(57)【要約】【課題】  処理容器内に付着した残渣による被処理基板の汚染を抑制する残渣改質処理方法と、この残渣改質処理方法を用いたプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】  例えば、その表面部分にＳｉを含む部分を有するウエハＷを、チャンバ２１とベルジャ２２とからなる処理容器２０内に収容し、当該Ｓｉを含む部分の表面に形成された自然酸化膜をプラズマエッチングして除去する。処理容器２０からウエハＷを搬出した後に、処理容器２０内にＯ２ガスとＮ２ガスの少なくとも一方およびＡｒガスを供給しつつ、処理容器２０内にプラズマを生成し、このプラズマにより処理容器２０内に付着したＳｉ，Ｏ，Ｈを含む残渣を酸化または窒化させ、処理容器２０の内壁面から剥がれ難くする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器内で被処理基板に所定の処理を施すことでその内壁にＳｉとＯとＨとを含む残渣が付着した際に、前記処理容器内に酸素ガスと窒素ガスの少なくとも一方および希ガスを供給しつつ、前記処理容器内にプラズマを生成し、このプラズマにより前記残渣を酸化または窒化して改質することを特徴とする残渣改質処理方法。
【請求項２】
前記プラズマは誘導結合プラズマであることを特徴とする請求項１に記載の残渣改質処理方法。
【請求項３】
前記希ガスはＡｒガスであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の残渣改質処理方法。
【請求項４】
その表面部分にＳｉを含む部分を有する被処理基板を処理容器内に収容し、前記処理容器内に希ガスおよびＨ２ガスを供給しつつ、前記処理容器内にプラズマを生成し、このプラズマにより前記被処理基板の前記表面部分に形成された自然酸化膜を除去する工程と、
前記処理容器から被処理基板を搬出した後に、前記処理容器内に酸素ガスと窒素ガスの少なくとも一方および希ガスを供給しつつ、前記処理容器内にプラズマを生成し、このプラズマにより前記処理容器の内壁に付着したＳｉとＯとＨとを含む残渣を酸化または窒化して改質する工程と、
を有することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項５】
前記残渣を改質するために用いられるプラズマは誘導結合プラズマであることを特徴とする請求項４に記載のプラズマ処理方法。
【請求項６】
前記残渣を改質するために用いられるプラズマの生成に用いられる希ガスはＡｒガスであることを特徴とする請求項４または請求項５に記載のプラズマ処理方法。
【請求項７】
前記Ｓｉを含む部分は、シリコンおよびシリサイドのうち少なくとも１種からなることを特徴とする請求項４から請求項６のいずれか１項に記載のプラズマ処理方法。
【請求項８】
コンピュータに制御プログラムを実行させるソフトウェアが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に、処理容器内で被処理基板に所定の処理を施すことでその内壁にＳｉとＯとＨとを含む残渣が付着した際に、前記処理容器内に酸素ガスと窒素ガスの少なくとも一方および希ガスを供給しつつ、前記処理容器内にプラズマを生成し、このプラズマにより前記残渣を酸化または窒化して改質するように、プラズマ処理装置を制御する、コンピュータ読取可能な記憶媒体。
【請求項９】
