(57)【要約】【課題】  エピタキシャル成長速度が高められ、プリヒートリングとサセプタとの隙間からのガス漏れに起因したオートドープの抑制効果の低下を防ぎ、これによりエピタキシャル膜の比抵抗の均一性が高まり、反応ガスの使用量が低減し、下側ドームも曇り難いエピタキシャル成長装置を提供する。【解決手段】  プリヒートリング６０とサセプタ２０との隙間ａをカバー部６１により覆うように構成したので、隙間ａからのガス漏れを防げる。その結果、シリコンウェーハＷの表面へのエピタキシャル成長速度が高まり、このガス漏れによるオートドープの抑制効果の低下を防げる。これにより、エピタキシャル膜の比抵抗の均一性が高まり、しかも反応ガスの使用量が低減し、下側ドーム４の曇りも抑えられる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応室に収納され、半導体ウェーハが載置されるポケット部を有し、該ポケット部にこのポケット部の表面と裏面とを貫通する貫通孔が形成された円形のサセプタと、
該サセプタの外周に所定幅の隙間を介して設けられ、前記反応室に供給された反応ガスを、前記半導体ウェーハと接触する直前に予熱する環状のプリヒートリングとを備えたエピタキシャル成長装置において、
前記サセプタおよびまたはプリヒートリングに、前記サセプタとプリヒートリングとの隙間を被う環状のカバー部を設けたエピタキシャル成長装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は半導体ウェーハの表面にエピタキシャル膜を成膜するエピタキシャル成長装置、詳しくはそのエピタキシャル成長装置におけるサセプタの外周に設けられたプリヒートリング（予熱リングまたは予加熱リング）の改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＭＯＳデバイス用のシリコン基板として、表面側と裏面側とのドーパント濃度が異なるエピタキシャルウェーハが開発されている。これは、ドーパントが高濃度に添加された低抵抗率のシリコンウェーハの表面に、このウェーハのドーパント濃度よりも低濃度のドーパントが添加されたエピタキシャル膜を成膜したものである。このエピタキシャルウェーハは、ＭＯＳデバイスのゲート酸化膜の歩留りが高まるとともに、寄生容量の低減、ソフトエラー（メモリの誤動作）の防止、高ゲッタリング能力などの優れた特性を有している。
エピタキシャル膜を成膜する装置としては、例えば特許文献１のような枚葉式のエピタキシャル成長装置が知られている。特許文献１はコンパクトな反応室を有しており、ハロゲンランプによる輻射加熱方式を採用している。枚葉処理であるため、均熱条件、ガス流分布の設計が容易であり、エピタキシャル膜特性を高くすることが可能である。したがって、大口径のシリコンウェーハを処理するために有効な装置である。
【０００３】
図７および図８は、特許文献１のエピタキシャル成長装置５０の構成を示している。このエピタキシャル成長装置５０には、上側ドーム３と下側ドーム４とが対向して設けられ、これらはドーム取付体５により固定されている。これにより、密閉された反応室２が形成される。上側ドーム３および下側ドーム４は、石英などの透明な素材で形成されている。ドーム取付体５の所定位置には、反応室２にガスをシリコンウェーハＷの表面に対して平行（水平）に流入させるガス供給口１２が設けられる。また、ドーム取付体５のガス供給口１２との対向位置には、反応室２内のガスを外部へ排出するガス排出口１３が設けられている。そして、反応室２の上方および下方には、これを加熱するハロゲンランプ６がそれぞれ設けられる。
【０００４】
反応室２内には、シリコンウェーハＷを搭載する円板状のサセプタ２０が設けられている。サセプタ２０の表面側には、シリコンウェーハＷを搭載する所定広さの円形の凹部であるポケット部２４が設けられている。また、ポケット部２４の外周部には、シリコンウェーハＷの裏面から外方拡散されるドーパントを反応室２の下側空間に排出する多数の貫通孔２０ａが形成されている。この下側空間への排出力を高めるため、反応室２の下側空間は上側空間よりも負圧化されている。また、サセプタ２０の外周には、反応ガスをシリコンウェーハＷと接触する直前に加熱する環状のプリヒートリング５１が配置されている。プリヒートリング５１は炭化珪素を塗布した黒鉛材料からなり、透光性を有した上側ドーム３および下側ドーム４を通して、各ハロゲンランプ６から照射された光により加熱される。プリヒートリング５１の内周面とサセプタ２０の外周面との間には、一般的に３ｍｍ程度の隙間ａが形成されている。これは、プリヒートリング５１がドーム取付体５に固定された状態で、サセプタ２０が周方向に回転しながらエピタキシャル成長する際、両部材が接触すると発塵し、ウェーハ表面の品質に重大な欠陥が発生するためである。
