(57)【要約】【課題】  クロストークが最小化された薄膜トランジスタ及びこれを備えた平板ディスプレイ装置を提供する。【解決手段】  第１電極と、第１電極を同一平面で取り囲む第２電極と、第２電極を同一平面で取り囲む第３電極と、第３電極を同一平面で取り囲む第４電極と、第１電極ないし第４電極と絶縁され、第１電極及び第２電極間の領域に対応するように備わった第１ゲート電極と、第１電極ないし第４電極と絶縁され、第３電極及び第４電極間の領域に対応するように備わった第２ゲート電極と、第１ゲート電極及び第２ゲート電極と絶縁され、第１電極ないし第４電極に接する半導体層とを備えることを特徴とする薄膜トランジスタと、これを備えた平板ディスプレイ装置とである。【選択図】  図２
2006049833.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と、
前記第１電極を同一平面で取り囲む第２電極と、
前記第２電極を同一平面で取り囲む第３電極と、
前記第３電極を同一平面で取り囲む第４電極と、
前記第１電極ないし前記第４電極と絶縁され、前記第１電極及び前記第２電極間の領域に対応するように備わった第１ゲート電極と、
前記第１電極ないし前記第４電極と絶縁され、前記第３電極及び前記第４電極間の領域に対応するように備わった第２ゲート電極と、
前記第１ゲート電極及び前記第２ゲート電極と絶縁され、前記第１電極ないし前記第４電極に接する半導体層と、
を備えることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２】
前記第１ゲート電極及び前記第２ゲート電極は、同一平面に備わることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項３】
前記第２ゲート電極は、前記第１ゲート電極を一部分が開放されるように取り囲み、前記第１ゲート電極には、前記第２ゲート電極の開口部を介して外部に突出される突出部が備わることを特徴とする請求項２に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項４】
前記第１電極ないし前記第４電極は、前記第１ゲート電極及び前記第２ゲート電極の上部に備わることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項５】
前記半導体層は、有機半導体層であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項６】
前記第１電極ないし前記第４電極及び前記半導体層と、前記第１ゲート電極及び前記第２ゲート電極とを絶縁させるゲート絶縁膜をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項７】
基板と、
前記基板の上部に備わった第１電極と、
前記第１電極を同一平面で取り囲む第２電極と、
前記第２電極を同一平面で取り囲む第３電極と、
前記第３電極を同一平面で取り囲む第４電極と、
前記第１電極ないし前記第４電極と絶縁され、前記第１電極及び前記第２電極間の領域に対応するように備わった第１ゲート電極と、
前記第１電極ないし前記第４電極と絶縁され、前記第３電極及び前記第４電極間の領域に対応するように備わった第２ゲート電極と、
前記第１ゲート電極及び前記第２ゲート電極と絶縁され、前記第１電極ないし前記第４電極に接する半導体層と、
前記第１電極ないし前記第４電極のうち、いずれか１つの電極に連結された画素電極を備えるディスプレイ素子と、
を備えることを特徴とする平板ディスプレイ装置。
【請求項８】
前記第２ゲート電極は、前記第１ゲート電極を同一平面で一部分が開放されるように取り囲み、前記第１ゲート電極には、前記第２ゲート電極の開口部を介して外部に突出される突出部が備わることを特徴とする請求項７に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項９】
前記第１電極ないし前記第４電極及び前記半導体層は、前記第１ゲート電極及び前記第２ゲート電極の上部に備わることを特徴とする請求項７に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項１０】
前記画素電極は、前記第１電極に連結されることを特徴とする請求項７に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項１１】
前記第１ゲート電極に連結される第１キャパシタ電極と、前記第２電極に連結される第２キャパシタ電極とをさらに備えることを特徴とする請求項１０に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項１２】
前記第１電極ないし前記第４電極及び前記半導体層は、前記第１ゲート電極及び前記第２ゲート電極の上部に備わり、前記第１ゲート電極、前記第２ゲート電極及び前記第１キャパシタ電極を覆うようにゲート絶縁膜がさらに備わり、前記第１電極ないし前記第４電極及び前記半導体層を覆うように保護膜がさらに備わることを特徴とする請求項１１に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項１３】
前記第２キャパシタ電極は、前記保護膜の上部に備わることを特徴とする請求項１２に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項１４】
前記第３電極は、前記第２電極を一部分が開放されるように取り囲み、前記第４電極は、前記第３電極を一部分が開放されるように取り囲み、前記第２電極には、前記第３電極の開口部と前記第４電極の開口部とを介して外部に突出している突出部が備わり、前記突出部は、前記第２キャパシタ電極に連結されることを特徴とする請求項１２に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項１５】
前記第１電極ないし前記第４電極は、前記ゲート絶縁膜上に備わり、前記半導体層は、前記第１電極ないし前記第４電極を覆うように備わり、前記第２キャパシタ電極は、前記ゲート絶縁膜上に備わることを特徴とする請求項１２に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項１６】
前記半導体層は、前記ゲート絶縁膜上に備わり、前記第１電極ないし前記第４電極は、前記半導体層上に備わり、前記第２キャパシタ電極は、前記半導体層上に備わることを特徴とする請求項１２に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項１７】
前記第１キャパシタ電極は、前記第３電極に連結されることを特徴とする請求項１２に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項１８】
前記第４電極は、前記第３電極を一部分が開放されるように取り囲み、前記第３電極には、前記第４電極の開口部を介して外部に突出している突出部が備わり、前記突出部は、前記第１キャパシタ電極に連結されることを特徴とする請求項１７に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項１９】
前記第１キャパシタ電極は、前記第４電極に連結されることを特徴とする請求項１２に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項２０】
前記画素電極は、前記第２電極に連結されることを特徴とする請求項７に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項２１】
前記第１ゲート電極に連結される第１キャパシタ電極と、前記第１電極に連結される第２キャパシタ電極とをさらに備えることを特徴とする請求項２０に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項２２】
前記第１電極ないし前記第４電極及び前記半導体層は、前記第１ゲート電極及び前記第２ゲート電極の上部に備わり、前記第１ゲート電極、前記第２ゲート電極及び前記第１キャパシタ電極を覆うようにゲート絶縁膜がさらに備わり、前記第１電極ないし前記第４電極及び前記半導体層を覆うように保護膜がさらに備わることを特徴とする請求項２１に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項２３】
前記第２キャパシタ電極は、前記保護膜の上部に備わることを特徴とする請求項２２に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項２４】
前記第２電極は、前記第１電極を一部分が開放されるように取り囲み、前記第３電極は、前記第２電極を一部分が開放されるように取り囲み、前記第４電極は、前記第３電極を一部分が開放されるように取り囲み、前記第１電極には、前記第２電極の開口部、前記第３電極の開口部及び前記第４電極の開口部を介して外部に突出している突出部が備わり、前記突出部は、前記第２キャパシタ電極に連結されることを特徴とする請求項２２に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項２５】
前記第１電極ないし前記第４電極は、前記ゲート絶縁膜上に備わり、前記半導体層は、前記第１電極ないし前記第４電極を覆うように備わり、前記第２キャパシタ電極は、前記ゲート絶縁膜上に備わることを特徴とする請求項２２に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項２６】
前記半導体層は、前記ゲート絶縁膜上に備わり、前記第１電極ないし前記第４電極は、前記半導体層上に備わり、前記第２キャパシタ電極は、前記半導体層上に備わることを特徴とする請求項２２に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項２７】
前記第１キャパシタ電極は、前記第３電極に連結されることを特徴とする請求項２２に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項２８】
前記第４電極は、前記第３電極を一部分が開放されるように取り囲み、前記第３電極には、前記第４電極の開口部を介して外部に突出している突出部が備わり、前記突出部は、前記第１キャパシタ電極に連結されることを特徴とする請求項２７に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項２９】
前記第１キャパシタ電極は、前記第４電極に連結されることを特徴とする請求項２２に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項３０】
前記画素電極は、前記第３電極に連結されることを特徴とする請求項７に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項３１】
前記第２ゲート電極に連結される第１キャパシタ電極と、前記第４電極に連結される第２キャパシタ電極とをさらに備えることを特徴とする請求項３０に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項３２】
前記第２ゲート電極と前記第１キャパシタ電極、前記第４電極と前記第２キャパシタ電極は、それぞれ一体に備わることを特徴とする請求項３１に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項３３】
前記第１電極ないし前記第４電極及び前記半導体層は、前記第１ゲート電極及び前記第２ゲート電極の上部に備わり、前記第１ゲート電極、前記第２ゲート電極及び前記第１キャパシタ電極を覆うようにゲート絶縁膜がさらに備わり、前記第１電極ないし前記第４電極及び前記半導体層を覆うように保護膜がさらに備わることを特徴とする請求項３１に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項３４】
前記第１電極は、前記第２ゲート電極に連結されることを特徴とする請求項３１に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項３５】
前記第２電極は、前記第１電極を一部が開放されるように取り囲み、前記第３電極は、前記第２電極を一部が開放されるように取り囲み、前記第１電極には、前記第２電極の開口部及び前記第３電極の開口部を介して突出している突出部が備わり、前記突出部は、前記第２ゲート電極に連結されることを特徴とする請求項３４に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項３６】
前記第２電極は、前記第２ゲート電極に連結されることを特徴とする請求項３１に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項３７】
