(57)【要約】【課題】  ＯＬＥＤ表示パネルのダウンサイズ化を図れると共に高信頼性を確保でき、しかも装置の稼働率の向上を図れ、ランニングコストも削減できる極めて生産性・コスト性に秀れた有機ＥＬ素子の製造装置を提供ことである。【解決手段】  基板11上に陽極12ａと、少なくとも一層以上の有機材料層を積層して成る有機発光層12ｂと、陰極12ｃとを順次積層して形成される発光部12上に、この発光部12を封止する封止膜13を形成して成る有機ＥＬ素子の製造装置であって、前記封止膜13を基板11の略全面に積層成膜する封止膜形成機構と、基板11上に積層された封止膜13若しくは有機材料層の一部にイオンビームを照射して、この基板11上の封止膜13若しくは有機材料層の一部を除去する薄膜除去機構とを備えたものである。【選択図】      図５
2006134825.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に陽極と、少なくとも一層以上の有機材料層を積層して成る有機発光層と、陰極とを順次積層して形成される発光部上に、この発光部を封止する封止膜を形成して成る有機ＥＬ素子の製造装置であって、前記封止膜を基板の略全面に積層成膜する封止膜形成機構と、基板上に積層された封止膜若しくは有機材料層の一部にイオンビームを照射して、この基板上の封止膜若しくは有機材料層の一部を除去する薄膜除去機構とを備えたことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造装置。
【請求項２】
前記薄膜除去機構は、前記陽極及び陰極の端子部上に積層された封止膜の一部若しくは全部にイオンビームを照射して、この端子部上の封止膜を除去することで、前記端子部を露出せしめる給電用開口部を形成するように構成したことを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ素子の製造装置。
【請求項３】
前記薄膜除去機構は、前記陽極の端子部上若しくは前記基板表面上に積層された有機材料層の一部若しくは全部にイオンビームを照射して、この端子部上若しくは基板表面上の有機材料層を除去することで、前記端子部を露出せしめる給電用開口部若しくは基板表面を露出せしめる接着用開口部を形成するように構成したことを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ素子の製造装置。
【請求項４】
前記薄膜膜除去機構は、イオンビームを発生するイオンビーム源と、このイオンビーム源若しくは前記基板を駆動してイオンビーム源からのイオンビームを封止膜若しくは有機材料層の所定部位に照射せしめる駆動部とを有し、このイオンビーム源のガス種として、Ａｒ，Ｎ２などの不活性ガスまたはＯｘ（酸素，オゾン），ＣＦｘなどのエッチングガスを採用したことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子の製造装置。
【請求項５】
前記薄膜除去機構は、イオンビームとして集束ビームを採用し、封止膜若しくは有機材料層を除去すべき部分のみを集束ビームで描画加工することで封止膜若しくは有機材料層を除去するように構成したことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子の製造装置。
【請求項６】
前記封止膜形成機構は、一若しくは複数層の有機膜または一若しくは複数層の無機膜或いは一若しくは複数の無機膜と有機膜とを夫々積層して成る積層膜を基板上に成膜するように構成したことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子の製造装置。
【請求項７】
前記発光部上に積層成膜した封止膜の周縁部へイオンビームを照射することで閉塞する封止周縁部閉塞機構を備えたことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子の製造装置。
【請求項８】
