(57)【要約】【課題】  被試験デバイスを所望の温度に短い時間で安定させることができる温度特性評価用ソケットを提供すること。【解決手段】  ソケット本体３と、ソケット本体３に係合された状態でその収容部３ａに収容された被試験デバイス５の表面に接触される接触面１８を有する蓋４とを備え、この蓋４は、蓋４の厚さ方向を貫通して設けられ温度設定された気体が導入されて被試験デバイス５に導かれる導入通路２２と、この導入通路２２に連通すると共に接触面１８を複数に分割するスリット１９と、このスリット１９と連通して接触面１８の縁端部の外側に設けられスリット１９を流れてきた気体を収容部３ａに収容された被試験デバイス５の側方の空間に吹き出させる吹き出し口２０とを有する。【選択図】        図１
2006162254.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被試験デバイスの収容部を有するソケット本体と、
前記ソケット本体に係合された状態で前記収容部に収容された前記被試験デバイスの表面に接触される接触面を有する蓋と、を備えた温度特性評価用ソケットにおいて、
前記蓋は、
前記蓋の厚さ方向を貫通して設けられ、温度設定された気体が導入されて前記被試験デバイスに導かれる導入通路と、
前記導入通路に連通すると共に前記接触面を複数に分割するスリットと、
前記スリットと連通して前記接触面の縁端部の外側に設けられ、前記スリットを流れてきた前記気体を前記収容部に収容された前記被試験デバイスの側方の空間に吹き出させる吹き出し口と、
を有することを特徴とする温度特性評価用ソケット。
【請求項２】
前記導入通路から前記スリットにかけて末広がり状になっている
ことを特徴とする請求項１に記載の温度特性評価用ソケット。
【請求項３】
前記蓋における前記導入通路の入口の周辺に、前記導入通路に連通する補助導入口が設けられている
ことを特徴とする請求項１に記載の温度特性評価用ソケット。
【請求項４】
前記補助導入口は、前記導入通路の入口の周辺に形成されたくぼみに設けられている
ことを特徴とする請求項３に記載の温度特性評価用ソケット。
【請求項５】
前記蓋において前記気体が当たる部分が熱伝導性材料からなる
ことを特徴とする請求項１に記載の温度特性評価用ソケット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被試験デバイスに温度設定された気体を吹き付けて被試験デバイスの温度特性評価を行うときに使用する温度特性評価用ソケットに関し、詳しくは、被試験デバイスを所望の温度に短い時間で安定させることができるようにした温度特性評価用ソケットに関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体装置などの被試験デバイスの温度特性評価を行う際に、被試験デバイスを所望の温度にさせる方法として、被試験デバイスを恒温槽内に配置してその恒温槽内の雰囲気からの熱伝達により被試験デバイスを所望の温度にさせる方法と、サーモストリーマなどを使って、温度設定されたエアを被試験デバイスに直接吹き付ける方法が知られている。
【０００３】
また、半導体装置としては、図１０に示すようにリード６０ａがパッケージの周囲に配置されているＱＦＰ（Quad Flat Package）タイプの半導体装置６０と、図１１に示すように裏面に導電性のランド５ａをアレイ状に並べたＬＧＡ（Land Grid Array）タイプの半導体装置５が知られている。
【０００４】
ここで、サーモストリーマを使った温度特性評価の場合を考えると、被試験デバイスである半導体装置はソケットを介して評価基板と電気的に接触される。ソケットは、半導体装置を評価基板上に形成された導電性のピンに位置決めさせると共に、半導体装置をピンに対して押し付けて安定した電気的接触を確保する目的で用いられる。
【０００５】
図１０に示すＱＦＰタイプの半導体装置６０の場合には、パッケージの側方に飛び出ているリード６０ａをソケットの押さえ部で押さえることができるため、半導体装置６０の表面を押さえ付ける必要がなくその表面をソケットから露出させることができる。よって、温度設定されたエアを半導体装置６０の表面に直接吹き付けることができるため半導体装置６０とエアとの間の熱伝達効率が良く、半導体装置６０を短時間で所望の温度にしやすい。
【０００６】
