(57)【要約】  【課題】  半導体装置の組み立てや実装工程において、アライメントマークを使って配線基板の設置状態の位置、方向を測定する際に、ビアランドに接続する配線の状態に係わらず、ビアランドをアライメントマークと誤って認識すること（誤認識）を防止し、位置あわせ不良を解消することを目的とする。  【解決手段】  ビアランド２に誤認識防止用の配線８を付加することにより、半導体装置の組み立てや実装工程において、アライメントマーク３を使って配線基板の設置状態の位置、方向を測定する際に、ビアランド２に接続する配線の状態に係わらず、ビアランド２をアライメントマーク３と誤って認識すること（誤認識）を防止し、位置あわせ不良を解消することができる。【選択図】  図１
2006351885.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１または複数の電子部品を搭載する配線基板であって、
前記電子部品と電気的に接続する電極パッドと、
前記電子部品を搭載する際の画像認識による位置合わせに用いるアライメントマークと、
搭載面を含めて少なくとも１つの配線層に形成される配線と、
外部との電気的接続に用いる複数の外部端子用ランドと、
対応する前記電極パッドと前記外部端子用ランドとを電気的に接続する際に用いるビアの前記搭載面上に形成されるビアランドと、
前記画像認識時に前記アライメントマークと前記ビアランドを誤認識しないようにするために前記ビアランドに付加する誤認識防止用の配線と
を有することを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記誤認識防止用の配線が接続する前記ビアランドとの接続部位の位置は、前記ビアランド中心から前記接続部位への方向が、前記画像認識において、アライメントマークの中でパターンマッチングに使用される部位のアライメントマーク中心からの方向と一致する位置であることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記誤認識防止用の配線の長さは、前記画像認識時に、前記画像認識されるテンプレート比較領域よりはみ出す長さであることを特徴とする請求項２記載の配線基板。
【請求項４】
前記誤認識防止用の配線と前記ビアランドとの接続部位から前記テンプレート比較領域の端部までの前記ビアランドの半径方向の長さが、前記ビアランドと前記アライメントマークの直径の差をこえていることを特徴とする請求項２記載の配線基板。
【請求項５】
前記誤認識防止用の配線が前記ビアランドに接続する接続部位が、前記ビアランドの中心を基準に、略９０度に等分割された４方向の放射線状のいずれかの方向であることを特徴とする請求項２または請求項３または請求項４いずれかに記載の配線基板。
【請求項６】
前記４方向として、前記配線基板端の各辺の方向に平行な十字方向または、前記十字をビアランドの中心を基準に４５度回転させた方向であることを特徴とする請求項５記載の配線基板。
【請求項７】
前記ビアランドと前記誤認識防止用の配線との接続部位に、前記誤認識防止用の配線パターンを包含し、前記ビアランドと前記誤認識防止用の配線を配置したときにできるパターン輪郭のエッジがなくなるような導体パターンを形成することを特徴とする請求項２または請求項３または請求項４いずれかに記載の配線基板。
【請求項８】
前記誤認識防止用の配線が、前記アライメントマークの画像認識エリア内にあって、少なくともパターンマッチング処理によってアライメントマークと比較される全てのビアランドに付加されることを特徴とする請求項２または請求項３または請求項４いずれかに記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アライメントマークを検出することにより位置合わせして、半導体素子等を含む電子部品を搭載する配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の処理能力向上及び携帯性向上に対応するために、半導体装置などの電子部品は高密度実装が要求され、それに伴って、半導体装置を含めた電子部品の構成部材である配線基板も、配線が高密度にパターニングされるようになり、これまでは空きスペースであった基板上のエリアにも配線が形成されるようになった。また、配線基板と半導体素子とを導通させる配線基板上の電極パッドも間隔が狭くなったことにより、半導体素子を配線基板上に接続する際の位置決めも高い精度が要求されるようになった。
【０００３】
以下、従来の配線基板の１例について図面を参照しながら説明する。
