(57)【要約】      （修正有）【課題】特定の構造のシクロプロパンカルボン酸化合物および該化合物を、安価かつ安全に、高収率で合成できる製造方法を提供する。【解決手段】下記一般式（IV）で表されるシクロプロパンカルボン酸化合物。2006089454.tif 000041（上記式中、Ｒ3およびＲ4は、水素原子または置換基を表し、互いに同じでも異なっていてもよく環を形成してもよい。Ｋは、置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のビフェニレン基および置換もしくは無置換のナフタレン基から選ばれる基を表す。Ｌは単結合、炭素数１〜２０の置換もしくは無置換のアルキレン基または炭素数１〜２０の置換もしくは無置換のアルコキシレン基を表す（但し、アルキレン基およびアルコキシレン基が有する任意の１つまたは相隣接しない２つ以上のメチレン基（−ＣＨ2−）は、酸素原子によって置換されてもよい。）。ｊは、１〜８の整数を表す。ｎは、１以上ｊ以下の整数を表す。）【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（IV）で表されるシクロプロパンカルボン酸化合物。
【化１】
2006089454.tif 000033
（上記式中、Ｒ3およびＲ4は、水素原子または置換基を表し、互いに同じでも異なっていてもよく環を形成してもよい。Ｋは、置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のビフェニレン基および置換もしくは無置換のナフタレン基から選ばれる基を表す。Ｌは単結合、炭素数１〜２０の置換もしくは無置換のアルキレン基または炭素数１〜２０の置換もしくは無置換のアルコキシレン基を表す（但し、アルキレン基およびアルコキシレン基が有する任意の１つまたは相隣接しない２つ以上のメチレン基（−ＣＨ2−）は、酸素原子によって置換されてもよい。）。ｊは、１〜８の整数を表す。ｎは、１以上ｊ以下の整数を表す。）
【請求項２】
下記一般式（Ｖ）で表されるシクロプロパンカルボン酸化合物。
【化２】
2006089454.tif 000034
（上記式中、Ｋは、置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のビフェニレン基および置換もしくは無置換のナフタレン基から選ばれる基を表す。Ｐは、水素原子または末端が水酸基で置換された炭素原子数１〜２０のアルキル基を表す（但し、アルキル基が有する任意の１つまたは相隣接しない２つ以上のメチレン基（−ＣＨ2−）は、酸素原子によって置換されてもよい。）。）
【請求項３】
下記一般式（I）で表される化合物と下記一般式（II）で表される化合物を反応させる工程を含む下記一般式（III）で表されるシクロプロパンカルボン酸誘導体の製造方法。
【化３】
2006089454.tif 000035
（上記式中、Ｘは、置換もしくは無置換のアルコキシ基または−ＮＲ1Ｒ2を表し、Ｒ1およびＲ2は、水素原子または置換基を表し、互いに同じでも異なっていてもよく環を形成してもよい。Ｒ3およびＲ4は、水素原子または置換基を表し、互いに同じでも異なっていてもよく環を形成してもよい。Ｋは、置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のビフェニレン基および置換もしくは無置換のナフタレン基から選ばれる基を表す。Ｌは単結合、炭素数１〜２０の置換もしくは無置換のアルキレン基または炭素数１〜２０の置換もしくは無置換のアルコキシレン基を表す（但し、アルキレン基およびアルコキシレン基が有する任意の１つまたは相隣接しない２つ以上のメチレン基（−ＣＨ2−）は、酸素原子によって置換されてもよい。）。ｊは、１〜８の整数を表す。ｎは、１以上ｊ以下の整数を表す。Ｒ5およびＲ6は、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のフェニル基または置換もしくは無置換の２級アミノ基を表し、互いに同じでも異なっていてもよい。）
【請求項４】
前記Ｘが、モルホリノ環基である、請求項３に記載のシクロプロパンカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項５】
前記Ｘが、ｔ−ブトキシ基である、請求項３に記載のシクロプロパンカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項６】
下記一般式（VI）で表される化合物と金属アルコキシドを反応させて一般式（II）で表される化合物を得る工程を含む、請求項３〜５のいずれかに記載のシクロプロパンカルボン酸誘導体の製造方法。
【化４】
2006089454.tif 000036
（上記式中、Ｒ5およびＲ6は、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のフェニル基または置換もしくは無置換の２級アミノ基を表し、互いに同じでも異なっていてもよい。）
【請求項７】
前記金属アルコキシドがｔ−ブトキシナトリウムおよび／またはｔ−ブトキシカリウムである、請求項６に記載のシクロプロパンカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項８】
ジメチルスルホキシドを反応溶媒として用いることを特徴とする、請求項３〜７のいずれかに記載のシクロプロパンカルボン酸誘導体の製造方法。
【請求項９】
下記一般式（III）で示されるシクロプロパンカルボン酸誘導体を加水分解する工程を含む、下記一般式（IV）で示されるシクロプロパンカルボン酸化合物の製造方法。
【化５】
2006089454.tif 000037
（上記式中、Ｘは、置換もしくは無置換のアルコキシ基または−ＮＲ1Ｒ2を表し、Ｒ1およびＲ2は、水素原子または置換基を表し、互いに同じでも異なっていてもよく環を形成してもよい。Ｒ3およびＲ4は、水素原子または置換基を表し、互いに同じでも異なっていてもよく環を形成してもよい。Ｋは、置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のビフェニレン基および置換もしくは無置換のナフタレン基から選ばれる基を表す。Ｌは単結合、炭素数１〜２０の置換もしくは無置換のアルキレン基または炭素数１〜２０の置換もしくは無置換のアルコキシレン基を表す（但し、アルキレン基およびアルコキシレン基が有する任意の１つまたは相隣接しない２つ以上のメチレン基（−ＣＨ2−）は、酸素原子によって置換されてもよい。）。ｊは、１〜８の整数を表す。ｎは、１以上ｊ以下の整数を表す。）
【請求項１０】
下記一般式（III）で表されるシクロプロパンカルボン酸誘導体。
【化６】
2006089454.tif 000038
（上記式中、Ｘは、置換もしくは無置換のアルコキシ基または−ＮＲ1Ｒ2を表し、Ｒ1およびＲ2は、水素原子または置換基を表し、互いに同じでも異なっていてもよく環を形成してもよい。Ｒ3およびＲ4は、水素原子または置換基を表し、互いに同じでも異なっていてもよく環を形成してもよい。Ｋは、置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のビフェニレン基および置換もしくは無置換のナフタレン基から選ばれる基を表す。Ｌは単結合、炭素数１〜２０の置換もしくは無置換のアルキレン基または炭素数１〜２０の置換もしくは無置換のアルコキシレン基を表す（但し、アルキレン基およびアルコキシレン基が有する任意の１つまたは相隣接しない２つ以上のメチレン基（−ＣＨ2−）は、酸素原子によって置換されてもよい。）。ｊは、１〜８の整数を表す。ｎは、１以上ｊ以下の整数を表す。）
