(57)【要約】【課題】音響信号に対するノイズ耐性を向上する音響センサを提供する。【解決手段】音響センサ１００は、シリコン基板５２上に形成された振動電極１６と、振動電極１６に対向し、所定の間隔を隔てて配置された固定電極１４とを備え、振動電極１６と固定電極１４によりキャパシタを構成する。固定電極１４をシリコン基板５２に固定する膜（絶縁膜５５、強化膜６０、保護膜１２）の音響センサ１００における中心方向幅Ｔ２は、固定電極１４及び固定電極１４の両面を覆う膜（保護膜１２、固定電極１４、絶縁膜５５）の膜厚Ｔ１よりも大きい。又、固定電極１４をシリコン基板５２に固定する膜は、２種類以上の材質の異なる膜（強化膜６０、絶縁膜５５、保護膜１２）から形成される。【選択図】図２
2006121465.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に形成された振動電極と、前記振動電極に対向し、所定の間隔を隔てて配
置された固定電極とを備え、前記振動電極と前記固定電極によりキャパシタを構成する音
響センサであって、
前記固定電極を前記半導体基板に固定する膜の前記音響センサにおける中心方向幅が、
前記固定電極及び前記固定電極の両面を覆う膜の膜厚よりも大きいことを特徴とする音響
センサ。
【請求項２】
前記固定電極を前記半導体基板に固定する膜は、２種類以上の材質の異なる膜から形成
されることを特徴とする請求項１に記載の音響センサ。
【請求項３】
前記材質の異なる膜として、前記半導体基板に対する内部応力状態が異なる膜を用いる
ことを特徴とする請求項２に記載の音響センサ。
【請求項４】
半導体基板上に形成された振動電極と、前記振動電極に対向し、所定の間隔を隔てて配
置された固定電極とを備え、前記振動電極と前記固定電極によりキャパシタを構成する音
響センサであって、
前記固定電極を前記半導体基板に固定する膜は、２種類以上の材質の異なる膜から形成
されることを特徴とする音響センサ。
【請求項５】
前記材質の異なる膜として、前記半導体基板に対する内部応力状態が異なる膜を用いる
ことを特徴とする請求項４に記載の音響センサ。
【請求項６】
振動電極と固定電極によりキャパシタを構成する音響センサの製造方法であって、
半導体基板上に、エッチストッパを成膜する工程と、
前記エッチストッパ上に前記振動電極を形成する工程と、
前記振動電極上に、犠牲膜及び該犠牲膜の外側に所定の距離を有して配置される強化膜
を形成する工程と、
前記犠牲膜及び前記強化膜上に、前記振動電極と前記固定電極を絶縁し、前記犠牲膜と
前記強化膜の間を埋め込む絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に、前記固定電極を形成する導電膜を成膜し、該導電膜をパターニングし
て音響ホールを形成する工程と、
前記固定電極上に保護膜を成膜し、該保護膜をパターニングして、前記音響ホールの保
護膜を除去する工程と、
前記半導体基板の裏面側から選択的にエッチングし、前記振動電極を露出させる工程と
、
前記音響ホールを介して、前記犠牲膜を選択的にエッチングする工程と
を含むことを特徴とする音響センサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、音響センサ及び音響センサの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、音響振動を検出する半導体センサとして、コンデンサ型シリコンマイクロフォン
が提案されている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。このマイクロフォンは、
振動電極と、振動電極に対向し、所定の間隔を隔てて配置された固定電極とを備え、振動
電極と固定電極とにより、キャパシタが形成される。
【０００３】
そして、マイクロフォンに音圧がかかると、振動電極が振動し、この振動による振動電
極と固定電極との間隔の変化に起因して、静電容量が変化する。更に、静電容量の変化に
伴う２電極間の電圧の変化を電気的に読み取ることで、音響信号を得る。
【特許文献１】特表昭６０−５００８４１号公報
【特許文献２】特開２００２−３２８１１７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述したマイクロフォンでは、振動による静電容量の変化を測定するため、ノイズ対策
が重要となる。特に、振動などにより固定電極が変位すると、正確な容量変化を測定する
ことができず、得られた音響信号にノイズが加わるという課題があった。
