(57)【要約】【課題】窒化ガリウム基板を製造するための窒化ガリウム結晶体および基板の側面に形成される窒化物堆積物を効率よく除去して、窒化ガリウム結晶体を製造する方法および窒化ガリウム基板を製造する方法が提供される。【解決手段】窒化ガリウムと異なる材料から成る基板９上に気相成長法で成長された窒化ガリウム結晶体２４から窒化ガリウム基板を製造する方法であって、成長によって、窒化ガリウム結晶体２４の側面および基板９の側面上に窒化物堆積物２６が形成される。この方法は、窒化物堆積物２６を外周加工により除去する工程と、この外周加工の後に、基板９をエッチングにより除去する。エッチング後に残余の窒化物堆積物２６ｅを除去する工程とを備える。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化ガリウムと異なる材料から成る基板上に気相成長法で成長され窒化ガリウム基板を形成するための窒化ガリウム結晶体を製造する方法であって、前記成長によって、前記基板および前記窒化ガリウム結晶体の側面上に窒化物堆積物が形成され、
機械加工により前記窒化物堆積物の外周部を研削して、前記窒化ガリウム結晶体の側面上に前記窒化物堆積物の第１の内周部を残すと共に前記基板の側面上に前記窒化物堆積物の第２の内周部を残す工程と、
前記機械加工の後に、エッチングにより前記基板を除去する工程と、
前記基板の除去の後に、前記窒化物堆積物の前記第２の内周部を除去する工程と、
前記窒化物堆積物の前記第１の内周部を機械加工により除去して前記窒化ガリウム結晶体を得る工程と
を備える方法。
【請求項２】
前記窒化物堆積物の外周部を研削した後において、前記窒化物堆積物の内周部および前記窒化ガリウム結晶体は、所定の直径の円柱内にはいる大きさであり、
前記所定の直径は前記基板の直径より１ｍｍ以上４ｍｍ以下の範囲の値だけ大きい、ことを特徴とする請求項１に記載された方法。
【請求項３】
前記窒化物堆積物の外周部を研削した後において、前記窒化物堆積物の内周部および前記窒化ガリウム結晶体は、所定の直径の円柱内にはいる大きさであり、
前記所定の直径は前記基板の直径より１ｍｍ以上３ｍｍ以下の範囲の値だけ大きい、ことを特徴とする請求項１に記載された方法。
【請求項４】
前記機械加工では、前記窒化ガリウム結晶体を所定の軸の回りに回転させながら前記窒化物堆積物を砥石を用いて除去する、ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載された方法。
【請求項５】
窒化ガリウムと異なる材料から成る基板上に気相成長法で成長された窒化ガリウム結晶体から窒化ガリウム基板を製造する方法であって、前記成長によって、前記基板および前記窒化ガリウム結晶体の側面上に窒化物堆積物が形成され、
機械加工により前記窒化物堆積物の外周部を研削して、前記窒化ガリウム結晶体の側面上に前記窒化物堆積物の第１の内周部を残すと共に前記基板の側面上に前記窒化物堆積物の第２の内周部を残す工程と、
前記機械加工の後に、エッチングにより前記基板を除去する工程と、
前記基板の除去の後に、前記窒化物堆積物の前記第２の内周部を除去する工程と、
前記窒化物堆積物の前記第１の内周部を機械加工により除去して前記窒化ガリウム結晶体を得る工程と、
前記窒化ガリウム結晶体から一または複数の窒化ガリウム基板を作製する工程と
を備える方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化ガリウム結晶体を製造する方法および窒化ガリウム基板を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
文献１（特開２０００−１２９００号公報）には、ＧａＮ単結晶基板が記載されている。ＧａＡｓ（１１１）基板の上に千鳥型窓やストライプ窓を有するマスクを形成し、ＨＶＰＥ法またはＭＯＣ法により低温でＧａＮバッファ層を形成し、ＨＶＰＥ法により高温でＧａＮエピタキシャル層を厚く形成し、ＧａＡｓ基板を除去する。ＧａＮの自立膜を種結晶としてＨＶＰＥ法でＧａＮを厚付けしＧａＮインゴットを作る。これをスライサーによって切断して透明無色の反りの少ないＧａＮウエハを作る。
