(57)【要約】      （修正有）【課題】芳香族スルホン酸誘導体、該スルホン酸誘導体からなる優れた耐熱水性および機械的特性を有するスルホン化ポリマー及び固体高分子電解質。【解決手段】本発明に係る芳香族スルホン酸誘導体は、下記一般式（Ａ）で表されることを特徴とする。2006299082.tif 000019［式（Ａ）中、Ｘはハロゲン原子、−ＯＳＯ2ＣＨ3または−ＯＳＯ2ＣＦ3を示し、Ｙは−ＣＯ−または−ＳＯ2−を示し、Ｚは−Ｏ−、−Ｓ−または直接結合を示し、Ｒは水素原子、アルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子または炭素数１〜２０の炭化水素基を示し、ＡｒはＳＯ3Ｒ基を有するフェニル基またはナフチル基を示し、ｋは１〜４の整数を示し、ｍおよびｎはそれぞれ０〜４の整数を示す。］【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ａ）で表される芳香族スルホン酸誘導体。
【化１】
2006299082.tif 000017
［式（Ａ）中、Ｘはハロゲン原子、−ＯＳＯ2ＣＨ3または−ＯＳＯ2ＣＦ3を示し、
Ｙは−ＣＯ−または−ＳＯ2−を示し、Ｚは−Ｏ−、−Ｓ−または直接結合を示し、
Ｒは水素原子、アルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子または炭素数１〜２０の炭化水素基を示し、
ＡｒはＳＯ3Ｒ基を有するフェニル基またはナフチル基を示し、
ｋは１〜４の整数を示し、ｍおよびｎはそれぞれ０〜４の整数を示す。］
【請求項２】
下記一般式（Ａ’）で表される構成単位を有することを特徴とするスルホン化ポリマー。
【化２】
2006299082.tif 000018
［式（Ａ’）中、Ｙは−ＣＯ−または−ＳＯ2−を示し、
Ｚは−Ｏ−、−Ｓ−または直接結合を示し、
Ａｒ’はＳＯ3Ｈ基を有するフェニル基またはナフチル基を示し、
ｋは１〜４の整数を示し、ｍおよびｎはそれぞれ０〜４の整数を示す。］
【請求項３】
請求項２に記載のスルホン化ポリマーを含むことを特徴とする固体高分子電解質。
【請求項４】
請求項２に記載のスルホン化ポリマーを含むことを特徴とするプロトン伝導膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ニトリル基を有する芳香族スルホン酸誘導体、該化合物から導かれる構成単位を有するスルホン化ポリマー、該スルホン化ポリマーを含む固体高分子電解質およびプロトン伝導膜に関する。
【背景技術】
【０００２】
固体高分子電解質の重要な用途として、これをプロトンの伝導体として利用する燃料電池が挙げられる。燃料電池に用いられる高分子電解質膜（プロトン伝導膜）としては、従来、スルホン酸基を有するパーフルオロ炭化水素系高分子が用いられてきた。しかし、この系統の材料は８０℃付近に軟化点を有することから、１００℃を越える高温では使用することができなかった。
【０００３】
そのため、高温でも使用できる固体高分子電解質として、芳香族系の高分子にスルホン酸基を導入した材料が検討されている（たとえば、特許文献１参照）。これらの材料は、高い軟化温度を有するが、ポリマー骨格へのスルホン酸基の導入により、強度や伸び（靭性）が損なわれるなど、機械的特性の低下が起きることが問題である。また、プロトン伝導性を上げるために、スルホン酸基の濃度を高くすると、吸水により大きな寸法変化を起こしたり、強度が著しく低下するなどの問題もある。
【特許文献１】米国特許第５，４０３，６７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の課題は、スルホン酸基の導入量を増加しても、優れた耐熱水性および機械的特性を有するスルホン化ポリマー、該ポリマーを得るためのモノマー、該スルホン化ポリマーからなり、プロトン伝導度が高く、発電性能に優れた固体高分子電解質およびプロトン伝導膜を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意研究を行った。その結果、以下のニトリル基を有する芳香族スルホン酸誘導体、該化合物から導かれる構成単位を有するスルホン化ポリマー、該ポリマーを含む固体高分子電解質およびプロトン伝導膜を提供することにより、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００６】
すなわち、本発明に係る芳香族スルホン酸誘導体は、下記一般式（Ａ）で表されることを特徴とする。
【０００７】
【化１】
2006299082.tif 000002
【０００８】
式（Ａ）中、Ｘはハロゲン原子、−ＯＳＯ2ＣＨ3または−ＯＳＯ2ＣＦ3を示し、Ｙは−ＣＯ−または−ＳＯ2−を示し、Ｚは−Ｏ−、−Ｓ−または直接結合を示し、Ｒは水素原
子、アルカリ金属原子、アルカリ土類金属原子または炭素数１〜２０の炭化水素基を示し
