(57)【要約】【課題】  半導体装置のボンディング電極形成プロセスを簡略化し、製造コストを下げ、さらに低抵抗化を図る。【解決手段】  半導体基板上に形成される第１の層間絶縁膜と、第１の層間絶縁膜上に形成され、複数の溝を有する第２の層間絶縁膜と、溝内表面に形成された第１のバリアメタルと、第１のバリアメタル上に形成される銅膜を有する第１の配線部及び第１のボンディング電極部と、第1の配線部及び第１のボンディング電極部上に形成される第２のバリアメタルと、第1の配線部上に第２のバリアメタルを介して形成される金属膜を有する第２の配線部と、第1のボンディング電極部上に第2のバリアメタルを介して形成される金属膜を有する第２のボンディング電極部と、第２の配線部および第２のボンディング電極部を覆い、第２のボンディング電極部表面が露出するように開口部を有した第３の層間絶縁膜とを備えることを特徴としている。【選択図】  図１
2006147923.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に形成される第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜上に形成され、複数の溝を有する第２の層間絶縁膜と、
前記溝内表面に形成された第１のバリアメタルと、
前記第１のバリアメタル上に形成される銅膜を有する第１の配線部及び第１のボンディング電極部と、
前記第1の配線部及び第１のボンディング電極部上に形成される第２のバリアメタルと、
前記第1の配線部上に前記第２のバリアメタルを介して形成される金属膜を有する第２の配線部と、
前記第1のボンディング電極部上に前記第2のバリアメタルを介して形成される金属膜を有する第２のボンディング電極部と、
前記第２の層間絶縁膜、前記第２の配線部、前記第２のボンディング電極部上に形成され、前記第２のボンディング電極部表面が露出するような開口部を有する第３の層間絶縁膜と
を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１の配線部及び前記第２の配線部は、積層構造をとり、電気的に接続され、一体になっていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１の配線部及び前記第１のボンディング電極部は第１のバリアメタル及び第２のバリアメタルによって覆われていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２の配線部の配線幅は、前記第１の配線部の配線幅より広くなっていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２のボンディング電極部の配線幅は、前記第１のボンディング電極部の配線幅より広くなっていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第２の配線部及び第２のボンディング電極部として、アルミニウムを用いることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１のバリアメタル及び前記第２のバリアメタルとして、チタン若しくはタンタルを含む物質を用いることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１の層間絶縁膜乃至前記第３の層間絶縁膜として、ｋ＜３．０の膜を用いることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項９】
半導体基板上に形成される第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜上に形成され、複数の溝を有する第２の層間絶縁膜と、
前記溝内表面に形成される第１のバリアメタルと、
前記第１のバリアメタル上に形成される銅膜を有する配線部及び第１のボンディング電極部と、
前記配線部及び前記第１のボンディング電極部上に形成される第２のバリアメタルと、
前記配線部上に前記第２のバリアメタル介して形成される金属膜を有するヒューズ配線部と、
前記第1のボンディング電極部上に前記第２のバリアメタルを介して形成される金属膜を有する第２のボンディング電極部と、
前記第２の層間絶縁膜、前記ヒューズ配線、前記第２のボンディング電極部上に形成され、前記ヒューズ配線部上に凹部を有し、前記第２のボンディング電極部上に前記第２のボンディング電極部が露出するような開口部を有する第３の層間絶縁膜と
を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
