(57)【要約】【課題】  チャンバ内の不活性ガスの圧力を正確に調整することにより、ウェーハの微細構造の損傷を抑えつつ、乾燥の効果を最大限に発揮させる。【解決手段】  乾燥装置１０は、洗浄後のウェーハＳが収容されたチャンバ２０内を窒素ガスＮの雰囲気にすることにより、ウェーハＳを乾燥させる装置であり、例えば半導体製造工場のクリーンルーム内に設置されている。そして、乾燥装置１０は、チャンバ２０内に純水Ｗを供給する純水供給手段３０と、チャンバ２０内に窒素ガスＮを供給する窒素ガス供給手段４０と、チャンバ２０内の空気Ａ又は窒素ガスＮを排出する真空ポンプ１１と、チャンバ２０内の窒素ガスＮの圧力を測定する圧力計１２と、チャンバ２０内の窒素ガスＮの圧力を圧力計１２から入力し、その圧力が所定値になるように窒素ガス供給手段４０及び真空ポンプ１１を制御するコントローラ１３とを備えている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
洗浄後の被処理物が収容されたチャンバ内を不活性ガスの雰囲気にすることにより、前記被処理物を乾燥させる方法において、
前記チャンバ内に対して前記不活性ガスを供給又は排出しつつ当該チャンバ内の当該不活性ガスの圧力を圧力計で測定し、その圧力が所定値になった時に前記不活性ガスの供給又は排出を停止する、
ことを特徴とする乾燥方法。
【請求項２】
常圧よりも高圧の前記不活性ガスを供給する場合の前記所定値は、前記被処理物に形成された構造の微細化の度合いを示すアスペクト比に応じて予め定められた、
請求項１記載の乾燥方法。
【請求項３】
洗浄後の被処理物が収容されたチャンバ内を不活性ガスの雰囲気にすることにより、前記被処理物を乾燥させる方法において、
前記チャンバ内に純水を満たす第一工程と、
前記チャンバ内の前記純水に前記被処理物を浸漬する第二工程と、
前記チャンバ内から前記純水を排出する第三工程と、
当該チャンバ内を常圧よりも高圧の不活性ガスの雰囲気にする第四工程と、
前記チャンバ内を常圧よりも低圧の不活性ガスの雰囲気にする第五工程とを含み、
前記第四工程及び前記第五工程では、前記チャンバ内の前記不活性ガスの圧力を圧力計で測定し、その圧力が所定値になった時に当該不活性ガスの供給又は排出を停止する、
ことを特徴とする乾燥方法。
【請求項４】
前記第一工程乃至第五工程は、前記第一工程、前記第二工程、前記第三工程、前記第四工程、前記第五工程の順に進行し、
前記第五工程では、前記チャンバ内の前記高圧の不活性ガスを真空ポンプで排出しつつ、前記チャンバ内に前記低圧の不活性ガスを供給する、
請求項３記載の乾燥方法
【請求項５】
前記第四工程及び前記第五工程を複数回繰り返す、
請求項４記載の乾燥方法。
【請求項６】
前記第一工程乃至第五工程は、前記第一工程、前記第二工程、前記第三工程、前記第五工程、前記第四工程の順に進行する、
請求項３記載の乾燥方法
【請求項７】
前記第五工程及び前記第四工程を複数回繰り返し、
二回目以降の前記第五工程では、前記チャンバ内の前記高圧の不活性ガスを真空ポンプで排出しつつ、前記チャンバ内に前記低圧の不活性ガスを供給する、
請求項６記載の乾燥方法。
【請求項８】
前記チャンバ内に前記不活性ガスを供給しつつ当該チャンバ内の当該不活性ガスの圧力を前記圧力計で測定し、
その圧力が常圧よりも高い所定値になった時に、前記チャンバの蓋を開けることにより当該チャンバ内を外気に開放する、
請求項１乃至７のいずれかに記載の乾燥方法。
【請求項９】
前記被処理物は、微細構造を有する半導体ウェーハである、
請求項１乃至８のいずれかに記載の乾燥方法。
【請求項１０】
洗浄後の被処理物が収容されたチャンバ内を不活性ガスの雰囲気にすることにより、前記被処理物を乾燥させる装置において、
前記チャンバ内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、
前記チャンバ内の気体を排出する真空ポンプと、
