(57)【要約】【課題】  非接触ＩＣタグから誘導電磁界を用いて読み取り可能な情報に加えて、他の方法で読み取り可能な情報を格納した非接触ＩＣタグ、及び該非接触ＩＣタグ製造方法を提供する。【解決手段】  情報を記憶する記憶部と、非接触で通信するアンテナとを備えた非接触ＩＣタグを製造する際に、データを磁気的に保持する磁気データ保持部材を非接触ＩＣタグ本体に熱転写して磁気データ保持部を備えさせる。【選択図】    図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報を記憶する記憶部と、非接触で通信するアンテナとを備えた非接触ＩＣタグを製造する非接触ＩＣタグ製造方法であって、
データを磁気的に保持する磁気データ保持部材を非接触ＩＣタグ本体に熱転写する
非接触ＩＣタグ製造方法。
【請求項２】
前記磁気データ保持部材として、高透磁率の高透磁率部材と、磁気記録可能な磁性部材とを使用し、
上記高透磁率部材と上記磁性部材とをそれぞれ個別に熱転写する
請求項１記載の非接触ＩＣタグ製造方法。
【請求項３】
情報を記憶する記憶部と、非接触で通信するアンテナとを備えた非接触ＩＣタグを製造する非接触ＩＣタグ製造装置であって、
データを磁気的に保持する磁気データ保持部材を非接触ＩＣタグ本体に熱転写する熱転写手段を備えた
非接触ＩＣタグ製造装置。
【請求項４】
前記磁気データ保持部材として、高透磁率の高透磁率部材と、磁気記録可能な磁性部材とを使用し、
前記熱転写手段を、上記高透磁率部材と上記磁性部材とに対応して複数備えた
請求項３記載の非接触ＩＣタグ製造装置。
【請求項５】
情報を記憶する記憶部と、非接触で通信するアンテナとを備えた非接触ＩＣタグであって、
データを磁気的に保持する磁気データ保持部を備えた
非接触ＩＣタグ。
【請求項６】
前記磁気データ保持部を、
高透磁率の部材により平状に形成した高透磁率層と、
磁気記録可能な磁性層とで構成した
請求項５記載の非接触ＩＣタグ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、例えば非接触で通信する非接触ＩＣタグを製造するような非接触ＩＣタグ製造方法及びその装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
物流の自動化等を進めるためには、個々の物品に貼付される伝票等の内容を機械にて読み取り可能とすることが重要である。機械にて内容を読み取る方法としては、個々の伝票にその内容に対応したバーコードラベルを貼付することが従来から行われている。
【０００３】
しかしながら，いわゆるバーコードリーダを用いてバーコードラベルを読みとるためには、両者間に一定の距離的並びに方向的な関係付けを高精度に行わなければならず、物流の円滑化の障害になる問題があった。
【０００４】
さらに、バーコードに入力できる情報量が少ないため、物流の管理範囲も狭い区域に限られる問題もあった。
【０００５】
近年では、誘導電磁界を用いて非接触で読み取りが可能な非接触ＩＣタグが使用されてきている（特許文献１参照）。
【０００６】
この非接触ＩＣタグは、読みとりに際しての距離的並びに方向的な制約がバーコードに比較して少ないため、利便性が高いものである。具体的には、読みとりの方向性に制約を受けることなく、１ｍの距離からでもその内容を確実に読みとるといったことができる。
【０００７】
また、この非接触ＩＣタグ内のＩＣには、管理対象となる物品の個体情報を大容量で記憶することができるため、個体を特定するためのセキュリティ情報として上記個体情報を用いることも可能である。
【０００８】
一方、このような非接触ＩＣタグは、内部のメモリデータの破損や、アンテナの破損等が発生すると、記憶したデータを読み出せなくなるという問題があった。  
また、非接触ＩＣタグのメモリデータが更新され、その非接触ＩＣタグの出所が不明となるような場合もあった。
【０００９】
【特許文献１】特開平９ー３３１２７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
この発明は、上述の問題点に鑑み、非接触ＩＣタグから誘導電磁界を用いて読み取り可能な情報に加えて、他の方法で読み取り可能な情報を格納した非接触ＩＣタグ、該非接触ＩＣタグ製造方法及びその装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この発明は、情報を記憶する記憶部と、非接触で通信するアンテナとを備えた非接触ＩＣタグを製造する非接触ＩＣタグ製造方法又はその装置であって、データを磁気的に保持する磁気データ保持部材を非接触ＩＣタグ本体に熱転写する非接触ＩＣタグ製造方法又はその装置であることを特徴とする。
【００１２】
前記記憶部は、ＩＣ内に備えたメモリで構成することを含み、前記アンテナは、アンテナコイル等ループ状のアンテナで構成することを含む。  
前記磁気データ保持部材は、磁気保持力の高い磁性部材で形成する、あるいは該磁性部材に高透磁率の高透磁率部材を加えて形成することを含む。
【００１３】
