(57)【要約】【課題】光学素子の交換寿命を長くする、あるいは交換不要とすることで、露光装置の光学性能を長期にわたって安定させ、高精度なデバイス製造が行なうことを目的とする。【解決手段】露光装置において、光学素子表面を溶剤で洗浄する機構を設けたことを特徴とする露光装置。【選択図】        図１
2006147639.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光装置において、光学素子表面を溶剤で洗浄する機構を設けたことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記溶剤洗浄機構は、光学素子表面に溶剤を噴出する機構を有することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記溶剤洗浄機構は、光学素子表面を溶剤に浸漬する機構を有することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項４】
前記光学素子洗浄に用いる溶剤は、ＩＰＡ、メタノール、エタノール、アセトン、エチルエーテルといった有機溶剤、あるいは、オゾン水、界面活性剤、酸を溶解させた水溶液、または純水であることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項５】
前記光学素子洗浄に用いた溶剤を、回収する機構を有することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項６】
前記光学素子洗浄に用いられ、光学素子表面に残存した溶剤を、光学素子表面から除去する機構を有することを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項７】
前記光学素子洗浄に用いた溶剤を除去する機構は、光学素子表面に対して清浄なガスを供給することであることを特徴とする請求項６に記載の露光装置。
【請求項８】
前記光学素子表面から溶剤を除去する機構は、光洗浄であることを特徴とする請求項６に記載の露光装置。
【請求項９】
前記溶剤による洗浄は、定期的に、前記溶剤洗浄機構によって行なわれることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記溶剤による洗浄は、光学素子の汚染測定機構を有し、その汚染度が所定の範囲を越えた際に、前記溶剤洗浄機構によって、光学素子の洗浄が行なわれることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記汚染測定機構は、ウエハステージ上に取り付けられた光量センサであることを特徴とする請求項１０に記載の露光装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１いずれかに記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、前記露光された基板を現像する工程とを有することを特徴とするデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体製造過程において、マスク等の原板上の回路パターンを基板上に縮小投影して焼付け形成する、装置内に光学素子を含んだ露光装置およびこれを用いたデバイス製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、露光装置の光源は、次第に短波長化が要求され、普通紫外から真空紫外領域の光も用いられている。一般に光は短波長になるにつれ、その光学エネルギーが次第に大きくなる。例えば、エキシマレーザの光子エネルギーは、ＫｒＦ（２４８ｎｍ）で１１４．１ｋｃａｌ／ｍｏｌ、ＡｒＦ（１９３ｎｍ）で１４７．２ｋｃａｌ／ｍｏｌ、Ｆ２（１５７ｎｍ）で１８０．１ｋｃａｌ／ｍｏｌである。このような波長域では、様々な物質において光吸収が生じる。また、光化学反応による物質の分解や生成が引き起こされる場合もある。したがって、装置内に存在する物質が、光学素子に付着して光学特性を劣化させたり、光化学反応で生じた物質が光学素子に堆積し光学特性を劣化させたりすることが大きな問題となる。このような光学素子への表面付着による光学特性の劣化は、装置に用いられる光源が短波長になるにつれて、より大きな問題となる。
【０００３】
