(57)【要約】      （修正有）【課題】４４０ｎｍ以下のレーザー光照射による情報の記録が可能な記録層を有する光情報記録媒体を提供する。【解決手段】記録層中に一般式（１）で表されるオキソノール色素を含有し、かつ該色素の対カチオン（Ｙｔ＋）が、該色素アニオン部位の吸収極大より長波長域に吸収極大を有するカチオン性色素である光情報記録媒体。一般式（１）2006297923.tif 000074  式中Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤは電子吸引性基を表し、ＡとＢもしくはＣとＤは互いに連結して環を形成していてもよく、互いに結合しない場合にはＡとＢ（及びＣとＤ）のハメットのσｐ値の合計が０．６以上となる電子吸引性基である。Ｙｔ＋はｔ価のカチオンを、ｔは１乃至４の整数を表す。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に４４０ｎｍ以下のレーザー光照射による情報の記録が可能な記録層を有する光情報記録媒体であって、
前記記録層が下記一般式（１）で表されるオキソノール色素と、一般式（１）で表されるオキソノール色素以外の色素とを含有し、一般式（１）で表されるオキソノール色素の含有量が前記記録層の全質量を基準として３０質量％以上であることを特徴とする光情報記録媒体。
一般式（１）
【化１】
2006297923.tif 000059
［式中、Ｙｔ＋はオキソノール色素アニオン部位の吸収極大より長波長域に吸収極大を有するｔ価のカチオン性色素であり、ｔは１乃至４の整数を表す。Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤは電子吸引性基を表し、ＡとＢ、および／または、ＣとＤは互いに連結して環を形成していてもよく、互いに結合しない場合にはＡとＢのハメットのσｐ値の合計及びＣとＤのハメットのσｐ値の合計がそれぞれ０．６以上となる電子吸引性基である。Ｒはメチン炭素上の置換基を表し、ｍは０乃至１の整数を表し、ｎは０乃至２ｍ＋１の整数を表し、ｎが２以上の整数のとき、複数個のＲは互いに同一でも異なっていてもよく、また互いに連結して環を形成していてもよい。］
【請求項２】
前記一般式（１）で表されるオキソノール色素の含有量が前記記録層の全質量を基準として７０質量％以上であることを特徴とする請求項１に記載の光情報記録媒体。
【請求項３】
前記一般式（１）で表されるオキソノール色素以外の色素がオキソノール色素であることを特徴とする請求項１または２に記載の光情報記録媒体。
【請求項４】
基板上に４４０ｎｍ以下のレーザー光照射による情報の記録が可能な記録層を有する光情報記録媒体であって、
前記記録層が実質的に一般式（１'）で表されるオキソノール色素からなることを特徴とする光情報記録媒体。
一般式（１'）
【化２】
2006297923.tif 000060
［式中、Ｙｔ＋はオキソノール色素アニオン部位の吸収極大より長波長域に吸収極大を有するｔ価のカチオン性色素であり、ｔは１乃至４の整数を表す。Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤは電子吸引性基を表し、ＡとＢ、および／または、ＣとＤは互いに連結して環を形成していてもよく、互いに結合しない場合にはＡとＢのハメットのσｐ値の合計及びＣとＤのハメットのσｐ値の合計がそれぞれ０．６以上となる電子吸引性基である。Ｒはメチン炭素上の置換基を表し、ｎは０乃至３の整数を表し、ｎが２以上の整数のとき、複数個のＲは互いに同一でも異なっていてもよく、また互いに連結して環を形成していてもよい。］
【請求項５】
基板上に４４０ｎｍ以下のレーザー光照射による情報の記録が可能な記録層を有する光情報記録媒体であって、該記録層中に一般式（１）で表されるオキソノール色素を含有することを特徴とする光情報記録媒体。
一般式（１）
【化３】
2006297923.tif 000061
［式中、Ｙｔ＋はオキソノール色素アニオン部位の吸収極大より長波長域に吸収極大を有するｔ価のカチオン性色素であり、ｔは１乃至４の整数を表す。Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤは電子吸引性基を表し、ＡとＢ、および／または、ＣとＤは互いに連結して環を形成していてもよく、互いに結合しない場合にはＡとＢのハメットのσｐ値の合計及びＣとＤのハメットのσｐ値の合計がそれぞれ０．６以上となる電子吸引性基である。Ｒはメチン炭素上の置換基を表し、ｍは０乃至１の整数を表し、ｎは０乃至２ｍ＋１の整数を表し、ｎが２以上の整数のとき、複数個のＲは互いに同一でも異なっていてもよく、また互いに連結して環を形成していてもよい。］
【請求項６】
基板上に４４０ｎｍ以下のレーザー光照射による情報の記録が可能な記録層を有する光情報記録媒体であって、該記録層中に一般式（１）で表されるオキソノール色素を含有することを特徴とする光情報記録媒体。（ただし、該記録層中には、一般式（１）の範囲外のオキソノール色素は共存しない。）
一般式（１）
【化４】
2006297923.tif 000062
［式中、Ｙｔ＋はオキソノール色素アニオン部位の吸収極大より長波長域に吸収極大を有するｔ価のカチオン性色素であり、ｔは１乃至４の整数を表す。Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤは電子吸引性基を表し、ＡとＢ、および／または、ＣとＤは互いに連結して環を形成していてもよく、互いに結合しない場合にはＡとＢのハメットのσｐ値の合計及びＣとＤのハメットのσｐ値の合計がそれぞれ０．６以上となる電子吸引性基である。Ｒはメチン炭素上の置換基を表し、ｍは０乃至１の整数を表し、ｎは０乃至２ｍ＋１の整数を表し、ｎが２以上の整数のとき、複数個のＲは互いに同一でも異なっていてもよく、また互いに連結して環を形成していてもよい。］  
【請求項７】
前記一般式（１）または（１’）において、ＡとＢおよびＣとＤで形成される環を少なくとも１つ有し、ＡとＢが連結して形成される環およびＣとＤが連結して形成される環が、以下の部分構造（Ｚ−１）と（Ｚ−２）を同時に有さないことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【化５】
2006297923.tif 000063
【請求項８】
前記一般式（１）または（１’）において、ＡとＢが連結して形成される環が以下の部分構造（Ｚ−３）〜（Ｚ−８）のいずれかを表すか、または、ＣとＤが連結して形成される環が以下の部分構造（Ｚ−９）〜（Ｚ−１４）のいずれかを表すことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の光情報記録媒体。（＊は結合位置を表す）
【化６】
2006297923.tif 000064
［部分構造中、Ｒ３は水素原子または置換基を表す。複数のＲ３は互いに同じであっても異なっていてもよい。また、Ｒ３同士は連結基を介して互いに結合してもよい。］
【請求項９】
前記オキソノール色素のｍが１であることを特徴とする請求項１〜３、５〜８のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【請求項１０】
前記オキソノール色素アニオン部位の吸収極大が、記録レーザー波長よりも長波長であることを特徴とする請求項１〜９のいずれかにに記載の光情報記録媒体。
【請求項１１】
前記オキソノール色素アニオン部位の吸収極大が、４１５ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【請求項１２】
前記対カチオンＹｔ＋が、金属錯体のカチオンであることを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【請求項１３】
前記対カチオンＹｔ＋が、一般式（２）〜一般式（５）のいずれかで表される金属錯体のカチオンであることを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の光情報記録媒体。
一般式（２）
【化７】
2006297923.tif 000065
［式中、Ｍｍ３＋は、窒素原子と酸素原子と結合するｍ３価の金属カチオンを表す。Ｒ３２およびＲ３５は各々独立に置換基を表し、Ｒ３３およびＲ３４は各々独立に、水素原子、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアリール基または置換または無置換のヘテロ環基を表す。ｍ３は１〜３の整数を表し、ｑ１は０〜４の整数を表し、ｑ２は０〜２の整数を表し、ｔ３は１〜３の整数を表す。ｑ１が２以上の整数の場合、２つ以上のＲ３２は互いに同じであっても異なっていてもよく、また、Ｒ３２同士、Ｒ３３とＲ３４、Ｒ３２とＲ３３、Ｒ３２とＲ３４は互いに連結して環を形成していてもよい。ｑ２が２の場合、２つのＲ３５は互いに同じであっても異なっていてもよく、また、Ｒ３５同士は互いに連結して環を形成していてもよい。］
一般式（３）
【化８】
2006297923.tif 000066
［式中、Ｍｍ３＋は、窒素原子および／または酸素原子と結合するｍ３価の金属カチオンを表す。Ｒ３２およびＲ３５は置換基を表し、Ｒ３３およびＲ３４はそれぞれ独立に、水素原子、置換または無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基または置換もしくは無置換のヘテロ環基を表す。Ｑ３は含窒素へテロ環を形成する基を表し、ｍ３は１〜３の整数を表し、ｑ１は０〜４の整数を表し、ｑ２は０〜２の整数を表し、ｔ３は１〜３の整数を表す。ｑ１が２以上の整数の場合、２つ以上のＲ３２は互いに同じであっても異なっていてもよく、また、Ｒ３２同士、Ｒ３３とＲ３４、Ｒ３２とＲ３３、Ｒ３２とＲ３４は互いに連結して環を形成していてもよい。ｑ２が２の場合、２つのＲ３５は互いに同じであっても異なっていてもよく、また、Ｒ３５同士は互いに連結して環を形成していてもよい。］
一般式（４）
【化９】
2006297923.tif 000067
［式中、Ｍｍ３＋は、窒素原子と酸素原子と結合するｍ３価の金属カチオンを表す。Ｒ３２およびＲ３５は各々独立に置換基を表し、ｍ３は１〜３の整数を表し、ｑ２は０〜２の整数を表し、ｑ３は０〜３の整数を表し、ｔ３は１〜３の整数を表す。ｑ２が２の場合、２つのＲ３５は互いに同じであっても異なっていてもよく、また、Ｒ３５同士は互いに連結して環を形成していてもよい。ｑ３が２以上の整数の場合、２つ以上のＲ３２は互いに同じであっても異なっていてもよく、また、Ｒ３２同士は互いに連結して環を形成していてもよい。］
一般式（５）
【化１０】
2006297923.tif 000068
［式中、Ｍｍ３＋は、窒素原子と結合するｍ３価の金属カチオンを表す。Ｒ３２、Ｒ３５およびＲ３６は各々独立に置換基を表し、ｍ３は１〜３の整数を表し、ｑ１は０〜４の整数を表し、ｑ４は０〜４の整数を表し、ｑ５は０〜３の整数を表し、ｔ３は１〜３の整数を表す。ｑ１が２以上の整数の場合、２つ以上のＲ３２は互いに同じであっても異なっていてもよく、また、Ｒ３２同士は互いに連結して環を形成していてもよい。ｑ４が２以上の整数の場合、２つ以上のＲ３５は互いに同じであっても異なっていてもよく、また、Ｒ３５同士は互いに連結して環を形成していてもよい。ｑ５が２以上の整数の場合、２つ以上のＲ３６は互いに同じであっても異なっていてもよく、また、Ｒ３６同士は互いに連結して環を形成していてもよい。］  
【請求項１４】
前記対カチオンＹｔ＋が、請求項１３に記載の一般式（２）で表される金属錯体のカチオンであることを特徴とする請求項１３に記載の光情報記録媒体。
【請求項１５】
前記対カチオンＹｔ＋が、請求項１３に記載の一般式（３）で表される金属錯体のカチオンであることを特徴とする請求項１３に記載の光情報記録媒体。
【請求項１６】
前記対カチオンＹｔ＋が、請求項１３に記載の一般式（４）〜一般式（５）のいずれかで表される金属錯体のカチオンであることを特徴とする請求項１３に記載の光情報記録媒体。
【請求項１７】
前記対カチオンＹｔ＋が、請求項１３に記載の一般式（４）で表される金属錯体のカチオンであることを特徴とする請求項１３に記載の光情報記録媒体。
【請求項１８】
前記対カチオンＹｔ＋が、請求項１３に記載の一般式（５）で表される金属錯体のカチオンであることを特徴とする請求項１３に記載の光情報記録媒体。
【請求項１９】
前記対カチオンＹｔ＋が金属錯体のカチオンであり、かつ金属錯体のカチオンにおける金属がＣｕ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｎのいずれかであることを特徴とする請求項１２〜１８のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【請求項２０】
前記オキソノール色素アニオン部位の膜吸収極大波長より長波長域に膜吸収極大波長を有するカチオン性色素の最大吸収ピークλmaxが５００ｎｍ≦λmaxであることを特徴とする請求項１〜１９のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【請求項２１】
基板上に４４０ｎｍ以下のレーザー光照射による情報の記録が可能な記録層を有する光情報記録媒体であって、該記録層中に下記一般式（８）で表されるオキソノール色素を含有することを特徴とする光情報記録媒体。（ただし、該記録層中には、下記一般式（８）の範囲外のオキソノール色素は共存しない。）
一般式（８）
【化１１】
2006297923.tif 000069
［式中、アニオン部位の吸収極大は４１５ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、Ｙｔ＋はＣｕ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｎのいずれかの金属からなるｔ価の金属錯体のカチオンであり、Ｙｔ＋の最大吸収ピークλmaxは５００ｎｍ≦λmaxである。ｔは１乃至４の整数を表す。Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤは電子吸引性基を表し、ＡとＢ、および／または、ＣとＤは互いに連結して環を形成していてもよく、互いに結合しない場合にはＡとＢのハメットのσｐ値の合計及びＣとＤのハメットのσｐ値の合計がそれぞれ０．６以上となる電子吸引性基である。Ｒはメチン炭素上の置換基を表し、ｎは０乃至２ｍ＋１の整数を表し、ｎが２以上の整数のとき、複数個のＲは互いに同一でも異なっていてもよく、また互いに連結して環を形成していてもよく、ｔは１乃至４の整数を表す。］
【請求項２２】
基板上に４４０ｎｍ以下のレーザー光照射による情報の記録が可能な記録層を有する光情報記録媒体であって、該記録層中に下記一般式（９）で表されるオキソノール色素を含有することを特徴とする光情報記録媒体。（ただし、該記録層中には、下記一般式（９）の範囲外のオキソノール色素は共存しない。）
一般式（９）
【化１２】
2006297923.tif 000070
［式中、アニオン部位の吸収極大は４１５ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、Ｙｔ＋はＣｕ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｎのいずれかの金属からなるｔ価の金属錯体のカチオンであり、Ｙｔ＋の最大吸収ピークλmaxは５００ｎｍ≦λmaxである。ｔは１乃至４の整数を表す。Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤは電子吸引性基を表し、ＡとＢ、および／または、ＣとＤは互いに連結して環を形成していてもよく、少なくとも１つの環を有し、互いに結合しない場合にはＡとＢのハメットのσｐ値の合計及びＣとＤのハメットのσｐ値の合計がそれぞれ０．６以上となる電子吸引性基である。ＡとＢが連結して形成される環が以下の部分構造（Ｚ−３）〜（Ｚ−８）のいずれかを表すか、または、ＣとＤが連結して形成される環が以下の部分構造（Ｚ−９）〜（Ｚ−１４）のいずれかを表す。Ｒはメチン炭素上の置換基を表し、ｎは０乃至３の整数を表し、ｎが２以上の整数のとき、複数個のＲは互いに同一でも異なっていてもよく、また互いに連結して環を形成していてもよく、ｔは１乃至４の整数を表す。］  
【化１３】
2006297923.tif 000071
［部分構造中、Ｒ３は水素原子または置換基を表す。複数個のＲ３は互いに同じであっても異なっていてもよい。また、Ｒ３同士は連結基を介して互いに結合してもよい。］
【請求項２３】
基板上に４４０ｎｍ以下のレーザー光照射による情報の記録が可能な記録層を有する光情報記録媒体であって、該記録層中一般式（１０）、一般式（１１）のいずれかで表される金属錯体カチオンからなる金属錯体を含有することを特徴とする光情報記録媒体。但し、該金属錯体と対をなすアニオンはオキソノール色素アニオンでなくてもよい。
