(57)【要約】【課題】  液体封止引き上げ法により、直径が６３．５ｍｍ以上のリン化ガリウム単結晶を育成する製造方法において、製造するリン化ガリウム単結晶中のボイドの発生を抑制するとともに、リン化ガリウム単結晶中の双晶の発生も抑制する。【解決手段】  育成する結晶の直径をｄ、ルツボ内径をＤとした場合に、ｄ／Ｄを０．７以下とし、かつ、結晶の回転速度を２〜５ｒｐｍ、結晶の回転とルツボの回転を同方向とする。  これにより、得られるＧａＰ単結晶において、結晶頭部側でボイドが発生することを抑制できるとともに、双晶の発生も抑制することができる。したがって、本発明の方法により製造されたＧａＰ単結晶を用いることで、発光ダイオードの生産歩留まりを向上させることができる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体封止引き上げ法により、直径が６３．５ｍｍ以上のリン化ガリウム単結晶を育成する製造方法において、育成する結晶の直径をｄ、ルツボ内径をＤとした場合に、ｄ／Ｄを０．７以下とし、かつ、結晶の回転速度を２〜５ｒｐｍ、結晶の回転とルツボの回転を同方向とすることを特徴とするリン化ガリウム単結晶の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液体封止引き上げ法によるリン化ガリウム単結晶の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
可視光領域の光を発する発光ダイオードを製造するための基板には、リン化ガリウム（ＧａＰ）単結晶が用いられる。該ＧａＰ単結晶は、液体封止引き上げ法（ＬＥＣ法）によって製造されている。
【０００３】
図２に、ＬＥＣ法によるＧａＰ単結晶の製造過程における、従来のＧａＰ単結晶製造装置の断面図を示す。図２を参照して、従来のＬＥＣ法によるＧａＰ単結晶の製造について説明する。
【０００４】
ＧａＰ単結晶製造装置９は、１００気圧程度の高圧にも耐えられる圧力容器１と、ルツボ２ａと、ヒータ３と、シャフト８とからなる。ＧａＰ単結晶の製造は、通常、圧力容器１内に５０気圧のＮ2やＡｒといった不活性ガスを充填し、その中で行われる。
【０００５】
圧力容器１内の中心部にルツボ２ａが配置されるように、ウォール（図示せず）とベース（図示せず）の中にルツボ２ａが載置される。ルツボ２ａの中には、原料のリン（Ｐ）とガリウム（Ｇａ）とを合成して作成したＧａＰ多結晶と、化合物半導体となったときの結晶中でｎ型またはｐ型の電気特性を発現する働きをする不純物とが投入されるとともに、原料融解時のリンの揮発分解を防止するための液体封止剤として酸化ホウ素（Ｂ2Ｏ3）が投入される。また、ルツボ２ａを囲むように、加熱用カーボンヒータ３が配置されている。さらに、ルツボ２ａの上方には、上部シャフト８が配置されている。上部シャフト８には保持具（図示せず）が連結されており、この保持具に（１００）面が下面となるように種結晶７が取り付けられる。ＧａＰ単結晶製造時には、上部シャフト８により成長中のＧａＰ単結晶が上方に引き上げられる。
【０００６】
ＧａＰの融点は１４６５℃であり、この温度でのＰの分解圧力は約３５気圧と非常に高い。従って、ＧａＰを液体に保ってＧａＰ単結晶を製造するためには、高圧不活性ガス雰囲気下で製造を行うことが必要である。このため、ＧａＰ単結晶を製造する際には、高圧不活性ガス雰囲気下で加熱用カーボンヒータ３に通電して、ＧａＰ多結晶を融点以上まで昇温して融解させる。
【０００７】
ルツボ２ａ内のＧａＰ多結晶が融解した後、上部シャフト８が降下して、種結晶７が、ルツボ２ａ内の液体封止剤（Ｂ2Ｏ3）層４の下方に位置するＧａＰ融液５に浸されて種付けが行われる。種結晶７と馴染むＧａＰ融液の温度は事前に測定しておき、ＧａＰ単結晶を成長させる際にはこの温度を維持するように、カーボンヒータ３の出力が、ルツボ２ａの下面に配置された熱電対（図示せず）からの電気信号に基づき制御される。ウォールとベースの中に載置されているルツボ２ａは、１０〜３５ｒｐｍ程度の回転速度で回転させられる。一方、種結晶７は５〜１５ｒｐｍ程度の回転速度でルツボ２ａの回転方向とは逆方向に回転させられながら、所定の速度で引き上げられていき、ＧａＰ単結晶６を成長させる（例えば、特許文献１）。
