(57)【要約】【課題】ＭＦＭｏｘに用いられるＳｉＯ２、チタンおよびＩｎ２Ｏ３の薄膜の選択的エッチング技術を提供する。【解決手段】本発明の上記薄膜の３層構造を選択的にエッチングする方法は、約１０から３０sccmの範囲内のＣ３Ｆ８と、約２０から４０sccmの範囲内のアルゴンとを使用し、約２から６mtorrの範囲内の圧力下での、約１０００から３０００wattの範囲内のＲＦソースと約４００から８００wattの範囲内のＲＦバイアスとを使用する、チタンの層で停止するＳｉＯ２のエッチングと、約１０から５０sccmの範囲内のＢＣｌと、約４０から８０sccmの範囲内の塩素と、約４から８mtorrの範囲内の圧力と約１００から２００wattの範囲内のＲＦバイアスとの下での約２００から５００wattの範囲内のＴｃｐとを使用する、Ｉｎ２Ｏ３の層で停止するチタンのエッチング、とを含む。【選択図】図１Ａ
2006121068.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３およびチタンから成る３層構造の選択的エッチングを行う方法であって、
約１０ｓｃｃｍから３０ｓｃｃｍの間の範囲内のＣ３Ｆ８と、約２０ｓｃｃｍから４０ｓｃｃｍの間の範囲内のアルゴンとを使用し、約２ｍｔｏｒｒから６ｍｔｏｒｒの間の範囲内の圧力の下での、約１０００ｗａｔｔから３０００ｗａｔｔの間の範囲内のＲＦソースと、約４００ｗａｔｔから８００ｗａｔｔの間の範囲内のＲＦバイアスとを使用する、該チタンの層で停止する該ＳｉＯ２のエッチングと、
約１０ｓｃｃｍから５０ｓｃｃｍの間の範囲内のＢＣｌと、約４０ｓｃｃｍから８０ｓｃｃｍの間の範囲内の塩素と、約４ｍｔｏｒｒから８ｍｔｏｒｒの間の範囲内の圧力と約１００ｗａｔｔから２００ｗａｔｔの間の範囲内のＲＦバイアスとの下での約２００ｗａｔｔから５００ｗａｔｔの間の範囲内のＴｃｐとを使用する、該Ｉｎ２Ｏ３の層で停止する該チタンのエッチングと
を包含する、方法。
【請求項２】
選択的エッチングを使用することによるＦｅＲＡＭを製造する方法であって、
基板を準備することと、
該基板の上に酸化物の層を堆積することと、
該酸化物の層のパターニングおよびエッチングを行い、ゲート活性領域内にトレンチを提供することと、
Ｉｎ２Ｏ３の層を堆積することと、
該Ｉｎ２Ｏ３の上にチタンの層を堆積することと、
該チタン、該Ｉｎ２Ｏ３および該酸化物のパターニングし、選択的エッチングをすることであって、該選択的エッチングは、
約１０ｓｃｃｍから３０ｓｃｃｍの間の範囲内のＣ３Ｆ８と、約２０ｓｃｃｍから４０ｓｃｃｍの間の範囲内のアルゴンとを使用し、約２ｍｔｏｒｒから６ｍｔｏｒｒの間の範囲内の圧力の下での、約１０００ｗａｔｔから３０００ｗａｔｔの間の範囲内のＲＦソースと、約４００ｗａｔｔから８００ｗａｔｔの間の範囲内のＲＦバイアスとを使用する、該チタンの層で停止する該ＳｉＯ２のエッチングと、
約１０ｓｃｃｍから５０ｓｃｃｍの間の範囲内のＢＣｌと、約４０ｓｃｃｍから８０ｓｃｃｍの間の範囲内の塩素と、約４ｍｔｏｒｒから８ｍｔｏｒｒの間の範囲内の圧力と約１００ｗａｔｔから２００ｗａｔｔの間の範囲内のＲＦバイアスとの下での約２００ｗａｔｔから５００ｗａｔｔの間の範囲内のＴｃｐと、を使用することによる、該Ｉｎ２Ｏ３の層で停止する該チタンのエッチングと
から成る２つのステップのエッチング処理を使用する選択的エッチングである、
パターニングし、選択的エッチングをすることと、
ＳｉＮの層を堆積することと、
トレンチの中のみに側壁として残るように該ＳｉＮの層をエッチングすることと、
該トレンチの中に強誘電体材料を堆積することと、
トップ電極およびトップ酸化物材料を堆積することと、
該ＦｅＲＡＭ装置を完成することと
を包含する、方法。
【請求項３】
