(57)【要約】【課題】  膜質を向上させ、射出性能を安定させるインクジェットヘッドの電極形成方法を提供する。【解決手段】  真空槽１０１内に設置した圧電体からなる基材１０３に対して、真空槽１０１内において薄膜材料を加熱、蒸発させ、基材１０３の表面に前記薄膜材料からなる薄膜を蒸着させる蒸着工程と、基材１０３の表面にイオンを照射するイオン照射工程とにより基材１０３の表面に前記薄膜材料からなる取り出し電極５１を形成するインクジェットヘッドの電極形成方法であって、基材１０３の表面に前記薄膜材料を形成する際の接着エネルギーを供給するために、前記イオン照射工程を開始した後に、そのイオン照射工程中に前記蒸着工程を行う。【選択図】      図１
2006103134.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空槽内に設置した圧電体からなる基材に対して、前記真空槽内において薄膜材料を加熱、蒸発させ、前記基材の表面に前記薄膜材料からなる薄膜を蒸着させる蒸着工程と、前記基材の表面にイオンを照射するイオン照射工程とにより、前記基材の表面に前記薄膜材料からなる取り出し電極を形成するインクジェットヘッドの電極形成方法であって、
前記基材の表面に前記薄膜材料を形成する際の接着エネルギーを供給するために、前記イオン照射工程を先に開始し、そのイオン照射工程中に前記蒸着工程を行うことを特徴とするインクジェットヘッドの電極形成方法。
【請求項２】
前記イオン照射工程は、前記基材を介して対向する複数の方向からイオン照射されることを特徴とする請求項１に記載のインクジェットヘッドの電極形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極に電圧を印加してチャネルを変形させてインクを吐出するインクジェットヘッドの電極形成方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、電極に電圧を印加してチャネルを変形させてインクを吐出するインクジェットヘッドは、図５に示すように、複数の隔壁４が所定の間隔で設けられることによって複数のチャネル（チャネル列）３が形成され、前記チャネルに沿って設けられた電極５と、これら各々の電極５を延設した取り出し電極５１とを具備した基板１０を有する。
【０００３】
また、インク供給口７から供給されたインクをノズル板６に設けられたインク吐出口６ａから射出させるために、駆動電源により電極５に電圧を印加するドライバ基板８の電極８１が取り出し電極５１に接続されるように構成されている。
【０００４】
また、図５のＡ−Ａ断面図である図６に示すように、各隔壁４の壁面には電極５が形成されている。隔壁４は分極方向の異なる２枚の圧電体からなる厚基板１２，２２からなるため、各電極５は、それら両厚基板１２，２２を駆動させるべく、少なくとも各隔壁４を構成している薄基板１１及び厚基板１２に亘る両側面の全面に形成されているが、必ずしも底面に形成されているとは限らない。
【０００５】
カバー部材２は、電極５を形成した後に隔壁４上面にエポキシ系接着剤等の接着剤を用いることにより接合されるものであり、基板１０と貼り合わされた際にソリ、変形、熱膨張係数の差による剥離等を生じさせないため、基板１０と同じ材料又は基板１０と同じ熱膨張係数を持つ非圧電性基板が採用される。これにより、チャネル３は一部、すなわち側壁及び底壁が圧電体により形成される。
【０００６】
また、図５のＢ−Ｂ断面図である図７に示すように、基板１０（薄基板１１）の表面には、電極５を延設してなる取り出し電極５１が略矩形の断面形状で形成されている。そして、基板１０にドライバ基板８が接続される側における斜視図である図８に示すように、基板１０（薄基板１１）の上面（薄基板１１においてドライバ基板８が接続される面）から見た取り出し電極５１の平面形状も矩形をなしている。
【０００７】
取り出し電極５１の形成方法としては、例えば、イオンプレーティング法による真空蒸着がある（特許文献１参照）。具体的にイオンプレーティング法とは、真空中にＡｒガスを導入し、高電圧の印加によりプラズマを発生させ、金属又はセラミックスを抵抗加熱又は電子ビーム等により蒸発した粒子をイオン化させて高エネルギー状態とし、対象となる基材表面に被膜を形成させる技術である。
