(57)【要約】【課題】検査対象が、直径が８インチ以上の大面積のウエハや被検査電極のピッチが極めて小さい回路装置であっても、バーンイン試験において、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれを確実に防止し、これにより良好な電気的接続状態を安定に維持することができるシート状プローブを提供する。【解決手段】絶縁膜の熱線膨張係数をＨ１とし、支持体の熱線膨張係数をＨ２とし、リング状の支持部材の熱線膨張係数をＨ３としたとき、下記の条件（１）〜（３）、すなわち、条件（１）：Ｈ１＝０．８×１０-5〜８×１０-5／Ｋ、条件（２）：Ｈ２／Ｈ１＜１、条件（３）：Ｈ３／Ｈ１＜１を満足するシート状プローブである。【選択図】図１
2006162604.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通穴が形成された支持体と、
前記支持体の周縁部を支持するリング状の支持部材と、
前記支持体の貫通穴の周縁部に支持された接点膜とを備え、
前記接点膜が、柔軟な樹脂からなる絶縁膜と、前記絶縁膜の表裏面を貫通するように、表面電極部と裏面電極部と表面電極部と裏面電極部を連結する短絡部とから形成した電極構造体とを備える回路装置の電気検査に用いられるシート状プローブであって、
前記絶縁膜の熱線膨張係数をＨ１とし、
前記支持体の熱線膨張係数をＨ２とし、
前記リング状の支持部材の熱線膨張係数をＨ３としたとき、下記の条件（１）〜（３）、すなわち、
条件（１）：Ｈ１＝０．８×１０-5〜８×１０-5／Ｋ
条件（２）：Ｈ２／Ｈ１＜１
条件（３）：Ｈ３／Ｈ１＜１
を満足することを特徴とするシート状プローブ。
【請求項２】
前記支持体の熱線膨張係数をＨ２と、前記リング状の支持部材の熱線膨張係数をＨ３が、下記の条件（４）、すなわち、
条件（４）：Ｈ３／Ｈ２＝０．０２〜５０
を満足することを特徴とする請求項１に記載のシート状プローブ。
【請求項３】
前記支持体の熱線膨張係数Ｈ２が、下記の条件（５）、すなわち、
条件（５）：Ｈ２＝−１×１０-7〜３×１０-5／Ｋを満足することを特徴とする請求項１から２のいずれかに記載のシート状プローブ。
【請求項４】
前記リング状の支持部材の熱線膨張係数Ｈ３が、下記の条件（６）、すなわち、
条件（６）：Ｈ３＝−１×１０-7〜３×１０-5／Ｋ
を満足することを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のシート状プローブ。
【請求項５】
前記支持体が、複数の貫通穴が形成され、これらの各貫通穴に、前記接点膜が支持されていることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載のシート状プローブ。
【請求項６】
前記支持体が、金属フレーム板から構成されていることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のシート状プローブ。
【請求項７】
前記支持体が、多孔膜から構成されていることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のシート状プローブ。
【請求項８】
前記接点膜の周縁部と前記多孔膜とが、前記多孔膜の微細孔内に前記絶縁膜が含まれるように一体化されていることを特徴とする請求項７に記載のシート状プローブ。
【請求項９】
前記多孔膜が、有機繊維からなるメッシュもしくは不織布であることを特徴とする請求項７から８のいずれかに記載のシート状プローブ。
【請求項１０】
前記金属フレーム板の貫通穴の周縁部に、絶縁膜によって貫通穴の周縁部を両面側から挟み込んだ状態で、接点膜が支持されていることを特徴とする請求項６に記載のシート状プローブ。
【請求項１１】
前記金属フレーム板の貫通穴の周縁部上に、絶縁膜によって接点膜が支持されているこ
とを特徴とする請求項６に記載のシート状プローブ。
【請求項１２】
前記電極構造体のピッチが、４０〜２５０μｍであり、電極構造体の総数が、５０００個以上であることを特徴とする請求項１から１１のいずれかに記載のシート状プローブ。
【請求項１３】
前記金属フレーム板の厚さが、１０〜６００μｍであることを特徴とする請求項１から１２のいずれかに記載のシート状プローブ。
【請求項１４】
前記リング状の支持部材の厚さが、１．５ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１から１３のいずれかに記載のシート状プローブ。
【請求項１５】
前記リング状の支持部材が、検査装置本体の検査電極が設けられた側に形成された位置合わせ部に係合することにより、検査装置の検査電極と絶縁膜に形成された電極構造体が位置合わせされるように構成されていることを特徴とする請求項１から１４のいずれかに記載のシート状プローブ
【請求項１６】
前記シート状プローブが、ウエハに形成された複数の集積回路について、集積回路の電気検査をウエハの状態で行うために用いられるものであることを特徴とする請求項１から１５のいずれかに記載のシート状プローブ。
【請求項１７】
検査対象である回路装置の被検査電極に対応する検査電極が表面に形成された検査用回路基板と、
この検査用回路基板上に配置される異方導電性コネクターと、
この異方導電性コネクター上に配置される請求項１から１６のいずれかに記載のシート状プローブとを備えることを特徴とするプローブカード。
【請求項１８】
請求項１７に記載のプローブカードを備えることを特徴とする回路装置の検査装置。
【請求項１９】
複数の集積回路が形成されたウエハの各集積回路を、請求項１７に記載のプローブカードを介してテスターに電気的に接続し、各集積回路の電気検査を行うことを特徴とするウエハの検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路装置の電気検査に用いられるシート状プローブ、および、プローブカード、ならびに、ウエハの検査方法に関し、さらに詳しくは、例えば、ウエハに形成された複数の集積回路の電気検査をウエハの状態で行うために用いられるシート状プローブ、および、プローブカード、ならびに、ウエハの検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、多数の集積回路が形成されたウエハや、半導体素子等の電子部品などの回路装置の電気検査では、被検査回路装置の被検査電極のパターンに従って配置された検査用電極を有するプローブ装置が用いられている。従来から、このような装置としてピンもしくはブレードからなる検査用電極（検査プローブ）が配列されたプローブ装置が使用されている。
【０００３】
被検査回路装置が多数の集積回路が形成されたウエハである場合、ウエハ検査用のプローブ装置を作製するためには、非常に多数の検査プローブを配列することが必要となるので、プローブ装置は高価になる。また、被検査電極のピッチが小さい場合には、プローブ装置を作製すること自体が困難になる。また、ウエハには一般に反りが生じており、その反りの状態も製品（ウエハ）毎に異なるため、それぞれのウエハの多数の被検査電極に対して、プローブ装置の検査プローブのそれぞれを安定にかつ確実に接触させることは実際上困難である。
【０００４】
このような問題に対応するため、一面に被検査電極のパターンに従って複数の検査用電極が形成された検査用回路基板の一面上に、異方導電性シートを配置し、この異方導電性シート上に、絶縁シートにその厚さ方向に貫通して延びる複数の電極構造体が配列されたシート状プローブを配置したプローブカードが提案されている（特許文献１（特開２００１−１５５６５号公報）および特許文献２（特開２００２−１８４８２１号公報）参照）。
【０００５】
このプローブカードのシート状プローブ９０は、図３９に示したように、ポリイミドなどの樹脂からなる柔軟な円形の絶縁シート９１を有し、この絶縁シート９１には、その厚さ方向に延びる複数の電極構造体９５が、被検査回路装置の被検査電極のパターンに従って配置されている。
【０００６】
また、絶縁シート９１の周縁部には、絶縁シート９１の熱膨張を制御する等の目的で、例えば、セラミックスからなるリング状の支持部材９２が設けられている。
各電極構造体９５は、絶縁シート９１の表面に露出する突起状の表面電極部９６と、絶縁シート９１の裏面に露出する板状の裏面電極部９７とが、絶縁シート９１をその厚さ方向に貫通して延びる短絡部９８を介して、一体に連結された構造になっている。また、絶縁シート９１の周縁部には、セラミックス等からなるリング状の支持部材９２が設けられている。この支持部材９２は、絶縁シート９１の面方向の熱膨張を制御し、バーンイン試験において温度変化による電極構造体９５と被検査電極との位置ずれを防止するためのものである。
【特許文献１】特開２００１−１５５６５号公報
【特許文献２】特開２００２−１８４８２１号公報
【特許文献３】特許第２８２８４１０号公報
【特許文献４】特開２００２−７６０７４号公報
【特許文献５】特願２００４−１３１７６４号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、このようなシート状プローブでは、以下のような問題がある。
例えば、直径が８インチ以上のウエハでは、５０００個または１００００個以上の被検査電極が形成されており、これらの被検査電極のピッチは１６０μｍ以下である。このようなウエハの検査を行うためのシート状プローブとしては、ウエハに対応した大面積を有し、５０００個または１００００個以上の電極構造体が、１６０μｍ以下のピッチで配置されたものが必要となる。
【０００８】
しかし、ウエハを構成する材料、例えば、シリコンの線熱膨張係数は、３．３×１０-6／Ｋ程度であり、一方、シート状プローブの絶縁シートを構成する材料、例えば、ポリイミドの線熱膨張係数は４．５×１０-5／Ｋ程度である。
【０００９】
従って、例えば、２５℃において、それぞれ直径が３０ｃｍのウエハ、シート状プローブの各々を、２０℃から１２０℃まで加熱した場合には、理論上、ウエハの直径の変化は、９９μｍにすぎないが、シート状プローブの絶縁シートの直径の変化は、１３５０μｍに達し、両者の熱膨張の差は１２５１μｍとなる。
【００１０】
このように、ウエハとシート状プローブの絶縁シートとの間で、面方向の熱膨張の絶対量に大きな差が生じると、絶縁シートの周縁部を、ウエハの線熱膨張係数と同等の線熱膨張係数を有する支持部材によって固定しても、バーンイン試験の際に、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれを確実に防止することは困難であるため、良好な電気的接続状態を安定に維持することができない。
【００１１】
また、検査対象が小型の回路装置であっても、その被検査電極のピッチが、５０μｍ以下である場合には、バーンイン試験の際に、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれを確実に防止することは困難であるため、良好な電気的接続状態を安定に維持することができない。
【００１２】
このような問題点に対して、特許文献３（特許第２８２８４１０号公報）には、図４０に示したように、絶縁シート１０１に張力を作用させた状態で、リング状の支持部材１０２に固定することにより、絶縁シート１０１の熱膨張を緩和する方法、すなわち、リング状の支持部材１０２の熱膨張率Ａと、絶縁シート１０１の熱膨張率Ｂを、同一の熱膨張率に制御する方法が提案されている。
【００１３】
しかし、この方法では、絶縁シート１０１に対して、その面方向の全ての方向について、均一に張力を作用させることは極めて困難であり、また、電極構造体１０５を形成することによって、絶縁シート１０１に作用する張力のバランスが変化し、その結果、絶縁シート１０１は、熱膨張について異方性を有するようになる。このため、面方向の一方向の熱膨張を抑制することが可能であっても、この一方向と交差する他の方向の熱膨張を抑制することができず、結局、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれを防止することができない。
【００１４】
また、絶縁シート１０１をこれに張力を作用させた状態で支持部材１０２に固定するためには、加熱下において絶縁シート１０１を支持部材１０２に接着する、という煩雑な工程が必要となるため、製造コストの増大を招く、という問題がある。
【００１５】
このため、特許文献４（特開２００２−７６０７４号公報）においては、絶縁性フィルムと導電層とを積層した構造の積層フィルムを、所定の温度でセラミックリング上に張力
を持たせて張り付け、この積層フィルムにバンプホールを形成して、電気メッキを行って、バンプホール内にメッキを成長させ表面電極部を形成するとともに、導電層を選択的にエッチングして、裏面電極部を形成して電極構造体を形成している。そして、絶絶縁性フィルムを選択的にエッチングして、電極構造体の部分を避けて、リング状に残しパターンを形成している。
【００１６】
これにより、セラミックリングの元に戻ろうとする復元力に比べ、絶縁性フィルムの張力が非常に弱いことが、電極構造体を形成することによって、絶縁シートに作用する張力のバランスが変化し、その結果、絶縁シートは、熱膨張について異方性を有する原因であるので、絶縁性フィルム上に残しパターンを形成しておき、この残しパターンによって、セラミックリングの復元力に対抗させている。
