(57)【要約】【課題】  光電変換素子の電流電圧特性を基準状態に補正する場合の、補正精度を向上させる。【解決手段】  基準状態以外の状態で測定した一組の電流電圧特性のデータ（Ｖ1,Ｉ1）を以下の補正式によって、基準状態の電流電圧特性のデータ（Ｖ2,Ｉ2）に補正する。Ｉ2＝Ｉ1＋ΔＩ1＋α・ΔＴＶ2＝（Ｖ1−Ｒｓ・ΔＩ1）（１＋β／Ｖｏｃ’・ΔＴ）−Ｋａ・Ｉ2・ΔＴ【選択図】  図２
2006229063.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換素子の電流電圧特性の補正方法において、基準状態以外の状態で測定した一組の電流電圧特性のデータ（Ｖ1,Ｉ1）を以下の補正式（１）によって、基準状態の電流電圧特性のデータ（Ｖ2,Ｉ2）に補正することを特徴とする光電変換素子の電流電圧特性補正方法。
Ｉ2＝Ｉ1＋ΔＩ1＋α・ΔＴ
Ｖ2＝（Ｖ1−Ｒｓ・ΔＩ1）（１＋β／Ｖｏｃ’・ΔＴ）−Ｋａ・Ｉ2・ΔＴ
・・・（１）
ここで、
ΔＩ1＝Ｉｓｃ1・（Ｅ2／Ｅ1−１）
ΔＴ＝Ｔ2−Ｔ1
ただし、
Ｅ1：測定時の放射照度（Ｗ／ｍ2）
Ｅ2：基準状態の放射照度（１０００Ｗ／ｍ2）
Ｔ1：測定時の光電変換素子の温度（℃）
Ｔ2：基準状態の光電変換素子の温度（２５℃）
α：光電変換素子の温度が１℃変動したときの短絡電流の変動値（Ａ／℃）
β：光電変換素子の温度が１℃変動したときの開放電圧の変動値（Ｖ／℃）
Ｒｓ：光電変換素子の直列抵抗（Ω）
Ｋａ：曲線補正因子（Ω／℃）
Ｖｏｃ’：（Ｖ1−Ｒｓ・ΔＩ1，Ｉ2）が描く曲線から求まる開放電圧
Ｉｓｃ1：測定時の短絡電流
【請求項２】
前記補正式（１）において、ＫａがΔＴの関数であることを特徴とする請求項１に記載の光電変換素子の電流電圧特性補正方法。
【請求項３】
前記補正式（１）において、Ｋａが以下の式（２）のようなΔＴの一次関数であることを特徴とする請求項１に記載の光電変換素子の電流電圧特性補正方法。
Ｋａ＝ａｋ・ΔＴ＋ｂｋ      ・・・（２）
（ここで、ａｋ、ｂｋは定数。）
【請求項４】
前記光電変換素子が、少なくとも一層の非単結晶半導体を有することを特徴とする、請求項１に記載の光電変換素子の電流電圧特性補正方法。
【請求項５】
前記光電変換素子が、複数の半導体接合を有する多接合型光電変換素子であることを特徴とする、請求項１に記載の光電変換素子の電流電圧特性補正方法。
【請求項６】
光電変換素子の電流電圧特性を補正するコンピュータプログラムにおいて、前記補正プログラムは請求項１に記載の補正方法を実現させるプログラムであることを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項７】
光電変換素子の基準状態における電流電圧特性の測定方法において、請求項１に記載の補正方法を用いたことを特徴とする光電変換素子の電流電圧特性測定方法。
【請求項８】
光電変換素子の電流電圧特性測定装置において、請求項６に記載のコンピュータプログラムを内蔵し、光電変換素子の基準状態における電流電圧特性を測定することを特徴とする光電変換素子の電流電圧特性測定装置。
【請求項９】
基板上に少なくとも１つ以上の光電変換部分を形成する工程と、前記工程により形成された光電変換素子の電流電圧特性を測定する工程とを有する光電変換素子の製造方法であって、前記電流電圧特性を測定する工程は、請求項７に記載の測定方法に基づく工程であることを特徴とする光電変換素子の製造方法。
【請求項１０】
前記光電変換素子の電流電圧特性を測定する工程は、前記光電変換素子を製造する複数の工程の中間段階にあることを特徴とする請求項９に記載の光電変換素子の製造方法。
【請求項１１】
前記光電変換素子の電流電圧特性を測定する工程における測定値に基づいて、前記光電変換素子を形成する各工程の何れかを、前記測定値が所定の範囲内になるように調整することを特徴とする請求項９又は１０に記載の光電変換素子の製造方法。
【請求項１２】
少なくとも光電変換部分形成手段と、電流電圧特性測定手段とを有する光電変換素子の製造装置であって、前記電流電圧特性測定手段は、請求項８に記載の電流電圧特性測定装置を用いたものであることを特徴とする光電変換素子の製造装置。
【請求項１３】
前記補正式（１）において、電流電圧特性のデータ（Ｖ1,Ｉ1）を基準状態での値とし、電流電圧特性のデータ（Ｖ2,Ｉ2）を任意の放射照度と素子温度における値と再定義することにより、基準状態での電流電圧特性のデータから、前記補正式（１）を用いて、任意の放射照度と素子温度における光電変換素子の電流電圧特性を計算することを特徴とする光電変換素子の電流電圧特性予測方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電変換素子の電流電圧特性の補正方法、特に光電変換素子の電流電圧特性を基準状態、あるいは任意の放射照度と素子温度の状態に、補正する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光電変換素子の電流電圧特性を正確に測定することは、以下のような理由から非常に重要である。
【０００３】
最大出力、開放電圧、短絡電流、曲線因子等の光電変換素子の出力特性は、電流電圧特性から求められる。例えば、最大出力が重要な光電変換素子を製造して出荷する場合、検査において最大出力が定格値に満たないものは不良品とするが、正確な電流電圧特性の測定ができなければ、出荷する光電変換素子の最大出力を保証することができない。また、電流電圧特性の測定誤差が大きく、例えば測定装置の状態によって測定値が変化すると、同じ品質の光電変換素子を製造していても、検査のしきい値が変化してしまうので、製造の歩留まりが不安定になってしまう。さらに、出荷品の品質を保証するため、電流電圧特性の測定の誤差分を検査のしきい値に上乗せすると、製造の歩留まりが低下してしまう。また、上記光電変換素子を使用した太陽光発電システムを構築する場合、光電変換素子の出力を正確に予測できないと、前記太陽光発電システム全体の誤差が大きくなったり、前記太陽光発電システムの効率が低下したりする。
【０００４】
ここで、光電変換素子の電流電圧特性は、基準状態での値を用いることが、後述の、非特許文献１および非特許文献２において、規格として標準化されており、ＩＥＣ等の国際規格でも採用されている。
ここで、基準状態とは、下記の条件を満たす状態である。
太陽電池セル温度：２５℃
分光分布：ＡＭ１．５全天日射基準太陽光
（基準太陽光のスペクトルは、ＪＩＳ  Ｃ  ８９１１に規定されている。）
放射照度：１０００Ｗ／ｍ2
【０００５】
測定した光電変換素子の電流電圧特性を比較する場合、同じ条件で比較することが必須であるから、前記基準状態は、非常に重要である。しかしながら、前記基準状態を全て満たす条件で、光電変換素子の電流電圧特性を測定することは、実際には非常に困難である。
【０００６】
そこで、基準状態以外の条件で測定した光電変換素子の電流電圧特性を、基準状態での値に補正することが必須であり、重要となる。この時、少なくとも、光電変換素子の温度と照射光の放射照度をパラメータとして、電流電圧特性を補正することが必要である。
【０００７】
ところで、光電変換素子の電流電圧特性は、電流電圧特性曲線で表される。電流電圧特性曲線は、複数の電流電圧のデータ（以下ＩＶデータと略記する）をつないで表される。例えば、ｎ個のＩＶデータを測定して、一つの電流電圧特性曲線を表す時、１番目のＩＶデータを（Ｖ1-1,Ｉ1-1）、ｎ番目のＩＶデータを（Ｖ1-n,Ｉ1-n）とすれば、一組のＩＶデータのセット{（Ｖ1-1,Ｉ1-1），（Ｖ1-2,Ｉ1-2），．．．，（Ｖ1-n,Ｉ1-n）}（以下これを一組の電流電圧特性、あるいは、一組のＩＶデータセットと呼ぶ）を電圧あるいは電流の順に整列して、横軸電圧、縦軸電流のグラフを作成し、グラフ上の各ＩＶデータを、直線あるいは曲線で結ぶことによって、電流電圧特性曲線が得られる。
【０００８】
ここで、測定した一組のＩＶデータセットを構成する１点１点のＩＶデータを前記素子温度と放射照度をパラメータとして、後述するような方法で、基準状態での値に補正してやることによって、基準状態での一組のＩＶデータセット{（Ｖ2-1,Ｉ2-1），（Ｖ2-2,Ｉ2-2），．．．，（Ｖ2-n,Ｉ2-n）}が得られる。このＩＶデータセットを前述と同様に直線あるいは曲線で結ぶことによって、基準状態での電流電圧特性曲線が得られる。
【０００９】
ある光電変換素子をある条件で測定したＩＶデータを（Ｖ1,Ｉ1）、基準状態でのＩＶデータを（Ｖ2,Ｉ2）とすれば、例えば、結晶系光電変換素子の場合、非特許文献２に記載されているように、以下の式（３）によって、（Ｖ1,Ｉ1）から（Ｖ2,Ｉ2）を求めることができる。このように、基準状態での値に換算する式は、補正式と呼ばれる。
