(57)【要約】【課題】レシピ作成及び欠陥確認の使い勝手がよく、かつ迅速に行うことのできるパターンの検査装置を提供する。【解決手段】欠陥確認画面は、ウェハマップを表示する「マップ表示部」６１、欠陥画像を一覧表示する「画像表示部」６２、欠陥の詳細情報を表示及び設定する「リスト表示部」６３、選択された欠陥項目についてグラフ表示する「グラフ表示部」６４を有する。それぞれの表示部は連動して動作し、選択されたマップ情報に対応して欠陥画像、欠陥情報リスト、欠陥グラフが変化する。これら情報を利用して入力された分類コード及びクラスタリング条件及び表示フィルタはレシピに登録される。【選択図】図５
2006170907.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンが形成された基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持された基板にレーザ光又は光、あるいは荷電粒子線を照射する照射手段と、
前記照射によって基板から発生する信号を検出する検出手段と、
前記検出手段によって検出された信号を画像化して記憶する記憶手段と、
前記記憶手段に記憶された画像を他の設計上同一のパターンから形成された画像と比較する比較手段と、
前記比較手段による比較結果からパターン上の欠陥を判別する判別手段と、
基板上における欠陥の位置をマップ表示するマップ表示部、欠陥画像を表示する画像表示部、欠陥の情報をリスト表示するリスト表示部、選択された欠陥項目に関する統計情報をグラフ表示するグラフ表示部を有する表示手段と、
前記マップ表示部に表示されたマップ上の領域を選択する領域選択手段とを備え、
前記領域選択手段によるマップ領域の選択に連動して、選択されたマップ領域内の欠陥の欠陥画像の前記画像表示部への一覧表示、選択されたマップ領域内の欠陥の欠陥情報の前記リスト表示部への一覧表示、及び／又は選択されたマップ領域内の欠陥についての統計情報の前記グラフ表示部へのグラフ表示が実行されることを特徴とするパターン検査装置。
【請求項２】
請求項１記載のパターン検査装置において、前記画像表示部に表示された画像を選択する画像選択手段を備え、前記画像選択手段によって画像が選択されたとき、当該画像に対応する前記マップ表示部の欠陥位置、当該画像に対応する前記リスト表示部の表示情報、及び／又は当該画像に対応する欠陥が属する前記グラフ表示部の表示部分が強調表示されることを特徴とするパターン検査装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載のパターン検査装置において、前記リスト表示部に表示された欠陥情報を選択する欠陥情報選択手段を備え、前記欠陥情報選択手段によって欠陥情報が選択されたとき、当該欠陥情報に対応する前記マップ表示部の欠陥位置、当該欠陥情報に対応する前記画像表示部の欠陥画像、及び／又は当該欠陥情報が属する前記グラフ表示部の表示部分が強調表示されることを特徴とするパターン検査装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項記載のパターン検査装置において、前記グラフ表示部の表示部分を選択するグラフ選択手段を備え、前記グラフ選択手段によってグラフの一部が選択されたとき、当該グラフの選択部分に属する欠陥に対応する前記マップ表示部の欠陥位置、当該グラフの選択部分に含まれる欠陥に対応する前記画像表示部の欠陥画像、及び／又は当該グラフの選択部分に含まれる欠陥に対応する前記リスト表示部上の表示情報が強調表示されることを特徴とするパターン検査装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項記載のパターン検査装置において、所定の分類コードが付与されている欠陥群を欠陥の特徴を表す複数の項目を軸とする座標系に対してプロット表示するとともに所定の割合に応じたプロットを包含する境界線を表示し、前記境界線によって包囲される領域を前記分類コードを付与する条件としてレシピに登録する機能を有することを特徴とするパターン検査装置。
【請求項６】
請求項５記載のパターン検査装置において、前記境界線をドラッグすることによって変更する手段を有することを特徴とするパターン検査装置。
【請求項７】
請求項１〜４のいずれか１項記載のパターン検査装置において、クラスタリング条件として半径と要素数が入力されたとき、自らを中心として前記半径の円内に前記要素数以上の欠陥が存在する欠陥が、前記半径以内の距離に連続して存在するとき、それらの欠陥各々にクラスタ番号を付与することを特徴とするパターン検査装置。
【請求項８】
請求項１〜４のいずれか１項記載のパターン検査装置において、前記グラフ表示部に表示されたグラフに対して上限値及び／又は下限値を設定する手段を有し、前記上限値及び／又は下限値をフィルタリング条件としてレシピに登録する機能を有することを特徴とするパターン検査装置。
【請求項９】
請求項５〜８のいずれか１項記載のパターン検査装置において、前記レシピに登録されたレビュー条件実行後に、前記画像表示部に表示された欠陥を確認出来る機能を有することを特徴とするパターン検査装置。
【請求項１０】
請求項５〜９のいずれか１項記載のパターン検査装置において、前記レシピに登録されたレビュー条件実行後に、前記画像表示部に表示された欠陥画像を保存する機能を有することを特徴とするパターン検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハや液晶パネル等、微細なパターンを有する基板の検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば半導体装置は、半導体ウェハ上にホトマスクに形成されたパターンをリソグラフィー処理及びエッチング処理により転写する工程を繰り返すことにより製造される。半導体装置の製造過程において、リソグラフィー処理やエッチング処理の良否，異物発生等は、半導体装置の歩留まりに大きく影響を及ぼすため、異常や不良発生を早期にあるいは事前に検知する必要がある。そのために、従来から、光あるいは電子線を用いて製造過程の半導体ウェハ上のパターンを検査することが行われている。
【特許文献１】特開２０００−１６１９３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
従来の装置にあっては、ウェハ外観検査装置の画面機能が充分に生かされていなかった。そのためウェハ外観検査が必ずしも容易に行われるものとは限らず、使い勝手が悪かった。更に、半導体検査時は、プロセス立ち上げ時等に非常に大量な欠陥が検出され、時として数十万件以上の欠陥が検出されることもあり、そのような場合、全ての欠陥を確認する事は不可能である。このように大量の欠陥が検出された場合に、半導体製造プロセスに効果的にフィードバック出来るように、レシピを作成する事は非常に重要である。