一般式（１０）
【化１４】
2006297923.tif 000072
［式中、Ｍｍ３＋は、窒素原子と酸素原子と結合するｍ３価の金属カチオンを表す。Ｒ３２およびＲ３５は各々独立に置換基を表し、ｍ３は１〜３の整数を表し、ｑ２は０〜２の整数を表し、ｑ３は０〜３の整数を表し、ｔ３は１〜３の整数を表す。ｑ２が２の場合、２つのＲ３５は互いに同じであっても異なっていてもよく、また、Ｒ３５同士は互いに連結して環を形成していてもよい。ｑ３が２以上の整数の場合、２つ以上のＲ３２は互いに同じであっても異なっていてもよく、また、Ｒ３２同士は互いに連結して環を形成していてもよい。］
一般式（１１）
【化１５】
2006297923.tif 000073
［式中、Ｍｍ３＋は、窒素原子と結合するｍ３価の金属カチオンを表す。Ｒ３２、Ｒ３５およびＲ３６は各々独立に置換基を表し、ｍ３は１〜３の整数を表し、ｑ１は０〜４の整数を表し、ｑ４は０〜４の整数を表し、ｑ５は０〜３の整数を表し、ｔ３は１〜３の整数を表す。ｑ１が２以上の整数の場合、２つ以上のＲ３２は互いに同じであっても異なっていてもよく、また、Ｒ３２同士は互いに連結して環を形成していてもよい。ｑ４が２以上の整数の場合、２つ以上のＲ３５は互いに同じであっても異なっていてもよく、また、Ｒ３５同士は互いに連結して環を形成していてもよい。ｑ５が２以上の整数の場合、２つ以上のＲ３６は互いに同じであっても異なっていてもよく、また、Ｒ３６同士は互いに連結して環を形成していてもよい。］
【請求項２４】
前記記録層とは別に金属からなる光反射層が設けられていることを特徴とする請求項１〜２０のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【請求項２５】
前記記録層とは別に保護層が設けられていることを特徴とする請求項１〜２１のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【請求項２６】
前記基板が、その表面にトラックピッチ０．２μｍ〜０．５μｍのプリグルーブを有する透明な円盤状基板であり、記録層が該プリグルーブが形成された側の表面に設けられていることを特徴とする請求項１〜２２のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザー光を用いて情報の記録および再生が可能な光情報記録媒体および情報記録方法、およびこれに適した新規化合物に関するものである。特に本発明は、波長４４０ｎｍ以下の短波長レーザー光を用いて情報を記録するのに適したヒートモード型の光情報記録媒体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、レーザー光により一回限りの情報の記録が可能な光情報記録媒体（光ディスク）が知られている。この光ディスクは、追記型ＣＤ（所謂ＣＤ−Ｒ）とも称され、その代表的な構造は、透明な円盤状基板上にメチン色素からなる記録層、金などの金属からなる光反射層、さらに樹脂製の保護層がこの順に積層状態で設けられている。そしてこのＣＤ−Ｒへの情報の記録は、近赤外域のレーザー光（通常は７８０ｎｍ付近の波長のレーザー光）をＣＤ−Ｒに照射することにより行われ、記録層の照射部分がその光を吸収して局所的に温度上昇し、物理的あるいは化学的変化（例えば、ピットの生成）が生じてその光学的特性を変えることにより、情報が記録される。一方、情報の読み取り（再生）もまた記録用のレーザー光と同じ波長のレーザー光を照射することにより行われ、記録層の光学的特性が変化した部位（記録部分）と変化しない部位（未記録部分）との反射率の違いを検出することにより情報が再生される。
【０００３】
最近、インターネット等のネットワークやハイビジョンＴＶが急速に普及している。また、ＨＤＴＶ（Ｈｉｇｈ  Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ  Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ）の放映も間近にひかえて、画像情報を安価簡便に記録するための大容量の記録媒体の要求が高まっている。前述のＣＤ−Ｒ及び、可視レーザー光（６３０ｎｍ〜６８０ｎｍ）を記録用レーザーとして高密度記録を可能としたＤＶＤ−Ｒは、大容量の記録媒体としての地位をある程度までは確保されるものの、将来の要求に対応できる程の充分大きな記録容量を有しているとは言えない。そこで、ＤＶＤ−Ｒよりも更に短波長のレーザー光を用いることによって記録密度を向上させ、より大きな記録容量を備えた光ディスクの開発が進められ、例えば４０５ｎｍの青色レーザーを用いたＢｌｕ−ｒａｙ方式と称する光記録ディスクが上市された。
【０００４】
先行技術として特開２００２−５２８２５号公報があり、その実施例ではインドアニリンキレート金属錯体とオキソノール色素とを重量比１：１０で配合して使用することが開示されている。
【特許文献１】特開２００２−５２８２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記先行技術文献では、インドアニリンキレート金属錯体は退色防止剤として機能している。通常、色素記録層に退色防止剤を使用する場合には、上記先行技術文献のように少量使用する。
しかしながら、多種の色素化合物、退色防止剤の組み合わせを試みても、未だ充分な記録特性、耐光性及び再生耐久性を達成できる光情報記録媒体を得るには至らなかった。
【０００６】
本発明の目的は、記録再生特性を損なわない耐光性および再生耐久性、および溶解性が向上した青色レーザー光対応の情報記録媒体及びこれを用いる情報の記録方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
ここで、本発明者はさらに鋭意検討し、上記従来の技術常識に反して、記録層における退色防止剤の含有量を多量とすることを試み、以下の本発明の構成を採用することにより、上記課題を解決するに至った。
本発明の課題は、以下の構成によって好ましく達成された。
【０００８】
［１］  基板上に４４０ｎｍ以下のレーザー光照射による情報の記録が可能な記録層を有する光情報記録媒体であって,
前記記録層が下記一般式（１）で表されるオキソノール色素と、一般式（１）で表されるオキソノール色素以外の色素とを含有し、一般式（１）で表されるオキソノール色素の含有量が前記記録層の全質量を基準として３０質量％以上であることを特徴とする光情報記録媒体。
一般式（１）
【０００９】
【化１】
2006297923.tif 000002
【００１０】
［式中、Ｙｔ＋はオキソノール色素アニオン部位の吸収極大より長波長域に吸収極大を有するｔ価のカチオン性色素であり、ｔは１乃至４の整数を表す。Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤは電子吸引性基を表し、ＡとＢ、および／または、ＣとＤは互いに連結して環を形成していてもよく、互いに結合しない場合にはＡとＢのハメットのσｐ値の合計及びＣとＤのハメットのσｐ値の合計がそれぞれ０．６以上となる電子吸引性基である。Ｒはメチン炭素上の置換基を表し、ｍは０乃至１の整数を表し、ｎは０乃至２ｍ＋１の整数を表し、ｎが２以上の整数のとき、複数個のＲは互いに同一でも異なっていてもよく、また互いに連結して環を形成していてもよい。］
［２］  前記一般式（１）で表されるオキソノール色素の含有量が前記記録層の全質量を基準として７０質量％以上であることを特徴とする［１］に記載の光情報記録媒体。
［３］  前記一般式（１）で表されるオキソノール色素以外の色素がオキソノール色素であることを特徴とする［１］または［２］に記載の光情報記録媒体。
該含有量は、記録層の全質量を１００質量％（基準）とした。なお、通常一般式（１）で表されるオキソノール色素の配合量を３０質量％とするためには、一般式（１）で表されるオキソノール色素と、一般式（１）で表されるオキソノール色素以外の色素とを質量比３０：７０で混合して色素塗布液を調製すればよい。
［４］  基板上に４４０ｎｍ以下のレーザー光照射による情報の記録が可能な記録層を有する光情報記録媒体であって、
前記記録層が実質的に一般式（１‘）で表されるオキソノール色素からなることを特徴とする光情報記録媒体。
一般式（１‘）
【００１１】
【化２】
2006297923.tif 000003
【００１２】
［式中、Ｙｔ＋はオキソノール色素アニオン部位の吸収極大より長波長域に吸収極大を有するｔ価のカチオン性色素であり、ｔは１乃至４の整数を表す。Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤは電子吸引性基を表し、ＡとＢ、および／または、ＣとＤは互いに連結して環を形成していてもよく、互いに結合しない場合にはＡとＢのハメットのσｐ値の合計及びＣとＤのハメットのσｐ値の合計がそれぞれ０．６以上となる電子吸引性基である。Ｒはメチン炭素上の置換基を表し、ｎは０乃至３の整数を表し、ｎが２以上の整数のとき、複数個のＲは互いに同一でも異なっていてもよく、また互いに連結して環を形成していてもよい。］
［５］  基板上に４４０ｎｍ以下のレーザー光照射による情報の記録が可能な記録層を有する光情報記録媒体であって、該記録層中に一般式（１）で表されるオキソノール色素を含有することを特徴とする光情報記録媒体。
一般式（１）
【００１３】
【化３】
2006297923.tif 000004
【００１４】
［式中、Ｙｔ＋はオキソノール色素アニオン部位の吸収極大より長波長域に吸収極大を有するｔ価のカチオン性色素であり、ｔは１乃至４の整数を表す。Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤは電子吸引性基を表し、ＡとＢ、および／または、ＣとＤは互いに連結して環を形成していてもよく、互いに結合しない場合にはＡとＢのハメットのσｐ値の合計及びＣとＤのハメットのσｐ値の合計がそれぞれ０．６以上となる電子吸引性基である。Ｒはメチン炭素上の置換基を表し、ｍは０乃至１の整数を表し、ｎは０乃至２ｍ＋１の整数を表し、ｎが２以上の整数のとき、複数個のＲは互いに同一でも異なっていてもよく、また互いに連結して環を形成していてもよい。］
［６］  基板上に４４０ｎｍ以下のレーザー光照射による情報の記録が可能な記録層を有する光情報記録媒体であって、該記録層中に一般式（１）で表されるオキソノール色素を含有することを特徴とする光情報記録媒体。（ただし、該記録層中には、一般式（１）の範囲外のオキソノール色素は共存しない。）
一般式（１）
【００１５】
【化４】
2006297923.tif 000005
【００１６】
［式中、Ｙｔ＋はオキソノール色素アニオン部位の吸収極大より長波長域に吸収極大を有するｔ価のカチオン性色素であり、ｔは１乃至４の整数を表す。Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤは電子吸引性基を表し、ＡとＢおよび／またはＣとＤは互いに連結して環を形成していてもよく、互いに結合しない場合にはＡとＢのハメットのσｐ値の合計及びＣとＤのハメットのσｐ値の合計がそれぞれ０．６以上となる電子吸引性基である。Ｒはメチン炭素上の置換基を表し、ｍは０乃至１の整数を表し、ｎは０乃至２ｍ＋１の整数を表し、ｎが２以上の整数のとき、複数個のＲは互いに同一でも異なっていてもよく、また互いに連結して環を形成していてもよい。］
［７］  前記一般式（１）または（１‘）において、ＡとＢおよびＣとＤで形成される環を少なくとも１つ有し、ＡとＢが連結して形成される環およびＣとＤが連結して形成される環が、以下の部分構造（Ｚ−１）と（Ｚ−２）を同時に有さないことを特徴とする［１］〜［６］に記載の光情報記録媒体。
【００１７】
【化５】
2006297923.tif 000006
【００１８】
［８］  前記一般式（１）または（１‘）において、ＡとＢが連結して形成される環が以下の部分構造（Ｚ−３）〜（Ｚ−８）のいずれかを表すか、もしくは、ＣとＤが連結して形成される環が以下の部分構造（Ｚ−９）〜（Ｚ−１４）のいずれかを表すことを特徴とする［１］〜［３］に記載の光情報記録媒体。（＊は結合位置を表す）
【００１９】
【化６】
2006297923.tif 000007
【００２０】
［部分構造中、Ｒ３は水素原子または置換基を表す。複数のＲ３は互いに同じであっても異なっていてもよい。また、Ｒ３同士は連結基を介して互いに結合してもよい。］
［９］  前記オキソノール色素のｍが１であることを特徴とする［１］〜［３］、［５］〜［８］のいずれかに記載の光情報記録媒体。
［１０］  前記オキソノール色素アニオン部位の吸収極大が、記録レーザー波長よりも長波長であることを特徴とする［１］〜［９］に記載の光情報記録媒体。
［１１］  前記オキソノール色素アニオン部位の吸収極大が、４１５ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることを特徴とする［１］〜［１０］のいずれかに記載の光情報記録媒体。
［１２］  前記対カチオンＹｔ＋が、金属錯体のカチオンであることを特徴とする［１］〜［１１］のいずれかに記載の光情報記録媒体。
［１３］  前記対カチオンＹｔ＋が、一般式（２）〜一般式（５）のいずれかで表される金属錯体であることを特徴とする［１］〜［１２］のいずれかに記載の光情報記録媒体。
一般式（２）
【００２１】
【化７】
2006297923.tif 000008
【００２２】
［式中、Ｍｍ３＋は、窒素原子と酸素原子と結合するｍ３価の金属カチオンを表す。Ｒ３２およびＲ３５は各々独立に置換基を表し、Ｒ３３およびＲ３４は各々独立に、水素原子、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアリール基または置換または無置換のヘテロ環基を表す。ｍ３は１〜３の整数を表し、ｑ１は０〜４の整数を表し、ｑ２は０〜２の整数を表し、ｔ３は１〜３の整数を表す。ｑ１が２以上の整数の場合、２つ以上のＲ３２は互いに同じであっても異なっていてもよく、また、Ｒ３２同士、Ｒ３３とＲ３４、Ｒ３２とＲ３３、Ｒ３２とＲ３４は互いに連結して環を形成していてもよい。ｑ２が２の場合、２つのＲ３５は互いに同じであっても異なっていてもよく、また、Ｒ３５同士は互いに連結して環を形成していてもよい。］
一般式（３）
【００２３】
【化８】
2006297923.tif 000009
【００２４】
［式中、Ｍｍ３＋は、窒素原子および／または酸素原子に配位すると結合するｍ３価の金属カチオンを表す。Ｒ３２およびＲ３５は置換基を表し、Ｒ３３およびＲ３４はそれぞれ独立に、水素原子、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアリール基または置換または無置換のヘテロ環基を表す。Ｑ３は含窒素へテロ環を形成する基を表し、ｍ３は１〜３の整数を表し、ｑ１は０〜４の整数を表し、ｑ２  は０〜２の整数を表し、ｔ３は１〜３の整数を表す。ｑ１が２以上の整数の場合、２つ以上のＲ３２は互いに同じであっても異なっていてもよく、また、Ｒ３２同士、Ｒ３３とＲ３４、Ｒ３２とＲ３３、Ｒ３２とＲ３４は互いに連結して環を形成していてもよい。ｑ２が２の場合、２つのＲ３５は互いに同じであっても異なっていてもよく、また、Ｒ３５同士は互いに連結して環を形成していてもよい。］
一般式（４）
【００２５】
【化９】
2006297923.tif 000010
【００２６】
［式中、Ｍｍ３＋は、窒素原子と酸素原子と結合するｍ３価の金属カチオンを表す。Ｒ３２およびＲ３５は各々独立に置換基を表し、ｍ３は１〜３の整数を表し、ｑ２は０〜２の整数を表し、ｑ３は０〜３の整数を表し、ｔ３は１〜３の整数を表す。ｑ２が２の場合、２つのＲ３５は互いに同じであっても異なっていてもよく、また、Ｒ３５同士は互いに連結して環を形成していてもよい。ｑ３が２以上の整数の場合、２つ以上のＲ３２は互いに同じであっても異なっていてもよく、また、Ｒ３２同士は互いに連結して環を形成していてもよい。］
一般式（５）
【００２７】
【化１０】
2006297923.tif 000011
【００２８】
［式中、Ｍｍ３＋は、窒素原子と結合するｍ３価の金属カチオンを表す。Ｒ３２、Ｒ３５およびＲ３６は各々独立に置換基を表し、ｍ３は１〜３の整数を表し、ｑ１は０〜４の整数を表し、ｑ４は０〜４の整数を表し、ｑ５は０〜３の整数を表し、ｔ３は１〜３の整数を表す。ｑ１が２以上の整数の場合、２つ以上のＲ３２は互いに同じであっても異なっていてもよく、また、Ｒ３２同士は互いに連結して環を形成していてもよい。ｑ４が２以上の整数の場合、２つ以上のＲ３５は互いに同じであっても異なっていてもよく、また、Ｒ３５同士は互いに連結して環を形成していてもよい。ｑ５が２以上の整数の場合、２つ以上のＲ３６は互いに同じであっても異なっていてもよく、また、Ｒ３６同士は互いに連結して環を形成していてもよい。］  
