(57)【要約】【課題】  透明導電板の電気抵抗を引き下げつつ、その光透過性を向上させうる新規な構成を提供する。また、この透明導電板の製造方法、および当該透明導電板を備えた光電変換素子を提供する。【解決手段】  光透過性基板１４と、その第１主面上に設けられた集光曲面１３と、その第２主面上に設けられた、集電体１１および光透過性導電膜１５と、を含み、第２主面が、集電体１１が形成された第１領域と集電体１１が形成されていない第２領域とを有し、第１主面側から当該主面に垂直な方向に沿って第１領域へと入射する光の少なくとも一部を第２領域に導くように、集光曲面１３が形成されている透明導電板１０とする。この透明導電板は、例えば感光性レジストを用いて製造できる。【選択図】  図１
2006147344.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光透過性基板と、
前記光透過性基板の第１主面上に設けられた集光曲面と、
前記光透過性基板の第２主面上に設けられた、集電体および光透過性導電膜と、
を含み、
前記第２主面が、前記集電体が形成された第１領域と前記集電体が形成されていない第
２領域とを有し、
前記第１主面側から当該第１主面に垂直な方向に沿って前記第１領域へと入射する光の
少なくとも一部を前記第２領域に導くように、前記集光曲面が形成されている
ことを特徴とする透明導電板。
【請求項２】
前記集電体の端面と前記集光曲面の光軸との最短距離（ｗ）が、以下の式（１）を満た
す請求項１に記載の透明導電板。
（Ｆ−ｄ）ｈ／Ｆ  ≦  ｗ  ＜ｈ        ・・・（１）
ただし、式中のｈは前記集光曲面の光軸と、当該集光曲面の集光曲面縁であって当該開
口端面に最近接する集光曲面縁との間の距離であり、ｄは前記光透過性基板の厚みであり
、Ｆは前記光透過性基板の屈折率に等しい媒質中での前記集光曲面の焦点距離である。
【請求項３】
前記集光曲面がマイクロレンズである請求項１に記載の透明導電板。
【請求項４】
前記集光曲面がシリンドリカル状の集光曲面である請求項１に記載の透明導電板。
【請求項５】
前記集電体が前記光透過性導電膜と前記第２主面との間に設けられており、かつ当該集
電体と光透過性導電膜とが互いに接している、
または、前記光透過性導電膜が前記集電体と前記第２主面との間に設けられており、か
つ当該集電体と光透過性導電膜とが互いに接している
請求項１に記載の透明導電板。
【請求項６】
光透過性基板と、前記光透過性基板の第１主面上に設けられた集光曲面と、前記光透過
性基板の第２主面上に設けられた、集電体および光透過性導電膜と、を含み、前記第２主
面が、前記集電体が形成された第１領域と前記集電体が形成されていない第２領域とを有
する、透明導電板の製造方法であって、
前記第１主面側から当該第１主面に垂直な方向に沿って前記第１領域へと入射する光の
少なくとも一部を前記第２領域に導くように、前記集光曲面と前記集電体とを配置する
ことを特徴とする透明導電板の製造方法。
【請求項７】
光透過性基板と、前記光透過性基板の第１主面上に設けられた集光曲面と、前記光透過
性基板の第２主面上に設けられた感光性レジスト膜とを含む透明導電板前駆体の前記集光
曲面を介して前記感光性レジスト膜の一部を露光する工程と、
前記露光された一部以外の前記感光性レジスト膜を除去して、前記感光性レジスト膜を
所定のレジストパターンに加工する工程と、
前記所定のレジストパターンを覆うように、前記第２主面上に導電層を形成する工程と
、
前記所定のレジストパターン上の導電層を所定のレジストパターンとともに除去して、
前記集電体を形成する工程と
を含む請求項６に記載の透明導電板の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の透明導電板を備えた光電変換素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明導電板とその製造方法に関し、さらに、この透明導電板を備えた光電変
換素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、太陽電池等の光電変換素子では、素子の光入射面に、ＩＴＯ膜やＳｎＯ2膜など
の光透過性導電膜を有する透明導電板が配されている。この光透過性導電膜は入射光側の
