(57)【要約】【課題】  脱ガス用の封止孔を封止する際に、加熱用光ビームがパッケージ内に侵入しても圧電振動片などの電子部品を損傷させることを有効に防止できるパッケージと、圧電デバイス、および圧電デバイスの製造方法を提供すること。【解決手段】  パッケージ３７内に圧電振動片３２を収容して、蓋体４０により、前記パッケージを気密に封止した圧電デバイスであって、前記パッケージが、複数層の絶縁基板を積層して形成されており、前記積層基板が、底部を形成する平板状の下部基板５５と、この下部基板の上に積層され、内側の材料が除去されることにより、前記圧電振動片を収容するための内部空間を形成するための上部基板５６とを有していて、前記下部基板には、前記内部空間と外部とを連通する封止孔６１が形成されており、前記封止孔の孔径の途中に前記上部基板の内側の縁部５７が位置する構成とした。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッケージ内に圧電振動片を収容して、蓋体により、前記パッケージを気密に封止した圧電デバイスであって、
前記パッケージが、複数層の絶縁基板を積層して形成されており、
前記積層基板が、底部を形成する平板状の下部基板と、この下部基板の上に積層され、内側の材料が除去されることにより、前記圧電振動片を収容するための内部空間を形成するための上部基板とを有していて、
前記下部基板には、前記内部空間と外部とを連通する封止孔が形成されており、
前記封止孔の孔径の途中に前記上部基板の内側の縁部が位置する構成とした
ことを特徴とする圧電デバイス。
【請求項２】
前記下部基板が一枚の絶縁基板で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の圧電デバイス。
【請求項３】
前記上部基板が一枚の絶縁基板で形成されていることを特徴とする請求項２に記載の圧電デバイス。
【請求項４】
前記封止孔の内周と、前記封止孔内に露出する前記上部基板の一部が形成する段部とに金属被覆部を設けたことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の圧電デバイス。
【請求項５】
前記封止孔が、前記パッケージの側縁に隣接して形成されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の圧電デバイス。
【請求項６】
複数層の絶縁基板を積層して形成され、電子部品を収容するための内部空間を有する絶縁性のパッケージであって、
前記積層基板が、底部を形成する平板状の下部基板と、この下部基板の上に積層され、内側の材料が除去されることにより、前記圧電振動片を収容するための内部空間を形成するための上部基板とを有していて、
前記下部基板には、前記内部空間と外部とを連通する封止孔が形成されており、
前記封止孔の孔径の途中に前記上部基板の内側の縁部が位置する構成とした
ことを特徴とするパッケージ。
【請求項７】
パッケージ内に圧電振動片を収容し、蓋体により気密に封止した圧電デバイスの製造方法であって、
複数の絶縁基板を積層して形成する前記パッケージと、前記圧電振動片と、前記蓋体とを別々に形成するための個別の形成工程と、
前記パッケージを構成する複数の絶縁基板のうち、前記パッケージの底部を形成する下部基板に対して、前記圧電振動片を接合する工程と、
前記パッケージを前記蓋体により気密に封止する蓋封止工程と、
前記パッケージの外部から前記圧電振動片に形成されている金属膜に加熱用光ビームを照射する周波数調整工程と
前記パッケージの前記下部基板に設けた封止孔を利用して、加熱下で脱ガスした後で、この封止孔を封止する孔封止工程と
を含んでおり、
前記パッケージの形成工程では、平板状の絶縁基板による前記下部基板と、内側の材料を除去して前記圧電振動片を収容するための内部空間を形成した上部基板をそれぞれ成形した後で、積層し焼結するようにされ、
前記下部基板には、前記成形の際に、積層状態で前記上部基板の内側の縁部が孔径の途中に位置するように封止孔を形成するようにした
ことを特徴とする、圧電デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パッケージと、パッケージ内に圧電振動片を収容した圧電デバイスおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＨＤＤ（ハード・ディスク・ドライブ）、モバイルコンピュータ、あるいはＩＣカード等の小型の情報機器や、携帯電話、自動車電話、またはページングシステム等の移動体通信機器やジャイロセンサなどにおいて、圧電振動子や圧電発振器等の圧電デバイスが広く使用されている。