【０００３】
文献２（特開２００２−２８４６００号公報）には、窒化ガリウム単結晶基板の製造方法及び窒化ガリウム結晶基板が記載されている。単結晶のサファイア基板、サファイア基板上に単結晶の窒化ガリウム膜を成長させた基板、単結晶の半導体結晶基板のいずれかからなる出発基板上に金属膜を堆積させる。金属膜上に窒化ガリウム膜を堆積させた積層基板を形成することにより、成長後の窒化ガリウム膜と出発基板との剥離が容易になる。
【０００４】
文献３（特開２００３−１６８８２０号公報）には、基板上に形成された結晶層に光を照射して剥離する剥離方法が記載されている。この剥離方法において、光をライン状に照射することを特徴とする。このとき、光の照射幅を結晶層の厚みと同程度もしくはそれより小さくすることにより、クラックを発生させることなく基板から結晶層を剥離できる。
【特許文献１】特開２０００−１２９００号公報
【特許文献２】特開２００２−２８４６００号公報
【特許文献３】特開２００３−１６８８２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
窒化ガリウム独立基板の作製において、ＧａＡｓ基板上にＧａＮ膜を成長し、その後、ＧａＡｓをエッチングにより除去して自立ＧａＮ結晶体を形成している。ＧａＡｓ基板上にＧａＮ結晶体を成長する際に、ＧａＮ結晶体およびＧａＡｓ基板の外周に窒化物の堆積物が付着する。ＧａＮ結晶体を成長した後にＧａＡｓ基板をウエットエッチングにより除去しても、ＧａＮ結晶体の外周より外側に突き出た突起物が残留する。したがって、当該突起物を除去した後でなければ、ＧａＮ結晶体の形状加工を行うことができない。しかしながら、この突起状堆積物を除去するためには、実質人手による加工が必要である。求められていることは、ＧａＮ結晶体およびＧａＡｓ基板の外周に窒化物の堆積物を効率よく除去して、窒化ガリウム基板の作製における生産性を更に向上することにある。
【０００６】
既に説明したように、文献２では、サファイア基板上にアルミ蒸着膜を介してＧａＮ膜を成長しており、アルミ蒸着膜をエッチング（ＨＣｌ＋Ｈ２Ｏ２）により溶解して自立ＧａＮ膜を得る。また、文献３では、サファイア基板上にＧａＮ膜を成長し、レーザ光をサファイア基板に線状に照射してＧａＮ膜を剥離している。これにより、応力を緩和してＧａＮ膜の割れを防止している。これらの技術は、ＧａＮ単結晶体およびＧａＡｓ基板の外周に窒化物の堆積物を除去することとは異なる。
【０００７】
本発明は、上記の事項を鑑みて為されたものであり、窒化ガリウム基板を製造するための窒化ガリウム結晶体および基板の外周に形成される窒化物堆積物を効率よく除去して、窒化ガリウム結晶体を製造する方法および窒化ガリウム基板を製造する方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一側面は、窒化ガリウム結晶体を製造する方法に係る。この方法は、窒化ガリウムと異なる材料から成る基板上に気相成長法で成長され窒化ガリウム基板を作製するための窒化ガリウム結晶体を製造する方法であって、前記成長によって、前記基板および前記窒化ガリウム結晶体の側面上に窒化物堆積物が形成されている。この方法は、（ａ）機械加工により前記窒化物堆積物の外周部を研削して、前記窒化ガリウム結晶体の側面上に前記窒化物堆積物の第１の内周部を残すと共に前記基板の側面上に前記窒化物堆積物の第２の内周部を残す工程と、（ｂ）前記機械加工の後に、エッチングにより前記基板を除去する工程と、（ｃ）前記基板の除去の後に、前記窒化物堆積物の内周部を機械加工により除去して前記窒化ガリウム結晶体を得る工程とを備える。
【０００９】
この方法によれば、基板を窒化ガリウム結晶体から剥離するに先立ち窒化物堆積物の外周部を除去するので、窒化物堆積物の除去を外周加工により行い、この後に基板をエッチングにより除去できる。
【００１０】
