(57)【要約】【課題】  大容量化を図りつつ、低ＥＳＲ化と高耐電圧化とを図ることが可能な固体電解コンデンサを提供すること。【解決手段】  弁作用金属からなる多孔質焼結体１と、多孔質焼結体１を覆う誘電体層２と、誘電体層２を覆い、かつ導電性ポリマ層３２を含む固体電解質層３と、を備える固体電解コンデンサＡであって、固体電解質層３は、誘電体層２と導電性ポリマ層３２とに挟まれた下地層（無機半導体層）３１をさらに備える。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
弁作用金属からなる多孔質焼結体と、
上記多孔質焼結体を覆う誘電体層と、
上記誘電体層を覆い、かつ導電性ポリマ層を含む固体電解質層と、
を備える固体電解コンデンサであって、
上記固体電解質層は、上記誘電体層と上記導電性ポリマ層とに挟まれた無機半導体層をさらに備えることを特徴とする、固体電解コンデンサ。
【請求項２】
上記無機半導体層は、ＭｎＯ2を含んでいる、請求項１に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項３】
上記無機半導体層は、ＰｂＯ2を含んでいる、請求項１または２に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項４】
上記無機半導体層は、上記誘電体層と上記導電性ポリマ層とが対向する全領域にわたってこれらの層の間に介在している、請求項１ないし３のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
【請求項５】
弁作用金属からなる多孔質焼結体と、
上記多孔質焼結体を覆う誘電体層と、
上記誘電体層を覆い、かつ導電性ポリマ層を含む固体電解質層と、
を備える固体電解コンデンサであって、
上記固体電解質層は、上記誘電体層と上記導電性ポリマ層との間に介在する脱ドープ導電性ポリマ層をさらに備えることを特徴とする、固体電解コンデンサ。
【請求項６】
上記脱ドープ導電性ポリマ層は、複素五員環化合物の脱ドープ体、または複素五員環化合物の誘導体の脱ドープ体からなる、請求項５に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項７】
上記誘電体層は、Ｎ2、Ｍｎ、またはＶを含んでいる、請求項１ないし６のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
【請求項８】
上記多孔質焼結体には、Ｎ2、Ｍｎ、またはＶが添加されている、請求項１ないし７のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
【請求項９】
上記多孔質焼結体は、Ｎｂからなり、かつ上記誘電体層は、Ｎｂ2Ｏ5からなる、請求項１ないし８のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
【請求項１０】
上記多孔質焼結体は、ＮｂＯからなり、かつ上記誘電体層は、Ｎｂ2Ｏ5からなる、請求項１ないし８のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
【請求項１１】
上記導電性ポリマ層は、第１導電性ポリマ層と、この第１の導電性ポリマ層を覆う第２導電性ポリマ層とを含む、請求項１ないし１０のいずれかに記載の固体電解コンデンサ。
【請求項１２】
上記第１導電性ポリマ層は、ポリエチレンジオキシチオフェンからなる、請求項１１に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項１３】
上記第２導電性ポリマ層は、ポリエチレンジオキシチオフェンまたはポリピロールからなる、請求項１１または１２に記載の固体電解コンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＮｂまたはＮｂＯなどの弁作用金属からなる多孔質焼結体を備えた固体電解コンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の固体電解コンデンサとしては、図３に示すものがある。同図に示された固体電解コンデンサＸは、Ｎｂからなる多孔質焼結体９１、誘電体層９２、および固体電解質層９３を備えている。多孔質焼結体９１には、外部陽極端子９６ａに導通する陽極ワイヤ９１ａが突出するように設けられている。固体電解質層９３は、グラファイト層および銀層からなる導体層９４を介して外部陰極端子９６ｂに導通している。また、多孔質焼結体９１は、パッケージ樹脂９５により封止されている。これらにより、固体電解コンデンサＸは、極性を有する面実装タイプの固体電解コンデンサとして構成されている。
