(57)【要約】【課題】半導体装置を複数の回路ブロックに分割して直流電流リーク試験を行う際に、より簡単な回路構成で異常回路の判別を可能にし、電流測定ポイント数を削減し、試験時間を短縮する。【解決手段】相互に分離された複数の電源電圧供給源１０５、１０６と相互に分離された複数の接地１０７、１０８を、複数に分割された回路ブロック１０１〜１０４のそれぞれに対して電源電圧供給源１０５、１０６と接地１０７、１０８の組み合わせが唯一であるように接続し、電源電圧供給源１０５、１０６と接地１０７、１０８のそれぞれに流れる電流値１０９〜１１２を測定し、電流値が異常となる電源電圧供給源１０５、１０６と接地１０７、１０８の組み合わせにより異常が発生した回路ブロックを特定する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置を複数の回路ブロックに分割して直流電流リーク試験を行う回路試験方法であって、相互に分離された複数の電源電圧供給源と相互に分離された複数の接地を用い、前記回路ブロックのそれぞれに対して前記電源電圧供給源と前記接地の組み合わせが唯一であるように接続し、それぞれの前記電源電圧供給源とそれぞれの前記接地を流れる電流値を測定し、電流値が異常となる前記電源電圧供給源と前記接地の組み合わせにより異常が発生した前記回路ブロックを特定する半導体装置の回路試験方法。
【請求項２】
複数に分割された回路ブロックと、相互に分離された複数の電源電圧供給源と、相互に分離された複数の接地とを備え、前記回路ブロックのそれぞれに対して前記電源電圧供給源と前記接地の組み合わせが唯一であるように接続した半導体装置。
【請求項３】
前記電源電圧供給源は２値以上の電源電圧レベルの設定が可能である請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記回路ブロックに接続される前記電源電圧供給源を切り替える手段を備える請求項２記載の半導体装置。
【請求項５】
前記回路ブロックに接続される前記電源電圧供給源を個別に切断する手段を備える請求項２記載の半導体装置。
【請求項６】
半導体集積回路のウェハ上に前記電源電圧供給源と前記接地を格子構造に配置した請求項２記載の半導体装置。
【請求項７】
前記回路ブロックはある機能を果たす素子領域、機能セルまたはベースチップに搭載された半導体チップであり、異常であることが特定された前記回路ブロックを置換するための冗長素子領域、冗長機能セルまたは冗長半導体チップを備える請求項２記載の半導体装置。
【請求項８】
請求項２記載の半導体装置において、それぞれの前記電源電圧供給源とそれぞれの前記接地を流れる電流値を測定し、電流値が異常となる前記電源電圧供給源と前記接地の組み合わせにより異常が発生した前記回路ブロックを特定する情報を出力する回路試験ツール。
【請求項９】
請求項７記載の半導体装置において、それぞれの前記電源電圧供給源とそれぞれの前記接地を流れる電流値を測定し、電流値が異常となる前記電源電圧供給源と前記接地の組み合わせにより異常が発生した前記回路ブロックを特定し、特定した前記回路ブロックを前記冗長素子領域あるいは冗長機能セルあるいは冗長半導体チップで置換する情報を出力する回路試験ツール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置の直流電流リーク試験方法に係り、特に電流測定ポイント数の削減に有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路技術の発展に伴って素子の微細化と大規模化が平行して加速的に進んだ結果、半導体集積回路のリーク電流の増加が問題となっており、その試験時や不良品の解析時に不良箇所の特定手法の重要性が高くなっている。従来の直流電流リーク試験技術として、大規模化した半導体集積回路を複数の回路ブロックに分割し、各回路ブロックの電源供給源を分離することにより、回路ブロック毎に直流電流リークを測定するものがある（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平１０−２４２３９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上記従来の方法は、複数に分割された回路ブロックの電源供給線を分離することにより、回路ブロック毎のリーク電流測定結果から不良回路ブロックを判別する方法があるが、回路ブロック数が多くなるに従って測定用の電源端子の増加と試験時間の増大が加速的に進んでしまうという問題が生じる。
【０００４】
