(57)【要約】【課題】  リードピンに貼着された場合のワイヤボンディング性に優れ、得られる半導体装置の信頼性を高くできる電子部品用接着テープを提供する。さらには、その電子部品用接着テープを有する電子部品を提供する。【解決手段】  本発明の電子部品用接着テープは、支持フィルムと接着剤層とを有し、支持フィルムのこわさ値が０．０６ｍＮ以上である。本発明の電子部品は、上述した電子部品用接着テープが貼着されている。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持フィルムと接着剤層とを有し、支持フィルムのこわさ値が０．０６ｍＮ以上であることを特徴とする電子部品用接着テープ。
【請求項２】
前記接着剤層が熱可塑性樹脂を含有することを特徴とする請求項１に記載の電子部品用接着テープ。
【請求項３】
前記熱可塑性樹脂がスチレン系ブロック共重合体であることを特徴とする請求項２に記載の電子部品用接着テープ。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の電子部品用接着テープが貼着されていることを特徴とする電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置を構成するリードフレーム周辺の部材間、例えば、リードピン、半導体チップ搭載用基板、放熱板、半導体チップ自身等の接着に使用される電子部品用接着テープに関する。さらには、その接着テープを用いた電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ＱＦＰ（Quad Flat Package）、ＱＦＮ（Quad Flat Non-lead）等の半導体装置の製造に、多数のリードピンを有するリードフレームが用いられており、半導体装置の高精細化に伴い、リードフレームについてもリードピンの狭幅化、ピンピッチの狭小化が進められている。
かかる背景下、半導体装置製造時におけるリードピンの屈曲による短絡等を防止し製品歩留を向上するために、リードフレームの多数のリードピンを固定するリードフレーム固定テープ（電子部品用接着テープ）が開発されている。例えば、図１に示すように、ＱＦＰやＱＦＮ用のリードフレーム１０では、ＩＣ等の半導体素子を搭載するダイパッド部２０の周囲に、放射状に多数のリードピン３０が配設された構造を有し、多数のリードピン３０を繋ぐように、枠状のリードフレーム固定テープ４０を貼着して、リードピン３０を固定している。そして、固定した状態で半導体メーカーに出荷し、リードフレームに半導体素子を搭載した後、樹脂封止して半導体装置とする（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００４−３５６８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、リードフレームにおいては、図２に示すように、リードピン３０，３０・・・が同じ高さに揃ってはいない。そのため、従来のリードフレーム固定用テープ４０をそれらリードピン３０，３０・・・に貼着した場合には、リードフレーム固定用テープ４０がリードピン３０の高さの違いに追随するように屈曲した。すなわち、リードピンにリードフレーム固定用テープを貼着した後もリードピンの高さは異なったままであった。このように、多数のリードピンの高さが異なる結果、半導体装置製造において、リードピンにワイヤを接続する際のワイヤボンディング性が低くなることがあった。また、樹脂封止の際に、リードピンの間に樹脂が流れにくくなり、リードピン間に空隙（ボイド）が生じることがあった。そして、その空隙に不純物が侵入して絶縁不良を起こすため、得られる半導体装置の信頼性が低くなった。
また、リードフレームの固定以外の用途に電子部品用接着テープを使用した場合にも、同様の理由から、半導体装置の信頼性を低下させることがあった。
本発明は、前記事情を鑑みてなされたものであり、リードピンに貼着された場合のワイヤボンディング性に優れ、得られる半導体装置の信頼性を高くできる電子部品用接着テープを提供することを目的とする。さらには、その電子部品用接着テープを有する電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の電子部品用接着テープは、支持フィルムと接着剤層とを有し、支持フィルムのこわさ値が０．０６ｍＮ以上であることを特徴とする。
本発明の電子部品用接着テープにおいては、前記接着剤層が熱可塑性樹脂を含有することが好ましい。
その場合、前記熱可塑性樹脂がスチレン系ブロック共重合体であることが好ましい。
本発明の電子部品は、上述した電子部品用接着テープが貼着されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００５】
本発明の電子部品用接着テープでは、リードピンに貼着された場合のワイヤボンディング性に優れ、得られる半導体装置の信頼性を高くできる。
また、本発明の電子部品によれば、得られる半導体装置の信頼性を高くできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