本発明の方法では、前記窒化物堆積物の外周部を研削した後に、前記窒化物堆積物の内周部および前記窒化ガリウム結晶体は、所定の直径の円柱内にはいる大きさであり、前記所定の直径は前記基板の直径より１ｍｍ以上４ｍｍ以下の範囲の値だけ大きいことが好ましい。
【００１１】
この方法によれば、窒化ガリウム結晶体は実質的に円盤状の基板上に形成される。上記の範囲の直径であれば、外周加工の工程における芯ずれを許容できる。
【００１２】
本発明の方法では、前記窒化物堆積物の外周部を研削した後に、前記窒化物堆積物の内周部および前記窒化ガリウム結晶体は、所定の直径の円柱内にはいる大きさであり、前記所定の直径は前記基板の直径より１ｍｍ以上３ｍｍ以下の範囲の値だけ大きいことが好ましい。
【００１３】
この方法によれば、窒化ガリウム結晶体は実質的に円盤状の基板上に形成される。上記の範囲の直径であれば、外周加工の工程における芯ずれを許容できる。
【００１４】
本発明の方法では、前記機械加工では、前記窒化ガリウム結晶体を所定の軸の回りに回転させながら前記窒化物堆積物を砥石を用いて除去する。
【００１５】
実質的に円盤状の基板上に窒化ガリウム結晶体が形成されており、この方法によれば窒化ガリウム結晶体を所定の軸の回りに回転させながら窒化物堆積物を除去できる。
【００１６】
本発明の別の側面は、窒化ガリウム基板を製造する方法に係る。この方法は、窒化ガリウムと異なる材料から成る基板上に気相成長法で成長された窒化ガリウム結晶体から窒化ガリウム基板を製造する方法であって、前記成長によって、前記基板および前記窒化ガリウム結晶体の側面上に窒化物堆積物が形成されている。この方法は、（ａ）機械加工により前記窒化物堆積物の外周部を研削して、前記窒化ガリウム結晶体の側面上に前記窒化物堆積物の第１の内周部を残すと共に前記基板の側面上に前記窒化物堆積物の第２の内周部を残す工程と、（ｂ）前記機械加工の後に、エッチングにより前記基板を除去する工程と、（ｃ）前記基板の除去の後に、前記窒化物堆積物の前記第２の内周部を除去する工程と、（ｄ）前記窒化物堆積物の前記第１の内周部を機械加工により除去して前記窒化ガリウム結晶体を得る工程と、（ｅ）前記窒化ガリウム結晶体から一または複数の窒化ガリウム基板を作製する工程とを備える。
【００１７】
この方法によれば、基板を窒化ガリウム結晶体から剥離するに先立ち窒化物堆積物の外周部を除去するので、外周加工により窒化物堆積物の外周部を除去した後に、基板をエッチングにより除去できる。この後に、窒化物堆積物の第２の内周部を除去する。これ故に、生産性よく窒化ガリウム結晶体を作製できる。
【００１８】
本発明の上記の目的および他の目的、特徴、並びに利点は、添付図面を参照して進められる本発明の好適な実施の形態の以下の詳細な記述から、より容易に明らかになる。
【発明の効果】
【００１９】
以上説明したように、本発明によれば、窒化ガリウム基板を製造するための窒化ガリウム結晶体および基板の側面上に形成される窒化物堆積物を効率よく除去して、窒化ガリウム結晶体を製造する方法および窒化ガリウム基板を製造する方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明の知見は、例示として示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解できる。引き続いて、添付図面を参照しながら、本発明の窒化ガリウム結晶体および窒化ガリウム基板を製造する方法に係る実施の形態を説明する。この方法は、窒化ガリウムと異なる材料から成る基板上に気相成長法で成長された窒化ガリウム結晶体から窒化ガリウム基板を製造する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。
【００２１】
