(57)【要約】【課題】封止を確実に行う。【解決手段】四角枠状の不透明領域１４が形成された封止基板１２上に、フォトリソグラフィーによって、二重枠状のピラー７０を形成する。そして、このピラー７０間に位置する不透明領域１４にレーザを照射して、その部分を加熱して、ピラー７０で両側を支持した状態で、ガラスを盛り上がらせ溶接する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示画素がマトリクス状に形成された表示領域とこの表示領域を取り囲む周辺領域を有する画素基板と、前記画素基板と所定間隔をおいて対向配置した封止基板を含む表示パネルの製造方法であって、
前記画素基板又は前記封止基板のうちいずれか一方の基板はレーザを透過する材料で形成されており、他方の基板の周辺領域はレーザを吸収する吸収体領域を有し、
前記他方の基板の吸収体領域上に一対のピラーを形成し、
前記一方の基板の周辺領域を介し、前記他方の基板の前記一対のピラー間の吸収体領域にレーザを照射することで、前記他方の基板の吸収体領域を加熱し、
これによって他方の基板の吸収体領域を、前記ピラー間において前記一方の基板に向けて盛り上がらせて、前記画素基板と封止基板とを周辺部分で溶接封止して両基板で挟まれる空間を密閉することを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の表示パネルの製造方法において、
前記ピラーは、フォトリソグラフィーによって形成されることを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の表示パネルの製造方法において、
前記他方の基板の吸収体領域は、その基板への不透明物質のドープにより形成されることを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１つに記載の表示パネルの製造方法において、
前記レーザを透過する材料はガラスまたは樹脂フィルムであることを特徴とする表示パネルの製造方法。
【請求項５】
表示画素がマトリクス状に形成された表示領域とこの表示領域を取り囲む周辺領域を有する画素基板と、前記画素基板と所定間隔をおいて対向配置した封止基板を含む表示パネルであって、
前記画素基板又は前記封止基板のうちいずれか一方の基板はレーザを透過する材料からなっており、他方の基板の周辺領域はレーザを吸収する吸収体領域を有し、
前記他方の基板の吸収体領域上に一対のピラーを備え、
前記吸収体領域を、前記ピラー間において前記一方の基板に向けて盛り上がった部分で、前記画素基板と封止基板とを溶接封止された両基板で挟まれる空間が密閉されていることを特徴とする表示パネル。
【請求項６】
請求項５に記載の表示パネルにおいて、
前記ピラーは、フォトリソグラフィーによって形成されることを特徴とする表示パネル。
【請求項７】
請求項５に記載の表示パネルにおいて、
前記他方の基板の吸収体領域は、その基板への不透明物質のドープにより形成されることを特徴とする表示パネル。
【請求項８】
請求項５〜７のいずれか１つに記載の表示パネルにおいて、
前記レーザを透過する材料はガラスまたは樹脂フィルムであることを特徴とする表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示パネルなどの表示パネルの製造、特にその封止の構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄型のフラットディスプレイパネルとして、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）などが普及しており、有機ＥＬパネルも実用化されるようになってきている。
【０００３】
この有機ＥＬパネルでは、各画素の発光材料などに有機物質を利用し、この有機材料が水分を含むとその寿命が短くなるため、各画素の存在する空間の水分をなるべく少なくする必要がある。そこで、ＥＬ素子を含む表示画素がマトリクス状に形成されたＥＬ基板（画素基板）に対応して、封止基板を所定間隔をおいて対向させ、これら基板の周辺部分を樹脂製のシール材によって気密に封止し、内部に水分が侵入しないようにすると共に、内部空間には、乾燥剤を収容し、水分を除去している。
