(57)【要約】      （修正有）【課題】光学異方性材料に要求される特性を満たし、青色レーザー光に対する耐久性が高い新規重合性液晶化合物、該液晶化合物を含む重合性液晶組成物、該液晶組成物を用いた光学異方性材料および光学素子の提供。【解決手段】下式（１）で表される重合性液晶化合物、該液晶化合物を含む重合性液晶組成物、該液晶組成物を用いた光学異方性材料および光学素子。  ＣＨ２＝ＣＲ１−ＣＯＯ−（Ｌ）ｎ−Ｐｈ−［（ＣＨ２）２］ｐ−Ｐｈ−［（ＣＨ２）２］ｑ−Ｃｙ−Ｒ２・・・（１）  ただし、式中の記号は以下の意味を示す。  Ｒ１：水素原子またはメチル基。  Ｒ２：炭素数１〜８のアルキル基。  Ｌ：置換されていてもよい１，４−フェニレン基、置換されていてもよいトランス−１，４−シクロヘキシレン基、または−（ＣＨ２）ｋＯ−（ただし、ｋは２〜１２の整数）Ｃｙ：トランス１，４−シクロヘキシレン基。  ｎ、ｐ、ｑ：０または１。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下式（１）で表される重合性液晶化合物。
ＣＨ２＝ＣＲ１−ＣＯＯ−（Ｌ）ｎ−Ｐｈ−［（ＣＨ２）２］ｐ−Ｐｈ−［（ＣＨ２）２］ｑ−Ｃｙ−Ｒ２・・・（１）
ただし、式中の記号は以下の意味を示す。
Ｒ１：水素原子またはメチル基。
Ｒ２：炭素数１〜８のアルキル基。
Ｌ：１，４−フェニレン基、トランス−１，４−シクロヘキシレン基、または−（ＣＨ２）ｋＯ−（ただし、ｋは２〜１２の整数）。ただし、前記の１，４−フェニレン基およびトランス−１，４−シクロヘキシレン基は、該基中の水素原子がフッ素原子、塩素原子またはメチル基で置換されていてもよい。
ｎ：０または１。
ｐ、ｑ：０または１。ただし、ｐが０の場合のｑは１であり、ｐが１の場合のｑは０である。
【請求項２】
前記式（１）で表される重合性液晶化合物から選ばれる２種以上の化合物を含むか、または、前記式（１）で表される重合性液晶化合物の１種以上と前記式（１）で表される重合性液晶化合物以外の重合性液晶化合物の１種以上とを含むことを特徴とする重合性液晶組成物。
【請求項３】
前記式（１）で表される重合性液晶化合物と前記式（１）で表される重合性液晶化合物以外の重合性液晶化合物との合計含有量が、液晶組成物に対して９０質量％以上である請求項２に記載の重合性液晶組成物。
【請求項４】
液晶組成物中の全重合性液晶化合物に対する前記式（１）で表される重合性液晶化合物の割合が２０モル％以上である、請求項２または３に記載の重合性液晶組成物。
【請求項５】
請求項２〜４のいずれか１項に記載の重合性液晶組成物を、該液晶組成物が液晶相を示す状態で、かつ液晶が配向した状態で重合させてなる光学異方性材料。
【請求項６】
光学異方性材料が波長３００〜４５０ｎｍのレーザー光を透過させて使用する光学異方性材料である、請求項５に記載の光学異方性材料。
【請求項７】
請求項２〜４のいずれか１項に記載の重合性液晶組成物を、１対の支持体間に挟持し、該液晶組成物が液晶相を示す状態で、かつ液晶が配向した状態で重合させてなる光学素子。
【請求項８】
光学素子が波長３００〜４５０ｎｍのレーザー光を透過させて使用する光学素子である、請求項７に記載の光学素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規な重合性液晶化合物、該液晶化合物を含む液晶組成物、および該液晶組成物を重合させてなる光学異方性材料、ならびに光学素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、光ディスクの大容量化を図るため、情報の書き込み、読み取りに使用されるレーザー光の短波長化が進んでいる。現在、ＣＤでは波長７８０ｎｍ、ＤＶＤでは波長６６０ｎｍのレーザー光が使用されているが、次世代光記録メディアでは、波長３００〜４５０ｎｍのレーザー光の使用が検討されている。これに伴い、波長３００〜４５０ｎｍのレーザー光（以下、青色レーザー光とも記す。）を変調する回折素子、位相板等の光学素子が必要となり、該波長帯のレーザー光に対応できる光学異方性材料が求められている。
一方、重合性官能基を有する液晶分子は、重合性モノマーとしての性質と液晶としての性質とを併有する。したがって、重合性官能基を有する液晶分子を配向させた後に重合反応を行うと、液晶分子の配向が固定された光学異方性材料が得られる。光学異方性材料は、メソゲン骨格に由来する屈折率異方性等の光学異方性を有し、該性質を利用して回折素子、位相板等に応用されている。
【０００３】
このような光学異方性材料としては、たとえば、下式（２）で表される化合物（ただし、式中のＱは、１，４−フェニレン基またはトランス−１，４−シクロヘキシレン基であり、Ｚはアルキル基である。）を含む液晶組成物を重合させてなる高分子液晶が報告されている（特許文献１参照。）。
【化１】
2006219533.tif 000002
【０００４】
また、一般に、回折素子や位相板用の光学異方性材料に求められる特性としては、以下の特性が挙げられる。
（１）光の吸収が少ないこと。
（２）面内光学特性（リタデーション値等）が均一なこと。
（３）素子を構成する他の材料と光学特性を合わせやすいこと。
（４）屈折率の波長分散が小さいこと。
（５）耐久性が良好なこと。
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−１９５１３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、特許文献１に記載された高分子液晶等の、従来から知られた材料は、青色レーザー光に対する耐久性が不充分である問題があった。
本発明は、上記の問題点を解決するためになされたものであり、光学異方性材料に要求される特性を満たし、かつ青色レーザー光に対する耐久性が高い新規な重合性液晶化合物、該液晶化合物を含む重合性液晶組成物、該液晶組成物を重合してなる光学異方性材料、ならびに光学素子を提供する。すなわち、本発明は以下の発明を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
第一の本発明は、下式（１）で表される重合性液晶化合物、である。
ＣＨ２＝ＣＲ１−ＣＯＯ−（Ｌ）ｎ−Ｐｈ−［（ＣＨ２）２］ｐ−Ｐｈ−［（ＣＨ２）２］ｑ−Ｃｙ−Ｒ２・・・（１）
ただし、式中の記号は以下の意味を示す。
Ｒ１：水素原子またはメチル基。
Ｒ２：炭素数１〜８のアルキル基。
Ｌ：１，４−フェニレン基、トランス−１，４−シクロヘキシレン基、または−（ＣＨ２）ｋＯ−（ただし、ｋは２〜１２の整数）。ただし、前記の１，４−フェニレン基およびトランス−１，４−シクロヘキシレン基は、該基中の水素原子がフッ素原子、塩素原子またはメチル基で置換されていてもよい。
ｎ：０または１。
ｐ、ｑ：０または１。ただし、ｐが０の場合のｑは１であり、ｐが１の場合のｑは０である。
【０００８】
第二の本発明は、前記式（１）で表される重合性液晶化合物から選ばれる２種以上の化合物を含むか、または、前記式（１）で表される重合性液晶化合物の１種以上と前記式（１）で表される重合性液晶化合物以外の重合性液晶化合物の１種以上とを含むことを特徴とする重合性液晶組成物、である。
