(57)【要約】【課題】反射フォトマスクの製造方法を提供する。【解決手段】基板１００を準備する段階と、基板１００上にＥＵＶＬ光を反射しうる反射層１１０を形成する段階と、反射層１１０上に酸化物層を形成する段階と、酸化物層をパターニングして、酸化物パターン体とそれにより定義される酸化物ウィンドウとからなる酸化物パターンを形成する段階と、酸化物ウィンドウにＥＵＶＬ光を吸収できる吸収物質を充填して、吸収体パターン１４０を形成する段階と、酸化物パターン体を除去する段階と、を含む反射フォトマスクの製造方法である。【選択図】図５Ｆ
2006229239.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を準備する段階と、
前記基板上にＥＵＶＬ光を反射できる反射層を形成する段階と、
前記反射層上に酸化物層を形成する段階と、
前記酸化物層をパターニングして、酸化物パターン体と当該酸化物パターン体により画定される酸化物ウィンドウとからなる酸化物パターンを形成する段階と、
前記酸化物ウィンドウにＥＵＶＬ光を吸収できる吸収物質を充填して、吸収体パターンを形成する段階と、
前記酸化物パターン体を除去する段階と、を含むことを特徴とする反射フォトマスクの製造方法。
【請求項２】
前記吸収体パターンを形成する段階は、前記吸収物質を充填した後に、当該吸収物質をＣＭＰにより研磨する段階を含むことを特徴とする請求項１に記載の反射フォトマスクの製造方法。
【請求項３】
前記酸化物層を形成する段階は、化学気相蒸着法を用いて実施されることを特徴とする請求項１に記載の反射フォトマスクの製造方法。
【請求項４】
前記吸収物質は、クロム及び窒化タンタルのうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１に記載の反射フォトマスクの製造方法。
【請求項５】
前記酸化物パターン体を除去する段階は、フッ素系物質を用いた湿式エッチングにより実施されることを特徴とする請求項１に記載の反射フォトマスクの製造方法。
【請求項６】
前記酸化物パターンを形成する段階は、前記酸化物パターン体の側面と前記反射層とが、直角またはＵＶビームの入射角と同じ角度をなすように、前記酸化物パターンを形成することを特徴とする請求項１に記載の反射フォトマスクの製造方法。
【請求項７】
ベースを準備する段階と、
ＥＵＶＬ光を反射しうる反射層を準備する段階と、
前記ベース上に酸化物層を形成する段階と、
前記酸化物層をパターニングして、酸化物パターン体と当該酸化物パターン体により画定される酸化物ウィンドウとからなる酸化物パターンを形成する段階と、
前記酸化物ウィンドウにＥＵＶＬ光を吸収できる吸収物質を充填して、吸収体パターンを形成する段階と、
前記酸化物パターンと前記反射層とを接着する段階と、
前記ベースを除去する段階と、
前記酸化物パターン体を除去する段階と、を含むことを特徴とする反射フォトマスクの製造方法。
【請求項８】
前記ベースを準備する段階は、前記ベースにイオンを注入してイオン層を形成する段階を含むことを特徴とする請求項７に記載の反射フォトマスクの製造方法。
【請求項９】
前記イオンは、水素イオンまたはホウ素イオンであることを特徴とする請求項８に記載の反射フォトマスクの製造方法。
【請求項１０】
前記ベースを除去する段階は、前記イオン層と当該イオン層上のベース部分とを分離する段階を含むことを特徴とする請求項８に記載の反射フォトマスクの製造方法。
【請求項１１】
前記ベースを除去する段階は、前記イオン層を加熱する段階を含むことを特徴とする請求項８に記載の反射フォトマスクの製造方法。
【請求項１２】
前記ベースを除去する段階は、所定のエッチング剤を利用して、前記ベースをエッチングする段階を含むことを特徴とする請求項７に記載の反射フォトマスクの製造方法。
【請求項１３】
前記エッチング剤は、ＫＯＨ及びＴＭＡＨのうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１２に記載の反射フォトマスクの製造方法。
【請求項１４】
前記ベースを準備する段階は、前記ベース上に窒化物層を形成する段階を含むことを特徴とする請求項７に記載の反射フォトマスクの製造方法。
【請求項１５】
