(57)【要約】【課題】  磁気抵抗効果層への熱の伝搬をできるだけ制限することができることはもとより、高い記録周波数に対する安定した記録再生特性、すなわち高周波領域における周波数特性（ｆ特性）の飛躍的な改善ができる薄膜磁気ヘッドを提供する。【解決手段】  下部シールド層と第１の引き出し電極部とを連結するための第１のリードおよび上部シールド層と第２の引き出し電極部とを連結するための第２のリードは、それぞれ、それらのリード形成パターンが、上部シールド層側から下部シールド層に向けて平面透過状態で観察した場合、ヒートシンク層との重複部位を備えることなく、ヒートシンク層を迂回するように形成される。【選択図】  図１７
2006134488.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上に配置形成された下部シールド層と、
前記下部シールド層の上に配置形成された上部シールド層と、
前記下部シールド層と前記上部シールド層との間に介在されたＣＰＰ(Current Perpendicular to Plain)構造の読み出し磁気ヘッド素子と、
前記下部シールド層および上部シールド層の後方部位（記録再生側面であるＡＢＳと反対方向）に形成されたヒートシンク層と、
前記ヒートシンク層のさらに後方部位（記録再生側面であるＡＢＳと反対方向）に形成された第１の引き出し電極部および第２の引き出し電極部と、
前記下部シールド層と前記第１の引き出し電極部とを連結するための第１のリードと、
前記上部シールド層と前記第２の引き出し電極部とを連結するための第２のリードと、を有してなる薄膜磁気ヘッドであって、
前記第１のリードおよび第２のリードは、そのリード形成パターンを、前記上部シールド層側から前記下部シールド層に向けて平面透過状態で観察した場合、ヒートシンク層との重複部位を備えることなく、ヒートシンク層を迂回するように形成されてなることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記ヒートシンク層は、前記下部シールド層と同一組成からなる下部ヒートシンク部分、および前記上部シールド層と同一組成からなる上部ヒートシンク部分を積層構造に備えてなり、当該下部ヒートシンク部分および上部ヒートシンク部分は、前記下部シールド層および前記上部シールド層とは分離された状態で形成されてなる請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記第１のリードは、前記下部シールド層の露出接続部分と前記第１の引き出し電極部とを接続することにより、前記下部シールド層と前記第１の引き出し電極部との導通が図れるようになっており、
前記第２のリードは、前記下部シールド層の上に形成された絶縁層の上の接続部位と前記第２の引き出し電極部とを接続した後、前記上部シールド層を形成することによって前記絶縁層の上の接続部位に位置する第２のリードの接続部分と前記上部シールド層が接続され、前記上部シールド層と前記第２の引き出し電極部との導通が図れるようになっている請求項１または請求項２に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記第１の引き出し電極部は、前記下部シールド層と同一組成からなる第１の下部電極層部分および前記上部シールド層と同一組成からなる第１の上部電極層部分を積層構造に備えてなり、前記ヒートシンク層とは分離された状態で形成されており、
前記第２の引き出し電極部は、前記下部シールド層と同一組成からなる第２の下部電極層部分および前記上部シールド層と同一組成からなる第２の上部電極層部分を積層構造に備えてなり、前記ヒートシンク層とは分離された状態で形成されてなる請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記ＣＰＰ構造の読み出し磁気ヘッド素子が、ＣＰＰ−巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ：Giant Magneto Resistive）素子、トンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ：Tunnel Magneto Resistive）素子である請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
前記下部シールド層および上部シールド層は、外部からの磁気をシールドする機能に加えて前記ＣＰＰ構造の読み出し磁気ヘッド素子に電流を流すための電極としての機能を備えてなる請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
前記請求項１ないし請求項６のいずれかに記載された薄膜磁気ヘッドを含み、記録媒体に対向するように配置されるスライダと、
前記スライダを弾性的に支持するサスペンションと、
を備えてなることを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項８】
前記請求項１ないし請求項６のいずれかに記載された薄膜磁気ヘッドを含み、回転駆動される円盤状の記録媒体に対向するように配置されるスライダと、
前記スライダを支持するとともに前記記録媒体に対して位置決めする位置決め装置と、
を備えてなることを特徴とするハードディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体等に記録された磁界強度を信号として読み取るためのＣＰＰ構造の読み出し磁気ヘッド素子を有する薄膜磁気ヘッド、ならびにその薄膜磁気ヘッドを含むヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ハードディスク装置の面記録密度の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能の向上が求められている。薄膜磁気ヘッドとしては、基板上に、読み出し専用の読み出し磁気ヘッド素子を有する再生ヘッドと、書き込み専用の誘導型磁気変換素子を有する記録ヘッドと、を積層してなる構造を備える複合型薄膜磁気ヘッドが広く使用されている。