従来の圧電デバイスは、例えば、図６の概略断面図に示すように構成されている（特許文献１参照）。
【０００３】
図において、圧電デバイス１は、セラミック製の浅い箱状のパッケージ２内に電極部４を形成し、この電極部４に導電性接着剤４ａを用いて、圧電振動片３を固定している。このパッケージ２は、蓋体５により気密に封止されている。
パッケージ２の底部には、外側の第１の孔６ａと、これに連通した第２の孔６ｂでなる貫通孔６が形成されている。これによって、蓋体５の封止に際して、真空雰囲気下において、封止材５ａが加熱されると、例えば、導電性接着剤４ａ等から生成されるガス成分がこの貫通孔６からパッケージ２の外部に排出される。このようにすることで、有害なガス成分が圧電振動片３に付着して、周波数をシフトさせることなどが、防止されている。
【０００４】
ここで、貫通孔６を利用した上記脱ガス工程の後で、貫通孔６の段部８には、金属ボールが配置され、レーザ光ＬＢ等のような加熱用光ビームを用いて、この金属ボールを溶融することによる充填材７で貫通孔６を塞ぎ、孔封止を行うようにしている。
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−１０６５１５
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、パッケージ２に形成された貫通孔６は、パッケージ２のほぼ中心付近に形成されている。
このため、金属ボールにレーザ光ＬＢを照射して、充填材７とする際に、レーザ光ＬＢが短時間でも金属ボールを溶かしながらパッケージ２内部に点線で示すように透過してしまうと、圧電振動片３自体の下面に照射されてしまう。
このパッケージ２内に侵入したレーザ光ＬＢは、圧電振動片３の電極などの金属膜を部分的に蒸散させてしまうおそれがあり、その場合には、圧電振動片３の周波数がシフトするおそれがある。
【０００７】
本発明は、以上の課題を解決するためになされたもので、脱ガス用の封止孔を封止する際に、加熱用光ビームがパッケージ内に侵入しても圧電振動片などの電子部品を損傷させることを有効に防止できるパッケージと、圧電デバイス、および圧電デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述の目的は、第１の発明にあっては、パッケージ内に圧電振動片を収容して、蓋体により、前記パッケージを気密に封止した圧電デバイスであって、前記パッケージが、複数層の絶縁基板を積層して形成されており、前記積層基板が、底部を形成する平板状の下部基板と、この下部基板の上に積層され、内側の材料が除去されることにより、前記圧電振動片を収容するための内部空間を形成するための上部基板とを有していて、前記下部基板には、前記内部空間と外部とを連通する封止孔が形成されており、前記封止孔の孔径の途中に前記上部基板の内側の縁部が位置する構成とした圧電デバイスにより、達成される。
第１の発明の構成によれば、前記封止孔に、充填用の金属材料を配置すると、この孔内には前記上部基板の縁部が位置しているので、この縁部に当接して前記金属材料はパッケージ内に落下せずに保持される。このため、レーザ光などの加熱用光ビームを前記金属材料に照射して溶融充填する作業の際に、金属材料は適切に封止孔内に保持されることができる。
しかも、光ビームを前記金属材料に照射した時には、光ビームは前記上部基板の縁部に近い位置に照射されることから、万一、パッケージ内に侵入しても圧電振動片に照射されることはほとんどなく、これにより圧電振動片の電極などが損傷するおそれはない。
かくして、本発明によれば、脱ガス用の孔を封止する際に、加熱用光ビームがパッケージ内に侵入しても圧電振動片などの電子部品を損傷させることを有効に防止できる圧電デバイスを提供することができる。
【０００９】
第２の発明は、第１の発明の構成において、前記下部基板が一枚の絶縁基板で形成されていることを特徴とする。
第２の発明の構成によれば次のような作用を発揮できる。すなわち、従来の技術においては、パッケージの底部に設ける封止孔を、段付きとするために、底部を構成するための基板を二枚以上積層しなければならず、そのため、パッケージの厚み方向の大きさがその分大きくなる不都合があった。これに対して、本願発明では、前記した封止孔の内部に露出する上部基板の縁部を、従来の段付き孔の段部と同等に利用することができるので、封止材を溶融前に配置するための段部を形成するために底部を構成する基板を複数枚重ねる必要がない。これにより前記下部基板を一枚の絶縁基板で形成することが可能で、このことにより、パッケージを小型化する上で有利となる。
