(57)【要約】【課題】  生産性が良く、安価で、且つ、小型の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールを提供する。【解決手段】  本発明の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールは、多層基板からなる回路基板１と、この回路基板１に設けられた非可逆回路素子Ｋ１を含む高周波回路素子Ｋとを備え、非可逆回路素子Ｋ１は、回路基板１の収容部２に形成された磁性材の膜部からなる下ヨーク５と、収容部２内に収容されたフェライト部材６と、誘電体７を介してフェライト部材６上に配置された第１，第２，第３の中心導体８，９，１０と、磁石１１と、この磁石１１上と収容部２を覆うように配設された上ヨーク１２とを有し、下ヨーク５が磁性材の膜部で形成されると、従来の金属板からなる下ヨークに比して、部品点数が少なく、生産性が良く、安価であると共に、非可逆回路素子自体を厚み方向に小型化できる。【選択図】        図２
2006049969.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線パターンを有し、複数の絶縁板が積層された多層基板からなる回路基板と、この回路基板に設けられた非可逆回路素子を含む高周波回路素子と、前記回路基板に形成された高周波回路とを備え、前記回路基板には、底面を有する凹部からなる収容部が設けられると共に、前記非可逆回路素子は、前記収容部の側面と前記底面とに形成された磁性材の膜部からなる下ヨークと、前記収容部内に収容されたフェライト部材と、誘電体を介して上下方向に一部が交叉するように、前記フェライト部材上に配置された第１，第２，第３の中心導体と、前記フェライト部とで前記第１，第２，第３の中心導体を挟むように、前記第１，第２，第３の中心導体上に配置された磁石と、この磁石上と前記収容部を覆うように配設され、前記下ヨークとで磁気閉回路を構成する上ヨークとを有したことを特徴とする非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュール。
【請求項２】
前記下ヨークは、鉄メッキによって形成されたことを特徴とする請求項１記載の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュール。
【請求項３】
前記下ヨークの前記鉄メッキ上には、銀メッキが設けられたことを特徴とする請求項２記載の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュール。
【請求項４】
前記収容部の外周近傍に位置する前記回路基板の表面には、前記下ヨークと同じ材料からなる磁性膜部が設けられ、前記上ヨークが前記磁性膜部の位置で結合されたことを特徴とする請求項１から３の何れかに記載の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュール。
【請求項５】
前記中心導体と前記誘電体が前記フェライト部材上に直接、厚膜によって形成されたことを特徴とする請求項１から４の何れかに記載の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュール。
【請求項６】
前記中心導体のそれぞれは、一端から延びるポート部と、他端から延びるアース部を有し、前記フェライト部材の側面には、前記ポート部と前記アース部が設けられ、前記アース部が前記下ヨークに接続されたことを特徴とする請求項１から５の何れかに記載の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュール。
【請求項７】
前記フェライト部材は、四角形の板材で形成され、前記フェライト部材の対向する前記側面には、前記ポート部と前記アース部が形成されたことを特徴とする請求項６記載の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュール。
【請求項８】
前記収容部の前記底面には、前記下ヨークと非導通の複数の接続パターンが設けられると共に、前記回路基板には、前記接続パターンのそれぞれに接続された複数のコンデンサが設けられ、前記ポート部が前記接続パターンに接続されたことを特徴とする請求項６、又は７記載の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュール。
【請求項９】
前記コンデンサは、前記回路基板の表面に設けられ、前記コンデンサと前記接続パターンは、前記回路基板の内層に設けられた接続導体によって接続されたことを特徴とする請求項８記載の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュール。
【請求項１０】
前記高周波回路素子は、表面弾性波素子からなるデュプレクサを備え、このデュプレクサが前記回路基板に搭載されて、送信回路と受信回路のアンテナを共用するアンテナ共用器を構成したことを特徴とする請求項１から９の何れかに記載の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はアンテナ共用器等に使用して好適な非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールの図面を説明すると、図１９は従来の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールに係り、上ヨークを取り去った状態の分解斜視図、図２０は従来の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールの断面図である。
