(57)【要約】【課題】  半導体チップの表面側を実装基板に接続するフェイスダウン実装（表面実装）型の半導体装置において、接合不良を評価できるようにする。【解決手段】  半導体チップ１０が透明なサファイア基板１１に透明なガリウム窒素系化合物半導体層１２，１３を積層して成る発光ダイオード１などのように、該半導体チップ１０が透明な材料から成る場合、該半導体チップ１０の表面に形成される電極１５，１６における金バンプ電極２１の当接部位に、前記電極１５，１６よりも硬い材料から成る粒体３０を付着しておく。したがって、接合後に、半導体チップ１０の裏面から、その粒体３０を目視で確認できるか否かから、電極１５，１６と金バンプ電極２１との接合部を評価することができる。これによって、接合不良のチップをスクリーニングすることができるとともに、その評価結果から、バンプ電極の形成条件や接合条件を適宜調整できる。【選択図】      図１
2006147631.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明な材料から成る半導体チップを、その表面に形成された電極と、実装基板上に形成された配線パターンのパッドと対向させ、それらを前記パッド上に設けられたバンプ電極によって電気的に接続することで、前記実装基板にフェイスダウン実装するようにした半導体装置において、
前記電極における前記バンプ電極の当接部位に、前記電極よりも硬い材料から成る粒体を付着しておき、
前記電極とバンプ電極との接合によって前記粒体が前記電極中に埋め込まれたか否かを前記半導体チップの裏面側から確認することで、接合状態を評価可能とすることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記粒体は、前記電極の表面に形成されたテーパ状の孔内に予め埋め込まれるくさび形に形成され、そのくさびの高さは、前記電極の厚さよりも薄いことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記粒体の高さは、前記電極の厚みの約５０〜８０％に形成されることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記電極およびバンプ電極は金から成り、前記粒体は、アルミ、ニッケル、銀、クロム、錫、チタンのうちの少なくとも１つから成ることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
透明な材料から成る半導体チップを、その表面に形成された電極と、実装基板上に形成された配線パターンのパッドと対向させ、それらを前記パッド上に設けられたバンプ電極によって電気的に接続することで、前記実装基板にフェイスダウン実装するようにした半導体装置の評価方法において、
前記電極における前記バンプ電極の当接部位に、前記電極よりも硬い材料から成る粒体を付着しておき、
前記電極とバンプ電極との接合によって前記粒体が前記電極中に埋め込まれたか否かを前記半導体チップの裏面側から確認することで、接合状態を評価可能とすることを特徴とする半導体装置の評価方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面実装型の発光ダイオードのような透明材料から成る半導体チップを実装基板に実装して成る半導体装置の構造と、それらの電気的接続部であるバンプ電極の評価方法とに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、前記透明な材料から成る発光ダイオードの構造として、特許文献１にあるような、青色発光ダイオードがある。その青色発光ダイオードは、透明な材料である窒化ガリウムのＰ型とＮ型との結晶を重ね、ＰＮ接合を作り発光させるものである。図６に、この論文から推測し、前記表面実装型（フリップチップ実装とも言う）としたときの、その実装構造の模式的な断面図を示す。
【０００３】
先ず、前記青色発光ダイオードの半導体チップ１００の作成は、支持基板であるサファイア基板（透明）１０１の上に、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法によって窒化ガリウムの単結晶が成長され、そのＮ型の窒化ガリウム半導体層１０２の上に、電子線を照射して（ドーパントによることもある）Ｐ型にしたＰ型窒化ガリウム半導体層１０３が形成され、さらに前記Ｎ型窒化ガリウム半導体層１０２には絶縁酸化膜層１０４が形成された上に第１電極１０５が形成され、Ｐ型窒化ガリウム半導体層１０３の上には第２電極１０６が形成されることで行われる。そして、Ｎ型窒化ガリウム半導体層１０２側の第１電極１０５を−（カソード）とし、Ｐ型窒化ガリウム半導体層１０３側の第２電極１０６を＋（アノード）として、これらの電極１０５，１０６間に電流を流すと、後述するように、Ｎ型窒化ガリウム半導体層１０２とＰ型窒化ガリウム半導体層１０３との接合部から、青色から紫外の光が放出される。
