(57)【要約】【課題】記録媒体とヘッドとの接触による衝撃の強さに基づいたヘッドの寿命予測方法、記録媒体検査方法、ヘッドの評価方法、および情報記録再生装置を提供すること。【解決手段】接触衝撃検出部１２３が、磁気ディスク１１とリード用ヘッド１２２との接触による衝撃の強さを検出し、温度検出部１２４が、リード用ヘッド１２２のリード素子の温度を測定し、寿命予測処理部３６が、接触衝撃検出部１２３によって検出された衝撃の強さ、および温度検出部１２４によって検出されたリード用ヘッド１２２のリード素子の温度に基づいて、リード用ヘッド１２２の寿命を予測する。【選択図】        図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に記録されている情報を読み出すヘッドの寿命予測方法であって、
前記ヘッドと前記記録媒体との接触による衝撃の強さを検出する接触衝撃検出工程と、
前記接触衝撃検出工程によって検出された衝撃の強さに基づいて前記ヘッドの寿命を予測する寿命予測処理工程と、
を備えることを特徴とするヘッドの寿命予測方法。
【請求項２】
前記寿命予測処理工程は、
前記接触衝撃検出工程によって検出された衝撃の強さを積算する積算工程と、
前記積算工程によって積算された衝撃の強さに基づいて前記ヘッドの寿命を予測する寿命予測工程と、
を備えることを特徴とする請求項１に記載のヘッドの寿命予測方法。
【請求項３】
前記ヘッドの温度を検出する温度検出工程をさらに備え、
前記寿命予測処理工程は、
前記接触衝撃検出工程によって検出された衝撃の強さと、前記温度検出工程によって検出された温度とに基づいて前記ヘッドの寿命を予測することを特徴とする請求項１に記載のヘッドの寿命予測方法。
【請求項４】
前記寿命予測処理工程は、
前記接触衝撃検出工程によって検出された衝撃の強さ、および前記温度検出工程によって検出された温度を用いて所定の演算を実行し、この演算の演算値を積算する積算工程と、
前記積算工程によって積算された演算値に基づいて前記ヘッドの寿命を予測する寿命予測工程と、
を備えることを特徴とする請求項３に記載のヘッドの寿命予測方法。
【請求項５】
前記所定の演算は、
前記温度を絶対温度とし、該絶対温度の指数関数またはべき乗関数と、前記衝撃の強さに比例した値とを乗算することを特徴とする請求項４に記載のヘッドの寿命予測方法。
【請求項６】
前記寿命予測処理工程は、
前記接触衝撃検出工程によって検出された衝撃の強さを低周波の信号に変換する信号変換工程をさらに備え、
前記積算工程は、
前記信号変換工程によって変換された信号を衝撃の強さとして用いることを特徴とする請求項２または４に記載のヘッドの寿命予測方法。
【請求項７】
前記積算工程によって積算された値を記憶する記憶工程をさらに備えることを特徴とする請求項２、４〜６の何れか一つに記載のヘッド寿命予測方法。
【請求項８】
情報が記録される記録媒体を回転させ、前記記録媒体と所定の間隔を隔てて浮上もしくは摺動するヘッドを前記記録媒体の所定の位置に移動させて前記記録媒体を検査する記録媒体検査方法であって、
前記記録媒体と前記ヘッドとの接触による衝撃の強さを検出する接触衝撃検出工程と、
前記接触衝撃検出工程によって検出された衝撃の強さを積算する積算工程と、
前記積算工程によって積算された衝撃の強さに基づいて前記記録媒体の良否を判定する判定工程と、
を備えることを特徴とする記録媒体検査方法。
【請求項９】
ヘッドを回転する記録媒体と所定の間隔を隔てて浮上もしくは摺動させて前記ヘッドの耐久性を評価するヘッドの評価方法であって、
前記ヘッドと前記記録媒体との接触による衝撃の強さを検出する接触衝撃検出工程と、
所定の時間毎に、前記ヘッドの出力を測定し、測定した出力、前記ヘッドの初期出力、および前記接触衝撃検出工程によって検出された衝撃の強さに基づいて前記ヘッドの耐久性を示す評価値を算出する評価処理工程と、
を備えることを特徴とするヘッドの評価方法。
【請求項１０】
記録媒体に情報を記録、再生する情報記録再生装置において、
前記記録媒体に記録されている情報を再生するヘッドと、
前記ヘッドと前記記録媒体との接触による衝撃の強さを検出する接触衝撃検出手段と、
前記接触衝撃検出手段によって検出された衝撃の強さに基づいて前記ヘッドの寿命を予測し、予測した寿命を示す値を通知する処理、および／または前記ヘッドが寿命であると予測した場合には前記ヘッドが寿命であることを通知する処理を実行する寿命予測処理手段と、
を備えることを特徴とする情報記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、情報を記録する記録媒体、および記録媒体に記録されている情報を読み出すヘッドに関するものであり、特に、ヘッド、および記録媒体の寿命予測に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
磁気によって情報（データ）を記録する磁気ディスクを記録媒体として用いる情報記録再生装置（以下、磁気ディスク装置とする）は、磁気ディスクから情報を読み出す場合、ＧＭＲ（Giant Magneto Resistive）素子からなる巨大磁気抵抗効果や、ＴＭＲ(Tunneling Magneto Resistive）素子からなる強磁性トンネル効果を用いた磁気ヘッドを用いるのが一般的である。
【０００３】
磁気ディスク装置は、コンピュータやパーソナルコンピュータ、サーバなどの各種システムの記憶装置として利用され、繰り返し情報が読み書きされる。磁気ヘッドを長期間使用すると、ＧＭＲ素子またはＴＭＲ素子が劣化して磁気ヘッドの出力が徐々に低下し、データの読み取りエラーが発生することがある。
【０００４】
従来から、ＧＭＲ素子からなる磁気ヘッドの劣化に関して種々の技術が考えられている。たとえば、非特許文献１には、温度に着目したＧＭＲヘッド（磁気ヘッド）の劣化に関する技術が開示されている。また、非特許文献２には、磁場に着目したＧＭＲヘッド（磁気ヘッド）の劣化に関する技術が開示されている。
【０００５】
【非特許文献１】Ａ．Ｊ．Ｗａｋｋａｓｈ  Ｎ．Ｃｈｅｎｇ，ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｍａｇ．３５−５，２６１０−２７１２（１９９９）
【非特許文献２】Ｉ．Ｆ．Ｔｓｕ，Ｇ．ａ．Ｂｕｒｇ，ａｎｄ  Ｗ．Ｐ．Ｗｏｏｄ，ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓ．Ｍａｇ．３７−４，１７０７−１７０９（２００１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、近年では磁気ディスクの記録密度が高くなり、磁気ヘッドの浮上量も１０ｎｍ程度となっている。理想的には磁気ディスクは平面であるが、実際には微小な凹凸がある。浮上量が１０ｎｍ程度になると、磁気ディスクからデータを読み出す際に、磁気ディスクの微小な凹凸により磁気ディスクと磁気ヘッドとが接触して衝撃を受ける。磁気ヘッドと磁気ディスクとの接触による衝撃の強さが微小であっても、磁気ヘッドの寿命（劣化）に影響を与える。
【０００７】
しかしながら、上記２つの従来技術では、磁気ディスクと磁気ヘッドとの接触による衝撃を考慮していない。そのため、磁気ヘッドの劣化を適切に予測することができないという問題があった。
【０００８】
また、従来の磁気ディスクの検査は、一般的に磁気ディスクが受ける衝撃の強さの最大
値を用いることが多い。しかしながら、接触の頻度が多くなれば磁気ディスクと磁気ヘッドとの接触による衝撃の強さが微小であっても、磁気ヘッドの寿命に影響を与える。したがって、磁気ディスクが受ける衝撃の強さの最大値を用いた従来の磁気ディスクの検査方法では、時間に沿った衝撃の強さの積算効果が考慮されないので、適切な磁気ディスクの検査を行なうことができないという問題があった。
【０００９】
また、磁気ヘッドのリード素子に使用する材料は複数種類ある。使用した材料や磁気ヘッドの構造によって、磁気ディスクと磁気ヘッドとの接触による衝撃の強さに対する耐久性は異なる。しかしながら、従来技術では、磁気ディスクと磁気ヘッドとの微小な衝撃の強さを含めた磁気ヘッドの耐久性を測定し評価することは考えられていなかった。そのため、磁気ヘッドと磁気ディスクとの接触による衝撃による耐久性の違いを評価がなされていないという問題があった。
【００１０】
この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するためになされたものであり、記録媒体とヘッドとの接触による衝撃の強さに基づいたヘッドの寿命予測方法、記録媒体検査方法、ヘッドの評価方法、および情報記録再生装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述した課題を解決し、目的を達成するため、請求項１の発明にかかるヘッドの寿命予測方法は、記録媒体に記録されている情報を読み出すヘッドの寿命予測方法であって、前記ヘッドと前記記録媒体との接触による衝撃の強さを検出する接触衝撃検出工程と、前記接触衝撃検出工程によって検出された衝撃の強さに基づいて前記ヘッドの寿命を予測する寿命予測処理工程と、を備えることを特徴とする。
【００１２】
また、請求項２の発明にかかるヘッドの寿命予測方法は、請求項１の発明において、前記寿命予測処理工程は、前記接触衝撃検出工程によって検出された衝撃の強さを積算する積算工程と、前記積算工程によって積算された衝撃の強さに基づいて前記ヘッドの寿命を予測する寿命予測工程と、を備えることを特徴とする。
