電極２上に形成され、第１ラビング方向７３でラビング処理された第１配向膜２０と、第２電極１１上に形成され、第２ラビング方向７４でラビング処理された第２配向膜２２と、を具備し、第１基板２又は第２基板３のうち少なくともいずれか一方の基板には、ドットＤの周辺領域７５の少なくとも一部に、液晶分子Ｌｑのチルト方向６４を第１電極１０の鉛直方向に立ち上げる斜方電界６２を遮蔽する電界遮蔽手段２４が設けられていること、を特徴とする。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板上に形成された第１電極と、第２基板上に形成された第２電極との間に液晶層が挟持されてなるドットを複数具備する液晶装置であって、
前記第１電極上に形成され、第１ラビング方向でラビング処理された第１配向膜と、
前記第２電極上に形成され、第２ラビング方向でラビング処理された第２配向膜と、
を具備し、
前記第１基板又は前記第２基板のうち少なくともいずれか一方の基板には、前記ドットの周辺領域の少なくとも一部に、ディスクリネーション領域を発生させる斜方電界を遮蔽する電界遮蔽手段が設けられていること、
を特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記電界遮蔽手段は、
前記液晶層の液晶分子のうち、前記第１基板又は前記第２基板のうち一方の基板から浮いていない側の先端、を立ち上げる斜方電界を遮蔽すること、
を特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記ドットの周辺領域とは、複数のドットの相互間であること、
を特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記液晶層は、ＴＮ液晶又はＳＴＮ液晶であって、
前記液晶層の液晶分子は、
前記第１配向膜から前記第２配向膜に向けてねじれるツイスト方向に配向され、当該ツイスト方向は前記第１ラビング方向と同一方向であり、
前記ドットの平面視において、前記周辺領域から前記ドットの内側に向けて前記第１ラビング方向が入射する入射側には、
前記電界遮蔽手段が近接して設けられていること、
を特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記液晶層は、ＴＮ液晶又はＳＴＮ液晶であって、
前記液晶層の液晶分子は、
前記第１配向膜から前記第２配向膜に向けてねじれるツイスト方向に配向され、当該ツイスト方向は前記第１ラビング方向と逆方向であり、
前記ドットの平面視において、前記周辺領域から前記ドットの内側に向けて前記第１ラビング方向が入射する入射側、及び前記ドットにおける前記入射側とは反対の側には、
前記電界遮蔽手段が近接して設けられていること、
を特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記第１ラビング方向と前記第２ラビング方向は、鋭角で交差し、
前記ドットの平面視において、前記周辺領域から前記ドットの内側に向けて前記第１ラビング方向が入射する入射側、及び前記ドットにおける前記入射側に直交する側には、
前記電界遮蔽手段が近接して設けられていること、
を特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記第１電極は、前記第１基板上に線状に延在して複数設けられた第１電極線であり、
前記第２電極は、前記第２基板上に線状に延在して複数設けられた第２電極線であり、
前記第１電極線と前記第２電極線とが交差する交差部に前記ドットが形成され、
当該交差部の周辺領域の少なくとも一部に、前記電界遮蔽手段が設けられていること、
を特徴とする請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項８】
前記電界遮蔽手段は、前記第１電極線と前記第２電極線とのうち、少なくともいずれか一方の電極線の側方に設けられていること、
を特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項９】
前記電界遮蔽手段は、前記第１電極線と前記第２電極線とのうち、少なくともいずれか一方の電極線上に設けられていること、
を特徴とする請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項１０】
前記第１基板及び第２基板の間には、当該第１基板と第２基板との隙間を規定する隙間規定部材が配置され、
前記電界遮蔽手段は、前記第１基板又は前記第２基板のうち一方の基板と非接触であること、
を特徴とする請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項１１】
前記電界遮蔽手段は、前記第１基板と前記第２基板とによって挟持されていること、
を特徴とする請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項１２】
表示部を備える電子機器であって、
前記表示部は、請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載の液晶装置からなること、
を特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、携帯電話等に用いられる表示装置として、液晶装置が知られている。
当該液晶装置は、対向する電極間に挟持された液晶層への印加電圧を調整することにより、単位画素内の複数のドット毎に液晶層を透過する光量を制御し、画像表示を行っている。（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開平１０−１０４４１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、本発明者は、各ドットの電極エッジ近傍において、配向異常が生じやすく、光抜けが生じてコントラストの低下を招くという問題を見出した。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、配向異常を抑制し、コントラストの向上を実現できる液晶装置、電子機器を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明者は、液晶装置の配向異常が生じる原理に関し、以下に説明する知見１〜４を見出した。
【０００５】
（知見１）
