(57)【要約】      （修正有）【課題】歪シリコン層を有するウェーハ構造体の効率的製造を可能とし、使用されるドナーまたは支持基板は高い再現性で再利用することが可能な方法と中間生成物を提供する。【解決手段】支持基板１を備え、上面に歪シリコンモデル層３を有するひな形ウェーハを提供する工程と、上記歪シリコンモデル層３上に歪緩和した補助ＳｉＧｅ層８をエピタキシャル成長させる工程と、上記歪緩和した補助ＳｉＧｅ層８上に歪シリコン能動層１１をエピタキシャル成長させる工程と、上記構造体を、上記補助ＳｉＧｅ層８に作製された所定分離領域９において分離する工程を含む、歪シリコン層を有するウェーハ構造体の製造方法。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
歪シリコン層を有するウェーハ構造体の製造方法であって、
支持基板（１）を備え、上面に歪シリコンモデル層（３）を有するひな形ウェーハ（４、６）を提供する工程と、
前記歪シリコンモデル層（３）上に歪緩和した補助ＳｉＧｅ層（８）をエピタキシャル成長させる工程と、
前記補助ＳｉＧｅ層（８）上に歪シリコン能動層（１１）をエピタキシャル成長させる工程と、
前記構造体を、前記補助ＳｉＧｅ層（８）に作製された所定分離領域（９）において分離する工程と、
を備える製造方法。
【請求項２】
前記分離工程後に前記歪シリコン能動層（１１）から前記補助ＳｉＧｅ層（８）の残留部を除去する工程を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記補助ＳｉＧｅ層（８）を上に成長させる前に、前記歪シリコンモデル層（３）を更にエピタキシャル成長させることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記所定分離領域（９）を中に作製するために前記補助ＳｉＧｅ層（８）へイオン注入を行う工程を更に備えることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記歪シリコン能動層（１１）上に第２ウェーハを接着する工程を更に備えることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記分離工程前に前記歪シリコン能動層（１１）上にＳｉＧｅ能動層（１２）を成長させる工程を更に備えることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記ＳｉＧｅ能動層（１２）上に第２ウェーハを接着する工程を更に備えることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記ひな形ウェーハ（６）の提供工程は、シリコン支持基板（１）と、少なくとも１つの絶縁層（２）と、前記絶縁層（２）直上の前記歪シリコンモデル層（３）から構成されるＳＯＩ構造体を提供する工程を含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記ひな形ウェーハ（６）の提供工程は、シリコン支持基板（１）と、少なくとも一つの絶縁層（２）と、ＳｉＧｅ層（５）と、前記歪シリコンモデル層（３）から構成されるＳＧＯＩ構造体を提供する工程を含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記分離工程後に前記歪シリコンモデル層（３）から前記補助ＳｉＧｅ層（８）の残留部を除去する工程を更に備えることを特徴とする前記請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
歪シリコン層を有するウェーハ構造体を製造するための中間生成物であって、
支持基板（１）と歪シリコンモデル層（３）を備えるひな形ウェーハ（４、６）と、
前記歪シリコンモデル層（３）上にあって所定分離領域（９）がその中に形成された前記歪緩和した補助ＳｉＧｅ層（８）と、
前記補助ＳｉＧｅ層（８）上の歪シリコン能動層（１１）と、
を備える中間生成物。
【請求項１２】
前記歪シリコン能動層（１１）上にＳｉＧｅ能動層（１２）を更に備えることを特徴とする請求項１１に記載の中間生成物。
【請求項１３】
