(57)【要約】    【課題】  基板支持固定機構を改善し、小型で簡潔な構造の基板処理装置を提供する。    【解決手段】  基板２の裏面周縁部と接触して基板を保持する基板接触保持手段５０と、該基板接触保持手段より前記基板の中心側に配置され、該基板を非接触で吸引することにより前記基板接触保持手段に固定させる非接触基板固定手段５２とを具備する。    【選択図】          図３
2006049449.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の裏面周縁部と接触して基板を保持する基板接触保持手段と、該基板接触保持手段より前記基板の中心側に配置され、該基板を非接触で吸引することにより前記基板接触保持手段に固定させる非接触基板固定手段とを具備することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンウェーハ等の基板に酸化膜等の薄膜の生成、不純物の拡散、レジストの塗布、エッチング、アニール処理、洗浄等の処理を行う基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
枚葉式ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置、スピンコータ、枚葉式洗浄装置等の基板処理装置に於いて、ウェーハ等被処理基板は通常水平姿勢に保たれた状態で各種処理が施される。従って、基板処理装置は被処理基板を水平姿勢で支持固定する為の基板支持固定機構を具備している。従来の基板支持固定機構として、特許文献１に示されるものがある。図８、図９により従来の基板支持固定機構について説明する。
【０００３】
基板支持固定装置は基板を処理する処理室に設けられており、所要数の基板支持支柱１がウェーハ２の円周を等分する位置に鉛直に設けられ、前記各基板支持支柱１は回転可能に支持されている。
【０００４】
該基板支持支柱１は上端面が扇形状の基板挾持部３を残置して切除され、切除部分には水平な基板載置面４が形成されている。前記基板挾持部３の下端部には前記基板支持支柱１の軸心を中心に円弧状に基板挾持溝５が刻設され、該基板挾持溝５の下面は前記基板載置面４と同一面を形成している。
【０００５】
前記ウェーハ２は前記基板載置面４に載置され、前記基板支持支柱１が回転されることで、前記基板挾持溝５に前記ウェーハ２の周縁が挾持される様になっている。
【０００６】
複数の前記基板支持支柱１は駆動部により、同期して回転される様になっており、以下該駆動部について概略を説明する。
【０００７】
前記基板支持支柱１の中途部にはフランジ６が前記基板支持支柱１と一体に形成され、該基板支持支柱１の下端部には支持ピン支持部７が回転自在に設けられ、該支持ピン支持部７と前記フランジ６とは捩りコイルバネ８によって連結されている。前記支持ピン支持部７は係合溝９が半径方向に刻設され、該係合溝９には後述する係合ピン１１が摺動自在に嵌合する様になっている。
【０００８】
前記ウェーハ２の支持中心と同心の円盤１２が回転可能に設けられ、該円盤１２の周縁に前記係合ピン１１が立設されている。前記円盤１２は所要の駆動手段（図示せず）、例えばモータ、エアシリンダ等によって回転され、該駆動手段により前記円盤１２が回転されることで、前記係合ピン１１、前記支持ピン支持部７、前記捩りコイルバネ８、前記フランジ６を介して複数の前記基板支持支柱１が同期して回転される。前記基板挾持溝５が前記ウェーハ２の周縁に嵌合されることで、該ウェーハ２が前記基板支持支柱１に支持される。
【０００９】
該基板支持支柱１は前記ウェーハ２が前記基板挾持溝５に完全に嵌合した後も所要角度回転される様になっており、前記フランジ６と支持ピン支持部７とは所要角度だけ相対回転し、相対回転分だけ前記捩りコイルバネ８が回転し、該捩りコイルバネ８の撓みによる挾持力が発生する様になっている。従って、前記ウェーハ２は外形寸法の誤差に拘らず適正な挾持力で支持固定される。
【００１０】
スピンコータ、枚葉式洗浄装置等の基板処理装置では、前記ウェーハ２を１００ｒｐｍ〜３０００ｒｐｍで回転させるが、斯かる装置では前記基板支持支柱１を回転させる前記円盤１２等の回転機構と前記ウェーハ２を回転させる為の回転機構とが別々に必要であり、装置が大掛りとなると共に回転機構部の構造が複雑になるという問題があった。又、洗浄液等の溶剤塗布時やリンス処理時に前記基板支持支柱１を伝い、溶剤が前記ウェーハ２の裏面に回込むという問題があった。
