(57)【要約】 【課題】  シリコンウェハから形成されるＩＣチップは利用形態の増大、需要の増大が予想され、さらなる低コスト化が要求される。 そこで本発明は、さらなる低コストでの生産が可能なＩＣチップの構造、プロセスの提供を課題とする。【解決手段】  本発明において、剥離層に金属膜と、該金属膜を有する反応物を用いることを特徴とする。金属膜、又は金属を有する反応物はエッチング速度が高く好ましく、さらに、金属膜、又は金属を有する反応物をエッチングする化学的手段に加え、物理的手段を用いることができ、より簡便に、短時間で剥離層を除去することができる。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上にＷ、Ｍｏ、またはＷ及びＭｏの混合物を形成し、
前記Ｗ、Ｍｏ、またはＷ及びＭｏの混合物上に、当該Ｗ、Ｍｏ、またはＷ及びＭｏの混合物の酸化物、窒化物若しくは窒化酸化物を形成し、
前記酸化物、窒化物若しくは窒化酸化物上に複数の薄膜集積回路を形成し、
前記複数の薄膜集積回路の境界に溝を形成することにより、前記酸化物、窒化物若しくは窒化酸化物を露出させ、
前記複数の薄膜集積回路上に開口部及びアンテナが形成されたアンテナ用基板を張り合わせ、
前記アンテナ用基板により前記複数の薄膜集積回路同士を固定したまま、前記開口部にフッ化ハロゲンを含む気体又は液体を導入し、前記Ｗ、Ｍｏ、またはＷ及びＭｏの混合物、並びに前記酸化物、窒化物若しくは窒化酸化物を除去することによって前記絶縁基板を剥離する
ことを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項２】
絶縁基板上にＷ、Ｍｏ、またはＷ及びＭｏの混合物を形成し、
前記Ｗ、Ｍｏ、またはＷ及びＭｏの混合物上に、当該Ｗ、Ｍｏ、またはＷ及びＭｏの混合物の酸化物、窒化物若しくは窒化酸化物を形成し、
前記酸化物、窒化物若しくは窒化酸化物上に複数の薄膜集積回路を形成し、
前記複数の薄膜集積回路の境界に溝を形成することにより、前記酸化物、窒化物若しくは窒化酸化物を露出させ、
前記複数の薄膜集積回路上に開口部及びアンテナが形成されたアンテナ用基板を張り合わせ、
前記アンテナ用基板により前記複数の薄膜集積回路同士を固定したまま、前記開口部にフッ化ハロゲンを含む気体又は液体を導入し、前記Ｗ、Ｍｏ、またはＷ及びＭｏの混合物、並びに前記酸化物、窒化物若しくは窒化酸化物を除去することによって前記絶縁基板を剥離し、
一体化された前記複数の薄膜集積回路をフレキシブル基板へ接着する
ことを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項３】
絶縁基板上にＷ、Ｍｏ、またはＷ及びＭｏの混合物を形成し、
前記Ｗ、Ｍｏ、またはＷ及びＭｏの混合物上に、当該Ｗ、Ｍｏ、またはＷ及びＭｏの混合物の酸化物、窒化物若しくは窒化酸化物を形成し、
前記酸化物、窒化物若しくは窒化酸化物上に複数の薄膜集積回路を形成し、
前記複数の薄膜集積回路の境界に溝を選択的に形成することにより、前記酸化物、窒化物若しくは窒化酸化物の一部を露出させ、かつ前記薄膜集積回路の一部からなる接続領域を形成し、
前記接続領域により前記複数の薄膜集積回路同士を固定したまま、前記溝にフッ化ハロゲンを含む気体又は液体を導入し、前記Ｗ、Ｍｏ、またはＷ及びＭｏの混合物、並びに前記酸化物、窒化物若しくは窒化酸化物を除去することによって前記絶縁基板を剥離する
ことを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項４】
絶縁基板上にＷ、Ｍｏ、またはＷ及びＭｏの混合物を形成し、
前記Ｗ、Ｍｏ、またはＷ及びＭｏの混合物上に、当該Ｗ、Ｍｏ、またはＷ及びＭｏの混合物の酸化物、窒化物若しくは窒化酸化物を形成し、
前記酸化物、窒化物若しくは窒化酸化物上に複数の薄膜集積回路を形成し、
前記複数の薄膜集積回路の境界に溝を選択的に形成することにより、前記酸化物、窒化物若しくは窒化酸化物の一部を露出させ、かつ前記薄膜集積回路の一部からなる接続領域を形成し、
前記接続領域により前記複数の薄膜集積回路同士を固定したまま、前記溝にフッ化ハロゲンを含む気体又は液体を導入し、前記Ｗ、Ｍｏ、またはＷ及びＭｏの混合物、並びに前記酸化物、窒化物若しくは窒化酸化物を除去することによって前記絶縁基板を剥離し、
一体化された前記薄膜集積回路にアンテナを張り合わせる
ことを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項５】
絶縁基板上にＷ、Ｍｏ、またはＷ及びＭｏの混合物を形成し、
前記Ｗ、Ｍｏ、またはＷ及びＭｏの混合物上に、当該Ｗ、Ｍｏ、またはＷ及びＭｏの混合物の酸化物、窒化物若しくは窒化酸化物を形成し、
前記酸化物、窒化物若しくは窒化酸化物上に複数の薄膜集積回路を形成し、
前記複数の薄膜集積回路の境界に溝を選択的に形成することにより、前記酸化物、窒化物若しくは窒化酸化物の一部を露出させ、かつ前記薄膜集積回路の一部からなる接続領域を形成し、
前記接続領域により前記複数の薄膜集積回路同士を固定したまま、前記溝にフッ化ハロゲンを含む気体又は液体を導入し、前記Ｗ、Ｍｏ、またはＷ及びＭｏの混合物、並びに前記酸化物、窒化物若しくは窒化酸化物を除去することによって前記絶縁基板を剥離し、
一体化された前記複数の薄膜集積回路をフレキシブル基板へ接着し、
一体化された前記薄膜集積回路上にアンテナを張り合わせる
ことを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項６】
絶縁基板上にＷ、Ｍｏ、またはＷ及びＭｏの混合物を形成し、
前記Ｗ、Ｍｏ、またはＷ及びＭｏの混合物上に、当該Ｗ、Ｍｏ、またはＷ及びＭｏの混合物の酸化物、窒化物若しくは窒化酸化物を形成し、
前記酸化物、窒化物若しくは窒化酸化物上に複数の薄膜集積回路を形成し、
前記複数の薄膜集積回路の境界に溝を選択的に形成することにより、前記酸化物、窒化物若しくは窒化酸化物の一部を露出させ、かつ前記薄膜集積回路の一部からなる接続領域を形成し、
前記複数の薄膜集積回路上に開口部及びアンテナが形成されたアンテナ用基板を張り合わせ、
前記アンテナ用基板により前記複数の薄膜集積回路同士を固定したまま、前記溝及び前記開口部にフッ化ハロゲンを含む気体又は液体を導入し、前記Ｗ、Ｍｏ、またはＷ及びＭｏの混合物、並びに前記酸化物、窒化物若しくは窒化酸化物を除去することによって前記絶縁基板を剥離し、
ことを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記薄膜集積回路は薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの上方及び下方に設けられた窒素を有する絶縁膜を含む層を有する
ことを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
前記フッ化ハロゲンとして、ＣｌＦ3を用いることを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、
前記絶縁基板は、
ガラス基板、石英基板、又はプラスチック若しくはアクリルからなる可撓性を有する合成樹脂基板であることを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、
前記薄膜集積回路の実装位置Ｘは、実装物品の膜厚をＤとすると、（１／２）・Ｄ−３０μｍ＜Ｘ＜（１／２）・Ｄ＋３０μｍを満たすことを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項１１】
請求項１、２、４乃至１０のいずれか一において、
異方性導電体、超音波接着剤、又は紫外線硬化樹脂を用いて前記薄膜集積回路にアンテナを張り合わせる
ことを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項１２】
請求項１、２、４乃至１１のいずれか一において、
前記アンテナは、液滴吐出法、スパッタリング法、印刷法、メッキ法、フォトリソグラフィー法及びメタルマスクを用いた蒸着法のいずれか、又はそれらを組み合わせた方法により形成する
ことを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一において、前記薄膜集積回路の厚みは０．３μｍ〜３μｍである
ことを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一において、前記薄膜集積回路の面積は２５ｍｍ2以下である
ことを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれか一において、前記薄膜集積回路は、水素濃度が１×１０19〜５×１０20／ｃｍ3である半導体膜を有する
ことを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項１６】
請求項１５において、前記半導体膜の厚みは０．２μｍ以下である
ことを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項１７】
請求項１５又は１６において、前記半導体膜はソース、ドレイン、及びチャネル形成領域を有し、
前記ソース、ドレイン、及びチャネル形成領域は、実装物品を曲げる方向に対して垂直となるように形成する
ことを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項１８】
請求項１乃至１７のいずれか一において、
ダイシング、スクライビング、又はレーザカット法により、前記複数の薄膜集積回路を切断し、各薄膜集積回路を形成する
ことを特徴とする薄膜集積回路の作製方法。
【請求項１９】
Ｗ、Ｍｏ、またはＷ及びＭｏの混合物と、当該Ｗ、Ｍｏ、またはＷ及びＭｏの混合物の酸化物、窒化物若又は窒化酸化物とを介して、複数の薄膜集積回路が形成された絶縁基板と、
前記絶縁基板と対向して設けられたアンテナ用基板とを有し、
前記アンテナ用基板は、アンテナ及び開口部を有し、
前記開口部と一致するように、前記薄膜集積回路間に溝が設けられていることを特徴とする素子基板。
【請求項２０】
Ｗ、Ｍｏ、またはＷ及びＭｏの混合物と、当該Ｗ、Ｍｏ、またはＷ及びＭｏの混合物の酸化物、窒化物若又は窒化酸化物とを介して、複数の薄膜集積回路が形成された絶縁基板と、
前記絶縁基板と対向して設けられたアンテナ用基板とを有し、
前記アンテナ用基板は、アンテナ及び開口部を有し、
前記開口部と一致するように、前記薄膜集積回路間に溝が設けられていることを特徴とする素子基板。
【請求項２１】
Ｗ、Ｍｏ、またはＷ及びＭｏの混合物と、当該Ｗ、Ｍｏ、またはＷ及びＭｏの混合物の酸化物、窒化物若又は窒化酸化物とを介して、複数の薄膜集積回路が形成された絶縁基板と、
接続領域により前記複数の薄膜集積回路は一体化されており、
前記絶縁基板と対向して設けられたアンテナ用基板とを有し、
前記アンテナ用基板は、アンテナ及び開口部を有し、
前記開口部と一致するように、前記薄膜集積回路間に溝が設けられ、かつ前記薄膜集積回路内に開口部が設けられていることを特徴とする素子基板。
【請求項２２】
請求項１９乃至２１のいずれか一において、
前記薄膜集積回路は薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタの上方及び下方に設けられた窒素を有する絶縁膜を含む層を有する
ことを特徴とする素子基板。
【請求項２３】
請求項１９乃至２２のいずれか一において、前記薄膜集積回路の厚みは０．３μｍ〜３μｍである
ことを特徴とする素子基板。
【請求項２４】
請求項１９乃至２３のいずれか一において、前記薄膜集積回路は、水素濃度が１×１０19〜５×１０20／ｃｍ3である半導体膜を有する
ことを特徴とする素子基板。
【請求項２５】
請求項２４において、前記半導体膜の厚みは０．２μｍ以下である
ことを特徴とする素子基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多くの情報を記録可能な薄膜集積回路の作製方法、及び当該薄膜集積回路を作製するための素子基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有価証券や商品の管理など、自動認識が必要なあらゆる分野を対象に、非接触でデータの授受が行えるＩＣチップ搭載カードや、ＩＣチップ搭載タグの必要性が高まっている。これらのＩＣカードやＩＣタグは、利用形態から考えると使い捨てになることが多いため安価に製造することが求められている。特にシリコンウェハから形成されるICチップの低コスト化が求められている。
【０００３】
このようなＩＣチップの利用形態として、家畜の安全管理のため、動物の一部にＩＣチップを付け、伝染病予防や品質保証に用いられている。同様に野菜の安全管理のため、生産者や産地、農薬使用状況などが記録されたＩＣチップを付して販売している。
【０００４】
また別の利用形態として、有価な証券類に搭載し、不正利用を防ぐとともに、正規な管理元に取り戻せた場合には再利用が可能となる形態が提案されている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００１−２６０５８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このようなシリコンウェハから形成されるＩＣチップは、低コスト化に限界がみえてきた。しかし、ＩＣチップは利用形態の増大、需要の増大が予想され、さらなる低コスト化が要求される。
【０００６】
また非常に薄型のＩＣチップは作製工程において、その取り扱いが煩雑であった。
