(57)【要約】【課題】小型化および高性能化のフレキシブル回路基板から要求される高密度回路パターンの形成に必要な優れた接着力、耐化学性および耐熱性を得ることができ、且つフレキシブル回路基板に加えられる頻繁な屈曲による回路不良率を低めてフレキシブル回路基板の信頼性を向上させることが可能な、フレキシブル回路基板用積層構造体を提供する。【解決手段】本発明のフレキシブル回路基板用積層構造体は、ベースフィルム上に、微量のＺｎ−ＶまたはＺｎ−Ｔａを含有した銅化合物からなるタイ層を形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベースフィルム上にタイ層を形成するフレキシブル回路基板用積層構造体であって、
該タイ層は、Ｚｎ−ＶまたはＺｎ−Ｔａを含有した銅化合物からなることを特徴とする、フレキシブル回路基板用積層構造体。
【請求項２】
前記Ｚｎ−Ｖを含有した銅化合物からなるタイ層は、Ｚｎの成分割合がＶの成分割合より高いことを特徴とする、請求項１に記載のフレキシブル回路基板用積層構造体。
【請求項３】
前記Ｚｎ−Ｖを含有した銅化合物からなるタイ層は、Ｚｎの成分割合が２．５％を超え５％以下であり、Ｖの成分割合が２．５％未満であることを特徴とする、請求項２に記載のフレキシブル回路基板用積層構造体。
【請求項４】
前記Ｚｎ−Ｔａを含有した銅化合物からなるタイ層は、Ｚｎの成分割合がＴａの成分割合より高いことを特徴とする、請求項１に記載のフレキシブル回路基板用積層構造体。
【請求項５】
前記Ｚｎ−Ｔａを含有した銅化合物からなるタイ層は、Ｚｎの成分割合が２．５％を超え５％以下であり、Ｔａの成分割合が２．５％未満であることを特徴とする、請求項４に記載のフレキシブル回路基板用積層構造体。
【請求項６】
前記ベースフィルムは、ポリイミドフィルムであることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載のフレキシブル回路基板用積層構造体。
【請求項７】
前記タイ層は、スパッタリングによって形成されることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載のフレキシブル回路基板用積層構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子製品に用いられるフレキシブル回路基板に係り、特にフレキシブル回路基板用積層構造体において銅の真空スターリングの際に発生するポリイミドフィルム内への銅の拡散を防止し、且つ銅−ポリイミドフィルム間の接着力、耐化学性および耐熱性を向上させるために用いられるタイ層に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のフレキシブル回路基板（Flexible Printed Circuit Board；FPCB）には、銅箔とポリイミドフィルムとを接着剤で接着した基板がある。その製造方法について説明すると、まず、銅箔とポリイミドフィルムをそれぞれ準備し、ポリイミドフィルム上に変性エポキシ系接着剤をウェットコートして乾燥させる。この際、厚さを約１０〜１５μｍ程度に維持させ、加熱されたロール状のラミネータを用いて銅箔とポリイミドフィルムとを貼り合わせる。その後、熟成工程を経てフレキシブル回路基板を完成する。
ところが、電子製品、特に携帯電話やＬＣＤなどのディスプレイ素子の小型化および高性能化が要求されるにつれて、上記のように接着剤を用いて製造されたフレキシブル回路基板用原板には、次のような問題点が発生した。すなわち、素子の小型化および高性能化を達成するための高密度回路パターンの形成に要求される加熱工程と湿式化学処理工程（例えば、エッチング、メッキ、はんだ付けなど）の際に、接着剤と銅箔およびポリイミドフィルムとの熱膨張係数差によって基板の寸法安定性が悪化した。また、化学処理によって接着力が低下し、ポリイミドフィルムが内在している吸湿性に対する抵抗が弱化して基板の不良率が高くなった。
【０００３】
