(57)【要約】      （修正有）【課題】電子部品の基板などの上に積層された酸化インジウム系透明導電膜をエッチングする際に、他の膜との選択比（ＩＺＯ膜またはＩＴＯ膜以外の他の膜質に対する影響を示す指標で、［ＩＺＯ膜またはＩＴＯ膜のエッチング量］：［その他の膜質のエッチング量］の比率）及びエッチング工程の再現性を向上させ、煙霧（fume）の発生が無く、温度に対する液の安定性の高いエッチング液組成物を提供する。また、ＩＺＯ膜及びＩＴＯ膜のエッチング方法を提供する。【解決手段】酸化インジウム系透明導電膜のエッチング液組成物は、主酸化剤として硫酸、補助酸化剤としてＨ３ＰＯ４、ＨＮＯ３、ＣＨ３ＣＯＯＨ、ＨＣｌＯ４、Ｈ２Ｏ２、及びペルオキシ一硫酸カリウム、重硫酸カリウム及び硫酸カリウムを含む塩より選択された化合物、エッチング抑制剤としてＮＨ４＋を含有する化合物、及び水を含む。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
組成物全量に対して１〜１５重量％の硫酸、０．０２〜５．０重量％の補助酸化剤、０．０１〜５．０重量％のエッチング抑制剤及び残量の水を含むことを特徴とする、酸化インジウム系透明導電膜用エッチング液組成物。
【請求項２】
前記エッチング液組成物全量に対して硫酸１〜１５重量％、補助酸化剤０．０２〜５．０重量％、エッチング抑制剤としてアンモニウムを含む形態の化合物０．０１〜５．０重量％及び残量の水を含むことを特徴とする、請求項１に記載の酸化インジウム系透明導電膜用エッチング液組成物。
【請求項３】
前記補助酸化剤は、Ｈ３ＰＯ４、ＨＮＯ３、ＣＨ３ＣＯＯＨ、ＨＣｌＯ４、Ｈ２Ｏ２、及びペルオキシ一硫酸カリウム（Potassium Peroxymono-sulfate）、重硫酸カリウム（Potassium Bisulfate）及び硫酸カリウム（Potassium sulfate）を含む塩より選択された少なくとも一つであることを特徴とする、請求項１に記載の酸化インジウム系透明導電膜用エッチング液組成物。
【請求項４】
前記エッチング抑制剤は、アンモニウムを含む形態の化合物、特にＣＨ３ＣＯＯＮＨ４、ＮＨ４ＳＯ３ＮＨ２、ＮＨ４Ｃ６Ｈ５Ｏ２、ＮＨ４ＣＯＯＮＨ４、ＮＨ４Ｃｌ、ＮＨ４Ｈ２ＰＯ４、ＮＨ４ＯＯＣＨ、ＮＨ４ＨＣＯ３、Ｈ４ＮＯ２ＣＣＨ２Ｃ（ＯＨ）（ＣＯ２ＮＨ４）ＣＨ２ＣＯ２ＮＨ４、ＮＨ４ＰＦ６、ＨＯＣ（ＣＯ２Ｈ）（ＣＨ２ＣＯ２ＮＨ４）２、ＮＨ４ＮＯ３、（ＮＨ４）２Ｓ２Ｏ８、Ｈ２ＮＳＯ３ＮＨ４、（ＮＨ４）２ＳＯ４からなる群より選択された化合物であることを特徴とする、請求項１に記載の酸化インジウム系透明導電膜用エッチング液組成物。
【請求項５】
前記水が脱イオン水であることを特徴とする、請求項１に記載の酸化インジウム系透明導電膜用エッチング液組成物。
【請求項６】
界面活性剤、金属イオン封鎖剤及び腐蝕防止剤からなる群より選択される添加剤を更に含有することを特徴とする、請求項１に記載の酸化インジウム系透明導電膜用エッチング液組成物。
【請求項７】
前記酸化インジウム系透明導電膜は、ＩＺＯ膜あるいはＩＴＯ膜であることを特徴とする、請求項１乃至６に記載のエッチング液組成物。
【請求項８】
酸化インジウム系透明導電膜を形成する工程を含む電子部品基板の製造過程において、前記形成された酸化インジウム系透明導電膜のエッチング方法は、下記のステップを含むことを特徴とするエッチング方法：
（１）電子部品の基板上に酸化インジウム系透明導電膜を形成するステップ、
（２）前記酸化インジウム系透明導電膜上に選択的に感光性物質（特に、フォトレジスト）を残すステップ、
（３）第１項乃至第６項のいずれか一項によるエッチング液組成物を適用してエッチングするステップ。
【請求項９】