【請求項１１】
一般式（IV）または一般式（V）で表されるシクロプロパンカルボン酸化合物を用いることを特徴とする、円盤状液晶化合物の製造方法。
【化７】
2006089454.tif 000039
（上記式中、Ｒ3およびＲ4は、水素原子または置換基を表し、互いに同じでも異なっていてもよく環を形成してもよい。Ｋは、置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のビフェニレン基および置換もしくは無置換のナフタレン基から選ばれる基を表す。Ｌは単結合、炭素数１〜２０の置換もしくは無置換のアルキレン基または炭素数１〜２０の置換もしくは無置換のアルコキシレン基を表す（但し、アルキレン基およびアルコキシレン基が有する任意の１つまたは相隣接しない２つ以上のメチレン基（−ＣＨ2−）は、酸素原子によって置換されてもよい。）。ｊは、１〜８の整数を表す。ｎは、１以上ｊ以下の整数を表す。）
【化８】
2006089454.tif 000040
（上記式中、Ｋは、置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のビフェニレン基および置換もしくは無置換のナフタレン基から選ばれる基を表す。Ｐは、水素原子または末端が水酸基で置換された炭素原子数１〜２０のアルキル基を表す（但し、アルキル基が有する任意の１つまたは相隣接しない２つ以上のメチレン基（−ＣＨ2−）は、酸素原子によって置換されてもよい。）。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シクロプロパンカルボン酸化合物、シクロプロパンカルボン酸誘導体の製造方法およびシクロプロパンカルボン酸化合物の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から知られているシクロプロパン誘導体の製造方法として、イリドを用いた方法（非特許文献１）が知られている。しかしながら、後述する一般式（III）で表されるシクロプロパンカルボン酸誘導体は、シクロプロパン環上にカルボニル基が結合し、かつ、分子内にヒドロキシル基を有する。そして、該シクロプロパンカルボン酸誘導体のより簡便かつ高収率な製造方法が求められている。
【０００３】
【非特許文献１】Ｃｈｅｍ．Ｂｅｒ．９８，３７１２  （１９６５）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、特定の構造を有するシクロプロパンカルボン酸化合物、およびこのようなシクロプロパンカルボン酸化合物を、安価かつ安全に、高収率で合成するための、シクロプロパン酸誘導体の製造方法およびシクロプロパンカルボン酸化合物の製造方法の提供にある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者が鋭意検討した結果、下記一般式（III）で表されるシクロプロパンカルボン酸誘導体の合成方法について、下記一般式（Ｉ）で表される化合物に一般式（II）で表される化合物を作用させることで、また一般式（IV）で表されるシクロプロピルカルボン酸化合物の合成方法について、一般式（III）で表されるシクロプロパンカルボン酸誘導体を加水分解することで、前記課題が解決されることを見出した。すなわち本発明は、下記手段により達成された。
【０００６】
（１）下記一般式（IV）で表されるシクロプロパンカルボン酸化合物。
【化１】
2006089454.tif 000002
（上記式中、Ｒ3およびＲ4は、水素原子または置換基を表し、互いに同じでも異なっていてもよく環を形成してもよい。Ｋは、置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のビフェニレン基および置換もしくは無置換のナフタレン基から選ばれる基を表す。Ｌは単結合、炭素数１〜２０の置換もしくは無置換のアルキレン基または炭素数１〜２０の置換もしくは無置換のアルコキシレン基を表す（但し、アルキレン基およびアルコキシレン基が有する任意の１つまたは相隣接しない２つ以上のメチレン基（−ＣＨ2−）は、酸素原子によって置換されてもよい。）。ｊは、１〜８の整数を表す。ｎは、１以上ｊ以下の整数を表す。）
（２）下記一般式（Ｖ）で表されるシクロプロパンカルボン酸化合物。
【化２】
2006089454.tif 000003
（上記式中、Ｋは、置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のビフェニレン基および置換もしくは無置換のナフタレン基から選ばれる基を表す。Ｐは、水素原子または末端が水酸基で置換された炭素原子数１〜２０のアルキル基を表す（但し、アルキル基が有する任意の１つまたは相隣接しない２つ以上のメチレン基（−ＣＨ2−）は、酸素原子によって置換されてもよい。）。）
（３）下記一般式（I）で表される化合物と下記一般式（II）で表される化合物を反応させる工程を含む下記一般式（III）で表されるシクロプロパンカルボン酸誘導体の製造方法。
【化３】
2006089454.tif 000004
（上記式中、Ｘは、置換もしくは無置換のアルコキシ基または−ＮＲ1Ｒ2を表し、Ｒ1およびＲ2は、水素原子または置換基を表し、互いに同じでも異なっていてもよく環を形成してもよい。Ｒ3およびＲ4は、水素原子または置換基を表し、互いに同じでも異なっていてもよく環を形成してもよい。Ｋは、置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のビフェニレン基および置換もしくは無置換のナフタレン基から選ばれる基を表す。Ｌは単結合、炭素数１〜２０の置換もしくは無置換のアルキレン基または炭素数１〜２０の置換もしくは無置換のアルコキシレン基を表す（但し、アルキレン基およびアルコキシレン基が有する任意の１つまたは相隣接しない２つ以上のメチレン基（−ＣＨ2−）は、酸素原子によって置換されてもよい。）。ｊは、１〜８の整数を表す。ｎは、１以上ｊ以下の整数を表す。Ｒ5およびＲ6は、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のフェニル基または置換もしくは無置換の２級アミノ基を表し、互いに同じでも異なっていてもよい。）
（４）前記Ｘが、モルホリノ環基である、（３）に記載のシクロプロパンカルボン酸誘導体の製造方法。
（５）前記Ｘが、ｔ−ブトキシ基である、（３）に記載のシクロプロパンカルボン酸誘導体の製造方法。
（６）下記一般式（VI）で表される化合物と金属アルコキシドを反応させて一般式（II）で表される化合物を得る工程を含む、（３）〜（５）のいずれかに記載のシクロプロパンカルボン酸誘導体の製造方法。
【化４】
2006089454.tif 000005
（上記式中、Ｒ5およびＲ6は、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のフェニル基または置換もしくは無置換の２級アミノ基を表し、互いに同じでも異なっていてもよい。）
（７）前記金属アルコキシドがｔ−ブトキシナトリウムおよび／またはｔ−ブトキシカリウムである、（６）に記載のシクロプロパンカルボン酸誘導体の製造方法。
（８）ジメチルスルホキシドを反応溶媒として用いることを特徴とする、（３）〜（７）のいずれかに記載のシクロプロパンカルボン酸誘導体の製造方法。
（９）下記一般式（III）で示されるシクロプロパンカルボン酸誘導体を加水分解する工程を含む、下記一般式（IV）で示されるシクロプロパンカルボン酸化合物の製造方法。
