(57)【要約】      （修正有）【課題】  簡単な作業でかつ光検出部に傷をつけることなく光検出半導体素子の光検出部が露出した光検出半導体装置を作製することができる光検出半導体素子の製造方法及びその製造方法で作製した光検出半導体装置を提供する。【解決手段】  金属板３１に外部電極用金属層３３を形成した後に、金属板２１に額縁形状のアンダーフィル３４を塗布する。次にバンプ５が形成された光検出半導体素子２を外部電極用金属層３３に超音波接合する。ここで、金属板３１と額縁形状のアンダーフィル３４と光検出半導体素子２とにより光検出半導体素子２の光検出部２Ａは密閉される。次に、光検出半導体素子２およびアンダーフィル３４を樹脂６によって封止する。光検出半導体素子２の光検出部２Ａはアンダーフィル３４などによって密閉されているので、樹脂６に覆われない。次に、金属板３１を剥離する。そして、１点差線６１に沿って分割され、光検出半導体装置１が完成する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電鋳による外部電極が設けられた可撓性基板上に、光検出部の受光面が前記可撓性基板に対向するように光検出半導体素子を搭載し、
前記可撓性基板と前記光検出部の受光面との間の空間を樹脂流入防止部材で密閉し、
その後、前記光検出半導体素子を前記可撓性基板上で樹脂封止することにより、前記可撓性基板上に複数の前記光検出半導体素子がマトリクス状に配設された樹脂封止体を作製し、
前記可撓性基板を前記樹脂封止体から剥離し、個片化することを特徴とする光検出半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の光検出半導体装置の製造方法において、
前記樹脂流入防止部材はアンダーフィル、異方性導電フィルムおよび異方性導電ペーストのいずれかであることを特徴とする光検出半導体装置の製造方法。
【請求項３】
電鋳による外部電極が設けられた可撓性基板上に、光検出部の受光面が前記可撓性基板に対向するように光検出半導体素子を搭載し、
前記可撓性基板と前記光検出部の受光面との間の空間を樹脂流入防止材料で充填し、
その後、前記光検出半導体素子を前記可撓性基板上で樹脂封止することにより、前記可撓性基板上に複数の前記光検出半導体素子がマトリクス状に配設された樹脂封止体を作製し、
前記可撓性基板を前記樹脂封止体から剥離した後、前記樹脂流入防止材料を溶出し、そして個片化すること、または、個片化し、そして前記樹脂流入防止材料を溶出することを特徴とする光検出半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の光検出半導体装置の製造方法において、
前記樹脂流入防止材料はレジストであることを特徴とする光検出半導体装置の製造方法。
【請求項５】
光検出半導体素子と、
一方の面で前記光検出半導体素子を光検出部が回路基板側に面するように搭載し、他方の面で回路基板と接続する電鋳製外部電極と、
前記光検出部の周囲を取り囲む取り囲み部材とが樹脂封止され、
樹脂封止により前記取り囲み部材の内側に設けられた受光開口を介して前記光検出部に検出光が入射することを特徴とする光検出半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光を検出する半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、光ディスクの記録密度が向上し、光ディスクの情報を読み込むために使用されるレーザ光の波長が短くなっている。レーザ光を検出する光ピックアップ半導体装置は、その光検出部が樹脂で覆われており、レーザ光の波長が短くなるほど、樹脂が劣化しやすい。そこで、従来から、光検出部を樹脂で覆うことなく露出させた光検出半導体装置が知られている（特許文献１）。
【特許文献１】特開２００３−２７３３７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上記特許文献１の光検出半導体装置では、光検出部を樹脂によりパッケージングする際、樹脂が光検出部を覆う前に樹脂を硬化させたり、光検出部を覆っている樹脂を硬化前に吸引したり、面倒な作業が不可避であった。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
