(57)【要約】    【課題】  製造コストの削減を図ることが可能な電気光学装置及びその製造方法を提供すること。    【解決手段】  対向する電極間に発光層を介在させてなる発光素子を備える電気光学装置であって、所定面に設けられる第１電極(21)と、上記所定面に、上記第１電極の周辺を囲むように設けられる隔壁(28)と、上記隔壁の側面(28a)から上記第１電極の上面に渡る斜面を有し、上記隔壁と上記第１電極との境界及びその近傍を被覆する絶縁性の被覆部(22)と、上記隔壁により画定される領域(B)内であって上記第１電極の上側に設けられる発光層(24)と、上記発光層の上側に設けられる第２電極(25)と、を含んで構成される。【選択図】    図２
2006049172.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する電極間に発光層を介在させてなる発光素子を備える電気光学装置であって、
所定面に設けられる第１電極と、
前記所定面に、前記第１電極の周辺を囲むように設けられる隔壁と、
前記隔壁の側面から前記第１電極の上面に渡る斜面を有し、前記隔壁と前記第１電極との境界及びその近傍を被覆する絶縁性の被覆部と、
前記隔壁により画定される領域内であって前記第１電極の上側に設けられる発光層と、
前記発光層の上側に設けられる第２電極と、
を含んで構成される、電気光学装置。
【請求項２】
前記被覆部が無機物からなる、請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記無機物が酸化硅素である、請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記隔壁により画定される領域の底側が矩形状である、請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項５】
対向する電極間に発光層を介在させてなる発光素子を備える電気光学装置の製造方法であって、
所定面に第１電極を形成する第１工程と、
前記所定面に、前記第１電極の上側領域を露出させてそれ以外の領域を被覆する隔壁を形成する第２工程と、
前記隔壁により画定される領域内に絶縁体を埋設する第３工程と、
前記絶縁体の上面側からエッチングを行って、当該絶縁体のうち前記隔壁と前記第１電極との境界近傍の部分を残留させてそれ以外の部分を除去することにより、前記隔壁の側面から前記第１電極の上面に渡る斜面を有し、前記隔壁と前記第１電極との境界及びその近傍を被覆する被覆部を形成する第４工程と、
前記隔壁により画定される空間内に発光層を形成する第５工程と、
前記発光層の上側に第２電極を形成する第６工程と、
を含む、電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記第３工程は、液状材料を供給した後に当該液体材料を固化させることにより前記絶縁体を埋設する、請求項５に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記液体材料の供給が液滴吐出法によって行われる、請求項６に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
前記第２工程における前記隔壁は、少なくとも側面が非撥液性又は親液性である、請求項６又は７に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
前記第３工程における前記液状材料がポリシラザン溶液である、請求項６に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第４工程における前記エッチングがウェットエッチングである、請求項５に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
前記被覆部は、少なくとも前記斜面が非撥液性又は親液性を有し、
前記第５工程は、前記隔壁により画定される領域内に液状材料を供給して当該液体材料を固化させることにより前記発光層を形成する、請求項５に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１乃至４のいずれかに記載の電気光学装置を備える電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子等の発光素子を含んで構成される電気光学装置とその製造方法、及び当該電気光学装置を備える電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄型、軽量、かつ高品質な画像を表示し得る電気光学装置（表示装置）として、有機ＥＬ装置が注目されている。一般的な有機ＥＬ装置は、発光を担う有機ＥＬ素子とこれを駆動する駆動回路などが基板上に積層された構造を有する。このような有機ＥＬ装置の従来例は、例えば特開２００４−１２７５５１号公報に開示されている（図２、図１４等）。