【０００５】
そこで、本発明は、上記の課題に鑑み、音響信号に対するノイズ耐性を向上する音響セ
ンサ及び音響センサの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明の第１の特徴は、半導体基板上に形成された振動電極
と、振動電極に対向し、所定の間隔を隔てて配置された固定電極とを備え、振動電極と固
定電極によりキャパシタを構成する音響センサであって、固定電極を半導体基板に固定す
る膜の音響センサにおける中心方向幅が、固定電極及び固定電極の両面を覆う膜の膜厚よ
りも大きい音響センサであることを要旨とする。
【０００７】
固定電極及び固定電極の両面を覆う膜（以下において、「膜Ａ」という。）の内部応力
による力は、固定電極を半導体基板に固定する膜（以下において、「膜Ｂ」という。）に
かかっており、この力は膜Ａの膜厚が減少するほど小さくなる。一方、膜Ｂの幅が増加す
ると、膜Ｂが半導体基板と接する面積が増加し、この結果、単位面積あたりの膜Ａの内部
応力による力が減少する。
【０００８】
よって、第１の特徴に係る音響センサによると、膜Ｂの幅が、膜Ａの膜厚よりも大きい
ため、膜Ｂの半導体基板に接する、単位面積あたりの膜Ａの内部応力による力が減少し、
強度の高い構造となる。このため、固定電極が変位せず、音響信号に対するノイズ耐性を
向上することができる。
【０００９】
又、第１の特徴に係る音響センサにおいて、固定電極を半導体基板に固定する膜は、２
種類以上の材質の異なる膜から形成されることが好ましい。又、材質の異なる膜として、
半導体基板に対する内部応力状態が異なる膜を用いることが好ましい。
【００１０】
本発明の第２の特徴は、半導体基板上に形成された振動電極と、振動電極に対向し、所
定の間隔を隔てて配置された固定電極とを備え、振動電極と固定電極によりキャパシタを
構成する音響センサであって、固定電極を半導体基板に固定する膜は、２種類以上の材質
の異なる膜から形成される音響センサであることを要旨とする。
【００１１】
第２の特徴に係る音響センサによると、固定電極の周囲を取り巻く膜が材質の異なる膜
で形成されるため、一方の材質を伝搬する振動に対し、他方の材質が吸収しやすい周波数
の振動を吸収するため、振動が伝搬し難い構造となる。このため、固定電極が変位せず、
音響信号に対するノイズ耐性を向上することができる。
【００１２】
又、第２の特徴に係る音響センサは、材質の異なる膜として、半導体基板に対する内部
応力状態が異なる膜を用いることが好ましい。この音響センサによると、半導体基板に対
して収縮する引張応力と、半導体基板に対して膨張する降伏応力とを有する材質を組み合
わせることにより、効果的に内部応力を相殺することができる。
【００１３】
本発明の第３の特徴は、振動電極と固定電極によりキャパシタを構成する音響センサの
製造方法であって、（ａ）半導体基板上に、エッチストッパを成膜する工程と、（ｂ）エ
ッチストッパ上に振動電極を形成する工程と、（ｃ）振動電極上に犠牲膜及び犠牲膜の外
側に所定の距離を有して配置される強化膜を形成する工程と、（ｄ）犠牲膜及び強化膜上
に、振動電極と固定電極を絶縁し、犠牲膜と強化膜の間を埋め込む絶縁膜を形成する工程
と、（ｅ）絶縁膜上に、固定電極を形成する導電膜を成膜し、導電膜をパターニングして
音響ホールを形成する工程と、（ｆ）固定電極上に保護膜を成膜し、該保護膜をパターニ
ングして、音響ホールの保護膜を除去する工程と、（ｇ）半導体基板の裏面側から選択的
にエッチングし、振動電極を露出させる工程と、（ｈ）音響ホールを介して、犠牲膜を選
択的にエッチングする工程とを含む音響センサの製造方法であることを要旨とする。
【００１４】
第３の特徴に係る音響センサの製造方法によると、犠牲膜の外側に所定の距離を有して
配置される強化膜が成膜されるため、固定電極の周囲を強固に保持することができる。こ
のため、固定電極が変位せず、音響信号に対するノイズ耐性を向上することができる。又
、第３の特徴に係る音響センサの製造方法は、犠牲膜を成膜すると同時に強化膜を成膜す
るので、従来と同じ工程数で、音響センサを製造することができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によると、音響信号に対するノイズ耐性を向上する音響センサ及び音響センサの
製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
次に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、