本発明は、半導体装置を複数の回路ブロックに分割して直流電流リーク試験を行う際に、より簡単な回路構成で異常回路を判別することができ、電流測定ポイント数を削減し、試験時間を短縮することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の半導体装置の回路試験方法は、半導体装置を複数の回路ブロックに分割して直流電流リーク試験を行う回路試験方法であって、相互に分離された複数の電源電圧供給源と相互に分離された複数の接地を用い、前記回路ブロックのそれぞれに対して前記電源電圧供給源と前記接地の組み合わせが唯一であるように接続し、それぞれの前記電源電圧供給源とそれぞれの前記接地を流れる電流値を測定し、電流値が異常となる前記電源電圧供給源と前記接地の組み合わせにより異常が発生した前記回路ブロックを特定する。
【０００６】
上記構成によれば、いずれの回路ブロックに接続されている電源電圧供給源と接地の組み合わせも全体の組み合わせ中で唯一の組み合わせであるため、測定した電流値が異常となる電源電圧供給源と接地の組み合わせにより、異常が発生した回路ブロックを容易に特定することができる。
【０００７】
本発明の半導体装置は、複数に分割された回路ブロックと、相互に分離された複数の電源電圧供給源と、相互に分離された複数の接地とを備え、前記回路ブロックのそれぞれに対して前記電源電圧供給源と前記接地の組み合わせが唯一であるように接続する。
【０００８】
上記構成によれば、いずれの回路ブロックに接続されている電源電圧供給源と接地の組み合わせも全体の組み合わせ中で唯一の組み合わせであるため、電源電圧供給源と接地を流れるそれぞれの電流値を測定し、測定した電流値が異常となる電源電圧供給源と接地の組み合わせにより、異常が発生した回路ブロックを容易に特定することができる。
【０００９】
本発明の半導体装置において、前記電源電圧供給源は２値以上の電源電圧レベルの設定が可能なものである。複数の被測定回路において同時にリーク電流異常が発生した場合には、１回の測定では異常が発生した被測定回路の判別が困難な場合があるが、上記構成によれば、電源電圧供給源は２値以上の電源電圧レベルの設定が可能なため、２回以上の測定により異常が発生した被測定回路を判別することができる。
【００１０】
本発明の半導体装置において、前記回路ブロックに接続される前記電源電圧供給源を切り替える手段を備える。複数の被測定回路において同時にリーク電流異常が発生した場合には、１回の測定では異常が発生した被測定回路の判別が困難な場合があるが、上記構成によれば、回路ブロックに接続される電源電圧供給源を切り替え、２回以上の測定を行うことにより異常が発生した被測定回路を判別することができる。
【００１１】
本発明半導体装置において、前記回路ブロックに接続される前記電源電圧供給源を個別に切断する手段を備える。上記構成によれば、リーク電流異常回路が判別された場合に、異常リーク電流が発生している回路を個別に切断装置で電源電圧供給源から切断し、ストレス印加時の全体の異常電流を停止することにより、過電流による基盤および基盤に装着された部品の破壊を予防することができる。
【００１２】
本発明の半導体装置として、半導体集積回路のウェハ上に前記電源電圧供給源と前記接地を格子構造に配置する。半導体集積回路のウェハ上のチップは行方向と列方向に規則的な配置構造を持つため、上記構成によれば、回路ブロックのそれぞれに対して電源電圧供給源と接地の組み合わせが唯一であるように接続する格子構造を最適に実現することができる。
【００１３】
本発明の半導体装置において、前記回路ブロックはある機能を果たす素子領域あるいは機能セルあるいはベースチップに搭載された半導体チップであり、異常であることが特定された前記回路ブロックを置換するための冗長素子領域あるいは冗長機能セルあるいは冗長半導体チップを備える。
【００１４】
上記構成によれば、測定した電流値が異常となる電源電圧供給源と接地の組み合わせにより、異常が発生した素子領域あるいは機能セルあるいは半導体チップを容易に特定することができるため、電流リーク試験を行うだけで不良箇所の判別と救済を実施でき、総試験時間の短縮によるコスト削減が期待できる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、半導体装置を複数の回路ブロックに分割して直流電流リーク試験を行う際に、いずれの回路ブロックに接続されている電源電圧供給源と接地の組み合わせも全体の組み合わせ中で唯一の組み合わせとすることができるため、測定した電流値が異常となる電源電圧供給源と接地の組み合わせにより異常が発生した回路ブロックを容易に特定することができる。その結果、総電源電流測定ポイント数の削減と試験時間の短縮化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。図１は本発明の第１の実施形態に係る回路試験方法を実施するための半導体装置の回路構成例を示す図であり、複数の回路ブロックに分割された半導体装置に対して、複数の個別電源電圧供給源と複数の個別接地を組み合わせている。
