(57)【要約】      （修正有）【課題】  各々基板の回転及び排気を伴う複数の液処理部を備えた液処理装置において、排気管の省スペース化を図ることができ且つ各液処理部のカップ内の排気を常に予定とする排気状態で行うことができる技術を提供すること。【解決手段】  各基板保持部３を夫々囲む複数のカップ４に夫々接続された複数の排気路７を共通化し、基板を基板保持部により回転させて液処理を行うにあたって、各排気路に設けた排気量調整部７１の開度を、各基板保持部の回転数の組み合わせと各排気路の設定排気量の組み合わせとを対応付けたデータを参照して調整することで、どのカップ内の基板がどの工程を行っているのかといったことに左右されずに常にカップ内を予定とする排気量で排気することができる。【選択図】  図４
2006229062.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々基板を水平に保持すると共に回転自在な複数の基板保持部と、これら基板保持部に保持された基板を夫々囲むように設けられた複数のカップ体と、を備えると共に基板に薬液ノズルから薬液を供給した状態で、前記基板保持部を回転させ、次いで基板保持部を回転させながら、洗浄液ノズルにより基板に洗浄液を供給する液処理装置において、
前記複数のカップ体に夫々接続された複数の排気路と、
これら複数の排気路に共通に接続される共通排気路と、
前記複数の排気路の夫々に設けられた複数の排気量調整部と、
前記複数の基板保持部の夫々の回転数の組み合わせと、各排気路の設定排気量の組み合わせとを対応付けたデータを格納する記憶部と、
各基板保持部の回転数を判断し、この記憶部内のデータを参照して、判断した基板保持部の各回転数の組み合わせに対応する各設定排気量の組み合わせを読み出し、その設定排気量に応じた開度となるように各排気量調整部の開度を調整する手段と、を備えたことを特徴とする液処理装置。
【請求項２】
各基板保持部の回転数の判断は、各基板保持部の回転数を検出することにより行われることを特徴とする請求項１記載の液処理装置。
【請求項３】
各々基板を水平に保持すると共に回転自在な複数の基板保持部と、これら基板保持部に保持された基板を夫々囲むように設けられた複数のカップ体と、を備えると共に基板に薬液ノズルから薬液を供給した状態で、前記基板保持部を回転させ、次いで基板保持部を回転させながら、洗浄液ノズルにより基板に洗浄液を供給する液処理装置において、
前記複数のカップ体に夫々接続された複数の排気路と、
これら複数の排気路に共通に接続される共通排気路と、
前記複数の排気路に夫々設けられた複数の排気量調整部と、
前記複数の排気路に夫々設けられた複数の排気量増幅機構と、
各排気量調整部は、その排気量調整部が設けられている排気路に接続されたカップ体の基板保持部の回転数に対応する開度に設定され、
各排気量増幅機構は、各排気路における排気量が設定排気量になるように、各排気量調整部により調整された各排気量の不足分を補うことを特徴とする液処理装置。
【請求項４】
前記排気量調整部は、ダンパーであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一つに記載の液処理装置。
【請求項５】
複数のカップ体は、共通の筐体内にて横方向に一列に配列して設けられ、薬液ノズル及び洗浄液ノズルは各基板保持部に保持された基板に対して共通化されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一に記載の液処理装置。
【請求項６】
複数の排気路の全部が合流する合流位置から最も近いカップ体までの排気路の長さは１５０ｍｍ以内であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一に記載の液処理装置。
【請求項７】
複数の排気路の全部が合流する合流点は、前記共通の筐体内に配置されていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一に記載の液処理装置。
【請求項８】
各々基板を水平に保持すると共に回転自在な複数の基板保持部と、これら基板保持部に保持された基板を夫々囲むように設けられた複数のカップ体と、これら複数のカップ体に夫々接続された複数の排気路と、これら複数の排気路に共通に接続される共通排気路と、を備えると共に基板に薬液ノズルから薬液を供給した状態で、前記基板保持部を回転させ、次いで基板保持部を回転させながら、洗浄液ノズルにより基板に洗浄液を供給する液処理装置を用いて液処理を行う方法において、
各基板保持部の回転数を判断する工程と、
前記複数の基板保持部の夫々の回転数の組み合わせと、各排気路の設定排気量の組み合わせとを対応付けた記憶部内のデータを参照して、判断した基板保持部の各回転数の組み合わせに対応する各設定排気量の組み合わせを読み出す工程と、
読み出した各設定排気量に応じた開度となるように、複数の排気路の夫々に設けられた複数の排気量調整部の開度を調整する工程と、を含むことを特徴とする液処理方法。
【請求項９】
各基板保持部の回転数を判断する工程は、回転数を検出する工程であることを特徴とする請求項８記載の液処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体ウエハや液晶ディスプレイ用のガラス基板（ＬＣＤ基板）といった基板に対して液処理例えばレジストの塗布、露光後の現像処理等を行う液処理装置及びその方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスやＬＣＤ基板の製造プロセスの一つであるレジストパターンを基板上に形成する工程は、基板例えば半導体ウエハ（以下、ウエハという。）にレジスト膜を形成し、フォトマスクを用いて当該レジスト膜を露光した後、現像処理を行うことにより所望のパターンを得る、一連の工程により行われ、これらの一連の工程は従来から塗布、現像装置によって行われている。
【０００３】
この塗布、現像装置は、レジスト液の塗布を行う塗布ユニット、反射防止膜用の薬液を塗布する反射防止膜形成ユニットなどの液処理ユニットを備えており、高いスループットを確保するために通常塗布ユニット及び反射防止膜形成ユニットが各々複数設けられている。
【０００４】
これら液処理ユニットはウエハ保持部であるスピンチャックの周囲を囲むようにカップ体が設けられ、このユニットの中にて主にスピンコーティング、振り切り乾燥、更にサイドリンスなどの処理が行われる。スピンコーティング時では、ウエハの中央部に滴下された薬液を遠心力によりウエハの径方向に広げるため、スピンにより飛散したミストを排気するためカップ体に接続した排気管により排気を行っているが、この場合ミストの排気があまり強いと、ウエハの膜厚に影響を及ぼすおそれがあるので、両者の兼ね合いで排気の強さを決定している。また振り切り乾燥及びサイドリンス時では、回転させながら溶剤を吐出したり、薬液を高速回転で振り切る為に、その分飛散するミストの量も多いのでスピンコーティング時よりも強い排気を必要とする場合もある。
【０００５】
