(57)【要約】【課題】フルオロポリエーテルまたはフォスファゼン系化合物からなる潤滑剤を溶解し、取扱いが容易で乾燥特性に優れ、かつオゾン層の破壊に影響を及ぼさないフッ素系溶剤組成物を含有する磁気記録媒体用潤滑剤溶液の提供。【解決手段】主として潤滑剤とフッ素系溶剤組成物とからなる磁気記録媒体用潤滑剤溶液であって、潤滑剤がフルオロポリエーテルまたはフォスファゼン系化合物からなり、フッ素系溶剤組成物が、１，１，２，２−テトラフルオロ−１−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）エタンと２，２，２−トリフルオロエタノールとを含有することを特徴とする磁気記録媒体用潤滑剤溶液。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
主として潤滑剤とフッ素系溶剤組成物とからなる磁気記録媒体用潤滑剤溶液であって、潤滑剤がフルオロポリエーテルまたはフォスファゼン系化合物からなり、フッ素系溶剤組成物が、１，１，２，２−テトラフルオロ−１−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）エタンと２，２，２−トリフルオロエタノールとを含有することを特徴とする磁気記録媒体用潤滑剤溶液。
【請求項２】
フッ素系溶剤組成物が、１，１，２，２−テトラフルオロ−１−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）エタン  ８９質量％と、２，２，２−トリフルオロエタノール  １１質量％とからなる共沸溶剤組成物である請求項１に記載の磁気記録媒体用潤滑剤溶液。
【請求項３】
フッ素系溶剤組成物が、１，１，２，２−テトラフルオロ−１−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）エタン  ７０〜９５質量％、および２，２，２−トリフルオロエタノール  ５〜３０質量％を含有する混合溶剤組成物である請求項１に記載の磁気記録媒体用潤滑剤溶液。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンピュータ等の外部メモリとして使用される磁気ディスク装置に搭載される磁気記録媒体の表面に塗布する潤滑剤溶液に関し、より詳しくは潤滑性能に優れた磁気記録媒体用潤滑溶液に関する。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータ等の情報処理装置において、磁気ディスク装置が外部記録装置として広く用いられている。磁気ディスク装置を使用すると、磁気ディスク上で磁気ヘッドを走査して、磁気ディスクにおいて情報の記録や読出しを行うことができる。
【０００３】
磁気ディスクの高密度記録化等が進むにつれて、そのディスク表面の汚染が問題となっている。例えば、ディスク表面に汚染物質が付着していた場合、磁気ディスク装置の運転中にその汚染物質が周囲に飛散し、磁気ヘッドの腐食等の不具合を引き起こすことがある。上記汚染物質の付着の原因は様々であると考えられるが、大きな原因の一つとして、磁気ディスク表面に潤滑目的で形成される潤滑剤層に由来すると考察される。すなわち、潤滑剤層が厚く、不均一である場合は、ハードディスクの磁気ヘッドと潤滑剤層の厚い部分が接触し、潤滑剤層が飛散するおそれがあると考えられる。
【０００４】
従来、潤滑剤層は、例えば、フッ素樹脂系潤滑剤を、１，１，２−トリクロロ−１，２，２−トリフルオロエタン（以下、Ｒ１１３という。）、１，１，１，２，３，４，４，５，５，５−デカフルオロペンタン等のハイドロフルオロカーボン（以下、ＨＦＣという。）、テトラデカフルオロヘキサン、ヘキサデカフルオロヘプタンなどのパーフルオロカーボン（以下、ＰＦＣという。）等のフッ素系溶媒に溶解した組成物をディスク表面に塗布することにより形成されている。
【０００５】
Ｒ１１３は不燃性かつ低毒性であって、可溶力があり、化学的安定性にも優れていることから、広く利用されてきたが、オゾン層破壊の可能性が高い塩化フッ化炭化水素として規制対象になっている。
【０００６】