前記チャンバ内の前記不活性ガスの圧力を測定する圧力計と、
前記チャンバ内の前記不活性ガスの圧力を前記圧力計から入力し、その圧力が所定値になるように前記不活性ガス供給手段及び前記真空ポンプを制御するコントローラと、
を備えたことを特徴とする乾燥装置。
【請求項１１】
常圧よりも高圧の前記不活性ガスを供給する場合の前記所定値は、前記被処理物に形成された構造の微細化の度合いを示すアスペクト比に応じて予め定められており、
前記コントローラには、前記アスペクト比に関する情報を入力する入力手段が付設された、
請求項１０記載の乾燥装置。
【請求項１２】
前記被処理物は、微細構造を有する半導体ウェーハである、
請求項１０又は１１記載の乾燥装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、微細構造を有する半導体ウェーハ（以下、単に「ウェーハ」という。）等に好適な乾燥方法及び乾燥装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造技術において、ウェーハの洗浄工程及び乾燥工程は不可欠である。洗浄工程では、ウェーハを純水で洗浄する。乾燥工程では、洗浄後のウェーハに付着した純水を完全に除去する。一方、近年における微細加工技術の進歩により、ウェーハには０．１μｍ以下の凹凸まで形成できるようになっている。そのため、乾燥工程において、微細な凹部に入り込んだ純水を除去するための特別な工夫が必要になっている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、洗浄後のウェーハをチャンバ内に入れ、続いて加熱かつ加圧した不活性ガスをチャンバ内に充填することにより、微細な凹部に高温の不活性ガスを強制的に押し込んで乾燥させる技術が開示されている。
【０００４】
また、特許文献２には、洗浄後のウェーハをチャンバ内に入れ、続いて高温かつ高圧の不活性ガスをチャンバ内に充填した後、チャンバ内を大気圧以下の不活性ガスに入れ替える技術が開示されている。
【０００５】
【特許文献１】特表２００３−５１９９３４号公報
【特許文献２】特開２００４−１７２５６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記特許文献１，２に開示された技術では、次のような問題があった。
【０００７】
不活性ガスの圧力について、特許文献１の技術ではレギュレータを使いオープン制御で調整しており、特許文献２の技術では調整方法が不明である。つまり、従来技術では、チャンバ内の不活性ガスの圧力が正確であるとは言えない。
【０００８】
そこで、本発明の主な目的は、チャンバ内の不活性ガスの圧力を正確に調整できる乾燥方法及び乾燥装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る乾燥方法は、洗浄後の被処理物が収容されたチャンバ内を不活性ガスの雰囲気にすることにより、被処理物を乾燥させる方法である。そして、本発明に係る乾燥方法は、チャンバ内に対して不活性ガスを供給又は排出しつつチャンバ内の不活性ガスの圧力を圧力計で測定し、その圧力が所定値になった時に不活性ガスの供給又は排出を停止する、ことを特徴とする（請求項１）。例えば、常圧よりも高圧の不活性ガスを供給する場合の所定値は、被処理物に形成された構造の微細化の度合いを示すアスペクト比に応じて予め定められたものである（請求項２）。不活性ガスとしては、例えば窒素やアルゴンなどが挙げられる。
【００１０】
従来技術では、チャンバ内の不活性ガスの圧力が不正確であったため、不活性ガスの圧力が高すぎて被処理物の微細構造が破壊されたり、逆に不活性ガスの圧力が低すぎて乾燥が不十分になったりする、という問題があった。これに対して、本発明では、チャンバ内の不活性ガスの圧力を測定して不活性ガスの供給又は排出を制御するというフィードバック制御を採用しているので、チャンバ内の不活性ガスの圧力が極めて正確になる。その結果、被処理物の微細構造が破壊されたり乾燥が不十分になったりすることを、防ぐことができる。