一方本発明者は、レジスト膜を形成するための液処理ユニットであるレジスト液の塗布ユニット及び反射防止膜の形成ユニットを含むブロックと、現像処理を行うブロックとを分離して、ウエハがキャリアブロックから露光機へ向かう直線上の搬送路と露光機からキャリアブロックに戻る直線上の搬送路とを独立に形成し、スループットをより一層向上させることを検討している。更に前記搬送路に沿って液処理ユニットの一部をなす前記カップ体を横並びに複数配列し、これらカップ体の底部に夫々接続された排気管を、カップ体の並びに沿って配管した共通の排気管に接続することを検討している。排気管は口径が大きいことから、各カップ体の排気管を装置の外まで引き回すと大きなスペースを必要とするため、このような構成は排気管の引き回しスペースを小さくできる点で有利な構成といえる。
【０００６】
ここで特許文献１には、各カップ体に接続された排気管を途中で共通化し、共通化ポイントよりも上流側にて各排気管に、オン、オフにより開閉制御される開閉弁を設けることが記載されている。しかし一のカップ体内でスピンチャックが回転していて強い排気を行っているときに他のカップ体内においてもウエハの処理を行うためにスピンチャックが回転して強い排気を行おうとすると、次のような問題が起こる。即ち、１個のカップ体内の排気を行う場合と、２個のカップ体内の排気が重なる場合とでは、排気能力が小さいと、各カップ体の排気流量が変わってきてしまうことから、各カップ体において常に予定とする排気量を得ようとすると、排気能力を大きくする必要がある。
【０００７】
そして既述のようにカップ体の底部に夫々接続された排気管を、カップ体の並びに沿って配管した共通の排気管に接続する構成とする場合には、全てのカップ体の排気管の合流ポイントから各カップ体の排気口までの距離が異なる。従って例えば合流点に一番近いカップ体を１号機とすると、１号機と２号機のカップ体内において強い排気がオーバーラップしているタイミングと、１号機と３号機のカップ体内において強い排気がオーバーラップしているタイミングとでは、３号機のカップ体に比べて１号機のカップ体から前記合流点までの距離が小さいので、２号機のカップ体から見ると、前者のタイミングの方が後者のタイミングよりも圧力損失が大きい。このため排気がオーバラップする相手のカップ体に応じて当該カップ体内の排気量は、開閉弁が開いていても異なった大きさになる。つまり排気がオーバラップするカップ体の組み合わせに応じて、また排気がオーバラップする相手方のカップ体の工程の種別（塗布液のスピンコーティングなのか振り切り乾燥工程なのかといった種別）に応じて、カップ体内の排気量が変わってきてしまい、結局各工程に応じて予定している排気量が得られなくなってしまう。このためウエハへのミストの付着やウエハ表面のレジストの膜厚が不安定になるといった問題がある。
【０００８】
【特許文献１】特開２０００−１５６３４１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は各々基板の回転及び排気を伴う複数の液処理部を備えた液処理装置において、排気管の省スペース化を図ることができ且つ各液処理部のカップ体内の排気を常に予定とする排気状態で行うことができる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、各々基板を水平に保持すると共に回転自在な複数の基板保持部と、これら基板保持部に保持された基板を夫々囲むように設けられた複数のカップ体と、を備えると共に基板に薬液ノズルから薬液を供給した状態で、前記基板保持部を回転させ、次いで基板保持部を回転させながら、洗浄液ノズルにより基板に洗浄液を供給する液処理装置において、
前記複数のカップ体に夫々接続された複数の排気路と、
これら複数の排気路に共通に接続される共通排気路と、
前記複数の排気路の夫々に設けられた複数の排気量調整部と、
前記複数の基板保持部の夫々の回転数の組み合わせと、各排気路の設定排気量の組み合わせとを対応付けたデータを格納する記憶部と、
各基板保持部の回転数を判断し、この記憶部内のデータを参照して、判断した基板保持部の各回転数の組み合わせに対応する各設定排気量の組み合わせを読み出し、その設定排気量に応じた開度となるように各排気量調整部の開度を調整する手段と、を備えたことを特徴とする。
【００１１】
また各基板保持部の回転数の判断手法としては、例えば各基板保持部の回転数を検出することにより行われるが、各カップ体内にて今どのような処理が行われているかをメモリに書き込み、そのメモリ内から各カップ体内の状態を読み出し、その状態（処理）に対応する基板保持部の回転数を別途のテーブルなどにより読み出すようにしてもよい。
【００１２】
また本発明は、各々基板を水平に保持すると共に回転自在な複数の基板保持部と、これら基板保持部に保持された基板を夫々囲むように設けられた複数のカップ体と、を備えると共に基板に薬液ノズルから薬液を供給した状態で、前記基板保持部を回転させ、次いで基板保持部を回転させながら、洗浄液ノズルにより基板に洗浄液を供給する液処理装置において、
前記複数のカップ体に夫々接続された複数の排気路と、
これら複数の排気路に共通に接続される共通排気路と、
前記複数の排気路に夫々設けられた複数の排気量調整部と、
前記複数の排気路に夫々設けられた複数の排気量増幅機構と、を備え、
各排気量調整部は、その排気量調整部が設けられている排気路に接続されたカップ体の基板保持部の回転数に対応する開度に設定され、
各排気量増幅機構は、各排気路における排気量が設定排気量になるように、各排気量調整部により調整された各排気量の不足分を補うことを特徴とする。なお、前記排気量調整部は、例えばダンパーである。
【００１３】
また上述の液処理装置において、複数のカップ体は、共通の筐体内にて横方向に一列に配列して設けられ、薬液ノズル及び洗浄液ノズルは各基板保持部に保持された基板に対して共通化されている構成とすることが望ましい。また複数の排気路の全部が合流する合流位置から最も近いカップ体までの排気路の長さは１５０ｍｍ以内となるように構成することが望ましい。さらに複数の排気路の全部が合流する合流点は、前記共通の筐体内に配置されているように構成することが望ましい。
【００１４】
さらに本発明は、各々基板を水平に保持すると共に回転自在な複数の基板保持部と、これら複数のカップ体に夫々接続された複数の排気路と、これら複数の排気路に共通に接続される共通排気路と、を備えると共に基板に薬液ノズルから薬液を供給した状態で前記基板保持部を回転させ、次いで基板保持部を回転させながら、洗浄液ノズルにより基板に洗浄液を供給する液処理装置を用いて液処理を行う方法において、
各基板保持部の回転数を判断する工程と、
前記複数の基板保持部の夫々の回転数の組み合わせと、各排気路の設定排気量の組み合わせとを対応付けた記憶部内のデータを参照して、判断した基板保持部の各回転数の組み合わせに対応する各設定排気量の組み合わせを読み出す工程と、