これに対して図１１に示すＬＧＡタイプの半導体装置５では、半導体装置５の表面を押さえ付けざるを得ない。したがって、半導体装置５の表面を大きく露出させることが難しい。そのため、図８に示すように、半導体装置５との接触面５８を有する押さえ部５５に、ソケット５１の外部に連通する貫通孔５６を形成して、温度設定されたエアを半導体装置５の表面に導くことが従来より行われている。図９は、被試験デバイス５との接触面５８側から押さえ部５５を見た平面図である。
【０００７】
温度特性評価用ソケット５１（以下、単にソケットとも称する）は、主として、評価基板２上に固定されるソケット本体５２と、このソケット本体５２に対して係合される蓋５３とを備える。
【０００８】
評価基板２には被試験デバイス５の温度特性評価用の回路（配線パターンだけでなく実装部品も含む）が形成されている。被試験デバイス５は、例えば半導体チップ６がパッケージングされ、裏面に導電性のランド５ａが形成された半導体装置５である。ランド５ａは、評価基板２上に設けられた導電性のピン７に接触され、これにより半導体チップ６と評価基板２上の回路とが電気的に接続される。
【０００９】
ソケット本体５２は、被試験デバイス５の収容部５２ａを有している。評価基板２のピン７はその収容部５２ａ内に位置している。
【００１０】
蓋５３は、蓋本体部５４と、この蓋本体部５４の裏面側に形成された凹部８ａに嵌められている押さえ部５５とを有する。蓋本体部５４の略中央部には厚さ方向を貫通する貫通孔１０が形成されている。押さえ部５５の略中央部にも厚さ方向を貫通する貫通孔５６が形成されている。この貫通孔５６の上部はネジ孔となっている。蓋本体部５４の貫通孔１０にはネジ１２が通され、そのネジ１２の先端部は押さえ部５５の貫通孔５６の上部に螺着されている。これにより、蓋本体部５４と押さえ部５５とが連結されている。
【００１１】
ネジ１２にはその軸方向に沿って貫通孔１２ａが形成されている。この貫通孔１２ａの一端（図８において上端）側は蓋５３の外部に連通し、他端（図８において下端）側は押さえ部５５に形成された貫通孔５６に連通している。これら貫通孔１２ａ、５６は、蓋本体部５４の表面側に吹き付けられた温度設定された気体を被試験デバイス５に導くための導入通路５７を構成する。
【００１２】
蓋本体部５４の裏面側において貫通孔１０のまわりには、例えば４つの凹部１３が等間隔で形成されている。これら凹部１３に対応するように、押さえ部５５の上面にも貫通孔５６のまわりに４つの凹部１４が等間隔で形成されている。そして、各凹部１３、１４が対向して形成される円柱状の空間には、それぞれ圧縮されたコイルばね１５が配設されている。
【００１３】
蓋本体部５４において、ネジ１２を挟んで対向する両端部にはフック１６が取り付けられている。フック１６は、図８において紙面を貫く方向に延びる軸１７のまわりに回動自在となっている。
【００１４】
図８に示すように、被試験デバイス５が収容部５２ａに配置された状態で、蓋５３はソケット本体５２に対して係合される。具体的には、フック１６の先端部の内側がソケット本体５２の上部に形成された段部３ｂに引っかかることで蓋５３はソケット本体５２に対して固定される。
【００１５】
押さえ部５５はコイルばね１５によって下方に付勢されているが、ネジ１２の頭部１２ｂが蓋本体部５４の表面に当接することで押さえ部５５が蓋本体部５４から外れないようになっている。蓋５３がソケット本体５２に係合した状態では、押さえ部５５の接触面５８側が収容部５２ａに入り込み、その接触面５８が被試験デバイス５の表面に接触し、この接触によって押さえ部５５はコイルばね１５の付勢力に抗してわずかに上方に移動される。したがって、その復元力により押さえ部５５は被試験デバイス５をピン７に対して押し付けている。これにより、被試験デバイス５のランド５ａとピン７との良好な電気的接触が得られる。
【００１６】
所望の温度に設定されたエアはサーモストリーマから蓋５３の表面に吹き付けられ、図８において矢印で示すように、導入通路５７を通って被試験デバイス５の表面に到達する。また、蓋５３からの熱伝導によってもエアからの熱が被試験デバイス５に伝わる。そして、被試験デバイス５の温度が所望の温度で安定した時点で特性評価試験を開始する。
【００１７】
上記図８、９に示す従来例の構造では、導入通路５７の孔径を大きくすればするほど被試験デバイス５に到達するエアの量を増やすことができ、その分、被試験デバイス５を短時間で所望の温度にすることができる。しかし、例えば、５ｍｍ四方の平面寸法を有する被試験デバイスを押さえるために押さえ部５５にあける孔径としては、被試験デバイス５を適度な力で均等に評価基板２に押さえ付けるという機能を損なわないようにするために、径を２〜３ｍｍ程度までしか拡大できない。