【００１３】
また、請求項３の発明にかかるヘッドの寿命予測方法は、請求項１の発明において、前記ヘッドの温度を検出する温度検出工程をさらに備え、前記寿命予測処理工程は、前記接触衝撃検出工程によって検出された衝撃の強さと、前記温度検出工程によって検出された温度とに基づいて前記ヘッドの寿命を予測することを特徴とする。
【００１４】
また、請求項４の発明にかかるヘッドの寿命予測方法は、請求項３の発明において、前記寿命予測処理工程は、前記接触衝撃検出工程によって検出された衝撃の強さ、および前記温度検出工程によって検出された温度を用いて所定の演算を実行し、この演算の演算値を積算する積算工程と、前記積算工程によって積算された演算値に基づいて前記ヘッドの寿命を予測する寿命予測工程と、を備えることを特徴とする。
【００１５】
また、請求項５の発明にかかるヘッドの寿命予測方法は、請求項４の発明において、前記所定の演算は、前記温度を絶対温度とし、該絶対温度の指数関数またはべき乗関数と、前記衝撃の強さに比例した値とを乗算することを特徴とする。
【００１６】
また、請求項６の発明にかかるヘッドの寿命予測方法は、請求項２、４、５の何れか１つの発明において、前記寿命予測処理工程は、前記接触衝撃検出工程によって検出された衝撃の強さを低周波の信号に変換する信号変換工程をさらに備え、前記積算工程は、前記信号変換工程によって変換された信号を衝撃の強さとして用いることを特徴とする。
【００１７】
また、請求項７の発明にかかるヘッドの寿命予測方法は、請求項２、４〜６の何れか１つの発明において、前記積算工程によって積算された値を記憶する記憶工程をさらに備えることを特徴とする。
【００１８】
また、請求項８の発明にかかる記録媒体検査方法は、情報が記録される記録媒体を回転させ、前記記録媒体と所定の間隔を隔てて浮上もしくは摺動するヘッドを前記記録媒体の所定の位置に移動させて前記記録媒体を検査する記録媒体検査方法であって、前記記録媒体と前記ヘッドとの接触による衝撃の強さを検出する接触衝撃検出工程と、前記接触衝撃検出工程によって検出された衝撃の強さを積算する積算工程と、前記積算工程によって積算された衝撃の強さに基づいて前記記録媒体の良否を判定する判定工程と、を備えることを特徴とする。
【００１９】
また、請求項９の発明にかかるヘッドの評価方法は、ヘッドを回転する記録媒体と所定の間隔を隔てて浮上もしくは摺動させて前記ヘッドの耐久性を評価するヘッドの評価方法であって、前記ヘッドと前記記録媒体との接触による衝撃の強さを検出する接触衝撃検出工程と、所定の時間毎に、前記ヘッドの出力を測定し、測定した出力、前記ヘッドの初期出力、および前記接触衝撃検出工程によって検出された衝撃の強さに基づいて前記ヘッドの耐久性を示す評価値を算出する評価処理工程と、を備えることを特徴とする。
【００２０】
また、請求項１０の発明にかかる情報記録再生装置は、記録媒体に情報を記録、再生する情報記録再生装置において、前記記録媒体に記録されている情報を再生するヘッドと、前記ヘッドと前記記録媒体との接触による衝撃の強さを検出する接触衝撃検出手段と、前記接触衝撃検出手段によって検出された衝撃の強さに基づいて前記ヘッドの寿命を予測し、予測した寿命を示す値を通知する処理、および／または前記ヘッドが寿命であると予測した場合には前記ヘッドが寿命であることを通知する処理を実行する寿命予測処理手段と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
請求項１の発明によれば、ヘッドと記録媒体との接触による衝撃の強さを検出し、検出した衝撃の強さに基づいてヘッドの寿命を予測するようにしているので、ヘッドの浮上量が小さくなってヘッドと記録媒体との接触が頻繁に発生する場合でも、適切にヘッドの寿命を予測することができるヘッドの寿命予測方法を得られるという効果を奏する。
【００２２】
また、請求項２の発明によれば、ヘッドと記録媒体との接触による衝撃の強さを積算するようにしているので、ヘッドと記録媒体との接触による衝撃の強さをすべて考慮してヘッドの寿命を予測することができるヘッドの寿命予測方法を得られるという効果を奏する。
【００２３】
また、請求項３の発明によれば、ヘッドの温度を検出して、ヘッドの温度、およびヘッドと記録媒体との接触による衝撃の強さに基づいてヘッドの寿命を予測するようにしているので、ヘッドと記録媒体との接触による衝撃の強さに加え、ヘッドの温度を考慮して適切にヘッドの寿命を予測することができるヘッドの寿命予測方法を得られるという効果を奏する。
【００２４】
また、請求項４の発明によれば、ヘッドの温度を検出するとともに、ヘッドと記録媒体との接触による衝撃の強さを積算するようにしているので、ヘッドと記録媒体との接触による衝撃の強さをすべてと、ヘッドの温度とを考慮してヘッドの寿命を予測することができるヘッドの寿命予測方法を得られるという効果を奏する。
【００２５】
また、請求項５の発明によれば、ヘッドの絶対温度の指数関数またはべき乗関数と、ヘッドと記録媒体との衝撃の強さに比例した値とを蒸散するようにしているので、ヘッドと記録媒体との接触による衝撃の強さをすべてと、ヘッドの温度とを考慮してヘッドの寿命を予測することができるヘッドの寿命予測方法を得られるという効果を奏する。
【００２６】
請求項６の発明によれば、ヘッドと記録媒体との接触による衝撃の強さを低周波の信号に変換するようにしているので、ヘッドと記録媒体との接触による衝撃の強さを高周波の信号で検出した信号をまばらな間隔でサンプリングした場合でも接触による衝撃の強さを適切に積算して、衝撃の強さを考慮してヘッドの寿命を予測することができるヘッドの寿命予測方法を得られるという効果を奏する。
【００２７】
また、請求項７の発明によれば、ヘッドと記録媒体との接触による衝撃の強さの積算値を記憶するようにしているので、ヘッドの使用を中断した場合でも、ヘッドの使用開始時から継続してヘッドと記録媒体との接触による衝撃の強さを積算してヘッドの寿命を予測することができるヘッドの寿命予測方法を得られるという効果を奏する。
【００２８】
また、請求項８の発明によれば、記録媒体とヘッドとの接触による衝撃の強さを検出し、検出した衝撃の強さを積算するようにしているので、ヘッドと記録媒体との接触による衝撃の強さをすべて考慮して記録媒体の良否を判定することができる記録媒体検査方法を得ることができるという効果を奏する。
【００２９】
また、請求項９の発明によれば、ヘッドと記録媒体との接触による衝撃の強さを検出し、検出した衝撃の強さを用いてヘッドの耐久性を示す評価値を算出するようにしているので、種類の異なる材料や構造のヘッドに対するヘッドと記録媒体との接触による衝撃の強さの耐久性を適切に評価することができるヘッドの評価方法を得ることができるという効果を奏する。
【００３０】
また、請求項１０の発明によれば、ヘッドと記録媒体との接触による衝撃の強さを検出し、検出した衝撃の強さに基づいてヘッドの寿命を予測するようにしているので、ヘッドの浮上量が小さくなってヘッドと記録媒体との接触が頻繁に発生する場合でも、適切にヘッドの寿命を予測することができる情報記録再生装置を得られるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下に添付図面を参照して、本発明にかかるヘッドの寿命予測方法、記録媒体検査方法、ヘッドの評価方法、および情報記録再生装置の好適な実施例を詳細に説明する。なお、この実施例によりこの発明が限定されるものではない。
【００３２】
［概要および特徴］
図１〜図５を用いて、この発明にかかるヘッドの寿命予測方法、記録媒体検査方法、ヘッドの評価方法の概要および特徴を説明する。本発明を実施するための最良の形態においては、記録媒体として磁気によって情報を記録する磁気ディスクを用いて、磁気ディスクから情報を再生する（データを読み出す）ヘッドとしてＧＭＲ（Giant Magneto Resistive）素子からなる巨大磁気抵抗効果を用いた磁気ヘッドを使用し、磁気ヘッドと磁気ディスクとの接触による衝撃の強さをアコースティック・エミッション（ＡＥ：Acoustic Emission）信号、またはピエゾ素子によるピエゾ出力信号によって検出する場合を例に挙げて説明するが、記録媒体、ヘッド、および衝撃の強さの検出は、これらに限るものではない。たとえば、ヘッドとしてＴＭＲ（Tunneling Magneto Resistive）素子からなる強磁性トンネル効果を用いた磁気ヘッドを用いてもよいし、磁気とは異なるヘッドであってもかまわない。また、衝撃の強さを、記録媒体とヘッドとの接触回数で検出するようにしてもよく、記録媒体とヘッドとの衝撃の強さを検出することができればよい。
【００３３】
まず、ヘッドの寿命予測方法の概要および特徴を説明する。図１は、ＡＥ信号、磁気ヘッドの出力変化量、および時間の関係を示す図である。図１において、一方の縦軸はＡＥ信号の積算値（∫ＡＥｄｔ）を、他方の縦軸は磁気ヘッドの出力変化量（時刻０のときの磁気ヘッドの初期出力Ｖ0を１００％としたときにどれだけ磁気ヘッドの出力Ｖが減少したかを示す割合であり、−ΔＶ／Ｖ0）を、横軸は時間（Ｔｉｍｅ）を示しており、実線はＡＥ信号の積分値であり、「□」のプロットは動作開始時の磁気ヘッド出力に対する磁気ヘッドの出力変化量である。図１では、時間の経過とともにＡＥ信号の積算値は大きくなり、磁気ヘッドの出力Ｖが低下したため出力変化量が増加している。すなわち、図１は、磁気ヘッドと磁気ディスクとの接触による衝撃が、磁気ヘッドの出力の低下の要因となることを示している。
【００３４】