同一又は類似の部分には、同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なも
のであり、各寸法の比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。従って、具
体的な寸法等は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても
互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【００１７】
（音響センサ）
本実施形態に係る音響センサ１００は、図１及び図２に示すように、シリコン基板５２
上に形成された振動電極１６と、振動電極１６に対向し、所定の間隔を隔てて配置された
固定電極１４とを備え、振動電極１６と固定電極１４によりキャパシタを構成する。又、
図１は、本実施形態に係る音響センサ１００の構成を示す上面図であり、図２は、図１の
音響センサ１００のＡ−Ａ’断面図である。
【００１８】
音響センサ１００は、エアギャップ層１０、保護膜１２、絶縁膜５５、強化膜６０、固
定電極１４、振動電極１６、基板開口部２０、音響ホール２２、振動電極用パッド電極２
４、固定電極用パッド電極２６、エッチストッパ５０、シリコン基板５２等を含む。尚、
図２から明らかなように、図１において、エアギャップ層１０等は上面から直接見ること
ができない。しかしながら、ここでは構造の理解を容易にするために、直接見えない部分
も適宜見えるように示してある。
【００１９】
シリコン基板５２は、音響センサ１００の基板となる。シリコン基板５２には、図２に
示すように、シリコン基板５２の上側から下側に音孔が穿設されている。又、図１及び図
２に示されているように、シリコン基板５２の上側の表面における音孔の基板開口部２０
は、四角形の形状を有している。又、シリコン基板５２の上側の表面は、エッチストッパ
５０を備える。
【００２０】
振動電極１６は、図２に示すように、シリコン基板５２の断面における音孔を覆うよう
に、形成されている。音孔の下側から音圧が入力され、音圧によって振動電極１６は振動
できるように、即ち可動できるように、構成されている。
【００２１】
固定電極１４は、図２に示すように、振動電極１６の上方に設けられて、振動電極１６
と共にキャパシタを形成する。当該キャパシタは、音圧によって振動電極１６が振動すれ
ば、静電容量の値が変化する特性を有する。又、固定電極１４は、基板開口部２０、即ち
音孔の少なくとも一部分を占めるような大きさで設計されている。
【００２２】
保護膜１２は、図２に示すように、振動電極１６及び固定電極１４を覆うように、形成
されている。ここで、保護膜１２及び固定電極１４が、振動電極１６との間に作ったスペ
ースをエアギャップ層１０と呼ぶ。又、保護膜１２及び固定電極１４は、複数の音響ホー
ル２２を形成している。
【００２３】
振動電極用パッド電極２４と、固定電極用パッド電極２６は、振動電極１６と固定電極
１４にそれぞれ接続して、所定の電圧を印可する。又、振動電極１６と固定電極１４によ
るキャパシタの静電容量が変化すれば、振動電極用パッド電極２４と固定電極用パッド電
極２６との間の電位差も変化するので、当該変化した電位差を音声信号として出力する。
即ち、振動電極用パッド電極２４と固定電極用パッド電極２６は、キャパシタの静電容量
の変化を間接的に検出する。出力した音声信号は、例えば、スピーカによって出力された
り、デジタル信号に変換して記憶されたりする。
【００２４】
又、本実施形態に係る音響センサ１００では、図２に示すように、固定電極１４をシリ
コン基板５２に固定する膜（絶縁膜５５、強化膜６０、保護膜１２）の音響センサ１００
における中心方向（音響センサ１００が円形状である場合は、半径方向）幅Ｔ２は、固定
電極１４及び固定電極１４の両面を覆う膜（保護膜１２、絶縁膜５５）の膜厚Ｔ１よりも
大きい。このため、絶縁膜５５、固定電極１４及び保護膜１２によって生じる内部応力に
よる力の、固定電極１４をシリコン基板５２に固定する膜がシリコン基板５２に接する部
分の単位面積あたりの量が小さくなる。
【００２５】
図２では、固定電極１４をシリコン基板５２に固定する膜は、強化膜６０、絶縁膜５５
、保護膜１２の積層膜で形成されている。強化膜６０は、後にエアギャップ層１０を形成
するための犠牲膜と同時に形成される膜であり、犠牲膜と同様の材質、例えば、シリコン
酸化膜で形成される。絶縁膜５５は、振動電極１６と固定電極１４とを絶縁すると同時に
