(57)【要約】 【課題】  発光素子駆動回路部からの放熱の影響を極力防止しつつ、発光素子の放熱を効果的に行うことができるピックアップ装置および記録再生装置を提供する。【解決手段】  抑え板６のうち、発光素子駆動回路部領域付近部９に対応する第１領域１０と、発光素子領域付近部８に対応する第２領域１１との間にスリット１２を形成し、このスリット１２によって、第１、第２領域１０，１１間を熱伝導的に粗結合とし、発熱量の多い発光素子駆動回路部５の熱を、発光素子領域付近部８に極力影響を与えないように放熱する【選択図】      図１
2006107684.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に対して情報の記録、再生および消去の少なくともいずれか１つを可能とするピックアップ装置であって、
発光素子と、
発光素子を駆動するための発光素子駆動回路部と、
発光素子および発光素子駆動回路部に電気的に接続される配線基板と、
これら発光素子、発光素子駆動回路部および配線基板を搭載するハウジングと、
配線基板のうち少なくとも発光素子が配設される発光素子領域付近部と、発光素子駆動回路部が配設される発光素子駆動回路部領域付近部とを、ハウジングに一体に抑える抑え板であって、発光素子領域付近部、発光素子駆動回路部領域付近部間の熱の移動を阻止する熱移動阻止手段が形成される抑え板とを備えることを特徴とするピックアップ装置。
【請求項２】
熱移動阻止手段は、抑え板のうち、発光素子駆動回路部領域付近部に対応する第１領域と、発光素子領域付近部に対応する第２領域との間に形成されるスリットによって実現されることを特徴とする請求項１に記載のピックアップ装置。
【請求項３】
熱移動阻止手段は、抑え板のうち、発光素子駆動回路部領域付近部に対応する第１領域の熱放射率が、発光素子領域付近部に対応する第２領域の熱放射率よりも大となるように構成されることを特徴とする請求項１または２に記載のピックアップ装置。
【請求項４】
熱移動阻止手段は、抑え板のうち第１領域と第２領域とで異なる表面処理を施すことによって実現されることを特徴とする請求項３に記載のピックアップ装置。
【請求項５】
熱移動阻止手段は、抑え板のうち第１領域の表面部に塗装を施すことによって実現されることを特徴とする請求項３に記載のピックアップ装置。
【請求項６】
熱移動阻止手段は、抑え板のうち、発光素子駆動回路部領域付近部に対応する第１領域の面積と、発光素子領域付近部に対応する第２領域の面積とを相違させ、第１領域の放熱効率が第２領域の放熱効率よりも大となるように構成されることを特徴とする請求項１または２に記載のピックアップ装置。
【請求項７】
記録媒体に対して情報の記録、再生および消去の少なくともいずれか１つを可能とするピックアップ装置であって、
発光素子と、
発光素子を駆動するための発光素子駆動回路部と、
発光素子および発光素子駆動回路部に電気的に接続される配線基板と、
これら発光素子、発光素子駆動回路部および配線基板を搭載するハウジングと、
配線基板のうち発光素子駆動回路部が配設される発光素子駆動回路部領域付近部を、ハウジングに抑える第１の抑え板と、
配線基板のうち発光素子が配設される発光素子領域付近部を、ハウジングに抑える第２の抑え板とを備え、
前記第１の抑え板の熱放射率が、第２の抑え板の熱放射率よりも大となるように構成されることを特徴とするピックアップ装置。
【請求項８】
第１の抑え板と第２の抑え板とで異なる表面処理を施すことによって、第１の抑え板の熱放射率が、第２の抑え板の熱放射率よりも大となるように構成されることを特徴とする請求項７に記載のピックアップ装置。
【請求項９】
第１の抑え板の表面部に塗装を施すことによって、第１の抑え板の熱放射率が、第２の抑え板の熱放射率よりも大となるように構成されることを特徴とする請求項７に記載のピックアップ装置。
【請求項１０】
第１の抑え板と第２の抑え板とで異なる材質を適用することによって、第１の抑え板の熱放射率が、第２の抑え板の熱放射率よりも大となるように構成されることを特徴とする請求項７に記載のピックアップ装置。
【請求項１１】
記録媒体に対して情報の記録、再生および消去の少なくともいずれか１つを可能とするピックアップ装置であって、
発光素子と、
発光素子を駆動するための発光素子駆動回路部と、
発光素子および発光素子駆動回路部に電気的に接続される配線基板と、
これら発光素子、発光素子駆動回路部および配線基板を搭載するハウジングと、
配線基板のうち発光素子駆動回路部が配設される発光素子駆動回路部領域付近部を、ハウジングに抑え、かつ、配線基板のうち発光素子が配設される発光素子領域付近部を、前記ハウジングに抑えることを回避する抑え板とを備え、
前記発光素子駆動回路部領域付近部を抑える抑え板の熱放射率が、配線基板のうち、発光素子が配設される発光素子領域付近部の熱放射率よりも大となるように構成されることを特徴とするピックアップ装置。
【請求項１２】