【化５】
2006089454.tif 000006
（上記式中、Ｘは、置換もしくは無置換のアルコキシ基または−ＮＲ1Ｒ2を表し、Ｒ1およびＲ2は、水素原子または置換基を表し、互いに同じでも異なっていてもよく環を形成してもよい。Ｒ3およびＲ4は、水素原子または置換基を表し、互いに同じでも異なっていてもよく環を形成してもよい。Ｋは、置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のビフェニレン基および置換もしくは無置換のナフタレン基から選ばれる基を表す。Ｌは単結合、炭素数１〜２０の置換もしくは無置換のアルキレン基または炭素数１〜２０の置換もしくは無置換のアルコキシレン基を表す（但し、アルキレン基およびアルコキシレン基が有する任意の１つまたは相隣接しない２つ以上のメチレン基（−ＣＨ2−）は、酸素原子によって置換されてもよい。）。ｊは、１〜８の整数を表す。ｎは、１以上ｊ以下の整数を表す。）
（１０）下記一般式（III）で表されるシクロプロパンカルボン酸誘導体。
【化６】
2006089454.tif 000007
（上記式中、Ｘは、置換もしくは無置換のアルコキシ基または−ＮＲ1Ｒ2を表し、Ｒ1およびＲ2は、水素原子または置換基を表し、互いに同じでも異なっていてもよく環を形成してもよい。Ｒ3およびＲ4は、水素原子または置換基を表し、互いに同じでも異なっていてもよく環を形成してもよい。Ｋは、置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のビフェニレン基および置換もしくは無置換のナフタレン基から選ばれる基を表す。Ｌは単結合、炭素数１〜２０の置換もしくは無置換のアルキレン基または炭素数１〜２０の置換もしくは無置換のアルコキシレン基を表す（但し、アルキレン基およびアルコキシレン基が有する任意の１つまたは相隣接しない２つ以上のメチレン基（−ＣＨ2−）は、酸素原子によって置換されてもよい。）。ｊは、１〜８の整数を表す。ｎは、１以上ｊ以下の整数を表す。）
（１１）一般式（IV）または一般式（V）で表されるシクロプロパンカルボン酸化合物を用いることを特徴とする、円盤状液晶化合物の製造方法。
【化７】
2006089454.tif 000008
（上記式中、Ｒ3およびＲ4は、水素原子または置換基を表し、互いに同じでも異なっていてもよく環を形成してもよい。Ｋは、置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のビフェニレン基および置換もしくは無置換のナフタレン基から選ばれる基を表す。Ｌは単結合、炭素数１〜２０の置換もしくは無置換のアルキレン基または炭素数１〜２０の置換もしくは無置換のアルコキシレン基を表す（但し、アルキレン基およびアルコキシレン基が有する任意の１つまたは相隣接しない２つ以上のメチレン基（−ＣＨ2−）は、酸素原子によって置換されてもよい。）。ｊは、１〜８の整数を表す。ｎは、１以上ｊ以下の整数を表す。）
【化８】
2006089454.tif 000009
（上記式中、Ｋは、置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のビフェニレン基および置換もしくは無置換のナフタレン基から選ばれる基を表す。Ｐは、水素原子または末端が水酸基で置換された炭素原子数１〜２０のアルキル基を表す（但し、アルキル基が有する任意の１つまたは相隣接しない２つ以上のメチレン基（−ＣＨ2−）は、酸素原子によって置換されてもよい。）。）
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、入手の容易な原料から、短工程で収率よく、シクロプロピルカルボニルアミド誘導体およびシクロプロパンカルボン酸誘導体を製造する方法を提供できる。また、本発明のシクロプロピルカルボニルアミド誘導体およびシクロプロパンカルボン酸誘導体は、色素、医薬品、農薬、液晶材料、電子材料等などの機能性化合物の中間体、原料として極めて有用である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下において、本発明の内容について詳細に説明する。尚、本願明細書において「〜」とはその前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用される。
【０００９】
以下に本発明を詳細に説明する。
本発明の一般式（Ｉ）で表される化合物を詳細に説明する。
【化９】
2006089454.tif 000010
【００１０】
Ｘは、置換もしくは無置換のアルコキシ基または−ＮＲ1Ｒ2を表し、Ｒ1およびＲ2は、水素原子または置換基を表し、互いに同じでも異なっていてもよく環を形成してもよい。
置換もしくは無置換のアルコキシ基としては、炭素数１〜２０の置換または無置換のアルコキシ基が好ましく、ｔ−ブトキシ基がさらに好ましい。
【００１１】
−ＮＲ1Ｒ2中のＲ1およびＲ2は、アルキル基（直鎖または分岐の置換もしくは無置換のアルキル基で、好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基であり、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基）、シクロアルキル基（好ましくは、炭素数３〜１０の置換または無置換のシクロアルキル基、例えば、シクロヘキシル基）、アルケニル基（直鎖または分岐の置換もしくは無置換のアルケニル基で、好ましくは炭素数２〜１０のアルケニル基であり、例えば、ビニル基、アリル基、プレニル基）、アルキニル基（好ましくは、炭素数２〜１０の置換または無置換のアルキニル基、例えば、エチニル基、プロパルギル基、トリメチルシリルエチニル基）、アルコキシ基（直鎖または分岐の置換もしくは無置換のアルキル基で、好ましくは炭素数１〜１０のアルキル基であり、例えばメチルオキシ基、エチルオキシ基、ｎ−プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基）、アリール基（好ましくは炭素数６〜２０の置換もしくは無置換のアリール基で、例えばフェニル基、ｐ−トリル基、ナフチル基）、ヘテロ環基（好ましくは５〜７員の置換もしくは無置換、飽和もしくは不飽和、芳香族もしくは非芳香族、単環もしくは縮環のヘテロ環基であり、より好ましくは、環構成原子が炭素原子、窒素原子、酸素原子および硫黄原子から選択され、かつ窒素原子、酸素原子および硫黄原子のいずれかのヘテロ原子を少なくとも一個有するヘテロ環基であり、さらに好ましくは、炭素数３〜２０の５もしくは６員の芳香族のヘテロ環基である。例えば、２−フリル基、２−チエニル基、２−ピリジル基、４−ピリジル基、２−ピリミジニル基、２−ベンゾチアゾリル基）が挙げられる。
【００１２】
好ましくはＲ1、Ｒ2は水素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、アリル基、フェニル基である。
Ｒ1、Ｒ2が互いに結合し環を形成した場合、−ＮＲ1Ｒ2は、好ましくは５または６員環のヘテロ環基を構成する。より好ましくは、ピロリジン環基、ピロール環基、イミダゾール環基、ピリミジン環基、モルホリノ環基であり、さらに好ましくはモルホリノ環基であり、最も好ましくはモルホリノ環基である。
【００１３】
Ｒ3およびＲ4は、水素原子または置換基を表し、互いに同じでも異なっていてもよく環を形成してもよい。