【００１１】
特に、今後、微細化がますます進むと、不活性ガスの圧力が高すぎて被処理物の微細構造が破壊される問題がより深刻になる。そこで、チャンバ内の不活性ガスの圧力を被処理物のアスペクト比に応じて設定することにより、微細構造の損傷を防ぎつつ、乾燥の効果を最大限に発揮させることができる。ここで、アスペクト比（縦横比）とは、例えば凹部（溝）の「深さ／幅」又は凸部の「高さ／幅」で与えられ、大きいほど微細になる。したがって、アスペクト比が大きいほど、チャンバ内の不活性ガスの圧力を下げる。
【００１２】
より具体的には、チャンバ内に純水を満たす第一工程と、チャンバ内の純水に被処理物を浸漬する第二工程と、チャンバ内から純水を排出する第三工程と、チャンバ内を常圧よりも高圧の不活性ガスの雰囲気にする第四工程と、チャンバ内を常圧よりも低圧の不活性ガスの雰囲気にする第五工程とを含み、第四工程及び第五工程では、チャンバ内の不活性ガスの圧力を圧力計で測定し、その圧力が所定値になった時に不活性ガスの供給又は排出を停止する、というものである（請求項３）。
【００１３】
第四工程では、チャンバ内に高圧の不活性ガスを供給することにより、被処理物の微細な部分にも不活性ガスが押し込まれるので、被処理物の微細な部分に残留している水分が不活性ガスに押されて除去される（加圧乾燥）。特に、不活性ガスを常温よりも高温にすると、乾燥の効果がより大きくなる（高温加圧乾燥）。第五工程では、被処理物に付着した水は、大気圧以下の不活性ガス雰囲気に曝されることにより、沸点が低下するので容易に蒸発する（減圧乾燥）。特に、不活性ガスを常温よりも高温にすると、乾燥の効果がより大きくなる（高温減圧乾燥）。なお、第三工程では、チャンバ内から純水を排出するとともに、チャンバ内の空気を真空ポンプで排出するようにしてもよい。
【００１４】
第一工程乃至第五工程は、第一工程→第二工程→第三工程→第四工程→第五工程の順に進行し、第五工程では、チャンバ内の高圧の不活性ガスを真空ポンプで排出しつつ、チャンバ内に低圧の不活性ガスを供給する、としてもよい（請求項４）。このとき、第四工程及び第五工程を複数回繰り返す、としてもよい（請求項５）。これらの場合は、被処理物の純水浸漬から乾燥までが、一つのチャンバ内で実行される。特に、第四工程及び第五工程を複数回繰り返すことにより、乾燥の効果が更に大きくなる。
【００１５】
第一工程乃至第五工程は、第一工程→第二工程→第三工程→第五工程→第四工程の順に進行する、としてもよい（請求項６）。このとき、第五工程及び第四工程を複数回繰り返し、二回目以降の第五工程では、チャンバ内の高圧の不活性ガスを真空ポンプで排出しつつ、チャンバ内に低圧の不活性ガスを供給する、としてもよい（請求項７）。請求項６又は７では、請求項４又は５における第四工程と第五工程との順番が逆になっている。この場合は、加圧乾燥よりも前に減圧乾燥を行うことにより、加圧乾燥時に残存酸素によって被処理物が酸化することを抑えることができる。
【００１６】
チャンバ内に不活性ガスを供給しつつチャンバ内の不活性ガスの圧力を圧力計で測定し、その圧力が常圧よりも高い所定値になった時に、チャンバの蓋を開けることによりチャンバ内を外気に開放する、としてもよい（請求項８）。チャンバ内の不活性ガスの圧力を測定する機能を利用して、チャンバ内の不活性ガスの圧力を常圧より高めにしてから、チャンバの蓋を開ける。これにより、チャンバの蓋を開けた瞬間に外気がチャンバ内に流れ込まないので、チャンバ内の汚染が防げる。
【００１７】
被処理物は、微細構造を有するウェーハである、としてもよい（請求項９）。ウェーハは今後も微細化がますます進むので、ウェーハには本発明に係る乾燥方法がとりわけ好適である。
【００１８】