【０００３】
次に、従来の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールの構成を図１９，図２０に基づいて説明しすると、複数の絶縁板が積層された多層基板からなる回路基板５０は、円形状の貫通孔５０ａと、貫通孔５０ａの周囲に設けられた凹み部５０ｂと、この凹み部５０ｂの底部から下方に向けて設けられた複数の孔５０ｃと、貫通孔５０ａを挟むように形成された一対の矩形状の孔５０ｄを有する。
【０００４】
また、回路基板５０には、配線パターン５１が設けられると共に、回路基板５０の上面には、コンデンサ５２が設けられ、このコンデンサ５２は、積層間に設けられた配線パターン５１に接続導体５３を介して接続されている。
【０００５】
磁性材からなる金属板が折曲されて形成されたＵ字状の下ヨーク５４は、底板５４ａと、この底板５４ａから折り曲げられた一つの側板５４ｂを有し、この下ヨーク５４は、一対の側板５４ｂが回路基板５０の孔５０ｄに挿通されて、底板５４ａで貫通孔５０ａの下部を塞ぐようにして、回路基板５０に取り付けられている。
【０００６】
円板状のフェライト部材５５は、貫通孔５０ａ内に収納されて、底面が底板５４ａに当接している。
絶縁基板５６の一面には、誘電体５７を介して上下方向に一部が交叉するように複数の中心導体５８が薄膜によって形成され、この中心導体５８を有した絶縁基板５６は、裏返して中心導体５８側を下にした状態で、凹み部５０ｂ内に位置して、中心導体５８側をフェライト部材５５上に載置する。
【０００７】
そして、この状態で、中心導体５８のポート部５８ａは、孔５０ｃに充填された接続導体５９によって、積層間に位置する配線パターン５１に接続され、また、中心導体５８のアース部５８ｂは、孔５０ｃに充填された接続導体６０によって、下ヨーク５４の底板５４ａに接続されて、接地される。
【０００８】
磁石６１は、絶縁基板５６上に載置されると共に、磁性材からなる金属板が折曲されて形成されたＵ字状の上ヨーク６２は、上板６２ａと、この上板６２ａから折り曲げられた一つの側板６２ｂを有し、この上ヨーク６２は、上板６２ａで磁石６１を覆った状態で、側板６２ｂが下ヨーク５４の側板５４ｂに結合され、下ヨーク５４とで磁気閉回路が形成されることによって、従来の非可逆回路素子が構成されている。（例えば、特許文献１参照）
【０００９】
このような構成を有する従来の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールは、非可逆回路素子のフェライト部材５５が回路基板５０内に収納されることによって、上下方向（厚み方向）の小型化が図れるが、金属板からなる下ヨーク５４と、中心導体５８を形成するための絶縁基板５６を必要とし、従って、部品点数が多くなって、生産性が悪く、コスト高になるばかりか、非可逆回路素子自体が厚み方向に大型になる。
【００１０】
また、絶縁基板５６が裏返された状態で、中心導体５８のポート部５８ａは、接続導体５９を介して積層内に位置する配線パターン５１に接続され、且つ、中心導体５８のアース部５８ｂは、接続導体６０を介して下部に位置する底板５４ａに接続されているため、その構成が複雑で、生産性が悪いものであった。
【００１１】
【特許文献１】特開２００２−９４３０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
従来の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールは、非可逆回路素子のフェライト部材５５が回路基板５０内に収納されることによって、上下方向（厚み方向）の小型化が図れるが、金属板からなる下ヨーク５４と、中心導体５８を形成するための絶縁基板５６を必要とし、従って、部品点数が多くなって、生産性が悪く、コスト高になるばかりか、非可逆回路素子自体が厚み方向に大型になるという問題がある。
【００１３】
また、絶縁基板５６が裏返された状態で、中心導体５８のポート部５８ａは、接続導体５９を介して積層内に位置する配線パターン５１に接続され、且つ、中心導体５８のアース部５８ｂは、接続導体６０を介して下部に位置する底板５４ａに接続されているため、その構成が複雑で、生産性が悪いという問題がある。
【００１４】
そこで、本発明は生産性が良く、安価で、且つ、小型の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決するための第１の解決手段として、配線パターンを有し、複数の絶縁板が積層された多層基板からなる回路基板と、この回路基板に設けられた非可逆回路素子を含む高周波回路素子と、前記回路基板に形成された高周波回路とを備え、前記回路基板には、底面を有する凹部からなる収容部が設けられると共に、前記非可逆回路素子は、前記収容部の側面と前記底面とに形成された磁性材の膜部からなる下ヨークと、前記収容部内に収容されたフェライト部材と、誘電体を介して上下方向に一部が交叉するように、前記フェライト部材上に配置された第１，第２，第３の中心導体と、前記フェライト部とで前記第１，第２，第３の中心導体を挟むように、前記第１，第２，第３の中心導体上に配置された磁石と、この磁石上と前記収容部を覆うように配設され、前記下ヨークとで磁気閉回路を構成する上ヨークとを有した構成とした。
