(57)【要約】【課題】  発光に伴う有機多層膜の温度上昇を抑制することによって発光効率を維持し、且つ長寿命化を図った有機ＥＬ表示装置を提供する。  【解決手段】  有機ＥＬ発光素子１５を形成した絶縁性基板１１の背面に薄肉となる凹部１１ａを設け、この凹部１１ａ内にアルミニウム板３１をシリコン接着剤３０で接着配置することにより、このアルミニウム板３１が発熱源に近い凹部１１ａの底面に近接して密着配置されるので、アルミニウム板３１により熱拡散が促進され、放熱効率を高めることができる。これによって有機発光膜１３の発光効率を低下させることがなくなり、有機ＥＬ表示装置の長寿命化を図ることができる。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性基板と対向して周縁部に封止部材を介在させて気密封止された絶縁性基板の主面内に複数の有機ＥＬ発光素子が配設され、且つ当該複数の有機ＥＬ発光素子と対向する背面に凹部が形成され、当該凹部内に放熱部材が配設されたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記放熱部材は、アルミニウム板材とすることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記放熱部材は、銅板材とすることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記放熱部材は、熱伝導性の高いシリコン接着材を介して接着配置させたことを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記放熱部材の外面に微細な凹凸面を有することを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れかに記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記放熱部材は、金属膜とすることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項７】
前記金属膜は、外面に微細な凹凸面を有することを特徴とする請求項６に記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一対の電極間に有機発光層を設け、一対の電極により有機発光層に電界を印加させて発光させる有機ＥＬ表示装置に係り、特に発光領域を構成する有機発光層で生じた発熱による当該発光領域の効率低下を抑制して長寿命と信頼性向上を可能とした有機ＥＬ表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、フラットパネル型の表示装置として液晶表示装置（ＬＣＤ）やプラズマ表示装置（ＰＤＰ）、電界放出型表示装置（ＦＥＤ）、有機ＥＬ表示装置（ＯＬＥＤ）などが実用化ないし実用化研究段階にある。その中でも、有機ＥＬ表示装置は、薄型・軽量の自発光型表示装置の典型としてこれからの表示装置として極めて有望な表示装置である。有機ＥＬ表示装置には、所謂ボトムエミッション型とトップエミッション型とがある。
【０００３】
ボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置は、ガラス基板を好適とする絶縁性基板上に第１の電極または一方の電極としてのＩＴＯなどの透明電極、電界の印加により発光する有機多層膜（有機発光層とも言う）、第２の電極または他方の電極としての反射性の金属電極を順次積層した発光機構により有機ＥＬ発光素子が構成される。この有機ＥＬ発光素子をマトリクス状に多数配列し、それらの積層構造を覆って封止缶とも称する他の基板を設け、上記発光構造を外部の雰囲気から遮断している。
【０００４】
そして、例えば透明電極を陽極とし、金属電極を陰極として両者の電極間に電界を印加することにより、有機多層膜にキャリア（電子と正孔）が注入され、当該有機多層膜が発光する。この発光をガラス基板側から外部に出射する構成となっている。
【０００５】
一方、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置は、上述した一方の電極を反射性を有する金属電極とし、他方の電極をＩＴＯ等の透明電極として両者の電極間に電界を印加することにより、有機多層膜が発光し、この発光を上述した他方の電極側から出射する構成となっている。トップエミッション型では、ボトムエミッション型における封止缶としてガラス板を好適とする透明板が使用される。