【０００３】
上記文献に開示される有機ＥＬ装置では、一方電極（陰極）の形成位置に対応する画素形成領域を囲むようにバンク（隔壁）を設けておき、このバンクに囲まれた領域内に発光層などを形成し、更にその上面に他方電極（陽極）を形成することにより、有機ＥＬ素子が構成されている。また、当該文献に記載の有機ＥＬ装置では、バンクと陰極との相互間に、両者の境界部付近を囲むようにして絶縁膜（例えば酸化硅素膜）が形成されている。この絶縁膜は、バンクと陰極との境界部において発光層などの成膜不良が生じた場合にもその上側に成膜される陽極の一部が陰極と短絡（ショート）してしまうのを回避する機能を担うものである。
【０００４】
上述した絶縁膜は、主として有機ＥＬ装置の製造プロセスの都合上、必要となるものであるから、所要の機能を果たし得る限り、なるべく低コストに形成することが望ましい。ところが、これまでは、陰極の上側の略全面に絶縁材料からなる膜を形成した後に、フォトリソグラフィ技術とエッチング技術を用いてパターニングを行うことにより上記の絶縁膜を形成していた。このため、工程数が多く装置コストがかかり、また大量の薬品、純水、ガス等を用いるため材料コストや廃材処理コスト等も多くなるという不都合があった。
【０００５】
また、有機ＥＬ装置のデバイス構造の簡素化を図る観点からは、当該絶縁膜は所要の機能を果たし得る限り、その形成範囲（面積・体積）がなるべく小さい方が望ましい。しかし、上述した絶縁膜は、画素形成領域に対応する部分が開口しているほかは基板上の広範囲に渡って形成されており、形成範囲が大きかった。
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−１２７５５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
そこで、本発明は、製造コストの削減を図ることが可能な電気光学装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
また、本発明は、デバイス構造の簡素化を図ることが可能な電気光学装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
以下に説明する本願発明は、発光層等の成膜不良時に第１電極（例えば陽極）と第２電極（例えば陰極）との短絡を回避するには、隔壁（バンク）と第１電極との境界及びその近傍にのみ絶縁性部材が設けられていれば必要十分であることに着目して創作されたものである。
【０００９】
第１の態様の本発明は、対向する電極間に発光層を介在させてなる発光素子を備える電気光学装置であって、所定面に設けられる第１電極と、上記所定面に、上記第１電極の周辺を囲むように設けられる隔壁と、上記隔壁の側面から上記第１電極の上面に渡る斜面を有し、上記隔壁と上記第１電極との境界及びその近傍を被覆する絶縁性の被覆部と、上記隔壁により画定される領域内であって上記第１電極の上側に設けられる発光層と、上記発光層の上側に設けられる第２電極と、を含んで構成されるものである。ここで、「電気光学装置」とは、電気的作用によって発光する電気光学素子を備えた装置一般をいい、例えばＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を備える表示装置等が該当する。
【００１０】
かかる構成を採用することにより、短絡回避用の絶縁性部材（被覆部）を備える電気光学装置を従来と比べて簡素なプロセス（例えば、後述するプロセス）によって形成することが可能となる。したがって、製造コストを削減することが可能な電気光学装置を提供することができる。また、絶縁性部材（被覆部）が隔壁と第１電極との境界近傍にのみ形成されるので、当該絶縁性部材の形成範囲が格段に少なく、デバイス構造の簡素化が可能となる。
【００１１】
好ましくは、上記被覆部が無機物からなる。更に好ましくは、上記無機物が酸化硅素である。特に、ポリシラザン溶液等を用いる液体プロセスを経て形成される酸化硅素が好適である。
【００１２】
これにより、必要十分な絶縁性、耐久性などの特性を備える被覆部が得られる。
【００１３】
また、上記隔壁により画定される領域を矩形状とすることも好適である。
【００１４】
従来では、隔壁により画定される領域は隅を角状にせずに曲線状としていた。これは、発光層などの成膜時に当該領域の隅の部分で膜厚が不均一になる傾向があるのでこれを回避するための措置である。これに対して本発明では、隔壁により画定される領域を矩形状とした場合でも、上記の隅の部分が全て斜面を有する被覆部によって覆われる（換言すれば底上げされた状態となる）ため、上記のような膜厚の不均一が生じにくくなる。したがって、隔壁により画定される領域をより広く確保し、発光面積を増加させることができる。当該領域が画素領域である場合には、画素開口率の向上を図ることが可能となる。
