(57)【要約】【課題】  高記録密度を実現するための技術である垂直磁気記録方式において、ＷＡＴＥ現象を防ぐのに効果的な垂直磁気記録及びその製造方法を提供し、あわせて垂直磁気記録再生装置を提供する。【解決手段】  非磁性基板上に少なくとも軟磁性裏打ち層、基板面に対し垂直方向に磁気異方性を有する垂直磁性層を有する垂直磁気記録媒体であって、軟磁性裏打ち層はトラックごとに凹凸分離し、垂直磁性層はトラックごとに凹凸分離していない垂直磁気記録媒体とする。また、その製造方法は、基板上に軟磁性裏打ち層を形成後、軟磁性裏打ち層をトラックごとに凹凸分離し、軟磁性裏打ち層の凹部に埋め込み膜を形成した後表面を平滑化し、その上に垂直磁性層を形成する方法とする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板上に少なくとも軟磁性裏打ち層、基板面に対し垂直方向に磁気異方性を有する垂直磁性層を有する垂直磁気記録媒体において、前記軟磁性裏打ち層はトラックごとに凹凸分離し、前記垂直磁性層はトラックごとに凹凸分離せずに連続していることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
非磁性基板上に少なくとも軟磁性裏打ち層、基板面に対し垂直方向に磁気異方性を有する垂直磁性層を有する垂直磁気記録媒体において、前記軟磁性裏打ち層のみが物理的または磁気的に凹凸分離していることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項３】
前記軟磁性裏打ち層の凹凸分離箇所にＳｉＯ２が充填されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項４】
前記垂直磁性層がＣｏ系磁性合金層であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項５】
基板上に軟磁性裏打ち層を形成後、該軟磁性裏打ち層をトラックごとに凹凸分離し、軟磁性裏打ち層の凹部に埋め込み膜を形成した後表面を平滑化し、さらにその上に垂直磁性層を形成することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
前記軟磁性裏打ち層の凹凸分離を、リソグラフィー法を用いて行うことを特徴とする請求項５に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】
前記軟磁性裏打ち層の凹凸分離を、軟磁性裏打ち層を形成後表面にレジストを塗布し、このレジストをパターニングした後、このパターンを用いて軟磁性裏打ち層を部分的に除去することにより行うことを特徴とする請求項５または６に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項８】
前記レジストのパターニングに、スタンパーを用いたインプリントプロセスを用いることを特徴とする請求項７に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項９】
前記埋め込み膜としてＳｉＯ２を用いることを特徴とする請求項５から請求項８のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
前記埋め込み膜の形成にスパッタリング法を用いることを特徴とする請求項５から請求項９のいずれか１項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１１】
前記表面の平滑化にイオンビームエッチング法を用いることを特徴とする請求項５から請求項１０の何れか１項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１２】
垂直磁気記録媒体と、該垂直磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッドとを備えた磁気記録再生装置であって、垂直磁気記録媒体が前記請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体であることを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録媒体及びその製造方法並びに磁気記録再生装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気ディスク装置、フレキシブルディスク装置、磁気テープ装置等の磁気記録装置の適用範囲は著しく増大され、その重要性が増すと共にこれらの装置に用いられる磁気記録媒体について、その記録密度の著しい向上が図られつつある。特にＭＲヘッドおよびＰＲＭＬ技術の導入以来面記録密度の上昇はさらに激しさを増し、近年ではさらにＧＭＲヘッド、ＴＭＲヘッドなども導入され１年に約１００％ものペースで記録密度が増加を続けている。