【０００９】
第二の本発明の重合性液晶組成物は、前記式（１）で表される重合性液晶化合物と前記式（１）で表される重合性液晶化合物以外の重合性液晶化合物との合計含有量が、液晶組成物に対して９０質量％以上であることが好ましい。
【００１０】
また、第二の本発明の重合性液晶組成物は、液晶組成物中の全重合性液晶化合物に対する前記式（１）で表される重合性液晶化合物の割合が２０モル％以上であることが好ましい。
【００１１】
第三の本発明は、前記のいずれかの重合性液晶組成物を、該液晶組成物が液晶相を示す状態で、かつ液晶が配向した状態で重合させてなる光学異方性材料、である。
【００１２】
第三の本発明の光学異方性材料は、波長３００〜４５０ｎｍのレーザー光を透過させて使用する光学異方性材料であることが好ましい。
【００１３】
第四の本発明は、前記のいずれかの重合性液晶組成物を、１対の支持体間に挟持し、該液晶組成物が液晶相を示す状態で、かつ液晶が配向した状態で重合させてなる光学素子、である。
【００１４】
第四の本発明の光学素子は、波長３００〜４５０ｎｍのレーザー光を透過させて使用する光学素子であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、新規な重合性液晶化合物、該液晶化合物を含む液晶組成物、該液晶組成物を重合させてなる光学異方性材料、および光学素子が得られる。該光学異方性材料、および光学素子は、青色レーザー光に対する耐久性に優れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本明細書においては、式（１）で表される重合性液晶化合物を化合物（１）とも記す。他の化合物についても同様に記す。また、液晶性と重合性とを併有する化合物を、以下、「重合性液晶」という。「Ｐｈ」は１，４−フェニレン基を示し、「Ｃｙ」はトランス−１，４−シクロヘキシレン基を示し、これらの基中の炭素原子に結合した水素原子は、フッ素原子、塩素原子、またはメチル基に置換されていてもよい。なお、環基が１，４−シクロヘキシレン基である場合、１位および４位の結合手はトランスの位置にある。
また、屈折率異方性を「Δｎ」と略記する。なお、以下における波長の記載は、一点の値で記載されていても、記載値±２ｎｍの範囲にあることを意味する。
【００１７】
本発明の化合物は、下式（１）で表される化合物である。この化合物（１）は、重合性と液晶性とを併有し、重合性液晶の一種である。
ＣＨ２＝ＣＲ１−ＣＯＯ−（Ｌ）ｎ−Ｐｈ−［（ＣＨ２）２］ｐ−Ｐｈ−［（ＣＨ２）２］ｑ−Ｃｙ−Ｒ２・・・（１）
Ｒ１は水素原子またはメチル基であり、水素原子が好ましい。Ｒ１が水素原子である場合、後述する化合物（１）を含む液晶組成物を光重合させて光学異方性材料および光学素子を得る際に、重合反応が速やかに進行するので好ましい。また、光重合反応によって得られる光学異方性材料および光学素子の特性が外部環境（温度等）の影響を受けにくく、リタデーションの面内分布が小さい利点もある。
【００１８】
Ｒ２は炭素数１〜８のアルキル基である。このことによって化合物（１）を含む液晶組成物の結晶−ネマチック相転移点を低くすることができる。Ｒ２は、炭素数２〜６の該基が好ましい。また、化合物（１）が液晶性を示す温度範囲を広くできることから、Ｒ２は直鎖構造であることが好ましい。
Ｌは１，４−フェニレン基、トランス−１，４−シクロヘキシレン基、または−（ＣＨ２）ｋＯ−（ただし、ｋは２〜１２の整数）である。ｋは２〜１２の整数であり、４〜８の整数が好ましい。
Ｌは１，４−フェニレン基または−（ＣＨ２）ｋＯ−であることが好ましい。
ｎは０または１である。
ｐおよびｑは、０または１であり、ｐが０の場合のｑは１であり、ｐが１の場合のｑは０である。
【００１９】
該ｎと該Ｌの種類により、化合物（１）は下記の特性を有する。
(1)ｎが０の場合は、結晶−ネマチック相転移点が低く、化合物（１）以外の重合性液晶との相溶性に優れる。その結果、所望のΔｎ値を有する重合性液晶組成物の調製の自由度が拡大する。
(2)ｎが１の場合は、Ｌの種類により、以下の特性を示す。すなわち、
(2-1)Ｌが１，４−フェニレン基の場合は、化合物（１）のΔｎ値を大きくできる。
(2-2)Ｌがトランス−１，４−シクロヘキシレン基の場合は、化合物（１）の青色レーザー光の吸収を小さくできる。
(2-3)Ｌが−（ＣＨ２）ｋＯ−（ただし、ｋは２〜１２の整数）の場合は、重合反応の前後におけるΔｎ値の低下が少なく、重合後の光学異方性材料におけるリターデーションの温度依存性が少ない。一般に重合性液晶を重合させると、重合反応の前後でΔｎ値が低下する傾向があるが、Ｌが−（ＣＨ２）ｋＯ−の場合は、Δｎ値の低下を抑制できる。すなわち、重合反応による液晶分子の配向が乱れを抑制できると考えられる。
【００２０】
総合的には、ｎ＝０の場合が、青色レーザー光に対する耐久性が最も優れている。
また、ｐ＝１，ｑ＝０の場合の−Ｐｈ−（ＣＨ2）2−Ｐｈ−Ｃｙ−Ｒ2  と、ｐ＝０，ｑ＝１の場合の−Ｐｈ−Ｐｈ−（ＣＨ2）2−Ｃｙ−Ｒ2  とを比べたとき、前者の方が青色レーザー光に対する耐久性が高く、他の重合性液晶との相溶性が良く、後者の方がΔｎ値が大きくなる。
【００２１】
化合物（１）としては、下記化合物（１Ａ）〜（１Ｅ）が好ましく、下記化合物（１Ｃ）が特に好ましい。ただし、下式中の記号は前記と同じ意味を示す。
ＣＨ２＝ＣＲ１−ＣＯＯ−Ｐｈ−Ｐｈ−（ＣＨ２）２−Ｐｈ−Ｃｙ−Ｒ２・・・（１Ａ）
ＣＨ２＝ＣＲ１−ＣＯＯ−Ｐｈ−Ｐｈ−（ＣＨ２）２−Ｃｙ−Ｒ２・・・（１Ｂ）
ＣＨ２＝ＣＲ１−ＣＯＯ−Ｐｈ−（ＣＨ２）２−Ｐｈ−Ｃｙ−Ｒ２・・・（１Ｃ）
ＣＨ２＝ＣＲ１−ＣＯＯ−（ＣＨ２）ｍＯ−Ｐｈ−Ｐｈ−（ＣＨ２）２−Ｃｙ−Ｒ２・・・（１Ｄ）
ＣＨ２＝ＣＲ１−ＣＯＯ−（ＣＨ２）ｍＯ−Ｐｈ−（ＣＨ２）２−Ｐｈ−Ｃｙ−Ｒ２・・・（１Ｅ）
【００２２】
より具体的には下記化合物が好ましく、下記化合物（１Ａａ）、（１Ｂａ）、（１Ｃａ）、（１Ｄａ）、（１Ｅａ）が特に好ましく、下記化合物（１Ｃａ）がとりわけ好ましい。ただし、下記の式中のＰｈおよびＣｙは前記と同じ意味を示し、Ｐｈが非置換の１，４−フェニレン基であり、かつＣｙが非置換のトランス−１，４−シクロヘキシレン基であることが好ましい。ｒは１〜８の整数であり、２〜６の整数であることが好ましい。
ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＯＯ−Ｐｈ−Ｐｈ−（ＣＨ２）２−Ｐｈ−Ｃｙ−（ＣＨ２）ｒＨ・・・（１Ａａ）
ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＯＯ−Ｐｈ−Ｐｈ−（ＣＨ２）２−Ｃｙ−（ＣＨ２）ｒＨ・・・（１Ｂａ）
ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＯＯ−Ｐｈ−（ＣＨ２）２−Ｐｈ−Ｃｙ−（ＣＨ２）ｒＨ・・・（１Ｃａ）
ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＯＯ−（ＣＨ２）ｍＯ−Ｐｈ−Ｐｈ−（ＣＨ２）２−Ｃｙ−（ＣＨ２）ｒＨ・・・（１Ｄａ）
ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＯＯ−（ＣＨ２）ｍＯ−Ｐｈ−（ＣＨ２）２−Ｐｈ−Ｃｙ−（ＣＨ２）ｒＨ・・・（１Ｅａ）
ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）−ＣＯＯ−Ｐｈ−Ｐｈ−（ＣＨ２）２−Ｐｈ−Ｃｙ−（ＣＨ２）ｒＨ・・・（１Ａｂ）
【００２３】
ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）−ＣＯＯ−Ｐｈ−Ｐｈ−（ＣＨ２）２−Ｃｙ−（ＣＨ２）ｒＨ・・・（１Ｂｂ）
ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）−ＣＯＯ−Ｐｈ−（ＣＨ２）２−Ｐｈ−Ｃｙ−（ＣＨ２）ｒＨ・・・（１Ｃｂ）
ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）−ＣＯＯ−（ＣＨ２）ｍＯ−Ｐｈ−Ｐｈ−（ＣＨ２）２−Ｃｙ−（ＣＨ２）ｒＨ・・・（１Ｄｂ）
ＣＨ２＝Ｃ（ＣＨ３）−ＣＯＯ−（ＣＨ２）ｍＯ−Ｐｈ−（ＣＨ２）２−Ｐｈ−Ｃｙ−（ＣＨ２）ｒＨ・・・（１Ｅｂ）
（式中の記号は前記と同じ意味を示す。）
【００２４】
本発明の化合物（１Ａ）は、以下に示す方法１によって合成される。すなわち、下記化合物（Ａ）の水酸基を保護して下記化合物（Ｂ）を得る。一方、下記化合物（Ｃ）と式（Ｒ２０）３−Ｓｉ−Ｃ≡ＣＨで表される化合物とを反応させて下記化合物（Ｄ）を得る。つぎに該化合物（Ｄ）を下記化合物（Ｅ）に変換したのち、該化合物（Ｅ）と前記化合物（Ｂ）とを遷移金属錯体触媒を用いてカップリング反応させることによって下記化合物（Ｆ）を得る。該化合物（Ｆ）の炭素−炭素三重結合部分を還元することによって、下記化合物（Ｇ）を得る。該化合物（Ｇ）の保護された水酸基を脱保護することによって下記化合物（Ｈ）を得、さらに該化合物（Ｈ）と式ＣＨ２＝ＣＲ１−Ｃ（Ｏ）Ｃｌで表される化合物とを反応させて化合物（１Ａ）を得る。
【００２５】
上記の化合物（１Ａ）を得るまでの合成経路１を図示する。
【化２】
2006219533.tif 000003
式中のＸ１およびＸ２はハロゲン原子を、Ｐ１は水酸基の保護基を、Ｒ20  はアルキル基を示し、その他の記号は前記と同じ意味を示す。
Ｘ１およびＸ２は、ヨウ素原子、臭素原子、または塩素原子であることが好ましい。Ｐ１は、水酸基の保護に用いられる保護基であれば特に制限されず、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基等のトリアルキルシリル基が好ましい。Ｒ20  はメチル基、エチル基等の低級アルキル基であることが好ましい。
【００２６】
化合物（Ｂ）と化合物（Ｅ）とのカップリング反応に用いる遷移金属錯体触媒は、ＰｄＣｌ２［Ｐ（Ｃ６Ｈ５）３］２、Ｐｄ［Ｐ（Ｃ６Ｈ５）３］４等のパラジウム錯体触媒が好ましい。また、必要に応じてヨウ化銅、臭化銅等の銅塩を助触媒として併用できる。溶媒としては、２級アミン、３級アミン、アミド類が使用でき、具体的にはピペリジン、ピペラジン、モルホリン、ピリジン、トリエチルアミン、ジメチルホルムアミド等が挙げられる。
【００２７】
本発明の化合物（１Ｂ）および化合物（１Ｄ）は、以下に示す方法２によって合成される。すなわち、下記化合物（Ｊ）と下記化合物（Ｋ）とのＦｒｉｅｄｅｌ−Ｃｒａｆｔｓ反応によって下記化合物（Ｌ）を得て、該化合物（Ｌ）のＷｏｌｆ−Ｋｉｓｈｎｅｒ還元を行って下記化合物（Ｍ）を得る。該化合物（Ｍ）と下記化合物（Ｎ）とのカップリングによって下記化合物（Ｐ）を得る。つぎに該化合物（Ｐ）の、保護された水酸基の脱保護反応を行って下記化合物（Ｑ）を得る。
そして、該化合物（Ｑ）と式ＣＨ２＝ＣＲ１−Ｃ（Ｏ）Ｃｌで表される化合物とを反応させて化合物（１Ｂ）を得る。
他方、該化合物（Ｑ）と式ＣＨ２＝ＣＲ１−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（ＣＨ２）ｋ−Ｂｒで表される化合物とを反応させて化合物（１Ｄ）を得る。
【００２８】
上記の化合物（１Ｂ）および化合物（１Ｄ）を得るまでの合成経路２を図示する。
【化３】
2006219533.tif 000004
式中のＸ３はハロゲン原子を示し、その他の記号は前記と同じ意味を示す。
Ｘ３は、ヨウ素原子、臭素原子、または塩素原子であることが好ましい。
【００２９】
本発明の化合物（１Ｃ）および化合物（１Ｅ）は、以下に示す方法によって合成される。すなわち、前記化合物（Ｅ）と下記化合物（Ｕ）とを、遷移金属錯体触媒存在下でカップリングすることによって下記化合物（Ｖ）を得る。該化合物（Ｖ）の炭素−炭素三重結合部分を還元して下記化合物（Ｗ）を得て、さらに該化合物（Ｗ）の保護された水酸基の脱保護反応を行うことによって下記化合物（Ｘ）を得る。
そして、該化合物（Ｘ）と式ＣＨ２＝ＣＲ１−Ｃ（Ｏ）Ｃｌで表される化合物とを反応させて化合物（１Ｃ）を得る。
他方、該化合物（Ｘ）と式ＣＨ２＝ＣＲ１−Ｃ（Ｏ）Ｏ−（ＣＨ２）ｋ−Ｂｒで表される化合物とを反応させて化合物（１Ｅ）を得ることができる。
【化４】
2006219533.tif 000005
式中のＸ４およびＸ５はハロゲン原子を示し、その他の記号は前記と同じ意味を示す。
Ｘ４およびＸ５は、ヨウ素原子、臭素原子、または塩素原子であることが好ましい。
【００３０】
本発明の化合物（１）は、環基を３個または４個含むことによって青色レーザー光に対する耐久性が高い。アクリロイル基またはメタクリロイル基にＰｈが直結している場合は、化合物（１）の剛性が高くなって、耐久性が上がると考えられる。
また、２個のＰｈと１個のＣｙとを必ず含むことにより、Δｎ値を大きくしつつ、光の透過率を高くでき、結晶−ネマチック相転移点を低くでき、他の重合性液晶との相溶性を良好にできる。さらに、Ｃｙを少なくとも１個有すること、および、−Ｐｈ−ＣＯ−構造を含まないこと、により、青色レーザー光の吸収が小さい。
【００３１】
アクリロイル基またはメタクリロイル基に−（ＣＨ２）ｋ−が連結している場合は、重合性液晶の重合反応の前後でしばしば観測されるΔｎ値の低下を抑制できる。
−Ｐｈ−［（ＣＨ２）２］ｐ−Ｐｈ−［（ＣＨ２）２］ｑ−Ｃｙ−構造については、３個の環基のうちの２個が−ＣＨ２ＣＨ２−によって連結していることにより、Δｎ値の低下を抑制しつつ、結晶−ネマチック相転移点を低くできる。この構造のうち、ｐ＝０、ｑ＝１の場合、すなわち、−Ｐｈ−Ｐｈ−ＣＨ２ＣＨ２−Ｃｙ−構造を有する場合は、Δｎ値を高くできる。ｐ＝１、ｑ＝０の場合、すなわち、−Ｐｈ−ＣＨ２ＣＨ２−Ｐｈ−Ｃｙ−構造を有する場合は、共役が不連続になっていることにより、青色レーザー光の吸収を抑制し、レーザー光に対する耐久性の向上に寄与していると考えられる。
したがって、化合物（１）を用いることにより、青色レーザー光に対して充分な耐久性を有し、位相差等の特性にも優れる光学異方性材料および光学素子を提供できる。
【００３２】