［１４］  前記対カチオンＹｔ＋が、［１３］に記載の一般式（２）で表される金属錯体のカチオンであることを特徴とする［１３］に記載の光情報記録媒体。
［１５］  前記対カチオンＹｔ＋が、［１３］に記載の一般式（３）で表される金属錯体のカチオンであることを特徴とする［１３］に記載の光情報記録媒体。
［１６］  前記対カチオンＹｔ＋が、［１３］に記載の一般式（４）〜一般式（５）のいずれかで表される金属錯体のカチオンであることを特徴とする［１３］に記載の光情報記録媒体。
［１７］  前記対カチオンＹｔ＋が、［１３］に記載の一般式（４）で表される金属錯体のカチオンであることを特徴とする［１３］に記載の光情報記録媒体。
［１８］  前記対カチオンＹｔ＋が、［１３］に記載の一般式（５）で表される金属錯体のカチオンであることを特徴とする［１３］に記載の光情報記録媒体。
［１９］  前記対カチオンが金属錯体のカチオンであり、かつ金属錯体のカチオンにおける金属がＣｕ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｎのいずれかであることを特徴とする［１２］〜［１８］に記載の光情報記録媒体。
［２０］  前記オキソノール色素アニオン部位の膜吸収極大波長より長波長域に膜吸収極大波長を有するカチオン性色素の最大吸収ピークλmaxが５００ｎｍ≦λmaxであることを特徴とする［１］〜［１９］のいずれかに記載の光情報記録媒体。
［２１］  基板上に４４０ｎｍ以下のレーザー光照射による情報の記録が可能な記録層を有する光情報記録媒体であって、該記録層中に下記一般式（８）で表されるオキソノール色素を含有することを特徴とする光情報記録媒体。（ただし、該記録層中には、下記一般式（８）の範囲外のオキソノール色素は共存しない。）
一般式（８）
【００２９】
【化１１】
2006297923.tif 000012
【００３０】
［式中、アニオン部位の吸収極大は４１５ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、Ｙｔ＋はＣｕ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｎのいずれかの金属からなるｔ価の金属錯体のカチオンであり、Ｙｔ＋の最大吸収ピークλmaxは５００ｎｍ≦λmaxである。ｔは１乃至４の整数を表す。Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤは電子吸引性基を表し、ＡとＢ、および／または、ＣとＤは互いに連結して環を形成していてもよく、互いに結合しない場合にはＡとＢのハメットのσｐ値の合計及びＣとＤのハメットのσｐ値の合計がそれぞれ０．６以上となる電子吸引性基である。Ｒはメチン炭素上の置換基を表し、ｎは０乃至３の整数を表し、ｎが２以上の整数のとき、複数個のＲは互いに同一でも異なっていてもよく、また互いに連結して環を形成していてもよい。］
［２２］  基板上に４４０ｎｍ以下のレーザー光照射による情報の記録が可能な記録層を有する光情報記録媒体であって、該記録層中に下記一般式（９）で表されるオキソノール色素を含有することを特徴とする光情報記録媒体。（ただし、該記録層中には、下記一般式（９）の範囲外のオキソノール色素は共存しない。）
一般式（９）
【００３１】
【化１２】
2006297923.tif 000013
【００３２】
［式中、アニオン部位の吸収極大は４１５ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、Ｙｔ＋はＣｕ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｍｎのいずれかの金属からなるｔ価の金属錯体のカチオンであり、Ｙｔ＋の最大吸収ピークλmaxは５００ｎｍ≦λmaxである。ｔは１乃至４の整数を表す。Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤは電子吸引性基を表し、ＡとＢ、および／または、ＣとＤは互いに連結して環を形成していてもよく、少なくとも１つの環を有し、互いに結合しない場合にはＡとＢのハメットのσｐ値の合計及びＣとＤのハメットのσｐ値の合計がそれぞれ０．６以上となる電子吸引性基である。ＡとＢが連結して形成される環が以下の部分構造（Ｚ−３）〜（Ｚ−８）のいずれかを表すか、または、ＣとＤが連結して形成される環が以下の部分構造（Ｚ−９）〜（Ｚ−１４）のいずれかを表す。Ｒはメチン炭素上の置換基を表し、ｎは０乃至３の整数を表し、ｎが２以上の整数のとき、複数個のＲは互いに同一でも異なっていてもよく、また互いに連結して環を形成していてもよい。］
【００３３】
【化１３】
2006297923.tif 000014
【００３４】
［部分構造中、Ｒ３は水素原子または置換基を表す。複数のＲ３は互いに同じであっても異なっていてもよい。また、Ｒ３同士は連結基を介して互いに結合してもよい。］
［２３］  基板上に４４０ｎｍ以下のレーザー光照射による情報の記録が可能な記録層を有する光情報記録媒体であって、該記録層中一般式（１０）、一般式（１１）のいずれかで表される金属錯体のカチオンを含有することを特徴とする光情報記録媒体。但し、該金属錯体と対をなすアニオンはオキソノール色素アニオンでなくてもよい。
一般式（１０）
【００３５】
【化１４】
2006297923.tif 000015
【００３６】
［式中、Ｍｍ３＋は、窒素原子と酸素原子と結合するｍ３価の金属カチオンを表す。Ｒ３２およびＲ３５は各々独立に置換基を表し、ｍ３は１〜３の整数を表し、ｑ２は０〜２の整数を表し、ｑ３は０〜３の整数を表し、ｔ３は１〜３の整数を表す。ｑ２が２以上の整数の場合、２つ以上のＲ３５は互いに同じであっても異なっていてもよく、また、Ｒ３５同士は互いに連結して環を形成していてもよい。ｑ３が２以上の整数の場合、２つ以上のＲ３２は互いに同じであっても異なっていてもよく、また、Ｒ３２同士は互いに連結して環を形成していてもよい。］
一般式（１１）
【００３７】
【化１５】
2006297923.tif 000016
【００３８】
［式中、Ｍｍ３＋は、２つの窒素原子に配位すると結合するｍ３価の金属カチオンを表す。Ｒ３２、Ｒ３５およびＲ３６は各々独立に置換基を表し、ｍ３は１〜３の整数を表し、ｑ１は０〜４の整数を表し、ｑ４は０〜４の整数を表し、ｑ５は０〜３の整数を表し、ｔ３は１〜３の整数を表す。ｑ１が２以上の整数の場合、２つ以上のＲ３２は互いに同じであっても異なっていてもよく、また、Ｒ３２同士は互いに連結して環を形成していてもよい。ｑ４が２以上の整数の場合、２つ以上のＲ３５は互いに同じであっても異なっていてもよく、また、Ｒ３５同士は互いに連結して環を形成していてもよい。ｑ５が２以上の整数の場合、２つ以上のＲ３６は互いに同じであっても異なっていてもよく、また、Ｒ３６同士は互いに連結して環を形成していてもよい。］  
［２４］  前記対カチオンＹｔ＋とは別にオキソノール色素アニオン部位の吸収極大より長波長域に吸収極大を有する色素を含有することを特徴とする［１］〜［２３］のいずれかに記載の光情報記録媒体。
［２５］  前記対カチオンＹｔ＋とは別に金属錯体を含有することを特徴とする［１］〜［２３］のいずれかに記載の光情報記録媒体。
［２６］  前記対カチオンＹｔ＋とは別の金属錯体が、３５０〜１３００ｎｍの波長領域でのモル吸光係数（ε）が１，０００ｄｍ３ｍｏｌ−１ｃｍ−１以下である金属錯体であることを特徴をする［２５］に記載の光情報記録媒体。
［２７］  前記対カチオンＹｔ＋とは別にオキソノール色素アニオン部位の吸収極大より長波長域に吸収極大を有する金属錯体色素を含有することを特徴とする［１］〜［２５］に記載の光情報記録媒体。
［２８］  前記対カチオンＹｔ＋とは別の金属錯体色素が、一般式（２）〜一般式（５）で表される金属錯体カチオンを有するもの、アゾ錯体、サリチルアルデヒド錯体、ホルマザン錯体であることを特徴とする［２７］に記載の光情報記録媒体。
［２９］  前記一般式（１）で表されるオキソノール色素のアニオン部位が、一般式（６）で表されることを特徴とする［１］〜［２８］のいずれかに記載の光情報記録媒体。
一般式（６）
【００３９】
【化１６】
2006297923.tif 000017
【００４０】
［式中Ａ、Ｃは電子吸引性基を表し、Ｇ、Ｊ、Ｋ、Ｖは置換基を表し、ＡとＧとＫおよび／またはＣとＪとＶは互いに連結して縮環を形成していてもよい。Ｒはメチン炭素上の置換基を表し、ｍは０乃至１の整数を表し、ｎは０乃至２ｍ＋１の整数を表し、ｎが２以上の整数のとき、複数個のＲは互いに同一でも異なっていてもよく、また互いに連結して環を形成していてもよく、Ｙｔ＋はｔ価のカチオンを表し、ｔは１乃至４の整数を表す。］
［３０］  前記記録層とは別に金属からなる光反射層が設けられている［１］〜［２９］のいずれかに記載の光情報記録媒体。
［３１］  前記記録層とは別に保護層が設けられている［１］〜［３０］のいずれかに記載の光情報記録媒体。
［３２］  前記基板が、その表面にトラックピッチ０．２μｍ〜０．５μｍのプリグルーブを有する透明な円盤状基板であり、記録層が該プリグルーブが形成された側の表面に設けられている［１］〜［３１］のいずれかに記載の光情報記録媒体。
【発明の効果】
【００４１】
記録層に本発明の特定の化合物を用いることにより、記録再生特性を損なうことなく、また記録後においても高い耐光性および再生耐久性を持つ４４０ｎｍ以下のレーザー光照射による情報の記録が可能な光情報記録媒体を得ることができる。また、本発明の特定の化合物では光褪色防止効果を有する対カチオンがオキソノール色素の対イオンとなっているため、リサイクル適性があり、製造上有利でもある。
上記「請求項４」によれば、色素を１種単独で使用することが可能であり、リサイクル適性に優れる。すなわち、一般に光ディスクの製造工程では、塗布液を用いて色素記録層は形成されるが、基板の外に飛散した化合物の回収と再塗布を繰り返し行うと、オキソノール色素と金属錯体の質量比が変化し、記録特性、耐光性に影響するという問題が懸念され、製造上不利である（リサイクル適性の問題）。しかしながら、上記「請求項４」の構成では、そのような問題が生じないので有利である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
本発明は、基板上に４４０ｎｍ以下のレーザー光照射による情報の記録が可能な記録層を有する光情報記録媒体である。
【００４３】
本発明における吸収極大とは、化合物の膜吸収スペクトルにおける極大波長を表す。本発明では、２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノールを溶媒として用い、溶解して得られた色素含有液を基板に塗布し、乾燥させた後、乾燥後の塗布膜の膜吸収スペクトルをＵＶ−３１００ＰＣ｛（株）島津製作所製｝を用いて測定した。また、オキソノール色素のアニオン部位の吸収極大とは、対カチオンとして吸収を持たないカチオン（例えばＥｔ３Ｎ＋Ｈ）を持たせたオキソノール色素の吸収極大と同じである。すなわち、オキソノール色素アニオン部位の吸収極大より長波長域に吸収極大を有するカチオン性色素とは、対カチオンとして吸収を持たないカチオン（例えばＥｔ３Ｎ＋Ｈ）を持たせたオキソノール色素（例えば下記化合物（２３））の吸収極大波長よりも長波長側に吸収極大を有するカチオン性色素である。
【００４４】
【化１７】
2006297923.tif 000018
【００４５】
請求項１の、「前記記録層が下記一般式（１）で表されるオキソノール色素と、一般式（１）で表されるオキソノール色素以外の色素とを含有し、一般式（１）で表されるオキソノール色素の含有量が前記記録層の全質量を基準として３０質量％以上であることを特徴とする光情報記録媒体」について、好ましくは、前記一般式（１）で表されるオキソノール色素の含有量が前記記録層の全質量を基準として７０質量％以上、より好ましくは９０％以上、最も好ましくは１００％である。
又、前記一般式（１）で表されるオキソノール色素以外の色素がオキソノール色素であることが好ましい。
前記含有量は、記録層の全質量を１００質量％（基準）とした。例えば、通常一般式（１）で表されるオキソノール色素の配合量を３０質量％とするためには、一般式（１）で表されるオキソノール色素と、一般式（１）で表されるオキソノール色素以外の色素とを質量比３０：７０で混合して色素塗布液を調製すればよい。
請求項４の「前記記録層が実質的に一般式（１'）で表されるオキソノール色素からなることを特徴とする光情報記録媒体」について、好ましくは、前記一般式（１'）で表されるオキソノール色素の含有量が７０質量％以上、より好ましくは９０％以上、更に好ましくは９５質量％以上、最も好ましくは１００質量である。この際、一般式（１'）で表されるオキソノール色素以外の色素はオキソノール色素が好ましい。
【００４６】
オキソノール色素について説明する。本発明においてオキソノール色素とは、アニオン性発色団を有するポリメチン色素と定義する。記録特性に優れる点で、下記一般式（Ｉ）で表される
一般式（１）
【００４７】
【化１８】
2006297923.tif 000019
【００４８】
［式中Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤは電子吸引性基を表し、ＡとＢおよび／またはＣとＤは互いに連結して環を形成していてもよく、互いに結合しない場合にはＡとＢのハメットのσｐ値の合計及びＣとＤのハメットのσｐ値の合計がそれぞれ０．６以上となる電子吸引性基である。Ｒはメチン炭素上の置換基を表し、ｍは０乃至１の整数を表し、ｎは０乃至２ｍ＋１の整数を表し、ｎが２以上の整数のとき、複数個のＲは互いに同一でも異なっていてもよく、また互いに連結して環を形成していてもよく、Ｙｔ＋はｔ価のカチオンを表し、ｔは１乃至４の整数を表す。］
【００４９】
一般式（１）はアニオンの局在位置の表記の違いによる複数の互変異性体を含むものであるが、特にＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄのいずれかが−ＣＯ−Ｅ（Ｅは置換基）である場合、酸素原子上に負電荷を局在させて表記することが一般的である。例えばＤが−ＣＯ−Ｅである場合、表記としては下記一般式（７）が一般的であり、このような表記のものも一般式（１）に含まれる。
一般式（７）
【００５０】
【化１９】
2006297923.tif 000020
【００５１】
一般式（７）におけるＡ、Ｂ、Ｃ、Ｒ、ｍ、ｎ、Ｙｔ＋、ｔの定義は一般式（１）と同一である。
【００５２】
以下、上記一般式（１）で表されるオキソノール色素について説明する。一般式（１）において、Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤは電子吸引性基を表し、ＡとＢおよび／またはＣとＤは互いに連結して環を形成していてもよく、互いに結合しない場合にはＡとＢのハメットのσｐ値の合計及びＣとＤのハメットのσｐ値の合計がそれぞれ０．６以上となる電子吸引性基である。Ａ、Ｂ、ＣおよびＤはそれぞれ同一でもよく、また異なっていてもよい。互いに結合しない場合にはＡ、Ｂ、Ｃ及びＤで表される電子吸引性基のハメットの置換基定数σｐ値は、それぞれ独立に０．３０〜０．８５の範囲にあることが好ましく、更に好ましくは、０．３５〜０．８０の範囲である。
【００５３】
ハメットの置換基定数σｐ値（以下、σｐ値という）は、例えばＣｈｅｍ．Ｒｅｖ．９１，１６５（１９９１）及びこれに引用されている参考文献に記載されており、記載されていないものについても同文献記載の方法によって求めることが可能である。
【００５４】
Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤで表される電子吸引性基の好ましい具体例としては、シアノ基、ニトロ基、炭素原子数１乃至１０のアシル基（例、アセチル、プロピオニル、ブチリル、ピバロイル、ベンゾイル）、炭素原子数２乃至１２のアルコキシカルボニル基（例、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、イソプロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、デシルオキシカルボニ２０ル）、炭素原子数７乃至１１のアリールオキシカルボニル基（例、フェノキシカルボニル）、炭素原子数１乃至１０のカルバモイル基（例、メチルカルバモイル、エチルカルバモイル、フェニルカルバモイル）、炭素原子数１乃至１０のアルキルスルホニル基（例、メタンスルホニル）、炭素原子数６乃至１０のアリールスルホニル基（例、ベンゼンスルホニル）、炭素原子数１乃至１０のアルコキシスルホニル基（例、メトキシスルホニル）、炭素原子数１乃至１０のスルファモイル基（例、エチルスルファモイル、フェニルスルファモイル）、炭素原子数１乃至１０のアルキルスルフィニル基（例、メタンスルフィニル、エタンスルフィニル）、炭素原子数６乃至１０のアリールスルフィニル基（例、ベンゼンスルフィニル）、炭素原子数１乃至１０のアルキルスルフェニル基（例、メタンスルフェニル、エタンスルフェニル）、炭素原子数６乃至１０のアリールスルフェニル基（例、ベンゼンスルフェニル）、ハロゲン原子、炭素原子数２乃至１０のアルキニル基（例、エチニル）、炭素原子数２乃至１０のジアシルアミノ基（例、ジアセチルアミノ）、ホスホリル基、カルボキシル基、５員もしくは６員のヘテロ環基（例えば、２−ベンゾチアゾリル、２−ベンゾオキサゾリル、３−ピリジル、５−（１Ｈ）−テトラゾリル、４−ピリミジル）を挙げることができる。
