(57)【要約】      （修正有）【課題】反射膜とカラーフィルタを備えた液晶装置等の反射特性の向上を図り、高品位な表示画像を得る。【解決手段】ＴＦＤ素子基板の少なくとも反射表示領域には表面に微細な凹凸を有する樹脂散乱層が所定厚さにて形成され、表面に凹凸が反映された反射層が形成されており、その上には、所定厚さのオーバーコート層が形成されている。一方、カラーフィルタ基板には、画素電極と対向する位置に着色層が形成されている。素子基板とカラーフィルタ基板とは、カラーフィルタ基板側で反射表示領域に対応する位置に形成されたフォトスペーサにて規定の間隔に保持されている。これにより、透過表示領域に対応する液晶層の厚さが反射表示領域に対応する液晶層の厚さより大きく設定され、液晶表示装置はマルチギャップ構造を有している。以上の構成を有する液晶表示装置では、反射層と着色層とが分離して構成されるため、反射特性等の向上を図ることができる。【選択図】    図８
2006058629.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチング素子を有する素子基板と、着色層を有する対向基板との間に液晶を封入してなる液晶装置であって、
前記素子基板は、
前記スイッチング素子と接続された導電膜と、
前記導電膜の一部及び前記スイッチング素子を覆うように形成された散乱層と、
前記散乱層の一部上に形成された反射層と、
前記導電膜の一部、前記散乱層及び前記反射層を覆うように形成されたオーバーコート層と、
前記オーバーコート層上に形成された画素電極と、を備え、
前記画素電極は、前記導電膜の前記散乱層及び前記オーバーコート層により覆われていないコンタクト部に接続されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記素子基板は、サブ画素内において前記反射層が形成される反射領域の近傍位置に透過領域を有し、
前記画素電極は、前記透過領域に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記散乱層及び前記オーバーコート層は前記導電膜の前記コンタクト部以外の部分でテーパー形状を有し、前記導電膜は遮光性を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記導電膜は、前記サブ画素内において前記透過領域と前記反射領域との間に形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記素子基板上にはデータ線が形成されており、前記データ線は前記散乱層により前記画素電極と隔離されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記スイッチング素子は、前記素子基板上において前記反射層と重なり合う位置に形成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記対向基板には、柱状の形状をなすフォトスペーサが形成されており、
前記フォトスペーサは、前記素子基板と前記対向基板とを貼り合せた状態において、反射領域に対応する前記対向基板上に形成されており、
前記反射領域に対応する前記液晶層の厚さは、透過領域に対応する前記液晶層の厚さより小さいことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の液晶装置を表示部として備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種情報の表示に用いて好適な液晶装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、携帯電話機、携帯情報端末機、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant）等といった電子機器に液晶装置が広く用いられている。例えば、電子機器に関する各種の情報を表示するための表示部に液晶装置が用いられている。そのような液晶装置として、透過型表示及び反射型表示の両方の表示モードを有し、ＴＦＤ（Thin Film Diode）素子等の二端子型スイッチング素子を備える半透過反射型の液晶装置が知られている。そのような液晶装置では、相互に対向する２枚の基板のうち一方の基板には反射膜、その上にカラーフィルタ、及びその上方に走査線が夫々形成され、他方の基板にはデータ線、二端子型スイッチング素子及び画素電極が夫々形成され、両基板間に液晶が封入されている。
【０００３】
かかる液晶装置において反射型表示がなされる場合、液晶装置に入射した外光は、カラーフィルタが形成されている領域を通過して、そのカラーフィルタの下側にある反射膜により反射され、再びカラーフィルタ等を通過して表示画面上に出射する。これにより、所定の色相及び明るさを呈する表示画像が観察者により視認される。
【０００４】
この種の液晶装置として、例えば有効表示領域の周りに支障なく遮光領域を形成できる構造を有する半透過反射型の液晶装置が知られている（例えば、特許文献１を参照）。この特許文献１によれば、第２基板側の基材上には半透過反射膜が形成され、その上にはカラーフィルタ膜等が形成されている。
【０００５】
上記の液晶装置では、一方の基板の反射膜上にカラーフィルタを形成するようにしている。このため、そのような液晶装置において反射型表示がなされる場合、カラーフィルタの屈折率の影響により反射率が低下して、反射コントラスト等の反射特性が低下してしまうという問題がある。
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−５７６３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、以上の点に鑑みてなされたものであり、反射膜とカラーフィルタを夫々別々の基板に形成することにより反射特性等の向上を図り、高品位な表示画像を得ることが可能な液晶装置及び電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の１つの観点では、スイッチング素子を有する素子基板と、着色層を有する対向基板との間に液晶を封入してなる液晶装置において、前記素子基板は、前記スイッチング素子と接続された導電膜と、前記導電膜の一部及び前記スイッチング素子を覆うように形成された散乱層と、前記散乱層の一部上に形成された反射層と、前記導電膜の一部、前記散乱層及び前記反射層を覆うように形成されたオーバーコート層と、前記オーバーコート層上に形成された画素電極と、を備え、前記画素電極は、前記導電膜の前記散乱層及び前記オーバーコート層により覆われていないコンタクト部に接続されている。
【０００９】
