(57)【要約】【課題】  用いるマスクが大型の場合にも精度良く目的の膜パターンを得ることができるマスクを提供する。【解決手段】  本発明のマスクは、開口部７を有するベース部材２と、該ベース部材２上であって前記開口部７を覆う位置に配設され且つ所定パターンのマスク開口部４を備えるマスク部材３とを有し、前記マスク開口部４は、形成したい膜の面積よりも小さい開口面積を有してなることを特徴とする。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、所望の形状の膜を形成するためのマスクであって、
複数の開口で構成された開口部を有するベース部材と、該ベース部材上に前記開口部を覆うように配設されたマスク部材とを有し、
前記マスク部材は、複数の開口で構成されたマスク開口部を備え、
前記マスク開口部は、基板上に形成する前記膜の前記所望の形状よりも小さい形状を有してなることを特徴とするマスク。
【請求項２】
前記マスク開口部の面積は、基板上に形成する前記膜の面積よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載のマスク。
【請求項３】
前記マスク部材は、前記ベース部材に対して、着脱可能に構成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のマスク。
【請求項４】
前記マスク部材がシリコンにて構成されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載のマスク。
【請求項５】
前記マスク開口部は、形成したい膜の面積をｎ等分（但し、ｎは２以上の自然数）した開口面積を有してなることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載のマスク。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか１項に記載のマスクを用いた成膜方法であって、
前記マスクを介して基板上に形成したい膜の一部を形成する工程と、前記基板と前記マスクとを相対移動させる工程と、前記マスクを介して基板上に形成したい膜の残部を形成する工程とを有することを特徴とする成膜方法。
【請求項７】
電極間に有機材料層を具備してなる有機ＥＬ装置の製造方法であって、
請求項６に記載の成膜方法により、異なる色毎に前記有機材料層を形成する工程を含むことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項８】
陰極と陽極との間に発光層を具備し、且つ前記陰極と前記発光層のうち特定の色の発光層との間に電子注入層を具備してなる有機ＥＬ装置の製造方法であって、
請求項６に記載の成膜方法により、前記電子注入層を形成する工程を含むことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マスク、成膜方法、有機ＥＬ装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、コンピュータや携帯用の情報機器といった電子機器の発達に伴い、カラー表示装置として有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置の使用が増加している。この種の有機ＥＬ装置の製造工程においては、例えば発光用の有機ＥＬ材料や電極をパターニングする際、水分や酸素による有機材料の劣化が問題となるため、マスクを用いた真空蒸着法が用いられている。
【０００３】
このような蒸着工程を含む有機ＥＬ装置の製造方法では、一般的に基板を大型化して１枚の基板からのパネルの取り個数を増やすことにより、低コスト化を図ることが可能となるが、マスクが大型化するに従いマスク製造の歩留り低下を招く場合がある。そこで、歩留り低下を改善するべく、例えば特許文献１又は２のような技術が開示されている。
【特許文献１】特開２００１−２３７０７３号公報
【特許文献２】特開２００１−２７３９７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献１では、蒸着マスクとして使用する複数の部材（単位マスク）と、それを取り付ける基材とをアライメントマークで位置決めして固定し、マスクの大型化を図っている。しかしながら、被蒸着基板に対して単位マスクを固定して蒸着する場合、良好な蒸着パターンの精度を得るためには、蒸着時の被蒸着基板と蒸着マスクとの密着性を良好に保つ必要があるが、被蒸着基板及び蒸着マスクが大型化するに伴って自重による変形が大きくなり、密着性を保つのが困難となる。
