(57)【要約】      （修正有）【課題】ベアＳＡＷチップを他の電子部品とともにモジュール基板に実装するにあたり、実装面積の縮小や低背化を実現する。【解決手段】  励振電極４と、入出力電極７Ａと、それらを取り囲む接地電極９Ａとが主面に形成されたベアＳＡＷチップ１の主面を、モジュール基板８の電極形成面と対面させ、入出力電極７Ａおよび接地電極９Ａと、モジュール基板８の表面に形成された電極（入出力電極７Ｂ、接地電極９Ｂ）とを導電性接着剤３で接続して励振電極４のまわりに密閉空間５を形成する。モジュール基板８に他の電子部品を搭載および／または受動回路を一体に形成する。その際ＳＡＷチップ１をガラス転移温度が２０〜８０℃で、ガラス転移温度以下の温度における線膨張係数が８〜２０×１０−６／℃で、２００℃１時間の熱処理による重量減少が０．２％以下である熱硬化性樹脂からなる封止材６で気密封止した。【選択図】  図１
2006304145.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
励振電極と、入出力電極と、前記励振電極および前記入出力電極を取り囲む接地電極とが主面に形成されたベアＳＡＷチップの前記主面を、モジュール基板の電極形成面と対面させ、前記ベアＳＡＷチップの前記入出力電極および前記接地電極と、前記モジュール基板の前記電極形成面に形成された電極とを導電性接着剤で接続して前記励振電極のまわりに密閉空間を形成するとともに、前記モジュール基板に他の電子部品を搭載および／または受動回路を形成してなる高周波モジュールであって、
少なくとも前記ベアＳＡＷチップを、ガラス転移温度が２０〜８０℃、ガラス転移温度以下の温度における線膨張係数が８〜２０×１０−６／℃、−２０℃における曲げ弾性率が５〜２０ＧＰａ、１２０℃における曲げ弾性率が０．０５〜０．３０ＧＰａ、２００℃１時間の熱処理による重量減少が０．２％以下である熱硬化性樹脂からなる封止材で気密封止したことを特徴とする高周波モジュール。
【請求項２】
前記他の電子部品は、チップコンデンサ、インダクタ、抵抗等の表面実装部品、または、パワーアンプ、スイッチ、パワーコントロール、検波、電源コントロール等の機能を有する電気素子の群から選ばれる少なくとも１つであることを特徴とする請求項１に記載の高周波モジュール。
【請求項３】
前記受動回路が、分波回路、合波回路、カプラ、バラン、フィルタの少なくとも１つを具備することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の高周波モジュール。
【請求項４】
前記封止材が、前記モジュール基板に搭載された前記他の電子部品および前記モジュール基板に形成された受動回路をも気密封止したことを特徴とする請求項1乃至請求項３のいずれかに記載の高周波モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話、移動体通信、無線通信等に適用される小型化、低背化が可能な高周波モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話、無線ＬＡＮの市場は右肩上がりの成長が想定されており、第３世代の携帯電話の生産数は、急激に増加している。携帯電話の機能は第３世代に進歩するに従って、カメラ内蔵、テレビの受信、他の無線通信（ブルーツース、赤外線通信、無線ＬＡＮ）との併用化も進んでおり、高周波回路の占有面積は年々減少している。その為、携帯電話の部品は小形軽量化、複合化がめざましく、個々の性能をアップしつつ、部品点数の削減、低消費電力化への要求に対応する必要がある。
【０００３】
このような要求を実現するため、チップセットの集積化、性能向上が進んでおり、同様に周辺の高周波部品も集積化した高周波モジュールが提案されている。
【０００４】