上記の液晶装置は、ＴＦＤ素子及びＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子等のスイッチング素子を有する素子基板と、着色層を有する対向基板との間に液晶が封入されてなる。素子基板は、スイッチング素子のほか、導電膜、散乱層、反射層、オーバーコート層及び画素電極を備えて構成される。散乱層は、導電膜の一部上及びスイッチング素子を覆うように形成されている。散乱層の材料としては、例えばアクリル樹脂等の絶縁性を有する材料が好ましい。反射層は散乱層の一部上に形成されている。オーバーコート層は、導電膜の一部、散乱層、反射層を覆うように形成されている。オーバーコート層の材料としては、例えばアクリル樹脂等の絶縁性を有する材料が好ましい。画素電極は、オーバーコート層上に形成されている。
【００１０】
このような構成を有する液晶装置では、素子基板側に反射層が、対向基板側に着色層が夫々形成されており、反射層と着色層とが分離した構成になっている。このため、この液晶装置において反射型表示をした場合に反射率が低下するのを防止できる。よって、反射コントラスト等の反射特性の向上を図ることができる。
【００１１】
また、この液晶装置では、導電膜はスイッチング素子に接続されていると共に、画素電極は導電膜の散乱層及びオーバーコート層により覆われていないコンタクト部に接続されている。即ち、画素電極は、導電膜のコンタクト部を介してスイッチング素子に電気的に接続されている。よって、この液晶装置では、画素電極とスイッチング素子とを接続する機能を有するコンタクトホールを形成しない分、開口率の向上を図ることができる。また、好適な例では、前記スイッチング素子を、前記素子基板上において前記反射層と重なり合う位置に形成することができる。これにより、画素電極の領域の一部を除去する必要がなく、その分、開口率の向上を図ることができる。
【００１２】
また、この液晶装置では、素子基板において、画素電極と、データ線及びスイッチング素子とが散乱層等にて絶縁されており、いわゆるオーバーレイヤー構造を有している。これにより、画素電極の左右周縁部を、それに隣接する各データ線にできる限り近づけた状態で、当該画素電極を形成することができる。よって、開口率の向上を図ることができる。
【００１３】
上記の液晶装置の一態様では、前記素子基板は、サブ画素内において前記反射層が形成される反射領域の近傍位置に透過領域を有し、前記画素電極は、前記透過領域に形成されている。これにより、サブ画素内の透過領域において透過型表示を行うことができる。
【００１４】
上記の液晶装置の他の態様では、前記散乱層及び前記オーバーコート層は前記導電膜の前記コンタクト部以外の部分でテーパー形状を有し、前記導電膜は遮光性を有する。
【００１５】
この態様によれば、散乱層及びオーバーコート層は導電膜のコンタクト部以外の部分でテーパー形状に形成されていると共に、その導電膜は遮光性を有している。よって、液晶駆動時に、そのテーパー形状に形成された部分において光抜けが生じるのを防止することができる。また、好適な例では、その導電膜を反射率の高いアルミニウムではなく、反射率の低いクロム等にて形成することができる。これにより、反射型表示の際に、導電膜にて反射される光の量を抑制することができ、高品位な表示画像を得ることができる。
【００１６】
好適な例では、前記導電膜を、前記サブ画素内において前記透過領域と前記反射領域との間に形成することができる。これにより、サブ画素内における導電膜の部分を境にして、透過領域と反射領域とが切り替わる液晶装置を構成することができる。
【００１７】
上記の液晶装置の他の態様では、前記素子基板上にはデータ線が形成されており、前記データ線は前記散乱層により前記画素電極と隔離されている。
【００１８】
この態様によれば、素子基板上にはデータ線が形成されていると共に、そのデータ線は、絶縁性を有する散乱層により画素電極と隔離されている。よって、データ線と画素電極との間に寄生容量が生じるのを防止することができ、いわゆる縦クロストークが生じるのを防止できる。なお、縦クロストークとは、灰色などを背景色として、赤、青、緑などの単色、或いは赤、青、緑の各色に対して補色の関係にある、シアン、マゼンタ、イエローなどの色を矩形状に表示したときに、矩形表示領域の上下方向に位置する領域が、本来表示されるべき背景色より明るく表示されてしまい、かつ、微妙に色づいて表示されてしまう現象をいう。
【００１９】
上記の液晶装置の他の態様では、前記対向基板には、柱状の形状をなすフォトスペーサが形成されており、前記フォトスペーサは、前記素子基板と前記対向基板とを貼り合せた状態において、反射領域に対応する前記対向基板上に形成されており、前記反射領域に対応する前記液晶層の厚さは、透過領域に対応する前記液晶層の厚さより小さい。
【００２０】
この態様によれば、対向基板には、柱状の形状をなすフォトスペーサがフォトリソグラフィーなどの方法にて形成されている。そして、フォトスペーサは、素子基板と対向基板とを貼り合せた状態において、反射型表示を行う反射領域に対応する対向基板上に形成されている。これにより、反射領域に対応する液晶層の厚さは、透過型表示を行う透過領域に対応する液晶層の厚さより小さくなっている。即ち、この液晶装置は、反射領域に対応する液晶層の厚さと透過領域に対応する液晶層の厚さとが夫々最適に設定されたマルチギャップ構造を有している。よって、透過型表示及び反射型表示の双方において高品位な表示画像を得ることができる。
【００２１】
また、上記の電気光学装置を表示部として備える電子機器を構成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、図面を参照して本発明を実施するための最良の形態について説明する。尚、以下の実施形態は、本発明を液晶表示装置に適用したものである。本発明の実施形態は、素子基板側に反射層及びマルチギャップ等を形成して、対向基板となるカラーフィルタ基板側に着色層を形成することにより、反射コントラスト等の反射特性等の向上を図る。また、素子基板を、いわゆるオーバーレイヤー構造にすることにより開口率の向上及び縦クロストークの防止を図る。これにより、高品位な表示画像を得る。
【００２３】
[液晶表示装置１００の構成]
まず、本発明の実施形態に係る液晶表示装置の構成について説明する。図１は、本発明の液晶表示装置１００の概略構成を模式的に示す平面図である。図１では、主として、液晶表示装置１００の電極及び配線の構成を平面図として示している。ここに、本発明の液晶表示装置１００は、ＴＦＤ素子を用いたアクティブマトリクス駆動方式であって、半透過反射型の液晶表示装置である。また、本発明の液晶表示装置１００は、反射表示領域の液晶層の厚さが透過表示領域の液晶層の厚さよりも小さく設定され、透過型表示及び反射型表示の双方において表示性能を向上させることが可能な、いわゆるマルチギャップ構造を有する液晶表示装置である。さらに、本発明の液晶表示装置は、画素電極とデータ線及びＴＦＤ素子が樹脂散乱層にて絶縁された、いわゆるオーバーレイヤー構造を有する液晶表示装置である。
【００２４】