【０００４】
前記第１電極１０５はＮ型窒化ガリウム半導体層１０２とオーミックコンタクトされ、前記第２電極１０６はＰ型窒化ガリウム半導体層１０３とオーミックコンタクトされている。前記電極１０５の下層にある絶縁酸化膜層１０４は、シリコン窒化膜でもよく、無くてもよい。またこの絶縁酸化膜１０４は、Ｎ型窒化ガリウム半導体層であってもよい。電極１０５，１０６は、アルミや金などをメタライズすることによって形成される。具体的には、アルミが下地で、このアルミを前記Ｐ型窒化ガリウム半導体層１０３やＮ型窒化ガリウム半導体層１０２へ熱拡散することによってオーミックコンタクトされ、このアルミの上に金をメタライズするか、または直接金を前記Ｐ型窒化ガリウム半導体層１０３やＮ型窒化ガリウム層１０２へメタライズし、熱拡散することで作成される。
【０００５】
一方、回路パターンが形成された実装基板１２０では、そのパターン上にバンプ電極１２１と電気的に接続させるためのパッド１２２が、所定の位置に形成される。前記パッド１２２は、下層１２２ａが数１０μｍ厚の銅と、その上に数μｍ厚で形成された銅の拡散防止用のニッケル層とから成り、その上の上層１２２ｂは、金を数μｍ厚でスパッタまたはめっき法によって形成するのが一般的である。
【０００６】
前記バンプ電極１２１には、金、はんだなどがあるが、軟らかい材料の方がよい。また、バンプ材料が金である場合、めっき法や、ワイヤーボンディング方式を応用したスタッドバンプ法で形成される。バンプ電極１２１は、半導体チップ１００の電極１０５，１０６側か、または実装基板１２０のパッド１２２側に形成される。上述のように形成された発光ダイオードの半導体チップ１００の電極１０５，１０６と、実装基板１２０のパッド１２２とは、フェイスダウンボンディング（前記フリップチップ実装とも言う）によって、前記バンプ電極１２１を介して電気的に接続される。
【０００７】
一方、発光ダイオードにおける半導体チップの具体的な構造は、たとえば図７で示すようなものである。図７は、前記青色発光ダイオードの半導体チップ１００の一般的な構造を模式的に示す断面図であり、特許文献２に示されたものである。上述の図６の構成に対応する部分には、同一の参照符号を付して示す。支持基板であるサファイア基板１０１の上に、バッファ層１１１であるＡｌＮと、Ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体から成るＮ層１０２ａと、発光層であり活性層である低キャリア濃度Ｎ層１０２ｂであるＮ−ＧａＮと、Ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体から成るＰ層１０３とが形成され、さらにＰ層１０３の上面からＮ層１０２ｂに至るまで形成された溝１１２と、Ｐ層１０３の上面からＮ層１０２ｂに至るまで形成された孔１１３と、孔１１３にＮ層１０２ｂと接合し、Ｐ層１０３の上面まで形成された第１電極１０５と、Ｐ層１０３の上面に前記溝１１２によって第１電極１０５と電気的に絶縁分離されるように形成された第２電極１０６とを備えて、該発光ダイオードは形成されている。
【０００８】
このように構成される発光ダイオードは、溝１１２によって、第１電極１０５と第２電極１０６との電気的な絶縁分離を実現しているので、該発光ダイオードを順方向バイアスにする、すなわち上述のように第２電極１０６から第１電極１０５に向かって電流が流れ、Ｐ層１０３とＮ層１０２ａの界面に位置する低キャリア濃度Ｎ層１０２ｂにてホールと電子とが結合し、発光する。その他、半導体発光素子（発光ダイオード）の表面実装構造に関した最近の文献として、以下の特許文献２〜４などがある。
【非特許文献１】赤崎、天野「P-type Conduction in Mg-Doped GaN Treated with Low-Energy Electron Irradiation」：応用物理学会欧文誌、ＶＯＬ．２８，Ｎｏ．１２，ｐｐＬ２１１２−Ｌ２１１４、ＤＥＣ，１９８９
【特許文献１】特開平４−１６３９７０号公報
【特許文献２】特開２００３−３０４００３号公報
【特許文献３】特開２００２−２１７４５９号公報
