(57)【要約】【課題】  良好な電磁変換特性と高い走行信頼性とを両立させることができ、磁気抵抗効果型の磁気ヘッドに対して好適に用いることができる磁気記録媒体を提供する。【解決手段】  磁気テープ１（磁気記録媒体）において、非磁性支持体１１表面上の微小突起１６ａの高さおよび割合を適切な範囲内とすると共に、磁性層１２および保護層１３の膜厚を適切な範囲内にする。また、保護層１３における磁気ヘッド非接触領域１８を、適切な硬度で選択的に硬質化する。磁気ヘッド非接触領域１８において磁気テープ１の摩耗を抑制すると共に、磁気ヘッド接触領域１７においては特別な処理を施すことなく磁気ヘッドの摩耗を抑制することができる。よって、磁気テープ１および磁気ヘッド双方の摺動耐久性を向上させると共に、磁気ヘッドと磁気テープ１との間のスペーシング損失を抑制することができる。【選択図】  図１
2006107677.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
長尺状の非磁性支持体と、
前記非磁性支持体の表面に形成されると共に、その膜厚が１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である磁性層と、
前記磁性層上に形成されると共に、その膜厚が５ｎｍ以上１０ｎｍ以下である保護層とを備え、
その最表面に、高さ５ｎｍ以上１０ｎｍ未満の複数の微小突起を１０〜３０個／μｍ2の割合で有し、かつ前記保護層における磁気ヘッドとの非接触部が局所的にプラズマ処理された硬質化領域であり、前記硬質化領域におけるラマン分光法による無機成分と有機成分との比が０．３０以上１．００以下である
ことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記硬質化領域は、前記保護層における短尺側の一端から、長手方向に直交する幅方向に０．２ｍｍまでの領域である
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記保護層は、ダイヤモンド状炭素膜からなる層を含む
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
巨大磁気抵抗効果を利用した磁気ヘッドによるヘリカルスキャン式記録再生装置に適用される
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気抵抗効果あるいは巨大磁気抵抗効果を利用した磁気ヘッドに対して用いられる磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばビデオテープレコーダ（ＶＴＲ）の分野においては、高画質化を図るために、高記録密度化が一層強く要求されている。これに対応する磁気記録媒体としては、非磁性支持体の上に、強磁性材料を真空薄膜形成手段によって直接被着させて磁性層を形成した、いわゆる金属磁性薄膜型の磁気記録媒体が提案されている。
【０００３】
この金属磁性薄膜型の磁気記録媒体は、いわゆる塗布型の磁気記録媒体と比較して、抗磁力、残留磁化、および角型比などに優れ、短波長での電磁変換特性にも優れている。また、強磁性材料を直接被着させるので、磁性層の厚みを極めて薄くすることができ、記録減磁あるいは再生時の厚み損失が著しく小さくなり、良好な電磁変換特性が得られる。さらに、磁性層中に非磁性の結合剤や添加剤を混入する必要がないので、磁性材料の充填密度が高まり、磁束密度を高くすることができる。
【０００４】
また、この金属磁性薄膜型の磁気記録媒体は、磁気ヘッドと摺接する際の摺動耐久性を確保するため、一般的には磁性層側の最表面に微小突起が設けられている。摺動耐久性が低下すると、磁気記録媒体がいわゆる張り付きを起こし、走行が停止してしまうからである。このような微小突起を設けることにより、磁性層側の最表面における摩耗を抑制し、摺動耐久性を向上させることができる。例えば、特許文献１には、少なくとも片面の高さ２０ｎｍ以上５０ｎｍ未満の微小突起個数が１０3〜１０6個／ｍｍ2で、高さ５０ｎｍ以上１００ｎｍ未満の微小突起個数が０〜３×１０4個／ｍｍ2である非磁性支持体としての芳香族ポリアミドフィルムおよびこれを用いた磁気記録媒体が開示されている。
【０００５】
さらに、ヘリカルスキャンおよびリニア式の記録再生装置に適用される磁気記録媒体では、高速回転する磁気ヘッドと摺接する際の摺動耐久性を確保するため、一般的には、磁性層上にダイヤモンド状炭素（ＤＬＣ；Diamond-Like Carbon）などからなる硬質の保護層が形成されている。これにより磁性層を保護し、より摺動耐久性を向上させることができる。
【０００６】
ところで、このような金属磁性薄膜型の磁気記録媒体を用いた記録再生装置においても、更なる高記録密度化が要求されている。例えば、磁気記録媒体側だけでなく、磁気ヘッド側においても、従来の誘導型ヘッドの代わりに、磁気抵抗（ＭＲ；MagnetoResistive）効果を利用したＭＲヘッド、あるいは巨大磁気抵抗（ＧＭＲ；Giant MagnetoResistive）効果を利用したＧＭＲヘッドなどの磁気抵抗効果型の磁気ヘッドを採用する技術開発が盛んになっている。これらの磁気ヘッドは、その構造上、従来の誘導型ヘッドよりもトラックピッチを狭めることができ、これにより高記録密度化が図れるからである。このように更なる高記録密度化を図るため、これら磁気抵抗効果型の磁気ヘッドに対応した磁気記録媒体が求められている。
【０００７】
【特許文献１】特許第３０４７４７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記のようにＤＬＣなどからなる保護層を設けた磁気記録媒体を磁気抵抗効果型の磁気ヘッドに摺動させた場合、保護層の硬質性から、磁気記録媒体自身の摩耗よりも磁気ヘッドの摩耗のほうが進行してしまうという問題が生じていた。対応策として、硬質性の保護層を軟質化することも考えられるが、そのようにすると、保護層本来の機能である摺動耐久性を低下させることとなり、結局、磁気記録媒体の走行信頼性を確保することが困難となってしまう。
【０００９】
さらにこの場合、他の対応策として、硬質性の保護層を軟質化しつつ、上記のような微小突起の高さや密度、あるいは保護層の厚みを大きくすることで、摺動耐久性を向上させることも考えられるが、磁気ヘッドと磁気記録媒体との間のスペーシング損失が大きくなるために再生出力が低下し、電磁変換特性も低下してしまうという問題が生じていた。
【００１０】
