(57)【要約】【課題】  氷の微粒子を含む処理液を基板の表面へ供給して基板の処理を行う場合に、基板上に形成された被膜にダメージを与えることがなく、基板の一連の洗浄処理において有機物汚染の除去工程を省略することも可能である装置を提供する。【解決手段】  基板Ｗを支持する手段と、基板Ｗの主面へ処理液を供給するノズル１２と、ノズル１２に接続されノズル１２へ過酸化水素を含有する氷の微粒子を含む処理液を送給する配管１６とを備えて装置を構成した。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の主面へ処理液を供給して基板を処理する基板処理方法において、
過酸化水素を含有する氷の微粒子を含む処理液を基板の主面へ供給することを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理方法において、
基板を支持して水平方向へ搬送しつつ、過酸化水素を含有する氷の微粒子を含む処理液を基板の主面へ供給し、その処理液を基板の主面上で掻き混ぜ部材によって掻き混ぜることを特徴とする基板処理方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の基板処理方法において、基板の処理が洗浄処理であることを特徴とする基板処理方法。
【請求項４】
基板の主面へ処理液を供給して基板を処理する基板処理装置において、
基板を支持する基板支持手段と、
この基板支持手段によって支持された基板の主面へ、過酸化水素を含有する氷の微粒子を含む処理液を供給する処理液供給手段と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項４に記載の基板処理装置において、
前記処理液供給手段が、所定濃度の過酸化水素水を冷却して過酸化水素を含有する氷の微粒子を含む処理液を調製する処理液調製手段を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項５に記載の基板処理装置において、
前記処理液調製手段が、過酸化水素と純水とを所定の割合で混合して前記所定濃度の過酸化水素水を調合する過酸化水素水調合手段を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項４ないし請求項６のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記基板支持手段が、基板を支持して水平方向へ搬送する基板搬送手段であり、前記処理液供給手段により、前記基板搬送手段によって搬送される基板の主面へ過酸化水素を含有する氷の微粒子を含む処理液が供給され、基板の主面上で過酸化水素を含有する氷の微粒子を含む処理液を掻き混ぜる掻き混ぜ部材をさらに備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項４ないし請求項７のいずれかに記載の基板処理装置において、基板の処理が洗浄処理であることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置（ＬＣＤ）用ガラス基板、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）用ガラス基板、プリント基板、電子デバイス基板等の基板の主面へ氷の微粒子を含む処理液を供給して、基板の洗浄等の処理を行う基板処理方法、および、その方法を実施するために使用される基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、ＬＣＤ、ＰＤＰ等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の製造装置における基板の洗浄は、エキシマレーザのＵＶ照射による有機物汚染の除去→ロールブラシを使用したスクラブ洗浄による１μｍ以上の汚染物質の除去→置換洗浄による薬液洗浄後の薬液の除去→２流体洗浄による精密洗浄→最終水洗による仕上げ洗浄といったような一連の工程で行われる。