(57)【要約】      （修正有）【課題】  幅に関する光近接補正により形成される微細な凹凸を、精度よく除去する。【解決手段】半導体装置内部の設計段階におけるレイアウトパターン１０において、角１３を形成する第１の外郭線１２を外側に平行にスライドさせ、かつ角１３を形成する第２の外郭線１１を内側に平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正する。次いで、角１３に形成され、第１の外郭線１２のスライド量と同一の幅Ｌ２を有し、かつ第２の外郭線１１のスライド量Ｌ１と同一の高さを有する、略長方形の凸部１３ａを検出し、該凸部１３ａを角から消去する。【選択図】      図２
2006058424.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置内部の設計段階におけるレイアウトパターンにおいて、角を形成する第１の外郭線を外側に平行にスライドさせ、かつ前記角を形成する第２の外郭線を内側に平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のパターンである幅補正後パターンを生成するパターン幅補正部と、
前記パターン幅補正部によって前記角に形成され、前記第１の外郭線のスライド量と同一の幅を有し、かつ前記第２の外郭線のスライド量と同一の高さを有する、略長方形の凸部を、前記幅補正後パターンから検出し、該凸部を前記角から消去する凹凸消去部と、
を具備するレイアウトパターン補正装置。
【請求項２】
前記凹凸消去部は、長さが前記第１の外郭線のスライド量に等しい第３の外郭線であって、内角９０°の角を両端それぞれに持ち、かつ該両端の一方に繋がっているいずれかの外郭線の長さが前記第２の外郭線のスライド量に等しい第３の外郭線を検出することにより、前記略長方形の凸部を検出する、請求項１に記載のレイアウトパターン補正装置。
【請求項３】
半導体装置内部の設計段階におけるレイアウトパターンにおいて、角を形成する第１及び第２の外郭線それぞれを外側に平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のパターンである幅補正後パターンを生成するパターン幅補正部と、
前記角に形成され、前記第１の外郭線のスライド量と同一の幅を有し、かつ前記第２の外郭線のスライド量と同一の深さを有する、略長方形の凹部を、前記幅補正後パターンから検出し、該凹部を前記角から消去する凹凸消去部と、
を具備するレイアウトパターン補正装置。
【請求項４】
前記凹凸消去部は、長さが前記第１の外郭線のスライド量に等しい第３の外郭線であって、内角９０°，２７０°の角を両端それぞれに持ち、かつ内角２７０°の端に繋がっている外郭線の長さが前記第２の外郭線のスライド量に等しい第３の外郭線を検出することにより、前記略長方形の凹部を検出する、請求項３に記載のレイアウトパターン補正装置。
【請求項５】
前記角は、前記レイアウトパターンの端部の角である請求項１〜４のいずれか一項に記載のレイアウトパターン補正装置。
【請求項６】
半導体装置内部の設計段階におけるレイアウトパターンにおいて、角を形成する第１及び第２の外郭線それぞれを内側に平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のパターンである幅補正後パターンを生成するパターン幅補正部と、
前記角に形成され、前記第１の外郭線のスライド量と同一の幅を有し、かつ前記第２の外郭線のスライド量と同一の高さを有する、略長方形の凸部を、前記幅補正後パターンから検出し、該凸部を前記幅補正後パターンから消去する凹凸消去部と、
を具備するレイアウトパターン補正装置。
【請求項７】
前記凹凸消去部は、長さが前記第１の外郭線のスライド量に等しい第３の外郭線であって、内角９０°，２７０°の角を両端それぞれに持ち、かつ内角９０°の端に繋がっている外郭線の長さが前記第２の外郭線のスライド量に等しい第３の外郭線を検出することにより、前記略長方形の凸部を検出する、請求項６に記載のレイアウトパターン補正装置。
【請求項８】
半導体装置内部の設計段階におけるレイアウトパターンにおいて、角を形成する第１の外郭線を外側に平行にスライドさせ、かつ前記角を形成する第２の外郭線を内側に平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のパターンである幅補正後パターンを生成するパターン幅補正部と、
前記角に形成され、前記第２の外郭線のスライド量と同一の幅を有し、かつ前記第１の外郭線のスライド量と同一の深さを有する、略長方形の凹部を、前記幅補正後パターンから検出し、該凹部を前記幅補正後パターンから消去する凹凸消去部と、
を具備するレイアウトパターン補正装置。
【請求項９】