これらの磁気記録媒体については今後更に高記録密度を達成することが要求されており、そのために磁気記録層の高保磁力化と高信号対雑音比（ＳＮ比）、高分解能を達成することが要求されている。また、近年では高面記録密度を達成するために媒体の絶対膜厚が薄くなってきており、これに伴い記録磁化が熱的擾乱によって弱められるという現象が問題となってきつつあり、特に記録の熱的安定性が大きな技術的課題となってきている。とりわけ、前述のＳＮ比を改善しようとするとこの熱的安定性が低下するケースが多くこのふたつの両立が開発の目標となっている。これは一般的にＳＮ比に優れた媒体では磁性層を構成する磁性粒子の結晶粒サイズが微細であることが多く、このことは媒体ノイズに有効である反面、磁性の熱的安定性の観点からは不安定領域に近いといえるためである。
【０００３】
また、近年では線記録密度の向上と同時にトラック密度の増加によって面記録密度をさらに上昇させようとする努力も続けられており、最新の磁気記録装置においてはトラック密度１１０ｋＴＰＩにも達している。しかし、トラック密度を上げていくと隣接するトラック間の磁気記録情報が互いに干渉しあい、その境界領域の磁化遷移領域がノイズ源となりＳＮ比を損なうという問題が生じ易くなる。このことはそのままＢｉｔ  Ｅｒｒｏｒ  Ｒａｔｅの低下につながるため記録密度の向上に対して障害となっている。
【０００４】
また、トラック間距離が近づくために、磁気記録装置は極めて高精度のトラックサーボ技術を要求されると同時に、記録を幅広く実行し、再生は隣接トラックからの影響をできるだけ排除するために記録時よりも狭く実行する方法が一般的に用いられている。この方法ではトラック間の影響を最小限に抑えることができる反面、再生出力を十分得ることが困難であり、そのために十分なＳＮ比を確保することがむずかしいという問題がある。
さらに、トラック密度を上げるために考え出された方法として、ディスクリートトラック式磁気記録媒体がある（例えば、特許文献１、特許文献２、特許文献３等参照。）。
これらの方法は、媒体の磁気記録層を不連続化させて、トラック間の磁気的干渉を取り除き、面記録密度を向上させようとするものである。
【特許文献１】特開平０６−２５９７０９号公報
【特許文献２】特開平０９−０９７４１９号公報
【特許文献３】特開２０００−１９５０４２号公報
【０００５】
媒体の熱的安定性を確保するために近年注目されているのが垂直磁気記録媒体である。
これはこれまでの長手磁気記録方式が媒体面内方向に磁極を交互に配置するのに対して、媒体面に対し垂直に配置する方式である。長手磁気記録方式では媒体内で同極同士が向き合うことになるため、安定して記録情報を維持するためにどうしても媒体膜厚を薄くせざるを得ず、ひいては熱的擾乱の影響を受けやすくなってしまうのに対して、垂直磁気記録方式では媒体膜厚をある程度厚く保つことが可能であるためである。
【０００６】
このように垂直磁気記録媒体は将来の高記録密度化のための技術として期待されているが、垂直磁気記録に特有の問題としてＷＡＴＥ（Ｗｉｄｅ  Ａｄｊａｃｅｎｔ  Ｔｒａｃｋ  Ｅｒａｓｕｒｅ）という現象が知られている。垂直磁気記録媒体は非磁性基板上に軟磁性裏打ち層、垂直磁気記録層を積層した構造をもっており、この軟磁性裏打ち層が記録ヘッドから流れる磁束を引き込み、さらにヘッド側のリターンヨークに戻す。したがってこの軟磁性裏打ち層があたかもヘッドの一部のように振舞う。ここで、軟磁性裏打ち層を通るヘッド磁束がなんらかの原因で数ミクロン離れた領域に記録された信号を消してしまうのがＷＡＴＥという現象である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであって、高記録密度を実現するための技術である垂直磁気記録方式において、ＷＡＴＥ現象を抑制することのできる垂直磁気記録媒体を提供使用とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため本発明は、以下に掲げた、
（１）非磁性基板上に少なくとも軟磁性裏打ち層、基板面に対し垂直方向に磁気異方性を有する垂直磁性層を有する垂直磁気記録媒体において、前記軟磁性裏打ち層はトラックごとに凹凸分離し、前記垂直磁性層はトラックごとに凹凸分離せずに連続している垂直磁気記録媒体、
