(57)【要約】【課題】電子デバイスに含まれる電界効果トランジスタのサブスレッショルドリーク電流の変動を無くし、電子デバイスの電源電流を精度よく測定することのできる試験装置を提供する。【解決手段】電界効果トランジスタを含む電子デバイスを試験する試験装置であって、電子デバイスを駆動する電力を供給する電源と、電子デバイスに供給するべき複数の試験パターンを順次発生して供給するパターン発生部と、電界効果トランジスタのリーク電流を検出するリーク電流検出部と、リーク電流検出部が検出したリーク電流が所定の値となるように、電界効果トランジスタが設けられたサブストレートに印加するサブストレート電圧を制御する電圧制御部と、電子デバイスに入力される電源電流を、それぞれの試験パターンが印加される毎に測定し、測定した電源電流に基づいて電子デバイスの良否を判定する電源電流測定部とを備える試験装置を提供する。【選択図】図１
2006112837.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
与えられる試験パターンに応じて動作する電界効果トランジスタが設けられた電子デバイスを試験する試験装置であって、
前記電子デバイスを駆動する電力を供給する電源と、
前記電子デバイスに供給するべき複数の前記試験パターンを順次発生して供給するパターン発生部と、
前記電界効果トランジスタのリーク電流を検出するリーク電流検出部と、
前記リーク電流検出部が検出する前記リーク電流を所定の値に維持するように、前記電界効果トランジスタが設けられたサブストレートに印加するサブストレート電圧を制御する電圧制御部と、
前記電子デバイスに入力される電源電流を、それぞれの前記試験パターンが印加される毎に測定し、測定した前記電源電流に基づいて前記電子デバイスの良否を判定する電源電流測定部と
を備える試験装置。
【請求項２】
前記リーク電流検出部は、ｐ型の前記電界効果トランジスタのｐ型リーク電流と、ｎ型の前記電界効果トランジスタのｎ型リーク電流をそれぞれ測定し、
前記電圧制御部は、前記サブストレートに印加する高電圧及び低電圧のうち、前記高電圧を前記ｐ型リーク電流に基づいて制御し、前記低電圧を前記ｎ型リーク電流に基づいて制御する
請求項１に記載の試験装置。
【請求項３】
前記電源電流測定部は、それぞれの前記試験パターンに対して測定した前記電源電流を、それぞれの前記電源電流の大きさ順に整列させ、整列させた前記電源電流が不連続となる場合に、前記電子デバイスを不良と判定する
請求項１に記載の試験装置。
【請求項４】
前記電源電流測定部は、整列させた前記電源電流を二階微分し、当該微分値のピークが所定値以上である場合に、前記電子デバイスを不良と判定する
請求項３に記載の試験装置。
【請求項５】
前記電源電流測定部は、整列させた前記電源電流において隣接する前記電源電流の差分を算出し、算出した差分に予め定められた値より大きい値がある場合に、前記電子デバイスを不良と判定する
請求項３に記載の試験装置。
【請求項６】
与えられる試験パターンに応じて動作する電界効果トランジスタが設けられた電子デバイスを試験する試験方法であって、
前記電子デバイスを駆動する電力を供給する電源供給段階と、
前記電子デバイスに供給するべき複数の前記試験パターンを順次発生して供給するパターン発生段階と、
前記電界効果トランジスタのリーク電流を検出するリーク電流検出段階と、
前記リーク電流検出段階において検出される前記リーク電流を所定の値に維持するように、前記電界効果トランジスタが設けられたサブストレートに印加するサブストレート電圧を制御する電圧制御段階と、
前記電子デバイスに入力される電源電流を、それぞれの前記試験パターンが印加される毎に測定し、測定した前記電源電流に基づいて前記電子デバイスの良否を判定する電源電流測定段階と
を備える試験方法。
【請求項７】
与えられる試験パターンに応じて動作する電界効果トランジスタが設けられた電子デバイスであって、
前記電界効果トランジスタのリーク電流と略同一の電流を外部に出力するリーク電流検出回路を備える
電子デバイス。
【請求項８】
前記リーク電流検出回路は、前記電界効果トランジスタと略同一の特性を有し、前記電界効果トランジスタと略同一の電源電圧が与えられ、ゲート端子とソース端子とが接続され、ドレイン電流を外部に出力するダミートランジスタを有する
請求項７に記載の電子デバイス。
【請求項９】
前記リーク電流検出回路は、前記試験パターンが入力される入力ピンから独立して設けられる
請求項８に記載の電子デバイス。
【請求項１０】
前記リーク電流検出回路は、ｎ型の前記電界効果トランジスタのリーク電流と略同一の電流を外部に出力するｎ型の前記ダミートランジスタと、ｐ型の前記電界効果トランジスタのリーク電流と略同一の電流を外部に出力するｐ型の前記ダミートランジスタとを有する
請求項８に記載の電子デバイス。
【請求項１１】
前記電子デバイスは、