ここで、「（−ΔＶ／Ｖ0）∞∫ＡＥｄｔ」として、「（−ΔＶ／Ｖ0）／∫ＡＥｄｔ」を出力劣化係数と定義する。図１は、１つの磁気ヘッドの測定結果であるが、複数の磁気ヘッドに対するＡＥ信号および磁気ヘッドの出力の測定結果も図１と同様の傾向を示した。
【００３５】
図２は、磁気ヘッドの出力変化量とＡＥ信号との関係を示す図である。図２において、縦軸は磁気ヘッドの出力変化量（−ΔＶ／Ｖ0）を、横軸はＡＥ信号の積算値（∫ＡＥｄｔ）を示しており、実線Ｌ１はＮｏ１の磁気ヘッドの測定結果を、実線Ｌ２はＮｏ２の磁気ヘッドの測定結果を、実線Ｌ３はＮｏ３の磁気ヘッドの測定結果を、実線Ｌ４はＮｏ４の磁気ヘッドの測定結果である。図２は、磁気ヘッドが異なると出力劣化係数が異なることを示している。すなわち、複数の磁気ヘッドの出力劣化係数は一定値とはならないことを示している。
【００３６】
一般的に、磁気ヘッドは熱によって劣化することが知られている。そこで、磁気ヘッドの温度（磁気ヘッドのリード素子であるＧＭＲ素子の温度）に着目する。図３は、磁気ヘッドの温度と出力劣化係数との関係を示す図である。図３においては、縦軸は出力劣化係数（（−ΔＶ／Ｖ0）／∫ＡＥｄｔ）を、横軸は磁気ヘッドの絶対温度（Ｔｇｍｒ）を示しており、出力変化量を対数で示す片対数で表している。また、「◇」のプロットはリード用の磁気ヘッドに流す電流値を大きくして加速し、「◆」のプロットはライト用の磁気ヘッドに流す電流値を大きくして加速したものであり、それぞれのプロットは、個別の磁気ヘッドの値である。出力劣化係数と磁気ヘッドの絶対温度Ｔｇｍｒとの関係は、
（−ΔＶ／Ｖ0）／∫ＡＥｄｔ＝ａ×ｅｘｐ（ｂ×Ｔｇｍｒ） ・・・（式１）
で表すことができる。（式１）において、ａおよびｂは定数である。
【００３７】
（式１）は、磁気ヘッドが受ける衝撃が微小である場合でも、衝撃の頻度が多くなれば磁気ヘッドの出力を劣化させる要因となることを示している。換言すれば、磁気ヘッドが受ける衝撃をすべて考慮しなければ、適切な磁気ヘッドの寿命を予測することはできない。また、（式１）は、出力劣化係数すなわち衝撃に対する出力劣化の感度が磁気ヘッドの温度の指数関数であることを示している。
【００３８】
ここで、磁気ヘッドの温度が一定であるとすれば、出力変化量「−ΔＶ／Ｖ0」は、（式１）より、
−ΔＶ／Ｖ0＝ａ×ｅｘｐ（ｂ×Ｔｇｍｒ）×∫ＡＥｄｔ  ・・・（式２）
となる。
【００３９】
また、磁気ヘッドの温度変化を考慮した場合の出力変化量「−ΔＶ／Ｖ0」は、（式１）より、
∫（−ΔＶ／Ｖ0）ｄｔ＝∫（ａ×ｅｘｐ（ｂ×Ｔｇｍｒ）×ＡＥ）ｄｔ ・・・（式３）
となる。
【００４０】
磁気ヘッドの出力変化量の許容値（寿命と判定する閾値）と磁気ヘッドの絶対温度とを予め設定してき、磁気ヘッドと磁気ディスクとの接触による衝撃の強さを測定すれば、（式２）によって磁気ヘッドの寿命（出力変化量）を予測することができる。
【００４１】
また、磁気ヘッドの出力変化量の許容値を予め設定しておき、磁気ヘッドと磁気ディスクとの接触による衝撃の強さ、および磁気ヘッドの温度を測定すれば、（式３）によって磁気ヘッドの温度変化を考慮した磁気ヘッドの寿命を予測することができる。
【００４２】
図４は、磁気ヘッドの温度と出力劣化係数との関係を（式１）とは異なる近似式で示す図であり、磁気ヘッドの温度および出力劣化係数を対数とする両対数で表している。また、「◇」のプロットはリード用の磁気ヘッドに流す電流値を大きくして加速し、「◆」のプロットはライト用の磁気ヘッドに流す電流値を大きくして加速したものであり、それぞれのプロットは、個別の磁気ヘッドの値である。図４では、出力劣化係数がほぼ一直線上に分布している。出力劣化係数と磁気ヘッドの絶対温度Ｔｇｍｒとの関係は、
（−ΔＶ／ΔＶ0）／∫ＡＥｄｔ  ＝  ａ・Ｔｇｍｒb   ・・・（式４）
で表すことができる。（式２）において、ａおよびｂは定数である。
【００４３】
（式４）は、先の（式１）と同様に、磁気ヘッドが受ける衝撃の強さが微小である場合でも、衝撃の頻度が多くなれば磁気ヘッドの出力を劣化させる要因となることと、出力劣化係数が磁気ヘッドの温度の関数であることを示している。
【００４４】
出力変化量「−ΔＶ／Ｖ0」は、（式４）より、
∫（−ΔＶ／Ｖ0）ｄｔ＝∫（ＡＥ×ａ×Ｔｇｍｒb）ｄｔ  ・・・（式５）
となる。磁気ヘッドの出力変化量の許容値と磁気ヘッドの絶対温度とを予め設定してき、磁気ヘッドと磁気ディスクとの接触による衝撃の強さを測定するか、または磁気ヘッドの出力変化量の許容値を予め設定しておき、磁気ヘッドと磁気ディスクとの接触による衝撃の強さ、および磁気ヘッドの温度を測定すれば、（式５）によって磁気ヘッドの寿命を予測することができる。
【００４５】
図５は、磁気ヘッドの温度と出力劣化係数との関係を（式１）および（式４）とは別の近似式で示す図であり、出力劣化係数を自然対数で示し、磁気ヘッドの絶対温度の逆数の関数として表している。また、「◇」のプロットはリード用の磁気ヘッドに流す電流値を大きくして加速し、「◆」のプロットはライト用の磁気ヘッドに流す電流値を大きくして加速したものであり、それぞれのプロットは、個別の磁気ヘッドの値である。出力劣化係数と磁気ヘッドの絶対温度Ｔｇｍｒとの関係は、
ｌｎ（（−ΔＶ／Ｖ0）／∫ＡＥｄｔ）＝ａ−ｂ×（１／Ｔｇｍｒ） ・・・（式６）
で表すことができる。（式６）において、ａおよびｂは定数である。（式６）は、先の（式１）または（式４）と同様に、磁気ヘッドが受ける衝撃が微小である場合でも、衝撃の頻度が多くなれば磁気ヘッドの出力を劣化させる要因となることと、出力劣化係数が磁気ヘッドの温度の関数であることを示している。
【００４６】
出力変化量「−ΔＶ／Ｖ0」は、（式６）より、
−ΔＶ／Ｖ0＝∫（ＡＥ×ｅｘｐ（ａ−ｂ×（１／Ｔｇｍｒ））ｄｔ  ・・・（式７）
となる。
【００４７】
磁気ヘッドの出力変化量の許容値と磁気ヘッドの絶対温度とを予め設定してき、磁気ヘッドと磁気ディスクとの接触による衝撃の強さを測定するか、または磁気ヘッドの出力変化量の許容値を予め設定しておき、磁気ヘッドと磁気ディスクとの接触による衝撃の強さ、および磁気ヘッドの温度を測定すれば、（式７）によって磁気ヘッドの寿命を予測することができる。
【００４８】
この発明にかかるヘッドの寿命予測方法は、磁気ヘッドの出力劣化割合が、磁気ヘッドと磁気ディスクとの接触によって磁気ヘッドが受ける衝撃の強さ、および磁気ヘッドの温度に起因することに着目し、磁気ヘッドと磁気ディスクとの接触による衝撃の強さ、および磁気ヘッドの温度に基づいて磁気ヘッドの寿命を予測するようにしている。
【００４９】
つぎに、この発明にかかる記録媒体検査方法の概要および特徴を説明する。（式１）、（式４）、および（式６）は、すべて、出力劣化係数が磁気ヘッドの温度の関数であって、かつ磁気ヘッドと磁気ディスクとの接触による衝撃が微小である場合でも、衝撃の頻度が多くなれば磁気ヘッドの出力を劣化させる要因となることを示している。凹凸の多い磁気ディスクは磁気ヘッドに多くの衝撃を与えるので、その衝撃が磁気ヘッドの劣化の要因となる。
【００５０】
一般的に、磁気ディスクの良否を検査する場合、磁気ディスクと磁気ヘッドとの接触による衝撃の強さとしてピエゾ素子によるピエゾ出力信号を用い、磁気ディスクのトラック１周の中でのピエゾ出力信号の最大値を用いている。しかしながら、（式１）、（式４）、および（式６）が示すように、衝撃の強さが微小でも、衝撃が発生する頻度が多くなれば寿命に影響をあたえるため、ピエゾ出力信号の最大値を用いた検査方法では、時間軸に沿った衝撃の強さの積算効果が考慮されないので、磁気ディスクの良否を適切に検査することはできない。
【００５１】
磁気ディスクを検査する場合、長時間の衝撃の強さを積算することはできないため、磁気ディスクの衝撃の強さの平均値（面平均値）を用いる。ここで、先の（式１）を磁気ディスクに適用し、衝撃の強さとしてＡＥ信号の代わりにピエゾ出力信号を用いる。エピゾ出力信号をＰＺＴとし、この磁気ディスクに対する磁気ヘッドの初期出力をＶ０とし、劣化後の磁気ヘッドの許容出力をＶとし、磁気ヘッドの温度をＴｇｍｒとすると、劣化係数は、
（−ΔＶ／Ｖ0）／∫ＰＺＴｄｔ＝ａ×ｅｘｐ（ｂ×Ｔｇｍｒ）  ・・・（式８）
で表すことができる。
【００５２】
ここで、この磁気ディスクに対する磁気ヘッドの使用可能時間をＬとし、ピエゾ出力信号の平均値をＰＺＴａｖｅとすると、ピエゾ出力信号の積算値∫ＰＺＴｄｔは、
∫ＰＺＴｄｔ＝ＰＺＴａｖｅ×Ｌ  ・・・（式９）
で表すことができる。（式８）および（式９）から使用可能時間Ｌは、
Ｌ＝（−ΔＶ／Ｖ0）／（ＰＺＴａｖｅ×（ａ×ｅｘｐ（ｂ×Ｔｇｍｒ）））・・・（式１０）
となり、ピエゾ出力信号の平均値ＰＺＴａｖｅは、
ＰＺＴａｖｅ＝（−ΔＶ／Ｖ0）／（Ｌ×ａ×ｅｘｐ（ｂ×Ｔｇｍｒ））・・・（式１１）
となる。
【００５３】
また、（式４）および（式９）から、使用可能時間Ｌは、
Ｌ＝（−ΔＶ／Ｖ0）／（ＰＺＴａｖｅ×ａ×Ｔｇｍｒb)      ・・・（式１２）
となり、ピエゾ出力信号の平均値ＰＺＴａｖｅは、
ＰＺＴａｖｅ＝（−ΔＶ／Ｖ0）／（Ｌ×ａ×Ｔｇｍｒb）      ・・・（式１３）
となる。
【００５４】
また、（式６）および（式９）から、使用可能時間Ｌは、
Ｌ＝（−ΔＶ／Ｖ0）／（ＰＺＴａｖｅ×ｅｘｐ（ａ−ｂ×（１／Ｔｇｍｒ）））・・・（式１４）
となり、ピエゾ出力信号の平均値ＰＺＴａｖｅは、
ＰＺＴａｖｅ＝（−ΔＶ／Ｖ0）／（Ｌ×ｅｘｐ（ａ−ｂ×（１／Ｔｇｍｒ））・・・（式１５）
となる。
【００５５】