【００１７】
また、本出願人は、特許文献５（特願２００４−１３１７６４号）において、検査対象が、直径が８インチ以上の大面積のウエハや被検査電極のピッチが極めて小さい回路装置であっても、バーンイン試験において、良好な電気的接続状態を安定に維持することができるプローブカードおよびその製造方法を既に提案した。
【００１８】
すなわち、この特許文献５では、図４１（ａ）に示したように、フレーム板形成用金属板２０２と、このフレーム板形成用金属板２０２上に一体的に積層された絶縁膜形成用シート２０４とを有する積層体２０６を用意し、この積層体の絶縁膜形成用樹脂シート２０４に、貫通孔２０８を形成し、積層体２０６に対してメッキ処理を施すことにより、絶縁膜形成用樹脂シート２０４の貫通孔２０８内に、フレーム板形成用金属板２０２に連結された短絡部２１０と、短絡部２１０に連結された表面電極部２１２を形成している（図４１（ｂ）参照）。
【００１９】
そして、フレーム板形成用金属板２０２をエッチング処理することにより、貫通孔１１４が形成された金属フレーム板１１ａ６を形成するとともに、フレーム板形成用金属板２０２の一部によって、短絡部２１０に連結された裏面電極部２１８を形成している。
【００２０】
これにより、図４１（ｃ）に示したように、表面に露出する表面電極部２１２と、裏面に露出する裏面電極部２１８を有する電極構造体２２０が、柔軟な樹脂よりなる絶縁膜２２２に保持されてなる接点膜２２４と、この接点膜２２４を支持する金属フレーム板２１６とから構成されるシート状プローブ２００が得られるものである。
【００２１】
このような特許文献５のシート状プローブ２００では、絶縁膜２２２の面方向の熱膨張が金属フレーム板２１６によって確実に規制されるので、検査対象が、例えば、直径が８インチ以上の大面積のウエハや被検査電極のピッチが極めて小さい回路装置であっても、バーンイン試験において、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれが確実に防止され、その結果、良好な電気的接続状態が安定に維持されるものである。
【００２２】
しかしながら、特許文献４および特許文献５のいずれの場合であっても、絶縁膜２２２と、金属フレーム板２１６と、リング状の支持部材（図示せず）との間の熱膨張率について何ら考慮されていないものである。
【００２３】
従って、これらの絶縁膜２２２と、金属フレーム板２１６と、リング状の支持部材の形成材料が、例えば、
（１）  絶縁膜２２２が、ポリイミド系樹脂、液晶ポリマーなどの柔軟性を有する樹脂から構成され、
（２）  金属フレーム板２１６が、４２合金、インバー、コバールなどの鉄−ニッケル合金鋼から構成され、
（３）  リング状の支持部材が、アルミナ、炭化珪素、窒化珪素などのセラミックス材料から構成され、
ている場合には、これらの異なる材料の間の熱膨張率を、適切な範囲に選択しない場合には、バーンイン試験の際に、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれを確実に防止することが困難となり、良好な電気的接続状態を安定に維持することができない。
【００２４】
本発明は、このような現状に鑑み、検査対象が、直径が８インチ以上の大面積のウエハや被検査電極のピッチが極めて小さい回路装置であっても、バーンイン試験において、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれを確実に防止し、これにより良好な電気的接続状態を安定に維持することができるシート状プローブを提供することを目的としている。
【００２５】
また、本発明は、検査対象が、直径が８インチ以上の大面積のウエハや被検査電極のピッチが極めて小さい回路装置であっても、バーンイン試験において、良好な電気的接続状態を安定に維持することができるプローブカード、およびこれを備えた回路装置の検査装置ならびにウエハ検査方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
本発明は、前述したような従来技術における課題及び目的を達成するために発明されたものであって、本発明のシート状プローブは、
貫通穴が形成された支持体と、
前記支持体の周縁部を支持するリング状の支持部材と、
前記支持体の貫通穴の周縁部に支持された接点膜とを備え、
前記接点膜が、柔軟な樹脂からなる絶縁膜と、前記絶縁膜の表裏面を貫通するように、表面電極部と裏面電極部と表面電極部と裏面電極部を連結する短絡部とから形成した電極構造体とを備える回路装置の電気検査に用いられるシート状プローブであって、
前記絶縁膜の熱線膨張係数をＨ１とし、
前記支持体の熱線膨張係数をＨ２とし、
前記リング状の支持部材の熱線膨張係数をＨ３としたとき、下記の条件（１）〜（３）、すなわち、
条件（１）：Ｈ１＝０．８×１０-5〜８×１０-5／Ｋ
条件（２）：Ｈ２／Ｈ１＜１
条件（３）：Ｈ３／Ｈ１＜１
を満足することを特徴とする。
【００２７】
また、本発明のシート状プローブは、前記支持体の熱線膨張係数をＨ２と、前記リング状の支持部材の熱線膨張係数をＨ３が、下記の条件（４）、すなわち、
条件（４）：Ｈ３／Ｈ２＝０．０２〜５０
を満足することを特徴とする。
【００２８】
このようなシート状プローブによれば、金属フレーム板の貫通穴に接点膜を支持しているので、貫通穴に配置される接点膜の面積を小さくすることができる。例えば、検査対象である回路装置の被検査電極が形成された電極領域に対応して、複数の貫通穴を形成した金属フレーム板を用いれば、これらの各貫通穴に配置され、その周縁部で支持されるそれぞれの接点膜の面積を大幅に小さくすることができる。
【００２９】
このような面積の小さい接点膜は、その絶縁膜の面方向の熱膨張の絶対量が小さいため、絶縁膜の熱膨張を金属フレーム板によって確実に規制することが可能となる。
また、絶縁膜の熱線膨張係数Ｈ１と、支持体の熱線膨張係数Ｈ２と、リング状の支持部材の熱線膨張係数Ｈ３とを、上記のような条件（１）〜（４）を満足するように、これら
の部材の間の熱膨張率を設定することによって、これらの部材の熱膨張率の相違による影響、すなわち、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれを抑えることができる。
【００３０】
従って、検査対象が、例えば、直径が８インチ以上の大面積のウエハや被検査電極のピッチが極めて小さい回路装置であっても、バーンイン試験の際に、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれが確実に防止されるため、良好な電気的接続状態を安定して維持することができる。
【００３１】
また、本発明のシート状プローブは、前記支持体の熱線膨張係数Ｈ２が、下記の条件（５）、すなわち、
条件（５）：Ｈ２＝−１×１０-7〜３×１０-5／Ｋを満足することを特徴とする。
【００３２】
このように、支持体の熱線膨張係数Ｈ２を、上記のような条件（５）を満足するように、これらの部材の間の熱膨張率を設定することによって、絶縁膜と、支持体と、リング状の支持部材の熱膨張率の相違による影響、すなわち、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれをさらに抑えることができる。
【００３３】
また、本発明のシート状プローブは、前記リング状の支持部材の熱線膨張係数Ｈ３が、下記の条件（６）、すなわち、
条件（６）：Ｈ３＝−１×１０-7〜３×１０-5／Ｋ
を満足することを特徴とする。
【００３４】
このように、リング状の支持部材の熱線膨張係数Ｈ３を、上記のような条件（６）を満足するように、これらの部材の間の熱膨張率を設定することによって、絶縁膜と、支持体と、リング状の支持部材の熱膨張率の相違による影響、すなわち、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれをさらに抑えることができる。
【００３５】
また、本発明のシート状プローブは、前記支持体が、複数の貫通穴が形成され、これらの各貫通穴に、前記接点膜が支持されていることを特徴とする。
このように構成することによって、フレーム板には、検査対象である回路装置の被検査電極が形成された電極領域に対応して、複数の貫通孔が形成されており、これらの貫通孔の各々に配置される接点膜は面積の小さいものでよく、面積の小さい接点膜は、その絶縁膜の面方向の熱膨張の絶対量が小さいため、絶縁膜の熱膨張をフレーム板によって確実に規制することが可能となる。
【００３６】
従って、検査対象が、例えば、直径が８インチ以上の大面積のウエハや被検査電極のピッチが極めて小さい回路装置であっても、バーンイン試験において、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれが確実に防止され、その結果、良好な電気的接続状態を安定して維持することができる。
【００３７】
また、本発明のシート状プローブは、前記支持体が、金属フレーム板から構成されていることを特徴とする。
このように支持体が金属フレーム板から構成されることによって、使用する際に必要な機械的強度が得られ、繰り返しに対しても耐久性が高くなる。
【００３８】
また、本発明のシート状プローブは、前記支持体が、多孔膜から構成されていることを特徴とする。
また、本発明のシート状プローブは、前記接点膜の周縁部と前記多孔膜とが、前記多孔膜の微細孔内に前記絶縁膜が含まれるように一体化されていることを特徴とする。
【００３９】
また、本発明のシート状プローブは、前記多孔膜が、有機繊維からなるメッシュもしくは不織布であることを特徴とする。
このように構成することによって、支持体としてメッシュ、不織布等の多孔膜を使用し、樹脂製の絶縁膜が多孔膜内部に入り込んだ一体化構造を形成して接点膜を支持しているので、接点膜と支持体との固定強度が高く、このシート状プローブを用いた検査装置による電気検査において高い繰り返し耐久性が得られる。
【００４０】
また、本発明のシート状プローブは、前記金属フレーム板の貫通穴の周縁部に、絶縁膜によって貫通穴の周縁部を両面側から挟み込んだ状態で、接点膜が支持されていることを特徴とする。
【００４１】
このように構成することによって、接点膜の絶縁膜が金属フレームの貫通穴の周縁部を両面側から挟み込んだ状態で、金属フレームにより接点膜を固定支持しているので、固定強度が高く、繰り返し使用による接点膜の剥離等を防止できる。
【００４２】
また、本発明のシート状プローブは、前記金属フレーム板の貫通穴の周縁部上に、絶縁膜によって接点膜が支持されていることを特徴とする。
このように構成することによっても、金属フレーム板の貫通穴の周縁部上に、絶縁膜によって接点膜が支持されているので、固定強度が高く、繰り返し使用による接点膜の剥離等を防止できる。
【００４３】
また、本発明のシート状プローブは、前記電極構造体のピッチが、４０〜２５０μｍであり、電極構造体の総数が、５０００個以上であることを特徴とする。
このように電極構造体のピッチが４０〜２５０μｍであり、電極構造体の総数が５０００個以上である場合に極めて有効である。
【００４４】
また、本発明のシート状プローブは、前記金属フレーム板の厚さが、１０〜６００μｍであることを特徴とする。
このような範囲に、金属フレーム板の厚さを設定することによって、絶縁膜と、支持体と、リング状の支持部材の熱膨張率の相違による影響、すなわち、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれをさらに抑えることができる。
【００４５】
また、本発明のシート状プローブは、前記リング状の支持部材の厚さが、１．５ｍｍ以上であることを特徴とする。
このような範囲に、リング状の支持部材の厚さを設定することによって、絶縁膜と、支持体と、リング状の支持部材の熱膨張率の相違による影響、すなわち、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれをさらに抑えることができる。
【００４６】
また、本発明のシート状プローブは、前記リング状の支持部材が、検査装置本体の検査電極が設けられた側に形成された位置合わせ部に係合することにより、検査装置の検査電極と絶縁膜に形成された電極構造体が位置合わせされるように構成されていることを特徴とする。
【００４７】
このように構成することにより、シート状プローブの検査装置本体への着脱が容易であり、しかも、その位置を確実に固定することができ、位置ずれが確実に防止され、その結果、良好な電気的接続状態を安定して維持することができる。
【００４８】
また、本発明のシート状プローブは、前記シート状プローブが、ウエハに形成された複数の集積回路について、集積回路の電気検査をウエハの状態で行うために用いられるもの
であることを特徴とする。
【００４９】
このように、本発明のシート状プローブは、ウエハに形成された複数の集積回路について、集積回路の電気検査をウエハの状態で行うために好適に用いることができる。
【発明の効果】
【００５０】
本発明のシート状プローブによれば、金属フレーム板の貫通穴に接点膜を支持しているので、貫通穴に配置される接点膜の面積を小さくすることができる。例えば、検査対象である回路装置の被検査電極が形成された電極領域に対応して、複数の貫通穴を形成した金属フレーム板を用いれば、これらの各貫通穴に配置され、その周縁部で支持されるそれぞれの接点膜の面積を大幅に小さくすることができる。
