(57)【要約】【課題】高効率の送受信をより安定的に行うことが可能なアンテナ基板を備えたアンテナデバイスを提供する。【解決手段】積層、接合された複数の絶縁体層と、これらの接合界面にその界面を形成する絶縁体層の両者に埋没するように配置した複数の磁性粒子とを含むアンテナ基板；および前記アンテナ基板の主面に直接または近接して配置されたアンテナを備えることを特徴とするアンテナデバイス。【選択図】    図３
2006304271.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接合された複数の絶縁体層と、これらの接合界面にその界面を形成する絶縁体層の両者に埋没するように配置した複数の磁性粒子とを含むアンテナ基板；および
前記アンテナ基板の主面に直接配置されるか、または主面近接に配置されるアンテナ；
を備えることを特徴とするアンテナデバイス。
【請求項２】
複数の前記絶縁体層は、Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｂａ，Ｓｒ，Ｚｎ，Ｍｎ，Ｈｆ、および希土類元素（Ｙを含む）から選ばれる少なくとも一つの金属の酸化物を含むセラミック層であり、かつ隣接する層間で組成が異なることを特徴とする請求項１記載のアンテナデバイス。
【請求項３】
複数の前記絶縁体層は、Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｂａ，Ｓｒ，Ｚｎ，Ｍｎ，Ｈｆ、および希土類元素（Ｙを含む）から選ばれる少なくとも一つの金属の酸化物と磁性金属の酸化物とを含むセラミック層であり、かつ隣接する層間で組成が異なることを特徴とする請求項１記載のアンテナデバイス。
【請求項４】
複数の前記絶縁体層のうちの任意の層は、Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｂａ，Ｓｒ，Ｚｎ，Ｍｎ，Ｈｆ、および希土類元素（Ｙを含む）から選ばれる少なくとも一つの金属の酸化物を含むセラミック層で、残りの層はＭｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｂａ，Ｓｒ，Ｚｎ，Ｍｎ，Ｈｆ、および希土類元素（Ｙを含む）から選ばれる少なくとも一つの金属の酸化物と磁性金属の酸化物とを含むセラミック層であり、かつ隣接する層間で組成が異なることを特徴とする請求項１記載のアンテナデバイス。
【請求項５】
前記金属の酸化物および前記磁性金属の酸化物を含むセラミック層は、前記金属および前記磁性金属が固溶された複合酸化物の形態で含まれることを特徴とする請求項３または４記載のアンテナデバイス。
【請求項６】
複数の前記絶縁体層のうちの表面側の層は、有機樹脂層で、残りの層はＭｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｂａ，Ｓｒ，Ｚｎ，Ｍｎ，Ｈｆ、および希土類元素（Ｙを含む）から選ばれる少なくとも一つの金属の酸化物を含むセラミック層で、隣接するセラミック層間で組成が異なることを特徴とする請求項１記載のアンテナデバイス。
【請求項７】
複数の前記絶縁体層のうちの中間の層は、有機樹脂層で、残りの層はＭｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｂａ，Ｓｒ，Ｚｎ，Ｍｎ，Ｈｆ、および希土類元素（Ｙを含む）から選ばれる少なくとも一つの金属の酸化物を含むセラミック層で、隣接するセラミック層間で組成が異なることを特徴とする請求項１記載のアンテナデバイス。
【請求項８】
前記有機樹脂層は、無機材料粒子または気泡が分散して含有されることを特徴とする請求項６記載のアンテナデバイス。
【請求項９】
前記有機樹脂層に埋没される前記磁性粒子は、Ａｌ2Ｏ3，ＡｌＮ，ＳｉＯ2，Ｓｉ3Ｎ4およびＳｉＣの少なくとも１つの無機材料からなる膜で被覆されていることを特徴とする請求項６記載のアンテナデバイス。
【請求項１０】
複数の前記絶縁体層のうち隣接する一方の絶縁体層の熱膨張係数をα１、他方の絶縁体層の熱膨張係数をα２としたとき、８０℃〜１５００℃の温度範囲で０．５＜α１／α２＜２の関係を満たすことを特徴とする請求項１記載のアンテナデバイス。
【請求項１１】
複数の前記磁性粒子は、結晶性を有し、その結晶方位は磁性粒子が埋没される少なくとも一方の前記絶縁体層を構成する粒子の結晶方位に対して少なくとも２軸以上で揃っていることを特徴とする請求項１記載のアンテナデバイス。
【請求項１２】
前記絶縁体層は、多結晶配向層または単結晶層から構成されることを特徴とする請求項１１記載のアンテナデバイス。
【請求項１３】
前記絶縁体層を構成する粒子と前記磁性粒子との界面が格子整合していることを特徴とする請求項１１記載のアンテナデバイス。
【請求項１４】
複数の前記磁性粒子は、粒径が１〜１００ｎｍで、５０ｎｍ以下の間隔をあけて各絶縁体層の接合界面に配置されていることを特徴とする請求項１記載のアンテナデバイス。
【請求項１５】
複数の前記絶縁体層は、Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｂａ，Ｓｒ，Ｚｎ，Ｍｎ，Ｈｆおよび希土類元素（Ｙを含む）の群から選ばれる少なくとも１つの金属の酸化物を含む第１絶縁体層と、この第１絶縁体層の前記金属と異なるＭｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｂａ，Ｓｒ，Ｚｎ，Ｍｎ，Ｈｆおよび希土類元素（Ｙを含む）の群から選ばれる少なくとも１つの金属の酸化物および磁性金属の酸化物を含む第２絶縁体層からなり、
前記積層体は、前記第１、第２の絶縁体層を交互に複数積層、接合され、これら第１、第２の絶縁体層の接合界面に１〜１００ｎｍの粒径を有する複数の磁性粒子が５０ｎｍ以下の間隔をあけて埋設して配置された構成を有することを特徴とする請求項１記載のアンテナデバイス。
【請求項１６】
前記アンテナ基板は、前記積層体の外周面にさらに外装樹脂層が形成されていることを特徴とする請求項１記載のアンテナデバイス。
【請求項１７】
前記アンテナ基板上に下部が開口された有機樹脂スペーサがさらに配置され、このスペーサ上に前記アンテナが形成されることを特徴とする請求項１記載のアンテナデバイス。
【請求項１８】
（ａ）Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｂａ，Ｓｒ，Ｚｎ，Ｍｎ，Ｈｆおよび希土類元素（Ｙを含む）の群から選ばれる少なくとも１つの金属の化合物を含み、互いに組成が異なり、かつ少なくとも一方に磁性金属の化合物が含まれる第１、第２のセラミックグリーンシートを成形する工程；
（ｂ）前記第１、第２のセラミックグリーンシートを交互に複数枚積層する工程；
（ｃ）前記セラミックグリーンシート積層体を焼成して第１、第２のセラミック層が交互に複数積層、接合された焼成積層体を作製する工程；および
（ｄ）前記焼成積層体を還元処理して前記第１、第２のセラミック層のうち、磁性金属の酸化物を含むセラミック層からその磁性金属を前記第１、第２のセラミック層の界面に析出させる工程
含むことを特徴とするアンテナデバイスの製造方法。
【請求項１９】
前記第１、第２のセラミックグリーンシートのうち、前記磁性金属の化合物を含むセラミックグリーンシートは、前記金属および前記磁性金属が複合酸化物の形態で含まれることを特徴とする請求項１８記載のアンテナデバイスの製造方法。
【請求項２０】
前記金属および前記磁性金属の複合酸化物は、前記金属の酸化物と前記磁性金属の酸化物とがモル比で１：９〜９：１の割合で配合されることを特徴とする請求項１９記載のアンテナデバイスの製造方法。
【請求項２１】
前記第１、第２のセラミックグリーンシートのうち、前記磁性金属の化合物を含むセラミックグリーンシートは、さらにＡｌ，Ｃｒ，Ｓｃ，Ｓｉ，Ｍｎ，Ｂから選ばれる少なくとも１つの添加金属元素が前記金属と異なる金属として選択して０．０１〜０．２５原子％含有されることを特徴とする請求項１８記載のアンテナデバイスの製造方法。
【請求項２２】
前記還元処理は、水素雰囲気中、２００〜１５００℃の温度条件でなされることを特徴とする請求項１８記載のアンテナデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アンテナデバイスおよびアンテナデバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、通信情報の急増に伴い電子通信機器の小型化、軽量化が図られている。これに伴って、電子部品の小型化、軽量化が望まれている。現在の携帯通信端末は、情報伝播の多くを電波の送受信にて行っている。使用される電波の周波数帯域は、１００ＭＨｚ以上の高周波領域である。このため、この高周波領域において有用な電子部品および基板に注目されている。また、携帯移動体通信、衛生通信においては、ギガＨｚ帯の高周波域の電波が使用されている。
【０００３】
このような高周波域の電波に対応するためには、電子部品においてエネルギー損失や伝送損失が小さいことが必要である。例えば、携帯通信端末に不可欠なアンテナデバイスでは、アンテナから発生される電波は伝送過程において伝送損失が生じる。この伝送損失は、熱エネルギーとして電子部品および基盤内で消費されて電子部品における発熱の原因となる。また、伝送損失は外部に送信すべき電波が打ち消される。このため、強力な電波を送信する必要があり、電力の有効利用を妨げる。さらに、極力低い電波での通信が望まれている。
【０００４】
このような小型化、軽量化への要望の高まりに伴って、各電子部品が小型になり省スペース化を図られている。しかしながら、アンテナデバイスは上述した理由により伝送損失を抑えるために電子部品および基板からの距離を確保することが必要不可欠である。このため、不要な空間を有することを余儀なくされ、省スペース化を図ることが困難になる。
【０００５】
