(57)【要約】【課題】他の領域部分に悪影響を与えることなく被処理物の一部分だけを洗浄処理する部分処理を可能とする。【解決手段】プラズマ発生用電源２３に接続された第１電極ユニット１５とその第１電極ユニット１５と対向し接地された第２電極ユニット１７とからなる一対の対向電極３と、その対向電極３間にプロセスガスを供給するプロセスガス供給手段７と、前記対向電極３によって形成されると共に対向電極３間に発生するプラズマによって被処理物１１の表面を洗浄処理するプラズマ処理空９間と、前記被処理物１１の一部分が露出した状態で支持されると共にその被処理物１１の露出部分を前記プラズマ処理空間９内へ一定時間臨ませる被処理物移動支持手段１３で構成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ発生用電源に接続された第１電極ユニットとその第１電極ユニットと対向し接地された第２電極ユニットとからなる一対の対向電極と、その対向電極間にプロセスガスを供給するプロセスガス供給手段と、前記対向電極によって形成されると共に対向電極間に発生するプラズマによって被処理物の表面を洗浄処理するプラズマ処理空間と、前記被処理物の一部分が露出した状態で支持されると共にその被処理物の露出部分を前記プラズマ処理空間内へ一定時間臨ませる被処理物移動支持手段とからなることを特徴とするプラズマ洗浄処理装置。
【請求項２】
前記被処理物移動支持手段の前面は、被処理物の露出部分をプラズマ処理空間内に臨ませた時、そのプラズマ処理空間を作る前壁面と接触し、プロセスガスがプラズマ処理空間の正面から逃げるのを阻止するようにしたことを特徴とする請求項１記載のプラズマ洗浄処理装置。
【請求項３】
前記被処理物移動支持手段は、対向電極の正面に対して被処理物の露出部分をプラズマ処理空間内へ臨ませる前進と後退とに移動可能であることを特徴とする請求項１又は２記載のプラズマ洗浄処理装置。
【請求項４】
前記被処理物移動支持手段は、被処理物の露出部分をプラズマ処理空間内へ臨ませた状態で、対向電極の正面に沿って移動可能であることを特徴とする請求項１又は２記載のプラズマ洗浄処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプラズマ洗浄処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般にプラズマ洗浄処理は、地球に悪影響を与えるとされるフロンを用いたフロン洗浄処理にかわって、近年にわかに脚光を浴びるようになっているもので、エレクトロニクス分野を始め、多くの分野にわたって用いられており、表面に付着した汚染物質を除去したり、表面を活性化して濡れ性を向上させる等の目的に使用されるようになっている。
【０００３】
プラズマ洗浄処理の概要は、一対の対向電極の間にプラズマを発生させた状態において被処理物を通過させるものである。プラズマ中にはイオン、電子，ラジカル，紫外線等が存在し、これらが、被処理物に対してエッチング（マイクロ単位で削る）作用又はアッシュレート（燃焼，剥がす）作用等によって汚れの除去が行なわれるようになっている。
【特許文献１】特開２００５−１９１５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
プラズマ洗浄処理は、プラズマを発生させる対向電極間に被処理物を配置セットすることで被処理物全体の洗浄処理を行なうことから、被処理物によっては洗浄処理が行えないものがでてくる。
【０００５】
例えば、携帯電話表面の表示パネル面のように、前面にわたって液晶の表示機能が組込まれたものについてはその表示機能に悪影響を与えるようになるため使用できない。特に、携帯電話表面の表示パネル面の端部領域は、例えば信号線を樹脂のタブ形状にして溶着させて接続する接続領域となっている。この接続領域は配線作業にあたって接着性（ボンデング性）が良くなるよう油分等の汚れのないことが求められるが、このような場合、部分洗浄処理となるためプラズマ洗浄処理ができない不具合があった。
【０００６】
そこで、本発明にあっては、被洗浄物の部分洗浄処理を可能としたプラズマ洗浄処理装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的を達成するために、本発明にあっては、プラズマ発生用電源に接続された第１電極ユニットとその第１電極ユニットと対向し接地された第２電極ユニットとからなる一対の対向電極と、その対向電極間にプロセスガスを供給するプロセスガス供給手段と、前記対向電極によって形成されると共に対向電極間に発生するプラズマによって被処理物の表面を洗浄処理するプラズマ処理空間と、前記被処理物の一部分が露出した状態で支持されると共にその被処理物の露出部分を前記プラズマ処理空間内へ一定時間臨ませる被処理物移動支持手段とからなることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、被処理物移動支持手段によって一部分を露出させた状態で被処理物を支持することができるため、その露出部分をプラズマ処理空間内へ一定時間臨ませることで、他の部分に何等悪影響を与えることなく被処理物の部分洗浄処理を行なうことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明にあっては第１に、被処理物の露出部分をプラズマ処理空間内に臨ませた時、前記被処理物移動支持手段の前面を前記プラズマ処理空間を作る前壁面と接触させて、プロセスガスがプラズマ処理空間の正面から逃げるのを阻止し、プロセスガスの無駄な消費を抑えるようにする。