前記歪シリコン能動層（１１）上または前記ＳｉＧｅ能動層（１２）上に接着された第２ウェーハ（１３）を更に備えることを特徴とする請求項１１または１２に記載の中間生成物。
【請求項１４】
前記歪シリコンモデル層（３）と前記補助ＳｉＧｅ層（８）間に追加成長した歪シリコンモデル層（７）を更に備えることを特徴とする請求項１１〜１３のいずれか１項に記載の中間生成物。
【請求項１５】
前記ひな形ウェーハ（４）は、シリコン支持基板（１）と、少なくとも一つの絶縁層（２）と、前記歪シリコンモデル層（３）から構成されるＳＯＩウェーハであることを特徴とする請求項１１〜１４のいずれか１項に記載の中間生成物。
【請求項１６】
前記ひな形ウェーハ（６）は、シリコン支持基板（１）と、少なくとも一つの絶縁層（２）と、ＳｉＧｅ層と、前記歪シリコンモデル層（３）から構成されるＳＧＯＩウェーハであることを特徴とする請求項１１〜１４のいずれか１項に記載の中間生成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、歪シリコン層を有するウェーハ構造体の製造方法及びそのようなウェーハ構造体製造のための中間生成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
歪シリコン層を有する構造体の製造は、歪シリコン層がキャリヤ移動度の増大のような優れた電子的特性を有するので、そのような層を使用した電子機器の高効率化に結びつくため、マイクロエレクトロニクスまたはオプトエレクトロニクスにとって大きな興味をもたれている。歪シリコン層を有する構造体の従来の製造方法は非常に複雑で時間のかかるものである。特に知られているのは、シリコン基板上に、徐々にゲルマニウムの含有量が増加するＳｉＧｅバッファ層をエピタキシャル成長させる技術である。ＳｉＧｅバッファ層は通常は、そのような技術を用いて比較的長い時間をかけて成長するが、エピタキシャル成長の最終段階でＳｉＧｅ層の最上面が可能な限り低い転位密度を有する状態を得るためにはゲルマニウムの含有量の変化はわずかでしかない。そして、ＳｉＧｅバッファ層の最高のゲルマニウム濃度に相当する一定のゲルマニウム濃度をもつ歪緩和したＳｉＧｅ層をＳｉＧｅバッファ層上に形成する。その後、歪シリコン層をその上に形成する。
【０００３】
この技術において、一方において高品質の歪シリコン構造体を得て、他方において高い製造効率を達成するという要求は、高品質を得るためには時間のかかる処理工程が必要なので相容れない要求である。
【０００４】
ＳＧＯＩ（シリコン・ゲルマニウム・オン・インシュレータ）構造体の別の製造方法においては、シリコン支持基板上に形成された歪緩和したＳｉＧｅ層がいわゆるＳｍａｒｔＣｕｔ（登録商標）技術によって基板から分離される。その後、歪エピタキシャルシリコン層が分離ＳｉＧｅ層に形成される。そのようなＳＧＯＩ層の製造もまた、新しいウェーハを製作する都度ＳｉＧｅ層の形成を繰り返す必要があるために、時間がかかり複雑なものとなる。それは、新しい構造体ごとに少なくとも２回のエピタキシが必要であることを意味する。
【０００５】
上記の技術には、複雑な処理工程の繰り返しに加えて、１部分が分離された元の基板を再利用するのに困難を伴うという不利がある。元の基板をもう一度利用できる状態にするためには化学機械研磨工程及び／または化学エッチング工程を利用する必要がある。再利用するためには、元のウェーハは時間のかかる工程をもちいて表面の粗さを減少し、ウェーハの縁に形成された段差形状を除去するためにその厚さを大幅に削減しなければならない。化学エッチングのみを適用するのは更に困難である。なぜなら、徐々に変化する組成を有するＳｉＧｅ層とその下のシリコン基板の間で界面を認識する際においてエッチング工程は十分には選択的でないためである。従って、化学機械研磨を相補的にまたは化学エッチングの代わりとして用いる必要があるが、再現性及び効率がやや低いものである。
【０００６】
ＷＯ２００４／０１９４０４では、ストップ層のような保護層を使用して、再利用中に再利用される層の下の層を保護する方法が記載されている。そのようなストップ層はドナーまたは支持基板上のＳｉＧｅバッファ層を保護することは可能であるが、この方法は現状技術に関連するすべての問題を解決できるわけではない。
【０００７】
