(57)【要約】【課題】  ウェハ保持部を装置本体から取り外すことなく、ウェハ保持部を洗浄できるようにする。【解決手段】  半導体ウェハＷをウェハガイド４ａ、４ｂで支持させながら、半導体ウェハＷを薬液６内に浸漬させることにより、半導体ウェハの処理を行った後、ウェハアーム７を介して半導体ウェハＷを処理槽１外に搬出し、バルブＶ１を開くことにより、排出管Ｈ１を介して処理槽１内の薬液６を排出してから、バルブＶ３を開くことにより、配管Ｈ３を介してノズル５ａ、５ｂに洗浄液８を供給し、ノズル５ａ、５ｂから洗浄液８をウェハガイド４ａ、４ｂに向けて噴出させる。【選択図】      図１
2006229009.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハの処理を行う処理槽と、
前記処理槽内でウェハを保持するウェハ保持部と、
前記処理槽内で前記ウェハ保持部を洗浄する洗浄手段とを備えることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
前記洗浄手段は、
前記ウェハ保持部のウェハの接触面に洗浄液を噴出する洗浄液噴出手段を備えることを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置。
【請求項３】
ウェハの処理を行う処理槽と、
前記処理槽内にウェハを搬送するウェハ搬送部と、
前記処理槽内で前記ウェハ搬送部を洗浄する洗浄手段とを備えることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項４】
ウェハの処理を行う処理槽と、
前記処理槽内にウェハを搬送するウェハ搬送部と、
前記ウェハ搬送部が搬入される洗浄槽と、
前記洗浄槽内で前記ウェハ搬送部を洗浄する洗浄手段とを備えることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項５】
前記洗浄手段は、
前記ウェハ搬送部のウェハの接触面に洗浄液を噴出する洗浄液噴出手段と、
前記ウェハ搬送部のウェハの接触面に接触されるブラシとを備えることを特徴とする請求項４記載の半導体製造装置。
【請求項６】
ウェハを保持するウェハ保持部を処理槽内で洗浄する工程と、
前記洗浄されたウェハ保持部でウェハを保持させながら、前記処理槽内で前記ウェハの処理を行う工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
ウェハを搬送するウェハ搬送部を処理槽内で洗浄する工程と、
前記洗浄されたウェハ搬送部で前記ウェハを前記処理槽内に搬送する工程と、
前記洗浄されたウェハ搬送部にて前記ウェハを保持させたまま、前記処理槽内で前記ウェハの処理を行う工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
ウェハを搬送するウェハ搬送部を洗浄槽内で洗浄する工程と、
前記洗浄されたウェハ搬送部で前記ウェハを処理槽内に搬送する工程と、
前記洗浄されたウェハ搬送部にて前記ウェハを保持させたまま、前記処理槽内で前記ウェハの処理を行う工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体製造装置および半導体装置の製造方法に関し、特に、処理槽内でウェハを保持するウェハガイドの洗浄方法に適用して好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造プロセスでは、半導体ウェハの洗浄を行ったり、半導体ウェハの微細加工を行ったりするために、様々の薬液処理が行われている。この薬液処理では、薬液処理槽に溜められた薬液に半導体ウェハを浸漬させる方法があり、薬液処理槽内で半導体ウェハを保持するために、半導体ウェハを支持するためウェハガイドや半導体ウェハを搬送するためのウェハアームなどが用いられている。