前記凹凸消去部は、長さが前記第２の外郭線のスライド量に等しい第３の外郭線であって、内角２７０°の角を両端に持ち、かつ該両端の一方に繋がっている外郭線の長さが前記第１の外郭線のスライド量に等しい第３の外郭線を検出することにより、前記略長方形の凹部を検出する、請求項８に記載のレイアウトパターン補正装置。
【請求項１０】
前記角は、前記レイアウトパターンが折れ曲がっている部分の内周側の角である請求項６〜９のいずれか一項に記載のレイアウトパターン補正装置。
【請求項１１】
半導体装置内部の設計段階におけるレイアウトパターンにおいて、角を形成する第１及び第２の外郭線それぞれを平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のパターンである幅補正後パターンを生成するパターン幅補正部と、
前記第１及び第２の外郭線それぞれのスライド量に基づいて、消去すべき略長方形の凹凸を前記幅補正後パターンの前記角から検出し、該凹凸を前記幅補正後パターンから消去する凹凸消去部と、
を具備するレイアウトパターン補正装置。
【請求項１２】
半導体装置内部の設計段階におけるレイアウトパターンにおいて、角を形成する第１及び第２の外郭線それぞれを平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のパターンである幅補正後パターンを生成する工程と、
前記第１及び第２の外郭線それぞれのスライド量に基づいて、消去すべき略長方形の凹凸を前記幅補正後パターンの前記角から検出し、該凹凸を前記幅補正後パターンから消去する工程と、
を具備するレイアウトパターン補正方法。
【請求項１３】
コンピュータにより実行され、設計段階の半導体装置内部のレイアウトパターンを示す設計パターンデータに対して、光近接効果を補正するプログラムであって、
前記レイアウトパターンにおいて、角を形成する第１及び第２の外郭線それぞれを平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のパターンである幅補正後パターンを生成する機能と、
前記第１及び第２の外郭線それぞれのスライド量に基づいて、消去すべき略長方形の凹凸を前記幅補正後パターンの前記角から検出し、該凹凸を前記幅補正後パターンから消去する機能と、
を具備するプログラム。
【請求項１４】
コンピュータにより実行され、設計段階の半導体装置内部のレイアウトパターンを示す設計パターンデータに対して、光近接効果を補正するプログラムを格納した記録媒体であって、
前記プログラムは、
前記レイアウトパターンにおいて、角を形成する第１及び第２の外郭線それぞれを平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のパターンである幅補正後パターンを生成する機能と、
前記第１及び第２の外郭線それぞれのスライド量に基づいて、消去すべき略長方形の凹凸を前記幅補正後パターンの前記角から検出し、該凹凸を前記幅補正後パターンから消去する機能と、
を具備する記録媒体。
【請求項１５】
設計段階の半導体装置内部のレイアウトパターンにおいて、角を形成する第１及び第２の外郭線それぞれを平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のパターンである幅補正後パターンを生成する工程と、
前記第１及び第２の外郭線それぞれのスライド量に基づいて、消去すべき略長方形の凹凸を前記幅補正後パターンの前記角から検出し、該凹凸を前記幅補正後パターンから消去する工程と、
前記凹凸が消去された前記幅補正後パターンに基づいて、レチクルにパターンを形成する工程と、
を具備するレチクルの製造方法。
【請求項１６】
設計段階の半導体装置内部のレイアウトパターンにおいて、角を形成する第１及び第２の外郭線それぞれを平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のパターンである幅補正後パターンを生成する工程と、
前記第１及び第２の外郭線それぞれのスライド量に基づいて、消去すべき略長方形の凹凸を前記幅補正後パターンの前記角から検出し、該凹凸を前記幅補正後パターンから消去する工程と、
前記凹凸が消去された前記幅補正後パターンに基づいて、レチクルにパターンを形成する工程と、
半導体基板上又は上方に、膜を形成する工程と、
前記レチクルのパターンを前記膜に転写する工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光近接効果を補正するレイアウトパターン補正装置、レイアウトパターン補正方法、プログラム、記録媒体、レチクルの製造方法、及び半導体装置の製造方法に関する。特に本発明は、幅に関する光近接を補正する際に副産物として形成される微細な凹凸を、確実に除去することができるレイアウトパターン補正装置、レイアウトパターン補正方法、プログラム、記録媒体、レチクルの製造方法、及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置内部のレイアウトパターン（例えば配線パターン）が、レチクルのパターンをフォトレジスト膜に転写する時に用いられる光源の波長より細かくなってきている。このため、転写の解像度が低下することを防ぐために、変形照明技術のような特殊な転写技術が必要となる。しかし、このような特殊な転写技術を用いると、転写されたパターンに寸法変動等が生じる。
