(57)【要約】【課題】  実用に伴う接着剤の変形を抑え、発振周波数の安定性の高い温度補償型水晶発振モジュールの提供を図る。【解決手段】  接着剤を配した水晶振動子３２と、サーミスタ３３とを、セラミック基板３１上に搭載し、セラミック基板３１に樹脂基板３６を接合する。そして、樹脂基板３６の底面に実装用電極３４を設ける。さらに、樹脂基板３６を複数の層で形成し、少なくとも一つの層間に接続用電極４０ｂを設け、セラミック基板３１の上面の回路電極と樹脂基板３６の実装用電極３４とを、熱的に離間するように接続用電極４０ａ・接続用電極４０ｂ・接続用電極４０ｃを介して接続する。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
接着剤を配した水晶振動子と、サーミスタと、をセラミック基板上に搭載した温度補償型水晶発振モジュールにおいて、
前記セラミック基板に樹脂基板を接合し、
前記樹脂基板の、前記セラミック基板とは接しない面に実装用電極を設けた温度補償型水晶発振モジュール。
【請求項２】
前記樹脂基板は複数の層からなり、少なくとも一つの層間に内層電極を備え、
前記セラミック基板に設けた配線パターンと、前記樹脂基板の前記実装用電極とを、熱的に離間するように前記内層電極を介して接続したことを特徴とする請求項１に記載の温度補償型水晶発振モジュール。
【請求項３】
前記樹脂基板の前記セラミック基板と接合する面に配された接続用電極と、前記接続用電極と前記実装用電極とからそれぞれ引き出された引出電極と、前記樹脂基板の内部に配されたスルーホールと、を備え、
前記接続用電極から引き出した引出電極と前記実装用電極から引き出した引出電極とを、前記スルーホールを介して導通することを特徴とする請求項１又は２に記載の温度補償型水晶発振モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、サーミスタを用いて水晶振動子の温度補償を行う水晶発振モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、水晶振動子と負特性のサーミスタを含むサーミスタ回路とを一枚の基板上に配置して発振周波数の温度補償を行う温度補償型の水晶発振モジュールが用いられている。この温度補償型水晶発振モジュールの場合、基板やケースとして熱伝導率の高いアルミナ系セラミックなどが用いられる。また、一般に水晶振動子はセラミックケースに設けられ、導電性の接着剤でセラミックケース内部に固定される。また、水晶振動子のパッケージの固定のために接着剤を用いる場合もある（特許文献１参照。）。このようにしてサーミスタ回路の温度変化に対する応答性を高めた水晶発振モジュールが提供されている。
【０００３】
ここで一般的なサーミスタ回路による温度補償型水晶発振モジュール（以下、ＴＣＸＯ。）の構成例を図１に示す。セラミック基板１上にセラミックケースに入った水晶振動子２やサーミスタ３やトランジスタ６などが配され、セラミック基板１の部品搭載面の逆面にはこの温度補償型水晶発振モジュール５自体の実装用の実装用電極４が設けられている。このような温度補償型水晶発振モジュール５は携帯電話端末の基準信号源などとして従来は用いられている。
【特許文献１】特開２００１−１７７３４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、携帯電話の端末などよりも高性能な温度補償の性能を必要とする場合、例えば携帯電話の基地局などの基準信号源などの場合には、温度変化に対する応答性だけではなく経時変化・経年変化が小さく安定性の高い基準信号源が求められる。そのため、ＴＣＸＯではなく恒温槽型の水晶発振モジュール（以下、ＯＣＸＯ。）が基準信号源として用いられる。このＯＣＸＯは、恒温槽により水晶発振回路が常に一定温度に保たれるため、温度変化だけではなく経時変化・経年変化についても比較的安定した信号源である。
【０００５】
しかし、このＯＣＸＯはＴＣＸＯに比べ高価なものである。そのため高価なＯＣＸＯに代えて安価なＴＣＸＯを基地局などの基準信号源として用いようとした場合、サーミスタ回路の調整によって、より高性能な温度補償を行うことは可能であるが、サーミスタ回路の高度化のみでは、発振周波数の経時変化・経年変化が抑えられず、基地局の基準信号源としての要求性能を満足することができなかった。
