(57)【要約】【課題】半導体スイッチ素子で負荷素子を駆動する回路で、水の付着などによる誤動作の対策として、特殊な回路や素子を使用せずに、安価で信頼性の高い安全回路を提供する。【解決手段】  制御回路の電源に間欠給電の電源を使用し、安全回路の電源に、負荷素子の電源と同じ常時給電の電源を使用する。安全回路は、負荷素子の両端電圧と閾値を比較することにより異常を検出する。安全回路はラッチ回路を備え、安全回路がひとたび作動したら、その作動状態が所定のタイミングまで保持される。異常電圧が検出されている時間を判別することにより、異常電圧が検出されている時間が所定の時間を超えた場合のみ、安全回路が作動するようにしても良い。本発明は、ランプなどの負荷素子が本体の表面付近に備えられているカメラなどに適用することができる。【選択図】図３
2006058852.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
負荷素子を有する装置に備えられる安全装置において、
前記負荷素子を駆動する駆動手段と、
前記駆動手段を制御する制御手段と、
前記負荷素子に電源電圧を供給する第１の電源電圧供給手段と、
所定の操作が行われたとき、前記制御手段に電源電圧を供給する第２の電源電圧供給手段と、
基準となる第１の電圧値の電圧を供給する基準電圧供給手段と、
前記負荷素子の両端にかかる電圧の第２の電圧値を検出する検出手段と、
前記第１の電圧値と前記第２の電圧値を比較する比較手段と、
前記比較手段による比較結果を保持する保持手段と、
前記保持手段により保持されている前記比較結果に応じて、前記駆動手段による前記負荷素子の駆動を停止する停止手段と
を備えることを特徴とする安全装置。
【請求項２】
前記第２の電源電圧供給手段により前記制御手段に前記電源電圧が供給されている間、前記停止手段自体の処理が停止される
ことを特徴とする請求項１に記載の安全装置。
【請求項３】
前記第２の電源電圧供給手段により前記制御手段に前記電源電圧が供給され、前記制御手段が、前記駆動手段を制御しているときには、前記停止手段自体の処理が停止される
ことを特徴とする請求項１に記載の安全装置。
【請求項４】
前記保持手段により保持されている前記比較結果は、前記制御手段の制御によりリセットされる
ことを特徴とする請求項１に記載の安全装置。
【請求項５】
前記比較手段からの同一の比較結果が所定の時間だけ、継続したか否かを判断する判断手段を
さらに備え、
前記保持手段は、前記判断手段により、前記所定の時間だけ継続されたと判断された前記比較結果を保持する
ことを特徴とする請求項１に記載の安全装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は安全装置に関し、特に、ランプなどの負荷を有する装置で、水などが内部の回路に付着するなどの要因により、不都合が発生するようなことを防ぐのに好適な安全装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
さまざまな装置が存在するが、それらの装置においては、ランプやソレノイド等の負荷素子を駆動するための手段として、半導体スイッチ素子が多用されている。その半導体スイッチ自体の制御を行うための手段としては、マイクロコンピュータが用いられることが多い。（例えば、特許文献１参照。）
【０００３】
特許文献１には、装置として、使用者が携帯可能な大きさ、重さで構成されているカメラが例として挙げられている。そのカメラには、負荷素子としてランプ、そのランプを駆動する手段としてＦＥＴ（field  effect transistor：電界効果トランジスター）、そのＦＥＴを制御する手段としてマイクロコンピュータが、それぞれ備えられている。そのようなカメラのマイクロコンピュータは、タイマーによりランプの点灯時間の制御を行うが、その制御は、ＰＷＭ（pulse width modulation：パルス幅変調）に基づき発光輝度を制御するというものである。
【０００４】
このような制御により、以下のような３つの制御が実行されている。第１に、セルフタイマーの作動中を示すため、所定の輝度での所定の回数での点滅が制御されている。第２に、オートフォーカス中に焦点の検出用の補助光として、最大輝度での点灯が制御されている。そして、第３に、閃光撮影時（フラッシュによる撮影時）の撮影される側の目が赤目となる現象を軽減するための（赤目軽減用の）光として、所定の輝度での所定の時間だけの点灯が制御されている。
【０００５】
装置としてカメラ、負荷素子としてランプが用いられた場合を例に挙げ、そのカメラにおけるランプの配置例を図１に示す。カメラ１の本体２には、ランプ３とレンズ４が備えられている。ランプ３は、本体２の前面（レンズ４が備えられている面と同一側の面）かつ上寄りの表面に配置されている。ランプ３には、大きな電流が流され、通常は、そのランプ３を駆動するための半導体スイッチ素子（図１においては不図示）もランプ３（負荷素子）の近傍、すなわち、本体２の表面近くに配置されている。
【０００６】
このように、半導体スイッチ素子も本体２の表面近くに配置される場合が多い。
【０００７】
携帯可能な装置としてのカメラ１は、屋外で使用される可能性も高い。仮に、カメラ１が屋外で激しい雨にさらされると、そのカメラ１が、完全な防水・防滴構造の装置でなければ、カメラ１の内部に雨水が侵入する可能性がある。本体２の表面近くに配置されているランプ３の付近から内部に水が入り込み、そのランプ３を駆動させるための半導体スイッチ素子（不図示）に、水が付着する可能性がある。
【０００８】
カメラ１に限らず、ランプ３などを駆動するための半導体スイッチ素子が、装置の表面近くに配置されれば、外部から水が入り込み付着するという危険性は高い。
【０００９】
半導体スイッチ素子の制御端子に水が付着した場合、上述した半導体スイッチ素子がオンして負荷素子（この場合、ランプ３）が通電されたままの状態（従って、ランプ３が点灯し続ける状態）になる可能性がある。負荷素子が長時間通電されたままになると、負荷素子の温度上昇や焼損などが発生する可能性があり、危険な故障となる可能性がある。
【００１０】
また、このような装置では、これらの負荷素子の電源として一次電池または二次電池が用いられる場合が多いが、負荷素子の長時間にわたる通電は、そのような電池にとっては過放電となるため、電池の異常加熱、ガス発生、漏液等の危険な状態となる可能性がある。
【００１１】
近年では、省エネルギーを目的として、より小さなエネルギーで作動する半導体スイッチ素子が多く用いられているが、これらの半導体スイッチ素子の制御端子は、従来のものよりハイインピーダンスとなりつつある。そのため、ますます、上述したような状況が発生する危険度は増している。
【００１２】
半導体スイッチ素子の制御端子に水が付着した場合に、上述したような、例えば、負荷素子の温度上昇や焼損といった不具合が発生する原理について、図２を参照して説明する。ランプ３の一方の端子は、電源電圧（以下、図２には図示されていない電池から供給される電源電圧を電源電圧ＶＢＡＴと、適宜記述する）が供給されるライン（以下、適宜、ＶＢＡＴラインと称する）に接続され、他方の端子は、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ１１のドレインに接続されている。
【００１３】
ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ１１のソースは、ＧＮＤラインに接続されている（接地されている）。ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ１１のゲートは、不図示の制御手段（例えば、マイクロコンピュータなど）に接続されている。
【００１４】
図２に示したような構成において、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ１１のゲートがＨｉレベルになると、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ１１がオンの状態となり、ランプ３が点灯される。ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ１１のゲートがＬｏｗレベルになると、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ１１がオフの状態となり、ランプ３が消灯する。
【００１５】
ＭＯＳ−ＦＥＴ１１のゲートとソース間に接続されている抵抗１２は、制御手段の出力能力や消費電流の観点から、抵抗値はあまり低い値に設定することはできないため、一般的に数十ＫΩから数百ＫΩの抵抗値の抵抗が用いられる。
【００１６】
このような回路において、水が付着した場合に発生する状況について説明する。第１の状況として、電源（ＶＢＡＴライン）とＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ１１のゲートの間に外部からの内部に入り込んだ水が付着してしまったような場合を考える。ＶＢＡＴラインとＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ１１のゲートの間に付着した水を、図２においては、抵抗２１（水１）として図示する。
【００１７】
水は、純水であれば、高い抵抗値の抵抗として働き、雨水など、不純物を含む水であれば、低い抵抗値の抵抗として働く。いずれにしても、図２のような構成の回路において水が付着すると、その水は、抵抗として働くと考えられる。そこで、図２においては、水１を抵抗２１として図示し、説明をする。
【００１８】
ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ１１のゲートにかかる電圧は、水１が付着した場合、電源から供給される電源電圧を、水１による抵抗２１と抵抗１２で分圧したものとなる。抵抗２１の抵抗値は、上述したように純水では非常に高いが、雨水や汚れた水では数十ＫΩまで低下する。
【００１９】
上述したように、抵抗１２は、一般的に数十ＫΩから数百ＫΩの抵抗値の抵抗が用いられ、その抵抗は、固定抵抗が用いられる。水１が付着していない状態では存在しない抵抗２１が、水１が付着することにより、擬似的に存在するようになると、その部分に電流が流れる（電圧がかかる）ことになる。そして、水１が、雨水などのために、その抵抗２１の抵抗値が小さいと、抵抗２１にかかる電圧が低くなるため、抵抗１２にかかる電圧が高くなる。
【００２０】
抵抗１２にかかる電圧が高くなるということは、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ１１のゲートにかかる電圧が上昇するということであり、その結果、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ１１がオンの状態となる。ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ１１がオンの状態になると、ランプ３が点灯する。この場合、雨水などの水１が付着することによる点灯であり、使用者などの指示による点灯と異なり、好ましくない状況での点灯である。
【００２１】
他の状況として、水がＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ１１のドレインとゲートの間に付着した場合について説明する。図２においては、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ１１のドレインとゲートの間に付着した水を、抵抗（水２）として図示している。
【００２２】
水２が付着する前は、ランプ３の電圧降下ＶＬ＝０のため、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ１１のドレインの電位はほぼ電源の電圧（ＶＢＡＴラインにより供給される電源電圧）と等しい。水２の付着により、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ１１のゲートにかかる電圧は、ドレインの電位（＝ＶＢＡＴ−ＶＬ）を、水２により抵抗２２と抵抗１２で分圧したものとなる。
【００２３】
抵抗２２の抵抗値は、抵抗２１と同様に、純水では非常に高いが、雨水や汚れた水では数十ＫΩまで低下する。抵抗１２は、上述のように数十ＫΩから数百ＫΩである。このようなことを考慮すると、上述した抵抗２１の場合と同様に、水２による抵抗２２が存在することにより、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ１１のゲートにかかる電圧が上昇し、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ１１がオンの状態となることが考えられる。
【００２４】
ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ１１がオンすると、電流ＩＬが流れるので電圧降下ＶＬが発生する。よって、ドレインの電位（＝電源電圧ＶＢＡＴ−電圧降下ＶＬ）は低下する。上述のように、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ１１のゲートにかかる電圧は、ドレインの電位を、抵抗２２と抵抗１２で分圧したものであるので、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ１１のゲートにかかる電圧も下がることになる。よって、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ１１がオフの状態とされる。
【００２５】
ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ１１がオフの状態にされると、電流ＩＬ＝０になるので電圧降下ＶＬ＝０になる。よって、ドレインの電位は上昇する。上述のように、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ１１のゲートにかかる電圧はドレインの電位を、抵抗２２と抵抗１２で分圧したものであるので、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ１１のゲートにかかる電圧も上がることになる。よって、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ１１が再びオンの状態とされる。
【００２６】
以上のように、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ１１のオンの状態とオフの状態が、交互に繰り返される結果となり、あたかもランプ３が点滅しているかのような状態になる。また、最終的に、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ１１が浅くオンした状態で平衡する可能性もある。このような場合、電圧降下ＶＬは、中間電位（例えば、電池から供給される電源電圧ＶＢＡＴ＝６Ｖに対して、電圧降下ＶＬ＝３Ｖ）になり、半ショートの状態なので電流ＩＬも流れっぱなしの状態となる。
【００２７】
以上のような問題を解決するため、以下のような手段が開示されている。以下の説明においては、ランプ３の不適切な点灯（点滅）を制御するための回路を、安全回路と記述する。
【００２８】
特開２００２−１３４３１７号公報（特許文献２）においては、負荷素子（特許文献２においては、ソレノイド）を駆動する半導体スイッチ素子の出力端子の両端の電圧を、検出手段によりモニタする。そして、半導体スイッチ素子の両端の電圧が、所定の電圧値以下であることを検出した場合、異常と判断し、負荷素子（ソレノイド）と電源の間に接続された開放手段を開放させる。このことによって、負荷素子に流れる電流を切断し、これにより負荷素子の温度上昇や損傷を防止する安全回路が開示されている。
【００２９】
特開平１０−２７０６３２号公報（特許文献３）においては、温度検出回路により温度をモニタする。そして、そのモニタしている温度が、所定の値以上であると検出された場合、異常と判断し、遮断回路を働かせて、半導体スイッチ素子（パワーＭＯＳＦＥＴ）を強制的に遮断する。このようにして、負荷素子の温度上昇や損傷を防止する安全回路が開示されている。
【特許文献１】特開２００２−３１８３３号公報
【特許文献２】特開２００２−１３４３１７号公報
【特許文献３】特開平１０−２７０６３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００３０】