【００１７】
図１において、１０１〜１０４はそれぞれ被測定回路Ａ〜被測定回路Ｄの４つの回路ブロック、１０５と１０６はそれぞれ相互に電気的に分離された電源電圧供給源、１０７と１０８はそれぞれ相互に電気的に分離された接地である。なお、図１の回路構成例は回路数を特に限定するものではなく、以降の各実施形態の回路構成例においても同様である。
【００１８】
電源電圧供給源１０５は被測定回路１０１と被測定回路１０２に共通に接続されて電源電圧を供給し、電源電圧供給源１０６は被測定回路１０３と被測定回路１０４に共通に接続されて電源電圧を供給し、接地１０７は被測定回路１０１と被測定回路１０３に共通に接続され、接地１０８は被測定回路１０２と被測定回路１０４に共通に接続されている。
【００１９】
このような複数の個別電源電圧供給源と複数の個別接地を接続した組み合わせ構造を持つことにより、被測定回路１０１〜被測定回路１０４のそれぞれに接続される電源電圧供給源と接地の組み合わせは互いに異なる唯一の組み合わせとなる。
【００２０】
電源電圧供給源１０５に流れる電流値は電源電流１０９で測定し、電源電圧供給源１０６に流れる電流値は電源電流１１０で測定し、接地１０７に流れ込む電流値は電源電流１１１で測定し、接地１０８に流れ込む電流値は電源電流１１２で測定する。
【００２１】
電源電流１０９の電流値は被測定回路１０１と被測定回路１０２に流れる電流値の総計となり、電源電流１１０の電流値は被測定回路１０３と被測定回路１０４に流れる電流値の総計となり、電源電流１１１の電流値は被測定回路１０１と被測定回路１０３から流れ込む電流値の総計となり、電源電流１１２の電流値は被測定回路１０２と被測定回路１０４から流れ込む電流値の総計となる。
【００２２】
直流リーク電流Ｉｄｄｑの測定を行うときに、全回路が正常なリーク電流値以下の回路であれば電源電流値はすべて正常値以下であるが、仮に被測定回路１０３が異常に大きいリーク電流が流れる不良箇所を含む回路であった場合は、電源電圧供給源１０６から被測定回路１０３を通って接地１０７へ抜ける電流経路に異常電流が流れ、電流値の測定ポイントとしては電源電流１１０と電源電流１１１に異常な電流が検出される。
【００２３】
被測定回路１０１〜被測定回路１０４の電源電圧供給源と接地の接続組み合わせは互いに異なる唯一の構成であるため、被測定回路１０１〜被測定回路１０４のいずれかに直流リーク電流Ｉｄｄｑの異常があった場合は、電源電流１０９と電源電流１１０および電源電流１１１と電源電流１１２のどの電源電流測定ポイントの組み合わせで異常電流が流れているかにより、異常電流が流れている被測定回路を判別することが可能となる。
【００２４】
上記回路構成例は回路数を特に限定するものではなく、例えば、電源電圧供給源が５つで接地が４つの構成を持った場合は、各電源電圧供給源に被測定回路が４つずつ接続され、各接地に被測定回路が５つずつ接続された構成が考えられ、上記と同様に電源電流値の観測結果の組み合わせにより２０個の被測定回路の内から異常回路ブロックの判別が可能である。
【００２５】
仮に２０個の被測定回路に個別に電源電圧供給源のみを接続した場合は、異常回路の判別に２０箇所の電源電流測定ポイントが必要になるが、上記の例では電源電流測定ポイントは電源電圧供給源側の５つと接地側の４つの合計９箇所となり、試験回路構成を簡単にすることができる。
【００２６】
被測定回路に対して電源電圧供給源と接地の組み合わせを唯一の組み合わせであるようにする本実施形態の回路構成方法は、半導体装置上において、行方向の被測定回路を行毎に１つの電源電圧供給源接続で共通接続し、列方向の被測定回路を列毎に１つの接地接続で共通接続すると、配線構造が簡単でかつ電流値測定によって判別された異常なリーク電流回路ブロックの判別が容易なものとなる。このような格子構造を被測定回路を３行３列に配置して実現した半導体装置の構成例を図９に示す。
【００２７】
また、半導体集積回路のウェハ上のチップは行方向と列方向に規則的な配置構造を持つため、この格子構造は特に半導体集積回路のウェハ上で実現するのに適している。図１０は半導体集積回路のウェハ状態で電源電圧供給源と接地を４行４列の格子構造に組み合わせた例を示したものである。