図１１は従来の配線基板を示す平面図である。図１２は従来の配線基板を示す断面図であり、図１１のＡ−Ａ’断面図である。図１３は従来の配線基板を示す底面図である。
【０００４】
図１１，図１２，図１３において、１は配線、２はビアランド、３はアライメントマーク、４は電極パッド、５はビア、６は外部端子用ランドである。
図示するように、配線基板の上面には半導体素子と導通するための複数の電極パッド４が形成されており、配線１により配線基板上面で引き回され、ビア５により配線基板の裏面の外部端子用ランド６に導通されている。なお、図１２に示すように、配線基板表面の配線１はビアランド２により積層基板である配線基板の内部で引き回されて、配線基板の裏面で外部端子用ランド６の配列を構成する（図１３）。
【０００５】
そして従来の配線基板では、配線基板の上面に設けられた複数の電極パッド４と搭載する半導体素子とが導通するように接合させるために、チップマウント装置に設置された状態で、配線基板の中心位置、向きという配置情報を計測し、配線基板の位置、向きに合わせて半導体素子を配線基板上にマウントする。
【０００６】
チップマウント装置に設置された状態で配線基板の中心位置と傾きを測定する方法について、図１４を参照しながら説明する。
図１４は従来のアライメントマークによる位置決めの方法を説明する図である。
【０００７】
７は光学的認識装置内に登録されたテンプレートのテンプレート比較領域を示している。テンプレートの比較領域７のサイズはｗ３×ｈ３である。配線基板の上面に金属で構成され円形パターンをしたアライメントマーク３を、光学的認識装置によって、テンプレートに登録されたパターンとのマッチングにより検出し、輪郭位置を計測することにより、アライメントマークの中心座標を算出する。複数のアライメントマーク３の中心座標を求め、基板設計図面上のアライメントマーク３の中心座標（設計値）と比較し、偏差が最も少なくなるように、配線基板が装置内で設置された状態での配線基板の中心位置とＸ軸−Ｙ軸方向を設定する。このように、予め計測されているチップの中心位置とＸ軸−Ｙ軸方向をあわせることにより、半導体素子と基板上の電極の位置あわせができ、両者を接合して導通が可能となる。ビアランドも直径は異なるが、アライメントマークと同じ円形パターンであるため、アライメントマーク検出において、認識装置の認識範囲内にあるビアランドとの区別は、ビアランドに接続している配線の有無で可能であった。
【特許文献１】特開２００１−１８５５８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記従来の配線基板によれば、図１５の従来のビアランドに接続される配線の関係を示す図に示すように、配線１が高密度にパターニングされるようになると、ビアランド２に接続している配線１が、比較的短くビアランド２から突き出たところで、配線方向を変える必要が生じたり（図１５（ｂ））、ビアランド２からＸ軸またはＹ軸方向とは異なる、斜め方向に配線する必要が生じたりする（図１５（ａ））。ビアランド２からＸ軸またはＹ軸方向とは異なる、斜め方向に配線する場合、テンプレート比較領域７内に配線１が入らないため、ビアランド２と認識されず、すなわちアライメントマークとして検出され、ビアランド２に接続している配線１が、比較的短くビアランド２から突き出たところで、配線方向を変える場合は、テンプレートとの比較（パターンマッチング）処理は行われるが、配線１とは認識されず、配線１の折れ曲げ部がアライメントマークの輪郭とみなされ、アライメントマークとして検出される。ビアランド２がアライメントマークとして検出されると、間違った座標をアライメントマークの位置として計測することになり、半導体装置の組み立て工程で不正確な位置決めのまま組み立てられ、不良品を製造したり、他のアライメント計測結果と矛盾したりするため、アライメント認識装置が停止することがあった。
【０００９】
そこで、アライメントマーク等認識マークや電極パッドを除きビアランドや配線をインクや絶縁材料でコーティングすることにより、間違いなくアライメントマークを検出する方法もある。しかしこの方法では、コーティングをするために製造工程が増え、基板の製作時間とコストを増加させるという問題があった。また、他の対策としてアライメントマークとビアランドの形状を互いに異なる形状にすることも考えられ、部分的には、個別に円形以外の形状にすることも考えられるが、アライメントマークは測定精度の面より、また、ビアランドは、ビア穴のズレの許容度を確保しつつ、配線エリアへの制限を最小にするために、円形形状が普遍的には最も有利である。また、アライメントマークとビアランドの直径に大きく変化をつけることも考えられるが、パターニング工程の精度から所定の真円度内で円形パターンが形成できる直径の最小寸法が決まっており、ビアランドはほぼそれに近い寸法である。また、アライメントマークを大きくすると、配線やビアを配置するスペースが減少するため、好ましくない。