前記構成により、非接触で読書き可能な記憶部のデータに加えて、熱転写した磁気データ保持部材に磁気的にデータを読書きすることができる。従って、記憶部に記憶したデータのバックアップとして、該データの一部又は全部を磁気的に記録することや、記憶部のデータと異なるデータを磁気的に記録することができる。
【００１４】
これにより、例えば非接触ＩＣタグの種類の識別、セキュリティ情報としての利用、製造元へのトレーサビリティ等、非接触ＩＣタグの利用における利便性を向上することができる。
【００１５】
この発明の態様として、前記磁気データ保持部材として、高透磁率の高透磁率部材と、磁気記録可能な磁性部材とを使用し、上記高透磁率部材と上記磁性部材とをそれぞれ熱転写することができる。
【００１６】
前記磁性部材は、結晶粒子サイズ３５０〜３８０Åの酸化鉄（γＦｅ２Ｏ３）、あるいは二酸化クロム（ＣｒＯ２）粒子を熱可塑性樹脂であるポリウレタン系等の樹脂バインダに分散させて形成することを含む。
【００１７】
前記高透磁率部材は、鉄―ニオブ系合金粒子を熱可塑性樹脂の樹脂バインダに分散させて形成することを含む。また、鉄―ニオブ系合金粒子に限らず、高透磁率のアモルファスシート、あるいはＮｉ、Ｆｅ、及びそれらの合金等の高透磁率の磁性粉末を使用することも含む。
【００１８】
これにより、磁性層にて磁気データの保持力を高めることができ、高透磁率層にて非接触ＩＣタグを金属製部品や電子部品等、磁束を通さない部材で形成された物品に貼り付けても非接触で通信可能とすることができる。
【００１９】
またこの発明は、情報を記憶する記憶部と、非接触で通信するアンテナとを備えた非接触ＩＣタグであって、データを磁気的に保持する磁気データ保持部を備えた非接触ＩＣタグとすることができる。
【００２０】
これにより、誘導電磁界で読み取り可能なデータに加えて、磁気読み取り可能な磁気データを非接触ＩＣタグに格納することができる。
【００２１】
この発明の態様として、前記磁気データ保持部を、高透磁率の部材により平状に形成した高透磁率層と、磁気記録可能な磁性層とで構成することができる。
【００２２】
前記磁性層は、結晶粒子サイズ３５０〜３８０Åの酸化鉄（γＦｅ２Ｏ３）、あるいは二酸化クロム（ＣｒＯ２）粒子を熱可塑性樹脂であるポリウレタン系等の樹脂バインダに分散させて形成することを含む。
【００２３】
前記高透磁率層は、鉄―ニオブ系合金粒子を熱可塑性樹脂の樹脂バインダに分散させて形成することを含む。また、鉄―ニオブ系合金粒子に限らず、高透磁率のアモルファスシート、あるいはＮｉ、Ｆｅ、及びそれらの合金等の高透磁率の磁性粉末を使用することも含む。
【００２４】
これにより、磁性層にて磁気データの保持力を高めることができ、高透磁率層にて非接触ＩＣタグを金属製部品や電子部品等、磁束を通さない部材で形成された物品に貼り付けても非接触で通信可能とすることができる。
【発明の効果】
【００２５】
この発明により、非接触ＩＣタグから誘導電磁界を用いて読み取り可能な情報に加えて、他の方法で読み取り可能な情報を格納した非接触ＩＣタグ、非接触ＩＣタグ製造方法及びその装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
この発明の一実施形態を以下図面と共に説明する。  
まず、図１に示す構成図と共に、高透磁率層を備えた非接触ＩＣタグを作成する非接触ＩＣタグ製造装置１の構成について説明する。
【００２７】
非接触ＩＣタグ製造装置１は、搬送ローラ１５ａ，１５ｂ、熱転写ヘッド１６１、熱転写ヘッド１７１、交信用アンテナ２１ａ、磁気ヘッド２２ａ、及びコントローラ１０ａを備えている。
【００２８】
搬送ローラ１５ａ，１５ｂは、非接触ＩＣタグロール７０を搬送ローラ１５ａにセットし、非接触ＩＣタグロール７０の外周端部を搬送ローラ１５ｂにセットして、搬送ローラ１５ａから搬送ローラ１５ｂへ非接触ＩＣタグロール７０を巻き取る。
【００２９】
すなわち、複数の電子部品モジュール５７をシート５１上に等間隔に配設した状態でロール状に形成した非接触ＩＣタグロール７０を、搬送ローラ１５ａから搬送ローラ１５ｂに巻変える。
【００３０】
これにより、シート５１と電子部品モジュール５７で構成する非接触ＩＣタグ本体６０を搬送ローラ１５ａから搬送ローラ１５ｂへ搬送する搬送手段として機能している。
【００３１】
ＩＣやアンテナコイルを備えた面を内側としてシート５１をロール状に巻いているため、この実施形態で使用する際には、シート５１の下面側にＩＣやアンテナコイルが位置するようにして、上側から高透磁率層３５を熱転写するようにしている。
【００３２】
なお、非接触ＩＣタグロール７０は、非接触ＩＣタグ本体６０を構成するＩＣやアンテナコイルで構成する電子部品モジュール５７をシート５１に等間隔に配設したものであり、シート５１を非接触ＩＣタグ本体６０の形状（例えば長方形のカード型）に切り抜くことで、非接触ＩＣタグ本体６０が取得できるものである。
【００３３】
熱転写ヘッド１６１は、図示では１つの表示としてに省略しているが、前記搬送ローラ１５ａ，１５ｂによる非接触ＩＣタグ本体６０の搬送経路に複数順番に並べて配設している。  
各熱転写ヘッド１６１には、高透磁率層用リボン３０がそれぞれに１つずつセットされている。