本発明の化合物（１）は、高分子液晶を得るための液晶組成物の一成分として使用されることが好ましい。この場合、本発明の化合物（１）は、単独で充分広い液晶温度範囲を有し、特に液晶相を示す温度範囲が高温側に広い特徴を有する。高分子液晶を得るための液晶組成物が低温側においても液晶性を示すように、この液晶組成物は化合物（１）から選ばれる２種以上の化合物を含む液晶組成物、または化合物（１）と化合物（１）以外の重合性液晶とを含む液晶組成物であることが好ましい。このような液晶組成物とすることによって、液晶相を示す温度範囲をより広くできる。また、融点（Ｔｍ）降下が生じるため、その取り扱いが容易になる。
【００３３】
液晶組成物が、化合物（１）から選ばれる２種以上の化合物を含む場合、該２種以上の化合物（１）の相溶性を良好にするためには、Ｒ２ 部分以外は同一構造であり、Ｒ２ 部分の炭素数が異なる化合物の２種以上を含むことが好ましい。具体的には、Ｒ２が炭素数２〜４の直鎖アルキル基である化合物から選ばれる少なくとも１種と、Ｒ２が炭素数５〜８の直鎖アルキル基である化合物から選ばれる少なくとも１種とを含有することが好ましく、Ｒ２がｎ−プロピル基である化合物と、Ｒ２がｎ−ペンチル基である化合物とを含有することが特に好ましい。
【００３４】
液晶組成物が、化合物（１）と化合物（１）以外の重合性液晶とを含む場合、化合物（１）以外の重合性液晶としては、アクリロイル基またはメタクリロイル基を有する化合物が好ましく、アクリロイル基を有する化合物が特に好ましい。また、この重合性液晶としては、青色レーザー光に対する耐久性が高いことが好ましいことより、そのメソゲン構造中に、−Ｐｈ−ＣＯ−構造を含まないことが好ましい。
【００３５】
化合物（１）以外の重合性液晶としては、下式（３Ａ）〜下式（３Ｉ）で表される化合物が好ましい。以下、これらを総称して化合物（３）ともいう。
ＣＨ２＝ＣＲ３−ＣＯＯ−Ｐｈ−ＯＣＯ−Ｃｙ−Ｚ２−Ｒ４・・・（３Ａ）
ＣＨ２＝ＣＲ５−ＣＯＯ−Ｚ３−Ｚ４−Ｒ６・・・（３Ｂ）
ＣＨ２＝ＣＲ７−ＣＯＯ−（ＣＨ２）ｓ−Ｏ−Ｐｈ−Ｚ５−Ｒ８・・・（３Ｃ）
ＣＨ２＝ＣＲ９−ＣＯＯ−Ｚ６−Ｚ７−Ｚ８−Ｒ１０・・・（３Ｄ）
ＣＨ２＝ＣＲ１１−ＣＯＯ−（ＣＨ２）ｔ−Ｏ−Ｐｈ−Ｚ９−Ｚ１０−Ｚ１１−Ｒ１２・・・（３Ｅ）
ＣＨ２＝ＣＲ１３−ＣＯＯ−Ｚ１２−Ｃｙ−Ｙ−Ｃｙ−Ｐｈ−Ｒ１４・・・（３Ｆ）
ＣＨ２＝ＣＲ１５−ＣＯＯ−Ｃｙ−Ｙ−Ｃｙ−Ｐｈ−Ｒ１６・・・（３Ｇ）
ＣＨ２＝ＣＲ１７−ＣＯＯ−Ｚ１３−Ｐｈ−Ｃ≡Ｃ−Ｐｈ−Ｃｙ−Ｒ１８・・・（３Ｈ）
ＣＨ２＝ＣＲ１９−ＣＯＯ−Ｐｈ−Ｃ≡Ｃ−Ｐｈ−Ｚ１４−Ｚ１５−Ｒ２０・・・（３Ｉ）
【００３６】
ただし、式中のＰｈおよびＣｙは前記と同じ意味を示し、その他の記号は以下の意味を示す。
Ｒ３、Ｒ５、Ｒ７、Ｒ９、Ｒ１１、Ｒ１３、Ｒ１５、Ｒ１７、Ｒ１９：それぞれ独立に水素原子またはメチル基。
Ｒ４、Ｒ６、Ｒ８、Ｒ１０、Ｒ１２、Ｒ１４、Ｒ１６、Ｒ１８、Ｒ２０：それぞれ独立に炭素数１〜８のアルキル基。
Ｚ２〜Ｚ１３：それぞれ独立に１，４−フェニレン基またはトランス−１，４−シクロヘキシレン基。ただし、Ｚ６〜Ｚ８  の少なくとも一つはトランス−１，４−シクロヘキシレン基である。Ｚ９〜Ｚ１１  の少なくとも一つはトランス−１，４−シクロヘキシレン基であり、Ｚ９ とＺ１０は同時に１，４−フェニレン基にならない。
Ｚ１４、Ｚ１５：１，４−フェニレン基またはトランス−１，４−シクロヘキシレン基であり、Ｚ１４が１，４−フェニレン基である場合のＺ１５はトランス−１，４−シクロヘキシレン基であり、Ｚ１４がトランス−１，４−シクロヘキシレン基である場合のＺ１５は１，４−フェニレン基である。
Ｙ：−ＣＯＯ−または−ＯＣＯ−。
ｓ、ｔ：それぞれ独立に１〜８の整数。
【００３７】
前記化合物（３Ａ）〜化合物（３Ｉ）の具体例としては、下記化合物が挙げられる。
ただし、式中の記号は前記と同じ意味を示す。Ｒ４、Ｒ６、Ｒ８、Ｒ１０、Ｒ１２、Ｒ１４、Ｒ１６、Ｒ１８、Ｒ２０としては、直鎖構造であることが好ましい。
これらの化合物は１種または２種以上を用いることができる。
ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＯＯ−Ｐｈ−ＯＣＯ−Ｃｙ−Ｐｈ−Ｒ４・・・（３Ａａ）
ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＯＯ−Ｐｈ−ＯＣＯ−Ｃｙ−Ｃｙ−Ｒ４・・・（３Ａｂ）
ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＯＯ−Ｃｙ−Ｃｙ−Ｒ６・・・（３Ｂｃ）
ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＯＯ−Ｐｈ−Ｃｙ−Ｒ６・・・（３Ｂｄ）
ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＯＯ−Ｐｈ−Ｐｈ−Ｒ６・・・（３Ｂｅ）
ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＯＯ−（ＣＨ２）ｎ−Ｏ−Ｐｈ−Ｃｙ−Ｒ８・・・（３Ｃｆ）
ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＯＯ−（ＣＨ２）ｎ−Ｏ−Ｐｈ−Ｐｈ−Ｒ８・・・（３Ｃｇ）
ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＯＯ−Ｐｈ−Ｐｈ−Ｃｙ−Ｒ１０・・・（３Ｄｈ）
ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＯＯ−Ｐｈ−Ｃｙ−Ｐｈ−Ｒ１０・・・（３Ｄｊ）
ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＯＯ−（ＣＨ２）ｎ−Ｏ−Ｐｈ−Ｐｈ−Ｃｙ−Ｐｈ−Ｒ１２・・・（３Ｅｋ）
【００３８】
ＣＨ２＝ＣＲ１３−ＣＯＯ−Ｐｈ−Ｃｙ−ＣＯＯ−Ｃｙ−Ｐｈ−Ｒ１４・・・（３Ｆｍ）
ＣＨ２＝ＣＲ１３−ＣＯＯ−Ｐｈ−Ｃｙ−ＯＣＯ−Ｃｙ−Ｐｈ−Ｒ１４・・・（３Ｆｎ）
ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＯＯ−Ｃｙ−ＣＯＯ−Ｃｙ−Ｐｈ−Ｒ１６・・・（３Ｇｐ）
ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＯＯ−Ｃｙ−ＯＣＯ−Ｃｙ−Ｐｈ−Ｒ１６・・・（３Ｇｑ）
ＣＨ２＝ＣＲ１７−ＣＯＯ−Ｐｈ−Ｐｈ−Ｃ≡Ｃ−Ｐｈ−Ｃｙ−Ｒ１８・・・（３Ｈｒ）
ＣＨ２＝ＣＲ１７−ＣＯＯ−Ｃｙ−Ｐｈ−Ｃ≡Ｃ−Ｐｈ−Ｃｙ−Ｒ１８・・・（３Ｈｓ）
ＣＨ２＝ＣＲ１９−ＣＯＯ−Ｐｈ−Ｃ≡Ｃ−Ｐｈ−Ｐｈ−Ｃｙ−Ｒ２０・・・（３Ｉｔ）
ＣＨ２＝ＣＲ１９−ＣＯＯ−Ｐｈ−Ｃ≡Ｃ−Ｐｈ−Ｃｙ−Ｐｈ−Ｒ２０・・・（３Ｉｕ）
【００３９】
液晶組成物を調製する場合の好ましい組み合わせは、化合物（１）の種類に応じて適宜選択され、たとえば、本発明の化合物（１）と前記化合物（３Ｂｃ）とを含む液晶組成物が好ましい。