ハウジングには、発光素子と発光素子駆動回路部とが離隔した対極位置となるように配設されることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１つに記載のピックアップ装置。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか１つに記載のピックアップ装置を含む記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、たとえば光ディスク媒体に記録された情報を読み出したり、情報を光ディスク媒体に記録するためのピックアップ装置および記録再生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ディスク等の記録媒体に対して、光学的に信号の読み取り、あるいは書き込みを行う光ピックアップ装置が実用に供されている。この光ピックアップ装置は、主に、複数の光学部品とハウジングと配線基板とから構成されている。複数の光学部品は、記録媒体に対して情報を記録または再生するための処理光を出射する発光素子を含む。ハウジングには、前記複数の光学部品が搭載される。配線基板は、発光素子および発光素子駆動回路に電気的に接続される。
【０００３】
光ピックアップ装置内部の発熱源として、発光素子である半導体レーザー、発光素子駆動回路としての半導体集積回路（略称ＩＣ）および１つの光学部品である対物レンズを駆動する２軸アクチュエータのコイル等がある。
【０００４】
これらの発熱源のうち半導体レーザーは、光ピックアップ装置の光源として不可欠な部品であり、特に光ディスクに情報を記録するタイプのＣＤ−Ｒ、ＭＯ、ＤＶＤ−Ｒ等に使用するものは、光出力が大きく、動作時に大量の熱を発生する。この動作時に発生した熱は、半導体素子としての効率を悪化させるだけでなく、部品寿命をも短縮させてしまう。それ故、適当な放熱手段を講じて素子の温度の上昇を抑制する必要がある（たとえば特許文献１，２参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−２３３０２４号公報
【特許文献２】特開２０００−２４２９５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
発光素子および発光素子駆動回路の両者の放熱手段として、たとえばピックアップ装置のハウジングに熱的に結合させ、ハウジングを通じて外部へ放熱させる技術が公知である。しかしこの技術では、発光素子よりも発熱量の多い発光素子駆動回路からの放熱が、熱容量の限られたハウジングを通じて発光素子側のハウジングの温度を上昇させ、発光素子からの放熱効率を下げてしまうことがある。
【０００７】
本発明の目的は、発光素子駆動回路部からの放熱の影響を極力防止しつつ、発光素子の放熱を効果的に行うことができるピックアップ装置および記録再生装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、記録媒体に対して情報の記録、再生および消去の少なくともいずれか１つを可能とするピックアップ装置であって、
発光素子と、
発光素子を駆動するための発光素子駆動回路部と、
発光素子および発光素子駆動回路部に電気的に接続される配線基板と、
これら発光素子、発光素子駆動回路部および配線基板を搭載するハウジングと、
配線基板のうち少なくとも発光素子が配設される発光素子領域付近部と、発光素子駆動回路部が配設される発光素子駆動回路部領域付近部とを、ハウジングに一体に抑える抑え板であって、発光素子領域付近部、発光素子駆動回路部領域付近部間の熱の移動を阻止する熱移動阻止手段が形成される抑え板とを備えることを特徴とするピックアップ装置である。
【０００９】
本発明に従えば、発光素子駆動回路部は発光素子を駆動する。発光素子および発光素子駆動回路部には、配線基板が電気的に接続されている。ハウジングには、発光素子、発光素子駆動回路部および配線基板が搭載される。配線基板の発光素子領域付近部と発光素子駆動回路部領域付近部とは、抑え板によってハウジングに一体に抑えられる。発光素子領域付近部とは、配線基板のうち発光素子が配設される領域付近部であり、発光素子駆動回路部領域付近部とは、配線基板のうち発光素子駆動回路部が配設される領域付近部である。
【００１０】
発光素子駆動回路部からの放熱は、主に発光素子駆動回路部を電気的に接続した配線基板と、この配線基板を抑えるつまり密着させる抑え板とによって、ピックアップ装置外部に放熱させる。一方、発光素子からの放熱は、主にハウジングを通じてピックアップ装置外部へ放熱させる。つまり抑え板には、発光素子領域付近部、発光素子駆動回路部領域付近部間の熱の移動を阻止する熱移動阻止手段が形成される。この熱移動阻止手段によって、放熱経路の主体を分けることが可能となる。
【００１１】
また本発明は、熱移動阻止手段は、抑え板のうち、発光素子駆動回路部領域付近部に対応する第１領域と、発光素子領域付近部に対応する第２領域との間に形成されるスリットによって実現されることを特徴とする。
【００１２】
本発明に従えば、熱移動阻止手段はスリットによって実現される。このスリットは、抑え板のうち、発光素子駆動回路部領域付近部に対応する第１領域と、発光素子領域付近部に対応する第２領域との間に形成される。
【００１３】
また本発明は、熱移動阻止手段は、抑え板のうち、発光素子駆動回路部領域付近部に対応する第１領域の熱放射率が、発光素子領域付近部に対応する第２領域の熱放射率よりも大となるように構成されることを特徴とする。
【００１４】
本発明に従えば、抑え板のうち第１領域の熱放射率が、第２領域の熱放射率よりも大となることで、放熱経路の違いをさらに際立たせることができる。