【００３４】
ここで、高透磁率層用リボン３０は高透磁率層転写シートとして機能する熱転写用のリボンであり、図２の断面図に示すように、フィルム３１の下面側に高透磁率層３５を備えた２層構造に形成している。
【００３５】
この高透磁率層用リボン３０は、テープ状のフィルム３１として厚さ１２μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）を用い、該フィルム３１の表面上（図示下面側）に、粒径５μｍ程度に粉砕された鉄―ニオブ系合金粒子を熱可塑性樹脂であるポリエステル系等の樹脂バインダに分散させて形成したペーストを、４０〜５０μｍ厚で塗布して膜状の高透磁率層３５（高透磁率膜）を形成している。
【００３６】
上記ペーストは、熱可塑性樹脂であるポリエステルをバインダとしているため、１５０℃程度の加熱によって軟化させた状態で、バーコーター等を用いてフィルム３１表面に連続的に塗工し、常温に冷却して硬化させる方法で塗布することができる。
【００３７】
このように形成することで、図２に示すように、高透磁率層３５の中央側にて高透磁率粒子である鉄―ニオブ系合金粒子３７を分散させ、高透磁率層３５の表面側（上下両方）には、熱可塑性樹脂である樹脂バインダ３６を集中させている。  
従って、後に非接触ＩＣタグ本体６０へ高透磁率層３５を熱転写する際に、表面で密となっている樹脂バインダ３６により、容易に熱転写することができる。
【００３８】
なお、高透磁率層用リボン３０はこの構成に限らず、フェライト系の酸化鉄よりも透磁率が高い適宜の高透磁率部材を、適宜の熱可塑性樹脂に分散させて形成する等、他の構成としても良い。
【００３９】
熱転写ヘッド１７１は、前記搬送ローラ１５ａ，１５ｂによる非接触ＩＣタグ本体６０の搬送経路に、熱転写ヘッド１６１の次段に１つ配設している。  
該熱転写ヘッド１７１には、磁性層用リボン４０がセットされている。
【００４０】
ここで、磁性層用リボン４０は磁性層転写シートとして機能する熱転写用のリボンであり、前述した高透磁率層用リボン３０と同様に、フィルム３１の下面側に磁性層４５を備えた２層構造に形成している。
【００４１】
この磁性層用リボン４０は、テープ状のフィルム４１として厚さ１２μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）を用い、該フィルム３１の表面上（図示下面側）に、結晶粒子サイズ３５０〜３８０Åの酸化鉄（γＦｅ２Ｏ３）、あるいは二酸化クロム（ＣｒＯ２）粒子を熱可塑性樹脂であるポリウレタン系等の樹脂バインダに分散させて形成した磁性塗料を、０．１〜０．９μｍ厚で塗布して膜状の磁性層４５（磁気膜）を形成している。
【００４２】
上記塗料は、熱可塑性樹脂であるポリウレタンをバインダとしているため、１５０℃程度の加熱によって軟化させた状態でバーコーター等を用いてフィルム表面に連続的に塗工し、常温に冷却して硬化させる方法で塗布する。さらに、該磁性層４５を磁場により配向させる。
【００４３】
なお、磁性層用リボン４０はこの構成に限らず、磁気によるデータの保持力が十分な他の構成としても良い。
【００４４】
図１に示した熱転写ヘッド１６１は、１３０℃〜１５０℃程度に加熱した状態で、０．５Ｋｇ／ｃｍ２程度の圧力で上記高透磁率層用リボン３０の上面のフィルム３１を下方側へ押圧し、非接触ＩＣタグ本体６０に高透磁率層３５を熱転写する。
【００４５】
この時、高透磁率粒子である鉄―ニオブ系合金粒子３７を分散させた樹脂バインダ３６は熱可塑性であるため、熱転写ヘッド１６１によって加熱軟化されることで粘着性を持つ。
【００４６】
従って、非接触ＩＣタグ本体６０と接触した部分のみと接着して高透磁率層用リボン３０より転写される。このため、図３の説明図の（Ａ）に示す転写前の状態から、（Ｂ）の転写後の状態に示すように、高透磁率層用リボン３０上の高透磁率層３５の一部を熱転写ヘッド１６１の形状に相応した形態に抜き出して非接触ＩＣタグ本体６０の表面上に転写し、非接触ＩＣタグ５０の高透磁率層３５を形成できる。
【００４７】
なお、熱転写後は、（Ｃ）に示すようにシート５１と電子部品モジュール５７と高透磁率層３５とで構成する非接触ＩＣタグ５０をタグ搬送部１５によって搬送すると共に、リボン搬送部１７によって高透磁率層用リボン３０を位置移動して、次の熱転写が可能なようにセットする。
【００４８】
また熱転写ヘッド１７１は、熱転写ヘッド１６１と同様に、１３０℃〜１５０℃程度に加熱した状態で、０．５Ｋｇ／ｃｍ２程度の圧力で上記磁性層用リボン４０の上面のフィルムを下方側へ押圧し、非接触ＩＣタグ本体６０上の高透磁率層３５上に磁性層４５を熱転写する。
【００４９】
この時、磁性粒子を分散させた樹脂製バインダは熱可塑性であるため、熱転写ヘッド１７１によって加熱軟化されることで粘着性を持つ。
【００５０】
従って、非接触ＩＣタグ本体６０上の高透磁率層３５と接触した部分のみと接着して磁性層用リボン４０より転写される。このため、図３と共に説明した高透磁率層用リボン３０と同様に、磁性層用リボン４０上の磁性層４５の一部を熱転写ヘッド１７１の形状に相応した形態に抜き出して高透磁率層３５の表面上に転写し、非接触ＩＣタグ５０の磁性層４５を形成できる。