【特許文献４】特開平１１−１６８２３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上述のような半導体チップ１００においては、バンプ電極１２１を介して実装基板１２０と電気的に接続する表面実装型であるので、バンプ電極１２１と半導体チップ１００の表面に形成された電極１０５，１０６との接合部分の評価が極めて困難である。電気的コンタクトの確認は、接続抵抗で間接的に知るしか方法がない。このため、接合が極めて不安定で、その接合面積が非常に小さく、本来不良品となるべきチップの場合でも、微小な当接箇所が、金属の熱拡散による接合がされているか、または圧接されている場合には、前記接続抵抗は低くなり、問題が無い（良品）と誤判定されてしまうことがある。しかしながら、そのように不安定な接合では、製造組立て時や製品化された後の市場の環境において、機械的ストレスや熱的ストレスが加わると、接合部分が容易に剥離し、その電気的接続の信頼性を確保することができないという問題がある。
【００１０】
このような問題は、バンプ電極１２１の高さや表面状態にばらつきが生じることに起因しており、現状、このような問題を未然に防止するために、半導体チップ１００をフェイスダウンボンディングするときの条件をコントロールしているのが実情である。具体的には、接合温度、荷重、加圧時間、チップの押し込み量、チップを押し込むときの平行性などが主なパラメターであり、それらの少なくとも１つをコントロールしている。しかしながら、設備（フリップチップボンダー）の調子、作業者のスキル、周囲環境（風量、温度、湿度、振動など）の影響によって、最適な条件を確立するには多大な労力を必要とする。
【００１１】
本発明の目的は、発光ダイオードのような半導体チップとバンプ電極との接続部分を評価可能にすることで、より信頼性を高めることができる半導体装置およびその評価方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の半導体装置およびその評価方法は、透明な材料から成る半導体チップを、その表面に形成された電極と、実装基板上に形成された配線パターンのパッドと対向させ、それらを前記パッド上に設けられたバンプ電極によって電気的に接続することで、前記実装基板にフェイスダウン実装するようにした半導体装置において、前記電極における前記バンプ電極の当接部位に、前記電極よりも硬い材料から成る粒体を付着しておき、前記電極とバンプ電極との接合によって前記粒体が前記電極中に埋め込まれたか否かを前記半導体チップの裏面側から確認することで、接合状態を評価可能とすることを特徴とする。
【００１３】
上記の構成によれば、半導体チップの表面側を実装基板に接続するフェイスダウン実装（表面実装）型の半導体装置において、前記半導体チップが透明なサファイア基板に透明なガリウム窒素系化合物半導体層を積層した発光ダイオードなどのように、該半導体チップが透明な材料から成る場合、該半導体チップの裏面側から表面側の観察が可能になる。そこで本発明では、前記半導体チップの表面に形成され、遮光性の金属層である電極におけるバンプ電極の当接部位に、前記電極よりも硬い材料から成る粒体を付着しておく。そして、バンプ電極に電極を当接させ、加熱・加圧すると、前記粒体が電極中に埋め込まれ、その一部が半導体層に当接するか、前記半導体層付近に到達し、半導体チップの裏面から、粒体を目視で確認することができる。一方、バンプ電極の粒径が不足し、バンプ電極の上面と前記電極との間の隙間が生じていたり、隙間がなく、接触していても接触が不十分であると、前記粒体は電極中に埋め込まれず、半導体チップの裏面から確認しても、電極の色しか確認できない。
【００１４】
したがって、電極と、実装基板上に形成された配線パターンのパッドとを電気的に接続するバンプ電極が、充分な粒径を有しているか否かや、確実に接合されたか否かなどを確認することができ、電極とバンプ電極との接合部を目視によって評価することができる。これによって、接合不良のチップをスクリーニングすることができるとともに、その評価結果から、バンプ電極の形成条件や接合条件を適宜調整することで、歩留まりを向上し、より信頼性の高い半導体装置およびそれを組込んだ製品を提供することができる。
【００１５】
また、本発明の半導体装置では、前記粒体は、前記電極の表面に形成されたテーパ状の孔内に予め埋め込まれるくさび形に形成され、そのくさびの高さは、前記電極の厚さよりも薄いことを特徴とする。
【００１６】
上記の構成によれば、電極の表面に形成されたテーパ状の孔内に予め埋め込まれる粒体は、尖頭部（尖った方）は、前記半導体チップの半導体層側（支持基板側）へ向けられることになる。
【００１７】
したがって、接合するバンプ電極に押され易く、電極内に異物などの障害物があっても、これを避けることができる。
