(57)【要約】【課題】  所望の突出プロファイルを得ることができ、しかも素子形成面上の端子電極数を最小限とすることができる薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気ディスクドライブ装置を提供する。【解決手段】  磁気ヘッド素子と、磁気記録媒体に対向する端面（ＡＢＳ側の端面）を突出させるための、抵抗温度係数（ＴＣＲ）が互いに異なる少なくとも２つの抵抗発熱体とを備えており、これら少なくとも２つの抵抗発熱体が、互いに電気的に並列接続されている。【選択図】  図６
2006351116.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気ヘッド素子と、磁気記録媒体に対向する端面を突出させるための、抵抗温度係数が互いに異なる少なくとも２つの抵抗発熱体とを備えており、前記少なくとも２つの抵抗発熱体が、互いに電気的に並列接続されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記少なくとも２つの抵抗発熱体が、基板表面からの距離が互いに異なる位置に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記少なくとも２つの抵抗発熱体が、前記端面から見て前記磁気ヘッド素子の後方に設けられた第１の抵抗発熱体と、該第１の抵抗発熱体に対して前記端面からの距離がほぼ等しくかつ前記基板表面からの距離が大きい位置に設けられた第２の抵抗発熱体とを備えていることを特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記磁気ヘッド素子を覆う保護層がさらに備えられており、前記第２の抵抗発熱体が該保護層内に設けられていることを特徴とする請求項３に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記磁気ヘッド素子が磁気抵抗効果読出しヘッド素子と該磁気抵抗効果読出しヘッド素子上に積層して形成されたインダクティブ書込みヘッド素子とを含んでおり、前記第１の抵抗発熱体が前記端面から見て前記磁気抵抗効果読出しヘッド素子の後方に位置しており、前記第２の抵抗発熱体が前記端面から見て前記インダクティブ書込みヘッド素子の後方に位置していることを特徴とする請求項３又は４に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
前記第１の抵抗発熱体が、前記第２の抵抗発熱体よりも抵抗温度係数の小さい材料で構成されていることを特徴とする請求項３から５のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
前記第１の抵抗発熱体がＮｉＣｒ、ＮｉＣｕ、Ｔａ及びＭｎからなる群から選択される材料で構成されており、前記第２の抵抗発熱体がＰｔ、ＮｉＦｅ、Ｍｏ及びＷからなる群から選択される材料で構成されていることを特徴とする請求項６に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
前記第１の抵抗発熱体が、前記第２の抵抗発熱体よりも抵抗温度係数の大きい材料で構成されていることを特徴とする請求項３から５のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】
前記第１の抵抗発熱体がＰｔ、ＮｉＦｅ、Ｍｏ及びＷからなる群から選択される材料で構成されており、前記第２の抵抗発熱体がＮｉＣｒ、ＮｉＣｕ、Ｔａ及びＭｎからなる群から選択される材料で構成されていることを特徴とする請求項８に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１０】
前記少なくとも２つの抵抗発熱体が、基板表面からの距離が互いに等しくかつ前記端面からの距離が互いに異なる位置に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１１】
前記少なくとも２つの抵抗発熱体が、前記端面から見て前記磁気ヘッド素子の後方に設けられた第１の抵抗発熱体と、該第１の抵抗発熱体のさらに後方の位置に設けられた第２の抵抗発熱体とを備えていることを特徴とする請求項１０に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１２】
前記第１の抵抗発熱体が、前記第２の抵抗発熱体よりも抵抗温度係数の大きい材料で構成されていることを特徴とする請求項１１に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１３】
前記第１の抵抗発熱体がＰｔ、ＮｉＦｅ、Ｍｏ及びＷからなる群から選択される材料で構成されており、前記第２の抵抗発熱体がＮｉＣｒ、ＮｉＣｕ、Ｔａ及びＭｎからなる群から選択される材料で構成されていることを特徴とする請求項１２に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１４】
前記インダクティブ書込みヘッド素子が、面内磁気記録型インダクティブ書込みヘッド素子であることを特徴とする請求項１から１３のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１５】
前記インダクティブ書込みヘッド素子が、垂直磁気記録型インダクティブ書込みヘッド素子であることを特徴とする請求項１から１３のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１６】
請求項１から１５のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドと、該薄膜磁気ヘッドを支持する支持体とを備えたことを特徴とする磁気ヘッドアセンブリ。
【請求項１７】
請求項１６に記載の磁気ヘッドアセンブリを少なくとも１つ備えたことを特徴とする磁気ディスクドライブ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気ディスクドライブ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）装置に設けられている薄膜磁気ヘッド（磁気ヘッドスライダ）は、信号の書込み又は読出しに際し、回転する磁気ディスク上において流体力学的に所定の間隙（浮上量）をもって浮上する。薄膜磁気ヘッドは、この浮上状態においてインダクティブ書込みヘッド素子から発生する磁界により磁気ディスクに書込みを行い、磁気抵抗効果（ＭＲ）読出しヘッド素子により磁気ディスクからの信号磁界を感受して読出しを行う。この際のこれら磁気ヘッド素子と磁気ディスク表面との磁気的な実効距離がマグネティックスペーシングとなる。
