(57)【要約】【課題】  特に、固定磁性層、非磁性材料層、及びフリー磁性層を有する積層体を、積層体形成用マスク層を用いて所定形状に形成するときに、前記積層体を所定形状に適切に形成できるとともに、前記フリー磁性層の腐食を防止することが可能な磁気検出素子及びその製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】  フリー磁性層２８の上に中間層３５、腐食防止層３６が積層されており、前記腐食防止層３６はリアクティブ・イオン・エッチングによってフリー磁性層２８が腐食するのを防止している。これによって、積層体２２を所定形状に適切に形成できるとともに、前記フリー磁性層２８の腐食を防止でき、再生特性に優れた磁気検出素子を製造することができる。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、少なくとも下から固定磁性層、非磁性材料層、及びフリー磁性層の順に積層され、前記フリー磁性層上に、直接または間接的にリアクティブ・イオン・エッチングに対する腐食防止層が形成されていることを特徴とする磁気検出素子。
【請求項２】
前記腐食防止層は、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇから選ばれた少なくとも１種以上の元素で形成される請求項１記載の磁気検出素子。
【請求項３】
前記フリー磁性層と前記腐食防止層との間には、前記腐食防止層が前記フリー磁性層上に直接形成された場合に比べて、前記フリー磁性層の磁気特性の劣化を抑える中間層が形成されている請求項１または２に記載の磁気検出素子。
【請求項４】
前記中間層は、Ｔａ、Ｒｕ、Ｃｕ、Ｗ、Ｒｈから選ばれた少なくとも１種以上の元素で形成される請求項３記載の磁気検出素子。
【請求項５】
前記磁気検出素子は、非磁性材料層が絶縁障壁層で形成されたトンネル型磁気検出素子である請求項１ないし４のいずれかに記載の磁気検出素子。
【請求項６】
以下の工程を有することを特徴とする磁気検出素子の製造方法。
（ａ）  基板上に、少なくとも下から固定磁性層、非磁性材料層、及びフリー磁性層の順に積層するとともに、前記フリー磁性層上に直接または間接的にリアクティブ・イオン・エッチングに対する腐食防止層を形成し、このとき前記腐食防止層を、前記リアクティブ・イオン・エッチングに対するエッチング速度が、次の（ｂ）工程で形成される積層体形成用マスク層に比べ遅い材質で形成する工程、
（ｂ）  前記腐食防止層上にリアクティブ・イオン・エッチングを用いて所定形状の前記積体形成用マスク層を形成し、このとき、前記リアクティブ・イオン・エッチングを、前記積層体形成用マスク層の周囲に、前記腐食防止層の表面が露出した時点で終了する工程、
（ｃ）  前記積層体形成用マスク層に覆われていない前記固定磁性層、非磁性材料層、フリー磁性層及び腐食防止層を除去する工程、
【請求項７】
前記腐食防止層を、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇから選ばれた少なくとも１種以上の元素で形成する請求項６記載の磁気検出素子の製造方法。
【請求項８】
前記積層体形成用マスク層を、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉから選ばれた少なくとも１種以上の元素で形成する請求項６または７に記載の磁気検出素子の製造方法。
【請求項９】
前記（ａ）工程で、前記フリー磁性層と前記腐食防止層との間に、前記腐食防止層を前記フリー磁性層上に直接形成した場合に比べて、前記フリー磁性層の磁気特性の劣化を抑えることができる中間層を形成する請求項６ないし８のいずれかに記載の磁気検出素子の製造方法。
【請求項１０】
前記中間層を、Ｔａ、Ｒｕ、Ｃｕ、Ｗ、Ｒｈから選ばれた少なくとも１種以上の元素で形成する請求項９記載の磁気検出素子の製造方法。
【請求項１１】
前記（ｃ）工程後、次の工程を行う請求項６ないし１０のいずれかに記載の磁気検出素子の製造方法。
（ｄ）  前記基板上に残された前記固定磁性層から積層体形成用マスク層までの積層体のトラック幅方向の両側に、前記フリー磁性層にバイアス磁界を与えるためのバイアス層を形成する工程、
【請求項１２】
前記（ｄ）工程後、さらに次の工程を行う請求項１１記載の磁気検出素子の製造方法。
（ｅ）  前記バイアス層上にストッパ層を形成する工程、
（ｆ）  前記積層体の上面に形成された不要な層を除去する処理を、前記ストッパ層の少なくとも一部が除去された時点で終了する工程、
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特に、固定磁性層、非磁性材料層、及びフリー磁性層を有する積層体を、積層体形成用マスク層を用いて所定形状に形成するときに、前記積層体を所定形状に適切に形成できるとともに、前記フリー磁性層の腐食を防止することが可能な磁気検出素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
下記の特許文献１，２には、ＣＩＰ（Current  Ｉn  Plane）型の磁気検出素子の構造が開示されている。ＣＩＰ型とは、電流が前記磁気検出素子を構成する積層体（反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層、及びフリー磁性層の４層構造を有する積層部分）の各層の膜面と平行な方向に流れる構造をいう。一方、電流が前記膜面に対し垂直な方向に流れる構造の磁気検出素子もあり、それをＣＰＰ（Current  Perpendicular  to  Plane）型の磁気抵抗効果素子と呼んでいる。
【０００３】
従来では、前記積層体を所定形状に形成するには、例えば特許文献１の図３に開示されているように、リフトオフ用のレジスト層（特許文献１の図３の符号Ｒ１の層）を用い、前記レジスト層に覆われていない前記積層体をイオンミリングで除去することで行っていた。そして前記レジスト層をそのまま残して、特許文献１の図４に開示されているように、前記積層体の両側にハードバイアス層等を形成し、その後、前記レジスト層をリフトオフしていた。
【０００４】