前記第３電極は、前記第２電極を一部が開放されるように取り囲み、前記第２電極には、前記第３電極の開口部を介して突出している突出部が備わり、前記突出部は、前記第２ゲート電極に連結されることを特徴とする請求項３６に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項３８】
前記半導体層は、有機半導体層であることを特徴とする請求項７に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項３９】
前記ディスプレイ素子から放出される光は、前記基板を介して外部に出射されることを特徴とする請求項７に記載の平板ディスプレイ装置。
【請求項４０】
前記ディスプレイ素子は、電界発光素子であることを特徴とする請求項７に記載の平板ディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）及びこれを備えた平板ディスプレイ装置（ＦＰＤ：Ｆｌａｔ Ｐａｎｅｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）に係り、さらに詳細にはクロストークが最小化されたトランジスタ、及びこれを備えたＦＰＤに関する。
【背景技術】
【０００２】
図１は、従来のインバーティッドコプラナー型ＴＦＴを概略的に図示する断面図である。
【０００３】
図１を参照すれば、基板１上にゲート電極２１，２２が備わっており、その上部にソース電極１１，１３及びドレーン電極１２，１４が備わっており、前記ソース電極１１，１３及びドレーン電極１２，１４を前記ゲート電極２１，２２から絶縁させるために、その間にゲート絶縁膜３が介在されている。そして、前記ソース電極１１，１３及びドレーン電極１２，１４にそれぞれ接する半導体層５が備わっている。もちろん、前記ソース電極１１，１３とドレーン電極１２，１４とは、互いに前後が入れ替わることも可能である。
【０００４】
前記のような構造において、前記半導体層５がパターニングされておらず、隣接した２つのＴＦＴ １０，２０において一体に備わっている。このような場合、漏れ電流などによって、隣接したＴＦＴが互いに影響を与えることがあるなど、いわゆるクロストークが発生しうるので、これを防止するために、前記半導体層を各ＴＦＴ単位でターニングするのが好ましい。しかし、前記半導体層５として、有機半導体層を利用した有機ＴＦＴの場合、前記有機半導体層をパターニングするのが非常に困難であり、前記有機半導体層がパターニングされたとしても、前記有機半導体層の電気的特性が非常に低下するという問題点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、前記のような問題点を含め、さまざまな問題点を解決するためのものであり、クロストークが最小化されたトランジスタ、及びこれを備えたＦＰＤを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記のような目的及びそれ以外のさまざまな目的を達成するために、本発明は、第１電極と、前記第１電極を同一平面で取り囲む第２電極と、前記第２電極を同一平面で取り囲む第３電極と、前記第３電極を同一平面で取り囲む第４電極と、前記第１電極ないし前記第４電極と絶縁され、前記第１電極及び前記第２電極間の領域に対応するように備わった第１ゲート電極と、前記第１電極ないし前記第４電極と絶縁され、前記第３電極及び前記第４電極間の領域に対応するように備わった第２ゲート電極と、前記第１ゲート電極及び前記第２ゲート電極と絶縁され、前記第１電極ないし前記第４電極に接する半導体層と、を備えることを特徴とするＴＦＴを提供する。
【０００７】
このような本発明の他の特徴によれば、前記第１ゲート電極と前記第２ゲート電極とは、同一平面に備わることが可能である。
【０００８】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第２ゲート電極は、前記第１ゲート電極を一部分が開放されるように取り囲み、前記第１ゲート電極には、前記第２ゲート電極の開口部を介して外部に突出される突出部が備わることが可能である。
【０００９】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１電極ないし前記第４電極は、前記第１ゲート電極及び前記第２ゲート電極の上部に備わることが可能である。
【００１０】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記半導体層は、有機半導体層でありうる。
【００１１】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１電極ないし前記第４電極及び前記半導体層と、前記第１ゲート電極及び前記第２ゲート電極とを絶縁させるゲート絶縁膜をさらに備えることが可能である。
【００１２】
本発明は、また前記のような目的を達成するために、基板と、前記基板の上部に備わった第１電極と、前記第１電極を同一平面で取り囲む第２電極と、前記第２電極を同一平面で取り囲む第３電極と、前記第３電極を同一平面で取り囲む第４電極と、前記第１電極ないし前記第４電極と絶縁され、前記第１電極及び前記第２電極間の領域に対応するように備わった第１ゲート電極と、前記第１電極ないし前記第４電極と絶縁され、前記第３電極及び前記第４電極間の領域に対応するように備わった第２ゲート電極と、前記第１ゲート電極及び前記第２ゲート電極と絶縁され、前記第１電極ないし前記第４電極に接する半導体層と、前記第１電極ないし前記第４電極のうち、いずれか１つの電極に連結された画素電極を備えるディスプレイ素子と、を備えることを特徴とするＦＰＤを提供する。
【００１３】
このような本発明の他の特徴によれば、前記第２ゲート電極は、前記第１ゲート電極を同一平面で一部分が開放されるように取り囲み、前記第１ゲート電極には、前記第２ゲート電極の開口部を介して外部に突出される突出部が備わることが可能である。
【００１４】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１電極ないし前記第４電極及び前記半導体層は、前記第１ゲート電極及び前記第２ゲート電極の上部に備わることが可能である。
【００１５】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記画素電極は、前記第１電極に連結されうる。
【００１６】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１ゲート電極に連結される第１キャパシタ電極と、前記第２電極に連結される第２キャパシタ電極とをさらに備えることが可能である。
【００１７】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１電極ないし前記第４電極及び前記半導体層は、前記第１ゲート電極及び前記第２ゲート電極の上部に備わり、前記第１ゲート電極、前記第２ゲート電極及び前記第１キャパシタ電極を覆うようにゲート絶縁膜がさらに備わり、前記第１電極ないし前記第４電極及び前記半導体層を覆うように保護膜がさらに備わることが可能である。
【００１８】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第２キャパシタ電極は、前記保護膜の上部に備わることが可能である。
【００１９】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第３電極は、前記第２電極を一部分が開放されるように取り囲み、前記第４電極は、前記第３電極を一部分が開放されるように取り囲み、前記第２電極には、前記第３電極の開口部と前記第４電極の開口部とを介して外部に突出している突出部が備わり、前記突出部は、前記第２キャパシタ電極に連結されうる。
【００２０】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１電極ないし前記第４電極は、前記ゲート絶縁膜上に備わり、前記半導体層は、前記第１電極ないし前記第４電極を覆うように備わり、前記第２キャパシタ電極は、前記ゲート絶縁膜上に備わることが可能である。
【００２１】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記半導体層は、前記ゲート絶縁膜上に備わり、前記第１電極ないし前記第４電極は、前記半導体層上に備わり、前記第２キャパシタ電極は、前記半導体層上に備わることが可能である。
【００２２】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１キャパシタ電極は、前記第３電極に連結されうる。
【００２３】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第４電極は、前記第３電極を一部分が開放されるように取り囲み、前記第３電極には、前記第４電極の開口部を介して外部に突出している突出部が備わり、前記突出部は、前記第１キャパシタ電極に連結されうる。
【００２４】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１キャパシタ電極は、前記第４電極に連結されうる。
【００２５】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記画素電極は、前記第２電極に連結されうる。
【００２６】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１ゲート電極に連結される第１キャパシタ電極と、前記第１電極に連結される第２キャパシタ電極とをさらに備えることが可能である。
【００２７】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１電極ないし前記第４電極及び前記半導体層は、前記第１ゲート電極及び前記第２ゲート電極の上部に備わり、前記第１ゲート電極、前記第２ゲート電極及び前記第１キャパシタ電極を覆うようにゲート絶縁膜がさらに備わり、前記第１電極ないし前記第４電極及び前記半導体層を覆うように保護膜がさらに備わることが可能である。
【００２８】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第２キャパシタ電極は、前記保護膜の上部に備わることが可能である。
【００２９】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第２電極は、前記第１電極を一部分が開放されるように取り囲み、前記第３電極は、前記第２電極を一部分が開放されるように取り囲み、前記第４電極は、前記第３電極を一部分が開放されるように取り囲み、前記第１電極には、前記第２電極の開口部、前記第３電極の開口部及び前記第４電極の開口部を介して外部に突出している突出部が備わり、前記突出部は、前記第２キャパシタ電極に連結されうる。
【００３０】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１電極ないし前記第４電極は、前記ゲート絶縁膜上に備わり、前記半導体層は、前記第１電極ないし前記第４電極を覆うように備わり、前記第２キャパシタ電極は、前記ゲート絶縁膜上に備わることが可能である。
【００３１】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記半導体層は、前記ゲート絶縁膜上に備わり、前記第１電極ないし前記第４電極は、前記半導体層上に備わり、前記第２キャパシタ電極は、前記半導体層上に備わることが可能である。
【００３２】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１キャパシタ電極は、前記第３電極に連結されうる。
【００３３】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第４電極は、前記第３電極を一部分が開放されるように取り囲み、前記第３電極には、前記第４電極の開口部を介して外部に突出している突出部が備わり、前記突出部は、前記第１キャパシタ電極に連結されうる。
【００３４】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１キャパシタ電極は、前記第４電極に連結されうる。
【００３５】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記画素電極は、前記第３電極に連結されうる。
【００３６】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第２ゲート電極に連結される第１キャパシタ電極と、前記第４電極に連結される第２キャパシタ電極とをさらに備えることが可能である。
【００３７】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第２ゲート電極と前記第１キャパシタ電極、前記第４電極と前記第２キャパシタ電極は、それぞれ一体に備わることが可能である。
