(57)【要約】 【課題】  上板及び下板のミスアラインを防止して表示品質を向上させる表示装置、及びその製造方法を提供する。【解決手段】  表示パネルは、表示領域及び表示領域を囲む周辺領域で構成され、第１基板及び第１基板に対向する第２基板を有し、アラインキー部は周辺領域に形成され、金属膜パターン及び金属膜パターン上に積層された透明電極膜パターンで構成され、第１基板と第２基板との互いに対する位置合わせを行う。アラインキー部は、第１アラインキー及び第２アラインキーを含む。第１基板の最後レイヤーである画素電極の形成時に第１アラインキーが形成され、第２基板の最後レイヤーである共通電極の形成時に第２アラインキーが形成されるので、第１アラインキー及び第２アラインキーが形成される前に積層されたレイヤーのオーバーレイ捩れの影響を受けないように第１アラインキー及び第２アラインキーが形成され、第１基板と第２基板のミスアラインの発生を防止することができる。【選択図】    図２
2006079036.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板及び前記第１基板に対向する第２基板を有し、表示領域及び前記表示領域を囲む周辺領域で構成された表示パネルと、
前記周辺領域に形成されているアラインキー部であって、第１パターン及び前記第１パターン上に積層された第２パターンを含み、前記第１基板と前記第２基板との互いに対する位置合わせを行うためのアラインキー部と、
を含む表示装置。
【請求項２】
前記第１基板は、第１電極、第２電極、及び第３電極を有するスイッチング素子と、前記第１電極、第２電極、及び第３電極のうちいずれか一つと電気的に連結される透明電極とを含み、
前記第１パターンは、前記第１電極、第２電極、及び第３電極のうち、いずれか一つの電極を構成する物質を含み、
前記第２パターンは、前記透明電極と同じ物質で構成された
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１パターンと前記第２パターンは、同じエッチング液によりエッチングされる特性を有することを特徴とする請求項２記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１パターンはクロムを含み、前記第２パターンはＩＴＯ又はＩＺＯを含むことを特徴とする請求項２記載の表示装置。
【請求項５】
前記第２基板は、光遮断層、カラーフィルター、及び透明電極を含み、
前記第１パターンは、前記光遮断層を構成する物質を含み、
前記第２パターンは、前記透明電極と同じ物質を含む
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１パターンは、前記第２パターンと同じエッチング液によりエッチング可能であることを特徴とする請求項５記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１パターンはクロムを含み、前記第２パターンはＩＴＯ又はＩＺＯを含むことを特徴とする請求項６記載の表示装置。
【請求項８】
前記アラインキー部は、
前記第１基板上に形成された第１アラインキーと、
前記第２基板上に形成され、前記第１アラインキーに対応する位置に配置される第２アラインキーと、
を含むことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項９】
前記第２アラインキーは所定の形状を有し、
前記第１アラインキーは、前記第２アラインキーを囲む形状を有することを特徴とする請求項８記載の表示装置。
【請求項１０】
第１パターンを、第１基板上の表示領域を囲む周辺領域に形成する段階と、
前記第１パターン上に第２パターンを形成する段階と、
前記第１パターン及び前記第２パターンを同時にパターニングして、アラインキーを前記第１基板の周辺領域に形成する段階と、
前記アラインキーにより、前記第１基板と前記第１基板に対向する第２基板との互いに対する位置合わせを行う段階と、
を含む表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記アラインキーを前記第１基板の周辺領域に形成する段階は、
前記表示領域に第１電極、第２電極、及び第３電極を有するスイッチング素子を形成し、前記周辺領域に前記第１電極、第２電極、及び第３電極のうちいずれか一つの電極を構成する物質を含む第１層を形成する段階と、
前記表示領域及び周辺領域上に形成され、前記第１電極、第２電極、及び第３電極のうち、いずれか一つと電気的に連結される第２層を形成する段階と、
前記周辺領域上の前記第１層及び第２層を同時にエッチングする段階と、
を含むことを特徴とする請求項１０記載の表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記アラインキーを前記第１基板の周辺領域に形成する段階は、