【００５５】
Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ及びＲは更に置換基を有していてもよく、置換基の例としては、一般式（１）におけるＲで表される一価の置換基の例として先に挙げたものと同様のものを挙げることができる。
【００５６】
光ディスクに用いられる色素としては熱分解性の観点からＡとＢ、またはＣとＤが連結して環を形成することが好ましい。
【００５７】
ＡとＢが連結して形成される環が以下の部分構造（Ｚ−３）〜（Ｚ−８）のいずれかであるか、または、ＣとＤが連結して形成される環が以下の部分構造（Ｚ−９）〜（Ｚ−１４）のいずれかであることが好ましい。ＡとＢが連結して形成される環が以下の部分構造（Ｚ−３）〜（Ｚ−８）のいずれかであり、かつ、ＣとＤが連結して形成される環が以下の部分構造（Ｚ−９）〜（Ｚ−１４）のいずれかであることがより好ましい。
【００５８】
【化２０】
2006297923.tif 000021
【００５９】
［部分構造中、Ｒ３は水素原子または置換基を表す。複数のＲ３は互いに同じであっても異なっていてもよい。また、Ｒ３同士は連結基を介して互いに結合してもよい。］
【００６０】
一般式（７）のＥで表される置換基としては、前記Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄで表される基と同じ基が挙げられ、好ましい範囲も同じである。
【００６１】
一般式（１）において、Ｒで表されるメチン炭素上の置換基としては、例えば以下に記載のものを挙げることができる。炭素原子数１〜２０の鎖状又は環状のアルキル基（例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル）、炭素原子数６〜１８の置換又は無置換のアリール基（例えば、フェニル、クロロフェニル、アニシル、トルイル、２，４−ジ−ｔ−アミル、１−ナフチル）、アルケニル基（例えば、ビニル、２−メチルビニル）、アルキニル基（例えば、エチニル、２−メチルエチニル、２−フェニルエチニル）、ハロゲン原子（例えば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、シアノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アシル基（例えば、アセチル、ベンゾイル、サリチロイル、ピバロイル）、アルコキシ基（例えば、メトキシ、ブトキシ、シクロヘキシルオキシ）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ、１−ナフトキシ）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ、ブチルチオ、ベンジルチオ、３−メトキシプロピルチオ）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ、４−クロロフェニルチオ）、アルキルスルホニル基（例えば、メタンスルホニル、ブタンスルホニル）、アリールスルホニル基（例えば、ベンゼンスルホニル、パラトルエンスルホニル）、炭素原子数１〜１０のカルバモイル基、炭素原子数１〜１０のアミド基、炭素原子数２〜１２のイミド基、炭素原子数２〜１０のアシルオキシ基、炭素原子数２〜１０のアルコキシカルボニル基、ヘテロ環基（例えば、ピリジル、チエニル、フリル、チアゾリル、イミダゾリル、ピラゾリルなどの芳香族ヘテロ環、ピロリジン環、ピペリジン環、モルホリン環、ピラン環、チオピラン環、ジオキサン環、ジチオラン環などの脂肪族ヘテロ環）である。
【００６２】
Ｒとして好ましいものは、ハロゲン原子、炭素原子数１乃至８の鎖状又は環状のアルキル基、炭素原子数６乃至１０のアリール基、炭素原子数１乃至８のアルコキシ基、炭素原子数６乃至１０のアリールオキシ基、炭素原子数３乃至１０のヘテロ環基であり、特に塩素原子、炭素原子数１乃至４のアルキル基（例：メチル、エチル、イソプロピル）、フェニル、炭素原子数１乃至４のアルコキシ基（例：メトキシ、エトキシ）、フェノキシ、炭素原子数４乃至８の含窒素ヘテロ環基（例：４−ピリジル、ベンゾオキサゾール−２−イル、ベンゾチアゾール−２−イル）が好ましい。
【００６３】
ｍは０乃至１の整数を表し、１であることが好ましい。
【００６４】
ｍ＝１のとき、ＡとＢが連結して形成される環およびＣとＤが連結して形成される環が、以下の部分構造（Ｚ−１）と（Ｚ−２）を同時に有さないことが好ましい。この理由は、吸収波長が４４０ｎｍ以下の記録レーザー波長に対して極端に長波長となってしまい記録に適さないためである。
【００６５】
【化２１】
2006297923.tif 000022
【００６６】
ｎは０乃至２ｍ＋１の整数を表すが、ｎが２以上の整数のとき、複数個のＲは互いに同一でも異なっていてもよく、また互いに連結して環を形成してもよい。このとき環員数は４乃至８が好ましく、特に５又は６が好ましく、環の構成原子は炭素原子、酸素原子又は窒素原子が好ましく、特に炭素原子が好ましい。
【００６７】
Ｙｔ＋はｔ価のカチオンを表す。ｔは１乃至４の整数を表し、１〜３の整数であることが好ましく、２または３であることがより好ましく、２であることがさらに好ましい。
【００６８】
本発明に用いられる一般式（１）で表されるオキソノール色素のアニオン部位の具体例としては、特開平１０−２９７１０３号公報に記載されたオキソノール色素のアニオン部位を挙げることができ、また以下の例示化合物も具体例として挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００６９】
【化２２】
2006297923.tif 000023
【００７０】
【化２３】
2006297923.tif 000024
【００７１】
（Ａ−２４）〜（Ａ−２６）、（Ａ−４５）、および（Ａ−４６）のように、一般式（１）で表されるオキソノール色素のアニオン部位が２つ連結している場合は、２つのオキソノール色素が連結したアニオン部位の数に対して、Ｙｔ＋の数は２／ｔとなる。
【００７２】
一般式（８）、一般式（９）におけるＡ、Ｂ、Ｃ、Ｒ、ｍ、ｎ、Ｙｔ＋、ｔの定義は一般式（１）と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【００７３】
オキソノール色素アニオン部位の吸収極大より長波長域に吸収極大を有するカチオン性色素について説明する。オキソノール色素アニオン部位の吸収極大より長波長域に吸収極大を有するカチオン性色素の吸収極大は、オキソノール色素の吸収極大波長にもよるが、４００ｎｍ以上であることが好ましく、４５０ｎｍ以上であることがより好ましく、５００ｎｍ以上であることが更に好ましい。好ましい範囲にあるカチオン性色素の方がオキソノール色素アニオン部位の励起状態を効率よく失活させやすく、その結果耐光性の大幅な向上が期待できるため、あるいは一重項酸素を効率よく失活させるためである。
【００７４】
オキソノール色素アニオン部位の吸収極大より長波長域に吸収極大を有するカチオン性色素としては、ジインモニウム、シアニン、金属錯体のカチオン（例えば、アゾ化合物、ホルマザン、ジピロメテン、ポルフィリン、フタロシアニン、インドアニリン、イソインドリン、キノリンキノン、フェニレンジアミン等を配位子に有する金属錯体のカチオン）が挙げられる。
【００７５】
前記ジインモニウムとしては、特開２００２−２４０４３３で挙げられている構造のものが挙げられる。ジインモニウムの好ましい具体例としては以下のカチオンが挙げられる。またこれらはＹｔ＋とは別のオキソノール色素アニオン部位の吸収極大より長波長域に吸収極大を有する色素としても好ましい。
【００７６】
【化２４】
2006297923.tif 000025
【００７７】
シアニンについて説明する。シアニンとしては、ヘテロサイクル化合物の化学（Ｔｈｅ  Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ｏｆ  Ｈｅｔｅｒｏｃｙｃｉｃ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）シリーズの、シアニン色素とその周辺化合物（Ｃｙａｎｉｎｅ  Ｄｙｅｓ  ａｎｄ  Ｒｅｌａｔｅｄ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ．  Ｊｏｈｎ  Ｗｊｌｅｙ  ＆  Ｓｏｎｓ．  Ｎｅｗ  Ｙｏｒｋ，Ｌｏｎｄｏｎ，１９６４年発売）に記載の化合物が挙げられる。本発明におけるシアニンの好ましい具体例としては、特開平４−２０１４８２、特開平５−２１７２１９、第２８１１４４２号、特開２００１−２３２９４５、特願２０００−１０３５４７に記載のシアニンのカチオン部位が挙げられる。
【００７８】
オキソノール色素アニオン部位の吸収極大より長波長域に吸収極大を有するカチオン性色素としては、金属錯体のカチオンであることが好ましい。金属錯体について説明する。本発明における金属錯体とは金属と配位子が結合した化合物のことを表す。金属としては、金属原子としてはＭｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ａｓ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂａ、Ｐｒ、Ｅｕ、Ｙｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｇ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｔｈ等が挙げられる。
【００７９】
金属錯体は遷移金属錯体であることが好ましい。本発明における遷移金属錯体とは遷移金属と配位子が結合した化合物のことを表す。遷移金属とは周期表のＩＩＩａからＶＩＩＩおよびＩｂにあり、不完全ｄ電子殻をもつ元素である。遷移金属としては特に限定されないが、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｒｅ、Ｐｔが好ましく、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎがより好ましく、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕがさらに好ましく、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕが特に好ましい。
【００８０】
配位子としては、配位子自身の吸収極大波長がオキソノール色素アニオン部位の吸収極大波長よりも長波長であることが好ましい。そのような配位子としてはアゾ化合物、ホルマザン、ジピロメテン、ポルフィリン、フタロシアニン、インドアニリン、キノリンキノンなどが挙げられる。
【００８１】
また配位子自身の吸収極大波長がオキソノール色素アニオン部位の吸収極大波長よりも長波長でなくても、金属に配位することによって新たな遷移状態が現れ、形成された金属錯体の吸収極大波長がオキソノール色素アニオン部位の吸収極大波長よりも長波長になることもあり、このような場合も好ましい。このような配位子の例として、含窒素ヘテロ環配位子（例えばビピリジル配位子、フェナントロリン配位子、フェニルピリジン配位子、ピラゾリルピリジン配位子、ベンズイミダゾリルピリジン配位子、ピコリン酸配位子、チエニルピリジン配位子、ピラゾリルピリジン配位子、イミダゾリルピリジン配位子、トリアゾリルピリジン配位子、ピラゾリルベンゾオキサゾール配位子、及び、それらの縮環体（例えばフェニルキノリン配位子、ベンゾチエニルピリジン配位子、ビキノリン配位子、など）など）が挙げられる。
【００８２】
本発明で用いられる、前記以外の配位子としては、例えば、「Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ａｎｄ  Ｐｈｏｔｏｐｈｙｓｉｃｓ  ｏｆ  Ｃｏｏｒｄｉｎａｔｉｏｎ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ」  Ｓｐｒｉｎｇｅｒ−Ｖｅｒｌａｇ社  Ｈ．Ｙｅｒｓｉｎ著１９８７年発行、「有機金属化学−基礎と応用−」裳華房社山本明夫著１９８２年発行等に記載の配位子が挙げられ、その具体例として、ハロゲン配位子（塩素配位子、フッ素配位子など）、ジケトン配位子（例えばアセチルアセトン配位子）、ニトリル配位子（例えばアセトニトリル配位子など）、ＣＯ配位子、イソニトリル配位子（例えばｔ−ブチルイソニトリル配位子など）、りん配位子（例えば、ホスフィン誘導体、亜りん酸エステル誘導体、ホスフィニン誘導体など）、カルボン酸配位子（例えば酢酸配位子など）等が挙げられる。
【００８３】
部分構造（Ｚ−３）〜（Ｚ−１４）について説明する。Ｒ３は水素原子または置換基を表す。複数のＲ３は互いに同じであっても異なっていてもよい。また、Ｒ３同士は連結基を介して互いに結合してもよい。Ｒ３は置換基であることが好ましい。
置換基としては、特に限定されないが、前記Ｒで表される置換基と同じものが挙げられる。
【００８４】
一般式（２）について説明する。Ｍｍ３＋としては、Ｍｇ２＋、Ａｌ３＋、Ｍｎ２＋、Ｆｅ２＋、Ｆｅ３＋、Ｎｉ２＋、Ｎｉ３＋、Ｃｕ２＋、Ｚｎ２＋、Ｇａ３＋、Ｒｕ２＋、Ｒｈ３＋、Ｐｄ２＋、Ｏｓ２＋、Ｉｒ３＋、Ｐｔ２＋等が挙げられ、Ｍｇ２＋、Ａｌ３＋、Ｍｎ２＋、Ｆｅ２＋、Ｆｅ３＋、Ｃｏ２＋、Ｃｏ３＋、Ｎｉ２＋、Ｎｉ３＋、Ｃｕ２＋、Ｚｎ２＋、Ｒｕ２＋であることが好ましく、Ｍｎ２＋、Ｆｅ２＋、Ｆｅ３＋、Ｃｏ２＋、Ｃｏ３＋、Ｎｉ２＋、Ｎｉ３＋、Ｃｕ２＋、Ｚｎ２＋であることがより好ましく、Ｍｎ２＋、Ｆｅ２＋、Ｆｅ３＋、Ｃｏ２＋、Ｃｏ３＋、Ｎｉ２＋、Ｎｉ３＋、Ｃｕ２＋であることがさらに好ましく、Ｃｏ２＋、Ｃｏ３＋、Ｎｉ２＋、Ｎｉ３＋、Ｃｕ２＋であることが特に好ましい。
【００８５】
一般式（２）において、Ｒ３２およびＲ３５で表される置換基の好ましい例としては、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数６〜１４のアリール基、炭素原子数１〜１０のヘテロ環基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、炭素原子数６〜１４のアリールオキシ基、炭素原子数１〜２０のアルキルスルフェニル基、炭素原子数６〜１４のアリールスルフェニル基、炭素原子数１〜２０のアルキルスルホニル基、炭素原子数６〜１４のアリールスルホニル基、炭素原子数２〜２１のアシル基、炭素原子数１〜２５のカルバモイル基、炭素原子数０〜３２のスルファモイル基、炭素原子数１〜２０のアルコキシカルボニル基、炭素原子数７〜１５のアリールオキシカルボニル基、炭素原子数２〜２１のアシルアミノ基、炭素原子数１〜２０のスルホニルアミノ基、炭素原子数０〜３２のアミノ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、カルボキシ基、スルホ基およびハロゲン原子を挙げることができるが、更に好ましいものは、炭素原子数１〜１６のアルキル基、炭素原子数６〜１０のアリール基、炭素原子数１〜７のヘテロ環基、炭素原子数１〜１６のアルコキシ基、炭素原子数６〜１０のアリールオキシ基、炭素原子数１〜１６アルキルスルホニル基、炭素原子数６〜１０のアリールスルホニル基、炭素原子数２〜１７のアシル基、炭素原子数１〜１９のカルバモイル基、炭素原子数０〜２０のスルファモイル基、炭素原子数１〜１７のアルコキシカルボニル基、炭素原子数７〜１１のアリールオキシカルボニル基、炭素原子数２〜１７のアシルアミノ基、炭素原子数１〜１６のスルホニルアミノ基、炭素原子数０〜１６のアミノ基、シアノ基、カルボキシ基、スルホ基およびハロゲン原子であり、特に好ましいものは、炭素原子数１〜１２のアルキル基、炭素原子数１〜５の含窒素ヘテロ環基、炭素原子数１〜１２のアルコキシ基、炭素原子数１〜１５のカルバモイル基、炭素原子数１〜１３のアルコキシカルボニル基、炭素原子数２〜１３のアシルアミノ基およびハロゲン原子である。ｑが２以上の整数の場合においてはＲ２同士は、互いに連結して環を形成していてもよい。また、Ｒ３２はさらに置換基によって置換されていても良い。
【００８６】