このように接着剤によって基板の品質が悪化するという問題点を解決するために、接着剤を使用することなく銅箔とポリイミドフィルムを接合させる無接着剤方式のフレキシブル回路２層基板の製造方法が研究されてきた。現在まで研究されたフレキシブル回路２層基板の製造方法は、キャスティング法とメッキ法に大別される。キャスティング法は、銅薄膜上にポリイミドバーニッシュ液をコートし、これを乾燥および硬化させた後、フィルム形状に加工する方法である。一方、メッキ法は、ポリイミドフィルム上に接着力を向上させるための表面処理を施した後、銅をサブμｍ程度に真空コートし、これを通電層として用いて電気メッキを施すことにより、最小厚さ１μｍ〜最大厚さ１２μｍｍの銅箔を製造する方法である。
特に、メッキ法では、銅を真空コートする際にポリイミドフィルム内へ銅成分が拡散することを防止し、銅薄膜とポリイミドフィルム間の接着力を向上させるためにタイ層をポリイミドフィルム上に真空コートする方法を使用することもある。このようなタイ層の材料としては、Ｃｒ、ｍｏｎｅｌ（Ｎｉ−Ｃｕ）、Ｎｉ−Ｃｒなどが使用されてきた。
しかし、電子製品の継続的な小型化および高性能化が進み、特に携帯電話やＬＣＤなどのディスプレイ素子は、一層複雑で稠密な規格と高性能が要求されることにより、素子を駆動するドライバーＩＣの数と集積度もさらに高くなってきている。これにより、回路のパターン幅も既存の１５０〜２００μｍのピッチから現在１００〜１２０μｍのピッチに狭くなっており、これからは１００μｍピッチ以下の高密度回路パターンが要求されるものと予想されている。
【０００４】
ところが、現在タイ層として用いられている、Ｃｒ、ｍｏｎｅｌ（Ｎｉ−Ｃｕ）、Ｎｉ−Ｃｒなどからなるタイ層では、このような高密度の回路パターンから要求される接着力、耐化学性および高温での耐熱性を十分得ることができない。よって、将来の高密度の回路パターンから要求されるさらに優れた接着力、耐化学性および高温での耐熱性を得ることが可能なフレキシブル回路基板用積層構造体が要請されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そこで、本発明はこのような問題点に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、将来の小型化および高性能化のフレキシブル回路基板から要求される高密度回路パターの形成に必要な優れた接着力、耐化学性および耐熱性を得ることが可能なフレキシブル回路基板用積層構造体を提供することにある。
本発明の他の目的は、フレキシブル回路基板に加えられる頻繁な屈曲にも拘わらず、回路の不良率が低く且つ信頼性が高いフレキシブル回路基板用積層構造体を提供することにある。
本発明の別の目的は、高精密および高周波などの厳しい動作条件でも誤作動のない回路基板として使用可能なフレキシブル回路基板用積層構造体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明のフレキシブル回路基板用積層構造体は、ベースフィルム上に、微量のＺｎ−ＶまたはＺｎ−Ｔａを含有した銅化合物からなるタイ層を形成する。
この際、Ｚｎ−Ｖを含有した銅化合物からなるタイ層は、Ｚｎの成分割合がＶの成分割合より高い方がよく、好ましくはＺｎの成分割合が２．５％を超え５％以下であり、Ｖの成分割合が２．５％未満であることがよい。
また、Ｚｎ−Ｔａを含有した銅化合物からなるタイ層は、Ｚｎの成分割合がＴａの成分割合より高い方がよく、好ましくはＺｎの成分割合が２．５％を超え５％以下であり、Ｔａの成分割合が２．５％未満であることがよい。
これにより、小型化および高性能化のフレキシブル回路基板から要求される高密度回路パターンの形成に必要な優れた接着力、耐化学性および耐熱性が得られ、且つフレキシブル回路基板に加えられる頻繁な屈曲による回路不良率が低くなってフレキシブル回路基板の信頼性が向上する。
また、ベースフィルムは、ポリイミドフィルムであることが好ましい。
また、タイ層は、スパッタリングによって形成されることが好ましい。
【発明の効果】
【０００７】
【０００８】