【００３８】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１電極ないし前記第４電極及び前記半導体層は、前記第１ゲート電極及び前記第２ゲート電極の上部に備わり、前記第１ゲート電極、前記第２ゲート電極及び前記第１キャパシタ電極を覆うようにゲート絶縁膜がさらに備わり、前記第１電極ないし前記第４電極及び前記半導体層を覆うように保護膜がさらに備わることが可能である。
【００３９】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第１電極は、前記第２ゲート電極に連結されうる。
【００４０】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第２電極は、前記第１電極を一部が開放されるように取り囲み、前記第３電極は、前記第２電極を一部が開放されるように取り囲み、前記第１電極には、前記第２電極の開口部及び前記第３電極の開口部を介して突出している突出部が備わり、前記突出部は、前記第２ゲート電極に連結されうる。
【００４１】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第２電極は、前記第２ゲート電極に連結されうる。
【００４２】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記第３電極は、前記第２電極を一部が開放されるように取り囲み、前記第２電極には、前記第３電極の開口部を介して突出している突出部が備わり、前記突出部は、前記第２ゲート電極に連結されうる。
【００４３】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記半導体層は、有機半導体層でありうる。
【００４４】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記ディスプレイ素子から放出される光は、前記基板を介して外部に出射されうる。
【００４５】
本発明のさらに他の特徴によれば、前記ディスプレイ素子は、電界発光（ＥＬ）素子でありうる。
【発明の効果】
【００４６】
本発明のＴＦＴ、及びこれを備えたＦＰＤによれば、次のような効果を得ることができる。
【００４７】
第一に、それぞれのＴＦＴにおいて、ソース電極及びドレーン電極のうち、いずれか１つの電極が他の電極を取り囲んでいる構造を形成すると共に、１つのＴＦＴのソース電極及びドレーン電極を他の１つのＴＦＴのソース電極及びドレーン電極が取り囲む構造を形成させることにより、半導体層がパターニングされていないＴＦＴ間のクロストークを防止できる。
【００４８】
第二に、ソース電極及びドレーン電極のうち、いずれか１つの電極が他電極を同一平面で一部分が開放されるように取り囲む構造のＴＦＴを利用することにより、前記他電極が前記他電極を取り囲んでいる電極の開口部を介して他の素子に連結させ、前記連結構造を簡単、かつ確実なものとできる。
【００４９】
第三に、それぞれのＴＦＴにおいて、ソース電極及びドレーン電極のうち、いずれか１つの電極が他の電極を取り囲んでいる構造を形成すると共に、１つのＴＦＴのソース電極及びドレーン電極を他の１つのＴＦＴのソース電極及びドレーン電極が取り囲む構造を形成することにより、前記ＴＦＴが占める面積をかなり縮められる。
【００５０】
第四に、それぞれのＴＦＴにおいて、ソース電極及びドレーン電極のうち、いずれか１つの電極が他の電極を取り囲んでいる構造を形成すると共に、１つのＴＦＴのソース電極及びドレーン電極を他の１つのＴＦＴのソース電極及びドレーン電極が取り囲む構造を形成することにより、半導体層がパターニングされていないＴＦＴ間のクロストークが防止されたＦＰＤを製造することにより、画像の歪曲及び鮮明度が低下しないＦＰＤを製造できる。
【００５１】
第五に、それぞれのＴＦＴにおいて、ソース電極及びドレーン電極のうち、いずれか１つの電極が他の電極を取り囲んでいる構造を形成すると共に、１つのＴＦＴのソース電極及びドレーン電極を他の１つのＴＦＴのソース電極及びドレーン電極が取り囲む構造を形成することにより、前記ＴＦＴが占める面積をかなり縮め、これにより、前記基板方向に光が出射される背面発光型の場合よりも大きい開口率を有するＦＰＤを製造できる。
【００５２】
第六に、それぞれのＴＦＴにおいて、ソース電極及びドレーン電極のうち、いずれか１つの電極が他の電極を取り囲んでいる構造を形成すると共に、１つのＴＦＴのソース電極及びドレーン電極を他の１つのＴＦＴのソース電極及びドレーン電極が取り囲む構造を形成することにより、前記ＴＦＴが占める面積をかなり縮め、これにより、前記基板の反対方向に光が出射される前面発光型の場合よりもはるかに良好な高解像度のＦＰＤを製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５３】
以下、添付された図面を参照し、本発明の望ましい実施形態を詳細に説明すれば、次の通りである。
【００５４】
図２は、本発明の望ましい第１実施形態によるＴＦＴを概略的に図示する平面図であり、図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿って切り取った断面図である。
【００５５】
前記図面を参照すれば、基板１０１上に第１電極１１１が備わり、前記第１電極１１１を同一平面で取り囲む第２電極１１２が備わり、前記第２電極１１２を同一平面で取り囲む第３電極１１３と、前記第３電極１１３を同一平面で取り囲む第４電極１１４とが備わる。そして、前記第１電極１１１ないし前記第４電極１１４と絶縁され、前記第１電極１１１及び前記第２電極１１２間の領域に対応する第１ゲート電極１２１が備わり、前記第１電極１１１ないし前記第４電極１１４と絶縁され、前記第３電極１１３及び前記第４電極１１４間の領域に対応する第２ゲート電極１２２が備わる。そして、前記第１ゲート電極１２１及び前記第２ゲート電極１２２と絶縁され、前記第１電極１１１ないし前記第４電極１１４に接する半導体層１０５が備わる。特に、前記半導体層１０５は、有機半導体層になり、これは、後述する実施形態において同一である。
【００５６】
このとき、前記第１ゲート電極１２１及び前記第２ゲート電極１２２は、同一平面に備わり、特に前記第２ゲート電極１２２は、前記第１ゲート電極１２１を一部分が開放されるように取り囲み、前記第１ゲート電極１２１には、前記第２ゲート電極１２２の開口部を介して外部に突出される突出部１２１ａが備わることが可能である。前記のような突出部１２１ａを備えることにより、第２ゲート電極１２２が取り囲んでいる第１ゲート電極１２１に外部の素子をたやすく連結できる。
【００５７】
前記第１電極１１１ないし前記第４電極１１４は、ＴＦＴのソース電極及びドレーン電極になり、前記図面は、２つのＴＦＴを図示する図面である。すなわち、第１電極１１１、第２電極１１２及び第１ゲート電極１２１が１つのＴＦＴになり、第３電極１１３、第４電極１１４及び第２ゲート電極１２２が他の１つのＴＦＴになり、それぞれのＴＦＴにおいて、ソース電極及びドレーン電極のうち、いずれか１つの電極が他の電極を取り囲んでいる構造を形成すると共に、１つのＴＦＴのソース電極及びドレーン電極を他の１つのＴＦＴのソース電極及びドレーン電極が取り囲んでいる構造である。このとき、前記第１電極１１１及び前記第２電極１１２のうち、いずれか１つの電極がソース電極ならば、他電極は、ドレーン電極になる。
【００５８】
前述のように、半導体層、特に有機半導体層がパターニングされていないまま隣接された二つ以上のＴＦＴにおいて、一体に備わる場合、漏れ電流などによって隣接したＴＦＴが互いに影響を与えることがあるなど、いわゆるクロストークなどが発生しうる。従って、上記の通り、それぞれのＴＦＴのソース電極及びドレーン電極の構造において、１つの電極が他電極を同一平面で取り囲む構造を形成することにより、これを防止できる。すなわち、前記のような構造において、前記第１ゲート電極１２１によるチャンネルは、前記第１電極１１１及び同一平面でこれを取り囲んでいる前記第２電極１１２間にだけ形成され、さらに、前記第１電極１１１及びこれを同一平面で取り囲んでいる前記第２電極１１２間でだけ電流が流れるために、前記半導体層がパターニングされていなくとも、隣接したＴＦＴとのクロストークを防止できる。
【００５９】
この場合、前記第１電極１１１と、前記第１電極１１１を同一平面で取り囲む前記第２電極１１２と、前記第１電極１１１と前記第２電極１１２との間の領域に対応するように備わった前記第１ゲート電極１２１と、を備えるＴＦＴと同じ形態のＴＦＴを並列に羅列する場合には、前記２つのＴＦＴが占める面積が大きくなりすぎるが、図２及び図３に図示されたように、１つのＴＦＴのソース電極及びドレーン電極を他の１つのＴＦＴのソース電極及びドレーン電極が同一平面で取り囲むようにすることにより、その２つのＴＦＴが占める面積をかなり縮められる。
【００６０】
図２及び図３に図示されたＴＦＴは、前記第１電極１１１ないし前記第４電極１１４及び前記半導体層１０５と、前記第１ゲート電極１２１及び前記第２ゲート電極１２２とを絶縁させるゲート絶縁膜１０３が備わっている。そして、前記第１電極１１１ないし前記第４電極１１４が前記第１ゲート電極１２１及び前記第２ゲート電極１２２の上部に備わっており、特に半導体層１０５が前記第１電極１１１ないし前記第４電極１１４の上部に備わっているインバーティッドコプラナー型ＴＦＴ構造、又は第１電極ないし第４電極が半導体層上部に備わるインバーディッドスタッガード型ＴＦＴにも適用できる。すなわち、ＴＦＴのソース電極及びドレーン電極のうち、１つの電極が他電極を同一平面で取り囲む構造を形成し、１つのＴＦＴのソース電極及びドレーン電極を他の１つのＴＦＴのソース電極及びドレーン電極が取り囲む構造を形成しているならば、いかなる構造のＴＦＴにも適用可能であることは言うまでもない。これは、後述する実施形態においても同一である。
【００６１】
一方、前記第１ゲート電極１２１は、前記第１電極１１１及び前記第１電極１１１を同一平面で取り囲んでいる前記第２電極１１２間に対応する部分にだけ備わるように、すなわち前記第１ゲート電極１２１の真ん中部分が中空のドーナッツ状に備わることが可能である。これは、前記第１ゲート電極１２１がドーナッツ状ではなく、前記第１電極１１１及び同一平面で前記第１電極１１１を取り囲んでいる前記第２電極１１２間に対応する部分以外に、前記第１電極１１１に対応する部分にも備わるならば、前記第１電極１１１と前記第１ゲート電極１２１との間に寄生キャパシタンスが発生することもあるためである。従って、前記第１ゲート電極１２１は、前記第１電極１１１及び同一平面で、前記第１電極１１１を取り囲んでいる前記第２電極１１２間に対応する部分にだけ備わるように、すなわち前記第１ゲート電極１２１の真ん中部分が中空のドーナッツ状に備わるようにするのが望ましい。
【００６２】
図４は、本発明の望ましい第２実施形態によるＴＦＴを概略的に図示する平面図であり、図５は、図４のＶ−Ｖ線に沿って切り取った断面図である。
【００６３】
前記図面を参照すれば、本実施形態によるＴＦＴと前述した第１実施形態によるＴＦＴとの差異点は、本実施形態によるＴＦＴの場合、第１ゲート電極２２１及び第２ゲート電極２２２が、第１電極２１１ないし第４電極２１４及び半導体層２０５の上部に備わっているスタッガード型ＴＦＴであるということである。図４及び図５に図示されたように、本発明は、ＴＦＴのソース電極及びドレーン電極のうち、１つの電極が他電極を同一平面で取り囲む構造を形成し、１つのＴＦＴのソース電極及びドレーン電極を他の１つのＴＦＴのソース電極及びドレーン電極が取り囲む構造を形成しているならば、いかなる構造のＴＦＴにも適用可能である。
【００６４】
図６は、本発明の望ましい第３実施形態によるＥＬディスプレイ装置の副画素部の回路を概略的に図示する回路図であり、図７は、前記実施形態によるＥＬディスプレイ装置の副画素部を概略的に図示する平面図であり、図８は、図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿って切り取った断面図である。
【００６５】
前記図面を参照すれば、基板３０１上に第１電極３１１が備わり、前記第１電極３１１を同一平面で取り囲む第２電極３１２が備わり、前記第２電極３１２を同一平面で取り囲む第３電極３１３と、前記第３電極３１３を同一平面で取り囲む第４電極３１４とが備わる。そして、前記第１電極３１１ないし前記第４電極３１４と絶縁され、前記第１電極３１１及び前記第２電極３１２間の領域に対応する第１ゲート電極３２１が備わり、前記第１電極３１１ないし前記第４電極３１４と絶縁され、前記第３電極３１３及び前記第４電極３１４間の領域に対応する第２ゲート電極３２２が備わる。そして、前記第１ゲート電極３２１及び前記第２ゲート電極３２２と絶縁され、前記第１電極３１１ないし前記第４電極３１４に接する半導体層３０５が備わる。前記半導体層１０５は、前述のように有機半導体層になりうる。
【００６６】