このため、誘電体セラミックからなる絶縁基板（アンテナ基板）にアンテナを形成したアンテナデバイスが開発されている。このアンテナデバイスは、小型で省スペース化が可能である。しかしながら、誘電体セラミックは誘電損失を持つため、伝送損失が大きくなる。その結果、送受信感度が得られず、補助的なアンテナとして用いているのが現状であり、省電力化には限界がある。
【０００６】
高透磁率の絶縁基板をアンテナ基板として有するアンテナデバイスは、アンテナからの電波を前記アンテナ基板に巻き込むことができるため、電波が通信機器内の電子部品やプリント基板へ到達させずに送受信を行うことが可能、つまり省電力化が可能である。通常の高透磁率部材は、Ｆｅ，Ｃｏを成分とする金属もしくは合金、その酸化物である。金属もしくは合金の高透磁率部材は、電波の周波数が高くなると渦電流による伝送損失が顕著になるため、アンテナ基板としては使用することが困難になる。一方、フェライトに代表される酸化物の磁性体をアンテナ基板として用いた場合、高抵抗であるため渦電流による伝送損失は抑えられるが、共鳴周波数が数百ＭＨｚであるため、高周波では共鳴による伝送損失が顕著になり使用が困難になる。このため、アンテナ基板の材料として、高周波数の電波に対しても使用できる伝送損失を極力抑えた絶縁性の高透磁率部材が求められている。
【０００７】
このような高透磁率部材を作製する試みとして、スパッタ法などの薄膜技術を用いて高透磁率ナノグラニュラー材料が作製されている。しかしながら、この方法を実施するには大型の設備が必要となり、コストや歩留まりの点で実用的ではない。
【０００８】
特許文献１には、難還元性金属酸化物と、Ｆｅ，Ｃｏまたはそれらの合金の少なくとも一種以上からなる金属粒子とを備えた粉末や多結晶構造の焼結体からなる高透磁率部材が開示されている。
【０００９】
しかしながら、前記公報に開示された高透磁率部材は等方的な構造であり、形状磁気異方性が小さく、共鳴周波数が比較的低いため、数ギガＨｚ帯では透磁率が低下する。
【００１０】
また、特許文献２には基板と、この基板表面に供された金属酸化物の接着層と、この接着層に供された電磁波吸収積層体とを備え、前記電磁波吸収積層体が（ａ）電気的絶縁材料で互いに分離され、１〜１５０ｎｍの平均粒径を有する複数の磁性粒子を含む磁性層、および（ｂ）電気的絶縁層を有し、前記磁性層および電気的絶縁層が少なくとも２層を有する多層構造で積層されるプリント配線用ボードが開示されている。
【特許文献１】特開２００４−２８１８４６号公報
【特許文献２】Publication No.: US 2004/0058138
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、高効率の送受信をより安定的に行うことが可能なアンテナ基板を備えたアンテナデバイスおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明によると、接合された複数の絶縁体層の接合界面に複数の磁性粒子をその界面を形成する絶縁体層の両者に埋没するように配置した積層体を有するアンテナ基板；および
前記アンテナ基板の主面に直接配置されるか、または主面近接に配置されるアンテナ；
を備えることを特徴とするアンテナデバイスが提供される。
【００１３】
また本発明によると、（ａ）Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｂａ，Ｓｒ，Ｚｎ，Ｍｎ，Ｈｆおよび希土類元素（Ｙを含む）の群から選ばれる少なくとも１つの金属の化合物を含み、互いに組成が異なり、かつ少なくとも一方に磁性金属の化合物が含まれる第１、第２のセラミックグリーンシートを成形する工程；
（ｂ）前記第１、第２のセラミックグリーンシートを交互に複数枚積層する工程；
（ｃ）前記セラミックグリーンシート積層体を焼成して第１、第２のセラミック層が交互に複数積層、接合された焼成積層体を作製する工程；および
（ｄ）前記焼成積層体を還元処理して前記第１、第２のセラミック層のうち、磁性金属の酸化物を含むセラミック層からその磁性金属を前記第１、第２のセラミック層の界面に析出させる工程
含むことを特徴とするアンテナデバイスの製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、高効率の送受信をより安定的に行うことが可能なアンテナ基板を備えたアンテナデバイスおよびその製造方法を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態に係るアンテナデバイスを詳細に説明する。
【００１６】
実施形態に係るアンテナデバイスは、接合された複数の絶縁体層の接合界面に複数の磁性粒子をその界面を形成する絶縁体層の両者に埋没するように配置した積層体を有するアンテナ基板を備えている。アンテナは、前記アンテナ基板の主面に直接配置されるか、または主面近接に配置される。ここで、『アンテナをアンテナ基板の主面近傍に配置する』とは、アンテナ基板の主面に外装樹脂層またはスペーサのような中間部材を配置し、アンテナをこの中間部材を介して前記アンテナ基板の主面に配置することを意味する。
【００１７】
このようなアンテナデバイスのアンテナ基板は、アンテナで発信または受信する１００ＭＨｚ〜数ＧＨｚ，高周波の電波に対して伝送損失を抑えつつ、高い透磁率性を有する。その結果、このアンテナ基板に形成されたアンテナで発信または受信する電波を前記高透磁率性のアンテナ基板に巻き込むことができるため、通信機器内にこのアンテナデバイスと共に電子回路基板を配置した場合、その電子回路基板に電波が吸収されるのを抑制または防止でき、高効率の送受信を行うことが可能になる。
【００１８】
前記絶縁体層は、室温で１×１０2Ω・ｃｍ以上の絶縁抵抗を有する絶縁材料で作られることが好ましい。このような絶縁材料としては、例えば酸化物、窒化物などのセラミック、またはポリスチレン、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、エポキシ樹脂などの有機樹脂、或いはガラス等を用いることができる。
【００１９】
特に、複数の前記絶縁体層のうちの少なくとも１層はＭｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｂａ，Ｓｒ，Ｚｎ，Ｍｎ，Ｈｆ、および希土類元素（Ｙを含む）から選ばれる少なくとも一つの金属（Ｍ１）の酸化物を含むセラミック層であることが好ましい。また、複数の前記絶縁体層のうちの少なくとも１層はＭｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｂａ，Ｓｒ，Ｚｎ，Ｍｎ，Ｈｆ、および希土類元素（Ｙを含む）から選ばれる少なくとも一つの金属（Ｍ１）の酸化物と磁性金属（Ｍ２）の酸化物とを含むセラミック層であることが好ましい。後者のセラミック層において、Ａｌ，Ｃｒ，Ｓｃ，Ｍｎ，ＢおよびＳｉから選ばれる少なくとも１つの添加金属（Ｍ３）を、原子量比で０．０１〜０．２５％含有することを許容する。なお、この添加金属（Ｍ３）は前記金属（Ｍ１）と異なる金属が選択される。
【００２０】
複数の前記絶縁体層のうちの少なくとも１層は、有機樹脂層であることを許容する。この有機樹脂層は、無機材料粒子が分散して含有される形態、または空洞（気泡）が分散して含有される多孔質の形態が挙げられる。
【００２１】
前記磁性粒子は、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏから選ばれる少なくとも１つの磁性金属、またはこれら磁性金属を含む合金により作られることが好ましい。
【００２２】
前記アンテナは、例えばステンレス、Ａｇ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｕ等から作られる。
【００２３】
次に、実施形態に係るアンテナデバイスを図面を参照して具体的に説明する。
【００２４】
図１は、実施形態に係るアンテナデバイスを示す平面図、図２は図１の正面図、図３は図１の要部拡大断面図である。
【００２５】
アンテナデバイス１は、図１および図２に示すようにアンテナ基板１０上にアンテナ３０が形成した構造を有する。
【００２６】
前記アンテナ基板１０は、図３に示すように第１絶縁体層１１およびこの第１絶縁体層と組成の異なる第２絶縁体層１２が交互に積層、接合され、かつそれら第１、第２の絶縁体層１１，１２の接合界面に複数の磁性粒子１３がそれら第１、第２の絶縁体層１１，１２の両方に埋没するように配置された積層体１４を有する。複数の磁性粒子１３は、前記接合界面を形成する第１、第２の絶縁体層１１，１２の両者に埋没されている。
【００２７】
前記第１、第２の絶縁体層１１，１２は、Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｂａ，Ｓｒ，Ｚｎ，Ｍｎ，Ｈｆ、および希土類元素（Ｙを含む）から選ばれる少なくとも一つの金属（Ｍ１）の酸化物を含み、互いに異なる組成のセラミック層からなる。前記第１、第２の絶縁体層１１，１２として用いるセラミック層において、少なくとも一方の層に磁性金属（Ｍ２）の酸化物を含むことを許容する。
【００２８】
このような第１、第２の絶縁体層１１，１２の積層組み合わせを以下に具体的に列挙する。
【００２９】
（１）第１絶縁体層１１；前記金属（Ｍ１）の酸化物を含むセラミック層、第２絶縁体層１２；第１絶縁体層１１の酸化物と異なる前記金属（Ｍ１）の酸化物を含むセラミック層。
【００３０】
（２）第１絶縁体層１１；前記金属（Ｍ１）の酸化物を含むセラミック層、第２絶縁体層１２；前記金属（Ｍ１）の酸化物と前記磁性金属（Ｍ２）の酸化物を含むセラミック層。この形態において、第２絶縁体層１２に含まれる前記金属（Ｍ１）の酸化物は、第１絶縁体層１１に含まれる前記金属（Ｍ１）の酸化物と異なることが好ましい。
【００３１】
（３）第１絶縁体層１１；前記金属（Ｍ１）の酸化物と前記磁性金属（Ｍ２）の酸化物を含むセラミック層、第２絶縁体層１２；前記金属（Ｍ１）の酸化物を含むセラミック層。この形態において、第２絶縁体層１２に含まれる前記金属（Ｍ１）の酸化物は、第１絶縁体層１１に含まれる前記金属（Ｍ１）の酸化物と異なることが好ましい。
