(57)【要約】  【課題】  基材を常圧近傍下の放電空間に配置して表面処理を行なう装置において、下側電極に形成された孔部に対応する部位でも他の部位と大きな差が無く均一に表面処理を行なう。  【解決手段】    上記放電空間を形成するための上側電極１と下側電極２を対向配置し、下側電極２に孔部２ａを形成する。この孔部２ａを通して昇降ピン３の上端の導電性のキャップ２ｂで基材８を支持する。昇降駆動手段５でキャップ２ｂを突出位置と下限位置との間で昇降させる。下限位置のときのキャップ２ｂの上面が、下側電極２の上面と面一に略連続して孔部２ａの上端開口を閉塞するようにする。  【選択図】  図３
2006049299.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材を常圧近傍下の放電空間に配置して表面処理を行なう装置であって、
上側電極と、
この上側電極と対向して前記放電空間を画成する上面に孔部が開口された下側電極と、
前記孔部を通して前記基材を昇降支持すべきキャップと、
このキャップを前記下側電極より上に突出させる突出位置と、下限位置との間で昇降させる昇降駆動手段と、を備え、
前記キャップの上面が、導電性材料にて構成され、前記下限位置のときは、下側電極の上面と面一に略連続して前記孔部の上端開口を閉塞することを特徴とする表面処理装置。
【請求項２】
前記孔部の内周面が、上に向かって拡径するテーパ凹面を含み、前記キャップの外周面が、上に向かって拡径するテーパ面を含んでいる請求項１に記載の表面処理装置。
【請求項３】
前記キャップのテーパ面の傾斜角が、前記孔部のテーパ凹面の傾斜角より微小角度だけ大きい請求項２に記載の表面処理装置。
【請求項４】
前記孔部に昇降可能に嵌め込まれた軸体を備え、
この軸体の上端部に前記キャップが設けられるとともに下端部がスライドガイドを介して前記昇降駆動手段に水平全方向へ微小スライド可能に連結されている請求項２又は３に記載の表面処理装置。
【請求項５】
前記孔部に上下摺動可能に嵌め込まれた軸体を備え、
この軸体の上端部に前記キャップが設けられるとともに下端部に前記昇降駆動手段が連ねられており、
前記軸体の外周面又は孔部の内周面には上下方向に延びる凹路が形成され、この凹路の下端部が、少なくとも前記下限位置において外部と連通している請求項１〜４の何れかに記載の表面処理装置。
【請求項６】
前記下限位置のときのキャップを前記昇降駆動手段に代わって支持する支持部を備え、
前記昇降駆動手段が、前記下限位置のときのキャップから切離されて更に下降駆動可能である請求項１〜５の何れかに記載の表面処理装置。
【請求項７】
基材を常圧近傍下の放電空間に配置して表面処理を行なう装置であって、
上側電極と、
この上側電極と対向して前記放電空間を画成するとともに孔部が貫通形成された下側電極と、
前記孔部を通して前記基材を昇降支持すべき軸体と、
前記軸体の昇降動作と干渉しないように退避した退避位置と、前記孔部に下から嵌め込まれた閉塞位置との間で移動可能なキャップと、を備え、
前記キャップの閉塞位置で上を向く面が、導電性材料にて構成され、前記閉塞位置のときは、下側電極の上面と面一に略連続して前記孔部の上端開口を閉塞することを特徴とする表面処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、常圧近傍下（大気圧近傍下）で基材を平行平板型の下側電極上に配置して表面改質等のプラズマ表面処理を行なう装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１４は、従来の表面処理装置を示したものである。表面処理装置は、上側電極１と下側電極２からなる平行平板型電極を備えている。同図（ａ）及び（ｂ）に示すように、下側電極２にはこれを上下に貫通する孔部２ａが形成されている。
【０００３】
図１４（ｃ）に示すように、装置フレーム（図示せず）には、基台４が固定され、この基台４に昇降機構としてのエアーシリンダ５が位置決め固定されている。このエアーシリンダ５のロッド６先端に方形の昇降台４が水平姿勢で取り付けられている。この昇降台７の四隅に４本の昇降ピン３が立設されている。図１４（ａ）及び（ｂ）に示すように、前記エアーシリンダ５のロッド６が上下に往復作動することにより、前記昇降ピン３が下側電極２の孔部２ａを通して昇降移動されるようになっている。
【０００４】
基材８を処理する際は、昇降ピン３を上昇姿勢に位置させておく一方、基材８を基材搬入出装置のロボットアーム（図示せず）で保持しながら側方から上側電極１と下側電極２の間に挿入して昇降ピン３の上に載置する（図１４（ａ））。次に、昇降ピン３を下降させ、基材８を下側電極２上に載置する（同図（ｂ））。その後、上側電極１と下側電極２の間に処理ガスを供給するとともに電界を印加しプラズマを形成する。このプラズマが下側電極２上の基材８に接触することにより表面改質等のプラズマ表面処理が施される。
処理の終了後は、昇降ピン３を上昇させ、基材８を下側電極２から浮かす。この基材８を上記ロボットアームにて搬出する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記の従来装置によれば、上側電極と下側電極の間における昇降ピン用孔部に対応する部分の電界強度が弱まり、プラズマ強度の低下またはプラズマ消失といった現象が発生する。
【０００６】
減圧下であれば、このようなプラズマ強度の低下やプラズマ消失が起きても、プラズマガスの平均自由行程が孔径に対して十分に長いため、プラズマが孔部に対応する部分にも行き渡って処理ムラが低減され、殆ど問題とはならない。しかし、常圧近傍の圧力下ではプラズマガスの平均自由行程が前記孔部の孔径よりも極めて短くなるために、当該孔部に対応する部分ではプラズマが行き渡りきらず処理抜けが発生するという不都合があった。
【０００７】
孔部に対応する部位での電界強度を部分的に強めることが考えられるが、そうすると部分的に強めた部分とその周囲との間に電界強度差が生じ、プラズマ強度の違いによる処理度の差は解消されず、更なる改良の余地がある。
【０００８】
本発明の目的は、上記事情に鑑み、下側電極の孔部に対応する部位であっても、他の部位と大きな差が無く均一に表面処理を行なうことのできる表面処理装置を提供する点にある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述の目的を達成するため、本発明は、