【０００３】
近年のＨＤＤ装置の大容量小型化に伴う高記録密度化に対応して、薄膜磁気ヘッドのトラック幅はより減少する傾向にある。このトラック幅減少による書込み及び読出し能力の低下を回避するために、マグネティックスペーシングは、１０ｎｍ程度と小さな値に設定されている。このような微小値をとるマグネティックスペーシングを精度良く制御する方法として、ヘッド素子近傍又はヘッド素子内に発熱体を設けてＴＰＴＰ（Ｔｈｅｒｍａｌ Ｐｏｌｅ Ｔｉｐ Ｐｒｏｔｒｕｓｉｏｎ）現象を積極的に利用することにより、個々の薄膜磁気ヘッドの浮上量のばらつきを調整する方法は公知である（例えば、特許文献１〜４）。
【０００４】
特に、特許文献２〜４においては、２つのヒータをインダクティブ書込みヘッド素子及びＭＲ読出しヘッド素子の部分にそれぞれ設けることが記載されている。
【０００５】
【特許文献１】米国特許第５，９９１，１１３号明細書
【特許文献２】特表ＷＯ２００２／０３７４８０号公報
【特許文献３】特開２００３−１６８２７４号公報
【特許文献４】特開２００３−２７２３３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、これら特許文献２〜４には、２つのヒータの両方又はその一方のみを駆動させるという開示はあるものの、両方のヒータを駆動した際の個々の発熱量を互いに異ならせるという思想は全く開示されていない。しかも、これら２つのヒータは別々の配線によって駆動回路にそれぞれ接続されている。
【０００７】
従って、このような従来の薄膜磁気ヘッドでは、磁気ディスクに対向する端面を動作目的や環境温度に対応する所望の突出プロファイルに制御することは困難であり、また、ヒータ数に応じた数の端子電極を磁気ヘッドスライダに増設する必要があるので、素子形成面のスペース上の制約から実現することが難しい。
【０００８】
従って、本発明の目的は、所望の突出プロファイルを得ることができ、しかも素子形成面上の端子電極数を最小限とすることができる薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気ディスクドライブ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明によれば、磁気ヘッド素子と、磁気記録媒体に対向する端面（浮上面（ＡＢＳ）側の端面）を突出させるための、抵抗温度係数（ＴＣＲ、Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ  ｏｆ  Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）が互いに異なる少なくとも２つの抵抗発熱体とを備えており、これら少なくとも２つの抵抗発熱体が、互いに電気的に並列接続されている薄膜磁気ヘッドが提供される。
【００１０】
抵抗材料の、ある温度Ｔにおける抵抗値をＲ（Ｔ）とすると、これは、基準となる温度Ｔ０における抵抗値Ｒ０を用いて、Ｒ（Ｔ）＝Ｒ０｛１＋α（Ｔ−Ｔ０）｝で表される。このαをその抵抗材料の抵抗温度係数（ＴＣＲ）と呼び、単位はｐｐｍ／℃で表される。本発明においては、少なくとも２つの抵抗発熱体が互いに異なるＴＣＲを有する抵抗材料で構成されており、これら抵抗発熱体が互いに電気的に並列接続されている。ＴＣＲが異なる抵抗材料を用いることによって、温度に対応する抵抗値、従って発熱量が互いに異なることとなり、複数の抵抗発熱体を並列接続した場合にも、それらの両端に一定の電圧を印加するのみで、突出プロファイルが時間（温度）に応じて変化する所望の特性に制御可能となる。
【００１１】
一般に、ＭＲ読出しヘッド素子及びインダクティブ書込みヘッド素子部分においては、そのＡＢＳ側の端面がリセスを有しており、薄膜磁気ヘッドの始動時には、この部分にパワーをかけて素早く突出させマグネティックスペーシングを小さくすることが望まれるが、ある程度以上突出した後は、この部分よりも保護膜部分を突出させ、万が一、スライダが磁気記録媒体に衝突する場合にも保護膜部分が衝突することにより、素子部の磁気記録媒体へ衝突することを回避できるので望ましい。このため、磁気ヘッド素子部の基板に近い部分に設けられる抵抗発熱体を保護膜に近い部分に設けられる抵抗発熱体よりＴＣＲが大きい抵抗材料で構成して、このように時間の経過（温度上昇）に応じて突出プロファイルが変化する所望の特性を得ているのである。その結果、マグネティックスペーシングを小さくできると共に信頼性を向上させることが可能となる。即ち、本発明によれば、種々の動作目的や環境の変化に対応して、磁気記録媒体と薄膜磁気ヘッドとの距離を敏速に制御することが可能となる。しかも、これら複数の抵抗発熱体を互いに並列接続しているので、磁気ヘッドスライダの素子形成面に形成される端子電極の数を最小限とすることができる。
【００１２】
なお、本明細書において、「下部」又は「下方」とは、基準となる層よりも基板側にある構成要素又は部分を意味しており、「上部」又は「上方」とは、基準となる層よりも反基板側にある構成要素又は部分を意味している。
【００１３】
少なくとも２つの抵抗発熱体が、基板表面からの距離が互いに異なる位置に設けられていることが好ましい。
【００１４】
少なくとも２つの抵抗発熱体が、ＡＢＳ側の端面から見て磁気ヘッド素子の後方に設けられた第１の抵抗発熱体と、この第１の抵抗発熱体に対してＡＢＳ側の端面からの距離がほぼ等しくかつ基板表面からの距離が大きい位置に設けられた第２の抵抗発熱体とを備えていることも好ましい。
【００１５】
磁気ヘッド素子を覆う保護層がさらに備えられており、第２の抵抗発熱体が保護層内に設けられていることが好ましい。
【００１６】
磁気ヘッド素子がＭＲ読出しヘッド素子とこのＭＲ読出しヘッド素子上に積層して形成されたインダクティブ書込みヘッド素子とを含んでおり、第１の抵抗発熱体がＡＢＳ側の端面から見てＭＲ読出しヘッド素子の後方に位置しており、第２の抵抗発熱体がＡＢＳ側の端面から見てインダクティブ書込みヘッド素子の後方に位置していることも好ましい。
【００１７】
第１の抵抗発熱体が、第２の抵抗発熱体よりも抵抗温度係数の小さい材料で構成されていることが好ましい。例えば、第１の抵抗発熱体がＮｉＣｒ、ＮｉＣｕ、Ｔａ及びＭｎからなる群から選択される材料で構成されており、第２の抵抗発熱体がＰｔ、ＮｉＦｅ、Ｍｏ及びＷからなる群から選択される材料で構成されていることがより好ましい。
【００１８】