Ｉ2＝Ｉ1＋Ｉｓｃ・（Ｅ2／Ｅ1−１）＋α（Ｔ2−Ｔ1）
Ｖ2＝Ｖ1＋β（Ｔ2−Ｔ1）−Ｒｓ・（Ｉ2−Ｉ1）−Ｋ・Ｉ2・（Ｔ2−Ｔ1）
・・・（３）
ここで、Ｅ1：測定時の放射照度（Ｗ／ｍ2）
Ｅ2：基準状態の放射照度（１０００Ｗ／ｍ2）
Ｔ1：測定時の光電変換素子の温度（℃）
Ｔ2：基準状態の光電変換素子の温度（２５℃）
α：光電変換素子の温度が１℃変動したときの短絡電流の変動値（Ａ／℃）
β：光電変換素子の温度が１℃変動したときの開放電圧の変動値（Ｖ／℃）
Ｒｓ：光電変換素子の直列抵抗（Ω）
Ｋ：曲線補正因子（Ω／℃）
【００１０】
以上の補正式は、結晶系光電変換素子用であり、半導体接合が、アモルファス半導体からなる場合は、正確な補正が困難である。そこで、光電変換素子が単接合のアモルファス半導体からなる場合に、二つの異なった放射照度Ｅ1、Ｅ3のもとで測定したＩＶデータ（Ｖ1,Ｉ1）、（Ｖ3,Ｉ3）を用いて、基準状態でのＩＶデータ（Ｖ2,Ｉ2）を下記の補正式（４）によって求めることが、非特許文献１の解説付録に修正直線補間法として記載されている。
Ｉ2＝Ｉ1＋ΔＩ1＋α（Ｔ2−Ｔ1）
Ｖ2＝（Ｖ1−Ｒｓ・ΔＩ1）｛１＋β／Ｖｏｃ・（Ｔ2−Ｔ1）｝
・・・（４）
ここで、ΔＩ1＝（Ｅ2−Ｅ1）／（Ｅ1−Ｅ3）・（Ｉ1−Ｉ3*）
ただし、Ｅ1、Ｅ3：測定時の放射照度（Ｗ／ｍ2）
Ｅ2：基準状態の放射照度（１０００Ｗ／ｍ2）
Ｔ1、Ｔ3：測定時の光電変換素子の温度（℃）
（但し、Ｔ1−２≦Ｔ3≦Ｔ1＋２を満たすこと。）
Ｔ2：基準状態の光電変換素子の温度（２５℃）
α：放射照度が１０００Ｗ／ｍ2での光電変換素子の温度が１℃変動したときの短絡電流の変動値（Ａ／℃）
β：放射照度が１０００Ｗ／ｍ2での光電変換素子の温度が１℃変動したときの開放電圧の変動値（Ｖ／℃）
Ｒｓ：光電変換素子の直列抵抗（Ω）
Ｉ3*：（Ｖ3＋Ｒｓ・Ｉ3，Ｉ3）が描く曲線上で、電圧＝Ｖ1＋Ｒｓ・Ｉ1の時の電流値
Ｖｏｃ：（Ｖ1−Ｒｓ・ΔＩ1，Ｉ2）が描く曲線から求まる開放電圧
【００１１】
しかしながら、前記アモルファス用の補正式（４）を用いた補正方法には、以下のような問題点が有った。
【００１２】
すなわち、第一に、二つの異なった放射照度Ｅ1、Ｅ3のもとで測定したＩＶデータを２組用いるため、２回分の電流電圧特性を測定するプロセスと、放射照度を変更するプロセスが必要となり、結晶系光電変換素子用の補正式（３）を用いる場合に比べて、２倍以上の測定時間がかかるという問題である。この問題は、例えば、光電変換素子製造の検査方法として、補正式（４）を用いた補正方法を用いる場合に、生産のタクトを遅らせることになるので、製造コストを上昇させることになって、深刻である。
【００１３】
また、第二に、照射光の分光放射照度（以下スペクトルと略称する）の波長相対値（波長方向のスペクトルのグラフの形状）を保ったまま放射照度を変化させないと、補正が不正確になるという問題である。照射光スペクトルの波長相対値を保ったまま放射照度を変化させることは、不可能ではないが、測定装置が大掛かりなものになるので、事実上困難である。この問題は、特に光電変換素子が多接合タイプの場合は、その出力特性が照射光スペクトルに対し敏感に変化するので深刻である。
【００１４】
また、第三に、補正式（４）に光電変換素子の曲線因子（ＦＦ）の温度変化を補正する項がないため、最大出力（Ｐｍａｘ）と曲線因子（ＦＦ）の補正結果が不正確になるという問題である。
【００１５】
【非特許文献１】ＪＩＳ  Ｃ  ８９３４（アモルファス太陽電池セル出力測定方法）
【非特許文献２】ＪＩＳ  Ｃ  ８９１３（結晶系太陽電池セル出力測定方法）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明は、上述したような従来の補正式による補正の不正確さや測定プロセスの不具合を解決し、新しい補正式によって、光電変換素子の電流電圧特性の、精度の高い補正方法と迅速な測定プロセスを提供することを目的とする。また、高精度で能率的な測定プログラムと、測定装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記の目的を達成すべく本発明では、光電変換素子の電流電圧特性の補正方法において、基準状態以外の状態で測定した一組の電流電圧特性のデータ（Ｖ1,Ｉ1）を以下の補正式（１）によって、基準状態の電流電圧特性のデータ（Ｖ2,Ｉ2）に補正することを特徴とする。
Ｉ2＝Ｉ1＋ΔＩ1＋α・ΔＴ
Ｖ2＝（Ｖ1−Ｒｓ・ΔＩ1）（１＋β／Ｖｏｃ’・ΔＴ）−Ｋａ・Ｉ2・ΔＴ
・・・（１）
ここで、
ΔＩ1＝Ｉｓｃ1・（Ｅ2／Ｅ1−１）
ΔＴ＝Ｔ2−Ｔ1
ただし、
Ｅ1：測定時の放射照度（Ｗ／ｍ2）
Ｅ2：基準状態の放射照度（１０００Ｗ／ｍ2）
Ｔ1：測定時の光電変換素子の温度（℃）
Ｔ2：基準状態の光電変換素子の温度（２５℃）
α：光電変換素子の温度が１℃変動したときの短絡電流の変動値（Ａ／℃）
β：光電変換素子の温度が１℃変動したときの開放電圧の変動値（Ｖ／℃）
Ｒｓ：光電変換素子の直列抵抗（Ω）
Ｋａ：曲線補正因子（Ω／℃）
Ｖｏｃ’：（Ｖ1−Ｒｓ・ΔＩ1，Ｉ2）が描く曲線から求まる開放電圧
Ｉｓｃ1：測定時の短絡電流
【００１８】
また、前記補正式（１）において、ＫａがΔＴの関数であることを特徴とする。
【００１９】
また、前記補正式（１）において、Ｋａが以下の式（２）のようなΔＴの一次関数であることを特徴とする。
Ｋａ＝ａｋ・ΔＴ＋ｂｋ      ・・・（２）
ここで、ａｋ、ｂｋは定数。
【００２０】
また、光電変換素子の電流電圧特性補正方法において、前記補正式（１）を用いた補正方法を、少なくとも一層の非単結晶半導体を有する光電変換素子に適用することを特徴とする。
【００２１】
また、光電変換素子の電流電圧特性補正方法において、前記補正式（１）を用いた補正方法を、複数の半導体接合を有する多接合型光電変換素子に適用することを特徴とする。
【００２２】
また、光電変換素子の電流電圧特性を補正するコンピュータプログラムにおいて、前記補正プログラムは前記補正式（１）を用いた補正方法を実現させるプログラムであることを特徴とする。
【００２３】
また、光電変換素子の基準状態における電流電圧特性の測定方法において、前記補正式（１）を用いた補正方法を用いたことを特徴とする。
【００２４】
また、光電変換素子の電流電圧特性測定装置において、前記補正式（１）を用いた補正方法を実現させるコンピュータプログラムを内蔵し、光電変換素子の基準状態における電流電圧特性を測定することを特徴とする。
【００２５】
また、基板上に少なくとも１つ以上の光電変換部分を形成する工程と、前記工程により形成された光電変換素子の電流電圧特性を測定する工程とを有する光電変換素子の製造方法であって、前記電流電圧特性を測定する工程は、前記補正式（１）を用いた補正方法を用いた工程であることを特徴とする。
【００２６】
また、前記光電変換素子の電流電圧特性を測定する工程は、前記光電変換素子を製造する複数の工程の中間段階にあることを特徴とする。
【００２７】
また、前記光電変換素子の電流電圧特性を測定する工程における測定値に基づいて、前記光電変換素子を形成する各工程の何れかを、前記測定値が所定の範囲内になるように調整することを特徴とする。
【００２８】
また、少なくとも光電変換部分形成手段と、電流電圧特性測定手段とを有する光電変換素子の製造装置であって、前記電流電圧特性測定手段は、前記補正式（１）を用いた補正方法を用いたものであることを特徴とする。
【００２９】
また、前記補正式（１）において、電流電圧特性のデータ（Ｖ1,Ｉ1）を基準状態での値とし、電流電圧特性のデータ（Ｖ2,Ｉ2）を任意の放射照度と素子温度における値と再定義することにより、基準状態での電流電圧特性のデータから、前記補正式（１）を用いて、任意の放射照度と素子温度における光電変換素子の電流電圧特性を計算することを特徴とする。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、光電変換素子の電流電圧特性の補正方法において、測定した一組の電流電圧特性のデータ（Ｖ1,Ｉ1）を前記補正式（１）によって、基準状態の電流電圧特性のデータ（Ｖ2,Ｉ2）に補正することによって、得られた基準状態での電流電圧特性のデータを高精度化することができる。すなわち、結晶系光電変換素子の放射照度依存性あるいは素子温度依存性と異なる挙動を示す光電変換素子の電流電圧特性を、正確に基準状態での特性に補正することができる。さらに、光電変換素子の曲線因子に温度依存性がある場合においても、電流電圧特性を正確に基準状態での特性に補正することができる。
【００３１】
さらに、前記補正式（１）において、ＫａをΔＴの関数とすることにより、光電変換素子の曲線因子の温度依存が、非線形である場合でも、正確に、基準状態の電流電圧特性のデータに補正することができる。