前記表示領域に光遮断層を形成し、前記周辺領域に前記光遮断層を構成する物質を含む第１層を形成する段階と、
前記光遮断層上にカラーフィルターを形成する段階と、
前記カラーフィルターが形成された表示領域及び前記周辺領域に第２層を形成する段階と、
前記周辺領域上の前記第１層及び第２層を同時にエッチングする段階と、
を含むことを特徴とする請求項１０記載の表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第１パターンは、前記第２パターンと同じエッチング液によりエッチング可能であることを特徴とする請求項１０記載の表示装置の製造方法。
【請求項１４】
（ａ）第１表示領域及び第１周辺領域で構成される第１基板であって、前記第１周辺領域に第１金属膜パターン及び前記第１金属膜パターン上に積層された第１透明電極膜パターンを含む第１アラインキーを有する第１基板を製造する段階と、
（ｂ）前記第１基板に対向し、第２表示領域及び第２周辺領域で構成される第２基板であって、前記第２周辺領域に第２金属膜パターン及び前記第２金属膜パターン上に積層された第２透明電極膜パターンを含み、前記第１アラインキーに対応する位置に設けられる第２アラインキーを有する第２基板を製造する段階と、
（ｃ）前記第１アラインキー及び前記第２アラインキーにより前記第１基板と前記第２基板との互いに対する位置合わせを行う段階と、
を含む表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記段階（ａ）は、
前記第１表示領域に第１電極、第２電極、及び第３電極を有するスイッチング素子を形成し、前記第１周辺領域に前記第１電極、第２電極、及び第３電極のうちいずれか一つの電極を構成する物質を含む金属膜を形成する段階と、
前記第１表示領域及び前記第１周辺領域上に、前記第１電極、第２電極、及び第３電極のうちいずれか一つと電気的に連結される透明電極を形成する段階と、
前記第１周辺領域上の前記透明電極と前記金属膜とを同時にエッチングして、前記第１金属膜パターン上に前記第１透明電極膜パターンが積層された第１アラインキーを形成する段階と、
を含むことを特徴とする請求項１４記載の表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記段階（ｂ）は、
前記第２表示領域に光遮断層を形成し、前記第２周辺領域に前記光遮断層を構成する物質を含む金属膜を形成する段階と、
前記光遮断層上にカラーフィルターを形成する段階と、
前記カラーフィルターが形成された前記第２表示領域及び前記第２周辺領域に透明電極を形成する段階と、
前記第２周辺領域上の前記透明電極と前記金属膜とを同時にエッチングして、前記第２金属膜パターン上に前記第２透明電極膜パターンが積層された第２アラインキーを形成する段階と、
を含むことを特徴とする請求項１４記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置及びその製造方法に関し、より詳細には表示パネルの上板及び下板のミスアラインを防止して、表示品質を向上させるための表示装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、液晶表示装置は、薄膜トランジスタ基板、前記薄膜トランジスタ基板に対向するカラーフィルター基板、そして両基板間に配置され電気的な信号が印加されることにより、光の透過可否を決定する液晶を有する液晶表示パネルを具備する。又、液晶表示装置は、前記液晶表示パネルの下部に形成され前記液晶表示パネルに光を提供するバックライトアセンブリを含む。
【０００３】
ここで、前記薄膜トランジスタ基板には、スイッチング素子である薄膜トランジスタ及び画素電極が形成され、前記カラーフィルター基板には、ブラックマトリックス、カラーフィルター、及び前記画素電極に対向する共通電極が形成される。
【０００４】
又、前記薄膜トランジスタ基板と前記カラーフィルター基板には、二つの基板の合着時の位置合わせ（ａｌｉｇｎｍｅｎｔ、アライメント）のためのアラインキーがそれぞれ形成される。具体的には、前記薄膜トランジスタ基板上のアラインキーは、前記薄膜トランジスタのゲート電極、ソース電極、又はドレイン電極を形成するための金属膜がパターニングされ形成される。又、前記カラーフィルター基板上のアラインキーは、前記ブラックマトリックスを形成するための絶縁膜がパターニングされ形成される。
【０００５】
従って、上述した構成の薄膜トランジスタ基板とカラーフィルター基板は、前記アラインキーにより実際の駆動領域である画素電極と共通電極とを正確に整合させるための位置合わせ工程を行った後に合着される。
【０００６】
しかし、前記薄膜トランジスタ基板とカラーフィルター基板の製造時、露光装置等による誤差によって、各レイヤー間のオーバーレイ（Ｏｖｅｒｌａｙ）捩れが発生し、基板の大型化による薄膜トランジスタ及びカラーフィルター製造工程中に、基板の変形が大きくなるため、前記アラインキーにより前記画素電極と共通電極との正確な対応のための位置合わせ工程を行う場合、前記薄膜トランジスタ基板とカラーフィルター基板との位置のずれ（ミスアライン）が発生する。
