(57)【要約】【課題】保持容量を減少させることなく開口率を向上したアレイ基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】アレイ基板は基板、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、キャパシタ、画素電極を含む。ＴＦＴは基板上に構成されたゲート電極、ゲート電極上部に形成された第１ゲート絶縁膜、第２ゲート絶縁膜、第２ゲート絶縁膜上部に形成された半導体膜、及び半導体膜上部に形成されたデータ電極を含み、キャパシタはゲート電極と同一の層に形成された第１キャパシタ電極、その上部に形成された第１ゲート絶縁膜、その上部に形成され、データ電極と同じ物質から形成された第２キャパシタ電極を含む。ＴＦＴのゲート絶縁膜には第１ゲート絶縁膜及び第２ゲート絶縁膜の２重構造を用いることでＴＦＴの特性を確保することができ、キャパシタの誘電膜として第１ゲート絶縁膜を用いることでキャパシタ充電容量を低下させることなく開口率を向上させ画像の表示品質を向上させる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成されたゲート電極、前記ゲート電極上部に形成された第１ゲート絶縁膜、前記第１ゲート絶縁膜上に形成された第２ゲート絶縁膜、前記第２ゲート絶縁膜上部に形成された半導体膜、及び前記半導体膜上部に形成されたデータ電極で構成される薄膜トランジスタと、
前記データ電極と電気的に接続された画素電極と、
前記ゲート電極と離隔され前記ゲート電極と同一の層に形成された第１キャパシタ電極、及び前記第１ゲート絶縁膜上部に形成され前記データ電極と離隔され前記データ電極と同一物質から形成された第２キャパシタ電極からなるキャパシタと、
を含むことを特徴とするアレイ基板。  
【請求項２】
前記ゲート電極及び前記第１キャパシタ電極と離隔され前記ゲート電極及び前記第１キャパシタ電極と同一の層に形成されたゲートパッドと、
前記第１ゲート絶縁膜の第１コンタクトホールを介して前記ゲートパッド電極と接続するゲートパッドバッファ膜と、をさらに含むことを特徴とする請求項１記載のアレイ基板。
【請求項３】
前記第１ゲート絶縁膜と前記第２ゲート絶縁膜とのエッチング選択比は１０：１以上であることを特徴とする請求項１記載のアレイ基板。
【請求項４】
前記第１ゲート絶縁膜は、シリコン酸化膜であることを特徴とする請求項３記載のアレイ基板。
【請求項５】
前記第２ゲート絶縁膜はシリコン窒化膜であることを特徴とする請求項３記載のアレイ基板。
【請求項６】
前記画素電極は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）またはインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）を含むことを特徴とする請求項１記載のアレイ基板。
【請求項７】
前記データ電極は、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、ネオジム（Ｎｄ）及びこれらの合金で構成されたグループうち選択されたいずれか一つを含むことを特徴とする請求項１記載のアレイ基板。
【請求項８】
基板上に金属膜を蒸着しパターニングしてゲート電極、第１キャパシタ電極及び前記ゲート電極に電気的に接続されたゲート配線を形成し、
前記ゲート電極、前記第１キャパシタ電極及び前記ゲート配線が形成された基板の全面に第１ゲート絶縁膜を形成し、
第２ゲート絶縁膜及び半導体膜を形成し、前記半導体膜及び前記第２ゲート絶縁膜の一部を除去して前記ゲート電極が形成された薄膜トランジスタ領域内に半導体膜及び第２ゲート絶縁膜を形成し、
前記半導体膜が形成された基板全面に金属を蒸着しパターニングし、データ電極、前記第１キャパシタ電極に対応される第２キャパシタ電極及び前記データ電極に電気的に接続されたデータ配線を形成し、
前記データ電極、前記第２キャパシタ電極及び前記データ配線が形成された前記基板全面に絶縁物質からなる絶縁膜を形成し、前記絶縁膜をパターニングして第２コンタクトホールを形成し、
前記パターニングされた絶縁膜上部に透明導電性膜を蒸着しパターニングして前記第２コンタクトホールを介して前記データ電極と電気的に接続する画素電極を形成すること、
を含むことを特徴とするアレイ基板の製造方法。
【請求項９】