可視域から普通紫外領域では、光学素子に付着しても光学特性に及ぼす影響が小さかった物質の多くが、より短波長になった光に対しては、より大きな光吸収があったり、あるいは特異な屈折率を有したりするので、光学特性に悪影響を及ぼし、装置の光学特性において大きな問題となる。このような物質は、微量であっても、より短波長になった光に対する光学特性の劣化は、その影響を無視できない。
【０００４】
そこで、このような問題に対して、特許文献１のように、光学素子を含んだ空間を清浄な不活性ガスで流通することで、光化学反応によって光学素子が劣化することを防止、抑制することでの対応がなされてきた。更に、特許文献２のように、導入するガスの純度を高めるフィルタを取りつける対応がなされてきた。装置へのガス導入口にフィルタをとりつけることによって、供給源のガス中に含まれる不純物や給気ユニット通過時に部材脱離ガス成分から発生する不純物を、除去することができる。これに加えて、光学装置内の部材等からの脱離ガスによる不純物への対応も必要である。これに対しては、脱離ガスが少ない部材あるいは脱離ガスが光学素子の光学性能劣化に与える影響が少ない部材を選択して使用することで対応がされている。
【特許文献１】特開平２−２１０８１３号公報
【特許文献２】特開平６−７７１１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このような光学素子の付着汚染問題は、光源波長がＫｒＦ波長からＡｒＦ波長、そしてＦ２波長、ＥＵＶへとより短波長化されるにつれて、より多くの物質が光学特性に悪影響を与える。また、物質によっては、ｐｐｂ、ｐｐｔといったオーダーの微量な存在でさえ、光学特性劣化に大きな問題となる場合もある。よって、短波長化された光源の露光装置において、装置内の部材等からの脱離ガス条件は、より厳しいものとなる傾向にある。
【０００６】
しかし、露光装置内にはその装置性能を成り立たせるために様々な種類の部材等を使用しなければならない。実際には、それらすべての部材等からの脱離ガスが完全にゼロにすることは難しい。
【０００７】
例えば、露光装置で使用するレジストからの脱離ガスの発生を回避することは、非常に困難である。レジストの他にも接着剤で固定したマスク等、種々の脱離ガス発生源が露光装置内に存在する。これらの影響でレンズ表面が汚染されるという問題が発生する。
【０００８】
こういった光学素子を交換する対処もあるが、当然、交換時には、装置を使用することができない。また、光学素子の位置精度維持や装置内環境雰囲気の維持を考えると、光学素子交換を行なわずに問題に対処することが優位である。
【０００９】
本発明は、上記の課題に鑑み、露光装置において、光学素子の交換寿命を長くする、あるいは交換不要とすることで、露光装置の光学性能を長期にわたって安定させ、高精度なデバイス製造が行なうことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的を達成するための本発明の露光装置は、光学素子表面を溶剤で洗浄する機構を設けている。
【００１１】
また、前記溶剤洗浄機構は、光学素子表面に溶剤を噴出する機構、あるいは、光学素子表面を溶剤に浸漬する機構を有することが望ましい。
【００１２】
また、前記溶剤は、ＩＰＡ、メタノール、エタノール、アセトン、エチルエーテルといった有機溶剤、あるいは、オゾン水、界面活性剤、酸を溶解させた水溶液、または純水であることが望ましい。
【００１３】
また、前記溶剤を、回収する機構を有することが望ましい。
【００１４】
また、前記光学素子洗浄に用いられ、光学素子表面に残存した溶剤を、光学素子表面から除去する機構を有することが望ましい。
【００１５】
また、前記光学素子洗浄に用いた溶剤を除去する機構は、光学素子表面に対して清浄なガスを供給することであること、あるいは、光洗浄であることが望ましい。
【００１６】
また、前記溶剤による洗浄は、定期的に、前記溶剤洗浄機構によって行なわれる、あるいは、光学素子の汚染測定機構を有し、その汚染度が所定の範囲を越えた際に、前記溶剤洗浄機構によって、光学素子の洗浄が行なわれることが望ましい。
【００１７】
また、前記汚染測定機構は、ウエハステージ上に取りつけられた光量センサであることが望ましい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明にかかる露光装置によれば、装置内の光学素子表面の汚染を溶剤洗浄によって、光学素子の光学性能を良好に維持することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下本発明を実施するための最良の形態を、実施例により詳しく説明する。
【実施例１】
【００２０】