【０００７】
上述したミスアラインを解決するために、前記画素電極と共通電極を形成するための透明電極によりアラインキーを形成する場合、前記透明電極により形成された前記アラインキーをアライン計測装置が認識しないので、薄膜トランジスタ基板とカラーフィルター基板との間の位置合わせの工程を正確に行うことができないという問題点がある。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従って、本発明は上述した問題点を解決するためのものであって、本発明の目的は、表示パネルの上板と下板との正確な位置合わせ（ａｌｉｇｎｍｅｎｔ、アライメント）を行うことができるアラインキーを有する表示装置を提供することにある。
【０００９】
本発明の他の目的は、上述した表示装置を製造するための製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前述した目的を達成するための本発明の表示装置は、第１基板及び前記第１基板に対向する第２基板を有し、表示領域及び前記表示領域を囲む周辺領域で構成された表示パネルを備え、アラインキー部は前記周辺領域に形成されている。また、アラインキーは、第１パターン及び前記第１パターン上に積層された第２パターンで構成され、前記第１基板と第２基板との互いに対する位置合わせを行う。
【００１１】
ここで、前記第１基板は、第１電極、第２電極、及び第３電極を有するスイッチング素子と、及び前記第１電極、第２電極、及び第３電極のうちいずれか一つと電気的に連結される透明電極とを含み、前記第１パターンは、前記第１電極、第２電極、及び第３電極のうち、いずれか一つの電極を構成する物質を含み、前記第２パターンは、前記透明電極と同じ物質で構成される。
【００１２】
又、前記第２基板は、光遮断層、カラーフィルター、及び透明電極を含み、前記第１パターンは、前記光遮断層を構成する物質を含み、前記第２パターンは前記透明電極と同じ物質を含む。
【００１３】
本発明の他の目的を達成するために、本発明の表示装置の製造方法によれば、第１パターンを第１基板上の表示領域を囲む周辺領域に形成し、前記第１パターン上に第２パターンを形成する。その後、前記第１及び第２パターンを同時にパターニングして、アラインキーを前記第１基板の周辺領域に形成し、前記アラインキーにより前記第１基板と前記第２基板との互いに対する位置合わせを行う。
【００１４】
このような表示装置及びその製造方法によると、第１基板には最後のレイヤーである透明電極、即ち、画素電極の形成時にアラインキーが形成され、第２基板には最後のレイヤーである透明電極、即ち、共通電極形成時にアラインキーが形成されるので、アラインキー形成前に積層されるレイヤーのオーバーレイ捩れによる影響を受けずにアラインキーが形成され、第１基板と第２基板のミスアラインを防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の好ましい実施例による表示装置及びその製造方法を添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１６】
図１は、本発明による液晶表示装置を概念的に示す断面図である。
【００１７】
図１を参照すると、本発明による液晶表示装置は、薄膜トランジスタ基板１００、カラーフィルター基板２００、及び薄膜トランジスタ基板１００とカラーフィルター基板２００との間に形成された液晶層３００で構成され、映像を表示する液晶表示パネル４００を含む。又、本発明による液晶表示装置は、薄膜トランジスタ基板１００の下部に形成され、薄膜トランジスタ基板１００及びカラーフィルター基板２００に光を提供する光発生装置５００を更に含む。
【００１８】
ここで、液晶表示パネル４００は、映像が表示される表示領域ＤＡと、前記表示領域ＤＡを外部で囲むシールライン（ｓｅａｌ  ｌｉｎｅ）領域ＳＡとに区分される。
【００１９】
前記薄膜トランジスタ基板１００は、第１絶縁基板１１０上の表示領域ＤＡに形成される多数の薄膜トランジスタ（図示せず）が形成された薄膜トランジスタ層１２０、薄膜トランジスタ層１２０上に形成された保護膜１３０、及び保護膜１３０上に形成され薄膜トランジスタ層１２０に電気的に連結される画素電極１４０を含む。
【００２０】
ここで、薄膜トランジスタ層１４０に形成された前記薄膜トランジスタは、ゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極を含み、前記ドレイン電極は、画素電極１４０と電気的に連結される。この際、前記ゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極は、クロム（Ｃｒ）のような金属物質により形成される。