【０００６】
このＴＣＸＯの発振周波数が経時変化・経年変化する問題は、ＴＣＸＯを実装基板上に実装するリフロー工程において、リフロー熱がＴＣＸＯ内の接着剤にまで伝達されることによる。すなわち、セラミックの熱伝導性の高さにより、リフロー熱が接着剤にまで伝達され接着剤の熱変形が生じることによる。このようにして接着剤が変形すると、その後の実用に従って、変形がしだいに開放され、接着剤が元の形状に復元していく。このことにより、その復元時の変形に伴って発振周波数が変化してしまうことが原因であった。
【０００７】
そこで本発明の目的は、この問題点を解決し、発振周波数の安定性の高い温度補償型水晶発振モジュールを提供することにある。すなわち、実用に伴う接着剤の変形を抑えた温度補償型水晶発振モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題を解決するため本発明は、接着剤を配した水晶振動子と、サーミスタと、をセラミック基板上に搭載し、セラミック基板に樹脂基板を接合し、前記樹脂基板のセラミック基板とは接しない面に実装用電極を設けた構成を望ましい態様としている。この水晶振動子としては、セラミックケースの中で水晶片を導電性接着剤で固定しているものでもよく、また水晶片を直接セラミック基板上に導電性接着剤で固定しているものでも良い。
【０００９】
このような態様とすることにより、サーミスタ回路と水晶振動子とを熱伝達性の高いセラミック基板に設けた場合であっても、樹脂基板に実装用電極を設けることにより、リフロー熱が熱伝導の大きいセラミック基板から接着剤に直接伝達するのを防ぐことができる。
【００１０】
そして、熱伝導の小さい樹脂基板を介してリフロー熱を伝達させるため、このモジュールのリフローはんだ付けにおいて、接着剤のリフロー熱による熱変形を小さくすることができる。そのため、変形も小さく、当然、その後の実用において形状と発振周波数に経時変化・経年変化がほとんど生じない、安定性の高い温度補償型水晶発振モジュールを提供できる。
【００１１】
また、前記課題を解決するため本発明は、樹脂基板を複数の層として、少なくとも一つの層間に内層電極を設けて、セラミック基板に設けた回路電極と、樹脂基板の実装用電極とを、熱的に離間するように内層電極を介して接続する構成を望ましい態様としている。
【００１２】
このような態様としているために、セラミック基板上のサーミスタ回路や水晶振動子と実装用電極との接続を接続用電極により熱的に離間させ、実装用電極からモジュール上の水晶振動子やサーミスタ、接着剤への接続配線を介したリフロー熱の伝達を抑制できる。なお、このような構造としては接続用電極と実装用電極とを階段状に配した構成が本発明の実施に好適であり、そのほかにも接続用電極を蛇行形状にしておいたり、広面積で形成しておく構成も好適である。
【００１３】
また、前記課題を解決するため本発明は、前記樹脂基板の前記セラミック基板と接合する面に配された接続用電極と、前記接続用電極と前記実装用電極とからそれぞれ引き出された引出電極と、前記樹脂基板の内部に配されたスルーホールと、を備え、前記接続用電極から引き出した引出電極と前記実装用電極から引き出した引出電極とを、前記スルーホールを介して導通する構成を望ましい態様としている。なお、この場合のスルーホールは貫通孔内への導体の充填の有無は問わない。
【００１４】
このような態様としているため、スルーホール上へのはんだの不要な接着を抑制できる。通常、スルーホールにはんだが付着すると、はんだの付着がストレスとなり、スルーホールの導通の信頼性が低下する。しかし、上記の態様とすることでスルーホールの部分の信頼性の低下を防ぐことができる。また、このように引出電極を介して電極間を接続すると、接続配線を介したリフロー熱の熱伝達をさらに抑制できる。なお、引出電極を絶縁膜などで保護すると、さらにはんだの不要な接着を抑制できる。
【発明の効果】
【００１５】
以上詳記したとおり、本発明は、接着剤の変形の防止に係るものであり、本発明により奏せられる効果は次のとおりである。
【００１６】
１）本発明によれば、セラミック基板を介して接着剤にまでリフロー熱が伝達されることを抑制でき、実用において経時変化・経年変化がほとんど生じない、安定性の高い温度補償型水晶発振モジュールを提供できる。
【００１７】