本発明に係る乾燥装置は、洗浄後の被処理物が収容されたチャンバ内を不活性ガスの雰囲気にすることにより、被処理物を乾燥させる装置である。そして、本発明に係る乾燥装置は、チャンバ内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、チャンバ内の気体を排出する真空ポンプと、チャンバ内の不活性ガスの圧力を測定する圧力計と、チャンバ内の不活性ガスの圧力を圧力計から入力し、その圧力が所定値になるように不活性ガス供給手段及び真空ポンプを制御するコントローラと、を備えたことを特徴とする（請求項１０）。このとき、常圧よりも高圧の不活性ガスを供給する場合の所定値は、被処理物に形成された構造の微細化の度合いを示すアスペクト比に応じて予め定められており、コントローラには、アスペクト比に関する情報を入力する入力手段が付設された、としてもよい（請求項１１）。また、被処理物は、微細構造を有するウェーハである、としてもよい（請求項１２）。本発明に係る乾燥装置の作用及び効果は、本発明に係る乾燥方法の作用及び効果に準ずる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、チャンバ内の不活性ガスの圧力を測定して不活性ガスの供給又は排出を制御することにより、チャンバ内の不活性ガスの圧力を極めて正確に調整できるので、被処理物の微細構造が破壊されたり乾燥が不十分になったりすることを、防ぐことができる。
【００２０】
また、本発明によれば、各請求項に記載した構成を採ることにより、以下の効果も奏する。（１）．チャンバ内の不活性ガスの圧力を被処理物のアスペクト比に応じて設定することにより、微細構造の損傷を防ぎつつ、乾燥の効果を最大限に発揮させることができる。（２）．加圧乾燥の後に減圧乾燥を行い、必要に応じこれを繰り返すことにより、被処理物に付着した水分を確実に除去することができる。（３）．これとは逆に減圧乾燥の後に加圧乾燥を行い、必要に応じこれを繰り返すことにより、被処理物に付着した水分を確実に除去することができるとともに、最初の加圧乾燥時に残存酸素によって被処理物が酸化することを抑えることができる。（４）．チャンバ内の不活性ガスの圧力が常圧より高めになってから、チャンバの蓋を開けることにより、蓋を開けた瞬間に外気がチャンバ内に流れ込まないので、チャンバ内の汚染を防ぐことができる。（５）．被処理物として微細構造を有するウェーハを用いることにより、微細構造の損傷を防ぎつつ、十分な乾燥を達成できるので、半導体デバイスの歩留まりを向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
図１は、本発明に係る乾燥装置の一実施形態を示す構成図である。以下、この図面に基づき説明する。なお、特許請求の範囲における「不活性ガス」及び「被処理物」は、具体化して「窒素ガス」及び「ウェーハ」と言い換える。
【００２２】
本実施形態の乾燥装置１０は、洗浄後のウェーハＳが収容されたチャンバ２０内を窒素ガスＮの雰囲気にすることにより、ウェーハＳを乾燥させる装置であり、例えば半導体製造工場のクリーンルーム内に設置されている。そして、乾燥装置１０は、チャンバ２０内に純水Ｗを供給する純水供給手段３０と、チャンバ２０内に窒素ガスＮを供給する窒素ガス供給手段４０と、チャンバ２０内の空気Ａ又は窒素ガスＮを排出する真空ポンプ１１と、チャンバ２０内の窒素ガスＮの圧力を測定する圧力計１２と、チャンバ２０内の窒素ガスＮの圧力を圧力計１２から入力し、その圧力が所定値になるように窒素ガス供給手段４０及び真空ポンプ１１を制御するコントローラ１３とを備えている。
【００２３】
チャンバ２０は、ステンレス製の容器２１及び蓋２２から成り、優れた耐圧性及び密閉性を有する。蓋２２を開けることによって、チャンバ２０内は外気（クリーンルーム内の空気Ａ）に曝される。容器２１内には石英槽２３が設けられ、石英槽２３内にはウェーハＳを載置するための冶具２４が設けられている。石英槽２３の上端には開口部２３ａが形成されており、開口部２３ａを介してウェーハＳを石英槽２３内に出し入れできる。石英槽２３内は純水Ｗで満たされ、純水ＷにウェーハＳが浸漬される。石英槽２３及び冶具２４を金属製ではなく石英製とした理由は、ウェーハＳが純水Ｗを介して金属イオンによって汚染されることを防ぐためである。ウェーハＳは、半導体製造技術によって微細構造が形成されたシリコンウェーハである。