磁気ヘッドの使用条件の温度Ｔｇｍｒ、使用可能時間Ｌ、および出力変化量「−ΔＶ／Ｖ0」の許容値を定めると、（式１１）、（式１３）、または（式１５）によってピエゾ出力信号の平均値ＰＺＴａｖｅが決まる。したがって、検査時に、検査対象となる磁気ディスクの外周から内周まで磁気ヘッドを移動させたときに磁気ヘッドと磁気ディスクとの接触による衝撃の強さであるピエゾ出力信号の平均値が、（式１１）、（式１３）、または（式１５）によって算出されたピエゾ出力信号の平均値ＰＺＴａｖｅ以下であれば、使用可能時間Ｌを満たすことができると判定することができる。
【００５６】
この発明にかかる記録媒体検査方法では、磁気ヘッドの出力劣化割合が、磁気ヘッドと記録媒体である磁気ディスクとの接触によって磁気ヘッドが受ける衝撃の強さ、および磁気ヘッドの温度に起因することに着目し、磁気ディスクと磁気ヘッドとの接触によって磁気ディスクが磁気ヘッドに及ぼす衝撃の強さが予め定められた値以下であれば磁気ヘッドが所望の使用可能時間を満たすことができるとして記録媒体の良否を判定するようにしている。
【００５７】
つぎに、この発明にかかるヘッドの評価方法の特徴および概要を説明する。磁気ヘッドのＧＭＲ素子の材料は、Ｉｎｓｂ、ＩｎＡｓ、ＧａＡｓ、ＩｎＰなどの種類があり、どの材料を使用したかにより、磁気ディスクと磁気ヘッドとの接触による衝撃の強さによる出力劣化量は異なる。磁気ヘッドの開発や、磁気ディスク装置に使用する磁気ヘッドを選択する際に、磁気ディスクと磁気ヘッドとの接触による衝撃の強さの影響がどの程度あるのかを評価する必要がある。
【００５８】
先の（式１）、（式４）、および（式６）の左辺（出力劣化係数「（−ΔＶ／ΔＶ0）／∫ＡＥｄｔ」）は、磁気ヘッドの出力劣化のＡＥ信号に対する耐久性を示し、右辺は出力劣化係数が磁気ヘッドの温度の関数であることを示している。磁気ヘッドの温度を一定とすれば、（式１）、（式４）、および（式６）の定数ａおよびｂは、ＧＭＲ素子の材料や素子の構造で決定する係数となる。すなわち、ＧＭＲ素子の温度（磁気ヘッドの温度）を一定値として磁気ヘッドの出力劣化係数を測定し、測定した出力劣化係数を比較すれば、種類の異なる磁気ヘッドの接触による衝撃に対する耐久性の違いを評価することができる。
【００５９】
この発明にかかるヘッドの評価方法では、出力劣化係数が磁気ヘッドの温度の関数であることに着目し、磁気ヘッドの温度を任意の一定値、または複数の水準温度に保って測定した出力劣化係数に基づいて磁気ヘッドと磁気ディスクとの接触による衝撃の強さの耐久性を評価するようにしている。
【実施例１】
【００６０】
図６〜図８を用いてこの発明の実施例１を説明する。図６は、この発明にかかる実施例１の磁気ディスク装置の構成を示すブロック図である。図６に示した磁気ディスク装置１は、磁気ディスク装置１を記憶装置として用いるパーソナルコンピュータやサーバなどの上位装置であるホスト５に制御される。
【００６１】
磁気ディスク装置１は、ホスト５からの情報（データ）を記録する磁気ディスク１１、磁気ディスク１１に情報を記録するライト用ヘッド１２１と、磁気ディスク１１に記録されているデータを読み出すＧＭＲ素子からなるリード用ヘッド１２２と、磁気ディスク１１とリード用ヘッド１２２との接触による衝撃の強さをＡＥ信号として検出する接触衝撃検出部１２３と、リード用ヘッドの温度を検出する温度検出部１２４とを有するヘッド・ジンバル・アセンブリ（ＨＧＡ：Head Gimbal Assembly）１２、ライト用ヘッド１２１に供給するライト電流を制御するとともに、リード用ヘッド１２２の磁化波形を増幅するヘッドアンプ１３、リード用ヘッド１２２またはライト用ヘッド１２１の位置を制御するＶＣＭ（Voice Coil Motor）１４、および磁気ディスク１１を回転させるＤＣＭ（DC Motor）１５を有するディスク・エンクロジャ（ＤＥ：Disk Enclosure）１０と、磁気ディスク１１に記録するデータに予め定められたコーディング処理を施すとともに、磁気ディスク１１から読み出されたデータに予め定められたデコーディング処理を施すリードチャネル回路３１、データの誤り訂正に関する処理を行なうハードディスク・コントローラ３２、磁気ディスク１１に記録するデータおよび磁気ディスク１１から読み出されたデータを格納するデータ・バッファ３３、ＤＣＭ１５、ＶＣＭ１４、およびヘッドアンプ１３を制御する制御情報を生成するＭＣＵ（Micro Controller Unit）３４、およびＭＣＵ３４が生成した制御情報に基づいてＤＣＭ１５、ＶＣＭ１４を制御するサーボ・コントローラ（以下、ＳＶＣとする）３５、および接触衝撃検出部１２３によって検出された衝撃の強さと温度検出部１２４によって測定された磁気ディスク１１の温度とに基づいてリード用ヘッド１２２の寿命を予測する寿命予測処理部３６を有するリード・ライト処理部３０とを備えている。
【００６２】
図７は、図６に示した寿命予測処理部３６の構成を示すブロック図である。寿命予測処理部３６は、接触衝撃検出部１２３から出力される高周波のＡＥ信号を低周波の信号に変換する信号変換部３６１と、温度検出部１２４によって検出されたリード用ヘッド１２２の温度、および信号変換部３６１によって変換された低周波のＡＥ信号を用いて所定の演算を実行してリード用ヘッド１２２の出力変化量を算出し、算出した出力変化量を積算する積算部３６２と、積算部３６２によって積算された出力変化量と予め定められたリード用ヘッド１２２の許容値とに基づいてリード用ヘッド１２２の寿命を予測する寿命予測部３６３と、不揮発性メモリからなり積算部３６２が積算した出力変化量を記憶する記憶部３６４とを備えている。
【００６３】
磁気ディスク装置１は、回転する磁気ディスク１１にライト用ヘッド１２１およびリード用ヘッド１２２を浮上させ、ライト時にはライト用ヘッド１２１によって磁気ディスク１１を磁化させ、リード時には磁気ディスク１１の磁化からリード用ヘッド１２２によって磁気信号を読み取って磁気ディスク１１に記録されているデータを再生する。
【００６４】
磁気ディスク１１のトラックは、ライト用ヘッド１２１またはリード用ヘッド１２２の位置を示すサーボ情報と、データが格納されるデータ部とに分類される。リード用ヘッド１２２によって読み出されたサーボ信号は、リードチャネル回路３１によって位置情報にデコードされ、ＭＣＵ３４が位置情報に基づいてライト用ヘッド１２１またはリード用ヘッド１２２をトラックに正確に位置付けられるようにＳＶＣ３５を介してＶＣＭ１４を制御する。
【００６５】
ホスト５からライト命令を受けると、ハードディスク・コントローラ３２は、ライト命令とともにホスト５から入力されるデータをデータ・バッファ３３に格納する。ハードディスク・コントローラ３２は、ライト命令に含まれる論理アドレス（ＬＢＡ：Logical Block Address）から磁気ディスク１１の物理トラック位置を算出する。ハードディスク・コントローラ３２は、算出した物理トラック位置であるアドレス情報をＭＣＵ３４に出力する。
【００６６】
ＭＣＵ３４は、アドレス情報のトラック番号に応じた位置にヘッドを移動させるヘッド位置制御情報をＳＶＣ３５に出力する。ＳＶＣ３５は、ヘッド位置制御情報に基づいて、ＶＣＭ１４を制御する電流値を決定してＶＣＭ１４を移動させてライト用ヘッド１２１を磁気ディスク１１の所望のトラックに位置決めする。
【００６７】
一方、ハードディスク・コントローラ３２は、データ・バッファ３３に格納したデータを読み出してＥＣＣを算出する。ハードディスク・コントローラ３２は、ユーザデータやアドレス情報、算出したＥＣＣをリードチャネル回路３１に出力する。
【００６８】
リードチャネル回路３１は、位相同期や出力一定化を行なうための情報などをハードディスク・コントローラ３２からのデータやアドレス情報、ＥＣＣに付加したライトデータを生成し、生成したライトデータに予め定められたコーディング処理を施して磁気ディスク１１に記録するライト信号を生成する。リードチャネル回路３１は、ライト信号をヘッドアンプ１３に出力する。
【００６９】
ヘッドアンプ１３は、ライト信号のビットに基づいてライト用ヘッド１２１に流すライト電流の方向を変化させて、磁気ディスク１１の磁化方向を異ならせてホスト５から入力されたデータを磁気ディスク１１に記録する。
【００７０】
ホスト５からリード命令を受けると、ハードディスク・コントローラ３２は、リード命令に含まれる論理アドレスから磁気ディスク１１の物理トラック位置を算出する。ハードディスク・コントローラ３２は、算出した物理トラック位置であるアドレス情報をＭＣＵ３４に出力する。
【００７１】
ＭＣＵ３４は、アドレス情報のトラック番号に応じた位置にヘッドを移動させるヘッド位置制御情報をＳＶＣ３５に出力する。ＳＶＣ３５は、ヘッド位置制御情報に基づいて、ＶＣＭ１４を制御する電流値を決定してＶＣＭ１４を移動させてリード用ヘッド１２２を磁気ディスク１１の所望のトラックに位置決めする。
【００７２】
ヘッドアンプ１３は、リード用ヘッド１２２を介して磁気ディスク１１から読み出された磁化波形を増幅してリード信号を生成する。ヘッドアンプ１３は、リード信号をリードチャネル回路３１に出力する。
【００７３】
リードチャネル回路３１は、位相同期などに基づいてユーザデータ、アドレス情報、およびＥＣＣに対して予め定められたデコーディング処理を施してＮＲＺ(Non Return to Zero）データに変換する。リードチャネル回路３１は、ＮＲＺデータのうち、データおよびＥＣＣをハードディスク・コントローラ３２に出力する。
【００７４】