外部の電源から電力を受け取る電源端子と、
前記電源端子から独立に設けられ、前記電界効果トランジスタが設けられたサブストレートに印加される電圧を受け取るサブストレート電圧端子と
を更に備える
請求項７に記載の電子デバイス。
【請求項１２】
与えられる試験パターンに応じて動作する電界効果トランジスタが設けられた電子デバイスを生産するデバイス生産方法であって、
サブストレートを準備する準備段階と、
前記電界効果トランジスタを前記サブストレートに形成する回路形成段階と、
前記電界効果トランジスタのリーク電流と略同一の電流を外部に出力するリーク電流検出回路を前記サブストレートに形成する検出回路形成段階と
を備えるデバイス生産方法。
【請求項１３】
電子デバイスを試験する試験装置であって、
前記電子デバイスを駆動する電力を供給する電源と、
前記電子デバイスに供給するべき複数の前記試験パターンを順次発生して供給するパターン発生部と、
前記電子デバイスに入力される電源電流を、それぞれの前記試験パターンが印加される毎に測定し、測定した前記電源電流に基づいて前記電子デバイスの良否を判定する電源電流測定部と
を備え、
前記パターン発生部は、所定の数の前記試験パターンを前記電子デバイスに供給する毎に、所定のパターンの基準試験パターンを発生して前記電子デバイスに供給し、
前記電源電流測定部は、前記基準試験パターンが前記電子デバイスに供給される毎に、当該基準試験パターンに応じて前記電子デバイスに供給される静止時の前記電源電流が所定の値となるように、前記電源が前記電子デバイスに印加する電源電圧を制御する
試験装置。
【請求項１４】
前記パターン発生部は、前記試験パターンと前記基準試験パターンとを交互に発生して前記電子デバイスに供給する
請求項１３に記載の試験装置。
【請求項１５】
前記電源電流測定部は、それぞれの前記試験パターンに対して測定した前記電源電流を、それぞれの前記電源電流の大きさ順に整列させ、整列させた前記電源電流が不連続となる場合に、前記電子デバイスを不良と判定する
請求項１３に記載の試験装置。
【請求項１６】
前記電源電流測定部は、整列させた前記電源電流を二階微分し、当該微分値のピークが所定値以上である場合に、前記電子デバイスを不良と判定する
請求項１５に記載の試験装置。
【請求項１７】
前記電源電流測定部は、整列させた前記電源電流において隣接する前記電源電流の差分を算出し、算出した差分に予め定められた値より大きい値がある場合に、前記電子デバイスを不良と判定する
請求項１５に記載の試験装置。
【請求項１８】
電子デバイスを試験する試験方法であって、
前記電子デバイスを駆動する電力を供給する電源供給段階と、
前記電子デバイスに供給するべき複数の前記試験パターンを順次発生して供給するパターン発生段階と、
前記パターン発生段階において、所定の数の前記試験パターンを前記電子デバイスに供給する毎に、所定のパターンの基準試験パターンを発生して前記電子デバイスに供給する基準試験パターン発生段階と、
前記電子デバイスに入力される電源電流を、それぞれの前記試験パターンが印加される毎に測定し、測定した前記電源電流に基づいて前記電子デバイスの良否を判定する電源電流測定段階と、
それぞれの前記基準試験パターンが前記電子デバイスに供給される毎に、当該基準試験パターンに応じて前記電子デバイスに供給される電源電流を測定する基準電流測定段階と、
前記基準電流測定段階において測定した静止時の前記電源電流が所定の値となるように、前記電源供給段階において前記電子デバイスに印加する電源電圧を制御する電源電圧制御段階と
を備える試験方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電界効果トランジスタが設けられた電子デバイスを試験する試験装置及び試験方法、並びに与えられる試験パターンに応じて動作する電界効果トランジスタが設けられた電子デバイス及びデバイス生産方法に関する。特に本発明は、試験時における電界効果トランジスタのリーク電流変動の影響を低減した試験装置及び試験方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体回路等の電子デバイスを試験する方法として、電子デバイスに供給される電源電流を測定し、電源電流の異常値を検出する方法が知られている。例えば、様々な試験パターンを電子デバイスに印加し、電子デバイスの様々な動作状態における電源電流を検出し、電源電流が所定の範囲に有るか否かによって、電子デバイスの良否を判定する。
【０００３】
関連する特許文献等は、現在認識していないため、その記載を省略する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし近年、電子デバイスの微細化や、電子デバイスに含まれるＣＭＯＳの数の増大等により、電子デバイスにおけるリーク電流が増加している。リーク電流は、電子デバイス毎のバラツキや、温度変化等により変動する。特に、ＣＯＭＳにおけるいわゆるサブスレッショルドリーク電流は温度依存性が大きく、安定化させることが困難である。このため、従来の電源電流試験では、リーク電流の変動により電子デバイスに供給される電源電流が変動し、本来良品と判定するべき電子デバイスであっても不良と判定されてしまうという問題が生じてしまう。