【０００６】
このように構成される有機ＥＬ表示装置では、有機ＥＬ発光素子の発光時に一方の電極と他方の電極との間に印加される電界に応じて発光機構の有機多層膜にキャリアが注入されて発光するが、注入されたキャリアの全てが発光に寄与するわけでなく、一部は発熱となって発光機構を加熱する。発光機構を構成する有機多層膜の材料は、一般に発熱によって発光特性が劣化し、寿命が低下する。このために発熱を除去する必要がある。このような発熱の対策を施したものとして、有機多層膜を形成した基板の背面に熱伝導性の高い金属放熱部材を貼り付けることにより、放熱効果を改善した構造が下記特許文献１に記載されている。
【特許文献１】特開２００２−３４３５５５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、このように構成された有機ＥＬ表示装置では、基板自体がガラスなどの熱伝導性の低い基板を使用した場合、単に基板の背面に放熱部材を設けたり、または貼り付けた構造では、有機多層膜と放熱部材との間の距離が大きく、十分な放熱効果が期待できず、これによって発光機構を構成する有機多層膜は点灯時の発熱によって発光特性の劣化が促進される。また、この発熱は、有機ＥＬ表示装置の長寿命化を阻害する要因となっている。
【０００８】
したがって、本発明は前述した従来の課題を解決するためになされたものであり、その目的は、このような発光に伴う有機多層膜の温度上昇を抑制することによって発光効率を維持し、且つ長寿命化を図った有機ＥＬ表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
このような目的を達成するために本発明による有機ＥＬ表示装置は、複数の有機ＥＬ発光素子が形成された絶縁性基板の背面に薄肉となる凹部を設け、この凹部内に放熱部材を配設することにより、この放熱部材が発熱源に近い凹部の底面に近接配置されるので、放熱部材の熱拡散が促進されることで背景技術の課題を解決することができる。
【００１０】
本発明による他の有機ＥＬ表示装置は、好ましくは、上記構成において、上記放熱部材をアルミニウム板材とすることにより、アルミニウム板材が発熱源に近接配置されるので、アルミニウム板材の熱拡散が促進されことで背景技術の課題を解決することができる。
【００１１】
本発明による他の有機ＥＬ表示装置は、好ましくは、上記構成において、上記放熱部材を銅板材とすることにより、銅板材が発熱源に近接配置されるので、銅板材の熱拡散が促進されることで背景技術の課題を解決することができる。
【００１２】
本発明による他の有機ＥＬ表示装置は、好ましくは、上記構成において、上記放熱部材を熱伝導性の高いシリコン接着材を用いて接着配置することにより、放熱部材が発熱源に近接配置されるので、放熱部材の熱拡散が促進されることで背景技術の課題を解決することができる。
【００１３】
本発明による他の有機ＥＬ表示装置は、好ましくは、上記構成において、上記凹部内に配置される放熱部材の外面や内面に微細な凹凸面を形成することにより、放熱部材の熱拡散がさらに促進されることで背景技術の課題を解決することができる。
【００１４】
本発明による他の有機ＥＬ表示装置は、好ましくは、上記構成において、上記放熱部材を金属膜とすることにより、金属膜が発熱源に近接配置されるので、金属膜の熱拡散が促進されることで背景技術の課題を解決することができる。
【００１５】
本発明による他の有機ＥＬ表示装置は、好ましくは、上記構成において、上記凹部内に配置された金属膜の外面に微細な凹凸面を形成することにより、金属膜の熱拡散がさらに促進されることで背景技術の課題を解決することができる。
【００１６】
なお、本発明は、前記各構成及び後述する実施の形態に記載される構成に限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱することなく、種々の変更が可能であることは言うまでもない。
【発明の効果】
【００１７】
本発明による有機ＥＬ表示装置によれば、複数の有機ＥＬ発光素子を形成した絶縁性基板の背面に薄肉となる凹部を設け、この凹部内に放熱部材を設置することにより、この放熱部材が発熱源に近い凹部の底面に近接されるので、有機ＥＬ発光素子で発生した熱を効率良く拡散させ、放熱効率を高めることができる。これによって有機ＥＬ発光素子の発光効率を低下させることがなくなり、有機ＥＬ表示装置の長寿命化を図ることができるなどの極めて優れた効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の具体的な実施の形態について、実施例の図面を参照して詳細に説明する。なお、ここでは、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置を例とする。