【０００８】
このイオンプレーティング法の特長として以下が挙げられる。
（１）蒸着物をイオン化し、被蒸着物と電気的に結合させるので接着力が高い。
（２）プラズマ雰囲気下で被膜形成を行うため、回り込み性が高い。
（３）高密度なイオンフラックス下での蒸着であるため、被膜の緻密化による硬度上昇
【０００９】
しかしながら、このイオンプレーティング法をインクジェットヘッドの取り出し電極５１の形成に用いるには以下のような問題があった。
【００１０】
（１’）「電気的に結合」の問題点：基材となる圧電体は絶縁体であるため、プラズマ雰囲気下ではチャージアップする可能性があり、その際の放電によって基材が損傷する可能性がある。
【００１１】
（２’）「回り込み性が高い」の問題点：不必要な箇所への薄膜形成を避けるため、マスキングの徹底が必要。また不要部分の除去が必要となり、工数がかかってしまう。
【００１２】
（３’）「硬度向上」の問題点：外部駆動回路（上記電極８１）との接続の際に接続部材を電極に食い込ませることで確実な導通を確保するため、硬すぎる膜はここでは好ましいものではない。
【００１３】
従って、上記（１’）〜（３’）の問題点を解決し、取り出し電極５１として最適な性質の膜を得ることが望まれていた。このような問題を解決する可能性のある技術としてイオンビームアシスト蒸着法がある。
【００１４】
ここで、イオンビームアシスト蒸着法とは、膜付き性の向上と膜質の向上とを図る目的で、蒸着粒子と併せてイオンを照射する薄膜形成技術であり、特許文献２には、液体噴射ヘッドを製造するにあたり、絶縁膜をイオンビームアシスト蒸着法で作成する技術が開示されている。
【００１５】
【特許文献１】特開２００２−２６４３４３号公報
【００１６】
【特許文献２】特開２００４−８２７２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
しかしながら、特許文献２に記載の発明では、絶縁膜の形成時の破損を防ぐために、流路形成基板１０と封止基板３０との接着温度よりも低い温度で形成する（特許文献２の図６（ａ）参照）手段として、イオンビームアシスト蒸着法を採択したに過ぎない。
【００１８】
つまり、インクジェットヘッドの取り出し電極を形成するに当たっては、発熱及びノイズを抑制する目的から膜質の安定化が重要である。これが最終的には射出安定性に繋がるものである。従って、特許文献２に記載された絶縁膜の形成技術を、単にそのまま取り出し電極の形成技術に転用しても上記問題を十分に解決しうる効果は得られない。
【００１９】
具体的には、取り出し電極５１を真空蒸着で形成する際、基材となる圧電体が絶縁体であるため、蒸着のみでは接着力が弱く、膜剥離が発生すること、及び、蒸発した金属分子が圧電体上で凝固する際に、柱状に成長するため、圧電体の表面に均一に膜が形成されず、電界も不均一になりがちであったこと、といった原因によって、射出性能の安定性の低下を招いていただけでなく、製造歩留まりが上がらず、コストアップを引き起こしていた。
【００２０】
また、射出性能の安定性が低いため、製品の性能のばらつきも大きくなり、射出品質の向上が図れなかった。
【００２１】
さらには、上記のような問題があると、近年の小液滴化に対して対応が困難になる。従って、噴出能力の許容幅も狭まるため、ばらつきがあると所望の性能を満足できないものが増え、さらに歩留まりが悪化するという事態を招くこととなっていた。
【００２２】
本発明は、以上の問題点に鑑みてなされたものであって、その目的は、膜質を向上させ、射出性能を安定させるインクジェットヘッドの電極形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
