(57)【要約】【課題】  ＢＯＦパッケージにおいて、多出力にする為に狭パッドピッチ化を進めた場合、バンプがショートしてしまうことを防止する。【解決手段】  テープリード２３をテープ１に形成したテープキャリア基板であって、テープリード２３の半導体装置の外部電極と接合させる接合部分２３ａを千鳥形状に配置し、その他のテープリードの配線部分２３ｂを接合部分２３ａより細く形成し、テープリード全体にバンプが形成されている。また、テープリード２３の半導体装置の外部電極と接合させる接合部分を八角形もしくは、楕円形状に形成し、テープリード２３の配線部分をくびれた形状に形成した。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
テープリードをテープに形成したテープキャリア基板であって、前記テープリードの半導体装置の外部電極と接合させる接合部分を千鳥形状に配置し、その他の前記テープリードの配線部分を前記接合部分より細く形成し、テープリード全体にバンプが形成されていることを特徴とするテープキャリア基板。
【請求項２】
前記テープリードの半導体装置の外部電極と接合させる接合部分を八角形に形成した請求項１記載のテープキャリア基板。
【請求項３】
前記テープリードの半導体装置の外部電極と接合させる接合部分を楕円形状に形成し、テープリードの配線部分をくびれた形状に形成した請求項１記載のテープキャリア基板。
【請求項４】
テープと電極層の２層構造のベースのテープを形成し、マスク、現像工程を経ることで前記電極層から半導体装置の外部電極と接合させるためのテープリードを形成するテープキャリア基板の製造方法であって、
前記テープリードを形成する際、前記半導体装置の外部電極と接合させる接合部分が千鳥形状に配置されるように形成し、その他の配線部分が前記接合部分より細くなるように形成し、テープリード全体にめっきを施すことでバンプを形成することを特徴とするテープキャリア基板の製造方法。
【請求項５】
前記テープリードの半導体装置の外部電極と接合させる接合部分を八角形に形成する請求項４記載のテープキャリア基板の製造方法。
【請求項６】
前記テープリードの半導体装置の外部電極と接合させる接合部分を楕円形状に形成し、テープリードの配線部分をくびれた形状に形成する請求項４記載のテープキャリア基板の製造方法。
【請求項７】
請求項１，２または３記載のテープキャリア基板と接合される半導体装置であって、テープリードの接合部分に形成されたバンプと接合させるための外部電極を千鳥形状に配置し、テープリードの配線部分に形成されたバンプと接合させるための電極部分を設けたことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１，２または３記載のテープキャリア基板のバンプと、請求項７記載の半導体装置の外部電極および電極部分を接合させパッケージを形成した半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置のパッケージ形成方法、特にＢＯＦ（Ｂｕｍｐ・Ｏｎ・Ｆｉｌｍ）のパッケージ形成において用いられるテープキャリア基板およびその製造方法および半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の形成方法、特にＢＯＦ（Ｂｕｍｐ・Ｏｎ・Ｆｉｌｍ）のパッケージ形成方法等について従来の方法について説明する。
【０００３】
まずはテープキャリア基板、特にＢＯＦパッケージ用テープの作成方法について説明する。図１１〜１３は従来のＢＯＦパッケージ用テープ作成方法のフローについて上面から見た図を示したものである。図１４〜１６は従来のＢＯＦパッケージ用テープ作成方法のフローについて側面から見た図を示したものである。
【０００４】
以下にこのＢＯＦパッケージ用テープの作成方法について詳細に説明する。
【０００５】
図１１（ａ）および図１４（ａ）に示すように、まず、ポリイミド製のＢＯＦテープ１と電極層２１の２層構造になっているベースのテープを形成する。通常、電極層２１は導電性のある物質のＣｕが広く用いられている。
【０００６】
図１１（ｂ）および図１４（ｂ）に示すように、その後、このテープ上全面に感光性の電極エッチングレジスト２２の形成を行う。通常、この形成には印刷方法などが用いられる。その後、マスク、現像工程を経ることでテープリード２３を形成する部分以外のレジストの除去を行う。
【０００７】