本発明の電子部品用接着テープ（以下、接着テープと略す）における支持フィルムとしては、例えば、ポリイミド、ポリアミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリスルホン、ポリエーテルアミドイミド、ポリパラバン酸、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等の耐熱性樹脂のフィルム、エポキシ樹脂−ガラスクロス、エポキシ樹脂−ポリイミド−ガラスクロス等の複合耐熱性フィルム等が挙げられる。これらの中でも、耐熱性の点で、ガラス転移温度が３００℃以上もしくは明確なガラス転移温度を示さないものが好ましく、ポリイミドのフィルムがより好ましい。
【０００７】
この支持フィルムは、こわさ値が０．０６ｍＮ以上であり、好ましくは０．０６〜０４０ｍＮであり、より好ましくは０．０６〜０．３０ｍＮである。こわさ値が０．０６ｍＮ未満であると、接着テープをリードピンに貼着した際にリードピンの高さに追随してしまうため、多数のリードピンを同じ高さに揃えて固定することが困難になる。また、０．５０ｍＮを超えると接着テープの可撓性が低下して取り扱いにくくなる。
ここで、本発明におけるこわさ値とは、紙パルプ技術協会（ＪＡＰＮ  ＴＡＰＰＩ）の紙パルプ試験方法Ｎｏ．４０：２０００「紙および板紙−荷重曲げによるこわさ試験方法−ガーレー法」を支持フィルムに適用して測定した値である。
【０００８】
支持フィルムのこわさ値を前記範囲のように高くするためには、その材質を調整することによってなされる。具体的には、脂肪族系高分子（ナイロン等の脂肪族ポリアミド）は、メチレン鎖の様な炭素−炭素単結合から構成されており、高分子鎖は屈曲性に富み、脂肪族系高分子を用いた場合には支持フィルムのこわさ値は低くなるため、芳香族系高分子が好ましい。芳香族系高分子（芳香族ポリイミド、芳香族ポリアミド）は、芳香環で構成されているため、屈曲できる結合部分が相対的に少なく、分子の運動が制限され、高分子鎖が剛直である。よって、芳香族系高分子を用いた場合には支持フィルムのこわさ値を高くできる。芳香族ポリイミドと芳香族ポリアミドを比較した場合、アミド結合部が線状（アミド）か環状（イミド）の違いによって高分子鎖の剛直性が異なり、ポリイミドの方が剛直となりこわさ値が高い。
また、芳香族系高分子においては、ベンゼン環を挟んだ両側の対称性が高いものほど、高分子鎖が剛直になり、支持フィルムのこわさ値を高くできる。
なお、芳香族系高分子では、高分子鎖中に−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＳＯ２−等の結合が入ると高分子鎖の剛直性が緩和され、さらにフィルム化した場合に、高分子鎖のスタッキング（重なり）性が低くなり、こわさ値が低くなる傾向にある。特に、−Ｃ（ＣＨ３）２−の様な嵩高い基があると、その効果は大きい。また、ポリイミド高分子鎖中にシロキサン基の様な非常に柔軟な結合を導入すると、フィルムのこわさ値が低下する。すなわち、高分子鎖中に−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＳＯ２−等の結合を有するもの、シロキサン基を含むものは、こわさ値を高くしにくいので好ましくない。
【０００９】
また、支持フィルムのこわさ値を前記範囲にするためには製造方法を適宜選択すればよい。例えば、支持フィルムがポリイミドフィルムの場合には、ポリアミック酸をキャストしてフィルム化した後、熱閉環してポリイミド化するときの温度が高い程、高分子鎖間の密度が高くなるので、支持フィルムのこわさ値を高くできる。また、ポリイミドフィルムを加熱処理すると、さらに高分子鎖間の密度が高まるので、支持フィルムのこわさ値を高くできる。
支持フィルムがＰＥＴフィルムの場合には、製膜時に、フィルム中に架橋剤を分散させておき、フィルム化した後に加熱し、架橋させることで、こわさ値を高くすることができる。なお、一般に、このように架橋させたＰＥＴフィルムは焼結ＰＥＴと呼ばれている。
【００１０】
支持フィルムの厚さは１０〜３００μｍであることが好ましく、２０〜１５０μｍであることがより好ましい。厚さ１０μｍ未満である場合にはこわさ値が０．０６ｍＮ以上になりにくく、３００μｍを超える場合には接着テープの打ち抜き作業が困難になる。
また、支持フィルムは、接着剤層との接着強度を高めるために、コロナ処理、プラズマ処理、プライマ処理などの表面処理が施されていてもよい。
【００１１】
接着剤層を構成する接着剤組成物は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂の一方または両方を含むものである。
熱硬化性樹脂は、接着剤層に良好な弾性と接着性を付与することができ、これを配合すれば、ワイヤボンディング性をより高くできる。
その具体例としては、尿素樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、アセトグアナミン樹脂、フェノール樹脂、レゾールフェノール樹脂、キシレン樹脂、フラン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、イソシアナート樹脂、エポキシ樹脂、マレイミド樹脂、ナジイミド樹脂等が挙げられる。これらの熱硬化性樹脂は、１種を単独で用いてもよいし２種以上を併用してもよい。
