(57)【要約】【課題】バックライトユニットから反射領域に出射された光をバックライトユニットに戻すことができて、従来に比べて光の利用効率がより一層向上する液晶表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】液晶パネル２００は、ＴＦＴ基板２１０と対向基板１３０と、それらの間に封入された液晶からなる液晶層１４０とにより構成されている。この液晶パネル２００の前面側（観察者側）にはλ／４板２４１ｂ及び偏光板２４２ｂが配置され、裏面側（バックライトユニット側）にはλ／４板２４１ａ及び偏光板２４２ａが配置される。裏面側のλ／４板２４１ａ及び偏光板２４２ａのうちの少なくとも一方には、ＴＦＴ基板２１０のゲートバスライン２１２、データバスライン及び反射電極２２０に整合する位置に開口部２５０が設けられている。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、前記第１の基板に対向して配置された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入された液晶からなる液晶層とにより構成され、複数の画素が配列して設けられた液晶パネルと、
前記第１の基板の前記液晶層側の面と反対の面側に配置された第１のλ／４板及び第１の偏光板と、
前記第２の基板の前記液晶層側の面と反対の面側に配置された第２のλ／４板及び第２の偏光板とを有し、
前記第１の基板の前記液晶層側の面上には、走査信号が供給される複数のゲートバスラインと、表示信号が供給される複数のデータバスラインと、画素毎に設けられて前記走査信号により駆動されるスイッチング素子と、画素毎に設けられて前記スイッチング素子を介して前記表示信号が供給される画素電極とが形成され、
前記第１のλ／４板及び前記第１の偏光板のうちの少なくとも一方には、前記ゲートバスライン及び前記データバスラインのうちの少なくとも一方に整合する位置に開口部が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記画素電極が、光を透過する透過電極と、光を反射する反射電極とに分割されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１のλ／４板及び前記第１の偏光板のうちの少なくとも一方には、前記反射電極に整合する位置に開口部が設けられていることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
第１の基板と、前記第１の基板に対向して配置される第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入された液晶からなる液晶層とにより構成され、複数の画素が配列して設けられた液晶パネルと、
前記第１の基板側に配置された第１のλ／４板及び第１の偏光板と、
前記第２の基板側に配置された第２のλ／４板及び第２の偏光板とを有し、
前記第１の基板の前記液晶層側の面上には、走査信号が供給される複数のゲートバスラインと、表示信号が供給される複数のデータバスラインと、画素毎に設けられて前記走査信号により駆動されるスイッチング素子と、画素毎に設けられて前記スイッチング素子を介して前記表示信号が供給される反射電極とが形成され、
前記第１のλ／４板は前記第１の基板の前記液晶層側の面上に配置され、前記反射電極に整合する位置に開口部が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
第１の基板と、前記第１の基板に対向して配置される第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入された液晶からなる液晶層とにより構成され、複数の画素が配列して設けられた液晶パネルを有する液晶表示装置において、
前記第１の基板には、走査信号が供給される複数のゲートバスラインと、表示信号が供給される複数のデータバスラインと、画素毎に設けられて前記走査信号により駆動されるスイッチング素子と、画素毎に設けられて前記スイッチング素子を介して前記表示信号が供給される透明電極とが設けられ、
前記第２の基板の前記液晶層側の面上には、前記透明電極の少なくとも一部に対向して形成された反射膜と、前記反射膜に整合する位置に開口部を有するλ／４板とが設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
第１の基板の第１の面上に、走査信号が供給される複数のゲートバスラインと、表示信号が供給される複数のデータバスラインとを形成する工程と、
前記第１の基板の第２の面上にλ／４板を接合する工程と、
前記λ／４板の上にフォトレジスト膜を形成する工程と、
前記フォトレジスト膜を露光した後、現像処理して前記ゲートバスライン及び前記データバスラインに整合する位置の前記λ／４板を露出させる工程と、
前記フォトレジスト膜をマスクとして前記λ／４板をエッチングする工程と、
前記フォトレジスト膜を除去する工程と、
前記第１の基板に対向させて第２の基板を配置し、それらの間に液晶を封入する工程と
を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
第１の基板の第１の面上に、走査信号が供給される複数のゲートバスラインと、表示信号が供給される複数のデータバスラインとを形成する工程と、
前記第１の基板の前記第１の面上にλ／４板を接合する工程と、
前記λ／４板の上にフォトレジスト膜を形成する工程と、
前記フォトレジスト膜を露光した後、現像処理して前記ゲートバスライン及び前記データバスラインに整合する位置の前記λ／４板を露出させる工程と、
前記フォトレジスト膜をマスクとして前記λ／４板をエッチングする工程と、
前記フォトレジスト膜を除去する工程と、
前記第１の基板に対向させて第２の基板を配置し、それらの間に液晶を封入する工程と
を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、偏光板及びλ／４板（位相差板）が設けられた液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、薄くて軽量であるとともに低電圧で駆動できて消費電力が少ないという長所があり、各種電子機器に広く利用されている。特に、画素毎にスイッチング素子としてＴＦＴ(Thin Film Transistor ：薄膜トランジスタ）が設けられたアクティブマトリクス方式の液晶表示装置は、表示品質の点でもＣＲＴ(Cathode-Ray Tube)に匹敵するほど優れているため、テレビやパーソナルコンピュ−タ等のディスプレイに広く使用されている。
【０００３】
一般的な液晶表示装置は、相互に対向して配置された２枚の基板の間に液晶を封入した構造を有している。一方の基板にはＴＦＴ及び画素電極等が形成され、他方の基板にはカラーフィルタ及びコモン（共通）電極等が形成されている。以下、ＴＦＴ及び画素電極等が形成された基板をＴＦＴ基板と呼び、ＴＦＴ基板に対向して配置される基板を対向基板と呼ぶ。また、ＴＦＴ基板と対向基板との間に液晶を封入してなる構造物を液晶パネルと呼ぶ。
【０００４】
液晶表示装置には、バックライトを光源とし液晶パネルを透過する光により画像を表示する透過型液晶表示装置と、外光（自然光又は電灯光）の反射を利用して画像を表示する反射型液晶表示装置と、暗いところではバックライトを使用し、明るいところでは外光の反射を利用して画像を表示する半透過型液晶表示装置とがある。
【０００５】
反射型液晶表示装置は、バックライトが不要なため、透過型液晶表示装置よりも消費電力が小さいという利点がある。また、周囲が明るい場所では、バックライトを利用する透過型液晶表示装置よりも、外光を利用する反射型液晶表示装置又は半透過型液晶表示装置のほうが画像が綺麗に見えることが多い。
【０００６】
特許第３４２０６６３号公報には、１画素内に反射電極と透明電極とが設けられた半透過型液晶表示装置が記載されている。この特許公報に記載されているように、一般的な半透過型液晶表示装置では、液晶パネルの両側にそれぞれ偏光板及びλ／４板（位相差板）が配置されている。偏光板はその吸収軸を相互に直交させて配置され、λ／４板はその遅相軸を相互に直交させて配置される。また、特許第３０３１２２９号公報にも、液晶パネルの両側にそれぞれ偏光板及びλ／４板を配置した液晶表示装置が記載されている。
【０００７】
図１は、従来の半透過型液晶表示装置の構造を示す模式図である。この図１に示すように、半透過型液晶表示装置は、液晶パネル１０と、液晶パネル１０の裏面側（図１では下側）に配置されたバックライトユニット２０と、液晶パネル１０を挟んで配置された２枚の偏光板１４ａ，１４ｂと、液晶パネル１０と裏面側の偏光板１４ａとの間に配置されたλ／４板１５ａと、液晶パネル１０と前面側（観察者側：図１では上側））の偏光板１４ｂとの間に配置されたλ／４板１５ｂとにより構成されている。偏光板１４ａ，１４ｂは、前述したように、その吸収軸を相互に直交させて配置されている。また、λ／４板１５ａ，１５ｂは、その遅相軸を相互に直交させて配置されている。
【０００８】
液晶パネル１０は、２枚の基板１１，１２と、それらの間に封入された誘電率異方性が負の液晶（垂直配向型液晶）からなる液晶層１３とにより構成されている。また、液晶パネル１０には多数の画素がマトリクス状に配列されており、各画素にはＡｌ（アルミニウム）等の反射率が高い金属からなる反射電極１７ａが配置された反射領域とＩＴＯ（Indium-Tin Oxide）等の透明導電体からなる透明電極１７ｂが配置された透過領域とが設けられている。この図１に示す例では、裏面側の基板（ＴＦＴ基板）１１に反射電極１７ａ及び透明電極１７ｂが設けられている。また、前面側の基板（対向基板）１２には、各画素共通のコモン電極１８が形成されている。
【０００９】
バックライトユニット２０は、光源２１と、反射板２２と、導光板２３とにより構成されている。光源２１は導光板２３の端面近傍に配置されており、この光源２１から出射された光は直接又は反射板２２で反射されて導光板２３の端面から導光板２３内に進入する。導光板２３の裏面側には例えば反射層が設けられており、前面側には例えば散乱層が設けられている。そして、この導光板２３は、端面から入力された光を液晶パネル１０に向けて均一に出力する。
【００１０】
このように構成された半透過型液晶表示装置において、画素電極（反射電極１７ａ及び透明電極１７ｂ）とコモン電極１８との間に電圧を印加していないときには黒表示（暗表示）となり、画素電極とコモン電極１８との間に所定の電圧を印加すると白表示（明表示）となる。画素電極とコモン電極１８との間に印加する電圧を制御することにより、パネル前面側に出射される光の量を調整することができる。そして、１画素毎に画素電極とコモン電極１８との間に印加する電圧を制御することにより、液晶表示装置に所望の画像を表示することができる。
【特許文献１】特許第３４１０６６３号公報
【特許文献２】特許第３０３１２２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、本願発明者等は、上述した従来の半透過型液晶表示装置には以下に示す問題点があると考える。
【００１２】
図２は従来の半透過型液晶表示装置の黒表示時における光の状態を示す模式図、図３は同じくその白表示時における光の状態を示す模式図である。なお、図２，図３において、図１と同一物には同一符号を付している。また、図２，図３において、３０は液晶層中の液晶分子を示している。
【００１３】
パネル前面側（図２，図３では上側）からの光は、偏光板１４ｂを通るときに直線偏光光となり、λ／４板１５ｂにより一定の方向に回転（図２，図３では左回転）する円偏光光に変換される。この光は、反射電極１７ａで反射されて逆回転（図２，図３では右回転）の円偏光光となり、λ／４板１５ｂにより直線偏光光に変換される。
【００１４】