【００５１】
図１に示した交信用アンテナ２１ａは、薄型の非接触ＩＣタグ５０とデータ通信を行い、非接触ＩＣタグ５０のＩＣ５６内のメモリに必要なデータを書き込むＩＣ書き込み処理や、書き込まれたデータを読み取るＩＣ読み取り処理等を行う。
【００５２】
コントローラ１０ａは、交信用アンテナ２１ａで非接触ＩＣタグ５０のＩＣ５６内のメモリから読み取ったデータの一部又は全部を、磁気ヘッド２２ａにより非接触ＩＣタグ５０の磁性層４５に書き込ませる処理を実行する。
【００５３】
磁気ヘッド２２ａは、非接触ＩＣタグ５０の磁性層４５に必要なデータを磁気的に書き込む磁気書き込み処理や、書き込まれたデータを磁気的に読み取る磁気読み取り処理等を行う。
【００５４】
磁気ヘッド２２ａで書き込むデータとしては、ＩＣ５６内のメモリに書き込まれているＩＤデータと同一のＩＤデータを設定する。
【００５５】
なお、磁気ヘッド２２ａで書き込むデータとしては、ＩＣ５６内のメモリに書き込まれたＩＣデータをトレースするためのデータ、ＩＣデータを復元するためのデータ、又は非接触ＩＣタグ５０を特定するためのデータとして、ＩＤデータ以外のデータを設定しても良い。
【００５６】
また他にも、高透磁率層３５の層数、共振周波数、非接触ＩＣタグの種類、製造元のデータ、販売先のデータ、又は貼付対象物品のデータ等、使用用途や顧客要求に応じて適宜のデータを設定しても良い。
【００５７】
以上の構成により、非接触ＩＣタグ本体６０に高透磁率層３５を多層に熱転写し、さらに高透磁率層３５の上に磁性層４５を熱転写することができる。  
なお、非接触ＩＣタグ５０は、共振周波数を５．０ＭＨｚ〜１２．０ＭＨｚの間の所定周波数に設計している。これにより、非接触ＩＣタグを磁束を通さない物品に貼り付けても、平状に形成されている高透磁率層にて非接触ＩＣタグのアンテナコイル内に磁束を通過させて、確実に通信することができるようにしている。
【００５８】
次に図４に示すブロック図と共に、非接触ＩＣタグ製造装置１の構成について説明する。  
非接触ＩＣタグ製造装置１は、制御部１０に接続して、入力部１１、タグ搬送部１５、熱転写部１６、リボン搬送部１７、ＩＣデータ読書き部２１、及び磁気データ読書き部２２を備えている。
【００５９】
制御部１０は、ＣＰＵで構成し、各種制御処理を実行する。また、コントローラ１０ａ（図１）を備えており、該コントローラ１０ａにより、非接触ＩＣタグ５０のＩＣ５６のメモリ内から交信用アンテナ２１ａにて読み取ったＩＤデータを、磁気ヘッド２２ａにて磁性層４５に書き込ませる処理も実行する。
【００６０】
入力部１１は、入力された信号を制御部１０に送信する操作スイッチ等であり、非接触ＩＣタグ５０の製造の開始や停止、高透磁率層３５の層数の設定といった指示の入力を受け付ける。
【００６１】
なお、入力部１１は操作スイッチに限らず、例えばＰＣ（パーソナルコンピュータ）を接続し、ＰＣの画面上でマウスやキーボードによって、層数、ＩＣデータ読書き部２１で書き込むデータ、磁気データ読書き部２２で書き込むデータ、熱転写部１６の温度や圧力、製造速度等を入力許容し、各種調整を行えるように構成しても良い。
【００６２】
タグ搬送部１５は、前述した搬送ローラ１５ａ，１５ｂ（図１）を備えており、搬送ローラ１５ａ，１５ｂを回動させて非接触ＩＣタグ本体６０を移動させる。
【００６３】
熱転写部１６は、前述した熱転写ヘッド１６１，１７１（図１）を備えており、制御部１０の制御信号に従って熱転写ヘッド１６１，１７１の加熱と下方への移動による圧力付加を行う。
【００６４】
このとき、シート５１を挟んでＩＣやアンテナコイルを備えた面と反対側の面に高透磁率層３５を熱転写し、さらに高透磁率層３５の上に磁性層４５を熱転写する。これにより、アンテナコイル等の凹凸が原因となって共振周波数等のタグ特性を変化させる影響を防止若しくは減少させている。
【００６５】
リボン搬送部１７は、制御部１０の制御に従い、熱転写部１６で熱転写している間は高透磁率層用リボン３０又は／及び磁性層用リボン４０の巻き出し（繰り出し）を停止し、熱転写していない間に、巻き出しを行って高透磁率層用リボン３０又は／及び磁性層用リボン４０を次の熱転写位置まで搬送して停止する。
【００６６】
ＩＣデータ読書き部２１は、交信用アンテナ２１ａを備えており、制御部１０の制御信号に従って非接触ＩＣタグ５０とデータ通信を行い、非接触ＩＣタグ５０に必要なデータを書き込む処理や読み取る処理等を行う。
【００６７】
磁気データ読書き部２２は、磁気ヘッド２２ａを備えており、制御部１０の制御信号に従って非接触ＩＣタグ５０の磁性層４５に磁気によって必要なデータを書き込む処理や読み取る処理等を行う。
【００６８】
以上の構成により、非接触ＩＣタグ本体６０に高透磁率層３５及び磁性層４５を熱転写し、磁性層４５に磁気データを書き込むことができる。
【００６９】
次に、図５に示す処理フロー図と共に、非接触ＩＣタグ製造装置１の全体の動作について説明する。  
この実施形態では、熱転写ヘッド１６１を３つ備えた場合で説明する。
【００７０】