特に、エポキシ樹脂および／またはフェノール樹脂は、これを配合することによって、ワイヤボンディング工程の処理温度下においても高弾性率を維持し、樹脂封止工程の処理温度下においてもリードフレーム等との間で高接着強度を維持する接着剤層が得られるため、好ましい。
【００１２】
また、熱可塑性樹脂は、接着剤層に可撓性を付与することができ、これを配合すれば、リードフレームの間隙内に接着剤層の一部が入り込みやすくなり、接着テープとしての加工性が一層向上する。
熱可塑性樹脂の具体例としては、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体（ＮＢＲ）、カルボキシル基含有アクリロニトリル−ブタジエン共重合体（ＣＴＢＮ）、アミノ基含有アクリロニトリル−ブタジエン共重合体（ＡＴＢＮ）、ピペラジニルエチルカルボキシル基含有アクリロニトリル−ブタジエン共重合体等の種々の官能基を有するアクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン樹脂（ＡＢＳ）、スチレン−ブタジエン−エチレン樹脂（ＳＥＢＳ）、スチレン−ブタジエン−スチレン樹脂（ＳＢＳ）、ポリブタジエン、ポリアクリロニトリル、ポリビニルブチラール、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリエステル、ポリウレタン、ポリジメチルシロキサン等が挙げられる。中でも特に、アミド結合を有するポリアミドやポリアミドイミド、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体樹脂等が、耐熱性に優れているため好ましい。これら熱可塑性樹脂は、１種を単独で用いてもよいし２種以上を併用してもよい。
また、熱可塑性樹脂の質量平均分子量は２，０００〜１，０００，０００が好ましく、５，０００〜８００，０００がより好ましく、１０，０００〜５００，０００が特に好ましい。質量平均分子量をかかる範囲内とすることで、接着剤層の凝集力を高めることができ、接着テープをリードピンから剥離した後の糊残りを防止できる。
【００１３】
接着剤組成物が熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との両方を含む場合、熱硬化性樹脂（ａ）と熱可塑性樹脂（ｂ）との質量比（（ａ）／（ｂ））は３．５以下が好ましく、０．３〜３．５がより好ましく、０．３〜２．５がさらに好ましく、１〜２．５が特に好ましい。
成分（ａ）と（ｂ）の質量比が３．５超では、接着剤層の可撓性が低下する場合がある。そして、樹脂封止工程において、接着テープの接着力が低下して、リードフレーム等と接着テープとが部分的に剥離し、樹脂漏れを招くおそれがある。また、リードフレーム等の間隙内に接着剤層の一部が入り込みにくくなるおそれもある。また、成分（ａ）と（ｂ）の質量比が０．３未満では、弾性率の低下に伴ってワイヤボンディング不良が発生するおそれがある。
【００１４】
さらに、接着剤層を構成する接着剤組成物としては、比較的低温で接着できる上に耐熱性が高いことから、下記（Ａ）〜（Ｃ）を含有するものが好ましい。
成分（Ａ）：マレイミド基を２個以上有する化合物
成分（Ｂ）：スチレン系ブロック共重合体
成分（Ｃ）：一般式（１）
Ｈ2Ｎ−Ｒ1−ＮＨ2   （１）
（式中Ｒ1は２価の脂肪族基、芳香族基、脂環式基を表す）で示されるジアミン化合物および一般式（２）で示される両末端にアミノ基を有するポリシロキサン化合物から選ばれた少なくとも１種。
【００１５】
【化１】
2006028242.tif 000002
（式中のＲ2は、２価の脂肪族基、芳香族基、脂環式基を表し、ｎは０ないし７の整数を示す）
【００１６】
成分（Ａ）マレイミド基を２個以上有する化合物としては、いずれのものも使用できるが、信頼性、溶剤溶解性等の点から、下記式（３−１）ないし（３−６）の化合物が特に好ましい。これらの化合物は一般に市販されており、容易に入手することができる。また従来公知の方法により合成することもできる。
【００１７】
【化２】
2006028242.tif 000003
【００１８】
【化３】
2006028242.tif 000004
【００１９】
【化４】
2006028242.tif 000005
【００２０】
【化５】
2006028242.tif 000006
【００２１】
【化６】
2006028242.tif 000007
【００２２】
【化７】
2006028242.tif 000008
【００２３】
また、成分（Ｂ）スチレン系ブロック共重合体としては、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体（ＳＢＳ）、スチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体（ＳＩＳ）、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレンブロック共重合体（ＳＥＢＳ）、スチレン−エチレン−プロピレン−スチレン（ＳＥＰＳ）等、公知のものが全て使用できるが、中でも、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体またはスチレン−イソプレン−スチレンブロック共重合体が、接着性が優れるために好ましい。