【０００７】
そこで本発明は、さらなる低コストでの生産が可能な構造、簡便なプロセスの提供を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を鑑み本発明は、絶縁表面を有する基板（絶縁基板）に薄膜集積回路（ＩＤＦ（ＩＤ  Ｆｌｅｘｉｂｌｅ）チップとも表記する）を形成し、当該絶縁基板を剥離する、またさらに別途絶縁基板（転置用基板とも表記する）に転置する。本発明は、当該剥離工程において、各ＩＤＦチップがばらばらに分離することを防止することを特徴とする。
【０００９】
絶縁基板を剥離することで、非常に薄型のＩＤＦチップを作製することができる。なお絶縁基板を剥離後、転置用基板に移し替えてもよい。このとき転置用基板は、フレキシブル性を有する基板（以下、フレキシブル基板とも表記する）が好ましい。このようなＩＤＦチップの素子（作製途中を含む）を別の基板に移し替えることを転写と呼ぶことがある。フレキシブル基板は安価なものが多く、ＩＤＦチップの低コスト化を図ることができる。また絶縁基板を再利用することができるため、さらなるＩＤＦチップの低コスト化を図ることができる。
【００１０】
具体的な本発明は、絶縁基板上に形成された金属膜と、該金属膜上に当該金属を有する酸化物、窒化物、又は窒化酸化物（これら酸化物、窒化物、又は窒化酸化物を合わせて反応物とも表記する）とを除去することにより絶縁基板を剥離する。上記金属は、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒから選ばれた元素または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料を用いることができる。また酸化物、窒化物、又は窒化酸化物としては、金属膜にＷ、Ｍｏ、またはＷとＭｏとの混合物を用いる場合、Ｗ、Ｍｏ、または当該混合物の酸化物、窒化物若しくは窒化酸化物である。金属膜としては、これら金属や反応物を有する膜の単層構造、又は積層構造を用いることができる。
【００１１】
金属膜を除去する方法は、エッチング剤（気体又は液体を含む）を用いて化学的に除去したり、応力を加えて物理的に除去する方法がある。また化学的に除去する方法と、物理的に除去する方法とを組み合わせてもよい。エッチング剤によって、単層構造又は積層構造を有する金属膜が除去されるため、このような層を剥離層と表記することができる。このとき、エッチング剤を用いて化学的に剥離層を除去すると、反応残留等の発生を低減することができるため好ましい。
【００１２】
なお本発明において、化学的方法と、物理的な方法を組み合わせて剥離層を除去してもよい。
【００１３】
剥離層を除去するためには、剥離層上に形成される層に対して、当該剥離層に到達する、つまり剥離層が露出するように、溝を設ける。そして、当該溝にエッチング剤を導入することにより剥離層を除去することができる。
【００１４】
エッチング剤としては、ハロゲン化物を含む気体又は液体を用いることができる。代表的にはフッ化ハロゲンを含む気体又は液体を用いることができ、例えばフッ化ハロゲンとしてＣｌＦ3（三フッ化塩素）を使用することができる。
【００１５】
またＩＤＦチップにアンテナを別途形成して張り合わせる場合、アンテナが形成される基板（アンテナ用基板と表記する）を張り合わせた後、剥離層を除去してもよい。この場合、アンテナ用基板に開口部を形成し、ＩＤＦチップ及び溝が形成された絶縁基板に張り合わせ、当該開口部及び溝へエッチング剤を導入して剥離層を除去する。アンテナ用基板に押さえられているためＩＤＦチップは固定され、ＩＤＦチップがばらばらに分離することなく、一体化された状態でアンテナを張り合わせることができる。
【００１６】
またＩＤＦチップがばらばらに分離することを防ぐ別の手段として、溝を形成するときに、ＩＤＦチップ間に設けられた絶縁膜、又は導電膜等の一部残す（残された領域を接続領域と表記する）方法がある。この場合、剥離層は、溝から導入されるエッチング剤により除去されるが、ＩＤＦチップ同士は、接続領域で繋がっているためばらばらに分離することがなく、一体化された状態となる。その後、必要に応じてアンテナを形成することができる。
【００１７】
以上のようにＩＤＦチップを作製するための素子基板は、剥離層を介して、複数の薄膜集積回路が形成された絶縁基板と、前記絶縁基板と対向して設けられたアンテナ用基板とを有し、前記アンテナ用基板は、アンテナ及び開口部を有し、前記開口部と一致するように、前記薄膜集積回路間に溝が設けられていることを特徴とする。
【００１８】
また別の構造を有する素子基板は、剥離層を介して、複数の薄膜集積回路が形成された絶縁基板と、前記絶縁基板と対向して設けられたアンテナ用基板とを有し、前記アンテナ用基板は、アンテナ及び開口部を有し、前記開口部と一致するように、前記薄膜集積回路間に溝が設けられていることを特徴とする。
【００１９】
また剥離層は、金属膜と、該金属膜上に当該金属を有する酸化物、窒化物、又は窒化酸化物との積層構造を有していると好ましい。このような剥離層を例示すると、当該金属膜の金属としてＷ、Ｍｏ、またはＷ及びＭｏの混合物を用いる場合、Ｗ、Ｍｏ、またはＷ及びＭｏの混合物と、それらの酸化物、窒化物又は窒化酸化物との積層構造である。
【発明の効果】
【００２０】
本発明において、金属膜、又は金属を有する反応物は、エッチング速度が高いため、短時間でＩＤＦチップを作製することができる。さらに本発明では、金属膜、又は金属を有する反応物をエッチングする化学的手段に加え、物理的手段を用いることもでき、より簡便に且つ短時間でＩＤＦチップを作製することができる。また絶縁基板を除去し、安価なフレキシブル基板へ転置したり、当該絶縁基板を再利用することができるため、ＩＤＦチップの製造コストを低くすることができる。
【００２１】
本発明は、ＩＤＦチップがばらばらに分離することなく作製することができる。その結果、作製途中で装置の排気系にＩＤＦチップが詰まる心配がなく、非常に小さなＩＤＦチップの取り扱いの煩雑さを低減することができる。また大型基板に形成された薄型のＩＤＦチップは、応力により反ってしまう恐れがある。しかしＩＤＦチップを一体化した状態で作製することができるため、反りを防止することができる。またＩＤＦチップ間に接続領域を設ける方法は、反り防止効果を高めることができる。このように本発明は、簡便なＩＤＦチップの作製方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下に、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。但し、本発 明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から 逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に 理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２３】
（実施の形態１）
本実施の形態では、アンテナ用基板を張り合わせた後に、剥離層である金属膜及び当該金属を有する反応物を除去する形態について説明する。
【００２４】
図１（Ａ）に示すように、絶縁基板１００に、金属膜１０２、半導体膜を能動領域として有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴとも表記する）層１０３を順次形成する。また、該金属膜１０２上には当該金属を有する反応物が形成されている。当該薄膜トランジスタから複数のＩＤＦチップ１０４を形成することができる。なおＴＦＴ層の構造の詳細は、後述するが、半導体膜の膜厚は０．２μｍ以下、代表的には４０ｎｍ〜１７０ｎｍ、好ましくは５０ｎｍ〜１５０ｎｍとする。
【００２５】
このように非常に薄い半導体膜を能動領域として有しているため、シリコンウェハから形成されるチップと比較して、ＩＤＦチップの薄型化を達成することができる。具体的なＩＤＦチップの厚みは０．３μｍ〜３μｍ、代表的には２μｍ程度となる。
【００２６】
このとき、ＩＤＦチップの境界のＴＦＴ層１０３に溝１０５を形成する。溝１０５は、ダイシング、スクライビング又はマスクを利用したエッチング等によって行うことができる。このとき溝１０５は、剥離層が露出する深さとなるように形成する。本実施の形態では、剥離層の上方には反応物が形成されているため、反応物が露出するように溝１０５を形成する。なお溝１０５は必ずしも、各ＩＤＦチップの境界に形成する必要はなく、複数のＩＤＦチップの境界で形成してもよい。
【００２７】
また図２１（Ａ）に示すように、ＴＦＴ層１０３に対して、ＩＤＦチップ内に開口部１０８を形成してもよい。このとき開口部１０８は、薄膜トランジスタを構成する半導体膜が設けられている領域以外に形成する必要がある。開口部１０８と溝１０５と合わせて使用することにより、剥離層の除去に要する時間を短縮することができる。その結果、溝１０５の大きさを小さくすることもできる。
【００２８】
絶縁基板１００としては、バリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板等が挙げられる。またその他の絶縁表面を有する基板としては、ポリエチレン-テレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）に代表されるプラスチックや、アクリル等の合成樹脂からなる基板がある。また、ステンレスなどの金属または半導体基板などの表面に酸化珪素や窒化珪素などの絶縁膜を形成した基板なども用いることができる。このような絶縁基板は、円形のシリコンウェハからチップを取り出す場合と比較して、母体基板形状に制約がなく、ＩＤＦチップの低コスト化を図ることができる。
【００２９】
金属膜１０２としては、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｄ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒから選ばれた元素または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料からなる単層、或いはこれらの積層を用いることができる。本発明において、エッチングガスにＣｌＦ3を用いる場合、金属にＷ、又はＭｏを用いると、エッチング速度が高く好ましい。特に、Ｗの酸化物である酸化タングステンは、ＣｌＦ3との反応速度が高く、剥離層の除去を短時間で行うことができ、好ましい。
【００３０】
これらの金属膜は、スパッタリング法、又はプラズマＣＶＤ法等によって形成することができる。具体的な作製方法は、スパッタリング法を用いる場合、金属をターゲットに用い、絶縁基板１００上に金属膜を形成することができる。なお金属膜の膜厚は、１０ｎｍ〜２００ｎｍ、好ましくは５０ｎｍ〜７５ｎｍとする。また金属膜として、窒化された金属膜、つまり窒化金属膜を形成してもよい。また更に、金属膜に窒素や酸素を添加してもよい。例えば、金属膜に窒素や酸素をイオン注入したり、成膜室を窒素や酸素雰囲気としスパッタリング法により金属膜を形成したり、ターゲットとして窒化金属を用いることによって、金属膜に窒素や酸素を添加することができる。また金属膜として、上記金属の混合物を用いる場合、成膜室内に第１の金属及び第２の金属といった複数のターゲットを配置する、又は第１の金属と第２の金属との合金のターゲットを配置して、スパッタリング法により形成することができる。例えば、ＷとＭｏとの混合物（Ｗ(x)Ｍｏ(1-x)）を形成する場合、ＷのターゲットとＭｏのターゲットを用いる、又はＷとＭｏとの合金のターゲットを用いればよい。
【００３１】
またＴＦＴ層がエッチングされないために、絶縁基板１００上に下地膜を形成する。下地膜は、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）（ｘ、ｙ＝１、２・・・）等の酸素、又は窒素を有する絶縁膜を用いて形成することができる。下地膜は単層構造、又はこれらの積層構造を有することができる。
【００３２】
この下地膜を形成するとき、金属膜表面に酸化物、窒化物、又は窒化酸化物（金属を有する反応物に相当する）が形成される。剥離層に、酸化物、窒化物、又は窒化酸化物を用いると好ましい。酸化物、窒化物、又は窒化酸化物は、エッチングガス、特にＣＬＦ3との反応速度が高く、簡便に、短時間で剥離することができるからである。なおこのとき、少なくともエッチングガスにより、酸化物、窒化物、又は窒化酸化物が除去されれば、剥離することができる。本発明は、剥離層に金属膜と、当該金属を有する反応物との積層構造を用いると好ましい。
【００３３】
また、金属膜表面に酸化物、窒化物、又は窒化酸化物が形成されるときに、化学的な状態に変化が生じることがある。例えば、Ｗを有する酸化膜が形成される場合、酸化タングステン（ＷＯｘ（ｘ＝２〜３））の価数に変化が生じる。その結果、物理的手段により剥離しやすい状態となることができる。物理的手段を化学的手段に加えることにより、簡便に、短時間で除去することができる。
【００３４】
また反応物である酸化物を形成する手段として、硫酸、塩酸或いは硝酸を有する水溶液、硫酸、塩酸或いは硝酸と過酸化水素水とを混同させた水溶液又はオゾン水で処理することにより形成される薄い酸化膜を用いることができる。更に他の方法としては、酸素雰囲気中でのプラズマ処理や、酸素含有雰囲気中で紫外線照射することによりオゾンを発生させて酸化処理を行ってもよく、クリーンオーブンを用い２００〜３５０℃程度に加熱して薄い酸化膜を形成してもよい。
【００３５】