、ＡｒはＳＯ3Ｒ基を有するフェニル基またはナフチル基を示し、ｋは１〜４の整数を示
し、ｍおよびｎはそれぞれ０〜４の整数を示す。
【０００９】
本発明に係るスルホン化ポリマーは、下記一般式（Ａ’）で表される構成単位を有することを特徴とする。
【００１０】
【化２】
2006299082.tif 000003
【００１１】
式（Ａ’）中、Ｙは−ＣＯ−または−ＳＯ2−を示し、Ｚは−Ｏ−、−Ｓ−または直接
結合を示し、Ａｒ’はＳＯ3Ｈ基を有するフェニル基またはナフチル基を示し、ｋは１〜
４の整数を示し、ｍおよびｎはそれぞれ０〜４の整数を示す。
【００１２】
本発明に係る固体高分子電解質およびプロトン伝導膜は、上記本発明のスルホン化ポリマーを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、ニトリル基を有する芳香族スルホン酸誘導体、該化合物から誘導され、側鎖にスルホン酸基を有し、主鎖にニトリル基を有する構成単位を含むスルホン化ポリマー、さらに該ポリマーからなる固体高分子電解質およびプロトン伝導膜を提供することができる。
【００１４】
すなわち、本発明の芳香族スルホン酸誘導体をモノマーとして使用することにより得られるスルホン化ポリマーは、側鎖にスルホン酸基を有し、かつ、主鎖にニトリル基を有する構造を特徴とする。これによって、スルホン酸基を高濃度で導入しても、耐熱水性や機械的特性を損なうことなく、プロトン伝導性の優れた固体高分子電解質およびプロトン伝導膜を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明に係る芳香族スルホン酸誘導体、該化合物から誘導される構成単位を有するスルホン化ポリマー、該ポリマーを含む固体高分子電解質およびプロトン伝導膜について詳細に説明する。
【００１６】
＜芳香族スルホン酸誘導体＞
本発明の芳香族スルホン酸誘導体は、下記一般式（Ａ）で表される。
【００１７】
【化３】
2006299082.tif 000004
【００１８】
式（Ａ）中、Ｘはハロゲン原子（フッ素、塩素、臭素、ヨウ素）、−ＯＳＯ2ＣＨ3また
は−ＯＳＯ2ＣＦ3を示す。これらの中では、フッ素原子および塩素原子が好ましい。Ｙは−ＣＯ−または−ＳＯ2−を示し、−ＳＯ2−であることが好ましい。Ｚは−Ｏ−、−Ｓ−または直接結合を示す。ＡｒはＳＯ3Ｒ基を有するフェニル基またはナフチル基を示し、
ＳＯ3Ｒ基は、１個でも、２個以上有していてもよい。ｋは１〜４の整数、ｍおよびｎは
、それぞれ０〜４の整数を示す。Ｒは、水素原子；リチウム、ナトリウム、カリウムなどのアルカリ金属原子；マグネシウム、カルシウム、バリウムなどのアルカリ土類金属原子；または炭素数１〜２０の炭化水素基を示す。
【００１９】
炭素数１〜２０の炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、シクロペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、シクロペンチルメチル基、アダマンチル基、シクロヘキシルメチル基、アダマンチルメチル基、テトラヒドロフルフリル基、２−メチルブチル基、３，３−ジメチル−２，４−ジオキソランメチル基、ビシクロ［２．２．２］ヘプチル基、ビシクロ［２．２．１］ヘプチルメチル基などの直鎖状炭化水素基、分岐状炭化水素基および脂環式炭化水素基などが挙げられる。これらの中では、ネオペンチル基、テトラヒドロフルフリル基、シクロペンチルメチル基、シクロヘキシルメチル基、アダマンチルメチル基、ビシクロ［２．２．１］ヘプチル基が好ましく、特にネオペンチル基が好ましい。
【００２０】
上記式（Ａ）で表される芳香族スルホン酸誘導体（以下「化合物（Ａ）」ともいう）としては、たとえば、以下のような化合物が挙げられる。
【００２１】
【化４】
2006299082.tif 000005
【００２２】
上記化合物において、塩素原子やフッ素原子の位置が異なる他の異性体も例として挙げることができる。また、塩素原子やフッ素原子が他のハロゲン原子に置き換わったものも例としてあげることができる。さらに、スルホン酸基の結合の位置が異なる異性体も例として挙げることができる。上記化合物（Ａ）は、単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００２３】
上記化合物（Ａ）は、たとえば、次のような反応によって合成することができる。
まず、ジハロゲン化ベンゾニトリルをスルホン化し、次にスルホン酸クロリドに変換する。
【００２４】
ジハロゲン化ベンゾニトリルとしては、たとえば、２，６−ジクロロベンゾニトリル、２，６−ジフルオロベンゾニトリル、２，５−ジクロロベンゾニトリル、２，５−ジフルオロベンゾニトリル、２，４−ジクロロベンゾニトリル、２，４−ジフルオロベンゾニトリルなどが挙げられる。
【００２５】