例えば、ランプ３のような負荷素子が誤作動してしまっても、その誤作動を検出し、安全な状態にさせるための安全回路は、以下の３つの要件を少なくとも満たさなければならない。その３つの要件と、上述した従来例における問題点について、あわせて説明する。
【００３１】
まず第１の要件として、正常な状態での通常の負荷駆動時には、安全回路が誤作動しないことが必要である。
【００３２】
また、第２の要件として、半ショート（完全な０Ωショートではなく、所定の抵抗分をもってショートしている）の場合であっても、安全回路が作動する必要がある。半ショートの状態の場合、完全なショートの時と比べると、半導体スイッチ素子の出力端子の両端の電圧は高い値である。よって、半ショートの状態でも、安全回路を作動させる為には、閾値を上げる（高い値に設定しておく）必要がある。
【００３３】
上述した特許文献２における安全回路では、半導体スイッチ素子の出力端子の両端の電圧（特許文献２においては、半導体スイッチ素子のコレクタ・エミッタ間電圧）を検出し、その値と閾値とを比較している。そして、検出された値が、閾値よりも低くなった時に安全回路が作動する。特許文献２においては、閾値（Ｖｒｅｆ）を、通常の負荷電流時に半導体スイッチ素子の両端に生じる電圧（Ｖｃｅ（ｓａｔ））よりも低くとることにより、上述したような安全回路の動作を実現している。
【００３４】
しかしながら、特許文献２においては、上述したように、半導体スイッチ素子の出力端子の両端の電圧の値が、閾値よりも低くなった時に安全回路が作動するように設定されているため、閾値を高く設定してしまうと、半導体スイッチ素子の出力端子の両端の電圧の値が、閾値より低くなる状況が発生しやすくなり、安全回路として作動すべきでないときにも作動してしまう可能性が高くなってしまう。
【００３５】
そのために、閾値を高く設定する安全回路自体が誤動作してしまう可能性が高くなるために、閾値（Ｖｒｅｆ）をあまり高く設定することができない。よって、半ショート状態のときには、安全回路が作動しない可能性が高いといった課題があった。また、半ショート状態のときに、良好に（適切に）安全回路が作動させるのは困難であるといった課題があった。
【００３６】
第３の要件として、供給される電源電圧の電圧値が変動しても、安全回路が誤作動しないことが必要である。
【００３７】
例えば、負荷素子の電源として電池を使用した場合、正常な状態であっても、電池の内部抵抗×電流により、電池から供給される電源電圧は下がってしまう。すなわち、正常な状態のときでも、電圧値が変動し、安全回路が誤作動してしまう可能性があるという課題があった。
【００３８】
特許文献２においては、これにより、正常な状態であっても半導体スイッチ素子の出力端子の両端の電圧が、閾値（Ｖｒｅｆ）を下回り、安全回路が誤作動してしまう可能性がある。
【００３９】
特許文献３における安全回路は、電圧により所定の判断を行い作動する構成とされていないので、上述したような問題点はないが、温度検出回路という特殊な回路が必要であるために、その回路を組み込むだけの空間を必要とする、検出の精度をあげるためにはコスト高になるなどといった課題があった。
【００４０】
また、温度の変化のみで安全回路を作動させるようにすると、外部の温度変化により正常に安全回路が作動しないような場合も考えられる。また、正常に動作しているときであっても、温度が上昇することにより、安全回路が作動したときには、既に、回路の一部分が焼けてしまっているなど、正常の状態に復帰しづらい状態が発生する可能性があった。
【００４１】
本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、半導体スイッチ素子で負荷素子を駆動する回路において、水の付着などによる誤作動の対策として、特殊な回路や素子を使用すること無しに、安価で確実な安全回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００４２】
本発明の安全装置は、負荷素子を有する装置に備えられる安全装置であって、負荷素子を駆動する駆動手段と、駆動手段を制御する制御手段と、負荷素子に電源電圧を供給する第１の電源電圧供給手段と、所定の操作が行われたとき、制御手段に電源電圧を供給する第２の電源電圧供給手段と、基準となる第１の電圧値の電圧を供給する基準電圧供給手段と、負荷素子の両端にかかる電圧の第２の電圧値を検出する検出手段と、第１の電圧値と第２の電圧値を比較する比較手段と、比較手段による比較結果を保持する保持手段と、保持手段により保持されている比較結果に応じて、駆動手段による負荷素子の駆動を停止する停止手段とを備えることを特徴とする。
【００４３】
本発明においては、安全回路は、負荷素子に電源電圧を供給する電源から、電源電圧が供給される。また、負荷素子の両端の電圧と、基準電圧が比較され、その結果に基づいて、安全回路が、負荷素子の駆動を停止させる。
【００４４】
前記第２の電源電圧供給手段により制御手段に電源電圧が供給されている間、停止手段自体の処理が停止されるようにすることができる。
【００４５】
前記第２の電源電圧供給手段により制御手段に電源電圧が供給され、制御手段が、駆動手段を制御しているときには、停止手段自体の処理が停止されるようにすることができる。
【００４６】
前記保持手段により保持されている比較結果は、制御手段の制御によりリセットされるようにすることができる。
【００４７】
前記比較手段からの同一の比較結果が所定の時間だけ、継続したか否かを判断する判断手段をさらに備え、前記保持手段は、判断手段により、所定の時間だけ継続されたと判断された比較結果を保持するようにすることができる。
【発明の効果】
【００４８】
本発明によれば、例えば、水などが回路に付着することにより、回路内に不具合（ランプのような負荷素子の誤動作）が発生したような場合に、その不具合を検出し、対処することが可能となる。
【００４９】
本発明によれば、負荷素子の両端の電圧降下と基準電圧の電圧を比較し、電池から供給される電源電圧が低下したとしても誤作動せず、また、半ショートの状態であっても、負荷素子のオン、オフを制御するための半導体スイッチ素子をオフする安全回路を提供することができる。
【００５０】
本発明によれば、安全回路の内部に備えたＲＳフリップフロップ（ラッチ回路）により、安全回路がひとたび作動したら、たとえ付着していた水などが無くなったとしても、その作動状態が所定のタイミングまで保持されるようにすることにより、例えば、使用者に、不具合が発生していたことを認識させ、何らかの処置をとらせることが可能となる。
【００５１】
また、本発明の第３実施例によれば、負荷素子の両端電圧の検出に加え、異常電圧が検出されている時間が所定の時間を超えた場合のみ安全回路が作動されるようにし、例えば、マイクロコンピュータへの給電期間中であっても、安全回路が作動し、不具合が発生してもその不具合に対して対処することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５２】
以下に本発明の最良の形態を説明するが、開示される発明と実施の形態との対応関係を例示すると、次のようになる。明細書中には記載されているが、発明に対応するものとして、ここには記載されていない実施の形態があったとしても、そのことは、その実施の形態が、その発明に対応するものではないことを意味するものではない。逆に、実施の形態が発明に対応するものとしてここに記載されていたとしても、そのことは、その実施の形態が、その発明以外の発明には対応しないものであることを意味するものでもない。
【００５３】
さらに、この記載は、明細書に記載されている発明の全てを意味するものではない。換言すれば、この記載は、明細書に記載されている発明であって、この出願では請求されていない発明の存在、すなわち、将来、分割出願されたり、補正により出現し、追加される発明の存在を否定するものではない。
【００５４】
請求項１に記載の安全装置は、負荷素子を有する装置に備えられる安全装置であって、負荷素子（例えば、図３のランプ３）を駆動する駆動手段（例えば、図３のＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４）と、駆動手段を制御する制御手段（例えば、図３のマイクロコンピュータ３３）と、負荷素子に電源電圧を供給する第１の電源電圧供給手段（例えば、図３の電池３１）と、所定の操作が行われたとき、制御手段に電源電圧を供給する第２の電源電圧供給手段（例えば、図３のＤＣ／ＤＣコンバータ３２）と、基準となる第１の電圧値の電圧を供給する基準電圧供給手段（例えば、図３の基準電圧４６）と、負荷素子の両端にかかる電圧の第２の電圧値を検出する検出手段（例えば、図３のコンパレータ４５）と、第１の電圧値と第２の電圧値を比較する比較手段（例えば、図３のコンパレータ４５）と、比較手段による比較結果を保持する保持手段（例えば、図３のＲＳフリップフロップ４８）と、保持手段により保持されている比較結果に応じて、駆動手段による負荷素子の駆動を停止する停止手段（例えば、図３のＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ５５）とを備えることを特徴とする。
【００５５】
前記比較手段からの同一の比較結果が所定の時間だけ、継続したか否かを判断する判断手段（例えば、図１３の計時部１２１）をさらに備え、前記保持手段は、判断手段により、所定の時間だけ継続されたと判断された比較結果を保持するようにすることができる。
【００５６】
以下に、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【００５７】
図３は、本発明を適用した安全回路を含む装置の一実施の形態の構成を示す図である。この安全回路は、例えば、図１に示したようなカメラ１に備えられる。カメラ１にはランプ３が備えられているが、そのランプ３は、本体２の表面付近に備えられている。
【００５８】
そのような位置に備えられているランプ３が、誤動作しないようにし、かつ、他の回路に影響を与えず保護する回路として、安全回路（安全装置）が備えられている。カメラ１などに、以下に説明する安全回路が組み込まれる場合、安全回路の他に、レンズ４、オートフォーカスのための回路、フラッシュなどにかかわる回路など、さまざまな部品や回路が必要であるが、ここでは、それらの回路などは、本発明と直接的な関係はないため、その説明および図示は、適宜省略する。
【００５９】
電池３１は、カメラ１に対して着脱可能な電源であり、カメラ１の内部のすべての電源のおおもととされる。この電池３１の電圧は、カメラ１の場合、例えば、６Ｖ程度のものが用いられる。図３において、電池３１の正極に接続されているラインをＶＢＡＴ（以下の説明においては、ＶＢＡＴラインと記述する）、電池の負極に接続されているラインをＧＮＤ（以下の説明においては、ＧＮＤラインと記述する）と記す。
【００６０】
ＶＢＡＴラインに接続されている部分は、電池３１からの電源電圧（以下、適宜、電源電圧ＶＢＡＴと記述する）が供給される。
【００６１】
ＤＣ／ＤＣコンバータ３２は、入力端子ＶＩＮに入力される電圧ＶＢＡＴを昇圧／降圧し、安定した所定の電圧値の電圧（以下、適宜、電源電圧ＶＣＣと記述する）（例えば、５Ｖ）を、出力端子ＶＯＵＴから出力する。以下の説明おいて、出力端子ＶＯＵＴに接続されているラインをＶＣＣラインと記述し、そのＶＣＣラインに接続されている部分は、電源電圧ＶＣＣが供給される部分とする。
【００６２】
ＤＣ／ＤＣコンバータ３２は、制御端子ＣＴＲＬが、Ｌｏｗの状態に設定されると起動状態とされ、出力端子ＶＯＵＴからの出力（電圧の供給）を開始する。制御端子ＣＴＲＬがＨｉの状態にされると、出力端子ＶＯＵＴからの電源電圧ＶＣＣの出力は停止される。この停止状態でのＤＣ／ＤＣコンバータ３２の入力電流は、一般的に非常に小さなもの（数μＡから数十μＡ程度）となる。
【００６３】
マイクロコンピュータ３３の端子ＶＣＣは、ＤＣ／ＤＣコンバータ３２の端子ＶＯＵＴと接続されている電源用の端子であり、ＶＣＣラインに接続されている。またマイクロコンピュータ３３の端子ＧＮＤは、グランド端子でありＧＮＤラインに接続されている。マイクロコンピュータ３３の出力ポートＰ１０、Ｐ１１は、マイクロコンピュータ３３に電源電圧ＶＣＣが給電されていない時には、ハイインピーダンスの状態に設定される。
【００６４】
マイクロコンピュータ３３の出力ポートＰ１０、Ｐ１１は、電源電圧ＶＣＣが供電された後も、マイクロコンピュータ３３のプログラム（マイクロコンピュータ３３が備える、図３には図示されていない記憶部に記憶されている）で設定されるまでは、ハイインピーダンスの状態が維持される。プログラムで設定されると、初めてＨｉ／Ｌｏｗレベルの出力を行うことができる状態とされる。
【００６５】
ランプ３の一方の端子は、電池３１のプラス端子、すなわちＶＢＡＴラインに接続されている。またランプ３の他方の端子は、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４のドレインに接続されている。ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４のソースはＧＮＤラインに接続されている（接地されている）。
【００６６】
ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４がオンの状態とされると、ランプ３は点灯され、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４がオフの状態とされると、ランプ３は消灯される。ランプ３の用途は、例えば、「セルフタイマーの動作を使用者に示す光」、「オートフォーカス時の焦点検出のための補助光」、「フラッシュによる撮影時の被写体の赤目減少軽減用の光」等がある。
【００６７】
マイクロコンピュータ３３の出力ポートＰ１０は、抵抗３５を介してＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４のゲートに接続される。抵抗３５は、マイクロコンピュータ３３の出力ポートＰ１０を保護するためのものである。抵抗３５の抵抗値は、通常、数ＫΩ程度である。本実施の形態においては、備えられない構成とすることも可能である。すなわち、マイクロコンピュータ３３の出力ポートＰ１０とＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４のゲートが直結されるように構成されても良い。
【００６８】
上述したように、電源電圧ＶＣＣが給電されていない場合、マイクロコンピュータ３３の出力ポートＰ１０は、ハイインピーダンスの状態とされる。この状態では、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４のゲートとソースの電位が不定になってしまうので、このような状況が発生するのを防ぐため、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４のゲートとソースの間に抵抗３６が接続される。
【００６９】
すなわち、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４のゲートが抵抗３６でプルダウンされていることになる。
【００７０】
マイクロコンピュータ３３の出力ポートＰ１０の能力や消費電流の観点から、抵抗３６の抵抗値はあまり低くできず、通常、抵抗３６には、数十ＫΩから数百ＫΩの抵抗値の抵抗が用いられる。
【００７１】
半押しスイッチ３７は、一方がＧＮＤラインに接続され、他方がダイオード３８を介してＤＣ／ＤＣコンバータ３２の端子ＣＴＲＬに接続されている。ＤＣ／ＤＣコンバータ３２の端子ＣＴＲＬは、抵抗４４によりＶＢＡＴにプルアップされている。この為、半押しスイッチ３７は、操作（押下）されていない時は、Ｈｉの状態になっている。半押しスイッチ３７が操作（押下）されると、ダイオード３８経由で、ＤＣ／ＤＣコンバータ３２の端子ＣＴＲＬがＬｏｗの状態とされる。これによりＤＣ／ＤＣコンバータ３２は起動され、出力端子ＶＯＵＴからマイクロコンピュータ３３等に、使用されるための電源電圧ＶＣＣが出力される。
【００７２】
半押しスイッチ３７は、カメラ１において、使用者に操作される部分であり、カメラの電源を起動させ、撮像したい被写体に対して、実際の撮像を行う前にフォーカスをあわせるときなどに操作されるスイッチである。
【００７３】
半押しスイッチ３７は、ダイオード３９を介してマイクロコンピュータ３３のポートＰ００とも接続されている。また、入力ポートＰ００は、抵抗４０により電源電圧ＶＣＣにプルアップされている。このような構成により、マイクロコンピュータ３３は、ポートＰ００に入力される論理値を監視し、その値が、Ｌｏｗレベルであれば、半押しスイッチ３７が操作（押下）されていると判断することができる。