、犠牲膜と強化膜６０との間を埋め込む役割を果たす。絶縁膜５５及び保護膜１２は、例
えば、シリコン窒化膜で形成される。
【００２６】
固定電極１４をシリコン基板５２に固定する膜は、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜の
ように、２種類以上の材質の異なる膜から形成される。このとき、材質の異なる膜として
、シリコン基板５２に対する内部応力状態が異なる膜を用いることが好ましい。
【００２７】
ここで、内部応力状態について説明する。図３に示すように、シリコン基板５２上に膜
６５を形成した場合、収縮する引張応力が働く膜と、膨張する降伏応力が働く膜とがある
。即ち、「内部応力状態」とは、引張応力が働く状態であるか降伏応力が働くか状態であ
るかを示す。図４に、引張応力が働く材質と、降伏応力が働く材質を示す。プラスの値が
引張応力を示し、マイナスの値が降伏応力を示す。尚、図４における「ＬＰ−」とは、低
圧ＣＶＤ法によって形成されたことを示し、「Ｐｅ−」とは、プラズマＣＶＤ法によって
形成されたことを示す。引張応力を有する材質としては、ＳｉＮ、Ｃｕ、ＳｉＯＣ等が挙
げられ、降伏応力を有する材質としては、ポリシリコン、ＳｉＯ2、Ａｌ、ＳｉＣ等が挙
げられる。
【００２８】
固定電極１４をシリコン基板５２に固定する膜は、図４に示すような、引張応力を有す
る材質からなる膜と、降伏応力を有する材質からなる膜とを組み合わせて、形成すること
が好ましい。特に、上述したように、絶縁膜５５及び保護膜１２として一般的に用いられ
るシリコン窒化膜と、犠牲膜として一般的に用いられるシリコン酸化膜とを組み合わせる
ことが、好ましい。
【００２９】
（音響センサの製造方法）
次に、本実施形態に係る音響センサ１００の製造方法について、図５〜図７を用いて説
明する。図５〜図７は、図２と同様に、図１の音響センサ１００でのＡ−Ａ’断面に対応
する。
【００３０】
まず、図５（ａ）に示す工程１において、両面研磨シリコン基板５２上に、エッチスト
ッパ５０を２００ｎｍ成膜する。エッチストッパ５０は、後にシリコン基板５２を裏面か
らエッチングする際のストッパとなる。エッチストッパ５０には、シリコン窒化膜を用い
ることが一般的である。シリコン窒化膜を形成する際に用いるガスは、モノシランとアン
モニア、ジクロロシランとアンモニアなどであり、成膜温度は、３００〜６００℃である
。
【００３１】
次に、図５（ｂ）に示す工程２において、エッチストッパ５０の上に振動電極１６を１
μｍ成膜する。振動電極１６には、ポリシリコンを用いることが一般的であるが、その他
の導電性のある材料を用いてもよい。そして、振動電極１６に対して、通常のフォトリソ
グラフィ技術とエッチング技術を用いて不要な部分を除去する。
【００３２】
次に、図５（ｃ）に示す工程３において、振動電極１６の上に３μｍ程度の犠牲膜５６
及び犠牲膜５６の外側に所定の距離を有して配置される強化膜６０を成膜する。犠牲膜５
６には、リン（Ｐ）を含むシリコン酸化膜を用いることが一般的であるが、フッ酸（ＨＦ
）に可溶であれば、どの膜を用いてもよい。この犠牲膜５６は、後にＨＦによるエッチン
グで除去するため、最終的な構造体には残らない膜である。犠牲膜５６に対して、通常の
フォトリソグラフィ技術とエッチング技術を用いて周辺部を除去する。犠牲膜５６の膜厚
は、最終的な電極間のエアギャップ距離となることから、容量（Ｃ＝ｅ＊Ｓ／ｔ、ｅ：誘
電率、Ｓ：電極面積、ｔ：エアギャップ距離）、つまり感度に反映されるとともに、音響
センサ１００の構造の強固性にも大きな影響を及ぼす。例えば、エアギャップ層が狭すぎ
ると振動電極１６と固定電極１４が接触してしまい、センシング出来なくなる。
【００３３】
又、強化膜６０は、犠牲膜５６と同様の材質からなる膜とする。強化膜６０は、後に成
膜する固定電極１４をシリコン基板５２に固定する膜を強化する膜として形成され、犠牲
膜５６との距離は、絶縁膜５５の膜厚の２倍以下とすることが望ましい。
【００３４】
図６（ａ）−（ｃ）は、図５（ａ）−（ｃ）に続く音響センサ１００の製造方法を示す
。
【００３５】
図６（ａ）に示す工程４において、犠牲膜５６及び強化膜６０の上に、振動電極１６と
固定電極１４を絶縁する絶縁膜５５を２００ｎｍ成膜する。又、絶縁膜５５は、犠牲膜５
６と強化膜６０の間を埋め込む。絶縁膜５５は、シリコン窒化膜を用いることが一般的で
ある。そして、通常のフォトリソグラフィ技術とエッチング技術を用いて不要な部分を除
去する。
【００３６】
