(57)【要約】【課題】真空環境下で半導体基板を露光する半導体露光装置において、原版である反射型レチクル、及び基板であるウエハーを、大気圧下の環境から高真空下の露光装置内に搬送する際、発生するパーティクルに対し、その付着を低減することを目的としている。【解決手段】原版または基板を、ロードロックチャンバーに搬送する前にあらかじめ所定温度まで加熱することが可能な加熱手段と、原版または基板を、ロードロックチャンバーから搬出した後に、所定温度範囲まで冷却することが可能な冷却手段と、を有し、原版または基板をロードロック搬送前にあらかじめ所定温度まで加熱する事により、原版または基板の搬送経路途中に発生するパーティクルに対し、熱泳動力を発生させ、原版または基板へのパーティクル付着を抑制することを可能とする。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
原版上のパターンを基板上に露光する露光装置において、
前記原版及び／又は前記基板を、第１温度まで加熱する加熱手段と、
前記原版及び／又は前記基板を取り巻く雰囲気を置換する置換手段と、
前記加熱手段により加熱されており、且つ前記置換手段から搬出された前記原版及び／又は前記基板を第２温度まで冷却する冷却手段とを有することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記加熱手段を用いて前記原版及び／又は前記基板を加熱することにより、前記原版及び／又は前記基板の搬送経路中に発生するパーティクルに熱泳動力を発生させることを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記原版及び／又は前記基板は、前記置換手段に搬入される前に、前記加熱手段により加熱されることを特徴とする請求項１又は２記載の露光装置。
【請求項４】
前記冷却手段は、前記基板が載置される基板ステージと同じ空間内に収納されていることを特徴とする請求項１乃至３いずれかに記載の露光装置。
【請求項５】
前記露光装置の基準温度をＴ度とするとき、前記第１温度は、（Ｔ＋５）度以上（Ｔ＋５０）度以下であることを特徴とする請求項１乃至４いずれかに記載の露光装置。
【請求項６】
前記第１温度は、（Ｔ＋１０）度以上（Ｔ＋５０）度以下であることを特徴とする請求項５に記載の露光装置。
【請求項７】
前記露光装置の基準温度をＴ度とするとき、前記第２温度は、（Ｔ−５）度以上（Ｔ＋５）度以下であることを特徴とする請求項１乃至６いずれかに記載の露光装置。
【請求項８】
前記第２温度は、（Ｔ−２）度以上（Ｔ＋２）度以下であることを特徴とする請求項７に記載の露光装置。
【請求項９】
前記露光装置の基準温度と前記第２温度との差は、前記原版及び／又は前記基板の母材の熱膨張係数と、前記露光装置において許容される倍率変動量とに基づいて算出されることを特徴とする請求項１乃至８いずれかに記載の露光装置。
【請求項１０】
ロードロック機構を有し、真空環境下で原版上の回路パターンを基板上に露光する露光装置において、
前記原版及び／又は前記基板を、ロードロックチャンバーに搬送する前にあらかじめ所定温度まで加熱することが可能な加熱手段と、
前記原版及び／又は前記基板を、ロードロックチャンバーから搬出した後に、所定温度範囲まで冷却することが可能な冷却手段と、を有し、
前記原版及び／又は前記基板をロードロック搬送前にあらかじめ所定温度まで加熱する事により、前記原版及び／又は前記基板の搬送経路途中に発生するパーティクルに対し、熱泳動力を発生させ、前記原版及び／又は前記基板へのパーティクル付着を抑制することを特徴とする露光装置。
【請求項１１】
前記原版または前記基板の前記所定加熱温度は、露光装置基準温度に対し、３℃から５０℃の範囲内の高い温度であることを特徴としている請求項１０の露光装置。
【請求項１２】