上記課題を解決するための、請求項１記載の発明に係るインクジェットヘッドの電極形成方法は、真空槽内に設置した圧電体からなる基材に対して、前記真空槽内において薄膜材料を加熱、蒸発させ、前記基材の表面に前記薄膜材料からなる薄膜を蒸着させる蒸着工程と、前記基材の表面にイオンを照射するイオン照射工程とにより、前記基材の表面に前記薄膜材料からなる取り出し電極を形成するインクジェットヘッドの電極形成方法であって、前記基材の表面に前記薄膜材料を形成する際の接着エネルギーを供給するために、前記イオン照射工程を先に開始し、そのイオン照射工程中に前記蒸着工程を行うことを特徴とする。
【００２４】
上記課題を解決するための、請求項２記載の発明に係るインクジェットヘッドの電極形成方法は、請求項１に記載のインクジェットヘッドの電極形成方法において、前記イオン照射工程は、前記基材を介して対向する複数の方向からイオン照射されることを特徴とする請求項１に記載のインクジェットヘッドの電極形成方法。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、取り出し電極を表面に形成する圧電体に対して、真空蒸着する前からイオン照射するイオンビームアシスト蒸着法を採用することで、圧電体界面における取出し電極が形成される領域の汚れを除去し、間隙が生じる柱状構造の形成を抑制して高い被膜率の取り出し電極が形成されることとなり、結果として、射出安定性の高い取り出し電極の形成方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明に係るインクジェットヘッドの電極形成方法の実施形態につき、図面を参照して説明する。
【００２７】
図１は、インクジェットヘッドの全体構成の概要を示す部分波断斜視図である。また、図２は、インクジェットヘッドの構成を示す側面図である。図１に示すように、インクジェットヘッドは、圧電体からなる薄基板１１と厚基板１２とから構成される第１の基板１０と、その第１の基板１０と同様に、圧電体からなる薄基板２１と厚基板２２とから構成される第２の基板２０とが相反する方向に互いに接合されてなる。
【００２８】
薄基板１１及び厚基板１２（薄基板２１及び厚基板２２）はそれぞれの分極方向を異にして接合されており、その接合方法は、エポキシ系接着剤等の接着剤を用いた接合を採用できるが、接合可能であれば特にこれに限定されない。
【００２９】
ここで、薄基板１１及び厚基板１２（薄基板２１及び厚基板２２）を構成する圧電性材料は、電圧を加えることにより応力変化を生じるものであれば特に限定されず、公知のものが用いられ、有機材料からなる基板であっても良いが、圧電性非金属材料からなる基板が好ましく、この圧電性非金属材料からなる基板として、例えば成形、焼成等の工程を経て形成されるセラミックス基板、又は成形、焼成を必要としないで形成される基板等がある。有機材料としては、有機ポリマー、有機ポリマーと無機物とのハイブリッド材料が挙げられる。
【００３０】
セラミックス基板としては、ＰＺＴ（ＰｂＺｒＯ３−ＰｂＴｉＯ３、第三成分添加ＰＺＴがあり、第三成分としてはＰｂ（Ｍｇ１／２，Ｎｂ２／３）Ｏ３、Ｐｂ（Ｍｎ１／３，Ｓｂ２／３）Ｏ３、Ｐｂ（Ｃｏ１／３，Ｎｂ２／３）Ｏ３等があり、さらにＢａＴｉＯ３、ＺｎＯ、ＬｉＮｂＯ３、ＬｉＴａＯ３等を用いて形成することができる。
【００３１】
また、成形、焼成を必要としないで形成される基板として、例えば、ゾル−ゲル法、積層基板コーティング等で形成することができる。ゾル−ゲル法によれば、ゾルは所定の化学組成を持つ均質な溶液に、水、酸あるいはアルカリを添加し、加水分解等の化学変化を起こさせることによって調整される。さらに、溶媒の蒸発や冷却等の処理を加えることによって、目的組成の微粒子あるいは非金属無機微粒子の前躯体を分散したゾルが作成され、基板とすることができる。異種元素の微量添加も含めて、化学組成の均一な化合物を得ることができ、出発原料には一般にケイ酸ナトリウム等の水に可溶な金属塩あるいは金属アルコキシドが用いられ、金属アルコキシドは、一般式Ｍ（ＯＲ）ｎで表される化合物で、ＯＲ基が強い塩基性を持つため容易に加水分解され、有機高分子のような縮合工程を経て、金属酸化物あるいはその水和物に変化する。
【００３２】