前記封止膜は、前記イオンビームが照射される周縁部のみに熱硬化性成分を含有させて成膜された有機膜若しくは前記周縁部のみに成膜される前記熱硬化性成分を含有する有機膜若しくは基板前面全てに渡って熱硬化性成分を含有させて成膜された有機膜を含むことを特徴とする請求項７記載の有機ＥＬ素子の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ素子の製造装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の有機ＥＬ素子（以下、ＯＬＥＤという。）は、以下のような手順で作製されている。
【０００３】
（１）ガラス基板上にスパッタ法若しくは蒸着法でアノード電極用ＩＴＯのような透明導電薄膜を成膜し、フォトリソプロセスを経てアノード電極配線パターンを形成する。
【０００４】
（２）メタルマスクを使用し正孔注入層（ＣｕＰｃ）、正孔輸送層（α−ＮＰＤ）、発光層（Ａｌｑ３＋ドーパント）、電子輸送層（Ａｌｑ３）、電子注入層（ＬｉＦ）を順次成膜して複数の有機材料層を積層して成る有機発光層を形成した後、更にカソード電極形成用メタルマスクを用いて金属薄膜（Ａｌ，Ａｌ／Ｌｉ，Ｍｎ，Ｍｎ／Ａｇ…ｅｔｃ．）を成膜し、カソード電極配線パターンを形成して発光部を形成する。
【０００５】
（３）上記（１）及び（２）のプロセスを経た素子（発光部）上に、無機膜の単層若しくは積層、有機膜の単層若しくは積層または無機膜及び有機膜の積層膜から成る封止膜を成膜する。この場合、図１，２に図示したように、端子部ＡをメタルマスクＢ等で遮蔽し、この端子部Ａに封止膜Ｃが成膜されないようにして給電用端子を形成する必要がある。尚、図中符号Ｄは基板、Ｅは発光部である。
【０００６】
また、何らかの理由でメタルマスクで遮蔽できない場合には、所謂半導体若しくはＴＦＴのフォトリソプロセスの手法を応用する必要がある。
【０００７】
上述のＯＬＥＤへの給電用端子形成手法としては、現在はシャドーマスク法が一般的である。シャドーマスクの材料としては、シリコン、セラミック、ガラス等と熱膨張係数が近い日本冶金製のＮＡＳ４２（４２％Ｎｉ−Ｆｅ合金）や低膨張係数のＮＡＳ（３６％Ｎｉ−Ｆｅ合金）やＳＵＳ４３０等が採用されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ＯＬＥＤの信頼性能確保のためには、大気中の酸素及び水分の影響を防ぐために、有機層と腐食性の高いカソード電極層を封止膜で完全に被覆する必要がある。この際、有機層及びカソード電極層よりも封止層を十分に大きくすればデバイス性能は確保できるが、デバイスの素子面積が大きくなってしまうという問題点が生じる。
【０００９】
従って、デバイスの性能が維持できる最適な封止面積を選択する必要がある。この際、シャドーマスクを利用してＯＬＥＤへの給電端子部の形成をする場合には、マスクのアライメントが必要になる。更に、ＯＬＥＤ表示装置を携帯用等の表示パネルとして実装するためには、表示部以外の面積は出来る限り小さくしたいという要求がある。そのため、マスクアライメント精度を高め、設計余裕度を最小限に抑える必要が生じてくるが、コスト高となるのは避けられない。
【００１０】
また、封止膜として、無機層と有機層とを交互に複数層成膜する場合には、有機層用のメタルマスクや無機層用のマスクが必要になる。更に量産ラインではマスクに有機物が付着するため、自動交換機構も必要になる。そして、無機層と有機層との組み合わせを複数層形成する場合には、多数の予備マスクが必要となり、非常に複雑で高コストの設備になってしまう。しかも、メタルマスクは定期的に交換洗浄する必要があり、ランニングコストも非常に高くなってしまうという問題が発生する。
【００１１】
このような封止膜成膜時にメタルマスクを使用することによる問題点を解決するためには、封止成膜工程ではメタルマスクを使用しないプロセスを採用すれば良い。
【００１２】
例えば半導体デバイスやＴＦＴデバイスで一般的に採用されている最終パシベーション膜成膜後のフォトリソプロセスによる端部引き出し工程を適用すれば良い。しかし、この工程には、レジスト塗布、レジスト露光、レジスト現像、エッチング、レジスト剥離洗浄と５工程が必要となる。更に、レジスト現像及びレジスト剥離洗浄工程においてはウェット工程があり、ＯＬＥＤ製造プロセスには不適切な工程であると同時に非常に高コストプロセスとなってしまうという問題が生じる。
【００１３】
更に、封止膜が積層構造で、しかも、有機層と無機層とから成る場合には、エッチング工程において、ドライの場合にはエッチングガス、ウェットの場合にはエッチング液を交換する必要があり、積層数が多くなればなるほどプロセスは一層複雑化する。