前記成分（Ｂ）は、その不飽和二重結合部分が水素添加されているか、またはエポキシ化されていることが耐熱性を向上できるために好ましく、特にエポキシ化されたものは下記で述べるジアミン化合物と反応し更に耐熱性が向上できるため好ましい。このようなスチレン系ブロック共重合体の市販されているものとしては、日本ゼオン社製の商品名：ＱＴＣ３６２０、同社製の商品名：ＱＴＣ３４５０、旭化成社製のタフテックＭ１９１１等を挙げることができる。
【００２４】
また、スチレン系ブロック共重合体は、質量平均分子量が１０,０００〜１,０００,０００のものが好ましい。質量平均分子量が上記範囲の下限より低くなると、熱安定性が不良になり、耐熱性が低下する傾向にあり、上限より高くなると溶剤溶解性の低下、溶融粘度の増大により、接着剤として使用した場合、作業性が低下する傾向にある。スチレンの含有率は２０〜８０質量％のものが好ましく、スチレン含有率が上記範囲の上限より高くなると接着性テープの柔軟性が損なわれる傾向にあり、下限より低くなると溶剤溶解性が低下する傾向にある。
【００２５】
また、成分（Ｃ）の化合物における前記一般式（１）で示されるジアミン化合物としては、例えば、次のようなものが挙げられる。３，３’−ジアミノビフェニル、３，４’−ジアミノビフェニル、４，４’−ジアミノビフェニル、３，３’−ジアミノジフェニルメタン、３，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、２，２−（３，３’−ジアミノジフェニル）プロパン、２，２−（３，４’−ジアミノジフェニル）プロパン、２，２−（４，４’−ジアミノジフェニル）プロパン、２，２−（３，３’−ジアミノジフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−（３，４’−ジアミノジフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２−（４，４’−ジアミノジフェニル）ヘキサフルオロプロパン、３，３’−オキシジアニリン、３，４’−オキシジアニリン、４，４’−オキシジアニリン、３，３’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’−ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’−ジアミノジフェニルスルホン、３，４’−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、１，３−ビス［１−（３−アミノフェニル）−１−メチルエチル］ベンゼン、１，３−ビス［１−（４−アミノフェニル）−１−メチルエチル］ベンゼン、１，４−ビス［１−（３−アミノフェニル］ベンゼン、１，３−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（３−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、３，３’−ビス（３−アミノフェノキシ）ジフェニルエーテル、３，３’−ビス（４−アミノフェノキシ）ジフェニルエーテル、３，４’−ビス（３−アミノフェノキシ）ジフェニルエーテル、３，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ジフェニルエーテル、４，４’−ビス（３−アミノフェノキシ）ジフェニルエーテル、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ジフェニルエーテル、１，４−ビス［１−（４−アミノフェニル）−１−メチルエチル−ビス（３−アミノフェノキシ）］ビフェニル、３，３’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、３，４’−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフェニル、３，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、４，４’−ビス（３−アミノフェノキシ）ビフェニル、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、２，２−ビス［３−（３−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［３−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２−ビス［３−（３−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス［３−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、９，９−ビス（３−アミノフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−アミノフェニル）フルオレン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ヘプタメチレンジアミン等。