このように剥離層を構成する金属膜及び反応物を選択することによって、エッチング速度を制御することができる。特に、Ｗの酸化物である酸化タングステンは、ＣｌＦ3との反応速度が高く、剥離層の除去を短時間で行うことができ、好適である。
【００３６】
アンテナ用基板１１１には、所定の形状を有するアンテナ１１２が複数設けられ、適宜開口部１１３が設けられている。開口部の形状は、円状（所謂穴に相当）、矩形状（所謂スリットに相当）等である。また開口部は、溝１０５の配置と重なるように形成する。
【００３７】
このような絶縁基板１００と、アンテナ用基板１１１とを接着剤等により張り合わせる。接着剤は、導電体が分散した異方性導電体、超音波接着剤、又は紫外線硬化樹脂を使用することができる。
【００３８】
その後図１（Ｂ）に示すように、アンテナ用基板が張り合わされた状態で、開口部及び溝へ、エッチング剤１１５を導入し、剥離層を除去する。エッチング剤としては、フッ化ハロゲンを含む気体又は液体を使用することができる。
【００３９】
剥離層を除去後、絶縁基板を剥離する。その後、各ＩＤＦチップをダイシング、スクライビング、又はレーザカット法により切断する。ガラス基板に吸収されるレーザー、例えばＣＯ2レーザーを使用して切断することができる。このように切断されたＩＤＦチップの面積は、５ｍｍ四方（２５ｍｍ2）以下、好ましくは０．３ｍｍ四方（０．０９ｍｍ2）〜４ｍｍ四方（１６ｍｍ2）とすることができる。
【００４０】
またＩＤＦチップ切断後、ＩＤＦチップの側面等の周囲に、エポキシ樹脂等の有機樹脂で覆ってもよい。その結果、ＩＤＦチップは外部から保護され、持ち運びしやすい形態となる。
【００４１】
このような本発明のＩＤＦチップは、絶縁表面を有さない状態で完成とし、多くの物品へ実装することができる。そのため、ＩＤＦチップを薄膜化、及び軽量化を達成することができる。さらに本発明のＩＤＦチップは、実装する物品に対して目立つことがなく外観を損なわない。
【００４２】
また、別途転置用基板に移し替えた状態で実装してもよい。転置用基板は、フレキシブル基板が好ましい。フレキシブル基板には、ポリエチレン-テレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）に代表されるプラスチックや、アクリル等の合成樹脂からなる基板を用いることができる。
【００４３】
フレキシブル基板を接着する接着剤としては、熱硬化樹脂、紫外線硬化樹脂、エポキシ樹脂系接着剤、樹脂添加剤等の接着剤又は両面テープ等を用いることができる。さらにＩＤＦチップと導電性をとるため、上記接着剤のうち樹脂材料には導電体を分散させるとよい。
【００４４】
フレキシブル基板へ移し替える結果、何もない状態と比較してＩＤＦチップの破壊強度を高めることができる。また絶縁基板上に形成されたＩＤＦチップと比べると、軽量化、薄型化を達成でき、可撓性を高めることができる。
【００４５】
剥離された絶縁基板１００は再利用することができる。その結果、ＩＤＦチップの低コスト化を図ることができる。再利用する場合、溝を形成するためのダイシングやスクライビング等において、絶縁基板１００に傷が生成されないように制御するのが望ましい。しかし、傷が生成された場合であっても、有機樹脂や無機膜を塗布法や液滴吐出法等によって形成し、平坦化処理を行うことができる。なお液滴吐出法とは、導電膜や絶縁膜などの材料が混入された組成物の液滴（ドットとも表記する）を選択的に吐出（噴出）する方法であり、その方式によっては、インクジェット法とも呼ばれる。
【００４６】
またＩＤＦチップは、シリコンウェハからなるチップと異なり、０．２μｍ以下の半導体膜を能動領域として有し、非常に薄型となることを特徴とする。このような薄型ＩＤＦチップの強度を高める場合、上述したようにフレキシブル基板に移し替える方法をとることもできる。このような薄型、軽量、又は可撓性の高いＩＤＦチップは、シリコンウェハから形成されるチップと比較して破損しにくい特徴を有する。
【００４７】
またＩＤＦチップは、シリコンウェハから形成されるチップと比較して、電波吸収の心配がなく、高感度な信号の受信を行うことができる。さらにＩＤＦチップは、シリコンウェハを有さないため、透光性を有することができる。
【００４８】
なお本実施の形態では、ＩＤＦチップをアンテナと張り合わせる場合について説明したが、ＩＤＦチップ上にアンテナを直接形成してもよい。その場合、アンテナ基板に代えてアンテナが形成されていない絶縁基板を用いれば、ＩＤＦチップがばらばらに分離することを防ぐことができ、本発明の効果を奏することができる。
【００４９】
またＩＤＦチップは、アンテナを実装する形態に限定されない。詳しく述べると、ＩＤＦチップは、アンテナが実装されている非接触型ＩＤＦチップ（無線タグとも呼ばれる）と、アンテナは実装せずに外部電源と接続する端子を形成した接触型ＩＤＦチップと、非接触型及び接触型とを混在したハイブリッド型ＩＤＦチップがある。
【００５０】
また本実施の形態では、非接触型ＩＤＦチップについて説明したが、接触型ＩＤＦチップ、及びハイブリッド型ＩＤＦチップのいずれでもよい。アンテナを有さない接触型ＩＤＦチップであっても、アンテナ用基板ではなく、アンテナが形成されていない絶縁基板を用いれば、ＩＤＦチップがばらばらに分離することを防ぐことができ、本発明の効果を奏することができるからである。
【００５１】
このような絶縁基板を用いてＩＤＦチップを形成する場合、円形のシリコンウェハからチップを取り出すシリコンウェハで作製されたチップと比較して、母体基板形状に制約がない。そのため、ＩＤＦチップの生産率が高まり、大量生産を行うことができる。例えば、直径１２インチのシリコンウェハを用いた場合と、７３０×９２０ｍｍ2のガラス基板を用いた場合とで取り数等を比較する。前者のシリコン基板の面積は約７３０００ｍｍ2であるが、後者のガラス基板の面積は約６７２０００ｍｍ2であり、ガラス基板はシリコン基板の約９．２倍に相当する。後者のガラス基板の面積は約６７２０００ｍｍ2では、基板の分断により消費される面積を無視すると、１ｍｍ四方のＩＤタグが約６７２０００個形成できる計算になり、該個数はシリコン基板の約９．２倍の数に相当する。そしてＩＤタグの量産化を行なうための設備投資は、７３０×９２０ｍｍ2のガラス基板を用いた場合の方が直径１２インチのシリコン基板を用いた場合よりも工程数が少なくて済むため、額を３分の１で済ませることができる。このようにＩＤＦチップのコストの削減を達成できる。単価が非常に低いＩＤＦチップは、単価コストの削減により非常に大きな利益を生むことができる。
【００５２】
さらに絶縁基板を再利用することができるため、コストを削減することができる。そのため、シリコンウェハを研磨して薄型化を達成する従来のＩＣチップと比べて低コスト化を達成することができる。
【００５３】
（実施の形態２）
本実施の形態では、溝を選択的に形成し、ＩＤＦチップ間に設けられた絶縁膜、又は導電膜等を一部残す形態について説明する。
【００５４】
図８（Ａ）に示すように、実施の形態１と同様に、絶縁基板１００に、剥離層として金属膜１０２、ＴＦＴ層１０３を順次形成し、複数のＩＤＦチップ１０４を形成する。また、該金属膜１０２上には、当該金属を有する反応物が剥離層として形成されている。なおＴＦＴ層の詳細は、後述する。
【００５５】
このとき、ＩＤＦチップの境界に形成される溝１０５を選択的に形成するため、ＩＤＦチップの境界には絶縁膜、又は導電膜等が残っている。このようなＩＤＦチップの境界にある絶縁膜、又は導電膜等を接続領域１０６と表記する。なお接続領域１０６は、ＩＤＦチップ間が一体となるようにつなぎ止める機能を有すればよく、絶縁膜のみ、又は導電膜のみといった単層構造であっても、積層構造であってもよい。
【００５６】
また図２１（Ｂ）に示すように、ＴＦＴ層１０３に対して、ＩＤＦチップ中に開口部１０８を形成してもよい。このとき開口部は、薄膜トランジスタを構成する半導体膜が設けられている領域以外に形成する必要がある。開口部１０８と溝１０５と合わせて使用することにより、剥離層の除去に要する時間を短縮することができる。その結果、溝１０５の大きさを小さくすることもできる。
【００５７】
次いで図８（Ｂ）に示すように、溝１０５へエッチング剤１１５を導入し、剥離層を除去する。エッチング剤としては、実施の形態１と同様に、フッ化ハロゲンを含む気体又は液体を使用することができる。
【００５８】
このとき、接続領域１０６の下方に設けられた剥離層まで除去されるように、反応時間、及び導入量を調整する。エッチング剤を導入すると、接続領域下方の剥離層は、後退するようにして除去されていく。その結果、絶縁基板１００を剥離することができるが、接続領域１０６により各ＩＤＦチップは一体化されているため、ばらばらに離れてしまうことはない。
【００５９】
また、剥離された絶縁基板１００は、実施の形態１と同様に再利用することができる。
【００６０】
その後図８（Ｃ）に示すように、必要に応じてアンテナを設ける。本実施の形態では、アンテナ用基板１１１に形成されたアンテナ１１２を張り合わせる。このとき、アンテナ用基板に開口部は形成されていなくともよい。すでにエッチング剤の導入が終了しているからである。
【００６１】
その後、各ＩＤＦチップをダイシング、スクライビング、又はレーザカット法により切断する。ガラス基板に吸収されるレーザー、例えばＣＯ2レーザーを使用して切断することができる。その後実施の形態１と同様に、ＩＤＦチップの側面等の周囲にエポキシ樹脂等の有機樹脂を覆ってもよい。
【００６２】
本実施の形態は、ＩＤＦチップは転置用基板に移し替えることなく完成することができるがため、ＩＤＦチップ、及び実装する物品を薄膜化、及び軽量化を達成することができる。また実施の形態１と同様に、転置用基板に移し替えてもよい。転置用基板に移し替えた結果、ＩＤＦチップの破壊強度を高めることができる。
【００６３】
（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態１で示した開口部を有するアンテナ用基板と、実施の形態２で示したＩＤＦチップ同士の境界に接続領域を有する絶縁基板とを張り合わせた形態を用いる方法について説明する。
【００６４】
図２０（Ａ）に示すように、実施の形態２と同様に、絶縁基板１００上に、剥離層として金属膜１０２、ＴＦＴ層１０３を順次形成する。また、該金属膜１０２上には、当該金属を有する反応物が剥離層として形成されている。また、ＩＤＦチップ１０４間に接続領域１０６を有するように選択的に溝１０５を形成する。
【００６５】
その後、実施の形態１と同様に、アンテナ１１２及び開口部１１３が形成されたアンテナ用基板１１１を張り合わせる。このとき、溝１０５と、開口部１１３が一致するように張り合わせる。
【００６６】
図２０（Ｂ）に示すように、開口部及び溝へエッチング剤１１５を導入する。すると、剥離層（金属膜、及び当該金属を有する反応物）が除去され、絶縁基板１００を剥離することができる。このとき、接続領域及びアンテナ用基板により、各ＩＤＦチップは固定し一体化されているため、ばらばらに分離することがない。
【００６７】
本実施の形態では、アンテナ用基板を張り合わせた後にエッチング剤を導入する場合を説明したが、張り合わせる前にエッチング剤を導入しても構わない。その場合であっても、接続領域によりＩＤＦチップが一体化されているため、ばらばらに分離することなく、絶縁基板を剥離することができる。
【００６８】
その後、各ＩＤＦチップをダイシング、スクライビング、又はレーザカット法により切断する。ガラス基板に吸収されるレーザー、例えばＣＯ2レーザーを使用して切断することができる。
【００６９】
その後実施の形態１と同様に、ＩＤＦチップの側面等の周囲にエポキシ樹脂等の有機樹脂をコーティングしてもよい。
【００７０】
本実施の形態は、ＩＤＦチップは転置用基板に移し替えることなく完成することができるが、実施の形態１と同様に、転置用基板に移し替えてもよい。転置用基板に移し替えた結果、ＩＤＦチップの破壊強度を高めることができる。
【実施例】
【００７１】
（実施例１）
本実施例では、実施の形態１に示した形態の具体的な方法について説明する。
【００７２】
図２（Ａ）には絶縁基板１００に１２個のＩＤＦチップを形成する場合の上面図を、図２（Ｂ）には実線ａ−ｂにおける断面図を示す。
【００７３】
図２（Ｂ）に示すように、絶縁基板１００上に、金属膜１０２、当該金属を有する反応物５０を介して設けられたＴＦＴ層は、絶縁膜、所望の形状にパターニングされた半導体膜１２４、ゲート絶縁膜として機能する絶縁膜（以下、ゲート絶縁膜）１２５、ゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極として機能する導電膜（以下、ゲート電極と表記する）１２６を有する薄膜トランジスタ１２８ｎ、１２８ｐを含む。また半導体膜はチャネル形成領域、及び不純物領域（ソース領域、ドレイン領域、ＧＯＬＤ領域、ＬＤＤ領域を含む）を有し、添加される不純物元素の導電型によりｎチャネル型薄膜トランジスタ１２８ｎ、又はｐチャネル型薄膜トランジスタ１２８ｐと区別することができる。そして各不純物領域と接続するように形成された配線１３０を有する。
【００７４】
本実施例では、金属膜にＷを用いるが、上述したその他の材料を用いても構わない。
【００７５】
絶縁膜は、積層構造を有してもよく、本実施例では第１の絶縁膜１２１、第２の絶縁膜１２２、第３の絶縁膜１２３を有する。例えば第１の絶縁膜として酸化珪素膜、第２の絶縁膜として酸化窒化珪素膜、第３の絶縁膜として酸化珪素膜を用いる。
【００７６】
半導体膜１２４は、非晶質半導体、非晶質状態と結晶状態とが混在したセミアモルファスシリコン（ＳＡＳ）、非晶質半導体中に０．５ｎｍ〜２０ｎｍの結晶粒を観察することができる微結晶半導体、及び結晶性半導体から選ばれたいずれの状態を有してもよい。