【０００３】
読み出し磁気ヘッド素子は、積層された素子構造に対して磁界を検出するための電流（センス電流）を素子積層方向に対してどの方向に流すかによって、２つのタイプに大きく分けることができる。
【０００４】
すなわち、積層された素子構造の積層面内に沿って電流を流す印加面内通電型（ＣＩＰ：Current In Plain）の素子と、積層された素子構造の積層方向（垂直方向）に電流を流す垂直通電型（ＣＰＰ：Current perpendicular to Plain）の素子とに大別される。
【０００５】
前者の素子としては、ＣＩＰ型の巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ：Giant Magneto Resistive）素子を例示することができる。また後者の素子として、ＣＰＰ型のＧＭＲ素子やトンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ：Tunnel Magneto Resistive）素子を例示することができる。
【０００６】
特に、後者のＣＰＰ型の読み出し磁気ヘッド素子を備える磁気ヘッドは、本願が発明の対象とするヘッドであって、通常、その素子の上下面が、下部シールド層および上部シールド層によって挟持される構造をなしている。そして、下部シールド層および上部シールド層は、通常、電極としての機能も兼用しており、下部シールド層および上部シールド層間にセンス電流が印加され、素子の積層方向（垂直方向）に電流が流れるようになっている。
【０００７】
現在、一般的に磁気ヘッドに用いられている構造として、読み出し磁気ヘッド素子をシールドしている上部および下部のシールド層は、その幅に対してＭＲハイト方向の長さ（ＡＢＳ（Air Bearing Surface）に対して垂直な奥行き方向）を短くするシールド形状が採用されている。これはシールド層の形状を横長の形状とすることでシールド層の磁区を安定させ、読み出し（再生）動作時にメディアからの磁束によってシールドの磁壁移動とフリー層がカップリングしてノイズが発生することを防ぐようにするためである。
【０００８】
ところで、磁気ヘッド構造において、例えば、信号の書き込み時には、誘電型磁気変換素子内のコイル層からのジュール熱、及び上下に配置された磁極層からの渦電流損失に伴う熱が発生し、この熱によって、素子全体を覆うオーバーコート層が熱膨張して磁気ヘッド素子が対向する磁気ディスクの表面に向けて押出されるいわゆるＴＰＴＰ（Thermal Pole Tip Protrusion）現象が生じる場合がある。前述の通り、ＭＲハイト方向の長さが短いシールドを採用した場合、コイルの半分程度の面積は、下にシールド材料のない領域となってしまい、ＴＰＴＰの影響が顕著に現れる。このようなＴＰＴＰ現象を抑えるために、コイルの下にヒートシンクを配置することで、熱をＡｌＴｉＣ側に逃がし、ＴＰＴＰ現象を抑えることが可能となる。しかしながら、磁気抵抗効果層（素子）への熱の伝搬はできるだけ制限して信号の読み出し能力を維持する必要がある。
【０００９】
さらに、年々要求が高まる磁気ヘッドにおける高記録密度化の要請に対して、高い記録周波数に対する安定した記録再生特性、すなわち高周波領域における周波数特性（ｆ特性）の飛躍的な改善が求められている。
【００１０】
【特許文献１】特開平１１−３１３１１号公報
【特許文献２】特開２００１−２９１８３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明はこのような実状のものに創案されたものであって、その目的は、基板側への放熱効果を増大させて磁気抵抗効果層への熱の伝搬をできるだけ制限することができることはもとより、高い記録周波数に対する安定した記録再生特性、すなわち高周波領域における周波数特性（ｆ特性）の飛躍的な改善ができる薄膜磁気ヘッドを提供することにある。さらには、このように改善された薄膜磁気ヘッドを備えるヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
このような課題を解決するために、本発明の薄膜磁気ヘッドは、基板と、前記基板の上に配置形成された下部シールド層と、前記下部シールド層の上に配置形成された上部シールド層と、前記下部シールド層と前記上部シールド層との間に介在されたＣＰＰ(Current Perpendicular to Plain)構造の読み出し磁気ヘッド素子と、前記下部シールド層および上部シールド層の後方部位（記録再生側面であるＡＢＳと反対方向）に形成されたヒートシンク層と、前記ヒートシンク層のさらに後方部位（記録再生側面であるＡＢＳと反対方向）に形成された第１の引き出し電極部および第２の引き出し電極部と、前記下部シールド層と前記第１の引き出し電極部とを連結するための第１のリードと、前記上部シールド層と前記第２の引き出し電極部とを連結するための第２のリードと、を有してなる薄膜磁気ヘッドであって、前記第１のリードおよび第２のリードは、そのリード形成パターンを、前記上部シールド層側から前記下部シールド層に向けて平面透過状態で観察した場合、ヒートシンク層との重複部位を備えることなく、ヒートシンク層を迂回するように形成されてなるように構成される。
【００１３】
本発明の好ましい態様として、前記ヒートシンク層は、前記下部シールド層と同一組成からなる下部ヒートシンク部分、および前記上部シールド層と同一組成からなる上部ヒートシンク部分を積層構造に備えてなり、当該下部ヒートシンク部分および上部ヒートシンク部分は、前記下部シールド層および前記上部シールド層とは分離された状態で形成されてなるように構成される。