これらの置換基としては、上記Ｒ1およびＲ2に示したものの他、以下のものが好ましい例として挙げられる。ハロゲン原子（例えば、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、ニトロ基、アルコキシ基（好ましくは、炭素数１〜１０の置換もしくは無置換のアルコキシ基で、例えば、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基）、アルキルチオ基（好ましくは、炭素数１〜１０の置換もしくは無置換のアルキルチオ基で、例えばメチルチオ基、エチルチオ基）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０の置換もしくは無置換のアリールチオ基で、例えば、フェニルチオ基、ｐ−クロロフェニルチオ基）、アシル基（好ましくは炭素数２〜１０の置換または無置換のアルキルカルボニル基、炭素数７〜２０の置換もしくは無置換のアリールカルボニル基であり、例えば、アセチル基、ピバロイル基、２−クロロアセチル基、ベンゾイル基）、カルバモイル基（好ましくは、炭素数１〜１０の置換もしくは無置換のカルバモイル基、例えば、カルバモイル基、Ｎ−メチルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル基）である。
最も好ましくはＲ3およびＲ4は、水素原子である。
【００１４】
Ｋは、置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のビフェニレン基および置換もしくは無置換のナフタレン基から選ばれる基を表す。ここで、ビフェニレン基とは、ビフェニルの２個の炭素から水素をそれぞれ１ずつ除いてできる２価の基をいい、ナフタレン基とは、ナフタレンの２個の炭素から水素をそれぞれ１ずつ除いてできる２価の基をいう。Ｋが有する置換基としては、ハロゲン原子、水酸基、炭素原子数が１〜２０の置換もしくは無置換のアルキル基、炭素原子数が３〜２０の置換もしくは無置換のアルケニル基、炭素原子数が１〜２０の置換もしくは無置換のアルコキシ基、炭素原子数が３〜２０の置換もしくは無置換のアルケニルオキシ基、炭素原子数が１〜２０の置換もしくは無置換のアルコキシカルボニル基を有するフェニレン基、ビフェニレン基およびナフタレン基から選ばれる基が好ましい例として挙げられる。
【００１５】
Ｌは単結合、炭素数１〜２０の置換もしくは無置換のアルキレン基または炭素数１〜２０の置換もしくは無置換のアルコキシレン基を表す（但し、アルキレン基およびアルコキシレン基が有する任意の１つまたは相隣接しない２つ以上のメチレン基（−ＣＨ2−）は、酸素原子によって置換されてもよい。）。また、アルキレン基およびアルコキシレン基のいずれにおいても、基中の任意の１つまたは相隣接しない２つ以上のメチレン基（−ＣＨ2−）は酸素原子によって置換されてもよい。好ましくは、Ｌは単結合、炭素数１〜１０の置換もしくは無置換のアルキレン基、炭素数１〜１０の置換もしくは無置換のアルコキシレン基である。さらに好ましくは、Ｌは単結合、炭素数１〜１０の置換もしくは無置換のアルコキシレン基である。ここで、アルコキシレン基とは、−ＯＲ−（Ｒはアルキレン基を表す）で表される基をいう。
【００１６】
ｊは１〜８の整数を表す。好ましくは、ｊは１〜３の整数である。
ｎは、１以上ｊ以下の整数を表す。好ましくは、ｎは１〜３の整数である。
カルボニル基に対して、Ｒ4とＫの位置関係により、シス体、トランス体の２種類が存在するが、特に制限を受けない。好ましくはカルボニル基に対してＫがトランス体の場合である。
【００１７】
次に、一般式（II）で表される化合物を詳細に説明する。
【化１０】
2006089454.tif 000011
【００１８】
Ｒ5およびＲ6は、置換もしくは無置換のアルキル基（好ましくは、メチル基）、置換もしくは無置換のフェニル基（好ましくは、フェニル基）または置換もしくは無置換の２級アミノ基（好ましくは、ジエチルアミノ基）を表し、互いに同じでも異なっていてもよい。好ましくは、同じ場合である。
一般式（II）で表される化合物は、例えば、下記一般式（VI）で表される化合物と金属アルコキシドを反応させて得られる。
【化１１】
2006089454.tif 000012
（上記式中、Ｒ5およびＲ6は、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のフェニル基または置換もしくは無置換の２級アミノ基を表し、互いに同じでも異なっていてもよい。）
ここで、式中、Ｒ5およびＲ6は、上記一般式（II）のそれらと同義であり、好ましい範囲も同義である。
金属アルコキシドを構成する金属としては、（ナトリウム、カリウム、リチウム）が好ましい例として挙げられ、ナトリウムおよび／またはカリウムがより好ましい。具体的には、金属アルコキシドは、ｔ−ブトキシナトリウムおよび／またはｔ−ブトキシカリウムが好ましい。
【００１９】
下記に一般式(II)で表される化合物の好ましい具体例(Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ)を以下に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【化１２】
2006089454.tif 000013
【００２０】
最も好ましくは（Ａ）である。
【００２１】
次に、一般式（III）で表されるシクロプロパンカルボン酸誘導体を詳細に説明する。
【化１３】
2006089454.tif 000014
（上記式中、Ｘは、置換もしくは無置換のアルコキシ基または−ＮＲ1Ｒ2を表し、Ｒ1およびＲ2は、水素原子または置換基を表し、互いに同じでも異なっていてもよく環を形成してもよい。Ｒ3およびＲ4は、水素原子または置換基を表し、互いに同じでも異なっていてもよく環を形成してもよい。Ｋは、置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のビフェニレン基および置換もしくは無置換のナフタレン基から選ばれる基を表す。Ｌは単結合、炭素数１〜２０の置換もしくは無置換のアルキレン基または炭素数１〜２０の置換もしくは無置換のアルコキシレン基を表す（但し、アルキレン基およびアルコキシレン基が有する任意の１つまたは相隣接しない２つ以上のメチレン基（−ＣＨ2−）は、酸素原子によって置換されてもよい。）。ｊは、１〜８の整数を表す。ｎは、１以上ｊ以下の整数を表す。）
上記Ｘ、Ｒ1〜Ｒ4、Ｋ、Ｌ、ｎおよびｊは、上記一般式（Ｉ）と同義であり、好ましい範囲も同義である。
【００２２】
一般式（III）で表されるシクロプロパンカルボン酸誘導体は、シクロプロパン環内に不斉炭素原子が２個存在するため、光学異性体が存在するが、特に制限を受けない。好ましくはカルボニル基とＫがシクロプロパン環に対してトランス体の場合である。
【００２３】
本発明において一般式（III）で表されるシクロプロパンカルボン酸誘導体のうち、好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２４】
【化１４】
2006089454.tif 000015
【００２５】
【化１５】
2006089454.tif 000016
【００２６】
【化１６】
2006089454.tif 000017
【００２７】
なお、以降の説明において、以上に示された例示化合物を引用する場合、それぞれの例示化合物に付された括弧書きの番号（ｘ）を用いて、「例示化合物（ｘ）」と表示することがある。
【００２８】
