(57)【要約】【課題】  パターンの膜厚のばらつきを小さくできるようにする。【解決手段】  圧電体ウエハ１０の表面にすだれ状電極形成用の金属薄膜１２を設ける成膜工程と、金属薄膜１２の上にレジスト膜１４を形成し、レジスト膜１４をパターニングするレジスト形成工程と、パターニングしたレジスト膜１４をマスクにして、金属薄膜１２の露出させた部分を所定深さエッチングし、金属薄膜１２に凹部を形成する第１のエッチング工程と、レジスト膜１４を金属薄膜１２から除去するレジスト除去工程と、レジスト膜１４を除去した金属薄膜１２をエッチングし、凹部１６の底部１８をなす金属薄膜１２を除去して圧電体ウエハ１０を露出させる第２のエッチング工程と、を有する。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面にパターン形成用の薄膜を設ける成膜工程と、
前記薄膜の上にレジスト膜を形成し、レジスト膜をパターニングするレジスト形成工程と、
パターニングした前記レジスト膜をマスクにして、前記薄膜の露出させた部分を所定深さエッチングし、前記薄膜に凹部を形成する第１のエッチング工程と、
前記レジスト膜を前記薄膜から除去するレジスト除去工程と、
前記レジスト膜を除去した前記薄膜をエッチングし、前記凹部の底部をなす前記薄膜を除去して前記基板を露出させる第２のエッチング工程と、
を有することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
請求項１に記載のパターン形成方法において、
前記薄膜は、形成するパターンの設計膜厚より厚く成膜することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のパターン形成方法において、
前記第２のエッチング工程は、前記凹部に前記基板が露出したエッチング終点を検出したのち、所定時間エッチングを継続する追加エッチングを含むことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項４】
請求項３に記載のエッチング方法において、
前記追加エッチングによるエッチング時間は、前記第２のエッチング工程におけるエッチングの開始から前記エッチング終点を検出するまでの時間に応じて変えることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のパターン形成方法において、
前記第１のエッチング工程は、ウエハ状態の前記基板をエッチングし、
前記第２のエッチング工程は、前記ウエハ状態の基板を分割して形成した素子片に対してエッチングする、
ことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載のパターン形成方法において、
前記第１のエッチング工程は、ドライエッチングであり、
前記第２のエッチング工程は、ウエットエッチングまたはドライエッチングのいずれかである、
ことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項７】
前記基板は、圧電基板であり、
前記圧電基板の表面に、請求項１ないし請求項６のいずれかに記載したパターン形成方法により形成したすだれ状電極を備えている、
ことを特徴とする弾性表面波素子の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の弾性表面波素子の製造方法において、
前記第１のエッチング工程は、ウエハ状態の前記圧電基板をエッチングし、
前記第２のエッチング工程は、ウエハ状態の前記圧電基板を分割して形成した素子片に対するドライエッチングであって、前記すだれ状電極を形成したのち、前記すだれ状電極を介して前記素子片を励振しつつ前記すだれ状電極をエッチングする周波数調整工程を含む、
ことを特徴とする弾性表面波素子の製造方法。
【請求項９】
請求項７または請求項８に記載の弾性表面波素子の製造方法により製造したことを特徴とする弾性表面波素子。
【請求項１０】