前記強誘電体材料を堆積することは、Ｐｂ５Ｇｅ３Ｏ１１（ＰＧＯ）、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３（ＰＺＴ）、ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ３（ＳＢＴ）およびＢｉ４Ｔｉ３Ｏ１２から成る強誘電体材料の群から選択された強誘電体材料の層を堆積することを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
選択的エッチングを使用することによるＦｅＲＡＭを製造する方法であって、
基板を準備することと、
該基板の上に酸化物の層を堆積することと、
該酸化物の層のパターニングおよびエッチングを行い、ゲート活性領域内にトレンチを提供することと、
Ｉｎ２Ｏ３の層を堆積することと、
該Ｉｎ２Ｏ３の上にチタンの層を堆積することと、
該チタン、該Ｉｎ２Ｏ３および該酸化物のパターニングし、選択的エッチングをすることであって、該選択的エッチングは、
１８ｓｃｃｍのＣ３Ｆ８と、３０ｓｃｃｍのアルゴンとを使用し、３ｍｔｏｒｒの圧力の下での、１８００ｗａｔｔのＲＦソースと６００ｗａｔｔのＲＦバイアスとを使用する、該チタンの層で停止する該ＳｉＯ２のエッチングと、
３０ｓｃｃｍのＢＣｌと、６０ｓｃｃｍの塩素と、６ｍｔｏｒｒの圧力と１５０ｗａｔｔのＲＦバイアスとの下での３５０ｗａｔｔのＴｃｐとを使用する、該Ｉｎ２Ｏ３の層で停止する該チタンのエッチングと
から成る２つのステップのエッチング処理を使用する選択的エッチングである、
パターニングし、選択的エッチングをすることと、
ＳｉＮの層を堆積することと、
トレンチの中のみに側壁として残るように該ＳｉＮの層をエッチングすることと、
該トレンチの中に強誘電体材料を堆積することと、
トップ電極およびトップ酸化物材料を堆積することと、
該ＦｅＲＡＭ装置を完成することと
を包含する、方法。
【請求項５】
前記強誘電体材料を堆積することは、Ｐｂ５Ｇｅ３Ｏ１１（ＰＧＯ）、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３（ＰＺＴ）、ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ３（ＳＢＴ）およびＢｉ４Ｔｉ３Ｏ１２から成る強誘電体材料の群から選択された強誘電体材料の層を堆積することを含む、請求項４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、強誘電体記憶装置の構造、詳細には強誘電体不揮発性記憶装置を製造するための統合された処理法に関する。
【背景技術】
【０００２】
１−トランジスタ強誘電体記憶装置のための多数の、金属/ＦＥ/Ｉｎ２Ｏ３/Ｓｉから成るメモリセルが提案されてきた。しかしながら、これらの装置は強誘電体材料の中に酸化物のトレンチ構造の形成と、そのトレンチの中にＩｎ２Ｏ３の選択的堆積とを必要とする。このことはすなわち、Ｉｎ２Ｏ３の層で停止するＳｉＯ２のエッチング処理が必要とされることを意味する。現在、このような処理法は知られていない。Ｈｓｕらによる「Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｇａｔｅ  Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｍｅｍｏｒｙ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ」、シリアル番号第１０/６９５，５４７号（２００３年９月９日出願）が、この問題に関する一部の背景を提供する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の課題は、金属/ＦＥ/Ｉｎ２Ｏ３/ＳｉのＦｅＲＡＭ装置のような、ＭＦＭｏｘに用いられるＳｉＯ２、チタンおよびＩｎ２Ｏ３の薄膜の選択的エッチング技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
ＳｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３およびチタンから成る３層構造の選択的エッチングをおこなう方法は、以下の２つのエッチングを含む。すなわちチタンの層で停止するＳｉＯ２のエッチングは、約１０ｓｃｃｍから３０ｓｃｃｍの間の範囲内のＣ３Ｆ８と、約２０ｓｃｃｍから４０ｓｃｃｍの間の範囲内のアルゴンとを使用し、約２ｍｔｏｒｒから６ｍｔｏｒｒの間の範囲内の圧力の下での、約１０００ｗａｔｔから３０００ｗａｔｔの間の範囲内のＲＦソースと、約４００ｗａｔｔから８００ｗａｔｔの間の範囲内のＲＦバイアスとを使用する。また、Ｉｎ２Ｏ３の層で停止するチタンのエッチングは、約１０ｓｃｃｍから５０ｓｃｃｍの間の範囲内のＢＣｌと、約４０ｓｃｃｍから８０ｓｃｃｍの間の範囲内の塩素と、約４ｍｔｏｒｒから８ｍｔｏｒｒの間の範囲内の圧力と約１００ｗａｔｔから２００ｗａｔｔの間の範囲内のＲＦバイアスとの下での約２００ｗａｔｔから５００ｗａｔｔの間の範囲内のＴｃｐ（Ｔｒａｎｓｆｏｒｍｅｒ  ｃｏｕｐｌｅｄ  ｐｌａｓｍａ  （ｓｏｕｒｃｅ））とを使用する。
【０００５】
本発明は、さらに以下の手段を提供する。
【０００６】
（項目１）
ＳｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３およびチタンから成る３層構造の選択的エッチングを行う方法であって、
約１０ｓｃｃｍから３０ｓｃｃｍの間の範囲内のＣ３Ｆ８と、約２０ｓｃｃｍから４０ｓｃｃｍの間の範囲内のアルゴンとを使用し、約２ｍｔｏｒｒから６ｍｔｏｒｒの間の範囲内の圧力の下での、約１０００ｗａｔｔから３０００ｗａｔｔの間の範囲内のＲＦソースと、約４００ｗａｔｔから８００ｗａｔｔの間の範囲内のＲＦバイアスとを使用する、該チタンの層で停止する該ＳｉＯ２のエッチングと、
約１０ｓｃｃｍから５０ｓｃｃｍの間の範囲内のＢＣｌと、約４０ｓｃｃｍから８０ｓｃｃｍの間の範囲内の塩素と、約４ｍｔｏｒｒから８ｍｔｏｒｒの間の範囲内の圧力と約１００ｗａｔｔから２００ｗａｔｔの間の範囲内のＲＦバイアスとの下での約２００ｗａｔｔから５００ｗａｔｔの間の範囲内のＴｃｐとを使用する、該Ｉｎ２Ｏ３の層で停止する該チタンのエッチングと
を包含する、方法。
【０００７】
（項目２）
選択的エッチングを使用することによるＦｅＲＡＭを製造する方法であって、
基板を準備することと、
該基板の上に酸化物の層を堆積することと、
該酸化物の層のパターニングおよびエッチングを行い、ゲート活性領域内にトレンチを提供することと、
Ｉｎ２Ｏ３の層を堆積することと、
該Ｉｎ２Ｏ３の上にチタンの層を堆積することと、
該チタン、該Ｉｎ２Ｏ３および該酸化物のパターニングし、選択的エッチングをすることであって、該選択的エッチングは、
約１０ｓｃｃｍから３０ｓｃｃｍの間の範囲内のＣ３Ｆ８と、約２０ｓｃｃｍから４０ｓｃｃｍの間の範囲内のアルゴンとを使用し、約２ｍｔｏｒｒから６ｍｔｏｒｒの間の範囲内の圧力の下での、約１０００ｗａｔｔから３０００ｗａｔｔの間の範囲内のＲＦソースと、約４００ｗａｔｔから８００ｗａｔｔの間の範囲内のＲＦバイアスとを使用する、該チタンの層で停止する該ＳｉＯ２のエッチングと、
約１０ｓｃｃｍから５０ｓｃｃｍの間の範囲内のＢＣｌと、約４０ｓｃｃｍから８０ｓｃｃｍの間の範囲内の塩素と、約４ｍｔｏｒｒから８ｍｔｏｒｒの間の範囲内の圧力と約１００ｗａｔｔから２００ｗａｔｔの間の範囲内のＲＦバイアスとの下での約２００ｗａｔｔから５００ｗａｔｔの間の範囲内のＴｃｐと、を使用することによる、該Ｉｎ２Ｏ３の層で停止する該チタンのエッチングと
から成る２つのステップのエッチング処理を使用する選択的エッチングである、
パターニングし、選択的エッチングをすることと、
ＳｉＮの層を堆積することと、
トレンチの中のみに側壁として残るように該ＳｉＮの層をエッチングすることと、
該トレンチの中に強誘電体材料を堆積することと、