基板上に金属膜を蒸着しパターニングし、ゲート電極、第１キャパシタ電極、前記ゲート電極に電気的に接続されたゲート配線及びゲートパッドを形成し、
前記ゲート電極、前記第１キャパシタ電極及び前記ゲート配線が形成された前記基板の全面に第１ゲート絶縁膜を形成し、
前記第２ゲート絶縁膜及び半導体膜を形成し、前記半導体膜及び前記第２ゲート絶縁膜の一部を除去して前記ゲート電極に対応される薄膜トランジスタ領域内に半導体膜及び第２ゲート絶縁膜を形成し、
前記第１ゲート絶縁膜に前記ゲートパッドを露出する第１コンタクトホールを形成し、
前記基板の全面に金属膜を蒸着しパターニングしてデータ電極、前記第１キャパシタ電極に対応する第２キャパシタ電極、前記第１コンタクトホールを通して前記ゲートパッドと電気的に接続されたゲートパッドバッファ膜、及び前記データ電極に電気的に接続されたデータ配線を形成し、
前記データ電極、前記第２キャパシタ電極、前記パッドバッファ層、及び前記データ配線が形成された前記基板全面に絶縁物質からなる絶縁膜を蒸着しパターニングして第２コンタクトホールを形成し、
前記パターニングされた絶縁膜上部に透明導電性物質を蒸着しパターニングして前記データ電極と電気的に接続する画素電極を形成すること、
を含むことを特徴とするアレイ基板の製造方法。
【請求項１０】
ゲート電極、ソース電極とドレイン電極とを含むデータ電極、及び前記ゲート電極とデータ電極との間に介在したゲート絶縁膜を含む薄膜トランジスタと電気的に接続された液晶キャパシタと、
前記液晶キャパシタと並列に接続され、前記液晶キャパシタに印加された画素電圧を一つのフレームの間保持する、第１電極、第２電極及び前記第１電極と第２電極との間に介在した前記ゲート絶縁膜を含むストレージキャパシタと、
を含み、
前記薄膜トランジスタに対応するゲート絶縁膜の厚さが前記ストレージキャパシタに対応するゲート絶縁膜の厚さより厚いことを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
前記薄膜トランジスタに対応するゲート絶縁膜は第１膜及び第２膜を含み、前記ストレージキャパシタに対応するゲート絶縁膜は第１膜のみを含むことを特徴とする請求項１０記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第１膜と前記第２膜とのエッチング選択比は、１０：１以上であることを特徴とする請求項１１記載の表示装置。
【請求項１３】
前記第１膜はシリコン酸化膜であり、前記第２膜はシリコン窒化膜であることを特徴とする請求項１１記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はアレイ基板及びその製造方法に関し、より詳細には、保持容量を減少させることなく開口率を向上したアレイ基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、液晶表示装置は液晶の光学的異方性を用いて画像を表示する装置である。一般的に、液晶表示装置は、大きく分けて、上部基板、下部基板、及び二つの基板の間に挟持された液晶で構成される。
【０００３】
以下、図１を参照して説明する。
【０００４】
図１は一般的な液晶表示パネルを概略的に示した断面図である。
【０００５】
図１に示すように、一般的な液晶表示パネル１００はアレイ基板１１０、カラーフィルタ基板１２０及び前記アレイ基板とカラーフィルタ基板１２０との間に介在した液晶層１３０を含む。前記カラーフィルタ基板１２０は遮光層１２１、カラーフィルタ層１２２、及び共通電極１２３を含む。
【０００６】
アレイ基板１１０は薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１０１、キャパシタ１０２及び画素電極１０３を含む。前記薄膜トランジスタ１０１はゲート電極１０４、ゲート絶縁膜１０５、半導体膜１０６及びデータ電極１０７を含む。ゲート電極１０４に電圧が印加されると、薄膜トランジスタ１０１がターンオンされ、データ電極１０７の電圧が画素電極１０３に印加される。画素電極１０３に画素電圧が印加されると、アレイ基板１１０の画素電極１０３とカラーフィルタ基板１２０の共通電極１２３との間に電界が形成され、このような電界によってアレイ基板１１０とカラーフィルタ基板１２０との間に挟持された液晶層１３０の液晶分子配列が変わり、液晶分子の光学的性質が変わる。
【０００７】
このように分子配列が変化した液晶を通過する光によって画像が表示される。