【０００５】
サセプタ２０は、その一部がサセプタ２０の裏面に当接するサセプタ支持部材１８により支持されている。サセプタ支持部材１８は、中心部の支持材１８ｄと、１２０°間隔を有して放射状に形成された３本の支持材１８ａとを有している。サセプタ支持部材１８の下部には、図示しない回転モータの出力軸に固定された軸部７が連結され、これにより、サセプタ２０はサセプタ支持部材１８とともに回転自在に設けられている。
【０００６】
上記エピタキシャル成長装置５０によるエピタキシャル膜を成膜する方法にあっては、まず、反応室２内のサセプタ２０の表面にシリコンウェーハＷを搭載する。次いで、軸部７を回転させ、サセプタ支持部材１８に支持されたサセプタ２０を回転させる。これにより、サセプタ２０に搭載されたシリコンウェーハＷも回転する。そして、ガス供給口１２からＳｉＨＣｌ３などのＳｉソースを水素ガスで希釈し、それにドーパントを微量混合してなる反応ガスが反応室２内に供給される。供給された反応ガスは、シリコンウェーハＷと反応しながら、ガス排出口１３より排出される。また、反応室２は、上方および下方に設けられたハロゲンランプ６により熱せられる。これにより、エピタキシャル成長装置５０は、反応室２内において、シリコンウェーハＷの表面にエピタキシャル膜を成膜することができる。
【０００７】
エピタキシャル成長中、ハロゲンランプ６を用いての高温加熱により、シリコンウェーハＷの裏面からドーパントが外方拡散される。しかしながら、拡散されたドーパントはサセプタ２０の各貫通孔を通過して反応室２の下側空間に排出される。これにより、ウェーハ裏面から拡散されたドーパントによるオートドープの抑制を図ることができる。
【特許文献１】特開２００３−１９７５３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、従来のエピタキシャル成長装置５０では、プリヒートリング５１の内周面とサセプタ２０の外周面との間に、３ｍｍ程度の隙間ａが存在していた。そのため、反応室２の上側空間に供給された反応ガスが、この隙間ａを通して反応室２の下側空間に漏れ出ていた。その結果、シリコンウェーハＷの表面に対するシリコンのエピタキシャル成長速度が低下することになった。しかも、サセプタ２０を中間とした反応室２の上側空間と下側空間との圧力差が小さくなり、ウェーハ裏面から外方拡散されるドーパントを、サセプタ２０の各貫通孔２０ａを通して反応室２の下側空間に排出するというオートドープの抑制効果が半減していた。
また、この隙間ａから反応ガスの一部が、シリコンウェーハＷと接する前に前記下側空間に漏れ出ていたので、反応ガスの使用量（損失量）が増大し、下側ドーム４の内面にシリコンが堆積してこれが曇り、下側のハロゲンランプ６の熱効率を低下させていた。
【０００９】
この発明は、半導体ウェーハの表面へのエピタキシャル成長速度を高めることができ、またプリヒートリングとサセプタとの隙間からのガス漏れに起因したオートドープの抑制効果の低下を防止することができ、これによりエピタキシャル膜の比抵抗の均一性を高めることができ、しかも反応ガスの使用量を低減させることができるとともに、下側ドームの曇りも低減可能なエピタキシャル成長装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１に記載の発明は、反応室に収納され、半導体ウェーハが載置されるポケット部を有し、該ポケット部にこのポケット部の表面と裏面とを貫通する貫通孔が形成された円形のサセプタと、該サセプタの外周に所定幅の隙間を介して設けられ、前記反応室に供給された反応ガスを、前記半導体ウェーハと接触する直前に予熱する環状のプリヒートリングとを備えたエピタキシャル成長装置において、前記サセプタおよびまたはプリヒートリングに、前記サセプタとプリヒートリングとの隙間を被う環状のカバー部を設けたエピタキシャル成長装置である。