【０００３】
固体電解コンデンサＸは、電気回路における交流ノイズの除去、あるいは電子部品への電源供給の補助などに用いられる。これらの用途に用いられる固体電解コンデンサＸとしては、電気的損失を低減させることや、内部に蓄えた電気エネルギを効率よく供給することが求められる。これらのためには、固体電解コンデンサＸの等価直列抵抗（以下、ＥＳＲ）を小さくする必要がある。最近では、ＥＳＲを１ｍΩ以下とすることが求められる用途がある。低ＥＳＲ化を図るには、固体電解質層９３の低抵抗化を図ることが有利である。固体電解コンデンサＸにおいては、固体電解質層９３を導電性ポリマにより形成することにより、低ＥＳＲ化が図られている。
【０００４】
しかしながら、一般的に、固体電解質層９３の材質として導電性ポリマを用いると、電圧を印加した際の漏れ電流が比較的大きくなる。漏れ電流が大きいほど、固体電解コンデンサＸの耐電圧が低下する。一方、近年の大容量化の要請はますます強くなっており、１０００μＦを超えるような大容量化が進められつつある。多孔質焼結体９１をＮｂにより形成すれば、微小な細孔を備えるものとすることが可能である。このことにより固体電解コンデンサＸの大容量化を図るほど、固体電解質層９３と多孔質焼結体９１との接触面積が大きくなる。この接触面積が大きいほど、漏れ電流が生じる部分が大きくなることとなり、耐電圧が低下する。このため、固体電解コンデンサＸは、ある程度の低ＥＳＲ化は可能であるが、大容量かつ高耐電圧が求められる用途には適していなかった。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１１９４０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、大容量化を図りつつ、低ＥＳＲ化と高耐電圧化とを図ることが可能な固体電解コンデンサを提供することをその課題としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明では、次の技術的手段を講じている。
【０００８】
本発明の第１の側面によって提供される固体電解コンデンサは、弁作用金属からなる多孔質焼結体と、上記多孔質焼結体を覆う誘電体層と、上記誘電体層を覆い、かつ導電性ポリマ層を含む固体電解質層と、を備える固体電解コンデンサであって、上記固体電解質層は、上記誘電体層と上記導電性ポリマ層とに挟まれた無機半導体層をさらに備えることを特徴としている。なお、上記無機半導体層が互いに離散した複数の無機半導体要素からなる場合など、上記誘電体層と上記導電性ポリマ層とが対向する領域の一部のみに上記無機半導体層が介在する構成であっても、本発明に含まれる。
【０００９】
このような構成によれば、上記無機半導体層と上記誘電体層とが接し、上記導電性ポリマ層と上記誘電体層とは接しない。このため、たとえば従来技術のように誘電体層と導電性ポリマ層とが接している構成と比べて、漏れ電流を小さくすることが可能である。したがって、上記固体電解コンデンサの高耐電圧化を図ることができる。また、上記無機半導体層を覆う上記導電性ポリマ層を備えることにより、上記固体電解質層の低抵抗化が可能である。以上より、上記固体電解コンデンサの大容量化を図る場合であっても、低抵抗化と高耐電圧化とを図ることができる。
【００１０】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記無機半導体層は、ＭｎＯ2を含んでいる。このような構成によれば、上記固体電解コンデンサの高耐電圧化に適している。また、上記導電性ポリマ層を化学酸化重合により形成する場合に、ＭｎＯ2からなる上記無機半導体層は酸化剤として利用することができる。すなわち、上記下地層による酸化処理と同時に、上記下地層あるいは上記誘電体層に上記導電性ポリマ層が形成される。したがって、上記固体電解質層の接合強度を高めることができる。