携帯電話等の移動体通信機器に用いられる高周波部品のうち、弾性表面波（ＳＡＷ）フィルタ等の場合は、励振電極に水分、塵埃等の異物が付着しないようにかつ弾性表面波（ＳＡＷ）の伝搬を妨げないように中空状態で気密封止する必要がある。
【０００５】
そのため、従来は図５に示すように、所定のベアＳＡＷチップ３１を励振電極３２が上面になるようにパッケージ３３内に収納し、ワイヤ３４によって、パッケージ３３の配線層３５と接続し、蓋体３６を接合して気密に封止した構造が提案されている（特許文献１参照）。しかしながら、ワイヤ３４を用いて接続するとワイヤ３４によって気密空間を高く形成する必要があるために、パッケージの低背化には限界があった。
【０００６】
また、図６のように、ベアＳＡＷチップ３１の励振電極３２を下面になるように配置し、半田３７によってパッケージ３３表面の配線層３５と接続する、いわゆるフェースダウンボンディングすることも提案されている（特許文献２参照）。かかる構造は、図５よりも低背化を図ることはできるが、蓋体３６を用いる以上、蓋体３６の厚みを解消できなかった。しかも、蓋体３６を用いる場合、蓋体３６のコストや高気密な接合工程が不可欠になるためにコストが高くなるなどの問題があった。
【０００７】
これらのパッケージ構造に対して、図７に示すように、パッケージ化することなく、ベアＳＡＷチップ３１の励振電極３２が下面になるように配置して誘電体基板３７表面の配線層３８、３８に直接実装した弾性表面波装置が提案されている（特許文献３参照）。かかる構造によれば、励振電極３２および入出力電極４０の周囲に接地電極４１を配置し、半田４２によって基板表面の配線層３８にそれぞれ接続することによって、励振電極接続部、入出力電極接続部を基板３７表面とベアＳＡＷチップ３１および接地電極４１接続部で囲まれた気密空間４３内に封止するようになっている。またさらに、基板表面に実装されたベアＳＡＷチップを保護するために、図７に示すような封止材３９で封止した構造も提案されている（特許文献４参照）。
【特許文献１】特開２００２−１１８４８７号公報
【特許文献２】特開２００２−７６８３２号公報
【特許文献３】特開２００２−１９６４００号公報
【特許文献４】特開２００３−１６８９４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、高周波モジュールのように、１つの誘電体基板３７表面に、ベアＳＡＷチップ３１とともに、コンデンサなどの電子部品や、半導体素子などの他の部品を半田実装した構造の場合、この高周波モジュールをマザーボードに半田などによって２次実装した時に、ベアＳＡＷチップ３１の入出力電極４０と誘電体基板３７の配線層３８、およびベアＳＡＷチップ３１の接地電極４１と誘電体基板３７の配線層３８とを接合する半田４２が再溶融し、溶融した半田４２が、矢印に示すように移動する結果、ベアＳＡＷチップ３１における気密空間４３の気密破壊、入出力電極４０と接地電極４１の接続部が半田によって短絡するなどの問題があった。
【０００９】
この現象は、入出力電極４０接続部、接地電極４１接続部の半田４２が再溶融する（固相から液相に変化する）際、半田の体積が膨張することと、樹脂の膨張圧力や、樹脂からの水分の気化、脱ガスによって生じた圧力差がベアＳＡＷチップ３１の内側に作用するため、半田４２が内側に流れ込むことにより、生じるものである。
【００１０】
