(57)【要約】【課題】  情報再生時に磁壁移動が生ずる再生層について高い磁壁移動性を得るのに適した光磁気記録媒体を提供すること。【解決手段】  本発明の光磁気記録媒体Ｘは、記録機能を担う記録層１１と、磁壁移動を伴う再生機能を担う再生層１３と、記録層１１および再生層１３の間に介在して当該記録層１１および再生層１３の交換結合状態を変化させるための中間層１２とを備える。再生層１３は、希土類元素と遷移金属とを含むアモルファス合金よりなり、希土類元素は、Ｇｄと、ＹまたはＬａとを含む。また、再生層１３におけるＹまたはＬａの含有率は１〜２０ａｔ％である。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録機能を担う記録層と、
磁壁移動を伴う再生機能を担う再生層と、
前記記録層および前記再生層の間に介在して当該記録層および再生層の交換結合状態を変化させるための中間層と、を備え、
前記再生層は、希土類元素と遷移金属とを含むアモルファス合金よりなり、
前記希土類元素は、Ｇｄと、ＹまたはＬａとを含み、
前記再生層における前記Ｙまたは前記Ｌａの含有率は１〜２０ａｔ％である、光磁気記録媒体。
【請求項２】
前記遷移金属はＦｅおよび／またはＣｏを含む、請求項１に記載の光磁気記録媒体。
【請求項３】
前記再生層は、１×１０4〜５×１０5ｅｒｇ／ｃｍ3の垂直磁気異方性定数を有する、請求項１または２に記載の光磁気記録媒体。
【請求項４】
前記再生層は、１８０〜３５０℃のキュリー温度を有する、請求項１から３のいずれか一つに記載の光磁気記録媒体。
【請求項５】
前記再生層は、１０〜５０ｎｍの厚さを有する、請求項１から４のいずれか一つに記載の光磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報再生時に磁壁移動ないし磁区拡大を生ずる再生層を有する光磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
光学的に情報が読み取られる光メディアの一形態として、光磁気ディスクが知られている。光磁気ディスクは、熱磁気的に記録され且つ磁気光学効果を利用して再生される書き換え可能な光磁気記録媒体である。また、光磁気ディスクは、垂直磁化膜からなる記録層を有し、当該記録層において、磁化方向の変化として所定の信号が記録される。この記録信号は、所定の光学系で読み取られて再生信号として出力される。
【０００３】
光磁気ディスクの技術分野では、読取り用の光学系における分解能の限界を超えて高密度に記録された信号を実用的に再生するための、磁壁移動ないし磁区拡大を伴う再生方式が開発されている。例えば、ＤＷＤＤ(domain wall displacement detection)や、ＭＡＭＭＯＳ(magnetic amplifying magneto-optical system）である。これらのような再生方式が採用される磁区拡大系の光磁気ディスクについては、例えば下記の特許文献１〜３に記載されている。
【０００４】
【特許文献１】特開平６−２９０４９６号公報
【特許文献２】特開２００１−５６９７７号公報
【特許文献３】特開２００３−１３２５９９号公報
【０００５】
磁区拡大系の光磁気ディスクにおいては、記録層と、再生層と、これらの間の中間層とによる積層構造を含む記録磁性部が、基板上に設けられて記録面を構成する。これら三層は、各々、希土類−遷移金属アモルファス合金よりなる垂直磁化膜であり、非加熱時において隣接二層間に交換相互作用が働くように積層されている。記録層は相対的に大きな磁壁抗磁力を呈し、再生層は相対的に小さな磁壁抗磁力を呈し、中間層は他の二層より低いキュリー温度を有する。また、このような記録磁性部ないし記録面において、渦巻き状に又は同心円状に情報トラック（信号記録を担うトラック）が設けられている。
【０００６】
磁区拡大系光磁気ディスクへの情報記録においては、当該ディスクを回転させた状態で、記録用のレーザビームを情報トラックに対して照射することにより記録層を局所的に順次昇温させつつ、当該昇温箇所に所定の磁界を印加する。このようにして、情報トラック内の記録層には、所定の信号が記録される。具体的には、記録層には、ディスク周方向に沿って連続して交互に磁化が反転し且つ記録信号に応じた所定の長さを各々が有する複数の磁区と、磁区間の境界をなす磁壁とが形成される。中間層のキュリー温度より低い温度条件の下では、記録層と中間層とは交換結合し且つ中間層と再生層とは交換結合し、中間層および再生層には、記録層と同方向に磁化された磁区と、磁区間の磁壁とが形成される。