【００１１】
請求項１に記載の発明によれば、反応室に流入した反応ガスは、半導体ウェーハと接触する直前にプリヒートリングにより予熱される。これにより、半導体ウェーハとの反応が促進される。
このとき、プリヒートリングとサセプタとの間には、所定幅の隙間が存在する。そのため、この隙間から反応ガスの一部が反応室の下側空間に漏れ出ようとする。しかしながら、サセプタおよびまたはプリヒートリングに設けられたカバー部により、その隙間が被われるため、このガス漏れが抑制される。その結果、半導体ウェーハの表面へのエピタキシャル成長速度が高まり、プリヒートリングとサセプタとの隙間からのガス漏れに起因したオートドープの抑制効果の低下を防止することができる。これにより、エピタキシャル膜の比抵抗の均一性を高めることができ、しかも反応ガスの使用量を低減させることができるとともに、下側ドームの曇りも低減可能になる。
【００１２】
半導体ウェーハとしては、シリコンウェーハ、ゲルマニウムウェーハまたはＳｉＣウェーハなどを採用することができる。
半導体ウェーハを搭載するサセプタの素材は限定されない。例えば、炭素基材の表面にＳｉＣ被膜をコーティングしたものを使用する。サセプタの形状は円板状である。
サセプタは、半導体ウェーハを収納するポケットが形成されたものである。ポケット部に形成される貫通孔の大きさ、形状およびポケット部内での形成範囲は限定されない。例えば、ポケット部の外周部だけに貫通孔を形成してもよい。
プリヒートリングの素材は、例えば炭化珪素を塗布した黒鉛材料、石英などを採用することができる。カバー部の素材は、例えばサセプタと同じ素材でもよい。その他、炭化珪素などでもよい。カバー部とプリヒートリングとは、一体形成してもよいし、別体で形成してもよい。カバー部は、例えば環状の平板でもよいし、環状のブロックでもよい。
【００１３】
カバー部は、サセプタに設けてもよいし、プリヒートリングに設けてもよい。また、サセプタとプリヒートリングとの両方に設け、互いをオーバーラップさせてもよい。
また、カバー部は、プリヒートリングとサセプタとの隙間を上方から被ってもよいし、下方から被ってもよい。さらに、カバー部をサセプタの外周面およびプリヒートリングの内周面の何れか一方の厚さ方向の中間部に形成し、このカバー部が挿入される環状の挿入溝をサセプタの外周面およびプリヒートリングの内周面のうち、残った方の厚さ方向の中間部に形成してもよい。
【００１４】
請求項１に記載のエピタキシャル成長装置によれば、プリヒートリングとサセプタとの隙間をカバー部により被うように構成したので、この隙間からのガス漏れが防止される。その結果、半導体ウェーハの表面へのエピタキシャル成長速度が高まり、このガス漏れによるオートドープの抑制効果の低下を防ぐことができる。これにより、エピタキシャル膜の比抵抗の均一性を高めることができ、しかも反応ガスの使用量を低減させることができるとともに、下側ドームの曇りも低減可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、この発明の実施例１に係るエピタキシャル成長装置を説明する。
【実施例１】
【００１６】
図１において、１０はこの発明の実施例１に係るエピタキシャル成長装置で、このエピタキシャル成長装置１０は、凹面を有する円形の上側ドーム３と同じく円形の下側ドーム４とを有している。上側ドーム３および下側ドーム４は、石英などの透明な素材で形成されている。そして、上側ドーム３と下側ドーム４とを上下に対向して配設し、これらの外周端は円環状を有するドーム取付体５の内周側の上下端部にそれぞれ固定されている。これにより、密閉された平面視して略円形の反応室２が形成されている。
【００１７】