【００７７】
また成膜処理温度に耐えうる基板、例えば石英基板を使用するならば、当該基板へＣＶＤ法等により結晶性半導体膜を形成することができる。
【００７８】
本実施例では、非晶質半導体膜を形成し、加熱処理により結晶化された結晶性半導体膜を形成する。加熱処理には、加熱炉、レーザー照射、若しくはレーザー光の代わりにランプから発する光の照射（以下、ランプアニールと表記する）、又はそれらを組み合わせて用いることができる。
【００７９】
レーザー照射を用いる場合、連続発振型のレーザー（ＣＷレーザー）やパルス発振型のレーザー（パルスレーザー）を用いることができる。レーザーとしては、Ａｒレーザー、Krレーザー、エキシマレーザー、ＹＡＧレーザー、Ｙ2Ｏ3レーザー、ＹＶＯ4レーザー、ＹＬＦレーザー、ＹＡｌＯ3レーザー、ガラスレーザー、ルビーレーザー、アレキサンドライトレーザー、Ｔｉ：サファイヤレーザー、銅蒸気レーザーまたは金蒸気レーザーのうち一種または複数種を用いることができる。このようなレーザーの基本波、及び当該基本波の第２高調波から第４高調波を照射することで、大粒径の結晶を得ることができる。例えば、Ｎｄ:ＹＶＯ4レーザー（基本波１０６４ｎｍ）の第２高調波（５３２ｎｍ）や第３高調波（３５５ｎｍ）を用いることができる。このときレーザーのエネルギー密度は０．０１〜１００ＭＷ／ｃｍ2程度（好ましくは０．１〜１０ＭＷ／ｃｍ2）が必要である。そして、走査速度を１０〜２０００ｃｍ／ｓｅｃ程度として照射する。
【００８０】
このとき例えば図２３（Ａ）に示すような光学系を用い、ＣＷレーザーを用いて結晶化を行う。まず、レーザー発振器２９０から射出されるＣＷレーザービームが光学系２９１により長く引き伸ばされ、線状に加工される。具体的には、光学系２９１が有するシリンドリカルレンズや凸レンズを、レーザービームが通過すると線状に加工することができる。このときスポットの長軸の長さが、２００〜３５０μｍとなるように加工するとよい。
【００８１】
その後、線状に加工されたレーザービームは、ガルバノミラー２９３と、ｆθレンズ２９４とを介して半導体膜１２４へ入射する。このとき線状レーザーは、半導体膜上に所定の大きさのレーザースポット２８２を形成するように調整されている。またｆθレンズ２９４により、ガルバノミラーの角度によらず、被照射物表面において、レーザースポット２８２の形状を一定とすることができる。
【００８２】
このときガルバノミラーの振動を制御する装置（制御装置）２９６によりガルバノミラーが振動、つまりミラーの角度が変化するようになっており、レーザースポット２８２は、一方向（例えば、図中のX軸方向）に移動する（往路）。例えばガルバノミラーが半周期振動すると、レーザービームが半導体膜上のＸ軸方向に一定幅移動するように調節されている。
【００８３】
そして、半導体膜はＸＹステージ２９５によりＹ軸方向へ移動する。そして同様に、ガルバノミラーにより、レーザースポットが半導体膜上のＸ軸方向に移動する（復路）。このようなレーザービームの往復運動を用いて、経路２８３をレーザースポットが移動し、レーザーアニールが行われる。
【００８４】
このとき図２３（Ｂ）に示すように、当該薄膜トランジスタは、キャリアの移動方向２８１と、レーザービームの長軸への移動方向（走査方向）とが沿うようにレーザーアニールを行う。例えば図２３（Ｂ）に示す形状を有する半導体膜２３０の場合、レーザービームの長軸への移動方向（走査方向）と平行となるように、半導体膜に形成されるソース領域２３０（ｓ）、チャネル形成領域２３０（ｃ）、ドレイン領域２３０（ｄ）を配置する。その結果、キャリアが横切る粒界を少なくする又はなくすことができるため、薄膜トランジスタの移動度を高めることができる。
【００８５】
またさらにレーザーの入射角を、半導体膜に対してθ（０＜θ＜９０度）となるようにしてもよい。その結果、レーザーの干渉を防止することができる。
【００８６】
なお連続発振の基本波のレーザー光と連続発振の高調波のレーザー光とを照射するようにしてもよいし、連続発振の基本波のレーザー光とパルス発振の高調波のレーザー光とを照射するようにしてもよい。複数のレーザー光を照射することにより、エネルギーを補うことができる。
【００８７】
またパルス発振型のレーザーであって、半導体膜がレーザー光によって溶融してから固化するまでに、次のパルスのレーザー光を照射できるような発振周波数でレーザー光を発振させることで、走査方向に向かって連続的に成長した結晶粒を得ることができる。すなわち、パルス発振の周期が、半導体膜が溶融してから完全に固化するまでの時間よりも短くなるように、発振の周波数の下限を定めたパルスビームを使用することができる。
【００８８】
実際に用いることができるパルスビームの発振周波数は１０ＭＨｚ以上であって、通常用いられている数十Ｈｚ〜数百Ｈｚの周波数帯よりも著しく高い周波数帯を使用する。
【００８９】
なお、希ガスや窒素などの不活性ガス雰囲気中でレーザー光を照射するようにしてもよい。これにより、レーザー光照射による半導体表面の荒れを抑えることができ、界面準位密度のばらつきによって生じる閾値のばらつきを抑えることができる。
【００９０】
またＳｉＨ4とＦ2、又はＳｉＨ4とＨ2を用いて微結晶半導体膜を形成し、その後上記のようなレーザー照射をおこなって結晶化してもよい。
【００９１】
その他の加熱処理として、加熱炉を用いる場合、非晶質半導体膜を５００〜５５０℃で２〜２０時間かけて加熱する。このとき、徐々に高温となるように温度を５００〜５５０℃の範囲で多段階に設定するとよい。最初の低温加熱工程により、非晶質半導体膜の水素等が出てくるため、結晶化の際の膜荒れを低減する、いわゆる水素だしを行うことができるからである。さらに、結晶化を促進させる金属元素、例えばＮｉを非晶質半導体膜上に形成すると、加熱温度を低減することができ好ましい。勿論このような金属元素を用いた結晶化であっても、６００〜９５０℃に加熱しても構わない。
【００９２】
但し、金属元素を形成する場合、半導体素子の電気特性に悪影響を及ぼすことが懸念されるので、該金属元素を低減又は除去するためのゲッタリング工程を施す必要が生じる。例えば、非晶質半導体膜をゲッタリングシンクとして金属元素を捕獲するような工程を行えばよい。
【００９３】
また、直接結晶性半導体膜を形成してもよい。この場合、ＧｅＦ4、又はＦ2等のフッ素系ガスと、ＳｉＨ4、又はＳｉ2Ｈ6等のシラン系ガスとを用い、熱又はプラズマを利用して直接被形成面に、結晶性半導体膜を形成することができる。このように直接結晶性半導体膜を形成する場合であって、高温処理が必要となるときは、耐熱性の高い石英基板を用いるとよい。
【００９４】
以上に示したいずれかの手段により形成される半導体膜は、シリコンウェハから形成されるチップと比べて多くの水素を有する。具体的には、水素を１×１０19〜１×１０22／ｃｍ3、好ましくは１×１０19〜５×１０20／ｃｍ3有するように形成することができる。この水素により、半導体膜中の欠陥を緩和する、所謂欠陥のターミネート効果を奏することができる。加えて水素により、ＩＤＦチップの柔軟性を高めることができる。
【００９５】
さらに、パターニングされた半導体膜がＩＤＦチップにおいて占める面積の割合を、１〜３０％とすることで、曲げ応力による薄膜トランジスタの破壊や剥がれを防止することができる。
【００９６】
このような半導体膜を有する薄膜トランジスタのサブシュレッド係数（Ｓ値）は、０．３５Ｖ／ｄｅｃ 以下、好ましくは０．２５〜０．０９Ｖ／ｄｅｃとなる。また当該薄膜トランジスタの移動度は、１０ｃｍ2Ｖ／秒以上となる。
【００９７】
このようなＴＦＴを用いて１９段リングオシレータを構成した場合において、電源 電圧３〜５Ｖにおいて、その発振周波数は１ＭＨ以上、好ましくは１００ＭＨｚ以上 の特性を有する。電源電圧３〜５Ｖにおいて、インバータ１段あたりの遅延時間は２６ｎｓ、好ましくは０．２６ｎｓ以下を有する。
【００９８】
以上の構造によりＴＦＴとしての機能を奏することは可能であるが、好ましくは第１の層間絶縁膜１２７、第２の層間絶縁膜１２９を形成するとよい。第１の層間絶縁膜からの水素により、半導体膜のダメージ、欠陥等を補修することができる。すなわち水素による欠陥のターミネーション効果を奏することができる。このような第１の層間絶縁膜としては、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）（ｘ、ｙ＝１、２・・・）等の酸素、又は窒素を有する絶縁膜を用いることができる。
【００９９】
また第２の層間絶縁膜により平坦性を高めることができる。このような第２の層間絶縁膜は、有機材料や無機材料を用いることができる。有機材料としては、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、レジスト又はベンゾシクロブテン、シロキサン、ポリシラザンを用いることができる。なお、シロキサンとは、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む樹脂に相当する。シロキサンは、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される。置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いてもよい。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。またポリシラザンとは、珪素（Ｓｉ）と窒素（Ｎ）の結合を有するポリマー材料、いわゆるポリシラザンを含む液体材料を出発原料として形成される。無機材料としては、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）（ｘ、ｙ＝１、２・・・）等の酸素、又は窒素を有する絶縁膜を用いることができる。また、第２の層間絶縁膜として、これら絶縁膜の積層構造を用いてもよい。特に、有機材料を用いて第２の層間絶縁膜を形成すると、平坦性は高まる一方で、有機材料によって水分や酸素が吸収されてしまう。これを防止するため、有機材料を有する絶縁膜上に、無機材料を有する絶縁膜を形成するとよい。無機材料に、窒素を有する絶縁膜を用いると、Ｎａ等のアルカリイオンの侵入を防ぐことができる。
【０１００】
更に好ましくは、配線１３０を覆うように第４の絶縁膜１３１を設けるとよい。ＩＤＦチップが実装される物品は、手で触ることが多いため、Ｎａ等のアルカリイオンの拡散が懸念される。そのため、ＩＤＦチップの最上面に第４の絶縁膜を形成すると好ましい。第４の絶縁膜としては、酸化珪素（ＳｉＯｘ）、窒化珪素（ＳｉＮｘ）、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）（ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）（ｘ＞ｙ）（ｘ、ｙ＝１、２・・・）等の酸素、又は窒素を有する絶縁膜を用いることができるが、代表的には窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ）を用いるとよい。窒化酸化珪素のように窒素を有する絶縁膜を用いると、Ｎａ等のアルカリイオンの侵入を防ぐことができるからである。
【０１０１】
その後、ＩＤＦチップ１０４間に溝１０５を形成する。溝１０５は、ダイシング、スクライビング又はマスクを利用したエッチング等によって行うことができる。ダイシングの場合には、ダイシング装置（ダイサー）を用いるブレードダイシング法が一般的である。ブレードとは、ダイヤモンド砥粒を埋め込んだ砥石で、その幅は約３０〜５０μｍであり、このブレードを高速回転させることにより、ＴＦＴ層を分離する。また、スクライビングの場合には、ダイヤモンドスクライビング法とレーザースクライビング法等がある。また、エッチングの場合には、露光、現像工程によりマスクパターンを形成し、ドライエッチング、ウェットエッチング等によりＴＦＴ層を分離することができる。ドライエッチングにおいては、大気圧プラズマ法を用いてもよい。このようにしてＩＤＦチップ間に、溝を形成する。
【０１０２】
なお溝は必ずしも、各ＩＤＦチップ間に形成する必要はなく、複数のＩＤＦチップ間に形成してもよい。
【０１０３】
次に図３に示すように、アンテナ用基板を張り合わせる。図３（Ａ）にはアンテナ用基板１１１を張り合わせた状態の上面図を、図３（Ｂ）には実線ａ−ｂにおける断面図を示す。
【０１０４】
張り合わせる手段として、導電体１４０が分散している異方性導電体１４１を用いることができる。異方性導電体は、ＩＤＦチップの接続端子及びアンテナの接続端子が設けられた領域では、当該導電体が各接続端子の厚みにより圧着されるため、導通をとることができる。その他の領域では、当該導電体が十分な間隔を保っているため、導通することはない。異方性導電体の他に、導電帯が分散された超音波接着剤、紫外線硬化樹脂、又は両面テープ等を用いて張り合わせてもよい。
【０１０５】
またアンテナ用基板１１１には、ＩＤＦチップに対応する位置にアンテナ１１２、及び開口部１１３が設けられている。図３（Ｂ）に示すように、開口部１１３は溝１０５に対応する位置に設けられている。アンテナ及び開口部の作製工程の詳細は後述する。
【０１０６】
なお本実施例では、開口部が各アンテナ間に設けられる場合を説明したが、複数のアンテナ間に設けてもよい。また本実施例では、開口部は円形状となる場合を説明したが、これに限定されない。例えば、スリット状となるように開口部を形成してもよい。このように溝１０５、及び開口部１１３の形状や配置は、適宜設定することができる。
