(57)【要約】【課題】製造効率を向上できる表示パネルの製造方法を提供すること【解決手段】ＰＤＰの背面基板１上にアドレス電極パターンを形成するに当り、背面基板１の表面温度が６０℃以上となる状態に保持して、適切な手法にて背面基板１上にアドレス電極２の材料となるＡｌを主成分とするアドレス電極材料層２Ａを形成する。このため、Ａｌを主成分とする金属材料の単層構造としてアドレス電極を形成してもアドレス電極と背面基板１との良好な密着性を確保することができる。また、アドレス電極はＡｌを主成分とする金属材料の単層構造であるので、フォトリソグラフィ工程における工数が減少し、従来のＣｒ／Ａｌ／ＣｒやＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒなどの３層構造でアドレス電極を形成する場合と比較して製造効率を大幅に向上することができる。【選択図】 図６
2006134772.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光領域を挟んで対向配置された一対のガラス基板のうち少なくとも一方のガラス基板上に複数の電極パターンを形成して表示パネルを製造する方法であって、
前記一方のガラス基板の表面温度が６０℃以上となる状態に保持し、
このガラス基板上に前記電極の材料となるＡｌを主成分とする金属材料層を形成する
ことを特徴とした表示パネルの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の表示パネルの製造方法であって、
前記一方のガラス基板上に前記金属材料層を形成する際、前記一方のガラス基板の表面温度が１００℃以下となる状態に保持する
ことを特徴とした表示パネルの製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の表示パネルの製造方法であって、
前記金属材料層は、スパッタリング法または真空蒸着法による真空成膜で形成する
ことを特徴とした表示パネルの製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の表示パネルの製造方法であって、
前記電極パターンは、印刷法またはリフトオフ法により形成する
ことを特徴とした表示パネルの製造方法。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の表示パネルの製造方法であって、
前記Ａｌを主成分とする金属材料層に添加される添加物の添加量は２０重量％以下に設定される
ことを特徴とした表示パネルの製造方法。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の表示パネルの製造方法であって、
前記添加物はＭｇ，Ｍｎ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｓｉ，Ｎｉ，Ｎｄ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｚｎのうち少なくとも１つを含む
ことを特徴とした表示パネルの製造方法。
【請求項７】
発光領域を挟んで対向配置された一対のガラス基板のうち少なくとも一方のガラス基板上に複数の電極パターンを形成して表示パネルを製造する装置であって、
前記一方のガラス基板を６０℃以上に加熱処理する加熱部と、
前記加熱部にて加熱処理された前記一方のガラス基板上に前記電極の材料となるＡｌを主成分とする金属材料層を形成する成膜部と、を具備し、
前記成膜部は、前記一方のガラス基板の表面温度が６０℃以上となる状態に保持しながら前記一方のガラス基板上に前記金属材料層を形成する
ことを特徴とした表示パネルの製造装置。
【請求項８】
請求項７に記載の表示パネルの製造装置であって、
前記成膜部は、スパッタリング法または真空蒸着法により前記一方のガラス基板上に前記金属材料層を形成する
ことを特徴とした表示パネルの製造装置。
【請求項９】
請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の表示パネルの製造方法により製造した表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示パネルの製造方法、その製造装置、表示パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、一対の平面ガラス基板同士を放電空間を介して互いに対向配置し、一方のガラス基板内面上に井桁状もしくはストライプ状の隔壁を設けることによって前記放電空間を複数個の放電セルに区画し、これら複数個の放電セル内で選択的に放電発光させることにより画像表示を実施するプラズマディスプレイパネルが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
図１は、特許文献１に記載のＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）を示した分解斜視図である。図１において、１００はＰＤＰであり、このＰＤＰ１００は、前面基板１０１と背面基板１０２とを備えている。これら前面基板１０１および背面基板１０２は、放電空間１０３を介して互いに対向配置されている。前面基板１０１の内面側には、互いに平行に配設された複数の透明電極１０４と、この透明電極１０４に沿って設けられた図示しないバス電極と、吸光性材料からなる複数のブラックストライプ１０５と、誘電体層１０６と、保護膜１０７と、などがそれぞれ設けられている。背面基板１０２の内面側には、互いに平行に配設された複数のアドレス電極１０８と、アドレス電極保護層１０９と、井桁形状の隔壁１１０と、などがそれぞれ設けられている。そして、隔壁１１０により形成された複数の放電セル１１１の内部にはそれぞれ赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の蛍光体層（１１２Ｒ、１１２Ｇ、１１２Ｂ）が順に形成されている。放電空間１０１の内部、すなわちそれぞれの放電セル１１１の内部は、ネオンガスなどの放電ガスが充填され、外気との間で密閉されている。