【００１１】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記無機半導体層は、ＰｂＯ2を含んでいる。このような構成によっても、上記固体電解コンデンサの高耐電圧化を図ることができる。
【００１２】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記無機半導体層は、上記誘電体層と上記導電性ポリマ層とが対向する全領域にわたってこれらの層の間に介在している。このような構成によれば、上述した抵抗化、高耐電圧化、および上記導電性ポリマ層の接合強度の向上を図るのに好適である。
【００１３】
本発明の第２の側面によって提供される固体電解コンデンサは、弁作用金属からなる多孔質焼結体と、上記多孔質焼結体を覆う誘電体層と、上記誘電体層を覆い、かつ導電性ポリマ層を含む固体電解質層と、を備える固体電解コンデンサであって、上記固体電解質層は、上記誘電体層と上記導電性ポリマ層との間に介在する脱ドープ導電性ポリマ層をさらに備えることを特徴としている。
【００１４】
このような構成によれば、本発明の第１の側面によって提供される固体電解コンデンサと同様に、大容量化を図りつつ、低抵抗化と高耐電圧化とを図ることができる。特に、脱ドープ導電性ポリマ層は、ＭｎＯ2と同程度の低抵抗材料であるために、低抵抗化に有利である。
【００１５】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記脱ドープ導電性ポリマ層は、複素五員環化合物の脱ドープ体、または複素五員環化合物の誘導体の脱ドープ体からなる。
【００１６】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記誘電体層には、Ｎ2、Ｍｎ、またはＶが注入されている。このような構成によれば、上記固体電解コンデンサの高耐電圧化を図るのにさらに適している。
【００１７】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記多孔質焼結体には、Ｎ2、Ｍｎ、またはＶが添加されている。
【００１８】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記多孔質焼結体は、Ｎｂからなり、かつ上記誘電体層は、Ｎｂ2Ｏ5からなる。このような構成によれば、上記固体電解コンデンサの大容量化に有利である。
【００１９】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記多孔質焼結体は、ＮｂＯからなり、かつ上記誘電体層は、Ｎｂ2Ｏ5からなる。このような構成によれば、上記固体電解コンデンサの大容量化に好適である。
【００２０】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記導電性ポリマ層は、第１導電性ポリマ層と、この第１の導電性ポリマ層を覆う第２導電性ポリマ層とを含む。このような構成によれば、上記第１導電性ポリマ層を上記多孔質焼結体の細孔を埋めるように形成することにより、上記固体電解コンデンサの低抵抗化に有利である。
【００２１】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１導電性ポリマ層は、ポリエチレンジオキシチオフェンからなる。このような構成によれば、上記第１導電性ポリマ層により、上記多孔質焼結体の細孔を埋めるのに好適である。したがって、上記固体電解コンデンサの低抵抗化をさらに促進することができる。
【００２２】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第２導電性ポリマ層は、ポリエチレンジオキシチオフェンまたはポリピロールからなる。このような構成によれば、上記第２導電性ポリマ層を、上記第１導電性ポリマ層よりも物理的強度が高いものとすることが可能である。したがって、上記固体電解コンデンサを保護することができる。
【００２３】
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
【００２５】
図１および図２は、本発明に係る固体電解コンデンサの一例を示している。図１は、本実施形態の固体電解コンデンサＡの構造を表す要部拡大断面図である。本図に示すように、固体電解コンデンサＡは、多孔質焼結体１、誘電体層２、固体電解質層３、および導体層４を備えている。図２は、固体電解コンデンサＡの断面図である。本図においては、誘電体層２が省略されている。
