(57)【要約】【課題】半導体テスタのデバイスパワーサプライ制御方法とその装置を提供する。【解決手段】本発明による半導体デバイスをテストする装置は、テストコントローラの制御に応答して前記半導体デバイスに供給される電源を発生する電源供給部と、前記テストコントローラの制御に応答して前記電源を前記半導体デバイスに伝達する電圧伝達部と、前記電源供給部と出力から過度に電流が供給されるか否かを検出する過電流検出部とを含む。特に、前記電圧伝達部は前記過電流検出部の出力に応答して前記テストコントローラの介入なしに前記半導体デバイスへの電源供給を遮断するように構成される。【選択図】図３
2006162610.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスをテストする装置において、
テストコントローラの制御に応答して前記半導体デバイスに供給される電源を発生する電源供給部と、
前記テストコントローラの制御に応答して前記電源を前記半導体デバイスに伝達する電圧伝達部と、
前記電源供給部の出力から過度に電流が供給されるか否かを検出する過電流検出部とを含み、
前記電圧伝達部は前記過電流検出部の出力に応答して前記テストコントローラの介入なしに前記半導体デバイスへの電源供給を遮断するように構成されることを特徴とする装置。
【請求項２】
前記電圧伝達部は、
前記電源供給部からの電源を前記半導体デバイスに伝達するリレーと、
前記テストコントローラの出力または前記過電流検出部の出力に応じて前記リレーのスイッチ動作を制御するリレー制御部とを含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記電源供給部の出力から過度に電流が供給されるとき、前記リレー制御部は前記過電流検出部の出力に応答して前記リレーを制御することを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記電圧伝達部は前記リレーを通じて伝達された電源を前記半導体デバイスに伝達するプローブカードチップをさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項５】
前記過電流検出部の検出の結果を前記リレー制御部に直接伝達する伝送手段をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項６】
テストコントローラの制御に応じて半導体デバイスをテストする装置の電源制御方法において、
前記半導体デバイスに供給される電源を発生する段階と、
前記電源を前記半導体デバイスに伝達する段階と、
前記電源供給部の出力から過度に電流が供給されるか否かを検出する段階と、
前記電源供給部の出力から過度に電流が供給されるとき、前記テストコントローラの介入なしに前記半導体デバイスへの電源供給を遮断する段階とを含むことを特徴とする方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体のテスト装置に係り、詳細には半導体テスタ内でテストする素子に電源を供給するデバイスパワーサプライ（ＤＰＳ、Ｄｅｖｉｃｅ Ｐｏｗｅｒ Ｓｕｐｐｌｙ）の電源制御方式に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的にＡＳＩＣ、ＳＤＲＡＭまたはＳＲＡＭなどのような素子の製造過程において、ウェーハ製造工程を終了した後にダイソートテスト（Ｄｉｅ Ｓｏｒｔ Ｔｅｓｔ）を通じて回路の各種特性や回路の信頼性を検査して、良品と不良品を選別して表示する方法としてテストが進行される。この段階でテストする素子に供給されるテスト電源はデバイスパワーサプライ（Ｄｅｖｉｃｅ Ｐｏｗｅｒ Ｓｕｐｐｌｙ）を利用して印加されている。このデバイスパワーサプライではテストされる素子に使用条件に適するように実装環境に近い電圧で印加しようと多様な電圧を可変して供給し、これに反応する素子の電気的特性を検査することによって、テスト工程が行われる。
【０００３】
図１は従来の技術による半導体テスタを概略的に示すブロック図である。図１を参照すると、半導体テスタはパーソナルコンピュータまたはワークステーション（Ｗｏｒｋｓｔａｔｉｏｎ）で構成されたテストコントローラ１０、デバイスに電源を供給する電源供給部３０、必要によって電源供給及び遮断を担当するリレー制御部２０、供給電源の過電流を検出するための過電流検出部４０、リレー５０、及びテストされるデバイスに電源を提供するプローブカード８０で構成される。