【００７４】
マイクロコンピュータ３３には、ポートＰ０１も備えられており、そのポートＰ０１は、抵抗４１により、電源電圧ＶＣＣにプルアップされている。また、ポートＰ０１は、レリーズスイッチ４２の一方の端子と接続されている。レリーズスイッチ４２は、実際の撮像が実行される際に操作されるスイッチである。
【００７５】
レリーズスイッチ４２の他方は、ＧＮＤラインに接続されている。このような構成により、マイクロコンピュータ３３は、ポートＰ０１に入力される論理値を監視し、その値が、Ｌｏｗレベルであれば、レリーズスイッチ４２が操作（押下）されていると判断することができる。
【００７６】
マイクロコンピュータ３３には、ポートＰ１１も備えられており、そのポートＰ１１は、ＮＰＮデジタルトランジスタ４３のベースに接続されている。ＮＰＮデジタルトランジスタ４３のエミッタは、ＧＮＤラインに接地されている。ＮＰＮデジタルトランジスタ４３のコレクタは、ＤＣ／ＤＣコンバータ３２の端子ＣＴＲＬに接続されている。
【００７７】
このような構成により、マイクロコンピュータ３３が、出力ポート１１からＨｉを出力した場合、ＮＰＮデジタルトランジスタ４３のベースは、Ｈｉの状態とされる為、ＮＰＮデジタルトランジスタ４３は、オンの状態とされる。このため、この時点で半押スイッチ３７が操作（押下）されていなくても、ＤＣ／ＤＣコンバータ３２の端子ＣＴＲＬは、Ｌｏｗの状態が保たれＭＤＣ／ＤＣコンバータ３２は作動を続け、電源Ｖｃｃの出力も続く。
【００７８】
また、マイクロコンピュータ３３が、出力ポートＰ１１からＬｏｗを出力した場合、ＮＰＮデジタルトランジスタ４３のベースは、Ｌｏｗの状態とされるため、ＮＰＮデジタルトランジスタ４３は、オフの状態とされる。このため、この時点で、半押スイッチ３７が操作（押下）されていなければ、ＤＣ／ＤＣコンバータ３２の端子ＣＴＲＬはＨｉの状態になり、ＤＣ／ＤＣコンバータ３２は停止し、電源電圧ＶＣＣの出力が停止されることになる。
【００７９】
ここまでの構成（図３において、主にランプ３の左側に図示されている部分の構成）は、主に、ランプ３を正常の状態のときに制御する回路構成について説明した。このような回路を、以下、適宜、制御回路と記述する。制御回路は、この場合、マイクロコンピュータ３３、抵抗３５，３６、半押しスイッチ３７、ダイオード３８，３９、抵抗４０，４１、レリーズスイッチ４２、ＮＰＮデジタルトランジスタ４３、抵抗４４から構成されている。
【００８０】
次に、水などが付着することにより、不具合が発生した状態になったときに、その不具合状態に対処する安全回路の構成（図３において、主にランプ３の右側に図示されている部分の構成）について説明する。
【００８１】
コンパレータ４５の非反転入力端子ＣＰＩＮＰは、ランプ３とＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４のドレインの接合点に接続されている。コンパレータ４５の反転入力端子ＣＰＩＮＭは、基準電圧４６の負側に接続されている。基準電圧４６の正側は、電池３１の正側（ＶＢＡＴライン）に接続されている。基準電圧４６の回路については、図４を参照して後述する。
【００８２】
コンパレータ４５の電源は、電池３１からの電源電圧ＶＢＡＴである。コンパレータ４５は、低消費電流（静的な消費電流が数μＡから数十μＡ）のものが一般的に使用される。コンパレータ４５の出力ＣＰＯＵＴは、抵抗４７でＶＢＡＴラインに接続され、プルアップされている。これは、コンパレータ４５の出力が、Ｏｐｅｎ／Ｌｏｗ（いわゆるオープンコレクタ出力、オープンドレイン出力）のタイプであるため必要とされる。
【００８３】
抵抗４７によりコンパレータ４５のＯｐｅｎ出力はＨｉレベルになる。以下、説明を簡単にするため、コンパレータ４５がＯｐｅｎ出力の時をＨｉ出力、Ｈiレベルを出力、または、Ｈｉを出力と記載する。
【００８４】
以上の構成を有することにより、コンパレータ４５は、ランプ３の両端の電圧降下ＶＬと、基準電圧４６の電圧値ＶＲＥＦを比較する。電圧降下ＶＬ＜電圧値ＶＲＥＦの場合、コンパレータ４５は、出力ＣＰＯＵＴよりＨｉを出力するように構成されている。電圧降下ＶＬ＞電圧値ＶＲＥＦの場合、コンパレータ４５は、出力ＣＰＯＵＴよりＬｏｗを出力するように構成されている。
【００８５】
コンパレータ４５の出力ＣＰＯＵＴは、ＲＳフリップフロップ４８の入力端子Ｓ＃に接続されている。ＲＳフリップフロップ４８はＶＢＡＴラインに接続されているため、ＲＳフリップフロップ４８の電源電圧は、電池３１から供給される。
【００８６】
ＲＳフリップフロップ４８はＣＭＯＳプロセス等を用いた低消費電流（静的な消費電流が数μＡから十μＡ程度）のものが、一般的に使用される。図３において、波線で示した部分内は、ＲＳフリップフロップ４８の一般的な等価回路を示している。図３において、ＲＳフリップフロップ４８内の端子の部分に記載した＃は、負論理であることを示している。Ｒ＃は負論理のリセット入力端子、Ｓ＃は負論理のセット入力端子である。出力端子ＱとＱ＃は論理が反転している。
【００８７】
図３に示したＲＳフリップフロップ４８は、ＮＯＴ回路４９、ＯＲ回路５０、ＮＡＮＤ回路５１、および、ＮＡＮＤ回路５２から構成されている。ＮＯＴ回路４９には、抵抗５３とコンデンサ５４の接続点からの値が入力される（リセット入力端子Ｒ＃）。ＮＯＴ回路４９の出力は、ＯＲ回路５０の一方の入力とされる。ＯＲ回路５０の他方の入力（セット入力端子Ｓ＃）は、コンパレータ４５の出力ＣＰＯＵＴに接続されている。ＯＲ回路５０からの出力は、ＮＡＮＤ回路５１の一方の入力とされる。
【００８８】
ＮＡＮＤ回路５１の他方の入力は、ＮＡＮＤ回路５２からの出力である。そして、ＮＡＮＤ回路５１からの出力は、ＮＡＮＤ回路５２の一方の入力とされる。ＮＡＮＤ回路５２の他方の入力は、ＮＯＴ回路４９と同じく、抵抗５３とコンデンサ５４の接続点からの値である。ＮＡＮＤ回路５１の出力（出力端子Ｑ）は、ＮＡＮＤ回路５２の入力とされると共に、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ５５のゲートに入力される。
【００８９】
図３に示したＲＳフリップフロップ４８の論理は、
（ａ）Ｒ＃＝Ｈｉ、Ｓ＃＝Ｌｏｗでセット動作…Ｑ＝Ｈｉ、Ｑ＃＝Ｌｏｗ
（ｂ）Ｒ＃＝Ｌｏｗ、Ｓ＃＝Ｈｉでリセット動作…Ｑ＝Ｌｏｗ、Ｑ＃＝Ｈｉ
（ｃ）Ｒ＃＝Ｌｏｗ、Ｓ＃＝Ｌｏｗでリセット動作（セットよりもリセットが強い）…Ｑ＝Ｌｏｗ、Ｑ＃＝Ｈｉ
（ｄ）Ｒ＃＝Ｈｉ、Ｓ＃＝Ｈｉで無変化…Ｑ＝変化せず、Ｑ＃＝変化せず
となっている。
【００９０】
ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ５５のドレインは、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４のゲートに接続され、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ５５のソースは、ＧＮＤラインに接地されている。ＮＰＮデジタルトランジスタ５６のコレクタは、ＲＳフリップフロップ４８内のリセット入力端子Ｒ＃に接続され、エミッタは、ＧＮＤラインに接地されている。また、ＮＰＮデジタルトランジスタ５６のベースは、ＤＣ／ＤＣコンバータ３２の出力端子ＶＯＵＴ（すなわちＶｃｃライン）に接続されている。
【００９１】
図４Ａ乃至Ｃは、図３における基準電圧４６を実現するための一実施の形態の回路構成を示す図である。図４Ａは、図３に示した回路から基準電圧４６周辺の回路を抜き出したものである。図４Ｂや図４Ｃに示すような構成として、電池３１から取得できるようにしても良い。
【００９２】
図４Ｂは、基準電圧４６としてツェナーダイオード７１を使用した実施の形態を示している。抵抗７２は、動作点を決めるためのものである。例えば、ツェナー電流ＩＺ＝４０μＡで、ツェナー電圧ＶＺ＝２Ｖの規格のツェナーダイオード７１の場合、そして、電池３１から供給される電圧ＶＢＡＴ＝６Ｖのとき、抵抗７２の抵抗値は、以下のようにして求められる。
（ＶＢＡＴ−ＶＺ）／ＩＺ＝（６−２）／４０μ＝１００ＫΩ
【００９３】
図４Ｃは、基準電圧４６として負電圧三端子レギュレータ７３を使用した場合の実施の形態を示している。例えば、−２Ｖの負電圧三端子レギュレータ７３が使用された場合、ＣＯＭＭＯＮ端子に対して２Ｖ低い電圧がＯＵＴ端子から出力される。よって、基準電圧４６の電圧値ＶＲＥＦは、２Ｖとなる。
【００９４】
なお、使用する負電圧三端子レギュレータ７３は、ＣＭＯＳプロセス等を用いた低消費連流（自己消費電流が数μＡから十μＡ程度）のものが、一般的に使用される。
【００９５】
安全回路は、このように、コンパレータ４５、基準電圧４６、抵抗４７、ＲＳフリップフロップ４８（ＮＯＴ回路４９、ＯＲ回路５０、ＮＡＮＤ回路５１、ＮＡＮＤ回路５２）、抵抗５３、コンデンサ５４、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ５５、およびＮＰＮデジタルトランジスタ５６から構成される。
【００９６】
次に、図３に示した回路の動作について説明する。
【００９７】
図３に示した回路を含むカメラ１（図１）は、ここでは３つの状態を遷移するとして説明する。３つの状態とは、初期状態、スタンバイ状態、および、起動状態である。
【００９８】
初期状態は、カメラ１に対して着脱可能な電池３１が、カメラ１に装着された直後の状態である。初期状態にて所定の動作を行った後、自動的にスタンバイ状態に遷移する。
【００９９】
スタンバイ状態は、ＤＣ／ＤＣコンバータ３２（図３）が停止されている状態であり、電源電圧ＶＣＣが、各部に給電されていない状態である。よって、マイクロコンピュータ３３も停止されており、カメラ１は、撮影動作を行われない状態となっている。また、スタンバイ状態は、低消費電流の待機状態である。
【０１００】
起動状態は、ＤＣ／ＤＣコンバータ３２が動作している状態であり、電源電圧ＶＣＣが各部に給電されている状態である。マイクロコンピュータ３３も動作している状態であり、マイクロコンピュータ３３におけるプログラムが動作している状態である。よって、カメラ１は撮影動作を行いうる状態となっている。また、起動状態は、消費電流が大きな状態である。
【０１０１】
このような状態の遷移があるとし、各状態毎に、図３に示した回路の動作について説明する。まず初期状態のときの、図３に示した回路の動作について説明する。カメラ１に対して着脱可能な電池３１が装着されると、カメラ１内の各部に電源電圧ＶＢＡＴが給電される。電源電圧ＶＢＡＴは、ＲＳフリップフロップ４８に給電され、ＲＳフリップフロップ４８は、動作状態とされる。ＲＳフリップフロップ４８に給電が開始されると、抵抗５３とコンデンサ５４により、所定の時間、ＲＳフリップフロップ４８のリセット入力端子Ｒ＃がＬｏｗの状態とされる。
【０１０２】
リセット入力端子Ｒ＃が、Ｌｏｗの状態とされることにより、ＲＳフリップフロップ４８は、リセットの状態とされる。リセットの状態とされることにより、ＲＳフリップフロップ４８からの出力のうち、出力端子ＱからはＬｏｗが、出力端子Ｑ＃からはＨｉが、それぞれ出力される。このことは、いわゆるパワーオンリセット動作などと称される。
【０１０３】
なお、初期状態のときには、このような動作が行われるわけだが、ＲＳフリップフロップ４８のリセット入力端子Ｒ＃には、ＮＰＮデジタルトランジスタ５６のコレクタも接続されているため、その動作についても考慮する必要がある。初期状態からスタンバイ状態の期間中は、ＤＣ／ＤＣコンバータ３２は動作状態になく、端子ＶＯＵＴからの出力はなく、よって、電源電圧ＶＣＣは０ボルト（オフ）の状態である。そのため、ＮＰＮデジタルトランジスタ５６のベースはＬｏｗの状態とされる。よってＮＰＮデジタルトランジスタ５６は、オフの状態とされており、リセット入力端子Ｒ＃の論理に影響を与えない。
【０１０４】
さらに、ＲＳフリップフロップ４８の出力端子Ｑに接続されているＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ５５のゲートは、Ｌｏｗの状態とされるので、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ５５はオフの状態となる。
【０１０５】
以上の初期状態の動作の後に、自動的にスタンバイ状態に遷移する。
【０１０６】
次に、スタンバイ状態について説明するが、スタンバイ状態においては、２つの状況をさらに考慮して説明する。スタンバイ状態における第１の状況としては、水などが図３に示した回路に付着してない状況であり、第２の状況としては、水などが図３に示した回路に付着している状況である。
【０１０７】
まず、スタンバイ状態における第１の状況のときに、図３に示した回路の動作について説明する。スタンバイ状態のときには、既に、上述した初期状態の処理は終了している状態であるので、ＲＳフリップフロップ４８は、リセットされた状態である。
【０１０８】
スタンバイ状態のときは、上述したように、電源電圧ＶＣＣが給電されていない状態である。従って、マイクロコンピュータ３３の出力ポートＰ１０はハイインピーダンスの状態である。ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４のゲートは抵抗３６によりプルダウンされている。抵抗３６は、上述したように、その抵抗値は、数十ＫΩから数百ＫΩとされている。これにより、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４はオフの状態とされている。よって、ランプ３は消灯している。
【０１０９】
このように、スタンバイ状態のときに正常に動作が行われているときは、ランプ３は消灯しており、後述する起動状態のように、使用者の指示がなければ、ランプ３が点灯（点滅）することはない。
【０１１０】
次に、スタンバイ状態における第２の状況すなわち、水などが回路に付着したときの、図３に示した回路の動作について説明する。水が回路に付着したときに、その付着した部分により、回路の動作が異なる。そこで、まず、図５に示したように、水１がＶＢＡＴラインとＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３のゲートの間に付着したために、その部分に、擬似的な抵抗８１が存在するような回路構成となったときの動作について説明する。
【０１１１】
水１が、何らかの原因により、ＶＢＡＴラインとＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３のゲートの間に付着する。水１が付着すると、その水１は、抵抗８１（図５）として動作することになる。ＤＣ／ＤＣコンバータ３２からの出力は０ボルトの状態であり、そのために、マイクロコンピュータ３３は、動作状態になく、マイクロコンピュータ３３の出力ポートＰ１０は、ハイインピーダンスの状態とされている。このため、水１が付着しなければ、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４はオフの状態とされるが、水１が付着すると、後述するように、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４は、オンの状態とされ、ランプ３が点灯してしまう。これは誤動作であり、危険である。
【０１１２】
本実施の形態においては、このような誤動作がおこったときには、安全回路の働きにより、安全な状態（ランプ３の強制消灯）にされる。
【０１１３】
ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４のゲートにかかる電圧は、ＶＢＡＴラインより供給される電池３１からの電源電圧ＶＢＡＴを、抵抗８１と抵抗３６で分圧したものとなる。抵抗８１の抵抗値は、純水では非常に高いが、雨水や汚れた水では数十ＫΩまで低下すると考えられる。抵抗３６は、上述のように、数十ＫΩから数百ＫΩの抵抗値が用いられることが一般的であり、ここでも、そのような抵抗値の抵抗が用いられているとして説明する。
【０１１４】
水１が、雨水などのために、その抵抗８１の抵抗値が小さい時は、抵抗８１にかかる電圧が低くなり、抵抗３６にかかる電圧が高くなる。抵抗３６にかかる電圧が高くなるということは、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４のゲートとソースの間にかかる電圧は上昇することになる。その結果、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４がオンの状態となる。ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４がオンの状態となると、ランプ３に電流ＩＬが流れ、電圧降下ＶＬが生じる。