一般式（２）において、Ｒ３３またはＲ３４で表されるアルキル基として好ましいものは、炭素原子数１〜２０のアルキル基であり、更に好ましくは、炭素原子数１〜１６のアルキル基であり、特に炭素原子数１〜１２のアルキル基が好ましい。一般式（３）において、Ｒ３３またはＲ３４で表されるアリール基として好ましいものは、炭素原子数６〜１４のアリール基であり、更に好ましくは、炭素原子数６〜１０のアリール基であり、特にフェニルが好ましい。一般式（３）において、Ｒ３３またはＲ３４で表されるヘテロ環基として好ましいものは、炭素原子数１〜１０のヘテロ環基であり、更に好ましくは、炭素原子数１〜７のヘテロ環基であり、特に炭素原子数１〜５の含窒素ヘテロ環基が好ましい。また、Ｒ３３、Ｒ３４はさらに置換基によって置換されていても良い。
【００８７】
一般式（２）において、Ｒ３３およびＲ３４は両者共に炭素原子数１〜５のアルキル基である場合が最も好ましく、Ｒ３３およびＲ３４、Ｒ３２およびＲ３３、またはＲ３２およびＲ３４が互いに連結して環を形成する場合、その環員数は５または６が好ましい。
【００８８】
一般式（２）において、ｑ１は０〜２が好ましく、更に０〜１が好ましい。ｑ２は０または１が好ましく、１がより好ましい。ｔ３は１〜３が好ましく、更に２または３が好ましい。
【００８９】
一般式（２）において、Ｒ３２で表される置換基は更に置換基を有していてもよく、その置換基の例としては、以下に記載のものを挙げることができる。上記置換基の例としては、炭素原子数１〜２０の鎖状または環状のアルキル基（例えば、メチル、エチル、イソプロピル、シクロヘキシル）、炭素原子数６〜１８のアリール基（例えば、フェニル、クロロフェニル、２，４−ジ−ｔ−アミルフェニル、１−ナフチル）、炭素原子数７〜１８のアラルキル基（例えば、ベンジル、アニシル）、炭素原子数２〜２０のアルケニル基（例えば、ビニル、２−メチルビニル）、炭素原子数２〜２０のアルキニル基（例えば、エチニル、２−メチルエチニル、２−フェニルエチニル）、ハロゲン原子（例えば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、シアノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、炭素原子数２〜２０のアシル基（例えば、アセチル、ベンゾイル、サリチロイル、ピバロイル）、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基（例えば、メトキシ、ブトキシ、シクロヘキシルオキシ）、炭素原子数６〜２０のアリールオキシ基（例えば、フェノキシ、１−ナフトキシ、トルオイル）、炭素原子数１〜２０のアルキルチオ基（例えば、メチルチオ、ブチルチオ、ベンジルチオ、３−メトキシプロピルチオ）、炭素原子数６〜２０のアリールチオ基（例えば、フェニルチオ、４−クロロフェニルチオ）、炭素原子数１〜２０のアルキルスルホニル基（例えば、メタンスルホニル、ブタンスルホニル）、炭素原子数６〜２０のアリールスルホニル基（例えば、ベンゼンスルホニル、パラトルエンスルホニル）、炭素原子数１〜１７のカルバモイル基（例えば、無置換のカルバモイル、メチルカルバモイル、エチルカルバモイル、ｎ−ブチルカルバモイル、ジメチルカルバモイル）、炭素原子数１〜１６のアミド基（例えば、アセトアミド、ベンズアミド）、炭素原子数２〜１０のアシルオキシ基（例えば、アセトキシ、ベンゾイルオキシ）、炭素原子数２〜１０のアルコキシカルボニル基（例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル）、５もしくは６員のヘテロ環基（例えば、ピリジル、チエニル、フリル、チアゾリル、イミダゾリル、ピラゾリルなどの芳香族ヘテロ環、ピロリジン環、ピペリジン環、モルホリン環、ピラン環、チオピラン環、ジオキサン環、ジチオラン環などのヘテロ環）が挙げられる。
【００９０】
一般式（２）において、Ｒ３２で表される置換基の置換基として、より好ましいものは炭素原子数１〜１６の鎖状または環状のアルキル基、炭素原子数６〜１４のアリール基、炭素原子数１〜１６のアルコキシ基、炭素原子数６〜１４のアリールオキシ基、ハロゲン原子、炭素原子数２〜１７のアルコキシカルボニル基、炭素原子数１〜１０のカルバモイル基、炭素原子数１〜１０のアミド基、炭素原子数１〜１６のアルキルスルホニル基、炭素原子数６〜１０のアリールスルホニル基であり、中でも好ましいものは、炭素原子数１〜１０の鎖状または環状のアルキル基、炭素原子数７〜１３のアラルキル基、炭素原子数６〜１０のアリール基、炭素原子数１〜１０のアルコキシ基、炭素原子数６〜１０のアリールオキシ基、塩素原子、炭素原子数２〜１１のアルコキシカルボニル基、炭素原子数１〜７のカルバモイル基、炭素原子数１〜８のアミド基、炭素原子数１〜１２のアルキルスルホニル基、フェニルスルホニル基であり、特に好ましいものは、炭素原子数３〜１０の鎖状分岐または環状のアルキル基、炭素原子数１〜８のアルコキシ基、炭素原子数３〜９のアルコキシカルボニル基、フェニル基、炭素原子数１〜８のアルキルスルホニル基である。
【００９１】
本発明に用いられる一般式（２）で表される金属錯体のカチオンの具体例としては、次の具体例を挙げることができるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００９２】
【化２５】
2006297923.tif 000026
【００９３】
一般式（３）について説明する。一般式（３）中のＭｍ３＋は、一般式（２）中のＭｍ３＋と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【００９４】
一般式（３）中のＲ３２およびＲ３５は、一般式（２）中のＲ３２およびＲ３５と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【００９５】
一般式（３）中のＲ３３およびＲ３４は、一般式（２）中のＲ３３およびＲ３４と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【００９６】
Ｑ３は含窒素へテロ環を形成する基を表す。Ｑ３としては特に限定されないが、Ｑ３によって５〜７員環を形成することが好ましく、５または６員環を形成することがより好ましく、６員環を形成することがさらに好ましい。連結基としては特に限定されないが、置換または無置換のアルキレン、置換または無置換のアルケニレンが好ましい。
【００９７】
一般式（３）中のｑ１およびｑ２は、一般式（２）中のｑ１およびｑ２と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【００９８】
一般式（３）中のｔ３は、一般式（２）中のとｔ３同義であり、好ましい範囲も同じである。
【００９９】
本発明に用いられる一般式（３）で表される金属錯体のカチオンの具体例としては、特開２００４−９０５６４公報の具体例として引用および記載されている化合物のカチオン成分に加え、以下の具体例を挙げることができるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１００】
【化２６】
2006297923.tif 000027
【０１０１】
一般式（４）及び一般式（１０）について説明する。一般式（４）及び（１０）中のＭｍ３＋は、一般式（２）中のＭｍ３＋と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１０２】
一般式（４）及び（１０）中のＲ３２およびＲ３５は、一般式（２）中のＲ３２およびＲ３５と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１０３】
一般式（４）及び（１０）中のｑ２は、一般式（２）中のｑ２と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１０４】
一般式（４）及び（１０）中のｑ３は、０〜３の整数を表し、０〜２が好ましく、１〜２が  より好ましく、１がさらに好ましい。
【０１０５】
一般式（４）及び（１０）中のｔ３は、一般式（２）中のとｔ３同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１０６】
一般式（４）及び（１０）の具体例としては以下の金属錯体のカチオンが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１０７】
【化２７】
2006297923.tif 000028
【０１０８】
一般式（５）及び（１１）について説明する。一般式（５）及び（１１）中のＭｍ３＋は、一般式（２）中のＭｍ３＋と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１０９】
一般式（５）及び（１１）中のＲ３２、Ｒ３５およびＲ３６は、一般式（２）中のＲ３２およびＲ３５と同義であり、好ましい範囲も同じである。
一般式（５）及び（１１）中のＲ３３およびＲ３４は、一般式（２）中のＲ３３およびＲ３４と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１１０】
一般式（５）及び（１１）中のｑ１は、一般式（２）中のｑ１と同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１１１】
一般式（５）及び（１１）中のｑ４は、０〜４の整数を表し、０〜３が好ましく、０〜２がより好ましく、０〜１が更に好ましく、０が特に好ましい。
【０１１２】
一般式（５）及び（１１）中のｑ５は、０〜３の整数を表し、０〜２が好ましく、０〜１がより好ましく、０が更に好ましい。
【０１１３】
一般式（５）及び（１１）中のｔ３は、一般式（２）中のとｔ３同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１１４】
一般式（５）及び（１１）の具体例としては以下の金属錯体のカチオンが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１１５】
【化２８】
2006297923.tif 000029
【０１１６】
前記一般式（５）及び（１１）中のＳ原子がＯ原子に置き換わった金属錯体のカチオンも一般式（５）及び（１１）と同様の性能を示すことが期待でき、好ましい。
【０１１７】
前記対カチオンＹｔ＋としては、上記の金属錯体のカチオンの他にも以下のようなフェニレンジアミン錯体が挙げられる。
【０１１８】
【化２９】
2006297923.tif 000030
【０１１９】
一般式（１）のオキソノール色素のアニオン部位は、ｍ＝１であることが好ましく、ｍ＝１で、かつ、ＡとＢが連結して形成される環が以下の部分構造（Ｚ−３）〜（Ｚ−８）のいずれかであり、かつ、ＣとＤが連結して形成される環が以下の部分構造（Ｚ−９）〜（Ｚ−１４）のいずれかであることがより好ましく、ｍ＝１で、かつ、ＡとＢが連結して形成される環が以下の部分構造（Ｚ−３）〜（Ｚ−８）のいずれかであり、かつ、ＣとＤが連結して形成される環が以下の部分構造（Ｚ−９）〜（Ｚ−１４）のいずれかであり、かつ、吸収極大が４１５ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが更に好ましい。
【０１２０】
Ｙｔ＋は金属錯体のカチオンであることが好ましく、一般式（２）〜一般式（５）、（１０）、（１１）で表される金属錯体のカチオンであることがより好ましく、一般式（２）〜一般式（５）、（１０）、（１１）で表される金属錯体のカチオンであり、かつ、Ｍｍ３＋がＣｏ２＋、Ｃｏ３＋、Ｎｉ２＋、Ｎｉ３＋、Ｃｕ２＋である金属錯体のカチオンが更に好ましい。
【０１２１】
一般式（１）は、ｍ＝１で、かつ、Ｙｔ＋が金属錯体のカチオンであることが好ましく、ｍ＝１で、かつ、ＡとＢが連結して形成される環が以下の部分構造（Ｚ−３）〜（Ｚ−８）のいずれかであり、かつ、ＣとＤが連結して形成される環が以下の部分構造（Ｚ−９）〜（Ｚ−１４）のいずれかであり、かつ、Ｙｔ＋が一般式（２）〜一般式（５）、（１０）、（１１）で表される金属錯体のカチオンであることがより好ましく、ｍ＝１で、かつ、ＡとＢが連結して形成される環が以下の部分構造（Ｚ−３）〜（Ｚ−８）のいずれかであり、かつ、ＣとＤが連結して形成される環が以下の部分構造（Ｚ−９）〜（Ｚ−１４）のいずれかであり、かつ、吸収極大が４１５ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、かつ、Ｙｔ＋が一般式（２）〜一般式（５）、（１０）、（１１）で表される金属錯体のカチオンであり、かつ、Ｍｍ３＋がＣｏ２＋、Ｃｏ３＋、Ｎｉ２＋、Ｎｉ３＋、Ｃｕ２＋であることが更に好ましい。
【０１２２】
前記対カチオンＹｔ＋とは別にオキソノール色素アニオン部位の吸収極大より長波長域に吸収極大を有する色素を含有することも好ましい。そのような色素として、前記ジインモニウム、前記金属錯体のカチオンを含む色素がより好ましく、前記金属錯体のカチオンであることがさらに好ましい。
【０１２３】
前記対カチオンＹｔ＋とは別に金属錯体を含有する場合、前記対カチオンとは別の金属錯体が、３５０〜１３００ｎｍの波長領域でのモル吸光係数（ε）が１，０００ｄｍ３ｍｏｌ−１ｃｍ-１以下である金属錯体であっても、オキソノール色素アニオン部位の吸収極大より長波長域に吸収極大を有する金属錯体色素を含有する場合であってもよい。
【０１２４】
３５０〜１３００ｎｍの波長領域でのモル吸光係数（ε）が１０，０００ｄｍ３ｍｏｌ−１ｃｍ−１以下である金属錯体の好ましい具体例としては以下の化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１２５】
【化３０】
2006297923.tif 000031
【０１２６】
前記対カチオンＹｔ＋とは別に金属錯体を含有する場合、オキソノール色素アニオン部位の吸収極大より長波長域に吸収極大を有する金属錯体色素を含有する場合が好ましい。
【０１２７】
前記対カチオンとは別に金属錯体を含有する場合、オキソノール色素アニオン部位の吸収極大より長波長域に吸収極大を有する金属錯体色素は、一般式（２）〜一般式（５）、（１０）、（１１）で表される金属錯体、アゾ錯体、サリチルアルデヒド錯体、ホルマザン錯体のいずれかであることが好ましく、一般式（２）〜一般式（５）、（１０）、（１１）で表される金属錯体、アゾ錯体、サリチルアルデヒド錯体であることがより好ましく、一般式（２）〜一般式（５）、（１０）、（１１）で表される金属錯体、アゾ錯体であることがさらに好ましく、アゾ錯体であることが特に好ましい。
【０１２８】
アゾ金属錯体の好ましい具体例としては以下の化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１２９】
【化３１】
2006297923.tif 000032
【０１３０】
サリチルアルデヒド配位子を有する金属錯体の好ましい具体例としては以下の化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１３１】
【化３２】
2006297923.tif 000033
【０１３２】
ホルマザン錯体の好ましい具体例としては以下の化合物が挙げられる。
【０１３３】
【化３３】
2006297923.tif 000034
【０１３４】
前記対カチオンとは別の金属錯体について、上記以外の金属錯体として以下の化合物が挙げられる。但し、本発明における金属錯体はこれらに限定されるものではない。
【０１３５】
【化３４】
2006297923.tif 000035
【０１３６】
一般式（１）のオキソノール色素アニオン部位は、一般式（６）で表されることも好ましい。一般式（６）について説明する。一般式（６）中のＡ、Ｃは一般式（１）中のＡ、Ｃと同義である。
【０１３７】
Ｇ、Ｊ、Ｋ、Ｖは置換基を表す。置換基としては特に限定されないが、ＡまたはＣと連結基を介して縮環構造を形成することが好ましい。縮環構造としては特に限定されないが、好ましくは５員環＋５員環または５員環＋６員環であり、より好ましくは５員環＋５員環である。形成される環構造は芳香族環であることが好ましい。
【０１３８】
一般式（６）中のＲ、ｎ、Ｙｔ＋、ｔは一般式（１）中のＲ、ｎ、Ｙｔ＋、ｔと同義であり、好ましい範囲も同じである。
【０１３９】
一般式（６）中のｍは０乃至１の整数を表し、０が好ましい。
【０１４０】
一般式（６）は以下の構造（Ｚ−１３）、（Ｚ−１４）で表されるオキソノール色素アニオンであることが好ましい。
【０１４１】
【化３５】
2006297923.tif 000036
【０１４２】
［式中Ｒ４は水素原子または置換基を表し、置換基であることが好ましい。複数のＲ４は互いに同じであっても異なっていてもよい。］
【０１４３】
Ｒ４で表される置換基としては、前記Ｒで挙げられた置換基が挙げられる。
【０１４４】
一般式（６）で表されるオキソノール色素アニオン部位は以下の例示化合物も具体例として挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１４５】