前記原版及び／又は前記基板の前記所定冷却温度範囲は、露光装置基準温度に対し、原版または基板の母材の熱膨張係数と許容される倍率変動量とから算出される温度範囲であることを特徴としている請求項１０又は１１記載の露光装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２いずれかに記載の露光装置を用いて前記基板を露光する工程と、前記露光された基板を現像する工程とを有することを特徴とするデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空環境下で半導体基板を露光する半導体露光装置に係る露光装置、及びデバイスの製造方法に関するものであり、特に回路パターンが描画されている反射型レチクル、及びその回路パターンを露光するウエハーを、大気圧下の環境から高真空下の露光装置内に搬送する際、発生するパーティクルに対し、その付着を低減する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、ＤＲＡＭ、ＭＰＵ、等の半導体デバイス製造に関して、デザインルールで０．１μｍ以下の線幅を有するデバイスの実現に向けて精力的に研究開発がなされている。この世代に用いられる露光装置として、極端紫外域光（ＥＵＶ）を用いた露光装置が有力視されている。
【０００３】
ＥＵＶ露光装置では、大気中での露光は不可能になるため、露光は真空中で行わざるを得なくなり、必然的に、原版であるレチクルの搬入、搬出、及び基板であるウエハーの搬入、搬出にはロードロックチャンバーを介して行うことになる。
【０００４】
レチクルを例に挙げ説明すると、通常、レチクルのロードロック室は、大気圧下でレチクルを受け入れ、チャンバー内を所定圧力まで真空排気した後、露光装置側の扉を開いて、露光装置側にレチクルを搬入し、露光を行う。レチクルの交換が必要なときは、装置側からレチクルが搬出され、露光装置側の扉を閉め、ロードロック室内を大気圧下に戻しレチクルが取り出される、という機能を有する。
【０００５】
以前より、ロードロック内が真空排気される際に、チャンバー内に存在しているパーティクルが気流の発生により、剥離し、レチクルパターン面に付着するという可能性があった。
【０００６】
また、ロードロック内でのパーティクル付着以外にも、レチクルが装置チャンバーに搬送されるまでに、ロボットハンドやゲートバルブの動作等、摺動、摩擦によりパーティクルが発生し、これがレチクルに付着する可能性があった。
【０００７】
このようにレチクルの回路パターン面にパーティクルが付着すると、実際の露光では、各ショット毎に全く同じ位置にパーティクルが転写されることになる。このためデバイス製造の歩留まりや、デバイスの信頼性が大幅に低下するという問題があった。投影光学系の縮小倍率が４：１である場合、仮に０．１μｍのパーティクルが付着するとウエハー上では、２５ｎｍとなるため、デザインルール０．１μｍのデバイス製造は不可能になる。従って、実際に管理すべき粒径はさらに小さくなり、数十ｎｍ以下の極めて微小なパーティクルとなる。このように装置内で発生するナノメートルサイズのパーティクルは、その発生、挙動に対し十分解明されているとは言えず、対策も困難なものとなっている。
【０００８】
従来、これら露光装置までの搬送経路中のレチクルのパーティクル付着に対し、次のような提案がなされている。すなわちレチクルを専用の搬送容器に収納して、その容器ごと搬送し、ロードロックチャンバー内が所定圧力に到達した時点、あるいはロードロックチャンバーから露光装置内に搬送された時点で、搬送容器を開けるという方法である。当然のことながら、この搬送容器はロードロックチャンバーの真空排気の際、容器内のガスが排気されるように、フィルターなどがついたものになっている。この方法により、搬送経路中で発生したパーティクルは搬送容器に付着するのみで、中のレチクルにパーティクルは付着しないので、レチクルは清浄に保たれたままの状態で、装置内のステージに搬送可能になるとされている。このような技術を記載した文献として、特許文献１〜７がある。
【特許文献１】特開２００１−３３２６０６号公報
【特許文献２】特開２００２−２５２１６２号公報
【特許文献３】特開２００２−２９９２２５号公報
【特許文献４】特開２００３−２２７８９８号公報