【０１１５】
上述のように電圧降下ＶＬ＞電圧値ＶＲＥＦ（基準電圧４６の電圧値）となると、コンパレータ４５の出力ＣＰＯＵＴはＬｏｗを出力する。ＲＳフリップフロップ４８のセット入力端子Ｓ＃がＬｏｗの状態になり、ＲＳフリップフロップ４８の出力端子ＱはＨｉを出力する。
【０１１６】
ＲＳフリップフロップ４８の出力端子Ｑに接続されているＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ５５のゲートもＨｉとなる。ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ５５は、オンの状態とされる。これによりＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４のゲートは強制的にＬｏｗレベルに落とされる。ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４は、オフの状態とされる。そして、ランプ３は消灯し、その結果、電流ＩＬ＝０、電圧降下ＶＬ＝０になる。これにより電圧降下ＶＬ＜電圧値ＶＲＥＦとなるため、コンパレータ４５の出力ＣＰＯＵＴはＨｉを出力する。
【０１１７】
これによりＲＳフリップフロップ４８のセット入力端子Ｓ＃がＨｉになるが、ＲＳフリップフロップ４８のラッチ機能により、ＲＳフリップフロップ４８の出力端子ＱはＨｉのままである。これによりＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ５５はオンのままである。これによりＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４のゲートは強制的にＬｏｗレベルに落とされたままである。よって、ランプ３が点灯するようなことはない。
【０１１８】
このように水１が付着することにより、例えば、ランプ３に、電流ＩＬや電圧降下ＶＬが発生することにより、ランプ３が点灯するような状態が発生してしまうが、結果としてランプ３は消灯する。すなわち、水１が付着してしまうことにより、ランプ３が誤作動して、点灯し続けるといったような不具合が発生することを防ぐことができる。
【０１１９】
時間経過とともに、水１は乾燥し、水１による影響もなくなると考えられる。換言すれば、水１が乾燥し、無くなれば、抵抗８１（図５）が取り除かれた構成の回路とされ、水１が付着する前の状態の回路に戻る。このように、水１が乾燥して抵抗８１が無限大の値になったとしても、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４のゲートは、強制的にＬｏｗレベルに落とされたままであり、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４はオフした状態が維持される。
【０１２０】
このような、コンパレータ４５による異常検出から、ＲＳフリップフロップ４８のセット、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ５５のオン、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４の強制オフまでを安全回路の作動と適宜称する。
【０１２１】
次に、図６に示したように、水２がＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４のドレインとゲートの間に付着したために、その部分に、擬似的な抵抗８２が存在するような回路構成となったときの動作について説明する。
【０１２２】
水２が付着する前は、ランプ３の電圧降下ＶＬ＝０ボルトのため、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４のドレインの電位はほぼ電圧ＶＢＡＴと等しい。ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４のゲートにかかる電圧は、ドレインの電位（＝ＶＢＡＴ−ＶＬ、よってこの場合ＶＢＡＴ）を、水２による抵抗８２と抵抗３６で分圧したものとなる。
【０１２３】
抵抗８２の抵抗値は、上述した抵抗８１と同様に、純水では非常に高いが、雨水や汚れた水では数十ＫΩまで低下する。抵抗３６の抵抗値は、上述のように数十ＫΩから数百ＫΩである。このようなことを考慮すると、水２が回路に付着してしまったような状況では、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４のゲートにかかる電圧は上昇し、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４がオンの状態とされる。
【０１２４】
ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４がオンすると、ランプ３に電流ＩＬが流れ、電圧降下ＶＬが生じる。上述のように電圧降下ＶＬ＞電圧値ＶＲＥＦとなると、コンパレータ４５の出力ＣＰＯＵＴはＬｏｗを出力する。このような状態となる、安全回路の作動が開始される。よって、図５の回路構成の場合と同様に、ランプ３が誤作動して、点灯し続けるといったような不具合が発生することを防ぐことができる。
【０１２５】
仮に、安全回路が備えられていないような回路のために、上述したような安全動作の作動が開始されない場合、図２で説明したようにＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４のドレインの電位が上下し、その結果、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４がオンとオフの状態を繰り返したり、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４が浅くオンした状態で平衡し、半ショートの状態になる可能性がある。
【０１２６】
本実施の形態においては、基準電圧４６の電圧値ＶＲＥＦを最適な値にすることにより、問題無く安全回路が作動する。例えば、上記のような電圧降下ＶＬ＝３Ｖで平衡する（半ショートの状態になる）ような条件であっても、基準電圧４６の電圧値ＶＲＥＦを２Ｖとして設定しておけば、電圧降下ＶＬが０Ｖから３Ｖに徐々に変化していく途中で（２Ｖを通過した時点で）、安全回路が作動することになる。
【０１２７】
また、上述した場合と同様に、その後、電圧降下ＶＬの状態が変化したとしても、ＲＳフリップフロップ４８のラッチ機能により、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ５５はオンした状態が保持される。よって、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４のゲートは強制的にＬｏｗレベルに落とされたままであり、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４はオフしたままの状態が維持される。
【０１２８】
次に、基準電圧４６の電圧値ＶＲＥＦの値について説明する。ここでは、ランプ３を例に挙げて説明しているが、ランプ３などの負荷素子が破壊する原因として考えられるのは、許容電力を超えた状態が続くことによる熱破壊である。電力は、以下のように算出される。
負荷素子の電力＝電圧降下ＶＬ×電流ＩＬ
＝電圧降下ＶＬ×電圧降下ＶＬ／負荷素子の抵抗値
【０１２９】
よって、負荷素子にかかる電圧降下ＶＬは、（負荷素子の許容電力×負荷素子の抵抗値）の平方根を算出することにより求めることができ、その求められる電圧降下ＶＬの値を、基準電圧４６の電圧値ＶＲＥＦとすれば良い。例えば、負荷素子の許容電力１Ｗ、負荷素子（この場合、ランプ３）の抵抗値４Ωであれば、基準電圧４６の電圧値ＶＲＥＦは、２Ｖに設定されれば最適であると考えられる。このような電圧値ＶＲＥＦであれば、負荷素子が許容電力を超えた瞬間に安全回路が作動する。
【０１３０】
なお、ここにあげた基準電圧４６の電圧値ＶＲＥＦの算定の仕方は、一例であり、限定を示すものではなく、その他の算定の仕方で値を設定するようにしても良い。
【０１３１】
このように、マイクロコンピュータ３３が動作していないスタンバイ状態のときでも、換言すれば、マイクロコンピュータ３３による制御が行えないようなときでも、安全回路が作動することにより、水などの付着などにより不具合が発生するようなことを防ぐことが可能となる。
【０１３２】
次に、カメラ１が起動状態であるときの図３に示した回路の動作について説明する。まず、スタンバイ状態から起動状態へ遷移し、起動状態にされたときの、図３に示した回路の動作について説明する。
【０１３３】
半押しスイッチ３７が操作されると、ダイオード３８経由でＤＣ／ＤＣコンバータ３２の制御端子ＣＴＲＬがＬｏｗの状態とされる。ＤＣ／ＤＣコンバータ３２は、制御端子ＣＴＲＬがＬｏｗの状態にされることにより起動し、出力端子ＶＯＵＴからマイクロコンピュータ３３等に電源電圧ＶＣＣの供給を開始する。電源電圧ＶＣＣの給電が開始されると、ＮＰＮデジタルトランジスタ５６のベースはＨｉの状態とされ、ＮＰＮデジタルトランジスタ５６はオンの状態とされる。その結果、ＲＳフリップフロップ４８のリセット入力端子Ｒ＃はＬｏｗの状態となる。上述のように、ＲＳフリップフロップ４８のリセット入力端子Ｒ＃の方が、セット入力端子Ｓ＃の論理よりも強いため、セット入力端子Ｓ＃の論理にかかわらず、電源電圧ＶＣＣが給電されている期間中、リセット動作が継続される。
【０１３４】
すなわち、電源電圧ＶＣＣが給電されている期間中、ＲＳフリップフロップ４８の出力端子ＱはＬｏｗの状態が維持される。このような状態が維持されることにより、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ５５はオフの状態のままとなり、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４のオン／オフに全く影響を及ぼさなくなる。すなわち、電圧電圧ＶＣＣが給電されている期間中、安全回路の作動は禁止された状態とされる。
【０１３５】
このような状態のときに、マイクロコンピュータ３３は、電源電圧ＶＣＣが給電されると記憶されているプログラムが起動され、そのプログラムに基づいた処理が開始される。マイクロコンピュータ３３が行う処理について、図７のフローチャートを参照して説明する。
【０１３６】
ステップＳ１１において、マイクロコンピュータ３３は、プログラムが起動されると、出力ポートＰ１１から論理値として、Ｈｉレベルの値を出力する。ＮＰＮデジタルトランジスタ４３は、ベースがＨｉの状態とされるためオンの状態とされる。このため、半押しスイッチ３７に対する操作が解除されても（すなわち、押下されていなくても）、ＤＣ／ＤＣコンバータ３２の制御端子ＣＴＲＬは、Ｌｏｗの状態に保たれることになる。よって、マイクロコンピュータ３３には、電源電圧ＶＣＣも給電されたままの状態が維持される。
【０１３７】
ステップＳ１２おいて、マイクロコンピュータ３３は、それまでハイインピーダンス状態であった出力ポートＰ１０から論理値としてＬｏｗレベルの値を出力する。ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４はゲートがＬｏｗの状態にされるため確実にオフの状態とされる。
【０１３８】
ステップＳ１３において、ランプ３の点灯および消灯の処理が実行される。このステップＳ１３におけるランプ３の点灯および消灯の処理は、図８のフローチャートを参照して後述する。
【０１３９】
ステップＳ１４において、マイクロコンピュータ３３の入力ポートＰ０１をチェックする。入力ポートＰ０１は、抵抗４０で電圧電圧ＶＣＣにプルアップされており、かつ、レリーズスイッチ４２に接続されている。マイクロコンピュータ３３は、入力ポートＰ０１がＨｉからＬｏｗの状態に変化すると、レリーズスイッチ４２が操作されたと判断される。そのため、レリーズスイッチ４２が操作されると、ステップＳ１４において、Ｙｅｓと判断され、ステップＳ１５に処理が進められる。
【０１４０】
ステップＳ１５において、レリーズスイッチ４２が操作されることにより、レリーズシーケンスが開始される。レリーズシーケンスは、画像を撮影するために行われる処理である。モータやマグネットが動かされ、絞りやシャッター（いずれも不図示）などが作動され、カメラ１にセットされているフィルムに露光される。その後、モータが作動され、フィルムが巻き上げられ、レリーズシーケンスの処理が終了される。
【０１４１】
ステップＳ１５におけるレリーズシーケンスの処理が終了された後、または、ステップＳ１４において、ポートＰ０１がＨｉからＬｏｗの状態に変化していない（すなわち、レリーズスイッチ４２は操作されていない）と判断された場合、ステップＳ１６に処理が進められる。
【０１４２】
ステップＳ１６にて、マイクロコンピュータ３３は、入力ポートＰ００をチェックし、Ｌｏｗレベルであるか否かを判断する。そして、Ｌｏｗレベルであると判断されると、ステップＳ１７において、ＬｏｗレベルからからＨｉレベルに変化してから所定の時間が経過したか否かが判断される。入力ポートＰ００は、抵抗４０で電圧電圧ＶＣＣにプルアップされており、かつ、ダイオード３９を経由して半押しスイッチ３７に接続されている。マイクロコンピュータ３３は、ポートＰ００の入力論理をモニタし、Ｌｏｗレベルであれば半押しスイッチ３７が操作されていると判断できるように構成されている。
【０１４３】
ステップＳ１７にて、ポートＰ００の論理がＬｏｗからＨｉに変化した時点から、所定の時間（例えば、８秒間）以上経過したか否かが判断する。所定の時間は経過していないと判断された場合、ステップＳ１７において、Ｎｏと判断されることになり、ステップＳ１３に戻り、それ以降の処理が繰り返される。
【０１４４】
一方、ステップＳ１７において、所定の時間は経過したと判断された場合、ステップＳ１８に処理が進められ、ポートＰ１１がＬｏｗレベルとされる。処理がステップＳ１８に進められる状況は、換言すれば、スタンバイ状態に遷移する状態である。
【０１４５】
ここで、ステップＳ１３において行われるランプ３の点灯・消灯の処理について、図８のフローチャートを参照して説明する。ステップＳ３１において、ランプ点灯要求の有無がチェックされる。ランプ点灯には、ここでは、以下の３つの点灯があるとする。
・セルフタイマーの作動中を示すための点灯
・オートフォーカス中に焦点検出補助光として点灯
・閃光撮影時の赤目軽減用の光として点灯
【０１４６】
このような３つの点灯のうち１つの点灯が、使用者の指示に基づいて、適宜要求される。このような３つの点灯については、例えば、特許文献１に記載があり、本実施の形態にも、特許文献１に開示されている方法を適用し、上記３つの点灯を切り換えられるようにしても良い。ここでは、上記３つの点灯についての詳細な説明は省略する。
【０１４７】
ステップＳ３１において、ランプ点灯要求はされていないと判断された場合、ステップＳ３４に処理が進められ、ランプ点灯要求がされていると判断された場合、ステップＳ３２に処理が進められる。
【０１４８】
ステップＳ３２において、ランプ点灯要求がクリアされる。その後、ステップＳ３３において、出力ポートＰ１０がＨｉの状態にされる。ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４がオンの状態とされるので、ランプ３が点灯する。ランプ３が点灯すると、ランプ３の両端の電圧降下ＶＬが大きくなり、電圧降下ＶＬ＞電圧値ＶＲＥＦとなるため、コンパレータ４５は、出力ＣＰＯＵＴからＬｏｗを出力する。
【０１４９】
しかしながら、上述したように、電源電圧ＶＣＣが給電されている期間中、ＲＳフリップフロップ４８は、リセット動作が継続されているため、安全回路は作動が禁止された状態であり、ランプ３の点灯にともない、安全回路が動作してしまい、ランプ３を消灯してしまうような誤作動を起こすようなことがないように、制御することが可能となる。
【０１５０】
なお、ランプ３の輝度が調整される場合、マイクロコンピュータ３３の出力ポートＰ１０が、単にＨｉレベルにされる代わりに、数百Ｈｚ周波数のＰＷＭ（Pulse Width Modulation）が用いられるようにすればよい。ＰＷＭによるランプ３の点灯（点滅）についての詳細な説明は、例えば、特許文献１に開示されているので、ここでは、その説明は省略する。
【０１５１】
ステップＳ３２とステップＳ３３の処理によりランプ３が点灯された後、または、ステップＳ３１において、ランプ３の点灯の要求がなかったと判断された場合、ステップＳ３４に処理が進められ、ランプ３の消灯が要求されているか否かが判断される。