【０００３】
寸法変動等を防ぐための技術として、光近接効果補正（Optical Proximity Effect Correction：以下、ＯＰＣと記載）がある。ＯＰＣは、転写の際の寸法変動等を予め考慮して、設計レイアウトパターンを予め変形させておくことにより、転写後に所望のレイアウトパターンが得られるようにするものである。
【０００４】
図６の各図は、従来のＯＰＣの一例を示す図である。図６（Ａ）に示すＯＰＣは、転写時に、レイアウトパターン１００の幅が変わることを補正するために、レイアウトパターン１００の内側の外郭線１０１，１０２それぞれを平行にスライドさせ、外郭線１０１ａ，１０２ａそれぞれを形成するものである。これにより、レイアウトパターン１００において、幅に関する光近接効果が補正される。
【０００５】
この補正のとき、レイアウトパターン１００が折れ曲がっている場合、折れ曲がっている部分の内周側の角には、副産物として微細凹部１０５が形成される。微細凹部１０５は、ＯＰＣとしては不用の部分であり、また、レイアウトパターンがデザインルールを満たしているかを自動でチェックする際に、エラーとして検出される可能性がある。このため、微細凹部１０５は消去されるのが好ましい。
【０００６】
そこで、図６（Ｂ）の実線に示すように、レイアウトパターン１００を形成する外郭線１０１ａ，１０２ａ，１０３，１０４を外側に移動させ、外郭線１０１ｂ，１０２ｂ，１０３ａ，１０４ａを形成する（拡大処理）。この拡大処理により、微細凹部１０５は外郭線１０１ｂ，１０２ｂによって埋め合わされ、消去される。その後、レイアウトパターン１００を縮小し、元の大きさに戻す（図示せず）。この技術は、例えば特許文献１の第１０段落に開示されている。
【０００７】
また、他の方法として、レイアウトパターン１００から、予め定められた幅以下の凹部（例えば微細凹部１０５）を検出し（スペーシングチェック）、検出した凹部に、この凹部より大きな凹部を重ねる処理を行い、その後、重ねた凹部に相当する領域を埋め合わせる方法もある（図示せず）。このようにしても、微細な凹部は除去される。この技術は、例えば特許文献１の第８段落に記載されている。
【特許文献１】特開２００２−８３７５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
幅に関する光近接効果補正を行うと、上記した微細凹部の他に、様々な微細な凹凸が形成される。これら微細な凹凸の中には、上記した従来方法では消去できないものが複数ある。その例を図７に示す。
【０００９】
図７（Ａ）に示すレイアウトパターン１１０は、レイアウトパターンの端部を示すものである。そして、幅に関する光近接効果を補正するために、端部の角１１４を形成する外郭線１１１，１１２それぞれを外側に移動させる。これにより、外郭線１１１ａ，１１２ａそれぞれが形成されるが、角１１４には、不要な微細凹部１１４ａも形成される。
【００１０】
図７（Ｂ）に示すように、微細凹部１１４ａを消去しようとして、外郭線１１１ａ，１１２ａ，１１３すべてを外側に移動させ、外郭線１１１ｂ，１１２ｂ，１１３ａそれぞれを形成しても、微細凹部１１４ａは残留する。このように、拡大処理では微細凹部１１４ａは消去できない。また、消去すべきでない凹凸が拡大処理の際に消去される可能性もある。
【００１１】
また、微細凹部１１４ａの幅をソフトウェア上で定義することは難しいため、スペーシングチェックを行っても、微細凹部１１４ａを検出することは難しい。従って、スペーシングチェックによっても、微細凹部１１４ａを消去することは難しかった。
【００１２】
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、幅に関する光近接補正により副次的に形成される微細な凹凸を、確実に除去することができるレイアウトパターン補正装置、レイアウトパターン補正方法、プログラム、記録媒体、レチクルの製造方法、及び半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するため、本発明に係るレイアウトパターン補正装置は、半導体装置内部の設計段階におけるレイアウトパターンにおいて、角を形成する第１の外郭線を外側に平行にスライドさせ、かつ前記角を形成する第２の外郭線を内側に平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のパターンである幅補正後パターンを生成するパターン幅補正部と、