また、ＰＦＣやＨＦＣも、１９９７年の第３回気候変動枠組条約締約国会議において採択された京都議定書において、二酸化炭素、一酸化二窒素、メタン、六フッ化硫黄とともに削減対象となった化合物であるため、その使用も制限される方向にある。
【０００７】
一方、磁気ディスク表面に塗布する潤滑剤の溶媒として、含フッ素エーテルであるＨＦＥ７１００（３Ｍ社製品名）を使用する方法が記載されている（特許文献１参照）。しかし、上記含フッ素エーテルは、潤滑剤の種類によっては十分な溶解性を示すものではなく、さらに異性体の組成比が変化することで、安定した乾燥性を示さない場合もあった。
【０００８】
また、特許文献２には、１，１，２，２−テトラフルオロ−１−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）エタンと２，２，２−トリフルオロエタノールとからなる溶剤組成物の用途として塗布溶剤の用途が記載されているが、潤滑剤の希釈用途については記載されていない。
【０００９】
【特許文献１】特開２００１−１８７７９６号公報（実施例２）
【特許文献２】特開２００４−７５９１０号公報（段落００１９）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、フルオロポリエーテルまたはフォスファゼン系化合物からなる潤滑剤に対して溶解力を有し、取扱いが容易で乾燥特性に優れ、かつオゾン層の破壊に影響を及ぼさない磁気記録媒体用の潤滑剤溶液の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、主として潤滑剤とフッ素系溶剤組成物とからなる磁気記録媒体用潤滑剤溶液であって、潤滑剤がフルオロポリエーテルまたはフォスファゼン系化合物からなり、フッ素系溶剤組成物が、１，１，２，２−テトラフルオロ−１−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）エタンと２，２，２−トリフルオロエタノールとを含有することを特徴とする磁気記録媒体用潤滑剤溶液を提供する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明における、１，１，２，２−テトラフルオロ−１−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）エタンおよび２，２，２−トリフルオロエタノールを含有するフッ素系溶剤組成物は、フルオロポリエーテルまたはフォスファゼン系化合物からなる潤滑剤を溶解でき、乾燥特性に優れるため、極めて薄い均一な潤滑剤層を形成することができ、汚染物質の発生を防ぐことができる。そして、このフッ素系溶剤組成物はオゾン層へ影響を及ぼさないものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明についてさらに詳細に説明する。
本発明におけるフッ素系溶剤組成物は、１，１，２，２−テトラフルオロ−１−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）エタン（ＣＦ２ＨＣＦ２−Ｏ−ＣＨ２ＣＦ３、以下、ＨＦＥ３４７という）と２，２，２−トリフルオロエタノール（ＣＦ３ＣＨ２ＯＨ、以下、ＴＦＥＯという）とを含有する。
【００１４】
このフッ素系溶剤組成物は、フルオロポリエーテルまたはフォスファゼン系化合物からなる潤滑剤を溶解できる。ＨＦＥ３４７とＴＦＥＯの混合比率を調製することにより、溶解力を高めること、引火点を上昇させるまたはなくす等、制御することが可能となる。すなわち、引火点を上昇させたい、またはなくしたい場合はＨＦＥ３４７の含有割合を上げ、潤滑剤の溶解力を高めたい場合はＴＦＥＯの含有割合を上げればよい。
【００１５】
ここで、ＨＦＥ３４７の沸点は５６℃であり、ＴＦＥＯの沸点は７４℃である。
フッ素系溶剤組成物としては、１，１，２，２−テトラフルオロ−１−（２，２，２−トリフルオロエトキシ）エタン  ８９質量％と、２，２，２−トリフルオロエタノール  １１質量％とからなる共沸溶剤組成物を用いるのが好ましい。この共沸溶剤組成物の沸点は、圧力１０１０ｈＰａにおいて５５．５℃である。共沸溶剤組成物は、使用中に共沸溶剤組成物の一部が蒸発しても組成が変動せず、安定した溶解力や乾燥速度を示す点で好ましい。また、上記共沸溶剤組成物は不燃である。