図１は、エピタキシャル成長に用いるＨＶＰＥ法といった気相成長法のための成膜装置を示す。縦型反応炉１の周囲に円筒形のヒ−タ２が設けられている。反応炉１の上壁には原料ガス導入口３、４がある。原料ガスの塩化水素（ＨＣｌ）およびキャリヤガスの水素（Ｈ２）の混合ガスＧ１は、ガス導入口３を介して反応炉１に導入される。導入口３に対向して、金属ガリウムが収容されたガリウム（Ｇａ）ソース５がある。金属ガリウムの融点が低いのでヒ−タ２によって加熱すると、Ｇａ融液６が形成される。ＨＣｌがＧａ融液にふれると、２Ｇａ＋６ＨＣｌから２ＧａＣｌ３＋３Ｈ２が生成される反応が起こり、塩化ガリウム（ＧａＣｌ３）を生成する。反応炉１中の空間において、塩化ガリウムとキャリヤガスＨ２の混合ガスＧ２が提供される。アンモニア（ＮＨ３）＋水素（Ｈ２）の混合ガスＧ３が、導入口４を介して反応炉１に導入される。原料ガス中のＧａＣｌ３とＮＨ３の反応により、窒化ガリウム基板を作製するための窒化ガリウム厚膜が基板９上に堆積される。
【００２２】
サセプタ７は、回転および昇降が可能になるようにシャフト８によって支持されている。サセプタ７の上には、ＧａＡｓ基板９といった基板が配置される。ＧａＡｓ基板９は、インチサイズを有しており、例えば２インチの直径を有する実質的に円盤の形状をなす。基板９の主面上には、窒化ガリウムが堆積される。原料ガスの残りおよび反応生成物ガスの混合ガスＧ４は、排ガス出口１０を介して排出される。ＨＶＰＥ法によって作られたＧａＮ結晶体は、アンドープであってｎ導電型を示す。キャリヤ濃度は、例えば１×１０１８ｃｍ−３程度である。成膜装置の温度を常温に下げてから、ＧａＡｓ基板９とこの基板９上に成長されたＧａＮ結晶体とから成る複合体を取り出す。窒化ガリウム結晶体の厚さは、基板９の厚さよりも大きい。
【００２３】
図２（Ａ）は、窒化物堆積物を外周機械加工により除去する工程を行う外周加工装置を示す。複合体２０は、ＧａＡｓ基板９、窒化ガリウム結晶体２４および窒化物堆積物２６を含む。例えば、円盤形の基板９上に、円柱形状の窒化ガリウム結晶体２４が堆積される。窒化ガリウム結晶体２４の成長に付随して、基板９および窒化ガリウム結晶体２４の各側面９ａ、２４ａ上に窒化物堆積物２６が形成される。窒化物堆積物２６は、基板９の直径を有する仮想円筒形の外側に位置している突起物である。複合体２０は、所定の軸Ａｘの回りに回転可能なように、外周加工装置２２に取り付けられる。外周加工装置２２は、複合体２０の外周を機械加工するための研削ツールとして例えば砥石２８を有する。複合体２０はシンボルＤ１で示されるディメンジョンを有する。窒化物堆積物２６は、次の外周加工工程により研削される外周部２６ａと、外周加工工程の後にも残る内周部２６ｂとを有する。
【００２４】
図２（Ｂ）は、外周加工工程を示す図面である。所定の軸Ａｘの回りに複合体２０を回転させながら、複合体２０の外周に砥石２８を接触させる。砥石２８を適切な送り速度で移動させると、複合体２０の外周が研削されていく。つまり、窒化物堆積物２６が徐々に除去されていく。図２（Ｂ）では、複合体２０の外周が研削され窒化物堆積物２６ｃになっており、複合体２０がディメンジョンＤ２（＜Ｄ１）にまで小さくなっている。外周加工装置２２を用いて、例えば、５４ミリメートルの直径になるまで複合体２０の外周を研削する。この研削により突起部分が除去される。図２（Ｂ）に示される複合体２０ａでは、窒化ガリウム結晶体２４および基板９の側面上に、窒化物堆積物が僅かに残っている。この工程によって、窒化物堆積物２６の外周部２６ａが除去されてしまい、内周部２６ｂが残される。引き続く説明のために、窒化ガリウム結晶体２４の側面２４ａ上に残された窒化物堆積物２６ａを第１の内周部２６ｄとして参照し、基板９の側面９ａ上に残された窒化物堆積物２６ａを第２の内周部２６ｅとして参照する。
【００２５】
図２（Ｃ）に示されるように、外周加工の後に、複合体２０ａにおいて、基板９を窒化ガリウム結晶体２４から除去する。この除去は、エッチングにより行われ、複合体２０ｃが形成される。本実施の形態では、基板９はガリウムヒ素半導体から成るので、王水等のエッチャントを用いてウエットエッチングにより基板９を選択的に除去できる。複合体２０ｃは、窒化ガリウム結晶体２４の側面２４ａ上に残された第１の内周部２６ｄと、第１の内周部２６ｄから伸び出した第２の内周部２６ｅとを含む。第２の内周部２６ｅは、窒化ガリウム結晶体２４のエッジに沿って設けられた壁であり、この壁の高さは、ほぼ基板９の厚さ程度である。
