(57)【要約】【課題】  メインコンデンサの電荷の漏れが小さく、充電停止時にもメインコンデンサの充電電圧を検出でき、メインコンデンサの充電電圧の変動量を高精度で検出可能な昇圧回路、その昇圧回路を用いた発光装置、及びその発光装置を用いたカメラを提供する。【解決手段】  メインコンデンサ１と、該メインコンデンサに並列に接続された直列接続の第１の負荷容量８と第２の負荷容量９と、前記メインコンデンサに電荷を蓄積する充電回路３と、前記第１の負荷容量と第２の負荷容量の接続ノードの電位を検出し、該検出値に基づいて前記充電回路を制御する充電制御回路２とで昇圧回路を構成する。【選択図】        図  １
2006147508.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メインコンデンサと、該メインコンデンサに並列に接続された直列接続の第１の負荷容量と第２の負荷容量と、前記メインコンデンサに電荷を蓄積する充電回路と、前記第１の負荷容量と前記第２の負荷容量の接続ノードの電位を検出し、該検出値に基づいて前記充電回路を制御する充電制御回路とを有するをことを特徴とする昇圧回路。
【請求項２】
スイッチを介して前記接続ノードに基準電圧を供給する基準電圧源と、前記スイッチを制御するスイッチ制御回路とを更に有することを特徴とする請求項１に係る昇圧回路。
【請求項３】
前記スイッチ制御回路は、前記充電回路が前記メインコンデンサに電荷を蓄積する動作を開始する前に、前記スイッチを“ＯＮ”として前記接続ノードの電位を前記基準電位に固定し、前記充電回路が前記メインコンデンサに電荷を蓄積する動作を開始するときに、前記スイッチを“ＯＦＦ”として前記接続ノードを前記基準電圧源から開放することを特徴とする請求項２に係る昇圧回路。
【請求項４】
前記スイッチ制御回路は、前記充電回路が前記メインコンデンサに電荷を蓄積する動作を終了する前に、前記スイッチを“ＯＮ”として前記接続ノードの電位を前記基準電位に固定し、前記充電回路が前記メインコンデンサに電荷を蓄積する動作を終了するときに、前記スイッチを“ＯＦＦ”として前記接続ノードを前記基準電圧源から開放することを特徴とする請求項２に係る昇圧回路。
【請求項５】
前記接続ノードを所定の電位にクランプする電圧クランプ回路を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に係る昇圧回路。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に係る昇圧回路と、該昇圧回路の前記メインコンデンサに充電された電荷により発光する発光部とを有することを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項６に係る発光装置を備えたことを特徴とするカメラ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、メインコンデンサに充電を行う昇圧回路、特に、発光装置に用いて好適な昇圧回路、及び該昇圧回路を用いた発光装置並びに該発光装置を用いたカメラに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、メインコンデンサの充電電圧を検出できる昇圧回路として、様々な方式のものが提案されている。例えば、特開２００２−９０８２７号公報には、図５に示すようなメインコンデンサの充電電圧を抵抗で分圧して検出する方式の昇圧回路が開示されている。図５において、１はメインコンデンサ、２は充電制御回路、３は充電回路、４はグラウンド、５，６は分圧抵抗を構成する第１及び第２の負荷抵抗であり、充電回路３の出力端子３ａはメインコンデンサ１の一端と第１の負荷抵抗５の一端に接続され、第１の負荷抵抗５の他端は第２の負荷抵抗６の一端と充電制御回路２の検出端子２ａに接続され、第２の負荷抵抗６の他端はグラウンド４とメインコンデンサ１の他端に接続され、充電制御回路２の充電制御端子２ｂは充電回路３の制御端子３ｂに接続されて、昇圧回路が構成されている。