このとき、図２に示すように、黒表示時には液晶分子３０が基板面に対し垂直に配向しており、直線偏光光の偏光方向が偏光板１４ｂの透過軸の方向に対して垂直となるため、光が偏光板１４ｂで遮断される。また、図３に示すように、白表示時には液晶分子３０が基板面に平行に配向し、その液晶分子３０の屈折率異方性の影響により直線偏光光の偏光方向が偏光板１４ｂの透過軸の方向に平行となるため、光が偏光板１４ｂを透過してパネル前面側に出力される。
【００１５】
一方、バックライトユニット２０から出力された光は、パネル裏面側の偏光板１４ａを通るときに直線偏光光となり、λ／４板１５ａにより一定の方向に回転（図２，図３では右回転）する円偏光光に変換され、透明電極１７ｂを透過する。この光は、前面側のλ／４板１５ｂにより直線偏光光に変換される。このとき、図２に示すように、黒表示時には直線偏光光の偏光方向が偏光板１４ｂの透過軸の方向に対して垂直となるため、光が偏光板１４ｂで遮断される。また、図３に示すように、白表示時には液晶分子３０の屈折率異方性の影響により直線偏光光の偏光方向が偏光板１４ｂの透過軸の方向に平行となるため、光が偏光板１４ｂを透過してパネル前面側に出力される。
【００１６】
従来の半透過型液晶表示装置では、上述したように、透過領域ではバックライトユニット２０から出射された光が透明電極１７ｂを透過して液晶パネル１０の前面側に出力される。しかし、反射領域では、バックライトユニット２０から出射された光が偏光板１４ａに吸収されて無駄になる。すなわち、バックライトユニット２０から出力された光は、偏光板１４ａを通るときに直線偏光光となり、λ／４板１５ａにより一定の方向に回転（図２，図３では右回転）する円偏光光に変換される。この光は、反射電極１７ａで反射されて逆回転（図２，図３では左回転）の円偏光光となり、λ／４板１５ａにより直線偏光光に変換される。この直線偏光光は、偏光方向が偏光板１４ａの透過軸に対して直交する方向になるので、偏光板１４ａを通過することができない。
【００１７】
液晶表示装置では、より一層の省電力化が要望されている。しかしながら、上述したように、バックライトユニット２０から出力されて反射電極１７ａで反射された光は、最終的に偏光板１４ａに吸収されてしまうので無駄となっている。仮に、反射電極１７ａで反射された光をバックライトユニット２０に戻すことができれば、その光を再度透過領域に出射させることが可能になり、光の利用効率が向上して従来に比べてより一層の省電力化が可能になる。
【００１８】
また、従来の液晶表示装置では、以下に示す問題点もある。すなわち、ＴＦＴ基板の製造の過程で、配線（ゲートバスライン及びデータバスライン等）の断線や短絡等の欠陥が発生することがある。これらの欠陥は実際に液晶パネルを形成し、偏光板を貼合わせた後に判明することが殆どである。λ／４板がない場合は偏光板を介して配線等を観察することができるので、ＴＦＴ基板の欠陥箇所を目視で検出することができる。しかし、液晶パネルと偏光板との間にλ／４板を配置した液晶表示装置の場合は、配線等で反射された光が偏光板を透過することができないため、欠陥の検査を目視で行うことができない。
【００１９】
以上から、本発明の目的は、バックライトユニットから反射領域に出射された光をバックライトユニットに戻すことができて、従来に比べて光の利用効率がより一層向上する液晶表示装置及びその製造方法を提供することである。
【００２０】
また、本発明の他の目的は、液晶パネルの両側にそれぞれ位相差板及び偏光板が配置された液晶表示装置において、バスライン等の欠陥の検査を目視で行うことができる液晶表示装置及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
上記した課題は、第１の基板と、前記第１の基板に対向して配置された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入された液晶からなる液晶層とにより構成され、複数の画素が配列して設けられた液晶パネルと、前記第１の基板の前記液晶層側の面と反対の面側に配置された第１のλ／４板及び第１の偏光板と、前記第２の基板の前記液晶層側の面と反対の面側に配置された第２のλ／４板及び第２の偏光板とを有し、前記第１の基板の前記液晶層側の面上には、走査信号が供給される複数のゲートバスラインと、表示信号が供給される複数のデータバスラインと、画素毎に設けられて前記走査信号により駆動されるスイッチング素子と、画素毎に設けられて前記スイッチング素子を介して前記表示信号が供給される画素電極とが形成され、前記第１のλ／４板及び前記第１の偏光板のうちの少なくとも一方には、前記ゲートバスライン及び前記データバスラインのうちの少なくとも一方に整合する位置に開口部が設けられていることを特徴とする液晶表示装置により解決する。
【００２２】
本発明においては、第１の基板の液晶層側の面と反対の面側に第１のλ／４板及び第１の偏光板が配置されており、これらの第１のλ／４板及び第１の偏光板のうちの少なくとも一方には、ゲートバスライン及びデータバスラインのうちの少なくとも一方に整合する位置に開口部が設けられている。これにより、液晶パネルにλ／４板及び偏光板を接合した後であっても、ゲートバスライン又はデータバスラインを目視することができて、欠陥箇所を容易に特定することができる。
【００２３】
また、反射電極を有する液晶表示装置の場合、第１のλ／４板及び第１の偏光板のいずれか一方の反射電極に整合する位置に開口部を設けることにより、バックライトユニットから出力されて反射電極で反射された光をバックライトユニットに戻すことができる。これにより、光の利用効率を向上させることができて、従来に比べてより一層の省電力化が可能になる。
【００２４】
上記した課題は、第１の基板と、前記第１の基板に対向して配置される第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入された液晶からなる液晶層とにより構成され、複数の画素が配列して設けられた液晶パネルと、前記第１の基板側に配置された第１のλ／４板及び第１の偏光板と、前記第２の基板側に配置された第２のλ／４板及び第２の偏光板とを有し、前記第１の基板の前記液晶層側の面上には、走査信号が供給される複数のゲートバスラインと、表示信号が供給される複数のデータバスラインと、画素毎に設けられて前記走査信号により駆動されるスイッチング素子と、画素毎に設けられて前記スイッチング素子を介して前記表示信号が供給される反射電極とが形成され、前記第１のλ／４板は前記第１の基板の前記液晶層側の面上に配置され、前記反射電極に整合する位置に開口部が設けられていることを特徴とする液晶表示装置により解決する。
【００２５】
本発明においては、反射電極が形成された第１の基板の液晶層側の面上に、反射電極に整合する位置に開口部が設けられたλ／４板（第１のλ／４板）が配置されている。つまり、本発明の液晶表示装置では、偏光板と、反射電極、ゲートバスライン及びデータバスラインとの間にλ／４板がないので、偏光板を接合した後でも、ゲートバスライン及びデータバスラインの検査を目視で行うことができて、欠陥箇所を容易に特定することができる。また、バックライトユニットから出力されて反射電極で反射された光をバックライトユニットに戻すことができるので、光の利用効率を向上させることができる。
【００２６】
上記した課題は、第１の基板と、前記第１の基板に対向して配置される第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入された液晶からなる液晶層とにより構成され、複数の画素が配列して設けられた液晶パネルを有する液晶表示装置において、前記第１の基板には、走査信号が供給される複数のゲートバスラインと、表示信号が供給される複数のデータバスラインと、画素毎に設けられて前記走査信号により駆動されるスイッチング素子と、画素毎に設けられて前記スイッチング素子を介して前記表示信号が供給される透明電極とが設けられ、前記第２の基板の前記液晶層側の面上には、前記透明電極の少なくとも一部に対向して形成された反射膜と、前記反射膜に整合する位置に開口部を有するλ／４板とが設けられていることを特徴とする液晶表示装置により解決する。
【００２７】
本発明においては、反射膜が、スイッチング素子、ゲートバスライン及びデータバスライン等が設けられた第１の基板に対向して配置される第２の基板の側に設けられている。また、第２の基板の液晶層側の面上には、反射膜に整合する位置に開口部を有するλ／４板が設けられている。つまり、本発明の液晶表示装置では、バックライトユニットと反射膜との間にλ／４板がないので、バックライトユニットから出力されて反射電極で反射された光をバックライトユニットに戻すことができる。これにより、光の利用効率を向上させることができて、従来に比べてより一層の省電力化が可能になる。
【００２８】
上記した課題は、第１の基板の第１の面上に、走査信号が供給される複数のゲートバスラインと、表示信号が供給される複数のデータバスラインとを形成する工程と、前記第１の基板の第２の面上にλ／４板を接合する工程と、前記λ／４板の上にフォトレジスト膜を形成する工程と、前記フォトレジスト膜を露光した後、現像処理して前記ゲートバスライン及び前記データバスラインに整合する位置の前記λ／４板を露出させる工程と、前記フォトレジスト膜をマスクとして前記λ／４板をエッチングする工程と、前記フォトレジスト膜を除去する工程と、前記第１の基板に対向させて第２の基板を配置し、それらの間に液晶を封入する工程とを有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法により解決する。
【００２９】
本発明においては、第１の基板の一方の面（第１の面）上にゲートバスライン及びデータバスラインを形成した後、第１の基板の他方の面（第２の面）上にλ／４板を接合し、このλ／４板のゲートバスライン及びデータバスラインに整合する位置に開口部を形成する。このようにして製造された液晶表示装置では、液晶パネルに偏光板を接合した後であっても、ゲートバスライン及びデータバスラインで反射された光を目視することができる。これにより、ゲートバスライン及びデータバスラインの欠陥箇所を容易に特定することができる。
【００３０】
上記した課題は、第１の基板の第１の面上に、走査信号が供給される複数のゲートバスラインと、表示信号が供給される複数のデータバスラインとを形成する工程と、前記第１の基板の前記第１の面上にλ／４板を接合する工程と、前記λ／４板の上にフォトレジスト膜を形成する工程と、前記フォトレジスト膜を露光した後、現像処理して前記ゲートバスライン及び前記データバスラインに整合する位置の前記λ／４板を露出させる工程と、前記フォトレジスト膜をマスクとして前記λ／４板をエッチングする工程と、前記フォトレジスト膜を除去する工程と、前記第１の基板に対向させて第２の基板を配置し、それらの間に液晶を封入する工程とを有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法により解決する。
【００３１】
本発明においては、第１の基板の一方の面（第１の面）上にゲートバスライン及びデータバスラインを形成した後、第１の基板の第１の面上にλ／４板を接合し、このλ／４板のゲートバスライン及びデータバスラインに整合する位置に開口部を形成する。このようにして製造された液晶表示装置では、液晶パネルに偏光板を接合した後であっても、ゲートバスライン及びデータバスラインで反射された光を目視することができる。これにより、ゲートバスライン及びデータバスラインの欠陥箇所を容易に特定することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、本発明について、添付の図面を参照して説明する。
【００３３】
（第１の実施形態）
図４は本発明の第１の実施形態の液晶表示装置を示す平面図、図５は図４のＩ−Ｉ線による断面図、図６は図４のII−II線による断面図である。
【００３４】