【００５１】
このような面積の小さい接点膜は、その絶縁膜の面方向の熱膨張の絶対量が小さいため、絶縁膜の熱膨張を金属フレーム板によって確実に規制することが可能となる。
また、絶縁膜の熱線膨張係数Ｈ１と、支持体の熱線膨張係数Ｈ２と、リング状の支持部材の熱線膨張係数Ｈ３とを、上記のような条件（１）〜（４）を満足するように、これらの部材の間の熱膨張率を設定することによって、これらの部材の熱膨張率の相違による影響、すなわち、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれを抑えることができる。
【００５２】
従って、検査対象が、例えば、直径が８インチ以上の大面積のウエハや被検査電極のピッチが極めて小さい回路装置であっても、バーンイン試験の際に、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれが確実に防止されるため、良好な電気的接続状態を安定して維持することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５３】
以下、本発明の実施の形態（実施例）を図面に基づいてより詳細に説明する。
なお、添付した各図面は説明用のものであり、その各部の具体的なサイズ、形状等は、本明細書の記載、および、従来技術に基づいて当業者に理解されるところによる。
【００５４】
１．シート状プローブについて：
図１は、本発明のシート状プローブの実施例を示した図であり、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）はＸ−Ｘ線による断面図である。図２は、図１のシート状プローブの接点膜を拡大して示した平面図、図３は、図２のＸ−Ｘ線による断面図である。
【００５５】
本実施形態のシート状プローブは、複数の集積回路が形成された８インチ等のウエハについて、各集積回路の電気検査をウエハの状態で行うために用いられる。
このシート状プローブ１０は、被検査対象であるウエハ上の各集積回路に対応する各位置に貫通孔１２が形成された支持体１１を有し、この貫通孔１２内には接点膜１５が配置されている。
【００５６】
接点膜１５は、支持体１１の貫通孔１２の周辺の支持部１９で、支持体１１に支持されている。図１（ｂ）および図３に示したように、この支持部１９では、樹脂製の絶縁膜１６が支持体１１上に支持されている。
【００５７】
接点膜１５は、図２および図３に示したように、柔軟な絶縁膜１６に電極構造体１７が貫通形成された構造になっている。即ち、絶縁膜１６の厚さ方向に延びる複数の電極構造体１７が、検査対象であるウエハの被検査電極に対応するパターンに従って絶縁膜１６の面方向に互いに離間して配置されている。
【００５８】
電極構造体１７は、絶縁膜１６の表面に露出する突起状の表面電極部１７ａと、絶縁膜１６の裏面に露出する板状の裏面電極部１７ｂと、絶縁膜１６の厚さ方向に貫通して延びる短絡部１７ｃとが一体化した構造になっている。裏面電極部１７ｂには、高導電性金属からなる被覆膜１８が形成されている。
【００５９】
支持体１１は、金属フレーム板１１ａから構成されており、この金属フレーム板１１ａを構成する金属としては、鉄、銅、ニッケル、クロム、コバルト、マグネシウム、マンガン、モリブデン、インジウム、チタン、タングステン、またはこれらの合金若しくは合金鋼を用いることができるが、後述する製造方法において、エッチング処理によって容易に貫通孔１２を形成することができる点で、４２合金、インバー、コバールなどの鉄−ニッケル合金鋼が好ましい。
【００６０】
このような金属フレーム板１１ａを構成する材料の具体例としては、インバーなどのインバー型合金、エリンバーなどのエリンバー型合金、スーパーインバー、コバール、４２合金などの合金または合金鋼が挙げられる。
【００６１】
このように支持体１１が金属製のフレーム板１１ａから構成されることによって、使用する際に必要な機械的強度が得られ、繰り返しに対しても耐久性が高くなる。
また、金属フレーム板１１ａの厚さは、３〜１５０μｍであることが好ましく、より好ましくは、５〜１００μｍである。
【００６２】
この厚さが過小である場合には、接点膜１５を支持するフレーム板として必要な強度が得られないことがある。
このような範囲に、金属フレーム板１１ａの厚さを設定することによって、絶縁膜１６と、支持体１１と、リング状の支持部材１３の熱膨張率の相違による影響、すなわち、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれをさらに抑えることができる。
【００６３】
絶縁膜１６としては、柔軟性を有する樹脂膜が用いられる。絶縁膜１６の形成材料としては、電気的絶縁性を有する樹脂材料であれば特に限定されないが、例えば、ポリイミド系樹脂、液晶ポリマー、およびこれらの複合材料が挙げられる。中でも、支持体１１を構成する金属フレーム板１１ａと一体化された支持部１９を容易に形成でき、エッチングも容易であるポリイミドが好ましい。
【００６４】
ポリイミドにより絶縁膜を形成する場合は、熱硬化性のポリイミド、感光性のポリイミド、ポリイミド前駆体を溶媒に希釈したポリイミドのワニス、溶液等を用いて樹脂膜を形成することが好ましい。
【００６５】
絶縁膜１６の厚さは、良好な柔軟性を得る点などから、５〜１５０μｍであることが好ましく、より好ましくは７〜１００μｍ、さらに好ましくは１０〜５０μｍである。
電極構造体１７の材料としては、例えば、ニッケル、鉄、銅、金、銀、パラジウム、鉄、コバルト、タングステン、ロジウム、またはこれらの合金もしくは合金鋼等が挙げられる。電極構造体１７は、全体を単一の金属もしくは合金で形成してもよく、２種以上の金属もしくは合金を積層して形成してもよい。
【００６６】
表面に酸化膜が形成された被検査電極について電気検査を行う場合には、シート状プローブの電極構造体１７と被検査電極を接触させ、電極構造体１７の表面電極部１７ａにより被検査電極の表面の酸化膜を破壊して電極構造体１７と被検査電極との電気的接続を行うことが必要である。このため、電極構造体１７の表面電極部１７ａは、酸化膜を容易に破壊することかできる程度の硬度を有していることが望ましい。このような表面電極部１７ａを得るために、表面電極部１７ａを形成する金属中に、硬度の高い粉末物質を含有さ
せることができる。
【００６７】
このような粉末物質としては、例えば、ダイヤモンド粉末、窒化シリコン、炭化シリコン、セラミックス、ガラスを挙げることができ、これらの非導電性の粉末物質を適量含有させることにより、電極構造体１７の導電性を損なうことなく、電極構造体１７の表面電極部１７ａにより被検査電極の表面に形成された酸化膜を破壊することができる。
【００６８】
また、被検査電極の表面の酸化膜を容易に破壊するために、電極構造体１７の表面電極部１７ａの形状を鋭利な突起状としてもよく、表面電極部１７ａの表面に微細な凹凸を形成してもよい。このように、表面電極部１７ａの形状は必要に応じて適宜の形状としてよい。
【００６９】
接点膜１５の電極構造体１７のピッチｐ（図３）は、検査対象であるウエハの被検査電極のピッチに応じて設定され、例えば、４０〜２５０μｍ、好ましくは４０〜１５０μｍである。なお、「電極構造体のピッチ」とは、隣接する電極構造体の中心間距離であって最も短い距離を表す。なお、１つの接点膜１５には、ウエハ上の集積回路の被検査電極の数等にもよるが、例えば、数十個以上の電極構造体１７が形成される。
【００７０】
電極構造体１７の表面電極部１７ａの径Ｒに対する突出高さの比は、０．２〜３であることが好ましく、より好ましくは０．２５〜２．５である。このような条件を満足することにより、被検査電極のピッチが小さい場合であっても被検査電極に対応するパターンの電極構造体１７を容易に形成することができ、ウエハに対して安定な電気的接続状態が確実に得られる。
【００７１】
表面電極部１７ａの径Ｒは、短絡部１７ｃの径ｒの１〜３倍であることが好ましく、より好ましくは１〜２倍である。また、表面電極部１７ａの径Ｒは、電極構造体１７のピッチｐの３０〜７５％であることが好ましく、より好ましくは４０〜６０％である。
【００７２】
裏面電極部１７ｂの外径Ｌは、短絡部１７ｃの径より大きく、かつ、電極構造体１７のピッチｐより小さいものであればよいが、可能な限り大きいことが好ましく、これにより、例えば、異方導電性シートに対しても安定な電気的接続を確実に行うことができる。
【００７３】
短絡部１７ｃの径ｒは、電極構造体１７のピッチｐの１５〜７５％であることが好ましく、より好ましくは２０〜６５％である。
電極構造体１７の具体的な寸法について説明すると、表面電極部１７ａの突出高さは、被検査電極に対して安定な電気的接続を達成する点から、１５〜５０μｍであることが好ましく、より好ましくは１５〜３０μｍである。
【００７４】
表面電極部１７ａの径Ｒは、上記の条件や被検査電極の直径などを勘案して設定されるが、例えば、３０〜２００μｍであり、好ましくは３５〜１５０μｍである。
短絡部１７ｃの径ｒは、充分に高い強度を得る点から、１０〜１２０μｍであることが好ましく、より好ましくは１５〜１００μｍである。
【００７５】
裏面電極部１８ｂの厚さは、強度を充分に高くして良好な繰り返し耐久性を得る点から、０．１〜１５０μｍであることが好ましく、より好ましくは、１〜７５μｍである。
電極構造体１７の裏面電極部１７ｂに形成される被覆膜１８は、化学的に安定な高導電性金属からなるものが好ましく、具体的には、例えば、金、銀、パラジウム、ロジウムが挙げられる。
【００７６】
なお、被覆膜１８は必須のものでなく、例えば裏面電極部材料が化学的に安定や、導電
性が十分な場合には省略することもできる。
また、電極構造体１７の表面電極部１７ａにも金属被覆膜を形成することができ、例えは被検査電極が半田材料により形成されている場合には、この半田材料が拡散することを防止する点から、銀、パラジウム、ロジウムなどの耐拡散性金属で表面電極部１７ａを被覆することが望ましい。
【００７７】
シート状プローブ１０の周縁部には、剛性を有する平板リング状の支持部材１３が設けられている。このような支持部材１３の材料としては、インバー、スーパーインバーなどのインバー型合金、エリンバーなどのエリンバー型合金、コバール、４２アロイなどの低熱膨張金属材料、アルミナ、炭化珪素、窒化珪素などのセラミックス材料が挙げられる。
【００７８】
また、支持部材１３の厚さとしては、好ましくは、２ｍｍ以上であるのが望ましい。
このような範囲に、リング状の支持部材１３の厚さを設定することによって、絶縁膜１６と、支持体１１と、リング状の支持部材１３の熱膨張率の相違による影響、すなわち、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれをさらに抑えることができる。
【００７９】
このような支持部材１３により、その剛性でシート状プローブ１０を支持することで、後述のプローブカードにおいて、例えば、支持部材１３に形成した孔と、プローブカードに設けられたガイドピンとを係合させることにより、あるいは支持部材１３と、プローブカード周縁部に設けられた周状の段差部とを嵌め合わせることにより、シート状プローブ１０の接点膜１５に設けられた電極構造体１７を、被検査物の被検査電極や異方導電性コネクターの導電部と容易に位置合わせすることができ、さらに、繰り返し検査に使用する場合においても、被検査物への張り付き、電極構造体１７の所定位置からの位置ずれを確実に防止できる。
【００８０】
ところで、本発明のシート状プローブ１０では、これらの絶縁膜１６と、支持体１１と、リング状の支持部材１３の熱線膨張係数を、下記のような条件に制御することによって、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれを抑えるようになっている。
【００８１】
すなわち、本発明のシート状プローブ１０では、図４に示したように、
絶縁膜１６の熱線膨張係数をＨ１とし、
支持体１１の熱線膨張係数をＨ２とし、
リング状の支持部材の熱線膨張係数をＨ３としたとき、下記の条件（１）〜（３）、すなわち、
条件（１）：Ｈ１＝０．８×１０-5〜８×１０-5／Ｋ
条件（２）：Ｈ２／Ｈ１＜１
条件（３）：Ｈ３／Ｈ１＜１
を満足するように設定している。
【００８２】
さらに、本発明のシート状プローブは、支持体１１の熱線膨張係数をＨ２と、リング状の支持部材の熱線膨張係数をＨ３が、下記の条件（４）、すなわち、
条件（４）：Ｈ３／Ｈ２＝０．０２〜５０
を満足するように設定している。
【００８３】
このような条件を満足するように、絶縁膜１６と、支持体１１と、リング状の支持部材１３の材料の組み合わせを適切に選択することによって、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれを抑えることができる。
【００８４】
なお、このような絶縁膜１６と、支持体１１と、リング状の支持部材１３の材料の組み合わせは、上記の条件（１）〜（４）を満足するものであれば良く、特に限定されるもの
ではない。
【００８５】
このような組み合わせとしては、例えば、以下の熱線膨張係数を有する材料、すなわち、
(a) 絶縁膜  Ｈ１：
ポリイミド＝約５×１０-5／Ｋ