【０００３】
また、例えば、特許文献１には、ウェハキャリアを洗浄するために、純水を充満させた洗浄槽内の固定装置にウェハキャリアを固定し、回転ブラシでウェハキャリアを擦る方法が開示されている。
【特許文献１】特開平９−２８３４７８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、薬液処理槽内で半導体ウェハを保持するウェハガイドやウェハアームは定常的に薬液に浸漬されているため、ウェハガイドやウェハアームの洗浄機構は設けられていなかった。このため、ウェハガイドやウェハアームが一旦汚染されると、その汚染が半導体ウェハに次々に転写され、大量の不良品を発生させる原因になるという問題があった。
【０００５】
また、特許文献１に開示された方法では、ウェハキャリアを洗浄するためには、純水を充満させた洗浄槽内の固定装置にウェハキャリアを固定させる必要がある。このため、半導体ウェハを保持するウェハガイドやウェハアームを洗浄するためには、ウェハガイドやウェハアームを装置本体から取り外す必要があり、製造ラインを長時間停止させる必要があることから、スループットの低下を招くという問題があった。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、ウェハ保持部を装置本体から取り外すことなく、ウェハ保持部を洗浄することが可能な半導体装置および半導体製造装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決するために、本発明の一態様に係る半導体製造装置によれば、ウェハの処理を行う処理槽と、前記処理槽内でウェハを保持するウェハ保持部と、前記処理槽内で前記ウェハ保持部を洗浄する洗浄手段とを備えることを特徴とする。
これにより、ウェハの処理を行う処理槽内でウェハ保持部を洗浄することが可能となり、装置本体からウェハ保持部を取り外すことなく、ウェハ保持部に付着したパーティクルなどを除去することができる。このため、製造ラインを長時間停止させることなく、ウェハ保持部を洗浄することができ、スループットの低下を抑制しつつ、ウェハの汚染を防止することができる。
【０００８】
また、本発明の一態様に係る半導体製造装置によれば、前記洗浄手段は、前記ウェハ保持部のウェハの接触面に洗浄液を噴出する洗浄液噴出手段を備えることを特徴とする。
これにより、処理槽内の汚染を抑制しつつ、ウェハ保持部を処理槽内で洗浄することができ、スループットの低下を抑制しつつ、ウェハの汚染を防止することができる。
また、本発明の一態様に係る半導体製造装置によれば、ウェハの処理を行う処理槽と、前記処理槽内にウェハを搬送するウェハ搬送部と、前記処理槽内で前記ウェハ搬送部を洗浄する洗浄手段とを備えることを特徴とする。
【０００９】
これにより、ウェハの処理を行う処理槽内でウェハ搬送部を洗浄することが可能となり、装置本体からウェハ搬送部を取り外すことなく、ウェハ搬送部に付着したパーティクルなどを除去することができる。このため、製造ラインを長時間停止させることなく、ウェハ搬送部を洗浄することができ、スループットの低下を抑制しつつ、ウェハの汚染を防止することができる。
【００１０】
また、本発明の一態様に係る半導体製造装置によれば、ウェハの処理を行う処理槽と、前記処理槽内にウェハを搬送するウェハ搬送部と、前記ウェハ搬送部が搬入される洗浄槽と、前記洗浄槽内で前記ウェハ搬送部を洗浄する洗浄手段とを備えることを特徴とする。
