(57)【要約】【課題】  被成膜領域の大型化に対応することができ、しかも高い品質を経済的に維持することが可能なマスク、マスクの製造方法、薄膜パターンの形成方法および電気光学装置の製造方法を提供する。【解決手段】  複数の開口部２２を有するチップ２０を支持基板１０に複数接合してなるマスク１であって、チップ２０が支持基板１０から取り外し可能とされていることを特徴とする。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の開口部を有するチップを支持基板に複数接合してなるマスクであって、前記チップが前記支持基板から取り外し可能とされていることを特徴とするマスク。
【請求項２】
前記チップは、前記支持基板に接着剤によって接合され、前記チップが前記接着剤による接合箇所にて剥離することにより取り外し可能とされていることを特徴とする請求項１に記載のマスク。
【請求項３】
前記チップあるいは支持基板の少なくとも一方には、前記接着剤による接着しろの周囲に逃げ溝が形成されていることを特徴とする請求項２に記載のマスク。
【請求項４】
前記チップは、前記支持基板に、芯材の表裏に接着剤が塗布された接着テープによって接合され、前記チップが前記接着テープによる接合箇所にて剥離可能とされていることを特徴とする請求項１に記載のマスク。
【請求項５】
前記接着剤は、水溶性接着剤であることを特徴とする請求項２〜４のいずれか１項に記載のマスク。
【請求項６】
前記接着剤は、熱可塑性接着剤であることを特徴とする請求項２〜４のいずれか１項に記載のマスク。
【請求項７】
前記接着剤は、紫外線の照射により接着力が低下するＵＶ剥離接着剤であることを特徴とする請求項２〜４のいずれか１項に記載のマスク。
【請求項８】
複数の開口部を有するチップを支持基板に複数接合してなるマスクの製造方法であって、
前記支持基板に対して前記チップを取り外し可能に接合することを特徴とするマスクの製造方法。
【請求項９】
複数の開口部を有するチップを支持基板に複数接合してなるマスクの製造方法であって、
前記支持基板に対して前記チップを取り外し可能に接合し、
前記チップに不具合が生じた際に、この不具合が生じたチップを前記支持基板から取り外し、不具合が生じない前記チップと交換することを特徴とするマスクの製造方法。
【請求項１０】
前記チップを前記支持基板に、剥離可能な接着剤によって接合することを特徴とする請求項８または請求項９に記載のマスクの製造方法。
【請求項１１】
前記チップを前記支持基板に、芯材の表裏に剥離可能な接着剤が塗布された接着テープによって接合することを特徴とする請求項８または請求項９に記載のマスクの製造方法。
【請求項１２】
前記接着剤として、水溶性接着剤を用い、
前記水溶性接着剤を水で溶融して、不具合が生じたチップを前記支持基板から取り外すことを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載のマスクの製造方法。
【請求項１３】
前記接着剤として、熱可塑性接着剤を用い、
前記熱可塑性接着剤を加熱して、不具合が生じたチップを前記支持基板から取り外すことを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載のマスクの製造方法。
【請求項１４】
前記接着剤として、紫外線の照射により接着力が低下するＵＶ剥離接着剤を用い、
前記ＵＶ剥離接着剤に紫外線を照射して、不具合が生じたチップを前記支持基板から取り外すことを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載のマスクの製造方法。
【請求項１５】
請求項１から７のいずれか１項に記載のマスク、または、請求項８から１４のいずれか１項に記載のマスクの製造方法で製造されたマスクを用い、被成膜面に薄膜パターンを形成することを特徴とする薄膜パターンの形成方法。
【請求項１６】
電気光学装置の構成層をなす薄膜パターンを形成するときに、請求項１５に記載の薄膜パターンの形成方法を用いることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスク、マスクの製造方法、薄膜パターンの形成方法および電気光学装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置の一つである有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）パネルは、薄膜を積層した構造を持つ自発光型で高速応答性の表示素子からなる。このため有機ＥＬパネルは軽く動画対応に優れた表示装置を構成でき、近年フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）テレビなどの表示パネルとして非常に注目されている。有機ＥＬパネルの代表的な製造方法としては、Appl,Phys,Lett,Vol,51,No.12,p.p.913-914,(1987)に示されている。すなわち、ＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）などの透明陽極を、フォトリソグラフィ技術を用いて所望形状にパターニングし、さらにそのパターンの上に真空蒸着装置で有機材料を成膜して積層し、その上に陰極となるＭｇＡｇなどの低い仕事関数の金属陽極膜を蒸着する。最後に、このようにして出来た発光素子が湿度又は酸素などに接触しないように、その発光素子を不活性ガス雰囲気中で密閉封止する。