【００１０】
第３の発明は、第２の発明の構成において、前記上部基板が一枚の絶縁基板で形成されていることを特徴とする。
第３の発明の構成によれば、下部基板を一枚の絶縁基板で形成することに加えて、上部基板も一枚の絶縁基板で形成すれば、パッケージの厚み方向の大きさを最も小さくすることができる。
【００１１】
第４の発明は、第１ないし第３の発明のいずれかの構成において、前記封止孔の内周と、前記封止孔内に露出する前記上部基板の一部が形成する段部とに金属被覆部を設けたことを特徴とする。
第４の発明の構成によれば、前記封止孔の内周と前記段部とに前記金属被覆部を設けることで、充填される封止材の金属が前記封止孔内に適切に付着される。
【００１２】
第５の発明は、第１ないし第４の発明のいずれかの構成において、前記封止孔が、前記パッケージの側縁に隣接して形成されていることを特徴とする。
第５の発明の構成によれば、前記封止孔をパッケージの幅方向の一端寄りの位置である前記側縁に隣接もしくは近接して設けるようにすることで、孔封止に際して、万一、加熱用の光ビームがパッケージ内に侵入した場合であっても、内部の圧電振動片に照射されることがほぼ確実に回避できる。
【００１３】
また、上記目的は、第６の発明にあっては、複数層の絶縁基板を積層して形成され、電子部品を収容するための内部空間を有する絶縁性のパッケージであって、前記積層基板が、底部を形成する平板状の下部基板と、この下部基板の上に積層され、内側の材料が除去されることにより、前記圧電振動片を収容するための内部空間を形成するための上部基板とを有していて、前記下部基板には、前記内部空間と外部とを連通する封止孔が形成されており、前記封止孔の孔径の途中に前記上部基板の内側の縁部が位置する構成としたパッケージにより、達成される。
第６の発明の構成によれば、第１の発明の発明において、説明したのと同じ理由により、内部に電子部品を収容した後で、脱ガス用の孔を封止する際に、加熱用光ビームがパッケージ内に侵入しても圧電振動片などの電子部品を損傷させることを有効に防止できるパッケージを提供することができる。
【００１４】
また、上記目的は、第７の発明にあっては、パッケージ内に圧電振動片を収容し、蓋体により気密に封止した圧電デバイスの製造方法であって、複数の絶縁基板を積層して形成する前記パッケージと、前記圧電振動片と、前記蓋体とを別々に形成するための個別の形成工程と、前記パッケージを構成する複数の絶縁基板のうち、前記パッケージの底部を形成する下部基板に対して、前記圧電振動片を接合する工程と、前記パッケージを前記蓋体により気密に封止する蓋封止工程と、前記パッケージの外部から前記圧電振動片に形成されている金属膜に加熱用光ビームを照射する周波数調整工程と前記パッケージの前記下部基板に設けた封止孔を利用して、加熱下で脱ガスした後で、この封止孔を封止する孔封止工程とを含んでおり、前記パッケージの形成工程では、平板状の絶縁基板による前記下部基板と、内側の材料を除去して前記圧電振動片を収容するための内部空間を形成した上部基板をそれぞれ成形した後で、積層し焼結するようにされ、前記下部基板には、前記成形の際に、積層状態で前記上部基板の内側の縁部が孔径の途中に位置するように封止孔を形成するようにした圧電デバイスの製造方法により、達成される。
第７の発明の構成によれば、この製造方法における孔封止工程では、前記パッケージの前記封止孔の途中に位置する前記上部基板の内側の縁部を利用して、その上に封止用の金属材料を載せて一時保持し、これに加熱用の光ビームを当てて溶融させることができる。この場合、光ビームは前記上部基板の縁部に近い位置に照射されることから、万一、パッケージ内に侵入しても圧電振動片に照射されることはほとんどなく、これによりパッケージ内部の圧電振動片の電極などが損傷する恐れはない。
かくして、本発明によれば、脱ガス用の孔を封止する際に、加熱用光ビームがパッケージ内に侵入しても圧電振動片などの電子部品を損傷させることを有効に防止できる圧電デバイスの製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
図１ないし図３は、本発明の圧電デバイスの実施形態を示しており、図１はその概略平面図、図２はその概略底面図、図３は図１のＡ−Ａ線概略断面図である。