【０００４】
ここで、シール材としては、エポキシ系の紫外線硬化樹脂などが用いられているが、さらに気密性を向上させることが望まれている。
【０００５】
ここで、ＥＬ基板、封止基板には、通常、ガラス基板が使用され、ガラス同士の接合には、ガラスを加熱溶融させて接合する手法がある。このガラスによる封止を利用すれば、樹脂のシール材による封止に比べより機密性の高い封止が行えると考えられる。特に、レーザ光を用いるガラスの溶接を用いれば、ガラス基板の周辺部を接合できると考えられる。なお、レーザ光を利用したガラスの接合については、特許文献１などに記載されている。
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−１７０２９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ここで、この特許文献１では、ガラスの表面にレーザを吸収する吸収材層に照射し、これによってガラスを溶解している。従って、溶解するガラスの範囲を正確に決定することが難しく、周辺の溶接部分にかなりの余裕を持つ必要があった。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、表示画素がマトリクス状に形成された表示領域とこの表示領域を取り囲む周辺領域を有する画素基板と、前記画素基板と所定間隔をおいて対向配置した封止基板を含む表示パネルの製造方法であって、前記画素基板又は前記封止基板のうちいずれか一方の基板はレーザを透過する材料で形成されており、他方の基板の周辺領域はレーザを吸収する吸収体領域を有し、前記他方の基板の吸収体領域上に一対のピラーを形成し、前記一方の基板の周辺領域を介し、前記他方の基板の前記一対のピラー間の吸収体領域にレーザを照射することで、前記他方の基板の吸収体領域を加熱し、これによって他方の基板の吸収体領域を、前記ピラー間において前記一方の基板に向けて盛り上がらせて、前記画素基板と封止基板とを周辺部分で溶接封止して両基板で挟まれる空間を密閉することを特徴とする。
【０００９】
また、前記ピラーは、フォトリソグラフィーによって形成されることが好適である。
【００１０】
また、前記他方の基板の吸収体領域は、その基板への不透明物質のドープにより形成されることが好適である。
【００１１】
また、前記レーザを透過する材料はガラスまたは樹脂フィルムであることが好適である。
【００１２】
また、本発明は、表示画素がマトリクス状に形成された表示領域とこの表示領域を取り囲む周辺領域を有する画素基板と、前記画素基板と所定間隔をおいて対向配置した封止基板を含む表示パネルであって、前記画素基板又は前記封止基板のうちいずれか一方の基板はレーザを透過する材料からなっており、他方の基板の周辺領域はレーザを吸収する吸収体領域を有し、前記他方の基板の吸収体領域上に一対のピラーを備え、前記吸収体領域を、前記ピラー間において前記一方の基板に向けて盛り上がった部分で、前記画素基板と封止基板とを周辺部分で溶接封止された両基板で挟まれる空間が密閉されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、レーザ照射による溶接封止によって、画素基板と封止基板を接合する。従って、小さな面積で、確実が封止が行え、実際に表示が行える表示領域を大きくとることができ、ディスプレイのサイズを小さくできる。また、溶接によるため、水分の侵入を確実に防止することができ、内部に封入する乾燥剤の量を減少またはなしにできる。そして、レーザ照射により盛り上がる接合部分について、これを支持するピラーが存在する。そこで、溶接位置を正確に決定することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について、図面に基づいて説明する。
【００１５】