本実施形態の液晶表示装置は、図５，図６に示すように、液晶パネル１００と、液晶パネル１００に接合されたλ／４板１４１ａ，１４１ｂ及び偏光板（直線偏光板）１４２ａ，１４２ｂと、バックライトユニット（図示せず）とにより構成されている。なお、バックライトユニットの構造は基本的に従来と同様である（図１参照）。
【００３５】
液晶パネル１００は、相互に対向して配置されたＴＦＴ基板１１０及び対向基板１３０と、それらの間に封入された誘電率異方性が負の液晶からなる液晶層１４０とにより構成されている。
【００３６】
λ／４板１４１ａは液晶パネル１００の裏面側（図５，図６では下側）に接合されており、このλ／４板１４１ａの上（図５，図６では下側）には偏光板１４２ａが接合されている。また、λ／４板１４１ｂは液晶パネル１００の前面側（図５，図６では上側）に接合されており、このλ／４板１４１ｂの上には偏光板１４２ｂが接合されている。偏光板１４２ａ，１４２ｂは吸収軸が相互に直交するように配置されている。また、λ／４板１４１ａ，１４１ｂは、その遅相軸を相互に直交させ、且つ遅相軸と隣接する偏光板の吸収軸とのなす角度が４５°となるように配置されている。本実施形態においては、図５，図６に示すように、裏面側のλ／４板１４１ａには、ゲートバスライン１１２及びデータバスライン１１５に整合する位置に、開口部１５０が設けられている。
【００３７】
ＴＦＴ基板１１０には、図４に示すように、水平方向（Ｘ軸方向）に伸びる複数のゲートバスライン１１２と、垂直方向（Ｙ軸方向）に伸びる複数のデータバスライン１１５とが形成されている。ゲートバスライン１１２は垂直方向に一定の間隔（例えば約３００μｍ）で配置されており、データバスライン１１５は水平方向に一定の間隔（例えば約１００μｍ）で配置されている。ゲートバスライン１１２の幅は例えば１０μｍであり、データバスライン１１５の幅は例えば７μｍである。これらのゲートバスライン１１２及びデータバスライン１１５により区画される矩形の領域がそれぞれ画素領域である。また、ＴＦＴ基板１１０には、補助容量バスライン１１３が、ゲートバスライン１１２と平行に且つ各画素領域の中央部を横断するように形成されている。
【００３８】
ＴＦＴ基板１１０には、各画素毎に、ＴＦＴ１１６、透明電極１２０ａ．１２０ｂ，１２０ｃ及び補助容量電極１１８が形成されている。透明電極１２０ａ．１２０ｂ，１２０ｃはＩＴＯ（Indium-Tin Oxide）等の透明導電体からなる。これらの透明電極１２０ａ，１２０ｂ，１２０ｃは、例えば一辺が約８０μｍのほぼ正方形の形状に形成されている。また、各透明電極１２０ａ．１２０ｂ，１２０ｃは、ＩＴＯからなる接続配線１２０ｄにより相互に電気的に接続されている。
【００３９】
透明電極１２０ａは、コンタクトホール１１９ａを介してＴＦＴ１１６のソース電極１１６ｂから伸び出した配線１１８ａに電気的に接続されている。また、透明電極１２０ｂは、コンタクトホール１１９ｂを介して補助容量電極１１８に電気的に接続されている。
【００４０】
ゲートバスライン１１２には駆動回路（図示せず）から走査信号が供給され、データバスライン１１５には駆動回路から表示信号が供給される。ＴＦＴ１１６は走査信号により駆動されてオン状態又はオフ状態になり、オン状態のときにはデータバスライン１１５に供給された表示信号を画素電極（透明電極１２０ａ，１２０ｂ，１２０ｃ）に伝達する。
【００４１】
以下、図５及び図６を参照して、本実施形態の液晶表示装置の製造方法について説明する。最初に、ＴＦＴ基板１１０の製造方法について説明する。
【００４２】
まず、スパッタ法により、ＴＦＴ基板１１０のベースとなるガラス基板１１０ａの上に、例えばＡｌ（アルミニウム）−Ｔｉ（チタン）の積層構造を有する金属膜を形成する。そして、この金属膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングして、ゲートバスライン１１２及び補助容量バスライン１１３を形成する。
【００４３】
次に、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ）法により、ガラス基板１１０ａの上側全面にＳｉＯ2 を０．３μｍの厚さに堆積させて第１の絶縁膜（ゲート絶縁膜）１１４を形成する。そして、この第１の絶縁膜１１４の所定の領域上に、ＴＦＴ１１６の活性層となる半導体膜（アモルファスシリコン又はポリシリコン膜）１１６ａを形成する。その後、ガラス基板１１０ａの上側全面に例えばＳｉＮ膜を形成し、このＳｉＮ膜をパターニングして、半導体膜１１６ａのチャネルとなる領域の上にチャネル保護膜１１７を形成する。
【００４４】
次に、ガラス基板１１０ａの上側全面にＴｉ−Ａｌ−Ｔｉの積層構造を有する金属膜を形成し、この金属膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングして、データバスライン１１５と、ソース電極１１６ｂと、ソース電極１１６ｂに接続した配線１１８ａと、ドレイン電極１１６ｃと、補助容量電極１１８とを形成する。データバスライン１１５は、前述したようにドレイン電極１１６ｃと接続して形成する。また、ソース電極１１６ｂはチャネル保護膜１１７を挟んでドレイン電極１１６ｃと対向する位置に形成する。更に、補助容量電極１１８は、第１の絶縁膜１１４を挟んで補助容量バスライン１１３に対向する位置に形成する。これらの補助容量電極１１８、第１の絶縁膜１１４及び補助容量バスライン１１３により、補助容量が構成される。
【００４５】
次に、ガラス基板１１０ａの裏面側にλ／４板１４１ａを接合し、このλ／４板１４１ａのゲートバスライン１１２及びデータバスライン１１５に整合する位置に開口部１５０を形成する。λ／４板１４１ａの開口部の形成方法について、図７（ａ）〜（ｄ）を参照して説明する。
【００４６】
まず、図７（ａ）に示すように、ガラス基板１１０ａの裏面側にλ／４板１４１ａを貼り付ける。λ／４板１４１ａとしては、例えば住友化学工業社製ＳＥＨ−４６０１３５１を使用することができる。
【００４７】
次に、図７（ｂ）に示すように、λ／４板１４１ａの上（図７（ｂ）では下側）にネガ型フォトレジストを塗布してフォトレジスト膜１５１を形成する。その後、このフォトレジスト膜１５１を、ゲートバスライン１１２及びデータバスライン１１５が形成された面側（図７（ｂ）では上側）から露光した後、現像処理を施す。
【００４８】
これにより、図７（ｃ）に示すように、フォトレジスト膜１５１のうち露光された部分が残り、ゲートバスライン１１２及びデータバスライン１１５に整合する部分が除去される。その後、ウェットエッチング法により、λ／４板１４１ａのうちフォトレジスト膜１５１に覆われていない部分を除去して、図７（ｄ）に示すように開口部１５０を形成する。その後、フォトレジスト膜１５１を除去する。
【００４９】
このようにしてガラス基板１１０ａの裏面側にλ／４板１４１ａを接合し、開口部１５０を形成した後、ガラス基板１１０ａの上側全面に例えばＳｉＯ2 からなる厚さが０．３μｍの第２の絶縁膜（最終保護膜）１１９を形成する。そして、フォトリソグラフィ法により第２の絶縁膜１１９に、配線１１８ａに通じるコンタクトホール１１９ａと、補助容量電極１１８に通じるコンタクトホール１１９ｂとを形成する。これらのコンタクトホール１１９ａ，１１９ｂの大きさは、例えば５×５μｍとする。
【００５０】
次に、スパッタ法により、ガラス基板１１０ａの上側全面にＩＴＯ膜を形成する。そして、このＩＴＯ膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングして、透明電極１２０ａ，１２０ｂ，１２０ｃ及びそれらの間を接続する接続配線１２０ｄを形成する。前述したように、これらの透明電極１２０ａ，１２０ｂ，１２０ｃは例えば一辺が約８０μｍのほぼ正方形の形状とする。また、各透明電極１２０ａ，１２０ｂ，１２０ｃ間の間隔は、例えば８μｍとし、接続配線１２０の幅は例えば５μｍとする。透明電極１２０ａはコンタクトホール１１９ａを介して配線１１８ａに電気的に接続され、透明電極１２０ｂはコンタクトホール１１９ｂを介して補助容量電極１１８に電気的に接続される。
【００５１】
次いで、ガラス基板１１０ａの上側全面に例えばポリイミドを塗布して、透明電極１２０ａ，１２０ｂ，１２０ｃの表面を覆う垂直配向膜（図示せず）を形成する。これにより、ＴＦＴ基板１１０が完成する。
【００５２】
なお、本実施形態ではゲートバスライン１１２及びデータバスライン１１５を形成した後にガラス基板１１０ａの裏面側にλ／４板１４１ａを接合して開口部１５０を形成する場合について説明したが、λ／４板１４１ａの接合及び開口部１５０の形成は、例えばガラス基板１１０上に第２の絶縁膜１１９又は透明電極１２０ａ，１２０ｂ，１２０ｃを形成した後に実施してもよい。
【００５３】
次に、対向基板１３０の製造方法について説明する。まず、対向基板１３０のベースとなるガラス基板１３０ａの上（図５，図６では下側）に、Ｃｒ（クロム）等の金属又は黒色樹脂によりブラックマトリクス１３２を形成する。このブラックマトリクス１３２は、ＴＦＴ基板１１０側のゲートバスライン１１２、データバスライン１１５及びＴＦＴ１１６に対向する位置に、ゲートバスライン１１２及びデータバスライン１１５の幅よりも若干広く形成する。本実施形態では、ブラックマトリクス１３２の幅を、ゲートバスライン１１２及びデータバスライン１１５よりも両側にそれぞれ８μｍづつ広く形成する。前述したようにゲートバスライン１１２の幅が１０μｍ、データバスライン１１５の幅が７μｍであるとすると、ブラックマトリクス１３２のうちゲートバスライン１１２に対向する部分の幅は２６μｍ、データバスライン１１５に対向する部分の幅は２３μｍとする。
【００５４】
次に、赤色感光性樹脂、緑色感光性樹脂及び青色感光性樹脂を使用して、ガラス基板１３０ａの上にカラーフィルタ１３３を形成する。各画素には、赤色、緑色及び青色のいずれか１色のカラーフィルタ１３３が配置される。本実施形態においては、水平方向に隣接する赤色画素、緑色画素及び青色画素の３つの画素により１つのピクセルが構成され、種々の色の表示を可能としている。
【００５５】
次に、スパッタ法により、カラーフィルタ１３３の上にＩＴＯからなるコモン電極１３４を形成する。その後、コモン電極１３４の上にフォトレジストを塗布してフォトレジスト膜を形成し、このフォトレジスト膜を所定の露光マスクを介して露光し、その後現像処理を施して、ほぼ円錐状の突起物（配向制御用構造物）１３５を形成する。これらの突起物１３５は、それぞれ透明電極１２０ａ，１２０ｂ，１２０ｃの中心部に対向する位置に形成する。これらの突起物１３５の底面の直径は例えば約１０μｍとし、高さは例えば２．５μｍとする。なお、配向制御用構造物としては、上述した突起物の他にも、電極に設けたスリットや窪みを使用することができる。
【００５６】
次いで、ガラス基板１３０ａの上側全面に例えばポリイミドを塗布して、コモン電極１３４及び突起物１３５の表面を覆う垂直配向膜（図示せず）を形成する。これにより、対向基板１３０が完成する。
【００５７】
このようにして製造されたＴＦＴ基板１１０と対向基板１３０とをスペーサ（図示せず）を挟んで相互に対向させて配置し、両者の間に誘電率異方性が負の液晶を封入して液晶パネル１００とする。そして、液晶パネル１００の裏面側のλ／４板１４１ａの上（図５，図６では下側）に偏光板１４２ａを接合し、前面側（図５，図６では上側）にλ／４板１４１ｂ及び偏光板１４２ｂを接合する。また、液晶パネル１００の裏面側にバックライトユニットを取り付ける。
【００５８】
このように製造された本実施形態の液晶表示装置において、透明電極１２０ａ．１２０ｂ，１２０ｃとコモン電極１３４との間に電圧を印加すると、液晶層１４０中の液晶分子は印加電圧に応じた角度で傾斜する。本実施形態の液晶表示装置では、パネル前面側から見たときに、液晶分子が突起物１３５を中心として放射状に配向する。
【００５９】