【００１５】
第２の態様の本発明は、対向する電極間に発光層を介在させてなる発光素子を備える電気光学装置の製造方法であって、所定面に第１電極を形成する第１工程と、上記所定面に、上記第１電極の上側領域を露出させてそれ以外の領域を被覆する隔壁を形成する第２工程と、上記隔壁により画定される領域内に絶縁体を埋設する第３工程と、上記絶縁体の上面側からエッチングを行って、当該絶縁体のうち上記隔壁と上記第１電極との境界近傍の部分を残留させてそれ以外の部分を除去することにより、上記隔壁の側面から上記第１電極の上面に渡る斜面を有し、上記隔壁と上記第１電極との境界及びその近傍を被覆する被覆部を形成する第４工程と、上記隔壁により画定される空間内に発光層を形成する第５工程と、上記発光層の上側に第２電極を形成する第６工程と、を含むものである。ここで、上記「所定面」とは、例えばガラスや樹脂等からなる基板の表面や、基板上に電気回路等が設けられ、更にその上に平坦化膜が設けられている場合における当該平坦化膜の上面など、本発明にかかる電気光学装置が形成されるべき面をいう。
【００１６】
かかる製造方法によれば、短絡回避用の絶縁性部材（被覆部）を備える電気光学装置を従来と比べて簡素なプロセスによって形成することが可能となる。具体的には、従来と比べてフォトリソグラフィに要する各工程（レジスト膜の塗布及び焼成、露光、現像等）を１サイクル分少なくすることができる。したがって、製造コストを削減することが可能となる。
【００１７】
上記第３工程は、液状材料を供給した後に当該液体材料を固化させることにより上記絶縁体を埋設することが好ましい。より具体的には、かかる液体プロセスとしては、液滴吐出法、スピンコート法、ディップ法などが挙げられる。
【００１８】
液体プロセスの採用により、第３工程に必要な装置、器具等が簡素化（小規模化）されるので、製造コストをより一層削減することが可能となる。
【００１９】
なお、第３工程を上記のような液体プロセスによらず、それ以外の方法（例えばＣＶＤ法など）によって行ってもよい。
【００２０】
より好ましくは、上記第３工程における上記液体材料の供給が液滴吐出法によって行われる。
【００２１】
これにより、隔壁によって画定される領域内に位置、滴下量ともに精度良く液体材料を供給することができるので、液体材料の浪費を効果的に抑制することが可能となる。したがって、より一層の製造コストの削減が可能となる。
【００２２】
また、上記第２工程における上記隔壁は、少なくとも側面が非撥液性又は親液性であることが好ましい。
【００２３】
これにより、液体材料は隔壁の側面に近いほど盛り上がる形状（裾引き形状）となるので、これを固化させれば当該形状を保持した絶縁体が得られる。この裾引き形状を利用することにより、斜面を有する被覆部を容易に形成することが可能となる。
【００２４】
好ましくは、上記第３工程における上記液状材料としてポリシラザン溶液を用いる。
【００２５】
これにより、良好な酸化硅素からなる被覆部が容易に得られる。
【００２６】
また、上記第４工程における上記エッチングとしては、ウェットエッチングを採用することがより好ましい。なお、ドライエッチングを採用してもよい。
【００２７】
浸食が等方的に進行するというウェットエッチングの性質を利用することにより、絶縁体の被覆部となるべき部分を残留させやすく好適である。
【００２８】
また、上記第５工程が上記隔壁により画定される領域内に液状材料を供給して当該液体材料を固化させることにより上記発光層を形成する場合には、上記被覆部は、少なくとも上記斜面が非撥液性又は親液性であることが好ましい。なお、このような被覆部は、例えば上記のポリシラザン溶液を用いたプロセスを採用することにより得られる。
【００２９】
これにより、液体材料が被覆部の上側（斜面上）においても良くなじむので、隔壁により画定される領域のほぼ全域に発光層を形成できる。したがって、発光面積をより大きく確保することが可能となる。
【００３０】
第３の態様の本発明は、上記の本発明にかかる電気光学装置を備える電子機器である。ここで「電子機器」とは、本発明に係る半導体装置を備えた一定の機能を奏する機器一般をいい、例えば電気光学装置やメモリを備えて構成される。その構成に特に限定が無いが、例えば、ＩＣカード、携帯電話、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、リア型またはフロント型のプロジェクター、さらに表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイ等が含まれる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明の実施の形態について説明する。