スルホン化には、濃硫酸、クロロスルホン酸、発煙硫酸、無水硫酸などのスルホン化剤を用いることができ、これらの中では発煙硫酸が好ましい。スルホン化の反応温度は５０〜２００℃が好ましい。得られたスルホン化物を得られたスルホン化物を、塩化ホスホリル、五塩化リン、クロロスルホン酸、塩化チオニルなどで処理することにより、スルホン酸クロリドに変換することができる。
【００２６】
次に、得られたスルホン酸クロリドと、下記一般式（１）で表される化合物とをフリーデルクラフツ反応させる。
【００２７】
【化５】
2006299082.tif 000006
【００２８】
式（１）中、Ｚは−Ｏ−、−Ｓ−または直接結合を示し、ｗは０〜８の整数を示し、Ａｒ”はフェニル基またはナフチル基を示す。
上記式（１）で表される化合物としては、たとえば、ベンゼン、ナフタレン、ビフェニル、ジフェニルエーテル、ジフェニルスルフィド、１，４−ジフェノキシベンゼン、１，３−ジフェノキシベンゼン、ｐ−ターフェニル、ｍ−ターフェニル、ｏ−ターフェニル、ｐ−クォーターフェニルなどが挙げられる。
【００２９】
上記反応の際に用いることができるフリーデルクラフツ触媒としては、一般的に用いられている触媒であれば特に限定されず、たとえば、塩化アルミニウム、塩化鉄、塩化スズ、塩化チタン、塩化亜鉛などが挙げられる。また、これらの化合物において、塩素原子が、フッ素原子、臭素原子、ヨウ素原子に置き換わったものも用いることができる。これらの中では、塩化アルミニウムが好ましい。
【００３０】
上記反応は、無溶媒で行うこともでき、溶媒を用いて行うこともできる。用いることができる溶媒としては、たとえば、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン、クロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素、ニトロベンゼンなどが挙げられる。また、上記反応は、通常、−２０℃〜２００℃の範囲で行われる。
【００３１】
次に、上記反応で得られた化合物を、スルホン化剤を用いてスルホン化する。スルホン化剤としては、硫酸、クロロスルホン酸、発煙硫酸、無水硫酸などが挙げられ、発煙硫酸が好ましい。スルホン化剤の種類、反応温度および反応時間などを制御して、目的の芳香環にスルホン酸基が導入されるように反応を行う。また、反応温度は５０℃〜２００℃の範囲が好ましい。
【００３２】
上記工程で得られたスルホン化物を、スルホン酸エステルに誘導する場合には、下記のような反応により合成することができる。
まず、得られたスルホン化物をスルホン酸クロリドに変換する。この反応には、塩化チオニル、塩化ホスホリル、五塩化リン、三塩化リンなどを用いることができる。なお、スルホン化剤としてクロロスルホン酸を用いた場合には、酸クロリドの形で単離できるため
、この工程は省略してもよい。
【００３３】
最後に、得られたスルホン酸クロリドと各種アルコールとを、エステル化反応させることにより本発明の芳香族スルホン酸誘導体が得られる。アルコールとしては、ｔ−ブチルアルコール、ｓｅｃ−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、ｎ−ペンチルアルコール、ネオペンチルアルコール、シクロペンチルアルコール、ｎ−ヘキシルアルコール、シクロヘキシルアルコール、ヘプチルアルコール、オクチルアルコール、２−エチルヘキシルアルコール、シクロペンチルメチルアルコール、アダマンチルアルコール、シクロヘキシルメチルアルコール、アダマンチルメチルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、２−メチルブチルアルコール、３，３−ジメチル−２，４−ジオキソランメチルアルコール、ビシクロ［２．２．１］ヘプチルアルコール、ビシクロ［２．２．１］ヘプチルメチルアルコールなどが挙げられる。これらの中では、ネオペンチルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、シクロペンチルメチルアルコール、シクロヘキシルメチルアルコール、アダマンチルメチルアルコール、ビシクロ［２．２．１］ヘプチルメチルアルコールが好ましく、特にネオペンチルアルコールが好ましい。
【００３４】
エステル化反応には、たとえば、ピリジン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリオクチルアミンなどの塩基性化合物を共存させることが好ましい。
＜スルホン化ポリマー＞
本発明に係るスルホン化ポリマーは、下記一般式（Ａ’）で表される構成単位（以下「構成単位（Ａ’）」ともいう）を有する。固体高分子電解質がこの重合体を含むことにより、プロトン伝導性が得られる。
【００３５】
【化６】
2006299082.tif 000007
【００３６】
式（Ａ’）中、Ｙ、Ｚ、ｋ、ｍおよびｎは、上記式（Ａ）中のＹ、Ｚ、ｋ、ｍおよびｎと同義であり、Ａｒ’はＳＯ3Ｈ基を有するフェニル基またはナフチル基を示す。