【０００４】
過電流検出部４０はテストしようとする該当の半導体デバイス６０で正常な製品より非常に多量の過電流が発生するか否かを感知し、感知結果として、テストコントローラ１０に発生される過電流発生信号を伝送する。テストコントローラ１０はこの過電流発生信号が伝達されてリレー制御部２０に電源を遮断するように命令して、リレー制御部２０はこの命令に応答してリレー５０を遮断して該当のデバイスに供給される過電流を遮断する方式で動作する。
【０００５】
このような従来の方式では過電流検出部４０で発生する過電流発生信号を再びテストコントローラ１０に伝送して、テストコントローラ１０はこの検出信号を過電流発生信号として判断する演算過程を経て再びリレー制御部２０に遮断命令をする処理過程を有しなければならなかった。この際、過電流検出部４０とテストコントローラ１０、リレー制御部２０間の該当のインターフェースを通じる過電流検出信号の伝達時間、そしてＰＣやワークステーションに該当するテストコントローラ１０の演算時間が消耗する間にも過電流は電源供給部３０から続いて供給されていることが分かる。この際、かかる時間の間、図２に示したようにテストする素子と接触して電源を供給する経路であるプローブカードチップ（Ｐｒｏｂｅ Ｃａｒｄ Ｔｉｐ）８１０の過電流によるバント（Ｂｕｒｎｔ）現象と電源供給部の過電流による故障を惹起して、高価な装備の効率を低下させて、製造費用の上昇と、それによる企業の価格競争力を低める要因になっていた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は上述した問題点を解決するために提案されたものであり、本発明の目的は、過電流感知の後にテストコントローラ命令によらなくても迅速にリレー制御部に電源遮断動作信号を印加するようにすることで、電源供給部に過電流が流れる時間を短縮し、かつ高価の半導体テスタ装備を保護するための制御方法と装置とを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述の目的を達成するために本発明の一特徴によると、半導体デバイスをテストする装置はテストコントローラの制御に応答して前記半導体デバイスに供給される電源を発生する電源供給部と、前記テストコントローラの制御に応答して前記電源を前記半導体デバイスに伝達する電圧伝達部と、前記電源供給部の出力から過度に電流が供給されるか否かを検出する過電流検出部とを含み、前記電圧伝達部は前記過電流検出部の出力に応答して前記テストコントローラの介入なしに前記半導体デバイスへの電源供給を遮断するように構成される。
【０００８】
望ましい実施例において、前記電圧伝達部は前記電源供給部からの電源を前記半導体デバイスに伝達するリレーと、前記テストコントローラの出力または前記過電流検出部の出力に応じて前記リレーのスイッチ動作を制御するリレー制御部とを含む。
【０００９】
望ましい実施例において、前記電源供給部の出力から過度に電流が供給されるとき、前記リレー制御部は前記過電流検出部の出力に応答して前記リレーを制御する。
【００１０】
望ましい実施例において、前記電圧伝達部は前記リレーを通じて伝達された電源を前記半導体デバイスに伝達するプローブカードをさらに含む。
【００１１】
本発明の他の特徴によると、テストコントローラの制御に応じて半導体デバイスをテストする装置の電源制御方法が提供される。この電源制御方法は前記半導体デバイスに供給される電源を発生する段階と、前記電源を前記半導体デバイスに伝達する段階と、前記電源供給部の出力から過度に電流が供給されるか否かを検出する段階と、前記電源供給部の出力から過度に電流が供給されるとき、前記テストコントローラの介入なしに前記半導体デバイスへの電源供給を遮断する段階とを含む。
【発明の効果】
【００１２】
本発明は半導体テストのためのデバイスパワーサプライで不良製品による過電流発生時、過電流の感知の後、テストコントローラ命令によらなくても該当のデバイスの電源リレーを遮断するように制御方法を変更することで、テストにかかる時間を節減し、かつ過電流をより迅速に遮断するので、高価なテスト装備を保護することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下では、本発明が属する技術分野で通常の知識を持つ者が本発明の技術的思想を容易に実施することができるほどに詳細に説明するために、本発明の最も望ましい実施例を添付の図を参照して説明する。