【００１１】
【特許文献１】特開２０００−１００９０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は斯かる実情に鑑み、基板支持固定機構を改善し、小型で簡潔な構造の基板処理装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、基板の裏面周縁部と接触して基板を保持する基板接触保持手段と、該基板接触保持手段より前記基板の中心側に配置され、該基板を非接触で吸引することにより前記基板接触保持手段に固定させる非接触基板固定手段とを具備する基板処理装置に係るものである。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、基板の裏面周縁部と接触して基板を保持する基板接触保持手段と、該基板接触保持手段より前記基板の中心側に配置され、該基板を非接触で吸引することにより前記基板接触保持手段に固定させる非接触基板固定手段とを具備するので、基板裏面へのパーティクル、液の回込みを防止でき、又基板の裏面中心側の傷の発生を防止でき、又回転機構部に非接触基板固定手段を設けなくてもよいので、小型で構造が簡単になる等の優れた効果を発揮する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。
【００１６】
先ず、図１、図２に於いて本発明に係る基板処理装置の概略を説明する。
【００１７】
図１、図２中、１４は搬送室であり、該搬送室１４の周囲に放射状に第１ロードロック室１５、第１冷却室１６、第１処理室１７、第２処理室１８、第２冷却室１９、第２ロードロック室２０が設けられ、前記搬送室１４と前記第１ロードロック室１５、前記第１処理室１７、前記第２処理室１８、前記第２ロードロック室２０間にはそれぞれゲートバルブ２２，２３，２４，２５が設けられ、前記第１ロードロック室１５、第２ロードロック室２０には外部からウェーハカセット２６を搬入、搬出する為のゲートバルブ２７，２８が設けられ、前記各室１４，１５，１６，１７，１８，１９，２０は気密構造となっている。
【００１８】
前記第１処理室１７では、例えば酸化膜除去（洗浄）処理を行い、図示していないが該第１処理室１７には、処理液供給手段及び不活性ガス供給手段及び排気手段が接続されている。又、前記第２処理室１８では、例えばＣＶＤ処理が行われ、図示していないが該第２処理室１８には処理ガス供給手段及び不活性ガス供給手段及び排気手段が接続されている。
【００１９】
図２に示す様に前記第１ロードロック室１５にはカセットエレベータ３１が設けられ、該カセットエレベータ３１の昇降台３２には前記ウェーハカセット２６が載置される様になっている。前記搬送室１４には基板搬送ロボット３３が設けられ、該基板搬送ロボット３３は搬送アーム３４を具備し、該搬送アーム３４の先端に２股状のツィーザ３５が設けられている。前記第１冷却室１６、前記第２冷却室１９には特に図示しないがウェーハ２が載置される載置台が設けられている。又、前記第１処理室１７、前記第２処理室１８には、それぞれ基板支持固定機構３６が設けられている。
【００２０】
図３〜図７により、例えば前記第１処理室１７に設けられた基板支持固定機構３６について説明する。
【００２１】
前記第１処理室１７の底板３７の下面に下方に突出する軸受ハウジング３８が気密に取付けられ、該軸受ハウジング３８に軸受３９を介して中空外軸４１が気密且つ回転自在に設けられている。該中空外軸４１の上端部は前記底板３７を遊嵌し、前記中空外軸４１の上端には上方が開放された短円筒状の基板支持台４２が固着され、該基板支持台４２の上端には中心側に迫出す内鍔４３が形成されている。該内鍔４３には接触支持ピン５０が円周所要等分（図示では３等分）した位置に突設され、該接触支持ピン５０に前記ウェーハ２が載置される様になっている。
【００２２】
前記中空外軸４１の下端部は前記軸受ハウジング３８より下方に突出しており、下端部に従動プーリ４４が固着されている。
【００２３】
前記底板３７の下方には固定ベース４５が設けられており、該固定ベース４５に中空内軸４６が気密に立設され、該中空内軸４６は前記中空外軸４１と同心に配置され、該中空外軸４１を貫通して設けられている。該中空外軸４１と前記中空内軸４６間はシール部材４７によって回転自在に且つ気密にシールされている。前記固定ベース４５には前記中空内軸４６と同心の孔４８が穿設され、前記中空内軸４６の中空部４９は前記孔４８を介してチャック用のガス供給源６５に接続されている。
