(57)【要約】  【課題】無線通信機器へ実装した後において、無線通信機器のケースなどによる減衰特性の影響を受けない高周波フィルタ部品を提供する。【解決手段】圧電基板３０の一面には、弾性表面波素子が形成され、回路基板２０の表面にフェースダウン実装される。圧電基板３０の、弾性表面波素子のＩＤＴ電極等が形成された面とは反対の面に導体膜３４が形成され、前記導体膜３４は、回路基板２０に設けられた接地用の導体パッド４２にワイヤ３１で接続されている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板の一方主面にＩＤＴ電極が形成された弾性表面波素子を、前記一方主面を回路基板表面に対向させるように実装してなる高周波フィルタ部品であって、
前記圧電基板の前記一方主面とは反対の面に導体が形成されるとともに、前記回路基板表面に設けられた接地電極に前記導体が接続された高周波フィルタ部品。
【請求項２】
前記接地電極と前記導体とをワイヤボンディングによって接続してなる請求項１記載の高周波フィルタ部品。
【請求項３】
第１の圧電基板の一方主面にＩＤＴ電極が形成された受信用弾性表面波素子と、第２の圧電基板の一方主面にＩＤＴ電極が形成された送信用弾性表面波素子とを、それぞれの前記一方主面を回路基板表面に対向させるように実装するとともに、前記回路基板の表面または内部にインピーダンス調整回路を設けてなるデュプレクサであって、
前記第１の圧電基板及び／又は第２の圧電基板の前記一方主面とは反対の面に導体が形成されるとともに、前記回路基板表面に設けられた接地電極に前記導体が接続されたデュプレクサ。
【請求項４】
圧電基板の一方主面にそれぞれＩＤＴ電極が形成された受信用弾性表面波素子及び送信用弾性表面波素子を、前記一方主面を回路基板表面に対向させるように実装するとともに、前記回路基板の表面または内部にインピーダンス調整回路を設けてなるデュプレクサであって、
前記圧電基板の前記一方主面とは反対の面に導体が形成されるとともに、前記回路基板表面に設けられた接地電極に前記導体が接続されたデュプレクサ。
【請求項５】
前記接地電極と前記導体とをワイヤボンディングによって接続してなる請求項３又は請求項４記載のデュプレクサ。
【請求項６】
請求項３から請求項５のいずれかに記載のデュプレクサを具備するとともに、分波回路、電力増幅器、高周波フィルタのいずれか又は全てを具備する高周波モジュール。
【請求項７】
請求項６記載の高周波モジュールを搭載した無線通信機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電基板にＩＤＴ電極が形成された弾性表面波(Surface Acoustic Wave)素子を回路基板上に実装した高周波フィルタ部品、デュプレクサ、これらを具備する高周波モジュール及び無線通信機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話機の普及が進みつつあり、携帯電話機の機能、サービスの向上が図られている。
このような携帯電話機などの無線通信機器では、そのメイン基板上及びその内部に、各送受信系の信号を処理するのに必要な部品が実装された高周波モジュールが搭載されている。
【０００３】
高周波モジュールの一般的構成では、アンテナから入力された受信信号とアンテナに給電する送信信号とを切り替えるための送信用フィルタ素子及び受信用フィルタ素子を含むデュプレクサが設けられている。
アンテナから入ってきた無線信号は、直接、又はデュプレクサの前段に設けられた分波回路（Diplexer、Triplexer）を通ってデュプレクサに入力され、ここで受信用フィルタ素子によって受信信号が選択的に通過される。受信信号は、低雑音増幅器で増幅され、高周波フィルタ素子を通過して帯域外の信号が阻止され、信号処理回路に供給される。
【０００４】
一方、送信信号は、所定の周波数帯域を通過させる高周波フィルタ素子を通って電力増幅器に伝えられる。電力増幅器は、この送信信号を電力増幅し、出力整合回路を通して前記デュプレクサに供給する。