図２は、図１の液晶表示装置１００において、１つの横列をなす複数の画素電極の反射表示領域を通る切断線Ａ−Ａ’に沿った概略断面図である。図３は、図１の液晶表示装置１００において、１つの横列をなす複数の画素電極の透過表示領域を通る切断線Ｂ−Ｂ’に沿った概略断面図を示す。
【００２５】
まず、図２を参照して、画素電極１０の反射表示領域を通る切断線Ａ−Ａ’に沿った液晶表示装置１００の断面構成について説明し、続いて、図３を参照して、画素電極１０の透過表示領域を通る切断線Ｂ−Ｂ’に沿った液晶表示装置１００の断面構成について説明する。そして、その後、液晶表示装置１００の電極及び配線の構成について説明する。
【００２６】
図２において、液晶表示装置１００は、素子基板９２と、その素子基板９２に対向して配置されるカラーフィルタ基板９１とが枠状のシール部材３を介して貼り合わされ、内部に液晶が封入されて液晶層４が形成されてなる。この枠状のシール部材３には、複数の金粒子などの導通部材７が混入されている。
【００２７】
下側基板１の内面上には、適宜の間隔を置いてデータ線３２が、サブ画素ＳＧ毎にＴＦＤ素子２１が夫々形成されている。下側基板１、データ線３２及びＴＦＤ素子２１の内面上には、表面上に微細な凹凸を有する樹脂散乱層２５が形成されている。樹脂散乱層２５の材料としては、アクリル樹脂などの絶縁性を有し且つ透光性を有する材料が好ましい。樹脂散乱層２５の内面上には、サブ画素ＳＧ毎に反射層５が形成されている。各反射層５には樹脂散乱層２５の微細な凹凸が反映されており、各反射層５の内面上には微細な凹凸が形成されている。各反射層５は、アルミニウム、アルミニウム合金、銀合金等の薄膜により形成することができる。
【００２８】
樹脂散乱層２５及び反射層５の内面上には、オーバーコート層２６が形成されている。このオーバーコート層２６は、液晶表示装置１００の製造工程中に使用される薬剤等による腐食や汚染から反射層５などを保護する機能を有する。オーバーコート層２６の内面上には、サブ画素ＳＧ毎に画素電極１０が形成されている。画素電極１０等の内面上には、配向膜（図示略）が形成されている。
【００２９】
また、下側基板１の内面上の左右周縁部には走査線３１が形成されている。走査線３１の一端部はシール部材３内まで延在しており、その走査線３１はシール部材３内の導通部材７と電気的に接続されている。
【００３０】
一方、上側基板２の内面上であって且つ画素電極１０と対向する位置には、サブ画素ＳＧ毎にＲ、Ｇ、Ｂの三色のいずれかからなる着色層６Ｒ、６Ｇ、及び６Ｂが形成されている。着色層６Ｒ、６Ｇ及び６Ｂによりカラーフィルタが構成される。画素Ｇは、Ｒ、Ｇ、Ｂのサブ画素ＳＧから構成されるカラー１画素分の領域を示している。なお、以下の説明において、色を問わずに着色層を指す場合は単に「着色層６」と記し、色を区別して着色層を指す場合は「着色層６Ｒ」などと記す。
【００３１】
また、各サブ画素ＳＧの間には、隣接するサブ画素ＳＧを隔て、一方のサブ画素ＳＧから他方のサブ画素ＳＧへの光の混入を防止するため黒色遮光層ＢＭが形成されている。この黒色遮光層ＢＭは、黒色の樹脂材料、例えば黒色の顔料を樹脂中に分散させたもの等を用いることが可能である。なお、本発明では、これに代えて、Ｒ、Ｇ、Ｂの着色層が相互に重ね合わされて形成された重ね遮光層（図示略）を用いてもよい。
【００３２】
着色層６及び黒色遮光層ＢＭの内面上には、アクリル樹脂等からなるオーバーコート層１８が形成されている。このオーバーコート層１８は、液晶表示装置１００の製造工程中に使用される薬剤等による腐食や汚染から、着色層６等を保護する機能を有する。オーバーコート層１８の内面上には、ストライプ状のＩＴＯ（Indium-Tin Oxide）などの透明電極（走査電極）８が形成されている。この透明電極８の一端はシール部材３内に延在しており、そのシール部材３内の導通部材７と電気的に接続されている。
【００３３】
透明電極８の内面上には、配向膜（図示略）が形成されている。また、透明電極８の内面上には、フォトリソグラフィー等の方法にて形成され、柱状の形状をなすフォトスペーサ２７が形成されている。フォトスペーサ２７は、反射表示領域における液晶層４の厚さを一定の厚さＤ１に保持している。フォトスペーサの材料としては、例えば、アクリル膜、ポリイミド膜のような感光性を有する熱硬化型の樹脂材料や、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等の無機材料からなるものが好ましい。
【００３４】
下側基板１の外面上には、位相差板（１／４波長板）１３及び偏光板１４が配置されており、上側基板２の外面上には、位相差板（１／４波長板）１１及び偏光板１２が配置されている。また、偏光板１４の下側には、バックライト１５が配置されている。バックライト１５は、例えば、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）等といった点状光源や、冷陰極蛍光管等といった線状光源などが好適である。
【００３５】
下側基板１の走査線３１と、上側基板２の透明電極８、即ち上側基板の走査線とは、シール部材３内に混入された導通部材７を介して上下導通している。
【００３６】
さて、本実施形態の液晶表示装置１００において反射型表示がなされる場合、液晶表示装置１００に入射した外光は、図２に示す経路Ｒに沿って進行する。つまり、液晶表示装置１００に入射した外光は、反射層５によって反射され観察者に至る。この場合、その外光は、着色層６、画素電極１０及びオーバーコート層２６等が形成されている領域を通過して、そのオーバーコート層２６の下側にある反射層５により反射され、再度オーバーコート層２６、画素電極１０及び着色層６等を通過することによって所定の色相及び明るさを呈する。こうして、所望のカラー表示画像が観察者により視認される。
【００３７】
次に、図３を参照して、画素電極１０の透過表示領域を通る直線Ｂ−Ｂ’に沿った液晶表示装置１００の断面構成について説明する。なお、以下において、図２と同様の構成の部分については説明を省略又は簡略化する。
【００３８】
図３において、下側基板１の内面上には、適宜の間隔を置いてデータ線３２が形成されている。また、データ線３２の左右周縁部付近に位置する下側基板１の内面上、及びデータ線３２の内面上には、樹脂散乱層２５が形成されている。これにより、データ線３２は樹脂散乱層２５にて覆われている。さらに、下側基板１の内面上には、サブ画素ＳＧ毎に画素電極１０が形成されていると共に、画素電極１０の左右周縁部は、樹脂散乱層２５の左右周縁部の内面上に形成されている。これにより、画素電極１０とデータ線３２とは樹脂散乱層２５にて絶縁されている。なお、下側基板１に形成又は実装されるその他の構成要素は図２と同様であり、その説明を省略する。
【００３９】
一方、上側基板２の内面上であって且つ画素電極１０と対向する位置には、サブ画素ＳＧ毎に着色層６Ｒ、６Ｇ、及び６Ｂが形成されている。各サブ画素ＳＧの間であって且つデータ線３２と対向する位置には、黒色遮光層ＢＭが形成されている。着色層６及び黒色遮光層ＢＭの内面上には、アクリル樹脂等からなるオーバーコート層１８が形成されている。オーバーコート層１８の内面上には、透明電極８が形成されている。なお、上側基板２に形成されるその他の構成要素は図２と同様であり、その説明を省略する。