【００３２】
図１は、一実施形態の有機ＥＬ装置の配線構造の平面模式図である。図１に示すように、有機ＥＬ装置１００は、複数の走査線１０１と、各走査線１０１に対してほぼ直交して配置される複数の信号線１０２と、信号線１０２と平行配置される複数の電源線１０３と、走査線１０１と信号線１０２の各交点付近に設けられる画素部Ａと、を含んで構成される。
【００３３】
信号線１０２は、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオラインおよびアナログスイッチを備える駆動回路１０４に接続されている。走査線１０１は、シフトレジスタおよびレベルシフタを備える駆動回路１０５に接続されている。
【００３４】
画素部Ａのそれぞれには、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用のＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１１２と、このスイッチング用のＴＦＴ１１２を介して信号線１０２から供給される画素信号を保持する保持容量ｃａｐと、この保持容量ｃａｐによって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用のＴＦＴ１１３と、この駆動用のＴＦＴ１１３を介して電源線１０３に電気的に接続した時に電源線１０３から駆動電流が流れ込む第１電極（陰極）２１と、この第１電極２１と対向する第２電極（陽極）２５との間に挟み込まれた機能層１１０とが設けられている。これらの第１電極２１と第２電極２５と機能層１１０によって、発光素子が構成されている。
【００３５】
この有機ＥＬ装置１００は、走査線１０１が駆動されてスイッチング用のＴＦＴ１１２がオンになると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量ｃａｐに保持され、この保持容量ｃａｐの状態に応じて、駆動用のＴＦＴ１１３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用のＴＦＴ１１３のチャネルを介して、電源線１０３から画素電極２１に電流が流れ、さらに機能層１１０を介して第２電極２５に電流が流れる。機能層１１０は、この流れる電流量に応じて発光し、所望の状態を表示することができる。
【００３６】
図２は、本実施形態の有機ＥＬ装置１００の画素部の構造を示す断面図である。図示のように、有機ＥＬ装置１００は、ＴＦＴなどの能動素子や配線が形成された基体部１０と、有機ＥＬ素子が形成された発光素子部２０とからなる。
【００３７】
基体部１０は、基板１１、ＴＦＴ１２、平坦化層１３及び図示しない他のＴＦＴや配線等を含んで構成されている。
【００３８】
基板１１は、その一方面に有機ＥＬ素子を駆動するためのＴＦＴや配線等が形成されている。このような基板１１としては、石英ガラス、硼酸塩ガラス、燐酸塩ガラス、燐珪酸ガラス、ケイ酸塩ガラスなどの各種ガラス材料や、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリアクリレート、ポリメタクリレートなどの各種樹脂材料のほかに、単結晶を含む各種セラミックス材料や各種金属材料などからなるものを採用し得る。
【００３９】
ＴＦＴ１２は、多結晶シリコン等からなる半導体膜、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極等を含んで構成されており、ゲート電極への印加電圧に応じた電流を有機ＥＬ素子へ供給し、有機ＥＬ素子の発光制御を行う。
【００４０】
平坦化層１３は、基板１１上に形成されたＴＦＴ１２や配線などの上側を平坦にして発光素子部２０の形成を容易にするために設けられるものである。当該機能を達成するために、平坦化層１３は、例えば２μｍ〜５μｍ程度の厚さに形成される。この平坦化層１３としては、ＳＯＧ（spin on glass）膜やＰＳＧ（phospho silicate glass）膜などの無機膜を用いてもよいし、ポリイミド樹脂膜やアクリル樹脂膜などの有機膜を用いてもよいし、また、これらの積層膜を用いてもよい。この平坦化層１３には、図示のように、基板１１に形成されたＴＦＴ１２と、平坦化層１３上に形成される発光素子部２０の第１電極（陽極）２１とを電気的に接続するためのコンタクトホールが設けられている。
【００４１】
発光素子部２０は、第１電極（陽極）２１、被覆部２２、正孔注入輸送層２３、発光層２４、第２電極（陰極）２５、及びバンク（隔壁）２８を含んで構成される。
【００４２】