バックライトユニットから出射された光は、裏面側の偏光板１４２ａを通るときに直線偏光光となり、λ／４板１４１ａにより円偏光光に変換される。この円偏光光は透明電極１２０ａ．１２０ｂ，１２０ｃを透過し、更に液晶層１４０を通って前面側のλ／４板１４１ｂに到達する。そして、このλ／４板１４１ｂにより直線偏光に変換され、液晶分子の傾斜角度に応じた量の光が偏光板１４２ｂを透過してパネル前面側に出力される。
【００６０】
本実施形態においては、裏面側のλ／４板１４１ａには、ゲートバスライン１１２及びデータバスライン１１５に対向する位置に、開口部１５０が設けられている。従って、裏面側から偏光板１４２ａを透過し、ゲートバスライン１１２及びデータバスライン１１５等で反射された光は、偏光板１４２ａを透過する。これにより、液晶パネル１００にλ／４板１４１ａ及び偏光板１４２ａを接合した後であっても、ゲートバスライン１１２及びデータバスライン１１５等の欠陥の検査を目視で行うことができ、欠陥箇所を容易に特定することができる。
【００６１】
なお、上述した実施形態では本発明を透過型液晶表示装置に適用した場合について説明しているが、本発明は半透過型液晶表示装置及び反射型液晶表示装置に適用することも可能である。
【００６２】
また、上述の実施形態では裏面側のλ／４板１４１ａに開口部１５０を形成しているが、裏面側の偏光板１４２ａのゲートバスライン１１２及びデータバスライン１１５に整合する位置に開口部を形成しても、同様の効果を得ることができる。
【００６３】
（第２の実施形態）
図８は本発明の第２の実施形態の液晶表示装置を示す平面図、図９は図８のIII −III 線による断面図である。本実施形態は、本発明を半透過型液晶表示装置に適用した例を示している。
【００６４】
本実施形態の液晶表示装置は、図９に示すように、液晶パネル２００と、液晶パネル２００に接合されたλ／４板２４１ａ，２４１ｂ及び偏光板（直線偏光板）２４２ａ，２４２ｂと、液晶パネル２００の裏面側（図９では下側）に配置されたバックライトユニット（図示せず）とにより構成されている。なお、バックライトユニットの構造は従来と基本的に同様である（図１参照）。
【００６５】
液晶パネル２００は、相互に対向して配置されたＴＦＴ基板２１０及び対向基板１３０と、それらの間に封入された誘電率異方性が負の液晶からなる液晶層１４０とにより構成されている。
【００６６】
ＴＦＴ基板２１０には、図８に示すように、水平方向（Ｘ軸方向）に伸びる複数のゲートバスライン２１２と、垂直方向（Ｙ軸方向）に伸びる複数のデータバスライン２１５とが形成されている。ゲートバスライン２１２は垂直方向に一定の間隔（例えば３００μｍ）で配置されており、データバスライン２１５は水平方向に一定の間隔（例えば１００μｍ）で配置されている。これらのゲートバスライン２１２及びデータバスライン２１５により区画される矩形の領域がそれぞれ画素領域である。また、ＴＦＴ基板２１０には、補助容量バスライン２１３が、ゲートバスライン２１２と平行に且つ各画素領域の中央部を横断するように形成されている。
【００６７】
また、ＴＦＴ基板２１０には、各画素毎に、ＴＦＴ２１６と、補助容量電極２１８と、反射電極２２０と、透明電極２２２ａ，２２２ｂ，２２２ｃとが形成されている。ＴＦＴ２１６はゲートバスライン２１２の一部をゲート電極としており、ゲート電極のＹ軸方向の両側にソース電極２１６ｂ及びドレイン電極２１６ｃが配置されている。
【００６８】
一つの画素領域は、データバスライン２１５に沿って並ぶ３つの領域に分割されている。以下、これらの３つの領域のうちの中央の領域を反射領域Ｂと呼び、反射領域Ｂを挟む２つの領域を第１の透過領域Ａ１及び第２の透過領域Ａ２と呼ぶ。
【００６９】
第１の透過領域Ａ１には透明電極２２２ａが配置され、反射領域Ｂには透明電極２２２ｂが配置され、第２の透明電極Ａ２には透明電極２２２ｃが配置されている。これらの透明電極２２２ａ，２２２ｂ，２２２ｃはいずれもＩＴＯ等の透明導電体により形成され、透明電極２２２ａ，２２２ｂ，２２２ｃと同時に形成された透明導電体からなる接続配線２２２ｄを介して相互に電気的に接続されている。透明電極２２２ａは、コンタクトホール２１９ａを介してソース電極２１６ｂから伸び出した配線２１８ａに電気的に接続されている。
【００７０】
また、反射領域Ｂの透明電極２２２ｂの下には、ほぼ矩形の反射電極２２０が形成されている。この反射電極２２０の表面は、例えばＡｌ等の反射率の高い金属により形成されている。更に、反射電極２２０の下方には補助容量電極２１８が形成されている。反射電極２２０は、コンタクトホール２１８ｂを介して補助容量電極２１８に電気的に接続されている。
【００７１】
対向基板１３０には、第１の実施形態と同様に、ブラックマトリクス１３２、カラーフィルタ１３３、コモン電極１３４及び配向制御用突起物１３５等が形成されている。
【００７２】
液晶パネル２００の裏面側（図９では下側）にはλ／４板２４１ａが接合されており、このλ／４板２４１ａの上（図９では下側）には偏光板２４２ａが接合されている。また、液晶パネル２００の前面側（図９では上側）にはλ／４板２４１ｂが接合されており、このλ／４板２４１ｂの上には偏光板２４２ｂが接合されている。偏光板２４２ａ，２４２ｂは、その吸収軸が相互に直交するように配置されている。また、λ／４板２４１ａ、２４１ｂは、その遅相軸を相互に直交させ、且つ遅相軸と隣接する偏光板の吸収軸とのなす角度が４５°となるように配置されている。
【００７３】
本実施形態においては、図９に示すように、裏面側のλ／４板２４１ａには、ゲートバスライン２１２、データバスライン２１５及び反射電極２２０に対向する位置に、開口部２５０が設けられている。
【００７４】
本実施形態においても、ゲートバスライン２１２には駆動回路（図示せず）から走査信号が供給され、データバスライン２１５には駆動回路から表示信号が供給される。また、ＴＦＴ２１６は走査信号により駆動され、オン状態のときには表示信号を画素電極（透明電極２２２ａ，２２２ｂ，２２２ｃ及び反射電極２２０）に伝達する。
【００７５】
以下、図９及び図１０，図１１を参照して、本実施形態の液晶表示装置の製造方法について説明する。なお、対向基板１３０の製造方法は基本的に第１の実施形態と同様であるので、ここではその説明を省略する。
【００７６】
まず、ＴＦＴ基板２１０のベースとなるガラス基板２１０ａの上に、例えばスパッタ法によりＡｌ−Ｔｉの積層構造を有する金属膜を形成する。そして、この金属膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングして、ゲートバスライン２１２及び補助容量バスライン２１３を形成する。
【００７７】
次に、例えばＣＶＤ法により、ガラス基板２１０ａの上側全面にＳｉＯ2 を０．３μｍの厚さに堆積させて第１の絶縁膜（ゲート絶縁膜）２１４を形成する。そして、この第１の絶縁膜２１４の所定の領域上に、ＴＦＴ２１６の活性層となる半導体膜（アモルファスシリコン又はポリシリコン膜）を形成する。その後、ガラス基板２１０ａの上側全面に例えばＳｉＮ膜を形成し、このＳｉＮ膜をパターニングして、半導体膜のチャネルとなる領域の上にチャネル保護膜を形成する。
【００７８】
次に、ガラス基板２１０ａの上側全面にＴｉ−Ａｌ−Ｔｉの積層構造を有する金属膜を形成し、この金属膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングして、データバスライン２１５と、ソース電極２１６ｂと、ソース電極２１６ｂに接続した配線２１８ａと、ドレイン電極２１６ｃと、補助容量電極２１８とを形成する。補助容量電極２１８は、第１の絶縁膜２１４を挟んで補助容量バスライン２１３に対向する位置に形成する。これらの補助容量電極２１８、第１の絶縁膜２１４及び補助容量バスライン２１３により、補助容量が構成される。
【００７９】
次に、ガラス基板２１０ａの上側全面に例えばＳｉＯ2 からなる厚さが０．３μｍの第２の絶縁膜２１９を形成する。そして、フォトリソグラフィ法により、第２の絶縁膜２１９に補助容量電極２１８に通じるコンタクトホール２１９ｂを形成する。
【００８０】
次に、ガラス基板２１０ａの上側全面に、例えばＴｉ−Ａｌ−Ｔｉの積層構造を有する金属膜を形成し、この金属膜をパターニングして反射電極２２０を形成する。反射電極２２０は、例えば一辺が約８０μｍのほぼ正方形の形状とする。この反射電極２２０は、コンタクトホール２１９ｂを介して補助容量電極２１８に電気的に接続される。
【００８１】
次に、ガラス基板２１０ａの裏面側にλ／４板２４１ａを接合し、そのλ／４板２４１ａのゲートバスライン２１２、データバスライン２１５及び反射電極２２０に整合する位置に開口部２５０を形成する。λ／４板２１４ａの開口部２５０の形成方法について、図１０（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。
【００８２】
まず、図１０（ａ）に示すように、ガラス基板２１０ａの裏面側にλ／４板２４１ａを接合する。λ／４板２４１ａとしては、例えば住友化学工業社製ＳＥＨ−４６０１３５１を使用することができる。
【００８３】
次に、図１０（ｂ）に示すように、λ／４板２４１ａの上（図１１（ｂ）では下側）にネガ型フォトレジストを塗布してフォトレジスト膜２５１を形成する。その後、このフォトレジスト膜２５１を、ゲートバスライン２１２及びデータバスライン２１５が形成された面側（図１０（ｂ）では上側）から露光した後、現像処理を施す。
【００８４】
これにより、図１０（ｃ）に示すように、フォトレジスト膜２５１のうち露光された部分が残り、ゲートバスライン２１２、データバスライン２１５及び反射電極２２０に整合する部分が除去され、フォトレジスト膜２５１の開口部２５１ａが形成される。その後、ウェットエッチング法により、λ／４板２４１ａのうちフォトレジスト膜２５１に覆われていない部分を除去して、図１０（ｄ）に示すようにλ／４板２４１ａの開口部２５０を形成する。その後、フォトレジスト膜２５１を除去する。
【００８５】
このようにしてガラス基板２１０ａの裏面側にλ／４板２１４ａを接合し、開口部２５０を形成した後、図１１（ａ）に示すように、ガラス基板２１０ａの上側全面に例えばＳｉＯ2 からなる厚さが０．３μｍの第３の絶縁膜２２１を形成する。そして、フォトリソグラフィ法により、第３の絶縁膜２２１に、図１１（ｂ）に示すように反射電極２２０が露出する開口部を形成するとともに、配線２１８ａに通じるコンタクトホール２１９ａを形成する。なお、このフォトリソグラフィ工程においては、反射電極２２０の最上層のＴｉ層を除去してＡｌ層を露出しておく。
【００８６】
次に、スパッタ法により、ガラス基板２１０ａの上側全面にＩＴＯ膜を形成する。そして、このＩＴＯ膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングして、図１１（ｃ）に示すように、透明電極２２２ａ，２２２ｂ，２２２ｃ及びそれらの間を接続する接続配線２２２ｄを形成する。透明電極２２２ａはコンタクトホール２１９ａを介して配線２１８ａに接続され、透明電極２２２ｂは第３の絶縁膜２２１の開口部を介して反射電極２２０と接続される。
【００８７】
次いで、ガラス基板２１０ａの上側全面に例えばポリイミドを塗布して、透明電極２２２ａ，２２２ｂ，２２２ｃの表面を覆う垂直配向膜（図示せず）を形成する。これにより、ＴＦＴ基板２１０が完成する。
【００８８】
なお、本実施形態では、ゲートバスライン２１２、データバスライン２１５及び反射電極２２０を形成した後にガラス基板２１０ａの裏面側にλ／４板２１４ａを接合して開口部２５０を形成する場合について説明したが、λ／４板２１４ａの接合及び開口部２５０の形成は、例えばガラス基板２１０ａ上に第３の絶縁膜２２１又は透明電極２２ａ，２２２ｂ，２２２ｃを形成した後に実施してもよい。
【００８９】
