(57)【要約】【課題】蒸発源シャッタに堆積した蒸発材料の再蒸発を防止して輝尽性蛍光体層の厚さを均一にし、高感度かつ高鮮鋭な放射線画像変換パネルを製造する放射線画像変換パネルの製造装置及び放射線画像変換パネルの製造方法を提供する。【解決手段】真空容器３と、真空容器３内に設けられ、支持体２に蒸着させる輝尽性蛍光体を収容し、蒸気を発生させるるつぼ７，７と、るつぼ７，７に対向し支持体２を支持する支持体ホルダ４と、るつぼ７，７から発生する蒸気の蒸発領域１０を遮蔽するシャッタ板９，９を備えるるつぼシャッタ８，８とを備え、るつぼシャッタ８，８は、るつぼシャッタ８，８のるつぼ７，７に対向する側の温度がＴ、輝尽性蛍光体の融点がＭＰであるとき、Ｔ＜３／４×ＭＰ（式Ａ）となるように構成される。【選択図】図１
2006177704.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空容器と、
前記真空容器内に設けられ、支持体に蒸着させる蒸発材料を収容し、蒸気を発生させる蒸発源と、
前記蒸発源に対向し支持体を支持する支持体ホルダと、
前記蒸発源から発生する前記蒸気の蒸発領域を遮蔽するシャッタ板を備える蒸発源シャッタとを備え、
前記蒸発源シャッタは、前記蒸発源シャッタの前記蒸発源に対向する側の温度がＴ、蒸発材料の融点がＭＰであるとき、
Ｔ＜３／４×ＭＰ・・・（Ａ）
となるように構成されることを特徴とする放射線画像変換パネルの製造装置。
【請求項２】
前記蒸発源シャッタは、前記蒸発源から離間して配置されることを特徴とする請求項１に記載の放射線画像変換パネルの製造装置。
【請求項３】
前記蒸発源シャッタは、前記蒸発源シャッタを冷却する冷却機構を備えたことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の放射線画像変換パネルの製造装置。
【請求項４】
前記蒸着源は、前記真空容器内に複数配置され、前記蒸発源シャッタは、前記各蒸発源にそれぞれ備えられることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネルの製造装置。
【請求項５】
真空容器内において、蒸発源から蒸発する蒸発材料を支持体に蒸着させる蒸着工程と、
前記蒸発源から発生する前記蒸気の蒸発領域を遮蔽する蒸発源シャッタのシャッタ板を退避位置に移動させるシャッタ板移動工程とを備え、
前記蒸着工程は、前記蒸発源シャッタの前記蒸発源に対向する側の温度がＴ、蒸発材料の融点がＭＰであるとき、
Ｔ＜３／４×ＭＰ・・・（Ａ）
となるように前記蒸発源シャッタの温度を維持しながら行うことを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線画像変換パネルの製造装置及び放射線画像変換パネルの製造方法に係り、特に、輝尽性蛍光体層が形成された放射線画像変換パネルの製造装置及びこの放射線画像変換パネルの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、銀塩を使用しないで放射線画像を得る手段として、支持体上に輝尽性蛍光体層を形成した放射線画像変換パネルが開発されている。
【０００３】
放射線画像変換パネルは、被写体を透過した放射線を輝尽性蛍光体層に吸収させ、被写体各部の放射線透過密度に対応する放射線エネルギーを蓄積することができる。その後、可視光線、赤外線などの電磁波（励起光）によって輝尽性蛍光体を時系列的に励起することにより、輝尽性蛍光体中に蓄積されている放射線エネルギーを輝尽発光光として放出させる。そしてこの光の強弱による信号を、例えば光電変換して電気信号とし、ハロゲン化銀写真感光材料などの記録材料、ＣＲＴなどの表示装置上に可視像として再生することができる。
【０００４】
輝尽性蛍光体層が形成された放射線画像変換パネルを高感度かつ高鮮鋭なものとするためには、支持体上に輝尽性蛍光体層を柱状結晶化させることが必要であるが、近年、ＣｓＢｒなどのハロゲン化アルカリを母体とする輝尽性蛍光体層を蒸着法により形成すると非常に高感度の輝尽性蛍光体が得られることが報告されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
このように蒸着法により輝尽性蛍光体層を形成して放射線画像変換パネルを製造する製造装置としては、従来より、図４に示すような製造装置が知られている。すなわち、従来の製造装置は、真空容器２０を備えており、この真空容器２０の内部の上方に支持体２１を保持する支持体ホルダ２２を備え、真空容器２０の内部の底面付近に蒸発材料としての輝尽性蛍光体を収容する蒸発源２４，２４を備えている。蒸発源２４，２４は輝尽性蛍光体を加熱し蒸気を発生させ、所定の蒸発領域２３に拡散させるようになっている。また、一般に蒸発源２４，２４の上方であって蒸発源２４，２４に近接した位置には蒸発源２４，２４の開口を遮蔽するシャッタ板２６，２６を有する蒸発源シャッタ２５，２５が設けられており、蒸発源２４，２４の内部に収容される蒸発材料の表面に付着した蒸発材料以外の物質が蒸着の初期段階で蒸発し、支持体に付着するのを防ぐようになっている。さらに、このような放射線画像変換パネルの製造装置は、支持体ホルダ２２を回転させる支持体回転機構２７を備えており、この支持体回転機構２７によって支持体ホルダ２２に支持された支持体２１を回転させながら蒸発源２４，２４から発生した蒸気を支持体２１の上に蒸着させることによって支持体２１の上に輝尽性蛍光体層を形成するようになっている。