【０００７】
磁区拡大系光磁気ディスクからの情報再生においては、当該ディスクを回転させた状態で再生用のレーザビームを情報トラックに対して照射することによって情報トラックを走査する。このとき、照射領域の情報トラック内部には、当該走査方向に、照射領域の中心付近に温度ピークを有する温度勾配が生ずる。照射領域における、中間層のキュリー温度の等温線を、再生層の磁壁が当該走査に伴って低温領域から高温領域へと通過する瞬間に、当該磁壁は再生層内をより高温の側へと移動する。そして、再生層内の当該磁壁移動に伴い、磁壁移動領域の磁化は反転する。この磁化反転を、再生層の表面にて反射した光の偏光面の変化として所定の光学系で検出することにより、磁壁移動が検知される。情報トラックに沿って再生用のレーザビームを照射して磁壁移動を順次検知することにより、光磁気ディスクの記録信号が読み取られることとなる。このような読み取りによると、再生用レーザビームのスポット全体ではなく、ビームスポット内の等温線（中間層のキュリー温度の等温線）により、情報トラック内の再生層ないし記録層の記録パターンが弁別される。したがって、磁区拡大系光磁気ディスクによると、再生用光学系における分解能の限界を超えて記録層に高密度に記録された信号であっても、即ち、記録マーク（信号に応じた長さをトラック延び方向に有して記録層内に形成された信号磁区）の長さがスポット径よりも小さな記録パターンであっても、実用的に再生することが可能なのである。
【０００８】
このような磁区拡大系光磁気ディスクの記録層や中間層の構成材料としては、一般に、希土類元素であるＴｂと３ｄ遷移金属とのアモルファス合金が採用される。Ｔｂと３ｄ遷移金属とのアモルファス合金によると、磁壁抗磁力が比較的大きく従って記録層や中間層に適した垂直磁化膜を形成しやすいことが知られている。これに対し、再生層の構成材料としては、一般に、希土類元素であるＧｄと３ｄ遷移金属とのアモルファス合金が採用される。Ｇｄと３ｄ遷移金属とのアモルファス合金によると、磁壁抗磁力が比較的小さく従って再生層に適した垂直磁化膜を形成しやすいことが知られている。磁壁抗磁力が小さいほど、再生層内の磁壁移動は速くなる傾向にある。
【０００９】
一方、磁区拡大系光磁気ディスクの技術分野においては、上述のような情報記録によって記録層内に安定に形成され得る最小の記録マーク（磁区）が微小であるほど、従って、記録層から中間層を介して再生層に転写されて当該再生層内に安定に形成され得る最小の磁区が微小であるほど、より高い記録密度を実現できることが知られている。コンピュータシステムにおける情報処理量の増大に伴い、光磁気ディスクを含む記録媒体については、より高い記録密度が要求される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
従来の光磁気ディスクにおいては、記録層における最小記録マーク長が１００ｎｍ程度以上に設定される場合には実用的に情報再生が実行されるが、記録層における最小記録マーク長が６０ｎｍ程度に短く設定される場合、情報再生に際して再生信号の欠落が顕著となる。このような問題の生じる主な理由としては、再生層内での磁壁移動速度が不充分であることが挙げられる。記録層における記録マーク長が小さいほど、情報再生に際してのビームスポット照射領域再生層内での磁壁移動に要求される必要最低速度は高くなるところ、希土類元素であるＧｄと３ｄ遷移金属とのアモルファス合金よりなる従来の再生層では、記録層の最小記録マーク長が６０ｎｍ程度に短く設定される場合に、充分な磁壁移動速度が得られないのである。従来の技術によると、このように再生層の磁壁移動性が充分でなく、そのため、実用的に磁区拡大系光磁気ディスクの高記録密度化を図るのが困難である。
【００１１】