第１の基板１０には、円盤状の砥石（ダイシングブレード）等の公知の研削機を用いて所定の間隔で互いに平行な複数列の溝を加工することにより、インクが貯留されるチャネル３と、薄基板１１及び厚基板１２からなる駆動壁４とが交互に形成されている。
【００３３】
また、各駆動壁４の壁面には電極５が形成されている。駆動壁４は分極方向の異なる２枚の薄基板１１及び厚基板１２（薄基板２１及び厚基板２２）からなるため、各電極５は、それら両基板１１，１２（２１，２２）を駆動させるべく、少なくとも各駆動壁４を構成している圧電体基板１１及び１２（２１及び２２）に亘る両側面の全面に形成するが、必ずしも底面には形成しなくてもよい。
【００３４】
ここで、電極５となる金属は、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）を用いることができ、特に、電気的特性、加工性の点から、金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）が良く、メッキ、蒸着、スパッタで形成される。
【００３５】
さらに、電極５を薄基板１１の端部（本請求項にいう「他端」）方向に延設して取り出し電極５１が形成されており、この取り出し電極５１が、図２に示すような態様で、ドライバ基板８上に設けられた電極８１と異方性導電材を介して電気的に接続される。
【００３６】
ここで、本発明の実施形態の説明においては、第１の基板１０及び第２の基板２０に溝が形成された面を「第１の基板１０（第２の基板２０）の表面」と称する。また、取り出し電極５１を介して第１の基板１０に電気的に接続されるドライバ基板８については、取り出し電極５１に接続される電極８１が形成された面を「ドライバ基板８の裏面」と称し、その反対側の面を「ドライバ基板８の表面」と称する。従って、第１の基板１０（第２の基板２０の表面）とドライバ基板８との電気的な接続は、第１の基板１０の表面（第２の基板２０の表面）とドライバ基板８の裏面とが対向する態様で行われるものとする。
【００３７】
また、異方性導電材としては、接着、導電、絶縁の３つの機能を同時に兼ね備えた異方性導電フィルム（膜）を用いることが好ましい。この異方性導電フィルムを構成するバインダー及び導電粒子には、公知の種々の材料からなるものを用いることができる。特に、導電粒子が金属粒子であることが好ましい。金属粒子を用いることによって、アルミニウム蒸着により形成されたアルミニウム電極の酸化膜を金属粒子が突き破り良好な導通を行なうことができる。尚、異方性導電材としては、異方性導電ゴムを除くことが好ましい。一般的に、異方性導電ゴムは、大電流を流す必要があるインクジェットヘッドの電極接続には不利である。
【００３８】
そして、薄基板１１及び厚基板１２（薄基板２１及び厚基板２２）に、取り出し電極５１を残してチャネル３の大部分を覆う、インク供給口７を備えたカバー部材２が設けられている。
【００３９】
カバー基板の材料は、特に限定されず、有機材料からなる基板であっても良いが、非圧電性非金属材料からなる基板が好ましく、この非圧電性非金属材料からなる基板として、アルミナ、窒化アルミニウム、ジルコニア、シリコン、窒化シリコン、シリコンカーバイド、石英、ＰＺＴの少なくとも１つから選ばれることが好ましい。
【００４０】
この非圧電性非金属基板は、例えば成形、焼成等の工程をへて形成されるセラミックス基板、又は成形、焼成を必要としないで形成される基板等があり、焼成等の工程をへて形成されるセラミックス基板として、例えばＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、それらの混合、混融体、さらにＺｒＯ２、ＢｅＯ、ＡｌＮ、ＳｉＣ等を用いることができる。有機材料としては、有機ポリマー、有機ポリマーと有機物とのハイブリッド材料が挙げられる。
【００４１】
また、ノズル板６は、チャネル３に対応する位置にインク吐出口６ａが開穿されており、カバー部材２を接合した後の圧電体１の端面に、エポキシ系接着剤等によって接合されている。
【００４２】