【００４０】
さて、本発明の液晶表示装置１００において透過型表示がなされる場合、バックライト１５から出射した照明光は、図３に示す経路Ｔに沿って進行し、画素電極１０及び着色層６等を通過して観察者に至る。この場合、その照明光は、着色層６を透過することにより、所定の色相及び明るさを呈する。こうして、所望のカラー表示画像が観察者により視認される。
【００４１】
次に、図１、図４及び図５を参照して、本発明の素子基板９２及びカラーフィルタ基板９１の電極及び配線の構成について説明する。図４は、素子基板９２を正面方向（即ち、図２及び図３における上方）から観察したときの素子基板９２の電極及び配線などの構成を平面図として示す。図５は、カラーフィルタ基板９１を正面方向（即ち、図２及び図３における下方）から観察したときのカラーフィルタ基板９１の電極の構成を平面図として示す。また、図４及び図５において、電極や配線以外のその他の要素は説明の便宜上図示を省略している。
【００４２】
図１において、素子基板９２の画素電極１０と、カラーフィルタ基板９１の透明電極８との交差する領域が表示の最小単位であるサブ画素ＳＧを構成する。そして、このサブ画素ＳＧが紙面縦方向及び紙面横方向に複数個、マトリクス状に並べられた領域が有効表示領域Ｖ（２点鎖線により囲まれる領域）である。この有効表示領域Ｖに、文字、数字、図形等の画像が表示される。なお、図１及び図４において、液晶表示装置１００の外周と、有効表示領域Ｖとによって区画された領域は、画像表示に寄与しない額縁領域３８である。
【００４３】
（電極及び配線構成）
先ず、図４を参照して、素子基板９２の電極及び配線の構成などについて説明する。素子基板９２は、ＴＦＤ素子２１、画素電極１０、複数の走査線３１、複数のデータ線３２、ＹドライバＩＣ３３、ＸドライバＩＣ１１０、及び複数の外部接続用端子３５を備えている。
【００４４】
素子基板９２の張り出し領域３６上には、ＹドライバＩＣ３３及びＸドライバＩＣ１１０が例えばＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）を介して、それぞれ実装されている。なお、図４において、素子基板９２の張り出し領域３６側の辺９２ａから反対側の辺９２ｃへ向かう方向をＸ方向とし、辺９２ｄから辺９２ｂへ向かう方向をＹ方向とする。
【００４５】
張り出し領域３６上には、複数の外部接続用端子３５が形成されている。ＹドライバＩＣ３３及びＸドライバＩＣ１１０の各入力端子（図示略）は、導電性を有するバンプを介して、その複数の外部用接続端子３５にそれぞれ接続されている。外部接続用端子３５は、ＡＣＦや半田などを介して、図示しない配線基板、例えばフレキシブルプリント基板に接続されている。これにより、例えば携帯電話や情報端末などの電子機器から液晶表示装置１００へ信号や電力が供給される。
【００４６】
ＸドライバＩＣ１１０の出力端子（図示略）は、導電性を有するバンプを介して、複数のデータ線３２に接続されている。一方、各ＹドライバＩＣ３３の出力端子（図示略）は、導電性を有するバンプを介して、複数の走査線３１に接続されている。これにより、各ＹドライバＩＣ３３は複数の走査線３１に走査信号を、ＸドライバＩＣ１１０は複数のデータ線３２にデータ信号をそれぞれ出力する。
【００４７】
複数のデータ線３２は、紙面縦方向に延在する直線状の配線であり、張り出し領域３６から有効表示領域ＶにかけてＸ方向に形成されている。各データ線３２は一定の間隔を隔てて形成されている。また、各データ線３２は、適宜の間隔をおいて複数のＴＦＤ素子２１に接続されており、各ＴＦＤ素子２１は、コンタクト部としての機能を有する遮光性導電膜２８（図示略）を通じて、対応する各画素電極１０に接続されている。
【００４８】
複数の走査線３１は、本線部分３１ａと、その本線部分３１ａに対して略直角に折れ曲がる折れ曲がり部分３１ｂとにより構成されている。各本線部分３１ａは、額縁領域３８内を張り出し領域３６からＸ方向に形成されている。また、各本線部分３１ａは、各データ線３２に対して略平行で、且つ、一定の間隔を隔てて形成されている。各折れ曲がり部分３１ｂは、額縁領域３８内において、左右に位置するシール部材３内までＹ方向に延在している。そして、その折れ曲がり部分３１ｂの終端部は、シール部材３内で導通部材７に接続されている。
【００４９】
次に、カラーフィルタ基板９１の電極の構成について説明する。図５に示すように、カラーフィルタ基板９１は、Ｙ方向にストライプ状の透明電極（走査電極）８が形成されている。各透明電極８の左端部或いは右端部は、図１及び図５に示すように、シール部材３内まで延在しており、且つ、シール部材３内の導通部材７に接続されている。
【００５０】
以上に述べた、カラーフィルタ基板９１と素子基板９２とをシール部材３を介して貼り合わせた状態が図１に示されている。図示のように、カラーフィルタ基板９１の各透明電極８は、素子基板９２の各データ線３２に対して直交しており、且つ、横列をなす複数の画素電極１０と平面的に重なり合っている。このように、透明電極８と画素電極１０とが重なり合う領域がサブ画素ＳＧを構成する。
【００５１】
また、カラーフィルタ基板９１の透明電極８（即ち、カラーフィルタ基板９１側の走査線）と、素子基板９２の走査線３１とは、図示のように左辺側と右辺側との間で交互に重なり合っており、その透明電極８と走査線３１とは、シール部材３内の導通部材７を介して上下導通している。つまり、透明電極８たるカラーフィルタ基板９１の各走査線と、素子基板９２の各走査線３１との導通は、図示のように左辺側と右辺側との間で交互に実現されている。これにより、カラーフィルタ基板９１の透明電極８は、素子基板９２の走査線３１を介して、紙面左右に夫々位置する各ＹドライバＩＣ３３に電気的に接続されている。
【００５２】
[素子基板９２の構成]
次に、図６乃至図８を参照して、本発明の特徴をなす素子基板９２の構成について説明する。図６は、図２及び図３における上方から観察したときの素子基板９２における１画素分のレイアウトを示す部分平面図である。なお、図６において、各データ線３２の間の領域であって、且つ、カラーフィルタ基板９１側の透明電極８と対向する領域は、サブ画素ＳＧ領域（一点鎖線にて囲まれる領域）である。サブ画素ＳＧ領域は、反射表示領域Ｅ１、遮光領域Ｅ３、及び透過表示領域Ｅ２により構成される。反射表示領域Ｅ１は、反射型表示を行う領域であり、Ｘ方向の長さＷ１とＹ方向の長さＷ２を有する矩形状の領域である。遮光領域Ｅ３は、画像表示に寄与しない領域であり、Ｘ方向の長さＷ４とＹ方向の長さＷ２を有する矩形状の領域である。遮光領域Ｅ３は、更に、Ｘ方向の長さＷ５とＹ方向の長さＷ２を有する矩形状のコンタクト領域Ｅ４を有する。透過表示領域Ｅ２は、透過型表示を行う領域であり、Ｘ方向の長さＷ３とＹ方向の長さＷ２を有する領域である。