【０００４】
ここで、背面基板１０２の内面側に複数のアドレス電極１０８を形成する場合、Ｃｒ／Ａｌ／ＣｒやＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒなどの３層構造の金属材料層をスパッタ法などにより背面基板１０２上全面に形成し、フォトリソグラフィ法を用いてこれら金属材料層をパターニング処理することによりアドレス電極１０８を形成する構成が知られている（例えば、特許文献２参照）。図２は、特許文献２に記載の構成により背面基板１０２の上にアドレス電極１０８を形成した場合の背面基板１０２を示した断面図である。図３および図４は、図２に示すアドレス電極１０８のパターンを背面基板１０２上に形成する際の各製造工程を説明する図である。
【０００５】
図２において、アドレス電極１０８は、ガラス基板からなる背面基板１０２の内面上に、第１のＣｒ（クロム）層１０８Ａ１およびＡｌ（アルミニウム）層１０８Ｂ１が下から上に順に積層された状態で形成されている。
【０００６】
図２に示すようなアドレス電極１０８を背面基板１０２の上に形成するためには、図３（Ａ）に示すように、まず、背面基板１０２の内面側の全面に、第１のＣｒ電極材料層１０８と、Ａｌ電極材料層１０８Ｂと、第２のＣｒ電極材料層１０８Ｃと、をそれぞれスパッタ法により順に形成する。そして、図３（Ｂ）に示すように、第２のＣｒ電極材料層１０８Ｃの上に感光性材料であるレジスト層１０８Ｄを一様に塗布して形成する。さらに、図３（Ｃ）に示すように、前工程で形成されたレジスト層１０８Ｄに電極パターンマスク１０８Ｅ越しにＵＶ光を照射・露光し、レジスト層１０８Ｄのうち感光して硬化した部分によりレジストパターン１０８Ｄ１を形成する。この後、図４（Ｄ）に示すように、レジスト層１０８Ｄのうち感光しなかった未硬化の部分を現像液で除去する。そして、図４（Ｅ）に示すように、前工程で形成したレジストパターン１０８Ｄ１をマスクとして、レジストパターン１０８Ｄ１で覆われていない第２のＣｒ電極材料層１０８Ｃの一部をＣｒ用エッチング処理液により除去し、第２のＣｒ層１０８Ｃ１を形成する。さらに、図４（Ｆ）において、前工程で形成した第２のＣｒ層１０８Ｃ１をマスクとして、第２のＣｒ層１０８Ｃ１で覆われていないＡｌ電極材料層１０８Ｂの部分をＡｌ用エッチング処理液により除去し、Ａｌ層１０８Ｂ１を形成する。図４（Ｇ）において、レジストパターン１０８Ｄ１をレジスト剥離液により除去する。この後、第２のＣｒ層１０８Ｃ１と、第１のＣｒ電極材料層１０８ＡのうちＡｌ層１０８Ｂ１で覆われていない部分と、をＣｒ用エッチング処理液により除去して、図２に示すように、第１のＣｒ層１０８Ａ１およびＡｌ層１０８Ｂ１が順に積層された状態のアドレス電極１０８を形成する。なお、以上のようにしてガラス基板上に電極を形成する構成は、ＰＤＰだけに限らず、例えばＦＥＤ（Field Emission Display）、ＬＥＤ（Light  Emitting  Diode）ディスプレイパネル、有機ＥＬ（Electro Luminescence）、液晶ディスプレイなどの表示パネルに共通の構成である。
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−３３４６６０号公報（第２頁左欄−第２頁右欄参照）
【特許文献２】特開２００３−１６９４６号公報（第４頁左欄参照）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、上記した特許文献２の構成において、第１のＣｒ電極材料層１０８Ａは、Ａｌ層１０８Ｂ１を背面基板１０２上に密着させるためにＡｌ層１０８Ｂ１と背面基板１０２との間に設けられる。また、第２のＣｒ電極材料層１０８Ｃは、Ａｌ電極材料層１０８Ｂの一部をエッチング処理する際のマスクなどとして、Ａｌ電極材料層１０８Ｂとレジスト層１０８Ｄとの間に設けられる。
【０００９】
しかしながら、上記した特許文献２に記載の構成では、第１のＣｒ電極材料層１０８Ａおよび第２のＣｒ電極材料層１０８Ｃの一部をＣｒ用エッチング処理液により除去するため、エッチング処理後の廃液に有害物質である６価クロムが含まれてしまう。このため、廃液から６価クロムを適切に除去するための廃液処理に手間が掛かり製造効率が低下するおそれがある、という問題が一例として挙げられる。また、背面基板１０２上にＣｒ／Ａｌ／ＣｒやＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒなどの３層構造の金属材料層を形成してからアドレス電極１０８を形成する構成であるため、製造工程が多く、このため、コストおよび製造時間が多くかかってしまうおそれがある、という問題が一例として挙げられる。
【００１０】
本発明は、上述したような問題点に鑑みて、製造効率を向上できる表示パネルの製造方法、その製造装置、表示パネルを提供することを１つの目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