上記のように、本発明に係るフレキシブル回路基板用積層構造体は、タイ層を、Ｚｎ−ＶまたはＺｎ−Ｔａを含有する銅三成分系化合物で形成することにより、将来の小型化および高性能化のフレキシブル回路基板から要求される高密度回路パターンの形成に必要な優れた接着力、耐化学性および耐熱性を得ることができる。
【０００９】
また、本発明に係るフレキシブル回路基板用積層構造は、結晶粒子サイズが既存材料のフレキシブル回路基板用積層構造体より小さいため、フレキシブル回路基板に加えられる頻繁な屈曲による金属組織の疲労現象により発生する回路の短絡および断線が短期間に発生しなくて不良率が低くなり、これによりフレキシブル回路基板の信頼性が向上する。
【００１０】
また、本発明のタイ層が、ポリイミドフィルム内への銅粒子の拡散現象を防止する拡散防止膜の役割を果たすため、回路基板として使用する際に重要視される絶縁性の面で優れた性質を示すので、本発明に係るタイ層を有するフレキシブル回路基板用積層構造体は、高精密および高周波などの厳しい動作条件でも誤作動のない回路基板として使用することができる。  
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の実施例について詳細に説明する。
【００１２】
図１は本発明に係るタイ層をポリイミドフィルム上に形成したフレキシブル回路基板用積層構造体を示す断面図である。本発明では、タイ層として、Ｚｎ−ＶまたはＺｎ−Ｔａを含有する銅三成分系化合物を用いる。以下、Ｚｎ−Ｖを含有する銅三成分系化合物を「ＣＡＴ１」といい、Ｚｎ−Ｔａを含有する銅三成分系化合物を「ＣＡＴ２」という。図１において、ＣＡＴ層は、「ＣＡＴ１」と「ＣＡＴ２」を含むものである。
【００１３】
次に、図２を参照して、図１に示した本発明に係るフレキシブル回路基板用積層構造体を製造する方法について詳細に説明する。図２は本発明に係るフレキシブル回路基板用積層構造体の製造装置およびその工程を簡略に示す図である。
まず、真空チャンバー内に、巻出しローラー２、メインドラム３および巻取りローラー４からなる移送システムが装着される。また、ポリイミドフィルム１を予熱させるための赤外線ヒーター５およびフィルムガイドローラー７、８、９、１０が設置され、ポリイミドフィルム１がメインドラム３に接触している間にタイ層と銅通電層を順次形成するために、タイ層スパッタリングカソード６ａおよび銅通電層スパッタリングカソード６ｂが設置される。
【００１４】
次に、本発明に係るフレキシブル回路基板用積層構造体の製造装置を用いた製造方法について説明する。まず、ポリイミドフィルム１が一定の巻出し張力で巻出しローラー２から巻き出される。その後、ポリイミドフィルム１は、フィルムガイドローラー７とフィルムガイドローラー８との間で赤外線ヒーター５によって加熱される。次いで、加熱されたポリイミドフィルム１は、フィルガイドローラー８の周囲にガイドされた後、メインドラム３に接触している間にタイ層スパッタリングカソード６ａによって、本発明に係る銅三成分系化合物を用いたタイ層が先に形成され、その後銅通電層スパッタリングカソード６ｂによって銅通電層が形成される。その次、ポリイミドフィルム１は、フィルムガイドローラー９およびフィルムガイドローラー１０によってガイドされ、巻取りローラー４によって一定の巻取り張力で巻き取られる。
図示されてはいないが、以上の工程を経たポリイミドフィルム１には、銅通電層を用いて電気メッキを施すことにより、銅メッキ層を積層させる。
【００１５】
前記実施例では、本発明に係るタイ層をスパッタリング法で形成しているが、必ずしもスパッタリングを行う必要はなく、蒸着などの他の形成方法を用いてもよい。
また、本発明に係るタイ層をポリイミドフィルム上に形成する前に、図１に示すようにポリイミドフィルムを表面処理することにより、接着力をさらに向上させることもできる。
上記の方法により、本発明に係る銅化合物、すなわち微量のＺｎ−ＶまたはＺｎ−Ｔａを含有する銅三成分系化合物でタイ層を形成することができる。
【００１６】