【特許文献１】特開２００１−２４９１９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
高感度、高鮮鋭性を両立させる放射線画像変換パネルを形成するためには、輝尽性蛍光体を支持体に均一に蒸着させて支持体上に形成される輝尽性蛍光体層の厚さを一定にすることが必要とされる。
【０００７】
しかしながら、従来、蒸発源の上方に設置される蒸発源シャッタは、支持体への不純物の付着等を適切に防止するため、蒸発源に近接して設けられるのが一般である。そして、蒸発源シャッタのシャッタ板等には蒸発源から蒸発し支持体に蒸着しなかった蒸発材料等が堆積する。
【０００８】
ここで、蒸着により形成される輝尽性蛍光体層の厚さが数千Å〜数μｍであれば、蒸着させる蒸発材料の量も比較的少ないため、蒸発源シャッタの温度が蒸発材料の融点近傍まで上昇することはない。このため、蒸発源シャッタを蒸発源に近接して設けても蒸発源を加熱した際にシャッタ板等に堆積した蒸発材料が再蒸発して支持板に付着することはほとんど考えられない。しかし、放射線画像変換パネルを製造する場合には、放射線の吸収量をできる限り大きくするために、広い面積にわたって蒸発材料を支持板に蒸着させ、数十〜数百μｍの厚さの輝尽性蛍光体層を形成しなければならない。このため、蒸発源から多量の蒸発材料を蒸発させる必要があり、蒸発源シャッタを蒸発源に近接して設けた場合には、蒸発源シャッタの温度が蒸発材料の融点近傍まで上昇することが起こりうる。そして、蒸発源シャッタの温度が蒸発材料の融点近傍まで上昇すると、シャッタ板等に堆積した蒸発材料が再蒸発して支持板に付着する支持板上に形成される輝尽性蛍光体層の均一性を低下させるという問題がある。
【０００９】
そこで、本発明は以上のような課題を解決すべくなされたものであり、蒸発源シャッタに堆積した蒸発材料の再蒸発を防止して輝尽性蛍光体層の厚さを均一にし、高感度かつ高鮮鋭な放射線画像変換パネルを製造する放射線画像変換パネルの製造装置及び放射線画像変換パネルの製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
このような問題を解決するため、請求項１に記載されている発明は、真空容器と、
前記真空容器内に設けられ、支持体に蒸着させる蒸発材料を収容し、蒸気を発生させる蒸発源と、
前記蒸発源に対向し支持体を支持する支持体ホルダと、
前記蒸発源から発生する前記蒸気の蒸発領域を遮蔽するシャッタ板を備える蒸発源シャッタとを備え、
前記蒸発源シャッタは、前記蒸発源シャッタの前記蒸発源に対向する側の温度がＴ、蒸発材料の融点がＭＰであるとき、
Ｔ＜３／４×ＭＰ・・・（Ａ）
となるように構成されることを特徴としている。
【００１１】
このような構成を有する請求項１に記載の発明は、蒸発源から発生する蒸気の蒸発領域を遮蔽する蒸発源シャッタの蒸発源に対向する側の温度がＴ、蒸発材料の融点がＭＰであるとき、蒸発源シャッタの温度Ｔが蒸発材料の融点ＭＰの３／４以下の温度となるようになっている。
【００１２】
請求項２に記載されている発明は、請求項１に記載の放射線画像変換パネルの製造装置において、前記蒸発源シャッタは、前記蒸発源から離間して配置されることを特徴としている。
【００１３】
このような構成を有する請求項２に記載の発明は、蒸発源シャッタを蒸発源から離間し、蒸発源シャッタの温度Ｔが蒸発材料の融点ＭＰの３／４以下の温度となる位置に配置するようになっている。
【００１４】
請求項３に記載されている発明は、請求項１又は請求項２に記載の放射線画像変換パネルの製造装置において、前記蒸発源シャッタは、前記蒸発源シャッタを冷却する冷却機構を備えたことを特徴としている。
【００１５】
このような構成を有する請求項３に記載の発明は、蒸発源シャッタは、冷却機構によって蒸発源シャッタの温度Ｔが蒸発材料の融点ＭＰの３／４以下の温度となるように冷却されるようになっている。
【００１６】
請求項４に記載されている発明は、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の放射線画像変換パネルの製造装置において、前記蒸着源は、前記真空容器内に複数配置され、前記蒸発源シャッタは、前記各蒸発源にそれぞれ備えられることを特徴としている。
【００１７】
このような構成を有する請求項４に記載の発明は、蒸着源が真空容器内に複数配置されている場合、各蒸発源にそれぞれ蒸発源シャッタが設けられるようになっている。
【００１８】
請求項５に記載されている発明は、真空容器内において、蒸発源から蒸発する蒸発材料を支持体に蒸着させる蒸着工程と、
前記蒸発源から発生する前記蒸気の蒸発領域を遮蔽する蒸発源シャッタのシャッタ板を退避位置に移動させるシャッタ板移動工程とを備え、
前記蒸着工程は、前記蒸発源シャッタの前記蒸発源に対向する側の温度がＴ、蒸発材料の融点がＭＰであるとき、
Ｔ＜３／４×ＭＰ・・・（Ａ）
となるように前記蒸発源シャッタの温度を維持しながら行うことを特徴としている。
【００１９】
このような構成を有する請求項５に記載の発明は、蒸発源から発生する蒸気の蒸発領域を遮蔽する蒸発源シャッタの蒸発源に対向する側の温度がＴ、蒸発材料の融点がＭＰであるとき、蒸発源シャッタの温度Ｔが蒸発材料の融点ＭＰの３／４以下の温度となるようになっている。
【発明の効果】
【００２０】