(b) フレーム板  Ｈ２：
４２アロイ＝約５×１０-6／Ｋ
インバー合金＝１．２×１０-6／Ｋ
エリンバー合金＝８×１０-6／Ｋ
コバール合金＝５×１０-5／Ｋ
ステンレス不変鋼＝±０．１×１０-6／Ｋ
(c) 支持板  Ｈ３：
窒化ケイ素＝３．５×１０-6／Ｋ
炭化ケイ素＝４×１０-6／Ｋ
インバー合金＝１．２×１０-6／Ｋ
ステンレス不変鋼＝±０．１×１０-6／Ｋ
から選択することができる。
【００８６】
このようにして、絶縁膜１６の熱線膨張係数Ｈ１と、支持体１１の熱線膨張係数Ｈ２と、リング状の支持部材１３の熱線膨張係数Ｈ３とを、上記のような条件（１）〜（４）を満足するように、これらの部材の間の熱膨張率を設定することによって、これらの部材の熱膨張率の相違による影響、すなわち、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれを抑えることができる。
【００８７】
また、本発明のシート状プローブ１０では、支持体１１の熱線膨張係数Ｈ２が、下記の条件（５）、すなわち、
条件（５）：Ｈ２＝−１×１０-7〜３×１０-5／Ｋを満足するように設定するのが好ましい。
【００８８】
このように、支持体１１の熱線膨張係数Ｈ２を、上記のような条件（５）を満足するように、これらの部材の間の熱膨張率を設定することによって、絶縁膜１６と、支持体１１と、リング状の支持部材１３の熱膨張率の相違による影響、すなわち、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれをさらに抑えることができる。
【００８９】
また、本発明のシート状プローブ１０では、リング状の支持部材１３の熱線膨張係数Ｈ３が、下記の条件（６）、すなわち、
条件（６）：Ｈ３＝−１×１０-7〜３×１０-5／Ｋを満足するように設定するのが好ましい。
【００９０】
このように、リング状の支持部材の熱線膨張係数Ｈ３を、上記のような条件（６）を満足するように、これらの部材の間の熱膨張率を設定することによって、絶縁膜１６と、支持体１１と、リング状の支持部材１３の熱膨張率の相違による影響、すなわち、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれをさらに抑えることができる。
【００９１】
このようなシート状プローブ１０によれば、金属フレーム板１１ａの貫通穴１２に、接点膜１５を支持しているので、貫通穴１２に配置される接点膜１５の面積を小さくすることができる。例えば、検査対象である回路装置の被検査電極が形成された電極領域に対応して、複数の貫通穴１２を形成した金属フレーム板１１ａを用いれば、これらの各貫通穴１２に配置され、その周縁部で支持されるそれぞれの接点膜１５の面積を大幅に小さくす
ることができる。
【００９２】
このような面積の小さい接点膜１５は、その絶縁膜１６の面方向の熱膨張の絶対量が小さいため、絶縁膜１６の熱膨張を金属フレーム板１１ａによって確実に規制することが可能となる。従って、検査対象が、例えば、直径が８インチ以上の大面積のウエハや被検査電極のピッチが極めて小さい回路装置であっても、バーンイン試験の際に、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれが確実に防止されるため、良好な電気的接続状態を安定して維持することができる。
【００９３】
以下、この実施例のシート状プローブ１０の製造方法について説明する。
先ず、図５（ａ）に示したように、絶縁膜１６を形成するための樹脂シート１６ａに金属層１１ｂが積層されたシートを用意する。例えば、ポリイミドに銅箔が貼付された市販の銅張積層板を用いることができる。
【００９４】
そして、樹脂シート１６ａの表面全面に、金属マスク形成用の金属層２１を一体的に設ける。
なお、金属マスク形成用の金属層２１の厚さは、２〜１５μｍであることが好ましく、より好ましくは、５〜１５μｍである。
【００９５】
この厚さが２μｍ未満である場合には、後述する絶縁膜形成用シートに対するレーザー加工において、用いられるレーザー光に耐え得るために必要な強度が得られず、電極構造体１７を確実に形成することが困難となることがある。一方、この厚さが１５μｍを超える場合には、エッチング処理によって後述する金属マスクの開口を高い寸法精度で形成することが困難となることがある。
【００９６】
また、金属マスク形成用の金属層２１を構成する材料としては、銅、ニッケルなどを用いることができる。
また、樹脂シート１６ａ上に金属マスク形成用の金属層２１を形成する方法としては、スパッター法、無電解メッキ法、接着法などを挙げることができる。
【００９７】
次いで、図５（ｂ）に示したように、この積層体の両面、すなわち、金属マスク形成用の金属層２１の表面に、フォトレジストよりなるレジスト層２３を形成するとともに、金属層１１ｂの表面にフォトレジストよりなるレジスト層２４を形成する。
【００９８】
そして、図５（ｃ）に示したように、金属マスク形成用の金属層２１上に形成されたレジスト層２３に、形成すべき電極構造体１７のパターンに対応するパターンに従って複数の開口２３ａを形成する。
【００９９】
その後、この開口２３ａを介して、金属マスク形成用の金属層２１をエッチング処理することにより、図６（ａ）に示したように、形成すべき電極構造体１７のパターンに対応するパターンに従って複数の開口２３ｂが形成された金属層２１を形成する。
【０１００】
なお、開口２３ｂの径は、形成すべき電極構造体１７の短絡部１７ｃの径に対応する。
次に、金属マスク２１の表面からフォトレジスト層２３を除去し（図６（ｂ））、その後、絶縁膜１６に対し、金属マスク２１の開口２３ｂを介して、炭酸ガスレーザ、エキシマーレーザ等でレーザ加工を施すことにより、（図６（ｃ））に示したように、絶縁膜１６に貫通孔２３ｃが形成される。その後、絶縁膜１６の表面から金属マスクをエッチングにより除去する（図６（ｄ）参照）。
【０１０１】
なお、貫通孔２３ｃは、絶縁膜１６に対してウエットエッチングを行うことにより形成
してもよく、この場合には、図１１（ａ）に示したように、金属層を介さずに絶縁膜１６の表面に直接フォトレジスト層２３を形成してウエットエッチングを行い、これにより貫通孔２３ｃを形成し（図１１（ｂ））、その後フォトレジスト層２３を除去するようにしてもよい（図１１（ｃ））。
【０１０２】
次に、金属層２０を共通電極としてメッキ処理を施すことにより、図７（ａ）に示したように、絶縁膜１６の貫通孔２３ｃ内に、表面が半球状に突出した電極構造体１７を形成する。
【０１０３】
その後、絶縁膜１６と電極構造体１７を覆うようにフォトレジスト層２５を形成し（図７（ｂ））、金属層１１ｂの表面のフォトレジスト層２４に対して、形成すべきフレーム板１１に対応する部分と、形成すべき電極構造体１７の裏面電極部１８ｂに対応する部分とを残すようにパターニングする。
【０１０４】
これにより、図７（ｃ）に示したように、フォトレジスト層２４に、形成すべき金属フレーム板１１ａの貫通孔１２に対応する開口部２４ａが形成されると共に、この開口部２４ａ内に形成すべき裏面電極部１８ｂに対応するレジスト部分２４ｂが形成される。
【０１０５】
そして、開口部２４ａ内に露出する金属層１１ｂに対して、エッチング処理を施して、その一部を除去することにより、貫通孔１２と位置決め孔（図示せず）が形成された金属フレーム板１１ａが形成される。また、金属層１１ｂの一部によって、短絡部１７ｃに連結された裏面電極部１７ｂが形成される（図７（ｄ）参照）。
【０１０６】
次に、裏面電極部１７ｂと金属層１１ｂから、フォトレジスト層２４を除去し、その後、裏面電極部１７ｂと絶縁膜１６を覆うように、フォトレジスト層２６を形成し（図８（ａ））、裏面電極部１７ｂが位置する部分に開口２７を形成する（図８（ｂ）参照）。そして、裏面電極部１７ｂに高導電金属のメッキ処理を施すことにより、裏面電極部１７ｂに被覆膜１８を形成した（図８（ｃ））。
【０１０７】
その後、被覆膜１８が形成された裏面電極部１７ｂを覆うように、フォトレジスト層２８を形成する（図９（ａ））。
そして、接点膜１５とその周縁の支持部１９を残すようにレジスト層２５をパターニングすることによって、パターン溝２５ａを形成した（図９（ｂ））。
【０１０８】
その後、絶縁膜１６に対して、エッチング処理を施して、その一部を除去した後（図９（ｃ））、レジスト層２５、２６、２８を除去することにより（図１０（ａ））、図１に示したような、互いに独立した各絶縁膜１６と、金属フレーム板１１ａとの支持部１９で接点膜１５が支持されたシート状プローブ１０が得られる。
【０１０９】
そして、図１０（ｂ）に示したように、シート状プローブ１０の周縁部、すなわち、金属フレーム板１１ａの外周縁に、絶縁膜１５とは離間して、例えば、接着剤を介して、剛性を有する平板リング状の支持部材１３を設ける。
【０１１０】
なお、図１の実施例では、図１２（ａ）に示したように、被検査対象であるウエハ上の各集積回路に対応する各位置に、複数個の貫通孔１２が形成された金属フレーム板１１ａを形成するようにして、これらの貫通孔１２にそれぞれ、各絶縁膜１６を互いに隔離するように形成している。
【０１１１】
しかしながら、図１３のように（図１３（ａ）は平面図、図１３（ｂ）はＸ−Ｘ線による断面図である）、絶縁膜１６を一体化し、連続した１つの支持部１９としてもよく、図
１４のように（図１４（ａ）は平面図、図１４（ｂ）はＸ−Ｘ線による断面図である）、絶縁膜１６を複数の接点膜１５を含むように分割し（同図では４分割）、複数の接点膜１５について連続した支持部１９を形成するようにしてもよい。
【０１１２】
さらに、図１２（ｂ）に示したように、中央に一つの大径の貫通孔１２を形成したリング形状の金属フレーム板１１を形成するようにして、図１５に示したように（図１５（ａ）は平面図、図１５（ｂ）はＸ−Ｘ線による断面図である）、この貫通穴１２に絶縁膜１６を一体化し、連続した１つの支持部１９として、この絶縁膜１６に、被検査対象であるウエハ上の各集積回路に対応する各位置に、複数個の電極構造体１７を形成するようにすることも可能である。
【０１１３】
図１６は、本発明のシート状プローブの別の実施例を示した図であり、図１６（ａ）は平面図、図１６（ｂ）はＸ−Ｘ線による断面図である。図１７は、図１６のシート状プローブにおける接点膜を拡大して示した平面図、図１８は、図１７のＸ−Ｘ線による断面図である。
【０１１４】
この実施例のシート状プローブ１０は、基本的には、図１に示した実施例のシート状プローブ１０と同様であり、同じ構成部材には、同じ参照番号を付してその詳細な説明は省略する。
【０１１５】
この実施例のシート状プローブ１０では、被検査対象であるウエハ上の各集積回路に対応する各位置に貫通孔が形成された支持体１１を構成する多孔膜１１ｃを有し、この貫通孔内には接点膜１５が配置されている。
【０１１６】
接点膜１５は、多孔膜１１ｃの貫通孔周辺の支持部１９で、多孔膜１１ｃに支持されている。図１６（ｂ）に示したように、この支持部１９では、樹脂製の絶縁膜１６が多孔膜１１ｃ内部に入り込んだ一体化構造が形成され、この一体化された部分で接点膜１５が支持されている。
【０１１７】
多孔膜１１ｃとしては、柔軟性を有する多孔膜、例えば有機繊維からなるメッシュもしくは不織布を用いることができる。メッシュもしくは不織布を形成する有機繊維としては、例えばアラミド繊維、ポリエチレン繊維、ポリアリレート繊維、ナイロン繊維、ポリテトラフルオロエチレン繊維等のフッ素樹脂繊維、ポリエステル繊維が挙げられる。合成繊維からなるメッシュでは、例えば繊維径が１５〜１００μｍ、メッシュ開口径が２０〜２００μｍのものを使用できる。また、ポリテトラフルオロエチレン等からなる開口径が１〜５μｍ程度のメンブレンフィルターを用いてもよい。
【０１１８】
また、多孔膜１１ｃとして金属からなるメッシュを用いてもよく、メッシュを形成する金属としては、例えばステンレス、アルミニウムが挙げられる。
このような構成のシート状プローブ１０によれば、図１８のように、接点膜１５の支持部１９が、多孔膜１１ｃと絶縁膜１６とが一体化した構造となっているので固定強度が高く、このシート状プローブを用いた検査装置による電気検査において高い繰り返し耐久性が得られる。
【０１１９】
ところで、この実施例のシート状プローブ１０においても、絶縁膜１６と、支持体１１と、リング状の支持部材１３の熱線膨張係数を、下記のような条件に制御することによって、温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれを抑えるようになっている。
【０１２０】
すなわち、本発明のシート状プローブ１０では、図１９に示したように、
絶縁膜１６の熱線膨張係数をＨ１とし、
支持体１１の熱線膨張係数をＨ２とし、
リング状の支持部材の熱線膨張係数をＨ３としたとき、下記の条件（１）〜（３）、すなわち、
条件（１）：Ｈ１＝０．８×１０-5〜８×１０-5／Ｋ
条件（２）：Ｈ２／Ｈ１＜１
条件（３）：Ｈ３／Ｈ１＜１
を満足するように設定している。
【０１２１】
さらに、本発明のシート状プローブは、支持体１１の熱線膨張係数をＨ２と、リング状の支持部材の熱線膨張係数をＨ３が、下記の条件（４）、すなわち、
条件（４）：Ｈ３／Ｈ２＝０．０２〜５０
を満足するように設定している。
【０１２２】
また、この実施例のシート状プローブ１０においても、支持体１１の熱線膨張係数Ｈ２が、下記の条件（５）、すなわち、