【００２６】
多孔質焼結体１は、弁作用を有する金属であるＮｂＯの粉末を加圧成形し、これを焼結することにより形成されており、固体電解コンデンサＡにおいて陽極として機能する部位である。多孔質焼結体１は、Ｎｂの粉末どうしが焼結した焼結部を有し、かつこの焼結部どうしの間に微小な細孔が形成された構造を有している。本実施形態においては、多孔質焼結体１は、高さ方向である図中上下方向の寸法が、図中左右方向および紙面奥行き方向における寸法よりも小である扁平な矩形状とされている。このような形状は、固体電解コンデンサＡの低ＥＳＲ化および低インダクタンス化（低ＥＳＬ化）に好ましい。
【００２７】
図２に示すように、多孔質焼結体１には陽極ワイヤ１１が設けられている。陽極ワイヤ１１は、多孔質焼結体１と同様に弁作用金属であるＮｂにより形成されており、その一部が多孔質焼結体１から突出している。本実施形態においては、紙面奥行き方向において、複数本の陽極ワイヤ１１が設けられている。このような構成は、低ＥＳＲ化および低ＥＳＬ化を図るのに好ましい。
【００２８】
図１に示すように、多孔質焼結体１は、誘電体層２により覆われている。誘電体層２は、Ｎｂ2Ｏ5からなり、固体電解コンデンサＡの静電容量を形成する部分である。固体電解コンデンサＡの静電容量は、誘電体層２の厚さに反比例し、誘電体層２の面積に正比例する。誘電体層２の形成は、たとえば次のようにして行われる。たとえば図２に示す陽極ワイヤ１１を挟持しながら多孔質焼結体１をたとえばリン酸水溶液の化成液に浸漬させる。この状態で直流電流を通電させことにより、多孔質焼結体１の表面に陽極酸化処理を施す。これにより、Ｎｂ2Ｏ5からなる誘電体層２が形成される。
【００２９】
固体電解質層３は、誘電体層２を覆っており、固体電解質層３と誘電体層２との間に、誘電体層２から固体電解質層３へと向かう方向には電流を流さない界面を形成するためのものである。固体電解質層３は、下地層３１と導電性ポリマ層３２とが積層されている。
【００３０】
下地層３１は、ＭｎＯ2からなり、本発明でいう無機半導体層の一例である。下地層３１は、誘電体層２と接しており、誘電体層２と導電性ポリマ層３２とが対向する全領域にわたってこれらの層の間に介在している。ＭｎＯ2からなる下地層３１は、たとえば硝酸マンガンの水溶液中に、多孔質焼結体１を浸漬させて、多孔質焼結体１の内部に上記水溶液を十分に含浸させた後に、多孔質焼結体１を上記水溶液から引き揚げて焼成するという、いわゆる熱分解ことにより形成される。下地層３１は、ＭｎＯ2のみからなるもの以外に、ＭｎＯ2が混合された複合体からなるものでもよい。
【００３１】
導電性ポリマ層３２は、下地層３１上に形成されており、第１導電性ポリマ層３２ａおよび第２導電性ポリマ層３２ｂからなる。第１導電性ポリマ層３２ａは、たとえばポリエチレンジオキシチオフェン（以下、ＰＥＤＴ）からなり、多孔質焼結体１の細孔内を埋めるように形成されている。第２導電性ポリマ層３２ｂは、たとえばポリピロール（以下、ＰＰｙ）からなり、第１導電性ポリマ層３２ａを覆っている。第１導電性ポリマ層３２ａおよび第２導電性ポリマ層３２ｂは、いずれも導電性が比較的高いものとなっている。第１導電性ポリマ層３２ａおよび第２導電性ポリマ層３２ｂは、たとえばＥＤＴまたはＰｙなどのモノマおよび支持電解質あるいは酸化剤などを含む反応液を用いて形成される。第１導電性ポリマ層３２ａの形成には、化学酸化重合が好ましい。一方、第２導電性ポリマ層３２ｂの形成には、電解酸化重合が好ましい。
【００３２】
固体電解質層３上には、導体層４が形成されている。図１に示すように、導体層４は、グラファイト層４１と銀層４２とからなる。導体層４は、図２に示すように陰極金属プレート６１Ｂに導通している。これにより、固体電解コンデンサＡにおいては、固体電解質層３および導体層４がいわゆる陰極として機能する部位とされている。
【００３３】
図２に示すように多孔質焼結体１は、パッケージ樹脂５により覆われている。パッケージ樹脂５は、たとえばエポキシ系樹脂からなり、多孔質焼結体１および陽極ワイヤ１１などを保護するためのものである。パッケージ樹脂５は、たとえばエポキシ系樹脂にフィラーなどを含んだ樹脂材料を用いたモールド成型法により形成される。
【００３４】