【００１４】
本発明の好ましい態様として、前記第１のリードは、前記下部シールド層の露出接続部分と前記第１の引き出し電極部とを接続することにより、前記下部シールド層と前記第１の引き出し電極部との導通が図れるようになっており、前記第２のリードは、前記下部シールド層の上に形成された絶縁層の上の接続部位と前記第２の引き出し電極部とを接続した後、前記上部シールド層を形成することによって前記絶縁層の上の接続部位に位置する第２のリードの接続部分と前記上部シールド層が接続され、前記上部シールド層と前記第２の引き出し電極部との導通が図れるように構成される。
【００１５】
本発明の好ましい態様として、前記第１の引き出し電極部は、前記下部シールド層と同一組成からなる第１の下部電極層部分および前記上部シールド層と同一組成からなる第１の上部電極層部分を積層構造に備えてなり、前記ヒートシンク層とは分離された状態で形成されており、前記第２の引き出し電極部は、前記下部シールド層と同一組成からなる第２の下部電極層部分および前記上部シールド層と同一組成からなる第２の上部電極層部分を積層構造に備えてなり、前記ヒートシンク層とは分離された状態で形成されてなるように構成される。
【００１６】
本発明の好ましい態様として、前記ＣＰＰ構造の読み出し磁気ヘッド素子が、ＣＰＰ−巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ：Giant Magneto Resistive）素子、トンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ：Tunnel Magneto Resistive）素子から構成される。
【００１７】
本発明の好ましい態様として、前記下部シールド層および上部シールド層は、外部からの磁気をシールドする機能に加えて前記ＣＰＰ構造の読み出し磁気ヘッド素子に電流を流すための電極としての機能を備えてなるように構成される。
【００１８】
本発明のヘッドジンバルアセンブリは、上記の薄膜磁気ヘッドを含み、記録媒体に対向するように配置されるスライダと、前記スライダを弾性的に支持するサスペンションと、を備えてなるように構成される。
【００１９】
本発明のハードディスク装置は、上記の薄膜磁気ヘッドを含み、回転駆動される円盤状の記録媒体に対向するように配置されるスライダと、前記スライダを支持するとともに前記記録媒体に対して位置決めする位置決め装置と、を備えてなるように構成される。
【発明の効果】
【００２０】
本発明は、下部シールド層と上部シールド層との間に介在されたＣＰＰ(Current Perpendicular to Plain)構造の読み出し磁気ヘッド素子を備える薄膜磁気ヘッドであって、下部シールド層および上部シールド層の後方部位（記録再生側面であるＡＢＳと反対方向）にはヒートシンク層が形成されており、このヒートシンク層のさらに後方部位（記録再生側面であるＡＢＳと反対方向）には第１の引き出し電極部および第２の引き出し電極部が形成されており、下部シールド層と第１の引き出し電極部とを連結するための第１のリードおよび上部シールド層と第２の引き出し電極部とを連結するための第２のリードは、それぞれ、それらのリード形成パターンが、上部シールド層側から下部シールド層に向けて平面透過状態で観察した場合、ヒートシンク層との重複部位を備えることなく、ヒートシンク層を迂回するように形成されてなるので、ヒートシンク層の存在のもと基板側への放熱効果を増大させて磁気抵抗効果層への熱の伝搬をできるだけ制限することができるとともに、高い記録周波数に対する安定した記録再生特性、すなわち高周波領域における周波数特性（ｆ特性）の飛躍的な改善を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明を実施するための最良の形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００２２】
図１は、本発明の好適な一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの概略構成を説明するための図面であり、薄膜磁気ヘッドのＡＢＳ（Air Bearing Surface）および基板に垂直な断面を概略的に示した図面である。図２は、本発明の好適な一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成を説明するための図面であり、磁気記録媒体と対向する面である薄膜磁気ヘッドのＡＢＳ側から見た図面である。
【００２３】
これらの図面に示されるように、本発明の薄膜磁気ヘッド１は、基板２（通常、いわゆるスライダ基板）と、この基板２の上に通常形成される下地膜３と、この下地膜３の上に配置形成された下部シールド層５と、前記下部シールド層の上に配置形成された上部シールド層１２とを有し、下部シールド層５と上部シールド層１２との間には、ＣＰＰ(Current Perpendicular to Plain)構造の読み出し磁気ヘッド素子７が介在されている。
【００２４】
下部シールド層５と上部シールド層１２は、主として、ＣＰＰ(Current Perpendicular to Plain)構造の読み出し磁気ヘッド素子７に対して、センス電流を積層方向に流すための電極としての機能、および読み出し磁気ヘッド素子７に対する磁気シールド機能を発揮するように形成されている。
【００２５】
さらに、上部シールド層１２の上方には、書き込み専用の誘導型磁気変換素子を構成するための書き込み磁気ヘッド素子用の下部磁極層１４が形成されている。この下部磁極層１４は、ポール２１を含む上部磁極層（符号２１、３３等）との組み合わせによって、ギャップ層１８を介して書き込み用の実質的な閉磁路を形成するようになっている。また、この下部磁極層１４は、通常、磁気シールド機能をも発揮するようになっている。
【００２６】