本発明は、このような事情の下で考え出されたものであって、情報再生時に磁壁移動が生ずる再生層について高い磁壁移動性を得るのに適した光磁気記録媒体を提供することを、目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明により提供される光磁気記録媒体は、記録機能を担う記録層と、磁壁移動を伴う再生機能を担う再生層と、記録層および再生層の間に介在して当該記録層および再生層の交換結合状態を変化させるための中間層とを備える。本発明において、再生層は、希土類元素と遷移金属とを含むアモルファス合金よりなる。希土類元素は、Ｇｄと、ＹまたはＬａとを含み、遷移金属は、好ましくはＦｅおよび／またはＣｏを含む。また、再生層におけるＹまたはＬａの含有率は１〜２０ａｔ％（アトミックパーセント）である。
【００１３】
このような構成によると、再生層について、要求される垂直磁気異方性を確保しつつ磁壁移動性を向上することができる、という知見が得られた。
【００１４】
垂直磁化膜内での磁壁の移動性に影響を及ぼす因子として、垂直磁化膜を構成する元素の軌道角運動量が挙げられる。この値が小さいほど、垂直磁化膜内で磁壁は移動しやすい（即ち、垂直磁化膜内での磁壁移動の高速化を図るうえで好適である）ところ、本発明における再生層を構成する希土類元素であるＧｄの軌道角運動量は０であり、同じく本発明における再生層を構成する希土類元素であるＹおよびＬａの軌道角運動量も０である。また、ＹおよびＬａは、単独では非磁性の性質を示す元素であるが、希土類元素の一部としてＹまたはＬａを再生層（希土類−遷移金属アモルファス合金よりなる）に含有させても、当該再生層の磁気的特性は、ＹまたはＬａの含有量に比例するようには劣化しない（これは、ＹおよびＬａの有する５ｄ電子が再生層の磁性に寄与するためと考えられる）。したがって、希土類元素としてＹまたはＬａを比較的多く再生層に含有させても、再生層の磁気的特性は過度には劣化せず、当該再生層について所定の垂直磁気異方性を確保することが可能である。本発明における再生層について垂直磁気異方性を確保しつつ高い磁壁移動性を得ることができるのは、これらの事実を基礎として成り立つものである。
【００１５】
以上のような本発明によると、情報再生時に磁壁移動が生ずる再生層について高い磁壁移動性を達成するのに適した光磁気記録媒体を得ることができる。このような光磁気記録媒体は、媒体の高記録密度化を図るうえで好適である。
【００１６】
好ましくは、再生層の垂直磁気異方性定数Ｋｕは１×１０4〜５×１０5ｅｒｇ／ｃｍ3である。Ｋｕが１×１０4ｅｒｇ／ｃｍ3未満である場合、Ｋｕが小さ過ぎるために再生層が面内磁化膜になってしまう傾向が高い（即ち、再生層についてＫｕ−２πＭｓ2＜０〔Ｍｓ：飽和磁化〕となりやすい）。Ｋｕが５×１０5ｅｒｇ／ｃｍ3を超える場合、再生層の磁壁抗磁力が大きくなり過ぎて再生層内で磁壁移動が生じにくくなる。
【００１７】
好ましくは、再生層のキュリー温度は１８０〜３５０℃である。当該キュリー温度が１８０℃未満である場合、再生層のキュリー温度が中間層のキュリー温度（例えば１３０℃程度）に接近し過ぎるため、磁壁移動に伴う再生信号振幅を確保しにくくなる。当該キュリー温度が３５０℃を超える場合、再生層の飽和磁化Ｍｓが大きくなり過ぎるため、再生層が面内磁化膜になってしまう傾向が高い（即ち、再生層についてＫｕ−２πＭｓ2＜０となりやすい）。
【００１８】
好ましくは、再生層の厚さは１０〜５０ｎｍである。当該厚さが１０ｎｍ未満である場合、再生層が薄過ぎるために再生層の透過率が高くなり（従って反射率が低くなり）、情報再生時におけるカー回転角が小さくなってしまう。当該厚さが５０ｎｍを超える場合、再生層が厚すぎるために再生層−記録層間の交換結合力が小さくなり、記録層から再生層に対して信号を適切に転写することが困難となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
図１は、本発明に係る光磁気ディスクＸの部分断面図である。光磁気ディスクＸは、基板Ｓと、記録磁性部１０と、プリグルーブ層２１と、熱伝導層２２と、誘電体層２３，２４と、保護膜２５とを備え、フロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして構成されたものである。また、光磁気ディスクＸは、プリグルーブ層２１から保護膜２５までの構造を基板Ｓの片側のみ又は両側に有する。