【特許文献５】特開２００３−２３４２８２号公報
【特許文献６】特開２００４−１５２８４３号公報
【特許文献７】特開２００４−２２８１１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら前述の従来例は、次のような点で不十分な点があった。
【００１０】
搬送経路中、ロードロック内や機構部品の摺動、摩擦によるパーティクル発生は防ぐことができるものの、搬送容器内にパーティクルが存在していたり、発生したりした場合は、何の対策もなされていないため、パーティクル付着が生じてしまう。具体的には、搬送容器の洗浄が不十分な場合、パーティクルが残留するため、それがロードロックの真空排気の際、気流が生じてレチクルパターン面に付着する。また、搬送中の微振動による搬送容器内のレチクルとレチクル支持部との接触部からの発塵も考えられる。さらに、レチクルを搬送容器に出し入れする際に容器の開閉が必要になるが、その際の発塵も可能性がある。
【００１１】
また、レチクルを搬送容器に入れて、それごと搬送するため、搬送システムに必ず搬送容器からレチクルを出し入れする機構が必要になるため、搬送システムが大型化、高価格化してしまう。
【００１２】
また、ロードロックチャンバーに関して言えば、チャンバー容積が大きくなるため、大気圧（１Ｅ＋５Ｐａ）から高真空（１Ｅ−５Ｐａ）まで真空排気をする場合、排気に時間がかかり、スループットが低下するという問題もある。特に、高真空領域では、内部ガスが分子流の様相を呈するため、搬送容器にフィルターを介していると、ガス分子が容易には排出されず、残留しやすくなる。この場合、搬送容器内外で圧力差が生じ、所望の圧力状態が維持できなくなる可能性もある。搬送容器内外で圧力差をモニター可能なように圧力計を取り付けることも考えられるが、搬送容器は移動物体なので実施は極めて困難である。
【００１３】
本発明は、このようにレチクルの搬送経路中に発生するパーティクル付着問題に対し、従来の技術よりも、簡単な構成で、スループットを低下させず、これを解決することを目的とする。また、詳細な説明は省略したがウエハーの搬送経路中に発生するパーティクル付着問題に対しても、レチクルの場合と同様な方法で、これを解決する事を目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するために、本発明の露光装置は、原版上のパターンを基板上に露光する露光装置において、前記原版及び／又は前記基板を、第１温度まで加熱する加熱手段と、前記原版及び／又は前記基板を取り巻く雰囲気を置換する置換手段と、前記加熱手段により加熱されており、且つ前記置換手段から搬出された前記原版及び／又は前記基板を第２温度まで冷却する冷却手段とを有することを特徴としている。
【００１５】
また、本発明の別側面の露光装置は、レチクルの搬送経路中に発生するパーティクル付着問題に対し、レチクルを搬送前にあらかじめ加熱昇温しておくことで、レチクル周辺のパーティクルに熱泳動力を発生させ、この力でパーティクル付着を抑制することを特徴としている。
【発明の効果】
【００１６】
本出願に関わる発明によれば、レチクル、あるいはウエハーを清浄な状態に保つことが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の一実施例について図を用いて説明する。
【実施例】
【００１８】
先ず、本発明の詳細について説明する前に、本発明が適用される投影露光装置について、ＥＵＶ露光装置を例に挙げ、その構成を図１を用いて簡単に説明する。
【００１９】
同図で、１はウエハー、２は電子回路パターンが形成されている反射型レチクルで、３はその反射型レチクルを保持し、スキャン方向に粗微動させるためのレチクルステージである。５はレチクルからの反射光をウエハー１に投影露光するための光学系である。６はウエハーを保持して６軸方向に粗動、微動可能なウエハステージであり、そのｘｙ位置は不図示のレーザー干渉計によって常にモニターされている。通常、レチクルテージ３とウエハステージ６のスキャン動作は、投影光学系の縮小倍率を１／βとし、レチクルステージの走査速度をＶｒ、ウエハステージの走査速度をＶｗとすると、両者の走査速度の間には、Ｖｒ／Ｖｗ＝βの関係が成立するように同期制御される。