（１）請求項１の発明の光検出半導体装置の製造方法は、電鋳による外部電極が設けられた可撓性基板上に、光検出部の受光面が可撓性基板に対向するように光検出半導体素子を搭載し、可撓性基板と光検出部の受光面との間の空間を樹脂流入防止部材で密閉し、その後、光検出半導体素子を可撓性基板上で樹脂封止することにより、可撓性基板上に複数の光検出半導体素子がマトリクス状に配設された樹脂封止体を作製し、可撓性基板を樹脂封止体から剥離し、個片化することを特徴とする。
（２）請求項２の発明は、請求項１に記載の光検出半導体装置の製造方法において、樹脂流入防止部材はアンダーフィル、異方性導電フィルムおよび異方性導電ペーストのいずれかであることを特徴とする。
（３）請求項３の発明の光検出半導体装置の製造方法は、電鋳による外部電極が設けられた可撓性基板上に、光検出部の受光面が可撓性基板に対向するように光検出半導体素子を搭載し、可撓性基板と光検出部の受光面との間の空間を樹脂流入防止材料で充填し、その後、光検出半導体素子を可撓性基板上で樹脂封止することにより、可撓性基板上に複数の光検出半導体素子がマトリクス状に配設された樹脂封止体を作製し、可撓性基板を樹脂封止体から剥離した後、樹脂流入防止材料を溶出し、そして個片化すること、または、個片化し、そして樹脂流入防止材料を溶出することを特徴とする。
（４）請求項４の発明は、請求項３に記載の光検出半導体装置の製造方法において、樹脂流入防止材料はレジストであることを特徴とする。
（５）請求項５の発明の光検出半導体装置は、光検出半導体素子と、一方の面で光検出半導体素子を光検出部が回路基板側に面するように搭載し、他方の面で回路基板と接続する電鋳製外部電極と、光検出部の周囲を取り囲む取り囲み部材とが樹脂封止され、樹脂封止により前記取り囲み部材の内側に設けられた受光開口を介して光検出部に検出光が入射することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００５】
本発明によれば、可撓性を有する可撓性基板上に形成された電鋳製外部電極に光検出半導体素子を固着し、その後、その光検出部の周囲に樹脂流入防止部材を配設して樹脂が流れ込まないようにした上で検出半導体素子を樹脂で封止し、あるいは、可撓性を有する可撓性基板上に形成された電鋳製外部電極に光検出半導体素子を固着し、その光検出部を樹脂流入防止材料で覆った状態で樹脂封止し、その後、樹脂流入防止材料を溶出して除去するようにした。したがって、従来の工法に比べて、簡単で廉価な工程で光検出部と対向する領域に樹脂が介在しない受光開口を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
−第１の実施の形態−
本発明の第１の実施形態の光検出半導体装置について図１を参照して説明する。図１（ａ）は光検出半導体装置１の裏面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。
【０００７】
図１において、符号１は光検出半導体装置、２は光検出半導体素子である。光検出半導体装置１には受光開口１Ａが開口しており、光検出半導体素子２には光検出部２Ａが設けられている。受光開口１Ａを介してレーザ光などの光を光検出部２Ａで受光して検出する。光検出半導体素子２の光検出部２Ａ側には外部電極３が配設されており、光検出半導体素子２と外部電極３とはＡｕからなるバンプ５によって接続している。また、光検出部２Ａの外周にはエポキシ樹脂からなるアンダーフィル４が設けられている。すなわち、このアンダーフィル４は、光検出半導体素子２とバンプ５との接続部、バンプ５、および外部電極３を覆うように形成されている。光検出半導体素子２とアンダーフィル４とはエポキシ樹脂からなる樹脂６によって封止されている。
【０００８】
光検出半導体装置１の裏面では、光検出半導体素子２の光検出部２Ａが露出しており、受光開口１Ａに入射した光は、光検出半導体素子２の光検出部２Ａで直接受光される。また、外部電極３も露出しており、外部電極３と回路基板とが半田により接合されて、光検出半導体装置１が回路基板に実装される。
【０００９】