【０００３】
また、有機ＥＬパネルは、発光材料を変えることにより、発光色を様々に変えることができる。例えば、薄く高精細なメタルマスクを用いて、画素毎に赤、緑、青の発光素子を形成する手法が提案されている。この手法は、磁石でメタルマスクとガラス基板とを密着させて、マスク越しに蒸着することにより、鮮明なフルカラー有機ＥＬパネルを製造しようとするものである（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
また、マスクを用いた蒸着手法としては、シリコン基板を用いて蒸着マスクを製造する手法が提案されている。この手法ではフォトリソグラフィ技術およびドライエッチング技術などの半導体製造技術を用いて、シリコン基板自体をマスクにするというものである。
シリコンは熱膨張係数がガラスとほぼ同じであるので、シリコンのマスクと被成膜基板のガラス基板とは熱膨張によるずれが生じない。また、シリコンは加工精度を高くすることができる（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００１−２７３９７６号公報
【特許文献２】特開２００１−１８５３５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１に記載されているメタルマスクでは、有機ＥＬパネルの大画面化に対応すべくパネルサイズを大きくすると、そのパネル用のメタルマスクも大きく形成しなければならないが、大きく（大面積）且つ薄いメタルマスクを高精度に作ることは非常に難しいという問題点がある。また、メタルマスクの熱膨張係数が有機ＥＬパネル用のガラス基板に比べて非常に大きい。したがって、蒸着時の熱輻射でメタルマスクがガラス基板に比べて大きく伸びる。これにより、メタルマスクを用いて大型の有機ＥＬパネルを製造しようとすると、熱膨張による誤差の累積値が大きくなり、メタルマスクではせいぜい２０インチの中小型パネルサイズを製造することが限界とされていた。
【０００６】
また、上記特許文献２に記載されているシリコン基板を用いた蒸着マスクでは、シリコンは熱膨張係数がガラスとほぼ同じであるので、シリコンのマスクと被成膜基板のガラス基板とは熱膨張によるずれが生じないが。シリコン・インゴットの直径が３００ｍｍなので、シリコン基板は直径３００ｍｍまでの大きさのものしか存在せず、これ以上大きな画面サイズに対応する蒸着マスクを製造することができないという問題点がある。
しかも、蒸着マスクの一部だけに欠陥が発生したとしても、この欠陥により、作製するＥＬパネルの品質が大きく低下してしまうため、新たに蒸着マスクを作製しなければならず、極めて不経済であった。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、被成膜領域の大型化に対応することができ、しかも高い品質を経済的に維持することが可能なマスク、マスクの製造方法、薄膜パターンの形成方法および電気光学装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するために、本発明は以下の構成を採用した。
本発明のマスクは、複数の開口部を有するチップを支持基板に複数接合してなるマスクであって、前記チップが前記支持基板から取り外し可能とされていることを特徴としている。
【０００９】
このようにすれば、一部のチップに不具合が生じたとしても、マスクを新たに全て作り直すことなく、不具合が生じたチップだけを取り外して新たなものに交換して支持基板へ取り付けることにより、マスクを容易に補修することができる。これにより、複数のチップを備えることにより大型化に対応したマスクの高い品質を経済的に維持することができる。
【００１０】
また、前記チップが、前記支持基板に接着剤によって接合され、前記チップが前記接着剤による接合箇所にて剥離して取り外し可能とされていることを特徴としている。
このようにすれば、不具合が生じたチップを接着剤による接着箇所にて剥離することにより、容易に新たなチップと取り替えることができる。
【００１１】
さらに、前記チップあるいは支持基板の少なくとも一方に、前記接着剤による接着しろの周囲に逃げ溝が形成されていることを特徴としている。
このようにすれば、逃げ溝によって接着しろが区画されるので、接着剤による接着強度を制限することができ、チップの剥離の容易化を図ることができる。
【００１２】
また、前記チップが、前記支持基板に、芯材の表裏に接着剤が塗布された接着テープによって接合され、前記チップが前記接着テープによる接合箇所にて剥離可能とされていることを特徴としている。
このようにすれば、不具合が生じたチップを接着テープによる接着箇所にて剥離することにより、容易に新たなチップと取り替えることができる。
【００１３】
さらに、前記接着剤が、水溶性接着剤であることを特徴としている。
このようにすれば、接着剤を水で溶融させることにより、極めて容易に不具合が生じたチップを支持基板から剥離することができる。
【００１４】
また、前記接着剤が、熱可塑性接着剤であることを特徴としている。