【０１５２】
ランプ３が消灯される状況としては、以下の３つの状況がある。
・セルフタイマーの作動中であることを示す点灯を消灯する
・オートフォーカスの焦点検出補助光点灯を消灯する
・閃光撮影時の赤目軽減用光点灯を消灯する
このような状況のときに、ランプ３の消灯が要求される。
【０１５３】
ステップＳ３４において、ランプ３の消灯の要求はないと判断された場合、図８に示したフローチャートの処理は終了され、図７に示したフローチャートのステップＳ１４に処理が進められる。一方、ステップＳ３４において、ランプ３の消灯の要求があったと判断された場合、ステップＳ３５に処理が進められる。
【０１５４】
当然のことだが、ステップＳ３５に処理が進められる場合、ランプ３は、点灯されている状態である。ステップＳ３５において、ランプ３の消灯の要求がクリアされる。そして、ステップＳ３６において、出力ポートＰ１０がＬｏｗの状態にされる。このことにより、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４がオフの状態となり、ランプ３が消灯することになる。このようなランプ３の消灯の処理が終了されると、ステップＳ１４（図７）に処理が進められる。
【０１５５】
ステップＳ１４以降の処理については、既に説明したので、ここでは、その説明を省略する。
【０１５６】
このようにして、スタンバイ状態から起動状態に遷移され、起動状態のときには、ランプ３の点灯や消灯の処理が行われる。
【０１５７】
例えば、スタンバイ状態のときには、水１や水２が回路に付着することによりランプ３が点灯するのは、不具合であるので、そのような不具合が発生しないように、安全回路が作動許可とされ安全回路による制御が行われるが、起動状態のときには、使用者の指示に基づいて、マイクロコンピュータ３３がプログラムに基づいて処理を実行することによりランプ３が点灯され、そのランプ３の点灯は、正常な動作のときの点灯であるので、その正常な動作を妨げないように、安全回路の制御は行われないように、安全回路の作動禁止が維持される。
【０１５８】
このように、安全回路自体が、起動時（マイクロコンピュータ３３がオンの状態のとき）には作動禁止とされることにより、起動時において、安全回路自体が誤作動してしまい、不具合が発生してしまうようなことを防ぐことが可能となる。
【０１５９】
カメラ１において、使用者が、カメラ１に対して所定時間操作をしなければ、再度、起動状態からスタンバイ状態へと状態が遷移される。半押しスイッチ３７が離されてから所定の時間（例えば、８秒間）以上経過した場合、スタンバイ状態に移行する。マイクロコンピュータ３３は、ステップＳ１８において、出力ポートＰ１１からＬｏｗを出力する。
【０１６０】
このことにより、ＮＰＮデジタルトランジスタ４３のベースがＬｏｗの状態とされる。よって、ＮＰＮデジタルトランジスタ４３は、オフの状態となる。このため、ＤＣ／ＤＣコンバータ３２の制御端子ＣＴＲＬはＨｉの状態に遷移する。その結果、ＤＣ／ＤＣコンバータ３２は停止の状態となるため、回路内の各部に対する電源電圧ＶＣＣの給電が停止される。
【０１６１】
電源電圧ＶＣＣの給電が停止されると、マイクロコンピュータ３３のすべての出力ポートは、ハイインピーダンスの状態に遷移される。このような処理が行われることにより、起動状態からスタンバイ状態へ移行される（マイクロコンピュータ３３が作動状態から不作動状態に移行される）。
【０１６２】
さらに、電源電圧ＶＣＣの給電が停止されると、ＮＰＮデジタルトランジスタ５６は、オフの状態とされる。よって、ＲＳフリップフロップ４８のリセット入力端子Ｒ＃はＨｉの状態とされる。この状態は、すなわち、安全回路が作動許可された状態である。
【０１６３】
このように、起動状態からスタンバイ状態へと遷移した場合には、安全回路自体も、作動禁止状態から作動許可状態へと遷移される。よって、ランプ３の点灯が指示される状況ではないとき、ランプ３が点灯してしまうような不具合が発生するようなことを、安全回路の制御により防止することが可能となる。
【０１６４】
また、上述した第１実施例においては、電源電圧ＶＣＣが供給されている間、すなわち、マイクロコンピュータ３３が起動されている間は、安全回路の作動が禁止された状態にされているようにした。従って、マイクロコンピュータ３３が起動されている状態のときに、水が付着し、何らかの不具合が発生したとしても、その不具合を、安全回路が検出することはできない。
【０１６５】
勿論、マイクロコンピュータ３３が起動されているときには、マイクロコンピュータ３３が、回路内の不具合を検出し、何らかの対処がとれるように構成されるようにしても良い。しかしながら、そのようにした場合、ランプ３が不具合により点灯されているのか、正常な状態で点灯さているのかなどの判断基準を別途設けなくてはならない、プログラムが複雑になる、安全回路による制御とマイクロコンピュータ３３による制御に整合性を取らせなくてはならないといったような問題がある。
【０１６６】
そこで、電源電圧ＶＣＣが供給され、マイクロコンピュータ３３が起動されている間にも、安全回路が作動許可されている構成とする。本来のランプ３の点灯時には、安全回路を作動禁止にする。これにより、マイクロコンピュータ３３起動中の水の付着に対しても安全回路が働き、かつ、本来のランプ３点灯中に安全回路が誤って作動してしまうということもない。
【０１６７】
そのような実施の形態について、以下に説明する。
【０１６８】
図９は、第２実施例における回路構成を示す図である。図９に示した回路のうち、図３に示した第１実施例における回路構成と同一の部分には、同一の符号を付し、その説明を省略する。
【０１６９】
第２実施例においては、電源電圧ＶＣＣが供給され、マイクロコンピュータ３３が起動されている間であっても、本来のランプ３の点灯時以外のときには、安全回路が作動許可されるような構成とし、より不具合の発生を検出し、適切な処理できるような構成とされている。マイクロコンピュータ３３が起動中であっても、水などが付着したことを検出できるようにし、検出したときには、使用者に警告を出す仕組みが設けられている。
【０１７０】
図９に示した第２実施例における回路構成について説明する。マイクロコンピュータ３３の出力ポートＰ１２は、電源電圧ＶＣＣが給電されていないときにはハイインピーダンスの状態とされるポートである。電源電圧ＶＣＣが供給された後もプログラムで設定されるまで（プログラムが起動され、そのプログラムに基づく処理が開始されるまで）は、ハイインピーダンスの状態が維持されるように構成されている。そして、プログラムで設定されたときに初めてＨｉレベルまたはＬｏｗレベルの出力を行うことができる状態とされる。
【０１７１】
ＮＰＮデジタルトランジスタ５６のベースは、図３に示した第１実施例とは異なり、マイクロコンピュータ３３の出力ポートＰ１２に接続されている。マイクロコンピュータ３３の出力ポートＰ１０は、Ｈｉ出力／Ｌｏｗ出力／ハイインピーダンスの３つの状態を遷移するように構成されている。ハイインピーダンスの状態は、出力ポートＰ１０を入力ポート機能に設定することにより実現することができる。以下、説明を簡単にするため、単にハイインピーダンス出力と、適宜記述する。
【０１７２】
抵抗３５は、マイクロコンピュータ３３の出力ポートＰ１０を保護するためのものである。抵抗３５の抵抗値は、数ＫΩ程度のものが、一般的に用いられる。出力ポートＰ１０が、Ｈｉを出力している時に、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ５５がオンの状態とされると、出力ポートＰ１０が、ＧＮＤラインとショートとしてしまう状態となるので、このようなことを防ぐため、抵抗３５を入れて電流の制限を行えるような構成としている。
【０１７３】
表示部１０１は、回路に水が付着して正常なランプ３の点灯ができなくなったことを（不具合が発生していること）、使用者に知らせるために設けられている。ここでは、表示部１０１を設け、文字や画像などで、使用者に不具合が発生していることを知らせるようにしたが、警告音などを発するスピーカなどを設け、警告音で、または、画像と警告音で、使用者に不具合が発生したことを知らせるようにしても良い。
【０１７４】
表示部１０１への表示内容の指示は、マイクロコンピュータ３３が、不図示の電気信号や通信を用いて行う。
【０１７５】
ＲＳフリップフロップ４８の出力Ｑは、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ１０２のゲートにも接続される。ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ１０２のドレインは、抵抗１０３でＶＣＣラインと接続され、すなわち電源電圧ＶＣＣにプルアップされ、かつ、マイクロコンピュータ３３の入力ポートＰ０２に接続されている。ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ１０２のソースはＧＮＤラインに接地されている。
【０１７６】
このような構成を有する回路の動作について、以下に説明する。第１実施例と同様に、初期状態、スタンバイ状態、および、起動状態の３つの状態が考えられるので、それぞれの状態毎に説明を行う。まず。初期状態のときの図９に示した回路の動作について説明する。
【０１７７】
図９に示した回路も、初期状態では基本的にＲＳフリップフロップ４８がリセットされるため、ここでは、その説明は省略する。
【０１７８】
なお、図９に示した回路構成においては、ＮＰＮデジタルトランジスタ５６のコレクタもＲＳフリップフロップ４８のリセット入力端子Ｒ＃に接続されているが、初期状態やスタンバイ状態の期間中は、マイクロコンピュータ３３に電源電圧ＶＣＣが給電されていない為、上述したように出力ポートＰ１２は、ハイインピーダンスの状態になっている。よって、ＮＰＮデジタルトランジスタ５６のベースは、自身のベースエミッタ間抵抗によりＬｏｗの状態である。従って、ＮＰＮデジタルトランジスタ５６は、オフの状態とされているため、ＲＳフリップフロップ４８のリセット入力端子Ｒ＃の論理に影響を与えることはない。
【０１７９】
また、ＲＳフリップフロップ４８の出力端子ＱはＬｏｗである為、に接続されているＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ５５のゲートもＬｏｗの状態とされるので、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ５５はオフの状態とされる。
【０１８０】
次に、スタンバイ状態のときの図９に示した回路の動作について説明する。スタンバイ状態のときで、かつ、回路に水などが付着していない状態のときの動作は第１実施例と同様であり、既に説明したので、ここでは、その説明を省略する。
【０１８１】
次に、スタンバイ状態で、水が回路に付着してしまった場合の、図９に示した回路の動作について説明する。この場合も、ＶＢＡＴラインとＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４のゲートとの間に水が付着したときと、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４のゲートとドレインとの間に水が付着したときとに分けて説明する。
【０１８２】
まず、ＶＢＡＴラインとＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４のゲートとの間に水が付着したときの、図９に示した回路の動作について説明する。この場合も、図５に示した回路構成の場合と同様に、ＶＢＡＴラインとＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４のゲートとの間に、水１が付着することにより、抵抗８１が付加された擬似的な構成となる。
【０１８３】
抵抗８１が擬似的に付加された構成とされた回路の動作は、基本的に、第１実施例と同様に行われるため、その詳細な説明は省略する。簡便に説明すると、コンパレータ４５の出力ＣＰＯＵＴがＬｏｗの状態とされることにより、ＲＳフリップフロップ４８のセット入力端子Ｓ＃がＬｏwの状態となり、ＲＳフリップフロップ４８の出力端子ＱはＨｉの状態となる。
【０１８４】
その結果、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ５５のゲートはＨｉの状態となり、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ５５はオンの状態となり、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４のゲートは強制的にＬｏｗレベルにされ、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４はオフの状態とされる。従って、水１が付加した状態ランプ３は消灯される。
【０１８５】
また、図９に示した回路構成においては、このような処理が行われると共に、以下のような処理も行われる。すなわち、ＲＳフリップフロップ４８の出力端子ＱがＨｉの状態にされるため、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ１０２のゲートはＨｉの状態となり、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ１０２はオンの状態とされる。ただし、電源電圧ＶＣＣが給電されていない為、抵抗１０３のＶＣＣラインへのプルアップは無効であり、マイクロコンピュータ３３も動作していないため、安全回路の作動等に対して何ら影響を及ぼすことはない。
【０１８６】
次に、スタンバイ状態のときで、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４のドレインとゲートの間に水が付着したときについて説明する。この場合も、図示はしないが、図６に示した回路構成の場合と同様に、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４のゲートとドレインとの間に、水２が付着することにより、抵抗８２が付加された擬似的な構成となる。
【０１８７】
このような抵抗８２が擬似的に付加された構成とされた回路の動作は、基本的に、第１実施例の場合と同様に行われるため、その説明は省略する。
【０１８８】
上述したＶＢＡＴラインとＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４のゲートとの間に水１が付着したときと同様に、ＲＳフリップフロップ４８の出力端子ＱがＨｉの状態にされるため、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ１０２のゲートはＨｉの状態となり、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ１０２はオンの状態とされる。ただし、電源電圧ＶＣＣが給電されていない為、抵抗１０３のＶＣＣラインへのプルアップは無効であり、マイクロコンピュータ３３も動作していないため、安全回路の作動等に対して何ら影響を及ぼすことはない。
【０１８９】
このように、スタンバイ状態のときには、第２実施例においても、第１実施例と、略同様に処理が実行される。
【０１９０】
次に、図９に示した回路における、スタンバイ状態から起動状態への遷移、起動状態中、起動状態からスタンバイ状態への遷移について、それぞれ行われる処理について説明する。半押しスイッチ３７が操作されると、ダイオード３８経由でＤＣ／ＤＣコンバータ３２の制御端子ＣＴＲＬがＬｏｗの状態とされる。ＤＣ／ＤＣコンバータ３２は、制御端子ＣＴＲＬがＬｏｗの状態にされることにより起動し、出力端子ＶＯＵＴからマイクロコンピュータ３３等に電源電圧ＶＣＣの供給を開始する。
【０１９１】
上述のように、電源電圧ＶＣＣが給電された後も、プログラムで設定されるまではマイクロコンピュータ３３の出力ポートＰ１２は、ハイインピーダンスの状態が維持される。また、ＮＰＮデジタルトランジスタ５６のベースは、内蔵のプルダウン抵抗によりＬｏｗの状態にされる。ＮＰＮデジタルトランジスタ５６はオフの状態のままである。
【０１９２】
よって第１実施例とは異なり、電圧電圧ＶＣＣが給電され始めても、ＲＳフリップフロップ４８のリセット入力端子Ｒ＃はＨｉの状態のままである。このことにより、スタンバイ状態の間の、ＲＳフリップフロップ４８の状態は、その状態のまま保持されることになる。すなわち、スタンバイ状態の期間中に安全回路が作動しなかった場合、ＲＳフリップフロップ４８の出力端子ＱはＬｏｗの状態であり、スタンバイ状態の期間中に安全回路が作動した場合、ＲＳフリップフロップ４８の出力端子ＱはＨｉの状態である。
