(57)【要約】【課題】ＢＣＡ情報記録時の感度補正方法を提供することを目的とする。【解決手段】ユーザーデータ記録領域外のＢＣＡの内周側にミラー領域を介してテスト領域を設け、試し書きによるＢＣＡ情報の記録レーザーパワー補正を実行できる光ディスク及びＢＣＡ情報記録方法を提供する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザーデータ領域外に設けたバーストカッティングエリアに、光ディスクの管理情報を、ユーザーデータと異なる変調方式で記録した光ディスクにおいて、バーストカッティングエリアの内周側に、前記光ディスクの管理情報を記録するレーザーパワーを設定するためのテスト領域を設けたことを特徴とする光ディスク。
【請求項２】
請求項１記載の光ディスクにおいて、前記バーストカッティングエリアにエンボスパターンを設けたことを特徴とする光ディスク。
【請求項３】
請求項２記載の光ディスクにおいて、前記バーストカッティングエリアと前記テスト領域の間にミラー領域を設けたことを特徴とする光ディスク。
【請求項４】
請求項２記載の光ディスクにおいて、前記エンボスパターンが、光学的分解能λ／２ＮＡ（λはユーザーデータの記録再生を行なう光ディスク駆動装置の記録再生レーザの波長、ＮＡは記録再生ピックアップレンズの開口数）以下のピッチで設けられた溝であることを特徴とする光ディスク。
【請求項５】
請求項２記載の光ディスクにおいて、前記エンボスパターンが、光学的分解能λ／２ＮＡ（λはユーザーデータの記録再生を行なう光ディスク駆動装置の記録再生レーザの波長、ＮＡは記録再生ピックアップレンズの開口数）以下のピッチで設けられたプリピットであることを特徴とする光ディスク。
【請求項６】
請求項５記載の光ディスクにおいて、前記プリピットが、隣接するトラックで互いに重ならないことを特徴とする光ディスク。
【請求項７】
請求項２記載の光ディスクシステムに用いる光ディスクにおいて、前記光ディスクが塗布型記録層を有する光ディスクであって、かつ、前記バーストカッティングエリアにエンボスパターンを設けたことを特徴とする光ディスク。
【請求項８】
ユーザーデータ領域外に設けたバーストカッティングエリアに、光ディスクの管理情報を、ユーザーデータと異なる変調方式で記録する光ディスクシステムにおいて、バーストカッティングエリアの内周側に、前記光ディスクの管理情報を記録するためのテスト領域を設け、前記テスト領域において記録レーザーパワー補正のための試し書きを実行し、その結果に基づいて適正な記録レーザーパワーを設定し、バーストカッティングエリアの記録を実行することを特徴とするバーストカッティングエリア記録方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光ディスクシステム及び光ディスクに係り、特に、バーストカッティングエリアに記録する光ディスク情報やユーザーデータの管理情報の記録方法及びそのためのテスト領域に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、光ディスクにおいては、ユーザーデータ領域に書かれたプログラム、データ、アプリケーション情報等のユーザーデータを管理、若しくは、その著作権を保護するために、ユーザーデータ領域外であるシステムリードインにはユーザーデータ領域と同じ変調方式で、バーストカッティングエリア（以下、ＢＣＡという）にはユーザーデータ領域と異なる変調方式で管理情報を記録している。ＢＣＡに関しては、特許文献１や特許文献２などで開示されている。
【０００３】
しかしながら、ＢＣＡを設けた塗布型記録層を有する光ディスクは、ミラー部分にＢＣＡ情報を記録できない、もしくは記録できても十分なコントラストが得られないため、実質的に製品としては存在していなかった。
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−１４９４２３号