この問題への対策手段として、入出力電極接続部、接地電極接続部の半田４２が再溶融しない融点の高い材質とするか、溶融しても気密空間４３側に流れ込まないように、入出力電極接続部と、接地電極接続部との間にダム材を設けることも考えられる。しかしながら、融点の高い半田材質を用いてベアＳＡＷチップ３２を実装すると、接続部に脆弱な半田合金層ができるため、温度サイクルによって接続部が破損し、気密性を保証することが困難となる。また、ダム材などの異種材料を付加することによって、製造工程の増加とコストの上昇を招くなどの問題があった。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、ベアＳＡＷチップを他の電子部品とともにモジュール基板に実装するに際し、実装面積の縮小や低背化を実現可能とした高信頼性の高周波モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の高周波モジュールは、励振電極と、入出力電極と、前記励振電極および前記入出力電極を取り囲む接地電極とが主面に形成されたベアＳＡＷチップの前記主面を、モジュール基板の電極形成面と対面させ、前記ベアＳＡＷチップの前記入出力電極および前記接地電極と、前記モジュール基板の前記電極形成面に形成された電極とを導電性接着剤で接続して前記励振電極のまわりに密閉空間を形成するとともに、前記モジュール基板に他の電子部品を搭載および／または受動回路を形成してなる高周波モジュールであって、少なくとも前記ベアＳＡＷチップを、ガラス転移温度が２０〜８０℃、ガラス転移温度以下の温度における線膨張係数が８〜２０×１０−６／℃、−２０℃における曲げ弾性率が５〜２０ＧＰａ、１２０℃における曲げ弾性率が０．０５〜０．３０ＧＰａ、２００℃１時間の熱処理による重量減少が０．２％以下である熱硬化性樹脂からなる封止材で気密封止したことを特徴とするものである。
【００１２】
ここで、前記他の電子部品は、チップコンデンサ、インダクタ、抵抗等の表面実装部品、または、パワーアンプ、スイッチ、パワーコントロール、検波、電源コントロール等の機能を有する電気素子の群から選ばれる少なくとも１つであるのが好ましく、前記受動回路が、分波回路、合波回路、カプラ、バラン、フィルタの少なくとも１つを具備するのが好ましい。
【００１３】
なお、前記封止材は、前記モジュール基板に搭載された前記他の電子部品および前記モジュール基板に形成された受動回路をも気密封止してもよい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の高周波モジュールによれば、ベアＳＡＷチップをモジュール基板にフェースダウンボンディングするにあたり、少なくとも前記ベアＳＡＷチップをガラス転移温度が２０〜８０℃で、ガラス転移温度以下の線膨張係数が８〜２０×１０−６／℃で、２００℃１時間の熱処理による重量減少が０．２％以下である熱硬化性樹脂からなる封止材で気密封止することによって、高周波モジュールを２次実装、あるいはベアＳＡＷチップ実装後に他の電子部品を半田実装する場合において、入出力電極接続部、接地電極接続部の半田が再溶融したとしても、この時の温度条件下では封止材の剛性が低いために、溶融膨張圧力は、気密空間側のみならず、封止材側に拡散することができる。したがって、半田が気密空間側に流れることを防止することができ、気密封止性を高めるとともに、短絡、断線などの発生を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明に係るベアＳＡＷチップの実装封止構造並びに高周波モジュールの実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００１６】
図１（ａ）は、ベアＳＡＷチップをモジュール基板表面にフェースダウンボンディングした実装構造の概略断面図である。図１（ｂ）は、ベアＳＡＷチップの表面パターンの導体パターンを示す平面図である。また、図１（ｃ）は、図１（ｂ）のベアＳＡＷチップを実装するモジュール基板側の導体パターンを示す平面図である。
【００１７】