【００２８】
図２は本発明の第２の実施形態に係る回路試験方法を実施するための半導体装置の回路構成例を示す図である。図２において、２０１と２０２はそれぞれ個別に２値以上の電源電圧レベルを任意に設定できる構成を持つ電源電圧供給源である。これ以外の点では、本実施形態の構成は図１の構成と同一である。
【００２９】
第１の実施形態のように電源電圧供給源の電源電圧レベルが１値しか設定できない構成では、被測定回路１０１〜被測定回路１０４の内で複数の被測定回路において同時にリーク電流異常が発生した場合に１回の測定では異常発生した被測定回路の判別が困難な場合がある。
【００３０】
例えば、電源電流１０９と電源電流１１０に流れる異常リーク電流値が同一で、かつ、電源電流１１１と電源電流１１２に流れる異常リーク電流値も同一であった場合は、被測定回路１０１と被測定回路１０４に同じ値のリーク電流値異常が発生しているのか、被測定回路１０２と被測定回路１０３に同じ値のリーク電流値異常が発生しているのかの判別ができない。
【００３１】
本実施形態においては、複数の異常回路ブロックが存在する場合に、電源電圧供給源２０１もしくは電源電圧供給源２０２の電源電圧を変化させた前後における電源電流１０９〜電源電流１１２の電流値の変化した値を用いることで、被測定回路１０１〜被測定回路１０４の内のどの回路にリーク電流異常が発生したかの判別が可能となる。
【００３２】
例えば、被測定回路１０１と被測定回路１０４に同じ値のリーク電流値異常が発生している場合に、電源電圧供給源２０１の電圧を最初に基準とした測定した電圧から下げた場合は、被測定回路１０１から接地１０７に流れ込む電源電流１１１の電流値は減少するが、接地１０８に流れ込む電源電流１１２は変化しないので、異常回路ブロックの判別が可能となる。
【００３３】
被測定回路のブロック数が上記構成例より多く、電源電圧供給源と接地数がそれぞれ３つ以上の場合であっても、上記の方法と同様に、電源電圧供給源の電圧値を個別に２値以上変化させて設定することにより、複数の被測定回路ブロックでの異常発生を必要最低限のリーク電流測定回数で判別することができ、試験時間の短縮を図ることができる。
【００３４】
図３は本発明の第３の実施形態に係る回路試験方法を実施するための半導体装置の回路構成例を示す図である。図３において、３０１は被測定回路１０２の電源電圧供給源を電源電圧供給源１０５または電源電圧供給源１０６のいずれかに切り替えることができる経路切替装置である。これ以外の点では、本実施形態の構成は図１の構成と同一である。
【００３５】
前記第２の実施形態で述べたように、被測定回路１０１〜被測定回路１０４の内で複数の被測定回路において同時にリーク電流異常が発生した場合に１回の測定では異常発生した被測定回路の判別が困難な場合があるが、本実施形態では、被測定回路の電源電圧供給源を切り替えて電流値の変化を測定することで電流異常がある回路を判別する。
【００３６】
例えば、被測定回路１０１と被測定回路１０４に同じ値のリーク電流値異常が発生している場合に、被測定回路１０２に電流リーク異常が発生していない結果として、経路切替装置３０１を電源電圧供給源１０５から電源電圧供給源１０６に切り替えた前後では電源電流１０９〜電源電流１１２の電流値が変化しないため、被測定回路１０１と被測定回路１０４に同じ値のリーク電流値異常が発生しているという異常回路ブロックの判別が可能となる。
【００３７】
被測定回路のブロック数が上記構成例より多く、電源電圧供給源と接地数がそれぞれ３つ以上の場合であっても、経路切替装置を複数箇所挿入することにより、前記第２の実施形態の方法と同様に、複数の被測定回路ブロックでの異常発生を必要最低限のリーク電流測定回数で判別することができ、試験時間の短縮を図ることができる。
【００３８】
図４は本発明の第４の実施形態に係る回路試験方法を実施するための半導体装置の回路構成例を示す図である。図４において、４０１は被測定回路１０１〜被測定回路１０４の電源電圧供給源側の電流経路に個別に挿入された切断装置である。これ以外の点では、本実施形態の構成は図１の構成と同一である。
【００３９】
この切断装置は半導体集積回路の初期不良発生品の選別に有用である。すなわち、この切断装置をパッケージ製品数十個をまとめてソケットで装着した電圧ストレス印加用の基盤や、ウェハ状態の半導体集積回路に同時に電気接続用のプローブ針で電圧ストレス印加する基盤に実装し、各被測定回路への電源電圧供給源を個別に切断可能にする。
【００４０】