このようにして製造されたＴＦＴ基板２１０と対向基板１３０とをスペーサ（図示せず）を挟んで相互に対向させて配置し、両者の間に誘電率異方性が負の液晶を封入して液晶パネル２００とする。そして、液晶パネル２１０の裏面側のλ／４板２４１ａの上（図９では下側）に偏光板２４２ａを接合し、前面側（図９では上側）にλ／４板２４１ｂ及び偏光板２４２ｂを接合する。
【００９０】
本実施形態の液晶表示装置においては、透明電極２２２ａ，２２２ｂ，２２２ｃとコモン電極１３４との間に電圧を印加すると、液晶層１４０中の液晶分子は印加電圧に応じた角度で傾斜する。本実施形態では、パネル前面側から見たときに、液晶分子が突起物（配向制御用構造物）１３５を中心として放射状に配向する。
【００９１】
液晶パネル２００のパネル前面側（図９では上側）から偏光板２４２ｂ及びλ／４板２４１ｂを透過した光は、更にコモン電極１３４を透過して液晶層１４０内に進入する。そして、この光は反射領域Ｂに配置された反射電極２２０で反射され、コモン電極１３４、λ／４板２４２ｂ及び偏光板２４２ｂを透過してパネル前面側に出力される。但し、偏光板２４２ｂを透過するときには、液晶分子の傾斜角度に応じた量の光が偏光板２４２ｂで遮断される。
【００９２】
一方、バックライトユニットから出力された光は、液晶パネル２００の裏面側（図９では下側）の偏光板２４２ａ及びλ／４板２４１ａを透過し、更に透明電極２２２ａ，２２２ｃを透過して液晶層１４０内に進入する。そして、この光は、コモン電極１３４、λ／４板２４１ｂ及び偏光板２４２ｂを透過してパネル前面側に出力される。但し、透過領域Ａ１，Ａ２においても、反射領域Ｂと同様に、偏光板２４２ｂを透過するときに液晶分子の傾斜角度に応じた量の光が偏光板２４２ｂで吸収される。
【００９３】
図１２は、本実施形態の半透過型液晶表示装置の黒表示時における光の状態を示す模式図である。なお、図１２において、２０はバックライトユニットを示し、３０は液晶層中の液晶分子を示している。また、パネル前面側（図１２では上側）から液晶層内に入射し、反射電極２２０で反射されてパネル前面側に向う光の挙動、及びバックライトユニット２０から出力され、透明電極２２２ａ，２２２ｃを透過してパネル前面側に向う光の挙動は図２で説明した通りであるので、ここでは説明を省略する。
【００９４】
この図１２に示すように、バックライトユニット２０から出力された光は、パネル裏面側の偏光板２４２ａを通るときに直線偏光光となる。本実施形態では、偏光板２４２ａと反射電極２２０との間にλ／４板がないため、偏光板２４２ａを透過し、反射電極２２０で反射した光は、偏光方向が偏光板２４２ａの透過軸の方向に平行となるため、再び偏光板２４２ａを透過してバックライトユニット２０の導光板内に進入する。そして、この光は、導光板により散乱及び反射され、最終的に透過領域に出射される。
【００９５】
本実施形態の液晶表示装置においては、第１の実施形態と同様に、裏面側のλ／４板２４１ａには、ゲートバスライン２１２及びデータバスライン２１５に対向する位置に開口部２５０が設けられている。従って、裏面側から偏光板２４２ａを透過し、ゲートバスライン２１２及びデータバスライン２１５等で反射された光は、偏光板２４２ａを透過する。これにより、液晶パネル２００にλ／４板２４１ａ及び偏光板２４２ａを接合した後であっても、ゲートバスライン２１２及びデータバスライン２１５等の欠陥の検査を目視で行うことができ、欠陥箇所を容易に特定することができる。
【００９６】
また、λ／４板２４１ａには、反射電極２２０に対向する位置にも、開口部２５０が設けられている。従って、バックライトユニットから出力されて反射電極２２０で反射された光は、バックライトユニットに入射される。これにより、光の利用効率を向上させることができて、従来に比べてより一層の省電力化が可能になる。
【００９７】
なお、上記実施形態ではデータバスライン２１５、ソース電極２１６ｂ、ドレイン電極２１６ｃ及び補助容量電極２１８の上に第３の絶縁膜２２１を形成し、その後反射電極２２０を形成するものとしたが、反射電極２２０と補助容量電極２１８とを一体化し、データバスライン２１５、ソース電極２１６ｂ及びドレイン電極２１６ｃと同時に形成してもよい。
【００９８】
すなわち、第２の金属膜を形成した後、この金属膜をパターニングしてデータバスライン２１５、ソース電極２１６ｂ、ドレイン電極２１６ｃ及び反射電極２２０を形成する。その後、ガラス基板２１０ａの上側全面に最終保護膜を形成し、この最終保護膜の反射電極２２０に整合する位置に開口部を設ける。次いで、ガラス基板２１０ａの上側全面にＩＴＯ膜を形成し、そのＩＴＯ膜をパターニングして透明電極２２２ａ，２２２ｂ，２２２ｃを形成する。このようにしてＴＦＴ基板を形成することにより、製造工程数を削減することができる。
【００９９】
（第３の実施形態）
図１３は本発明の第３の実施形態の液晶表示装置を示す平面図、図１４は図１３のIV−IV線による断面図である。なお、本実施形態が第２の実施形態と異なる点は、ＴＦＴ基板の液晶層側の面にλ／４板が設けられていることにあり、その他の構造は基本的に第２の実施形態と同様であるので、重複する部分の説明を省略する。
【０１００】
本実施形態の液晶表示装置においては、図１４に示すように、液晶パネル２００の裏面側（図１４では下側）に偏光板２４２ａが接合されており、液晶パネル２００の前面側（図１４では上側）にλ／４板２４１ｂ及び偏光板２４２ｂが接合されている。また、ＴＦＴ基板２１０には、第２の実施形態の第３の絶縁膜２２１に替えて、λ／４板２５２が形成されている。
【０１０１】
図１５，図１６は、本実施形態の液晶表示装置のＴＦＴ基板２１０の製造方法を工程順に示す断面図である。なお、図１５，図１６においては、補助容量バスライン及び補助容量電極等の図示を省略している。
【０１０２】
まず、図１５（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板２１０のベースとなるガラス基板２１０ａの上に、ゲートバスライン２１２、補助容量バスライン２１３、第１の絶縁膜２１４、データバスライン２１５、補助容量電極２１８、ＴＦＴ２１６、第２の絶縁膜２１９及び反射電極２２０を形成する。反射電極２２０は、例えば厚さが０．１μｍのＡｌ膜により、一辺が約８０μｍのほぼ正方形の形状に形成する。
【０１０３】
次に、図１５（ｂ）に示すように、ガラス基板２１０ａの上側にλ／４板２５２を貼り付ける。λ／４板２５２としては、例えば住友化学工業社製ＳＥＨ−４６０１３５１を使用することができる。
【０１０４】
次に、  図１５（ｃ）に示すように、λ／４板２５２の上にポジ型フォトレジストを塗布してレジスト膜２５３を形成する。その後、所定の露光マスクを介してレジスト膜２５３を露光した後、現像処理を施して、図１６（ａ）に示すように、反射電極２２０に整合する位置にレジスト膜２５３の開口部２５３ａを設ける。但し、このとき開口部２５３ａを反射電極２２０よりも若干小さく形成することが好ましい。また、λ／４板２５２の上にネガ型フォトレジストを塗布した後、ガラス基板２１０ａの下側からレジスト膜を露光してもよい。この場合は、ゲートバスライン２１２及びデータバスライン２１５に整合する位置にも開口部が形成される。
【０１０５】
次に、レジスト膜２５３をエッチングマスクとしてλ／４板２５２をウェットエッチング又はドライエッチングして、図１６（ｂ）に示すように反射電極２２０を露出させる。また、このとき同時に、λ／４板２５２の表面からソース電極２１６ｂに接続する配線２１８ａに通じるコンタクトホール２１９ａを形成する。その後、レジスト膜２５３を除去する。
【０１０６】
次いで、図１６（ｃ）に示すように、ガラス基板２１０の上側全面にＩＴＯをスパッタリングしてＩＴＯ膜を形成し、このＩＴＯ膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングして、透明電極２２２ａ，２２２ｂ，２２２ｃ及び接続電極２２２ｄを形成する。その後、ガラス基板２１０ａの上側全面にポリイミドを塗布して、透明電極２２２ａ，２２２ｂ，２２２ｃ及び接続配線２２２ｄの表面を覆う垂直配向膜を形成する。このようにして、本実施形態の液晶表示装置のＴＦＴ基板が完成する。
【０１０７】
本実施形態の液晶表示装置においては、裏面側に配置された偏光板２４２ａとゲートバスライン２１２、データバスライン２１５及び反射電極２２０との間にλ／４板がないので、第２の実施形態と同様に、液晶パネル２００に偏光板２４２ａを接合した後であっても、ゲートバスライン２１２及びデータバスライン２１５等の欠陥の検査を目視で行うことでき、欠陥箇所を容易に特定することができる。また、バックライトユニットから出力されて反射電極２２０で反射された光は、バックライトユニットに戻る。これにより、光の利用効率を向上させることができて、従来に比べてより一層の省電力化が可能になる。
【０１０８】
なお、図１７に示すように、透明電極２２２ａ，２２２ｃの縁部がゲートバスライン２１２に重なるようにしてもよいし、図１８に示すように、透明電極２２２ａ，２２２ｂ，２２２ｃの縁部がデータバスライン２１５に重なるようにしてもよい。
【０１０９】
画素の開口率を上げて明るい画面を得るためには、透明電極とゲートバスライン及びデータバスラインとの間隔を小さくすることが考えられる。しかし、従来の液晶表示装置では、透明電極とゲートバスライン及びデータバスラインとの間の絶縁膜（ＳｉＯ2 膜又はＳｉＮ膜）の厚さが薄いので、透明電極とゲートバスライン又はデータバスラインとの間隔を小さくすると、クロストークが発生して表示品質が劣化するという問題がある。しかし、本実施形態では、透明電極２２２ａ，２２２ｂ，２２２ｃとゲートバスライン２１２及びデータバスライン２１５との間にＳｉＯ2 膜又はＳｉＮ膜に比べて膜厚が十分厚いλ／４板２５２を配置しているので、図１７，図１８に示すように透明電極２２２ａ，２２２ｂ，２２２ｃの縁部をゲートバスライン２１２又はデータバスライン２１５と重なるように配置しても、クロストークによる表示品質の劣化を回避することができる。
【０１１０】
（第４の実施形態）
図１９は、本発明の第４の実施形態の液晶表示装置を示す断面図である。この図１９において、図５と同一物には同一符号を付している。
【０１１１】
本実施形態が図４〜図６に示す第１の実施形態と異なる点は、裏面側に配置されたλ／４板１４１ａ及び偏光板１４２ａのゲートバスライン１１２及びデータバスライン１１５に整合する位置に、それぞれ開口部１５０，１６０が設けられていることにある。
【０１１２】
本実施形態においては、上述の如く、偏光板１４２ａのゲートバスライン２１２及びデータバスライン２１５に整合する位置にも開口部１６０が設けられているので、第１の実施形態に比べて裏面側に反射される光の量が多い。このため、本実施形態においては、第１の実施形態と同様の効果が得られるのに加えて、ゲートバスライン２１２及びデータバスライン２１５の検査が容易であるという効果を奏する。
【０１１３】
（第５の実施形態）
図２０は、本発明の第５の実施形態の液晶表示装置を示す断面図である。この図２０において、図９と同一物には同一符号を付している。
【０１１４】
本実施形態が図８，図９に示す第２の実施形態と異なる点は、この図２０に示すように、裏面側に配置されたλ／４板２４１ａ及び偏光板２４２ａのゲートバスライン２１２、データバスライン２１５及び反射電極２２０に整合する位置に、それぞれ開口部２５０，２６０が設けられていることにあり、その他の構造は基本的に第２の実施形態と同じであるので、ここでは重複する部分の説明を省略する。
【０１１５】
図２１は、本実施形態の半透過型液晶表示装置の黒表示時における光の状態を示す模式図である。なお、図２１において、２０はバックライトユニットを示し、３０は液晶層中の液晶分子を示している。また、パネル前面側（図２１では上側）から液晶層内に進入し、反射電極で反射されてパネル前面側に向う光の挙動、及びバックライトユニット２０から出力され、透明電極２２２ａ，２２２ｃを透過してパネル前面側に向う光の挙動は図２で説明した通りであるので、ここでは説明を省略する。
【０１１６】