このようにすれば、接着剤を加熱して接着力を低下させることができ、極めて容易に不具合が生じたチップを支持基板から選択的に剥離することができる。
【００１５】
また、前記接着剤は、紫外線の照射により接着力が低下するＵＶ剥離接着剤であることを特徴としている。
このようにすれば、接着剤に紫外線を照射して接着力を低下させることにより、極めて容易に不具合が生じたチップを支持基板から選択的に剥離することができる。
【００１６】
本発明のマスクの製造方法は、複数の開口部を有するチップを支持基板に複数接合してなるマスクの製造方法であって、前記支持基板に対して前記チップを取り外し可能に接合することを特徴としている。
【００１７】
このようにすれば、一部のチップに不具合が生じたとしても、新たに全て作り直すことなく、不具合が生じたチップだけを取り外して新たなものに交換して支持基板へ取り付けて容易に補修することが可能なマスクを得ることができる。つまり、複数のチップを備えることにより大型化に対応し、しかも、高い品質を経済的に維持することができるマスクを得ることができる。
【００１８】
また、複数の開口部を有するチップを支持基板に複数接合してなるマスクの製造方法であって、前記支持基板に対して前記チップを取り外し可能に接合し、前記チップに不具合が生じた際に、この不具合が生じたチップを前記支持基板から取り外し、不具合が生じない前記チップと交換することを特徴としている。
このようにすれば、チップに破損、損傷などの不具合が生じたとしても、その不具合が生じたチップを容易に新たなものと交換してマスクを補修することができる。
【００１９】
また、前記チップを前記支持基板に、剥離可能な接着剤によって接合することを特徴としている。
このようにすれば、不具合が生じたチップを接着剤による接着箇所にて剥離して新たなチップと取り替えることが可能なマスクを得ることができる。
【００２０】
また、前記チップを前記支持基板に、芯材の表裏に剥離可能な接着剤が塗布された接着テープによって接合することを特徴としている。
このようにすれば、不具合が生じたチップを接着テープによる接着箇所にて剥離して新たなチップと取り替えることが可能なマスクを得ることができる。
【００２１】
さらに、前記接着剤として、水溶性接着剤を用い、前記水溶性接着剤を水で溶融して、不具合が生じたチップを前記支持基板から取り外すことを特徴としている。
このようにすれば、接着剤を水で溶融させることにより、不具合が生じたチップを支持基板から剥離して、極めて容易にマスクを補修することができる。
【００２２】
また、前記接着剤として、熱可塑性接着剤を用い、前記熱可塑性接着剤を加熱して、不具合が生じたチップを前記支持基板から取り外すことを特徴としている。
このようにすれば、接着剤を加熱して接着力を低下させることができ、不具合が生じたチップを支持基板から選択的に剥離して、極めて容易にマスクを補修することができる。
【００２３】
また、前記接着剤として、紫外線の照射により接着力が低下するＵＶ剥離接着剤を用い、前記ＵＶ剥離接着剤に紫外線を照射して、不具合が生じたチップを前記支持基板から取り外すことを特徴としている。
このようにすれば、接着剤に紫外線を照射して接着力を低下させることにより、不具合が生じたチップを支持基板から選択的に剥離して、極めて容易にマスクを補修することができる。
【００２４】
本発明の薄膜パターンの形成方法は、上記マスク、または、上記マスクの製造方法で製造されたマスクを用い、被成膜面に薄膜パターンを形成することを特徴としている。
【００２５】
このようにすれば、大きな薄膜パターンを形成することができ、しかも、チップに破損、損傷などの不具合が生じたとしても、その不具合が生じたチップを容易に新たなものと交換してマスクを補修することができる。
【００２６】
本発明の電気光学装置の製造方法は、電気光学装置の構成層をなす薄膜パターンを形成するときに、上記薄膜パターンの形成方法を用いることを特徴としている。
【００２７】
このようにすれば、大きな薄膜パターンを形成することができ、しかもマスクの補修を容易に行うことができるので、大画面の電気光学装置を低コストにて製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明の実施形態に係るマスクについて図面を参照して説明する。
（マスクの構造）
図１は、本発明の実施形態に係るマスクを示す模式斜視図である。図２は、図１に示すマスクによって形成される画素パターンの配列例を示す図である。図３は、図１に示すマスクの要部拡大斜視図、図４は、図１に示すマスクの要部断面図、図５は、図１に示すマスクを構成するチップの裏面図、図６は、支持基板へのチップの取り付け部分における断面図である。本実施形態のマスク１は、例えば蒸着マスクとして用いることができる。
【００２９】
マスク１は、ベース基板をなす支持基板１０に、複数のチップ２０を取り付けた構成を有している。本実施形態では、チップ２０はシリコンからなるものとする。また、チップ２０を金属材料で構成することもできる。各チップ２０は、それぞれアライメントされて支持基板１０に接着されている。また、支持基板１０には、マスク位置決めマーク１６が形成されている。マスク位置決めマーク１６は、マスク１を使用して蒸着などを行うときに、当該マスク１の位置合わせを行うためのものである。マスク位置決めマーク１６は、例えば金属膜で形成することができる。なお、チップ２０にマスク位置決めマーク１６を形成してもよい。