【化３６】
2006297923.tif 000037
【０１４６】
一般式（１）の具体例としては以下の化合物および表１に示す化合物が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【０１４７】
【化３７】
2006297923.tif 000038
【０１４８】
【表１】
2006297923.tif 000039
【０１４９】
上記一般式（１）で表されるオキソノール色素と併用される一般式（１）で表されるオキソノール色素以外の色素としてはオキソノール色素が好ましい。一般式（１）で表されるオキソノール色素と併用されるオキソノール色素について説明する。本発明においてオキソノール色素とは、アニオン性発色団を有するポリメチン色素と定義する。記録特性に優れる点で、下記一般式（Ｉ）で表されるオキソノール色素が特に好適に用いられる。
一般式（Ｉ）
【０１５０】
【化３８】
2006297923.tif 000040
【０１５１】
式中、Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤは、ＡとＢのハメットのσｐ  値の合計及びＣとＤのハメットのσｐ値の合計がそれぞれ０．６以上となる電子吸引性基であり、ＡとＢもしくはＣとＤは連結して環を形成していてもよく、Ｒはメチン炭素上の置換基を表し、ｍは０乃至３の整数を表し、ｎは０乃至２ｍ＋１の整数を表し、ｎが２以上の整数のとき、複数個のＲは互いに同一でも異なっていてもよく、また互いに連結して環を形成していてもよく、Ｙｔ＋はｔ価のカチオンを表し、ｔは１乃至１０の整数を表す。
【０１５２】
一般式（Ｉ）はアニオンの局在位置の表記の違いによる複数の互変異性体を含むものであるが、特にＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄのいずれかが−ＣＯ−Ｅ（Ｅは置換基）である場合、酸素原子上に負電荷を局在させて表記することが一般的である。例えばＤが−ＣＯ−Ｅである場合、表記としては下記一般式（ＩＩ）が一般的であり、このような表記のものも一般式（Ｉ）に含まれる。
一般式（ＩＩ）
【０１５３】
【化３９】
2006297923.tif 000041
【０１５４】
一般式（ＩＩ）におけるＡ、Ｂ、Ｃ、Ｒ、ｍ、ｎ、Ｙｔ＋、ｔの定義は一般式（Ｉ）と同一である。
【０１５５】
以下、上記一般式（Ｉ）で表されるオキソノール色素について説明する。一般式（ＩＩ）において、Ａ、Ｂ、ＣおよびＤは、ＡとＢのハメットの置換基定数σｐ値の合計及びＣとＤのハメットの置換基定数σｐ値の合計がそれぞれ０．６以上となる電子吸引性基を表す。Ａ、Ｂ、ＣおよびＤはそれぞれ同一でもよく、また異なっていてもよい。また、ＡとＢ、もしくはＣとＤは連結して環を形成していてもよい。Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤで表される電子吸引性基のハメットの置換基定数σｐ値は、それぞれ独立に０．３０〜０．８５の範囲にあることが好ましく、更に好ましくは、０．３５〜０．８０の範囲である。
【０１５６】
ハメットの置換基定数σｐ値（以下、σｐ値という）は、例えばＣｈｅｍ．Ｒｅｖ．９１，１６５（１９９１）及びこれに引用されている参考文献に記載されており、記載されていないものについても同文献記載の方法によって求めることが可能である。ＡとＢ（ＣとＤ）が連結して環を形成している場合、Ａ（Ｃ）のσｐ値は、−Ａ−Ｂ−Ｈ（−Ｃ−１０Ｄ−Ｈ）基のσｐ値を意味し、Ｂ（Ｄ）のσｐ値は、−Ｂ−Ａ−Ｈ（−Ｄ−Ｃ−Ｈ）基のσｐ値を意味する。この場合、両者は結合の方向が異なるためσｐ値は異なる。
【０１５７】
Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤで表される電子吸引性基の好ましい具体例としては、シアノ基、ニトロ基、炭素原子数１乃至１０のアシル基（例、アセチル、プロピオニル、ブチリル、ピバロイル、ベンゾイル）、炭素原子数２乃至１２のアルコキシカルボニル基（例、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、イソプロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、デシルオキシカルボニ２０ル）、炭素原子数７乃至１１のアリールオキシカルボニル基（例、フェノキシカルボニル）、炭素原子数１乃至１０のカルバモイル基（例、メチルカルバモイル、エチルカルバモイル、フェニルカルバモイル）、炭素原子数１乃至１０のアルキルスルホニル基（例、メタンスルホニル）、炭素原子数６乃至１０のアリールスルホニル基（例、ベンゼンスルホニル）、炭素原子数１乃至１０のアルコキシスルホニル基（例、メトキシスルホニル）、炭素原子数１乃至１０のスルファモイル基（例、エチルスルファモイル、フェニルスルファモイル）、炭素原子数１乃至１０のアルキルスルフィニル基（例、メタンスルフィニル、エタンスルフィニル）、炭素原子数６乃至１０のアリールスルフィニル基（例、ベンゼンスルフィニル）、炭素原子数１乃至１０のアルキルスルフェニル基（例、メタンスルフェニル、エタンスルフェニル）、炭素原子数６乃至１０のアリールスルフェニル基（例、ベンゼンスルフェニル）、ハロゲン原子、炭素原子数２乃至１０のアルキニル基（例、エチニル）、炭素原子数２乃至１０のジアシルアミノ基（例、ジアセチルアミノ）、ホスホリル基、カルボキシル基、５員もしくは６４０員のヘテロ環基（例えば、２−ベンゾチアゾリル、２−ベンゾオキサゾリル、３−ピリジル、５−（１Ｈ）−テトラゾリル、４−ピリミジル）を挙げることができる。
【０１５８】
一般式（Ｉ）において、Ｒで表されるメチン炭素上の置換基としては、例えば以下に記載のものを挙げることができる。炭素原子数１〜２０の鎖状又は環状のアルキル基（例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル）、炭素原子数６〜１８の置換又は無置換のアリール基（例えば、フェニル、クロロフェニル、アニシル、トルイル、２，４−ジ−ｔ−アミル、１−ナフチル）、アルケニル基（例えば、ビニル、２−メチルビニル）、アルキニル基（例えば、エチニル、２−メチルエチニル、２−フェニルエチニル）、ハロゲン原子（例えば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ）、シアノ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、アシル基（例えば、アセチル、ベンゾイル、サリチロイル、ピバロイル）、アルコキシ基（例えば、メトキシ、ブトキシ、シクロヘキシルオキシ）、アリールオキシ基（例えば、フェノキシ、１−ナフトキシ）、アルキルチオ基（例えば、メチルチオ、ブチルチオ、ベンジルチオ、３−メトキシプロピルチオ）、アリールチオ基（例えば、フェニルチオ、４−クロロフェニルチオ）、
【０１５９】
アルキルスルホニル基（例えば、メタンスルホニル、ブタンスルホニル）、アリールスルホニル基（例えば、ベンゼンスルホニル、パラトルエンスルホニル）、炭素原子数１〜１０のカルバモイル基、炭素原子数１〜１０のアミド基、炭素原子数２〜１２のイミド基、炭素原子数２〜１０のアシルオキシ基、炭素原子数２〜１０のアルコキシカルボニル基、ヘテロ環基（例えば、ピリジル、チエニル、フリル、チアゾリル、イミダゾリル、ピラゾリルなどの芳香族ヘテロ環、ピロリジン環、ピペリジン環、モルホリン環、ピラン環、チオピラン環、ジオキサン環、ジチオラン環などの脂肪族ヘテロ環）である。
【０１６０】
Ｒとして好ましいものは、ハロゲン原子、炭素原子数１乃至８の鎖状又は環状のアルキル基、炭素原子数６乃至１０のアリール基、炭素原子数１乃至８のアルコキシ基、炭素原子数６乃至１０のアリールオキシ基、炭素原子数３乃至１０のヘテロ環基であり、特に塩素原子、炭素原子数１乃至４のアルキル基（例：メチル、エチル、イソプロピル）、フェニル、炭素原子数１乃至４のアルコキシ基（例：メトキシ、エトキシ）、フェノキシ、炭素原子数４乃至８の含窒素ヘテロ環基（例：４−ピリジル、ベンゾオキサゾール−２−イル、ベンゾチアゾール−２−イル）が好ましい。
【０１６１】
ｎは０乃至２ｍ＋１の整数を表すが、ｎが２以上の整数のとき、複数個のＲは互いに同一でも異なっていてもよく、また互いに連結して環を形成してもよい。このとき環員数は４乃至８が好ましく、特に５又は６が好ましく、環の構成原子は炭素原子、酸素原子又は窒素原子が好ましく、特に炭素原子が好ましい。
【０１６２】
Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ及びＲは更に置換基を有していてもよく、置換基の例としては、一般式（Ｉ）におけるＲで表される一価の置換基の例として先に挙げたものと同様のものを挙げることができる。
【０１６３】
光ディスクに用いられる併用されるオキソノール色素としては熱分解性の観点からＡとＢ、またはＣとＤが連結して環を形成することが好ましく、そのような環の例として以下のようなものが挙げられる。なお、例示中、Ｒａ、Ｒｂ及びＲｃは各々独立に、水素原子または置換基を表す。
【０１６４】
【化４０】
2006297923.tif 000042
【０１６５】
【化４１】
2006297923.tif 000043
【０１６６】
【化４２】
2006297923.tif 000044
【０１６７】
【化４３】
2006297923.tif 000045
【０１６８】
【化４４】
2006297923.tif 000046
【０１６９】
【化４５】
2006297923.tif 000047
【０１７０】
【化４６】
2006297923.tif 000048
【０１７１】
【化４７】
2006297923.tif 000049
【０１７２】
【化４８】
2006297923.tif 000050
【０１７３】
好ましい環は、ＡＡ−８、ＡＡ−９、ＡＡ−１０、ＡＡ−１１、ＡＡ−１２、ＡＡ−１３、ＡＡ−１４、ＡＡ−１７，ＡＡ−３６、ＡＡ−３９、ＡＡ−４１、及びＡＡ−５７で示されるものである。更に好ましくは、ＡＡ−８、ＡＡ−９、ＡＡ−１０、ＡＡ−１３、ＡＡ−１４、ＡＡ−１７及びＡＡ−５７で示されるものである。最も好ましくは、ＡＡ−９、ＡＡ−１０、ＡＡ−１３、ＡＡ−１７及びＡＡ−５７で示されるものである。
【０１７４】
Ｒａ、Ｒｂ及びＲｃで表される置換基は、それぞれ前記Ｒで表される置換基として挙げたものと同義である。またＲａ、Ｒｂ及びＲｃはそれぞれ互いに連結して炭素環又は複素環を形成してもよい。炭素環としては、例えば、シクロヘキシル環、シクロペンチル環、シクロヘキセン環、及びベンゼン環などの飽和または不飽和の４〜７員の炭素環を挙げることができる。また複素環としては、例えば、ピペリジン環、ピペラジン環、モルホリン環、テトラヒドロフラン環、フラン環、チオフェン環、ピリジン環、及びピラジン環などの飽和または不飽和の４〜７員の複素環を挙げることができる。これらの炭素環または複素環は更に置換されていてもよい。更に置換し得る基としては、前記Ｒで表される置換基として挙げたものと同義である。
【０１７５】
一般式（Ｉ）において、ｍは０乃至３の整数であるが、このｍの値によって該オキソノール色素の吸収波長が大きく変化する。記録再生に用いるレーザの発振波長に応じて最適な吸収波長の色素を設計する必要があるが、この点においてｍの値の選択は重要である。記録再生に用いるレーザの中心発振波長が７８０ｎｍの場合（ＣＤ−Ｒ記録用の半導体レーザ）、一般式（Ｉ）においてｍは２又は３が好ましく、中心発振波長が６３５ｎｍ又は６５０ｎｍの場合（ＤＶＤ−Ｒ記録用の半導体レーザ）、ｍは１又は２が好ましく、中心発振波長が５５０ｎｍ以下の場合（例えば、中心発振波長４０５ｎｍの青紫色半導体レーザ）は、ｍは０又は１が好ましい。
【０１７６】
本発明の光情報記録媒体は、以下に示す態様が好ましい。
態様（１）：厚さ０．７〜２ｍｍの基板上に、色素を含有する追記型記録層と、厚さ０．０１〜０．５ｍｍのカバー層とを基板側から順に有する光情報記録媒体
態様（２）：厚さ０．１〜１．０ｍｍの基板上に、色素を含有する追記型記録層と、厚さ０．１〜１．０ｍｍの保護基板とを基板側から順に有する光情報記録媒体
前記態様（１）においては、基板に形成されるプリグルーブのトラックピッチが２００〜５００ｎｍ、溝幅が２５〜２５０ｎｍ、溝深さが５〜１５０ｎｍであることが好ましく、前記態様（２）においては、基板に形成されるプリグルーブのトラックピッチが２００〜６００ｎｍ、溝幅が５０〜３００ｎｍ、溝深さが３０〜１５０ｎｍであり、ウォブル振幅が５〜５０ｎｍであることが好ましい。
【０１７７】
前記態様（１）の光情報記録媒体は、少なくとも、基板と、追記型記録層と、カバー層とを有する態様であり、これらを構成する材料について順に説明する。
【０１７８】
〔態様（１）の基板〕
態様（１）の基板には、トラックピッチ、溝幅（半値幅）、溝深さ、及びウォブル振幅のいずれもが下記の範囲である形状を有するプリグルーブ（案内溝）が形成されていることが必須である。このプリグルーブは、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒに比べてより高い記録密度を達成するために設けられたものであり、例えば、本発明の光情報記録媒体を、青紫色レーザに対応する媒体として使用する場合に好適である。
【０１７９】
プリグルーブのトラックピッチは、２００〜５００ｎｍの範囲であることが必須であり、上限値が４２０ｎｍ以下であることが好ましく、３７０ｎｍ以下であることがより好ましく、３３０ｎｍ以下であることが更に好ましい。また、下限値は、２６０ｎｍ以上であることが好ましい。トラックピッチが２００ｎｍ未満では、プリグルーブを正確に形成することが困難になるうえ、クロストークの問題が発生することがあり、５００ｎｍを超えると、記録密度が低下する問題が生ずることがある。
【０１８０】
プリグルーブの溝幅（半値幅）は、２５〜２５０ｎｍの範囲であることが必須であり、上限値が２４０ｎｍ以下であることが好ましく、２３０ｎｍ以下であることがより好ましく、２２０ｎｍ以下であることが更に好ましい。また、下限値は、５０ｎｍ以上であることが好ましく、８０ｎｍ以上であることがより好ましく、１００ｎｍ以上であることが更に好ましい。プリグルーブの溝幅が２５ｎｍ未満では、成型時に溝が十分に転写されなかったり、記録のエラーレートが高くなったりすることがあり、２５０ｎｍを超えると、同じく成型時に溝が十分に転写されなかったり、記録時に形成されるピットが広がってしまい、クロストークの原因となることがある。
【０１８１】
プリグルーブの溝深さは、５〜１５０ｎｍの範囲であることが必須であり、上限値が８５ｎｍ以下であることが好ましく、８０ｎｍ以下であることがより好ましく、７５ｎｍ以下であることが更に好ましい。また、下限値は、１０ｎｍ以上であることが好ましく、２０ｎｍ以上であることがより好ましく、２８ｎｍ以上であることが更に好ましい。プリグルーブの溝深さが５ｎｍ未満では、十分な記録変調度が得られないことがあり、１５０ｎｍを超えると、反射率が大幅に低下することがある。
【０１８２】
また、プリグルーブの溝傾斜角度は、上限値が８０°以下であることが好ましく、７５°以下であることがより好ましく、７０°以下であることが更に好ましく、６５°以下であることが特に好ましい。また、下限値は、２０°以上であることが好ましく、３０°以上であることがより好ましく、４０°以上であることが更に好ましい。
プリグルーブの溝傾斜角度が２０°未満では、十分なトラッキングエラー信号振幅が得られないことがあり、８０°を超えると、成型が困難となる。
【０１８３】
本発明に用いられる基板としては、従来の光情報記録媒体の基板材料として用いられている各種の材料を任意に選択して使用することができる。
具体的には、ガラス；ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂；ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂；エポキシ樹脂；アモルファスポリオレフィン；ポリエステル；アルミニウム等の金属；等を挙げることができ、所望によりこれらを併用してもよい。
前記材料の中では、耐湿性、寸法安定性及び低価格等の点から、アモルファスポリオレフィン、ポリカーボネート等の熱可塑性樹脂が好ましく、ポリカーボネートが特に好ましい。これらの樹脂を用いた場合、射出成型を用いて基板を作製することができる。
また、基板の厚さは、０．７〜２ｍｍの範囲であることを要し、０．９〜１．６ｍｍの範囲であることが好ましく、１．０〜１．３ｍｍとすることがより好ましい。
【０１８４】
なお、後述する光反射層が設けられる側の基板表面には、平面性の改善、接着力の向上の目的で、下塗層を形成することが好ましい。