【０００４】
本発明は、欠陥が大量に検出された場合でも、効果的に短時間で確認出来るパターンの検査装置を提供する事を目的とする。また、その効果的な欠陥確認により、その情報をレシピデータにフィードバックし、検査が量産ラインで運用された場合でも、異常を素早く的確に検知する事が出来るパターンの検査装置を提供する事を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、欠陥分布マップ、欠陥画像リスト、欠陥情報リスト、欠陥情報グラフをそれぞれ連動させて動作させる事により、前記目的を達成する。
【０００６】
本発明のパターン検査装置は、パターンが形成された基板を保持する基板保持手段と、基板保持手段に保持された基板に光あるいは荷電粒子線を照射する照射手段と、照射によって基板から発生する信号を検出する検出手段と、検出手段によって検出された信号を画像化して記憶する記憶手段と、記憶手段に記憶された画像を他の設計上同一のパターンから形成された画像と比較する比較手段と、比較手段による比較結果からパターン上の欠陥を判別する判別手段と、基板上における欠陥の位置をマップ表示するマップ表示部、欠陥画像を表示する画像表示部、欠陥の情報をリスト表示するリスト表示部、選択された欠陥項目に関する統計情報をグラフ表示するグラフ表示部を有する表示手段と、マップ表示部に表示されたマップ上の領域を選択する領域選択手段とを備え、領域選択手段によるマップ領域の選択に連動して、選択されたマップ領域内の欠陥の欠陥画像の画像表示部への一覧表示、選択されたマップ領域内の欠陥の欠陥情報のリスト表示部への一覧表示、及び／又は選択されたマップ領域内の欠陥についての統計情報のグラフ表示部へのグラフ表示が実行されることを特徴とする。領域選択手段は、ドラッグ選択又はチップ選択によってマップ領域を選択する。
【０００７】
本発明のパターン検査装置は、また、ウェハマップからドラック選択又はチップで選択された欠陥について、少なくとも分類コード、クラスタリンググループを設定できる手段、少なくとも設定した分類コード、クラスタリンググループからフィルタ情報を作成する手段を有し、更に作成したフィルタをレシピに登録出来る手段を有する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、検査装置の分類コード設定機能及び又はクラスタリング設定機能が飛躍的に向上し、欠陥確認及びレシピ作成が実用的で使い勝手のよいパターン検査装置が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明の実施例の検査方法、及び装置の一例について、図面を参照しながら詳細に説明する。パターン検査装置は、光、レーザ光あるいは荷電粒子線を用いて、半導体ウェハに形成されたパターンの寸法測定、観察、外観検査を可能とする装置である。
【００１０】
図１は本発明によるパターン検査装置の一例を示す概略構成図であり、図２はその対物レンズの周辺を拡大して示した図である。図１に示したパターン検査装置１は電子線を利用するもので、室内が真空排気される検査室２と、検査室２内に被検査基板９を搬送するための予備室（本実施例では図示せず）を備えており、この予備室は検査室２とは独立して真空排気できるように構成されている。また、パターン検査装置１は上記検査室２と予備室の他に制御部６，画像処理部５から構成されている。検査室２内は大別して、電子光学系３，二次電子検出部７，試料室８，光学顕微鏡部４から構成されている。電子光学系３は、電子銃１０，電子線引き出し電極１１，コンデンサレンズ１２，ブランキング偏向器１３，走査偏向器１５，絞り１４，対物レンズ１６，反射板１７，ＥｘＢ偏向器１８から構成されている。二次電子検出部７のうち、二次電子検出器２０が検査室２内の対物レンズ１６の上方に配置されている。二次電子検出器２０の出力信号は、検査室２の外に設置されたプリアンプ２１で増幅され、ＡＤ変換機２２によりデジタルデータとなる。試料室８は、試料台３０，Ｘステージ３１，Ｙステージ３２，回転ステージ３３，位置モニタ測長器３４，被検査基板高さ測定器３５から構成されている。光学顕微鏡部４は、検査室２の室内における電子光学系３の近傍であって、互いに影響を及ぼさない程度離れた位置に設備されており、電子光学系３と光学顕微鏡部４の間の距離は既知である。そして、Ｘステージ３１又はＹステージ３２が電子光学系３と光学顕微鏡部４の間の既知の距離を往復移動するようになっている。光学顕微鏡部４は光源４０，光学レンズ４１，ＣＣＤカメラ４２により構成されている。
【００１１】
画像処理部５は、第一画像記憶部４６，第二画像記憶部４７，演算部４８，欠陥判定部４９より構成されている。取り込まれた電子線画像あるいは光学画像はモニタ５０に表示される。装置各部の動作命令及び動作条件は、制御部６から入力される。制御部６には、予め電子線発生時の加速電圧，電子線偏向幅，偏向速度，二次電子検出装置の信号取り込みタイミング，試料台移動速度等々の条件が、目的に応じて任意にあるいは選択して設定できるよう入力されている。制御部６は、補正制御回路４３を用いて、位置モニタ測長器３４，被検査基板高さ測定器３５の信号から位置や高さのずれをモニタし、その結果より補正信号を生成し、電子線が常に正しい位置に照射されるよう対物レンズ電源４５や走査信号発生器４４に補正信号を送る。被検査基板９の画像を取得するためには、細く絞った一次電子線１９を該被検査基板９に照射し、二次電子５１を発生させ、これらを一次電子線１９の走査及びステージ３１，３２の移動と同期して検出することで該被検査基板９表面の画像を得る。
【００１２】
自動検査では検査速度が速いことが必須となる。従って、通常のＳＥＭのようにｐＡオーダーの電子線電流の電子線を低速で走査したり、多数回の走査及び各々の画像の重ね合せは行わない。また、絶縁材料への帯電を抑制するためにも、電子線走査は高速で一回あるいは数回程度にする必要がある。そこで本実施例では、通常ＳＥＭに比べ約１００倍以上の、例えば１００ｎＡの大電流電子線を一回のみ走査することにより画像を形成する構成とした。走査幅は１００μｍとし、１画素は０．１μｍ□とし、１回の走査を１μｓで行うようにした。
【００１３】