さらに、前記電力増幅器の出力信号強度をモニタするための方向性結合器が、前記出力整合回路に接続されている。
【０００５】
前記高周波モジュールにおいて、送信信号と受信信号とを分離するデュプレクサ、受信回路に設けられた高周波フィルタ素子、送信回路に設けられた高周波フィルタ素子として、ＩＤＴ電極（Inter Digital Transducer）を有する弾性表面波素子が使用されている。
弾性表面波素子は、小型で、急峻なフィルタ特性を有し、量産性に優れる等の優れた特長を有する。
【特許文献１】特開平１０−２１５１４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このような高周波モジュール１０１を無線通信機器のメイン基板１０２へ実装する場合において、図９に示すように、通常接地された金属製のシールドケース１０３を被せることで、無線通信機器内の電子部品への電力漏洩や干渉を低減させる対策を施している。
前記シールドケース１０３は、接地電位を持っているが、面積の大きな導体であるので、一様な接地電位を保つことができないというおそれがある。
【０００７】
したがって、前述の従来の方法で高周波モジュール１０１をシールドケース１０３で覆う場合、そのシールドケース１０３が配置されることによって、メイン基板１０２へ搭載された弾性表面波素子のＩＤＴ電極とシールドケース１０３とが電磁的に相互作用し、弾性表面波素子の減衰特性が劣化するという問題がある。
本発明は、上述の問題点に鑑みて案出されたものであり、その目的は、無線通信機器内に配置された状況においても、減衰特性の変動を受けなくすることが可能となり、かつ弾性表面波素子の減衰特性自体の改善も可能とする高周波フィルタ部品を提供することにある。
【０００８】
さらに本発明の目的は、複数の弾性表面波素子を備えるデュプレクサ、及びそれを搭載した高周波モジュール、無線通信機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記目的を達成するための本発明は、圧電基板の一方主面にＩＤＴ電極が形成された弾性表面波素子を、前記一方主面を回路基板表面に対向させるように実装してなる高周波フィルタ部品であって、前記圧電基板の前記一方主面とは反対の面に導体が形成されるとともに、前記回路基板表面に設けられた接地電極に前記導体が接続されたことを特徴とする高周波フィルタ部品である。
【００１０】
この構成によれば、圧電基板の反対面に形成された導体を前記回路基板に設けられた接地電極を用いて接地することにより、弾性表面波素子を無線通信機器のシールドケース内に配置した場合においても、減衰特性の変化を抑えることが可能となる。これは、弾性表面波素子と前記導体との距離が非常に短い距離なので（圧電基板の厚みにほぼ等しい）、弾性表面波素子の全体を完全な接地導体で覆ったような形態をとることができるからである。
【００１１】
また、圧電基板の反対面に形成された導体を前記回路基板に設けられた接地電極と接続することにより、弾性表面波素子のＩＤＴ電極から発せられる伝播波が圧電基板の反対面で反射されることに伴う入出力端子間における減衰特性の劣化も防ぐことが可能となっている。
また本発明は、第１の圧電基板の一方主面にＩＤＴ電極が形成された受信用弾性表面波素子と、第２の圧電基板の一方主面にＩＤＴ電極が形成された送信用弾性表面波素子とを、それぞれの前記一方主面を回路基板表面に対向させるように実装するとともに、前記回路基板の表面または内部に位相調整回路を設けてなるデュプレクサであって、前記第１の圧電基板及び／又は第２の圧電基板の前記一方主面とは反対の面に導体が形成されるとともに、前記回路基板表面に設けられた接地電極に前記導体が接続されたデュプレクサである。
【００１２】
なお、本発明において、受信用弾性表面波素子と送信用弾性表面波素子とは、同一の圧電基板に形成されることがある。この場合は、その同一の圧電基板の一方主面とは反対の面に、導体が形成されるとともに、前記回路基板表面に設けられた接地電極に前記導体が接続された構成になる。