一方、フレキシブル基板等からなるドライバ基板８は、その一端に延設された電極８１が各取り出し電極５１に対応して裏面に形成されている。そして、薄基板１１の表面にドライバ基板８の裏面が載置されるように、異方性導電材を介して取り出し電極５１と電極８１とが電気的に接続される。
【００４３】
次に、本発明に係るインクジェットヘッドの電極の製造方法の実施形態について図面を参照して以下に説明する。
【００４４】
図４（ａ）〜（ｇ）は、本発明に係るインクジェットヘッドの電極の製造方法の実施形態を説明する断面図である。図４（ａ）に示すように、本実施形態では、まず、第１の基板１０と第２の基板２０とが用意され、第１の基板１０は、薄基板１１と厚基板１２とからなり、同様に第２の基板２０も薄基板２１と厚基板２２とからなる。
【００４５】
次に、図４（ｂ）に示すように、第１の基板１０の厚基板１２上にドライフィルム１３を貼り、このドライフィルム１３に電極５を形成するためのパターンを施したガラス基板（図示せず）を配置して露光し現像処理をして電極パターンのドライフィルム１３を除去する。
【００４６】
また、図４（ｃ）に示すように、第１の基板１０には、電極パターンの端部に当接させながらダイシング円盤による溝加工を行ない、チャネル３を形成し、Ａｌ（アルミニウム）蒸着を行なうことにより、電極５及び引き出し電極５１を形成する。
【００４７】
ここで、電極５及び引き出し電極５１の形成方法について、図面を参照して以下に説明する。本実施形態における蒸着方法は、イオン照射を先に行うイオンビームアシスト法による真空蒸着であって、１０−４〜１０−５Ｔｏｒｒの真空中でアルゴン等の不活性ガスをイオンビームとして、基材に照射しながらＡｌ等の成膜物質の蒸着を行うものである。
【００４８】
図３は、本実施形態に用いる蒸着装置の構成を示す図である。図３に示すように、１０１は真空槽、１０２はドーム、１０３は基材（薄基板１１）、１０４は蒸発源、１０５はイオン銃、１０６はイオン銃のシャッタ、１０７はハロゲンランプ、１０８はニュートラライザ、１０９は電源コントロールユニット、１１０はガスコントロールユニット、１１１は酸素入口、１１２は排気系への接続管である。
【００４９】
まず、この真空蒸着装置の真空槽１０１内のドーム１０２に基材１０３を固定した。固定後、１×１０−６Ｔｏｒｒまで排気し、次いで真空槽１０１内の圧力を１×１０−４Ｔｏｒｒに保ったままイオン銃１０５からＡｒイオンビームを１８０秒間基材１０３に照射し、基材１０３表面のボンバードメントを行って清浄化した。
【００５０】
また、ガスコントロールユニット１１０にＡｒガスを１７ｓｃｃｍの流量で導入し、イオン加速電圧を５００Ｖ、電流値を５０ｍＡに設定して発生させたＡｒイオンビームを基材１０３に照射させる。
【００５１】
ここで、イオン照射は強すぎると圧電体を損傷してしまうので、電流値が５〜５０ｍＡ、電圧が３０〜４５０Ｖの範囲で管理する。
【００５２】
また、イオンの種類としては、Ａｒ等の不活性ガスを用いる。また、保護層の形成を兼ねて酸素等を用いてもよい。
【００５３】
また、蒸発源１０４を複数持つことも可能である。複数持つことによって、イオンの照射角度が変わり、密度の向上とスパッタ効果の増大による散乱効果で被膜率の向上がより期待できる。
【００５４】
次に、Ａｒイオンビームを基材１０３に照射させた状態で、電子銃等（図示せず）により加熱される蒸発源１０４からＡｌを１２Å／ｓの速度で基材１０３上へ蒸着させた。蒸着中、真空槽１０１内の真空度は５×１０−５Ｔｏｒｒに保ち、Ａｒイオンビーム照射による基材１０３表面のチャージアップを避けるために、イオンビーム照射と同時にニュートラライザ１０８を用いて電荷の中和を行った。
【００５５】
その際のイオン強度（電流、電圧）は一定である必要はない。また、照射回数・時間についても複数回、可変であっても問題はない。
【００５６】
蒸着開始からイオンを照射するのは、基材１０３体に金属薄膜を形成する際の接着エネルギーを供給するためと、基材１０３表面での被膜率をあげるためである。
【００５７】
仮に、蒸着途中からイオン照射したのでは、基材１０３との界面で接着力が不足することと、柱状構造の上からでは空隙が埋まらないため、効果が不十分なものとなる。ただし、開始時に照射した後、再度照射する分には問題はない。