条件（５）：Ｈ２＝−１×１０-7〜３×１０-5／Ｋを満足するように設定するのが好ましい。
【０１２３】
また、この実施例のシート状プローブ１０においても、リング状の支持部材１３の熱線膨張係数Ｈ３が、下記の条件（６）、すなわち、
条件（６）：Ｈ３＝−１×１０-7〜３×１０-5／Ｋを満足するように設定するのが好ましい。
【０１２４】
以下、この実施例のシート状プローブ１０の製造方法について説明する。
まず、図２０（ａ）に示したように、絶縁膜１６を形成するための樹脂シート１６ａに金属層２０が積層されたシートを用意する。例えばポリイミドに銅箔が貼付された市販の銅張積層板を用いることができる。
【０１２５】
この積層シートの樹脂シート１６ａ側表面に、図２０（ｂ）に示したように多孔膜１１ｃを重ねる。この多孔膜１１ｃには、予め所定の位置に、接点膜１５が配置される貫通孔１２が形成されている。
【０１２６】
次に、図２０（ｃ）に示したように、多孔膜１１ｃの表面に、高分子物質形成用液状物１６ｂを塗布し、多孔膜１１ｃの微細孔内部まで含浸する。高分子物質形成用液状物１６ｂは、例えば絶縁膜１６の形成樹脂のプレポリマーを含む液状物であり、好ましくは感光性ポリイミド溶液もしくは熱硬化性ポリイミドの前駆体溶液が用いられる。この場合、樹脂シート１６ａにはポリイミドシートを用いることが望ましい。
【０１２７】
高分子物質形成用液状物１６ｂを塗布した後、硬化処理を行い、高分子物質形成用液状物１６ｂの硬化樹脂と樹脂シート１６ａとが一体化した絶縁膜１６が得られる（図２０（ｄ））。このような方法で絶縁膜１６を形成することにより、多孔膜１１ｃの微細孔内に絶縁膜１６が入り込んだ状態でこれらが一体に固定される。
【０１２８】
なお、このように多孔膜１１ｃの微細孔内に絶縁膜１６が入り込んだ状態でこれらが一体に固定された図２０（ｄ）のようなシートは、上記の製法の他、銅箔等の金属層２０上に多孔膜１１ｃを重ねた状態で、多孔膜１１ｃの表面から高分子物質形成用液状物１６ｂを塗布し、次いで硬化処理することによっても得ることができる。また、貫通孔１２を形成した多孔膜１１ｃに、上記の高分子物質形成用液状物を塗布し、これを硬化させて絶縁膜１６と多孔膜１１ｃが一体化された積層体を形成し、この表面に金属層を一体化することによっても得ることができる。
【０１２９】
次に、図２１（ａ）に示したように（以降、多孔膜１１ｃの貫通孔１２周辺のみ図示する）、絶縁膜１６の表面に銅、ニッケル等の金属層２１を形成する。この金属層２１は、後工程でのレーザ光による絶縁膜１６への孔開けのためのマスクであり、スパッタもしくは無電解メッキなどにより形成する。金属層２１の厚さは、レーザ光に対する強度を確保する点および、エッチング処理により金属マスクの開口を高い寸法精度で形成する点から、好ましくは２〜１５μｍ、より好ましくは５〜１５μｍである。
【０１３０】
次に、得られた積層体の両面に、感光性ドライフィルム等のフォトレジスト層２３，２４を形成し（図２１（ｂ））、金属層２１上に形成されたフォトレジスト層２３に、形成すべき電極構造体１７のパターンに従って複数の開口２３ａを形成し（図２１（ｃ））、その後、この開口２３ａを介して金属層２１をエッチングすることにより、図２１（ｄ）に示したように、形成すべき電極構造体１７のパターンに従って金属マスク２１に複数の開口２３ｂが形成される。なお、開口２３ｂの径は、形成すべき電極構造体１７の短絡部１７ｃの径に対応する。
【０１３１】
次に、金属マスク２１の表面からフォトレジスト層２３を除去し（図２２（ａ））、その後、絶縁膜１６に対し、金属マスク２１の開口２３ｂを介して、炭酸ガスレーザ、エキシマーレーザ等でレーザ加工を施すことにより、（図２２（ｂ））に示したように、絶縁膜１６に貫通孔２３ｃが形成される。その後、絶縁膜１６の表面から金属マスクをエッチングにより除去する（図２２（ｃ））。
【０１３２】
なお、貫通孔２３ｃは、絶縁膜１６に対してウエットエッチングを行うことにより形成してもよく、この場合には、図２６（ａ）に示したように、金属層を介さずに絶縁膜１６の表面に直接フォトレジスト層２３を形成してウエットエッチングを行い、これにより貫通孔２３ｃを形成し（図２６（ｂ））、その後フォトレジスト層２３を除去するようにしてもよい（図２６（ｃ））。
【０１３３】
次に、金属層２０を共通電極としてメッキ処理を施すことにより、図２３（ａ）に示したように、絶縁膜１６の貫通孔２３ｃ内に、表面が半球状に突出した電極構造体１７を形成する。その後、絶縁膜１６および電極構造体１７を覆うようにフォトレジスト層２５を形成し（図２３（ｂ））、裏面電極部１７ｂに対応する部分を残すようにフォトレジスト層２４をパターニングする（図２３（ｃ））。そして、金属層２０をエッチングしてその一部を除去することにより、図２３（ｄ）に示したように、裏面電極部１７ｂが形成される。
【０１３４】
次に、裏面電極部１７ｂからフォトレジスト層２５を除去し、その後、裏面電極部１７ｂおよび絶縁膜１６を覆うようにフォトレジスト層２６を形成し（図２４（ａ））、裏面電極部１７ｂが位置する部分に開口２７を形成する（図２４（ｂ））。そして、裏面電極部１７ｂに高導電金属のメッキ処理を施すことにより、裏面電極部１７ｂに被覆膜１８を形成し（図２４（ｃ））、フォトレジスト層２６を除去する（図２４（ｄ））。
【０１３５】
このようにして接点膜１５を形成した後、被覆膜１８が形成された裏面電極部１７ｂと絶縁膜１６を覆うように、フォトレジスト層２８を形成する。（図２５（ａ））。そして、接点膜１５およびその周縁の支持部１９を残すようにレジスト層２５およびレジスト層２８をパターニングし（図２５（ｂ））、絶縁膜１６に対してエッチング処理を施してその一部を除去した後（図２５（ｃ））、レジスト層２５およびレジスト層２８を除去することにより（図２５（ｄ））、図１に示したような、互いに独立した各絶縁膜１６と、多孔膜１１ｃとの支持部１９で接点膜１５が支持されたシート状プローブ１０が得られる。
【０１３６】
なお、図１６では各絶縁膜１６を互いに隔離するように形成したが、図２７のように（図２７（ａ）は平面図、図２７（ｂ）はＸ−Ｘ線による断面図である）、絶縁膜１６を一体化し、連続した１つの支持部１９としてもよく、図２８のように（図２８（ａ）は平面図、図２８（ｂ）はＸ−Ｘ線による断面図である）、絶縁膜１６を複数の接点膜１５を含むように分割し（同図では４分割）、複数の接点膜１５について連続した支持部１９を形成するようにしてもよい。
【０１３７】
以上、シート状プローブ１０の製造方法について説明したが、上述した以外の方法でもシート状プローブ１０を得ることができ、例えば、電極構造体１７が配置される貫通孔２３ｃを絶縁膜１６に形成した後、貫通孔２３ｃの内面から絶縁膜１６の表面に渡り無電解メッキを施し、絶縁膜１６の片面もしくは両面に、貫通孔２３ｃの位置にその径と同等もしくはこれよりも大きい径の開口パターンが形成されたレジスト層を設けた状態で、スルーホールメッキを施して電極構造体１７を形成することができる。この場合、表面電極部１７ａもしくは裏面電極部１７ｂの突出高さはレジスト層の高さで規定される。また、後述する実施例のように、銅箔を積層したポリイミドシートの銅箔側を多孔膜１２と重ね合わせる方法も可能である。
【０１３８】
２．プローブカードおよび回路装置の検査装置について：
図２９は、本発明の回路装置の検査装置およびそれに用いられるプローブカードの実施形態を示した断面図であり、図３０は、プローブカードの組み立て前後の状態を示した断面図、図３１は、プローブカードの要部の構成を示した断面図である。
【０１３９】
この検査装置は、複数の集積回路が形成されたウエハについてそれぞれの集積回路の電気検査をウエハの状態で行うために用いられる。この検査装置のプローブカード３０は、検査用回路基板３１と、この検査用回路基板３１の表面に配置された異方導電性コネクター４０と、この異方導電性コネクター４０の表面に配置されたシート状プローブ１０とを備えている。
【０１４０】
検査用回路基板３１の表面には、検査対象であるウエハに形成された全ての集積回路の被検査電極のパターンに従って複数の検査用電極３２が形成されている。検査用回路基板３１の基板材料としては、例えば、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂、ガラス繊維補強型フェノール樹脂、ガラス繊維補強型ポリイミド樹脂、ガラス繊維補強型ビスマレイミドトリアジン樹脂等の複合樹脂基板材料、ガラス、二酸化珪素、アルミナ等のセラミックス基板材料、金属板をコア材としてエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の樹脂を積層した積層基板材料が挙げられる。
【０１４１】
バーンイン試験に用いるためのプローブカードでは、この基板材料として、線熱膨張係数が３×１０-5／Ｋ以下、好ましくは１×１０-7〜１×１０-5／Ｋ、より好ましくは１×１０-6〜６×１０-6／Ｋであるものを用いることが望ましい。
【０１４２】
異方導電性コネクター４０は、図２９に示したように、複数の貫通孔４２が形成された円板状のフレーム板４１を備えている。このフレーム板４１の貫通孔４２は、例えば、検査対象であるウエハに形成された各集積回路に対応して形成されている。貫通孔４２の内部には、厚さ方向に導電性を有する弾性異方導電膜５０が、貫通孔４２の周辺部に支持された状態で、隣接する弾性異方導電膜５０と互いに独立して配置される。また、フレーム板４１には、シート状プローブ１０と検査用回路基板３１との位置決めを行うための位置決め孔（図示省略）が形成されている。
【０１４３】
フレーム板４１の厚さは、その材質によって異なるが、２０〜６００μｍであることが好ましく、より好ましくは４０〜４００μｍである。この厚さが２０μｍ未満である場合
、異方導電性コネクター４０を使用する際に必要な強度が得られないことがあり、耐久性が低くなり易い。一方、厚さが６００μｍを超える場合、貫通孔４２に形成される弾性異方導電膜５０が過剰に厚くなり、接続用導電部５２の良好な導電性と隣接する接続用導電部５２間における絶縁性が得られなくなることがある。
【０１４４】
フレーム板４１の貫通孔４２の面方向の形状と寸法は、検査対象であるウエハの被検査電極の寸法、ピッチとパターンに応じて設計される。
フレーム板４１の材料としては、フレーム板４１が容易に変形せず、その形状が安定に維持される程度の剛性を有するものが好ましく、具体的には、例えば、金属材料、セラミックス材料、樹脂材料が挙げられる。金属材料としては、具体的には、例えば、鉄、銅、ニッケル、チタン、アルミニウムなどの金属またはこれらを２種以上組み合わせた合金もしくは合金鋼が挙げられる。フレーム板４１を金属材料により形成する場合には、フレーム板４１の表面に絶縁性被膜が施されていてもよい。
【０１４５】
バーンイン試験に用いるためのプローブカードでは、フレーム板４１の材料として、線熱膨張係数が３×１０-5／Ｋ以下、好ましくは１×１０-7〜１×１０-5／Ｋ、より好ましくは１×１０-6〜８×１０-6／Ｋであるものを用いることが望ましい。このような材料の具体例としては、インバーなどのインバー型合金、エリンバーなどのエリンバー型合金、スーパーインバー、コバール、４２合金などの磁性金属の合金もしくは合金鋼が挙げられる。
【０１４６】
弾性異方導電膜５０は、図３１に示したように、厚さ方向に延びる複数の接続用導電部５２と、それぞれの接続用導電部５２を互いに絶縁する絶縁部５３とからなる。接続用導電部５２には、磁性を示す導電性粒子５１が厚さ方向に並ぶよう配向した状態で密に含有されている。また、接続用導電部５２は、弾性異方導電膜５０の両面から突出しており、両面に突出部５４が形成されている。
【０１４７】
弾性異方導電膜５０の厚さ（接続用導電部５２が表面から突出している場合には接続用導電部５２の厚さ）は、５０〜３０００μｍであることが好ましく、より好ましくは７０〜２５００μｍ、特に好ましくは１００〜２０００μｍである。この厚さが５０μｍ以上であれば、充分な強度を有する弾性異方導電膜５０が確実に得られる。また、この厚さが３０００μｍ以下であれば、所要の導電性特性を有する接続用導電部５２が確実に得られる。
【０１４８】
突出部５４の突出高さは、突出部５４の最短幅もしくは直径の１００％以下であることが好ましく、より好ましくは７０％以下である。このような突出高さを有する突出部５４を形成することにより、突出部５４が加圧された際に座屈することがなく導電性が確実に得られる。
【０１４９】
弾性異方導電膜５０のフレーム板４１に支持された二股部分の一方の厚さは、５〜６００μｍであることが好ましく、より好ましくは１０〜５００μｍ、特に好ましくは２０〜４００μｍである。また、図示したように弾性異方導電膜５０をフレーム板４１の両面側で二股状に支持する場合の他、フレーム板４１の片面のみで支持するようにしてもよい。
【０１５０】
弾性異方導電膜５０を形成する弾性高分子物質としては、架橋構造を有する耐熱性の高分子物質が好ましい。このような架橋高分子物質を得るために用いることができる硬化性の高分子物質形成材料としては、例えば、シリコーンゴム、ポリブタジエンゴム、天然ゴム、ポリイソプレンゴム、スチレン−ブタジエン共重合体ゴム、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体ゴムなどの共役ジエン系ゴムおよびこれらの水素添加物、スチレン−ブタジエン−ジエンブロック共重合体ゴム、スチレン−イソプレンブロック共重合体などのブ