【０１０７】
次に図４に示すように、エッチング剤としてフッ化ハロゲンを含む気体又は液体を導入することにより剥離層（金属膜及び反応物）を除去する。ここでは、図２４に示すような減圧ＣＶＤ装置８９を用い、ガス：ＣｌＦ3（三フッ化塩素）、温度：３５０℃、流量：３００ｓｃｃｍ、気圧：６Ｔｏｒｒ、時間：３ｈの条件で剥離層を除去するが、この条件に限定されるものではない。また図２４に示す減圧ＣＶＤ装置は、複数の絶縁基板１００を処理することができるようなベルジャーを有する。そして、ガス導入管よりＣｌＦ3 １１５が導入され、排気管９２より不要なガスが排気される。このとき、アンテナ用基板によりＩＤＦチップが一体化されているため、排気管９２へＩＤＦチップが吸い込まれる恐れがない。さらに減圧ＣＶＤ装置の側面には加熱手段、例えばヒータ９１を設けてもよい。
【０１０８】
図４（Ａ）にはフッ化ハロゲンを含む気体又は液体を導入し、剥離層を除去している状態の上面図を、図４（Ｂ）には実線ａ−ｂにおける断面図を示す。
【０１０９】
図４（Ｂ）には、フッ化ハロゲンを含む気体又は液体を開口部１１３及び溝１０５へ導入する状態を示しており、このとき、加熱手段により処理温度を１００℃〜３００℃とすると反応速度を高めることができる。その結果、ＣｌＦ3ガスの使用量を少なくすることができ、処理時間を短縮することもできる。
【０１１０】
このようなエッチング剤の導入により、剥離層を徐々に後退させて、絶縁基板を矢印に示すように剥離除去することができる。
【０１１１】
このとき、ＴＦＴの各層がエッチングされないようにエッチング剤、ガス流量、温度等を決定する。そして、下地膜に酸素、又は窒素を有する絶縁膜を用いる。これらの反応速度の差、つまり選択比が高いため、ＩＤＦチップを保護しつつ、剥離層を容易に除去することができる。本実施例では、ＴＦＴ層の上下に設けられた下地膜、保護膜等、側面に露出する層間絶縁膜、ゲート絶縁膜、配線等が側面に設けられていることにより、ＴＦＴ層はＣｌＦ3によりエッチングされにくい。
【０１１２】
なお、ＣｌＦ3は、塩素を２００℃以上でフッ素と反応させることにより、Ｃｌ2（ｇ）＋３Ｆ2（ｇ）→２ＣｌＦ3（ｇ）の過程を経て生成することができる。またＣｌＦ3は、反応空間の温度によっては液体の場合もあり（沸点１１．７５℃）、その際にはフッ化ハロゲンを含む液体としてウェットエッチングを採用することもできる。
【０１１３】
その他のフッ化ハロゲンを含む気体として、ＣｌＦ3等に窒素を混合したガスを用いてもよい。
【０１１４】
また、剥離層をエッチングし、下地膜をエッチングしないようなエッチャントであれば、ＣｌＦ3に限定されるものでなく、またフッ化ハロゲンに限定されるものでもない。例えば、ＣＦ4、ＳＦ6、ＮＦ3、Ｆ2等のフッ素を含む気体をプラズマ化して用いることもできる。その他のエッチング剤として、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）のような強アルカリ溶液を用いてもよく、ＨＦ等の溶液を用いてもよい。
【０１１５】
さらに、ＣｌＦ3等のフッ化ハロゲンを含む気体によって化学的に除去する場合、選択的にエッチングされる材料を剥離層として用い、エッチングされない材料を下地膜として用いるという条件に従うならば、剥離層及び下地膜の組合せは、上記材料に限定されるものではない。
【０１１６】
このように絶縁基板が除去されても、アンテナ用基板によって各ＩＤＦチップは一体化された状態となる。その後、各ＩＤＦチップをダイシング、スクライビング、又はレーザカット法により切断し、ＩＤＦチップが完成する。そして、ＩＤＦチップを物品に実装すればよい。このときに使用する接着剤は、熱硬化樹脂、紫外線硬化樹脂、エポキシ樹脂系接着剤、樹脂添加剤等の接着剤又は両面テープ等を用いることができる。
【０１１７】
以上の工程によりＩＤＦチップを完成することができるが、図５に示すように、フレキシブル基板を接着してもよい。図５（Ａ）にはフレキシブル基板１５０を接着剤１５１により接着した状態の上面図を、図５（Ｂ）には実線ａ−ｂにおける断面図を示す。
【０１１８】
フレキシブル基板には、上述のようなプラスチックや、アクリル等の合成樹脂からなる基板を用いることができるが、本実施例ではプラスチックからなる基板を用いる。
【０１１９】
ＩＤＦチップをフレキシブル基板へ移し替えることにより、ＩＤＦチップの破壊強度を高めることができる。
【０１２０】
その後図６に示すように、各ＩＤＦチップをダイシング、スクライビング、又はレーザカット法により切断し、フレキシブル基板上に形成されたＩＤＦチップが完成する。図６（Ａ）にはＩＤＦチップを切断した状態の上面図を、図６（Ｂ）には実線ａ−ｂにおける断面図を示す。
【０１２１】
このように形成されたＩＤＦチップを、物品に実装すればよい。このときに使用する接着剤は、熱硬化樹脂、紫外線硬化樹脂、エポキシ樹脂系接着剤、樹脂添加剤等の接着剤又は両面テープ等を用いることができる。
【０１２２】
このように完成する直前まで一体化されたＩＤＦチップは、ばらばらに分離する煩雑さを低減することができる。また物品への実装時まで一体化しておいてもよい。例えばＩＤＦチップを一方向のみ切断し、連なった状態で、ＩＤＦチップ取り付け用装置へ搭載し、物品への実装時に各ＩＤＦチップの切断を行うことにより、ＩＤＦチップがばらばらに分離する煩雑さが低減し、簡便な実装を行うことができる。
【０１２３】
また図示しないが、ＩＤＦチップを保護するために、樹脂や窒素を有する絶縁膜で覆ってもよく、特にＩＤＦチップの側面を覆うとよい。保護することにより、ＩＤＦチップは携帯しやすくなる。このときの樹脂や窒素を有する絶縁膜は、ＩＤＦチップを実装する物品の材料であってもよい。
【０１２４】
本実施例では異方性導電体により、ＩＤＦチップの接続端子がアンテナ側を向いている、所謂フェイスダウンで実装する場合を説明したが、アンテナと反対側を向いている、所謂フェイスアップで実装してもよい。フェイスアップで実装する場合、接続端子とアンテナとを接続する手段にワイヤボンディング法を用いることができる。
【０１２５】
以上、基板２００上に薄膜トランジスタを形成後、絶縁基板２００を剥離し、好ましくはさらにフレキシブル基板へ移し替える形態を説明したが、剥離するタイミング又は回数は、本実施例に限定されない。また移し替える先は、フレキシブル基板に限定されない。例えば、実装する物品（実装物品）に直接移し替えてもよい。また移し替える回数によりＩＤＦチップが、フェイスアップ状態となるか、又はフェイスダウン状態となるかを決めることもできる。
【０１２６】
次いで図７を用いて、アンテナの作製工程について説明する。図７では、アンテナ用基板へ矩形状に巻かれたアンテナを形成する場合を説明するが、アンテナの形状はこれに限定されない。例えば、円状、又は線状のアンテナであってもよい。
【０１２７】
アンテナ用基板はバリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板、ポリエチレン-テレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）に代表されるプラスチックや、アクリル等の合成樹脂からなる基板を用いることができる。アンテナ用基板の厚みは薄い方が好ましいため、フィルム状の基板が好ましい。
【０１２８】
図７（Ａ）に示すように、アンテナ用基板１１１にノズル１６０を用いた液滴吐出法によりアンテナ１１２を形成する。また液滴吐出法以外に、スパッタリング法、印刷法、メッキ法、フォトリソグラフィー法及びメタルマスクを用いた蒸着法のいずれか、又はそれらを組み合わせた方法により形成することができる。例えば、スパッタリング法、液滴吐出法、印刷法、フォトリソグラフィー法及び蒸着法のいずれかにより第１のアンテナを形成し、メッキ法により第１のアンテナを覆うように第２のアンテナを形成する、積層型アンテナを形成することもできる。液滴吐出法、又は印刷法によりアンテナを形成する場合、導電膜をパターニングする必要がないため、作製工程を低減することができ好ましい。
【０１２９】
またアンテナには、接続端子１３５を形成する。当該接続端子により、簡便に薄膜集積回路と接続することができる。接続端子は、ノズルから吐出される液滴を多くしたり、ノズルを留めることにより形成することができる。なお接続端子は、必ずしも設ける必要はなく、本実施例の形状及び配置に限定されるものではない。
【０１３０】
アンテナ材料には、Ａｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｐｔ（白金）等の導電材料を用いることができる。比較的抵抗の高いＡｌやＡｕを用いる場合、配線抵抗が懸念される。しかし、アンテナを厚くしたり、アンテナ形成面積が広い場合には、アンテナの幅を広くすることで配線抵抗を低減することができる。また積層型アンテナとし、抵抗の低い材料で覆ってもよい。なおＣｕのように拡散が懸念される導電材料は、アンテナの被形成面及び／又はＣｕの周囲を覆うように絶縁膜を形成するとよい。
【０１３１】
本実施例では、溶媒としてテトラデカンに混入されたＡｇをノズル２６０より滴下して、アンテナを形成する。このときＡｇの密着性を高めるため、アンテナ用基板上に酸化チタン（ＴｉＯｘ）からなる下地膜を形成してもよい。
【０１３２】
更に好ましくは、形成されたアンテナに圧力を加え、平坦性を向上させるとよい。その結果、アンテナを薄膜化することができる。加圧手段に加えて、加熱手段を有してもよく、加圧処理と加熱処理とを同時に行うことができる。特に液滴吐出法を用いる場合であって、溶媒を除去するために加熱処理をする必要があるときは、当該加熱処理と兼ねるとよい。
【０１３３】
またアンテナ用基板に溝（凹部）を形成し、当該溝にアンテナを形成してもよい。溝にアンテナを形成することができるため、アンテナ用基板及びアンテナの薄膜化を達成することができる。
【０１３４】
またアンテナは、アンテナ用基板の両面に形成することもできる。その場合、アンテナ用基板の他方の面に、上記と同様な方法によりアンテナを形成すればよい。その結果、アンテナ長を延ばすことができるため、通信距離を広げることができる。
【０１３５】
また接続端子の配置によっては、アンテナの一部をアンテナ用基板の他方の面に形成してもよい。例えば図１に示すようにアンテナを巻くように形成すると、接続端子の配置によって、アンテナを乗り越える必要性がでてくる。このときアンテナ同士がショートしないよう絶縁物を介す必要があるが、当該絶縁物としてアンテナ用基板を用いることができる。
【０１３６】
次いで、図７（Ｂ）に示すように、アンテナ用基板に開口部１１３を形成する。開口部は、物理的、又は化学的に形成することができる。物理的に形成する場合、レーザーを用いることができる。また開口部を容易に形成するため、熱を加えてもよく、例えば熱い針状のものを用いてアンテナ用基板に指して開口部を形成することもできる。化学的に形成する場合、例えばドライエッチング、又はウェットエッチングといったエッチング法を用いることができる。
【０１３７】
また穴の形状、円状に限定されず、矩形状等でもよい。
【０１３８】
本実施例では、ＩＤＦチップとアンテナとを張り合わせる場合について説明したが、ＩＤＦチップ上にアンテナを直接形成してもよい。例えば、配線１３０と同一層にアンテナを形成することができる。
【０１３９】
本実施例では、非接触型ＩＤＦチップについて説明したが、接触型ＩＤＦチップ、及びハイブリッド型ＩＤＦチップのいずれでもよい。
【０１４０】
以上、本実施例では、わかりやすくするためＩＤＦチップやアンテナ用基板を厚く記載したが、実際は非常に薄い形状となっている。
【０１４１】
（実施例２）
本実施例では、実施の形態２に示した形態の具体的な方法について説明する。
【０１４２】
図９（Ａ）には絶縁基板１００に１２個のＩＤＦチップを形成する場合の上面図を、図９（Ｂ）にはｅ−ｆにおける断面図を、図９（Ｃ）には接続領域１０６を横切る実線ｇ−ｈにおける断面図を示す。なお本実施例では、実施例１と同様に金属膜にＷを用いる。
【０１４３】
図９（Ｂ）に示すように、実施例１と同様に、絶縁基板１００上に剥離層として金属膜１０２、当該金属を有する反応物５０を介して下地膜、当該下地膜上に設けられ所望の形状にパターニングされた半導体膜１２４、ゲート絶縁膜１２５、当該ゲート絶縁膜１２５を介して設けられたゲート電極１２６を有する薄膜トランジスタ１２８ｎ、１２８ｐが設けられている。また半導体膜が有する不純物領域と接続するように配線１３０が設けられている。
【０１４４】
下地膜は、積層構造を有してもよく、実施例１と同様に、第１の絶縁膜１２１、第２の絶縁膜１２２、第３の絶縁膜１２３を有する。
【０１４５】
実施例１と同様に半導体膜は、シリコンウェハから形成されるチップと異なり、水素を１×１０19〜１×１０22／ｃｍ3、好ましくは１×１０19〜５×１０20／ｃｍ3有するように形成することができる。水素により、半導体膜中の欠陥を緩和する、所謂欠陥のターミネート効果を奏することができる。加えて半導体膜中の水素により、ＩＤＦチップの柔軟性を高めることができる。
【０１４６】
さらに、パターニングされた半導体膜がＩＤＦチップにおいて占める面積の割合を、１〜３０％とすることで、曲げ応力による薄膜トランジスタの破壊や剥がれを防止することができる。
【０１４７】
また実施例１と同様に、第１の層間絶縁膜１２７、第２の層間絶縁膜１２９を有するとよい。また更に好ましくは、配線１３０を覆うように第４の絶縁膜１３１を設けるとよい。
【０１４８】