反応室２の上方および下方には、反応室２内を加熱するハロゲンランプ６が円周方向に略均等間隔で離間して複数個ずつ設けられている。ドーム取付体５の所定位置には、反応室２にガスを、シリコンウェーハＷの表面と平行（水平）に流入させるガス供給口１２が設けられている。また、ドーム取付体５の対向位置（ガス供給口と１８０°離間した位置）には、反応室２内のガスを外部へ排出するガス排出口１３が設けられている。ガス供給口１２およびガス排出口１３は、上下に離間して２つずつ設けられている。これは、シリコンウェーハＷの表面側およびサセプタ裏面側にガス流れを形成するためである。シリコンウェーハＷは、直径３００ｍｍ、厚さ７８０μｍ、表面の面方位（１００）、比抵抗１５ｍΩｃｍのＰ型の片面鏡面シリコン単結晶ウェーハである。シリコンウェーハＷの裏面には、シリコン酸化膜が形成されておらず、ウェーハ表裏面が単結晶のシリコン面となっている。
【００１８】
反応室２の高さ方向の中間部には、シリコンウェーハＷを搭載する円形のサセプタ２０が設けられている。反応室２は、サセプタ２０を仕切りとして、上側空間と下側空間とに区画されている。サセプタ２０は、反応室２内の高温に耐え得るように炭素基材の表面にＳｉＣ被膜をコーティングしたものが採用されている。これにより、炭素部材からなるサセプタ母材からの炭素汚染など、使用するサセプタ母材に起因した汚染を防ぐことができる。サセプタ２０は所定厚さの円板状である。
【００１９】
また、図３に示すようにサセプタ２０の表面側には、シリコンウェーハＷを搭載する所定広さの円形の凹部であるポケット部２４が設けられている。すなわち、サセプタ２０の半径は搭載するシリコンウェーハＷのそれより大きい。ポケット部２４の深さは、５００μｍである。シリコンウェーハＷの厚さが７８０μｍであるので、シリコンウェーハＷの表面側が、厚さ２８０μｍだけポケット部２４から突出する。サセプタ２０のポケット部２４の外周部全域には、表裏面を貫通して多数の貫通孔２０ａが一定ピッチで形成されている。各貫通孔２０ａの直径は１ｍｍである。これらの貫通孔２０ａを通して、シリコンウェーハＷの裏面から外方拡散されるドーパントが反応室２の下側空間に排出される。反応室２の下側空間への反応ガスの排出力を高めるため、反応室２の下側空間は上側空間よりも１００Ｐａだけ負圧化されている。
【００２０】
サセプタ２０の外周には、反応ガスをシリコンウェーハＷと接触する直前に加熱する環状のプリヒートリング６０が設けられている。プリヒートリング６０は炭化珪素を塗布した黒鉛材料からなり、透光性を有した上側ドーム３および下側ドーム４を通して、各ハロゲンランプ６から照射された光により加熱される。プリヒートリング６０の内周面とサセプタ２０の外周面との間には、全周にわたって３ｍｍ程度の隙間ａが形成されている。この隙間ａは、プリヒートリング６０の内周部の上端部に、プリヒートリング６０と同じ素材で一体形成された環状のカバー部６１により、上方から被われている。カバー部６１の厚さは２０００μｍである。プリヒートリング６０の内周面からのカバー部６１の突出長さ（カバー部６１の端部におけるカバー部６１の半径方向の長さ）は３０ｍｍである。カバー部６１の上面の高さと、サセプタ２０に載置されたシリコンウェーハＷの表面との高さの差ｈは２０００μｍである。
【００２１】
図１に示すように、サセプタ２０は、その一部が裏面に当接するサセプタ支持部材１８により支持されている。サセプタ支持部材１８は石英製で、中心部の支持材１８ｄと、１２０°間隔を有して放射状に形成された３本の支持材１８ａとを有している。サセプタ支持部材１８の下部には、図示しない回転モータの出力軸に固定された軸部７が連結され、これにより、サセプタ２０はサセプタ支持部材１８とともに回転自在に設けられている。
サセプタ２０には、エピタキシャル膜の成膜後、シリコンウェーハＷを下方から支持するリフトピン９が３本設けられている。各リフトピン９は、サセプタ２０およびサセプタ支持部材１８に貫通した孔に挿通されて保持されている。なお、リフトピン９は、ベルヌイチャック方式等によるシリコンウェーハ搬送を行うエピタキシャル成長装置には不要である。
【００２２】
そして、上記軸部７の外周には、リフトアーム支持材２５が軸部７と一体に配設される。このリフトアーム支持材２５には、各リフトピン９を持ち上げる３本のリフトアーム１１が各リフトピン９にそれぞれ対応して配設されている。このリフトアーム１１、リフトアーム支持材２５およびリフトピン９の構造、機能は従来のエピタキシャル成長装置のそれと同じである。
【００２３】