【特許文献２】特開２００１−０４３５３３号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ユーザーデータ領域外にユーザーデータと異なる変調方式で管理情報を記録するＢＣＡにおいて、ＤＶＤ−ＲＡＭ，ＤＶＤ−ＲＷ，ＨＤ−ＤＶＤやＢｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃ（ＢＤ）のような書替媒体であっても、ＢＣＡに記録される情報は、書替ができない不揮発な情報として記録される。このため、ＢＣＡライターの経時変化によるレーザーパワーの低下のため、記録したＢＣＡ情報のコントラストが低下しても、ＢＣＡ情報の修正ができないため、光ディスクドライブシステムでＢＣＡ情報が認識されず、光ディスクが使えなくなる。このため、適正なＢＣＡ情報記録パワーを設定するためのテスト領域を設けることが好ましい。
【０００６】
これとは別に、ＢＣＡは通常、ユーザーデータ領域外のミラー領域に形成されるが、塗布型色素を記録層に用いた光ディスクでは、溝やピットのようなパターン形成部と比べて、ミラー領域ではディスク上に積層される色素膜厚が薄くなるため、記録部と未記憶部のコントラストが十分とれず、ＢＣＡ情報が認識できなくなる。逆に、ＢＣＡ情報が認識できるように色素膜厚を厚くすると、ユーザーデータ領域の記録特性が確保できなくなる。記録したＢＣＡ情報が認識できるようにするためには、ＢＣＡにおいてのみ、色素膜厚を厚くする必要がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明では、光ディスクドライブシステムで、ＢＣＡ情報が正しく認識できる光ディスク及びＢＣＡ情報の記録方法を提供することが目的である。
【０００８】
前述したように、ＢＣＡ情報は、光ディスクのユーザー情報領域外に不揮発な情報として記録される。このため、一度書いたＢＣＡ情報は修正できないので、最適な条件で記録する必要があるが、ＢＣＡライターの経時変化、媒体毎の記録感度のばらつき、ＢＣＡライター間の記録レーザーのエネルギー密度差によって最適な条件が異なっている。
【０００９】
そこで、ＢＣＡより内側にＢＣＡ記録条件を設定するためのテスト領域を設けることで、テスト領域で設定した最適条件でＢＣＡ情報を記録することができ、ＢＣＡ情報の認識不良によって光ディスクが使えなくなることを防止できるようになる。
【００１０】
一方、塗布型色素を記録層に用いた光ディスクでは、前述のようにミラー領域の色素膜厚が薄くなっているため、記録したＢＣＡ情報のコントラストが得られず、ＢＣＡ情報が認識できないが、ＢＣＡ及びテスト領域に溝やピットなどのパターンを設けることによって、前記パターン部に色素が埋まり、記録したＢＣＡ情報のコントラストが改善され、正しく認識できるようになる。さらに、前記パターンを記録再生に用いる光ディスクドライブの光学分解能λ／（２・ＮＡ）（ＮＡは光ヘッドの対物レンズの開口数）以下のピッチで形成することで、再生したＢＣＡ情報が、トラッククロス信号によって変動するといった影響を受けなくなる。すなわち、光ディスクドライブからはミラー部と同様に見え、記録したＢＣＡ情報のみのコントラストが信号として再生できる。例えば、記録再生レーザー波長が４０５ｎｍ、レンズＮＡが０．６５の場合、ＢＣＡ及びテスト領域に形成する溝のトラックピッチを３２７ｎｍ以下にすればよく、前記光学分解能以上であっても、この値に近いトラックピッチに設定することで、トラッククロス信号による変動を実質的に影響がない程度まで低減することができる。また、ミラー部ではコントラストが出にくいので、ＢＣＡとテスト領域の間、若しくはＢＣＡとユーザーデータ領域の間にリング上にミラー領域を設けることで、ＢＣＡやテスト領域に書かれたＢＣＡ情報がその領域外まで書けない、若しくはコントラストが取れないので、隣接領域において、クロストークの影響を低減できる。
【００１１】
このため、本発明は、特に塗布型色素を記録層に用いた光ディスクに有効である。記録層に塗布型色素材料を用いた場合、記録層に用いられる色素材料は公知一般のレーザーによる良好な記録、再生に適した色素材料を用いることができ、たとえば例えば、シアニン系色素、スクアリリウム色素、アズレニウム系色素等のポリメチン系色素、フタロシアニン系色素のような大環状アザアネレン系色素、ジチオール系色素、ポルフィセン系化合物、アヌレン系化合物などの光照射により変質する有機物が挙げられる。また、かかる材料は、これらの有機材質を１又は２種以上の混合してもよい。
【００１２】