蒸着を繰り返すうちに蒸発源シャッタのシャッタ板等には蒸発材料が付着、堆積していくが、請求項１に記載された発明によれば、蒸発源シャッタの温度が蒸発材料の融点の３／４の温度以下に保たれるため、蒸発源が加熱されることによってシャッタ板等に付着、堆積した蒸発材料が溶融することはほとんどなく、シャッタ板等からの再蒸発を生じることもない。このため、輝尽性蛍光体層を均一に形成することができ、輝度及び鮮鋭性にばらつきのない高精度の放射線画像変換パネルを製造することができるという効果を奏する。
【００２１】
請求項２に記載された発明によれば、蒸発源シャッタの温度が蒸発材料の融点の３／４の温度以下となる位置まで蒸発源シャッタを蒸発源から離して配置する。このため、蒸発源が加熱されることによってシャッタ板等に付着、堆積した蒸発材料が溶融することはほとんどなく、シャッタ板等からの再蒸発を生じることもない。このため、輝尽性蛍光体層を均一に形成することができ、輝度及び鮮鋭性にばらつきのない高精度の放射線画像変換パネルを製造することができるという効果を奏する。
【００２２】
請求項３に記載された発明によれば、冷却機構によって蒸発源シャッタの温度が蒸発材料の融点の３／４の温度以下となるように冷却するので、蒸発源が加熱されることによってシャッタ板等に付着、堆積した蒸発材料が溶融することはほとんどなく、シャッタ板等からの再蒸発を生じることもない。このため、輝尽性蛍光体層を均一に形成することができ、輝度及び鮮鋭性にばらつきのない高精度の放射線画像変換パネルを製造することができるという効果を奏する。
【００２３】
請求項４に記載された発明によれば、蒸着源が真空容器内に複数配置されている場合、各蒸発源にそれぞれ蒸発源シャッタが設けられるので、蒸着源を複数設けた場合でも蒸発源から蒸着の初期段階で蒸発材料の表面に付着した目的物以外の物質が蒸発し、支持体に付着すること等を防止することができる。また、蒸発源シャッタの温度が蒸発材料の融点の３／４の温度以下に保たれるため、蒸発源が加熱されることによってシャッタ板等に付着、堆積した蒸発材料が溶融することはほとんどなく、シャッタ板等からの再蒸発を生じることもない。これにより、輝尽性蛍光体層を均一に形成することができ、輝度及び鮮鋭性にばらつきのない高精度の放射線画像変換パネルを製造することができるという効果を奏する。
【００２４】
蒸着を繰り返すうちにシャッタ板等には蒸発材料が付着、堆積していくが、請求項５に記載された発明によれば、蒸発源シャッタの温度が蒸発材料の融点の３／４の温度以下に保たれるため、蒸発源が加熱されることによってシャッタ板等に付着、堆積した蒸発材料が溶融することはほとんどなく、シャッタ板等からの再蒸発を生じることもない。このため、輝尽性蛍光体層を均一に形成することができ、輝度及び鮮鋭性にばらつきのない高精度の放射線画像変換パネルを製造することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、図１を参照しつつ、本発明に係る放射線画像変換パネルの製造装置及び放射線画像変換パネルの製造方法の第一の実施形態について説明する。
【００２６】
本実施の形態において、放射線画像変換パネルの製造装置１は、シート状の支持体２の表面に真空蒸着によって輝尽性蛍光体層を形成し放射線画像変換パネルを製造するものであり、図１に示すように、真空容器３を備えている。真空容器３には、図示しない真空ポンプが接続されており、この真空ポンプが内部の排気を行うことにより、真空容器３の真空状態が保たれるようになっている。
【００２７】
真空容器３の内部の上面付近には、支持体２を保持する支持体ホルダ４が備えられている。
【００２８】
支持体２は、その表面に輝尽性蛍光体層を蒸着させるものであり、一般に各種のガラス、高分子材料、金属などが用いられるが、本実施形態においては、特に樹脂などの高分子材料又はアルミニウムシート、鉄シート、銅シートなどの金属シートが好適に適用される。また、支持体２の厚さは一般に８０μｍ〜５０００μｍであり、取り扱い上の点から８０μｍ〜３０００μｍであることが好ましい。
【００２９】
支持体ホルダ４には、支持体２を真空容器３の底面に対して水平方向に回転させる支持体回転機構５が設けられている。支持体回転機構５は、支持体ホルダ４を支持すると共に支持体ホルダ４を回転させる回転軸６と、真空容器３の外に配置されて回転軸６の駆動源となるモータ（図示せず）とから構成されている。なお、支持体ホルダ４及びこれに支持された支持体２を回転させる構成はここに例示したものに限定されず、他の構成によって回転するものとしてもよい。
【００３０】
なお、支持体ホルダ４には、支持体２を加熱するヒータ等の加熱手段（図示せず）を備えることが好ましい。ヒータ等によって支持体２を加熱することにより、支持体２の支持体ホルダ４に対する密着性を強化したり、輝尽性蛍光体層の膜質調整を行うことが可能となる。また、支持体２の表面の吸着物を離脱・除去し、支持体２の表面と輝尽性蛍光体との間に不純物層が発生することを防止することができる。また、加熱手段はヒータに限定されず、ヒータに替えて温媒又は熱媒を循環させるための機構（図示せず）を有していてもよい。この場合には、蒸着時の基板温度を５０〜１５０℃といった比較的低温に保持して蒸着する場合に適している。
【００３１】
また、真空容器３の内部の底面付近には、蒸発材料を蒸気として蒸着させる蒸発源として金属製のるつぼ７が２つ配設されている。このるつぼ７，７には、蒸着により支持体２の表面に輝尽性蛍光体層を形成する蒸発材料として輝尽性蛍光体（図示せず）が収容されており、るつぼ７，７は支持体ホルダ４に支持される支持体２に対向する側に図示しない開口を有している。