読み出した各設定排気量に応じた開度となるように、複数の排気路の夫々に設けられた複数の排気量調整部の開度を調整する工程と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明は、各基板保持部を夫々囲む複数のカップ体に夫々接続された複数の排気路を共通化し、基板を基板保持部により回転させて液処理を行うにあたって、各排気路に設けた排気量調整部の開度を、各基板保持部の回転数の組み合わせと各排気路の設定排気量の組み合わせとを対応付けたデータを参照して調整するようにしているため、どのカップ体内の基板がどの工程を行っているのかといったことに左右されずに常にカップ体内を強過ぎず、弱過ぎず、予定としている適切な排気量で排気することができる。このため基板へのミストの付着が抑えられ、また基板上のレジストなどの薄膜の膜厚が安定化する。また各カップ体を共通に収容する筐体内にて各カップ体の排気管を共通化すれば、排気管の引き回しスペースを小さくでき、液処理装置の省スペース化に寄与できる。さらに上述のように各カップ体内は予め決められた排気量で排気されていることから余分な排気を行わなくて済むので、装置全体の排気量を削減することができ、工場用力の排気量の削減を図ることができる。
【００１６】
また他の発明は、各排気量調整部を、その排気量調整部が設けられている排気路に接続されたカップ体の基板保持部の回転数に対応する開度に設定し、排気量増幅機構を用いることで、その不足分の排気量を補うようにしているため、共通排気路の基端側の排気能力例えば工場排気路の排気能力が小さくても各カップ体内を適切な排気量で排気することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
本発明に係る液処理装置をレジスト液の塗布装置に適用した実施の形態について説明する。図１中１０は液処理装置であり、前記液処理装置１０内には、この例では３個の液処理部２０、２１、２２が横方向（Ｙ軸方向）に配列した状態で共通の筐体１１の上に設けられている。これら液処理部２０、２１、２２は同様の構成にあるので、液処理部２０を例にして、この液処理部２０の詳細な説明を図２に基づいて説明する。
【００１８】
図２中３はウエハＷの裏面側中央部を吸引吸着して水平に保持するための基板保持部であるスピンチャックである。このスピンチャック３は軸部３１を介して駆動機構（スピンチャックモータ）３２に接続されており、この駆動機構３２によりウエハＷを保持した状態でスピンチャック３は回転及び昇降自在に構成されている。
【００１９】
前記スピンチャック３に保持されたウエハＷの周縁外側には、このウエハＷを囲むようにして上部側が開口するカップ体４が設けられている。前記カップ体４の側周面上端側は内側に傾斜している。前記カップ体４の底部側には凹部状をなす液受け部４１がウエハＷの周縁下方側に全周に亘って外側領域と内側領域とに区画されており、外側領域の底部には貯留した塗布液などのドレインを排出するための廃液口４３が設けられ、また内側領域の底部には二つの排気口４４、４５が設けられている。またウエハＷの下方側には円形板４６が設けられており、この円形板４６の外側を囲むようにしてリング部材４７が設けられている。更に当該リング部材４７の外端面には下方に伸びる端板４８が外側領域内に進入するようにして設けられており、この端板４８及びリング部材４７の表面を伝って塗布液が外側領域内に案内されるように構成されている。なお図示は省略するが、ウエハＷに裏面側を支持して昇降可能な昇降ピンが円形板４６を上下に貫通して設けられており、この昇降ピンと後述するメインアームＡ１〜Ａ５との協働作用によりスピンチャック３へのウエハＷの受け渡しが可能なように構成されている。
【００２０】
図１に説明を戻し、図中１２は、３個の液処理部２０、２１、２２に対して薬液を供給するための共通のノズル駆動部であり、このノズル駆動部１２は図３にも示すようにＺ軸移動機構１３によりＺ方向に昇降自在、及び液処理装置１０の長さ方向（Ｙ方向）に沿って設けられたガイドレール１４によりＹ軸方向に移動自在に構成されている。また図中１５は、一端側の液処理部２０の外側に設けられた前記ノズル駆動部１２の待機領域である。また図２及び図３に示すように、前記ノズル駆動部１２の一端側には薬液が吐出する細孔の吐出口を備えた薬液ノズル１２ａが形成されており、後述するスピンコーティング時には、前記薬液ノズル１２ａに形成された細孔の吐出口がＺ軸移動機構１３及びガイドレール１４により各スピンチャック３に保持されたウエハＷの表面の例えば中央部と対向して位置するようになっている。なお、また図中１００は、３個の液処理部２０、２１、２２に対して洗浄液を供給するための共通のノズル駆動部であり、このノズル駆動部１００は上述したノズル駆動部１２と同様の構成にあるため、ここでは便宜上説明を省略する。また図中１０１は、一端側の液処理部２２の外側に設けられたノズル駆動部１００の待機領域である。ここではノズル駆動部１２の作動時には、ノズル駆動部１００は、待機領域１０１で待機することになる。
【００２１】
図１中１６は液処理装置１０の天井部に取り付けられたフィルタユニットであり、１７は液処理装置１０の底面に設けられた排気部である。前記排気部１７から所定の排気量で排気すると共に、前記フィルタユニット１６から所定流量の清浄気体を供給することにより、液処理装置１０内に清浄気体のダウンフローが形成されるようになっている。また図中１８は、液処理装置１０の後述するメインアーム１Ａ〜５Ａの移動領域に臨む面に形成されたウエハＷの搬入出口である。
【００２２】
また図中５０、５１、５２は、スピンチャック３に保持されたウエハＷの周縁部にリンス液を供給するためのサイドリンス機構であり、これらサイドリンス機構５０、５１、５２は同様の構成にあるので、サイドリンス機構５０を例にして、このサイドリンス機構５０の詳細な説明を図２に基づいて説明する。このサイドリンス機構５０は、前記液処理部２０の近傍に設けられており、Ｌ字状に屈曲したリンスノズル６と当該リンスノズル６を鉛直方向に昇降自在及び回転自在に駆動させる駆動部６１とで構成されている。なお、図１に示すようにサイドリンスを行わない場合には、前記リンスノズル６は所定の待機位置にある。この例では、前記リンスノズル６は前記搬入出口１８よりも下の所で待機することになる。またサイドリンスを行う場合には、先ず駆動部６１により前記リンスノズル６の先端部を前記カップ体４の側周面上端部よりも高い位置まで上昇させる。続いて駆動部６１によりリンスノズル６をおよそ４５度回転させて、スピンチャック３に保持されたウエハＷの周縁部と対向する位置に移動させる。そして駆動部６１によりリンスノズル６を下降させて、リンスノズル６をウエハＷに接近させる。またサイドリンスが終わった場合には、上述の手順とは逆の手順を行うことでリンスノズル６は所定の待機位置に戻ることになる。
【００２３】
図４に示すように液処理部２０、２１、２２において、各カップ体４の底部の内側領域に設けられた二つの排出口４４、４５には夫々排気管７、７が接続されており、これら排気管は途中で接合され一つの排気管７として構成されている。そして各排気管７には排気量調整部であるダンパー７１が夫々介設されており、このダンパー７１により液処理部２０、２１、２２内の排気量を調整している。また各排気管７の基端側は共通排気管７２に夫々接続されている。なお、複数の排気管７の全部が合流する合流位置（この位置に共通排気管７２が設けられている）から最も近いカップ体４の排気口までの前記排気管７の長さＬは、１５０ｍｍ以内例えば１００ｍｍに設定されている。また複数の排気管７の全部が合流する合流点は、共通の筐体１１内にある。即ち、前記共通排気管７２は、筐体１１内に設けられている。
【００２４】