【００１４】
ところで、上記有機発光層を構成する有機材料層として、高分子ＥＬ材料を採用した場合、この高分子ＥＬ材料は、例えばスピンコート法等の塗布法により基板に塗布することで成膜される。従って、前記有機材料層は基板全体に塗布されることになる。
【００１５】
そのため、従来は、前記有機材料層によって隠蔽された電極の端子部若しくは封止層を基板に接着するための封止接着部を露出せしめるべく、これらの部位に塗布された有機材料層をレーザ加工により除去している。
【００１６】
しかし、この場合、レーザー加工装置を用いる必要があるため、装置コストが非常に高くなってしまうという問題がある。
【００１７】
本発明は、上述のような現状に鑑み、マスクを用いて予め給電用開口部を有する封止膜を成膜するのではなく、また、フォトリソプロセスやレーザ加工を用いることもなく、例えばイオンビーム加工法を用いて端子部上の封止膜のみを除去して給電用開口部を形成するもので、ＯＬＥＤ表示パネルのダウンサイズ化を図れると共に高信頼性を確保でき、しかも装置の稼働率の向上を図れ、ランニングコストも削減できる極めて生産性・コスト性に秀れた有機ＥＬ素子の製造装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
添付図面を参照して本発明の要旨を説明する。
【００１９】
基板11上に陽極12ａと、少なくとも一層以上の有機材料層を積層して成る有機発光層12ｂと、陰極12ｃとを順次積層して形成される発光部12上に、この発光部12を封止する封止膜13を形成して成る有機ＥＬ素子の製造装置であって、前記封止膜13を基板11の略全面に積層成膜する封止膜形成機構と、基板11上に積層された封止膜13若しくは有機材料層の一部にイオンビームを照射して、この基板11上の封止膜13若しくは有機材料層の一部を除去する薄膜除去機構とを備えたことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造装置に係るものである。
【００２０】
また、前記薄膜除去機構は、前記陽極12ａ及び陰極12ｂの端子部14上に積層された封止膜13の一部若しくは全部にイオンビームを照射して、この端子部14上の封止膜13を除去することで、前記端子部14を露出せしめる給電用開口部15ａ・15ｂを形成するように構成したことを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ素子の製造装置に係るものである。
【００２１】
また、前記薄膜除去機構は、前記陽極12ａの端子部14上若しくは前記基板11表面上に積層された有機材料層の一部若しくは全部にイオンビームを照射して、この端子部14上若しくは基板11表面上の有機材料層を除去することで、前記端子部14を露出せしめる給電用開口部16若しくは基板11表面を露出せしめる接着用開口部17を形成するように構成したことを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ素子の製造装置に係るものである。
【００２２】
また、前記薄膜膜除去機構は、イオンビームを発生するイオンビーム源18と、このイオンビーム源18若しくは前記基板を駆動してイオンビーム源18からのイオンビームを封止膜13若しくは有機材料層の所定部位に照射せしめる駆動部とを有し、このイオンビーム源18のガス種として、Ａｒ，Ｎ２などの不活性ガスまたはＯｘ（酸素，オゾン），ＣＦｘなどのエッチングガスを採用したことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子の製造装置に係るものである。
【００２３】
また、前記薄膜除去機構は、イオンビームとして集束ビームを採用し、封止膜13若しくは有機材料層を除去すべき部分のみを集束ビームで描画加工することで封止膜13若しくは有機材料層を除去するように構成したことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子の製造装置に係るものである。
【００２４】