このとき、前記第１ゲート電極３２１及び前記第２ゲート電極３２２は、同一平面に備わり、特に前記第２ゲート電極３２２は、前記第１ゲート電極３２１を一部分が開放されるように取り囲み、前記第１ゲート電極３２１には、前記第２ゲート電極３２２の開口部を介して外部に突出される突出部３２１ａが備わることが可能である。前記のような突出部３２１ａを備えることにより、第２ゲート電極３２２が取り囲んでいる前記第１ゲート電極３２１に外部の素子をたやすく連結できる。これについては後述する。
【００６７】
前記第１電極３１１ないし前記第４電極３１４は、ＴＦＴのソース電極及びドレーン電極になり、前記図面は、２つのＴＦＴを図示する図面である。すなわち、第１電極３１１、第２電極３１２及び第１ゲート電極３２１が１つのＴＦＴになり、第３電極３１３、第４電極３１４及び第２ゲート電極３２２が他の１つのＴＦＴになり、それぞれのＴＦＴにおいて、ソース電極及びドレーン電極のうち、いずれか１つの電極が他の電極を取り囲んでいる構造を形成すると共に、１つのＴＦＴのソース電極及びドレーン電極を他の１つのＴＦＴのソース電極及びドレーン電極が取り囲んでいる構造である。このとき、前記第１電極３１１及び前記第２電極３１２のうち、いずれか１つの電極がソース電極ならば、他電極は、ドレーン電極になる。本実施形態において、いかなる電極がソース電極になり、いかなる電極がドレーン電極になるかは後述する。
【００６８】
そして、前記第１電極３１１ないし前記第４電極３１４のうち、いずれか１つの電極に連結された画素電極３４１を備えるディスプレイ素子が備わるが、特に本実施形態では、前記画素電極３４１が前記第１電極３１１に連結されている。図６ないし図８に図示されたように、本実施形態では、前記ディスプレイ素子がＥＬ素子３４０である場合である。前記ＥＬ素子３４０の構造と作動原理は後述する。
【００６９】
一方、図７に図示されたところによれば、前記画素電極３４１が前記第１電極３１１ないし前記第４電極３１４の上部ではないところに備わり、前記基板３０１側に光が出射される、いわゆる背面発光型ＦＰＤに該当する構造を形成している。しかし、前記画素電極３４１は、前記第１電極３１１ないし前記第４電極３１４の上部にも備わり、背面発光型、前面発光型、及び両面発光型など、いかなる形態のＦＰＤにもなりうる。図８は、前記画素電極３４１が前記第１電極３１１ないし前記第４電極３１４の上部にも備わった場合についての断面図である。これは、後述する実施形態においても同一である。
【００７０】
このとき、前記ＦＰＤには、第１キャパシタ電極３３１及び第２キャパシタ電極３３２で構成されたストレージキャパシタ３３０が備わるが、前記第１ゲート電極３２１及び第３電極３１３には、前記第１キャパシタ電極３３１が、前記第２電極３１２には、第２キャパシタ電極３３２が連結されている。それらの連結構造及び方法は後述する。
【００７１】
そして、前記図面に図示されているＦＰＤに備わったＴＦＴは、インバーティッドコプラナー型ＴＦＴ、すなわち前記第１電極３１１ないし前記第４電極３１４及び前記半導体層３０５が前記第１ゲート電極３２１及び前記第２ゲート電極３２２の上部に備わり、特に前記半導体層３０５が前記第１電極３１１ないし前記第４電極３１４上部に備わったＴＦＴである場合である。また、前記第１ゲート電極３２１、前記第２ゲート電極３２２及び前記第１キャパシタ電極３３１を覆うようにゲート絶縁膜（３０３）が備わっており、前記第１電極３１１ないし前記第４電極３１４及び前記半導体層３０５を覆うように保護膜３０７が備わっており、前記第２キャパシタ電極３３２は、前記保護膜３０７の上部に備わっている。
【００７２】
前記のような構造において、前記第２ゲート電極３２２は、前記第１ゲート電極３２１を一部分が開放されるように取り囲み、前記第１ゲート電極３２１には、前記第２ゲート電極３２２の開口部を介して外部に突出される突出部３２１ａが備わっている。前記のような突出部３２１ａを備えることにより、第２ゲート電極３２２が取り囲んでいる前記第１ゲート電極３２１に外部の素子をたやすく連結でき、特に本実施形態では、前記突出部３２１ａが前記第１キャパシタ電極３３１と連結されている。この場合、前記第１ゲート電極３２１、前記突出部３２１ａ及び前記第１キャパシタ電極３３１は、一体に備わりうる。
【００７３】
一方、前述のように、前記第３電極３１３と前記第１キャパシタ電極３３１とが連結されるが、前記ゲート絶縁膜３０３に備わったコンタクトホール３０３ａを介して連結される。
【００７４】
そして、前記第２キャパシタ電極３３２は、前記保護膜３０７の上部に備わり、前記保護膜３０７に備わったコンタクトホール３０７ｂを介して前記第２電極３１２と連結される。また、保護膜３０７に備わったさらに他のコンタクトホール３０７ａを介して前記第１電極３１１と連結される画素電極３４１も、前記保護膜３０７の上部に備わり、この場合、前記画素電極３４１と前記第２キャパシタ電極３３２とは、同一材料で同時に備わりうる。
【００７５】
一方、前記第２ゲート電極３２２は、第１導線３５０と連結されるが、一体に備わり、前記第４電極３１４は、第２導線３６０と連結されるが、やはり一体に備わりうる。そして、同様に前記第２キャパシタ電極３３２は、第３導線３７０と連結されるが、やはり一体に備わりうる。
【００７６】
前記のような構造において、図６ないし図８を参照し、各構造の相互関係を有機的に説明する。
【００７７】
前記第１電極３１１、前記第２電極３１２及び前記第１ゲート電極３２１は、１つのＴＦＴを形成し、前記第３電極３１３、前記第４電極３１４及び前記第２ゲート電極３２２は、他の１つのＴＦＴを形成するが、本実施形態によるＦＰＤは、前者のドライビングトランジスタがスイッチングトランジスタであり、後者のＴＦＴがスイッチングトランジスタである場合である。本実施形態及び後述する実施形態によるＦＰＤは、前述のように、２つのＴＦＴ及び１つのストレージキャパシタを備えたＦＰＤである場合や、それ以外の構成要素を備えたＦＰＤにも適用可能であることは言うまでもなく、これは、後述する実施形態においても同一である。
【００７８】
前記スイッチングトランジスタの連結構造について述べれば、第２ゲート電極３２２は、前記第１導線３５０により駆動回路に連結され、前記第４電極３１４は、第２導線２２０によって駆動回路に連結され、第３電極３１３は、ゲート絶縁膜３０３に備わったコンタクトホール３０３ａを介してドライビングトランジスタのゲート電極、すなわち第１ゲート電極３２１と第１キャパシタ電極３３１とに連結される。前記のような構造において、前記第４電極３１４が前記スイッチングトランジスタのソース電極になり、前記第３電極３１３が前記スイッチングトランジスタのドレーン電極になる。また、前記第１導線３５０がスキャンラインになり、前記第２導線３６０がデータラインになる。
【００７９】
一方、前記ドライビングトランジスタの連結構造について述べれば、前記ストレージキャパシタ３３０の第２キャパシタ電極３３２及び前記第２電極３１２は、前記第３導線３７０に連結され、前記第１電極３１１は、ＥＬ素子３４０の画素電極３４１に連結される。前記のような構造において、前記第２電極３１２は、前記ドライビングトランジスタのソース電極になり、前記第１電極３１１は、前記ドライビングトランジスタのドレーン電極になり、前記第３導線３７０が電力供給ラインになる。
【００８０】
前記のような能動駆動型ＥＬディスプレイ装置の作動原理を簡略に述べれば、次の通りである。
【００８１】
駆動回路によって、前記スイッチングトランジスタのゲート電極、すなわち前記第２ゲート電極３２２に電圧が印加されれば、前記第４電極３１４、すなわちスイッチングトランジスタのソース電極と、前記第３電極３１３、すなわちスイッチングトランジスタのドレーン電極とを連結する前記半導体層３０５に導電チャンネルが形成されるが、このとき、前記第２導線３６０により、前記ＥＬ素子３４０から発生する光量を決定するデータを有した電荷が前記第４電極３１４に供給されれば、前記電荷が前記第３電極３１３に移動する。そして、前記電荷は、前記第３電極３１３を経て第１キャパシタ電極３３１に蓄積され、さらに第３導線３７０を介して供給され所定の電荷が第２キャパシタ電極３３２に蓄積され、前記第１キャパシタ電極３３１と前記第２キャパシタ電極３３２との両端に、ＥＬ素子３４０から発生する光量を決定するデータを有した電圧が形成される。そして、前記電圧が前記ドライビングトランジスタのゲート電極、すなわち第１ゲート電極３２１と、前記ドライビングトランジスタのソース電極、すなわち前記第３電極３１３との間の電圧になり、前記第３導線３７０を介して前記第３電極３１３に供給された電荷のうち、前記ドライビングトランジスタのドレーン電極、すなわち前記第１電極３１１を経て前記ＥＬ素子３４０の前記画素電極３４１に移動する電荷量、すなわち前記ＥＬ素子３４０から発生する光量を決定する電荷量を調節する。
【００８２】
前述のような構造のＦＰＤにおいては、各副画素別にドライビングトランジスタ及びスイッチングトランジスタなどの複数個のＴＦＴが使われるが、前記のようなＴＦＴにおいてクロストークが発生すれば、ＥＬ素子３４０での光量調節が正しく行われず、その結果、正しい像を表現できなくなる。従って、前述したような、ソース電極及びドレーン電極のうち、１つの電極が他電極を同一平面で取り囲む構造のＴＦＴを使用すれば、半導体層をパターニングせずとも、それと同じようなクロストークを防止することにより、さらに鮮明、かつ正確な像を表すことができる。
【００８３】
またこの場合、それぞれのＴＦＴにおいて、ソース電極及びドレーン電極のうち、いずれか１つの電極が他の電極を取り囲んでいる構造を形成すると共に、１つのＴＦＴのソース電極及びドレーン電極を他の１つのＴＦＴのソース電極及びドレーン電極が取り囲む構造を形成することにより、前記ＴＦＴが占める面積をかなり縮められる。これにより、前記基板３０１方向に光が出射される背面発光型の場合には、さらに高い開口率を有するＦＰＤの製造が可能である。もちろん、前記基板３０１の反対方向に光が出射される、いわゆる前面発光型、または双方向に光が出射される両面発光型ディスプレイ装置においても、前記のような構造のＴＦＴを利用でき、これにより、さらに高解像度のディスプレイ装置の製造が可能である。
【００８４】
前記のような構造のＴＦＴ、及びこれに連結されたディスプレイ素子を備えたＦＰＤにおいて、前記ディスプレイ素子は、前記のような構造のＴＦＴに連結されて駆動されるものであるならば、いかなるディスプレイ素子でも可能であり、例えばＥＬ素子または液晶素子などを挙げることができる。前述のように、本実施形態によるＦＰＤは、ディスプレイ素子としてＥＬ素子３４０が備わった場合についてのものであり、前記ＥＬ素子３４０の構造を簡略に説明するならば次の通りである。
【００８５】
ＥＬディスプレイ装置は、発光層での発光色相によって多様な画素パターンを備えるが、例えば赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）及び青色（Ｂ）の画素を備える。前記Ｒ、Ｇ及びＢで形成される各副画素は、自発光素子であるＥＬ素子及び前記ＥＬ素子に連結される少なくとも一つ以上のＴＦＴを備えるが、前記ＴＦＴは、前述のように、ソース電極及びドレーン電極のうち、１つの電極が他電極を同一平面で取り囲む構造のＴＦＴになり、その場合、前述したような構造で前記ＥＬ素子に連結される。
【００８６】
前記ＥＬ素子は、電流駆動方式の発光素子であり、前記素子を構成する量電極間の電流フローにより、Ｒ、ＧまたはＢの光を発光して所定の画像を具現する。前記ＥＬ素子の構成を簡略に説明すれば、前記ＥＬ素子は、前述のように、前記第１電極３１１に連結された画素電極３４１と、全体画素を覆うようにまたは各画素に対応するように備わった対向電極３４２と、それら画素電極３４１と対向電極３４２との間に配置される少なくとも発光層を含む中間層３４３と、から構成される。本発明は、必ずしも前記のような構造に限定されるものではなく、多様なＥＬディスプレイ装置の構造がそのまま適用可能であることは言うもでもない。
【００８７】
前記画素電極３４１は、アノード電極の機能を行い、前記対向電極３４２は、カソード電極の機能を行うが、もちろん、それら画素電極３４１及び対向電極３４２の極性は、反対でもよい。
【００８８】
前記画素電極３４１は、透明電極または反射型電極で備わりうるが、透明電極として使われるときには、ＩＴＯ（インジウムと錫の酸化物）、ＩＺＯ（インジウムと亜鉛の酸化物）、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３で備わりうる。反射型電極として使われるときには、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒまたはそれらの化合物で反射膜を形成した後、その上にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３で備わりうる。
【００８９】