本発明のスルホン化ポリマーは、上記化合物（Ａ）を単量体の一成分として重合して得られる構造の重合体であればよく、具体的には、ポリフェニレン、ポリアリーレン、ポリエーテル、ポリエーテルケトン、ポリエーテルスルホンなどが挙げられる。
【００３７】
本発明のスルホン化ポリマーは、上記構成単位（Ａ’）のみを繰り返し単位とする単独重合体であってもよく、上記化合物（Ａ）と共重合可能な化合物とを共重合させた共重合体であってもよい。さらに、共重合体の場合、ランダム共重合体でもブロック共重合体でもよい。本発明のスルホン化ポリマーを固体高分子電解質として使用する場合には、熱水耐性および機械的特性を考慮すると、共重合体であることが好ましい。
【００３８】
本発明のスルホン化ポリマーは、主に下記の２通りの方法で合成することができる。
第１の方法は、上記化合物（Ａ）を、たとえば特開２００４−１３７４４４号公報に記載の方法でカップリング重合させる方法である。このとき、化合物（Ａ）中の置換基Ｘとしては、フッ素以外のハロゲン原子であることが好ましく、置換基Ｒとしては、炭素数１〜２０の炭化水素基であることが好ましく、炭素数４〜２０であることがより好ましい。この重合においては、化合物（Ａ）の置換基Ｘが脱離してフェニレン結合が形成される。
すなわち、ポリフェニレンまたはポリアリーレンが得られる。次に、Ｒ基をＨに変換する。つまり、得られたスルホン酸エステル基を有するポリアリーレンを脱エステル化して、スルホン酸エステル基をスルホン酸基に変換することにより、本発明のスルホン化ポリマーを合成することができる。
【００３９】
この方法において、上記化合物（Ａ）と共重合可能な化合物としては、フッ素以外のハロゲン原子を２個以上有する芳香族系化合物が挙げられる。なお、ハロゲン原子は、隣接する電子吸引性基で活性化されていることが好ましい。具体的には、４，４’−ジクロロベンゾフェノン、２，４’−ジクロロベンゾフェノン、２，２’−ジクロロベンゾフェノン、２，５−ジクロロベンゾフェノン、２，４−ジクロロベンゾフェノン、２，６−ジクロロベンゾフェノンなどが挙げられる。
【００４０】
重合は、触媒の存在下に行われるが、この際使用される触媒は、遷移金属化合物を含む触媒系であり、この触媒系としては、（１）遷移金属塩および配位子となる化合物、または、配位子が配位された遷移金属錯体、および（２）還元剤を必須成分とし、さらに、重合速度を上げるために、塩を添加してもよい。
【００４１】
これらの触媒成分の具体的な例、各成分の使用割合、反応溶媒、濃度、温度、時間等の重合条件としては、特開２００１−３４２２４１号公報に記載の条件を挙げることができる。
【００４２】
たとえば、遷移金属塩としては、塩化ニッケル、臭化ニッケルなどが好適に使用され、配位子としては、トリフェニルホスフィン、２，２’−ビピリジンなどが挙げられる。還元剤としては、鉄、亜鉛、マンガンなどが好ましい。塩としては、臭化ナトリウム、ヨウ化ナトリウム、臭化カリウム、臭化テトラエチルアンモニウム、ヨウ化テトラエチルアンモニウムが好ましい。重合に用いる溶媒としては、たとえば、テトラヒドロフラン、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリドンなどが挙げられる。
【００４３】
本発明のスルホン化ポリマーは、この前駆体のスルホン酸エステル基を有する重合体を、特開２００４−１３７４４４号公報に記載の方法で脱エステル化して得ることができる。脱エステル化は臭化リチウム、ヨウ化リチウム、臭化ナトリウム、ヨウ化ナトリウムなどの塩を用いて、上記の溶媒中で行うことが好ましい。
【００４４】
本発明のスルホン化ポリマーの第２の合成方法としては、たとえば、上記化合物（Ａ）と、フェノール性水酸基を有する各種の化合物とを求核置換反応により重合させる方法が挙げられる。このとき化合物（Ａ）中のＸは、フッ素原子または塩素原子であることが好ましく、Ｒは、水素原子またはアルカリ金属原子であることが好ましい。この重合においては、化合物（Ａ）中の置換基Ｘと、フェノール性水酸基を有する化合物の該水酸基中の水素原子とが脱離し、エーテル結合が形成される。すなわち、この方法では、ポリアリーレンエーテル、ポリエーテルケトン、ポリエーテルスルホンなどのエーテル結合を有する重合体が得られる。
【００４５】
上記フェノール性水酸基を有する化合物として、たとえば、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン、４，４’−ジヒドロキシビフェニル、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、レゾルシノール、ヒドロキノン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、４，４’−ジヒドロキシベンゾフェノンなどが挙げられる。これらの化合物は単独で用いてもよいし、２種類以上を用いてもよい。