その後、本実施例では接続領域１０６を残すように、選択的に溝１０５を形成する。実施例１と同様に、溝１０５は、ダイシング、スクライビング又はマスクを利用したエッチング等によって行うことができる。図９（Ｃ）に示すように接続領域１０６を残すように、選択的に溝１０５を形成する場合、露光、現像工程によりマスクパターンを形成し、ドライエッチング、ウェットエッチング等により溝を形成するとよい。なおドライエッチングにおいては、大気圧プラズマ法を用いてもよい。
【０１４９】
またドライエッチング、又はウェットエッチング等により溝を形成する場合、接続領域の配置や形状により、溝のエッチング時間等の条件を調整することができる。エッチングを短時間とすることにより、その他の膜への影響を少なくすることができる。
【０１５０】
このようにしてＩＤＦチップ間に形成される溝は、必ずしも各ＩＤＦチップ間に形成する必要はなく、複数のＩＤＦチップ間に形成してもよい。
【０１５１】
次に図１０に示すように、エッチング剤を導入することにより剥離層としての金属膜１０２及び反応物５０を除去する。図１０（Ａ）にはフッ化ハロゲンを含む気体又は液体を導入し、剥離層を除去している状態の上面図を、図１０（Ｂ）には実線ｅ−ｆにおける断面図を、図１０（Ｃ）には接続領域１０６を横切る実線ｇ−ｈにおける断面図を示す。
【０１５２】
図１０（Ｂ）に示すように、フッ化ハロゲンを含む気体又は液体を溝１０５へ導入する。本実施例では、実施例１と同様に、フッ化ハロゲンとしてＣｌＦ3（三フッ化塩素）を使用する。
【０１５３】
このとき、処理温度を１００℃〜３００℃とすると反応速度を高めることができる。その結果、ＣｌＦ3ガスの使用量を少なくすることができ、また処理時間を短縮することができる。
【０１５４】
このようなエッチング剤の導入により、剥離層を徐々に後退させて、絶縁基板を矢印に示すように除去することができる。
【０１５５】
このとき、ＴＦＴの各層がエッチングされないようにエッチング剤、ガス流量、温度等を設定する。本実施例で用いたＣｌＦ3は剥離層を選択的に除去するため、上下に設けられた下地膜、保護膜等、側面に設けられた層間絶縁膜、ゲート絶縁膜、配線等の端部があるため、ＴＦＴの各層がエッチングされにくい。
【０１５６】
その後絶縁基板が除去されても、接続領域によって各ＩＤＦチップは一体化された状態となっているため、ＩＤＦチップがばらばらに分離してしまうことはない。
【０１５７】
その後、各ＩＤＦチップをダイシング、スクライビング、又はレーザカット法により切断する。そして、ＩＤＦチップを物品に実装すればよい。
【０１５８】
以上の工程によりＩＤＦチップを完成することができるが、図１１に示すように、フレキシブル基板を接着してもよい。図１１（Ａ）にはフレキシブル基板１５０を接着剤１５１により接着した状態の上面図を、図１１（Ｂ）には実線ｅ−ｆにおける断面図を、図１１（Ｃ）には接続領域１０６を横切る実線ｇ−ｈにおける断面図を示す。
【０１５９】
フレキシブル基板には、上述のようなプラスチックや、アクリル等の合成樹脂からなる基板を用いることができるが、本実施例ではプラスチックからなる基板を用いる。フレキシブル基板を接着するための接着剤としては、熱硬化樹脂、紫外線硬化樹脂、エポキシ樹脂系接着剤、樹脂添加剤等の接着剤又は両面テープ等を用いることができる。このようにフレキシブル基板へ移し替えることにより、ＩＤＦチップの破壊強度を高めることができる。
【０１６０】
次に図１２に示すように、アンテナ用基板を張り合わせる。図１２（Ａ）にはアンテナ用基板１１１を張り合わせた状態の上面図を、図１２（Ｂ）には実線ｅ−ｆにおける断面図を、図１２（Ｃ）には接続領域１０６を横切る実線ｇ−ｈにおける断面図を示す。
【０１６１】
アンテナ用基板１１１には、実施例１と同様にＩＤＦチップに対応する位置にアンテナ１１２が設けられている。アンテナの作製工程の詳細は、実施例１を参照すればよい。本実施例において、絶縁基板１００は剥離されているため、アンテナ用基板へ開口部を形成しなくともよい。
【０１６２】
このとき、ＩＤＦチップ１０４と、アンテナ１１２とは、異方性導電体１４１により張り合わされている。異方性導電体の他に、超音波接着剤、紫外線硬化樹脂、又は両面テープ等を用いて張り合わせてもよい。
【０１６３】
本実施例では異方性導電体により、ＩＤＦチップの接続端子がアンテナ側を向いている、所謂フェイスダウンで実装する場合を説明したが、実施例１と同様にアンテナと反対側を向いている、所謂フェイスアップで実装してもよい。
【０１６４】
その後図１３に示すように、各ＩＤＦチップをダイシング、スクライビング、又はレーザカット法により切断し、フレキシブル基板上に形成されたＩＤＦチップが完成する。図１３（Ａ）にはＩＤＦチップを切断した状態の上面図を、図１３（Ｂ）には実線ａ−ｂにおける断面図を、図１３（Ｃ）には接続領域１０６を横切る実線ｇ−ｈにおける断面図を示す。
【０１６５】
このようなＩＤＦチップを、物品に実装すればよい。このときに使用する接着剤は、熱硬化樹脂、紫外線硬化樹脂、エポキシ樹脂系接着剤、樹脂添加剤等の接着剤又は両面テープ等を用いることができる。
【０１６６】
また図示しないが、ＩＤＦチップを保護するために、樹脂や窒素を有する絶縁膜で覆ってもよく、ＩＤＦチップの側面に樹脂で覆ってもよい。このときの樹脂や窒素を有する絶縁膜は、ＩＤＦチップを実装する物品を構成する材料であってもよい。
【０１６７】
以上、基板上に薄膜トランジスタを形成後、絶縁基板を剥離し、好ましくはさらにフレキシブル基板へ移し替える形態を説明したが、剥離するタイミング又は回数は、本実施例に限定されない。また移し替える先は、フレキシブル基板に限定されず、実装物品であってもよい。また移し替える回数によりＩＤＦチップが、フェイスアップ状態となるか、又はフェイスダウン状態となるかを決めることができる。
【０１６８】
本実施例では、ＩＤＦチップとアンテナとを張り合わせる場合について説明したが、ＩＤＦチップ上にアンテナを直接形成してもよく、例えば、配線１３０と同一層にアンテナを形成することができる。
【０１６９】
本実施例では、非接触型ＩＤＦチップについて説明したが、実施例１と同様に、接触型ＩＤＦチップ、及びハイブリッド型ＩＤＦチップのいずれでもよい。
【０１７０】
以上、本実施例では、わかりやすくするためＩＤＦチップやアンテナ用基板を厚く記載したが、実際は非常に薄い形状となっている。
（実施例３）
本実施例では、上記実施例とは異なる形状を有する薄膜トランジスタを用いる場合について説明する。
【０１７１】
図２５（Ａ）に示すように、上記実施例と同様に、ゲート電極まで形成する。なお本実施例では、ゲート電極をＴａＮ（窒化タンタル）１２６ａとＷ（タングステン）１２６ｂの積層構造とする。その他のゲート電極として、シリコンを用いることができる。その後、ゲート電極を覆うように層間絶縁膜１２７を形成する。本実施例では、膜厚１００ｎｍのＳｉＯ2膜をプラズマＣＶＤ法によって形成する。
【０１７２】
次いで、全面をレジスト４４で覆い、エッチバック法により、レジスト４４、層間絶縁膜１２７、ゲート絶縁膜１２５をエッチング除去する。その結果、図２５（Ｂ）に示すように、サイドウォール（側壁）７６を自己整合的（セルフアライン）に形成することができる。エッチングガスとしては、ＣＨＦ3とＨｅの混合ガスを用いる。
【０１７３】
層間絶縁膜１２７形成時に基板の裏面にも絶縁膜が形成された場合には、レジスト４４をマスクとして、裏面の絶縁膜をエッチング除去する（裏面処理）とよい。
【０１７４】
なお、サイドウォール７６の形成方法は上記に限定されるものではない。例えば、図２６に示した方法を用いることができる。図２６（Ａ）は、絶縁膜１２７を二層又はそれ以上の積層構造とした例を示している。絶縁膜１２７としては、例えば、膜厚１００ｎｍのＳｉＯＮ（酸窒化珪素）膜と、膜厚２００ｎｍのＬＴＯ膜（低温酸化膜）の２層構造とする。本実施例では、ＳｉＯＮ膜は、プラズマＣＶＤ法で形成し、ＬＴＯ膜としは、ＳｉＯ2膜を減圧ＣＶＤ法で形成する。その後、レジスト４４をマスクとしてエッチバックを行うことにより、Ｌ字状と円弧状からなるサイドウォール７６を形成することができる。
【０１７５】
また、図２６（Ｂ）は、エッチバック時に、ゲート絶縁膜１２５を残すようにエッチングを行った例を示している。この場合の絶縁膜１２７は、単層構造でも積層構造でもよい。
【０１７６】
上記サイドウォールは、後に高濃度のｎ型不純物をドーピングし、サイドウォール７６の下部に低濃度不純物領域又は不純物が添加されないオフセット領域を形成する際のマスクとして機能するものであるが、上述したサイドウォールのいずれの形成方法においても、形成すべき低濃度不純物領域又はオフセット領域の幅に応じて、エッチバックの条件を設定することができる。
【０１７７】
次に、図２５（Ｃ）に示すように、ｐ型ＴＦＴ領域を覆うレジスト７７を新たに形成し、ゲート電極１２６及びサイドウォール７６をマスクとして、ｎ型を付与する不純物元素７８（代表的にはＰ又はＡｓ）を高濃度にドープする。このドーピング工程の条件は、ドーズ量：１×１０13〜５×１０15／ｃｍ2、加速電圧：６０〜１００ｋｅＶとして行う。このドーピング工程によって、ゲート絶縁膜１２５を介してドーピング（所謂スルードープ）がなされ、一対のｎ型の高濃度不純物領域７９が形成される。このときサイドウォール下方にはオフセット領域６５が形成される。
【０１７８】
なお、レジスト７７をアッシング等により除去した後、不純物領域の熱活性化を行ってもよい。例えば、５０ｎｍのＳｉＯＮ膜を成膜した後、５５０℃、４時間、窒素雰囲気下において、加熱処理を行えばよい。また、水素を含むＳｉＮｘ膜を、１００ｎｍの膜厚に形成した後、４１０℃、１時間、窒素雰囲気下において、加熱処理を行うことにより、結晶性半導体膜の欠陥を改善することができる。これは、例えば、結晶性半導体膜中に存在するダングリングボンドを終端させるものであり、水素化処理工程と呼ばれる。さらに、この後、ＴＦＴを保護するキャップ絶縁膜として、膜厚６００ｎｍのＳｉＯＮ膜を形成してもよい。なお、水素化処理工程は、当該ＳｉＯＮ膜形成後に行ってもよい。この場合、ＳｉＮｘ膜とＳｉＯＮ膜は連続成膜することができる。ＴＦＴ上には、ＳｉＯＮ、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮの３層の絶縁膜が形成されることになるが、その構造や材料はこれらに限定されるものではない。また、これらの絶縁膜は、ＴＦＴを保護する機能を有するため形成する方が望ましいが、必ずしも形成する必要はない。
【０１７９】
次に、図２５（Ｄ）に示すように、ＴＦＴ上に、層間絶縁膜１２９を形成する。層間絶縁膜の材料や作製方法は、上記実施例を参照することができる。
【０１８０】
さらに、層間絶縁膜１２９を積層構造としてもよい。すなわち、層間絶縁膜上に、絶縁膜５４を積層してもよい。絶縁膜５４としては、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）又は窒化炭素（ＣＮ）等の炭素を有する膜を用いることができる。また絶縁膜５４として、酸化珪素膜、窒化珪素膜又は窒化酸化珪素膜等を用いることができる。絶縁膜５４の作製方法としては、プラズマＣＶＤ法や、スパッタリング法を用いることができる。
【０１８１】
なお、層間絶縁膜と、後に形成される配線を構成する導電材料等との熱膨張率の差から生じる応力によって、ＴＦＴ層に膜剥がれが生じたり、割れが生じるのを防ぐために、層間絶縁膜中にフィラーを混入させてもよい。フィラーにより、熱膨張を制御することができるからである。
【０１８２】
次に、レジストを形成した後、エッチングによりコンタクトホールを開孔し、ＴＦＴ同士を接続する配線１３０及び外部アンテナと接続するための接続配線２１を形成する。コンタクトホール開孔時のエッチングに用いられるガスは、ＣＨＦ3とＨｅの混合ガスを用いるが、これに限定されるものではない。また、配線１３０と接続配線２１は同一材料を用いて同時に形成してもよいし、別々に形成してもよい。ここでは、ＴＦＴと接続される配線１３０は、Ｔｉ、ＴｉＮ、Ａｌ−Ｓｉ、Ｔｉ、ＴｉＮの順に積層された５層構造とし、スパッタリング法によってこれらを成膜し、その後パターニングによって配線１３０として形成することができる。
【０１８３】
なお、Ａｌ層において、Ｓｉを混入させることにより、配線パターニング時のレジストベークにおけるヒロックの発生を防止することができる。また、Ｓｉの代わりに、０．５％程度のＣｕを混入させてもよい。また、ＴｉやＴｉＮでＡｌ−Ｓｉ層を挟み込むことにより、耐ヒロック性がさらに向上する。なお、パターニング時には、ＳｉＯＮ等の無機材料からなるマスクを用いるのが望ましい。なお、配線の材料や、形成方法はこれらに限定されるものではなく、前述したゲート電極に用いられる材料を採用してもよい。このとき、配線上に保護膜８０を設けてもよく、接続領域には開口部を形成する。
【０１８４】
以上の工程を経て、ＴＦＴを有するＩＤＦチップが完成する。なお、本実施例では、ＴＦＴをトップゲート構造としたが、ボトムゲート構造（逆スタガ構造）としてもよい。
【０１８５】
また、図２５（Ｄ）に示すように、ＩＤＦチップにおいて、半導体層から下地膜の下部までの距離（ｔunder）と、半導体層から層間絶縁膜の上部まで距離（ｔover）は、等しく又は概略等しくなるように下地膜、層間絶縁膜の厚さを調整するのが望ましい。このようにして、半導体層をＩＤＦチップの中央に配置せしめることで、半導体層への応力を緩和することができ、クラックの発生を防止することができるからである。
【０１８６】
その後、上記実施例と同様に、溝を形成して絶縁基板剥離したり、アンテナを形成することができる。
【０１８７】
本実施例に示すサイドウォールを有する薄膜トランジスタは、上記実施の形態、及び上記実施例と自由に組み合わせることができる。
【０１８８】