また、近年では、ロールブラシ洗浄に代えて、液体中に氷の微粒子が分散してシャーベット状の懸濁液となった状態の氷スラリーを調製し、ノズルから氷スラリーを基板の表面へ噴射し氷の微粒子を基板に衝突させて基板を洗浄する、といった洗浄方法も提案され実施されている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特許第３３８００２１号公報（第３頁、図１および図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
氷スラリーを用いた洗浄方法は、ノズルから氷スラリーを基板の表面へ噴射し氷の微粒子を基板に衝突させて氷の微粒子で基板の表面を擦るものであり、洗浄効果を高めるためには、氷スラリーを加圧してノズルから或る程度の圧力で氷スラリーを噴出させる必要がある。ところが、微小な氷粒とは言え固形物を含んだ液体を基板表面の広範囲にわたって均一に分散させることは極めて困難であり、このため、氷スラリーを加圧してノズルから噴出させた際に、基板の表面上の位置によって氷スラリーが基板の表面に衝突するときのエネルギにむらを生じる。特に、近年におけるように基板が大型化すると、基板表面のより広範囲にわたって氷スラリーを拡散させるためには、ノズルからの氷スラリーの吐出圧力を高める必要があるため、氷スラリーをノズルから吐出して基板表面へ均一に分散させることは益々困難となり、氷スラリーが基板の表面に衝突するときのエネルギむらが大きくなる。そして、例えばＬＣＤの製造では、液晶パターン用の金属膜は、アルミニウム（Ａｌ）＋モリブデン（Ｍｏ）などのように物理的に軟らかい金属材料で形成されており、一方、氷スラリー中に含まれる氷粒は或る程度の硬さを有している。このため、氷の微粒子と基板表面との衝突エネルギのむらにより、金属膜が部分的にダメージを受ける、といった問題点がある。さらに、氷スラリーを用いた洗浄方法は、飽く迄もロールブラシ洗浄の代替技術として実施されるものであって、その前段においてＵＶ照射等による有機物汚染の除去工程を行う必要がある。
【０００４】
この発明は、以上のような事情に鑑みてなされたものであり、氷の微粒子を含む処理液を基板の表面へ供給して基板の洗浄等の処理を行う場合において、基板上に形成された金属膜等の被膜にダメージを与えることがなく、また、基板の有機物汚染の程度がそれほど大きくない場合などには、基板の一連の洗浄処理において有機物汚染の除去工程を省略することも可能である基板処理方法、および、その方法を好適に実施することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
請求項１に係る発明は、基板の主面へ処理液を供給して基板を処理する基板処理方法において、過酸化水素を含有する氷の微粒子を含む処理液を基板の主面へ供給することを特徴とする。
【０００６】
請求項２に係る発明は、請求項１に記載の基板処理方法において、基板を支持して水平方向へ搬送しつつ、過酸化水素を含有する氷の微粒子を含む処理液を基板の主面へ供給し、その処理液を基板の主面上で掻き混ぜ部材によって掻き混ぜることを特徴とする。
【０００７】
請求項３に係る発明は、請求項１または請求項２に記載の基板処理方法において、基板の処理が洗浄処理であることを特徴とする。
【０００８】
請求項４に係る発明は、基板の主面へ処理液を供給して基板を処理する基板処理装置において、基板を支持する基板支持手段と、この基板支持手段によって支持された基板の主面へ、過酸化水素を含有する氷の微粒子を含む処理液を供給する処理液供給手段とを備えたことを特徴とする。
【０００９】
請求項５に係る発明は、請求項４に記載の基板処理装置において、 前記処理液供給手段が、所定濃度の過酸化水素水を冷却して過酸化水素を含有する氷の微粒子を含む処理液を調製する処理液調製手段を備えたことを特徴とする。