これらの図において、圧電デバイス３０は、圧電振動子を構成した例を示しており、圧電デバイス３０は、パッケージ３７内に圧電振動片３２を収容している。パッケージ３７は、例えば、後述するように、絶縁材料として、酸化アルミニウム質のセラミックグリーンシートを成形して形成される複数の基板を積層した後、焼結して形成されている。
【００１６】
すなわち、この実施形態では、パッケージ３７は、図３に示すような、下部基板としての第１の積層基板（以下、「基板」という）５５と、上部基板としての第２の基板５６とを積層して形成されている。この実施形態では、一枚の下部基板としての第１の基板５５だけで、パッケージ３７の底部を形成している。
そして、パッケージ３７は、図２および図３に示すように、第２の基板５６の内側の材料を除去することで、内部空間Ｓのスペースを形成している。この内部空間Ｓが圧電振動片３２を収容するための収容空間である。そして、底部を構成する一枚だけの基板である第１の基板５５に圧電振動片３２が接合されている。
【００１７】
パッケージ３７の内部空間Ｓ内の図において左端部付近において、内部空間Ｓに露出して内側底部を構成する第１の基板５５の表面側には、例えば、タングステンメタライズ上にニッケルメッキ及び金メッキで形成した電極部３１，３１が設けられている。
この電極部３１，３１は、図２に示す実装端子４１，４２と接続されており、外部から印加される駆動電圧を、圧電振動片３２に供給するものである。具体的には、この実装端子４１，４２と電極部３１，３１は、パッケージ３７外部をメタライズにより引き回した導電部で接続されたり、あるいは第１の基板５５の焼成前にタングステンメタライズ等を利用して形成した導電スルーホール等で接続することで形成できる。
【００１８】
各電極部３１，３１の上には、導電性接着剤４７が塗布されて、圧電振動片３２の基端部が接合されている。この導電性接着剤４７としては、例えば、合成樹脂などを利用したバインダー成分に、銀粒子などの導電粒子を混入したもので、機械的接合と電気的接続とを同時に行うことができるものである。
パッケージ３７は、図示の場合、内部空間Ｓを有する浅い箱状に形成され、平板状の蓋体４０により気密に封止される構成である。
圧電振動片３２は、例えば水晶で形成されており、水晶以外にもタンタル酸リチウム，ニオブ酸リチウム等の圧電材料を利用することができる。本実施形態の場合、圧電振動片３２は、例えば、水晶ウエハを所定の結晶軸方位に基づいて矩形にカットしたＡＴカット振動片である。圧電振動片はＡＴカット振動片に限られるものではなく、例えば音叉型の振動片やコンベックスタイプの振動片等の種々の圧電振動片を使用することができる。
【００１９】
ここで、圧電振動片３２の長さ方向の端部で、幅方向の両端の隅の部分には、表裏に回り込む引出し電極が形成されている。また、圧電振動片３２の表裏の主面には、前記引出し電極と接続された駆動用の電極としての励振電極が形成されている。なお、これらの電極は図示されていない。そして、圧電振動片３２の先端付近の前記励振電極に対して、後述するように、透明な蓋体４０を透過させて、レーザ光のような加熱用の光ビームが照射され、これにより質量削減方式による周波数調整ができるようにされている。
【００２０】
パッケージ３７の開放された上端には、蓋体４０が接合されることにより、封止されている。
蓋体４０は、好ましくは、上述した周波数調整を可能とするために、透明な材料で形成されており、例えば、パッケージ３７側との熱膨張係数を近似させるために、硼珪酸ガラスなどにより形成されている。
【００２１】
さらに、この実施形態の圧電デバイス３０では、パッケージ３７の底部に、封止孔６１を備えている。この封止孔６１は、後述する脱ガス工程において、パッケージ３７内の脱ガスを行うための孔である。
具体的には、封止孔６１は、図２および図３に示されているように、下部基板である第１の基板５５に貫通孔を設けることにより形成されている。この封止孔６１の位置は、パッケージ３７の幅方向（Ｘ方向）の一端寄りの位置である第１の基板５５の内側側縁に隣接もしくは近接して設けている。この場合、第１の基板５５の側縁５７は、封止孔６１の孔径の途中まで張り出すように位置取りされている。
【００２２】
この封止孔６１は、図示されているように、パッケージ３７の外部と内部空間Ｓとを連通しており、後述するようにして、脱ガス工程におけるパッケージ３７内の脱ガス後に、例えば、Ａｕ−Ｇｅ等の金属封止材を充填して、気密に封止されるものである。このため、封止孔６１内には、前記側縁５７の一部が段部５７ａとして露出しており、溶融前の金属封止材を配置しやすいようになっている。そして、封止孔６１の内周と、段部５７ａには、封止材と接合性のよい金属被覆部６３が形成されている。