【００１５】
また本発明は、熱移動阻止手段は、抑え板のうち第１領域と第２領域とで異なる表面処理を施すことによって実現されることを特徴とする。
【００１６】
本発明に従えば、抑え板のうち第１領域と第２領域とで異なる表面処理を施すことによって、第１領域の熱放射率が第２領域の熱放射率よりも大となることを実現している。
【００１７】
また本発明は、熱移動阻止手段は、抑え板のうち第１領域の表面部に塗装を施すことによって実現されることを特徴とする。
【００１８】
本発明に従えば、抑え板のうち第１領域の表面部に塗装を施すことによって、第１領域の熱放射率が第２領域の熱放射率よりも大となることを実現している。
【００１９】
また本発明は、熱移動阻止手段は、抑え板のうち、発光素子駆動回路部領域付近部に対応する第１領域の面積と、発光素子領域付近部に対応する第２領域の面積とを相違させ、第１領域の放熱効率が第２領域の放熱効率よりも大となるように構成されることを特徴とする。
【００２０】
本発明に従えば、抑え板のうち第１領域の面積と、第２領域の面積とを相違させて、第１領域の放熱効率を第２領域の放熱効率よりも大となるように高めている。それ故、放熱経路の違いをさらに際立たせることができる。
【００２１】
また本発明は、記録媒体に対して情報の記録、再生および消去の少なくともいずれか１つを可能とするピックアップ装置であって、
発光素子と、
発光素子を駆動するための発光素子駆動回路部と、
発光素子および発光素子駆動回路部に電気的に接続される配線基板と、
これら発光素子、発光素子駆動回路部および配線基板を搭載するハウジングと、
配線基板のうち発光素子駆動回路部が配設される発光素子駆動回路部領域付近部を、ハウジングに抑える第１の抑え板と、
配線基板のうち発光素子が配設される発光素子領域付近部を、ハウジングに抑える第２の抑え板とを備え、
前記第１の抑え板の熱放射率が、第２の抑え板の熱放射率よりも大となるように構成されることを特徴とするピックアップ装置である。
【００２２】
本発明に従えば、第１の抑え板は、発光素子駆動回路部領域付近部をハウジングに抑える。第２の抑え板は、発光素子領域付近部をハウジングに抑える。このように発熱源となる領域付近部に応じて、別体の第１および第２の抑え板を対応させているうえ、第１の抑え板の熱放射率が、第２の抑え板の熱放射率よりも大となるように構成されることで、両領域付近部の熱的結合を粗結合とすることができる。
【００２３】
また本発明は、第１の抑え板と第２の抑え板とで異なる表面処理を施すことによって、第１の抑え板の熱放射率が、第２の抑え板の熱放射率よりも大となるように構成されることを特徴とする。
【００２４】
本発明に従えば、第１の抑え板と第２の抑え板とで異なる表面処理を施す。これによって、第１の抑え板の熱放射率を、第２の抑え板の熱放射率よりも大となるように高めている。
【００２５】
また本発明は、第１の抑え板の表面部に塗装を施すことによって、第１の抑え板の熱放射率が、第２の抑え板の熱放射率よりも大となるように構成されることを特徴とする。
【００２６】
本発明に従えば、第１の抑え板の表面部に塗装を施すことによって、第１の抑え板の熱放射率を、第２の抑え板の熱放射率よりも大となるように高めている。
【００２７】
また本発明は、第１の抑え板と第２の抑え板とで異なる材質を適用することによって、第１の抑え板の熱放射率が、第２の抑え板の熱放射率よりも大となるように構成されることを特徴とする。
【００２８】
本発明に従えば、第１の抑え板と第２の抑え板とで異なる材質を適用することによって、第１の抑え板の熱放射率を、第２の抑え板の熱放射率よりも大となるように高めている。
【００２９】
また本発明は、記録媒体に対して情報の記録、再生および消去の少なくともいずれか１つを可能とするピックアップ装置であって、
発光素子と、
発光素子を駆動するための発光素子駆動回路部と、
発光素子および発光素子駆動回路部に電気的に接続される配線基板と、
これら発光素子、発光素子駆動回路部および配線基板を搭載するハウジングと、
配線基板のうち発光素子駆動回路部が配設される発光素子駆動回路部領域付近部を、ハウジングに抑え、かつ、配線基板のうち発光素子が配設される発光素子領域付近部を、前記ハウジングに抑えることを回避する抑え板とを備え、
前記発光素子駆動回路部領域付近部を抑える抑え板の熱放射率が、配線基板のうち、発光素子が配設される発光素子領域付近部の熱放射率よりも大となるように構成されることを特徴とするピックアップ装置である。
【００３０】
本発明に従えば、発光素子駆動回路部は、発光素子を駆動する。配線基板は、発光素子および発光素子駆動回路部に電気的に接続される。ハウジングは、発光素子、発光素子駆動回路部および配線基板を搭載する。抑え板は、配線基板の発光素子駆動回路部領域付近部をハウジングに抑える。前記抑え板は、配線基板の発光素子領域付近をハウジングに抑えることを回避する。発光素子駆動回路部領域付近部を抑える抑え板の熱放射率を、配線基板の発光素子領域付近部の熱放射率よりも大となるように高めることで、放熱経路の違いを際立たせることができる。
【００３１】
また本発明は、ハウジングには、発光素子と発光素子駆動回路部とが離隔した対極位置となるように配設されることを特徴とする。
【００３２】