ハードディスク・コントローラ３２は、データおよびＥＣＣに対してＥＣＣ演算処理を行なってデータ誤りを訂正し、データ誤りを訂正したデータをデータ・バッファ３３に格納し、所定のタイミングでデータ・バッファ３３に格納されているデータをホスト５に出力する。
【００７５】
このように磁気ディスク装置１は、ホスト５からの命令によって制御され、磁気ディスク１１にデータを書き込んだり、磁気ディスク１１に書き込まれたデータを読み出したりする。
【００７６】
つぎに、図８のフローチャートを参照して、磁気ディスク装置１がリード用ヘッド１２２の寿命を予測する動作を説明する。なお、寿命予測開始時には、記憶部３６４には積算値の初期値として「０」が記憶されているものとする。
【００７７】
接触衝撃検出部１２３は、リード用ヘッド１２２と磁気ディスク１１との接触による衝撃の強さをＡＥ信号として検出する（ステップＳ１００）。接触衝撃検出部１２３は、検出したＡＥ信号を信号変換部３６１に出力する。
【００７８】
信号変換部３６１は、高周波のＡＥ信号を低周波のＡＥ信号に変換する（ステップＳ１１０）。具体的には、信号変換部３６１は、ＡＥ信号に対して振幅復調処理、エベロープを検出する検波処理、またはＲＭＳ変換処理などを施して、高周波のＡＥ信号を低周波のＡＥ信号に変換する。信号変換部３６１は、変換したＡＥ信号を積算部３６２に出力する。
【００７９】
信号変換部３６１から出力されたＡＥ信号を受けると、積算部３６２は、温度検出部１２４にリード用ヘッド１２２の温度の検出を要求する。温度検出部１２４は、リード用ヘッド１２２の温度を検出する（ステップＳ１２０）。
【００８０】
具体的には、温度検出部１２４は、リード用ヘッド１２２のリード素子の抵抗値を測定する。基準温度をＴａとし、基準温度Ｔａの時のリード用ヘッド１２２のリード素子の基準抵抗値をＲａとすると、リード用ヘッド１２２のリード素子の温度をＴｒｅａｄとすると、測定したリード素子の抵抗値をＲは、
Ｒ＝Ｒａ（１＋α（Ｔｒｅａｄ−Ｔａ））      ・・・（式１６）
で表される。なお、αは抵抗の温度係数である。（式１６）より、リード用ヘッド１２２のリード素子の温度Ｔｒｅａｄは、
Ｔｒｅａｄ＝（（（Ｒ／Ｒａ）−１）／α）＋Ｔａ      ・・・（式１７）
となる。温度検出部１２４は、（式１７）を用いてリード用ヘッド１２２のリード素子の温度を算出し、算出したリード素子の温度をリード用ヘッド１２２の温度として積算部３６２に通知する。
【００８１】
なお、基準温度Ｔａは、リード用ヘッド１２２の周囲温度、またはディスク・エンクロジャ１０内の温度であり、基準抵抗値Ｔａは、リード用ヘッド１２２のリード素子の温度が基準温度Ｔａの時の抵抗値である。温度検出部１２４は、基準温度Ｔａと基準温度Ｔａ時のリード素子の基準抵抗値Ｒａを磁気ディスク装置１の非動作時に、少なくとも１回測定しておく。
【００８２】
しかしながら、基準抵抗値Ｒａも長期的には緩やかではあるが変動することがあるので、所定の時間間隔で、磁気ディスク装置１の非動作時（リード用ヘッド１２２およびライ
と用ヘッド１２１のいずれにも電流を流していないか、またはライト用ヘッド１２１に電流を流しておらず、リード用ヘッド１２２のリード素子温度Ｔｒｅａｄと基準温度Ｔａと
が等しいと見なせる時）に、リード用ヘッド１２２の抵抗値を測定し、最新の測定値を基準抵抗値Ｒａとして用いることが好ましい。
【００８３】
積算部３６２は、信号変換部３６１から出力されたＡＥ信号と、温度検出部１２４によって検出されたリード用ヘッド１２２の温度とに基づいて、リード用ヘッド１２２の出力変化量を算出する（ステップＳ１３０）。信号変換部３６１から出力されたＡＥ信号をＡＥ１とし、温度検出部１２４によって検出されたリード用ヘッド１２２の絶対温度をＴｇｍｒ１とし、記憶部３６４に記憶されている積算値をＹとすると、先の（式４）は、
ΔＶ／Ｖ0≒Ｙ−ＡＥ１×ａ×ｅｘｐ（ｂ×Ｔｇｍｒ１）      ・・・（式１８）
で表すことができる。積算部３６２は、（式１８）を用いてリード用ヘッド１２２の出力変化量を算出する。すなわち、積算部３６２は、リード用ヘッド１２２の絶対温度の指数関数と衝撃の強さである低周波に変換されたＡＥ信号に比例した値とを乗算して、リード用ヘッド１２２の出力変化量を算出する。（式１８）を用いて算出された出力変化量が、ＡＥ信号およびリード用ヘッド１２２の温度に基づいたリード用ヘッド１２２の寿命の予測値である。積算部３６２は、算出した出力変化量を記憶部３６４に記憶させるとともに、寿命予測部３６３に出力する。
【００８４】
寿命予測部３６３は、積算部３６２によって算出された出力変化量と予め定められたリード用ヘッド１２２の出力変化量の許容値とを比較してリード用ヘッド１２２が寿命であるか否かを判定する（ステップＳ１４０）。比較の結果、出力変化量が許容値以上の場合、寿命予測部３６３は、リード用ヘッド１２２が寿命であると判定して、リード用ヘッド１２２が寿命であることをホスト５に通知する（ステップＳ１５０）。比較の結果、出力変化量が許容値より小さい場合、寿命予測部３６３は、リード用ヘッド１２２の寿命ではない、すなわち使用可能であると判定する。
【００８５】
このようにこの実施例１では、リード用ヘッド１２２の出力劣化割合が、リード用ヘッド１２２と磁気ディスク１１との接触によってリード用ヘッド１２２が受ける衝撃の強さ、およびリード用ヘッド１２２の温度に起因することに着目して、リード用ヘッド１２２と磁気ディスク１１との接触による衝撃の強さ、およびリード用ヘッド１２２の温度を検出し、リード用ヘッド１２２の絶対温度の指数関数と、衝撃の強さに比例した値とを乗算した値を積算してリード用ヘッド１２２の寿命を予測するようにしているので、リード用ヘッド１２２の浮上量が小さく、リード用ヘッド１２２と磁気ディスク１１との接触が頻繁に発生する場合や、一時的な環境の変化による出力変化があったとしても、リード用ヘッド１２２の使用開始からの累積的な劣化影響度度合いを適切に計量し、適切にリード用ヘッド１２２の寿命を予測することができる。
【００８６】
また、この実施例１では、信号変換部３６１が、リード用ヘッド１２２と磁気ディスク１１との接触による衝撃の強さを低周波の信号に変換するようにしているので、リード用ヘッド１２２と磁気ディスク１１との接触による衝撃の強さを高周波の信号で検出した信号をまばらな時間間隔でサンプリングした場合でも、接触による衝撃の強さを適切に積算して、衝撃の強さを考慮してヘッドの寿命を予測することができる。
【００８７】
また、この実施例１では、寿命予測部３６３がリード用ヘッド１２２が寿命であると判定した場合、ホスト５にリード用ヘッド１２２が寿命であることを通知するようにしているので、リード用ヘッド１２２の寿命によって頻繁にリードエラーが発生し、システム全体の動作に与える影響を防止することができる。
【００８８】
また、この実施例１では、積算した値を記憶部３６４に記憶するようにしているので、情報記録再生装置が停止した後に動作を再開した場合でも、初期動作から継続してリード用ヘッド１２２と磁気ディスク１１との接触による衝撃の強さ、およびリード用ヘッド１２２の温度を考慮してリード用ヘッド１２２の寿命を適切に予測することができる。
【００８９】
なお、この実施例１では、ＨＧＡ１２に接触衝撃検出部１２３を備えるようにしたが、接触衝撃検出部１２３は、磁気ディスク１１とリード用ヘッド１２２との接触による衝撃の強さを検出することができればよく、たとえば、ＶＣＭ１４のＨＧＡ１２に近いアーム部分に備えるようにしてもよい。
【００９０】
また、この実施例１では、積算部３６２が算出した出力変化量を記憶部３６４に記憶させ、出力変化量を算出する際に記憶部３６４に記憶されている出力変化量を用いるようにしたが、積算部３６２も出力変化量を保持しておき、通常は保持している出力変化量を用いて新たな出力変化量を算出し、磁気ディスク装置１が停止状態となった後に出力変化量の算出を再開するときだけ、記憶部３６４に記憶されている出力変化量を用いるようにしてもよい。
【００９１】
また、この実施例１では、（式３）を用いて出力変化量を算出するようにしたが、先の（式５）または（式７）を用いてもよいし、リード用ヘッド１２２の温度が一定であるとして、リード用ヘッド１２２の絶対温度Ｔｇｍｒを予め設定しておくようにしてもよい。この場合、先の図６に示した温度検出部１２４を削除し、（式３）の代わりに先の（式２）を用いればよい。
【００９２】
また、この実施例１では、積算値、すなわち出力変化量が予め定められた許容値以上の場合、寿命予測部３６３は、リード用ヘッド１２２が寿命であると判定してホスト５に通知するようにしたが、ホスト５からの要求を受けて、寿命予測部３６３が、積算部３６２によって算出された出力変化量をホスト５に通知するようにしてもよい。これにより、ホスト５を介して情報記録再生装置の状態をモニタすることが可能となり、情報記録再生装置を用いたシステムにおいて、リード用ヘッド１２２の寿命によるデータのリードエラーによるシステムの動作効率の低下を防止することができる。
【００９３】
一般的には、情報記録再生装置の各構成部分は、ＣＰＵによって統括的に制御されることが多い。先の図６では、ＤＣＭ１５、ＶＣＭ１４、およびヘッドアンプ１３をＭＣＵ３４によって制御している。この実施例１の接触衝撃検出部１２３、温度検出部１２４、信号変換部３６１、積算部３６２、および寿命予測部３６３によって実現される上述した各機能をソフトウエア（プログラム）によって実現して、ＭＣＵ３４または、ＣＰＵによって実行させるようにしてもよい。
【実施例２】
【００９４】