なお、書き込み磁気ヘッド素子の磁気誘導のための薄膜コイルの層数には特に制限は、ないが、通常は、２層の積層コイル構造２６、３０をとっている。２層の積層コイル構造は後述する製造工程の経時的な説明によって容易に理解することができるであろう。
【００２７】
また、図１に示されるように書き込みまたは読み出し動作の際には、薄膜磁気ヘッド１は、回転する磁気ディスク２６２の表面上において、流体力学的に所定の間隙もって浮上している。
【００２８】
また、下部シールド層５と読み出し磁気ヘッド素子７との間、および読み出し磁気ヘッド素子７と上部シールド層１２との間には、通常、Ｔａ等からなるギャップ層が形成されている。なお、図１における符号７７はオーバーコートである。
【００２９】
本発明の薄膜磁気ヘッド１は、下部シールド層５、上部シールド層１２および下部磁極層１４の後方部位（記録再生側面であるＡＢＳと反対方向）に、ヘッド内で発生する熱を基板２側へと逃がすためのヒートシンク層４０を備えている。そして、このヒートシンク層４０は、下部シールド層５と同一組成からなる下部ヒートシンク部分４１と、上部シールド層１２と同一組成からなる上部ヒートシンク部分４５とを積層構造に備えている。しかもこれらの下部ヒートシンク部分４１および上部ヒートシンク部分４５は、下部シールド層５および上部シールド層１２とは絶縁層（例えば、アルミナや酸化珪素等の熱伝導率の小さい材料から構成されることが好ましい）を介して分離された状態で形成されている。
【００３０】
下部ヒートシンク部分４１および上部ヒートシンク部分４５は、それぞれ下部シールド層５および上部シールド層１２を成膜する際にこれらの成膜と同時に成膜することが望ましい。効率良くしかも安価にヒートシンク層４０を形成するためである。
【００３１】
また、本発明の薄膜磁気ヘッド１の最も特徴的な要部は、図１に示される断面図ではその全体の明確な構造を図面上で十分に記載することができないために、図１では要部の記載が省略されている。
【００３２】
一応、文章だけで前もって要部の説明を行なう（具体的な図面に基づく説明は、後述する図８〜図１７の要部構造の製造過程の説明を参照のこと）と、ヒートシンク層４０のさらに後方部位（記録再生側面であるＡＢＳと反対方向）には、第１の引き出し電極部５０および第２の引き出し電極部６０が形成されており、下部シールド層５と第１の引き出し電極部５０とは第１のリード７１によって連結されており、上部シールド層１２と第２の引き出し電極部６０とは、第２のリード７５によって連結されている。
【００３３】
そして、これらのリード形成パターンが、上部シールド層１２側から下部シールド層５に向けて平面透過状態で観察した場合、ヒートシンク層４０との重複部位を備えることなく、ヒートシンク層４０を迂回するように形成されている点にある。
【００３４】
このような本発明の要部構造が簡易かつ明確に理解できるように、以下、要部構造の製造工程の説明を行う。
【００３５】
本発明の薄膜磁気ヘッドの要部構造を製造する過程の説明
図８〜図１７を参照しつつ、本発明の薄膜磁気ヘッドの要部構造を製造する過程を順次、説明する。
【００３６】
なお、各説明図面において、図面紙の上部に位置する（Ａ）で示される図面は、デバイスそのものの概略を示す平面図であり、図面紙の中部に位置する（Ｂ）で示される図面は、（Ａ）で示される平面図のα−α´矢視の概略断面図であり、図面紙の下部に位置する（Ｃ）で示される図面は、（Ａ）で示される平面図のβ−β´矢視の概略断面図である。
【００３７】
なお、（Ｂ）で示される図面と（Ｃ）で示される図面の拡大倍率は双方で同じにはなっていない。
【００３８】
（１）下部シールド（電極）層の形成
図８（Ａ）〜（Ｃ）に示されるように、例えば、ＡｌＴｉＣ材料からなるスライダ基板の上に、例えばＡｌ2Ｏ3下地膜が形成され、この下地膜の上に、下部シールド（電極）層の材料からなる所定のパターンが形成される。
【００３９】
すなわち、図８（Ａ）〜（Ｃ）に示されるように、メッキ用の下地電極膜を全面に成膜した後、フォトレジスト手法によって、磁気ヘッドの下部シールド層５、下部ヒートシンク部分４１、ならびに第１の下部電極層部分５１および第２の下部電極層部分６１を形成し、メッキを行い、レジストを剥離した後、下地電極膜を除去する。その後、全面にＡｌ2Ｏ3絶縁膜を成膜した後、ＣＭＰ処理を施す。
【００４０】
これによって、図８（Ａ）に示されるように磁気ヘッドの下部シールド５、下部ヒートシンク部分４１、ならびに第１の下部電極層部分５１および第２の下部電極層部分６１が絶縁膜４によって分離された状態で、かつ同一材料から形成される。なお、図８（Ｂ）、（Ｃ）の断面図において、基板および下地膜の記載は省略されている（以下の（Ｂ）（Ｃ）相当図面も同様である）。
【００４１】
（２）ＣＰＰ構造の読み出し磁気ヘッド素子膜の成膜
図９（Ａ）〜（Ｃ）に示されるように、ギャップ層６を形成した後（特に、図９（Ｂ）、（Ｃ）参照）、次いで、例えば、ＣＰＰ構造の読み出し磁気ヘッド素子膜であるＴＭＲ膜７を全面に成膜する。ＴＭＲ膜は、通常、多層膜構造をなしているが、ここでは、１層膜として簡略化して描いてある。
【００４２】
（３）接続部分の形成
図１０（Ａ）〜（Ｃ）に示されるように、所定パターンのフォトレジスト手法を施し、ミリングを行い、レジストを剥離することにより、特に、図１０（Ａ）に示されるように、磁気ヘッドの下部シールド５の角部５ａ（露出接続部分５ａ）、ならびに第１の下部電極層部分５１および第２の下部電極層部分６１をそれぞれ露出させる。
【００４３】
（４）トラック幅形成のためのフォトレジスト形成
図１１（Ａ）〜（Ｃ）に示されるように、所定パターンのフォトレジスト手法を施し、ＴＭＲ素子のトラック幅Ｔｗを規定するよう所定パターンのフォトレジストＲ１を形成する（マスクパターンの形成）。
【００４４】
（５）トラック幅形成