本発明に従えば、他よりも発熱量の多い発光素子駆動回路部の熱を、発光素子領域付近部にできるだけ影響を与えないように放熱することができる。
【００３３】
また本発明は、前記ピックアップ装置を含む記録再生装置である。
本発明に従えば、このようなピックアップ装置を含む記録再生装置を実現することができる。
【発明の効果】
【００３４】
本発明によれば、発光素子駆動回路部からの放熱は、主に発光素子駆動回路部を電気的に接続した配線基板と、この配線基板を抑えるつまり密着させる抑え板とによって、ピックアップ装置外部に放熱させる。一方、発光素子からの放熱は、主にハウジングを通じてピックアップ装置外部へ放熱させる。つまり抑え板には、発光素子領域付近部、発光素子駆動回路部領域付近部間の熱の移動を阻止する熱移動阻止手段が形成される。この熱移動阻止手段によって、放熱経路の主体を分けることが可能となる。したがってピックアップ装置において、発光素子よりも発熱量の多い発光素子駆動回路部からの熱を、発光素子領域付近部に影響を与えないように放熱することができる。換言すれば、前記発熱量の多い発光素子駆動回路部からの熱が、熱容量の限られたハウジングを通じて発光素子領域付近部に伝達することを回避し得る。それ故、発光素子の放熱効率が下がることを防止することができる。つまり発光素子駆動回路部からの放熱の影響を極力防止しつつ、発光素子の放熱を効果的に行うことができる。
【００３５】
また本発明によれば、熱移動阻止手段はスリットによって実現される。このスリットは、抑え板のうち、発光素子駆動回路部領域付近部に対応する第１領域と、発光素子領域付近部に対応する第２領域との間に形成される。前記スリットによって、第１、第２領域間を熱伝導的に粗結合とし、発熱量の多い発光素子駆動回路部の熱を、発光素子領域付近部に極力影響を与えないように放熱することができる。
【００３６】
また本発明によれば、抑え板のうち第１領域の熱放射率が、第２領域の熱放射率よりも大となることで、放熱経路の違いをさらに際立たせることができる。したがって発光素子の放熱効率を一層高めることが可能となる。
【００３７】
また本発明によれば、抑え板のうち第１領域と第２領域とで異なる表面処理を施すことによって、第１領域の熱放射率が第２領域の熱放射率よりも大となることを実現している。
【００３８】
また本発明によれば、抑え板のうち第１領域の表面部に塗装を施すことによって、第１領域の熱放射率が第２領域の熱放射率よりも大となることを実現している。
【００３９】
また本発明によれば、抑え板のうち第１領域の面積と、第２領域の面積とを相違させて、第１領域の放熱効率を第２領域の放熱効率よりも大となるように高めている。それ故、放熱経路の違いをさらに際立たせることができる。
【００４０】
また本発明によれば、第１の抑え板は、発光素子駆動回路部領域付近部をハウジングに抑える。第２の抑え板は、発光素子領域付近部をハウジングに抑える。このように発熱源となる領域付近部に応じて、別体の第１および第２の抑え板を対応させているうえ、第１の抑え板の熱放射率が、第２の抑え板の熱放射率よりも大となるように構成されることで、両領域付近部の熱的結合を粗結合とすることができる。
【００４１】
また本発明によれば、第１の抑え板と第２の抑え板とで異なる表面処理を施す。これによって、第１の抑え板の熱放射率を、第２の抑え板の熱放射率よりも大となるように高めている。したがって両領域付近部の熱的結合を粗結合とすることができる。
【００４２】
また本発明によれば、第１の抑え板の表面部に塗装を施すことによって、第１の抑え板の熱放射率を、第２の抑え板の熱放射率よりも大となるように高めている。したがって両領域付近部の熱的結合を粗結合とすることができる。
【００４３】
また本発明によれば、第１の抑え板と第２の抑え板とで異なる材質を適用することによって、第１の抑え板の熱放射率を、第２の抑え板の熱放射率よりも大となるように高めている。したがって両領域付近部の熱的結合を粗結合とすることができる。それ故、発熱量の多い発光素子駆動回路部の熱を、発光素子領域付近部に極力影響を与えることなく、その熱放射を促進することができる。
【００４４】
また本発明によれば、抑え板は、配線基板の発光素子駆動回路部領域付近部をハウジングに抑える。前記抑え板は、配線基板の発光素子領域付近をハウジングに抑えることを回避する。発光素子駆動回路部領域付近部を抑える抑え板の熱放射率を、配線基板の発光素子領域付近部の熱放射率よりも大となるように高めることで、放熱経路の違いを際立たせることができる。したがって発熱量の多い発光素子駆動回路部からの熱が、熱容量の限られたハウジングおよび抑え板を通じて発光素子領域付近部に伝達することを回避し得る。それ故、発光素子の放熱効率が下がることを防止することができる。
【００４５】
また本発明によれば、他よりも発熱量の多い発光素子駆動回路部の熱を、発光素子領域付近部にできるだけ影響を与えないように放熱することができる。
【００４６】
また本発明によれば、このような発光素子の放熱効率が下がることを防止し得るピックアップ装置を含む記録再生装置を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４７】