このように、従来の技術では、金属磁性薄膜型の磁気記録媒体を磁気抵抗効果型の磁気ヘッドに適用するに際し、良好な電磁変換特性と高い走行信頼性とを両立させるのが困難であった。
【００１１】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、良好な電磁変換特性と高い走行信頼性とを両立させることができ、磁気抵抗効果型の磁気ヘッドに対して好適に用いることができる磁気記録媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の磁気記録媒体は、長尺状の非磁性支持体と、非磁性支持体の表面に形成されると共に、その膜厚が１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である磁性層と、磁性層上に形成されると共に、その膜厚が５ｎｍ以上１０ｎｍ以下である保護層とを備え、その最表面に、高さ５ｎｍ以上１０ｎｍ未満の複数の微小突起を１０〜３０個／μｍ2の割合で有し、かつ保護層における磁気ヘッドとの非接触部が局所的にプラズマ処理された硬質化領域であり、この硬質化領域におけるラマン分光法による無機成分と有機成分との比が、０．３０以上１．００以下であるものである。この場合において、上記硬質化領域は、保護層における短尺側の一端から、長手方向に直交する幅方向に０．２ｍｍまでの領域であるようにするのが好ましい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の磁気記録媒体によれば、最表面における微小突起の高さおよび割合を適切な範囲内にすると共に磁性層および保護層の膜厚を適切な範囲内にし、かつ保護層における磁気ヘッドとの非接触部を適切な硬度で選択的に硬質化するようにしたので、磁気ヘッドとの非接触部において磁気記録媒体の摩耗を抑制すると共に、磁気ヘッドとの接触部においては特別な処理を施すことなく磁気ヘッドの摩耗を抑制することができる。よって、磁気記録媒体および磁気ヘッド双方の摺動耐久性を向上させると共に磁気ヘッドと磁気記録媒体との間のスペーシング損失を抑制することができ、これにより良好な電磁変換特性と高い走行信頼性とを両立させることができる。したがって、磁気抵抗効果あるいは巨大磁気抵抗効果を利用した磁気ヘッドに対して好適に用いることができ、磁気記録媒体の高記録密度化が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１５】
図１は、本発明の一実施の形態に係る磁気記録媒体である磁気テープ１の断面構成を表すものである。この磁気テープ１は、例えば、ＭＲヘッドあるいはＧＭＲヘッドを用いたリカルスキャン式記録再生装置に対して用いるのに適したものであり、非磁性支持体１１の表面に、磁性層１２および保護層１３がこの順に積層されると共に、裏面にバックコート層１４が形成されている。また、磁気テープ１の最上層および最下層にはそれぞれ、潤滑層１５Ａ，１５Ｂが塗布形成されている。
【００１６】
非磁性支持体１１は、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリイミド、ポリアミド、ポリエーテルイミドなどに代表される高分子材料により構成される。
【００１７】
非磁性支持体１１における磁性層１２側の表面には、複数の微小突起１６ａが形成されている。また、これら複数の微小突起１６ａに対応して、磁気テープ１の最表面には５ｎｍ以上１０ｎｍ未満の高さを有する複数の微小突起１６ｂが設けられている。これらの微小突起１６ｂは、記録再生時に磁気ヘッドが摺動する際の摩擦係数を減少させ、磁気テープ１の摺動耐久性を向上させる役割を果たすものである。微小突起１６ｂが配列される密度は、１０〜３０個／μｍ2の範囲内であることが好ましい。厚過ぎるとスペーシング損失が増加して電磁変換特性が劣化し、薄過ぎると耐磨耗性および耐蝕性が劣化してしまうからである。
【００１８】
磁性層１２を構成する磁性材料としては、例えば、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）あるいはニッケル（Ｎｉ）などの強磁性単体金属、または鉄−コバルト系合金、コバルト−ニッケル系合金、コバルト−ニッケル−鉄系合金、コバルト−クロム（Ｃｒ）系合金、コバルト−白金（Ｐｔ）系合金、コバルト−白金−ホウ素（Ｂ）系合金、コバルト−クロム−白金系合金、コバルト−クロム−タンタル（Ｔａ）系合金、コバルト−クロム−白金−タンタル系合金、コバルト−ニッケル−白金系合金、鉄−コバルト−ニッケル系合金、鉄−コバルト−ホウ素系合金、鉄−ニッケル−ホウ素系合金あるいは鉄−コバルト−ニッケル−クロム系合金などの強磁性合金等が挙げられる。
【００１９】
磁性層１２は、真空下で磁性材料を加熱蒸発させ、非磁性支持体１１上に沈着させる真空蒸着法、磁性材料の蒸発を放電中で行うイオンプレーティング法、あるいはアルゴンを主成分とする雰囲気中でグロー放電を起こし、アルゴンイオンでターゲット表面の原子を叩き出すスパッタ法等のいわゆる物理蒸着（ＰＶＤ；Physical Vapor Deposition）技術により形成される。磁性層１２の厚みは１０ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内であることが好ましい。薄すぎると磁束量が小さくなって信号の出力が低下し、厚すぎると逆にノイズが増加してしまい、共に電磁変換特性（デジタルＳ／Ｎ比）が劣化してしまうからである。
【００２０】
保護層１３は、磁気ヘッドと摺接する際の摺動耐久性、および耐蝕性の向上を図るためのものである。この保護層１３は、例えば、グラファイト、ＤＬＣあるいはダイヤモンドなどを含む炭素材料、あるいは酸化クロム（ＣｒＯ3）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、窒化ホウ素（ＢＮ）、コバルト（Ｃｏ）酸化物、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、四酸化三ケイ素（Ｓｉ3Ｏ4）、窒化ケイ素（ＳｉＮ4）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化チタン（ＴｉＯ2）または炭化チタン（ＴｉＣ）等により構成されるが、膜強度の面からは炭素材料により構成されることが好ましい。また、保護層１３は、これらの単層膜あるいは多層膜のどちらも適用することができる。
【００２１】