本発明の一般式（III）で表されるシクロプロパンカルボン酸誘導体の製造における溶媒としては、トルエン、ジクロロベンゼン、アセトニトリル、アセトン、テトラヒドロフラン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、クロロホルム、ジクロロメタンおよびベンゼン等を用いることができ、環境面を考慮すると、トルエン、ジクロロベンゼン、アセトニトリル、アセトン、テトラヒドロフラン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドおよびジメチルスルホキシドが好ましく、アセトニトリル、テトラヒドロフラン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドおよびジメチルスルホキシドがより好ましく、ジメチルスルホキシドが最も好ましい。
【００２９】
上記溶媒は単独で用いてもよいし、２種以上を混合して用いてもよい。溶媒の使用量としては、一般式（II）で表される化合物の１重量部当たり、好ましくは０．１〜１０００重量％、より好ましくは０．５〜１００重量％、さらに好ましくは１〜５０重量％の割合である。
【００３０】
本発明の一般式（III）で表されるシクロプロパンカルボン酸誘導体の製造における反応温度は、溶媒の還流温度までなら、特に制限はされないが、副生成物を抑えるため、１００℃以下が好ましい。反応終了は、ＮＭＲ、ＨＰＬＣ、ＴＬＣ、その他の方法によって確認することができる。
通常、上記反応に要する時間は、反応温度、溶媒などに左右されるが、概ね１〜５時間である。
【００３１】
次に一般式（IV）で表されるシクロプロパンカルボン酸化合物を詳細に説明する。
【化１７】
2006089454.tif 000018
【００３２】
（上記式中、Ｒ3およびＲ4は、水素原子または置換基を表し、互いに同じでも異なっていてもよく環を形成してもよい。Ｋは、置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のビフェニレン基および置換もしくは無置換のナフタレン基から選ばれる基を表す。Ｌは単結合、炭素数１〜２０の置換もしくは無置換のアルキレン基または炭素数１〜２０の置換もしくは無置換のアルコキシレン基を表す（但し、アルキレン基およびアルコキシレン基が有する任意の１つまたは相隣接しない２つ以上のメチレン基（−ＣＨ2−）は、酸素原子によって置換されてもよい。）。ｊは、１〜８の整数を表す。ｎは、１以上ｊ以下の整数を表す。）
ここで、式中、Ｒ3、Ｒ4、Ｋ、Ｌ、ｊ、ｎは上記一般式（I）のそれらと同義であり、好ましい範囲も同義である。
【００３３】
前記一般式（III）で示されるシクロプロパンカルボン酸誘導体を加水分解する方法に関して、酸性条件、塩基性条件いずれでも問題ないが、塩基性条件下で行うことが好ましい。
【００３４】
塩基として好ましくは炭酸塩、金属アルコキシドであり、さらに好ましくは炭酸カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムである。
【００３５】
前記一般式（III）で示されるシクロプロパンカルボン酸誘導体を加水分解する際に用いることのできる溶媒として、特に好ましくは水、テトラヒドロフラン、アルコールである。
【００３６】
上記溶媒は単独で用いてもよいし、２種以上を混合して用いてもよい。溶媒の使用量としては、一般式（II）で表される化合物の１重量部当たり、好ましくは０．１ 〜１０００重量％、より好ましくは０．５〜１００重量％、さらに好ましくは１〜５０重量％の割合である。
【００３７】
前記一般式（III）で示されるシクロプロパンカルボン酸誘導体を加水分解する際の反応温度は、溶媒の還流温度までなら、特に制限はされないが、反応を速やかに行うため、５０℃以上が好ましい。反応終了は、ＮＭＲ、ＨＰＬＣ、ＴＬＣ、その他の方法によって確認することができる。
【００３８】
通常、前記一般式（III）で示されるシクロプロパンカルボン酸誘導体を加水分解する際に要する時間は、反応温度、溶媒などに左右されるが、概ね１〜５時間である。
【００３９】
次に一般式（V）で表されるシクロプロパン酸化合物を詳細に説明する。
【化１８】
2006089454.tif 000019
【００４０】
式中、Ｋは、置換もしくは無置換のフェニレン基、置換もしくは無置換のビフェニレン基および置換もしくは無置換のナフタレン基から選ばれる基を表す。好ましい範囲は、上記一般式（Ｉ）におけるそれと同義であり、好ましい範囲も同義である。
【００４１】
Ｐは水素原子または末端が水酸基で置換された炭素原子数１〜２０のアルキル基（末端に水酸基を有する置換または無置換のアルキル基）を表す（但し、アルキル基が有する任意の１つまたは相隣接しない２つ以上のメチレン基（−ＣＨ2−）は、酸素原子によって置換されてもよい。）。
末端が水酸基で置換された炭素原子数１〜２０アルキル基は、水酸基以外の置換基を有していてもよいが、好ましくは、他の置換基を有していないものである。
Ｐの好ましい例としては、２−ヒドロキシエチル基、３−ヒドロキシプロピル基、４−ヒドロキシブチル基、５−ヒドロキシペンチル基、６−ヒドロキシへキシル基、２−ヒドロキシエトキシエチル基、３−ヒドロキシプロピロキシプロピル基などが挙げられる
【００４２】
本発明において一般式（V）で表されるシクロプロパン酸化合物のうち、好ましい具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００４３】
【化１９】
2006089454.tif 000020
【００４４】
【化２０】
2006089454.tif 000021
【００４５】
【化２１】
2006089454.tif 000022
【実施例】
【００４６】
以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り、適宜、変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例に限定されるものではない。
【００４７】
＜実施例１＞  例示化合物（３）の合成
例示化合物（３）は、下記に示すとおり合成した。
【化２２】
2006089454.tif 000023
【００４８】
テトラヒドロフラン１２００ｍｌに４−ヒドロキシ−シンナミック酸１０３g（０．６３ｍｏｌ）を加えた溶液に、氷冷下、ピバリン酸クロライド１７０ｍｌ（１．３８ｍｏｌ）を加え、さらに、Ｎ，Ｎ−ジイソプロピルエチルアミン３８５ｍｌ（２．２１ｍｏｌ）をゆっくりと滴下した。滴下後、室温まで昇温し３０分撹拌した後、再び氷冷した。モルホリン７２．３ｍｌ（０．８３ｍｏｌ）をゆっくりと滴下し、滴下終了後１時間撹拌した。酢酸エチルおよび水を加えて分液し、有機層を希塩酸水および飽和食塩水で洗浄した。該有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去したのち、メタノール２００ｍｌを加え、氷冷却した。ナトリウムメトキシドのメタノール２８％溶液（１５４．３g（０．８０ｍｏｌ））を滴下し、滴下終了後１時間撹拌した。粉砕した氷に反応系を流し込み、希塩酸で中和した。酢酸エチルおよび水を加えて分液し、有機層を希塩酸水および飽和食塩水で洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去した。酢酸エチルおよびヘキサン混合溶媒から晶析して１２２ｇの（Ａ−１）を得た。収率は８３％であった。
【００４９】