【００２４】
前記中空内軸４６の上端には円盤状のマニホールド５１が気密に固着され、該マニホールド５１の周辺部には非接触チャック部５２が同一円周上に等間隔で所要数（図示では１２個）設けられている。該非接触チャック部５２は円柱の外形形状を有し、上方に開口する凹部５３が形成され、前記マニホールド５１に上方から気密に嵌入されている。又、前記接触支持ピン５０の上端に対して前記非接触チャック部５２の上端が僅かに低くなっており、前記接触支持ピン５０に前記ウェーハ２が載置された状態で、前記非接触チャック部５２の上端とウェーハ２の下面とは間隙Ｇが形成される。
【００２５】
前記接触支持ピン５０は、前記ウェーハ２の裏面周縁部に当接し、又前記非接触チャック部５２とは接触しない範囲で近接した位置となっている。
【００２６】
前記マニホールド５１の内部には、リング状のガス分流路５４が前記非接触チャック部５２と対向する様に形成され、前記ガス分流路５４と前記凹部５３とは通孔５５によって連通されている。前記マニホールド５１の中心部には下方に開口するガス分配室５６が形成され、該ガス分配室５６と前記ガス分流路５４とは放射状に等間隔に形成された所要本数の連通路５７によって連通されている。前記マニホールド５１は、前記凹部５３にチャック用ガスを分配供給すると共に前記非接触チャック部５２の支持体としても機能する。
【００２７】
前記固定ベース４５には基板回転モータ５８が取付けられ、該基板回転モータ５８の出力軸には駆動プーリ５９が嵌着され、該駆動プーリ５９と前記従動プーリ４４と間には動力伝達部材であるベルト６１、例えばタイミングベルトが掛回され、前記基板回転モータ５８の駆動により前記駆動プーリ５９、前記ベルト６１、前記従動プーリ４４、前記中空外軸４１を介して前記基板支持台４２が回転される様になっている。
【００２８】
該基板支持台４２が回転されることで前記接触支持ピン５０を介して載置された前記ウェーハ２が回転される。又、上記した様に、前記接触支持ピン５０が前記ウェーハ２の周縁部に位置することから、該ウェーハ２に対して大きな伝達トルクが得られる。
【００２９】
又、前記ガス分配室５６は前記中空部４９、孔４８を介してチャック用ガス供給系６４に接続され、前記ガス分配室５６には前記チャック用ガス供給系６４より清浄なガス、好ましくは窒素ガス等の不活性ガスが供給される。
【００３０】
該チャック用ガス供給系６４はガス供給源６５を具備し、該ガス供給源６５と前記マニホールド５１との間には流量制御弁６６、フィルタ６７、継手６８が設けられている。
【００３１】
前記非接触チャック部５２、凹部５３及び該凹部５３にチャック用ガスを供給する前記ガス分流路５４、ガス分配室５６、該ガス分配室５６に供給されるチャック用ガス等は非接触基板固定手段を構成する。
【００３２】
前記接触支持ピン５０に前記ウェーハ２が載置された状態で、前記凹部５３に前記ガス供給源６５よりチャック用ガスが供給されることで、チャック用ガスは前記非接触チャック部５２の上端周囲より前記ウェーハ２の下面に沿って流出する。この際、チャック用ガスの流速が増大し、該ウェーハ２と非接触チャック部５２間の間隙Ｇでチャック用ガスの静圧が減少し、前記非接触チャック部５２に吸引力が発生する。この吸引力はベルヌーイの原理に基づくものであり、前記非接触チャック部５２は所謂ベルヌーイチャックと称される。
【００３３】
例えば、第１処理室１７内の雰囲気圧力をＰe 、前記凹部５３に流入するチャック用ガスの圧力をＰ0 、流速をＶ0 とし、前記非接触チャック部５２の周縁から流出するチャック用ガスの圧力をＰs 、流速をＶs 、チャック用ガスの密度をρとすると、下記式（１）の関係が成立する。
【００３４】
Ｐ0 ＋ρＶ0 2 ／２＝Ｐs ＋ρＶs 2 ／２  ・・・式（１）
【００３５】
Ｖ0 ＜Ｖs から、静圧はＰ0 ＞Ｐs となる。従って、前記非接触チャック部５２と前記ウェーハ２の裏面間の圧力が減少する。
【００３６】
ここで、Ｐe ＞Ｐs である場合、前記非接触チャック部５２の外径（Ｄs とする）によって占められる面積をＡとすると、１つの非接触チャック部５２につき、吸引力Ｗ＝ＡＰe −ＡＰs ＞０が作用する。
【００３７】