請求項１に記載の発明は、発光領域を挟んで対向配置された一対のガラス基板のうち少なくとも一方のガラス基板上に複数の電極パターンを形成して表示パネルを製造する方法であって、前記一方のガラス基板の表面温度が６０℃以上となる状態に保持し、このガラス基板上に前記電極の材料となるＡｌを主成分とする金属材料層を形成することを特徴とした表示パネルの製造方法である。
【００１２】
請求項７に記載の発明は、発光領域を挟んで対向配置された一対のガラス基板のうち少なくとも一方のガラス基板上に複数の電極パターンを形成して表示パネルを製造する装置であって、前記一方のガラス基板を６０℃以上に加熱処理する加熱部と、前記加熱部にて加熱処理された前記一方のガラス基板上に前記電極の材料となるＡｌを主成分とする金属材料層を形成する成膜部と、を具備し、前記成膜部は、前記一方のガラス基板の表面温度が６０℃以上となる状態に保持しながら前記一方のガラス基板上に前記金属材料層を形成することを特徴とした表示パネルの製造装置である。
【００１３】
請求項９に記載の発明は、請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の表示パネルの製造方法により製造した表示パネルである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
〔実施の形態の構成〕
以下、本発明の一実施の形態を図面に基づいて説明する。なお、本実施の形態では、表示パネルとしてのプラズマディスプレイパネルの背面基板に複数のアドレス電極パターンを形成する構成を例示して説明するが、これに限らず、例えばＦＥＤ、ＬＥＤディスプレイパネル、有機ＥＬ、液晶ディスプレイなど、ガラス基板に電極パターンを形成する構成であればいずれの構成でも適用できる。図５は、本実施の形態におけるプラズマディスプレイパネルの背面基板を示した斜視図である。図６は、成膜装置の概略構成図である。図７は、背面基板にアドレス電極を形成する工程を示しており、（Ａ）は第1の工程後の背面基板の断面図であり、（Ｂ）は第２の工程後の背面基板の断面図であり、（Ｃ）は第３の工程後の背面基板の断面図であり、（Ｄ）は第４の工程後の背面基板の断面図であり、（Ｅ）は第５の工程後の背面基板の断面図であり、（Ｆ）は第６の工程後の背面基板の断面図である。なお、アドレス電極の寸法は説明および作図の都合上基板に対して相対的に大きく、かつアドレス電極の数は実際よりも大幅に省略して表示してある。また、隔壁により形成される放電セルの寸法も説明および作図の都合上基板に対して相対的に大きく、かつその数は実際よりも大幅に省略して表示してある。
【００１５】
（表示パネルの構成）
本実施の形態において、１はプラズマディスプレイパネルの背面基板であり、この背面基板１は、例えばソーダライムガラスやソーダライムガラスよりも歪点が高い高歪点ガラス（例：旭硝子（株）製ＰＤ２００）などを用いた矩形状の平面ガラス板である。この背面基板１は、複数の電極パターンとしてのアドレス電極２と、誘電体層であるアドレス電極保護層３と、隔壁４と、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の蛍光体層（５Ｒ,５Ｇ,５Ｂ）と、などを備えている。そして、背面基板１の隔壁４が形成された領域は、発光領域としての放電空間となり、この放電空間を挟んで背面基板１と対向して前面基板１Ａが配置される。この前面基板１Ａの放電空間が形成される面と反対側の面は表示面となる。なお、前面基板１Ａの構成については、図１に示す従来の背面基板１０２と同様の構成であるため、説明を省略する。
【００１６】
アドレス電極２は、背面基板１の放電空間が形成される内面側の表面上に密着して設けられ、複数の帯状パターンとして背面基板１の一端側方向に沿って平行に形成される。このアドレス電極２は、Ａｌ（アルミニウム）を主成分とした金属材料からなり、一層構造として形成される。このアドレス電極２に用いられる金属材料は、Ａｌ金属単体あるいはＡｌを母材としてＭｇ，Ｍｎ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｓｉ，Ｎｉ，Ｎｄ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｚｎのうち少なくとも１つを添加物として含むＡｌ合金とする。そして、これら添加物の添加量は２０重量％以下であることが好ましい。より好ましくは、５重量％以下であることが望ましい。
【００１７】
アドレス電極保護層３は、ガラスペーストからなり、アドレス電極２を覆うように背面基板１の内面上に形成される。隔壁４は、例えばアドレス電極保護層３と同一成分のガラスペーストで井桁状に形成され、井桁状の隔壁４で放電空間を区画することにより複数の矩形状の放電セル４０が形成される。この放電セル４０内部には、背面基板１および前面基板１Ａを貼り合わせる際にそれぞれに希ガスが封入される。赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の蛍光体層（５Ｒ,５Ｇ,５Ｂ）は、これら複数の放電セル４０の内部に順に形成される。そして、蛍光体層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂは、それぞれの放電セル４０で発生した紫外光により励起され、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の可視光を発光する。
【００１８】
（表示パネル製造装置）
次に、背面基板１を製造する表示パネルの製造装置の一部を構成する成膜装置について、図６に基づいて説明する。図６において、１０は成膜装置であり、この成膜装置１０は、背面基板１の内面側の全面にアドレス電極２の材料となるＡｌを主成分とするＡｌ系金属材料層を形成する、成膜処理を実施する。そして、成膜装置１０は、背面基板１を搬送する図示しない搬送手段と、成膜準備室２０と、成膜処理を実施する要部となる成膜部３０と、図示しない排出室と、などを備えている。