これにより、シリコンウェーハＷは、反応室２内でサセプタ２０に搭載され、その後、回転しながら反応ガスと反応して、その表面に所定厚さのエピタキシャル膜が成膜される。成膜後は、サセプタ支持部材１８を下降してサセプタ２０を下げ、サセプタ２０の孔に挿入保持された各リフトピン９上にシリコンウェーハＷを保持する。これにより、サセプタ２０のポケット部２４からシリコンウェーハＷが持ち上げられ、図示しない移載機構によりシリコンウェーハＷが反応室２から搬出される。
【００２４】
次に、実施例１のエピタキシャル成長装置１０により、シリコンウェーハＷの表面にエピタキシャル膜を成膜する方法について説明する。
まず、シリコンウェーハＷを準備する。次いで、このシリコンウェーハＷを、その研磨面を上方にして反応室２内のサセプタ２０のポケット部２４に載置する。この後、反応室２を密閉する。そして、サセプタ支持部材１８の軸部７を所定速度で回転させ、サセプタ２０に搭載されたシリコンウェーハＷを回転させる。
【００２５】
次いで、反応室２内にシリコンウェーハＷの表面と平行に水素ガスを供給し、ハロゲンランプ６により所定温度に加熱する。これにより、シリコンウェーハＷに対して１１５０℃、２０秒間の水素ベークを行う。その後、シリコンソースガスであるＳｉＨＣｌ３およびボロンドーパントガスであるＢ２Ｈ６が水素ガスにより希釈された混合ガスを、上下側の各ガス供給口１２から反応室２の上側空間と下側空間とにそれぞれ供給する。このときの混合ガスの流量は、３Ｌ／ｍｉｎ〜１００Ｌ／ｍｉｎである。同時に、反応室２内で反応などに使用された混合ガスをガス排出口１３から排出する。このとき、反応室２の下側空間の内圧は１０９．９ＫＰａ、上側空間の内圧は１０１．０ＫＰａである。よって、反応室２の下側空間は上側空間よりも約１００Ｐａだけ負圧となっている。
【００２６】
そして、反応室２の上方および下方のハロゲンランプ６から放射された光（熱線）を、反応室２内で輻射させ、反応室２内の温度を１０７０℃に保持する。このとき、シリコンウェーハＷを保持するサセプタ２０は、下方のハロゲンランプ６により、サセプタ支持部材１８を介して均一にその輻射熱を受ける。これにより、厚さ約６μｍ、比抵抗１０ΩｃｍのＰ型のエピタキシャル膜が、均一にシリコンウェーハＷの表面に成長させられる。
【００２７】
このように、反応室２に流入した反応ガスは、シリコンウェーハＷと接触する直前にプリヒートリング６０により予熱される。これにより、シリコンウェーハＷとの反応が促進される。
このとき、プリヒートリング６０とサセプタ２０との間には、所定幅の隙間ａが存在する。反応ガスの一部は、この隙間ａから反応室２の下側空間に漏れ出ようとする。しかしながら、プリヒートリング６０に設けられたカバー部６１により、その隙間ａが上方から被われ、このガス漏れが抑えられる。その結果、シリコンウェーハＷの表面へのシリコンのエピタキシャル成長速度が高まり、この隙間ａからのガス漏れに起因したオートドープの抑制効果の低下を防ぐことができる。これにより、得られたエピタキシャルウェーハの表面に成膜されたエピタキシャル膜の比抵抗の均一性を高めることができる。しかも、反応ガスの使用量を低減させることができるとともに、下側ドーム４の曇りも低減可能になる。
【実施例２】
【００２８】
次に、図４を参照して、この発明の実施例２に係るエピタキシャル成長装置を説明する。
図４に示す実施例２のエピタキシャル成長装置１０Ａは、プリヒートリング６０Ａに一体的に形成されたカバー部６１Ａを、その上面の高さが、サセプタ２０に載置されたシリコンウェーハＷの表面の高さと略同じになるようにした点を特徴としている。
ここでいうカバー部６１Ａの上面の高さとシリコンウェーハＷの表面の高さとが略同じとは、両面の高さの差が１００μｍ程度であることを意味する。これを実現するため、サセプタ２０のポケット部２４の深さを３００μｍとしている。すなわち、ポケット部２４の深さ（３００μｍ）とカバー部６１Ａの厚さ（１０００μｍ）さらにはサセプタ２０自身のセッティング位置を６００μｍ〜７００μｍ下げることで、シリコンウェーハＷの厚さと、ポケット部２４の底面からカバー部６１Ａの上面までの高さとが略同じになる。また、カバー部６１Ａのプリヒートリング６０の内周面からの突出長さを、サセプタ２０のうち、ポケット部２４より外周部分の全域を被う長さとしている。