【０００５】
特に、単位マスクのうち開口部が形成された領域の厚さは、蒸着パターンの精度を向上させるために薄くする（蒸着粒子に対してマスクが影をつくらないようにする）必要があり、そのため剛性が低く、自重による変形は顕著となる。また、大型パネルに対応した広い開口部を有する単位マスクでは、開口部が形成された領域で自重による変形がより大きくなり、被蒸着基板上の蒸着パターン精度が低下する
【０００６】
一方、特許文献２に示されているように、蒸着マスクが磁性材料で構成されている場合、蒸着マスクに対して被蒸着基板を挟んだ反対側にマグネットを配することで、被蒸着基板との密着性を確保する方法もあるが、被蒸着基板及び蒸着マスクの変位量（磁力が作用している状態と、していない状態）が大きく、被蒸着基板上に傷を付けるなどの不良原因となる場合があり、十分ではない。
【０００７】
本発明は、これらの問題を解決することを目的とし、詳しくは用いるマスク部材が大型の場合にも精度良く目的の膜パターンを得ることができるマスク及び成膜方法を提供することを目的としている。さらに本発明は、上記成膜方法により得られる信頼性の高い有機ＥＬ装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明のマスクは、基板上に、所望の形状の膜を形成するためのマスクであって、複数の開口で構成された開口部を有するベース部材と、該ベース部材上に前記開口部を覆うように配設されたマスク部材とを有し、前記マスク部材は、複数の開口で構成されたマスク開口部を備え、前記マスク開口部は、基板上に形成する前記膜の前記所望の形状よりも小さい形状を有してなることを特徴とする。
【０００９】
このようなマスクによると、従来のように膜形状に対応したマスク開口部を有する単位マスクに比して、強度の低い開口部形成領域の面積が小さくなるため、自重による変形が小さいものとなる。つまり、本発明のマスクは、相対的に強度が高いベース部材の面積が大きく、相対的に強度が低い開口部形成領域のマスク部材の面積が小さいため、当該マスクの自重による変形量を極力小さくすることができるようになる。したがって、本発明のマスクは信頼性が高く、当該マスクを例えば蒸着マスクとして用いることで、所望形状の蒸着膜等を得ることができるようになる。
【００１０】
なお、ここで言う強度とは例えば熱膨張係数について例示することができ、ベース部材よりも熱膨張係数の大きいマスク部材を用いることができる。また、本発明のマスクにより形成したい膜を得るためには、マスクを介して一部の膜を形成した後、該マスクと被成膜部材とを相対移動させ、該マスクを介して残部の膜を形成するものとすれば良い。
【００１１】
前記マスク開口部は、基板上に形成する膜の面積よりも小さく、具体的には形成したい膜の面積をｎ等分（但し、ｎは２以上の自然数）した開口面積を有してなるものとすることができる。この場合、本発明のマスクをｎ回移動させて形成したい膜を斑なく形成することができるようになる。
【００１２】
本発明において、形成したい膜が矩形状である場合、前記マスク開口部をストライプ状に形成することができる。この場合、当該マスクを介して膜の一部を形成した後、該マスクをｘ軸方向及び／又はｙ軸方向に移動させ、その後、該マスクを介して膜の残部を形成することで、簡便に矩形状膜を得ることができる。
【００１３】
本発明において、マスク部材のマスク開口部がベース部材の開口部上に位置するように、ベース部材上にマスク部材を配設することができる。また、ベース部材は、膜を形成したい被成膜部材を成膜工程中、完全に覆うことができる大きさとすることができる。
【００１４】
また、マスク部材は例えばシリコンにて構成することができる。この場合、当該マスク部材の成形性が高まり、所望形状のマスク開口部を容易に得ることができるようになる。その他にも、マスク部材は例えば金属にて構成することもでき、この場合、高強度のマスク部材となる。具体的にはステンレス、インバー、４２アロイ、ニッケル合金のいずれかを主体として構成することができる。なお、ベース部材はマスク部材よりも強度が高い材料、例えば金属にて構成することが好ましく、ステンレスやインバー等の金属材料の他、ガラスやセラミックス等にて形成することもできる。