制御部１０は、まず利用者による高透磁率層３５の層数のセット、ＩＣデータ読書き部２１で書き込む文字又は図形等の設定、磁気データ読書き部２２で記録させるデータの設定等の入力を入力部１１にて受け付ける（ステップｎ１）。
【００７１】
制御部１０は、タグ搬送部１５により、非接触ＩＣタグロール７０を回転させ、これに装着されている非接触ＩＣタグ本体６０の搬送を実行する（ステップｎ２）。
【００７２】
設定された層数が１以下であれば（ステップｎ３：Ｙｅｓ）、１段目の熱転写ヘッド１６１と熱転写ヘッド１７１で、非接触ＩＣタグ本体６０への高透磁率層３５及び磁性層４５の熱転写を実行する（ステップｎ４）。このとき、上流の熱転写ヘッド１６１で高透磁率層３５を熱転写し、下流の熱転写ヘッド１７１で磁性層４５を熱転写して、高透磁率層３５の表面に磁性層４５を積層することとなる。
【００７３】
熱転写をすると、次の熱転写のために高透磁率層用リボン３０、磁性層用リボン４０、及び非接触ＩＣタグロール７０を次の熱転写用の位置まで搬送（移動）する（ステップｎ５）。
【００７４】
前記ステップｎ３で設定された層数が１以下でなかった場合（ステップｎ３：Ｎｏ）、層数が２以下か否か判定する（ステップｎ６）。
【００７５】
層数が２以下であれば（ステップｎ６：Ｙｅｓ）、１〜２段目の熱転写ヘッド１６１と熱転写ヘッド１７１により、非接触ＩＣタグ本体６０への高透磁率層３５及び磁性層４５の熱転写を実行して、高透磁率層３５を２層化する（ステップｎ７）。
【００７６】
熱転写をすると、次の熱転写のために１〜２段目の高透磁率層用リボン３０、磁性層用リボン４０、及び非接触ＩＣタグロール７０を次の熱転写用の位置まで搬送する（ステップｎ８）。
【００７７】
前記ステップｎ６で層数が２以下でなければ（ステップｎ６：Ｎｏ）、１〜３段目の熱転写ヘッド１６１と熱転写ヘッド１７１により、非接触ＩＣタグ本体６０への高透磁率層３５及び磁性層４５の熱転写を実行して、高透磁率層３５を３層化する（ステップｎ９）。
【００７８】
熱転写をすると、次の熱転写のために１〜３段目の高透磁率層用リボン３０、磁性層用リボン４０、及び非接触ＩＣタグロール７０を次の熱転写用の位置まで搬送する（ステップｎ１０）。
【００７９】
このように熱転写と搬送を順次繰り返すとことで、高透磁率層３５及び磁性層４５を非接触ＩＣタグ本体６０上に重ねて形成する。また、高透磁率層３５については、上から重ねて熱転写を繰り返すことで多層化を行う。
【００８０】
制御部１０は、非接触ＩＣタグ５０のＩＣ５６内のメモリからＩＤデータを読み取り（ステップｎ１１）、該ＩＤデータを磁性層４５に書き込む（ステップｎ１２）。
【００８１】
以上の動作により、入力部１１で入力された層数だけ高透磁率層３５を熱転写して積層し、さらに磁性層４５を積層して、非接触ＩＣタグ５０のＩＣ５６内のメモリに格納されているＩＤデータを磁性層４５にも記録した非接触ＩＣタグ５０を製造することができる。
【００８２】
これにより、非接触ＩＣタグ５０の磁性層４５に記録されたＩＤデータは、ＩＣ５６に記録されたＩＤデータと同一でありバックアップとなるので、非接触ＩＣタグ５０を使用中にＩＣ５６が破損した場合でも、該磁性層４５に記録されたＩＤデータを磁気ヘッド等にて読み取ることで、ＩＣ５６に記録されたデータをトレースでき、データを補償することができる。
【００８３】
該磁性層４５に記録されたデータは、外部から目視する等では読み取れないため、非接触ＩＣタグ５０のＩＣ５６のＩＤデータを簡単に知ることができず、セキュリティを確保することができる。
【００８４】
また、磁性層４５と高透磁率層３５とは重なっており、互いの樹脂バインダの成分によって熱溶着しているため、磁気データとしてのＩＤデータが磁性層４５及び高透磁率層３５に一体的に記録され、磁性層４５の磁性保持力によって長期間データを保持することができる。
【００８５】
また、磁性層４５と高透磁率層３５とが重なっていることで、非接触ＩＣタグ５０のアンテナコイル５３の内側を通過する磁束は、高透磁率層３５を通過してアンテナコイル５３の外側へ誘導されるに加えて、磁性層４５も通過してアンテナコイル５３の外側へ誘導される。従って、磁性層４５が高透磁率層３５の磁束通過機能を補強することができる。
【００８６】
また、熱転写ヘッド１６１にて高透磁率層３５を順次熱転写することにより、通信距離（交信距離）の特性を向上させることを、安価に実施することができる。
【００８７】
このようにして完成した非接触ＩＣタグ５０は、図６の平面図、及び図７のＡーＡ断面図に示すように、非接触ＩＣタグ本体６０の片面側に高透磁率層３５を備え、その表面にさらに磁性層４５を備えた構成となる。
【００８８】
ここで、非接触ＩＣタグ本体６０は、ＩＣ５６を実装したモジュール基板５５と、シート５１の上に形成したアンテナコイル（巻き線コイル）５３とを接合点５４において機械的に締結して形成している。
【００８９】
アンテナコイル５３は、９μｍ厚のＣｕをエッチングして成る渦巻き状導体パターンで形成している。  
シート５１は、３８μｍのＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）製のフィルムで形成している。