前記ヒューズ配線部上の凹部の下に前記配線部を形成しないことを特徴とする請求項９記載の半導体装置。
【請求項１１】
半導体基板上に第１の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の層間絶縁膜上に複数の溝を有する第２の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記溝内表面に第１のバリアメタルを形成する工程と、
前記第１のバリアメタル上に銅膜を有する第１の配線部及び第１のボンディング電極部を形成する工程と、
前記第１の配線部及び前記第１のボンディング電極部上に第２のバリアメタルを形成する工程と、
前記第1の配線部上に前記第２のバリアメタルを介して金属膜を堆積させ、パターニングによって第２の配線部を形成する工程と、
前記第1のボンディング電極部上に前記第２のバリアメタルを介して金属膜を堆積させ、パターニングによって第２のボンディング電極部を形成する工程と、
第３の層間絶縁膜を堆積させ、前記第２のボンディング電極部表面が露出するように開口部を形成する工程と
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第２の配線部を形成する工程において、前記第1の配線部を覆い隠すようにパターニングを行うことを特徴とする請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
第２のボンディング電極部を形成する工程において、前記第1のボンディング電極部表面を覆い隠すようにパターニングを行うことを特徴とする請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第1の配線部および第1のボンディング電極部を形成する工程が、
第1のバリアメタル上に銅膜を堆積させる工程と、
前記第２の層間絶縁膜が露出するまで前記銅膜及び前記第1のバリアメタルを平坦化する工程と
を備えることを特徴とする請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記銅膜及び前記第1のバリアメタルを平坦化する工程において、エッチバック法あるいはＣＭＰ法を用いることを特徴とする請求項１４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
半導体基板上に第１の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の層間絶縁膜上に複数の溝を有する第２の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記溝内表面に第１のバリアメタルを形成する工程と、
前記第１のバリアメタル上に銅膜を有する配線部及び第１のボンディング電極部を形成する工程と、
前記配線部及び第１のボンディング電極部上に第２のバリアメタルを形成する工程と、
前記第２のバリアメタル上に金属膜を堆積させ、パターニングによって前記配線部上にヒューズ配線部を形成する工程と、
前記第２のバリアメタル上に金属膜を堆積させ、パターニングによって前記第1のボンディング電極部上に第２のボンディング電極部を形成する工程と、
第３の層間絶縁膜を堆積させ、前記ヒューズ配線部及び前記第２のボンディング電極部上に凹部を形成する工程と
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記ヒューズ配線部にレーザ光線を照射する工程と、
前記レーザ光線で前記ヒューズ配線部を切断する工程とを備えることを特徴とする請求項１６記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＬＳＩの微細化に伴い、低抵抗（比抵抗がアルミニウムの３５％程）で高いエレクトロマイグレーション耐性を有する銅配線がサブクオーターミクロン世代以降の半導体装置の配線材料として用いられている。特に、大電流を必要とする最上層配線では大きな効果が得られ、多層配線では全線に銅配線が用いられている。しかし、銅は非常に酸化しやすく、酸素濃度をコントロールされていない高温雰囲気中だけでなく、大気雰囲気でも酸化が進む。そして、一度、銅の酸化が始まると酸化は表面だけにとどまらず銅の内部にまで深く進行し、腐食されてしまう。そのため、銅配線でボンディング電極を形成した場合、電極表面が酸化されてしまい、ワイヤーボンディングとの密着性が悪くなってしまうだけでなく、酸化された電極は、内部にも酸化による腐食が進行し、ボンディング全体、さらには銅配線にまで酸化による腐食が及んでしまうこともある。