この図２１に示すように、バックライトユニット２０から出力された光は、偏光板２４２ａの開口部２６０及びλ／４板２４１ａの開口部２５０内を進み、反射電極２２０で反射されて再び偏光板２４２ａの開口部２６０及びλ／４板２４１ａの開口部２５０内を通り、バックライトユニット２０の導光板内に進入する。そして、この光は導光板により散乱及び反射され、最終的に透過領域に出射される。
【０１１７】
本実施形態においては、上述の如く、偏光板２４２ａのゲートバスライン２１２及びデータバスライン１１５に対向する部分にも開口部２６０が設けられているので、第１の実施形態に比べて裏面側に反射される光の量が多い。これにより、本実施形態においては、第２の実施形態と同様の効果を得ることができるのに加えて、光の利用効率がより一層向上するという効果を奏する。
【０１１８】
本実施形態の液晶表示装置の製造方法は、図１０，図１１に示す第２の実施形態の液晶表示装置の製造方法とほぼ同様であり、ガラス基板２１０ａの裏面側にλ／４板２４１ａと偏光板２４２ａとを貼り付け、フォトリソグラフィ法によりλ／４板２４１ａ及び偏光板２４２ａのゲートバスライン２１２、データバスライン２１５及び反射電極２２０に整合する位置に開口部２５０，２６０を形成して製造される。
【０１１９】
（第６の実施形態）
図２２は、本発明の第６の実施形態の液晶表示装置を示す断面図である。この図２２において、図１４と同一物には同一符号を付している。
【０１２０】
本実施形態が図１３，図１４に示す第３の実施形態と異なる点は、ＴＦＴ基板２１０の液晶層側の面にλ／４板２５２及び偏光板２６１を配置したことにあり、その他の構造は基本的に第３の実施形態と同じであるので、ここでは重複する部分の説明を省略する。
【０１２１】
本実施形態においては、第２の絶縁膜２１９の上に偏光板２６１及びλ／４板２５２が積層されており、透明電極２２２ａ，２２２ｃはλ／４板２５２の上に形成されている。また、偏光板２６１及びλ／４板２５２には、反射電極２２０に整合する位置に開口部が設けられており、透明電極２２２ｂはこの開口部内に露出した反射電極２２０の上を覆って形成されている。
【０１２２】
本実施形態の液晶表示装置では、バックライトユニット（図示せず）とゲートバスライン２１２及びデータバスライン（図示せず）との間に偏光板がないので、第３の実施形態に比べて裏面側に反射される光の量が多い。このため、本実施形態の液晶表示装置は、第３の実施形態の液晶表示装置に比べてゲートバスライン及びデータバスライン等の欠陥の検査がより一層容易である。また、本実施形態の液晶表示装置は、反射電極２２０で反射されてバックライトユニットに戻る光の量が多いため、第３の実施形態の液晶表示装置に比べて光の利用効率がより一層向上する。
【０１２３】
本実施形態の液晶表示装置の製造方法は、第３の実施形態の液晶表示装置の製造方法とほぼ同様であり、ガラス基板２１０ａの上に第２の絶縁膜２１９及び反射電極２２０を形成した後、偏光板２６１及びλ／４板２５２を順に接合し、フォトリソグラフィ法により偏光板２６１及びλ／４板２５２の反射電極２２０に整合する位置に開口部を形成して製造される。
【０１２４】
なお、図２３に示すように、透明電極２２２ａ，２２２ｃの縁部がゲートバスライン２１２に重なるようにしてもよいし、図２４に示すように透明電極２２２ａ，２２２ｂ，２２２ｃの縁部がデータバスライン２１５に重なるようにしてもよい。本実施形態においては、ゲートバスライン２１２及びデータバスライン２１５と透明電極２２２ａ，２２２ｂ，２２２ｃとの間に膜厚が比較的厚い偏光板２６１及びλ／４板２５２が介在しているので、図２３，図２４に示すように透明電極２２２ａ，２２２ｂ，２２２ｃがゲートバスライン２１２及びデータバスライン２１５と重なるように配置しても、クロストークによる表示品質の劣化が回避される。また、図２３，図２４に示すように透明電極２２２ａ，２２２ｂ，２２２ｃがゲートバスライン２１２及びデータバスライン２１５と重なるように配置することにより、開口率が向上して、画像をより明るく表示することができる。
【０１２５】
（第７の実施形態）
図２５は本発明の第７の実施形態の液晶表示装置を示す断面図である。この図２５において、図９と同一物には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
【０１２６】
液晶パネル２００は、ＴＦＴ基板２１０と、対向基板１３０と、それらの間に封入された誘電率異方性が負の液晶からなる液晶層１４０とにより構成されている。ＴＦＴ基板２１０には、他の実施形態と同様に、ゲートバスライン、データバスライン及びＴＦＴ等が形成されている。但し、本実施形態においては、ＴＦＴ基板２１０の第１の絶縁膜２１４の上に透明樹脂膜２７０が形成されている。この透明樹脂膜２７０の反射領域の表面には凹凸が設けられている。
【０１２７】
透明樹脂膜２７０の上には、λ／４板２７１が形成されている。このλ／４板２７１には、反射領域に整合する位置に開口部が設けられている。透明領域のλ／４板２７１の上には透明電極２２２ａ，２２２ｃが形成されている。また、反射領域には、λ／４板２７１の開口部に露出した透明樹脂膜２７０の凹凸の上に、透明電極２２２ｂが形成されている。これらの透明電極２２２ａ，２２２ｂ，２２２ｃは、図８，図９に示す第２の実施形態と同様に、ＩＴＯ等の透明導電体からなり、接続配線を介して相互に電気的に接続されている。
【０１２８】
また、透明電極２２２ａは、コンタクトホールを介してＴＦＴのソース電極から伸び出した配線に接続されており、透明電極２２２ｂはコンタクトホールを介して補助容量電極と接続されている。
【０１２９】
反射領域の透明電極２２２ｂの上には、表面がＡｌ等の反射率が高い金属からなる反射電極２２０が形成されている。この反射電極２２０の表面には、その下方の樹脂膜２７０の凹凸に倣った凹凸が形成されている。
【０１３０】
液晶パネル２００の裏面側（図２５では下側）には偏光板２４２ａが配置されており、前面側（図２５では上側）にはλ／４板２４１ｂ及び偏光板２４２ｂが配置されている。偏光板２４２ａ，２４２ｂは吸収軸を相互に直交させて配置され、λ／４板２７１，２４１ｂは遅相軸を相互に直交させ、且つ隣接する偏光板の吸収軸と遅相軸とのなす角度が４５°となるように配置されている。
【０１３１】
以下、本実施形態の液晶表示装置の製造方法について説明する。なお、対向基板の製造方法は第２の実施形態と同様であるので、ここでは説明を省略する。
【０１３２】
まず、ＴＦＴ基板２１０のベースとなるガラス基板の上に、第１の実施形態と同様にしてゲートバスライン２１２、補助容量バスライン２１３、第１の絶縁膜２１４、ＴＦＴ、データバスライン、補助容量電極２１８を形成する。その後、ガラス基板２１０ａの上に透明樹脂を約２．０μｍの厚さに塗布して、透明樹脂膜２７０を形成する。そして、この透明樹脂膜２７０の反射領域の部分をエッチングして凹凸を形成する。また、この透明樹脂膜２７０に、ソース電極から伸び出した配線に通じるコンタクトホールと、補助容量電極２１８に通じるコンタクトホールとを形成する。コンタクトホールの大きさは、例えば１０×１０μｍとする。なお、本実施形態では凹凸を反射領域にのみ形成しているが、透明樹脂膜２７０の全面に凹凸を形成してもよい。
【０１３３】
次に、透明樹脂膜２７０の上にλ／４板２７１を貼り付ける。そして、このλ／４板２７１の上にポジ型フォトレジスト膜を形成した後、露光マスクを介して反射領域のレジスト膜を選択的に露光する。その後、現像処理を施してレジスト膜を開口した後、ウェットエッチング又はドライエッチングを施してλ／４板２７１に開口部を形成し、反射領域の透明樹脂膜２７０を露出させる。
【０１３４】
次に、スパッタ法によりガラス基板２１０ａの上側全面にＩＴＯ膜を形成し、このＩＴＯ膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングして、透明電極２２２ａ，２２２ｂ，２２２ｃ及びそれらの間を接続する接続配線を形成する。この場合、透明電極２２２ｂの表面には、透明樹脂膜２７０の表面に倣う凹凸が形成される。
【０１３５】
次いで、ガラス基板２１０ａの上側全面に例えば厚さが０．１μｍのＡｌ膜を形成し、このＡｌ膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングして、反射電極２２０を形成する。この反射電極２２０の表面には、透明電極２２２ｂの表面に倣う凹凸が形成される。その後、ガラス基板２１０ａの上側全面にポリイミド等を塗布して配向膜を形成する。
【０１３６】
このようにして形成されたＴＦＴ基板２１０と対向基板１３０とをスペーサを挟んで対向させて配置し、両者の間に誘電率異方性が負の液晶を封入して液晶パネル２００とする。そして、この液晶パネル２００の裏面側に偏光板２４２ａを貼り付け、前面側にλ／４板２４１ｂ及び偏光板２４２ｂを貼り付ける。また、液晶パネル２００の裏面側にバックライトユニットを取り付ける。このようにして、本実施形態の液晶表示装置が完成する。
【０１３７】
本実施形態においては、第２の実施形態と同様の効果が得られるのに加えて、反射電極２２０の表面に凹凸が設けられているので、反射型液晶表示装置として使用したときの視野角特性が良好であるという効果を奏する。
【０１３８】
（第８の実施形態）
図２６は、本発明の第８の実施形態の液晶表示装置を示す断面図である。
【０１３９】
本実施形態の液晶表示装置は、図２６に示すように、液晶パネル３００と、液晶パネル３００の裏面側（図２６では下側）に接合された偏光板３４１ａと、液晶パネル３００の前面側（図２６では上側）に接合された偏光板３４１ｂと、液晶パネル３００の裏面側に配置されたバックライトユニット（図示せず）とにより構成されている。
【０１４０】
液晶パネル３００は、相互に対向して配置されたＴＦＴ基板３１０及び対向基板３３０と、それらの間に封入された誘電率異方性が負の液晶からなる液晶層３４０とにより構成されている。本実施形態においては、ＴＦＴ基板３１０が前面側（観察者側）に配置され、対向基板３３０が裏面側（バックライトユニット側）に配置される。
【０１４１】
ＴＦＴ基板３１０には、第１の実施形態と同様に、ゲートバスライン３１２、データバスライン（図示せず）、ＴＦＴ（図示せず）及び透明電極３２２ａ，３２２ｂ，３２２ｃ等が形成されている。また、ＴＦＴ基板３１０の液晶層側の面にはλ／４板３２０が配置されている。
【０１４２】
一方、対向基板３３０には、ブラックマトリクス３３２、カラーフィルタ３３３、反射膜３３４及びコモン電極３３６が形成されている。図２６に示すように、カラーフィルタ３３３のうち反射領域に整合する部分には表面に凹凸が設けられており、この凹凸面の上にＡｌ等の反射率が高い金属からなる反射膜３３４が形成されている。また、カラーフィルタ３３３の上にはλ／４板３３５が配置されている。このλ／４板３３５は、反射膜３３４に整合する部分が開口されている。コモン電極３３６は、反射膜３３４及びλ／４板３３５の上を覆うように形成されている。
【０１４３】
以下、本実施形態の液晶表示装置の製造方法について説明する。まず、ＴＦＴ基板３１０の製造方法について説明する。
【０１４４】
まず、ＴＦＴ基板３１０のベースとなるガラス基板３１０ａの上（図２６では下側）に、例えばスパッタ法によりＡｌ−Ｔｉの積層構造を有する金属膜を形成する。そして、この金属膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングして、ゲートバスライン３１２及び補助容量バスライン３１３を形成する。
【０１４５】
次に、例えばＣＶＤ法により、ガラス基板３１０ａの上側全面にＳｉＯ2 を０．３μｍの厚さに堆積させて第１の絶縁膜（ゲート絶縁膜）３１４を形成する。そして、この第１の絶縁膜３１４の所定の領域上に、ＴＦＴの活性層となる半導体膜を形成する。その後、ガラス基板３１０ａの上側全面に例えばＳｉＮ膜を形成し、このＳｉＮ膜をパターニングして、半導体膜のチャネルとなる領域の上にチャネル保護膜を形成する。