基材を常圧近傍下の放電空間に配置して表面処理を行なう装置であって、
上側電極と、
この上側電極と対向して前記放電空間を画成する上面に孔部が開口された下側電極と、
前記孔部を通して前記基材を昇降支持すべきキャップ（閉塞体）と、
このキャップを前記下側電極より上に突出させる突出位置と、下限位置との間で昇降させる昇降駆動手段（昇降機構）と、を備え、
前記キャップの上面が、導電性材料にて構成され、前記下限位置のときは、下側電極の上面と面一に略連続して前記孔部の上端開口を閉塞することを第一の特徴とする。
この特徴構成によれば、下限位置のときのキャップが下側電極の一部として機能し、孔部の内側に対応する部分でも十分なプラズマを確保できる。また、下側電極の孔部の上端の周縁とキャップの上面の周縁との間に隙間がほとんど形成されることがないようにでき、孔部の周縁とキャップの周縁との間に対応する部分でも十分なプラズマを確保できる。これにより処理の均一性を確保することができる。
【００１０】
ここで、キャップの導電性は、少なくとも上面に付与されていればよく、キャップの全体が導電性を有している必要はない。
前記孔部の内周面が、上に向かって拡径するテーパ凹面（傾斜ガイド面）を含み、前記キャップの外周面が、上に向かって拡径するテーパ面を含んでいるのが好ましい。
これによって、キャップが突出位置から下限位置へ向けて孔部に嵌入する際、キャップの外周テーパ面が孔部のテーパ凹面（傾斜ガイド面）に沿って案内されるようにでき、キャップが軸ずれ（偏芯だけでなく傾斜も含む）していても自然に矯正されていくようにでき、エッジに引っかかったり傾いた姿勢で嵌入したりするような不都合を解消できる。これによって、基材が電極に対して傾くのを防止でき、装置の安定作動を保証できる。
【００１１】
前記キャップのテーパ面の傾斜角が、前記孔部のテーパ凹面の傾斜角より微小角度だけ大きいのが好ましい。
これによって、キャップの孔部への収容時に微小な軸ずれがあったときは、キャップの外周テーパ面が孔部の内周テーパ凹面に確実に当たり、軸ずれを矯正し得る面圧を確実に生じさせることができる。よって、下限位置に達したキャップの上面がステージの上面と面一に連続するようにでき、ひいては、表面処理の均一性を確実に確保することができる。一方、キャップの外周テーパ面と孔部の内周テーパ凹面の間にはテーパ角の微小差に対応する微小隙間が形成されるので、表面処理終了後にキャップを下限位置から押し上げる際、摩擦抵抗を小さくできスムーズに上昇を開始させることができる。これによって、昇降駆動手段の負担を軽減して、上昇動作を安定させることができる。
【００１２】
前記孔部に昇降可能に挿通された軸体（昇降ピン等）を備え、この軸体の上端部に前記キャップが設けられ、下端部が前記昇降駆動手段に連結されているのが好ましい。
前記軸体の下端部がスライドガイドを介して前記昇降駆動手段に水平全方向へ微小スライド可能に連結されているのが好ましい。
これによって、キャップが孔部の内周テーパ凹面に沿って軸矯正される際、軸体の下端部に応力が作用するのを防止でき、装置寿命を延ばすことができるだけでなく、上記軸矯正や昇降操作をスムーズに行なうことができる。
【００１３】
前記孔部に上下摺動可能に嵌め込まれた軸体を備え、
この軸体の上端部に前記キャップが設けられるとともに下端部に前記昇降駆動手段が連ねられており、
前記軸体の外周面又は孔部の内周面には上下方向に延びる凹路が形成され、この凹路の下端部が、少なくとも前記下限位置において外部と連通しているのが好ましい。
これによって、キャップを下限位置から突出させ基材を下側電極から離す瞬間、外部の雰囲気ガスを、凹路を介して基材と下側電極の間に入り込ませ、基材と下側電極の間が真空状態になるのを防止することができる。これによって、昇降駆動手段の負担を軽減できるだけでなく、基材が湾曲するのを防止でき、スムーズに浮上させることができる。
キャップを下限位置から上昇移動を開始する瞬間は微速で上昇し、基材が下側電極から少し離れた後、上昇速度を大きくするように昇降駆動手段を操作してもよい。
【００１４】
前記下限位置のときのキャップを前記昇降駆動手段に代わって支持する支持部を備え、
前記昇降駆動手段が、前記下限位置のときのキャップから切離されて更に下降駆動可能であるのが好ましい。
これによって、キャップの下限位置の位置精度を支持部にて取ることができ、昇降駆動手段でキャップを下限位置に位置決め制御する必要がなく、昇降駆動手段の要求精度を緩和でき、負担を軽減することができる。
【００１５】
前記キャップに、前記軸体の上昇移動に伴って一体上昇して前記基材を上昇支持し、前記軸体の下降移動に伴って一体下降し、前記孔部が閉塞された後に前記軸体から離間する係合機構が形成されていてもよい。そして、キャップが下限位置の状態で軸体が昇降駆動手段によって上昇移動される途中で、前記係合機構によって軸体がキャップと係合し、以後、キャップと軸体が一体的に上昇するようになっていてもよい。キャップが突出位置から下降されるときは、途中まではキャップと軸体が一体的に昇降駆動手段によって下降され、キャップが下限位置になったときキャップと軸体の係合状態が解かれ、キャップは下限位置に残置される一方、軸体は昇降駆動手段によって更に下降されるようになっていてもよい。
【００１６】
キャップと軸体が固定になっており、キャップが下限位置のときは、軸体が前記支持部にて支持され、キャップが軸体を介して前記支持部に支持されるようになっており、昇降駆動手段が軸体から分離されるようになっていてもよい。そして、昇降駆動手段にてキャップを下限位置から上昇させる際は、はじめ昇降駆動手段がほとんど無負荷状態（フリー）で動き、そのうち昇降駆動手段が軸体と連結され、これ以降、軸体とキャップが一体的に昇降駆動手段によって上昇されるようになっていてもよい。下降時には、キャップと軸体が一体的に昇降駆動手段によって下降され、キャップが下限位置になったとき軸体が支持部にて支持されるとともに軸体と駆動機構の係合状態が解かれ、駆動機構がフリーになるようになっていてもよい。
【００１７】
本発明の第二の特徴は、
基材を常圧近傍下の放電空間に配置して表面処理を行なう装置であって、
上側電極と、