本発明の高周波モジュールは、図１に示すように、励振電極４と、入出力電極７Ａと、励振電極４および入出力電極７Ａを取り囲む接地電極９Ａとが主面に形成されたベアＳＡＷチップ１の前記主面を、モジュール基板８の電極形成面と対面させ、ベアＳＡＷチップ１の入出力電極７Ａおよび接地電極９Ａと、モジュール基板８の電極形成面に形成された電極（入出力電極７Ｂ、接地電極９Ｂ）とを導電性接着剤３で接続して励振電極４のまわりに密閉空間５を形成するとともに、モジュール基板８に他の電子部品を搭載および／または受動回路を形成してなる高周波モジュールであって、少なくともベアＳＡＷチップ１をガラス転移温度が２０〜８０℃で、ガラス転移温度以下の温度における線膨張係数が８〜２０×１０−６／℃で、２００℃１時間の熱処理による重量減少が０．２％以下である熱硬化性樹脂からなる封止材６で気密封止したことを特徴とするものである。
【００１８】
弾性表面波フィルタを構成するベアＳＡＷチップ１は、例えばタンタル酸リチウム単結晶、ランタン−ガリウム−ニオブ系単結晶、四ホウ酸リチウム単結晶等の圧電性の単結晶から成る基板２表面に、複数個の励振電極４がラダー型に接続されて設けられている。具体的には、櫛形電極の両側に反射電極を設けた構造で、この構造により弾性表面波の振動エネルギーが閉じ込められ，共振器として作用するものである。そして、かかる複数個の励振電極４が接続されてなる端部に入出力電極７Ａが設けられ、さらにこれらの励振電極４および入出力電極７Ａの周囲に、接地電極９Ａが設けられて構成される。
【００１９】
励振電極４、入出力電極７Ａ、接地電極９Ａは、例えば銅、アルミニウム、金等を主成分とする金属等で形成され、これらの電極の表面には、必要に応じて、シリコンや酸化シリコン等の半導電性もしくは絶縁性の保護膜が形成される。
【００２０】
一方、モジュール基板８の表面には、ベアＳＡＷチップ１の入出力電極７Ａと対向する部分に入出力電極７Ｂが、また、接地電極９Ａと対向する部分に接地電極９Ｂが被着形成されている。これら入出力電極７Ａ、接地電極９Ｂは、銀、銅、金等の金属で形成される。
【００２１】
そして、ベアＳＡＷチップ１は、モジュール基板８の表面に載置され、半田、導電性樹脂などの導電性接着剤３によって電気的に接続される。
【００２２】
かかる接続構造によれば、ベアＳＡＷチップ１の励振電極４は、ベアＳＡＷチップ１の基板２、モジュール基板８、接地電極９接続部の導電性接着剤３によって形成された密閉空間５内に封止される。かかる構造によれば、大きな体積を取らずにベアＳＡＷチップ１を封止することができ、低背化が可能となる。
【００２３】
図２は、携帯電話のフロントエンドジュールのブロック回路図の一例であり、このブロック図は米国のセルラーバンドとＰＣＳバンドからなるＣＤＭＡ端末を想定したものであるが、ＩＭＴ−２０００のＷ−ＣＤＭＡや、欧州のＧＳＭ、ＤＣＳ端末、２．４ＧＨｚのブルーツース、Ｗ−ＬＡＮなどのフロントエンドであっても構わない。
【００２４】
この図２におけるブロック図中の送信フィルタおよび受信フィルタ、デュプレクサをベアＳＡＷチップによって形成することができ、図１に示したようなベアＳＡＷチップ１の実装構造によって高周波モジュールが構成される。
【００２５】
図３は、図２のブロック回路を搭載したフロントエンドモジュールの平面図であり、図４は図３のｘ−ｘ線の概略断面図である。
【００２６】
かかる高周波モジュールにおいては、送信フィルタおよび受信フィルタ、デュプレクサが、ベアＳＡＷチップ１によって形成され、図１に示された実装構造によって、モジュール基板１８表面に実装されている。
【００２７】