ロック共重合体ゴムおよびこれらの水素添加物、クロロプレンゴム、ウレタンゴム、ポリエステル系ゴム、エピクロルヒドリンゴム、エチレン−プロピレン共重合体ゴム、エチレン−プロピレン−ジエン共重合体ゴム、軟質液状エポキシゴムが挙げられる。中でも、成形加工性および電気特性の点からシリコーンゴムが好ましい。
【０１５１】
シリコーンゴムとしては、液状シリコーンゴムを架橋または縮合したものが好ましい。液状シリコーンゴムは、その粘度が歪速度１０-1ｓｅｃで１０5ポアズ以下であることが
好ましく、縮合型、付加型、ビニル基やヒドロキシル基を有するものなどを使用できる。具体的には、例えば、ジメチルシリコーン生ゴム、メチルビニルシリコーン生ゴム、メチルフェニルビニルシリコーン生ゴムを挙げることができる。
【０１５２】
高分子物質形成材料中には、硬化触媒を含有させることができる。このような硬化触媒のとしては、例えば、過酸化ベンゾイル、過酸化ビスジシクロベンゾイル、過酸化ジクミル、過酸化ジターシャリーブチルなどの有機過酸化物、脂肪酸アゾ化合物、ヒドロシリル化触媒が挙げられる。
【０１５３】
硬化触媒の使用量は、高分子物質形成材料の種類、硬化触媒の種類、その他の硬化処理条件を考慮して適宜選択されるが、通常は、高分子物質形成材料１００重量部に対して３〜１５重量部である。
【０１５４】
弾性異方導電膜５０の接続用導電部５２に含有される導電性粒子５１としては、磁性を示す粒子が好ましい。このような磁性を示す粒子としては、例えば、鉄、ニッケル、コバルトなどの金属粒子もしくはこれらの合金粒子またはこれらの金属を含有する粒子が挙げられる。
【０１５５】
また、これらの粒子を芯粒子とし、この芯粒子の表面に金、銀、パラジウム、ロジウムなどの導電性が良好な金属をメッキした粒子、あるいは非磁性金属粒子、ガラスビーズなどの無機粒子またはポリマー粒子を芯粒子とし、この芯粒子の表面に、ニッケル、コバルトなどの導電性磁性体をメッキした粒子、あるいは芯粒子に導電性磁性体および導電性が良好な金属の両方を被覆した粒子も使用できる。
【０１５６】
中でも、ニッケル粒子を芯粒子とし、その表面に金や銀などの導電性が良好な金属のメッキを施したものが好ましい。芯粒子の表面への導電性金属の被覆は、例えば、無電解メッキにより行うことができる。
【０１５７】
芯粒子の表面に導電性金属を被覆した導電性粒子は、良好な導電性を得る点から、粒子表面の導電性金属の被覆率（芯粒子の表面積に対する導電性金属の被覆面積の割合）が４０％以上であることが好ましく、さらに好ましくは４５％以上、特に好ましくは４７〜９５％である。導電性金属の被覆量は、芯粒子の２．５〜５０重量％であることが好ましく、より好ましくは３〜４５重量％、さらに好ましくは３．５〜４０重量％、特に好ましくは５〜３０重量％である。
【０１５８】
導電性粒子５１の粒子径は、１〜５００μｍであることが好ましく、より好ましくは２〜４００μｍ、さらに好ましくは５〜３００μｍ、特に好ましくは１０〜１５０μｍである。また、導電性粒子５１の粒子径分布（Ｄｗ／Ｄｎ）は、１〜１０であることが好ましく、より好ましくは１〜７、さらに好ましくは１〜５、特に好ましくは１〜４である。このような条件を満足する導電性粒子５１を用いることにより、弾性異方導電膜５０の加圧変形が容易であるとともに、接続用導電部５２において各導電性粒子５１間に充分な電気的接触が得られる。
【０１５９】
また、導電性粒子５１の形状は、高分子物質形成材料中に容易に分散させることができる点で、球状、星形状、あるいは１次粒子が凝集した２次粒子による塊形状が好ましい。
また、導電性粒子５１の表面をシランカップリング剤などのカップリング剤で処理してもよい。これにより、導電性粒子５１と弾性高分子物質との接着性が高くなり、得られる弾性異方導電膜５０の繰り返し使用における耐久性が高くなる。
【０１６０】
接続用導電部５２の導電性粒子５１の含有割合は、体積分率で１０〜６０％、好ましくは１５〜５０％が好ましい。この割合が１０％未満の場合、充分に電気抵抗値の小さい接続用導電部５２が得られないことがある。一方、この割合が６０％を超える場合、得られる接続用導電部５２が脆弱になり易く、必要な弾性が得られないことがある。
【０１６１】
高分子物質形成材料中には、必要に応じて、通常のシリカ粉、コロイダルシリカ、エアロゲルシリカ、アルミナなどの無機充填材を含有させることができる。このような無機充填材を含有させることにより、成形材料のチキソトロピー性が確保され、その粘度が高くなる。さらに、導電性粒子５１の分散安定性が向上するとともに、硬化処理されて得られる弾性異方導電膜５０の強度が高くなる。
【０１６２】
異方導電性コネクター４０は、例えば、特開２００２−３３４７３２号公報に記載されている方法により製造することができる。
プローブカード３０の検査用回路基板３１の裏面には、図２９および図３０に示したように、プローブカード３０を下方に加圧する加圧板３５が設けられ、プローブカード３０の下方には、検査対象であるウエハ１が載置されるウエハ載置台３６が設けられている。加圧板３５とウエハ載置台３６のそれぞれには、加熱器３７が接続されている。
【０１６３】
シート状プローブ１０のリング状の支持部材１３は、図３０に示したように、加圧板３５に設けられた周状の嵌合用段差部３８に嵌め込まれる。また、異方導電性コネクター４０の位置決め孔には、ガイドピン３３が挿通される。
【０１６４】
これにより、異方導電性コネクター４０は、弾性異方導電膜５０のそれぞれの接続用導電部５２が検査用回路基板３１のそれぞれの検査用電極３２に対接するように配置され、この異方導電性コネクター４０の表面に、シート状プローブ１０が、それぞれの電極構造体１７が異方導電性コネクター４０の弾性異方導電膜５０のそれぞれの接続用導電部５２に対接するよう配置され、この状態で、三者が固定される。
【０１６５】
ウエハ載置台３６には、検査対象であるウエハ１が載置され、加圧板３５によりプローブカード３０を下方に加圧することにより、シート状プローブ１０の電極構造体１７の各表面電極部１７ａが、ウエハ１の各被検査電極２に加圧接触する。この状態では、異方導電性コネクター４０の弾性異方導電膜５０の各接続用導電部５２は、検査用回路基板３１の検査用電極３２とシート状プローブ１０の電極構造体１７の裏面電極部１７ａとにより挟圧されて厚さ方向に圧縮されている。
【０１６６】
これにより、接続用導電部５２にはその厚さ方向に導電路が形成され、ウエハ１の被検査電極２と検査用回路基板３１の検査用電極３２とが電気的に接続される。その後、加熱器３７によって、ウエハ載置台３６と加圧板３５を介してウエハ１が所定の温度に加熱され、この状態で、ウエハ１に形成された複数の集積回路のそれぞれについて電気的検査が行われる。
【０１６７】
このウエハ検査装置によれば、ウエハ１が、例えば、直径が８インチ以上の大面積であり、且つ被検査電極２のピッチが極めて小さい場合であっても、バーンイン試験において、ウエハ１に対する良好な電気的接続状態を安定に維持することができ、ウエハ１の複数
の集積回路のそれぞれについて所要の電気検査を確実に実行することができる。
【０１６８】
なお、本実施形態では、プローブカードの検査電極がウエハに形成された全ての集積回路の被検査電極に対して接続され、一括して電気検査が行われるが、ウエハに形成された全ての集積回路の中から選択された複数の集積回路の被検査電極に対してプローブカードの検査電極を接続して、各選択領域毎に検査するようにしてもよい。選択される集積回路の数は、ウエハのサイズ、ウエハに形成された集積回路の数、各集積回路の被検査電極の数などを考慮して適宜選択されるが、例えば、１６個、３２個、６４個、１２８個である。
【０１６９】
また、弾性異方導電膜５０には、被検査電極のパターンに対応するパターンに従って形成された接続用導電部５２の他に、被検査電極に電気的に接続されない非接続用の導電部が形成されていてもよい。
【０１７０】
また、本発明のプローブカードおよび回路装置の検査装置は、ウエハ検査用の他、半導体チップ、ＢＧＡ、ＣＳＰなどのパッケージＬＳＩ、ＭＣＭなどの半導体集積回路装置などに形成された回路を検査するための構成としてもよい。
【実施例】
【０１７１】
以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
１．試験用ウエハの作製について：
直径が８インチのシリコン製のウエハ１上に、それぞれの寸法が８ｍｍ×８ｍｍである正方形の集積回路Ｌを合計で３９３個形成した。ウエハ１に形成された各集積回路Ｌは、その中央に被検査電極領域を有し、この被検査電極領域には、それぞれ縦方向の寸法が２００μｍで横方向の寸法が７０μｍである矩形の４０個の被検査電極２が１２０μｍのピッチで横方向に一列に配列されている。また、このウエハ１全体の被検査電極２の総数は１５７２０個であり、全ての被検査電極２は互いに電気的に絶縁されている。以下、このウエハを「試験用ウエハＷ１」という。
【０１７２】
また、全ての被検査電極２を互いに電気的に絶縁することに代えて、集積回路Ｌの４０個の被検査電極２のうち最も外側の被検査電極２から数えて１個おきに２個ずつを互いに電気的に接続したこと以外は、上記試験用ウエハＷ１と同様の構成の３９３個の集積回路Ｌをウエハ１上に形成した。以下、このウエハを「試験用ウエハＷ２」という。
２．シート状プローブの作製について：
【０１７３】
（実施例１）
図５（ａ）に示したように、直径が２０ｃｍで厚さが１２．５μｍのポリイミドシート１６ａの片面に、直径が２０ｃｍで、厚さが１０μｍの４２アロイからなる金属層１１ｂが積層された積層シートを用意した。
【０１７４】
そして、樹脂シート１６ａの表面全面に、スパッタ法にて、銅によるスパッタを行って銅スパッタ層を形成し、この銅スパッタ層を用いて銅による電気メッキを行い、厚さが５μｍの銅よりなる金属マスク形成用の金属層２１を一体的に設けた。
【０１７５】
次いで、図５（ｂ）に示したように、この積層体の両面、すなわち、金属マスク形成用の金属層２１の表面に、厚さが２５μｍのドライフィルムレジスト（日立化成製、品名：Ｈ−Ｋ３５０）によって、フォトレジストよりなるレジスト層２３を形成するとともに、金属層１１ｂの表面にフォトレジストよりなるレジスト層２４を形成した。
【０１７６】
そして、図５（ｃ）に示したように、金属マスク形成用の金属層２１上に形成されたレジスト層２３に、試験用ウエハＷ１に形成された被検査電極のパターンに対応するパターンに従って、直径が６０μｍの円形の１５７２０個の直径６０μｍの開口２３ａを形成した。
【０１７７】
なお、開口２３ａの形成は、露光処理として、高圧水銀灯によって、８０ｍＪの紫外線を照射することにより行い、現像処理として、１％水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に、４０秒間浸漬する操作を２回繰り返すことによって行った。
【０１７８】
その後、この開口２３ａを介して、金属マスク形成用の金属層２１を、塩化第二鉄系エッチング液を用い、５０℃、３０秒間の条件で、エッチング処理することにより、図６（ａ）に示したように、試験用ウエハＷ１に形成された被検査電極のパターンに対応するパターンに従って、直径が６０μｍの円形の１５７２０個の開口２３ｂが形成された金属層２１を形成した。
【０１７９】
次に、金属層１１ｂの表面のレジスト層２４の表面に、厚さが２５μｍのポリエチレンテレフタレートよりなる保護シールを配置し、４５℃の水酸化ナトリウム溶液に２分間浸漬させることにより、金属マスク２１の表面からフォトレジスト層２３を除去した（図６（ｂ）参照）。
【０１８０】
その後、絶縁膜１６に対し、金属マスク２１の開口２３ｂを介して、ポリイミドエッチング液（東レエンジニアリング株式会社製、「ＴＰＥ−３０００」）を用い、８０℃、１０分間の条件でエッチング処理を施すことにより、（図６（ｃ））に示したように、絶縁膜１６に、試験用ウエハＷ１に形成された被検査電極のパターンに対応するパターンに従って、直径が６０μｍの円形の１５７２０個の貫通孔２３ｃを形成した。
【０１８１】
その後、塩化第二鉄系エッチング液を用い、５０℃、３０秒間の条件で、エッチング処理することによって、絶縁膜１６の表面から金属マスクを除去した（図６（ｄ）参照）。
次に、スルファミン酸ニッケルを含有するメッキ浴中に浸漬し、金属層１１ｂを共通電極としてメッキ処理を施すことにより、図７（ａ）に示したように、絶縁膜１６の貫通孔２３ｃ内に、直径が約７５μｍで、突出高さが約２５μｍの表面が半球状に突出した電極構造体１７を形成した。
【０１８２】
なお、電解メッキ処理は、メッキ浴の温度が５０℃で、電流密度が５Ａ／ｄｍ2で、メ
ッキ処理時間が６０分間の条件で行った。
その後、液状レジスト（ＪＳＲ製、品名：ＴＨＢ−１５０Ｎ）によって、絶縁膜１６と電極構造体１７を覆うようにフォトレジスト層２５を形成した（図７（ｂ）参照）。
【０１８３】
そして、このレジスト層２５の表面に、厚さが２５μｍのポリエチレンテレフタレートよりなる保護シールを配置した。
次いで、金属層１１ｂの表面に形成されたフォトレジスト層２４の表面に配置された保護シールを除去し、露出したレジスト層２４に対して、露光処理と現像処理を施すことによって、図７（ｃ）に示したように、それぞれ横方向の寸法が６４００μｍで、縦方向の寸法が３２０μｍの３９３個の開口部２４ａを形成した。