【００１９】
搬送手段は、背面基板１を成膜準備室２０の内部に搬送し、そして成膜準備室２０から成膜部３０の内部に搬送する。また、この搬送手段は、成膜部３０から排出室へと背面基板１を搬送し、さらに排出室から次工程の装置へと搬送する。
【００２０】
成膜準備室２０は、成膜部３０にて背面基板１を成膜処理するために予め背面基板１を高真空下において加熱処理しておくための部屋であり、その内部は適宜密閉される。この成膜準備室２０には、その内部に加熱部としてのヒータ２１が設けられ、その外部には図示しない真空ポンプが設けられている。ヒータ２１は、背面基板１を加熱処理する輻射加熱型のヒータである。このヒータ２１は、例えば成膜準備室２０内の上部に設けられ、搬送手段により搬送された背面基板１を上方から加熱するなどの構成とする。
【００２１】
そして、ヒータ２１は、背面基板１を６０℃以上の温度範囲で加熱処理する。より好ましくは、ヒータ２１は、背面基板１を６０℃以上１００℃以下の温度範囲で加熱処理することが望ましい。例えば、背面基板１の温度が６０℃以下である場合、成膜部３０にて背面基板１に対して成膜処理を実施した際に、Ａｌを主成分とする金属材料薄膜と背面基板１との十分な密着性が確保できない。なお、Ａｌを主成分とするＡｌ系金属材料薄膜と背面基板１との密着性については、後述する実験例にて検証する。一方、背面基板１の温度が１００℃以上であると、背面基板１との密着性という製品上の問題はないが、成膜装置１０の各部に熱による影響が生じるおそれがある、あるいは成膜装置１０の内壁などに大掛かりな耐熱手段を設けなれればならず製造コストが高くなるおそれがある。したがって、ヒータ２１は、背面基板１を６０℃以上１００℃以下の温度範囲で加熱処理することが望ましい。真空ポンプは、成膜準備室２０内部を高真空状態に保持する。
【００２２】
成膜部３０は、背面基板１に対して成膜処理を実施し、その内部がＡｒガスなどの不活性ガスにより充満された状態で適宜密閉される。この成膜部３０は、図示しないヒータと、図示しない成膜処理部と、背面基板１のアドレス電極２の材料源となる成膜源３１と、図示しない基板支持部と、図示しない真空ポンプと、などを備えている。ヒータは、背面基板１を加熱処理する輻射加熱型のヒータである。このヒータは、成膜部３０の内部において背面基板１を加熱し、背面基板１に成膜処理が実施される際、背面基板１の温度を６０℃以上１００℃以下の温度範囲に調整する。成膜処理部は、高真空下において成膜源３１の材料成分を原子レベルで背面基板１に密着するスパッタリング法もしくは真空蒸着法などによる真空成膜処理を実施する。成膜源３１は、アドレス電極２と同質の材料からなり、例えば成膜室の下側などに設けられる。基板支持部は、搬送手段より搬送された背面基板１を支持し、背面基板１の被処理面を成膜源３１と対向するように保持する。真空ポンプは、成膜部３０の内部を成膜準備室２０と同様の高真空状態に保持する。
【００２３】
排出室は、成膜部３０で成膜処理がなされた背面基板１が設置され、この排出室において背面基板１が高真空状態から大気圧下に戻される。
【００２４】
（表示パネルの製造方法）
次に、背面基板１に電極パターンとしてのアドレス電極２を形成する工程について図６および図７に基づいて説明する。
【００２５】
まず、予め背面基板１の表面を超音波洗浄処理や中性洗剤を用いた水洗処理などにより十分に洗浄しておく。そして、図７（Ａ）に示すように、背面基板１０２の内面側の全面に、アドレス電極２の材料となるアドレス電極材料層２Ａを形成する。
【００２６】
具体的には、図６に示す成膜装置１０における成膜準備室２０の内部に、表面に洗浄処理が施された背面基板１が搬入される。そして、背面基板１の搬入後、成膜準備室２０は密閉され、成膜準備室２０の内部が真空ポンプにより高真空状態にされるとともに、ヒータ２１により背面基板１の温度が６０℃以上１００℃以下に調整される。
【００２７】
成膜準備室２０にて背面基板１の温度が６０℃以上１００℃以下に調整されると、背面基板１は成膜部３０へと搬送され、背面基板１はその被処理面が成膜源３１と対向する状態に基板支持部に支持される。成膜部３０の内部は真空ポンプにより成膜準備室２０の内部と同様の高真空状態に調整され、ヒータにより背面基板１が６０℃以上１００℃以下の温度範囲に加熱される。そして、真空成膜装置によりスパッタリング法もしくは真空蒸着法により背面基板１の内面側全面に対して成膜処理を実施する。ここで、スパッタリング法もしくは真空蒸着法では、成膜源３１の材料成分は背面基板１の処理面側に向かって飛び出し、原子レベルで背面基板１の処理面上に真空蒸着する。また、成膜源３１から飛び出す材料成分は直線運動するため、成膜源３１から飛び出す材料成分が背面基板１の被処理面の反対側にまで回りこむことがない。かかる成膜処理を所定時間実施し、背面基板１の処理面側に所定の膜厚のアドレス電極材料層２Ａを一様に形成する。そして、アドレス電極材料層２Ａが所定の膜厚で成膜されると、背面基板１は排出室へ搬送される。
【００２８】
この後、背面基板１は排出室で高真空下から大気圧下に戻されると、背面基板１は次の工程であるフォトレジスト工程に進む。図７（Ｂ）において、背面基板１のアドレス電極材料層２Ａの表面上に、感光性材料でありかつＡｌを主成分とする金属材料に対して密着性に優れたレジスト層２Ｂをフィルムラミネートなどにより一様に形成する。そして、図７（Ｃ）に示すように、形成されたレジスト層２Ｂにアドレス電極パターンマスク２Ｃ越しにＵＶ光を照射・露光する。