前記電子部品の基板が液晶ディスプレイ用素子基板であることを特徴とする、請求項８に記載のエッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種電子部品の回路基板上に積層され透明電極として用いられる酸化インジウム系透明導電膜、特に酸化インジウム・酸化亜鉛（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ、以下ＩＺＯと言う）膜、酸化インジウム・酸化錫（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ、以下ＩＴＯと言う）膜を効果的にエッチングすることができるエッチング液組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
本発明において、ＩＺＯはＩｎ２Ｏ３とＺｎＯが適正比率で混合されている酸化物を称し、ＩＴＯはＩｎ２Ｏ３とＳｎＯ２が適正比率で混合されている酸化物を称する。このようなＩＺＯまたはＩＴＯ透明電極は、一般にスパッタリング法によりガラス基板の上に積層した後、その上にフォトレジストを塗布し、露光及び現像工程によってパターンを形成し、その後、酸化インジウム系透明導電膜をエッチングすることによって、透明な電極が形成される。
【０００３】
酸化インジウム系透明導電膜は、耐薬品性が優れてかつ化学反応によるエッチングが容易でない物質であり、酸化インジウム系透明導電膜をエッチングするために従来用いられたエッチング液としては、大韓民国公開特許９６−０００２９０３号公報に記載の王水系（ＨＣｌ＋ＨＮＯ３）のエッチング液、大韓民国公開特許９７−００６５６８５号公報に記載の塩酸、弱酸及びアルコールの中から選択された一つの物質からなるエッチング液、米国特許５４５６７９５号明細書に記載の塩化鉄系（ＦｅＣｌ３＋ＨＣｌ）エッチング液、大韓民国公開特許２０００−００１７４７０号公報に記載のシュウ酸、及びその塩またはアルミニウム塩化物を主成分とするエッチング液などがある。また、米国特許５３４０４９１号明細書は、水素ヨード化物（ＨＩ）と塩化鉄（ＦｅＣｌ３）を含有するエッチング液について開示している。
【０００４】
しかし、王水系エッチング液の場合、エッチング液が安価であるものの、パターン側面のエッチングが大きく、エッチング液を組成した後に塩酸や硝酸が揮発するため、エッチング液組成物の変動が激しいという問題点がある。また、塩化鉄系エッチング液の場合も、塩酸が主体であるエッチング液であるので、王水系と同様に成分の変動が発生するという問題点がある。そして、シュウ酸からなるエッチング液は、エッチングが容易であるものの、低温で溶解度が低く、析出物が生じる問題がある。更に、ＨＩからなるエッチング液の場合は、エッチング速度が速く、側面エッチングが少ないものの、高価でかつ毒性及び腐食性が大きいので実際工程で用いるには限界がある。
【０００５】
一方、従来のエッチング液の場合、ほとんどが強い化学的活性を有しており、エッチングの際に耐薬品性のないモリブデン、アルミニウム、クロムなど隣接金属に対する侵食性があるので、多層膜を用いる電子部品（例えば、ＴＦＴ−ＬＣＤ）の場合、他の膜を形成する材質の選択に大きな制約がある。
【０００６】
更に、塩酸を含有するエッチング液の場合、発煙性があるので煙霧（fume）による大気汚染の問題を起こし、これに伴う設備コストの増大及び安全性の問題がある。
【特許文献１】大韓民国公開特許９６−０００２９０３号公報
【特許文献２】大韓民国公開特許９７−００６５６８５号公報
【特許文献３】大韓民国公開特許２０００−００１７４７０号公報
【特許文献４】米国特許５４５６７９５号明細書