トップ電極およびトップ酸化物材料を堆積することと、
該ＦｅＲＡＭ装置を完成することと
を包含する、方法。
【０００８】
（項目３）
上記強誘電体材料を堆積することは、Ｐｂ５Ｇｅ３Ｏ１１（ＰＧＯ）、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３（ＰＺＴ）、ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ３（ＳＢＴ）およびＢｉ４Ｔｉ３Ｏ１２から成る強誘電体材料の群から選択された強誘電体材料の層を堆積することを含む、項目２に記載の方法。
【０００９】
（項目４）
選択的エッチングを使用することによるＦｅＲＡＭを製造する方法であって、
基板を準備することと、
該基板の上に酸化物の層を堆積することと、
該酸化物の層のパターニングおよびエッチングを行い、ゲート活性領域内にトレンチを提供することと、
Ｉｎ２Ｏ３の層を堆積することと、
該Ｉｎ２Ｏ３の上にチタンの層を堆積することと、
該チタン、該Ｉｎ２Ｏ３および該酸化物のパターニングし、選択的エッチングをすることであって、該選択的エッチングは、
１８ｓｃｃｍのＣ３Ｆ８と、３０ｓｃｃｍのアルゴンとを使用し、３ｍｔｏｒｒの圧力の下での、１８００ｗａｔｔのＲＦソースと６００ｗａｔｔのＲＦバイアスとを使用する、該チタンの層で停止する該ＳｉＯ２のエッチングと、
３０ｓｃｃｍのＢＣｌと、６０ｓｃｃｍの塩素と、６ｍｔｏｒｒの圧力と１５０ｗａｔｔのＲＦバイアスとの下での３５０ｗａｔｔのＴｃｐとを使用する、該Ｉｎ２Ｏ３の層で停止する該チタンのエッチングと
から成る２つのステップのエッチング処理を使用する選択的エッチングである、
パターニングし、選択的エッチングをすることと、
ＳｉＮの層を堆積することと、
トレンチの中のみに側壁として残るように該ＳｉＮの層をエッチングすることと、
該トレンチの中に強誘電体材料を堆積することと、
トップ電極およびトップ酸化物材料を堆積することと、
該ＦｅＲＡＭ装置を完成することと
を包含する、方法。
【００１０】
（項目５）
上記強誘電体材料を堆積することは、Ｐｂ５Ｇｅ３Ｏ１１（ＰＧＯ）、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３（ＰＺＴ）、ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ３（ＳＢＴ）およびＢｉ４Ｔｉ３Ｏ１２から成る強誘電体材料の群から選択された強誘電体材料の層を堆積することを含む、項目４に記載の方法。
【００１１】
（摘要）
ＳｉＯ２、Ｉｎ２Ｏ３およびチタンから成る３層構造の選択的エッチングをおこなう方法は、以下の２つのエッチングを含む。すなわちチタンの層で停止するＳｉＯ２のエッチングは、約１０ｓｃｃｍから３０ｓｃｃｍの間の範囲内のＣ３Ｆ８と、約２０ｓｃｃｍから４０ｓｃｃｍの間の範囲内のアルゴンとを使用し、約２ｍｔｏｒｒから６ｍｔｏｒｒの間の範囲内の圧力の下での、約１０００ｗａｔｔから３０００ｗａｔｔの間の範囲内のＲＦソースと、約４００ｗａｔｔから８００ｗａｔｔの間の範囲内のＲＦバイアスと、を使用する。またＩｎ２Ｏ３の層で停止するチタンのエッチングは、約１０ｓｃｃｍから５０ｓｃｃｍの間の範囲内のＢＣｌと、約４０ｓｃｃｍから８０ｓｃｃｍの間の範囲内の塩素と、約４ｍｔｏｒｒから８ｍｔｏｒｒの間の範囲内の圧力と約１００ｗａｔｔから２００ｗａｔｔの間の範囲内のＲＦバイアスとの下での約２００ｗａｔｔから５００ｗａｔｔの間の範囲内のＴｃｐと、を使用する。
【００１２】
本発明の本質を手早く理解し得るために、本発明の概要および目的が提示されている。本発明のより詳細な理解は、発明の好適な実施形態に関する以下の詳細な記述を、図面と共に参照することによって得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の方法は、チタンの層で停止するＳｉＯ２の選択的エッチング処理と、引き続きなされる、Ｉｎ２Ｏ３の薄膜で停止するチタンのエッチング処理とを含む。このエッチング処理は、他の型の装置の製造にも使用され得るが、とりわけＭＦＭｏｘ（金属−強誘電体−金属酸化物）ＦｅＲＡＭの製造に適している。