【０００３】
このように構成された昇圧回路においては、第１の負荷抵抗５と第２の負荷抵抗６の接続ノードには、メインコンデンサ１の充電電圧に比例した電位が現れ、充電制御回路２は、該電位を検出することでメインコンデンサ１の充電電圧を検出し、充電回路３を制御するようになっている。
【０００４】
また、特開平６−２０５２５３号公報には、図６に示すようなメインコンデンサと分圧抵抗間にスイッチングダイオードを介在させた方式の昇圧回路が開示されている。なお、同図中、図５に示した従来例と同一の構成要素には同一の符号を付して示している。図６において、７はスイッチングダイオードであり、メインコンデンサ１と第１の負荷抵抗５の間にアノード端子を負荷抵抗側にして接続されている。
【０００５】
このように構成された昇圧回路においては、スイッチングダイオード７は、メインコンデンサ１に蓄積された電荷が第１及び第２の負荷抵抗５，６を介してグラウンド４に漏れるのを防ぐ“弁”としての機能を果している。
【特許文献１】特開２００２−９０８２７号公報
【特許文献２】特開平６−２０５２５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで図５に示した方式の従来の昇圧回路では、メインコンデンサ１に蓄積された電荷が分圧抵抗を構成する第１及び第２の負荷抵抗５，６を介してグラウンド４に漏れてしまうため、充電停止時にメインコンデンサ１の充電電圧が大きく低下してしまうという問題点がある。
【０００７】
一方、図６に示した方式の従来の昇圧回路では、メインコンデンサ１に蓄積された電荷が第１及び第２の負荷抵抗５，６側に漏れるのを防ぐスイッチングダイオード７が付加されているため、充電停止時の漏れ電流によるメインコンデンサ１の充電電圧の低下は防げる。しかしながら、この充電停止時においては、スイッチングダイオード７によりメインコンデンサ１と分圧抵抗を構成する第１及び第２の負荷抵抗５，６が電気的に分離されるため、第１の負荷抵抗５と第２の負荷抵抗６の接続ノードの電位とメインコンデンサ１の充電電圧には電気的な関連性がなくなり、充電電圧を検出できなくなるという問題点がある。
【０００８】
また、図５や図６に示した方式のような充電電圧の検出を抵抗分圧で行っている昇圧回路の場合、目標の充電電圧が大きい場合には分圧抵抗の比率を大きくする必要があるため、充電電圧の微小な変動を検出するのが困難である。例えば、図５に示した昇圧回路において、メインコンデンサ１が 300Ｖに充電されたときに、分圧抵抗を構成する第１の負荷抵抗５と第２の負荷抵抗６の接続ノードの電位が２Ｖになるように、第１の負荷抵抗５と第２の負荷抵抗６の抵抗比を設定した場合、検出電位に対して充電電圧は 150倍になる。これは、検出誤差に対する実際の充電電圧の誤差も 150倍になることを意味する。例えば、検出電位の誤差を40ｍＶとした場合、充電電圧の誤差は６Ｖになるため、誤差率10% 以下の精度で検出できる充電電圧の最小変動量は60Ｖになってしまう。なお、メインコンデンサの充電電圧を、分圧せずにコンパレータで直接検出する方式の昇圧回路も考えられるが、この方式の昇圧回路では、コンパレータの耐圧の関係でメインコンデンサの充電電圧をあまり大きくすることができないため、カメラ等の発光装置への利用は困難である。
【０００９】
本発明は、従来の昇圧回路における上記問題点を解消するためになされたものであって、メインコンデンサの電荷の漏れが小さく、充電停止時にもメインコンデンサの充電電圧を検出でき、メインコンデンサの充電電圧の変動量を高精度で検出可能な昇圧回路、及びその昇圧回路を用いた発光装置、並びにその発光装置を用いたカメラを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記問題点を解決するため、請求項１に係る発明は、メインコンデンサと、該メインコンデンサに並列に接続された直列接続の第１の負荷容量と第２の負荷容量と、前記メインコンデンサに電荷を蓄積する充電回路と、前記第１の負荷容量と前記第２の負荷容量の接続ノードの電位を検出し、該検出値に基づいて前記充電回路を制御する充電制御回路とを備えて昇圧回路を構成するものである。