【００２１】
一方、カラーフィルター基板２００は、第２絶縁基板２１０上に形成されたカラーフィルター層２２０、及びカラーフィルター層２２０上に形成された共通電極２３０を含む。この際、カラーフィルター層２２０は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の色画素、及び前記赤色、緑色、青色の色画素の間への光の漏洩を防止するためのブラックマトリックスを含む。前記ブラックマトリックスは、クロム（Ｃｒ）及びクロム酸化物等の無機絶縁膜により形成される。
【００２２】
前記カラーフィルター基板２００は、前記ブラックマトリックスが無機絶縁膜により形成されるので、前記赤色、緑色、青色の色画素間の段差を減少させるための別の平坦化膜は必要ではない。
【００２３】
前記薄膜トランジスタ基板１００とカラーフィルター基板２００は、シールライン領域ＳＡに形成される結合部材６００により堅固に結合される。この際、結合部材６００は、シーラントが所定の厚さで塗布されシールラインとして形成される。以下、結合部材をシールラインと称する。
【００２４】
前記シールライン６００は、薄膜トランジスタ基板１００とカラーフィルター基板２００との間に所定高さのセルギャップを維持するための所定の高さを有するように形成される。前記セルギャップ内に液晶層３００が形成される。
【００２５】
又、薄膜トランジスタ基板１００のシールライン領域ＳＡには、薄膜トランジスタ基板１００とカラーフィルター基板２００の位置合わせのための第１アラインキー７００が形成され、カラーフィルター基板２００のシールライン領域ＳＡには、第１アラインキー７００に対応する第２アラインキー７１０が形成される。
【００２６】
前記第１アラインキー７００は、第１金属膜パターン７０２及び第１金属膜パターン７０２上に形成された第１透明電極膜パターン７０４で構成される。この時、第１金属膜パターン７０２は、前記薄膜トランジスタのゲート電極、ソース電極、又はドレイン電極の形成工程時に、薄膜トランジスタの各電極と同じ物質により形成される。又、第１透明電極膜パターン７０４は、画素電極１４０の形成工程時に、画素電極１４０と同じ物質により形成される。
【００２７】
ここで、前記薄膜トランジスタのゲート電極、ソース電極、又はドレイン電極は、クロム（Ｃｒ）により形成され、画素電極１４０は、インジウムティンオキサイド（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ；以下、ＩＴＯ）又はインジウムジンクオキサイド（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ；以下、ＩＺＯ）により形成される。前記クロムにより形成された層は、前記ＩＴＯ又はＩＺＯにより形成された層をエッチングするエッチング液によりエッチング可能である。
【００２８】
即ち、第１金属膜パターン７０２はクロムにより形成され、第１透明電極膜パターン７０４はＩＴＯ又はＩＺＯにより形成されるので、第１金属膜パターン７０２は、上部に形成された第１透明電極膜パターン７０４のエッチングと同時にエッチングされる。
【００２９】
前記第２アラインキー７１０は、第２金属膜パターン７１２及び第２金属膜パターン７１２上に形成された第２透明電極膜パターン７１４で構成される。この際、第２金属膜パターン７１２は、カラーフィルター層２２０のブラックマトリックスの形成工程時に、ブラックマトリックスと同じ物質により形成される。又、第２透明電極膜パターン７１４は、共通電極２３０の形成時に、共通電極と同じ物質により形成される。
【００３０】
ここで、カラーフィルター層２２０のブラックマトリックスはクロムにより形成され、共通電極２３０はＩＴＯ又はＩＺＯにより形成される。前記クロムにより形成された層はＩＴＯ又はＩＺＯにより形成された層をエッチングするエッチング液によりエッチング可能である。
【００３１】
即ち、第２金属膜パターン７１２はクロムにより形成され、第２透明電極膜パターン７１４はＩＴＯ又はＩＺＯにより形成されるので、第２金属膜パターン７１２は上部に形成された第２透明電極膜パターン７１４のエッチング時に同時にエッチングされる。
【００３２】
ここでは、第１透明電極膜パターン７０４及び第２透明電極膜パターン７１４のエッチング時に同じエッチング液によりエッチングできるように第１金属膜パターン７０２及び第２金属膜７１２がクロムで形成された場合を例として説明したが、第１金属膜パターン７０２及び第２金属膜７１２をＩＴＯ又はＩＺＯのエッチング液により第１透明電極膜パターン７０４及び第２透明電極膜パターン７１４と同時にエッチングすることができる他の物質で形成することができる。
【００３３】
図２は、図１に図示された薄膜トランジスタ基板を示す平面図であり、図３は、図２のＩ−Ｉ′による断面図である。
【００３４】