【００１８】
したがって、特に平面寸法の小さい被試験デバイス５では、導入通路５７の孔径を広げることが困難であるために、温度設定されたエアと被試験デバイス５表面との接触面積を増やすことができないために、被試験デバイス５が所望の温度に安定するまでの待ち時間が非常に長くなり、評価にかかる時間が増大してしまう。また、導入通路５７に流入したエアの抜け道が導入通路５７自身しかなく、被試験デバイス５の表面に到達したエアがその表面で反射して、導入通路５７内への新しいエアの流入の妨げになり、熱の伝達効率が悪いという問題もある。
【００１９】
そこで、特許文献１には、図１４、１５に示すように、被試験デバイス５との接触面７１にスリット７３を形成した蓋７０が提案されている。図１５において矢印で示すように、導入通路７２を通ったエアは被試験デバイス５の表面に達するとスリット７３に沿って被試験デバイス５の表面上を流れる。したがって、導入通路７２の孔径を拡大しなくても、スリット７３の分だけ、エアと被試験デバイス５表面との接触部分を増やすことができ、エアと被試験デバイス５との熱伝達の効率を良くできる。
【特許文献１】特開昭５９−５７４６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
しかし、特許文献１のようにスリット７３を設けたとしても、エアと被試験デバイス５とが接触する部分は、導入通路７２が臨む被試験デバイス５表面の中央部と、スリット７３形成位置の下に位置する表面部分だけであり、まだまだこれでは被試験デバイス５とエアとの熱の伝達効率が悪く、評価特性にかかる時間の大幅な短縮は期待できない。
【００２１】
本発明は上述の問題に鑑みてなされ、その目的とするところは、被試験デバイスと、所望の温度に設定された気体との接触面積を増大させて、被試験デバイスを所望の温度に短い時間で安定させることができる温度特性評価用ソケットを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
本発明は前記課題を解決するため以下の構成を採用した。
すなわち、本発明の温度特性評価用ソケットは、被試験デバイスの収容部を有するソケット本体と、ソケット本体に係合された状態でその収容部に収容された被試験デバイスの表面に接触される接触面を有する蓋とを備え、さらに蓋は、蓋の厚さ方向を貫通して設けられ温度設定された気体が導入されて被試験デバイスに導かれる導入通路と、この導入通路に連通すると共に接触面を複数に分割するスリットと、このスリットと連通して接触面の縁端部の外側に設けられスリットを流れてきた気体を収容部に収容された被試験デバイスの側方の空間に吹き出させる吹き出し口とを有する。
【００２３】
ここで、ソケット本体は、被試験デバイスの温度特性評価用の回路が形成された評価基板上に固定される。ソケット本体に蓋が係合していない状態では、上記収容部はソケット本体の外部に開放され、その収容部内に被試験デバイスを出し入れすることができる。
【００２４】
蓋がソケット本体に係合されると、蓋の接触面が被試験デバイスの表面に接触して被試験デバイスを評価基板に対して押し付ける。これにより、被試験デバイスと評価基板との位置ずれを防ぐと共に、両者の安定した電気的接触が確保される。
【００２５】
そして、所望の温度に設定された気体は蓋の表面側に吹き付けられ、導入通路を通って蓋の内部に導入されて被試験デバイスの表面に向かって流れ、さらに被試験デバイスの表面に到達するとスリットに沿って被試験デバイスの表面を流れて吹き出し口に至る。この吹き出し口からは、ソケット本体の収容部内における被試験デバイスの側方に形成された空間に向けて上記気体が吹き出す。
【００２６】
すなわち、本発明では、被試験デバイスの表面だけでなく側面側にも、所望の温度に設定された気体を流すことができ、これにより、被試験デバイスは、より多くの熱を上記気体との間でやり取りすることができる。この結果、被試験デバイスが所望の温度に到達して安定するまでの時間を短くできる。
【００２７】
また、上記気体が被試験デバイスに直接接すること以外にも、接触面を介した蓋と被試験デバイスとの間の熱伝導も、被試験デバイスを所望の温度にさせることに寄与している。
【００２８】