【００３０】
支持基板１０には、開口部が長方形の貫通穴からなる開口領域１２が、図１および図３に示すように、複数平行に且つ一定間隔で設けられている。チップ２０には、図３に示すように、長孔形状の開口部２２が複数一定間隔で平行に設けられている。チップ２０の開口部２２は、図２に示す「縦ストライプ」の画素配置をなす薄膜パターンに対応する形状である。したがって、マスク１は、縦ストライプの画素を形成するために用いられる。
【００３１】
そして、各チップ２０は、支持基板１０の開口領域１２をふさぐように、且つ、開口領域１２の長手方向とチップ２０の開口部２２の長手方向とが直交する向きで、支持基板１０上に行列をなすように配置されている。
【００３２】
支持基板１０の構成材料は、チップ２０の構成材料の熱膨張係数と同一又は近い熱膨張係数を有するものが好ましい。チップ２０はシリコンであるので、シリコンの熱膨張係数と同一又は近い熱膨張係数をもつ材料で支持基板１０を構成する。このようにすることにより、支持基板１０とチップ２０との熱膨張量の違いによる「歪み」又は「橈み」の発生を抑えることができる。例えば、シリコンの熱膨張係数（３０×１０Ｅ-7/℃）に対して、コーニング社製のパイレックス（登録商標）ガラスの熱膨張係数（３０×１０Ｅ-7/℃）はほぼ同一値である。無アルカリガラスである日本電気ガラス社製のＯＡ−１０の熱膨張係数（３８×１０Ｅ-7/℃）、金属材料では４２アロイの熱膨張係数（５０×１０Ｅ-7/℃）およびインバー材の熱膨張係数（１２×１０Ｅ-7/℃）などもシリコンの熱膨張係数に近い。したがって、支持基板１０の構成材料としては、パイレックス（登録商標）ガラス、無アルカリガラスであるＯＡ−１０および４２アロイなどが適用できる。
【００３３】
チップ２０は、図３に示すように長方形の板に開口部２２を設けた構成となっている。本実施形態のマスク１は図２に示す「縦ストライプ」の画素を形成するためのものであるので、チップ２０の開口部２２は例えばその画素を縦に４０個ほど含む領域に相当する大きさの細長い溝形状となっている。すなわち、チップ２０の開口部２２は、被成膜面に形成される薄膜パターンの少なくとも一部の形状に対応した形状となっている。そして、チップ２０が占有する面積は、マスク１で形成される薄膜パターン（例えば有機ＥＬパネルを構成する薄膜パターン）の面積よりも小さい。
【００３４】
また、本実施形態のチップ２０をなすシリコンは、面方位（１１０）を有している。ただし、面方位（１００）を有するシリコンでチップ２０を構成してもよい。そして、チップ２０における開口部２２の長手方向の側面は、面方位（１１１）を有している。このように開口部２２の側面の面方位を（１１１）とすることは、面方位（１１０）を有するシリコンチップについて結晶異方性エッチングを施すことで簡便に実現できる。
【００３５】
また、各チップ２０にはアライメントマーク１４が少なくとも２ヶ所形成されている。アライメントマーク１４は、支持基板１０にチップ２０を貼り合わせる際の位置合わせに使用される。アライメントマーク１４は、フォトリソグラフィ技術又は結晶異方性エッチングなどで形成する。
【００３６】
チップ２０における開口部２２の長手方向と支持基板１０の開口領域１２の長手方向とが直交するように、各チップ２０は支持基板１０に貼り付けられている。開口部２２の幅は、例えば画素のサブピクセルピッチｄ１と同一とする。そして、同一の開口領域１２をふさぐチップ２０であって隣り合うチップ２０ａ，２０ｂは、画素のサブピクセルピッチｄ１だけ間隔をもって配置されている。このチップ２０ａと２０ｂとの隙間は、チップ２０の開口部２２と同様に機能し、所望形状の薄膜パターンを形成するためのマスク１の開口部として機能する。また、隣り合うチップ２０同士は、開口領域１２の長手方向に直交する方向についても間隔をもって配置されている。そして、複数のチップ２０はそれぞれ間隔をもって、支持基板１０上において、図１に示すように行列に配置されている。
【００３７】
図４に示すように、チップ２０は、その裏面における各角部が接着剤３０によって支持基板１０の開口部１２の縁部に接着固定されている。この接着剤３０は、例えば、アクリル系の水溶性接着剤が用いられている。図５及び図６に示すように、チップ２０は、その裏面に各角部を囲う逃げ溝３１が形成されており、この逃げ溝３１の外側が接着しろ３２とされ、この接着しろ３２が接着剤３０によって支持基板１０に接着されている。つまり、この逃げ溝３１によって接着剤３０による支持基板１０へのチップ２０の接着面積が制限されている。
【００３８】
これらのように、本実施形態のマスク１は、複数のチップ２０を支持基板１０に取り付けているので、チップ２０よりも大きな薄膜パターンを形成でき、例えば大画面の表示パネルをなす縦ストライプパターンの画素を形成することができる。
【００３９】
図７は、図１および図３に示すマスク１を用いて形成された蒸着パターン（薄膜パターン）の一例を示す平面図である。図８は、図７に示す蒸着パターンが形成された基板について、マスク１をずらして再度蒸着処理を施した状態の一例を示す平面図である。図９は、図８に示す蒸着パターンが形成された基板について、マスク１をずらして再度蒸着処理を施した状態の一例を示す平面図である。