次に、図６（ｂ）に示す工程５において、絶縁膜５５の上に、固定電極１４を形成する
導電膜を成膜する。機械強度の観点から、本導電膜は、ポリシリコンが望ましい。そして
、通常のフォトリソグラフィ技術とエッチング技術を用いて不要な部分を除去する。この
パターニングの際、エアギャップ内の空気が振動電極１６の変位に応じて移動するための
音響ホール２２を同時にパターニングしておく。
【００３７】
次に、図６（ｃ）に示す工程６において、固定電極１４上に保護膜１２であるシリコン
窒化膜を成膜する。そして、シリコン窒化膜に対して、通常のフォトリソグラフィ技術と
エッチング技術を用いて不要な部分を除去する。ここでの不要な部分とは、周辺部だけで
なく、パッド部分と音響ホール２２を含む。又、このとき、固定電極１４及び固定電極１
４の両面を覆う膜（保護膜１２、絶縁膜５５）の膜厚Ｔ１は２μｍ程度であるが、固定電
極１４をシリコン基板５２に固定する膜（絶縁膜５５、強化膜６０、保護膜１２）の音響
センサ１００における中心方向幅Ｔ２は、容易に２μｍより大きくなる。即ち、Ｔ１＜Ｔ
２となる膜厚を得ることができる。
【００３８】
又、この保護膜１２のパターニングの際、先に加工した音響ホール２２に位置を整合し
、導電膜により形成したものより径が小さい音響ホールを同時に形成する。こにより、固
定電極１４の露出はなく、後に行うシリコン基板５２エッチング時にエッチングされるこ
とがない。
【００３９】
図７（ａ）−（ｃ）は、図６（ａ）−（ｃ）に続く音響センサ１００の製造方法を示す
。
【００４０】
図７（ａ）に示す工程７において、パッド部分に、振動電極用パッド電極２４や固定電
極用パッド電極２６のパッド電極を形成する。パッド電極には、アルミニウム、銅、金な
どの低抵抗金属膜が特に適している。形成方法としては、通常のフォトリソグラフィ技術
とエッチング技術を用いる方法もあるが、いわゆるメッキレジスト法やレジストエッチオ
フ方などの技術を適用してもよい。
【００４１】
次に、図７（ｂ）に示す工程８において、シリコン基板５２の裏面にエッチングマスク
を形成し、このエッチングマスクを用いて、水酸化カリウム水溶液（ＫＯＨ）や水酸化テ
トラメチルアンモニウム水溶液（ＴＭＡＨ）などのアルカリエッチング液で等方性エッチ
ングを行う。この等方性エッチングは、工程１において成膜したエッチストッパ５０で自
動的にエッチングストップされる。その後に、裏面側からこの開口した部分のエッチスト
ッパ５０をエッチング液（例えば、リン酸）やドライエッチにより除去する。
【００４２】
次に、図７（ｃ）に示す工程９において、音響ホール２２および裏面側から、ＨＦを用
いて犠牲膜５６を選択的にエッチングすることにより、犠牲膜５６を完全に除去する。こ
うして、エアギャップ層１０を最終的に形成する。
【００４３】
（変形例）
次に、本実施形態に係る音響センサ１００の変形例について、図８〜１１を用いて説明
する。
【００４４】
図２では、強化膜６０は単数で形成されているが、図８に示すように、強化膜６０ａ、
６０ｂをシリコン基板５２上に複数並べて形成しても構わない。
【００４５】
又、図２では、強化膜６０の周囲を絶縁膜５５及び保護膜１２で覆っているが、図９に
示すように、強化膜６０の上に絶縁膜５５及び保護膜１２を積層しても構わない。
【００４６】
又、図２では、強化膜６０の周囲を絶縁膜５５及び保護膜１２で覆っているが、図１０
及び図１１に示すように、強化膜６０、絶縁膜５５、保護膜１２を隣り合うように成膜し
ても構わない。
【００４７】
又、強化膜６０の配置については、図１２に示すように、固定電極の周囲をすべて覆っ
てもよく、図１３に示すように、固定電極の周囲の一部を覆うように分割して配置されて
もよい。尚、図１２及び図１３は、図１と同様、上面から直接見えない部分も適宜見える
ように示してある。
【００４８】
（作用及び効果）
本実施形態に係る音響センサ１００は、固定電極１４をシリコン基板５２に固定する膜
の音響センサ１００における中心方向幅Ｔ２が、固定電極１４及び固定電極１４の両面を
覆う膜（保護膜１２、絶縁膜５５）の合計膜厚Ｔ１よりも大きい。このため、固定電極１
４をシリコン基板５２に固定する膜のシリコン基板５２に接する、単位面積あたりの固定
電極１４及び固定電極１４の両面を覆う膜（保護膜１２、絶縁膜５５）の内部応力による
力が減少し、強度の高い構造となる。従って、本実施形態に係る音響センサ１００による
と、固定電極が変位せず、音響信号に対するノイズ耐性を向上することができる。
【００４９】