前記パターン幅補正部によって前記角に形成され、前記第１の外郭線のスライド量と同一の幅を有し、かつ前記第２の外郭線のスライド量と同一の高さを有する、略長方形の凸部を、前記幅補正後パターンから検出し、該凸部を前記角から消去する凹凸消去部と、を具備する。
【００１４】
このレイアウトパターン補正装置によれば、パターン幅補正部が行う補正によって副産物としての凸部が形成されても、この凸部を検出し、そして消去することができる。従って、精度が高いＯＰＣを行うことができる。
【００１５】
このレイアウトパターン補正装置において、凹凸消去部は、長さが第１の外郭線のスライド量に等しい第３の外郭線であって、内角９０°の角を両端それぞれに持ち、かつ該両端の一方に繋がっているいずれかの外郭線の長さが第２の外郭線のスライド量に等しい第３の外郭線を検出することにより、略長方形の凸部を検出するのが好ましい。このようにすると、精度よく凸部を検出することができる。
【００１６】
本発明に係る他のレイアウトパターン補正装置は、半導体装置内部の設計段階におけるレイアウトパターンにおいて、角を形成する第１及び第２の外郭線それぞれを外側に平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のパターンである幅補正後パターンを生成するパターン幅補正部と、
前記角に形成され、前記第１の外郭線のスライド量と同一の幅を有し、かつ前記第２の外郭線のスライド量と同一の深さを有する、略長方形の凹部を、前記幅補正後パターンから検出し、該凹部を前記角から消去する凹凸消去部とを具備する。
【００１７】
このレイアウトパターン補正装置によれば、パターン幅補正部が行う補正によって副産物としての凹部が形成されても、この凹部を検出し、そして消去することができる。従って、精度が高いＯＰＣを行うことができる。
【００１８】
このレイアウトパターン補正装置において、凹凸消去部は、長さが第１の外郭線のスライド量に等しい第３の外郭線であって、内角９０°，２７０°の角を両端それぞれに持ち、かつ内角２７０°の端に繋がっている外郭線の長さが第２の外郭線のスライド量に等しい第３の外郭線を検出することにより、略長方形の凹部を検出するのが好ましい。このようにすると、精度よく凹部を検出することができる。
【００１９】
これらのレイアウトパターン補正装置において、前記角は、例えば前記レイアウトパターンの端部の角である。
【００２０】
本発明に係る他のレイアウトパターン補正装置は、半導体装置内部の設計段階におけるレイアウトパターンにおいて、角を形成する第１及び第２の外郭線それぞれを内側に平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のパターンである幅補正後パターンを生成するパターン幅補正部と、
前記角に形成され、前記第１の外郭線のスライド量と同一の幅を有し、かつ前記第２の外郭線のスライド量と同一の高さを有する、略長方形の凸部を、前記幅補正後パターンから検出し、該凸部を前記幅補正後パターンから消去する凹凸消去部とを具備する。
【００２１】
このレイアウトパターン補正装置によれば、パターン幅補正部が行う補正によって副産物としての凸部が形成されても、この凸部を検出し、そして消去することができる。従って、精度が高いＯＰＣを行うことができる。
【００２２】
このレイアウトパターン補正装置において、凹凸消去部は、長さが第１の外郭線のスライド量に等しい第３の外郭線であって、内角９０°，２７０°の角を両端それぞれに持ち、かつ内角９０°の端に繋がっている外郭線の長さが第２の外郭線のスライド量に等しい第３の外郭線を検出することにより、略長方形の凸部を検出するのが好ましい。このようにすると、精度よく凸部を検出することができる。
【００２３】
本発明に係る他のレイアウトパターン補正装置は、半導体装置内部の設計段階におけるレイアウトパターンにおいて、角を形成する第１の外郭線を外側に平行にスライドさせ、かつ前記角を形成する第２の外郭線を内側に平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のパターンである幅補正後パターンを生成するパターン幅補正部と、
前記角に形成され、前記第２の外郭線のスライド量と同一の幅を有し、かつ前記第１の外郭線のスライド量と同一の深さを有する、略長方形の凹部を、前記幅補正後パターンから検出し、該凹部を前記幅補正後パターンから消去する凹凸消去部とを具備する。
【００２４】
このレイアウトパターン補正装置によれば、パターン幅補正部が行う補正によって副産物としての凹部が形成されても、この凹部を検出し、そして消去することができる。従って、精度が高いＯＰＣを行うことができる。
【００２５】
凹凸消去部は、長さが第２の外郭線のスライド量に等しい第３の外郭線であって、内角２７０°の角を両端に持ち、かつ該両端の一方に繋がっている外郭線の長さが第１の外郭線のスライド量に等しい第３の外郭線を検出することにより、略長方形の凹部を検出するのが好ましい。このようにすると、精度よく凹部を検出することができる。