特に、複数の技術的工程を経てきたＳｉＧｅバッファ層は転位源を形成するので、新しい使用可能なドナーウェーハを形成し、高品質歪シリコン層形成のための良好な基盤を得るために大幅に転位密度が減少された状態を達成するためには長時間のエピタキシャル成長が必要となる。
【０００８】
他のアプローチにおいては、歪緩和したＳｉＧｅ層の一部分のみが別の基板に転写され、その上で追加成長させて歪シリコン層のための良好な基盤を提供する。この技術によりバッファ層の更なる形成工程を省くことができるため、プロセスの高効率化と、バッファ層による転位形成のリスクの除去につながる。
【０００９】
しかし、上記のように転写ＳｉＧｅ層上の繰り返しＳｉＧｅエピタキシは制御が困難なため、そのような処理は効率が低いという結果になる。例えば、ＳｉＧｅエピタキシャル成長前のＳｉＧｅ層の表面前処理は普通は歪Ｓｉの成長より困難である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
そのため、本発明の目的は、歪シリコン層を有する構造体の効率のよい製造を可能にする方法とその方法の中間生成物を提供することであり、この方法で使用されるドナーまたは支持基板は高い再現性で再利用することができる。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この目的は歪シリコン層を有するウェーハ構造体の製造方法により達成され、上記方法は、支持基板を備え、歪シリコンモデル層をその上面に有するひな形ウェーハを提供する工程と、歪シリコンモデル層上に歪緩和した補助ＳｉＧｅ層をエピタキシャル成長する工程と、補助ＳｉＧｅ層上に歪シリコン能動層をエピタキシャル成長する工程と、上記構造体を補助ＳｉＧｅ層内に作製された所定分離領域において分離する工程とを含む。
【００１２】
本発明の概念によれば、歪シリコン層を有するウェーハ構造体の製造方法は二つの主要な工程を含む。つまり、能動構造体のためのモデルを形成するひな形ウェーハの製造工程、及び、歪シリコン能動層を形成することにより、ひな形ウェーハの歪シリコンモデル層の特性を複製または複写することにより能動構造体を製造する工程を含む。本発明の方法を使用すれば、歪シリコンモデル層の特質は、補助ＳｉＧｅ層を歪シリコン層間の転写層として使用することにより歪シリコン能動層へ直接転写できる。歪シリコンモデル層、補助ＳｉＧｅ層、及び歪シリコン能動層を単純に連続させることにより、非常に短時間で高品質の歪シリコン能動層を形成できる。能動構造体を上記構造体のひな形ウェーハ部分から分離し、その後両者の構造体を別々に処理することは更に比較的容易である。
【００１３】
本発明の好ましい実施形態によれば、本方法は更に、分離工程後に歪シリコン能動層から補助ＳｉＧｅ層の残留部を除去する工程を含む。この工程により分離能動構造体の再利用が可能になる。歪緩和した補助ＳｉＧｅ層と歪シリコン能動層との間の選択性の高いエッチング特性のため、能動構造体を再利用することは非常に容易なことである。
【００１４】
本発明の有利性を示す例においては、補助ＳｉＧｅ層の上に成長させる前に歪シリコンモデル層を更にエピタキシャル成長させる。この追加成長歪エピタキシャルシリコン層は、選択性が不完全なエッチングのために再利用工程中の歪シリコン層の厚さの損失分を補償することができる。
【００１５】
本発明の更に好ましい実施形態において、本方法は更に、所定分離領域を内部に作製するための補助ＳｉＧｅ層へのイオン注入工程を含む。このイオン注入により、機械的に、熱的に、または衝撃波や他の力を使用して非常に効率よく分離可能な、良好に画定された所定分離領域を作製できる。
【００１６】
本発明の他の例によれば、本方法は更に、第２ウェーハを歪シリコン能動層上に接着する工程を含む。第２ウェーハは、分離工程中に歪シリコン能動層に良好な安定性を提供し、その更なる使用のための歪シリコン能動層の良好な基盤を形成できる。
【００１７】
本方法は更に、分離工程の前に歪シリコン能動層上にＳｉＧｅ能動層を成長させる工程を含むことで更に有利になる。このようにしてＳＧＯＩ（シリコン・ゲルマニウム・オン・インシュレータ）能動構造体を分離工程後に形成できる。
【００１８】