これにより、ウェハの処理を行う処理槽と、ウェハ搬送部を洗浄する洗浄槽と別個に設けることが可能となるとともに、ウェハを搬送するための搬送機構を利用することで、ウェハ搬送部を洗浄槽に搬入することができる。このため、装置本体からウェハ搬送部を取り外すことなく、ウェハ搬送部を洗浄することが可能となるとともに、ウェハ搬送部の洗浄によって処理槽が汚染させることを防止することができ、スループットの低下を抑制しつつ、ウェハの汚染を防止することができる。
【００１１】
また、本発明の一態様に係る半導体製造装置によれば、前記洗浄手段は、前記ウェハ搬送部のウェハの接触面に洗浄液を噴出する洗浄液噴出手段と、前記ウェハ搬送部のウェハの接触面に接触されるブラシとを備えることを特徴とする。
これにより、ウェハ搬送部の洗浄によって処理槽が汚染させることを防止することが可能となるとともに、洗浄液とブラシとを用いてウェハ搬送部を洗浄することが可能となり、ウェハ搬送部を効率よく洗浄することができる。
【００１２】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、ウェハを保持するウェハ保持部を処理槽内で洗浄する工程と、前記洗浄されたウェハ保持部でウェハを保持させながら、前記処理槽内で前記ウェハの処理を行う工程とを備えることを特徴とする。
これにより、装置本体からウェハ保持部を取り外すことなく、ウェハ保持部を洗浄することが可能となり、スループットの低下を抑制しつつ、ウェハの汚染を防止することができる。
【００１３】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、ウェハを搬送するウェハ搬送部を処理槽内で洗浄する工程と、前記洗浄されたウェハ搬送部で前記ウェハを前記処理槽内に搬送する工程と、前記洗浄されたウェハ搬送部にて前記ウェハを保持させたまま、前記処理槽内で前記ウェハの処理を行う工程とを備えることを特徴とする。
これにより、装置本体からウェハ搬送部を取り外すことなく、ウェハ搬送部を洗浄することが可能となり、スループットの低下を抑制しつつ、ウェハの汚染を防止することができる。
【００１４】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、ウェハを搬送するウェハ搬送部を洗浄槽内で洗浄する工程と、前記洗浄されたウェハ搬送部で前記ウェハを処理槽内に搬送する工程と、前記洗浄されたウェハ搬送部にて前記ウェハを保持させたまま、前記処理槽内で前記ウェハの処理を行う工程とを備えることを特徴とする。
これにより、装置本体からウェハ搬送部を取り外すことなく、ウェハ搬送部を洗浄することが可能となるとともに、ウェハ搬送部の洗浄によって処理槽が汚染させることを防止することができ、スループットの低下を抑制しつつ、ウェハの汚染を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態に係る半導体製造装置について図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体製造装置の概略構成を示す断面図である。
図１において、半導体製造装置には、半導体ウェハＷの処理を行う処理槽１が設けられている。ここで、処理槽１には、処理槽１内に貯留されている薬液６を循環させる配管Ｈ４が接続されている。また、処理槽１には、処理槽１内に貯留されている薬液６を排出する排出管Ｈ１が接続されている。さらに、配管Ｈ４には、配管Ｈ４を介して処理槽１に新しい薬液６を供給する供給管Ｈ２が接続されている。
【００１６】
また、配管Ｈ４には、配管Ｈ４内を循環する薬液６を押し出すポンプ２が設置され、ポンプ２の後段には、薬液６に含まれる不純物を濾過するフィルタ３が設けられている。また、排出管Ｈ１には、排出管Ｈ１内における薬液６の流れを遮断するバルブＶ１が設けられ、供給管Ｈ２には、供給管Ｈ２内における薬液６の流れを遮断するバルブＶ２が設けられている。