【００１５】
本発明のマスクにおいて、マスク部材がベース部材に接合されてなるものとすることができる。そして、各部材は何れかの部材に付されたアライメントマークにより位置決めされているものとすることができる。
【００１６】
次に、上記課題を解決するために、本発明の成膜方法は、上述した本発明のマスクを用いた成膜方法であって、前記マスクを介して基板上に形成したい膜の一部を形成する工程と、前記基板と前記マスクとを相対移動させる工程と、前記マスクを介して基板上に形成したい膜の残部を形成する工程とを有することを特徴とする。
【００１７】
このような成膜方法によると、所望形状の膜を簡便且つ確実に形成することができるようになる。そして、マスクの信頼性が高いため、歩留りも高いものとなる。しかも、用いるマスクが、従来のように膜形状に対応したマスク開口部を有する単位マスクに比して、強度の低い開口部形成領域の面積が小さくなるため、自重による変形が小さいものとなる。つまり、本発明の成膜方法において用いるマスクは、相対的に強度が高いベース部材の面積が大きく、相対的に強度が低い開口部形成領域のマスク部材の面積が小さいため、当該マスクの自重による変形量を極力小さくすることができるようになる。なお、ここで言う強度とは例えば熱膨張係数について例示することができ、ベース部材よりも熱膨張係数の大きいマスク部材を用いることができる。
【００１８】
次に、上記課題を解決するために、本発明の有機ＥＬ装置（有機エレクトロルミネッセンス装置）の製造方法は、電極間に有機材料層を具備してなる有機ＥＬ装置の製造方法であって、上述した成膜方法により、異なる色毎に前記有機材料層を形成する工程を含むことを特徴とする。この場合、信頼性の高い有機材料層を形成することができ、得られる有機ＥＬ装置は非常に信頼性の高いものとなる。
【００１９】
また、異なる態様の製造方法として、陰極と陽極との間に発光層を具備し、且つ前記陰極と前記発光層のうち特定の色の発光層との間に電子注入層を具備してなる有機ＥＬ装置の製造方法であって、上述した成膜方法により、前記電子注入層を形成する工程を含むものとすることができる。この場合、信頼性の高い電子注入層を形成することができ、得られる有機ＥＬ装置は非常に信頼性の高いものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、各図においては、各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせてある。
【００２１】
図１は、本発明のマスクの一実施形態について、その平面構成（ａ）及び断面構成（ｂ）を模式的に示す図である。本実施形態のマスク１は、複数のマスク部材３がベース部材２に接合されてなり、マスク部材３はマスク開口部４を有している。マスク部材３は、図１（ｂ）に示すようにベース部材２の開口部７を覆うように配設され、該開口部７の開口内側にマスク開口部４が位置している。なお、このような位置合わせは、両部材２，３に形成されたアライメントマーク５（図１では重なっている）を基準として行われている。また、ベース部材２には、当該マスク１を用いて成膜等を行う基板（被成膜基板）との位置合わせを行うためのアライメントマーク６が形成されている。
【００２２】
ベース部材２とマスク部材３とは接着材ないしスポット溶接等によって固着ないし接合されている。なお、ベース部材２に対してマスク部材３を着脱自在に構成するために、例えば係合ないし嵌め込み等により両部材を一体化するものとしても良い。
【００２３】
マスク部材３に形成されたマスク開口部４は、基板上に形成したい膜の面積よりも小さい開口面積を有している。具体的には、形成したい膜の面積をｎ等分（但し、ｎは２以上の自然数）した開口面積を有してなり、ここでは形成したい膜が矩形状であるため、マスク開口部４を該矩形状の面積の２分の１の大きさに形成している。
【００２４】