【００２９】
さらに、図７（Ｄ）に示すように、レジスト層２Ｂに対して露光処理を実施した後、レジスト層１０８Ｄのうち感光しなかった未硬化の部分を現像液で除去することにより、レジスト層２Ｂのうち感光して硬化した部分のみが背面基板１上に残り、レジストパターン２Ｂ１が形成される。そして、背面基板１は、水洗、乾燥された後、アドレス電極材料層２Ａとレジストパターン２Ｂ１との密着性を向上させるために加熱処理、すなわちポストベーク処理が施される。
【００３０】
この後、図７（Ｅ）に示すように、前工程で形成したレジストパターン２Ｂ１をマスクとして、アドレス電極材料層２Ａのうちレジストパターン２Ｂ１で覆われていない部位をＡｌ用エッチング処理液により除去し、アドレス電極２を形成する。エッチング処理後、背面基板１に対して水洗、乾燥処理が実施される。次に、図７（Ｆ）において、レジストパターン２Ｂ１をレジスト剥離液により除去することにより、背面基板１の内面上には複数のアドレス電極２のみが残る。そして、背面基板１に対して水洗、乾燥処理が実施される。
【００３１】
ここで、アドレス電極２に用いられる金属材料は、添加物としてＭｇ，Ｍｎ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｓｉ，Ｎｉ，Ｎｄ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｚｎのうち少なくとも１つを含むＡｌ合金であり、優れた耐食性を有していることから、図７（Ｄ）に示す現像工程における現像液や図７（Ｆ）に示すレジスト剥離工程におけるレジスト剥離液により腐食されることがない。なお、アドレス電極２の耐食性については、後述する実験例にて示す。
【００３２】
背面基板１の内面上にアドレス電極２が形成された後、アドレス電極２の上にアドレス電極保護層３および隔壁４が形成される。この後、背面基板１は焼成され、アドレス電極保護層３および隔壁４が固化する。さらに、隔壁４により形成された放電セル４０内部に、スクリーン印刷などにより赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３原色の蛍光体ペーストを塗布し、これら蛍光体ペーストを焼成する。この焼成処理により、蛍光体ペーストが固化し蛍光体層（５Ｒ,５Ｇ,５Ｂ）が形成される。さらに、背面基板１の端部にガラスペーストからなる封着材を塗布し、この背面基板１と別工程にて製造された前面基板１Ａとを貼り合わせ、封着材を焼結することによりＰＤＰがほぼ完成する。
【００３３】
ここで、ポストベーク処理と、隔壁４の焼成工程と、蛍光体ペーストの焼成工程と、封着材の焼成工程と、などの焼成工程において、背面基板１は、例えば６００℃などの高温下に曝される。この時、アドレス電極２も共に高温下に曝され、アドレス電極２の内部で原子拡散が生じる。これによりアドレス電極２の電気伝導性が変化する。しかし、このアドレス電極２は、Ａｌ（アルミニウム）を主成分とした金属材料で一層構造として形成されるため、一度焼成された後は、その後の焼成工程により抵抗値がほとんど変化しなくなる。この焼成工程とアドレス電極２の抵抗値との関係は後述する実験例にて示す。
【００３４】
また、上記した焼成工程において、Ａｌ単体もしくは様々な添加元素を加えたＡｌ系合金からなるアドレス電極２は、高温下に曝された後に耐食性が低下することがない。このことは、後述する実験例で示された。
【００３５】
上記の構成により製造されたＰＤＰにおいて、蛍光体層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂから発光した可視光は前面基板１Ａを透過して、前面基板１Ａの表示面側から表示される。この際、蛍光体層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂで発生した可視光は全て前面基板１Ａの表示面側へ向かうのではなく、背面基板１側へ向かう光もある。そして、背面基板１側へ向かった光は、アドレス電極２により反射して前面基板１Ａ側に向かう。ここで、アドレス電極２は、高い反射率を有するＡｌを主成分とする金属材料により形成されるため、背面基板１側へ向かった光は高効率で反射される。
【００３６】
そして、アドレス電極２の材料となるＡｌはＣｕ、Ｃｒなどの材料に比べ軽い金属材料であるので、上記の構成により製造されたＰＤＰは全体的に軽量化する。また、アドレス電極２の材料であるＡｌを主成分とする金属材料には、添加物の添加量が２０重量％以下に調整されるため、添加物によりアドレス電極２の反射率が低下したりＰＤＰの重量が大きくなるなどの影響がない。
【００３７】
〔表示パネルの製造方法、その製造装置および表示パネルの作用効果〕
上述したように、上記実施の形態では、ＰＤＰの背面基板１上にアドレス電極２を形成するに当り、背面基板１の表面温度が６０℃以上となる状態に保持して、適切な手法にて背面基板１上にアドレス電極２の材料となるＡｌを主成分とするアドレス電極材料層２Ａを形成する。このため、Ａｌを主成分とする金属材料の単層構造としてアドレス電極２を形成してもアドレス電極２と背面基板１との良好な密着性を確保することができる。また、アドレス電極２はＡｌを主成分とする金属材料の単層構造であるので、フォトリソグラフィ工程における工数が減少し、従来のＣｒ／Ａｌ／ＣｒやＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒなどの３層構造でアドレス電極を形成する場合と比較して製造効率を大幅に向上することができる。また、アドレス電極２にＣｒを使わないことから、フォトリソグラフィ工程におけるエッチング処理後の廃液に６価クロムが含まれず、従来の廃液の処理に手間が掛かってしまう問題を解決することができる。