保護層１３は、公知の真空薄膜形成手段により形成することができる。例えば、炭素材料をプラズマ中で分解し、磁性層１２上に成膜する化学気相成長（ＣＶＤ；Chemical Vapor Deposition）法は、耐磨耗性、耐蝕性および表面被覆率に優れ、平滑な表面形状と高い電気抵抗率とを有する硬質性のＤＬＣ膜を安定して形成することができる。保護層１３の厚みは、５ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内であることが好ましい。厚すぎるとスペーシング損失が増加して電磁変換特性が劣化し、薄すぎると耐磨耗性および耐蝕性が劣化してしまうからである。
【００２２】
このようなＤＬＣ膜の膜質を評価する方法としては、ラマン分光による方法が知られている。一般に分子や結晶は、それぞれ固有の振動をしている。固有振動数ν１を持つ分子に振動数ν０の光を照射すると、入射光と同じ振動数ν０の光と、入射光と異なる振動数を持つ（ν０＋ν１）および（ν０−ν１）の光とが散乱される。後者がラマン散乱光であり、このラマン散乱光を測定するための装置は、励起光源、試料部、分散系および検出器の４つの部分からなる。励起光源としては、イオンガス（アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）−ネオン（Ｎｅ）、クリプトン（Ｋｒ）など）レーザが用いられる。試料部は、試料照射および散乱光の集光の光学系からなっている。ラマン散乱光は、集光レンズまたは集光ミラーで分光器スリット上に集められる。この散乱光は、単一分光器を直列に接続したダブルモノクロメーターで分散され、検出器で検知される。検出器には光電子倍増菅が使用されるが、近年、光マルチチャンネル検出器が用いられるようになってきている。光マルチチャンネル検出器はスペクトルを同時測定できるので、測定が数秒でできるという利点を有する。このようにして得られるラマンスペクトルは物質に固有であるので、これにより物質の同定ができる。また、ある特定の波長におけるラマン散乱強度は、物質量に比例する。
【００２３】
ここで、炭素材料を構造的に分類すると、ダイヤモンドおよびグラファイトからなる無機成分と、その中間状態にあるアモルファスカーボンからなる有機成分とに分類することができる。ラマン分光はこれらの炭素材料に対して特異的に高感度であり、含有量の変化に敏感に変化する。例えば、ＤＬＣ膜においては、波数が１０００ｃｍ-1〜１８００ｃｍ-1の範囲に特有のピークがみられる。このピークの部分について、蛍光によるバックグラウンド（蛍光強度）を直線近似で除去して補正し、ガウス関数を用いることにより、このピークは、ｓｐ2混成軌道に起因するグラファイトピーク（Ｇピーク）と、ｓｐ3混成軌道に起因するディスオーダーピーク（Ｄピーク）との二つのピークに波形分離される。高波数側のピークであるＧピークの面積強度ＩGと低波数側のピークであるＤピークの面積強度ＩDとの和ＩG+Dから無機成分の含有量を検出することができ、バックグラウンド成分ＩBGDから有機成分の含有量を検出することができる。そして、以下の数１に示した、無機成分と有機成分との比（無機／有機比）Ｒｉを用いて、ＤＬＣ膜の膜質（硬度）を評価することができる。
【００２４】
（数１）
無機／有機比Ｒｉ＝（ＩG+D）／（ＩBGD）
【００２５】
つまり、無機／有機比Ｒｉの値が大きい（無機成分の含有量が多い）場合には、ＤＬＣ膜の硬度が高いことを意味し、逆に無機／有機比Ｒｉの値が小さい（無機成分の含有量が少ない）場合には、ＤＬＣ膜の硬度が低いことを意味する。したがって、後述する保護層１３において局所的に硬質化処理された領域（磁気ヘッド非接触領域１８）の膜質（硬度）を示す指標とすることができる。
【００２６】
バックコート層１４としては、例えば、カーボンとウレタン樹脂からなる塗料が挙げられる。また、潤滑層１５Ａ，１５Ｂとしては、例えば、化１に示す末端にカルボキシル基を有する二官能パーフルオロポリエーテルおよびアミンの化合物と、化２に示す部分フッ化カルボン酸アルキルエステルとの混合物が挙げられる。これらの材料の混合比は、重量比で１０：９０〜９０：１０の範囲内であることが好ましい。この範囲外である場合には、摩擦係数の増大や突起摩耗の増大により、磁気ヘッドとの間の張り付き現象などの不具合が生じてしまうからである。
【００２７】
【化１】
2006107677.tif 000003
【化２】
2006107677.tif 000004
【００２８】
潤滑層１５Ａ，１５Ｂを磁気テープ１の最外層に保持させる方法としては、表面に潤滑剤を塗布する方法が挙げられる。その塗布量は、０.０５ｍｇ／ｍ2〜１００ｍｇ／ｍ2の範囲内であることが好ましく、０.１０ｍｇ／ｍ2〜５０ｍｇ／ｍ2の範囲内であるのがより好ましい。塗布量が少なすぎると、摩擦係数の抑制、ならびに耐磨耗性および耐久性の向上といった効果が表れず、逆に塗布量が多すぎると、磁気ヘッドとの間で張り付き現象が生じ、かえって走行性が悪くなってしまうからである。
【００２９】
次に、このような構成からなる磁気テープ１を適用したヘリカルスキャン式記録再生装置の概略構成について説明する。
【００３０】
図２は、磁気テープ１を適用したヘリカルスキャン式記録再生装置の概略構成の一部（回転ドラム装置２）を表すものである。この回転ドラム装置２は、円筒状の固定ドラム２１と、同じく円筒状の回転ドラム２２と、回転ドラム２２を回転駆動（例えば、図中の回転Ｒ）するモータ（図示せず）とを備える。図示しないモータは、ドラム内に配置されている。磁気テープ１の走行方向に沿って固定ドラム２１の両脇には、リードガイド部２５Ａ，２５Ｂがそれぞれ配置されている。
【００３１】
回転ドラム２２は、固定ドラム２１と同径の円筒状に形成されており、固定ドラム２１と中心軸が一致するように配置されている。回転ドラム２２の外周部分における固定ドラム２１近傍には、誘導型磁気ヘッド２３Ａ，２３ＢおよびＧＭＲヘッド２４Ａ，２４Ｂが配置されている。誘導型磁気ヘッド２３Ａ，２３Ｂは、一対の磁気コアが磁気ギャップを介して接合されると共に、磁気コアにコイルが巻装されてなる記録用磁気ヘッドである。一方、ＧＭＲヘッド２４Ａ，２４Ｂは、磁気テープ１からの信号を検出する感磁素子としてスピンバルブ素子を備えた再生用磁気ヘッドである。
【００３２】
この回転ドラム装置２では、磁気テープ１が、リードガイド部２５Ａ，２５Ｂに沿って走行することで回転ドラム２２に摺動し、その際、回転ドラム２２の外周部分に配置された誘導型磁気ヘッド２３Ａ，２３ＢおよびＧＭＲヘッド２４Ａ，２４Ｂによって、信号が記録または再生されるようになっている。
【００３３】