しかし従来の方法であると、前記レジスト層のシャドー効果により、前記積層体の両側近傍で前記ハードバイアス層等が付着しにくく、前記両側近傍におけるハードバイアス層の膜厚が非常に薄くなってしまい、その結果、前記フリー磁性層に適切な大きさのバイアス磁界を供給できないといった問題があった。
【０００５】
そこで前記リフトオフ用のレジスト層を用いる方法に代えて、メタルマスク層を用いて、前記積層体を所定形状にする方法が考えられた。
【特許文献１】特開２００４―１４７０５号公報
【特許文献２】特開２００４−１４６１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
図７は、前記メタルマスク層を用いて、前記積層体を所定形状に形成する一工程図である。図７は、製造工程中の前記積層体を記録媒体との対向面（図示Ｘ−Ｚ平面と平行な面）と平行な方向から切断した部分断面図で示している。
【０００７】
図７に示す符号１は基板であり、前記基板１上に、下から反強磁性層２、固定磁性層３、非磁性材料層４、及びフリー磁性層５の順に積層された積層体６を形成する。前記積層体６を構成する各層を前記基板１上の全面にスパッタ法等で形成する。
【０００８】
図７に示すように、前記積層体６上に、メタルマスク層７を形成する。前記メタルマスク層７をＴａで形成する。前記メタルマスク層７を、最初、前記積層体６上の全面にスパッタ法等で形成する。そしてその上に、前記メタルマスク層７を図７のような形状にするためのＣｒマスク層８を形成する。
【０００９】
ところで、前記メタルマスク層７は、前記メタルマスク層７に覆われていない箇所の前記積層体６をイオンミリングにより削るときに、前記積層体６と同じように削られてはいけない。もし同じように削られるのであれば、マスクとしての意味がないからである。このため前記メタルマスク層７にはイオンミリングで削られにくい材質が選択される。それが上記したＴａである。しかし、メタルマスク層７の断面を図７に示すような略台形形状に形成するには、Ｔａが削られやすく、一方、前記フリー磁性層５やＣｒマスク層８が削られにくいリアクティブ・イオン・エッチング（ＲＩＥ）を用いる必要があった。
【００１０】
図８に示すように、前記メタルマスク７上に設けられたＣｒマスク８は、前記リアクティブ・イオン・エッチングにより、図７に示す点線箇所７ａのＴａ層を削っているとき、適切に前記メタルマスク層７上に残されている。
【００１１】
前記点線箇所７ａのＴａ層を前記リアクティブ・イオン・エッチングにより削ると、フリー磁性層５の上面５ａが露出する。前記フリー磁性層５は前記リアクティブ・イオン・エッチングにより削られにくいため、前記フリー磁性層５は前記リアクティブ・イオン・エッチングのストッパ層となり、前記フリー磁性層５の上面５ａが露出したら前記リアクティブ・イオン・エッチングを終了していた。
【００１２】
しかしながら、前記リアクティブ・イオン・エッチングのときに使用されるＣ３Ｆ８とＡｒとの混合ガスや，ＣＦ４ガス等により、前記フリー磁性層５の上面５ａにフッ化物が析出しやすく、これにより前記フリー磁性層５が腐食するといった問題が発生した。
【００１３】
図８は、図７に示す断面図の一部分を拡大した拡大断面図である。図８に示すように、前記フリー磁性層５の上面５ａにはフッ化物の析出層９が形成される。この析出層９は、リアクティブ・イオン・エッチングの影響を直接受ける前記メタルマスク層７に覆われていない両側端部５ｂの上面５ａに最初、形成されるが、時間の経過とともに、前記析出層９が徐々に、前記メタルマスク層７下の中央部５ｃの上面５ａにまで広がる。前記両側端部５ｂの上面５ａに形成された前記析出層９は、最終的にイオンミリングにより除去されるが、前記中央部５ｃの上面５ａに形成された析出層９はそのまま残されることになる。
【００１４】
また、前記両側端部５ｂの上面５ａに形成された前記析出層９は、イオンミリング時のマスクとなり、これにより、前記両側端部５ｂを適切に前記イオンミリングにより除去できない、あるいはイオンミリングの時間が通常より長くかかるといった問題も発生した。
【００１５】
また図７に示すように、前記フリー磁性層５上にメタルマスク層７を残した状態で、ＣＩＰ型磁気検出素子を形成すると、前記メタルマスク層７の部分に電流が分流するため、再生出力の低下が大きくなる。このためＣＩＰ型磁気検出素子の場合、最終的に前記メタルマスク層７を除去したほうがよいが、前記メタルマスク層７を上記したようにリアクティブ・イオン・エッチングにより除去することが必要になり、このとき、またしても前記フリー磁性層５の上面５ａが前記リアクティブ・イオン・エッチングに曝される結果、さらに前記フリー磁性層５の腐食が進行するといった問題があった。ＣＰＰ型磁気検出素子の場合、前記メタルマスク層７を除去する必要はないが、ＣＰＰ型磁気検出素子の場合も、前記メタルマスク層７下のフリー磁性層５が腐食していることに変わりなく、したがってＣＩＰ型磁気検出素子とともに再生特性に優れた磁気検出素子を適切に形成できなかった。
【００１６】
そこで本発明は上記従来の問題点を解決するためのものであり、特に、固定磁性層、非磁性材料層、及びフリー磁性層を有する積層体を、積層体形成用マスク層を用いて所定形状に形成するときに、前記積層体を所定形状に適切に形成できるとともに、前記フリー磁性層の腐食を防止することが可能な磁気検出素子及びその製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明における磁気検出素子は、
基板上に、少なくとも下から固定磁性層、非磁性材料層、及びフリー磁性層の順に積層され、前記フリー磁性層上に、直接または間接的にリアクティブ・イオン・エッチングに対する腐食防止層が形成されていることを特徴とするものである。
【００１８】
本発明では、前記フリー磁性層上に、直接または間接的にリアクティブ・イオン・エッチングに対する腐食防止層が形成されているから、前記フリー磁性層が前記リアクティブ・イオン・エッチングによって腐食することを適切に防止でき、再生特性に優れた磁気検出素子を製造することができる。
【００１９】
本発明では、前記腐食防止層は、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇから選ばれた少なくとも１種以上の元素で形成されることが好ましい。前記元素で形成された前記腐食防止層は適切に前記フリー磁性層を前記リアクティブ・イオン・エッチングから保護できる。