【００５３】
図６において、下側基板１上には、Ｘ方向に且つ適宜の間隔を隔てて直線状のデータ線３２が形成されている。下側基板１上の反射表示領域Ｅ１内には、ＴＦＤ素子２１が形成されている。下側基板１上の遮光領域Ｅ３には、クロム等の材料よりなる矩形状の遮光性導電膜２８が形成されている。遮光性導電膜２８は、主として、その上にテーパ−状に形成される樹脂散乱層２５及びオーバーコート層２６において光漏れを生じるのを防止する機能を果たす。そして、データ線３２、ＴＦＤ素子２１及び遮光性導電膜２８は電気的に接続されている。
【００５４】
ここで、図７（ａ）を参照して、データ線３２、ＴＦＤ素子２１及び遮光性導電膜２８の構成等について説明する。図７（ａ）は、図６における切断線Ｘ１−Ｘ２に沿った断面図である。なお、図７（ａ）では、データ線３２、ＴＦＤ素子２１及び遮光性導電膜２８の内面上に形成される要素、及び下側基板１の外面上に形成又は実装される要素は、便宜上図示を省略している。
【００５５】
図７（ａ）に示すように、ＴＦＤ素子２１は、第１のＴＦＤ素子２１ａ及び第２のＴＦＤ素子２１ｂより構成される。第１のＴＦＤ素子２１ａ及び第２のＴＦＤ素子２１ｂは、ＴａＷ（タンタルタングステン）などからなる島状の第１金属膜３２２と、この第１金属膜３２２の表面を陽極酸化することによって形成されたＴａ２Ｏ５等からなる絶縁膜３２３と、この表面に形成されて相互に離間した第２金属膜３１６、３３６とを有する。このうち、第２金属膜３１６、３３６は、クロム等の同一導電膜をパターニングしたものであり、前者の第２金属膜３１６は、データ線３２からＴ字状に分岐したものが用いられる。一方、後者の第２金属膜３３６は、遮光性導電膜２８に接続されている。
【００５６】
ここで、ＴＦＤ素子２１のうち、第１のＴＦＤ素子２１ａは、データ線３２の側からみると順番に、第２金属膜３１６／絶縁膜３２３／第１金属膜３２２となって、金属／絶縁体／金属の構造を採るため、その電流−電圧特性は正負双方向にわたって非線形となる。一方、第２のＴＦＤ素子２１ｂは、データ線３２の側からみると順番に、第１金属膜３２２／絶縁膜３２３／第２金属膜３３６となって、第１のＴＦＤ素子２１ａとは逆向きの構造を採る。このため、第２のＴＦＤ素子２１ｂの電流−電圧特性は、第１のＴＦＤ素子２１ａの電流−電圧特性を、原点を中心に点対称化したものとなる。その結果、ＴＦＤ素子２１は、２つのＴＦＤを互いに逆向きに直列接続した形となるため、１つの素子を用いる場合と比べると、電流−電圧の非線形特性が正負双方向にわたって対称化されることになる。以上のように、データ線３２、ＴＦＤ素子２１及び遮光性導電膜２８は電気的に接続されている。
【００５７】
なお、図７（ａ）では、ＴＦＤ素子２１の第２金属膜３３６の一部と、遮光性導電膜２８とは共に下側基板１上に形成されており、それらは同一層にある。これに代えて、図７（ｂ）に示すように、遮光性導電膜２８と、ＴＦＤ素子２１の第２金属膜３３６とを別々の層となるように構成しても構わない。即ち、図７（ｂ）に示すように、遮光性導電膜２８を、ＴＦＤ素子２１の第２金属膜３３６の一部上、及びその付近の下側基板１上に形成して、遮光性導電膜２８の一部分が当該第２金属膜３３６の一部分と重なり合うように構成しても構わない。ここで、図７（ａ）の構成によれば、ＴＦＤ素子２１の第２金属膜３３６と遮光性導電膜２８を同一の製造工程にて製造することができるのに対し、図７（ｂ）の構成によれば、ＴＦＤ素子２１の第２金属膜３３６を下側基板１上に形成した後に、その後工程で遮光性導電膜２８を形成する必要がある。よって、工数削減を図るという点からすると、前者の構成の方が後者の構成の方より望ましいといえる。
【００５８】
図６の平面図に戻り、下側基板１、データ線３２、ＴＦＤ素子２１及び遮光性導電膜２８等の上には各種の要素が形成されるが、理解を容易にするため、図８の断面図を参照して、その積層構造について説明する。図８は、図６における切断線Ｘ３−Ｘ４に沿った断面図であり、具体的には１つのサブ画素ＳＧをＸ方向にて切断したときの断面図である。なお、図８では、説明の便宜上、素子基板９２に対向配置されるカラーフィルタ基板９１の断面図も示す。
【００５９】
下側基板１の外面上には、位相差板１３、偏光板１４、及びバックライト１５が配置されている。一方、下側基板１の内面上には、ＴＦＤ素子２１、遮光性導電膜２８、樹脂散乱層２５及び画素電極１０が形成されている。
【００６０】
具体的には、下側基板１上の反射表示領域Ｅ１内には、ＴＦＤ素子２１が形成されている。下側基板１上の遮光領域Ｅ３内には、遮光性導電膜２８が形成されている。黒色遮光層ＢＭに対向する位置の下側基板１上、反射表示領域Ｅ１内に対応する下側基板１及びＴＦＤ素子２１の上、及び遮光性導電膜２８の一部の上には、表面上に微細な凹凸が形成された樹脂散乱層２５が形成されている。少なくとも遮光性導電膜２８上に位置する樹脂散乱層２５の周縁部はテーパ−状に形成されている。なお、反射表示領域Ｅ１の液晶層４を一定の厚さＤ１に保つため、樹脂散乱層２５は、約１.２〜１.３μｍ程度の厚さにするのが好ましい。樹脂散乱層２５上の反射表示領域Ｅ１内には、樹脂散乱層２５の微細な凹凸を反映した反射層５が形成されている。このため、反射型表示を行う際には、外光がその凹凸形状により適度に散乱した状態で反射されるため反射光が均一化される。樹脂散乱層２５及び反射層５の上、並びに遮光性導電膜２８の領域の一部の上には、オーバーコート層２６が形成されている。少なくとも遮光性導電膜２８上に位置するオーバーコート層２６の周縁部はテーパ−状に形成されている。なお、透過表示領域Ｅ２側の遮光性導電膜２８上の他の一部（以下、「コンタクト領域Ｅ４」とも呼ぶ）は、画素電極１０と接続する領域となるため樹脂散乱層２５及びオーバーコート層２６は形成されていない。
【００６１】
画素電極１０は、サブ画素ＳＧ領域内に形成されている。具体的には、画素電極１０は、透過表示領域Ｅ２に対応する下側基板１上、コンタクト領域Ｅ４上、遮光領域Ｅ３の一部に対応するオーバーコート層２６上、及び反射表示領域Ｅ１に対応するオーバーコート層２６上に形成されている。このため、画素電極１０は、コンタクト領域Ｅ４にてクロムなどの導電性の遮光性導電膜２８と電気的に接続されている。これにより、画素電極１０は、導電性の遮光性導電膜２８を介してデータ線３２及びＴＦＤ素子２１に電気的に接続されている。
【００６２】
次に、素子基板９２における１つのサブ画素ＳＧと、それに対向するカラーフィルタ基板９１の構成及びその要素との位置関係等について説明する。
【００６３】
上側基板２の外面上には位相差板１１及び偏光板１２が配置されている。一方、上側基板２の内面上には、着色層６及び黒色遮光層ＢＭが形成されている。具体的には、着色層６は、画素電極１０に対向する位置に形成されている。黒色遮光層ＢＭは、画素電極１０の周囲、換言すればサブ画素ＳＧの領域外と対向する位置に形成されている。着色層６及び黒色遮光層ＢＭの内面上にはオーバーコート層１８が形成されていると共に、オーバーコート層１８の内面上には透明電極８が形成されている。反射表示領域Ｅ１に対応する透明電極８の内面上には、フォトスペーサ２７が形成されている。