【００３２】
さらに、前記補正式（１）において、Ｋａを前記式（２）のようなΔＴの一次関数とすることによって、光電変換素子の曲線因子の温度依存を二次曲線で近似することができるので、パラメータフィッティングの簡便さを保ちつつ、正確な補正を実現できる。
【００３３】
また、前記本発明の補正方法を、少なくとも一層の非単結晶半導体を有する光電変換素子に適用することによって、非単結晶半導体を用いた光電変換素子の、電流電圧特性の照度特性と温度特性を適切に表現して、基準状態への電流電圧特性のデータの補正をより正確にすることができる。
【００３４】
また、前記本発明の補正方法を、複数の半導体接合を有する多接合型光電変換素子に適用することによって、多接合型光電変換素子の照射光スペクトルの変化に対する特性変化に起因する誤差を排除して、基準状態への電流電圧特性のデータの補正をより正確にすることができる。
【００３５】
また、前記本発明の補正方法を記述したコンピュータプログラムによって、補正パラメータを入力することにより、基準状態での電流電圧特性のデータを、迅速かつ正確に得ることができる。また、電流電圧特性のデータから、開放電圧、短絡電流、曲線因子、最大出力、変換効率等の出力特性を、迅速かつ正確に計算することができる。
【００３６】
また、前記本発明の補正方法を用いた光電変換素子の電流電圧特性の測定方法によって、光電変換素子の基準状態での電流電圧特性のデータを正確に測定することができる。また、電流電圧特性のデータから、開放電圧、短絡電流、曲線因子、最大出力、変換効率等の出力特性を、正確に計算することができる。また、補正に必要な電流電圧特性のデータは一組で良いので、光電変換素子の電流電圧特性の測定時間を短縮し、かつ測定プロセスを簡略化することができる。さらに、異なる放射照度で二組の電流電圧特性を測定することがないため、二組のデータの間の照射光のスペクトルの違いに起因する誤差が排除されて、電流電圧特性の測定結果が正確になる。
【００３７】
また、基板上に少なくとも１つ以上の光電変換部分を形成する工程と、前記工程により形成された光電変換素子の電流電圧特性を測定する工程とを有する光電変換素子の製造方法であって、前記電流電圧特性を測定する工程は、前記本発明の補正方法を用いた測定方法に基づく工程であることによって、製造する光電変換素子の特性の測定によるばらつきを抑制し、品質の安定性を高めることができる。さらに測定値に基づいて例えば光電変換素子の形成条件を適宜調整することにより、製造の歩留まりを向上させることができる。また、前述のごとく光電変換素子の電流電圧特性の測定時間を短縮できるので、光電変換素子の生産速度を向上させ、単位時間あたりの生産量を増やし、製造コストを低減することができる。
【００３８】
また、前記補正式（１）において、電流電圧特性のデータ（Ｖ1,Ｉ1）を基準状態での値とし、電流電圧特性のデータ（Ｖ2,Ｉ2）を任意の放射照度と素子温度における値と再定義することにより、基準状態での電流電圧特性のデータから、前記補正式（１）を用いて、任意の放射照度と素子温度における光電変換素子の電流電圧特性を計算することができるので、光電変換素子を屋外に設置した場合等の任意の放射照度と素子温度における光電変換素子の発電量を従来より精度良く予測することができる。また、光電変換素子を用いた発電システムの設計を最適化でき、システム効率を向上できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３９】
（補正式）
まず、本発明の光電変換素子の電流電圧特性補正方法の要である、補正式（１）の特徴をさらに詳細に述べる。
【００４０】
第一に、補正式（１）によれば、結晶系光電変換素子の放射照度依存性あるいは温度依存性と異なる挙動を示す光電変換素子の電流電圧特性を、正確に基準状態での特性に補正することができる。これは、補正式（１）の電圧の補正式の右辺第一項が、結晶系光電変換素子の補正式（３）の電圧の補正式と異なっていることによる。補正式（１）によって、アモルファス半導体を光電変換層として用いた光電変換素子のみならず、微結晶半導体あるいは多結晶半導体を光電変換層として用いた光電変換素子の電流電圧特性も正確に補正できる。すなわち、補正式（１）は、単結晶半導体以外の非単結晶半導体を少なくとも一部の光電変換層として用いた、光電変換素子の電流電圧特性の補正に好適に適用できる。また、補正式（１）の電圧の補正式の右辺第二項（−Ｋａ・Ｉ2・ΔＴ）によって、光電変換素子の曲線因子に温度依存性が認められる場合も、正確に基準状態での特性に補正することができる。補正式（１）の電圧の補正式の右辺第一項の形が好適である非単結晶半導体を光電変換層として用いた光電変換素子は、曲線因子に温度依存性が認められる場合が多いので、この項は重要である。なお、曲線因子に温度依存性がない場合は、Ｋａ＝０とすれば良い。
【００４１】
また、補正式（１）によれば、基準状態の電流電圧特性に補正するのに必要な電流電圧特性のデータは、一組（Ｖ1,Ｉ1）で良い。従来のアモルファス用の補正式（４）のように、異なる照度で測定した二組のＩＶデータ（Ｖ1,Ｉ1）、（Ｖ3,Ｉ3）を必要としないので、光電変換素子の測定時間が短縮される。また、放射照度を変更する場合に起こりがちな放射照度スペクトルの変化による誤差の問題も無くなって、測定結果が正確になる。スペクトル変化の問題がないことは、多接合型の光電変換素子に対して、特に効果が大きい。
【００４２】
一組のＩＶデータを用いて補正式（１）によって、基準状態の電流電圧特性に補正する場合に、光電変換素子の放射照度に対する短絡電流の直線性が悪く、電流電圧特性を測定した時の放射照度が、１０００Ｗ／ｍ2から離れている場合は、補正結果に誤差を生じることが心配されるが、以下の方法で解決できる。すなわち、放射照度を測定する検出器として、電流電圧特性を測定する光電変換素子と同じ材料を用いた光電変換素子を基準デバイスとして用意し、該基準デバイスによって放射照度を測定することによって、該基準デバイスの光強度に対する短絡電流の変化と被測定光電変換素子の光強度に対する短絡電流の変化が比例関係となり、検出された放射照度に対する被測定光電変換素子の短絡電流の直線性が維持される。また、アモルファス半導体を用いていても、光電変換素子の曲線因子が０．５を下回るようなことがなければ、光電変換素子の放射照度に対する短絡電流の直線性が損なわれることは、まれである。
【００４３】
また、Ｋａの値が定数である場合には、曲線因子の温度に対する変化が、線形である場合しか正確に補正できないが、Ｋａを定数ではなく、ΔＴの関数とすることによって、曲線因子の温度に対する変化が、非線形である場合にも、正確に補正することができる。ΔＴの関数形は、曲線因子の温度に対する変化に応じて適宜選択すれば良い。
【００４４】
例えば、曲線因子の温度に対する変化が、温度を横軸、曲線因子を縦軸としたグラフで、上に凸あるいは下に凸の曲線になる場合には、Ｋａを前記式（２）のようなΔＴの一次関数とすることによって、精度良く補正できる。その場合に、２５℃近傍のグラフの曲線を最も良く再現するように、式（２）のａｋ、ｂｋを最適化してやることによって、さらに補正の精度を向上させることができる。
【００４５】
この時、式（２）における、定数ａｋ、ｂｋの決定は、２５℃を中心とした光電変換素子の電流電圧特性の温度依存性を、少なくとも１０℃間隔以下、望ましくは５℃間隔以下で、実際の測定温度領域を含む範囲で測定し、補正式（１）による補正結果が、２５℃での測定結果に、最も良く一致するように行うと良い。例えば、温度ｔ℃で測定した電流電圧特性を式（１）で補正した結果から計算した曲線因子が、２５℃での曲線因子に一致するような定数ａｋ（ｔ）、ｂｋ（ｔ）を計算し、得られた複数の定数ａｋ（ｔ）、ｂｋ（ｔ）から、最小自乗法によって、ａｋ、ｂｋを決定する方法がある。その場合に、２５℃近傍のａｋ（ｔ）、ｂｋ（ｔ）の偏差が小さくなるように、定数ａｋ、ｂｋを決定すれば、２５℃近傍で測定された電流電圧特性の温度補正の精度を向上させることができる。
【００４６】
また、曲線因子の温度に対する変化が、前記のごとく比較的単純な曲線にならない場合には、ＫａをΔＴの２次以上の高次関数とすること、あるいは、例えば、光電変換素子の温度Ｔ1（絶対温度）に対して、指数や対数を含んだ関数形にすることによって、正確に補正することができる。
【００４７】
例えば、ＫａをΔＴの以下のような関数形にすることができる。（以下の式で、ｃｋ、ｄｋ、ｅｋ、ｆｋ、ｇｋ、ｈｋ、ｉｋは、定数）
Ｋａ＝ｃｋ・ΔＴ2＋ｄｋ・ΔＴ＋ｅｋ                      ・・・（５）
Ｋａ＝ｆｋ・ｌｏｇ（Ｔ1）＋ｇｋ                          ・・・（６）
Ｋａ＝ｈｋ・ｅｘｐ（Ｔ1）＋ｉｋ                          ・・・（７）