【００５８】
このようにして基材１０３上に形成された薄膜（取り出し電極５１）について、イオン電流及びイオン電圧と、取り出し電極の剥がれ及び射出安定性との関係を示したのが、表１である。これは、イオン照射をして、蒸着を開始してから膜厚が全膜厚の７％に達するまで実施した実施例である。
【００５９】
【表１】
2006103134.tif 000003
【００６０】
（表１についての考察）
表１における各条件は、イオン銃出力と電極機能（膜付、電気的安定性としての射出安定性）との関係をとったものである。イオン銃出力が小さい場合には、イオン照射の効果が期待できない。また、出力の安定度も低下してくるため望ましくはない。また、イオン銃出力が高すぎる場合には、イオンの持つエネルギーによって基板が損傷を受け、イオン銃自体の損耗も進むこととなり、望ましいものではない。
【００６１】
イオン銃出力が小さい条件１では、ビーム出力が小さい為、接着強度が上がらず、清浄効果及び柱状構造の破壊が十分に行われないため、このような結果になったものと考えられる。一方、条件２では許容範囲内であるが、出力の安定面で条件３，４より若干劣る。条件３，４では問題なく所望の効果が得られている。
【００６２】
また、条件５では、許容範囲内であるが、イオン銃の部品寿命、メンテナンス等の面で条件３，４より若干劣る結果となっており、条件６では、イオンビーム出力が高すぎ、基板の損耗及び蒸着電極の損耗が進んでいると考えられる。また、イオン銃自体の損耗も条件５より更に加速されてくると考えられる。
【００６３】
このような順序による真空蒸着法を採用することによって、
（Ａ）蒸着前にイオン照射することで、イオンビームのスパッタ効果による被蒸着面の表面の汚れが除去され、圧電体への金属薄膜の被膜率が向上する。
（Ｂ）照射イオンのエネルギーが蒸着粒子に与えられることにより、被蒸着面との接着強度が向上する。
（Ｃ）蒸着分子は柱状に成長する為、そのままでは密度が低く、導通面からの欠損部が形成されてしまう。この為、イオンをぶつけることで柱状構造が壊され、薄膜の緻密性が向上する。
（Ｄ）イオン照射中にチャージアップを防ぐ為に、照射イオンの電荷を打ち消すような熱電子を放出するニュートラライザーを動作させることによって、絶縁体である圧電体のチャージアップを防ぎ、被蒸着面における異常放電を防止することができる。
【００６４】
従って、膜付き強度、必要な箇所のみの膜形成、接続における喰い込み性といった、取り出し電極を形成するにあたっての要求をバランスよく達成することができる。
【００６５】
その後、残されていたドライフィルム１３（電極パターン以外のドライフィルム）を、その上に蒸着されたアルミニウムとともに溶解除去することによりチャネル３に電極５を形成するとともに、この電極５に接続した取り出し電極５１を形成する。
【００６６】
同様に、第２の基板２０の薄基板２１上にドライフィルム１３を貼り、このドライフィルム１３に電極を形成するためのパターンを施したガラス基板（図示せず）を配置し、このガラス基板をマスクとして露光し現像処理をして電極パターンのドライフィルム１３を除去する。また、第２の基板２０には、同様に溝加工を行ない、チャネル３を形成し、Ａｌ蒸着を行った後、残されていたドライフィルム１３を、その上に蒸着されたアルミニウムとともに除去することによりチャネル３に電極５を形成するとともに、この電極５に接続した取り出し電極５１を形成する。
【００６７】
次に、図４（ｄ）に示すように、第１の基板１０及び第２の基板２０に、取り出し電極５１，５１を残してチャネル３，３の大部分を覆う、インク取り入れ口を備えたカバー基板２，２を設け、第１の基板１０と第２の基板２０とを、カバー基板２，２を設けた側と反対側で貼り合わせ（図４（ｅ））、中央部を切断して、チャネル３，３に対応する部分にインク吐出口６ａを有するノズルプレート６を設けて２個のインクジェットヘッド本体を製造する（図４（ｆ））。
【００６８】