【００２０】
次に、本発明のレチクルのパーティクル付着防止方法に関係する構成について説明する。ウエハーのパーティクル付着防止方法に対しては、その構成がレチクルの構成と全く同様であるため説明は省略する。
【００２１】
８は後述するロードロックチャンバーとレチクルステージ３との間でレチクルを搬入、搬出する搬送ハンドである。１７は本発明の昇温している状態のレチクルを装置内の標準温度に戻すための冷却ユニットである。露光は、真空下で行われるため、これらのユニットは装置チャンバー４の中に入っており、７はチャンバー内を真空排気するための真空ポンプである。１５はロードロックチャンバーであり、９はロードロック内を真空排気するための真空ポンプ、１０はロードロック内の真空状態を大気圧に戻す際のドライＮ２，ドライエア、等のベント用ガス供給源、１１は装置チャンバーとロードロックチャンバーとの間を仕切る装置側ゲートバルブ、１２はロードロックチャンバーと後述するレチクル交換室との間を仕切る交換室側ゲートバルブである。１４はレチクルを大気圧下で一時保管し、必要なプロセスごとにレチクルを交換するレチクル交換室である。１６は本発明のレチクルをロードロック搬入前に所定温度まで加熱することの可能な加熱ユニットである。１３はロードロックとの間でウエハーを搬入、搬出する搬送ハンドである。
【００２２】
次に本発明の詳細について説明する。ウエハーのパーティクル付着防止方法はレチクルのそれと全く同様であるため、省略する事とし、レチクルの付着防止方法について説明する。
【００２３】
レチクルの搬送手順としては、まずレチクル交換室１４のレチクルが搬送ハンド１３により、大気圧下のロードロック１５内に搬入される。ロードロック側ゲートバルブ１２が閉じて、ロードロックが密閉状態になると真空排気系９のバルブが開き、排気が開始される。数十秒して、所定の圧力になると装置側ゲートバルブ１１が開き、搬送ハンド８によりレチクルがロードロック１５からレチクルステージ６に搬送され、保持される。以上がレチクルの一連の搬送手順である。
【００２４】
本発明の本質は、この搬送経路中、レチクル温度を周辺ガスよりも常に所定温度以上、高い状態を保つ事により、搬送経路中に発生し、レチクル周辺を浮遊するパーティクルに熱泳動力を発生させ、パーティクル付着を抑制するというものである。従って、露光装置としては、レチクルを搬送する前にレチクルを所定温度まで加熱する加熱手段と、搬送後、すなわち露光チャンバー内で、露光装置内の基準温度（基準温度は、露光装置が仕様により近い性能を発揮するために必要な、露光装置の温度の要件であり、ＥＵＶ露光装置等では摂氏２２．５度から２３．５度の間に設定されていることが多い。）までに冷却する冷却手段が必要なだけの極めてシンプルな方法によりパーティクル付着抑制が実現可能となる。
【００２５】
熱泳動の原理としては、物体を加熱すると表面近傍のガスに温度勾配が生じ、パーティクルが存在している場合、パーティクルは、ガス分子の熱運動の大きい物体近傍から、熱運動の小さい周辺領域の方向に力を受けるというものである。一般的に、この力は次式のように表される。
【００２６】
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【００２７】
ここで、∇Ｔは空間の温度勾配、Ｔ０はパーティクル近傍のガス平均温度である。熱泳動係数Ｋはクヌーセン数Ｋｎ（＝２λ／Ｄｐ）（Ｄｐはパーティクル粒径）、ガスとパーティクルの熱伝導率の比、及びガスの物性に依存する。従って、レチクルの加熱温度は、実際にレチクルを搬送してパーティクル付着確率が最も小さくなる温度を設定すればよいが、大雑把な目安として、数℃から５０℃程度の範囲であると予想される。
【００２８】
加熱手段は、前述したようにレチクル交換室内に設けるのが望ましい。具体的な方法としては、ヒーターユニットにより枚葉で加熱する方法や、レチクルを恒温箱に入れておく方法が考えられる。図２，３を用いて説明する。