前記酸化物層は、前記窒化物層上に形成されることを特徴とする請求項１４に記載の反射フォトマスクの製造方法。
【請求項１６】
前記ベースを除去する段階は、前記窒化物層と前記酸化物パターンとを分離する段階を含むことを特徴とする請求項１５に記載の反射フォトマスクの製造方法。
【請求項１７】
前記酸化物パターンと前記反射層とを接着する段階は、前記酸化物パターンと前記反射層との間に接着層を設ける段階を含むことを特徴とする請求項７に記載の反射フォトマスクの製造方法。
【請求項１８】
前記接着層は、酸化ケイ素からなることを特徴とする請求項１７に記載の反射フォトマスクの製造方法。
【請求項１９】
前記接着層は、前記酸化物パターン及び前記反射層の上部にそれぞれ設けられる第１及び第２の接着層を含むことを特徴とする請求項１７に記載の反射フォトマスクの製造方法。
【請求項２０】
前記第１及び第２の接着層のうち少なくとも一つの接着層は、酸化ケイ素からなることを特徴とする請求項１９に記載の反射フォトマスクの製造方法。
【請求項２１】
前記吸収体パターンを形成する段階は、前記吸収物質を充填した後に、当該吸収物質をＣＭＰにより研磨する段階を含むことを特徴とする請求項７に記載の反射フォトマスクの製造方法。
【請求項２２】
前記酸化物パターン体を除去する段階は、フッ素系物質を用いた湿式エッチングにより実施されることを特徴とする請求項７に記載の反射フォトマスクの製造方法。
【請求項２３】
前記酸化物パターンを形成する段階は、前記酸化物パターン体の側面と前記反射層とが、直角またはＵＶビームの入射角と同じ角度をなすように、前記酸化物パターンを形成することを特徴とする請求項７に記載の反射フォトマスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子の製造に使われる反射フォトマスクの製造方法に係り、特にＥＵＶＬ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）を光源として使用する反射フォトマスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子の集積度が高くなるにつれて、ウェーハ上にさらに複雑で微細なパターンを精密に形成するための研究が進められている。特に、露光工程における解像度を向上させ、ＣＤ（Ｃｒｉｔｉｃａｌ  Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ）の散布不良を改善するための技術が研究開発されている。さらに短い波長の光源を使用して解像度を向上させるために、現在、ＫｒＦ光源（波長：２４８ｎｍ）またはＡｒＦ光源（波長：１９３ｎｍ）の代りに、ＥＵＶＬ光源を使用しようとする研究が進められている。
【０００３】
次世代露光技術として研究が進められているＥＵＶＬ技術では、波長が１３．４ｎｍに至る電磁波を光源として使用する。上記のような非常に短い波長により、ＥＵＶＬ技術では従来とは異なる光学系を利用する。すなわち、一般的なＫｒＦまたはＡｒＦ光源を使用する光学系では、石英板などよりなるフォトマスクを使用して電磁波または光を透過させるのに対して、ＥＵＶＬ光源を使用する光学系では、反射型（または鏡型）のフォトマスクを使用して電磁波または光を反射させる。これは、ＥＵＶＬ光のような短い波長を有する光源は、吸収度が非常に高くて透過型マスクを使用し難いためである。
【０００４】
図１は、ＥＵＶＬの露光原理を説明する概略図である。
【０００５】
図１を参照すれば、ＥＵＶＬ露光装置１０のレーザー光源５から放射されたレーザーは、レーザー駆動光学系２０内のミラーにより反射された後に、照明系３０に入って光レンズＣ１を通過する。光レンズＣ１を通過したレーザーは、キセノンガス供給管７を介して供給されるキセノンガスを励起させる。これによって、レーザーにより形成されたプラズマソース９が形成され、これからＥＵＶＬ光源が発生する。このように発生したＥＵＶＬ光は、複数段階の光レンズＣ２，Ｃ３を通過して反射された後、スペクトラルピュリティフィルタ１１でフィルタリングされてフォトマスクステージチャンバ４０に入る。
【０００６】