図９〜図１１を用いてこの発明の実施例２を説明する。図９は、この発明にかかる記録媒体検査装置である磁気ディスク検査装置の構成を示すブロック図である。図９に示した磁気ディスク検査装置は、磁気ディスク検査装置の各構成部分を統括的に制御する制御部３７と、検査対象となる磁気ディスク１１ａを回転させるＤＣＭ１５ａと、検査用ヘッド１２５の位置を制御するＶＣＭ１４ａと、検査用ヘッド１２５と磁気ディスク１１ａとの接触による衝撃の強さをピエゾ出力信号として検出する接触衝撃検出部１２３ａを有するＨＧＡ１２ａと、磁気ディスク１１ａの良否判定を行なう検査処理部３６ａとを備えている。
【００９５】
図１０は、図９に示した検査処理部３６ａの構成を示すブロック図である。検査処理部３６ａは、接触衝撃検出部１２３ａから出力される高周波のピエゾ出力信号を低周波の信号に変換する信号変換部３６１ａと、信号変換部３６１ａによって変換された低周波のピエゾ出力信号を積算する積算部３６２ａと、積算部３６２ａによって積算されたピエゾ出力信号の積算値に基づいて磁気ディスク１１ａの良否を判定する判定部３６５とを備えている。
【００９６】
つぎに、図１１のフローチャートを参照して、磁気ディスク検査装置の動作を説明する。なお、判定部３６５には、検査対象となる磁気ディスク１１ａと組み合わせて使用する磁気ヘッドの使用温度、寿命時間（使用可能保証時間）、および出力変化量の許容値を用いて、先の（式１１）、（式１３）、または（式１５）から算出した判定基準値が予め設定されているものとする。
【００９７】
検査開始指示を受けると、制御部３７は、ＤＣＭ１５ａおよびＶＣＭ１４ａを制御して、磁気ディスク１１ａを回転させるとともに、検査用ヘッド１２５の移動を開始する（ステップＳ２００，Ｓ２１０）。制御部３７は、検査用ヘッド１２５が磁気ディスク１１ａの外周から内周へ、または内周から外周へ向かって磁気ディスク１１ａの所定の半径位置を移動するようにＶＣＭ１４ａを制御する。
【００９８】
また、制御部３７は、検査開始指示を受けたことを検査処理部３６ａに通知し、検査処理部３６ａは、初期設定処理を実行する。初期設定処理は、信号変換部３６１ａが接触衝撃検出部１２３ａによって検出されたピエゾ出力信号を低周波に変換するために必要な初期値の設定や、積算部３６２ａの積算値の初期値（「０」に設定する）および積算を行なうサンプリング時間の計測開始などである。
【００９９】
接触衝撃検出部１２３ａは、検査用ヘッド１２５と磁気ディスク１１ａとの接触による衝撃の強さをピエゾ出力信号として検出する（ステップＳ２２０）。接触衝撃検出部１２３ａは、検出したピエゾ出力信号を信号変換部３６１ａに出力する。
【０１００】
信号変換部３６１ａは、高周波のピエゾ出力信号を低周波のピエゾ出力信号に変換する（ステップＳ２３０）。具体的には、信号変換部３６１ａは、ピエゾ出力信号に対して振幅復調処理、エベロープを検出する検波処理、またはＲＭＳ変換処理などを施して、高周波のピエゾ出力信号を低周波のピエゾ出力信号に変換する。信号変換部３６１ａは、変換したピエゾ出力信号を積算部３６２ａに出力する。
【０１０１】
予め定められたサンプリング時間になると、積算部３６２ａは、信号変換部３６１ａから出力される低周波のピエゾ出力信号を積算する（ステップＳ２４０，Ｓ２５０）。具体的には、積算値に信号変換部３６１ａから出力されたピエゾ出力信号を加算して、新たな積算値を算出し、算出した積算値を保持する。
【０１０２】
積算部３６２ａは、サンプリング時間毎に、接触衝撃検出部１２３ａによって検出されたピエゾ出力信号を信号変換部３６１ａが低周波に変換したピエゾ出力信号を積算値に加算して新たな積算値を算出する動作を、測定終了の通知を受けるまで繰り返す（ステップＳ２４０〜Ｓ２６０）。測定終了の通知は、検査用ヘッド１２５が磁気ディスク１１ａの所定の半径位置の移動が終了したときに、制御部３７によって通知される。制御部３７は、測定終了を通知するとＤＣＭ１５ａを制御して、磁気ディスク１１ａの回転を停止する。測定終了通知を受けると、積算部３６２ａは、積算値を判定部３６５に出力する。
【０１０３】
判定部３６５は、積算部３６２ａから出力された積算値と判定基準値とに基づいて磁気ディスク１１ａの良否を判定する（ステップＳ２７０）。具体的には、判定部３６５は、積算値から磁気ディスク１１ａの面平均のピエゾ出力信号の値を算出し、算出した値と判定基準値とを比較する。算出した値が判定基準値以下の場合、判定部３６５は、測定した磁気ディスク１１ａは良品であると判定し、判定結果として良品であることを出力する（ステップＳ２８０）。
【０１０４】
算出した値が判定基準値を超えている場合、判定部３６５は、測定した磁気ディスク１１ａは不良品であると判定し、判定結果として不良品であることを出力する（ステップＳ２９０）。
【０１０５】
このようにこの実施例２では、磁気ディスク１１ａとヘッド１２５との接触による衝撃の強さを検出し、検出した衝撃の強さを積算して衝撃の強さの面平均を算出し、算出した衝撃の強さの面平均の値が予め定められた許容値より小さい場合に良品と判定するようにしているので、ヘッドの浮上量が小さくなってヘッド１２５と磁気ディスク１１ａとの接触が頻繁に発生する環境で磁気ディスク１１ａが使用される場合を考慮して磁気ディスク１１ａを検査することができる。
【０１０６】
また、この実施例２では、信号変換部３６１ａが、磁気ディスク１１ａとヘッド１２５との接触による衝撃の強さを低周波の信号に変換するようにしているので、磁気ディスク１１ａとヘッド１２５との接触による衝撃の強さを高周波の信号で検出した信号をまばらな時間間隔でサンプリングした場合でも、接触による衝撃の強さを適切に積算して、衝撃の強さを考慮して磁気ディスク１１ａを検査することができる。
【０１０７】
一般的に、ＤＣＭ１５ａ、およびＶＣＭ１４ａを制御する制御部３７は、ＣＰＵなどで構成することが多い。この実施例２の接触衝撃検出部１２３ａ、信号変換部３６１ａ、積算部３６２ａ、および判定部３６５の上述した各機能をソフトウエア（プログラム）によって実現し、ＣＰＵによって実行させるようにしてもよい。
【実施例３】
【０１０８】
図１２〜図１４を用いてこの発明の実施例３を説明する。図１２は、この発明にかかる磁気ヘッド評価装置の構成を示すブロック図である。図１２に示した磁気ヘッド評価装置は、磁気ヘッド評価装置の各構成部分を統括的に制御するとともに、リード用ヘッド素子１２７の温度を調整する制御部３７ａ、磁気ディスク１１に情報を書き込む磁気ヘッドの素子からなるライト用ヘッド素子１２６と、磁気ディスク１１から情報を読み出す磁気ヘッドの素子からなる評価対象のリード用ヘッド素子１２７と、リード用ヘッド素子１２７と磁気ディスク１１との接触による衝撃の強さをＡＥ信号として検出する接触衝撃検出部１２３ｂと、リード用ヘッド素子１２７の温度を検出する温度検出部１２４ａとを有するＨＧＡ１２ｂ、ライト用ヘッド素子１２６に供給する電流を制御するとともに、リード用ヘッド素子１２７の磁化波形を増幅するヘッドアンプ１３、および、接触衝撃検出部１２３ｂによって検出されたＡＥ信号とヘッドアンプ１３によって増幅されたリード信号とに基づいてリード用ヘッド素子１２７の出力変化量およびＡＥ信号の積算値を算出する評価処理部３８を備えている。
【０１０９】
図１３は、図１２に示した評価処理部３８の構成を示すブロック図である。評価処理部３８は、接触衝撃検出部１２３ｂから出力される高周波のＡＥ信号を低周波の信号に変換する信号変換部３８１と、信号変換部３８１によって変換された低周波のＡＥ信号を積算する積算部３８２と、ヘッドアンプ１３から出力されるリード信号と積算部３８２によって積算されたＡＥ信号の積算値とに基づいて出力変化量を算出する評価値算出部３８３とを備えている。なお、温度検出部１２４ａ、ヘッドアンプ１３、および制御部３７ａによってリード用ヘッド素子１２７の温度を任意の一定値にする温度制御の機能を実現している。
【０１１０】
つぎに、図１４のフローチャートを参照して、磁気ヘッド評価装置の動作を説明する。開始指示を受けると（ステップＳ３００）、制御部３７は、温度検出部１２４ａに基準温度および基準抵抗の測定を指示する。温度検出部１２４ａは、基準温度および基準抵抗を測定する（ステップＳ３１０）。基準温度は、リード用ヘッド素子１２７の周囲温度、または磁気ヘッド評価装置の内部の温度であり、基準抵抗は、ライト用ヘッド素子１２６およびリード用ヘッド素子１２７に電流を流していない時の抵抗値である。
【０１１１】
制御部３７ａは、リード用ヘッド素子１２７の温度を評価温度に設定する（ステップＳ３２０）。開始指示には、リード用ヘッド素子１２７の評価温度や、リード用ヘッド素子１２７の出力劣化量の測定時間、評価時間などの評価条件が含まれており、制御部３７ａは、温度検出部１２４ａによって検出されるリード用ヘッド素子１２７の温度が評価温度になるようにヘッドアンプ１３を介してライト用ヘッド素子１２６に流すライト電流を制御する。制御部３７ａは、評価時間の間、温度検出部１２４ａによって検出されたリード用ヘッド素子１２７の温度を監視して、リード用ヘッド素子１２７の温度が常に評価温度になるようにヘッドアンプ１３を介してライト用ヘッド素子１２６に流すライト電流を制御する。なお、温度検出部１２４ａがリード用ヘッド素子１２７の温度を検出する動作は、上述した実施例１のステップＳ１２０で説明した動作と同じであるので、ここではその説明を省略する。
【０１１２】
制御部３７ａは、ＶＣＭ１４ｂを制御してリード用ヘッド素子１２７を磁気ディスク１１の所定のトラックに移動させ、ＤＣＭ１５ｂを制御して磁気ディスク１１を回転させる。評価値算出部３８３は、リード用ヘッド素子１２７の出力を測定する（ステップＳ３３０）。リード用ヘッド素子１２７の出力は、リード用ヘッド素子１２７が磁気ディスク１１から読み出した磁化波形をヘッドアンプ１３が増幅したリード信号を用いればよい。評価値算出部３８３は、測定したリード用ヘッド素子１２７の出力を初期出力として保持する。