電子銃１０には拡散補給型の熱電界放出電子源が使用されている。この電子銃１０を用いることにより、従来の例えばタングステン（Ｗ）フィラメント電子源や、冷電界放出型電子源に比べて安定した電子線電流を確保することができるため、明るさ変動の少ない電子線画像が得られる。また、この電子銃１０により電子線電流を大きく設定することができるため、後述するような高速検査を実現できる。一次電子線１９は、電子銃１０と引き出し電極１１との間に電圧を印加することで電子銃１０から引き出される。一次電子線１９の加速は、電子銃１０に高電圧の負の電位を印加することでなされる。これにより、一次電子線１９はその電位に相当するエネルギーで試料台３０の方向に進み、コンデンサレンズ１２で収束され、更に対物レンズ１６により細く絞られて試料台３０上のＸ−Ｙステージ３１，３２の上に搭載された被検査基板９（半導体ウェハ，チップあるいは液晶，マスク等微細パターンを有する基板）に照射される。なお、ブランキング偏向器１３には、走査信号及びブランキング信号を発生する走査信号発生器４４が接続され、コンデンサレンズ１２及び対物レンズ１６には、各々レンズ電源４５が接続されている。被検査基板９には、リターディング電源３６により負の電圧を印加できるようになっている。このリターディング電源３６の電圧を調節することにより一次電子線を減速し、電子銃１０の電位を変えずに被検査基板９への電子線照射エネルギーを最適な値に調節することができる。
【００１４】
被検査基板９上に一次電子線１９を照射することによって発生した二次電子５１は、被検査基板９に印加された負の電圧により加速される。被検査基板９上方に、ＥｘＢ偏向器１８が配置され、これにより加速された二次電子５１は所定の方向へ偏向される。ＥｘＢ偏向器１８にかける電圧と磁界の強度により、偏向量を調整することができる。また、この電磁界は、試料に印加した負の電圧に連動させて可変させることができる。ＥｘＢ偏向器１８により偏向された二次電子５１は、所定の条件で反射板１７に衝突する。この反射板１７は、試料に照射する電子線（以下一次電子線と呼ぶ）の偏向器のシールドパイプと一体で円錐形状をしている。この反射板１７に加速された二次電子５１が衝突すると、反射板１７からは数Ｖ〜５０ｅＶのエネルギーを持つ第二の二次電子５２が発生する。
【００１５】
二次電子検出部７は、真空排気された検査室２内には二次電子検出器２０が、検査室２の外にはプリアンプ２１，ＡＤ変換器２２，光変換手段２３，光伝送手段２４，電気変換手段２５，高圧電源２６，プリアンプ駆動電源２７，ＡＤ変換器駆動電源２８，逆バイアス電源２９から構成されている。既に記述したように、二次電子検出部７のうち、二次電子検出器２０が検査室２内の対物レンズ１６の上方に配置されている。二次電子検出器２０，プリアンプ２１，ＡＤ変換器２２，光変換手段２３，プリアンプ駆動電源２７，ＡＤ変換器駆動電源２８は、高圧電源２６により正の電位にフローティングしている。上記反射板１７に衝突して発生した第二の二次電子５２は、この吸引電界により二次電子検出器２０へ導かれる。二次電子検出器２０は、一次電子線１９が被検査基板９に照射されている間に発生した二次電子５１がその後加速されて反射板１７に衝突して発生した第二の二次電子５２を、一次電子線１９の走査のタイミングと連動して検出するように構成されている。二次電子検出器２０の出力信号は、検査室２の外に設置されたプリアンプ２１で増幅され、ＡＤ変換器２２によりデジタルデータとなる。ＡＤ変換器２２は、二次電子検出器２０が検出したアナログ信号をプリアンプ２１によって増幅された後に直ちにデジタル信号に変換して、画像処理部５に伝送するように構成されている。検出したアナログ信号を検出直後にデジタル化してから伝送するので、従来よりも高速で且つＳＮ比の高い信号を得ることができる。
【００１６】
Ｘ−Ｙステージ３１，３２上には被検査基板９が搭載されており、検査実行時にはＸ−Ｙステージ３１，３２を静止させて一次電子線１９を２次元に走査する方法と、検査実行時にＸ−Ｙステージ３１，３２をＹ方向に連続して一定速度で移動されるようにして一次電子線１９をＸ方向に直線に走査する方法のいずれかを選択できる。ある特定の比較的小さい領域を検査する場合には前者のステージを静止させて検査する方法、比較的広い領域を検査するときは、ステージを連続的に一定速度で移動して検査する方法が有効である。なお、一次電子線１９をブランキングする必要がある時には、ブランキング偏向器１３により一次電子線１９が偏向されて、電子線が絞り１４を通過しないように制御できる。
【００１７】
位置モニタ測長器３４として、本実施例ではレーザ干渉による測長計を用いた。Ｘステージ３１及びＹステージ３２の位置が実時間でモニタでき、制御部６に転送されるようになっている。また、Ｘステージ３１，Ｙステージ３２、そして回転ステージのモータの回転数等のデータも同様に各々のドライバから制御部６に転送されるように構成されており、制御部６はこれらのデータに基づいて一次電子線１９が照射されている領域や位置が正確に把握できるようになっており、必要に応じて実時間で一次電子線１９の照射位置の位置ずれを補正制御回路４３より補正するようになっている。
【００１８】
また、被検査基板毎に、電子線を照射した領域を記憶できるようになっている。被検査基板高さ測定器３５は、電子ビーム以外の測定方式である光学式測定器、例えばレーザ干渉測定器や反射光の位置で変化を測定する反射光式測定器が使用されており、Ｘ−Ｙステージ上３１，３２に搭載された被検査基板９の高さを実時間で測定するように構成されている。本実施例では、スリットを通過した細長い白色光を透明な窓越しに被検査基板９に照射し、反射光の位置を位置検出モニタにて検出し、位置の変動から高さの変化量を算出する方式を用いた。この被検査基板高さ測定器３５の測定データに基づいて、一次電子線１９を細く絞るための対物レンズ１６の焦点距離がダイナミックに補正され、常に非検査領域に焦点が合った一次電子線１９を照射できるようになっている。また、被検査基板９の反りや高さ歪みを電子線照射前に予め測定しており、そのデータをもとに対物レンズ１６の検査領域毎の補正条件を設定するように構成することも可能である。
【００１９】
画像処理部５は第一画像記憶部４６と第二画像記憶部４７，演算部４８，欠陥判定部４９，モニタ５０により構成されている。上記二次電子検出器２０で検出された被検査基板９の画像信号は、プリアンプ２１で増幅され、ＡＤ変換器２２でデジタル化された後に光変換手段２３で光信号に変換され、光伝送手段２４によって伝送され、電気変換手段２５にて再び電気信号に変換された後に第一画像記憶部４６あるいは第二画像記憶部４７に記憶される。演算部４８は、この記憶された画像信号をもう一方の記憶部の画像信号との位置合わせ，信号レベルの規格化，ノイズ信号を除去するための各種画像処理を施し、双方の画像信号を比較演算する。欠陥判定部４９は、演算部４８にて比較演算された差画像信号の絶対値を所定のしきい値と比較し、所定のしきい値よりも差画像信号レベルが大きい場合にその画素を欠陥候補と判定し、モニタ５０にその位置や欠陥数等を表示する。
【００２０】
次に、光源に光、レーザ光を用いた場合のウェハ外観検査装置の全体構成について説明する。図４は、本発明の一実施形態によるウェハ外観検査装置の全体構成を示すブロック図である。検査ウェハ１０４は、Ｘ−Ｙステージ１０１の上に載置される。検査ウェハ１０４の上には、格子状にチップが規則的に配列形成されている。制御部１０３は、Ｘ−Ｙステージ１０１をチップピッチの整数倍の距離を動かす。光源１０６からの光が検査ウェハ１０４に照射される。検査ウェハ１０４から反射された光は、対物レンズ１０５を通し、ハーフミラー１０９により光路分割され、ＣＣＤカメラ１０２により２次元画像として検出される。