【００３２】
（４）第１絶縁体層１１；前記金属（Ｍ１）の酸化物と前記磁性金属（Ｍ２）の酸化物を含むセラミック層、第２絶縁体層１２；第１絶縁体層１１に含まれる前記金属（Ｍ１）の酸化物と異なる前記金属（Ｍ１）の酸化物と前記磁性金属（Ｍ２）の酸化物を含むセラミック層。
【００３３】
前記（１）〜（４）の組合せにおいて、第１絶縁体層１１の熱膨張係数をα１、第２絶縁体層１２の熱膨張係数をα２とした場合、８０℃〜１５００℃の温度範囲で０．５＜α１／α２＜２の条件を満たすことが好ましい。
【００３４】
前記（１）〜（４）の組合せにおいて、第１、第２の絶縁体層１１，１２の間で誘電率を異ならせる、つまり誘電率の傾斜を持たせることが好ましい。具体的には、アンテナ基板１０のアンテナ３０と接する第１絶縁体層１１をマグネシア（ＭｇＯ）を含むセラミック層で形成し、その下層の第２絶縁体層１２をアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）を含むセラミック層で形成して誘電率を傾斜させることができる。このように第１、第２の絶縁体層１１，１２間で誘電率に傾斜を持たせることによって、１００ＭＨｚ〜数ＧＨｚの高周波の電波に対してより高い送受信効率を有するアンテナデバイスを実現できる。
【００３５】
前記（２）〜（４）の組合せにおいて、前記金属（Ｍ１）の酸化物に加えて磁性金属（Ｍ２）の酸化物を含むセラミック層は、前記金属（Ｍ１）および磁性金属（Ｍ２）を固溶した複合酸化物であることが好ましい。具体的には前記金属（Ｍ１）の酸化物としてＭｇＯ、前記磁性金属（Ｍ２）の酸化物としてＦｅＯを用いた場合、セラミック層はＦｅ−Ｍｇ−Ｏ系の複合酸化物であることが好ましい。また、前記金属（Ｍ１）の酸化物としてＡｌ2Ｏ3、前記磁性金属（Ｍ２）の酸化物としてＦｅ2Ｏ3を用いた場合、セラミック層はＦｅ−Ａｌ−Ｏ系の複合酸化物であることが好ましい。
【００３６】
前記（２）〜（４）の組合せにおいて、前記金属（Ｍ１）の酸化物に加えて磁性金属（Ｍ２）の酸化物を含むセラミック層から第１、第２の絶縁体層１１，１２の少なくとも一方の層を構成することによって、第１、第２の絶縁体層１１，１２の接合界面に配置される複数の磁性粒子１３間に磁性金属（Ｍ２）の酸化物を存在させることができるため、それら磁性粒子１３間の磁気的カップリング性をより向上することが可能になる。このため、磁性粒子１３間の間隔を広くしても１００ＭＨｚ〜数ＧＨｚ，の高周波の電波に対してより高い透磁率性を示すアンテナ基板１０を備えたアンテナデバイス１を実現することが可能になる。
【００３７】
前記（２）〜（４）の組合せにおける前記金属（Ｍ１）の酸化物と前記金属（Ｍ２）である磁性金属の酸化物を含むセラミック層において、Ａｌ，Ｃｒ，ＳｃおよびＳｉから選ばれる少なくとも１つの添加金属（Ｍ３）を、原子量比で０．０１〜０．２５％含有することを許容する。なお、この添加金属（Ｍ３）は前記金属（Ｍ１）と異なる金属が選択される。
【００３８】
前記磁性粒子１３は、Ｆｅ，Ｎｉ，Ｃｏから選ばれる少なくとも１つの磁性金属またはこれら磁性金属を含む合金により作られることが好ましい。この磁性粒子１３は、例えばＦｅ粒子，Ｃｏ粒子、Ｎｉ粒子，Ｆｅ−Ｃｏ粒子，Ｆｅ−Ｎｉ粒子，Ｃｏ−Ｎｉ粒子，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ粒子等を挙げることができる。また、前記磁性粒子１３は他の非磁性金属で合金化していてもよい。ただし、非磁性金属が多すぎると飽和磁化が下がりすぎるため、高周波特性を考慮すると他の非磁性金属による合金化は１０原子％以下であることが好ましい。さらに、非磁性金属が組織中に単独で分散していてもよいが、その量は体積比で２０％以下であることが好ましい。特に飽和磁化の観点から磁性粒子はＦｅ−Ｃｏ基粒子が好ましい。前記磁性粒子３は、第二成分としてＡｌもしくはＳｉを５０％原子以下の割合で固溶することを許容する。
【００３９】
前記磁性粒子１３は、１〜１００ｎｍの粒径を有することが好ましい。前記磁性粒子１３の粒径を１ｎｍ未満にすると、超常磁性が生じて飽和磁束密度が小さくなる虞がある。一方、前記磁性粒子１３の粒径が１００ｎｍを超えると、渦電流損が発生してアンテナ基板１０としての特性を確保することが困難になる。また、粒径が１００ｎｍを超えると、エネルギーの安定性から多磁区構造になり易い。多磁区構造の透磁率の高周波特性は、単磁区構造の透磁率の高周波特性よりも低下する虞がある。特に、単磁区構造を保つ観点から前記磁性粒子１３の上限粒径を５０ｎｍにすることがより好ましい。最も好ましい前記磁性粒子１３の粒径は、１０〜５０ｎｍである。
【００４０】
前記範囲の粒径を持つ複数の磁性粒子１３を第１、第２の絶縁体層１１，１２の接合界面に配置する形態において、第１、第２の絶縁体層１１，１２の厚さは磁性粒子の粒径の２倍より厚いことを前提にして、０．０５〜１００μｍ、より好ましくは０．０５〜１μｍにすることが望ましい。このような薄い第１、第２の絶縁体層１１，１２を有するアンテナ基板１０は、磁性粒子１３の粒径の関係で１００ＭＨｚ〜数ＧＨｚ，の高周波の電波に対してより高い透磁率性を有する。また、このような厚さの第１、第２の絶縁体層１１，１２は総数で１００層以上、より好ましくは５００〜２０００層積層することが望ましい。
【００４１】
前記範囲の粒径を持つ複数の磁性粒子１３を第１、第２の絶縁体層１１，１２の接合界面に配置する形態において、磁性粒子１３間の距離は１０ｎｍ以下にすることが好ましい。複数の磁性粒子１３を１０ｎｍ以下の距離で第１、第２の絶縁体層１１，１２の接合界面に配置することによって、磁性粒子１３間の磁気的カップリング性が向上され、１００ＭＨｚ〜数ＧＨｚ，の高周波の電波に対してより高い透磁率性を有するアンテナ基板１０を備えたアンテナデバイス１を実現することが可能になる。より好ましい磁性粒子１３間の距離は５ｎｍ以下である。ただし、第１、第２の絶縁体層１１，１２の少なくとも一方が前記磁性金属（Ｍ２）の酸化物を含む場合、磁性粒子１３間の距離を１０ｎｍ付近にしても磁性粒子１３間の磁気的カップリング性を十分に向上させることが可能になる。
【００４２】
複数の前記磁性粒子１３は、単結晶または多結晶のような結晶性を有し、その結晶方位が前記第１、第２の絶縁体層１１，１２の少なくとも一方の絶縁体層構成粒子の結晶方位に対して少なくとも２軸以上で揃った結晶方位を有することが好ましい。このような配向性（格子整合性）は、前記第１、第２の絶縁体層１１，１２が前記金属（Ｍ１）の酸化物を含むセラミック層により形成することによって、容易に実現することが可能になる。このように複数の前記磁性粒子１３と前記第１、第２の絶縁体層１１，１２の少なくとも一方の絶縁体層の間で所定の格子整合性を持たせることによって、磁性粒子１３を熱的により一層安定な状態で前記第１、第２の絶縁体層１１，１２の界面に存在させることが可能になる。その結果、長時間の使用に耐えるアンテナ基板１０を備えたアンテナデバイス１を実現することが可能となる。
【００４３】
前記配向を持つ磁性粒子は、絶縁体層を構成する単一粒子が配向しているか、または絶縁体層が単結晶であるか、いずれかの場合、絶縁体層の界面のみならず絶縁体層の内部に存在することを許容する。このような形態において、配向した磁性粒子群の結晶方位をさらに同一方位に揃えることが可能になる。
【００４４】
前記絶縁体層は、その全体が絶縁体層と平行で、かつ同一方位に配向していることが好ましい。これによって、析出させる磁性粒子も絶縁体層と平行な面内に異方性を有することが可能になる。したがって、絶縁体層は析出する磁性粒子の磁化容易軸が層と平行方位になるように配向することが好ましい。
【００４５】
具体的には、磁性粒子が立方晶のＮｉ粒子の場合はそのＮｉ粒子を絶縁体層と平行方向な［１１１］方向に配向させることが好ましい（立方晶なので[111]方向はその全ての等価な方向についてゆるされる）。磁性粒子が六方晶のＣｏ粒子の場合は、そのＣｏ粒子を［００１］方向に配向させることが好ましい。磁性粒子がＦｅの場合は、そのＦｅ粒子を［１００］方向に配向させることが好ましい（立方晶なので[100]方向はその全ての等価な方向についてゆるされる）。
【００４６】
例えば磁性粒子であるＮｉ粒子をＭｇＯ系固溶体（絶縁体層）に析出させる場合には、ＭｇＯ固溶体を［１１１］方向に配向させることによりＮｉ粒子も同一方向に配向析出させることが可能になる。また、ＣｏをＭｇＯ系固溶体（絶縁体層）に析出させる場合、ＭｇＯ固溶体を［１１１］方向に配向させることによりＣｏも同一方向に配向析出する。このとき、還元温度と冷却速度を選ぶことによって、Ｃｏは高温相である面心立方晶のＣｏを析出させることができる。この場合、Ｃｏ粒子のＭｇＯ固溶体に対する格子整合性は、六方晶のＣｏより良好にできる。
【００４７】
前記絶縁体層を配向させるには、例えば形状異方性および結晶異方性が揃っている絶縁体粒子を用いてシート化する方法を採用することができる。異方性の測定方法としては、例えばＸ線回折法、透過電子顕微鏡による電子線回折法等をあげることができる。Ｘ線回折法の場合は、絶縁体層に対して垂直方向（積層方向）および平行方向からの測定を行い、配向ピークとその他のピークの強度比で評価することができる。すなわち、Ｎｉの［１１１］方向を例にとると、（１１１）面の強度（Ｉ[111]）とその他の強度（Ｉother）の比（Ｉ[111]／（Ｉ[111]＋Ｉother））で表すことができる。前記比率は高い方が良く、８０％以上の強度比であることが好ましい。
【００４８】
さらに、単結晶の絶縁体層を利用することにより磁性粒子の配向析出が容易になる。単結晶の絶縁体層は、積層体の最下層として用いることによって、これを種結晶としてその上の絶縁体層を単結晶化することが可能になる。
【００４９】
このような構成によれば、アンテナ基板に占める磁性粒子の密度が増加して体積あたりの磁化を大きくすることができ、かつアンテナ基板を薄膜化することが可能になる。
【００５０】