図２及び図３を参照すると、薄膜トランジスタ基板１００の４個の角領域、即ち、シールライン領域ＳＡには第１アラインキー７００が形成される。前記第１アラインキー７００は所定厚さを有する正方形の環形状を有する。
【００３５】
又、薄膜トランジスタ基板１００の表示領域ＤＡには、薄膜トランジスタ３１０が形成される。前記薄膜トランジスタ３１０は、第１絶縁基板１１０上に順次に形成されるゲート電極３１１、ゲート絶縁膜３１２、アクティブ層３１３、ソース電極３１４、及びドレイン電極３１５で構成される。
【００３６】
前記薄膜トランジスタ３１０の上部には保護膜１３０が形成され、保護膜１３０の上部にはＩＴＯ又はＩＺＯにより画素電極１４０が形成される。この際、ゲート絶縁膜３１２、保護膜１３０、及び画素電極１４０は、薄膜トランジスタ基板１００の全面に形成される。即ち、ゲート絶縁膜３１２、保護膜１３０、及び画素電極１４０は、表示領域ＤＡのみならず、シールライン領域ＳＡにも形成される。このとき、シールライン領域に形成されたゲート絶縁膜３１２及び保護膜１３０は、その後の工程で除去される。又、画素電極１４０は、所定のコンタクトホールを通じて薄膜トランジスタ３１０のドレイン電極３１５と電気的に連結される。
【００３７】
一方、シールライン領域ＳＡには、薄膜トランジスタ３１０のゲート電極３１１の形成工程時又はソース電極３１４及びドレイン電極３１５の形成工程時に、これらの電極と同じ金属物質、即ち、クロムが正方形にパターニングされ、第１金属膜パターン７０２が形成される。
【００３８】
又、表示領域ＤＡ及び第１金属膜パターン７０２が形成されたシールライン領域ＳＡには、画素電極１４０の形成工程時に、画素電極１４０と同じ金属物質、即ち、ＩＴＯ又はＩＺＯにより第１透明電極膜パターン７０４が形成される。その後、第１透明電極膜パターン７０４は、正方形の環形状を有するようにパターニングされる。この際、第１透明電極膜パターン７０４のパターニングのためのエッチング工程時、第１金属膜パターン７０２もエッチングされるので、第１金属膜パターン７０２も第１透明電極膜７０４と同じ正方形の環形状を有する。
【００３９】
第１アラインキー７００は、第１金属膜パターン７０２及び第１透明電極膜パターン７０４により形成される。この際、第１アラインキー７００の第１透明電極膜パターン７０４は、下部に形成された第１金属膜パターン７０２により認識が可能である。
【００４０】
このように薄膜トランジスタ基板１００の最後のレイヤーである画素電極１４０の形成工程時に第１アラインキー７００が形成されるので、画素電極１４０が形成される前に積層されるレイヤーのオーバーレイによる捩れの影響を受けない第１アラインキー７００を形成することができる。
【００４１】
図４は、図１に図示されたカラーフィルター基板を示す平面図であり、図５は、図４のＩＩ−ＩＩ´に沿って切断した断面図である。
【００４２】
図４及び図５を参照すると、カラーフィルター基板２００の４個の角領域、即ち、シールライン領域ＳＡに第２アラインキー７１０が形成される。前記第２アラインキー７１０は、図２に示した正方形の環形状の第１アラインキー７００の内側形状に対応する正方形形状を有する。すなわち、第２アラインキー７１０は、第１アラインキー７００により囲まれる形状を有する。
【００４３】
又、カラーフィルター基板２００の表示領域ＤＡには、カラーフィルター層２２０が形成される。前記カラーフィルター層２２０は、第２絶縁基板２１０上に順次に形成されたブラックマトリックス２２２及びカラーフィルター２２４で構成される。カラーフィルター２２４は、赤色、緑色、青色の色画素を含む。前記ブラックマトリックス２２２は、クロム及びクロム酸化物等の無機絶縁物質により形成される。
【００４４】
前記カラーフィルター２２４の上部には、ＩＴＯ又はＩＺＯにより共通電極２３０が形成される。この際、共通電極２３０は、表示領域ＤＡ及びシールライン領域ＳＡに形成される。
【００４５】
一方、シールライン領域ＳＡには、ブラックマトリックス２２２の形成工程時、ブラックマトリックス２２２と同じ金属物質、即ち、たとえばクロムにより、第２金属膜パターン７１２が形成される。
【００４６】
又、表示領域ＤＡ及び第２金属膜パターン７１２が形成されたシールライン領域ＳＡには、共通電極２３０の形成工程時、同じ金属物質、即ち、ＩＴＯ又はＩＺＯによる第２透明電極膜パターン７１４が形成される。その後、第２透明電極膜パターン７１４は、正方形形状を有するようにパターニングされる。第２透明電極膜７１４のパターニングのためのエッチング工程時には、第２金属膜パターン７１２もエッチングされるので、第２金属膜パターン７１２も第２透明電極膜パターン７１４と同じ正方形形状を有する。
【００４７】
従って、第２アラインキー７１０は、第２金属膜パターン７１２及び第２透明電極膜パターン７１４により形成される。この際、第２アラインキー７１０の第２透明電極膜パターン７１４は、下部に形成された第２金属膜パターン７１２により認識が可能である。