【００４８】
ＫａのΔＴの関数形は、例えば、前述のように２５℃を中心として、ある温度間隔で、光電変換素子の電流電圧特性の温度依存性を測定し、温度ｔ℃で測定した電流電圧特性の補正結果が、２５℃での電流電圧特性に最も近くなるＫａを定数として計算して、Ｋａ（ｔ）とすれば、横軸温度ｔ、縦軸Ｋａ（ｔ）としてグラフにして、Ｋａ（ｔ）をΔＴの２次以上の高次関数として、そのグラフを最も良く近似できる近似式を最小自乗法等の方法で求めることによって、決定することができる。ただし、Ｋａ（ｔ）をΔＴの複雑な関数形にし過ぎると、補正パラメータの数が増えて、補正が煩雑になる。
【００４９】
また、光電変換素子を生産する場合など、同じタイプの光電変換素子を多数測定する場合は、平均的な特性を持つ光電変換素子の電流電圧特性の放射照度依存性と温度依存性を測定して、補正式（１）の各補正パラメータを決定し、同じ補正パラメータを用いて、多数の光電変換素子の電流電圧特性を基準状態に補正することができる。
【００５０】
（測定方法）
本発明の光電変換素子の電流電圧特性測定方法は、前記本発明の補正式を用いることを特徴とする。電流電圧特性の取得方法については、公知の方法を用いれば良い。また、光電変換素子の電流電圧特性を測定する場合には、光電変換素子は、可能ならば２５±２℃になるように温度調整することが望ましい。温度調整することが困難である場合であっても、２５℃になるべく近い温度で測定することが望ましい。また、測定する時の放射照度は、１０００Ｗ／ｍ2に近いことが望ましい。
【００５１】
（測定装置）
本発明の光電変換素子の電流電圧特性測定装置は、本発明の補正式を用いた補正プログラムを内蔵し、光電変換素子の基準状態における電流電圧特性を測定することを特徴とする。
【００５２】
電流電圧特性のデータを取得するために必要な装置は、光照射装置、電流電圧特性測定手段、電圧可変手段等の公知の装置を用いれば良い。電流電圧特性測定手段は、電圧検出手段と電流検出手段からなる。
【００５３】
電圧検出手段と電流検出手段は、デジタルマルチメータ、または、アナログデジタル変換ボード（Ａ／Ｄボード）と抵抗を組み合わせたもの等、公知の手段を用いれば良い。
【００５４】
測定対象の光電変換素子の電圧を可変させる手段（電圧可変手段）は、バイポーラ電源、電子負荷、コンデンサに蓄積した電荷の放電等、公知の手段を用いればよい。また、光電変換素子に流れる電流を制御しつつ変化させて、光電変換素子の電圧を測定しても良い。
【００５５】
電圧または電流を制御しつつ変化させる場合に、電流電圧特性測定を得るためには、電圧または電流を掃引しなければならない。この掃引は、連続的変化でもステップ状変化でも良いが、測定対象の光電変換素子の充放電に対する時定数を考慮し、充放電の時定数よりも十分長い測定間隔でＩＶデータを測定するようにすることが望ましい。このことは、静電容量の大きい光電変換素子を測定する場合に特に重要である。
【００５６】
以上の計測器を制御する手段および計測されたデータを処理する手段として、パーソナルコンピュータ等の計測器とデータのやりとりが可能なデータ処理手段を設けることが望ましい。また、データ処理手段は、計測器の制御が可能な機能も有しているものが望ましく、計測器の制御をプログラミングできるものがさらに望ましい。
【００５７】
また、測定された電流電圧特性を本発明の補正式を用いて、基準状態の電流電圧特性に補正することができる補正プログラムを内蔵した、データ処理手段が必要である。このデータ処理手段は、前記計測制御／データ処理手段と兼ねさせることができる。また、基準状態に補正した電流電圧特性から、開放電圧、短絡電流、曲線因子、最大出力、光電変換効率、直列抵抗、並列抵抗等の諸特性を計算するプログラムを内蔵していることが望ましい。また、補正前の電流電圧特性データ、補正後の電流電圧特性データ、前記諸特性の計算結果を保存する記憶媒体を備えていることが望ましい。
【００５８】
（光電変換素子）
本発明の補正方法によって測定される光電変換素子の種類としては、太陽電池、フォトダイオード等の光起電力素子、光センサー、電子写真感光体等が挙げられる。
【００５９】
光電変換の機能を有するのは、主に半導体接合であり、半導体接合の種類としては、ｐｎ接合、ｐｉｎ接合、ショットキー接合、ＭＩＳ型接合などが挙げられる。また、他の種類の光電変換素子として、例えば、色素増感型太陽電池等の湿式太陽電池も挙げられる。
【００６０】
半導体材料としては、結晶質、多結晶質、微結晶質、非晶質のものが挙げられ、物質としては、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＳｉＧｅ、Ｃ、Ｇｅ等のＩＶ族あるいはＩＶ族化合物、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＩｎＳｂ等のＩＩＩ−Ｖ族化合物、ＺｎＳｅ、ＺｎＯ、ＣｄＳ、ＣｄＴｅ、Ｃｕ2Ｓ等のＩＩ−ＶＩ族化合物、ＣｕＩｎＳｅ2、ＣｕＩｎＳ2等のＩ−ＩＩＩ−ＶＩ2族化合物、有機半導体等、あるいは上述の化合物の混合物が挙げられる。
【００６１】
また、光電変換素子を直列あるいは並列に接続したり、耐環境性容器に封入したりして作成された、光電変換装置も光電変換素子と同様に、本発明の補正方法を用いた測定方法によって測定される。
【００６２】
また、本発明の補正方法は、上記の光電変換素子の内、多結晶質、微結晶質、非晶質等の非単結晶半導体を少なくとも一部に用いたものに特に好適に適用される。非単結晶半導体を一部に用いた光電変換素子は、従来の補正式（３）とは、放射照度と素子温度に対する特性の依存性が異なるものが多く、従来の補正式（３）では、正確に補正できないものが多いからである。
【００６３】
さらに、本発明の補正方法は、上記の光電変換素子の内、複数の半導体接合を積層した多接合型光電変換素子に、特に好適に適用される。これは、前述のごとく、多接合型光電変換素子が、照射光のスペクトルに対する特性の変化が敏感なことによる。
【００６４】
また、本発明の測定方法を適用する被測定光電変換素子は、照射光の放射照度に対する電流電圧特性の依存性（照度依存性）が分かっていることが必要である。少なくとも、照度補正に用いる素子の直列抵抗成分Ｒｓが判明しているか、あるいは同等の光電変換素子から推測できることが必要である。
【００６５】
また、被測定光電変換素子は、電流電圧特性の温度係数が分かっていることが必要である。具体的には、開放電圧と短絡電流の温度係数が分かっていることが必要である。電流電圧特性を測定する光電変換素子自体の温度係数を測定することが困難である場合は、同等の光電変換素子の温度係数の代表値を用いても良い。
【００６６】
（照射光）
本発明の測定方法に用いられる光は、太陽光でも人工光源による光でも良い。人工光源の場合は、後述する疑似太陽光光源が望ましい。
【００６７】
照射光の放射照度は、好ましくは、５００〜１５００Ｗ／ｍ2、より好ましくは８００〜１２００Ｗ／ｍ2、最適には９５０〜１０５０Ｗ／ｍ2の範囲で測定することが望ましい。放射照度が、１０００Ｗ／ｍ2に近いほど、照度補正の補正量が少ないので、照度補正による誤差がより小さくなって望ましい。
【００６８】
照射光として、太陽光を用いる場合は、太陽光の放射照度が安定している快晴時が望ましい。疑似太陽光光源を用いる場合、公知のソーラーシミュレータが適している。光源のランプとしては、キセノンランプ、メタルハライドランプ等が好適に用いられる。点灯方法は、連続点灯（定常光）でもパルス点灯（パルス光）でも良い。
【００６９】
（基準デバイス）
基準デバイスは、本発明の測定方法において、照射光の放射照度を検出するために用いられる。放射照度の検出は、基準デバイスの短絡電流の測定値を、基準状態での短絡電流値（これは、一般に基準デバイスの校正値と呼ばれる）と比較することによってなされる。基準デバイスの短絡電流は、基準デバイスの電極間に接続したシャント抵抗の両端の電圧を測定することによって、近似的に求められる。このときシャント抵抗の抵抗値は、シャント抵抗による基準デバイスへの順バイアスが、基準デバイスの短絡電流の検出に与える誤差として十分に小さいような小さい抵抗値であることが望ましい。基準デバイスの校正値は、公知の方法によって、公的な校正機関によって測定される。公的な校正機関によって校正できない事情がある場合には、事業者自ら校正しても良い。また、基準デバイスは、その大きさによって、基準セル、基準サブモジュール、基準モジュール等があり、用途によって適宜選択される。また、基準デバイスは、基本的には前記被測定光電変換素子と同じ構成の素子を用いることが望ましいが、異なる材料によって構成されていても良い。
【００７０】
例えば、前述のごとく、被測定光電変換素子の光強度に対する直線性が悪い場合には、基準デバイスとして、前記被測定光電変換素子と同じ材料で同じ構成の素子（面積は異なっていても良い）を用いることが望ましい。それによって、光電変換素子の検出された放射照度に対する直線性が維持される。