【実施例１】
【００１９】
図１は、本発明による有機ＥＬ表示装置の実施例１による有機ＥＬ素子の層構造を模式的に説明する要部断面図である。また、図２は、本発明による有機ＥＬ表示装置の実施例１の全体構造を模式的に説明する要部断面図である。さらに、図３は、図２に示す有機ＥＬ表示装置の背面から見た要部斜視図である。なお、これらの図では、説明を簡単にするために１画素のみを示し、画素を選択するスイッチング素子及び発光輝度を制御する制御素子などが搭載されるが、ここでは省略されている。
【００２０】
図１に示した絶縁性基板１１は、有機ＥＬ表示装置を構成するアクティブ・マトリクス基板（または薄膜トランジスタ基板、ＴＦＴ基板とも称する）である。この絶縁性基板１１は、セラミック板材またはガラス板材などから形成されている。この絶縁性基板１１の主面には発光制御電極としての陰極１２が画素毎に導電性金属膜のパターニングにより形成されている。この導電性金属膜としては、絶縁性基板１１側から第１層としてアルミニウム（Ａｌ）層１２ａと、第２層として弗化リチウム（ＬｉＦ）層１２ｂとを用いた。なお、アルミニウム層１２ａの膜厚は例えば約２００ｎｍ、弗化リチウム層１２ｂの膜厚は例えば約１ｎｍ程度である。
【００２１】
なお、上記導電性金属膜は、この他にＭｇ／ＡｌまたはＭｇ／Ｉｎなどを用いても良い。これらの導電性金属膜を蒸着法あるいはスパッタリング法もしくはＣＶＤ法などにより絶縁性基板１１の主面に成膜し、フォトリソグラフィー工程などを用いて所要の大きさにパターニングを施し、画素毎の陰極１２を形成する。この陰極１２は光反射性が良好であることが望ましい。
【００２２】
また、この陰極１２の上面には、有機ＥＬ発光素子の有機発光構造を構成する有機多層膜１３が形成さている。この有機多層膜１３は、陰極１２側から電子輸送層１３ａ，発光層１３ｂ，正孔輸送層１３ｃ，正孔注入層１３ｄが順次積層されて形成されている。この有機多層膜１３の膜厚は、例えば約１５０ｎｍ程度である。
【００２３】
なお、上記の有機多層膜１３の材料の一例は、以下のとおりである。すなわち、電子輸送層１３ａは、Ａｌｑ3（トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム）などが用いられる。また、発光層１３ｂは、ホスト材料に９，１０−ジフェニルアントラセンなどを、ドーパント材料にペリレンなどを用いた発光材料が用いられる。また、正孔輸送層１３ｃは、α−ＮＰＤ（α−ナフチルフェニルジアミン）などが用いられる。また、正孔注入層１３ｄは、ＣｕＰｃ（銅フタロシアニン）などが用いられる。
【００２４】
また、この有機多層膜１３の上面には、陽極１４が成膜されて有機ＥＬ発光素子１５が形成されている。この陽極１４には、ＩＴＯ（Ｉｎ−Ｔｉ−Ｏ）やＩＺＯ（Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ）などの透明導電性薄膜を用いることができるが、ここでは、例えば膜厚約３０ｎｍ以下のＩＴＯ膜とした。なお、アクティブ・マトリクス型では、絶縁性基板１１の主面にＬＴＰＳ（低温ポリシリコン半導体膜）などで形成された薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：ＴＦＴ）を有する画素選択回路または画素駆動回路が形成されるが、ここでは図示を省略した。
【００２５】
また、この有機ＥＬ発光素子１５の最上層には、これらの陰極１２，有機多層膜１３及び陽極１４を覆ってガスバリア性膜１６が形成されている。このガスバリア性膜１６としては、例えばポリマー膜，窒化珪素膜，酸化珪素膜などのガス非透過性材料層で形成され、特に有機多層膜１３が外部雰囲気中の水分及びガス成分などの吸着から保護されるので、これに起因する発光特性の劣化を防止する。また、ガスバリア性膜１６を形成した後、このガスバリア性膜１６の表面に図示しないが、熱伝導性の高い金属膜を成膜しても良い。この金属膜の形成により、発光に起因する内部からの発熱を絶縁性基板１１に放熱させることができるので、有機多層膜１３の長寿命化が図れる。なお、最上層に形成されるガスバリア性膜１６及び金属膜の膜厚は、数μｍ程度である。
【００２６】