【００２９】
このように、カバー部６１Ａの上面の高さと、サセプタ２０に載置されたシリコンウェーハＷの表面の高さとを略揃えたので、ウェーハの表面と平行に供給される反応ガスは、気流が乱れることなくシリコンウェーハＷの表面と接することができる。
また、カバー部６１Ａのプリヒートリング６０の内周面からの突出長さを、サセプタ２０のうち、ポケット部２４より外周部分の全域を被う長さとしたので、カバー部６１Ａの内周部とシリコンウェーハＷの外周部との隙間が小さくなり、前記気流の乱れをさらに低減させることができる。
その他の構成、作用および効果は、実施例１から推測可能な範囲であるので説明を省略する。
【００３０】
次に、エピタキシャル成長装置１０により成膜されたエピタキシャル膜のウェーハ面内における抵抗率と、シリコンのエピタキシャル成長速度とにつき、実際に実験を行った結果を報告する。
試験例１のウェーハは、実施例１のエピタキシャル成長装置１０を使用し、サセプタ２０とプリヒートリング６１との隙間ａをカバー部６１により被い、実施例１のエピタキシャル成長条件で、エピタキシャル膜を成膜したエピタキシャルウェーハである。
試験例２のウェーハは、実施例２のエピタキシャル成長装置１０Ａを使用し、サセプタ２０とプリヒートリング６１Ａとの隙間ａをカバー部６１Ａにより上方から被い、実施例１のエピタキシャル成長条件で、エピタキシャル膜を成膜したエピタキシャルウェーハである。
また、比較例のウェーハは、プリヒートリングにカバー部が存在しない従来のエピタキシャル成長装置を使用し、実施例１のエピタキシャル成長条件で、エピタキシャル膜を成膜したエピタキシャルウェーハである。各エピタキシャル膜の抵抗率は、Surface Charge Profiler（QC solutions製）により測定した。
【００３１】
図５から明らかなように、比較例のエピタキシャルウェーハに比べて、試験例１，２のエピタキシャルウェーハは、ウェーハの外周部におけるエピタキシャル膜の抵抗率の低下がそれぞれ著しく小さかった。また、エピタキシャル成長速度についても、比較例のエピタキシャルウェーハに比べて、試験例１，２のエピタキシャルウェーハはその成長速度がそれぞれ高かった（図６）。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】この発明の実施例１に係るエピタキシャル成長装置の反応室を示す概略の縦断面図である。
【図２】この発明の実施例１に係るエピタキシャル成長装置の反応室の平面図である。
【図３】この発明の実施例１に係るエピタキシャル成長装置のサセプタおよびプリヒートリングの周辺部分を示す拡大縦断面である。
【図４】この発明の実施例２に係るエピタキシャル成長装置のサセプタおよびプリヒートリングの周辺部分を示す拡大縦断面である。
【図５】この発明のエピタキシャル成長装置により得られたエピタキシャルウェーハと従来のエピタキシャルウェーハとにおけるエピタキシャル膜の抵抗率を示すグラフである。
【図６】この発明のエピタキシャル成長装置により得られたエピタキシャルウェーハと従来のエピタキシャルウェーハとにおけるエピタキシャル成長速度を示すグラフである。
【図７】従来手段に係るエピタキシャル成長装置の反応室を示す概略の縦断面図である。
【図８】従来手段に係るエピタキシャル成長装置のサセプタおよびプリヒートリングの周辺部を示す拡大縦断面である。
【符号の説明】
【００３３】
１０，１０Ａ  エピタキシャル成長装置、
２  反応室、
２０  サセプタ、
６０  プリヒートリング、
６１  カバー部、
Ｗ  シリコンウェーハ（半導体ウェーハ）、
ａ  隙間。
【図１】
2006049503.tif 000003
【図２】
2006049503.tif 000004
【図３】
2006049503.tif 000005
【図４】
2006049503.tif 000006
【図５】
2006049503.tif 000007
【図６】
2006049503.tif 000008
【図７】
2006049503.tif 000009
【図８】
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