【００２０】
基板Ｓは、光磁気ディスクＸの剛性を確保するための部位であり、例えば、樹脂、シリコン、アルミニウム、またはガラスよりなるディスク基板である。
【００２１】
記録磁性部１０は、記録層１１、中間層１２、および再生層１３よりなる積層構造を有し、再生層１３内での磁壁移動ないし磁区拡大を伴う磁区拡大系再生方式（例えばＤＷＤＤやＭＡＭＭＯＳなど）に基づいて再生可能に構成されている。
【００２２】
記録層１１は、光磁気ディスクＸにおいて記録機能を担う部位であって、希土類元素と遷移金属とを含むアモルファス合金よりなり、且つ、垂直磁気異方性を有して垂直方向に磁化された垂直磁化膜である。垂直方向とは、層を構成する磁性膜の膜面に対して垂直な方向をいう。このような記録層１１は、例えば、所定の組成比のＴｂＦｅＣоやＴｂＤｙＦｅＣоなどよりなる。また、記録層１１の厚さは例えば４０〜１００ｎｍである。
【００２３】
中間層１２は、記録層１１および再生層１３の交換結合状態を変化させるための部位であって、昇温によりそのキュリー温度にて垂直磁化状態から自発磁化消失状態に転移（状態変化）し且つ降温によりキュリー温度にて自発磁化消失状態から垂直磁化状態に転移する希土類−遷移金属アモルファス合金よりなる。本実施形態では、中間層１２のキュリー温度は例えば１００〜１５０℃であり、従って、室温において中間層１２は垂直磁化膜である。このような中間層１２は、例えば、所定の組成比のＴｂＦｅやＴｂＦｅＣоなどよりなる。また、中間層１２の厚さは例えば１０〜３０ｎｍである。
【００２４】
再生層１３は、磁壁移動ないし磁区拡大を伴う再生機能を担う部位であり、希土類−遷移金属アモルファス合金よりなる垂直磁化膜である。再生層１３を構成する希土類元素としては、少なくとも、ＧｄとＹまたはＬａとが採用され、遷移金属としては例えばＦｅやＣｏが採用される。具体的には、再生層１３は、ＧｄＹＦｅＣｏ、ＧｄＬａＦｅＣｏ、または、これらに他の希土類元素や遷移金属が添加された組成の希土類−遷移金属アモルファス合金よりなる。このような再生層１３におけるＹまたはＬａの含有率は１〜２０ａｔ％（アトミックパーセント）である。また、好ましくは、再生層１３の垂直磁気異方性定数Ｋｕは１×１０4〜５×１０5ｅｒｇ／ｃｍ3であり、再生層１３のキュリー温度は１８０〜３５０℃であり、再生層１３の厚さは１０〜５０ｎｍである。
【００２５】
プリグルーブ層２１は、樹脂材料よりなり、その熱伝導層２２との接触面には、プリグルーブ２１ａが形成されている。プリグルーブ２１ａは渦巻き状または同心円状のパターン形状を有し、このプリグルーブ２１ａを基に、光磁気ディスクＸにおけるランドグルーブ形状が実現される。プリグルーブ層２１を構成する樹脂材料としては、いわゆる２Ｐ樹脂を採用する。本発明では、プリグルーブ層２１を設けずに、基板Ｓ自体にプリグルーブを形成してもよい。その場合、プリグルーブ付き基板Ｓは、例えば、ポリカーボネートよりなり、射出成形法により作製される。
【００２６】
熱伝導層２２は、光磁気ディスクＸに対して記録用または再生用のレーザが照射されるときに記録磁性部１０などにて発生する熱を効率よく基板Ｓへ伝えるための部位であり、例えば、Ａｇ、Ａｇ合金（ＡｇＰｄＣｕＳｉ，ＡｇＰｄＣｕなど）、Ａｌ合金（ＡｌＳｉ，ＡｌＴｉ，ＡｌＣｒなど）、Ａｕ、またはＰｔなどの、高熱伝導材料よりなる。熱伝導層２２の厚さは、例えば１０〜５０ｎｍである。
【００２７】
誘電体層２３，２４は、記録磁性部１０に対する外部からの磁気的影響等を回避ないし抑制するための部位であり、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ2、ＹＳｉＯ2、ＺｎＳｉＯ2、ＡｌＯ、またはＡｌＮよりなる。誘電体層２３，２４の厚さは、例えば３０〜１００ｎｍである。
【００２８】
保護膜２５は、記録磁性部１０を特に塵埃などから保護すべく記録磁性部１０を覆い、光磁気ディスクＸの記録用レーザおよび再生用レーザに対して充分な透過性を有する樹脂よりなる。保護膜２５を構成するための樹脂としては、例えば、アクリル樹脂やウレタン樹脂が挙げられる。
【００２９】