フォトマスクステージチャンバ４０には、反射型のＥＵＶＬ光用フォトマスク１３が移動可能に設置されている。整列されたフォトマスク１３に入射されたＥＵＶＬ光は、フォトマスク１３により反射されてパターン形成のための光度プロファイルを有する。その後、フォトマスク１３から反射されたＥＵＶＬ光は、カメラチャンバ５０に入って複数段階のミラーＭ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４により反射され、ウェーハステージチャンバ６０に入る。ウェーハステージチャンバ６０には、パターニングされるウェーハ１５が移動可能に設置されている。ウェーハステージチャンバ６０内で整列されたウェーハ１５に向けてＥＵＶＬ光が入射されることによって、ウェーハ上にパターンが形成される。このように、ＥＵＶＬ光を光源として利用する場合には、透過型でない反射型のフォトマスクを使用する。
【０００７】
図２Ａないし図２Ｇは、一般的な反射フォトマスクの製造方法を示す工程図であり、図３及び図４は、一般的な反射フォトマスクの製造方法により形成された反射フォトマスクの一部を示すＳＥＭ写真である。
【０００８】
まず、図２Ａに示したように、基板７０を準備する。
【０００９】
その後、図２Ｂに示したように、基板７０上に反射層７１を形成する。反射層７１は、一般的にモリブデン膜とシリコン膜とを交互に積層して形成される。
【００１０】
その後、図２Ｃに示したように、反射層７１上に吸収体層７２を形成する。吸収体層７２は、ＥＵＶＬ光を吸収できる材質からなる。
【００１１】
その後、図２Ｄに示したように、吸収体層７２上にレジスト層７３を形成する。レジスト層７３は、吸収体層７２をパターニングするためのものである。
【００１２】
その後、図２Ｅに示したように、レジスト層７３をパターニングして、レジストパターン７４を形成する。レジストパターン７４は、所定間隔７６で離隔されたレジストパターン体７５からなる。
【００１３】
その後、図２Ｆに示したように、レジストパターン７４をマスクとして、吸収体層７２をパターニングすることによって、吸収体パターン７７を形成する。吸収体層７２のパターニングは、エッチング工程によって形成される。吸収体パターン７７は、レジストパターン体７５に対応して形成された吸収体パターン体７８と、吸収体パターン体７８間に形成されるウィンドウ７９からなる。
【００１４】
その後、図２Ｇに示したように、レジストパターン７４を除去する。その結果、一般的な方法による反射フォトマスクの製造が完了する。ここで、図面上の参照番号８０は、設計されたラインＣＤであり、参照番号８１は、設計されたスペースＣＤであり、参照番号８２は、設計されたラインＣＤ８０に対応してシリコンウェーハ８４に形成されたプリントされたラインＣＤであり、参照番号８３は、設計されたスペースＣＤ８１に対応してシリコンウェーハ８４に形成されたプリントされたスペースＣＤである。
【００１５】
しかし、一般的な反射フォトマスクの製造方法によれば、プリントされたラインＣＤ８２が設計されたラインＣＤ８０と異なり、プリントされたスペースＣＤ８３が設計されたスペースＣＤ８１と異なる。したがって、吸収体パターン７７を利用してシリコンウェーハ８４に形成される形状及びパターンと設計されたパターンとが異なる。
【００１６】
そして、一般的な反射フォトマスクの製造方法によれば、吸収体層７２に対するエッチング工程の精度に限界がある。それ故に、図３に示したように、吸収体パターン体７８の側面がアンダカッティングされるだけでなく、その側面が反射層７１となす角度が設計された角度と異なるようになる。一般に、吸収体パターン体７８と反射層７１とがなす角度は、直角に形成されねばならない。また、吸収体層７２に対するエッチング工程の精度の限界によって、図４に示したように、吸収体パターン体７８の側面が不均一になり、かつ、ウィンドウ７９と接した反射層７１の表面も一部エッチングされて不均一になる。
【００１７】
上記のような短所によって、一般的な反射フォトマスクの製造方法によれば、ＥＵＶＬ光の反射及び吸収が設計されたパターンとは異なってなされるので、設計されたパターンがシリコンウェーハに正確に具現できない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