この上側電極と対向して前記放電空間を画成するとともに孔部が貫通形成された下側電極と、
前記孔部を通して前記基材を昇降支持すべき軸体と、
前記軸体の昇降動作と干渉しないように退避した退避位置（開放姿勢）と、前記孔部に下から嵌め込まれた閉塞位置（閉塞姿勢）との間で移動可能なキャップと、を備え、
前記キャップの閉塞位置で上を向く面が、導電性材料にて構成され、前記閉塞位置のときは、下側電極の上面と面一に略連続して前記孔部の上端開口を閉塞することにある。
前記キャップを、前記軸体の昇降移動時に前記孔部から前記下側電極の下側などに引退する開放姿勢（退避位置）と、前記軸体が下側電極より下側などへ離間した状態で前記孔部を閉塞する閉塞姿勢（閉塞位置）との間で姿勢切替する移動機構（姿勢切替機構）が設けられていてもよい。
これによって、軸体が上昇移動する際は移動機構によってキャップを退避位置に位置させることにより、軸体を障害無く上昇させることができる。処理の際は、移動機構によってキャップが閉塞位置に位置される。この閉塞位置のキャップが下側電極の一部として機能し、孔部の内側に対応する部分でも十分なプラズマを確保できる。また、下側電極の孔部の上端の周縁とキャップの上面の周縁との間に隙間がほとんど形成されることがないようにでき、孔部の周縁とキャップの周縁との間に対応する部分でも十分なプラズマを確保できる。これにより処理の均一性を確保することができる。
【００１８】
ここで、常圧近傍（大気圧近傍）とは、１．０１３×１０4〜５０．６６３×１０4Ｐａの圧力範囲を言い、圧力調整の容易化や装置構成の簡易化を考慮すると、１．３３３×１０4〜１０．６６４×１０4Ｐａが好ましく、９．３３１×１０4〜１０．３９７×１０4Ｐａがより好ましい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、下側電極の孔部に対応する部位でも十分なプラズマを確保でき、処理の均一性を確保することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態を説明する。
図１は、第１実施形態を示したものである。
図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、表面処理装置は、常圧近傍下で基材８のプラズマ表面処理を行なうものであり、上側電極１と下側電極２からなる平行平板型電極を備えている。これら電極１，２は、例えばアルミニウムなどの金属製の平板で構成されており、互いに上下に対向するようにして装置フレーム（図示せず）にそれぞれ絶縁固定されている。上側電極１には電源が接続されている。下側電極２は電気的に接地されている。
【００２１】
下側電極２には、複数（例えば４つ）の孔部２ａが形成されている。孔部２ａは、下側電極２を厚さ方向に貫通している。孔部２ａは、全長にわたって一定の内径のストレートな円孔になっている。下側電極２の上面には孔部２ａの上端が円形に開口されている。
【００２２】
上記図示しない装置フレームの底部には基台４が固定されている。この基台４に昇降駆動手段（昇降機構）としてのエアーシリンダ５が垂直に立設（位置決め固定）されている。エアーシリンダ５のロッド６の先端部（上端部）には、方形の昇降台７が水平姿勢で取り付けられている。昇降台７は、下側電極２より下方に配置されている。昇降台７の四隅（各頂点部位）にはそれぞれ昇降ピン３（軸体）が垂直に立設されている。昇降ピン３の上端部は、下側電極２の孔部２ｂに下から挿入されている。
【００２３】
各昇降ピン３の上端部には、閉塞体２ｂ（キャップ）が固定されている。閉塞体２ｂは、アルミニウム等の金属で構成され導電性を有している。導電性閉塞体２ｂは、昇降ピン３とは別部材になっているが、昇降ピン３と一体になっていてもよい。単一部材の上側部が閉塞部材２ｂとして提供され、下側部が昇降ピン３として提供されていてもよい。
【００２４】
導電性閉塞体２ｂは、下側電極２の孔部２ａ内に上下摺動可能に挿入されている。
導電性閉塞体２ｂは、下側電極２の孔部２ａと略同径の円柱形状になっている。詳しくは、孔部２ａの内周面との間に摺動のための僅かなクリアランスが形成される程度の外径を有する円柱形状になっている。導電性閉塞体２ｂの上面は、水平な平面になっている。昇降ピン３及び導電性閉塞体２ｂは、下側電極２の孔部２ａと軸心が一致するように配置され、孔部２ａに下側から挿入されている。
【００２５】
エアーシリンダ５の作動によって昇降台７と昇降ピン３と導電性閉塞体２ｂが、一体に昇降するようになっている。これにより、導電性閉塞体２ｂが、下側電極２の孔部２ａを通して突出位置（上昇姿勢）と下限位置（閉塞姿勢）との間で昇降可能になっている。
【００２６】
図１（ａ）に示すように、突出位置のときの導電性閉塞体２ｂは、下側電極２より上に突出されている。この導電性閉塞体２ｂの突出位置は、基材８の搬入高さと対応する高さに設定されている。
【００２７】
同図（ｂ）に示すように、下限位置のときの導電性閉塞体２ｂは、全体が下側電極２の孔部２ａ内に収容されて孔部２ａを閉塞している。
しかも、下限位置のときの導電性閉塞体２ｂの上面は、孔部２ａのちょうど上端開口に位置し、下側電極２の上面と面一になっている。この下限位置の閉塞部材２ａの上面の周縁と下側電極２の孔部２ａの周縁との間のギャップはほとんど無視できる程度に小さく、これら周縁どうしが実質的に１本に重なり合っている。これにより、下側電極２の上面と閉塞部材２ａの上面が面一に連続し、１つの平面になっている。
【００２８】
閉塞部材２ａは、下側電極２を介して電気的に接地され、下側電極２と同電位になっている。閉塞部材２ａのアースは、昇降ピン３、昇降台７、エアーシリンダ５、基台４を介して取ってもよく、閉塞部材２ａから直接的に取ってもよい。
【００２９】
上記構成の表面処理装置を用いて基材８を処理する手順を説明する。
図１（ａ）に示すように、エアーシリンダ５を進出作動させ、昇降台７と昇降ピン３と導電性閉塞体２ｂを一体に上昇させ、導電性閉塞体２ｂを上限の突出高さよりやや低い位置で停止する。
また、図示は省略するが、基材搬入出装置のフォーク状のロボットアームを用いて基材８をピックアップし、導電性閉塞体２ｂの突出高さと対応する高さまで上げ、電極１，２間に側方から搬入する。
【００３０】
続いて、導電性閉塞体２ｂを突出位置まで更に上昇させ、基材８の下面に当接する。これにより、基材８が、導電性閉塞体２ｂ及びその下方に連なる部材３，７，５，４によって支持される。