外部電極３の構造について図２を参照して説明する。図２は外部電極３の構造を説明するための図である。外部電極３は主に電鋳により形成されたＮｉ層２１からなる。Ｎｉ層２１の厚さは３０〜６０μｍである。Ｎｉ層２１の上下には、外部電極３とバンプ５とを接続するため、および外部電極３の半田濡れ性を改善するためにＡｕ層２３，２５が設けられる。また、Ｎｉ層２１とＡｕ層２３，２５との間には中間層として、Ｐｄ層２２，２４が設けられる。
【００１０】
次に、上述した光検出半導体装置１の製造方法について、図３〜図７を参照して説明する。この製造方法は、外部電極用金属層形成工程と、アンダーフィル塗布工程と、半導体素子実装工程と、樹脂封止工程と、金属板剥離工程と、分割工程とを含み、１つの金属板上に複数の光検出半導体装置１を同時に作製するものである。以下、各工程を工程順に説明する。
【００１１】
（イ）外部電極用金属層形成工程  
外部電極用金属層形成工程について、図３（ａ）〜（ｃ）を参照して説明する。
図３（ａ）に示すように、可撓性を有する金属板３１の両面にレジスト３２を塗布またはラミネートする。金属板３１は、厚さ約０．１ｍｍの平板状のＪＩＳ規格のＳＵＳステンレス鋼板またはＣｕ板などの金属薄板からなる。次に、アクリルフィルムベースのパターンマスクフィルムを密着させ、紫外線により露光する。そして、現像し、図３（ｂ）に示すように、外部電極用金属層を形成する部分のレジスト３２を除去する。金属板３１の一方の面には外部電極用金属層を形成しないので、レジスト３２によって全面が覆われたままである。次に、Ｈ２ＳＯ４−Ｈ２Ｏ２やＮａ２Ｓ２Ｏ８などの酸化性溶液により、レジスト３２を除去した部分の金属板３１面のソフトエッチングを行う。そして、硫酸などの酸で酸洗いし、酸活性処理を行う。
【００１２】
酸活性処理を行った金属板３１に外部電極用金属層３３を形成する。外部電極用金属層３３は次のようにして形成する。金属板３１をＡｕめっき溶液に浸漬し、めっきにより金属基板３１にＡｕ層２５を形成する。次にＰｄめっき溶液に浸漬し、めっきによりＡｕ層２５上にＰｄ層２４を形成する。次にＮｉめっき溶液に浸漬して金属板３１に電力を供給して電鋳を行い、Ｐｄ層２４上にＮｉ層２１を形成する。次に、Ｐｄめっき溶液に金属板３１を浸漬し、めっきによりＮｉ層２１上にＰｄ層２２を形成する。最後にＡｕめっき溶液に金属板３１を浸漬し、めっきによりＰｄ層上２２にＡｕ層２３を形成する。このようにして、図３（ｃ）に示すように、金属板３１に外部電極用金属層３３を形成する。そして、レジスト３２を金属板３１から剥離する。
【００１３】
（ロ）アンダーフィル塗布工程
アンダーフィル塗布工程について、図３（ｄ）および図４を参照して説明する。図４は金属板３１の部分領域を示すものである。
次に金属板２１にアンダーフィル３４を塗布する。アンダーフィル３４は、図３（ｃ）に示すように外部電極用金属層３３を覆うように塗布される。アンダーフィル３４は、図４に示すようにノズル４１から吐出される。ノズル４１は、アンダーフィルを塗布しながら光検出半導体装置１の外部電極３を形成する１組の外部電極用金属層３３上を略正方形を描くように移動する。そして、金属板３１上に平面視略正方形額縁形状のアンダーフィル３４が形成される。一つまたは複数のノズル４１を使用して、金属板３１上に複数並列配置された複数組の外部電極用金属層３３について同様な方法で次々とアンダーフィル３４を形成する。
【００１４】
（ハ）半導体素子実装工程
半導体素子実装工程について、図３（ｅ）および図５を参照して説明する。
光検出半導体素子２の光検出部２Ａ側には不図示の端子部が設けられており、この端子部には予めバンプ５を形成しておく。そして、バンプ５が外部電極用金属層３３上に位置するように光検出半導体素子２を、図３（ｅ）に示すように金属板３１に搭載する。金属板３１には、パターニングされた外部電極用金属層３３が複数並列配置されており、それぞれのパターンニングされた外部電極用金属層３３上に光検出半導体素子２が隣接して搭載される。そして、搭載された光検出半導体素子２には、図５に示すようにボンディングツール５１が光検出半導体素子２に当てられる。ボンディングツール５１で押圧しながら超音波振動を光検出半導体素子２に加えると、バンプ５と外部電極用金属層３３とが接続する。この工程で、金属板３１と額縁形状のアンダーフィル３４と光検出半導体素子２とにより囲まれた受光開口１Ａが、すなわち、光検出半導体素子２の光検出部２Ａが密閉される。この後、金属板３１を加熱してアンダーフィル３４を硬化する。