（２）非磁性基板上に少なくとも軟磁性裏打ち層、基板面に対し垂直方向に磁気異方性を有する垂直磁性層を有する垂直磁気記録媒体において、前記軟磁性裏打ち層のみが物理的または磁気的に凹凸分離している垂直磁気記録媒体、
（３）前記軟磁性裏打ち層の凹凸分離箇所にＳｉＯ２が充填されている（１）または（２）に記載の垂直磁気記録媒体、
（４）前記垂直磁性層がＣｏ系磁性合金層である（１）から（３）の何れか１つに記載の垂直磁気記録媒体、
（５）基板上に軟磁性裏打ち層を形成後、該軟磁性裏打ち層をトラックごとに凹凸分離し、軟磁性裏打ち層の凹部に埋め込み膜を形成した後表面を平滑化し、さらにその上に垂直磁性層を形成する垂直磁気記録媒体の製造方法、
（６）前記軟磁性裏打ち層の凹凸分離を、リソグラフィー法を用いて行う（５）に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法、
（７）前記軟磁性裏打ち層の凹凸分離を、軟磁性裏打ち層を形成後表面にレジストを塗布し、このレジストをパターニングした後、このパターンを用いて軟磁性裏打ち層を部分的に除去することにより行う（５）または（６）に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法、
（８）前記レジストのパターニングに、スタンパーを用いたインプリントプロセスを用いる（７）に記載の磁気記録媒体の製造方法、
（９）前記埋め込み膜としてＳｉＯ２を用いる（５）から（８）のいずれか１つに記載の垂直磁気記録媒体の製造方法、
（１０）前記埋め込み膜の形成にスパッタリング法を用いる（５）から（９）のいずれか１つに記載の垂直磁気記録媒体の製造方法、
（１１）前記表面の平滑化にイオンビームエッチング法を用いる（５）から（１０）のいずれか１つに記載の垂直磁気記録媒体の製造方法、
（１２）垂直磁気記録媒体と、該垂直磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッドとを備えた磁気記録再生装置であって、垂直磁気記録媒体が前記（１）から（４）のいずれか１つに記載の磁気記録媒体である磁気記録再生装置、の各発明を提供する。
【発明の効果】
【０００９】
本説明によれば、垂直磁気記録方式を採用した磁気ディスク媒体において裏打ち軟磁性層を不連続トラック化することによって、垂直磁気記録媒体特有の問題であるＷＡＴＥ現象を効果的に抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明は、垂直磁気記録媒体において、軟磁性裏打ち層をディスクリートトラック磁気記録媒体の技術を応用して物理的、磁気的に分離させ、軟磁性裏打ち層内での隣接トラックからの磁気的影響を完全に排除し、ＷＡＴＥ現象を完全になくし、磁気記録媒体の面記録密度向上を容易なさしめようとするものである。ディスクリートトラック式磁気記録媒体は、上述のようにトラック密度を上げるために考え出された方法であり、媒体の磁気記録層を不連続化させて、トラック間の磁気的干渉を取り除き、面記録密度を向上させようとするものである。本発明ではこの技術を垂直磁気記録媒体の裏打ち軟磁性層にのみ適用してその記録再生特性を改良しようとするものである。
【００１１】
以下に詳説する。
図１に本発明の垂直磁気記録媒体の断面構造を示す。図に示すように、本発明の垂直磁気記録媒体１は、基板２の上に裏打ち軟磁性層３、垂直磁気記録層４及び保護膜５が順次積層されて構成されている。このうち裏打ち軟磁性層３は、軟磁性体３ａと例えばＳｉＯ２等の非磁性層３ｂとが一定間隔で交互に並んでいて、物理的又は磁気的に凹凸分離している。凸状の軟磁性体３ａは情報を記録するトラックに対応するものである。
【００１２】
次に、本発明の垂直磁気記録媒体の製造方法について説明する。
不連続トラックの形成方法はおよそ以下の通りである。
１）まず、基板２上に裏打ち軟磁性層３を形成する（図２−Ａ参照。）。
２）１）の裏打ち軟磁性層３の表面にレジスト６を塗布する。必要に応じて焼成を行い余分な有機溶剤等を除去する（図２−Ｂ参照。）。
３）所望のトラック間距離にあわせて設計された凹凸が表面に形成された金属製の型（スタンパー）８を２）のレジスト６の表面に密着させ、高圧でプレスすることによりレジスト６表面に記録トラック形状の凹凸６ａ，６ｂを形成させる（以下インプリントプロセスと呼ぶ）（図２−Ｃ参照。）。