【００９０】
モジュール基板５５は、樹脂製基材であり、２５μｍのＰＥＴフィルム基材で形成している。  
電子部品モジュール５７は、モジュール基板５５上に、ＩＣ（ベアチップＩＣ）５６を実装して形成している。該ＩＣ５６は、アンテナコイル５３の両端に機械的に締結している。
【００９１】
高透磁率層３５は、シート５１の片面であって電子部品モジュール５７を備えていない側の面に設けている。
【００９２】
磁性層４５は、高透磁率層３５と同様にシート５１の片面であって電子部品モジュール５７を備えていない側の面に設けており、高透磁率層３５に重ねて設け、高透磁率層３５と同一サイズに形成している。
【００９３】
このように製造した非接触ＩＣタグ５０は、磁性層４５を備えている側の面から、磁気ヘッド２２ａによる磁性層４５にデータの書き込み、及び読み取りを行うことが出来る。
【００９４】
また、図８の正面断面図に示すように、非接触ＩＣタグ５０を貼り付けた物品８０がアルミ製の板材等であって、磁束を全く通さないあるいはあまり通さない場合であっても、磁束Ｇはアンテナコイル５３（図示省略）の中心を抜けて高透磁率層３５を通過するため、正常にデータ通信を行うことができる。
【００９５】
すなわち、金属等によって非接触ＩＣタグの特性、例えば共振周波数、Ｑ値等が変化してしまうことや、誘導電磁界が金属によって遮蔽されてしまうことにより、非接触ＩＣタグのアンテナコイル内を磁束が通らなくなることを回避することができる。
【００９６】
またこのとき、図示省略しているが、磁束Ｇは磁性層４５も通過する。この磁性層４５の厚み分も非接触ＩＣタグ本体６０が物品８０から離れるため、磁性層４５は、高透磁率層３５の磁束通過機能を補強することとなる。
【００９７】
また、高透磁率層３５を複数積層して多層構造とした場合は、図９の正面断面図に示すように、高透磁率層３５が全体としてより磁束を通すようになる。従って、物品８０が磁束を通さず高透磁率層３５を１層設けただけでは通信できない場合であっても、複数層の高透磁率層３５により通信を行うことができる。
【００９８】
このように、４０〜５０μｍの薄膜状の高透磁率層３５を重ねる層数を自由に調節して厚み調整をすることで、磁束が通過する断面積の大きさを調節できる。
【００９９】
これにより、図１０の表に示すように、金属板（例えばアルミ製の板材）等の磁束を通さない物品に非接触ＩＣタグ５０を貼り付けて通信（交信）できる距離を、高透磁率層３５を厚くして通信距離を長く設定するといったように調整することができる。
【０１００】
高透磁率層３５は高価であるため、必要な交信距離や貼り付ける対象の物品の特性に対応して必要な厚みに調整し、利用者の使用用途に適切な非接触ＩＣタグ５０を低コストで提供することができる。
【０１０１】
また、シート状に形成された高透磁率部材を非接触ＩＣタグ本体６０の形状に合わせるために切断加工し、切断した高透磁率部材又は非接触ＩＣタグ本体６０に接着剤を塗布し、両者を接着するといった製造工程が不要となり、量産性を向上し、低コスト生産が実現できる。
【０１０２】
また、高透磁率層用リボン３０及び磁性層用リボン４０の作製は、高透磁率部材を又は磁性部材をテープ状のフィルムに塗布するという簡単な工程で大量生産できるため、アモルファスシートや板材を使用する場合と比較し、材料コストを低下できる。
【０１０３】
また、貼り付け対象の物品８０に対しては特殊な加工等を何ら行う必要がないため、どのような物品であっても容易に貼り付けて利用することができる。
【０１０４】
次に、図１１に示す斜視図、図１２に示す貼り付け位置説明図、図１３に示す通信距離説明図と共に、製造した非接触ＩＣタグ５０の利用方法について説明する。
【０１０５】
図１１は、ノートパソコン８１を貼り付け対象物品として非接触ＩＣタグ５０を貼り付け、外部通信アンテナ８５により非接触ＩＣタグ５０と通信する際の外観イメージを示している。
【０１０６】
ノートパソコン８１は、内部に様々な電子機器を備えているため、部位によって磁束を通過する量が異なる。
【０１０７】
そこで、図１２に示すように、ノートパソコン８１を閉じた状態の表面Ａの１２箇所（Ａ１〜Ａ１２とする）、及び裏面Ｂの１２箇所（Ｂ１〜Ｂ１２とする）について、通信距離の変化を説明する。
【０１０８】
図１３の表は、（Ａ）が表面に貼り付けた場合の通信距離を示し、（Ｂ）が裏面に貼り付けた場合の通信距離を示す。この例では、共振周波数を１０．８ＭＨｚに調整した非接触ＩＣタグ５０を使用している。
【０１０９】
これを見ると、非接触ＩＣタグ５０の貼付位置により通信距離が異なり、貼付位置がＡ１〜Ａ３，Ａ１２，Ｂ９〜Ｂ１１である場合は、高透磁率層３５を設けずとも通信できることが解る。
【０１１０】
また、貼付位置がＡ４であれば、高透磁率層３５が薄くても（３層でも）十分な通信距離が得られることが解る。
【０１１１】
また、Ａ１，Ａ３，Ｂ９，Ｂ１０といった貼付位置では、高透磁率層が無い方が交信距離が長くなるという特性があることがわかる。
【０１１２】
こういった貼付位置による通信距離の違いは、電子機器であるノートパソコン８１内部の電子部品、あるいは金属部品の配置に起因し、誘導電磁界の遮蔽の形態が、金属部品と非接触ＩＣタグ５０の位置関係により異なるために生じる。