【００２９】
図２では、レチクル交換室内にヒーターユニット１６を設けている場合を示している。ヒーターの種類としては、いかなるものでも良いが、図では赤外線照射によるランプユニットを想定している。赤外線ランプを用いた場合、非接触で加熱可能なためパーティクルの付着が発生しない。また、高出力の赤外線が照射可能なため、短時間のうちにレチクルを加熱する事ができる。この場合、レチクルの温度制御は、高精度な機能は必要なく、出力と照射時間をコントロールする事により再現良く可能である。
【００３０】
図３では、レチクル交換室内にレチクル恒温箱２０を設けている場合を示している。所望の温度に維持された恒温箱にレチクルを常に保管しておく事で、レチクルは直ちに搬送経路に投入する事が可能になる。この場合、図にもあるように恒温箱はレチクルを複数枚同時に保温する事がスループットの点でも望ましい。
【００３１】
次にレチクル搬送後、すなわち露光装置チャンバー内で、露光装置内の基準温度までにレチクルを冷却する冷却手段を図４で説明する。レチクルは露光装置チャンバーに搬送された時点で、基準温度よりも数〜５０℃温度が高い状態にある。
【００３２】
レチクルは、非接触での冷却が可能である。図４のように、レチクルを搬送ハンドに載せた状態で、搬送ハンドの昇降機能を利用して、冷却用輻射板２１にレチクルを近接させ、非接触で冷却するものである。この冷却用輻射板２１は、冷熱源としてペルチェ素子を用いたもの、冷媒を流したもの等、様々な構成が考えられる。この方法の場合の利点は、冷却を非接触で行う事によりパーティクルの付着を防ぐ事ができるという点である。また、レチクルを冷却する際の目標温度範囲としては、レチクルの母材はゼロデュアといわれる超低熱膨張ガラスであるため、膨張係数を５０ｐｐｂ／℃、レチクル面上の許容倍率変動を１０ｎｍとすると、装置基準温度に対し±１℃前後になると予想される。
【００３３】
従って、レチクルの温度制御の方法としては、高精度な温調方法は必要なく、冷却用輻射板の表面温度を装置基準温度よりも、低く設定し、レチクルの温度をモニターしながら、レチクルが装置基準温度近傍の所定温度範囲内に入ったら、ハンドを動かして輻射板から離すという程度のもので十分である。あるいは、輻射板の温度を装置基準温度に保ち、レチクルを近接させて所定時間経過した後、すなわち所定温度範囲内に入った後、輻射板から離すというものである。いずれにせよ、レチクルの冷却方法に関しては、装置の仕様とレチクルの加熱温度との兼ね合いから最適な制御手段を選択するのが望ましい。
【００３４】
次に、レチクルの搬送手順に従った温度変動について図５を用いて説明する。まずレチクル交換室のレチクルが搬送ハンドによりレチクル加熱ユニットの加熱ポートに置かれる。その状態で、例えば赤外線ランプユニットのような加熱手段により、赤外線が照射される。加熱温度は、前述のように熱泳動力が効果的に作用する数℃から５０℃程度の範囲になるため、レチクル温度変動は、図５のような変動となる。当然のことながら、レチクル加熱手段が恒温箱によるものの場合は、このような温度変動は生ぜず、一定温度のままである。一方レチクル周辺の温度は装置の基準温度Ｔ０前後であるため、レチクル近傍に温度分布がつき、熱泳動力が働くため、レチクル交換室内にパーティクルが浮遊しても、容易にはレチクルに近づくことはできず、付着が抑制される。
【００３５】
そして、所定温度に到達したレチクルは、大気圧下のロードロック内に搬入され、ロードロック側ゲートバルブが閉じると真空排気系のバルブが開き、排気が開始される。このロードロックの真空排気の過程で内部のガスは断熱膨張により急速に冷却される。真空排気が始まると、図５のようにガスの温度は装置基準温度Ｔ０から急速に低下し、チャンバー容積、排気速度、等にもよるが、数十秒後にＴ０よりも数十度温度低下し、その後は熱容量の大きいチャンバー壁からの伝熱により急速にＴ０に漸近する。一方、ガスに対し熱容量の大きいレチクルは、ガスよりも長い時定数で温度低下し、１℃以内の温度低下である。このようにロードロック内では、レチクル温度は若干下がるものの、ガス温度はそれ以上に下がるため、レチクル近傍は常に温度勾配が生じている状態である。