【０００８】
前記方法で製造されたＧａＰ単結晶６は、円筒状になるように研削を行い、外形を整えた後、厚さ３００〜５００μｍ程度のウェーハに切断される。作製されたウェーハは、電気特性、結晶欠陥の有無、外観の汚れやキズなどの有無の検査を行い、規格に合格したものを製品とする。
【０００９】
一方、現在は、発光ダイオードの生産量が増え、一つの基板から多くの素子を得るために大口径のＧａＰ基板が求められるようになってきている。しかし、直径が６３．５ｍｍ（２．５インチ）以上のＧａＰ単結晶を、前記の方法で製造すると、初期に単結晶となった部位である結晶頭部（製造された単結晶の最上部から１ｃｍ程度までの範囲）から得られるウェーハにボイドが含まれることが多くなる。
【００１０】
発光ダイオード作製の際にはウェーハ上にエピタキシャル膜を成長させるが、ウェーハ中に存在するボイドは、このエピタキシャル膜にピットや突起などの結晶欠陥を発生させ、発光ダイオードの生産歩留まりを著しく低下させる。
【００１１】
結晶頭部側でボイドが発生する原因は、結晶頭部が液体封止剤から出たときに急激に冷やされることによって、固液界面で結晶が急成長するか、あるいは、結晶頭部が液体封止剤から出たときの融液の急激な温度低下に対応して、融液温度を一定に保つためのフィードバック機構が働き、急加熱されて、融液温度が急上昇して融液が過飽和となり、気泡が発生するなどして、固液界面近傍の気泡が結晶に取り込まれるためと推定される（特許文献２参照）。
【００１２】
このボイド発生を抑制する方法として、特許文献２では、Ｂ2Ｏ3を用いたＬＥＣ法により、直径が６３．５ｍｍ（２．５インチ）以上のリン化ガリウム単結晶を育成する際に、結晶直径ｄ／ルツボ内径Ｄを０．７以下とする方法が提案されている。結晶直径ｄ／ルツボ内径Ｄを０．７以下とすることで、融液表面５ｓと液体封止剤表面４ｓとの温度差を小さくして、ボイドの発生を抑制するという方法である。
【００１３】
しかし、この方法では、ボイドの発生は抑制されるものの、得られるＧａＰ単結晶において双晶が発生しやすくなるという問題点があった。
【００１４】
【特許文献１】特開２００１−１０６５９２号公報
【００１５】
【特許文献２】特開２００３−１９２４９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであって、液体封止引き上げ法により、直径が６３．５ｍｍ以上のＧａＰ単結晶を育成する製造方法において、製造するＧａＰ単結晶中のボイドの発生を抑制できるとともに、ＧａＰ単結晶中の双晶の発生も抑制できるＧａＰ単結晶の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明に係るＧａＰ単結晶の製造方法は、液体封止引き上げ法により、直径が６３．５ｍｍ以上のＧａＰ単結晶を育成する製造方法において、育成する結晶の直径をｄ、ルツボ内径をＤとした場合に、ｄ／Ｄを０．７以下とし、かつ、結晶の回転速度を２〜５ｒｐｍ、結晶の回転とルツボの回転を同方向とすることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の方法によれば、得られるＧａＰ単結晶において、結晶頭部側でボイドが発生することを抑制できるとともに、双晶の発生も抑制することができる。したがって、本発明の方法により製造されたＧａＰ単結晶を用いることで、発光ダイオードの生産歩留まりを向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