これらのデュプレクサにおいても、前記前記高周波フィルタ部品の構成と同様、圧電基板の反対面に形成された導体を前記回路基板に設けられた接地電極を用いて接地することにより、弾性表面波素子を無線通信機器のシールドケース内に配置した場合においても、弾性表面波素子の減衰特性の変化を抑えることが可能となる。
【００１３】
また、圧電基板の反対面に形成された導体を前記回路基板に設けられた接地電極と接続することにより、弾性表面波素子のＩＤＴ電極から発せられる伝播波が圧電基板の反対面で反射される事に伴う入出力端子間における減衰特性の劣化も防ぐことが可能となっている。
ここで、前記高周波フィルタ部品およびデュプレクサにおいては、前記接地電極と前記導体とをワイヤボンディングによって接続するのが好ましい。
【００１４】
また本発明は、前記デュプレクサを具備するとともに、分波回路、電力増幅器、高周波フィルタのいずれか又は全てを具備する高周波モジュールである。前記デュプレクサは送信信号と受信信号との分離がよく、優れた特性を備えた高周波モジュールとすることができる。
また、本発明の無線通信機器は、前記高周波モジュールを備えることにより、優れた送受信特性を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態を、添付図面を参照しながら詳細に説明する。
図１は、圧電基板３０の一方主面にＩＤＴ電極が形成された弾性表面波素子を、前記一方主面（ＩＤＴ電極が形成された面）を回路基板２０の表面に対向させるように実装した状態を示す断面図である。
圧電基板３０には、例えばタンタル酸リチウム単結晶、ニオブ酸リチウム単結晶、四ホウ酸リチウム単結晶が、それぞれ電気機械結合係数が大きく、かつ周波数温度係数が小さいため好適に用いられる。
【００１６】
携帯電話機に搭載されることを想定して、前記圧電基板３０の厚み、面積の数値例をあげると、厚みは０．２５ｍｍ、面積は２．５ｍｍ2程度である。
圧電基板３０の一方主面には、ＩＤＴ（Inter Digital Transducer）電極３１、信号入出力電極３２及び接地電極（図示せず）が形成されている。この弾性表面波素子は、ＩＤＴ電極３１により、並列に接続された複数の２重モード型フィルタを複数段カスケード接続したＤＭＳ型（Dual Mode Ｓaw）を構成することによって、急峻でかつ低損失なフィルタ特性を実現することができる。
【００１７】
さらに、圧電基板３０の一方主面において、ＩＤＴ電極３１、信号入出力電極３２及び接地電極（以下、「ＩＤＴ電極等」という）に対して、これらを取り囲むように、略四角形状の環状電極３３が形成されている。このような環状電極３３を圧電基板３０の外縁部に沿って設けることにより、ＩＤＴ電極等をその内側に、広い面積を利用して有効に配置することができる。なお、上述のＩＤＴ電極３１を接地するための接地電極（図示せず）としての機能を、この環状電極３３にもたせてもよい。
【００１８】
前記ＩＤＴ電極等は、圧電基板３０の一方主面に、スパッタリング法等の真空成膜技術によりアルミニウム等の金属膜を成膜し、その後、フォトリソグラフィ等の手段を用いて所望のレジストパターンを形成し、それをマスクとして不要な箇所をエッチングにより除去することによって形成される。
前記圧電基板３０の他方主面、すなわちＩＤＴ電極等の形成面と反対の面には、Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ，Ａｇなどからなる導体膜３４が、蒸着やスパッタリング等の成膜法により一面に形成されている。後述のように、導体膜３４をワイヤボンディングにより接地用の導体パッド４２に接続する場合には、導体膜３４にはＡｕ等のめっきが施されているのが好ましい。なお、導体膜３４の厚みは、１μｍ程度である。
【００１９】
一方、回路基板２０は、複数の誘電体層を積層したものである。
回路基板２０の材料として、例えばアルミナを主成分とするセラミックスや、低温で焼結可能なガラスセラミックス、又は有機材料を主成分とするガラスエポキシ樹脂等が用いられる。