また、前記封止膜形成機構は、一若しくは複数層の有機膜または一若しくは複数層の無機膜或いは一若しくは複数の無機膜と有機膜とを夫々積層して成る積層膜を基板11上に成膜するように構成したことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子の製造装置に係るものである。
【００２５】
また、前記発光部12上に積層成膜した封止膜13の周縁部へイオンビームを照射することで閉塞する封止周縁部閉塞機構を備えたことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子の製造装置に係るものである。
【００２６】
また、前記封止膜13は、前記イオンビームが照射される周縁部のみに熱硬化性成分を含有させて成膜された有機膜若しくは前記周縁部のみに成膜される前記熱硬化性成分を含有する有機膜若しくは基板前面全てに渡って熱硬化性成分を含有させて成膜された有機膜を含むことを特徴とする請求項７記載の有機ＥＬ素子の製造装置に係るものである。
【発明の効果】
【００２７】
本発明は、上述のように構成したから、ＯＬＥＤ表示パネルのダウンサイズ化を図れると共に高信頼性を確保でき、しかも装置の稼働率の向上を図れ、ランニングコストも削減できる極めて生産性・コスト性に秀れた有機ＥＬ素子の製造装置となる。
【００２８】
また、請求項２〜６記載の発明においては、本発明を一層容易に実現できる一層生産性に秀れたものとなる。
【００２９】
また、請求項７，８記載の発明においては、封止膜による封止作用を一層高めることができるより一層生産性に秀れたものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
好適と考える本発明の実施形態（発明をどのように実施するか）を、図面に基づいて本発明の作用を示して簡単に説明する。
【００３１】
基板11上に、例えばＩＴＯから成る陽極12ａ（アノード電極）と、正孔注入層（ＣｕＰｃ），正孔輸送層（α−ＮＰＤ），発光層（Ａｌｑ３＋ドーパント），電子輸送層（Ａｌｑ３），電子注入層（ＬｉＦ）等の一若しくは複数の有機材料（低分子材料）層から成る有機発光層12ｂと、Ａｌから成る陰極12ｃ（カソード電極）とを順次成膜して成る発光部12上に、この発光部12を封止する封止膜13を成膜する。
【００３２】
この際、マスクを用いずに発光部12の略全面に封止膜13を成膜して、例えば陽極12ａ及び陰極12ｂの端子部14上の封止膜13のみにイオンビームを照射することで、封止膜13を部分的に除去し、この端子部14を露出せしめる給電用開口部15ａ・15ｂを形成する。
【００３３】
即ち、従来のようにマスクを用いて、給電用開口部を有する封止膜を成膜するのではなく、発光部12上の略全面に成膜した封止膜13の一部を除去することで給電用開口部15ａ・15ｂを形成するから、マスクが不要となり、マスクを用いる際の不都合、即ち、従来必要であったマスクのアライメント機構や、多数の予備マスクや、マスクの自動交換機構等は一切必要なくなり、極めてコスト安となり、しかも、マスクを定期的に交換洗浄する必要もないから、メンテナンス性にも秀れたものとなる。
【００３４】
また、封止膜13を除去して給電用開口部15ａ・15ｂを形成するのと同様にして、例えば有機発光層12ｂを形成する有機材料層を除去して、陽極12ａの端子部14を露出せしめる給電用開口部16や基板11表面を露出せしめる接着用開口部17を形成することもできる。
【００３５】
また、有機ＥＬ素子の更なる高密度化・高解像度化を図るためには、発光部12（表示部）以外の面積を可及的に小さくする必要があるが、マスクを用いる場合、上述のマスクのアライメント機構の更なる高精度化は非常にコスト高となるため実現は難しく、ある程度の誤差を見越して余裕をもって発光部同志の間隔を設定しなければならなかったが、本発明によれば、マスクのアライメントは必要ないため、上述のような問題は一切なく、発光部12以外の面積を可及的に小さくすることができ、更なる高密度化・高解像度化を実現できることになる。
【００３６】
また、フォオリソプロセスと異なり、極めて簡易な工程でウェット工程も必要ないから、素子の劣化を阻止できるのは勿論、極めてコスト安に封止膜13を成膜できることになる。
【００３７】
更に、レーザー加工と異なり、高価なレーザー加工装置を備える必要がないから、それだけコスト安となり、装置コストの上昇を抑えながら生産性を向上させることが可能となる。