下塗層の材料としては、例えば、ポリメチルメタクリレート、アクリル酸・メタクリル酸共重合体、スチレン・無水マレイン酸共重合体、ポリビニルアルコール、Ｎ−メチロールアクリルアミド、スチレン・ビニルトルエン共重合体、クロルスルホン化ポリエチレン、ニトロセルロース、ポリ塩化ビニル、塩素化ポリオレフィン、ポリエステル、ポリイミド、酢酸ビニル・塩化ビニル共重合体、エチレン・酢酸ビニル共重合体、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート等の高分子物質；シランカップリング剤等の表面改質剤；を挙げることができる。
下塗層は、前記材料を適当な溶剤に溶解又は分散して塗布液を調製した後、この塗布液をスピンコート、ディップコート、エクストルージョンコート等の塗布法により基板表面に塗布することにより形成することができる。
下塗層の層厚は、一般に０．００５〜２０μｍの範囲にあり、好ましくは０．０１〜１０μｍの範囲である。
【０１８５】
〔態様（１）の追記型記録層〕
態様（１）の追記型記録層は、色素を、結合剤等と共に適当な溶剤に溶解して塗布液を調製し、次いで、この塗布液を基板上又は後述する光反射層上に塗布して塗膜を形成した後、乾燥することにより形成される。ここで、追記型記録層は、単層でも重層でもよく、重層構造の場合、塗布液を塗布する工程が複数回行なわれることになる。
塗布液中の色素の濃度は、一般に０．０１〜１５質量％の範囲であり、好ましくは０．１〜１０質量％の範囲、より好ましくは０．５〜５質量％の範囲、最も好ましくは０．５〜３質量％の範囲である。
【０１８６】
塗布液の調製に用いる溶剤としては、例えば、酢酸ブチル、乳酸エチル、セロソルブアセテート等のエステル；メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン等のケトン；ジクロルメタン、１，２−ジクロルエタン、クロロホルム等の塩素化炭化水素；ジメチルホルムアミド等のアミド；メチルシクロヘキサン等の炭化水素；テトラヒドロフラン、エチルエーテル、ジオキサン等のエーテル；エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノールジアセトンアルコール等のアルコール；２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノール等のフッ素系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル類；等を挙げることができる。
溶剤は使用する色素の溶解性を考慮して単独で、あるいは二種以上を組み合わせて使用することができる。塗布液中には、さらに、酸化防止剤、ＵＶ吸収剤、可塑剤、潤滑剤等各種の添加剤を目的に応じて添加してもよい。
【０１８７】
塗布方法としては、スプレー法、スピンコート法、ディップ法、ロールコート法、ブレードコート法、ドクターロール法、スクリーン印刷法等を挙げることができる。
塗布の際、塗布液の温度は２３〜５０℃の範囲であることが好ましく、２４〜４０℃の範囲であることがより好ましく、中でも、２４〜３７℃の範囲であることが特に好ましい。
【０１８８】
追記型記録層の厚さは、ランド（前記基板において凸部）上で、３００ｎｍ以下であることが好ましく、２５０ｎｍ以下であることがより好ましく、２００ｎｍ以下であることが更に好ましく、１８０ｎｍ以下であることが特に好ましい。下限値としては１ｎｍ以上であることが好ましく、３ｎｍ以上であることがより好ましく、５ｎｍ以上であることが更に好ましく、７ｎｍ以上であることが特に好ましい。
また、追記型記録層の厚さは、グルーブ上（前記基板において凹部）で、４００ｎｍ以下であることが好ましく、３００ｎｍ以下であることがより好ましく、２５０ｎｍ以下であることが更に好ましい。下限値としては、１０ｎｍ以上であることが好ましく、２０ｎｍ以上であることがより好ましく、２５ｎｍ以上であることが更に好ましい。
更に、ランド上の追記型記録層の厚さ／グルーブ上の追記型記録層の厚さの比は、０．１以上であることが好ましく、０．１３以上であることがより好ましく、０．１５以上であることが更に好ましく、０．１７以上であることが特に好ましい。上限値としては、１未満であることが好ましく、０．９以下であることがより好ましく、０．８５以下であることが更に好ましく、０．８以下であることが特に好ましい。
【０１８９】
塗布液が結合剤を含有する場合、該結合剤の例としては、ゼラチン、セルロース誘導体、デキストラン、ロジン、ゴム等の天然有機高分子物質；ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリイソブチレン等の炭化水素系樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル・ポリ酢酸ビニル共重合体等のビニル系樹脂、ポリアクリル酸メチル、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル樹脂、ポリビニルアルコール、塩素化ポリエチレン、エポキシ樹脂、ブチラール樹脂、ゴム誘導体、フェノール・ホルムアルデヒド樹脂等の熱硬化性樹脂の初期縮合物等の合成有機高分子；を挙げることができる。追記型記録層の材料として結合剤を併用する場合に、結合剤の使用量は、一般に色素に対して０．０１倍量〜５０倍量（質量比）の範囲にあり、好ましくは０．１倍量〜５倍量（質量比）の範囲にある。
【０１９０】
また、追記型記録層には、追記型記録層の耐光性をさらに向上させるために、種々の褪色防止剤を含有させることができる。褪色防止剤としては一般的に一重項酸素クエンチャーが用いられる。本発明においても、この一重項酸素クエンチャーを混合させることによって更なる耐光性の向上が期待できる。一重項酸素クエンチャーとしては、前記特許文献１に記載のものを利用することができる。
【０１９１】
前記一重項酸素クエンチャー等の褪色防止剤の使用量は、色素の量に対して、通常０．１〜５０質量％の範囲であり、好ましくは、０．５〜４５質量％の範囲、更に好ましくは、３〜４０質量％の範囲、特に好ましくは５〜２５質量％の範囲である。
【０１９２】
〔態様（１）のカバー層〕
態様（１）のカバー層は、上述した追記型記録層又は後述するバリア層上に、接着剤や粘着材を介して貼り合わされる。
カバー層としては、透明な材質のフィルムであれば、特に限定されないが、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂；ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂；エポキシ樹脂；アモルファスポリオレフィン；ポリエステル；三酢酸セルロース等を使用することが好ましく、中でも、ポリカーボネート又は三酢酸セルロースを使用することがより好ましい。
なお、「透明」とは、記録及び再生に用いられる光に対して、透過率８０％以上であることを意味する。
【０１９３】
また、カバー層は、本発明の効果を妨げない範囲において、種々の添加剤が含有されていてもよい。例えば、波長４００ｎｍ以下の光をカットするためのＵＶ吸収剤及び／又は５００ｎｍ以上の光をカットするための色素が含有されていてもよい。
更に、カバー層の表面物性としては、表面粗さが２次元粗さパラメータ及び３次元粗さパラメータのいずれも５ｎｍ以下であることが好ましい。
また、記録及び再生に用いられる光の集光度の観点から、カバー層の複屈折は１０ｎｍ以下であることが好ましい。
【０１９４】
カバー層の厚さは、記録及び再生のために照射されるレーザ光の波長やＮＡにより、適宜、規定されるが、本発明においては、０．０１〜０．５ｍｍの範囲内であり、０．０５〜０．１２ｍｍの範囲であることがより好ましい。
また、カバー層と、接着剤又は粘着剤からなる層と、を合わせた総厚は、０．０９〜０．１１ｍｍであることが好ましく、０．０９５〜０．１０５ｍｍであることがより好ましい。
なお、カバー層の光入射面には、光情報記録媒体の製造時に、光入射面が傷つくことを防止するための保護層（ハードコート層）が設けられていてもよい。
【０１９５】
カバー層を貼り合せるために用いられる接着剤は、例えば、ＵＶ硬化樹脂、ＥＢ硬化樹脂、熱硬化樹脂等を使用することが好ましく、特にＵＶ硬化樹脂を使用することが好ましい。
接着剤としてＵＶ硬化樹脂を使用する場合は、該ＵＶ硬化樹脂をそのまま、若しくはメチルエチルケトン、酢酸エチル等の適当な溶剤に溶解して塗布液を調製し、ディスペンサからバリア層表面に供給してもよい。また、作製される光情報記録媒体の反りを防止するため、接着層を構成するＵＶ硬化樹脂は硬化収縮率の小さいものが好ましい。このようなＵＶ硬化樹脂としては、例えば、大日本インキ化学工業（株）製の「ＳＤ−６４０」等のＵＶ硬化樹脂を挙げることができる。
【０１９６】
接着剤は、例えば、バリア層からなる被貼り合わせ面上に、所定量塗布し、その上に、カバー層を載置した後、スピンコートにより接着剤を、被貼り合わせ面とカバー層との間に均一になるように広げた後、硬化させることが好ましい。
接着剤からなる接着剤層の厚さは、０．１〜１００μｍの範囲が好ましく、より好ましくは０．５〜５０μｍの範囲、更に好ましくは１０〜３０μｍの範囲である。
【０１９７】
また、カバー層を貼り合せるために用いられる粘着剤としては、アクリル系、ゴム系、シリコン系の粘着剤を使用することができるが、透明性、耐久性の観点から、アクリル系の粘着剤が好ましい。かかるアクリル系の粘着剤としては、２−エチルヘキシルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレートなどを主成分とし、凝集力を向上させるために、短鎖のアルキルアクリレートやメタクリレート、例えば、メチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルメタクリレートと、架橋剤との架橋点となりうるアクリル酸、メタクリル酸、アクリルアミド誘導体、マレイン酸、ヒドロキシルエチルアクリレート、グリシジルアクリレートなどと、を共重合したものを用いることが好ましい。主成分と、短鎖成分と、架橋点を付加するための成分と、の混合比率、種類を、適宜、調節することにより、ガラス転移温度（Ｔｇ）や架橋密度を変えることができる。
【０１９８】
前記粘着剤と併用する架橋剤としては、例えば、イソシアネート系架橋剤が挙げられる。イソシアネート系架橋剤としては、例えば、トリレンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、ナフチレン−１，５−ジイソシアネート、ｏ−トルイジンイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、トリフェニルメタントリイソシアネート等のイソシアネート類、また、これらのイソシアネート類とポリアルコールとの生成物、また、イソシアネート類の縮合によって生成したポリイソシアネート類を使用することができる。これらのイソシアネート類の市販されている商品としては、日本ポリウレタン社製のコロネートＬ、コロネートＨＬ、コロネート２０３０、コロネート２０３１、ミリオネートＭＲ、ミリオネートＨＴＬ；武田薬品工業社製のタケネートＤ−１０２、タケネートＤ−１１０Ｎ、タケネートＤ−２００、タケネートＤ−２０２；住友バイエル社製のデスモジュールＬ、デスモジュールＩＬ、デスモジュールＮ、デスモジュールＨＬ；等を挙げることができる。
【０１９９】
粘着剤は、バリア層からなる被貼り合わせ面上に、所定量、均一に塗布し、その上に、カバー層を載置した後、硬化させてもよいし、予め、カバー層の片面に、所定量を均一に塗布して粘着剤塗膜を形成しておき、該塗膜を被貼り合わせ面に貼り合わせ、その後、硬化させてもよい。
また、カバー層に、予め、粘着剤層が設けられた市販の粘着フィルムを用いてもよい。  このような粘着剤からなる粘着剤層の厚さは、０．１〜１００μｍの範囲が好ましく、より好ましくは０．５〜５０μｍの範囲、更に好ましくは１０〜３０μｍの範囲である。
【０２００】
〔態様（１）におけるその他の層〕
態様（１）の光情報記録媒体は、本発明の効果を損なわない範囲においては、上記の必須の層に加え、他の任意の層を有していてもよい。他の任意の層としては、例えば、基板の裏面（追記型記録層が形成された側と逆側の非形成面側）に形成される、所望の画像を有するレーベル層や、基板と追記型記録層との間に設けられる光反射層（後述）、追記型記録層とカバー層との間に設けられるバリア層（後述）、該光反射層と追記型記録層との間に設けられる界面層などが挙げられる。ここで、前記レーベル層は、紫外線硬化樹脂、熱硬化性樹脂、及び熱乾燥樹脂などを用いて形成することができる。
なお、上記した必須及び任意の層はいずれも、単層でも、多層構造でもよい。
【０２０１】
〔態様（１）における光反射層〕
態様（１）の光情報記録媒体では、レーザ光に対する反射率を高めたり、記録再生特性を改良する機能を付与するために、基板と追記型記録層との間に、光反射層を形成することが好ましい。
【０２０２】
光反射層は、レーザ光に対する反射率が高い光反射性物質を、真空蒸着、スパッタリング又はイオンプレーティングすることにより基板上に形成することができる。
光反射層の層厚は、一般的には１０〜３００ｎｍの範囲とし、５０〜２００ｎｍの範囲とすることが好ましい。
なお、前記反射率は、７０％以上であることが好ましい。
【０２０３】
反射率が高い光反射性物質としては、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉ等の金属及び半金属あるいはステンレス鋼を挙げることができる。これらの光反射性物質は単独で用いてもよいし、あるいは二種以上の組合せで、又は合金として用いてもよい。これらのうちで好ましいものは、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ及びステンレス鋼である。特に好ましくは、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌあるいはこれらの合金であり、最も好ましくは、Ａｕ、Ａｇあるいはこれらの合金である。
【０２０４】
〔態様（１）におけるバリア層（中間層）〕
態様（１）の光情報記録媒体においては、追記型記録層とカバー層との間にバリア層を形成することが好ましい。
該バリア層は、追記型記録層の保存性を高める、追記型記録層とカバー層との接着性を向上させる、反射率を調整する、熱伝導率を調整する、等のために設けられる。
バリア層に用いられる材料としては、記録及び再生に用いられる光を透過する材料であり、上記の機能を発現し得るものであれば、特に、制限されるものではないが、例えば、一般的には、ガスや水分の透過性の低い材料であり、誘電体であることが好ましい。
具体的には、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｔｅ、Ｓｎ、Ｍｏ、Ｇｅ等の窒化物、酸化物、炭化物、硫化物からなる材料が好ましく、ＺｎＳ、ＭｏＯ２、ＧｅＯ２、ＴｅＯ、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｕＯ、ＺｎＳ−ＳｉＯ２、ＳｎＯ２、ＺｎＯ−Ｇａ２Ｏ３が好ましく、ＺｎＳ−ＳｉＯ２、ＳｎＯ２、ＺｎＯ−Ｇａ２Ｏ３、ＳｉＯ２がより好ましい。
【０２０５】
また、バリア層は、真空蒸着、ＤＣスパッタリング、ＲＦスパッタリング、イオンプレーティングなどの真空成膜法により形成することができる。中でも、スパッタリングを用いることがより好ましい。
バリア層の厚さは、１〜２００ｎｍの範囲が好ましく、２〜１００ｎｍの範囲がより好ましく、３〜５０ｎｍの範囲が更に好ましい。
【０２０６】
次に、態様（２）の光情報記録媒体について説明する。
態様（２）の光情報記録媒体は、貼り合わせ型の層構成を有する光情報記録媒体であり、その代表的な層構成は下記の通りである。
（１）第１の層構成は、基板上に、追記型記録層、光反射層、接着層を順次形成し、接着層上に保護基板を設けた構成である。
（２）第２の層構成は、基板上に、追記型記録層、光反射層、保護層、接着層を順次形成し、接着層上に保護基板を設けた構成である。
（３）第３の層構成は、基板上に、追記型記録層、光反射層、保護層、接着層、保護層を順次形成し、該保護層上に保護基板を設けた構成である。
（４）第４の層構成は、基板上に、追記型記録層、光反射層、保護層、接着層、保護層、光反射層を順次形成し、該光反射層上に保護基板を設けた構成である。
（５）第５の層構成は、基板上に、追記型記録層、光反射層、接着層、光反射層を順次形成し、該光反射層上に保護基板を設けた構成である。
なお、上記（１）〜（５）の層構成は単なる例示であり、層構成は上述の順番のみでなく、一部を入れ替えてもよいし、一部を省略してもよい。また、追記型記録層は、保護基板側にも形成されていてもよく、その場合、両面からの記録、再生が可能な光情報記録媒体となる。更に、各層は１層で構成されても複数層で構成されてもよい。
【０２０７】
上記のうち、態様（２）の光情報記録媒体として、基板上に、追記型記録層、光反射層、接着層、保護基板を基板側から順に有する構成を例に以下に詳細に説明をする。