【００２０】
また本発明では、前記フリー磁性層と前記腐食防止層との間には、前記腐食防止層が前記フリー磁性層上に直接形成された場合に比べて、前記フリー磁性層の磁気特性の劣化を抑える中間層が形成されていることが好ましい。前記中間層は、Ｔａ、Ｒｕ、Ｃｕ、Ｗ、Ｒｈから選ばれた少なくとも１種以上の元素で形成されることが好ましい。これにより前記フリー磁性層の磁気特性の劣化を抑制できる。
【００２１】
また本発明では、前記磁気検出素子は、例えば、非磁性材料層が絶縁障壁層で形成されたトンネル型磁気検出素子である。これにより、前記腐食防止層や中間層が前記フリー磁性層上に形成されていても、再生出力を向上を適切に図ることが可能である。
【００２２】
また本発明における磁気検出素子の製造方法は、以下の工程を有することを特徴とするものである。
【００２３】
（ａ）  基板上に、少なくとも下から固定磁性層、非磁性材料層、及びフリー磁性層の順に積層するとともに、前記フリー磁性層上に直接または間接的にリアクティブ・イオン・エッチングに対する腐食防止層を形成し、このとき前記腐食防止層を、前記リアクティブ・イオン・エッチングに対するエッチング速度が、次の（ｂ）工程で形成される積層体形成用マスク層に比べ遅い材質で形成する工程、
（ｂ）  前記腐食防止層上にリアクティブ・イオン・エッチングを用いて所定形状の前記積体形成用マスク層を形成し、このとき、前記リアクティブ・イオン・エッチングを、前記積層体形成用マスク層の周囲に、前記腐食防止層の表面が露出した時点で終了する工程、
（ｃ）  前記積層体形成用マスク層に覆われていない前記固定磁性層、非磁性材料層、フリー磁性層及び腐食防止層を除去する工程、
本発明では、前記（ａ）工程で、前記フリー磁性層上に、直接あるいは間接的に腐食防止層を形成した後、前記腐食防止層の上にリアクティブ・イオン・エッチングによりメタルマスク層を形成する。このように前記フリー磁性層上は前記腐食防止層に覆われ、従来のように、前記フリー磁性層が前記リアクティブ・イオン・エッチングの影響を受けることはなく前記フリー磁性層の腐食を防止できる。上記したように、前記リアクティブ・イオン・エッチングに対するエッチング速度は、前記腐食防止層のほうが前記積層体形成用マスク層に比べ遅く、したがって前記（ｂ）工程で、前記腐食防止層をすべて削ることなく、前記腐食防止層を少なくとも一部残した状態で、前記リアクティブ・イオン・エッチングを適切に終了できるから、前記フリー磁性層を適切に前記リアクティブ・イオン・エッチングから保護できる。
【００２４】
本発明では、前記腐食防止層を、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇから選ばれた少なくとも１種以上の元素で形成することが好ましい。前記元素で形成された前記腐食防止層は適切に前記フリー磁性層を前記リアクティブ・イオン・エッチングから保護できる。
【００２５】
また前記積層体形成用マスク層を、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉから選ばれた少なくとも１種以上の元素で形成することが好ましい。これにより前記積層体形成用マスク層を、リアクティブ・イオン・エッチングにより所定形状に適切に形成できる。
【００２６】
また本発明では、前記（ａ）工程で、前記フリー磁性層と前記腐食防止層との間に、前記腐食防止層を前記フリー磁性層上に直接形成した場合に比べて、前記フリー磁性層の磁気特性の劣化を抑えることができる中間層を形成することが好ましい。本発明では、前記中間層を、Ｔａ、Ｒｕ、Ｃｕ、Ｗ、Ｒｈから選ばれた少なくとも１種以上の元素で形成することが好ましい。これにより前記フリー磁性層の磁気特性の劣化を抑制できる。
【００２７】
また本発明では、前記（ｃ）工程後、次の工程を行うことが好ましい。
（ｄ）  前記基板上に残された前記固定磁性層から積層体形成用マスク層までの積層体のトラック幅方向の両側に、前記フリー磁性層にバイアス磁界を与えるためのバイアス層を形成する工程、
本発明では、従来のようにリフトオフ用のレジスト層を用いて、前記バイアス層の形成を行わないため、前記バイアス層を、厚い膜厚で形成することが可能であり、前記フリー磁性層に前記バイアス層から十分なバイアス磁界を供給することが可能である。
【００２８】
また本発明では、前記（ｄ）工程後、さらに次の工程を行うことが好ましい。
（ｅ）  前記バイアス層上にストッパ層を形成する工程、
（ｆ）  前記積層体の上面に形成された不要な層を除去する処理を、前記ストッパ層の少なくとも一部が除去された時点で終了する工程、
これにより、除去量を適切に制御でき、特に前記積層体やバイアス層に対する過剰な除去を適切に防止できる。
【発明の効果】
【００２９】
本発明では、フリー磁性層上には、直接または間接的にリアクティブ・イオン・エッチングに対する腐食防止層が形成されているから、前記フリー磁性層が前記リアクティブ・イオン・エッチングによって腐食することを適切に防止でき、再生特性に優れた磁気検出素子を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
図１は、本実施形態のトンネル型磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面と平行な方向から切断して示す部分断面図、である。
【００３１】
トンネル型磁気検出素子は、ハードディスク装置に設けられた浮上式スライダのトレーリング側端部などに設けられて、ハードディスクなどの記録磁界を検出するものである。なお、図中においてＸ方向は、トラック幅方向、Ｙ方向は、磁気記録媒体からの洩れ磁界の方向（ハイト方向）、Ｚ方向は、ハードディスクなどの磁気記録媒体の移動方向及び前記トンネル型磁気検出素子の各層の積層方向、Ｘ−Ｚ平面は記録媒体との対向面と平行な方向の面である。
【００３２】
符号２０は下部シールド層であり、前記下部シールド層２０は例えばＮｉＦｅ合金等の磁性材料で形成される。
【００３３】
前記下部シールド層２０の上面２０ａは前記トンネル型磁気検出素子２１を形成するための形成面であり、前記上面２０ａには前記トンネル型磁気検出素子２１を構成する積層体２２が形成されている。
【００３４】