【００３８】
また、例えば、前記発光部12上に積層成膜した封止膜13の周縁部をイオンビームを照射することで閉塞する封止周縁部閉塞機構を備えた場合、例えば、前記封止膜13は、前記イオンビームが照射される周縁部のみに熱硬化性成分を含有させて成膜された有機膜若しくは前記周縁部のみに成膜される前記熱硬化性成分を含有する有機膜若しくは基板前面全てに渡って熱硬化性成分を含有させて成膜された有機膜を含むように設定することで、封止周縁部を一層確実に閉塞して封止膜13による封止作用を一層高めることができ、それだけ高品質のＯＬＥＤを提供できることになる。
【実施例】
【００３９】
本発明の具体的な実施例について図面に基づいて説明する。
【００４０】
本実施例は、図５に図示したようなフラットパネルディスプレイ製造装置に本発明を適用したものである。
【００４１】
例えば図５に示すように、フォトリソグラフィー法により形成されたアノード配線ＩＴＯ電極が形成されたガラス基板11を仕込み室に収納し、真空排気を行う。次にゲートバルブを開け、前記ガラス基板11を、真空排気されたプラズマ洗浄室に移動し、酸素ガス等を導入し、高周波により酸素プラズマを生成し、表面処理を行う。次に真空排気された有機成膜室１に前記ガラス基板11を移動し、正孔注入層を蒸着成膜する、更に真空排気された各々の有機成膜室（２〜４）に前記ガラス基板11を移動し、赤、緑、青各々の発光層を成膜する。更に、真空排気された有機成膜室５に前記ガラス基板11を移動し、電子輸送層を蒸着成膜する。
【００４２】
更に真空排気された成膜室６で電子注入層を蒸着成膜し、真空排気された金属電極蒸着室でカソード配線電極膜を成膜する。
【００４３】
次に真空排気若しくは窒素置換された薄膜封止室に前記ガラス基板11を移動し、封止膜13を成膜する。
【００４４】
この薄膜封止室にはスパッタリング法若しくは真空蒸着法により封止膜13を成膜する封止膜形成機構が設けられており、この封止膜形成機構により、一若しくは複数層の有機膜または一若しくは複数層の無機膜或いは一若しくは複数の無機膜と有機膜とを夫々積層して成る積層膜を基板11の略全面に成膜する（図３参照）。
【００４５】
無機膜としては、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ2），シリコンナイトライド（ＳｉＮ，ＳｉＯＮ），アルミナ（ＡｌＯX）等が採用される。また、有機膜としては、エポキシ系，ポリイミド系，アクリル系，シリコーン系の、熱硬化型若しくはＵＶ硬化型または熱硬化及びＵＶ硬化併用型の樹脂等が採用される。
【００４６】
次にイオンビーム加工室１に前記ガラス基板11を移動し、イオンビームにより端子部14上の封止膜13を除去し、陽極給電用端子開口部15ａ及び陰極給電用開口部15ｂを形成する。図７にイオンビームで封止膜13を除去した時の素子の断面を示す。具体的には、イオンビーム加工室１に設けられる薄膜除去機構は、イオンビームとして集束ビームを採用し、封止膜13を除去すべき部分のみを集束ビームで描画加工することで封止膜13を除去するように構成している。
【００４７】
イオンビーム加工室１には薄膜除去機構としての、イオンビームを照射するイオンビーム源18と、前記基板11を駆動してイオンビーム源18からのイオンビームを前記端子部14上の封止膜13の所定部位に照射せしめる駆動部としての、基板11が載置されるＸ，Ｙステージとを有するイオンビーム加工装置が設けられており、イオンビーム源18のガス種としては、Ａｒ，Ｎ２などの不活性ガスまたはＯｘ（酸素，オゾン），ＣＦｘなどのエッチングガスを採用する。尚、本実施例においては、基板11を駆動する駆動部を設けた構成としているが、イオンビーム源18を駆動する駆動部を設けた構成としても良い。
【００４８】
具体的には、前記薄膜除去機構は、前記成膜機構によって成膜された複数層の無機膜若しくは複数層の有機膜或いは一若しくは複数の無機膜と有機膜とを夫々積層して成る積層膜にイオンビームを照射して複数層を一括除去し得るように構成している。即ち、積層膜を一層ずつ除去する必要なく、最適な同一加工条件を選定することにより、イオンビームの照射条件を変更する必要なく積層膜から成る封止膜を除去できるため、一の工程で簡易に且つ効率的に封止膜13を除去して給電用開口部15ａ・15ｂを形成できることになる。図４は本発明のイオンビーム加工法を用いて、素子の給電用開口部15を加工した部分を基板11の上面から見た図である。