【００１０】
本発明の配線基板は前記従来の課題を解決するもので、半導体装置の組み立てや実装工程において、アライメントマークを使って配線基板の設置状態の位置、方向を測定する際に、ビアランドに接続する配線の状態に係わらず、ビアランドをアライメントマークと誤って認識すること（誤認識）を防止し、位置あわせ不良を解消することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために本発明の請求項１記載の配線基板は、１または複数の電子部品を搭載する配線基板であって、前記電子部品と電気的に接続する電極パッドと、前記電子部品を搭載する際の画像認識による位置合わせに用いるアライメントマークと、搭載面を含めて少なくとも１つの配線層に形成される配線と、外部との電気的接続に用いる複数の外部端子用ランドと、対応する前記電極パッドと前記外部端子用ランドとを電気的に接続する際に用いるビアの前記搭載面上に形成されるビアランドと、前記画像認識時に前記アライメントマークと前記ビアランドを誤認識しないようにするために前記ビアランドに付加する誤認識防止用の配線とを有することを特徴とする。
【００１２】
請求項２記載の配線基板は、請求項１記載の配線基板において、前記誤認識防止用の配線が接続する前記ビアランドとの接続部位の位置は、前記ビアランド中心から前記接続部位への方向が、前記画像認識において、アライメントマークの中でパターンマッチングに使用される部位のアライメントマーク中心からの方向と一致する位置であることを特徴とする。
【００１３】
請求項３記載の配線基板は、請求項２記載の配線基板において、前記誤認識防止用の配線の長さは、前記画像認識時に、前記画像認識されるテンプレート比較領域よりはみ出す長さであることを特徴とする。
【００１４】
請求項４記載の配線基板は、請求項２記載の配線基板において、前記誤認識防止用の配線と前記ビアランドとの接続部位から前記テンプレート比較領域の端部までの前記ビアランドの半径方向の長さが、前記ビアランドと前記アライメントマークの直径の差をこえていることを特徴とする。
【００１５】
請求項５記載の配線基板は、請求項２または請求項３または請求項４いずれかに記載の配線基板において、前記誤認識防止用の配線が前記ビアランドに接続する接続部位が、前記ビアランドの中心を基準に、略９０度に等分割された４方向の放射線状のいずれかの方向であることを特徴とする。
【００１６】
請求項６記載の配線基板は、請求項５記載の配線基板において、前記４方向として、前記配線基板端の各辺の方向に平行な十字方向または、前記十字をビアランドの中心を基準に４５度回転させた方向であることを特徴とする。
【００１７】
請求項７記載の配線基板は、請求項２または請求項３または請求項４いずれかに記載の配線基板において、前記ビアランドと前記誤認識防止用の配線との接続部位に、前記誤認識防止用の配線パターンを包含し、前記ビアランドと前記誤認識防止用の配線を配置したときにできるパターン輪郭のエッジがなくなるような導体パターンを形成することを特徴とする。
【００１８】
請求項８記載の配線基板は、請求項２または請求項３または請求項４いずれかに記載の配線基板において、前記誤認識防止用の配線が、前記アライメントマークの画像認識エリア内にあって、少なくともパターンマッチング処理によってアライメントマークと比較される全てのビアランドに付加されることを特徴とする。
【００１９】
以上により、半導体装置の組み立てや実装工程において、アライメントマークを使って配線基板の設置状態の位置、方向を測定する際に、ビアランドに接続する配線の状態に係わらず、ビアランドをアライメントマークと誤って認識すること（誤認識）を防止し、位置あわせ不良を解消することができる。
【発明の効果】
【００２０】
ビアランドに誤認識防止用の配線を付加することにより、半導体装置の組み立てや実装工程において、アライメントマークを使って配線基板の設置状態の位置、方向を測定する際に、ビアランドに接続する配線の状態に係わらず、ビアランドをアライメントマークと誤って認識すること（誤認識）を防止し、位置あわせ不良を解消することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態としてＣＳＰ（チップサイズパッケージまたはチップスケールパッケージ）用配線基板を例に取り上げ、図面を参照しながら説明する。