【００２６】
また、前記一般式（２）で示される両末端にアミノ基を有するポリシロキサン化合物としては、例えば、ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、アミノプロピル末端のジメチルシロキサン４量体、８量体、ビス（３−アミノフェノキシメチル）テトラメチルジシロキサン等が挙げられ、これらを混合して用いることも可能である。このような両末端にアミノ基を有するポリシロキサン化合物の市販されているものとしては、東芝シリコーン社製の商品名：ＴＳＬ９３０６、同社製の商品名：ＴＳＬ９３８６等を挙げることができる。
前記ジアミン化合物又は前記ポリシロキサン化合物の質量平均分子量は２００〜７０００であることが好ましく、質量平均分子量が２００未満の場合では、耐熱性向上の効果が得られにくく、質量平均分子量が７０００より大きいと該化合物の溶融粘度の増大、溶剤溶解性の低下等でハンドリング性が低下する傾向にある。
【００２７】
接着剤の配合比率は質量比で、（（Ａ）＋（Ｃ））／（Ｂ）が０．２〜５、望ましくは０．２５〜４であることが好ましい。この比率が０．２より小さくなると、塗布して硬化した後、接着剤層の耐熱性、特にガラス転移温度、ヤング率の低下が著しくなり、表面タック性の低下等電子部品用としての使用に適さない。また、５より大きくなると、接着剤をＢステージまで硬化した際に、硬化された接着剤自体が脆くなって作業性が低下したり、支持フィルムとの密着性が低下したりする傾向にある。
【００２８】
また、前記成分（Ａ）のマレイミド基１モル当量に対する成分（Ｃ）におけるジアミン化合物又はポリシロキサン化合物のアミノ基が０．０１〜２モル当量になるように設定することが好ましく、０．１〜１モル当量の範囲に設定することがより好ましい。成分（Ｃ）のアミノ基当量が上記範囲の下限より少なくなると、接着剤層をＢステージまで硬化した際に、接着剤層自体が脆くなって作業性が低下する傾向にあり、支持フィルムとの密着性が低下する傾向にある。また上記範囲の上限より多いと、混合に際してゲル化するため、接着剤の調製が困難になりやすい。
【００２９】
前記成分（Ａ）、成分（Ｂ）および成分（Ｃ）の混合は、それらを溶解する溶媒中で行う。溶媒としては、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、スルホラン、ヘキサメチルリン酸トリアミド、１，３−ジメチル−２−イミダゾリドン、ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、アセトン、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、１,２−ジメトキシエタン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、メチルセロソルブ、セロソルブアセテート、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、酢酸メチル、酢酸エチル、アセトニトリル、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、ジクロロエタン、トリクロロエタン等が挙げられ、これらの中から、各成分が溶解するように種類と量を適宜選択して使用する。
【００３０】
また、接着剤組成物には、乾燥時、または加熱硬化時における反応を促進させ耐熱性を向上させるために、有機過酸化物が、前記成分（Ａ）、成分（Ｂ）および成分（Ｃ）の総和１００質量部に対して０．０５〜５質量部含まれることが好ましい。有機過酸化物含有量が０．０５質量部未満では耐熱性向上の効果が得られにくく、５質量部より多く含有させてもそれ以上の耐熱性向上の効果がなく、コストアップになるだけである。
有機過酸化物としてはペルオキソ結合（Ｒ−Ｏ−Ｏ−Ｒ）を有している有機化合物であれば特に制限されず、例えば、ケトンパーオキサイド、パーオキシケタール、ハイドロパーオキサイド、ジアルキルパーオキサイド、ジアシルパーオキサイド、パーオキシエステル、パーオキシジカーボネートなどが挙げられる。