本発明は、反射フォトマスクの吸収体パターンが設計されたパターン通りに具現されることにより、設計されたパターンがその具現対象物に正確に具現できる反射フォトマスクの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明による反射フォトマスクの製造方法は、基板を準備する段階と、前記基板上にＥＵＶＬ光を反射しうる反射層を形成する段階と、前記反射層上に酸化物層を形成する段階と、前記酸化物層をパターニングして、酸化物パターン体と当該酸化物パターン体により画定される酸化物ウィンドウとからなる酸化物パターンを形成する段階と、前記酸化物ウィンドウにＥＵＶＬ光を吸収できる吸収物質を充填して、吸収体パターンを形成する段階と、前記酸化物パターン体を除去する段階と、を含む。
【００２０】
前記吸収体パターンを形成する段階は、前記吸収物質を充填した後に、当該吸収物質をＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）により研磨する段階をさらに含むことを特徴とする。
【００２１】
前記酸化物層を形成する段階は、化学気相蒸着法（ＣＶＤ）を用いて実施されることを特徴とする。
【００２２】
前記吸収物質は、クロム（Ｃｒ）及び窒化タンタル（ＴａＮ）のうち少なくとも一つを含みうる。
【００２３】
前記酸化物パターン体を除去する段階は、フッ素系物質を用いた湿式エッチングにより実施されることを特徴とする。
【００２４】
前記酸化物パターンを形成する段階は、前記酸化物パターン体の側面と前記反射層とが、直角またはＵＶビームの入射角と同じ角度をなすように、前記酸化物パターンを形成することを特徴とする。
【００２５】
本発明の他の実施の形態による反射フォトマスクの製造方法は、ベースを準備する段階と、ＥＵＶＬ光を反射しうる反射層を準備する段階と、前記ベース上に酸化物層を形成する段階と、前記酸化物層をパターニングして、酸化物パターン体と当該酸化物パターン体により画定される酸化物ウィンドウとからなる酸化物パターンを形成する段階と、前記酸化物ウィンドウにＥＵＶＬ光を吸収できる吸収物質を充填して、吸収体パターンを形成する段階と、前記酸化物パターンと前記反射層とを接着する段階と、前記ベースを除去する段階と、前記酸化物パターン体を除去する段階と、を含む。
【００２６】
前記ベースを準備する段階は、前記ベースにイオンを注入してイオン層を形成する段階を含むことを特徴とする。
【００２７】
前記イオンは、水素イオンまたはホウ素イオンでありうる。
【００２８】
前記ベースを除去する段階は、前記イオン層と当該イオン層上のベース部分とを分離する段階を含むことを特徴とする。
【００２９】
前記ベースを除去する段階は、前記イオン層を加熱する段階を含むことを特徴とする。
【００３０】
前記ベースを除去する段階は、所定のエッチング剤を利用して前記ベースをエッチングする段階を含むことを特徴とする。
【００３１】
前記エッチング剤は、ＫＯＨ及びＴＭＡＨ（（ＣＨ３）４ＮＯＨ）のうち少なくとも一つを含みうる。
【００３２】
前記ベースを準備する段階は、前記ベース上に窒化物層を形成する段階を含むことを特徴とする。
【００３３】
前記酸化物層は、前記窒化物層上に形成されうる。
【００３４】
前記ベースを除去する段階は、前記窒化物層と前記酸化物パターンとを分離する段階を含むことを特徴とする。
【００３５】
前記酸化物パターンと前記反射層とを接着する段階は、前記酸化物パターンと前記反射層との間に接着層を設ける段階を含むことを特徴とする。
【００３６】
前記接着層は、酸化ケイ素からなりうる。
【００３７】
前記接着層は、前記酸化物パターン及び前記反射層上にそれぞれ設けられる第１及び第２の接着層を含みうる。
【００３８】
前記第１及び第２の接着層のうち少なくとも一つの接着層は、酸化ケイ素からなることが望ましい。
【００３９】
前記吸収体パターンを形成する段階は、前記吸収物質を充填した後に、当該吸収物質をＣＭＰにより研磨する段階をさらに含むことを特徴とする。
【００４０】
前記酸化物パターン体を除去する段階は、フッ素系物質を用いた湿式エッチングにより実施されることを特徴とする。
【００４１】