図９は、配向異常が生じる原理を説明するための図であって、図９（ａ）は液晶装置の模式断面図、図９（ｂ）は液晶装置の電極構成を示す平面図、図９（ｃ）は液晶装置の電極近傍の電界方向とチルト方向を説明するための断面図である。
【０００６】
図９（ａ）は、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic、以下、ＳＴＮと称する。）液晶をパッシブ駆動で動作させる液晶装置を示している。当該液晶装置５０は、上下基板５１，５２の間に液晶層５３を挟持すると共に、上基板５１にはその内側（液晶層５３の側）においてコモン電極５４と配向膜５５とが設けられ、下基板５２にはその内側（液晶層５３の側）においてセグメント電極５６と配向膜５７とが設けられた構成を有している。
ここで、配向膜５５にはラビング処理が施されており、当該ラビング方向はコモン電極５４の延在方向と同一に、また、配向膜５７のラビング方向はセグメント電極５６の延在方向と同一となっており、即ち、平行配向となっている。また、換言すれば、配向膜５５には、配向膜５７のラビング方向に対して時計回りに２７０°回転させた方向にラビング処理が施されている。
そして、このような配向膜５５，５７の間に液晶層５３が充填されると、液晶分子は、セグメント電極５６からコモン電極５４に向けてチルト角６４ａで傾斜するチルト方向６４が付与される（図９（ｃ）参照）。
また、図９（ｂ）の紙面左右方向にコモン電極５４は延在し、紙面上下方向にセグメント電極５６は延在している。そして、両電極５４，５６は、互いに交差するように配置され、当該交差している部分において一つのドットＤが構成されている。
【０００７】
このように構成された液晶装置５０において、コモン電極５４とセグメント電極５６との間に電圧が印加されると、図９（ａ）に示すように、セグメント電極５６の略中央部からコモン電極５４に向けて垂直方向に生じる垂直電界６１と、セグメント電極５６の左エッジ部からコモン電極５４に向けて斜め方向に生じる左斜方電界６２と、セグメント電極５６の右エッジ部からコモン電極５４に向けて斜め方向に生じる右斜方電界６３と、が生じる。そして、当該電界６１，６２，６３の方向に倣うように液晶分子Ｌｑは配向する。
【０００８】
ここで、垂直電界６１と右斜方電界６３とが生じている部分においては、電界方向に対してチルト方向６４が同一方向になっているため、液晶分子Ｌｑはチルト方向６４に基づいて規則的に配向する。
ところが、図９（ｃ）に示すように、左斜方電界６２が生じている部分では、チルト方向６４と左斜方電界６２の方向とが異なっている（電界方向に対してチルト方向６４が逆になっている）ことから、当該左斜方電界６２によって液晶分子Ｌｑの配向が乱れ、ディスクリネーション（配向異常）６５が生じる（図９（ａ）参照）。従って、図９（ｂ）に示すように、ディスクリネーション６５は、ドットＤの左側、換言すれば、セグメント電極５６が延在する方向においてその左側に生じる。
【０００９】
（知見２）
次に、上記の液晶装置５０において、配向膜５７には、セグメント電極５６が延在する方向の斜め方向にラビング処理が施され（ラビング方向が所定角度で傾いている）、更に、当該ラビング方向と液晶分子のツイスト方向（ねじれ方向）とが同一方向である場合について説明する。
図１０は、斜め方向にラビング処理が施され、ツイスト方向とラビング方向とが同一方向である場合を説明するための図であって、図１０（ａ）は液晶装置５０における一のドットＤを模式的に示した平面拡大図であり、図１０（ｂ）はディスクリネーションが生じる程度を示す図である。
なお、以下の説明では、上記の液晶装置５０と同一構成には同一符号を付して、説明を省略している。
【００１０】
図１０（ａ）に示すように、配向膜５７へのラビング処理は、ドットＤの左側から右上側に向けて施されている。ここで、当該ラビングがドットＤに入射する側（ここでは左側）を入射エッジ７１、その反対側（ここでは右側）を反対エッジ７２とする。そして、入射エッジ７１に対してラビング方向７３は入射角θで傾斜している。
また、図１０（ａ）に示すように、液晶分子Ｌｑのツイスト方向ｔｗは、右回り（時計回り）となっている。従って、ラビング方向７３とツイスト方向ｔｗとが一部で同一となっていることから、ここでは、ツイスト方向ｔｗとラビング方向７３とが同一方向であると称している。
また、配向膜５７に対向する配向膜５５には、ラビング方向７３を時計回りに２７０°回転させた方向にラビング処理が施されている。
【００１１】
このような構成において、コモン電極５４とセグメント電極５６との間に電圧が印加されると、ドットＤの略中央部において垂直電界６１が生じ、入射エッジ７１の近傍において左斜方電界６２が生じ、反対エッジ７２の近傍において右斜方電界６３が生じる。そして、当該電界６１，６２，６３の方向に倣うように、液晶分子Ｌｑはツイスト方向ｔｗに順じてねじれて配向する。
【００１２】
ここで、垂直電界６１と右斜方電界６３とが生じている部分においては、電界方向に対してチルト方向６４とツイスト方向ｔｗとが同一方向になっているため、液晶分子Ｌｑはチルト方向６４に基づいて規則的に配向する。
ところが、左斜方電界６２が生じている部分においては、電界方向に対してチルト方向６４とツイスト方向ｔｗとが逆になっているため、当該左斜方電界６２によって液晶分子Ｌｑの配向が乱れ、ディスクリネーション（配向異常）６５が生じる。当該ディスクリネーション６５は、図１０（ａ）に示すように、ドットＤの左側、換言すれば、セグメント電極５６が延在する方向においてその左側に生じる。
【００１３】
そして、本発明者は、入射エッジ７１におけるラビング方向７３の入射角θを変化させると、ドットＤの入射エッジ７１においてディスクリネーション６５が所定の幅ｗが変化して生じることを確認した。
更に、本発明者は、入射角θを変化させた場合のディスクリネーション６５が生じる幅ｗ（発生規模）について調査したところ、図１０（ｂ）に示すように、入射エッジ７１においてディスクリネーション６５が発生することを確認し、反対エッジ７２においては一切ディスクリネーション６５が発生しないことを確認した。更に、入射角θが３０°よりも小さい場合（＜３０°）ではディスクリネーション６５が生じ易く、その幅は１０〜１５μｍ（大）であった。また、入射角θが３０°よりも大きい場合（３０°〜）では、幅７μｍ前後（中）のディスクリネーション６５が生じた。また、入射角θが９０°（９０°ｍａｘ）では、幅３μｍ前後（小）のディスクリネーション６５が生じた。
このように、本発明者は、入射角θが少なくなるに連れて、ディスクリネーション６５が生じ易くなることを確認した。
【００１４】
（知見３）