本発明を露光装置に具体化した第一実施形態を説明する。図１は、ステップ・アンド・スキャン型のＡｒＦ露光装置全体の概略構成を示したものである。同図において、１はＡｒＦエキシマレーザ光源であり、１９３ｎｍ付近の発振波長をもち、パルス発光をおこなう。この露光装置の照明光学系では、エキシマレーザ光源１から照射された光は、ミラー２によって折り曲げられ、ビーム整形光学系３を介して所定の形状に整形された後、ミラー４を介してオプティカルインテグレータ５に入射する。オプティカルインテグレータ５は、その射出面６近傍に二次光源を形成している。二次光源からの光束は第一集光レンズ７によって集光される。この集光点８を含む光軸に直交する平面の近傍には、照明範囲を規制するブラインド９が配置されている。第一集光レンズ７からの光速は、第二集光レンズ１０、ミラー１１および第三集光レンズ１２により、マスク１３のパターン面を均一に照明する。また、エキシマレーザ光源１の射出口から第三集光レンズ１２までの各光学素子を含んだ光路は、照明系容器１０１に収納されており、装置外の雰囲気と遮断されている。
【００２１】
この照明光学系は、図２に示すように、マスク１３のようなパターン１７の一部に対してスリット状の光束１８によりスリット状照明をおこなう。照明されるパターン１７の一部は、投影光学系１４によりウエハ１６上に縮小投影される。この時、マスク１３およびウエハ１６を、投影光学系１４の縮小比率と同じ速度比率で、図示されている矢印１１１および１１２のように互いに逆方向にスキャンさせながら、エキシマレーザ光源１からのパルス光による多パルス露光を繰り返すことにより、マスク１３全面のパターン１７をウエハ１５上の１チップ領域または複数のチップ領域に転写する。
【００２２】
なお、２１はマスク１３を保持しているマスクステージであり、図示矢印１１１の方向にスキャン駆動する。２２はマスクステージ２１に固定されたバーミラー、２３はバーミラー２２を用いてマスクステージ２１の速度を検出するレーザ干渉計、２４はウエハ１６を保持しているウエハチャックである。２５はウエハチャック２４を保持しているウエハステージであり、不図示の駆動系により図示矢印１１２方向にスキャン駆動する。２６はウエハステージ２５に固定されたバーミラー、２７はバーミラー２６を用いてウエハステージ２５の速度を検出するレーザ干渉計である。１０２はマスク室であり、マスク１３の交換口に開閉可能な開閉手段２８が取りつけられており、開放状態と密封状態が切り替わる。
【００２３】
次に、投影光学系１４において、レジストを塗布したウエハに最も近い投影レンズ１５について、本発明を実施した際の概略図を図３に示す。投影レンズ１５の近傍には、溶剤噴出口３３、吸引口３６、清浄ガス噴出口３９を設けている。溶剤供給部３１から溶剤供給配管３２を通じ、噴出口３３からイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）が、図示矢印５１のように噴出され、投影レンズ１５の表面が洗浄される。この溶剤洗浄は、制御系１２１によって、供給される溶剤量や方向、洗浄のタイミングが制御される。洗浄に用いた溶剤は、図示矢印５２のようのに吸引口３６から吸引され、溶剤回収配管３５を通じて溶剤回収部３４に回収される。この溶剤回収における吸引力や方向、回収のタイミングは、制御系１２１によって制御される。
【００２４】
このように洗浄に用いた溶剤を回収することで、溶剤が周辺の環境に飛散することが抑制、防止される。また、投影レンズ１５の表面に残存する溶剤を回収する効果もある。また、清浄ガス供給部３７から清浄ガス供給配管３８を通じ、清浄ガス噴出口３９から清浄な窒素ガスが噴出され、投影レンズ１５の表面から洗浄に用いた溶剤が除去される。清浄ガス供給は、制御系１２１によって、供給されるガス流量や方向、ガス供給のタイミングが制御される。
【００２５】
実施例では、洗浄用の溶剤としてＩＰＡについて説明したが、光学素子表面の汚染を洗浄できるものであれば、他の溶剤を用いてもよい。例えば、メタノール、エタノール、アセトン、エチルエーテルなどといった有機溶剤、オゾン水、界面活性剤、酸などを溶解させた水溶液、または純水といったものを洗浄に使用する。これらの溶剤は、加熱あるいは冷却した溶剤を用いてもよい。また、必要があれば、複数の溶剤について供給部を用意し、複数の溶剤で光学素子表面の洗浄を行なってもよい。洗浄なガスは、窒素ガスを用いた場合を説明したが、露光装置の光学性能に影響を与えなければ、ヘリウムガス等のガスを用いてもよい。これらの清浄なガスについても、加熱あるいは冷却して噴出してもよい。