なお、複数の前記磁性粒子１３が前記第１、第２の絶縁体層１１，１２の界面に前記所定の配向性で埋没された形態は、単に磁性粒子が絶縁体層の表面の窪みに埋没されたものと異なり、ＴＥＭ、回折像などの違いとして判別することが可能である。
【００５１】
前記アンテナ３０は、例えばステンレス、Ａｇ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｕ等から作られ、例えば１５〜１００μｍの厚さを有する。
【００５２】
以上説明した図１〜図３に示すＭｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｂａ，Ｓｒ，Ｚｎ，Ｍｎ，Ｈｆ、および希土類元素（Ｙを含む）から選ばれる少なくとも一つの金属（Ｍ１）の酸化物を含み、互いに異なる組成のセラミック層からなる第１、第２の絶縁体層１１，１２を有するアンテナ基板は、前記磁性粒子１３を熱的に安定な状態で前記第１、第２の絶縁体層１１，１２の界面に存在させることが可能になる。その結果、前述した通信機器内にアンテナデバイスと共に電子回路基板を配置した場合、その電子回路基板に電波が吸収されるのを長期間に亘って抑制または防止でき、高効率の送受信をより安定的に行うことが可能なアンテナ基板１０を備えたアンテナデバイス１を実現することができる。
【００５３】
図４は、アンテナデバイスのアンテナ基板の他の形態を示す要部拡大断面図である。なお、図４において図３と同様な部材は同符号を付して説明を省略する。
【００５４】
このアンテナ基板１０は、積層体１４表面の第２絶縁体層１２上に有機樹脂層１５が形成されている。複数の磁性粒子１３は、前記第２絶縁体層１２と有機樹脂層１５の接合界面に第２絶縁体層１２および有機樹脂層１５の両方に埋没するように配置されている。図示しないアンテナは、前記アンテナ基板１０の有機樹脂層１５に形成される。なお、前記第２絶縁体層１２と有機樹脂層１５の接合界面に配置される磁性粒子１３は後述する製造方法において積層体１４の最表面に位置するセラミック層として前記金属（Ｍ１）の酸化物に加えて磁性金属（Ｍ２）の酸化物を含む組成とし、還元処理時に最表面に位置するセラミック層からも磁性金属を析出することにより形成することができる。
【００５５】
前記有機樹脂は、例えばポリスチレン、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、エポキシ樹脂等を挙げることができる。
【００５６】
このような図４に示す構成のアンテナ基板１０は、積層体１４の最上層に位置するセラミックス層からなる第２絶縁体層１２と有機樹脂層１５の間で誘電率を傾斜させることができる。このため、前記アンテナ基板１０を備えたアンテナデバイスは１００ＭＨｚ〜数ＧＨｚ，の高周波の電波に対してより高い送受信効率を有する。また、アンテナが形成されるアンテナ基板１０の表面を有機樹脂層１５にすることによって、振動などの物理的負荷に対して耐久性が向上されたアンテナデバイス１を実現することが可能となる。さらに、絶縁体層として有機樹脂層１５を用いることにより絶縁体層をセラミック層のみで形成する場合に比べてアンテナ基板１０を軽量化することが可能になる。
【００５７】
前記第２絶縁体層１２と有機樹脂層１５の界面に配置した複数の磁性粒子１３は、図５に示すように有機樹脂層１５に埋没される表面をＡｌ2Ｏ3，ＡｌＮ，ＳｉＯ2，Ｓｉ3Ｎ4およびＳｉＣの少なくとも１つの無機材料からなる膜１６で被覆することが好ましい。このような構成によれば、磁性粒子１３と有機樹脂層１５との密着性を向上させることが可能になる。この場合、膜１６の材料は前記有機樹脂層１５と隣接する第２絶縁体層１２を構成するＭｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｂａ，Ｓｒ，Ｚｎ，Ｍｎ，Ｈｆ、および希土類元素（Ｙを含む）から選ばれる少なくとも一つの金属（Ｍ１）の酸化物と異なるように選択される。
【００５８】
前記膜１６の厚さは、磁性粒子１３の粒径に拘わらず、１〜５ｎｍにすることが好ましい。このような厚さの膜１６を有する磁性粒子１３は、有機樹脂層１５との密着性の向上に加え、アンテナ基板１０の高抵抗を維持することが可能である。
【００５９】
図６は、アンテナデバイスのアンテナ基板の他の形態を示す要部拡大断面図である。なお、図６において図３と同様な部材は同符号を付して説明を省略する。
【００６０】
このアンテナ基板１０は、積層体１４表面の第２絶縁体層１２上に多数の無機材料粒子１７を分散した有機樹脂層１５が形成されている。複数の磁性粒子１３は、前記第２絶縁体層１２と有機樹脂層１５の接合界面に第２絶縁体層１２および有機樹脂層１５の両方に埋没するように配置されている。図示しないアンテナは前記アンテナ基板１０の有機樹脂層１５に形成される。なお、前記第２絶縁体層１２と有機樹脂層１５の接合界面に配置される磁性粒子１３は前述の図４のアンテナ基板の説明と同様な方法で形成される。
【００６１】
前記有機樹脂は、前述したのと同様、例えばポリスチレン、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、エポキシ樹脂等を挙げることができる。
【００６２】
前記無機材料としては、例えばＡｌ2Ｏ3，ＭｇＯ，ＺｎＯ等のセラミックを挙げることができる。前記無機材料粒子１７は、前記有機樹脂層１５の厚さを０．０５〜１０００μｍとした場合、１０〜１０００ｎｍの平均粒径を有することが好ましい。このような平均粒径を有する無機材料粒子１７は、前記有機樹脂層１５に２０〜９０体積％で分散されることが好ましい。
【００６３】
このような図６に示す構成のアンテナ基板１０は、積層体１４の最上層に位置するセラミックス層からなる第２絶縁体層１２と有機樹脂層１５の間で誘電率を傾斜させることができる。また、有機樹脂層１５に分散させた無機材料粒子１７の分散量を調整することによって、前記有機樹脂層１５の誘電率を制御できる。このため、前記アンテナ基板１０を備えたアンテナデバイスは１００ＭＨｚ〜数ＧＨｚ，の高周波の電波に対してより高い透磁率性を有する。また、アンテナが形成されるアンテナ基板１０の表面を有機樹脂層１５にすることによって、振動などの物理的負荷に対して耐久性が向上されたアンテナデバイスを実現することが可能となる。
【００６４】
図７は、アンテナデバイスのアンテナ基板の他の形態を示す要部拡大断面図である。なお、図７において図３と同様な部材は同符号を付して説明を省略する。
【００６５】
このアンテナ基板１０は、積層体１４表面の第２絶縁体層１２上に多数の気泡１８を分散した有機樹脂層１５が形成されている。複数の磁性粒子１３は、前記第２絶縁体層１２と有機樹脂層１５の接合界面に第２絶縁体層１２および有機樹脂層１５の両方に埋没するように配置されている。図示しないアンテナは前記アンテナ基板１０の有機樹脂層１５に形成される。なお、前記第２絶縁体層１２と有機樹脂層１５の接合界面に配置される磁性粒子１３は前述の図４のアンテナ基板の説明と同様な方法で形成される。
【００６６】
前記有機樹脂は、前述したのと同様、例えばポリスチレン、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、エポキシ樹脂等を挙げることができる。
【００６７】
前記気泡１８は、前記有機樹脂層１５の厚さを０．０５〜１０００μｍとした場合、１０〜１０００ｎｍの平均径を有することが好ましい。このような平均径を有する気泡１８は、前記有機樹脂層１５に５〜５０体積％の量で分散させることが好ましい。
【００６８】
このような図７に示す構成のアンテナ基板１０は、積層体１４の最上層に位置するセラミックス層からなる第２絶縁体層１２と有機樹脂層１５の間で誘電率を傾斜させることができる。また、有機樹脂層１５に分散させた気泡１８の分散量を調整することによって、前記有機樹脂層１５の誘電率を制御できる。このため、前記アンテナ基板１０を備えたアンテナデバイスは１００ＭＨｚ〜数ＧＨｚ，の高周波の電波に対してより高い送受信効率を有する。また、アンテナが形成されるアンテナ基板１０の表面を有機樹脂層１５にすることによって、振動などの物理的負荷に対して耐久性が向上されたアンテナデバイスを実現することが可能となる。さらに、絶縁体層として気泡１８が分散された有機樹脂層１５を用いることにより絶縁体層をセラミック層のみから形成する場合に比べてアンテナ基板１０をより一層軽量化することが可能になる。
【００６９】
図８は、アンテナデバイスのアンテナ基板の他の形態を示す要部拡大断面図である。なお、図８において図３と同様な部材は同符号を付して説明を省略する。
【００７０】
このアンテナ基板１０は、２つの積層体１４の間に有機樹脂層１５を介在して形成されている。複数の磁性粒子１３は、一方の積層体１４の第２絶縁体層１２と有機樹脂層１５の接合界面および他方の積層体１４の第２絶縁体層１２と有機樹脂層１５の接合界面に第２絶縁体層１２および有機樹脂層１５の両方に埋没するようにそれぞれ配置されている。図示しないアンテナは、前記アンテナ基板１０の一方の積層体１４表面に形成される。なお、前記２つの積層体１４の第２絶縁体層１２と有機樹脂層１５の接合界面にそれぞれ配置される磁性粒子１３は、前述の図４のアンテナ基板の説明と同様な方法で形成される。
【００７１】
前記有機樹脂は、前述したのと同様、例えばポリスチレン、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、エポキシ樹脂等を挙げることができる。
【００７２】
このような図８に示す構成のアンテナ基板１０は、中間に配置した有機樹脂層１５により強度が向上されるとともに、誘電率の制御が可能になる。
【００７３】
前述した図４〜図８に示すアンテナ基板１０において、第２絶縁体層１１と有機樹脂層１５の接合界面に配置される複数の磁性粒子１３は前述したのと同様に１〜１００ｎｍ、より好ましくは１０〜５０ｎｍの粒径を有し、かつ磁性粒子１３間の距離が１０ｎｍ以下であることが望ましい。また、複数の前記磁性粒子１３は単結晶または多結晶のような結晶性を有し、その結晶方位が前記第２の絶縁体層１２の結晶方位に対して少なくとも２軸以上で揃った結晶方位を有することが好ましい。