このような構成を有する光磁気ディスクＸの製造においては、まず、例えばいわゆる２Ｐ法により、基板Ｓ上にプリグルーブ層２１を形成する。次に、例えばスパッタリング法により、プリグルーブ層２１上に、熱伝導層２２、誘電体層２３、記録層１１、中間層１２、再生層１３、および誘電体層２４を順次形成する。その後、例えばスピンコーティング法により、誘電体層２４上に保護膜２５を形成する。
【００３０】
光磁気ディスクＸへの情報記録においては、光磁気ディスクＸを所定の回転速度で回転させた状態で、記録用のレーザビームを保護膜２５の側から記録磁性部１０に対して照射することにより記録層１１を局所的に順次昇温させつつ、当該昇温箇所に所定の磁界を印加する。このようにして、記録磁性部１０内の記録層１１には、ディスク周方向に沿って所定の信号が記録される。具体的には、記録層１１には、ディスク周方向に延びる情報トラック（信号の記録および再生を担うトラック）に沿って連続して交互に磁化が反転し且つ記録信号に応じた所定の長さを各々が有する複数の磁区と、磁区間の境界をなす磁壁とが形成される。中間層１２のキュリー温度より低い温度条件の下では、記録層１１と中間層１２とは交換結合し且つ中間層１２と再生層１３とは交換結合し、中間層１２および再生層１３には、記録層１１と同方向に磁化された磁区と、磁区間の磁壁とが形成される。
【００３１】
図２は、光磁気ディスクＸからの情報再生方法を表す。図の簡潔化の観点より、図２では、光磁気ディスクＸについて、記録層１１、中間層１２、および再生層１３以外を省略する。光磁気ディスクＸの情報再生においては、光磁気ディスクＸを回転させた状態で、再生用のレーザビームＬを情報トラックに沿って再生層１３の側から記録磁性部１０に対して照射する。レーザビームＬによる照射領域の光磁気ディスクＸに対する相対移動方向は矢印Ｄで表す。レーザビームＬの照射により、記録磁性部１０内は局所的に昇温し、当該記録磁性部１０内には、図２のグラフに示すように、ディスク周方向に温度勾配が生ずる。そして、中間層１２には、そのキュリー温度Ｔｃ以上に昇温して自発磁化が消失した領域Ｒ（斜線ハッチングを付して表す）が生ずる。照射領域における、中間層１２のキュリー温度Ｔｃの等温線を、記録層１１の所定の磁区１１ａに対応する再生層１３の磁区１３ａの磁壁Ｗが照射領域移動に伴って低温領域から高温領域へと通過する瞬間に、当該磁壁Ｗは再生層１３内をより高温側へと移動する。照射領域移動方向Ｄにおける前方から後方に向けて再生層１３内をこのように磁壁Ｗが移動すると、当該磁壁移動領域の磁化は反転する。この磁化反転を、再生層１３の表面にて反射した光の偏光面の変化として所定の光学系で検出することにより、磁壁移動が検知される。情報トラックに沿って再生用のレーザビームを照射して磁壁移動を順次検知することにより、光磁気ディスクＸの記録信号が読み取られることとなる。
【００３２】
本発明の光磁気ディスクＸにおいては、再生層１３について、要求される垂直磁気異方性を確保しつつ、上述のような情報再生の際に高い磁壁移動性を得ることができる。光磁気ディスクＸの再生層１３が、希土類元素としてＧｄに加えて１〜２０ａｔ％のＹまたはＬａを含む希土類−遷移金属アモルファス合金により構成されているからである。このような光磁気ディスクＸは、媒体の高記録密度化を図るうえで好適である。
【００３３】
垂直磁化膜内での磁壁の移動性に影響を及ぼす因子として、垂直磁化膜を構成する元素の軌道角運動量が挙げられる。この値が小さいほど、垂直磁化膜内で磁壁は移動しやすい（即ち、垂直磁化膜内での磁壁移動の高速化を図るうえで好適である）ところ、再生層１３を構成する希土類元素であるＧｄの軌道角運動量は０であり、同じく再生層１３を構成する希土類元素であるＹおよびＬａの軌道角運動量も０である。また、再生層１３は、単独では非磁性の性質を示すＹまたはＬａを含有するが、再生層１３の磁気的特性は、ＹまたはＬａの含有量に比例するようには劣化しない。これは、ＹおよびＬａの有する５ｄ電子が再生層１３の磁性に寄与するためと考えられる。したがって、希土類元素としてＹまたはＬａを比較的多く再生層１３に含有させても、再生層１３の磁気的特性は過度には劣化せず、再生層１３について要求される垂直磁気異方性を確保することが可能なのである。本発明における再生層１３について垂直磁気異方性を確保しつつ高い磁壁移動性を得ることができるのは、これらの事実を基礎として成り立つものである。