【００４６】
また、他の成分として、スルホン酸基を有しないジハロゲン化物を共重合させることもできる。このようなジハロゲン化物としては、たとえば、４，４’−ジクロロベンゾフェノン、２，４’−ジクロロベンゾフェノン、２，２’−ジクロロベンゾフェノン、２，５−ジクロロベンゾフェノン、２，４−ジクロロベンゾフェノン、２，６−ジクロロベンゾフェノン、４，４’−ジクロロジフェニルスルホン、２，４’−ジクロロジフェニルスルホン、２，２’−ジクロロジフェニルスルホン、２，５−ジクロロジフェニルスルホン、２，４−ジクロロジフェニルスルホン、２，６−ジクロロジフェニルスルホン、２，６−ジクロロベンゾニトリル、２，５−ジクロロベンゾニトリル、２，４−ジクロロベンゾニトリルなどが挙げられる。また、これらの化合物の塩素原子をフッ素原子に置き換えた化合物も例として挙げることができる。
【００４７】
上記重合は、アルカリ炭酸金属塩、アルカリ金属、アルカリ水素金属、水酸化アルカリ金属の存在化で行うことが好ましい。具体的には、炭酸カリウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸水リチウム、水素化リチウム、水素化ナトリウム、水素化カリウム、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムを挙げることができる。
【００４８】
上記重合に用いる溶媒としては、極性溶媒が好ましく、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリドンなどを挙げることができる。また、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの水と共沸する溶媒を共存させてもよい。
【００４９】
いずれの合成方法の場合にも、得られた重合体を固体高分子電解質として使用する際には、酸で処理し、スルホン酸基を各種の金属塩の状態からフリーの状態に変換しておくことが好ましい。
【００５０】
上記のような方法により製造されるスルホン化ポリマーのイオン交換容量は、通常、０．３〜５ｍｅｑ／ｇ、好ましくは０．５〜４ｍｅｑ／ｇ、さらに好ましくは０．８〜３．５ｍｅｑ／ｇである。イオン交換容量が上記範囲よりも低いと、プロトン伝導度が低く、発電性能が低くなる傾向にあり、上記範囲を超えると、耐水性が大幅に低下することがある。
【００５１】
本発明のスルホン化ポリマーの重量平均分子量（Ｍｗ）は、ゲルパーミエションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）によるポリスチレン換算で、１万〜１００万、好ましくは２万〜５０万、より好ましくは３万〜３０万である。
【００５２】
＜固体高分子電解質＞
本発明の固体高分子電解質は、上記スルホン化ポリマーからなり、プロトン伝導性を損なわない範囲で、フェノール性水酸基含有化合物、アミン系化合物、有機リン化合物、有機イオウ化合物などの酸化防止剤などを含んでもよい。
【００５３】
上記固体高分子電解質は、使用用途に応じて、粒状、繊維状、膜状など種々の形状で用いることができる。たとえば、燃料電池や水電解装置などの電気化学デバイスに用いる場合には、その形状を膜状（プロトン伝導膜）とすることが望ましい。
【００５４】
＜プロトン伝導膜＞
本発明のプロトン伝導膜は、上記スルホン化ポリマーを含む固体高分子電解質を用いて調製される。また、プロトン伝導膜を調製する際に、固体高分子電解質以外に、硫酸やリン酸などの無機酸、カルボン酸などの有機酸、適量の水などを併用してもよい。
【００５５】
本発明のプロトン伝導膜は、上記スルホン化ポリマーを溶媒に溶解した後、基体上に流
延してフィルム状に成形するキャスティング法などにより製造することができる。
上記スルホン化ポリマーを溶解する溶媒としては、たとえば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ,Ｎ−ジメチルホルムアミド、γ−ブチロラクトン、Ｎ,Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ジメチル尿素、ジメチルイミダゾリジノンなどの非プロトン系極性溶剤が挙げられ、特に溶解性および溶液粘度の観点から、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（以下「ＮＭＰ」ともいう。）が好ましい。非プロトン系極性溶剤は１種単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００５６】
また、上記溶媒として、上記非プロトン系極性溶剤とアルコールとの混合物も用いることができる。アルコールとしては、たとえば、メタノール、エタノール、プロピルアルコール、ｉｓｏ−プロピルアルコール、ｓｅｃ−ブチルアルコール、ｔｅｒｔ−ブチルアルコールなどが挙げられる。