更には記録再生に用いられるレーザー光が４００ｎｍ近傍の波長である場合、ポルフィセン系化合物、アヌレン系化合物を用いることが望ましい。
【００１３】
ポルフィセン系化合物は、下記の一般式（化１）を有しており、この一般式中のＲ1 〜Ｒ4は、それぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、あるいはメチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基、sec-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基等の炭素数１〜２０の直鎖または分岐のアルキル基が挙げられる。前記一般式中のＸ1 〜Ｘ8はそれぞれ独立して水素原子；ハロゲン原子；ヒドロキシル基；ホルミル基；カルボキシル基；シアノ基；ニトロ基；アミノ基；スルホン酸基；あるいはメチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基、sec-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基等の炭素数１〜２０の直鎖または分岐のアルキル基；ビニル基、プロペニル基、ベテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等の１〜２０の直鎖または分岐のアルケニル基；メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基、エトキシカルボニルプロポキシ基、sec-ブトキシ基、n-ペンチルオキシ基、n-ヘキシルオキシ基、n-ヘプチルオキシ基等の置換されていてもよい炭素数１〜２０の直鎖または分岐のアルコキシ基；ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基等の炭素数１〜２０のヒドロキシアルキル基；ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ピラゾール環、ピリジン環、ピラン環等の炭素数６〜１２の芳香環または複素環；カルボキシルメチル基等のカルボキシルアルキル基；メトキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、tert-ブトキシカルボニル基、sec-ブトキシカルボニル基、n-ペンチルオキシカルボニル基、n-ヘキシルオキシカルボニル基等の置換されていてもよい炭素数２〜２１の直鎖または分岐のアルコキシカルボニル基；メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、n-プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、n-ブチルカルボニルオキシ基、sec-ブチルカルボニルオキシ基、tert-ブチルカルボニルオキシ基、n-ペンチルカルボニルオキシ基等の置換されていてもよい炭素数２〜２１の直鎖または分岐のアルキルカルボニルオキシ基；メトキシカルボニルメチル基、メトキシカルボニルエチル基、エトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルエチル基、n-プロポキシカルボニルエチル基、n-プロポキシカルボニルプロピル基、イソプロポキシカルボニルメチル基、イソプロポキシカルボニルエチル基等の炭素数３〜２２の直鎖または分岐のアルコキシカルボニルアルキル基が挙げられる。また、Ｘ1 〜Ｘ8およびＲ1〜Ｒ4 のうち隣接する置換基どうしが結合して環状を形成してもよい。前記一般式において、Ｍは２個の水素原子、Ni, Co, Cu, Zn, Pd, Pt, Fe, Mn, Sn, Mg, Rh等の２価の金属、TiO, FeCl, VO, Sn(Y)2等の３〜４価の金属誘導体およびSi(Y)2, Ge(Y)2等の誘導体（Yはハロゲン原子、アルキル基、アリール基、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基）等のポルフィセン系化合物に配位することができる誘導体であればよいが、３００〜５００ｎｍに極大吸収をもち、モル吸光係数���大きい点で、特にNi, Zn, Co, Cuが特に好ましい。