【００１６】
また、フッ素系溶剤組成物としては、ＨＦＥ３４７  ７０〜９５質量％、およびＴＦＥＯ  ５〜３０質量％を含有する混合溶剤組成物を用いるのが好ましい。この混合溶剤組成物は、酸性度が高く極性化合物に対する溶解性が大きい２，２，２−トリフルオロエタノールを５質量％以上含むことから、フルオロポリエーテルまたはフォスファゼン系化合物からなる潤滑剤に対して優れた溶解性を示す。また、ＨＦＥ３４７を７０質量％以上含むことからフッ素系溶剤組成物の引火点が高いかないかのどちらかであるので、当該溶剤組成物は燃焼性の問題を有しない。
【００１７】
混合溶剤組成物のなかでも、共沸様組成（繰り返し蒸発、凝縮した場合の組成変化が小さい組成）であるものは、共沸組成であるものと同様に使用中に組成物の一部が蒸発しても組成が変動しにくく、安定した溶解力や乾燥速度を示しやすい点で好ましい。
【００１８】
本発明のフッ素系溶剤組成物は、ＨＦＥ３４７とＴＦＥＯのみからなることが好ましいが、各種の目的に応じてその他の各種成分を含有させることができる。例えば、溶解力を高めるために、または揮発速度を調節するために、上記以外の有機溶剤（以下、他の有機溶剤という。）をさらに含有させることができる。
【００１９】
他の有機溶剤を含む場合、フッ素系溶剤組成物１００質量部に対する他の有機溶剤の含有割合は、２５質量部以下、特には１０質量部以下とするのが好ましい。他の有機溶剤の含有量は添加目的を達成し得る最低限の量とする。また、ＨＦＥ３４７、ＴＦＥＯおよび他の有機溶剤が共沸組成を有する場合は、当該共沸組成での使用が好ましい。
【００２０】
他の有機溶剤の好ましい例としては、炭化水素類、アルコール類（ただし、ＴＦＥＯを除く。）、ケトン類、エーテル類（ただし、ＨＦＥ３４７を除く。）、エステル類、およびハロゲン化炭化水素類からなる群より選ばれる少なくとも１種が挙げられる。
【００２１】
炭化水素類としては、炭素数５〜１５の鎖状または環状の飽和または不飽和炭化水素類が好ましく、具体的にはｎ−ペンタン、２−メチルブタン、ｎ−ヘキサン、２−メチルペンタン、２，２−ジメチルブタン、２，３−ジメチルブタン、ｎ−ヘプタン、２−メチルヘキサン、３−メチルヘキサン、２，４−ジメチルペンタン、ｎ−オクタン、２−メチルヘプタン、３−メチルヘプタン、４−メチルヘプタン、２，２−ジメチルヘキサン、２，５−ジメチルヘキサン、３，３−ジメチルヘキサン、２−メチル−３−エチルペンタン、３−メチル−３−エチルペンタン、２，３，３−トリメチルペンタン、２，３，４−トリメチルペンタン、２，２，３−トリメチルペンタン、２−メチルヘプタン、２，２，４−トリメチルペンタン、ｎ−ノナン、２，２，５−トリメチルヘキサン、ｎ−デカン、ｎ−ドデカン、１−ペンテン、２−ペンテン、１−ヘキセン、１−オクテン、１−ノネン、１−デセン、シクロペンタン、メチルシクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ビシクロヘキサン、シクロヘキセン、α−ピネン、ジペンテン、デカリン、テトラリン、アミルナフタレン等が挙げられる。より好ましくは、ｎ−ペンタン、シクロペンタン、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、ｎ−ヘプタンが挙げられる。
【００２２】
アルコール類としては、炭素数１〜１６の鎖状または環状の飽和または不飽和アルコール類が好ましく、具体的にはメタノール、エタノール、ｎ−プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、ｓｅｃ−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコール、１−ペンタノール、２−ペンタノール、１−エチル−１−プロパノール、２−メチル−１−ブタノール、３−メチル−１−ブタノール、３−メチル−２−ブタノール、ネオペンチルアルコール、１−ヘキサノール、２−メチル−１−ペンタノール、４−メチル−２−ペンタノール、２−エチル−１−ブタノール、１−ヘプタノール、２−ヘプタノール、３−ヘプタノール、１−オクタノール、２−オクタノール、２−エチル−１−ヘキサノール、１−ノナノール、３，５，５−トリメチル−１−ヘキサノール、１−デカノール、１−ウンデカノール、１−ドデカノール、アリルアルコール、プロパルギルアルコール、ベンジルアルコール、シクロヘキサノール、１−メチルシクロヘキサノール、２−メチルシクロヘキサノール、３−メチルシクロヘキサノール、４−メチルシクロヘキサノール、α−テルピネオール、２，６−ジメチル−４−ヘプタノール、ノニルアルコール、テトラデシルアルコールが挙げられる。なかでもメタノール、エタノール、イソプロピルアルコールが好ましい。
