(57)【要約】【課題】走査選択時に発生するスイッチングノイズによる影響を受けずに、高精度の赤外線検出素子出力信号が得られる赤外線検出装置を提供する。【解決手段】２次元赤外線検出素子ブロック１１〜１ｋの赤外線検出素子の出力信号を垂直走査選択する第１の走査手段（Ｎ型ＭＯＳＦＥＴスイッチＭ１１〜Ｍｍｎ）、その走査手段で選択された出力信号を水平走査選択して出力する水平方向スキャナ５１〜５ｋ、水平方向スキャナ５１〜５ｋの出力を走査選択して出力するブロックスキャナ８を備え、ｉを２以上ｋ以下の整数とし、ブロックスキャナ８が１つの信号を選択している時間をＴ３としたとき、第１の走査手段によって１つの行が選択された時点からＴ３だけ遅れて水平方向スキャナ５１の走査が開始され、水平方向スキャナ５(ｉ−１)の走査が開始された時点からＴ３だけ遅れて水平方向スキャナ５ｉの走査が開始される赤外線検出装置を構成する。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｍ、ｎ及びｋを２以上の整数としたとき、第１の方向にｍ行、前記第１の方向に直交する第２の方向にｎ列を持つｍ行ｎ列の行列状に配設された赤外線検出素子を有する２次元赤外線検出素子ブロックをｋ個、前記第２の方向に１行に並べて配設してなる赤外線検出部と、
同じ番目の行に並んだ前記赤外線検出素子の出力信号を、１番目の行に並んだ前記赤外線検出素子の出力信号からｍ番目の行に並んだ前記赤外線検出素子の出力信号まで、走査選択する第１の走査手段と、
前記ｋ個の２次元赤外線検出素子ブロックと１対１に対応し、対応する前記２次元赤外線検出素子ブロックにおいて前記第１の走査手段により走査選択された前記赤外線検出素子の出力信号を、１番目の列にある前記赤外線検出素子の出力信号からｎ番目の列にある前記赤外線検出素子の出力信号まで、走査選択して出力するｋ個の第２の走査手段と、
前記第２の走査手段の出力信号を、１番目の前記第２の走査手段の出力信号からｋ番目の前記第２の走査手段の出力信号まで、走査選択して出力するブロック走査手段とを備え、
前記第１の走査手段によって１つの行に並んだ前記赤外線検出素子の出力信号が選択されている時間をＴ１とし、前記第２の走査手段によって１つの前記赤外線検出素子の出力信号が選択されている時間をＴ２とし、前記ブロック走査手段によって１つの前記第２の走査手段の出力信号が選択されている時間をＴ３としたとき、Ｔ１はＴ２よりも長く、Ｔ２はＴ３よりも長い赤外線検出装置において、
ｉを２以上ｋ以下の整数としたとき、前記第１の走査手段による行の選択が次の行の選択に切り換えられた時点からＴ３だけ遅れて１番目の前記第２の走査手段による前記赤外線検出素子の出力信号の走査選択が開始され、ｉ−１番目の前記第２の走査手段による前記赤外線検出素子の出力信号の走査選択が開始された時点からＴ３だけ遅れてｉ番目の前記第２の走査手段による前記赤外線検出素子の出力信号の走査選択が開始されることを特徴とする赤外線検出装置。
【請求項２】
請求項１に記載の赤外線検出装置において、Ｔ１をＴ２のｎ＋１倍以上とし、前記第１の走査手段による行の選択が次の行の選択に切り換えられた直後における前記第２の走査手段の出力信号を、入射赤外線の強さに応じた電気信号としては取り扱わないことを特徴とする赤外線検出装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の赤外線検出装置において、前記第２の走査手段の出力はインピーダンス変換手段によってインピーダンス変換されて前記ブロック走査手段に入力されることを特徴とする赤外線検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は赤外線検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、被写体の温度分布をリアルタイムで撮像したいと言う要求が強く、２次元の赤外線検出装置の需要が高まっている。これに伴い、安価で高性能な赤外線検出装置開発が望まれている。