【００３２】
るつぼ７，７は、例えば、アルミナ等によって形成されており、るつぼ７，７の周面にはヒータ（図示せず）が巻きつけられている。るつぼ７，７は、例えば、ヒータが抵抗加熱によって発熱することによって加熱され、これにより、るつぼ７，７の内部の輝尽性蛍光体を溶融させて、真空容器３の内部に蒸気を発生させるようになっている。蒸気は、例えば、図１に示すような蒸発領域１０に拡散して支持板２に蒸着するようになっている。なお、るつぼ７，７の構成は、ここに例示したものに限定されず、例えば、るつぼ７，７自体に直接誘導電流を生じさせて加熱することができる高周波発振コイルを設け、高周波誘導加熱方式によりるつぼ７，７内の原料を溶融させるようにしてもよい。また、るつぼ７，７を形成する材料はここに例示したものに限定されない。例えば、高融点金属等を用いてもよい。さらに、蒸発源として、各種形状の真空蒸着用ボートを用いて原料を溶融させるようにしてもよい。
【００３３】
なお、支持体２とるつぼ７，７との間隔は、１００ｍｍ〜１５００ｍｍに設置するのが好ましい。
【００３４】
各るつぼ７，７の上方には、るつぼ７，７から支持体２に至る空間を遮断する蒸発源シャッタとしてのるつぼシャッタ８，８がそれぞれ設けられている。
【００３５】
各るつぼシャッタ８，８は、るつぼ７，７の開口よりも広い表面積を有し、るつぼ７，７から蒸発する蒸気の蒸発領域１０を遮ることのできる大きさに形成されたシャッタ板９，９を備えており、シャッタ板９，９は、例えば、図示しない駆動源により、ガイドレール（図示せず）に沿ってるつぼ７，７から蒸発する蒸気の蒸発領域１０を遮断して蒸気の上昇、拡散を妨げる被覆位置から蒸気の上昇、拡散を妨げない退避位置まで移動可能となっている。このように、るつぼシャッタ８，８を設けることにより、輝尽性蛍光体の表面に付着した目的物以外の物質が蒸着の初期段階で蒸発し、支持体２に付着するのを防ぐことができる。なお、るつぼシャッタ８，８の構成及びるつぼシャッタ８，８を移動させる機構はここに例示したものに限定されない。
【００３６】
ここで、るつぼシャッタ８，８は、るつぼシャッタ８，８のるつぼ７，７に対向する側の温度をＴ、蒸発材料である輝尽性蛍光体の融点をＭＰとしたときに、下記に示す式（Ａ）を満たす位置に配置される。
【００３７】
Ｔ＜３／４×ＭＰ    ・・・（Ａ）
【００３８】
るつぼシャッタ８，８のシャッタ板９，９等には、るつぼ７，７から蒸発した輝尽性蛍光体が付着、堆積しているが、るつぼ７，７が加熱されたときにるつぼシャッタ８，８の温度が融点ＭＰの近傍まで上昇すると、シャッタ板９，９等に堆積した輝尽性蛍光体が溶融して再蒸発する。このような再蒸発が起こると、るつぼ７，７から直接蒸発する輝尽性蛍光体のほかにシャッタ板９，９等から再蒸発した輝尽性蛍光体が支持体２の上に蒸着するため、支持体２の上に形成される輝尽性蛍光体層の厚さにばらつきを生じる。この点、るつぼシャッタ８，８のるつぼ７，７に対向する側の温度Ｔが輝尽性蛍光体の融点ＭＰの３／４の温度以下であれば、輝尽性蛍光体はほとんど溶融することがなく、再蒸発を生じることもない。そして、るつぼシャッタ８，８の温度はるつぼ７，７から離間するほど低くなる。そこで、るつぼシャッタ８，８のるつぼ７，７に対向する側の温度Ｔが式（Ａ）を満たすようにるつぼ７，７とるつぼシャッタ８，８との間の距離ｈが決定され、るつぼシャッタ８，８は、決定された距離ｈだけるつぼ７，７から離れた位置に配置される。
【００３９】
例えば、本実施形態において使用される蒸発材料である輝尽性蛍光体の融点ＭＰは、一般に６３６℃前後であり、これを式（１）に当てはめると、Ｔ＜４７７．０となる。したがって、るつぼシャッタ８，８は、るつぼ７，７が加熱されてるつぼシャッタ８，８のるつぼ７，７に対向する側の温度が最も高くなったときでもその温度が４７７．０℃以下に保たれる位置に配置されるようにるつぼ７，７とるつぼシャッタ８，８との間の距離ｈが決定される。
【００４０】
次に、本実施形態に使用される蒸発材料について説明する。本実施形態における蒸発材料は、蛍光体若しくはその原料を含むものであり、下記の一般式（１）で表される輝尽性蛍光体を使用することが好ましい。
【００４１】
Ｍ1Ｘ・ａＭ2Ｘ'2・ｂＭ3Ｘ"3：ｅＡ    ・・・一般式（１）
［式中、Ｍ1はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓの各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属原子であり、Ｍ2はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉの各原子から選ばれる少なくとも１種の二価金属原子であり、Ｍ3はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎの各原子から選ばれる少なくとも１種の三価金属原子であり、Ｘ、Ｘ'、Ｘ"はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩの各原子から選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子であり、ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇの各原子から選ばれる少なくとも１種の金属原子であり、また、ａ、ｂ、ｅはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｅ＜１．０の範囲の数値を表す。］