例えば、ＡＰe −ＡＰs ＞０が成立する条件としては、チャック用ガスの供給流量をＱとすると、Ｑ＝１５０Ｌ／ｍｉｎ、間隙Ｇ＝０．１５ｍｍとし、又前記非接触チャック部５２の外径Ｄs ＝４０ｍｍ、Ｄ0 ＝２０ｍｍ、Ａ＝πＤs 2 ／４、Ｖ0 ＝４Ｑ／πＤ0 2 、Ｖs ＝Ｑ／πＤs 等である。
【００３８】
尚、前記流量制御弁６６は吸引力Ｗが最適値となる様に、供給流量Ｑを制御する。
【００３９】
前記非接触チャック部５２によって吸引力が作用することで、前記ウェーハ２は前記接触支持ピン５０に押付けられ固定される。尚、前記非接触チャック部５２とウェーハ２とは非接触であるので、前記非接触チャック部５２が吸引の状態で、前記ウェーハ２を前記非接触チャック部５２に対して自在に回転可能である。又、前記接触支持ピン５０と前記非接触チャック部５２とは近接した位置となっているので、前記ウェーハ２の撓みが抑制される。
【００４０】
以下、作動について説明する。
【００４１】
前記ウェーハカセット２６を前記ゲートバルブ２７を介して前記第１ロードロック室１５内に搬入し前記昇降台３２に載置する。前記搬送アーム３４の前記ツィーザ３５を前記ゲートバルブ２２を介して前記第１ロードロック室１５内に挿入し、前記ウェーハカセット２６から前記ウェーハ２を前記ツィーザ３５に移載する。前記ウェーハ２を載置した状態の前記ツィーザ３５を前記搬送室１４内に戻した後、前記ゲートバルブ２３を介して前記第１処理室１７内に挿入する。
【００４２】
前記ウェーハ搬送ロボット３３により前記ツィーザ３５から、前記基板支持固定機構３６に前記ウェーハ２を移載する。
【００４３】
該ウェーハ２が前記接触支持ピン５０に載置されると前記チャック用ガス供給系６４からチャック用ガスを供給する。チャック用ガスが前記凹部５３から間隙Ｇを通って流出し、前記非接触チャック部５２と前記ウェーハ２間に負圧が発生し、該ウェーハ２は前記非接触チャック部５２に吸引され、前記接触支持ピン５０に固定される。
【００４４】
前記ツィーザ３５を前記第１処理室１７より前記搬送室１４に退避させる。前記ゲートバルブ２３を閉じ、図示しない不活性ガス供給手段により不活性ガスを供給し、前記第１処理室１７内を不活性ガスで充満させつつ、図示しない排気管により排気し、前記第１処理室１７内を所望の圧力（例えば大気圧）に保持する。該第１処理室１７が所望の圧力で不活性ガスが充満されたら不活性ガスの供給を停止する。
【００４５】
次に、図示しない処理液供給手段により前記ウェーハ２の上面に処理液を供給し、該ウェーハ２を処理する。処理液での該ウェーハ２の処理終了後、処理液を該ウェーハ２から除去するリンス処理、或はリンス処理後該ウェーハ２を乾燥させる乾燥処理を適宜実施する。上記ウェーハ２の処理中、前記非接触チャック部５２へのチャック用ガスの供給は継続され、前記基板回転モータ５８により前記中空外軸４１、前記基板支持台４２を介して前記ウェーハ２が回転される。
【００４６】
該ウェーハ２が回転され、更にチャック用ガスが該ウェーハ２の裏面全周から流出されることで、処理中にパーティクル等が該ウェーハ２の裏面に回込むことが防止され、裏面は清浄な状態に保たれる。前記接触支持ピン５０が前記ウェーハ２の裏面周縁部に位置するので、該ウェーハ２に対し前記接触支持ピン５０は周縁より外側になく、又前記ウェーハ２の上面より上側に突出していないので、処理液等が前記接触支持ピン５０を伝って前記ウェーハ２の裏面に回込むことがない。
【００４７】
前記第１処理室１７内での前記ウェーハ２の処理が完了すると、前記基板回転モータ５８を停止すると共に前記チャック用ガス供給系６４によるチャック用ガスの供給を停止する。その後、図示しない不活性ガス供給手段により前記第１処理室１７内を清浄する。
【００４８】
次に、前記基板搬送ロボット３３により前記ツィーザ３５を前記ゲートバルブ２３を介して前記第１処理室１７内に挿入し、処理済みの前記ウェーハ２を前記ツィーザ３５に乗載する。前記第１処理室１７から前記ウェーハ２を搬出させ前記ゲートバルブ２２を介して前記第１ロードロック室１５内の前記ウェーハカセット２６に前記ウェーハ２を戻し、前記ウェーハカセット２６を外部へ搬出する。
【００４９】
尚、前記第１処理室１７で処理した前記ウェーハ２を前記第１ロードロック室１５に戻す前に前記第２処理室１８でアニール処理等の処理を行う場合は、前記基板搬送ロボット３３により前記ツィーザ３５を前記ゲートバルブ２３を介して前記第１処理室１７内に挿入する。処理済みの前記ウェーハ２を前記ツィーザ３５に乗載し、一旦前記搬送室１４に搬出し、前記ゲートバルブ２４を介して前記第２処理室１８内に挿入し、前記基板支持固定機構３６に載置する。