一般式
【００１４】
【化１】
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【００１５】
アヌレン系化合物は下記の一般式（化２）を有しており、この一般式中のＸ1 〜Ｘ3としてはそれぞれ独立して、酸素原子、イオウ原子、セレン原子、イミノ基が挙げられる。前記一般式中のＲ1 〜Ｒ6は、それぞれ独立して水素原子；ハロゲン原子；ヒドロキシル基；カルボキシル基；メトキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、tert-ブトキシカルボニル基、sec-ブトキシカルボニル基、n-ペンチルオキシカルボニル基、n-ヘキシルオキシカルボニル基等の置換されていてもよい炭素数２〜２１の直鎖または分岐のアルコキシカルボニル基；あるいはメチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基、sec-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基等の炭素数１〜２０の直鎖または分岐のアルキル基が挙げられる。前記一般式中のＲ7 〜Ｒ12 はそれぞれ独立して水素原子；ハロゲン原子；ヒドロキシル基；ホルミル基；カルボキシル基；シアノ基；ニトロ基；アミノ基；スルホン酸基；あるいはメチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基、sec-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基等の炭素数１〜２０の直鎖または分岐のアルキル基；ビニル基、プロペニル基、ベテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等の１〜２０の直鎖または分岐のアルケニル基；メトキシ基、エトキシ基、n-プロポキシ基、イソプロポキシ基、n-ブトキシ基、tert-ブトキシ基、エトキシカルボニルプロポキシ基、sec-ブトキシ基、n-ペンチルオキシ基、n-ヘキシルオキシ基、n-ヘプチルオキシ基等の置換されていてもよい炭素数１〜２０の直鎖または分岐のアルコキシ基；ヒドロキシメチル基、ヒドロキシエチル基等の炭素数１〜２０のヒドロキシアルキル基；ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ピラゾール環、ピリジン環、ピラン環等の炭素数６〜１２の芳香環または複素環；カルボキシルメチル基等のカルボキシルアルキル基；メトキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、n-ブトキシカルボニル基、tert-ブトキシカルボニル基、sec-ブトキシカルボニル基、n-ペンチルオキシカルボニル基、n-ヘキシルオキシカルボニル基等の置換されていてもよい炭素数２〜２１の直鎖または分岐のアルコキシカルボニル基；メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、n-プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、n-ブチルカルボニルオキシ基、sec-ブチルカルボニルオキシ基、tert-ブチルカルボニルオキシ基、n-ペンチルカルボニルオキシ基等の置換されていてもよい炭素数２〜２１の直鎖または分岐のアルキルカルボニルオキシ基；メトキシカルボニルメチル基、メトキシカルボニルエチル基、エトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニルエチル基、n-プロポキシカルボニルエチル基、n-プロポキシカルボニルプロピル基、イソプロポキシカルボニルメチル基、イソプロポキシカルボニルエチル基等の炭素数３〜２２の直鎖または分岐のアルコキシカルボニルアルキル基が挙げられる。また、Ｒ1 〜Ｒ12 ���うち隣接する置換基どうしが結合して環状を形成してもよい。
一般式
【００１６】
【化２】
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【００１７】