この封止孔６１は、脱ガス後の孔封止工程において、例えば、Ａｕ−Ｇｅ等の金属材料を封止材として充填することで気密に封止されるものである。
【００２３】
本実施形態の圧電デバイス３０は以上のように形成されており、次にその製造方法の実施形態を説明する。
（圧電デバイスの製造方法）
圧電デバイス３０の製造方法の実施形態は、図４のフローチャートを参照しながら説明する。
先ず、図１ないし図３で説明した圧電振動片３２と蓋体４０、パッケージ３７は、それぞれ別々に形成しておく。
（圧電振動片および蓋体の形成工程）
圧電振動片３２については、例えば、水晶ウエハをエッチングして、既に説明した形状を形成するとともに、必要な励振電極を形成することで、従来と同様に製造することができるので、詳しい説明は省略する。必要により、電極形成後に、駆動電圧を印加して周波数を粗調整する。
蓋体４０は、圧電振動片３２とは別に形成される。この場合、蓋体４０は光を透過させる材料、例えば、ガラスにより所定の形状と大きさに形成する。
【００２４】
（パッケージの形成工程）
図３の第１の基板５５、第２の基板５６は、既に説明した形状となるようにそれぞれ別々に成形した後で、積層される。
具体的には、先ず、例えば、所定の溶液中にセラミックパウダを分散させ、バインダを添加して生成される混練物をシート状の長いテープ形状に成形し、これを所定の長さにカットして得た、所謂グリーンシート（図示せず）にする。
グリーンシートは、シート基板として上述した第１および第２の各基板５５，５６を形成するために共通して使用することができる。
【００２５】
次に、各基板の成形と、電極パターン印刷、封止孔となる貫通孔の形成の工程を実行する。
すなわち、第１の基板（下部基板）５５は、上記したグリーンシートを所定の大きさにカットし、後で積層される第２の基板５６との関係で決まる上記した位置に貫通孔を形成することで封止孔６１が形成される。
第２の基板（上部基板）５６は、グリーンシートの内側を矩形に打ち抜き、内部空間Ｓとなるキャビティを形成する。
続いて、これらの基板の必要な位置に、すなわち、電極部３１，３１や封止孔６１の金属被覆部６３等と、所定の引き回し部に、導電ペーストとして、例えばタングステンメタライズなどを施し、導電部（図示せず）を形成する。
【００２６】
次いで、成形後の第１の基板５５の上に成形後の第２の基板５６を重ねることで積層するが、この際には、必要により重合面に結合剤を塗布しておく。
次に、各基板を積層した状態のグリーンシートの縦横の切断線に沿って切断し、その後、１２００度ないし１５００度（摂氏）で焼結する。焼結後には、タングステンメタライズの上にニッケルメッキおよび金メッキを順次施して、電極や端子および導電パターンなどを形成して、図１ないし図３に示すようなパッケージ３７を完成する。なお、パッケージ３７の上端には、低融点ガラスなどの封止材４５（図３参照）を塗布しておく。
なお、このように製造されるパッケージ３７は、圧電振動片を内部収容する場合だけでなく、他の電子部品を収容するための絶縁性容器としても使用することができる。
【００２７】
（圧電振動片の接合工程）
図５は、以後の工程を簡単に示す工程図である。
パッケージ３７の形成後は、図５（ａ）に示すように、圧電振動片３２をパッケージ３７の電極部３１（図１参照）の上に接合する（ＳＴ１１）。すなわち、図１および図２で説明したように、パッケージ３７の電極部３１上に導電性接着剤４７を塗布して、その上に圧電振動片３２の基部の引き出し電極の個所を載置し、導電性接着剤４７，４７を硬化させることにより、電極部３１と圧電振動片３２とが電気的、機械的に接合される。このようにして、圧電振動片３２は、絶縁基体である第１の基板５５に対して、片持ち式に接合される。
【００２８】
（蓋封止工程）
さらに、パッケージ３７と蓋体４０とを真空雰囲気中で、接合することで、蓋封止を行う（ＳＴ１２）。
ここで、重要なのは、この段階では、封止孔６１がパッケージ３７の内部空間Ｓとパッケージ３７の外部とを連通させており、パッケージ３７の内部空間Ｓは、封止孔６１を介して外部と通気できるようにされている点である。
【００２９】
（脱ガス工程）
この状態で、図５（ｂ）に示すように、所定の治具６５内に、蓋体４０を接合したパッケージ３７の上下を逆にして、段部５７ａを上に向けるようにして保持し、これを真空チャンバー（図示せず）などに収容し、加熱することでアニール処理を行う（ＳＴ１３）。この処理すなわち、脱ガスの工程では、パッケージ３７内部のガスは封止孔６１を通過して、パッケージ３７の外部に排出される。