図１には、実施形態に係る基板の接合について示してある。ガラス製の封止基板１２の周辺の溶接封止を行う部分には、不透明のガラスなどレーザを吸収する不透明領域（吸収体領域）１４が設けられている。例えば、封止基板１２は、イオン注入や、イオン交換法によって、金属をドープすることによって不透明になり、レーザ光を吸収する吸収体領域として機能する不透明領域１４が形成される。ここで、イオン交換法は、パターニングしたレジストを封止基板１２に形成し、所定の金属を含む溶液に浸して封止基板１２内のイオン（例えば、ナトリウム）をイオン交換させ、金属を封止基板１２中に拡散することによって行う。なお、いずれの方法においても、図に示すように、封止基板１２の厚み方向全域を不透明に形成することもできるが、封止基板１２の表面部分のみ、表面から所定の深さまでを不透明にしてもよい。
【００１６】
また、封止基板１２上に吸収体領域として機能する不透明領域１４を形成することも可能である。例えば、封止基板１２上に、真空蒸着、ＣＶＤ（化学的気相成長法）、スパッタにより金属などの不透明物質を積層したり、有色塗料を塗布して不透明領域１４を形成してもよい。さらに、このような不透明領域１４は、それを形成したい領域に溝を設け、この溝の中に形成してもよい。
【００１７】
なお、本実施形態では、吸収体として用いる金属として銅を採用しているが、不透明にできれば銀、鉄など他の金属を採用してもよい。封止基板１２の光透過率は、例えば５５０ｎｍの光で、１〜２％程度が好ましい。１％以下にすると、金属ドープ量が非常に多くなり、現実的ではなく、８％以上では光吸収が少なく、十分な加熱ができない。また、金属以外の吸収体においても同様のことがいえる。
【００１８】
そして、この周辺部に四角枠状の不透明領域１４を有する封止基板１２の表面（全面）にレジスト１６を積層する（ａ）。なお、この四角枠は完全に閉じている必要はなく、所々途切れていてもよい。
【００１９】
次に、マスク１８を用いて、レジスト１６を露光する。図示の例では、ポジ型のレジスト１６を用いており、マスク１８は、不透明領域１４上のレジスト１６における二重の四角枠状の部分が露光されないようにする（ｂ）。
【００２０】
露光が終了したら、エッチングによって、露光されている部分を除去し、二重の四角枠状のピラー７０を封止基板１２上の周辺部に形成する（ｃ）。このように、ピラーは、フォトリソグラフィーによって形成される。なお、このピラー７０は、連続している必要はなく、断続的なものでもよく、マスクも被透過部分が断続的に形成されたものでよい。また、ピラー７０の高さは、６〜１０μｍ、好ましくは８μｍ程度になるようにする。
【００２１】
そして、画素のマトリクスが形成されたＥＬ基板１０を封止基板１２上のピラー７０上にセットする。そして、この状態で、封止基板１２の不透明領域１４であって、ピラー７０の間の領域に、ＥＬ基板１０側からレーザを照射する（ｄ）。このレーザは、ＹＡＧレーザ（１０６１ｎｍ）であれば１０〜５０Ｗ程度、炭酸ガスレーザ（１０．６μｍ）であれば５００Ｗ程度が採用される。
【００２２】
これによって、封止基板１２の不透明領域１４において、光が吸収され、この部分が加熱溶融する。ここで、この不透明領域１４は、６００〜７００℃程度まで加熱することが好適であり、これによって不透明領域１４が溶融してこの部分が接合部７２としてピラー７０の間で盛り上がる。そして、接合部７２の上端がＥＬ基板（画素基板）１０に接触し、ここで溶接される。なお、レーザ光は、通常のスポット状のものを用い、スポットをスキャンすることで、ＥＬ基板１０と、封止基板１２とをその周辺部で溶接により封止する。
【００２３】
このようにして、レーザを利用したガラス溶接によって、ＥＬ基板１０と、封止基板１２を溶接することができる。レーザ照射によれば、溶接部分のみが加熱されるため、封止による内部空間がほとんど加熱されず、内部空間の温度と外部空間の温度があまり変化しない。従って、封止後における内部空間の圧力を適切なものに設定しやすい。また、この封止は、実質的に水分のない窒素雰囲気で行われ、ガラス溶接による封止は、非常に気密状態が高いため、その後の大気中における使用状態においても水分が内部空間に侵入してくる可能性が低い。そこで、内部に乾燥剤を収容しなくてもよく、また収容する場合でも、その量を非常に少ない量にできる。さらに、このレーザを利用したガラス溶接を用いた場合、ＥＬ基板１０と封止基板１２の接合部分の幅が小さくてよく、また接合によって接触面積が広がるわけでもない。従って、ＥＬ基板の周辺部分の封止用の領域の面積を小さくすることができ、表示パネルを小型化することができる。