【０１９３】
第１実施例とは異なり、電圧電圧ＶＣＣが給電されても、まだ安全回路は作動が許可された状態のままである。
【０１９４】
マイクロコンピュータ３３は、電源電圧ＶＣＣが給電されるとプログラムが起動され、そのプログラムに基づく処理が開始される。マイクロコンピュータ３３の処理が行われる。図１０のフローチャートを参照し、マイクロコンピュータ３３の処理について説明する。
【０１９５】
ステップＳ５１において、マイクロコンピュータ３３は、プログラムが起動されると、出力ポートＰ１１から論理値としてのＨｉレベルの値を出力する。ＮＰＮデジタルトランジスタ４３は、ベースがＨｉの状態となるためオンの状態とされる。このため、半押しスイッチ３７が離されても、ＤＣ／ＤＣコンバータ３２の制御端子ＣＴＲＬは、Ｌｏｗの状態に保たれることになる。よって、マイクロコンピュータ３３には、電源電圧ＶＣＣも給電されたままの状態が維持される。
【０１９６】
ステップＳ５２において、出力ポートＰ１２からＬｏｗが出力される。ＮＰＮデジタルトランジスタ５６のベースの電位は、Ｌｏｗの状態のまま変化しない。そして、ステップＳ５３において、入力ポートＰ０２がチェックされ、Ｌｏｗであるか否かが判断される。なお、マイクロコンピュータ３３のポートＰ０２の入力論理は、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ１０２と抵抗１０３を経由するため、ＲＳフリップフロップ４８の出力端子Ｑの論理とは逆になる。上述したように、スタンバイ状態の期間中に安全回路が作動した場合、フリップフロップ４８のＱの論理とは逆のＬｏｗの状態に維持されているので、ステップＳ５３においてはＹｅｓと判断されることになり、ステップＳ５４に処理が進められる。
【０１９７】
一方、スタンバイ状態の期間中に安全回路が作動しなかった場合、Ｈｉの状態に維持されているので、ステップＳ５３においてはＮｏと判断されることになり、ステップＳ５５に処理が進められる。
【０１９８】
ステップＳ５４にて、表示部１０１に、スタンバイ中に安全回路が作動したことを使用者に知らせるメッセージや画像などを表示させるような指示が出される。
【０１９９】
ステップＳ５５において、ランプ点灯駆動中フラグが０に設定される。このランプ点灯駆動中フラグは、ランプ３が点灯駆動されていることを示すためのフラグであり、点灯されているときは１に、点灯されていない時には０に設定されるフラグである。また、ランプ点灯駆動中フラグは、マイクロコンピュータ３３の記憶部（不図示）に記憶され、管理される。
【０２００】
この場合、まだ、点灯駆動されていないため０に設定される。ランプ点灯駆動中フラグが０に設定された後、ステップＳ５６において、出力ポートＰ１０からＬｏｗが出力される。このことにより、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４のゲートが、Ｌｏｗの状態にされるため、確実にオフの状態にされる。
【０２０１】
ステップＳ５７において、出力ポートＰ１２が所定の時間（例えば、１ｍｓｅｃ）だけ、Ｈｉが出力され、所定の時間が経過した後、Ｌｏｗが出力される。ＮＰＮデジタルトランジスタ５６のベースが、Ｈｉの状態になっている間、ＲＳフリップフロップ４８のリセット入力端子Ｒ＃がＬｏｗの状態になるため、ＲＳフリップフロップ４８の出力Ｑは、これ以前の履歴にかかわらずＬｏｗの状態になる。
【０２０２】
よって、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ５５は、この時点より以前の履歴にかかわらずオフの状態とされ、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４のゲートの強制的なＬｏｗの状態は、この時点より以前の履歴にかかわらず無くなる。また、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ１０２は、この時点より以前の履歴にかかわらずオフの状態とされ、マイクロコンピュータ３３の入力ポートＰ０２は、この時点より以前の履歴にかかわらずＨｉの状態とされる。
【０２０３】
ステップＳ５８において、ランプ点灯駆動中フラグがチェックされる。ランプ３が点灯駆動中の場合は、そのフラグは、１に設定されているので、ステップＳ５８においてはＹｅｓと判断され、ステップＳ６５に処理が進められる。ランプ３が点灯駆動中でない場合は、そのフラグは、０に設定されているので、ステップＳ５８においてはＮｏと判断され、ステップＳ５９に処理が進められる。
【０２０４】
ステップＳ５９において、出力ポートＰ１２が所定の時間（例えば１ｍｓｅｃ）だけ、Ｈｉが出力され、所定の時間が経過した後、Ｌｏｗが出力される。ＮＰＮデジタルトランジスタ５６のベースが、Ｈｉの状態にされている間、ＲＳフリップフロップ４８のリセット入力端子Ｒ＃は、Ｌｏｗの状態とされているため、ＲＳフリップフロップ４８の出力Ｑは、この時点より以前の履歴にかかわらず、Ｌｏｗの状態にされる。
【０２０５】
よって、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ５５は、この時点より以前の履歴にかかわらずオフの状態とされ、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４のゲートの強制的なＬｏｗの状態は、この時点より以前の履歴にかかわらず無くなる。また、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ１０２は、この時点より以前の履歴にかかわらずオフの状態とされ、マイクロコンピュータ３３の入力ポートＰ０２は、この時点より以前の履歴にかかわらず、Ｈｉの状態とされる。
【０２０６】
ステップＳ６０において、出力ポートＰ１０がハイインピーダンス出力にされる。仮に、この時点で水などが付着している場合、安全回路が作動し、ＲＳフリップフロップ４８の出力Ｑは、Ｈｉになり、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ５５は、オンの状態とされ、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４のゲートはＬｏｗの状態とされ、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４は、強制的にオフの状態にされる。また、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ１０２は、オンの状態とされ、結果的に、マイクロコンピュータ３３の入力ポートＰ０２は、Ｌｏｗの状態とされる。
【０２０７】
ステップＳ６１において、入力ポートＰ０２の論理が確認され、その論理が、Ｌｏｗであるか否かが判断される。ステップＳ６１の処理が実行される時点で安全回路が作動されていたような場合、入力ポートＰ０２は、Ｌｏｗの状態なので、ステップＳ６１においては、Ｙｅｓと判断され、ステップＳ６２に処理が進められる。一方、ステップＳ６１の処理が実行される時点で、安全回路が作動されていなかったような場合、入力ポートＰ０２は、Ｈｉの状態なので、ステップＳ６１においては、Ｎｏと判断され、ステップＳ６４に処理が進められる。
【０２０８】
ステップＳ６２において、表示部１０１に、起動中に安全回路が作動したことを使用者に知らせるための表示が指示される。このステップＳ６２の処理は、ステップＳ５４の処理と基本的に同様に行われる。
【０２０９】
ステップＳ６３において、出力ポートＰ１０の出力がＬｏｗにされる。よって、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４のゲートは、Ｌｏｗの状態にされる。ただし、安全回路の作動により、すなわちＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ５５のオンの状態により、この時点では、既にＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４のゲートは、Ｌｏｗの状態になっている。
【０２１０】
一方、ステップＳ６４に処理が進められた場合も、出力ポートＰ１０の出力がＬｏｗにされる。これにより、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４のゲートは、確実にＬｏｗの状態とされ、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４は、確実にオフの状態とされる。
【０２１１】
ステップＳ６５において、ランプ点灯・消灯の処理が行われる。このステップＳ６５において行われるランプ点灯・消灯の処理の説明は、図１２のフローチャートを参照して後述する。
【０２１２】
ステップＳ６３またはＳ６５の処理が終了されると、ステップＳ６６（図１１）に処理が進められる。ステップＳ６６乃至Ｓ７０の処理は、図７のステップＳ１４乃至Ｓ１８の処理と、基本的に同様に行われるので、その説明は省略する。
【０２１３】
ただし、ステップＳ６８における処理で、Ｎｏと判断された場合、または、ステップＳ６９における処理で、Ｎｏと判断された場合、ステップＳ５８（図１０）に戻り、それ以降の処理が繰り返される。
【０２１４】
次に、図１２のフローチャートを参照して、ステップＳ６５において、ランプ点灯・消灯の処理について説明する。
【０２１５】
ステップＳ１０１において、ランプ３の点灯の要求があるか否かが判断される。この判断は、図８のステップＳ３１の処理と同様に行われる。ステップＳ１０１において、ランプ３の点灯の要求があったと判断された場合、ステップＳ１０２に処理が進められ、点灯の要求はされていないと判断された場合、ステップＳ１０６に処理が進められる。
【０２１６】
ステップＳ１０２において、ランプ３の点灯の要求がクリアされる。ステップＳ１０３において、ランプ点灯駆動中フラグが１に設定される。ステップＳ１０４において、出力ポートＰ１２がＨｉの状態にされる。この結果、ＮＰＮデジタルトランジスタ５６のベースがＨｉの状態になり、ＲＳフリップフロップ４８のリセット入力端子Ｒ＃がＬｏｗの状態になるため、ＲＳフリップフロップ４８の出力Ｑは、Ｌｏｗの状態にされる。ＲＳフリップフロップ４８のリセット入力端子Ｒ＃は、セット入力端子５＃よりも強い為、出力ポートＰ１２がＨｉの間は、コンパレータ４５の出力ＣＰＯＵＴがたとえＬｏｗになったとしても、ＲＳフリップフロップ４８の出力Ｑは、Ｌｏｗのままである。
【０２１７】
よって、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ５５はオフの状態であり、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４のゲートの強制的なＬｏｗはおこなわれない状態である。これすなわち安全回路の作動禁止である。安全回路の作動禁止は、出力ポートＰ１２がＬｏｗにされるまで継続されることになる。
【０２１８】
ステップＳ１０５において、出力ポートＰ１０がＨｉの状態にされる。この結果、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴがオンの状態とされるので、ランプ３が点灯されることになる。ランプ３が点灯すると電圧降下ＶＬが大きくなるので、コンパレータ４５の出力ＣＰＯＵＴはＬｏｗになるが、出力ポートＰ１２のＨｉにより安全回路作動禁止となっているので、安全回路は作動（誤作動）しない。
【０２１９】
ステップＳ１０６において、ランプ３の消灯の要求がされたか否かが判断される。ランプ３の消灯の要求は無いと判断された場合、ステップＳ１０６においては、Ｎｏと判断されることとなり、図１２に示したフローチャートの処理は終了され、ステップＳ６６（図１１）に処理が進められる。
【０２２０】
一方、ランプ３の消灯の要求があったと判断された場合、ステップＳ１０６においては、Ｙｅｓと判断されることとなり、ステップＳ１０７に処理が進められる。ステップＳ１０７において、ランプ３の消灯の要求がクリアされる。ステップＳ１０８において、ランプ点灯駆動中フラグが０に設定される。
【０２２１】
ステップＳ１０９において、出力ポートＰ１０がＬｏｗの状態とされる。この結果、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴがオフの状態とされるので、ランプ３が消灯されることになる。ステップＳ１１０において、出力ポートＰ１２がＬｏｗの状態にされる。この結果、ＮＰＮデジタルトランジスタ５６のベースがＬｏｗの状態とされ、ＲＳフリップフロップ４８のリセット入力端子Ｒ＃がＨｉの状態とされるため、安全回路の作動が許可された状態とされる。
【０２２２】
このような処理が終了されると、ステップＳ６６（図１１）に処理が進められる。ステップＳ６６以降の処理については、既に説明したので、ここでは、その説明は省略する。
【０２２３】
図９に示した回路構成においては、上述したように処理が行われるため、マイクロコンピュータ３３が起動状態のときにおいても、水などが回路に付着することにより発生した不具合（ランプ３の誤作動）を安全回路が検出でき、安全な状態にすることができる。さらに、表示部１０１を設けることにより、不具合が発生したような場合に、使用者に、そのことを知らせることが可能となる。
【０２２４】
このような第２実施例においては、さらに、以下のような実施の形態がある。上述した第２実施例においては、起動状態に遷移した時に、まずスタンバイ状態に安全回路が作動したか否かの有無を確認し（ステップＳ５３の処理）、かつ、起動中も「安全回路を一旦リセットして、その後に安全回路の再作動の有無の確認」（ステップＳ５９乃至Ｓ６１の処理）を繰り返し行われるようにしたが、どちらか一方だけが行われるようにしても良い。
【０２２５】
また、第２実施例においては、１度、安全回路が作動してＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４が強制的にオフの状態にされた後でも、ショートの状態が解消された状態（水が乾燥したことにより、擬似的な抵抗８１や抵抗８２がなくなった状態）になると、再度、ランプ３の点灯が可能となっている。すなわち、使用者の手を煩わすことなく、安全回路に一旦リセットがかけられるようになっている。
【０２２６】
しかしながら、１度安全回路が作動した後は、たとえショートの状態が解消された後であっても、一旦発生した不具合により、他の回路の部分に影響が及ぼされていることも考えられ、そのような状況で、ランプ３の点灯が可能とされる（安全回路が一旦リセットされる）ようにするのには問題があるなどの要因により、ランプ３の点灯が可能な状態とされず、すなわち、安全回路の作動が保持される（リセットがされない）ようにしてた方が良いと考えられる場合には、そのようにしても良い。そのようにするには、ステップＳ５７とステップＳ５９の処理を省略すれば実現できる。
【０２２７】
次に、第３実施例について説明する。図１３は、第３実施例における回路構成を示す図である。図１３に示した回路構成のうち、図３に示した第１実施例の回路構成、または、図９に示した第２実施例の回路構成と同様の部分には、同一の符号を付し、適宜、その説明を省略する。
【０２２８】
以下に説明する第３実施例においては、所定の時間Ｔｔｈ以上、ランプ３が連続して点灯した場合、安全回路が作動するようにした。言い換えれば、ランプ３の連続点灯が所定時間Ｔｔｈ未満であれば、安全回路は作動しない。
【０２２９】
この制限を設けることにより、マイクロコンピュータ３３が起動されている状態と起動されていない状態とで、安全回路を作動許可／作動禁止（第１実施例）したり、ランプ３が点灯されているときだけ、安全回路を作動禁止の状態にする（第２実施例）ようなことを行わなくても良くなる。よって、第３実施例においては、安全回路を常に作動許可させておくことができる。
【０２３０】
そのような制御を実現するために、図１３に示した回路構成は、図３に示した回路構成に、計時部１２１を付加した構成とされている。また、図１３に示した回路構成は、図３に示した回路構成から、ＮＰＮデジタルトランジスタ５６が削除された構成とされている。ＮＰＮデジタルトランジスタ５６は、安全回路の作動許可／作動禁止を制御するために設けられていたが、上述したように、第３実施例においては、安全回路を常に作動許可させておくので、ＮＰＮデジタルトランジスタ５６が削除された構成とされる。
【０２３１】