【００４８】
このように、カラーフィルター基板２００の最後のレイヤーである共通電極２３０の形成工程時、第２アラインキー７１０が形成されるので、共通電極２３０が形成される前に積層される層のオーバーレイ捩れの影響を受けない第２アラインキー７１０を形成することができる。
【００４９】
上述したように、第１アラインキー７００及び第２アラインキー７１０は、これらのキーを形成する前に積層される層のオーバーレイ捩れによる影響を受けないように形成されるので、第１アラインキー７００及び第２アラインキー７１０により、薄膜トランジスタ基板１００とカラーフィルター基板２００の位置合わせ工程時には、実際の駆動領域である画素電極１４０と共通電極２３０の位置合わせを正確に行うことができる。この際、第１アラインキー７００及び第２アラインキー７１０は、下部に形成された第１金属膜パターン７０２及び第２金属膜パターン７１２により、アライン計測装置による認識が可能である。
【００５０】
図６は、図２及び図４に図示された第１アラインキー及び第２アラインキーの、位置合わせ時の状態を示す図である。
【００５１】
図６を参照すると、第１アラインキー７００は、所定厚さを有する正方形の帯形状を有し、第２アラインキー７１０は、正方形形状を有し、第１基板及び第２基板を組み立てるときに第２アラインキー７１０が第１アラインキー７００の中心領域に配置されるように形成される。
【００５２】
ここで、所定のアライン計測装置は、第２アラインキー７１０が第１アラインキー７００の中心領域からどの程度外れているかを計測することにより、薄膜トランジスタ基板１００とカラーフィルター基板２００の位置合わせの程度を判断する。
【００５３】
本発明は第１アラインキー７００が正方形の環形状を有し、第２アラインキー７１０が第１アラインキー７００の内部に位置する正方形形状を有する場合を例として説明したが、多様な形状を有することができるのは自明である。
【００５４】
上述した構成の第１アラインキー及び第２アラインキーを有する薄膜トランジスタ基板及びカラーフィルター基板の製造工程を添付図面を参照して詳細に説明する。
【００５５】
図７乃至図１２は、図１に図示した薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【００５６】
図７を参照すると、第１絶縁基板１１０の全面にクロムからなる第１金属層（図示せず）をスパッタリング方法により蒸着した後、パターニングしてゲート電極３１１及び第１金属膜パターン７０２を形成する。この際、ゲート電極３１１は、表示領域ＤＡに形成され、第１金属膜パターン７０２は、第１アラインキー７００が形成されるシールライン領域ＳＡに形成される。ここで、第１金属膜パターン７０２は、後に形成されるソース電極３１４及びドレイン電極３１５の形成工程で形成してもよい。
【００５７】
図８を参照すると、ゲート電極４１１が形成された第１絶縁基板１１０の全面にシリコン窒化物を蒸着して、ゲート絶縁膜３１２を形成する。その後、ゲート絶縁膜３１２上に非晶質シリコン膜及びｎ＋ドーピングされた非晶質シリコン膜を蒸着した後、パターニングしたアクティブ層３１３を形成する。
【００５８】
アクティブ層３１３を形成した部分にクロムからなる第２金属層（図示せず）をスパッタリング方法により蒸着した後、前記第２金属層をパターニングしてソース電極３１４及びドレイン電極３１５を形成する。これにより、第１絶縁基板１１０上の表示領域ＤＡにゲート電極３１１、ゲート絶縁膜３１２、アクティブ層３１３、ソース電極３１４、及びドレイン電極３１５を含む薄膜トランジスタ３１０が形成される。
【００５９】
図９を参照すると、薄膜トランジスタ３１０が形成された第１絶縁基板１００の全面に、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）のような無機物質をスピン−コーティング法や化学気相蒸着法（ＣＶＤ）を用いて塗布し、保護膜１３０を形成する。即ち、保護膜１３０は表示領域ＤＡ及びシールライン領域ＳＡに形成される。
【００６０】
図１０に示すように、保護膜１３０上には所定のパターンが形成されている第１マスク８００が形成される。この際、第１マスク８００は、ドレイン電極３１５の一部分を露出させるための第１開口部８１０、及び第１金属膜パターン７０２とこれに隣接する領域を露出させるための第２開口部８２０を有する。
【００６１】
その後、保護膜１３０を露光した後、所定の現像液を用いて現像が行われる。これにより、保護膜１３０には第１開口部１６５により露光された領域にコンタクトホール３２０が形成される。又、第２開口部８２０によりシールライン領域ＳＡに形成された第１金属膜パターン７０２の上部及びこれに隣接する領域のゲート絶縁膜３１２及び保護膜１３０が除去され、第１金属膜パターン７０２と第１絶縁基板１１０の一部が露出される。
【００６２】