【００１８】
さらにまた、本発明の半導体装置では、前記粒体の高さは、前記電極の厚みの約５０〜８０％に形成されることを特徴とする。
【００１９】
上記の構成によれば、前記くさび状の粒体を、電極表面から約５０％〜８０％の深さに形成する。このくさび状の粒体は、その高さが低い（深さが浅い）と、半導体層へ到達できず、また高さが高い（深さが深すぎる）と、接合時の荷重が不足している場合でも、前記半導体層へ到達してしまう。
【００２０】
したがって、前記の範囲が、実用的なくさび状の粒体の高さとなる。
【００２１】
また、本発明の半導体装置では、前記電極およびバンプ電極は金から成り、前記粒体は、アルミ、ニッケル、銀、クロム、錫、チタンのうちの少なくとも１つから成ることを特徴とする。
【００２２】
上記の構成によれば、上述のような電極と粒体との硬さの関係を具体的に実現することができ、正常な接合状態で、粒体を電極中に埋め込ませることができる。また、電極から粒体を色別することができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の半導体装置およびその評価方法は、以上のように、半導体チップの表面側を実装基板に接続するフェイスダウン実装（表面実装）型の半導体装置において、前記半導体チップが透明なサファイア基板に透明なガリウム窒素系化合物半導体層を積層した発光ダイオードなどのように、該半導体チップが透明な材料から成る場合、前記半導体チップの表面に形成され、遮光性の金属層である電極におけるバンプ電極の当接部位に、前記電極よりも硬い材料から成る粒体を付着しておき、バンプ電極に電極を当接させ、加熱・加圧することで、前記粒体が電極中に埋め込まれ、その一部が半導体層に当接するか、前記半導体層付近に到達し、半導体チップの裏面から、粒体を目視で確認することができるか否かから、接合状態を判定する。
【００２４】
それゆえ、電極と、実装基板上に形成された配線パターンのパッドとを電気的に接続するバンプ電極が、充分な粒径を有しているか否かや、確実に接合されたか否かなどを確認することができ、電極とバンプ電極との接合部を目視によって評価することができる。これによって、接合不良のチップをスクリーニングすることができるとともに、その評価結果から、バンプ電極の形成条件や接合条件を適宜調整することで、歩留まりを向上し、より信頼性の高い半導体装置およびそれを組込んだ製品を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
［実施の形態１］
図１および図２は、本発明の実施の第１の形態に係る半導体装置である発光ダイオード１の構造を模式的に示す断面図である。この発光ダイオード１は、青色発光ダイオードの半導体チップ１０が、実装基板２０にフェイスダウンボンディングされて構成されている。図１は接合後の状態を示し、図２は接合前の状態を示す。
【００２６】
前記半導体チップ１０は、支持基板である透明なサファイア基板１１の上に、ＭＯＣＶＤ法などによって窒化ガリウムの単結晶が成長され、そのＮ型の窒化ガリウム半導体層１２上には、溝１７を境界として、一方は電子線を照射して（ドーパントによることもある）Ｐ型にしたＰ型窒化ガリウム半導体層１３が形成され、他方には絶縁酸化膜層１４が形成された上に第１電極１５が形成され、Ｐ型窒化ガリウム半導体層１３の上には第２電極１６が形成されて作成されている。そして、Ｎ型窒化ガリウム半導体層１２側の第１電極１５を−（カソード）とし、Ｐ型窒化ガリウム半導体層１３側の第２電極１６を＋（アノード）として、これらの電極１５，１６間に電流を流すと、Ｎ型窒化ガリウム半導体層１２とＰ型窒化ガリウム半導体層１３との接合部から、青色から紫外の光が放出される。
【００２７】
前記第１電極１５はＮ型窒化ガリウム半導体層１２とオーミックコンタクトされ、前記第２電極１６はＰ型窒化ガリウム半導体層１３とオーミックコンタクトされている。前記電極１５の下層にある絶縁酸化膜層１４は、シリコン窒化膜でもよく、無くてもよい。またこの絶縁酸化膜１４は、Ｎ型窒化ガリウム半導体層であってもよい。電極１５，１６は、アルミや金などを用いてメタライズすることによって形成される。具体的には、アルミが下地で、このアルミを前記Ｐ型窒化ガリウム半導体層１３やＮ型窒化ガリウム半導体層１２へ熱拡散することによってオーミックコンタクトされ、このアルミの上に金を用いてメタライズするか、または直接金を用いて前記Ｐ型窒化ガリウム半導体層１３やＮ型窒化ガリウム層１２へメタライズし、熱拡散することで作成される。
【００２８】