【００４９】
尚、本実施例においては、薄膜除去機構として、封止膜を除去する封止膜除去機構を採用しているが、有機材料層の一部にイオンビームを照射して、この基板11上の有機材料層の一部を除去する有機材料層除去機構を採用しても良い。図８に有機材料層をイオンビーム法で加工した時の素子の断面を示す。この場合、例えばスピンコート法等の適宜な塗布法により基板11全面に塗布された有機材料層の一部を除去して、前記端子部14を露出せしめる給電用開口部16若しくは基板11表面を露出せしめる接着用開口部17を形成することができる。
【００５０】
また、本実施例においては、前記発光部12上に積層成膜した封止膜13の周縁部にイオンビームを照射することで閉塞する封止周縁部閉塞機構を備えたイオンビーム加工室２を設けた構成としている。
【００５１】
この場合、前記封止膜13が、前記イオンビームが照射される周縁部のみに熱硬化性成分を含有させて成膜された有機膜若しくは前記周縁部のみに成膜される前記熱硬化性成分を含有する有機膜を含むように、前記封止膜形成機構を設定する。
【００５２】
以上、前記実施例についての有機成膜は低分子有機材料を想定し、真空蒸着法について説明した。
【００５３】
その他の実施例として高分子有機ＥＬ材料の有機成膜については、インクジェット法を利用してもよい。
【００５４】
また、更に高分子有機材料をスピン塗布法、スプレー法を利用する場合には、真空排気若しくは真空置換された乾燥室を追加したり、有機成膜をイオンビーム加工室でパターン形成する実施例も考えられる。
【００５５】
その他の実施例として、基板を各処理室に搬送する機構を有する搬送室の周囲に、仕込み室、プラズマ洗浄室、有機成膜室、スパッター室、ＣＶＤ室、金属電極蒸着室、薄膜封止室及び排出室を有するフラットパネルディスプレイ製造装置において、有機成膜室、スパッター室、ＣＶＤ室、金属電極蒸着室、薄膜封止室のうちの少なくともいずれか一台以上の処理室と、一台又は、複数台のイオンビーム加工室とを一体化したフラットパネルディスプレイ製造装置としている。
【００５６】
また、前記搬送室の周囲若しくは前記搬送室の搬送方向に沿った位置に前記処理室を配設すると共に前記イオンビーム加工室を配設している。
【００５７】
また、前記有機成膜室は有機材料或いは金属材料を抵抗加熱、電子ビーム加熱、高周波誘導加熱等の蒸着源加熱手段及び高分子有機材料をインクジェット法、スピン塗布法、スクリーン印刷を含む各種印刷法若しくはスプレー印刷法を用いて成膜する手段を有し、スパッター室は、有機材料或いは絶縁材料をコンベンショナル、マグネトロン、イオンビーム、ＥＣＲ等のスパッタリング法を用いて成膜する手段を有し、ＣＶＤ室は金属材料及び絶縁材料を減圧、常圧、プラズマ法を用いて成膜する手段を有し、金属電極蒸着室は金属材料を抵抗加熱、電子ビーム加熱、高周波誘導加熱等の蒸着源加熱手段を有する。
【００５８】
また、薄膜封止室は、大気雰囲気と遮断することにより、大気雰囲気中の水及び酸素が直接有機ＥＬ素子表面と接触することを防止する機能を有する封止膜を付加する手段を有し、前記イオンビーム加工室は、透明導電膜、有機発光膜、金属電極膜、酸化シリコン、窒化シリコン、アルミナ等のセラミック膜をイオンビームにて加工する手段を有する。
【００５９】
本実施例では、基板を前記各処理室に搬送する機構を有する前記搬送室の周囲に仕込み室、プラズマ洗浄室、有機成膜室１、有機成膜室２、有機成膜室３、陰極金属蒸着室、イオンビーム加工室、薄膜封止室及び排出室を設けた構成としている。
【００６０】
また、前記基板を前記各処理室に搬送する機構を有する前記搬送室の周囲に、仕込み室、プラズマ洗浄室、スパッター室（透明導電膜形成）、有機成膜室１、有機成膜室２、有機成膜室３、金属電極蒸着室、薄膜封止室、イオンビーム加工室及び排出室を設けた構成としても良い。
【００６１】
また、基板を各処理室に搬送する機構を有する搬送室の周囲に仕込み室、プラズマ洗浄室、スパッター室（透明導電膜形成）、有機成膜室１、有機成膜室２、有機成膜室３、金属電極蒸着室、薄膜封止室、イオンビーム加工室及び排出室を設けた構成としても良い。