【００６４】
そして、素子基板９２とカラーフィルタ基板９１とがシール部材３（図２及び図３を参照、図示略）を介して貼り合わされた状態では、そのフォトスペーサ２７により液晶層４が一定の厚さに保持されている。具体的には、反射表示領域Ｅ１では、液晶層４が一定の厚さＤ１に保持されていると共に、透過表示領域Ｅ２では、液晶層４が一定の厚さＤ２（＞Ｄ１）に保持されており、これによりマルチギャップが構成されている。
【００６５】
以上の構成を有する、１つのサブ画素ＳＧにおいては、透過表示領域Ｅ２において透過型表示がなされると共に、反射表示領域Ｅ１において反射型表示がなされる。但し、遮光性導電膜２８は遮光性を有するクロム等にて形成されているため、遮光性導電膜２８が形成された遮光領域Ｅ３では表示はなされない。一般的に、遮光領域Ｅ３など、樹脂散乱層２５やオーバーコート層２６がテーパー状に形成される領域では、液晶の配向異常などによる光抜けが生じる可能性がある。この点、本実施例ではそのようなテーパー形状を遮光性導電膜２８上に配置しているので、光抜けを防止することができるという利点を有する。また、一般的に反射層５の端部は剥がれやすいという性質を有するが、本実施例では反射層５はオーバーコート層２６により覆われているので、反射層５の端部の剥がれを防止することもできる。
【００６６】
図６の平面図に戻り、切断線Ｘ５−Ｘ６に沿った断面の積層構造について図９を参照して説明する。図９は、データ線３２付近の断面構成を示す。
【００６７】
下側基板１の内面上には、データ線３２が形成されている。データ線３２上、及びその左右周縁部付近の下側基板１上には、樹脂散乱層２５が形成されている。このため、データ線３２は樹脂散乱層２５にて覆われている。かかる領域に形成される樹脂散乱層２５の左右周縁部の上には、１つの画素電極１０ａの左周縁部、及び、それにデータ線３２を挟んで隣接する画素電極１０ｂの右周縁部が形成されている。このため、画素電極１０ａ及び１０ｂは樹脂散乱層２５を介してデータ線３２と絶縁されている。
【００６８】
次に、上記の適当な図面等を参照して、本発明の素子基板９２を有する液晶表示装置１００の作用効果について説明する。
【００６９】
まず、比較例として、反射層の上に着色層を形成してなる素子基板を有する液晶表示装置では、反射型表示の際、その内部に入射した外光は、次のような経路に従って進行する。かかる液晶表示装置内に入射した外光は、着色層等が形成された領域を通過して、その下に形成された反射層にて反射され、再び着色層等を通過して観察者に至る。しかし、このような液晶表示装置では、そのような経路にしたがって外光が進行することにより、着色層の屈折率の影響により、反射率が低下する（換言すれば、光の取り出し効率が悪くなる）などして、反射コントラスト等の反射特性が低下してしまう現象が起こる。
【００７０】
これに対して、本発明の液晶表示装置１００では、素子基板９２側に反射層５を形成し、対向するカラーフィルタ基板９１側に着色層６を形成して、反射層５と着色層６を分離させた構成にしている。このため、液晶表示装置１００において反射型表示をした場合、外光が図２及び図３に示す経路Ｒに従って進行したとしても、着色層６による光の屈折率の変化は少なく、反射率が低下するのを防止することができる。よって、反射コントラスト等の反射特性の向上を図ることができる。
【００７１】
また、本発明の液晶表示装置１００では、図２、図８及び図９などに示すように、素子基板９２において、画素電極１０と、データ線３２等とが樹脂散乱層２５にて絶縁されている。換言すれば、素子基板９２は、いわゆるオーバーレイヤー構造をなしている。よって、データ線３２と画素電極１０との間に寄生容量が生じるのを防止することができ、縦クロストークが生じるのを防止できる。また、上記の構造により、画素電極１０の左右周縁部を、それに隣接する各データ線３２にできる限り近づけた状態で、当該画素電極を形成することができる。よって、開口率の向上を図ることができる。
【００７２】
また、比較例として、いわゆるオーバーレイヤー構造を有する液晶表示装置では、一般に、絶縁層（本発明の樹脂散乱層２５やオーバーコート層２６に相当）にコンタクトホールを形成して、そのコンタクトホールの位置において画素電極とデータ線及びＴＦＤ素子とを電気的に接続する。かかる液晶表示装置では、コンタクトホールが形成された領域分だけ開口率が低下する。
【００７３】
これに対して、本発明の液晶表示装置１００では、図８に示すように、特に素子基板９２において、テーパ−状に形成された樹脂散乱層２５及びオーバーコート層２６の遮光領域Ｅ３（マルチギャップテーパ―遮光領域）を効果的に利用して、画素電極１０とコンタクト領域Ｅ４（遮光性導電膜２８の領域Ｅ４）とを接続し、これにより当該画素電極１０とデータ線３２及びＴＦＤ素子２１とを電気的に接続するようにしている。よって、上記のようにコンタクトホールを形成しない分、開口率の向上を図ることができる。
【００７４】
また、比較例として、ＴＦＤ素子を有する液晶表示装置では、一般に、画素電極の領域の一部分を除去して、その部分にＴＦＤ素子を配置し、そのＴＦＤ素子を介して当該画素電極とデータ線とを電気的に接続する構成が採用される。
【００７５】
これに対して、本発明の液晶表示装置１００では、図８に示すように、素子基板９２においてＴＦＤ素子２１を反射層５と重なる位置に形成している。よって、上記のように画素電極１０の領域の一部を除去する必要がなく、その分、開口率の向上を図ることができる。
【００７６】
また、本発明の液晶表示装置１００では、素子基板９２において、テーパ−状に形成された樹脂散乱層２５及びオーバーコート層２６の遮光領域Ｅ３（マルチギャップテーパ―遮光領域）の下側に遮光性導電膜２８を形成するようにしている。これにより、その遮光領域Ｅ３において光抜けが生じるのを防止することができ、高品位な表示画像を得ることができる。
【００７７】
また、本発明の液晶表示装置１００では、遮光領域Ｅ３に形成される遮光性導電膜２８を、反射率の高いアルミニウムではなく、反射率の低いクロム等にて形成している。よって、反射型表示がなされる際に、遮光性導電膜２８にて反射される光の量を抑制することができ、高品位な表示画像を得ることができる。
【００７８】
また、本発明の液晶表示装置１００では、反射表示領域Ｅ１に樹脂散乱層２５及びオーバーコート層２６を形成して、透過表示領域Ｅ２にそれらの要素を形成しないことにより、反射表示領域Ｅ１に対応する液晶層４を一定の厚さＤ１に設定している一方、透過表示領域Ｅ２に対応する液晶層４を一定の厚さＤ２（＞Ｄ１）に設定している。即ち、本発明の液晶表示装置１００は、反射表示領域Ｅ１に対応する液晶層の厚さと透過表示領域Ｅ２に対応する液晶層の厚さとを夫々最適に設定したマルチギャップの構造をなしている。よって、透過型表示及び反射型表示の双方において高品位な表示画像を得ることができる。