さらに具体的には、例えば、メチルエチルケトンパーオキサイド、シクロヘキサノンパーオキサイド、メチルシクロヘキサノンパーオキサイド、メチルアセトアセテート、アセチルアセトンパーオキサイド（以上ケトンパーオキサイド）、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルペルオキシ）シクロヘキサノン、１，１−ビス（ｔ−ヘキシルペルオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ブチルペルオキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ブチルペルオキシ）−２−メチルシクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ブチルペルオキシ）シクロヘキサン、２，２−ビス（ｔ−ブチルペルオキシ）ブタン、ｎ−ブチル−４，４−ビス（ｔ−ブチルペルオキシ）バレレート、２，２−ビス（４，４−ジ−ｔ−ブチルペルオキシシクロへキシル）プロパン（以上パーオキシケタール）、Ｐ−メタンハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、１，１，３，３−テトラメチルブチルハイドロパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、ｔ−ブチルハイドロパーオキサイド（以上ハイドロパーオキサイド）、α、α’−ビス（ｔ−ブチルペルオキシ）ジイソプロピルベンゼン、ジクミルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｔ−ブチルペルオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｔ−ブチルペルオキシ）ヘキシン（以上ジアルキルパーオキサイド）、イソブチリルパーオキサイド、３，５，５−トリメチルヘキサノイルパーオキサイド、オクタノイルパーオキサイド、ラウロイルパーオキサイド、ステアロイルパーオキサイド、スクシンアシッドパーオキサイド、ｍ−トルオイルアンドベンゾイルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド（以上ジアシルパーオキサイド）、ジ−ｎ−プロピルペルオキシジカーボネート、ジイソプロピルペルオキシジカーボネート、ビス（４−ｔ−ブチルシクロヘキシル）ペルオキシジカーボネート、ジ−２−エトキシエチルペルオキシジカーボネート、ジ−２−エトキシヘキシルペルオキシジカーボネート、ジ−３−メトキシブチルペルオキシジカーボネート、ジ−ｓｅｃ−ブチルペルオキシジカーボネート（以上パーオキシカーボネート）、α、α’−ビス（ネオデカノイルペルオキシ）ジイソプロピルベンゼン、クミルペルオキシネオデカノエート、１，１，３，３−テトラメチルブチルペルオキシネオデカノエート、１−シクロヘキシル−１−メチルエチルペルオキシネオデカノエート、ｔ−ヘキシルペルオキシネオデカノエート、ｔ−ブチルペルオキシネオデカノエート、ｔ−ヘキシルペルオキシピバレート、ｔ−ブチルペルオキシピバレート、１，１，３，３−テトラメチルブチルペルオキシ−２−エチルヘキサノエート、２，５−ジメチル−２，５−ビス（２−エチルヘキサノイルペルオキシ）���キサン、ｔ−ヘキシルペルオキシ−２−エチルヘキサノエート、ｔ−ブチルペルオキシイソブチレート、ｔ−ヘキシルペルオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ−ブチルペルオキシマレイックアシッド、ｔ−ブチルペルオキシ−３，５，５，−トリメチルヘキサノエート、ｔ−ブチルペルオキシラウレート、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ｍ−トルオイルペルオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルペルオキシイソプロピルモノカーボネート、ｔ−ブチルペルオキシ−２−エチルヘキシルモノカーボネート、ｔ−ヘキシルぺルオキシベンゾエート、２，５−ジメチル−２，５−ビス（ベンゾイルペルオキシ）ヘキサン、ｔ−ブチルペルオキシアセテート、ｔ−ブチルペルオキシ−ｍ−トルエートアンドペルオキシベンゾエート、ｔ−ブチルペルオキシベンゾエート、ジ−ｔ−ブチルペルオキシイソフタレート（以上パーオキシエステル）、ｔ−ブチルペルオキシアリルモノカーボネート、ｔ−ブチルトリメチルシリルパーオキサイド、３，３‘，４，４’−テトラ（ｔ−ブチルペルオキシカルボニル）ベンゾフェノン、２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタン等が挙げられる。
【００３１】
また、接着剤組成物には、接着テープに適用した場合のテーピング特性を安定させるために、平均粒子径１μｍ以下のフィラーを含ませることができる。ここで、テーピング特性の安定とは接着テープをリードの上に熱圧着する際に、テープの端面からの接着剤の溶融によるはみ出しを防止し、かつ接着剤層に適当な厚さを保持して接着性を維持することを意味する。フィラーの平均粒子径が１μｍより大きいとテーピング特性の安定化効果が小さくなる傾向にある。なお、フィラーの平均粒子径は電子顕微鏡にてフィラー表面を撮影し、その粒径を測定することにより求められる。
フィラーの含有量は、前記成分（Ａ）、成分（Ｂ）および成分（Ｃ）の総和１００質量部に対して４〜４０質量部であることが好ましく、９〜２４質量部であることがより好ましい。含有量が４質量部よりも少ないとテーピング特性の安定化効果が小さい。また、４０質量部よりも多いと接着テープの接着強度が低下し、更にラミネート等の加工性が低くなる傾向にある。