次に、図３を参照しながら、本発明に係る銅化合物のうちＺｎ−Ｖを含有する銅化合物、すなわちＣＡＴ１におけるＺｎとＶの成分割合の変化による接着強度の変化について説明する。図３はＣＡＴ１におけるＺｎとＶの成分割合の変化による接着強度の変化を示すグラフである。ここで、グラフの横軸は熱が加えられた時間を示し、グラフの縦軸はその時間で本発明のフレキシブル回路基板用積層構造体の接着強度（ｋｇｆ／ｃｍ）を示す。この際、銅（Ｃｕ）の成分割合は９５％と一定である。
接着強度の変化を測定するために、ＣＡＴ１のタイ層を有するフレキシブル回路基板用積層構造体に１５０℃の高温で１時間〜１６８時間熱処理した後、ポリイミドフィルムと銅メッキ層間の接着強度を測定する方式で実験を行った。
図３から分かるように、Ｖの成分割合が０から増加するほど接着強度が増加するが、最も高い接着強度を示す、Ｚｎ：Ｖの成分割合が３：２となるときまでであり、Ｖの成分割合がそれ以上に増加すると、さらに接着強度が減少する。実験結果によれば、Ｚｎの成分割合がＶの成分割合より大きいときに良好な接着強度を示し、好ましくはＺｎ：Ｖの割合が３：２のときに最も良好な接着強度を示した。
【００１７】
次に、図４を参照して、本発明に係る銅化合物のうちＺｎ−Ｔａを含有する銅化合物、すなわちＣＡＴ２におけるＺｎとＴａの成分割合の変化による接着強度の変化について説明する。図４は、ＣＡＴ２におけるＺｎとＴａの成分割合の変化による接着強度の変化を示すグラフである。ここで、グラフの横軸は熱が加えられた時間を示し、グラフの縦軸はその時間で本発明のフレキシブル回路基板用積層構造体の接着強度（ｋｇｆ／ｃｍ）を示す。この際、銅（Ｃｕ）の成分割合は、図３の実験と同様に、９５％と一定である。
ＣＡＴ１のタイ層に対する接着強度実験と同様に、接着強度の変化を測定するために、ＣＡＴ２のタイ層を有するフレキシブル回路基板用積層構造体に１５０℃の高温で１時間〜１６８時間熱処理した後、ポリイミドフィルムと銅メッキ層間の接着強度を測定する方式で実験を行った。
【００１８】
図４から分かるように、Ｔａの成分割合が０から増加するほど接着強度が増加するが、最も高い接着強度を示す、Ｚｎ：Ｔａの成分割合が４：１となるときまでであり、Ｔａの成分割合がそれ以上に増加すると、さらに接着強度が減少する。実験結果によれば、Ｚｎの成分割合がＴａの成分割合より大きいときに良好な接着強度を示し、好ましくはＺｎ：Ｔａの比率が４：１のときに最も良好な接着強度を示した。
【００１９】
次に、タイ層を使用していないフレキシブル回路基板用積層構造体（Ｃｕ／ＰＩ）と、タイ層の材料としてｍｏｎｅｌ（Ｎｉ−Ｃｕ）、Ｎｉ−Ｃｒをそれぞれ使用したフレキシブル回路基板用積層構造体（Ｃｕ／ｍｏｎｅｌ／ＰＩ、Ｃｕ／Ｎｉ−Ｃｒ／ＰＩ）と、本発明に係る銅三成分系化合物ＣＡＴ１およびＣＡＴ２をタイ層として使用したフレキシブル回路基板用積層構造体（Ｃｕ／ＣＡＴ１／ＰＩ、Ｃｕ／ＣＡＴ２／ＰＩ）とを接着力、耐熱性および耐化学性の面で比較する。
【００２０】
図５は、以上の互いに異なる材料を使用したタイ層を有するフレキシブル回路基板用積層構造体に１５０℃の高温を一定の時間加えたときのポリイミドフィルムと銅メッキ層間の接着強度の変化を示すグラフである。ここで、グラフの横軸は熱が加えられた時間を示し、グラフの縦軸はその時間で各フレキシブル回路基板用積層構造体の接着強度を示す。
【００２１】
図５から分かるように、本発明のタイ層を有するフレキシブル回路基板用積層構造体は、熱を加えていない初期にＣｕ／ＣＡＴ１／ＰＩ＝０．８５ｋｇｆ／ｃｍ、Ｃｕ／ＣＡＴ２／ＰＩ＝０．８６ｋｇｆ／ｃｍの接着強度を示したが、これは、別の材料のタイ層を有するフレキシブル回路基板用積層構造体の接着強度、すなわちＣｕ／ｍｏｎｅｌ／ＰＩ＝０．６２ｋｇｆ／ｃｍ、Ｃｕ／Ｎｉ−Ｃｒ／ＰＩ＝０．７ｋｇｆ／ｃｍより一層優れる。
また、各フレキシブル回路基板用積層構造体に１５０時間以上の熱負荷を加えた以後にも、本発明のタイ層を有するフレキシブル回路基板用積層構造体は、それぞれＣｕ／ＣＡＴ１／ＰＩ＝０．５９ｋｇｆ／ｃｍ、Ｃｕ／ＣＡＴ２／ＰＩ＝０．６ｋｇｆ／ｃｍの接着強度を持っているので、別の材料のタイ層を有するフレキシブル回路基板用積層構造体の接着強度、すなわちＣｕ／ｍｏｎｅｌ／ＰＩ＝０．１２ｋｇｆ／ｃｍ、Ｃｕ／Ｎｉ−Ｃｒ／ＰＩ＝０．４５ｋｇｆ／ｃｍより一層優れる。