本発明者は、特許文献２において、直径が６３．５ｍｍ（２．５インチ）以上のＧａＰ単結晶を育成する際に、育成する結晶の直径をｄ、ルツボ内径をＤbとした場合に、ｄ／Ｄbを０．７以下とすることで融液表面と液体封止剤表面の温度差を小さくし、ボイドの発生を抑制する方法を提案している（図１参照）。
【００２０】
しかし、ｄ／Ｄbを小さくすると、ＧａＰ単結晶においてボイドの発生は抑制されるものの、双晶が発生しやすくなった。
【００２１】
本発明者は、双晶が発生しやすくなった原因は、ｄ／Ｄbを小さくするためにルツボ内径を大きくした結果、結晶下面と融液が接する界面近傍の領域における温度勾配が小さくなりすぎ、逆に外乱の影響により双晶が生じやすくなったためと考えた。そこで、本発明者は、融液表面５ｓと液体封止剤表面４ｓの温度差を小さく保ったまま、結晶下面と融液が接する界面近傍の領域における温度勾配を大きくできれば、ボイドの発生を抑制でき、かつ、双晶の発生も抑制できると考え、融液表面５ｓと液体封止剤表面４ｓの温度差を小さく保ったまま、結晶下面と融液が接する界面近傍の領域における温度勾配を大きくする方法について鋭意研究を進めた。
【００２２】
その結果、結晶の回転速度を従来に比べ遅い速度とし、かつ、結晶とルツボの回転方向を同方向とすることにより、融液表面５ｓと液体封止剤表面４ｓの温度差を小さく保ったまま、結晶下面と融液が接する界面近傍の領域における温度勾配を大きくでき、ボイドの発生を抑制したまま、双晶の発生も抑制できることを見出した。
【００２３】
結晶の回転速度を従来に比べ遅い速度とすることで、結晶の回転に基づく融液の巻き上げ効果による強制対流が減少して、融液の自然対流（カーボンヒータによるルツボ外壁面の外側からの加熱の結果、ルツボの内壁面に近い部分ほど融液の温度が高くなり、ルツボ中心部ほど温度が低くなることに基づく対流）の影響が大きくなり、結晶下面と融液が接する界面近傍の領域における温度勾配を大きくすることができたものと考えられる。
【００２４】
本発明では、ＬＥＣ法で、直径が６３．５ｍｍ（２．５インチ）以上のリン化ガリウム単結晶を育成する際に、育成する結晶の直径をｄ、ルツボ内径をＤとした場合に、ｄ／Ｄを０．７以下とする。また、結晶の回転速度を２〜５ｒｐｍとし、かつ、結晶の回転とルツボの回転の方向は同方向とする。結晶の回転速度が２ｒｐｍ未満の低速になると、ヒータやルツボの配置位置の誤差等に基づく熱環境の不均一性の悪影響を排除できなくなり、結晶は不均一な温度環境下で成長することとなるため、単結晶は得られにくくなる。一方、結晶の回転速度が５ｒｐｍを超えると、結晶の回転による融液の巻き上げ効果が増大し、自然対流の影響をキャンセルしてしまうため、結晶下面と融液が接する界面近傍の領域における温度勾配を大きくすることができなくなり、外乱による双晶の発生を抑制できなくなる。
【００２５】
図１は、本発明に係る製造方法の一実施形態を示すもので、ＧａＰ単結晶の製造過程におけるＧａＰ単結晶製造装置の一例についての断面図である。結晶直径ｄ／ルツボ内径Ｄbは、０．７以下となっている。
【００２６】
ＬＥＣ法によるＧａＰ単結晶製造装置９は、１００気圧程度の高圧にも耐えられる圧力容器１と、ルツボ２ｂと、ヒータ３と、シャフト８とからなる。ＧａＰ単結晶の製造は、通常、圧力容器１内に５０気圧のＮ2やＡｒといった不活性ガスを充填し、その中で行われる。
【００２７】
圧力容器１内の中心部にルツボ２ｂが配置されるように、ウォール（図示せず）とベース（図示せず）の中にルツボ２ｂを載置する。ルツボ２ｂの中には、原料のＰとＧａとを合成して作製したＧａＰ多結晶と、化合物半導体となったときの結晶中でｎ型またはｐ型の電気特性を発現する働きをする不純物（例えば、Ｓ、Ｔｅ、Ｓｉ等）とを投入するとともに、原料融解時のＰの揮発分解を防止するための液体封止剤４としてＢ2Ｏ3を投入する。また、ルツボ２ｂを囲むように、加熱用カーボンヒータ３を配置する。さらに、ルツボ２ｂの上方には、上部シャフト８を配置する。上部シャフト８には保持具（図示せず）を連結させており、この保持具に（１００）面が下面となるように種結晶７を取り付ける。