【００１７】
また、処理槽１内には、処理槽１内に搬入された半導体ウェハＷを保持するウェハガイド４ａ、４ｂが設置けられている。なお、ウェハガイド４ａ、４ｂには、半導体ウェハＷの端部を挿入するための溝が形成され、半導体ウェハＷの端部を両側から支持することで半導体ウェハＷを保持することができる。また、処理槽１内には、ウェハガイド４ａ、４ｂに洗浄液８をそれぞれ噴出するノズル５ａ、５ｂが設けられるとともに、ノズル５ａ、５ｂには、洗浄液８を供給する配管Ｈ３が接続され、配管Ｈ３には、配管Ｈ３内における洗浄液８の流れを遮断するバルブＶ３が設けられている。
【００１８】
また、処理槽１上には、半導体ウェハＷを搬送するウェハアーム７が設けられ、ウェハアーム７は上下左右に移動できるように構成されている。
そして、処理槽１にて半導体ウェハＷの処理を行う場合、図１（ａ）に示すように、ウェハアーム７を介して半導体ウェハＷを処理槽１内に搬入する。そして、半導体ウェハＷが処理槽１内に搬入されると、図１（ｂ）に示すように、半導体ウェハＷをウェハガイド４ａ、４ｂで支持させながら、半導体ウェハＷを薬液６内に浸漬させることにより、半導体ウェハの処理を行うことができる。
【００１９】
なお、処理槽１で行われる半導体ウェハＷの処理としては、薬液処理や純水処理などを挙げることができ、例えば、半導体ウェハＷに形成されたレジストの現像処理および剥離処理、半導体ウェハのウェットエッチング処理、半導体ウェハＷの洗浄処理などを挙げることができる。
そして、処理槽１内において半導体ウェハＷの処理が完了すると、図１（ｃ）に示すように、ウェハアーム７を介して半導体ウェハＷを処理槽１外に搬出する。そして、半導体ウェハＷが処理槽１外に搬出されると、バルブＶ１を開くことにより、排出管Ｈ１を介して処理槽１内の薬液６を排出する。そして、バルブＶ３を開くことにより、配管Ｈ３を介してノズル５ａ、５ｂに洗浄液８を供給し、ノズル５ａ、５ｂから洗浄液８をウェハガイド４ａ、４ｂに向けて噴出させる。
【００２０】
これにより、半導体ウェハＷの処理を行う処理槽１内でウェハガイド４ａ、４ｂを洗浄することが可能となり、処理槽１からウェハガイド４ａ、４ｂを取り外すことなく、ウェハガイド４ａ、４ｂに付着したパーティクルなどを除去することができる。このため、製造ラインを長時間停止させることなく、ウェハガイド４ａ、４ｂを洗浄することができ、スループットの低下を抑制しつつ、半導体ウェハＷの汚染を防止することができる。
【００２１】
図２は、本発明の第２実施形態に係る半導体製造装置の概略構成を示す断面図である。
図２において、半導体製造装置には、半導体ウェハＷの処理を行う処理槽１１が設けられている。ここで、処理槽１１には、処理槽１１内に貯留されている薬液１６を循環させる配管Ｈ１４が接続されている。また、処理槽１１には、処理槽１１内に貯留されている薬液１６を排出する排出管Ｈ１１が接続されている。さらに、配管Ｈ１４には、配管Ｈ１４を介して処理槽１１に新しい薬液１６を供給する供給管Ｈ１２が接続されている。
【００２２】
また、配管Ｈ１４には、配管Ｈ１４内を循環する薬液１６を押し出すポンプ１２が設置され、ポンプ１２の後段には、薬液１６に含まれる不純物を濾過するフィルタ１３が設けられている。また、排出管Ｈ１１には、排出管Ｈ１１内における薬液１６の流れを遮断するバルブＶ１１が設けられ、供給管Ｈ１２には、供給管Ｈ１２内における薬液１６の流れを遮断するバルブＶ１２が設けられている。
【００２３】