【０００３】
下記特許文献１には、多画素、高速走査に対応する為に、２次元配列された画素を水平方向にブロック分割し、走査選択された画素信号を、ブロック毎に（並列で）読出す（出力する）固体撮像装置が記載されているが、ブロック毎の出力を１つに纏めることまでは記載されていない。
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−２２３９４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
赤外線検出素子として、入射赤外線の吸収による温度上昇を計測する形のものを用い、さらに、水平方向のブロック分割を採用する赤外線検出装置においては、温度上昇を計測するために、サーモパイル等のように高出力インピーダンスを用いた場合に、垂直方向走査切り換わりの際に発生するスイッチングノイズが、切り換わり直後に走査選択される赤外線検出素子の出力信号に重畳されてしまう、という問題がある。
【０００６】
又、精度良く赤外線検出素子の出力信号を取り出す為には、スイッチングノイズの影響が無くなった後の期間に、Ａ/Ｄ変換器でのサンプリング等により、出力信号を取り出すこととなり、結果として、１つの画素を走査選択している時間を長く取る必要がある為、例えば、高速での被写体の温度分布撮像が困難となるという問題がある。
【０００７】
本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、走査選択時に発生するスイッチングノイズによる影響を受けずに、高精度の赤外線検出素子出力信号が得られる赤外線検出装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
ｍ行ｎ列の行列状に配設された複数の赤外線検出素子を有する２次元赤外線検出素子ブロックをｋ個、１行に並べてなる赤外線検出部の、同じ番目の行に並んだ赤外線検出素子の出力信号を、第１行から第ｍ行まで、走査選択する第１の走査手段と、その第１の走査手段によって走査選択された赤外線検出素子の出力信号を、各２次元赤外線検出素子ブロック毎に、第１列から第ｎ列まで、走査選択して出力するｋ個の第２の走査手段と、その第２の走査手段の出力信号を、１番目の第２の走査手段からｋ番目の第２の走査手段まで、走査選択して出力するブロック走査手段とを備え、第１の走査手段によって１つの行に並んだ赤外線検出素子の出力信号が選択されている時間をＴ１とし、第２の走査手段によって１つの赤外線検出素子の出力信号が選択されている時間をＴ２とし、ブロック走査手段によって１つの第２の走査手段の出力信号が選択されている時間をＴ３としたとき、Ｔ１＞Ｔ２＞Ｔ３である赤外線検出装置において、ｉを２以上ｋ以下の整数としたとき、第１の走査手段による行の選択が次の行の選択に切り換えられた時点からＴ３だけ遅れて１番目の第２の走査手段による赤外線検出素子の出力信号の走査選択が開始され、ｉ−１番目の第２の走査手段による赤外線検出素子の出力信号の走査選択が開始された時点からＴ３だけ遅れてｉ番目の第２の走査手段による赤外線検出素子の出力信号の走査選択が開始されれることを特徴とする赤外線検出装置を構成する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の実施により、走査選択時に発生するスイッチングノイズによる影響を受けずに、高精度の赤外線検出素子出力信号が得られる赤外線検出装置を提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明は、入射赤外線を電気信号に変換する複数の赤外線検出素子を利用して、２次元の赤外線強度分布を検出する赤外線検出装置に関し、例えば、被写体の温度分布を撮像する赤外線検出装置に関し、より詳しくは、被写体の温度分布を高速、且つ高精度に撮像する為の技術に係わる。