陽極ワイヤ１１は、陽極導体部材６２を介して陽極金属プレート６１Ａに導通している。陽極導体部材６２は、たとえばＣｕ製であり、直方体形状である。陽極金属プレート６１Ａは、たとえばＣｕ製であり、図２の奥行き方向に延びる帯状である。陽極金属プレート６１Ａの図中底面は、パッケージ樹脂５から露出している。この部分が、面実装用の外部陽極端子６Ａとなっている。
【００３５】
導体層４には、陰極金属プレート６１Ｂが接合されている。陰極金属プレート６１Ｂは、たとえばＣｕ製であり、多孔質焼結体１の図中下方に位置する部分と、この部分から段差部を介して図中左方に延出する部分とを有している。この図中左方に延出する部分の図中下面は、パッケージ樹脂５から露出している。この露出部分が、面実装用の外部陰極端子６Ｂとなっている。
【００３６】
次に、固体電解コンデンサＡの作用について説明する。
【００３７】
本実施形態によれば、無機半導体層としての下地層３１と誘電体層２とが接しており、導電性ポリマ層３２と誘電体層２とは接していない。誘電体層２を形成するＮｂ2Ｏ5に微小な欠陥が生じると、その部分が不当に導通する部分となり、漏れ電流が生じる。下地層３１がＭｎＯ2からなるため、このＭｎＯ2から上記欠陥部分へと酸素供給がなされる。これにより、上記欠陥部分が自己修復され絶縁性を保つことができる。したがって、たとえば従来技術のように誘電体層と導電性ポリマ層とが接している構成と比べて、固体電解コンデンサＡの耐電圧を高くすることができる。
【００３８】
また、第１導電性ポリマ層３２ａとしてＰＥＤＴを用いて化学酸化重合により形成することにより、多孔質焼結体１の細孔を第１導電性ポリマ層３２ａにより容易に埋めることができる。このため、第１導電性ポリマ層３２ａと下地層３１との接触面積が大きくなる。したがって、固体電解質層３の低抵抗化に適している。
【００３９】
さらに、第２導電性ポリマ層３２ｂの材質であるＰＰｙは、ＰＥＤＴと同程度の高伝導率を有するとともに、ＰＥＤＴと比べて物理的強度が高い。この第２導電性ポリマ層３２ｂを固体電解質層３の最外層に配置することにより、固体電解コンデンサＡの製造中における不当な衝突や、固体電解コンデンサＡの使用中に生じるストレスから固体電解コンデンサＡを保護することが可能である。
【００４０】
多孔質焼結体１を形成するＮｂＯは、比較的脆い材質である。このため、多孔質焼結体１の形成に用いるＮｂＯの粉末を微細なものに加工しやすい。多孔質焼結体１を形成する粉末が微細であるほど、多孔質焼結体１の表面積を大きくすることが可能である。したがって、固体電解コンデンサＡの大容量化に適している。
【００４１】
以上より、本実施形態の固体電解コンデンサＡは、大容量化を図りつつ、低抵抗化と高耐電圧化とを図るのに好適である。発明者らの試作および実験によれば、１５Ｖの化成電圧により製造した試作品においては、１２０Ｈｚでの静電容量が２，２００μＦ程度１００ｋＨｚでのＥＳＲが５〜１０ｍΩであるとともに、耐電圧が０．１ＣＶ判定基準で４〜６．３Ｖ以上である固体電解コンデンサＡが得られた。これは、従来技術のように固体電解質層としての導電性ポリマ層のみを用いた構成において、その耐電圧が０．５〜０．６Ｖ程度であったことと比べて、著しく高い耐電圧である。
【００４２】
また、従来の固体電解コンデンサにおいては、外気酸素と多孔質焼結体との接触を抑止できる効果を備えた導電性ポリマを用いて固体電解質層を形成することにより、急激な酸化反応を抑止し、耐燃焼性の向上が図られてきた。これに対し、本実施形態においては、多孔質焼結体１の材質であるＮｂＯは、Ｎｂの酸化物である。ＮｂＯは、国内における消防法にも規定されてないほど耐燃焼性に優れている。したがって、多孔質焼結体１は、急激な酸化反応を生じることが無く、固体電解質層３として様々な材料を用いることができる。
【００４３】
さらに、第１導電性ポリマ層３２ａを形成するために化学酸化重合を施す際には、ＭｎＯ2からなる下地層３１が、酸化剤として機能する。従来においては、反応液中に拡散された酸化剤により酸化処理がなされていた。これに対して、本実施形態においては、酸化剤としての下地層３１は、誘電体層２の表面に集中的に存在している。それゆえ、下地層３１において酸化処理がなされると同時に、この下地層３１上に第１導電性ポリマ層３２ａを形成することが可能である。これは、第１導電性ポリマ層３２ａの接合強度を高めるのに適している。なお、本発明の変形例においては、本実施形態とは異なり、下地層３１が、互いに離散した島状のＭｎＯ2からなる構成であってもよい。この場合、誘電体層２と第１導電性ポリマ層３２ａとが直接接する部分が存在する。このような構成であっても、下地層３１が上述した酸化剤として機能することにより、第１導電性ポリマ層３２ａの接合強度の向上を図ることができる。