【００２３】
ケトン類としては、炭素数３〜９の鎖状または環状の飽和または不飽和ケトン類が好ましく、具体的にはアセトン、メチルエチルケトン、２−ペンタノン、３−ペンタノン、２−ヘキサノン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、ジイソブチルケトン、メシチルオキシド、ホロン、２−オクタノン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、イソホロン、２，４−ペンタンジオン、２，５−ヘキサンジオン、ジアセトンアルコール、アセトフェノン等が挙げられる。なかでもアセトン、メチルエチルケトンが好ましい。
【００２４】
エーテル類としては、炭素数２〜８の鎖状または環状の飽和または不飽和エーテル類が好ましく、具体的にはジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル、エチルビニルエーテル、ブチルビニルエーテル、アニソール、フェネトール、メチルアニソール、ジオキサン、フラン、メチルフラン、テトラヒドロフラン等が挙げられる。より好ましくは、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフランが挙げられる。
【００２５】
エステル類としては、炭素数２〜１９の鎖状または環状の飽和または不飽和エステル類が好ましく、具体的にはギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸プロピル、ギ酸ブチル、ギ酸イソブチル、ギ酸ペンチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル、酢酸イソブチル、酢酸ｓｅｃ−ブチル、酢酸ペンチル、酢酸メトキシブチル、酢酸ｓｅｃ−ヘキシル、酢酸２−エチルブチル、酢酸２−エチルヘキシル、酢酸シクロヘキシル、酢酸ベンジル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸ブチル、酪酸メチル、酪酸エチル、酪酸ブチル、イソ酪酸イソブチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ブチル、安息香酸ベンジル、γ−ブチロラクトン、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジブチル、シュウ酸ジペンチル、マロン酸ジエチル、マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジブチル、酒石酸ジブチル、クエン酸トリブチル、セバシン酸ジブチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジブチル等が挙げられる。なかでも酢酸メチル、酢酸エチルが好ましい。
【００２６】
ハロゲン化炭化水素類としては、炭素数１〜６の飽和または不飽和の塩素化または塩素化フッ素化炭化水素類が好ましく、具体的には塩化メチレン、１，１−ジクロロエタン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、１，１，１，２−テトラクロロエタン、１，１，２，２−テトラクロロエタン、ペンタクロロエタン、１，１−ジクロロエチレン、１，２−ジクロロエチレン、トリクロロエチレン、テトラクロロエチレン、１，２−ジクロロプロパン、ジクロロペンタフルオロプロパン、ジクロロフルオロエタン、デカフルオロペンタンが挙げられる。
【００２７】