４）ドライエッチング、反応性イオンエッチングなどの手法を用いて３）の表面のレジスト６及び裏打ち磁性層３の一部を剥ぎ取る。これの結果、３）で形成された記録トラックの凹凸に沿った裏打ち軟磁性層３ａが残り、裏打ち軟磁性層３ａの間に凹部３ｂが形成されることになる（以下エッチングプロセスと呼ぶ）（図２−Ｄ参照。）。
５）この上からＳｉＯ２などの非磁性物質７をスパッタリングなどの手法を用いて堆積させ、トラックとトラックの間に形成された極めて細長い溝に該非磁性物質を充填させる（以下埋め込みプロセスと呼ぶ）。このとき裏打ち軟磁性層３ａの間に凹部３ｂの奥までこの非磁性物質７が充填されることが必要である（図２−Ｅ参照。）。
６）その後、ポリッシュまたはドライエッチング、あるいはイオンビーム９を照射するなどの手法により表面に残る凹凸を平滑化する（以下平滑化プロセスと呼ぶ）（図３−Ｆ参照。）。
７）６）の上に垂直磁気記録層４を成膜する（図３−Ｇ）８）最後に再びプラズマＣＶＤなどの方法を用いてＤｉａｍｏｎｄ  Ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎ（ＤＬＣ）からなる保護膜５を成膜すると、本発明の垂直磁気記録媒体１が得られる（図３−Ｈ参照。）。
【００１３】
使用される垂直磁気記録媒体の構成は現在広く用いられているものをすべて適用することができ、媒体の構成は上記不連続トラックの形成プロセスに影響を与えることはない。
また、本発明の磁気記録媒体に使用される非磁性基板としては、Ａｌを主成分とした例えばＡｌ−Ｍｇ合金等のＡｌ合金基板や、通常のソーダガラス、アルミノシリケート系ガラス、非結晶ガラス類、シリコン、チタン、セラミックス、各種樹脂からなる基板など、非磁性基板であれば任意のものを用いることができる。中でもＡｌ合金基板や結晶化ガラス等のガラス製基板、シリコン基板を用いることが好ましい。
【００１４】
磁気ディスクの製造工程においては、まず基板の洗浄・乾燥が行われるのが通常であり、本発明においても各層の密着性を確保する見地からもその形成前に洗浄、乾燥を行うことが望ましい。
また、基板サイズも特に限定しない。媒体の形成方法は現在スパッタリング法が主流であるが、他の方法例えば無電解めっき法などで製造された媒体でももちろん支障ない。
また、基板表面又は非磁性金属被覆層が形成された基板表面に同心円状テキスチャリングを施してもよい。本発明において同心円状テキスチャリングとは、例えば遊離砥粒とテキスチャーテープを使用した機械式テキスチャリングやレーザー光線などを利用したテキスチャリング加工、又はこれらを併用することによって円周方向に研磨することによって基板円周方向に微小溝を多数形成した状態を指称する。
【００１５】
インプリントプロセスで用いるスタンパーは金属プレートに電子線描画などの方法を用いて微細なトラックパターンを形成したものであり、材料としてはインプリントプロセスに耐えうる硬度、耐久性が要求される。たとえばＮｉなどが使用されるが、前述の目的に合致するものであれば材料は問わない。また、媒体上に塗布されるレジストは広く工業的に使用されているフォトレジストなどさまざまな種類のものを使用することができる。通常はスピンコートなどを用いて薄く均一に塗布したのち、オーブンで一定温度、時間で焼成をかけ不要な有機溶剤などを除去することが多い。このプロセスに関しては使用するレジストの性質に合わせて適宜プロセスを調整することができる。
【００１６】
埋め込みプロセスでは非磁性物質をドライプロセスにより充填することが多い。代表的な材料はＳｉＯ２などであるが、非磁性の材料でかつ磁気記録媒体としての性能を損なわないものであればこれに限らない。この工程では、極めて細く深い溝に均一に該非磁性材料を充填する必要があるので、どのようなプロセス条件を用いるかは重要である。代表的なプロセスとしてはスパッタリング法があるが、堆積速度、ガス圧など条件を慎重に選ぶことが必要である。この埋め込みプロセスがきちんとなされないとトラック間の磁気的相互作用が十分遮断されず十分な記録再生特性を期待できない。また、隙間の部分が酸素などのガスと接触し耐食性に悪影響を及ぼす懸念がある。
【００１７】