【００７４】
前述した図８に示すアンテナ基板１０の有機樹脂層１５は、図６、図７に示すように無機材料粒子または気泡が分散されていてもよい。
【００７５】
次に、他の実施形態に係るアンテナデバイスを図９〜図１１を参照して説明する。
【００７６】
図９に示すアンテナデバイス１は、例えば前述した図３に示すアンテナ基板１０にアンテナ３０を埋め込んで形成した構造を有する。
【００７７】
このような図９に示す構成によれば、アンテナ３０がアンテナ基板１０に埋め込まれているため、アンテナ３０のアンテナ基板に対する保持性が向上される。
【００７８】
図１０に示すアンテナデバイス１は、例えば前述した図３に示す積層体１４の外周面に外装樹脂層１９で覆ったアンテナ基板１０と、このアンテナ基板１０の外装樹脂層１９に形成されたアンテナ３０とから構成されている。この外装樹脂層１９は、例えばポリスチレン、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、エポキシ樹脂等から作られる。
【００７９】
このような図１０に示す構成によれば、衝撃に対する緩衝作用を示す外装樹脂層１０で積層体１４を覆った構造のアンテナ基板１０を有するため、比較的衝撃に弱い前記金属（Ｍ１）の酸化物を含むセラミック層からなる第１、第２の絶縁体層を積層した積層体１４のみでアンテナ基板を構成する場合に比べて衝撃等に対して優れた耐久性を有する。また、アンテナ基板１０は外装樹脂層１９により水分等に対する高いバリア性を有するため、長期信頼性のアンテナデバイス１を実現できる。
【００８０】
図１１に示すアンテナデバイス１は、例えば前述した図３に示すアンテナ基板１０と、このアンテナ基板１０上に形成され、下部が開口した箱形の有機樹脂スペーサ２０と、このスペーサ２０上に形成されたアンテナ３０とから構成されている。この有機樹脂スペーサ２０は、例えばポリスチレン、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、エポキシ樹脂等から作られる。
【００８１】
このような図１１に示す構成によれば、アンテナ３０が形成されるスペーサ２０の高さを調整することによって、アンテナ３０からの電波の周波数に応じてその電波のアンテナ基板１０による巻き込み度合いを制御することが可能になる。その結果、通信機器内にこのアンテナデバイス１と共に電子回路基板を配置した場合、その電子回路基板に電波が吸収されるのを適切に防止でき、高効率の送受信を行うことが可能になる。
【００８２】
次に、実施形態に係るアンテナデバイスの製造方法を図１２の（Ａ）〜（Ｄ）および図１３を参照して詳細に説明する。
【００８３】
（第１工程）
まず、Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｂａ，Ｓｒ，Ｚｎ，Ｍｎ，Ｈｆおよび希土類元素（Ｙを含む）の群から選ばれる少なくとも１つの金属（Ｍ１）の化合物を含み、互いに組成が異なり、かつ少なくとも一方に例えばＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉのような磁性金属（Ｍ２）の化合物が含まれる第１、第２のセラミックグリーンシートを成形する。
【００８４】
具体的には、前記金属（Ｍ１）の化合物に例えばポリビニルアルコール（ＰＶＡ）のようなバインダを加え、例えばナイロンなどの樹脂製のボール、ポットから構成されるボールミルで均一に混合して原料を調製する。この原料をシート成形することにより前記金属（Ｍ１）の化合物を含む図１２の（Ａ）に示す第１セラミックグリーンシート４１を作製する。
【００８５】
また、前記金属（Ｍ１）の化合物および前記磁性金属（Ｍ２）の化合物に例えばポリビニルアルコール（ＰＶＡ）のようなバインダを加え、ボールミルで均一に混合して原料を調製する。この原料をシート成形することにより前記金属（Ｍ１）の化合物および前記磁性金属（Ｍ２）の化合物を含む図１２の（Ｂ）に示す第２セラミックグリーンシート４２を作製する。
【００８６】
（第２工程）
前記第１、第２のセラミックグリーンシートを交互に複数枚積層してセラミックグリーンシート積層体を作製する。具体的には、図１２の（Ｃ）に示すように前記磁性金属（Ｍ２）の化合物を含まない第１セラミックグリーンシート４１が最上層、最下層に位置するように第１、第２のセラミックグリーンシート４１、４２を交互に複数枚積層してセラミックグリーンシート積層体４３を作製する。
【００８７】
（第３工程）
前記セラミックグリーンシート積層体４３を脱脂処理し、さらに焼成することにより図１２の（Ｄ）に示す第１、第２のセラミック層４４，４５が交互に複数積層、接合された焼成積層体４６を作製する。
【００８８】
（第４工程）
前記焼成積層体４６を還元処理することにより前記第２セラミック層４５に含有される磁性金属（Ｍ２）の酸化物から磁性金属を前記第１、第２のセラミック層４４，４５の界面に析出させる。このような還元処理により、図１３に示すようにＭｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｂａ，Ｓｒ，Ｚｎ，Ｍｎ，Ｈｆ、および希土類元素（Ｙを含む）から選ばれる少なくとも一つの金属（Ｍ１）の酸化物を含む前記第１セラミック層からなる第１絶縁体層１１とこの第１絶縁体層１１と組成の異なり、第２絶縁体層１２が交互に積層、接合され、かつそれら第１、第２の絶縁体層１１，１２の接合界面に複数の磁性粒子１３がそれら第１、第２の絶縁体層１１，１２の両方に埋没するように配置された積層体１４を含むアンテナ基板１０を作製することができる。なお、第２絶縁体層１２は前記磁性金属（Ｍ２）の析出量に応じて前記第２セラミック層４５に比べて前記磁性金属（Ｍ２）の酸化物の量が減少するか、または全く含まない組成になる。この後、アンテナ基板１０最上層の第１絶縁体層１１上にアンテナ３０を形成してアンテナデバイス１を製造する。
【００８９】
前記第１工程において各セラミックグリーンシート４１，４２に含有される前記金属（Ｍ１）の化合物、前記磁性金属（Ｍ２）の化合物としては、例えば酸化物、水酸化物または炭酸化物を挙げることができる。中でも酸化物が好ましい。
【００９０】
前記第２セラミックグリーンシートは、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉの少なくとも一種を含む磁性金属（Ｍ２）の酸化物が前記金属（Ｍ１）の酸化物と固溶した複合酸化物の形態で含まれることが好ましい。前記磁性金属（Ｍ２）の酸化物としては、一酸化鉄（ＦｅＯ），酸化コバルト（ＣｏＯ）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）などが前記金属（Ｍ１）の酸化物と容易に固溶して複合酸化物を生成できるために好ましい。例えば、酸化鉄としては、ＦｅＯ，Ｆｅ2Ｏ3，Ｆｅ3Ｏ4など様々な形態があるが、一酸化鉄（ＦｅＯ）は前記金属（Ｍ１）の酸化物と広い組成範囲で固溶して複合酸化物を生成し易いため好適である。例えば前記金属（Ｍ１）の酸化物としてＭｇＯ、前記磁性金属（Ｍ２）の酸化物としてＦｅＯを用いた場合、それらＭｇＯとＦｅＯとを反応させて例えば全率固溶体（Ｆｅ−Ｍｇ−Ｏ系固溶体）の複合酸化物を生成できる。一方、前記金属（Ｍ１）の酸化物としてＡｌ2Ｏ3、前記磁性金属（Ｍ２）の酸化物としてＦｅ2Ｏ3を用いた場合、それらＡｌ2Ｏ3とＦｅ2Ｏ3とを反応させて全率固溶体（Ｆｅ−Ａｌ−Ｏ）の複合酸化物を生成できる。なお、前記第２セラミックグリーンシートには酸化鉄としてＦｅＯまたはＦｅ2Ｏ3の以外に、他の価数の酸化鉄が含まれていてもよい。
【００９１】
このように第２セラミックグリーンシート４２として前記複合酸化物を含むものを用いることによって、前記第４工程の還元処理においてその複合酸化物中の磁性金属を第１、第２のセラミック層４４，４５の界面に容易に析出させることが可能になる。また、微細な状態で磁性粒子１３を第１、第２のセラミック層４４，４５の界面に析出させることが可能になる。さらに、析出した磁性粒子１３の結晶方位は第２セラミック層４５（第２絶縁体層１２）の結晶方位に対して、少なくとも２軸以上で揃うように形成させることが可能になる。さらに１〜１００ｎｍの粒径を有する磁性粒子１３をそれらの間の距離が５０ｎｍ以下で第１、第２の絶縁体層１１，１２の界面に析出することも可能になる。
【００９２】
前記第２セラミックグリーンシート４２として前記金属（Ｍ１）と前記磁性金属（Ｍ２）が複合酸化物の形態で含ませる場合、金属（Ｍ１）の酸化物をａモル、磁性金属（Ｍ２）の酸化物をｂモルとすると、ａ：ｂが１０：９０〜９０：１０にすることが好ましい。前記複合酸化物において、ａ：ｂ＝１０：９０より磁性金属（Ｍ２）の酸化物の割合が多くなると、前記還元工程により析出した磁性粒子の結晶粒が大きくなり、アンテナ基板としての高周波での特性が低下する虞がある。一方、前記複合酸化物においてａ：ｂ＝９０：１０より前記金属（Ｍ１）の酸化物の割合が多くする、すなわち磁性金属（Ｍ２）の酸化物の割合が少なくすると、前記還元工程により析出する磁性粒子の数が少なくなって、磁性粒子間の磁気的相互作用が低下する恐れがある。また、析出粒子が１ｎｍ未満になり、場合によっては超常磁性が発生して特性が劣化する。より好ましいａ：ｂは、２０：８０〜５０：５０である。
【００９３】
特に、前記金属（Ｍ１）の酸化物としてＭｇＯ、前記磁性金属（Ｍ２）の酸化物としてＦｅＯを用いて複合酸化物の形態で第２セラミックグリーンシート４２を含有させる場合、ＭｇＯ：ＦｅＯのモル比が２：１になるように反応させることによりＭｇ−Ｆｅ−Ｏ系の全固溶体の複合酸化物を容易に生成することが可能になる。このような複合酸化物を含む第２セラミックセラミックグリーンシートを用いることによって、前記第４工程で還元処理において、第１、第２のセラミック層４４，４５の界面に析出される磁性粒子１３の量を適切に制御でき、磁性粒子１３同士の合体や粒成長を抑制することが可能になる。