【００２４】
特に、本実施形態では、接合部７２は、ピラー７０で両側が支持されている。従って、接合部７２の位置を正確なものとして、ＥＬ基板１０と封止基板１２を溶接することができる。
【００２５】
なお、本実施形態では、封止基板１２における不透明領域１４は、封止基板１２の周辺部分のみに設けられ、ＥＬ基板の表示領域に対応する部分は、透明である。従って、封止基板１２から光を射出することができ、ＥＬ基板１０をトップエミッションタイプとすることができる。
【００２６】
なお、ボトムエミッションとするのであれば、封止基板１２の全体を不透明領域１４としても構わない。
【００２７】
また、ピラー７０内の接合部７２が加熱状態になり盛り上がるのであるが、レーザはスポット上であり、ピラー７０の表面に接触する接合部７２の表面温度は、それほど高くならない。このため、ピラー７０は、通常のアクリル系などの樹脂レジストを用いて構成すれば問題ない。
【００２８】
図２には、１つのガラス基板に複数（この場合は６つ）の封止基板１２を設けた状態を示してある。このように、１枚のガラス基板に、四角枠状の不透明領域１４を所定間隔をおいて形成する。一方、ＥＬ基板１０も同様の１枚のガラス基板に複数形成する。そして、両者を貼り合わせた後、レーザカッターによって、それぞれの表示パネルを切り離すことで、複数のＥＬ基板１０を同一工程で一緒に作製することができ、貼り合わせ、カットも１つの工程として効率的に行うことができる。
【００２９】
図３には、不透明領域１４を表示領域における画素毎の不要部分におけるブラックマトリクスとしても利用する例を示している。このように、この例では、ＥＬ基板１０に形成される各画素の境界に対応してブラックマトリクス２０を不透明領域１４と同様にして形成している。これによって、画素毎の区切りが明確になり、より鮮明な表示が行える。また、不透明領域１４を形成する際にブラックマトリクス２０を一緒に形成することができ、工程を増加する必要がない。
【００３０】
なお、本実施形態では、封止基板１２の周辺領域に吸収体領域を形成し、ここにピラー７０を設けたが、画素基板１０の周辺領域に吸収体領域を設けてもよい。この場合、封止基板１２は、レーザを照射する周辺領域もレーザが透過するように透明である必要がある。
【００３１】
図４は、一画素の発光領域と駆動ＴＦＴの部分の構成を示す断面図である。なお、各画素には、複数のＴＦＴがそれぞれ設けられ、駆動ＴＦＴは、電源ラインから有機ＥＬ素子へ供給する電流を制御するＴＦＴである。ガラス基板３０上には、ＳｉＮとＳｉＯ2の積層からなるバッファ層１１が全面に形成され、その上に所定のエリア（ＴＦＴを形成するエリア）にポリシリコンの能動層２２が形成される。
【００３２】
能動層２２およびバッファ層１１を覆って全面にゲート絶縁膜１３が形成される。このゲート絶縁膜１３は、例えばＳｉＯ2およびＳｉＮを積層して形成される。このゲート絶縁膜１３上方であって、チャネル領域２２ｃの上に例えばＣｒのゲート電極２４が形成される。そして、ゲート電極２４をマスクとして、能動層２２へ不純物をドープすることで、この能動層２２には、中央部分のゲート電極の下方に不純物がドープされていないチャネル領域２２ｃ、その両側に不純物のドープされたソース領域２２ｓおよびドレイン領域２２ｄが形成される。
【００３３】
そして、ゲート絶縁膜１３およびゲート電極２４を覆って全面に層間絶縁膜１５が形成され、この層間絶縁膜１５内部のソース領域２２ｓ、ドレイン領域２２ｄの上部にコンタクトホールが形成され、このコンタクトホールを介し、層間絶縁膜１５の上面に配置されるソース電極５３、およびドレイン電極２６が形成される。なお、ソース電極５３には、電源ライン（図示せず）が接続される。ここで、このようにして形成された駆動ＴＦＴは、この例ではｐチャネルＴＦＴであるが、ｎチャネルとすることもできる。
【００３４】
層間絶縁膜１５およびソース電極５３、ドレイン電極２６を覆って、全面に平坦化膜１７が形成され、この平坦化膜１７の上面の発光領域の位置には、Ａｇなどからなる反射膜６９が形成され、その上に陽極として機能する透明電極６１が設けられる。また、ドレイン電極２６の上方の平坦化膜１７には、これらを貫通するコンタクトホールが形成され、このコンタクトホールを介し、ドレイン電極２６と透明電極６１が接続される。