【００２６】
これらのレイアウトパターン補正装置において、角は、例えばレイアウトパターンが折れ曲がっている部分の内周側の角である。
【００２７】
本発明に係るレイアウトパターン補正装置は、半導体装置内部の設計段階におけるレイアウトパターンにおいて、角を形成する第１及び第２の外郭線それぞれを平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のパターンである幅補正後パターンを生成するパターン幅補正部と、
前記第１及び第２の外郭線それぞれのスライド量に基づいて、消去すべき略長方形の凹凸を前記幅補正後パターンの前記角から検出し、該凹凸を前記幅補正後パターンから消去する凹凸消去部とを具備する。
【００２８】
本発明に係るレイアウトパターン補正方法は、半導体装置内部の設計段階におけるレイアウトパターンにおいて、角を形成する第１及び第２の外郭線それぞれを平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のパターンである幅補正後パターンを生成する工程と、
前記第１及び第２の外郭線それぞれのスライド量に基づいて、消去すべき略長方形の凹凸を前記幅補正後パターンの前記角から検出し、該凹凸を前記幅補正後パターンから消去する工程とを具備する。
【００２９】
本発明に係るプログラムは、コンピュータにより実行され、設計段階の半導体装置内部のレイアウトパターンを示す設計パターンデータに対して光近接効果を補正するためのプログラムであって、
前記レイアウトパターンにおいて、角を形成する第１及び第２の外郭線それぞれを平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のパターンである幅補正後パターンを生成する機能と、
前記第１及び第２の外郭線それぞれのスライド量に基づいて、消去すべき略長方形の凹凸を前記幅補正後パターンの前記角から検出し、該凹凸を前記幅補正後パターンから消去する機能とを具備する。
【００３０】
本発明に係る記録媒体は、コンピュータにより実行され、設計段階の半導体装置内部のレイアウトパターンを示す設計パターンデータに対して光近接効果を補正するためのプログラムを格納した記録媒体であって、
前記プログラムは、
前記レイアウトパターンにおいて、角を形成する第１及び第２の外郭線それぞれを平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のパターンである幅補正後パターンを生成する機能と、
前記第１及び第２の外郭線それぞれのスライド量に基づいて、消去すべき略長方形の凹凸を前記幅補正後パターンの前記角から検出し、該凹凸を前記幅補正後パターンから消去する機能とを具備する。
【００３１】
本発明に係るレチクルの製造方法は、設計段階の半導体装置内部のレイアウトパターンにおいて、角を形成する第１及び第２の外郭線それぞれを平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のパターンである幅補正後パターンを生成する工程と、
前記第１及び第２の外郭線それぞれのスライド量に基づいて、消去すべき略長方形の凹凸を前記幅補正後パターンの前記角から検出し、該凹凸を前記幅補正後パターンから消去する工程と、
前記凹凸が消去された前記幅補正後パターンに基づいて、レチクルにパターンを形成する工程と、
を具備する。
【００３２】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、設計段階の半導体装置内部のレイアウトパターンにおいて、角を形成する第１及び第２の外郭線それぞれを平行にスライドさせることにより、幅に関する光近接効果を補正した後のパターンである幅補正後パターンを生成する工程と、
前記第１及び第２の外郭線それぞれのスライド量に基づいて、消去すべき略長方形の凹凸を前記幅補正後パターンの前記角から検出し、該凹凸を前記幅補正後パターンから消去する工程と、
前記凹凸が消去された前記幅補正後パターンに基づいて、レチクルにパターンを形成する工程と、
半導体基板上又は上方に、膜を形成する工程と、
前記レチクルのパターンを前記膜に転写する工程と、
を具備する。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図１は、本発明の実施形態に係るレイアウトパターン補正装置の機能を示すブロック図である。本レイアウトパターン補正装置は、パターン幅補正部２、ＯＰＣルールルデータベース（以下、ＯＰＣルールＤＢと記載）２ａ、及び凹凸消去部４を備える。
【００３４】