【００６２】
また、基板を各処理室に搬送する機構を有する搬送室の周囲に、仕込み室、プラズマ洗浄室、スパッター室（透明導電膜形成）、イオンビーム加工室及び排出室を設けた構成としても良い。
【００６３】
前記仕込み室が前記排出室を兼ねる場合は、仕込む室のみでも良い。
【００６４】
また、有機成膜室を三室としても良いし、一室で兼用しても良く、もちろん四室以上にしても良い。
【００６５】
また、本実施例では、搬送室の周囲に各処理室とイオンビーム加工室を配設（通称クラスター方式）したが、搬送室の搬送方向に順次各処理室とイオンビーム加工室を縦列（通称インライン方式）した構成としても良い。
【００６６】
尚、本実施例においては、上述のように給電用開口部を形成する場合について説明しているが、基板表面を露出させるための接着用開口部を形成する場合も同様である。
【００６７】
本実施例は上述のように構成したから、メタルマスクを用いず封止膜を成膜した後に、そのＯＬＥＤ表示装置の給電端子部を、イオンビーム加工手法を用いて形成することにより、パネルのダウンサイズ化と高信頼性を確保できるＯＬＥＤの製造が可能になる。例えば、ＯＬＥＤを製造することを目的とするクラスター型フラットパネルディスプレイ製造装置にイオンビーム加工室（封止膜除去機構）と封止薄膜室（封止膜成膜機構）とを設けることにより、高精度、高密度、高性能のＯＬＥＤの製造が可能になる。
【００６８】
また、封止膜形成機構にメタルマスクを使用しないことにより、メタルマスクの交換機構、アライメント機構、メタルマスク及び蒸着トレイ等の移動機構が不要になり、装置は非常に簡略化する。そのため、装置コストの低減、トラブル及びメンテナンス頻度の低減により装置稼働率の向上が図れる。
【００６９】
更に、メタルマスクコストの削減、メタルマスク及び装着トレイの削減、これらの洗浄工程の削減とランニングコストも大幅に削減することが可能になる。
【００７０】
また、封止膜が積層構造の場合でも、イオンビーム加工の場合には、異種積層材料毎にガス種を変更することなく最適な同一加工条件を選定することにより、給電端子部の封止膜開口加工が可能となる。
【００７１】
また、封止膜の周縁部をイオンビームを照射することで閉塞するように構成すれば、この封止膜の封止作用を一層良好にすることができ、この封止膜により封止された発光部の劣化は可及的に阻止されることになる。
【００７２】
従って、本実施例は、前記有機ＥＬ素子を単に安価に且つ効率良く製造できるだけでなく、極めて高品質で商品価値の高いＯＬＥＤ表示装置を製造できることになる。
【００７３】
本発明は、本実施例に限られるものではなく、各構成要件の具体的構成は適宜設計し得るものである。
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】従来例の封止膜形成法の概略説明図である。
【図２】従来例の有機ＥＬ素子の概略説明図である。
【図３】本実施例の封止膜形成法の概略説明図である。
【図４】本実施例の有機ＥＬ素子の端子部の拡大概略説明図である。
【図５】フラットパネルディスプレイ製造装置のクラスター方式での一例を示す概略構成説明図である。
【図６】フラットパネルディスプレイ製造装置のインライン方式での一例を示す概略構成説明図である。
【図７】イオンビーム加工装置の一例を示す概略説明図である。
【図８】イオンビーム加工装置の一例を示す概略説明図である。
【符号の説明】
【００７５】
11  基板
12  発光部
12ａ  陽極
12ｂ  有機発光層
12ｃ  陰極
13  封止膜
14  端子部
15ａ・15ｂ  給電用開口部
16  給電用開口部
17  接着用開口部
18  イオンビーム源
【図１】
2006134825.tif 000003
【図２】
2006134825.tif 000004
【図３】
2006134825.tif 000005
【図４】
2006134825.tif 000006
【図５】
2006134825.tif 000007
【図６】
2006134825.tif 000008
【図７】
2006134825.tif 000009
【図８】
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