電極として用いられているが、光透過性導電膜は本来的に、一般的な金属電極と比べてそ
の電気抵抗率が高いため、透明導電板の表面抵抗を高止まりさせる要因となっている。
【０００３】
光透過性導電膜の電気抵抗率を引き下げるには、この導電膜を厚く設ければよいが、厚
くするほどその透明性が低下してしまう。他方、光透過性導電膜に金属グリッドを接触さ
せて設けると、その集電作用により当該導電膜の電気抵抗率を引き下げることができるも
のの、金属グリッドが入射光の導波を妨害し、透明導電板の光透過性を悪化させるという
問題がある。
【０００４】
ここで、このような金属グリッドによる遮光を防止する目的で、鋭角なエッジ形状を有
する金属グリッドを設ける技術がある（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平８−２８７９６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、この特許文献１の透明導電板では、ガラス板の表面を、金属グリッドの
エッジ形状に対応させて高精密に加工する必要があるため、透明導電板の製造歩留まりが
低く、またその製造工程数が多いという問題がある。また、この透明導電板では、実用に
十分な程度にまでその電気抵抗性や光透過性を改善できず、電気抵抗をさらに引き下げた
り光透過性をさらに向上したりできる余地がある。
【０００６】
そこで、本発明は、透明導電板の電気抵抗を引き下げつつ、その光透過性を向上させう
る新規な構成を提供することを目的とする。また、本発明の別の目的は、この新規な透明
導電板の製造方法、および当該透明導電板を備えた光電変換素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
従来の、金属グリッドのエッジ形状により入射光の導波経路を制御する技術では、上述
したように限界がある。本発明者は、入射光の導波を精密に制御しうる新たな技術を確立
し、本発明を完成するに至った。
【０００８】
本発明の透明導電板は、光透過性基板と、前記光透過性基板の第１主面上に設けられた
集光曲面と、前記光透過性基板の第２主面上に設けられた、集電体および光透過性導電膜
と、を含み、前記第２主面が、前記集電体が形成された第１領域と前記集電体が形成され
ていない第２領域とを有し、前記第１主面側から当該第１主面に垂直な方向に沿って前記
第１領域へと入射する光の少なくとも一部を前記第２領域に導くように、前記集光曲面が
形成されていることを特徴とする。
【０００９】
本発明は、別の側面から、上記透明導電板を製造するに適した方法として、前記第１主
面側から当該第１主面に垂直な方向に沿って前記第１領域へと入射する光の少なくとも一
部を前記第２領域に導くように、前記集光曲面と前記集電体とを配置することを特徴とす
る透明導電板の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、光透過性基板の第２主面上に設けられた集電体を、同じく第２主面上
の光透過性導電膜の集電素子として活用できるため、光透過性導電膜を薄膜化して当該導
電膜部分の光透過性を高めつつ、その電気抵抗を引き下げることができる。さらに、集電
体を避けるように透明導電板への入射光を集光できるため、当該入射光の透過が集電体に
よって妨害されるのを防止できる。この優れた光透過性および低抵抗性は、例えば色素増
感太陽電池等の光電変換素子の入射光電極として極めて有用である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態について説明する。
【００１２】
図１の断面図で示す透明導電板１０は、光透過性基板１４を有している。この光透過性
基板１４の第１主面に接して集光曲面１３を有する２つ以上の集光レンズ１９から構成さ
れている集光レンズ群が設けられている。また、光透過性基板１４の第１主面に対向する
第２主面上には、開口部１２を有する集電体１１が当該第２主面に接して設けられている
。そして、この集電体１１を覆うように光透過性導電膜１５が設けられている。なお、以
下では、集電体１１が形成された第２主面部分を第１領域と、この集電体１１が形成され
ていない第２主面部分を第２領域と呼ぶ。
【００１３】