【００２６】
図３において、溶剤噴出口３３、吸引口３６、清浄ガス噴出口３９は、それぞれ２個ずつ対面に存在するが、光学素子の洗浄という目的を達するものであれば、それらの数、配置は問わない。洗浄用の溶剤、清浄ガス共に、必要に応じてフィルタを取りつけるなどして、循環して用いてもよい。また、溶剤回収部３４、溶剤回収配管３５、溶剤吸引口３６からなる溶剤回収機構と、清浄ガス供給部３７、清浄ガス供給配管３８、清浄ガス噴出口３９からなる清浄ガス供給機構は、不要であれば、取りつけなくてもよい。
【００２７】
溶剤噴出口、溶剤吸引口、清浄ガス噴出口は必ずしも、別々に設ける必要はなく、図４のように共用してもよい。４２は、溶剤噴出、溶剤吸引、清浄ガス噴出のいずれも行なうことが可能な噴出／吸引口である。噴出／吸引口４２に通じる配管４１は、切換調整部４０によって、溶剤供給部３１、溶剤回収部３４、清浄ガス供給部３７に通じるかが、制御部１２２によって制御される。溶剤による洗浄に使用される場合は、溶剤供給部３１から配管４１に溶剤が供給されるように切換調整部４０が制御され、噴出／吸引口４２から溶剤が噴出され、洗浄がおこなわれる。洗浄に用いた溶剤の回収に使用される場合は、配管４１と溶剤回収部３４が、切換調整部４０で通じるように制御され、噴出／吸引口４２から溶剤が吸引される。清浄ガスの噴出に使用される場合は、清浄ガス供給部３７から配管４１が、が通じるように切換調整部４０が制御され、噴出／吸引口４２から清浄なガスが噴出される。
【００２８】
図５は、投影レンズ１５の表面への汚染を模式的に示したものである。光照射されていた部分は、エキシマレーザ光によるクリーニングがなされているが、マスクの影の部分に相当する光が照射されていなかった部分は、汚染物６１が表面に堆積している。このような汚染物は、少量であれば、光照射されていなかった部分にも光照射を行い、エキシマレーザレーザ光による光洗浄で除去することが可能である。しかし、その量が多い場合は、エキシマレーザ光７１による光洗浄によって充分な除去ができず、投影系レンズ１５の表面に汚染物６２が残存してしまう。これらの汚染物６２のなかには、新たなマスクを取りつけた際に露光光路上に存在するものもあり、露光装置の光学特性に悪影響を及ぼす。
【００２９】
これに対して、図６は、本発明を適用した場合について、模式的に示したものである。投影レンズ１５の汚染物６１は溶剤で洗浄され、除去されるが、投影レンズ１５の表面上に、洗浄に用いた溶剤５３が残存する場合もある。溶剤吸引口３６から溶剤５２を回収し、また、清浄ガス噴出口３９から清浄ガス５６を供給することで、溶剤を投影レンズ１５の表面から除去する。投影レンズ表面は清浄な状態になり、必要な光学性能が維持される。
【００３０】
なお、投影レンズ表面に残存している溶剤を除去するのは、他の手段でも構わない。例えば、露光装置の光源とは異なる光源を設置し、光洗浄を行なってもよい。また、溶剤が表面に残存していても、それが露光装置の性能に影響を与えない程度であれば、溶剤を特に除去する機構、作業は、省略してもよい。
【実施例２】
【００３１】
本発明を露光装置に具体化した第二実施形態を説明する。露光装置全体の概略構成は、図１と同様である。第一実施形態と同様に、投影光学系１４において、レジストを塗布したウエハに最も近い投影レンズ１５について、本発明を実施した際について説明する。図７、図８、図９にその概略図を示した。ウエハステージ２５上において、ウエハチャック２４とウエハ１６とは異なる場所に、光センサ７２と溶剤吸引口３６がある。
【００３２】
図７は、マスク１３のパターンをウエハ１６上に投影露光が行なわれている際の概略図を示したものである。ウエハ１６への露光が終了すると、露光が終了したウエハを搬出し、新たなウエハを露光するために、不図示の駆動系によってウエハステージ１６を、図示矢印１１３の方向に移動する。
【００３３】
図８は、ウエハステージ２５上の光センサ７２が、投影レンズ１５の下方に位置するように、不図示の駆動系によってウエハステージ２５を移動した際の概略図を示したものである。この時、光センサ７２によって、光量測定がなされる。所定の光量が得られない場合には、投影レンズ１５の洗浄を行なうために、ウエハステージ２５を図示矢印１１４の方向に移動する。
【００３４】
図９は、ウエハステージ２５が洗浄時の位置まで移動した際の概略図であり、この時に投影レンズ１５の下方には、溶剤噴出口３３がある。溶媒噴出口３３から溶剤が、図示矢印５１のように噴出され、投影レンズ１５の表面が洗浄される。洗浄に用いた溶剤５３は、投影レンズ１５の下方にある溶剤吸引口３６から回収される。洗浄後、ウエハステージ２５を移動して、光センサ７２によって光量測定を行い、所定の光量が得られ、投影レンズ１５の表面汚染が十分に洗浄されたことを確認する。