窒素雰囲気下、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド８００ｍｌに、上記（Ａ−１）１１７ｇ（０．５ｍｏｌ）を加えた溶液に、３−クロロプロパノ−ル７１ｇ（０．７５ｍｏｌ）、炭酸カリウム１０４ｇ（０．７５ｍｏｌ）を加え、８０℃にて２時間撹拌した。放冷後ろ過し、ろ液に酢酸エチルおよび水を加えて分液し、有機層を希塩酸水、飽和食塩水で洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し、シリカゲルカラムクロマトにて精製を行い、２５１ｇの（Ａ−２）を得た。収率は８６％であった。
【００５０】
水素化ナトリウム１．４４g（６０ｍｍｏｌ）とトリメチルスルホニウムヨ−ジド１２．２g（６０ｍｍｏｌ）を窒素雰囲気下にて撹拌し、ジメチルスルホキシド２００ｍｌをゆっくりと滴下した。１時間撹拌した後、ジメチルスルホキシド５０ｍｌに上記（Ａ−２）１１．７ｇ（４０ｍｍｏｌ）を加えた溶液を滴下した。系の温度を７０℃まで昇温し２時間撹拌した。放冷後、粉砕した氷に反応系を流し込み希塩酸で中和した。酢酸エチル、水を加えて分液し、有機層を希塩酸水、飽和食塩水で洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去した。シリカゲルカラムクロマトにて精製を行い、１１．０ｇの例示化合物（３）を得た。収率は９０％であった。
【００５１】
＜実施例２、３＞
例示化合物（４）および（５）は、実施例１において、３−クロロプロパノ−ルをそれぞれ２−クロロエタノール、５−クロロペンタノ−ルに変更した以外は、実施例１と同様な操作にて行い、例示化合物（４）（収率５４％（３Ｓｔｅｐｓ））、例示化合物（５）（収率４８％（３Ｓｔｅｐｓ））それぞれを得た。
【００５２】
＜実施例４＞
例示化合物（１５）は、下記に示すとおり合成した。
【化２３】
2006089454.tif 000024
【００５３】
水素化ナトリウム０．７２g（３０ｍｍｏｌ）とトリメチルスルホニウムヨ−ジド６．２g（３０ｍｍｏｌ）を窒素雰囲気下にて撹拌し、ジメチルスルホキシド１００ｍｌをゆっくりと滴下した。１時間撹拌した後、ジメチルスルホキシド２０ｍｌに、（Ｂ−１）６．２g（２０ｍｍｏｌ）を加えた溶液を滴下した。系の温度を７０℃まで昇温し２時間撹拌した。放冷後、粉砕した氷に反応系を流し込み希塩酸で中和した。酢酸エチルおよび水を加えて分液し、有機層を希塩酸水および飽和食塩水で洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去した。シリカゲルカラムクロマトにて精製を行い、５．２ｇの例示化合物（１５）を得た。収率は８１％であった。
【００５４】
＜実施例５＞  例示化合物（６）の合成
例示化合物（６）は、下記に示すとおり合成した。
【化２４】
2006089454.tif 000025
【００５５】
水素化ナトリウム１．４４g（６０ｍｍｏｌ）とトリメチルスルホニウムヨ−ジド１２．２g（６０ｍｍｏｌ）を窒素雰囲気下にて撹拌し、ジメチルスルホキシド２００ｍｌをゆっくりと滴下した。１時間撹拌した後、ジメチルスルホキシド１０ｍｌに、（Ａ−１）９．３g（４０ｍｍｏｌ）を加えた溶液を滴下した。系の温度を７０℃まで昇温し２時間撹拌した。放冷後、粉砕した氷に反応系を流し込み希塩酸で中和した。酢酸エチルおよび水を加えて分液し、有機層を希塩酸水、飽和食塩水で洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去した。シリカゲルカラムクロマトにて精製を行い、１２．２ｇの例示化合物（６）を得た。収率は８３％であった。
【００５６】
＜実施例６＞
例示化合物（２０）は、下記に示すとおり合成した。
【化２５】
2006089454.tif 000026
【００５７】
水素化ナトリウム０．４８g（２０ｍｍｏｌ）とトリメチルスルホニウムヨ−ジド４．１g（２０ｍｍｏｌ）を窒素雰囲気下にて撹拌し、ジメチルスルホキシド７０ｍｌをゆっくりと滴下した。１時間撹拌した後、ジメチルスルホキシド１０ｍｌに、（Ｂ−１）３．７g（１３ｍｍｏｌ）を加えた溶液を滴下した。系の温度を７０℃まで昇温し２時間撹拌した。放冷後、粉砕した氷に反応系を流し込み希塩酸で中和した。酢酸エチルおよび水を加えて分液し、有機層を希塩酸水および飽和食塩水で洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去した。シリカゲルカラムクロマトにて精製を行い、３．０ｇの例示化合物（２０）を得た。収率は７７％であった。
【００５８】
＜実施例７＞
例示化合物（３）は、下記に示すように合成した。
上記化合物（Ａ−２）１１．７ｇ（４０ｍｍｏｌ）、トリメチルスルホニウムヨ−ジド１２．２g（６０ｍｍｏｌ）、ジメチルスルホキシド２００ｍｌ溶液にt−ブトキシナトリウム５．８g（６０ｍｍｏｌ）を添加した。系の温度を８０℃まで昇温し５時間撹拌した。放冷後、粉砕した氷に反応系を流し込み希塩酸で中和した。酢酸エチル、水を加えて分液し、有機層を希塩酸水、飽和食塩水で洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去した。シリカゲルカラムクロマトにて精製を行い、９．５ｇの例示化合物（３）を得た。収率は７８％であった。
【００５９】
＜実施例８＞
例示化合物（２８）は、下記に示すとおりに合成した。
【化２６】
2006089454.tif 000027
【００６０】
パラブロモフェノール５２ｇ（０．３ｍｏｌ）、ｔ−ブチルアクリレート５５ｍｌ（０．３７５ｍｏｌ）をトリエチルアミン３００ｍｌに溶解した。該溶液に窒素雰囲気下、酢酸パラジウム０．６７ｇ（３ｍｍｏｌ）、トリオルトトリルフォスフィン３．６５ｇ（１２ｍｍｏｌ）を加え、９０℃まで加熱した。４時間撹拌したのち、酢酸エチル、水を加えて分液し、有機層を希塩酸水、飽和食塩水で洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去した。酢酸エチル、ヘキサン混合溶媒を溶離液とし、シリカゲルカラムクロマトにて精製し、５６．２ｇの化合物（Ｂ−１）を得た。収率は８５％であった。
【００６１】
窒素雰囲気下、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド１５０ｍｌに、上記（Ｂ−１）２２．０ｇ（０．１ｍｏｌ）を加えた溶液に、３−クロロプロパノ−ル１４．２ｇ（０．１５ｍｏｌ）、炭酸カリウム２１ｇ（０．１５ｍｏｌ）を加え、８０℃にて３時間撹拌した。放冷後ろ過し、ろ液に酢酸エチルおよび水を加えて分液し、有機層を希塩酸水、飽和食塩水で洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し、シリカゲルカラムクロマトにて精製を行い、２４．５ｇの（Ｂ−２）を得た。収率は８８％であった。
【００６２】
水素化ナトリウム１．４４ｇ（６０ｍｍｏｌ）とトリメチルスルホニウムヨ−ジド１２．２ｇ（６０ｍｍｏｌ）を窒素雰囲気下にて撹拌し、ジメチルスルホキシド２００ｍｌをゆっくりと滴下した。１時間撹拌した後、ジメチルスルホキシド５０ｍｌに上記（Ｂ−２）１１．１ｇ（４０ｍｍｏｌ）を加えた溶液を滴下した。系の温度を７０℃まで昇温し２時間撹拌した。放冷後、粉砕した氷に反応系を流し込み希塩酸で中和した。酢酸エチル、水を加えて分液し、有機層を希塩酸水、飽和食塩水で洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去した。シリカゲルカラムクロマトにて精製を行い、１０．２ｇの例示化合物（３）を得た。収率は８７％であった。