本発明の他の例において、本方法は更に、ＳｉＧｅ能動層上に第２ウェーハを接着することを含む。第２ウェーハは、後の能動構造体の良好な基盤を形成できると共に、分離工程中の良好な安定性を提供することができる。
【００１９】
好ましくは、ひな形ウェーハを提供する工程は、シリコン支持基板と、少なくとも１つの絶縁層と、直接絶縁層上にある歪シリコンモデル層から構成されるＳＯＩ構造体を提供する工程を含む。この構造体は、上記のような従来の方法で製造される必要があるのは一度だけであり、その後は、歪シリコンモデル層の特性を複製するために多数回使用できる。
【００２０】
本発明の他の変形例において、ひな形ウェーハの提供の工程は、シリコン支持基板と、少なくとも１つの絶縁層と、ＳｉＧｅ層と、歪シリコンモデル層から構成されるＳＧＯＩ構造体を提供する工程を含む。この構造体もまた、従来の方法で形成することができ、その方法においては歪シリコンモデル層の歪はＳｉＧｅ層のゲルマニウム濃度に依存する。この構造体が製造される必要があるのは１度だけであり、その後は歪シリコンモデル層の特性の複写または複製のために数回使用できる。
【００２１】
本発明が更に、分離工程後に、歪シリコンモデル層から補助ＳｉＧｅ層の残留部を除去する工程を含めば更に有利である。これにより、分離工程後のひな形ウェーハの再利用が可能になる。歪シリコンモデル層から補助ＳｉＧｅ層を除去することは、それらの層の間に良好なエッチング選択性が存在するため、非常に容易である。
【００２２】
本発明の目的は、歪シリコン層を有するウェーハ構造体の製造のための中間生成物により更に達成され、上記中間生成物は、支持基板と歪シリコンモデル層を備えるひな形ウェーハと、歪シリコンモデル層上の歪緩和した補助ＳｉＧｅ層を備え、所定分離領域が歪緩和した補助ＳｉＧｅ層内に形成される。歪緩和したＳｉＧｅ層の厚さはイオン注入と分離により引き起こされる欠陥を取り囲むために十分な厚さであるべきで、典型的には２００ｎｍ超である。
【００２３】
中間生成物において、歪シリコンモデル層の特性は直接、歪シリコン能動層に転写あるいは複製される。中間生成物は、歪緩和した補助ＳｉＧｅ層に形成された所定分離領域に沿って容易に分離できる構造体を形成し、そのため歪シリコン能動層は分離後に、ひな形ウェーハとは分離して使用できる。
【００２４】
本発明の更に他の実施形態において、中間生成物は更に歪シリコン能動層上に接着された第２ウェーハを備える。第２ウェーハは、分離工程中及び／または分離後の歪シリコン能動層の良好な支持板となることができる。
【００２５】
本発明の有利性を示す他の例において、中間生成物は更に、歪シリコン能動層上にＳｉＧｅ能動層を備える。この構造体においてはＳＧＯＩ（シリコン・ゲルマニウム・オン・インシュレータ）能動構造体を分離工程後に形成できる。
【００２６】
好ましくは、中間生成物は更に、歪シリコンモデル層と補助ＳｉＧｅ層の間に追加成長歪シリコン層を備える。この追加成長歪シリコン層は、ひな形ウェーハの再利用工程中に歪シリコンモデル層の厚さの変化を補償するための助けとなる。
【００２７】
本発明の好ましい変形例によれば、ひな形ウェーハは、シリコン支持基板と、少なくとも１つの絶縁層と、歪シリコンモデル層から構成されるＳＯＩウェーハである。このタイプのひな形ウェーハが従来の方法で１度形成されると、その後はその情報をその歪シリコンモデル層から本発明の構造の歪シリコン能動層へ転写するために数回使用できる。
【００２８】
本発明の更に他の例において、ひな形ウェーハは、シリコン支持基板と、少なくとも１つの絶縁層と、ＳｉＧｅ層と、歪シリコンモデル層から構成されたＳＧＯＩウェーハである。そのようなひな形ウェーハの歪シリコンモデル層の特性は、ひな形ウェーハのＳｉＧｅ層のゲルマニウム含有量により制御可能である。このひな形ウェーハが製造される必要があるのは１度だけであり、その後は歪シリコン能動層を形成することにより歪シリコンモデル層の特性を複写するために非常に多くの回数使用することができる。
【００２９】
本発明を更に完全に理解するために、添付されている図面に非常に詳細に図示され、本発明の例として下記に記述された実施形態を参照されたい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