【００３１】
次に、前記ロボットアームを引退させた後、エアーシリンダ５を引退作動し、昇降台７と昇降ピン３と導電性閉塞体２ｂを一体に下降させ、ひいては基材８を下降させる。そして、図１（ｂ）に示すように、導電性閉塞体２ｂの上面が下側電極２の上面と面一になるように高さ調節する。これにより、基材８が下側電極２の上面に載置される。導電性閉塞体２ｂの上面は、基材８の下面に当接した状態を維持する。
【００３２】
この状態で、上側電極１と下側電極２の間に処理ガスを供給するとともに、電極１に所定レベルの高周波電圧を印加することにより電極１，２間に電界を形成し、常圧または常圧近傍下でプラズマを発生させ、処理ガスをプラズマ化する。このとき、下側電極２の孔部２ａは導電性閉塞体２ｂによりほぼ完全に閉塞されているため、電極１，２間の孔部２ａに対応する部分でも他の部分とまったく同じように電界を形成でき、電極１，２間の全域にわたって均一なプラズマを得ることができる。このプラズマガスが下側電極２上の基材８に接触し反応が起きる。これにより、基材８の表面改質等のプラズマ表面処理を行なうことができる。基材８の表面上の孔部２ａと対応する部分にも他の部分とほとんど同じようにプラズマが当たるので、基材８の表面全体にわたって均一な表面処理を行なうことができる。
【００３３】
表面処理の終了後は、エアーシリンダ５を進出作動させ、昇降台７と昇降ピン３と導電性閉塞体２ｂを一体上昇させ、基材８を持上げる。その状態で側方から前記図示しない基材搬入出装置のロボットアームを差し入れ、このロボットアームに基材８を移し替え、搬出する。
【００３４】
下側電極２と導電性閉塞体２ｂとの機械的クリアランスは小さく設定される必要があり、試行錯誤の結果、１ｍｍ以下、望ましくは０．５ｍｍ以下に設定されることが好ましいことが判明している。図２は、上記クリアランスと処理度との関係の測定結果を示したものである。実験は、上記クリアランスすなわち孔部２ａの内周面と導電性閉塞体２ｂの外周面の間の隙間を模して、アルミニウム電極に深さ３ｍｍ、切り欠き幅０ｍｍ〜２．５ｍｍの範囲の切り欠きを形成し、このアルミニウム電極を用いて表面処理（撥水性のコントロール）を行なった。そして、基材に対する水滴の接触角（ＣＡ）を計測し、表面処理能力の評価を行なった。結果は図２に示す通りであり、切り欠き幅が１ｍｍ以下でほぼ満足する結果が得られることが判明した。
【００３５】
次に、他の実施形態を説明する。
図３は、第２実施形態を示したものである。
上記第１実施形態（図１）では、導電性閉塞体２ｂが昇降ピン３の上端に固定され、昇降ピン３等とともに昇降移動するようになっていたが、図３に示すように、導電性閉塞体２ｂと昇降ピン３が分離可能になっていてもよい。導電性閉塞体２ｂの下面には係合機構としての嵌入凹部３ｂが形成されている。この嵌入凹部３ｂに昇降ピン３の上端部が引き抜き可能に挿入されるようになっている。導電性閉塞体２ｂは孔部２ａを閉塞するキャップとなっている。
【００３６】
導電性閉塞体２ｂの下側の外周部には、軸心方向に切り欠かれた段差状の被支持部２０が形成されている。
下側電極２の孔部２ａの下側の内周部には、内方に突出したフランジ状の支持部２１が形成されている。
【００３７】
図３（ｂ）に示すように、導電性閉塞体２ｂの下限位置では、支持部２１に導電性閉塞体２ｂの被支持部２０が引っ掛けられるように支持されるようになっている。この支持状態の導電性閉塞体２ｂの上面が下側電極２の上面と面一になるようになっている。昇降ピン３は、この下限位置の導電性閉塞体２ｂの嵌入凹部３ｂから抜け、導電性閉塞体２ｂより下方に離れて位置されるようになっている。
【００３８】
エアーシリンダ５によって昇降ピン３を上昇させると、やがて昇降ピン３の上端部が下限位置の導電性閉塞体２ｂの嵌入凹部３ｂに差し入れられ、この嵌入凹部３ｂの上底面に突き当たる。図３（ａ）に示すように、以後、導電性閉塞体２ｂが支持部２１から上に離れ、昇降ピン３と導電性閉塞体２ｂが一体に上昇する。これにより、基材８の搬入出位置まで上昇して基材８を受入支持したり、処理済みの基材８を下側電極２から搬入出位置まで上昇支持したりすることができる。
【００３９】
エアーシリンダ５によって昇降ピン３を下降させると、導電性閉塞体２ｂも昇降ピン３と一体に下降する。これにより、搬入出位置で受け取った基材８を下降させながら支持できる。やがて導電性閉塞体２ｂの被支持部２０が支持部２１に当たって係止され、導電性閉塞体２ｂが支持部２１によって下降を阻止された状態で支持される。これにより、導電性閉塞体２ｂを下限位置に確実かつ容易に位置させることができ、導電性閉塞体２ｂの上面を下側電極２の上面と確実に面一にすることができる。これにより、孔部２ａの上端開口が閉塞される。導電性閉塞体２ｂが下限位置に達した後もエアーシリンダ５が引退作動（下降駆動）し、昇降台７と昇降ピン３が下降し、昇降ピン３の上端部が導電性閉塞体２ｂの嵌入凹部３ｂから抜け、導電性閉塞体２ｂの下方に離間する。一方、導電性閉塞体２ｂは支持部２１に支持されて下限位置に残置され、孔部２ａを閉塞し、下側電極２の上面と面一の状態を維持する。
【００４０】
この第２実施形態によれば、下限位置の導電性閉塞体２ｂを、昇降ピン３ひいてはエアーシリンダ５から切り離して、別途設けた支持部２１にて位置決めするものであるので、昇降ピン３は嵌入凹部３ｂから外れる程度に降下させればよく、降下位置の高さを導電性閉塞体２ｂと下側電極２の上面位置が一致するように調整する必要が無い。また、上昇させる際も、昇降ピン３が嵌入凹部３ｂに係入して導電性閉塞体２ｂを突き上げるまで遊びがあるので、エアーシリンダ５の駆動開始時に精密な動作を要求されない。これによって、エアーシリンダ５の制御を容易化することができる。
【００４１】
このような表面処理装置を用いて、基板（基材８）を表面洗浄した実施例を説明する。
上側電極１を表面厚さ１ｍｍでアルミナコーティングされたステンレスで構成し、下側電極２及び導電性閉塞体２ｂをアルミニウムで構成した。処理ガスとしてＮ２、Ｏ２の混合ガス（Ｏ２ガス濃度は０．１〜１００％の間に設定すればよいが、本実験では３％とした。）を供給しながら、上部電極１と下部電極２間にＶｐｐ＝２０ｋＶ、周波数１００ｋＨｚの高周波パルス電圧を印加して両電極１，２間にプラズマを発生させた。基板として厚さ０．７ｍｍのガラス（コーニング１７３７）を対象に洗浄処理を施したところ、ほぼ均一な洗浄能力があることが実証された。処理時間は基板に付着した有機物の量に応じて調整すればよく、通常数秒から数分の処理時間で洗浄処理が完了する。