【００２１】
制御部１０３によって、Ｘ−Ｙステージ１０１をチップピッチ動かし、検査チップ１０７と比較チップ１０８の同一ポイントの画像を得ることができる。制御部１０３は、検査チップ１０７と比較チップ１０８の同一ポイントの濃淡差が所定のしきい値より大きいときは、検査チップ１０７の検査したポイントに欠陥があると判断する。
【００２２】
次に、パターン検査装置を半導体ウェハの検査に適用した例について述べる。図３は、半導体装置の製造プロセスを示す説明図である。図３に示すように、半導体装置は多数のパターン形成工程を繰り返して製造される。パターン形成工程は、大まかに、成膜・感光レジスト塗布・感光・現像・エッチング・レジスト除去・洗浄の各ステップにより構成されている。この各ステップにおいて加工のための製造条件が最適化されていないと、基板上に形成する半導体装置の回路パターンが正常に形成されない。
【００２３】
例えば図３の成膜過程で異常が発生するとパーティクルが発生し、半導体ウェハ表面に付着し、孤立欠陥等になる。また、感光時に感光のための露光装置の焦点や露光時間等の条件が最適でないと、レジストの照射する光の量や強さが多すぎる箇所や足りない箇所が発生し、ショートや断線，パターン細りとなる。感光時のマスク・レチクルに欠陥があると、感光単位であるショット毎に同一箇所に同様のパターン形状異常が発生する。またエッチング量が最適化されていない場合及びエッチング途中に生成された薄膜やパーティクルにより、ショートや突起，孤立欠陥，開口不良等が発生する。洗浄時には、洗浄層の汚れや剥離した膜や異物の再付着により微小なパーティクルが発生し、乾燥時の水切れ条件により表面に酸化膜の厚さむらを発生し易い。
【００２４】
従って、製造プロセスの過程で半導体装置に形成されているパターンを検査することにより、異常の発生を高精度且つ早期に検知することができ、当該工程に異常対策処置を講ずることができ、これらの不良が発生しないよう加工条件を最適化することができるようになる。例えば、現像工程後に回路パターン検査工程が実施されて、ホトレジストパターンの欠陥や断線が検出された場合には、感光工程の露光装置の露光条件や焦点条件が最適でないという事態が推定され、焦点条件あるいは露光量の調整等によってこれらの条件が即座に改善される。また、これらの欠陥が各ショット間で共通して発生しているか否かを欠陥分布から調べることにより、パターン形成に用いられているホトマスク・レチクルの欠陥が推定され、ホトマスク・レチクルの検査や交換がいち早く実施される。その他の工程についても同様であり、回路パターンの検査工程を実施することにより、各種欠陥が検出され、検出された欠陥の内容によって各製造工程の異常の原因が推定される。
【００２５】
半導体装置の製造過程においてパターン検査をインラインで実施することにより、各種製造条件の変動や異常発生を検査実時間内に検知することができるため、多量の不良発生を未然に防ぐことができる。また、検出された欠陥の程度や発生頻度等から当該半導体装置全体の良品取得率を予測することができ、半導体装置の生産性を高めることができるようになる。
【００２６】
図５は、図１に示すモニタ５０に表示される欠陥確認画面の例を示す図である。欠陥確認画面は、４種類の表示部を有する。１つめは、ウェハ及びダイのマップを表示する「マップ表示部」６１である。２つめは、マップから選択された欠陥の画像を表示する「画像表示部」６２である。３つめは、マップから選択された欠陥の情報をリスト表示し、欠陥情報を設定する「リスト表示部」６３である。４つめは、マップから選択された欠陥について種々の欠陥項目に関する統計情報をグラフで表示する「グラフ表示部」６４である。これらの表示部６１〜６４の表示内容は、それぞれの表示部でのユーザ操作と連動して変化することで、より迅速で容易な欠陥確認及びレシピ作成を可能とする。
【００２７】
まず、ウェハを検査するために必要なレシピについて説明する。レシピとは、ウェハを検査するためのデータの集まりを指す。具体例としては、品種は６４Ｍ−ＤＲＡＭ、工程はＬＩＮＥなどの名称となる。品種は、６４Ｍのメモリという種類の配線を写す工程である事を示す。
【００２８】
図６にレシピのデータ構成例を示す。ここでは一例として、品種と工程の階層構造を取った場合を示す。品種のデータとしては、「ウェハ情報」「ダイレイアウト」が挙げられる。「ウェハ情報」とは、ウェハ径や、ウェハタイプがオリフラかノッチか等の情報である。「ダイレイアウト」とは、ウェハ転写する単位である、ショットのサイズや、ショット数、ショット内のダイのサイズや、ダイ数を表す。
【００２９】
次に、工程データの具体例を示す。工程データとしては、「照射条件」「アライメント」「検査領域」「検査条件」「レビュー条件」がある。「照射条件」とは、ウェハに照射する電子線に対するリターディング電圧等を示す。検査実行時は、この電圧値を設定し、画像を取得する。「アライメント」とは、試料室にウェハを搬入した際のずれを補正するデータを示す。例として、ダイ番号とダイレイアウト内アライメント座標そして、ダイ原点オフセットデータがある。「検査領域」とは、ウェハを検査する際の領域を示す。例として領域は、領域の始点と終点等の座標で管理される。「検査条件」とは、実際に検査する際に適用する画像処理用のフィルタや、閾値、画像の明るさやコントラスト等を示す。例として、検査時の画像のノイズを低減させるスムージングフィルタ等がある。「レビュー条件」とは、検査が終了して欠陥を観察する条件を示す。例として、観察用の照射条件、クラスタ条件、欠陥分類条件、フィルタ条件等がある。
【００３０】
この工程データは品種にリンクされる構造を取り、例えば一つに品種に対して、工程Ａ、工程Ｂがあった場合、工程Ｂを読み出して、ダイレイアウトを変更したら、工程Ａのダイレイアウトも変更される。しかし、工程Ｂのアライメントのデータを書き換えた場合（例えばアライメントダイを変更した）は、工程Ａへの影響はない。このレシピ構造を取る事により、同一工程の一斉変更が可能となる。工程データ毎に品種データをとる構造への変更は、工程Ａと工程Ｂそれぞれ独立に「ウェハ情報」「ダイレイアウト」情報をもつ事で可能である。
【００３１】
次に、ウェハを検査した結果のデータ構造を説明する。このデータ構造を「検査結果データ」と定義する。図７に検査結果及び欠陥情報のデータ構造の一例を示す。検査結果データには、「欠陥情報」「レシピ情報」「実行時間情報」等がある。「レシピ情報」は検査した際に使用したレシピの情報を示す。例としてレシピに格納されているデータ全てを格納する。
【００３２】