【００１０】
請求項６に係る発明は、請求項５に記載の基板処理装置において、前記処理液調製手段が、過酸化水素と純水とを所定の割合で混合して前記所定濃度の過酸化水素水を調合する過酸化水素水調合手段を備えたことを特徴とする。
【００１１】
請求項７に係る発明は、請求項４ないし請求項６のいずれかに記載の基板処理装置において、前記基板支持手段が、基板を支持して水平方向へ搬送する基板搬送手段であり、前記処理液供給手段により、前記基板搬送手段によって搬送される基板の主面へ過酸化水素を含有する氷の微粒子を含む処理液が供給され、基板の主面上で過酸化水素を含有する氷の微粒子を含む処理液を掻き混ぜる掻き混ぜ部材をさらに備えたことを特徴とする。
【００１２】
請求項８に係る発明は、請求項４ないし請求項７のいずれかに記載の基板処理装置において、基板の処理が洗浄処理であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
請求項１に係る発明の基板処理方法においては、氷の微粒子を含む処理液が基板の主面へ供給されることにより、例えば洗浄処理では、基板表面の凹部などに存在するパーティクル等の汚染物質が氷の微粒子によって掻き出され、汚染物質が処理液と共に基板の主面上から流出して除去される。この場合において、氷の微粒子は、過酸化水素を含有しているので、純水のみを冷却して製造される氷の微粒子に比べて軟らかい。このため、例えば氷の微粒子を含む処理液を加圧してノズルから噴出させた際に、基板の表面上の位置によって氷の微粒子が基板の表面に衝突するときのエネルギに多少のむらがあっても、例えば液晶パターン用の金属膜が部分的にダメージを受ける、といったことが防止される。また、近年においては、ＦＰＤ等の製造メーカに供給されるガラス基板等の有機物汚染の程度が少なくなっているが、基板の主面へ供給される処理液中の氷の微粒子に過酸化水素が含有されているので、その過酸化水素の酸化作用により基板上の有機物が分解されて除去される。
したがって、請求項１に係る発明の基板処理方法によると、基板上に形成された金属膜等の被膜にダメージを与えることがなく、また、基板の有機物汚染の程度がそれほど大きくない場合などには、基板の一連の洗浄処理において有機物汚染の除去工程を省略することができる。
【００１４】
請求項２に係る発明の基板処理方法によると、例えば洗浄処理では、氷の微粒子が基板の主面に衝突する力によって汚染物質が基板上から除去されるのではなく、基板の主面へ供給された氷の微粒子を含む処理液が基板の主面上で掻き混ぜ部材によって掻き混ぜられることにより汚染物質が基板上から除去されるので、氷の微粒子を含む処理液を加圧してノズルから噴出させる必要が無い。
したがって、請求項２に係る発明の基板処理方法では、氷の微粒子を含む処理液が基板の表面に衝突するときのエネルギむらによって処理むらを生じる、といった可能性が無くなり、均一な基板処理を行うことができ、また、基板上に形成された金属膜等の被膜にダメージを与える、といったこともより確実に防止することができる。
【００１５】
請求項３に係る発明の基板処理方法では、氷の微粒子を含む処理液が基板の主面へ供給されることにより、基板表面の凹部などに存在するパーティクル等の汚染物質が基板の主面上から除去される。また、基板の主面へ供給される処理液中の氷の微粒子に含有されている過酸化水素の酸化作用により、基板上の有機物が分解されて除去される。
【００１６】
請求項４に係る発明の基板処理装置においては、処理液供給手段によって氷の微粒子を含む処理液が基板の主面へ供給されることにより、例えば洗浄処理では、基板表面の凹部などに存在するパーティクル等の汚染物質が氷の微粒子によって掻き出され、汚染物質が処理液と共に基板の主面上から流出して除去される。この際に処理液供給手段によって基板の主面へ供給される処理液中の氷の微粒子は、過酸化水素を含有しているので、純水のみを冷却して製造される氷の微粒子に比べて軟らかい。このため、例えば氷の微粒子を含む処理液を加圧してノズルから噴出させた際に、基板の表面上の位置によって氷の微粒子が基板の表面に衝突するときのエネルギに多少のむらがあっても、例えば液晶パターン用の金属膜が部分的にダメージを受ける、といったことが防止される。また、基板の主面へ供給される処理液中の氷の微粒子に過酸化水素が含有されているので、その過酸化水素の酸化作用により基板上の有機物が分解されて除去される。