【００１１】
このように構成された昇圧回路は、従来の昇圧回路のように、メインコンデンサの充電電圧の検出に負荷抵抗を用いるのではなく、負荷容量を用いることによってメインコンデンサの電荷の流出を防いでいる。すなわち、請求項１に係る昇圧回路によれば、充電電圧を分圧する直列接続の第１及び第２の負荷容量からのメインコンデンサの電荷漏れを低減し、充電停止時にもメインコンデンサの充電電圧の変動を検出することができ、安定した充電制御が可能となる。
【００１２】
請求項２に係る発明は、請求項１に係る昇圧回路において、スイッチを介して前記接続ノードに基準電圧を供給する基準電圧源と、前記スイッチを制御するスイッチ制御回路とを更に有することを特徴とするものである。
【００１３】
このように構成された昇圧回路においては、充電電圧検出部である第１の負荷容量と第２の負荷容量の接続ノードの電位を任意のタイミングで所定値に設定可能であり、該接続ノードの電位は、設定された電位から、前記メインコンデンサの充電電圧の変動量に比例して変動する。すなわち、請求項２に係る昇圧回路によれば、メインコンデンサの充電電圧の変動量を所定電位を基準に高精度に検出することができる。例えば、メインコンデンサの充電電圧を 280Ｖ〜 300Ｖの範囲で検出するときに、第１の負荷容量と第２の負荷容量の接続ノードの電位を検出する充電制御回路の検出レンジが０Ｖ〜５Ｖである場合、メインコンデンサの充電電圧が 280Ｖのときに前記接続ノードの電位を０Ｖに初期設定したならば、第１の負荷容量と第２の負荷容量の比を１：３に設定すると、メインコンデンサの充電電圧が 300Ｖのときに前記接続ノードの電位が５Ｖになり、メインコンデンサの充電電圧を 300Ｖまで検出できる。このとき、仮に前記接続ノードの電位の検出誤差を40ｍＶとしたならば、メインコンデンサの充電電圧の検出誤差は 160ｍＶで、誤差率10% 以下の精度で検出できる充電電圧の最小変動量は 1.6Ｖとなり、非常に高精度な充電電圧の変動量の検出を実現できる。
【００１４】
請求項３に係る発明は、請求項２に係る昇圧回路において、前記スイッチ制御回路は、前記充電回路が前記メインコンデンサに電荷を蓄積する動作を開始する前に、前記スイッチを“ＯＮ”として前記接続ノードの電位を前記基準電位に固定し、前記充電回路が前記メインコンデンサに電荷を蓄積する動作を開始するときに、前記スイッチを“ＯＦＦ”として前記接続ノードを前記基準電圧源から開放することを特徴とするものである。
【００１５】
このように構成された昇圧回路によれば、第１の負荷容量と第２の負荷容量の接続ノードの初期電位を充電開始時に設定することにより、充電動作開始からの充電電圧の変動を高精度に検出することができる。
【００１６】
請求項４に係る発明は、請求項２に係る昇圧回路において、前記スイッチ制御回路は、前記充電回路が前記メインコンデンサに電荷を蓄積する動作を終了する前に、前記スイッチを“ＯＮ”として前記接続ノードの電位を前記基準電位に固定し、前記充電回路が前記メインコンデンサに電荷を蓄積する動作を終了するときに、前記スイッチを“ＯＦＦ”として前記接続ノードを前記基準電圧源から開放することを特徴とするものである。
【００１７】
このように構成された昇圧回路によれば、第１の負荷容量と第２の負荷容量の接続ノードの初期電位を充電完了時に設定することにより、充電動作停止からの充電電圧の変動を高精度に検出することができる。
【００１８】
請求項５に係る発明は、請求項１〜４のいずれか１項に係る昇圧回路において、前記接続ノードを所定の電位にクランプする電圧クランプ回路を有することを特徴とするものである。
【００１９】