【０００３】
そこで、銅を配線材料として用いる場合には、銅以外の酸化しにくい材料でボンディング電極を形成する技術が一般に用いられている。図７に銅配線上部に酸化しにくい材料でボンディング電極を構成した従来の半導体装置を示す（例えば、特許文献１参照。）。図７の半導体装置は次に述べる工程で形成される。まず、図外の半導体基板上に形成されたシリコン酸化膜等の絶縁膜３１に配線パターンの溝を形成し、この溝内にバリアメタル３２と銅膜３３を堆積させ、化学研磨法（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）を用いて溝内にのみ銅膜３３が残るように平坦化する。次に平坦化したところに拡散防止膜３４とシリコン酸化膜等の絶縁膜３５を堆積させ、中層絶縁層を形成する。そして、前記銅膜３３の一部が露出するように中層絶縁膜である拡散防止膜３４、絶縁膜３５を開口する。
【０００４】
次に、その上に銅とアルミニウムの反応を防止するバリアメタル３６、アルミニウム膜３７、さらにアルミニウム膜３７表面の反射率を低減して配線パターンのリソグラフィを可能にするバリアメタル３８を順次堆積させ、ボンディング電極となる部分を除いてエッチング加工により除去する。最後に、絶縁膜３９を全面に堆積させ、アルミニウム膜３７が露出するように絶縁膜３９とバリアメタル３８を選択的にエッチングすることによりアルミニウム膜３７上部にボンディング開口部４０を形成し、ボンディング電極が完成する。
【０００５】
しかしながら、上記発明では、中層絶縁層をエッチングして形成した溝にアルミニウム膜を成膜するときに、溝が凹型になっているため被覆性が悪化するという問題点があった。
【０００６】
この問題を改善するのに、前記中層絶縁層に形成した溝に銅膜を埋め込み、ビアを形成し、中層絶縁膜上部を平坦化した後、アルミニウム膜の成膜、エッチング加工を行ってボンディング電極を形成するものもあった。
【０００７】
しかしながら、このような銅配線上にボンディング電極であるアルミニウム膜を形成する上記二つの工程では、銅配線形成後、絶縁膜の成膜プロセス、リソグラフィプロセス、エッチングプロセスなどのプロセスをいくつか追加する必要があり、ボンディング電極形成までのプロセス数が増加してしまい、コスト増大が問題となっている。
【特許文献１】特開２００３−３１５７５号公報（第７頁、図７（ｂ））
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、半導体装置の最上配線層でのボンディング電極形成プロセスを簡略化し、製造コストを下げることが可能な半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の半導体装置は、半導体基板上に形成される第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜上に形成され、複数の溝を有する第２の層間絶縁膜と、前記溝内表面に形成された第１のバリアメタルと、前記第１のバリアメタル上に形成される銅膜を有する第１の配線部及び第１のボンディング電極部と、前記第1の配線部及び第１のボンディング電極部上に形成される第２のバリアメタルと、前記第1の配線部上に前記第２のバリアメタルを介して形成される金属膜を有する第２の配線部と、前記第1のボンディング電極部上に前記第2のバリアメタルを介して形成される金属膜を有する第２のボンディング電極部と、前記第２の層間絶縁膜、前記第２の配線部、前記第２のボンディング電極部上に形成され、前記第２のボンディング電極部表面が露出するような開口部を有する第３の層間絶縁膜とを備えることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、半導体装置のボンディング電極形成プロセスを簡略化することから、製造コストを下げることができ、さらに最上層配線の低抵抗化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施例について、図面を参照して説明する。
【実施例１】
【００１２】