したがって、請求項４に係る発明の基板処理装置を使用すると、基板上に形成された金属膜等の被膜にダメージを与えることがなく、また、基板の有機物汚染の程度がそれほど大きくない場合などには、基板の一連の洗浄処理において有機物汚染の除去工程を省略することができる。
【００１７】
請求項５に係る発明の基板処理装置では、処理液供給手段において、処理液調製手段により所定濃度の過酸化水素水が冷却されて過酸化水素を含有する氷の微粒子を含む処理液が調製される。
【００１８】
請求項６に係る発明の基板処理装置では、処理液調製手段において、過酸化水素水調合手段により過酸化水素と純水とが所定の割合で混合されて所定濃度の過酸化水素水が調合される。
【００１９】
請求項７に係る発明の基板処理装置では、例えば洗浄処理では、氷の微粒子が基板の主面に衝突する力によって汚染物質が基板上から除去されるのではなく、基板の主面へ供給された氷の微粒子を含む処理液が基板の主面上で掻き混ぜ部材によって掻き混ぜられることにより汚染物質が基板上から除去されるので、氷の微粒子を含む処理液を加圧してノズルから噴出させる必要が無い。
したがって、請求項７に係る発明の基板処理装置を使用すると、氷の微粒子を含む処理液が基板の表面に衝突するときのエネルギむらによって処理むらを生じる、といった可能性が無くなり、均一な基板処理を行うことができ、また、基板上に形成された金属膜等の被膜にダメージを与える、といったこともより確実に防止することができる。
【００２０】
請求項８に係る発明の基板処理装置では、氷の微粒子を含む処理液が基板の主面へ供給されることにより、基板表面の凹部などに存在するパーティクル等の汚染物質が基板の主面上から除去される。また、基板の主面へ供給される処理液中の氷の微粒子に含有されている過酸化水素の酸化作用により、基板上の有機物が分解されて除去される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、この発明の最良の実施形態について図面を参照しながら説明する。
図１ないし図４は、この発明の実施形態の１例を示し、図１は、基板処理装置、この例では基板洗浄装置の概略構成を示す要部斜視図であり、図２は、その正面図であり、図３は、その側面図であり、図４は、この基板洗浄装置の構成要素の１つである製氷・送液部の構成を示す概略断面図である。
【００２２】
この基板洗浄装置は、互いに平行に並設された複数の搬送ローラ１０から構成され基板Ｗを傾斜姿勢に支持してその傾斜方向と直交する方向でかつ水平方向へ基板Ｗを搬送するローラコンベア（図１および図３には図示を省略）、このローラコンベアによって搬送される基板Ｗの主面へ、過酸化水素を含有する氷の微粒子を含む処理液（以下、「氷スラリー」という）を供給するノズル１２、および、基板Ｗの主面上で氷スラリーを掻き混ぜる平面ブラシ１４を備えて構成されている。ノズル１２は、基板Ｗの、その搬送方向と直交する幅方向の寸法とほぼ同等の長さを有し、基板Ｗの直上位置に、基板搬送方向と交叉するようにかつ基板Ｗの傾斜に沿うように配設されている。ノズル１２の下端面には、その長手方向にスリット状流出口が形設されており、そのスリット状流出口から氷スラリーがほとんど加圧されていない状態で流出するようになっている。このノズル１２には、その内部に形成された流路に連通するように配管１６が接続されており、ノズル１２は、その配管１６を通して後述する製氷・送液部２０（図４参照）に流路接続されている。
【００２３】