【００４２】
上記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体において、Ｍ1は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓ等の各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属原子を表し、中でもＲｂ及びＣｓの各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ土類金属原子が好ましく、さらに好ましくはＣｓ原子である。
【００４３】
Ｍ2は、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉ等の各原子から選ばれる少なくとも１種の二価の金属原子を表すが、中でも好ましく用いられるのは、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａ等の各原子から選ばれる二価の金属原子である。
【００４４】
Ｍ3は、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎ等の各原子から選ばれる少なくとも１種の三価の金属原子を表すが、中でも好ましく用いられるのはＹ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ａｌ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｇａ及びＩｎ等の各原子から選ばれる三価の金属原子である。
【００４５】
輝尽性蛍光体の輝尽発光輝度向上の観点から、Ｘ、Ｘ'及びＸ"はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩの各原子から選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子を表すが、Ｆ、Ｃｌ及びＢｒから選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子が好ましく、中でも好ましく用いられるのは、Ｂｒ原子である。
【００４６】
また、一般式（１）において、ａ値は０≦ａ＜０．５、ｂ値は０≦ｂ＜０．５、ｅ値は０＜ｅ≦１．０の範囲の数値を示し、特にｂは０≦ｂ≦１０-2 の範囲の数値を示すことが好ましい。
【００４７】
また、この中でも特に、下記一般式（２）で表される蛍光体若しくはその原料を含むことが好ましい。
【００４８】
ＣｓＢｒ：ｅＥｕ    ・・・一般式（２）
【００４９】
ここで、ｅ値は０．０００１＜ｅ≦１．０の範囲の数値を示す。
【００５０】
次に、前記放射線画像変換パネルの製造装置１を用いた本発明に係る放射線画像変換パネルの製造方法について説明する。
【００５１】
前記放射線画像変換パネルの製造装置１を用いて支持体２に輝尽性蛍光体層を形成するには、まず、支持体ホルダ４に支持体２を取付ける。
【００５２】
そして、まず、るつぼ７，７に輝尽性蛍光体を充填するとともにヒータによってるつぼ７，７を加熱し、るつぼ７，７の内部に収容された輝尽性蛍光体を融点に達するまで加熱する。次に、真空ポンプによって真空容器３の内部を真空排気する。なお、この際、Ａｒガス、Ｎｅガス等の不活性ガスを導入してもよい。この間、るつぼシャッタ８，８のシャッタ板９，９は被覆位置に位置し、蒸着の初期段階で輝尽性蛍光体の表面に付着した目的物以外の物質が蒸発し、支持体２に付着すること等がないようになっている。
【００５３】
また、るつぼシャッタ８，８は、るつぼ７，７から離間した位置に配置されているので、るつぼシャッタ８，８のるつぼ７，７に対向する側の温度が最も高くなったときでもその温度が４７７．０℃以下に保たれ、るつぼシャッタ８，８のシャッタ板９，９等に堆積した輝尽性蛍光体が再蒸発することがないようになっている。
【００５４】
その後、真空容器３が蒸着可能な真空度に達し、かつ、るつぼ７，７の内部に収容された輝尽性蛍光体が蒸着に適した温度まで加熱されたら、支持体回転機構５により支持体ホルダ４をるつぼ７，７に対して水平方向に回転させる。そして、るつぼシャッタ８，８のシャッタ板９，９をるつぼ７，７の開口を露出させる所定の退避位置まで移動する。
【００５５】
なお、るつぼシャッタ８，８のシャッタ板９，９を退避位置に移動するタイミングは、製造装置１によって自動的に制御されるようにしてもよいし、ユーザ等が真空容器３の真空度、るつぼ７，７内の輝尽性蛍光体の加熱具合等を見ながら手動によりタイミングを合わせて開閉動作を行うようにしてもよい。
【００５６】
るつぼシャッタ８，８のシャッタ板９，９を退避位置に移動させることにより、加熱されたるつぼ７，７から輝尽性蛍光体が蒸発し、蒸気が真空容器３の内部の蒸発領域１０に拡散して回転する支持体２の表面に均一に蒸着し、輝尽性蛍光体層が形成される。なお、蒸着は、輝尽性蛍光体層が所望の厚さに成長するまで行うが、この輝尽性蛍光体層は、１０μｍ〜２０００μｍの膜厚に形成されることが好ましく、さらには、５０μｍ〜１０００μｍの膜厚に形成されることが好ましい。
【００５７】
以上の放射線画像変換パネルの製造装置１又は放射線画像変換パネルの製造方法によれば、るつぼシャッタ８，８をるつぼ７，７から離れた位置に配置することによって、るつぼシャッタ８，８のるつぼ７，７に対向する側の温度が蒸発材料である輝尽性蛍光体の融点の３／４の温度以下に保たれるようになっている。