また各ダンパー７１には、ダンパー７１の開度を調整するための駆動部７３が夫々接続されており、これら駆動部７３は制御部８により制御されている。さらに上述した各駆動機構（スピンチャックモータ）３２は前記制御部８により制御されており、後述するように前記制御部８によって各スピンチャック３の回転数を制御するように構成されている。また各スピンチャック３の回転数の検出は、モータ軸に設けられる符号器（エンコーダ）によって検出され前記制御部８に取り込まれるようになっている。
【００２５】
次に制御部８に関して図５を参照しながら詳述する。図５において、８０はバスであり、このバス８０には記憶部及びＣＰＵなどが接続されているが、図５ではこれらを機能的に表現しブロック化して表している。
【００２６】
ダンパー用プログラム８１は、後述する記憶部８２内のデータを参照して、検出した各スピンチャック３の回転数の組み合わせに対応する各設定排気量の組み合わせを読み出し、その設定排気量に応じた開度となるように各ダンパー７１の駆動部７３に開度指令を出力するように構成されている。この実施の形態において、駆動機構（スピンチャックモーター）３２及びダンパー７１は夫々３つ設けられているので、説明の便宜上、各スピンチャックモーター３２を１号機のスピンチャックモータ３２ａ、２号機のスピンチャックモータ３２ｂ、３号機のスピンチャックモータ３２ｃとし、各ダンパー７１を１号機のダンパー７１ａ、２号機のダンパー７１ｂ、３号機のダンパー７１ｃとする。なお、上記スピンチャック３の回転数は、スピンチャックモータ３２の回転数によって決まるものである。
【００２７】
また前記ダンパー用プログラム８１は、記憶媒体例えばフレキシブルディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）などに格納され、制御部７であるコンピュータにインストールされ、プログラム格納部に格納されることになる。
【００２８】
記憶部８２には、各スピンチャック３の回転数の組み合わせと、各排気管７の設定排気量の組み合わせとを対応付けたデータテーブルが格納されている。具体的に説明すると、上述した液処理装置１０の各液処理部２０、２１、２２では、ウエハＷの処理目的に応じて「高速排気」、「中速排気」、「低速排気」と３つの排気が夫々行われている。なお、この「高、中、低」等の用語は説明の便宜上用いている。ここで低速排気とはウエハＷの表面中央部に滴下した薬液若しくは洗浄液を遠心力によりウエハＷの径方向に広げるスピンコーティングと呼ばれる工程時に行われる排気のことであり、この工程でのスピンチャック３の回転数は例えば１０００ｒｐｍであり、処理時間は例えば２ｓｅｃである。また高速排気とはウエハＷの表面に塗布された薬液若しくは洗浄液を乾燥させる振り切り乾燥と呼ばれる工程時に行われる排気のことであり、この工程でのスピンチャック３の回転数は例えば２５００ｒｐｍであり、処理時間は例えば３０ｓｅｃである。また中速排気とはウエハＷの周縁部をリンス液によりリンスするサイドリンスと呼ばれる工程時に行われる排気のことであり、この工程でのスピンチャック３の回転数は例えば１５００ｒｐｍであり、処理時間は例えば８ｓｅｃである。なお、サイドリンスを行った後、ウエハＷの周縁部を乾燥させるための振り切り乾燥と呼ばれる工程が行われ、この工程でのスピンチャック３の回転数は例えば２０００ｒｐｍであり、処理時間は例えば５ｓｅｃであるが、この例ではサイドリンスの後に行われる振り切り乾燥も上記中速排気に含めるものとする。
【００２９】
また上記３つの排気における排気管７の設定排気量はダンパー７１の開度によって決まってくることから低速排気でのダンパー７１の開度＜中速排気でのダンパー７１の開度＜高速排気でのダンパー７１の開度という関係になる。即ち、低速排気での設定排気量をａ、中速排気での設定排気量をｂ、高速排気での設定排気量をｃとした場合、これら設定排気量はａ＜ｂ＜ｃという関係になる。このようなことから図５中では１号機〜３号機のスピンチャックモータ３２ａ〜３２ｃの回転数に対応した排気（高速排気、中速排気、低速排気）の組み合わせと、１号機〜３号機のダンパー７１ａ〜７１ｃの設定排気量（ａ、ｂ、ｃ）の組み合わせとを対応付けたデータとして示されている。なお、設定排気量（ａ、ｂ、ｃ）は、１号機〜３号機における各カップ体４内の排気状態の組み合わせによって異なってくることから、例えば１号機が中速排気、２号機が低速排気、３号機が低速排気という排気状態の場合では、設定排気量は（ｂ２、ａ２、ａ２）と設定され、例えば１号機が低速排気、２号機が中速排気、３号機が低速排気という排気状態の場合では、設定排気量は（ａ５、ｂ５、ａ５）と設定されることになる。
【００３０】
次に上述の実施の形態の作用として、液処理装置を塗布、現像装置に組み込まれた場合のウエハの流れに基づいて説明する。この例では、後述の塗布、現像装置に詳しく記載してあるように複数の受け渡しステージを備えた棚ユニットから冷却ユニット→液処理装置１０→加熱ユニットの順序でウエハＷをメインアームにより搬送するものとする。先ずメインアームにより棚ユニットの受け渡しステージに載置されているロットの先頭にあるウエハＷを受け取り、冷却ユニットに搬送する。続いて冷却ユニットで所定の処理が施されたウエハＷをメインアームにより搬入出口１８を介して液処理装置１０内の液処理部２０に搬送する。液処理部２０に搬送されたウエハＷは、昇降可能な昇降ピン（図示せず）によりウエハＷの裏面側が支持され、そしてこの昇降ピンが下降することでウエハＷはスピンチャック３の上に水平に保持される。また液処理部２０へのウエハＷの搬送が終わったメインアームは、次のウエハＷを受け取るために棚ユニットへ移動し、次のウエハＷが載置されている受け渡しステージでウエハＷを受け取った後、冷却ユニットに搬送し、そして上述と同様にして今度は液処理部２１にウエハＷが搬送されることになる。このようにメインアームは搬送スケジュールに従って移動しており、冷却ユニットに搬送されたウエハＷは今度は液処理部２２に搬送されることになる。
【００３１】
このようにしてスケジュール搬送が行われ、液処理装置１０内において各ウエハＷが順次所定のタイミングで１号機の液処理部２０、２号機の液処理部２１、３号機の液処理部２２、１号機の液処理部２０、２号機の液処理部２１…と順次取り込まれると、例えばスピンチャックの回転数のパターンは図６に示すようになる。
【００３２】
先ず、図６に示すように時刻ｔ１にて１号機の液処理部２０に搬送されたウエハＷは、薬液ノズル１２ａによりウエハＷの中央部に薬液が滴下され、そしてスピンチャック３を１０００ｒｐｍの回転数で回転させることで薬液を遠心力によりウエハＷの径方向に広げるスピンコーティングが行われ（工程Ｐ１）、この処理時間は例えば２ｓｅｃである。続いてウエハＷの表面に塗布された薬液は、スピンチャック３を２５００ｒｐｍの回転数で回転させることで薬液を振り切ってウエハＷの乾燥が行われ（工程Ｐ２）、この処理時間は例えば３０ｓｅｃである。しかる後、リンスノズル６によりウエハＷの周縁部にリンス液が塗布され、そしてスピンチャック３を１５００ｒｐｍの回転数で回転させることでウエハＷの周縁部をリンスするサイドリンスが行われ、この処理時間は例えば８ｓｅｃである。さらにサイドリンスを行った後、スピンチャック３を２０００ｒｐｍの回転数で回転させることでリンス液を振り切ってウエハＷの乾燥が行われ、この処理時間は例えば５ｓｅｃである。なお、説明の便宜上、サイドリンス及び振り切り乾燥を工程Ｐ３として示してある。
【００３３】