２）本発明によれば、実装用電極からの接続配線を介して接着剤にリフロー熱が伝達されるのを抑制でき、実用において経時変化・経年変化がほとんど生じない、安定性の高い温度補償型水晶発振モジュールを提供できる。
【００１８】
３）本発明によれば、電極からの引出電極を介してスルーホールを電極と接続するため、スルーホールによる接続の信頼性を高めることができ、さらにこのスルーホールと引出電極を介して電極間が接続されるため、このスルーホールと引出電極を介して接着剤にリフロー熱が伝達されるのを抑制でき、実用において経時変化・経年変化がほとんど生じない、安定性の高い温度補償型水晶発振モジュールを提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
次に本発明の第１の実施形態について詳述する。図２（ａ）に示すように、本実施形態では、温度補償型水晶発振モジュール１５は略六面体形状のセラミック基板１１と同様な形状の樹脂基板１６とを接合している。
【００２０】
そして、セラミック基板１１上へのサーミスタ１３やセラミックケース入りの水晶振動子１２の固定、水晶振動子１２内部の水晶片の固定に接着剤を用いている。また、セラミック基板１１上には、トランジスタ１７も設けており、サーミスタ１３や水晶振動子１２、トランジスタ１７などを接続する配線パターンを設けている。またこのサーミスタ１３・水晶振動子１２などにより温度補償型の発振器を構成している。
【００２１】
そして、図２（ｂ）に示すように樹脂基板１６の底面の四隅に実装用電極１４を設け、また上面の四隅にも、実装用電極１４と対面するように接続用電極２０ａを形成している。そして、接続用電極２０ａから引出電極５１ａを引き出し、実装用電極１４から引出電極５１ｂを引き出し、引出電極５１ａと引出電極５１ｂとの間にスルーホール５２を設けている。そして、このスルーホール５２・引出電極５１ａ・引出電極５１ｂなどの接続配線により、樹脂基板１６の上面の接続用電極２０ａと下面の実装用電極１４とを導通させている。
【００２２】
また、セラミック基板１１の底面の四隅には接続用電極２０ｂを設け、セラミック基板１１上のサーミスタ１３や水晶振動子１２、トランジスタ１７などの配線パターンと接続用電極２０ｂを導通する前述の樹脂基板１６での接続配線と略同様な構成のスルーホールや引出電極などの接続配線（図示せず。）をセラミック基板１１の上面から底面まで設けている。
そして、接続用電極２０ａと接合用電極２０ｂとをろう付けやはんだ付け、導電性接着剤などで接合することで、温度補償型水晶発振モジュール１５を構成している。
【００２３】
このようにセラミック基板１１と樹脂基板１６とを接合し、樹脂基板１６の底面に実装用電極１４を設けて構成するために、この温度補償型水晶発振モジュール１５を、実装基板に載置してリフローはんだ付けする場合でも、熱伝導が大きいセラミック基板１１には実装用電極１４からの熱が直接伝達されず、熱伝導の小さい樹脂基板１６を介して伝達されるために、サーミスタ１３や水晶振動子１２などの接着、水晶振動子１２内部での水晶片の固定に用いた接着剤の熱変形を抑制できる。
【００２４】
このことにより、従来は接着剤の熱変形が次第に開放され起こっていた、温度補償型水晶発振モジュールの発振周波数の変化も抑制でき、安定性の高い温度補償型水晶発振モジュール１５を提供できる。
【００２５】
また、電極からの引出電極を介してスルーホールを電極と接続するため、スルーホール部分にはんだが接着することが無くなり、接続の信頼性をより高めることができる。さらに、このスルーホールと引出電極を介して電極間が接続されるため、この接続配線を介してリフロー熱が伝達されることをより抑制できる。
【００２６】
なお、接続用電極２０ａと実装用電極１４との間の樹脂基板１６内を通る接続配線は特に本実施形態で示した構成に限定されない。引出電極とスルーホールを介して熱が伝わりにくくするように形状を工夫するとより好適である。
【００２７】
また、樹脂基板１６自体の形状も、本実施形態で示した略六面体でセラミック基板１１全面に接するような形態に限定されず、各接続用電極２０ａ・２０ｂが直接実装用電極１４と接しないような形状であればよく、特に形状を問わない。
【００２８】
また、接続用電極２０ａ・２０ｂや実装用電極１４の、それぞれの形状も、図示する矩形状に限定されず、それぞれの電極が他の接続配線と確実に導通するような形状でありさえすればよい。また、それらの数も４個に限定されず、設計上の仕様に従うことができる。