【０００５】
また、このような課題に対し、電子デバイス内部に温度センサ及びヒータ等を設け、電子デバイスの温度を一定に制御する手法が知られている。しかし、このような制御では、高精度の制御を行うことができず、リーク電流の変動を十分に小さくすることができない。
【０００６】
このため本発明は、上述した課題を解決することのできる試験装置、試験方法、電子デバイス、及びデバイス生産方法を提供することを目的とする。この目的は、請求の範囲における独立項に記載の特徴の組み合わせにより達成される。また従属項は本発明の更なる有利な具体例を規定する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明の第１の形態においては、電界効果トランジスタが設けられた電子デバイスを試験する試験装置であって、電子デバイスを駆動する電力を供給する電源と、電子デバイスに供給するべき複数の試験パターンを順次発生して供給するパターン発生部と、電界効果トランジスタのリーク電流を検出するリーク電流検出部と、リーク電流検出部が検出するリーク電流を所定の値に維持するように、電界効果トランジスタが設けられたサブストレートに印加するサブストレート電圧を制御する電圧制御部と、電子デバイスに入力される電源電流を、それぞれの試験パターンが印加される毎に測定し、測定した電源電流に基づいて電子デバイスの良否を判定する電源電流測定部とを備える試験装置を提供する。
【０００８】
リーク電流検出部は、ｐ型電界効果トランジスタのｐ型リーク電流と、ｎ型電界効果トランジスタのｎ型リーク電流をそれぞれ測定し、電圧制御部は、サブストレートに印加する高電圧及び低電圧のうち、高電圧をｐ型リーク電流に基づいて制御し、低電圧をｎ型リーク電流に基づいて制御してよい。
【０００９】
電源電流測定部は、それぞれの試験パターンに対して測定した電源電流を、それぞれの電源電流の大きさ順に整列させ、整列させた電源電流が不連続となる場合に、電子デバイスを不良と判定してよい。
【００１０】
電源電流測定部は、整列させた電源電流を二階微分し、当該微分値のピークが所定値以上である場合に、電子デバイスを不良と判定してよい。また電源電流測定部は、整列させた電源電流において隣接する電源電流の差分を算出し、算出した差分に予め定められた値より大きい値がある場合に、電子デバイスを不良と判定してもよい。
【００１１】
本発明の第２の形態においては、電界効果トランジスタが設けられた電子デバイスを試験する試験方法であって、電子デバイスを駆動する電力を供給する電源供給段階と、電子デバイスに供給するべき複数の試験パターンを順次発生して供給するパターン発生段階と、電界効果トランジスタのリーク電流を検出するリーク電流検出段階と、リーク電流検出段階において検出されるリーク電流を所定の値に維持するように、電界効果トランジスタが設けられたサブストレートに印加するサブストレート電圧を制御する電圧制御段階と、電子デバイスに入力される電源電流を、それぞれの試験パターンが印加される毎に測定し、測定した電源電流に基づいて電子デバイスの良否を判定する電源電流測定段階とを備える試験方法を提供する。
【００１２】
本発明の第３の形態においては、与えられる試験パターンに応じて動作する電界効果トランジスタが設けられた電子デバイスであって、電界効果トランジスタのリーク電流と略同一の電流を外部に出力するリーク電流検出回路を備える電子デバイスを提供する。
【００１３】
リーク電流検出回路は、電界効果トランジスタと略同一の特性を有し、電界効果トランジスタと略同一の電源電圧が与えられ、ゲート端子とソース端子とが接続され、ドレイン電流を外部に出力するダミートランジスタを有してよい。リーク電流検出回路は、試験パターンが入力される入力ピンから独立して設けられてよい。
【００１４】
リーク電流検出回路は、ｎ型の電界効果トランジスタのリーク電流と略同一の電流を外部に出力するｎ型のダミートランジスタと、ｐ型の電界効果トランジスタのリーク電流と略同一の電流を外部に出力するｐ型のダミートランジスタとを有してよい。
【００１５】
電子デバイスは、外部の電源から電力を受け取る電源端子と、電界効果トランジスタが設けられたサブストレートに印加される電圧を受け取るサブストレート電圧端子とを独立に設けられてよい。
【００１６】
本発明の第４の形態においては、与えられる試験パターンに応じて動作する電界効果トランジスタが設けられた電子デバイスを生産するデバイス生産方法であって、サブストレートを準備する準備段階と、電界効果トランジスタをサブストレートに形成する回路形成段階と、電界効果トランジスタのリーク電流と略同一の電流を外部に出力するリーク電流検出回路をサブストレートに形成する検出回路形成段階とを備えるデバイス生産方法を提供する。