上記光透過性基板１４の材料は、当該基板の光透過性を高くできるものほど好ましい。
例えば、ガラス板や、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカ
ーボネート、ポリエチレンスルフィド、ポリイミドなどの樹脂シートを用いることができ
る。
【００１４】
上記集電体１１の材料としては、電気抵抗率が低く、耐腐食性が高いものが好ましい。
例えば、銅、ニッケル、銀、金、白金、タンタル、チタン、ルテニウム、カーボンなどを
用いることができる。また、この集電体１１は、光透過性導電膜１５を構成する材料より
も電気抵抗率が低い材料から形成することがより好ましい。なお、この集電体１１の詳し
い形状については後述する。
【００１５】
上記光透過性導電膜１５の材料としては、光透過性が高く、電気抵抗率が低いものが好
ましい。例えば、酸化スズ、酸化亜鉛、ＩＴＯ（スズドープ酸化インジウム）、ＦＴＯ（
フッ素ドープ酸化スズ）などを用いることができる。
【００１６】
なお、上記実施形態では、集電体１１が光透過性導電膜１５と第２主面との間に設けら
れた構造を示したが、集電体１１と光透過性導電膜１５とが互いに接するように配する限
り、これに代えて、光透過性導電膜１５が集電体１１と第２主面との間に設けられた構造
としてもよい。後者の構造とする場合には、集電体の露出を避けるため、当該集電体を公
知の絶縁膜等で覆っておくことが好ましい。
【００１７】
上記集光レンズ１９の形状は、第１主面側から当該第１主面に垂直な方向に沿って第１
領域へと入射する光の少なくとも一部を第２領域に導くという集光性を発揮できる限り特
に限定されない。この集光レンズは、例えば図２で示すマイクロレンズ状や、図６で示す
シリンドリカル状としてもよい。なお、集光曲面１３の曲率等は、集電体１１の形状や透
明導電板１０のサイズに応じて適宜選択してよい。
【００１８】
集光レンズをマイクロレンズ状とする場合、平面視したときの形状は特に限定されず、
円形、楕円形、矩形、三角形、六角形等とすることができるが、集光レンズを近接して隙
間なく配置するには、矩形、三角形、六角形等や、それらの組み合わせからなる集光レン
ズ群とすることが好ましい。
【００１９】
集光レンズの材料は特に限定されず、無機材料および有機材料のいずれも用いることが
できるが、耐侯性に優れているものが好ましい。
【００２０】
なお、上記集光性を阻害しない限り、この集光レンズの表面には、光透過性を有する保
護層を設けてもよい。これにより、透明導電板の強度を向上したり、集光曲面の表面を保
護したり、当該表面を平坦化したりできる。
【００２１】
ここで、上記集電体１１の配置および形状について詳しく説明する。この集電体１１の
配置および形状は、上記集光レンズ１９の配置および形状と密接に関連している。すなわ
ち、この集電体１１と集光レンズ１９とは、第１主面側から当該第１主面に垂直な方向に
沿って第１領域へと入射する光の少なくとも一部、好ましくはその過半を第２領域に導く
ように、両者の配置および形状が相対的に規定されている。
【００２２】
まず、この集電体１１の配置について説明する。本実施形態では、集電体１１の開口部
１２が、光透過性基板１４の第２主面に集光されてくる入射光の幅以上に広い開口幅を有
している。より詳しくは、図９で示すように、開口部の開口端面（集電体１１の端面に相
当する）１７と、当該開口端面に最近接するとともにこの開口部に向けて光を集光させる
集光曲面の光軸と、の最短距離（ｗ）が、以下の式（１）を満たすように、集電体１１と
集光曲面１３とが相対的に配置されている。
（Ｆ−ｄ）ｈ／Ｆ  ≦  ｗ  ＜ｈ      ・・・（１）
ただし、式中のｈは前記開口端面に最近接する集光レンズの光軸と、当該集光レンズの
集光曲面１３の集光曲面縁１８であって当該開口端面に最近接する集光曲面縁１８との間
の距離であり、ｄは前記光透過性基板の厚みであり、Ｆは前記光透過性基板の屈折率に等
しい媒質中での前記集光曲面の焦点距離である。
【００２３】
第２領域に対応する第１主面部分には、上記式（１）を満たす限り、この図９や図８で
示す構造のように、上記集光レンズ１９を２つ以上設けてもよい。しかしながら、集電体
１１と光透過性導電膜１５との接触面積を増やして透明導電板を低抵抗化させる側面から