コンピュータに制御プログラムを実行させるソフトウェアが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に、（ａ）その表面部分にＳｉを含む部分を有する被処理基板を処理容器内に収容し、前記処理容器内に希ガスおよびＨ２ガスを供給しつつ、前記処理容器内にプラズマを生成し、このプラズマにより前記被処理基板の前記表面部分に形成された自然酸化膜を除去し、（ｂ）前記処理容器から被処理基板を搬出した後に、前記処理容器内に酸素ガスと窒素ガスの少なくとも一方および希ガスを供給しつつ、前記処理容器内にプラズマを生成し、このプラズマにより前記処理容器の内壁に付着したＳｉとＯとＨとを含む残渣を酸化または窒化して改質するように、プラズマ処理装置を制御する、コンピュータ読取可能な記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被処理基板を処理容器に収容して所定の処理を施す際の当該処理容器の内部に付着した残渣による被処理基板の汚染を抑制するための残渣改質処理方法、この残渣改質処理方法を用いたプラズマ処理方法、ならびにこの残渣改質処理方法およびプラズマ処理方法の実行のためにプラズマ処理装置の制御に用いられるコンピュータ読取可能な記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造工程においては、被処理体であるシリコンウエハに形成されたコンタクトホールの底部にＴｉを成膜し、Ｔｉと基板のＳｉとの相互拡散によりＴｉＳｉを形成し、その上にＴｉＮ等のバリア層を形成し、さらにその上にＡｌ層、Ｗ層、Ｃｕ層等を形成してホールの埋め込みと配線の形成が行われる。
【０００３】
また、近時、半導体デバイスの微細化が進んでおり、０．１５μｍ以降においては配線コンタクト部の一層の低抵抗化が望まれている。そのため、上述したＴｉＳｉに代えて、Ｓｉの上に低抵抗なＣｏＳｉ２膜やＮｉＳｉ膜を形成し、その上にＴｉ／ＴｉＮを形成することが行われている。
【０００４】
これらの技術においては、良好なコンタクトを得るために、成膜処理に先立って、シリコンウエハ上に形成された自然酸化膜を除去する処理が施される。
【０００５】
この自然酸化膜処理技術としては、プラズマ処理装置を用いて自然酸化膜をプラズマによりスパッタ除去するものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−８６５６９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このような自然酸化膜処理技術において、シリコンやシリサイド等のＳｉ含有部の表面に形成された自然酸化膜は、プラズマ中に水素を含んでいると、より容易に除去することができるが、その処理の際にＳｉＯＨ等からなる残渣が処理容器の内壁に付着する。この残渣はそれ自体の結合力が弱く、処理容器の内壁に対する密着力が弱いため、この残渣が処理容器の内壁から剥がれてパーティクルとなって、自然酸化膜除去処理が終了したシリコンウエハの表面や次に処理するために処理容器に搬入されたシリコンウエハの表面に付着し、シリコンウエハを汚染してしまうおそれがある。
【０００７】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、被処理基板を処理容器に収容して所定の処理を施す際の当該処理容器の内部に付着した処理残渣による被処理基板の汚染を抑制することができる残渣改質処理方法、およびこの残渣改質処理方法を用いたプラズマ処理方法を提供することを目的とする。
【０００８】
また、本発明は、このような残渣改質処理方法とプラズマ処理方法の実行のためにプラズマ処理装置の制御に用いられるコンピュータ読取可能な記憶媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明の第１の観点では、処理容器内で被処理基板に所定の処理を施すことでその内壁にＳｉとＯとＨとを含む残渣が付着した際に、前記処理容器内に酸素ガスと窒素ガスの少なくとも一方および希ガスを供給しつつ、前記処理容器内にプラズマを生成し、このプラズマにより前記残渣を酸化または窒化して改質することを特徴とする残渣改質処理方法を提供する。
【００１０】