【００１７】
本発明の第５の形態においては、電子デバイスを試験する試験装置であって、電子デバイスを駆動する電力を供給する電源と、電子デバイスに供給するべき複数の試験パターンを順次発生して供給するパターン発生部と、電子デバイスに入力される電源電流を、それぞれの試験パターンが印加される毎に測定し、測定した電源電流に基づいて電子デバイスの良否を判定する電源電流測定部とを備え、パターン発生部は、所定の数の試験パターンを電子デバイスに供給する毎に、所定のパターンの基準試験パターンを発生して電子デバイスに供給し、電源電流測定部は、基準試験パターンが電子デバイスに供給される毎に、当該基準試験パターンに応じて電子デバイスに供給される静止時の電源電流が所定の値となるように、電源が電子デバイスに印加する電源電圧を制御する試験装置を提供する。パターン発生部は、試験パターンと基準試験パターンとを交互に発生して電子デバイスに供給してよい。
【００１８】
本発明の第６の形態においては、電子デバイスを試験する試験方法であって、電子デバイスを駆動する電力を供給する電源供給段階と、電子デバイスに供給するべき複数の試験パターンを順次発生して供給するパターン発生段階と、パターン発生段階において、所定の数の試験パターンを電子デバイスに供給する毎に、所定のパターンの基準試験パターンを発生して電子デバイスに供給する基準試験パターン発生段階と、電子デバイスに入力される電源電流を、それぞれの試験パターンが印加される毎に測定し、測定した電源電流に基づいて電子デバイスの良否を判定する電源電流測定段階と、それぞれの基準試験パターンが電子デバイスに供給される毎に、当該基準試験パターンに応じて電子デバイスに供給される電源電流を測定する基準電流測定段階と、静止時の電源電流が所定の値となるように、電源供給段階において電子デバイスに印加する電源電圧を制御する電源電圧制御段階とを備える試験方法を提供する。
【００１９】
なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではなく、また実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【００２１】
図１は、本発明の実施形態に係る試験装置１００の構成の一例を示す図である。試験装置１００は、電界効果トランジスタが設けられた電子デバイス２００を試験する装置であって、パターン発生部１０、電源１２、電源電流測定部１４、第１電圧制御部１６、第１リーク電流検出部１８、第２リーク電流検出部２０、及び第２電圧制御部２２を備える。本例において電界効果トランジスタとは、ＭＯＳ型の電界効果トランジスタを指す。
【００２２】
電源１２は、電子デバイス２００を駆動する電力を供給する。本例において電源１２は、定電圧の電力を電子デバイス２００に供給する。またパターン発生部１０は、電子デバイス２００に供給するべき複数の試験パターンを順次発生して供給する。つまりパターン発生部１０は、異なる試験パターンを順次電子デバイス２００に供給することにより、電子デバイス２００において異なる動作状態を生じさせる。電源電流測定部１４は、それぞれの試験パターンが印加される毎に、電源１２から電子デバイス２００に供給される電源電流を検出する。電源電流測定部１４は、電子デバイス２００の静止時の電源電流（ＩＤＤＱ）を検出してよい。
【００２３】
第１リーク電流検出部１８及び第２リーク電流検出部２０は、電子デバイス２００に含まれる電界効果トランジスタのリーク電流を検出する。本例において第１リーク電流検出部１８は、電子デバイス２００に含まれるｐ型電界効果トランジスタ単位数当たりのサブスレッショルドリーク電流を検出し、第２リーク電流検出部２０は、電子デバイス２００に含まれるｎ型電界効果トランジスタ単位数当たりのサブスレッショルドリーク電流を検出する。サブスレッショルドリーク電流とは、電界効果トランジスタのチャネル間に流れるリーク電流である。
【００２４】
また、第１電圧制御部１６及び第２電圧制御部２２は、第１リーク電流検出部１８及び第２リーク電流検出部２０が検出するリーク電流を所定の値に維持するように、電子デバイス２００のサブストレートに印加するサブストレート電圧を制御する。つまり、リーク電流の変動に応じてサブストレート電圧を制御する。ここでサブストレートとは、電界効果トランジスタ等の半導体素子が形成される半導体基板を指す。
【００２５】
通常、電子デバイス２００のサブストレートのｎ型基板に第１の電圧（高電圧）が印加され、ｐ型領域（ｐ−ウェル）に第１の電圧より低い第２の電圧（低電圧）が印加される。本例において第１電圧制御部１６は、第１リーク電流検出部１８が検出したリーク電流が一定となるように、電子デバイス２００のサブストレートのｎ型基板に印加する第１の電圧を制御する。これにより、電子デバイス２００が有するｐ型電界効果トランジスタのリーク電流を一定に制御する。