前記積層体２２の最下層は、シード層２３である。前記シード層２３は、ＮｉＦｅＣｒまたはＣｒ等によって形成される。前記シード層２３をＮｉＦｅＣｒによって形成すると、前記シード層２３は、面心立方（ｆｃｃ）構造を有し、膜面と平行な方向に{１１１}面として表される等価な結晶面が優先配向しているものになる。また、前記シード層２３をＣｒによって形成すると、前記シード層２３は、体心立方（ｂｃｃ）構造を有し、膜面と平行な方向に{１１０}面として表される等価な結晶面が優先配向しているものになる。前記シード層２３の下に図示しない下地層が形成されていてもよい。前記下地層は、Ｔａ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗのうち１種または２種以上の元素などの非磁性材料で形成される。
【００３５】
前記シード層２３上には、反強磁性層２４が形成されている。前記反強磁性層２４は、Ｘ−Ｍｎ（ただしＸは、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｉｒ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｏｓのうちいずれか１種または２種以上の元素である）で形成されていることが好ましい。または本発明では、前記反強磁性層２４は、Ｘ−Ｍｎ−Ｘ′合金（ただし元素Ｘ′は、Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｂｅ，Ｂ，Ｃ，Ｎ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｐt，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ａｇ，Ｃｄ，Ｓｎ，Ｈｆ，Ｘａ，Ｗ，Ｒｅ，Ａｕ，Ｐｂ、及び希土類元素のうち１種または２種以上の元素である）で形成されていてもよい。
【００３６】
前記反強磁性層２４の上には固定磁性層３１が形成されている。前記固定磁性層３１は、例えばＣｏＦｅ合金、ＮｉＦｅ合金、Ｃｏ、ＣｏＮｅＮｉ合金等の磁性材料で形成される。前記固定磁性層３１の構造は、単層構造、磁性層が複数積層された構造、磁性層間に非磁性層が介在する積層フェリ構造等、特に限定されない。
【００３７】
熱処理を施すことで、前記固定磁性層３１と反強磁性層２４との間には交換結合磁界が発生し、前記固定磁性層３１の磁化をハイト方向（図示Ｙ方向）に固定することができる。
【００３８】
前記固定磁性層３１の上には、絶縁障壁層２７が形成されている。前記絶縁障壁層２７は、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯＸ、ＭｇＯＸ、Ｔｉ２Ｏ５、ＴｉＯ２等で形成される。
【００３９】
前記絶縁障壁層２７の上には、フリー磁性層２８が形成されている。前記フリー磁性層２８は、ＮｉＦｅ合金、ＣｏＦｅＮｉ合金、ＣｏＦｅ合金などで形成される。例えば前記フリー磁性層２８はＮｉＦｅ合金で形成され、前記フリー磁性層２８と、前記絶縁障壁層２７との間にはＣｏやＣｏＦｅ合金で形成された拡散防止層が形成されていることが好ましい。前記フリー磁性層２８の構造は、単層構造、磁性層が複数積層された構造、磁性層間に非磁性層が介在する積層フェリ構造等、特に限定されない。
【００４０】
前記フリー磁性層２８上には、中間層３５が形成され、前記中間層３５上には腐食防止層３６が形成されている。前記中間層３５は、前記腐食防止層３６が前記フリー磁性層２８上に直接形成された場合に比べて、前記フリー磁性層２８の磁気特性の劣化を抑制するために設けられた層である。ここで言う「磁気特性の劣化」とは磁気抵抗変化率の低下
を意味する。このような磁気特性の劣化により、前記フリー磁性層２８の磁化の安定性が低下し、再生出力が低下する等といった問題が発生するが、図１のように、前記中間層３５を、前記フリー磁性層２８と前記腐食防止層３６との間に介在させることで、前記フリー磁性層２８の磁気特性の劣化を適切に抑制することができる。前記中間層３５は、非磁性材料で形成されることが好ましい。特に非磁性導電材料で形成されることが好ましい。前記中間層３５が絶縁材料で形成されると、電流が前記中間層３５を適切に通ることができず、ＣＰＰ型磁気検出素子の再生特性の劣化を招く。また、前記中間層３５が、磁性材料で形成されると前記中間層３５もフリー磁性層２８のような振る舞いをするなどするし、むしろフリー磁性層２８の磁気特性の劣化を助長しやすいため好ましくない。
【００４１】
前記中間層３５は、Ｔａ、Ｒｕ、Ｃｕ、Ｗ、Ｒｈから選ばれた少なくとも１種以上の元素で形成されることが好ましい。前記中間層３５は単層構造であっても多層構造であってもどちらでもよい。これにより、前記フリー磁性層２８の磁気特性の劣化を適切に抑制できる。
【００４２】
前記中間層３５上に形成された腐食防止層３６は、前記フリー磁性層２８をリアクティブ・イオン・エッチング（ＲＩＥ）から保護し、前記フリー磁性層２８の腐食を防止するために設けられた層である。前記リアクティブ・イオン・エッチングは、前記腐食防止層３６上に形成されているメタルマスク層（積層体形成用マスク層）３７を所定形状に形成する際に使用されるエッチング手法である。前記フリー磁性層２８の上方に前記リアクティブ・イオン・エッチングに対する腐食防止層３６を設けることで、前記フリー磁性層２８が前記リアクティブ・イオン・エッチングによって腐食されない。なお前記腐食防止層３６は、非磁性材料で形成されることが好ましい。特に非磁性導電材料で形成されることが好ましい。前記腐食防止層３６が絶縁材料で形成されると、電流が前記腐食防止層３６を適切に通ることができず、ＣＰＰ型磁気検出素子の再生特性の劣化を招く。また、前記腐食防止層３６が、磁性材料で形成されると前記腐食防止層３６もフリー磁性層２８の一部のように振る舞いトンネル磁気抵抗効果に大きく関与するが、かかる場合、フリー磁性層の一部として振舞う前記腐食防止層３６の上面に図８で説明したのと同様にフッ化物が析出し、みかけ上、フリー磁性層がリアクティブ・イオン・エッチングによって腐食したのと同じになり、再生特性の低下を余儀なくされる。前記腐食防止層３６は、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇから選ばれた少なくとも１種以上の元素で形成されることが好ましい。