本発明の第２の観点では、その表面部分にＳｉを含む部分を有する被処理基板を処理容器内に収容し、前記処理容器内に希ガスおよびＨ２ガスを供給しつつ、前記処理容器内にプラズマを生成し、このプラズマにより前記被処理基板の前記表面部分に形成された自然酸化膜を除去する工程と、前記処理容器から被処理基板を搬出した後に、前記処理容器内に酸素ガスと窒素ガスの少なくとも一方および希ガスを供給しつつ、前記処理容器内にプラズマを生成し、このプラズマにより前記処理容器の内壁に付着したＳｉとＯとＨとを含む残渣を酸化または窒化して改質する工程とを有することを特徴とするプラズマ処理方法を提供する。
【００１１】
このような残渣改質処理方法およびプラズマ処理方法における残渣改質工程とにおいて用いられるプラズマとしては、誘導結合プラズマが好適である。また、その際には希ガスとしてＡｒガスが好適に用いられる。また、上記プラズマ処理方法では、前記Ｓｉを含む部分は、シリコンおよびシリサイドのうち少なくとも１種からなるものとすることができる。
【００１２】
本発明の第３の観点では、コンピュータに制御プログラムを実行させるソフトウェアが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、前記制御プログラムは、実行時に、処理容器内で被処理基板に所定の処理を施すことでその内壁にＳｉとＯとＨとを含む残渣が付着した際に、前記処理容器内に酸素ガスと窒素ガスの少なくとも一方および希ガスを供給しつつ、前記処理容器内にプラズマを生成し、このプラズマにより前記残渣を酸化または窒化して改質するように、プラズマ処理装置を制御する、コンピュータ読取可能な記憶媒体を提供する。
【００１３】
本発明の第４の観点では、コンピュータに制御プログラムを実行させるソフトウェアが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、前記制御プログラムは、実行時に、（ａ）その表面部分にＳｉを含む部分を有する被処理基板を処理容器内に収容し、前記処理容器内に希ガスおよびＨ２ガスを供給しつつ、前記処理容器内にプラズマを生成し、このプラズマにより前記被処理基板の前記表面部分に形成された自然酸化膜を除去し、（ｂ）前記処理容器から被処理基板を搬出した後に、前記処理容器内に酸素ガスと窒素ガスの少なくとも一方および希ガスを供給しつつ、前記処理容器内にプラズマを生成し、このプラズマにより前記処理容器の内壁に付着したＳｉとＯとＨとを含む残渣を酸化または窒化して改質するように、プラズマ処理装置を制御する、コンピュータ読取可能な記憶媒体を提供する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、その表面部分にＳｉを含む部分を有する被処理基板の表面部分に形成された自然酸化膜を除去した際に処理容器の内壁面に付着するＳｉ，Ｏ，Ｈを含む残渣を、その後の酸素ガスまたは窒素ガスの少なくとも一方と希ガスを用いたプラズマ処理によって改質させる。この残渣改質物はそれ自体の結合力が強く、処理容器の内壁面に対する密着性が高くなって剥がれ難くなるため、被処理基板の汚染を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。図１は本発明の一実施形態の実施に用いるプラズマ処理装置１５を示す断面図である。このプラズマ処理装置１５は、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）エッチング装置として構成されている。図１に示すように、プラズマ処理装置１５は、上部の開口した有底円筒状のチャンバ２１と、チャンバ２１の上方に後述するガス供給部４５およびガスケット４６を介して連続的に設けられた有蓋円筒状のベルジャ２２とからなる処理容器２０を有している。チャンバ２１内には、その上部で被処理体であるウエハＷを水平に支持するためのサセプタ（基板載置台）２３が、円筒状の支持部材３２に支持された状態で配置されている。