図１２（ａ）および図１５（ａ）に示すように、その後、エッチング工程で電極層２１のエッチングを行いテープリード２３の形成を行う。その後、不要となった電極エッチングレジスト２２の除去を行う。
【０００８】
図１２（ｂ）に示すように、その後、めっき工程でバンプ４の形成を行う。まずスリット３を用いてバンプ４を形成するところ以外のテープリード２３を覆う。この理由としてはバンプ４をめっき方式で形成する際、めっき液をバンプ４を形成する部分であるテープリード２３以外に形成させない為である。
【０００９】
図１３（ａ）および図１５（ｂ）に示すように、その後、めっき方式によりめっき液をテープリード２３に当て、加えてテープリード２３に電流を供給することでバンプ４を形成する。通常、このめっきは電解めっきを用い、その際テープリード２３から電流を供給する。バンプ４は通常ＡｕやＣｕを用いて形成を行う。また、ある程度の硬度が必要ならばＮｉを混ぜる方法もある。
【００１０】
図１３（ｂ）に示すように、最後にスリット３を外し、ＢＯＦパッケージ用テープが完成する。図１５（ｂ）は、断面５３を示す。
【００１１】
次にこのＢＯＦパッケージ用テープを用いたＢＯＦ組立方法について説明する。
【００１２】
図１６（ａ）、（ｂ）は従来のＢＯＦパッケージ用テープを用いたＢＯＦ組立方法のフローについて示したものである。以下にこのＢＯＦパッケージ用テープを用いたＢＯＦ組立方法について詳細に説明する。
【００１３】
図１６（ａ）に示すように、まず、半導体チップ７とＢＯＦテープ１との位置合わせ、その後、接合させる半導体電極パッド６とバンプ４との位置合わせを行う。
【００１４】
図１６（ｂ）に示すように、その後、半導体チップ７とＢＯＦテープ１とをツールなどで熱圧着させる。この際、半導体チップ７から超音波をかけ、バンプ４が半導体電極パッド６上の酸化膜を破り易くすることが必要である。こうすることでバンプ４が半導体電極パッド６上で酸化膜を破りながら潰れ、両者の導通が可能となる。またその際、封止樹脂を半導体チップ７及びＢＯＦテープ１の間に注入し、封止を行う。
【００１５】
その後、ツール等を外し、硬化させ、ＢＯＦパッケージが完成する。
【特許文献１】特開２００１−１６８１２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかしながら、上記ＢＯＦパッケージ用テープおよびその組立方法では、ストレート配置にバンプ４を形成するため、狭パッドピッチでバンプ４を形成した場合、バンプ４同士がショートする恐れが発生する。また、その要因により、狭パッドピッチの実現が不可能になってしまう恐れがある。
【００１７】
したがって、本発明の目的は、上記問題点に鑑み、ＢＯＦパッケージにおいて、多出力にする為に狭パッドピッチ化を進めた場合、バンプがショートしてしまうことを防止し、ショート不良を起こさず、狭パッドピッチ、多出力が可能なテープキャリア基板およびその製造方法および半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記課題を解決するために本発明の請求項１記載のテープキャリア基板は、テープリードをテープに形成したテープキャリア基板であって、前記テープリードの半導体装置の外部電極と接合させる接合部分を千鳥形状に配置し、その他の前記テープリードの配線部分を前記接合部分より細く形成し、テープリード全体にバンプが形成されている。
【００１９】
請求項２記載のテープキャリア基板は、請求項１記載のテープキャリア基板において、前記テープリードの半導体装置の外部電極と接合させる接合部分を八角形に形成した。
【００２０】
請求項３記載のテープキャリア基板は、請求項１記載のテープキャリア基板において、前記テープリードの半導体装置の外部電極と接合させる接合部分を楕円形状に形成し、テープリードの配線部分をくびれた形状に形成した。
【００２１】
請求項４記載のテープキャリア基板の製造方法は、テープと電極層の２層構造のベースのテープを形成し、マスク、現像工程を経ることで前記電極層から半導体装置の外部電極と接合させるためのテープリードを形成するテープキャリア基板の製造方法であって、前記テープリードを形成する際、前記半導体装置の外部電極と接合させる接合部分が千鳥形状に配置されるように形成し、その他の配線部分が前記接合部分より細くなるように形成し、テープリード全体にめっきを施すことでバンプを形成する。
【００２２】