【００２６】
また第２電圧制御部２２は、第２リーク電流検出部２０が検出したリーク電流が一定となるように、電子デバイス２００のサブストレートのｐ型領域に印加する第２の電圧を制御する。これにより、電子デバイス２００が有するｎ型電界効果トランジスタのリーク電流を一定に制御する。
【００２７】
このような動作により、パターン発生部１０が複数の試験パターンを電子デバイス２００に入力する間、電子デバイス２００に含まれる電界効果トランジスタのリーク電流を一定に制御する。そして、電源電流測定部１４は、試験パターン毎に測定した電源電流の値に基づいて、電子デバイス２００の良否を判定する。例えば、電源電流測定部１４は、それぞれの試験パターンに対して測定した電源電流を、それぞれの電源電流の大きさ順に整列させて隣接する電源電流の差分を算出し、算出した差分に予め定められた値より大きい値がある場合に、電子デバイス２００を不良と判定する。
【００２８】
本例における試験装置１００によれば、電子デバイス２００に含まれる電界効果トランジスタのサブスレッショルドリーク電流の変動を無くし、電子デバイス２００の良否を精度よく判定することができる。
【００２９】
図２は、電子デバイス２００の構成の一例を示す図である。電子デバイス２００は、与えられる試験パターンに応じて動作する被試験回路部２０２、ｐ型のダミートランジスタ２０８、ｎ型のダミートランジスタ２１０、電源端子（２２０、２２２）、サブストレート電圧端子（２１２、２１６）、及びリーク電流検出端子（２１４、２１８）を備える。
【００３０】
電源端子２２０には、電源電流測定部１４を介して電源１２から電源電圧ＶＤＤが印加される。また電源端子２２２には、電源電圧ＶＳＳが印加される。本例において電源端子２２２は接地される。
【００３１】
またサブストレート電圧端子（２１２、２１６）は、電源端子（２２０、２２２）と独立に設けられる。サブストレート電圧端子２１２には、第１電圧制御部１６が出力する電圧（ＶＢＢＰ）が印加され、サブストレート電圧端子２１６には、第２電圧制御部２２が出力する電圧（ＶＢＢＮ）が印加される。このように、電源端子とサブストレート端子とを独立に設けることにより、電子デバイス２００のサブストレート電圧を制御することができる。
【００３２】
被試験回路部２０２は、電源線（ＶＤＤ）、電源線（ＶＳＳ）との間に設けられ、電源電力が供給される。電源線（ＶＤＤ）には、電源端子２２０を介して電源電圧ＶＤＤが印加される。また電源線（ＶＳＳ）は、電源線（ＶＤＤ）より低い電圧が印加される。本例において電源線（ＶＳＳ）は電源端子２２２を介して接地される。また被試験回路部２０２には、複数のｐ型電界効果トランジスタ２０４、及び複数のｎ型電界効果トランジスタ２０６が設けられる。それぞれの電界効果トランジスタ（２０４、２０６）のゲート端子には、電子デバイス２００に与えられる試験パターンに応じた信号が与えられ、動作状態に応じて電源電流を消費する。
【００３３】
ｐ型のダミートランジスタ２０８は、電子デバイス２００に設けられたｐ型電界効果トランジスタ２０４と略同一の特性を有するように形成され、ｐ型電界効果トランジスタ２０４と略同一の電源電圧が印加される。本例においては、ｐ型のダミートランジスタ２０８のソース端子に電源電圧ＶＤＤが印加される。
【００３４】
ｎ型のダミートランジスタ２１０は、電子デバイス２００に設けられたｎ型電界効果トランジスタ２０６と略同一の特性を有するように形成され、ｎ型電界効果トランジスタ２０６と略同一の電源電圧が印加される。本例においては、ｎ型のダミートランジスタ２１０のソース端子に電源電圧ＶＳＳが印加される。
【００３５】
それぞれのダミートランジスタ（２０８、２１０）は、ゲート端子とソース端子とが短絡され、ドレイン電流を外部に出力する。ｐ型のダミートランジスタ２０８は、リーク電流検出端子２１４を介して、第１リーク電流検出部１８にドレイン電流を出力する。またｎ型のダミートランジスタ２１０は、リーク電流検出端子２１８を介して、第２リーク電流検出部２０にドレイン電流を出力する。また、それぞれのダミートランジスタ（２０８、２１０）は、試験パターンが入力される入力ピン（図示せず）から独立して設けられる。
【００３６】
ダミートランジスタ（２０８、２１０）と電界効果トランジスタ（２０４、２０６）とは、それぞれ略同一の特性を有し、略同一の電源電圧及びサブストレート電圧が印加されるため、ダミートランジスタ（２０８、２１０）が出力するドレイン電流は、対応する電界効果トランジスタ（２０４、２０６）におけるリーク電流と略等しい。つまり、それぞれのダミートランジスタ（２０８、２１０）は、本発明におけるリーク電流検出回路として機能する。
【００３７】