このように１号機の液処理部２０にて一連の処理が行われるときの各液処理部２０、２１、２２のダンパー７１の開度調整について説明すると、工程Ｐ１の開始時間である時刻ｔ１では、２号機の液処理部２１及び３号機の液処理部２２にはウエハＷが搬入されておらず、このため制御部８では１号機〜３号機のスピンチャック３の回転数の値として夫々１０００ｒｐｍ、０ｒｐｍ、０ｒｐｍが取り込まれる。前記ダンパー用プログラム８１は、１０００ｒｐｍについては低速排気という評価をするため、１号機〜３号機の設定排気量の組み合わせは「低速排気」、「排気なし」、「排気なし」という組み合わせとなる。そして前記ダンパー用プログラム８１は前記記憶部８２に格納されているデータテーブルからこの組み合わせに応じた各号機のダンパー７１ａ〜７１ｃの開度の組み合わせを読み出し、各ダンパー７１ａ〜７１ｃの開度が調整される。例えば低速排気に対応する排気量はおよそ１．０ｍ３／ｍｉｎ程度である。
【００３４】
続いて時刻ｔ２にて工程Ｐ２が開始されるが、このときの１号機のスピンチャック３の回転数２５００ｒｐｍは高速排気という評価を行い、同様にして記憶部８２に格納されているデータテーブルを参照してダンパー７１ａ〜７１ｃの開度が調整され、排気量はおよそ３．０ｍ３／ｍｉｎに設定される。そして時刻ｔ３にて２号機の液処理部２１にウエハＷが搬入され、レジスト液の展伸工程である工程Ｐ１が開始される。このとき２号機のスピンチャック３の回転数は１０００ｒｐｍであって、既述のように評価として「低速排気」であるから、１号機〜３号機の設定排気量の組み合わせは「高速排気」、「低速排気」、「排気なし」の組み合わせとなり、記憶部８２に格納されているデータテーブルからこの組み合わせに応じた各号機のダンパー７１ａ〜７１ｃの開度の組み合わせを読み出し、各ダンパー７１ａ〜７１ｃの開度が調整される。さらに時刻ｔ４にてウエハＷが３号機の液処理部２２にも搬入され、この場合も同様にして記憶部８２に格納されているデータテーブルを利用して１号機〜３号機の各ダンパー７１ａ〜７１ｃの開度が調整される。なお、ウエハＷに対してサイドリンス及びその後の振り切り乾燥を行う工程Ｐ３においては、スピンチャック３の回転数１５００ｒｐｍ、２０００ｒｐｍは、この例では「中速排気」として取り扱っている。この「中速排気」の設定排気量はおよそ２．０ｍ３／ｍｉｎ程度である。また、上述の実施の形態においてスピンチャック３の回転数が０ｒｐｍの場合を「排気なし」としているが、液処理装置１０内では清浄気体のダウンフローが形成されているため、「排気なし」の場合であっても、ダンパー７１の開度を調整してカップ体４内の排気を行うようにしてもよい。
【００３５】
上述の実施の形態によれば、各スピンチャック３を夫々囲む３つのカップ体４に夫々接続された３つの排気管７を共通化して共通排気管７２とし、ウエハＷをスピンチャック３により回転させてスピンコーティング、振り切り乾燥及びサイドリンスなどの液処理を行うにあたって、各排気管７に設けた排気量調整部であるダンパー７１ａ〜７１ｃの開度を、各スピンチャック３の回転数の組み合わせと各排気管７の設定排気量の組み合わせとを対応付けたデータテーブルを参照して調整するようにしているため、どのカップ体４内のウエハＷがどの工程（Ｐ１工程、Ｐ２工程、Ｐ３工程）を行っているのかといったことに左右されずに常にカップ体４内を予定とする排気量で排気することができる。即ち、一つのカップ体４に着目すると、各工程において他のカップ体４の状態にかかわらず強過ぎず、弱過ぎず、予定としている適切な排気量で排気することができる。このためウエハＷへのミストの付着が抑えられ、またウエハＷ上のレジストなどの薄膜の膜厚が安定化する。また、液処理装置１０内において、各カップ体４に接続された排気管７を各カップ体４の近傍で共通化し、共通排気管７２として設けることで、各カップ体４に接続されている排気管７を一つ一つ外まで引き回すよりも、排気管の引き回しスペースを小さくすることができるので、液処理装置１０の省スペース化を図ることができる。さらに上述したように各カップ体４内は予め決められた排気量で排気されていることから余分な排気を行わなくて済むので、装置全体の排気量を削減することができ、工場用力の排気量の削減を図ることができる。
【００３６】
以上において、各スピンチャック３の回転数の判断手法としては、各スピンチャック３の回転数を検出することに限られるものではなく、各カップ体４内にて今どのような処理が行われているか、上述の例ではスピンコーティングをおこなっているのかあるいは振り切り乾燥を行っているかなどの状態（処理）をメモリに書き込み、そのメモリ内から各カップ体４内の状態を読み出し、その状態に対応するスピンチャック３の回転数を、予めカップ体内の状態と回転数とを対応づけたテーブルなどにより読み出すようにしてもよい。
【００３７】
次に本発明の他の実施の形態について説明する。この実施に形態は図７に示すように、ダンパー７１と共通排気管７２との間の排気管７に排気量増幅機構３００例えばトランスベクター（商品名）を介設し、上述した記憶部８２に格納されたデータテーブルを使用しないで、各ダンパー７１の開度を低速排気、中速排気及び高速排気の３つの排気状態に夫々対応する開度に固定した他は上述と同様の構成にある。例えば１号機の液処理部２０についていえば、１号機のスピンチャック３の回転数と各ダンパー７１の開度とを対応づけておく。他の液処理部２０についても同様に各ダンパー７１の開度を設定しておく。なおここでいう回転数とは、例えば回転数に範囲を持たせておき、回転数ｐ１からｐ２までの間はダンパー７１の開度がある値に固定される場合も含んでいる。
【００３８】
図８（ａ）は、排気量増幅機構３００の断面図であり、当該機構３００の側面部には排気路３０１の周囲を囲むようにＬ字状に屈曲した流入室３０２が形成されており、前記流入室３０２の開口部３０３近傍には小さな凸部３０４が形成されている。また図７に示すように排気量増幅機構３００には加圧供給部３０５が接続されており、当該加圧供給部３０５により前記流入室３０２に加圧された空気を流入するようになっている。また前記加圧供給部３０５は前記制御部８により制御されている。図８（ｂ）に示すように前記加圧供給部３０５により加圧された空気を前記流入室３０２に流入すると、前記流入室３０２の開口部３０３近傍に形成された凸部３０４により空気が排気方向に曲げられて減速することで風量が増幅するようになっている。
【００３９】
続いてこの実施の形態の作用について説明する。例えば第１の液処理部２０では低速排気、第２の液処理部２１では高速排気、第３の液処理部２２では高速排気を行おうとする。この場合第２のダンパー７１の開度及び第３のダンパー７１の開度は高速排気に対応した開度に、第１のダンパー７１の開度は低速排気に対応した開度に設定される。しかし、この液処理装置１０は排気能力が小さく、また排気管７を介して共通排気管７２に接続される各カップ体４の距離が異なるため第２の液処理部２１及び第３の液処理部２２では各カップ体４内において予定とする排気量が得られるが、第１の液処理部２０ではカップ体４内において予定とする排気量が得られないという現象が起きる場合が考えられる。即ち、第１の液処理部２０のカップ体４内において予定とする排気量例えば１．０ｍ３／ｍｉｎに到達していないのである。そこで上述した排気量増幅機構３００を用いることでその不足分の排気量を補うようにしている。