請求項５記載のテープキャリア基板の製造方法は、請求項４記載のテープキャリア基板の製造方法において、前記テープリードの半導体装置の外部電極と接合させる接合部分を八角形に形成する。
【００２３】
請求項６記載のテープキャリア基板の製造方法は、請求項４記載のテープキャリア基板の製造方法において、前記テープリードの半導体装置の外部電極と接合させる接合部分を楕円形状に形成し、テープリードの配線部分をくびれた形状に形成する。
【００２４】
請求項７記載の半導体装置は、請求項１，２または３記載のテープキャリア基板と接合される半導体装置であって、テープリードの接合部分に形成されたバンプと接合させるための外部電極を千鳥形状に配置し、テープリードの配線部分に形成されたバンプと接合させるための電極部分を設けた。
【００２５】
請求項８記載の半導体装置は、請求項１，２または３記載のテープキャリア基板のバンプと、請求項７記載の半導体装置の外部電極および電極部分を接合させパッケージを形成した。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の請求項１記載のテープキャリア基板によれば、テープリードの半導体装置の外部電極と接合させる接合部分を千鳥形状に配置し、その他のテープリードの配線部分を接合部分より細く形成し、テープリード全体にバンプが形成されているので、テープリードに形成するバンプを容易に千鳥形状に形成することが可能となる。従来は狭パッドピッチになった場合、ＢＯＦ組立時等においてバンプ間でショートが発生する恐れがあったが、本発明ではショート不良を起さない。したがって従来は不可能だったＢＯＦパッケージでの狭パッドピッチ化が可能となり、半導体装置の小型化やシュリンクによるコストダウンが可能となる。
【００２７】
請求項２では、テープリードの半導体装置の外部電極と接合させる接合部分を八角形に形成したので、千鳥部分の斜め方向のスペースを十分に取り、この部分がショートするのを防ぐ。
【００２８】
請求項３では、テープリードの半導体装置の外部電極と接合させる接合部分を楕円形状に形成し、テープリードの配線部分をくびれた形状に形成したので、千鳥部分の斜め方向のスペースを十分に取ることに加えて、千鳥部分と配線部分のスペースを十分にとり、この部分がショートするのを防ぐ。
【００２９】
本発明の請求項４記載のテープキャリア基板の製造方法によれば、テープリードを形成する際、半導体装置の外部電極と接合させる接合部分が千鳥形状に配置されるように形成し、その他の配線部分が接合部分より細くなるように形成し、テープリード全体にめっきを施すことでバンプを形成するので、テープリードに形成するバンプを容易に千鳥形状に形成することが可能となり、請求項１と同様にＢＯＦパッケージでの狭パッドピッチ化が可能となり、半導体装置の小型化やシュリンクによるコストダウンが可能となる。
【００３０】
請求項５では、テープリードの半導体装置の外部電極と接合させる接合部分を八角形に形成するので、請求項２と同様の効果が得られる。
【００３１】
請求項６では、テープリードの半導体装置の外部電極と接合させる接合部分を楕円形状に形成し、テープリードの配線部分をくびれた形状に形成するので、請求項３と同様の効果が得られる。
【００３２】
本発明の請求項７記載の半導体装置によれば、テープリードの接合部分に形成されたバンプと接合させるための外部電極を千鳥形状に配置し、テープリードの配線部分に形成されたバンプと接合させるための電極部分を設けたので、請求項１，２または３記載のテープキャリア基板と接合することができる。
【００３３】
本発明の請求項８記載の半導体装置によれば、請求項１，２または３記載のテープキャリア基板のバンプと、請求項７記載の半導体装置の外部電極および電極部分を接合させパッケージを形成したので、パッケージ付半導体装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
本発明の実施形態を図１〜図１０に基づいて説明する。
【００３５】
まずはテープキャリア基板、特にＢＯＦパッケージ用テープの作成方法について説明する。
【００３６】
図１〜３は本発明の実施形態のＢＯＦパッケージ用テープ作成方法のフローについて上面から見た図を示したものである。図４〜５は本発明の実施形態のＢＯＦパッケージ用テープ作成方法のフローについて側面から見た図を示したものである。
【００３７】
以下にこのＢＯＦパッケージ用テープの作成方法について詳細に説明する。
【００３８】