【００１６】
また、第２の解決手段として、前記下ヨークは、鉄メッキによって形成された構成とした。
また、第３の解決手段として、前記下ヨークの前記鉄メッキ上には、銀メッキが設けられた構成とした。
【００１７】
また、第４の解決手段として、前記収容部の外周近傍に位置する前記回路基板の表面には、前記下ヨークと同じ材料からなる磁性膜部が設けられ、前記上ヨークが前記磁性膜部の位置で結合された構成とした。
また、第５の解決手段として、前記中心導体と前記誘電体が前記フェライト部材上に直接、厚膜によって形成された構成とした。
【００１８】
また、第６の解決手段として、前記中心導体のそれぞれは、一端から延びるポート部と、他端から延びるアース部を有し、前記フェライト部材の側面には、前記ポート部と前記アース部が設けられ、前記アース部が前記下ヨークに接続された構成とした。
また、第７の解決手段として、前記フェライト部材は、四角形の板材で形成され、前記フェライト部材の対向する前記側面には、前記ポート部と前記アース部が形成された構成とした。
【００１９】
また、第８の解決手段として、前記収容部の前記底面には、前記下ヨークと非導通の複数の接続パターンが設けられると共に、前記回路基板には、前記接続パターンのそれぞれに接続された複数のコンデンサが設けられ、前記ポート部が前記接続パターンに接続された構成とした。
【００２０】
また、第９の解決手段として、前記コンデンサは、前記回路基板の表面に設けられ、前記コンデンサと前記接続パターンは、前記回路基板の内層に設けられた接続導体によって接続された構成とした。
また、第１０の解決手段として、前記高周波回路素子は、表面弾性波素子からなるデュプレクサを備え、このデュプレクサが前記回路基板に搭載されて、送信回路と受信回路のアンテナを共用するアンテナ共用器を構成した。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールは、配線パターンを有し、複数の絶縁板が積層された多層基板からなる回路基板と、この回路基板に設けられた非可逆回路素子を含む高周波回路素子と、回路基板に形成された高周波回路とを備え、回路基板には、底面を有する凹部からなる収容部が設けられると共に、非可逆回路素子は、収容部の側面と底面とに形成された磁性材の膜部からなる下ヨークと、収容部内に収容されたフェライト部材と、誘電体を介して上下方向に一部が交叉するように、フェライト部材上に配置された第１，第２，第３の中心導体と、フェライト部とで第１，第２，第３の中心導体を挟むように、第１，第２，第３の中心導体上に配置された磁石と、この磁石上と収容部を覆うように配設され、下ヨークとで磁気閉回路を構成する上ヨークとを有した構成とした。
このように下ヨークが磁性材の膜部で形成されると、従来の金属板からなる下ヨークに比して、部品点数が少なく、生産性が良く、安価であると共に、非可逆回路素子自体を厚み方向に小型化できる。
【００２２】
また、下ヨークは、鉄メッキによって形成されたため、下ヨークの形成が容易となり、生産性の良好なものが得られる。
【００２３】
また、下ヨークの鉄メッキ上には、銀メッキが設けられたため、下ヨークの電気抵抗を小さくできて、下ヨークにおける電流の流れが良くなって、性能の良好なものが得られる。
【００２４】
また、収容部の外周近傍に位置する回路基板の表面には、下ヨークと同じ材料からなる磁性膜部が設けられ、上ヨークが磁性膜部の位置で結合されたため、下ヨークと上ヨークの結合を容易にできて、組立性の良好なものが得られる。
【００２５】
また、中心導体と誘電体がフェライト部材上に直接、厚膜によって形成されたため、従来の絶縁基板が不要となり、部品点数が少なく、生産性が良く、安価であると共に、非可逆回路素子自体を厚み方向に小型化できる。
【００２６】
また、中心導体のそれぞれは、一端から延びるポート部と、他端から延びるアース部を有し、フェライト部材の側面には、ポート部とアース部が設けられ、アース部が下ヨークに接続されたため、アース部の下ヨークへの接続の容易なものが得られ、生産性の良好なものが得られる。
【００２７】
また、フェライト部材は、四角形の板材で形成され、フェライト部材の対向する側面には、ポート部とアース部が形成されたため、フェライト部材へのポート部とアース部の形成が容易となって、生産性の良好なものが得られる。
【００２８】
また、収容部の底面には、下ヨークと非導通の複数の接続パターンが設けられると共に、回路基板には、接続パターンのそれぞれに接続された複数のコンデンサが設けられ、ポート部が接続パターンに接続されたため、接続パターンへのポート部の接続が容易となり、生産性の良好なものが得られる。
【００２９】
また、コンデンサは、回路基板の表面に設けられ、コンデンサと接続パターンは、回路基板の内層に設けられた接続導体によって接続されたため、コンデンサは、回路基板表面の任意の位置に配置できて、回路基板のレイアウトの自由なものが得られる。
【００３０】