高分子液晶を製造するための液晶組成物は、重合性液晶を７５質量％以上含む液晶組成物であり、９０質量％以上含む液晶組成物が好ましい。この液晶組成物は、非液晶性の重合性化合物や非重合性の液晶化合物を含んでもよい。液晶組成物は、非液晶性重合性化合物や非重合性液晶化合物を実質的に含まず、重合性液晶を９０質量％以上、特に９５質量％以上含む液晶組成物が好ましい。本発明において、高分子液晶を製造するための液晶組成物は、液晶組成物中の全重合性液晶に対して化合物（１）を少なくとも５質量％含む液晶組成物が好ましい。
【００４０】
本発明において高分子液晶を製造するために適した液晶組成物は、前記のように化合物（１）の２種以上を含有する液晶組成物、および、化合物（１）の１種以上と化合物（３）の１種以上とを含有する液晶組成物である。これらの液晶組成物における化合物（１）と化合物（３）の合計量は、液晶組成物中の全重合性液晶に対して５０〜１００質量％であることが好ましく、８０〜１００質量％であることが特に好ましい。さらに、液晶組成物中の重合性液晶が実質的に化合物（１）のみからなるか、化合物（１）と化合物（３）のみからなる液晶組成物がとりわけ好ましい。化合物（１）と化合物（３）とが併用される場合は、両者の合計量に対する化合物（１）の割合は２０モル％以上であることが好ましい。特に液晶相を示す温度範囲を拡げること等を目的として化合物（３）を併用する場合、その効果をより発揮させるためには両者の合計に対する化合物（１）の割合は２０〜９０モル％が好ましい。
【００４１】
また、本発明の液晶組成物は、化合物（１）および化合物（３）等の重合性液晶以外の成分（以下、他の成分と記す。）を含んでいてもよい。他の成分としては、重合開始剤、カイラル剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、光安定剤、二色性色素等が挙げられる。
【００４２】
液晶組成物に含まれる化合物（１）および化合物（３）等の重合性液晶の総量（以下、「液晶の総量」と記す。）、および、他の成分の割合は用途によって調整することが好ましい。たとえば、他の成分としてカイラル剤を使用する場合、液晶の総量は、液晶組成物に対して２０〜９５質量％が好ましく、５０〜９５質量％が特に好ましい。カイラル剤の量は、液晶組成物に対して５〜８０質量％が好ましく、５〜５０質量％が特に好ましい。
他の成分として二色性色素を使用する場合、液晶の総量は、液晶組成物に対して８０〜９９質量％が好ましく、８２〜９７質量％が特に好ましい。二色性色素の量は、液晶組成物に対して１〜２０質量％が好ましく、３〜１８質量％が特に好ましい。
他の成分として、紫外線吸収剤、酸化防止剤、光安定剤等を使用する場合は、これらの成分の量は液晶組成物に対して５質量％以下が好ましく、２質量％以下が特に好ましい。この場合の液晶の総量は、液晶組成物に対して９５〜１００質量％が好ましく、９８〜１００質量％が特に好ましい。なお、重合開始剤の割合については後述する。
【００４３】
本発明の光学異方性材料は、前記液晶組成物を、該液晶組成物が液晶相を示す状態で、かつ液晶が配向した状態で重合反応を行うことによって得られる。
液晶組成物が液晶相を示す状態に保つためには、雰囲気温度をネマチック相−等方相相転移温度（Ｔｃ）以下にすればよいが、Ｔｃ に近い温度では液晶組成物のΔｎ値がきわめて小さいので、雰囲気温度の上限は（Ｔｃ−１０）℃以下とすることが好ましい。
重合反応としては、光重合反応および熱重合反応等が挙げられ、光重合反応が好ましい。光重合反応に用いる光としては、紫外線または可視光線が好ましい。光重合反応を行う場合は光重合開始剤を用いることが好ましく、アセトフェノン類、ベンゾフェノン類、ベンゾイン類、ベンジル類、ミヒラーケトン類、ベンゾインアルキルエーテル類、ベンジルジメチルケタール類、およびチオキサントン類等から適宜選択される。光重合開始剤は１種または２種以上を使用できる。光重合開始剤の量は、液晶組成物の全体量に対して０．１〜５質量％が好ましく、０．３〜２質量％が特に好ましい。
【００４４】
つぎに本発明の光学素子について説明する。本発明の光学素子は、配向処理が施された１対の支持体間に前記液晶組成物を挟持し、該液晶組成物が液晶相を示す状態で、かつ液晶が配向した状態で重合反応を行うことによって得られる。
支持体としては、ガラス製または樹脂製の透明基板に配向処理を施した支持体が好ましい。配向処理は、綿、羊毛、ナイロン、ポリエステル等の繊維で透明基板表面を直接ラビングする方法、透明基板表面にポリイミド配向膜を積層した後に該配向膜表面を上記繊維等でラビングする方法、透明基板表面に無機材料を斜方蒸着する方法等によって行うことが好ましい。
つぎに、配向処理が施された面にガラスビーズなどのスペーサを配置し、複数枚の支持体を所望の間隔に制御して対向させ、支持体間に液晶組成物を挟持した後に重合反応を行う。重合反応は、前記光学異方性材料を作製する場合の重合反応と同様に行うことができる。重合反応によって得られた光学素子は、支持体に挟持したまま用いてもよく、支持体から剥離して用いてもよい。
【００４５】
本発明の光学異方性材料および光学素子は、青色レーザー光に対して良好な耐久性を示すので、該レーザー光を変調する用途に有用である。特に、該レーザー光の位相状態および／または波面状態を変調する用途に使用される光学異方性材料や該光学異方性材料からなる部材を有する光学素子として有用である。たとえば、偏光ホログラム等の回折素子、位相板等として光ヘッド装置に搭載して使用される。偏光ホログラムとしては、レーザー光源からの出射光が光ディスクの情報記録面によって反射されて発生する信号光を分離し、受光素子へ導光する例が挙げられる。位相板としては、１／２波長板として使用し、レーザー光源からの出射光の位相差制御を行う例、１／４波長板として光路中に設置し、レーザー光源の出力を安定化する例が挙げられる。
【実施例】
【００４６】
以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの例によって限定されない。ただし、例１〜例１５は実施例であり、例１６は比較例である。なお、以下の例における光重合開始剤は、チバスペシャリティーケミカルズ社製のイルガキュアー９０７である。
【００４７】
［例１］化合物（１Ａ）の合成例
［例１−１］化合物（Ｂ１）の合成例
【化５】
2006219533.tif 000006
還流装置、撹拌機を装備した１Ｌの４つ口フラスコに化合物（Ａ１）（２１．６ｇ）、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルクロリド（２５ｇ）、イミダゾール（１．００ｇ）、およびテトラヒドロフラン（２００ｍＬ）を加え、３時間反応を行った。反応終了後、水およびジエチルエーテルを加えて分液し、有機層を回収した。回収した有機層を飽和塩化ナトリウム水溶液（４０ｍＬ）で洗浄し、つぎに水洗し、再度有機層を回収した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧濾過によって無水硫酸マグネシウムを除去した。濾液を濃縮することによって粉末結晶を得た。この粉末結晶にジクロロメタンとヘキサンとの混合溶媒（９０ｍＬ）を加えて再結晶を行い、化合物（Ｂ１）（３４．３ｇ）を得た。収率は９０％であった。
【００４８】
［例１−２］化合物（Ｄ１）の合成例
【化６】
2006219533.tif 000007