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１におけるＣＳＰ用配線基板を示す平面図である。図２は本発明の実施の形態１におけるＣＳＰ用配線基板を示す断面図であり、図１のＡ−Ａ’断面図である。図３は本発明の実施の形態１におけるＣＳＰ用配線基板を示す底面図である。図４は本発明の実施の形態１における誤認識防止用の配線の配置位置を説明する図、図５は本発明の実施の形態２における認識エリアを説明する図である。
【００２２】
図１において、８は誤認識防止用の配線、９は誤認識防止用の配線適用最小範囲である。その他、図１、図２、図３において、図１１、図１２、図１３と同じ構成要素については同じ符号を用い説明を省略する。
【００２３】
図示するように、上面に複数の電極パッド４と複数のアライメントマーク３を有し、底面に複数の外部端子用ランド６とを有し、上面を含めて少なくとも１層の配線層を有する配線基板において、前記電極パッド４と前記外部端子用ランド６間は、上面を含めて各層の配線１と各層間にまたがるビア５とで導通している。基板の基材１０をなす絶縁材料としては、アルミナ、ガラスクロス入りエポキシ樹脂、ＢＴ樹脂等が使用される。また、電極パッド、配線、ビアの導体材料にはタングステン、モリブデン、銅、導電性ペースト等が使用され、上面導体のみは、さらに、Ｎｉ、Ａｕめっきがほどこされている。従って、上面の露出している導体パターンは、Ａｕめっきの光沢をもち、基材１０との反射光量の違いにより、導体パターンの輪郭を光学的認識装置（例えば、松下電器製ＦＣＢ−Ｓ）によって測定する。
【００２４】
アライメントマーク３の位置計測の方法を以下に簡単に述べる。
図５中央にアライメントマーク３が正確に計測されたときのテンプレート比較領域７の位置関係を示す。ここではテンプレート比較領域７は、４つの比較領域の中心から十字方向に配置し、比較領域７内の略半分がアライメントマークの外形に重なるよう、比較領域間の間隔が決められる。この４つの比較領域内のパターン形状が、テンプレートとして予め登録される。実際に個片の基板のアライメントマーク位置を計測する際には、図５の認識エリアＷ×Ｈ内を４つの比較領域が１セットとなって左右上下に少しずつ動き、４つの比較領域７内のパターンが、登録済みのテンプレートのパターンと比較される。４つの比較領域内のパターンがテンプレートのパターンに一致（パターンマッチング）したとき、その位置をアライメントマーク位置として計測される。図４に上面パターン詳細図を示すが、上面においてビアランド２をアライメントマーク３と誤認識することを防止するために、ビアランド２に接続する誤認識防止用の配線８を、接続する前記ビアランドの接続部位の前記ビアランド中心からの方向と、画像認識におけるアライメントマークのパターンマッチングされる部位（テンプレート比較領域７にて計測される部位）のアライメントマーク中心からの方向とを一致させるように配線する。誤認識防止用の配線８をこのような位置に配置することにより、アライメントマークの輪郭計測位置に誤認識防止用の配線８が配置されるため、テンプレート比較領域７で誤認識防止用の配線８のパターンを参照可能となり、光学的認識装置でビアランド２に接続した配線１を検出し、ビアランド２とアライメントマーク３との誤認識を防止することができる。誤認識防止用の配線８を、画像認識時にテンプレート比較領域７からはみ出るように、誤認識防止用の配線８の長さは、誤認識防止用の配線８の長さにアライメントマークを測定するテンプレート比較領域７の端部から計測ポイントまでの長さＬ１を足したときにテンプレート比較領域７よりはみ出るような長さにする。すなわち、足した長さをｗ３またはｈ３より長くする。テンプレート比較領域７の長さとしては、アライメントマーク３の直径とビアランド２の直径の差を基準とし、光学的認識装置の精度に基づき、差異を認識できる程度にこれより長くする。具体的にはアライメントマークの直径をＤ、ビアランドの直径をｄ１とすると、テンプレート比較領域７の端部から計測ポイントまでの長さＬ１はＤ−ｄ１より長く、誤認識防止用の配線８の長さＬ２はｗ３−Ｌ１より長くする。具体例としてアライメントマーク３の直径Ｄを０．１５ｍｍ、ビアランド２の直径ｄ１を０．１２ｍｍ、テンプレート比較領域７の端部から計測ポイントまでの長さＬ１はＤ−ｄ１より長く０．０３５ｍｍ、テンプレート比較領域サイズｗ３をＬ１の２倍の０．０７ｍｍとし、誤認識防止用の配線８の長さＬ２はテンプレート比較領域サイズｗ３からＬ１を差し引いた長さ０．０３５より長く、０．０４ｍｍとした。ただし、ビアランド２、配線１、アライメントマーク３等導体パターンは製造工程において誤差を有する為、設計上の定義は、ビアランド中心から０．１ｍｍとした。