【００９４】
前記磁性金属（Ｍ２）の酸化物としては、単独の酸化物に限らず、ＣｏＦｅ2Ｏ4，ＮｉＦｅ2Ｏ4のような複合酸化物の形態で前記第２セラミックグリーンシート４２に配合することを許容する。特にＮｉとＦｅおよびＣｏのうちの少なくとも１つの金属との酸化物を選択して複合酸化物とする場合、Ｎｉの量はＣｏおよび／またはＦｅに対して５０モル％以下にすることが好ましい。
【００９５】
前記第１工程において、前記磁性金属（Ｍ２）の化合物、好ましくは前記金属（Ｍ１）およびを前記磁性金属（Ｍ２）の複合酸化物を含む前記第２セラミックグリーンシート４２は、前記還元処理時に磁性粒子の析出を促進する目的で、Ａｌ，Ｃｒ，Ｓｃ，Ｓｉ，Ｍｎ，Ｂから選ばれる少なくとも１つの添加金属（Ｍ３）をさらに配合されることが望ましい。前記添加金属（Ｍ３）は、前記金属（Ｍ１）と異なる金属が選択される。前記添加金属（Ｍ３）は、前記焼成処理後の絶縁体層（酸化物）中に０．０１〜０．２５原子％含有されることが好ましい。
【００９６】
前記第１工程において、前記磁性金属（Ｍ２）の化合物を含む前記第２セラミックグリーンシート４２はＣｕまたはＭｎをさらに配合されることを許容する。
【００９７】
前記第２工程において、第１、第２のセラミクグリーンシート４１，４２はそれらの厚さにもよるが、概ね１００層以上積層することが好ましい。
【００９８】
前記第３工程において、前記第１、第２のセラミックグリーンシート４１，４２が酸化物の原料で作られる場合、焼成は酸化性雰囲気、真空中、もしくは例えばアルゴンのような不活性雰囲気にて１０００℃以上の温度に加熱することが好ましい。一方、記第１、第２のセラミックグリーンシート４１，４２が酸化物以外の原料で作られる場合、焼成は酸化性雰囲気にて１０００℃以上の温度に加熱することが好ましい。前記酸化性雰囲気とは、大気、酸素を含有する不活性ガス雰囲気などが挙げられる。前記第１、第２のセラミックグリーンシート４１，４２が酸化物の原料で作られる場合、焼成は酸素量を変動させないために、不活性雰囲気あるいは真空中で行うことが好ましい。例えば、前記金属（Ｍ１）およびを前記磁性金属（Ｍ２）の複合酸化物を含む第２セラミックグリーンシート４２を用いる場合、焼成工程は真空中もしくはＡｒ雰囲気中で焼結させることが好ましい。
【００９９】
前記第４工程において、還元処理は例えば水素、一酸化炭素またはメタンのような還元性ガスを用いてなされるが、特に水素が好ましい。前記水素による還元処理温度は、焼成積層体４６を構成する第２セラミック層４５の酸化物の一部が還元される温度であればよく、特に限定されるものではないが、２００〜１５００℃にすることが好ましい。還元処理温度を２００℃未満にすると、還元反応の進行が遅くなり、生産性が低下する虞がある。一方、還元処理温度が１５００℃を超えると、析出した磁性粒子の成長が進み過ぎて磁性粒子が相互に凝集する虞がある。より好ましい還元処理温度は、２００〜１０００℃である。
【０１００】
還元性ガスとして水素を用いた場合、水素気流中に前記焼成積層体４６を設置して還元することが好ましい。このように水素気流中で還元を行えば、焼成積層体４６の第２セラミック層４５の表面全体（第１セラミック層４４との界面全体）に磁性粒子を均一に析出させることが可能になる。水素の流量は、還元温度により一概に限定されないが、例えば１０ｃｃ／分以上にすることが好ましい。
【０１０１】
前記第４工程において、図１４に示すように第２絶縁体層１２に隣接する第１絶縁体層１１を多孔質構造にすることにより、第１、第２の絶縁体層１１、１２の界面への還元性ガス（例えば水素）の供給を促進して、磁性粒子１３の析出を助長することが可能になる。ただし、第１絶縁体層１１を多孔質構造のままにしてアンテナ基板を作製すると、水分等の侵入により長期信頼性が低下する虞がある。このような場合、図１５に示すように多孔質の第１絶縁体層１１に有機樹脂４７を注入、充填することが好ましい。このような有機樹脂４７の充填により多孔質の第１絶縁体層１１と第２絶縁体層１２の間の密着強度を高めることができると共に、磁性粒子１３が第２絶縁体層１２の表面から脱落することを防止することが可能になる。また、有機樹脂４７の材料選択により誘電率を制御することが可能になる。
【０１０２】
前記第４工程において、焼成積層体４６の第２セラミック層４５中の磁性金属の全量を析出するように還元処理してもよいし、セラミック層４５中に磁性金属の酸化物の一部が例えば前記金属（Ｍ１）との固溶複合酸化物として残存するように還元処理してもよい。
【０１０３】
前記第４工程において、アンテナ３０の形成は積層体１４にステンレス、Ｃｕ，Ａｇ、Ｎｉ，Ａｕの金属の板を張り合わせる方法、同金属を含むペーストを塗布し、乾燥する方法、または同金属をスパッタで成膜し、パターニングする方法を採用することができる。
【０１０４】
前記第１から第４の工程において、磁性粒子１３を有する積層体１４の最上層、最下層の第１絶縁体層１１を前記磁性金属（Ｍ２）の化合物を含まない第１セラミックグリーンシート４１の焼成により形成すれば、その第１絶縁体層１１表面への磁性粒子が析出しない形態にできる。ただし、第１セラミックグリーンシート４１も前記磁性金属（Ｍ２）の化合物を含む組成にし、積層体の最上層、最下層に位置する第１絶縁体層から磁性粒子が析出した場合、アンテナを形成する前にその磁性粒子を除去すれば何ら問題にならない。
【０１０５】
なお、前述した図４〜図８に示すアンテナ基板は、次のような方法により作製することができる。
【０１０６】
１）図４に示すアンテナ基板の作製方法
まず、前記金属（Ｍ１）の化合物を含む第１セラミックグリーンシートと、第１セラミックグリーンシートの金属（Ｍ１）の化合物と組成の異なる金属（Ｍ１）の化合物および前記磁性金属（Ｍ２）の化合物を含む第２セラミックグリーンシートをそれぞれ成形する。これらの第１、第２のセラミックグリーンシートを少なくとも最上層に第２セラミックグリーンシートが位置するように交互に複数枚積層してセラミックグリーンシート積層体を作製し、焼成、還元処理することにより前記金属（Ｍ１）の酸化物を含む第１絶縁体層１１とこの第１絶縁体層と組成の異なる第２絶縁体層１２が交互に積層、接合され、かつそれら第１、第２の絶縁体層１１，１２の接合界面に複数の磁性粒子１３がそれら第１、第２の絶縁体層１１，１２の両方に埋没するように配置され、さらに最上層の第２絶縁体層１２表面に複数の磁性粒子１３が第２絶縁体層１２の一部に埋没するように配置された積層体１４を作製する。つづいて、前記積層体１４の最上層に位置する第２絶縁体層１２の複数の磁性粒子１３を含むに有機樹脂層１５を形成して前述した図４に示すアンテナ基板を作製する。
【０１０７】
２）図５に示すアンテナ基板の作製方法
前記１）と同様な方法により積層体１４を作製し、この積層体１４の最上層に位置する第２絶縁体層１２の複数の磁性粒子１３を含む表面にＡｌまたはＳｉを例えばスパッタしてＡｌ薄膜またはＳｉ薄膜（図示せず）を形成する。つづいて、第１熱処理を施してＡｌ薄膜またはＳｉ薄膜を複数の磁性粒子１３に固溶させた後、第２熱処理（酸化処理、窒化処理、炭化処理）を施すことによって第２絶縁体層表面１２から突出した磁性粒子１３表面にＡｌ2Ｏ3，ＡｌＮ，ＳｉＯ2，Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉＣのいずれかの膜１６を形成する。第１熱処理は、磁性粒子が酸化せず、Ａｌ，Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｉと固溶させることが可能な条件であれば限定されないが、Ａｒなどの不活性ガス雰囲気中で２００〜１０００℃の範囲で加熱することが好ましい。また、固溶させる量はその後の第２熱処理（酸化処理、窒化処理、炭化処理）によって生じるＡｌ2Ｏ3，ＡｌＮ，ＳｉＯ2，Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉＣのいずれかの膜の厚さを考慮して決定する。例えばＦｅの磁性粒子に対してＡｌは原子量比で最大５３％程度まで固溶させることができるが、粒径１０ｎｍのＦｅの磁性粒子に対して５３％のＡｌを固溶させることによって、その後の酸化性雰囲気での第２熱処理によって１ｎｍ程度のＡｌ2Ｏ3膜を磁性粒子表面に形成させることができる。また、粒径１００ｎｍのＦｅの磁性粒子に対して２０％のＡｌを固溶させることによって、その後の酸化性雰囲気での第２熱処理によって５ｎｍ程度のＡｌ2Ｏ3膜をＦｅの磁性粒子表面に形成することができる。
【０１０８】
次いで、前記各種の膜１６で覆われた複数の磁性粒子１３が突出した第２絶縁体層１２に有機樹脂層１５を形成することにより前述した図５に示すアンテナ基板１０を作製する。
【０１０９】
３）図６に示すアンテナ基板の作製方法
前記１）と同様な方法により積層体１４を作製し、この積層体１４の最上層に位置する第２絶縁体層１２の複数の磁性粒子１３を含む表面に多数の無機材料粒子１７を分散した有機樹脂層１５を形成することによって、前述した図６に示すアンテナ基板１０を作製する。
【０１１０】
４）図７に示すアンテナ基板の作製方法
前記１）と同様な方法により積層体１４を作製し、この積層体１４の最上層に位置する第２絶縁体層１２の複数の磁性粒子１３を含む表面に多数の気泡１８を分散した有機樹脂層１５を形成することによって、前述した図７に示すアンテナ基板１０を作製する。
【０１１１】
４）図８に示すアンテナ基板の作製方法
前記１）と同様な方法により２つの積層体１４を作製し、これら積層体１４を複数の磁性粒子１３が埋没された第２絶縁体層１２が互いに対向するように配置し、それら積層体１４間に有機樹脂層１５を挟んで相互に接合することにより図８に示すアンテナ基板１０を作製する。
【０１１２】
次に、実施形態に係るアンテナデバイスの典型的な適用例を図面を参照して説明する。
【０１１３】