ベース部材２はマスク部材３よりも高強度の材料、具体的にはマスク部材３よりも熱膨張係数の小さい材料にて構成されている。本実施形態では、マスク部材３がシリコンを主体として構成され、ベース部材２がシリコンよりも熱膨張係数の小さい金属（例えばステンレス、インバー、４２アロイ、ニッケル合金等）を主体として構成されている。なお、マスク部材３もシリコンの他、上記ステンレス、インバー、４２アロイ、ニッケル合金等の金属材料にて構成することもでき、この場合、ベース部材２よりも加工性の高いものが適宜選択されることとなる。また、ベース部材２についてもステンレスやインバー等の金属材料の他、ガラスやセラミックス等にて形成することもできる。
【００２５】
ここで、マスク部材３としてシリコンを用いれば、異方性エッチングにより高精度なマスク開口部４を形成することができる。一方、マスク部材３としてインバー等の金属材料を用いれば、通常のエッチングによりマスク開口部４を形成することができる。
【００２６】
また、本実施形態のマスク１は、１つのマスク１から所定の蒸着パターン（膜パターン）を複数得ることが可能な多面取り用マスクとして構成されている。つまり、図１に示すように、ベース部材２上に配設されたマスク部材３が、それぞれ蒸着源（材料供給源）からの蒸着材料（膜形成材料）が通過可能なマスク開口部４を有しており、該マスク開口部４が、取得したい膜パターンに対応して、該膜パターンの半分の大きさの開口パターンを有して構成されている。そして、本実施の形態では、このようなマスク部材３が１枚のベース部材２上に複数（例えば４つ）配設され、１回の蒸着工程で複数（例えば４つ）の膜パターンを得ることが可能とされている。
【００２７】
このような構成のマスク１は、マスク部材３のベース部材２と接する側と異なる側に成膜対象基板（図示略）を設置し、ベース部材２側に配設した例えば成膜材料発生装置（例えば蒸着源：図示略）から成膜材料（蒸着材料）が供給されることにより膜形成が行われる。
【００２８】
次に、本発明のマスクを用いた成膜方法の一例について説明する。
図２は、成膜の対象となる基板（成膜対象基板）１０上において、形成したい膜のエリア（成膜対象エリア）１２（破線で囲まれた領域）と、図１のマスク１を使用して形成される成膜エリア１１（実線で囲まれた領域）との関係について示した平面模式図である。用いる成膜対象基板１０のサイズは、ここでは７３０ｍｍ×９２０ｍｍとしている。
【００２９】
まず、成膜対象エリア１２に対して、図１のマスク１を使用して第１の成膜（第１成膜工程）を行うことで、図２に示すように成膜対象エリア１２の一部分（本実施形態では半分）に対して成膜が行われる。
そして、このように成膜対象エリア１２の一部分に成膜を行った後、マスク１と基板１０とを相対移動させる。ここでは、成膜対象エリア１２のうち成膜されていない領域上にマスク開口部４が位置するように、マスク１を走査するものとしている。
【００３０】
マスク１と基板１０との相対移動を行った後、第２の成膜を行う（第２成膜工程）。図３は、第２の成膜を行った後の基板１０上の成膜状態を示す平面模式図である。図３に示すように、第１成膜工程では成膜エリア１４ａ及び成膜エリア１４ｂが成膜され、第２成膜工程では成膜エリア１５ａ及び成膜エリア１５ｂが成膜される。
つまり、本実施形態のように図１のマスク１を用いて２回の成膜工程を行うことで、所望の成膜対象エリア１２に対して重複せずに同一の材料を成膜することができるようになる。
【００３１】
従来のマスクでは、成膜対象エリア１２のサイズと同じサイズのマスク開口部を有しており、強度の小さい開口部付近のマスク部材の面積が大きいため、自重による変形が大きくなる。これに対して、図１のマスク１は強度が大きいベース部材２の面積が大きく、強度の小さい開口部付近のマスク部材の面積が小さいため、自重による変形量を極力小さくできるようになっている。したがって、本実施形態のマスク１を用いた成膜方法によると、マスク１の変形が少ないため、所望の形状の膜を簡便に得ることができるようになり、得られる膜の信頼性が非常に高いものとなる。
【００３２】
一方、図４（ａ）はマスクの変形例を示す平面模式図で、図４（ｂ）は当該マスクを用いて蒸着を行った場合に形成される膜のパターンを示す平面模式図である。