【００７１】
また、基準デバイスとして異なる材料のものを用いた場合は、基準デバイスの分光感度が、光電変換素子と近似した分光感度を有するようにフィルタ等で、分光感度を調整することが望ましい。それによって、基準デバイスを用いて照射光の放射照度を測定するときに、照射光のスペクトルと光電変換素子の分光感度に起因する誤差が少なくなり、光電変換素子の電流電圧特性の測定結果が正確になる。
【００７２】
また、基準デバイスは、経時的に特性が安定であるように処理されていることが望ましい。基準デバイスを、光、熱、湿度等に対して、安定化させることにより、基準デバイスの校正値の信頼性が高まり、光電変換素子の電流電圧特性の測定が正確になる。また、基準状態における校正値を再測定する時間間隔を広くとることができる。
【００７３】
また、基準デバイスは、前記基準状態における短絡電流（校正値）があらかじめ測定されていることが望ましい。校正値の測定方法は、例えば、ＪＩＳ  Ｃ  ８９１１：二次基準結晶系太陽電池用セル、あるいは、ＩＥＣ  ６０９０４−２：Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ  ｄｅｖｉｃｅｓ  Ｐａｒｔ２  Ｒｅｑｕｉｒｅｍｅｎｔｓ  ｆｏｒ  ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ  ｓｏｌａｒ  ｃｅｌｌｓ、あるいは、ＩＥＣ  ６０９０４−６：Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ  ｄｅｖｉｃｅｓ  Ｐａｒｔ６  Ｒｅｑｕｉｒｅｍｅｎｔｓ  ｆｏｒ  ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ  ｓｏｌａｒ  ｍｏｄｕｌｅｓ等の規格に記載された公知の方法を取れば良い。定められた規格にしたがって、公的な機関で測定された値は、校正値と呼ばれる。基準デバイスの基準状態における短絡電流は、公的機関で校正値として値付けされていることが望ましい。なお、基準デバイスを複数用い、これらを常用一次基準デバイス、常用二次基準デバイスとすれば、常用一次基準デバイスは、公的機関で校正し、常用二次基準デバイスは、事業者自ら、常用一次基準デバイスから、値を移し替えて使用しても良い。
【００７４】
また、基準デバイスは、短絡電流の温度係数が分かっているものを使用することが望ましい。基準デバイス自体の温度係数を測定することが困難である場合は、同じ構成の光電変換素子の温度係数の値を用いても良い。また、基準デバイスを用いて、光電変換素子を測定する場合に、基準デバイスは、２５±２℃になるように温度調整することが望ましい。温度調整することが困難である場合には、前述の温度係数を用い、規格に述べられた公知の温度補正方法によって温度補正を行って、２５℃における短絡電流を求めることが必要である。
【００７５】
また、基準デバイスと光電変換素子の分光感度の関係が、式（８）で計算されるミスマッチ係数Ｍｎが０．９８以上１．０２以下であることが望ましい。
Ｍｎ＝∫Ｅｏ（λ）Ｑｒ（λ）ｄλ／∫Ｅｔ（λ）Ｑｒ（λ）ｄλ
×∫Ｅｔ（λ）Ｑｓ（λ）ｄλ／∫Ｅｏ（λ）Ｑｓ（λ）ｄλ
・・・（８）
ここで、
Ｅｏ（λ）：基準太陽光の分光放射照度
Ｅｔ（λ）：照射光の分光放射照度
Ｑｒ（λ）：基準デバイスの分光感度
Ｑｓ（λ）：被測定光電変換素子の分光感度
【００７６】
人工光源を用いる場合のように、照射光の放射照度に場所むらが有る場合は、基準デバイスの発電部面積は、被測定光電変換素子の発電部面積と、好ましくは、±２０％以下、より好ましくは、±１０％以下、最適には±５％以下の範囲で近似していることが望ましい。基準デバイスと光電変換素子の発電部面積が近似することによって、照射される光の場所むらによる誤差が大幅に低減されるからである。なお、放射照度の場所むらがほとんどない太陽光による測定の場合、あるいは、前記常用二次基準デバイスを、光電変換素子の電流電圧特性測定中に、照射光の放射照度をモニターするために用いる場合は、発電部面積が近似してなくても良い。ただし、照射エリアのどの部分に常用二次基準デバイスを設置するかは、固定しておくことが望ましい。また、照射光の放射照度あるいはスペクトルの場所むらが変化した場合は、前記常用一次基準デバイスから前記常用二次基準デバイスへの値の移し替えをやり直す必要がある。
【００７７】
（光電変換素子の製造）
また本発明においては、上記光電変換素子の電流電圧特性測定方法を、光電変換素子の製造工程の一部に組み込むことにより、製造する光電変換素子の特性のばらつきを抑制し、品質の安定性を高めることができる。さらに測定値に基づいて例えば光電変換素子の形成条件を適宜調整することにより、歩留まりをさらに向上させることができる。
【００７８】
例えば、特開２００２−２５２３６２号公報に開示されている光電変換素子の一例である太陽電池モジュールの製造工程において、樹脂封止工程の前に直列あるいは並列に接続する前の単位素子（いわゆる太陽電池セル）の電流電圧特性を測定する工程として、本発明の補正方法による光電変換素子の電流電圧特性測定工程を組み込むことができる。
【００７９】
このように光電変換素子の製造工程に本発明の光電変換素子の電流電圧特性測定工程を組み込むことにより、光電変換素子の完成に至る中間の段階で、素子特性を正確に把握することができるため、製造工程の早い段階で、不良品を選別することが可能になる。それによって、中間段階で選別した良品のみ、以降の工程に流すようにすることができ、不良品に費やされる材料あるいは工程を削減できて、光電変換素子の製造コストを低減できる。しかも従来の測定方法では必ずしも正確に測定できなかった電流電圧特性を、より正確に測定することができるため、測定誤差による光電変換素子製造歩留まりの変動を抑制し、製造歩留まりを安定化させることができる。また、本発明の測定方法による正確な電流電圧特性の測定によって、製造する光電変換素子の特性のばらつきを抑制し、品質の安定性を高めることができる。さらに、必要に応じて測定値に基づいて例えば光電変換素子の形成条件を適宜調整することにより、歩留まりをさらに向上させることができる。これは例えば何らかの原因（例えばプラズマＣＶＤ工程における高周波電力の不足など）で、光電変換素子特性に異常が発生した場合であっても、本発明の光電変換素子の電流電圧特性測定工程が、中間段階に挿入されていることによって、異常をいち早く検出し、早期に対応することができて、対応の間に作成されてしまう不良品の量を削減することができることによるものである。
【００８０】
また、例えば、前記太陽電池モジュールの製造工程において、完成した太陽電池モジュールの電流電圧特性を測定する最終検査工程として、本発明の光電変換素子の電流電圧特性測定工程を組み込むことができる。
【００８１】
光電変換素子の製造工程の最終検査工程として、本発明の光電変換素子の電流電圧特性測定工程を組み込むことによって、従来よりも正確に電流電圧特性を測定することができるため、製造歩留まりの変動を抑制し、製造歩留まりを安定化させることができ、また、出荷する光電変換素子の品質の安定性を高めることができる。
【００８２】
さらに、本発明の光電変換素子の電流電圧特性測定方法を、光電変換素子の製造工程の中間段階および最終段階の両方の検査工程として組み込むことによって、上述の効果に加えて、光電変換素子の各製造工程が光電変換素子の特性に及ぼす影響あるいは製造歩留まりへの影響を分析することが容易になり、製造歩留まり、あるいは出荷する光電変換素子の品質をさらに向上させることができる。
【実施例】
【００８３】
以下に本発明の実施例を示すが、以下の実施例で本発明の内容が限定されるものではない。
【００８４】
（実施例１）
被測定光電変換素子（サンプル）として、光入射側からアモルファスシリコンをｉ層に用いたｐｉｎ接合（以下トップセルと略記する）と、アモルファスシリコンゲルマニウムをｉ層に用いたｐｉｎ接合（以下ミドルセルと略記する）と、アモルファスシリコンゲルマニウムをｉ層に用いたｐｉｎ接合（以下ボトムセルと略記する）をこの順に積層した構造のトリプル型太陽電池モジュールの電流電圧特性を以下のごとく屋外にて太陽光で測定した。
【００８５】
前記トリプル型太陽電池モジュールは、１枚のステンレス基板上に作成された、３５ｃｍ×２４ｃｍの大きさのセルを、支持板上でバイパスダイオードを挿入しつつ５枚直列に接続し、表面保護層を形成したものであり、外形の大きさは、約１４０ｃｍ×４２ｃｍである。
【００８６】
また、前記トリプル型太陽電池モジュールは、モジュール温度を５０℃に保ちつつ、ソーラーシミュレータによって、９００Ｗ／ｍ2で２００時間光照射して光劣化させ、電流電圧特性の安定化したものを用いた。