図３は、図２に示した磁気テープ１の一部Ｘを、平面図で拡大して表したものである。このように、磁気テープ１はテープの長さ方向に沿って、磁気ヘッド接触領域１７と、磁気ヘッド非接触領域１８とを備える。
【００３４】
磁気ヘッド接触領域１７は、文字通り信号の記録再生時に磁気ヘッド（誘導型磁気ヘッド２３Ａ，２３ＢおよびＧＭＲヘッド２４Ａ，２４Ｂ）と接触する領域、すなわち、磁気テープ１のうち、情報が記録される領域である。よって、磁気ヘッド接触領域１７は、磁気テープ１および磁気ヘッド双方の摩耗、ならびに磁気テープ１と磁気ヘッドとの間のスペーシング損失を考慮して、磁気テープ１の最表面における微小突起１６ｂの高さおよび配列される密度、磁性層１２の厚み、ならびに保護層１３の厚み等が適切な範囲に設定される。これらの値により、磁気テープ１および磁気ヘッド双方の摺動耐久性、ならびに磁気テープ１の電磁変換特性が決定されるからである。例えば前述のように、微小突起１６ｂの高さは５ｎｍ以上１０ｎｍ未満の範囲内で、それらが配列される密度は１０〜３０個／μｍ2の範囲内であることが好ましく、磁性層１２の厚みは１０ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内であることが好ましく、保護層１３の厚みは５ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内であることが好ましい。
【００３５】
一方、磁気ヘッド非接触領域１８は、文字通り信号の記録再生時に磁気ヘッド（誘導型磁気ヘッド２３Ａ，２３ＢおよびＧＭＲヘッド２４Ａ，２４Ｂ）とは接触しない領域、すなわち、磁気テープ１のうち、情報が記録されない領域である。この磁気ヘッド非接触領域１８は、磁気テープ１における上端から幅Ｗ＝約０．２ｍｍまでの領域であることが好ましい。また、磁気ヘッド非接触領域１８は、磁気テープ１の走行形態により、信号の記録再生時に回転ドラム２２と特に強く接触する領域でもある。そこで、この磁気テープ１では、磁気ヘッド非接触領域１８が局所的にアルゴン雰囲気でプラズマ処理を施されることで硬質化され、回転ドラム２２と強く接触することによる摩耗が抑制されるようになっている。これにより、回転ドラム２２との張り付きを防止して磁気テープ１の摺動耐久性を向上させることができる。さらに、上記のようにこの磁気ヘッド非接触領域１８は磁気ヘッドと接触しないので、磁気抵抗効果型の磁気ヘッドにおける摩耗を考慮する必要はない。なお、この磁気ヘッド非接触領域１８における保護層１３の硬度は、前述のラマン分光による無機／有機比Ｒｉで０．３０〜１．００の範囲内であることが好ましい。値が小さすぎると（無機成分の含有量が少なすぎると）保護層１３の硬度が低くなることにより磁気テープ１の摺動耐久性が劣化し、逆に値が大きすぎると（無機成分の含有量が多すぎると）プラズマ処理により保護層１３が破壊され、この場合も磁気テープ１の摺動耐久性が劣化してしまうからである。
【００３６】
この磁気テープ１は、例えば、以下のようにして製造することができる。
【００３７】
まず、非磁性支持体１１の上に、例えばいわゆる斜方蒸着法により磁性層１２を形成する。図４は、磁性層１２の成膜に用いられる連続巻取式蒸着装置の一例を表すものである。
【００３８】
真空室３１１内は、排気口３０１，３０２から排気され、真空状態となっている。非磁性支持体１１は、送りロール３１２から矢印ｒ１のように順次送り出され、ガイドロール３１５および冷却キャン３１４周面を通過する。その際、冷却キャン３１４により、温度上昇による熱変形等が抑制される。次いで、非磁性支持体１１の表面に、電子銃３１９から照射される電子線ＥＢにより坩堝３１７から蒸発した磁性材料３１８が被着することで、磁性層１２が形成される。その際、磁性材料３１８は、シャッター３２０により、非磁性支持体１１に対して所定の入射角度範囲で斜方蒸着される。また、酸素ガス導入管３２１から非磁性支持体１１の表面に酸素ガスが供給され、磁性層１２の電磁変換特性、耐久性および耐候性の向上が図られている。また、防着板３０により、磁性層１２における磁性材料３１８の初期成長の角度や成長具合などが最適化されるようになっている。磁性層１２が蒸着された非磁性支持体１１は、さらに矢印ｒ２のように順次送り出され、ガイドロール３１６を通過し、巻き取りロール３１３に巻き取られる。
【００３９】
次いで、磁性層１２上に、例えばＣＶＤ法あるいはＰＶＤ法により、保護層１３を形成する。図５は、保護層１３の成膜に用いられる連続巻取式プラズマＣＶＤ装置の一例を表すものである。
【００４０】
真空室４１１内は、排気口４０１から排気され、真空状態となっている。磁性層１２が形成された非磁性支持体１１、すなわち被処理体１９は、送りロール４１２から矢印ｒ３のように順次送り出され、ガイドロール４１５および対向電極キャン４１４周面を通過する。その際、反応管４１７内に取り付けられた電極４１８に、外部に配置されたＤＣ電源から約０．５〜２．０ｋＶの電圧が印加されることで、電極４１８と対向電極用キャン４１４との間にグロー放電が生じる。そして、反応管４１７内に導入される成膜ガスＧがグロー放電により分解され、被処理体１９上に被着することで、保護層１３が形成される。保護層１３が形成された被処理体１９は、さらに矢印ｒ４のように順次送り出され、ガイドロール４１６を通過し、巻き取りロール４１３に巻き取られる。
【００４１】
なお、プラズマ生成時には、炭素材料の分解を促進するためのガスとして、アルゴン（Ａｒ）あるいは水素（Ｈ2）等が導入されていてもよい。また、保護層１３の硬度および耐蝕性の向上を図るため、炭素が窒素（Ｎ2）あるいはフッ素（Ｆ）と反応した状態であってもよく、保護層１３は単層であっても多層であってもよい。また、プラズマ生成時に、炭素材料の他、窒素、トリフルオルメタン（ＣＨＦ3）、あるいはジフルオルメタン（ＣＨ2Ｆ2）等のガスを単独あるいは適宜混合した状態で成膜することもできる。
【００４２】
次いで、非磁性支持体１１の磁性層１２とは反対側に、バックコート層１４を塗布形成し、さらにこの最上層および最下層に、潤滑層１５Ａ，１５Ｂを塗布形成する。
【００４３】
最後に、このようにして製造した磁気テープ１の磁気ヘッド非接触領域１８に対して、局所的にアルゴン雰囲気下のプラズマ処理を施し、磁気ヘッド非接触領域１８の硬質化を図る。この局所的なプラズマ処理には、保護層１３の成膜装置として用いたプラズマＣＶＤ連続膜形成装置を用いる。その際、反応菅４１７を例えば６．８ｍｍ／０．２ｍｍピッチで分割を行い、０．２ｍｍ幅の部分、つまり磁気ヘッド非接触領域１８にのみ選択的にアルゴンを流入させ、グロー放電により磁気テープ１上にプラズマ処理を行うようにする。このようにして、図１に示した磁気テープ１が完成する。