【００５７】
上記溶媒として、非プロトン系極性溶剤とアルコールとの混合物を用いる場合には、非プロトン系極性溶剤が９５〜２５重量％、好ましくは９０〜２５重量％、アルコールが５〜７５重量％、好ましくは１０〜７５重量％（ただし、合計を１００重量％とする）の割合で用いられる。
【００５８】
本発明のスルホン化ポリマーを溶解させた溶液のポリマー濃度は、重合体の分子量にもよるが、通常、５〜４０重量％、好ましくは７〜２５重量％である。ポリマー濃度が上記範囲よりも低いと、厚膜化し難く、また、ピンホールが生成しやすい傾向にある。一方、上記範囲を超えると、溶液粘度が高すぎてフィルム化し難く、また、表面平滑性に欠けることがある。
【００５９】
なお、溶液粘度は、上記スルホン化ポリマーの分子量やポリマー濃度にもよるが、通常、２,０００〜１００,０００ｍＰａ・ｓ、好ましくは３,０００〜５０,０００ｍＰａ・ｓである。溶液粘度が上記範囲よりも低いと、成膜中の溶液の滞留性が悪く、基体から流れてしまうことがあり、上記範囲を超えると、粘度が高過ぎてダイからの押し出しができず、流延法によるフィルム化が困難になる傾向にある。
【００６０】
上記のようにして成膜した後、得られた未乾燥フィルムを水に浸漬することにより、未乾燥フィルム中の有機溶剤を水と置換することができ、得られるプロトン伝導膜中の残留溶媒量を低減することができる。なお、成膜後、未乾燥フィルムを水に浸漬する前に、未乾燥フィルムを予備乾燥してもよい。予備乾燥は、未乾燥フィルムを通常５０〜１５０℃の温度で、０．１〜１０時間保持することにより行われる。
【００６１】
未乾燥フィルムを水に浸漬する際は、バッチ方式でも連続方法でもよい。未乾燥フィルムを水に浸漬する際の水の温度は、好ましくは５〜８０℃の範囲である。通常、置換速度と取り扱いやすさから１０〜６０℃の温度範囲が好都合である。浸漬時間は、初期の残存溶媒量や接触比、処理温度にもよるが、通常１０分〜２４０時間、好ましくは３０分〜１００時間の範囲である。
【００６２】
上記のように未乾燥フィルムを水に浸漬した後乾燥すると、残存溶媒量が低減されたプロトン伝導膜が得られるが、このようにして得られるプロトン伝導膜中の残存溶媒量は、通常５重量％以下である。
【００６３】
上記のようにして未乾燥フィルムを水に浸漬した後、フィルムを３０〜１００℃、好ましくは５０〜８０℃で、１０〜１８０分、好ましくは１５〜６０分乾燥し、次いで、５０〜１５０℃で、好ましくは５００ｍｍＨｇ〜０．１ｍｍＨｇの減圧下、０．５〜２４時間、真空乾燥することにより、プロトン伝導膜を得ることができる。
【００６４】
上記の方法により得られる本発明のプロトン伝導膜は、その乾燥膜厚が、通常１０〜１００μｍ、好ましくは２０〜８０μｍである。
本発明のプロトン伝導膜は、たとえば、一次電池用電解質、二次電池用電解質、燃料電池用高分子固体電解質、表示素子、各種センサー、信号伝達媒体、固体コンデンサー、イオン交換膜などに用いられるプロトン伝導性の固体高分子電解質膜として好適に用いることができる。
【００６５】
［実施例］
以下、実施例に基づいて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。なお、実施例における各種の測定項目は、下記のようにして求めた。
【００６６】
（分子量）
重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、臭化リチウムと燐酸を添加したＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）を溶離液として用い、ＧＰＣによってポリスチレン換算の分子量を求めた。
【００６７】
（イオン交換容量）
得られたスルホン化ポリマーの水洗水がｐＨ４〜６になるまで洗浄して、フリーの残存している酸を除去して十分に水洗し、乾燥した後、所定量を秤量し、ＴＨＦ／水の混合溶剤に溶解し、フェノールフタレインを指示薬とし、ＮａＯＨの標準液にて滴定し、中和点からイオン交換容量を求めた。
【００６８】
（プロトン伝導度）
まず、短冊状の試料膜（４０ｍｍ×５ｍｍ）の表面に、白金線（φ＝０．５ｍｍ）を５ｍｍ間隔に５本押し当て、恒温恒湿装置（（株）ヤマト科学製「ＪＷ２４１」）中に試料を保持し、白金線間の交流インピーダンス測定により交流抵抗を求めた。測定は、抵抗測定装置として（株）ＮＦ回路設計ブロック製のケミカルインピーダンス測定システムを用いて、８５℃、相対湿度９０％の環境下、交流１０ｋＨｚの条件で、線間距離を５〜２０ｍｍに変化させて行った。次いで、線間距離と抵抗の勾配から、膜の比抵抗Ｒを下記式に従って算出し、比抵抗Ｒの逆数からプロトン伝導度を算出した。
比抵抗Ｒ（Ω・ｃｍ）＝０．５（ｃｍ）×膜厚（ｃｍ）×抵抗線間勾配（Ω／ｃｍ）
（含水率）