前記対向電極３４２も透明電極または反射型電極で備わりうるが、透明電極として使われるときにはＬｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇまたはそれらの化合物が前記中間層に向かうように蒸着した後、その上にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ２Ｏ３などの透明電極形成用物質で補助電極層又はバス電極ラインが備わることが可能である。そして、反射型電極として使われるときには、前記Ｌｉ、Ｃａ、ＬｉＦ／Ｃａ、ＬｉＦ／Ａｌ、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｇまたはそれらの化合物を全面蒸着して形成する。しかし、必ずしもこれに限定されるものではなく、画素電極及び対向電極として伝導性ポリマーなどの有機物の使用も可能である。
【００９０】
一方、前記中間層３４３が無機膜で形成されているか有機膜で形成されているかにより、無機ＥＬ素子と有機ＥＬ素子とに分けられる。後者の場合、有機膜として備わった中間層としては、低分子有機膜または高分子有機膜で備わりうる。
【００９１】
低分子有機膜を使用する場合、前記中間層は、ホール注入層（ＨＩＬ：Ｈｏｌｅ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）、ホール輸送層（ＨＴＬ：Ｈｏｌｅ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ）、発光層（ＥＭＬ：ＥＭｉｓｓｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）、電子輸送層（ＥＴＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔ Ｌａｙｅｒ）及び電子注入層（ＥＩＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ Ｌａｙｅｒ）などが単一あるいは複合の構造で積層されて形成され、使用可能な有機材料も、銅フタロシアニン、Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＢ）、トリス−８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）などを始めとして、多様に適用可能である。このような低分子有機膜は、真空中で有機物を加熱して蒸着する方式で形成可能である。もちろん、前記中間層の構造は、必ずしも前記に限定されるものではなく、必要によって、多様な層として構成できる。
【００９２】
高分子有機膜を使用する場合には、前記中間層は、大体ホール輸送層及び発光層で備わりうる。前記高分子ホール輸送層は、ポリエチレンジヒドロキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）やポリアニリン（ＰＡＮＩ）などを使用し、インクジェットプリンティング法やスピンコーティング法により形成可能である。前記高分子有機発光層は、ポリフェニレンビニレン（ＰＰＶ）、溶解性ＰＰＶ、Ｃｙａｎｏ−ＰＰＶ、ポリフルオレンなどで備わり、インクジェットプリンティング、スピンコーティング、またはレーザを利用した熱転写方式などの通常の方法でカラーパターンを形成できる。もちろん、かかる高分子有機層の場合にも、前記中間層の構造は、必ずしも前記に限定されるものではなく、必要によって多様な層で構成可能である。
【００９３】
無機ＥＬ素子の場合には、前記中間層は、無機膜で備わり、これは、発光層及び前記発光層と電極との間に介在された絶縁層で備わりうる。もちろん、前記中間層の構造は、必ずしも前記に限定されるものではなく、必要によって多様な層から構成可能である。
【００９４】
前記発光層は、ＺｎＳ、ＳｒＳ、ＣａＳのような金属硫化物、またはＣａＧａ２Ｓ４、ＳｒＧａ２Ｓ４のようなアルカリ土類カルシウム硫化物、及びＭｎ、Ｃｅ、Ｔｂ、Ｅｕ、Ｔｍ、Ｅｒ、Ｐｒ、Ｐｂなどを含む遷移金属、またはアルカリ稀土類金属のような発光中心原子で備わりうる。
【００９５】
前述のような構造からなるＥＬディスプレイ装置は、前記ＥＬ素子の画素電極３４１に、前述のように、ソース電極及びドレーン電極のうち、１つの電極が他電極を同一平面で取り囲む構造のＴＦＴのドレーン電極が連結され、前記画素電極に流入する電流のフローを制御することにより、各画素の発光いかんを制御する。
【００９６】
本実施形態によるＦＰＤは、ディスプレイ素子として、前記のような構造のＥＬ素子が備わったＦＰＤについてのものである。しかし、これ以外にも、前述のような構造のＴＦＴに連結されるディスプレイ素子ならば、いかなる素子の場合にも、本発明が適用可能であることはもちろんであり、後述する実施形態においても、それは同一である。説明の便宜のために、以下の実施形態においては、ＴＦＴに連結されたディスプレイ素子として、ＥＬ素子が備わった場合について説明する。
【００９７】
また、前述のＴＦＴは、ゲート電極の上部に、前記ゲート電極を覆うようにゲート絶縁膜が備わり、前記ゲート絶縁膜上にソース電極及びドレーン電極が備わり、前記ソース電極及び前記ドレーン電極上部に、前記ソース電極及び前記ドレーン電極を覆うように半導体層が備わる、いわゆるインバーティッドコプラナー型ＴＦＴである。しかし、これ以外にも、インバーディッドスタッガード型などの多様な形態のＴＦＴにも、本発明が適用可能であることはもちろんであり、後述する実施形態においても、それは同一である。
【００９８】
図９は、本発明の望ましい第４実施形態によるＥＬディスプレイ装置を概略的に図示する断面図である。
【００９９】
本実施形態によるＥＬディスプレイ装置と、前述した第３実施形態によるＥＬディスプレイ装置との差異点は、ストレージキャパシタ４３０の第２キャパシタ電極４３２が備わった位置が異なるという点である。
【０１００】
前述した第３実施形態によるＥＬディスプレイ装置での第１キャパシタ電極３３２は、保護膜３０７の上部に備わり、その場合もやはり前記保護膜４０７の上部に備わる画素電極４４１と同一材料で同時に備わることが可能であった。しかし、ディスプレイ装置において、前記ストレージキャパシタ３３０の静電容量が大きいほど好ましいために、そのためには、前記ストレージキャパシタ３３０をなす前記第１キャパシタ電極３３１及び前記第２キャパシタ電極３３２の面積を広くするか、前記第１キャパシタ電極３３１及び前記第２キャパシタ電極３３２間の距離を狭めなければならない。しかし、前者の場合、各副画素の面積における発光領域の面積が狭くなるという問題点がある。
【０１０１】
本実施形態によるＥＬディスプレイ装置においては、前記第２キャパシタ電極４３２を保護膜４０７の上部ではない半導体層４０５の上部に備えることにより、前記ストレージキャパシタ４３０の電極４３１，４３２間の距離を狭め、それにより前記ストレージキャパシタ４３０の静電容量が増やせる。
【０１０２】
図１０は、本発明の望ましい第５実施形態によるＥＬディスプレイ装置の副画素部を概略的に図示する平面図であり、図１１は、図１０のＸＩ−ＸＩ線に沿って切り取った断面図である。
【０１０３】
本実施形態によるＥＬディスプレイ装置と、前述の第３実施形態及び第４実施形態によるＥＬディスプレイ装置との差異点は、第３電極５１３及び第４電極５１４の構造、第２電極５１２と第２キャパシタ電極５３２との連結構造、そして前記第２キャパシタ電極５３２が備わる位置などが異なるという点である。
【０１０４】
すなわち、前述の第３実施形態及び第４実施形態によるＥＬディスプレイ装置においては、第３電極３１３，４１３と第２キャパシタ電極３３２，４３２とを連結するにあたり、前記第２キャパシタ電極３３２，４３２が、前記第３電極３１３，４１３が備わる平面の上部に備わり、前記第３電極３１３，４１３上にコンタクトホール３０７ｂ（第４実施形態では、図示せず）が備わり、前記コンタクトホール３０７ｂを介して前記第３電極３１３，４１３と第２キャパシタ電極３３２，４３２とが連結されている。
【０１０５】
本実施形態の他のＥＬディスプレイ装置においては、図１０及び図１１を参照すれば、第３電極５１３は、第２電極５１２を同一平面で一部分が開放されるように取り囲み、第４電極５１４は、前記第３電極５１３を同一平面で一部分が開放されるように取り囲み、前記第２電極５１２には、前記第３電極５１３の開口部と前記第４電極５１４の開口部とを介して外部に突出している突出部５１２ａが備わり、前記突出部５１２ａが第２キャパシタ電極５３２に連結されている。
【０１０６】
従って、第１電極５１１ないし前記第４電極５１４は、ゲート絶縁膜５０３上に備わり、半導体層５０５は、前記第１電極５１１ないし前記第４電極５１４を覆うように備わり、前記第２キャパシタ電極５３２は、前記ゲート絶縁膜５０３上に備わる。この場合、前記第２電極５１２、前記第２電極５１２に備わった突出部５１２ａ及び前記第２キャパシタ電極５３２は一体に備わりうる。
【０１０７】
前記のような構造を形成することにより、前述の実施形態によるＥＬディスプレイ装置に備わるコンタクトホールの個数よりも少ない個数のコンタクトホールを使用してＥＬディスプレイ装置を製造でき、それによりＥＬディスプレイ装置の製造において、不良率を下げることができる。また前記のような構造を形成することにより、ストレージキャパシタ５３０の電極間の間隔を狭め、前記ストレージキャパシタ５３０の静電容量を増加させることができる。
【０１０８】
このとき、前述のような構造のＴＦＴを備えても、１つの電極が他電極を同一平面で完全に取り囲む構造のＴＦＴを備えた場合と同一に、漏れ電流などによる隣接したＴＦＴ間のクロストークなどを防止できる。かかる構造のＴＦＴを備えることにより、前記ＴＦＴが占める面積をかなり縮められる。それにより、前述のように背面発光型の場合には、さらに高い開口率を有するＦＰＤの製造が可能であり、前面発光型または両面発光型ディスプレイ装置においても、前記のような構造のＴＦＴを利用することにより、さらに高解像度のディスプレイ装置の製造が可能である。
【０１０９】
図１２は、本発明の望ましい第６実施形態によるＥＬディスプレイ装置の副画素部を概略的に図示する平面図である。
【０１１０】
本実施形態によるＥＬディスプレイ装置と、前述の第５実施形態によるＥＬディスプレイ装置との差異点は、第３電極６１３と第１キャパシタ電極６３１との連結構造である。
【０１１１】
前述の第５実施形態によるＥＬディスプレイ装置と、本実施形態によるＥＬディスプレイ装置とにおいて、第１ゲート電極５２１，６２１と第１キャパシタ電極５３１，６３１との連結構造は同一である。すなわち、前記第１ゲート電極５２１，６２１を第２ゲート電極５２２，６２２が同一平面で一部分が開放されるように取り囲み、前記第１ゲート電極５２１，６２１には、前記第２ゲート電極５２２，６２２の開口部を介して外部に突出される突出部５２１ａ，６２１ａが備わり、前記突出部５２１ａ，６２１ａと第１キャパシタ電極５３１，６３１とが連結されている。このとき、前記第１ゲート電極５２１，６２１、前記突出部５２１ａ，６２１ａ及び前記第１キャパシタ電極５３１，６３１は、一体に形成可能である。
【０１１２】
このとき、前述の第５実施形態によるＥＬディスプレイ装置においては、前記第１ゲート電極５２１に備わった突出部５２１ａの上にコンタクトホール５０３ａが備わり、前記コンタクトホール５０３ａを介して第３電極５１３が前記第１ゲート電極５２１及び前記第１キャパシタ電極５３１に連結されている。
【０１１３】
しかし、本実施形態によるＥＬディスプレイ装置においては、前記第４電極６１４が前記第３電極６１３を同一平面で一部分が開放されるように覆っているので、前記第３電極６１３にも、前記第４電極６１４の開口部を介して外部に突出しているさらに他の突出部６１３ａを備え、前記突出部６１３ａを前記第１キャパシタ電極６３１上に備わったコンタクトホール６０３ａを介して前記第１キャパシタ電極６３１に連結させ、前記第３電極６１３と、前記第１キャパシタ電極６３１及び前記第１キャパシタ電極６３１と一体に備わった前記第１ゲート電極６２１と、を連結している。
【０１１４】
前記のような構造により、前記第３電極６１３と、前記第１キャパシタ電極６３１及び前記第１キャパシタ電極６３１と一体に備わった前記第１ゲート電極６２１と、をさらに確実に連結可能となる。
【０１１５】
図１３は、本発明の望ましい第７実施形態によるＥＬディスプレイ装置の副画素部を概略的に図示する平面図であり、図１４は、図１３のＸＩＶ−ＸＩＶ線に沿って切り取った断面図である。
【０１１６】
本実施形態によるＥＬディスプレイ装置においては、前述の実施形態に他のＥＬディスプレイ装置と同一に、第１電極７１１、第２電極７１２及び第１ゲート電極７２１がドライビングトランジスタになり、第３電極７１３、第４電極７１４及び第２ゲート電極７２２がスイッチングトランジスタとなる。また、前記ドライビングトランジスタにおいて、前記第２電極７１２が前記ドライビングトランジスタのソース電極になって第２キャパシタ電極７３２と連結され、前記第１電極７１１が前記ドライビングトランジスタのドレーン電極になってＥＬ素子の画素電極７４１に連結される。
【０１１７】
ところで、前述の実施形態によるＥＬ素子のスイッチングトランジスタにおいては、外部の電極が前記スイッチングトランジスタのソース電極になり、内部の電極が前記スイッチングトランジスタのドレーン電極になったが、本実施形態によるＥＬディスプレイ装置のスイッチングトランジスタは、それとは異なる。すなわち、第３電極７１３が前記スイッチングトランジスタのソース電極になって第２導線７６０に連結されており、第４電極７１４が前記スイッチングトランジスタのドレーン電極になって第１キャパシタ電極７３１に連結されている。