ＯＰＣルールＤＢ２ａは、ＯＰＣを適用するためのレイアウトパターンの条件、及びレイアウトパターンに対して行う補正を示す情報（補正量表）を、互いに対応して格納している。具体的には、ＯＰＣルールＤＢ２ａは、レイアウトパターンの幅を補正するためのＯＰＣルールの一例として、ＯＰＣを適用するためのレイアウトパターンの幅と、レイアウトパターンの外郭線をどの程度平行にスライドさせるかを示す情報とを対応付けて格納している。
【００３５】
パターン幅補正部２は、設計段階の半導体装置内部のレイアウトパターンを示すデータを取得する。ここでのレイアウトパターンは、例えば半導体装置内部のポリシリコンパターン、又は配線パターン等である。なお、パターン幅補正部２は、レイアウトパターンを示すデータを、レイアウトパターン補正装置が有する記録媒体（例えばハードディスク）から取得してもよいし、外部の記録媒体から取得してもよい。そして、パターン幅補正部２は、ＯＰＣルールＤＢ２ａが格納しているＯＰＣルールに基づいて、レイアウトパターンの外郭線を平行にスライドし、幅に関するＯＰＣを行う。このとき、レイアウトパターンには意図しない微細な略長方形の凹凸が形成される。
【００３６】
凹凸消去部４は、パターン幅補正部２から、幅に関するＯＰＣが行われた後のレイアウトパターンを示すデータを、外郭線のスライド方向及びスライド量とともに取得する。そして、外郭線のスライド量に基づいて、消去すべき凹凸を検出し、検出した凹凸を消去する処理を行う。これにより、ＯＰＣ後のレイアウトパターンを示すデータが生成される。
【００３７】
凹凸消去部４が生成したデータによるレイアウトパターンは、例えばフォトレジスト膜を露光するためのレチクルのパターンとして用いられる。このレチクルによって露光されたフォトレジスト膜は、現像されることにより、レチクルのパターンが転写されたレジストパターンとなる。このレジストパターンは、例えばポリシリコン膜、又はＡｌ合金膜をエッチングによりパターニングするときのマスクとして用いられる。エッチングが行われることにより、ポリシリコン膜には、レチクルのパターンが転写され、ＭＯＳトランジスタのゲート電極及びポリシリコン配線が形成される。また、エッチングが行われることにより、Ａｌ合金膜にもレチクルのパターンが転写され、半導体装置内部の配線が形成される。
このようにして、レイアウトパターン補正装置が生成したレイアウトパターンを用いて、半導体装置が製造される。
【００３８】
なお、本レイアウトパターン補正装置は、上記した機能を有するプログラムをコンピュータシステムにインストールすることにより、実現される。このプログラムは、例えば記録媒体を介してコンピュータシステムにインストールされる。プログラムを格納する記録媒体は、例えばフロッピーディスク（商標）、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−Ｒ／Ｗ、ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＭＯ、及び半導体メモリー等のリムーバブルディスク、若しくはハードディスクであるが、これら以外であってもよい。また、このプログラムは、インターネット等の通信回線を介してダウンロードされることにより、コンピュータシステムにインストールされてもよい。
【００３９】
次に、図２を参照して、レイアウトパターン補正装置の第１の動作について説明する。図２の各図は、レイアウトパターン補正装置が行う第１のＯＰＣを、レイアウトパターンの形状の変化によって示す図である。
【００４０】
図２（Ａ）は、パターン幅補正部２が取得する設計段階のレイアウトパターンを模式的に示す図である。この図は、レイアウトパターン１０の端部を示している。この端部には、外郭線１１，１２によって内角が９０°の角１３が形成されている。
【００４１】
図２（Ｂ）に示すように、パターン幅補正部２は、レイアウトパターン１０の外郭線１１を距離Ｌ１ほど内側にスライドするとともに、外郭線１２を距離Ｌ２ほど外側にスライドする。これにより、外郭線１１ａ，１２ａが形成され、レイアウトパターン１０に対し、幅に関するＯＰＣが行われる。これと同時に、角１３には、微細な凸部１３ａが副産物として形成される。凸部１３ａは、外郭線１１ａに平行なエッジ（外郭線）１３ｂが、外郭線１１ａより外側に突出した形状であり、その幅及び高さは、それぞれＬ２，Ｌ１に等しい。
【００４２】
次いで、凹凸消去部４は、パターン幅補正部２から、幅に関するＯＰＣを行った後のレイアウトパターン１０を取得するとともに、外郭線１１，１２それぞれの移動方向及び移動量Ｌ１，Ｌ２を取得する。そして、凹凸消去部４は、取得したレイアウトパターン１０から、幅がＬ２であり、かつ高さがＬ１である略長方形の凸部を検出することにより、凸部１３ａを検出する。具体的には、凹凸消去部４は、取得したレイアウトパターン１０から、内角９０°の角を両端それぞれに持ち、かつ長さがＬ２に等しいエッジ（外郭線）を検出し、さらに、検出したエッジから、両端の一方に繋がっているいずれかの辺（外郭線）の長さがＬ１に等しいものを選択する。これにより、凹凸消去部４は、エッジ１３ｂ及び凸部１３ａを検出することができる。