【００４０】
この蒸着パターンが形成される被成膜部材をなす基板５４としては、例えば有機ＥＬ装置の構成要素をなすガラス基板などの透明基板を適用できる。この場合の蒸着パターンは、例えば有機ＥＬ装置における赤色の発光層６０をなすストライプパターンとする。したがって、発光層６０の幅は画素のサブピクセルピッチｄ１となっている。
【００４１】
ただし、図７に示す蒸着パターンでは、有機ＥＬ装置の赤色の画素における複数行（例えば４０行×５）の画素が形成されていない。そこで、基板５４に対してマスク１を縦方向（Ｙ軸方向）に例えば画素４０個分だけずらして、再度蒸着処理を行い、図８に示すように赤色の発光層６０’をパターニングする。このようにすることにより、大きな縦ストライプパターンを持った大画面パネルの薄膜パターンを簡便に形成することができる。
【００４２】
図８に示す蒸着パターンでは、赤色の発光層６０，６０’のみが形成されており、緑色及び青色の発光層が形成されていない。そこで、図８に示す状態の基板５４に対して、マスク１を横方向（Ｘ軸方向）にサブピクセルピッチ分だけずらして緑色の発光材料をパターニングすることで、図９に示すように、緑色の発光層６２を形成する。次いで、マスク１を横方向（Ｘ軸方向）にサブピクセルピッチ分だけずらして青色の発光材料をパターニングすることで、図９に示すように、青色の発光層６４を形成する。
【００４３】
これらにより、カラー表示ができて大画面パネルをなす薄膜パターンを簡便に且つ高精度に形成することができる。また、上記実施形態では同一のマスク１をずらしながら複数回蒸着処理することで１つの大画面パネルをなす薄膜パターンを形成しているが、複数種類のマスク１を予め作成して、その複数種類のマスク１を交互に用いて１つの大画面パネルをなす薄膜パターンを形成してもよい。
【００４４】
（マスクの製造方法）
図１０は本発明の実施形態に係るマスクの製造方法を示す模式断面図である。すなわち、図１０は上記マスク１の主要部をなすシリコンのチップ２０の製造方法を示している。
先ず、面方位（１１０）のシリコンウエハー２０’を用意し、熱酸化法により耐エッチングマスク材となる酸化シリコン膜７１をそのシリコンウエハー２０’の露出面全体に１μｍ厚に形成する（図１０（ａ）参照）。
この酸化シリコン膜７１からなる耐エッチングマスク材は、後の工程でアルカリ水溶液を用いて行われる結晶異方性エッチングにおいて耐久性のある膜であればよい。したがって、かかる耐エッチングマスク材は、ＣＶＤ法で設けられた窒化シリコン膜としてもよく、スパッター法で設けられたＡｕ又はＰｔ膜などでもよく、特に酸化シリコン膜に限定されるものではない。
【００４５】
次いで、上記シリコンウエハー２０’の一方面側の酸化シリコン膜７１について、フォトリソグラフィ技術を用いてパターニングすることで、上記開口部２２の開口形状（断面形状）に対応する形状の溝パターン７２を形成する。ここで、シリコンの（１１１）方位と溝パターン７２の長手方向とが直角になるように、その溝パターン７２を形成する（図１０（ｂ）参照）。
また、上記溝パターン７２の形成と同時に、アライメントマーク１４をシリコンウエハー２０’に形成してもよい。
【００４６】
また、上記溝パターン７２の形成と同時に、シリコンウエハー２０’の他方面側の酸化シリコン膜７１について、上記フォトリソグラフィ工程により、上記開口部２２に対応する部分を含む大きな領域７３を除去する（図１０（ｂ）参照）。
このように、シリコンウエハー２０’の他方面側の酸化シリコン膜７１における領域７３を除去するのは、後の工程により、シリコンウエハー２０’における開口部２２を含む領域の厚みｄ２を小さくするためである。すなわち、シリコンウエハー２０’から形成されるチップ２０を薄くして、蒸着時に蒸着粒子が開口部２２を斜め方向に通過し易くして、成膜される薄膜の厚さを均一化するためである。
酸化シリコン膜７１についてのフォトリソグラフィ技術によるパターニングでは、例えば緩衝ふっ酸溶液を用いる。
【００４７】
次いで、図１０（ｂ）に示す状態のシリコンウエハー２０’について、８０℃に加熱した３５重量％の水酸化カリウム水溶液を用いて結晶異方性エッチングを行う。この結晶異方性エッチングにより、シリコンウエハー２０’における酸化シリコン膜７１に覆われていない部分は、一方面および他方面の両側から除去されていき、開口部２２をなす貫通溝を形成するとともに、開口部２２を含む領域の厚みｄ２を小さくする。また、この結晶異方性エッチングにより、シリコンウエハー２０’の領域７３側の角部７４もエッチングされて、テーパー形状となる（図１０（ｃ）参照）。
【００４８】
上記結晶異方性エッチングのエッチング時間を制御することにより、角部７４のテーパー形状および開口部２２を含む領域の厚みｄ２を管理することができる。したがって、マスク１と蒸着源との相対的な位置関係が変動しても、マスク１の影の領域が変化しない良好なマスクを製造することができる。
【００４９】
最後に、シリコンウエハー２０’に形成されている酸化シリコン膜７１を除去することで、本実施形態のチップ２０が完成する（図１０（ｄ）参照）。
この酸化シリコン膜７１の除去では、例えば緩衝ふっ酸溶液を用いる。