前記酸化物パターンを形成する段階は、前記酸化物パターン体の側面と前記反射層とが、直角またはＵＶビームの入射角と同じ角度をなすように、前記酸化物パターンを形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００４２】
本発明による反射フォトマスクの製造方法によれば、精密なエッチングのできる酸化物を利用してパターニングすることにより吸収体パターンを形成するので、吸収体パターンの精度が高くなる。すなわち、吸収体ウィンドウと隣接している吸収体パターン体の側面がアンダカッティングされることを防止できるだけでなく、その側面と反射層とがなす角度が、設計された角度と一致することができる。そして、前記吸収体パターン体の側面が均一に形成できるだけでなく、吸収体ウィンドウと接した反射層表面がエッチングされる現象も防止できる。したがって、本発明による反射フォトマスクの製造方法によれば、設計されたパターンがシリコンウェーハに正確に具現されうる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４３】
以下、添付された図面を参照しつつ、本発明の望ましい実施の形態による反射フォトマスクの製造方法を詳細に説明する。以下の図面において、同じ参照符号は、同じ構成要素を示す。
【００４４】
図５Ａないし図５Ｆは、本発明の第１の実施の形態による反射フォトマスクの製造方法を示す工程図である。
【００４５】
まず、図５Ａに示したように、基板１００を準備する。基板１００は、シリコンからなりうる。
【００４６】
その後、図５Ｂに示したように、基板１００上に反射層１１０を形成する。反射層１１０は、モリブデン（Ｍｏ）膜とシリコン（Ｓｉ）膜とが交互に複数積層されて形成される。反射層１１０の最上層は、モリブデン膜及びシリコン膜のうちどちらでも良いが、シリコン表面に生成される自然酸化膜の安定性が優秀なので、シリコン膜を最上層とすることが望ましい。Ｍｏ及びＳｉ単層の膜厚は、数ｎｍ程度、積層数は、数十層程度で任意に設定することができる。
【００４７】
反射層１１０を構成する膜としては、Ｍｏの代りにＳｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｇ、及びＡｕなどが使われうる。そして、反射層１１０を構成する膜としては、Ｓｉの代りに窒化タンタル、炭化シリコン、窒化シリコン、酸化ケイ素、窒化ホウ素、窒化ベリリウム、酸化ベリリウム、窒化アルミニウム、及び酸化アルミニウムなどが使われうる。
【００４８】
その後、図５Ｃに示したように、反射層１１０上に酸化物層１２０を形成する。酸化物は、それに対するエッチングが容易であるので、要求される吸収体パターンを形成するために酸化物層１２０に対する精密なパターニングを行うことができる。ここで、酸化物層１２０は、ＣＶＤにより形成できる。
【００４９】
その後、図５Ｄに示したように、酸化物層１２０をパターニングして、酸化物パターン１３０を形成する。酸化物パターン１３０は、酸化物パターン体１３１及びその間に形成される酸化物ウィンドウ１３２からなる。
【００５０】
上記のように、酸化物層１２０に対する精密なパターニングが可能であるので、酸化物ウィンドウ１３２と隣接している酸化物パターン体１３１の側面がアンダカッティングされることを防止できるだけでなく、その側面と反射層１１０とがなす角度が、設計された角度と一致することができる。一般に、酸化物ウィンドウ１３２に充填される吸収物質からなる吸収体パターンの側面は、反射層１１０と直角またはＵＶビームの入射角と同じ角度をなすようにするために、酸化物パターン体１３１の側面が反射層１１０と直角またはＵＶビームの入射角と同じ角度をなすようにエッチングされることが望ましい。
【００５１】
また、酸化物層１２０に対する精密なパターニングにより、酸化物パターン体１３１の側面が均一に形成されるだけでなく、酸化物ウィンドウ１３２と接した反射層１１０の表面がエッチングされる現象も防止できる。
【００５２】
その後、図５Ｅに示したように、酸化物パターン１３０にＥＵＶＬ光を吸収できる吸収物質を充填する。詳細には、酸化物ウィンドウ１３２に吸収物質を充填する。その結果、酸化物ウィンドウ１３２に吸収体パターン体１４１が形成される。ここで、吸収物質としては、クロム及び／又は窒化タンタルが用いられる。そして、吸収体パターン体１４１の上部が均一になるように、ＣＭＰを通じて研磨する。