【０１１８】
このとき、前記第３電極７１３上にコンタクトホール７０７ｃが備わって前記第２導線７６０に連結される。そして、前記第４電極７１４には、第１キャパシタ電極７３１側に突出している突出部７１４ａが備わり、前記突出部７１４ａが前記第１キャパシタ電極７３１上に備わった他のコンタクトホール７０３ａを介して前記第１キャパシタ電極７３１に連結されることにより、前記第４電極７１４と前記第１キャパシタ電極７３１とが連結される。
【０１１９】
一方、図１４を参照すれば、前記第２導線７６０、前記画素電極７４１及び前記第２キャパシタ電極７３２は、いずれも保護膜７０７上に備わるが、同一材料で同時に形成可能であることは言うもでもない。
【０１２０】
前記のような構造を形成させることにより、第３電極７１３がスイッチングトランジスタのソース電極になり、第４電極７１４がスイッチングトランジスタのドレーン電極になることが可能である。
【０１２１】
図１５は、本発明の望ましい第８実施形態によるＥＬディスプレイ装置を概略的に図示する断面図である。
【０１２２】
前述のように、ＥＬディスプレイ装置に備わったストレージキャパシタの静電容量を増やすことが望ましいが、その方法のうちの一つは、前述のように、常にストレージキャパシタの電極間の間隔を狭めることである。図１５を参照すれば、本実施形態によるＥＬディスプレイ装置が前述の第７実施形態によるＥＬディスプレイ装置と異なる点は、第２キャパシタ電極８３２が保護膜８０７上ではない半導体層８０５上に備わっているということである。上記の通りに備えることにより、前記ストレージキャパシタ８３０の静電容量を増やすことができる。
【０１２３】
図１６は、本発明の望ましい第９実施形態によるＥＬディスプレイ装置の副画素部を概略的に図示する平面図であり、図１７は、図１６のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線に沿って切り取った断面図である。
【０１２４】
本実施形態によるＥＬディスプレイ装置は、前述の第７実施形態及び第８実施形態によるＥＬディスプレイ装置と同一に、スイッチングトランジスタのソース電極、すなわち第３電極９１３及びドレーン電極、すなわち第４電極９１４が、ドライビングトランジスタのソース電極、すなわち第２電極９１２及びドレーン電極、すなわち第１電極９１１を取り囲んでいる。そして、前記ドライビングトランジスタの前記ソース電極、すなわち第２電極９１２が前記ドライビングトランジスタの前記ドレーン電極、すなわち第１電極９１１を取り囲んでおり、前記スイッチングトランジスタの前記ドレーン電極、すなわち第４電極９１４が前記スイッチングトランジスタの前記ソース電極、すなわち第３電極９１３を取り囲んでいる。
【０１２５】
前記のような構造において、本実施形態によるＥＬディスプレイ装置が前述の第７実施形態及び第８実施形態によるＥＬディスプレイ装置と異なる点は、前記ドライビングトランジスタのソース電極、すなわち第２電極９１２と第２キャパシタ電極９３２とが連結されている構造である。
【０１２６】
前述の第７実施形態及び第８実施形態によるＥＬディスプレイ装置においては、第２キャパシタ電極７３２，８３２が保護膜７０７または半導体層８０５上に備わり、前記保護膜７０７または前記半導体層７０５，８０５に備わったコンタクトホール７０７ｂを介して前記第２電極７１２，８１２に連結されている。
【０１２７】
しかし、本実施形態によるＥＬディスプレイ装置においては、前記第３電極９１３が前記第２電極９１２を同一平面で一部分が開放されるように取り囲み、前記第４電極９１４が前記第３電極９１３を同一平面で一部分が開放されるように取り囲み、前記第２電極９１２には、前記第３電極９１３の開口部と前記第４電極９１４の開口部とを介して外部に突出している突出部９１２ａが備わり、前記突出部９１２ａが前記第２キャパシタ電極９３２に連結されることにより、前記第２電極９１２と前記第２キャパシタ電極９３２とが連結される。このとき、前記第２電極９１２、前記第２電極９１２に備わった突出部９１２ａ及び前記第２キャパシタ電極９３２は、同一平面、すなわちゲート絶縁膜９０３上に備わり、同一材料で同時に一体に形成可能であることは言うもでもない。
【０１２８】
前記のような構造を形成することにより、前述の第７実施形態及び第８実施形態によるＥＬディスプレイ装置に備わるコンタクトホールの個数よりも少ない個数のコンタクトホールを使用してＥＬディスプレイ装置を製造でき、それによりＥＬディスプレイ装置の製造において不良率を下げることができる。また、前記のような構造を形成することによってストレージキャパシタ９３０の電極間の間隔を狭め、前記ストレージキャパシタ９３０の静電容量を増やすことができる。
【０１２９】
図１８は、本発明の望ましい第１０実施形態によるＥＬディスプレイ装置の副画素部を概略的に図示する平面図であり、図１９は、図１８のＸＩＸ−ＸＩＸ線に沿って切り取った断面図である。
【０１３０】
前述の実施形態によるＥＬディスプレイ装置においては、第１電極にディスプレイ素子、すなわちＥＬ素子の画素電極が連結されていたが、本実施形態によるＥＬディスプレイ装置においては、第２電極１０１２にＥＬ素子の画素電極が連結されている。
【０１３１】
すなわち、本実施形態によるＥＬディスプレイ装置は、前述の実施形態によるＥＬディスプレイ装置と同一に、第１電極１０１１、第２電極１０１２及び第１ゲート電極１０２１がドライビングトランジスタになり、前記電極を取り囲んでいる第３電極１０１３、第４電極１０１４及び第２ゲート電極１０２２がスイッチングトランジスタとなる。そして、本実施形態によるＥＬディスプレイ装置は、前述の第３実施形態ないし第６実施形態によるＥＬディスプレイ装置と同一に、前記第４電極１０１４が前記スイッチングトランジスタのソース電極になり、前記第３電極１０１３が前記スイッチングトランジスタのドレーン電極になる。
【０１３２】
しかし、本実施形態によるＥＬディスプレイ装置は、前述の実施形態によるＥＬディスプレイ装置とは異なり、前記第１電極１０１１が前記ドライビングトランジスタのソース電極になり、前記第２電極１０１２が前記ドライビングトランジスタのドレーン電極になる。すなわち、前記第１電極１０１１は、ストレージキャパシタ１０３０の第２キャパシタ電極１０３２に連結され、前記第２電極１０１２がＥＬ素子の画素電極１０４１に連結される。
【０１３３】
前記のような構造を形成することにより、前記第２電極１０１３に前記画素電極１０４１が連結されている構造、すなわちドライビングトランジスタのドレーン電極がソース電極を取り囲んでいる構造のＥＬディスプレイ装置を製造できる。
【０１３４】
図２０は、本発明の望ましい第１１実施形態によるＥＬディスプレイ装置の副画素部を概略的に図示する平面図である。
【０１３５】
本実施形態によるＥＬディスプレイ装置と、前述の第１０実施形態によるＥＬディスプレイ装置との差異点は、第３電極１１１３と第１キャパシタ電極１１３１との連結構造、及び第１電極１１１１と第２キャパシタ電極１１３２との連結構造である。
【０１３６】
本実施形態によるＥＬディスプレイ装置においては、前述の第１０実施形態によるＥＬディスプレイ装置と同一に、第１ゲート電極１１２１と第２ゲート電極１１２２とは、同一平面に備わっており、前記第２ゲート電極１１２２は、前記第１ゲート電極１１２１を一部分が開放されるように取り囲み、前記第１ゲート電極１１２１には、前記第２ゲート電極１１２２の開口部を介して外部に突出される突出部１１２１ａが備わっている。前記のような突出部１１２１ａは、ストレージキャパシタ１１３０の第１キャパシタ電極１１３１に連結されている。もちろん、前記第１ゲート電極１１２１、前記第１ゲート電極１１２１に備わった突出部１１２１ａ及び前記第１キャパシタ電極１１３１は、同一材料で一体に備わりうることは言うもでもない。
【０１３７】
このとき、前述の第１０実施形態によるＥＬディスプレイ装置においては、第１ゲート電極１０２１に備わった突出部１０２１ａは、その上部のゲート絶縁膜１００３に備わったコンタクトホール１００３ａを介して第３電極１０１３、すなわちスイッチングトランジスタのドレーン電極に連結されている。これにより、前記第３電極１０１３と第１キャパシタ電極１０３１とを連結可能である。
【０１３８】
しかし、本実施形態によるＥＬディスプレイ装置においては、前記第３電極１１１３を第４電極１１１４が同一平面で一部分が開放されるように取り囲み、前記第３電極１１１３には、前記第４電極１１１４の開口部を介して外部に突出される突出部１１１３ａが備わり、前記突出部１１１３ａは、前記第１キャパシタ電極１１３１の上部にまで備わっており、前記突出部１１１３ａは、前記第１キャパシタ電極１１３１上のゲート絶縁膜１１０３に備わったコンタクトホール１１０３ａを介して前記第１キャパシタ電極１１３１に連結され、前記第３電極１１１３と前記第１キャパシタ電極１１３１とを連結する。
【０１３９】
一方、前述の第１０実施形態によるＥＬディスプレイ装置においては、第２キャパシタ電極１０３２が保護膜１００７の上部に備わり、前記保護膜１００７に備わったコンタクトホールを介して第１電極１０１１に連結されている。これにより、前記第１電極１０１１と前記第２キャパシタ電極１０３２とを連結可能とする。
【０１４０】
しかし、本実施形態によるＥＬディスプレイ装置においては、第２電極１１１２が前記第１電極１１１１を同一平面で一部分が開放されるように取り囲み、前記第３電極１１１３は、前記第２電極１１１２を一部分が開放されるように取り囲み、前記第４電極１１１４は、前記第３電極１１１３を一部分が開放されるように取り囲み、前記第１電極１１１１には、前記第２電極１１１２の開口部、前記第３電極１１１３の開口部及び前記第４電極１１１４の開口部を介して外部に突出している突出部１１１１ａが備わり、前記突出部１１１１ａは、前記第２キャパシタ電極１１３２に連結されている。
【０１４１】
このとき、前記第１電極１１１１、前記第１電極１１１１に備わった突出部１１１１ａ及び前記第２キャパシタ電極１１３２は、ゲート絶縁膜１１０３上に同一材料で同時に一体に備わりうる。この場合、前記第１キャパシタ電極１１３１と前記第２キャパシタ電極１１３２との間隔が狭まることにより、ストレージキャパシタ１１３０の静電容量をさらに増やせる。
【０１４２】
前記のような構造を形成し、前記第３電極１１１３と前記第１キャパシタ電極１１３１との連結をさらに確実にでき、前述の第１０実施形態によるＥＬディスプレイ装置でのコンタクトホールの個数よりもより少ない個数のコンタクトホールを使用してＥＬディスプレイ装置を製造でき、これによりＥＬディスプレイ装置の製造において不良率を下げることができる。また、前記のような構造を形成することにより、前記ストレージキャパシタ１１３０の電極間の間隔を狭め、前記ストレージキャパシタ１１３０の静電容量を増やすことができる。
【０１４３】
図２１は、本発明の望ましい第１２実施形態によるＥＬディスプレイ装置の副画素部を概略的に図示する平面図であり、図２２は、図２１のＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ線に沿って切り取った断面図である。
【０１４４】
本実施形態によるＥＬディスプレイ装置は、前述の第１０実施形態及び第１１実施形態によるＥＬディスプレイ装置と同一に、第２電極１２１２にＥＬ素子の画素電極１２４１が連結されている。
【０１４５】
すなわち、本実施形態によるＥＬディスプレイ装置は、前述の実施形態によるＥＬディスプレイ装置と同一に、第１電極１２１１、第２電極１２１２及び第１ゲート電極１２２１がドライビングトランジスタになり、前記電極を取り囲んでいる第３電極１２１３、第４電極１２１４及び第２ゲート電極１２２２がスイッチングトランジスタとなる。そして、前記第１電極１２１１が前記ドライビングトランジスタのソース電極になり、前記第２電極１２１２が前記ドライビングトランジスタのドレーン電極になる。すなわち、前記第１電極１２１１は、ストレージキャパシタ１２３０の第２キャパシタ電極１２３２に連結され、前記第２電極１２１２がＥＬ素子の画素電極１２４１に連結される。
【０１４６】
ところで、本実施形態によるＥＬディスプレイ装置は、前述の第１０実施形態及び第１１実施形態によるＥＬディスプレイ装置と異なり、前記第３電極１２１３が前記スイッチングトランジスタのソース電極になって第２導線１２６０に連結されており、第４電極１２１４が前記スイッチングトランジスタのドレーン電極になって第１キャパシタ電極１２３１に連結されている。
【０１４７】
このとき、前記第３電極１２１３上にコンタクトホール１２０７ｃが備わって前記第２導線１２６０に連結される。そして、前記第４電極１２１４には、前記第１キャパシタ電極１２３１側に突出している突出部１２１４ａが備わり、前記突出部１２１４ａが前記第１キャパシタ電極１２３１上に備わった他のコンタクトホール１２０３ａを介して前記第１キャパシタ電極１２３１に連結されることにより、前記第４電極１２１４と前記第１キャパシタ電極１２３１とが連結される。