【００３５】
なお、層間絶縁膜１５および平坦化膜１７には、通常アクリル樹脂などの有機膜が利用されるが、ＴＥＯＳなどの無機膜を利用することも可能である。また、ソース電極５３、ドレイン電極２６は、アルミなどの金属が利用され、透明電極６１には通常ＩＴＯが利用される。
【００３６】
この透明電極６１は、通常各画素の大部分の領域に形成され、全体としてほぼ四角形状で、ドレイン電極２６との接続用のコンタクト部分が突出部として形成されており、コンタクトホール内にものびている。反射膜６９は、透明電極６１より若干小さく形成されている。
【００３７】
この透明電極６１の上には、全面に形成されたホール輸送層６２、発光領域より若干大きめに形成された有機発光層６３、全面に形成された電子輸送層６４からなる有機層６５と、全面に形成された透明（例えば、ＩＴＯ）の対向電極６６が陰極として形成されている。
【００３８】
透明電極６１の周辺部分上のホール輸送層６２の下方には、平坦化膜６７が形成されており、この平坦化膜６７によって、各画素の発光領域が透明電極６１上であって、ホール輸送層６２が透明電極６１に直接接している部分が限定され、ここが発光領域となる。なお、平坦化膜６７にも、通常アクリル樹脂などの有機膜が利用されるがＴＥＯＳなどの無機膜を利用することも可能である。
【００３９】
なお、ホール輸送層６２、有機発光層６３、電子輸送層６４には、有機ＥＬ素子に通常利用される材料が使用され、有機発光層６３の材料（通常はドーパント）によって、発光色が決定される。例えば、ホール輸送層６２にはＮＰＢ、赤色の有機発光層６３にはＴＢＡＤＮ＋ＤＣＪＴＢ、緑色の有機発光層６３にはＡｌｑ3＋ＣＦＤＭＱＡ、青色の有機発光層６３にはＴＢＡＤＮ＋ＴＢＰ、電子輸送層６４にはＡｌｑ3等が用いられる。
【００４０】
このような構成において、ゲート電極２４の設定電圧に応じて、駆動ＴＦＴがオンすると、電源ラインからの電流が、透明電極６１から対向電極６６に流れ、この電流によって有機発光層６３において、発光が起こり、この光が、対向電極６６を通過し、また反射電極６９で反射され、図における上方に射出される。
【００４１】
そして、封止基板１２におけるＥＬ基板１０の各画素の発光領域以外の部分に対向して、ブラックマトリクス２０が設けられている。従って、となりの画素の発光領域からの光が混入して表示が不鮮明になることを効果的に防止することができる。
【００４２】
また、トップエミッションタイプとすることによって、ＴＦＴの上方にも発光領域を形成することができ、複数のＴＦＴを設けた画素回路を利用しても、開口率（発光領域の割合）を大きくして明るいパネルを容易に形成することができる。
【００４３】
図３、４に示すように、トップエミッションタイプとした場合、選択ＴＦＴ１、駆動ＴＦＴ２、各種ラインを画素領域の下に形成することができ、そしてブラックマトリクス２０によって、鮮明な表示を維持することができる。
【００４４】
ここで、ＥＬ基板１０は、その大部分が表示画素がマトリクス状に配置された表示領域となっており、周辺部分にドライバなどが配置されている。そして、図５に示すように、映像信号や電源などは外部から供給されるため、外部との接続用の端子部９０を有している。この端子部９０は、外部との接続を行う複数のパッド部分からなっており、このパッド部分には、内側の回路との電気的接続を行う複数の配線部が接続されている。
【００４５】
そして、この端子部９０におけるパッドやそこに接続される配線部分は、通常アルミなどの金属で形成されているが、この端子部９０におけるレーザを透過させる部分については、透明導体であるＩＴＯで形成されている。
【００４６】
従って、図６に示すように、レーザ光は端子部９０においても、ＥＬ基板１０を透過し、封止基板１２に照射され、このレーザ照射領域が加熱され、封止部１８が盛り上がり、両基板１０、１２がガラス溶接によって封止される。
【００４７】