次に、上記の液晶装置５０において、配向膜５７には、セグメント電極５６が延在する方向の斜め方向にラビング処理が施され、更に、当該ラビング方向と液晶分子のツイスト方向とが逆方向である場合について説明する。
図１１は、斜め方向にラビング処理が施され、ツイスト方向とラビング方向とが逆方向である場合を説明するための図であって、図１１（ａ）は液晶装置５０における一のドットＤを模式的に示した平面拡大図であり、図１１（ｂ）はディスクリネーションが生じる程度を示す図である。
なお、以下の説明では、上記の液晶装置５０と同一構成には同一符号を付して、説明を省略している。
【００１５】
図１１（ａ）に示すように、配向膜５７へのラビング処理は、ドットＤの右側から左上側に向けて施されている。ここで、当該ラビングがドットＤに入射する側（ここでは右側）を入射エッジ７１、その反対側（ここでは左側）を反対エッジ７２とする。そして、入射エッジ７１に対してラビング方向７３は入射角θで傾斜している。
また、図１１（ａ）に示すように、液晶分子Ｌｑのツイスト方向ｔｗは、右回り（時計回り）となっている。従って、ラビング方向７３とツイスト方向ｔｗとが一部で逆となっていることから、ここでは、ツイスト方向ｔｗとラビング方向７３とが逆方向であると称している。
また、配向膜５７に対向する配向膜５５には、ラビング方向７３を時計回りに２７０°回転させた方向にラビング処理が施されている。
【００１６】
このような構成において、コモン電極５４とセグメント電極５６との間に電圧が印加されると、ドットＤの略中央部において垂直電界６１が生じ、入射エッジ７１の近傍において左斜方電界６２が生じ、反対エッジ７２の近傍において右斜方電界６３が生じる。そして、当該電界６１，６２，６３の方向に倣うように、液晶分子Ｌｑはツイスト方向ｔｗに順じてねじれる。
【００１７】
ここで、垂直電界６１が生じている部分においては、電界方向に対してチルト方向６４とツイスト方向ｔｗとが同一方向になっているため、液晶分子Ｌｑはチルト方向６４に基づいて規則的に配向する。
また、右斜方電界６３が生じている部分においては、電界方向に対してチルト方向６４とツイスト方向ｔｗとが逆になっているため、当該右斜方電界６３によって液晶分子Ｌｑの配向が乱れ、ディスクリネーション６５が発生する。
また、左斜方電界６２が生じている部分においては、電界方向に対してチルト方向６４とツイスト方向ｔｗとが逆になっているため、当該左斜方電界６２によって液晶分子Ｌｑの配向が乱れ、ディスクリネーション６５が生じる。
従って、図１１（ａ）に示すように、ディスクリネーション６５は、ドットＤの両側、換言すれば、セグメント電極５６が延在する方向においてその左側及び右側に生じる。更に、入射角θの角度によっては、電界６２，６３の液晶分子Ｌｑの動き量が比較的少なくなったり、多くなったりする。このため、右斜方電界６３が生じている部分のディスクリネーション６５の量が少なくなったり多くなったりすると共に、左斜方電界６２が生じている部分のディスクリネーション６５の量が多くなったり少なくなったりする。
【００１８】
そして、本発明者は、入射エッジ７１におけるラビング方向７３の入射角θを変化させると、ドットＤの入射エッジ７１において所定の幅ｗ１で、かつ、反対エッジ７２において所定の幅ｗ２で、ディスクリネーション６５が生じることを確認した。
更に、本発明者は、入射角θを変化させた場合のディスクリネーション６５が生じる幅ｗ１，ｗ２（発生規模）について調査したところ、図１１（ｂ）に示すように、入射エッジ７１及び反対エッジ７２においてディスクリネーション６５が発生することを確認した。更に、入射角θが０°近傍の場合では、入射エッジ７１においてはディスクリネーション６５が生じ難く、その幅は３μｍ前後（小）、反対エッジ７２においてディスクリネーション６５が生じ易く、その幅は１０〜１５μｍ（大）となった。
また、入射角θが９０°近傍の場合では、入射エッジ７１においてはディスクリネーション６５が生じ易く、その幅は１０〜１５μｍ（大）、反対エッジ７２においてディスクリネーション６５が生じ難く、その幅は３μｍ前後（小）となった。
このように、本発明者は、入射角θが少なくなるに連れて、入射エッジ７１におけるディスクリネーション６５が生じ難くなることを確認し、反対エッジ７２におけるディスクリネーション６５が生じ易くなることを確認した。
【００１９】
（知見４）
次に、上記の液晶装置５０において、下基板５２においてセグメント電極５６の延在方向に対して斜め方向（下ラビング方向７３）にラビング処理が施され、上基板５１においてコモン電極５４の延在方向に対して斜め方向（上ラビング方向７４）にラビング処理が施され、所謂「ずらしラビング」の場合について説明する。
図１２は、ずらしラビングを説明するための図であって、図１２（ａ）はずらしラビングを模式的に説明するための平面図、図１２（ｂ）はずらしラビング時のドットＤの周辺に生じるディスクリネーションを示す図である。
なお、以下の説明では、上記の液晶装置５０と同一構成には同一符号を付して、説明を省略している。
【００２０】
図１２（ａ）に示すように、配向膜５７にはセグメント電極５６が延在する方向に対して入射角θａのラビング方向７３でラビング処理が施されており、配向膜５５にはコモン電極５４が延在する方向に対して入射角θｂのラビング方向７４でラビング処理が施されている。このような構成により、符号７５に示す明視方向で表示可能な液晶装置となる。
本発明者は、このような構成において、コモン電極５４とセグメント電極５６との間に電圧が印加されると、図１２（ｂ）に示すようにドットＤの周辺にディスクリネーション６５が生じることを確認した。
具体的には、セグメント電極５６が延在する方向において、ドットＤの一端Ｄ１に幅が小さいディスクリネーション６５が生じ、他端Ｄ２に幅が大きいディスクリネーション６５が生じることが確認された。また、コモン電極５４が延在する方向において、ドットＤの一端Ｄ３に中度のディスクリネーション６５が生じることが確認された。
【００２１】
上記のように、本発明者は、セグメント電極５６とコモン電極５４との間に生じる斜方電界だけでなく、液晶分子Ｌｑのツイスト方向とラビング方向との関係にも起因して、ドットＤにディスクリネーション６５が生じてしまい、光抜けが生じてコントラストの低下を招くという問題点を見出した。
そこで、本発明者は、上記に基づいて以下の手段を有する本発明を想到した。
【００２２】