また、高周波回路素子は、表面弾性波素子からなるデュプレクサを備え、このデュプレクサが回路基板に搭載されて、送信回路と受信回路のアンテナを共用するアンテナ共用器を構成したため、回路基板上に搭載されたデュプレクサと、回路基板に組み込まれた非可逆回路素子の厚み方向の高さをほぼ同等にできて、薄型のアンテナ共用器が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
本発明の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールの図面を説明すると、図１は本発明の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールの第１実施例に係る要部の平面図、図２は本発明の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールの第１実施例に係る要部の断面図、図３は本発明の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールの第１実施例に係り、上ヨークと磁石を取り去った状態を示す要部の平面図である。
【００３２】
また、図４は本発明の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールの第１実施例に係り、収容部の状態を示す回路基板の平面図、図５は本発明の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールの第１実施例に係り、収容部の状態を示す回路基板の要部の斜視図、図６は本発明の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールの第１実施例に係るフェライト部材の斜視図、図７は本発明の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールの第１実施例に係り、フェライト部材を裏返した状態の斜視図である。
【００３３】
また、図８は本発明の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールに係り、アイソレータからなる非可逆回路素子の等価回路図、図９は本発明の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールに係り、サーキュレータからなる非可逆回路素子の等価回路図、図１０は本発明の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールをアンテナ共用器に適用した場合の回路図である。
【００３４】
また、図１１は本発明の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールの第１実施例に係り、非可逆回路素子の製造方法を説明するための大判フェライト部材の平面図、図１２は本発明の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールの第１実施例に係り、非可逆回路素子の製造方法を説明するための大判フェライト部材の下面図、図１３は本発明の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールの第１実施例に係り、非可逆回路素子の製造方法を説明するための斜視図である。
【００３５】
また、図１４は本発明の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールの第２実施例に係るフェライト部材の斜視図、図１５は本発明の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールの第２実施例に係り、フェライト部材を裏返した状態の斜視図、図１６は本発明の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールの第２実施例に係り、非可逆回路素子の製造方法を説明するための大判フェライト部材の平面図、図１７は本発明の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールの第２実施例に係り、非可逆回路素子の製造方法を説明するための大判フェライト部材の下面図、図１８は本発明の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールの第２実施例に係り、非可逆回路素子の製造方法を説明するための斜視図である。
【００３６】
次に、本発明の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールの構成を図１〜図７に基づいて説明すると、アンテナ共用器等の高周波回路モジュールに使用される回路基板１は、ＬＴＣＣ（低温焼成セラミック）等の複数の絶縁板が積層された多層基板からなり、一面側（上面側）には、底面２ａと側面２ｂを有した四角形状の凹部からなる収容部２が設けられている。
【００３７】
そして、この回路基板１の上面や積層間には、配線パターン３が設けられると共に、収容部２の底面２ａには、配線パターン３の一部である複数（３個）の接続パターン３ａが設けられており、この等の接続パターン３ａは、回路基板１内に設けられた銀等からなるそれぞれの接続導体４によって、回路基板１の上面に設けられた配線パターン３に接続されている。
【００３８】