また、モジュール基板８の表面には、チップコンデンサ１３や、チップインダクタ１４、抵抗（図示しない）などの表面実装部品が半田実装されている。さらには、電気素子としての半導体チップ（パワーアンプＩＣ）１１がワイヤ１２によってモジュール基板８表面に実装されている。また、モジュール基板８表面や内部には、受動回路が形成されており、場合によっては、整合回路パターンなどの高周波回路パターン１０なども導体材料によって被着形成される。さらに、モジュール基板８内部には、半導体素子１１から発生した熱を放熱するためのサーマルビア１５やカプラ１６が形成されている。また必要に応じて、コンデンサやインダクタ、整合回路なども内蔵される。なお、電気素子としては上記の他、スイッチ、パワーコントロール、検波、電源コントロール等の機能を有するものが実装され、受動回路としては分波回路、合波回路、バラン、フィルタ等が形成されてもよい。
【００２８】
これらベアＳＡＷチップ１、半導体チップ１１、表面実装部品１３、１４等は封止材６によってすべて封止されている。本発明の高周波モジュールは、かかる構造にて携帯用電話機、通信端末用カードなどの小形の携帯用電子機器などに組み込まれる。
【００２９】
本発明によれば、封止材６は熱硬化性樹脂からなるが、この熱硬化性樹脂のガラス転移温度が２０〜８０℃であること、ガラス転移温度以下の温度における封止材６の線膨張係数が８〜２０×１０−６／℃であることが必要である。これは、ガラス転移温度が８０℃以上になると、封止材６とモジュール基板８間に発生する応力が大きくなる為、モジュール基板８の破損、封止材６の剥離が発生しやすくなり、ベアＳＡＷチップ１の気密性を破壊する可能性が高くなるからであり、また封止材６のガラス転移温度が２０℃未満になると、常温において樹脂の曲げ弾性率、線膨張係数が急激に変動するため、モジュール基板８との密着性が低下し、封止材６の剥離が発生しやすいからである。
【００３０】
封止材６の線膨張係数が２０×１０−６／℃以上になると、モジュール基板８との密着性が低下し封止材６の剥離が発生しやすく、モジュール基板８をマザーボードに２次実装して温度サイクル試験を行った場合、半田接続部で疲労破壊が発生しやすいため、信頼性に問題がある。また封止材６の線膨張係数を８×１０−６／℃以下にすると、ベアＳＡＷチップ１と封止材６との線膨張係数差が大きくなる為（例えばベアＳＡＷチップ１が後述の実施例のようにタンタル酸リチウム単結晶の４２°Ｙカットの場合、線膨張係数は１４〜１６×１０−６／℃）、モジュール基板８とベアＳＡＷチップ１を接続した接続部で疲労破壊（クラック）が発生し、ベアＳＡＷチップ１の気密性を破壊するからである。
【００３１】
また、封止材６の曲げ弾性率が−２０℃で５〜２０ＧＰａ、１２０℃で０．０５〜０．３０ＧＰａであることが必要である。封止材６の曲げ弾性率が上記特性を具備することによって、高周波モジュールをマザーボード（図示省略）に２次実装する場合などにおいて、チップ部品の半田接続部が再溶融しても端子間で短絡を生じることがなくなるのである。封止材６の−２０℃での曲げ弾性率が２０ＧＰａよりも大きいと、ワイヤボンディングへの負荷が大きくなり断線原因となり、５ＧＰａよりも小さいと封止材の形状維持が困難であるため、封止材表面に記載した製品の認識マーク、製品番号の記載が困難となる。また、１２０℃の曲げ弾性率が０．０５ＧＰａよりも小さいと２次実装時の半田リフロー時に、封止材表面に記載した製品の認識マーク、製品番号が樹脂の流れによって認識することが困難となり、０．３ＧＰａよりも大きいと半田の熱膨張による応力を樹脂が吸収することができず、リフロー加熱を繰り返すたびに、溶融した半田がベアＳＡＷチップ、チップ部品と基板との間の隙間に浸入し、短絡や気密性の破壊が生じてしまう。
【００３２】
さらに、封止材１は、熱硬化性樹脂させて作製した後、大気雰囲気下で２００℃１時間の熱処理を行ったときの、重量減少が０．２％以下であることが必要である。これにより、封止材から発生するアウターガスや水分の気化によって、樹脂内部の圧力が、ＳＡＷの気密空間よりも急激に増加する現象を抑制することができ、再溶融した半田が気密空間に移動することを抑制することができる。
【００３３】
このような封止材の材質としては、例えばシリカ等のフィラー量が６０％以上含まれるエポキシ樹脂などが挙げられる。