図１は、本発明の実施例１に係る半導体装置の最上配線層の構造を示す断面図である。図外の半導体基板上に複数層の半導体素子及び配線を形成した下層配線層１０上に層間を絶縁するための層間絶縁膜１１、層間絶縁膜１２が順次形成され、層間絶縁膜１２には最上配線層の配線パターンに沿って溝１３ａ、１３ｂが形成されている。そして、溝内には銅膜の拡散防止膜及び酸化防止膜となるバリアメタルとしてタンタル膜１４ａ、１４ｂと銅膜１５a、１５ｂが埋設され、ボンディング電極部１６ａと配線部１６ｂが形成されている。また、ボンディング電極部１６ａと配線部１６ｂ上には、バリアメタルとして窒化タンタル膜１７ａ、１７ｂと金属膜１８ａ、１８ｂとしてアルミニウム膜を積層したボンディング電極部１９ａと配線部１９ｂがボンディング電極部１６ａと配線部１６ｂよりも配線幅を広くして形成されている。そして、ボンディング電極部１６ａと１９ａ、さらに配線部１６ｂと１９ｂはそれぞれ一体化して、一つのボンディング電極と配線部を形成している。さらに層間絶縁膜２０には、ボンディング電極部１９ａ表面を露出するように開口部２１が形成されており、全体として最上配線層の構造を形成している。
【００１３】
次に、本実施例の半導体装置の製造方法を図２の工程断面図に示す。まず、図２（ａ）のように、半導体基板上に複数層の半導体素子や配線を形成させた下層配線層１０に層間を絶縁するための層間絶縁膜１１と層間絶縁膜１２を順次堆積させ、銅膜を埋め込むための溝１３ａ、１３ｂを層間絶縁膜１２にリソグラフィとドライエッチングを用いたエッチング加工を施すことにより形成する。
【００１４】
次に、図２（ｂ）のように、溝１３ａ、１３ｂ内に銅膜の拡散防止膜及び酸化防止膜となるバリアメタル１４ａ、１４ｂを薄く形成し、さらにその上に溝１３ａ、１３ｂを完全に埋め込むように銅膜１５ａ、１５ｂを成膜させる。このときの銅膜の形成は、バリアメタルであるタンタル膜をスパッタ法で形成し、大気中に放置することなく、銅膜を薄く堆積させた後、電界めっきによって銅膜を堆積させる。そして、ＣＭＰ法などにより全面の銅膜を研磨し、銅膜１５ａ、１５ｂを溝１３ａ、１３ｂ内に残すように表面を平坦化し、ボンディング電極部１６ａと配線部１６ｂを形成する。
【００１５】
次に、図２（ｃ）のように、ボンディング電極部１６ａ及び配線部１６ｂ上に銅膜の拡散防止膜及び酸化防止膜となるバリアメタル１７ａ、１７ｂと金属膜１８ａ、１８ｂを順次堆積させ、ボンディング電極部１６ａ及び配線部１６ｂがすべて覆いかぶさるようにフォトレジストをマスクとして金属膜１８ａ、１８ｂをエッチング加工し、ボンディング電極部１９ａ及び配線部１９ｂを形成する。このときの金属膜の形成は、バリアメタルである窒化タンタル膜を堆積させた後、大気放置することなく、アルミニウム膜を堆積させる。
【００１６】
その後、図１のようにボンディング電極部１９ａ及び配線部１９ｂを覆うように保護膜となる層間絶縁膜２０を堆積させる。このあと必要に応じて熱処理を加えることもある。そして、ボンディング電極部１９ａ表面が露出するようにエッチング加工を施し、開口部２１を形成することにより、本実施例の半導体装置が形成される。
【００１７】
以上の構成によれば、最上配線層の配線部を形成するときに、ボンディング電極部１６ａも同時に形成し、その後、バリアメタル１７ａ、１７ｂを介してボンディング電極部１９ａに相当する金属膜１８ａ、１８ｂを成膜、エッチングすることにより、従来より簡略化した工程でボンディング電極部を形成することができ、製造コストを下げることができる。さらに最上配線層の配線部を銅膜だけで形成するのではなく、ボンディング電極に用いる金属膜を銅膜上部に一体化させて成膜、エッチングすることにより、銅膜と金属膜で積層した配線部が形成され、配線部の低抵抗化を図ることができる。
【００１８】
さらに、ボンディング電極部１９ａ及び配線部１９ｂの配線幅は図１に示すようにボンディング電極部１６ａ及び配線部１６ｂの配線幅より広くなっていることが望ましい。図３にボンディング電極部１６ａ及び配線部１６ｂの配線幅とボンディング電極部１９ａ及び配線部１９ｂの配線幅を同じにした場合に両者が合わせずれを生じたときの最上層配線構造の一例を示すが、合わせずれによりボンディング電極部１６ａの銅膜が露出しているのがわかる。上記の銅膜露出は銅膜の酸化、腐食を引き起こす可能性があるため、配線幅を広くとることは、合わせずれによる銅膜の露出とそれに伴う銅膜の酸化、腐食を防止することができる。
【００１９】
また、銅膜の平坦化のときに、第１のボンディング電極部１６ａ及び第１の配線部１６ｂの銅膜部分だけＣＭＰで選択的に多めに研磨し、銅膜１５ａ、１５ｂと層間絶縁膜１２との間に段差を設けることによって、次のバリアメタル１７ａ、１７ｂと金属膜１８ａ、１８ｂを堆積させたときに、第１のボンディング電極部１６ａ及び第１の配線部１６ｂ上に段差ができ、第２のボンディング電極部１９ａ及び第２の配線部１９ｂを形成するのに必要なマスク形成のマークとして用いることができるので、マークを形成する手間を省くことができる。
【実施例２】
【００２０】