【０１８４】
そして、図７（ｃ）に示したように、開口部２４ａ内に試験用ウエハＷ１に形成された被検査電極のパターンに対応するパターンに従って横方向に１００μｍのピッチで並ぶよう配置された、それぞれ縦方向の寸法が２００μｍで横方向の寸法が５０μｍの矩形の１５７２０（４０×３９３）個のレジスト部分２４ｂを形成した。
【０１８５】
なお、露光処理は、高圧水銀灯によって８０ｍＪの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、１％水酸化ナトリウム水溶液からなる現像剤に４０秒間浸漬する操作を、２回繰り返すことによって行った。
【０１８６】
そして、開口部２４ａ内に露出する金属層１１ｂに対して、塩化第二鉄系エッチング液を用い、５０℃、３０秒間の条件で、エッチング処理を施して、その一部を除去することにより、それぞれ横方向の寸法が６４００μｍで縦方向の寸法が３２０μｍの３９３個の貫通孔１２と位置決め孔（図示せず）が形成された金属フレーム板１１ａを形成した。
【０１８７】
また、このエッチング処理によって、金属層１１ｂの一部によって、各貫通孔１２内に、横方向に１２０μｍのピッチで並ぶよう配置された、それぞれ縦方向の寸法が２００μｍで、横方向の寸法が５０μｍの矩形の１５７２０（４０×３９３）個の裏面電極部１７ｂを形成した。
【０１８８】
次に、４５℃の水酸化ナトリウム溶液に２分間浸漬させることによって、裏面電極部１７ｂと金属層１１ｂから、フォトレジスト層２４を除去し、その後、液状レジスト（ＪＳＲ製、品名：ＴＨＢ−１５０Ｎ）によって、裏面電極部１７ｂと絶縁膜１６を覆うように、厚さが２５μｍのフォトレジスト層２６を形成した（図８（ａ）参照）。
【０１８９】
このフォトレジスト層２６の裏面電極部１７ｂが位置する部分に、縦方向の寸法が２００μｍで、横方向の寸法が５０μｍの矩形の１５７２０個の開口２７を、裏面電極部１７ｂが露出するように形成した（図８（ｂ）参照）。
【０１９０】
なお、開口２７の形成の際には、露光処理を、高圧水銀灯によって１２００ｍＪ／ｃｍ2の紫外線を照射して行い、現像処理を、現像液（ＪＳＲ製：ＰＤ５２３）に室温で１８
０秒間浸漬することによって行った。
【０１９１】
そして、金メッキ液（田中貴金属（株），品名：レクトロレス）を用い、裏面電極部１７ｂに金メッキ処理を施すことにより、裏面電極部１７ｂに、厚さ０．２μｍの金からなる被覆膜１８を形成した（図８（ｃ）参照）。
【０１９２】
その後、裏面電極部１７ｂの表面に形成された被覆膜１８の表面に、液状レジスト（ＪＳＲ製、品名：ＴＨＢ−１５０Ｎ）によって、被覆膜１８が形成された裏面電極部１７ｂを覆うように、フォトレジスト層２８を形成した（図９（ａ）参照）。
【０１９３】
次いで、フォトレジスト層２５の表面に配置した保護シールを除去し、フォトレジスト層２５に、露光処理と現像処理を施すことにより、縦方向と横方向に伸び、電極構造体１７を４０個ずつ区画する７．５ｍｍ×７．５ｍｍのパターンを残し、この周辺部を除去することによって、パターン溝２５ａを形成した（図９（ｂ）参照）。
【０１９４】
なお、露光処理は、高圧水銀灯によって１２００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外線を照射して行い、現像処理は、現像液（ＪＳＲ製：ＰＤ５２３）に室温で１８０秒間浸漬することによって行った。
【０１９５】
その後、絶縁膜１６に対して、アミン系ポリイミドエッチング液（東レエンジニアリング株式会社製、「ＴＰＥ−３０００」）を用い、８０℃、１０分間の条件で、エッチング処理を施して、その一部を除去し、それぞれ寸法が７．５ｍｍ×７．５ｍｍの互いに独立した３９３個の絶縁膜１５を形成した（図９（ｃ））参照）。
【０１９６】
そして、レジスト層２５とレジスト層２８を除去することにより（図１０（ａ））、図
１に示したような、互いに独立した各絶縁膜１６と、金属フレーム板１１ａとの支持部１９で接点膜１５が支持されたシート状プローブ１０を得た。
【０１９７】
そして、図１０（ｂ）に示したように、シート状プローブ１０の周縁部、すなわち、金属フレーム板１１ａの外周縁に、絶縁膜１５とは離間して、シリコーン系熱硬化性接着剤（信越化学製：品名１３００Ｔ）を塗布し、１５０℃に保持した状態で、シリコーン系熱硬化性接着剤が塗布された部分に、外径が２２０ｍｍ、内径が２０５ｍｍで厚さ２ｍｍの窒化シリコンよりなるリング状の支持部材１３を配置し、さらに、金属フレーム板１１ａと支持部材１３とを加圧しながら、１８０℃で２時間保持することにより、本発明に係るシート状プローブ１０を製造した。
【０１９８】
得られたシート状プローブ１０の仕様は、以下の通りである。
金属フレーム板１１ａは、直径が２２ｃｍで、厚さが１０μｍの円板状で、その材質が４２アロイである。
【０１９９】
金属フレーム板１１ａの貫通孔１２の数は３９３個で、それぞれの横方向の寸法が６４００μｍで、縦方向の寸法が３２０μｍである。３９３個の接点膜１２のそれぞれの絶縁膜１５は、材質がポリイミドで、その寸法は、横方向が７．５ｍｍ、縦方向が７．５ｍｍ、厚さが１２．５μｍである。
【０２００】
接点膜１５のそれぞれの電極構造体１７は、その数が４０個（合計１５７２０個）で、横方向に１２０μｍのピッチで一列に並ぶよう配置されている。
電極構造体１７のそれぞれの表面電極部１７ａは、直径が約７５μｍで、突出高さ約２５μｍの半球状であり、短絡部１７８ｃの直径は約６０μｍであり、裏面電極部１７ｂは、５０μｍ×２００μｍの矩形の平板状で、被覆膜１８を含む裏面電極部１７ｂの厚さは１０．２μｍである。
【０２０１】
また、熱線膨張係数は、以下の通りである。
絶縁膜１６            Ｈ１：ポリイミド＝約５×１０-5／Ｋ
金属フレーム板１１ａ  Ｈ２：４２アロイ＝約５×１０-6／Ｋ
支持部材１３          Ｈ３：窒化ケイ素＝３．５×１０-6／Ｋ
実施例１における各条件の計算値
条件（１）：Ｈ１＝５×１０-5／Ｋ
条件（２）：Ｈ２／Ｈ１＝（５×１０-6）／（５×１０-5）＝０．１
条件（３）：Ｈ３／Ｈ１＝（３．５×１０-6）／（５×１０-5）＝０．０７
条件（４）：Ｈ３／Ｈ２＝（３．５×１０-6）／（５×１０-6）＝０．７
このようにして、合計で４枚のシート状プローブを製造した。これらのシート状プローブを「シート状プローブＭ１」〜「シート状プローブＭ４」とする。
【０２０２】
（比較例１）
図３７に示したように、金属層２０のエッチング処理において、裏面電極部１７ｂとなる部分以外の部分を除去したこと、および、支持部材１３を絶縁膜１６の周縁部の表面に設けたこと以外は、実施例１と同様にして、シート状プローブを製造した。
【０２０３】
なお、図３７（ａ）は、比較例１のシート状プローブの断面図、図３７（ｂ）は、その下面図を示している。比較例１のシート状プローブは、１枚の絶縁膜１６により構成され、金属フレーム板を有しないものである。
このようにして、合計で４枚の比較用のシート状プローブを製造した。これらのシート状プローブを「シート状プローブＬ１」〜「シート状プローブＬ４」とする。
【０２０４】
（比較例２）
金属層２０のエッチング処理において、裏面電極部１７ｂとなる部分の周辺部近傍のみを除去したこと、および、支持部材１３を絶縁膜１６の周縁部の表面に設けたこと以外は、実施例１と同様にして、シート状プローブを製造した。
【０２０５】
なお、図３８（ａ）は、比較例２のシート状プローブの断面図、図３８（ｂ）は、その下面図を示している。比較例２のシート状プローブは、１枚の絶縁膜１６により構成され、金属層２０より形成された金属フレーム板を有するものであり、金属フレーム板の表面全面に絶縁膜１６が一体的に形成されたものである。
【０２０６】
このようにして、合計で４枚の比較用のシート状プローブを製造した。これらのシート状プローブを「シート状プローブＰ１」〜「シート状プローブＰ４」とする。
３．異方導電性コネクターの作製について：
３−１  磁性芯粒子の調製について：
市販のニッケル粒子（Ｗｅｓｔａｉｍ社製，「ＦＣ１０００」）を用い、以下のようにして磁性芯粒子を調製した。
【０２０７】
日清エンジニアリング株式会社製の空気分級機「ターボクラシファイア  ＴＣ−１５Ｎ」によって、ニッケル粒子２ｋｇを、比重が８．９、風量が２．５ｍ3／ｍｉｎ、ロータ
ー回転数が２，２５０ｒｐｍ、分級点が１５μｍ、ニッケル粒子の供給速度が６０ｇ／ｍｉｎの条件で分級処理し、粒子径が１５μｍ以下のニッケル粒子０．８ｋｇを捕集し、さらに、このニッケル粒子０．８ｋｇを、比重が８．９、風量が２．５ｍ3／ｍｉｎ、ロー
ター回転数が２，９３０ｒｐｍ、分級点が１０μｍ、ニッケル粒子の供給速度が３０ｇ／ｍｉｎの条件で分級処理し、ニッケル粒子０．５ｋｇを捕集した。
【０２０８】
得られたニッケル粒子は、数平均粒子径が７．４μｍ、粒子径の変動係数が２７％、ＢＥＴ比表面積が０．４６×１０３ｍ2／ｋｇ、飽和磁化が０．６Ｗｂ／ｍ2であった。
このニッケル粒子を「磁性芯粒子［Ａ］」とする。
【０２０９】
３−２  導電性粒子の調製について：
粉末メッキ装置の処理槽内に、磁性芯粒子［Ａ］１００ｇを投入し、更に、０．３２Ｎの塩酸水溶液２Ｌを加えて攪拌し、磁性芯粒子［Ａ］を含有するスラリーを得た。このスラリーを常温で３０分間攪拌することにより、磁性芯粒子［Ａ］の酸処理を行い、その後、１分間静置して磁性芯粒子［Ａ］を沈殿させ、上澄み液を除去した。
【０２１０】
次いで、酸処理が施された磁性芯粒子［Ａ］に純水２Ｌを加え、常温で２分間攪拌し、その後、１分間静置して磁性芯粒子［Ａ］を沈殿させ、上澄み液を除去した。この操作を更に２回繰り返すことにより、磁性芯粒子［Ａ］の洗浄処理を行った。
【０２１１】
そして、酸処理および洗浄処理が施された磁性芯粒子［Ａ］に、金の含有割合が２０ｇ／Ｌの金メッキ液２Ｌを加え、処理層内の温度を９０℃に昇温して攪拌することにより、スラリーを調製した。この状態で、スラリーを攪拌しながら、磁性芯粒子［Ａ］に対して金の置換メッキを行った。その後、スラリーを放冷しながら静置して粒子を沈殿させ、上澄み液を除去することにより、導電性粒子を調製した。
【０２１２】
このようにして得られた導電性粒子に純水２Ｌを加え、常温で２分間攪拌し、その後、１分間静置して導電性粒子を沈殿させ、上澄み液を除去した。この操作を更に２回繰り返し、その後、９０℃に加熱した純水２Ｌを加えて攪拌し、得られたスラリーを濾紙によって濾過して導電性粒子を回収した。そして、この導電性粒子を、９０℃に設定された乾燥機によって乾燥処理した。
【０２１３】
得られた導電性粒子は、数平均粒子径が７．３μｍ、ＢＥＴ比表面積が０．３８×１０３ｍ2／ｋｇ、（被覆層を形成する金の質量）／（磁性芯粒子［Ａ］の質量）の値が０．
３であった。
この導電性粒子を「導電性粒子（ａ）」とする。
【０２１４】
３−３  フレーム板の作製について：
下記の条件により、上記の試験用ウエハＷ１の各被検査電極領域に対応して形成された３９３個の異方導電膜配置用の貫通孔４２を有する直径が８インチのフレーム板４１を作製した。
【０２１５】
このフレーム板４１の材質はコバール（線熱膨張係数５×１０-6／Ｋ）で、その厚さは、６０μｍである。
各貫通孔４２は、その横方向の寸法が５４００μｍで縦方向の寸法が３２０μｍである。
縦方向に隣接する異方導電膜配置用孔４２の間の中央位置には、円形の空気流入孔が形成されており、その直径は１０００μｍである。
【０２１６】
３−４  成形材料の調製について：
付加型液状シリコーンゴム１００重量部に、導電性粒子［ａ］３０重量部を添加して混合し、その後、減圧による脱泡処理を施すことにより、成形材料を調製した。
【０２１７】
以上において、使用した付加型液状シリコーンゴムは、それぞれ粘度が２５０Ｐａ・ｓであるＡ液とＢ液よりなる二液型のものであって、その硬化物の圧縮永久歪みが５％、デュロメーターＡ硬度が３２、引裂強度が２５ｋＮ／ｍのものである。
【０２１８】
なお、付加型液状シリコーンゴムおよびその硬化物の特性は、以下のようにして測定されたものである。
（ａ）付加型液状シリコーンゴムの粘度は、Ｂ型粘度計により、２３±２℃における値を測定した。
（ｂ）シリコーンゴム硬化物の圧縮永久歪みは、次のようにして測定した。
【０２１９】
二液型の付加型液状シリコーンゴムのＡ液とＢ液とを等量となる割合で攪拌混合した。次いで、この混合物を金型に流し込み、当該混合物に対して減圧による脱泡処理を行った後、１２０℃、３０分間の条件で硬化処理を行うことにより、厚さが１２．７ｍｍ、直径が２９ｍｍのシリコーンゴム硬化物よりなる円柱体を作製し、この円柱体に対して、２００℃、４時間の条件でポストキュアを行った。このようにして得られた円柱体を試験片として用い、ＪＩＳ  Ｋ  ６２４９に準拠して１５０±２℃における圧縮永久歪みを測定した。
（ｃ）シリコーンゴム硬化物の引裂強度は、次のようにして測定した。
【０２２０】
上記（ｂ）と同様の条件で付加型液状シリコーンゴムの硬化処理とポストキュアを行うことにより、厚さが２．５ｍｍのシートを作製した。このシートから打ち抜きによってクレセント形の試験片を作製し、ＪＩＳ  Ｋ  ６２４９に準拠して２３±２℃における引裂強度を測定した。