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本発明の一実施形態による赤外線検出装置を説明する回路構成図である。
【００１２】
図１において、１１〜１ｋ（ここに、ｋは２以上の整数とする）は２次元赤外線検出素子ブロック、２はカウンタ、３は垂直方向デコーダ、４１〜４ｋは水平方向デコーダ、５１〜５ｋは水平方向スキャナ、６１〜６ｋは差動増幅器、７はブロックデコータ、８はブロックスキャナである。
【００１３】
又、２次元赤外線検出素子ブロック１１〜１ｋ、水平方向スキャナ５１〜５ｋを代表して、２次元赤外線検出素子ブロック１１、水平方向スキャナ５１について、その詳細回路を図１中に記載している。尚、２次元赤外線検出素子ブロック１２〜１ｋは２次元赤外線検出素子ブロック１１と、水平方向スキャナ５２〜５ｋは水平方向スキャナ５１と各々同一回路である。
【００１４】
２次元赤外線検出素子ブロック１１〜１ｋの各々は、ｍ及びｎを２以上の整数として、第１の方向である垂直方向にｍ行、第２の方向である水平方向にｎ列を持つｍ行ｎ列の行列状に配設された赤外線検出素子（図中、抵抗と電圧源の直列回路として表す）を有する。２次元赤外線検出素子ブロック１１〜１ｋは、第２の方向である水平方向に１行に並べて配設され、これによって、赤外線検出部が構成されている。
【００１５】
画素１１〜画素ｍｎ中のＮ型ＭＯＳＦＥＴスイッチＭ１１〜Ｍｍｎは、垂直方向デコーダ３の出力を入力として、同じ番目の行に並んだ赤外線検出素子の出力信号を、第１行から第ｍ行の順に、走査選択する第１の走査手段となっている。
【００１６】
又、水平方向スキャナ５１〜５ｋは、２次元赤外線検出素子ブロック１１〜１ｋと夫々１対１に対応し、対応する２次元赤外線検出素子ブロックにおいて上記第１の走査手段により走査選択された赤外線検出素子の出力信号を、第１列から第ｎ列の順に、走査選択して出力するｋ個の第２の走査手段となっている。
【００１７】
また、ブロックスキャナ８は、第２の走査手段である水平方向スキャナ５１〜５ｋの出力信号を、水平方向スキャナ５１から水平方向スキャナ５ｋの順に、走査選択して出力するブロック走査手段となっている。
【００１８】
又、差動増幅器６１〜６ｋは、第２の走査手段である水平方向スキャナ５１〜５ｋとブロック走査手段であるブロックスキャナ８との間に介在するインピーダンス変換手段となっていて、第２の走査手段である水平方向スキャナ５１〜５ｋの出力は差動増幅器６１〜６ｋによってインピーダンス変換されてブロック走査手段であるブロックスキャナ８に入力される。
【００１９】
赤外線検出素子の出力信号は、基準電圧Ｖｒｅｆに入射赤外線の強さに応じた起電圧を重畳したものであるので、赤外線検出素子の出力信号をＶｒｅｆと比較して差動増幅して出力する差動増幅器６１〜６ｋからは、各赤外線検出素子に入射する入射赤外線の強さに応じた起電圧が増幅されて出力される。
【００２０】
ここで、赤外線検出素子としてサーモパイル（複数の熱電対を、熱起電力が直列合成されるように接続したもの）を仮定すると、等価回路としては、図１に示すように、抵抗と電圧源の直列回路として表すことができる。
【００２１】