図面を参照すると、図１はＳＯＩひな形ウェーハ４の図を模式的に示している。ひな形ウェーハ４はシリコン基板１と、その上に形成された絶縁層２、その上面に歪シリコンモデル層３から構成されている。シリコン基板１は絶縁層２と歪シリコン層３を支持する。ここに示す例においては、絶縁層２はシリコン酸化物から構成されており、本発明の他の例においては、シリコン窒化物または他の絶縁材料または複数の絶縁材料を含むことができる。
【００３１】
歪シリコンモデル層３は例えば、ＳｍａｒｔＣｕｔ（登録商標）処理によってひな形ウェーハ上に形成されている。また、層３は本発明の他の例においては現状技術で知られた他の方法により形成可能である。
【００３２】
図２は、シリコン基板１と、絶縁層２と、ＳｉＧｅ層５から構成され、上面に歪シリコンモデル層３を有する他のひな形ウェーハ６の図を模式的に示している。歪緩和したＳｉＧｅ層５のゲルマニウム含有量は、歪緩和したＳｉＧｅ層５上面の歪シリコンモデル層３の歪を決定する。ひな形ウェーハ６は、いわゆるＳｍａｒｔＣｕｔ（登録商標）処理を使用して、または現状技術で知られた他のいずれかの処理により形成することが可能である。
【００３３】
図３は、追加成長歪シリコンモデル層７を形成した後の図１におけるひな形ウェーハ４を模式的に示している。追加成長歪シリコンモデル層７の特性は、歪シリコンモデル層３の特性に一致している。追加成長歪シリコンモデル層７は、歪シリコンモデル層３の厚さを効率よく増加して、後の再利用工程中にひな形ウェーハの厚さがいくらかの減少するのを補償する。
【００３４】
図４は、追加成長歪シリコンモデル層７上の歪緩和した補助ＳｉＧｅ層８を形成した後の図３における構造体を模式的に示している。歪緩和した補助ＳｉＧｅ層８は、示された例においては一定のゲルマニウム含有量を有している。
【００３５】
図５は、歪緩和した補助ＳｉＧｅ層上に歪シリコン能動層１１を形成した後の図４における構造体を模式的に示している。歪シリコン能動層１１は、歪シリコンモデル層７の歪特性に一致した歪特性を有している。歪シリコン層７と１１の特性は、歪シリコン層７と１１間の歪緩和した補助ＳｉＧｅ層を介することにより複製または複写される。図５は、ひな形ウェーハ４と、所定分離領域９が中に形成された歪緩和した補助ＳｉＧｅ層８と、その上面の歪シリコン能動層１１から構成され、本発明の中間生成物を示している。
【００３６】
図６は、物質種１０が歪緩和した補助ＳｉＧｅ層８のある深さまでイオン注入され、そこに所定分離領域９を形成するイオン注入工程中の、図５における構造体を模式的に示している。所定分離領域９において、ＳｉＧｅ層の結晶構造は弱められ、機械的な力、熱的作用、または衝撃波を加えることにより、所定分離領域において図６の構造体を分離することが可能である。
【００３７】
図７は、歪シリコン能動層１１上のＳｉＧｅ能動層１２形成後の図６における構造体を模式的に示している。ＳｉＧｅ能動層１２は後で、歪シリコン能動層１１と共に、少なくともＳＧＯＩ（シリコン・ゲルマニウム・オン・インシュレータ）能動構造体のような能動構造体の一部を形成する。
【００３８】
図８は、第２ウェーハをＳｉＧｅ能動層上に接着した図７における構造体を模式的に示している。第２ウェーハは、図８の構造体の分離中に、ＳｉＧｅ能動層１２と歪シリコン能動層１１のための支持板を形成し、その後は、ＳｉＧｅ能動層１２と歪シリコン能動層１１のための良好な運搬体となる。
【００３９】
図８の構造体は、接着工程の後、例えば、機械的な力、熱的作用、衝撃波、またはそのような作用の組み合わせにより分離される。図８の構造体は、所定分離領域９に沿って分離され、図９または図１１に示すような構造体となる。
【００４０】
図９は、分離工程後の図８における構造体の一つの分離部分を模式的に示している。第１分離部は、第２ウェーハ１３と、ＳｉＧｅ能動層１２と、歪シリコン能動層１１と、前述の歪緩和した補助ＳｉＧｅ層８の残留部１４とで構成される。図９に示される残留部１４の表面は比較的平坦であるが、表面は非常に粗いことも有り得る。そのため、少なくとも残留部１４の表面を平坦にすることは有利である。粗い表面構造体の除去は、化学機械研磨工程、または選択的化学エッチング、またはこれらの手段の組み合わせにより行うことができる。
【００４１】