【実施例】
【００３４】
本発明の実施例について、比較例とともに以下に記載する。
【００３５】
〔実施例１〕
〈光磁気ディスクの作製〉
図３に示す積層構成を有するフロントイルミネーション方式の光磁気ディスクとして、本実施例の光磁気ディスクを作製した。
【００３６】
本実施例の光磁気ディスクの作製においては、まず、２Ｐ法により、ガラス基板（直径１２０ｍｍ，厚さ１．２ｍｍ）の上に厚さ１０μｍのプリグルーブ層を形成した。プリグルーブ層形成材料としては２Ｐ法用の樹脂（フォトポリマ）を採用した。また、プリグルーブ層の表面凹凸形状については、トラックピッチ３００ｎｍおよびプリグルーブ深さ５０ｎｍのランドグルーブ形状とした。
【００３７】
次に、スパッタリング法によりプリグルーブ層上にＡｌＳｉを成膜することによって、厚さ３０ｎｍの熱伝導層を形成した。具体的には、ＡｌターゲットおよびＳｉターゲットを用いて行うコスパッタリングにより、基板上にＡｌＳｉを成膜した。本スパッタリングでは、スパッタリングガスとしてＡｒガスを使用し（反応性スパッタリングを除く以下のスパッタリングにおいても同様）、スパッタガス圧力を０．６Ｐａとし、スパッタ電力を３００Ｗ（Ａｌターゲット）および２００Ｗ（Ｓｉターゲット）とした。
【００３８】
次に、スパッタリング法により熱伝導層上にＳｉＮを成膜することによって、厚さ１５ｎｍの誘電体層を形成した。具体的には、Ｓｉターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスおよびＮ2ガスを使用して行う反応性スパッタリングにより、基板上にＳｉＮを成膜した。本スパッタリングでは、ＡｒガスおよびＮ2ガスの流量比を７：３とし、スパッタガス圧力を０.５Ｐａとし、放電電力を８００Ｗとした。
【００３９】
次に、スパッタリング法により誘電体層上にＴｂ24Ｆｅ56Ｃｏ20を成膜することによって、厚さ６０ｎｍの記録層を形成した。具体的には、ＴｂターゲットおよびＦｅＣｏターゲットを用いて行うコスパッタリングにより、誘電体層上にＴｂ24Ｆｅ56Ｃｏ20を成膜した。本スパッタリングでは、スパッタガス圧力を１.５Ｐａとし、スパッタ電力を５００Ｗ（Ｔｂターゲット）および１５００Ｗ（ＦｅＣｏターゲット）とした。本記録層のキュリー温度Ｔｃは２８０℃であった。
【００４０】
次に、スパッタリング法により記録層上にＴｂ22Ｆｅ78を成膜することによって、厚さ１５ｎｍの中間層を形成した。具体的には、ＴｂターゲットおよびＦｅターゲットを用いて行うコスパッタリングにより、記録層上にＴｂＦｅを成膜した。本スパッタリングでは、スパッタガス圧力を１.０Ｐａとし、スパッタ電力を３００Ｗ（Ｔｂターゲット）および９００Ｗ（Ｆｅターゲット）とした。本中間層のキュリー温度Ｔｃは１３０℃であった。
【００４１】
次に、スパッタリング法により中間層上にＧｄ25Ｙ1Ｆｅ69Ｃｏ5を成膜することによって、厚さ２５ｎｍの再生層を形成した。具体的には、Ｇｄターゲット、Ｙターゲット、およびＦｅＣｏターゲットを用いて行うコスパッタリングにより、中間層上にＧｄ25Ｙ1Ｆｅ69Ｃｏ5を成膜した。本スパッタリングでは、スパッタガス圧力を０.４Ｐａとし、スパッタ電力を４００Ｗ（Ｇｄターゲット）、５０Ｗ（Ｙターゲット）、および８００Ｗ（ＦｅＣｏターゲット）とした。本再生層のキュリー温度Ｔｃは２４８℃であった。
【００４２】
次に、スパッタリング法により再生層上にＳｉＮを成膜することによって、厚さ６０ｎｍの誘電体層（エンハンス層）を形成した。具体的には、Ｓｉターゲットを用い、スパッタガスとしてＡｒガスおよびＮ2ガスを使用して行う反応性スパッタリングにより、再生層上にＳｉＮを成膜した。本スパッタリングでは、ＡｒガスおよびＮ2ガスの流量比を７：３とし、スパッタガス圧力を０.５ＷＰａとし、スパッタ電力を８００Ｗとした。
【００４３】
次に、誘電体層上に厚さ２０μｍの保護膜を形成した。具体的には、まず、スピンコート法により、ＵＶ硬化性の透明樹脂を誘電体層上に塗布した。次に、紫外線照射により、当該樹脂膜を硬化させた。以上のようにして、本実施例の光磁気ディスクを作製した。本実施例における再生層の構成およびキュリー温度については図６の表に掲げる。