【００２６】
次いで、複合体２０ｃにおいて、第２の内周部２６ｅを除去する。この工程により、窒化ガリウム結晶体２４のエッジに沿って伸びる壁が複合体２０ｃから無くなる。
【００２７】
図３（Ａ）は、窒化物堆積物２６ｃから第２の内周部２６ｅが除去された複合体２０ｄを示す。この複合体２０ｄは、所定の軸Ｂｘの回りに回転可能なように、外周加工装置３２に取り付けられる。外周加工装置３２は、複合体２０ｄの外周を機械加工するため砥石３８を有する。所定の軸Ｂｘの回りに複合体２０ｄを回転させながら、複合体２０ｃの外周に砥石３８を接触させる。砥石３８を適切な送り速度で移動させると、複合体２０ｄの外周が研削される。窒化物堆積物２６が徐々に除去されていき、窒化物堆積物２６ａの第１の内周部２６ｄは完全に除去される。外周加工装置３２を用いて、例えば、５０ミリメートルの直径になるまで複合体２０の外周を研削する。この工程により、図３（Ｂ）に示されるように、所定の直径を有するように加工された窒化ガリウム結晶体２５が形成される。
図４（Ａ）に示されるように、窒化ガリウム結晶体２５は、所望の直径を有するように加工されており、窒化ガリウム結晶体２５をスライスおよび研磨して、図４（Ｂ）に示されるように、一又は複数の窒化ガリウムウエハ２５ａ〜２５ｄに加工される。
【００２８】
（実施例１）
５０ｍｍφのＧａＡｓ基板上にＧａＮを成長した。ＧａＡｓ基板上に窒化ガリウム結晶体の側面に成長堆積物が堆積し、複合体の外径は５８ｍｍφになる。エッチングによりＧａＡｓ基板を除去すると、外周の突起物が残る。これを手加工で除去すると５０〜８０分の時間がかかる。この加工は生産効率の点で改善が望まれる。外周の堆積物は初期のものほど多く、釣鐘状に堆積しているので、予め外周加工をしてこの釣鐘状末広がり部分を削り取ることにより、後の加工に要する時間は軽減できる。外周直径が５４ｍｍになるまで成長堆積物が研削される。外周加工に要した時間はおよそ４０分である。この外周加工により釣鐘状末広がり部分はおよそ半分に縮小したので、ＧａＡｓ基板をエッチングで除去した後の突起部分の加工はおよそ２５分の時間で完了し、加工時間を短縮できた。仕上がったＧａＮ結晶は真円ではあったが、１．５ｍｍ程度芯ずれしており、本来の製品部分から偏芯していた。
【００２９】
（実施例２）
同様の方法で外周直径を５１ｍｍに加工した。外周加工におよそ７０分の時間がかかった。またＧａＡｓ基板を除去した後、突起部分手加工におよそ５分に時間がかかった。芯ずれは０．９ｍｍ程度である。
【００３０】
図５は、外周加工における偏芯を示す図面である。結晶成長後、窒化ガリウム複合体は、目視では確認できるレベルではないが、全外周に亘り外径が必ずしも一様とはいえない歪な円筒形状をしている。従って、外周を円形に加工仕上げする際に、精度よく芯だし(円形の中央を決めること)をすることは容易ではない。芯出し精度がなければ、真円である製品部分から偏芯してしまい、本来製品になるべき部分を削り落としてしまう可能性がある。芯出し誤差も考慮して外周加工寸法をやや大きめに仕上げることが必要になる。製品部分から円形ウェハを精度よく採取するためには、以下のプロセスが、品質確保の点からも望ましい。
（１）外周加工において最終直径よりも寸法をやや大きめに削る。
（２）エッチングによりＧａＡｓ基板を除去する。
（３）残余の釣鐘状突起部分を加工により削り取る。
図５に示されるように、現在の芯ずれ精度を調査した。１２回の研削における芯すれ平均値は１．２５ｍｍであり、標準偏差は０．３７１である。基板をエッチングに先立って行われる外周加工では、
１シグマ値は１．６２１ｍｍ（１．２５＋０．３７１）であり、２シグマは１．９９１ｍｍ（１．２５＋２×０．３７１）である。
【００３１】
基板のエッチングに先立って行われる外周研削工程では、研削された複合体の直径は基板の直径より１ｍｍ以上４ｍｍ以下の範囲の値だけ大きいことが好ましい。上限が４ｍｍであれば、２シグマ分の芯ずれを許容できる。
【００３２】