【００１４】
図１および図２〜図８に、本発明の方法１０の統合された処理法が示されている。図１および図２では、基板１２が準備され、その上に酸化物層１４が約１０ｎｍから５０ｎｍの間の厚さで堆積される。基板の準備はウェルの形成およびしきい値電圧の調整のためのイオン注入をも含み得る。
【００１５】
図３は、酸化物層１４の除去の後の、約１００ｎｍから３００ｎｍの間の厚さの追加の酸化物１６の堆積と、その後の酸化物層１６のパターニングとエッチング、およびイオン注入１８によるソース２０とドレイン２２の形成と、によって得られる構造を示す。
【００１６】
図４は、酸化物層１６のウエットエッチングと、酸化物層１６の除去後の、約１０ｎｍから５０ｎｍの間の他の薄い酸化物層１７の堆積と、基板１２のシリコンのレベルで停止する、酸化物層１７のパターニングおよびウエットエッチング２４と、その後の約１０ｎｍから１００ｎｍの間の厚さのＩｎ２Ｏ３層２６の堆積および約１０ｎｍから５０ｎｍの間の厚さのチタン層２８の堆積と、によって得られる構造を示す。
【００１７】
図５は、Ｉｎ２Ｏ３層２６およびチタン層２８のパターニングおよびエッチングと、層１７への追加の酸化物の堆積と、チタン層２８のレベルで停止する酸化物層１７のパターニングおよびエッチングとによって得られる、ステップ３０における構造を示す。このステップ３０は実際には２つのステップの処理であり、後段において詳細に記述される。
【００１８】
図６では、上記構造は、パターニングおよびＩｎ２Ｏ３層２６で停止するウエットエッチング３２がなされ、ゲート活性領域内のチタンが除去される。約２０ｎｍから５０ｎｍの間の厚さのＳｉＮの層３４が堆積され、トレンチ内に、残存するＩｎ２Ｏ３の上に重なるＳｉＮ側壁を残すように、エッチングされる。強誘電体材料の層３８が、好適な実施形態においてはＰｂ５Ｇｅ３Ｏ１１（ＰＧＯ）の層が、Ｉｎ２Ｏ３の層２６の上に約２００ｎｍから５００ｎｍの間の厚さで堆積される。Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３（ＰＺＴ）、ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ３（ＳＢＴ）またはＢｉ４Ｔｉ３Ｏ１２、などの他の強誘電体材料が使用され得る。強誘電体材料は化学機械的研磨（ＣＭＰ）４０により滑らかにされる。強誘電体材料３８の上にトップ電極４２が堆積される。
【００１９】
図７は、追加の酸化物４４の堆積と、コンタクトホールの形成およびメタライゼーション４６による金属コンタクト４８、５０および５２を含む、完成間近のＦｅＲＡＭ装置を示す。ＦｅＲＡＭ構造を完成するために必要な全てのさらなる処理は、その後完了５４される。
【００２０】
本発明の方法である、ＳｉＯ２、チタンおよびＩｎ２Ｏ３の薄膜に対する選択的エッチング処理法は、金属/ＦＥ/Ｉｎ２Ｏ３/Ｓｉ強誘電体記憶装置の製造に必要な手段を提供する。ＳｉＯ２はパターニングされ、Ｉｎ２Ｏ３層の上面で停止してエッチングされる。
【００２１】
ＳｉＯ２のパターニングおよびＩｎ２Ｏ３層で停止するエッチングのために、下記のエッチング処理が使用される。表１はレシピＡの化学成分およびエッチングの条件を示す。Ｉｎ、Ｉｎ２Ｏ３およびＳｉＯ２の薄膜に対するエッチング速度は、それぞれ１００ｎｍ、８０ｎｍおよび６０ｎｍ/毎分である。Ｉｎ２Ｏ３薄膜で停止することを意図してＳｉＯ２のエッチングにレシピＡを使用することは、Ｉｎ２Ｏ３の約１０ｎｍのオーバーエッチングを生ずる。
【００２２】
【表１】
2006121068.tif 000003
表１  レシピＡ
【００２３】