図４（ａ）に示したマスク１００は、８つのマスク部材１０３がベース部材１０２に着脱自在に組み付けられてなり、マスク部材１０３は図１のマスク１と同様にマスク開口部１０４を有している。マスク部材１０３は、ベース部材１０２の開口部（図示略）を覆うように配設され、該開口部の開口内側にマスク開口部１０４が位置している。なお、このような位置合わせは、両部材１０２，１０３に形成されたアライメントマーク（図示略）を基準として行われている。また、ベース部材１０２には、当該マスク１００を用いて成膜等を行う基板（被成膜基板）との位置合わせを行うためのアライメントマーク（図示略）が形成されている。
【００３３】
１つのマスク部材１０３に形成されたマスク開口部１０４は、形成したい成膜対象エリア１２（図２）の膜の面積よりも小さい開口面積を有している。具体的には、形成したい成膜対象エリア１２（図２）の膜の面積を８等分した開口面積を有している。ベース部材１０２はマスク部材１０３よりも高強度の材料、具体的にはマスク部材１０３よりも熱膨張係数の小さい材料にて構成されている。本実施形態では、マスク部材１０３がシリコンを主体として構成され、ベース部材１０２がシリコンよりも熱膨張係数の小さい金属（ここでは４２アロイ）を主体として構成されている。
【００３４】
また、本実施形態のマスク１００は、１つのマスク１００から所定の蒸着パターン（膜パターン）を複数得ることが可能な多面取り用マスクとして構成されている。つまり、図４（ａ）に示すように、ベース部材１０２上に配設されたマスク部材１０３が、それぞれ蒸着源からの蒸着材料が通過可能なマスク開口部１０４を有しており、該マスク開口部１０４が、取得したい成膜対象エリア１２（図２）の膜パターンに対応して、該膜パターンの８分の１の大きさの開口パターンを有して構成されている。そして、本実施の形態では、このようなマスク部材１０３が１枚のベース部材１０２上に８つ配設されている。
【００３５】
以上のような構成のマスク１００は、図１に示したマスク１に比べて開口部形成領域付近の自重による変形が一層低減されることとなる。なお、このマスク１００を用いて蒸着を行う際は、以下の工程を含むものとすることができる。
【００３６】
まず、基板１０に対して第１の蒸着を行うことで、図４（ｂ）に示すように成膜対象エリア１２の一部分、ここでは成膜エリア１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄに対して成膜が行われる。そして、このように成膜対象エリア１２の一部分に成膜を行った後、マスク１００と基板１０とを相対移動させる。ここでは、成膜対象エリア１２のうち成膜されていない領域（成膜エリア１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄ）上にマスク開口部１０４が位置するように、マスク１００を走査するものとしている。
【００３７】
マスク１００と基板１０との相対移動を行った後、第２の蒸着を行う。そうすると、成膜エリア１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄに対して成膜が行われ、成膜対象エリア１２に対して重複せずに同一の材料を斑無く成膜することができるようになる。
【００３８】
なお、図５に示すように、１つのマスク開口部２０４を成膜対象エリア１２（図２）に対して、形成したい膜の８等分した開口面積を有するように形成し、該マスク開口部２０４を有するマスク部材２０３をベース部材２０２上に２つ形成するものとしても良い。この場合、４回の蒸着で所望の膜を得ることができ、マスク２００全体の中でマスク開口部２０４の占める割合が小さくなるため、図４のマスク１００に比して自重による変形の影響を更に小さくすることが可能となる。なお、成膜回数が増えて処理時間が長くなるが、マスクの剛性が得られるため大型基板に対して高精度に蒸着することが可能となる。
【００３９】
また、図５（ｂ）に示すように、１つのマスク部材３０３に対して複数のマスク開口部３０４を形成するものとしても良い。さらに、図６に示すように、マスク開口部を成膜対象エリア１２の長手方向に平行となるように形成し、これを用いて成膜エリア１４ａ，１４ｂを第１の蒸着で、成膜エリア１５ａ，１５ｂを第２の蒸着で形成するものとしても良い。
【００４０】
ここで、以上の実施形態で用いるマスク部材の製造方法について簡単に説明する。マスク部材は、上述したようにステンレスやニッケル合金、インバーなどの金属材料や、シリコン材料等により構成することができる。金属材料の場合には、マスク開口部の形成にはエッチングや電鋳などが有効である。一方、シリコンの場合には、図７に示すようなプロセスで開口部を形成することができる。