窒化ガリウム複合体に外接する円形冶具を使用して見掛け中心を求める手法等、さらに芯出し方法に工夫を凝らした結果、上記２シグマ分はおよそ１．５ｍｍとなり、基板のエッチングに先立って行われる外周研削工程では、研削された複合体の直径は前記基板の直径より１ｍｍ以上３ｍｍ以下の範囲の値だけ大きいことが好ましい。
【００３３】
いずれの場合にも、理想的は下限は０ｍｍであるが下限を１ｍｍとして設定した。この下限値であれば、外周研削工程において窒化ガリウム結晶体を削ることがなく、窒化ガリウム結晶体に予測できないダメージを与えることがない。
【００３４】
以上説明した本発明の実施の形態では、窒化ガリウム基板を製造するための窒化ガリウム結晶体の側面および基板の側面に形成される窒化物堆積物を効率よく除去して、窒化ガリウム結晶体を製造する方法および窒化ガリウム基板を製造する方法が提供される。
【００３５】
（比較例）
ＧａＡｓ基板４０上に窒化ガリウム厚膜４２を成長させると、直径５０ｍｍの円筒の窒化ガリウム結晶体の外周に成長堆積物４４が必然的に形成され、複合体の最大外径は５８ｍｍ程度になる。成長堆積物の形状を様々であるが、図６（Ａ）に示されるように、窒化ガリウム結晶体２４から基板９に向かう方向に末広がりの形状になる。この複合体を王水等のエッチングでＧａＡｓ基板を除去した際、図６（Ｂ）に示されるように、ＧａＡｓ基板の側面に付着していた成長堆積物(末広がり部分)が突起状に残留する。このままでは、自立した窒化ガリウム厚膜を形状加工してウエハを形成することができない。これ故に、図７（Ｃ）に示されるように、突起部を前加工で除去する必要がある。この前加工は、人力による作業であり、５０〜８０分程度の所要時間が必要である。生産性をさらに向上させるためには、この時間を短縮することが望まれる。本実施の形態において説明された方法によれば、この加工に伴う時間を極力短くし、生産性を上げることができる。また、手加工する時間を極力軽減することで、手加工の際にハンドリングミス等で発生するウエハ破損を減らせる。
【００３６】
好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。必要な場合には、窒化ガリウム結晶体の形成に先立って、所定のパターンを有するマスクを基板上に設けることができる。また、窒化ガリウム基板を単結晶基板および複数の単結晶から構成される複合基板のいずれでも本発明を適用できる。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】図１は、エピタキシャル成長に用いるＨＶＰＥ法といった気相成長法のための成膜装置を示す。
【図２】図２（Ａ）は、窒化物堆積物を外周加工により除去する工程を行う外周加工装置を示す図面である。図２（Ｂ）は、窒化物堆積物を除去する工程を示す図面である。図２（Ｃ）は、基板を窒化ガリウム結晶体から剥離する工程を示す図面である。
【図３】図３（Ａ）は、窒化物堆積物を外周加工により除去する工程を示す図面である。図３（Ｂ）は、本発明の実施の形態によって作製された窒化ガリウム結晶体を示す図面である。
【図４】図４（Ａ）および図４（Ｂ）は、窒化ガリウム結晶体から窒化ガリウムウエハを作製する工程を示す図面である。
【図５】図５は、外周加工における偏芯を示す図面である。
【図６】図６（Ａ）〜図６（Ｃ）は、複合体をエッチングする製造方法を示す図面である。
【符号の説明】
【００３８】
１…反応炉、２…ヒ−タ、３、４…原料ガス導入口、５…ガリウムソース、６…Ｇａ融液、７…サセプタ、９…基板、１０…排ガス出口、２０、２０ａ、２０ｂ…複合体、２２…外周加工装置、２４、２５…窒化ガリウム結晶体、２６…窒化物堆積物、２６ａ…窒化物堆積物の外周部、２６ｂ…窒化物堆積物の内周部、２６ｄ…窒化ガリウム結晶体上の内周部、２６ｅ…基板上の内周部、２８…砥石、２４ａ〜２４ｄ…窒化ガリウムウエハ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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