【００２５】
本実施の形態によれば、ビアランド２に接続する誤認識防止用の配線８は、アライメントマーク測定時に検出され、テンプレート比較領域よりはみ出す長さであるために、ビアに接続する配線であることが認識され、円形パターンはビアランドであって、アライメントマークではないことを判別することができる。従って、半導体装置の組み立てや実装工程において、アライメントマークを使って配線基板の設置状態の位置、方向を測定する際に、ビアランドに接続する配線の状態に係わらず、ビアランドをアライメントマークと誤って認識すること（誤認識）を防止し、位置あわせ不良を解消することができる。
（実施の形態２）
以下、図５，図６を用いて実施の形態２の配線基板について説明する。
【００２６】
図６は本発明の実施の形態２における誤認識防止用の配線を付加する領域を説明する図である。
実施の形態２では、アライメントマークの認識エリアが設定される範囲内の、少なくともパターンマッチング処理によってアライメントマークと比較されるビアランドには全て、前述の条件で誤認識防止用の配線を付加する。
【００２７】
具体的には、図５に示すようにアライメントマーク３が必ず含まれるように設定された認識エリアのサイズがＷ×Ｈのとき、走査される可能性のある範囲は、ｗ１×ｈ１である。Ｗ×Ｈの寸法値は部品搭載装置に基板をセットする時の位置精度および基板のパターニング位置精度から、テンプレート比較領域サイズｗ３×ｈ３を含めてアライメントマーク３が必ず、認識エリア内に収まるよう余裕を加味して決められる。
【００２８】
このとき、図６に示すように、アライメントマーク３として検出される可能性のあるビアランド２は、前述テンプレート比較領域サイズｗ３×ｈ３と同じサイズがビアランド２と認識エリアの外周との間に入る余裕を持ったビアランド２でなければならないため、ビアランド２の中心位置がｗ２×ｈ２の中に入っているようなビアランド２を誤認識防止用の配線を付加する対象とする。以上のことを数式で表すと、ｗ２≧ｗ１−（ｄ１／２＋ｗ３−Ｌ１）×２かつｈ２≧ｈ１−（ｄ１／２＋ｈ３−Ｌ１）×２となる。
【００２９】
具体例として、図５において、アライメントマーク３認識エリアのサイズＷ×Ｈ＝１．２ｍｍ×１．２ｍｍ、アライメントマーク直径Ｄ＝０．１５ｍｍ、テンプレート比較領域７のサイズｗ３×ｈ３＝０．０７ｍｍ×０．０７ｍｍ、テンプレート比較領域７の端部から計測ポイントまでの長さＬ１＝０．０３５ｍｍのとき、図５において走査される可能性のある範囲ｗ１×ｈ１＝２．１８ｍｍ×２．１８ｍｍとなり、図６において誤認識防止用の配線８の寸法条件のパターンを接続するビアランド最小配置範囲は、アライメントマーク３設計位置を正方形の中心として、ｗ２≧１．９９ｍｍ、ｈ２≧１．９９ｍｍの正方形となり、この範囲に中心が入っているビアランド２を対象に、上記の条件で誤認識防止用の配線８を付加する。ここで、テンプレート比較領域サイズｗ３、ｈ３は、テンプレート比較領域７の端部から計測ポイントまでの長さＬ１の倍になっているが、光学的認識方式の精度を最大に生かすために、略２倍の長さを採用することが一般に好ましいためである。
【００３０】
本実施の形態によれば、アライメントマーク周辺のアライメントマークの画像認識を行うあらかじめ定められた範囲内に形成されたビアランドにのみ実施の形態１で説明した誤認識防止用の配線を付加することにより、アライメントマークをパターンマッチングにより検出する処理は、上面全体に実施されるのではなく、アライメントマークを確実に含む認識エリアの枠内のみで実施されるため、半導体装置の組み立てや実装工程において、アライメントマークを使って配線基板の設置状態の位置、方向を測定する際に、ビアランドに接続する配線の状態に係わらず、ビアランドをアライメントマークと誤って認識すること（誤認識）を防止し、位置あわせ不良を解消することができる。また、上面のそれ以外のエリアでは設計ルールには変更がなく、通常通りであるため、配線やビアを配置するスペースを必要以上に減少させることが無い。
【００３１】
また、図７における本発明の誤認識防止用の配線を付加する方向を説明する図で示すように、以上の説明では、誤認識防止用の配線は、図７（ａ）に示すように十字のアライメントマーク測定方向の１方向のみに設けていたが、他の電気的機能を持つ配線とビアランドと干渉しなければ、図７（ｂ）に示すように十字方向のどの方向を選んでもよく、また、複数方向に配線を設けてもよい。ただし、Ｙ軸方向に誤認識防止用の配線を付加する場合は、ｗ３のかわりにｈ３を用い、ｈ３−Ｌ１より長い配線を設ける。