これらの有機色素は透明樹脂基板上に直接あるいは他の層を介してキャスト法、スピンコート法、浸漬法等の塗布方法を好適に用い、成膜することができる。塗布溶媒としては、基板を侵さない溶媒であれば特に限定されない。例えば、ジアセトンアルコール、３−ヒドロキシ−２−ブタノン等のケトンアルコール系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、n−ヘキサン、n−ヘプタン等の炭化水素系溶媒、テトラフルオロプロパノール、オクタフルオロペンタノール、ヘキサフルオロブタノール等のパーフルオロアルキルアルコール系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、n−ブチルシクロヘキサン、t−ブチルシクロヘキサン、シクロオクタン等の炭化水素系溶媒、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル等のエーテル系溶媒、乳酸メチル、乳酸エチル、イソ酪酸メチル等のヒドロキシルエステル系溶媒などが挙げられる。
【００１８】
上記記録層の膜厚は、記録に用いるレーザー光などの記録光のパワーに対する記録感度性能係数を考慮して、波長、光反射層の光学定数、光吸収層の材質に応じて適宜選択される。また、本発明の主旨であるランドトラックに不可逆的な記録マークでディスク固有の識別情報を形成するためには、ランド部においても記録が可能でなければならない。しかしながらスピンコート法により形成された色素記録媒体の記録層は、塗布面からみて凹んでいるグルーブ部の色素膜厚が厚くなり、ランド部の色素膜厚が薄くなる。したがって、少なくともランド部の色素厚さはレーザー波長λに対し、λ／６ｎ以上が必要であり、そのためにランド部の記録層の膜厚が上記条件に合致するよう色素および色素を溶解する溶媒、または基板上に形成されたグルーブのＵ字溝の形状を最適化する必要がある。これに加え、記録媒体全域において記録再生特性がランド部以上に優れた記録特性を要求されるのは必須であることから、色素の光学定数ｎは１．８以上必要であり、従ってグルーブ部Ｕ字溝凹みの深さは２０ｎｍから１５０ｎｍ、望ましくは５０ｎｍから１２０ｎｍが必要である。
【００１９】
また反射層は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌなどの金属またはそれらを主成分とした合金から構成することができが、反射率の波長依存性や耐久性の観点から銀または銀を主成分とする合金が好ましい。成膜方法としては、真空蒸着、スパッタリングおよびイオンプレーティングなどにより成膜することができる。光反射層の膜厚は反射率および熱拡散効率等を考慮し０．０２μｍ〜０．５μｍとすることが好ましい。
【００２０】
光反射層上に形成する保護層としては、アクリル系紫外線硬化樹脂等の硬質性の材料を用いることが好ましい。これは、高温高湿下で長期間保存した場合、保護層の経時的な変形を防止できるためである。通常、光反射層上に直接または他の層を介してスピンコート法により厚み１〜２０μｍで塗布した後、紫外線照射により硬化させて形成される。また、ＤＶＤのようにダミー基板を接着する場合は、色素記録層と反射層を設けた基板の反射層とダミー基板の間をアクリル系紫外線硬化樹脂保護層で直接接着してもよい。
【００２１】
記録膜材料としては塗布型色素以外に、蒸着型色素やスパッタで形成可能な相変化記録膜を用いることも可能である。相変化記録膜のような真空中で成膜可能な記録材料の場合、記録膜の両側に耐熱誘電体保護膜が必要になるが、塗布型色素のように基板上のパターン形状に依存して埋まることがなく、レーザー波長λに対して、溝深さはλ／８からλ／６程度の光学深さである。
【発明の効果】
【００２２】