【００８７】
前記モジュールの電流電圧特性を以下のように測定した。
モジュールの電流電圧特性の測定は、雲のほとんど無い快晴の日を選び、前記モジュールを、太陽光のモジュール表面への入射角が一定になるように自動的に太陽を追尾する架台（以下、自動追尾架台と略記する）の上に搭載して、直達太陽光が常にモジュール平面に対し、概略垂直に入射するようにして行った。屋外で、モジュールの温度を調整することは困難であるので、空調された室内から遮光板を取り付けたモジュールをすばやく運び出して、前記自動追尾架台にセットし、遮光板を取り外した後、以下のように電流電圧特性を測定した。
【００８８】
電圧可変手段としては、公知のプログラマブルのバイポーラー電源(アドバンテスト(株)製  Ｒ６２４６)を用い、パーソナルコンピューターによって、バイポーラー電源を制御し、階段状に電圧を掃引させた。また、電圧検出手段および電流検出手段としては、前述のＲ６２４６に測定機能があるのでこれを兼用した。このとき電流の測定は、電圧の立ち上がり時間とサンプルセルのキャパシタンスを考慮して電圧設定から電流測定までの間に遅延時間を設定した。ここで、設定電圧は、モジュールの開放電圧に近い電圧ほど掃引電圧間隔が狭くなるようにしつつ、１２８点設定した。それによって、同じ電圧設定点数でも、等間隔に電圧を掃引するよりも、最大出力付近のデータを細かく測定することができ、測定精度が向上した。以上の手順によって、測定するモジュールの電流電圧特性を得た。また、掃引電圧のデータセットを予めバイポーラー電源のメモリーに記憶させてから測定することにより、１２８点の測定を０．５秒以下で実施することができた。遮光板をはずした直後のモジュールの温度上昇は、太陽光の放射照度が１０００Ｗ／ｍ2（１ｓｕｎ）の場合、約０．１５℃／ｓｅｃであったので、電流電圧特性測定中のモジュール温度による誤差を十分少なくすることができた。
【００８９】
また、前記遮光板を外した後、太陽光によって、モジュールの温度が上昇するが、温度上昇の過程で、何度か電流電圧特性の測定を繰り返すことによって、異なる３点の温度での、３組のＩＶデータセット（１回目、２回目、３回目）を取得した。
【００９０】
ここで、モジュール温度の測定は、モジュールの裏面にシート型の熱電対を貼り付けて測定する方法と電流電圧特性から求めた開放電圧からモジュール温度を計算する方法の２種類の方法で行った。開放電圧からモジュール温度を計算する方法は、モジュールの基準状態における開放電圧と、開放電圧の温度係数を予め測定しておき、照度補正後の開放電圧と基準状態における開放電圧を比較して計算する公知の方法を用いた。後者の方法で求めた温度の方が、モジュールの半導体接合部分の温度に近いと考えて、後者の温度を採用した。前者の熱電対によるモジュール裏面の温度は参考とした。なお、モジュールの基準状態における開放電圧としては、モジュールを２５℃±２℃に温度調整した状態で、パルス型ソーラシミュレータを用いて測定した、屋内測定値を用いた。
【００９１】
前者の方法は、基準状態での開放電圧が不明で、推定困難である場合に望ましく、後者の方法は、基準状態での開放電圧が推定できる場合に、モジュールの半導体接合部分の平均温度がより正確に測定できるので望ましい。本実施例では、ソーラシミュレータによる屋内測定を予め行うことによって、基準状態での開放電圧が推定できたので、後者の方法を用いた。後者の方法によって求められた温度は、１回目：２０．４℃、２回目：２５．７℃、３回目：４３．１℃であった。
【００９２】
ここで、基準セルとしては、同じ１ｃｍ×１ｃｍの大きさの結晶シリコン太陽電池の光入射側に以下の３つの組み合わせの光学フィルタを取り付けて、３つの基準セル(基準セル１，２，３)を作成した。
【００９３】
基準セル１としては、主としてトップセルの感度の高い波長である青色の光を透過させるフィルタと赤外光を吸収するフィルタを組み合わせたものを用いた。フィルタとしては、例えば、ＨＯＹＡ(株)製のＨＡ３０とＢ４６０を用いることができる。それによって、被測定太陽電池モジュールのトップセルの分光感度と近似した分光感度をもつ基準セル１を作成した。
【００９４】
基準セル２は、ミドルセルの分光感度と近似させるため、フィルタとして、ＨＯＹＡ(株)製のＨＡ３０と東芝硝子(株)製のＬＢ−Ａ８を用いた。その結果、被測定太陽電池モジュールのミドルセルの分光感度と近似した分光感度を得た。
【００９５】
基準セル３は、ボトムセルの分光感度と近似させるため、フィルタとして、ＨＯＹＡ(株)製のＣＦ８７０(長波側をカットするコールドフィルタと呼ばれる干渉フィルタ)と東芝硝子(株)製のＡ−７３Ｂを用いた。その結果、被測定太陽電池モジュールのボトムセルの分光感度と近似した分光感度を得た。
【００９６】
また、それぞれの基準セルは、予め、公的機関に、一次基準太陽電池としての校正を依頼し、基準状態における短絡電流の値(校正値)を求めた。その結果、それぞれの基準セルの校正値は、基準セル１が５．１７ｍＡ、基準セル２が７．５６ｍＡ、基準セル３が７．２９ｍＡであった。
【００９７】
また、基準セルのパッケージは、表面に黒色アルマイト処理を施したアルミニウムのブロックを用いた公知のもの(例えばＪＩＳ  Ｃ  ８９１１に示されている)を用い、パッケージの外側にペルチェ素子を取り付けて、セルの温度が、２５℃±２℃になるように温度調整した。
【００９８】
放射照度検出手段としては、被測定太陽電池モジュールの律速セル（多接合太陽電池の短絡電流を律速する半導体接合）がトップセルであったので、前記基準セル１を用いた。基準セルは、前記自動追尾架台上に、すなわち被測定モジュールと同一平面上に設置した。
【００９９】
前記３組のＩＶデータセットを取得した時の放射照度は、それぞれ、１回目：９９８Ｗ／ｍ2、２回目：９９６Ｗ／ｍ2、３回目：９８３Ｗ／ｍ2であった。
【０１００】
以上のごとく、３組のＩＶカーブが測定された条件は、基準状態と異なるため、基準状態での値に補正することが必要である。
【０１０１】
そこで、（１）の補正式を用いた本発明の補正方法によって、前記３組のＩＶデータセットを基準状態での値に補正した。補正前の３組のＩＶデータセットを図１に、補正後の３組のＩＶデータセットを図２に示す。図１と図２の凡例の数字は、ＩＶデータセットを取得した時の太陽電池モジュールの温度を示す。
【０１０２】
補正前の３組のＩＶデータセットから、補正前の開放電圧（Ｖｏｃ）、短絡電流（Ｉｓｃ）、曲線因子（ＦＦ）、最大出力（Ｐｍａｘ）を求め、表１にまとめた。
【０１０３】
また、本発明の補正方法によって補正した、補正後の３組のＩＶデータセットから、同様にＶｏｃ、Ｉｓｃ、ＦＦ、Ｐｍａｘを求め、表２にまとめた。さらに、補正後の１回目と３回目のＶｏｃ、Ｉｓｃ、ＦＦ、Ｐｍａｘを２回目の値で除したものを、表３にまとめた。
【０１０４】
図２から、前記補正後の３組のＩＶデータセットによる電流電圧特性曲線が、ほぼ重なっていることから、前記３組のＩＶデータセットが、本発明の補正方法によって、基準状態での値に精度良く補正されたことが分かる。
【０１０５】
また、表３から、測定条件が最も基準状態に近かった２回目の測定による特性値に、１回目と３回目の測定による特性値が近くなることから、前記３組のＩＶデータセットが、本発明の補正方法によって、基準状態での値に精度良く補正されたことが分かる。
【０１０６】
【表１】
2006229063.tif 000003
【０１０７】
【表２】
2006229063.tif 000004
【０１０８】
【表３】
2006229063.tif 000005
【０１０９】
このとき、補正式（１）のパラメータ、α、β、Ｒｓ、Ｋａは、以下のようにして求めたものを用いた。
【０１１０】
まず、Ｉｓｃの温度係数αとＶｏｃの温度係数βは、前記トリプル型太陽電池モジュールに用いた３５ｃｍ×２４ｃｍの大きさのセルと同一構成のセルを数枚選択して、温度係数を公知の温度係数測定方法で求め、規格化温度係数α／Ｉｓｃ、β／Ｖｏｃを算出し、α／Ｉｓｃ、β／Ｖｏｃの平均値（０．０００６８２、−０．００３７３）を求めた後、前記被測定太陽電池モジュールの屋内測定値から求められたＩｓｃとＶｏｃを乗じて求めた。
【０１１１】
次に、シリーズ抵抗Ｒｓは、予め、モジュールを屋内で照度を変化させて電流電圧特性を測定して求める公知の方法で測定した値（Ｒｓ＝０．３５Ω）を用いた。
【０１１２】
さらに、Ｋａは、３回目のＩＶデータセットの補正後の曲線因子が、２回目のＩＶデータセットの補正後の曲線因子にほぼ一致するような固定値（Ｋａ＝−０．０００６）を用いた。
【０１１３】
（比較例１）