図１１を参照すると、コンタクトホール３２０を有する保護膜１３０が形成された第１絶縁基板１１０の全面に、ＩＴＯ又はＩＺＯのような透明導電膜が均一な厚さで蒸着されて、第１透明電極層８３０が形成される。前記第１透明電極層８３０は、表示領域ＤＡ及びシールライン領域ＳＡに形成される。又、第１透明電極層８３０の画素電極１４０に相当する部分は、コンタクトホール３２０を通じて薄膜トランジスタ３１０のドレイン電極３１５と電気的に接続される。
【００６３】
そして、図１２に示すように、第１透明電極層８３０が形成された第１絶縁基板１１０上には、所定のパターンを有する第２マスク８５０が形成される。この際、第２マスク８５０は、画素領域にのみ画素電極１４０を形成するための第１閉鎖部８６０、第１アラインキー７００を形成するための第２閉鎖部８７０を含む。この際、第２閉鎖部８７０は、第１アラインキー７００の形状に対応する正方形の環形状を有する。
【００６４】
その後、第１透明電極層８３０を露光した後、所定の現像液を用いて現像することにより、第１透明電極層１４０がエッチングされ、表示領域ＤＡのうちの画素領域にのみ画素電極１４０が形成される。又、シールライン領域ＳＡでは、第２閉鎖部８７０に対応する領域にのみ第１透明電極層８３０が残り、正方形の環形状を有する第１透明電極膜パターン７０４が形成される。
【００６５】
この際、第１金属膜パターン７０２も第１透明電極層１４０を現像する現像液によりエッチングされるので、第１透明電極膜７０４と同じ形状、即ち、正方形の環形状を有するようにエッチングされる。従って、第１金属膜パターン７０２及び第１金属膜パターン７０２上に形成された第１透明電極膜パターン７０４から第１アラインキー７００が形成される。
【００６６】
図１３乃至図１６は、図１に図示されたカラーフィルター基板の製造工程を示す断面図である。
【００６７】
図１３に示すように、第２絶縁基板２１０の全面にクロム又はクロム酸化物からなる第３金属層（図示せず）をスパッタリング法により蒸着した後、前記第３金属層をパターニングしてブラックマトリックス２２２及び第２金属膜パターン７１２を形成する。この際、ブラックマトリックス２２２は表示領域ＤＡに形成され、第２金属膜パターン７１２はシールライン領域ＳＡに形成される。
【００６８】
図１４を参照すると、ブラックマトリックス２２２が形成された第２絶縁基板２１０上の表示領域ＤＡに、赤色染料又は赤色顔料が含まれた第１フォトレジスト（図示せず）が均一な厚さで塗布される。その後、前記第１フォトレジストをパターニングして、赤色の色画素パターンを形成する。
【００６９】
その後、緑色染料及び緑色顔料が含まれた第２フォトレジスト（図示せず）を第２絶縁基板２１０上に形成した後、前記第２フォトレジストをパターニングして、緑色の色画素パターンを形成する。
【００７０】
その後、青色染料及び青色顔料が含まれた第３フォトレジスト（図示せず）を第２絶縁基板２１０上に形成した後、前記第３フォトレジストをパターニングして、青色の色画素パターンを形成する。
【００７１】
前記赤色、緑色、青色色画素パターンは、隣接する色画素パターンと、ブラックマトリックス２２２上で、所定の間隔で離隔されている。これにより、第２絶縁基板２１０上にブラックマトリックス２２２及び赤色、緑色、青色の色画素パターンを有するカラーフィルター２２４からなるカラーフィルター層２２０が完成する。
【００７２】
図１５を参照すると、カラーフィルター層２２０が形成された第２絶縁基板２１０の全面に、ＩＴＯ又はＩＺＯのような透明導電膜を均一な厚さで蒸着して、第２透明電極層９００を形成する。前記第２透明電極層９００は、表示領域ＤＡ及びシールライン領域ＳＡに形成される。
【００７３】
図１６に示すように、第２透明電極層９００が形成された第２絶縁基板２１０上には、所定のパターンを有する第３マスク９１０が形成される。この際、第３マスク９１０は、画素領域にのみ共通電極２３０を形成するための第３閉鎖部９２０及び第２アラインキー７１０を形成するための第４閉鎖部９３０を含む。この際、第４閉鎖部９３０は、第２アラインキー７１０の形状に対応する正方形形状を有する。
【００７４】
その後、第２透明電極層９００を露光した後、所定の現像液を用いて現像する。そうすると、第２透明電極層９００がエッチングされ、表示領域ＤＡでは画素領域にのみ共通電極２３０が形成される。又、シールライン領域ＳＡでは、第４閉鎖部９３０に対応する領域にのみ第２透明電極層９００が残り、正方形形状を有する第２透明電極膜パターン７１４が形成される。この際、第２金属膜パターン７１２も第２透明電極層９００を現像する現像液によりエッチングされるので、第２透明電極膜パターン７１４も同じ形状、即ち、正方形形状を有するようにエッチングされる。従って、第２金属膜パターン７１２及び第２金属膜パターン７１２上に形成された第２透明電極膜パターン７１４による第２アラインキー７１０が形成される。
【００７５】