【００５８】
蒸着を繰り返すうちにシャッタ板９，９等には輝尽性蛍光体が付着、堆積していくが、この場合でも、るつぼシャッタ８，８がるつぼ７，７から離れて設置されているため、るつぼ７，７が加熱されることによってシャッタ板９，９等に付着、堆積した輝尽性蛍光体が溶融することはほとんどなく、シャッタ板９，９等からの再蒸発を生じることもない。このため、輝尽性蛍光体層を均一に形成することができ、輝度及び鮮鋭性にばらつきのない高精度の放射線画像変換パネルを製造することが可能となる。
【００５９】
なお、本実施形態においては、るつぼシャッタ８，８は、るつぼ７，７が加熱されてるつぼシャッタ８，８の温度が最も高くなったときでもるつぼ７，７に対向する側の温度が４７７．０℃以下に保たれる位置に固定されるものとしたが、るつぼシャッタ８，８の配置はここに示したものに限定されない。例えば、るつぼシャッタ８，８を上下に移動させる移動機構（図示せず）を設けるとともに、るつぼシャッタ８，８又はその近傍にるつぼシャッタ８，８の温度を測定する温度センサ（図示せず）を設けて、るつぼシャッタ８，８のるつぼ７，７に対向する側の温度を測定し、この温度が４７７．０℃以上となっているときは、るつぼシャッタ８，８を上昇させる等、るつぼシャッタ８，８のるつぼ７，７に対向する側の温度が４７７．０℃以下に保たれるようにるつぼシャッタ８，８の位置を調整できるようにしてもよい。
【００６０】
また、本実施形態においては、るつぼシャッタ８，８のシャッタ板９，９を平板状に形成するものとしたが、シャッタ板９，９の形状はここに例示したものに限定されない。例えば、図２に示すように、るつぼシャッタ１１，１１のシャッタ板１２，１２の周面にるつぼ７，７に向かって延在する遮蔽部材１３，１３を設けてもよい。るつぼシャッタ１１，１１のるつぼ７，７に対向する側の温度を低く保つためには、シャッタ板１２，１２をできるだけるつぼ７，７から離れた位置に配置することが望ましい。他方で、シャッタ板１２，１２は、るつぼ７，７から蒸発する蒸気の蒸発領域１０を遮り、蒸気が支持体２に到達することを防止できるものでなければならない。そして、シャッタ板１２，１２をるつぼ７，７から離すと、その分シャッタ板１２，１２によって遮るべき蒸発領域１０は拡大するため、平板状のシャッタ板の場合にはその表面積を大きく形成する必要が生じる。この点、シャッタ板１２，１２に遮蔽部材１３，１３を設けた場合には、るつぼ７，７から蒸発する蒸気は遮蔽部材１３，１３によって遮られるため、シャッタ板１２，１２を大きくすることなくるつぼシャッタ１１，１１をるつぼ７，７から離れた位置に配置することが可能となる。
【００６１】
さらに、本実施形態では、製造装置１は蒸発源としてるつぼ７を２つ備えるものとしたが、るつぼ７の数はこれに限定されず、例えば、１個のみとしてもよいし、３個以上設けてもよい。なお、るつぼを設ける数に関わらず、各るつぼには、それぞれるつぼシャッタが設けられ、各るつぼシャッタは、そのるつぼに対向する側の温度がるつぼに収容される輝尽性蛍光体の融点の３／４の温度以下となる位置に配置される。
【００６２】
その他、本発明が上記実施の形態に限らず適宜変更可能であるのは勿論である。
【００６３】
次に、図３を参照しつつ、本発明に係る放射線画像変換パネルの製造装置の第二の実施形態について説明する。なお、第二の実施形態は、るつぼシャッタの構成のみが第一の実施形態と異なるものであるので、以下においては、特に第一の実施形態と異なる点について説明する。
【００６４】
本実施形態において、製造装置は、第一の実施形態と同様の真空容器３を備え、真空容器３の内部の上面付近には、支持体２を保持する支持体ホルダ４が備えられている。
【００６５】
支持体ホルダ４には、支持体ホルダ４を回転させる回転軸６を備え支持体２を真空容器３の底面に対して水平方向に回転させる支持体回転機構５が設けられている。
【００６６】
また、真空容器３の内部の底面付近には、支持体２の表面に輝尽性蛍光体層を形成する蒸発材料として輝尽性蛍光体（図示せず）を収容し、この輝尽性蛍光体を蒸気として蒸着させる蒸発源としてのるつぼ７が２つ配設されている。
【００６７】
各るつぼ７，７の上方であってるつぼ７，７に近接した位置には、るつぼ７，７から支持体２に至る空間を遮断するるつぼシャッタ１４，１４がそれぞれ設けられている。
【００６８】
各るつぼシャッタ１４，１４は、るつぼ７，７の開口よりも広い表面積を有し、るつぼ７，７から蒸発する蒸気の蒸発領域１０を遮ることのできる大きさに形成されたシャッタ板１５，１５を備えており、シャッタ板１５，１５は、例えば、図示しない駆動源により、ガイドレール（図示せず）に沿ってるつぼ７，７から蒸発する蒸気の上昇、拡散を妨げる被覆位置から蒸気の上昇、拡散を妨げない退避位置まで移動可能となっている。
【００６９】
シャッタ板１５，１５には、るつぼシャッタ１４，１４の温度上昇を抑える冷却機構として内部に冷水を循環させてシャッタ板１５，１５を冷却する冷水循環用管１６，１６…が設けられている。冷水循環用管１６，１６…には図示しないポンプが接続されており、ポンプが動作することによって冷水循環用管１６，１６…の内部に冷水が循環するようになっている。これにより、るつぼシャッタ１４，１４のるつぼ７，７に対向する側の温度Ｔが、蒸発材料である輝尽性蛍光体の融点ＭＰの３／４以下の温度となるように冷却される。
【００７０】
なお、その他の構成は、第一実施形態のものと同様であるので、同一箇所には同一の符号を付してその説明を省略する。