実施例１において、取得した３組のＩＶデータセットを、非特許文献１の解説付録に記載された、式（４）を用いる修正直線補間法で補正しようとした。しかしながら、補正に用いる２組のＩＶデータセットを測定した時の放射照度Ｅ1とＥ3の差が少な過ぎたことと、２組のＩＶデータセット測定時の太陽電池モジュールの温度Ｔ1とＴ3の差が２℃を越えていたことから、この補正方法を用いることができず、基準状態に補正することができなかった。
【０１１４】
なお、放射照度Ｅ1とＥ3の差をつけることは、太陽電池モジュールに対する太陽光の入射角をわざとずらすことにより可能であるが、放射照度を検出する基準セルと被測定太陽電池モジュールの入射角依存が一致していない限り、入射角による誤差が大きくなってしまうので困難である。
【０１１５】
また、測定する時間をずらして、放射照度Ｅ1とＥ3の差をつけることも可能であるが、エアマス等の条件が変化して、太陽電池モジュールに入射する太陽光の分光放射照度が変化して、被測定太陽電池モジュールの曲線因子を変化させてしまうので、それらの２組のＩＶデータセットを補正に用いるのは不適切である。
【０１１６】
このように、非特許文献１の解説付録に記載された修正直線補間法を補正方法として用いることはできなかった。
【０１１７】
（比較例２）
実施例１において、取得した３組のＩＶデータセットを、非特許文献２に記載された式（３）を用いる方法で補正した。補正後の３組のＩＶデータセットを図３に示した。また、実施例１と同様に補正後の３組のＩＶデータセットから、Ｖｏｃ、Ｉｓｃ、ＦＦ、Ｐｍａｘを求め、表４にまとめた。さらに、１回目と３回目の補正後のＶｏｃ、Ｉｓｃ、ＦＦ、Ｐｍａｘを２回目の値で除したものを、表５にまとめた。
【０１１８】
【表４】
2006229063.tif 000006
【０１１９】
【表５】
2006229063.tif 000007
【０１２０】
このとき、式（３）における、α、β、Ｒｓは、実施例１と同じ値を用いた。また、式（３）における、Ｋの値は、３回目のＩＶデータセットの補正後の曲線因子が、２回目のＩＶデータセットの補正後の曲線因子にほぼ一致するような固定値（Ｋ＝−０．００２５）を用いた。
【０１２１】
表３と表５を比較すれば、実施例１の補正方法の方が比較例２の補正方法よりも精度良く補正されたことが分かる。
【０１２２】
ここで、実施例１の補正方法と比較例２の補正方法の違いを明らかにするため、実施例１の図２と比較例２の図３の、電圧６Ｖ以下の拡大図を図４と図５に示す。図４と図５から、実施例１（図４）の方が、比較例２（図５）より、３本のＩＶカーブが互いに近接していることが分かる。このことはすなわち、補正後のＩＶカーブが、基準状態（１０００Ｗ／ｍ2、２５℃）でのＩＶカーブに近いことを意味し、補正が適切に精度良く行われていることを示す。
【０１２３】
次に、上記補正の違いをさらに明らかにするため、補正後のＩＶカーブにおいて、電流が５．２Ａの電圧を求めて、表６と表７に示した。表６は、実施例１の補正後のＩＶカーブから求めたものであり、表７は、比較例２の補正後のＩＶカーブから求めたものである。また、求めた電圧を、測定条件が最も基準状態に近かった２回目の測定の補正後電圧値で除した値を、表６と表７に示した。この値が１に近いほど、精度の良い補正が行われたことを示す。
【０１２４】
【表６】
2006229063.tif 000008
【０１２５】
【表７】
2006229063.tif 000009
【０１２６】
表６と表７から、補正後の電圧を２回目の値で除した１回目と３回目の相対値が、実施例１場合０．９９３と１．０４０であるのに対し、比較例２の場合０．９８２と１．０７１で、本発明の補正方法を用いた実施例１の方が１に近く、従来の補正方法を用いた比較例２より、精度良く補正されたことが分かる。
【０１２７】
（実施例２）
実施例１において、取得した３組のＩＶデータセットを、補正式（１）を用いて補正する場合に、Ｋａを（２）式のように、ΔＴの一次関数として補正した。
【０１２８】
このとき、補正式（１）のパラメータ、α、β、Ｒｓは、実施例１と同じ値を用い、Ｋａについては、（２）式のａｋとｂｋを、それぞれ、４．６６×１０-5、−０．００１４８とした。すなわち、
Ｋａ＝４．６６×１０-5×ΔＴ−０．００１４８
として、補正を行った。
【０１２９】
本実施例による補正後のＩＶデータセットから、Ｖｏｃ、Ｉｓｃ、ＦＦ、Ｐｍａｘ計算した結果を表８に示す。また、補正後の１回目と３回目のＶｏｃ、Ｉｓｃ、ＦＦ、Ｐｍａｘを２回目の値で除したものを、表９にまとめた。
【０１３０】
【表８】
2006229063.tif 000010
【０１３１】
【表９】
2006229063.tif 000011
【０１３２】
表９から明らかなように、Ｋａを（２）式のように、ΔＴの一次関数とすることによって、曲線因子の温度依存性を正確に補正することができ、１回目と３回目の補正後の曲線因子の値が、±０．０５％未満の範囲で、２回目の補正後の値に一致した。その結果、補正後の１回目と３回目のＰｍａｘの２回目に対するずれも、０．１％までに抑え込むことができた。このように、ＫａをΔＴの一次関数とすることによって、実施例１のＩＶデータセットの補正結果よりさらに正確な補正結果を得ることができた。
【０１３３】
（実施例３）
光入射側からアモルファスシリコンをｉ層に用いたｐｉｎ接合（トップａ−Ｓｉセル）と、微結晶シリコンをｉ層に用いたｐｉｎ接合（ミドルμｃ−Ｓｉセル）と、微結晶シリコンをｉ層に用いたｐｉｎ接合（ボトムμｃ−Ｓｉセル）をこの順に積層した構造のａ−Ｓｉ／μｃ−Ｓｉ／μｃ−Ｓｉトリプル型太陽電池セルの出力を、以下のごとく太陽電池セルを製造する生産ラインの出力検査装置において測定した。
【０１３４】
前記トリプル型太陽電池セルは、１枚のステンレス基板上に作成された、３５ｃｍ×２４ｃｍの大きさのものである。
【０１３５】
セルの電流電圧特性の測定は、プローブを用いて電極に電気的接触をとった以外は、電気的には実施例１と同様の方法で行い、光源として太陽光の代わりに、有効照射面積４０ｃｍ×４０ｃｍ、等級Ａの擬似太陽光光源（ソーラシミュレータ）を用いた。
【０１３６】
また、本来生産ラインでは光照射履歴のない太陽電池セルを測定するが、本実施例では、補正方法の効果を明らかにするため、被測定太陽電池セルは、温度を５０℃に保ちつつ、ソーラーシミュレータによって、９００Ｗ／ｍ2で２００時間光照射して光劣化させ、電流電圧特性の安定化したものを用いた。また、電流電圧特性測定用のソーラシミュレータのシャッタを通常より長時間開けたままにして、わざと被測定太陽電池セルの温度を上昇させ、異なる３点の温度での、３組のＩＶデータセット（１回目、２回目、３回目）を取得した。被測定太陽電池セルの温度は、１回目：２６．１℃、２回目：２９．４℃、３回目：３１．５℃であった。
【０１３７】
ここで、ソーラシミュレータによる擬似太陽光の放射照度は、実施例１と同様に基準セルによって測定した。基準セルは、フィルタの種類と組み合わせが異なる以外は実施例１と同様に、トップａ−Ｓｉセル、ミドルμｃ−Ｓｉセル、ボトムμｃ−Ｓｉセル、それぞれの分光感度に近似させた分光感度を持つ、基準セル４、基準セル５、基準セル６を用意した。ここで、被測定太陽電池セルは、ミドルμｃ−Ｓｉセルが律速セルであったので、基準セル５を用いて、放射照度を測定した。
【０１３８】
前記３組のＩＶデータセットを取得した時の放射照度は、それぞれ、１回目：９９４Ｗ／ｍ2、２回目：９９２Ｗ／ｍ2、３回目：９９４Ｗ／ｍ2であった。
【０１３９】
前記（１）の補正式を用いた本発明の補正方法によって、前記３組のＩＶデータセットを基準状態での値に補正した。ここで、Ｉｓｃの温度係数αとＶｏｃの温度係数βは、実施例１と同様に、同一構成のセル数枚から、規格化温度係数α／Ｉｓｃ、β／Ｖｏｃの平均値（０．０００４７、−０．００３６３）を求めた後、前記被測定太陽電池セルと近い製造番号の太陽電池セルの屋内測定値から求められたＩｓｃとＶｏｃを乗じて求めた。また、Ｒｓは、０．０２５Ω、Ｋａは、式（５）のように、ΔＴの２次関数とし、各係数は、
ｃｋ＝−２．４６×１０-6
ｄｋ＝２．９６×１０-5
ｅｋ＝７．１６×１０-5
とした。
【０１４０】
補正前および補正後の３組のＩＶデータセットから、Ｖｏｃ、Ｉｓｃ、ＦＦ、Ｐｍａｘを求め、表１０と表１１にまとめた。さらに、表１０と表１１の２回目と３回目のＶｏｃ、Ｉｓｃ、ＦＦ、Ｐｍａｘを１回目の値で除したものを、表１２と表１３にまとめた。
【０１４１】
表１２と表１３から、本発明の補正によって、３回の内最も基準状態に近い条件の１回目の測定結果に、２回目と３回目の補正後の測定結果が、良く一致したことが分かる。すなわち、２回目と３回目の補正後の曲線因子の値が、±０．０５％未満の範囲で、１回目の補正後の値に一致した。その結果、補正後の２回目と３回目のＰｍａｘの１回目補正後の値に対するずれも、０．２％までに抑え込むことができた。このように、本発明の補正方法によって、前記３組のＩＶデータセットが、基準状態での値に精度良く補正されたことが分かる。