第１電極２１は、平坦化層１３の上面（所定面）の上であって有機ＥＬ素子を配置すべき箇所に、導電性材料をパターニングして形成される。導電性材料としては、導電性を有し可視光領域の電磁波を透過しやすいものであれば如何なる材料（例えば金属薄膜（Au,Ag,Pt,Cu等）、酸化膜半導体薄膜（In2O3,TiO2,SnO2,ZnO,CdO等）、スピネル形化合物（MgInO4,CaGaO4等）、導電性窒化物薄膜（TiN,ZrN,HfN等）、導電性ホウ化物薄膜（LaB6等）、導電性高分子）も採用し得るが、特にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）が好適である。図示のように、第１電極２１は、平坦化層１３に形成されたコンタクトホールを通じて、基板１１のＴＦＴ１２と電気的に接続されている。
【００４３】
被覆部２２は、第１電極２１とバンク２８との境界において、正孔注入輸送層２３及び／又は発光層２４の成膜不良が発生した場合にも、第１電極２１と第２電極２５とのショート（短絡）を防ぐ機能を担うものである。本実施形態における被覆部２２は、図示のように、バンク２８の側面２８ａから第１電極２１の上面に渡る斜面を有し、バンク２８と第１電極２１との境界２９及びその近傍を被覆するように形成されている。この被覆部２２は、絶縁性を有するものであれば如何なる材料も採用し得るが、特に、ＳｉＯ２やＴｉＯ２などの無機物材料が好適に用いられる。
【００４４】
図３は、被覆部２２の形状を更に説明するための図である。図３では、バンク２８により画定される領域（画素領域）Ｂを上側から見た様子が簡略化して示されている。また、被覆部２２が図中のどの部分であるかを分かりやすくするため、被覆部２２の部分には模様を付している。なお、上記図２に示す断面図は図３に示すII−II線方向に対応している。図示のように、被覆部２２は、第１電極２１とバンク２８の側面２８ａとの境界２９及びその近傍を全て覆うように、画素領域Ｂの内部であって第１電極２１の上側に環状に形成されている。なお、このような被覆部２２を形成する方法の具体例については後述する。
【００４５】
ここで、従来では、隔壁により画定される領域は隅を角状にせずに曲線状としていた。これは、発光層などの成膜時に当該領域の隅の部分で膜厚が不均一になる傾向があるのでこれを回避するための措置である。これに対して本実施形態では、図３に示すようにバンク２８により画定される領域Ｂを矩形状とした場合でも、上記の隅の部分が全て斜面を有する被覆部２２によって覆われる（換言すれば底上げされた状態となる）ため、上記のような膜厚の不均一が生じにくくなる。したがって、隔壁により画定される領域をより広く確保し、発光面積を増加させることができる。すなわち、画素開口率の向上を図ることが可能となる。
【００４６】
正孔注入輸送層２３は、第１電極２１の上側に形成され、発光層２４に正孔を注入する層である。この正孔注入輸送層２３を構成する材料として、ポリエチレンジオキシチオフェンなどのポリチオフェン誘導体とポリスチレンスルホン酸などの混合物や、芳香族アミン誘導体（ＴＰＤ、α−ＴＰＤなど）、ＭＴＤＡＴＡ、銅フタロシアニン、ポリアニリン誘導体、ポリチオフェン誘導体、フェニルアミン誘導体などを例として挙げることができる。
【００４７】
発光層２４は、正孔注入輸送層２３の上側に形成され、正孔注入輸送層２３から流入する正孔と第２電極２５から流入する電子とが当該発光層２４で再結合するときのエネルギによって発光する。この発光層２４を構成する材料として、ポリフルオレン系高分子誘導体、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体を例として挙げることができる。また、発光層２４を赤色に発光させるには、ローダミン、ＤＣＭの誘導体、ナイルレッドなどを上記の発光層２４を構成する材料に添加し、発光層２４を緑色に発光させるには、キナクリドン、クマリン６などを上記の発光層２４を構成する材料に添加し、そして、発光層２４を青色に発光させるには、ペリレン、テトラフェニルブタジエンなどを上記の発光層２４を構成する材料に添加する。
【００４８】
第２電極２５は、発光層２４の上側に形成される。この第２電極２５は、上記第１電極２１と同様に種々の導電性材料から構成され、導電性材料としては、導電性を有するものであれば如何なる材料も採用し得るが、特にＡｌ，Ｍｇ，Ｍｇ−Ａｇ合金などの金属材料が好適である。
【００４９】
なお、第２電極２５と発光層２４との間に、更に電子注入層を介在させる構造を採用してもよい。この場合、電子注入層としては、第２電極２５と発光層２４との界面で第２電極２５の電子注入機能を調整し得るものであればよく、金属弗化物や金属酸化物などを採用し得る。特に数ｎｍの厚さに形成されたＣａ、ＬｉＦ等が好適に用いられる。
【００５０】