【００１５】
（ニ）樹脂封止工程
樹脂封止工程について、図６（ａ）および図７を参照して説明する。
樹脂封止工程では、図６（ａ）に示すように光検出半導体素子２およびアンダーフィル３４を樹脂６によって封止する。樹脂封止は次のようにして行う。図７に示すように、金属板３１の光検出半導体素子２が実装などされている面に金型７１を被せる。そして、樹脂６を金型７１内に注入し、金属板３１に実装された複数の光検出半導体素子２などを一括に封止する。この樹脂封止工程では、金型７１は上型の役割を果たし、金属板３１は下型の役割を果たす。このとき、光検出半導体素子２の光検出部２Ａは額縁形状のアンダーフィル３４などによって密閉されているので、光検出部２Ａは注入された樹脂６によって覆われない。
【００１６】
（ホ）金属板剥離工程
金属板剥離工程について、図６（ｂ）を参照して説明する。
樹脂６による封止が完了した後は、図６（ｂ）に示すように、光検出半導体素子２などが封止された樹脂６から金属板３１を剥離する。金属板３１は可撓性を有するので、容易に剥離することができる。金属板３１を剥離すると、光検出半導体素子２の光検出部２Ａが露出する。この金属板３１を剥離したものを以下、樹脂封止体６０と呼ぶ。
【００１７】
（ヘ）分割工程
分割工程について、図６（ｂ），（ｃ）を参照して説明する。
図６（ｂ）の１点鎖線６１に沿って、ダイヤモンドブレード・ダイシング法で樹脂封止体６０をダイシングする。そして、図６（ｃ）に示すように、一つの樹脂封止体６０が分割され、光検出半導体装置１が完成する。
【００１８】
以上のようにして作製された光検出半導体装置１は、図８に示すような穴８１Ａが設けられた回路基板８１に実装される。光検出半導体装置１は、回路基板８１と半田８２によって接続される。この場合、光ディスクの情報を読み込むために照射されたレーザ光ＬＢは、光ディスク面を反射して、回路基板８１の穴８１Ａを通過し、光検出半導体装置１の受光開口１Ａに入射する。受光開口１Ａに入射したレーザ光ＬＢは樹脂６内を通過せず、直接、光検出半導体素子２の光検出部２Ａに入射する。このため、レーザ光ＬＢによって光検出部２Ａを覆っている樹脂が劣化し、光検出半導体装置が使用不可能となることはない。
【００１９】
以上の第１の実施形態による光検出半導体装置１の製造方法は次のような作用効果を奏する。
（１）金属板３１上に電鋳による外部電極３を設け、その上に光検出半導体素子２をバンプ５により搭載し、金属板３１と光検出部２Ａの受光面との間の空間１Ａをアンダーフィル４で密閉し、その後、光検出半導体素子２を金属板３１上で樹脂封止することにより、金属板３１上に複数の光検出半導体素子２がマトリクス状に配設された樹脂封止体６０を作製し、その金属板３１を樹脂封止体６０から剥離し、個片化して光検出半導体装置１を作製するようにした。したがって、光検出部２Ａへの光路に樹脂が存在しない光検出半導体装置１を簡単に作製することができる。
（２）全工程を通じて光検出半導体素子２の光検出部２Ａに対して何も接触しないので、光検出部２Ａを傷つけることはない。すなわち、従来例とは異なり、光検出半導体素子２の光検出部２Ａの受光面上に樹脂を硬化前に吸引するためなどに使用するピンなどを近づける工程がないので、光検出部２Ａを傷つけるおそれもない。
【００２０】
−第２の実施の形態−
本発明の第２の実施形態の光検出半導体装置９の構造について、図９を参照して説明する。第１の実施形態の半導体装置１と共通する部分は同じ符号を使用し、第１の実施形態の半導体装置１との相違点を主に説明する。図９（ａ）は光検出半導体装置９の裏面図であり、図９（ｂ）は図９（ａ）のＢ−Ｂ’線断面図である。
【００２１】
図９において、光検出半導体素子２の光検出部２Ａの外周には、樹脂６の光検出部２Ａへの流入を防ぐために、額縁形状のレジスト部１０と金属部１１とが設けられている。光検出半導体装置１の裏面には、光検出半導体素子２の光検出部２Ａとともに、額縁形状の金属部１１が露出している。この金属部１１は塗布したレジストが広がるのを防止するためのものであり、回路基板との電気的接触には使用されない。金属部１１の層構造は図２の外部電極３と同じである。
【００２２】