は、図１で示す構造のように、１つの集光曲面の集光曲面縁１８の内側近傍に対応する第
２主面部分のそれぞれに集電体を配してあることが好ましい。また、広い接触面積で配す
るほど透明導電板を低抵抗化できるため、上記最短距離（ｗ）を（Ｆ−ｄ）ｈ／Ｆに等し
い態様とするのが最も好ましい。
【００２４】
さらに、入射光の透過が集電体によって妨害されるのを防止する側面からは、第１領域
に対応する第１主面部分には、集光曲面１３を配してあることが好ましい。例えば図１６
で示すように２つの集光レンズを近接させずに配している場合には、上記式（１）を満た
しつつ、それぞれの集光曲面の集光曲面縁１８に対応する第２主面部分からはみ出さない
ように、集光レンズと集電体とを相対的に配してあることが好ましい。
【００２５】
なお、上記『集光曲面縁と光軸との距離』とは、この集光レンズが、例えば図２で示す
ような歪みのないマイクロレンズ状である場合には、マイクロレンズの半径がそれに相当
し、例えば図６で示すような歪みのないシリンドリカル状の曲面を有するものである場合
には、このシリンドリカル形状の短手方向の幅の半分の値がそれに相当する。
【００２６】
また、図９などでは、それぞれの集電体の膜厚や幅が等しい態様を示しているが、上記
集光レンズの形状およびサイズに応じて、それぞれの膜厚および幅が異なる態様としても
よい。
【００２７】
続いて、この集電体１１の形状について説明する。図３は、集光レンズ１９がマイクロ
レンズ状である透明導電板の第２主面側からの正面図であって、集電体１１と集光曲面１
３との相対配置を示す図である。図４は、当該相対配置の別の例を示す図である。図５は
、当該相対配置のまた別の例を示す図である。図７は、集光レンズ１９の集光曲面１３が
シリンドリカル状である透明導電板の第２主面側からの正面図であって、集電体１１と集
光曲面１３との相対配置を示す図である。それぞれの図では、第１主面上に設けられてい
る集光曲面１３を破線で示してある。
【００２８】
この集電体１１の形状は、集光曲面１３による第２主面での集光形状をその内形状とし
、集光曲面１３の集光曲面縁の形状をその外形状とする。集光レンズ１９が、真円状の正
面形状をした歪みのないマイクロレンズ状であると、この集電体１１は、図３で示すよう
に、その内形状および外形状のいずれもが真円状となる。他方、集光レンズ１９の集光曲
面が、歪みのないシリンドリカル状であると、この集電体１１は、図７で示すように、そ
の内形状および外形状のいずれもが、当該集光曲面のシリンドリカル形状の長手方向に一
致する平行直線状となる。なお、いずれの場合も、上記集光形状と集電体１１の開口部１
２の形状とが本質的に一致することが好ましい。
【００２９】
ところで、集電体１１と光透過性導電膜１５との接触面積を増やして透明導電板を低抵
抗化させる側面からは、第２主面上の集電体の配置面積をできる限り増やすこと、すなわ
ち集光レンズ１９の配置密度をできる限り高めることが好ましい。それゆえ、それぞれの
集光レンズを真円状とする場合には、例えば図４で示すような最密度充填配置を集光レン
ズ群にとらせることが好ましい。さらに、上述したように、集光レンズを近接して隙間な
く配置するには、矩形、三角形、六角形等や、それらの組み合わせからなる集光レンズ群
とすることがより好ましい。例えば図５で示すように、正六角形状の集光曲面１３に最密
度充填配置させる。
【００３０】
なお、このようにして隣り合う集光レンズを近接配置させると、それぞれの集光曲面の
集光曲面縁の近傍に対応する第２主面部分に設けられた集電体は、２つの独立したパター
ンにはならず、例えば図１で示すように一体化することになり、集電体の全体構造がグリ
ッド状となる。
【００３１】
本実施形態で示した透明導電板であると、集光曲面によって、透明導電板への入射光を
集光させ、集電体を避けるようにその光路を誘導できるため、当該入射光の透過が集電体
によって妨害されるのを防止できる。さらに、入射光の導波を妨害させずに、集電体と光
透過性導電膜との接触面積を大幅に増加できるため、光透過性導電膜を薄膜化して当該導
電膜部分の光透過性を高めつつ、その電気抵抗を引き下げることができる。よって、透明
導電板の光透過性を向上できるとともに、これを低抵抗化できる。この優れた光透過性お