【００３８】
また、背面基板１は、ポストベーク処理と、隔壁４の焼成工程と、蛍光体ペーストの焼成工程と、封着材の焼成工程と、などの焼成工程において、例えば６００℃などの高温下に曝される。この時、アドレス電極２は、Ａｌ（アルミニウム）を主成分とした金属材料で一層構造として形成されるため、一度焼成された後は、その後の焼成工程により抵抗値がほとんど変化することがない。このため、完成後のＰＤＰにおけるアドレス電極２の抵抗値を容易に制御できる。
【００３９】
そして、背面基板１上にアドレス電極材料層２Ａを形成する際、背面基板１の表面温度は、成膜準備室２０におけるヒータ２１および成膜部３０におけるヒータにより、１００℃以下となる状態に保持される。このため、背面基板１とＡｌを主成分とする金属材料からなるアドレス電極材料層２Ａとの十分な密着性を確保できる。また、成膜装置１０の各部が成膜準備室２０におけるヒータ２１および成膜部３０におけるヒータの熱により影響を受けることがなく、成膜装置１０の内壁などに大掛かりな耐熱手段を設ける必要がなくなる。
【００４０】
さらに、成膜装置１０は、スパッタリング法もしくは真空蒸着法により背面基板１の内面側全面に対して成膜処理を実施する。このため成膜源３１の材料成分は背面基板１の処理面側に向かって飛び出し、原子レベルで背面基板１の処理面上に真空蒸着する。このため、背面基板１の処理面側に緻密で均一なアドレス電極材料層２Ａを形成することができる。また、成膜源３１から飛び出す材料成分は直線運動するため、成膜源３１から飛び出す材料成分が背面基板１の被処理面の反対側にまで回りこむことがない。このため、背面基板１の被処理面の反対側に成膜源３１の材料成分が付着しないよう特別に工夫をする必要がない。
【００４１】
そして、アドレス電極２に用いられる金属材料は、Ａｌ金属単体あるいはＡｌを母材としてＭｇ，Ｍｎ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｓｉ，Ｎｉ，Ｎｄ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｚｎのうち少なくとも１つを添加物として含むＡｌ合金からなる。このため、アドレス電極２は優れた耐食性を有すことから、図７（Ｆ）におけるレジスト剥離工程においてもレジスト剥離液により腐食されることがない。
【００４２】
また、背面基板１は、ポストベーク処理と、隔壁４の焼成工程と、蛍光体ペーストの焼成工程と、封着材の焼成工程と、などの焼成工程において、例えば６００℃などの高温下に曝される。この時、アドレス電極２も同様に高温下に曝されるが、熱処理後においてアドレス電極２として用いるＡｌ系金属材料層の耐食性が低下することがない。このため、ＰＤＰの製造工程において歩留まりの低下を防ぐことができる。
【００４３】
そして、上記の構成により製造されたＰＤＰにおいて、蛍光体層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂから発光した可視光は前面基板１Ａを透過して、前面基板１Ａの表示面側から表示される。この際、蛍光体層５Ｒ、５Ｇ、５Ｂで発生した可視光は全て前面基板１Ａの表示面側へ向かうのではなく、背面基板１側へ向かう光もある。そして、背面基板１側へ向かった光は、アドレス電極２により反射して前面基板１Ａ側に向かう。ここで、アドレス電極２は、高い反射率を有するＡｌを主成分とする金属材料により形成されるため、背面基板１側へ向かった光は高効率で反射される。したがって、ＰＤＰは低電力でも鮮明な画像を表示することができる。また、アドレス電極２の材料となるＡｌはＣｕ、Ｃｒなどの材料に比べ軽い金属材料であるため、より軽量なＰＤＰを製造することができる。
【００４４】
また、アドレス電極２の材料であるＡｌを主成分とする金属材料には、添加物の添加量が２０重量％以下に調整される。このため、優れた耐酸化性を有すＣｒを使用せずとも、Ｍｇ，Ｍｎ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｓｉ，Ｎｉ，Ｎｄ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｚｎを添加物として使用することによりＡｌの耐酸化性を補強することができる。また、添加物によりアドレス電極２の反射率が低下し、ＰＤＰの重量が大きくなることがない。すなわち、良好な発光効率を有し、かつ軽量なＰＤＰを製造することができる。
【００４５】
〔実験例１〕
次に本実施形態の効果を確認する実験例１を説明する。本実施形態の実施例１および実施例２として、ガラス基板上に膜厚の異なるＡｌ合金の単一層からなる電極を形成した２つの試料を作製した。また、比較例１ないし比較例３として、ガラス基板上にＣｒ／Ａｌの２層構造の金属材料層からなる電極を形成し、Ａｌ層の膜厚のみが異なる３つの試料を作製した。なお、これらの試料はスパッタリング法により作製し、Ａｌ層に用いたＡｌ合金はＡｌ３００３（ＪＩＳ規格、０．６％Ｓｉ,０．７％Ｆｅ,０．０５〜０．２０％Ｃｕ,１．０〜１．５％Ｍｎ,０．１％Ｚｎ）とした。そして、それぞれの試料に対して３回繰り返して焼成試験を行った。１回目の焼成試験の焼成温度は６００℃とした。２回目の焼成試験の焼成温度は６００℃とした。３回目の焼成試験の焼成温度は５００℃とした。また、各焼成実験を実施した後のそれぞれの試料の抵抗値を計測し、その計測結果を表１に示した。また、図８は表１の実施例１および実施例２における電極の抵抗値をプロットしたグラフであり、図９は表１における比較例１ないし比較例３における電極の抵抗値をプロットしたグラフである。