図４は、本発明の実施例２に係る半導体装置の最上層配線層の構造を示す断面図である。本実施形態における第１の実施形態との違いは、最上配線層のボンディング電極部１６ａを形成せず、銅膜１５ａを埋設しない点にある。
【００２１】
図４を形成する工程は、まず、半導体基板上に複数層の半導体素子や配線を形成させた下層配線層１０に層間を絶縁するための層間絶縁膜１１と層間絶縁膜１２を順次堆積させ、銅膜を埋め込むための溝１３ｂを層間絶縁膜１２にリソグラフィとドライエッチングを用いたエッチング加工を施すことにより形成する。ここで、ボンディング電極部１６ａ用の溝１３ａは形成しない。
【００２２】
次に、溝１３ｂ内に銅膜の拡散防止膜及び酸化防止膜となるバリアメタル１４ｂを薄く形成し、さらにその上に溝１３ｂを完全に埋め込むように銅膜１５ｂを成膜させる。このときの銅膜の形成は、バリアメタルであるタンタル膜をスパッタ法で形成し、大気中に放置することなく、銅膜を薄く堆積させた後、電界めっきによって銅膜を堆積させる。そして、ＣＭＰ法などにより全面の銅膜を研磨し、銅膜１５ｂを溝１３ｂ内にのみ残すように表面を平坦化し、配線部１６ｂのみを形成する。
【００２３】
次に、配線部１６ｂとボンディング電極部を形成したい部位に銅膜の拡散防止膜及び酸化防止膜となるバリアメタル１７ａ、１７ｂと金属膜１８ａ、１８ｂを順次堆積させ、配線部１６ｂがすべて覆いかぶさるようにフォトレジストをマスクとして金属膜１８ａ、１８ｂをエッチング加工し、ボンディング電極部１９ａ及び配線部１９ｂを形成する。このときの金属膜の形成は、バリアメタルである窒化タンタル膜を堆積させた後、大気放置することなく、アルミニウム膜を堆積させる。
【００２４】
その後、図４のようにボンディング電極部１９ａ及び配線部１９ｂを覆うように層間絶縁膜２０を堆積させる。このあと必要に応じて熱処理を加えることもある。ボンディング電極部１９ａ表面が露出するようにエッチング加工を施し、開口部２１を形成させることにより、本実施例の半導体装置が形成される。
【００２５】
図５は、本発明の実施例２に係る半導体装置のボンディング電極部から配線部に駆けての平面構造断面図である。配線部は配線部１６ｂと配線部１９ｂ一体化してボンディング電極部際まで形成されており、ボンディング電極部は上層のボンディング電極部１９ａのみで形成されている。ここでボンディング電極部１９ａ内部にある点線は、第１の実施形態におけるボンディング電極部１６ａを示す。ボンディング電極部１９ａは配線部で金属膜と銅膜が一体化になっていることにより配線部と電気的に接続されている。
【００２６】
本発明の第２の実施形態によると、第１の実施形態に述べたのと同様の効果が得られるだけでなく、ボンディング電極部１９ａのみでボンディング電極を形成することにより、ワイヤーボンディングによってボンディング電極部１９ａに破損、亀裂が生じて、第１の実施形態にあった下層のボンディング電極部１６ａの銅膜にまでこの破損、亀裂が達したときに、銅膜が露出したり、さらにはワイヤーボンディング時の圧力により銅膜のボンディング電極部が破損したりして、銅膜が酸化、腐食を引き起こすのを防ぐことができる。
【実施例３】
【００２７】
図６は、本発明の実施例３に係る半導体装置の最上層配線層の構造を示す断面図である。
【００２８】
本実施形態における前記各実施形態との違いは、最上配線層のボンディング電極部や配線部に加えヒューズ配線部も形成する点である。
【００２９】
本実施例におけるボンディング電極部、配線部及びヒューズ配線を同時に形成するプロセス工程を説明する。まず、半導体基板上に複数層の半導体素子や配線を形成した下層配線層１０に層間を絶縁するための層間絶縁膜１１と層間絶縁膜１２を順次堆積させ、銅膜を埋め込むための溝１３ａ、１３ｂ、１３ｃを層間絶縁膜１２にリソグラフィとドライエッチングを用いたエッチング加工を施すことにより形成する。
【００３０】
次に、溝１３ａ、１３ｂ、１３ｃ内に銅膜の拡散防止膜及び酸化防止膜となるバリアメタル１４ａ、１４ｂ、１４ｃを薄く形成し、さらにその上に溝１３ａ、１３ｂ、１３ｃを埋め込むように銅膜１５ａ、１５ｂ、１５ｃを成膜させる。このときの銅膜の形成は、バリアメタルであるタンタル膜をスパッタ法で形成し、大気中に放置することなく、銅膜を薄く堆積させた後、電界めっきによって銅膜を堆積させる。そして、ＣＭＰ法などにより全面の銅膜を研磨し、銅膜１５ａ、１５ｂ、１５ｃを溝１３ａ、１３ｂ、１３ｃ内に残るように表面を平坦化し、ボンディング電極部１６ａと配線部１６ｂ、１６ｃを形成する。
【００３１】