【００４３】
このように前記フリー磁性層２８上に中間層３５、及び腐食防止層３６を設けることで、安定した磁化を有するフリー磁性層２８を形成できる。
【００４４】
前記腐食防止層３６上にはメタルマスク層３７が形成されている。前記メタルマスク層３７は、前記積層体２２の断面形状を、図１に示すような略台形形状に形成すべく設けられたマスクである。前記メタルマスク層３７は、イオンミリングにより削られにくい材質で形成されている。このため前記積層体２２をイオンミリングで削って所定形状に整える工程のときに、前記メタルマスク層は多少前記イオンミリングによって削られるものの、一部は図１に示すメタルマスク層３７として前記腐食防止層３６上に残される。前記メタルマスク層３７は前記腐食防止層３６上に残っていなくてもよいが、残っていたほうが好ましい。それは前記腐食防止層３６が前記イオンミリングで削られやすい材質で形成されているため、前記メタルマスク層３７が前記イオンミリングですべて除去されてしまうと、前記メタルマスク層３７の直下にある前記腐食防止層３６、あるいは最悪の場合、前記フリー磁性層２８が前記イオンミリングの影響により削られる可能性があるからである。前記メタルマスク層３７は、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉから選ばれた少なくとも１種以上の元素で形成されることが好ましい。
【００４５】
前記メタルマスク層３７は、その名の通り、金属材料で形成される。上記した材質はいずれも金属材料である。また、前記メタルマスク層３７はこの明細書において「金属」より広い概念である「導電材料」のうち前記「金属」以外の「導電材料」で形成されてもよい。「導電材料」とは金属的な伝導性を示すことを意味し、「金属」より広い概念であり、「導電材料」に非金属元素が含まれていてもよい。
【００４６】
なお図１に示す積層体２２は、前記シード層２３から前記メタルマスク層３７までの積層構造で構成される。
【００４７】
図１に示すように前記積層体２２のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の側端面２２ａ，２２ａは傾斜面で形成され、前記積層体２２のトラック幅方向の幅寸法は上方（図示Ｚ方向）に向かうにしたがって徐々に小さくなっている。前記積層体２２の側端面２２ａ上から前記積層体２２のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側に広がる前記下部シールド層２０の上面２０ａにかけて絶縁下地層２５が形成されている。
【００４８】
前記下部シールド層２０上に形成された絶縁下地層２５上には、バイアス下地層４０が形成されている。前記バイアス下地層４０は、例えばＣｒや、ＣｒＴｉ、Ｔａ／ＣｒＴｉ等で形成される。前記バイアス下地層４０は、ハードバイアス層４１の特性（保磁力Ｈｃや角形比Ｓ）を向上させるために設けられたものである。
【００４９】
前記絶縁下地層２５上及び前記バイアス下地層４０上には、ハードバイアス層４１が形成されている。前記ハードバイアス層４１は、ＣｏＰｔ合金やＣｏＣｒＰｔ合金などで形成される。前記ハードバイアス層４１から前記フリー磁性層２８に対してバイアス磁界が供給される。前記フリー磁性層２８の磁化は前記バイアス磁界によりトラック幅方向（図示Ｘ方向）に揃えられる。
【００５０】
前記積層体２２に近接するハードバイアス層４１の上面４１ａは、前記積層体２２の上面２２ｂと同一平面で形成され、前記積層体２２からトラック幅方向（図示Ｘ方向）へ離れた位置での前記ハードバイアス層４１の上面４１ｂは、前記上面４１ａよりもやや下側に位置する平坦化面となっている。前記ハードバイアス層４１の前記上面４１ｂには保護層４２が形成され、前記保護層４２の上面４２ａは前記ハードバイアス層４１の上面４１ａと同一平面となっている。前記保護層４２は例えばＴａ等で形成されている。
【００５１】
前記積層体２２の上面２２ｂ、前記ハードバイアス層４１の上面４１ａ、前記保護層４２の上面４２ａには、上部シールド層３０が形成されている。前記上部シールド層３０は、例えばＮｉＦｅ合金等の磁性材料で形成される。
【００５２】
図１に示すトンネル型磁気検出素子では、下部シールド層２０及び上部シールド層３０が電極としても機能している。前記下部シールド層２０及び上部シールド層３０から前記積層体２２に電流が、図示Ｚ方向と平行な方向（すなわち前記積層体２２の各層の膜面に垂直な方向）に流れる。前記積層体２２を通り抜けるトンネル電流の大きさは、固定磁性層３１とフリー磁性層２８の磁化方向の関係によって相違する。
【００５３】
外部磁界が図示Ｙ方向からトンネル型磁気検出素子に侵入すると、前記外部磁界の影響を受けてフリー磁性層２８の磁化は変動する。これによって前記トンネル電流の大きさも変化し、この電流量の変化を電気抵抗の変化としてとらえる。そして前記電気抵抗の変化を電圧変化として、記録媒体からの外部磁界が検出されるようになっている。
【００５４】
本実施形態の特徴的部分について説明する。本実施の形態では、前記フリー磁性層２８の上面に中間層３５が形成され、前記中間層３５の上面に腐食防止層３６が形成されている。前記腐食防止層３６はリアクティブ・イオン・エッチング（ＲＩＥ）に対して前記フリー磁性層２８の腐食を防止する層である。このため、前記積層体２２の形成工程において、前記リアクティブ・イオン・エッチングを用いたときに、前記フリー磁性層２８が腐食される不具合を適切に抑制することが可能となっている。
【００５５】
また、Ｔａ等で形成された前記中間層３５は、Ｃｒ等で形成された前記腐食防止層３６が前記フリー磁性層２８上に当接するのを防いで前記フリー磁性層２８の磁気特性を良好に維持するために設けられた層である。実際、前記中間層３５を設けたことでフリー磁性層２８の磁気的な劣化が緩和されているか否かは、前記中間層３５が形成されている磁気検出素子と、前記中間層３５が形成されていない磁気検出素子（両者の磁気検出素子は中間層３５の有無のみが異なり、それ以外の層構造は全く同じである）を製造し、両者の再生出力を測定すれば判別できる。前記中間層３５が形成されている磁気検出素子のほうが、前記中間層３５が形成されていない前記磁気検出素子に比べて再生出力が大きくなる。