一例として、低温焼成セラミック基板について説明する。各誘電体層は、誘電体セラミック材料、焼結助剤、低融点ガラス材料等によって形成される。誘電体セラミック材料としては、例えばＢａＯ−ＴｉＯ2系、Ｃａ−ＴｉＯ2系、ＭｇＯ−ＴｉＯ2系等のセラミック材料が用いられる。これらのセラミック材料を用いる場合、誘電率が比較的高く、小さな面積でも充分な静電容量を得ることができるため、ストリップライン長を短縮して、全体構造の小型化に供することができる。また焼結助剤としては、例えば、ＢｉＶＯ4、ＣｕＯ、Ｌｉ2Ｏ、Ｂ2Ｏ3等が用いられる。誘電体層の厚みは、１層あたり５０〜３００μｍ程度に設定される。
【００２０】
回路基板２０を製造するには、前記誘電体セラミック材料と有機バインダとを有機溶剤等で均質混練したスラリーをシート状に成型したグリーンシートを作製し、所望の配線パターンや内部導体接続用ビアホールパターンを形成した後、これらグリーンシートを積層し圧着することにより一体形成して焼成する。
前記各誘電体層に形成される導体パターンは、Ａｕ，Ｃｕ，Ａｇ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｗ等の金属導体をスクリーン印刷あるいは蒸着やスパッタリング等の成膜法とエッチングとの組合せ等により形成される。各導体パターンには、さらにＩＤＴ電極等との良好な接合に必要であれば、表面にＮｉあるいはＡｕ等のめっきを施してもよい。
【００２１】
回路基板２０の上面には、圧電基板３０の信号入出力電極３２に対応する導体パッド３５が形成され、圧電基板３０の前記環状電極３３に対応させて環状導体３６が形成されている。
前記導体パッド３５や環状導体３６は、誘電体層を貫通して形成されるビアホールに沿って設けられたビア導体３７によって、回路基板２０の下面に形成された信号入出力用端子３８や、接地端子３９に対して、接続される。
【００２２】
ＩＤＴ電極等が形成された圧電基板３０の一方主面は、図１に示すように、回路基板２０の上面に対向して配置される。そして、ＩＤＴ電極等と回路基板２０の各導体パッド３５とが半田等のろう材で接続される。また、前記環状電極３３が、回路基板２０の上面に形成された環状導体３６に、半田等のろう材を用いて、環状に封止するようにして接続される。
【００２３】
前記環状の封止により、圧電基板３０の動作面側の気密性を保つことができるので、弾性表面波素子を外装保護材等による影響を受けることなく安定して動作させることができるとともに、その動作を長期間にわたって安定して行わせることができ、高信頼性の高周波フィルタ部品とすることが可能となる。このような接続形態をフェースボンディングという。
【００２４】
図２は、弾性表面波素子を回路基板２０に実装することによって構成された高周波フィルタ部品を示す平面図である。図３は同断面図である。
この高周波フィルタ部品は、弾性表面波素子と、弾性表面波素子を実装する回路基板２０とを含んでいる。
圧電基板３０の一方主面に形成されたＩＤＴ電極等は、回路基板２０の上面に形成された各導体パッドに接続され、各導体パッドは、回路基板２０を貫くビア導体３７によって、回路基板２０下面に形成された信号入出力用端子３８や、接地端子３９に接続される。
【００２５】
本発明の実施形態におけるこの高周波フィルタ部品の特徴的な構成は、圧電基板３０の他方主面、すなわち一方主面（ＩＤＴ電極等が形成された面）と反対の面に導体膜３４が形成され、回路基板２０の上面に接地用の導体パッド４２が設けられていることである。
この接地用の導体パッド４２は、図３に示すように、回路基板２０を貫くビア導体３７によって、回路基板２０下面に形成された接地端子３９に接続される。なお、ビア導体３７は、回路基板２０の中層に形成された接地端子に接続されていてもよい。
【００２６】
なお、接地用の導体パッド４２の接地方法は、図３の形態に限定されるものではない。例えば、図示しないが、回路基板２０の上面に形成されたいずれかの接地端子に、導体パターンを介して接続されていてもよい。
そして、圧電基板３０の他方主面、すなわち一方主面（ＩＤＴ電極等が形成された面）と反対の面に形成されている導体膜３４と回路基板２０の上面に形成されている接地用の導体パッド４２とが、ワイヤ４１により結線されている。