（ｄ）デュロメーターＡ硬度は、上記（ｃ）と同様にして作製されたシートを５枚重ね合わせ、得られた積重体を試験片として用い、ＪＩＳ  Ｋ  ６２４９に準拠して２３±２℃における値を測定した。
【０２２１】
３−５  異方導電性コネクターの作製について：
上記３−３で作製したフレーム板４１と、上記３−４で調製した成形材料を用い、特開２００２−３２４６００号公報に記載された方法に従って、フレーム板４１に、それぞれの貫通孔４２内に配置され、その周辺部に固定されて支持された３９３個の弾性異方導電膜５０を形成することにより、異方導電性コネクター４０を製造した。
【０２２２】
なお、成形材料層の硬化処理は、電磁石によって厚さ方向に２Ｔの磁場を作用させながら、１００℃、１時間の条件で行った。
得られた弾性異方導電膜５０について具体的に説明すると、弾性異方導電膜の各々は、横方向の寸法が７０００μｍ、縦方向の寸法が１２００μｍであり、４０個の接続用導電部５２が絶縁部５３によって、互いに絶縁された状態で１２０μｍのピッチで横方向に一列に配列されている。
【０２２３】
また、接続用導電部５２の各々は、横方向の寸法が４０μｍ、縦方向の寸法が２００μｍ、厚さが１５０μｍ、突出部５４の突出高さが２５μｍ、絶縁部５３の厚さが１００μｍである。
【０２２４】
また、横方向において最も外側に位置する接続用導電部５２とフレーム板４１との間には、非接続用の導電部が配置されている。非接続用の導電部の各々は、横方向の寸法が６０μｍ、縦方向の寸法が２００μｍ、厚さが１５０μｍである。また、弾性異方導電膜（５０）の各々の被支持部の厚さ（二股部分の一方の厚さ）は２０μｍである。
【０２２５】
また、各弾性異方導電膜５０の接続用導電部５２中の導電性粒子の含有割合を調べたところ、全ての接続用導電部５２について、体積分率で約２５％であった。
このようにして、合計で１２枚の異方導電性コネクターを製造した。これらの異方導電性コネクターを「異方導電性コネクターＣ１」〜「異方導電性コネクターＣ１２」とする。
【０２２６】
４．検査用回路基板の作製について：
基板材料としてアルミナセラミックス（線熱膨張係数４．８×１０-6／Ｋ）を用い、試験用ウエハＷ１の被検査電極のパターン従って、検査用電極３２が形成された検査用回路基板３１を作製した。
【０２２７】
この検査用回路基板３１は、全体の寸法が３０ｃｍ×３０ｃｍの矩形であり、その検査用電極は、横方向の寸法が６０μｍで縦方向の寸法が２００μｍである。得られた検査用回路基板を「検査用回路基板Ｔ１」とする。
【０２２８】
５．シート状プローブの評価について：
５−１  試験１（隣接する電極構造体間の絶縁性）について：
シート状プローブＭ１〜Ｍ２、シート状プローブＬ１〜Ｌ２、シート状プローブＰ１〜Ｐ２の各々について、以下のようにして隣接する電極構造体間の絶縁性の評価を行った。
【０２２９】
室温（２５℃）下において、試験用ウエハＷ１を試験台に配置し、この試験用ウエハＷ１の表面上に、図２９に示したように、シート状プローブをその表面電極部１７ａの各々が当該試験用ウエハＷ１の被検査電極上に位置するよう位置合わせして配置し、このシート状プローブ上に、異方導電性コネクター４０を、その接続用導電部５２の各々が、シート状プローブの裏面電極部１７ｂ上に位置するよう位置合わせして配置した。
【０２３０】
そして、この異方導電性コネクター４０上に、検査用回路基板Ｔ１をその検査用電極３２の各々が、異方導電性コネクター４０の接続用導電部５２上に位置するよう、位置合わせして配置し、さらに検査用回路基板Ｔ１を、下方に１６０ｋｇの荷重（電極構造体１個
当たりに加わる荷重が平均で約１０ｇで加圧した。なお、異方導電性コネクター４０としては、下記表１に示すものを使用した。
【０２３１】
そして、検査用回路基板Ｔ１の１５７２０個の検査用電極３２の各々に、順次電圧を印加するとともに、電圧が印加された検査用電極３２と他の検査用電極３２との間の電気抵抗を、シート状プローブの電極構造体間の電気抵抗（以下、「絶縁抵抗」という。）として測定し、全測定点における絶縁抵抗が１０ＭΩ以下である測定点の割合（以下、「絶縁不良割合」という。）を求めた。
【０２３２】
なお、絶縁抵抗が１０ＭΩ以下である場合には、実際上、ウエハに形成された集積回路の電気的検査に使用することが困難である。
試験の結果を表１に示す。
【０２３３】
【表１】
2006162604.tif 000003
【０２３４】
５−２  試験２（電極構造体の接続安定性）について：
シート状プローブＭ３、Ｍ４、シート状プローブＬ３、Ｌ４、シート状プローブＰ３、Ｐ４について、以下のようにして、被検査電極に対する電極構造体の接続安定性の評価を行った。
【０２３５】
室温（２５℃）下において、試験用ウエハＷ２を、電熱ヒーターを具えた試験台に配置し、この試験用ウエハＷ２の表面に、シート状プローブを、その表面電極部１７ａの各々が試験用ウエハＷ２の被検査電極２上に位置するように、位置合わせして配置した。
【０２３６】
また、このシート状プローブ上に、異方導電性コネクター４０をその接続用導電部５２の各々が、シート状プローブの裏面電極部１７ｂ上に位置するよう位置合わせして配置し、た。
【０２３７】
そして、この異方導電性コネクター４０上に、検査用回路基板Ｔ１を、その検査用電極２の各々が、異方導電性コネクター４０の接続用導電部５２上に位置するよう位置合わせして配置した。
【０２３８】
さらに、検査用回路基板Ｔ１を下方に、１６０ｋｇの荷重（電極構造体１個当たりに加わる荷重が平均で約１０ｇ）で加圧した。なお、異方導電性コネクター４０としては、下記の表２に示すものを使用した。
【０２３９】
そして、検査用回路基板Ｔ１の１５７２０個の検査用電極３２について、シート状プローブと、異方導電性コネクター４０と、試験用ウエハＷ２を介して、互いに電気的に接続された２個の検査用電極３２の間の電気抵抗を順次測定した。
【０２４０】
そして、測定された電気抵抗値の２分の１の値を、検査用回路基板Ｔ１の検査用電極３
２と試験用ウエハＷ２の被検査電極２との間の電気抵抗（以下、「導通抵抗」という。）として記録し、全測定点における導通抵抗が１Ω以上である測定点の割合（以下、「接続不良割合」という。）を求めた。この操作を「操作（１）」とする。
【０２４１】
次いで、検査用回路基板Ｔ１に対する加圧を解除し、その後、試験台を１２５℃に昇温して、その温度が安定するまで放置し、その後、検査用回路基板Ｔ１を下方に、１６０ｋｇの荷重（電極構造体１７１個当たりに加わる荷重が平均で約１０ｇ）で加圧し、上記操作（１）と同様にして接続不良割合を求めた。この操作を「操作（２）」とする。
【０２４２】
次いで、検査用回路基板Ｔ１に対する加圧を解除し、その後、試験台を室温（２５℃）まで冷却した。この操作を「操作（３）」とする。
そして、上記の操作（１）、操作（２）および操作（３）を１サイクルとして、合計で１００サイクル連続して行った。なお、この１サイクルに要する時間は約１．５時間であった。
【０２４３】
なお、導通抵抗が１Ω以上である場合には、実際上、ウエハに形成された集積回路の電気的検査に使用することが困難である。
試験の結果を表２に示す。
【０２４４】
【表２】
2006162604.tif 000004
【０２４５】
（注記：表２中、接続不良割合が２０％を超えた場合は多数と表記した）
【図面の簡単な説明】
【０２４６】
【図１】図１は、本発明のシート状プローブの実施例を示した図であり、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）はＸ−Ｘ線による断面図である。
【図２】図２は、図１のシート状プローブの接点膜を拡大して示した平面図である。
【図３】図３は、図２のＸ−Ｘ線による断面図である。
【図４】図４は、図１のシート状プローブの部分拡大断面図である。
【図５】図５は、本発明のシート状プローブの製造方法を説明する断面図である。
【図６】図６は、本発明のシート状プローブの製造方法を説明する断面図である。
【図７】図７は、本発明のシート状プローブの製造方法を説明する断面図である。
【図８】図８は、本発明のシート状プローブの製造方法を説明する断面図である。
【図９】図９は、本発明のシート状プローブの製造方法を説明する断面図である。
【図１０】図１０は、本発明のシート状プローブの製造方法を説明する断面図である。
【図１１】図１１は、本発明のシート状プローブの製造方法を説明する断面図である。
【図１２】図１２は、本発明のシート状プローブの金属フレーム板の形状を説明する平面図である。
【図１３】図１３は、本発明のシート状プローブの別の実施例を示した図であり、図１３（ａ）は平面図、図１４（ｂ）はＸ−Ｘ線による断面図である。
【図１４】図１４は、本発明のシート状プローブの別の実施例を示した図であり、図１４（ａ）は平面図、図１４（ｂ）はＸ−Ｘ線による断面図である。
【図１５】図１５は、本発明のシート状プローブの別の実施例を示した図であり、図１５（ａ）は平面図、図１５（ｂ）はＸ−Ｘ線による断面図である。
【図１６】図１６は、本発明のシート状プローブの別の実施例を示した図であり、図１６（ａ）は平面図、図１６（ｂ）はＸ−Ｘ線による断面図である。
【図１７】図１７は、図１６のシート状プローブにおける接点膜を拡大して示した平面図である。
【図１８】図１８は、図１７のＸ−Ｘ線による断面図である。
【図１９】図１９は、図１５のシート状プローブの部分拡大断面図である。
【図２０】図２０は、本発明の別の実施例のシート状プローブの製造方法を説明する断面図である。
【図２１】図２１は、本発明の別の実施例のシート状プローブの製造方法を説明する断面図である。
【図２２】図２２は、本発明の別の実施例のシート状プローブの製造方法を説明する断面図である。
【図２３】図２３は、本発明の別の実施例のシート状プローブの製造方法を説明する断面図である。
【図２４】図２４は、本発明の別の実施例のシート状プローブの製造方法を説明する断面図である。
【図２５】図２５は、本発明の別の実施例のシート状プローブの製造方法を説明する断面図である。
【図２６】図２６は、本発明の別の実施例のシート状プローブの製造方法を説明する断面図である。
【図２７】図２７は、本発明のシート状プローブの別の実施例を示した図であり、図２７（ａ）は平面図、図２７（ｂ）はＸ−Ｘ線による断面図である。
【図２８】図２８は、本発明のシート状プローブの別の実施例を示した図であり、図２８（ａ）は平面図、図２８（ｂ）はＸ−Ｘ線による断面図である。
【図２９】図２９は、本発明の回路装置の検査装置およびそれに用いられるプローブカードの実施例を示した断面図である。
【図３０】図３０は、図２９のプローブカードにおける組み立て前後の各状態を示した断面図である。
【図３１】図３１は、図２９のプローブカードの要部構成を示した断面図である。
【図３２】図３２は、本発明の別の実施例のシート状プローブの製造方法を説明する断面図である。
【図３３】図３３は、本発明の別の実施例のシート状プローブの製造方法を説明する断面図である。
【図３４】図３４は、本発明の別の実施例のシート状プローブの製造方法を説明する断面図である。
【図３５】図３５は、本発明の別の実施例のシート状プローブの製造方法を説明する断面図である。
【図３６】図３６は、本発明の別の実施例のシート状プローブの製造方法を説明する断面図である。
【図３７】図３７（ａ）は、比較例１のシート状プローブの断面図、図３７（ｂ）は、その下面図である。
【図３８】図３８（ａ）は、比較例２のシート状プローブの断面図、図３８（ｂ）は、その下面図である。
【図３９】図３９は、従来のシート状プローブの断面図である。
【図４０】図４０は、従来のシート状プローブの断面図である。
【図４１】図４１は、従来のシート状プローブの製造方法の概略を示す断面図である。
【符号の説明】
【０２４７】
１      ウエハ
２      被検査電極
１０      シート状プローブ
１１      支持体
１１ａ    金属フレーム板
１１ｂ    金属層
１２      貫通孔
１３      支持部材
１５      接点膜
１６      絶縁膜
１６ａ    樹脂シート
１６ｂ    高分子物質形成用液状物
１７      電極構造体
１７ａ    表面電極部
１７ｂ    裏面電極部
１７ｃ    短絡部
１８      被覆膜
１９      支持部
２０      金属層
２１      金属層
２３      フォトレジスト層
２３ａ    開口
２３ｂ    開口
２３ｃ    貫通孔
２４      フォトレジスト層
２５      フォトレジスト層
２６      フォトレジスト層
２７      開口
２８      フォトレジスト層
３０      プローブカード
３１      検査用回路基板
３２      検査用電極
３３      ガイドピン
３５      加圧板
３６      ウエハ載置台
３７      加熱器
３８      嵌合用段差部
４０      異方導電性コネクター
４１      フレーム板
４２      貫通孔
５０      弾性異方導電膜
５１      導電性粒子
５２      接続用導電部
５３      絶縁部
５４      突出部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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