請求項９に記載の弾性表面波素子を備えたことを特徴とする弾性表面波デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パターン形成方法に係り、特にフォトリソグラフィー技術を用いたエッチングにより微細なパターンを形成するのに好適なパターン形成方法および弾性表面波素子の製造方法並びに弾性表面波素子、弾性表面波デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、通信機器をはじめとする各種電子機器の高速化、小型化の進展により、小型化が可能で量産性に優れているため、弾性表面波（Surface Acoustic Wave：ＳＡＷ）フィルタなどのＳＡＷデバイスが多用されてきている。ＳＡＷデバイスを構成するＳＡＷ素子（弾性表面波素子）は、水晶などの圧電基板の表面に形成されたＩＤＴ（Interdigital Transducer）と呼ばれるすだれ状電極を有する。そして、弾性表面波素子の共振周波数（励振周波数）は、すだれ状電極の電極間ピッチに依存し、共振周波数が高くなれば高くなるほど電極間ピッチを小さくしなければならない。すなわち、弾性表面波素子は、近年の高周波化に伴い、すだれ状電極を微細加工する必要がある。
【０００３】
従来、弾性表面波素子のすだれ状電極は、一般に図５のようにして形成する。まず、図５（ａ）に示したように、水晶などの圧電体ウエハ１０の表面にアルミニウムなどの金属薄膜１２を蒸着やスパッタリングによって成膜する。その後、金属薄膜１２の上にレジスト膜１４を形成する。次に、図５（ｂ）に示したように、フォトリソグラフィー技術を利用してレジスト膜１４をパターニングする。その後、同図（ｃ）に示したように、レジスト膜１４をマスクにして金属薄膜１２をエッチングし、金属薄膜１２のレジスト膜１４から露出している部分を除去する。エッチングが終了したならば、図５（ｄ）に示したように、レジスト膜１４を除去する。これにより、金属薄膜１２からなるすだれ状電極２０が完成する。
【０００４】
エッチングは、酸性のエッチング液を用いたウエットエッチング、またはプラズマを利用したドライエッチングが用いられる。しかし、ウエットエッチングは、等方性のエッチングであるためにサイドエッチング量が大きく、アンダーカットを生じたりしてすだれ上電極２０の電極幅が弾性表面波素子間でばらつく。また、ドライエッチングは、高い寸法精度を得ることができるが、残留するエッチングガスにより電極が腐食したり、圧電体ウエハ１０の表面がイオンビームによるダメージを受け、共振周波数が乱れたりＣＩ（Crystal Impedance）値が増大する。
【０００５】
そこで、これらの問題を解決するために、電極用金属薄膜の上に所定のパターンにパターニングしたレジスト膜を形成し、これをマスクにして、最初、一定のところまで金属薄膜をドライエッチングする。その後、前記のレジスト膜をそのままマスクにして、残った部分をウエットエッチングし、エッチング後にレジスト膜を除去する方法が提案されている（特許文献１、特許文献２）。
【特許文献１】特開昭６３−２８５０１１号公報
【特許文献２】特開平１０−１３５７５９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
弾性表面波素子の共振周波数は、ＩＤＴを構成しているすだれ状電極の電極間ピッチばかりでなく、電極幅や電極の厚み（電極膜厚）によっても影響を受ける。電極を形成する金属薄膜は、前記したように、ウエハ状態の圧電基板の表面に蒸着やスパッタリングによって成膜され、各ウエハ間において、また１枚のウエハ内において均一の厚さに成膜することが極めて困難である。したがって、特許文献１、特許文献２に開示されているように、ドライエッチングとウエットエッチングとを組み合わせてすだれ状電極を形成した場合、電極幅の寸法に関しては精度よく形成できるが、電極膜厚のばらつきを吸収することができない。このため、個々の弾性表面波素子の共振周波数にばらつきを生じ、高精度なＳＡＷデバイスを得ることが困難となる。
【０００７】
本発明は、前記従来技術の欠点を解消するためになされたもので、パターンの膜厚のばらつきを小さくできるようにすることを目的としている。
また、本発明は、弾性表面波素子の電極膜厚のばらつきを小さくすることを目的としている。
さらに、本発明は、共振周波数のばらつきの小さい高精度な弾性表面波デバイスを得られるようにすることなどを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するために、本発明に係るパターン形成方法は、基板の表面にパターン形成用の薄膜を設ける成膜工程と、前記薄膜の上にレジスト膜を形成し、レジスト膜をパターニングするレジスト形成工程と、パターニングした前記レジスト膜をマスクにして、前記薄膜の露出させた部分を所定深さエッチングし、前記薄膜に凹部を形成する第１のエッチング工程と、前記レジスト膜を前記薄膜から除去するレジスト除去工程と、前記レジスト膜を除去した前記薄膜をエッチングし、前記凹部の底部をなす前記薄膜を除去して前記基板を露出させる第２のエッチング工程と、を有することを特徴としている。