図１６は、前述した図１〜図３に示すアンテナデバイスを電子回路基板に組み込んだ形態を示す正面図である。このアンテナデバイス１は、電子回路基板５０上にそのアンテナ基板１０を構成する第１、第２の絶縁体層の接合界面に位置する複数の磁性粒子の配列方法が電子回路基板５０表面とほぼ平行をなすように配置すること好ましい。
【０１１４】
このような図１６に示す構成によれば、アンテナ３０で１００ＭＨｚ〜数ＧＨｚ，の高周波の電波を発信または受信する際、アンテナ３０の背面側に位置する電子回路基板５０での電波の吸収を抑制または防止でき、高効率の送受信を行うことが可能になる。
【０１１５】
すなわち、アンテナを前記アンテナ基板が存在しない状態で電子回路基板に近接して配置した場合、アンテナで発信または受信される高周波の電波は電子回路基板で吸収される。また、この電子回路基板での電波の吸収により渦電流の発生を伴い、この渦電流の磁界により前記アンテナからの磁場を打ち消す。つまり、電波は打ち消される。したがって、電子回路基板での電波の吸収はアンテナで発信または受信する電波を二重に低減させる。
【０１１６】
前述した図１〜図３に示す複数の第１、第２の絶縁体層１１，１２を積層、接合し、第１、第２の絶縁体層１１，１２の界面に複数の磁性粒子１３を埋設して配置した積層体１４からなる実施形態に係るアンテナ基板１０は、アンテナで発信または受信する１００ＭＨｚ〜数ＧＨｚ，高周波の電波に対して高い透磁率性を有する。このため、アンテナ３０で発信または受信する前記高周波の電波を前記アンテナ基板１０に向かわせて巻き込み、その電波が前記電子回路基板５０に達するのを抑制または防止できる。つまり、前記電波が前記電子回路基板５０で吸収されるのを抑制または防止できる。また、前記電子回路基板５０での電波吸収の抑制または防止により、電子回路基板５０での渦電流の発生、この渦電流の磁界による電場の発生を抑制または防止することが可能になる。その結果、この電場が前記アンテナ３０での電場を打ち消すのを抑制または防止することが可能になる。したがって、実施形態に係るアンテナデバイス１は、アンテナ３０で発信または受信する電波の電子回路基板５０での吸収を抑制または防止すると共に、電子回路基板５０での電波吸収に伴うアンテナ３０の電場の打ち消しも抑制または防止することができるため、高効率の送受信を行うことが可能になる。
【０１１７】
図１７は、前述した図１〜図３に示す実施形態に係るアンテナデバイスを搭載した携帯電話機を示す斜視図、図１８は図１７の携帯電話機を示す正面図、図１９は図１７の携帯電話機を示す側面図である。
【０１１８】
携帯電話機６０は、筐体６１を有する。液晶表示部材６２および入力部材６３は、前記筐体６１の表面側に配置されている。電子回路基板６４は、前記筐体６１内に前記液晶表示部材６２および前記入力部材６３の背面側に位置するように配置されている。実施形態に係るアンテナデバイス１は、前記筐体６１内に前記電子回路基板６４の背面に接して配置されている。
【０１１９】
このような構成によれば、携帯電話機６０を使用する際に筐体６１に組み込まれたアンテナデバイス１のアンテナ３０で発信または受信する１００ＭＨｚ〜数ＧＨｚ，の高周波の電波は、前述した図１６で説明したように電子回路基板６４に吸収されるのを抑制または防止できるため、高効率の送信を行うことが可能になる。
【０１２０】
図２０は、前述した図１〜図３に示す実施形態に係るアンテナデバイスを搭載したパーソナルコンピュータを示す斜視図である。
【０１２１】
パーソナルコンピュータ７０は、入力側筐体７１に表示側筐体７２が図示しないヒンジ機構により開閉可能に取り付けられている。入力部材７３は、前記入力側筐体７１内に配置されている。電子回路基板（図示せず）を有する表示部材７４は、前記表示側筐体７２内に配置されている。実施形態に係るアンテナデバイス１は、前記表示側筐体７２の内部に前記表示部材７４の背面側に位置するように配置されている。このアンテナデバイス１は、前記表示部材７４の側に図示しないアンテナ基板が位置するように配置され、アンテナはこのアンテナ基板表面にそのアンテナ基板を挟んで前記表示部材７４と反対側に位置するように形成されている。
【０１２２】
このような構成によれば、パーソナルコンピュータ７０を使用する際、表示側筐体７２に搭載されたアンテナデバイス１のアンテナで発信または受信する１００ＭＨｚ〜数ＧＨｚ，の高周波の電波は、前述した図１５で説明したように表示部材７４に組み込まれた電子回路基板に吸収されるのを抑制または防止できる。その結果、表示部材７４（電子回路基板などを含む）側に電波の影響が及ぶのを抑制または防止できるため、高効率の送受信を行うことが可能なパーソナルコンピュータ７０を実現できる。
【０１２３】
以上、図１６〜図２０のように実施形態のアンテナデバイス１を電子機器に適用することによって、電波の伝送損失を抑えることができるため、アンテナデバイス自体の省スペース化も可能となり、アンテナデバイスが組み込まれる電子機器の小型化・薄型化を図ることができる。
【０１２４】
以下に、本発明の実施例を説明する。
【０１２５】
（実施例１）
まず、ＭｇＯ粉末とＦｅＯ粉末を秤量、らいかい機で混合した後に空気中にて８００℃、２時間仮焼してＭｇＯとＦｅＯが全固溶された（Ｆｅ0.6Ｍｇ0.4）Ｏの複合酸化物粉末を得た。この複合酸化物粉末をアセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、グリセリン、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）、フタル酸ジブチル（ＤＢＰ）と共にボールミルで混合（１時間、回転数３００ｒｐｍ）、スラリー化した。得られたスラリーを厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上にマイクログラビアコーターにてシート成型した後、６０℃および７０℃に設定した乾燥域を経て乾燥することにより（Ｆｅ0.6Ｍｇ0.4）Ｏ粉末を９５重量％含む厚さ１μｍの第２セラミックグリーンシートを得た。
【０１２６】
また、Ａｌ2Ｏ3粉末を同様の方法でシート成型してＡｌ2Ｏ3粉末を９０重量％含む厚さ１μｍの第１セラミックグリーンシートを得た。
【０１２７】
＜積層体作製＞
次いで、前記第１、第２のセラミックグリーンシートを前記ＰＥＴフィルムから剥離しながら交互にかつ最外層に前記第１セラミックグリーンシート（Ａｌ2Ｏ3を含むセラミックグリーンシート）が配置されるように積層して６０３層のセラミックグリーンシート積層体を作製した。
【０１２８】
得られたセラミックグリーンシート積層体を２４０ｋｇ／ｃｍ2にて静水圧ラミネート処理し、所定の大きさに切り分けた後、Ａｒ雰囲気、５００℃で１時間脱脂し、さらに１３００℃で１時間焼成することにより積層セラミック板を作製した。
【０１２９】
次いで、前記積層セラミック板を水素炉内に入れ、純度９９．９％の水素ガスを毎分２００ｃｃ流しながら、８００℃で１０分間還元を行った後、炉冷することにより複数のＦｅナノ粒子がＡｌ2Ｏ3からなる第１絶縁体層とＦｅ−Ｍｇ−Ｏ系複合酸化物からなる第２絶縁体層の界面に析出したアンテナ基板を作製した。このアンテナ基板の層を剥離して析出したＦｅ粒子を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察した。その結果、５０〜１００ｎｍのＦｅ粒子がセラミックス表面に埋没して無数に析出していた。このときのＦｅ粒子の間隔は、１０〜３０ｎｍであった。
【０１３０】
次いで、前記アンテナ基板の片側表面上に銀ペーストを用い印刷法にてアンテナを形成することによりアンテナデバイスを製造した。
【０１３１】
（実施例２）
Ａｌ2Ｏ3粉末を９０重量％含む第１セラミックグリーンシートおよび（Ｆｅ0.6Ｃｏ0.2Ｍｇ0.2）Ｏ粉末を９５重量％含む第２セラミックグリーンシートを用いた以外、実施例１と同様の方法によりアンテナ基板を作製し、アンテナを形成してアンテナデバイスを製造した。
【０１３２】
（実施例３）
Ａｌ2Ｏ3粉末を９０重量％含む第１セラミックグリーンシートおよび（Ｆｅ0.5Ｃｏ0.15Ｎｉ0.05Ｍｇ0.2）Ｏ粉末を９５重量％含む第２セラミックグリーンシートを用いた以外、実施例１と同様の方法によりアンテナ基板を作製し、アンテナを形成してアンテナデバイスを製造した。
【０１３３】
（実施例４）
ＳｉＯ2粉末を８５重量％含む第１セラミックグリーンシートおよび（Ｆｅ0.6Ｍｇ0.4）Ｏ粉末を９５重量％含む第２セラミックグリーンシートを用いた以外、実施例１と同様の方法によりアンテナ基板を作製し、アンテナを形成してアンテナデバイスを製造した。
【０１３４】
（実施例５）
（Ｃｏ0.3Ａｌ0.7）2Ｏ3粉末を９５重量％含む第１セラミックグリーンシートおよび（Ｆｅ0.6Ｍｇ0.4）Ｏ粉末を９５重量％含む第２セラミックグリーンシートを用いた以外、実施例１と同様の方法によりアンテナ基板を作製し、アンテナを形成してアンテナデバイスを製造した。
【０１３５】
（実施例６）
Ａｌ2Ｏ3粉末を９０重量％含む第１セラミックグリーンシートおよび（Ｆｅ0.6Ｍｇ0.4）Ｏ＋０．０１重量％Ｂ2Ｏ3の混合粉末を９５重量％含むセ第２セラミックグリーンシートを用いた以外、実施例１と同様の方法によりアンテナ基板を作製し、アンテナを形成してアンテナデバイスを製造した。
【０１３６】
（実施例７）
実施例１と同様な第１、第２の絶縁体層の界面に複数のＦｅナノ粒子が埋没された２００層の積層体を２個作製した。また、実施例１と同様な第１、第２の絶縁体層の界面に複数のＦｅナノ粒子が埋没された２０１層の積層体を作製した。２０１層の積層体は、最外層に複数のＦｅナノ粒子が析出した第２絶縁体層を配した。つづいて、２０１層の積層体を中心にして、その上下に２００層の積層体をそれらの複数のＦｅナノ粒子が析出した第２絶縁体層が２０１層の積層体に対向するように配置し、これら積層体を厚さ１０μｍのエポキシ樹脂層で接着積層することにより６０３層のアンテナ基板を作製した。この後、アンテナ基板に実施例１と同様な方法でアンテナを形成してアンテナ基板を製造した。
【０１３７】
（実施例８）