【０２０８】
〔態様（２）の基板〕
態様（２）における基板には、トラックピッチ、溝幅（半値幅）、溝深さ、及びウォブル振幅のいずれもが下記の範囲である形状を有するプリグルーブ（案内溝）が形成されていることが必須である。このプリグルーブは、ＣＤ−ＲやＤＶＤ−Ｒに比べてより高い記録密度を達成するために設けられたものであり、例えば、本発明の光情報記録媒体を、青紫色レーザに対応する媒体として使用する場合に好適である。
【０２０９】
プリグルーブのトラックピッチは、２００〜６００ｎｍの範囲であることが必須であり、上限値が４５０ｎｍ以下であることが好ましく、４３０ｎｍ以下であることが更に好ましい。また、下限値は、３００ｎｍ以上であることが好ましく、３３０ｎｍ以上であることがより好ましく、３７０ｎｍ以上であることが更に好ましい。トラックピッチが２００ｎｍ未満では、プリグルーブを正確に形成することが困難になる上、クロストークの問題が発生することがあり、６００ｎｍを超えると、記録密度が低下する問題が生ずることがある。
【０２１０】
プリグルーブの溝幅（半値幅）は、５０〜３００ｎｍの範囲であることが必須であり、上限値が２９０ｎｍ以下であることが好ましく、２８０ｎｍ以下であることがより好ましく、２５０ｎｍ以下であることが更に好ましい。また、下限値は、１００ｎｍ以上であることが好ましく、１２０ｎｍ以上であることがより好ましく、１４０ｎｍ以上であることが更に好ましい。プリグルーブの溝幅が５０ｎｍ未満では、成型時に溝が十分に転写されなかったり、記録のエラーレートが高くなったりすることがあり、３００ｎｍを超えると、記録時に形成されるピットが広がってしまい、クロストークの原因となったり、十分な変調度が得られないことがある。
【０２１１】
プリグルーブの溝深さは、３０〜１５０ｎｍの範囲であることが必須であり、上限値が１４０ｎｍ以下であることが好ましく、１３０ｎｍ以下であることがより好ましく、１２０ｎｍ以下であることが更に好ましい。また、下限値は、４０ｎｍ以上であることが好ましく、５０ｎｍ以上であることがより好ましく、６０ｎｍ以上であることが更に好ましい。プリグルーブの溝深さが３０ｎｍ未満では、十分な記録変調度が得られないことがあり、１５０ｎｍを超えると、反射率が大幅に低下することがある。
【０２１２】
態様（２）で用いられる基板としては、従来の光情報記録媒体の基板材料として用いられている各種の材料を任意に選択して使用することができ、具体例及び好ましい例は態様（１）の基板と同様である。
また、基板の厚さは、０．１〜１．０ｍｍの範囲であることを要し、０．２〜０．８ｍｍの範囲であることが好ましく、０．３〜０．７ｍｍの範囲であることがより好ましい。
【０２１３】
なお、後述する追記型記録層が設けられる側の基板表面には、平面性の改善、接着力の向上の目的で、下塗層を形成することが好ましく、該下塗層の材料、塗布法及び層厚の具体例及び好ましい例は態様（１）の下塗層と同様である。
【０２１４】
〔態様（２）の追記型記録層〕
態様（２）における追記型記録層に関する詳細については、態様（１）の追記型記録層と同様である。
【０２１５】
〔態様（２）の光反射層〕
態様（２）において、レーザ光に対する反射率を高めたり、記録再生特性を改良する機能を付与するために、追記型記録層上に光反射層を形成することがある。態様（２）の光反射層に関する詳細は態様（１）の光反射層と同様である。
【０２１６】
〔態様（２）の接着層〕
態様（２）における接着層は、前記光反射層と後述の保護基板との密着性を向上させるために形成される任意の層である。
接着層を構成する材料としては、光硬化性樹脂が好ましく、中でもディスクの反りを防止するため、硬化収縮率の小さいものが好ましい。このような光硬化性樹脂としては、例えば、大日本インク社製の「ＳＤ−６４０」、「ＳＤ−６６１」等のＵＶ硬化性樹脂（ＵＶ硬化性接着剤）を挙げることができる。
また、接着層の厚さは、弾力性を持たせるため、１〜１０００μｍの範囲が好ましい。
【０２１７】
〔態様（２）の保護基板〕
態様（２）における保護基板（ダミー基板）は、上述した基板と同じ材質で、同じ形状のものを使用することができる。保護基板の厚さとしては、厚さ０．１〜１．０ｍｍの範囲であることを要し、０．２〜０．８ｍｍの範囲であることが好ましく、０．３〜０．７ｍｍの範囲であることがより好ましい。
【０２１８】
〔態様（２）の保護層〕
態様（２）の光情報記録媒体は、その層構成によっては、光反射層や追記型記録層などを物理的及び化学的に保護する目的で保護層が設けられることある。
保護層に用いられる材料の例としては、ＺｎＳ、ＺｎＳ−ＳｉＯ２、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＭｇＦ２、ＳｎＯ２、Ｓｉ３Ｎ４等の無機物質、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等の有機物質を挙げることができる。
保護層は、例えば、プラスチックの押出加工で得られたフィルムを接着剤を介して光反射層上に貼り合わせることにより形成することができる。また、真空蒸着、スパッタリング、塗布等の方法により設けられてもよい。
【０２１９】
また、保護層として、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂を用いる場合には、これらを適当な溶剤に溶解して塗布液を調製した後、この塗布液を塗布し、乾燥することによっても形成することができる。ＵＶ硬化性樹脂の場合には、そのまま若しくは適当な溶剤に溶解して塗布液を調製した後、この塗布液を塗布し、ＵＶ光を照射して硬化させることによっても形成することができる。これらの塗布液中には、更に帯電防止剤、酸化防止剤、ＵＶ吸収剤等の各種添加剤を目的に応じて添加してもよい。
保護層の層厚は、一般には０．１μｍ〜１ｍｍの範囲にある。
【０２２０】
〔態様（２）のその他の層〕
態様（２）の光情報記録媒体は、本発明の効果を損なわない範囲においては、上記の必須の層に加え、他の任意の層を有していてもよい。他の任意の層の詳細については、前記態様（１）のその他の層と同様である。
【０２２１】
次に、本発明の光情報記録媒体に電子情報を記録する方法（以下、光情報記録方法ともいう。）について説明する。
電子情報を記録は、上記した好ましい態様（１）又は態様（２）の光情報記録媒体を用いて、例えば次のように行なわれる。まず、光情報記録媒体を定線速度（０．５〜１０ｍ／秒）又は定角速度にて回転させながら、基板側あるいは保護層側から半導体レーザー光などの記録用の光を照射する。この光の照射により、記録層がその光を吸収して局所的に温度上昇し、物理的あるいは化学的変化（例えばピットの生成）が生じてその光学的特性を変えることにより情報が記録されると考えられる。本発明においては、記録光として４４０ｎｍ以下の範囲の発振波長を有する半導体レーザー光が好適に用いられ、好ましい光源としては３９０〜４１５ｎｍの範囲の発振波長を有する青紫色半導体レーザー光、中心発振波長８５０ｎｍの赤外半導体レーザー光を光導波路素子を使って半分の波長にした中心発振波長４２５ｎｍの青紫色ＳＨＧレーザー光を挙げることができる。特に、記録密度の点で３９０〜４１５ｎｍの範囲の発振波長を有する青紫色半導体レーザー光を用いることが好ましい。上記のように記録された情報の再生は、光情報記録媒体を上記と同一の定線速度で回転させながら半導体レーザー光を基板側あるいは保護層側から照射して、その反射光を検出することにより行うことができる。
【０２２２】
［実施例］
以下、本発明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明はその主旨を越えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。なお、特に断りのない限り、「部」は質量基準である。
【０２２３】
合成例１：化合物（５）の合成
【０２２４】
【化４９】
2006297923.tif 000051
【０２２５】
ＮｉＣｌ２・６Ｈ２Ｏ  ０．５１ｇをメタノール１０ｍｌに溶解させ、攪拌しながら化合物（Ｌ−１）  １．５０ｇを添加した。しばらく攪拌させた後、化合物（Ｌ−３）を添加し室温で２時間攪拌した。メタノールを減圧留去し、水を加えて沈殿させ、吸引ろ過することにより、化合物（５）を得た。
ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ：４４３．２（ｎｅｇａ）、６９７．５（ｐｏｓｉ）
合成例２：化合物（１２）の合成
【０２２６】
【化５０】
2006297923.tif 000052
【０２２７】
化合物（Ｌ−４）０．２１ｇにメタノール５ｍｌを加え、攪拌しながら化合物（Ｌ−３）０．３０ｇを含むメタノール溶液５ｍｌを添加した。１時間加熱還流させた後、室温に戻し蒸留水４０ｍｌを加え沈殿物を得た。沈殿物を吸引ろ過することにより、化合物（１２）を得た。収量０．３７ｇ。
【０２２８】
他のオキソノール色素アニオン部位や他の金属錯体のカチオンを用いても、反応溶媒や反応温度を適切に選択すれば、化合物（５）と同様の方法で合成できる。
【０２２９】
−色素の吸収スペクトル−
本発明に係る金属錯体化合物〔化合物（５）〕２ｇを２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノール１００ｍｌ中に添加、溶解して得られた色素含有液を塗布し、乾燥させた後、乾燥後の塗布膜の膜吸収スペクトルをＵＶ−３１００ＰＣ｛（株）島津製作所製｝を用いて測定した。結果を表２に示す。
【実施例１】
【０２３０】
光情報記録媒体の作製
−基板の作製−
厚さ０．６ｍｍ、外径１２０ｍｍ、内径１５ｍｍでスパイラル状のプリグルーブ（トラックピッチ：４００ｎｍ、溝幅：１９０ｎｍ、溝深さ：９０ｎｍ、溝傾斜角度：６５°、ウォブル振幅：２０ｎｍ）を有する、ポリカーボネート樹脂からなる射出成形基板を作製した。射出成型時に用いられたスタンパのマスタリングは、レーザーカッティング（３５１ｎｍ）を用いて行なわれたものである。
【０２３１】
−追記型記録層の形成−
上記で合成した金属錯体化合物〔化合物（５）〕２ｇを、２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノール１００ｍｌ中に添加して溶解し、８種の色素含有塗布液を調製した。そして、上記より得た各々別の基板のプリグルーブを有する側に、調製した色素含有塗布液をスピンコート法により回転数３００〜４０００ｒ．ｐ．ｍ．まで変化させながら２３℃、５０％ＲＨの条件で塗布した。その後、２３℃、５０％ＲＨで１時間保存し、追記型記録層を形成した。
【０２３２】
追記型記録層を形成した後、クリーンオーブンにてアニール処理を施した。アニール処理は、基板を垂直のスタックポールにスペーサーで間をあけながら支持し、８０℃で１時間保持して行なった。
【０２３３】
−光反射層の形成−
追記型記録層上に、Ｕｎａｘｉｓ社製のＣｕｂｅを使用して、Ａｒ雰囲気中でＤＣスパッタリングにより、膜厚１００ｎｍの真空成膜層としてのＡＮＣ光反射層（Ａｇ：９８．１ａｔ％、Ｎｄ：０．７ａｔ％、Ｃｕ：０．９ａｔ％）を形成した。光反射層の膜厚の調整は、スパッタ時間により行なった。
【０２３４】
−保護基板の貼り合わせ−
光反射層上に更に、スピンコートにより紫外線硬化樹脂（ＳＤ６４０、大日本インキ化学工業（株）製）を塗布して接着層とし、ポリカーボネート製の保護基板（プリグルーブを形成していない以外は前記基板と同様のもの）を貼り合わせ、紫外線を照射して硬化させて本発明３の光情報記録媒体を作製した。このとき、紫外線硬化樹脂からなる接着層の厚さは、２５μｍであった。
【実施例２】
【０２３５】
実施例１において、「追記型記録層の形成」に用いた金属錯体化合物を、下記表２に示すように、下記化合物（５）＋化合物（Ｅ）［化合物（５）：化合物（Ｅ）＝１：１［質量比］］に代えたこと以外、実施例１との本発明３と同様にして、本発明４の光情報記録媒体を作製した。また、化合物（５）＋化合物（Ｅ）［化合物（５）：化合物（Ｅ）＝３：７［質量比］］及び化合物（５）＋化合物（Ｅ）［化合物（５）：化合物（Ｅ）＝７：３［質量比］］に代えたこと以外、実施例１の本発明３と同様にして、本発明５及び６の光情報記録媒体を作製した。
（比較例１〜２）
実施例１において、「追記型記録層の形成」に用いた金属錯体化合物を、下記表２に示すように、下記化合物（Ａ）＋化合物（Ｂ）［化合物（Ａ）：化合物（Ｂ）＝１：１０［質量比］］（比較例１）、下記化合物（Ｃ）＋化合物（Ｄ）［化合物（Ｃ）：化合物（Ｄ）＝１：１０［質量比］］（比較例２）に代えたこと以外、実施例１の本発明３と同様にして、比較の光情報記録媒体を作製した。
【０２３６】
＜光情報記録媒体の評価＞
（測定・評価）
本発明３〜６、比較例１、２で作製した光情報記録媒体について、下記の評価を行なった。測定評価の結果は下記表２に示す。
【０２３７】
−１．記録再生特性−
オシロスコープ（ＳＳ−７８２５、ＩＷＡＴＳＵ社製）にて記録後の信号波形の観察を行い、記録再生特性（耐光性）を評価する指標とした。
実施例、比較例で作製した各光情報記録媒体を、４０５ｎｍレーザ、ＮＡ０．６５ピックアップを備えた記録再生評価機（ＤＤＵ１０００、パルステック社製）を用いて、クロック周波数６４．８ＭＨｚ、線速６．６１ｍ／ｓにて、１．１２２μｍの信号（１１Ｔ）を記録、再生し、オシロスコープ（ＳＳ−７８２５、ＩＷＡＴＳＵ社製）にて記録後の波形を観察した。なお、記録はグルーブ上に行ない、再生パワー０．５ｍＷとした。さらに、記録後の光情報記録媒体を、耐光性試験機（ＦＡＬ−２５ＡＸ−ＨＣＢＥＣＬ型、石英＋＃２７５フィルタ使用、スガ試験機社製）を用いてキセノン光を１０時間照射した後、再び再生を行ない、上記と同様にして照射後の記録波形の観察をした。記録波形の観察において、信号波形が矩形である場合、「波形が“○”」であることを表し、実用上好ましい。
【０２３８】
−２．再生耐久性−
各光情報記録媒体について、前記「１．記録再生特性」と同様にして記録した後、３０分間連続再生を行ない、その後、オシロスコープ（ＳＳ−７８２５、ＩＷＡＴＳＵ社製）にて記録波形の観察を行い、記録部反射率の変化の大小を比較した（再生耐久試験）。
【０２３９】
【表２】
2006297923.tif 000053
【０２４０】
上記本発明３〜６についてはリサイクル適性試験を行ったが、かかるリサイクル適性では本発明４〜６ではほどほどの適性であったが、本発明３ではリサイクル適性に優れることが確認された。
【０２４１】
比較化合物（Ａ）
【０２４２】
【化５１】
2006297923.tif 000054
【０２４３】
比較化合物（Ｂ）
【０２４４】
【化５２】
2006297923.tif 000055
【０２４５】
比較化合物（Ｃ）
【０２４６】
【化５３】
2006297923.tif 000056
【０２４７】
比較化合物（Ｄ）
【０２４８】
【化５４】
2006297923.tif 000057
【０２４９】
比較化合物（Ｅ）
【０２５０】
【化５５】
2006297923.tif 000058
【実施例３】
【０２５１】
本発明３の化合物（５）に代えて、化合物（６）、（７）、（９）、（１２）、（１６）、（１７）、（２１）を用いて実施例１と同様に光情報記録媒体を作製した。その結果、光情報記録媒体は支障なく作製でき、これらの光情報記録媒体も、優れた記録再生特性、耐光性、再生耐久性を示した。
【実施例４】
【０２５２】
本発明４及び６の化合物（５）に代えて、化合物（６）、（７）、（９）、（１２）、（１６）、（１７）、（２１）を用いて本発明４及び６と同様に光情報記録媒体を作製した。その結果、各光情報記録媒体は支障なく作製でき、これらの光情報記録媒体も、優れた記録再生特性、耐光性、再生耐久性を示した。
【実施例５】
【０２５３】
実施例１の光情報記録媒体を製造ラインを用いて作製した。そして、比較例１及び２とともに、リサイクル適性を評価したところ、比較例１、２は化合物の混合比が変化したのに対して、実施例１の本発明３が単一成分であり、リサイクル適性に優れることがわかった。
【０２５４】
さらに、化合物（５）に（Ｃ−２５）、（Ｃ−２８）、（Ｃ−３２）をそれぞれ１０質量％の割合で添加したものを用いても、実施例１と同様の方法で光情報記録媒体を支障なく作製できた。これらの光情報記録媒体も、優れた記録再生特性、耐光性、再生耐久性を示した。
【０２５５】
前記表２に示すように、本発明の化合物ではいずれも記録再生特性および耐光性が良好であった。また、再生耐久性の試験結果からは、本発明の光情報記録媒体では、いずれもピットの読み取りができたのに対し、比較例の光情報記録媒体ではピットの読み取りに支障があった。
【０２５６】
上記表２の結果から、本発明の光情報記録媒体の場合には、いずれも記録再生特性、耐光性、再生耐久性が良好であり、特開２００２−５２８２５号公報で実施された化合物に比べて実用上好ましいことがわかる。