又、垂直方向ｍ行、水平方向ｎ列に赤外線検出素子を配列した２次元赤外線検出素子ブロック１１には、垂直方向スキャナの役目をするＮ型ＭＯＳＦＥＴスイッチＭ１１〜Ｍ１ｎ、Ｍ２１〜Ｍ２ｎ、…、Ｍｍ１〜Ｍｍｎが各赤外線検出素子に接続されており、同様に、水平方向スキャナ５１にはＮ型ＭＯＳＦＥＴスイッチＭ１〜Ｍｎが赤外線検出素子列ごとに接続されている。
【００２２】
上記の構成は、従来例においても見られるものであるが、本実施の形態が従来例と異なる点の１つは、下記の遅延回路を用いることである。すなわち、図１において、９１〜９ｋは遅延回路であり、入力信号を所定時間遅延させて出力する。本発明の効果は、この遅延回路９１〜９ｋの設置によって得られる。
【００２３】
図２に、垂直方向デコーダ３と水平方向デコーダ４１の各出力波形、２次元赤外線検出素子ブロック１１での走査選択画素、及び差動増幅器６１の出力電圧Ｖｐ１の各タイムチャートを示し、図３に、各２次元赤外線検出素子ブロック１１〜１ｋでの走査選択画素、各差動増幅器６１〜６ｋの出力電圧Ｖｐ１〜Ｖｐｋ、ブロックデコータ７の各出力波形（Ｚ１〜Ｚｋ）、走査選択ブロック、及び、ブロックスキャナ８の出力電圧Ｖｏｕｔの各タイムチャートを示す。
【００２４】
図１〜図３に従い、本発明の赤外線検出装置の動作について説明する。
【００２５】
まず、カウンタ２では、入力する基準クロックＣＬＫに基づいてアドレスがカウントされ、垂直方向デコーダ３、遅延回路９１、ブロックデコータ７に出力される。
【００２６】
垂直方向デコーダ３及びブロックデコータ７では、カウンタ２からのアドレスカウントをデコードして、行毎の垂直方向選択信号Ｙ１〜Ｙｍ或いはブロック毎のブロック選択信号Ｚ１〜Ｚｋとして、垂直方向選択信号Ｙ１〜Ｙｍは２次元赤外線検出素子ブロック１１〜１ｋ内の垂直方向スキャナ（各２次元赤外線検出素子ブロックのＮ型ＭＯＳＦＥＴスイッチＭ１１〜Ｍｍｎのゲート端子）に、ブロック選択信号信号Ｚ１〜Ｚｋはブロックスキャナ８に夫々印加される。
【００２７】
図２、図３から明らかなように、第１の走査手段（Ｎ型ＭＯＳＦＥＴスイッチＭ１１〜Ｍｍｎ）によって１つの行に並んだ赤外線検出素子の出力信号が選択されている時間をＴ１とし、第２の走査手段である水平方向スキャナ５１〜５ｋによって１つの赤外線検出素子の出力信号が選択されている時間をＴ２とし、ブロック走査手段であるブロックスキャナ８によって１つの水平方向スキャナ５１〜５ｋの出力信号が選択されている時間をＴ３としたとき、Ｔ１＞Ｔ２＞Ｔ３である。
【００２８】
遅延回路９１では、カウンタ２からの水平方向アドレスカウントを、ブロック走査選択期間の１期間分（Ｔ３）遅延し、水平方向デコーダ４１に送ると共に、遅延回路９２に送る。遅延回路９２では、遅延回路９１からのアドレスカウントを、ブロック走査選択期間の１期間分（Ｔ３）遅延し、水平方向デコーダ４２に送ると共に、遅延回路９３に送る。以下同様に、遅延回路９３〜９(ｋ−１）にて入力するアドレスカウントを、ブロック走査選択期間の１期間分（Ｔ３）遅延し、後続の水平方向デコーダと遅延回路に送り、最終的に、遅延回路９ｋでは、遅延回路９(ｋ−１）からのアドレスカウントを、ブロック走査選択期間の１期間分（Ｔ３）遅延し、水平方向デコーダ４ｋに送る。この場合に、従来例と同様に、Ｔ２≧ｋ×Ｔ３である必要があり、図３はＴ２＝ｋ×Ｔ３の場合を示している。
【００２９】
水平方向デコーダ４１〜４ｋでは、遅延回路９１〜９ｋからのアドレスカウントをデコードして、列毎の水平方向選択信号として、水平方向スキャナ５１〜５ｋに印加する。尚、水平方向アドレスカウント数（周期）は、各２次元赤外線検出素子ブロック１１〜１ｋの水平方向画素数ｎに対して１カウント（周期）多いｎ＋１カウント（周期）となっている。この水平方向アドレスカウント数はｎ＋１より大きくてもよい。すなわち、この場合にＴ１＝（ｎ＋１)Ｔ２であり、Ｔ１＞（ｎ＋１)Ｔ２であってもよい。