次に、ボンディング電極部１６ａ、配線部１６ｂ、１６ｃ上に銅膜の拡散防止膜及び酸化防止膜となるバリアメタル１７ａ、１７ｂ、１７ｃと金属膜１８ａ、１８ｂ、１８ｃを順次堆積させ、ボンディング電極部１６ａ、配線部１６ｂ、１６ｃがすべて覆いかぶさるようにフォトレジストをマスクとして金属膜１８ａ、１８ｂ、１８ｃをエッチング加工し、ボンディング電極部１９ａ、配線部１９ｂ及びヒューズ配線部１９ｃを形成する。このときの金属膜の形成は、バリアメタルである窒化タンタル膜を堆積させた後、大気放置することなく、アルミニウム膜を堆積させる。
【００３２】
その後、図６のようにボンディング電極部１９ａ、配線部１９ｂ及びヒューズ配線部１９ｃを覆うように保護膜となる層間絶縁膜２０を堆積させる。このあと必要に応じて熱処理を加えることもある。そして、ボンディング電極部１９ａ表面が露出するようにエッチング加工を施し、開口部２１を形成させ、さらにヒューズ配線部１９ｃ上にも同様の方法でヒューズ開口部２２を開口させることにより、本実施例の半導体装置が形成される。このとき、ヒューズ開口部２２は図６に示すようにヒューズ配線部１９ｃが露出しないようにエッチング加工を施す。また、図６に示すようにヒューズ開口部２２の下には、配線部１６ｃは形成しないほうがよい。
【００３３】
図６のように形成した半導体装置のヒューズ配線部１９ｃは、不良救済のためのリダンダンシー回路で正常に機能する回路から不良部分を切り離すことに用いる。その方法として、ヒューズ開口部２２上からヒューズ配線部１９ｃにレーザ光線２３を照射することにより、ヒューズ配線部１９ｃを切断（ヒューズブロー）して、正常に機能する回路から不良部分を切り離すことができる。
【００３４】
本発明の第３の実施形態によると、第１の実施形態に述べたのと同様の効果が得られる。さらに、ヒューズ配線部１９ｃは、これまで、最上配線層は銅膜によってヒューズ配線部を形成することが多かったが、切断するにはかなりの熱を必要とし、周りの配線部にも大きく影響が出て、更なる不良部分を生み出すという問題点があった。本実施例では、ヒューズ配線部１９ｃのヒューズ切断部分を融点の低いアルミニウムのような金属膜１８ｃにすることによって容易にヒューズ配線部１９ｃを切断することができ、不良部分を切り離すことができる。
【００３５】
ここで、各実施例において最上配線層に銅膜を用いていたが、銅膜に限定されるものではなく、これ以外の酸化されやすい金属を用いてもよい。また、形成した銅膜の表面を平坦化する技術として前記したＣＭＰ法のほかにエッチバック法を利用することも可能である。また、金属膜は、アルミニウムに限定されるものではなく、タングステンなどの酸化されにくい金属を用いてもよい。さらにバリアメタルとして、タンタル膜や窒化タンタル膜などのタンタル系化合物を用いていたが、チタン膜や窒化チタン膜などのチタン系化合物を用いてもよい。さらに層間絶縁膜は、誘電率の低いｋ＜３．０のＬｏｗ−ｋ膜を用いることが望ましい。
【００３６】
なお、本発明は、上述したような各実施例に何ら限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変形して実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の実施例１に係る半導体装置の最上配線層の構造を示す断面図。
【図２】本発明の実施例１に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図。
【図３】本発明の実施例１に係る半導体装置の合わせずれによる最上配線層の構造を示す断面図。
【図４】本発明の実施例２に係る半導体装置の最上配線層の構造を示す断面図。
【図５】本発明の実施例２に係る半導体装置のボンディング電極部付近の構造を示す平面図。
【図６】本発明の実施例３に係る半導体装置の最上配線層の構造を示す断面図。
【図７】従来の半導体装置の最上配線層の構造を示す断面図。
【符号の説明】
【００３８】
１０  下層配線層
１１  層間絶縁層
１２  層間絶縁層
１３ａ、１３ｂ、１３ｃ  溝
１４ａ、１４ｂ、１４ｃ  バリアメタル（タンタル膜）
１５ａ、１５ｂ、１５ｃ  銅膜
１６ａ  配線部
１６ｂ  ボンディング電極部
１６ｃ  配線部
１７ａ、１７ｂ、１７ｃ  バリアメタル（窒化タンタル膜）
１８ａ、１８ｂ、１８ｃ  金属膜(アルミニウム膜)
１９ａ  配線部
１９ｂ  ボンディング電極部
１９ｃ  ヒューズ配線部
２０  層間絶縁膜
２１  開口部
２２  ヒューズ開口部
２３  レーザ光線
【図１】
2006147923.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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