このような構成により、試験装置１００は、電子デバイス２００に設けられた電界効果トランジスタ単位数当たりのリーク電流の大きさを検出することができる。そして試験装置１００は、当該リーク電流に基づいて電子デバイス２００のサブストレート電圧を制御することにより、電子デバイス２００に含まれる電界効果トランジスタにおけるリーク電流を一定に保つことができる。このため、試験装置１００は、上述した制御を行いながら順次試験パターンを供給し、電源電流を測定することにより、精度よく電源電流を検出することができる。
【００３８】
また、本例において電子デバイス２００は、一対のダミートランジスタ（２０８、２１０）を有していたが、他の例においては電子デバイス２００は、複数対のダミートランジスタ（２０８、２１０）を有していてもよい。例えばダミートランジスタ（２０８、２１０）を、サブストレートに略均一に分布するように設けてよい。この場合、第１リーク電流検出部１８及び第２リーク電流検出部２０は、複数のダミートランジスタ（２０８、２１０）が出力する電流の平均値を算出してよい。
【００３９】
また、電子デバイス２００は、電子デバイス２００のサブストレートを準備する準備段階と、電界効果トランジスタ（２０４、２０６）をサブストレートに形成する回路形成段階と、電界効果トランジスタ（２０４、２０６）のリーク電流と略同一の電流を外部に出力するダミートランジスタ（２０８、２１０）をサブストレートに形成する検出回路形成段階とを備えるデバイス生産方法によって生産される。デバイス生産方法は、前述した電源端子（２２０、２２２）、サブストレート電圧端子（２１２、２１６）、及びリーク電流検出端子（２１４、２１８）を形成する段階を更に備えてよい。
【００４０】
図３は、電子デバイス２００に供給する試験パターン毎に測定される電源電流値の一例を示す図である。図３において横軸は、電子デバイス２００に供給された試験パターンを示し、縦軸は測定した電源電流の値を示す。
【００４１】
図３（ａ）は、順次供給される試験パターン毎の電源電流値を示す。図３（ａ）に示すように、電源電流測定部１４は、それぞれの試験パターン毎に、電子デバイス２００の動作状態に応じた電源電流が測定する。このとき、試験パターン発生部１０は、試験パターン毎に、電子デバイス２００に含まれる複数の電界効果トランジスタのうち、ＯＮ状態となる電界効果トランジスタの数が順次変化するように、複数の試験パターンを生成する。例えば試験パターン発生部１０は、ＯＮ状態となる電界効果トランジスタの数が、予め定められた単位数ずつ増加するように、それぞれの試験パターンを生成する。図３（ａ）において横軸は、例えば電子デバイス２００に供給された順序で配列された試験パターンを示す。そして電源電流測定部１４は、測定した電源電流を小さい順に整列させる。
【００４２】
図３（ｂ）は、測定した電源電流値を値の小さい順に整列させたものを示す。ＯＮ状態となる電界効果トランジスタの数が、試験パターン毎にそれぞれ単位数ずつ異なる場合、整列させた電源電流の測定値は直線で近似される。しかし、電子デバイス２００が故障している場合、整列させた電源電流の測定値は、図３（ｂ）に示すように不連続な値となる。電源電流測定部１４は、整列させた電源電流の測定値において不連続な箇所を検出し、電子デバイス２００の故障を検出する。例えば電源電流測定部１４は、整列させた電源電流の波形を二階微分し、当該微分値のピークを検出することにより、不連続な箇所を検出する。
【００４３】
図４は、整列させた電源電流の波形を二階微分した結果の一例を示す図である。図４に示すように、図３において電源電流の測定値が不連続となる箇所で、二階微分値のピークが現れる。電源電流測定部１４は、これらのピークの値が予め定められた基準値以上である場合に、電子デバイス２００が故障していると判定してよい。
【００４４】
また、多数の試験パターンに対する電源電流の測定は長時間を要するため、測定時間を短縮するため、電源電流測定部１４は、より少数の試験パターンに対する電源電流を測定し、これらの電源電流の測定値に基づいて電子デバイス２００の良否を判定してもよい。
【００４５】
この場合、電源電流測定部１４は、整列させた電源電流の測定値を、例えば最小二乗法等により直線で近似する。そして、近似した直線と、電源電流の測定値との一致度が所定の値より大きい場合に、電子デバイス２００を良品と判定してよい。近似した直線と電源電流の測定値との一致度が所定の値以下である場合、電源電流測定部１４は、整列させた電源電流の測定値を分割し、分割したそれぞれの領域において、電源電流の測定値を直線に近似してよい。
【００４６】
そして、電源電流測定部１４は、分割したそれぞれの領域において、近似した直線と電源電流との測定値との一致度を算出してよい。また電源電流測定部１４は、分割したそれぞれの領域において近似した直線の傾きを比較し、傾きの差が所定値以上である場合に、電子デバイス２００に故障があると判定してもよい。
【００４７】