【００４０】
このような排気量の不足は、高速排気においても中速排気においても起こることであり、このため予め各液処理部２０〜２２の運転状態の組み合わせと、ダンパー７１のみで排気量を調整した場合、つまり既述のように各運転状態に開度を固定した場合における各液処理部２１〜２２の排気量の不足分を把握しておき、その不足分を補うように、各加圧供給部９４からの加圧量を設定しておく。各排気状態に対応する設定排気量の例を記載しておくと、高速排気、中速排気及び低速排気における設定排気量は例えば夫々３．０ｍ３／ｍｉｎ、２．０ｍ３／ｍｉｎ及び１．０ｍ３／ｍｉｎである。
【００４１】
この実施の形態によれば、各ダンパーの開度を高速排気、中速排気及び低速排気の３つの排気状態に対応する開度に固定した場合において、何れかのカップ体４内で予定とする排気量が得られないときには、既述の排気量増幅機構３００を用いることで、その不足分の排気量を補うことができる。そのため工場用力の排気量の能力が小さくても各液処理部２１〜２２において常に適切な排気量で排気することができる。言い換えれば工場用力の排気量の削減を図ることができる。なお、カップ体４とダンパー７１との間の排気管７に排気量増幅機構３００を介設した構成であってもよい。このような構成であっても上述と同様の効果を得ることができる。また排気量増幅機構３００としてはブロワファンを用いてもよい。
【００４２】
続いて本発明の液処理装置１０を塗布、現像装置であるレジストパターン形成装置に適用した場合の一実施の形態について説明する。図９は、レジストパターン形成装置の平面図を示し、図１０は同概略斜視図、図１１は同概略側面図である。この装置は、基板であるウエハＷが例えば１３枚密閉収納されたキャリア９０を搬入出するためのキャリアブロックＳ１と、複数個例えば５個の単位ブロックＢ１〜Ｂ５を縦に配列して構成された処理ブロックＳ２と、インターフェイスブロックＳ３と、露光装置Ｓ４と、を備えている。
【００４３】
前記キャリアブロックＳ１には、前記キャリア９０を複数個載置可能な載置台９１と、この載置台９１から見て前方の壁面に設けられる開閉部９２と、開閉部９２を介してキャリア９０からウエハＷを取り出すためのトランスファーアームＣとが設けられている。このトランスファーアームＣは、後述する単位ブロックＢ１、Ｂ２の受け渡しステージＴＲＳ１、ＴＲＳ２との間でウエハＷの受け渡しを行うように、進退自在、昇降自在、鉛直軸周りに回転自在、キャリア９０の配列方向に移動自在に構成されている。
【００４４】
前記キャリアブロックＳ１の奥側には、筐体９４にて周囲を囲まれる処理ブロックＳ２が接続されている。処理ブロックＳ２は、この例では、下方側から下段側の２段が現像処理を行うための第１及び第２の単位ブロック（ＤＥＶ層）Ｂ１、Ｂ２、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うための第３の単位ブロック（ＴＣＴ層）Ｂ３、レジスト液の塗布処理を行うための第４の単位ブロック（ＣＯＴ層）Ｂ４、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うための第５の単位ブロック（ＢＣＴ層）Ｂ５として割り当てられている。ここで前記ＤＥＶ層Ｂ１、Ｂ２が現像処理用の単位ブロック、ＴＣＴ層Ｂ３、ＣＯＴ層Ｂ４、ＢＣＴ層Ｂ５が塗布膜形成用の単位ブロックに相当する。
【００４５】
続いて、第１〜第５の単位ブロックＢ（Ｂ１〜Ｂ５）の構成について説明する。これら各単位ブロックＢ１〜Ｂ５は、ウエハＷに対して薬液を塗布するための液処理ユニットと、前記液処理ユニットにて行われる処理の前処理及び後処理を行うための各種加熱・冷却系の処理ユニットと、これらの装置の加熱・冷却系の処理ユニットとの間でウエハＷの受け渡しを行うための専用の搬送手段であるメインアームＡ１〜Ａ５と、を備えている。
【００４６】
先ず図９に示すＣＯＴ層Ｂ４を例にして以下に説明する。このＣＯＴ層Ｂ４のほぼ中央には、ＣＯＴ層Ｂ４の長さ方向（図中Ｙ軸方向）に、キャリアブロックＳ１とインターフェイスブロックＳ３とを接続するための、ウエハＷの搬送領域Ｒ１が形成されている。
【００４７】
この搬送領域Ｒ１のキャリアブロックＳ１側から見た両側には、手前側（キャリアブロックＳ１側）から奥側に向かって右側に、レジストの塗布処理を行うための複数個の塗布部を備えた塗布ユニット８５が設けられている。即ち、塗布ユニット８５は、ウエハＷにレジスト液を塗布するための装置である。この例では図１から図４で説明した液処理装置１０は塗布ユニット８５に相当し、液処理部２０、２１、２２は塗布部に相当する。また薬液ノズル１２ａに形成された吐出口からはレジスト液が吐出されることになる。またＣＯＴ層Ｂ４の手前側から奥側に向かって左側には、順に加熱・冷却系のユニットを多段化した４個の棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３，Ｕ４が設けられており、塗布ユニット９５にて行なわれる処理の前処理及び後処理を行なうための各種ユニットを複数段、例えば２段に積層した構成とされている。こうして前記搬送領域Ｒ１は区画されており、例えばこの区画された搬送領域Ｒ１に清浄エアを噴出させて排気することにより、当該領域内のパーティクルの浮遊を抑制するようになっている。
【００４８】
上述の前処理及び後処理を行うための各種ユニットの中には、例えばレジスト液の塗布前にウエハＷを所定の温度に調整するための冷却ユニット（ＣＯＬ）、レジスト液の塗布後にウエハＷの加熱処理を行うための例えばプリベーキングユニットなどと呼ばれている加熱ユニット（ＣＨＰ）、ウエハＷのエッジ部のみを選択的に露光するための周縁露光装置（ＷＥＥ）等が含まれている。また冷却ユニット（ＣＯＬ）や加熱ユニット（ＣＨＰ）等の各処理ユニットは、夫々処理容器９６内に収納されており、棚ユニットＵ１〜Ｕ４は、前記処理容器９６が２段に積層されて構成され、各処理容器９６の搬送領域Ｒ１に臨む面にはウエハＷを搬入出する搬入出口９７が形成されている。
【００４９】
前記搬送領域Ｒ１には前記メインアームＡ４が設けられている。このメインアームＡ４は、当該ＣＯＴ層Ｂ４内の全てのモジュール（ウエハＷが置かれる場所）、例えば棚ユニットＵ１〜Ｕ４の各処理ユニット、塗布ユニット９５、後述する棚ユニットＵ５と棚ユニットＵ６の各部との間でウエハの受け渡しを行うように構成されており、このために進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、Ｙ軸方向に移動自在に構成されている。
【００５０】
また搬送領域Ｒ１のキャリアブロックＳ１と隣接する領域は、第１のウエハ受け渡し領域Ｒ２となっていて、この領域Ｒ２には、図９及び図１１に示すように、トランスファーアームＣとメインアームＡ４とがアクセスできる位置に棚ユニットＵ５が設けられると共に、この棚ユニットＵ５に対してウエハＷの受け渡しを行うための第１の基板受け渡し手段をなす第１の受け渡しアームＤ１を備えている。
【００５１】