よび低抵抗性は、例えば太陽電池や光学センサ等の光電変換素子の入射光電極として極め
て有用である。なお、色素増感太陽電池においては特に、透明導電板の低抵抗化に対する
要求が強いため、この透明導電板の有用性が高い。
【００３２】
また、光透過性導電膜を厚く設けると、上述したようにその透明性が低下することに加
えて、基板を曲げたときに当該導電膜がひび割れてしまうことがあるため、透明導電板を
フレキシブル化することが容易でないが、本実施形態で示した透明導電板であると、光透
過性導電膜を薄膜化できるため、光透過性基板を樹脂シートで構成することにより、フレ
キシブルな透明導電板を提供することができる。
【００３３】
以下に、上記透明導電板の製造方法の好ましい一形態について、図面を参照しながら説
明する。
【００３４】
まず、図１０で示すように、光透過性基板１０と、この光透過性基板の第１主面上に設
けられた、集光曲面１３を有する集光レンズ１９と、この光透過性基板の第２主面上に設
けられたネガ型の感光性レジスト膜２１とを含む透明導電板前駆体を準備する。
【００３５】
この集光レンズ１９は、例えば、鋳型を利用して転写する方法や感光性の材料を用いて
形成する方法などによって光透過性基板上に形成することができるが、予め集光レンズ１
９が形成されている光透過性基板を用いてもよい。
【００３６】
また、この感光性レジスト膜２１は、液状材料の塗布により形成しても、フィルム状材
料を貼り付けて形成してもよいが、予めレジスト膜２１が形成されている光透過性基板を
用いてもよい。なお、当該レジスト膜２１の材料としては、後工程であるレジストの現像
、剥離工程において、上記集光レンズ１９が劣化しにくい材料系のレジストを選ぶことが
好ましい。また、当該レジスト膜２１の厚みは、後工程で形成する集電体の設計厚みより
も厚くしておくことが好ましい。
【００３７】
なお、薄い光透過性基板を用いる場合には自立基板としての取り扱いが難しくなるため
、この透明導電板前駆体を次のように作製してもよい。まず、金属製や樹脂製の支持基板
上に薄く形成した光透過性基板の第１主面上に、集光レンズを形成する。次に、当該集光
レンズの上にさらに光透過性の保護膜を形成して強度を十分に高める。続いて、エッチン
グや剥離によって支持基板を引き剥がす。最後に、光透過性基板の第２主面上にレジスト
膜２１を形成する。
【００３８】
上記透明導電板前駆体を以下のように加工し、透明導電板を作製する。まず、集光曲面
側からレジスト膜２１へ露光のための光を、好ましくは第１主面に垂直な方向から照射す
る。この露光光は、各集光曲面１３によって集光されてから第２主面に到達するため、図
１１で示すように、上記レジスト膜２１が部分的に露光され、感光したレジスト２２とな
る。この露光源としては、プロジェクション露光機やプロキシミティ露光機などの、並行
光を照射できる装置を用いることが好ましい。
【００３９】
その後、上記レジスト膜２１を現像して、所定のレジストパターンを加工する。ネガ型
のレジスト膜を用いるため、図１２で示すように、上記感光したレジスト２２のみが残存
した島状のレジスト２３が形成される。
【００４０】
次に、上記島状のレジスト２３を覆うように、すなわち当該島状のレジスト表面とレジ
ストが除去されて露出した第２主面とに接して、図１３で示すように導電層１６を形成す
る。この導電層１６は、蒸着法、スパッタリング法、化学気相成長法（ＣＶＤ法）、塗布
法、ゾルゲル法などの公知の方法によって形成してよい。また、この導電層１６は、銅、
ニッケル、銀、金、白金、タンタル、チタン、ルテニウム、カーボンなどをその材料とす
る。なお、後工程で形成する光透過性導電膜の電気抵抗率を引き下げるためには、当該導
電層１６をできる限り厚く形成することが好ましいが、後工程で導電層の一部を除去し易
くするため、島状のレジスト２３の厚みよりも薄くしておくことが好ましい。
【００４１】
続いて、島状のレジスト２３の表面に形成されている導電層を、当該レジスト２３とと
もに除去し、図１４で示すように、開口部１２を有する集電体１１を形成する。
【００４２】
最後に、集電体１１を覆うように、すなわち当該集電体１１の表面と、一部の導電層と
ともにレジストを除去することにより露出した第２主面とに接して、図１５で示すように