従って、本発明に係るタイ層を有するフレキシブル回路基板用積層構造体は、従来のフレキシブル回路基板用積層構造体より優れた接着力および耐熱性を持っていることが分かる。
【００２２】
表１は互いに異なる材料を使用したタイ層を有するフレキシブル回路基板用積層構造体の耐化学性をテストした結果を示す。
【００２３】
（表１）
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【００２４】
耐化学性テストは、耐塩基性テストと耐酸性テストに大別される。耐塩基性テストは、各フレキシブル回路基板用積層構造体を濃度８％のＮａＯＨに５分間浸漬(dipping)した後、銅メッキ層とポリイミドフィルム間の接着強度を測定する方式で行われる。耐酸性テストは、各フレキシブル回路基板用積層構造体を濃度８％のＨＣＬに５分間浸漬した後、銅メッキ層とポリイミドフィルム間の接着強度を測定する方式で行われる。
【００２５】
表１から分かるように、耐塩基性テストを経た後、本発明のタイ層を有するフレキシブル回路基板用積層構造体は、それぞれＣｕ／ＣＡＴ１／ＰＩ＝０．８１ｋｇｆ／ｃｍ、Ｃｕ／ＣＡＴ２／ＰＩ＝０．８１ｋｇｆ／ｃｍの接着強度を示しているが、これは、別の材料のタイ層を有するフレキシブル回路基板用積層構造体の接着強度、すなわちＣｕ／ｍｏｎｅｌ／ＰＩ＝０．４ｋｇｆ／ｃｍ、Ｃｕ／Ｎｉ−Ｃｒ／ＰＩ＝０．６５ｋｇｆ／ｃｍより一層優れる。
【００２６】
また、耐酸性テストを経た後、本発明のタイ層を有するフレキシブル回路基板用積層構造体は、それぞれＣｕ／ＣＡＴ１／ＰＩ＝０．８ｋｇｆ／ｃｍ、Ｃｕ／ＣＡＴ２／ＰＩ＝０．８ｋｇｆ／ｃｍの接着強度を示しているが、これは、別の材料のタイ層を有するフレキシブル回路基板用積層構造体の接着強度、すなわちＣｕ／ｍｏｎｅｌ／ＰＩ＝０．３７ｋｇｆ／ｃｍ、Ｃｕ／Ｎｉ−Ｃｒ／ＰＩ＝０．６３ｋｇｆ／ｃｍより一層優れる。
【００２７】
以上の耐化学性テスト結果から分かるように、本発明のタイ層を有するフレキシブル回路基板用積層構造体は、耐塩基性および耐酸性の耐化学性が従来のフレキシブル回路基板用積層構造体より優れる。
【００２８】
表２は各フレキシブル回路基板用積層構造体に部品実装のためのはんだ付け用端子メッキとして金メッキ(Gold plating)を処理した後の接着強度の変化を測定したものである。
【００２９】
【表２】
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【００３０】
フレキシブル回路基板用積層構造体が電子製品に使用できるためには、このような化学メッキ後の接着強度が初期接着強度の９０％以上でなければならない。
表２から分かるように、本発明のタイ層を有するフレキシブル回路基板用積層構造体は、メッキ後の接着強度がそれぞれＣｕ／ＣＡＴ１／ＰＩ＝０．８１ｋｇｆ／ｃｍ、Ｃｕ／ＣＡＴ２／ＰＩ＝０．８２ｋｇｆ／ｃｍを示している。これは、テスト通過基準である初期接着強度の９０％より優れるのは勿論のこと、別の材料のタイ層を有するフレキシブル回路基板用積層構造体の接着強度、すなわちＣｕ／ｍｏｎｅｌ／ＰＩ＝０．４５ｋｇｆ／ｃｍ、Ｃｕ／Ｎｉ−Ｃｒ／ＰＩ＝０．６５ｋｇｆ／ｃｍと比較しても一層優れる。
【００３１】
従って、本発明に係るタイ層を有するフレキシブル回路基板用積層構造体は、金メッキを施した後の接着強度も、別の材料のタイ層を有するフレキシブル回路基板より優れることが分かる。
【００３２】
図６ａ〜図６ｄは、本発明に係る銅化合物のうちＺｎ−Ｖを含有する銅化合物でタイ層を形成したフレキシブル回路基板用積層構造体の結晶粒子サイズと、Ｎｉ−Ｃｒでタイ層を形成したフレキシブル回路基板用積層構造体の結晶粒子サイズとを比較して示す。
図６ａはＮｉ−Ｃｒでタイ層を形成したフレキシブル回路基板用積層構造体を撮影してその結晶粒子を示したもので、図６ｂは本発明のＺｎ−Ｖを含有する銅化合物でタイ層を形成したフレキシブル回路基板用積層構造体を撮影してその結晶粒子を示したものである。
【００３３】