個別の電源電圧供給源と個別の接地の電流値測定でリーク電流異常回路を判別した後に、異常リーク電流が発生している回路を個別に切断装置で電源電圧供給源から切断し、ストレス印加時の全体の異常電流を停止することにより、過電流による基盤および基盤に装着された部品の破壊を予防することができる。
【００４１】
図５は本発明の第５の実施形態に係る半導体装置の回路構成を示す図である。本実施形態においては、半導体装置が複数の機能ブロックおよび冗長機能ブロックで構成される場合に、機能ブロックの直流電流リーク試験を第１の実施形態と同様の方法で行い、その結果で判別された異常な機能ブロックを置換する方法を示す。
【００４２】
図５の（ａ）に示すように、半導体装置内は機能ブロック５０１〜機能ブロック５０４と、機能ブロック５０１〜機能ブロック５０４のそれぞれと同一の機能を有する冗長機能ブロック５０５〜冗長機能ブロック５０８を内蔵している。
【００４３】
機能ブロック５０１〜機能ブロック５０４に対しては、第１の実施形態と同様に、電源電圧供給源１０５と電源電圧供給源１０６と接地１０７と接地１０８を組み合わせた接続がなされており、冗長機能ブロック５０５〜冗長機能ブロック５０８に対しては、それぞれ対応する機能ブロック５０１〜機能ブロック５０４と同様に、接地１０７と接地１０８が接続されている。
【００４４】
リーク電流測定によって電流異常が発生している機能ブロックが有った場合は、第１の実施形態と同様に、電源電圧供給源１０５と電源電圧供給源１０６と接地１０７と接地１０８の電流値の確認により不良が発生している機能ブロックを判別することができる。
【００４５】
また、例えば不良機能ブロックが機能ブロック５０４と判定された場合は、図５の（ｂ）に示すように、半導体装置内で機能ブロック５０４から冗長機能ブロック５０８に電源電圧供給源と制御信号を切り替えて接続することにより、半導体装置全体としての電流値異常発生と機能異常発生を回避して不良の救済をすることができる。
【００４６】
この例では、４つの機能ブロックであるため電源電圧供給源と接地がそれぞれ２つずつであるが、機能ブロックが多数の場合は必要最低限の個別の電源電圧供給源と個別の接地を持つことにより、半導体装置内の故障した機能ブロックの判別と機能救済を行うことができる。
【００４７】
図６は本発明の第６の実施形態に係る半導体装置の回路構成を示す図である。本実施形態では、半導体装置においてＳＲＡＭメモリセルのような同一物理構成の機能セルが連続して配置されている場合に、機能セルの直流電流リーク試験を第１の実施形態と同様の方法で行い、その結果で判別された異常な機能セルを置換して救済する方法を示す。
【００４８】
図６の（ａ）に示すように、半導体装置内のある機能ブロック６０６において、第１の実施形態と同様に、機能セル６０１〜機能セル６０４に対して電源電圧供給源１０５と電源電圧供給源１０６と接地１０７と接地１０８を組み合わせた接続がなされており、リーク電流測定によって電流異常が発生している機能セルが有った場合は、電源電圧供給源１０５と電源電圧供給源１０６と接地１０７と接地１０８の異常リーク電流値の確認により不良機能セルを判別することができる。
【００４９】
機能セルは同一物理構造なので、救済用に必要な最低限の冗長機能セル６０５を予め備えておくことができる。例えば、機能セル６０３がリーク電流測定で異常と判別同定された場合は、図６の（ｂ）に示すように、不良判定された機能セル６０３の電源電圧供給源と制御信号を冗長機能セル６０５に切り替えることにより、機能ブロック６０６全体のリーク電流異常と機能の救済を実施する。電流リーク試験を行うだけで不良機能セルの判別と救済を実施できるため、総試験時間の短縮によるコスト削減が期待できる。
【００５０】
図７は本発明の第７の実施形態に係る半導体装置の回路構成を示す図である。本実施形態では、例えばＳＲＡＭやフラッシュＲＯＭのような個別のメモリチップが複数組み込まれた半導体装置など、複数の半導体チップが同一パッケージ内に組み込まれた構成を持つ半導体装置において、半導体チップの直流電流リーク試験を第１の実施形態と同様の方法で行い、その結果で判別された異常な半導体チップを置換して救済する方法を示す。
【００５１】
図７の（ａ）に示すように、半導体チップ７０１〜半導体チップ７０４に対して、第１の実施形態と同様に、ベースチップ７０６上で電源電圧供給源１０５と電源電圧供給源１０６と接地１０７と接地１０８を組み合わせた接続がなされており、リーク電流測定によって電流異常が発生している半導体チップが有った場合は、電源電圧供給源１０５と電源電圧供給源１０６と接地１０７と接地１０８の電流値の確認により不良半導体チップを判別することができる。
【００５２】