フィラーとしては、例えば、シリカ、石英粉、アルミナ、炭酸カルシウム、酸化マグネシウム、ダイヤモンド粉、マイカ、フッ素樹脂、ジルコン粉等が使用される。
【００３２】
上記接着テープの製造方法は特に限定されないが、接着剤組成物を調製し、これを支持フィルム上に直接塗布し乾燥させて接着剤層を形成するキャスティング法や、接着剤組成物を離型性フィルム上に一旦塗布し乾燥させて接着剤層を形成した後、支持フィルム上に転写させるラミネート法等が好適である。
なお、塗工性等の観点から、樹脂成分を有機溶剤中に１質量％以上、好ましくは５質量％以上の濃度で溶解して接着剤組成物を調製することが好ましい。用いる有機溶剤としては、例えばトルエン、キシレン等の芳香族系、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等の非プロトン系溶剤、テトラヒドロフラン等が挙げられ、これらは１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３３】
以上説明した接着テープは、支持フィルムのこわさ値が０．０６ｍＮ以上であるため、リードピンに貼着した際に、リードピンの高さの違いに追随するように屈曲することが防止されている。その結果、多数のリードピンを、高さを揃えて固定することができる。したがって、半導体装置製造において、リードピンにワイヤを接続する際のワイヤボンディング性が高くなる。また、樹脂封止の際に、リードピンの間に樹脂が流れやすく、リードピン間に空隙が生じにくいため、不純物が侵入による絶縁不良を防止できる。
【００３４】
本発明の電子部品は、上述した接着テープが貼着されているものである。ここで、電子部品としては、リードピン、半導体チップ搭載用基板、放熱板、半導体チップ自身等が挙げられる。
図３〜図６に、本発明の電子部品を具備する樹脂封止型半導体装置（半導体パッケージ）の例を示す。
図３の樹脂封止型半導体装置は、半導体チップ１と、半導体チップ１が載せられるプレーン２と、外部接続回路であり、一端がプレーン２の上方に配置されたリードピン３と、半導体チップ１とリードピン３とを電気的に接続するワイヤ４とを有し、半導体チップ１とリードピン３の一部とワイヤ４とが樹脂５により封止されたものである。そして、この半導体装置では、支持フィルムの両面に接着剤層を有する接着テープ６を介してリードピン３の一端がプレーン２に固定されている。
図４の樹脂封止型半導体装置は、半導体チップ１と、外部接続回路であり、一端が半導体チップ１の上方に配置されたリードピン３と、半導体チップ１とリードピン３とを電気的に接続するワイヤ４とを有し、半導体チップ１とリードピン３の一部とワイヤ４とが樹脂５により封止されたものである。そして、この半導体装置では、支持フィルムの両面に接着剤層を有する接着テープ６を介してリードピン３が半導体チップ１に固定されている。
【００３５】
図５の樹脂封止型半導体装置は、半導体チップ１と、半導体チップ１が搭載されたダイパッド７と、外部接続回路であり、一端がダイパッド７と同じ高さに配置されたリードピン３と、ダイパッド７上に設けられた電極８と、半導体チップ１またはリードピン３と電極８とを電気的に接続するワイヤ４とを有し、半導体チップ１とリードピン３の一部とワイヤ４と電極８とが樹脂５により封止されたものである。そして、この半導体装置では、支持フィルムの両面に接着剤層を有する接着テープ６を介して電極８がダイパッド７に固定されている。
図６の樹脂封止型半導体装置は、半導体チップ１と、半導体チップ１が搭載されたダイパッド７と、外部接続回路であり、一端がダイパッド７と同じ高さに配置されたリードピン３と、半導体チップ１とリードピン３とを電気的に接続するワイヤ４とを有し、半導体チップ１とリードピン３の一部とワイヤ４とが樹脂５により封止されたものである。そして、この半導体装置では、支持フィルムの片面に接着剤層を有する接着テープ６がリードピン３に貼着されてリードピンの位置ずれを防止している。
以上の半導体装置は、本発明の接着テープを用いているため信頼性が高い。
【実施例】
【００３６】
下記の配合比率で各化合物をテトラヒドロフランに溶解混合し、固形分３０質量％の接着剤組成物を調製した。
成分（Ａ）：前記式（３−１）の化合物  ４５質量部
成分（Ｂ）：不飽和二重結合部分がエポキシ化されたスチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体（質量平均分子量９０，０００）  ５０質量部
成分（Ｃ）：両末端にアミノ基を有するポリシロキサン化合物（東芝シリコーン社製、商品名：ＴＳＬ９３０６、質量平均分子量２４９）  ５質量部
なお、上記配合比率では質量比（（Ａ）＋（Ｃ））／（Ｂ）が１．０で、マレイミド基１モル当量に対するアミノ基のモル当量は０．５モルである。
【００３７】
（実施例１）
上記接着剤組成物を、乾燥後の接着剤層の厚さが２０μｍになるように、支持フィルムであるポリイミドフィルムＡ（厚さ；２５μｍ）の両面に塗布し、熱風循環型乾燥機中にて１６０℃で５分間乾燥して実施例１の接着テープを得た。
（実施例２）
厚さが３８μｍのポリイミドフィルムＢを用いたこと以外は実施例１と同様にして接着テープを得た。
（実施例３）