【０１４８】
一方、図２２を参照すれば、前記第２導線１２６０、前記画素電極及び前記第２キャパシタ電極１２３２は、いずれも保護膜１２０７上に備わるが、同一材料で同時に形成可能であることは言うもでもない。
【０１４９】
前記のような構造を形成することにより、前記第２電極１２１３に前記画素電極１２４１が連結されている構造、すなわちドライビングトランジスタのドレーン電極がソース電極を取り囲んでいる構造を形成しつつも、前記第３電極１２１３が前記スイッチングトランジスタのソース電極になるＥＬディスプレイ装置を製造できる。
【０１５０】
図２３は、本発明の望ましい第１３実施形態によるＥＬディスプレイ装置の副画素部を概略的に図示する平面図である。
【０１５１】
本実施形態によるＥＬディスプレイ装置は、前述の第１２実施形態によるＥＬディスプレイ装置と同一に、スイッチングトランジスタのソース電極、すなわち第３電極１３１３及びドレーン電極、すなわち第４電極１３１４が、ドライビングトランジスタのソース電極、すなわち第１電極１３１１及びドレーン電極、すなわち第２電極１３１２を取り囲んでいる。そして、前記ドライビングトランジスタの前記ドレーン電極、すなわち第２電極１３１２が前記ドライビングトランジスタの前記ソース電極、すなわち第１電極１３１１を取り囲んでおり、前記スイッチングトランジスタの前記ドレーン電極、すなわち第４電極１３１４が前記スイッチングトランジスタの前記ソース電極、すなわち第３電極１３１３を取り囲んでいる。
【０１５２】
前記のような構造において、本実施形態によるＥＬディスプレイ装置が前述の第１２実施形態によるＥＬディスプレイ装置と異なる点は、前記ドライビングトランジスタのソース電極、すなわち第１電極１３１１と第２キャパシタ電極１３３２とが連結されている構造であるという点である。
【０１５３】
前述の第１２実施形態によるＥＬディスプレイ装置においては、第２キャパシタ電極１２３２が保護膜１２０７上に備わり、前記保護膜１２０７及び前記半導体層１２０５に備わったコンタクトホール１２０７ｂを介して前記第１電極１２１１に連結されている。
【０１５４】
しかし、本実施形態によるＥＬディスプレイ装置においては、前記第２電極１３１２が前記第１電極１３１１を同一平面で一部分が開放されるように取り囲み、前記第３電極１３１３が前記第２電極１３１２を同一平面で一部分が開放されるように取り囲み、前記第４電極１３１４が前記第３電極１３１３を同一平面で一部分が開放されるように取り囲み、前記第１電極１３１１には、前記第２電極１３１２の開口部と、前記第３電極１３１３の開口部と、前記第４電極１３１４の開口部とを介して外部に突出している突出部１３１１ａが備わり、前記突出部１３１１ａが前記第２キャパシタ電極１３３２に連結されることにより、前記第１電極１３１１と前記第２キャパシタ電極１３３２とが連結される。このとき、前記第１電極１３１１、前記第１電極１３１１に備わった突出部１３１１ａ及び前記第２キャパシタ電極１３３２は、同一平面、すなわちゲート絶縁膜１３０３上に備わり、同一材料で同時に一体に形成可能であることは言うもでもない。
【０１５５】
前記のような構造を形成することにより、前述の第１２実施形態によるＥＬディスプレイ装置に備わるコンタクトホールの個数よりも少ない個数のコンタクトホールを使用してＥＬディスプレイ装置を製造でき、これによりＥＬディスプレイ装置の製造において不良率を下げることができる。また、前記のような構造を形成することによってストレージキャパシタ１３３０の電極間の間隔を狭め、前記ストレージキャパシタ１３３０の静電容量を増やすことができる。
【０１５６】
図２４は、本発明の望ましい第１４実施形態によるＥＬディスプレイ装置の副画素部を概略的に図示する平面図であり、図２５は、図２４のＸＸＶ−ＸＸＶ線に沿って切り取った断面図である。
【０１５７】
前述の実施形態によるＥＬディスプレイ装置においては、第１電極及び第２電極のうち、いずれか１つの電極にディスプレイ素子、すなわちＥＬ素子の画素電極が連結されていたが、本実施形態によるＥＬディスプレイ装置においては、第３電極１４１３にＥＬ素子の画素電極が連結されている。
【０１５８】
すなわち、本実施形態によるＥＬディスプレイ装置は、前述の実施形態によるＥＬディスプレイ装置と異なり、第１電極１４１１、第２電極１４１２及び第１ゲート電極１４２１がスイッチングトランジスタになり、前記電極を取り囲んでいる第３電極１４１３、第４電極１４１４及び第２ゲート電極１４２２がドライビングトランジスタとなる。そして、本実施形態によるＥＬディスプレイ装置において、前記第２電極１４１２が前記スイッチングトランジスタのソース電極になり、前記第１電極１４１１が前記スイッチングトランジスタのドレーン電極になり、前記第４電極１４１４が前記ドライビングトランジスタのソース電極になり、前記第３電極１４１３が前記ドライビングトランジスタのドレーン電極になる。
【０１５９】
このとき、前記第２電極１４１２上にコンタクトホール１４０７ｄが備わって前記第２導線１４６０に連結される。そして、前記第２ゲート電極１４２２、すなわち前記ドライビングトランジスタのゲート電極に第１キャパシタ電極１４３１が連結され、前記第４電極１４１４、すなわち前記ドライビングトランジスタのソース電極に第２キャパシタ電極１４３２が連結される。このとき、前記第２ゲート電極１４２２と前記第１キャパシタ電極１４３１、前記第４電極１４１４と前記第２キャパシタ電極１４３２は、それぞれ一体に備わることが可能である。
【０１６０】
そして、前記第１電極１４１１、すなわち前記スイッチングトランジスタのドレーン電極は、前記第２ゲート電極１４２２、すなわちドライビングトランジスタのゲート電極及び前記第２ゲート電極１４２２と一体に備わった第１キャパシタ電極１４３１に連結されている。これは、前記第１電極１４１１上に備わったコンタクトホール１４０７ｂと、前記第２ゲート電極１４２２上に備わったコンタクトホール１４０７ｃと、前記第１電極１４１１ないし第４電極１４１４と、半導体層１４０５と、ストレージキャパシタ１４３０とを覆う保護膜１４０７の上部を通じるブリッジ形態の連結線１４６１を介してなされる。
【０１６１】
このとき、図２４及び図２５を参照すれば、前記第２導線１４６０、前記画素電極１４４１及び前記ブリッジ形態の連結線１４６１は、いずれも保護膜１４０７上に備わるが、同一材料で同時に形成可能であることは言うもでもない。
【０１６２】
前記のような構造を形成することにより、前記第３電極１４１３に前記画素電極１４４１が連結されている構造、すなわちドライビングトランジスタのソース電極及びドレーン電極がスイッチングトランジスタのソース電極及びドレーン電極を取り囲みつつ、前記スイッチングトランジスタのソース電極が前記スイッチングトランジスタのドレーン電極を取り囲んでいる構造のＥＬディスプレイ装置を製造できる。
【０１６３】
図２６は、本発明の望ましい第１５実施形態によるＥＬディスプレイ装置の副画素部を概略的に図示する平面図であり、図２７は、図２６のＸＸＶＩＩ−ＸＸＶＩＩ線に沿って切り取った断面図である。
【０１６４】
本実施形態によるＥＬディスプレイ装置が前述の第１４実施形態によるＥＬディスプレイ装置と異なる点は、第１電極１５１１と第２ゲート電極１５２２とを連結するという構造である。
【０１６５】
前述の第１４実施形態によるＥＬディスプレイ装置においても、本実施形態によるＥＬディスプレイ装置と同一に、第１電極１４１１、すなわちスイッチングトランジスタのドレーン電極は、第２ゲート電極１４２２、すなわちドライビングトランジスタのゲート電極及び前記第２ゲート電極１４２２と一体に備わった第１キャパシタ電極１４３１に連結されている。これは、前記第１電極１４１１上に備わったコンタクトホール１４０７ｂと、前記第２ゲート電極１４２２上に備わったコンタクトホール１４０７ｃと、前記第１電極１４１１ないし第４電極１４１４と、半導体層１４０５と、ストレージキャパシタ１４３０とを覆う保護膜の上部を通じるブリッジ形態の連結線１４６１を介してなされる。
【０１６６】
しかし、本実施形態によるＥＬディスプレイ装置においては、スイッチングトランジスタのドレーン電極の第１電極１５１１の下部に備わったドーナッツ状の第１ゲート電極１５２１の一部が開放されており、前記第１ゲート電極１５２１の前記開口部を介して前記第１電極１５１１の下部にまで延びている突出部１５２２ａが前記第２ゲート電極１５２２に備わっている。そして、前記第１電極１５１１の下部に備わったゲート絶縁膜１５０３には、コンタクトホール１５０３ａが備わり、前記第１電極１５１１と前記突出部１５２２ａとが連結されることにより、前記第１電極１５１１と前記第２ゲート電極１５２２とが連結される。
【０１６７】
前記のような構造を形成することにより、前述の実施形態によるＥＬディスプレイ装置に備わるコンタクトホールの個数よりも少ない個数のコンタクトホールを使用してＥＬディスプレイ装置を製造でき、これによりＥＬディスプレイ装置の製造において、不良率を下げることができる。
【０１６８】
図２８は、本発明の望ましい第１６実施形態によるＥＬディスプレイ装置の副画素部を概略的に図示する平面図であり、図２９は、図２８のＸＸＩＸ−ＸＸＩＸ線に沿って切り取った断面図である。
【０１６９】
本実施形態によるＥＬディスプレイ装置が前述の第１５実施形態及び第１６実施形態によるＥＬディスプレイ装置と異なる点は、第１電極１６１１と第２ゲート電極１６２２とを連結するという構造である。
【０１７０】
前述の第１４実施形態及び第１５実施形態によるＥＬディスプレイ装置においても、本実施形態によるＥＬディスプレイ装置と同一に、第１電極１４１１，１５１１、すなわちスイッチングトランジスタのドレーン電極は、第２ゲート電極１４２２，１５２２、すなわちドライビングトランジスタのゲート電極及び前記第２ゲート電極１４２２，１５２２と一体に備わった第１キャパシタ電極１４３１，１５３１に連結されている。
【０１７１】
前述の第１４実施形態によるＥＬディスプレイ装置においては、前記第１電極１４１１上に備わったコンタクトホール１４０７ｂと、前記第２ゲート電極１４２２上に備わったコンタクトホール１４０７ｃと、前記第１電極１４１１ないし第４電極１４１４と、半導体層１４０５と、ストレージキャパシタ１４３０とを覆う保護膜の上部を通じるブリッジ形態の連結線１４６１を介してなされる。
【０１７２】
そして、前述の第１５実施形態によるＥＬディスプレイ装置においては、スイッチングトランジスタのドレーン電極の第１電極１５１１の下部に備わったドーナッツ状の第１ゲート電極１５２１の一部が開放されており、前記第１ゲート電極１５２１の前記開口部を介して前記第１電極１５１１の下部にまで延びている突出部１５２２ａが前記第２ゲート電極１５２２に備わっている。そして、前記第１電極１５１１の下部に備わったゲート絶縁膜１５０３には、コンタクトホール１５０３ａが備わり、前記第１電極１５１１と前記突出部１５２２ａとが連結されることにより、前記第１電極１５１１と前記第２ゲート電極１５２２とが連結される。
【０１７３】
しかし、本実施形態によるＥＬディスプレイ装置においては、第２電極１６１２は、前記第１電極１６１１を同一平面で一部が開放されるように取り囲み、第３電極１６１３は、前記第２電極１６１２を同一平面で一部が開放されるように取り囲み、前記第１電極１６１１には、前記第２電極１６１２の開口部及び前記第３電極１６１３の開口部を介して突出している突出部１６１１ａが備わり、前記突出部１６１１ａは、前記第２ゲート電極１６２２に連結されることにより、前記第１電極１６１１と前記第２ゲート電極１６２２とを連結する。このとき、前記突出部１６１１ａと前記第２ゲート電極１６２２との連結は、前記第２ゲート電極１６２２上に備わったコンタクトホール１６０３ａを介してなされる。
【０１７４】
前記のような構造を形成することにより、前記第１電極１６１１と前記第２ゲート電極１６２２とをさらに確実に連結できる。
【０１７５】
図３０は、本発明の望ましい第１７実施形態によるＥＬディスプレイ装置の副画素部を概略的に図示する平面図である。
【０１７６】
本実施形態によるＥＬディスプレイ装置は、前述の第１４実施形態ないし第１６実施形態によるＥＬディスプレイ装置と同一に、第１電極１７１１、第２電極１７１２、及び第１ゲート電極１７２１がスイッチングトランジスタになり、前記電極を取り囲んでいる第３電極１７１３、第４電極１７１４、及び第２ゲート電極１７２２がドライビングトランジスタとなる。そして、前記第４電極１７１４が前記ドライビングトランジスタのソース電極になり、前記第３電極１７１３が前記ドライビングトランジスタのドレーン電極になる。しかし、本実施形態によるＥＬディスプレイ装置は、前述の第１４実施形態ないし第１６実施形態によるＥＬディスプレイ装置とは異なり、前記第１電極１７１１が前記スイッチングトランジスタのソース電極になり、前記第２電極１７１２が前記スイッチングトランジスタのドレーン電極になる。
【０１７７】