即ち、本発明の液晶装置は、第１基板上に形成された第１電極と、第２基板上に形成された第２電極との間に液晶層が挟持されてなるドットを複数具備する液晶装置であって、前記第１電極上に形成され、第１ラビング方向でラビング処理された第１配向膜と、前記第２電極上に形成され、第２ラビング方向でラビング処理された第２配向膜と、を具備し、前記第１基板又は前記第２基板のうち少なくともいずれか一方の基板には、前記ドットの周辺領域の少なくとも一部に、ディスクリネーション領域を発生させる斜方電界を遮蔽する電界遮蔽手段が設けられていること、を特徴としている。
また、本発明の液晶装置においては、前記電界遮蔽手段は、前記液晶層の液晶分子のうち、前記第１基板又は前記第２基板のうち一方の基板から浮いていない側の先端、を立ち上げる斜方電界を遮蔽すること、が好ましい。
【００２３】
上記構成の電界遮蔽手段を備えることにより、第１電極から第２電極に向けた斜方電界が生じても、当該斜方電界に起因し、液晶分子のうち、第１基板又は第２基板のうち一方の基板から浮いていない側の先端を立ち上げる斜方電界を遮蔽できる。そして、当該電界が遮蔽された部分においては、斜方電界に起因する配向の乱れを抑制し、液晶分子を規則的に配向させることができ、ディスクリネーションの発生を防止できる。これにより、光抜けを防止して、高コントラストな表示を実現できる。
また、従来においては、光抜けを防止する手段として、ディスクリネーションが発生する電極に重なるようにブラックマトリクスを設ける手段が知られている。この場合、ディスクリネーションが発生する面積に応じてブラックマトリクスの面積を大きくする必要があり、電極との重なり面積が大きくなり、開口率の低下を招いてしまうという問題がある。
本発明によれば、ブラックマトリクスを第１電極や第２電極に重なるように設ける必要がなくなるため、開口率を低下させることなくディスクリネーションを抑制できる。
【００２４】
また、本発明の液晶装置においては、前記ドットの周辺領域とは、複数のドットの相互間であること、を特徴としている。
このようにすれば、複数のドットの相互間において、ディスクリネーションの発生を防止できる。これにより、ドットの相互間における光抜けを防止し、高コントラストな表示を実現できる。
【００２５】
また、本発明の液晶装置においては、前記液晶層は、ＴＮ液晶又はＳＴＮ液晶であって、前記液晶層の液晶分子は、前記第１配向膜から前記第２配向膜に向けてねじれるツイスト方向に配向され、当該ツイスト方向は前記第１ラビング方向と同一方向であり、前記ドットの平面視において、前記周辺領域から前記ドットの内側に向けて前記第１ラビング方向が入射する入射側には、前記電界遮蔽手段が近接して設けられていること、を特徴としている。
本発明によれば、上記と同様の効果が得られると共に、ツイスト方向と第１ラビング方向とが同一方向である構成において、特に効果的にディスクリネーションを防止することができる。具体的に説明すれば、第１ラビング方向の入射側において斜方電界が生じ易くなっているものの、電界遮蔽手段によって当該斜方電界を確実に遮蔽することができる。そして、入射側における光抜けを防止し、高コントラストな表示を実現できる。
【００２６】
また、本発明の液晶装置においては、前記液晶層は、ＴＮ液晶又はＳＴＮ液晶であって、前記液晶層の液晶分子は、前記第１配向膜から前記第２配向膜に向けてねじれるツイスト方向に配向され、当該ツイスト方向は前記第１ラビング方向と逆方向であり、前記ドットの平面視において、前記周辺領域から前記ドットの内側に向けて前記第１ラビング方向が入射する入射側、及び前記ドットにおける前記入射側とは反対の側には、前記電界遮蔽手段が近接して設けられていること、を特徴としている。
本発明によれば、上記と同様の効果が得られると共に、ツイスト方向と第１ラビング方向とが逆方向である構成において、特に効果的にディスクリネーションを防止することができる。具体的に説明すれば、第１ラビング方向の入射側と、当該入射側とは反対の側とにおいて斜方電界が生じ易くなっているものの、電界遮蔽手段によって当該斜方電界を確実に遮蔽することができる。そして、入射側、及び当該入射側とは反対の側における光抜けを防止し、高コントラストな表示を実現できる。
【００２７】
また、本発明の液晶装置においては、前記第１ラビング方向と前記第２ラビング方向は、鋭角で交差し、前記ドットの平面視において、前記周辺領域から前記ドットの内側に向けて前記第１ラビング方向が入射する入射側、及び前記ドットにおける前記入射側に直交する側には、前記電界遮蔽手段が近接して設けられていること、を特徴としている。
ここで、第１ラビング方向と第２ラビング方向との交差角度が鋭角となっていることから、所謂「ずらしラビング」を実現するものとなる。
本発明によれば、上記と同様の効果が得られると共に、ずらしラビング構成において、特に効果的にディスクリネーションを防止することができる。具体的に説明すれば、第１ラビング方向の入射側と、入射側に直交する側とにおいて斜方電界が生じ易くなっているものの、電界遮蔽手段によって当該斜方電界を確実に遮蔽することができる。そして、入射側及び直行する側における光抜けを防止し、高コントラストな表示を実現できる。
【００２８】
また、本発明の液晶装置においては、前記第１電極は、前記第１基板上に線状に延在して複数設けられた第１電極線であり、前記第２電極は、前記第２基板上に線状に延在して複数設けられた第２電極線であり、前記第１電極線と前記第２電極線とが交差する交差部に前記ドットが形成され、当該交差部の周辺領域の少なくとも一部に、前記電界遮蔽手段が設けられていること、を特徴としている。
このようにすれば、上記と同様の効果が得られると共に、上記のドットに相当する交差部において液晶分子に電圧を印加することが可能となる。即ち、パッシブ構造の液晶装置を実現できる。
【００２９】
また、本発明の液晶装置においては、前記電界遮蔽手段は、前記第１電極線と前記第２電極線とのうち、少なくともいずれか一方の電極線の側方に設けられていること、を特徴としている。
このようにすれば、上記と同様の効果が得られると共に、第１電極線或いは第２電極線の側方における斜方電界を確実に遮蔽することができる。そして、当該電極線の側方における光抜けを防止し、高コントラストな表示を実現できる。
【００３０】
また、本発明の液晶装置においては、前記電界遮蔽手段は、前記第１電極線と前記第２電極線とのうち、少なくともいずれか一方の電極線上に設けられていること、を特徴としている。
このようにすれば、上記と同様の効果が得られると共に、第１電極線或いは第２電極線の電極線上における斜方電界を確実に遮蔽することができる。そして、当該電極線上における光抜けを防止し、高コントラストな表示を実現できる。