【００５６】
また本実施の形態では、前記積層体２２の形成工程で、メタルマスク層３７を用いており、従来のようにリフトオフ用のレジスト層を用いていないため、前記ハードバイアス層４１を成膜するときに、シャドー効果によってハードバイアス層４１の膜厚が特に積層体２２の近傍において薄くなる現象を抑制でき、前記ハードバイアス層４１を所定の膜厚で厚く形成できる。図１に示すように、前記ハードバイアス層４１の膜厚は前記積層体２２の近傍で最も厚くなっており、前記フリー磁性層２８に十分なバイアス磁界を供給することが可能になっている。
【００５７】
本実施の形態はトンネル型磁気検出素子であったが、前記絶縁障壁層２７の箇所が例えばＣｕ等の非磁性導電層で形成された巨大磁気抵抗効果を利用したＣＰＰ（Current  Perpendicular  to  Plane）−ＧＭＲ（Giant  Magneto  Resistive）素子であってもよい。
【００５８】
すなわち本実施の形態はＣＰＰ型磁気検出素子に効果的に使用できる。ＣＩＰ型磁気検出素子であると、前記中間層３５、腐食防止層３６及びメタルマスク層３７に電流が分流するため再生出力の低下が非常に大きくなる。特に図７に示す従来に比べて、図１の形態では、さらに前記中間層３５と腐食防止層３６が設けられているため、電流の分流量がより大きくなってしまう。よって図１に示す積層体２２をＣＩＰ型磁気検出素子に使用すると再生出力の低下が大きくなり好ましくない。
【００５９】
また図１の実施形態では、前記フリー磁性層２８上に、中間層３５、腐食防止層３６が重ねて形成されているが、前記フリー磁性層２８上に腐食防止層３６が直接形成されている形態も、前記フリー磁性層２８をリアクティブ・イオン・エッチングから保護できるという効果では図１と一致しており、したがってかかる形態も、本発明の実施形態の一つである。
【００６０】
また、物の形態として、前記腐食防止層３６上に前記メタルマスク層３７が無くてもよい。
【００６１】
なお本実施の形態の積層体２２として少なくとも必要な層は、固定磁性層３１、絶縁障壁層２７、フリー磁性層２８、及び腐食防止層３６であり、例えば反強磁性層２４が無い形態等も考えられる。
【００６２】
次に図１に示すトンネル型磁気検出素子の製造方法を図面を用いて説明する。図２ないし図６に示す各工程図は、製造工程中のトンネル型磁気検出素子を記録媒体との対向面と平行な方向から切断した部分断面図である。
【００６３】
図２に示す工程では、下部シールド層２０上に、下からシード層２３、反強磁性層４、固定磁性層３１、絶縁障壁層２７、フリー磁性層２８、中間層３５、腐食防止層３６及びメタルマスク層５３の順に積層された積層体５２を形成する。各層の材質については、図１で説明したのでそちらを参照されたい。なおメタルマスク層の符号を図２では５３にしており、図１の符号３７と異なっているが、これは説明の便宜上、そのようにしただけであり材質は同じである。前記中間層３５を１０Å〜６０Å程度の膜厚で形成する。また前記腐食防止層３６を３０Å〜７０Å程度の膜厚で形成する。また、前記メタルマスク層５３を、４００Å〜８００Å程度の膜厚で形成する。図２に示すように、前記メタルマスク層５３の膜厚を前記腐食防止層３６及び中間層３５の膜厚に比べて厚く形成する。一例を示すと、前記腐食防止層３６及び中間層３５の膜厚を夫々、５０Åとし、前記メタルマスク層５３の膜厚を５００Åとする。
【００６４】
図２に示すように前記メタルマスク層５３上に、前記メタルマスク層５３に対するマスク層５０を形成する。このマスク層５０はリアクティブ・イオン・エッチング（ＲＩＥ）によって削られにくい材質であることが必要である。前記マスク層５０をＣｒ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇから選ばれた少なくとも１種以上の元素で形成することが好ましい。最初、前記マスク層５０を前記メタルマスク層５３上の全面にスパッタ法等で形成する。次に、前記マスク層５０上にレジスト層５１を露光現像により所定形状に形成し、前記レジスト層５１に覆われていない前記マスク層５０をイオンミリングで除去する（図２に示す点線部分のマスク層５０ａが除去される）。
【００６５】
前記マスク層５０の不必要な前記マスク層５０ａを除去すると、その除去された部分には前記メタルマスク層５３の上面５３ａが露出する。前記メタルマスク層５３はリアクティブ・イオン・エッチング（ＲＩＥ）では削られやすいが前記イオンミリングでは削られにくい。すなわち前記メタルマスク層５３は前記マスク層５０より、イオンミリングに対するミリング速度は遅いが、前記リアクティブ・イオン・エッチングに対するエッチング速度は速くなっている。このため前記イオンミリングにより不要なマスク層５０ａが除去され、前記メタルマスク層５３の上面５３ａが露出しても、前記メタルマスク層５３は前記マスク層５０ａと異なって前記イオンミリングによって削られ難い。
【００６６】
次に、前記レジスト層５１を除去した後、図３に示す工程では、前記メタルマスク層５３のうち前記マスク層５０に覆われていない不要なメタルマスク層５３ｂをリアクティブ・イオン・エッチング（ＲＩＥ）で除去する。上記したように前記マスク層５０のリアクティブ・イオン・エッチングに対するエッチング速度は、前記メタルマスク層５３より遅いため、前記マスク層５０は前記リアクティブ・イオン・エッチングによってさほど削られず、前記メタルマスク層５３をリアクティブ・イオン・エッチングによって削るときのマスクとして適切に機能している。
【００６７】
図３に示すように、前記メタルマスク層５３はリアクティブ・イオン・エッチングによって前記マスク層５０の下のみにメタルマスク層５３ｃとして残される。前記メタルマスク層５３ｃのトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側端面５３ｃ１は傾斜面となっており、前記メタルマスク層５３ｃのトラック幅方向（図示Ｘ方向）における幅寸法は下側から上側に向かうにしたがって徐々に小さくなっている。
【００６８】
前記不要なメタルマスク層５３ｂが前記リアクティブ・イオン・エッチングによって除去された部分には、前記腐食防止層３６の上面３６ａが露出する。前記腐食防止層３６のリアクティブ・イオン・エッチングに対するエッチング速度は前記メタルマスク層５３のそれに比べて遅い材質が選択されている。