【０１４６】
次に、ガラス基板３１０ａの上側全面に例えばＴｉ−Ａｌ−Ｔｉの積層構造を有する金属膜を形成し、この金属膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングして、他の実施形態と同様に、データバスラインと、ソース電極と、ソース電極に接続した配線と、ドレイン電極と、補助容量電極３１８とを形成する。
【０１４７】
次に、ガラス基板３１０ａの上側全面に例えばＳｉＯ2 からなる厚さが０．３μｍの第２の絶縁膜３１９を形成する。そして、この第２の絶縁膜３１９の上にλ／４板３２０を接合する。λ／４板３２０としては、例えば住友化学工業社製ＳＥＨ−４６０１３５１を使用することができる。その後、このλ／４板３２０の表面からソース電極と接続した配線に通じるコンタクトホールと、補助容量電極３１８に通じるコンタクトホールとを形成する。
【０１４８】
次に、スパッタ法により、ガラス基板３１０ａの上側全面にＩＴＯ膜を形成する。そして、このＩＴＯ膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングして、透明電極３３２ａ，３３２ｂ，３３２ｃと、それらの間の接続する接続電極とを形成する。これらの透明電極３３２ａ，３３２ｂ，３３２ｃの形状は、他の実施形態と同様とする。
【０１４９】
次いで、ガラス基板３１０ａの上側全面に例えばポリイミドを塗布して、透明電極３３２ａ，３３２ｂ，３３２ｃの表面を覆う垂直配向膜（図示せず）を形成する。これにより、ＴＦＴ基板３１０が完成する。
【０１５０】
次に、対向基板３３０の製造方法について説明する。まず、対向基板３３０のベースとなるガラス基板３３０ａの上に、Ｃｒ等の金属又は黒色樹脂によりブラックマトリクス３３２を形成する。
【０１５１】
次に、赤色感光性樹脂、緑色感光樹脂及び青色感光樹脂を使用し、フォトレジスト法によりガラス基板３３０ａの各画素領域に赤色、緑色及び青色のいずれか１色のカラーフィルタ３３３を形成するとともに、カラーフィルタ３３３のうち反射領域に整合する領域の表面に凹凸を形成する。カラーフィルタ３３３の厚さは、例えば１．０μｍとする。
【０１５２】
次に、スパッタ法により、ガラス基板３３０ａの上側全面に例えば厚さが０．１μｍのＡｌ膜を形成し、このＡｌ膜をフォトリソグラフィ法によりパターニングして、反射領域のカラーフィルタ３３３の上に反射膜３３４を形成する。反射膜３３４は、例えば一辺が約８０μｍのほぼ正方形の形状に形成する。この反射膜３３４には、カラーフィルタ３３３の表面の凹凸に倣う凹凸が形成される。
【０１５３】
次に、ガラス基板３３０ａの上側にλ／４板３３５を接合する。λ／４板３３５としては、例えば住友化学工業社製ＳＥＨ−４６０１３５１を使用することができる。その後、λ／４板３３５の上にポジ型フォトレジストを塗布してフォトレジスト膜を形成し、露光及び現像処理を施して、反射膜３３４に整合する位置に開口部を形成する。その後、ウェットエッチングによりλ／４板３３５をエッチングして反射膜３３４を露出させた後、フォトレジスト膜を除去する。
【０１５４】
次いで、スパッタ法により、ガラス基板３３０ａの上側全面にＩＴＯを堆積させてコモン電極３３６を形成する。その後、ガラス基板３３０ａの上側全面に例えばポリイミドを塗布して、コモン電極３３６の表面を覆う垂直配向膜（図示せず）を形成する。これにより、対向基板３３０が完成する。
【０１５５】
このようにして製造されたＴＦＴ基板３１０と対向基板３３０とをスペーサ（図示せず）を挟んで相互に対向させて配置し、両者の間に誘電率異方性が負の液晶を封入して液晶パネル３００とする。そして、液晶パネル３００の裏面側に偏光板３４１ａを接合し、前面側に偏光板３４１ｂを接合する。更に、液晶パネル３００の裏面側にバックライトユニットを取り付ける。
【０１５６】
このようにして製造された本実施形態の液晶表示装置においても、ゲートバスライン３１２及びデータバスラインと偏光板３４１ｂとの間にλ／４板が介在しないため、液晶パネル３００に偏光板３４１ｂを接合した後であっても、ゲートバスライン３１２及びデータバスライン等の欠陥の検査を目視で行うことができ、欠陥箇所を容易に特定することができる。また、本実施形態においては、反射膜３３４と偏光板３４１ａとの間にλ／４板が介在しないので、バックライトユニットから出力されて反射膜３３４で反射された光は、バックライトユニットに入射される。これにより、光の利用効率を向上させることができて、従来に比べてより一層の省電力化が可能になる。
【０１５７】
（第９の実施形態）
図２７は本発明の第９の実施形態の液晶表示装置を示す断面図である。なお、本実施形態が第８の実施形態と異なる点は、λ／４板に加えて偏光板を対向基板の液晶層側の面に配置したことにあり、その他の構造は基本的に第８の実施形態と同様であるので、図２７において図２６と同一物には同一符号を付してその詳しい説明を省略する。
【０１５８】
本実施形態においては、対向基板３３０のベースとなるガラス基板３３０ａの上にブラックマトリクス３３２、カラーフィルタ３３３及び反射膜３３４を形成した後、カラーフィルタ３３３及び反射膜３３４の上に偏光板３３８及びλ／４板３３５を順に接合する。そして、λ／４板３３５の上に、反射領域に整合する位置に開口部が設けられたレジスト膜を形成し、このレジスト膜をマスクとしてλ／４板３３５及び偏光板３３８をエッチングし、反射膜３３４を露出させる。その後、レジスト膜を除去する。
【０１５９】
次いで、スパッタ法によりガラス基板３３０ａの上側前面にＩＴＯを堆積させてコモン電極３３６を形成する。その後、コモン電極３３６の上に例えばポリイミドを塗布して、垂直配向膜（図示せず）を形成する。
【０１６０】
本実施形態の液晶表示装置においても、第８の実施形態と同様の効果を奏する。
【０１６１】
（第１０の実施形態）
図２８は、本発明の第１０の実施形態の液晶表示装置を示す断面図である。この図２８において、図１４と同一物には同一符号を付している。
本実施形態の液晶表示装置は、図２８に示すように対向基板１３０のカラーフィルタ１３３とコモン電極１３４との間にλ／４板３５１を配置している。本実施形態のその他の構成は、図１３，図１４に示す第３の実施形態の液晶表示装置と基本的に同じである。本実施形態の液晶表示装置においても、第３の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０１６２】
（第１１の実施形態）
図２９は、本発明の第１１の実施形態の液晶表示装置を示す断面図である。この図２９において，図１４と同一物には同一符号を付している。
【０１６３】
本実施形態の液晶表示装置は、図２９に示すように対向基板１３０のカラーフィルタ１３３とコモン電極１３４との間に偏光板３５２及びλ／４板３５１を積層して配置している。本実施形態のその他の構成は、図１３，図１４に示す第３の実施形態の液晶表示装置と基本的に同じである。本実施形態の液晶表示装置においても、第３の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０１６４】
以下、本発明の諸態様を、付記としてまとめて記載する。
【０１６５】
（付記１）第１の基板と、前記第１の基板に対向して配置された第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入された液晶からなる液晶層とにより構成され、複数の画素が配列して設けられた液晶パネルと、
前記第１の基板の前記液晶層側の面と反対の面側に配置された第１のλ／４板及び第１の偏光板と、
前記第２の基板の前記液晶層側の面と反対の面側に配置された第２のλ／４板及び第２の偏光板とを有し、
前記第１の基板の前記液晶層側の面上には、走査信号が供給される複数のゲートバスラインと、表示信号が供給される複数のデータバスラインと、画素毎に設けられて前記走査信号により駆動されるスイッチング素子と、画素毎に設けられて前記スイッチング素子を介して前記表示信号が供給される画素電極とが形成され、
前記第１のλ／４板及び前記第１の偏光板のうちの少なくとも一方には、前記ゲートバスライン及び前記データバスラインのうちの少なくとも一方に整合する位置に開口部が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【０１６６】
（付記２）前記画素電極が、光を透過する透過電極と、光を反射する反射電極とに分割されていることを特徴とする付記１に記載の液晶表示装置。
【０１６７】
（付記３）前記第１のλ／４板及び前記第１の偏光板のうちの少なくとも一方には、前記反射電極に整合する位置に開口部が設けられていることを特徴とする付記２に記載の液晶表示装置。
【０１６８】
（付記４）前記透明電極は、前記スイッチング素子に電気的に接続されていることを特徴とする付記２に記載の液晶表示装置。
【０１６９】
（付記５）前記反射電極は、前記透明電極に接続されていることを特徴とする付記２に記載の液晶表示装置。
【０１７０】
（付記６）前記反射電極と前記第１の基板との間に、補助容量を構成する補助容量バスラインが形成されていることを特徴とする付記２に記載の液晶表示装置。
【０１７１】
（付記７）更に、前記液晶パネルを前記第１の基板側から照射するバックライトユニットを有することを特徴とする付記１に記載の液晶表示装置。
【０１７２】
（付記８）前記第１及び第２の基板のうちの少なくとも一方の前記液晶層側の面上に、液晶分子の配向方向を制御する配向制御部材が設けられていることを特徴とする付記１に記載の液晶表示装置。
【０１７３】
（付記９）前記液晶の誘電率異方性が負であることを特徴とする付記１に記載の液晶表示装置。
【０１７４】
（付記１０）第１の基板と、前記第１の基板に対向して配置される第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入された液晶からなる液晶層とにより構成され、複数の画素が配列して設けられた液晶パネルと、
前記第１の基板側に配置された第１のλ／４板及び第１の偏光板と、
前記第２の基板側に配置された第２のλ／４板及び第２の偏光板とを有し、
前記第１の基板の前記液晶層側の面上には、走査信号が供給される複数のゲートバスラインと、表示信号が供給される複数のデータバスラインと、画素毎に設けられて前記走査信号により駆動されるスイッチング素子と、画素毎に設けられて前記スイッチング素子を介して前記表示信号が供給される反射電極とが形成され、
前記第１のλ／４板は前記第１の基板の前記液晶層側の面上に配置され、前記反射電極に整合する位置に開口部が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【０１７５】
（付記１１）前記第１の偏光板は、前記第１の基板の前記液晶層側の面と反対の面側に配置されていることを特徴とする付記１０に記載の液晶表示装置。
【０１７６】
（付記１２）前記第１の偏光板は、前記第１のλ／４板と前記第１の基板との間に配置され、前記反射電極に整合する位置に開口部が設けられていることを特徴とする付記１０に記載の液晶表示装置。
【０１７７】
（付記１３）前記第２のλ／４板及び前記第２の偏光板は、いずれも前記第２の基板の前記液晶層側の面と反対の面側に配置されていることを特徴とする付記１０に記載の液晶表示装置。
【０１７８】
（付記１４）前記第２のλ／４板は、前記第２の基板の前記液晶層側の面上に配置されていることを特徴とする付記１０に記載の液晶表示装置。
【０１７９】
（付記１５）前記第２の偏光板は、前記第２の基板の前記液晶層側の面と反対側の面側に配置されていることを特徴とする付記１４に記載の液晶表示装置。
【０１８０】
（付記１６）前記第２の偏光板は、前記第２の基板の前記液晶層側の面上に配置されていることを特徴とする付記１４に記載の液晶表示装置。
【０１８１】
（付記１７）１つの画素内に、前記反射電極が配置された反射領域と、光を透過する透明電極が配置された透過領域とを有することを特徴とする付記１０に記載の液晶表示装置。