【００２９】
また、水晶振動子１２やサーミスタ１３、水晶振動子１２内部の水晶片などの固定は、必ずしも全てが接着剤によらずとも良く、一部がはんだ付け等で固定されていても良い。その場合には、はんだ付け後に、モジュールに熱を加えておくエイジング処理などを行い、接着剤の熱変形を除去するとより好適である。
【００３０】
次に第２の実施形態について詳述する。図３（ａ）に示す本実施形態の構成において、温度補償型水晶発振モジュール２５は略六面体形状のセラミック基板２１と、セラミック基板２１よりも大きなサイズの樹脂基板２６とを接合して構成している。
【００３１】
そして、セラミック基板２１の上面へのサーミスタ２３やセラミックケース入りの水晶振動子２２などの固定、水晶振動子２２内部の水晶片の固定に接着剤を用いている。また、セラミック基板２１上には、トランジスタ１８も設け、サーミスタ２３や水晶振動子２２、トランジスタ１８などを接続する配線パターンを設けている。また図示していないが、セラミック基板２１の底面の一部にはサーミスタ回路を構成する印刷抵抗を設けている。さらにセラミック基板２１の底面の四隅には接続用電極３０ｃを設けている。さらに、セラミック基板２１上のサーミスタ２３や水晶振動子２２、トランジスタ１８などの配線パターンと接続用電極３０ｃを導通する第１の実施形態と略同様な構成のスルーホールや引出電極などの接続配線（図示せず。）をセラミック基板２１の上面から底面まで設けている。
【００３２】
このようにサーミスタ２３や水晶振動子２２、印刷抵抗により温度補償型の発振器を構成している。
【００３３】
また図３（ｂ）に示すように、樹脂基板２６にはセラミック基板２１の底面の印刷抵抗を加工するための孔２９を設けている。この孔２９は十字形状としている。また、セラミック基板２１と接合する樹脂基板２６の上面の四隅には接続用電極３０ａを設けており、後述する樹脂蓋板２８と接合する底面の四隅にも接続用電極３０ｂを設けている。そして、この接続用電極３０ａと接続用電極３０ｂとを導通する第１の実施形態と略同様な構成のスルーホールや引出電極などの接続配線（図示せず。）を樹脂基板２６の上面から底面まで設けている。
【００３４】
また、孔２９をふさぐために、孔２９と樹脂基板２６の全面を覆う樹脂蓋板２８を、樹脂基板２６に接合している。そして、この樹脂蓋板２８の上面の四隅には接続用電極３０ｄを形成しており、底面の四隅には実装用電極２４を形成している。さらにまた、接続用電極３０ｄと実装用電極２４とを導通する、スルーホールや引出電極などの接続配線（図示せず。）を第１の実施形態の樹脂基板と略同様な構成で樹脂蓋板２８の上面から底面まで設けている。
【００３５】
また、樹脂基板２６の上面には、セラミック基板２１・サーミスタ２３・水晶振動子２２などを封入するための金属カバー２７を設けている。
【００３６】
そして、接続用電極３０ａと接合用電極３０ｃとをろう付けやはんだ付け、あるいは導電性接着剤などで接合し、接続用電極３０ｂと接合用電極３０ｄとを同様の方法で接合し、樹脂基板２６上に金属カバー２７をはんだ付けや導電性接着剤などで接着することで、温度補償型水晶発振モジュール２５を構成している。
【００３７】
このような構成により、この温度補償型水晶発振モジュール２５を、実装基板に載置してリフローはんだ付けする場合でも、熱伝導が大きいセラミック基板２１には実装用電極２４からの熱が直接伝達されず、熱伝導の小さい樹脂基板２６を介して伝達されるために、セラミック基板２１上面の接着剤に熱が伝達するのを抑制できる。
【００３８】
さらに、セラミック基板２１の底面に接続用電極３０ｃを形成し、樹脂基板２６の上面に接続用電極３０ａを形成し、樹脂基板２６の底面に接続用電極３０ｂを形成し、樹脂蓋板２８の上面に接続用電極３０ｄを形成し、樹脂蓋板２８の底面に実装用電極２４を形成している。このように複数の接続用電極を介して実装用電極２４とセラミック基板２１上の配線パターンとを接続するため、熱が接続配線を伝導して、セラミック基板２１上面の接着剤に熱が伝達するのを抑制できる。
【００３９】
このことにより、サーミスタ２３や水晶振動子２２などの接着に用いた接着剤の熱変形を抑制でき、従来は接着剤の熱変形が次第に開放され起こっていた、温度補償型水晶発振モジュールの発振周波数の変化も抑制でき、第１の実施形態と同様な効果を奏し、安定性の高い温度補償型水晶発振モジュールを提供できる。