【００３０】
（孔封止工程）
次に、図３の封止孔６１を孔封止する（ＳＴ１４）。
具体的には、図５（ｃ）に示すように、第１の基板５５の外部に開いた封止孔６１の段部５７ａに、例えば、球形のＡｕ−Ｇｅ等でなる金属封止材、すなわち、リジットな状態の金属封止材６２を載せ、この金属封止材６２にレーザ等の加熱用光ビームＬＢ１を照射して溶融させる。これにより、図５（ｄ）に示すように、封止孔６１内に封止材６２ａとして充填する。この場合に、加熱用光ビームは金属封止材の溶融の際に、段部５７ａを含む第２の基板５６の側縁５７に当たる確立が高く、貫通することができないから、加熱ビームＬＢ２がパッケージ３７内部に侵入することがなく、圧電振動片３２に照射されるおそれがない。このため、圧電振動片３２の周波数をシフトさせることがない。
すなわち、段部５７ａはリジットな金属封止材６２を載せることができるため、作業性を向上させるだけでなく、封止孔６１の孔径に対して、段部５７ａが塞ぐ面積をできるだけ大きくし、上述のガスの通気に最低必要とされる隙間だけを確保するようにすれば、このような加熱用光ビームＬＢ１がパッケージ３７内に侵入することを有効に防止することができる。なお、加熱用光ビームとしては、レーザ光に限らず、例えばハロゲンライトによる光ビームなどを用いることができる。
【００３１】
ここで、封止孔６１の孔径に対して、段部５７ａが塞ぐ面積を比較的大きく設定した場合には、その分だけ金属封止材６２に照射されるレーザ等の加熱ビームＬＢ１が、パッケージ３７内に侵入する確率を低くすることができて好ましい。
しかしながら、封止孔６１の孔径に対して、段部５７ａが塞ぐ面積を比較的小さく設定することにより、金属封止材６２に照射されるレーザ等の加熱ビームＬＢ１が、パッケージ３７内に侵入しやすい場合であっても、封止孔６１は、第２の基板５６の側縁に沿う位置に形成されているので、内部の圧電振動片３２に対して、侵入した加熱ビームＬＢ１が、照射されてしまう危険はきわめて低いものである。
特に、本実施形態では、封止孔６１は、第２の基板５６の側縁に沿う位置で、しかも図１に示されているようにパッケージ３７のＸ方向の端部付近に設けられているので、封止孔６１を通過してパッケージ３７内に侵入した加熱ビームＬＢ１が、圧電振動片３２に照射されることはほとんど皆無であり、孔封止工程において、圧電振動片３２の電極等を損傷するおそれはなく、これにより、安全かつ確実に封止孔６１を気密封止することができる。
【００３２】
（周波数調整）
次に、図５（ｄ）に示されているように、透明な蓋体４０を介して、外部から加熱用の光ビーム、例えば、レーザ光ＬＢ２を、圧電振動片３２の先端付近の電極もしくは金属被覆部に照射して、質量削減方式による周波数調整を行う（ＳＴ１５）。そして、パッケージ３７の外部に必要なマーキングを行い（ＳＴ１６）、続いて、最後に、必要な検査を行い（ＳＴ１７）、圧電デバイス３０が完成する。
【００３３】
以上述べたように、この実施形態によれば、脱ガス用の孔を封止する際に、加熱用光ビームがパッケージ内に侵入しても圧電振動片などの電子部品を損傷させることを有効に防止できる圧電デバイスとその製造方法を提供することができる。
【００３４】
本発明は上述の実施形態に限定されない。実施形態の各構成はこれらを適宜省略し、図示しない他の構成と組み合わせることができる。
また、この発明は、パッケージや箱状の蓋体に被われるようにして、内部に圧電振動片もしくは圧電振動片とＩＣなどの電子部品を収容するものであれば、圧電振動子、圧電発振器等の名称にかかわらず、全ての圧電デバイスと、パッケージに適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の圧電デバイスの実施形態を示す概略平面図。
【図２】図１の圧電デバイスの概略底面図。
【図３】図１のＡ−Ａ線概略断面図。
【図４】図１の圧電デバイスの製造方法の実施形態を示すフローチャート。
【図５】図１の圧電デバイスの製造方法の実施形態に係る概略工程図。
【図６】従来の圧電デバイスを示す概略断面図。
【符号の説明】
【００３６】
３０・・・圧電デバイス、３２・・・圧電振動片、３１・・・電極部、３７・・・パッケージ、４７・・・導電性接着剤、５５・・・第１の基板、５６・・・第２の基板、６１・・・封止孔。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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