厚さ５０μｍのプロトン伝導膜を、プレッシャークッカー中で１２０℃の熱水に２４時間浸漬し、浸漬前のフィルムの重量に対する取り出し直後の重量の割合（含水率）を求めた。
【００６９】
〔合成例〕３，５−ジクロロ−４−シアノベンゼンスルホン酸クロリドの合成
攪拌機を取り付けた１００ｍＬの三口フラスコに、２，６−ジクロロベンゾニトリル１０ｇ（５８ｍｍｏｌ）をはかりとり、０℃に冷却した後、濃硫酸１０ｍＬを加え、３０分間攪拌した。次いで、６０％発煙硫酸１０ｍＬを加え、１１０℃で６時間攪拌した。２００ｍＬの氷水に反応液を注いで、食塩を加えて反応物を塩析させた。再度２００ｍＬの水に溶解し、１０％水酸化ナトリウム水溶液で中和し、食塩で塩析させ、これを乾燥することによりスルホン化物を得た。
【００７０】
次に、攪拌機を取り付けた１００ｍＬの三口フラスコに、得られたスルホン化物１０．０ｇ（３６ｍｍｏｌ）およびクロロスルホン酸２０ｍＬをはかりとり、１４５℃で５時間反応させた。反応液を３００ｍＬの氷水に注ぎ、沈殿を回収、洗浄、乾燥して、３，５−ジクロロ−４−シアノベンゼンスルホン酸クロリドを得た。
【００７１】
〔実施例１〕スルホン化物の合成（１）
冷却管および攪拌機を取り付けた２００ｍＬの三口フラスコに、ビフェニル４．０ｇ（２６ｍｍｏｌ）、塩化アルミニウム２．９ｇ（２２ｍｍｏｌ）、３，５−ジクロロ−４−シアノベンゼンスルホン酸クロリド５．４ｇ（２０ｍｍｏｌ）および１，２−ジクロロエタン１００ｍＬをはかりとった。加熱還流させ、１２時間攪拌した後、塩酸を含む過剰の氷水に反応液を注ぎ、有機層を濃縮、乾燥して目的物を得た。
【００７２】
次に、攪拌機を取り付けた１００ｍＬの三口フラスコに、生成物５．０ｇ（１３ｍｍｏｌ）をとり、氷浴で冷却した。これに濃硫酸５ｍＬを加えて溶解させた後、６０％発煙硫酸を加え、９０℃で６時間反応させた。反応液を１００ｇの氷に注いだ後、１０％水酸化ナトリウムで中和した。沈殿をろ過、乾燥することにより、下記式で表されるスルホン化物を得た。
【００７３】
【化７】
2006299082.tif 000008
【００７４】
〔実施例２〕スルホン化物の合成（２）
ビフェニル４．０ｇの代わりに、ジフェニルエーテル４．４ｇを用いたこと以外は、実施例１と同様に反応を行い、下記式で表されるスルホン化物を得た。
【００７５】
【化８】
2006299082.tif 000009
【００７６】
〔実施例３〕スルホン酸エステルの合成
攪拌機、温度計、冷却管および窒素導入管を取り付けた２００ｍＬの三口フラスコに、実施例２で得られたスルホン化物７．１ｇおよびスルホラン３０ｇをはかりとり、氷浴で冷却した。ここに塩化ホスホリル１５．３ｇを滴下した後、温度を８０℃に上げ３時間攪拌した。反応液を氷水に注ぎ、酢酸エチルで抽出したた後、炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄した。溶媒を留去した後、酢酸エチル／ｎ−ヘキサンで再結晶しスルホン酸クロリド６．０ｇを得た。
【００７７】
攪拌機および窒素導入管を取り付けた２００ｍＬの三口フラスコに、スルホン酸クロリド６．０ｇおよびピリジン１０ｇをはかりとり、ネオペンチルアルコール２．５ｇを加えた。室温で８時間攪拌後、トルエンで希釈し、塩酸水溶液で洗浄した。溶媒を留去し、酢酸エチル／ｎ−ヘキサンで再結晶することにより、下記式で表されるスルホン酸エステル５．１ｇを得た。
【００７８】
【化９】
2006299082.tif 000010
【００７９】
〔実施例４〕スルホン化ポリマーの合成（１）
攪拌機、温度計、Dean-stark管、窒素導入管および冷却管を取り付けた５００ｍＬの三口フラスコに、実施例１で合成したスルホン化物２６．０ｇ（４４．０ｍｍｏｌ）、２，６−ジクロロベンゾニトリル３．２ｇ（１８．８ｍｍｏｌ）、４，４’−ジヒドロキシビフェニル１１．７ｇ（６２．８ｍｍｏｌ）および炭酸カリウム１１．３ｇ（８１．６ｍｍｏｌ）をはかりとった。乾燥窒素置換した後、スルホラン１００ｍＬおよびトルエン５０ｍＬを加え、１３０℃で加熱攪拌した。反応によって生成する水は、Dean-stark管にトラップした。３時間後、水の生成がほとんど認められなくなったところで、トルエンをDean-stark管から系外に除去した。その後、反応温度を１９５℃に上げ、１２時間攪拌を続けた。反応液を放冷後、トルエン１００ｍＬを加えて希釈した。不溶の塩をろ過し、ろ液をメタノール２Ｌに注いで生成物を沈殿させた。沈殿した生成物を１Ｎ塩酸、純水の順に洗浄した後、乾燥して目的のポリマー６９ｇを得た。このポリマーの重量平均分子量は１１３，０００、イオン交換容量は１．９ｍｅｑ／ｇであった。得られた重合体は下記式で表されるスルホン化ポリマーであると推定される。
【００８０】
【化１０】
2006299082.tif 000011
【００８１】
〔実施例５〕スルホン化ポリマーの合成（２）