【００４０】
さらに本実施形態では、セラミック基板２１の底面にサーミスタ回路の印刷抵抗を配し、樹脂基板２６にセラミック基板２１の底面の印刷抵抗を加工するための孔２９を設けた構成であるため、セラミック基板２１の底面の印刷抵抗をトリミング加工などをすることができる。このことにより、セラミック基板２１への水晶振動子２２やサーミスタ２３の搭載後に、この印刷抵抗をトリミングすることで、この温度補償型水晶発振モジュール２５の発振周波数を調整できる。
【００４１】
さらに、孔２９をふさぐための樹脂蓋板２８を樹脂基板２６に接合する構成のため、孔２９をふさぐことができる。このことにより、印刷抵抗を露出させることが無くなり、より安定性の高い温度補償型水晶発振モジュールを提供できる。
【００４２】
さらに本実施形態は、樹脂基板２６の上面には、セラミック基板２１・サーミスタ２３・水晶振動子２２などを封入するための金属カバー２７を設けた構成である。この構成により、樹脂基板２６の上面の、セラミック基板２１・サーミスタ２３・水晶振動子２２などを封入できる。このことにより、このセラミック基板２１・サーミスタ２３・水晶振動子２２などを露出させることが無くなり、より安定性の高い温度補償型水晶発振モジュールを提供できる。また、この金属カバー２７を設けると、この温度補償型水晶発振モジュールをリフローはんだ付けする場合の、熱輻射による接着剤へのリフロー熱の伝達をより抑制し、熱変形もさらに抑制できる。そのため、より安定性の高い温度補償型水晶発振モジュールを提供できる。
【００４３】
なお、本実施形態では、樹脂蓋板２８の底面に設けた電極を実装用電極として説明したが、このような樹脂蓋板２８は必ずしも必要ではなく、樹脂蓋板２８を設けない場合には接続用電極３０ｂを実装用電極として用いてもよい。
【００４４】
また、樹脂蓋板２８の形状を孔２９と樹脂基板２６の全面を覆うような形状としたが、必ずしもこのような形状には限らず、孔２９を密閉する構造であればよく、例えば孔２９のみを覆う形状でも良い。その場合には、樹脂蓋板２８に実装用電極２４を設けずに、接続用電極３０ｂを実装用電極として用いることもできる。
【００４５】
また、金属カバー２７を、セラミック基板２１・サーミスタ２３・水晶振動子２２などを封入するように樹脂基板２６の上面に設けたが、必ずしもこのような構成に限らず、例えばセラミック基板２１と樹脂基板２６を略同形状としておき、サーミスタ２３・水晶振動子２２などを封入するようにセラミック基板２１の上面に金属カバーを設けても良い。
【００４６】
また、本実施形態では金属カバー２７や孔２９などを配した構成としたが、これらは必ずしも配さなくとも良い。
【００４７】
また、樹脂基板２６自体の形状も、本実施形態で示した十字形状の孔２９を配した形状に限定されず、セラミック基板２１が実装用電極２４と当接しないような形状であればよく、特に形状を問わない。
【００４８】
次に、第３の実施形態について詳述する。図４（ａ）に示す本実施形態の構成において、温度補償型水晶発振モジュール３５は略六面体形状のセラミック基板３１と、セラミック基板３１と同サイズの樹脂基板３６とを接合して構成している。
【００４９】
そして、セラミック基板３１の上面へのサーミスタ３３やセラミックケース入りの水晶振動子３２などの固定、水晶振動子３２内部での水晶片の固定に接着剤を用いている。また、セラミック基板３１上には、トランジスタ４１も設け、サーミスタ３３や水晶振動子３２、トランジスタ４１などを接続する配線パターンを設けている。また図示していないが、セラミック基板３１の底面の一部にはサーミスタ回路を構成する印刷抵抗を設けている。さらにセラミック基板３１の底面の四隅には接続用電極４０ｃを設けている。さらに、セラミック基板３１上のサーミスタ３３や水晶振動子３２、トランジスタ４１などの配線パターンと接続用電極４０ｃを導通する第１の実施形態と略同様な構成のスルーホールや引出電極などの接続配線をセラミック基板３１の上面から底面まで設けている。
【００５０】
このように、サーミスタ３３や水晶振動子３２、印刷抵抗により温度補償型の発振器を構成している。
【００５１】