【００３５】
なお、投影光学系１４に溶剤噴出口３３を設けて説明したが、図１０に示したように、ウエハステージ２５に、溶剤噴出口３３を設けてもよい。
【００３６】
以上の実施形態は、光学素子の表面汚染状態を検知する手段として、ウエハステージ上に光センサを設置して、エキシマレーザの光量を測定することについて説明したが、光学素子表面の汚染を検知できるものであれば、他の手法を用いてもよい。例えば、エキシマレーザ光を用いずに、他に光源を用意して、その光量を測定することで表面汚染状態を検知してもよい。あるいは、投影レンズ１５の近傍に汚染物質を吸着させ、その吸着量を測定するセンサを設けて、投影レンズ１５の表面汚染状態を判断してもよい。
【００３７】
また、ウエハへの露光、汚染度の測定、溶剤洗浄の３つの作業について、それぞれ作業の間にウエハステージを移動させて行なうこととして説明したが、ウエハステージを移動することなく連続して少なくとも２つ以上の作業を行なえるように、ウエハチャック、汚染度測定機構、溶剤洗浄機構を配置してもよい。なお、光学素子の表面汚染状態に依存せず、洗浄を定期的に行なう際には、表面汚染を検知する手段は、不要である。
【実施例３】
【００３８】
本発明を露光装置に具体化した第三実施形態を説明する。第一、第二実施形態と同様に、投影光学系１４において、レジストを塗布したウエハに最も近い投影レンズ１５について、本発明を実施した際について説明する。その概略構成を、図１１、図１２、図１３に示す。ウエハステージ２５上のウエハチャック２４とウエハ１６とは異なる場所に、光センサ７２と溶剤浸漬機構８１がある。
【００３９】
図１１は、マスク１３のパターンをウエハ１６上に投影露光が行なわれている際の概略図を示したものである。ウエハ１６の露光が終了すると、露光が終了したウエハを搬出し、新たなウエハを露光するために、不図示の駆動系によってウエハステージ１６を、図示矢印１１５の方向に移動する。
【００４０】
図１２は、ウエハステージ２５上の光センサ７２が、投影レンズ１５の下方に位置するように、不図示の駆動系によってウエハステージ２５を移動した際の概略図を示したものである。この時、光センサ７２によって、光量測定がなされる。所定の光量が得られない場合には、投影レンズ１５の洗浄を行なうために、ウエハステージ２５を図示矢印１１６の方向に移動する。投影レンズ１５の下方に、溶剤浸漬機構８１が位置するように、ウエハステージ２５を停止する。図示矢印１１７の方向に溶剤浸漬機構８１が変動する。
【００４１】
溶剤による洗浄については、図１４、図１５にその概略図を示す。ウエハステージ２５上に、溶剤浸漬機構８１と溶剤除去機構８２があり、これらで洗浄および溶剤除去を行なう。
【００４２】
図１４は、図示矢印１１７の方向に溶剤浸漬機構８１が移動し、溶剤浸漬機構８１の中の溶剤４３に投影レンズ１５の表面が浸され、洗浄が行なわれている状態を示している。この際、撹拌機関４４を作動させ、溶剤４３を撹拌することで、洗浄の効率を向上させる。また、レンズの光学性能に影響が与えない程度の超音波を加えてもよい。なお、溶剤浸漬機構８１の用いる溶剤として、ＩＰＡについて説明したが、光学素子表面の汚染を洗浄できるものであれば、他の溶剤を用いてもよい。例えば、メタノール、エタノール、アセトン、エチルエーテルなどといった有機溶剤、オゾン水、界面活性剤、酸などを溶解させた水溶液、または純水といったものを使用する。これらの溶剤は、加熱あるいは冷却して、光学素子に浸漬させてもよい。また、必要があれば、複数の溶剤を用いて、洗浄を行なってもよい。
【００４３】
充分な洗浄が行なわれた後、図示矢印１１８の方向に溶剤浸漬機構８１を移動した後、ウエハステージ２５を図示矢印１１９の方向に移動する。投影レンズ１５の下方に、溶剤除去機構８２が位置するようにウエハステージ２５を停止する。図１５の図示矢印１２０の方向に溶剤除去機構８２を移動させて、投影レンズ１５の表面に残存している溶剤を除去する。
【００４４】
図１５において、清浄ガス噴出口３９から清浄な窒素ガスが、図示矢印５６のようのに噴出され、投影レンズ１５の表面から洗浄に用いた溶剤が除去される。除去された溶剤および溶剤を含んだ窒素ガスは、図示矢印５２のようのに吸引口３６から吸引され、回収される。洗浄なガスは、窒素ガスを用いた場合を説明したが、露光装置の光学性能に影響を与えなければ、ヘリウムガス等のガスを用いてもよく、加熱あるいは冷却したガスを噴出してもよい。