【０００８】
キャパシタ１０２はアレイ基板１１０の画素電極１０３とカラーフィルタ基板１２０の共通電極１２３との間に形成される液晶キャパシタの容量を補助する。即ち、まずデータの入力が終わった後、周辺の電圧が変わるとき、キャパシタ１０２は、カップリングによって画素電極１０３の画素電圧が変わることを防止する液晶電荷保持能力補助機能を発揮し、イメージ品質向上機能を遂行する。従って、キャパシタの充電容量が大きいほど前記機能を効果的に遂行することができる。
【０００９】
キャパシタ１０２の充電容量は、前記キャパシタを定義する二つの電極の間の距離に反比例し、前記キャパシタ１０２を定義する二つの電極の間のオーバーラップ面積に比例する特性を有する。換言すると、ゲート絶縁膜１０５の厚さが減少するほど、また、前記キャパシタ１０２を定義する二つの電極の間のオーバーラップ面積が増加するほど前記キャパシタ１０２の充電容量が増加する。
【００１０】
充電容量を増加させるためには前記キャパシタを定義する二つの電極の間のオーバーラップ面積を大きくしなければならないが、面積を大きくすると開口率が減少するという問題点がある。また、充電容量を増加させるためにゲート絶縁膜１０５の厚さを薄くすると、薄膜トランジスタ１０１の寄生キャパシタンスが増加する。
【００１１】
前述したような構成で薄膜トランジスタ１０１の特性を見ると、前記薄膜トランジスタ１０１は前記ゲート電極１０４とデータ電極１０７との間に存在するゲート絶縁膜１０５に寄生キャパシタが存在する。このような寄生キャパシタには直流（ＤＣ）成分の電圧が印加される。前記液晶に寄生キャパシタの直流（ＤＣ）成分の電圧が印加されると液晶を劣化させるという問題が発生する。
【００１２】
また、前記ゲート絶縁膜１０５を蒸着する工程において、ゲート絶縁膜１０５の表面に欠陥が発生し、前記ゲート電極１０４とデータ電極１０７と間の短絡不良が発生し得る。
【００１３】
このような問題を解決するために、一般的に前記ゲート電極１０４上部に形成されると同時に前記キャパシタ１０２の誘電膜として用いられるゲート絶縁膜の厚さを厚くしたアレイ基板が製作された。即ち、充電容量を増やすためにキャパシタ１０２の面積を広くする方法が用いられた。しかし、開口率が低くなるという問題点が発生した。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
従って、本発明の第１の目的は開口率の向上したアレイ基板を提供することにある。
【００１５】
また、本発明の第２の目的は開口率の向上したアレイ基板を製造する方法を提供することにある。
【００１６】
また、本発明の第３の目的は前記アレイ基板を含む表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の一実施例によるアレイ基板は、基板、薄膜トランジスタ、キャパシタ、画素電極を含む。前記薄膜トランジスタは、基板上に構成されたゲート電極、前記ゲート電極上部に形成された第１ゲート絶縁膜、第２ゲート絶縁膜、第２ゲート絶縁膜上部に形成された半導体膜、及び前記半導体膜上部に形成されたデータ電極を含み、前記キャパシタはゲート電極と同一の層に形成された第１キャパシタ電極、第１キャパシタ電極上部に形成された第１ゲート絶縁膜、第１ゲート絶縁膜上部に形成され、データ電極と同じ物質で形成された第２キャパシタ電極を含む。画素電極はデータ電極と電気的に接続する透明導電性物質から形成される。
【００１８】
また、本発明の一実施例によるアレイ基板製造方法は、基板上に金属膜を蒸着しパターニングしてゲート電極、第１キャパシタ電極、及びゲート配線を形成することと、前記ゲート電極、前記第１キャパシタ電極及び前記ゲート配線が形成された基板の全面に第１ゲート絶縁膜、第２ゲート絶縁膜、並びに半導体膜を形成し、薄膜トランジスタ領域を除いた領域の半導体膜、第２ゲート絶縁膜を除去することと、前記半導体膜が形成された基板全面に金属を蒸着しパターニングしてデータ電極、第２キャパシタ電極、及びデータ配線を形成することと、前記データ電極、前記第２キャパシタ電極及び前記データ配線が形成された前記基板全面に絶縁物質からなる絶縁膜を形成しパターニングして第２コンタクトホールを形成することと、前記パターニングされた絶縁膜上部に透明導電性膜を蒸着しパターニングして前記データ電極と電気的に接続する画素電極を形成することと、を含む。
【００１９】