追加されている計時部１２１の構成について説明する。バッファ１２２は、例えば、ＣＭＯＳロジックＩＣが用いられる。バッファ１２２は、入力と同じ論理を出力するように構成されている。すなわち、コンパレータ４５の出力ＣＰＯＵＴと同じ論理を出力するように構成されている。
【０２３２】
バッファ１２２の出力がＨｉからＬｏｗの状態に変化し、そのままＬｏｗの状態が継続した場合、コンデンサ１２３は、抵抗１２４を介して充電されるように構成されている。コンデンサ１２３の容量値を容量値Ｃ、抵抗１２４の抵抗値を抵抗値Ｒとすると、充電の時定数Ｔｄｎは、容量値Ｃ×抵抗値Ｒとなる。
【０２３３】
よって、ＲＳフリップフロップ４８のセット入力端子Ｓ＃の電圧は、ＶＢＡＴラインからＧＮＤライン側に向かって、時定数Ｔｄｎのエクスポーネンシャルカーブで（指数関数的な曲線を描いて）下降する。ＲＳフリップフロップ４８のセット入力端子Ｓ＃の入力閾値電圧Ｖｔｈまで下降する時間を閾値時間Ｔｔｈとする。
【０２３４】
コンパレータ４５の出力ＣＰＯＵＴがＨｉからＬｏｗの状態に変化し、Ｌｏｗ状態が閾値時間Ｔｔｈの間、継続して始めて、ＲＳフリップフロップ４８のセット入力端子Ｓ＃はＬｏｗ認識される電圧になる。
【０２３５】
ここでは、ＲＳフリップフロップ４８のセット入力端子Ｓ＃の入力閾値電圧Ｖｔｈを、例えば、電池３１が供給する電源電圧の１／２の値と仮定して計算すると
入力閾値電圧Ｖｔｈ＝１／２×電源電圧ＶＢＡＴ
【０２３６】
容量値Ｃ＝１０μＦ、抵抗値Ｒ＝５００ＫΩの場合、閾値時間Ｔｔｈは、以下のようにして算出される。
閾値時間Ｔｔｈ＝Ｃ×Ｒ×ｌｎ（Ｖｔｈ／ＶＢＡＴ）
＝１０μ×５００Ｋ×ｌｎ０．５
この式により、閾値時間Ｔｔｈは、約３．５秒と求められる。よって、容量値Ｃや抵抗値Ｒを、上記の値に設定した場合、約３．５秒で、ＲＳフリップフロップ４８のセット入力端子Ｓ＃にかかる電圧は、１／２×電源電圧ＶＢＡＴ（入力閾値電圧Ｖｔｈ）まで下がることになる。
【０２３７】
このような場合、コンパレータ４５の出力ＣＰＯＵＴが、ＨｉからＬｏｗの状態に変化し、約３．５秒間、Ｌｏｗの状態が継続した場合、ＲＳフリップフロップ４８のセット入力端子Ｓ＃がＬｏｗであると認識することになる。
【０２３８】
バッファ１２２の出力がＬｏｗからＨｉの状態に変化し、そのままＨｉの状態が継続した場合は、コンデンサ１２３は、抵抗１２４およびダイオード１２５経由で抵抗１２６を介して放電される。例えば、抵抗１２４の抵抗値と抵抗１２６の抵抗値が同じであれば、充電に比べ約半分の時定数Ｔｕｐで放電されることになる。よって、ＲＳフリップフロップ４８のセット入力端子Ｓ＃の電圧は、約半分の時定数Ｔｕｐのエクスポーネンシャルカーブで上昇する。
【０２３９】
次に、図１３に示した回路構成の動作について、各状態毎に説明する。まず、初期状態のときについて説明する。初期状態のときには、第１実施例と同様の処理が行われる。第１実施例と同様の処理については、既に説明したので、ここでは、その説明は省略する。
【０２４０】
図１３に示した回路構成においては、いわゆるパワーオンリセット動作が行われるとき、ＲＳフリップフロップ４８の出力端子Ｑに接続されているＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ５５のゲートもＬｏｗの状態とされる。この結果、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ５５はオフの状態とされるのも同様である。なお、図１３に示した第３実施例における回路構成では、図３に示した回路構成からＮＰＮデジタルトランジスタ５６が削除された構成とされているので、そのＮＰＮデジタルトランジスタ５６にかかわる処理については考慮する必要がない。
【０２４１】
次に、スタンバイ状態のときの動作について説明する。第３実施例においても、スタンバイ状態で、かつ、水などが付着していないようなときにおける動作は、第１実施例のときと同様の動作が行われるため、その説明はここでは省略する。
【０２４２】
次に、スタンバイ状態で、水が付着した場合について説明する。まず、水がＶＢＡＴラインとＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４のゲートとの間に付着した場合の回路の動作について説明する。この場合、図５に示した場合と同様に、ＶＢＡＴラインとＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４のゲートとの間に水１が付着し、擬似的に抵抗８１が存在する回路構成とされている。
【０２４３】
そのような抵抗８１が存在する回路構成とされているときの動作について、第３実施例における図１３に示した回路構成においては、その水１（抵抗８１）が、閾値時間Ｔｔｈの期間以上、継続したときに安全回路が作動することになる。
【０２４４】
水１が回路に付着し、擬似的な抵抗８１が構成されると、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４のゲートにかかる電圧は上昇し、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４がオンの状態とされる。ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４がオンの状態となると、ランプ３に電流ＩＬが流れ、電圧降下ＶＬが生じる。上述したように電圧降下ＶＬ＞電圧値ＶＲＥＦとなると、コンパレータ４５の出力ＣＰＯＵＴはＬｏｗを出力する。
【０２４５】
コンパレータ４５の出力ＣＰＯＵＴからＬｏｗが出力されると、その信号は、バッファ１２２に供給される。このことにより、入力された論理と同一の論理を出力するバッファ１２２からの出力もＬｏｗとされる。よって、コンデンサ１２３の充電が開始される。コンデンサ１２３が充電を開始すると、ＲＳフリップフロップ４８のセット入力端子Ｓ＃の電圧は、電源電圧ＶＢＡＴの値から、時定数Ｔｄｎで下降していく。
【０２４６】
上述のように、この状態が閾値時間Ｔｔｈの間継続した時に、ＲＳフリップフロップ４８のセット入力端子Ｓ＃はＬｏｗの認識をする。換言すれば、ＲＳフリップフロップ４８のセット入力端子Ｓ＃には、閾値時間Ｔｔｈだけ時間が経過した後に、Ｌｏｗレベルの信号が入力される。
【０２４７】
この閾値時間Ｔｔｈは、上述したように、コンデンサ１２３の容量値Ｃと抵抗１２４の抵抗値Ｒにより算出することが可能な値（充電の時定数Ｔｄｎにより決定される値）であり、これらの値を適切に設定しておくことにより処理を行うことが可能である。すなわち、ＲＳフリップフロップ４８のセット入力端子Ｓ＃に信号が入力されるまでの時間は、容量値Ｃと抵抗値Ｒとを適切な値に設定することで、設定することができる。
【０２４８】
水が付着したまま閾値時間Ｔｔｈだけ時間が経過した場合、ＲＳフリップフロップ４８のセット入力端子Ｓ＃はＬｏｗ認識となるので、ＲＳフリップフロップ４８の出力端子ＱはＨｉを出力する状態とされる。ＲＳフリップフロップ４８の出力端子Ｑから、Ｈｉが出力されたことによるＮチャンネルＭＯＳ―ＦＥＴ５５のオン、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４のオフ、ランプ３の消灯、電圧降下ＶＬの減少、コンパレータ４５の出力ＣＰＯＵＴのＬｏｗからＨｉへの変化は、第１実施例と同様に行われるため、その説明は省略する。
【０２４９】
コンパレータ４５の出力ＣＰＯＵＴがＨｉを出力する状態とされると、バッファ１２２の出力もＨｉを出力する状態とされる。よって、ＲＳフリップフロップ４８のセット入力端子Ｓ＃の電圧は、時定数Ｔｕｐで上昇する。
【０２５０】
このため、一瞬にして（Ｓ＃の電圧がＶthより下がった瞬間に、Ｔupで上昇を始める為、Ｓ＃の電圧はすぐにＶｔｈよりも上がる）ＲＳフリップフロップ４８のセット入力端子Ｓ＃が、Ｈｉの状態にされるが、ＲＳフリップフロップ４８のラッチ機能により、ＲＳフリップフロップ４８の出力端子ＱはＨｉのままである。これによりＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ５５はオンの状態のままであるであり、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４のゲートは強制的にＬｏｗレベルに落とされたままである。
【０２５１】
ここまでの処理について、特に、計時部１２１と、ＲＳフリップフロップ４８の入出力の関係について、図１４を参照して説明する。図１４には、まずコンパレータ４５の出力ＣＰＯＵＴから出力される値が実線で図示されている。上述したように水が付着するとコンパレータ４５の出力ＣＰＯＵＴは、Ｈｉ（電圧値で記述すれば、電源電圧ＶＢＡＴ）から、Ｌｏｗ（電圧値で記述すれば０）に変化する。水が付着したままであれば、コンパレータ４５の出力ＣＰＯＵＴはＬｏｗを継続する。
【０２５２】
上述のように、ＲＳフリップフロップ４８の入力端子Ｓ＃の電圧は、電源電圧ＶＢＡＴから、時定数Ｔｄｎで下降していく。そして、その下降していく電圧が、入力閾値電圧Ｖｔｈに達するまでは、ＲＳフリップフロップ４８の入力端子Ｓ＃の認識する論理はＨｉである。そして、閾値時間Ｔｔｈが経過し、下降していく電圧が、入力閾値電圧Ｖｔｈに達すると、ＲＳフリップフロップ４８の入力端子Ｓ＃の認識する論理はＬｏｗになる。
【０２５３】
ＲＳフリップフロップ４８の入力端子Ｓ＃が認識している論理値がＬｏｗに変化すると、ＲＳフリップフロップ４８の出力端子Ｑからの出力は、ＬｏｗからＨｉの状態に変化する。
【０２５４】
ＲＳフリップフロップ４８の出力端子からの出力がＬｏｗからＨｉになることにより、上述のごとくコンパレータ４５の出力ＣＰＯＵＴはＬｏｗからＨｉに変化する。これによりＲＳフリップフロップ４８のセット入力端子Ｓ＃の電圧は時定数Ｔｕｐで上昇する。すなわちＲＳフリップフロップ４８のセット入力端子Ｓ＃の電圧は、一瞬にして入力閾値電圧Ｖｔｈを上回る為、Ｓ＃認識論理も一瞬にしてＬｏｗからＨｉに変化する。
【０２５５】
次に、水の付着時間が短く、閾値時間Ｔｔｈに未満だった場合について図１５を用いて説明する。ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４は、例えば、一瞬であっても、水１が存在したことにより、疑似的な抵抗８１が存在したことになり、そのために、オンの状態となり、ランプ３も点灯してしまうが、水１がなくなれば、擬似的な抵抗８１が存在しないことになるため、オフの状態に戻る。
【０２５６】
ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４がオフの状態とされることにより、ランプ３が消灯される。よって、ランプ３に流れている電流ＩＬが０となり、ランプ３にかかっている電圧である電圧降下ＶＬが０になる。これにより電圧降下ＶＬ＜電圧値ＶＲＥＦの状態となるため、コンパレータ４５の出力ＣＰＯＵＴは、Ｈｉを出力する状態とされる。これにより、バッファ１２２の出力もＨｉの状態とされる。そして、ＲＳフリップフロップ４８のセット入力端子Ｓ＃の電圧は、時定数Ｔｕｐで上昇することになる。
【０２５７】
すなわち、ＲＳフリップフロップ４８のセット入力端子Ｓ＃の入力閾値電圧Ｖｔｈに到達する前に電圧上昇するので、ＲＳフリップフロップ４８のセット入力端子Ｓ＃はＬｏｗを認識する状態とはならない。よって、安全回路は作動しない。
【０２５８】
再度、図１５を参照して説明する。ここでは、図１５に示したようにコンパレータ４５からは、ＨｉからＬｏｗが出力される。このような状態のときには、図１５に示したように、出力ＣＰＯＵＴがＨｉからＬｏｗに変化され、Ｌｏｗが出力されている状態では、ＲＳフリップフロップ４８の入力端子Ｓ＃の電圧は、電源電圧ＶＢＡＴから、時定数Ｔｄｎで降下していく。
【０２５９】
しかしながら、その降下していく電圧が、入力閾値電圧Ｖｔｈに達する前に、すなわち、閾値時間Ｔｔｈが経過する前に、水１などが回路に付着することにより発生した不具合が解消されたので、コンパレータ４５からは、Ｌｏｗから切り替わりＨｉが出力される。このため、ＲＳフリップフロップ４８の入力端子Ｓ＃の電圧は、入力閾値電圧Ｖｔｈに達する前に、時定数Ｔｕｐで上昇する。
【０２６０】
よって、図１５に示したように、ＲＳフリップフロップ４８の入力端子Ｓ＃は、論理値として、Ｌｏｗが入力されている状態であると認識する状態は発生せず、常に、Ｈｉが入力されている状態であると認識し続けることになる。この結果、ＲＳフリップフロップ４８の出力端子Ｑからの出力は、図１５に示したように、常に、Ｌｏｗが出力されている状態が維持されることになる。よって、図１５に示したような状況下では、安全回路が作動し、ランプ３が強制的に消灯されるような状況が発生することはない。
【０２６１】
次に、第３実施例における、スタンバイ状態から起動状態への遷移、起動状態中、起動状態からスタンバイ状態への遷移について説明する。第３実施例においては、図１３に示したような回路構成とされている。すなわち、図３に示した回路構成からＮＰＮデジタルトランジスタ５６が削除された構成とされている。図３においては、このＮＰＮデジタルトランジスタ５６は、安全回路の作動許可／作動禁止を制御するために設けられていた。
【０２６２】
よって、ＮＰＮデジタルトランジスタ５６が削除された構成とされている図１３に示したような回路においては、安全回路は、常に作動許可状態とされている。よって、起動状態のときであっても、不具合が発生することによりランプ３が点灯されるようなことがあれば、安全回路が適切な制御を行うことが可能である。
【０２６３】
しかしながら、安全回路が常に作動する状態であると、正常にランプ３が点灯されているにもかかわらず、換言すれば、使用者の指示によりランプ３が点灯されている時であっても、安全回路が不具合によりランプ３が点灯されていると判断してしまう可能性がある。ここでは、そのような誤作動が発生することがないようにするために、計時部１２１が設けられており、計時部１２１が設けられていることにより、安全回路が誤作動してしまうようなことを防ぐことが可能となる。
【０２６４】
このような、計時部１２１が設けられている図１３に示したような回路における起動状態における動作について説明する。半押しスイッチ３７が押されると、ダイオード３８経由でＤＣ／ＤＣコンバータ３２の制御端子ＣＴＲＬがＬｏｗの状態とされる。ＤＣ／ＤＣコンバータ３２は、出力端子ＶＯＵＴからマイクロコンピュータ３３などに対して電源電圧ＶＣＣを供給するようになる。
【０２６５】
図１３に示した回路構成では、図３に示した回路構成からＮＰＮデジタルトランジスタ５６が削除された構成とされているため、ＮＰＮデジタルトランジスタ５６の動作を考慮する必要はない。よって、第１実施例とは異なり、電源電圧ＶＣＣが給電され始めてもＲＳフリップフロップ４８のリセット入力端子Ｒ＃はＨｉのままである。よって、スタンバイ期間中のＲＳフリップフロップ４８の状態がそのまま保持される。すなわち、スタンバイ期間中に安全回路が作動しなかった場合、ＲＳフリップフロップ４８の出力端子ＱはＬｏｗの状態であり、スタンバイ期間中に安全回路が作動した場合、ＲＳフリップフロップ４８の出力端子ＱはＨｉの状態である。
【０２６６】
マイクロコンピュータ３３は、電源電圧ＶＣＣが給電されるとプログラムによる処理が開始される。このマイクロコンピュータ３３の処理は、図７と図８に示したフローチャートの処理と基本的に同様に行われるため、その説明は省略する。
【０２６７】
ここで、正常な状態のときにランプ３が点灯されるのは、３つの状態がある。第１の状態は、オートフォーカス中に焦点検出補助光として点灯される場合である。第２の状態は、閃光撮影時の赤目軽減用の光として点灯される場合である。第３の状態は、セルフタイマーの作動中を示すために点灯される場合である。
【０２６８】
第１の状態としてのオートフォーカス中に焦点検出補助光として点灯は、通常のＨｉによる点灯（以下、適宜、ＤＣ点灯と呼ぶ）で、連続的な時間にして、例えば、２秒間の点灯である。第２の状態としての閃光撮影時の赤目軽減用の光として点灯は、通常のＨｉによる点灯（ＤＣ点灯）で、連続的な時間にして、例えば、１．５秒間の点灯である。
【０２６９】
第３の状態としてのセルフタイマーの作動中を示すための点灯は、ＰＷＭによる点灯で、連続的な時間として、例えば１０秒間の点灯（点滅）である。
【０２７０】
ここで、上述した閾値時間Ｔｔｈを、例えば、３．５秒と設定しておくと、第１の状態の点灯と、第２の状態の点灯のときには、それぞれ、点灯時間＜閾値時間Ｔｔｈとなり、図１５を参照して説明したような状態となるため、安全回路は作動されない。換言すれば、安全回路は、ランプ３の正常な点灯の動作に何ら影響を与えることはない。
【０２７１】