【００３１】
また、本発明の液晶装置においては、前記第１基板及び第２基板の間には、当該第１基板と第２基板との隙間を規定する隙間規定部材が配置され、前記電界遮蔽手段は、前記第１基板又は前記第２基板のうち一方の基板と非接触であること、を特徴としている。
ここで、「電界遮蔽手段は、第１基板又は第２基板のうち一方の基板と非接触であること」とは、第１基板又は第２基板のうち一方の基板と非接触であり、他方の基板に電界遮蔽手段が設けられていることを意味する。また、非接触とは、第１基板又は第２基板の構成要素と非接触であることを意味し、例えば、配向膜と非接触であることを意味する。
このようにすれば、上記と同様の効果が得られると共に、電界遮蔽手段と基板との非接触状態を維持しながら、隙間規定部材によって液晶層のセルギャップを保持することができ、セルギャップの不均一に伴う表示ムラを抑制できる。
【００３２】
また、本発明の液晶装置においては、前記電界遮蔽手段は、前記第１基板と前記第２基板とによって挟持されていること、を特徴としている。
ここで、電界遮蔽手段が、第１基板と第２基板とによって挟持されているとは、電界遮蔽手段が第１基板と第２基板とのうち、一方の基板に設けられ、他方の基板に向けて突出して接触していることを意味する。
このようにすれば、上記と同様の効果が得られると共に、電界遮蔽手段によって液晶層のセルギャップを保持することができ、セルギャップの不均一に伴う表示ムラを抑制できる。即ち、電界遮蔽手段を隙間規定部材として機能させることができる。従って、電界遮蔽手段を設けるだけで、電界遮蔽としての機能と、隙間規定としての機能とを兼ね合わせた液晶装置を実現できる。また、電界遮蔽手段以外に別途に隙間規定部材を設ける必要がなく、液晶装置の構成を簡素にすることができる。
【００３３】
また、本発明の電子機器は、表示部を備える電子機器であって、前記表示部は先に記載の液晶装置からなること、を特徴としている。
このようにすれば、光抜けが抑制された高コントラストな表示部を備える電子機器を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
（液晶装置の第１実施形態）
以下、本発明における液晶装置の第１実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
図１は、本実施形態の液晶装置の全体構成を示す平面図である。図２は、液晶装置の表示領域を示す図であって、図１のＢ−Ｂ’線に沿う断面図（横方向に切断した状態を示す断面図）である。また、図３は、液晶装置の表示領域におけるドットを拡大した図であって、図３（ａ）は液晶分子のチルト方向を説明するための模式断面図であり、図３（ｂ）は液晶分子のチルト方向を説明するための断面図である。
なお、各図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の膜厚や寸法の比率などは適宜異ならせてある。
【００３５】
本実施形態の液晶装置は、パッシブマトリクス方式の透過型カラー液晶装置であって、液晶層への印加電圧がＯＦＦ（非印加）状態で、白表示を示すノーマリーホワイトモードの液晶装置である。
図１に示すように、本実施形態の液晶装置１は、平面視矩形状の下基板（第１基板）２と上基板（第２基板）３とがシール材４を介して対向配置されている。シール材４の一部は各基板２、３の一辺（図１における上辺）側で開口して液晶注入口５となっており、双方の下基板２、３とシール材４とに囲まれた空間内に液晶が封入され、液晶注入口５が封止材６によって封止されている。本実施形態では、上基板３よりも下基板２の外形寸法の方が大きく、上基板３と下基板２の１辺（図１における上辺）では縁が揃っているが、上基板３の残りの３辺（図１における下辺、右辺、左辺）からは下基板２の周縁部がはみ出すように配置されている。そして、下基板２の下辺側の端部に上基板３、下基板２双方の電極を駆動するための駆動用半導体素子７が実装されている。なお、符号８は表示領域の周囲を遮光するための遮光層（周辺見切り）である。
【００３６】
本実施形態の場合、図１に示すように、下基板２上に、図中縦方向に線状に延在する複数のセグメント電極（第１電極、第１電極線）１０がストライプ状に形成されている。一方、上基板３上には、セグメント電極１０と直交するように図中横方向に線状に延在する複数のコモン電極（第２電極、第２電極線）１１がストライプ状に形成されている。
また、カラー表示を行うべく、カラーフィルタのＲ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の各着色層は各セグメント電極１０の方向に対応して配置（縦ストライプ／ＲＧＢのそれぞれがストライプ状に縦に同色で形成配置）されており、横方向に並んだＲ、Ｇ、Ｂの３個のドット（複数のドット）で画面上の１つの画素（単位画素）が構成されている。
なお、本実施形態における「ドット」とは、セグメント電極１０とコモン電極１１とが交差する交差部であって、平面的に見て重なり合った部分を意味している。また、「表示領域」とは、遮光層８の内側における多数の画素がマトリクス状に配列された領域であって、実際に表示に寄与する領域のことを言う。
【００３７】
断面構造を見ると、図２に示すように、下基板２上にはセグメント電極１０、樹脂突起部（電界遮蔽手段）２４、及び配向膜（第１配向膜）２０が形成されており、上基板３上には、基板３上に、カラーフィルタ１３（１３ｒ，１３ｇ，１３ｂ）、ブラックストライプ３３、オーバーコート膜２１、コモン電極１１、及び配向膜（第２配向膜）２２が形成されている。そして、下基板２及び上基板３の間には液晶層２３と、ギャップ保持材（隙間規定部材）２５が配設されている。
次に、下基板２及び上基板３における各部について詳述する。
【００３８】
下基板２は、ガラス又はプラスチック等の透明性材料からなるものである。
また、セグメント電極１０は、インジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide, 以下、ＩＴＯと略記する）からなるものであり、下基板２上において紙面垂直方向（紙面を貫通する方向）にストライプ状に形成されている。
また、樹脂突起部２４は、アクリル樹脂等の各種樹脂材料からなる部位であり、下基板２から液晶層２３に向けて突出して設けられている。当該樹脂突起部２４は、複数のドットの相互間（ドットの周辺領域）に設けられ、セグメント電極１０の左側方に近接している。このような樹脂突起部２４の形成方法としては、感光性樹脂膜をスピンコート法等の湿式成膜法によって成膜形成した後に、露光処理及び現像処理を施す方法が挙げられる。