【００７１】
次に、前記放射線画像変換パネルの製造装置を用いた本発明に係る放射線画像変換パネルの製造方法について説明する。
【００７２】
前記放射線画像変換パネルの製造装置を用いて支持体２に輝尽性蛍光体層を形成するには、まず、支持体ホルダ４に支持体２を取付け、るつぼ７，７に輝尽性蛍光体を充填するとともにヒータによってるつぼ７，７を加熱し、るつぼ７，７の内部に収容された輝尽性蛍光体を融点に達するまで加熱する。
【００７３】
次に、真空ポンプによって真空容器３の内部を真空排気する。この間、るつぼシャッタ１４，１４のシャッタ板１５，１５は被覆位置に位置し、蒸着の初期段階で輝尽性蛍光体の表面に付着した目的物以外の物質が蒸発し、支持体２に付着すること等がないようになっている。
【００７４】
その後、真空容器３が蒸着可能な真空度に達し、かつ、るつぼ７，７の内部に収容された輝尽性蛍光体が蒸着に適した温度まで加熱されたら、支持体回転機構５により支持体ホルダ４をるつぼ７，７に対して水平方向に回転させる。そして、るつぼシャッタ１４，１４のシャッタ板１５，１５がるつぼ７，７の開口を露出させる所定の退避位置まで移動することにより、加熱されたるつぼ７，７から輝尽性蛍光体が蒸発し、蒸気が真空容器３の内部の蒸発領域１０に拡散する。拡散した蒸気は支持体２の上に蒸着し、輝尽性蛍光体層を形成する。
【００７５】
支持体ホルダ４に支持体２を支持させてから輝尽性蛍光体層が形成されるまでの間、各シャッタ板１５，１５の表面に設けられた冷水循環用管１６，１６…には冷水が循環されており、るつぼシャッタ８，８のるつぼ７，７に対向する側の温度Ｔが、蒸発材料である輝尽性蛍光体の融点ＭＰの３／４以下となるように冷却を行う。これにより、シャッタ板１５，１５が過度に加熱されてシャッタ板１５，１５の表面に付着、堆積した輝尽性蛍光体が再度溶融して支持体２の表面に蒸着することを防止する。
【００７６】
以上のように、本実施形態によれば、るつぼシャッタ１４，１４のシャッタ板１５，１５に冷水循環用管１６，１６…を配設しているので、るつぼシャッタ１４，１４を冷却することができ、るつぼシャッタ１４，１４が過度に加熱されてシャッタ板１５，１５の表面等に付着した輝尽性蛍光体が再度溶融して支持体２の表面に蒸着するのを防止することができる。
【００７７】
なお、本実施形態においては、冷却機構として冷水循環用管１６，１６…を用いることとしたが、冷却機構はここに例示したものに限定されない。例えば、冷水の替わりに各種の冷媒を循環させる機構のものを用いてもよい。また、フロンやヘリウムガス等を用いたコールドトラップ等の冷却機構を適用することも可能である。さらに、冷却機構はシャッタ板に設けるものに限られず、冷却機構をるつぼシャッタの近傍に配置して冷却を行うものとしてもよい。
【００７８】
また、第一の実施形態で示したように、るつぼシャッタをるつぼから離れた位置に設置した上で、さらにシャッタ板に冷却機構を設けるようにしてもよい。
【００７９】
なお、その他、本発明が本実施の形態に限られないことは、第一の実施形態と同様である。
【実施例】
【００８０】
次に、本発明にかかる放射線画像変換パネルの製造装置及び放射線画像変換パネルの製造方法について、実施例を挙げて具体的に説明する。
[実施例１]
【００８１】
本実施例においては、図１に示す放射線画像変換パネルの製造装置と同様の製造装置を使用して支持体の片面に輝尽性蛍光体（ＣｓＢｒ：０．０００１Ｅｕ）を蒸着させ、輝尽性蛍光体層を形成した。なお、蒸発源としては、抵抗加熱式のるつぼを用い、支持体としては０．５ｍｍ厚のＡｌ板（１００ｍｍ×１００ｍｍ）を使用した。また、支持体とるつぼとの間の距離は６０ｃｍとした。なお、実施例に用いた輝尽性蛍光体（ＣｓＢｒ：０．０００１Ｅｕ）の融点ＭＰは６３６℃であり、融点ＭＰの３／４は４７７．０℃である。
まず、前記輝尽性蛍光体を蒸発材料として各るつぼに充填するとともに、支持体ホルダに支持体を支持させた。
続いて、製造装置の真空容器の内部を一旦排気し、Ａｒガスを導入して０．１Ｐａに真空度を調整した後、支持体ホルダを回転させながら図示しない加熱ランプによって支持体を加熱し、その温度を１００℃に保持した。
次いで、まず各るつぼを加熱して内部に収容されている輝尽性蛍光体を溶融させ、各るつぼに設けられたるつぼシャッタのシャッタ板を退避位置まで退避させて真空容器内の蒸発領域に蒸気を発生させ、蒸着を３０分間行った後るつぼシャッタを閉じて各るつぼからの蒸発を終了した。これにより、膜厚４００μｍから成る実施例１の放射線画像変換パネルを製造した。
本実施例において、るつぼシャッタのシャッタ板とるつぼとの間の距離ｈは１００ｍｍとし、シャッタ板の最高到達温度は４６０℃であった。
［実施例２］
【００８２】
本実施例においては、図２に示す放射線画像変換パネルの製造装置と同様の製造装置を使用して支持体の片面に輝尽性蛍光体（ＣｓＢｒ：０．０００１Ｅｕ）を蒸着させ、輝尽性蛍光体層を形成し、膜厚４００μｍから成る放射線画像変換パネルを製造した。なお、製造装置の構成は、るつぼシャッタのシャッタ板に遮蔽部材を設けたこと以外は、実施例１と同様であり、また、その他の各条件についても実施例１と同様である。
本実施例において、るつぼシャッタのシャッタ板とるつぼとの間の距離ｈは１５０ｍｍとし、シャッタ板の最高到達温度は４００℃であった。
［実施例３］
【００８３】