【００５０】
これらにより、本実施形態の製造方法によれば、チップ２０の開口部２２について結晶異方性エッチングを用いて形成するので、開口部２２の形状について高精度に加工することができる。また、本製造方法は、面方位（１１０）を有するシリコンウエハー２０’について、開口部２２の長手方向が（１１１）方位と直角になるように結晶異方性エッチングを施すので、開口部２２の長手方向についての側面が（１１１）方位面となる。これにより、かかる結晶異方性エッチングにおいて、開口部２２の深さ方向と開口部２２の長手方向についての側面とのエッチング比を例えば１対１０００にすることができ、開口部２２の幅寸法を高精度に制御することができる。
【００５１】
（支持基板の製造方法）
図１１は、本発明の実施形態に係る支持基板１０の製造方法の一例を示す模式斜視図である。
先ず、支持基板１０をなす材料について、所定の板形状の基板１０’を切り出す（図１１（ａ）参照）。
【００５２】
次いで、支持基板１０に貼り付けられるチップ２０をマスクとして機能させるために、基板１０’に、長方形の貫通穴からなる開口領域１２を形成する（図１１（ｂ）参照）。
開口領域１２を形成する方法としては、支持基板１０をなす材料に応じた手法を採ることができる。例えば、基板１０’がパイレックス（登録商標）ガラス又はＯＡ−１０などの無アルカリガラスのようなガラス基板であれば、ブラスト法により削って開口領域１２を形成する手法、又は、フォトリソグラフィ技術とふっ酸とによるウェットエッチングで開口領域１２を形成する手法がある。また、支持基板１０として４２アロイなどの金属材料から構成する場合は、フォトリソグラフィ技術とウェットエッチングとで開口領域１２を形成してもよく、複数の金属材料を溶接により組み立てて製造してもよく、切削加工又は鋳造により製造してもよい。
【００５３】
さらに、各チップ２０を支持基板１０に規則正しく正確に配置するために、基板１０’にアライメントマーク１４’を形成することで、支持基板１０が完成する（図１１（ｃ）参照）。
このアライメントマーク１４’の形成もフォトリソグラフィ技術を用いる。具体的には例えば、基板１０’上にＣｒを５０ｎｍのスパッターで成膜する。次いで、スプレーコート式のレジストコーターでＣｒの上にレジストを付着させる。次いで、露光、現像、Ｃｒのウェットエッチングをすることで、アライメントマーク１４’が形成される。また、レーザなどによるマーキングをアライメントマーク１４’として用いてもよい。
【００５４】
図１２は、本発明の実施形態に係る支持基板１０の製造方法の他の例を示す模式斜視図である。先ず、所定の材料からなる複数の四角柱１０ａ，１０ｂを形成する。次いで、各四角柱１０ａ，１０ｂをボルト１０ｃなどにより接合することで、開口領域１２を有する基板１０ｄを形成する（図１２（ａ），図１２（ｂ）参照）。
各四角柱１０ａ，１０ｂの接合は、接着剤などを用いて行ってもよい。
次いで、基板１０ｄにアライメントマーク１４’を形成することで、支持基板１０が完成する（図１２（ｃ）参照）。
【００５５】
以上の方法で製造した支持基板１０に、チップ２０を取り付けることにより、マスク１が完成する。この支持基板１０にチップ２０を取り付けるには、まず、チップ２０に形成した接着しろ３２に、水溶性接着剤３０を塗布する。
次いで、このチップ２０をアライメントマーク１４’に合わせて位置決めして支持基板１０に配設し、接着剤３０によって支持基板１０へ接着固定する。
そして、本実施形態のマスク１を用いることにより、図９に示すように、例えば４０インチの大画面の表示装置をなす薄膜パターンを蒸着することができる。
【００５６】
（電気光学装置の製造方法）
図１３は、本発明の実施形態に係る電気光学装置の製造方法を示す模式断面図である。
本実施形態では、電気光学装置の一つとして有機ＥＬ装置を挙げて説明する。図１３に示すマスク５０（上記マスク１に該当する）には、磁性体膜５２が形成されている。磁性体膜５２は、鉄、コバルト、ニッケル等の強磁性材料で形成することができる。あるいは、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅや、Ｆｅ成分を含むステンレス合金等の磁性金属材料や、磁性金属材料と非磁性金属材料との結合により、磁性体膜５２を形成してもよい。マスク５０のその他の詳細は、上記マスク１と同一である。
【００５７】
本実施形態では、マスク５０を使用して基板（成膜対象部材）５４に発光材料を成膜する。基板５４は、複数の有機ＥＬ装置を形成するためのもので、ガラス基板等の透明基板である。基板５４には、図１４（Ａ）に示すように、電極（例えばＩＴＯ等からなる透明電極）５６および正孔輸送層５８が形成されている。なお、電子輸送層を形成してもよい。
【００５８】
図１３に示すように、基板５４側にチップ２０が位置するように、マスク５０を配置する。基板５４の背後には、磁石４８が配置されており、マスク５０（チップ２０）に形成された磁性体膜５２を引き寄せるようになっている。
【００５９】
図１４（Ａ）〜図１４（Ｃ）は、有機ＥＬ装置の製造に用いられる発光材料の成膜方法を説明する模式断面図である。発光材料は、例えば有機材料であり、低分子の有機材料としてアルミキノリノール錯体（Ａｌｑ3）があり、高分子の有機材料としてポリパラフェニレンビニレン（ＰＰＶ）がある。発光材料の成膜は、蒸着によって行うことができる。