【０００９】
上記のごとくなっている本発明は、第１のエッチング工程においてパターニングしたレジスト膜を介して、薄膜のレジスト膜から露出している部分を所定量（所定の深さ）エッチングする。次に、レジスト膜を除去したのち、第２のエッチング工程において薄膜全体を一様にエッチングする。したがって、第１のエッチング工程において形成された凹部の深さが維持された状態のまま、凹部の底部が第２のエッチング工程において除去される。このため、パターンの膜厚は、第１のエッチング工程におけるエッチング量に依存し、基板間における薄膜の厚みのばらつき、同一の基板内における薄膜の厚みのばらつきを容易、確実に吸収することができ、パターンの膜厚を一定にすることができる。
【００１０】
薄膜は、形成するパターンの設計膜厚より厚く成膜するとよい。成膜した薄膜に膜厚のばらつきを生じても、第１のエッチング工程において設計値に対応した深さのエッチングを行なうことができ、所定の厚みを有するパターンを確実に形成することができる。また、第２のエッチング工程は、凹部に基板が露出したエッチング終点を検出したのち、所定時間エッチングを継続する追加エッチングを含むようにするとよい。これにより、薄膜の厚みのばらつきなどによるエッチング残りの発生などを確実に防ぐことができる。
【００１１】
追加エッチングによるエッチング時間は、第２のエッチング工程におけるエッチングの開始からエッチング終点を検出するまでの時間に応じて変えるようにすることが望ましい。第２のエッチング工程をウエットエッチングとした場合、薄膜が等方的にエッチングされるため、薄膜が厚く第２のエッチングをする時間が長いと、パターンの幅が第２のエッチング工程におけるエッチング時間の短い薄膜の薄いものより小さく（狭く）なる。そして、例えば、パターンが弾性表面波素子のＩＤＴを構成するすだれ状電極である場合、薄膜が薄いものより共振周波数が高くなる。そこで、薄膜の薄いものは、追加のエッチングを長めにすることにより、電極の幅を小さくし、電極膜厚を薄くして共振周波数が高くなるように調整する。
【００１２】
第１のエッチング工程は、ウエハ状態の基板をエッチングし、第２のエッチング工程は、ウエハ状態の基板を分割して形成した素子片に対してエッチングすることもできる。個々の素子片にして第２のエッチング工程を行なうことにより、より精度の高いパターンの膜厚調整を行なうことができる。そして、第１のエッチング工程は、ドライエッチングで行い、第２のエッチング工程は、ウエットエッチングまたはドライエッチングのいずれかで行なうことができる。このようにすると、パターンの幅寸法を精度よく加工することができるとともに、第２のエッチング工程をウエットエッチングで行なった場合、基板にプラズマによるダメージを与えるのを防ぐことができる。
【００１３】
さらに、本発明に係る弾性表面波素子の製造方法は、前記基板は、圧電基板であり、前記圧電基板の表面に、請求項１ないし請求項６のいずれかに記載したパターン形成方法により形成したすだれ状電極を備えている、ことを特徴としている。これにより、上記の作用効果を奏する弾性表面波素子を得ることができる。
【００１４】
また、本発明の弾性表面波素子の製造方法は、前記第１のエッチング工程は、ウエハ状態の前記圧電基板をエッチングし、前記第２のエッチング工程は、ウエハ状態の前記圧電基板を分割して形成した素子片に対するドライエッチングであって、前記すだれ状電極を形成したのち、前記すだれ状電極を介して前記素子片を励振しつつ前記すだれ状電極をエッチングする周波数調整工程を含むようにすることが望ましい。すなわち、第２のエッチング工程であるドライエッチングを、パッケージ本体に実装した素子片に対して行なうことにより、素子片の共振周波数をモニタしながら第２のエッチング工程を行なうことができ、各素子片の共振周波数の調整を行なうことが可能で、弾性表面波素子にした各素子片間の共振周波数のばらつきを非常に小さくすることができる。
【００１５】
本発明に係る弾性表面波素子は、上記した弾性表面波素子の製造方法のいずれかにより製造したことを特徴としている。これにより、各弾性表面波素子間における共振周波数のばらつきを小さくすることができ、高精度な弾性表面波素子を得ることができる。