【００４３】
次いで、図２（Ｃ）に示すように、凹凸消去部４は、凸部１３ａのエッジ１３ｂを、外郭線１１ａに繋がる位置まで、内側に平行にスライドさせる。これにより、レイアウトパターン１０の端部から凸部１３ａが消去される。
【００４４】
このように、第１の動作によれば、幅に関するＯＰＣにより、レイアウトパターン１０の端部の角に凸部１３ａが形成されても、この凸部１３ａを消去することができる。従って、精度が高いＯＰＣを行うことができる。
【００４５】
次に、図３を参照して、レイアウトパターン補正装置の第２の動作について説明する。図３の各図は、レイアウトパターン補正装置が行う第２のＯＰＣを、レイアウトパターンの形状の変化によって示す図である。
【００４６】
図３（Ａ）は、パターン幅補正部２が取得する設計段階のレイアウトパターンを模式的に示す図である。この図は、レイアウトパターン１０の端部を示している。この端部には、外郭線１１，１２によって内角が９０°の角１３が形成されている。
【００４７】
図３（Ｂ）に示すように、パターン幅補正部２は、レイアウトパターン１０の外郭線１１，１２それぞれを距離Ｌ３，Ｌ４ほど外側にスライドし、外郭線１１ａ，１２ａを形成する。これにより、レイアウトパターン１０に対し、幅に関するＯＰＣが行われるが、それと同時に、角１３には、副産物として微細な凹部１４が形成される。凹部１４は、外郭線１１ａに平行なエッジ（外郭線）１４ａが、外郭線１１ａより内側にスライドした形状であり、その幅及び深さは、それぞれＬ４，Ｌ３に等しい。
【００４８】
次いで、凹凸消去部４は、パターン幅補正部２から、幅に関するＯＰＣを行った後のレイアウトパターン１０を取得するとともに、外郭線１１，１２それぞれの移動方向及び移動量Ｌ３，Ｌ４を取得する。そして、凹凸消去部４は、取得したレイアウトパターン１０から、幅がＬ４であり、かつ深さがＬ３である略長方形の凹部を検出することにより、凹部１４を検出する。具体的には、凹凸消去部４は、取得したレイアウトパターン１０から、内角９０°，２７０°の角を両端それぞれに持ち、かつ長さがＬ４に等しいエッジ（外郭線）を検出し、さらに、検出したエッジから、内角２７０°の角に繋がっている辺（外郭線）の長さがＬ３に等しいものを選択する。これにより、凹凸消去部４は、エッジ１４ａ及び凹部１４を検出することができる。
【００４９】
次いで、図３（Ｃ）に示すように、凹凸消去部４は、凹部１４のエッジ１４ａを、外郭線１１ａに繋がる位置まで、外側に平行にスライドさせる。これにより、レイアウトパターン１０の端部から凹部１４が消去される。
【００５０】
このように、第２の動作によれば、幅に関するＯＰＣにより、レイアウトパターン１０の端部の角に凹部１４が形成されても、この凹部１４を消去することができる。従って、精度が高いＯＰＣを行うことができる。
【００５１】
次に、図４を参照して、レイアウトパターン補正装置の第３の動作について説明する。図４の各図は、レイアウトパターン補正装置が行う第３のＯＰＣを、レイアウトパターンの形状の変化によって示す図である。
【００５２】
図４（Ａ）は、パターン幅補正部２が取得する設計段階のレイアウトパターンを模式的に示す図である。この図は、レイアウトパターン２０が折れ曲がっている部分を示している。この折れ曲がっている部分には、外郭線２１，２２によって内角が略２７０°の角２３が形成されている。
【００５３】
図４（Ｂ）に示すように、パターン幅補正部２は、レイアウトパターン２０の外郭線２１，２２それぞれを距離Ｌ５，Ｌ６ほど内側にスライドし、外郭線２１ａ，２２ａを形成する。これにより、レイアウトパターン２０に対し、幅に関するＯＰＣが行われるが、それと同時に、角２３には、副産物として微細な凸部２３ａが形成される。凸部２３ａは、外郭線２２ａに平行なエッジ（外郭線）２３ｂが、外郭線２２ａより外側にスライドした形状であり、その幅及び高さは、それぞれＬ５，Ｌ６に等しい。
【００５４】
次いで、凹凸消去部４は、パターン幅補正部２から、幅に関するＯＰＣを行った後のレイアウトパターン２０を取得するとともに、外郭線２１，２２それぞれの移動方向及び移動量Ｌ５，Ｌ６を取得する。そして、凹凸消去部４は、取得したレイアウトパターン２０から、幅がＬ５であり、かつ高さがＬ６である略長方形の凹部を検出することにより、凸部２３ａを検出する。具体的には、凹凸消去部４は、取得したレイアウトパターン２０から、内角９０°，２７０°の角を両端それぞれに持ち、かつ長さがＬ５に等しいエッジ（外郭線）を検出し、さらに、検出したエッジから、内角９０°の端に繋がっている辺（外郭線）の長さがＬ６に等しいものを選択する。これにより、凹凸消去部４は、エッジ２３ｂ及び凸部２３ａを検出することができる。
【００５５】
次いで、図４（Ｃ）に示すように、凹凸消去部４は、凸部２３ａのエッジ２３ｂを、外郭線２２ａに繋がる位置まで、内側に平行にスライドさせる。これにより、レイアウトパターン２０の端部から凸部２３ａが消去される。