また、主として安定性を高めるために、例えば以下に挙げる化合物の１種または２種以上を、フッ素系溶剤組成物およびその他の有機溶剤の合計量  １００質量部に対して０．００１〜５質量部の割合で配合できる。
【００２８】
ニトロメタン、ニトロエタン、ニトロプロパン、ニトロベンゼン等のニトロ化合物類。ジエチルアミン、トリエチルアミン、イソ−プロピルアミン、ｎ−ブチルアミン等のアミン類。フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、チモール、ｐ−ｔ−ブチルフェノール、ｔ−ブチルカテコール、カテコール、イソオイゲノール、ｏ−メトキシフェノール、ビスフェノールＡ、サリチル酸イソアミル、サリチル酸ベンジル、サリチル酸メチル、２，６−ジ−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール等のフェノール類。２−（２′−ヒドロキシ−５′−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−３′−ｔ−ブチル−５′−メチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、１，２，３−ベンゾトリアゾール、１−［（Ｎ，Ｎ−ビス−２−エチルヘキシル）アミノメチル］ベンゾトリアゾール等のトリアゾール類。
【００２９】
本発明における潤滑剤は、フルオロポリエーテルまたはフォスファゼン系化合物からなる。フルオロポリエーテルとしては、主鎖の一般式が下記のとおりであるものが挙げられる。
【００３０】
−（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ−ＣＦ２ＣＦ２−  （ｍは１以上の整数。）：ダイキン工業社製のデムナム、
−［ＣＦ２ＣＦＯ（ＣＦ３）］ｎ−ＣＦ２−、  （ｎは１以上の整数。）：デュポン社製のクライトックス、
−［ＯＣＦ（ＣＦ３）−ＣＦ２］ｐ−（ＯＣＦ２）ｑ−  （ｐおよびｑは各々１以上の整数。）：モンテフルオス社のフォンブリン。
【００３１】
上記フルオロポリエーテルとしては、一方または両方の末端基が、ヒドロキシル基、−ＣＨ２ＯＨ、カルボキシル基、炭素数１〜２０のアルキル基、アルケニル基、アリール基、エーテル基またはエステル基であるもの、または、ヒドロキシル基、スルホン酸基、カルボキシル基もしくはピペロニル基の塩となっているものが挙げられる。
【００３２】
特には、片末端または両末端が−ＯＨであるものが一般的に多く使用され、例えば、Ｆ−（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｍ−ＣＦ２ＣＦ２−ＣＨ２ＯＨ（ダイキン工業社製のデムナム、ｍは１以上の整数。）、Ｆ−［ＣＦ２ＣＦＯ（ＣＦ３）］ｎ−ＣＦ２−ＣＨ２ＯＨ（デュポン社製のクライトックス、ｎは１以上の整数。）、ＨＯＣＨ２ＣＦ２Ｏ（ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｐ（ＣＦ２Ｏ）ｑ−ＣＦ２ＣＨ２ＯＨ（モンテフルオス社製のフォンブリンＺ−ＤＯＬ、ｐおよびｑは各々１以上の整数。）が挙げられる。
フォスファゼン系化合物としては、下記のようなフォスファゼン環を有するものが挙げられる。
【００３３】
【化１】
2006077052.tif 000002
【００３４】
本発明の潤滑剤溶液における潤滑剤の含有割合は、従来、一般的に使用されている割合とすることができるが、０．０１〜０．３質量％程度とするのが好ましい。この範囲を超える場合も使用できるが、基材に塗布後の潤滑剤としての効果は特に増加するものではなく、経済的でない。
【００３５】
本発明の潤滑剤溶液は、塗布後の潤滑剤層の厚さが１ｎｍ以上４ｎｍ以下、特には１ｎｍ〜２．５ｎｍとなるように、磁気記録媒体上に塗布するのが好ましい。上記潤滑剤層の厚さが上記範囲である場合は、潤滑性が十分であり、ディスクの回転が阻害されるスティック現象が発生するおそれがない。
【００３６】