【００４１】
図７では、面方位（１１０）を有するシリコンを例としている。
まず、図７（ａ）に示すようにシリコンウェハ３０を用意し、該シリコンウェハ３０の表面に熱酸化法により酸化シリコン膜３１を１μｍ程度の厚さで形成する。なお、該シリコンウェハ３０の表面に形成する膜は酸化シリコン膜３１のみならず、後のアルカリ水溶液を用いて行うシリコンの結晶異方性エッチングにおいて耐久性のある膜であれば、ＣＶＤ法による窒化シリコン膜、スパッタ法による金や白金からなる膜でも良い。
【００４２】
次に、酸化シリコン膜３１をフォトリソグラフィ法により図７（ｂ）に示すようにパターニングする。パターニングには、緩衝フッ酸溶液を用いる。
【００４３】
次に、８０℃に加熱した３５重量％の水酸化カリウム水溶液を用いてシリコンウェハ３０の結晶異方性エッチングを行う。これにより、図７（ｃ）に示すように、シリコンウェハ３０のうち酸化シリコン膜３１に覆われていない部分が除去されて開口部３３が形成されるとともに、開口部３３に対応する部分に厚さが小さくなる。また、結晶異方性エッチングにより、下側エッジ部分がテーパ状にエッチングされる。なお、エッチングの時間を調節することにより、開口部３３の厚さとテーパの量を制御することができる。
【００４４】
最後に、酸化シリコン膜３１を例えば緩衝フッ酸溶液を用いて除去することで、図７（ｄ）に示すような開口部３３を有したマスク部材を得ることができる。
【００４５】
続いて、上述した成膜方法を用いて有機ＥＬ装置（有機エレクトロルミネッセンス装置）を製造する例について説明する。
上述したマスク１等について、マスク部材のマスク開口部形状次第では、マトリクス状の蒸着パターンを成膜対象基板上に形成することができる。このようなマトリクス状の蒸着パターン形成は、例えば表示装置の画素を形成するのに好適で、具体的には画素を構成する有機材料あるいは電極材料を、上述したマスクを用いた成膜方法を利用して行うのが好適である。
【００４６】
図１０は、有機ＥＬ装置の概略構成を模式的に示す平面図であり、図１０中符号２７０は有機ＥＬパネルである。このような有機ＥＬパネルは、有機ＥＬ装置用基板５５上に各色発光層を含む各画素（Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素）を形成することで得ることができる。この有機ＥＬパネル２７０は、ガラス等からなる基板５５と、マトリックス状に配置された画素２７１（Ｒ画素、Ｇ画素、Ｂ画素）を形成する多数の有機ＥＬ素子と、封止基板（図示略）とを具備して構成されたものである。
【００４７】
なお、基板５５は、例えばガラス等の透明基板からなるもので、基板５５の中央に位置する表示領域２０２ａと、基板５５の周辺部に位置して表示領域２０２ａの外側に配置された非表示領域２０２ｂとに区画されている。表示領域２０２ａは、マトリックス状に配置された有機エレクトロルミネッセンス素子によって形成された領域であり、有効表示領域とも言われるものである。
【００４８】
図８（ａ）は有機ＥＬ装置の各色画素Ｒ（赤色），Ｇ（緑色），Ｂ（青色）の配列パターンを示す平面模式図であり、１枚の有機ＥＬパネルの表示領域を示している。図８（ｂ）は同一材料を成膜する対象である画素Ｂ（青色）を抜き出して示す説明図である。なお、図８（ｂ）の点線で囲んだ２つのエリアは、マスクを使って２回に分けて成膜するそれぞれエリアを示している。
【００４９】
一方、図９は、図８（ｂ）に示した画素Ｂを成膜するためのマスクについて示す平面模式図である。なお、図９（ａ）は画素Ｂのパターンに対応したマスク開口部４０４を有するマスク部材４００、図９（ｂ）は複数の画素Ｂの列に対応したスリット状の開口部５０４を有するマスク部材５００、図９（ｃ）は図９（ｂ）のマスク部材を２つのマスク部材６０３ａ，６０３ｂにより形成したマスク部材６００である。１枚の基板から有機ＥＬパネルを多面取りする場合には、これらのマスク部材を複数枚ベース部材に組み付けてマスクとする。
【００５０】
このような有機ＥＬ装置の画素形成に際して、上述した成膜方法を適用することにより、各画素をマトリクス状に簡便に構成することが可能となる。しかも大型の有機ＥＬ装置に対しても好適に用いることができる。また、パネルの各基板にストライプ状の電極を構成する場合にも好適に用いることができる。