ＢＣＡ情報のような媒体管理情報は光ディスクドライブ装置で媒体を認識する上で必須情報であり、適正に記録されていないと誤認識、或いは認識されずに使えなくなる場合がある。以上で述べたように、ＢＣＡの内側のような領域外にテスト領域を設けることで、記録レーザーパワーの最適化を図り、ＢＣＡ情報を読み取りエラーのないように記録することができる。また、塗布型記録媒体においては、ＢＣＡ及びテスト領域に光ディスクドライブ装置光ヘッドの光学分解能以下のピッチでパターンを設けることにより、十分な記録膜が積層され、記録信号のコントラストが十分取れ、かつ、装置側では実質的に反射率の低いミラーとして見えるので、トラッククロス信号による変動を抑制できる。さらに、ミラー部では記録した信号のコントラストが取れないので、ＢＣＡとテスト領域の間にミラー部を設けることで、テスト領域に記録した情報はミラー部で遮断されるので、ＢＣＡ情報へのクロストークが抑制され、かつ、ミラー部がガードトラックとなるので、ＢＣＡにクロスライトも防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下に、実施例および比較例を上げて本発明をより具体的に説明するが、本発明はその要旨を越えない範囲で、以下の実施例に限定されるものではない。
【実施例１】
【００２４】
本発明で使用したライトワンス型光ディスクの構造を図１に示す。直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート樹脂基板の表面に、トラックピッチ４００ｎｍのＵ字型溝で、アドレス情報（ＩＤ）で変調したウォブル溝と、一定周期で変調した記録トラックとを予め形成した基板１１１を用意した。このＵ字型溝の溝幅は約２００ｎｍ、深さを１００ｎｍとした。ＢＣＡ近傍のレイアウトを図２に示す。この基板１１１の内周側にある直径４４．６ｍｍから直径４６．３の位置にある幅０．８５ｍｍのＢＣＡ１２２に溝幅１６０ｎｍ、深さ７０ｎｍから９０ｎｍの溝［図３（Ａ）］がトラックピッチ３１０ｎｍで形成され、さらにその内側に幅０．１ｍｍのミラー領域を介して、幅０．３ｍｍのテスト領域１２１にもＢＣＡ１２２と同じ形状の溝が形成されている。この基板１１１上に形成する記録層材料として下記の一般式（化３）で示されるポルフィセン化合物系の色素０．５ｇを用い、この色素をテトラフロロプロパノール４０ｇ に溶解し、これを４０℃下で３０分間超音波分散した後、０．２μｍのフィルターでろ過した。このようにして調整された色素溶液を基板１１１上に、この液を回転数５００ｒｐｍから２０００ｒｐｍに加速しながらスピンコートし、記録層１１４を形成した。次にこの記録層１１４がコートされた基板１１１を８０℃のオーブンで３０分乾燥した後、記録層１１４の上にスパッタリング法により膜厚１００ｎｍのＡｇ合金膜を成膜し、反射層１１７を形成した。さらに、この反射層１１７の上に紫外線硬化樹脂１１９を５μｍの厚さでスピンコートし、これに紫外線を照射して硬化させて、記録層付基板を得た。さらに遅効性紫外線硬化型接着剤１２０をつけ、全く記録層を形成しない以外は同様にして得られたダミー基板１１２と接着し、光情報記録媒体とした。或いは、反射層１１７上の紫外線硬化樹脂１１９を形成せず、紫外線硬化型接着剤１２０'を用いて 直接ダミー基板１１２と接着してもよい。
一般式
【００２５】
【化３】
2006079773.tif 000005
【００２６】
本発明の実施形態について説明する。図４に本発明のフローを示す。ＢＣＡライターは半径方向に長円のレーザービームを用いて記録する。図５に、ビームスポットとＢＣＡの関係を示す。
【００２７】
(1)前記光ディスクのテスト領域において、ＢＣＡライターのレーザーパワーをステップ状に変化させて、ＢＣＡ情報を記録する。
(2)ＢＣＡライターの光ヘッドで再生したテスト領域のＢＣＡ情報の信号レベルを検出する。
(3)予め基準テスターとの相関を取った信号レベルに該当する再生信号レベルとなる位置のレーザーパワーを、最適値としてＢＣＡライターのメモリーに記憶させる。
(4)ステップ(3)で得られた最適値にレーザーパワーを設定して、ＢＣＡにＢＣＡ情報を記録する。
【００２８】
このようにして、記録したＢＣＡ情報を基準テスターで測定した再生信号は、図６のようになり、トラッククロス信号の漏れ込みは殆ど見られず、最適なＢＣＡ情報記録レーザーパワーが設定できるため、全てのディスクにおいて、正常にＢＣＡ情報を認識することができた。
【００２９】
このように、ＢＣＡライターのレーザーパワーを、試し書きを行なうことによって最適化するため、ＢＣＡ情報の記録不良は発生しない。また、テスト領域とＢＣＡの間にミラー領域を設けることによって、ミラー部では記録ができない、若しくはレーザー照射された部分とそれ以外の部分のコントラストが非常に小さいため、ＢＣＡ情報に漏れ込むこともなく、かつ、ミラー領域がガードトラックになるので、テスト領域に試し書きしたデータがＢＣＡに記録されることはない。