【００２７】
この回路基板２０の表層に、前記弾性表面波素子の実装を行ったあとに、エポキシ樹脂やビフェノール樹脂，ポリイミド樹脂などの樹脂Ｍにより弾性表面波素子を覆う。かかる樹脂Ｍにより、圧電基板３０を機械的衝撃や水分・薬品等から保護することが可能となり、高信頼性の高周波フィルタ部品とすることができる。
ここで圧電基板３０に形成されている導体膜３４を接地することによる効果を説明する。
【００２８】
この高周波フィルタ部品を、無線通信機器のメインボードに搭載した状態では、高周波フィルタ部品の外部に、無線通信機器のシールドケース等が配置される。シールドケースは、接地電位を持っているが、面積の大きな導体であるので、一様な接地電位を保つことができない。このため、前記シールドケースと弾性表面波素子のＩＤＴ電極３１との間で電磁場的な結合が惹き起こされ、結果的に無線通信機器の高周波特性に影響を及ぼすことが判明している。
【００２９】
そこで、圧電基板３０の導体膜３４を接地することとすれば、弾性表面波素子のＩＤＴ電極３１を、ＩＤＴ電極３１から近接した距離（圧電基板３０の厚み程度の距離）において、接地電位の導体膜３４でカバーすることができるので、前記現象の発生を防止することができる。
そこで、この圧電基板３０の他方主面に形成されている導体膜３４を、ワイヤ４１を介して、回路基板２０の表層に配置される接地用の導体パッド４２と接続したのである。
【００３０】
この接続により、前記導体膜３４を接地電位に落とすことができ、高周波モジュールの外部に配置されるシールドケースと弾性表面波素子との干渉を抑制することが可能となる。
なお、本発明における導体としての導体膜３４は、少なくともＩＤＴ電極３１の形成された領域の裏側に形成されているのが好ましく、圧電基板３０の他方主面の全面または略全面に形成されているのが特に好ましい。また、接続方法としては、導体ペーストなどによる接続も考えられるが、他の実装部品などに影響を与えない方法として上述のワイヤボンディングが好ましい。
【００３１】
次に、高周波フィルタ部品の一種として、送信信号と受信信号との分離を行うデュプレクサについて説明する。このデュプレクサは、送信用と受信用の弾性表面波素子により構成される。
図４は、２つの弾性表面波素子の回路基板２０への実装状態を示す平面図である。図５は、同断面図である。
【００３２】
このデュプレクサを構成する弾性表面波素子は、圧電基板３０上にＩＤＴ電極等が形成された、通過周波数帯域の異なる２種類の弾性表面波素子からなる。
低い周波数帯域の弾性表面波素子は、本発明の実施の形態では、送信用の弾性表面波素子に使用され、高い周波数帯域の弾性表面波素子は、受信用の弾性表面波素子に使用される。
【００３３】
図５において回路基板２０の内部には、デュプレクサの構成要素であるインピーダンス調整回路３ｃが内層されており、これらの回路基板２０の表層を樹脂Ｍにより覆う構造となっている。
本実施形態では、受信用の弾性表面波素子の圧電基板３０の導体膜３４を、ワイヤ４１を介して、回路基板２０の表層に配置される接地用の導体パッド４２と接続している。
【００３４】
この接続により、前記導体膜３４を直接接地電位に落とすことができ、高周波モジュールの外部に配置されるシールドケースと弾性表面波素子との干渉を抑制することが可能となる。
なお、図５では、受信用の弾性表面波素子の圧電基板３０の導体膜３４を接地し、送信用の弾性表面波素子の圧電基板の導体膜を接地していない。受信側の導体膜３４を接地するのは、携帯電話機から送信する電力と、受信する電力とが大きく違う事に起因している。すなわち、受信電力は、空間に存在するノイズとほぼ同等レベルの微弱な電力であることから、受信用の弾性表面波素子の減衰特性が劣化するのを避ける必要性が大きいためである。
【００３５】
もちろん、受信用の弾性表面波素子の圧電基板３０の導体膜３４のみならず、送信用の弾性表面波素子の圧電基板の導体膜を接地してもよい。また、場合によっては、送信用の弾性表面波素子の圧電基板の導体膜のみを接地することもある。