図１２（Ａ）〜（Ｃ）に示されるように、ＴＭＲ素子のトラック幅Ｔｗを規定するように部分的に露出しているＴＭＲ膜７の部分（図１１（Ａ）参照）のミリングを行い、そのミリングされた個所に絶縁膜８／硬磁性膜９（ＴＭＲ素子へのバイアス印加層）を順次成膜した後、リフトオフする。リフトオフした後、下部シールド５の角部５ａ（露出接続部分５ａ）、ならびに第１の下部電極層部分５１および第２の下部電極層部分６１はそれぞれ，露出した状態となる。
【００４５】
（６）ＭＲハイト形成のためのフォトレジスト形成
図１３（Ａ）〜（Ｃ）に示されるように、ＴＭＲ素子のいわゆるＭＲハイトを規定するように所定パターンのフォトレジストＲ２を形成するとともに、下部シールド５の角部５ａの上にフォトレジストＲ３を、第１の下部電極層部分５１の上および第２の下部電極層部分６１の上にフォトレジストＲ４を形成する（マスクパターンの形成）。
【００４６】
（７）ＭＲハイト形成
図１４（Ａ）〜（Ｃ）に示されるように、ＴＭＲ素子のいわゆるＭＲハイトを規定するようにミリング（図１３（Ａ）のマスク以外の部分をミリング）を行ない、素子として必要な個所のＴＭＲ膜７のみを残し、その後、ミリングされた個所にアルミナ等の絶縁膜１０を成膜した後、リフトオフする。
【００４７】
リフトオフした後、図１４（Ａ）に示されるように、下部シールド５の角部５ａ（露出接続部分５ａ）、ならびに第１の下部電極層部分５１および第２の下部電極層部分６１はそれぞれ露出した状態となる。
【００４８】
（８）リード形成
図１５（Ａ）〜（Ｃ）に示されるように、第１のリード７１および第２のリード７５を形成できるように所定パターンのフォトレジストを形成し（マスクパターンの形成は図示していない）、第１のリード７１および第２のリード７５を成膜し、その後、リフトオフする（図１５（Ａ）の状態）。
【００４９】
第１のリード７１および第２のリード７５を形成する際に、重要なことは、これらのリード形成パターンが、上部シールド層１２側から下部シールド層５に向けて平面透過状態で観察した場合（図１５（Ａ）を紙面の上側から見た状態に相当）、ヒートシンク層４０との重複部位を備えることなく、ヒートシンク層４０を迂回するように形成されている点にある。「平面透過状態」の文言を別の表現で定義するとすれば、素子積層平面から積層方向に向けて透過観察した場合ということもできる。
【００５０】
迂回する長さは、ヒートシンク層４０との重複部位の発生を避け、かつ、できるだけ短い長さとすることが望ましい。
【００５１】
図１５（Ａ）に示されるリフトオフ後の状態で、第１のリード７１は、下部シールド層５の露出接続部分５ａ（特に、図１４（Ａ）参照）と第１の下部電極層部分５１（特に、図１４（Ａ）参照）とを接続している。これによって、下部シールド層５と第１の下部電極層部分５１（第１の引き出し電極部５０の構成部材）との導通が図れる。
【００５２】
第１の下部電極層部分５１は、第１の引き出し電極部５０の構成部材の一つである。
【００５３】
さらに、リフトオフ後の状態で、第２のリード７５は、下部シールド層５の上に形成された絶縁層１０の接続部位１０ａ（特に、図１４（Ａ）参照）と第２の下部電極層部分６１とを接続している。第２のリード７５は、介在される絶縁層１０（１０ａ）のために、下部シールド層５とは絶縁された状態になっている。なお、第２の下部電極層部分６１は、第２の引き出し電極部６０の構成部材の一つである。
【００５４】
（９）リード接続部の形成
図１６（Ａ）〜（Ｃ）に示されるように、第１のリード７１の第１の引き出し電極部５１との重なり相当位置部分７１ａ、ならびに第２のリード７５の第２の引き出し電極部６１との重なり相当位置部分７５ａおよび第２のリード７５の絶縁層１０の接続部位１０ａとの重なり相当部分７５ｂがリフトオフ後に、それぞれ露出されるように、フォトレジストを形成し（マスクパターンの形成）する。
【００５５】
しかる後、第１のリード７１および第２のリード７５の他の絶縁すべき部分に例えばＳｉＯ2の絶縁膜１１を成膜した後、リフトオフする（図１６（Ａ）の状態）。
【００５６】
図１６（Ａ）に示されるリフトオフ後の状態で、第１の引き出し電極部５１に位置する第１のリード７１の部分７１ａは絶縁膜１１が存在しておらず、露出した状態になっている。同様に第２の引き出し電極部６１に位置する第２のリード７５の部分７５ａは絶縁膜１１が存在しておらず、露出した状態になっている。さらに、第２のリード７５の接続部位１０ａとの重なり相当部分７５ｂにも絶縁膜１１が存在しておらず、露出した状態になっている。
【００５７】
（１０）上部シールド（電極）層の形成
図１７（Ａ）〜（Ｃ）に示されるように、フォトレジスト手法を施し磁気ヘッドの上部シールド層１２、上部ヒートシンク部分４５、ならびに第１の上部電極層部分５５および第２の上部電極層部分６５を上部シールド層の形成材料で形成する（図１７（Ａ）で示されるパターン）。
【００５８】
上部シールド層１２を、図１７（Ａ）で示されるパターンで形成することによって第２のリード７５の露出した接続部分７５ａと上部シールド層１２が接続され、上部シールド層１２と第２の引き出し電極部６１との導通が図れる。第１の上部電極層部分５５は、第１の引き出し電極部５０の構成部材の一つである。第２の上部電極層部分６５は、第２の引き出し電極部６０の構成部材の一つである。
【００５９】
上述のごとく図８〜図１７に基づく薄膜磁気ヘッドの要部構造の製造工程において、本発明の要部は、第１のリード７１および第２のリード７５を形成する際に、リード形成パターンを、上部シールド層１２側から下部シールド層５に向けて平面透過状態で観察した場合、ヒートシンク層４０との重複部位を備えることなく、ヒートシンク層４０を迂回するように形成させている点にある。上述のごとく、迂回距離は必要以上に長くする必要はない。
【００６０】
リードを引き回す際、引き出し電極部からシールド層のコンタクトホール（接続部位）まで最短距離となる直線状のリードで結ぶようにするのが誰もが考えつく一般的な仕様である。リード長をできるだけ短くして、リードによる抵抗値をできるだけ減らして、本来の磁気抵抗効果素子の抵抗変化をできるだけ顕著にするためである。