又、本実施形態に係る音響センサ１００は、固定電極１４をシリコン基板５２に固定す
る膜が、２種類以上の材質の異なる膜から形成される。このように、固定電極１４の周囲
を取り巻く膜が材質の異なる膜で形成されるため、強度の高い構造となる。このため、固
定電極１４が変位せず、音響信号に対するノイズ耐性を向上することができる。又、２種
類以上の材質の異なる膜を用いることで、膜固有の伝播しやすい振動数の振動を材質の異
なる膜へ吸収させることができ、固定電極１４の変位を抑えることができる。
【００５０】
又、材質の異なる膜は、シリコン基板５２に対する内部応力状態が異なる膜を用いるこ
とが好ましい。このように、シリコン基板５２に対して収縮する引張応力と、シリコン基
板５２に対して膨張する降伏応力とを有する材質を組み合わせることにより、効果的に内
部応力を相殺することができる。
【００５１】
又、本実施形態に係る音響センサ１００の製造方法は、犠牲膜５６の外側に所定の距離
を有して配置される強化膜６０が成膜されるため、固定電極１４の周囲を強固に保持する
ことができる。このため、固定電極１４が変位せず、音響信号に対するノイズ耐性を向上
することができる。又、この製造方法は、犠牲膜５６を成膜すると同時に強化膜６０を成
膜するので、従来と同じ工程数で、音響センサ１００を製造することができる。
【００５２】
（その他の実施形態）
本発明は上記の実施形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこ
の発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替
実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
【００５３】
例えば、図２に示すように、固定電極１４をシリコン基板５２に固定する膜（絶縁膜５
５、強化膜６０、保護膜１２）の音響センサ１００における中心方向幅Ｔ２は、固定電極
１４及び固定電極１４の両面を覆う膜（保護膜１２、絶縁膜５５）の膜厚Ｔ１よりも大き
く、かつ、固定電極１４をシリコン基板５２に固定する膜が、材質の異なる膜（強化膜６
０、絶縁膜５５、保護膜１２）から形成される音響センサ１００について説明したが、本
実施形態に係る音響センサ１００は、これらのうち、どちらか一方の条件を満たせばよい
。即ち、本実施形態に係る音響センサ１００は、Ｔ１＜Ｔ２の膜厚条件を満たすか、又は
、材質の異なる膜から形成されればよい。
【００５４】
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施形態等を含むことは勿論であ
る。従って、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定
事項によってのみ定められるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本実施形態に係る音響センサの構成を示す上面図である。
【図２】図１のＡ―Ａ’断面図である。
【図３】本実施形態に係る音響センサの内部応力状態を説明する図である。
【図４】材質毎の内部応力状態を説明するグラフである。
【図５】本実施形態に係る音響センサの製造方法を示す断面図である（その１）。
【図６】本実施形態に係る音響センサの製造方法を示す断面図である（その２）。
【図７】本実施形態に係る音響センサの製造方法を示す断面図である（その３）。
【図８】本実施形態に係る音響センサの変形例を示す断面図である（その１）。
【図９】本実施形態に係る音響センサの変形例を示す断面図である（その２）。
【図１０】本実施形態に係る音響センサの変形例を示す断面図である（その３）。
【図１１】本実施形態に係る音響センサの変形例を示す断面図である（その４）。
【図１２】本実施形態に係る音響センサの強化膜の配置を示す上面図である（その１）。
【図１３】本実施形態に係る音響センサの強化膜の配置を示す上面図である（その２）。
【符号の説明】
【００５６】
１０…エアギャップ層
１２…保護膜
１４…固定電極
１６…振動電極
２０…基板開口部
２２…音響ホール
２４…振動電極用パッド電極
２６…固定電極用パッド電極
５０…エッチストッパ
５２…シリコン基板
５５…絶縁膜
５６…犠牲膜
６０、６０ａ、６０ｂ…強化膜
１００…音響センサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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