【００４４】
このように、本実施の形態では、磁気テープ１の最表面における微小突起１６ｂの高さおよび割合を適切な範囲内とすると共に磁性層１２および保護層１３の膜厚を適切な範囲内にし、かつ保護層１３における磁気ヘッド（誘導型磁気ヘッド２３Ａ，２３ＢおよびＧＭＲ（ＭＲ）ヘッド２４Ａ，２４Ｂ）との非接触部（磁気ヘッド非接触領域１８）を適切な硬度で選択的に硬質化するようにしたので、後述の実施例からも明らかなように、磁気ヘッド非接触領域１８において磁気記録媒体の摩耗を抑制すると共に、磁気ヘッドとの接触部（磁気ヘッド接触領域１７）においては特別な処理を施すことなく磁気ヘッドの摩耗を抑制することができる。よって、磁気記録媒体および磁気ヘッド双方の摺動耐久性を向上させると共に磁気ヘッドと磁気記録媒体との間のスペーシング損失を抑制することができ、これにより良好な電磁変換特性と高い走行信頼性とを両立させることができる。したがって、ＭＲヘッドあるいはＧＭＲヘッドに対して好適に用いることができ、磁気記録媒体の高記録密度化が可能となる。
【実施例】
【００４５】
さらに、本発明の具体的な実施例について説明する。
【００４６】
（実施例１−１）
図１に示した構造を有する磁気テープを以下のようにして作製した。まず、非磁性支持体１１として、厚さ４μｍで幅１５０ｍｍの長尺状のポリエチレンナフタレートを用意した。この非磁性支持体１１の一面には微小突起１６ａを形成し、最終的に磁気テープの走行側の最表面にも微小突起１６ｂが形成されるようにした。また、この走行側の最表面における微小突起１６ｂの高さが５ｎｍ以上１０ｎｍ未満の範囲内で、その密度が１５個／μｍ2となるように、微小突起１６ａを形成した。
【００４７】
次に、非磁性支持体１１上に、図４に示した連続巻取式蒸着装置を用いて、斜方蒸着法により酸素ガスを導入しながらＣｏ−Ｏ系磁性層１２を形成した。入射角は、４５°〜９０°の範囲内とした。酸素ガスの導入量は３．３×１０-6ｍ3／ｓとし、蒸着時の真空度は２．０×１０-2Ｐａとした。また、磁性層１２の厚みは１０ｎｍとした。
【００４８】
次に、磁性層１２上に、図５に示した連続巻取式プラズマＣＶＤ装置を用いて、反応ガスとしてトルエンを導入しながら、ＤＬＣ膜よりなる保護層１３を形成した。トルエンのガス圧は３０Ｐａとし、ＤＣ電源４１９の電圧は１．６ｋＶとした。また、保護層１３の厚みは９ｎｍとした。
【００４９】
次に、非磁性支持体１１の磁性層１２と反対側の面には、カーボンとウレタン樹脂からなる塗料を塗布し、０．３μｍの厚さのバックコート層１４を形成した。そして、研磨テープにより磁性層１２および保護層１３を一定条件で研磨した。
【００５０】
次に、保護層１３およびバックコート層１４の表面に、化１に示す末端にカルボキシル基を有する二官能パーフルオロポリエーテルおよびアミンの化合物と、化２に示す部分フッ化カルボン酸アルキルエステルとを含有する潤滑層１５Ａ，１５Ｂを、塗布方式により重量比で５０：５０となるように塗布形成した。塗布量は、２５ｍｇ／ｍ2〜１００ｍｇ／ｍ2の範囲内で行った。
【００５１】
次に、保護層１３の磁気ヘッド非接触領域１８に局所的にアルゴン雰囲気下でプラズマ処理を行い、この領域を選択的に硬質化した。磁気ヘッド非接触領域１８は、短尺側の一端から長手方向に直交する幅方向に０．２ｍｍまでの領域とした。アルゴンガスの導入量およびガス圧はそれぞれ、３００ｃｃ／ｍｉｎ、３０Ｐａとした。また、ＤＣ電源４１９の電圧は１．６ｋＶとし、ラマン分光法による無機／有機比Ｒｉは、０．３０とした。
【００５２】
最後に、これを幅８．０ｍｍで裁断し、磁気テープとした。
【００５３】
（実施例１−２）
磁性層１２の厚みを４５ｎｍとし、走行側の最表面における微小突起１６ｂの密度を２８個／μｍ2とし、保護層１３の厚みを６ｎｍとし、磁気ヘッド非接触領域１８におけるプラズマ処理時のアルゴンガスのガス圧および無機／有機比Ｒｉをそれぞれ、２０Ｐａ、０．４４とした以外は、実施例１−１と同様にして磁気テープを作製した。
【００５４】
（実施例１−３）
保護層１３の厚みを８ｎｍとし、磁気ヘッド非接触領域１８における無機／有機比Ｒｉを０．４５とした以外は、実施例１−１と同様にして磁気テープを作製した。
【００５５】
（実施例１−４）
磁性層１２の厚みを２５ｎｍとし、走行側の最表面における微小突起１６ｂの密度を２８個／μｍ2とし、保護層１３の厚みを５ｎｍとし、磁気ヘッド非接触領域１８におけるプラズマ処理時のアルゴンガスのガス圧、ＤＣ電源４１９の電圧、および無機／有機比Ｒｉをそれぞれ、１０Ｐａ、１．８ｋＶ、０．６０とした以外は、実施例１−１と同様にして磁気テープを作製した。
【００５６】
（実施例１−５）
磁性層１２の厚みを２５ｎｍとし、保護層１３の厚みを８ｎｍとし、磁気ヘッド非接触領域１８におけるプラズマ処理時のアルゴンガスのガス圧、ＤＣ電源４１９の電圧、および無機／有機比Ｒｉをそれぞれ、１０Ｐａ、２．０ｋＶ、０．７８とした以外は、実施例１−１と同様にして磁気テープを作製した。
【００５７】
（実施例１−６）
磁性層１２の厚みを１５ｎｍとし、走行側の最表面における微小突起１６ｂの密度を３０個／μｍ2とし、保護層１３の厚みを１０ｎｍとし、磁気ヘッド非接触領域１８におけるプラズマ処理時のアルゴンガスのガス圧、ＤＣ電源４１９の電圧、および無機／有機比Ｒｉをそれぞれ、２０Ｐａ、２．０ｋＶ、０．９０とした以外は、実施例１−１と同様にして磁気テープを作製した。
【００５８】
（実施例１−７）
磁性層１２の厚みを２５ｎｍとし、走行側の最表面における微小突起１６ｂの密度を１８個／μｍ2とし、保護層１３の厚みを８ｎｍとし、磁気ヘッド非接触領域１８におけるプラズマ処理時のアルゴンガスのガス圧、ＤＣ電源４１９の電圧、および無機／有機比Ｒｉをそれぞれ、１０Ｐａ、２．０ｋＶ、０．９５とした以外は、実施例１−１と同様にして磁気テープを作製した。
【００５９】
（実施例１−８）
磁性層１２の厚みを４０ｎｍとし、走行側の最表面における微小突起１６ｂの密度を１０個／μｍ2とし、保護層１３の厚みを５ｎｍとし、磁気ヘッド非接触領域１８におけるプラズマ処理時のアルゴンガスのガス圧、ＤＣ電源４１９の電圧、および無機／有機比Ｒｉをそれぞれ、１０Ｐａ、２．２ｋＶ、１．００とした以外は、実施例１−１と同様にして磁気テープを作製した。
【００６０】
（比較例１−１）
実施例１―１〜１−８に対する比較例として、磁性層１２の厚みを２５ｎｍとし、保護層１３の厚みを８ｎｍとし、磁気ヘッド非接触領域１８に局所的なプラズマ処理を行わず、無機／有機比Ｒｉを０．０１とした以外は、実施例１−１と同様にして磁気テープを作製した。