図１（ａ）および図４（ａ）に示すように、まず、ポリイミド製のＢＯＦテープ１と電極層２１の２層構造になっているベースのテープを形成する。通常、電極層２１は導電性のある物質のＣｕが広く用いられている。
【００３９】
図１（ｂ）および図４（ｂ）に示すように、その後、このテープ上全面に感光性の電極エッチングレジスト２２の形成を行う。通常、この形成には印刷方法などが用いられる。その後、マスク、現像工程を経ることでテープリード２３（図２（ａ））を形成する部分以外のレジストの除去を行う。これらの工程の際、注意することとしては後工程でバンプ４を形成し、半導体電極パッド７と接続させようとする接合部分２３ａを図に示すように千鳥形状の配置に形成（電極エッチングレジスト２２を残す）し、その他の部分（配線部分）２３ｂはできる限り細く形成する。この理由としては千鳥形状に電極エッチングレジスト２２を残すことでテープリード２３を形成し、その上にバンプ４を形成することで、従来はストレート配置にバンプ４を形成するため、狭いパッドピッチでバンプ４を形成した場合、バンプ４同士がショートする恐れがあったが、その狭パッドピッチによるショート不良の対策が可能となる。加えて、その他の部分（配線部分）をできる限り細く形成することで、千鳥形状に配置した部分に形成したバンプ４と配線部分２３ｂに形成したバンプ４とがショートすることを防ぐことが可能となる。
【００４０】
また、図６（ａ）、（ｂ）に電極エッチングレジスト２２を詳細に表した図を示す。
【００４１】
図６（ａ）は後工程でバンプ４を形成し、半導体電極パッド７（図７）と接続させようとする部分の形状を八角形にしている。この理由としては、千鳥部分の斜め方向のスペース２４を十分に取り、この部分がショートするのを防ぐ為である。
【００４２】
図６（ｂ）は後工程でバンプ４を形成し、半導体電極パッド７と接続させようとする部分の形状をその形状を楕円状にし、加えてテープリードの配線部分をくびれた状態にしている。この理由としては、千鳥部分の斜め方向のスペース２４を十分に取ることに加えて、千鳥部分と配線部分のスペース２５を十分にとり、この部分がショートするのを防ぐ為である。
【００４３】
図２（ａ）および図５（ｃ）に示すように、その後、エッチング工程で電極層２１のエッチングを行いテープリード２３の形成を行う。その後、不要となった電極エッチングレジスト２２の除去を行う。
【００４４】
図２（ｂ）示すように、その後、めっき工程でバンプ４の形成を行う。まずスリット３を用いてバンプ４を形成するところ以外のテープリード２３を覆う。この理由としてはバンプ４をめっき方式で形成する際、めっき液をバンプ４を形成する部分であるテープリード２３以外に形成させない為である。
【００４５】
図３（ａ）および図５（ｂ）に示すように、その後、めっき方式によりめっき液をテープリード２３に当て、加えてテープリード２３に電流を供給することでバンプ４を形成する。通常、このめっきは電解めっきを用い、その際テープリード２３から電流を供給する。バンプ４は通常ＡｕやＣｕを用いて形成を行う。また、ある程度の硬度が必要ならばＮｉを混ぜる方法もある。
【００４６】
図３（ｂ）に示すように、最後にスリット３を外し、ＢＯＦパッケージ用テープが完成する。
【００４７】
次にＢＯＦパッケージ用テープの組立方法について説明する。
【００４８】
図７は本発明の実施形態のＢＯＦパッケージ組立方法のフローについて図３（ｂ）のＡ−Ａで断面を切ったものの組立状態を示したものである。図８は本発明の実施形態のＢＯＦパッケージ組立方法のフローについて図３（ｂ）のＢ−Ｂで断面を切ったものの組立状態を示したものである。
【００４９】
以下にこのＢＯＦパッケージ用テープの組立方法について詳細に説明する。
【００５０】
図７（ａ）および図８（ａ）に示すように、その方法としては、まず半導体チップ７とＢＯＦテープ１との位置を合わせ、その後、接合させる半導体電極６とバンプ４との位置合わせを行い、両者の接合を行う。
【００５１】
図７（ｂ）および図８（ｂ）に示すように、その後、半導体チップ７とＢＯＦテープ１とをツールなどで熱圧着させる。またその際、封止樹脂を半導体チップ７及びＢＯＦテープ１の間に注入する。これにより、半導体電極６とバンプ４が接合し、電気的に導通する。また、封止樹脂を注入することにより、半導体チップ７とＢＯＦテープ１の間が埋められ、半導体電極６やバンプ４に水分等が触れることで腐食する恐れがなくなる。
【００５２】