ベースチップ７０６上には、救済用に必要な最低限の冗長機能セル７０５を予め備えておく。例えば、半導体チップ７０４がリーク電流測定で異常と判別された場合は、図７の（ｂ）に示すように、不良判定された半導体チップ７０４の電源電圧供給源と制御信号を冗長半導体チップ７０５に切り替えることにより、半導体装置全体のリーク電流異常と機能の救済を実施する。
【００５３】
電流リーク試験を行うだけで不良半導体チップの判別と救済を事前に実施できるため、試験時間の短縮ができ、また、複数チップを同一パッケージに組み込んだ高価な半導体装置であっても、製造の最後の工程においても機能救済が可能なため、コスト削減の効果が期待できる。
【００５４】
図８は、以上説明した本発明に係る回路試験方法を要約したフローチャートである。図８において、ステップ８０２で複数の個別電源電圧供給源と複数の個別接地の構成により異常個所の存在が判別されると、ステップ８０３で論理配置情報データベース８１１と物理配置情報データベース８１２を参照することにより異常箇所を特定し、異常箇所に対する置換データが無い場合はステップ８０４からステップ８０５に進み、異常箇所情報を出力する。
【００５５】
異常箇所を置換するための機能ブロックや機能セルや半導体チップが半導体装置内に用意されている場合は、その配置と接続情報により予め置換情報データベース８１３を作成しておく。この場合はステップ８０４からステップ８０６に進み、異常箇所の特定結果に対して置換情報データベース８１３を参照して置換場所を特定し、ステップ８０７で置換による救済情報を出力する。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明の半導体装置および半導体装置の回路試験方法は、半導体装置を複数の回路ブロックに分割して直流電流リーク試験を行う際に、いずれの回路ブロックに接続されている電源電圧供給源と接地の組み合わせも全体の組み合わせ中で唯一の組み合わせとすることができるため、測定した電流値が異常となる電源電圧供給源と接地の組み合わせにより異常が発生した回路ブロックを容易に特定することができ、その結果、総電源電流測定ポイント数の削減と試験時間の短縮化を図ることができるという効果を有し、半導体装置の直流電流リーク試験方法等として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る回路試験方法を実施するための半導体装置の回路構成例を示す図。
【図２】本発明の第２の実施形態に係る回路試験方法を実施するための半導体装置の回路構成例を示す図。
【図３】本発明の第３の実施形態に係る回路試験方法を実施するための半導体装置の回路構成例を示す図。
【図４】本発明の第４の実施形態に係る回路試験方法を実施するための半導体装置の回路構成例を示す図。
【図５】本発明の第５の実施形態に係る半導体装置の回路構成を示す図。
【図６】本発明の第６の実施形態に係る半導体装置の回路構成を示す図。
【図７】本発明の第７の実施形態に係る半導体装置の回路構成を示す図。
【図８】本発明に係る回路試験方法を要約したフローチャート。
【図９】本発明に係る半導体装置の格子構造の構成例を示す図。
【図１０】本発明に係る半導体装置の格子構造を半導体集積回路のウェハ上に実現した構成例を示す図。
【符号の説明】
【００５８】
１０１、１０２、１０３、１０４  被測定回路
１０５、１０６、２０１、２０２  電源電圧供給源
１０７、１０８  接地
１０９、１１０、１１１、１１２  電源電流
３０１  経路切替装置
４０１  切断装置
５０１、５０２、５０３、５０４  機能ブロック
５０５、５０６、５０７、５０８  冗長機能ブロック
６０１、６０２、６０３、６０４  機能セル
６０５  冗長機能セル
６０６  機能ブロック
７０１、７０２、７０３、７０４  半導体チップ
７０５  冗長半導体チップ
７０６  ベースチップ
８０１〜８０７  処理ステップ
８１１  論理配置情報データベース
８１２  物理配置情報データベース
８１３  置換情報データベース
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2006284493.tif 000006
【図５】
2006284493.tif 000007
【図６】
2006284493.tif 000008
【図７】
2006284493.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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