第１，第２，第３のコンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３は、チップ型のコンデンサや薄膜、或いは厚膜によって形成されたコンデンサで構成され、第１，第２，第３のコンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３は、収容部２の近傍の回路基板１の上面に設けられた配線パターン３に接続され、収容部２の外周部に分散された状態で配置されると共に、抵抗器Ｒは、チップ型の抵抗器や薄膜、或いは厚膜によって形成された抵抗器で構成され、この抵抗器Ｒは、第３のコンデンサＣ３の近傍で配線パターン３に接続されている。
なお、ここでは図示しないが、第１，第２，第３のコンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３や抵抗器Ｒ以外のコンデンサや抵抗器等の種々の電子部品が回路基板１に搭載された構成となっている。
【００３９】
次に、高周波回路素子Ｋの１つであるアイソレータからなる非可逆回路素子Ｋ１の構成を説明すると、回路基板１に形成された下ヨーク５と、ＹＩＧ（Ｙｔｔｒｉｕｍ  ｉｒｏｎ  ｇａｒｎｅｔ）等からなる四角形の板材からなるフェライト部材６と、誘電体７を介して上下方向に一部が交叉した状態で、フェライト部材６上に形成された第１，第２，第３の中心導体８，９，１０と、この第１，第２，第３の中心導体８，９，１０上に配置された磁石１１と、磁石１１を覆うように配置され、下ヨーク５に結合して下ヨーク５とで磁気閉回路を形成する上ヨーク１２と、第１，第２，第３のコンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３と、抵抗器Ｒとで構成されている。
【００４０】
更に、非可逆回路素子Ｋ１の構成を詳述すると、接地用の下ヨーク５は、磁性材である鉄等のメッキ等によって形成され、収容部２の底面２ａと側面２ｂに設けられた磁性材の膜部５ａと、この膜部５ａに接続され、収容部２の外周近傍に位置する回路基板１の上面（表面）に設けられた磁性膜部５ｂを有する。
なお、下ヨーク５は、コ字状、或いは箱状に予め形成した磁性板を収容部２に収容するようにしても良い。
【００４１】
そして、収容部２の内面に設けられた膜部５ａは、接続パターン３ａと非導通状態に形成されると共に、回路基板１の表面に設けられた磁性膜部５ｂは、接地用の配線パターン３に接続されている。
その結果、第１，第２，第３のコンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３と抵抗器Ｒの一方側の電極は、接続導体４に接続されたホット側の配線パターン３に接続されると共に、第１，第２，第３のコンデンサＣ１，Ｃ２，Ｃ３と抵抗器Ｒの他方側の電極は、磁性膜部５ｂに接続された接地側の配線パターン３に接続されて、接地される。
【００４２】
フェライト部材６の一面６ａ側（上面側）には、誘電体７と、第１，第２，第３の中心導体８，９，１０が直接、蒸着法やスパッタ等の薄膜技術や印刷や塗布等の厚膜技術によって形成されている。
そして、誘電体７は、薄膜、及び厚膜の場合、窒化シリコン、チタン酸バリウム系、チタン酸鉛系等が使用され、また、第１，第２，第３の中心導体８，９，１０は、薄膜の場合、銀やアルミ等が使用され、更に、厚膜の場合、銀ペーストや銀ーパラジュームペースト等が使用される。
【００４３】
また、第１，第２，第３の中心導体８，９，１０は、特に図６，図７に示すように、一端側から延びるポート部８ａ、９ａ、１０ａと、他端側から延びるアース部８ｂ、９ｂ、１０ｂを有し、このポート部８ａ、９ａ、１０ａとアース部８ｂ、９ｂ、１０ｂは、四角形のフェライト部材６の対向する側面６ｂ、６ｃに設けられると共に、フェライト部材６の他面６ｄ側（下面側）には、ポート部８ａ、９ａ、１０ａに接続されたランド部８ｃ、９ｃ、１０ｃと、アース部８ｂ、９ｂ、１０ｂに接続され、ランド部８ｃ、９ｃ、１０ｃと非導通状態にあるアース膜部８ｄが設けられている。
【００４４】
そして、このような構成を有するフェライト部材６は、収容部２内に挿入され、それぞれのランド部８ｃ、９ｃ、１０ｃが接続パターン３ａ上に載置されて、ポート部８ａ、９ａ、１０ａが接続パターン３ａに半田付けされて接続されると共に、アース膜部８ｄが底面２ａ上の膜部５ａに載置され、アース部８ｂ、９ｂ、１０ｂが下ヨーク５に半田付けされて接地される。
【００４５】
その結果、第１の中心導体８は、ポート部８ａ側が接続パターン３ａを介して第１のコンデンサＣ１の一端側に接続され、アース部８ｂ側が下ヨーク５に接地された状態となり、また、第２の中心導体９は、ポート部９ａ側が接続パターン３ａを介して第２のコンデンサＣ２の一端側に接続され、アース部９ｂ側が下ヨーク５に接地された状態となり、更に、第３の中心導体１０は、ポート部１０ａ側が接続パターン３ａを介して第３のコンデンサＣ３と抵抗器Ｒの一端側に接続され、アース部１０ｂ側が下ヨーク５に接地された状態となる。
【００４６】
平板状の磁石１１が第１，第２，第３の中心導体８，９，１０上に載置されると共に、磁性板からなるコ字状、或いは箱形の上ヨーク１２は、磁石１１と収容部２を覆うように配置される。
そして、上ヨーク１２の側部が下ヨーク５の磁性膜部５ｂに半田付けされると共に、上ヨーク１２が下ヨーク５と磁気的に結合して、下ヨーク５とで磁気閉回路が形成されて、アイソレータからなる非可逆回路素子Ｋ１が構成される。