図１は、本発明の第１の実施形態に係るピックアップ装置１を概略示す分解斜視図である。本実施形態は、たとえば光ディスクへの情報の書き込みおよび光ディスクからの情報の読み出しを行う光ピックアップ装置に本発明を適用したものである。前記光ピックアップ装置は「ピックアップ装置」と同義であり、光ピックアップ装置を、単に「光ピックアップ」または「ピックアップ」という場合がある。
【００４８】
光ピックアップ装置１は、ハウジング２、発光素子３、配線基板４、発光素子駆動回路部５、抑え板６およびビス７等を含む。配線基板４は、可撓性を有する基板であって、発光素子３および発光素子駆動回路部５に電気的に接続される基板である。発光素子３としての半導体レーザーは、記録媒体である光ディスクに対して情報を記録または再生するための処理光を出射する機能を有する。この半導体レーザーを駆動するための発光素子駆動回路部５は、配線基板４に実装されている。ハウジング２には、これら半導体レーザー、発光素子駆動回路部５および配線基板４が搭載される。
【００４９】
前記配線基板４は、抑え板６によってハウジング２に抑えられるように構成されている。つまりハウジング２の側壁部には突起２ａが付設され、抑え板６には、前記突起２ａに係合可能な爪部６ａが形成されている。抑え板６のうち爪部６ａが形成される部分から離隔した部分に、ビス孔６ｂが形成されている。したがってハウジング２に配線基板４が配設され、抑え板６でもって配線基板４が抑えられるとともに爪部６ａが突起２ａに係合される。さらにビス７が、抑え板６のビス孔６ｂを通してハウジング２に螺着されることで、ハウジング２、配線基板４および抑え板６は一体化されている。これらを一体化した状態において、発光素子駆動回路部５は、ハウジング２と単に接触する程度とし、たとえば圧接またはシリコングリース等の塗布による積極的な熱伝導を行わせるようなことをしないように構成されている。
【００５０】
放熱経路について説明する。発光素子３からの熱は、組み付けられたハウジング２へ熱伝導させる。一方、発光素子駆動回路部５からの熱は、前記ハウジング２にも伝導するが、主に発光素子駆動回路部５の集積回路の底面から、実装された配線基板４に伝導され、さらにこの配線基板４に密着させる抑え板６に伝導する。抑え板６は、ピックアップ装置１外の空気との接触となり、ここで熱放射が行われる。
【００５１】
ここで熱移動の一般的説明を行う。そもそも熱の移動：熱エネルギの伝達には３つの形式がある。すなわち、(i)伝導、(ii)対流、(iii)放射である。(i)伝導は、熱の伝達が物体内の粒子の接触によって起こる場合であり、(ii)対流は、エネルギが流体粒子の巨視的な運動あるいは混合によって伝達される場合である。対流には、（１）自然対流または自由対流と（２）強制対流とがある。前記（１）の前者は、流体の運動の原因が温度差にもとづく流体の密度差にある場合で、前記（２）の後者は、機械的な原因により流体の運動が起こる場合である。(iii)また全ての物体はエネルギを波動として放射しあるいは吸収しており、この形式によって授受するエネルギが放射エネルギである。通常これらの３つの形式の中の２つあるいは３つが同時に共存して起こるのが普通である。
【００５２】
ピックアップの熱移動の形式について説明する。ピックアップ内は、体積が限られているので、その内部での対流はほとんど期待できず、熱移動の多くは伝導によるものである。一方ピックアップとその外側との間では、図示外のシャフト等の金属への熱伝導の他、空気に触れている部分での熱伝導は、空気の熱伝導率があまり低いので期待できないが、記録媒体である光ディスクの回転による風が発生し、強制対流が考えられる。またピックアップの表面部からの熱放射も熱の移動に寄与する。
【００５３】
熱放射についてさらに詳しく説明する。熱の放射は物体から発散する電磁波の一部であり、全ての物体は絶対零度でない限り熱放射線を発散し、たえず放射によって熱を失う。各物体表面がそれぞれ出した放射エネルギは他の物体表面に入射して吸収される。そして高温の物体は吸収するよりも余分の放射エネルギを出し、低温の物体は逆に放射エネルギを出すよりも吸収する方が多いので、結局放射により高温の物体から低温の物体へ熱が伝わるわけである。
【００５４】
放射能について説明する。単位表面積から単位時間に放射される全エネルギー（放射熱流束）Eを放射能という。放射エネルギのうち、単位波長幅dλあたりのエネルギEλは単色放射能とよばれ、これを全波長について積分したのが全放射能である。放射能Eは、その物体の温度と表面の性質によって定まり、周囲の物体の性質には関係しない。
【００５５】
放射率について説明する。ある一定温度においては、全ての物体の放射能の大きさには最大限度がある。それは完全黒体の放射能である。したがって任意の物体の放射能Eをあらわすのに、それと同じ温度の黒体の放射能EBに対する割合で表示した方が便利なことが多い。放射率は、放射能Eをそれと同じ温度の黒体の放射能EBで除すことによって求められる。ε＝E/EBこのεを放射率といい、完全黒体ではε＝１で、一般の物体ではε＜１である。
【００５６】
放射率の具体的な値について説明する。参考文献（たとえば「伝熱学」西川・藤田共著  理工学社）には、指定した温度に対するいろいろな物体の全放射率の平均値が表として掲げられている。それによれば、清浄な磨いた金属面の放射率の値は小さいが、酸化面や塗装により、大きい放射率の値をもたせることができる。
数値例）鋼(研磨面)：温度38℃以上260℃以下で放射率ε＝0.07〜0.10