また、配向膜２０は、セグメント電極１０上に形成されたポリイミド等の樹脂材料からなるものであり、その表面側にはラビング処理が施され、セグメント電極１０が延在する方向に対して所定の角度で傾斜するように下ラビング方向（第１ラビング方向）７３が付与されている。
【００３９】
一方、上基板３は、ガラス又はプラスチック等の透明性材料からなるものである。
また、カラーフィルタ１３は、透過する光が赤色を示す赤着色層１３ｒと、透過する光が緑色を示す緑着色層１３ｇと、透過する光が青色を示す青着色層１３ｂと、を上基板３上に備えてなるものである。
また、ブラックストライプ３３は、樹脂ブラックや比較的反射率の低いクロム等の金属などからなるものであり、Ｒ、Ｇ、Ｂの各着色層１３ｒ，１３ｇ，１３ｂの間（境界）を区画するように設けられている。
また、オーバーコート膜２１は、カラーフィルタ１３上に設けられたものであり、各着色層１３ｒ，１３ｇ，１３ｂの表面を保護するようになっている。
また、コモン電極１１は、インジウム錫酸化物（Indium Tin Oxide, 以下、ＩＴＯと略記する）からなるものであり、上基板３において紙面左右方向にストライプ状に形成されている。
また、配向膜２２は、コモン電極１１上に形成されたポリイミド等の樹脂材料からなるものであり、その表面側にはラビング処理が施され、コモン電極１１が延在する方向に対して所定の角度で傾斜するように上ラビング方向（第２ラビング方向）７４が付与されている。
【００４０】
そして、下基板２と上基板３との間には、ギャップ保持材２５と液晶層２３とが挟持されている。
ギャップ保持材２５は、ガラスや樹脂を材質とした球状ビーズからなるものであり、配向膜２０上に散布され、配向膜２０，２２に接触するように配置されている。このようにギャップ保持材２５が配置されることにより、液晶層２３の膜厚を一定に保持することが可能となる。
液晶層２３は、ＳＴＮ液晶であり、配向膜２０から配向膜２２に向けた方向においてねじれるツイスト方向を有している。当該液晶層２３は、下基板２と上基板３との間に挟持されることにより、電圧非印加状態において上下のラビング方向に沿うように配向が規制される。
【００４１】
また、下基板２の外面側（液晶層２３を挟持する面とは異なる側）には位相差板１８及び偏光板１９が、上基板３の外面側にも位相差板１６及び偏光板１７が形成されており、基板内面側（液晶層２３側）に円偏光を入射可能に構成されており、これら位相差板１８及び偏光板１９、位相差板１６及び偏光板１７が、それぞれ円偏光板を構成している。偏光板１７（１９）は、所定方向の偏光軸を備えた直線偏光のみを透過させる構成とされ、位相差板１６（１８）としてはλ／４位相差板が採用されている。このような円偏光板としては、その他にも偏光板とλ／２位相差板とλ／４位相差板を組み合わせた構成のもの（広帯域円偏光板）を用いることが可能で、この場合、黒表示をより無彩色にすることができるようになる。また、偏光板とλ／２位相差板とλ／４位相差板、及びｃプレート（膜厚方向に光軸を有する位相差板）を組み合わせた構成のものを用いることも可能で、一層広視角化を図ることができるようになる。また、下基板２に形成された偏光板１９の外側には、光源と導光板とからなるバックライトユニット１５が設けられている。
【００４２】
ここで、図３を参照して、上下ラビング方向、液晶分子のツイスト方向、チルト方向、及び樹脂突起部２４の位置について説明する。
図３（ａ）において、符号７３は、配向膜２０における下ラビング方向を示している。当該下ラビング方向７３は、ドットＤが紙面縦方向に配列する方向（セグメント電極１０上の延在方向）に対して所定の角度で傾斜しており、ドットＤの周辺領域７５からドットＤの内側に向けて入射している。また、ドットＤの４辺のうち、下ラビング方向７３がドットＤに入射している側を入射側７１、当該入射側７１とは反対の側を反対側７２としている。そして、下ラビング方向７３が入射側７１に入射する角度を入射角θとしている。
また、符号７４は、配向膜２２における上ラビング方向を示している。当該上ラビング方向７４は、下ラビング方向７３から右回り（時計回り）に２７０°回転させた角度に向いており、下ラビング方向７３に交差するように配置されている。
また、複数のドットの相互間、即ち、ドットＤの周辺領域７５の少なくとも一部においては、ドットＤの左側方に近接するように樹脂突起部２４が設けられている。そして、当該樹脂突起部２４は、ドットＤの長辺方向に沿って当該ドットＤの一端から他端に向けて延び、入射側７１に近接して設けられている。
【００４３】
次に、図３（ｂ）を参照して説明する。
図３（ｂ）においては、上基板３上にブラックストライプ３３及びカラーフィルタ１３が形成されているものとする。
上記のように配向膜２０，２２にはラビング処理が施されていることから、液晶分子Ｌｑには、セグメント電極１０からコモン電極１１に向けてチルト角６４ａで傾斜するチルト方向６４が付与されている。また、下ラビング方向７３と上ラビング方向７４とは、２７０°回転させた角度で交差しているので、液晶分子Ｌｑは、チルト方向６４を有しつつ、ツイスト方向ｔｗに向けて回転しながらねじれて配向されている。
このようにツイスト方向ｔｗが規定されることにより、図３（ａ）に示すツイスト方向ｔｗは下ラビング方向７３と同一方向となっている。
【００４４】
また、セグメント電極１０の側方には、樹脂突起部２４が設けられている。当該樹脂突起部２４は、周辺領域７５に設けられ、下基板２から浮いていない側の液晶分子Ｌｑの先端を立ち上げる斜方電界を遮蔽するようになっている。
具体的には、セグメント電極１０の鉛直方向を基準とすると、チルト方向６４の反対方向６６において樹脂突起部２４が設けられている。電圧印加時において反対方向６６に電界が生じると、下基板２から浮いていない側の液晶分子Ｌｑの先端を立ち上がってしまい、ディスクリネーションが生じてしまうが、樹脂突起部２４によってこのような電界を遮蔽することが可能となる。また、換言すれば、反対方向６６に電界が生じている領域における当該反対方向６６と交差する液晶分子Ｌｑにおいて、ディスクリネーションが生じてしまうが、樹脂突起部２４はこれを抑制している。
【００４５】