第３の状況のときには、点灯時間が１０秒間程度に設定されているため、点灯時間＞閾値時間Ｔｔｈとなってしまうが、以下に説明するような処理が行われるため、正常に点灯されているランプ３の点灯を妨げられるようなことは起きない。図１６を参照して説明する。
【０２７２】
ＰＷＭは、通常、数百Ｈｚの周波数のものが用いられる。デューティ比（＝Ｈｉの時間／周期×１００）を変更することにより、ランプ３の輝度を変えることができる。デューティ比が高いほど明るくなる。ここでは、周波数５００Ｈｚ（周期２ｍＳ）、デューティ比５０％の場合を例に挙げて説明する。上記周波数、上記デューティ比では、Ｈｉの期間は１ｍＳ、Ｌｏｗの期間は１ｍＳとなる。
【０２７３】
マイクロコンピュータ３３の出力ポートＰ１０が、ＰＷＭのＨｉの間、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４はオンし、ランプ３は点灯する。この間、電圧降下ＶＬ＞電圧値ＶＲＥＦ（基準電圧４６の電圧値）となり、コンパレータ４５の出力ＣＰＯＵＴはＬｏｗを出力する。そのため、ＲＳフリップフロップ４８の入力Ｓ＃の電圧は、時定数Ｔｄｎで降下し始める。
【０２７４】
１ｍＳ後にマイクロコンピュータ３３の出力ポートＰ１０が、ＰＷＭのＬｏｗとなる。Ｌｏｗの間、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４は、オフの状態とされ、ランプ３は消灯される。この間、電圧降下ＶＬ＜電圧値ＶＲＥＦとなり、コンパレータ４５の出力ＣＰＯＵＴはＨｉを出力する。そのため、ＲＳフリップフロップ４８のセット入力端子Ｓ＃は、時定数Ｔｕｐで上昇し始める。
【０２７５】
時定数Ｔｄｎ＞時定数Ｔｕｐのため、点灯期間１ｍＳ、消灯期間１ｍＳと同じであっても、結果的に電圧上昇方向になる。また、閾値時間Ｔｔｈは、時定数Ｔｄｎや時定数Ｔｕｐよりも充分長いため、結局、ＲＳフリップフロップ４８のセット入力端子Ｓ＃は、図１６に示したように、ほとんど電圧ＶＢＡＴから下がるようなことはなく、ＲＳフリップフロップ４８のセット入力端子Ｓ＃の電圧は、閾値電圧Ｖｔｈを下回ることはない。
【０２７６】
よって、ＲＳフリップフロップ４８のセット入力端子Ｓ＃が認識する論理値は、Ｈｉの状態のままである。よって、ＲＳフリップフロップ４８の出力Ｑは、Ｌｏｗの状態のままであり、安全回路が作動されることはない。よって、ランプ３がＰＷＭにより点灯されているときは、その時間が閾値時間Ｔｔｈ以上であったとしても、その点灯が妨げられることはない。
【０２７７】
以上のように、第３実施例によれば、閾値時間Ｔｔｈ以上であってもＰＷＭによる点灯であれば、安全回路は誤作動しない。また、閾値時間Ｔｔｈ未満のＤＣ点灯においても、安全回路が誤作動してしまうようなことはない。
【０２７８】
仮に、閾値時間Ｔｔｈ以上の間、ランプ３が連続的にＤＣ点灯された場合、安全回路は安全回路としての処理を実行する。すなわちこの場合、不具合が発生したと判断され、ランプ３の点灯が停止されるような処理が行われる。その処理については、既に説明したので、ここでは、その説明は省略する。
【０２７９】
このように、結果的に、マイクロコンピュータ３３が処理を行っている状態であっても、安全回路が、適切な場面で、適切な処理を行うことが可能となり、仮にマイクロコンピュータ３３が動作中に何らかの不具合が発生したような場合であっても、その不具合に対して適切に対処することができる。
【０２８０】
ＰＷＭ点灯の場合、正常なランプ３の点灯においても閾値時間Ｔｔｈ以上の駆動が行われるが、このようなときにも安全回路が誤作動するようなことはない。なおＰＷＭ点灯の場合は、ＤＣ点灯とくらべると、同じ点灯時間であってもランプ３の温度上昇は少ない。よって、閾値時間Ｔｔｈ以上にＰＷＭ点灯が行われても、ランプ３が破損されるような状況が発生するようなことはない。
【０２８１】
第３実施例においては、起動中（電源電圧ＶＣＣが、回路に給電されている間）も、安全回路は作動が許可されているので、水などが付着することにより、ランプ３が点灯されるといった不具合に対処できることは勿論であるが、起動中の他の不具合、例えば、マイクロコンピュータ３３の暴走により、ランプ点灯（ＤＣ点灯）のままになってしまったような不具合が発生したような場合であっても、所定の時間（この場合、閾値時間Ｔｔｈ）が経過すれば、安全回路が作動してこのような不具合を検出し、その検出に対処してランプ３を消灯するといった処理を実行するため、より、安全回路としての機能や信頼性を高めることができる。
【０２８２】
なお、この第３実施例においては、所定時間Ｔｔｈ以上ランプ３の誤動作が所定時間Ｔｔｈ以上検出されると安全回路が作動する。この場合、第１実施例と同様に、水１が乾燥して抵抗８１が無限大になったとしても（不具合が取り除かれたとしても）、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４のゲートは強制的にＬｏｗレベルに落とされたままであり、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４はオフしたままである。第２実施例と同じように、出力ポートＰ１２とＮＰＮデジタルトランジスタ５６を追加し、マイクロコンピュータ３３が安全回路を一旦リセットをかける構成としても良い。
【０２８３】
次に、第４実施例について説明する。上述した第１乃至第３実施例においては、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４を用いた回路構成を例に挙げて説明したが、第４実施例においては、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４のかわりに、ＰチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴを用いた回路構成とされる。
【０２８４】
図１７に、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４のかわりに、ＰチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ１４１を用いた場合の回路構成を示す。図１７に示した回路構成は、図９の回路構成（第２実施例における回路構成）におけるＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４を、ＰチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ１４１にした構成とされており、図１７において、図９に示した回路構成と、同様の部分には、同一の符号を付し、その説明を適宜省略する。
【０２８５】
図１７に示した回路構成について説明するが、図９に示した回路構成と異なる部分について説明する。まず、ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ３４のかわりに、ＰチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ１４１が用いられた構成とされている。ランプ３の一端は、ＰチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ１４１のドレインに接続され、他端はＧＮＤラインに接続されている。
【０２８６】
コンパレータ４５の反転入力端子ＣＰＩＮＭは、ランプ３とＰチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ１４１のドレインの接続点に接続されている。コンパレータ４５の非反転入力端子ＣＰＩＮＰは、基準電圧４６の正極に接続されている。基準電圧４６の負極はＧＮＤラインに接続されている。
【０２８７】
ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ５５のかわりに、ＰチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ１４２が備えられた構成とされている。ＲＳフリップフロップ４８の出力Ｑ＃が、ＰチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ１４２のゲートに接続されている。抵抗１４３は、ＰチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ１４１のゲートとソース（ＶＢＡＴ）の間に接続されている。
【０２８８】
マイクロコンピュータ３３の出力ポートＰ１０と、ＰチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ１４１のゲートの間に、レベルシフト（電源電圧ＶＣＣ系から電源電圧ＶＢＡＴ系へ）のためにＮＰＮデジタルトランジスタ１４４を追加された構成とされている。
【０２８９】
水１’は、ＰチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ１４１のゲートとＧＮＤの間に付着し、水２’は、ＰチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ１４１のゲートとドレインの間に付着する。
【０２９０】
なお、ＮＰＮデジタルトランジスタ１４４のコレクタとＰチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ１４１のゲートの間に入っている抵抗１４５は保護用である。ＮＰＮデジタルトランジスタ１４４とＰチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ１４２の両方がオンした時に、ＶＢＡＴラインとＧＮＤラインがショートするのを防ぐためのものである。
【０２９１】
図１８Ａ乃至Ｃは、図１７の回路構成のうち基準電圧４６の詳細な構成を示した図である。図１８Ａは、図１７から基準電圧４６周辺を抜き出した回路構成である。図１８Ｂは、基準電圧４６としてツェナーダイオード１６１を使用した場合を示している。抵抗１６２は、動作点を決めるためのものである。
【０２９２】
例えば、ツェナー電流ＩＺ＝４０μＡでツェナー電圧ＶＺ＝２Ｖの規格のツェナーダイオード１６１を用いた場合、電源電圧ＶＢＡＴ＝６Ｖのとき、抵抗１６２の抵抗値は、以下の式により算出される。
（ＶＢＡＴ−ＶＺ）／ＩＺ＝（６−２）／４０μ＝１００ＫΩ
よってこの場合、抵抗１６２の抵抗値は、１００ＫΩと求められる。
【０２９３】
図１８Ｃは、基準電圧４６として公知の正電圧三端子レギュレータ１６３が用いられた場合を示している。例えば、２Ｖの正電圧三端子レギュレータの場合、ＣＯＭＭＯＮ端子に対して２Ｖ高い電圧をＯＵＴ端子から出力する。よって、ＶＲＥＦ＝２Ｖとなる。なお、使用される正電圧三端子レギュレータ１６３は、ＣＭＯＳプロセス等を用いた低消費電流（自己消費電流が数μＡから十μＡ程度）のものが一般的である。
【０２９４】
第４実施例のように、ＰチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴが用いられた回路においても、第２実施例の場合と、基本的に同様に処理が行われることにより、回路内に不具合が発生したとしても、安全回路が、その不具合を検出し、対処するので、ランプ３が点灯し続けるようなことを防ぐことができる。
【０２９５】
また上述した実施の形態のうち、特に、第３実施例においては、負荷素子（ランプ３）の両端電圧の検出に加え、異常電圧が検出されている時間が予め設定されている時間を超えた場合のみ安全回路が作動される。このようにすることによって、第３実施例においては、他の実施の形態と異なり、マイクロコンピュータ３３への給電期間中も、安全回路を作動禁止にする必要はないので、マイクロコンピュータ３３が動作している状況下であっても、安全回路が作動できる状態とされており、不具合が発生してもその不具合に対して対処することが可能となる。
【０２９６】
上述した実施の形態においては、マイクロコンピュータ３３の電源として間欠給電の電源電圧ＶＣＣを使用する一方、安全回路の電源は、ランプ３の電源と同じ、常時給電の電池３１からの電源ＶＢＡＴを使用するようにした。これにより、マイクロコンピュータ３３に電源電圧が給電されていないスタンバイ状態においても、確実に安全回路を起動させ、作動させることが可能となる。
【０２９７】
本発明においては、安全回路は、ランプ３の両端電圧を検出し、基準電圧４６の電圧値ＶＲＥＦと比較することにより異常を検出する。これにより「正常な状態の、通常の負荷駆動時に安全回路が誤作動する」、「半ショートで安全回路が作動しない」、「電池電圧の変動で安全回路が誤作動する」といった問題が発生するようなことを防ぐことが可能となる。
【０２９８】
上述した実施の形態においては、安全回路が備えられる装置を、カメラ１として説明したが、カメラ以外の装置に本発明を適用できることは言うまでもない。また、上述した実施の形態においては、負荷素子をランプ３の場合を例に挙げて説明したが、負荷素子は、ランプ３に限らず、例えば、ソレノイドなどであっても良い。
【０２９９】
このように、本発明を適用すれば、比較的安価で、信頼性の高い安全回路を提供できる。
【０３００】
なお、本明細書において、媒体により提供されるプログラムを記述するステップは、記載された順序に従って、時系列的に行われる処理は勿論、必ずしも時系列的に処理されなくとも、並列的あるいは個別に実行される処理をも含むものである。
【０３０１】
また、本明細書において、システムとは、複数の装置により構成される装置全体を表すものである。
【図面の簡単な説明】
【０３０２】
【図１】カメラの本体とランプの位置関係を示す図である。
【図２】回路に水が付着したときの不具合について説明するための図である。
【図３】本発明を適用した安全回路を含む回路の第１実施例の構成を示す図である。
【図４】第１実施例の基準電圧の構成について説明するための図である。
【図５】第１実施例において回路に水が付着したときの安全回路の作動について説明するための図である。
【図６】第１実施例において回路に水が付着したときの安全回路の作動について説明するための図である。
【図７】第１実施例の処理の詳細を説明するフローチャートである。
【図８】ステップＳ１３の処理の詳細を説明するフローチャートである。
【図９】本発明を適用した安全回路を含む回路の第２実施例の構成を示す図である。
【図１０】第２実施例の処理の詳細を説明するフローチャートである。
【図１１】図１０のフローチャートに続くフローチャートである。
【図１２】ステップＳ６５の処理の詳細を説明するフローチャートである。
【図１３】本発明を適用した安全回路を含む回路の第３実施例の構成を示す図である。
【図１４】第３実施例の安全回路が作動するタイミングについて説明するための図である。
【図１５】第３実施例の安全回路が作動しないタイミングについて説明するための図である。
【図１６】第３実施例の安全回路が作動しないタイミングについて説明するための図である。
【図１７】本発明を適用した安全回路を含む回路の第４実施例の構成を示す図である。
【図１８】第４実施例の基準電圧の構成について説明するための図である。
【符号の説明】
【０３０３】
３  ランプ
３１  電池
３２  ＤＣ／ＤＣコンバータ
３３  マイクロコンピュータ
３４  ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ
３５，３６  抵抗
３７  半押しスイッチ
３８，３９  ダイオード
４０，４１  抵抗
４２  レリーズスイッチ
４３  ＮＰＮデジタルトランジスタ
４４  抵抗
４５  コンパレータ
４６  基準電圧
４７  抵抗
４８  ＲＳフリップフロップ
５３  抵抗
５４  コンデンサ
５５  ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ
５６  ＮＰＮデジタルトランジスタ
７１  ツェナーダイオード
７２  抵抗
７３  負電圧三端子レギュレータ
１０１  表示部
１０２  ＮチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ
１０３  抵抗
１２１  計時部
１２２  バッファ
１２３  コンデンサ
１２４  抵抗
１２５  ダイオード
１２６  抵抗
１４１  ＰチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ
１４２  ＰチャンネルＭＯＳ−ＦＥＴ
１６３  正電圧三端子レギュレータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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