「検査情報」はウェハを検査した際の様々なデータを示す。例として、欠陥個数、検査面積に対する欠陥密度、検査した時間、検査した日時等がある。「欠陥情報」は画像処理装置が参照と比較して検出した欠陥のデータを示す。例として、欠陥ＩＤに関連付けられて「欠陥座標」「欠陥アドレス」「欠陥面積」「欠陥サイズ」「アスペクト比」「分類コード」「クラスタ番号」「検査方式」「濃淡差」「欠陥画像情報」「欠陥有効フラグ」がある。「欠陥座標」はステージ座標とダイ内座標、ショット内座標の３種類ある。「欠陥アドレス」は欠陥が検出されたダイアドレス及びショットアドレスを示す。「欠陥面積」は欠陥の面積を示す。「欠陥サイズ」は欠陥のＸ方向及びＹ方向のサイズを示す。「アスペクト比」は欠陥の縦横比を示す。「分類コード」は自動分類コードと手動分類コードの２種類あり、自動分類コードはレシピから指定された分類条件に従って分類したコードを設定する。「クラスタ番号」は、レシピに指定されたクラスタ条件に従ってクラスタリングした番号を設定する。「検査方式」は欠陥を検出した検査方式を示す。セル比較とダイ比較両方で検出された場合は、混合欠陥とする。「濃淡差」は欠陥の欠陥判定部と参照部の明るさの差を示す。例として黒い欠陥はマイナス値、白い欠陥はプラス値をとる。「欠陥画像情報」は欠陥画像にリンクされた画像情報を示す。例として欠陥画像アドレスを設定する。「欠陥有効フラグ」は欠陥の有効及び無効の情報を示す。例としてユーザがある値以下の欠陥面積の欠陥だけを表示或いは選択したい場合には、ある値より大きい欠陥面積の欠陥については、有効フラグがオフとなる。
【００３３】
「マップ表示部」「画像表示部」「リスト表示部」「グラフ表示部」は各表示部で選択された欠陥情報により連動して動作する。
【００３４】
実現例として、図８に示すようにそれぞれの表示部位は独立した「マッププロセス」「画像プロセス」「グラフプロセス」「リストプロセス」とし、共有する一つの欠陥情報保存メモリ領域をもつ構造とする。もちろん、それぞれのプロセスが欠陥情報保存メモリ領域を持つ構造でもよい。プロセス間接続の例として、それぞれのプロセスとの間はメッセージサーバで接続する。メッセージサーバとの接続はソケット接続である。それぞれのプロセスは他のプロセスを意識せずに、メッセージサーバへの接続だけを意識した構造とする。
【００３５】
ユーザ設定によっては、特定の表示部を連動しない設定も可能である。例えば、ユーザによっては「リスト表示部」は常に全欠陥を表示したいという場合は、「リスト表示部」のみ連動機能をオフにする事が可能である。これら画面の大きさ及び表示位置は自由に変更することが出来る。例えば各部位の枠線をドラックする事により表示サイズ変更し、部位をドラックする事により画面表示位置を変更出来る。各変更は各部位の起動座標及びサイズとして記憶出来る。設定は次回起動時には有効になり、いつでもデフォルトの起動座標及びサイズに戻すことが出来る。これら画面の大きさ及び表示位置を自由に変更することにより、よりユーザに使い勝手の良い画面となる。
【００３６】
次に各画面部位の詳細な説明を行う。まず最初に、「マップ表示部」６１について説明する。「マップ表示部」では、ウェハ情報、欠陥情報に基づいてウェハ全体マップを描画する。ウェハ情報に基づいて少なくともウェハ外周及びダイを作成し、ウェハ全体画面を構築する。他にもダイ内検査エリアを描画するとより実際に検査したエリアが明確になり分りやすい。描画したマップは、図９（ａ）に示すマップ描画モードのように大きく以下３つのモードを可能とする。
(1) ウェハの全体を表示するモード
(2) ウェハのダイを１つ以上重ねて表示モード
(3) ウェハのショットを１つ以上重ねて表示するモード
【００３７】
それぞれのモードは、ボタンで切り替え可能で、現在どのモードでマップ表示されているかを明示するとより分りやすい。ここでは、(1)を「ウェハ」ボタンに、(2)を「ダイ」ボタンに、(3)を「ショット」ボタンに割り当てている。これらボタンはコンボボックス表示や、ラジオボタン表示等に変更しても良い。
【００３８】
更に、それぞれ３つのマップモードでは、図９（ｂ）に示すように以下３つの操作を行うことができる。
(1) マップの任意欠陥を選択する操作
(2) マップの任意エリアの欠陥を選択する操作
(3) マップの任意エリアを拡大／縮小する操作
【００３９】
それぞれの操作は、ボタンで切り替えが可能で、現在どのマップ操作になっているかを表示するとより分りやすい。ここでは、(1)を「矢印」ボタンに、(2)を「虫眼鏡＋四角」ボタンに、(3)を「虫眼鏡」ボタンに割り当てている。これらボタンはコンボボックス表示や、ラジオボタン表示等に変更しても良い。この、マップの３モードと３つの操作を組み合わせることにより、ウェハマップ情報と欠陥情報の結びつきが分りやすくなる。例えば、ウェハのある一部分に集中した複数の欠陥を一括して観察したい場合は、マップモードの(1)を選択し、マップ操作の(2)を選択する事で、集中している欠陥を全て選択することが可能となる。
【００４０】
マップ操作の(2)の任意エリアの選択方法には、図１０、図１１、図１２に示すように以下３つの操作がある。
(1) 始点及び終点入力によるマップドラック操作
(2) 中心点及び半径入力によるマップドラック操作
(3) ダイ指定によるマップクリック操作
【００４１】
図１０に示すようにマップの任意の始点及び終点をドラックにより指定することで、選択されたエリア内の欠陥は「画像表示部」「リスト表示部」「グラフ表示部」に通知されて、それぞれエリア内の欠陥に関する情報を表示する。
【００４２】
図１１に示すようにマップ内の任意の点及び半径をドラックにより指定することで、選択されたエリア内の欠陥は「画像表示部」「リスト表示部」「グラフ表示部」に通知されて、それぞれエリア内の欠陥に関する情報を表示する。
【００４３】
図１２に示すようにマップ内の任意のダイをクリックにより指定することで、選択されたダイ内の欠陥は「画像表示部」「リスト表示部」「グラフ表示部」に通知されて、それぞれダイ内の欠陥に関する情報を表示する。
【００４４】
次に、「画像表示部」６２について説明する。「画像表示部」６２では、マップから通知された少なくとも１つの欠陥の画像を表示する。表示する画像の大きさは任意指定が可能で、ピクセルサイズ等で指定する。表示する画像は、画像処理部に格納されている画像（以下、検査画像）を用いる。画像は検査中に内部及び外部に出力された画像でも良い。検査後に再取得した画像を使用しても表示は可能である。表示する画像は１個から数十万個と大きな開きがあるため、ツールバーを利用して簡易な表示部分移動を可能とする。他にもタブ形式等を利用しても簡易な表示部分移動が可能である。
【００４５】