上述した実施形態では、カラーフィルター基板２００上にオーバーコーティング層がない場合を例として本発明を説明したが、カラーフィルター２２２のＲ、Ｇ、Ｂ色画素パターン間の段差を減少させるためのオーバーコーティング層が形成された場合にも同様に本発明を適用することができる。
【００７６】
即ち、カラーフィルター基板２００のエッジ側に形成されるフォトレジスト層を除去する工程ＥＢＲにより、カラーフィルター基板２００のシールライン領域でのオーバーコーティング層が除去される。従って、カラーフィルター基板２００のシールライン領域、即ち、第２アラインキーが形成される領域には、第２金属膜パターン７１２と第２透明電極膜パターン７１４のみが位置するので、第２透明電極膜パターン７１４をエッチングする工程時、第２金属膜パターン７１２も同時にエッチングされ、第２アラインキー７１０が形成される。
【００７７】
前述したように、本発明によれば、薄膜トランジスタ基板とカラーフィルター基板との間に、位置合わせのための第１アラインキー及び第２アラインキーを含む。前記第１アラインキーは、画素電極を形成するための第１透明電極層により形成された第１透明電極膜パターン及び第１透明電極膜パターン下部に形成された第１金属膜パターンで構成される。第２アラインキーは、共通電極の形成のための第２透明電極層により形成された第２透明電極膜パターン及び第２透明電極膜パターン下部に形成された第２金属膜パターンで構成される。
【００７８】
すなわち、薄膜トランジスタ基板の最後に形成されるレイヤーである画素電極の形成時に第１アラインキーが形成され、カラーフィルター基板の最後に形成されるレイヤーである共通電極の形成時に第２アラインキーが形成されるので、アラインキー形成前に形成されるレイヤーのオーバーレイ捩れによる影響を受けずに、第１アラインキー及び第２アラインキーが形成される。
【００７９】
従って、本発明は、薄膜トランジスタ基板とカラーフィルター基板の製造工程時に発生するレイヤー間のオーバーレイ捩れに影響を受けない第１アラインキー及び第２アラインキーにより実際の駆動領域である画素電極と共通電極を対応させる位置合わせ工程を行うので、ミスアラインの発生を防止することができる効果がある。
【００８０】
又、本発明は、第１及び第２透明電極膜パターンの下部に形成された第１及び第２金属膜パターンにより所定のアライン計測装置により認識が可能なので、薄膜トランジスタ基板とカラーフィルター基板との間の位置合わせ工程を正確に行うことができ、表示装置の表示品質を向上させることができる。
【００８１】
以上、本発明の実施例によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できる。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本発明による液晶表示装置を概念的に示す断面図である。
【図２】図１に図示された薄膜トランジスタ基板を示す平面図である。
【図３】図２のＩ−Ｉ′に沿って切断した断面図である。
【図４】図１に図示されたカラーフィルター基板を示す平面図である。
【図５】図４のＩＩ−ＩＩ´に沿って切断した断面図である。
【図６】図２及び図４に図示された第１アラインキー及び第２アラインキーの位置合わせ時の状態を示す図である。
【図７】図１に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【図８】図１に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【図９】図１に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【図１０】図１に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【図１１】図１に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【図１２】図１に図示された薄膜トランジスタ基板の製造工程を示す断面図である。
【図１３】図１に図示されたカラーフィルター基板の製造工程を示す断面図である。
【図１４】図１に図示されたカラーフィルター基板の製造工程を示す断面図である。
【図１５】図１に図示されたカラーフィルター基板の製造工程を示す断面図である。
【図１６】図１に図示されたカラーフィルター基板の製造工程を示す断面図である。
【符号の説明】
【００８３】
１００    薄膜トランジスタ基板
２００    カラーフィルター基板
７００    第１アラインキー
７０２    第１金属膜パターン
７０４    第１透明電極膜パターン
７１０    第２アラインキー
７１２    第２金属膜パターン
７１４    第２透明電極膜パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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