【００１６】
サセプタ本体２７の上面にはウエハＷと略同型に凹部２４が形成されており、この凹部２４にウエハＷが載置されるようになっている。この凹部２４の下方にメッシュ状に形成された円盤状の下部電極２５が埋設され、さらにこの下部電極２５の下方に発熱体２６が埋設されている。すなわち、サセプタ２３は、ＡｌＮ，Ａｌ２Ｏ３等のセラミックスのような絶縁体からなるサセプタ本体（絶縁体部材）２７中に、バイアス電圧を印加する下部電極２５と、Ｗ、Ｍｏ等からなる発熱体２６とが埋設された構成を有しており、サセプタ本体２７と発熱体２６とでセラミックヒーターを構成している。発熱体２６には直流の電源４１が接続されており、電源４１から給電することにより発熱体２６を加熱状態として、ウエハＷを所定の温度に加熱することができる。
【００１７】
また、サセプタ２３の上方には、凹部２４に載置されたウエハＷのエッジを覆うように、石英、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３等の誘電体からなる環状のシャドウリング３０が設けられている。このシャドウリング３０は、その下面に接続された支持柱３３を介して環状部材３４に連結されており、環状部材３４には棒状部材３６を介して昇降機構３７が接続されている。この昇降機構３７によって棒状部材３６を昇降させることにより、環状部材３４、支持柱３３およびシャドウリング３０を一体的に昇降させることができる。
【００１８】
棒状部材３６の周囲はベローズ３５により囲繞されており、処理容器２０内の雰囲気が棒状部材３６の近傍から外部に漏れないようになっている。このシャドウリング３０は、ウエハＷのエッジをマスクするとともに、ウエハＷ表面上に均一な密度のプラズマを形成するためのフォーカスリングとしての機能をも有している。シャドウリング３０は、チャンバ２１内にウエハＷを搬入し、サセプタ２３を貫通して上下駆動するウエハ支持ピン（図示せず）上に受け渡す際には所定位置まで上昇され、前記ウエハ支持ピン上にウエハＷが受け渡された後にウエハＷをサセプタ２３上に載置する際には、前記ウエハ支持ピンとともに下降される。
【００１９】
下部電極２５は、例えば１３．５６ＭＨｚの周波数を有する高周波電源３９が整合器３８を介して接続されており、この高周波電源３９から下部電極２５に給電することにより、所定のバイアス電圧を印加可能に構成されている。
【００２０】
チャンバ２１とベルジャ２２の間には、環状のガス供給部４５およびガスケット４６が設けられており、このガス供給部４５内側の全周にわたって形成されたガス吐出孔より、後述するガス供給機構６０から供給されるガスが処理容器２０内に供給される。さらに、チャンバ２１の側壁は開口４７を有しており、チャンバ２１の外側の開口４７と対応する位置にはゲートバルブ４８が設けられ、このゲートバルブ４８を開にした状態でウエハＷが隣接するロードロック室（図示せず）とチャンバ２１内との間で搬送されるようになっている。
【００２１】
ベルジャ２２は、例えば石英やセラミックス材料等の電気絶縁材料で形成されており、その外側にはプラズマ発生手段であるアンテナとしてのコイル４２が巻回されている。コイル４２には、例えば４５０ｋＨｚの周波数を有する高周波電源４４が整合器４３を介して接続され、この高周波電源４４から整合器４３を介してコイル４２に高周波電力を供給することにより、ベルジャ２２内に誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）を発生させることができるようになっている。
【００２２】