画像表示部に表示された欠陥を選択すると、その選択は「マップ表示部」「リスト表示部」「グラフ表示部」にも通知される。通知に連動して「マップ表示部」ではマップ上の対応する欠陥がハイライト表示等で強調表示される。更に、通知に連動して「リスト表示部」では対応する欠陥の情報がハイライト表示等で強調される。更に、「グラフ表示部」では、対応する欠陥が属するグラフの成分部分をハイライト表示等で強調表示する。強調表示には、ハイライト表示でなく表示色を変更したり、ナビゲート線等を表示しても良い。
【００４６】
次に、「リスト表示部」６３について説明する。「リスト表示部」の機能は、以下の２つの機能に大別される。
(1) 欠陥情報のリスト表示
(2) 欠陥への情報付加機能
【００４７】
欠陥情報のリスト表示機能では、マップから通知された少なくとも１つの欠陥の詳細情報を表示する。表示する欠陥の詳細情報の項目はユーザが選択出来る。表示するリストは１個から数十万個と大きな開きがあるため、ツールバーを利用して簡易な表示部分移動を可能とする。他にもタブ形式等を利用しても簡易な表示部分移動が可能である。リストの項目を選択することで、選択項目の昇順及び降順ソートが出来る。欠陥情報以外のリスト項目としては、「選択」項目がある。マップから連動して取得した欠陥の一部分にしか適用したくない設定項目がある場合は、この「選択」チェックボックスでチェックされた欠陥にのみ情報を適用する。例えば、分類コードを一括で設定する場合や、クラスタリンググループの設定で、特定欠陥以外には全部同じ分類コード及びクラスタリング番号を付与したい場合である。この「選択」項目の項目ボタンを押下する事で、他の欠陥情報のソート機能は動作せずに、全選択及び全解除の機能が動作する。
【００４８】
欠陥への情報付加機能では、リストで選択された欠陥について、少なくとも１つの情報を付与する。図示の例では、分類コードを付与している。他の情報入力例としてはポイントとなる欠陥のマーキング情報等がある。分類コードを付与後は自動的に次の欠陥リストに移動し、分類コード入力状態となる。
【００４９】
分類コードは、欠陥個別に指定したい場合や、選択した欠陥全てに同じコードを設定したい場合があるため、分類コードを一括設定する機能を付ける。分類コードを一括して設定したい場合には、「一括」チェックボックスを有効にして分類コードを入力すると、「選択」されている欠陥全てに対して入力された分類コードを付与する。
【００５０】
リスト表示された欠陥を選択すると「マップ表示部」「リスト表示部」「グラフ表示部」にも通知される。通知に連動して「マップ表示部」ではマップ上の対応する欠陥がハイライト表示等で強調表示される。更に、通知に連動して「欠陥表示部」では対応する欠陥の画像の枠線をハイライト表示等で強調表示する。更に、「グラフ表示部」では、対応する欠陥が属するグラフの成分部分をハイライト表示等で強調表示する。強調表示には、ハイライト表示でなく表示色を変更したり、ナビゲート線等を表示しても良い。
【００５１】
次に、「グラフ表示部」６４について説明する。「グラフ表示部」の機能は、以下の２つの機能に大別される。
(1) 欠陥情報のグラフ表示
(2) マップに表示する欠陥の表示フィルタ
【００５２】
欠陥情報のグラフ表示機能は、指定された欠陥情報項目と表示欠陥数を軸にしてグラフを表示する。グラフはユーザの選択により棒グラフでも折れ線グラフでも表示を可能とする。グラフ表示する欠陥情報はコンボボックスで指定出来る。表示可能項目としては「欠陥ＩＤ」「座標」「サイズ」「濃淡差」等、欠陥の情報を全て選択可能にする。グラフ表示する欠陥情報の選択はコンボボックスでなく、ラジオボタンやプリセット式ボタン等にしても良い。また、グラフの拡大及び縮小を行うため「マップ表示部」の「虫眼鏡」ボタンは「グラフ表示部」でも有効とする。「虫眼鏡」ボタンによりグラフの特定部分のみを拡大及び縮小する。拡大及び縮小のグラフ情報は、再び「虫眼鏡」ボタンが押下されるまで保持する。
【００５３】
マップに表示する欠陥の表示フィルタの機能は、グラフ表示を利用してマップに表示する欠陥のフィルタリング情報を設定する。この入力機能でグラフからグラフィカルにフィルタ情報を入力することが出来る。「グラフ入力」ボタンを押下することにより、グラフに上限値と下限値を入力出来る状態となって、上下限をドラックして移動することにより「マップ表示部」６１の表示が連動して変化し、欠陥の分布が変わる。上限値と下限値の入力は、例えば「グラフ入力」ボタンが押下された状態で、グラフ上でマウス右クリックして上限値を設定し、左クリックで下限値を設定する。図１３に示すように、マウスをクリックするたびに対応した部分に上下限値の境界線を描画する。グラフの上下限値の設定に連動して、「リスト表示部」６３に表示される欠陥数も変化する。
【００５４】
また、「表示フィルタ」ボタンによって、実行したフィルタ条件を確認する事が出来る。図１４に示す様に、グラフから入力したフィルタ条件は「表示条件ダイアログ」で確認が可能である。本機能によりグラフから視覚的に入力したフィルタ条件の編集、再実行が可能である。グラフからの入力が困難なフィルタ条件も表示し、実行可能にする事でより効果的な表示フィルタが実行出来る。例えば、半径と要素数の２つのパラメータを指定することによりクラスタリング条件を設定することができる。設定されたクラスタ条件を満たす欠陥の集合、すなわち、１つの欠陥に注目したときその欠陥を中心として指定された半径内に指定された要素数以上の欠陥が存在する欠陥が、指定された半径以内の距離に存在するとき、それらの欠陥各々についてクラスタ番号を付与する。この時の欠陥の探索単位は、ダイ内、ショット内、ウェハ内を選択する事で、ダイ単位にクラスタ番号を付与する事も可能である。さらに、ダイ内欠陥間距離又はショット内欠陥間距離と要素数の２つのパラメータを指定する事により同一ダイ座標又はショット座標で検出されるレチクル欠陥に対して同一なクラスタ番号を設定する事が出来る。すなわち、ダイ座標及びショット座標において、１つの欠陥に注目したときその欠陥を中心として指定された半径内に指定された要素数以上の欠陥が存在する欠陥が、指定された半径以内の距離に存在するとき、それらの欠陥各々についてクラスタ番号を付与する。
【００５５】
具体的な欠陥データとＧＵＩとの結びつきを以下に示す。連動のトリガーは４つの表示部での操作である。
【００５６】
まず最初に、「マップ表示部」からの連動動作は、マップ上で欠陥が選択されると、マッププロセスが、選択された欠陥ＩＤをブロードキャスト又はファイル経由で「画像プロセス」「グラフプロセス」「リストプロセス」に報告する。「マッププロセス」「画像プロセス」「リストプロセス」は報告された欠陥ＩＤを強調表示する。「グラフプロセス」は選択された欠陥ＩＤが属するグラフ部分を強調表示する。
【００５７】