【００５０】
前記基板搬送ロボット３３により前記ツィーザ３５が後退された後、前記ゲートバルブ２４が閉じられ、図示しない不活性ガス供給手段により不活性ガスが供給され、前記第２処理室１８内を不活性ガスで充満させつつ、図示しない排気管により排気し、前記第２処理室１８内を所望の圧力（例えば大気圧）に保持する。該第２処理室１８が所望の圧力で不活性ガスが充満されたら不活性ガスの供給を停止する。
【００５１】
次に、図示しない処理ガス供給手段により前記第２処理室１８内に処理ガスを供給し、ウェーハ２を処理する。
【００５２】
該ウェーハ２の処理中、上記第１処理室１７での処理と同様、前記非接触チャック部５２へのチャック用ガスの供給は継続され、基板回転モータ５８により中空外軸４１、基板支持台４２を介して前記ウェーハ２が回転される。
【００５３】
チャック用ガスが該ウェーハ２の処理中継続して該ウェーハ２の裏面全周から流されることで、処理中にパーティクルが該ウェーハ２の裏面に回込むことが防止され、該ウェーハ２の裏面は清浄な状態に保たれる。
【００５４】
前記第２処理室１８内での前記ウェーハ２の処理が完了すると、前記基板回転モータ５８を停止すると共に前記チャック用ガス供給系６４によるチャック用ガスの供給を停止する。その後、図示しない不活性ガス供給手段により前記第２処理室１８内を清浄する。
【００５５】
次に、前記基板搬送ロボット３３により前記ツィーザ３５を前記ゲートバルブ２４を介して前記第２処理室１８内に挿入し、処理済みの前記ウェーハ２を前記ツィーザ３５に乗載する。前記第２処理室１８から前記ウェーハ２を搬出させ前記ゲートバルブ２２を介して前記第１ロードロック室１５内の前記ウェーハカセット２６に前記ウェーハ２を戻し、前記ウェーハカセット２６を外部へ搬出する。
【００５６】
又、前記第２処理室１８での前記ウェーハ２の処理で該ウェーハ２が高温になる場合は、前記第１ロードロック室１５に戻す前に前記第１冷却室１６で一旦冷却し、冷却後前記第１ロードロック室１５に戻す。
【００５７】
上述した様に、前記第１処理室１７、前記第２処理室１８での前記ウェーハ２の処理中、該ウェーハ２は回転させる必要がある。
【００５８】
この回転力は、前記接触支持ピン５０、即ち基板接触保持手段にて保持しつつ、該基板接触保持手段から前記ウェーハ２にトルクを伝えることとなる。この基板接触保持手段を前記ウェーハ２裏面周縁部に配置することにより、該ウェーハ２の裏面中心側に配置するのと比べ、前記基板接触保持手段と前記ウェーハ２との摩擦が小さい状態でも所望のトルクを伝えることができる。従って、該ウェーハ２と前記基板接触保持手段との接触面に生じる傷やパーティクルを防ぐことができる。又、万が一、パーティクルを発生させたとしても、前記ウェーハ２の裏面中心側に前記非接触チャック部５２、即ち非接触基板固定手段を配置することにより、該非接触基板固定手段からチャック用ガスが流出することで、前記ウェーハ２の裏面中心側に回込むことが防止される。
【００５９】
尚、上記実施の形態では、前記第１処理室１７、第２処理室１８共に前記基板支持固定機構３６を設けたが、前記第１処理室１７又は前記第２処理室１８の一方にのみ設けてもよい。
【００６０】
又、前記基板接触保持手段は、前記ウェーハ２裏面周縁部に設けられれば良いが、好ましくは、前記基板接触保持手段は、前記ウェーハ２と接触する側の先端部をドーム状又は球状とすると良い。先端部をドーム状又は球状とすることにより、点接触とすることが可能となり、前記ウェーハ２の裏面と前記基板接触保持手段との間の接触範囲を小さくすることができる。
【００６１】
又、好ましくは、該基板接触保持手段は略円柱とするとよい。略円柱とすることにより、前記非接触基板固定手段から流出するチャック用ガスを淀みなく流すことができる。
【００６２】
又、前記基板接触保持手段は、前記ウェーハ２裏面周縁部に均等に配置される様にし、該ウェーハ２に３ヶ所が点接触できる様設けるのが良い。このことにより、該ウェーハ２の重量をバランス良くすることができ、安定して保持することができ、又該ウェーハ２の裏面と前記基板接触保持手段との接触範囲を小さくすることができる。
【００６３】
又、該基板接触保持手段の材質は、例えばＰＥＥＫ、ＰＴＦＥであることが好ましい。ＰＥＥＫ、ＰＴＦＥとすることにより、処理液等への耐薬品性に強く、且つウェーハより硬度の柔らかい固体とすることができ、ウェーハを傷付け難い保持が可能となる。