また、処理槽１１上には、半導体ウェハＷを搬送するウェハアーム１７ａ、１７ｂが設けられ、ウェハアーム１７ａ、１７ｂは上下左右に移動できるように構成されている。なお、ウェハアーム１７ａ、１７ｂには、半導体ウェハＷの端部を挿入するための溝が形成され、半導体ウェハＷの端部を両側から支持することで半導体ウェハＷを保持することができる。また、処理槽１１内には、ウェハアーム１７ａ、１７ｂに洗浄液１８をそれぞれ噴出するノズル１５ｂ、１５ａが設けられるとともに、ノズル１５ｂ、１５ａには、洗浄液１８を供給する配管Ｈ１３が接続され、配管Ｈ１３には、配管Ｈ１３内における洗浄液１８の流れを遮断するバルブＶ１３が設けられている。
【００２４】
そして、処理槽１１にて半導体ウェハＷの処理を行う場合、図２（ａ）に示すように、ウェハアーム１７ａ、１７ｂを介して半導体ウェハＷを処理槽１１上に搬送する。そして、半導体ウェハＷが処理槽１１上に搬送されると、図２（ｂ）に示すように、半導体ウェハＷを保持させたままウェハアーム１７ａ、１７ｂを下降させ、半導体ウェハＷを処理槽１１内に搬入する。そして、半導体ウェハＷが処理槽１１内に搬入されると、半導体ウェハＷをウェハアーム１７ａ、１７ｂで支持させながら、半導体ウェハＷを薬液１６内に浸漬させることにより、半導体ウェハの処理を行うことができる。
【００２５】
そして、処理槽１１内において半導体ウェハＷの処理が完了すると、図２（ｃ）に示すように、ウェハアーム１７ａ、１７ｂを介して半導体ウェハＷを処理槽１１外に搬出する。そして、半導体ウェハＷが処理槽１１外に搬出されると、半導体ウェハＷが保持されない状態でウェハアーム１７ａ、１７ｂを処理槽１１内に搬入させる。そして、ウェハアーム１７ａ、１７ｂが処理槽１１内に搬入されると、バルブＶ１１を開くことにより、排出管Ｈ１１を介して処理槽１１内の薬液１６を排出する。そして、処理槽１１内の薬液１６が排出されると、バルブＶ１３を開くことにより、配管Ｈ１３を介してノズル１５ａ、１５ｂに洗浄液１８を供給し、ノズル１５ｂ、１５ａから洗浄液１８をウェハアーム１７ａ、１７ｂに向けて噴出させる。
【００２６】
これにより、半導体ウェハＷの処理を行う処理槽１１内でウェハアーム１７ａ、１７ｂを洗浄することが可能となり、装置本体からウェハアーム１７ａ、１７ｂを取り外すことなく、ウェハアーム１７ａ、１７ｂに付着したパーティクルなどを除去することができる。このため、製造ラインを長時間停止させることなく、ウェハアーム１７ａ、１７ｂを洗浄することができ、スループットの低下を抑制しつつ、半導体ウェハＷの汚染を防止することができる。
【００２７】
図３は、本発明の第３実施形態に係る半導体製造装置の概略構成を示す断面図である。
図３において、半導体製造装置には、半導体ウェハＷの処理を行う処理槽２１が設けられるとともに、半導体ウェハＷを搬送するウェハアーム２７ａ、２７ｂを洗浄する洗浄槽３１が設けられている。
ここで、処理槽２１には、処理槽２１内に貯留されている薬液２６を循環させる配管Ｈ２４が接続されている。また、処理槽２１には、処理槽２１内に貯留されている薬液２６を排出する排出管Ｈ１１が接続されている。さらに、配管Ｈ２４には、配管Ｈ２４を介して処理槽２１に新しい薬液２６を供給する供給管Ｈ２２が接続されている。
【００２８】
また、配管Ｈ２４には、配管Ｈ２４内を循環する薬液２６を押し出すポンプ２２が設置され、ポンプ２２の後段には、薬液２６に含まれる不純物を濾過するフィルタ２３が設けられている。また、排出管Ｈ２１には、排出管Ｈ２１内における薬液２６の流れを遮断するバルブＶ２１が設けられ、供給管Ｈ２２には、供給管Ｈ２２内における薬液２６の流れを遮断するバルブＶ２２が設けられている。
【００２９】
また、処理槽２１上には、半導体ウェハＷを搬送するウェハアーム２７ａ、２７ｂが設けられ、ウェハアーム２７ａ、２７ｂは上下左右に移動できるように構成されている。なお、ウェハアーム２７ａ、２７ｂには、半導体ウェハＷの端部を挿入するための溝が形成され、半導体ウェハＷの端部を両側から支持することで半導体ウェハＷを保持することができる。