ガス供給機構６０は、Ａｒガスを供給するＡｒガス供給源６２ａ、Ｈ２ガスを供給するＨ２ガス供給源６２ｂ、Ｏ２ガスを供給するＯ２ガス供給源６２ｃ、Ｎ２ガスを供給するＮ２ガス供給源６２ｄを有している。Ａｒガス供給源６２ａにはガスライン６３ａが接続され、このガスライン６３ａ上にマスフローコントローラ６５ａとその前後の開閉バルブ６４ａ，６６ａとが設けられている。同様に、Ｈ２ガス供給源６２ｂにはガスライン６３ｂが接続され、このガスライン６３ｂ上にマスフローコントローラ６５ｂとその前後の開閉バルブ６４ｂ，６６ｂとが設けられている。また、Ｏ２ガス供給源６２ｃにはガスライン６３ｃが接続され、このガスライン６３ｃ上にマスフローコントローラ６５ｃとその前後の開閉バルブ６４ｃ，６６ｃとが設けられている。さらに、Ｎ２ガス供給源６２ｄにはガスライン６３ｄが接続され、このガスライン６３ｄ上にマスフローコントローラ６５ｄとその前後の開閉バルブ６４ｄ，６６ｄとが設けられている。これらガスライン６３ａ〜６３ｄはガスライン７１に接続され、このガスライン７１がガス供給部４５と接続されている。
【００２３】
チャンバ２１の底壁には、排気管５０が接続されており、この排気管５０には真空ポンプを含む排気装置５１が接続されている。この排気装置５１を作動させることにより、処理容器２０内を所定の真空度に維持することができる。
【００２４】
プラズマ処理装置１５におけるウエハＷの一連の処理を制御するために、プラズマ処理装置１５の各構成部の制御、例えば、ゲートバルブ４８の開閉、下部電極２５へのバイアス電圧の印加、開閉バルブ６４ａ〜６４ｄ，６６ａ〜６６ｄの開閉、昇降機構３７の昇降、排気装置５１の駆動、コイル４２への高周波電力供給、マスフローコントローラ６５ａ〜６５ｄの設定流量、発熱体２６への供給電力等の制御は、制御部（コンピュータ）８０により行われるようになっている。
【００２５】
制御部８０には、工程管理者がウエハＷの処理条件等を決定するためのコマンド入力操作等を行うキーボード、制御部８０による演算結果、プラズマ処理の進行状態等を可視化して表示するディスプレイ等を有するデータ入出力部８１と、プラズマ処理装置１５を制御するためのプログラムやレシピ、実行された処理に関係するデータ等が記憶された記憶部８２と、が接続されている。
【００２６】
記憶部８２には、具体的には、後に詳細に説明する一連のプラズマ処理を実行するために、プラズマ処理時間、ガス供給量、印加電圧、処理温度等のデータから構成されるレシピが記憶されている。これらの処理プログラムやレシピは、例えば、ハードディスク（ＨＤ）、メモリー（ＲＡＭ等）の固定記憶媒体や、ＣＤ−ＲＯＭ（またはＣＤ−Ｒ等）、ＤＶＤ−ＲＯＭ（またはＤＶＤ−Ｒ等）、ＭＯディスク等の可搬性のある各種記憶媒体に記憶されており、制御部８０によって読み取り可能に記憶されている。
【００２７】
また、記憶部８２には、プラズマ処理装置１５で実行された処理に関するデータ、例えば、ウエハＷのロット番号、用いられた処理レシピ、処理日時、処理中の各種駆動機構の動作不良の有無等の実行データを記憶することができるようになっている。このような実行データは、ＣＤ−ＲやＭＯディスク等の可搬性のある各種記憶媒体にコピーや移し替えできるようになっている。
【００２８】
次に、このように構成されるプラズマ処理装置１５におけるウエハＷの処理について、図２に示すフローチャートを参照しながら説明する。ここでのウエハＷの処理は、ウエハＷが有する自然酸化膜を除去する処理と、この酸化膜除去処理で生成した残渣をプラズマ処理により改質する残渣改質処理との２段階からなる。
【００２９】
まず、処理容器２０の内部（特にベルジャ２２の内壁面）を内部が清浄な状態で、ゲートバルブ４８を開にして、図示しない搬送アームによりチャンバ２１内にウエハＷを搬入する（ステップ１）。
【００３０】