【００３０】
上記の構成を用いることによって、ｉを２以上ｋ以下の整数としたとき、第１の走査手段であるＮ型ＭＯＳＦＥＴスイッチＭ１１〜Ｍｍｎによる行の選択が次の行の選択に切り換えられた時点からＴ３だけ遅れて１番目の第２の走査手段である水平方向スキャナ５１による赤外線検出素子の出力信号の走査選択が開始され、ｉ−１番目の前記第２の走査手段である水平方向スキャナ５(ｉ−１）による前記赤外線検出素子の出力信号の走査選択が開始された時点からＴ３だけ遅れてｉ番目の前記第２の走査手段である水平方向スキャナ５ｉによる前記赤外線検出素子の出力信号の走査選択が開始されるようにすることができる。ここに、「行の選択が次の行の選択に切り換えられた時点」とは、１つの行に並んだ赤外線検出素子の出力信号の選択が次の行に並んだ赤外線検出素子の出力信号の選択に移行した時点を意味する。
【００３１】
ここで、２次元赤外線検出素子ブロック１１を例にとり、画素の走査選択動作について説明する。図２に示すタイムチャートの様に、垂直方向選択信号Ｙ１〜Ｙｍ或いは水平方向選択信号Ｘ１〜ＸｎがＨ（ハイ）レベルになると、接続されているＮ型ＭＯＳＦＥＴスイッチがオン（導通）する。この結果、まず垂直方向選択信号Ｙ１がＨレベルになると、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴスイッチＭ１１〜Ｍ１ｎがオンし、画素１１〜画素１ｎの赤外線検出素子出力信号がＶ１〜Ｖｎとして水平方向スキャナ５１に送られる。
【００３２】
この後、ブロック走査選択期間の１期間分（Ｔ３）の時間が経過すると、水平方向選択信号Ｘ１がＨレベルになって、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴスイッチＭ１がオンし、水平方向スキャナ５１の出力には画素１１の赤外線検出素子出力信号が走査選択され、差動増幅器６１により画素１１の赤外線検出素子の入射赤外線の強さに応じた起電圧が増幅され、電圧Ｖｐ１として出力される。
【００３３】
その後、順次水平方向選択信号Ｘ２〜ＸｎがＨレベルとなり、差動増幅器６１の出力電圧Ｖｐ１には画素１１の赤外線検出素子出力信号に続いて、画素１２〜画素１ｎの赤外線検出素子出力信号が走査選択される。
【００３４】
画素１ｎの赤外線検出素子出力信号が走査選択された後は、水平方向選択信号Ｘ１〜Ｘｎ中の決められた選択信号（何れでも可。以下、例として、Ｘ３とする）がＨレベルになって、画素１１〜画素１ｎ中の前記選択信号（Ｘ３）に対応した画素（画素１３）が再び選択される。
【００３５】
次に、垂直方向選択信号Ｙ２がＨレベルになると、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴスイッチＭ２１〜Ｍ２ｎがオンし、画素２１〜画素２ｎの赤外線検出素子出力信号がＶ１〜Ｖｎとして水平方向スキャナ５１に送られる。この時、水平方向選択信号は、垂直方向選択信号Ｙ２がＨレベルになる直前の選択信号（Ｘ３）のままである為、画素２１〜画素２ｎ中の前記選択信号（Ｘ３）に対応した画素（画素２３）が選択されることになる。
【００３６】
この後、ブロック走査選択期間の１期間分の時間（Ｔ３）が経過すると、水平方向選択信号Ｘ１がＨレベルになって、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴスイッチＭ１がオンし、水平方向スキャナ５１の出力には画素２１の赤外線検出素子出力信号が走査選択され、差動増幅器６１により画素２１の赤外線検出素子の起電圧が増幅され、電圧Ｖｐ１として出力される。
【００３７】