【００６１】
このような場合、引き出し電極部からシールド層の間にヒートシンクが存在するヘッド構造では、リードがヒートシンクに挟まれる格好になる。
【００６２】
しかしながら、引き出し電極部からシールド層の間にヒートシンクが存在する形態の場合におけるリード仕様の有り方について本発明者らが鋭意研究を進めた結果、新たな発想のもとにリード仕様の設定が必要であるとの結論に至り、本発明を創案したのである。
【００６３】
すなわち、磁気ヘッドにおける高記録密度化の要請として、高い記録周波数に対する安定した記録再生特性（周波数特性：以下、単に、「ｆ特性」と称す）が求められる。一般に、再生ヘッドは、抵抗（Ｒ）と、キャパシタンス（Ｃ）の並列回路で構成されるために、ＲＣローパスフィルター回路と見なすことができる。このとき、カットオフ周波数（ｆｃ）は、下記式（１）
ｆｃ＝１／２πＲＣ  [Ｈｚ]      …式（１）
で表される。
【００６４】
カットオフ周波数（ｆｃ）とは、回路の出力がｆ＝０の時の出力に対して、１／√２となる周波数である。
【００６５】
ここで、本発明者らは、再生ヘッドの抵抗値は、ヘッド毎のスペックで所定の値に設定されるものであり、高周波数領域（ＧＨｚレベル）における周波数特性（ｆ特性）の飛躍的な改善を図るためには、リードの引き回しパターンのわずかな長さ増加に基づく抵抗微増（約１％前後）の不利益が生じたとしても、その見返りとして生じるキャパシタンス（Ｃ）を低減させることによるメリットの方が格段と大きいと考えたのである。
【００６６】
すなわち、一定出力を維持できる周波数をより高周波領域側にまで延ばすことのできる因子として、キャパシタンス（Ｃ）を最も重要な因子として考えたのである。その効果は後述する実施例の実験結果を参照されたい。
【００６７】
なお、磁気ヘッド素子の構成の説明に戻るが、本発明で用いられるＣＰＰ構造の読み出し磁気ヘッド素子としては、ＣＰＰ−巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ：Giant Magneto Resistive）素子、トンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ：Tunnel Magneto Resistive）素子が挙げられる。
【００６８】
本発明における基板２としては、例えば、ＡｌＴｉＣ（Ａｌ2Ｏ3ーＴｉＣ）が用いられる。
【００６９】
本発明における下部シールド層５および上部シールド層１２は、例えば、ＦｅＡｌＳｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮｉ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等から構成される。スパッタ法またはめっき法等によって形成され、厚さは、１．５〜３．０μｍ程度とされる。本発明における下部磁極層１４は、例えば、ＦｅＡｌＳｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＣｏＦｅＮｉ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等から構成される。スパッタ法またはめっき法等によって形成され、厚さは、１．５〜５．０μｍ程度とされる。
【００７０】
（ヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置についての説明）
以下、本実施の形態に係るヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置について説明する。
【００７１】
まず、図３を参照して、ヘッドジンバルアセンブリに含まれるスライダ２１０について説明する。ハードディスク装置において、スライダ２１０は、回転駆動される円盤状の記録媒体であるハードディスクに対向するように配置される。このスライダ２１０は、主に図１における基板２およびオーバーコート７７を有する基体２１１を備えている。
【００７２】
基体２１１は、ほぼ六面体形状をなしている。基体２１１の六面のうちの一面は、ハードディスクに対向するようになっている。この一面には、ＡＢＳが形成されている。
【００７３】
ハードディスクが図３におけるｚ方向に回転すると、ハードディスクとスライダ２１０との間を通過する空気流によって、スライダ２１０に、図３におけるｙ方向の下方に揚力が生じる。スライダ２１０は、この揚力によってハードディスクの表面から浮上するようになっている。なお、図３におけるｘ方向は、ハードディスクのトラック横断方向である。
【００７４】
スライダ２１０の空気流出側の端部（図３における左下の端部）の近傍には、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッド１が形成されている。
【００７５】
次に、図４を参照して、本実施の形態に係るヘッドジンバルアセンブリ２２０について説明する。ヘッドジンバルアセンブリ２２０は、スライダ２１０と、このスライダ２１０を弾性的に支持するサスペンション２２１とを備えている。サスペンション２２１は、例えばステンレス鋼によって形成された板ばね状のロードビーム２２２、このロードビーム２２２の一端部に設けられると共にスライダ２１０が接合され、スライダ２１０に適度な自由度を与えるフレクシャ２２３と、ロードビーム２２２の他端部に設けられたベースプレート２２４とを有している。
【００７６】
ベースプレート２２４は、スライダ２１０をハードディスク２６２のトラック横断方向ｘに移動させるためのアクチュエータのアーム２３０に取り付けられるようになっている。アクチュエータは、アーム２３０と、このアーム２３０を駆動するボイスコイルモータとを有している。フレクシャ２２３において、スライダ２１０が取り付けられる部分には、スライダ２１０の姿勢を一定に保つためのジンバル部が設けられている。