（実施例４）
本実施例では、実施例１及び２に示した形態とは異なる薄膜集積回路の作製方法について説明する。
【０１８９】
図１４（Ａ）に示すように、実施の形態２、又は実施例２に基づき形成された、接続領域１０６により一体化された状態のＩＤＦチップを用意する。ＩＤＦチップは、配線１３０と同一材料から形成されたバンプ２０１が設けられている。
【０１９０】
また配線２０３が形成された第２の基板２０２を用意する。第２の基板は、バリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板等が挙げられる。またその他の基板としては、ポリエチレン-テレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）に代表されるプラスチックや、アクリル等の合成樹脂からなる基板がある。このような合成樹脂は可撓性を有することができる。
【０１９１】
図１４（Ｂ）に示すように、一体化されたＩＤＦチップを、接着剤２０４を用いて、配線２０３が形成された第２の基板２０２に張り合わせる。このとき、配線２０３と、バンプ２０１とが接続するように張り合わせる。接着剤２０４として、異方性導電体を用いることができる。異方性導電体の他に、超音波接着剤、紫外線硬化樹脂、又は両面テープ等を用いて張り合わせてもよい。
【０１９２】
図１４（Ｃ）に示すように、各ＩＤＦチップをダイシング、スクライビング、又はレーザカット法により切断する。
【０１９３】
その後、図１４（Ｄ）に示すように、アンテナ用端子２０５を形成する。アンテナ用端子は、液滴吐出法、スパッタリング法、又はＣＶＤ法等により形成することができる。
【０１９４】
そして図１４（Ｅ）に示すように、アンテナ１１２が形成されたアンテナ用基板１１１に張り合わせる。アンテナ又はアンテナ用基板の材料や作製方法は、上記実施の形態、又は実施例を参照することができる。またアンテナ用基板は、ＩＤＦチップを実装する物品を構成する材料であってもよい。
【０１９５】
このようにＩＤＦチップは、多様なアンテナの実装形態をとることができる。本実施の形態のＩＤＦチップは、一体化された状態で作製工程を経ることを特徴としており、アンテナの実装形態や実装方法は限定されない。
【０１９６】
本実施例では、非接触型ＩＤＦチップについて説明したが、実施例１、２と同様に、接触型ＩＤＦチップ、及びハイブリッド型ＩＤＦチップのいずれでもよい。
【０１９７】
以上、本実施例では、わかりやすくするためＩＤＦチップやアンテナ用基板を厚く記載したが、実際は非常に薄い形状となっている。
【０１９８】
（実施例５）
本実施例では、ＩＤＦチップの多様な形態について説明する。
【０１９９】
図２２（Ａ）に示すように、ＩＤＦチップ１０４と、アンテナ用基板１１１に形成されたアンテナ１１２とを接続端子、例えばバンプ１０９を介し、導電体１４０を有する異方性導電体１４１により接続する。異方性導電体の他に、超音波接着剤、紫外線硬化樹脂、又は両面テープ等を用いてもよい。
【０２００】
図２２（Ｂ）に示すように、ＩＤＦチップは接着剤１５１により、フレキシブル基板１５０へ張り合わされている。接着剤として、熱硬化樹脂、紫外線硬化樹脂、エポキシ樹脂系接着剤、樹脂添加剤等の接着剤又は両面テープ等を用いることができる。
【０２０１】
またアンテナ用基板を複数設けてもよく、例えば図２２（Ｃ）に示すように、アンテナ１１２が形成されたアンテナ用基板を、ＩＤＦチップに対して両側へ設ける。その結果、合計のアンテナ長を長くすることができるため、通信距離を広げることができる。このとき、一方側のアンテナと、他方側のアンテナとを接続するため、導電膜２５０を形成する。例えば、アンテナ用基板間へ、液滴吐出法を用いて導電体を有する液滴を選択的に吐出し、導電膜２５０を形成する。その後、導電膜２５０を保護するため、絶縁膜２５１で覆うとよい。
【０２０２】
また一方側のアンテナと、他方側のアンテナとの接続構造は、本実施例に限定されない。例えば、一方側のアンテナと、他方側のアンテナとを、それぞれバンプ１０９を介してＩＤＦチップへ接続してもよい。
【０２０３】
以上のようにして、アンテナが実装されたＩＤＦチップを完成させることができる。なお本発明のＩＤＦチップのアンテナの実装方法は、本実施の形態に限定されるものではない。例えば、アンテナを薄膜トランジスタが有する導電膜と同一層に形成したり、アンテナ用基板を用いず、ＩＤＦチップ上にアンテナを形成する形態もある。
【０２０４】
なお本発明のＩＤＦチップは、本実施例で示したＩＤＦチップの形態に限定されるものではない。すなわち本実施例では、非接触型ＩＤＦチップについて説明したが、接触型ＩＤＦチップ、及びハイブリッド型ＩＤＦチップのいずれの形態を有してもよい。
【０２０５】
（実施例６）
本実施例では、ＩＤＦチップが実装される物品の形態について説明する。なおＩＤＦチップを実装する位置や形状、その数は本実施の形態に限定されるものではない。
【０２０６】
図１５には、飲食品のラベルにＩＤＦチップを張り合わせ、当該飲食品の容器、例えばビール瓶１８１へＩＤＦチップを実装する場合を示す。
【０２０７】
図１５（Ａ）に示すように、アンテナ１１２が形成されたＩＤＦチップ１０４を、両面テープ等によりラベル１８０へ張り合わせる。また、ラベル自身が接着性を備えている場合、そのままＩＤＦチップを張り合わせてもよい。
【０２０８】
このような商品は、図１５（Ｂ）に示すように、ベルトコンベア１８３等に乗せされて、リーダ・ライター装置１８２の近傍を通過することで、情報を入力、又は読出することができる。またＩＤＦチップに形成されるメモリの種類によっては、既存の情報を書き換えることができる。
【０２０９】
さらにアンテナが形成されたＩＤＦチップは、非接触で情報を入力、又は読出を行うことができるため、段ボール等に商品が梱包された状態で、リーダ・ライター装置により情報管理することができる。
【０２１０】
このようにＩＤＦチップを実装した物品により、物流時の人件費を大幅に削減することができる。また人為的なミスを削減することもできる。
【０２１１】
以上のように商品に実装されたＩＤＦチップの情報は、生産又は製造に関する場所、者、日付等の基本事項から、アレルギー情報、主成分、宣伝等、多岐にわたる。また、バーコード、又は磁気テープ等の情報蓄積手段を用いて、情報量を増やしたり、セキュリティを向上させてもよい。例えば、バーコードと併用する場合、書き換え不要な情報、例えば上記基本情報を入力し、ＩＤＦチップには書き換え可能な情報を入力するとう、目的に応じて使い分けるとよい。
【０２１２】
ＩＤＦチップが有するメモリに、データの書き換えができないＲＯＭなどを形成しておけば、紙幣、小切手等の有価証券、戸籍謄本、住民票、名刺、トラベラーズチェック、パスポート等の証書などの偽造を防止することができる。
【０２１３】
盗難防止の例として、バッグ６０１にＩＤＦチップ６０２を実装する場合を説明する。図２７に示すように、例えば、バッグの底又は側面の一部等にＩＤＦチップを実装することができる。ＩＤＦチップは非常に薄型で小さいため、バッグのデザイン性を低下させずに実装することができる。加えてＩＤＦチップは透光性を有し、盗難者はＩＤＦチップが実装されているかを判断しにくい。そのため、盗難者によってＩＤＦチップが取り外される恐れがない。
【０２１４】
このようなＩＤＦチップ実装バッグが盗難された場合、例えばＧＰＳ（Ｇｌｏｂａｌ  Ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍ）を用いてバッグの現在位置に関する情報を得ることができる。なおＧＰＳとは、ＧＰＳ用の衛星から送られる信号をとらえてその時間差を求め、これをもとに測位するシステムである。
【０２１５】
また盗難された物品以外にも忘れ物や落とし物を、ＧＰＳを用いて現在位置に関する情報を得ることができる。
【０２１６】
またバッグ以外にも、自動車、自転車等の乗物、時計やアクセサリーにＩＤＦチップを実装することができる。
【０２１７】
図１６（Ａ）には、ＩＤＦチップを実装した紙幣３０１を示す。図１６（Ａ）では、ＩＤＦチップ３０２が紙幣の内部に取り付けられているが、表面に形成してもよい。ＩＤＦチップは透光性を有するため、表面に形成しても印字等を妨げないからである。
【０２１８】
また紙幣以外の有価証券であってもよく、例えば硬貨にＩＤＦチップを実装してもよい。このように紙幣や硬貨にＩＤＦチップを実装することにより、偽造防止に役立つと共に、自動販売機等における紙幣又は硬貨の認識度を高めることができる。
【０２１９】
図１６（Ｂ）には、ＩＤＦチップを実装した小切手３１１を示す。図１６（Ｂ）では、ＩＤＦチップ３１２を小切手の表面に設けている。ＩＤＦチップは透光性を有するため、小切手の表面に設けても構わない。もちろん小切手の内部にＩＤＦチップを取り付けてもよい。
【０２２０】
図１６（Ｃ）には、ＩＤＦチップを実装した株券３２１を示す。図１６（Ｃ）では、ＩＤＦチップ３２２が株券の内部に取り付けられているが、表面に形成してもよい。またＩＤＦチップの大きさや形（合わせて形状）、及び実装する位置は限定されるものではないが、情報量が多い場合はＩＤＦチップの形状は大きくなる。このような場合であっても、ＩＤＦチップは透光性を有するため、どこに実装しても印字を妨げずにすむ。
【０２２１】
またＩＤＦチップを含有するインクを用いて紙幣、小切手、又は株券等を印刷してもよい。またさらに、紙幣、小切手、又は株券等の材料と薬品とを混ぜ合わせるときに、ＩＤＦチップをばらまいて複数のＩＤＦチップを実装した紙幣、小切手、又は株券等としてもよい。ＩＤＦチップは低コストで製造できるため、複数のＩＤＦチップを実装しても紙幣、小切手、又は株券等の製造コストに影響を及ぼすことが少なくてすむ。
【０２２２】
以上のように、ＩＤＦチップは非常に薄い薄膜集積回路を用いて形成するため、非常に薄い紙状の物品にＩＤＦチップを実装することができる。そのため、物品のデザイン性を損ねることがない。またＩＤＦチップは透光性を有するため、物品の表面に実装しても構わない。
【０２２３】
図１７（Ａ）には、ＩＤＦチップを実装した本３３１を示す。ＩＤＦチップ３３２は、本の表紙の表面又は内部に設けることができる。また本のその他のページにＩＤＦチップを実装してもよい。
【０２２４】
図１７（Ｂ）には、ＩＤＦチップを実装したＤＶＤ３４１を示す。ＩＤＦチップ３４２は、ＤＶＤパッケージの表面又は内部に設けることができる。ＤＶＤの代わりに、ＣＤ、ビデオ等の商品にＩＤＦチップを実装してもよいことは言うまでもない。
【０２２５】
このようなレンタル事業が盛んに行われている物品にＩＤＦチップを実装することにより、簡便、且つ短時間で貸し出し及び返却処理を行うことができる。またＩＤＦチップには、商品の内容、宣伝、出演者、等の情報をデータとして書き込むことができる。
【０２２６】
またＩＤＦチップは、取り付ける対象物の形状に合わせて、その形状をある程度変化させることができる。よって本実施例で示した用途に限定されず、他の様々な用途に用いることができる。
【０２２７】
また個人所有物に、ＩＤＦチップを実装することにより、紛失時又は盗難時における所有物の所在を確認することができる。
【０２２８】
また所有物を包む包装紙にＩＤＦチップを取り付けてもよい。さらにＩＤＦチップには、音声データとしてメッセージを書き込むことができる。この場合、リーダにより情報を読み取り、再生機器によりメッセージを聞くことができる。またリーダ装置により読み取り、ネットワークを通じて、多様な情報を提供することができる。
【０２２９】
安全管理を行うため、食料品等の商品へＩＤＦチップを実装する場合を説明する。
【０２３０】
図２８には、ＩＤＦチップ６１２を実装したラベル６１３と、当該ラベルが貼られた肉のパック６１１を示す。ＩＤＦチップはラベルの表面に実装していてもよいし、ラベル内部に実装してもよい。また野菜等の生鮮食品の場合、生鮮食品を覆うラップにＩＤＦチップを実装してもよい。
【０２３１】
ＩＤＦチップには、商品の生産地、生産者、加工年月日、賞味期限等の商品に関する基本事項、更には商品を用いた調理例等の応用事項を記録することができる。このような基本事項は、書き換える必要がないためＭＲＯＭ等の書き換え不能なメモリを用いて記録するとよい。またこのような応用事項は、ＥＥＲＯＭ等の書き換え、消去可能なメモリを用いて記録するとよい。
【０２３２】
また食料品の安全管理を行うためには、加工前の動植物の状態を知り得ることが重要である。そのため、動植物内にＩＤＦチップを埋め込み、リーダ装置によって動植物に関する情報を取得するとよい。動植物に関する情報とは、飼育地、飼料、飼育者、伝染病の感染の有無等である。
【０２３３】
またＩＤＦチップに、商品の値段が記録されていれば、従来のバーコードを用いる方式よりも、簡便、短時間に商品の精算を行うことが可能となる。すなわち、ＩＤＦチップが実装された複数の商品を一挙に精算することができる。但し、このように複数のＩＤＦチップを読み取る場合、アンチコリジョン機能をリーダ装置に搭載する必要がある。
【０２３４】
さらにＩＤＦチップの通信距離によっては、レジスターと商品との距離が遠くても、商品の精算を可能とすることができる。またＩＤＦチップは万引き防止にも役立つ。
【０２３５】
さらにＩＤＦチップは、バーコード、磁気テープ等のその他の情報媒体と併用することもできる。例えば、ＩＤＦチップには書き換え不要な基本事項を記録し、バーコードには更新すべき情報、例えば値引き価格や特価情報を記録するとよい。バーコードはＩＤＦチップと異なり、情報の修正を簡便に行うことができるからである。
【０２３６】