また、導入通路からスリットにかけての部分を末広がり状に形成すれば、被試験デバイス表面の一部に偏ることなく広い領域にわたって均一に上記気体を吹き付けることができ、また、被試験デバイス表面上の空間が広くなるので、その分より多くの気体を表面上に導入することができ、気体と被試験デバイスとの熱伝達効率を向上させることができる。
【００２９】
また、蓋における導入通路の入口の周辺に、導入通路に連通する補助導入口を設ければ、導入通路への気体の導入口が複数になるので、その分、導入通路内への気体の導入量を増やすことができ、被試験デバイスを早く所望の温度に到達させることができる。特に、導入通路の入口が狭い場合に有効である。
【００３０】
ここで、上記補助導入口を、導入通路の入口の周辺に形成されたくぼみに設ければ、蓋表面にサーモストリーマ等から吹き付けられる上記気体をそのくぼみ内により多く導いて存在させることができ、そのくぼみに形成された補助導入口への気体の導入も増やすことができる。
【００３１】
また、蓋においてサーモストリーマ等から吹き付けられる気体が当たる部分を熱伝導性材料から構成すれば、蓋の温度を効率良く上記気体の温度に近づけることができ、かつその温度が維持されて蓋における温度変化を抑えることができ、この結果、蓋から接触面を介して被試験デバイスへと伝導する熱の伝導効率を向上させることができる。このことも、被試験デバイスを早く所望の温度に到達させることに貢献する。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によれば、ソケット本体に係合された状態でその収容部に収容された被試験デバイスの表面に接触される接触面を有する蓋は、蓋の厚さ方向を貫通して設けられ温度設定された気体が導入されて被試験デバイスに導かれる導入通路と、この導入通路に連通すると共に接触面を複数に分割するスリットと、このスリットと連通して接触面の縁端部の外側に設けられスリットを流れてきた気体を収容部に収容された被試験デバイスの側方の空間に吹き出させる吹き出し口とを有するので、被試験デバイスの表面だけでなく側面側にも、所望の温度に設定された気体を流すことができ、これにより、被試験デバイスは、より多くの熱を上記気体との間でやり取りすることができる。この結果、被試験デバイスが所望の温度に到達して安定するまでの時間を短くできる。さらにはその所望の温度に被試験デバイスが安定するのを待ってから行われる温度特性評価にかかる時間を短縮することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、本発明を適用した具体的な実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。
【００３４】
［第１の実施形態］
図１は本発明の第１の実施形態に係る温度特性評価用ソケット１（以下、単にソケットとも称する）の断面図を示す。本実施形態に係るソケット１は、主として、評価基板２上に固定されるソケット本体３と、このソケット本体３に対して係合される蓋４とを備える。
【００３５】
評価基板２には被試験デバイス５の温度特性評価用の回路（配線パターンだけでなく実装部品も含む）が形成されている。被試験デバイス５は、例えば半導体チップ６がパッケージングされ、裏面に導電性のランド５ａが形成された半導体装置５である。ランド５ａは、評価基板２上に設けられた導電性のピン７に接触され、これにより半導体チップ６と評価基板２上の回路とが電気的に接続される。また、評価基板２において被試験デバイス５の配置箇所に対応する部分には厚さ方向を貫通する貫通孔２ａが形成されている。
【００３６】
ソケット本体３は、被試験デバイス５の収容部３ａを有している。評価基板２のピン７はその収容部３ａ内に位置している。収容部３ａの平面寸法は、被試験デバイス５の平面寸法より大きい。したがって、被試験デバイス５の側面と、収容部３ａの内壁面との間には隙間が形成される。
【００３７】
蓋４は、蓋本体部８と、この蓋本体部８の裏面側に形成された凹部８ａに嵌められている押さえ部９とを有する。蓋本体部８の略中央部には厚さ方向を貫通する貫通孔１０が形成されている。押さえ部９の略中央部にも厚さ方向を貫通する貫通孔１１が形成されている。この貫通孔１１の上部はネジ孔となっている。蓋本体部８の貫通孔１０にはネジ１２が通され、そのネジ１２の先端部は押さえ部９の貫通孔１１の上部に螺着されている。これにより、蓋本体部８と押さえ部９とが連結されている。
【００３８】