シャドウリング３０を上昇させた状態でサセプタ２３から突出させたウエハ支持ピン（図示せず）上にウエハＷを受け渡し、ウエハ支持ピンおよびシャドウリング３０を下降させ、ウエハＷをサセプタ２３上に載置し、シャドウリング３０でウエハＷの外周縁部をマスクする（ステップ２）。その後、ゲートバルブ４８を閉にして、排気装置５１により処理容器２０内を排気して所定の圧力に設定し（ステップ３）、ヒーター２６でウエハＷを２００〜５００℃に加熱しながら、Ａｒガス供給源６２ａおよびＨ２ガス供給源６２ｂから処理容器２０内に所定流量でＡｒガスおよびＨ２ガスを導入しつつ、高周波電源４４からコイル４２への高周波電力の供給を開始する。これによりベルジャ２２内に誘導結合プラズマが生成され、このプラズマにより生成されたＡｒ、Ｈ２等の活性種により自然酸化膜をエッチング除去する（ステップ４）。このとき、高周波電源３９からサセプタ２３に高周波電力を供給してイオンを引き込むことにより、エッチングの異方性を高めることができる。
【００３１】
その後、処理容器２０内をパージし、支持ピンをサセプタ２３から突出させてウエハＷを持ち上げ、ゲートバルブ４８を開にして搬送アーム１９をチャンバ２１内に進入させてウエハＷを取り出す（ステップ５）。
【００３２】
このようなステップ１〜５の処理により、ウエハＷの表面に形成された自然酸化膜が除去される。この場合に、希ガスであるＡｒガスとＨ２ガスとの比を適切に調整することにより、エッチング選択比を十分に高めて適切に自然酸化膜を除去することができる。また、ベルジャ２２内に誘導電磁界を形成することにより、下地の金属膜等に与えるダメージの小さい誘導結合プラズマを発生させ、この誘導結合プラズマを用いて自然酸化膜の除去を行うので、下地に対するダメージを低減することができる。
【００３３】
ところで、以上のような自然酸化膜を除去するウエハＷがベアシリコンウエハの場合や、ＣｏＳｉ２，ＮｉＳｉ等のシリサイドが形成されたものである場合、ポリシリコンのゲートが形成されたものである場合等、ウエハＷの表面部分がＳｉを含む場合には、自然酸化膜除去処理によって、ＳｉとＯとＨを含む残渣（典型的には、ＳｉＯＨからなる残渣）がベルジャ２２の内壁面に付着する。このような残渣（特にＳｉＯＨ）はそれ自体の結合力が弱く、ベルジャ２２の内壁面との密着性が弱いために、そのまま放置すると、以降に処理するウエハＷ上に落下してパーティクルとなってしまう。そこで、以下に残渣改質処理を行う。
【００３４】
この残渣改質処理においては、まず、ステップ５でチャンバ２１からウエハＷを搬出したら、ゲートバルブ４８を閉じて、処理容器２０内を排気して所定の減圧力にする（ステップ６）。この減圧状態で、例えば、Ａｒガス供給源６２ａ，Ｏ２ガス供給源６２ｃ，Ｎ２ガス供給源６２ｄから処理容器２０内に所定流量で、Ａｒガスと、Ｎ２ガスまたは／およびＯ２ガスとを導入しつつ、高周波電源４４からコイル４２への高周波電力の供給を開始してベルジャ２２内に誘導結合プラズマを生成させ、そのプラズマにより生成した活性種によりベルジャ２２の内壁面に付着した残渣を窒化または酸化させる改質処理を行う（ステップ７）。
【００３５】
この改質処理においては、Ｓｉ，Ｏ，Ｈを含む残渣、特にＳｉＯＨのＨの部分がＮまたはＯに置換され、例えば、Ｓｉ３Ｎ４やＳｉＯ２等の化合物に改質される。これらの残渣改質物はＳｉＯＨよりも結合力が高く、ベルジャ２２の内壁面に対する密着性が高いため、剥がれ難くなる。したがって、このような残渣改質処理を行うことにより、従来問題となっていた、次に処理するウエハＷが処理容器２０に装入された際にベルジャ２２の内壁面に付着した残渣が剥がれてウエハＷにパーティクルとして付着するといった不都合が生じ難くなる。
【００３６】
ステップ７の処理条件としては、Ａｒガスの流量：０．０５〜１Ｌ／ｍｉｎ、Ｎ２ガスまたはＯ２ガスの流量：０．００１〜０．１Ｌ／ｍｉｎ、処理容器２０内圧力：０．０６６７〜１３３．３Ｐａ、ＩＣＰ出力（高周波電源４４からコイル４２への高周波電力の供給電力）：２００〜２０００Ｗ、処理時間：５〜３００秒が例示される。
【００３７】