【００５６】
このように、第２の動作によれば、幅に関するＯＰＣにより、レイアウトパターン２０の折れ曲がり部分の内側の角に凸部２３ａが形成されても、この凸部２３ａを消去することができる。従って、精度が高いＯＰＣを行うことができる。
【００５７】
次に、図５を参照して、レイアウトパターン補正装置の第４の動作について説明する。図５の各図は、レイアウトパターン補正装置が行う第４のＯＰＣを、レイアウトパターンの形状の変化によって示す図である。
【００５８】
図５（Ａ）は、パターン幅補正部２が取得する設計段階のレイアウトパターンを模式的に示す図である。この図は、レイアウトパターン２０が折れ曲がっている部分を示している。この折れ曲がっている部分には、外郭線２１，２２によって内角が略２７０°の角２３が形成されている。
【００５９】
そして、図５（Ｂ）に示すように、パターン幅補正部２は、レイアウトパターン２０に対し、外郭線２１を距離Ｌ７ほど外側に移動するとともに、外郭線２２をＬ８ほど内側にスライドする。これにより、外郭線２１ａ，２２ａが形成され、レイアウトパターン２０に対し、幅に関するＯＰＣが行われるが、それと同時に、角２３には、副産物である微細な凹部２４が形成される。凹部２４は、外郭線２１ａに平行なエッジ（外郭線）２４ａが、外郭線２１ａより内側にスライドした形状であり、その幅及び深さは、それぞれＬ８，Ｌ７に等しい。
【００６０】
次いで、凹凸消去部４は、パターン幅補正部２から、幅に関するＯＰＣを行った後のレイアウトパターン２０を取得するとともに、外郭線２１，２２それぞれの移動方向及び移動量Ｌ７，Ｌ８を取得する。そして、凹凸消去部４は、取得したレイアウトパターン２０から、角に位置し、幅がＬ８であり、かつ深さがＬ７である略長方形の凹部を検出することにより、凹部２４を検出する。具体的には、凹凸消去部４は、取得したレイアウトパターン２０から、内角２７０°の角を両端に持ち、かつ長さがＬ８に等しいエッジ（外郭線）を検出し、さらに、検出したエッジから、いずれかの端に繋がっている辺（外郭線）の長さがＬ７に等しいものを選択する。これにより、凹凸消去部４は、エッジ２４ａ及び凹部２４を検出する。
【００６１】
次いで、図５（Ｃ）に示すように、凹凸消去部４は、凹部２４のエッジ２４ａを、外郭線２１ａに繋がる位置まで、外側に平行にスライドさせる。これにより、レイアウトパターン２０の端部から凹部２４が消去される。
【００６２】
このように、第２の動作によれば、幅に関するＯＰＣにより、レイアウトパターン２０の折れ曲がり部分の内側の角に凹部２４が形成されても、この凹部２４を消去することができる。従って、精度が高いＯＰＣを行うことができる。
【００６３】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の実施形態に係るレイアウトパターン補正装置の機能を示すブロック図。
【図２】（Ａ）は設計段階のレイアウトパターンを模式的に示す図、（Ｂ）は、レイアウトパターン補正装置が行う第１のＯＰＣを説明するための図、（Ｃ）は（Ｂ）の次の処理を説明するための図。
【図３】（Ａ）は設計段階のレイアウトパターンを模式的に示す図、（Ｂ）は、レイアウトパターン補正装置が行う第２のＯＰＣを説明するための図、（Ｃ）は（Ｂ）の次の処理を説明するための図。
【図４】（Ａ）は設計段階のレイアウトパターンを模式的に示す図、（Ｂ）は、レイアウトパターン補正装置が行う第３のＯＰＣを説明するための図、（Ｃ）は（Ｂ）の次の処理を説明するための図。
【図５】（Ａ）は設計段階のレイアウトパターンを模式的に示す図、（Ｂ）は、レイアウトパターン補正装置が行う第４のＯＰＣを説明するための図、（Ｃ）は（Ｂ）の次の処理を説明するための図。
【図６】（Ａ）は従来のＯＰＣの一例を説明するための図、（Ｂ）は、（Ａ）に示した処理によって形成された微細凹部を消去する従来の方法を説明する図。
【図７】（Ａ）は、従来のＯＰＣの一例を説明するための図、（Ｂ）は、従来方法では、（Ａ）で形成された微細凹部が消去されないことを説明する図。
【符号の説明】
【００６５】
２…パターン幅補正部、２ａ…ＯＰＣルールＤＢ、４…凹凸消去部、１０，２０，１００，１１０…レイアウトパターン、１１，１１ａ，１２、１２ａ，２１，２１ａ，２２，２２ａ，１０１，１０１ａ，１０１ｂ，１０２，１０２ａ，１０２ｂ，１０３，１０３ａ，１０４，１０４ａ，１１１，１１１ａ，１１１ｂ，１１２，１１２ａ，１１２ｂ，１１３，１１３ａ…外郭線、１３，２３，１１４…角、１３ａ，２３ａ…凸部、１３ｂ，１４ａ，２３ｂ，２４ａ…エッジ、１４，２４…凹部、１０５，１１４ａ…微細凹部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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