例えば、図１４（Ａ）に示すように、マスク５０を介して赤色の発光材料をパターニングしながら成膜し、赤色の発光層６０を形成する。そして、図１４（Ｂ）に示すように、マスク５０をずらして、緑色の発光材料をパターニングしながら成膜し、緑色の発光層６２を形成する。そして、図１４（Ｃ）に示すように、マスク５０を再びずらして、青色の発光材料をパターニングしながら成膜し、青色の発光層６４を形成する。
【００６０】
本実施形態では、スクリーンとなるチップ２０が、支持基板１０に部分的に接着されている。したがって、チップ２０は自由度が高く、反り、撓みが発生し難く、選択蒸着の再現性が高く、生産性が高い。本実施形態のマスク５０では、支持基板１０に複数の開口領域１２が形成され、それぞれの開口領域１２に対応してチップ２０が位置している。複数のチップ２０が１つの有機ＥＬ装置に対応する。すなわち、マスク５０を使用して、大画面の有機ＥＬ装置を高精度に製造することができる。
【００６１】
ここで、上記のように、支持基板１０にチップ２０を接着固定したマスク５０を用いて有機発光層６０，６２，６４の蒸着を行う場合、真空チャンバー内にてガラス基板等の基板５４との接触が複数回繰り返される。また、チップ２０に付着した有機膜をＯ２プラズマなどで除去する作業等にて物理的にチップ２０に接触することがある。このようなことから、チップ２０が破損、損傷することがある。
【００６２】
このように、一部のチップ２０に破損、損傷が生じた場合は、マスク５０を水に浸漬する。このようにすると、支持基板１０にチップ２０を接着固定している水溶性の接着剤３０が溶融することにより、支持基板１０からチップ２０が剥離される。そして、このチップ２０を剥離したら、破損、損傷したチップ２０を新品のチップ２０と交換し、再び支持基板１０に接着剤３０によって接着固定する。
これにより、一部のチップ２０に不具合が生じたとしても、マスク５０を新たに全て作り直すことなく、破損、損傷したチップ２０だけを新たなものに交換して支持基板１０へ貼り付けることにより、マスク５０を容易に補修することができる。
つまり、マスク５０の補修を容易に行うことができるので、大画面の電気光学装置を低コストにて製造することができる。
【００６３】
なお、チップ２０を支持基板１０へ接着する接着剤としては、支持基板１０からチップ２０を剥離可能とするものであれば、水溶性のものに限定されない。
【００６４】
ここで、他の接着剤を用いたマスク及びその製造方法について説明する。
（第２実施形態）
この実施形態では、支持基板１０へチップ２０を接着するための接着剤として、感光性ポリイミドからなる熱可塑性の接着剤を用いる。
そして、この接着剤３３を用いてマスクを製造する場合は、まず、図１５（Ａ）に示すように、前述と同様にして作製した支持基板１０の上面におけるチップ２０を接着すべき部分に熱可塑性の接着剤３３を滴下し、ベークにより溶媒を蒸発させて固化させる。
【００６５】
次に、図１５（Ｂ）に示すように、支持基板１０をホットプレート３４で、接着剤３３がＴｇ以上の温度になるように加熱しながら、それぞれのチップ２０を位置合わせし支持基板１０上に配設して加圧する。
その後、接着剤３３を冷却してＴｇ以下の温度となるまで冷却することにより、図１５（Ｃ）に示すように、接着剤３３によって支持基板１０にチップ２０が接着固定されたマスク１を得ることができる。
【００６６】
このようにして製造されたマスク１では、破損、損傷したチップ２０を新たなものと交換するために、チップ２０を支持基板１０から剥離する際は、図１６に示すように、剥離したいチップ２０の接着剤３３による接着箇所へレーザを照射し、接着剤３３をＴｇ以上に加熱する。このようにすると、接着剤３３が熱により溶融し、チップ２０を支持基板１０から容易にかつ選択的に剥離することができる。
なお、この第２実施形態の場合も、チップ２０に逃げ溝３１を形成して接着しろ３２を形成しても良い。
【００６７】
（第３実施形態）
この実施形態では、図１７に示すように、支持基板１０へチップ２０を接着するための接着剤として、接着テープ３５を用いる。図１８に示すように、この接着テープ３５は、シート状の芯材３６と、この芯材３６の表裏に塗布された接着剤３７，３８とを有している。この接着テープ３５の一方の接着剤３７は、紫外線の照射により接着力が低下する、例えば、ウレタンアクレート系オリゴマーを含有するＵＶ剥離接着剤であり、他方の接着剤３８は、紫外線の照射によっても接着力が低下しない、例えば、アクリル系共重合体からなるＵＶ非剥離接着剤である。
【００６８】
そして、この接着テープ３５を用いてマスクを製造する場合は、チップ２０の裏面側における角部に、接着テープ３５のＵＶ非剥離接着剤である接着剤３８側を貼り付ける。次に、チップ２０を位置合わせして支持基板１０上に配設し、接着テープ３５のＵＶ剥離接着剤である接着剤３７を貼り付ける。これにより、接着テープ３５によって支持基板１０にチップ２０が接着固定されたマスク１を得ることができる。
【００６９】
このようにして製造されたマスク１では、破損、損傷したチップ２０を新たなものと交換するために、チップ２０を支持基板１０から剥離する際は、剥離したいチップ２０の接着テープ３５へ紫外線を照射する（図１７参照）。