このように構成された液晶装置１において、コモン電極１１とセグメント電極１０との間に電圧が印加されると、図３（ｂ）に示すようにセグメント電極１０の略中央部からコモン電極１１に向けて垂直方向に生じる垂直電界６１と、セグメント電極１０の右エッジ部からコモン電極１１に向けて斜め方向に生じる右斜方電界６３と、が生じる。更に、ドットＤの左側方（入射側７１）においては、樹脂突起部２４が左斜方電界６２を遮蔽する。従って、実質的にドットＤにおいて垂直電界６１と右斜方電界６３とが生じる。
そして、垂直電界６１と右斜方電界６３とが生じている部分においては、電界方向に対してチルト方向６４が同一方向になっているため、液晶分子Ｌｑは、チルト方向６４を維持しつつ、ツイスト方向ｔｗに順じてねじれて規則的に配向する。
また、セグメント電極１０上においては、樹脂突起部２４によって左斜方電界６２が遮蔽されるため、液晶分子Ｌｑは、チルト方向６４を維持しつつ、ツイスト方向ｔｗに順じてねじれて規則的に配向する。
【００４６】
上述したように、本実施形態の液晶装置１においては、樹脂突起部２４を設けたことにより、左斜方電界６２を遮蔽することができる。換言すれば、セグメント電極１０の鉛直方向に液晶分子Ｌｑが立ち上がる斜方電界を遮蔽できる。そして、左斜方電界６２が遮蔽された部分においては、液晶分子Ｌｑを規則的に配向させることができ、左斜方電界６２に起因する配向の乱れを抑制し、ディスクリネーションの発生を防止できる。これにより、光抜けを防止して、高コントラストな表示を実現できる。
また、光抜けを防止する手段として、ディスクリネーションが発生する電極に重なるようにブラックマトリクスを設ける手段を採用する必要もないので、開口率を低下させることなくディスクリネーションを抑制できる。
また、ギャップ保持材２５が上下基板２，３の間に挟持されているので、液晶層２３のセルギャップを保持でき、セルギャップの不均一に伴う表示ムラを抑制できる。
【００４７】
そして、ツイスト方向ｔｗと下ラビング方向７３とが同一方向である液晶装置の構成においては、入射側７１にディスクリネーションが生じる特性を有しているが、入射側７１に上記の樹脂突起部２４を設けたことで、入射側７１におけるディスクリネーションの発生を防止できる。
【００４８】
（液晶装置の第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
本実施形態においては、上記の第１実施形態と異なる構成についてのみ説明する。
図４は、液晶装置の表示領域におけるドットを拡大した図であって、図４（ａ）は液晶分子のチルト方向を説明するための模式断面図であり、図４（ｂ）は液晶分子のチルト方向を説明するための断面図である。
なお、各図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の膜厚や寸法の比率などは適宜異ならせてある。また、以下の説明では、上記の液晶装置５０と同一構成には同一符号を付して、説明を省略している。
【００４９】
図４（ａ）は、本実施形態の液晶装置１における上下ラビング方向、液晶分子のツイスト方向、チルト方向、及び樹脂突起部２４の位置について説明するための図である。
本実施形態と第１実施形態とは、入射側７１及び反対側７２の位置が反対に構成されている点において異なるものである。
従って、本実施形態においては、ドットＤの右側に入射側７１を有し、その左側に反対側７２を有する構成となっている。このように入射側７１がドットの右側に位置することにより、上記の液晶分子Ｌｑのツイスト方向ｔｗと下ラビング方向７３とが逆方向となる。
更に、本実施形態においては、セグメント電極１０の側方に樹脂突起部２４が設けられており、周辺領域７５におけるドットＤの両側方、即ち、入射側７１及び反対側７２の側方に樹脂突起部２４が近接して設けられている。
【００５０】
このように構成された液晶装置１において、コモン電極１１とセグメント電極１０との間に電圧が印加されると、図４（ｂ）に示すようにセグメント電極１０の略中央部からコモン電極１１に向けて垂直方向に生じる垂直電界６１が生じる。ここで、ドットＤの右側方（入射側７１）と左側方（反対側７２）には、樹脂突起部２４が近接して設けられているために、右斜方電界６３と左斜方電界６２が遮蔽される。従って、実質的にドットＤにおいて垂直電界６１のみが生じる。
そして、垂直電界６１が生じている部分においては、電界方向に対してチルト方向６４が同一方向になっているため、液晶分子Ｌｑは、チルト方向６４を維持しつつ、ツイスト方向ｔｗに順じてねじれて規則的に配向する。
また、セグメント電極１０上において、樹脂突起部２４によって左斜方電界６２が遮蔽されるため、液晶分子Ｌｑは、チルト方向６４を維持しつつ、ツイスト方向ｔｗに順じてねじれて規則的に配向する。
また、液晶分子Ｌｑのツイスト方向ｔｗと下ラビング方向７３とが逆方向となっている場合では、右斜方電界６３によって配向が乱れる特性があるが、樹脂突起部２４によって右斜方電界６３が遮蔽されるため、液晶分子Ｌｑは、チルト方向６４を維持しつつ、ツイスト方向ｔｗに順じてねじれて規則的に配向する。
【００５１】
上述したように、本実施形態の液晶装置１においては、樹脂突起部２４を設けたことにより、左斜方電界６２と右斜方電界６３とを遮蔽することができる。そして、左斜方電界６２に起因するディスクリネーションを防止できる。更に、ツイスト方向ｔｗと下ラビング方向７３とが逆方向になる構成では、右斜方電界６３によってディスクリネーションが生じる特性があるが、当該右斜方電界６３が遮蔽されることで、これに起因するディスクリネーションを防止できる。これにより、入射側７１及び反対側７２における光抜けを防止し、高コントラストな表示を実現できる。また、開口率を低下させることなくディスクリネーションを抑制できる。
【００５２】
（液晶装置の第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
本実施形態においては、上記の第１及び第２の実施形態と異なる構成についてのみ説明する。
図５は、液晶装置のドットを示す平面図であって、図５（ａ）はラビング方向を説明するための模式平面図であり、図５（ｂ）はドットの拡大図である。
なお、各図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の膜厚や寸法の比率などは適宜異ならせてある。また、以下の説明では、上記の液晶装置５０と同一構成には同一符号を付して、説明を省略している。
【００５３】
本実施形態の液晶装置１においては、配向膜２０，２２に対して、下ラビング方向７３と上ラビング方向７４とが９０°以下の角度θｘ（鋭角）で傾斜するようにラビング処理が施されている。これにより、所謂「ずらしラビング」の液晶装置が構成されたものである。具体的には、図５（ａ）に示すように、配向膜２０に入射角θａのラビング方向７３でラビング処理が施されている。また、配向膜２２にはラビング方向７３に対して角度θｘで傾斜するようにラビング方向７４でラビング処理が施されている。このような構成により、符号７６に示す明視方向で表示可能な液晶装置となる。