【００４２】
次に、第３実施形態を説明する。
図４に示すように、第３実施形態では、孔部２ａの内周面が、上に向かって拡径するテーパ凹面（傾斜ガイド面）２３になっている。導電性閉塞体２ｂの外周面は、上に向かって拡径するテーパ面になっている。
【００４３】
これにより、図４（ａ）に示すように導電性閉塞体２ｂを突出位置から下降させる際、導電性閉塞体２ｂ及び昇降ピン３の軸心が孔部２ａの軸心に対し僅かにずれていたり傾いていたりすると、下降の途中で導電性閉塞体２ｂの外周テーパ面が孔部２ａの傾斜ガイド面２３に当たり、傾斜ガイド面２３に沿って軸心のずれ（偏芯や傾斜）が矯正される方向に案内されることにより、導電性閉塞体２ｂが自立整合的に孔部２ａに位置合わせされながら嵌入し閉塞状態に移行していく。この結果、図４（ｂ）に示すように、導電性閉塞体２ｂを下限位置まで下げていけば、導電性閉塞体２ｂの上面が下側電極２の上面と確実に面一になるようにすることができる。
【００４４】
次に、第４実施形態を説明する。
図５に示すように、第４実施形態の表面処理装置は、基材８よりも幅狭のプラズマ発生ユニット１０と、姿勢切替機構１１（移動機構）とを備えている。詳細な図示は省略するが、このプラズマ発生ユニット１０に、電源に連なる上側電極と、処理ガスの吹出し部が設けられている。プラズマ発生ユニット１０は、下側電極２の上方に所定距離だけ離れた高さにおいて下側電極２上の基材８の長手方向に沿う水平方向に走査移動可能になっている。
【００４５】
姿勢切替機構１１は、図示しない装置フレームに連結されたエアーシリンダ機構１１ｃを有している。このエアーシリンダ機構１１ｃのロッドの先端にレバーの基端が回転可能に連ねられている。このレバーの先端には回転軸１１ｂが設けられるとともにＬ字形状のアーム１１ａが連結固定されている。回転軸１１ｂは、図示しない装置フレームに連結されている。
【００４６】
導電性の閉塞体２ｂは、昇降ピン３の上部に代えて、アーム１１ａの先端部に設けられている。導電性閉塞体２ｂの外周面は、先細のテーパ面になっている。図５（ｂ）に示すように、導電性閉塞体２ｂの先細側は、後記閉塞位置において上を向いて配置され、導電性閉塞体２ｂの外周面は、後記閉塞位置のときの上端へ向かって縮径するテーパ面になっている。これに対応して、下側電極２の孔部２ａは、上に向かって縮径するテーパ凹面（傾斜ガイド面）２５になっている。
【００４７】
エアーシリンダ機構１１ｃのロッドの伸縮に伴い、レバー及びアーム１１ａが回転軸１１ｂの周りに回転される。このとき、上記動きを可能にすべくエアーシリンダ機構１１ｃが揺動するようになっていてもよく、レバーが伸縮するようになっていてもよい。回転軸１１ｂは、位置固定しておくのが好ましいが揺動するようにしてもよい。
【００４８】
これによって、導電性閉塞体２ｂが、図５（ａ）に示すように下側電極２の下側に引退する開放姿勢ＯＳと、同図（ｂ）に示すように孔部２ａに下から嵌め込まれ孔部２ａを閉塞する閉塞姿勢ＣＳ（閉塞位置）との間で移動し姿勢切替されるようになっている。開放姿勢ＯＳの導電性閉塞体２ｂは、昇降ピン３の昇降動作と干渉しない退避位置に退避されることになる。導電性閉塞体２ｂを閉塞姿勢ＣＳにするときは、昇降ピン３は、導電性閉塞体２ｂ及び姿勢切替機構１１と干渉しないように、下側電極２より下方に離間されるようになっている。導電性閉塞体２ｂの孔部２ａへの出入りを可能にすべく、導電性閉塞体２ｂをアーム１１ａに対し若干首振り又は横スライド可能にしたり、導電性閉塞体２ｂの外周テーパ面と孔部２ａの内周テーパ凹面の間に若干のクリアランスを設けたり、孔部２ａの内周のテーパ角を導電性閉塞体２ｂの外周のテーパ角より大きくしたり、回転軸１１ｂを若干上下動するようにしたりしてもよい。閉塞姿勢ＣＳのときの導電性閉塞体２ｂの先細側端面（上面）は、下側電極２の上面と面一になっている。
【００４９】
第４実施形態の構成によれば、図５（ａ）に示すように、エアーシリンダ機構１１ｃを引退作動させてアーム１１ａを回転軸１１ｂの周りに下方へ回転させ、導電性閉塞体２ｂを開放姿勢ＯＳに退避させ、孔部２ａを開放したうえで、昇降ピン３を上昇移動させる。これにより、基材搬入出機構からの基材８を受け取ったり、処理済みの基材８を持ち上げて基材搬入出機構に引き渡したりすることができる。また、同図（ｂ）に示すように、昇降ピン３を下側電極２より下げ、基材８を下側電極２上に載置したうえで、エアーシリンダ機構１１ｃを進出作動させてアーム１１ａを回転軸１１ｂの周りに上方へ回転させることにより、導電性閉塞体２ｂを閉塞姿勢ＣＳにして孔部２ａを閉塞し、導電性閉塞体２ｂの先細側端面（上面）を下側電極２の上面と面一にすることができる。そのうえで、プラズマ発生ユニット１０を走査移動させることにより、均一な表面処理を行なうことができる。
【００５０】
上述の表面処理装置を用いた表面処理の例を説明する。
基材８として表面に樹脂がパターニングされた長さ１ｍのガラス基板を用い、これを下側電極２上に載置する。処理ガスとしてＣＦ４を供給するとともに電力１Ｗ／ｃｍ２、１５ｋＶのパルス電圧を印加しながら、１ｍ／ｍｉｎ．の走査速度でプラズマ発生長５ｃｍのプラズマ発生ユニット１０をスキャンさせる。
これにより、樹脂は表面自由エネルギーが低下し撥水性を示すようになる。
【００５１】
上述の表面処理装置は何れも下側電極２をアルミニウム製で構成したものを説明したが、ステンレス等の他の金属を用いてもよい。下側電極２の上面に誘電体を被覆してもよい。この場合、導電性閉塞体２ｂの上面にも同様に誘電体を被覆するのが望ましい。
【００５２】
次に、第５実施形態を説明する。
図６に示すように、第５実施形態の表面処理装置１００は、一対の電極１１０，１２０からなる平行平板型の電極構造と、基材Ｗを昇降支持するための昇降ユニット１３０と、この昇降ユニット１３０を昇降駆動する昇降駆動手段１４０とを備えている。電極１１０，１２０は、互いに上下に対向するようにして装置フレーム（図示せず）にそれぞれ絶縁固定されている。上側電極１１０には電源１１１が接続されている。下側電極１２０は接地されている。