実施例１で合成したスルホン酸誘導体の仕込み量を３３．５ｇ（５６．５ｍｍｏｌ）に変更し、２，６−ジクロロベンゾニトリルの仕込み量を１．１ｇ（６．３ｍｍｏｌ）に変更し、４，４’−ジヒドロキシビフェニルの代わりに９，９’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン２２．０ｇ（６２．８ｍｍｏｌ）を用いたこと以外は、実施例４と同様に反応を行い、スルホン化ポリマー９６ｇを得た。得られた重合体の重量平均分子量は１２７，０００、イオン交換容量は１．９ｍｅｑ／ｇであった。得られた重合体は下記式で表されるスルホン化ポリマーであると推定される。
【００８２】
【化１１】
2006299082.tif 000012
【００８３】
〔実施例６〕スルホン化ポリマーの合成（３）
実施例１で合成したスルホン化物の代わりに実施例２で合成したスルホン化物２８．５ｇ（４０．２ｍｍｏｌ）を用い、４，４’−ジヒドロキシビフェニルの代わりに２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン２１．１ｇ（６２．８ｍｍｏｌ）を用い、２，６−ジクロロベンゾニトリルの仕込み量を３．９ｇ（２２．６ｍｍｏｌ）に変更したこと以外は、実施例４と同様に反応を行い、スルホン化ポリマー９１ｇを得た。得られた重合体の重量平均分子量は１１６，０００、イオン交換容量は１．８ｍｅｑ／ｇであった。得られた重合体は下記式で表されるスルホン化ポリマーであると推定される。
【００８４】
【化１２】
2006299082.tif 000013
【００８５】
〔実施例７〕スルホン化ポリマーの合成（４）
実施例２で合成したスルホン化物の仕込み量を２２．３ｇ（３１．４ｍｍｏｌ）に変更し、２，６−ジクロロベンゾニトリルの仕込み量を５．４ｇ（３１．４ｍｍｏｌ）に変更し、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパンの代わりにレゾルシノール６．９ｇ（６２．８ｍｍｏｌ）を用いたこと以外は、実施例６と同様に反応を行い、スルホン化ポリマー５０ｇを得た。得られた重合体の重量平均分子量は１０７，０００、イオン交換容量は１．９ｍｅｑ／ｇであった。得られた重合体は下記式で表されるスルホン化ポリマーであると推定される。
【００８６】
【化１３】
2006299082.tif 000014
【００８７】
〔実施例８〕スルホン化ポリマーの合成（５）
攪拌機、窒素導入管および温度計を取り付けた２００ｍＬの３口フラスコに、実施例３で得られたスルホン酸エステル７．７ｇ（９ｍｍｏｌ）、２，５−ジクロロベンゾフェノン１０．３ｇ（４１ｍｍｏｌ）、ビス（トリフェニルホスフィン）ニッケルジクロリド０．９８ｇ（２．０ｍｍｏｌ）、ヨウ化ナトリウム０．２３ｇ（２．０ｍｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン５．２ｇ（２０ｍｍｏｌ）および亜鉛７．８ｇ（１２０ｍｍｏｌ）をはかりとり、乾燥窒素置換した。ここにＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）４５ｍＬを加え、反応温度を８０℃に保ちながら３時間攪拌した後、ＤＭＡｃ４０ｍＬを加えて希釈し、不溶物をろ過した。
【００８８】
得られたろ液を、攪拌機、温度計および窒素導入管を取り付けた３００ｍＬの三口フラスコに入れ、１１５℃に加熱攪拌し、臭化リチウム２．６ｇ（３３ｍｍｏｌ）を加えた。７時間攪拌後、アセトン５００ｍＬに注いで生成物を沈殿させた。次いで、１Ｎ塩酸、純水の順に洗浄後、乾燥して目的のスルホン化ポリマー１３．５ｇを得た。得られた重合体の重量平均分子量は１０８，０００、イオン交換容量は１．９ｍｅｑ／ｇであった。得られた重合体は下記式で表されるスルホン化ポリマーであると推定される。
【００８９】
【化１４】
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【００９０】
〔比較例１〕ポリエーテルエーテルケトンスルホン化物。
ポリエーテルエーテルケトン２５ｇを濃硫酸２５０ｍＬに加え、６０℃で２４時間攪拌した。反応液を水に注ぎ、沈殿したスルホン化物を中性になるまで純水で洗浄した後、乾燥してスルホン化ポリマー２８ｇを得た。このポリマーのイオン交換容量は１．８ｍｅｑ／ｇであった。
【００９１】
〔プロトン伝導膜の作製〕
実施例４〜８および比較例１の各スルホン化ポリマーをＮＭＰに溶解し、キャスト法により膜厚５０μｍのプロトン伝導膜を作製した。各プロトン伝導膜のプロトン伝導度および含水率を測定した。結果を表１に示す。
【００９２】
【表１】
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【００９３】
表１に示すように、本発明のスルホン化ポリマー（実施例４〜８）からなるプロトン伝導膜は、イオン交換容量を高くしても、熱水中での含水率を低減でき、高いプロトン伝導度を発現する。