第１の抵抗発熱体が、第２の抵抗発熱体よりも抵抗温度係数の大きい材料で構成されていることも好ましい。例えば、第１の抵抗発熱体がＰｔ、ＮｉＦｅ、Ｍｏ及びＷからなる群から選択される材料で構成されており、第２の抵抗発熱体がＮｉＣｒ、ＮｉＣｕ、Ｔａ及びＭｎからなる群から選択される材料で構成されているがより好ましい。
【００１９】
少なくとも２つの抵抗発熱体が、基板表面からの距離が互いに等しくかつＡＢＳ側の端面からの距離が互いに異なる位置に設けられていることも好ましい。
【００２０】
少なくとも２つの抵抗発熱体が、ＡＢＳ側の端面から見て磁気ヘッド素子の後方に設けられた第１の抵抗発熱体と、この第１の抵抗発熱体のさらに後方の位置に設けられた第２の抵抗発熱体とを備えていることも好ましい。この場合、第１の抵抗発熱体が、第２の抵抗発熱体よりも抵抗温度係数の大きい材料で構成されていることが好ましい。例えば、第１の抵抗発熱体がＰｔ、ＮｉＦｅ、Ｍｏ及びＷからなる群から選択される材料で構成されており、第２の抵抗発熱体がＮｉＣｒ、ＮｉＣｕ、Ｔａ及びＭｎからなる群から選択される材料で構成されていることがより好ましい。
【００２１】
インダクティブ書込みヘッド素子が、面内（水平）磁気記録型インダクティブ書込みヘッド素子か、又は垂直磁気記録型インダクティブ書込みヘッド素子であることも好ましい。
【００２２】
本発明によれば、さらに、上述した薄膜磁気ヘッドと、薄膜磁気ヘッドを支持する支持体とを備えた磁気ヘッドアセンブリが提供される。ここで、磁気ヘッドアセンブリとは、磁気ヘッド素子を備えた薄膜磁気ヘッド（磁気ヘッドスライダ）とその支持機構とを機械的、電気的に組み立てたアセンブリである。具体例を挙げると、磁気ヘッドスライダとサスペンションとのアセンブリの場合にはヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）と称され、磁気ヘッドスライダとこれを支持するサスペンション及び支持アームのアセンブリの場合にはヘッドアームアセンブリ（ＨＡＡ）と称され、ＨＡＡが複数積み重ねられる場合にはヘッドスタックアセンブリ（ＨＳＡ）と称されることが多い。
【００２３】
本発明によれば、さらにまた、上述の磁気ヘッドアセンブリを少なくとも１つ備えた磁気ディスクドライブ装置が提供される。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、種々の動作目的や環境の変化に対応して、磁気記録媒体と薄膜磁気ヘッドとの距離を敏速に制御することが可能となり、しかも、磁気ヘッドスライダの素子形成面に形成される端子電極の数を最小限とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
図１は本発明の一実施形態として、磁気ディスクドライブ装置の要部の構成を概略的に示す斜視図であり、図２は図１のＨＧＡの一構成例を示す斜視図であり、図３は図２のＨＧＡの先端部に装着されている薄膜磁気ヘッド（磁気ヘッドスライダ）を示す斜視図であり、図４は図３の磁気ヘッドスライダの磁気ヘッド素子部分をスライダ基板の素子形成面側から見た平面図ある。
【００２６】
図１において、１０はスピンドルモータ１１の回転軸の回りを回転する複数の磁気ディスク、１２は薄膜磁気ヘッド（磁気ヘッドスライダ）をトラック上に位置決めするためのアセンブリキャリッジ装置、１３は薄膜磁気ヘッドの読み書き動作及び発熱動作を制御するための記録再生及び電流制御回路をそれぞれ示している。
【００２７】
アセンブリキャリッジ装置１２には、複数の駆動アーム１４が設けられている。これら駆動アーム１４は、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）１５によってピボットベアリング軸１６を中心にして角揺動可能であり、この軸１６に沿った方向にスタックされている。各駆動アーム１４の先端部には、ＨＧＡ１７が取り付けられている。各ＨＧＡ１７には、磁気ヘッドスライダ２１が、各磁気ディスク１０の表面に対向するように設けられている。磁気ディスクドライブ装置に、単数の磁気ディスク１０、駆動アーム１４及びＨＧＡ１７を設けるようにしても良い。
【００２８】
図２に示すように、ＨＧＡ１７は、サスペンション２０の先端部に、磁気ヘッド素子を有する薄膜磁気ヘッド（磁気ヘッドスライダ）２１を固着し、さらにその磁気ヘッドスライダ２１の端子電極に配線部材２５の一端を電気的に接続して構成される。
【００２９】
サスペンション２０は、磁気ヘッドスライダ２１に印加される荷重を発生するロードビーム２２と、このロードビーム２２上に固着され支持された弾性を有するフレクシャ２３と、ロードビーム２２の基部に設けられたベースプレート２４と、フレクシャ２３及びロードビーム２２上に設けられておりリード導体及びその両端に電気的に接続された接続パッドからなる配線部材２５とから主として構成されている。
【００３０】
本発明の磁気ヘッドアセンブリにおけるサスペンションの構造は、以上述べたＨＧＡの構造に限定されるものではないことは明らかである。なお、図示されていないが、サスペンション２０の途中にヘッド駆動用ＩＣチップを装着してもよい。
【００３１】
図３及び図４に示すように、本実施形態における磁気ヘッドスライダ２１は、互いに積層されたＭＲ読出しヘッド素子３０及びインダクティブ書込みヘッド素子３１からなる磁気ヘッド素子３２と、これらＭＲ読出しヘッド素子３０及びインダクティブ書込みヘッド素子３１にそれぞれ接続された４つの信号端子電極３３及び３４と、図３には示されていない２つの抵抗発熱体用の２つの駆動端子電極３５とを、磁気ヘッドスライダの浮上面（ＡＢＳ）３６を底面とした際の１つの側面である素子形成面３７上に備えている。２つの抵抗発熱体は互いに並列接続されており、両端が２つの駆動端子電極３５に接続されている。なお、これらの端子電極の位置は、図３の形態に限定されるものではない。また、図３において端子電極は６つであるが、抵抗発熱体の一方の端を１つの駆動端子電極に接続し、他方の端をスライダ基板に接地して５つの端子電極とした形態であっても良い。
【００３２】
図５は本実施形態における磁気ヘッドスライダの断面構造を模式的に示す図であり、図６は本実施形態における磁気ヘッドスライダの断面構造をより詳細に示す断面図である。これらの図は図４のＶ−Ｖ線断面を示している。
【００３３】
これらの図において、５０は例えばアルティック（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）等から形成されたスライダ基板であり、このスライダ基板５０には、磁気ディスク表面に対向するＡＢＳ３６が形成されている。磁気ヘッドスライダ２１は、動作中、回転する磁気ディスク表面上を所定の浮上量で流体力学的に浮上する。このスライダ基板５０の素子形成面３７上に、ＭＲ読出しヘッド素子５１及びインダクティブ書込みヘッド素子５３が順次積層され、また、第１の抵抗発熱体５２及び第２の抵抗発熱体５４が順次積層され、インダクティブ書込みヘッド素子５３を覆うように保護膜（オーバーコート膜）５５が形成されている。