【００２８】
ＧａＰ単結晶を製造する際には、高圧不活性ガス雰囲気下で加熱用カーボンヒータ３に通電して、ＧａＰ多結晶を融点以上まで昇温して融解させる。
【００２９】
ルツボ２ｂ内のＧａＰ多結晶が融解した後、上部シャフト８を降下させ、種結晶７を、ルツボ２ｂ内のＢ2Ｏ3層４の下方に位置するＧａＰ融液５に浸して種付けを行う。種結晶７と馴染むリン化ガリウム融液の温度を事前に測定しておき、カーボンヒータ３の出力を、ルツボ２ｂの下面に配置された熱電対（図示せず）からの電気信号に基づき制御して、ＧａＰ単結晶を成長させる際には前記温度を維持する。ウォールとベースの中に載置されているルツボ２ｂは、所定の回転速度で回転させるが、６〜１０ｒｐｍ程度の回転速度が望ましい。一方、種結晶７は、２〜５ｒｐｍの回転速度で回転させながら、上部シャフト８により所定の速度で引き上げ、ＧａＰ単結晶６を成長させる。
【００３０】
引上軸（上部シャフト８）には質量センサ（図示せず）を取り付けており、この質量センサにより、単位時間当たりの質量増加分を計測し、結晶直径を計算する。この計算結果に基づき、加熱用カーボンヒータ３の出力をフィードバック制御することで、ＧａＰ単結晶６の直径を制御する。
【実施例】
【００３１】
（実施例１）
図１に示す製造装置により、ＧａＰ単結晶を製造した。
【００３２】
ルツボ２ｂには、外径１１９．５ｍｍ、内径１１５．５ｍｍの石英ルツボを用いた。
【００３３】
このルツボ２ｂに、ＧａＰ多結晶１５００ｇと、添加不純物のＳ（硫黄）８８．３ｍｇと、液体封止剤（Ｂ2Ｏ3）２７０ｇとを投入し、ルツボ２ｂの上に高さ３０ｍｍ、開口部の内径が８０ｍｍの石英キャップ（図示せず）を載せ、圧力容器１内を真空にした後、高圧窒素ガス雰囲気下で加熱用カーボンヒータ３に通電した。そして、ＧａＰの融点である１４６５℃以上に昇温させ、ＧａＰ多結晶を溶融させた。その後、予め上部シャフト８に取り付けておいた（１００）方位の種結晶７の回転速度を５ｒｐｍにして上部シャフト８を降下させ、ＧａＰ融液５に種結晶７を浸けた。その後、ルツボ２ｂを、種結晶７の回転方向と同方向に１０ｒｐｍで回転させるとともに、ルツボ２ｂの底の温度を１４２０℃に下げた。そして、１０ｍｍ／ｈの速度で種結晶７を回転速度５ｒｐｍに保持したまま引き上げて、結晶育成を開始した。
【００３４】
育成する結晶の直径は８０ｍｍとした。設定した結晶直径ｄ1／ルツボ内径Ｄbは８０／１１５．５＝０．６９である。
【００３５】
前記の育成条件で、３８回の育成を行った結果、平均直径８１ｍｍ、平均質量１４２０ｇのＧａＰ単結晶が３４本得られた。得られた３４本中の１本で双晶が発生した。双晶が発生しているかどうかは、目視により確認した。なお、得られた単結晶の平均直径ｄ2／ルツボ内径Ｄbは８１／１１５．５＝０．７０であった。
【００３６】
次に、育成したＧａＰ単結晶を厚さ３４５μｍとなるように切断し、ＧａＰ単結晶のウェーハを得た。育成したＧａＰ単結晶１本からは、平均９５枚のウェーハが得られた。得られたＧａＰ単結晶ウェーハをそれぞれ王水でエッチングし、目視で観察することによりボイドの有無を調べた。１回の育成で得られたＧａＰ単結晶１本から切り出された平均９５枚のウェーハあたり、ボイドは平均０．８枚で発生していた。
【００３７】
（実施例２）
図１に示す製造装置により、実施例１と同様にしてＧａＰ単結晶を製造した。種結晶７およびルツボ２ｂの回転速度および回転方向は、実施例１と同様に、種結晶７の回転速度を５ｒｐｍとし、ルツボ２ｂの回転速度を１０ｒｐｍとし、種結晶７とルツボ２ｂの回転方向は同方向とした。
【００３８】