【００２４】
純水供給手段３０は、供給用の配管３１及び電磁弁３２と、排出用の配管３３及び電磁弁３４とから構成されている。図示しない純水供給源から送られてきた純水Ｗは、配管３１及び電磁弁３２を通って石英槽２３内に満たされ、配管３３及び電磁弁３４を通ってチャンバ２０外へ排出される。
【００２５】
窒素ガス供給手段４０は、窒素ガスＮを一定圧力に下げるためのレギュレータ４１と、高温の窒素ガス供給用の配管４２、電磁弁４３及びヒータ４４と、常温の窒素ガス供給用の配管４５及び電磁弁４６と、排出用の配管４７及び電磁弁４８とから構成されている。図示しない窒素ガス供給源から送られてきた窒素ガスＮは、レギュレータ４１によって一定圧力に下げられ、配管４２，４５で二経路に分けられる。一方の配管４２を通る窒素ガスＮは、電磁弁４３を経てヒータ４４で加熱され、高温の窒素ガスＮとしてチャンバ２０内へ供給される。ヒータ４４の一例を述べれば、窒素ガスＮが通過する石英管の外周に、電熱線を巻回したものである。他方の配管４５を通る窒素ガスＮは、電磁弁４６を経て常温の窒素ガスＮとしてチャンバ２０内へ供給される。チャンバ２０内に供給された高圧の窒素ガスＮは、配管４７及び電磁弁４８を通ってチャンバ２０外へ排出される。
【００２６】
コントローラ１３は、例えばマイクロコンピュータ及びそのプログラムによって、純水供給手段３０、窒素ガス供給手段４０及び真空ポンプ１１を制御する機能が実現されている。また、コントローラ１３には、キーボード１４、ディスプレイ１５及び図示しない手動スイッチ類が接続され、タイマ１６が内蔵されている。ディスプレイ１５は、例えばＬＣＤであり、コントローラ１３から出力されたデータを画面上に表示する。キーボード１４は、例えばウェーハＳに形成された微細構造のアスペクト比に関する情報などのデータを入力するものである。また、ウェーハＳのアスペクト比と窒素ガスＮの高圧値との関係は、コントローラ１３のメモリに予め記憶されている。例えばアスペクト比が「大」「中」「小」の三種類あれば、それらに対応する高圧値は「低」「中」「高」となる。
【００２７】
真空ポンプ１１は、市販されている一般的なものである。真空ポンプ１１とチャンバ２０とを結ぶ配管１１ａには、真空ポンプ１１に連動する電磁弁（図示せず）が設けられている。この電磁弁は、真空ポンプ１１のオン時に開となり、真空ポンプ１１のオフ時に閉となる。
【００２８】
図２は、乾燥装置１０の動作を示す工程図（すなわち本発明に係る乾燥方法の一実施形態）である。図３乃至図５は、図２の各工程におけるチャンバ２０を示す断面図である。以下、図１乃至図５に基づき説明する。なお、動作の主体はコントローラ１３である。
【００２９】
予め、コントローラ１３に、ウェーハＳのアスペクト比、高圧乾燥及び低圧乾燥の繰り返し回数、その他のデータをキーボード１４から入力しておく。初期状態では、電磁弁３２，３４，４３，４６，４８は閉であり、真空ポンプ１１はオフであり、チャンバ２０内は空であり、チャンバ２０の蓋２２は閉まっている。
【００３０】
まず、純水供給手段３０の電磁弁３２を開にし、チャンバ２０内の石英槽２３へ純水Ｗを供給する。一定時間後に石英槽２３内が純水Ｗで満たされたところで、電磁弁３２を閉にする（図２工程１、図３［１］）。
【００３１】
続いて、チャンバ２０の蓋２２を開けて、純水Ｗ中へウェーハＳを浸漬し、蓋２２を閉める（図２工程２、図３［２］、図４［１］）。蓋２２の開閉及びウェーハＳのロード・アンロードは、自動でも手動でもよい。このとき、窒素ガス供給手段４０の電磁弁４６を開にして、チャンバ２０内の窒素ガスＮの圧力を圧力計１２で測定し、その圧力が所定値（例えば１．０５気圧）になった時に、電磁弁４６を閉にして蓋２２を開けるようにしてもよい。これにより、蓋２２を開けた瞬間に外気がチャンバ２０内に流れ込まないので、チャンバ２０内の汚染が防げる。