本実施例においては、図３に示す放射線画像変換パネルの製造装置と同様の製造装置を使用して支持体の片面に輝尽性蛍光体（ＣｓＢｒ：０．０００１Ｅｕ）を蒸着させ、輝尽性蛍光体層を形成し、膜厚４００μｍから成る放射線画像変換パネルを製造した。本実施例におけるるつぼシャッタのシャッタ板は平板状に形成するとともに内部に冷水を循環させてシャッタ板を冷却するための冷水循環用配管を設けた。冷水循環用配管内には、抵抗加熱るつぼの加熱と同時に２５℃の冷却水を循環させた。なお、製造装置の構成は、るつぼシャッタのシャッタ板に冷水循環用配管を設けたこと以外は、実施例１及び実施例２と同様であり、また、その他の各条件についても実施例１及び実施例２と同様である。
本実施例において、るつぼシャッタのシャッタ板とるつぼとの間の距離ｈは３０ｍｍとし、シャッタ板の最高到達温度は４０℃であった。
［比較例］
【００８４】
実施例１と同様のシャッタ板を備える製造装置を用い、るつぼシャッタのシャッタ板とるつぼとの間の距離ｈを３０ｍｍとした以外は、実施例１、実施例２及び実施例３と同様の条件において膜厚４００μｍから成る放射線画像変換パネルを製造した。
本実施例において、シャッタ板の最高到達温度は５８０℃であった。
【００８５】
以上のようにして得られた各放射線画像変換パネルについて、輝度（感度）の測定と鮮鋭性の評価を行った。なお、輝度（感度）の測定と鮮鋭性の評価については、以下に示す方法に従った。
【００８６】
＜輝度（感度）測定＞
輝度の測定は、各放射線画像変換パネルについて、管電圧８０ｋＶｐのＸ線を輝尽性蛍光体層の支持体の裏面側から照射した後、放射線画像変換パネルをＨｅ−Ｎｅレーザー光（６３３ｎｍ）で走査して励起し、輝尽性蛍光体層から放射される輝尽発光光を受光器（分光感度Ｓ−５の光電子像倍管）で受光して、その強度を測定した。このようにして測定された輝尽発光光の強度を輝度と定義し、比較例における放射線画像変換パネルの輝度を１．０としたときの各実施例における放射線画像変換パネルの輝度を相対値で表示したものである。評価の結果を表１に示す。
【００８７】
＜鮮鋭性の評価＞
鮮鋭性については、変調伝達関数（ＭＴＦ）を求めることにより評価を行った。  具体的には、各放射線画像変換パネルにＣＴＦチャートを貼りつけた後、８０ｋＶｐのＸ線を１０ｍＲ（被写体までの距離；１．５ｍ）照射する。その後、輝尽性蛍光体層を有する面側から半導体レーザ光（６９０ｎｍ、放射線画像変換パネル上でのパワー４０ｍＷ）を照射して、直径１００μｍφの半導体レーザ光でＣＴＦチャートを走査することにより読み取り、その値を求めた。評価の結果を表１に示す。なお、表１に記載した値は、チャート線数が０．５ｌｐ／ｍｍであるＣＴＦチャートを用いて評価を行い、比較例における放射線画像変換パネルのＭＴＦ値を１．０としたときの各実施例における放射線画像変換パネルのＭＦＴ値を相対値で求めたものである。
【表１】
2006177704.tif 000003
【００８８】
以上、表１に示すように、比較例のようにるつぼシャッタをるつぼに近接して設け、かつシャッタ板に何ら冷却機構を設けない場合には、シャッタ板の温度は蒸発材料である輝尽性蛍光体の融点の３／４である４７７．０℃よりも高い５８０℃まで上昇した。そして、この場合の放射線画像変換パネルの輝度を１．０としたとき、実施例１のようにるつぼとシャッタ板の距離を離してシャッタ板の温度が輝尽性蛍光体の融点の３／４である４７７．０℃よりも低い４６０℃以下に保たれている場合には、輝度は１．３と比較例よりも高い値を示した。さらに、実施例２のようにるつぼとシャッタ板の距離を離してシャッタ板の温度が４００℃以下に保たれている場合や、実施例３のようにるつぼとシャッタ板の距離は比較例と同じでもシャッタ板に冷水循環用配管を設けてシャッタ板の温度が４０℃以下に保たれている場合には、放射線画像変換パネルの輝度は１．６とさらに高い値を示した。
【００８９】
また、同様に鮮鋭性についてみると、比較例における放射線画像変換パネルのＭＴＦ値を１．０としたとき、実施例１から３は、１．４〜１．７といずれも比較例よりも高い値を示した。
【００９０】
この結果から、るつぼシャッタのシャッタ板の温度を輝尽性蛍光体の融点の３／４である４７７．０℃よりも低くなるようにして蒸着を行った場合には、シャッタ板の温度が輝尽性蛍光体の融点の３／４である４７７．０℃よりも高い場合と比較して放射線画像変換パネルの輝度及び鮮鋭性ともに優れ、輝尽性蛍光体層が均一に形成された高精度の放射線画像変換パネルを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９１】
【図１】本発明に係る放射線画像変換パネルの製造装置の第一の実施形態の概略構成を模式的に示した側面図である。
【図２】本発明に係る放射線画像変換パネルの製造装置の第一の実施形態の変形例の概略構成を模式的に示した側面図である。
【図３】本発明に係る放射線画像変換パネルの製造装置の第二の実施形態の概略構成を模式的に示した側面図である。
【図４】従来の放射線画像変換パネルの製造装置の一例の概略構成を模式的に示した側面図である。
【符号の説明】
【００９２】
１  放射線画像変換パネルの製造装置
２  支持体
３  真空容器
４  支持体ホルダ
７  るつぼ
８  るつぼシャッタ
９  シャッタ板
１０  蒸発領域
１３  遮蔽部材
１６  冷水循環用管
【図１】
2006177704.tif 000004
【図２】
2006177704.tif 000005
【図３】
2006177704.tif 000006
【図４】
2006177704.tif 000007