【００７７】
ヘッドジンバルアセンブリ２２０は、アクチュエータのアーム２３０に取り付けられる。１つのアーム２３０にヘッドジンバルアセンブリ２２０を取り付けたものはヘッドアームアセンブリと呼ばれる。また、複数のアームを有するキャリッジの各アームにヘッドジンバルアセンブリ２２０を取り付けたものはヘッドスタックアセンブリと呼ばれる。
【００７８】
図４は、ヘッドアームアセンブリの一例を示している。このヘッドアームアセンブリでは、アーム２３０の一端部にヘッドジンバルアセンブリ２２０が取り付けられている。アーム２３０の他端部には、ボイスコイルモータの一部となるコイル２３１が取り付けられている。アーム２３０の中間部には、アーム２３０を回動自在に支持するための軸２３４に取り付けられる軸受け部２３３が設けられている。
【００７９】
次に図５および図６を参照して、ヘッドスタックアセンブリの一例と本実施の形態に係るハードディスク装置について説明する。
【００８０】
図５はハードディスク装置の要部を示す説明図、図６はハードディスク装置の平面図である。
【００８１】
ヘッドスタックアセンブリ２５０は、複数のアーム２５２を有するキャリッジ２５１を有している。複数のアーム２５２には、複数のヘッドジンバルアセンブリ２２０が、互いに間隔を開けて垂直方向に並ぶように取り付けられている。キャリッジ２５１においてアーム２５２とは反対側には、ボイスコイルモータの一部となるコイル２５３が取り付けられている。ヘッドスタックアセンブリ２５０は、ハードディスク装置に組み込まれる。
【００８２】
ハードディスク装置は、スピンドルモータ２６１に取り付けられた複数枚のハードディスク２６２を有している。各ハードディスク２６２毎に、ハードディスク２６２を挟んで対向するように２つのスライダ２１０が配置される。また、ボイスコイルモータは、ヘッドスタックアセンブリ２５０のコイル２５３を挟んで対向する位置に配置された永久磁石２６３を有している。
【００８３】
スライダ２１０を除くヘッドスタックアセンブリ２５０およびアクチュエータは、本発明における位置決め装置に対応しスライダ２１０を支持すると共にハードディスク２６２に対して位置決めする。
【００８４】
本実施の形態に係るハードディスク装置では、アクチュエータによって、スライダ２１０をハードディスク２６２のトラック横断方向に移動させて、スライダ２１０をハードディスク２６２に対して位置決めする。スライダ２１０に含まれる薄膜磁気ヘッドは、記録ヘッド素子によって、ハードディスク２６２に情報を記録し、再生ヘッド素子によって、ハードディスク２６２に記録されている情報を再生する。
【００８５】
本実施の形態に係るヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置は、前述の本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドと同様の効果を奏する。
【実施例】
【００８６】
以下、具体的な実施例を示し、さらに本発明の薄膜磁気ヘッドの具体的構成を詳細に説明する。
【００８７】
〔実施例〕
図１および図２、並びに、図８〜図１７に示されるような薄膜磁気ヘッドサンプルを作成した。
【００８８】
サンプル仕様は、以下に示す通りとした。
【００８９】
基板２としてＡｌＴｉＣ、下地層として厚さ０．３μｍのＡｌ2Ｏ3、下部シールド層として厚さ２．０μｍのパーマロイ、ギャップとして厚さ５ｎｍのＴａ、ＴＭＲ素子（詳細な積層構成は下記を参照）、硬磁性層（バイアス層）として厚さ２３ｎｍのＣｏＣｒＰｔ、ギャップとして厚さ１０ｎｍのＴａ、上部シールド層として厚さ１．９μｍのパーマロイ、セパレートシールドギャップ層として厚さ０．２μｍのＡｌ2Ｏ3、下部磁極層として厚さ１．９μｍのパーマロイ、ライトギャップ膜として厚さ０．１μｍのＡｌ2Ｏ3を順次形成した。
【００９０】
さらに、上部磁性層（ポール層）は、上部磁性層の先端部である上部ポール部の高さが１．２μｍ、上部ポール部の幅が０．１８μｍとなるように、ＣｏＦｅＮｉで形成した。オーバーコートは、アルミナを用いて、全厚が３０μｍとなるように成膜した。
【００９１】
ＴＭＲ素子の層構造は次の通りとした。
【００９２】
すなわち、反強磁性層を厚さ７ｎｍのＩｒ−Ｍｎ層、強磁性層（ピンド層）を厚さ４ｎｍのＣｏ−Ｆｅ層、トンネルバリア層をＡｌ酸化膜とした。強磁性層（フリー層）は、トンネルバリア層側から順に積層した厚さ４ｎｍのＣｏＦｅ層と厚さ３ｎｍのＮｉＦｅ層との積層膜とした。
【００９３】
このような実験用の薄膜磁気ヘッドサンプルは、図８〜図１７の工程図に示される要領に従い、下部シールド層、上部シールド層および下部磁極層の後方部位（記録再生側面であるＡＢＳと反対方向）に、ヘッド内で発生する熱の素子側への流入を抑制するためにヒートシンク層を形成するとともに、第１のリードおよび第２のリードを、ヒートシンク層との重複部位を備えることなく、ヒートシンク層を迂回するように形成させた。
【００９４】
上下のシールド層を含む素子本体の部分と第１のリードおよび第２のリードの接続部位におけるジャンクション容量Ｃjunctionを求めたところ、１．０４(ｐＦ)であった。
【００９５】
この実施例では、第１のリードおよび第２のリードは、例えば、図１７（Ａ）に示されるようにヒートシンク層との重複部位がないように構成しているので、ヒートシンクーリード間での容量Ｃheat sink-leadは零である。従って、トータルの容量は１．０４(ｐＦ)となった。
【００９６】
〔比較例〕
上記実施例サンプルの製造において、第１のリードおよび第２のリードの配置形態を変えた。すなわち、図１８の平面図に示されるように、リードを引き回す際、引き出し電極部からシールドの接続部位（コンタクトホール）まで最短距離となるように直線のリード７１´、７５´を配置した。すなわち、第１のリード７１´および第２のリード７５´はそれぞれヒートシンク層４０と直交する形で重複部位を形成させた。