平面ブラシ１４は、ノズル１２の設置位置より基板搬送方向における前方側にかつノズル１２の近くに設置されており、その下面にモヘア、ナイロンなどの毛１８が平面状に植設されている。この平面ブラシ１４は、基板Ｗの幅方向の寸法とほぼ同等の長さを有し、基板Ｗの直上位置に、基板搬送方向と交叉するようにかつ基板Ｗの傾斜に沿うように配設されている。また、図示を省略しているが、平面ブラシ１４は、毛１８の先端が基板Ｗの主面に接触もしくは近接するように支持・移動機構に支持され、支持・移動機構によって長手方向へ基板Ｗの全幅にわたり往復移動させられるようになっている。
【００２４】
氷スラリーを調製してノズル１２へ送る製氷・送液部２０は、図４に示すように、二重壁構造に形成されて円筒状の内周壁面を有し過酸化水素水供給口２４および氷スラリー排出口２６が形設された容器２２を備えている。容器２２の氷スラリー排出口２６は、ノズル１２に流路接続された氷スラリー送液用の配管１６に連通して接続されている。容器２２の過酸化水素水供給口２４は、過酸化水素水供給用配管２８に連通して接続されており、過酸化水素水供給用配管２８の端部は、調合槽３０の内部に挿入されている。また、過酸化水素水供給用配管２８には、ポンプ３２、フィルタ３４および開閉弁３６がそれぞれ介挿して設けられている。調合槽３０には、純水供給源に流路接続された純水供給管３８の供給口、および、過酸化水素の供給タンク（図示せず）に流路接続された過酸化水素供給管４０の供給口がそれぞれ連通接続されている。純水供給管３８には、開閉制御弁４２および流量調整弁４４がそれぞれ介挿して設けられており、また、過酸化水素供給管４０には、開閉制御弁４６および流量調整弁４８がそれぞれ介挿して設けられている。
【００２５】
容器２２の内壁と外壁との間の空間には、不凍液５０が充填されている。不凍液５０は、容器２２の二重壁内とチラー（冷却装置）５２との間で循環させられており、チラー５２によって過酸化水素水の凝固点以下の温度に冷却され、容器２２の内周壁面が凝固点以下の温度に冷却保持されている。容器２２の内部には、その軸心位置に回転支軸５４が挿通されており、回転支軸５４にスクリュー刃５６が固着されている。回転支軸５４は、容器２２の外部に延設された端部がモータ５８の回転軸に連結されている。スクリュー刃５６は、容器２２の内周壁面に近接する外周刃先を有している。そして、モータ５８によって回転支軸５４が回転させられることにより、スクリュー刃５６は、外周刃先を容器２２の内周壁面に近接させながら回転するようになっている。
【００２６】
この製氷・送液部２０においては、純水供給管３８に設けられた開閉制御弁４２および過酸化水素供給管４０に設けられた開閉制御弁４６をそれぞれ制御することにより、純水供給管３８を通して調合槽３０内へ供給される純水と過酸化水素供給管４０を通して調合槽３０内へ供給される過酸化水素とが、調合槽３０内において所定の割合で混合されて所定濃度、例えば５％もしくはそれ以下、好ましくは１％前後の過酸化水素水が調合される。調合槽３０内において調合された所定濃度の過酸化水素水は、ポンプ３２により過酸化水素水供給用配管２８を通して容器２２の過酸化水素水供給口２４へ供給される。所定濃度の過酸化水素水が過酸化水素水供給口２４を通って容器２２内へ流入すると、その所定濃度の過酸化水素水の一部が容器２２の内周壁面で冷却されて氷結し、容器２２の内周壁面に析出し成長した氷結晶が、スクリュー刃５６の外周刃先によって掻き取られる。そして、容器２２の内周壁面から掻き取られた氷結晶は、処理液中に拡散して、氷スラリーが調製される。このとき製造される氷スラリー中の氷の微粒子には過酸化水素が含有されている。また、氷スラリー中の氷の微粒子は、例えば１μｍ〜２００μｍ程度の粒径であり、洗浄しようとする基板Ｗの表面に形成されたパターンの線幅や溝幅に応じて、容器２２の内周壁面における冷却温度、スクリュー刃５６の回転速度、容器２２内への過酸化水素水の供給流量等の条件を適宜設定することにより、氷の微粒子の粒径を調節するようにすればよい。容器２２の内部で調製された氷スラリーは、スクリュー刃５６の螺旋的回転運動による推進力を得て、容器２２内から氷スラリー排出口２６を通して排出され、配管１６を通ってノズル１２へ送られる。そして、この製氷・送液部２０によると、脈動の無い静かな氷スラリーの移送が可能となる。また、この製氷・送液部２０は、それほど設置スペースを必要とせず、ノズル１２の近傍に設置することが可能であり、その分、配管１６の長さも短くすることができる。