一方、回路パターンが形成された実装基板２０では、そのパターン上に金バンプ電極２１と電気的に接続させるためのパッド２２が、所定の位置に形成される。前記パッド２２は、下層２２ａが数１０μｍ厚の銅と、その上に数μｍ厚で形成された銅の拡散防止用のニッケル層とから成り、その上の上層２２ｂは、金を数μｍ厚でスパッタまたはめっき法によって形成するのが一般的である。
【００２９】
前記金バンプ電極２１は、めっき法や、ワイヤーボンディング方式を応用したスタッドバンプ法によって、実装基板２０のパッド２２側に形成される。このように形成された発光ダイオード１の半導体チップ１０の電極１５，１６と、実装基板２０のパッド２２とは、たとえば大気や窒素雰囲気中で、たとえば２００℃程度で、上述のフェイスダウンボンディングが行われることで、前記金バンプ電極２１を介して電気的に接続される。以上の構成は、前述の図６で示す発光ダイオードと同様であり、この発光ダイオード１の発光に係る具体的な構造は、前述の図７で示すようなものでよい。
【００３０】
上述のように構成される発光ダイオード１において、注目すべきは、本発明では、支持基板１１は透明なサファイア基板であり、また窒化ガリウム半導体層１２，１３も透明であることから、該半導体チップ１０の裏面側から表面側の観察が可能になことを利用して、前記半導体チップ１０の表面に形成され、遮光性の金属層である電極１５，１６における金バンプ電極２１の当接部位に、図２で示すように、接合前に、前記電極１５，１６よりも硬い材料から成る粒体３０を付着しておくことである。
【００３１】
前記粒体３０は、金バンプ電極２１よりも硬く、色別することができる材料、たとえばアルミ、ニッケル、銀、クロム、錫、チタンのうちの少なくとも１つから成る。バンプ電極が金以外の材料から成る場合、粒体３０には、それよりも硬く、色別することができる材料を用いればよい。また、この粒体３０は、図１および図２で示すような球体に限らず、多角形状であってもよい。さらにまた、この粒体３０の大きさは、フェイスダウンボンディングの条件と、前記電極１５，１６の硬度や厚さに対応して、適宜設計すればよく、たとえば金から成る電極１５，１６の厚さが１μｍ、金バンプ電極２１の粒径が１００μｍであるとき、アルミから成る粒体３０の粒径は、３０μｍに形成される。
【００３２】
この粒体３０は、帯電させたプローブの先端に吸着させ、それを前記電極１５，１６上に接触させることで付着させることができ、その後、表面吸着や熱処理により、容易に固定することができる。この粒体３０は、図１や図２で示すように、１つの金バンプ電極２１に対して１つに限らず、図３で示すように、複数個配置してもよい。
【００３３】
したがって、図２で示す状態から、半導体チップ１０を押し下げて、金バンプ電極２１に電極１５，１６を当接させ、加熱・加圧すると、図１で示すように、前記粒体３０が電極１５，１６中に埋め込まれ、その一部が半導体層１２，１３に当接するか、前記半導体層１２，１３付近に到達し、半導体チップ１０の裏面から、その前記粒体３０を目視で確認することができる。一方、金バンプ電極２１の粒径が不足し、該金バンプ電極２１の上面と前記電極１５，１６との間の隙間が生じていたり、隙間がなく、接触していても接触が不十分であると、前記粒体３０は電極１５，１６中に埋め込まれず、半導体チップ１０の裏面から確認しても、電極１５，１６の色しか確認できない。
【００３４】
したがって、金バンプ電極２１が、充分な粒径を有しているか否かや、確実に接合されたか否かなどを確認することができ、電極１５，１６と金バンプ電極２１との接合部を目視によって評価することができる。これによって、接合不良のチップをスクリーニングすることができるとともに、その評価結果から、金バンプ電極２１の形成条件や接合条件を適宜調整することで、歩留まりを向上し、より信頼性の高い半導体装置およびそれを組込んだ製品を提供することができる。
【００３５】
［実施の形態２］
図３および図４は、本発明の実施の第２の形態に係る発光ダイオード４１の構造を模式的に示す断面図である。この発光ダイオード４１は、上述の発光ダイオード１に類似し、対応する部分には同一の参照符号を付して示し、その説明を省略する。注目すべきは、この発光ダイオード４１では、粒体５０は、前記電極１５，１６の表面に形成されたテーパ状の孔４２内に予め埋め込まれ、くさび形に形成されることである。また、前記粒体５０の高さＨ１は、前記電極の厚みＨ２よりも薄く、約５０〜８０％に形成されることである。
【００３６】