このように構成された昇圧回路においては、メインコンデンサの充電電圧が過大に変動しても、前記接続ノードの電位は前記電圧クランプ回路によってクランプされ、一定レベルを超えない。すなわち、請求項５に係る昇圧回路によれば、前記接続ノードの電位が充電制御回路の検出レンジを大きく外れ、回路の破損等に繋がる不具合を防ぐことができる。例えば、メインコンデンサの充電電圧が 300Ｖのときに前記接続ノードの電位が５Ｖになるように初期設定され、第１の負荷容量と第２の負荷容量のインピーダンスの比が４倍に設定されている場合、メインコンデンサの充電電圧が 300Ｖから60Ｖに低下したとき、前記電圧クランプ回路がないときには、前記接続ノードの電位は−55Ｖになってしまう。充電制御回路が接地電位基準の回路である場合に、この−55Ｖという電位が直接入力されれば回路が破損する危険があり、また、前記接続ノードの電位を−55Ｖから再度５Ｖに設定する際には、無駄なエネルギーを消費することになる。
【００２０】
請求項６に係る発明は、請求項１〜５のいずれか１項に係る昇圧回路と、該昇圧回路の前記メインコンデンサに充電された電荷により発光する発光部とを備えて発光装置を構成するものである。
【００２１】
このように構成された発光装置によれば、請求項１〜５のいずれか１項に係る昇圧回路を用いることにより、エネルギー効率がよく、安定した動作の発光装置を実現することができる。
【００２２】
請求項７に係る発明は、請求項６に係る発光装置を備えてカメラを構成するものである。
【００２３】
このように構成されたカメラによれば、請求項６に係る発光装置を搭載することにより、暗い場所でも安定した撮影が可能な、電池寿命の長いカメラを実現することができる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、メインコンデンサの電荷の漏れが小さく、充電停止時にもメインコンデンサの充電電圧を検出でき、メインコンデンサの充電電圧の変動を高精度で検出できる昇圧回路を提供することができる。また、本発明に係る昇圧回路を発光装置に用いることにより、エネルギー効率がよく、安定した動作の発光装置を実現することができる。また、本発明に係る発光装置をカメラに搭載することにより、暗い場所でも安定した撮影が可能な、電池寿命の長いカメラを実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
次に、本発明を実施するための最良の形態について説明する。
【実施例】
【００２６】
まず、本発明に係る昇圧回路の実施例１を図１に示すブロック構成図に基づいて説明する。この実施例は、請求項１に係る昇圧回路の実施例に対応するものであり、図５及び図６に示した従来例と同一又は対応する構成要素には同一の符号を付して示している。図１において、８，９は第１及び第２の負荷容量であり、第１の負荷容量８はメインコンデンサ１の一端と第２の負荷容量９の一端に接続され、第２の負荷容量９の他端はグラウンド４に接続され、充電制御回路２は、第１の負荷容量８と第２の容量９の接続ノードの電位の変動を検出端子２ｃを介して検出することでメインコンデンサ１の充電電圧の変動を検出し、充電回路３を制御するようになっている。
【００２７】
次に、具体的な数値を示して上記構成の実施例１の動作について説明する。例えば、第１の負荷容量８が10ｎＦ，第２の容量９が50ｎＦとしたとき、メインコンデンサ１の充電電圧が30Ｖ変動すれば、第１の負荷容量８と第２の負荷容量９の接続ノードは５Ｖ変動する。つまり、充電制御回路２は、５Ｖの検出レンジで30Ｖの充電電圧の変動を検出することができる。また、第１の負荷容量８と第２の負荷容量９においては、メインコンデンサ１の充電電圧が安定した状態では電荷の移動がないので、充電停止時に第１及び第２の負荷容量８，９側からメインコンデンサ１の電荷が流出することがない。
【００２８】
このように、本実施例の昇圧回路によれば、充電停止時にもメインコンデンサの充電電圧の変動量を検出することができ、安定した充電制御が可能となる。
【００２９】