【００５３】
その後、図５Ｆに示したように、酸化物パターン体１３１を除去する。その結果、吸収体パターン体１４１と、それにより形成される吸収体ウィンドウ１４２とからなる吸収体パターン１４０が形成される。酸化物パターン体１３１は、湿式エッチングを通じて除去できる。湿式エッチングにフッ素を使用すれば、クロムからなる吸収体パターン体１４１に影響を及ぼさずに、酸化物パターン体１３１のみを除去できる。
【００５４】
上記のように、酸化物層１２０に対する精密なパターニングにより形成された酸化物パターン１３０を利用することによって、吸収体パターン１４０の精度も高くなる。すなわち、吸収体ウィンドウ１４２と隣接している吸収体パターン体１４１の側面がアンダカッティングされることを防止できるだけでなく、その側面と反射層１１０とがなす角度が、設計された角度と一致することができる。そして、吸収体パターン体１４１の側面が均一に形成されるだけでなく、吸収体ウィンドウ１４２と接した反射層１１０の表面がエッチングされる現象も防止できる。したがって、本発明による反射フォトマスクの製造方法によれば、ＥＵＶＬ光の反射及び吸収が設計されたパターンと一致するので、設計されたパターンがシリコンウェーハに正確に具現される。
【００５５】
また、一般的な方式でレジスト層を形成した後、当該レジスト層に対するパターニングを実行した工程を省略できるので、反射フォトマスクの製造工程が単純化できる。
【００５６】
図６Ａないし図６Ｇは、本発明の第２の実施の形態による反射フォトマスクの製造方法のうち吸収体パターン体を形成する方法を示す工程図であり、図７Ａないし図７Ｃは、本発明の第２の実施の形態による反射フォトマスクの製造方法のうち反射層を形成する方法を示す工程図であり、図８Ａないし図８Ｅは、図６Ａないし図６Ｇで提示された方法により形成された吸収体パターン体及び図７Ａないし図７Ｃで提示された方法により形成された反射層を利用して反射フォトマスクを形成する方法を示す工程図である。
【００５７】
まず、図６Ａないし図６Ｇを参照して、本実施の形態による反射フォトマスクの製造方法のうち吸収体パターン体を形成する方法を説明する。
【００５８】
まず、図６Ａに示したように、ベース２５０を準備する。
【００５９】
その後、図６Ｂに示したように、ベース２５０にイオンを注入してイオン層２５３を形成する。イオン層２５３によりベース２５０は、上部ベース２５２と下部ベース２５１とに区画される。ここで、イオン層２５３は、水素イオンまたはホウ素イオンからなりうる。
【００６０】
その後、図６Ｃに示したように、ベース２５０上に窒化物層２５４を形成する。窒化物層２５４は、その上に形成される酸化物層（図６Ｄの２２０）に対するエッチング時に、そのエッチングのストッパーとして作用する。
【００６１】
その後、図６Ｄに示したように、窒化物層２５４上に酸化物層２２０を形成する。上記のように、酸化物は、それに対するエッチングが容易なので、酸化物層２２０に対する精密なパターニングを行うことができる。したがって、要求される吸収体パターンを容易に形成できる。
【００６２】
その後、図６Ｅに示したように、酸化物層２２０をパターニングして、酸化物パターン２３０を形成する。酸化物パターン２３０は、酸化物パターン体２３１及びそれにより形成される酸化物ウィンドウ２３２からなる。
【００６３】
その後、図６Ｆに示したように、酸化物パターン２３０にＥＵＶＬ光を吸収できる吸収物質を充填する。詳細には、酸化物ウィンドウ２３２に吸収物質を充填する。その結果、酸化物ウィンドウ２３２に吸収体パターン体２４１が形成される。ここで、吸収物質としては、Ｃｒ及び／又は窒化タンタルが利用できる。そして、吸収体パターン体２４１の上部が均一になるように、ＣＭＰを通じて研磨する。
【００６４】
その後、図６Ｇに示したように、吸収体パターン体２４１が形成された酸化物パターン２３０上に接着層（第１の接着層）２６１を形成する。接着層２６１は、酸化ケイ素のように物質表面が親水性物質からなりうる。
【００６５】
上記のような過程を通じて、本実施の形態による反射フォトマスクの吸収体パターン体２４１が形成される。
【００６６】