実施例１と同様な第１、第２の絶縁体層の界面に複数のＦｅナノ粒子が埋没された６０３層の積層体をウレタン樹脂溶液にディップコートし、外周面が厚さ１００μｍのウレタン樹脂層で覆われたアンテナ基板を作製した。この後、アンテナ基板に銅箔（アンテナ）を貼り付けることによりアンテナデバイスを製造した。
【０１３８】
（実施例９）
実施例１と同様なアンテナ基板上に下部が開口した肉厚０．３ｍｍ、高さ１ｍｍの箱形のエポキシ樹脂製スペーサを取り付け、このスペーサ上に銅板（アンテナ）配置することによりアンテナデバイスを製造した。
【０１３９】
なお、実施例２−５、７−９の析出粒子（磁性粒子）の状態は実施例１と大差がなかった。ただし、実施例６のアンテナ基板は析出粒子（磁性粒子）の粒径が１０−３０ｎｍ、粒子間隔が１０−３０ｎｍであった。
【０１４０】
（実施例１０）
平均直径１００ｎｍ、平均長さ１μｍの針状の（Ｆｅ0.７Ｍｇ0.３）固溶体粉末と、平均粒径５０ｎｍの球状の（Ｆｅ0.７Ｍｇ0.３）固溶体粉末を、アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、グリセリン、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）、フタル酸ジブチル（ＤＢＰ）とボールミル（１０分間、６０ｒｐｍ）で混合し、スラリー化した。得られたスラリーを厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上にマイクログラビアコーターにてシート成型した後、６０℃および７０℃に設定した乾燥域を経て乾燥することにより（Ｆｅ0.７Ｍｇ0.３）Ｏ粉末を９５重量％含む厚さ１μｍの第２セラミックグリーンシートを得た。
【０１４１】
また、Ａｌ2Ｏ3粉末を同様の方法でシート成型してＡｌ2Ｏ3粉末を９０重量％含む厚さ１μｍの第１セラミックグリーンシートを得た。
【０１４２】
＜積層体作製＞
次いで、前記第１、第２のセラミックグリーンシートを前記ＰＥＴフィルムから剥離しながら交互にかつ最外層に前記第１セラミックグリーンシート（Ａｌ2Ｏ3を含むセラミックグリーンシート）が配置されるように積層して６０３層のセラミックグリーンシート積層体を作製した。
【０１４３】
得られたセラミックグリーンシート積層体を２４０ｋｇ／ｃｍ2にて静水圧ラミネート処理し、所定の大きさに切り分けた後、Ａｒ雰囲気、５００℃で１時間脱脂し、さらに１３００℃で１時間焼成することにより積層セラミック板を作製した。
【０１４４】
前記積層セラミック板から層を剥離して走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察したところ、Ｆｅ−Ｍｇ−Ｏ系複合酸化物からなる第２絶縁体層は、針状粒子の長手方向が層と平行の一方向に配向した組織を有していることが分かった。また、Ｘ線回折法による構造解析の結果、針状粒子の長手方向は［００１］方向が配向していることが分かった。（００１）面とその他の面とのピーク強度比より配向度を評価したところ、９０％以上となっていることが分かった。
【０１４５】
次いで、前記積層セラミック板を水素炉内に入れ、純度９９．９％の水素ガスを毎分２００ｃｃ流しながら、８５０℃で１０分間還元を行った後、炉冷することにより複数のＦｅナノ粒子がＡｌ2Ｏ3からなる第１絶縁体層と、Ｆｅ−Ｍｇ−Ｏ系複合酸化物からなる第２絶縁体層の界面、及びＦｅ−Ｍｇ−Ｏ系複合酸化物層内に析出した基板を作製した。
【０１４６】
この基板の層を剥離して析出したＦｅ粒子を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察した。その結果、１０〜２０ｎｍのＦｅ粒子がセラミックス表面、及び内部に無数に析出していた。このときのＦｅ粒子の間隔は、粒内も含めて５〜１０ｎｍであった。
【０１４７】
さらに、前記剥離した試料からＸ線回折法により、層と平行方向および垂直方向のＦｅ粒子の配向性を評価した。その結果、層と垂直方向にＦｅ粒子およびＦｅ−Ｍｇ−Ｏ系複合酸化物の［１００］方位が配向し、かつ層と平行方向にＦｅ粒子およびＦｅ−Ｍｇ−Ｏ系複合酸化物層の［００１］方位が配向し、一軸異方性を有していることがわかった。層と平行方向および垂直方向のＦｅ粒子の配向度を評価した。その結果、それぞれ９０％以上の配向度であった。
【０１４８】
次いで、前記アンテナ基板を、［１００］方向が磁界方向と直交するように配置して、アンテナを形成することによりアンテナデバイスを製造した。
【０１４９】
（比較例１）
実施例１のアンテナ基板の代わりにＭｇＯセラミック板を使用した以外、実施例１と同様な方法によりアンテナデバイスを製造した。
【０１５０】
（比較例２）
実施例１のアンテナ基板の代わりに鉄微粒子をエポキシ樹脂に分散した磁性部材を使用した以外、実施例１と同様な方法によりアンテナデバイスを製造した。
【０１５１】
（比較例３）
実施例１のアンテナ基板の代わりにＮｉＺｎフェライト焼結体を使用した以外、実施例１と同様な方法によりアンテナデバイスを製造した。
【０１５２】
実施例１−１０および比較例１−３のアンテナデバイスを前述した図１６−図１８に示すように携帯電話機に搭載し、以下の方法で放射電磁界を測定した。
【０１５３】
＜放射電磁界の測定＞
電波暗室内において送信される電波を携帯電話機から３ｍの位置に配置された受信アンテナで垂直偏波の受信レベルを測定した。このとき、携帯電話機が人体に向かう面側にファントムを配置し、ファントム側を０〜１８０°、ファントムと反対側を１８０〜３６０°となるように座標設定して１．８ＧＨｚの放射電磁場波のレベル（受信レベル）測定を行った。また、比較例１を基準値とした２７０°における利得改善を求めた。
【０１５４】
その結果を下記表１に示す。
【表１】
2006304271.tif 000003
【０１５５】
前記表１から明らかなように実施例１−１０のアンテナデバイスは、比較例１−３のアンテナデバイスに比べて人体と反対側の１８０°〜３６０°（０°）における受信レベルが高いことがわかる。２７０°における受信レベル（利得改善）は、比較例１のアンテナデバイスを基準とした場合、実施例１−９のアンテナデバイスは５ｄＢ以上の受信レベル向上が確認された。また、実施例１−９のアンテナデバイスは比較例２，３のアンテナデバイスに比べても１ｄＢ以上の受信レベル向上が確認された。
【図面の簡単な説明】
【０１５６】
【図１】本発明の実施形態に係るアンテナデバイスを示す平面図。
【図２】図１のアンテナデバイスを示す正面図。
【図３】図１のアンテナ基板を示す拡大断面図。
【図４】本発明の他の実施形態に係るアンテナデバイスのアンテナ基板を示す拡大断面図。
【図５】本発明の他の実施形態に係るアンテナデバイスのアンテナ基板を示す拡大断面図。
【図６】本発明の他の実施形態に係るアンテナデバイスのアンテナ基板を示す拡大断面図。
【図７】本発明の他の実施形態に係るアンテナデバイスのアンテナ基板を示す拡大断面図。
【図８】本発明の他の実施形態に係るアンテナデバイスのアンテナ基板を示す拡大断面図。
【図９】本発明の他の実施形態に係るアンテナデバイスを示す断面図。
【図１０】本発明の他の実施形態に係るアンテナデバイスを示す断面図。
【図１１】本発明の他の実施形態に係るアンテナデバイスを示す断面図。
【図１２】本発明の実施形態に係るアンテナデバイスの製造工程を示す断面図。
【図１３】本発明の実施形態に係るアンテナデバイスの製造工程を示す断面図。
【図１４】多孔質構造を有する絶縁体層に磁性粒子が析出する状態を示す要部拡大断面図。
【図１５】磁性粒子析出後の多孔質構造を有する絶縁体層に有機樹脂を注入した状態を示す要部拡大断面図。
【図１６】実施形態に係るアンテナデバイスが組み込まれた電子回路基板を示す正面図。
【図１７】実施形態に係るアンテナデバイスが搭載された携帯電話機示す斜視図。
【図１８】図１７の正面図。
【図１９】図１７の側面図。
【図２０】実施形態に係るアンテナデバイスが搭載されたパーソナルコンピュータの斜視図。
【符号の説明】
【０１５７】
１…アンテナデバイス、１０…アンテナ基板、１１…第１絶縁体層、１２…第２絶縁体層、１３…磁性粒子、１４…積層体、１５…有機樹脂層、１７…無機材料粒子、１８…気泡、１９…外装樹脂層、２０…有機樹脂スペーサ、３０…アンテナ、４１…第１セラミックグリーンシート、４２…第２セラミックグリーンシート、４３…セラミックグリーンシート積層体、４４…第１セラミック層、４５…第２セラミック層。
【図１】
2006304271.tif 000004
【図２】
2006304271.tif 000005
【図３】
2006304271.tif 000006
【図４】
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【図５】
2006304271.tif 000008
【図６】
2006304271.tif 000009
【図７】
2006304271.tif 000010
【図８】
2006304271.tif 000011
【図９】
2006304271.tif 000012
【図１０】
2006304271.tif 000013
【図１１】
2006304271.tif 000014
【図１２】
2006304271.tif 000015
【図１３】
2006304271.tif 000016
【図１４】
2006304271.tif 000017
【図１５】
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【図１６】
2006304271.tif 000019
【図１７】
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【図１８】
2006304271.tif 000021
【図１９】
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【図２０】
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