厚さが４０μｍのポリイミドフィルムＣを用いたこと以外は実施例１と同様にして接着テープを得た。
（実施例４）
厚さが５０μｍのポリイミドフィルムＤを用いたこと以外は実施例１と同様にして接着テープを得た。
（比較例１）
ポリイミドフィルムとして、東レ・デュポン社製カプトン１００ＥＮ（ポリイミドフィルム、厚さ；２５μｍ）を用いたこと以外は実施例１と同様にして接着テープを得た。
【００３８】
実施例１〜４および比較例１のポリイミドフィルムについて、紙パルプ技術協会（ＪＡＰＮ  ＴＡＰＰＩ）の紙パルプ試験方法Ｎｏ．４０：２０００「紙および板紙−荷重曲げによるこわさ試験方法−ガーレー法」に準じ、試験機として熊谷理機工業株式会社製ガーレー柔軟度試験機を用いて、こわさ値を測定した。その結果を表１に示す。
なお、ポリイミドフィルムはカールしているため、そのフィルム１枚でこわさ値を測定するのは困難である。そのため、２枚のフィルムを、カール内側面が向かい合うように貼り合わせ、同様なものをもう１組作り、さらにこれらを貼り合わせて４枚重ねの試験片を作製し、これを用いた。
また、測定では、上記試験片を各々４つ試験して、その長さ方向と幅方向の平均値を算出した。そして、その長さ方向と幅方向の平均値を更に平均して「こわさ値」とした。
【００３９】
【表１】
2006028242.tif 000009
【００４０】
＜半導体パッケージの作製＞
上記接着テープを用いて、図３に示す半導体パッケージを下記手順で作製した。
（１）接着テープの打ち抜き：金型により接着テープ６をリング状に打ち抜いた。
（２）接着テープの仮接着：ホットプレート上にプレーン２を置き、リング状に打ち抜いたテープ６をプレーン２に金属ロッドで、温度１４０℃、圧力０．４ＭＰａで２秒間押し付けて仮接着した。
（３）リードフレーム組立て：上記工程で接着テープ６を仮接着したプレーン２とリードフレーム本体を位置合わせし、加熱したホットプレート上で加熱加圧し、リードフレームのリードピン３とプレーン２とを、接着テープ６を介して、温度１４０℃、圧力０．４ＭＰａで２秒間熱溶着して貼り合わせた。
（４）接着テープキュア：窒素置換した熱風循環型オーブン内に入れ、２００℃１時間熱硬化させた。
（５）ダイボンディング：半導体チップ１をダイボンディング用銀ペーストによりプレーン２に接着し、１５０℃で２時間硬化させた。
（６）ワイヤボンディング：ワイヤーボンダーにより、金線で半導体チップ１上のワイヤーパッドとインナーリード線端部の銀メッキ部分とを配線した。
（７）モールディング：エポキシ系モールド剤（樹脂５）でトランスファーモールドした。
（８）仕上工程ホーミング、ダイカット、アウターリード部のメッキ等の工程を実施して半導体パッケージを作製した。
【００４１】
＜評価＞
・ワイヤボンディング性
パッケージ組立てに際して、金線のワイヤボンディング時のリードフレーム上へのワイヤボンディング性を評価した。評価の判定は下記の通りである。
○：ボンディング不良がない。
×：ボンディング不良が認められる。
・半導体パッケージの評価（ＰＣＢＴ試験［Pressure Cooker Biased Test］）
半導体パッケージに対してＰＣＢＴ試験を行った。条件は５ボルト印加、１２１℃、０．２ＭＰａ、１００％ＲＨで実施した。
○：２０００時間試験してもショートしなかった。
×：２０００時間前にショートした。
これらの結果を表２に示す。
【００４２】
【表２】
2006028242.tif 000010
【００４３】
支持フィルムのこわさ値が０．０６ｍＮ以上である実施例１〜４の接着テープは、リードピンを同じ高さに揃えて固定できた。よって、ボンディング不良はゼロであり、ワイヤボンディング性が高かった。また、半導体パッケージ製造における樹脂封止時にリードピン間に樹脂が流れやすかったため、ＰＣＢＴ試験にてショートしなかった。
一方、支持フィルムのこわさ値が０．０６ｍＮ未満である比較例１の接着テープは、リードピンを同じ高さに揃えて固定できなかった。よって、ボンディング不良が生じ、ワイヤボンディング性が低かった。また、半導体パッケージ製造における樹脂封止時にリードピン間に樹脂が流れにくかったため、ＰＣＢＴ試験にて２０００時間以前にショートした。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】リードフレームの一例を示す上面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’断面図である。
【図３】半導体装置の一例を示す断面図である。
【図４】半導体装置の他の例を示す断面図である。
【図５】半導体装置の他の例を示す断面図である。
【図６】半導体装置の他の例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４５】
１  半導体チップ
２  プレーン
３  リードピン
６  接着テープ
７  ダイパッド
８  電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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