また、この絶縁性基板１１の内面には、乾燥剤２３が収納されており、この乾燥剤２３は既知の乾燥剤をシート状に成形し、絶縁性基板１１の内面に貼り付け、またはゲル状として塗布しても良い。この乾燥剤２３の厚さは、例えば約１００μｍ程度である。また、封着剤２２には紫外線硬化型樹脂が用いられるが、他のシール材であってもよい。
【００２７】
また、このように主面側に有機ＥＬ発光素子１５が形成された絶縁性基板１１上には、この有機ＥＬ発光素子１５を覆うように絶縁性の透光性ガラス基板２１がその周縁部に封止剤２２を介在させて封止され、周囲環境からの湿気の侵入等による動作特性の劣化を防止し、安定した表示を可能にしている。この封止剤２２には紫外線硬化型樹脂が用いられるが、他のシール材であってもよい。
【００２８】
また、この絶縁性基板１１には、有機ＥＬ素子１５と反対向する背面側に凹部１１ａが一体的に形成されている。この絶縁性基板１１の背面に形成される凹部１１ａは、例えばサンドブラスト法による掘り込みにより形成されている。この絶縁性基板１１の板厚Ｔは、約７００μｍ程度であり、また、この凹部１１ａの深さＤは、板厚Ｔの約１／３〜１／４の範囲であり、例えば約２００μｍ程度である。また、この凹部１１ａは絶縁性基板１１の成形時に一体的に成形するなどの手段により形成することも可能である。
【００２９】
また、この絶縁性基板１１の背面側に形成された凹部１１ａの内部底面には、熱伝導性の高いシリコン接着剤３０を介して放熱部材として例えば熱拡散性の高いアルミニウム板３１が接着配置されている。このアルミニウム板３１の板厚は、約５０μｍ〜約１５０μｍの範囲である。さらにこのアルミニウム板３１の外気と接触する最表面には微細な凹凸面３１ａが形成されており、この微細な凹凸面３１ａは、サンドブラスト法またはエッチンング法などにより形成される。なお、このアルミニウム板３１は、絶縁性基板１１の凹部１１ａに接着する以前に定型のアルミニウム板材の表面にサンドブラスト法またはエッチング法などにより微細な凹凸面を形成した後、所定の大きさに切断して形成しても良い。
【００３０】
このように構成された有機ＥＬ表示装置において、有機ＥＬ発光素子１５を構成する陰極１２と陽極１４との間に所定の電圧を印加することによる正孔注入層１３ｄから発光層１３ｂへの正孔の移送と、電子輸送層１３ａから注入される電子とで発光層１３ｂを発光させ、透光性ガラス基板２１側から外部上方に向かって発光光Ｌとして出射される。
【００３１】
このように構成された有機ＥＬ表示装置は、絶縁性基板１１の背面側に凹部１１ａを設け、この凹部１１ａ内にアルミニウム板３１を貼り付けるのみの構成となるので、有機ＥＬ表示装置の全体を薄く構成することができる。また、有機ＥＬ発光素子１５とアルミニウム板３１とが凹部２１ａの底部に形成される薄肉の部分を介して近接配置されるので、アルミニウム板３１が発熱源となる有機ＥＬ素子１５により近い位置となるので、大きな放熱効果を得ることができる。
【００３２】
さらに、アルミニウム板３１の最表面に微細な凹凸面３１ａを設けたことにより、放熱効果をさらに向上させることができる。また、絶縁性基板２１に放熱部材としてのアルミニウム板３１を設置する場合、その背面側に凹部１１ａが形成されているので、単にアルミニウム板３１を貼り付けるよりも、その位置決めが極めて容易となり、生産性を向上させることができる。
【００３３】
なお、上記実施例では、放熱部材として熱拡散性の高いアルミニウム板３１を用いたが、このアルミニウム板３１に代えて銅板を用いてもよく、また、これらの合金金属板材を用いても良い。さらに、これらの金属板材に代えて熱拡散性を有する金属板材であれば特に限定されるものではない。
【００３４】
図４乃至図１９は、絶縁性基板１１の背面側に形成される凹部１１ａの他の実施例による構成を示す背面側から見た要部平面図である。これらの図４乃至図１９に示すように絶縁性基板１１に背面側に形成される凹部１１ａは、図２に示す有機ＥＬ発光素子１５の配置個所等に対応して各種の形状が製作可能となるが、これらの凹部１１ａの形成方法としては、有機ＥＬ発光素子１５の作製前では平板状に形成された絶縁性基板に例えばサンドブラスト法またはエッチング法の両方の手段によって形成することができるが、有機ＥＬ発光素子１５の作製後では、有機ＥＬ発光素子１５の損傷を考慮すると、サンドブラスト法により凹部１１ａを形成する手段の方がエッチング法よりも望ましい。
【実施例２】
【００３５】