図１０は、前述した歪緩和した補助ＳｉＧｅ層８の残留部１４を除去した後の図９における構造体を模式的に示している。示された例においては、残留部１４は、前述の歪緩和した補助ＳｉＧｅ層８と歪シリコン能動層１１の材料間で約１：３０という高い選択性があることを利用して、例えば、それぞれの濃度が４／３／０．２５のＣＨ３ＣＯＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ溶液、またはそれぞれの濃度が１／１／５のＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ溶液を使用する化学エッチング工程により除去される。
【００４２】
図１１は、分離後の図８における構造体の第２部分を模式的に示している。図１１の構造体は、シリコン支持基板１と、絶縁層２と、歪シリコンモデル３と、追加成長歪シリコンモデル層７と、前述の歪緩和した補助ＳｉＧｅ層８の残留部１５から構成される。残留部１４に関して上述したように、残留部１５の表面もまた、比較的粗であり得るので少なくともこの層１５の表面の再利用工程は必要である。
【００４３】
図１２は、前述の歪緩和した補助ＳｉＧｅ層８の残留部１５が除去される再利用工程後の、図１１における構造体を模式的に示している。残留部１５は好ましくは、前述の歪緩和した補助ＳｉＧｅ層８と、追加成長歪シリコンモデル層７の材料間での約１：３０という高いエッチング選択性を利用する選択的化学エッチング工程により除去される。図１２の構造体はその後、歪シリコンモデル層３の特性を複製する全工程を繰り返すために、図４に示すようにその上に新しい歪緩和した補助ＳｉＧｅ層を形成するのに再び使用することができる。
【００４４】
図３から図１２に示す本発明の方法の工程は、図１のひな形ウェーハ４上で実施されるように示され記述されたが、これらの工程はまた、図２のひな形ウェーハ６へ、または本発明の概念において歪シリコンモデル層として使用可能な支持基板及び歪シリコン層を少なくとも有する他のひな形ウェーハにも適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】本発明のひな形ウェーハの模式図である。
【図２】本発明の他のひな形ウェーハの模式図である。
【図３】歪シリコンモデル層形成後の図１のひな形ウェーハを示している。
【図４】歪緩和した補助ＳｉＧｅ層形成後の図３の構造体を示している。
【図５】歪シリコン能動層形成後の図４の構造体を示している。
【図６】イオン注入工程中の図５の構造体を示している。
【図７】ＳｉＧｅ能動層形成後の図６の構造体を示している。
【図８】第２ウェーハに接着した図７の構造体を示している。
【図９】分離後の図８の構造体の一部を示している。
【図１０】前述の補助ＳｉＧｅ層の残留部の除去後の図９の構造体を示している。
【図１１】図８の構造体の他の分離部を示している。
【図１２】前述の補助ＳｉＧｅ層の残留部の除去後の図１１の構造体の模式図である。
【符号の説明】
【００４６】
１：シリコン基板、２：絶縁層、３：歪シリコンモデル層、４：ウェーハ、５：ＳｉＧｅ層、６：ウェーハ、７：追加成長歪シリコンモデル層、８：歪緩和した補助ＳｉＧｅ層、９：分離領域、１１：歪シリコン能動層、１２：ＳｉＧｅ能動層、１３：第２ウェーハ、１４：残留部、１５：残留部
【図１】
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【図２】
2006121055.tif 000004
【図３】
2006121055.tif 000005
【図４】
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【図５】
2006121055.tif 000007
【図６】
2006121055.tif 000008
【図７】
2006121055.tif 000009
【図８】
2006121055.tif 000010
【図９】
2006121055.tif 000011
【図１０】
2006121055.tif 000012
【図１１】
2006121055.tif 000013
【図１２】
2006121055.tif 000014
【外国語明細書】
2006121055000001.pdf