次に、図７Ａないし図７Ｃを参照して、本実施の形態による反射フォトマスクの製造方法のうち反射層を形成する方法を説明する。
【００６７】
まず、図７Ａに示したように、基板２００を準備する。
【００６８】
その後、図７Ｂに示したように、基板２００上に反射層２１０を形成する。反射層２１０は、モリブデン膜とシリコン膜とが交互に複数積層されて形成される。
【００６９】
その後、反射層２１０上に接着層（第２の接着層）２６２を形成する。接着層２６２は、酸化ケイ素のように物質表面が親水性物質からなりうる。
【００７０】
上記のような過程を通じて、本実施の形態による反射フォトマスクの反射層２１０が形成される。
【００７１】
次に、図８Ａないし図８Ｅを参照して、吸収体パターン体２４１及び反射層２１０を利用して本実施の形態による反射フォトマスクを形成する方法を説明する。
【００７２】
まず、図８Ａに示したように、酸化物パターン２３０に形成された吸収体パターン体２４１が設けられたベース２５１と、反射層２１０が設けられた基板２００とを準備する。
【００７３】
その後、図８Ｂに示したように、シリコンウェーハボンディング技術を利用して酸化物パターン２３０上に形成された接着層２６１と、反射層２１０に形成された接着層２６２とを接着して、接着部２６０を形成する。二層の接着層２６１，２６２は、シリコンからなるが、望ましくは、少なくとも一層が酸化ケイ素により形成される。その結果、接着部２６０は、強い結合力を有するＳｉ−Ｏ―Ｓｉ構造をなす。したがって、酸化物パターン２３０に形成された吸収体パターン体２４１を反射層２１０に確実に結合する。
【００７４】
その後、図８Ｃに示したように、イオン層２５３上の下部ベース（ベース部分）２５１を除去する。イオン層２５３を構成するイオンが水素イオンである場合、下部ベース２５１の除去は、イオン層２５３の加熱を通じて行われる。所定のエネルギーを通じてイオン層２５３を加熱すれば、イオン層２５３内の水素イオンが振動して、イオン層２５３と下部ベース２５１とを分離する。イオン層２５３を構成するイオンがホウ素イオンである場合、下部ベース２５３の除去は、ＫＯＨ及び／又はＴＭＡＨのようなエッチング剤を利用して行われる。ＫＯＨ及びＴＭＡＨなどのエッチング剤は、シリコンからなる下部ベース２５１をエッチングするが、上記のようなエッチングは、ホウ素イオンからなるイオン層２５３に至って止まる。このような方法により、下部ベース２５１の除去が可能である。
【００７５】
その後、図８Ｄに示したように、酸化物パターン２３０上の窒化物層２５４を除去して、イオン層２５３及び上部ベース２５２を除去する。
【００７６】
その後、図８Ｅに示したように、酸化物パターン体２３１を除去する。酸化物パターン体２３１は、湿式エッチングを通じて除去できる。湿式エッチングにフッ素を使用すれば、Ｃｒなどからなる吸収体パターン体２４１に影響を及ぼさずに、酸化物パターン体２３１のみを除去できる。そして、上記のような湿式エッチングにより接着部２６０もエッチングされて、吸収体パターン体２４１に対応する接着部形状２６３をなす。
【００７７】
上記のような過程を通じて、本実施の形態による反射フォトマスクの製造が完了する。
【００７８】
本発明は、図面に示された実施の形態を参考に説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これから多様な変形及び均等な他の実施の形態が可能であるという点を理解できるであろう。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲によって決まるものである。
【産業上の利用可能性】
【００７９】
本発明は、半導体の製造工程に好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００８０】
【図１】ＥＵＶＬの露光原理を説明する概略図である。
【図２Ａ】一般的な反射フォトマスクの製造方法を示す工程図である。
【図２Ｂ】図２Ａに後続する工程図である。
【図２Ｃ】図２Ｂに後続する工程図である。
【図２Ｄ】図２Ｃに後続する工程図である。
【図２Ｅ】図２Ｄに後続する工程図である。
【図２Ｆ】図２Ｅに後続する工程図である。
【図２Ｇ】図２Ｆに後続する工程図である。