図５は、本発明の実施形態に係る、電子デバイス２００を試験する試験方法の一例を示すフローチャートである。当該試験方法は、図１から図４において説明した方法と同様の方法で、電子デバイス２００を試験してよい。
【００４８】
まず、電源供給段階において、電子デバイス２００を駆動するための電力を供給する。そして、パターン発生段階Ｓ３００において、電子デバイス２００に供給するべき試験パターンを発生して供給する。
【００４９】
また、リーク電流測定段階Ｓ３０２において、電子デバイス２００に含まれる電界効果トランジスタのリーク電流を検出する。次に、電圧制御段階Ｓ３０４において、リーク電流が所定の値となるように、電界効果トランジスタが設けられた電子デバイス２００のサブストレートに印加する電圧を制御する。Ｓ３０２及びＳ３０４の処理は、試験中に常時行うことが好ましい。
【００５０】
そして、リーク電流を所定の値に保った状態で、電源電流測定段階Ｓ３０６において、電子デバイス２００に入力される電源電流を測定する。電源電流を測定した後、電子デバイス２００に印加するべき試験パターンの全てについて測定が終了したかを判定し、未測定の試験パターンがある場合、次の試験パターンをＳ３００において生成し、Ｓ３００〜Ｓ３０６の処理を繰り返す。
【００５１】
全ての試験パターンについて測定が終了した場合、整列段階Ｓ３１０において、電源電流の測定値を図３（ｂ）において説明したように整列させる。そして、ピーク検出段階Ｓ３１２において、図４において説明したように、整列させた電源電流の測定結果を二階微分し、微分値のピークを検出する。次に、判定段階Ｓ３１４において、微分値のピークに基づいて電子デバイス２００の故障を検出する。
【００５２】
図６は、試験装置１００の構成の他の例を示す図である。本例における試験装置１００は、パターン発生部１０、電源１２、電源電流測定部１４、第１リーク電流検出部１８、及び第２リーク電流検出部２０を備える。
【００５３】
本例におけるパターン発生部１０、電源電流測定部１４、第１リーク電流検出部１８、及び第２リーク電流検出部２０は、図１に関連して説明したパターン発生部１０、電源電流測定部１４、第１リーク電流検出部１８、及び第２リーク電流検出部２０と同一の機能を有する。
【００５４】
電源１２は、電子デバイス２００を駆動するための電力を供給する。本例における電源１２は、第１リーク電流検出部１８及び第２リーク電流検出部２０が検出したリーク電流を所定の値に保つように、電子デバイス２００に印加する電源電圧値を制御する。このような構成によっても、電子デバイス２００に含まれる電界効果トランジスタにおけるリーク電流の影響を低減し、精度よく電源電流を測定することができる。
【００５５】
図７は、試験装置１００の構成の他の例を示す図である。試験装置１００は、パターン発生部１０、電源１２、及び電源電流測定部１４を備える。電源１２は、図１に関連して説明した電源１２と同様に、電子デバイス２００を駆動する電力を供給する。
【００５６】
パターン発生部１０は、図１に関連して説明したパターン発生部１０と同様に、電子デバイス２００に供給するべき複数の試験パターンを順次発生して供給する。またパターン発生部１０は、所定の数の試験パターンを電子デバイス２００に供給する毎に、所定のパターンの基準試験パターンを生成して電子デバイス２００に供給する。このとき、パターン発生部１０は、基準試験パターンを電子デバイス２００に供給した旨を通知することが好ましい。また基準試験パターンとは、電子デバイス２００の各素子の状態を初期状態とするためのリセットパターンであってよい。
【００５７】
電源電流測定部１４は、電子デバイス２００に入力される電源電流を、それぞれの試験パターンが印加される毎に測定する。また、電源電流測定部１４は、基準試験パターンが電子デバイス２００に供給された場合に、電子デバイス２００に入力される電源電流も測定する。
【００５８】
そして電源電流測定部１４は、基準試験パターンに応じて電子デバイス２００に供給される電源電流が所定の値となるように、電源１２が電子デバイス２００に供給する電源電圧を制御する。例えば、電子デバイス２００に供給された最初の基準試験パターンに応じた電源電流を基準値として、基準試験パターンが電子デバイス２００に供給される毎に、電源電流が当該基準値に一致するように、電源電圧を制御する。電源電流測定部１４は、パターン発生部１０から、基準試験パターンを電子デバイス２００に供給した旨の通知を受け取る毎に、測定した電源電流に基づいて電源電圧を制御してよい。
【００５９】
このような動作により、基準試験パターンを所定の期間毎に電子デバイス２００に印加し、電子デバイス２００の動作状態を所定の状態にしたときの電源電流を測定することにより、温度変化等の外部要因により生じるリーク電流の変動を検出することができる。そして、当該電源電流が所定値となるように電源電圧を制御することにより、外部要因により生じるリーク電流を一定値に制御することができる。
【００６０】