また図４（ｂ）に示すように、樹脂基板３６にはセラミック基板３１の底面の印刷抵抗を加工するための孔３９を設けている。この孔３９は十字形状としている。また、セラミック基板３１と接合する樹脂基板３６の上面の四隅には接続用電極４０ａを設けている。
【００５２】
また、樹脂基板３６は２枚の樹脂基板を接合して形成したものであり、その２枚の層間に電極を設けている。そして、この内層間の電極を接続用電極４０ｂとしている。この接続用電極４０ａ・４０ｂはそれぞれの配置がずれるように形成しており、また、接続用電極４０ｂと実装用電極３４もそれぞれの配置がずれるように形成して、接続用電極と実装用電極とを階段状に配置している。
【００５３】
そして、図４（ａ）に示すように接続用電極４０ａと接続用電極４０ｂとを導通するスルーホール６２ａと引出電極６１ａからなる接続配線を樹脂基板３６の上面から内層まで設けている。また、接続用電極４０ｂと実装用電極３４を導通するスルーホール６２ｂと引出電極６１ｂとからなる接続配線を樹脂基板３６の内層から底面まで設けている。なお、図４（ｂ）ではこれらの図示を省略している。
【００５４】
また、孔３９をふさぐために、孔３９を覆う、孔３９と略同形状の樹脂蓋板３８を設けている。
【００５５】
また、セラミック基板３１の上面には、サーミスタ３３・水晶振動子３２などを封入するための金属カバー３７を設けている。
【００５６】
そして、接続用電極４０ａと接合用電極４０ｃとをろう付けやはんだ付け、導電性接着剤などで接合し、樹脂基板３６上にはんだ付けや導電性接着剤などで金属カバー３７を接着することで、温度補償型水晶発振モジュール３５を構成している。
【００５７】
このような構成により、この温度補償型水晶発振モジュール３５を、実装基板に載置してリフローはんだ付けする場合でも、熱伝導が大きいセラミック基板３１には実装用電極３４からの熱が直接伝達されず、熱伝導の小さい樹脂基板３６を介して伝達されるために、セラミック基板３１上面の接着剤に熱が伝達するのを抑制できる。
【００５８】
さらに、樹脂基板３６の底面に実装用電極３４を形成し、樹脂基板３６の上面に接続用電極４０ａを形成し、樹脂基板３６の中層に接続用電極４０ｂを形成し、セラミック基板３１の底面に接続用電極４０ｃを形成している。このように複数の接続用電極を介して実装用電極３４とセラミック基板３１上の配線パターンとを接続するため、熱が接続配線を伝導して、セラミック基板３１上面の接着剤にまで伝達するのを抑制できる。
【００５９】
このことにより、サーミスタ３３や水晶振動子３２などの接着に用いた接着剤の熱変形を抑制でき、従来は接着剤の熱変形が次第に開放され起こっていた、温度補償型水晶発振モジュールの発振周波数の変化も抑制でき、第１の実施形態と同様な効果を奏し、安定性の高い温度補償型水晶発振モジュール３５を提供できる。
【００６０】
また、樹脂蓋板３８を孔３９のみを覆うような形状としたため、樹脂蓋板３８に実装用電極を設けなくともよくなり、電極の無い簡易な構成の樹脂蓋板３８を用いることができる。
【００６１】
また、金属カバー３７を樹脂基板３６ではなく、セラミック基板３１の上面に配したために、サーミスタ３３・水晶振動子３２のみを封入することになり、金属カバー３７を小型化でき、より一体的にモジュールを構成できる。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】従来の温度補償型水晶発振モジュールの構成例を示す図である。
【図２】第１の実施形態の温度補償型水晶発振モジュールの構成例を示す図である。
【図３】第２の実施形態の温度補償型水晶発振モジュールの構成例を示す図である。
【図４】第３の実施形態の温度補償型水晶発振モジュールの構成例を示す図である。
【符号の説明】
【００６３】
１、１１、２１、３１−セラミック基板
２、１２、２２、３２−水晶振動子
３、１３、２３、３３−サーミスタ
４、１４、２４、３４−実装用電極
５、１５、２５、３５−温度補償型水晶発振モジュール
１６、２６、３６−樹脂基板
２７、３７−金属カバー
２８、３８−樹脂蓋板
２９、３９−孔
２０、３０、４０−接続用電極
５１、６１−引出電極
５２、６２−スルーホール
６、１７、１８、４１−トランジスタ
【図１】
2006304110.tif 000003
【図２】
2006304110.tif 000004
【図３】
2006304110.tif 000005
【図４】
2006304110.tif 000006