その後、順次水平方向選択信号Ｘ２〜ＸｎがＨレベルとなり、差動増幅器６１の出力電圧Ｖｐ１には画素２１の赤外線検出素子出力信号に続いて、画素２２〜画素２ｎの赤外線検出素子出力信号が走査選択される。画素２ｎの赤外線検出素子出力信号が走査選択された後は、前記した水平方向選択信号Ｘ１〜Ｘｎ中の決められた選択信号（Ｘ３）がＨレベルになって、画素２１〜画素２ｎ中の前記選択信号（Ｘ３）に対応した画素（画素３１）が再び選択される。
【００３８】
従って、これら動作の繰り返しにより、差動増幅器６１の出力電圧Ｖｐ１には画素１１〜画素１ｎ、画素１＊と画素２＊、画素２１〜画素２ｎ、画素２＊と画素３＊、…、画素ｍ１〜画素ｍｎ、画素ｍ＊と画素１＊の順に走査選択され、再び画素１１からの走査選択が繰り返される（＊は、１〜ｎ中の決められた番号、ここでは３としている）。
【００３９】
以上の動作により、図３に示すタイムチャートの様に、各２次元赤外線検出素子ブロック１１〜１ｋにて走査選択され、差動増幅器６１〜６ｋを介して出力される信号は、垂直方向の走査選択の切り換わりポイントを基準として、２次元赤外線検出素子ブロック１１ではブロック走査選択期間の１期間分（Ｔ３）、２次元赤外線検出素子ブロック１２ではブロック走査選択期間の２期間分（２×Ｔ３）、以下同様で、２次元赤外線検出素子ブロック１ｋではブロック走査選択期間のｋ期間分（ｋ×Ｔ３）が各々遅延したタイミングにて、走査選択画素が切り換わることとなる。
【００４０】
尚、ブロック選択信号Ｚ１〜Ｚｋは、垂直方向の走査選択（行の走査選択）の切り換わりポイントを基準として、順次Ｈレベルとなる為、ブロックスキャナ８の出力電圧Ｖｏｕｔには、例えば垂直方向１行目に走査選択が切り換わると、ブロック１１の画素１＊、ブロック１２の画素１＊、…、ブロック１ｋの画素１＊の順に走査選択され、その後、ブロック１１の画素１１、ブロック１２の画素１１、…、ブロック１ｋの画素１１、更に、ブロック１１の画素１２、ブロック１２の画素１２、…、ブロック１ｋの画素１２、…、ブロック１１の画素１ｎ、ブロック１２の画素１ｎ、…、ブロック１ｋの画素１ｎの順に走査選択されて、次に、垂直方向２行目に走査選択が切り換わる。これら一連の動作を繰り返すことにより、２次元赤外線検出素子ブロックの全画素の赤外線検出素子出力信号が走査選択されることになる。
【００４１】
尚、第１の走査手段（Ｎ型ＭＯＳＦＥＴスイッチＭ１１〜Ｍｍｎ）による行の選択が次の行の選択に切り換えられた直後、すなわち、この走査手段による１つの行に並んだ赤外線検出素子の出力信号の選択が次の行に並んだ赤外線検出素子の出力信号の選択に移行した直後のブロック走査選択１周期期間分に出力される信号、例えば、垂直方向１行目への走査選択切り換わりを考えると、切り換わり直後の２次元赤外線検出素子ブロック１１〜１ｋの各画素１＊信号は、垂直方向の走査選択の切り換わりの際に生じるスイッチングノイズによる影響を受けているので、例えば、被写体の温度分布を撮像したデータとしては使用せず、これ以降に走査選択されるブロック１１の画素１１からブロック１ｋの画素１ｎの赤外線検出素子の出力信号を、例えば、被写体の温度分布を撮像したデータとして使用する。すなわち、第１の走査手段（Ｎ型ＭＯＳＦＥＴスイッチＭ１１〜Ｍｍｎ）による行の選択が次の行の選択に切り換えられた直後における第２の走査手段である水平方向スキャナ５１〜５ｋの出力信号を、入射赤外線の強さに応じた電気信号としては取り扱わない。
【００４２】
以下、他の垂直方向の走査選択切り換わりについても同様、走査選択切り換わり直後のブロック走査選択１周期期間分に出力される信号を使用せず、これ以降に走査選択される赤外線検出素子出力信号を、例えば、被写体の温度分布を撮像したデータとして使用する。
【００４３】