【０１１３】
制御部３７ａは、ＶＣＭ１４ｂを制御してリード用ヘッド素子１２７の出力を測定したトラックとは異なるトラックにリード用ヘッド素子１２７を移動させる。これは、磁気ディスク１１とリード用ヘッド素子１２７との接触により磁気ディスク１１が磨耗するため、リード用ヘッド素子１２７の出力を測定するトラック（出力測定用トラック）と、リード用ヘッド素子１２７と磁気ディスク１１との接触によってリード用ヘッド素子１２７に衝撃を与えるトラック（ＡＥ検出用トラック）とを異ならせるためである。以後、制御部３７ａは、リード用ヘッド素子１２７の出力を測定する際には出力用トラックにリード用ヘッド素子１２７を移動させ、リード用ヘッド素子１２７に衝撃を与える際にはＡＥ検出用トラックにリード用ヘッド素子１２７を移動させるものとする。
【０１１４】
また、磁気ディスク１１の磨耗が進行するとＡＥ信号を検出しにくくなるので、制御部３７ａは、減圧を併用してリード用ヘッド素子１２７の浮上量を小さくして、磁気ディスク１１とリード用ヘッド素子１２７との接触の度合いを多くするようにしてもよい。
【０１１５】
接触衝撃検出部１２３ｂは、リード用ヘッド素子１２７と磁気ヘッドとの接触による衝撃の強さをＡＥ信号として検出する（ステップＳ３４０）。接触衝撃検出部１２３ｂは、検出したＡＥ信号を信号変換部３８１に出力する。
【０１１６】
信号変換部３８１は、高周波のＡＥ信号を低周波のＡＥ信号に変換する（ステップＳ３５０）。信号変換部３８１は、変換したＡＥ信号を積算部３８２に出力する。積算部３８２は、信号変換部３８１から出力される低周波のＡＥ信号を積算する（ステップＳ３６０）。接触衝撃検出部１２３ｂはリード用ヘッド素子１２７と磁気ディスク１１との接触による衝撃の強さをＡＥ信号として検出し、信号変換部３８１は接触検出部１２３ｂによって検出されたＡＥ信号を低周波の信号に変換し、積算部３８２は信号変換部３８１によって変換されたＡＥ信号を積算する動作を測定時間になるまで繰り返す（ステップＳ３４０〜Ｓ３７０）。
【０１１７】
測定時間になると、評価値算出部３８３は、リード用ヘッド素子１２７の出力を測定する（ステップＳ３８０）。評価値算出部３８３は、測定したリード用ヘッド素子１２７の出力、初期出力、および積算部３８２によって積算されたＡＥ信号の積算値に基づいて評価値を算出して出力する（ステップＳ３９０）。評価値は、リード用ヘッド素子１２７の出力変化量や、出力劣化係数、ＡＥ信号の積算値などである。
【０１１８】
積算部３８２は、信号変換部３８１によって低周波に変換されたＡＥ信号を積算し、評価値算出部３８３は、測定時間毎に評価値を算出する動作を、評価時間が経過した終了時間になるまで繰り返す（ステップＳ３４０〜Ｓ４００）。さらに、リード用ヘッド素子１２７の設定温度を変えて、積算部８６２は、信号変換部３８１によって低周波に変換されたＡＥ信号を積算し、評価値算出部３８３は、測定時間毎に評価値を算出する動作を、評価時間が経過した終了時間になるまで繰り返す（ステップＳ３４０〜Ｓ４００）ようにしてもよい。
【０１１９】
このようにこの実施例３では、出力劣化係数がリード用ヘッド素子１２７の温度の関数であることに着目し、リード用ヘッド素子１２７の温度を一定として、リード用ヘッド素子１２７と磁気ディスク１１との接触による衝撃の強さと、測定したリード用ヘッド素子１２７の出力および初期出力から出力劣化係数を算出し、算出した出力劣化係数を評価値として用いるようにしているので、種類の異なる材料や構造のヘッドに対するヘッドと記録媒体との接触による衝撃の強さの耐久性を適切に評価することができる。
【０１２０】
また、この実施例３では、信号変換部３８１が、接触衝撃検出部１２３ｂによって検出されたリード用ヘッド素子１２７と磁気ディスク１１との接触による衝撃の強さを低周波の信号に変換するようにしているので、リード用ヘッド素子１２７と磁気ディスク１１との衝撃の強さを高周波の信号で検出した信号をまばらな時間間隔でサンプリングした場合でも、接触による衝撃の強さを適切に積算して、評価値を算出することができる。
【０１２１】
なお、この実施例３では、ＨＧＡ１２ｂに接触検出部１２３ｂを備えるようにしたが、接触検出部１２３ｂは、磁気ディスク１１とリード用ヘッド素子１２７との接触による衝撃の強さを検出することができればよく、たとえば、ＶＣＭ１４ｂのＨＧＡ１２ｂに近いアーム部分に備えるようにしてもよい。
【０１２２】
一般的に、ヘッドアンプ１３、ＤＣＭ１５ｂ、およびＶＣＭ１４ｂを制御する制御部３７ａは、ＣＰＵなどで構成することが多い。この実施例３の接触衝撃検出部１２３ｂ、温度検出部１２４ａ、信号変換部３８１、積算部３８２、および評価値算出部３８３の上述した各機能をソフトウエア（プログラム）によって実現し、ＣＰＵによって実行させるようにしてもよい。
【０１２３】
（付記１）記録媒体に記録されている情報を読み出すヘッドの寿命予測方法であって、
前記ヘッドと前記記録媒体との接触による衝撃の強さを検出する接触衝撃検出工程と、
前記接触衝撃検出工程によって検出された衝撃の強さに基づいて前記ヘッドの寿命を予測する寿命予測処理工程と、
を備えることを特徴とするヘッドの寿命予測方法。
【０１２４】
（付記２）前記寿命予測処理工程は、
前記接触衝撃検出工程によって検出された衝撃の強さを積算する積算工程と、
前記積算工程によって積算された衝撃の強さに基づいて前記ヘッドの寿命を予測する寿命予測工程と、
を備えることを特徴とする付記１に記載のヘッドの寿命予測方法。
【０１２５】
（付記３）前記ヘッドの温度を検出する温度検出工程をさらに備え、
前記寿命予測処理工程は、
前記接触衝撃検出工程によって検出された衝撃の強さと、前記温度検出工程によって検出された温度とに基づいて前記ヘッドの寿命を予測することを特徴とする付記１に記載のヘッドの寿命予測方法。
【０１２６】
（付記４）前記寿命予測処理工程は、
前記接触衝撃検出工程によって検出された衝撃の強さ、および前記温度検出工程によって検出された温度を用いて所定の演算を実行し、この演算の演算値を積算する積算工程と、
前記積算工程によって積算された演算値に基づいて前記ヘッドの寿命を予測する寿命予測工程と、
を備えることを特徴とする付記３に記載のヘッドの寿命予測方法。
【０１２７】
（付記５）前記所定の演算は、
前記温度を絶対温度とし、該絶対温度の指数関数またはべき乗関数と、前記衝撃の強さに比例した値とを乗算することを特徴とする付記４に記載のヘッドの寿命予測方法。
【０１２８】
（付記６）前記寿命予測処理工程は、
前記接触衝撃検出工程によって検出された衝撃の強さを低周波の信号に変換する信号変換工程をさらに備え、
前記積算工程は、
前記信号変換工程によって変換された信号を衝撃の強さとして用いることを特徴とする付記２、４、５の何れか一つに記載のヘッドの寿命予測方法。
【０１２９】
（付記７）前記信号変換工程は、
前記接触衝撃検出工程によって検出された衝撃の強さを示す信号に振幅復調処理、エンベロープを検出する検波処理、またはＲＭＳ変換処理を施して低周波の信号に変換することを特徴とする付記６に記載のヘッドの寿命予測方法。
【０１３０】
（付記８）前記積算工程によって積算された値を記憶する記憶工程、
をさらに備えることを特徴とする付記２、４〜７の何れか一つに記載のヘッド寿命予測方法。
【０１３１】
（付記９）前記接触衝撃検出工程は、
衝撃の強さとしてアコースティック・エミッション信号を用いることを特徴とする付記１〜８の何れか１つに記載のヘッドの寿命予測方法。
【０１３２】
（付記１０）前記ヘッドは、巨大磁気抵抗効果を用いたＧＭＲヘッド、または強磁性トンネル効果を用いたＴＭＲヘッドとすることを特徴とする付記１〜９の何れか一つに記載のヘッドの寿命予測方法。
【０１３３】
（付記１１）情報が記録される記録媒体を回転させ、前記記録媒体と所定の間隔を隔てて浮上もしくは摺動するヘッドを前記記録媒体の所定の位置に移動させて前記記録媒体を検査する記録媒体検査方法であって、
前記記録媒体と前記ヘッドとの接触による衝撃の強さを検出する接触衝撃検出工程と、
前記接触衝撃検出工程によって検出された衝撃の強さを積算する積算工程と、
前記積算工程によって積算された衝撃の強さに基づいて前記記録媒体の良否を判定する判定工程と、
を備えることを特徴とする記録媒体検査方法。
【０１３４】
（付記１２）前記接触衝撃検出工程によって検出された衝撃の強さを低周波の信号に変換する信号変換工程をさらに備え、
前記積算工程は、
前記信号変換工程によって変換された信号を衝撃の強さとして用いることを特徴とする付記１１に記載の記録媒体検査方法。
【０１３５】
（付記１３）前記信号変換工程は、
前記接触衝撃検出工程によって検出された衝撃の強さを示す信号に振幅復調処理、エンベロープを検出する検波処理、またはＲＭＳ変換処理を施して低周波の信号に変換することを特徴とする付記１２に記載の記録媒体検査方法。
【０１３６】
（付記１４）前記積算工程は、
前記衝撃の強さを所定の時間間隔でサンプリングし、サンプリングした衝撃の強さを積算することを特徴とする付記１１〜１３の何れか一つに記載の記録媒体検査方法。
【０１３７】
（付記１５）前記接触衝撃検出工程は、
衝撃の強さをピエゾ素子によって検出し、衝撃の強さとしてピエゾ出力信号を用いることを特徴とする付記１１〜１４の何れか一つに記載の記録媒体検査方法。