また、上に説明したデュプレクサは、送信用、受信用の２つの弾性表面波素子を別々の圧電基板に搭載していた。ところが最近では、送信用、受信用の２つの弾性表面波素子を同一の圧電基板（共通圧電基板という）に搭載する構造も提案されている。この場合、共通圧電基板の厚みは０．２５ｍｍ、面積は５．４ｍｍ2程度である。
【００３６】
このような共通圧電基板を用いた場合でも、共通圧電基板の一方主面（両ＩＤＴ電極等が形成された面）と反対の面に導体膜を形成し、ワイヤ等により接地する構造とすることが望ましい。これにより、弾性表面波素子の減衰特性の劣化を防ぐことができる。なお、この場合においても、導体膜は、少なくとも受信用の弾性表面波素子領域に相当する部分に形成されているのが好ましい。
【００３７】
次に、本発明の高周波フィルタ部品及び本発明のデュプレクサが組み込まれた高周波モジュールについて説明する。
図６は、携帯電話機等の無線通信機器に用いられる、ＣＤＭＡデュアルバンド方式の高周波信号処理部のブロック構成図を示す。
このＣＤＭＡデュアルバンド方式では、高周波信号処理部は、セルラー方式800ＭＨｚ帯及びＰＣＳ(Personal Communication Services)方式１．９ＧＨｚ帯の周波数バンドを持った２つの送受信系と、ＧＰＳ(Global Positioning System)による測位機能を利用するためのＧＰＳの受信バンド１．５ＧＨｚ帯を持った１つの受信系とから構成される。
【００３８】
このような構成の高周波信号処理部を搭載した無線通信機器においては、各部に対する小型化、軽量化の要求が大きく、これらの要求を考慮して、高周波信号処理部は、所望の特性が達成できる単位で高周波モジュール化されている。
すなわち、図６の破線１９で示したように、分波回路２、デュプレクサ３，４、電力増幅器７，８、方向性結合器５，６などを含む分波系回路及び送信系回路を、１つの基板に形成した１つの高周波モジュール１９を形成している。
【００３９】
なお、高周波モジュールを、800ＭＨｚ帯の高周波モジュールと、１．９ＧＨｚ帯の２つの高周波モジュールに分けるという実装方法も可能である。さらに低雑音増幅器ＬＮＡ１２，１３と受信用高周波フィルタ１４，１５とを高周波モジュール内に取り込んでもよい。
以下、800ＭＨｚ帯と、１．９ＧＨｚ帯の２つの周波数帯を含む１つの高周波モジュール１９に基づいて説明する。
【００４０】
図６において、２は周波数帯を分けるための低域通過フィルタと高域通過フィルタとを含む分波回路、３ａは1.9ＧＨｚ帯の送信系を分離する送信用フィルタ、３ｂは同受信系を分離する受信用フィルタ、４ａは８００ＭＨｚ帯の送信系を分離する送信用フィルタ、４ｂは同受信系を分離する受信用フィルタである。また、１１は前記分波回路２から取り込まれるＧＰＳ信号を通過させるためのＧＰＳフィルタである。３ｃ，４ｃは、それぞれ受信信号の位相を回転させるインピーダンス調整回路である。
【００４１】
５，６は、送信電力をモニタするための方向性結合器である。７，８は、それぞれ８００MHｚ帯，１．９GHｚ帯の送信信号を電力増幅する電力増幅器である。９，１０は送信信号の８００MHｚ帯，１．９GHｚ帯の周波数帯のみ通過させる高周波フィルタＢＰＦである。１６、１７はＲＦＩＣ、１８はベースバンドＩＣである。
前記送信用フィルタ３ａ，４ａ、受信用フィルタ３ｂ，４ｂ、ＧＰＳフィルタ１１、高周波フィルタ９，１０，１４，１５のうちいずれか１つ以上は、本発明の構造を有する高周波フィルタ部品で構成されるものである。
【００４２】
以下、送信系における信号の流れを説明する。送信信号処理回路１６から出力されるセルラー送信信号は、高周波フィルタ９でノイズが削減され、電力増幅器７に伝えられる。送信信号処理回路１７から出力されるＰＣＳ送信信号は、高周波フィルタ１０でノイズが削減され、電力増幅器８に伝えられる。
電力増幅器７，８は、それぞれ８００MHｚ帯，１．９GHｚ帯の周波数帯の送信信号を電力増幅する。増幅された送信信号は、方向性結合器５，６を通り、前記送信用フィルタ４ａ，３ａに入力される。
【００４３】