還流装置、撹拌機、滴下装置を装備した５００ｍＬの４つ口フラスコに化合物（Ｃ１）（７．２７ｇ）、およびＨＣ≡Ｃ−Ｓｉ（ＣＨ３）３  （４．６０ｇ）を加えた。これに、窒素気流下で内温が２０℃を超えないように氷冷しながらテトラヒドロフラン（２００ｍＬ）、ピペラジン（７０．０ｍＬ）、ＰｄＣｌ２［Ｐ（Ｃ６Ｈ５）３］２  （０．２１ｇ）、およびヨウ化銅（０．１１ｇ）を加え、１時間撹拌した。反応終了後、例１−１と同様に後処理および再結晶を行い、化合物（Ｄ１）（８．１ｇ）を得た。収率は９０％であった。
【００４９】
［例１−３］化合物（Ｅ１）の合成例
【化７】
2006219533.tif 000008
還流装置、撹拌機、滴下装置を装備した５００ｍＬの４つ口フラスコに例１−２で得た化合物（Ｄ１）（２４．０ｇ）、水酸化ナトリウム（３２．２１ｇ）、メタノール（２００ｍＬ）、およびテトラヒドロフラン（１００ｍＬ）を加えて２時間撹拌した。反応終了後、例１−１と同様に後処理および再結晶を行い、化合物（Ｅ１）（１６．５ｇ）を得た。収率は９０％であった。
【００５０】
［例１−４］化合物（Ｆ１）の合成例
【化８】
2006219533.tif 000009
還流装置、撹拌機、滴下装置を装備した５００ｍＬの４つ口フラスコに例１−１で得た化合物（Ｂ１）（２８．３１ｇ）、および例１−３で得た化合物（Ｅ１）（１５．６２ｇ）を加えた。これに、窒素気流下で内温が２０℃を超えないように氷冷しながらテトラヒドロフラン（２００ｍＬ）、ピペラジン（２３．４７ｇ）、ＰｄＣｌ２［Ｐ（Ｃ６Ｈ５）３］２  （０．４９ｇ）、およびヨウ化銅（０．２５ｇ）を加え、１時間撹拌した。反応終了後、例１−１と同様に後処理および再結晶を行い、化合物（Ｆ１）（１１．０ｇ）を得た。収率は３１％であった。
【００５１】
［例１−５］化合物（Ｇ１）の合成例
【化９】
2006219533.tif 000010
５０００ｍＬの耐圧反応器に、例１−４で得た化合物（Ｆ１）（１２．００ｇ）、テトラヒドロフラン（２００ｍＬ）、および１０％パラジウム活性炭素２．４ｇを添加し、水素圧０．４ＭＰａ、反応温度６０℃で、３時間撹拌した。反応終了後、セライト濾過することによって触媒を除去した。濾液を濃縮することによって粉末結晶を得た。この粉末結晶にヘキサン溶媒（１００ｍＬ）を加えて再結晶を行い、化合物（Ｇ１）（１２．００ｇ）を得た。収率は９９％であった。
【００５２】
［例１−６］化合物（Ｈ１）の合成例
【化１０】
2006219533.tif 000011
還流装置、撹拌機、滴下装置を装備した５００ｍＬの４つ口フラスコに例１−５で得た化合物（Ｇ１）３．００ｇ、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムフロリド（４．６２ｇ）、およびテトラヒドロフラン（２００ｍＬ）を加え、１時間撹拌した。例１−１と同様に後処理および再結晶を行い、化合物（Ｈ１）（２．１ｇ）を得た。収率は８９％であった。
【００５３】
［例１−７］化合物（１Ａ）の合成例
【化１１】
2006219533.tif 000012
還流装置、撹拌機、滴下装置を装備した５００ｍＬの４つ口フラスコに例１−６で得た化合物（Ｈ１）（１．８ｇ）、トリエチルアミン（０．６９ｇ）、およびテトラヒドロフラン（３００ｍＬ）を加えた。窒素気流下で、内温が２０℃を超えないように氷冷しながら、アクリル酸クロリド（０．６２ｇ）を滴下し、２４時間撹拌した。反応終了後、例１−１と同様に後処理および再結晶を行い、化合物（１Ａ）を１．８ｇを得た。収率は９０％であった。
【００５４】
化合物（１Ａ）の1ＨＮＭＲスペクトル；
1ＨＮＭＲ（４００ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ3、内部標準：ＴＭＳ）δ（ｐｐｍ）：０．９０（ｔ、３Ｈ）、１．２〜１．４（ｍ、８Ｈ）、１．９１（ｍ、５Ｈ）、２．４８（ｍ、１Ｈ）、２．９（ｓ、４Ｈ）、６．０〜６．７(ｍ、３Ｈ)、７．１〜７．３（ｄｄ、８Ｈ）、７．４〜７．６（ｄｄ、４Ｈ）。
【００５５】
化合物（１Ａ）の結晶相からネマチック相への相転移温度は２１０℃であった。また、化合物（１Ａ）の６０℃における波長５８９ｎｍのレーザー光に対するΔｎは０．２５４９（外挿値）であった。
【００５６】
［例２］化合物（１Ｃ）の合成例
［例２−１］化合物（Ｖ）の合成例
【化１２】
2006219533.tif 000013
還流装置、撹拌機、滴下装置を装備した５００ｍＬの４つ口フラスコに例１−３と同様にして得た化合物（Ｅ１）（１５．６ｇ）、および化合物（Ｕ１）（１２．９ｇ）を加えた。これに、窒素気流下で内温が２０℃を超えないように氷冷しながらテトラヒドロフラン（２００ｍＬ）、ピペラジン（２３．４７ｇ）、ＰｄＣｌ２［Ｐ（Ｃ６Ｈ５）３］２  （０．４９ｇ）、およびヨウ化銅（０．２５ｇ）を加え、１時間撹拌した。反応終了後、例１−１と同様に後処理および再結晶を行い、化合物（Ｖ１）（１１．０ｇ）を得た。収率は３１％であった。
【００５７】
［例２−２］化合物（Ｗ１）の合成例
【化１３】
2006219533.tif 000014
５０００ｍＬの耐圧反応器に、例２−１で得た化合物（Ｖ１）（９．９７ｇ）、テトラヒドロフラン（２００ｍＬ）、および１０％パラジウム活性炭素（２．４ｇ）を添加し、水素圧０．４ＭＰａ、反応温度６０℃で、３時間撹拌した。反応終了後、セライト濾過することによって触媒を除去した。濾液を濃縮することによって粉末結晶を得た。この粉末結晶にヘキサン（１００ｍＬ）を加えて再結晶を行い、化合物（Ｗ１）（９．９９ｇ）を得た。収率は９９％であった。
【００５８】
［例２−３］化合物（Ｘ１）の合成例
【化１４】
2006219533.tif 000015
還流装置、撹拌機、滴下装置を装備した５００ｍＬの４つ口フラスコに例２−２で得た化合物（Ｗ１）（１０．８ｇ）、およびジクロロメタン（３００ｍＬ）を加えた。窒素気流下にて、１ｍｏｌ／Ｌの三臭化ホウ素−ジクロロメタン溶液（３４ｍＬ）を３０分間かけて滴下した。滴下操作は、内温が１０℃を超えないように氷冷しながら行った。室温で２時間撹拌を続けた後、水およびジエチルエーテルを加えて分液し、有機層を回収した。回収した有機層を飽和炭酸ナトリウム水溶液で洗浄し、無水硫酸マグネシウムを加えて乾燥した。減圧濾過によって無水硫酸マグネシウムを除去し、濾液を濃縮することによって粉末結晶を得た。ジクロロメタンとヘキサンとの混合溶媒（９０ｍＬ）を用いて再結晶を行い、化合物（Ｘ１）（９．７０ｇ）を得た。収率は９４％であった。
【００５９】
［例２−４］化合物（１Ｃ）の合成例
【化１５】
2006219533.tif 000016
還流装置、撹拌機、滴下装置を装備した５００ｍＬの４つ口フラスコに例２−３で得た化合物（Ｘ１）（１．５ｇ）、トリエチルアミン（０．６９ｇ）、およびテトラヒドロフラン（３００ｍＬ）を加えた。窒素気流下で、内温が２０℃を超えないように氷冷しながら、アクリル酸クロリド（０．６２ｇ）を滴下し、２４時間撹拌した。反応終了後、例１−７と同様に後処理および再結晶を行い、化合物（１Ｃ）（１．５ｇ）を得た。収率は９０％であった。
【００６０】