ネジ１２にはその軸方向に沿って貫通孔１２ａが形成されている。この貫通孔１２ａの一端（図１において上端）側は蓋４の外部に連通し、他端（図１において下端）側は押さえ部９に形成された貫通孔１１に連通している。これら貫通孔１２ａ、１１は、蓋本体部８の表面側に吹き付けられた温度設定された気体を被試験デバイス５に導くための導入通路２２を構成する。
【００３９】
蓋本体部８の裏面側において貫通孔１０のまわりには、例えば４つの凹部１３が等間隔で形成されている。これら凹部１３に対応するように、押さえ部９の上面にも貫通孔１１のまわりに４つの凹部１４が等間隔で形成されている。そして、各凹部１３、１４が対向して形成される円柱状の空間には、それぞれ圧縮されたコイルばね１５が配設されている。
【００４０】
蓋本体部８において、ネジ１２を挟んで対向する両端部にはフック１６が取り付けられている。フック１６は、図１において紙面を貫く方向に延びる軸１７のまわりに回動自在となっている。
【００４１】
次に、図２も参照して押さえ部９について説明する。図２は、被試験デバイス５との接触面１８（図１において下端面）側から押さえ部９を見た平面図である。図中１点鎖線は、押さえ部９の接触面１８に接触している被試験デバイス５を示す。
【００４２】
押さえ部９の平面寸法はソケット本体３に形成された収容部３ａの平面寸法より小さく、よって図１に示す蓋４がソケット本体３に係合した状態で、押さえ部９が収容部３ａ内に嵌まり込むことができる。
【００４３】
図２に示すように、接触面１８には十字状のスリット１９が形成されている。この十字状のスリット１９の交差部に導入通路２２の下端部が位置し、スリット１９と導入通路２２とは連通している。スリット１９によって接触面１８は４分割されている。接触面１８全体の平面寸法は、平面形状が例えば四角形である被試験デバイス５の平面寸法とほぼ等しい。スリット１９の高さは、押さえ部９の全体の厚さに比べればわずかである。また、スリット１９の高さは均一になっている。
【００４４】
接触面１８の縁端部の周囲にはスリット１９の高さとほぼ同じ高さ分だけ下端部側からくり抜かれた吹き出し口２０が形成されている。接触面１８の４つある縁端部にそれぞれ対応して４辺ある吹き出し口２０の各１辺部の略中央にスリット１９の出口が位置し、吹き出し口２０とスリット１９とは連通している。吹き出し口２０は、接触面１８の縁端部と、押さえ部９の下端側の内壁面２１との間に形成されている。内壁面２１は、吹き出し口２０を挟んでスリット１９の出口に対向している。内壁面２１の高さは、スリット１９及び吹き出し口２０の高さとほぼ等しい。
【００４５】
被試験デバイス５に対して接触する接触面１８を有する押さえ部９は、被試験デバイス５の静電破壊を防ぐために樹脂などの絶縁材料からなる。
【００４６】
蓋４がソケット本体３に対して係合していない状態では、ソケット本体３の収容部３ａの上部は蓋４に覆われずに開放されている。したがって、その開放された上部側から被試験デバイス５を収容部３ａ内に入れることができる。被試験デバイス５は、そのランド５ａを評価基板２上に設けられたピン７に接触させた状態で収容部３ａ内に配置される。被試験デバイス５の側面と収容部３ａの内壁面との間には隙間が形成された状態になる。また、ピン７の高さ分だけ、被試験デバイス５の裏面と評価基板２表面との間にも隙間が形成される。
【００４７】
上記のように被試験デバイス５が収容部３ａに配置された状態で、蓋４はソケット本体３に対して係合される。具体的には、図１に示すように、フック１６の先端部の内側がソケット本体３の上部に形成された段部３ｂに引っかかることで蓋４はソケット本体３に対して固定される。フック１６は、その回動軸１７に巻回された図示しないねじりコイルばねによって、図１に示すソケット本体３との係合位置に付勢されており、これによりソケット本体３との安定した係合状態が維持される。その付勢力に抗してフック１６を回動軸１７のまわりに回動させればソケット本体３との係合から外れる。
【００４８】
押さえ部９はコイルばね１５によって下方に付勢されているが、ネジ１２の頭部１２ｂが蓋本体部８の表面に当接することで押さえ部９が蓋本体部８から外れないようになっている。蓋４がソケット本体３に係合した状態では、押さえ部９の接触面１８側が収容部３ａに入り込み、その接触面１８が被試験デバイス５の表面に接触し、この接触によって押さえ部９はコイルばね１５の付勢力に抗してわずかに上方に移動される。したがって、その復元力により押さえ部９は被試験デバイス５をピン７に対して押し付けている。これにより、被試験デバイス５のランド５ａとピン７との良好な電気的接触が得られる。