【００６４】
又、上記実施の形態では、前記マニホールド５１の内部に設けられたリング状の前記ガス分流路５４とし、非接触基板固定手段である前記非接触チャック部５２は、前記ウェーハ２の円周所要等分に配置することとしたが、前記ガス分流路５４は同心多重円状に設けても良く、その際に非接触基板固定手段は、前記径の異なる複数のガス分流路に沿って配置する様に設けても良い。要は均等にウェーハに保持力が伝わる様な配置にすることが好ましく、例えば、ウェーハの径が大きくなる場合、より均等な保持力になる様に留意し、基板接触保持手段よりウェーハ裏面中心側に非接触基板固定手段の保持する範囲を増やせば良い。
【００６５】
（付記）
尚、本発明は下記の実施の態様を含む。
【００６６】
（付記１）基板を処理する処理室と、該処理室内にて前記基板の裏面周縁部と接触し基板を保持する複数の基板接触保持手段と、該基板接触保持手段より基板中心側に配置され、前記基板に対向する凹部が形成され該凹部にガスを供給し得るガス供給ラインを備え、該ガス供給ラインにガスを供給し前記基板と前記凹部との間にガスが流れることにより、前記基板を凹部側に吸引し、前記基板を前記基板接触保持手段に非接触で固定させる非接触基板固定手段と、前記基板を前記基板接触保持手段に固定しつつ回転させる回転手段と、前記非接触基板固定手段を固定する支持体とを備えることを特徴とする基板処理装置。
【００６７】
（付記２）基板の裏面周縁部と接触し、基板を保持する基板接触保持手段と、該基板接触保持手段より前記基板の中心側に配置され該基板に非接触に吸引力を加えることにより前記基板接触保持手段に固定させる非接触基板固定手段と、前記基板を前記基板接触保持手段に固定しつつ回転させる回転手段とを備える基板処理装置を用いる半導体の製造方法に於いて、前記基板の裏面周縁部を前記基板接触保持手段により保持する工程と、前記非接触基板固定手段により前記基板に非接触にて吸引力を加え前記基板接触保持手段に固定する工程と、前記回転手段が前記基板を前記基板接触保持手段に固定しつつ回転させる工程とを有することを特徴とする半導体の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】本発明の実施の形態に係る基板処理装置の概略を示す平面図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る基板処理装置の概略を示す側面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る基板処理装置の基板支持固定機構を示す断面図である。
【図４】該基板支持固定機構の平面図である。
【図５】該基板支持固定機構の斜視図である。
【図６】該基板支持固定機構のチャック用ガス供給系を示す系統図である。
【図７】該基板支持固定機構の要部拡大断面図である。
【図８】従来の基板支持固定機構を示す斜視図である。
【図９】該基板支持固定機構の基板支持支柱の基板保持部を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００６９】
２              ウェーハ
１４            搬送室
１７            第１処理室
１８            第２処理室
３３            ウェーハ搬送ロボット
３５            ツィーザ
３６            基板支持固定機構
３８            軸受ハウジング
４１            中空外軸
４２            基板支持台
４４            従動プーリ
４５            固定ベース
４６            中空内軸
４７            シール部材
５１            マニホールド
５２            非接触チャック部
５３            凹部
５４            ガス分流路
５５            通孔
５６            ガス分配室
５７            連通路
５８            基板回転モータ
５９            駆動プーリ
６１            ベルト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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