【００６１】
（比較例１−２）
実施例１―１〜１−８に対する比較例として、磁性層１２の厚みを２５ｎｍとし、走行側の最表面における微小突起１６ｂの密度を３５個／μｍ2とし、保護層１３の厚みを８ｎｍとし、磁気ヘッド非接触領域１８におけるプラズマ処理時のアルゴンガスのガス圧、ＤＣ電源４１９の電圧、および無機／有機比Ｒｉをそれぞれ、４０Ｐａ、１．０ｋＶ、０．１０とした以外は、実施例１−１と同様にして磁気テープを作製した。
【００６２】
（比較例１−３）
実施例１―１〜１−８に対する比較例として、磁性層１２の厚みを２５ｎｍとし、走行側の最表面における微小突起１６ｂの密度を３０個／μｍ2とし、保護層１３の厚みを１２ｎｍとし、磁気ヘッド非接触領域１８におけるプラズマ処理時のアルゴンガスのガス圧、ＤＣ電源４１９の電圧、および無機／有機比Ｒｉをそれぞれ、３０Ｐａ、１．２ｋＶ、０．２０とした以外は、実施例１−１と同様にして磁気テープを作製した。
【００６３】
（比較例１−４）
実施例１―１〜１−８に対する比較例として、磁性層１２の厚みを１５ｎｍとし、走行側の最表面における微小突起１６ｂの密度を１２個／μｍ2とし、保護層１３の厚みを７ｎｍとし、磁気ヘッド非接触領域１８におけるプラズマ処理時のアルゴンガスのガス圧、ＤＣ電源４１９の電圧、および無機／有機比Ｒｉをそれぞれ、５Ｐａ、２．２ｋＶ、１．２０とした以外は、実施例１−１と同様にして磁気テープを作製した。
【００６４】
（評価）
これら実施例１−１〜１−８および比較例１−１〜１−４の磁気テープについて、電磁変換特性および走行耐久性を調べた。電磁変換特性としては、８ｍｍＶＴＲを改造したものを用いて、各磁気テープに記録波長０．１２μｍにて情報信号を記録した後、ＧＭＲヘッドにより再生出力とテープノイズとを測定し、デジタルＳ／Ｎ比（以下、単にＳ／Ｎ比という）を算出した。なお、Ｓ／Ｎ比の値は高いほど磁気テープ特性として望ましく、得られた値の評価としては、１８．０ｄＢ以上で実用上充分に良好なレベル（◎）、１６．０〜１８．０ｄＢの範囲内で製品化が可能なレベル（○）、１６．０ｄＢ未満で製品化が不可能なレベル（×）とした。また、走行耐久性としては、８ｍｍデータストレージ用ＡＩＴ（Advanced Intelligent Tape）を用い、標準環境下にてロード／アンロード時の走行耐久性試験を行った。なお、このロード／アンロード時の走行耐久性試験では、磁気テープと回転ドラムと２２とが張り付きをおこし、エラーにより停止したときの回数により評価した。１００００回以上でも張り付きを起こさずに走行すれば実用上充分に良好なレベル（○）とし、１００００回未満であれば製品化が不可能なレベル（×）とした。表１に、実施例１−１〜１−８および比較例１−１〜１−４の磁気テープについて、磁性層１２の厚み、走行側の最表面における微小突起１６ｂの密度、保護層１３の厚み、磁気ヘッド非接触領域１８におけるプラズマ処理時のアルゴンガスのガス圧、ＤＣ電源４１９の電圧、および無機／有機比Ｒｉ、電磁変換特性（Ｓ／Ｎ比）、ならびにロード／アンロード時の走行耐久性をまとめた。
【００６５】
【表１】
2006107677.tif 000005
【００６６】
表１に示したように、磁気ヘッド非接触領域１８における無機／有機比Ｒｉが０．３０〜１．００の範囲内である実施例１−１〜１−８では、局所的なプラズマ処理を行わず無機／有機比Ｒｉが０．０１である比較例１−１、および局所的なプラズマ処理を行っても無機／有機比Ｒｉがこの範囲外である比較例１−２〜１−４と比較して走行耐久性が向上し、実用上充分に良好なレベル（○）にある。また、磁性層１２の厚みが１０ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内、走行側の最表面における微小突起１６ｂの密度が１０〜３０個／μｍ2の範囲内、および保護層１３の厚みが５ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内でもある実施例１−１〜１−８では、これらの項目の値の一部が上述した範囲外となっている比較例１−２，１−３と比較して電磁変換特性が向上し、実用上充分に良好なレベル（◎）あるいは製品化が可能なレベル（○）にある。さらに、この範囲内においても、無機／有機比Ｒｉの値が増加するに従って、走行耐久性も向上する傾向にある。したがって、磁気ヘッド非接触領域１８における無機／有機比Ｒｉを０．３０〜１．００の範囲内にすると共に、磁性層１２の厚み、微小突起１６ｂの密度、および保護層１３の厚みを上述した範囲内とすることにより、この領域における保護層１３の硬度が適切に設定されると共に磁気ヘッドと磁気テープとの間のスペーシング損失が抑制され、磁気テープの走行耐久性が向上すると共に良好な電磁変換特性を示すことが分かる。なお、比較例１−２，１−３で電磁変換特性が劣化（×）しているのは、それぞれ、走行側の最表面における微小突起１６ｂの密度および保護層１３の厚みが上述した範囲よりも大きい値となっており、磁気ヘッドとの間のスペーシング損失が増加したためである。また、実施例１−７，１−８において、実施例１−６と比較して走行耐久性が劣化しているのは、実施例１−６よりも走行側の最表面における微小突起１６ｂの密度および保護層１３の厚みの値が減少し、摺動耐久性が劣化したことが一因だと考えられる。
【００６７】
（実施例２−１）
保護層１３の厚みを８ｎｍとし、磁気ヘッド非接触領域１８におけるプラズマ処理時のアルゴンガスのガス圧、ＤＣ電源４１９の電圧、および無機／有機比Ｒｉをそれぞれ、１０Ｐａ、１．８ｋＶ、０．６０とした以外は、実施例１−１と同様にして磁気テープ１を作製した。
【００６８】
（実施例２−２）
磁性層１２の厚みを３５ｎｍとした以外は、実施例２−１と同様にして磁気テープを作製した。
【００６９】
（実施例２−３）
磁性層１２の厚みを５０ｎｍとした以外は、実施例２−１と同様にして磁気テープを作製した。
【００７０】
（比較例２−１）
実施例２―１〜２−３に対する比較例として、磁性層１２の厚みを８ｎｍとした以外は、実施例２−１と同様にして磁気テープを作製した。
【００７１】
（比較例２−２）
実施例２―１〜２−３に対する比較例として、磁性層１２の厚みを５２ｎｍとした以外は、実施例２−１と同様にして磁気テープを作製した。
【００７２】
（評価）