【００４６】
【表１】
2006134772.tif 000003
【００４７】
表１および図８より、実施例１および実施例２では、焼成実験を１度実施したことにより抵抗値が１/２程度に減少し、２回目以降の焼成実験後の試料は、その抵抗値はほとんど変化しなかった。また、実施例１および実施例２を比較することにより電極膜厚が増加するほど抵抗値が低下することが分かる。一方、表１および図９より、比較例１ないし比較例３では、焼成実験を繰り返すことにより抵抗値が変化し続けることが観察された。また比較例１ないし比較例３をそれぞれ比較することにより、Ｃｒ層が増加するほど抵抗値は増大し、かつ抵抗値の変化量も著しく大きくなることが分かる。
【００４８】
ＰＤＰを製造するに当り、背面基板１は、ポストベーク処理、隔壁形成工程、蛍光体層形成工程などの熱処理が施される。本実施形態のようにアドレス電極２がＡｌを主成分とする金属材料の単層により形成される構成では、１回の熱処理で電極の抵抗値は約半分に減少しその後の熱処理において抵抗値は変化しない。このことから、金属材料層の膜厚を制御することにより所望の抵抗値を有したアドレス電極を得ることが可能であり、ＰＤＰの装置設計が容易になると言える。一方、Ｃｒ／Ａｌの２層構造のアドレス電極とすると、Ｃｒ層とＡｌ層との混合比によりＰＤＰ完成後の電極の抵抗値が異なり、制御が難しくなるものと考えられる。
【００４９】
〔実験例２〕
次に本実施形態の効果を確認する実験例２を説明する。実験例２において、表２に示す組成の６種の金属材料を成膜源とし、スパッタリング法によりガラス基板上にＡｌ系金属薄膜を形成した６種の試料を作製した。そして、それぞれの試料に対して焼成試験を行った後、それぞれの試料の耐腐食性を検討した。表２に耐腐食性が良好な試料は○とし、耐腐食性に劣る試料は×として、それぞれの試料の組成と共に試験結果を示した。なお、スパッタリングの条件は、基板温度１００℃とした。
【００５０】
【表２】
2006134772.tif 000004
【００５１】
表２より、Ｍｇ，Ｍｎ，Ｔｉ，Ｓｉ，ＺｎはＡｌ合金の添加金属として適していることが分かる。また、Ｃｕ成分が増加した場合耐食性に劣ることから、ＣｕはＡｌ合金の添加金属としては適していないことが分かる。なお、Ａｌ合金の耐食性を向上する添加金属としては、Ｍｇ，Ｍｎ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｚｎの他、Ｍｏ，Ｔａ，Ｎｉ，Ｎｄ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕが挙げられる。また、Ａｌ合金の耐食性を低下させる添加金属としてはＣｕの他、Ｆｅが挙げられる。したがって、本実施形態において、アドレス電極２に用いられるＡｌを主成分とする金属材料に添加される金属として適しているものは、Ｍｇ，Ｍｎ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｓｉ，Ｎｉ，Ｎｄ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ａｕ，Ｚｎであることが言える。
【００５２】
〔実験例３〕
次に本実施形態の効果を確認する実験例３を説明する。実験例３において、基板温度を非加熱状態から１００℃まで変化させ、スパッタリング法によりガラス基板上に４種のＡｌを主成分とするＡｌ系金属材料薄膜を形成して様々な試料を生成した。そして、それぞれの試料について、Ａｌ系金属材料薄膜とガラス基板との密着性を検証するためピールテストを実施した。ピールテストには、ピールテスト用テープ（（株）寺岡製作所製、６３１Ｓ）テープ幅１０ｍｍ、ピール強度１〜２ｋｇ／ｃｍのものを使用した。そして、ぞれぞれの試料のＡｌ系金属材料薄膜にテープを貼り付け、３０分放置して十分密着させた後にテープを剥離した。ピール角度は９０度とし、ピール速度は５ｍｍ／ｓｅｃとした。表３にそれぞれの試料における試験結果を示した。表３において、テープによりＡｌ系金属材料薄膜がガラス基板より剥離された場合は×、Ａｌ系金属材料薄膜がガラス基板に密着している場合は○とした。なお、表３においてＡｌ３００３およびＡｌ５０５２はＪＩＳ規格により定められるＡｌ合金であり、その材料成分は表２に示されるものである。
【００５３】
【表３】
2006134772.tif 000005
【００５４】
表３の実施例７ないし実施例９に示す結果より、基板温度が６０℃以上１００℃以下であればいずれの試料においてもＡｌ系金属材料薄膜とガラス基板との密着性は十分確保されることが分かる。一方、表３の比較例６および比較例７に示す結果より、基板温度が６０℃よりも低い場合、Ａｌ系金属材料薄膜とガラス基板との密着性は不十分であることが分かる。これより、本実施の形態では、背面基板１を６０℃以上１００℃以下の温度範囲で加熱処理した状態で、アドレス電極材料層２Ａを成膜することが望ましいと言える。
【００５５】
〔実施の形態の変形〕
なお、本発明は上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲で以下に示される変形をも含むものである。
【００５６】
すなわち、上述したように、本実施の形態では、表示パネルとしてのプラズマディスプレイパネルの背面基板１に複数のアドレス電極２を形成する構成を例示したが、これに限らず、例えばＦＥＤ、ＬＥＤディスプレイパネル、有機ＥＬ、液晶ディスプレイなど、ガラス基板に電極パターンを形成する構成であればいずれの構成でも適用できる。また、プラズマディスプレイパネルの前面基板におけるバス電極を形成する構成に適用してもよい。