２番目に、「画像表示部」からの連動動作は、画像表示部から欠陥が選択されると、画像プロセスが、選択された欠陥ＩＤをブロードキャスト又はファイル経由で「マッププロセス」「グラフプロセス」「リストプロセス」に報告する。「マッププロセス」「画像プロセス」「リストプロセス」は報告された欠陥ＩＤを強調表示する。「グラフプロセス」は選択された欠陥ＩＤが属するグラフ部分を強調表示する。
【００５８】
３番目に、「リスト表示部」からの連動動作は、リスト表示部から欠陥が選択されると、リストプロセスが、選択された欠陥ＩＤをブロードキャスト又はファイル経由で「マッププロセス」「画像プロセス」「グラフプロセス」に報告する。「マッププロセス」「画像プロセス」「リストプロセス」は報告された欠陥ＩＤを強調表示する。「グラフプロセス」は選択された欠陥ＩＤが属するグラフ部分を強調表示する。
【００５９】
４番目に、「グラフ表示部」からの連動動作は、グラフ表示部から欠陥が選択されると、グラフプロセスが、選択されたグラフ表示部部分に該当する全ての欠陥ＩＤをブロードキャスト又はファイル経由で「マッププロセス」「画像プロセス」「リストプロセス」に報告する。「マッププロセス」「画像プロセス」「リストプロセス」は報告された欠陥ＩＤ全てを強調表示する。「グラフプロセス」は選択された欠陥ＩＤが属するグラフ部分を強調表示する。
【００６０】
「マップ表示部」「画像表示部」「リスト表示部」では、欠陥の複数選択が可能である。その際のデータとの結びつきを以下に示す。
【００６１】
まず最初に「マップ表示部」から欠陥が複数選択される場合は、欠陥分布マップ上でのマウスドラック動作がトリガーとなる。選択領域は、「始点／終点入力」「中心／半径入力」どちらでも可能である。「マッププロセス」は、欠陥分布マップ上で欠陥選択領域が作成された時に、その領域に対応するステージ座標及び領域を包括するダイ番号を計算する。計算されたダイ番号内の欠陥について、選択領域内であるかどうかをステージ座標を元に計算する。領域内であると判定された欠陥ＩＤを「画像プロセス」「リストプロセス」「グラフプロセス」にブロードキャスト又はファイル経由で報告する。「マッププロセス」「画像プロセス」「リストプロセス」は、報告された欠陥ＩＤ全てを強調表示する。「グラフプロセス」は選択された欠陥ＩＤが属するグラフ部分を強調表示する。グラフ表示部の強調表示は、グラフに対応する報告された欠陥数に応じて色を変える方法や、グラフ表示部に選択数を表示するエリアを設ける事でも実現出来る。
【００６２】
２番目に「画像表示部」から欠陥が複数選択される場合は、画像リスト中でマウスドラック動作と、キーボードのShiftボタン及びCtrlボタンと合わせてのマウスクリックがトリガーとなる。画像表示部で選択された欠陥が更新される毎に「マッププロセス」「リストプロセス」「グラフプロセス」に欠陥ＩＤを報告する。各プロセスは報告された欠陥ＩＤを元に表示を更新する。
【００６３】
３番目に「リスト表示部」から欠陥が複数選択される場合は、例えばリスト中でマウスクリック動作とキーボードのShiftボタン及びCtrlボタンと合わせてのマウスクリックがトリガーとなる。リスト表示部で選択された欠陥が更新される毎に「マッププロセス」「画像プロセス」「グラフプロセス」に欠陥ＩＤを報告する。各プロセスは報告された欠陥ＩＤを元に表示を更新する。
【００６４】
欠陥確認の拡張機能として、欠陥分布マップのダイ重ね合わせ機能、ショット重ね合わせ機能がある。図１５は欠陥情報の「欠陥座標」のダイ内座標を利用して、検査ダイを全て重ね合わせた場合の欠陥ダイマップである。また、図１６は欠陥情報の「欠陥座標」のショット内座標を利用して、検査ショットを全て重ね合わせた場合の欠陥ショットマップである。この場合は、全ダイ及び全ショットを対象としたが、検査ダイ及び検査ショット全てではなく、選択したダイ及びショットだけでも欠陥マップの作成は可能である。本図例では、１つのショットでＸ方向１、Ｙ方向に２のダイを作成するため、図１６は１ショット（２ダイ）分のマップ表示となっている。この重ね合わせ機能を利用する事で、ウェハマップからだけでは見えない欠陥の傾向や分布を見つける事が出来て、異なるダイあるいは異なるショットの同一領域で検出されている欠陥も容易に見つける事が可能である。このダイ重ね合わせ機能、ショット重ね合わせ機能を使用しての各表示部の連動動作は通常の欠陥分布マップと同様である。
【００６５】
以上の機能は通常の検査実行後の欠陥確認でも有効であるが、レシピ作成中の欠陥確認画面では、更に有効な機能となる。
【００６６】
レシピ作成中は、以下３つの検査後の自動実行処理としてレシピ情報に登録出来る。
(1) 欠陥情報による分類コード付与機能
(2) 欠陥座標によるクラスタリング機能
(3) 自動フィルタリング機能
【００６７】
まず１つ目の欠陥情報による自動分類コード付与機能は、ユーザが入力した欠陥の分類コードに、最大限分類出来るよう分類するエリア（以下、分類エリア）を作成し、レシピに登録する機能である。
【００６８】
例えば図１７（ａ）のように、特徴的な欠陥情報を「濃淡差」「サイズ」「面積」「アスペクト比（縦と横の比率）」とした場合、分類コード１に割り当てられている各欠陥の「濃淡差」「サイズ」「面積」「アスペクト比」項目を集計し、各項目の分散値を計算する。そして分散値の小さい値から少なくとも１項目以上を自動で選択する。今回は２項目を選択して２次元で分類する例を示す。選択された欠陥の指定された分類パーセント以上の欠陥に、設定した分類コード１が付くように矩形あるいは楕円で分類する領域を指定する。指定する分類パーセントはデフォルト３σとし、パラメータとして変更可能にする。こうして決定された分類エリアは分類コード１の定義としてレシピに登録され、今後この分類エリアに入る欠陥には自動的に分類コード１が付与される。図１７（ｂ）に示すように、分類コード２にも同様な処理を行い、分類エリアを作成する。重複してしまう分類コードは、予め設定しておいた分類コード別優先度に従って、分類コードを決定する。
【００６９】
ユーザは、これら「分類エリア」をグラフでグラフィカルに確認でき、かつ変更も容易に可能である。分類エリアの変更は、図１７（ａ）あるいは図１７（ｂ）の右側に表示されているグラフの分類エリアを指定している線をドラックする事によりダイナミックに行われる。分類コードの優先度についても、ユーザがレシピ毎に設定が可能であり、分類エリアもデフォルトは楕円であるが、矩形等も選択出来る。この分類エリアの軸構成要素に「ダイ内座標」「ショット内座標」を追加すれば、他ダイの同一座標上及び他ショットの同一座標上で検出される「レチクル欠陥」も簡単に認識することが出来る。
【００７０】
次に、２つ目の欠陥クラスタリング機能は、ユーザが入力したクラスタリング条件をレシピに登録する機能である。ユーザが入力したクラスタリンググループの最低要素の欠陥数と、欠陥間の距離をクラスタリング条件としてレシピに登録する。クラスタリング条件は、最低要素数（クラスタを構成する最低欠陥数）と、要素間距離（欠陥間の距離）を数値入力する事でも指定可能とする。