このようにすると、ＵＶ剥離接着剤である接着剤３７の接着力が低下し、チップ２０を支持基板１０から容易にかつ選択的に剥離することができる。
なお、この第３実施形態において、接着テープ３５の両方の接着剤３７、３８をＵＶ剥離接着剤としても良い。また、接着テープ３５の両方もしくは一方の接着剤を熱可塑性接着剤とし、レーザの照射により加熱して接着力を低下させるようにしても良い。
【００７０】
また、上記の実施形態では、支持基板１０からチップ２０を剥離可能として新たなチップ２０を接合する場合について説明したが、例えば、支持基板１０に接合しているチップ２０の角部を破断あるいは切断等により分離して取り外し可能とし、残留した破片が干渉しない形状の新たなチップ２０を支持基板１０へ接合することにより、チップの交換を行うようにしても良い。
【００７１】
図１９は、上述した発光材料の成膜方法を経て製造された有機ＥＬ装置の概略構成を示す模式断面図である。有機ＥＬ装置は、基板５４、電極５６、正孔輸送層５８、発光層６０，６２，６４などを有する。発光層６０，６２，６４上には、電極６６が形成されている。電極６６は、例えば陰極電極である。本実施形態の有機ＥＬ装置は、表示装置（ディスプレイ）として好適であり、発光層６０，６２，６４においてパターンずれが少なく膜厚分布が非常に均一化され、ムラの無い鮮やかな大画面の表示装置となることができる。
【００７２】
（電子機器）
次に上記実施形態のマスクを用いて製造された電子機器について説明する。
図２０（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図２０（ａ）において、符号６００は携帯電話本体を示し、符号６０１は上記実施形態のマスクを用いて形成された電気光学装置からなる表示部を示している。図２０（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図２０（ｂ）において、符号７００は情報処理装置、符号７０１はキーボードなどの入力部、符号７０２は上記実施形態のマスクを用いて形成された電気光学装置からなる表示部、符号７０３は情報処理装置本体を示している。図２０（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図２０（ｃ）において、符号８００は時計本体を示し、符号８０１は上記実施形態のマスクを用いて形成された電気光学装置からなる表示部を示している。
【００７３】
図２０に示す電子機器は、大画面で表示でき、鮮やかでムラがなく大きな画像を高品位に表示でき、さらに、低コストで製造することができる。
【００７４】
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能であり、実施形態で挙げた具体的な材料や層構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。例えば、上記実施形態ではマスク１を蒸着マスクとして用いたが、本発明はこれに限定されるものではなく、スパッター法又はＣＶＤ法などにおけるマスクとしてマスク１を用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本発明の実施形態に係るマスクを示す模式斜視図である。
【図２】同上のマスクによって形成される画素パターンの配列例を示す図である。
【図３】同上のマスクの要部拡大斜視図である。
【図４】同上のマスクの要部断面図である。
【図５】同上のマスクを構成するチップの裏面図である。
【図６】支持基板へのチップの取り付け部分における断面図である。
【図７】同上のマスクを用いて形成された蒸着パターンの一例を示す平面図である。
【図８】同上のマスクを用いて形成された蒸着パターンの一例を示す平面図である。
【図９】同上のマスクを用いて形成された蒸着パターンの一例を示す平面図である。
【図１０】同上のマスクの製造方法を示す模式断面図である。
【図１１】同上のマスクにおける支持基板の製造方法の一例を示す模式斜視図である。
【図１２】同上のマスクにおける支持基板の製造方法の一例を示す模式斜視図である。
【図１３】本発明の実施形態に係る電気光学装置の製造方法を示す模式断面図である。
【図１４】本発明の実施形態に係る発光材料の成膜方法を示す模式断面図である。
【図１５】第２実施形態のマスクの要部概略断面図である。
【図１６】同上のマスクの要部概略断面図である。
【図１７】第３実施形態のマスクの要部概略断面図である。
【図１８】同上のマスクの要部拡大断面図である。
【図１９】本発明の製造方法で製造された有機ＥＬ装置を示す模式断面図である。
【図２０】本発明の実施形態に係る電子機器を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００７６】
１，５０…マスク、１０…支持基板、２０…チップ、２２…開口部、３０，３３，３７，３８…接着剤、３１…逃げ溝、３２…接着しろ、３５…接着テープ、３６…芯材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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