【００３４】
スライダ基板５０上には、例えばＡｌ２Ｏ３等からなる厚さ０.０５〜１０μｍ程度の絶縁層５６が形成されており、この絶縁層５６上にＭＲ読出しヘッド素子５１が形成されている。
【００３５】
ＭＲ読出しヘッド素子５１は、ＭＲ積層体５１ａと、この積層体を挟む上下位置に配置されている下部シールド層５１ｂ及び上部シールド層５１ｃとを含んでいる。下部シールド層５１ｂ及び上部シールド層５１ｃは、各々が例えばＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ又はＦｅＺｒＮ等からなり、厚さは０.３〜３μｍ程度である。
【００３６】
ＭＲ積層体５１ａは、面内通電（ＣＩＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｉｎ Ｐｌａｉｎ））−巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）多層膜、垂直通電（ＣＰＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ ｔｏ Ｐｌａｉｎ））−ＧＭＲ多層膜、又はトンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ）多層膜からなり、非常に高い感度で磁気ディスクからの信号磁界を感受する。下部及び上部シールド層５１ｂ及び５１ｃは、ＭＲ積層体５１ａが雑音となる外部磁界を受けることを防止する。
【００３７】
ＭＲ積層体５１ａがＣＩＰ-ＧＭＲ多層膜である場合、下部及び上部シールド層５１ｂ及び５１ｃの各々とＭＲ積層体５１ａとの間に、絶縁用の下部シールドギャップ層５１ｄ及び上部シールドギャップ層５１ｅがそれぞれ設けられる。さらに、ＭＲ積層体５１ａにセンス電流を供給して再生出力を取り出すためのＭＲリード導体層５１ｆが設けられる。一方、ＭＲ積層体５１ａがＣＰＰ-ＧＭＲ多層膜又はＴＭＲ多層膜を含む場合、下部及び上部シールド層５１ｂ及び５１ｃはそれぞれ下部及び上部電極としても機能する。なお、ＭＲ積層体５１ａは、例えばＴＭＲ多層膜であれば、磁化固定層、トンネルバリア層及び磁化自由層が順次積層された積層構造となる。
【００３８】
ＭＲ読出しヘッド素子５１の上部シールド層５１ｃ上には、例えばＡｌ２Ｏ３等からなる厚さ０.１〜５.０μｍ程度の絶縁層５７が形成されている。この絶縁層５７上にインダクティブ書込みヘッド素子５３が形成されている。
【００３９】
インダクティブ書込みヘッド素子５３は、本実施形態においては、面内磁気記録型インダクティブ書込みヘッド素子であり、下部磁極層５３ａ、ギャップ層５３ｂ、コイル層５３ｃ、コイル層５３ｃを絶縁するためのレジスト層からなる第１及び第２のコイル絶縁層５３ｄ及び５３ｅ、並びに上部磁極層５３ｆを含んでいる。下部磁極層５３ａは、例えばＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ又はＦｅＺｒＮ等からなっており、厚さは０.３〜３μｍ程度である。この下部磁極層５３ａ上に、例えばＡｌ２Ｏ３又はＤＬＣ等からなる厚さ０.０１〜０.５μｍ程度のギャップ層５３ｂが形成されており、さらにギャップ層５３ｂ上に、例えば熱硬化されたレジスト層からなる厚さ０.１〜５μｍ程度の第１のコイル絶縁層５３ｄが形成されている。この第１のコイル絶縁層５３ｄ上に、例えばＣｕ等からなる厚さ０.５〜３μｍ程度のコイル層５３ｃが形成されており、さらに、このコイル層５３ｃを覆うように、例えば熱硬化されたレジスト層からなる厚さ０.１〜５μｍ程度の第２のコイル絶縁層５３ｅが形成されている。この第２のコイル絶縁層５３ｅを覆うように、例えばＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ又はＦｅＺｒＮ等からなる厚さ０.５〜５μｍ程度の上部磁極層５３ｆが形成されている。コイル層５３ｃは、１層でも２層以上でも良く、また、ヘリカルコイルでも良い。
【００４０】
下部磁極層５３ａ及び上部磁極層５３ｆは、コイル層５３ｃによって誘導された磁束の通路となっており、それらのＡＢＳ側の端部からの漏洩磁界によって面内磁気記録用の磁気ディスクに書込みが行なわれる。
【００４１】
なお、ＭＲ読出しヘッド素子５１及びインダクティブ書込みヘッド素子５３の磁気ディスク側の端面には、ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）等による極薄のコーティング膜が形成されている。
【００４２】
インダクティブ書込みヘッド素子５３の上には、例えばＡｌ２Ｏ３等からなる保護膜５５が形成されている。
【００４３】
本実施形態においては、ＡＢＳ側の端面から見てＭＲ読出しヘッド素子５１の後方の位置に、例えばＡｌ２Ｏ３等からなる絶縁層５８によって絶縁された第１の抵抗発熱体５２が形成されており、さらに、ＡＢＳ側の端面から見てインダクティブ書込みヘッド素子５３の後方の位置に、絶縁層５８によって絶縁された第２の抵抗発熱体５４が形成されている。
【００４４】
第１の抵抗発熱体５２は第２の抵抗発熱体５４よりＴＣＲが大きい抵抗材料で形成されている。例えば、第１の抵抗発熱体５２は、Ｐｔ（ＴＣＲ＝３０００ｐｐｍ／℃）、ＮｉＦｅ（ＴＣＲ＝３５００ｐｐｍ／℃）、Ｍｏ又はＷ等の材料で形成されており、第２の抵抗発熱体５４は、ＮｉＣｒ（ＴＣＲ＝８００ｐｐｍ／℃）、ＮｉＣｕ（ＴＣＲ＝−４００ｐｐｍ／℃）、Ｔａ（ＴＣＲ＝−４００ｐｐｍ／℃）、若しくはＭｎ（ＴＣＲ＝−３００ｐｐｍ／℃）等の材料、又はサーミスタ材料等で形成されている。また、膜厚を変えたり、多層膜とすることによって、ＴＣＲを異ならせることができる。例えば、第１の抵抗発熱体５２及び第２の抵抗発熱体５４に同じ材料を用いた場合にも、第２の抵抗発熱体５４の膜厚を第１の抵抗発熱体５２の膜厚より薄くすることによってＴＣＲを小さくすることができる。これら第１の抵抗発熱体５２及び／又は及び第２の抵抗発熱体５４は、例えば、１ターン又はマルチターンの、丸でも角でもヘリカルのコイル形状パターンを有するものであっても良いし、その他の形状であっても良い。
【００４５】
これら第１及び第２の抵抗発熱体５２及び５４は、図示しないリード導体によって２つの駆動端子電極３５間に互いに並列に接続されている。
【００４６】