【００６３】
＜実施例９＞
例示化合物（２９）は、下記に示すように合成した。
上記化合物（Ｂ−２）１１．１ｇ（４０ｍｍｏｌ）、トリメチルスルホニウムヨ−ジド１２．２ｇ（６０ｍｍｏｌ）、ジメチルスルホキシド２００ｍｌ溶液にｔ−ブトキシナトリウム５．８ｇ（６０ｍｍｏｌ）を添加した。系の温度を５０℃まで昇温し３時間撹拌した。放冷後、粉砕した氷に反応系を流し込み希塩酸で中和した。酢酸エチル、水を加えて分液し、有機層を希塩酸水、飽和食塩水で洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去した。シリカゲルカラムクロマトにて精製を行い、８．６ｇの例示化合物（２９）を得た。収率は７３％であった。
【００６４】
＜実施例１０＞
例示化合物（５−１）は、下記に示すとおり合成した。
【化２７】
2006089454.tif 000028
【００６５】
例示化合物（３）９．２g（３０ｍｍｏｌ）のエチルアルコール溶液５０ｍｌに３Ｎ水酸化ナトリウム水溶液３０ｍｌ（９０ｍｍｏｌ）を加え、加熱還流下３時間撹拌した。放冷後、反応系を希塩酸で中和した。酢酸エチル、水を加えて分液し、有機層を希塩酸水、飽和食塩水で洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去した。酢酸エチル、ヘキサン混合溶媒から晶析し６．３ｇの例示化合物（５−１）を得た。収率は８９％であった。得られたＮＭＲスペクトルは下記の通りであった。
1Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＤＭＳＯ）：
δ１．２６（１Ｈ、ｍ）、１．３７（１Ｈ、ｍ）、１．７０（１Ｈ、ｍ）、１．８３（２Ｈ、ｔ、Ｊ＝６．４Ｈｚ）、２．３１（１Ｈ、ｍ）、３．５３（２Ｈ、ｂｓ）、３．９９（２Ｈ、ｍ）、４．５３（１Ｈ、ｂｓ）、６．８３（２Ｈ、ｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ）、７．０６（２Ｈ、ｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ）、１２．２０（１Ｈ、ｂｓ）。ｍ／Ｚ（ＰＯＳＩ）＝２３７。
【００６６】
＜実施例１１＞
【００６７】
例示化合物（５−１８）は、例示化合物（３）を例示化合物（２７）に変更する以外、実施例７と同様の条件で行い、例示化合物（５−１８）を得た。収率は９２％であった。得られたＮＭＲスペクトルは下記の通りであった。
1Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＤＭＳＯ）：
δ１．３６（１Ｈ、ｍ）、１．４５（１Ｈ、ｍ）、１．８３（１Ｈ、ｍ）、１．８９（２Ｈ、ｍ）、２．４１（１Ｈ、ｍ）、３．５８（２Ｈ、ｍ）、４．０８（２Ｈ、ｔ、Ｊ＝６．４Ｈｚ）、４．５５（１Ｈ、ｂｓ）、７．０１（２Ｈ、ｄ、Ｊ＝８．８Ｈｚ）、７．２１（２Ｈ、ｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ）、７．５２（２Ｈ、ｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ）、７．５７（２Ｈ、ｄ、Ｊ＝８．８Ｈｚ）、１２．３０（１Ｈ、ｂｓ）。ｍ／Ｚ（ＰＯＳＩ）＝３１３。
【００６８】
＜実施例１２＞
例示化合物（５−１９）は、例示化合物（３）を例示化合物（２８）に変更する以外、実施例７と同様の条件にて行い、例示化合物（５−１９）を得た。収率は８６％であった。得られたＮＭＲスペクトルは下記の通りであった。
1Ｈ  ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＤＭＳＯ）：
δ１．４６（１Ｈ、ｍ）、１．８２−１．９８（３Ｈ、ｍ）、２．５０−２．６０（１Ｈ、ｍ）、３．５９（２Ｈ、ｍ）、４．１３（２Ｈ、ｔ、Ｊ＝６．３Ｈｚ）、４．５８（１Ｈ、ｂｓ）、７．１３（１Ｈ、ｄ、ｄ、Ｊ＝２．４Ｈｚ、９．０Ｈｚ）、７．２５（１Ｈ、ｄ、ｄ、Ｊ＝２．４Ｈｚ、９．０Ｈｚ）、７．２６（１Ｈ、ｓ）、７．６２（１Ｈ、ｓ）、７．７２（２Ｈ、ｄ、ｄ、Ｊ＝２．４Ｈｚ、９．０Ｈｚ）、１２．３０（１Ｈ、ｂｓ）。ｍ／Ｚ（ＰＯＳＩ）＝２８７。
【００６９】
＜実施例１３＞
例示化合物（５−４）は、下記に示すとおり合成した。
【化２８】
2006089454.tif 000029
【００７０】
例示化合物（６）１２．４g（５０ｍｍｏｌ）のエチルアルコール溶液１５０ｍｌに窒素雰囲気下、３Ｎ水酸化ナトリウム水溶液５０ｍｌ（１５０ｍｍｏｌ）を加え、加熱還流下３時間撹拌した。放冷後、反応系を希塩酸で中和した。酢酸エチル、水を加えて分液し、有機層を希塩酸水、飽和食塩水で洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去した。酢酸エチルおよびヘキサンの混合溶媒から晶析し７．５ｇの例示化合物（５−４）を得た。収率は８４％であった。得られたＮＭＲスペクトルは下記の通りであった。
1Ｈ  ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＤＭＳＯ）：
δ１．２３（１Ｈ、ｍ）、１．３４（１Ｈ、ｍ）、１．６５（１Ｈ、ｍ）、２．２８（１Ｈ、ｍ）、６．６６（２Ｈ、ｄ、ｄ、Ｊ＝１．５Ｈｚ、５．１Ｈｚ）、６．９５（２Ｈ、ｄ、ｄ、Ｊ＝１．５Ｈｚ、５．１Ｈｚ）、９．２５（１Ｈ、ｂｓ）、１２．２０（１Ｈ、ｂｓ）。ｍ／Ｚ（ＰＯＳＩ）＝１７９。
【００７１】
＜実施例１４＞
例示化合物（５−１１）は、例示化合物（６）を例示化合物（１５）に変更する以外、実施例１０と同様の条件にて行い、例示化合物（５−１１）を得た。収率は８２％であった。得られたＮＭＲスペクトルは下記の通りであった。
1Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＤＭＳＯ）：
δ１．３７（１Ｈ、ｍ）、１．４４（１Ｈ、ｍ）、１．８１（１Ｈ、ｍ）、２．３９（１Ｈ、ｍ）、６．８３（２Ｈ、ｄ、Ｊ＝８．８Ｈｚ）、７．１９（２Ｈ、ｄ、Ｊ＝８．４Ｈｚ）、７．４４−７．４９（４Ｈ、ｍ）、９．５１（１Ｈ、ｂｓ）、１２．２５（１Ｈ、ｂｓ）。ｍ／Ｚ（ＰＯＳＩ）＝２５５。
【００７２】
＜実施例１５＞
例示化合物（５−１２）は、例示化合物（６）を例示化合物（２０）に変更する以外、実施例７と同様の条件にて例示化合物（５−１２）を得た。収率は９０％であった。得られたＮＭＲスペクトルは下記の通りであった。
1Ｈ  ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＤＭＳＯ）：
δ１．４０−１．４８（２Ｈ、ｍ）、１．８４（１Ｈ、ｍ）、２．５０−２．６０（１Ｈ、ｍ）、７．０５（１Ｈ、ｄ、Ｊ＝８．７Ｈｚ）、７．０７（１Ｈ、ｓ）、７．１８（１Ｈ、ｄ、Ｊ＝８．７Ｈｚ）、７．５７（１Ｈ、ｓ）、７．６０（１Ｈ、ｄ、Ｊ＝８．７Ｈｚ）、７．６７（１Ｈ、ｄ、Ｊ＝８．７Ｈｚ）、９．６５（１Ｈ、ｂｓ）、１２．３０（１Ｈ、ｂｓ）。ｍ／Ｚ（ＰＯＳＩ）＝２２９。
【００７３】
本発明のシクロプロピルカルボニルアミド誘導体およびシクロプロパンカルボン酸誘導体の中間体及び／又は原料として用いた液晶材料（電子材料等）への応用について以下に参考例として説明する。
【００７４】
＜参考例１＞
円盤状液晶化合物（a）を、下記のルートにより合成した。
【化２９】
2006089454.tif 000030
【００７５】