前記アレイ基板の製造方法において、前記半導体膜が形成された基板全面に金属を蒸着しパターニングする以前に第１ゲート絶縁膜に第１コンタクトホールを形成し、前記金属をパターニングしてデータ電極、第２キャパシタ電極、データパッドバッファ膜、及びデータ配線を形成することをさらに含むようにしてもよい。
【００２０】
また、本発明の一実施形態による表示装置は、液晶キャパシタ及びストレージキャパシタを含む。前記液晶キャパシタはゲート電極、ソース電極とドレイン電極を含むデータ電極、及び前記ゲート電極とデータ電極との間に介在されたゲート絶縁膜を含む薄膜トランジスタと電気的に接続される。
前記ストレージキャパシタは前記液晶キャパシタと並列に接続され、前記液晶キャパシタに印加された画素電圧を一つのフレームの間保持する。前記ストレージキャパシタは第１電極、第２電極及び前記第１電極と第２電極との間に介在された前記ゲート絶縁膜を含み、前記薄膜トランジスタに対応するゲート絶縁膜の厚さが前記ストレージキャパシタに対応するゲート絶縁膜の厚さより厚く形成される。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によると、ゲート絶縁膜構造を上部膜と下部膜との２重構造で構成して、薄膜トランジスタのゲート絶縁膜を上部膜と下部膜との２重構造に厚く形成することにより、直流（ＤＣ）電圧による液晶劣化防止及び短絡不良現象を防止することができる。また、キャパシタの誘電膜は２重構造のうち上部膜を除去し、下部膜を誘電膜として用いているので、キャパシタの面積を増やさずにキャパシタの充電容量を増やすことができる。
【００２２】
また、上部膜より低い誘電率を有する絶縁膜によって下部膜を形成することによって、キャパシタの面積を増やさずにキャパシタ充電容量を確保することができるので、開口率を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、添付図面を参照して、本発明の好ましい実施例をより詳細に説明する。
【００２４】
図２は液晶表示装置の駆動原理を説明するための概略図である。
【００２５】
図２に示すように、アレイ基板上には複数のデータ配線２０４が第１方向に一定距離分だけ離隔されて形成され、複数のゲート配線２０３が前記第１方向と垂直な第２方向に一定距離分だけ離隔されて形成される。データ配線２０４とゲート配線２０３とはアレイ基板から絶縁膜を間にして互いに異なる高さに形成されている。
【００２６】
各データ配線２０４と各ゲート配線２０３とで取り囲まれた領域によって一つの画素が定義される。一つの画素は薄膜トランジスタ１０１、キャパシタ２０２及び液晶キャパシタ（画素電極と共通電極との間に形成されるキャパシタ）２０１を含む。薄膜トランジスタ１０１はゲート電極、ドレイン電極、ソース電極及び半導体層パターンを含む。
【００２７】
薄膜トランジスタ１０１のゲート電極はゲート配線２０３に電気的に接続されている。薄膜トランジスタ１０１のソース電極はデータ配線２０４に電気的に接続されている。また、薄膜トランジスタ１０１のドレイン電極はキャパシタ２０２及び液晶キャパシタ電極２０１と電気的に接続されている。
【００２８】
ゲート電極にゲート電圧が印加されると、薄膜トランジスタ１０１がターンオンする。薄膜トランジスタ１０１がターンオンすると、データ配線２０４の画素電圧が薄膜トランジスタ１０１を通してキャパシタ２０２及び液晶キャパシタ２０１に印加される。液晶キャパシタ２０１に画素電圧が印加されると、液晶キャパシタを構成する共通電極と画素電極との間に介在した液晶の配列が変化して液晶の光学的特性が変わる。このような液晶の光学的特性の変化によって画像が表現される。
【００２９】
キャパシタ２０２は、データ入力が終わった後、周辺の電圧が変わるとき液晶キャパシタ２０１の画素電極に印加された画素電圧が変わることを防止する。
【００３０】
液晶キャパシタ２０１の画素電極はインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）またはインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）を含む。インジウム錫酸化物及びインジウム亜鉛酸化物は透明な物質として良好な導電性を有する。
【００３１】
図３は本発明の一実施例によるアレイ基板のレイアウトである。
【００３２】