このようにＩＤＦチップを実装することにより、消費者へ提供できる情報を増大させることができるため、消費者は安心して商品を購入することができる。
【０２３７】
また製造管理を行うため、ＩＤＦチップを実装した製造品と、当該ＩＤＦチップの情報に基づき制御される製造装置（製造ロボット）について説明する。
【０２３８】
現在、オリジナル商品を生産する場面が多くみられ、このような場合、生産ラインでは当該商品のオリジナル情報に基づくように生産する。例えば、ドアの塗装色を自由に選択することができる自動車の生産ラインにおいては、自動車の一部にＩＤＦチップを実装し、当該ＩＤＦチップからの情報に基づき、塗装装置を制御する。そしてオリジナルな自動車を生産することができる。ＩＤＦチップを実装する結果、事前に生産ラインに投入される自動車の順序や同色を有する数を調整する必要がない。強いては、自動車の順序や数それに合わせるように塗装装置を制御するプログラムを設定しなくてすむ。すなわち製造装置は、自動車に実装されたＩＤＦチップの情報に基づき、個別に動作することができる。
【０２３９】
このようにＩＤＦチップは様々な場所で使用することができる。そしてＩＤＦチップに記録された情報により、製造に関する固有情報を得ることができ、当該情報に基づき製造装置を制御することができる。
【０２４０】
次に、ＩＤＦチップ６２２を実装したカード６２１を、電子マネーとして利用する形態について説明する。図２９に、カード６２１を用いて、決済を行なっている様子を示す。レジスター６２３、リーダ／ライタ装置６２４を備えている。ＩＤＦチップ６２２には、カード６２１に入金されている金額の情報が保持されており、リーダ／ライタ装置６２４は該金額の情報を非接触で読み取り、レジスター６２３に送信することができる。レジスター６２３では、カード６２１に入金されている金額が、決済する金額以上であることを確認し、決済を行なう。そしてリーダ／ライタ装置６２４に決済後の残額の情報を送信する。リーダ／ライタ装置６２４は該残額の情報を、カード６２１のＩＤＦチップ６２２に書き込むことができる。
【０２４１】
なおリーダ／ライタ装置６２４に、暗証番号などを入力することができるキー６２５を付加し、第三者によってカード６２１を用いた決済が無断で行なわれるのを制限できるようにしてもよい。
【０２４２】
なおＩＤＦチップは、実装する物品（実装物品）に対して中心部に配置し、ＩＤＦチップの周囲は物品の基材で覆われるように形成するとよい。その結果、ＩＤＦチップの機械的強度を高めることができる。具体的には、ＩＤＦチップを挟み込む位置（ＩＤＦチップの中心）：Ｘは、実装物品の厚みをＤとすると、（１／２）・Ｄ−３０μｍ＜Ｘ＜（１／２）・Ｄ＋３０μｍを満たすように配置するとよい。すなわち、実装物品の厚みはＤ＞６０μｍとなる。
【０２４３】
アンテナが別途形成されている場合であっても、ＩＤＦチップは上記位置を満たすと好ましい。
【０２４４】
さらに上述したように、ＩＤＦチップにおいて、半導体層から下地膜の下部までの距離（ｔunder）と、半導体層から層間絶縁膜の上部まで距離（ｔover）は、等しく又は概略等しくなるように下地膜、層間絶縁膜の厚さを調整するのが望ましい。このように、物品の中央部へＩＤＦチップを設け、さらにＩＤＦチップの中央部へ半導体膜を設けることにより、半導体層への応力を緩和することができ、クラックの発生を防止することができる。
【０２４５】
またＩＤＦチップとアンテナとを別途、物品へ実装してもよい。ＩＤＦチップとアンテナとの実装面を異ならせると、実装面積の制約がなくなり、設計の自由度が増す。この場合のアンテナは、物品に直接形成することもできる。その後、アンテナの接続端子と、ＩＤＦチップの接続端子とを接続する。このとき、異方性導電体を用いて接続することができる。
【０２４６】
（実施例７）
ＩＤＦチップは、シリコンウェハにより形成されたチップと比較して、ある程度の面積を有する場合が想定され、さらにフレキシブル性が高いため、曲げた状態での破壊を考慮する必要がある。そこで本実施の形態では、ＩＤＦチップを実装する紙幣を曲げた状態について説明する。
【０２４７】
図１９（Ａ）には、ＩＤＦチップ実装物品である紙幣３０１が矢印方向２８０に曲がった状態を示している。一般的に、薄膜物品は、長軸方向に曲がりやすい、又は曲げやすいため、本実施例では長軸方向に曲げる場合を説明する。
【０２４８】
このときのＩＤＦチップ１０４の状態を図１９（Ｂ）に示す。ＩＤＦチップは、複数の薄膜トランジスタを有し、当該薄膜トランジスタは、キャリアの移動方向２８１と、矢印方向（曲げる方向）２８０とが垂直となるように配置する。すなわち、曲げる方向２８０と垂直となるように薄膜トランジスタのソース領域２３０（ｓ）、チャネル形成領域２３０（ｃ）、ドレイン領域２３０（ｄ）を配列する。その結果、曲げ応力による薄膜トランジスタの破壊や剥がれを防止することができる。
【０２４９】
また半導体膜として、レーザー照射を用いた結晶性半導体膜を用いる場合、レーザー走査方向２８３も曲げる方向２８０と垂直となるように設定する。例えば、図２３に示すように、レーザーの照射領域（スポット）２８２を、ジグザグに走査して、全面を結晶化する場合、レーザー走査方向（長軸側）２８３は曲げる方向２８０と垂直な方向とする。
【０２５０】
このような方向にＩＤＦチップを曲げることにより、ＩＤＦチップ、特に薄膜トランジスタを破壊することがなく、さらに、キャリアの移動方向に存在する結晶粒界を極力低減することができる。その結果、薄膜トランジスタの電気特性、特に移動度を向上させることができる。
【０２５１】
加えて、パターニングされた半導体膜がＩＤＦチップにおいて占める面積の割合を、１〜３０％とすることで、曲げ応力による薄膜トランジスタの破壊や剥がれを防止することができる。
【０２５２】
本実施の形態は、非接触型ＩＤＦチップ、接触型ＩＤＦチップ、及びハイブリッド型ＩＤＦチップのいずれを構成する半導体膜に対しても適用することができる。
【０２５３】
（実施例８）
本実施例では、薄膜集積回路が実装された物品の使用形態について説明する。
【０２５４】
図１８（Ａ）には、ラベル４０３に張り合わされたＩＤＦチップ４０２を実装した薬瓶４０１と、リーダ・ライター装置４１０と、表示部４２１を有するパーソナルコンピュータ４２０等からなる、情報の流れを示している。まず、リーダ・ライダー装置を介してＩＤＦチップの情報、例えば、使用用量、効果、副作用、アレルギー等の情報をパーソナルコンピュータへ入力される。これら情報は、表示部４２１で確認することができる。
【０２５５】
ＩＤＦチップに記録されている情報は、企業の宣伝等、例えばホームページアドレスを有していてもよい。この場合、インターネット用ブラウザを起動した状態とし、リーダ・ライダー装置を介して当該アドレスが入力され、ホームページをみることができる。ＩＤＦチップに記録された情報を読み取ることにより、手作業で、情報を入力する場合と比べ、入力ミスを防止することができる。
【０２５６】
また、リーダ・ライター装置の機能を持たせた携帯用電子機器、代表的には携帯電話機やＰＤＡにより、薬の情報を読み取ることができる。例えば、携帯電話機４３０のアンテナ４３１として機能するコイルが、リーダ・ライター装置のアンテナを兼ねるように設計する。ＩＤＦチップに記録された当該情報は、携帯電話機の表示部４３２で確認することができる。
【０２５７】
図１８（Ｂ）には、ＩＤＦチップ及びリーダ・ライター装置の回路構造を示す。
【０２５８】
まず、ＩＤＦチップ１０４は、アンテナコイル５０１、容量素子５０２を有し、復調回路５０３、変調回路５０４、整流回路５０５、マイクロプロセッサ５０６、メモリ５０７、負荷をアンテナコイル５０１に与えるためのスイッチ５０８を有している。これらの回路やマイクロプロセッサは、薄膜集積回路により形成することができる。なおメモリ５０７は１つに限定されず、複数であってもよい。
【０２５９】
またリーダ・ライター装置４１０は、アンテナコイル５１１、変調回路５１２、発振手段５１３を有し、これらにより送信信号を作成することができる。またリーダ・ライター装置４１０は、受信信号を検波し、増幅して復調する検波復調回路５１４を有する。ＩＤＦチップからの受信信号は非常に弱いために、フィルタ等により分離、増幅するとよい。そして、これらの受信信号は、ゲートＡＳＩＣ５１５に送られる。
【０２６０】
ゲートＡＳＩＣに入力されたデータは、マイクロプロセッサ５１６に送られて処理される。そして必要に応じて、メモリ５１７と相互に信号のやりとりを行い、所定の演算処理を達成する。メモリ５１７にはマイクロプロセッサ５１６において用いられるプログラム、データなどが記憶されている他、演算処理時の作業エリアとしても用いることができる。その後、信号インタフェース５１９と信号のやりとりを行うこともできる。またこれら信号の相互交換のための電源部５１８を備えている。
【０２６１】
これらマイクロプロセッサ５１６、メモリ５１７、信号インタフェース５１９は、パーソナルコンピュータや電話機自体に設けることができる。
【０２６２】
またリーダ・ライター装置にアンチコリジョン機能を持たせてもよい。
【０２６３】
またリーダ・ライター装置の機能を兼ねる携帯電話機のような電子機器は、これら回路をアンテナコイル５１１、変調回路５１２、発振手段５１３、検波復調回路５１４、ゲートＡＳＩＣ５１５、マイクロプロセッサ５１６、メモリ５１７、電源部５１８、信号インタフェース５１９を有していればよい。
【０２６４】
もちろんパーソナルコンピュータ上記回路等を形成し、リーダ・ライター装置の機能を兼ねさせることもできる。
【０２６５】
またＩＤＦチップでは、ゲートＡＳＩＣ５１５から変調回路５１２を介して電波として送られてきた信号は、アンテナコイル５０１において電磁誘導により交流の電気信号に変換される。復調回路５０３では該交流の電気信号を復調し、後段のマイクロプロセッサ５０６に送信する。また整流回路５０５では、交流の電気信号を用いて電源電圧を生成し、後段のマイクロプロセッサ５０６に供給する。
【０２６６】
マイクロプロセッサ５０６では、入力された信号に従って各種演算処理を行う。メモリ５０７にはマイクロプロセッサ５０６において用いられるプログラム、データなどが記憶されている他、演算処理時の作業エリアとしても用いることができる。そしてマイクロプロセッサ５０６から変調回路５０４に送られた信号は、交流の電気信号に変調される。スイッチ５０８は、変調回路５０４からの交流の電気信号に従って、アンテナコイル５０１に負荷を加えることができる。リーダ・ライター装置は、アンテナコイル５０１に加えられた負荷を電波で受け取ることで、結果的にマイクロプロセッサ５０６からの信号を読み取ることができる。
【０２６７】
なお、図１８（Ｂ）に示すIDＦチップの回路構造、リーダ・ライター装置の回路構造は、本発明の一形態を示したのに過ぎず、本発明は上記構造に限定されない。信号の伝送方式は、本実施の形態で示したような電磁結合方式に限定されず、電磁誘導方式、マイクロ波方式やその他の伝送方式を用いていてもよい。また例えばＧＰＳなどの機能を有していてもよい。
【０２６８】
（実施例９）
本実施例では、ＣｌＦ3に対するタングステンと、酸化タングステンのエッチングレートを比較する実験を行った。図３０に、温度を２５℃、５０℃、１００℃、１５０℃としたときの、ＣｌＦ3に対するタングステンと、酸化タングステンのエッチングレート（μｍ／ｈ）を示す。
【０２６９】
図３０からわかるように、酸化タングステンのエッチングレートはタングステンに比較して高いことがわかる。すなわち、本発明の剥離層に酸化タングステンを用いると、エッチング速度が高いため、短時間でＩＤＦチップを作製することができ好ましい。
【図面の簡単な説明】
【０２７０】
【図１】薄膜集積回路の作製工程を示した図である
【図２】薄膜集積回路の作製工程を示した図である
【図３】薄膜集積回路の作製工程を示した図である
【図４】薄膜集積回路の作製工程を示した図である
【図５】薄膜集積回路の作製工程を示した図である
【図６】薄膜集積回路の作製工程を示した図である
【図７】アンテナの作製工程を示した図である
【図８】薄膜集積回路の作製工程を示した図である
【図９】薄膜集積回路の作製工程を示した図である
【図１０】薄膜集積回路の作製工程を示した図である
【図１１】薄膜集積回路の作製工程を示した図である
【図１２】薄膜集積回路の作製工程を示した図である
【図１３】薄膜集積回路の作製工程を示した図である
【図１４】薄膜集積回路の作製工程を示した図である
【図１５】薄膜集積回路を実装した物品を示した図である
【図１６】薄膜集積回路を実装した物品を示した図である
【図１７】薄膜集積回路を実装した物品を示した図である
【図１８】薄膜集積回路を実装した物品の使用形態を示した図である
【図１９】薄膜集積回路を実装した物品を曲げた状態を示した図である
【図２０】薄膜集積回路の作製工程を示した図である
【図２１】薄膜集積回路の作製工程を示した図である
【図２２】薄膜集積回路の形態を示した図である
【図２３】薄膜集積回路の作製工程を示した図である
【図２４】薄膜集積回路の作製装置を示した図である
【図２５】薄膜集積回路の作製工程を示した図である
【図２６】薄膜集積回路の作製工程を示した図である
【図２７】薄膜集積回路を実装した物品を示した図である
【図２８】薄膜集積回路を実装した物品を示した図である
【図２９】薄膜集積回路を実装した物品を示した図である
【図３０】ＣｌＦ3に対するタングステンと、酸化タングステンのエッチングレートの比較を示すグラフである
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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