【００５１】
具体的には、製造する低分子有機ＥＬ装置の構成は、陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極がこの順で積層されたものである。また、高分子有機ＥＬ装置の構成は、陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極がこの順で積層されたものである。
低分子有機ＥＬ装置の場合、発光層では、共蒸着によりホスト材料中に微量のゲスト材料（ドーパント材料）を入れることで、特性を向上させている。発光層に用いる材料を変更することで異なった色を発光させることができる。ディスプレイ用途では図８（ａ）に示したようにＲ，Ｇ，Ｂ各画素をストライプ状に配列しており、各色に対応した位置に対して上述したマスクを使って発光材料を成膜することができる。特に大型基板、大型パネルに対しては上述のマスクを用いることが有効となる。
【００５２】
また、発光層からの光が取り出されるときに、積層した膜の干渉効果によって色変化を起こす。Ｒ，Ｇ，Ｂ各色によって干渉する膜厚が異なり、色変化に対する効果なども異なってくるが、少なくとも電子輸送材料の膜厚をＲ，Ｇ，Ｂ各画素毎に最適化することで、Ｒ，Ｇ，Ｂ各色の色純度を向上させることができる。そこで、上述したマスクを用いることによって、Ｒ，Ｇ，Ｂ各画素に対して最適な膜厚の電子輸送材料を成膜することができる。その結果、ディスプレイ特性を向上させることが可能となる。
【００５３】
さらに、色によっては発光層と陰極との間にアルカリ金属のフッ化物又はアルカリ土類金属のフッ化物、具体的にはフッ化リチウム等の層を挿入することで、ディスプレイ特性を向上させることができる。特に、青色の画素Ｂに対して該フッ化リチウム層を形成した場合は特性向上効果が顕著となるが、このようなフッ化リチウム層は蒸着によって成膜可能であり、上述したマスクを用いて蒸着することで画素Ｂに対して選択的に成膜することができるようになる。
【００５４】
また、有機ＥＬ装置において、光取出し側に半透明反射膜を形成し、対向側に反射膜を形成することにより、発光層からの光の多重干渉が起こり、結果として取り出される光のスペクトルの半値幅が減少して色純度が向上する（例えば特開２００２−３７３７７６号公報参照）。このような構成は、半透明反射膜と反射膜間の距離を発光色の波長に合わせ込むことで実現できる。Ｒ，Ｇ，Ｂ各画素のうち、特性を向上させたい画素、例えば画素Ｂに対して半透明反射膜を形成することにより、色純度の向上、ディスプレイとしての輝度負荷の減少や寿命向上などの特性向上を実現することができる。このように画素Ｂだけに半透明反射膜を形成する工程において、上述したマスクを使用すれば、大型基板、大型パネルでのディスプレイ特性の向上が可能となる。
【００５５】
以上、各実施の形態を示したが、本発明は上記実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴うマスク、成膜方法、有機ＥＬ装置の製造方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の一実施形態たるマスクを模式的に示す平面図（ａ）及び断面図（ｂ）。
【図２】図１のマスクの使用態様について示す説明図。
【図３】図１に続いてマスクの使用態様について示す説明図。
【図４】マスクの変形例について模式的に示す平面図（ａ）及び使用態様について示す説明図（ｂ）。
【図５】マスクの変形例について模式的に示す平面図。
【図６】異なるマスクの使用態様について示す説明図。
【図７】マスク部材の製造工程について示す説明図。
【図８】有機ＥＬ装置の画素構成を模式的に示す平面図。
【図９】図８の画素構成に対応する開口部を有するマスクの平面模式図。
【図１０】本実施形態の成膜方法を適用した製造方法により得られる有機ＥＬ装置の一例を示す平面図。
【符号の説明】
【００５７】
１…マスク、２…ベース部材、３…マスク部材、４…マスク開口部、５…アライメントマーク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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