この結果、例えば、被写体温度分布の撮像データとして使用する期間内でのブロックスキャナ８による走査選択は、何れの２次元赤外線検出素子ブロックの、何れの画素の走査選択に対しても、２次元赤外線検出素子ブロック内の水平方向の走査選択が次の画素に切り換わる直前のタイミングで、当該２次元赤外線検出素子ブロックのブロック走査選択が為されて、最終出力として取り出され、又、２次元赤外線検出素ブロック１１〜１ｋの各出力は、差動増幅器６１〜６ｋによりインピーダンス変換されているので、ブロックスキャナ８の出力Ｖｏｕｔにはスイッチングノイズは重畳しない。従って、サーモパイル（熱電対）のように高出力インピーダンスを持つ赤外線検出素子で、水平方向の走査選択の切り換わり直後にスイッチングノイズが発生する様な場合であっても、このスイッチングノイズの影響を受けずに画素信号を走査選択することができる。
【００４４】
以上により、本発明の実施形態によれば、各２次元赤外線検出素子ブロック１１〜１ｋに入力する水平方向選択信号には、ブロックスキャナ８により第１番目に走査選択される２次元赤外線検出素子ブロック１１に入力する水平方向選択信号を時間的基準とし、走査選択される２次元赤外線検出素子ブロック順に、ブロック走査選択期間の１期間分（Ｔ３）ずつが遅延時間として加算される構成としたので、走査選択時に発生するスイッチングノイズによる影響を受けずに、高精度の赤外線検出素子出力信号が得られ、例えば、高速で被写体の温度分布を撮像することができる。
【００４５】
又、水平方向選択信号の信号周期（垂直方向走査選択期間、Ｔ１）は、ブロック選択信号の信号周期（水平方向走査選択期間、Ｔ２）のｎ＋１倍以上（ｎは水平方向の赤外線検出素子列数）であり、垂直方向走査選択切り換わり直後の第１番目の水平方向走査選択期間を除く水平方向選択信号周期の期間内において、各２次元赤外線検出素子ブロック内の全ての赤外線検出素子列が最低１回は走査選択され、垂直方向走査選択切り換わり直後の第１番目の水平方向走査選択期間に操作選択される赤外線検出素子の出力信号は、例えば、被写体の温度分布を撮像した結果としての電気信号としては取り扱わない構成としたので、垂直方向走査選択時に発生するスイッチングノイズによる影響を受けずに、高精度の赤外線検出素子出力信号が得られ、例えば、高速で被写体の温度分布を撮像することができる。
【００４６】
更に、２次元赤外線検出素ブロック１１〜１ｋの各出力とブロックスキャナ８の入力間に、インピーダンス変換手段である差動増幅器６１〜６ｋが接続される構成としたので、ブロック走査選択時にスイッチングノイズを発生することなく、高精度の赤外線検出素子出力信号が得られ、高速で被写体の温度分布を撮像することができる。
【００４７】
尚、前述の本発明の実施の形態では、赤外線検出素子としてサーモパイルを仮定したが、赤外線検出素子はサーモパイルに限定されるものではなく、熱電対や赤外線光電池などであってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の一実施形態を示す赤外線検出装置を説明する回路構成図である。
【図２】本発明の一実施形態による赤外線検出装置を説明する第１のタイムチャートである。
【図３】本発明の一実施形態による赤外線検出装置を説明する第２のタイムチャートである。
【符号の説明】
【００４９】
１１〜１ｋ：２次元赤外線検出素子ブロック、２：カウンタ、３：垂直方向デコーダ、４１〜４ｋ：水平方向デコーダ、５１〜５ｋ：水平方向スキャナ、６１〜６ｋ：差動増幅器、７：ブロックデコータ、８：ブロックスキャナ、９１〜９ｋ：遅延回路。
【図１】
2006170930.tif 000003
【図２】
2006170930.tif 000004
【図３】
2006170930.tif 000005