【００５３】
下側電極１２０は、アルミステージ１２１（下側電極本体）とステージ下板１２２を上下に積層した構造になっている。下側電極１２０には複数の孔部１２３が形成されている。孔部１２３は、アルミステージ１２１に形成された上側のテーパ孔部分１２３ａと、ステージ下板１２２に形成された下側のストレート孔部分１２３ｂとを有している。テーパ孔部分１２３ａとストレート孔部分１２３ｂは、同軸をなして上下に連なっている。テーパ孔部分１２３ａの内周は、上に向かって拡径するテーパ凹面になっている。この孔部分１２３ａの上端の拡開端が、アルミステージ１２１の上面に開口している。ステージ下板１２２には円筒形状のドライブッシュ１２４が埋め込まれており、このドライブッシュ１２４の中空部が、ストレート孔部分１２３ｂとなっている。
【００５４】
上記装置フレームの底部には基台１０１が固定されている。この基台１０１に昇降駆動手段１４０が設置されている。昇降駆動手段１４０は、サーボモータ１４１と、リードスクリュー１４２と、トラベリングナット１４３を有している。サーボモータ１４１は、下側電極１２０のちょうど中央部の真下の基台１０１の上面に出力軸を垂直上方に向けて取り付けられている。このサーボモータ１４１の出力軸にリードスクリュー１４２が連結されている。リードスクリュー１４２は、例えばボールスクリューで構成され、サーボモータ１４１から垂直上方に延びている。リードスクリュー１４２にトラベリングナット１４３が螺合されている。トラベリングナット１４３の下端の外周部には径方向外側に突出するフランジ１４３ｆが設けられている。サーボモータ１４１の駆動によりリードスクリュー１４２が軸心まわりに回転し、トラベリングナット１４３がリードスクリュー１４２に沿って上下動するようになっている。
【００５５】
昇降ユニット１３０は、水平なピンベース板１３１と、このピンベース板１３１に設けられた複数の昇降ピン１３２（軸体）を有している。
ピンベース板１３１の周辺部にはリニアブッシュ１３４が埋め込まれている。このリニアブッシュ１３４にステージ下板１２２から垂設されたガイドロッド１２５が挿入されている。このガイドロッド１２５に沿ってリニアブッシュ１３４が上下スライド可能になっている。
【００５６】
ピンベース板１３１の中央部には、ナット挿通孔１３１ｃが形成されている。このナット挿通孔１３１ｃに昇降駆動手段１４０のトラベリングナット１４３が上下スライド可能に挿通されている。ピンベース板１３１より下側にトラベリングナット１４３のフランジ１４３ｆが位置されている。ナット挿通孔１３１ｃは、このフランジ１４３ｆより小径になっている。図７及び図８に示すように、このフランジ１４３ｆがピンベース板１３１の下面に当たった状態でトラベリングナット１４３がリードスクリュー１４２に沿って昇降することにより、ピンベース板１３１ひいては昇降ユニット１３０が上限位置（図８）と下限位置（図６及び図７）との間で昇降可能になっている。
【００５７】
基台１０１には、昇降ユニット１３０を下限位置に支持するためのメカニカルストッパ１５０（支持部）が設けられている。メカニカルストッパ１５０は、基台１０１から上に垂直に立設されている。図６に示すように、昇降ユニット１３０が下限位置のとき、メカニカルストッパ１５０の上面にピンベース板１３１が当接されて支持されるとともに、それ以上の下降が阻止されるようになっている。昇降ユニット１３０が下限位置でメカニカルストッパ１５０に支持されているとき、トラベリングナット１４３のフランジ１４３ｆはピンベース板１３１より下方に離間可能になっている。ひいては、昇降駆動手段１４０が、フリー状態で昇降可能になっている。
【００５８】
ピンベース板１３１の上面に円柱形状の金属製の昇降ピン１３２が垂直に立設されている。
昇降ピン１３２は、下側電極１２０のストレート孔部分１２３ｂに上下摺動可能に挿入されている。昇降ピン１３２の外径は、ストレート孔部分１２３ｂの内径と略同径であり、微視的には昇降ピン１３２の外周面とストレート孔部分１２３ｂの内周面の間に昇降ピン１３２の上下摺動を許容する程度のクリアランスが設けられている。
【００５９】
昇降ピン１３２の上端部にはキャップ１３３が設けられている。キャップ１３３は、昇降ピン１３２と一体の金属で構成され、導電性を有している。キャップ１３３の外周面は、上に向かって拡径するテーパ面になっている。このテーパ構造は、上記第３実施形態（図４）と同様である。
ピンベース板１３１の昇降に伴って、昇降ピン１３２及びキャップ１３３も一体に昇降する。これにより、キャップ１３３は、下側電極１２０より上に突出した突出位置（図８）と下限位置（図６及び図７）との間で昇降するようになっている。下限位置のときのキャップ１３３の上面は、下側電極１２０の上面と面一に連続している。
【００６０】
表面処理装置１００を用いて基材Ｗを処理する際は、キャップ１３３を突出位置（図８）に位置させ、基材Ｗを搬入出装置のフォーク状ロボットアームで電極１１０，１２０間に横から差し入れ、キャップ１３３上に載置する。
次いで、サーボモータ１４１によってリードスクリュー１４２を一方向に回し、トラベリングナット１４３を下降させる。このトラベリングナット１４３と一緒に昇降ユニット１３０が下降し、キャップ１３３上の基材Ｗも下降する。このとき、ピンベース板１３１の周辺部はリニアブッシュ１３４を介してガイドロッド１２５に案内されて下降する。これにより、ピンベース板１３１の剛性を補うことができ、撓みを防止することができる。
【００６１】
キャップ１３３付き昇降ピン１３２が孔部１２３に対し微小に軸ずれ（偏芯又は傾斜）していたときは、キャップ１３３の外周テーパ面がテーパ孔部分１２３ａの内周テーパ凹面に当たって上記の軸ずれが矯正される方向に案内されていく。そして、図７に示すように、キャップ１３３がテーパ孔部分１２３ａに完全に嵌り込んで下限位置に達したとき、軸ずれがすっかり解消される。これにより、キャップ１３３の上面を確実に水平にでき、ステージ１２１の上面と確実に面一な状態で連続させることができる。この面一をなすステージ１２１及びキャップ１３３の上面に基材Ｗが載置される。
【００６２】
このキャップ１３３が下限位置に達し基材Ｗがステージ１２１上に載置されるのと同時に、ピンベース板１３１がメカニカルストッパ１５０に突き当たる。これにより、昇降ユニット１３０がメカニカルストッパ１５０によって支持され下降が阻止される。