ただし、ルツボ２ｂには、外径１０９．５ｍｍ、内径１０５．５ｍｍの石英ルツボを用いており、実施例１で用いたルツボよりも小さいので、投入する液体封止材（Ｂ2Ｏ3）は２１０ｇとした。また、育成する結晶の直径は６５ｍｍとしたので、設定した結晶直径ｄ1／ルツボ内径Ｄbは、６５／１０５．５＝０．６２である。
【００３９】
前記の育成条件で、６０回の育成を行った結果、平均直径６６ｍｍ、平均質量１４００ｇのＧａＰ単結晶が５３本得られた。得られた５３本中の１本で双晶が発生した。双晶が発生しているかどうかは、目視により確認した。なお、得られた単結晶の平均直径ｄ2／ルツボ内径Ｄbは６６／１０５．５＝０．６３であった。
【００４０】
次に、育成したＧａＰ単結晶を厚さ３４５μｍとなるように切断し、ＧａＰ単結晶のウェーハを得た。育成したＧａＰ単結晶１本からは、平均１７０枚のウェーハが得られた。得られたＧａＰ単結晶ウェーハをそれぞれ王水でエッチングし、目視で観察することによりボイドの有無を調べた。１回の育成で得られたＧａＰ単結晶１本から切り出された平均１７０枚のウェーハあたり、ボイドは平均１．１枚で発生していた。
【００４１】
（実施例３）
図１に示す製造装置により、実施例１と同様にしてＧａＰ単結晶を製造した。ただし、種結晶７およびルツボ２ｂの回転速度および回転方向は、種結晶７の回転速度を２ｒｐｍとし、ルツボ２ｂの回転速度を１０ｒｐｍとし、種結晶７とルツボ２ｂの回転方向は同方向とした。種結晶７の回転速度が２ｒｐｍであり、実施例１の種結晶７の回転速度５ｒｐｍよりも小さい点が異なる。
【００４２】
ルツボ２ｂには、外径１１９．５ｍｍ、内径１１５．５ｍｍの石英ルツボを用いており、実施例１で用いたルツボと同じ形状であるので、実施例１と同様に投入する液体封止材（Ｂ2Ｏ3）は２７０ｇとした。また、育成する結晶の直径も実施例１と同様に８０ｍｍとしたので、設定した結晶直径ｄ1／ルツボ内径Ｄbは、８０／１１５．５＝０．６９である。
【００４３】
前記の育成条件で、２１回の育成を行った結果、平均直径８１ｍｍ、平均質量１４２０ｇのＧａＰ単結晶が２１本得られた。得られた２１本中の１本で双晶が発生した。双晶が発生しているかどうかは、目視により確認した。なお、得られた単結晶の平均直径ｄ2／ルツボ内径Ｄbは８１／１１５．５＝０．７０であった。
【００４４】
次に、育成したＧａＰ単結晶を厚さ３４５μｍとなるように切断し、ＧａＰ単結晶のウェーハを得た。育成したＧａＰ単結晶１本からは、平均９５枚のウェーハが得られた。得られたＧａＰ単結晶ウェーハをそれぞれ王水でエッチングし、目視で観察することによりボイドの有無を調べた。１回の育成で得られたＧａＰ単結晶１本から切り出された平均９５枚のウェーハあたり、ボイドは平均１．２枚で発生していた。
【００４５】
（比較例１）
図２に示す製造装置により、実施例１と同様にしてＧａＰ単結晶を製造した。種結晶７およびルツボ２ｂの回転速度および回転方向は、実施例１と同様に、種結晶７の回転速度を５ｒｐｍとし、ルツボ２ｂの回転速度を１０ｒｐｍとし、種結晶７とルツボ２ｂの回転方向は同方向とした。
【００４６】
ただし、ルツボ２ｂには、外径１０９．５ｍｍ、内径１０５．５ｍｍの石英ルツボを用いており、実施例１で用いたルツボよりも小さいので、投入する液体封止材（Ｂ2Ｏ3）は２１０ｇとした。また、育成する結晶の直径は８０ｍｍとしたので、設定した結晶直径ｄ1／ルツボ内径Ｄaは、８０／１０５．５＝０．７６である。
【００４７】
前記の育成条件で、５６回の育成を行った結果、平均直径８１ｍｍ、平均質量１４２０ｇのＧａＰ単結晶が５０本得られた。得られた５０本中の１本で双晶が発生した。双晶が発生しているかどうかは、目視により確認した。なお、得られた単結晶の平均直径ｄ2／ルツボ内径Ｄaは８１／１０５．５＝０．７７であった。
【００４８】