【００１４】
図３は本発明の実施例による半導体テスタを概略的に示すブロック図である。
【００１５】
図３を参照すると、本発明による半導体テスタはウェーハレベルの半導体デバイス１６０をテストするためのものであり、テストコントローラ１１０とデバイスパワーサプライ１７０とを含む。テストコントローラ１１０はテストモードに進入するとき、デバイスパワーサプライ１７０を制御するように構成され、例えば、パーソナルコンピュータまたはワークステーションで構成されることができる。しかし、テストコントローラ１１０はここの開示に限らないことはこの分野の通常の知識を習得した者などに自明である。デバイスパワーサプライ１７０はテストコントローラによって制御され、半導体デバイスに電源を供給する。デバイスパワーサプライ１７０はリレー制御部１２０、電源供給部１３０、過電流検出部１４０、リレー１５０、及びプローブカード１８０を含む。ここで、リレー制御部１２０、リレー１５０、及びプローブカード１８０は電源供給部１３０によって生成された電源をテストデバイスに伝達するための電圧伝達部を構成する。
【００１６】
前記電源供給部１２０はテストコントローラ１１０の制御を通じてテストする半導体デバイス１６０に電源を供給するように構成される。半導体デバイス１６０が完成品として販売されて使用される実装環境のような電圧条件を人為的に造成するためにテストコントローラ１１０の電源制御信号に応じて一定のレベルで調整して多様な電圧を出力するようになる。また半導体デバイス１６０の周波数特性や、時間遅延特性などを正確に検出するために、印加される職流電圧で微細な雑音を除去するフィルタ回路、負荷の変化にも安定的な電圧を供給するための定電圧回路などを含むようになる。
【００１７】
前記過電流検出部１４０は電源供給部１３０の出力端に電気的に連結されている。不良半導体デバイスによる過電流の発生時に正常な電流値と比べて一定値以上の電流であるときには過電流発生信号を出力する装置として過電流検出部１４０が提供される。本発明では過電流の検出時に該当する過電流発生信号をリレー制御部１２０に直接伝達するように追加的な過電流発生信号伝達経路１９０を設けた。また、これと同時に、過電流発生信号を一時貯蔵して、これをテストコントローラ１１０に伝送して不良品に対するマーキングと処理のための情報として使用するように出力経路を構成した。
【００１８】
前記リレー制御部１２０はまずテストコントローラ１１０の命令に従ってリレー１５０の動作を制御する。テストの開始と終了の時、前記リレー制御部１２０は不良品の発生時に半導体デバイス１６０に供給される電源を供給するか、遮断する動作信号をリレー１５０に供給する。特に、本発明の実施例として、図３に示したように過電流検出部１４０から出力される過電流発生信号を適切な入力手段を通じて受けるようになる。したがって、本発明でリレー制御部１２０がテストコントローラ１１０の命令と、過電流検出部１４０の検出結果によって制御が行われる回路構造を有するように構成される。
【００１９】
前記リレー１５０はリレー制御部１２０から出力されるリレー制御信号に従って電源供給部から該当のテストデバイスに供給される電源の供給と遮断を行うスイッチとして動作する。
【００２０】
前記プローブカード１８０は電源供給部１３０から供給されるテスト電源をウェーハ上の各素子に供給する装置である。このために、図２のように、プローブカードチップ８１０をテストしようとする半導体デバイス１６０のパッドに接触させた後、電源供給部１３０から供給される電気的信号をチップ上に伝える装置である。特にプローブカードのチップ８１０は接触抵抗、磨耗度、寿命に応じてウェーハ収率に大きい影響力を及ぼす部分としてプローブカード１８０の核心である。
【００２１】
このような回路構成によると、テストコントローラ１１０の介入なしに過電流が検出されるとすぐリレー１５０を遮断させることによって、不良である半導体デバイスを通じて流れる過電流によるプローブカードチップ８１０と電源供給部 １３０の損傷を防止することができる。
【００２２】