【特許文献５】米国特許５３４０４９１号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、電子部品の基板などの上に積層された酸化インジウム系透明導電膜をエッチングする際に、他の膜との選択比（つまり、ＩＺＯ膜またはＩＴＯ膜以外の他の膜質に対する影響を示す指標で［ＩＺＯまたはＩＴＯ膜のエッチング量］：［その他の膜質のエッチング量］の比率）及びエッチング工程の再現性を向上させ、煙霧（fume）の発生がなく、温度に対する液の安定性が高いエッチング液組成物を提供することである。
【０００８】
また、本発明の他の目的は、ＩＺＯ膜及びＩＴＯ膜のエッチング方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記目的を達成するために、本発明による酸化インジウム系透明導電膜用エッチング液組成物は、主酸化剤、補助酸化剤、エッチング抑制剤及び水を含むことを特徴とする。詳しくは、主酸化剤には硫酸、補助酸化剤にはＨ３ＰＯ４、ＨＮＯ３、ＣＨ３ＣＯＯＨ、ＨＣｌＯ４、Ｈ２Ｏ２、及びペルオキシ一硫酸カリウム、重硫酸カリウム、硫酸カリウムを含む塩より選択された化合物、エッチング抑制剤にはＮＨ４＋を含有する化合物、及び水を含むことを特徴とする。
【００１０】
より詳しくは、本発明による酸化インジウム系透明導電膜用エッチング液組成物は、組成物全量に対して１〜１５重量％の硫酸、０．０２〜５．０重量％の補助酸化剤、０．０１〜５．０重量％のエッチング抑制剤及び残量の水を含有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によるエッチング液組成物は、エッチング工程時、フォトレジストなどの感光性物質にアタックが無く、エッチング工程後の残渣発生及び下部膜に対する影響がないので表示装置などの電子部品の基板製造における生産性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明の好適な実施形態による酸化インジウム系透明導電膜用エッチング液組成物は、組成物全量に対して２〜７重量％の硫酸、０．０５〜３．０重量％の補助酸化剤、０．０５〜４重量％のエッチング抑制剤、及び全体組成物の全量が１００重量％になるように水を含有することを特徴とする。
【００１３】
本発明による組成物において、主酸化剤として用いられる硫酸は公知の方法によって調製可能であり、特に半導体製造工程用の純度を有するものが好ましい。
【００１４】
また、本発明による酸化インジウム系透明導電膜（ＩＺＯ膜、ＩＴＯ膜）用エッチング液組成物として好適に用いられる補助酸化剤には、Ｈ３ＰＯ４、ＨＮＯ３、ＣＨ３ＣＯＯＨ、ＨＣｌＯ４、Ｈ２Ｏ２、及びペルオキシ一硫酸カリウム、重硫酸カリウム及び硫酸カリウムを含む塩より選択された化合物がある。ここで、ペルオキシ一硫酸カリウム、重硫酸カリウム及び硫酸カリウムを含む塩には、ペルオキシ一硫酸カリウム、重硫酸カリウム、硫酸カリウムが、５：３：２の比率で混合されているオキソン（oxone）（Dufont社の登録商標）が含まれる。
【００１５】
また、本発明による酸化インジウム系透明導電膜（ＩＺＯ膜、ＩＴＯ膜）用エッチング液組成物として好適に用いられるエッチング抑制剤は、ＮＨ４＋を含有する形態の化合物、特にＣＨ３ＣＯＯＮＨ４、ＮＨ４ＳＯ３ＮＨ２、ＮＨ４Ｃ６Ｈ５Ｏ２、ＮＨ４ＣＯＯＮＨ４、ＮＨ４Ｃｌ、ＮＨ４Ｈ２ＰＯ４、ＮＨ４ＯＯＣＨ、ＮＨ４ＨＣＯ３、Ｈ４ＮＯ２ＣＣＨ２Ｃ（ＯＨ）（ＣＯ２ＮＨ４）ＣＨ２ＣＯ２ＮＨ４、ＮＨ４ＰＦ６、ＨＯＣ（ＣＯ２Ｈ）（ＣＨ２ＣＯ２ＮＨ４）２、ＮＨ４ＮＯ３、（ＮＨ４）２Ｓ２Ｏ８、Ｈ２ＮＳＯ３ＮＨ４、（ＮＨ４）２ＳＯ４からなる群より選択された化合物がある。ここで、ＣＨ３ＣＯＯＮＨ４、Ｈ４ＮＯ２ＣＣＨ２Ｃ（ＯＨ）（ＣＯ２ＮＨ４）ＣＨ２ＣＯ２ＮＨ４、ＨＯＣ（ＣＯ２Ｈ）（ＣＨ２ＣＯ２ＮＨ４）２、ＮＨ４ＮＯ３、（ＮＨ４）２ＳＯ４などがエッチング抑制剤として添加された本発明によるエッチング液組成物が特に優れたエッチング特性を示した。
【００１６】