【００３４】
上記封止材６のガラス転移温度、線膨張係数は、熱硬化性樹脂の種類や分子量によって制御され、また、熱硬化性樹脂に対して無機フィラーを添加含有せしめることによっても制御することができる。なお、無機フィラーの添加によって封止材の熱伝導率を高めることもできる。これによって半導体素子等から発生する熱を放散させ熱抵抗を低減できる。
【００３５】
なお、モジュール基板の線膨張係数は８〜１８×１０−６／℃であることが好ましい。モジュール基板の線膨張係数が８×１０−６／℃よりも小さい、または１８×１０−６／℃を超えると、ベアＳＡＷチップとモジュール基板との線膨張係数差が大きくなり、励振電極を取り囲む接地電極と入出力電極の接続部で疲労破壊（クラック）が起こりやすくなるため、信頼性の低下につながる。
【００３６】
本発明によれば、上記の封止材６によって、少なくともベアＳＡＷチップ１を封止すればよいが、図４に示すように、モジュール基板８表面に形成されたその他のコンデンサ、抵抗部品などの電子部品１３、１４、半導体素子１１をこの封止材６によって一括に封止することによって、各部品のモジュール基板８との接続部と、ベアＳＡＷチップ１の気密封止の信頼性を大幅に向上させることができる。
【００３７】
図１の例では、ベアＳＡＷチップ１における励振電極として、ラダー型回路共振器電極を用いたもので説明したが、共振器型や伝搬型のフィルタやフィルタ以外のデュプレクサ等の弾性表面波装置についても、封止が必要な励振電極を有するものであれば、本発明を適用することができる。
【００３８】
また、前記実施の形態では、高周波モジュールが、フロントエンドモジュールの場合を説明したが、高周波モジュールとしては、半田実装される表面実装部品とベアＳＡＷチップを備え、かつ表面実装部品が封止材によって封止される構造のものであれば、他の半導体装置であってもよい。
【００３９】
また、表面実装部品は、チップ部品や半導体チップに限定されずに、ＦＢＡＲ（Ｆｉｌｍ  Ｂｕｌｋ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）やＭＥＭＳのスイッチ、光半導体素子等のチップ等であっても構わない。
【実施例】
【００４０】
次に、本発明に係る高周波モジュールを作製した実施例について説明する。
【００４１】
０．９５モルＭｇＴｉＯ３−０．０５モルＣａＴｉＯ３で表される主成分１００質量部に対して、ＢをＢ２Ｏ３換算で１０質量部、ＬｉをＬｉＣＯ３換算で５質量部添加したセラミック粉末組成物を用いてスラリーを調製し、ドクターブレード法によって厚さ１００μｍのグリーンシート形成した。
【００４２】
そして、このグリーンシートの表面に、Ａｇペーストを用いて厚さ２０μｍの導体パターンをスクリーン印刷法によって形成した。また、必要に応じて、直径が２００ミクロンのスルーホールを形成し、上記のＡｇペーストを充填してスルーホール導体を形成した。その後、このグリーンシートを積層後、大気中で３００℃、４時間脱バインダ処理をした後、９００℃大気中で６時間焼成を行い、線膨張係数が８．５×１０−６／℃のモジュール基板を作製した。
【００４３】
次に圧電基板（タンタル酸リチウム単結晶の４２°Ｙカット、線膨張係数１４〜１６×１０−６／℃）上にＡｌ−Ｃｕ（２重量％）合金から成る電極を成膜した。その後、レジスト塗布、パターンニング、剥離を繰り返し、励振電極、入出力電極と接地電極、保護膜を形成し、ベアＳＡＷチップを作製した。
【００４４】
完成したベアＳＡＷチップは、モジュール基板に図１に従い、フェースダウン実装した。この実装には、接地電極及び入出力電極に、高温半田をスクリーン印刷法にて塗布し、リフローにて実装を行った。上記ベアＳＡＷチップの実装構造によれば、励振電極の周囲を接地電極で取り囲こむようにしており、樹脂封止前の段階で気密性を確保することができた。またベアＳＡＷチップ同時にコンデンサチップなどのチップ部品の実装を行い、リフローにて半田を固着させた。最後に銀ペーストにて半導体チップを接着した後、金線を用いてワイヤボンディングした。