そして、本発明に係る弾性表面波デバイスは、上記の弾性表面波素子を備えたことを特徴としている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明に係るパターン形成方法および弾性表面波素子の製造方法並びに弾性表面波素子、弾性表面波デバイスの好ましい実施の形態を、添付図面に基づいて詳細に説明する。
図１は、本発明の第１実施の形態に係るパターン形成方法を説明する工程図である。なお、この実施形態においては、弾性表面波素子のすだれ状電極を形成する場合を例にして説明する。
【００１７】
まず、図１（ａ）に示したように、研磨、洗浄した基板である圧電体ウエハ（実施形態の場合、水晶ウエハ）１０の表面にパターンであるすだれ状電極を形成するための金属薄膜１２を成膜する成膜工程を行なう。金属薄膜１２は、実施形態の場合、アルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム系合金からなっていて、真空蒸着またはスパッタリングなどによって成膜する。金属薄膜１２の膜厚は、すだれ状電極（パターン）を形成したときの設計膜厚よりやや厚く（例えば、数％〜１０％程度厚く）形成する。
【００１８】
その後、レジスト形成工程を行なう。すなわち、同図（ａ）に示してあるように、金属薄膜１２の上にフォトレジストを塗布して乾燥して固化し、レジスト膜１４を形成する。フォトレジストの塗布は、スピンコート、ディップコート、スリットコート、ロールコート等、任意の方法により行なうことができる。また、フォトレジストは、ポジ型、ネガ型のいずれであってもよい。
【００１９】
次に、フォトマスク（図示せず）を介して紫外線などの光をレジスト膜１４に照射する露光を行ない、フォトマスクに形成されている所定の電極パターンをレジスト膜１４に転写する。その後、図１（ｂ）に示したように、露光したレジスト膜１４を現像してパターニングし、金属薄膜１２の一部を露出させる。レジスト膜１４の現像は、所定の現像液に漬けるディップ現像、現像液を噴霧して行なうスプレー現像等により行なうことができる。
【００２０】
その後、パターニングしたレジスト膜１４をマスクにとして第１のエッチング工程を行ない、金属薄膜１２の露出している部分を所定の深さエッチングし、金属薄膜１２に凹部１６を形成する（図１（ｃ））。第１のエッチング工程におけるエッチング量（凹部１６の深さｈ）は、電極を形成したときのほぼ電極の膜厚であって、金属薄膜１２の厚みの数％（例えば、２〜５％程度）が凹部１６の底部１８として残り、圧電体ウエハ１０が露出しない程度である。また、エッチングは、例えばリン酸系のエッチング液などによるウエットエッチング、または例えば塩素ガス（Ｃｌ２）や塩化ホウ素（ＢＣｌ３）などのプラズマを用いたドライエッチングのどちらであってもよい。しかし、サイドエッチングを生ぜず、電極幅の寸法を高精度で形成することができるところから、異方性のドライエッチングが望ましい。
【００２１】
次に、圧電体基板１０をレジスト剥離液に浸漬し、同図（ｄ）に示したように、レジスト膜１４を金属薄膜１２から剥離させて除去する。その後、再び金属薄膜１２をエッチングする第２のエッチング工程を行なう。この第２のエッチング工程においては、金属薄膜１２の凹部１６の底部１８を形成している部分が完全に除去され、図１（ｅ）に示したように、圧電体ウエハ１０が露出するまで行なう。第２のエッチング工程におけるエッチングは、ウエットエッチングまたはドライエッチングのどちらであってもよい。しかし、圧電体ウエハ１０にプラズマによるダメージを与えることがないところから、ウエットエッチングが望ましい。これにより、圧電体ウエハ１０の表面にＩＤＴを構成する金属薄膜１２からなるすだれ状電極２０が形成される。
【００２２】
なお、実施形態においては、第２のエッチング工程において、凹部１６の底部１８が除去されて圧電体ウエハ１０が露出したエッチング終点を検出してから所定時間（例えば、第２のエッチング工程がウエットエッチングの場合、１〜２分間程度）エッチングを続行する追加のエッチングを行なう。これは、金属薄膜１２を圧電体ウエハ１０の全体に亘って蒸着やスパッタリングなどで一様な厚さに成膜することが困難であり、一部の底部１８が除去されても除去されない部分が生ずるのを防止するためである。
【００２３】