【００４７】
このような構成を有するアイソレータからなる非可逆回路素子Ｋ１は、図８の等価回路図に示すように、第１の中心導体８のポート部８ａと第１のコンデンサＣ１の一端が接続され、第１の中心導体８のアース部８ｂと第１のコンデンサＣ１の他端が接地された状態となり、また、第２の中心導体９のポート部９ａと第２のコンデンサＣ２の一端が接続され、第２の中心導体９のアース部９ｂと第２のコンデンサＣ２の他端が接地された状態となり、更に、第３の中心導体１０のポート部１０ａと第３のコンデンサＣ３、及び抵抗器Ｒの一端が接続され、第３の中心導体１０のアース部１０ｂと第３のコンデンサＣ３、及び抵抗器Ｒの他端が接地された状態となる。
【００４８】
なお、上記実施例では、アイソレータからなる非可逆回路素子で説明したが、抵抗器Ｒを無くしたサーキュレータからなる非可逆回路素子でも良い。
そして、サーキュレータからなる非可逆回路素子は、図９の等価回路図に示すように、第１の中心導体８のポート部８ａと第１のコンデンサＣ１の一端が接続され、第１の中心導体８のアース部８ｂと第１のコンデンサＣ１の他端が接地された状態となり、また、第２の中心導体９のポート部９ａと第２のコンデンサＣ２の一端が接続され、第２の中心導体９のアース部９ｂと第２のコンデンサＣ２の他端が接地された状態となり、更に、第３の中心導体１０のポート部１０ａと第３のコンデンサＣ３の一端が接続され、第３の中心導体１０のアース部１０ｂと第３のコンデンサＣ３の他端が接地された状態となる。
【００４９】
また、回路基板１の一面側には、高周波回路素子Ｋを形成し、表面弾性波素子からなるデュプレクサＫ２が搭載されると共に、この回路基板１には、非可逆回路素子Ｋ１やデュプレクサＫ２からなる高周波回路素子Ｋの他に、ここでは図示しないが、パワーアンプＫ３や表面弾性波からなるＳＡＷフイルタＫ４が搭載されて、高周波回路を備えたアンテナ共用器が形成されている。
【００５０】
そして、図１０は本発明高周波回路モジュールをアンテナ共用器に適用した場合の回路図で、このアンテナ共用器の送信側は、アンテナ端子Ａ１に接続されたデュプレクサＫ２と、このデュプレクサＫ２に接続された非可逆回路素子Ｋ１と、この非可逆回路素子Ｋ１に接続されたパワーアンプＫ３と、送信側端子１３を有し、送信側端子１３から入力された送信信号は、パワーアンプＫ３で増幅され、非可逆回路素子Ｋ１を通過する。
【００５１】
また、この非可逆回路素子Ｋ１は、パワーアンプＫ３で増幅さえた送信信号がアンテナＡで反射され、パワーアンプＫ３に逆流するのを防止する高周波回路素子Ｋであり、この非可逆回路素子Ｋ１によってアンテナＡ側からパワーアンプＫ３に信号が流れるのを阻止すると共に、非可逆回路素子Ｋ１を通過した送信信号は、デュプレクサＫ２を介してアンテナ端子Ａ１から出力される。
【００５２】
更に、アンテナ共用器の送信側は、アンテナ端子Ａ１に接続されたデュプレクサＫ２と、このデュプレクサＫ２に接続されたＳＡＷフイルタＫ４と、受信側端子１４を有し、アンテナ端子Ａ１から入力される受信信号は、デュプレクサＫ２を介して、帯域通過フイルタであるＳＡＷフイルタＫ４を通って受信側端子１４から出力される。
【００５３】
そして、このデュプレクサＫ２は、２つの帯域通過フイルタ（図示せず）で構成され、送信信号の周波数帯域では、アンテナ端子Ａ１と非可逆回路素子Ｋ１とを高周波的に接続し、受信信号の周波数帯域では、アンテナ端子Ａ１とＳＡＷフイルタＫ４とを高周波的に接続するものである。
【００５４】
次に、本発明の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールの第１実施例に係る非可逆回路素子の製造方法を図１１〜図１３に基づいて説明すると、先ず、図１１，図１２に示すように、四角形の大判フェライト部材１５を用意して、この大判フェライト部材１５には、複数の短冊状で四角形の帯状フェライト部材１６が形成できるようになっている。
【００５５】
また、図１１，図１２に示す実施例では、大判フェライト部材１５が二点鎖線Ｓ１の位置で区切られて、３個の帯状フェライト部材１６が形成できるようになると共に、この二点鎖線Ｓ１と、二点鎖線Ｓ１に直交する二点鎖線Ｓ２とよって区切られた四角形の領域のそれぞれが単一のフェライト部材６を形成するようになっている。
【００５６】
次に、図１１に示すように、大判フェライト部材１５の上面におけるそれぞれの帯状フェライト部材１６に対応する位置には、複数組の第１，第２，第３の中心導体８，９，１０と誘電体７が厚膜、或いは薄膜によって一列状態に形成されると共に、図１２に示すように、大判フェライト部材１５の下面におけるそれぞれの帯状フェライト部材１６に対応する位置には、複数組の第１，第２，第３の中心導体８，９，１０のランド部８ｃ、９ｃ、１０ｃ、及びこのランド部８ｃ、９ｃ、１０ｃと非導通状態のアース膜部８ｄが厚膜、或いは薄膜によって形成される。
【００５７】
この時、複数組のそれぞれの第１，第２，第３の中心導体８，９，１０のポート部８ａ、９ａ、１０ａとアース部８ｂ、９ｂ、１０ｂの端部は、帯状フェライト部材１６の長手方向（二点鎖線Ｓ１方向）の側部に位置するように配置されており、その結果、隣り合う帯状フェライト部材１６間では、中心導体８，９，１０同士が繋がった状態になっている。
【００５８】