前記硫酸、補助酸化剤及びエッチング抑制剤は、ＩＺＯ膜やＩＴＯ膜のエッチング性能を妨害することなく、電子部品の基板の上に積層された酸化インジウム系透明導電膜をエッチングする際に、他の膜との選択比及びエッチング工程の再現性を向上させ、煙霧（fume）の発生を最少化し、温度に対する液の安定性が高いエッチング液を提供できるのであれば、任意の混合比率で使用することができる。例えば、本発明によるエッチング組成物は、組成物全量に対して１〜１５重量％の硫酸、０．０２〜５．０重量％の補助酸化剤、０．０１〜５．０重量％のエッチング抑制剤を含有することができ、より好ましくは２〜７重量％の硫酸、０．０５〜３．０重量％の補助酸化剤、０．０５〜４重量％のエッチング抑制剤を含有することができる。最も好ましくは、硫酸：補助酸化剤：エッチング抑制剤の混合重量％比率は、組成物全量に対して５：１：０．５である。ここに組成物全量が１００重量％になるように適当量の水を添加する。
【００１７】
本発明による酸化インジウム系透明導電膜（ＩＺＯ膜、ＩＴＯ膜）用エッチング液組成物として好適に用いられる水は、特に限定されないが、好ましくは脱イオン水、特に好ましくは水の比抵抗値（つまり、水中にイオンが除去された程度）が１８ＭΩ／ｃｍ以上である脱イオン水である。
【００１８】
一方、本発明によるエッチング液組成物は、エッチング性能を向上させるために通常用いられる任意の添加剤を含有することができる。このような添加剤の例としては、特に限定されないが、一般に界面活性剤、金属イオン封鎖剤及び腐蝕防止剤などがある。
【００１９】
界面活性剤は、表面張力を低下させてエッチングの均一性を向上させるためにエッチング液組成物に添加することができる。このような界面活性剤の好適な例には、エッチング液に耐えてかつ常用性のある形態の界面活性剤、例えば任意の陰イオン性、陽イオン性、両性イオン性、または非イオン性の界面活性剤がある。また、好ましくは、界面活性剤としてフッ素系界面活性剤を本発明によるエッチング液組成物に添加することができる。
【００２０】
この他にも、当業者は本発明による効果をより良好にするために、当業界で知られている多様な別の添加剤を選択することができる。
【００２１】
本発明において、添加剤は、組成物全量に対して好ましくは０．０００１重量％乃至０．０１重量％の範囲で添加することができる。
【００２２】
本発明によるエッチング液組成物は、電子部品の基板などに用いられる酸化インジウム系透明導電膜（ＩＺＯ膜あるいはＩＴＯ膜）に対する優れたエッチング性能を有し、エッチング工程時に感光性物質のアタック（例えば、フォトレジストアタック）を減少させ、残渣のない優れた特性を有する。また、本発明によるエッチング液組成物は、従来シュウ酸系のエッチング液の問題点として知られている０℃以下でのシュウ酸結晶化現象も無く、塩酸系のエッチング液で発生する下部金属膜質に対する影響も無い。従って、ＩＺＯ膜、ＩＴＯ膜を用いる表示装置などの電子部品を製造する工程において、生産性を向上させることができる。
【００２３】
また、本発明は、酸化インジウム系透明導電膜（ＩＺＯ膜あるいはＩＴＯ膜）のエッチング方法を提供する。本発明による方法は次のようなステップを含む。
（１）電子部品の基板上の酸化インジウム系透明導電膜、特にＩＺＯ膜あるいはＩＴＯ膜を形成するステップ、
（２）前記酸化インジウム系透明導電膜上に選択的にフォトレジストを残すステップ、
（３）本発明のエッチング液組成物を用いてエッチングするステップ。
【００２４】
本発明のエッチング方法において、ステップ１は、基板上に表示装置用構造物、特に液晶ディスプレイ用素子基板を製造するステップ及び前記表示装置用構造物、特に液晶ディスプレイ用素子基板上に酸化インジウム系透明導電膜（ＩＺＯ膜あるいはＩＴＯ膜）を蒸着するステップを含むことができる。
【００２５】