前記棚ユニットＵ５は、図１１に示すように、各単位ブロックＢ１〜Ｂ５のメインアームＡ１〜Ａ５との間でウエハＷの受け渡しを行うように、この例では各単位ブロックＢ１〜Ｂ５は、１個以上例えば２個の第１の受け渡しステージＴＲＳ１〜ＴＲＳ５を備えており、これにより第１の受け渡しステージが多段に積層された第１の受け渡しステージ群を構成している。また第１の受け渡しアームＤ１は各第１の受け渡しステージＴＲＳ１〜ＴＲＳ５に対してウエハＷの受け渡しを行うことができるように、進退自在及び昇降自在に構成されている。また前記第１及び第２の単位ブロックＢ１、Ｂ２の第１の受け渡しステージＴＲＳ１、ＴＲＳ２は、この例ではトランスファーアームＣとの間でウエハＷの受け渡しが行なわれるように構成され、キャリアブロック用受け渡しステージに相当する。
【００５２】
さらに搬送領域Ｒ１のインターフェイスブロックＳ３と隣接する領域は、第２のウエハ受け渡し領域Ｒ３となっていて、この領域Ｒ３には、図１１に示すように、メインアームＡ４がアクセスできる位置に棚ユニットＵ６が設けられると共に、この棚ユニットＵ６に対してウエハＷの受け渡しを行うための第２の基板受け渡し手段をなす第２の受け渡しアームＤ２を備えている。
【００５３】
前記棚ユニットＵ６は、図１１に示すように、各単位ブロックＢ１〜Ｂ５のメインアームＡ１〜Ａ５との間でウエハＷの受け渡しを行うように、この例では各単位ブロックＢ１〜Ｂ５は、１個以上例えば２個の第２の受け渡しステージＴＲＳ６〜ＴＲＳ１０を備えており、これにより第２の受け渡しステージが多段に積層された第２の受け渡しステージ群が構成されている。第２の受け渡しアームＤ２は各第２の受け渡しステージＴＲＳ６〜ＴＲＳ１０に対してウエハＷの受け渡しを行うことができるように、進退自在及び昇降自在に構成されている。このように本実施の形態では、５段に積層された各単位ブロックＢ１〜Ｂ５の間で、上述の第１の受け渡しアームＤ１と第２の受け渡しアームＤ２とにより、夫々第１の受け渡しステージＴＲＳ１〜ＴＲＳ５、第２の受け渡しステージＴＲＳ６〜ＴＲＳ１０を介して、自由にウエハＷの受け渡しを行なうことができるように構成されている。
【００５４】
続いて他の単位ブロックＢについて簡単に説明する。ＤＥＶ層Ｂ１、Ｂ２は同様に構成され、ウエハＷに対して現像処理を行うための複数個の現像部を備えた現像ユニットが設けられ、棚ユニットＵ１〜Ｕ４には、露光後のウエハＷを加熱処理するポストエクスポージャーベーキングユニットなどと呼ばれている加熱ユニット（ＰＥＢ）や、この加熱ユニット（ＰＥＢ）における処理の後にウエハＷを所定温度に調整するための冷却ユニット（ＣＯＬ）、現像処理後のウエハＷを水分を飛ばすために加熱処理するポストベーキングユニットなどと呼ばれている加熱ユニット（ＰＯＳＴ）を備えている以外はＣＯＴ層Ｂ４と同様に構成されている。
【００５５】
そしてこれらＤＥＶ層Ｂ１，Ｂ２では、夫々メインアームＡ１，Ａ２により、夫々第１の受け渡しステージＴＲＳ１、ＴＲＳ２、第２の受け渡しステージＴＲＳ６、ＴＲＳ７と、現像ユニットと、棚ユニットＵ１〜Ｕ４の各処理ユニットとに対してウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。
【００５６】
またＴＣＴ層Ｂ３は、ウエハＷに対して第２の反射防止膜の形成処理を行うための複数個の第２の反射防止膜形成部を備えた第２の反射防止膜形成ユニットが設けられている。即ち、第２の反射防止膜形成ユニットは、レジスト液を塗布した後にウエハＷに反射防止膜用の薬液を塗布するための装置である。この例では図１から図４で説明した液処理装置１０は第２の反射防止膜形成ユニットに相当し、液処理部２０、２１、２２は第２の反射防止膜形成部に相当する。また薬液ノズル１２ａに形成された吐出口からは反射防止膜用の薬液が吐出されることになる。また棚ユニットＵ１〜Ｕ４は、反射防止膜形成処理前にウエハＷを所定温度に調整するための冷却ユニット（ＣＯＬ）や、反射防止膜形成処理後のウエハＷを加熱処理する加熱ユニット（ＣＨＰ）が備えている以外はＣＯＴ層Ｂ４と同様に構成されている。そしてこのＴＣＴ層Ｂ３では、メインアームＡ３により、第１の受け渡しステージＴＲＳ３、第２の受け渡しステージＴＲＳ８と、第２の反射防止膜形成ユニットと、棚ユニットＵ１〜Ｕ４の各処理ユニットとに対してウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。
【００５７】
そしてＢＣＴ層Ｂ５は、ウエハＷに対して第１の反射防止膜の形成処理を行うための複数個の第１の反射防止膜形成部を備えた第１の反射防止膜形成ユニットが設けられている。即ち、前記第１の反射防止膜形成ユニットは、レジスト液を塗布する前にウエハＷに反射防止膜用の薬液を塗布するための装置である。この例では図１から図４で説明した液処理装置１０は第１の反射防止膜形成ユニットに相当し、液処理部２０、２１、２２は第１の反射防止膜形成部に相当する。また薬液ノズル１２ａに形成された吐出口からは反射防止膜用の薬液が吐出されることになる。また棚ユニットＵ１〜Ｕ４は、反射防止膜形成処理前にウエハＷを所定温度に調整するための冷却ユニット（ＣＯＬ）や、反射防止膜形成処理後のウエハＷを加熱処理する加熱ユニット（ＣＨＰ）を備え、周縁露光装置（ＷＥＥ）を備えていない以外はＣＯＴ層Ｂ４と同様に構成されている。そしてこの第５の単位ブロックＢ５では、メインアームＡ５により、第１の受け渡しステージＴＲＳ５，第２の受け渡しステージＴＲＳ１０と、第１の反射防止膜形成ユニットと、棚ユニットＵ１〜Ｕ４の各処理ユニットと、に対してウエハＷの受け渡しが行われるようになっている。
【００５８】
なお、これら処理ユニットは加熱ユニット（ＣＨＰ、ＰＥＢ、ＰＯＳＴ）、冷却ユニット（ＣＯＬ）、周縁露光装置（ＷＥＥ）に限らず、他の処理ユニットを設けるようにしてもよいし、実際の装置では各処理ユニットの処理時間などを考慮してユニットの設置数が決められる。
【００５９】
一方、処理ブロックＳ２における棚ユニットＵ６の奥側には、インターフェイスブロックＳ３を介して露光装置Ｓ４が接続されている。インターフェイスブロックＳ３には、処理ブロックＳ２の棚ユニットＵ６と露光装置Ｓ４とに対してウエハＷの受け渡しを行うためのインターフェイスアームＢを備えている。このインターフェイスアームＢは、処理ブロックＳ２と露光装置Ｓ４との間に介在するウエハＷの搬送手段をなすものであり、この例では、第１〜第４の単位ブロックＢ１〜Ｂ４の第２の受け渡しステージＴＲＳ６〜ＴＲＳ８に対してウエハＷの受け渡しを行うように、進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成され、この例では第２の受け渡しステージＴＲＳ６〜ＴＲＳ８がインターフェイスブロック用受け渡しステージに相当する。
【００６０】
また前記インターフェイスアームＢは、全ての単位ブロックＢ１〜Ｂ５の第２の受け渡しステージＴＲＳ６〜ＴＲＳ１０に対してウエハＷの受け渡しを行うように構成してもよく、この場合には第２の受け渡しステージＴＲＳ６〜ＴＲＳ１０がインターフェイスブロック用受け渡しステージに相当する。
【００６１】