【００７１】
そして３つ目のフィルタリング機能は、図１３のフィルタ機能を利用してユーザが入力したフィルタリング情報をレシピに登録する機能である。マップからの入力が出来ないフィルタ項目は、指定ダイアログから入力する。例えば、任意の欠陥ＩＤから任意の欠陥数だけをランダムに選択するためのフィルタや、任意の欠陥ＩＤから任意の欠陥数だけを等間隔に選択するためのフィルタ等である。欠陥分類中の一時的に使用するフィルタと明確に区別するため、ユーザにはレシピに登録を意識した操作を要求する。例えば、欠陥確認終了後に使用した現在有効になっているフィルタをレシピに登録するかどうかのダイアログボックスを表示する。
【００７２】
これら３つの処理を検査後に実行して、図１８のようにレシピに階層構造の欠陥画像サンプル条件を設定することで、検査後に極めて効率の良い欠陥確認を行うことが出来る。この階層構造の欠陥画像サンプル条件は、図１８のように、欠陥情報に対して図１７の情報から自動的に分類コードが欠陥特徴がある特定領域にプロットされた欠陥に対して付与された「分類コード」情報と、１つの欠陥に注目したときその欠陥を中心として指定された半径内に指定された要素数以上の欠陥が存在する欠陥各々に付与する「クラスタ番号」と、有効とする欠陥だけを選択するための「欠陥有効フラグ」がレシピ情報によって自動で設定された状態から、例えば、有効な欠陥を元にクラスタ番号が付与されたクラスタ欠陥の中からある分類コードが付与された欠陥だけを選択する。選択された欠陥の中から任意の数だけ観察対象又は欠陥画像取得する欠陥を選択する事が可能となる。同様に、有効な欠陥を元にある分類コードが付与された欠陥の中からクラスタ番号が付与されていない欠陥だけを選択する。選択された欠陥の中から任意の数だけ観察対象又は欠陥画像取得する欠陥を選択する事が可能となる。このような階層構造化した欠陥画像サンプル条件は、画像サンプル条件としてだけではなく、欠陥確認にも使用出来る。そのため、レシピに登録すると同時に外部にもレビュー条件ファイルとして登録しておき、他レシピロード時にも、簡単にレビュー条件としてロードできる。
【００７３】
本発明適用前のレシピで検査した結果の欠陥分布マップと、本発明適用後のレシピで検査した結果の欠陥分布マップを図１９、図２０に示す。図１９（ａ）及び図２０（ａ）は検査直後の欠陥マップを表し、図１９（ｂ）はランダムに欠陥をサンプルした場合の欠陥マップ、図２０（ｂ）は発明方法でサンプルした場合の欠陥マップを表す。なお、図１９（ａ）と図２０（ａ）及び図１９（ｂ）と図２０（ｂ）の欠陥数は同じ数である。
【００７４】
図からも分るとおり、本発明適用前の欠陥分布マップの図１９（ｂ）は、集中して検出されたある特定領域の欠陥だけを多数サンプリングしてしまい、効果的な欠陥確認及び欠陥画像取得が行えない。その結果、プロセス上重要な欠陥が見逃されてしまう可能性が高く、検出された欠陥を効果的にプロセスにフィードバック出来なくなり、検査する効果が著しく低下してしまう。
【００７５】
それに対し、本発明適用後の欠陥分布マップの図２０（ｂ）は、まずフィルタを実行し本ウェハ製造工程では重要でない欠陥については無効とした後に、集中している欠陥に対してクラスタ番号を付与し、その後、欠陥の特徴によって分類コードを付与している。その結果からクラスタ番号が付与された欠陥からある分類コードの欠陥を任意個サンプルし、クラスタ番号が付与されていない欠陥からある分類コードの欠陥を任意個サンプルしている。その結果、本発明適用後の欠陥分布マップはウェハ全体からほぼ均一に欠陥をサンプリングし、より効果的な欠陥確認及び欠陥画像取得が行える。その結果、プロセス上重要欠陥を漏れなく検出する事が出来、効果的にプロセスにフィードバックする事が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本発明によるパターン検査装置の一例を示す概略構成図。
【図２】図１の対物レンズの周辺を拡大して示した図。
【図３】半導体装置の製造プロセスを示す説明図。
【図４】本発明の一実施形態によるウェハ外観検査装置の全体構成を示すブロック図。
【図５】欠陥確認画面の例を示す図。
【図６】レシピのデータ構成例を示す図。
【図７】検査結果及び欠陥情報のデータ構成例を示す図。
【図８】マップと他の表示部位との関連図。
【図９】マップの描画モードと操作関連図。
【図１０】マップの始点及び終点入力による領域選択の例を示す図。
【図１１】マップの中心点及び半径入力による領域選択の例を示す図。
【図１２】マップのダイ指定による領域選択の例を示す図。
【図１３】マップへの表示フィルタ入力の例を示す図。
【図１４】マップへの表示フィルタ確認画面の例を示す図。
【図１５】マップのダイ重ね合わせ機能画面を示す図。
【図１６】マップのショット重ね合わせ機能画面を示す図。
【図１７】欠陥情報による分類方法の例を示す図。
【図１８】欠陥画像サンプル条件処理フロー図。
【図１９】検査後の欠陥分布マップの例を示す図。
【図２０】検査後の欠陥分布マップの例を示す図。
【符号の説明】
【００７７】
１…パターン検査装置、２…検査室、３…電子光学系、４…光学顕微鏡部、５…画像処理部、６…制御部、７…二次電子検出部、８…試料室、９…被検査基板、１０…電子銃、１１…引き出し電極、１２…コンデンサレンズ、１３…ブランキング偏向器、１４…絞り、１５…走査偏向器、１６…対物レンズ、１７…反射板、１８…ＥｘＢ偏向器、１９…一次電子線、２０…二次電子検出器、２１…プリアンプ、２２…ＡＤ変換機、２３…光変換手段、２４…光伝送手段、２５…電気変換手段、２６…高圧電源、２７…プリアンプ駆動電源、２８…ＡＤ変換器駆動電源、２９…逆バイアス電源、３０…試料台、３１…Ｘステージ、３２…Ｙステージ、３３…回転ステージ、３４…位置モニタ測長器、３５…被検査基板高さ測定器、３６…リターディング電源、４０…白色光源、４１…光学レンズ、４２…ＣＣＤカメラ、４３…補正制御回路、４４…走査信号発生器、４５…対物レンズ電源、４６…第一記憶部、４７…第二画像記憶部、４８…演算部、４９…欠陥判定部、５０…モニタ、１０１…Ｘ−Ｙステージ、１０２…ＣＣＤカメラ、１０３…制御部、１０４…検査ウェハ、１０５…対物レンズ、１０６…光源、１０７…検査チップ、１０８…比較チップ、１０９…ハーフミラー
【図１】
2006170907.tif 000003
【図２】
2006170907.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
2006170907.tif 000018
【図１７】
2006170907.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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