【００３６】
従来よりロードロック内が真空排気される際に、チャンバー内に存在しているパーティクルが気流の発生により、剥離、離脱し、レチクルパターン面に付着するという可能性があったが、本発明では真空排気中、常に温度勾配が生じているため、これによる熱泳動力により、パーティクルは容易にはレチクルに近づくことは出来ず、パターン面は常に清浄に保たれている。
【００３７】
真空排気開始後、数十秒して、所定の圧力になると装置側ゲートバルブが開き、装置チャンバー内の搬送ハンドによりレチクルがロードロックからレチクル冷却ポートに移動する。冷却ポートは、レチクルの温度を装置基準温度Ｔ０にすることを目的としている。冷却時は、搬送ハンドが上方に駆動して、レチクルは冷却板に近接すると、図５のように温度は急激に下がって、装置基準温度Ｔ０に近づく。
【００３８】
レチクル温度は、冷却板に近接後、所定時間経過すると、装置基準温度Ｔ０との差である許容温度Ｔ０±α℃の範囲内に入る。この温度α℃は、前述もしたようにレチクルの膨張係数を５０ｐｐｂ、レチクル面上の許容倍率変動を１０ｎｍとすると、１℃前後になると予想される。このように、近接後所定時間経過した後、レチクルは搬送ハンドによりレチクルステージ上に搬送され、保持され、露光動作が開始される。以上がレチクルの搬送手順に従った温度変動である。
【００３９】
また、本発明は、前述の従来例の、レチクルを専用の搬送容器に収納してその容器ごと搬送する、という方法に対しても効果的である。すなわち従来例では、搬送容器内でのレチクルと保持部材との摩擦、搬送容器の開閉、搬送容器の真空排気の際の、それぞれのパーティクル発生の問題に対しても、レチクル温度は周辺のガス温度よりも、熱泳動力が効果的に働く程度に加熱されている。よって、パーティクルは容易にはレチクルに付着せず、搬送容器内でもパーティクルは常に清浄な状態を保つことが可能である。
【００４０】
以上説明したように、レチクル搬送前に加熱手段を設け、レチクル搬送後に冷却手段を設ける事により、搬送経路中、特にロードロックチャンバー内においても、レチクルは常に所定以上の温度を保つ事が可能となり、レチクル周辺のパーティクルに常に熱泳動力を発生させ、この力でレチクルパターン面への付着を抑制することが可能になる。そして搬送後は、レチクル冷却手段により速やかに装置基準温度まで冷却可能である。
【００４１】
また、詳細な説明は省略したが、全く同様な方法をとることでウエハーに対しても、ウエハー周辺のパーティクルに常に熱泳動力を発生させ、この力でウエハー露光面への付着を抑制することが可能になる。そして搬送後は、ウエハー冷却手段により速やかに装置基準温度まで冷却可能である。
【００４２】
また、以上記載した露光装置の実施例は、デバイスの製造方法にも適用可能である。すなわち、上述のような露光装置を用いてウエハー等の基板を露光する工程、前記露光された基板を現像する工程、現像された基板に後処理を施す工程等を有するデバイスの製造方法も本実施例の一部である。
【００４３】
ここで、上記の実施例をまとめると、以下のように記載することができる。本実施例の露光装置は、原版上のパターンを基板上に露光する露光装置において、前記原版及び／又は前記基板を、第１温度まで加熱する加熱手段と、前記原版及び／又は前記基板を取り巻く雰囲気を置換する置換手段と、前記加熱手段により加熱されており、且つ前記置換手段から搬出された前記原版及び／又は前記基板を第２温度まで冷却する冷却手段とを有する。
【００４４】
ここで、前記加熱手段を用いて前記原版及び／又は前記基板を加熱することにより、前記原版及び／又は前記基板の搬送経路中に発生するパーティクルに熱泳動力を発生させる。それによってパーティクルが原版や基板に付着するのを抑制している、もしくは付着するとしても付着量を低減している（付着量を低減するとは、付着量を無くすことも含むものとする）。ここで、前記原版及び／又は前記基板は、前記置換手段に搬入される前に、前記加熱手段により加熱される。また、前記冷却手段は、前記基板が載置される基板ステージと同じ空間内に収納されている。