【００１０】
第２に、前記被処理物移動支持手段を、対向電極の正面に対して被処理物の露出部分をプラズマ処理空間内へ臨ませる前進と後退とに移動可能とし、被処理物の露出部分をプラズマ処理空間内へ臨ませた前進時に、プラズマ処理空間を作る前壁面に対して確実な接触状態を確保する。
【００１１】
第３に、前記被処理物移動支持手段を、被処理物の露出部分をプラズマ処理空間内へ臨ませた状態で、対向電極の正面に沿って移動可能とし、プラズマ処理空間を作る前壁面と接触しながら被処理物の連続した洗浄処理を可能とする。
【実施例】
【００１２】
以下、図１乃至図７の図面を参照しながら本発明の実施形態について具体的に説明する。
【００１３】
図１は本発明にかかるプラズマ洗浄処理装置全体の概要説明図を示している。プラズマ洗浄処理装置１は、一対の対向電極３と、その対向電極３間にプロセスガスを供給するプロセスガス供給手段７と、前記対向電極３によって形成されるプラズマ処理空間９内へ被処理物１１の一部分を一定時間臨ませる被処理物移動支持手段１３とを有している。
【００１４】
一対の対向電極３は、第１電極ユニット１５と第２電極ユニット１７とからなり、第１電極ユニット１５は、材質が石英ガラス又はセラミック等で作られたプレート状の誘導体１９にアルミ等の材質で作られた電界印加電極２１が設けられた構造となっている。
【００１５】
電界印加電極２１はプラズマ発生用電源２３によって高周波が印加されるようになっている。
【００１６】
高周波としては、５０ＫＨｚ〜２７．１２ＭＨzのサイン波が好ましいがパルス波であつてもよい。
【００１７】
第２電極ユニット１７は、材質が石英ガラス又はセラミック等で作られたプレード状の誘導体２５にアルミ等の材質で作られた接地電極２７が設けられ、接地された構造となっている。
【００１８】
電界印加電極２１と接地電極２７は冷却水が流れる冷却路２９がそれぞれ設けられており、ベースフレーム３１から立上がる絶縁支持部材３３に固定支持されている。
【００１９】
電界印加電極２１の誘導体１９と接地電極２７の誘導体２５は対向し合うことで所定隙間のプラズマ処理空間９を形成している。プラズマ処理空間９の前方（図１左側）は被処理物１１を挿入する前面挿入口３５となっていて、その前壁面３７は前記各誘導体１９，２５をそれぞれ上下に短く屈曲させることで各誘導体１９，２５と一体に連続し合う形状に作られている。プラズマ処理空間９の後方（図１右側）はプラズマ処理空間９へ向けてプロセスガスを吹き出すガス供給管３９が配置された供給部となっている。プラズマ処理空間９の両側方（図１）は、断面図のため開放された図となっているがフレームによって閉塞され、前面挿入口３５のみ開放された構造となっている。
【００２０】
ガス供給管３９は、ガス制御バルブ４１を介してプロセスガス供給部７と接続連通し、前記ガス制御バルブ４１の開又は閉によってプロセスガスの供給及び遮断制御が可能となっている。
【００２１】
プロセスガスとしては、酸素，アルゴン，窒素，水素等があり、それらを単独で使用したり、あるいは、組合せた混合ガスとして用いることも可能である。
【００２２】
被処理物移動支持手段１３は、図３、図４に示すように被処理物１１を複数横一列に並べてセットするセット部４３を備えた横長の可動フレーム４５の両サイド上面に取手４７が、両サイド下部にはガイド用突起体４９がそれぞれ設けられる一方、前記可動フレーム４５の前面４５ａは、前面挿入口３５を含めて前壁面３７と接触し、前面挿入口３５を閉塞する接触面となっている。
【００２３】
セット部４３は、位置決めストッパ５１によって一部分が突出した状態で位置決めされる被処理物１１を上から押える押えカバー５３を有している。位置決めストッパ５１は、径ｄの小さい小型の被処理物１１を位置決めセットする小型用のストッパ面５１ａと径Ｄの大きい大型の被処理物１１を位置決めする大型用のストッパ面５１ｂとを備え、固定ボルト５５を緩めることで、長孔５７の範囲内において前後（図３矢印方向）の位置調整が可能となっている。
【００２４】
したがって、例えば、セット部４３にセットした小型用のストッパ面５１ａに被処理物１１（一箇所だけ仮想線で示す）を当接させることで、被処理物１１の一部分を前方に突出させた状態で正しく位置決めすることが可能となる。
【００２５】
押えカバー５３は、図４に示すように被処理物１１を上からセットした時に、前記被処理物１１の大小に関係なく上から押える弾性変形可能な押え部材（図示していない）と、押えカバー５３が固定ロックされるラッチ５９を備えると共に前面５３ａは前壁面３７と接触可能となっている。