このような制御を行った状態、つまり電源１２が、電源電流測定部１４によって制御された電源電圧を維持した状態で、パターン発生部１０は、電子デバイス２００に試験パターンを入力し、電源電流測定部１４は、当該試験パターンに応じて電子デバイス２００に供給される電源電流を測定する。これにより、外部要因により生じるリーク電流の変動の影響を除去した電源電流を測定することができる。
【００６１】
そして、電源電流測定部１４は、それぞれの試験パターンに応じて測定した電源電流に基づいて、電子デバイス２００の良否を判定する。電子デバイス２００の良否の判定方法は、図１に関連して説明した電源電流測定部１４と同一である。本例における試験装置１００によっても、外部要因により生じるリーク電流の変動の影響を除去し、精度よく電子デバイス２００の良否を判定することができる。
【００６２】
またパターン発生部１０は、通常の試験パターンと、基準試験パターンとを交互に生成して電子デバイス２００に供給してよい。この場合、それぞれの試験パターンに対応する電源電流を測定する毎に、リーク電流の変動を除去するため、より精度よく測定を行うことができる。
【００６３】
図８は、電子デバイス２００を試験する試験方法の他の例を示すフローチャートである。当該試験方法は、図８において説明した方法と同様の方法で、電子デバイス２００を試験してよい。
【００６４】
まず、電源供給段階Ｓ４００において、電子デバイス２００を駆動する電力を供給する。次に、温度制御段階Ｓ４０２において、電子デバイス２００の温度を定常状態に上昇させる。例えば、パターン発生部１０が適当な試験パターンを電子デバイス２００に繰り返し入力することにより、電子デバイス２００の温度を上昇させる。
【００６５】
次に、基準試験パターン発生段階Ｓ４０４において、所定のパターンの基準試験パターンを発生する。そして、基準電流測定・電源電圧制御段階Ｓ４０６において、基準試験パターンが電子デバイス２００に供給された場合の電源電流を測定する。またＳ４０６において、測定した電源電流が所定値となるように、Ｓ４００において生成する電源電圧を制御する。
【００６６】
次に、パターン発生・電源電流測定段階Ｓ４０８において、電子デバイス２００に供給するべき試験パターンを印加し、そのときの電源電流を測定する。そして、全ての印加するべき試験パターンに対して電源電流を測定していない場合には、Ｓ４０４〜Ｓ４０８の処理を繰り返し、全ての試験パターンに対して電源電流を測定した場合には、測定した電源電流に基づいて電子デバイス２００の良否を判定する（Ｓ４１２）。
【００６７】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【産業上の利用可能性】
【００６８】
以上から明らかなように、本発明によれば、電子デバイス２００に含まれる電界効果トランジスタのサブスレッショルドリーク電流の変動を無くし、電子デバイス２００の電源電流を精度よく測定することができる。このため、電子デバイス２００を精度よく試験することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明の実施形態に係る試験装置１００の構成の一例を示す図である。
【図２】電子デバイス２００の構成の一例を示す図である。
【図３】電子デバイス２００に供給する試験パターン毎に測定される電源電流値の一例を示す図である。図３（ａ）は、順次供給される試験パターン毎の電源電流値を示し、図３（ｂ）は、測定した電源電流値を値の小さい順に整列させたものを示す。
【図４】整列させた電源電流の波形を二階微分した結果の一例を示す図である。
【図５】本発明の実施形態に係る、電子デバイス２００を試験する試験方法の一例を示すフローチャートである。
【図６】試験装置１００の構成の他の例を示す図である。
【図７】試験装置１００の構成の他の例を示す図である。
【図８】試験方法の他の例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００７０】
１０・・・パターン発生部、１２・・・電源、１４・・・電源電流測定部、１６・・・第１電圧制御部、１８・・・第１リーク電流検出部、２０・・・第２リーク電流検出部、２２・・・第２電圧制御部、１００・・・試験装置、２００・・・電子デバイス、２０２・・・被試験回路部、２０４・・・ｐ型電界効果トランジスタ、２０６・・・ｎ型電界効果トランジスタ、２０８・・・ｐ型ダミートランジスタ、２１０・・・ｎ型ダミートランジスタ、２１２・・・サブストレート電圧端子、２１４・・・リーク電流検出端子、２１６・・・サブストレート電圧端子、２１８・・・リーク電流検出端子、２２０、２２２・・・電源端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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