また、図５（ｂ）に示すように、周辺領域７５において、ドットＤの入射側７１の側方に、樹脂突起部２４が近接して設けられている。更に、樹脂突起部２４は、入射側７１に直交する関係にある直交側７７の側方に近接して設けられている。ここで、直交側７７は、セグメント電極１０の延在する電極線上に位置していることから、直交側７７の側方に近接する樹脂突起部２４は、セグメント電極１０上に設けられた構成となっている。
【００５４】
このように構成された液晶装置１において、ドットＤの入射側７１及び直交側７７における斜方電界によって液晶分子Ｌｑの配向が乱れる特性を有しているが、上記構成の樹脂突起部２４が入射側７１及び直交側７７に近接して設けられているので、入射側７１における斜方電界と、直交側７７における直交側７７とが遮蔽される。これにより、液晶分子Ｌｑは、チルト方向６４を維持しつつ、ツイスト方向ｔｗに順じてねじれて規則的に配向する。
【００５５】
上述したように、本実施形態の液晶装置１においては、樹脂突起部２４を設けたことにより、入射側７１及び直交側７７における斜方電界を遮蔽することができ、斜方電界に起因するディスクリネーションを防止できる。特に、ずらしラビング構成において、効果的にディスクリネーションを防止できる。これにより、入射側７１及び直交側７７における光抜けを防止し、高コントラストな表示を実現できる。また、開口率を低下させることなくディスクリネーションを抑制できる。
【００５６】
（液晶装置の第４実施形態）
次に、本発明の第４実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
本実施形態においては、上記の第１〜第３の実施形態と異なる構成についてのみ説明する。
図６は、液晶装置のドットの断面拡大図である。
なお、各図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の膜厚や寸法の比率などは適宜異ならせてある。また、以下の説明では、上記の液晶装置５０と同一構成には同一符号を付して、説明を省略している。
【００５７】
上記の第１〜第３の実施形態の液晶装置においては、上下基板２，３の間にはギャップ保持材２５が配設された構成が採用されているが、本実施形態においてはギャップ保持材２５の代わりに、樹脂突起部２４を配向膜２２に接触する高さまで突出させた構成を採用している。従って、樹脂突起部２４は、電界遮蔽手段としての機能だけでなく、上下基板２，３の隙間を規定する隙間規定部材としても機能するようになっている。また、樹脂突起部２４は感光性樹脂膜をスピンコート法等の湿式成膜法によって成膜形成した後に、露光処理及び現像処理を施す方法によって形成されるため、当該樹脂突起部２４は所謂フォトスペーサとなる。
上述したように、本実施形態の液晶装置が上記の樹脂突起部２４を備えることにより、斜方電界を遮蔽することができるだけでなく、ギャップ保持材を不要にすることができ、液晶装置の構成を簡素にすることができる。
【００５８】
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、図７のドット平面図に示すように、樹脂突起部２４を分割させた構成を採用してもよい。
また、本実施形態においては、ノーマリーホワイトモードの液晶装置について説明したが、本発明は当該モードを限定するものではなく、ノーマリーブラックモードの液晶装置においても適用可能である。
【００５９】
（電子機器）
次に、本発明の上記実施形態の液晶装置を備えた電子機器の具体例について説明する。
図８は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図８において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記液晶装置を用いた表示部を示している。このような携帯電話等の電子機器の表示部に、上記実施形態の液晶装置を用いた場合、光抜けが抑制された高コントラストな液晶表示部を備えた電子機器となる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の第１実施形態に係る液晶装置の平面図。
【図２】本発明の第１実施形態に係る液晶装置のＢ−Ｂ’線に沿う断面構成図。
【図３】本発明の第１実施形態に係る液晶装置の要部を模式的に説明するための図。
【図４】本発明の第２実施形態に係る液晶装置の要部を模式的に説明するための図。
【図５】本発明の第３実施形態に係る液晶装置の要部を模式的に説明するための図。
【図６】本発明の第４実施形態に係る液晶装置の要部を模式的に説明するための図。
【図７】本発明の実施形態に係る液晶装置の要部を模式的に説明するための図。
【図８】本発明の電子機器を示す斜視図。
【図９】液晶装置においてディスクリネーションが生じる原理を説明するための図。
【図１０】液晶装置においてディスクリネーションが生じる原理を説明するための図。
【図１１】液晶装置においてディスクリネーションが生じる原理を説明するための図。
【図１２】液晶装置においてディスクリネーションが生じる原理を説明するための図。
【符号の説明】
【００６１】
１  液晶装置、  ２  下基板（第１基板）、  ３  上基板（第２基板）、  １０  セグメント電極（第１電極、第１電極線）、  １１  コモン電極（第２電極、第２電極線）、  ２０  配向膜（第１配向膜）、  ２２  配向膜（第２配向膜）、  ２３  液晶層、  ２４  樹脂突起部（電界遮蔽手段）、  ２５  ギャップ保持材（隙間規定部材）、  ６４  チルト方向、  Ｌｑ  液晶分子、  ｔｗ  ツイスト方向、  ７１  入射側、  ７２  反対側（反対の側）、  ７３  下ラビング方向（第１ラビング方向）、  ７４  上ラビング方向（第２ラビング方向）、  ７５  周辺領域、  ７７  直交側（直交する側）、  １００１  表示部（液晶装置）、  １０００  形帯電話（電子機器）、  Ｄ  ドット（交差部）
【図１】
2006267355.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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