【００４９】
導入通路２２とスリット１９との交差部において被試験デバイス５の表面上には熱電対等の温度センサ２３が配置されている。温度センサ２３の配線は、導入通路２２を介してソケット１の外部に導出される。あるいは、スリット１９、吹き出し口２０、収容部３ａ内の空間および評価基板２の貫通孔２ａを介してソケット１の外部に導出される。なお、温度センサ２３は、導入通路２２とスリット１９との交差部に限らず、スリット１９内に配置してもよい。何れにしても温度センサ２３は被試験デバイス５の表面に接触して配置されるので、被試験デバイス５の温度を正確に測定することができる。
【００５０】
以上のように被試験デバイス５が収容部３ａ内に配置され、かつ蓋４がソケット本体３に係合されたソケット１は、図１３に示すように箱状のアダプタ２４で覆われる。アダプタ２４は、評価基板２上のソケット１が取り付けられた部分の周辺も覆う。これは、その周辺に形成された回路（実装部品も含む）もソケット１内の被試験デバイス５と同じ温度にして、より正確な温度特性評価を行うためである。
【００５１】
上記状態で図１２に示すようなサーモストリーマ２８等の温度試験装置、あるいはポイントクーラ等の携帯型冷却スプレーやブロワーを使って、アダプタ２４内の空間ｓに、所望の温度に設定された例えば空気等の気体（以下、単にエアとも称する）を導入する。図１２に示すサーモストリーマ２８で説明すると、所望の温度に設定されたエアは、サーモストリーマ２８本体から、チューブ２６、筒２７、筒２７の先端部２５、およびその先端部２５に嵌め込まれたアダプタ２４の導入口２４ａを介してアダプタ２４内の空間ｓに導入される。なお、アダプタ２４には空間ｓ内に導入されたエアの抜け孔２９が形成され、空間ｓ内の圧力の上昇を防ぐようにしている。
【００５２】
アダプタ２４内の空間ｓに導入された上記エアは、図１に矢印で示すように、導入通路２２の入口であるネジ１２の貫通孔１２ａから蓋４の内部に入り込む。そして、導入通路２２を下方へと進んだ後、導入通路２２とスリット１９との交差部に至り、被試験デバイス５表面の中央部に吹き付けられる。これにより、被試験デバイス５の中央部に内蔵された半導体チップ６に対してエアとの熱伝達を効率良く行える。
【００５３】
導入通路２２から流出するエアは被試験デバイス５表面の中央部に吹き付けられると共にスリット１９にも流れる。スリット１９内の空間は被試験デバイス５の表面に臨んでいるためその表面上をスリット１９に沿って流れるエアによっても被試験デバイス５に対してエアとの熱伝達を行わせることができる。
【００５４】
さらに、スリット１９を流れたエアは、スリット１９の４箇所の出口（図２参照）から、接触面１８の縁端部の周囲に形成された吹き出し口２０に流出する。ここで、スリット１９を横方向に流れてきたエアは吹き出し口２０を挟んでスリット１９の出口に対向する内壁面２１にぶつかって下方へと流れを変える。すなわち、上記エアは、収容部３ａ内において被試験デバイス５の側面に向き合う空間に、吹き出し口２０から吹き出す。これにより、被試験デバイス５の側面側からもエアとの間で熱伝達を行わせることができる。
【００５５】
上記のように被試験デバイス５の側方の空間を流れたエアは、評価基板２表面と被試験デバイス５の裏面との間の隙間を流れた後、評価基板２に形成された貫通孔２ａからソケット１の外部に抜けていく。したがって、被試験デバイス５の裏面側からもエアとの間で熱伝達を行わせることができる。
【００５６】
以上述べたように本実施形態によれば、被試験デバイス５の表面、側面および裏面を包み込むようなエアの流れを、途中で流れの滞留を起こさせることなく円滑に形成することができ、被試験デバイス５の全体に、所望の温度に設定されたエアを行き渡らせることができる。この結果、被試験デバイス５は、従来のエアが表面上を流れるだけの場合に比べて、より多くの熱をエアとの間でやり取りすることができる（エアの温度が被試験デバイス５の温度より高い場合にはエアから被試験デバイス５に熱が流れ、エアの温度が被試験デバイス５の温度より低い場合にはエアによって被試験デバイス５から熱が奪われる）。この結果、被試験デバイス５が所望の温度に到達して安定するまでの時間を短くでき、さらにはその所望の温度に被試験デバイス５が安定するのを待ってから行われる温度特性評価にかかる時間を短縮することができる。