図２０は、本発明による有機ＥＬ表示装置の実施例２による構成を模式的に説明する要部断面図であり、前述した図２と同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。図２０において、図２と異なる点は、絶縁性基板１１の背面側に形成された凹部１１ａ内にはその内壁面の全面にわたって熱伝導性の高い金属材料、例えばアルミニウムまたは銅などの金属材料を真空蒸着法またはスパッタリング法により金属膜４０が形成されている。なお、この金属膜４０の膜厚は、約１０μｍ〜約２５０μｍの範囲である。また、この金属膜４０の外面には微細な凹凸面４０ａが形成されている。この微細な凹凸面４０ａは、例えばサンドブラスト法，エッチング法またはラビング法などの手段により形成されている。
【００３６】
このように金属膜４０を設けることにより、有機ＥＬ発光素子１５と金属膜４０とが凹部１１ａの底部に形成される薄肉の部分を介して近接配置されるので、金属膜４０が発熱源となる有機ＥＬ発光素子１５により近い位置となるので、有機ＥＬ発光素子１５からの発熱を有効に外部に拡散させることができので、大きな放熱効果を得ることができる。さらに金属膜４０の外面に微細な凹凸面４０ａを設けているので、熱拡散性をさらに向上させることができる。一方、絶縁性基板１１の背面をサンドブラスト法等で粗くすれば、当該背面に形成される金属膜４０の内面（絶縁性基板１１に対向する面）にも凹凸が生じる。これにより、絶縁性基板１１と金属膜４０との接合面積が増し、有機ＥＬ発光素子１５で生じた熱は、効率良く金属膜４０に排出される。この金属膜４０は、有機ＥＬ発光素子１５を作製した後に形成することができるので、発熱対策が容易に実現可能となる。
【００３７】
なお、この金属膜４０に接地線を溶接などにより接続し、図示しないが画素を選択するスイッチング素子及び発光輝度を制御する制御素子などに電気的にアース接続しても良い。
【００３８】
図２１は、本発明を適用したトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の画素に構成例を説明する回路図である。この画素ＰＸはカラー表示では副画素（サブピクセル）となる。画素ＰＸは、走査線ＧＬとデータ線ＤＬとに接続したスイッチング用の薄膜トランジスタジスタＴＦＴ１と、走査線ＧＬで選択されたスイッチング用薄膜トランジスタＴＦＴ１のオンでデータ線ＤＬから供給される表示データを電荷として蓄積する蓄積容量ＣＰＲと、有機ＥＬ発光素子１５の駆動用薄膜トランジスタＴＦＴ２と、電流供給線ＣＳＬとで構成される。
【００３９】
薄膜トランジスタＴＦＴ１のゲート電極は走査線ＧＬに接続され、ドレイン電極はデータ線ＤＬに接続されている。また、薄膜トランジスタＴＦＴ２のゲート電極は薄膜トランジスタＴＦＴ１のソース電極に接続され、この接続点に蓄積容量ＣＰＲの一方の電極（＋極）が接続されている。薄膜トランジスタＴＦＴ２のドレイン電極は電流供給線ＣＳＬに接続され、ソース電極は有機ＥＬ発光素子１５の陽極１４に接続されている。
【００４０】
画素ＰＸが走査線ＧＬで選択されて薄膜トランジスタＴＦＴ１がオンとなると、データ線ＤＬから供給される表示データが蓄積容量ＣＰＲに蓄積される。そして、薄膜トランジスタＴＦＴ１がオフした時点で薄膜トランジスタＴＦＴ２がオンとなり、電流供給線ＣＳＬから有機ＥＬ表示素子１５に流れ、ほぼ１フレームの期間（または１フィールド期間）にわたってこの電流を持続させる。この時に流れる電流は、蓄積容量ＣＰＲに蓄積されているデータ信号に対応する電荷で規定される。この回路は最も単純な構成であり、他に種々の回路構成が知られている。
【００４１】
図２２は、図２１に示した画素の回路を基板上で実現した構成例を説明する画素付近の平面図である。図中、図２１と同一の符号は同一部分に対応し、ＤＥは画素の開口部である。薄膜トランジスタＴＦＴ１と薄膜トランジスタＴＦＴ２とは画素の開口部ＤＥに隣接する非表示部に配置される。
【００４２】
図２３は、有機ＥＬ表示装置の駆動回路を含めた等価回路である。画素ＰＸはマトリクス状に配列されて表示領域ＡＲを形成する。データ線ＤＬはデータ線駆動回路ＤＤＲにより駆動される。また、走査線ＧＬは走査線駆動回路ＧＤＲで駆動される。電流供給線ＣＳＬは電流供給バスラインＣＳＬＢを介して図示しない電流供給回路に接続している。なお、ＴＭは外部入力端子を示す。
【００４３】