前記くさび形の粒体５０は、たとえば金から成る前記チップ電極１５，１６を、フォトリソグラフィ技術を用いてくさび状に掘り込み、その後、その掘り込み内に、その電極１５，１６より硬い前述の材料を、スパッタリング、蒸着、めっきなどの方法で積層（埋め込み）することで作成することができる。前記粒体５０は、先端が尖っている形状であればよく、三角錐、円錐、またはこれに類する形状であってもよい。
【００３７】
したがって、電極の表面に形成されたテーパ状の孔４２内に予め埋め込まれた粒体５０は、尖頭部（尖った方）が半導体チップ４０の半導体層１２，１３側（支持基板１１側）へ向けられることになり、接合するバンプ電極２１に押され易く、電極１５，１６内に異物などの障害物があっても、これを避けることができる。
【００３８】
ここで、くさび形の粒体５０は、その高さＨ１が低い（深さが浅い）と、半導体層１２，１３へ到達できず、また高さＨ１が高い（深さが深すぎる）と、バンプ電極２１の粒径が小さかったり、接合時の荷重が不足していても、前記半導体層１２，１３へ到達してしまう。バンプ電極２１が金で、電極１５，１６も金であり、この電極１５，１６がメタライズされたものである場合、一般にフェイスダウンボンディングによって、前記チップ表面の電極１５，１６の厚さは、およそ２０％〜５０％小さくなる。これから考えると、適切にフェイスダウンボンディングが行われると仮定すると、粒体５０の高さＨ１を、前記電極１５，１６の表面から、該電極１５，１６の厚さＨ２の約５０〜８０％の深さに形成しておけば、接合によって該電極１５，１６の厚さＨ２が小さくなると、粒体５０の先端は、半導体層１２，１３に到達し、半導体チップ４０の裏面側から、この粒体５０を観察することができる。したがって、前記の範囲が、実用的な粒体５０の高さＨ１となる。
【００３９】
一方、前記くさび形の粒体５０において、バンプ電極２１が当接する基端側の部分は、バンプ電極２１中に埋もれてしまわない（進まない）ように、ある程度広い面積が必要である。バンプ電極２１の粒径が、たとえばφ＝５０〜１００μｍであり、前記電極１５，１６の厚さが数μｍ程度である場合、そのバンプ電極２１が当接する部分は、およそφ＝１〜１０μｍ程度の大きさが必要と考えられる。このバンプ電極２１が当接する部分の大きさの条件は、フェイスダウンボンディング装置の能力や、半導体チップ４０のサイズなどに影響されるので、特に規定はしない。
【００４０】
本発明は、上述のような発光素子に限定されるものではなく、透明な基板上に透明な半導体層が形成されるものであれば適用することができる。
【００４１】
なお、たとえば特開平９−３１２３１７号公報には、半導体チップの実装基板の接合部とは反対側から赤外線を照射して接合不良を検査する方法が開示されているが、パッドの剥がれやクラックを検出するものであり、本発明のように電極１５，１６とバンプ電極２１との接合状態を検査することはできない。
【００４２】
また、特開２００１−６８５１４号公報には、透明なダミー基板を実装基板にフリップチップ実装し、基板の裏面から電極とバンプ電極との接合部の状態を目視検査することが開示されているけれども、ダミー基板を使用し、実装工程の評価を行うものであり、本発明のように製品となる半導体装置を個々に検査することはできない。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の実施の第１の形態に係る半導体装置である発光ダイオードの構造を模式的に示す断面図である。
【図２】図１で示す発光ダイオードの接合前の状態を示す断面図である。
【図３】本発明の実施の第１の形態に係る発光ダイオードの他の構造例を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の第２の形態に係る発光ダイオードの構造を模式的に示す断面図である。
【図５】図１で示す発光ダイオードの接合前の状態を示す断面図である。
【図６】典型的な従来技術の発光ダイオードの構造を模式的に示す断面図である。
【図７】一般的な発光ダイオードにおける半導体チップの具体的な構造を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４４】
１，４１    発光ダイオード
１０    半導体チップ
１１    支持基板
１２    Ｎ型窒化ガリウム半導体層
１３    Ｐ型窒化ガリウム半導体層
１４    絶縁酸化膜層
１５    第１電極
１６    第２電極
１７    溝
２０    実装基板
２１    金バンプ電極
２２    パッド
３０，５０    粒体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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