鋼(酸化面)：温度260℃で放射率ε＝0.79
ペイント(白色)：温度38℃で放射率ε＝0.89〜0.97
ペイント(黒色)：温度38℃で放射率ε＝0.80〜0.93
【００５７】
図２は、第１の実施形態に係るピックアップ装置１の抑え板６の拡大斜視図である。図１も参照しつつ説明する。抑え板６は、少なくとも発光素子領域付近部８と発光素子駆動回路部領域付近部９とをハウジング２に一体に抑える機能を有する。前記発光素子領域付近部８は、配線基板４のうち発光素子３が配設される領域の付近部と同義である。前記発光素子駆動回路部領域付近部９は、配線基板４のうち発光素子駆動回路部５が配設される領域の付近部と同義である。
【００５８】
抑え板６のうち、発光素子駆動回路部領域付近部９に対応する第１領域１０と、発光素子領域付近部８に対応する第２領域１１との間には、スリット１２が形成されている。このスリット１２が熱移動阻止手段に相当する。抑え板６において、スリット１２は発光素子領域側に近い位置に形成されるうえ、抑え板６の延在方向および厚み方向に略直交する方向に沿って形成されている。前記略直交は直交を含む。このようなスリット１２が抑え板６に形成されているので、特に次のような効果を奏する。
【００５９】
発光素子駆動回路部５からの放熱は、主に発光素子駆動回路部５を電気的に接続した配線基板４と、該配線基板４に密着させる抑え板６とによって、ピックアップ１外部に熱放射で放熱させることができる。一方、発光素子３からの放熱は、主にハウジング２を通じてピックアップ１外部へ放熱させることができる。このように放熱経路の主体を分けることができる。したがって、発光素子３よりも発熱量の多い発光素子駆動回路部５からの熱を、発光素子領域付近部８に極力影響を与えないように放熱することができる。換言すれば、前記発熱量の多い発光素子駆動回路部５からの熱が、熱容量の限られたハウジング２を通じて発光素子領域付近部８に伝達することを回避し得る。それ故、発光素子３の放熱効率が下がることを防止することができる。つまり発光素子駆動回路部５からの放熱の影響を極力防止しつつ、発光素子３の放熱を効果的に行うことができる。
【００６０】
熱移動阻止手段はスリット１２によって実現され、このスリット１２によって、第１および第２領域１０，１１間を熱伝導的に粗結合とし、発熱量の多い発光素子駆動回路部５の熱を、発光素子領域付近部８に極力影響を与えないように放熱することができる。
【００６１】
図３は、本発明の第２の実施形態に係るピックアップ装置の抑え板６Ａの拡大斜視図である。ただし第１の実施形態の抑え板６と同一の部分には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。第２の実施形態では、抑え板６Ａにおいて、発光素子駆動回路部領域付近部９に対応する第１領域１０の表面部１０ａを酸化面にして、その熱放射率が第２領域１１の熱放射率よりも大となるように構成する。図３中の第１領域１０に示す斜線は、抑え板６Ａの第１領域１０の表面部１０ａに、酸化面とするような表面処理を施したことを示すものである。この表面処理を施した第１領域１０の表面部１０ａおよびスリット１２が熱移動阻止手段に相当する。このことにより、発熱量の多い発光素子駆動回路部５の熱をできるだけ発光素子領域付近部８に影響を与えないで、さらにその熱放射を促進することができる。その他第１の実施形態と同様の効果を奏する。
【００６２】
図４は、本発明の第３の実施形態に係るピックアップ装置の抑え板６Ｂの拡大斜視図である。ただし第１、第２の実施形態と同一の部材には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。第３の実施形態では、抑え板６Ｂにおいて、第１領域１０の表面部１０ａに塗装を施して、その熱放射率が第２領域１１の熱放射率よりも大となるように構成する。図４中の第１領域１０に示す横線１３は、抑え板６Ｂの第１領域１０の表面部１０ａに塗装を施したことを示すものである。この塗装を施した第１領域１０の表面部１０ａおよびスリット１２が熱移動阻止手段に相当する。このことにより、発熱量の多い発光素子駆動回路部５の熱をできるだけ発光素子領域付近部８に影響を与えないで、さらにその熱放射を促進することができる。抑え板６Ｂにおいて、塗装すべき表面部１０ａは、光沢があるよりも、つや消しの方が望ましい。これによって、熱放射を一層促進することが可能となる。その他第１の実施形態と同様の効果を奏する。
【００６３】
本発明の第４の実施形態に係るピックアップ装置の抑え板においては、第１領域１０の面積の方が第２領域１１の面積よりも大きくなるように構成する（図２参照）。これら第１および第２領域１０，１１の面積の大小関係およびスリット１２が熱移動阻止手段に相当する。このことにより、発熱量の多い発光素子駆動回路部５の熱をできるだけ発光素子領域付近部８に影響を与えないで、さらにその熱放射を促進することができる。その他第１の実施形態と同様の効果を奏する。
【００６４】
図５は、本発明の第５の実施形態に係るピックアップ装置１Ａを概略示す分解斜視図である。ただし第１〜第４のいずれかの実施形態と同一の部材には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。第５の実施形態に係るピックアップ装置１Ａは、ハウジング２、発光素子３、配線基板４、発光素子駆動回路部５、第１の抑え板１４、第２の抑え板１５およびビス７等を含む。