なお、前述した実施例においては、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置について説明したが、ボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置においても、封止ガラス基板に凹部を設け、この凹部内に放熱部材を配設しても、前述とほぼ同様の効果が得られることは勿論である。
【００４４】
また、前述した各実施例においては、有機ＥＬ表示装置を用いた有機ＥＬパネルについて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、携帯性を重視する小型情報端末（携帯，ＰＤＡ等）用の有機ＥＬパネルまたはモニタ用有機ＥＬディスプレイの全般に適用できることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明による有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ発光素子の層構造を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明による有機ＥＬ表示装置の実施例１の構成を模式的に示す要部断面図である。
【図３】図２に示す有機ＥＬ表示装置の背面側から見た要部斜視図である。
【図４】本発明による有機ＥＬ表示装置の封止ガラス基板の背面側に形成される凹部の他の実施例を示す要部平面図である。
【図５】本発明による有機ＥＬ表示装置の封止ガラス基板の背面側に形成される凹部の他の実施例を示す要部平面図である。
【図６】本発明による有機ＥＬ表示装置の封止ガラス基板の背面側に形成される凹部の他の実施例を示す要部平面図である。
【図７】本発明による有機ＥＬ表示装置の封止ガラス基板の背面側に形成される凹部の他の実施例を示す要部平面図である。
【図８】本発明による有機ＥＬ表示装置の封止ガラス基板の背面側に形成される凹部の他の実施例を示す要部平面図である。
【図９】本発明による有機ＥＬ表示装置の封止ガラス基板の背面側に形成される凹部の他の実施例を示す要部平面図である。
【図１０】本発明による有機ＥＬ表示装置の封止ガラス基板の背面側に形成される凹部の他の実施例を示す要部平面図である。
【図１１】本発明による有機ＥＬ表示装置の封止ガラス基板の背面側に形成される凹部の他の実施例を示す要部平面図である。
【図１２】本発明による有機ＥＬ表示装置の封止ガラス基板の背面側に形成される凹部の他の実施例を示す要部平面図である。
【図１３】本発明による有機ＥＬ表示装置の封止ガラス基板の背面側に形成される凹部の他の実施例を示す要部平面図である。
【図１４】本発明による有機ＥＬ表示装置の封止ガラス基板の背面側に形成される凹部の他の実施例を示す要部平面図である。
【図１５】本発明による有機ＥＬ表示装置の封止ガラス基板の背面側に形成される凹部の他の実施例を示す要部平面図である。
【図１６】本発明による有機ＥＬ表示装置の封止ガラス基板の背面側に形成される凹部の他の実施例を示す要部平面図である。
【図１７】本発明による有機ＥＬ表示装置の封止ガラス基板の背面側に形成される凹部の他の実施例を示す要部平面図である。
【図１８】本発明による有機ＥＬ表示装置の封止ガラス基板の背面側に形成される凹部の他の実施例を示す要部平面図である。
【図１９】本発明による有機ＥＬ表示装置の封止ガラス基板の背面側に形成される凹部の他の実施例を示す要部平面図である。
【図２０】本発明による有機ＥＬ表示装置の実施例２による構成を模式的に示す要部断面図である。
【図２１】本発明を適用したトップエミッション型有機ＥＬ表示装置の１つの有機ＥＬ発光素子すなわち１画素付近の構成を示す回路図である。
【図２２】図２１に示した画素を基板上で実現した構成例を説明する画素付近の平面図である。
【図２３】有機ＥＬ表示装置の駆動回路を含めた等価回路を示す図である。
【符号の説明】
【００４６】
１１・・・絶縁性基板、１１ａ・・・凹部、１２・・・陰極、１２ａ・・・アルミニウム層、１２ｂ・・・弗化リチウム層、１３・・・有機発光膜、１３ａ・・・電子輸送層、１３ｂ・・・発光層、１３ｃ・・・正孔輸送層、１３ｄ・・・正孔注入層、１４・・・陽極、１５・・・有機ＥＬ発光素子、１６・・・ガスバリア性膜、２１・・・透光性ガラス基板、２２・・・封止剤、２３・・・乾燥剤、３０・・・シリコン接着剤、３１・・・アルミニウム板、３１ａ・・・凹凸面、４０・・・金属膜、４１ａ・・・凹凸面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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