【００４５】
ここで、前記露光装置の基準温度をＴ度とするとき、前記第１温度は、（Ｔ＋５）度以上（Ｔ＋５０）度以下である。好ましくは、前記第１温度は、（Ｔ＋１０）度以上（Ｔ＋５０）度以下である。また、前記露光装置の基準温度をＴ度とするとき、前記第２温度は、（Ｔ−５）度以上（Ｔ＋５）度以下である。好ましくは、前記第２温度は、（Ｔ−２）度以上（Ｔ＋２）度以下である。ここで、前記露光装置の基準温度と前記第２温度との差は、前記原版及び／又は前記基板の母材の熱膨張係数と、前記露光装置において許容される倍率変動量とに基づいて算出される。
【００４６】
また、本実施例の露光装置、パーティクル除去方法は、ロードロック機構を有し、真空環境下で原版上の回路パターンを基板上に露光する露光装置において、前記原版及び／又は前記基板を、ロードロックチャンバーに搬送する前にあらかじめ所定温度まで加熱することが可能な加熱手段と、前記原版及び／又は前記基板を、ロードロックチャンバーから搬出した後に、所定温度範囲まで冷却することが可能な冷却手段と、を有し、前記原版及び／又は前記基板をロードロック搬送前にあらかじめ所定温度まで加熱する事により、前記原版及び／又は前記基板の搬送経路途中に発生するパーティクルに対し、熱泳動力を発生させ、前記原版及び／又は前記基板へのパーティクル付着を抑制する。ここで、前記原版または前記基板の前記所定加熱温度は、露光装置基準温度に対し、数℃（３度以上９度以下）から５０℃の範囲内の高い温度である。
【００４７】
また、前記原版及び／又は前記基板の前記所定冷却温度範囲は、露光装置基準温度に対し、原版または基板の母材の熱膨張係数と許容される倍率変動量とから算出される温度範囲である。
【００４８】
また、本実施例のデバイスの製造方法は、前述の露光装置を用いて前記基板を露光する工程と、前記露光された基板を現像する工程とを有する。
【００４９】
以上説明したように本実施例によれば、原版であるレチクル、あるいは基板であるウエハーを搬送前にあらかじめ装置基準温度よりも数℃から５０℃高い温度に加熱しておくことで、レチクル搬送中、あるいはウエハー搬送中、周辺のパーティクルに常に熱泳動力を発生させることが可能になり、この力で付着を抑制し、レチクル、あるいはウエハーを清浄な状態に保つことが可能になる。また、加熱された状態のレチクル、あるいはウエハーが装置内に搬入されても、本発明によれば、効果的に装置基準温度まで冷却する事の可能な手段を有する事により、何ら問題を生ぜずに露光動作が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明が適用される露光装置システム
【図２】本発明のレチクル交換室とレチクル加熱ユニットを示す図
【図３】本発明のレチクル交換室とレチクル加熱用恒温箱を示す図
【図４】本発明の装置チャンバーの一部と非接触方法によるレチクル冷却手段を示す図
【図５】レチクルの搬送にともなう温度変動を表した図
【符号の説明】
【００５１】
１  ウエハー
２  レチクル
３  レチクルステージ
４  装置チャンバー
５  投影光学系
６  ウエハステージ
７  装置チャンバー真空ポンプ
８  搬送ハンド
９  ロードロックチャンバー真空ポンプ
１０  ガス供給源
１１  装置側ゲートバルブ
１２  ロードロック側ゲートバルブ
１３  搬送ハンド
１４  レチクル交換室
１６  レチクル加熱ユニット（ヒーターユニット）
１７  レチクル冷却ユニット
【図１】
2006147638.tif 000004
【図２】
2006147638.tif 000005
【図３】
2006147638.tif 000006
【図４】
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【図５】
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