【０１１３】
これに対して、高透磁率層３５の層厚を自在に調整することで、使用用途に合った最適な特性を、コストとの間でバランス良く選択できる。
【０１１４】
すなわち、高透磁率層３５を備えない非接触ＩＣタグ５０を提供する、あるいは、必要な通信距離に応じた層数だけ高透磁率層３５を積層して提供することで、利用者の要求する通信能力を確保した非接触ＩＣタグ５０を提供することができる
なお、以上の実施形態において、前記ステップｎ１１でＩＣ５６内のメモリにＩＤデータを書き込み、ステップｎ１２でこれと同一のＩＤデータを磁性層４５に書き込む構成としても良い。
【０１１５】
この場合は、ＩＣ５６内のメモリへのＩＤデータの書き込みを事前に行っておく必要がなく、コストダウンを図ることができる。
【０１１６】
また、高透磁率層３５と磁性層４５の熱転写の順番を変更し、非接触ＩＣタグ本体６０には、磁性層４５を熱転写した後、該磁性層４５の表面に高透磁率層３５を積層する構成としても良い。この場合は、物品８０に非接触ＩＣタグ５０を貼り付けた状態で、シート５１を透過して磁性層４５に記録した磁気データを読み取ることが可能となる。
【０１１７】
また、高透磁率の部材と磁性保持力の高い部材とを配合することで、高透磁率層３５と磁性層４５とを一体化して１つの層で構成しても良い。この場合は、製造工程を削減してコストダウンを図ることができる。
【０１１８】
また、シート５１のほぼ全面に高透磁率層３５を備えたが、平面視アンテナコイル５３の内側と外側を繋ぐ所定の形状に形成してシート５１の一部に備える構成としても良い。この場合でも、磁束を通過させることができる。
【０１１９】
また、磁性層４５と高透磁率層３５は、上述した実施形態では表面積を同一にして両者がずれないように位置を合わせて形成したが、いずれか一方を大きく形成する、あるいは磁性層４５と高透磁率層３５の熱転写範囲にズレが生じるように形成しても良い。この場合でも、高透磁率層３５はアンテナコイル５３の内側を通る磁束をアンテナコイル５３の外側へ誘導することができ、磁性層４５に磁気データを記録できる。
【０１２０】
また、シート５１の中央部等、電子部品モジュール５７が配設されていない位置に穴をあける、あるいは磁性層４５を非接触ＩＣタグ５０の側部から一部はみ出すように突出させて形成しても良い。この場合は、非接触ＩＣタグ５０を物品８０に貼り付けた状態で磁性層４５から磁気データを読み取ることが容易となる。
【０１２１】
また、図５のステップｎ３の手前に層数が０か否かを判定する処理を追加し、層数が０であった場合はステップｎ１１にスキップする構成としても良い。  
この場合は、同一の非接触ＩＣタグ製造装置１で高透磁率層３５を備えていない非接触ＩＣタグ５０、高透磁率層３５を１層備えた非接触ＩＣタグ５０、及び高透磁率層３５を多層備えた非接触ＩＣタグ５０を自由に製造することができる。
【０１２２】
これにより、小ロットでの注文に対して、製造設備のレイアウト変更なく迅速に非接触ＩＣタグ５０を製造して販売することができる。
【０１２３】
また、各熱転写ヘッド１６１にセットする高透磁率層用リボン３０の高透磁率層３５の厚みは全て同一に設定したが、異なる厚みのものをセットする構成としても良い。  
例えば、１段目の熱転写ヘッド１６１は厚さ４０μｍ、２段目の熱転写ヘッド１６１は厚さ８０μｍ、３段目の熱転写ヘッド１６１は厚さ１６０μｍといったようにセットすれば、３つの熱転写ヘッド１６１により４０μｍ，８０μｍ，１２０μｍ，１６０μｍ，２００μｍ，２４０μｍ，２８０μｍと７種類の厚さの高透磁率層３５が得られる等、熱転写ヘッド１６１の数以上の種類の厚さを得ることができる。  
この場合は、各熱転写ヘッド１６１にセットする高透磁率層用リボン３０の高透磁率層３５の厚さを整数倍に設定する、あるいはその他の設定とする事ができる。
【０１２４】
また、高透磁率層用リボン３０上に高透磁率層３５を形成する際の樹脂バインダとして、熱硬化性であるエポキシ系樹脂をメチルエチルケトン等の溶剤に溶かしたものを用いてもよい。
【０１２５】
この場合、該樹脂バインダに磁性粉末（例えば鉄―ニオブ系合金粒子）を分散させて形成したペーストをフィルム３１の表面に塗布した後、１５０℃程度の温度で該塗布層内の溶剤を揮発させて熱転写用の高透磁率層用リボン３０を作製すると良い。
【０１２６】
この時、溶剤の揮発量を抑えて、例えば、溶剤が１ｍ２当たり２０ｇ程度残留するように高透磁率層３５を乾燥させておく等により、上述したポリエステル系等の樹脂バインダを使用する実施形態と同様な熱転写の方法で、非接触ＩＣタグ本体６０上に高透磁率層３５を形成することできる。
【０１２７】
また、熱転写ヘッド１６１は、複数ではなく１つ備える構成としても良い。  
この場合は、タグ搬送部１５による非接触ＩＣタグロール７０の巻きだしを一時停止した状態で、熱転写ヘッド１６１による高透磁率層用リボン３０上の高透磁率層３５の熱転写を行い高透磁率層用リボン３０の位置移動を行う１連の熱転写工程を、任意の回数実行できる設定とすれば良い。  