【００４５】
上記の方法によって、各種表面実装部品、半導体チップ、ベアＳＡＷチップを搭載した高周波モジュールを得た。
【００４６】
次に、エポキシ樹脂に対してフィラーとしてシリカを添加し、特性の異なる封止材（Ａ〜Ｄは本発明範囲内、Ｅ〜Ｉは本発明範囲外）を用意した。ここで、封止材の曲げ弾性率は、ＤＭＡにて、ガラス転移温度とガラス転移温度以下の温度における線膨張係数は、ＴＭＡにて測定した。
【００４７】
高周波モジュール領域が４８個形成されたガラスセラミックス基板にメタルマスクとスキージとを使用して前記の封止材によって複数のモジュール領域１１ａを一括で覆うように印刷方式で塗布して一括封止した。さらに、印刷方式によって形成された封止材をベーク処理して硬化させた。その後、ダイシング装置を用いて８０個の高周波モジュール領域を分割し、高周波モジュールを個片化した。
【００４８】
その後、この封止した高周波モジュールを温度３０℃、湿度６０％の雰囲気下で１６８時間吸湿処理した後、リフロー加熱（ピーク温度２６０℃）を３回繰り返した。その後、外観検査により疲労破壊（クラック）の有無を、電気導通検査によりショートの有無を、モジュールの電気特性を評価し、フィルタの気密性とパワーアンプの気密性を確認した。ショートやクラック、気密性の不良等の不良モードがみられなかったものを「○」、みられたものを「×」と判定した。また、それぞれの不良モードの発生率（％）を表１の吸湿処理後のリフロー評価の欄に示す。
【表１】
2006304145.tif 000003
【００４９】
表１にみられるように、本発明実施例のものはいずれもショート及びクラックの発生率が０％であって、不良モードがみられないことが確認された。
【００５０】
これに対し、封止材のガラス転移温度、線膨張係数や曲げ弾性率が本発明の範囲から逸脱する試料はいずれも半田の熱膨張による応力を十分に吸収することができず、短絡や界面剥離、気密性低下が観察された。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明のベアＳＡＷチップの実装形態を示す概略断面図（ａ）、ベアＳＡＷチップの表面パターン（ｂ）とモジュール基板の表面パターン（ｃ）である。
【図２】本発明の高周波モジュールの代表的なブロック回路図である。
【図３】本発明の高周波モジュールの一例を示す概略平面図である。
【図４】図３の高周波モジュールのｘ−ｘ線の概略断面図である。
【図５】従来のベアＳＡＷチップのパッケージを示す概略断面図である。
【図６】従来の他のベアＳＡＷチップのパッケージを示す概略断面図である。
【図７】従来のさらに他のベアＳＡＷチップのパッケージを示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１・・・・・ベアＳＡＷチップ
３・・・・・半田
４・・・・・励振電極
５・・・・・気密空間
６・・・・・封止材
７A,７B・・入出力電極
８・・・・・モジュール基板
９A,９B・・・接地電極
１１・・・・・半導体チップ
１３，１４・・表面実装部品
１５・・・・・サーマルビア
１６・・・・・カプラ
【図１】
2006304145.tif 000004
【図２】
2006304145.tif 000005
【図３】
2006304145.tif 000006
【図４】
2006304145.tif 000007
【図５】
2006304145.tif 000008
【図６】
2006304145.tif 000009
【図７】
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