【０１３８】
（付記１６）ヘッドを回転する記録媒体と所定の間隔を隔てて浮上もしくは摺動させて前記ヘッドの耐久性を評価するヘッドの評価方法であって、
前記ヘッドと前記記録媒体との接触による衝撃の強さを検出する接触衝撃検出工程と、
所定の時間毎に、前記ヘッドの出力を測定し、測定した出力、前記ヘッドの初期出力、および前記接触衝撃検出工程によって検出された衝撃の強さに基づいて前記ヘッドの耐久性を示す評価値を算出する評価処理工程と、
を備えることを特徴とするヘッドの評価方法。
【０１３９】
（付記１７）前記ヘッドの温度を監視して、前記温度を任意の一定値に制御する温度制御工程をさらに備えることを特徴とする付記１６に記載のヘッドの評価方法。
【０１４０】
（付記１８）前記評価処理工程は、
前記接触衝撃検出工程によって検出された衝撃の強さを積算する積算工程と、
前記ヘッドの出力を測定し、測定した出力、および前記ヘッドの初期出力、および前記積算工程によって積算された衝撃の強さに基づいて、前記ヘッドの出力変化量および出力劣化係数を前記評価値として算出する評価値算出工程と、
を備えることを特徴とする付記１６または１７に記載のヘッドの評価方法。
【０１４１】
（付記１９）前記評価処理工程は、
前記接触衝撃検出工程によって検出された衝撃の強さを低周波の信号に変換する信号変換工程をさらに備え、
前記積算工程は、
前記信号変換工程によって変換された信号を衝撃の強さとして用いることを特徴とする付記１８に記載のヘッドの評価方法。
【０１４２】
（付記２０）前記信号変換工程は、
前記接触衝撃検出工程によって検出された衝撃の強さを示す信号に振幅復調処理、エンベロープを検出する検波処理、またはＲＭＳ変換処理を施して低周波の信号に変換することを特徴とする付記１９に記載のヘッドの評価方法。
【０１４３】
（付記２１）前記接触衝撃検出工程は、
衝撃の強さとしてアコースティック・エミッション信号を用いることを特徴とする付記１６〜２０の何れか１つに記載のヘッドの評価方法。
【０１４４】
（付記２２）前記ヘッドは、巨大磁気抵抗効果を用いたＧＭＲヘッド、または強磁性トンネル効果を用いたＴＭＲヘッドとすることを特徴とする付記１６〜２１の何れか一つに記載のヘッドの評価方法。
【０１４５】
（付記２３）記録媒体に情報を記録、再生する情報記録再生装置において、
前記記録媒体に記録されている情報を再生するヘッドと、
前記ヘッドと前記記録媒体との接触による衝撃の強さを検出する接触衝撃検出手段と、
前記接触衝撃検出手段によって検出された衝撃の強さに基づいて前記ヘッドの寿命を予測し、予測した寿命を示す値を通知する処理、および／または前記ヘッドが寿命であると予測した場合には前記ヘッドが寿命であることを通知する処理を実行する寿命予測処理手段と、
を備えることを特徴とする情報記録再生装置。
【０１４６】
（付記２４）前記ヘッドの温度を検出する温度検出手段をさらに備え、
前記寿命予測処理手段は、
前記接触衝撃検出手段によって検出された衝撃の強さと、前記温度検出手段によって検出された温度とに基づいて前記ヘッドの寿命を予測することを特徴とする付記２３に記載の情報記録再生装置。
【０１４７】
（付記２５）情報が記録される記録媒体を回転させる回転制御手段と、前記回転する記録媒体と所定の間隔を隔てて浮上もしくは摺動するヘッドと、前記ヘッドを前記記録媒体の所定の位置に移動させる位置制御手段とを備え、前記記録媒体を検査する記録媒体検査装置であって、
前記記録媒体と前記ヘッドとの接触による衝撃の強さを検出する接触衝撃検出手段と、  前記接触衝撃検出手段によって検出された衝撃の強さを積算する積算手段と、
前記積算手段によって積算された衝撃の強さに基づいて前記記録媒体の良否を判定する判定手段と、
を備えることを特徴とする記録媒体検査装置。
【０１４８】
（付記２６）ヘッドを回転する記録媒体と所定の間隔を隔てて浮上もしくは摺動させ、前記ヘッドの耐久性を評価するヘッド評価装置であって、
前記ヘッドと前記記録媒体との接触による衝撃の強さを検出する接触衝撃検出手段と、
所定の時間毎に、前記ヘッドの出力を測定し、測定した出力、前記ヘッドの初期出力、および前記接触衝撃検出工程によって検出された衝撃の強さに基づいて前記ヘッドの耐久性を示す評価値を算出する評価処理手段と、
を備えることを特徴とするヘッド評価装置。
【０１４９】
（付記２７）前記ヘッドの温度を監視して、前記温度を任意の一定値に制御する温度制御手段をさらに備えることを特徴とする付記２６に記載のヘッド評価装置。
【０１５０】
（付記２８）記録媒体に記録されている情報を読み出すヘッドの寿命予測プログラムであって、
前記ヘッドと前記記録媒体との接触による衝撃の強さを検出する検出工程と、
前記検出工程によって検出された衝撃の強さに基づいて前記ヘッドの寿命を予測する寿命予測処理工程と、
を備えることを特徴とするヘッドの寿命予測プログラム。
【０１５１】
（付記２９）前記ヘッドの温度を検出する温度検出工程をさらに備え、
前記寿命予測処理工程は、
前記接触衝撃検出工程によって検出された衝撃の強さと、前記温度検出工程によって検出された温度とに基づいて前記ヘッドの寿命を予測することを特徴とする付記２８に記載のヘッドの寿命予測プログラム。
【０１５２】
（付記３０）情報が記録されている記録媒体を回転させ、前記記録媒体と所定の間隔を隔てて浮上もしくは摺動するヘッドを前記記録媒体の所定の位置に移動させて前記記録媒体を検査する記録媒体検査プログラムであって、
前記記録媒体と前記ヘッドとの接触による衝撃の強さを検出する接触衝撃検出工程と、
前記接触衝撃検出工程によって検出された衝撃の強さに基づいて前記記録媒体の良否を判定する検査処理工程と、
を備えることを特徴とする記録媒体検査プログラム。
【０１５３】
（付記３１）ヘッドを回転する記録媒体と所定の間隔を隔てて浮上もしくは摺動させて前記ヘッドの耐久性を評価するヘッド評価プログラムであって、
前記ヘッドと前記記録媒体との接触による衝撃の強さを検出する接触衝撃検出工程と、
所定の時間毎に、前記ヘッドの出力を測定し、測定した出力、前記ヘッドの初期出力、および前記接触衝撃検出工程によって検出された衝撃の強さに基づいて前記ヘッドの耐久性を示す評価値を算出する評価処理工程と、
を備えることを特徴とするヘッド評価プログラム。
【０１５４】
（付記３２）前記ヘッドの温度を監視して、前記温度を任意の一定値に制御する温度制御工程をさらに備えることを特徴とする付記３１に記載のヘッド評価プログラム。
【図面の簡単な説明】
【０１５５】
【図１】ＡＥ信号、磁気ヘッドの出力変化量、および時間の関係を示す図である。
【図２】磁気ヘッドの出力変化量とＡＥ信号との関係を示す図である。
【図３】磁気ヘッドの温度と出力劣化係数との関係を示す図である。
【図４】磁気ヘッドの温度と出力劣化係数との関係を示す図である。
【図５】磁気ヘッドの温度と出力劣化係数との関係を示す図である。
【図６】本実施例１の磁気ディスク装置の構成を示すブロック図である。
【図７】本実施例１の寿命予測処理部の構成を示すブロック図である。
【図８】本実施例１の磁気ディスク装置の動作を示すフローチャートである。
【図９】本実施例２の磁気ディスク検査装置の構成を示すブロック図である。
【図１０】本実施例２の検査処理部の構成を示すブロック図である。
【図１１】本実施例２の磁気ディスク装置の動作を示すフローチャートである。
【図１２】本実施例３の磁気ヘッド評価装置の構成を示すブロック図である。
【図１３】本実施例３の評価処理部の構成を示すブロック図である。
【図１４】本実施例３の磁気ヘッド評価装置の動作を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【０１５６】
１    磁気ディスク装置
５    ホスト
１０    ディスク・エンクロジャ
１１，１１ａ    磁気ディスク
１２，１２ａ    ＨＧＡ
１３    ヘッドアンプ
１４，１４ａ，１４ｂ    ＶＣＭ
１５，１５ａ，１５ｂ    ＤＣＭ
３０    リード・ライト処理部
３１    リードチャネル回路
３２    ハードディスク・コントローラ
３３    データ・バッファ
３４    ＭＣＵ
３５    ＳＶＣ
３６    寿命予測処理部
３６ａ    検査処理部
３７，３７ａ    制御部
３８    評価処理部
１２１    ライト用ヘッド
１２２    リード用ヘッド
１２３，１２３ａ，１２３ｂ    接触衝撃検出部
１２４，１２４ａ    温度検出部
１２５  検査用ヘッド
３６１，３６１ａ，３８１    信号変換部
３６２，３６２ａ，３８２    積算部
３６３    寿命予測部
３６４    記憶部
３６５    判定部
３８３    評価値算出部
【図１】
2006147039.tif 000003
【図２】
2006147039.tif 000004
【図３】
2006147039.tif 000005
【図４】
2006147039.tif 000006
【図５】
2006147039.tif 000007
【図６】
2006147039.tif 000008
【図７】
2006147039.tif 000009
【図８】
2006147039.tif 000010
【図９】
2006147039.tif 000011
【図１０】
2006147039.tif 000012
【図１１】
2006147039.tif 000013
【図１２】
2006147039.tif 000014
【図１３】
2006147039.tif 000015
【図１４】
2006147039.tif 000016