一方、図６に示すように、トラベリングナット１４３のフランジ１４３ｆがピンベース板１３１から離れてさらに下降でき、昇降駆動手段１４０が昇降ユニット１３０から切り離され下降駆動可能になる。したがって、キャップ１３３が下限位置に達した瞬間にサーボモータ１４１をぴったり止める必要がなく、制御を容易化することができ、ステッピングモータのような高精度モータを用いる必要がない。
【００６３】
この状態で、処理ガス源１０９から処理ガスを電極１１０，１２０間に供給するとともに電源１１１によって電圧を印加し、基材Ｗの表面処理を行なう。孔部１２３がキャップ１３３で塞がれているので、孔部１２３に対応する箇所でも他の部分と同様に処理することができ、均一な表面処理を行なうことができる。
処理の終了後、サーボモータ１４１によってリードスクリュー１４２を上記下降時の反対方向に回す。これによりトラベリングナット１４３が上昇する。この上昇開始時にはフランジ１４３ｆがピンベース板１３１から下に離れ、トラベリングナット１４３がフリー状態になっているため、サーボモータ１４１にいきなり負荷がかかることがない。
【００６４】
図７に示すように、トラベリングナット１４３が少し上昇したときフランジ１４３ｆがピンベース板１３１の下面に突き当たる。これにより、昇降駆動手段１４０が昇降ユニット１３０に動力伝達可能に連結される。これ以降、トラベリングナット１４３がピンベース板１３１を押し上げ、キャップ１３３を含む昇降ユニット１３０が下限位置から上昇され、ひいては基材Ｗが上昇される。このとき、ピンベース板１３１の周辺部はリニアブッシュ１３４を介してガイドロッド１２５に案内されながら上昇し、撓みを防止することができる。
【００６５】
図８に示すように、キャップ１３３が突出位置に達したとき、上昇動作を停止する。そして、図示しない基材搬入出装置のロボットアームを電極１１０，１２０間の側方から差し入れ、このロボットアームに基材Ｗを移し替え搬出する。
【００６６】
次に、第６実施形態を説明する。
上記第５実施形態では、キャップ１３３の外周テーパ面のテーパ角とテーパ孔部分１２３ａの内周テーパ凹面のテーパ角が等しくなっていたが、図９に示すように、第６実施形態では、キャップ１３３のテーパ角がテーパ孔部分１２３ａのテーパ角より微小角度θだけ大きくなっている。キャップ１３３が下限位置のとき、キャップ１３３の外周テーパ面とテーパ孔部分１２３ａの内周テーパ凹面の間には、この微小角度θに対応する微小隙間が環状に形成されている。したがって、キャップ１３３の外周テーパ面とテーパ孔部分１２３ａの内周テーパ凹面は非接触状態になっている。微小隙間は、上に向かうにしたがって狭くなっている。そして、キャップ１３３の上面の周縁はテーパ孔部分１２３ａの上端縁に全周にわたって接し、孔部１２３の上端開口を塞いでいる。
【００６７】
なお、キャップ１３３の外周テーパ面は、上側が緩傾斜で下側が急傾斜になっており、これに対応してテーパ孔部分１２３ａも上下２段になっている。上段のテーパ面どうしが上記のように微小角度θだけ異なる一方、下段のテーパ面どうしは、等角度になっている。これに代えて、下段のテーパ面どうしにも微小角度差を付けることにしてもよく、第５実施形態と同様にテーパ面を１段にしてもよい。
【００６８】
第６実施形態によれば、キャップ１３３の外周テーパ面とテーパ孔部分１２３ａの上段のテーパ凹面のテーパ角度差が微小であるので、キャップ１３３を下降させテーパ孔部分１２３ａに収容していく際、軸ずれがあったときは、上記第５実施形態と同様にキャップ１３３の外周テーパ面がテーパ孔部分１２３ａの内周テーパ凹面に確実に当たるようにでき、軸ずれを矯正し得る面圧を確実に生じさせることができる。これによって、下限位置に達したキャップ１３３の上面がステージ１２１の上面と確実に面一に連続するようにでき、ひいては、表面処理の均一性を確実に確保することができる。
【００６９】
一方、キャップ１３３の上段の外周テーパ面とテーパ孔部分１２３ａの上段の内周テーパ凹面の間にはテーパ角の微小差に対応する微小隙間が形成されるので、表面処理終了後にキャップ１３３を下限位置から押し上げる際、摩擦抵抗がほとんど働くことがなくスムーズに上昇を開始させることができる。これによって、昇降駆動手段１４０の負担を軽減して、上昇動作を安定させることができる。
【００７０】
次に、第７実施形態を説明する。
図１０及び図１１に示すように、第７実施形態では、昇降ピン１３２の外周面に平取り部１３２ａ（凹路）が形成されている。平取り部１３２ａは、昇降ピン１３２の周方向に１８０度離れて２条配置され、それぞれ上下に真っ直ぐ延びている。平取り部１３２ａは、昇降ピン１３２の上側部分にだけ設けられており、その上端はキャップ１３３との境に位置し、下端部は昇降ピン１３２の中間部に位置している。図１０に示すように、昇降ユニット１３０が下限位置のとき、平取り部１３２ａの下端部は下側電極１２０より下方に位置している。なお、昇降ユニット１３０が下限位置より少し上昇した位置では平取り部１３２ａの下端部が下側電極１２０の孔部１２３中に隠れるようになっていてもよい。
【００７１】
図１０に示すように、昇降ピン１３２の上側部分が下側電極１２０のストレート孔部分１２３ｂに収容されることにより、ストレート孔部分１２３ｂの内周面と平取り部１３２ａの間に雰囲気ガス通路１２６が形成されている。昇降ユニット１３０が下限位置のとき、雰囲気ガス通路１２６の下端は、下側電極１２０の下方に開口されている。昇降ユニット１３０が少し上昇した以降は、雰囲気ガス通路１２６の下端がドライブッシュ１２４によって塞がれるようになっていてもよい。
【００７２】
昇降ピン１３２の外周の雰囲気ガスを通すための凹路は、昇降ピン１３２の円周に対し引っ込んでいればよく、平取り部１３２ａのような平面に限らず、凹面状は勿論、上記円周より引っ込んだ凸面状をしていてもよい。
雰囲気ガスを通すための凹路は、昇降ピン１３２に代えて、ドライブッシュ１２４の内周面に形成してもよい。
【００７３】