【図３】一般的な反射フォトマスクの製造方法により形成された反射フォトマスクの一部を示すＳＥＭ写真である。
【図４】一般的な反射フォトマスクの製造方法により形成された反射フォトマスクの一部を示す他のＳＥＭ写真である。
【図５Ａ】本発明の第１の実施の形態による反射フォトマスクの製造方法を示す工程図である。
【図５Ｂ】図５Ａに後続する工程図である。
【図５Ｃ】図５Ｂに後続する工程図である。
【図５Ｄ】図５Ｃに後続する工程図である。
【図５Ｅ】図５Ｄに後続する工程図である。
【図５Ｆ】図５Ｅに後続する工程図である。
【図６Ａ】本発明の第２実施の形態による反射フォトマスクの製造方法のうち吸収体パターン体を形成する方法を示す工程図である。
【図６Ｂ】図６Ａに後続する工程図である。
【図６Ｃ】図６Ｂに後続する工程図である。
【図６Ｄ】図６Ｃに後続する工程図である。
【図６Ｅ】図６Ｄに後続する工程図である。
【図６Ｆ】図６Ｅに後続する工程図である。
【図６Ｇ】図６Ｆに後続する工程図である。
【図７Ａ】本発明の第２の実施の形態による反射フォトマスクの製造方法のうち反射層を形成する方法を示す工程図である。
【図７Ｂ】図７Ａに後続する工程図である。
【図７Ｃ】図７Ｂに後続する工程図である。
【図８Ａ】図６Ａないし図６Ｇで提示された方法により形成された吸収体パターン体と図７Ａないし図７Ｃで提示された方法により形成された反射層とを利用して反射フォトマスクを形成する方法を示す工程図である。
【図８Ｂ】図８Ａに後続する工程図である。
【図８Ｃ】図８Ｂに後続する工程図である。
【図８Ｄ】図８Ｃに後続する工程図である。
【図８Ｅ】図８Ｄに後続する工程図である。
【符号の説明】
【００８１】
１００，２００    基板、
１１０，２１０    反射層、
１２０，２２０    酸化物層、
１３０，２３０    酸化物パターン、
１３１，２３１    酸化物パターン体、
１３２，２３２    酸化物ウィンドウ、
１４０，２４０    吸収体パターン、
１４１，２４１    吸収体パターン体、
１４２，２４２    吸収体ウィンドウ、
２５０    ベース、
２５１    下部ベース、
２５２    上部ベース、
２５３    イオン層、
２５４    窒化物層、
２６０    接着部、
２６１，２６２    接着層。
【図１】
2006229239.tif 000003
【図２Ａ】
2006229239.tif 000004
【図２Ｂ】
2006229239.tif 000005
【図２Ｃ】
2006229239.tif 000006
【図２Ｄ】
2006229239.tif 000007
【図２Ｅ】
2006229239.tif 000008
【図２Ｆ】
2006229239.tif 000009
【図２Ｇ】
2006229239.tif 000010
【図５Ａ】
2006229239.tif 000011
【図５Ｂ】
2006229239.tif 000012
【図５Ｃ】
2006229239.tif 000013
【図５Ｄ】
2006229239.tif 000014
【図５Ｅ】
2006229239.tif 000015
【図５Ｆ】
2006229239.tif 000016
【図６Ａ】
2006229239.tif 000017
【図６Ｂ】
2006229239.tif 000018
【図６Ｃ】
2006229239.tif 000019
【図６Ｄ】
2006229239.tif 000020
【図６Ｅ】
2006229239.tif 000021
【図６Ｆ】
2006229239.tif 000022
【図６Ｇ】
2006229239.tif 000023
【図７Ａ】
2006229239.tif 000024
【図７Ｂ】
2006229239.tif 000025
【図７Ｃ】
2006229239.tif 000026
【図８Ａ】
2006229239.tif 000027
【図８Ｂ】
2006229239.tif 000028
【図８Ｃ】
2006229239.tif 000029
【図８Ｄ】
2006229239.tif 000030
【図８Ｅ】
2006229239.tif 000031
【図３】
2006229239.tif 000032
【図４】
2006229239.tif 000033