次に、育成したＧａＰ単結晶を厚さ３４５μｍとなるように切断し、ＧａＰ単結晶のウェーハを得た。育成したＧａＰ単結晶１本からは、平均９５枚のウェーハが得られた。得られたＧａＰ単結晶ウェーハをそれぞれ王水でエッチングし、目視で観察することによりボイドの有無を調べた。１回の育成で得られたＧａＰ単結晶１本から切り出された平均９５枚のウェーハあたり、ボイドは平均１９．６枚で発生していた。
【００４９】
（比較例２）
図１に示す製造装置により、実施例１と同様にしてＧａＰ単結晶を製造した。ただし、種結晶７およびルツボ２ｂの回転速度および回転方向は、種結晶７の回転速度を１０ｒｐｍとし、ルツボ２ｂの回転速度を１０ｒｐｍとし、種結晶７とルツボ２ｂの回転方向は同方向とした。種結晶７の回転速度が１０ｒｐｍであり、実施例１の種結晶７の回転速度５ｒｐｍよりも大きい点が異なる。
【００５０】
ルツボ２ｂには、外径１１９．５ｍｍ、内径１１５．５ｍｍの石英ルツボを用いており、実施例１で用いたルツボと同じ形状であるので、実施例１と同様に投入する液体封止材（Ｂ2Ｏ3）は２７０ｇとした。また、育成する結晶の直径も実施例１と同様に８０ｍｍとしたので、設定した結晶直径ｄ1／ルツボ内径Ｄbは、８０／１１５．５＝０．６９である。
【００５１】
前記の育成条件で、２６回の育成を行った結果、平均直径８１ｍｍ、平均質量１４２０ｇのＧａＰ単結晶が１４本得られた。得られた１４本中の１０本で双晶が発生した。双晶が発生しているかどうかは、目視により確認した。なお、得られた単結晶の平均直径ｄ2／ルツボ内径Ｄbは８１／１１５．５＝０．７０であった。
【００５２】
次に、育成したＧａＰ単結晶を厚さ３４５μｍとなるように切断し、ＧａＰ単結晶のウェーハを得た。育成したＧａＰ単結晶１本からは、平均９５枚のウェーハが得られた。得られたＧａＰ単結晶ウェーハをそれぞれ王水でエッチングし、目視で観察することによりボイドの有無を調べた。１回の育成で得られたＧａＰ単結晶１本から切り出された平均９５枚のウェーハあたり、ボイドは平均１．６枚で発生していた。
【００５３】
実施例１〜３および比較例１，２の育成条件および評価結果をまとめたものを下記表１に示す。
【００５４】
【表１】
2006089339.tif 000003
【００５５】
比較例１は、得られた単結晶の平均直径ｄ2／ルツボ内径Ｄaが８１／１０５．５＝０．７７であり、育成する結晶の直径ｄ／ルツボ内径Ｄについての本発明の上限値である０．７を超えているので、得られた単結晶１本から得られたウェーハのうち、ボイドが含まれていたウェーハの平均枚数が１９．６枚となっており、著しく多くなっている。
【００５６】
比較例２は、種結晶７の回転速度が１０ｒｐｍであり、種結晶７の回転速度についての本発明の上限値である５ｒｐｍを超えているので、得られた単結晶１４本のうち双晶の発生したものが１０本もあり、著しく多くなっている。
【００５７】
これに対し、本発明の範囲内である実施例１〜３は、得られた単結晶１本から得られたウェーハのうち、ボイドが含まれていたウェーハの平均枚数は０．８〜１．２枚であり、少なくなっている。また、実施例１〜３で得られた単結晶は２１〜５３本であるが、双晶の発生した単結晶数は実施例１〜３のいずれも１本であり、少なくなっている。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明に係る製造方法の一実施形態を示すもので、ＧａＰ単結晶の製造が行われているときのＧａＰ単結晶製造装置の一例についての断面図である。
【図２】従来のＧａＰ単結晶製造装置を用いて、ＬＥＣ法によるＧａＰ単結晶の製造が行われているときのＧａＰ単結晶製造装置の断面図である。
【符号の説明】
【００５９】
１  圧力容器
２ａ、２ｂ  ルツボ
３  カーボンヒーター
４  液体封止剤層
４ｓ  液体封止剤表面
５  ＧａＰ融液
５ｓ  ＧａＰ融液表面
６  ＧａＰ単結晶
７  ＧａＰ種結晶
８  上部シャフト
ｄ  結晶直径
Ｄａ、Ｄｂ  ルツボ内径
【図１】
2006089339.tif 000004
【図２】
2006089339.tif 000005