図４は本発明によるデバイスパワーサプライ１７０を制御する方法を説明するためのフローチャートである。以下では、本発明によるデバイスパワーサプライ１７０の電圧制御動作を参照の図に基づいて詳細に説明する。
【００２３】
テスト動作が開始されれば、テストコントローラ１１０はテストされる半導体デバイス１６０に供給される電源が生成されるように、そして、そのように生成された電源がテストされる半導体デバイス１６０に供給されるようにデバイスパワーサプライ１７０を制御する。さらに具体的に説明すれば、次のようになる。
【００２４】
テストコントローラ１１０が電源供給部１３０に電源供給命令を出力することによってテスト動作が開始される。電源供給部１３０は電源供給命令に応答して半導体デバイス１６０に印加されるテスト電源を生成する（Ｓ１０）。次に、テストコントローラ１１０はリレーオン命令をリレー制御部１２０に出力して、リレー制御部１２０はリレーオン命令に応答してリレー１５０をスイッチオンさせる。したがって、電源供給部１３０によって生成されたテスト電源はスイッチオンされたリレー１５０及びプローブカード１８０を通じて半導体デバイス１６０に供給される。このような条件下で、半導体デバイス１６０に対するテスト動作が実行される。例えば、該当の半導体デバイスに対する電圧、周波数などの特性がテストされる。
【００２５】
テスト動作が実行される間、過電流検出部１４０は電源供給部１３０の出力から過度に電流が流れるか否かを検出する（Ｓ３０）。もし半導体デバイス１６０が不良デバイスであれば、過電流が流れるようになる。過電流検出部１４０はこの電流を検出して過電流発生信号をテストコントローラ１１０に伝送すると同時に、リレー制御部１２０にも伝送するようになる。リレー制御部１２０はテストコントローラ１１０の介入なしに過電流発生信号に応答してリレー１５０をスイッチオフさせる（Ｓ４０）。これは電源供給部１３０から不良の半導体デバイス１６０への電源供給が遮断されるようにする。また過電流検出部１４０から過電流発生信号を受けたテストコントローラ１１０はリレー１５０の遮断の以後にテストされた半導体．デバイスを不良品として処理する。この過程が完了すれば、次にテストする半導体デバイスにプローブカードを移動して同様のテスト過程を開始するようになる。
【００２６】
以上の本発明は不良半導体デバイスによって過電流が発生するようになれば、該当のデバイスに供給される電源がテストコントローラ１１０を経らないで、すぐリレー制御部１２０にリレー遮断動作を実行するようにデバイスパワーサプライ１７０が構成されている。 既存の方法に比べてテストコントローラ１１０が実行する過電流発生の感知と判断、リレー遮断命令の実行過程などの演算過程が省略されて、過電流をより迅速に遮断して、デバイスパワーサプライ１７０内のプローブカードのチップ８１０と電源供給部１３０の回路を過電流による衝撃から保護するように構成した。
【００２７】
一方、本発明の詳細な説明では具体的な実施例に関して説明したが、本発明の範囲から逸脱しない限度内で様々な変形が可能であることは勿論である。したがって、本発明の範囲は上述の実施例に限って決まってはならず、特許請求の範囲だけではなく、この発明の特許請求範囲と均等なものなどによって決められなければならない。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】従来技術によるデバイスパワーサプライ装置部の構成図である。
【図２】一般的な半導体テスタのプローブカードの構成図である。
【図３】本発明によるデバイスパワーサプライ装置部の構成図である。
【図４】本発明に係るデバイスパワーサプライ制御方法に対するフローチャートである。
【符号の説明】
【００２９】
１０，１１０    テストコントローラ
２０，１２０    リレー制御部
３０，１３０    電源供給部
４０，１４０    過電流検出部
５０，１５０    リレー
６０，１６０    半導体素子
７０，１７０    デバイスパワーサプライ
８０，１８０    プローブカード
８１０    プローブカードチップ
１９０    過電流発生信号伝達経路
【図１】
2006162610.tif 000003
【図２】
2006162610.tif 000004
【図３】
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【図４】
2006162610.tif 000006