例示化合物（５−２）７．４ｇ（３３．２ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン１００ｍｌ溶液に、アクリル酸クロライド３．２４ｍｌ（４０ｍｍｏｌ）、ジメチルアニリン５．０６ｍｌ（４０ｍｍｏｌ）、ニトロベンゼン０．３ｍｌを加え、内温６０℃にて３時間攪拌した。放冷後、酢酸エチル及び飽和食塩水を加えて分液し、有機相を希塩酸水、飽和食塩水で洗浄した。有機相を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し残渣にＮ，Ｎ’−ジメチルアセトアミド１００ｍｌ、トリエチルアミン５．６ｍｌ（４０ｍｍｏｌ）を加えて内温６０℃にて２時間攪拌した。放冷後、酢酸エチル及び飽和食塩水を加えて分液し、有機相を希塩酸水、飽和食塩水で洗浄した。有機相を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し、酢酸エチルとヘキサン混合溶媒から晶斥し、７．２ｇ（収率７８％）の（ａ−１）を得た。
【００７６】
窒素雰囲気下、（ａ−１）４．１g（１４．８ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液１００ｍｌに、氷冷下にてメタンスルホニルクロライド１．１５ｍｌg（１４．８ｍｍｏｌ）を添加し、エチルジイソプロピルアミン２．５８ｍｌ(１４．８ｍｍｏｌ)をゆっくり滴下した。滴下後室温まで昇温させ３０分撹拌させた。ＴＬＣにて反応を確認後、氷冷し、２，３，６，７，１０，１１−ヘキサヒドロキシトリフェニレンの１水和物０．６３ｇ（１．８５ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液５０ｍｌを添加し、さらにエチルジイソプロピルアミン２．１３ｍｌ(１２．２５ｍｍｏｌ)をゆっくり滴下した。滴下終了後、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジンを触媒量加え、そのまま室温まで昇温し３時間撹拌した。酢酸エチル及び飽和食塩水を加えて分液し、有機相を希塩酸水、飽和食塩水で洗浄した。有機相を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより、ジクロロメタン及びメタノール混合溶媒を溶離液として用いて精製した。氷冷したメタノールから晶斥し、２．８ｇ（収率８２％）の円盤状液晶化合物（ａ）を得た。
【００７７】
円盤状液晶化合物（ａ）
1Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）δ１．３０−１．４５（６Ｈ、ｍ）、１．７０−１．８５（６Ｈ、ｍ）、２．０５−２．２０（６Ｈ、ｍ）、２．６５−２．８０（６Ｈ、ｍ）、４．１９（１２Ｈ、ｔ、Ｊ＝６．４Ｈｚ）、４．５２（１２Ｈ、ｔ、Ｊ＝６．４Ｈｚ）、５．８７（６Ｈ、ｄ，Ｊ＝１０．４Ｈｚ）、６．１７（６Ｈ、ｄ，ｄ，Ｊ＝１０．４Ｈｚ、１７．２Ｈｚ）、６．４６（６Ｈ、ｄ，Ｊ＝１７．２Ｈｚ）、６．８３（１２Ｈ、ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ）、７．０３（６Ｈ、ｄ、Ｊ＝８．０Ｈｚ）、７．０６（６Ｈ、ｄ、Ｊ＝８．０Ｈｚ）、８．２４（６Ｈ、ｓ）；マススペクトル（Ｍ＋Ｎａ）／（ＰＯＳＩ）＝１８９６。；相転移温度：Ｃｒｙ  ７０℃  ＮD  １２７℃  Ｉｓｏ
【００７８】
＜参考例２＞
参考例１の例示化合物（５−２）を例示化合物（５−１）に変更した以外は、参考例１と同様な方法にて、円盤状液晶化合物（ｂ）を合成した。
【００７９】
【化３０】
2006089454.tif 000031
【００８０】
円盤状液晶化合物（ｂ）
1Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）δ１．３０−１．４５（６Ｈ、ｍ）、１．７０−１．８５（６Ｈ、ｍ）、２．０５−２．２０（１８Ｈ、ｍ）、２．６５−２．８０（６Ｈ、ｍ）、４．０４（１２Ｈ、ｔ、Ｊ＝７．２Ｈｚ）、４．３７（１２Ｈ、ｔ、Ｊ＝６．４Ｈｚ）、５．８４（６Ｈ、ｄ，Ｊ＝１０．４Ｈｚ）、６．１３（６Ｈ、ｄ，ｄ，Ｊ＝１０．４Ｈｚ、１７．２Ｈｚ）、６．４２（６Ｈ、ｄ，Ｊ＝１７．２Ｈｚ）、６．８１（１２Ｈ、ｄ，Ｊ＝８．０Ｈｚ）、７．０１（６Ｈ、ｄ、Ｊ＝８．０Ｈｚ）、７．０５（６Ｈ、ｄ、Ｊ＝８．０Ｈｚ）、８．１９（６Ｈ、ｓ）；マススペクトル（Ｍ＋Ｎａ）／（ＰＯＳＩ）＝１９８０。；相転移温度：Ｃｒｙ  ６５℃  ＮD  １４７℃  Ｉｓｏ
【００８１】
＜参考例３＞
円盤状液晶化合物（ｃ）を、下記のルートにより合成した。
【化３１】
2006089454.tif 000032
【００８２】
例示化合物（５−４）７．３ｇ（４１ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン１００ｍｌ溶液にアクリル酸クロライド７．１ｍｌ（８７ｍｍｏｌ）を加え、０℃にて、エチルジイソプロピルアミン１５．２ｍｌ(８７ｍｍｏｌ)をゆっくり滴下した。滴下終了後、１時間攪拌した後、ピリジン１０ｍｌ、水１０ｍｌを加え室温にて１時間攪拌した。酢酸エチル及び希塩酸水を加えて分液し、有機相を飽和食塩水で洗浄した。有機相を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し、酢酸エチル及びヘキサン混合溶媒から晶斥して、７．０ｇ（収率７４％）の（Ｃ−１）を得た。
【００８３】
窒素雰囲気下、（Ｃ−１）２．３２ｇ（１０ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液４０ｍｌに、氷冷下にてメタンスルホニルクロライド０．７７ｍｌ（１０ｍｍｏｌ）を添加し、エチルジイソプロピルアミン１．７４ｍｌ(１０ｍｍｏｌ)をゆっくり滴下した。滴下後室温まで昇温させ３０分撹拌させた。ＴＬＣにて反応を確認後、氷冷し、２，３，６，７，１０，１１−ヘキサヒドロキシトリフェニレンの１水和物０．４３ｇ（１．２５ｍｍｏｌ）のテトラヒドロフラン溶液４０ｍｌを添加し、さらにエチルジイソプロピルアミン１．５２ｍｌ(８．７５ｍｍｏｌ)をゆっくり滴下した。滴下終了後、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノピリジンを触媒量加え、そのまま室温まで昇温し３時間撹拌した。酢酸エチル及び飽和食塩水を加えて分液し、有機相を希塩酸水、飽和食塩水で洗浄した。有機相を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより、ジクロロメタン及びメタノール混合溶媒を溶離液として用いて精製した。氷冷したメタノールから晶斥し、１．６ｇ（収率８１％）の円盤状液晶化合物（ｃ）を得た。
【００８４】
円盤状液晶化合物（ｃ）
1Ｈ  ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ3）δ１．３５−１．５０（６Ｈ、ｍ）、１．７０−１．９０（６Ｈ、ｍ）、２．１０−２．２０（６Ｈ、ｍ）、２．７０−２．８５（６Ｈ、ｍ）、６．０２（６Ｈ、ｄ，Ｊ＝１０．４Ｈｚ）、６．３３（６Ｈ、ｄ，ｄ，Ｊ＝１０．４Ｈｚ、１７．２Ｈｚ）、６．６１（６Ｈ、ｄ，Ｊ＝１７．２Ｈｚ）、７．００−７．２０（２４Ｈ、ｍ）、８．２１（６Ｈ、ｓ）；マススペクトル（Ｍ＋Ｎａ）／（ＰＯＳＩ）＝１６３２。；相転移温度：Ｃｒｙ  ９５℃  Ｃｏｌ  １１４℃  ＮD  １６０℃  Ｉｓｏ
【産業上の利用可能性】
【００８５】
上記参考例１、２、３より、本発明の例示化合物を用いることで屈折率異方性の波長依存性が小さい円盤状液晶化合物が合成できる。