【００４４】
図１および図２に示した固体電解コンデンサＡの変形例としては、下地層３１として、ＭｎＯ2に代えてＰｂＯ2からなる無機半導体層を用いた構成のものがある。このような構成によっても、ＰｂＯ2からなる下地層と誘電体層２との間における漏れ電流の低減が可能であり高耐電圧化を図ることができる。また、下地層３としては、ＭｎＯ2とＰｂＯ2とが混合された複合体からなるものであってもよい。
【００４５】
固体電解コンデンサＡの他の変形例としては、下地層３として、無機半導体層に代えて脱ドープ導電性ポリマ層を備える構成がある。脱ドープ導電性ポリマ層は、たとえばピロール、チオフェン、フランなどの複素五員環化合物ポリマの脱ドープ体、または３−メチルピロール、３，４−エチレンヂオキシチオフェンなどの複素五員環化合物の誘導体ポリマの脱ドープ体により形成される。このような構成によっても固体電解コンデンサＡの高耐電圧化を図ることができる。特に、脱ドープ導電性ポリマ層は、ＭｎＯ2と同程度の低抵抗材料であるために、低抵抗化に有利である。
【００４６】
固体電解コンデンサＡの他の変形例としては、誘電体層２にＮ2、Ｍｎ、またはＶが含まれた構成がある。このような誘電体層２は、あらかじめ多孔質焼結体１の材料である弁作用金属の粉末にＮ2、Ｍｎ、またはＶを含有させておき、この弁作用金属の粉末を用いて多孔質焼結体１および誘電体層２を形成することにより得られる。特にＮ2は、たとえばＮｂＯ中において広く拡散するため、多孔質焼結体１から誘電体層２へと拡散させやすい。
【００４７】
このような構成によれば、誘電体層２に微細な欠陥が生じることを抑制可能であり、さらに高耐電圧化を図ることができる。
【００４８】
本発明に係る固体電解コンデンサは、上述した実施形態に限定されるものではない。
【００４９】
多孔質焼結体の材質としては、ＮｂＯのほかに、たとえばＮｂ、Ｔａなどいわゆる弁作用を有する金属を用いることができる。多孔質焼結体の形状は、扁平な矩形状であれば低ＥＳＲ化および低ＥＳＬ化に好ましいが、これに限定されずたとえば立方体形状などであってもよい。陽極ワイヤの本数が多いほど、低ＥＳＲ化および低ＥＳＬ化に好ましく、たとえば図２において図中左右方向に複数の陽極ワイヤが突出する構成としてもよい。
【００５０】
無機半導体層の材質としては、ＭｎＯ2、ＰｂＯ2、およびこれらの合金が好ましいが、これらに限定されず、誘電体層と導電性ポリマ層との間に介在することにより高耐電圧化が可能な材質であればよい。導電性ポリマ層の材質としても、ＰＥＤＴ，ＰＰｙに限定されないのはもちろんである。
【００５１】
固体電解コンデンサとしては、パッケージ樹脂により封止されたものに限定されない。また、面実装タイプとして構成されたもの以外に、たとえば複数のリードが突出状に設けられた端子挿入タイプとして構成されたものでもよい。本発明に係る固体電解コンデンサは、その具体的な用途も限定されない。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明に係る固体電解コンデンサの一例を示す要部拡大断面図である。
【図２】本発明に係る固体電解コンデンサの一例を示す断面図である。
【図３】従来の固体電解コンデンサの一例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５３】
Ａ  固体電解コンデンサ
１  多孔質焼結体
１１  陽極ワイヤ
２  誘電体層
３  固体電解質層
３１  下地層（無機半導体層、脱ドープ導電性ポリマ層）
３２  導電性ポリマ層
３２ａ  第１導電性ポリマ層
３２ｂ  第２導電性ポリマ層
４  導体層
４１  グラファイト層
４２  銀層
５  パッケージ樹脂
６Ａ  外部陽極端子
６Ｂ  外部陰極端子
６２  陽極導体部材
６１Ａ  陽極金属プレート
６１Ｂ  陰極金属プレート
【図１】
2006351609.tif 000003
【図２】
2006351609.tif 000004
【図３】
2006351609.tif 000005