一方、図６ｃはＮｉ−Ｃｒでタイ層を形成したフレキシブル回路基板用積層構造体の結晶粒子サイズの分布比率を示したもので、図６ｄは本発明のＺｎ−Ｖを含有する銅化合物でタイ層を形成したフレキシブル回路基板用積層体の結晶粒子サイズの分布比率を示したものである。ここで、横軸は結晶粒子サイズを示し、縦軸は分布比率を示す。
【００３４】
図６ｄから分かるように、本発明に係るタイ層を有するフレキシブル回路基板用積層構造体の結晶粒子は、粒子サイズ１μｍ以下のものが全体の８５％以上を占めている。これに対し、Ｎｉ−Ｃｒのタイ層を有するフレキシブル基板用積層構造体の結晶粒子は、図６ｃに示すように、粒子サイズ１μｍ以下のものが全体の６５％程度を占めている。
フレキシブル回路基板用積層構造体の結晶粒子のサイズが小さいほど、粒界の形成率が高くて粒界がクラック(crack)の伝播を吸収し遅らせるので基板のクラック伝播速度(crack propagation rate)が低くなり、その結果フレキシブル回路基板に加えられる頻繁な屈曲による金属組織の疲労現象により発生する回路の短絡および断線が短期間に発生しないため不良率が低くなって、フレキシブル回路基板の信頼性が向上する。
従って、本発明に係るタイ層を有するフレキシブル回路基板は、Ｎｉ−Ｃｒのタイ層を有するフレキシブル回路基板に比べて信頼性が高いことが分かる。
【００３５】
以上、本発明を具体的な実施例によって詳細に説明したが、本発明は、これらの実施例に限定されず、本発明の技術的思想の範囲内で通常の知識を有する者によって各種変形が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
本発明に係るフレキシブル回路基板用積層構造体の製造方法は、電子製品の全分野、例えばフレキシブル回路基板だけでなく、ＴＡＢ、ＣＯＦおよびＢＧＡなど結合を要する回路基板に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明に係るタイ層をポリイミドフィルム上に形成したフレキシブル回路基板用積層構造体を示す断面図である。
【図２】本発明に係るフレキシブル回路基板用積層構造体の製造装置およびその工程を簡略に示す図である。
【図３】本発明に係る銅化合物のうちＺｎ−Ｖを含有する銅化合物（Copper Alloy Tie 1：以下「ＣＡＴ１」という）におけるＺｎとＶの成分割合の変化による接着強度の変化を示すグラフである。
【図４】本発明に係る銅化合物のうちＺｎ−Ｔａを含有する銅化合物（Copper Alloy Tie 2：以下「ＣＡＴ２」という）におけるＺｎとＴａの成分割合の変化による接着強度の変化を示すグラフである。
【図５】互いに異なる材料を使用したタイ層を有するフレキシブル回路基板用積層構造体に１５０℃の高温で１６８時間まで熱処理するときのポリイミドフィルムと銅メッキ層間の接着強度の変化を示すグラフである。
【図６】本発明に係るタイ層を有するフレキシブル回路基板用積層構造体のメッキ結晶粒子サイズと、別の材料を使用したタイ層を有するフレキシブル回路基板用積層構造体のメッキ結晶粒子サイズとを比較して示す図である。
【符号の説明】
【００３８】
１  ポリイミドフィルム
２    巻出しローラー
３    メインドラム
４    巻取りローラー
５    赤外線ヒーター
６ａ    タイ層スパッタリングカソード
６ｂ    銅通電層スパッタリングカソード
７、８、９、１０    フィルムガイドローラー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2006049894.tif 000008
【図５】
2006049894.tif 000009
【図６ａ】
2006049894.tif 000010
【図６ｂ】
2006049894.tif 000011
【図６ｃ】
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【図６ｄ】
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