続いてメインアームＡ（Ａ１〜Ａ５）について簡単に説明すると、図１２に示すようにメインアームＡは、ウエハＷの裏面側周縁領域を支持するための２本のアーム２０１、２０２を備えており、これらアーム２０１、２０２は基台２０３に沿って互いに独立して進退自在に構成されている。またこの基台２０３は回転機構２０４により鉛直軸回りに回転自在に構成されると共に、移動機構２０５により、棚ユニットＵ１〜Ｕ４を支持する台部２０６の搬送領域Ｒ１に臨む面に取り付けられたＹ軸レール２０７に沿ってＹ軸方向に移動自在、且つ昇降レール２０８に沿って昇降自在に構成されている。こうしてアーム２０１、２０２は、進退自在、Ｙ軸方向に移動自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在に構成され、棚ユニットＵ１〜Ｕ６の各ユニットや第１及び第２の受け渡しステージＴＲＳ１〜ＴＲＳ１０、液処理ユニットとの間でウエハＷの受け渡しを行うことができるようになっている。
【００６２】
この塗布ユニット９５では、ウエハＷはメインアームＡ４により搬入出口９８を介して処理容器９９内に搬入され、予め決定された塗布部２０、２１、２２のいずれかのスピンチャック３に受け渡される。そして薬液ノズル１２ａに形成された吐出口から当該ウエハＷの中央部にレジスト液を供給すると共に、スピンチャック３を回転させて、レジスト液を遠心力によりウエハＷの径方向に広げ、ウエハＷの表面にレジストの液膜を形成させるなどの処理を行う。こうして各塗布部２０、２１、２２において所定の処理を終えたウエハＷは搬入出口９８を介してメインアームＡにより塗布ユニット９５の外部に搬出される。
【００６３】
ここでこのレジストパターン形成装置におけるウエハＷの流れについて、レジスト膜の上下に夫々反射防止膜を形成する場合を例にして説明する。先ず外部からキャリア９０がキャリアブロック９１に搬入され、トランスファーアームＣによりこのキャリア９０内からウエハＷが取り出される。ウエハＷは、トランスファーアームＣから、先ず第２の単位ブロックＢ２の棚ユニットＵ５の第１の受け渡しステージＴＲＳ２に受け渡され、次いでウエハＷはＢＣＴ層Ｂ５にウエハＷを受け渡すために、第１の受け渡しアームＤ１により第１の受け渡し部ＴＲＳ５を介してＢＣＴ層Ｂ５のメインアームＡ５に受け渡される。そしてＢＣＴ層Ｂ５では、メインアームＡ５により、冷却ユニット（ＣＯＬ）→第１の反射防止膜形成ユニット→加熱ユニット（ＣＨＰ）→棚ユニットＵ６の第２の受け渡しステージＴＲＳ１０の順序で搬送されて、第１の反射防止膜が形成される。
【００６４】
続いて第２の受け渡しステージＴＲＳ１０のウエハＷは第２の受け渡しアームＤ２により、ＣＯＴ層Ｂ４にウエハＷを受け渡すために第２の受け渡しステージＴＲＳ９に搬送され、次いで当該ＣＯＴ層Ｂ４のメインアームＡ４に受け渡される。そしてＣＯＴ層Ｂ４では、メインアームＡ４により、冷却ユニット（ＣＯＬ）→塗布ユニット→加熱ユニット（ＣＨＰ）→第１の受け渡しステージＴＲＳ４の順序で搬送されて、第１の反射防止膜の上にレジスト膜が形成される。
【００６５】
次いで受け渡しステージＴＲＳ４のウエハＷは第１の受け渡しアームＤ１によ
り、ＴＣＴ層Ｂ３にウエハＷを受け渡すために第１の受け渡しステージＴＲＳ３に搬送され、当該ＴＣＴ層Ｂ３のメインアームＡ３に受け渡される。そしてＴＣＴ層Ｂ３では、メインアームＡ３により、冷却ユニット（ＣＯＬ）→第２の反射防止膜形成ユニット→加熱ユニット（ＣＨＰ）→周縁露光装置（ＷＥＥ）→棚ユニットＵ６の第２の受け渡しステージＴＲＳ８の順序で搬送されて、レジスト膜の上に第２の反射防止膜が形成される。
【００６６】
続いて第２の受け渡しステージＴＲＳ８のウエハＷはインターフェイスアームＢにより露光装置Ｓ４に搬送され、ここで所定の露光処理が行われる。露光処理後のウエハＷは、インターフェイスアームＢにより、ＤＥＶ層Ｂ１（ＤＥＶ層Ｂ２）にウエハＷを受け渡すために、棚ユニットＵ６の第２の受け渡しステージＴＲＳ６（ＴＲＳ７）に搬送され、このステージＴＲＳ６（ＴＲＳ７）上のウエハＷは、ＤＥＶ層Ｂ１（ＤＥＶ層Ｂ２）メインアームＡ１（メインアームＡ２）に受け取られ、当該ＤＥＶ層Ｂ１（Ｂ２）にて、先ず加熱ユニット（ＰＥＢ）→冷却ユニット（ＣＯＬ）→現像ユニット→加熱ユニット（ＰＯＳＴ）の順序で搬送され、所定の現像処理が行われる。こうして現像処理が行われたウエハＷは、トランスファーアームＣにウエハＷを受け渡すために、第１の受け渡しステージＴＲＳ１（ＴＲＳ２）に搬送され、トランスファーアームＣにより、キャリアブロックＳ１に載置されている元のキャリア９０に戻される。
【００６７】
このように本発明の液処理装置１０を塗布、現像装置であるレジストパターン形成装置に設けられる塗布ユニット及び反射防止膜形成ユニットとして適用することで、塗布ユニット内に複数設けられた塗布部及び反射防止膜形成ユニット内に複数設けられた反射防止膜形成部において、既述したように各カップ体内の排気を常に予定とする排気にすることができる。このことからこの装置では、各ブロックＢ１〜Ｂ４間で棚ユニットＵ５、Ｕ６を介してメインアームＡ１〜Ａ５や第１及び第２の受け渡しアームＤ１、Ｄ２により独立搬送を行っているのでスループットをより一層向上させる共にウエハＷへのミストの付着及びウエハの膜厚が不安定となるといったおそれがないのでウエハＷの歩留まりも向上する。
【００６８】
また塗布ユニット及び反射防止膜形成ユニット内には、共通通排気管が設置されることになるので、既述したようにこれらのユニットはコンパクトになる。従って処理ブロックＳ２内において各種処理ユニットを集約して設けることができ、結果的に塗布、現像装置の占有面積を小さくすることができる。さらに既述したように各カップ体内は予め決められた排気量で排気されていることから余分な排気を行わなくて済むので、ユニット全体の排気量を削減することができ、工場用力の排気量の削減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明に係る液処理装置を示す平面図と断面図である。
【図２】本発明に係る液処理装置に設置された液処理部を示す概略断面図である。
【図３】本発明に係る液処理装置に設けられた薬液ノズルを示す概略斜視図である。
【図４】前記液処理部に接続される排気管を示す構成図である。
【図５】本発明の実施の形態に用いられる制御部を示すブロック図である。
【図６】本発明の実施の形態において、各液処理部内の処理状態を示す説明図である。
【図７】前記液処理部に接続される排気管の他の構成を示す構成図である。
【図８】本発明の実施の形態に用いられる排気量増幅ノズルの断面図である。
【図９】本発明に係る塗布、現像装置の実施の形態を示す平面図である。
【図１０】前記塗布、現像装置を示す斜視図である。
【図１１】前記塗布、現像装置を示す側部断面図である。
【図１２】前記塗布、現像装置における塗布ユニットと棚ユニットと搬送手段とを示す斜視図である。
【符号の説明】
【００７０】
Ｗ    半導体ウエハ
１０  液処理装置
２０、２１、２２  液処理部
３    スピンチャック
３２  駆動機構
４    カップ体
５０  サイドリンス機構
６    リンスノズル
７    排気管
７１  ダンパー
７２  共通排気管
９    排気量増幅ノズル
Ｓ１  キャリアブロック
Ｓ２  処理ブロック
Ｓ３  インターフェイスブロック
Ｓ４  露光装置
Ａ１〜Ａ５    メインアーム
Ｂ    インターフェイスアーム
Ｃ    トランスファーアーム
Ｄ１  第１の受け渡しアーム
Ｄ２  第２の受け渡しアーム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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