第１及び第２の抵抗発熱体５２及び５４を流れる電流によって、ジュール熱が発生し、これらを取り囲む絶縁層５８が自ら膨張してＭＲ読出しヘッド素子５１及びインダクティブ書込みヘッド素子５３部分並びに保護膜５５部分を所望の突出プロファイルで磁気ディスク方向に突出させる。
【００４７】
図７は、図１に示したＨＤＤの記録再生及び電流制御回路１３の回路構成を示すブロック図である。
【００４８】
同図において、７０は記録再生回路、７１は電流制御回路、７２はＣＰＵをそれぞれ示している。記録再生回路７０は、記録再生チャネル７０ａと、プリアンプ部７０ｂとを有している。電流制御回路７１は、レジスタ７１ａと、Ｄ／Ａ変換器７１ｂと、電流制御部７１ｃとを有している。
【００４９】
記録再生チャネル７０ａから出力される記録データは、プリアンプ部７０ｂに供給される。プリアンプ部７０ｂは、ＣＰＵ７２から出力された記録制御信号をライトゲート７０ｂ１で受け取り、この記録制御信号が書込み動作を指示するときのみ、記録データに従った書込み電流をインダクティブ書込みヘッド素子５３のコイル層５３ｃに流し、これによって磁気ディスク上に記録が行なわれる。
【００５０】
また、ＣＰＵ７２から出力されてリードゲート７０ｂ２で受け取られた再生制御信号が読み出し動作を指示するときのみ、プリアンプ部７０ｂからＭＲ読出しヘッド素子５１のＭＲ積層体５１ａにセンス電流が流れる。ＭＲ読出しヘッド素子５１から出力され、出力安定化のためのオートゲインコントローラ（ＡＧＣ）７０ｂ３を介してプリアンプ部７０ｂに入力された再生信号は、増幅復調されて再生データとなり、記録再生チャネル７０ａに送られる。
【００５１】
電流制御回路７１の電流制御部７１ｃは、記録再生チャネル７０ａから出力される抵抗発熱体ＯＮ／ＯＦＦ信号と、ＣＰＵ７２からレジスタ７１ａ及びＤ／Ａ変換器７１ｂを介して出力される電流値制御信号とを受け取る。この抵抗発熱体ＯＮ／ＯＦＦ信号がオン動作指示である場合、互いに直列接続された第１及び第２の抵抗発熱体５２及び５４に駆動電流が流れる。その電流値は、電流値制御信号に応じた値に制御される。
【００５２】
このように、記録再生回路７０とは独立して、電流制御回路７１を設けることによって、より多様な通電モードを用いることが可能となる。さらに、ＣＰＵ７２は、電流制御回路７１と記録再生回路７０とを制御しているので、読出し及び／又は書込み動作とタイミングを合わせて第１及び第２の抵抗発熱体５２及び５４へ通電することが可能となる。
【００５３】
記録再生及び電流制御回路１３の回路構成は、図７に示したものに限定されるものでないことは明らかである。記録再生制御信号以外の信号で書込み及び読出し動作を特定してもよい。
【００５４】
本実施形態において、重要なポイントは、第１の抵抗発熱体５２を第２の抵抗発熱体５４よりＴＣＲが大きい抵抗材料で構成し、かつ、これら第１の抵抗発熱体５２及び第２の抵抗発熱体５４を互いに並列接続した点にある。即ち、これにより、第１の抵抗発熱体５２及び第２の抵抗発熱体５４の両端に一定電圧を印加するのみで、各抵抗発熱体の発熱量が自動的に制御され、所望の突出プロファイル特性が得られることとなる。
【００５５】
ＭＲ読出しヘッド素子５１及びインダクティブ書込みヘッド素子５３の部分においては、そのＡＢＳ側の端面がリセスを有しており、薄膜磁気ヘッドの始動時には、この部分にパワーをかけて素早く突出させマグネティックスペーシングを小さくすることが望まれるが、ある程度以上突出した後は、この部分よりも保護膜５５の部分を突出させ、万が一、スライダが磁気ディスクに衝突する場合にも保護膜５５の部分が衝突することにより、素子部の磁気ディスクへ衝突することを回避できるので望ましい。このため、保護膜５５から遠いＭＲ読出しヘッド素子５１の後方に位置する第１の抵抗発熱体５２を保護膜５５に近いインダクティブ書込みヘッド素子５３の後方に位置する第２の抵抗発熱体５４の抵抗材料よりＴＣＲが大きい抵抗材料で構成することにより、時間の経過（温度上昇）に応じて突出プロファイルが前述したように変化する特性を得ているのである。その結果、マグネティックスペーシングを小さくできると共に信頼性を向上させることが可能となる。即ち、種々の動作目的や環境の変化に対応して、磁気ディスクと薄膜磁気ヘッドとの距離を敏速に制御することが可能となる。しかも、これらこれら第１の抵抗発熱体５２及び第２の抵抗発熱体５４を互いに並列接続しているので、磁気ヘッドスライダの素子形成面３７に形成される端子電極の数を最小限とすることができる。
【００５６】
図８は本実施形態における第１の抵抗発熱体５２及び第２の抵抗発熱体５４の発熱特性を説明する図である。同図の横軸は温度（℃）、縦軸は印加電力、従って発熱量（Ｗ）を表している。ただし、第１の抵抗発熱体５２はＴＣＲ＝３５００ｐｐｍ／℃、第２の抵抗発熱体５４はＴＣＲ＝０ｐｐｍ／℃であるとした。
【００５７】
同図から分かるように、第１の抵抗発熱体５２は温度が低い場合に印加電力、即ち発熱量が大きくなり従って突出量を大きくなるが、時間の経過と共に温度が高くなると発熱量が小さくなって突出量も小さくなる。一方、第２の抵抗発熱体５４については、温度変化に関係なく、一定の発熱量従って一定の突出量を維持している。このような特性を有する第１の抵抗発熱体５２を保護膜５５から遠いＭＲ読出しヘッド素子５１の後方に配置すれば、その部分の突出量は最初は急激に大きくなるが、時間の経過（温度の上昇）と共に、突出量が徐々に低減する特性が得られる。保護膜５５に近いインダクティブ書込みヘッド素子５３の後方に配置された第２の抵抗発熱体５４については、時間が経過しても発熱量が一定であるため、保護膜５５部分の突出量が最終的に最も大きくなる。従って、前述したように、マグネティックスペーシングを小さくしつつ素子部分が磁気ディスクに衝突して損傷を受けて信頼性を損なうような不都合を防止することができる。
【００５８】
図９は、本発明の他の実施形態における磁気ヘッドスライダの断面構造を模式的に示す図である。
【００５９】
本実施形態において、第１の抵抗発熱体９２は、ＭＲ読出しヘッド素子５１の上部シールド層５１ｃとインダクティブ書込みヘッド素子５３の下部磁極層５３ａとの間に配置されており、絶縁層５７によって絶縁されている。さらに、第２の抵抗発熱体９４は、インダクティブ書込みヘッド素子５３の上方の保護膜５５内に配置されている。本実施形態におけるその他の構成は、図１に関連して述べた実施形態の場合と全く同様である。従って、図９において、図５及び図６に示すものと同様の構成要素には同じ参照番号が付されている。
【００６０】
