(57)【要約】【課題】  半導体チップの裏面とヒートスプレッダとの固着を樹脂によって行なう構成としながら、半導体チップの裏面とヒートスプレッダとを直接接触させることも可能とし、良好な放熱効果を期待することができる半導体装置を提供する。【解決手段】  半導体チップ１をフェイスダウンで実装基板２上にフリップチップ実装すると共に、上記半導体チップ１の裏面に樹脂接着剤９を介してヒートスプレッダ８を固着し、かつ上記半導体チップ１の裏面と上記ヒートスプレッダ８とが直接接触するようにした構成とする。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップをフェイスダウンで実装基板上にフリップチップ実装すると共に、上記半導体チップの裏面に樹脂接着剤を介してヒートスプレッダを固着し、かつ上記半導体チップの裏面と上記ヒートスプレッダとが直接接触するようにしたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
上記半導体チップの裏面に切り溝を設けると共に、上記切り溝内にのみ上記樹脂接着剤を充填して上記ヒートスプレッダと上記半導体チップの裏面とが直接接触するように固着したことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
上記ヒートスプレッダの上記半導体チップ裏面と対応する個所に切り溝を設けると共に、上記切り溝内にのみ上記樹脂接着剤を充填して上記ヒートスプレッダと上記半導体チップの裏面とが直接接触するように、上記ヒートスプレッダを上記半導体チップの裏面に固着したことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は半導体装置、特に半導体チップをフェイスダウンで実装基板上にフリップチップ実装し、半導体チップの裏面にヒートスプレッダを固着するボールグリッドアレイ構造の半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のこの種の半導体装置は、半導体チップの表面の電極上にバンプを形成した後、このバンプと実装基板の表面の電極とを位置合わせし、接触させた状態で実装基板の表面に半導体チップを載置し、バンプを加熱溶融させて固着することにより、半導体チップの電極と実装基板の電極とを電気的に接続していた。
【０００３】
その後、半導体チップと実装基板との間隙を樹脂で封止するアンダーフィルが行なわれ、バンプを補強すると共に、半導体チップと実装基板との接合強度を高めるようにしている。また、半導体チップの裏面には放熱樹脂を介してヒートスプレッダが固着され、半導体チップの保護及び半導体パッケージの放熱特性の向上が図られている。（例えば特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−７４４３１号公報（段落０００７−０００８、図３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来の半導体装置は上記のように構成され、半導体チップとヒートスプレッダとの間に放熱樹脂が介在し、この放熱樹脂によって両者を固着していたため、半導体チップの発熱は放熱樹脂を介してヒートスプレッダに伝達されることから放熱性が良くないという問題点があった。
【０００６】
この発明は上記のような問題点を解消するためになされたもので、半導体チップの裏面とヒートスプレッダとの固着を樹脂によって行なう構成としながら、半導体チップの裏面とヒートスプレッダとを直接接触させることも可能とし、良好な放熱効果を期待することができる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明に係る半導体装置は、半導体チップをフェイスダウンで実装基板上にフリップチップ実装すると共に、上記半導体チップの裏面に樹脂接着剤を介してヒートスプレッダを固着し、かつ上記半導体チップの裏面と上記ヒートスプレッダとが直接接触するようにしたものである。
【発明の効果】
【０００８】
この発明に係る半導体装置は以上のように構成され、例えば半導体チップの裏面に設けられた切り溝内にのみ樹脂接着剤を充填し、この樹脂接着剤によって半導体チップとヒートスプレッダとの固着を行なうと共に、半導体チップ裏面の切り溝が設けられていない面はヒートスプレッダと直接接触することになるため、良好な放熱が行なわれるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
実施の形態１．
以下、この発明の実施の形態１を図にもとづいて説明する。図１は、実施の形態１の構成を示す概略断面図である。
この図に示されるように、実施の形態１に係る半導体装置は、ボールグリッドアレイ構造とされており、半導体チップ１と、この半導体チップ１を実装する実装基板（パッケージ基板）２と、半導体チップ及び実装基板の間隙を埋めるアンダーフィル樹脂３とを有する。
【００１０】
半導体チップ１は集積回路面（図示の下面）の各電極に装着された半田バンプ４を実装基板２上の電極（図示せず）に対応させてフェイスダウンにより実装されている。
また、半導体チップ１の裏面（図示の上面）には適宜の深さの切り溝５が複数個形成されている。この切り溝５はウェハから半導体チップ１を個片化する際に用いられるダイシングブレードによって形成されるものである。
【００１１】
さらに、実装基板２には半導体チップ１を取り囲むように、スティフナー６が接着テープ７によって固着されている。このスティフナー６は実装基板２と線膨張率が近い、例えば銅によって形成され、接着テープ７は接着性の高い例えばエポキシ系の樹脂により形成されている。
【００１２】
また、８は半導体チップ１を保護すると共に、放熱性を向上させるために設けられるヒートスプレッダで、実装基板２及びスティフナー６と線膨張率が近い、例えば銅によって形成され、半導体チップ１の裏面と直接接触して熱的に接続されるように固着されている。
【００１３】
具体的には、半導体チップ１の裏面に形成された切り溝５内に樹脂接着剤９を充填し、この樹脂接着剤９によって半導体チップ１の裏面とヒートスプレッダ８とを接着固定する。
この場合、樹脂接着剤９は切り溝５内のみに充填するようにし、切り溝５が形成されていない面には付着させないようにする。
【００１４】
なお、図１では、切り溝５と樹脂接着剤９とを分かり易く表示するために、一部の切り溝５のみに樹脂接着剤９を充填した状態を示しているが、実際には全ての切り溝５内に樹脂接着剤９を充填するものである。この結果、半導体チップ裏面の切り溝５が形成されていない面はヒートスプレッダ８と直接接触することになり、良好な放熱が行なわれる。
【００１５】
また、ヒートスプレッダ８とスティフナー６との間には接着テープ７と同じ接着テープ１０が介装され、ヒートスプレッダ８とスティフナー６とを固着するようにしている。
１１は実装基板２の裏面の電極に装着された半田ボールである。
【００１６】
なお、上述した実施の形態では、ヒートスプレッダ８と半導体チップ１との固着に際し、半導体チップ１の裏面に切り溝５を形成し、この切り溝５内に樹脂接着剤９を充填する構成について説明したが、この発明は、このような構成に限定されるものではなく、半導体チップ１の裏面は平坦面のままとし、ヒートスプレッダ８の半導体チップ裏面と対応する個所に切り溝５を設け、この切り溝５内に樹脂接着剤９を充填することによって、ヒートスプレッダ８と半導体チップ１とを固着するようにしても同様な効果を期待することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】この発明の実施の形態１の構成を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００１８】
１  半導体チップ、  ２  実装基板、  ３  アンダーフィル樹脂、  ４  半田バンプ、  ５  切り溝、  ６  スティフナー、  ７、１０  接着テープ、  ８  ヒートスプレッダ、  ９  樹脂接着剤、  １１  半田ボール。
【図１】
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