また、図７（ｂ）に示すとおり、Ａ−Ａの断面部分はバンプ４と配線部分が大きく離れており、また図８（ｂ）に示すとおり、Ｂ−Ｂの断面部分ではバンプ４が近接していない為、バンプ４同士がショートする恐れが無い。
【００５３】
すなわちショート不良対策が可能となり、このことでより良好なＢＯＦパッケージ形成方法の提供が可能となる。
【００５４】
また、図９（ａ）は本発明の実施形態の半導体チップ７を上面から見た図を示したものである。図１０（ａ）は図９（ａ）のＣ−Ｃで断面を切ったものを組み立てた断面図を示す。図９（ａ）に示すとおり、半導体電極６は半導体装置の外部電極を千鳥形状に配置した部分である千鳥電極部分６２に加えて、テープリードの配線部分に形成させたバンプと接合させる為の電極部分である配線電極部分６３を設けた形状になっている。
【００５５】
図９（ｂ）は比較例の半導体チップ７を上面から見た図を示したものである。図１０（ｂ）は図９（ｂ）のＤ−Ｄで断面を切ったものを組み立てた断面図を示す。図９（ｂ）に示すとおり、比較例の半導体チップ７の半導体電極６は半導体装置の外部電極を千鳥形状に配置した部分である千鳥電極部分６２のみである。
【００５６】
この様な半導体電極形状にする理由について図１０（ａ）、（ｂ）で説明する。
【００５７】
図９（ａ）、図１０（ａ）に示すような半導体電極状態のものの組立を実施した場合、バンプ４は何も障害無く、半導体電極６すなわち千鳥電極部分６２と配線電極部分６３に接合される。
【００５８】
しかし、図９（ｂ）、図１０（ｂ）に示すような半導体電極状態だと、バンプ４が保護膜段差部分９に当たってしまい、この部分の保護膜のクラックが発生してしまう恐れがある。したがって図９（ａ）に示す形状の半導体電極形状にすることで問題なく組立を行う。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明に係るテープキャリア基板およびその製造方法および半導体装置は、特にＢＯＦ（Ｂｕｍｐ・Ｏｎ・Ｆｉｌｍ）のパッケージ用テープ及びパッケージ形成として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の実施形態のテープキャリア基板の製造方法を上面から見た図である。
【図２】本発明の実施形態のテープキャリア基板の製造方法を上面から見た図である。
【図３】本発明の実施形態のテープキャリア基板の製造方法を上面から見た図である。
【図４】本発明の実施形態のテープキャリア基板の製造方法を側面から見た図である。
【図５】本発明の実施形態のテープキャリア基板の製造方法を側面から見た図である。
【図６】本発明の実施形態において電極エッチングレジストを表した図である。
【図７】本発明の実施形態のテープキャリア基板の製造方法のフローについて図３（ｂ）のＡ−Ａ断面図である。
【図８】本発明の実施形態のテープキャリア基板の製造方法のフローについて図３（ｂ）のＢ−Ｂ断面図である。
【図９】（ａ）は本発明の実施形態の半導体チップを上面から見た図、（ｂ）は比較例の半導体チップを上面から見た図である。
【図１０】（ａ）は図９（ａ）のＣ−Ｃで断面を切ったものを組み立てた断面図、（ｂ）は図９（ｂ）のＤ−Ｄで断面を切ったものを組み立てた断面図である。
【図１１】従来のＢＯＦパッケージ用テープ作成方法のフローについて上面から見た図である。
【図１２】従来のＢＯＦパッケージ用テープ作成方法のフローについて上面から見た図である。
【図１３】従来のＢＯＦパッケージ用テープ作成方法のフローについて上面から見た図である。
【図１４】従来のＢＯＦパッケージ用テープ作成方法のフローについて側面から見た図である。
【図１５】従来のＢＯＦパッケージ用テープ作成方法のフローについて側面から見た図である。
【図１６】従来のＢＯＦパッケージ用テープ作成方法のフローについて側面から見た図である。
【符号の説明】
【００６１】
１  ＢＯＦテープ
２１  電極層
２２  電極エッチングレジスト
２３  テープリード
３  スリット
４  バンプ
６  半導体電極パッド
７  半導体チップ
【図１】
2006229018.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2006229018.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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