【実施例２】
【００３０】
実施例１ではＨＤ−ＤＶＤの例を示したが、実施例２では現行の記録型ＤＶＤディスクへの応用例を示す。本発明に用いるＤＶＤ-ＲＷディスク記録膜としては、ＡｇＩｎＳｂＴｅ、ＧｅＳｂＴｅ、ＧｅＢｉＴｅ、ＧｅＢｉＳｂＴｅなどの書替型相変化記録膜が挙げられる。
【００３１】
本発明で使用した書替型光ディスクの構造を図７に示す。直径１２０ｍｍ、厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート樹脂基板１５１の表面に、トラックピッチ７４０ｎｍのＵ字型溝で、アドレス情報（ＩＤ）で変調したランドプリピットを、一定周期で蛇行変調した記録トラックに隣接するランド部に形成した基板２１１を用意した。このＵ字型溝の溝幅は約３００ｎｍ、深さを３０ｎｍとした。この基板１５１の内周側にある直径４５．４ｍｍから直径４７．０の位置にある幅０．８ｍｍのNarrow ＢＣＡ（以下、ＮＢＣＡという）に溝幅２６０ｎｍ、深さ２０ｎｍの溝がトラックピッチ５００ｎｍで形成され、さらにその内側に幅０．１ｍｍのミラー領域を介して、幅０．２ｍｍのテスト領域にもＮＢＣＡと同じ形状の溝が形成されている。
【００３２】
このディスク基板上に、ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる誘電体保護層１５３（図示せず）を８０ｎｍ、ＧｅＳｂＴｅからなる記録層１５４を１２ｎｍから１５ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ２からなる誘電体保護層１５５（図示せず）を１５ｎｍから２０ｎｍｎｍ、ＡｌＴｉからなる反射層１５６（図示せず）を１００ｎｍの厚みでスパッタ法にて順次積層し、さらにその上に紫外線硬化型樹脂保護膜１５７を塗布、紫外線照射により保護膜を硬化後、接着剤により０．６ｍｍ厚みのダミー基板と貼り合せる。若しくは、紫外線硬化型樹脂接着剤で直接ダミー基板と貼り合せて、紫外線照射により接着剤を硬化、接着してもよい。
【００３３】
前記ディスクを用い、図４のフローでＢＣＡライターのレーザーパワーの最適化を実行し、ＢＣＡにＢＣＡ情報を記録した。最適なＢＣＡ情報記録レーザーパワーが設定できるため、全てのディスクにおいて、正常にＢＣＡ情報を認識することができた。
【実施例３】
【００３４】
ＢＣＡ及びテスト領域を図３（Ｂ）に示すプリピットパターンとした以外は実施例１と同じ方法で、塗布型色素を記録層とする光ディスクを作製した。
【００３５】
前記ディスクを用い、図４のフローでＢＣＡライターのレーザーパワーの最適化を実行し、ＢＣＡにＢＣＡ情報を記録した。最適なＢＣＡ情報記録レーザーパワーが設定できるため、全てのディスクにおいて、正常にＢＣＡ情報を認識することができた。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明における塗布型色素系光ディスクの構造を示す図である
【図２】本発明実施例１におけるＢＣＡ近傍のレイアウト例である
【図３】ＢＣＡ及びテスト領域の(Ａ)溝／(Ｂ)ピットパターン例である
【図４】本発明におけるＢＣＡ情報記録での感度補正フローである
【図５】ＢＣＡライターのビームスポットとＢＣＡ情報の関係である
【図６】ＢＣＡ及びテスト領域に記録したＢＣＡ情報の再生波形である
【図７】本発明における相変化型書替光ディスクの構造を示す図である
【図８】本発明におけるＢＣＡライターの概略構成図である
【符号の説明】
【００３７】
１１１    塗布型色素記録膜用基板
１１２、１５２    ダミー基板
１１４    塗布型色素記録膜
１１７、１５７    反射膜
１１９    紫外線硬化樹脂保護層
１２０、１５７    接着剤層
１２１    テスト領域
１２２    バーストカッティングエリア（ＢＣＡ）
１５１    書替型記録膜用基板
１５３、１５５    誘電体保護膜
１５４    書替型記録膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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