本発明のエッチング方法において、ステップ１で用いることができる基板は、一般に表示装置に用いられるガラス基板、石英基板などであり、好ましくはガラス基板である。基板上に、一般に当業者に知られた方法を用いて、例えばスパッタリングによって酸化インジウム系透明導電膜（ＩＺＯ膜あるいはＩＴＯ膜）が製造され、例えば厚さはほぼ６００〜２０００Åで蒸着される。一方、基板と酸化インジウム系透明導電膜（ＩＺＯ膜あるいはＩＴＯ膜）との間には表示装置用構造物を付加することができる。本願明細書において、表示装置用構造物とは、化学気相蒸着法などによる有機絶縁膜、スパッタリング法などによる導電性物質、非晶質または多結晶性のシリコン膜などの半導体膜等のうち一つ以上の膜を含み、フォト工程、エッチング工程で製造した構造物を意味する。また、基板上に、通常の洗浄工程を行い、酸化インジウム系透明導電膜（ＩＺＯ膜あるいはＩＴＯ膜）を蒸着することもできる。
【００２６】
本発明のエッチング方法において、ステップ２の“選択的に”とは、フォトレジストなどの感光性物質を塗布し、フォトマスクを用いて所定の領域に照射した後、現像を行って前記選択された領域にエッチング用パターンを形成することを意味する。即ち、基板上に酸化インジウム系透明導電膜を選択的な部位に形成するために、感光性物質（例えば、フォトレジスト）を塗布し、マスクを用いて選択的に露光し、現像液によって部分的に感光性物質を除去する。例えば、フォトレジストの場合、スピンコートにより塗布して１μｍ内外の厚さにコーティングする。感光性物質は、負極型または正極型の反応物質であり得る。このような工程には、アッシング（ａｓｈｉｎｇ）、熱処理など、通常行われる過程も添加できる。
【００２７】
本発明のエッチング方法において、ステップ３のエッチング工程は、当業者に知られた方法によって行うことができ、浸漬、スプレーなどの方法を用いることができる。エッチング工程時のエッチング溶液の温度は２０〜５０℃であり、適正温度は他の工程とその他の要因に応じて変更することができる。
【００２８】
以下、本発明による実施例を詳細に説明する。このような実施例は、本発明を例示するもので、これに限定されるものでなく、様々な形態に変形が可能であることは当業者にとって自明である。
【実施例】
【００２９】
［実施例１］
半導体製造工程用レベルの硫酸と、補助酸化剤及びエッチング抑制剤を１：１：０．５（重量％）の比率で混合し、添加剤（フッ素系界面活性剤；ＦＴ−２４８、バイエル社）を２５ｐｐｍ添加した後、全量が１００重量％になるように脱イオン水を添加してエッチング液を調製した。エッチング工程は、スパッタリングによりガラス基板上に約５００Åの厚さに酸化インジウム系透明導電膜を蒸着し、その上に約１μｍ程度のフォトレジストを塗布し、選択的にパターンを形成した試験片を前記エッチング液でスプレー方式でエッチングすることにより行った。エッチング温度は約４０℃、エッチング速度は２０Å／ｓｅｃ程度で行った。金属エッチング残渣発生、下部膜アタック及びフォトレジスタアタックの有無を目視により確認した。結果を表１に示す。
【００３０】
［実施例２乃至２８］
酸化インジウム系透明導電膜（ＩＺＯ膜あるいはＩＴＯ膜）を有する基板を利用し、硫酸と補助酸化剤及び残渣除去剤の配合割合を表１に示すように変化させた以外は実施例１と同じ方法で行った。結果を表１に示す。
【００３１】
表１から、各成分を実施例１乃至２８で定義する重量％で含有する本発明の酸化インジウム系透明導電膜のエッチング液組成物は、フォトレジストに影響が無く、残渣の発生が無く、下部膜にエッチングのない良好な結果が得られたことがわかる。
【００３２】
［比較例１乃至５］
硫酸と補助酸化剤及びエッチング抑制剤の配合割合を表２に示すように変化させた以外は実施例１と同じ方法でエッチング液を調製し、エッチング性能を評価した。その結果を表２に示す。