【０１８２】
（付記１８）前記透明電極の縁部が、前記第１の基板に垂直な方向から見たときに、前記ゲートバスライン及び前記データバスラインのうちの少なくとも一方に重なることを特徴とする付記１７に記載の液晶表示装置。
【０１８３】
（付記１９）前記反射電極の表面に、光を乱反射させる凹凸が設けられていることを特徴とする付記１０に記載の液晶表示装置。
【０１８４】
（付記２０）前記反射電極と前記第１の基板との間に、表面に凹凸が設けられた絶縁膜が配置され、前記反射電極の表面の凹凸は前記絶縁膜の凹凸により形成されたものであることを特徴とする付記１９に記載の液晶表示装置。
【０１８５】
（付記２１）前記絶縁膜が樹脂からなることを特徴とする付記２０に記載の液晶表示装置。
【０１８６】
（付記２２）前記反射電極と前記第１の基板との間に、補助容量を構成する補助容量バスラインが配置されていることを特徴とする付記１０に記載の液晶表示装置。
【０１８７】
（付記２３）更に、前記液晶パネルを前記第１の基板側から照射するバックライトユニットを有することを特徴とする付記１０に記載の液晶表示装置。
【０１８８】
（付記２４）前記第１の基板及び前記第２の基板のうちの少なくとも一方には、液晶分子の配向方向を制御する配向制御部材が設けられていることを特徴とする付記１０に記載の液晶表示装置。
【０１８９】
（付記２５）前記液晶の誘電率異方性が負であることを特徴とする付記１０に記載の液晶表示装置。
【０１９０】
（付記２６）第１の基板と、前記第１の基板に対向して配置される第２の基板と、前記第１の基板と前記第２の基板との間に封入された液晶からなる液晶層とにより構成され、複数の画素が配列して設けられた液晶パネルを有する液晶表示装置において、
前記第１の基板には、走査信号が供給される複数のゲートバスラインと、表示信号が供給される複数のデータバスラインと、画素毎に設けられて前記走査信号により駆動されるスイッチング素子と、画素毎に設けられて前記スイッチング素子を介して前記表示信号が供給される透明電極とが設けられ、
前記第２の基板の前記液晶層側の面上には、前記透明電極の少なくとも一部に対向して形成された反射膜と、前記反射膜に整合する位置に開口部を有するλ／４板とが設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【０１９１】
（付記２７）前記反射膜の表面には、光を乱反射する凹凸が設けられていることを特徴とする付記２６に記載の液晶表示装置。
【０１９２】
（付記２８）前記反射膜と前記第２の基板との間に、表面に凹凸が設けられた樹脂膜を有し、前記反射膜の凹凸が前記樹脂膜の凹凸により形成されていることを特徴とする付記２７に記載の液晶表示装置。
【０１９３】
（付記２９）前記樹脂膜がカラーフィルタであることを特徴とする付記２８に記載の液晶表示装置。
【０１９４】
（付記３０）前記λ／４板と前記第２の基板との間には偏光板が配置されていることを特徴とする付記２６に記載の液晶表示装置。
【０１９５】
（付記３１）前記第２の基板の前記液晶層側の面と反対の面側に偏光板が配置されていることを特徴とする付記２６に記載の液晶表示装置。
【０１９６】
（付記３２）第１の基板の第１の面上に、走査信号が供給される複数のゲートバスラインと、表示信号が供給される複数のデータバスラインとを形成する工程と、
前記第１の基板の第２の面上にλ／４板を接合する工程と、
前記λ／４板の上にフォトレジスト膜を形成する工程と、
前記フォトレジスト膜を露光した後、現像処理して前記ゲートバスライン及び前記データバスラインに整合する位置の前記λ／４板を露出させる工程と、
前記フォトレジスト膜をマスクとして前記λ／４板をエッチングする工程と、
前記フォトレジスト膜を除去する工程と、
前記第１の基板に対向させて第２の基板を配置し、それらの間に液晶を封入する工程と
を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【０１９７】
（付記３３）前記フォトレジスト膜をネガ型フォトレジストにより形成し、前記第１の基板の第１の面側に配置された光源から前記前記フォトレジスト膜を露光することを特徴とする付記３２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【０１９８】
（付記３４）第１の基板の第１の面上に、走査信号が供給される複数のゲートバスラインと、表示信号が供給される複数のデータバスラインとを形成する工程と、
前記第１の基板の前記第１の面上にλ／４板を接合する工程と、
前記λ／４板の上にフォトレジスト膜を形成する工程と、
前記フォトレジスト膜を露光した後、現像処理して前記ゲートバスライン及び前記データバスラインに整合する位置の前記λ／４板を露出させる工程と、
前記フォトレジスト膜をマスクとして前記λ／４板をエッチングする工程と、
前記フォトレジスト膜を除去する工程と、
前記第１の基板に対向させて第２の基板を配置し、それらの間に液晶を封入する工程と
を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【０１９９】
（付記３５）前記フォトレジスト膜をネガ型フォトレジストにより形成し、前記第１の基板の第２の面側に配置された光源から前記前記フォトレジスト膜を露光することを特徴とする付記３４に記載の液晶表示装置の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【０２００】
【図１】図１は、従来の半透過型液晶表示装置の構造を示す模式図である。
【図２】図２は、従来の半透過型液晶表示装置の黒表示時における光の状態を示す模式図である。
【図３】図３は、従来の半透過型液晶表示装置の白表示時における光の状態を示す模式図である。
【図４】図４は、本発明の第１の実施形態の液晶表示装置を示す平面図である。
【図５】図５は、図４のＩ−Ｉ線による断面図である。
【図６】図６は、図４のII−II線による断面図である。
【図７】図７（ａ）〜（ｄ）は、第１の実施形態の液晶表示装置のλ／４板の開口部の形成方法を示す断面図である。
【図８】図８は、本発明の第２の実施形態の液晶表示装置を示す平面図である。
【図９】図９は、図８のIII −III 線による断面図である。
【図１０】図１０は、第２の実施形態の液晶表示装置の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図１１】図１１は、第２の実施形態の液晶表示装置の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図１２】図１２は、第２の実施形態の半透過型液晶表示装置の黒表示時における光の状態を示す模式図である。
【図１３】図１３は、本発明の第３の実施形態の液晶表示装置を示す平面図である。
【図１４】図１４は、図１３のIV−IV線による断面図である。
【図１５】図１５は、第３の実施形態の液晶表示装置のＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図１６】図１６は、第３の実施形態の液晶表示装置のＴＦＴ基板の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図１７】図１７は、第３の実施形態の変形例（その１）を示す断面図であり、透明電極の縁部がゲートバスラインに重なるようにして形成された例を示している。
【図１８】図１８は、第３の実施形態の変形例（その２）を示す断面図であり、透明電極の縁部がデータバスラインに重なるようにして形成された例を示している。
【図１９】図１９は、本発明の第４の実施形態の液晶表示装置を示す断面図である。
【図２０】図２０は、本発明の第５の実施形態の液晶表示装置を示す断面図である。
【図２１】図２１は、第５の実施形態の半透過型液晶表示装置の黒表示時における光の状態を示す模式図である。
【図２２】図２２は、本発明の第６の実施形態の液晶表示装置を示す断面図である。
【図２３】図２３は、第６の実施形態の変形例（その１）を示す断面図であり、透明電極の縁部がゲートバスラインに重なるようにして形成された例を示している。
【図２４】図２４は、第６の実施形態の変形例（その２）を示す断面図であり、透明電極の縁部がデータバスラインに重なるようにして形成された例を示している。
【図２５】図２５は、本発明の第７の実施形態の液晶表示装置を示す断面図である。
【図２６】図２６は、本発明の第８の実施形態の液晶表示装置を示す断面図である。
【図２７】図２７は、本発明の第９の実施形態の液晶表示装置を示す断面図である。
【図２８】図２８は、本発明の第１０の実施形態の液晶表示装置を示す断面図である。
【図２９】図２９は、本発明の第１１の実施形態の液晶表示装置を示す断面図である。
【符号の説明】
【０２０１】
１０，１００，２００，３００…液晶パネル、
１１，１１０，２１０，３１０…基板（ＴＦＴ基板）、
１２，１３０．３３０…基板（対向基板）
１３，１４０，３４０…液晶層、
１４ａ，１４ｂ，１４２ａ，１４２ｂ，２４２ａ，２４２ｂ，２６１，３４１ａ，３４１ｂ，３３８，３５２…偏光板、
１５ａ，１５ｂ，１４１ａ，１４１ｂ，２４１ａ，２４１ｂ，２５２，２７１，３２０，３３５，３３６，３５１…λ／４板、
１７ａ，２２０…反射電極、
１７ｂ，１２０ａ，１２０ｂ，１２０ｃ，２２２ａ，２２２ｂ，２２２ｃ，３３２ａ，３３２ｂ，３３２ｃ…透明電極、
１８，１３４，３３６…コモン電極、
２０…バックライトユニット、
１１０ａ，１３０ａ，２１０ａ，３１０ａ，３３０ａ…ガラス基板、
１１２，２１２，３１２…ゲートバスライン、
１１３，２１３，３１３…補助容量バスライン、
１１４，１１９，２１４，２１９，２２１，３１４，３１９…絶縁膜、
１１５，２１５…データバスライン、
１１６，２１６…ＴＦＴ、
１１８，２１８…補助容量電極、
１３２，３３２…ブラックマトリクス、
１３３，３３３…カラーフィルタ、
１３５…突起物（配向制御用構造物）、
１５０，２５０…開口部（λ／４板の開口部）、
１５１，２５１，２５３…フォトレジスト膜、
１６０，２６０…開口部（偏光板の開口部）、
２７０…透明樹脂膜、
３３４…反射膜。
【図１】
2006267688.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2006267688.tif 000007
【図６】
2006267688.tif 000008
【図７】
2006267688.tif 000009
【図８】
2006267688.tif 000010
【図９】
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【図１０】
2006267688.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
2006267688.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
2006267688.tif 000017
【図１６】
2006267688.tif 000018
【図１７】
2006267688.tif 000019
【図１８】
2006267688.tif 000020
【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
2006267688.tif 000024
【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
2006267688.tif 000028
【図２７】
2006267688.tif 000029
【図２８】
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【図２９】
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