次に、本発明に係る昇圧回路の実施例２を図２に示すブロック構成図に基づいて説明する。この実施例は、請求項１，請求項２，請求項３に係る昇圧回路の実施例に対応するものであり、図１，図５及び図６に示した実施例１及び従来例と同一又は対応する構成要素には同一の符号を付して示している。図２において、10，11は第１及び第２のスイッチ、12は基準電圧源であり、第１のスイッチ10の一端は第１の負荷容量８と第２の負荷容量９の接続ノードに接続され、第２のスイッチ11の一端は充電回路３の出力端子３ａに接続され、第１のスイッチ10及び第２のスイッチ11の他端は基準電圧源12に接続され、制御回路２は充電回路３を制御すると共に、ＳＷ制御端子２ｄにおいて第１のスイッチ10及び第２のスイッチ11を制御する。なお、ここでは制御回路２は、充電制御回路とスイッチ制御回路とを兼ねている。
【００３０】
次に、上記構成の実施例２における制御の流れについて説明する。充電開始前に第１及び第２のスイッチ10，11を“ＯＮ”にしてメインコンデンサ１の充電電圧、及び第１の負荷容量８と第２の負荷容量９の接続ノードの電位を所定値に固定し、その後、第１及び第２のスイッチ10，11を“ＯＦＦ”にする。その後、充電を開始し、制御回路２は第１の負荷容量８と第２の負荷容量９の接続ノードの電位を検出することでメインコンデンサ１の充電電圧の変動を検出し、充電電圧が一定レベルになるように充電回路３の充電動作を制御する。
【００３１】
次に、具体的な数値を示して実施例２の動作について説明する。例えば、第１の負荷容量８が10ｎＦ，第２の負荷容量９が50ｎＦとしたとき、基準電圧源12の出力電圧が０Ｖであって、充電開始前の充電電圧と検出ノードの電位が０Ｖに設定されたならば、充電開始後に第１の負荷容量８と第２の負荷容量９の接続ノードの電位が５Ｖになったときに、メインコンデンサ１の充電電圧が30Ｖになったと判断できる。このように、充電開始前の検出ノードの初期電位を設定することによって、検出レンジをフルに活用した高精度な充電電圧変動の検出が可能となる。また、充電開始前の充電電圧を設定することによって、充電電圧変動の初期値を把握することができ、充電電圧の絶対値を検出することができる。
【００３２】
以上のように、本実施例の昇圧回路によれば、充電動作開始からの充電電圧の変動を高精度に検出でき、また、充電動作開始前の充電電圧値を設定することで、充電電圧の絶対値を検出することが可能となる。なお、本実施例では充電開始前の充電電圧を設定しているが、充電開始前の充電電圧の初期値を検出し、その初期値から充電電圧の絶対値を検出するようにしてもよい。
【００３３】
次に、本発明に係る昇圧回路の実施例３を図３に示すブロック構成図に基づいて説明する。この実施例は、請求項１，請求項２，請求項４に係る昇圧回路の実施例に対応するものであり、図１，図２，図５及び図６に示した実施例１，２及び従来例と同一又は対応する構成要素には同一の符号を付して示している。図３において、制御回路２は、第１の検出端子２ａにおいて第１の負荷抵抗５と第２の負荷抵抗６の接続ノードの電位を、第２の検出端子２ｃにおいて第１の負荷容量８と第２の負荷容量９の接続ノードの電位の変動を検出し、該検出値を元に充電回路３及びスイッチ10を制御する。
【００３４】
次に、上記構成の実施例３における制御の流れについて説明する。充電を開始し、充電中は充電電圧を制御回路２の第１の検出端子２ａにおいて第１の負荷抵抗５と第２の負荷抵抗６の分圧で検出し、充電電圧が所定レベルになったところで充電動作を停止する。このときの検出方式は、図６に示した従来例の方式と同様である。また、充電中は、スイッチ10を“ＯＮ”にして第１の負荷容量８と第２の負荷容量９の接続ノードの電位を所定値に固定し、充電動作の停止と同時にスイッチ10も“ＯＦＦ”にする。充電停止中は、第１の負荷容量８と第２の負荷容量９の接続ノードの電位を制御回路２の第２の検出端子２ｃにおいて検出し、充電電圧が低下すると再度充電動作を開始する。
【００３５】