バンク２８は、画素領域Ｂを画定するために第１電極２１の周囲を囲むように形成されている。詳細には、バンク２８は、画素電極である第１電極２１の周縁部上に乗り上げるように形成されている。このバンク２８は、上記の正孔注入輸送層２３や発光層２４などをインクジェット法（液滴吐出法）によって形成する際に、滴下される液状組成物があふれない程度の高さを有する。バンク２８を構成する材料としては、絶縁性を有するものであれは如何なるものも採用し得るが、アクリル樹脂やポリイミド樹脂など、耐熱性および耐溶媒性を備える樹脂が好適に用いられる。
【００５１】
このような構成を有する有機ＥＬ素子が、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）ごとに形成される。これらのＲＧＢからなる有機ＥＬ素子を一組にして一画素が構成され、当該画素をマトリクス状に配列することによって有機ＥＬ装置が構成される。
【００５２】
本実施形態の有機ＥＬ装置１００はこのような構成を有しており、次に、当該有機ＥＬ装置１００の製造方法について説明する。
図４〜図６は、本実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図であり、有機ＥＬ装置の製造工程が断面図により示されている。
【００５３】
まず、基板１１上にＴＦＴ１２や配線等及び平坦化層１３が形成されてなる基体部１０を用意する。このような基体部１０は、種々の公知技術を用いることによって形成可能である。
【００５４】
（第１電極形成工程）
次に図４（Ａ）に示すように、平坦化層１３の上面（所定面）に第１電極２１を形成する。具体的には、平坦化層１３上にスパッタ法や蒸着法またはその他の成膜法によってＡｌ等の導電膜を形成した後に、周知のフォト・エッチングプロセスを用いて当該導電膜を所望形状にパターニングすることにより、平坦化層１３上に第１電極２１が形成される。このとき、平坦化層１３に形成されたコンタクトホール内にも第１電極２１の一部が形成され、第１陰極２１とＴＦＴ１２のドレイン端子とが電気的に接続される。
【００５５】
（バンク形成工程）
次に図４（Ｂ）に示すように、平坦化層１３の上面に、第１電極２１の上側領域を露出させ、かつそれ以外の領域を被覆するバンク２８を形成する。例えば、第１電極２１を覆うようにして平坦化層１３の上面全体に感光性を有する樹脂材料を用いて樹脂膜を成膜し、その後フォトマスクを通してＵＶを照射した後に現像を行うことによりバンク２８を形成可能である。
【００５６】
（絶縁体埋設工程）
次に図４（Ｃ）に示すように、バンク２８により画定される領域（画素領域）Ｂ内に絶縁体３２を埋設する。本工程では、液滴吐出法（インクジェット法）によって液状材料を供給し、当該液体材料を固化させることにより絶縁体３２を形成する。具体的には、二次元平面（ＸＹ平面）上の任意の位置に移動可能に構成された液滴吐出装置５０を用いることにより、滴下量を高精度（例えば、数ピコリットル単位）に制御して、液体材料を供給することが可能である。
【００５７】
また、本工程における液体材料としては、吐出後に何らかの処理（例えば乾燥、焼成、光照射等）を行って固化させることで絶縁体を形成可能なものであれば、如何なるものも採用できる。本実施形態では、液体材料として、ポリシラザンの１つであるペルヒドロポリシラザンを有機溶媒に溶かしたものを用いる。例えば、主成分としてパーヒドロポリシラザン、溶媒としてキシレン溶媒を用いた濃度２０％程度の溶液に少量のアミン系触媒を添加してなる液体材料を画素領域Ｂ内に滴下し、その後１５０℃、１時間程度の熱処理を行うことにより、画素領域Ｂ内に酸化硅素を埋設することができる。なお、当該液体材料を固化させる処理としては、熱処理以外に、加湿処理や常温放置（自然乾燥）なども採用し得るが、処理に要する時間の短縮化、基体部１０等への湿気による影響の回避などの観点からは、上記のような熱処理がより好適である。
【００５８】
本工程においては、先の工程で形成されるバンク２８の少なくとも側面２８ａが親液性であるか、又は親液性とは言えないまでも撥液性ではない状態（非撥液性）であることが望ましい。それにより、液体材料はバンク２８の側面２８ａに近いほど盛り上がり、画素領域Ｂの中央に近いほど窪んだ形状（裾引き形状）となるので、これを固化させれば、図４（Ｃ）に示すように当該形状を保持した絶縁体３２が得られる。このような絶縁体３２の形状は後述する工程において上記の被覆部２２を形成する際に都合がよい。更には、第１電極２１の表面が親液性又は非撥液性であることも好ましい。なお、バンク２８の側面２８ａ等の親液性（又は非撥液性）が不十分である場合には、絶縁体３２の形成工程に先立って、第１電極２１及びバンク２８の各表面に対して親液性処理を施すとよい。その場合には、酸素プラズマ処理、ＵＶ照射処理、オゾン含有ガスへの暴露処理などを一つ以上行うとよい。この処理によって、第１電極２１等の表面に残留している有機物の異物を分解除去することができ、表面を活性化させることができる。