【００６５】
第１の抑え板１４は、配線基板４のうち発光素子駆動回路部５が配設される発光素子駆動回路部領域付近部９を抑えるものである。前記発光素子駆動回路部領域付近部９は、発光素子駆動回路部５の領域を含む付近部と同義である。第２の抑え板１５は、配線基板４のうち発光素子３が配設される発光素子領域付近部８を抑えるものである。前記発光素子領域付近部８は、発光素子３の領域を含む付近部と同義である。
【００６６】
発光素子駆動回路部５からの放熱は、主に発光素子駆動回路部５を電気的に接続した配線基板４と、それに密着させる配線基板４の第１の抑え板１４とによりピックアップ１Ａ外部に熱放射で放熱させる。一方、発光素子３からの放熱は、第２の抑え板１５とハウジング２とを通じてピックアップ１Ａ外部へ放熱させる。このように放熱経路を分けるので、発熱量の多い発光素子駆動回路部５の熱を、できるだけ発光素子領域付近部８に影響を与えないように放熱することができる。
【００６７】
本発明の第６の実施形態に係るピックアップ装置においては、前記第５の実施形態における第１の抑え板１４を、第２の抑え板１５と異なる表面処理または塗装を施して、その第１の抑え板１４の熱放射率が第２領域１１の熱放射率よりも大となるように構成する。
【００６８】
表面処理としては、（１）メッキ、（２）溶射および（３）酸化面等の表面処理がある。特に（２）の「溶射」は、メッキなどに比較して付着力が大きいので、取扱時の摩擦などによる損傷が防止できる。前記溶射は、金属溶射、金属酸化物溶射、金属酸化物溶射および金属炭化物溶射を含む。前記金属溶射は、たとえばアルミニウム、亜鉛、銅、ニッケル、クロム、コバルト、モリブデン、チタン、タンタル、タングステン、およびそれらの合金、またはステンレスによって実現される。前記金属酸化物溶射は、たとえばアルミニウム、ジルコニウム、クロム、チタンのいずれかの酸化物によって実現される。前記金属炭化物溶射は、クロム、チタン、タングステンのいずれかの炭化物によって実現される。
【００６９】
アルミニウム合金の表面処理技術として、熱放射率を良くするものには、（１）基材表面に陽極酸化処理により酸化皮膜を形成するもの。（２）基材表面に無電解Ｎｉめっき層を形成し、その上にエポキシ層を形成するもの。（３）基材表面にセラミック等の微粒子を分散させた無電解Ｎｉ分散めっき層を形成するもの。（４）基材表面に無電解黒色Ｎｉめっき層を形成するものなどがあるが、その他の特性についてたとえば、耐食性・プラズマ環境・コストなどに一長一短がある。
【００７０】
塗料の塗布方法としては、特に限定されないが、スプレー法、浸漬法および静電塗装法などの少なくともいずれか一つを用いることができる。塗料としては、セラミック塗料が望ましいが、たとえば、メラミン樹脂系塗料、アクリル樹脂系塗料、ポリエステル樹脂系塗料およびエポキシ樹脂系塗料などの少なくともいずれか一つを使用することができる。
【００７１】
前述のように、第１の抑え板１４を、第２の抑え板１５と異なる表面処理または塗装を施して、その第１の抑え板１４の熱放射率が第２領域１１の熱放射率よりも大となるように構成することによって、発熱量の多い発光素子駆動回路部５の熱を、できるだけ発光素子領域付近部８に影響を与えないで、さらにその熱放射を促進することができる。第１および第２の抑え板１４，１５において、塗装すべき表面部は、光沢があるよりも、つや消しの方が望ましい。これによって、熱放射を一層促進することが可能となる。その他第１の実施形態と同様の効果を奏する。
【００７２】
本発明の第７の実施形態に係るピックアップ装置においては、前記第５の実施形態における第１の抑え板１４と第２の抑え板１５とで異なる材質を適用することによって、第１の抑え板１４の熱放射率が、第２の抑え板１５の熱放射率よりも大となるように構成される。たとえば、第１の抑え板１４を鋼の酸化面にし、第２の抑え板１５をアルミニウムの酸化面にすることで、第１の抑え板１４の熱放射率はたとえば「０．７９」になるのに対し、第２の抑え板１５の熱放射率はたとえば「０．２０以上０．３３」以下となる。このように第１の抑え板１４の熱放射率を、第２の抑え板１５の熱放射率よりも大とする。
【００７３】
熱放射率は、材質の違いよりも表面処理のよる違いが主ですが、基材の材質の違いにより、採用できる表面処理の内容が異なったり、コストにより表面処理が異なったりして、結果としての熱放射率の違いが生じるため、材質の違いよる熱放射率の違いのようになる。
【００７４】
したがって第７の実施形態に係るピックアップ装置によれば、両領域付近部の熱的結合を粗結合とすることができる。それ故、発熱量の多い発光素子駆動回路部５の熱を、発光素子領域付近部８に極力影響を与えることなく、その熱放射を促進することができる。その他第１の実施形態と同様の効果を奏する。
【００７５】
本発明の第８の実施形態に係るピックアップ装置においては、図１および図２に示すように、ハウジング２には、発光素子３と発光素子駆動回路部５とが離隔した対極位置となるように配設される。したがって第８の実施形態に係るピックアップ装置によれば、他よりも発熱量の多い発光素子駆動回路部５の熱を、発光素子領域付近部８にできるだけ影響を与えないように放熱することができる。その他第１の実施形態と同様の効果を奏する。