次に、具体的な数値を示して実施例３の動作について説明する。例えば、第１の負荷容量８が10ｎＦ，第２の負荷容量９が50ｎＦとしたとき、充電電圧が 330Ｖで充電動作を停止させ、基準電圧源12によりこのときの第１の負荷容量８と第２の負荷容量９の接続ノードの電位を５Ｖに設定したならば、充電停止後に第１の負荷容量８と第２の負荷容量９の接続ノードの電位が０Ｖになったときに、メインコンデンサ１の充電電圧が 300Ｖまで低下したと判断できる。このように、充電動作が停止した時の検出ノードの初期電位を設定することによって、検出レンジをフルに活用した高精度な充電動作停止状態における充電電圧変動の検出が可能となる。また、充電動作が停止する時の充電電圧は一定なので、充電動作停止状態での充電電圧の絶対値も検出することができる。
【００３６】
以上のように、本実施例の昇圧回路によれば、充電動作が停止している状態でも充電電圧を高精度に検出することが可能となる。
【００３７】
次に、本発明に係る昇圧回路の実施例４及び発光装置の実施例を図４に示すブロック構成図に基づいて説明する。この実施例は、請求項１，請求項２，請求項４，請求項５，請求項６に係る昇圧回路及び発光装置の実施例に対応するものであり、図１，図２，図３，図５及び図６に示した実施例１〜３及び従来例と同一又は対応する構成要素には同一の符号を付して示している。図４において、15はフライバックトランス、16はＮＭＯＳトランジスタ、17はＮＭＯＳトランジスタ16の駆動信号を出力する充電パルス発生回路、18は整流用のダイオード、19は電源、21はキセノン管、22はキセノン管21に発光のための高電圧を供給するトリガ回路、23はＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）、24はＩＧＢＴ駆動信号を出力する発光パルス発生回路、25はダイオードである。そして、上記フライバックトランス15，ＮＭＯＳトランジスタ16，充電パルス発生回路17，ダイオード18及び電源19で充電回路３が構成されており、またキセノン管21，トリガ回路22，ＩＧＢＴ23及び発光パルス発生回路24で発光部30が構成されており、またダイオード25で第１の負荷容量８と第２の負荷容量９の接続ノードの電位をクランプする電圧クランプ回路が構成されている。
【００３８】
また、充電パルス発生回路17の制御端子17ａは、制御回路２の充電制御端子２ｂに接続され、充電パルス発生回路17の駆動端子17ｂはＮＭＯＳトランジスタ16のゲート端子に接続され、電源19はフライバックトランス15の一次側を介してＮＭＯＳトランジスタ16のドレイン端子に接続され、ＮＭＯＳトランジスタ16のソース端子はグラウンド４に接続され、ダイオード18のアノード端子はフライバックトランス15の二次側を介してグラウンド４に接続され、整流用のダイオード18のカソード端子はスイッチング用のダイオード７のアノード端子に接続されている。また発光パルス発生回路24の制御端子24ａは制御回路２の発光制御端子２ｅに接続され、発光パルス発生回路24の駆動端子24ｂはＩＧＢＴ23のゲート端子に接続され、キセノン管21はダイオード７のカソード端子とＩＧＢＴ23のコレクタ端子間に接続され、トリガ回路22はＩＧＢＴ23のコレクタ端子とキセノン管21のトリガ電極間に接続され、ＩＧＢＴ23のエミッタ端子はグラウンド４に接続されている。また、クランプ用のダイオード25のカソード端子は第１の負荷容量８と第２の負荷容量９の接続ノードに接続され、ダイオード25のアノード端子はグラウンド４に接続されている。なお、制御回路２は、充電制御回路とスイッチ制御回路と発光部の制御回路を兼ねている。
【００３９】
次に、このように構成されている発光装置の動作について説明する。まず、充電回路３と発光部30の動作について説明する。充電回路３は、フライバックトランス15を用いた従来技術の充電回路であり、ＮＭＯＳトランジスタ16が“ＯＮ”してフライバックトランス15に磁気エネルギーが蓄積され、“ＯＦＦ”したときに蓄積された磁気エネルギーがフライバックトランス15の二次側を介して開放され、ダイオード18により整流された電流がダイオード７を介してメインコンデンサ１に電荷として蓄積される。充電パルス発生回路17は、制御回路２からの制御信号を受けて、この“ＯＮ”−“ＯＦＦ”動作を所定のタイミングで繰り返すことにより、メインコンデンサ１に充電する。なお、図６に示した従来例における説明でも述べたが、スイッチングダイオード７は、メインコンデンサ１に蓄積された電荷が、第１及び第２の負荷抵抗５，６を介してグラウンド４に漏れるのを防ぐ“弁”としての機能を備えている。