図３に示すように、本発明の一実施例によるアレイ基板は薄膜トランジスタ３０１、キャパシタ３０２、画素電極３０５、ゲート配線３０３及びデータ配線３０４を含む。
【００３３】
本実施例において、誘電膜の厚さをゲート絶縁膜の厚さより薄く形成することでキャパシタ３０２の充電容量を低下させることなく開口率を向上させることができる。
【００３４】
図４乃至図９を参照して本発明によるアレイ基板の製造方法を詳細に説明する。特に、図９では本発明によるアレイ基板の構造がより詳細に示される。
【００３５】
図４乃至図９は本発明による液晶表示装置の製造方法による断面図である。
【００３６】
図４乃至図９を参照して、アレイ基板の製造方法を説明する。まず、図４では絶縁性基板４０５上に導電物質を所定の厚さに蒸着した後、その上に感光膜をコーティングする。続いて、前記感光膜をパターニングしてフォトエッチングマスクを形成する。以後、前記フォトエッチングマスクを適用して前記導電物質エッチングすることによって、ゲート電極４０１、第１キャパシタ電極４０２及びゲートパッド４０３を形成する。前記導電物質は単層構造または多層構造の何れもが可能であり、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、ネオジム（Ｎｄ）、銅（Ｃｕ）などの金属を含む単一配線または合金配線を用いる。
【００３７】
図５に示すとおり、前記ゲート配線４０１を形成した後、その結果物全面に絶縁物質を塗布し第２ゲート絶縁膜４１１及び第２ゲート絶縁膜（図示せず）を形成する。本実施例において、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）及び窒化シリコン（ＳｉＮｘ）を順次蒸着する。この際、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）または窒化シリコン（ＳｉＮｘ）のみを蒸着して第１ゲート絶縁膜４１１及び第２ゲート絶縁膜（図示せず）が同一の材質を有するようにしてもよい。
【００３８】
続いて、前記第２ゲート絶縁膜（図示せず）上に非晶質シリコンまたは多結晶シリコンを所定の厚さで塗布して半導体膜（図示せず）を形成する。前記半導体膜（図示せず）上部にオーミックコンタクト物質膜（図示せず）を形成した後、半導体膜（図示せず）及びオーミックコンタクト物質膜（図示せず）上に所定のフォトエッチングマスクを形成する。このフォトエッチングマスク適用して前記半導体膜（図示せず）、オーミックコンタクト物質膜（図示せず）、第２ゲート絶縁膜（図示せず）をエッチングし、前記ゲート電極４０１に対応する第１ゲート絶縁膜４１１上に半導体膜４１３、オーミックコンタクト膜４１４及び第２ゲート絶縁膜４１２を形成する。
【００３９】
第１ゲート絶縁膜４１１または第１及び第２ゲート絶縁膜４１１、４１２はゲート絶縁膜アセンブリを形成する。ゲート電極４０１に対応するゲート絶縁膜アセンブリの厚さは第１キャパシタ電極４０２に対応するゲート絶縁膜アセンブリの厚さと互いに異なる。本実施例において、ゲート配線４０１に対応するゲート絶縁膜アセンブリの厚さは第１キャパシタ電極４０２に対応するゲート絶縁膜アセンブリの厚さより厚い。前記第１ゲート絶縁膜４１１はシリコン酸化膜ＳｉＯ２であり厚さは１００〜２００ｎｍ程度とする。前記第２ゲート絶縁膜４１２はシリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）であり厚さは２００〜３００ｎｍ程度とする。前記半導体膜４１３には非晶質シリコン膜または多結晶シリコン膜を用い、厚さは１００〜３００ｎｍ程度にする。酸化シリコンは窒化シリコンに比べてエッチング物質に対する抵抗が大きい。即ち、前記第１ゲート絶縁膜４１１と第２ゲート絶縁膜４１２とのエッチング選択比は、例えば、１０：１以上高いようにし、前記第２ゲート絶縁膜４１２をエッチングする際に前記第１ゲート絶縁膜４１１がエッチングされないように、又はほんの僅かだけエッチングされるようにする。
【００４０】
従って、第２ゲート絶縁膜４１２の厚さを均一に保持することができ、第１及び第２ゲート絶縁膜４１１、４１２の特性分布も均一に確保することができる。
【００４１】
図６に示すとおり、ゲートパッド形成部に第１コンタクトホール４１５を形成するために所定のフォトエッチングマスクを形成し、それを適用して第１ゲート絶縁膜４１１をエッチングする。
【００４２】