第１の抵抗発熱体９２は、第２の抵抗発熱体９４よりＴＣＲが大きい抵抗材料で構成されており、かつ、これら第１の抵抗発熱体９２及び第２の抵抗発熱体９４は互いに並列接続されている。これにより、第１の抵抗発熱体９２及び第２の抵抗発熱体９４の両端に一定電圧を印加するのみで、各抵抗発熱体の発熱量が自動的に制御され、前述した図１の実施形態の場合と同様に、所望の突出プロファイル特性が得られることとなる。
【００６１】
図１０は、本発明のさらに他の実施形態における磁気ヘッドスライダの断面構造を模式的に示す図である。
【００６２】
本実施形態において、第１の抵抗発熱体１０２は、インダクティブ書込みヘッド素子５３の下部磁極層５３ａとコイル絶縁層（図６の第１のコイル絶縁層５３ｄ）との間に配置されており、このコイル絶縁層及びギャップ層５３ｂによって絶縁されている。さらに、第２の抵抗発熱体１０４は、インダクティブ書込みヘッド素子５３の上方の保護膜５５内に配置されている。本実施形態におけるその他の構成は、図１に関連して述べた実施形態の場合と全く同様である。従って、図１０において、図５及び図６に示すものと同様の構成要素には同じ参照番号が付されている。
【００６３】
第１の抵抗発熱体１０２は、第２の抵抗発熱体１０４よりＴＣＲが大きい抵抗材料で構成されており、かつ、これら第１の抵抗発熱体１０２及び第２の抵抗発熱体１０４は互いに並列接続されている。これにより、第１の抵抗発熱体１０２及び第２の抵抗発熱体１０４の両端に一定電圧を印加するのみで、各抵抗発熱体の発熱量が自動的に制御され、前述した図１の実施形態の場合と同様に、所望の突出プロファイル特性が得られることとなる。
【００６４】
図１１は、本発明のまたさらに他の実施形態における磁気ヘッドスライダの断面構造を模式的に示す図である。
【００６５】
本実施形態において、第１の抵抗発熱体１１２は、スライダ基板５０とＭＲ読出しヘッド素子５１との間の絶縁層５６内に配置されており、この絶縁層５６によって絶縁されている。さらに、第２の抵抗発熱体１１４は、インダクティブ書込みヘッド素子５３の上方の保護膜５５内に配置されている。本実施形態におけるその他の構成は、図１に関連して述べた実施形態の場合と全く同様である。従って、図１１において、図５及び図６に示すものと同様の構成要素には同じ参照番号が付されている。
【００６６】
第１の抵抗発熱体１１２は、第２の抵抗発熱体１１４よりＴＣＲが大きい抵抗材料で構成されており、かつ、これら第１の抵抗発熱体１１２及び第２の抵抗発熱体１１４は互いに並列接続されている。これにより、第１の抵抗発熱体１１２及び第２の抵抗発熱体１１４の両端に一定電圧を印加するのみで、各抵抗発熱体の発熱量が自動的に制御され、前述した図１の実施形態の場合と同様に、所望の突出プロファイル特性が得られることとなる。
【００６７】
図１２は、本発明のさらに他の実施形態における磁気ヘッドスライダの断面構造を模式的に示す図である。
【００６８】
本実施形態において、第１の抵抗発熱体１２２は、ＡＢＳ側の端面から見てＭＲ読出しヘッド素子５１の後方に配置されており、例えばＡｌ２Ｏ３等からなる絶縁層５８によって絶縁されている。さらに、第２の抵抗発熱体１２４は、第１の抵抗発熱体１２２のさらに後方に配置されており、これも絶縁層５８によって絶縁されている。本実施形態におけるその他の構成は、図１に関連して述べた実施形態の場合と全く同様である。従って、図１２において、図５及び図６に示すものと同様の構成要素には同じ参照番号が付されている。
【００６９】
第１の抵抗発熱体１２２は、第２の抵抗発熱体１２４よりＴＣＲが大きい抵抗材料で構成されており、かつ、これら第１の抵抗発熱体１２２及び第２の抵抗発熱体１２４は互いに並列接続されている。これにより、第１の抵抗発熱体１２２及び第２の抵抗発熱体１２４の両端に一定電圧を印加するのみで、各抵抗発熱体の発熱量が自動的に制御される。特に本実施形態においては、ＡＢＳ端面により近い位置にＴＣＲが大きい第１の抵抗発熱体１２２を設けることにより、薄膜磁気ヘッドの始動時にＭＲ読出しヘッド素子５１部分にパワーをかけて素早く突出させ、ある程度温度が上がった後は発熱の重心を後方に移動させている。これにより、時間の経過（温度上昇）に応じた突出プロファイルの制御ができると共に、低温の環境下では素早くかつ大きく突出させ、高温の環境下ではあまり突出させないという突出プロファイル制御が可能となる。
【００７０】
図１３は、本発明のまたさらに他の実施形態における磁気ヘッドスライダの断面構造を模式的に示す図である。
【００７１】
本実施形態において、第１の抵抗発熱体１３２は、ＡＢＳ側の端面から見てインダクティブ書込みヘッド素子５３の後方に配置されており、例えばＡｌ２Ｏ３等からなる絶縁層５８によって絶縁されている。さらに、第２の抵抗発熱体１３４は、第１の抵抗発熱体１２２のさらに後方に配置されており、これも絶縁層５８によって絶縁されている。本実施形態におけるその他の構成は、図１に関連して述べた実施形態の場合と全く同様である。従って、図１３において、図５及び図６に示すものと同様の構成要素には同じ参照番号が付されている。
【００７２】
第１の抵抗発熱体１３２は、第２の抵抗発熱体１３４よりＴＣＲが大きい抵抗材料で構成されており、かつ、これら第１の抵抗発熱体１３２及び第２の抵抗発熱体１３４は互いに並列接続されている。これにより、第１の抵抗発熱体１３２及び第２の抵抗発熱体１３４の両端に一定電圧を印加するのみで、各抵抗発熱体の発熱量が自動的に制御される。特に本実施形態においては、ＡＢＳ端面により近い位置にＴＣＲが大きい第１の抵抗発熱体１３２を設けることにより、薄膜磁気ヘッドの始動時にインダクティブ書込みヘッド素子５３部分にパワーをかけて素早く突出させ、ある程度温度が上がった後は発熱の重心を後方に移動させている。これにより、時間の経過（温度上昇）に応じた突出プロファイルの制御ができると共に、低温の環境下では素早くかつ大きく突出させ、高温の環境下ではあまり突出させないという突出プロファイル制御が可能となる。
【００７３】
図１４は本発明のさらに他の実施形態における磁気ヘッドスライダの断面構造をより詳細に示す断面図である。
【００７４】
本実施形態においては、インダクティブ書込みヘッド素子の構造が図１の実施形態の場合と異なっているが、本実施形態におけるその他の構成は、図１に関連して述べた実施形態の場合と全く同様である。従って、図１４において、図５及び図６に示すものと同様の構成要素には同じ参照番号が付されている。
【００７５】