【００５９】
（被覆部形成工程）
次に図５（Ａ）及び図５（Ｂ）に示すように、絶縁体３２の上面側からエッチングを行って、当該絶縁体３２のうちバンク２８と第１電極２１との境界２９の近傍の部分を残留させてそれ以外の部分を除去する。より具体的には、絶縁体３２に対してその上面側からエッチングを行うことにより、図５（Ａ）に示すように、絶縁体３２が上面側から除去されていく。そして、第１電極２１の大部分が画素領域Ｂ内に露出しつつ、境界２９はまだ露出しない段階でエッチングを停止する（換言すれば、比較的軽めにエッチングを行う）ことにより、境界２９を覆うようにして環状に絶縁体３２が残留する。このように本実施形態では、エッチングの度合いを加減して絶縁体３２を部分的に残留させることにより、図５（Ｂ）及び上記図３に示すような被覆部２２が形成される。本工程におけるエッチングは、ウェットエッチング、ドライエッチングのいずれも採用可能である。ウェットエッチングでは、浸食が等方的に進行する性質を利用することにより、絶縁体３２の被覆部２２となるべき部分を残留させやすく好適である。ドライエッチングでは、浸食が直線的に進行する傾向があるが、この場合でも上記のように絶縁体３２を裾引き形状（図４（Ｃ）参照）としておくことにより、絶縁体３２の被覆部２２となるべき部分を残留させることが可能である。本工程により、バンク２８の側面２８ａから第１電極２１の上面に渡る斜面を有し、バンク２８と第１電極２１との境界２９及びその近傍を被覆する被覆部２２が得られる。
【００６０】
（正孔注入輸送層形成工程）
次に図５（Ｃ）に示すように、バンク２８により画定される空間内であって第１電極２１の上側に正孔注入輸送層２３を形成する。正孔注入輸送層２３の形成には種々の公知技術を採用可能であり、その一例として本実施形態では液滴吐出法を用いる場合について説明する。液滴吐出法（インクジェットプロセス）では、液滴吐出装置を用いて、高分子材料を溶解させた液体材料を画素領域Ｂ内に適量供給する。高分子材料の具体例については上述した通りである。その後、この滴下された液体材料を乾燥させ、或いは熱処理を行うことにより、図５（Ｃ）に示すような正孔注入輸送層２３が得られる。
【００６１】
（発光層形成工程）
次に図６（Ａ）に示すように、バンク２８により画定される空間内であって正孔注入輸送層２３の上側に発光層２４を形成する。発光層２４の形成についても、上記発光層形成工程と同様に液滴吐出法を用いる方法やその他種々の公知技術を採用することが可能である。発光層２４の形成に液滴吐出法を用いた場合、発光層２４の塗布は、各画素色（例えば赤色、緑色、青色、あるいは白色など）に対応する高分子材料を溶解させた液体材料をそれぞれに対応した画素へ打ち分けることが可能である。
【００６２】
（撥液化処理工程）
なお、上記の発光層形成工程および正孔注入輸送層形成工程が液滴吐出法を採用する場合においては、これら各工程に先立って、バンク２８の表面を撥液性にする処理を行うとより好ましい。この場合には、例えば、バンク２８の表面に対してＣＦ4プラズマ処理などの撥液化処理を行うとよい。この処理によってバンク２８の表面が弗素化され、撥液性を示すようになる。これにより、液滴吐出装置を用いて滴下される液体材料のパターニングが良好になる。
【００６３】
（第２電極形成工程）
次に図６（Ｂ）に示すように、発光層２４の上面に第２電極２５を形成する。本実施形態では、有機ＥＬ装置１００はアクティブマトリクス型の表示装置であり、当該第２電極２５は共通電極となる。したがって、第２電極２５は、全画素に渡るように、スパッタ法、蒸着法或いはその他の成膜法を用いて形成される。なお、トップエミッション構造を採用する場合には、第２電極２５は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜などの透明導電膜を用いて形成される。ボトムエミッション構造を採用する場合には、必ずしも透明導電膜を用いる必要がなく、種々の導電膜（金属膜など）を用いて第２電極２５を形成できる。
【００６４】
（封止工程）
その後、必要に応じて、上記工程を経て得られた有機ＥＬ装置１００に封止処理を行う。例えば、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中において、基板１１の上面側（発光素子部２０が形成された側）に封止基板を貼り付けることにより、封止がなされる。封止基板としては、例えば、石英ガラス、硼酸塩ガラス、燐酸塩ガラス、燐珪酸ガラス、珪酸塩ガラスなどの各種透明なガラス材料や、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルスルホン、ポリアクリレート、ポリメタクリレートなどの各種樹脂材料を用いることができる。あるいは、封止基板に換えてこれと同様の組成を有する薄膜（封止膜）を形成してもよい。これらの封止基板等により、大気中の水分や酸素等の異物から有機ＥＬ素子を保護するガスバリア構造が実現される。