化合物（１Ｃ）の1ＨＮＭＲスペクトル；
1ＨＮＭＲ（４００ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ3、内部標準：ＴＭＳ）δ（ｐｐｍ）：０．８８（ｔ、３Ｈ）、１．２〜１．９（ｍ、１３Ｈ）、２．４３（ｍ、１Ｈ）、２．８４（ｓ、４Ｈ）、５．７〜６．３(ｍ、３Ｈ)、７．１〜７．３（ｄｄ、４Ｈ）、７．４〜７．６（ｄｄ、４Ｈ）。
【００６１】
化合物（１Ｃ）の結晶相からネマチック相への相転移温度は１００℃であった。また、化合物（１Ｃ）の９０℃における波長５８９ｎｍのレーザー光に対するΔｎは０．１３０１であった。
【００６２】
［例３］化合物（１Ｅ）の合成例
【化１６】
2006219533.tif 000017
還流装置、撹拌機、滴下装置を装備した５００ｍＬの４つ口フラスコに例２−１〜例２−３と同様にして得た化合物（Ｘ１）（１．５ｇ）、ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＯＯ−（ＣＨ２）６−Ｂｒ（１．４１ｇ）、炭酸カリウム（１．０ｇ）、ヨウ化カリウム（０．１０ｇ）、およびアセトン（１００ｍＬ）を加え、６０℃で２４時間撹拌した。反応終了後、例１−７と同様に後処理および再結晶を行い、化合物（１Ｅ）（１．５ｇ）を得た。収率は７０％であった。
【００６３】
化合物（１Ｅ）の1ＨＮＭＲスペクトル；
1ＨＮＭＲ（４００ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ3、内部標準：ＴＭＳ）δ（ｐｐｍ）：０．８８（ｔ、３Ｈ）、１．２〜１．９（ｍ、１７Ｈ）、２．４３（ｍ、１Ｈ）、２．８４（ｓ、４Ｈ）、３．７（ｔ、２Ｈ）、３．９（ｔ、２Ｈ）、５．７〜６．３(ｍ、３Ｈ)、７．１〜７．３（ｄｄ、４Ｈ）、７．４〜７．６（ｄｄ、４Ｈ）。
【００６４】
化合物（１Ｅ）の結晶相からネマチック相への相転移温度は１１０℃であった。また、化合物（１Ｅ）の３５℃における波長５８９ｎｍのレーザー光に対するΔｎは０．１０７９（外挿値）であった。
【００６５】
［例４］化合物（１Ｂ）の合成例
［例４−１］化合物（Ｐ１）の合成例
【化１７】
2006219533.tif 000018
還流装置、攪拌器を装備した１Ｌの４つ口フラスコに化合物（Ｍ１）（７．５０ｇ）、化合物（Ｎ１）３．６６ｇ、Ｐｄ［Ｐ（Ｃ６Ｈ５）３］４  （２．０８ｇ）、２０%炭酸ナトリウム水溶液（１５０ｍＬ）、およびテトラヒドロフラン（５００ｍＬ）を加え、窒素気流下、７０℃において２４時間反応を行った。反応終了後、水、ジエチルエーテルを加え、有機層を抽出した。次に飽和塩化ナトリウム水溶液（４０ｍＬ）を加えた後、有機層を抽出し、水洗した。さらに、無水硫酸マグネシウムを加えた後、減圧濾過を行った。
この濾液をジクロロメタン／ヘキサン（１／１、容量比）を展開液としたカラムクロマトグラフィーにより精製を行い、目的物を含む画分を得た。この画分を濃縮することによって粉末結晶を得た。これにジクロロメタン−ヘキサン（９：１、容量比）（９０ｍＬ）を加え再結晶を行い、化合物（Ｐ１）（５．２ｇ）を得た。収率は６４％であった。
【００６６】
［例４−２］化合物（Ｑ１）の合成例
【化１８】
2006219533.tif 000019
還流装置、攪拌器、滴下装置を装備した５００ｍＬの４つ口フラスコに、例４−１で得た化合物（Ｐ１）（５ｇ）、およびジクロロメタン（３００ｍＬ）を加え、氷冷しながら窒素気流下にて、三臭化ホウ素／ジクロロメタン溶液（１７ｍＬ）を内温が１０℃を超えないように３０分間かけて滴下した。室温にて２時間撹拌を続けた後、水、ジエチルエーテルを加え、有機相を抽出した。得られた有機相を飽和炭酸ナトリウム溶液で洗浄し、さらに、無水硫酸マグネシウムを加えた後、減圧濾過を行った。
この濾液からエーテルを留去させ粉末結晶を得た。これにジクロロメタンとヘキサンとの混合溶媒（５：５、容量比）（９０ｍＬ）を加え再結晶を行い、化合物（Ｑ１）（４．５ｇ）を得た。収率は９４％であった。
【００６７】
［例４−３］化合物（１Ｂ）の合成例
【化１９】
2006219533.tif 000020
例１−７において、化合物（Ｈ１）を例４−２で得た化合物（Ｑ１）（２．０ｇ）に変更する以外は同様にして化合物（１Ｂ）（１．２ｇ）を得た。収率は５１％であった。
化合物（１Ｂ）の結晶相からネマチック相への相転移温度は１５５℃、ネマチック相から等方相への相転移温度は１９８℃（外挿値）であった。また、化合物（１Ｂ）の９０℃における波長５８９ｎｍのレーザー光に対するΔｎは０．１９４（外挿値）であった。
【００６８】
化合物（１Ｂ）の1ＨＮＭＲスペクトル；
1ＨＮＭＲ（４００ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ3、内部標準：ＴＭＳ）δ（ｐｐｍ）：０．９６（ｔ、３Ｈ）、１．１〜１．４（ｍ、１４Ｈ）、１．５８（ｍ、２Ｈ）、２．５５（ｔ、２Ｈ）、５．９〜６．７(ｍ、３Ｈ)、７．０〜７．３（ｄｄ、４Ｈ）、７．４〜７．６（ｄｄ、４Ｈ）。
【００６９】
［例５］化合物（１Ｄ）の合成例
【化２０】
2006219533.tif 000021
例３における化合物（Ｘ１）を例４−２で得た化合物（Ｑ１）（２．０ｇ）に変更する以外は例２−４と同様にして化合物（１Ｄ）（１．９ｇ）を得た。収率は６４％であった。
化合物（１Ｄ）の結晶相からネマチック相への相転移温度は１５０℃、ネマチック相から等方相への相転移温度は１９８℃（外挿値）であった。また、化合物（１Ｄ）の９０℃における波長５８９ｎｍのレーザー光に対するΔｎは０．１３４８（外挿値）であった。
【００７０】
化合物（１Ｄ）の1ＨＮＭＲスペクトル；
1ＨＮＭＲ（４００ＭＨｚ、溶媒：ＣＤＣｌ3、内部標準：ＴＭＳ）δ（ｐｐｍ）：０．９１（ｔ、３Ｈ）、１．２〜１．５（ｍ、１８Ｈ）、１．５０（ｍ、２Ｈ）、１．５７（ｍ、２Ｈ）、１．７１（ｍ、２Ｈ）、２．５５（ｔ、２Ｈ）、３．９４（ｔ、２Ｈ）、４．１５（ｔ、２Ｈ）、５．９〜６．７(ｍ、３Ｈ)、６．８〜７．２（ｄｄ、４Ｈ）、７．４〜７．６（ｄｄ、４Ｈ）。
【００７１】
［例６］液晶組成物の調製例（その１）
例１で得た化合物（１Ａ）、下記化合物（３Ｂｃ−３）、および下記化合物（３Ｂｃ−５）を１４：１４：１３（モル比）で混合して、液晶組成物Ａを得た。
【化２１】
2006219533.tif 000022
液晶組成物Ａは７１℃でネマチック相を示した。またネマチック相から等方相への相転移温度は１２４℃以上であった。
つぎに、液晶組成物Ａに光重合開始剤を液晶組成物Ａに対して、０．５質量％添加し、液晶組成物Ａ１を得た。
【００７２】
［例７］液晶組成物の調製例（その２）
例４で得た化合物（１Ｂ）、化合物（３Ｂｃ−３）、および化合物（３Ｂｃ−５）を２：１：１（モル比）で混合し液晶組成物Ｂを得た。
液晶組成物Ｂは６３℃でネマチック相を示した。またネマチック相から等方相への相転移温度は１２４℃以上であった。
つぎに、液晶組成物Ｂに光重合開始剤を液晶組成物Ｂに対して、０．５質量％添加し、液晶組成物Ｂ１を得た。
【００７３】
［例８］液晶組成物の調製例（その３）