方向性結合器５，６は、電力増幅器７，８からの出力信号のレベルをモニタして、そのモニタ信号に基づいて電力増幅器のオートパワーコントロールするためのものである。そのモニタ出力は、検波用回路に入力される。
一方受信系は、受信用フィルタ４ｂ，３ｂで分離された受信信号を増幅する低雑音増幅器LNA１３，１２と、受信信号からノイズを除去する高周波フィルタ１５，１４とを備えている。高周波フィルタ１５，１４を通った受信信号は、受信信号処理回路１７に伝えられ信号処理される。また、前記ＧＰＳ用フィルタ１１で分離されたＧＰＳ信号は、受信信号処理回路１７に入力され信号処理される。
【００４４】
図７は、前記高周波モジュールを実装した回路基板２０を示す平面図である。図８は同断面概略図である。
図７に示すように、回路基板２０の表層には、電力増幅器７，８の一部である電力増幅用半導体素子２１，２２、デュプレクサ３，４、ＧＰＳ用フィルタ１１、高周波フィルタ９，１０が搭載されている。また電力増幅器７，８の一部である電力増幅用整合回路２３，２４がチップ部品や層内パターンで形成されている。
【００４５】
図８に示すように、回路基板２０の内部には、方向性結合器５，６、分波回路２、デュプレクサ３，４の構成要素であるインピーダンス調整回路３ｃ，４ｃが層内パターンの形で形成されている。
これらの回路基板２０の表層に、樹脂モールドにより製品を覆う構造となっている。
なお、本発明は上述の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更・改良等が可能である。
【００４６】
例えば、弾性表面波素子としてＤＭＳ型（Dual Mode Saw）以外にラダー型の電極構成を用いてもよく、圧電基板の一方主面（ＩＤＴ電極等が形成された面）と反対の面に形成された導体膜を接地するのに、ワイヤを用いるのに代えて、導電性ペーストもしくは導電性樹脂により接地してもよい。その他、本発明の範囲内で種々の変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】圧電基板３０の一方主面にＩＤＴ電極等が形成された弾性表面波素子を、回路基板２０へ実装した状態を示す断面図である。
【図２】回路基板２０に、弾性表面波素子を実装することによって構成された高周波フィルタ部品を示す平面図である。
【図３】同高周波フィルタ部品の断面図である。
【図４】デュプレクサを構成する弾性表面波素子の回路基板２０への実装状態を示す平面図である。
【図５】同実装状態を示す断面図である。
【図６】携帯電話装置等の無線通信機器における高周波信号処理部の構成を示すブロックである。
【図７】前記高周波モジュールを実装した回路基板を示す平面図である。
【図８】同回路基板を示す断面概略図である。
【図９】高周波モジュールを無線通信機器のメイン基板へ実装した状態を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４８】
２  分波回路
３  ８００ＭＨｚ帯デュプレクサ
３ａ  ８００ＭＨｚ帯デュプレクサの送信用弾性表面波素子
３ｂ  ８００ＭＨｚ帯デュプレクサの受信用弾性表面波素子
３ｃ  ８００ＭＨｚ帯デュプレクサのインピーダンス調整回路
４  １９００ＭＨｚ帯デュプレクサ
４ａ  １９００ＭＨｚ帯デュプレクサの送信用弾性表面波素子
４ｂ  １９００ＭＨｚ帯デュプレクサの受信用弾性表面波素子
４ｃ  １９００ＭＨｚ帯デュプレクサのインピーダンス調整回路
９、１０  送信用高周波フィルタ
１１  ＧＰＳフィルタ
１４，１５  受信用高周波フィルタ
２０  回路基板
３０  圧電基板
３１  ＩＤＴ電極
３２  信号入出力電極
３３  環状電極
３４  導体膜
３５  導体パッド
３６  環状導体
３７  ビア導体
３８  信号入出力用端子
３９  接地端子
４１  ワイヤ
４２  接地用の導体パッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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