【００６９】
例えば前記メタルマスク層５３にＴａを用いた場合、前記腐食防止層３６にＣｒを用いると、前記リアクティブ・イオン・エッチングに対するエッチング速度は前記メタルマスク層５３のほうが前記腐食防止層３６より早くなる。
【００７０】
したがってリアクティブ・イオン・エッチングによって前記腐食防止層３６の上面３６ａが露出しても前記腐食防止層３６は前記リアクティブ・イオン・エッチングによって、さほど削られない。
【００７１】
さらに前記腐食防止層３６を設けたことで前記フリー磁性層２８が前記リアクティブ・イオン・エッチングの影響を受けることはなく、前記リアクティブ・イオン・エッチング工程で使用されるＣ３Ｆ８とＡｒとの混合ガスやＣＦ４ガス等により前記フリー磁性層２８が腐食するといった不具合を防止することができる。
【００７２】
また前記腐食防止層３６の露出した上面３６ａに、前記リアクティブ・イオン・エッチングによってフッ化物が析出しても、前記フッ化物は純水等で洗浄すれば除去できる。
【００７３】
次に、図４に示す工程では、前記メタルマスク層５３ｃに覆われていない、前記シード層２３から前記腐食防止層３６までの積層体５２ａをイオンミリングによって除去する。上記したように、純水等により前記腐食防止層３６の上面３６ａに析出したフッ化物を除去しているから、前記積層体５２ａを適切且つ容易にイオンミリングにより除去できる。図４に示す矢印Ｈはイオンミリングの方向を示している。前記イオンミリングによって前記積層体５３ａが除去されるとともに、前記メタルマスク層５３ｃ上に形成されているマスク層５０も前記イオンミリングにより除去される。前記マスク層５０が除去されると、前記メタルマスク層５３ｃが露出する。前記メタルマスク層５３ｃの前記イオンミリングに対するミリング速度は、前記腐食防止層３７や前記マスク層５０のそれに比べて遅いが、前記積層体５３ａの部分の膜厚が結構厚く、前記イオンミリングに掛かる時間が長くなると、前記メタルマスク層５３ｃも多少、前記イオンミリングの影響を受けて一部のメタルマスク層５３ｄが除去され、最終的に前記メタルマスク層５３ｃよりも膜厚の薄いメタルマスク層３７が残される。
【００７４】
上記したように、前記メタルマスク層５３ｃは前記腐食防止層３６及び中間層５３などに比べて厚い膜厚で形成しているため、前記メタルマスク層５３ｃは多少、イオンミリングによって削られても、不要な前記積層体５２ａを全て除去するまで適切に残されている。
【００７５】
図４に示すように、前記イオンミリングの終了した時点で、前記下部シールド層２０上には、シード層２３からメタルマスク層３７までの各層が積層された積層体２２が残される。図４に示すように、前記積層体２２の記録媒体との対向面（図示Ｘ−Ｚ平面と平行な平面）と平行な面方向での断面形状は、略台形形状となっている。
【００７６】
次に図５に示す工程では、下部シールド層２０の上面２０ａから前記積層体２２のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の側端面２２ａ，２２ａ上、さらには前記積層体２２の上面２２ｃにかけて将来的に一部が絶縁下地層２５として残される絶縁下地材料層６０を例えばＩＢＤ（Ion  Beam  Deposition）法などでスパッタ成膜する。例えば前記絶縁下地材料層６０を、Ｓｉ３Ｎ４、ＷＯ、Ａｌ２Ｏ３から選ばれた単層構造あるいは積層構造で形成することが好ましい。
【００７７】
次に、前記下部シールド層２０上に形成された前記絶縁下地材料層６０上に、バイアス下地層４０を形成する。前記バイアス下地層４０を、例えばＣｒや、ＣｒＴｉ、Ｔａ／ＣｒＴｉ等で形成する。
【００７８】
次に前記絶縁下地材料層６０上及び前記バイアス下地層４０上に、将来的に一部がハードバイアス層４１として残されるハードバイアス材料層５４をＩＢＤ法等により成膜する。前記ハードバイアス材料層５４をＣｏＰｔ合金やＣｏＣｒＰｔ合金などで形成する。このとき前記バイアス下地層４０上に形成されるハードバイアス材料層５４の上面５４ａ（前記上面５４ａは、ハードバイアス層４１の上面４１ｂに該当する）が、少なくとも前記積層体２２の上面２２ｃよりも下側に位置するように、前記ハードバイアス材料層５４を成膜することが好ましい。
【００７９】
次に、前記ハードバイアス材料層５４上にストッパ層５５を成膜する。前記ストッパ層５５は、将来的に一部が図１に示す保護層４２として残される。前記ストッパ層５５は、前記ハードバイアス材料層５４よりミリング速度が遅い材質で形成されることが好ましい。前記ストッパ層５５を例えばＴａ、Ｔｉ、Ｍｏで形成する。
【００８０】
次に図６に示す工程では、前記積層体２２の上面２２ｃにある不要な層を除去する（図６に示す点線部分）。ここで言う「不要な層」とは、図６の点線部分に示す絶縁下地材料層６０ｂ、ハードバイアス材料層５４ｃ、及びストッパ層５５ｃである。前記不要な層を例えばＣＭＰにより除去する。
【００８１】
図６に示すように、Ａ−Ａ線の位置まで削りこむ。図６に示すようにＡ−Ａ線上には、前記積層体２２のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側に位置する前記ハードバイアス材料層５４の上面５４ａに形成されたストッパ層５５ａがあり、前記ストッパ層５５ａの一部もＣＭＰにより削られる。例えば、前記ＣＭＰによる削り込みの終了時点を、前記ストッパ層５５ａの残り膜厚Ｔ１を基準にして制御することが好ましい。
【００８２】
図６に示すように、前記バイアス下地層３５上に形成されるハードバイアス材料層５４の上面５４ａを、少なくとも、ＣＭＰを行う前の前記積層体２２の上面２２ｃ（メタルマスク層３７の上面）よりも下側に形成するとともに、前記ハードバイアス材料層５４の上面５４ａに形成された前記ストッパ層５５ａの上面５５ａ１を、前記積層体２２の上面２２ｃよりも上側に形成している。この結果、前記積層体２２の上面２２ｃに形成された不要な層をＣＭＰですべて削り取る間、必ず前記ストッパ層５５ａも同時に削られる時期が存在する。そしてこの時期は、前記ストッパ層５５ａ上も削っていることで、研磨速度が急激に低下し、これにより前記ＣＭＰによる削り込みが終了に近いことを確認でき、前記ＣＭＰによる削り込みの終了時点を、例えば、前記ストッパ層５５ａの残り膜厚Ｔ１を基準に制御すれば、所定の位置でＣＭＰを終了させることが可能になる。このＣＭＰによる削り込み作業により、前記積層体２２の最上層を構成するメタルマスク層３７の一部あるいは全部が削られても特に問題はない。すなわち、削り込みが終了した時点での積層体２２の上面２２ｂ（図１に示す積層体２２の上面２２ｂと同位置）は、削り込む前の上面２２ｃよりも下側にあってもよい。前記ＣＭＰにとる削り込み作業ににより前記「不要な層」を除去したことで、露出した積層体２２の上面２２ｂが、図１に示す積層体２２の上面ｂとなる。