【００４４】
〈波形抜け率測定〉
本実施例の光磁気ディスクについて、再生信号の波形の抜け率を調べた。具体的には、まず、本実施例の光磁気ディスクの情報トラックに対し、６０ｎｍのマーク長の記録マークを長さ６０ｎｍのスペースを介して繰り返し記録した。この記録は、所定の装置を使用してレーザパルス磁界変調記録方式により行った。この装置のレーザ集光用対物レンズの開口数ＮＡは０.８５であり、レーザ波長は４０５ｎｍである。また、レーザ走査の周速を３.０ｍ/ｓとし、記録用レーザパワーを７.０ｍＷとし、記録磁界を６００Ｏｅとした。次に、光磁気ディスクを再生して、再生信号の波形の抜け率を測定した。再生信号の波形の抜け率とは、記録した信号の数に対する再生波形の抜け数の割合であり、再生波形の欠落ないし抜けは、再生に際して、所定の磁区の磁壁が適切に移動しないことに起因して生ずる。この再生は、記録と同一の装置を使用して行い、再生用レーザパワーを１.０〜２．０ｍＷの範囲での最適値とし、レーザ走査の周速を３.０ｍ/ｓとし、再生磁界を０Ｏｅとした。この波形抜け率測定の結果は、図６の表に掲げる。
【００４５】
〔実施例２〜７〕
再生層としてＧｄ25Ｙ1Ｆｅ69Ｃｏ5に代えて厚さ２５ｎｍのＧｄ25Ｙ5Ｆｅ65Ｃｏ5（実施例２）、Ｇｄ25Ｙ5Ｆｅ64Ｃｏ6（実施例３）、Ｇｄ25Ｙ5Ｆｅ62Ｃｏ8（実施例４）、Ｇｄ25Ｙ10Ｆｅ60Ｃｏ5（実施例５）、Ｇｄ25Ｙ15Ｆｅ55Ｃｏ5（実施例６）、またはＧｄ25Ｙ20Ｆｅ50Ｃｏ5（実施例７）を形成した以外は実施例１と同様にして、実施例２〜７の光磁気ディスクを作製した。各実施例の光磁気ディスクの作製においては、再生層形成工程のスパッタリング条件を適宜調整してＧｄＹＦｅＣｏの組成比を調節した。また、このようにして形成した各実施例の光磁気ディスクについて、実施例１と同様にして、再生信号の波形の抜け率を測定した。各実施例における再生層の構成およびキュリー温度、ならびに波形抜け率の測定結果については、図６の表に掲げる。
【００４６】
〔実施例８〕
再生層としてＧｄ25Ｙ1Ｆｅ69Ｃｏ5に代えてＧｄ25Ｌａ1Ｆｅ69Ｃｏ5を形成した以外は実施例１と同様にして、本実施例の光磁気ディスクを作製した。本実施例における再生層形成工程においては、具体的には、Ｇｄターゲット、Ｌａターゲット、およびＦｅＣｏターゲットを用いて行うコスパッタリングにより、中間層（Ｔｂ22Ｆｅ78）上に厚さ２５ｎｍのＧｄ25Ｌａ1Ｆｅ69Ｃｏ5を成膜した。本スパッタリングでは、スパッタガス圧力を０.４Ｐａとし、スパッタ電力を４００Ｗ（Ｇｄターゲット）、５０Ｗ（Ｌａターゲット）、および８００Ｗ（ＦｅＣｏターゲット）とした。また、このようにして形成した本実施例の光磁気ディスクについて、実施例１と同様にして、再生信号の波形の抜け率を測定した。本実施例における再生層の構成およびキュリー温度、ならびに波形抜け率の測定結果については、図６の表に掲げる。
【００４７】
〔実施例９〜１４〕
再生層としてＧｄ25Ｌａ1Ｆｅ69Ｃｏ5に代えて厚さ２５ｎｍのＧｄ25Ｌａ5Ｆｅ65Ｃｏ5（実施例９）、Ｇｄ25Ｌａ5Ｆｅ63Ｃｏ7（実施例１０）、Ｇｄ25Ｌａ5Ｆｅ61Ｃｏ9（実施例１１）、Ｇｄ25Ｌａ10Ｆｅ60Ｃｏ5（実施例１２）、Ｇｄ25Ｌａ15Ｆｅ55Ｃｏ5（実施例１３）、またはＧｄ25Ｌａ20Ｆｅ50Ｃｏ5（実施例１４）を形成した以外は実施例８と同様にして、実施例９〜１４の光磁気ディスクを作製した。各実施例の光磁気ディスクの作製においては、再生層形成工程のスパッタリング条件を適宜調整してＧｄＬａＦｅＣｏの組成比を調節した。また、このようにして形成した各実施例の光磁気ディスクについて、実施例１と同様にして、再生信号の波形の抜け率を測定した。各実施例における再生層の構成およびキュリー温度、ならびに波形抜け率の測定の結果については、図６の表に掲げる。
【００４８】
〔比較例１〕