【００５７】
上述したような本実施形態の構成では、導入通路２２の孔径やスリット１９の幅の拡大化をすることなく、被試験デバイス５との間で熱伝達を行うエアの量を増やせるので、接触面１８の面積は低減させる必要がなく、よって被試験デバイス５を評価基板２のピン７に対して押さえるという押さえ部９本来の機能は損なわれない。
【００５８】
［第２の実施形態］
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。なお、上記第１の実施形態と同じ構成部分には同一の符号を付しその詳細な説明は省略する。
【００５９】
図３は第２の実施形態に係るソケット３１の断面図を示す。図４は、被試験デバイス５との接触面３８側から押さえ部３２を見た平面図である。図中１点鎖線は、押さえ部３２の接触面３８に接触している被試験デバイス５を示す。
【００６０】
本実施形態では、図３に示すように、ネジ１２の貫通孔１２ａと押さえ部３２の貫通孔３３とから構成される導入通路３４から、接触面３８を分割するスリット３５にかけての部分が末広がり状になっている。
【００６１】
このような構成により、本実施形態では、被試験デバイス５の表面中央部に偏ることなく中央部から縁端部にかけて均一に上方からエアを吹き付けることができる。また、被試験デバイス５の表面上の空間が第１の実施形態に比べて広くなっているので、その分より多くのエアを表面上に導入することができ、エアと被試験デバイス５との熱伝達効率を向上させることができる。
【００６２】
被試験デバイス５の表面上に吹き付けられたエアは、スリット３５を流れ、さらに、スリット３５の４箇所の出口（図４参照）から、接触面３８の縁端部の周囲に形成された吹き出し口３６に流出する。ここで、スリット３５から流出するエアは、吹き出し口３６を挟んでスリット３５の出口に対向する内壁面３７にぶつかって下方へと流れを変える。すなわち、上記エアは、収容部３ａ内において被試験デバイス５の側面に向き合う空間に、吹き出し口３６から吹き出す。これにより、被試験デバイス５の側面側からもエアとの間で熱伝達を行わせることができる。
【００６３】
そして、上記のように被試験デバイス５の側方の空間を流れたエアは、評価基板２表面と被試験デバイス５の裏面との間の隙間を流れた後、評価基板２に形成された貫通孔２ａからソケット３１の外部に抜けていく。したがって、被試験デバイス５の裏面側からもエアとの間で熱伝達を行わせることができる。
【００６４】
以上述べたように本実施形態においても、第１の実施形態と同様、被試験デバイス５の表面、側面および裏面を包み込むようなエアの流れを、途中で流れの滞留を起こさせることなく円滑に形成することができ、被試験デバイス５の全体に、所望の温度に設定されたエアを行き渡らせることができ、被試験デバイス５が所望の温度に到達して安定するまでの時間を短くでき、さらにはその所望の温度に被試験デバイス５が安定するのを待ってから行われる温度特性評価にかかる時間を短縮することができる。
【００６５】
［第３の実施形態］
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。なお、上記第１の実施形態と同じ構成部分には同一の符号を付しその詳細な説明は省略する。
【００６６】
図５は第３の実施形態に係るソケット４１の断面図を示す。本実施形態では、蓋４２の蓋本体部４４の表面においてネジ１２の周辺に、すり鉢状や円筒状等のくぼみ４５を形成している。そして、そのくぼみ４５の底部に蓋本体部４４を貫通する補助通路４６ａが形成され、この補助通路４６ａに整列して、押さえ部４３に補助通路４６ｂが形成されている。補助通路４６ａの入口は蓋４２の内部にエアを導くための補助導入口として機能し、補助通路４６ｂの入口は補助通路４６ａの出口に向き合わされ補助通路４６ａを通ってきたエアの流入を受ける。補助通路４６ｂの出口は、押さえ部４３内で導入通路２２に連通している。
【００６７】
なお、補助通路４６ａ及びこれに対応する補助通路４６ｂの組み合わせは、単数でも複数でもよい。さらに、補助通路４６ａ及び補助通路４６ｂは、導入通路２２のまわりに連続したリング状に形成してもよいし、間欠的に形成してもよい。
【００６８】