次に本発明の第２の実施形態の光検出半導体装置９の製造方法について、図１０および図１１を参照して説明する。第２の実施形態の光検出半導体装置９の製造方法は、外部電極用金属層形成工程と、レジスト塗布工程と、半導体素子実装工程と、樹脂封止工程と、金属板剥離工程と、レジスト除去工程と、分割工程とからなる。第１の実施形態の半導体装置１の製造方法と共通する部分は同じ符号を使用し、第１の実施形態の半導体装置１の製造方法との相違点を主に説明する。
【００２３】
（イ）外部電極用金属層形成工程
第１の実施形態と同様な方法で、金属板３１上に外部電極用金属層３３と額縁状の金属層１０１とが形成される。外部電極用金属層３３は光検出半導体装置９の外部電極３を形成し、金属層１０１は平面視略正方形の額縁形状である金属部１１を形成するものである。外部電極用金属層３３と金属層１０１とはパターンが異なるだけで、電極の層構造など、その他の点は同一の構造を有する。
【００２４】
（ロ）レジスト塗布工程
レジスト塗布工程について、図１０（ｄ），（ｅ）を参照して説明する。
図１０（ｄ）に示すように、金属層１０１の額縁内にアクリルベースのレジスト１０２を塗布する。金属層１０１は額縁形状しているため、塗布したレジスト１０２が広がるのを防止する。このレジスト１０２は、図１０（ｅ）に示すように光検出半導体素子２を搭載したとき、光検出半導体素子２の光検出部２Ａおよびその周辺を覆い、光検出部２Ａを保護する。
【００２５】
（ハ）半導体素子実装工程
図１０（ｅ）に示すように、第１の実施形態と同様にして光検出半導体素子２をバンプ５により外部電極３である外部電極用金属層３３上に固着する。
【００２６】
（ニ）樹脂封止工程
樹脂封止工程について、図１１（ａ）を参照して説明する。
樹脂封止工程において、光検出半導体素子２の光検出部２Ａはレジスト１０２で覆われているため、図１１（ａ）に示すように光検出部２Ａは樹脂６に覆われない。
【００２７】
（ホ）金属板剥離工程
図１１（ｂ）に示すように、第１の実施形態と同様にして光検出半導体素子２などが封止された樹脂６から金属板３１を剥離する。この金属板３１を剥離したものを以下、樹脂封止体１１０と呼ぶ。
【００２８】
（ヘ）レジスト除去工程
レジスト除去工程について、図１１（ｂ），（ｃ）を参照して説明する。
図１１（ｂ）に示す樹脂封止体１１０の金属板剥離面１１１に紫外線を照射する。紫外線を照射すると、金属層１０１の覆われていないレジスト１０２は可溶性になり、溶出して除去することができる。一方、金属層１０１に覆われているレジスト１０２には紫外線は当たらないため、溶出しない。そして、現像すると図１１（ｃ）に示すように光検出部２Ａを覆っていたレジスト１０２は溶出され、光検出部２Ａは何も覆われていない状態になる。
【００２９】
（ト）分割工程
図１１（ｃ）に示すように、第１の実施形態と同様にして１点鎖線１１２に沿って、ダイヤモンドブレード・ダイシング法で樹脂封止体１１０をダイシングする。そして、図１０（ｄ）に示すように、一つの樹脂封止体１１０が分割され、光検出半導体装置９が完成する。
【００３０】
以上の第２の実施形態による半導体装置９の製造方法によれば、第１の実施形態の光検出半導体装置１の製造方法と同様に、簡単にしかも一度に大量に光検出部２Ａを樹脂で覆うことのない光検出半導体装置９を作製することができる。また、光検出半導体素子２の光検出部２Ａは製造中、レジスト１０２によって保護されているので光検出部２Ａを傷つけることはない。さらに、レジスト１０２を溶出して取り除くので、光検出部２Ａからレジスト１０２を除去する際、光検出部２Ａを傷つけることはない。
【００３１】
以上の実施形態の光検出半導体装置１，９を次のように変形することができる。
（１）樹脂封止工程で、樹脂６の光検出部２Ａへの流入を防ぐ樹脂流入防止部材であればアンダーフィル３４に限定されない。たとえば、アンダーフィル３４の代わりにＡＣＰ（異方性導電ペースト）またはＡＣＦ（異方性導電フィルム）を使用してもよい。この場合も、額縁形状にＡＣＰを塗布したり、額縁形状のＡＣＦを貼り付けたりすることによって、樹脂６の光検出部２Ａへの浸入を防止することができる。この場合の光検出半導体素子２の外部電極３への接合は、超音波振動の代りに加熱しながら半導体素子２を押圧することにより行う。
【００３２】
（２）額縁形状の電極１０１内にレジスト１０２を塗布する代わりに、フィルム状のレジストを貼り付けてもよい。フィルム状のレジストの場合は、流動して広がることがないので、額縁形状の電極１０１が不要になる。