【００３２】
また、以上の説明では、アライメントマーク測定方向がＸ軸、Ｙ軸方向の十字方向であったが、アライメントマーク測定方向がＸ軸、Ｙ軸方向とは角度がずれている場合は、誤認識防止用の配線を接続する方向も、アライメントマーク測定方向に一致した方向とするため、図８の本発明の角度がずれて付加された誤認識防止用の配線を説明する図に示すように、Ｘ軸、Ｙ軸方向とは角度がずれている。
【００３３】
また、誤認識防止用の配線がビアランドに接続して存在すればよいため、例えば図９に記載された本発明の誤認識防止用の配線と通常配線との位置関係を例示する図に示すように、通常配線と交差する部分があってもよい。
【００３４】
さらに、他の電気的機能を持つ配線とビアランドとに干渉しなければ、誤認識防止用の配線を含んだ広いパターンを付加してもよい。そのとき、例えば図１０に記載された本発明の誤認識防止用の配線が接続する部分を示す図に、示すように配線とビアランドの接続部に形成されるエッジ１１をなくすようなパターン形状にすることにより、製造工程または使用時において熱的または機械的負荷が基板に加えられた時に前記エッジに発生する応力の集中を緩和し、エッジを起点とするクラックが前記配線とビアランドの接続部に発生することを防止することができる。
【００３５】
以上では、ＣＳＰ用配線基板を例に説明したが、ＣＳＰ用配線基板に１つの電子部品に限らず複数の電子部品を搭載することも可能であり、さらに、他の配線基板に１または複数の電子部品を搭載する場合にも適応することができる。この場合、外部端子が形成される領域や面は任意である。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
本発明は、ビアランドに接続する配線の状態に係わらず、ビアランドをアライメントマークと誤って認識すること（誤認識）を防止し、位置あわせ不良を解消することができ、アライメントマークを検出することにより位置合わせして、半導体素子等を含む電子部品を搭載する配線基板等有用である。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の実施の形態１におけるＣＳＰ用配線基板を示す平面図
【図２】本発明の実施の形態１におけるＣＳＰ用配線基板を示す断面図
【図３】本発明の実施の形態１におけるＣＳＰ用配線基板を示す底面図
【図４】本発明の実施の形態１における誤認識防止用の配線の配置位置を説明する図
【図５】本発明の実施の形態２における認識エリアを説明する図
【図６】本発明の実施の形態２における誤認識防止用の配線を付加する領域を説明する図
【図７】本発明の誤認識防止用の配線を付加する方向を説明する図
【図８】本発明の角度がずれて付加された誤認識防止用の配線を説明する図
【図９】本発明の誤認識防止用の配線と通常配線との位置関係を例示する図
【図１０】本発明の誤認識防止用の配線が接続する部分を示す図
【図１１】従来の配線基板を示す平面図
【図１２】従来の配線基板を示す断面図
【図１３】従来の配線基板を示す底面図
【図１４】従来のアライメントマークによる位置決めの方法を説明する図
【図１５】従来のビアランドに接続される配線の関係を示す図
【符号の説明】
【００３８】
１    配線
２    ビアランド
３    アライメントマーク
４    電極パッド
５    ビア
６    外部端子用ランド
７    テンプレート比較領域
８    誤認識防止用の配線
９    誤認識防止用配線適用ビア最小範囲
１０    基材
１１    エッジ
【図１】
2006351885.tif 000003
【図２】
2006351885.tif 000004
【図３】
2006351885.tif 000005
【図４】
2006351885.tif 000006
【図５】
2006351885.tif 000007
【図６】
2006351885.tif 000008
【図７】
2006351885.tif 000009
【図８】
2006351885.tif 000010
【図９】
2006351885.tif 000011
【図１０】
2006351885.tif 000012
【図１１】
2006351885.tif 000013
【図１２】
2006351885.tif 000014
【図１３】
2006351885.tif 000015
【図１４】
2006351885.tif 000016
【図１５】
2006351885.tif 000017