図７には、ＥＬ基板１０における回路の概略構成が示してある。周辺回路として水平ドライバ４０と、垂直ドライバ４２が設けられており、その内側が表示領域になっている。水平ドライバ４０からはデータラインＤＬと、電源ラインＰＬが各列の画素に対応して垂直方向に設けられ、垂直ドライバ４２からは、各行の画素に対応してゲートラインＧＬが水平方向に設けられている。なお、電源電圧、動作クロック、映像データは外部から端子部を介し、水平ドライバ４０、垂直ドライバ４２に供給される。
【００４８】
各画素には、ｎチャネルの選択ＴＦＴ１、ｐチャネルの駆動ＴＦＴ２、保持容量３、有機ＥＬ素子４が設けられている。選択ＴＦＴ１は、ドレインがデータラインＤＬ、ゲートがゲートラインＧＬ、ソースが駆動ＴＦＴ２のゲートに接続されている。また、この駆動ＴＦＴ２のゲートには、保持容量ＳＣの一端が接続され、保持容量ＳＣの他端は、所定電位のＳＣ容量ラインに接続されている。駆動ＴＦＴ２のソースは電源ラインＰＬに接続され、ドレインは有機ＥＬ素子４のアノードに接続されている。そして、有機ＥＬ素子４のカソードが低電圧のカソード電源に接続されいる。
【００４９】
そして、ゲートラインＧＬをＨ（Ｈｉｇｈ）レベルとすることで、その行の選択ＴＦＴ１がオンになり、その状態で、データラインＤＬにデータ電圧をセットすることで、その電圧が保持容量ＳＣに保持され、駆動ＴＦＴ２がデータ電圧に対応した電流を電源ラインＰＬから有機ＥＬ素子４に流し、データ電圧に応じた発光が生起される。
【００５０】
そして、図において、太線で示したように、封止部１８が周辺部に四角枠状に形成される。特に、この封止部１８は、端子部９０の上方にも形成される。しかし、上述のように、封止部１８に対応する端子部９０の導体は透明なＩＴＯや、ＩＺＯで形成されている。従って、この部分においてもレーザはＥＬ基板１０を透過することができる。
【００５１】
図８には、端子部９０における構成例が示してある。この例では、レーザを透過させたい導体部分８０のみをＩＴＯで形成し、その他の導体部分８２はアルミで形成している。すなわち、アルミ配線の導体部分８０のレーザ透過部分のみを切断しておき、この部分を覆ってＩＴＯの導体部分８０を形成することで電気的接続を維持している。
【００５２】
なお、上述の説明では、端子部９０において、レーザ透過部分を設けたが、端子部に至る配線部分にレーザ透過部を設ける場合にも同様にＩＴＯなど透明導体を用いて構成できる。
【００５３】
なお、ＥＬ基板１０の端子部９０など配線部分において、レーザ光を透過させ、封止基板１０の透明部分を加熱できる構成であれば、上述のような構成に限らず、金属配線をメッシュ状にして部分的にレーザを透過させたり、厚みを薄くして半透明にしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】レーザ照射を示す図である。
【図２】封止基板の構成を示す図である。
【図３】ブラックマトリクスを形成した封止基板を示す図である。
【図４】一画素分の構成を示す図である。
【図５】端子部を有するＥＬ基板の構成を示す図である。
【図６】端子部に対するレーザ照射を示す図である。
【図７】ＥＬ基板における回路の概略構成を示す図である。
【図８】端子部の構成例を示す図である。
【符号の説明】
【００５５】
１  選択ＴＦＴ、２  駆動ＴＦＴ、３  保持容量、４  有機ＥＬ素子、１０  ＥＬ基板、１１  バッファ層、１２  封止基板、１３  ゲート絶縁膜、１４  不透明領域、１５  層間絶縁膜、１６  レジスト、１７，６７  平坦化膜、１８  マスク、２０  ブラックマトリクス、２２  能動層、２２ｃ  チャネル領域、２２ｄ  ドレイン領域、２２ｓ  ソース領域、２４  ゲート電極、２６  ドレイン電極、３０  ガラス基板、４０  水平ドライバ、４２  垂直ドライバ、５３  ソース電極、６１  透明電極、６２  ホール輸送層、６３  有機発光層、６４  電子輸送層、６５  有機層、６６  対向電極、６９  反射膜、７０  ピラー、７２  接合部、ＤＬ  データライン、ＧＬ  ゲートライン、ＰＬ  電源ライン、ＳＣ  保持容量。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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