図１４において、５０は例えばアルティック（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）等から形成されたスライダ基板であり、このスライダ基板５０には、磁気ディスク表面に対向するＡＢＳ３６が形成されている。磁気ヘッドスライダ２１は、動作中、回転する磁気ディスク表面上を所定の浮上量で流体力学的に浮上する。このスライダ基板５０の素子形成面３７上に、ＭＲ読出しヘッド素子５１及びインダクティブ書込みヘッド素子１４３が順次積層され、また、第１の抵抗発熱体１４２及び第２の抵抗発熱体１４４が順次積層され、インダクティブ書込みヘッド素子１４３３を覆うように保護膜（オーバーコート膜）５５が形成されている。
【００７６】
スライダ基板５０上には、例えばＡｌ２Ｏ３等からなる厚さ０.０５〜１０μｍ程度の絶縁層５６が形成されており、この絶縁層５６上にＭＲ読出しヘッド素子５１が形成されている。
【００７７】
ＭＲ読出しヘッド素子５１は、ＭＲ積層体５１ａと、この積層体を挟む上下位置に配置されている下部シールド層５１ｂ及び上部シールド層５１ｃとを含んでいる。下部シールド層５１ｂ及び上部シールド層５１ｃは、各々が例えばＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ又はＦｅＺｒＮ等からなり、厚さは０.３〜３μｍ程度である。
【００７８】
ＭＲ積層体５１ａは、ＣＩＰ−ＧＭＲ多層膜、ＣＰＰ−ＧＭＲ多層膜、又はＴＭＲ多層膜からなり、非常に高い感度で磁気ディスクからの信号磁界を感受する。下部及び上部シールド層５１ｂ及び５１ｃは、ＭＲ積層体５１ａが雑音となる外部磁界を受けることを防止する。
【００７９】
ＭＲ積層体５１ａがＣＩＰ-ＧＭＲ多層膜である場合、下部及び上部シールド層５１ｂ及び５１ｃの各々とＭＲ積層体５１ａとの間に、絶縁用の下部シールドギャップ層５１ｄ及び上部シールドギャップ層５１ｅがそれぞれ設けられる。さらに、ＭＲ積層体５１ａにセンス電流を供給して再生出力を取り出すためのＭＲリード導体層５１ｆが設けられる。一方、ＭＲ積層体５１ａがＣＰＰ−ＧＭＲ多層膜又はＴＭＲ多層膜を含む場合、下部及び上部シールド層５１ｂ及び５１ｃはそれぞれ下部及び上部電極としても機能する。なお、ＭＲ積層体５１ａは、例えばＴＭＲ多層膜であれば、磁化固定層、トンネルバリア層及び磁化自由層が順次積層された積層構造となる。
【００８０】
ＭＲ読出しヘッド素子５１の上部シールド層５１ｃ上には、例えばＡｌ２Ｏ３等からなる厚さ０.１〜５.０μｍ程度の絶縁層１４７が形成されている。この絶縁層１４７上に例えばＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ又はＦｅＺｒＮ等からなる素子間シールド層１４８が形成されており、その上に例えばＡｌ２Ｏ３等からなる厚さ０.１〜２.０μｍ程度の絶縁層１４９を介してインダクティブ書込みヘッド素子１４３が形成されている。
【００８１】
インダクティブ書込みヘッド素子１４３は、本実施形態においては、垂直磁気記録型インダクティブ書込みヘッド素子であり、主磁極層１４３ａ、補助磁極層１４３ｂ及びコイル層１４３ｃを含んでいる。主磁極層１４３ａは、例えばＮｉ、Ｆｅ及びＣｏのうちいずれか２つ若しくは３つからなる合金、又はこれらを主成分として所定の元素が添加された合金等からなる厚さ０.０１〜０.５μｍ程度の主磁極主要層１４３ａ１と、例えばＮｉ、Ｆｅ及びＣｏのうちいずれか２つ若しくは３つからなる合金、又はこれらを主成分として所定の元素が添加された合金等からなる厚さ０.５〜３μｍ程度の主磁極補助層１４３ａ２とから構成されている。この主磁極層１４３ａは、コイル層１４３ｃによって誘導された磁束を、書込みがなされる磁気ディスクの垂直磁気記録層まで収束させながら導くための磁路である。主磁極補助層１４３ａ上には、例えばＡｌ２Ｏ３又はＤＬＣ等からなる厚さ０.００１〜０.５μｍ程度のギャップ層１４３ｄが形成されており、さらにギャップ層１４３ｄ上に、例えば熱硬化されたレジスト層からなる厚さ０.１〜５μｍ程度の第１のコイル絶縁層１４３ｅが形成されている。この第１のコイル絶縁層１４３ｅ上に、例えばＣｕ等からなる厚さ０.５〜３μｍ程度のコイル層１４３ｃが形成されており、さらに、このコイル層１４３ｃを覆うように、例えば熱硬化されたレジスト層からなる厚さ０.１〜５μｍ程度の第２のコイル絶縁層１４３ｆが形成されている。第２のコイル絶縁層１４３ｆを覆うように、例えばＮｉ、Ｆｅ及びＣｏのうちいずれか２つ若しくは３つからなる合金、又はこれらを主成分として所定の元素が添加された合金等からなる厚さ約０.５〜５μｍ程度の補助磁極層１４３ｂが形成されている。コイル層１４３ｃは、１層でも２層以上でも良く、また、ヘリカルコイルでも良い。また、絶縁層１４９中に反対方向に電流を流すコイルを持ったダブルコイル構造としても良い。
【００８２】
主磁極層１４３ａの磁気ディスクに対向する端面における層厚方向の長さ（厚さ）は、その主磁極主要層１４３ａ１のみの層厚に相当しており小さくなっており、これによって、高記録密度化に対応した微細な書込み磁界を発生させることができる。また、補助磁極層１４３ｂの磁気ディスクに対向する端部は、この補助磁極層１４３ｂの他の部分よりも層断面が広いトレーリングシールド部１４３ｂ１となっている。トレーリングシールド部１４３ｂ１を設けることによって、このトレーリングシールド部１４３ｂ１と主磁極層１４３ａとの間において磁界勾配がより急峻になり、信号出力のジッタが小さくなって読み出し時のエラーレートを小さくすることができる。
【００８３】
なお、ＭＲ読出しヘッド素子５１及びインダクティブ書込みヘッド素子１４３の磁気ディスク側の端面には、ＤＬＣ等による極薄のコーティング膜が形成されている。
【００８４】
インダクティブ書込みヘッド素子１４３の上には、例えばＡｌ２Ｏ３等からなる保護膜５５が形成されている。
【００８５】
本実施形態においては、ＡＢＳ側の端面から見てＭＲ読出しヘッド素子５１の後方の位置に、例えばＡｌ２Ｏ３等からなる絶縁層５８によって絶縁された第１の抵抗発熱体１４２が形成されており、さらに、ＡＢＳ側の端面から見てインダクティブ書込みヘッド素子１４３の後方の位置に、絶縁層５８によって絶縁された第２の抵抗発熱体１４４が形成されている。
【００８６】
第１の抵抗発熱体１４２は第２の抵抗発熱体１４４よりＴＣＲが大きい抵抗材料で形成されている。例えば、第１の抵抗発熱体１４２は、Ｐｔ（ＴＣＲ＝３０００ｐｐｍ／℃）、ＮｉＦｅ（ＴＣＲ＝３５００ｐｐｍ／℃）、Ｍｏ又はＷ等の材料で形成されており、第２の抵抗発熱体１４４は、ＮｉＣｒ（ＴＣＲ＝８００ｐｐｍ／℃）、ＮｉＣｕ（ＴＣＲ＝−４００ｐｐｍ／℃）、Ｔａ（ＴＣＲ＝−４００ｐｐｍ／℃）、若しくはＭｎ（ＴＣＲ＝−３００ｐｐｍ／℃）等の材料、又はサーミスタ材料等で形成されている。また、膜厚を変えたり、多層膜とすることによって、ＴＣＲを異ならせることができる。例えば、第１の抵抗発熱体１４２及び第２の抵抗発熱体１４４に同じ材料を用いた場合にも、第２の抵抗発熱体１４４の膜厚を第１の抵抗発熱体１４２の膜厚より薄くすることによってＴＣＲを小さくすることができる。これら第１の抵抗発熱体１４２及び／又は及び第２の抵抗発熱体１４４は、例えば、１ターン又はマルチターンの、丸でも角でもヘリカルのコイル形状パターンを有するものであっても良いし、その他の形状であっても良い。