光透過性導電膜１５を形成する。これにより、透明導電板１０が完成する。なお、この光
透過性導電膜１５は、蒸着法、スパッタリング法、化学気相成長法（ＣＶＤ法）、塗布法
、ゾルゲル法などの公知の方法によって形成してよい。
【００４３】
なお、このような、集光曲面を介した露光によりレジスト膜をパターニングする工程を
含む上記実施形態以外にも、例えば集光レンズと集電体とを予め準備しておき、集光曲面
に入射する光の光路が集電体を避けるような相対配置で、光透過性基板の第１主面および
第２主面に、第１主面側から当該第１主面に垂直な方向に沿って上記第１領域へと入射す
る光の少なくとも一部を上記第２領域に導くように、集光曲面と集電体とを配置する態様
としてもよい。
【００４４】
しかしながら、上記実施形態であると、集光曲面によって集光される入射光の光路が確
実に集電体を避けるように集電体を形成することができる、すなわち、集光曲面と集電体
との位置ずれを生じさせることなく、両者を確実かつ簡便に相対配置させることができる
ため特に好ましい。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明は、電気抵抗を引き下げるとともにその光透過性を向上させた透明導電板、およ
び、この透明導電板を備えた光電変換素子にも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の透明導電板の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の透明導電板の一例を示す斜視図である。
【図３】図２で示した透明導電板の第２主面側からの正面図であって、集電体と集光曲面との相対配置を示す図である。
【図４】本発明の透明導電板の第２主面側からの正面図であって、集電体と集光曲面との相対配置の別の例を示す図である。
【図５】本発明の透明導電板の第２主面側からの正面図であって、集電体と集光曲面との相対配置のまた別の例を示す図である。
【図６】本発明の透明導電板の別の例を示す斜視図である。
【図７】図６で示した透明導電板の第２主面側からの正面図であって、集電体と集光曲面との相対配置を示す図である。
【図８】本発明の透明導電板の断面図であって、集電体と集光曲面との相対配置の別の例を示す図である。
【図９】本発明の透明導電板の断面図であって、集電体と集光曲面との相対配置を説明するための図である。
【図１０】本発明の透明導電板の製造工程の一部を示す図であり、透明導電板前駆体の構造を示す図である。
【図１１】本発明の透明導電板の製造工程の一部を示す図であり、レジスト膜の一部を感光させる工程を説明するための図である。
【図１２】本発明の透明導電板の製造工程の一部を示す図であり、感光させた部分以外のレジスト膜を除去して、島状のレジストを形成する工程を説明するための図である。
【図１３】本発明の透明導電板の製造工程の一部を示す図であり、島状のレジストを覆うように、光透過性基板の第２主面上に導電層を形成する工程を説明するための図である。
【図１４】本発明の透明導電板の製造工程の一部を示す図であり、開口部を有する集電体を形成する工程を説明するための図である。
【図１５】本発明の透明導電板の製造工程の一部を示す図であり、集電体を覆うように、光透過性基板の第２主面上に光透過性導電膜を形成する工程を説明するための図である。
【図１６】本発明の透明導電板の断面図であって、集電体と集光曲面との相対配置のまた別の例を示す図である。
【符号の説明】
【００４７】
１０    透明導電板
１１    集電体
１２    開口部
１３    集光曲面
１４    光透過性基板
１５    光透過性導電膜
１６    導電層
１７    開口端面
１８    集光曲面縁
１９    集光レンズ
２１    レジスト膜
２２    感光したレジスト
２３    島状のレジスト
【図１】
2006147344.tif 000003
【図２】
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【図６】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図７】
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