【００５７】
上記実施の形態では、背面基板１は矩形状の平面ガラス板としたが、これに限らず、例えば、正方形状の平面ガラス板や、矩形状の平面ガラス板を曲げた状態のガラス基板など、様々な形状のガラス基板に本発明を適用することができる。
【００５８】
また、背面基板１は井桁状の隔壁４を備える構成としたが、これに限らず、ストライプ状の隔壁を備える構成としてもよい。この場合、背面基板１がストライプ状の隔壁を備えたことに伴って前面基板１Ａも隔壁の形状に対応する構成とする必要がある。
【００５９】
さらに、背面基板１に形成された複数のアドレス電極２は複数の帯状パターンであるとしたが、これに限らず、アドレス電極２は、例えば複数の矩形波状や正弦波状などの様々なパターン形状とすることができる。そして、このアドレス電極２の複数の帯状パターンは、フォトリソグラフィ法により形成される構成としたが、これに限らず、例えばフォトリソリフトオフ法などを用いて形成する構成としてもよい。
【００６０】
そして、成膜装置１０の成膜準備室２０において真空ポンプが設けられる構成としたが、これに限らず、成膜準備室２０には真空ポンプが設けられずに、成膜部３０にのみ真空ポンプを設ける構成としてもよい。また、成膜準備室におけるヒータ２１は、成膜準備室２０の上部に設けられ搬送手段により搬送された背面基板１を上方から加熱する構成としたが、これに限らず、背面基板１を所望の温度に加熱できる位置であればヒータ２１が設けられる位置はいずれでもよく、またヒータ２１は複数設けられる構成としてもよい。
【００６１】
さらに、成膜装置１０による背面基板１への成膜処理において、背面基板１への加熱処理は成膜準備室２０においてのみ実施され、成膜部３０では加熱処理がなされない構成としてもよい。このような構成の場合、成膜準備室２０にて加熱された背面基板１を成膜部３０内において等温保持する構成が要求される。
【００６２】
〔実施の形態の作用効果〕
上述したように、上記実施の形態では、ＰＤＰの背面基板１上にアドレス電極２を形成するに当り、背面基板１の表面温度が６０℃以上となる状態に保持して、適切な手法にて背面基板１上にアドレス電極２の材料となるＡｌを主成分とするアドレス電極材料層２Ａを形成する。このため、Ａｌを主成分とする金属材料の単層構造としてアドレス電極２を形成してもアドレス電極２と背面基板１との良好な密着性を確保することができる。また、アドレス電極２はＡｌを主成分とする金属材料の単層構造であるので、フォトリソグラフィ工程における工数が減少し、従来のＣｒ／Ａｌ／ＣｒやＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒなどの３層構造でアドレス電極を形成する場合と比較して製造効率を大幅に向上することができる。また、アドレス電極２にＣｒを使わないことから、フォトリソグラフィ工程におけるエッチング処理後の廃液に６価クロムが含まれず、従来の廃液の処理に手間が掛かってしまう問題を解決することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】従来のＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）を示した分解斜視図である。
【図２】従来の方法で背面基板の上にアドレス電極を形成した場合の背面基板を示した断面図である。
【図３】従来の背面基板にアドレス電極を形成する工程を示しており、（Ａ）は第1の工程後の背面基板の断面図であり、（Ｂ）は第２の工程後の背面基板の断面図であり、（Ｃ）は第３の工程後の背面基板の断面図である。
【図４】従来の背面基板にアドレス電極を形成する工程を示しており、（Ｄ）は第４の工程後の背面基板の断面図であり、（Ｅ）は第５の工程後の背面基板の断面図であり、（Ｆ）は第６の工程後の背面基板の断面図であり、（Ｇ）は第７の工程後の背面基板の断面図である。
【図５】本実施の形態におけるプラズマディスプレイパネルの背面基板を示した斜視図である。
【図６】前記実施の形態における成膜装置の概略構成図である。
【図７】前記実施の形態における背面基板にアドレス電極を形成する工程を示しており、（Ａ）は第1の工程後の背面基板の断面図であり、（Ｂ）は第２の工程後の背面基板の断面図であり、（Ｃ）は第３の工程後の背面基板の断面図であり、（Ｄ）は第４の工程後の背面基板の断面図であり、（Ｅ）は第５の工程後の背面基板の断面図であり、（Ｆ）は第６の工程後の背面基板の断面図である。
【図８】表１の実施例１および実施例２における電極の抵抗値をプロットしたグラフである。
【図９】表１の比較例１ないし比較例３における電極の抵抗値をプロットしたグラフである。
【符号の説明】
【００６４】
１     背面基板（発光領域を挟んで対向配置された一対の基板のうち少なくとも一方の基板）
２     アドレス電極（複数の電極パターン）
２Ａ    アドレス電極材料層（Ａｌを主成分とする金属材料層）
１０   成膜装置
２１   ヒータ（加熱部）
３０   成膜部
【図１】
2006134772.tif 000006
【図２】
2006134772.tif 000007
【図３】
2006134772.tif 000008
【図４】
2006134772.tif 000009
【図５】
2006134772.tif 000010
【図６】
2006134772.tif 000011
【図７】
2006134772.tif 000012
【図８】
2006134772.tif 000013
【図９】
2006134772.tif 000014