【００２７】
上記した構成を有する基板洗浄装置においては、製氷・送液部２０で調製されてノズル１２へ送られた氷スラリーは、特に加圧されることなくノズル１２のスリット状流出口から流出して、ローラコンベアによって傾斜姿勢で水平方向へ搬送される基板Ｗの主面へ供給される。基板Ｗの主面へ供給された氷スラリーは、基板Ｗの傾斜に沿って流下しながら、基板搬送方向と交叉する方向へ往復移動する平面ブラシ１４によって基板Ｗの主面上で掻き混ぜられ、基板Ｗの低位置側の端縁から自然に流出する。この際、氷スラリーが平面ブラシ１４によって基板Ｗの主面上で掻き混ぜられることにより、基板Ｗの表面の凹部などに存在するパーティクル等の汚染物質が氷スラリー中の氷の微粒子によって掻き出され、汚染物質が氷スラリーおよびその融解水と共に基板Ｗの主面上から流出して除去される。また、氷スラリー中の氷の微粒子には過酸化水素が含有されているので、その過酸化水素の酸化作用により基板Ｗ上の有機物が分解されて除去される。さらに、氷スラリー中の氷の微粒子は過酸化水素を含有していて比較的軟らかいため、平面ブラシ１４の揺動速度（平面ブラシ１４に代えてロールブラシを用いる場合は回転速度）をより大きくすることができ、平面ブラシ１４による洗浄性能をより高めることができる。また、平面ブラシ１４の毛１８が常に過酸化水素水と接触することになるので、平面ブラシ１４でのバクテリアの発生を抑制することもできる。基板Ｗの主面上から流下した廃液中には過酸化水素が含まれるが、廃液中に含まれる過酸化水素は、雰囲気の排気を行いながら所定時間だけ廃液を放置すれば蒸発するので、通常の水として再使用することが可能である。
【００２８】
なお、この装置では、上記したように氷スラリーを加圧することなくノズル１２から基板Ｗの主面へ供給すればよいが、氷スラリーを加圧してノズル１２から基板Ｗの主面へ吐出するようにしても、氷スラリー中の氷の微粒子は過酸化水素を含有していて比較的軟らかいため、例えば液晶パターン用の金属膜が部分的にダメージを受ける、といった心配が無い。
【００２９】
上記した実施形態では、ノズル１２を基板搬送方向と交叉するようにかつ基板Ｗの傾斜に沿うように配設したが、ノズルを、傾斜した基板の高位置側の端縁部の直上位置に基板搬送方向に沿って配設するようにしてもよい。また、上記実施形態では、基板Ｗを傾斜姿勢に支持して水平方向へ搬送しながら、ノズル１２から基板Ｗの主面へ氷スラリーを供給し、平面ブラシ１４によって基板Ｗの主面上で氷スラリーを掻き混ぜるようにしたが、基板Ｗのサイズがそれほど大きくないときには、基板Ｗを水平姿勢に支持して水平方向へ搬送しながら、ノズル１２から基板Ｗの主面へ氷スラリーを供給して平面ブラシ１４で氷スラリーを掻き混ぜるようにし、その後に、基板Ｗを傾斜させて水洗処理するようにしてもよい。さらに、上記実施形態では、平面ブラシ１４によって基板Ｗの主面上で氷スラリーを掻き混ぜるようにしたが、平面ブラシ１４に代えてロールブラシ等を用いるようにしてもよい。
【００３０】
また、製氷・送液部２０の構成は、上記実施形態で説明したものに限らず、例えば、製氷部において過酸化水素を含有した氷の微粒子を含む氷スラリーを調製し、その調製された氷スラリーをバッファタンク内に貯留して、バッファタンク内で氷スラリーを静かに攪拌しながら、バッファタンク内からノズル１２へポンプで氷スラリーを送液するようにしてもよい。
【００３１】
図５は、この発明の別の実施形態を示し、基板回転式洗浄装置（スピンスクラバ）の要部の構成を示す概略正面図である。