これら実施例２−１〜２−３および比較例２−１，２−２の磁気テープについて、実施例１−１〜１−８および比較例１−１〜１−４の磁気テープの場合と同様にして、電磁変換特性および走行耐久性を調べた。表２に、実施例２−１〜２−３および比較例２−１，２−２の磁気テープについて、磁性層１２の厚み、走行側の最表面における微小突起１６ｂの密度、保護層１３の厚み、磁気ヘッド非接触領域１８におけるプラズマ処理時のアルゴンガスのガス圧、ＤＣ電源４１９の電圧、および無機／有機比Ｒｉ、電磁変換特性（Ｓ／Ｎ比）、ならびにロード／アンロード時の走行耐久性をまとめた。
【００７３】
【表２】
2006107677.tif 000006
【００７４】
表２に示したように、磁性層１２の厚みが１０〜５０ｎｍの範囲内である実施例２−１〜２−３では、磁性層１２の厚みがこの範囲外である比較例２−１，２−２と比較して電磁変換特性が向上し、実用上充分に良好なレベル（◎）あるいは製品化が可能なレベル（○）にある。また、実施例２−１〜２−３および比較例２−１，２−２とも、走行側の最表面における微小突起１６ｂの密度が１０〜３０個／μｍ2の範囲内、保護層１３の厚みが５ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内、および磁気ヘッド非接触領域１８における無機／有機比Ｒｉが０．３０〜１．００の範囲内でもあるので、全ての例について、走行耐久性は実用上充分に良好なレベル（○）にある。さらに、磁性層１２の厚みがこの範囲内であっても、値がこの範囲の中心付近（３５ｎｍ）である実施例２−２のほうが、値がこの範囲の両端（１０ｎｍ，５０ｎｍ）である実施例２−１，２−３と比較して、電磁変換特性が向上する傾向にある。これは、値が小さくなると磁束量も小さくなって信号の出力が低下し、逆に値が大きくなるとノイズが増加するためである。したがって、磁性層１２の厚みを１０〜５０ｎｍの範囲内にすると共に、微小突起１６ｂの密度、保護層１３の厚み、および磁気ヘッド非接触領域１８における無機／有機比Ｒｉを上述した範囲内とすることにより、信号が高出力化されると共にノイズが低減され、かつ磁気ヘッド非接触領域１８における保護層１３の硬度が適切に設定され、磁気テープの電磁変換特性が向上すると共に高い走行耐久性を示すことが分かる。
【００７５】
（実施例３−１）
磁性層１２の厚みを２５ｎｍとし、走行側の最表面における微小突起１６ｂの密度を１０個／μｍ2とし、保護層１３の厚みを８ｎｍとし、磁気ヘッド非接触領域１８におけるプラズマ処理時のアルゴンガスのガス圧、ＤＣ電源４１９の電圧、および無機／有機比Ｒｉをそれぞれ、１０Ｐａ、１．８ｋＶ、０．６０とした以外は、実施例１−１と同様にして磁気テープを作製した。
【００７６】
（実施例３−２）
走行側の最表面における微小突起１６ｂの密度を１５個／μｍ2とした以外は、実施例３−１と同様にして磁気テープを作製した。
【００７７】
（実施例３−３）
走行側の最表面における微小突起１６ｂの密度を３０個／μｍ2とした以外は、実施例３−１と同様にして磁気テープを作製した。
【００７８】
（比較例３−１）
実施例３―１〜３−３に対する比較例として、走行側の最表面における微小突起１６ｂの密度を５個／μｍ2とし、保護層１３の厚みを６ｎｍとし、磁気ヘッド非接触領域１８におけるプラズマ処理時のアルゴンガスのガス圧、ＤＣ電源４１９の電圧、および無機／有機比Ｒｉをそれぞれ、３０Ｐａ、１．０ｋＶ、０．１５とした以外は、実施例３−１と同様にして磁気テープを作製した。
【００７９】
（比較例３−２）
実施例３―１〜３−３に対する比較例として、走行側の最表面における微小突起１６ｂの密度を３５個／μｍ2とし、磁気ヘッド非接触領域１８におけるプラズマ処理時のアルゴンガスのガス圧、ＤＣ電源４１９の電圧、および無機／有機比Ｒｉをそれぞれ、４０Ｐａ、１．０ｋＶ、０．１０とした以外は、実施例３−１と同様にして磁気テープを作製した。
【００８０】
（評価）
これら実施例３−１〜３−３および比較例３−１，３−２の磁気テープについて、実施例１−１〜１−８および比較例１−１〜１−４の磁気テープの場合と同様にして、電磁変換特性および走行耐久性を調べた。表３に、実施例３−１〜３−３および比較例３−１，３−２の磁気テープについて、磁性層１２の厚み、走行側の最表面における微小突起１６ｂの密度、保護層１３の厚み、磁気ヘッド非接触領域１８におけるプラズマ処理時のアルゴンガスのガス圧、ＤＣ電源４１９の電圧、および無機／有機比Ｒｉ、電磁変換特性（Ｓ／Ｎ比）、ならびにロード／アンロード時の走行耐久性をまとめた。
【００８１】
【表３】
2006107677.tif 000007
【００８２】
表３に示したように、走行側の最表面における微小突起１６ｂの密度が１０個／μｍ2以上である実施例３−１〜３−３では、微小突起１６ｂの密度が１０個／μｍ2未満である比較例３−１と比較して走行耐久性が向上し、実用上充分に良好なレベル（○）にある。また、実施例３−１〜３−３では微小突起１６ｂの密度が３０個／μｍ2以下でもあるので、微小突起１６ｂの密度が３０個／μｍ2よりも多い比較例３−２と比較して電磁変換特性が向上し、実用上充分に良好なレベル（◎）にある。また、磁性層１２の厚みが１０ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内、保護層１３の厚みが５ｎｍ〜１０ｎｍの範囲内、および磁気ヘッド非接触領域１８における無機／有機比Ｒｉが０．３０〜１．００の範囲内でもある実施例３−１〜３−３では、これらの項目の一部（磁気ヘッド非接触領域１８における無機／有機比Ｒｉ）の値が上述した範囲外となっている比較例３−１，３−２と比較して走行耐久性が向上し、実用上充分に良好なレベル（○）にある。さらに、この範囲内においても、微小突起１６ｂの密度が増加するに従って、電磁変換特性が劣化し、走行耐久性が向上する傾向にある。したがって、走行側の最表面における微小突起１６ｂの密度を１０〜３０個／μｍ2の範囲内とすると共に、磁性層１２の厚み、保護層１３の厚み、および磁気ヘッド非接触領域１８における無機／有機比Ｒｉを上述した範囲内とすることにより、磁気テープの摺動耐久性および磁気ヘッドとの間のスペーシング損失が適切に設定されると共に、磁気ヘッド非接触領域１８における保護層１３の硬度が適切に設定され、磁気テープの電磁変換特性および走行耐久性が向上することが分かる。なお、比較例３−２において走行耐久性が劣化している（８００４回）のは、実施例３−１〜３−３と比較して磁気ヘッド非接触領域１８における無機／有機比Ｒｉが減少（０．１０）したことにより、磁気ヘッド非接触領域１８における保護層１３の硬度が低くなり、摺動耐久性が劣化したためであると考えられる。
【００８３】
（実施例４−１）