このように、実施の形態においては、第１のエッチング工程においてレジスト膜１４を介して、金属薄膜１２を所定の深さｈだけエッチングし、その後、レジスト膜１４を除去した第２のエッチング工程において金属薄膜１２の全体をエッチングする。このため、第２のエッチング工程において金属薄膜１２は、底部１２と頂部とが同時にエッチングされ、深さｈを保持したまま底部１８が除去される。したがって、実施形態においては、複数の圧電体ウエハ１０間に金属薄膜１２の厚みにばらつきがあったとしても、複数の圧電体ウエハ間におけるすだれ状電極１２の厚みを一定にすることができる。また、同一の圧電体ウエハ１０内における金属薄膜１２の厚みにばらつきがあっても、上記と同様に圧電体ウエハ１０内において電極膜厚が均一なすだれ上電極１２を形成することができる。このため、実施形態のパターン形成方法によりすだれ状電極２０を形成した弾性表面波素子は、弾性表面波素子間における共振周波数のばらつきを非常に小さくすることができ、高精度な弾性表面波デバイスを得ることができる。そして、実施形態においては、金属薄膜１２をすだれ状電極２０の厚みより厚く成膜したことにより、金属薄膜１２の成膜厚さにばらつきがあったとしても、所定の厚み（設計膜厚）を有するすだれ状電極２０を確実に形成することができる。
【００２４】
なお、前記実施形態においては、圧電体ウエハが水晶ウエハである場合について説明したが、圧電体ウエハは、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）、ランガサイト（Ｌａ３Ｇａ５ＳｉＯ１４）などの他の圧電材料であってもよい。また、前記実施形態においては、パターンが弾性表面波素子のＩＤＴを形成するすだれ状電極である場合について説明したが、ＡＴ振動片や音叉型振動片など他の圧電素子の電極などであってもよい。さらに、基板は、例えばシリコンウエハなど、圧電材料以外のものであってもよい。そして、前記実施形態においては、パターン形成用の薄膜が金属薄膜である場合について説明したが、トランジスタのゲート酸化膜を形成するシリコン酸化膜や、いやゆるＬｏｗ−ｋ材などの絶縁材料であってもよい。ゲート酸化膜を実施形態のパターン形成方法によってパターニングすると、ゲート酸化膜の厚みを一定にでき、トランジスタの動作電圧のばらつきを小さくでき、寄生容量の大きさを一定にできる。また、コンデンサなどを形成した場合に、容量値を一定にでき、高精度な半導体デバイスが得られる。
【００２５】
図２は、第２実施形態に係るパターン形成方法のフローチャートである。まず、成膜工程を行なう。すなわち、図２のステップ３０に示したように、研磨、洗浄した圧電体ウエハの表面にアルミニウムの薄膜（アルミ膜）を蒸着やスパッタリングによって成膜する。次に、アルミ膜の上にレジスト膜を形成し、レジスト膜をフォトエッチングしてパターニングするレジスト形成工程を行なう（ステップ３２）。その後、パターニングしたレジスト膜をマスクにしてアルミ膜を所定量エッチングする第１のエッチング工程を行なう（ステップ３４）。
【００２６】
第１のエッチング工程が終了したならば、ステップ３６に示したように、レジスト膜をアルミ膜から剥離するレジスト除去工程を行なう。その後、圧電体ウエハを個々の弾性表面波素子単位の素子片に分割するダイシング工程を行なう（ステップ３８）。次に、分割した素子片を外観検査などをしたのち、パッケージに実装する（ステップ４０）。すなわち、まず、図３（ａ）に示したように、素子片５０の金属箔膜が設けられていない裏面を、接着剤５２などを介して箱状に形成してあるパッケージ本体５４の底部に固着する。さらに、金属薄膜のすだれ状電極の電極パッドなる部分と、パッケージ本体５４の段部に設けた電極部とを金などからなるボンディングワイヤ５６接続する（同図（ｂ））。
【００２７】
その後、パッケージ本体５４に実装した素子片５０に対して、図２のステップ４２に示した第２のエッチング工程をドライエッチングによって行ない、素子片５０にすだれ状電極を形成して弾性表面波素子にする。この第２のエッチング工程は、図３（ｃ）に示したように、パッケージ本体５４の上部開口から素子片５０の表面（上面）に設けた本図に図示しない金属薄膜にプラズマ５８を照射して行なう。この際、パッケージ本体５４の下面に設けた外部電極を介してエッチングの終点検出を行なうとともに、前記の外部電極を介してすだれ状電極に所定周波数の電圧を印加し、素子片５０を励振して弾性表面波を発生させる。そして、発生させた弾性表面波の周波数をモニタし、周波数が目標の共振周波数となるように、電極膜厚をドライエッチングによって調整する周波数調整を行なう。これにより、各弾性表面波素子間の共振周波数のばらつきを非常に小さくすることができ、高精度の弾性表面波素子とすることができる。