この基板回転式洗浄装置は、基板Ｗを水平姿勢に保持するスピンチャック６０を備えている。スピンチャック６０は、回転支軸６２により鉛直軸回りに回転自在に支持されており、回転支軸６２に連結されたモータ（図示せず）によって鉛直軸回りに回転させられる。図示を省略しているが、スピンチャック６０に保持された基板Ｗの周囲には、基板Ｗ上から周囲へ飛散する氷スラリーを捕集するためのカップが基板Ｗを取り囲むように配設されている。また、スピンチャック６０に保持された基板Ｗの上方には、過酸化水素を含有する氷の微粒子を含む氷スラリーを基板Ｗの表面へ吐出する吐出ノズル６４が配設されている。吐出ノズル６４には、氷スラリー送液用の配管６６が接続されており、図示していないが、配管６６は製氷・送液部に流路接続されている。製氷・送液部の構成は、例えば、製氷部において過酸化水素を含有した氷の微粒子を含む氷スラリーを調製し、その調製された氷スラリーをバッファタンク内に貯留して、バッファタンク内で氷スラリーを静かに攪拌しながら、配管６６の途中に介挿して設けられたポンプにより、バッファタンク内から氷スラリーを加圧して吐出ノズル６４へ送給する、といったものである。
【００３２】
図５に示した装置においては、スピンチャック６０により保持されて回転する基板Ｗの表面へ、過酸化水素を含有した氷の微粒子を含む氷スラリーが加圧されて吐出ノズル６４から吐出される。これにより、基板Ｗの表面の凹部などに存在するパーティクル等の汚染物質が氷の微粒子によって掻き出され氷スラリーと共に基板Ｗの表面上から流出して除去される。この場合において、吐出ノズル６４から基板Ｗの表面へ吐出される氷スラリー中の氷の微粒子は、過酸化水素を含有しているので、純水のみを冷却して製造される氷の微粒子に比べて軟らかい。このため、基板Ｗの表面上において、吐出ノズル６４から吐出される氷スラリー中の氷の微粒子が基板Ｗの表面に衝突するときのエネルギに多少のむらがあっても、基板Ｗの表面に形成されたパターン状の金属膜等が部分的にダメージを受ける、といったことが防止される。また、基板Ｗの表面へ吐出される氷スラリー中の氷の微粒子に過酸化水素が含有されていることにより、その過酸化水素の酸化作用で基板Ｗ上の有機物が分解されて除去されることとなる。
【００３３】
なお、上記した各実施形態では、基板を洗浄する処理について説明したが、この発明は、洗浄以外の基板の処理についても適用し得るものである。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】この発明の実施形態の１例を示し、基板洗浄装置の概略構成を示す要部斜視図である。
【図２】図１に示した基板洗浄装置の要部正面図である。
【図３】図１に示した基板洗浄装置の要部側面図である。
【図４】図１に示した基板洗浄装置の構成要素の１つである製氷・送液部の構成を示す概略断面図である。
【図５】この発明の別の実施形態を示し、基板回転式洗浄装置の要部の構成を示す概略正面図である。
【符号の説明】
【００３５】
１０  搬送ローラ
１２  ノズル
１４  平面ブラシ
１６、６６  氷スラリー送液用の配管
２０  製氷・送液部
２２  容器
２４  過酸化水素水供給口
２６  氷スラリー排出口
２８  過酸化水素水供給用配管
３０  調合槽
３２  ポンプ
３８  純水供給管
４０  過酸化水素供給管
４２、４６  開閉制御弁
４４、４８  流量調整弁
５０  不凍液
５２  チラー（冷却装置）
５４  回転支軸
５６  スクリュー刃
５８  モータ
６０  スピンチャック
６２  回転支軸
６４  吐出ノズル
Ｗ  基板
【図１】
2006134908.tif 000003
【図２】
2006134908.tif 000004
【図３】
2006134908.tif 000005
【図４】
2006134908.tif 000006
【図５】
2006134908.tif 000007