【表２】
2006121068.tif 000004
表２  Ｉｎ、Ｉｎ２Ｏ３およびＳｉＯ２薄膜に対するエッチング速度
選択的エッチング処理を改良するために、２−ステップエッチング処理が使用され、この処理はＳｉＯ２/Ｔｉ/Ｉｎ２Ｏ３の３層構造の製造から始まる。第１のステップでは、ＳｉＯ２およびチタン材料をエッチングするために、表３に示されるエッチングレシピＢが使用される。その結果は、表４に示されるように、ＳｉＯ２に対するエッチング速度は約１１ｎｍ/秒であり、チタンに対するエッチング速度は極めて小さい。このことは、ＳｉＯ２のエッチングを行い、チタン層では最小限のオーバーエッチングで停止するために、レシピＢが使用され得ることを示す。図８は、チタン層で停止したＳｉＯ２層のエッチングの、走査型電子顕微鏡による写真を示す。
【００２４】
【表３】
2006121068.tif 000005
表３  レシピＢ
【００２５】
【表４】
2006121068.tif 000006
表４  レシピＢを使用したＳｉＯ２およびチタン薄膜のエッチング速度
第２のステップでは、チタンおよびＩｎ２Ｏ３のエッチングのためにレシピＡが使用される。チタンおよびＩｎ２Ｏ３材料のエッチング速度は、表２に示されるように、それぞれ４２０ｎｍ/分および８０ｎｍ/分である。Ｉｎ２Ｏ３層のレベルで停止する、チタンのエッチングに対する明瞭な終止点が存在するので、Ｉｎ２Ｏ３層で僅か数ナノメートルのオーバーエッチングで停止する、チタンのエッチングにレシピＡが使用され得る。図９は、Ｉｎ２Ｏ３層のレベルで停止したチタンのエッチングの、走査型電子顕微鏡による写真である。チタンのエッチングおよびＩｎ２Ｏ３層のレベルでの停止のためには、ウエットエッチング処理が使用され得る。レシピＡの代わりに使用され得るウエットエッチング溶液は、Ｈ２Ｏ２＋５％ＮＨ４ＯＨであり、この溶液はチタンをエッチングするが、Ｉｎ２Ｏ３を感知し得るほどにはエッチングしない。
【００２６】
これまで述べてきたとおり、ＦｅＲＡＭ装置の製造に使用するための、選択的エッチング処理法が開示されてきた。添付の請求項において規定される本発明の範囲内において、さらなる変更および修正がなされ得ることは、理解されるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１Ａ】本発明の方法のブロック図である。
【図１Ｂ】本発明の方法のブロック図である。
【図２】本発明の方法のステップを示す。
【図３】本発明の方法のステップを示す。
【図４】本発明の方法のステップを示す。
【図５】本発明の方法のステップを示す。
【図６】本発明の方法のステップを示す。
【図７】本発明の方法のステップを示す。
【図８】本発明の方法に従って製作された装置の顕微鏡写真であり、ＳｉＯ２のエッチングがチタンの層で停止している。
【図９】本発明の方法に従って製作された装置の顕微鏡写真であり、チタンのエッチングがＩｎ２Ｏ３の層で停止している。
【符号の説明】
【００２８】
１０  本発明の方法
１２  基板
１４  酸化物
１６  酸化物層
１７  酸化物層
２０  ソース
２２  ドレイン
２６  Ｉｎ２Ｏ３層
２８  チタン層
３４  ＳｉＮ
３８  強誘電体材料
４２  トップ電極
４４  酸化物
４８、５０、５２  金属コンタクト
【図１Ａ】
2006121068.tif 000007
【図１Ｂ】
2006121068.tif 000008
【図２】
2006121068.tif 000009
【図３】
2006121068.tif 000010
【図４】
2006121068.tif 000011
【図５】
2006121068.tif 000012
【図６】
2006121068.tif 000013
【図７】
2006121068.tif 000014
【図８】
2006121068.tif 000015
【図９】
2006121068.tif 000016