例２で得た化合物（１Ｃ）、化合物（３Ｂｃ−３）、および化合物（３Ｂｃ−５）を８：１：１（モル比）で混合し液晶組成物Ｃを得た。
液晶組成物Ｃは５５℃でネマチック相を示した。またネマチック相から等方相への相転移温度は１２４℃以上であった。
つぎに、液晶組成物Ｃに光重合開始剤を液晶組成物Ｃに対して、０．５質量％添加し、液晶組成物Ｃ１を得た。
【００７４】
［例９］液晶組成物の調製例（その４）
例５で得た化合物（１Ｄ）、化合物（３Ｂｃ−３）、および化合物（３Ｂｃ−５）を２：１：１（モル比）で混合し液晶組成物Ｄを得た。
液晶組成物Ｄは５５℃でネマチック相を示した。またネマチック相から等方相への相転移温度は１０８．７℃であった。
つぎに、液晶組成物Ｄに光重合開始剤を液晶組成物Ｄに対して、０．５質量％添加し、液晶組成物Ｄ１を得た。
【００７５】
［例１０］液晶組成物の調製例（その５）
例３で得た化合物（１Ｅ）、化合物（３Ｂｃ−３）、および化合物（３Ｂｃ−５）を２：１：１（モル比）で混合し液晶組成物Ｅを得た。
液晶組成物Ｅは室温でネマチック相を示した。またネマチック相から等方相への相転移温度は８８．６℃であった。
つぎに、液晶組成物Ｅに光重合開始剤を液晶組成物Ｅに対して、０．５質量％添加し、液晶組成物Ｅ１を得た。
【００７６】
［例１１］光学素子の作製例（その１）
［例１１−１］光学素子Ａの作製例
縦５ｃｍ、横５ｃｍ、厚さ０．５ｍｍのガラス基板にポリイミド溶液をスピンコータで塗布して乾燥した後、ナイロンクロスで一定方向にラビング処理して支持体を作製した。
配向処理を施した面が向かい合うように、２枚の支持体を接着剤を用いて貼り合わせてセルを作製した。接着剤には、直径４μｍのガラスビーズを添加し、支持体の間隔が４μｍになるように調整した。
つぎに、前記セル内に、例６で調製した液晶組成物Ａ１を１０５℃で注入した。８０℃において、強度８０ｍＷ／ｃｍ２の紫外線を積算光量が５３００ｍＪ／ｃｍ２となるよう照射して光重合反応を行って光学素子Ａを得た。光学素子Ａは基板のラビング方向に水平配向していた。光学素子Ａは可視域で透明であり、散乱も認められなかった。また、波長５８９ｎｍのレーザー光に対するΔｎは０．０３６であった。
【００７７】
［例１１−２］光学素子Ａの評価例
例１１−１ａで得た光学素子ＡについてＫｒレーザー（波長４０７ｎｍ、４１３ｎｍのマルチモード）を照射し、青色レーザー光曝露加速試験を行った。照射条件は、温度６０℃、積算曝露エネルギー１６Ｗ・ｈｏｕｒ／ｍｍ２とした。加速試験前のΔｎに対する試験後のΔｎの低下率は２％未満であったことから、光学素子Ａは青色レーザー光に対する耐久性に優れることを確認した。
【００７８】
［例１２］光学素子の作製例（その２）
［例１２−１］光学素子Ｂの作製例
液晶組成物としてＢ１を用いること以外は例１１−１と同様にして光学素子Ｂを得た。ただし露光は１００℃において行った。光学素子Ｂは基板のラビング方向に水平配向していた。光学素子Ｂは可視域で透明であり、散乱も認められなかった。また、波長５８９ｎｍのレーザー光に対するΔｎは０．０５９３であった。
【００７９】
［例１２−２］光学素子Ｂの評価例
例１２−１で得た光学素子Ｂについて例１１−２と同様の方法で青色レーザー光曝露加速試験を行った。ただし積算曝露エネルギーは１７Ｗ・ｈｏｕｒ／ｍｍ２とした。加速試験前のΔｎに対する試験後のΔｎの低下率は１％未満であったことから、光学素子Ｂは青色レーザー光に対する耐久性に優れることを確認した。
【００８０】
［例１３］光学素子の作製例（その３）
［例１３−１］光学素子Ｃの作製例
液晶組成物としてＣ１を用い、紫外線照射を９０℃において行う以外は例１１−１と同様にして光学素子Ｃを得た。光学素子Ｃは基板のラビング方向に水平配向していた。光学素子Ｃは可視域で透明であり、散乱も認められなかった。また、波長５８９ｎｍのレーザー光に対するΔｎは０．０５１０であった。
【００８１】
［例１３−２］光学素子Ｃの評価例
例１３−１で得た光学素子Ｃについて例１１−２と同様の方法で青色レーザー光曝露加速試験を行った。ただし積算曝露エネルギーは１８Ｗ・ｈｏｕｒ／ｍｍ２とした。加速試験前のΔｎに対する試験後のΔｎの低下率は１％未満であったことから、光学素子Ｃは青色レーザー光に対する耐久性に優れることを確認した。
【００８２】
［例１４］光学素子の作製例（その４）
［例１４−１］光学素子Ｄの作製例
液晶組成物としてＤ１を用い、紫外線照射を９０℃において行う以外は例１１−１と同様にして光学素子Ｄを得た。光学素子Ｄは基板のラビング方向に水平配向していた。光学素子Ｄは可視域で透明であり、散乱も認められなかった。また、波長５８９ｎｍのレーザー光に対するΔｎは０．０５８２であった。
【００８３】
［例１４−２］光学素子Ｄの評価例
例１４−１で得た光学素子Ｄについて例１１−２と同様の方法で青色レーザー光曝露加速試験を行った。ただし積算曝露エネルギーは９Ｗ・ｈｏｕｒ／ｍｍ２とした。加速試験前のΔｎに対する試験後のΔｎの低下率は２％未満であったことから、光学素子Ｄは青色レーザー光に対する耐久性に優れることを確認した。
【００８４】
［例１５］光学素子の作製例（その５）
［例１５−１］光学素子Ｅの作製例
液晶組成物としてＥ１を用い、紫外線照射を室温で行う以外は例１１−１と同様にして光学素子Ｅを得た。光学素子Ｅは基板のラビング方向に水平配向していた。光学素子Ｅは可視域で透明であり、散乱も認められなかった。また、波長５８９ｎｍのレーザー光に対するΔｎは０．０６７９であった。
【００８５】
［例１５−２］光学素子Ｅの評価例
例１５−１で得た光学素子Ｅについて例１１−２と同様の方法で青色レーザー光曝露加速試験を行った。ただし積算曝露エネルギーは７Ｗ・ｈｏｕｒ／ｍｍ２とした。加速試験前のΔｎに対する試験後のΔｎの低下率は２％未満であったことから、光学素子Ｅは青色レーザー光に対する耐久性に優れることを確認した。
【００８６】
［例１６］
［例１６−１］液晶組成物の調製例
下記化合物（４ａ）、下記化合物（４ｂ）、下記化合物（４ｃ）、下記化合物（４ｄ）を１：１：１：１（質量比）で混合し、液晶組成物Ｆを調製した。つぎに、液晶組成物Ｆに光重合開始剤を液晶組成物Ｆに対して０．５質量％添加し、液晶組成物Ｆ１を得た。
【化２２】
2006219533.tif 000023
【００８７】
［例１６−２］光学素子の作製・評価例
液晶組成物Ａ１を、例１６−１で得た液晶組成物Ｆ１に変更する以外は、例１１−１と同様の方法で光学素子Ｆを得た。波長５８９ｎｍのレーザー光に対するΔｎは０．０４６であった。また、光学素子Ｆは可視光領域で透明であり、散乱も認められなかった。
光学素子Ｆに対して例１１−２と同様の方法で青色レーザー光曝露加速試験を行った。加速試験前のΔｎに対する試験後のΔｎの低下率は３０％であった。また、試験後の波長４０５ｎｍのレーザー光の透過率は試験前の６０％に低下していた。
【産業上の利用可能性】
【００８８】
本発明の化合物は、光学異方性材料に要求される特性を満たし、かつ青色レーザー光に対する耐久性に優れた化合物である。本発明の化合物を含む液晶組成物を重合してなる光学異方性材料は青色レーザー光に対する耐久性に優れることから、青色レーザー光を変調する回折素子および位相板等の材料として有効に用いうる。