【００３２】
続いて、真空ポンプ１１をオンにしてチャンバ２０内の空気Ａを排出し、チャンバ２０内の圧力が所定値（例えば０．１気圧）になったところで真空ポンプ１１をオフにする（図２工程３）。これにより、チャンバ２０外からウェーハＳとともにチャンバ２０内に持ち込まれた空気Ａを、排出することができる。かつ、容器２１と蓋２２との間のシール材が潰れるので、チャンバ２０内が密閉性が高められる。そして、窒素ガス供給手段４０の電磁弁４３を開にしてチャンバ２０内へ窒素ガスＮを供給するとともに、純水供給手段３０の電磁弁３４を開にして純水Ｗを排出する（図２工程３）。純水Ｗが排出されたところで、電磁弁３４を閉にする。なお、純水Ｗの排出を先とし、空気Ａの排出を後としてもよい。
【００３３】
続いて、チャンバ２０内へ窒素ガスＮを供給し続け、チャンバ２０内の窒素ガスＮの圧力を圧力計１２で測定し、その圧力が所定値（例えば１．８５気圧）になった時に、電磁弁４３を閉にする（図２工程４、図４［２］）。この窒素ガスＮは、ヒータ４４を経由しているので高温（例えば４００℃）になっている。これにより、ウェーハＳには高温加圧乾燥が施される。このとき、供給用の電磁弁４３を開にしつつ排気用の電磁弁４８も開にして、チャンバ２０内の窒素ガスＮを入れ替えるようにしてもよい。
【００３４】
続いて、チャンバ２０内へ窒素ガスＮを供給し続けながら、排気用の電磁弁４８を開にして１気圧まで減圧し、更に電磁弁４８を閉にして真空ポンプ１１をオンにし、チャンバ２０内の窒素ガスＮの圧力が所定値（例えば０．１気圧）になった時に、電磁弁４３を閉にする（図２工程５、図５［１］）。この窒素ガスＮは、ヒータ４４を経由しているので高温（例えば４００℃）になっている。これにより、ウェーハＳには高温減圧乾燥が施される。このとき、供給用の電磁弁４３を開にしつつ真空ポンプ１１もオンにして、チャンバ２０内の窒素ガスＮを入れ替えるようにしてもよい。
【００３５】
続いて、設定回数だけ工程４及び工程５を繰り返す（１０１）。繰り返し回数は、多いほど乾燥の効果が高まるものの乾燥に要する時間が長くなるので、通常は二回程度に設定される。
【００３６】
最後に、窒素ガス供給手段４０の電磁弁４６を開にして常温の窒素ガスＮでウェーハＳを冷却した後、蓋２２を開けてチャンバ２０内からウェーハＳを取り出す（図２工程６、図５［２］）。このときも、窒素ガス供給手段４０の電磁弁４６を開にして、チャンバ２０内の窒素ガスＮの圧力が所定値（例えば１．０５気圧）になった時に、電磁弁４６を閉にして蓋２２を開けるようにしてもよい。
【００３７】
なお、本発明は、言うまでもなく、上記実施形態に限定されない。例えば、図２における工程４及び工程５について、これらの順番を逆にしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明に係る乾燥装置の一実施形態を示す構成図である。
【図２】図１の乾燥装置の動作を示す工程図である。
【図３】図２の各工程におけるチャンバを示す断面図（その１）である。
【図４】図２の各工程におけるチャンバを示す断面図（その２）である。
【図５】図２の各工程におけるチャンバを示す断面図（その３）である。
【符号の説明】
【００３９】
１０  乾燥装置
１１  真空ポンプ
１２  圧力計
１３  コントローラ
２０  チャンバ
２１  チャンバの蓋
３０  純水供給手段
４０  窒素ガス供給手段
Ａ  空気
Ｎ  窒素ガス（不活性ガス）
Ｓ  ウェーハ（被処理物）
Ｗ  純水
【図１】
2006351756.tif 000003
【図２】
2006351756.tif 000004
【図３】
2006351756.tif 000005
【図４】
2006351756.tif 000006
【図５】
2006351756.tif 000007