このステップ７が終了したら、処理容器２０内をパージし（ステップ８）、その後、ゲートバルブ４８を開にして次に処理するウエハＷを保持した図示しない搬送アームをチャンバ２１内に進入させることができる状態とする。その後は、上述したステップ１〜８を、処理するウエハＷの枚数だけ繰り返して行う。
【００３８】
次に、本発明の効果を確認した実験について説明する。
図３は、上述したステップ１〜８のプロセスにより２５枚のウエハ（ウエハ番号１〜２５）を処理した場合の２枚（ウエハ番号７、１５）のパーティクルの数と、上述したステップ１〜５のプロセスにより２５枚のウエハ（ウエハ番号２６〜５０）を処理した場合の２枚（ウエハ番号３１、３９）のパーティクル数を、計測した結果を示すグラフである。
【００３９】
ここでは、その表面にＳｉＯ２の自然酸化膜が形成されているベアウエハを用いた。また、パーティクルのカウントは、０．１３μｍよりも大きいパーティクルを対象に、パーティクルカウンタを用いて行った。ベアウエハの自然酸化膜除去処理は、Ａｒ流量：６ｍＬ／ｍｉｎ、Ｈ２流量：１２ｍＬ／ｍｉｎ、処理容器内２０内の圧力：０．６６５Ｐａ、ウエハＷの加熱温度：５００℃、高周波電源３９の電力：４００Ｗ、高周波電源４４の電力１０００Ｗ、処理時間：３０秒、とした。また、自然酸化膜除去処理後の残渣改質のためのプラズマ処理は、Ａｒ流量：２５０ｍＬ／ｍｉｎ、Ｎ２流量：５ｍＬ／ｍｉｎ、処理容器２０内圧力：５．３３Ｐａ、ＩＣＰ出力：５００Ｗ、処理時間：３０秒、とした。
【００４０】
この図３に示すように、自然酸化膜除去処理によって生じた残渣の改質処理を行った場合のパーティクル数は、この残渣改質処理を行わなかった場合のパーティクル数の約４０％のにまで低減させることができることが確認された。Ｎ２ガスの代わりにＯ２ガスを用いた場合、Ｎ２ガスに加えてＯ２ガスを用いた場合も同様な結果が得られた。
【００４１】
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明はこのような形態に限定されることなく、種々に変形が可能である。例えば、上記説明においては、ウエハＷの自然酸化膜を除去し、その残渣を改質処理する場合について示したが、このような残渣改質処理は、Ｓｉ，Ｏ，Ｈを含むを残渣が生じる処理に対して有効である。例えば、ＳｉＯ２に対してＨを含むガスのプラズマ処理を行う場合等にも有効である。また、上記説明においては、希ガスとしてＡｒガスを用いた場合について示したが、これに限るものではなく、Ｎｅガス，Ｈｅガス，Ｋｒガス，Ｘｅガス等の他の希ガスを用いてもよい。さらに、上記説明ではプラズマとして誘導結合プラズマを用いた例を示したが、これに限らず、ＲＬＳＡ（Radial Line Slot Antenna）のような平面アンテナを用いたマイクロ波プラズマ等、下地へのダメージの少ない他のプラズマも適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明は被処理基板のＳｉを含む部分に形成された自然酸化膜を除去するプラズマ処理装置に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】プラズマ処理装置の概略構造を示す断面図。
【図２】プラズマ処理装置におけるウエハの処理方法を示すフローチャート。
【図３】残渣改質処理の有無とウエハに付着したパーティクル数との関係を示すグラフ。
【符号の説明】
【００４４】
１５；プラズマ処理装置
２０；処理容器
２１；チャンバ
２２；ベルジャ
４２；コイル
４４；高周波電源
４５；ガス供給部
６０；ガス供給機構
６２ａ；Ａｒガス供給源
６２ｂ；Ｈ２ガス供給源
６２ｃ；Ｏ２ガス供給源
６２ｄ；Ｎ２ガス供給源
Ｗ；シリコンウエハ
【図１】
2006351948.tif 000003
【図２】
2006351948.tif 000004
【図３】
2006351948.tif 000005