【００２６】
ラッチ５９は、レバー６１を持って付勢ばね（図示していない）に抗して一旦後退（矢印）させた後、手を離すことで可動フレーム５１側に設けられたラッチ孔６１と係合し合い固定されたロック状態が得られるようになっている。
【００２７】
左右のガイド用突起体４９は、前記対向電極３を支持する絶縁支持部材３３に設けられたガイド穴６３に対して前後動自在に挿入されている。
【００２８】
したがって、左右の取手４７を持って前進（図１矢印イ）させれば露出状態にある被処理物１１の一部分を前面挿入口３５からプラズマ処理空間９内へ挿入することが可能となる。この場合、全領域にわたってプラズマ処理空間９内に確実に正しく挿入されているのをリミットスイッチ等の手段によって確認できるようにすることが望ましい。
【００２９】
一方、前進させた後、一定時間経過後取手４７を持って後退させれば、プラズマ処理空間９から被処理物１１を退避させることが可能となる。
【００３０】
このように構成されたプラズマ洗浄処理装置１によれば、被処理物移動支持手段１３を一杯に後退させた状態においてセット部４３に被処理物１１の一部分が露出するようセットした後、被処理物移動支持手段１３を取手４７を持って前面４５が前壁面３７に当接するまで前進させることで、被処理物１１の一部分は前面挿入口３５からプラズマ処理空間９内に臨み、他の領域に対して悪影響を与えることなく一部分の洗浄処理を行なうことができる。
【００３１】
この作業時においてプラズマ処理空間９の前面挿入口３５は被処理物移動支持手段１３の前面によって閉塞されているため、プロセスガスが前面挿入口３５から逃げるのを阻止することが可能となり、プロセスガスの無駄な消費を抑えることができる。
【００３２】
図５から図７は被処理物移動支持手段１３の別の実施形態を示したものである。
【００３３】
即ち、被処理物移動処理物移動支持手段１３をコンベアタイプとしたもので、駆動輪と従動輪（いずれも図示していない）とにエンドレスに掛け回された搬送チエーン６５に被処理物１１を１つずつセットするセットプレート６７が所定の間隔で設けられている。
【００３４】
セットプレート６７は、例えば、大小２種類ｄ，Ｄの被処理物１１をセットするセット部６９が設けられている。
【００３５】
セット部６９には、被処理物１１を上から押える押えカバー７１を有している。押えカバー７１は、ヒンジ７３を支点として回動可能となっていて、内側には弾性変形可能な押え部材７５と、閉じ合せた時に係合し合うロック機構７７とを備えている。
【００３６】
プラズマ処理空間９の前面挿入口３５と対向し合うセットプレート６７のプレート前面７９は、前記挿入口３５を形成する前壁面３７と接触しながら前面挿入口３５を閉塞しながら移動可能となっている。
【００３７】
一方、プラズマ処理空間９の両側方は、セット部６９から突出した被処理物１１の一部分が通過するところから、前面の前面挿入口３５と連続し合う開放口（図示していない）となっている。この場合、開放口は被処理物１１の突出領域にわたって設けられていることと、連続して被処理物１１の一部分が順次通過し、口を塞ぐ形状となるためプロセスガスの大きな漏れにつながることはない。
【００３８】
なお、プラズマ洗浄処理装置１は図１で示した実施形態と同一のため同一符号を符して詳細な説明を省略する。
【００３９】
したがって、この実施形態によれば、被処理物移動処理物移動支持手段１３を前面挿入口３５に沿って連続移動させることが可能となるためプロセスガスの無駄な消費を抑えることは無論として、被処理物１１の連続洗浄処理ができるようになり、作業性向上の面で大変好ましいものとなる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明にかかるプラズマ洗浄処理装置の概要切断側面図。
【図２】プラズマ洗浄処理装置の概要平面図。
【図３】被処理物移動支持手段の押えカバーを外した状態の概要平面図。
【図４】被処理物移動支持手段の概要斜視図。
【図５】被処理物移動支持手段をコンベアタイプとしたプラズマ洗浄処理装置の概要平面図。
【図６】被処理物移動支持手段となるセットプレートの説明図。
【図７】押えカバーを外したセットプレートのセット部を示した概要平面図。
【符号の説明】
【００４１】
３    一対の対向電極
７    プロセスガス供給手段
９    プラズマ処理空間
１１    被処理物
１３    被処理物移動支持手段
１５    第１の電極ユニット
１７    第２の電極ユニット
１９，２５    誘電体
２１    電界印加電極
２７    接地電極
３５    前面挿入口
３７    前壁面
４５    前面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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