図７に示すとおり、前記半導体膜４１３とオーミックコンタクト膜４１４とが形成された基板全面に導電物質を蒸着させ所定のフォトエッチングマスクを適用して前記蒸着された導電物質をパターニングすることでデータ電極４２１、第２キャパシタ電極４２２、ゲートパッドバッファ膜４２３及びデータパッド４２４を形成する。
【００４３】
図８及び図９に示すとおり、データ配線を形成した後、その結果物全面に絶縁物質を所定の厚さに蒸着することにより第１絶縁膜４３１、第２絶縁膜４３２を形成する。前記第２絶縁膜４３２上部に導電性透明物質を蒸着し前記導電性透明物質を所定のフォトエッチングマスクを適用してパターニングすることによって画素電極４４１を形成する。前記画素電極４４１は絶縁膜の第２コンタクトホール４３３を通して配線と接続するようになる。前記画素電極４４１はインジウム錫酸化物ＩＴＯまたはインジウム亜鉛酸化物ＩＺＯを含む。インジウム錫酸化物またはインジウム亜鉛酸化物は透明な物質で良好な導電性を有する。
【００４４】
このような各画素がマトリクス状に配置され、画像を表示する。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明においては、薄膜トランジスタの形成部のゲート絶縁膜とキャパシタ形成部の誘電膜との厚さを異なるようにしている。即ち、アレイ基板において薄膜トランジスタのゲート絶縁膜に第１ゲート絶縁膜及び第２ゲート絶縁膜の２重構造を用いることで液晶の劣化防止及び短絡を防止して薄膜トランジスタの特性を向上することができる。また、キャパシタの誘電膜には第１ゲート絶縁膜を使用することによりキャパシタ充電容量を低下させることなく開口率を向上させ、画像の表示品質を向上させることができる。
【００４６】
即ち、キャパシタの誘電膜には誘電率の低いシリコン酸化膜（ＳｉＯ２）を使用することによりキャパシタの充電容量を高くすることができる。また、薄膜トランジスタのゲート絶縁膜には酸化膜と窒化膜との２重構造を用いることにより薄膜トランジスタの特性が向上する。
【００４７】
以上、本発明の実施例によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離脱することなく、本発明を修正または変更できる。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】一般的な液晶表示パネルの概略的な断面図である。
【図２】液晶表示装置の駆動原理を説明するための概略図である。
【図３】本発明の一実施例によるアレイ基板のレイアウトである。
【図４】本発明によるアレイ基板の製造方法を示す断面図である。
【図５】本発明によるアレイ基板の製造方法を示す断面図である。
【図６】本発明によるアレイ基板の製造方法を示す断面図である。
【図７】本発明によるアレイ基板の製造方法を示す断面図である。
【図８】本発明によるアレイ基板の製造方法を示す断面図である。
【図９】本発明によるアレイ基板の製造方法を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４９】
１０１、３０１      薄膜トランジスタ
１０２、３０２      キャパシタ
１０３、３０５      画素電極
１０４、４０１      ゲート電極
１０５      ゲート絶縁膜
２０３、３０３      ゲート配線
２０４、３０４      データ配線
４０２      第１キャパシタ電極
４０３      ゲートパッド
４１１      第１ゲート絶縁膜
４１２      第２ゲート絶縁膜
４１３      半導体膜
４１４      オーミックコンタクト膜
４１５      第１コンタクトホール
４２１      データ電極
４２２      第２キャパシタ電極
４２３      ゲートパッドバッファ膜
４２４      データパッド
４３１      第１絶縁膜
４３２      第２絶縁膜
４３３      第２コンタクトホール
【図１】
2006338008.tif 000003
【図２】
2006338008.tif 000004
【図３】
2006338008.tif 000005
【図４】
2006338008.tif 000006
【図５】
2006338008.tif 000007
【図６】
2006338008.tif 000008
【図７】
2006338008.tif 000009
【図８】
2006338008.tif 000010
【図９】
2006338008.tif 000011