磁性層１２の厚みを２５ｎｍとし、保護層１３の厚みを５ｎｍとし、磁気ヘッド非接触領域１８におけるプラズマ処理時のアルゴンガスのガス圧、ＤＣ電源４１９の電圧、および無機／有機比Ｒｉをそれぞれ、１０Ｐａ、１．８ｋＶ、０．６０とした以外は、実施例１−１と同様にして磁気テープを作製した。
【００８４】
（実施例４−２）
保護層１３の厚みを６ｎｍとした以外は、実施例４−１と同様にして磁気テープを作製した。
【００８５】
（実施例４−３）
保護層１３の厚みを９ｎｍとした以外は、実施例４−１と同様にして磁気テープを作製した。
【００８６】
（実施例４−４）
保護層１３の厚みを１０ｎｍとした以外は、実施例４−１と同様にして磁気テープを作製した。
【００８７】
（比較例４−１）
実施例４―１〜４−４に対する比較例として、保護層１３の厚みを１５ｎｍとし、磁気ヘッド非接触領域１８におけるプラズマ処理時のアルゴンガスのガス圧、ＤＣ電源４１９の電圧、および無機／有機比Ｒｉをそれぞれ、３０Ｐａ、１．６ｋＶ、０．３０とした以外は、実施例４−１と同様にして磁気テープを作製した。
【００８８】
（評価）
これら実施例４−１〜４−４および比較例４−１の磁気テープについて、実施例１−１〜１−８および比較例１−１〜１−４の磁気テープの場合と同様にして、電磁変換特性および走行耐久性を調べた。表４に、実施例４−１〜４−４および比較例４−１の磁気テープについて、磁性層１２の厚み、走行側の最表面における微小突起１６ｂの密度、保護層１３の厚み、磁気ヘッド非接触領域１８におけるプラズマ処理時のアルゴンガスのガス圧、ＤＣ電源４１９の電圧、および無機／有機比Ｒｉ、電磁変換特性（Ｓ／Ｎ比）、ならびにロード／アンロード時の走行耐久性をまとめた。
【００８９】
【表４】
2006107677.tif 000008
【００９０】
表４に示したように、保護層１３の厚みが１０ｎｍ以下である実施例４−１〜４−４では、保護層１３の厚みが１０ｎｍよりも大きい比較例４−１と比較して電磁変換特性が向上し、実用上充分に良好なレベル（◎）にある。また、実施例４−１〜４−４では保護層１３の厚みが５ｎｍ以上であるもあるので、保護層１３の厚みが５ｎｍ未満である場合と比較して走行耐久性が向上する（実用上充分に良好なレベル（○）にある）。また、実施例４−１〜４−４および比較例４−１とも、磁性層１２の厚みが１０ｎｍ〜５０ｎｍの範囲内、走行側の最表面における微小突起１６ｂの密度が１０〜３０個／μｍ2の範囲内、および磁気ヘッド非接触領域１８における無機／有機比Ｒｉが０．３０〜１．００の範囲内でもあるので、全ての例について、走行耐久性は実用上充分に良好なレベル（○）にある。さらに、この範囲内においても、保護層１３の厚みが増加するに従って、電磁変換特性が劣化し、走行耐久性が向上する傾向にある。したがって、保護層１３の厚みを５〜１０ｎｍの範囲内とすると共に、磁性層１２の厚み、微小突起１６ｂの密度、および磁気ヘッド非接触領域１８における無機／有機比Ｒｉを上述した範囲内とすることにより、磁気テープの摺動耐久性および磁気ヘッドとの間のスペーシング損失が適切に設定されると共に、磁気ヘッド非接触領域１８における保護層１３の硬度が適切に設定され、磁気テープの電磁変換特性および走行耐久性が向上することが分かる。なお、比較例４−１において、実施例４−４と比較して保護層１３の厚みが増加しているにもかかわらず走行耐久性が劣化している（１１３５０回）のは、実施例４−１〜４−４と比較して磁気ヘッド非接触領域１８における無機／有機比Ｒｉが減少（０．３０）したことにより、磁気ヘッド非接触領域１８における保護層１３の硬度が低くなり、摺動耐久性が劣化したことが一因だと考えられる。
【００９１】
以上、実施の形態および実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明はこれら実施の形態等に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。
【００９２】
例えば、上記実施の形態等では、磁気テープ１の積層構造について一例を挙げて説明したが、全ての層を備えていなくてもよく、他の層をさらに備えていてもよい。例えば、非磁性支持体１１と磁性層１２との間に、例えばいわゆる下地層などの他の層を有していてもよい。
【００９３】
また、上記実施の形態等で説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、また他の成膜方法および成膜条件としてもよい。
【００９４】
さらに、上記実施の形態等では、磁気記録媒体の一例として磁気テープ１を挙げて説明したが、磁気ディスクなどの他の磁気記録媒体についても、本発明を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】本発明の一実施の形態に係る磁気記録媒体の構成を表す断面図である。
【図２】図１に示した磁気記録媒体を適用したヘリカルスキャン式記録再生装置の概略構成の一部を表す斜視図である。
【図３】図２に示した磁気記録媒体の一部を拡大して表した平面図である。
【図４】図１に示した磁気記録媒体を製造する際に用いる蒸着装置の構成を表す断面図である。
【図５】図１に示した磁気記録媒体を製造する際に用いるＣＶＤ装置の構成を表す断面図である。
【符号の説明】
【００９６】
１…磁気テープ（磁気記録媒体）、１１…非磁性支持体、１２…磁性層、１３…保護層、１４…バックコート層、１５…潤滑層、１６ａ，１６ｂ…微小突起、１７…磁気ヘッド接触領域、１８…磁気ヘッド非接触領域、１９…被処理体、２…回転ドラム装置、２１…固定ドラム、２２…回転ドラム、２３…誘導型ヘッド、２４…ＧＭＲ（ＭＲ）ヘッド、２５…リードガイド部、３…蒸着装置、３０…防着板、３０１，３０２…排気口、３１１…真空室、３１２…送りロール、３１３…巻き取りロール、３１４…冷却キャン、３１５，３１６…ガイドロール、３１７…坩堝、３１８…磁性材料、３１９…電子銃、３２０…シャッター、３２１…酸素ガス導入管、４…ＣＶＤ装置、４０１…排気口、４１１…真空室、４１２…送りロール、４１３…巻き取りロール、４１４…対向電極用キャン、４１５，４１６…ガイドロール、４１７…反応管、４１８…電極、４１９…ＤＣ電源、Ｗ…磁気ヘッド非接触領域の幅、Ｂ…電子線、Ｇ…成膜ガス。
【図１】
2006107677.tif 000009
【図２】
2006107677.tif 000010
【図３】
2006107677.tif 000011
【図４】
2006107677.tif 000012
【図５】
2006107677.tif 000013