次に、大判フェライト部材１５を二点鎖線Ｓ１の位置で切断すると、図１３に示すように、複数の短冊状で四角形の帯状フェライト部材１６が形成されると共に、それぞれの帯状フェライト部材１６には、長手方向に位置した対向する側面１６ａ、１６ｂが形成される。
【００５９】
しかる後、図１３に示すように、複数枚の帯状フェライト部材１６が同じ向き（中心導体側を上方にした状態）にして、板状のスペーサ１７を介して積層される。
なお、スペーサ１７を使用しないで、複数枚の帯状フェライト部材１６を積層しても良い。
【００６０】
次に、複数枚の帯状フェライト部材１６が積層された状態で、図１３に示すように、複数の帯状フェライト部材１６の側面１６ａには、同一工程によってポート部やアース部を形成すると共に、複数の帯状フェライト部材１６の側面１６ｂにも、同一工程によってポート部やアース部を形成する。
すると、図６，図７に示すように、それぞれのフェライト部材６における第１，第２，第３の中心導体８，９，１０のポート部８ａ、９ａ、１０ａは、ランド部８ｃ、９ｃ、１０ｃに接続されると共に、それぞれのフェライト部材６における第１，第２，第３の中心導体８，９，１０のアース部８ｂ、９ｂ、１０ｂは、アース膜部８ｄに接続された状態となる。
【００６１】
次に、それぞれの帯状フェライト部材１６が二点鎖線Ｓ２の位置で切断されると、図６，図７に示すような個々のフェライト部材６が形成されて、本発明の非可逆回路素子のフェライト部材６の製造が完了する。
【００６２】
また、図１４、図１５は、本発明の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールの第２実施例に係り、この第２実施例の構成を説明すると、フェライト部材６の他面（下面）には、第１実施例で形成したランド部８ｃ、９ｃ、１０ｃとアース膜部８ｄを無くしたもので、第２実施例のフェライト部材６のその他の構成は、第１実施例と同様であり、同一部品に同一番号を付し、ここではその説明を省略する。
【００６３】
次に、本発明の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールの第２実施例に係る非可逆回路素子の製造方法を図１６〜図１８に基づいて説明すると、先ず、図１６，図１７に示すように、四角形の大判フェライト部材１５を用意して、この大判フェライト部材１５には、複数の短冊状で四角形の帯状フェライト部材１６が形成できるようになっている。
【００６４】
また、図１６，図１７に示す実施例では、大判フェライト部材１５が二点鎖線Ｓ１の位置で区切られて、３個の帯状フェライト部材１６が形成できるようになると共に、この二点鎖線Ｓ１と、二点鎖線Ｓ１に直交する二点鎖線Ｓ２とよって区切られた四角形の領域のそれぞれが単一のフェライト部材６を形成するようになっている。
【００６５】
次に、図１６に示すように、大判フェライト部材１５の上面におけるそれぞれの帯状フェライト部材１６に対応する位置には、複数組の第１，第２，第３の中心導体８，９，１０と誘電体７が厚膜、或いは薄膜によって一列状態に形成されると共に、図１７に示すように、大判フェライト部材１５の下面は、何も形成されてない状態にする。
【００６６】
この時、複数組のそれぞれの第１，第２，第３の中心導体８，９，１０のポート部８ａ、９ａ、１０ａとアース部８ｂ、９ｂ、１０ｂの端部は、帯状フェライト部材１６の長手方向（二点鎖線Ｓ１方向）の側部に位置するように配置されており、その結果、隣り合う帯状フェライト部材１６間では、中心導体８，９，１０同士が繋がった状態になっている。
【００６７】
次に、大判フェライト部材１５を二点鎖線Ｓ１の位置で切断すると、図１８に示すように、複数の短冊状で四角形の帯状フェライト部材１６が形成されると共に、それぞれの帯状フェライト部材１６には、長手方向に位置した対向する側面１６ａ、１６ｂが形成される。
【００６８】
しかる後、図１８に示すように、複数枚の帯状フェライト部材１６が同じ向き（中心導体側を上方にした状態）にして、板状のスペーサ１７を介して積層される。
なお、スペーサ１７を使用しないで、複数枚の帯状フェライト部材１６を積層しても良い。
【００６９】
次に、複数枚の帯状フェライト部材１６が積層された状態で、図１８に示すように、複数の帯状フェライト部材１６の側面１６ａには、同一工程によってポート部やアース部を形成すると共に、複数の帯状フェライト部材１６の側面１６ｂにも、同一工程によってポート部やアース部を形成する。
すると、図１４，図１５に示すように、それぞれのフェライト部材６における第１，第２，第３の中心導体８，９，１０には、ポート部８ａ、９ａ、１０ａとのアース部８ｂ、９ｂ、１０ｂが形成された状態となる。
【００７０】
次に、それぞれの帯状フェライト部材１６が二点鎖線Ｓ２の位置で切断されると、図１４，図１５に示すような個々のフェライト部材６が形成されて、本発明の非可逆回路素子のフェライト部材６の製造が完了する。
【００７１】
なお、上記実施例では、大判フェライト部材１５から帯状フェライト部材１６を形成するもので説明したが、予め帯状フェライト部材１６を形成し、この帯状フェライト部材１６に中心導体を形成するようにしても良い。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールの第１実施例に係る要部の平面図。