【００２８】
その後、図２のステップ４４に示したパッケージを封止する工程を行なう。すなわち、弾性表面波素子を実装したパッケージ本体５４を窒素雰囲気または真空雰囲気に配置する。そして、図３（ｄ）に示したように、パッケージ本体５４の上部に金属などからなる蓋体６０を配置し、パッケージ本体５４と蓋体６０とをシーム溶接等によって気密に接合する。これにより、パッケージ内に弾性表面波素子６２を封入したＳＡＷ共振子やＳＡＷフィルタなどの弾性表面波デバイス６４が完成する。
【００２９】
このように、第２の実施形態においては、個々の素子片５０にしたのち、第２のエッチング工程を行なうため、各弾性表面波素子間の電極膜厚をより高精度に調整が可能で、電極膜厚の均一化を図ることができる。しかも、共振周波数をモニタしながら電極膜厚を調整することが可能で、各弾性表面波素子６２間の共振周波数を非常に小さくすることができ、高精度な弾性表面波デバイス６４とすることができる。
【００３０】
なお、図４（ａ）、（ｃ）に示したように、圧電体ウエハ１０ａ、１０ｂ間において、成膜した金属薄膜１２ａ、１２ｂの膜厚がＤ１、Ｄ２のようにばらつきを生じたとする。そして、第１のエッチング工程において、両金属薄膜１２ａ、１２ｂをドライエッチングにより深さｈだけエッチングすると、凹部１６の底部１８の厚みが圧電体ウエハ１０ａにおいてはｄ１、圧電体ウエハ１０ｂにおいてはｄ２となる。この状態において、第２のエッチング工程を行なって両者を等方性のウエットエッチングし、図４（ｂ）、（ｄ）に示したように底部１８を除去する。この場合、底部１８の厚い圧電体ウエハ１０ａのエッチング時間が、底部１８の薄い圧電体ウエハ１０ｂのエッチング時間より長くなる。このため、圧電体ウエハ１０ａの電極指２２ａが圧電体ウエハ１０ｂの電極指２２ｂより細くなり、両者の共振周波数に相違が生ずる。
【００３１】
弾性表面波素子は、一般に、すだれ状電極の電極指の幅が狭いほど、電極膜厚が薄いほど共振周波数が高くなる。そこで、このような場合、第２のエッチング工程においてエッチングを開始してから、底部１８が除去されて圧電体ウエハ１０ａ、１０ｂが露出するエッチング終点を検出するまでの時間を求める。そして、第２のエッチング工程におけるエッチング終点検出までの時間に応じて、終点検出後の追加のエッチング時間を調節する。すなわち、図４の圧電体ウエハ１０ｂのように第２のエッチング工程におけるウエットエッチングの時間が短い場合、追加のエッチング時間を長くする。これにより、圧電体ウエハ１０ｂの電極指２２ｂの幅が小さくなるとともに電極指２２ｂの高さ（膜厚）も小さくなり、共振周波数が高くなる。したがって、追加のエッチング時間を調整することにより共振周波数を調整することができ、各弾性表面波素子間における共振周波数のばらつきを小さくすることができる。なお、第２のエッチング工程における終点検出までの時間と、追加のエッチング時間との関係は、予め実験などによって求めておく。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】第１実施形態に係るパターン形成方法を説明する工程図である。
【図２】第２実施形態に係るパターン形成方法を説明するフローチャートである。
【図３】第２実施形態に係る素子片に対する第２のエッチング工程の例を説明する工程図である。
【図４】実施の形態に係る追加のエッチングのエッチング時間を説明する図である。
【図５】従来のパターン形成方法を説明する工程図である。
【符号の説明】
【００３３】
１０、１０ａ、１０ｂ………基板（圧電体ウエハ）、１２………薄膜（金属薄膜）、１４………レジスト膜、１６………凹部、１８………底部、２０………パターン（すだれ状電極）、２２ａ、２２ｂ………電極指、５０………素子片、５４………パッケージ本体、５８………プラズマ、６２………弾性表面波素子、６４………弾性表面波デバイス。
【図１】
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【図２】
2006174119.tif 000004
【図３】
2006174119.tif 000005
【図４】
2006174119.tif 000006
【図５】
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