第７実施形態によれば、図１２に示すように、処理終了後に昇降ユニット１３０の上昇を開始した瞬間、キャップ１３３の外周面とテーパ孔部分１２３ａの内周面との間に隙間１２７が出来、雰囲気ガス通路１２６がこの隙間１２７を介してステージ１２１と基材Ｗの間に連通する。これによって、下側電極１２０の下方の空気等の雰囲気ガスが雰囲気ガス通路１２６及び隙間１２７を通ってステージ１２１と基材Ｗの間に供給される。これによって、ステージ１２１と基材Ｗの間の空間が負圧になるのを防止できる。したがって、基材Ｗがキャップ１３３に当たっている箇所だけ上がりそこから離れた箇所ではステージ１２１に吸い付いた湾曲状態（図１２の仮想線）になるのを防止でき、基材Ｗを平面状態に維持しながら安全に浮かすことができ、昇降駆動手段１４０に過度の負荷がかかるのも防止することができる。
【００７４】
次に、第８実施形態を説明する。
既述の実施形態では、昇降ピン１３２がピンベース板１３１に剛結合されていたが、図１３に示すように、第８実施形態では、昇降ピン１３２とピンベース板１３１が別体になり分離されている。昇降ピン１３２の下端部には、スライダ１３２ｂが設けられている。一方、ピンベース板１３１の上面にはスライドガイド１３５が設けられている。このスライドガイド１３５に昇降ピン１３２のスライダ１３２ｂが嵌め込まれている。スライダ１３２ｂは、スライドガイド１３５に対し水平全方向へ微小スライド可能になっている。これにより、昇降ピン１３２の下端部が、ピンベース板１３１に水平全方向へ微小スライド可能に連結されている。スライドガイド１３５は、昇降ピン１３２の下端部の水平変位のみを許容し垂直方向へは変位不能に係合している。
【００７５】
第８実施形態によれば、昇降ピン１３２が下降時に軸ずれしていた場合、キャップ１３３の外周テーパ面とテーパ孔部分１２３ａの内周テーパ凹面の摺擦により、キャップ１３３の軸ずれが矯正される際、昇降ピン１３２の下端部が微小スライドすることになる。したがって、昇降ピン１３２とピンベース板１３１の連結部分に応力が働くことがなく、昇降ピン１３２の疲労を防止できるとともに、昇降ユニット１３０の昇降操作をスムーズに行なうことができ、昇降駆動手段１４０の負担も軽減することができる。
【００７６】
本発明は、以上の実施形態に限定されるものでなく、本発明の趣旨に反しない限りにおいて種々の改変をなすことができる。
【産業上の利用可能性】
【００７７】
本発明は、基材表面の有機物の除去、基材の表面自由エネルギー制御による親水性、撥水性のコントロール、基材の表面平坦性制御などに適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】本発明の第１実施形態に係る表面処理装置の要部断面図であり、（ａ）は、基材の搬入出時の状態を示し、（ｂ）は、基材の表面処理時の状態を示す。
【図２】下側電極と導電性閉塞体とのクリアランスの特性図である。
【図３】本発明の第２実施形態に係る表面処理装置の要部断面図であり、（ａ）は、基材の搬入出時の状態を示し、（ｂ）は、基材の表面処理時の状態を示す。
【図４】本発明の第３実施形態に係る表面処理装置の要部断面図であり、（ａ）は、基材の搬入出時の状態を示し、（ｂ）は、基材の表面処理時の状態を示す。
【図５】本発明の第４実施形態に係る表面処理装置の要部断面図であり、（ａ）は、基材の搬入出時の状態を示し、（ｂ）は、基材の表面処理時の状態を示す。
【図６】本発明の第５実施形態に係る表面処理装置を、基材の表面処理時の状態で示す要部断面図である。
【図７】本発明の第５実施形態に係る表面処理装置を、キャップが下限位置でトラベリングナットのフランジがピンベース板に当たった状態で示す要部断面図である。
【図８】本発明の第５実施形態に係る表面処理装置を、基材の搬入出時の状態で示す要部断面図である。
【図９】本発明の第６実施形態を示し、下限位置のキャップ周辺の拡大断面図である。
【図１０】本発明の第７実施形態に係る表面処理装置の要部断面図である。
【図１１】第７実施形態のキャップ付き昇降ピンの斜視図である。
【図１２】第７実施形態において基材を下側電極から浮かす瞬間の拡大断面図である。
【図１３】本発明の第８実施形態に係る表面処理装置の要部を示す断面図である。
【図１４】従来例を示し、（ａ），（ｂ）は表面処理装置の要部断面図であり、（ｃ）は要部斜視図である。
【符号の説明】
【００７９】
１      上側電極
２      下側電極
２ａ    貫通孔（孔部）
２ｂ    導電性閉塞体（キャップ）
３      昇降ピン（軸体）
４      基台
５      エアーシリンダ（昇降駆動手段）
６      ロッド
７      昇降台
８，Ｗ  基材
１１    姿勢切替機構
２１    支持部
１００    表面処理装置
１０１    基台
１０９    処理ガス源
１１０    上側電極
１１１    電源
１２０    下側電極
１２１    アルミステージ（下側電極本体）
１２２    ステージ下板
１２３    孔部
１２３ａ  テーパ孔部分
１２３ｂ  ストレート孔部分
１２４    ドライブッシュ
１２５    ガイドロッド
１２６    雰囲気ガス通路
１２７    隙間
１３０    昇降ユニット
１３１    ピンベース板
１３１ｃ  ナット挿通孔
１３２    昇降ピン（軸体）
１３２ａ  平取り部（凹路）
１３２ｂ  スライダ
１３３    キャップ
１３４    リニアブッシュ
１３５    スライドガイド
１４０    昇降駆動手段
１４１    サーボモータ
１４２    リードスクリュー
１４３    トラベリングナット
１４３ｆ  フランジ
１５０    メカニカルストッパ（支持部）
【図１】
2006049299.tif 000003
【図２】
2006049299.tif 000004
【図３】
2006049299.tif 000005
【図４】
2006049299.tif 000006
【図５】
2006049299.tif 000007
【図６】
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【図７】
2006049299.tif 000009
【図８】
2006049299.tif 000010
【図９】
2006049299.tif 000011
【図１０】
2006049299.tif 000012
【図１１】
2006049299.tif 000013
【図１２】
2006049299.tif 000014
【図１３】
2006049299.tif 000015
【図１４】
2006049299.tif 000016