【００４０】
発光部30は、キセノン管21を用いた従来技術の発光回路であり、メインコンデンサ１の充電電圧が数百Ｖを越える状態で発光パルス発生回路24からの駆動パルスによりＩＧＢＴ23が“ＯＮ”すると、キセノン管21にはトリガ回路22によって数千Ｖのトリガ電圧が加えられ、これをきっかけに電流がメインコンデンサ１からキセノン管21を通ってＩＧＢＴ23に一気に引き込まれ、このときにキセノン管21内で発光する。発光パルス発生回路24は、制御回路２からの制御信号を受けてシングルパルスを出力し、ＩＧＢＴ23を“ＯＮ”させる。
【００４１】
次に、発光装置全体の制御の流れについて説明する。充電回路３による充電を開始すると、メインコンデンサ１は所定レベルに充電される。充電動作の流れは、図３に示した実施例３と同じである。その後、制御回路２は発光制御端子２ｅより発光信号を出力し、発光部30により発光動作が行われる。発光動作時には、メインコンデンサ１の充電電圧は急激に低下し、これに伴い、第１の負荷容量８と第２の負荷容量９の接続ノードの電位もこれに比例して低下しようとするが、クランプ用ダイオード25によって接続ノードの電位は−１Ｖ程度にクランプされる。
【００４２】
このように、本実施例に係る昇圧回路及び発光装置によれば、発光部30の発光動作によりメインコンデンサ１の充電電圧が急激に低下しても、第１の負荷容量８と第２の負荷容量９の接続ノードは一定レベルでクランプされるため、制御回路２の第２の検出端子２ｃに過小な電位が入力され、回路の破損等に繋がる不具合を防ぐことができる。また、充電動作を再開し、前記接続ノードの電位を再び所定電位に設定する際にも、前記接続ノードの電位が一定レベルでクランプされることにより、所定電位と前記接続ノードの電位は一定レベル以上乖離することがなくなるため、無駄なエネルギーの消費を防ぐことができる。
【００４３】
なお、上記実施例に係る発光装置は、図示した構成の実施例４に係る昇圧回路を用いたものを示したが、図１〜図３に示した実施例１〜３に係る昇圧回路を用いて発光装置を構成することができる。また、図示は省略するが、上記図４に示した発光装置あるいは図１〜図３に示した昇圧回路を用いて構成した発光装置を搭載することにより、暗い場所でも安定した撮影が可能な、電池寿命の長いカメラを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明に係る昇圧回路の実施例１を示すブロック構成図である。
【図２】本発明に係る昇圧回路の実施例２を示すブロック構成図である。
【図３】本発明に係る昇圧回路の実施例３を示すブロック構成図である。
【図４】本発明に係る昇圧回路の実施例４及び発光装置の実施例を示すブロック構成図である。
【図５】従来の昇圧回路の構成例を示すブロック構成図である。
【図６】従来の昇圧回路の他の構成例を示すブロック構成図である。
【符号の説明】
【００４５】
１  メインコンデンサ
２  充電制御回路、制御回路
３  充電回路
４  グラウンド
５  第１の負荷抵抗
６  第２の負荷抵抗
７  スイッチングダイオード
８  第１の負荷容量
９  第２の負荷容量
10  第１のスイッチ、スイッチ
11  第２のスイッチ
12  基準電圧源
15  フライバックトランス
16  ＮＭＯＳトランジスタ
17  充電パルス発生回路
18  整流用ダイオード
19  電源
21  キセノン管
22  トリガ回路
23  ＩＧＢＴ
24  発光パルス発生回路
25  クランプ用ダイオード
30  発光部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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