【００３３】
（３）樹脂封止工程で、樹脂６の光検出部２Ａへの流入を防ぎ、そして、溶出して除去することが可能な樹脂流入防止部材であれば、レジスト３２に限定されない。
【００３４】
（４）光を検出するデバイスであれば、レーザ光を検出する光検出半導体装置１，９に限定されない。たとえば、ＣＣＤ（電化結合素子）にも適用できる。この場合、ＣＣＤ受光部が光検出部２Ａに相当する。また、ＣＭＯＳ（相補型金属酸化物半導体）イメージセンサにも適用してもよい。
【００３５】
（５）外部電極３は、主に電鋳によるＮｉ層２１によって構成されたが、導電性を有する金属であればＮｉに限定されない。たとえば、電鋳によるＣｕ層で構成してもよい。
【００３６】
（６）外部電極３と半田を接続するためにＡｕ層２５を設けたが、半田と接続するための金属層であれば、Ａｕ層２５に限定されない。たとえば、Ｓｎ層、Ｓｎ−Ｐｂ層、Ｓｎ−Ａｇ層、Ｓｎ−Ｃｕ層、Ｓｎ−Ｂｉ層などを形成してもよい。
【００３７】
（７）金属層３３などを形成する基板は、可撓性を有する平板状の可撓性基板であれば、金属板３１に限定されない。たとえば、導電性樹脂基板を使用してもよい。また、無電解めっきを使用して外部電極３を形成する場合は、金属板３１のように導電性基板である必要はなく、非導電性基板でもよい。
【００３８】
（８）樹脂封止体６を分割する前に光検出部２Ａを覆っているレジスト１０２を溶出したが、分割後にレジスト１０２を溶出するようにしてもよい。
【００３９】
本発明は、その特徴的構成を有していれば、以上説明した実施の形態になんら限定されない。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】図１（ａ）は第１の実施形態の光検出半導体装置の裏面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ’線断面図である。
【図２】外部電極の構造を説明するための図である。
【図３】第１の実施形態の光検出半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図４】アンダーフィル塗布工程を説明するための図である。
【図５】光検出半導体素子の接合を説明するための図である。
【図６】第１の実施形態の光検出半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図７】樹脂封止工程を説明するための図である。
【図８】回路基板に実装した第１の実施形態の光検出半導体装置を説明するための図である。
【図９】図９（ａ）は第２の実施形態の半導体装置の裏面図であり、図９（ｂ）は図９（ａ）のＢ−Ｂ’線断面図である。
【図１０】第２の実施形態の半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図１１】第２の実施形態の半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【符号の説明】
【００４１】
１，９  光検出半導体装置
１Ａ  受光開口
２  光検出半導体素子
２Ａ  光検出部
３  外部電極
４，３４  アンダーフィル
５  バンプ
６  樹脂
１０，３２，１０２  レジスト
１１  金属部
２１  Ｎｉ層
２２，２４  Ｐｄ層
２３，２５  Ａｕ層
３１  金属板
３３  外部電極用金属層
４１  ノズル
５１  ボンディングツール
６０，１１０  樹脂封止体
７１  金型
８１  回路基板
８２  半田
１０１  金属層
【図１】
2006351630.tif 000003
【図２】
2006351630.tif 000004
【図３】
2006351630.tif 000005
【図４】
2006351630.tif 000006
【図５】
2006351630.tif 000007
【図６】
2006351630.tif 000008
【図７】
2006351630.tif 000009
【図８】
2006351630.tif 000010
【図９】
2006351630.tif 000011
【図１０】
2006351630.tif 000012
【図１１】
2006351630.tif 000013