再生層としてＧｄ25Ｙ1Ｆｅ69Ｃｏ5に代えてＧｄ25Ｆｅ70Ｃｏ5を形成した以外は実施例１と同様にして、本比較例の光磁気ディスクを作製した。本比較例における再生層形成工程においては、具体的には、ＧｄターゲットおよびＦｅＣｏターゲットを用いて行うコスパッタリングにより、中間層（Ｔｂ22Ｆｅ78）上に厚さ２５ｎｍのＧｄ25Ｆｅ70Ｃｏ5を成膜した。本スパッタリングでは、スパッタガス圧力を０.４Ｐａとし、スパッタ電力を４３０Ｗ（Ｇｄターゲット）および８００Ｗ（ＦｅＣｏターゲット）とした。また、このようにして形成した本比較例の光磁気ディスクについて、実施例１と同様にして、再生信号の波形の抜け率を測定した。本比較例における再生層の構成およびキュリー温度、ならびに波形抜け率の測定の結果については、図６の表に掲げる。
【００４９】
〔比較例２〕
再生層としてＧｄ25Ｙ1Ｆｅ69Ｃｏ5に代えてＧｄ25Ｙ30Ｆｅ40Ｃｏ5を形成した以外は実施例１と同様にして、本比較例の光磁気ディスクを作製した。本比較例の光磁気ディスクの作製においては、再生層形成工程のスパッタリング条件を適宜調整してＧｄＹＦｅＣｏの組成比を調節した。また、このようにして形成した本比較例の光磁気ディスクについて、実施例１と同様にして、再生信号の波形の抜け率を測定した。本比較例における再生層の構成およびキュリー温度、ならびに波形抜け率の測定の結果については、図６の表に掲げる。
【００５０】
〔比較例３〕
再生層としてＧｄ25Ｌａ1Ｆｅ69Ｃｏ5に代えてＧｄ25Ｌａ30Ｆｅ40Ｃｏ5を形成した以外は実施例８と同様にして、本比較例の光磁気ディスクを作製した。本比較例の光磁気ディスクの作製においては、再生層形成工程のスパッタリング条件を適宜調整してＧｄＬａＦｅＣｏの組成比を調節した。また、このようにして形成した本比較例の光磁気ディスクについて、実施例１と同様にして、再生信号の波形の抜け率を測定した。本比較例における再生層の構成およびキュリー温度、ならびに波形抜け率の測定の結果については、図６の表に掲げる。
【００５１】
〔評価〕
図６の表に示すように、本発明に係る実施例１〜１４の光磁気ディスクは、比較例１〜３の光磁気ディスクよりも、再生信号の波形抜け率（記録マーク長６０ｎｍ）が低い。具体的には、希土類元素としてＹやＬａを含まない再生層（希土類−遷移金属アモルファス合金よりなる）を有する比較例１の光磁気ディスクや、希土類元素として３０ａｔ％のＹまたはＬａを含む再生層を有する比較例２，３の光磁気ディスクでは、再生信号の波形抜け率（記録マーク長６０ｎｍ）は５０％以上であるのに対し、希土類元素として１〜２０ａｔ％のＹまたはＬａを含む再生層を有する実施例１〜１４の光磁気ディスクでは、再生信号の波形抜け率（記録マーク長６０ｎｍ）は３５％以下に抑えられている。特に、実施例３，４，１１の光磁気ディスクでは、波形抜け率は１％未満に抑えられている。実施例１〜１４の光磁気ディスクと比較例１〜３の光磁気ディスクとの間で再生波形抜け率についてこのような差が生ずるのは、比較例１〜３の光磁気ディスクよりも、実施例１〜１４の光磁気ディスクの方が、再生層内で磁壁が移動しやすく従って再生時に再生層内の磁壁移動が高速であるためと考えられる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明に係る光磁気ディスクの部分断面図である。
【図２】本発明に係る光磁気ディスクの再生方法を表す。
【図３】実施例１〜７および比較例２の光磁気ディスクに共通の積層構成を表す。
【図４】実施例８〜１４および比較例３の光磁気ディスクに共通の積層構成を表す。
【図５】比較例１の光磁気ディスクの積層構成を表す。
【図６】実施例１〜１４および比較例１〜３の光磁気ディスクについて、再生層の構成およびキュリー温度Ｔｃ、ならびに波形抜け率の測定結果を表す。
【符号の説明】
【００５３】
Ｘ      光磁気ディスク
Ｓ      基板
１０      記録磁性部
１１      記録層
１２      中間層
１３      再生層
２１      プリグルーブ層
２２      熱伝導層
２３，２４      誘電体層
２５      保護膜
【図１】
2006079661.tif 000003
【図２】
2006079661.tif 000004
【図３】
2006079661.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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