【００４５】
図１４、図１５に示した溶剤浸漬機構８１、溶剤除去機構８２の配置ならびに構成は、一例を示したものであり、光学素子の洗浄と溶剤除去という目的を達するものであれば、それらの配置、構成、数は問わない。例えば、光学素子表面に残存した溶剤を除去する方法は、エキシマレーザ光による洗浄でも構わない。また、溶剤が表面に残存していても、それが露光装置の性能に影響を与えない程度であれば、溶剤除去機構８２で溶剤除去作業を行なうことや、溶剤除去機構８２を取りつけることは不要である。
【００４６】
以上の実施形態は、ステップ・アンド・スキャン型のＡｒＦ露光装置についての説明をおこなったが、ステップ・アンド・リピート型の露光装置、ＫｒＦレーザ光やＦ２レーザ光や紫外線ランプやＥＵＶ光を光源に用いた露光装置に本発明を適用しても同様の効果を得ることができる。また、レジストからの脱離ガスを汚染原因として、その近傍の投影レンズが汚染されることについて述べたが、その他の付着汚染原因および光学素子に本発明を適用しても同様の効果を得ることができる。
【００４７】
また上記の露光装置を用いて基板を露光する工程、前記露光された基板を現像する工程、さらにその基板に後処理を施す工程等を有するデバイスの製造方法にも、本実施例は適用可能である。
【００４８】
以上説明したように、本実施例にかかる露光装置によれば、装置内の光学素子表面の汚染を溶剤洗浄によって、光学素子の光学性能を良好に維持することができる。
【００４９】
また、溶剤を回収する機構を有することで、溶剤が雰囲気中に飛散することでの光学特性の劣化なく、環境雰囲気の光学素子の光学性能を良好に維持することができる。
【００５０】
また、光学素子表面に残存する溶剤を除去することで、光学素子の光学性能を良好に維持することができる。
【００５１】
また、溶剤洗浄を定期的、あるいは汚染測定結果に基づいて行なうことで、光学素子の光学性能を良好に維持することができる。
【００５２】
よって、光学性能の変動による不良デバイスの製造を未然に防止することが可能な、信頼性の高い露光装置およびデバイス製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明を実施した露光装置の全体概略図である。
【図２】図１の装置におけるマスクの説明図である。
【図３】本発明の第一実施形態の要部概略図である。
【図４】本発明の第一実施形態において、噴出／吸引口を共用した際の概略図である。
【図５】投影レンズの表面汚染の模式図である。
【図６】投影レンズに溶剤洗浄を行なった模式図である。
【図７】本発明の第二実施形態において、ウエハ露光時の要部概略図である。
【図８】本発明の第二実施形態において、汚染度測定時の要部概略図である。
【図９】本発明の第二実施形態において、溶剤噴出洗浄時の装置要部概略図である。
【図１０】本発明において、溶剤噴出口がウエハステージ上にある要部概略図である。
【図１１】本発明の第三実施形態において、ウエハ露光時の要部概略図である。
【図１２】本発明の第三実施形態において、汚染度測定時の要部概略図である。
【図１３】本発明の第三実施形態において、溶剤浸漬洗浄時の要部概略図である。
【図１４】本発明の第三実施形態において、溶剤浸漬洗浄作業の説明図である。
【図１５】本発明の第三実施形態において、溶剤除去作業の説明図である。
【符号の説明】
【００５４】
１  ＡｒＦエキシマレーザ
１３  マスク
１４  投影光学系
１５  投影レンズ
１６  ウエハ
２１  マスクステージ
２５  ウエハステージ
３１  溶剤供給部
３３  溶剤噴出口
３４  溶剤回収部
３６  溶剤吸引口
３７  清浄ガス供給部
３９  清浄ガス噴出口
７２  光センサ
８１  溶剤浸漬機構
８２  溶剤除去機構
【図１】
2006147639.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2006147639.tif 000009
【図８】
2006147639.tif 000010
【図９】
2006147639.tif 000011
【図１０】
2006147639.tif 000012
【図１１】
2006147639.tif 000013
【図１２】
2006147639.tif 000014
【図１３】
2006147639.tif 000015
【図１４】
2006147639.tif 000016
【図１５】
2006147639.tif 000017