本実施形態によれば、サーモストリーマ２８からのエアが吹き付けられる蓋本体部４４の表面にくぼみ４５を形成しているので、そのくぼみ４５内により多くのエアを導いて存在させることができ、さらにくぼみ４５の底部に形成された補助通路４６ａ及び押さえ部４３に形成された補助通路４６ｂを介して、ネジ１２の貫通孔１２ａ以外からも導入通路２２にエアを導入することができる。すなわち、導入通路２２へのエアの導入口が複数あることにより、導入通路２２内へのエアの導入量を増やすことができ、その分、被試験デバイス５を早く所望の温度に到達させることができる。特に導入通路２２の孔径が小さい場合であっても、導入通路２２内へのエア導入量を増やすことができる。
【００６９】
また、この場合において、サーモストリーマ２８からのエアが当たる部分である蓋本体部４４を熱伝導性の良い材料、例えばアルミニウムや銅等の金属にすれば、サーモストリーマ２８から吹き付けられたエアがくぼみ４５に溜まることで効率よく蓋本体部４４をエアの温度に近づけることができ、かつその温度が維持されて蓋本体部４４における温度変化を抑えることができ、この結果、蓋本体部４４から押さえ部４３介して被試験デバイス５へと伝導する熱の伝導効率を向上させることができる。このことも、被試験デバイス５を早く所望の温度に到達させることに貢献する。
【００７０】
なお、被試験デバイス５に対して接触する接触面１８を有する押さえ部４３は、被試験デバイス５の静電破壊を防ぐために樹脂などの絶縁材料から構成することが好ましい。
【００７１】
吹き出し口２０から収容部３ａ内に吹き出されたエアの抜け道としては、評価基板２に形成された貫通孔２ａに限らず、図６に示すように、ソケット本体４７に形成された貫通孔４７ａを通じて行ってもよい。貫通孔４７ａは、被試験デバイス５が配置される収容部３ａと、ソケット本体４７の外部とを連通させている。
【００７２】
また、押さえ部９において、被試験デバイス５との接触面は四角形に限らず、図７に示すように円形の接触面４８であってもよい。
【００７３】
スリットの本数やそのスリットによる接触面の分割数は上記各実施形態に示した数に限らない。また、例えば図２に示す例では、接触面１８の４つの縁端部に対応させて吹き出し口２０はその平面形状が枠状となるように形成したが、接触面１８の１つの縁端部、あるいは２つの縁端部、あるいは３つの縁端部だけに対応させて吹き出し口２０を形成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る温度特性評価用ソケットの断面図である。
【図２】同ソケットにおける被試験デバイスとの接触面の平面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態に係る温度特性評価用ソケットの断面図である。
【図４】同ソケットにおける被試験デバイスとの接触面の平面図である。
【図５】本発明の第３の実施形態に係る温度特性評価用ソケットの断面図である。
【図６】本発明の変形例に係る温度特性評価用ソケットの断面図である。
【図７】本発明の変形例に係る温度特性評価用ソケットにおける被試験デバイスとの接触面の平面図である。
【図８】従来例の温度特性評価用ソケットの断面図である。
【図９】同従来例のソケットにおける被試験デバイスとの接触面の平面図である。
【図１０】ＱＦＰタイプの半導体装置の斜視図である。
【図１１】ＬＧＡタイプの半導体装置の斜視図である。
【図１２】サーモストリーマの概略図である。
【図１３】図１２における要部の拡大断面図である。
【図１４】他従来例のソケットにおける被試験デバイスとの接触面を示した斜視図である。
【図１５】図１４に示すソケットにおいて被試験デバイスへの、温度設定された気体の流れを示す側面図である。
【符号の説明】
【００７５】
１…温度特性評価用ソケット、２…評価基板、３…ソケット本体、３ａ…被試験デバイスの収容部、４…蓋、５…被試験デバイス、６…半導体チップ、７…ピン、８…蓋本体部、９…押さえ部、１２…ネジ、１８…接触面、１９…スリット、２０…吹き出し口、２２…導入通路、２３…温度センサ、３１…温度特性評価用ソケット、３２…押さえ部、３４…導入通路、３５…スリット、３６…吹き出し口、３８…接触面、３９…蓋、４１…温度特性評価用ソケット、４２…蓋、４３…押さえ部、４５…くぼみ、４６ａ，４６ｂ…補助通路、４７…ソケット本体、４８…接触面、４９…吹き出し口。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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