一般的な磁気記録媒体である磁気ディスクの層構成（基本構成）は、下から順に、非磁性の基板、下地層、磁気記録層（磁性層ともいう）、保護膜、および潤滑剤層を有している。このような磁気ディスクにおいて、非磁性の基板は、例えばアルミニウム基板からなり、その表面にメッキにより付着させたＮｉＰ膜を有しており、さらにその表面が超仕上げされている。超仕上げとは、非磁性の基板の表面を平滑化するためのものである。下地層は、通常、非磁性の金属であるＣｒ系合金からなる。Ｃｒ系合金は、例えば、ＣｒＭｏ合金である。磁気記録層は、通常、強磁性の金属であるＣｏＣｒ系合金からなる。ＣｏＣｒ系合金は、例えば、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＴａＮｂ等である。
【００３７】
次に、磁気記録層の上には、磁気記録層を磁気ヘッドの衝撃による破損等から保護するため、保護膜が設けられている。保護膜は、通常、各種のカーボン材料、例えばアモルファスカーボン等から形成されているため、カーボン保護膜と呼ばれている。また、カーボン保護膜の上には、磁気ディスクにおけるヘッドの円滑な浮上等を図る目的で、液体の潤滑剤溶液が塗布され、潤滑剤層が形成される。なお、上述した磁気ディスクの層構成は基本構成であり、実際の層構成としては、より複雑な構成をとっているものが多い。
【００３８】
本発明の潤滑剤溶液の塗布方法としては、例えば、ラングミュアーブロジェット膜形成法、浸漬法、またはスピンナーによる回転塗布等の方法を適宜用いることができる。例えば浸漬法では、潤滑剤溶液に、炭素系保護膜によって被覆された磁気ディスクを適度な速度で浸漬し、適度な浸漬時間を保った後、適度な速度で引き上げる。これにより炭素系保護膜上に潤滑剤を吸着させ、含フッ素アルキルエーテルを乾燥させることにより、潤滑剤の膜を保護膜上に形成することができる。潤滑剤の塗布膜厚は、塗布条件、溶液濃度、洗浄条件によって調節することができる。
【実施例】
【００３９】
本発明を、実施例（例１）を参照して説明する。
【００４０】
［例１］
次の手順で磁気ディスクを作製する。まず、アルミニウム基板の上にＮｉＰメッキ層を形成した後、その表面をよく洗浄し、テクスチャ処理を施して十分に平滑にする。これに、ＤＣマグネトロンスパッタ装置を用いて、ＣｒＭｏ下地層、ＣｏＣｒＰｔＴａＮｂ系磁気記録層、窒素ドープのカーボン保護膜、および上記のＦｏｍｂｌｉｎ  ＡＭ３００１からなる潤滑剤層を下記の手順に従い、この順序で順次積層する。
【００４１】
まず、下地層の成膜前にスパッタ室内を３×１０−７Ｔｏｒｒ以下に排気し、基板温度を２８０℃に高め、Ａｒガスを導入してスパッタ室内を５×１０−３Ｔｏｒｒに保持し、−２００Ｖのバイアスを印加しながら、下地層としてのＣｒＭｏを厚さ３０ｎｍに成膜する。次いで、この下地層の表面にＣｏＣｒＰｔＴａＮｂ膜をそのＢｒｔが１００Ｇμｍ（厚さ２７ｎｍ）となるように成膜する。成膜に使用するターゲットは、ＣｏＣｒターゲットにＰｔ、Ｔａ、Ｎｂチップを配置した複合ターゲットとする。次に、ＦＣＡ成膜装置を使用して、アーク電流８０Ａ、カソードコイル電流１０Ａ、フィルタコイル電流１０Ａ，６Ａ、ラスタコイル電流Ｘ：０Ａ，Ｙ：１０Ａの成膜条件で、窒素を含むカーボン保護膜を膜厚５ｎｍで形成する。
【００４２】
一方、潤滑剤であるアウジモント社製のフルオロポリエーテル樹脂、Ｆｏｍｂｌｉｎ  ＡＭ３００１（モンテフルオス社商品名、Ｍｗ＝３２００）を、その含有割合が０．０２質量％となるように、ＨＦＥ３４７  ８９質量％と、ＴＦＥＯ  １１質量％とからなる共沸溶剤組成物に溶解し、潤滑剤溶液を作製する。これを上記カーボン保護膜の形成後、その表面に潤滑剤溶液をディップコート法により室温で塗布、乾燥し、膜厚２．５ｎｍの潤滑剤層を形成する。
【００４３】
上記のようにして作製した磁気ディスクについて、薄膜ＭＲヘッドを装備した磁気ディスク装置、ＭＰＦ３１０２ＡＴ（富士通社製品名）に搭載し、回転数５，４００ｒｐｍで１５秒稼働後１５秒停止するサイクル試験を行い、耐コンタクト・スタート・ストップ（ＣＳＳ）特性をディスク摩耗試験機で摩擦係数として測定する。サイクル試験を１万回にわたって繰り返しても、認めうる程度の摩耗は磁気ディスク表面で発生せず、ＭＲヘッドの状態も良好である。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
本発明は、磁気記録媒体用の潤滑剤溶液として有効である。