【００３０】
また、洗浄槽３１内には、ウェハアーム２７ａ、２７ｂに洗浄液２８をそれぞれ噴出するノズル３２ｂ、３２ａが設けられるとともに、ノズル３２ｂ、３２ａには、洗浄液３４を供給する配管Ｈ３１が接続され、配管Ｈ３１には、配管Ｈ３１内における洗浄液３４の流れを遮断するバルブＶ３１が設けられている。さらに、洗浄槽３１内には、ウェハアーム２７ａ、２７ｂに接触してウェハアーム２７ａ、２７ｂを洗浄する回転ブラシ３３ａ、３３ｂが設けられている。また、洗浄槽３１には、洗浄槽３１内に溜まった洗浄槽３１を排出する排出管Ｈ３２が接続されるとともに、排出管Ｈ３２には、排出管Ｈ３２内における洗浄槽３１の流れを遮断するバルブＶ３２が設けられている。
【００３１】
そして、処理槽２１にて半導体ウェハＷの処理を行う場合、図３（ａ）に示すように、ウェハアーム２７ａ、２７ｂを介して半導体ウェハＷを処理槽２１を処理槽２１内に搬入する。そして、半導体ウェハＷが処理槽２１内に搬入されると、半導体ウェハＷをウェハアーム２７ａ、２７ｂで支持させながら、半導体ウェハＷを薬液２６内に浸漬させることにより、半導体ウェハの処理を行うことができる。
【００３２】
そして、処理槽２１内において半導体ウェハＷの処理が完了すると、図３（ｂ）に示すように、ウェハアーム２７ａ、２７ｂを介して半導体ウェハＷを処理槽２１外に搬出する。そして、半導体ウェハＷが処理槽２１外に搬出されると、半導体ウェハＷが保持されない状態でウェハアーム２７ａ、２７ｂを洗浄槽３１内に搬入させる。そして、ウェハアーム２７ａ、２７ｂが洗浄槽３１内に搬入されると、バルブＶ３２を開くことにより、配管Ｈ３２を介してノズル３２ａ、３２ｂに洗浄液３４を供給し、ノズル３２ｂ、３２ａから洗浄液３４をウェハアーム２７ａ、２７ｂに向けて噴出させるとともに、回転ブラシ３３ａ、３３ｂを回転させながら、回転ブラシ３３ａ、３３ｂをウェハアーム２７ａ、２７ｂに接触させる。
【００３３】
これにより、半導体ウェハＷの処理を行う処理槽２１と、ウェハアーム２７ａ、２７ｂを洗浄する洗浄槽３１と別個に設けることが可能となるとともに、半導体ウェハＷを搬送するための搬送機構を利用することで、ウェハアーム２７ａ、２７ｂを洗浄槽３１に搬入することができる。このため、装置本体からウェハアーム２７ａ、２７ｂを取り外すことなく、ウェハアーム２７ａ、２７ｂを洗浄することが可能となるとともに、ウェハアーム２７ａ、２７ｂの洗浄によって処理槽２１が汚染させることを防止することができ、スループットの低下を抑制しつつ、半導体ウェハＷの汚染を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体製造装置の概略構成を示す断面図。
【図２】本発明の第２実施形態に係る半導体製造装置の概略構成を示す断面図。
【図３】本発明の第３実施形態に係る半導体製造装置の概略構成を示す断面図。
【符号の説明】
【００３５】
Ｗ  ウェハ、１、１１、２１  処理槽、２、１２、２２  ポンプ、３、１３、２３  フィルタ、４ａ、４ｂ  ウェハガイド、５ａ、５ｂ、１５ａ、１５ｂ、３２ａ、３２ｂ  ノズル、６、１６、２６  薬液、７ａ、７ｂ、１７ａ、１７ｂ、２７ａ、２７ｂ  ウェハアーム、８、１８、３４  洗浄液、Ｈ１〜Ｈ４、Ｈ１１〜Ｈ１４、Ｈ２１、Ｈ２２、Ｈ２４、Ｈ３１、Ｈ３２  配管、Ｖ１〜Ｖ３、Ｖ１１〜Ｖ１３、Ｖ２１、Ｖ２２、Ｖ３１、Ｖ３２  バルブ、３１  洗浄槽、３３ａ、３３ｂ  回転ブラシ
【図１】
2006229009.tif 000003
【図２】
2006229009.tif 000004
【図３】
2006229009.tif 000005