【００６５】
次に、上述した有機ＥＬ装置１００を備えた電子機器の具体例について説明する。
【００６６】
図７は、有機ＥＬ装置を含んで構成される電子機器の具体例を説明する図である。図７（Ａ）は携帯電話への適用例であり、当該携帯電話５３０はアンテナ部５３１、音声出力部５３２、音声入力部５３３、操作部５３４、および本実施形態の有機ＥＬ装置１００を備えている。このように本実施形態の有機ＥＬ装置は表示部として利用可能である。図７（Ｂ）はビデオカメラへの適用例であり、当該ビデオカメラ５４０は受像部５４１、操作部５４２、音声入力部５４３、および本実施形態の有機ＥＬ装置１００を備えている。図７（Ｃ）はテレビジョンへの適用例であり、当該テレビジョン５５０は本実施形態の有機ＥＬ装置１００を備えている。なお、パーソナルコンピュータ等に用いられるモニタ装置に対しても同様に本発明に係る電気光学装置を適用し得る。図７（Ｄ）はロールアップ式テレビジョンへの適用例であり、当該ロールアップ式テレビジョン５６０は本実施形態の有機ＥＬ装置１００を備えている。本例は、基板１１として樹脂フィルム等のフレキシブル基板を採用して有機ＥＬ装置を形成した場合の例である。
【００６７】
また、本実施形態の有機ＥＬ装置１００を搭載可能な電子機器はこれらに限定されず、表示機能を有する各種の電子機器に適用可能である。例えばこれらの他に、表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイ、ＩＣカードなども含まれる。
【００６８】
このように、本実施形態によれば、短絡回避用の絶縁性部材（被覆部）を備える有機ＥＬ装置を従来と比べて簡素なプロセスによって形成することが可能となる。具体的には、従来と比べてフォトリソグラフィに要する各工程（レジスト膜の塗布及び焼成、露光、現像等）を１サイクル分少なくすることができる。したがって、製造コストを削減することが可能となる。また、絶縁性部材（被覆部）がバンクと第１電極との境界近傍にのみ形成されるので、当該絶縁性部材の形成範囲が格段に少なく、デバイス構造の簡素化が可能となる。
【００６９】
なお、本発明は上記実施形態の内容に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内において種々の変形実施が可能である。
【００７０】
例えば、上述した実施形態では、被覆部となるべき絶縁体を形成するための液体材料を液滴吐出法によって供給していたが、これ以外の方法、例えばスピンコート法やディップ法などによって行ってもよい。更には、ＣＶＤ法（化学気相成長法）やＰＶＤ法（物理気相成長法）などの方法によって基板１１上にほぼ全面成膜することによって絶縁体を埋設してもよい。また、形成する絶縁体の材料についても、酸化硅素に限らず、各種の無機物或いは有機物を採用し得る。
【００７１】
また、上述した実施形態では、発光層及び／又は正孔注入輸送層の形成にも液滴吐出法を採用していたが、これ以外にも、例えば精密メタルマスクを用いた蒸着法など種々の公知技術を採用可能である。
【００７２】
また、上述した実施形態では、電気光学装置の一例として有機ＥＬ装置を採り上げて説明したが、これに限定されるものではなく無機ＥＬ装置であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】一実施形態の有機ＥＬ装置の配線構造の平面模式図である。
【図２】有機ＥＬ装置の画素部の構造を示す断面図である。
【図３】被覆部の形状を更に説明するための図である。
【図４】有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図である。
【図５】有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図である。
【図６】有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図である。
【図７】有機ＥＬ装置を含んで構成される電子機器の具体例を説明する図である。
【符号の説明】
【００７４】
１０…基体部、  １１…基板、  １２…ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）、  １３…平坦化層、  ２０…発光素子部、  ２１…第１電極（陽極）、  ２２…被覆部、  ２３…正孔注入輸送層、  ２４…発光層、  ２５…第２電極（陰極）、  ２８…バンク（隔壁）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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