【００９７】
重複部位の面積を算出すると、それぞれ、１０００μｍ2であり、各重複部位におけるヒートシンクーリード間での容量Ｃheat sink-leadは１．１１(ｐＦ)であった。従って、トータルの容量は１．０４＋１．１１＝２．１５(ｐＦ)となった。
【００９８】
以上のように作製した実施例サンプルおよび比較例サンプルについて、記録再生特性（周波数特性を求めて、図７のグラフに示した。
【００９９】
図７のグラフは、周波数ｆ＝０の時の出力を０（ｄＢ）として、周波数（ｆ）と出力（ｄＢ）の関係を示したものである。ＴＭＲの素子抵抗値は３００Ω、プリアンプのキャパシタンスは５(ｐＦ)であり抵抗は６０Ωのものを用いた。
【０１００】
図７に示されるグラフの結果より、本実施例サンプルでは、リードをヒートシンクから迂回させて重複部分が存在しないようにして、再生ヘッドのキャパシタンスを２．１５（ｐＦ）から、１．０４（ｐＦ）まで低減させているので、カットオフ周波数（３ｄＢ出力が低減した周波数）を比較例サンプルの１．１７（ＧＨｚ）から１．４３（ＧＨｚ）まで高周波側にさらに伸ばすことができていることがわかる。高周波側への増加寄与率は、約２２％である。
【０１０１】
以上の結果より本発明の効果は明らかである。
【産業上の利用可能性】
【０１０２】
磁気記録媒体等の磁界強度を信号として読み取るための磁気抵抗効果素子を備えるハードディスク装置の産業に利用できる。
【図面の簡単な説明】
【０１０３】
【図１】図１は、本発明の好適な一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの概略構成を説明するための図面であり、薄膜磁気ヘッドのＡＢＳ（Air Bearing Surface）および基板に垂直な断面を示した図面である。
【図２】図２は、本発明の好適な一実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの構成を説明するための図面であり、薄膜磁気ヘッドのＡＢＳ側から見た図面である。
【図３】図３は、本発明の一実施の形態におけるヘッドジンバルアセンブリに含まれるスライダを示す斜視図である。
【図４】図４は、本発明の一実施の形態におけるヘッドジンバルアセンブリを含むヘッドアームアセンブリを示す斜視図である。
【図５】図５は、本発明の一実施の形態におけるハードディスク装置の要部を示す説明図である。
【図６】図６は、本発明の一実施の形態におけるハードディスク装置の平面図である。
【図７】図７は、実施例サンプルおよび比較例サンプルについて、記録再生特性（周波数特性）を求めたグラフである。
【図８】図８（Ａ）は本発明の薄膜磁気ヘッドの要部構造を製造する過程を説明するための平面図であり、図８（Ｂ）および図８（Ｃ）は、それぞれ、図８（Ａ）の所定方向の概略断面図である。
【図９】図９（Ａ）は本発明の薄膜磁気ヘッドの要部構造を製造する過程を説明するための平面図であり、図９（Ｂ）および図９（Ｃ）は、それぞれ、図９（Ａ）の所定方向の概略断面図である。
【図１０】図１０（Ａ）は本発明の薄膜磁気ヘッドの要部構造を製造する過程を説明するための平面図であり、図１０（Ｂ）および図１０（Ｃ）は、それぞれ、図１０（Ａ）の所定方向の概略断面図である。
【図１１】図１１（Ａ）は本発明の薄膜磁気ヘッドの要部構造を製造する過程を説明するための平面図であり、図１１（Ｂ）および図１１（Ｃ）は、それぞれ、図１１（Ａ）の所定方向の概略断面図である。
【図１２】図１２（Ａ）は本発明の薄膜磁気ヘッドの要部構造を製造する過程を説明するための平面図であり、図１２（Ｂ）および図１２（Ｃ）は、それぞれ、図１２（Ａ）の所定方向の概略断面図である。
【図１３】図１３（Ａ）は本発明の薄膜磁気ヘッドの要部構造を製造する過程を説明するための平面図であり、図１３（Ｂ）および図１３（Ｃ）は、それぞれ、図１３（Ａ）の所定方向の概略断面図である。
【図１４】図１４（Ａ）は本発明の薄膜磁気ヘッドの要部構造を製造する過程を説明するための平面図であり、図１４（Ｂ）および図１４（Ｃ）は、それぞれ、図１４（Ａ）の所定方向の概略断面図である。
【図１５】図１５（Ａ）は本発明の薄膜磁気ヘッドの要部構造を製造する過程を説明するための平面図であり、図１５（Ｂ）および図１５（Ｃ）は、それぞれ、図１５（Ａ）の所定方向の概略断面図である。
【図１６】図１６（Ａ）は本発明の薄膜磁気ヘッドの要部構造を製造する過程を説明するための平面図であり、図１６（Ｂ）および図１６（Ｃ）は、それぞれ、図１６（Ａ）の所定方向の概略断面図である。
【図１７】図１７（Ａ）は本発明の薄膜磁気ヘッドの要部構造を製造する過程を説明するための平面図であり、図１７（Ｂ）および図１７（Ｃ）は、それぞれ、図１７（Ａ）の所定方向の概略断面図である。
【図１８】図１８は、図１７（Ａ）と比較すべき平面図であって、リードを引き回す際、引き出し電極部からシールドの接続部位（コンタクトホール）まで最短距離となるように直線のリードを配置し、各リードはそれぞれヒートシンク層と直交する形で重複部位を形成させている図面である。
【符号の説明】
【０１０４】
１…薄膜磁気ヘッド
２…基板
５…下部シールド層
７…ＣＰＰ構造の読み出し磁気ヘッド素子
１２…上部シールド層
１４…下部磁極層
１６…上部磁極層
２１…ポール（上部磁極層）
４０…ヒートシンク層
４１…下部ヒートシンク部分
４５…上部ヒートシンク部分
５０…第１の引き出し電極部
５１…第１の下部電極層部分
５５…第１の上部電極層部分
６０…第２の引き出し電極部
６１…第２の下部電極層部分
６５…第２の上部電極層部分
７１…第１のリード
７５…第２のリード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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