【００７６】
ここで物体の放射率と吸収率とのあいだには一定の関係があり、熱放射に対するキルヒホッフの法則とよばれるものがある。すなわち「一定温度においては、すべての物体の単色放射能Eλと単色吸収率aλとの比は一定で、完全黒体のその温度における単色放射能EBλに等しい。このことを次式のように表すことができる。
Eλ/aλ＝EBλ
したがって、単色放射率ελ＝Eλ/ EBλと、単色吸収率aλとのあいだに次式が成立する。
ελ＝aλ
【００７７】
キルヒホッフの法則によれば、よく放射する物体ほどよく吸収することになる。よって、熱放射率の高いものを、ピックアップが記録再生装置内にて動作する際の移動範囲を含んだ領域において、ピックアップに対向する記録再生装置内の部分に、良好な熱放射率を有する材料を貼り付ければ、ピックアップからの熱放射を効率よく行うことができる。前記良好な熱放射率を有する材料の具体例は、たとえば無機系薄型シートに液体セラミック塗料を塗布したもの、または不織布（ポリプロピレンスパンボンド不織布、スパンボンド不織布）などがある。
【００７８】
なおセラミックは、遠赤外線の波長領域で高い放射率を有する物質、即ち、熱放射率の良好な物質であり、何らかの形でエネルギーを受けた場合、そのエネルギーを遠赤外線放射（熱放射）として熱力学の法則に従い二次的に放射する。遠赤外線放射は、物質の分子振動（伸縮、変角、回転）が、下のエネルギー準位へ「遷移」する際に、元のエネルギー準位との差分エネルギーとして分子から放出されるもので、途中の空気を暖めること無く一直線に被照射物体に到達し、被照射物体を発熱させる。
【００７９】
図６は、本発明の実施形態に係る記録再生装置１６を概略示す分解斜視図である。記録再生装置１６は、装置本体１７、第１〜第８の実施形態のいずれか１つのピックアップ装置１（１Ａ）、ターンテーブル１８、カバー部材１９およびビス２０を含む。装置本体１７のベース部分１７ａには、前記ピックアップ１（１Ａ）および図示外のメカニズム部分を覆うカバー部材１９が、ビス２０等を介して固着される。ターンテーブル１８は、記録媒体である光ディスクを載置支持するためのものである。
【００８０】
記録再生装置１６内において、ピックアップ１（１Ａ）の一部に臨むカバー部材１９の一表面部に、良好な熱吸収率（熱放射率）を有する材料２１を貼付するか、または塗装を施している。前記良好な熱吸収率（熱放射率）を有する材料２１の具体例としては、たとえば無機系薄型シートに液体セラミック塗料を塗布したもの、および不織布（ポリプロピレンスパンボンド不織布、スパンボンド不織布）などがある。前記ピックアップ１（１Ａ）の一部とは、ピックアップ１（１Ａ）が記録再生装置１６内にて動作する移動範囲を含む領域のうち、たとえば一方のシャフト２２に沿った領域部分である。これによってピックアップ１（１Ａ）からの熱放射を効率よく行うことができる。
【００８１】
本発明の実施の他の形態として、配線基板のうち発光素子駆動回路部が配設される発光素子駆動回路部領域付近部を、ハウジングに抑え、かつ、配線基板のうち発光素子が配設される発光素子領域付近部を、前記ハウジングに抑えることを回避する抑え板を備え、前記発光素子駆動回路部領域付近部を抑える抑え板の熱放射率が、配線基板のうち、発光素子が配設される発光素子領域付近部の熱放射率よりも大となるように構成してもよい。
【００８２】
この構成によれば、抑え板は、配線基板の発光素子駆動回路部領域付近部をハウジングに抑える。前記抑え板は、配線基板の発光素子領域付近をハウジングに抑えることを回避する。発光素子駆動回路部領域付近部を抑える抑え板の熱放射率を、配線基板の発光素子領域付近部の熱放射率よりも大となるように高めることで、放熱経路の違いを際立たせることができる。したがって発熱量の多い発光素子駆動回路部からの熱が、熱容量の限られたハウジングおよび抑え板を通じて発光素子領域付近部に伝達することを回避し得る。それ故、発光素子の放熱効率が下がることを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るピックアップ装置１を概略示す分解斜視図である。
【図２】第１の実施形態に係るピックアップ装置１の抑え板６の拡大斜視図である。
【図３】本発明の第２の実施形態に係るピックアップ装置の抑え板６Ａの拡大斜視図である。
【図４】本発明の第３の実施形態に係るピックアップ装置の抑え板６Ｂの拡大斜視図である。
【図５】本発明の第５の実施形態に係るピックアップ装置１Ａを概略示す分解斜視図である。
【図６】本発明の実施形態に係る記録再生装置１６を概略示す分解斜視図である。
【符号の説明】
【００８４】
１，１Ａ  ピックアップ装置
２  ハウジング
３  発光素子
４  配線基板
５  発光素子駆動回路部
６  抑え板
１０，１１  第１，第２領域
１２  スリット
【図１】
2006107684.tif 000003
【図２】
2006107684.tif 000004
【図３】
2006107684.tif 000005
【図４】
2006107684.tif 000006
【図５】
2006107684.tif 000007
【図６】
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