【図２】本発明の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールの第１実施例に係る要部の断面図。
【図３】本発明の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールの第１実施例に係り、上ヨークと磁石を取り去った状態を示す要部の平面図。
【図４】本発明の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールの第１実施例に係り、収容部の状態を示す回路基板の平面図。
【図５】本発明の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールの第１実施例に係り、収容部の状態を示す回路基板の要部の斜視図。
【図６】本発明の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールの第１実施例に係るフェライト部材の斜視図。
【図７】本発明の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールの第１実施例に係り、フェライト部材を裏返した状態の斜視図。
【図８】本発明の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールに係り、アイソレータからなる非可逆回路素子の等価回路図。
【図９】本発明の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールに係り、サーキュレータからなる非可逆回路素子の等価回路図。
【図１０】本発明の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールをアンテナ共用器に適用した場合の回路図。
【図１１】本発明の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールの第１実施例に係り、非可逆回路素子の製造方法を説明するための大判フェライト部材の平面図。
【図１２】本発明の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールの第１実施例に係り、非可逆回路素子の製造方法を説明するための大判フェライト部材の下面図。
【図１３】本発明の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールの第１実施例に係り、非可逆回路素子の製造方法を説明するための斜視図。
【図１４】本発明の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールの第２実施例に係るフェライト部材の斜視図。
【図１５】本発明の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールの第２実施例に係り、フェライト部材を裏返した状態の斜視図。
【図１６】本発明の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールの第２実施例に係り、非可逆回路素子の製造方法を説明するための大判フェライト部材の平面図。
【図１７】本発明の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールの第２実施例に係り、非可逆回路素子の製造方法を説明するための大判フェライト部材の下面図。
【図１８】本発明の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールの第２実施例に係り、非可逆回路素子の製造方法を説明するための斜視図。
【図１９】従来の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールに係り、上ヨークを取り去った状態の分解斜視図。
【図２０】従来の非可逆回路素子を備えた高周波回路モジュールの断面図。
【符号の説明】
【００７３】
１：回路基板
２：収容部
２ａ：底面
２ｂ：側面
３：配線パターン
３ａ：接続パターン
４：接続導体
Ｋ：高周波回路素子
Ｋ１：非可逆回路素子
Ｃ１：第１のコンデンサ
Ｃ２：第２のコンデンサ
Ｃ３：第３のコンデンサ
Ｒ：抵抗器
５：下ヨーク
５ａ：膜部
５ｂ：磁性膜部
６：フェライト部材
６ａ：一面（上面）
６ｂ、６ｃ：側面
６ｄ：他面（下面）
７：誘電体
８：第１の中心導体
８ａ：ポート部
８ｂ：アース部
８ｃ：ランド部
８ｄ：アース膜部
９：第２の中心導体
９ａ：ポート部
９ｂ：アース部
９ｃ：ランド部
１０：第３の中心導体
１０ａ：ポート部
１０ｂ：アース部
１０ｃ：ランド部
１１：磁石
１２：上ヨーク
Ｋ２：デュプレクサ
Ｋ３：パワーアンプ
Ｋ４：ＳＡＷフイルタ
Ａ：アンテナ
Ａ１：アンテナ端子
１３：送信側端子
１４：受信側端子
１５：大判フェライト部材
１６：帯状フェライト部材
１６ａ、１６ｂ：側面
１７：スペーサ
Ｓ１，Ｓ２：二点鎖線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
2006049969.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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