平坦化プロセスでは、埋め込みプロセス後に生じるであろう媒体表面の凹凸を、磁気記録媒体として十分なレベルまで平滑にする。この手段としてはＣｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈ（ＣＭＰ）、Ｉｏｎ  Ｂｅａｍ  Ｅｔｃｈｉｎｇ（ＩＢＥ）などが用いられる。媒体の性能を損なわず、媒体表面を十分平滑に加工できる限りにおいてはいかなる手法を用いても本発明の効果には支障ない。ヘッド浮上量ができるだけ小さいことが高密度磁気記録の実現には有効であり、またこれら基板の特徴のひとつが優れた表面平滑性にあることから、磁気記録媒体においては基板の表面粗さ（Ｒａ）は、１ｎｍ以下、さらには０．５ｎｍ以下であることが好ましく、中でも０．０１ｎｍ以下であることが最も好ましい。
【００１８】
最後に保護膜を形成する。一般的にはＤｉａｍｏｎｄ  Ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎの薄膜をＰ−ＣＶＤなどを用いて成膜するが、手法はこの限りではない。ここでの保護膜は一般的に磁気記録媒体保護膜として使用されているものと同じと考えてよい。保護層としてはこの他、Ｃ、水素化Ｃ、窒素化Ｃ、アルモファスＣ、ＳｉＣ等の炭素質層やＳｉＯ２、Ｚｒ２Ｏ３、ＴｉＮなど、通常用いられる保護層材料を用いることができる。また、保護層が２層以上の層から構成されていてもよい。保護層の膜厚は１〜１０ｎｍ、特に好ましいのは１〜５ｎｍであり、耐久性を確保できる範囲でできるだけ薄く設定することが好ましい。
保護層の上には潤滑層を形成するのが一般的であり、本発明でも適用することができる。潤滑層に用いる潤滑剤としては、フッ素系潤滑剤、炭化水素系潤滑剤及びこれらの混合物等が挙げられ、通常１〜４ｎｍの厚さで潤滑層を形成する。
【００１９】
磁気記録媒体の各層を形成する成膜方法は任意であるが、例えば直流（マグネトロン）スパッタリング法、高周波（マグネトロン）スパッタリング法、ＥＣＲスパッタリング法、真空蒸着法などの物理的蒸着法が挙げられる。尚、本発明の磁気記録媒体においてはさらに、磁性層を２種以上の積層構造としたものとしてもよい。
垂直磁気記録媒体の軟磁性裏打ち層としてはＣｏ−Ｚｒ−Ｎｂ、Ｃｏ−Ｔａ−Ｚｒ、Ｆｅ−Ｃｏなどが使用されることが多いが、軟磁気特性に優れたものであればこれに限らない。また、垂直磁気記録媒体の裏打ち層としてはこれらの材料の単層膜のほかに、軟磁性層でＲｕなど非磁性層をサンドイッチした構造をもつＡＦＣ構造をとるものも用いることができる。ただし、不連続トラック処理を行う場合、この軟磁性裏打ち層の下端まですべてを不連続にすることが望ましい。
垂直磁気記録媒体の磁気記録層としてはＣｏ−Ｃｒ系、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−ＳｉＯ２系、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｃｒ２Ｏ３系などの各合金薄膜を使用することができる。いずれの材料を用いても本発明の効果には影響ない。
【００２０】
本発明の磁気記録装置は、少なくとも上述してきた磁気記録媒体と、これを記録方向に駆動する駆動部と、記録部と再生部からなる磁気ヘッドと、磁気ヘッドを磁気記録媒体に対して相対運動させる手段と、磁気ヘッドへの信号入力と磁気ヘッドからの出力信号再生を行うための記録再生信号処理手段を有する磁気記憶装置である。
さらに上述の磁気ヘッドの再生部をＧＭＲヘッドあるいはＴＭＲヘッドで構成することにより、高記録密度においても十分な信号強度を得ることができ、高記録密度を持った磁気記憶装置を実現することができる。またこの磁気ヘッドを、浮上量を０．００５μｍ〜０．０２０μｍと、従来よりも低い高さで浮上させると、出力が向上して高い装置ＳＮ比が得られ、大容量で高信頼性の磁気記憶装置を提供することができる。また、最尤復号法による信号処理回路を組み合わせるとさらに記録密度を向上でき、例えばトラック密度１００ｋＴＰＩ以上、線記録密度１０００ｋｂｐＩ以上、１平方インチ当たり１００Ｇビット以上の記録密度で記録・再生する場合にも十分なＳＮ比が得られる。
【実施例】
【００２１】
（実施例、比較例）
ＨＤ用ガラス基板をセットした真空チャンバをあらかじめ１．０×１０−５Ｐａ以下に真空排気した。ここで使用したガラス基板はＬｉ２Ｓｉ２Ｏ５、Ａｌ２Ｏ３＋Ｋ２Ｏ、ＭｇＯ＋Ｐ２Ｏ５、Ｓｂ２Ｏ３＋ＺｎＯを成分とする結晶化ガラスを材質とし、表面粗さＲａ：約５オングストローム、外径：６５ｍｍ、内径：２０ｍｍである。
さらに該基板上にＣｏ−Ｚｒ−Ｎｂ層を成膜した。Ｃｏ−Ｚｒ−Ｎｂ層の組成はＣｏ−５Ｚｒ−４Ｎｂ（ａｔ．％）とし、膜厚は８０ｎｍとした。成膜はＤＣスパッタリング法を用いて行い、基板へのバイアス電圧印加は行わなかった。また、成膜時のアルゴンガス分圧は約７．０×１０−１にＰａ設定した。この条件下で２枚の磁気記録媒体を作製し、各サンプルの静磁気特性、ＲＷ特性は、ほぼ同じ水準であることをあらかじめ確認しておいた。