【００８７】
これら第１及び第２の抵抗発熱体１４２及び１４４は、図示しないリード導体によって２つの駆動端子電極３５（図３参照）間に互いに並列に接続されている。
【００８８】
第１及び第２の抵抗発熱体１４２及び１４４を流れる電流によって、ジュール熱が発生し、これらを取り囲む絶縁層５８が自ら膨張してＭＲ読出しヘッド素子５１及びインダクティブ書込みヘッド素子１４３部分並びに保護膜５５部分を所望の突出プロファイルで磁気ディスク方向に突出させる。
【００８９】
本実施形態の作用効果等は、図１の実施形態の場合とほぼ同様である。なお、本実施形態の変更態様として、インダクティブ書込みヘッド素子として垂直磁気記録型インダクティブ書込みヘッド素子を用い、かつ、第１の抵抗発熱体及び第２の抵抗発熱体を図９〜図１３の実施形態のごとく配置しても良いことは明らかである。
【００９０】
以上の実施形態では、第１の抵抗発熱体を、ＭＲ読出しヘッド素子の後方、インダクティブ書込みヘッド素子の後方、ＭＲ読出しヘッド素子の上部シールド層とインダクティブ書込みヘッド素子の下部磁極層との間、インダクティブ書込みヘッド素子の下部磁極層と第１のコイル絶縁層との間、スライダ基板とＭＲ読出しヘッド素子との間、ＭＲ読出しヘッド素子の上部シールド層と素子間シールド層との間、又は素子間シールド層とインダクティブ書込みヘッド素子の主磁極層との間に形成し、第２の抵抗発熱体を、インダクティブ書込みヘッド素子の後方、第１の抵抗発熱体の後方、又はインダクティブ書込みヘッド素子の上方の保護膜内に形成しているが、本発明において、これら第１及び第２の抵抗発熱体の位置はこれら実施形態の位置に限定されるものではない。また、１つの第１の抵抗発熱体の代わりに複数の第１の抵抗発熱体群、１つの第２の抵抗発熱体の代わりに複数の第２の抵抗発熱体群を設けても良い。
【００９１】
以上述べた実施形態は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】本発明の一実施形態として、磁気ディスクドライブ装置の要部の構成を概略的に示す斜視図である。
【図２】図１におけるＨＧＡの一構成例を示す斜視図である。
【図３】図２のＨＧＡの先端部に装着されている薄膜磁気ヘッドを示す斜視図である。
【図４】図３の磁気ヘッドスライダの磁気ヘッド素子部分をスライダ基板の素子形成面側から見た平面図ある。
【図５】図１の実施形態における磁気ヘッドスライダの断面構造を模式的に示す図である。
【図６】図１の実施形態における磁気ヘッドスライダの断面構造をより詳細に示す断面図である。
【図７】図１に示したＨＤＤの記録再生及び電流制御回路の回路構成を示すブロック図である。
【図８】図１の実施形態における第１の抵抗発熱体及び第２の抵抗発熱体の発熱特性を説明する図である。
【図９】本発明の他の実施形態における磁気ヘッドスライダの断面構造を模式的に示す図である。
【図１０】本発明のさらに他の実施形態における磁気ヘッドスライダの断面構造を模式的に示す図である。
【図１１】本発明のまたさらに他の実施形態における磁気ヘッドスライダの断面構造を模式的に示す図である。
【図１２】本発明のさらに他の実施形態における磁気ヘッドスライダの断面構造を模式的に示す図である。
【図１３】本発明のまたさらに他の実施形態における磁気ヘッドスライダの断面構造を模式的に示す図である。
【図１４】本発明のさらに他の実施形態における磁気ヘッドスライダの断面構造をより詳細に示す断面図である。
【符号の説明】
【００９３】
１０  磁気ディスク
１１  スピンドルモータ
１２  アセンブリキャリッジ装置
１３  記録再生回路
１４  駆動アーム
１５  ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）
１６  ピボットベアリング軸
１７  ＨＧＡ
２０  サスペンション
２１  磁気ヘッドスライダ
２２  ロードビーム
２３  フレクシャ
２４  ベースプレート
２５  配線部材
３０  ＭＲ読出しヘッド素子
３１  インダクティブ書込みヘッド素子
３２  磁気ヘッド素子
３３、３４  信号端子電極
３５  駆動端子電極
３６  ＡＢＳ
３７  素子形成面
５０  スライダ基板
５１  ＭＲ読出しヘッド素子
５１ａ  ＭＲ積層体
５１ｂ  下部シールド層
５１ｃ  上部シールド層
５１ｄ  下部シールドギャップ層
５１ｅ  上部シールドギャップ層
５１ｆ  ＭＲリード導体層
５２、９２、１０２、１１２、１２２  第１の抵抗発熱体
５３、１４３  インダクティブ書込みヘッド素子
５３ａ  下部磁極層
５３ｂ、１４３ｄ  ギャップ層
５３ｃ、１２３ｃ、１４３ｃ  コイル層
５３ｄ、１４３ｅ  第１のコイル絶縁層
５３ｅ、１４３ｆ  第２のコイル絶縁層
５３ｆ  上部磁極層
５４、９４、１０４、１１４、１２４  第２の抵抗発熱体
５５  保護膜（オーバーコート膜）
５６、５７、５８、１４７、１４９  絶縁層
７０  記録再生回路
７０ａ  記録再生チャネル
７０ｂ  プリアンプ部
７０ｂ１  ライトゲート
７０ｂ２  リードゲート
７０ｂ３  オートゲインコントローラ（ＡＧＣ）
７１  電流制御回路
７１ａ  レジスタ
７１ｂ  Ｄ／Ａ変換器
７１ｃ  電流制御部
７２  ＣＰＵ
１４３ａ  主磁極層
１４３ａ１  主磁極主要層
１４３ａ２  主磁極補助層
１４３ｂ  補助磁極層
１４３ｂ１  トレーリングシールド部
１４８  素子間シールド層
【図１】
2006351116.tif 000003
【図２】
2006351116.tif 000004
【図３】
2006351116.tif 000005
【図４】
2006351116.tif 000006
【図５】
2006351116.tif 000007
【図６】
2006351116.tif 000008
【図７】
2006351116.tif 000009
【図８】
2006351116.tif 000010
【図９】
2006351116.tif 000011
【図１０】
2006351116.tif 000012
【図１１】
2006351116.tif 000013
【図１２】
2006351116.tif 000014
【図１３】
2006351116.tif 000015
【図１４】
2006351116.tif 000016