その後に、図４（ｇ）に示すように、それぞれの２個のインクジェットヘッド本体には、第１の基板１０と第２の基板２０とに、インクをチャネル３，３に供給するアクチュエータ７，７を接続すると共に、異方性導電材を介して取り出し電極５１、５１にドライバ基板８，８の電極８１，８１を、加熱加圧ツール等を用いて接続して同時に２個のインクジェットヘッドを製造する。
【００６９】
このように、本発明のインクジェットヘッドは、図１〜図４に示すように、複数の隔壁４を介して形成される第１の基板１０のチャネル列と、各隔壁４に沿って設けられた電極５と、この各々の電極５を延設した取り出し電極５１とを具備する第１の基板１０と、複数の隔壁４を介して形成される第２の基板１０のチャネル列と、各隔壁４に沿って設けられた電極５と、この各々の電極５を延設した取り出し電極５１とを具備する第２の基板と、両基板１０，２０に電気的に接続されるドライバ基板８，８とを有し、第１の基板１０と第２の基板２０とを貼り合わせて構成される。
【００７０】
また、これらの形状は、取り出し電極５１の作成時に当該形状のパターンに変更して行えばいいので、工程数を増やすことがなく、歩留まりの低下を生じさせないインクジェットヘッドを提供することができる。なお、図３及び図５では、取り出し電極５１とドライバ基板８の電極８１との接続について、第１の基板１０（薄基板１１）とドライバ基板８との接続を例示しているが、第２の基板２０についても同様である。
【００７１】
また、以上の実施の形態においては、インクジェットヘッドの電極を、ドライフィルムを用いて形成したが、ドライフィルムの代わりに紫外線反応型（紫外線硬化型）のレジストを塗布する形態で製造することもできる。ドライフィルムと同様にして、電極パターンを施したガラス基板をマスクとして紫外線を照射することによりレジストに電極パターンを焼き付け、現像処理を行なうことで電極部分のレジストを除去し、その後、電極パターンの端部に当接させながらダイシング円盤で溝加工を行なって、電極５及びチャネル３となる溝部以外は、レジストで覆われた基板に、電極となるＡｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｒ（クロム）、Ｎｉ（ニッケル）等の蒸着やメッキを行い、その後レジストを溶解除去することで製造できる。
【００７２】
上述の各実施形態は、本発明の一例であり、本発明は各実施の形態に限定されることはない。また、本発明に係る技術的思想を逸脱しない範囲であれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】インクジェットヘッドの構成を示す斜視図。
【図２】インクジェットヘッドの構成を示す断面図。
【図３】本発明に係るインクジェットヘッドの電極の製造方法の実施形態における製造装置を示す図。
【図４】本発明に係るインクジェットヘッドの電極の製造方法の実施形態における製造工程を示す断面図。
【図５】従来のインクジェットヘッドの構成を示す斜視図。
【図６】従来のインクジェットヘッドのチャネルの構造を示す断面図。
【図７】従来のインクジェットヘッドの取り出し電極の構造を示す断面図。
【図８】従来のインクジェットヘッドの取り出し電極の構造を示す斜視図。
【符号の説明】
【００７４】
２  カバー部材
３  チャネル
４  隔壁
５  電極
６  ノズル板
７  インク供給口
８  ドライバ基板
１０  第１の基板
１１  薄基板
１２  厚基板
２０  第２の基板
２１  薄基板
２２  厚基板
５１  取り出し電極
８１  電極
１０１  真空槽
１０２  ドーム
１０３  基材
１０４  蒸発源
１０５  イオン銃
１０６  イオン銃のシャッタ
１０７  ハロゲンランプ
１０８  ニュートラライザ
１０９  電源コントロールユニット
１１０  ガスコントロールユニット
１１１  酸素入口
１１２  排気系への接続管
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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