【００７９】
[液晶表示装置１００の製造方法]
次に、図１０乃至図１４等を参照して、本発明の液晶表示装置１００の製造方法について説明する。図１０は、液晶表示装置１００の製造方法のフローチャートを示す。
【００８０】
先ず、図２及び図３に示されるカラーフィルタ基板９１を既知の方法にて作製する（工程Ｓ１）。このとき、液晶表示装置１００のパネル構造が完成したときに、反射表示領域Ｅ１（破線部分）に対応する透明電極８上の位置に既知の方法にてフォトスペーサが形成される。
【００８１】
次に、本発明の特徴をなす素子基板９２を作製する（工程Ｓ２）。図１１は、素子基板の製造方法を示すフローチャートである。図１２乃至図１４は、図１１における工程Ｐ１〜Ｐ５に対応する平面図である。また、図１４は、図６に対応する平面図であるため、図１２乃至図１４の製造工程においては、対応する断面構成を把握するため図８を参照されたい。なお、図１３及び図１４では、便宜上、反射表示領域Ｅ１、透過表示領域Ｅ２、遮光領域Ｅ３、及びコンタクト領域Ｅ４の図示を省略するので、それらの領域の位置関係については、図１２を適宜参照されたい。
【００８２】
素子基板９２の製造方法について説明する。ガラスやプラスチック等の材料からなる下側基板１上に、データ線３２、ＴＦＤ素子２１及び遮光性導電膜２８を形成する（工程Ｐ１）。具体的には、各データ線３２は、下側基板１上において、Ｘ方向に延在するように且つ適宜の間隔を隔てて形成する。ＴＦＤ素子２１は、反射表示領域Ｅ１に対応する下側基板１上に形成する。遮光性導電膜２８は、透過表示領域Ｅ２（破線部分）と反射表示領域Ｅ１との間の領域、即ち遮光領域Ｅ３（破線部分）に対応する下側基板１上に形成する。図１２（ａ）には、データ線３２、ＴＦＤ素子２１及び遮光性導電膜２８が下側基板１上に形成された状態が示されている。
【００８３】
次に、樹脂散乱層２５を形成する（工程Ｐ２）。具体的には、下側基板１、データ線３２、ＴＦＤ素子２１及び遮光性導電膜２８の上に、感光性を有するアクリル樹脂などを均一の厚さ、例えば約１.２〜１.３μｍの厚さに塗布した後、露光、現像及びパターニングをして、その表面に多数の微細な凹凸を形成すると共に、透過表示領域Ｅ２及び遮光領域Ｅ３の一部の上に塗布された樹脂層を除去する。このとき、樹脂散乱層２５の周縁部はテーパ−状に形成されると共に、少なくとも遮光性導電膜２８の領域Ｅ４（ハッチング領域）に形成された樹脂層は除去される。図１２（ｂ）には、樹脂散乱層２５が形成された状態が示されている。
【００８４】
次に、反射層５を形成する（工程Ｐ３）。具体的には、各反射表示領域Ｅ１内に対応する樹脂散乱層２５上に、アルミニウム、アルミニウム合金、銀合金などの金属を蒸着法やスパッタリング法などによって薄膜状に成膜し、これをフォトリソグラフィー法によってパターニングすることにより略矩形状の反射層５を形成する。これにより、樹脂散乱層２５の微細な凹凸を反映した反射層５が形成される。図１３（ａ）には、反射表示領域Ｅ１に対応する樹脂散乱層２５上に反射層５が形成された状態が示されている。
【００８５】
なお、上記のように、各反射表示領域Ｅ１内に対応する樹脂散乱層２５上に各サブ画素領域ＳＧ毎に略矩形状の反射層５を形成するのに代えて、工程Ｐ３では、図１３（ｂ）に示すように、各反射表示領域Ｅ１の位置において隣接する複数のサブ画素領域ＳＧを覆うように連続した、ストライプ状の反射層５を樹脂散乱層２５上に形成するようにしても構わない。
【００８６】
次に、オーバーコート層２６を形成する（工程Ｐ４）。具体的には、領域Ｅ４を除く遮光性導電膜２８の上、並びに反射表示領域Ｅ１に対応する樹脂散乱層２５及び反射層５の上に、感光性を有するアクリル樹脂などを均一の厚さに塗布した後、所定のパターンに露光及び現像してパターニングして、オーバーコート層２６を形成する。このとき、オーバーコート層２６の周縁部はテーパ−状に形成される。また、オーバーコート層２６を反射層５の上に形成することにより、製造工程において反射層５のエッジが剥がれる等の不具合が生じるのを防止することができる。さらに、オーバーコート層２６を所定の厚さに形成することにより、樹脂散乱層２５と共に所望のマルチギャップを形成することが可能となる。即ち、液晶表示装置１００のパネル構造が完成したときに、反射表示領域Ｅ１に対応する液晶層の厚さが、透過表示領域Ｅ２に対応する液晶層の厚さより小さい所定厚さとなるように設定することができる。図１４（ａ）には、反射層５等の上にオーバーコート層２６が形成された状態が示されている。
【００８７】
次に、画素電極１０を形成する（工程Ｐ５）。具体的には、サブ画素ＳＧ内、具体的には透過表示領域Ｅ２に対応する下側基板上、領域Ｅ４に対応する遮光性導電膜２８上、並びに遮光領域Ｅ３及び反射表示領域Ｅ１に対応するオーバーコート層２６の上に、ＩＴＯなどの透明電極をスパッタリング法などによって薄膜状に成膜し、これをフォトリソグラフィー法によってパターニングすることにより略矩形状の画素電極１０を形成する。これにより、領域Ｅ４において画素電極１０と遮光性導電膜２８とが接続される。図１４（ｂ）には、サブ画素ＳＧ内に画素電極１０が形成された状態が示されている。
【００８８】
次に、その他の構成要素、具体的には位相差板１３、偏光板１４及びバックライト１５等を実装する（工程Ｐ６）。こうして、図２乃至図４に示される素子基板９２が作製される。
【００８９】
図１０に戻り、次に、シール部材３を介して素子基板９２とカラーフィルタ基板９１とを貼り合わせてパネル構造を構成し、その後、シール部材３の図示しない開口部から液晶を注入し、その開口部を紫外線硬化性樹脂などの封止材によって封止する（工程Ｓ３）。これにより、素子基板９２とカラーフィルタ基板９１とは、ほぼ規定の基板間隔となるように貼り合わせられる。即ち、これにより、図２及び図８に示すように、透過表示領域Ｅ２に対応する液晶層４の厚さはＤ２に、反射表示領域Ｅ１に対応する液晶層４の厚さはＤ１（＜Ｄ２）に夫々設定され、マルチギャップ構造が構成される。
【００９０】
次に、その他の構成要素を取り付けることにより、図１乃至図３に示される液晶表示装置１００が完成する。
【００９１】
［変形例］
上記の実施形態では、アクティブ素子としてＴＦＤ（薄膜ダイオード）素子２１を用いた例について説明したが、本発明の適用はこれには限定されない。即ち、本発明は、ＴＦＤ素子２１の代わりに、アクティブ素子の他の例としてのアモルファスＴＦＴを用いることも可能である。図１５（ａ）に、アモルファスＴＦＴの断面図を示す。また、図１５（ｂ）は、アモルファスＴＦＴを本発明に適用したときの、図８における破線領域Ｅ１０の部分を拡大した断面図である。
【００９２】