【００２２】
次にこれらサンプルのうちの１枚を取り出し、表面にレジストをスピンコートで塗布した。塗布した後に約８０℃の恒温槽で１時間焼成して余分な溶剤を除去し、焼成後の最終的なレジスト膜厚が約１００オングストロームになるように条件を調整した。
次にあらかじめ用意していたＮｉ製スタンパーを用いてインプリントを施した。スタンパーはＴｒａｃｋ  ｐｉｔｃｈ  １００ｎｍのものを用意した。グルーブの深さはいずれも８０ｎｍに調整した。
次にこれらのサンプルを高真空チャンバ内にセットし、イオンビームエッチングを用いて表面から約６０ｎｍ除去した。
ここでサンプルのうち１枚を取り出し、再び高真空チャンバにセットしＲＦスパッタ法を用いてＳｉＯ２膜を堆積させた。ＳｉＯ２膜の平均膜厚は８０ｎｍになるように調整した。さらにイオンビームエッチングを用いて表面平滑化を施した。このサンプルを実施例とした。
一方、残りの１枚を比較例とする。
【００２３】
実施例と比較例とをひきつづき高真空チャンバにセットし、ＤＣスパッタ法を用いてＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−ＳｉＯ２層およびカーボン保護層を成膜した。Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−ＳｉＯ２層の組成はＣｏ−１０Ｃｒ−１６Ｐｔ−８ＳｉＯ２（原子％）と設定した。それぞれの層の膜厚はＣ保護層５ｎｍ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−ＳｉＯ２層１０ｎｍとした。Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−ＳｉＯ２層成膜時のＡｒガス圧は６Ｐａとし、基板加熱は行わなかった。またＣ保護層はプラズマＣＶＤ法を用いて成膜した。
このようにして作製した実施例と比較例とについてＷＡＴＥ評価を実施した。
【００２４】
評価方法は以下の通りである。
１）媒体表面±６μｍにわたって１５６ｋｆｃｉの基本パターンを記録する。
２）各トラックの平均出力を全トラックにわたって測定し、初期状態でのトラックプロファイルとする。
３）真ん中の１トラックを選び、９３７ｋｆｃｉの信号を１００００回繰り返し記録する。
４）もう一度トラックプロファイルを測定し、初期状態と比較する。
こうして得られたトラックプロファイルを図４、図５に示す。
【００２５】
図中、菱形のプロットは初期状態でのトラックプロファイルを示し、白抜きの矩形プロットは真ん中のトラックに１００００回の繰り返し記録を行った後で測定したトラックプロファイルを示している。なお、繰り返し記録後のプロファイルの方は横軸のトラック位置を若干右にずらして表示してある。
これをみてわかるように、裏打ち軟磁性膜を不連続トラック化した実施例ではプロファイルの形がほとんど変化せず、出力レベルの低下もみられない。一方、不連続トラック処理を行わず、単純に軟磁性膜に磁気記録層を積層した場合は±６ｍの範囲全域にわたって出力の低下が観測された。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の垂直磁気記録媒体の断面構造を示す図である。
【図２】本発明の垂直磁気記録媒体の製造工程を示す断面工程図である。
【図３】図２に続く断面工程図である。
【図４】実施例にかかわるトラックのプロファイルを示す図で、（Ａ）は初期状態を示し、（Ｂ）は記録後の状態を示す。
【図５】比較例にかかわるトラックのプロファイルを示す図で、（Ａ）は初期状態を示し、（Ｂ）は記録後の状態を示す。
【符号の説明】
【００２７】
１・・・・・直磁気記録媒体、２・・・・・基板、３・・・・・裏打ち軟磁性層、４・・・・・直磁気記録層、５・・・・・保護層、６・・・・・レジスト、７・・・・・埋め込み膜、８・・・・・スタンパー
【図１】
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【図２】
2006079807.tif 000004
【図３】
2006079807.tif 000005
【図４】
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【図５】
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