【０１４２】
【表１０】
2006229063.tif 000012
【０１４３】
【表１１】
2006229063.tif 000013
【０１４４】
【表１２】
2006229063.tif 000014
【０１４５】
【表１３】
2006229063.tif 000015
【０１４６】
上述の本発明の電流電圧特性補正方法を用いて、前記太陽電池セルを製造する生産ラインの出力検査装置において、製造中の太陽電池セルの基準状態における電流電圧特性を測定した。太陽電池セルの電流電圧特性は、本発明の補正プログラムを含む測定プログラムを内蔵した制御装置を用いた電流電圧特性測定装置を含む、前記出力検査装置において測定した。測定した電流電圧特性に基づいて、前記Ｖｏｃ、Ｉｓｃ、ＦＦ、Ｐｍａｘに加えて、最大出力動作電圧（Ｖｐｍ）、最大出力動作電流（Ｉｐｍ）、光電変換効率（η）、シャント抵抗（Ｒｓｈ）、シリーズ抵抗（Ｒｓ）等の太陽電池セルの基準状態における諸特性値を計算した。なお、これらの諸特性値の計算も前記測定プログラムに含まれる。計算した前記諸特性値は、前記検査装置に付随する制御装置の記憶装置に保存した。これらの諸特性の内、例えば、ηとＲｓｈ等、適宜選択した特性値を基準値と比較して、太陽電池セルの合否を判定した。基準値に合格しなかった太陽電池セルは、不良として排出し、これ以降の生産工程に流さないようにした。
【０１４７】
このような本発明の電流電圧特性測定方法を用いることによって、太陽電池セルの電流電圧特性を、より正確に測定することができるため、測定誤差による光電変換素子製造歩留まりの変動を抑制し、製造歩留まりを安定化させることができた。また、製造する光電変換素子の特性の測定によるばらつきを抑制し、品質の安定性を高めることができた。さらに、測定した前記諸特性値に基づいて太陽電池セルの形成条件を適宜調整することにより、歩留まりを向上させることができた。
【０１４８】
本実施例において、これ以降の生産工程（モジュール化工程と呼ぶことにする）は、例えば、太陽電池セルをバイパスダイオードを組み込みつつ適宜直並列化する工程、直並列化した太陽電池セルの表裏に被覆材を取り付ける工程等があって、最終的に太陽電池モジュールとして完成される。前述のように、基準値に合格しなかった太陽電池セルを前記モジュール化工程に流さないようにすることによって、太陽電池モジュールの製造の歩留まりを向上させることができ、また、前記モジュール化工程で不良品に費やされていた材料あるいは工程を削減できて、太陽電池モジュールの製造コストを低減できた。また、太陽電池モジュールの品質を安定化させることができた。
【０１４９】
（実施例４）
実施例３と同様のａ−Ｓｉ／μｃ−Ｓｉ／μｃ−Ｓｉトリプル型太陽電池セルの電流電圧特性を実施例３と同様にソーラシミュレータを用いて測定し、補正式（１）を用いた本発明の補正方法によって、基準状態の電流電圧特性を求めた。
このとき、
α＝０．００３５４Ａ／℃
β＝−０．００６６８Ｖ／℃
Ｒｓ＝０．０２４Ω、
Ｋａ＝５．０×１０-6×ΔＴ−１．０×１０-5
とした。
【０１５０】
次に、基準状態に補正した電流電圧特性を（Ｖ1,Ｉ1）、Ｅ1＝１０００Ｗ／ｍ2、Ｔ1＝２５℃とし、任意の状態（放射照度Ｅ2、太陽電池の温度Ｔ2）の電流電圧特性（Ｖ2,Ｉ2）を、補正式（１）を用いて計算し、予測した。パラメータの値は、上述の基準状態への補正の場合と同じ値を用いた。
【０１５１】
図６に、太陽電池の温度２５℃で、放射照度を、５００Ｗ／ｍ2、８００Ｗ／ｍ2、１１００Ｗ／ｍ2に変化させた場合の電流電圧特性予測結果を示す。（１０００Ｗ／ｍ2は、基準状態の電流電圧特性を示す。）
また、図７に、放射照度１０００Ｗ／ｍ2で、太陽電池の温度を、１５℃、３５℃、５５℃と変化させた場合の電流電圧特性予測結果を示す。（２５℃は、基準状態の電流電圧特性を示す。）
【０１５２】
このように、本発明の電流電圧特性予測方法によって、任意の放射照度、任意の温度における太陽電池セルの電流電圧特性を予測することができた。
【０１５３】
（実施例５）
生産ラインの検査装置でないこと以外は、実施例３と同様のソーラシミュレータを用いた屋内測定方法によって、アモルファスシリコンのｐｉｎ接合を１つ有する層構成の、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）サブモジュールの電流電圧特性を測定し、実施例３と同様に本発明の補正方法によって、基準状態の電流電圧特性を求めた。前記アモルファスシリコンサブモジュールは、１０ｃｍ×１０ｃｍの大きさで、ガラス基板上で１０個のアモルファスシリコンセルを直列化したものである。
【０１５４】
電流電圧特性の測定は、２回行い、２組のＩＶデータセットを取得した。２回目は、ソーラシミュレータのシャッタを開けたままにして、わざと前記サブモジュールの温度を上昇させた。その結果、前記サブモジュールの温度は、１回目は、２５．０℃、２回目は、２６．４℃であった。
【０１５５】
ここで、ソーラシミュレータによる擬似太陽光の放射照度は、実施例１と同様に基準セルによって測定した。基準セルは、前記サブモジュールと同じ材料で同様の製法で作成され、近似した分光感度を持つ、２ｃｍ×２ｃｍの大きさのアモルファスシリコンセル（直並列化はされていないもの）で、公的機関によって校正値を付けられたものを用いた。この基準セルで放射照度を測定することによって、前記アモルファスシリコンサブモジュールのＩｓｃの放射照度に対する直線性が向上した。
【０１５６】
前記２組のＩＶデータセットを取得した時の放射照度は、それぞれ、１回目：９９１Ｗ／ｍ2、２回目：９９０Ｗ／ｍ2であった。
【０１５７】
前記（１）の補正式を用いた本発明の補正方法によって、前記２組のＩＶデータセットを基準状態での値に補正した。補正後の２組のＩＶデータセットを図８に示す。図８において、電流値と電圧値は、それぞれ、基準状態にほぼ近い１回目の電流電圧特性測定補正結果から求められた、ＩｓｃとＶｏｃで規格化してある。図８から、２回目の電流電圧特性補正結果は、基準状態にほぼ近い１回目の電流電圧特性補正結果に良く一致するように補正されていることが分かる。
【０１５８】
また、実施例１と同様に補正前後のＩＶデータセットから、Ｖｏｃ、Ｉｓｃ、ＦＦ、Ｐｍａｘの諸特性値を求め、１回目の補正後の特性値で除したものを、表１４にまとめた。表１４から、本発明の補正方法によって、２回目の補正後の特性値が、基準状態に近い１回目の補正後の特性値にほぼ一致することが分かる。したがって、本発明の補正方法によって、前記２組のＩＶデータセットが、基準状態での値に精度良く補正されたことが分かる。
【０１５９】
【表１４】
2006229063.tif 000016
【０１６０】
ここで、Ｉｓｃの温度係数αとＶｏｃの温度係数βは、実施例１と同様に、同一構成のセル数枚から、規格化温度係数α／Ｉｓｃ、β／Ｖｏｃの平均値（０．０００７、−０．００３）を求めた後、基準状態にほぼ近い１回目の電流電圧特性測定結果から求められた、ＩｓｃとＶｏｃを乗じて求めた。また、Ｒｓは、１．１Ω／Ａ、Ｋａは、−０．０３６Ω／Ａ／℃を用いた。ここでは、ＲｓとＫａは、Ｉｓｃ＝１Ａの値に規格化してある。
【図面の簡単な説明】
【０１６１】
【図１】光電変換素子の一例の電流電圧特性で、３組の異なる条件で取得された結果の一例を示したグラフである。
【図２】前記３組の電流電圧特性を、本発明の補正方法によって、基準状態での値に補正した電流電圧特性を示したグラフである。
【図３】前記３組の電流電圧特性を、従来の補正方法によって、基準状態での値に補正した電流電圧特性を示したグラフである。
【図４】図２の一部を拡大した拡大図である。
【図５】図３の一部を拡大した拡大図である。
【図６】本発明の電流電圧特性予測方法によって、任意の放射照度における光電変換素子の電流電圧特性を予測した結果の一例を示したグラフである。
【図７】本発明の電流電圧特性予測方法によって、任意の素子温度における光電変換素子の電流電圧特性を予測した結果の一例を示したグラフである。
【図８】光電変換素子の他の一例の電流電圧特性で、２組の異なる条件で取得された結果を、本発明の補正方法によって、基準状態での値に補正した電流電圧特性を示したグラフである。
【図１】
2006229063.tif 000017
【図２】
2006229063.tif 000018
【図３】
2006229063.tif 000019
【図４】
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【図５】
2006229063.tif 000021
【図６】
2006229063.tif 000022
【図７】
2006229063.tif 000023
【図８】
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