図１５（ａ）において、ＴＦＴ４５０は、図示しないゲート線から分岐したゲート電極４０２の上に、それを覆うようにゲート絶縁膜４０３が設けられている。ゲート絶縁膜４０３の上には、ゲート電極４０２に重なるようにａ−Ｓｉ層４０５が設けられている。ａ−Ｓｉ層４０５の上には、２つに分断されたｎ＋−ａ−Ｓｉ層４０６ａ、４０６ｂが設けられている。さらに、ｎ＋−ａ−Ｓｉ層４０６ａの上には図示しないソース線から分岐したソース電極４０８が設けられ、ｎ＋−ａ−Ｓｉ層４０６ｂの上にはドレイン電極４０９が設けられている。ドレイン電極４０９の上には、遮光性導電膜２８が部分的に重なるように設けられている。
【００９３】
本発明は、図１５（ｂ）に示すように、アクティブ素子として、上記のようなアモルファスＴＦＴのドレイン電極４０９と遮光性導電膜２８との接続部分にも適用することができる。これにより、ＴＦＴ４５０は、遮光性導電膜２８を介して画素電極１０及びデータ線３２に電気的に接続される。
【００９４】
また、上記の実施形態では、素子基板９２において、略矩形状をなす反射層５を各サブ画素ＳＧに対応する反射表示領域Ｅ１内に形成するように構成したが、これに限らず、図１３（ｂ）に示すように、反射層５をストライプ状に形成して、横方向に列をなす複数のサブ画素ＳＧの反射表示領域に亘って、且つ、樹脂散乱層２５上に形成するように構成しても構わない。
【００９５】
［電子機器］
次に、本発明による液晶表示装置１００を電子機器の表示装置として用いる場合の実施形態について説明する。
【００９６】
図１６は、本実施形態の全体構成を示す概略構成図である。ここに示す電子機器は、上記の液晶表示装置１００と、これを制御する制御手段４１０とを有する。ここでは、液晶表示装置１００を、パネル構造体４０３と、半導体ＩＣなどで構成される駆動回路４０２とに概念的に分けて描いてある。また、制御手段４１０は、表示情報出力源４１１と、表示情報処理回路４１２と、電源回路４１３と、タイミングジェネレータ４１４と、を有する。
【００９７】
表示情報出力源４１１は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Access Memory）などからなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスクなどからなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ４１４によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号などの形で表示情報を表示情報処理回路４１２に供給するように構成されている。
【００９８】
表示情報処理回路４１２は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路などの周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫとともに駆動回路４０２へ供給する。駆動回路４０２は、走査線駆動回路、データ線駆動回路及び検査回路を含む。また、電源回路４１３は、上述の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する。
【００９９】
次に、本発明に係る液晶表示装置１００を適用可能な電子機器の具体例について図１７を参照して説明する。
【０１００】
まず、本発明に係る液晶表示装置１００を、可搬型のパーソナルコンピュータ（いわゆるノート型パソコン）の表示部に適用した例について説明する。図１７（ａ）は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。同図に示すように、パーソナルコンピュータ７１０は、キーボード７１１を備えた本体部７１２と、本発明に係る液晶表示パネルを適用した表示部７１３とを備えている。
【０１０１】
続いて、本発明に係る液晶表示装置１００を、携帯電話機の表示部に適用した例について説明する。図１７（ｂ）は、この携帯電話機の構成を示す斜視図である。同図に示すように、携帯電話機７２０は、複数の操作ボタン７２１のほか、受話口７２２、送話口７２３とともに、本発明に係る液晶表示装置１００を適用した表示部７２４を備える。
【０１０２】
なお、本発明に係る液晶表示装置１００を適用可能な電子機器としては、図１７（ａ）に示したパーソナルコンピュータや図１７（ｂ）に示した携帯電話機の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型・モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラなどが挙げられる。
【０１０３】
また、本発明は、液晶表示装置のみでなく、エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出素子を用いた装置（Field Emission Display 及び Surface-Conduction Electron-Emitter Display 等）などの各種の電気光学装置においても本発明を同様に適用することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】本発明の液晶表示装置の電極及び配線の構成を示す平面図。
【図２】本発明の液晶表示装置の反射表示領域に対応する断面図。
【図３】本発明の液晶表示装置の透過表示領域に対応する断面図。
【図４】本発明の素子基板の電極及び配線の構成等を示す平面図。
【図５】本発明のカラーフィルタ基板の電極の構成を示す平面図。
【図６】素子基板における複数の画素電極等のレイアウトを示す部分平面図。
【図７】素子基板に形成されたＴＦＤ素子の構成を示す拡大断面図。
【図８】反射表示領域及び透過表示領域等を含む１つのサブ画素の切断面図。
【図９】素子基板におけるデータ線付近の切断面図。
【図１０】本発明の液晶表示装置の製造方法を示すフローチャート。
【図１１】本発明の素子基板の製造方法を示すフローチャート。
【図１２】図１１における素子基板の各製造工程に対応する平面図。
【図１３】図１１における素子基板の各製造工程に対応する平面図。
【図１４】図１１における素子基板の各製造工程に対応する平面図。
【図１５】ＴＦＴ素子を利用した液晶表示装置への適用例を示す。
【図１６】本発明の液晶表示装置を適用した電子機器の回路ブロック図。
【図１７】本発明の液晶表示装置を適用した電子機器の例。
【符号の説明】
【０１０５】
１  下側基板、  ２  上側基板、  ３  シール部材、  ５  反射層、  ６  着色層、  ７  導通部材、  ８  走査電極、  １０  画素電極、  ２１  ＴＦＤ素子、  ２５  樹脂散乱層、  ２６  オーバーコート層、  ２７  フォトスペーサ、  ３１  走査線、  ３２  データ線、  ９１  カラーフィルタ基板、  ９２  素子基板、  １００  液晶表示装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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