【００３３】
各成分の含量が本発明で定義する重量％を含有しない比較例１乃至５のエッチング液組成物は、金属エッチング残渣の発生、ムラ発生及び部分的なエッチング、及び下部膜にエッチングのある不良なエッチングプロファイルを示すことがわかる。
【００３４】
【表１】
2006077241.tif 000002
【００３５】
【表２】
2006077241.tif 000003
【００３６】
また、多層膜におけるエッチング工程時に、耐薬品性が良好でない膜質に対する従来のエッチング液（下記比較例６乃至８）及び本発明のエッチング液（実施例７乃至９）の侵食程度に関して次のように試験、比較した。
【００３７】
［比較例６］
塩酸と硝酸を１８：５（重量％）で混合し、添加剤としてフッ素系界面活性剤（ＦＴ−２４８、バイエル社）を２５ｐｐｍ添加した後、全体が１００重量％になる量の脱イオン水を加えて、従来の王水系酸化インジウム系透明導電膜（ＩＺＯ膜あるいはＩＴＯ膜）エッチング液を調製した。
【００３８】
［比較例７］
塩化第二鉄と塩酸を２２：１０（重量％）で混合し、添加剤としてフッ素系界面活性剤（ＦＴ−２４８、バイエル社）を２５ｐｐｍ添加した後、全体が１００重量％になる量の脱イオン水を加えて従来の塩化第２鉄系酸化インジウム系透明導電膜（ＩＺＯ膜あるいはＩＴＯ膜）エッチング液を調製した。
【００３９】
［比較例８］
シュウ酸を５重量％で調製し、添加剤としてフッ素系界面活性剤（ＦＴ−２４８、バイエル社）を２５ｐｐｍ添加した後、全体が１００重量％になる量の脱イオン水を加えて従来のシュウ酸系酸化インジウム系透明導電膜（ＩＺＯ膜あるいはＩＴＯ膜）エッチング液を調製した。
【００４０】
比較例６乃至８のエッチング液及び実施例７乃至９のエッチング液に対し、耐薬品性が良好でない他の膜質（Ａｌ−Ｎｄ：２０００Å、Ｍｏ：２０００Å、Ｃｒ：１５００Å、ＳｉＮｘ：３０００Å、ａ−Ｓｉ：１５００Å、各々は積層厚さを示す。）が積層された試験片を用意し、これに一定時間の間、用意したエッチング液をスプレー式で噴射した。その後ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）を用いて前記膜質のエッチング量を測定した。その結果を下記表３に示す。
【００４１】
【表３】
2006077241.tif 000004
【００４２】
比較例６、７の従来のエッチング液については、常温でも煙霧（fume）が発生して液の組成が変化してしまうので量産ラインで適用する一般処理温度である４０℃で処理し、比較例８の従来のエッチング液については、煙霧（fume）の発生はないが結晶析出を抑制するために４０℃で処理した。ここでは、代表的に、従来のエッチング液との比較実験結果が明確に表れる実施例７乃至９のエッチング液組成物についてのみ実験したが、他の実施例に対して実験を行っても同様の結果が得られた。
【００４３】
表３に示すように、従来の王水系エッチング液あるいは塩化第２鉄系のエッチング液は、酸化インジウム系透明導電膜（ＩＺＯ膜あるいはＩＴＯ膜）がエッチングされる間、Ａｌ−Ｎｄに対し大きな影響を及ぼすことが確認されており、本発明によるエッチング液の場合は、極めて小さい影響を及ぼすことが確認できた。酸化インジウム系透明導電膜（ＩＺＯ膜あるいはＩＴＯ膜）とＡｌ−Ｎｄの選択比を向上させるために４０℃で１０分間処理したところ、酸化インジウム系透明導電膜（ＩＺＯ膜あるいはＩＴＯ膜）は１００％エッチングされ、その他の膜には影響が無いことがわかった。
【００４４】
以上のように、本発明によるエッチング液組成物は、エッチング工程時、フォトレジストなどの感光性物質にアタックが無く、エッチング工程後の残渣発生及び下部膜に対する影響がないので、表示装置などの電子部品の基板製造における生産性を向上させることができる。