これにより、１つの熱転写ヘッド１６１で非接触ＩＣタグ５０の高透磁率層３５の層数を任意の調整することができる。
【０１２８】
また、磁性層４５を熱転写する熱転写ヘッド１７１についても、高透磁率層３５を熱転写する熱転写ヘッド１６１と同様に、多段に備えて複数層の磁性層４５を形成可能にする、あるいは複数回熱転写を実行して複数層の磁性層４５を形成可能にしても良い。
【０１２９】
また、非接触ＩＣタグ５０には高透磁率層３５を備えない構成としても良い。この場合は、非接触ＩＣタグ製造装置１に熱転写ヘッド１６１に備えない構成としてコストダウンを図ることができる。
【０１３０】
この場合でも、非接触ＩＣタグ５０にはＩＣ５６内のメモリに格納するＩＣデータに加えて磁性層４５に磁気データを格納することができる。従って、貼り付け対象の物品８０が金属製品等でない場合に有効に使用でき、低コストな非接触ＩＣタグ５０を提供できる。
【０１３１】
また、非接触ＩＣタグ製造装置１には、非接触ＩＣタグ５０に視認可能にデータを書き込む表示書込部を備えても良い。
【０１３２】
この場合、表示書込部は、制御部１０の制御信号に従って書き込みヘッドで高透磁率層３５にレーザー加工を行い、高透磁率層３５の層数等のデータを視認可能に書き込む構成とすると良い。
【０１３３】
書き込みヘッドで書き込むデータとしては、層数に限らず、共振周波数、非接触ＩＣタグの種類、製造元のデータ、販売先のデータ、又は貼付対象物品のデータ等、使用用途や顧客要求に応じて適宜のデータを書き込むと良い。
【０１３４】
また該データとしては、例えば当たり／はずれの表示を書き込み、非接触ＩＣタグ５０に娯楽要素を付与するといったように利用しても良い。この場合は、貼付面側に書き込みを行い、物品からはがせば当たりかはずれかが見れるようにすると良い。
【０１３５】
これにより、例えば一般消費者に販売する被服等の最終製品に非接触ＩＣタグ５０を貼り付けるような場合に、一般消費者が非接触ＩＣタグ５０を煩わしく感じることを防止し、非接触ＩＣタグ５０による当たりを期待して逆に喜ばせることが可能となる。
【０１３６】
なお、書き込みヘッドは、レーザー加工に限らず、インクジェット方式等による印刷、熱転写による印字、又は彫刻によるエッチング等、視認可能に書き込みを行える他の装置で構成しても良い。
【０１３７】
また該データの書き込み位置は、非接触ＩＣタグを物品に貼り付けた後は視認できないよう貼り付け面側に設定する、あるいは、物品に貼り付けた後も視認できるように非接触ＩＣタグ側に設定すると良い。
【０１３８】
前記構成により、非接触ＩＣタグの種類の識別、セキュリティデータとしての利用、製造元へのトレーサビリティ等、非接触ＩＣタグの利用における利便性を向上することができる。
【０１３９】
この発明の構成と、上述の実施形態との対応において、
この発明の熱転写手段は、実施形態の熱転写部１６に対応し、
以下同様に、
磁気データ保持部は、高透磁率層３５及び磁性層４５に対応し、
アンテナは、アンテナコイル５３に対応し、
記憶部は、ＩＣ５６内のメモリに対応し、
磁気データ保持部材は、結晶粒子サイズ３５０〜３８０Åの酸化鉄（γＦｅ２Ｏ３）あるいは二酸化クロム（ＣｒＯ２）と、鉄―ニオブ系合金粒子に対応し、
磁性部材は、結晶粒子サイズ３５０〜３８０Åの酸化鉄（γＦｅ２Ｏ３）、あるいは二酸化クロム（ＣｒＯ２）に対応し、
高透磁率部材は、鉄―ニオブ系合金粒子に対応するも、
この発明は、上述の実施形態の構成のみに限定されるものではなく、多くの実施の形態を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１４０】
【図１】非接触ＩＣタグ製造装置の外観構成図。
【図２】リボンの断面図。
【図３】転写工程の説明図。
【図４】非接触ＩＣタグ製造装置の構成を示すブロック図。
【図５】非接触ＩＣタグ製造装置の動作を示す処理フロー図。
【図６】非接触ＩＣタグの平面図。
【図７】非接触ＩＣタグの正面断面図。
【図８】物品に貼り付けた非接触ＩＣタグの正面断面図。
【図９】物品に貼り付けた非接触ＩＣタグの正面断面図。
【図１０】高透磁率層の層数と通信距離の関係を示す表。
【図１１】非接触ＩＣタグ付きノートパソコンと外部通信アンテナの斜視図。
【図１２】非接触ＩＣタグの貼り付け位置の説明図。
【図１３】高透磁率層の貼付位置と層数と通信距離の関係を示す表。
【符号の説明】
【０１４１】
１…非接触ＩＣタグ製造装置
１６…熱転写部
３５…高透磁率層
４５…磁性層
５０…非接触ＩＣタグ
５３…アンテナコイル
５６…ＩＣ
６０…非接触ＩＣタグ本体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2006079175.tif 000009
【図８】
2006079175.tif 000010
【図９】
2006079175.tif 000011
【図１０】
2006079175.tif 000012
【図１１】
2006079175.tif 000013
【図１２】
2006079175.tif 000014
【図１３】
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