このとき、前記第１電極１７１１上にコンタクトホール１７０７ｄが備わって前記第２導線１７６０に連結される。そして、前記第２ゲート電極１７２２、すなわち前記ドライビングトランジスタのゲート電極に第１キャパシタ電極１７３１が連結され、前記第４電極１７１４、すなわち前記ドライビングトランジスタのソース電極に第２キャパシタ電極１７３２が連結される。このとき、前記第２ゲート電極１７２２と前記第１キャパシタ電極１７３１、前記第４電極１７１４と前記第２キャパシタ電極１７３２は、それぞれ一体に備わることが可能である。
【０１７８】
そして、前記第２電極１７１２、すなわち前記スイッチングトランジスタのドレーン電極は、前記第２ゲート電極１７２２、すなわちドライビングトランジスタのゲート電極及び前記第２ゲート電極１７２２と一体に備わった第１キャパシタ電極１７３１に連結されている。これは、前記第２電極１７１２上に備わったコンタクトホール１７０７ｂと、前記第２ゲート電極１７２２上に備わったコンタクトホール１７０７ｃと、前記第１電極１７１１ないし第４電極１７１４と、半導体層１７０５と、ストレージキャパシタ１７３０とを覆う保護膜の上部を通じるブリッジ形態の連結線１７６１を介してなされる。
【０１７９】
このとき、図３０を参照すれば、前記第２導線１７６０、前記画素電極１７４１及び前記ブリッジ形態の連結線１７６１は、いずれも保護膜１７０７上に備わるが、同一材料で同時に形成可能であることは言うもでもない。
【０１８０】
前記のような構造を形成することにより、前記第３電極１７１３に前記画素電極１７４１が連結されている構造、すなわちドライビングトランジスタのソース電極及びドレーン電極がスイッチングトランジスタのソース電極及びドレーン電極を取り囲んでおりつつ、前記スイッチングトランジスタのドレーン電極が前記スイッチングトランジスタのソース電極を取り囲んでいるという構造のＥＬディスプレイ装置を製造できる。
【０１８１】
図３１は、本発明の望ましい第１８実施形態によるＥＬディスプレイ装置の副画素部を概略的に図示する平面図である。
【０１８２】
本実施形態によるＥＬディスプレイ装置が前述の第１７実施形態によるＥＬディスプレイ装置と異なる点は、第２電極１８１２と第２ゲート電極１８２２とを連結するという構造である。
【０１８３】
前述の第１７実施形態によるＥＬディスプレイ装置においても、本実施形態によるＥＬディスプレイ装置と同一に、第２電極１７１２、すなわちスイッチングトランジスタのドレーン電極は、第２ゲート電極１７２２、すなわちドライビングトランジスタのゲート電極及び前記第２ゲート電極１７２２と一体に備わった第１キャパシタ電極１７３１に連結されている。これは、前記第２電極１７１２上に備わったコンタクトホール１７０７ｂと、前記第２ゲート電極１７２２上に備わったコンタクトホール１７０７ｃと、前記第１電極１７１１ないし第４電極１７１４と、半導体層１７０５と、ストレージキャパシタ１７３０とを覆う保護膜の上部を通じるブリッジ形態の連結線１７６１を介してなされる。
【０１８４】
しかし、本実施形態によるＥＬディスプレイ装置においては、スイッチングトランジスタのドレーン電極の第２電極１８１２の下部にまで延びている突出部１８２２ａが前記第２ゲート電極１８２２に備わっている。そして、前記第２電極１８１２の下部に備わったゲート絶縁膜１８０３には、コンタクトホール１８０３ａが備わり、前記第２電極１８１２と前記突出部１８２２ａとが連結されることにより、前記第２電極１８１２と前記第２ゲート電極１８２２とが連結される。
【０１８５】
前記のような構造を形成することにより、前述の実施形態によるＥＬディスプレイ装置に備わるコンタクトホールの個数よりも少ない個数のコンタクトホールを使用してＥＬディスプレイ装置を製造でき、これによりＥＬディスプレイ装置の製造において不良率を下げることができる。
【０１８６】
図３２は、本発明の望ましい第１９実施形態によるＥＬディスプレイ装置の副画素部を概略的に図示する平面図である。
【０１８７】
本実施形態によるＥＬディスプレイ装置が前述の第１７実施形態及び第１８実施形態によるＥＬディスプレイ装置と異なる点は、第２電極１９１２と第２ゲート電極１９２２とを連結するという構造である。
【０１８８】
前述の第１７実施形態及び第１８実施形態によるＥＬディスプレイ装置においても、本実施形態によるＥＬディスプレイ装置と同一に、第２電極１７１２，１８１２、すなわちスイッチングトランジスタのドレーン電極は、第２ゲート電極１７２２，１８２２、すなわちドライビングトランジスタのゲート電極及び前記第２ゲート電極１７２２，１８２２と一体に備わった第１キャパシタ電極１７３１，１８３１に連結されている。
【０１８９】
前述の第１７実施形態によるＥＬディスプレイ装置においては、前記第２電極１７１２上に備わったコンタクトホール１７０７ｂと、前記第２ゲート電極１７２２上に備わったコンタクトホール１７０７ｃと、前記第１電極１７１１ないし第４電極１７１４と、半導体層１７０５と、ストレージキャパシタ１７３０とを覆う保護膜の上部を通じるブリッジ形態の連結線１７６１を介してなされる。
【０１９０】
そして、前述の第１８実施形態によるＥＬディスプレイ装置においては、スイッチングトランジスタのドレーン電極の第２電極１８１２の下部にまで延びている突出部１８２２ａが前記第２ゲート電極１８２２に備わっている。そして、前記第２電極１８１２の下部に備わったゲート絶縁膜１８０３には、コンタクトホール１８０３ａが備わり、前記第２電極１８１２と前記突出部１８２２ａとが連結されることにより、前記第２電極１８１２と前記第２ゲート電極１８２２とが連結される。
【０１９１】
しかし、本実施形態によるＥＬディスプレイ装置においては、第３電極１９１３は、前記第２電極１９１２を同一平面で一部が開放されるように取り囲み、前記第２電極１９１２には、前記第３電極１９１３の開口部を介して突出している突出部１９１２ａが備わり、前記突出部１９１２ａは、前記第２ゲート電極１９２２に連結されることにより、前記第２電極１９１２と前記第２ゲート電極１９２２とを連結する。このとき、前記突出部１９１２ａと前記第２ゲート電極１９２２との連結は、前記第２ゲート電極１９２２上に備わったコンタクトホール１９０３ａを介してなされる。
【０１９２】
前記のような構造を形成することにより、前記第２電極１９１２と前記第２ゲート電極１９２２とをさらに確実に連結できる。
【０１９３】
本発明は、図面に図示された実施形態を参考に説明されたが、それは例示的なものにすぎず、当技術分野で当業者ならば、これから多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点が理解できるであろう。従って、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の技術的思想によって決まるものである。
【産業上の利用可能性】
【０１９４】
本発明のＴＦＴ及びこれを備えたＦＰＤは、例えば平板ディスプレイ技術分野に効果的に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１９５】
【図１】従来のインバーティッドコプラナー型ＴＦＴを概略的に図示する断面図である。
【図２】本発明の望ましい一実施形態によるＴＦＴを概略的に図示する平面図である。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿って切り取った断面図である。
【図４】本発明の望ましい他の一実施形態によるＴＦＴを概略的に図示する平面図である。
【図５】図４のＶ−Ｖ線に沿って切り取った断面図である。
【図６】本発明の望ましいさらに他の一実施形態によるＥＬディスプレイ装置の副画素部の回路を概略的に図示する回路図である。
【図７】前記実施形態によるＥＬディスプレイ装置の副画素部を概略的に図示する平面図である。
【図８】図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿って切り取った断面図である。
【図９】本発明の望ましいさらに他の一実施形態によるＥＬディスプレイ装置を概略的に図示する断面図である。
【図１０】本発明の望ましいさらに他の一実施形態によるＥＬディスプレイ装置の副画素部を概略的に図示する平面図である。
【図１１】図１０のＸＩ−ＸＩ線に沿って切り取った断面図である。
【図１２】本発明の望ましいさらに他の一実施形態によるＥＬディスプレイ装置の副画素部を概略的に図示する平面図である。
【図１３】本発明の望ましいさらに他の一実施形態によるＥＬディスプレイ装置の副画素部を概略的に図示する平面図である。
【図１４】図１３のＸＩＶ−ＸＩＶ線に沿って切り取った断面図である。
【図１５】本発明の望ましいさらに他の一実施形態によるＥＬディスプレイ装置を概略的に図示する断面図である。
【図１６】本発明の望ましいさらに他の一実施形態によるＥＬディスプレイ装置の副画素部を概略的に図示する平面図である。
【図１７】図１６のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線に沿って切り取った断面図である。
【図１８】本発明の望ましいさらに他の一実施形態によるＥＬディスプレイ装置の副画素部を概略的に図示する平面図である。
【図１９】図１８のＸＩＸ−ＸＩＸ線に沿って切り取った断面図である。
【図２０】本発明の望ましいさらに他の一実施形態によるＥＬディスプレイ装置の副画素部を概略的に図示する平面図である。
【図２１】本発明の望ましいさらに他の一実施形態によるＥＬディスプレイ装置の副画素部を概略的に図示する平面図である。
【図２２】図２１のＸＸＩＩ−ＸＸＩＩ線に沿って切り取った断面図である。
【図２３】本発明の望ましいさらに他の一実施形態によるＥＬディスプレイ装置の副画素部を概略的に図示する平面図である。
【図２４】本発明の望ましいさらに他の一実施形態によるＥＬディスプレイ装置の副画素部を概略的に図示する平面図である。
【図２５】図２４のＸＸＶ−ＸＸＶ線に沿って切り取った断面図である。
【図２６】本発明の望ましいさらに他の一実施形態によるＥＬディスプレイ装置の副画素部を概略的に図示する平面図である。
【図２７】図２６のＸＸＶＩＩ−ＸＸＶＩＩ線に沿って切り取った断面図である。
【図２８】本発明の望ましいさらに他の一実施形態によるＥＬディスプレイ装置の副画素部を概略的に図示する平面図である。
【図２９】図２８のＸＸＩＸ−ＸＸＩＸ線に沿って切り取った断面図である。
【図３０】本発明の望ましいさらに他の一実施形態によるＥＬディスプレイ装置の副画素部を概略的に図示する平面図である。
【図３１】本発明の望ましいさらに他の一実施形態によるＥＬディスプレイ装置の副画素部を概略的に図示する平面図である。
【図３２】本発明の望ましいさらに他の一実施形態によるＥＬディスプレイ装置の副画素部を概略的に図示する平面図である。
【符号の説明】
【０１９６】
１０１  基板
１１１  第１電極
１１２  第２電極
１１３  第３電極
１１４  第４電極
１２１  第１ゲート電極
１２１ａ  突出部
１２２  第２ゲート電極
【図１】
2006049833.tif 000003
【図２】
2006049833.tif 000004
【図３】
2006049833.tif 000005
【図４】
2006049833.tif 000006
【図５】
2006049833.tif 000007
【図６】
2006049833.tif 000008
【図７】
2006049833.tif 000009
【図８】
2006049833.tif 000010
【図９】
2006049833.tif 000011
【図１０】
2006049833.tif 000012
【図１１】
2006049833.tif 000013
【図１２】
2006049833.tif 000014
【図１３】
2006049833.tif 000015
【図１４】
2006049833.tif 000016
【図１５】
2006049833.tif 000017
【図１６】
2006049833.tif 000018
【図１７】
2006049833.tif 000019
【図１８】
2006049833.tif 000020
【図１９】
2006049833.tif 000021
【図２０】
2006049833.tif 000022
【図２１】
2006049833.tif 000023
【図２２】
2006049833.tif 000024
【図２３】
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【図２４】
2006049833.tif 000026
【図２５】
2006049833.tif 000027
【図２６】
2006049833.tif 000028
【図２７】
2006049833.tif 000029
【図２８】
2006049833.tif 000030
【図２９】
2006049833.tif 000031
【図３０】
2006049833.tif 000032
【図３１】
2006049833.tif 000033
【図３２】
2006049833.tif 000034