【００８３】
前記削り込み作業を終了した時点で残された絶縁下地材料層６０ａは、図１に示す絶縁下地層２５と一致し、図６に示すハードバイアス材料層５４ｂは図１に示すハードバイアス層４１と一致している。
【００８４】
なお前記ストッパ層５５ａが前記ＣＭＰによって全て削り取られない場合、前記ストッパ層５５ａは、図１に示す保護層４２として残される。また前記ストッパ層５５ａの形成位置を適切に制御して、すべて前記ストッパ層５５ａが削られたときに前記ＣＭＰを終了させ、前記ストッパ層５５ａが前記保護層４２として残らないようにしてもよい。ただし、前記ストッパ層５５ａの下の将来、ハードバイアス層４１として残されるハードバイアス材料層５４の上面５４ａは、前記ＣＭＰにより削り込まれないことが好ましく、よって研磨速度が遅い前記ストッパ層５５ａの一部が図１のように、前記ハードバイアス層４１の上に保護層４２として残るようにしたほうが、所定膜厚の前記ハードバイアス層４１を、適切且つ容易に、前記積層体２２のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側に配置することができて好ましい。
【００８５】
図２ないし図６に示す本実施の形態のトンネル型磁気検出素子の製造方法では、図２の工程で、フリー磁性層２８の上に、中間層３５、腐食防止層３６、メタルマスク層５３、マスク層５０を順に積層し、前記マスク層５０を利用して前記メタルマスク層５３の所定形状化をリアクティブ・イオン・エッチング（ＲＩＥ）により行うと、図３のように、前記メタルマスク層５３が削られた表面には、前記腐食防止層３６が露出するため、フリー磁性層２８が前記リアクティブ・イオン・エッチングの影響を受けず、したがって前記フリー磁性層２８の腐食を従来に比べて適切に防止できる。前記腐食防止層３６のリアクティブ・イオン・エッチングに対するエッチング速度は、前記メタルマスク層５３のそれに比べて非常に遅いため、前記腐食防止層３６が前記リアクティブ・イオン・エッチングによって全て削られることはなく、前記腐食防止層３６は適切に前記フリー磁性層２８の上に残され、前記フリー磁性層２８をリアクティブ・イオン・エッチングから守る保護層として機能している。
【００８６】
前記腐食防止層３６の上面３６ａに仮にフッ化物が析出しても、純水等で洗浄すれば前記フッ化物を除去でき、前記腐食防止層３６が、図４工程のイオンミリングを行う上での弊害にはならない。また前記腐食防止層３６は、前記メタルマスク層５３に比べてイオンミリング時のミリング速度が速く、前記メタルマスク層５３を利用して適切に前記腐食防止層３６の不要な箇所を、イオンミリングで除去できる。
【００８７】
また図２で示すように、前記フリー磁性層２８と腐食防止層３６との間に、前記腐食防止層３６を前記フリー磁性層２８上に直接形成した場合に比べて、前記フリー磁性層２８の磁気特性の劣化を抑えることができる中間層３５を形成することが好ましい。これにより前記フリー磁性層２８の磁気的な劣化（具体的には磁気抵抗変化率の低下）を抑えることができ、これにより前記フリー磁性層２８の磁化の安定性を向上でき、再生出力の向上を図ることができる。
【００８８】
また図５工程における前記ハードバイアス材料層５４上に形成されるストッパ層５５の成膜は必須ではないが、前記ストッパ層５５を成膜したほうが、図６に示すＣＭＰによる削り込みの終了時点を制御しやすく、例えば前記積層体２２の上面やハードバイアス層３６の上面が極端に削り込まれる等の不具合を抑制することができる。
【００８９】
また本実施の形態では、従来のようにリフトオフ用のレジスト層を用いていない。このため前記絶縁下地材料層６０やハードバイアス材料層５４の成膜時に、前記レジスト層を用いた場合におけるシャドー効果が無く、よって前記積層体２２のトラック幅方向の両側に形成される絶縁下地材料層６０の厚みを一定の厚みとなるように形成することができる。また前記ハードバイアス材料層５４の膜厚変動も小さくできる。特に、最終的に残る前記積層体２２の両側近傍のハードバイアス層４１（図１を参照）を厚く形成でき、前記フリー磁性層２８に十分なバイアス磁界を供給することが可能になっている。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】本実施形態のトンネル型磁気検出素子の構造を記録媒体との対向面と平行な方向から切断して示す部分断面図、
【図２】製造工程中のトンネル型磁気検出素子を記録媒体との対向面と平行な方向から切断した部分断面図、
【図３】図２の次に行なわれる一工程図（部分断面図）、
【図４】図３の次に行なわれる一工程図（部分断面図）、
【図５】図４の次に行なわれる一工程図（部分断面図）、
【図６】図５の次に行なわれる一工程図（部分断面図）、
【図７】従来の製造工程中のトンネル型磁気抵抗効果型素子を記録媒体との対向面と平行な方向から切断して示す部分断面図、
【図８】図７の一部を拡大した部分拡大断面図、
【符号の説明】
【００９１】
２０  下部シールド層
２１  トンネル型磁気検出素子
２２、５２  積層体
２４  反強磁性層
２７  絶縁障壁層
２８  フリー磁性層
３０  上部シールド層
３１  固定磁性層
３５  中間層
３６  腐食防止層
３７、５３  メタルマスク層
４１  ハードバイアス層
５０  マスク層
５４  ハードバイアス材料層
５５、５５ａ  ストッパ層
６０  絶縁下地材料層
【図１】
2006351668.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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