(57)【要約】      （修正有）【課題】プラズマ生成空間が水平に対して傾いた状態であっても均一な大気圧プラズマを生成できる大気圧プラズマ処理装置を提供すること。【解決手段】常圧用の反応部と、反応部内に互いに所定の間隔を空けて対向するように配置されプラズマ生成空間Ｐを規定する一対の第１電極１４および第２電極１５と、プラズマ生成空間Ｐにガスを供給するガス供給手段と、空間Ｐからガスを排出するガス排出手段１７とを備え、第１および第２電極１４，１５の対向面は水平に対して所定の角度をなすようにそれぞれ傾斜し、ガス供給手段は、第１電極１４側からプラズマ生成空間Ｐにガスを供給する第１供給部１８と、第２電極１５側からプラズマ生成空間Ｐにガスを供給する第２供給部１９を有し、第１および第２供給部１８，１９は第１および第２電極１４，１５の対向面の傾斜方向に沿って互いに隣接するように並んだ複数のガス供給口をそれぞれ有する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
常圧用の反応部と、反応部内に互いに所定の間隔を空けて対向するように配置されプラズマ生成空間を規定する一対の第１電極および第２電極と、プラズマ生成空間にガスを供給するガス供給手段と、前記空間からガスを排出するガス排出手段とを備え、第１および第２電極の対向面は水平に対して所定の角度をなすようにそれぞれ傾斜し、ガス供給手段は、第１電極側からプラズマ生成空間にガスを供給する第１供給部と、第２電極側からプラズマ生成空間にガスを供給する第２供給部を有し、第１および第２供給部は第１および第２電極の対向面の傾斜方向に沿って互いに隣接するように並んだ複数のガス供給口をそれぞれ有することを特徴とする大気圧プラズマ処理装置。
【請求項２】
第１および第２電極はそれらの対向面の傾斜方向を長手方向とする細長い形状を有し、ガス排出手段は第１および第２電極の一端側の近傍に設けられ、ガス供給手段は、第１および第２電極の他端側から第１および第２電極の対向面の傾斜方向に向かってプラズマ生成空間にガスを噴出する第３供給部を備えることを特徴とする請求項１に記載の大気圧プラズマ処理装置。
【請求項３】
反応部は被処理物の導入と搬出を許容する導入口と搬出口を有し、ガス供給手段は、第１電極側から導入口に向かってガスを噴出する第４供給部と、第２電極側から導入口に向かってガスを噴出する第５供給部と、第１電極側から搬出口に向かってガスを噴出する第６供給部と、第２電極側から搬出口に向かってガスを噴出する第７供給部を備えることを特徴とする請求項１に記載の大気圧プラズマ処理装置。
【請求項４】
第１および第２供給部の各ガス供給口は、第１および第２電極の対向面の傾斜方向に沿った幅が２００ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の大気圧プラズマ処理装置。
【請求項５】
第１および第２供給部は、ガス供給口の各々に通ずる複数のガス供給配管をそれぞれ有し、各ガス供給配管はその一部にガスの流量を調整するガス流量調整機構が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の大気圧プラズマ処理装置。
【請求項６】
ガス供給手段によって供給されるガスは、少なくとも水素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、炭酸ガス、ＣＦ４およびＳＦ６のいずれかを含むガスであることを特徴とする請求項１に記載の大気圧プラズマ処理装置。
【請求項７】
第１および第２供給部の各ガス供給口は、少なくともプラズマ生成空間に露出する部位がセラミクスにより形成されることを特徴とする請求項１に記載の大気圧プラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、大気圧プラズマ処理装置に関し、詳しくは、傾斜した状態で搬送される被処理物に対して洗浄、成膜、エッチング、アッシングまたは表面改質などのプラズマ処理を大気圧近傍の圧力下で行うプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
この発明に関連する従来技術としては、対向する高圧電極と低圧電極との間に被処理体としての液晶ディスプレイ用ガラス基板を配置し、電極間で発生した大気圧プラズマで前記基板を洗浄する液晶ディスプレイ用ガラス基板の洗浄方法と、それに用いられる大気圧プラズマ処理装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
また、液晶ディスプレイ用ガラス基板に自重による撓みが生じないように、前記基板の被処理面を水平に対して傾けた状態で搬送しつつ処理液によって処理し、乾燥させる処理装置が知られている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００４−１０２２７１号公報
【特許文献２】特開２００４−２１０５１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
近年、液晶ディスプレイパネルを製造する際に実施されるプラズマ処理工程において、減圧下でグロー放電を発生させるプラズマ処理に代わり、大気圧近傍の圧力下でグロー放電を発生させるプラズマ処理が行われるようになってきている。
特許文献２に記載されているように、大型化するガラス基板などの被処理物を処理するには、自重による撓みの影響を排除するために立位状態、より好ましくは水平に対して傾けた状態で搬送し処理することが有効である。
【０００４】
したがって、特許文献１に記載されているような、液晶ディスプレイ用ガラス基板を大気圧プラズマで処理する大気圧プラズマ処理装置と、特許文献２に記載されているような傾斜搬送が可能な処理装置とを組合せ、洗浄などの他の処理から連続して成膜、エッチング、アッシング、表面改質などのプラズマ処理を一括して行えば、装置設置スペースの削減、工程数削減などの観点から非常に有効となる。
【０００５】
しかし、従来の大気圧プラズマ処理装置を傾斜状態で搬送される基板に対して使用するには、処理用のガスが窒素、酸素などの空気とほぼ同じ比重のものに限られてしまい、処理用途が限定されてしまう。
つまり、傾けて設置された大気圧プラズマ処理装置に対して空気とは比重の異なるガスを利用すると、重力の影響によりプラズマ生成空間内におけるガス濃度の分布が不均一なものとなり、均質なプラズマ処理が行えなくなる。
【０００６】
例えば、ヘリウムのように比重が空気より軽いガスを使用した場合、傾いたプラズマ生成空間内において上方側はヘリウムの濃い雰囲気に、下方側はヘリウムの薄い雰囲気となってしまう。
このような状態でプラズマを生成すると、上方側では高密度のプラズマとなってアーク放電に移行し易くなり、下方側では放電しない状態となる。
一方、アルゴンのように比重が空気より重いガスを使用した場合にも、同様の理由から均一なプラズマを生成できなくなる。
【０００７】
この発明は以上のような事情を考慮してなされたものであり、プラズマ生成空間が水平に対して傾いた状態であっても均一な大気圧プラズマを生成できる大気圧プラズマ処理装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明は、常圧用の反応部と、反応部内に互いに所定の間隔を空けて対向するように配置されプラズマ生成空間を規定する一対の第１電極および第２電極と、プラズマ生成空間にガスを供給するガス供給手段と、前記空間からガスを排出するガス排出手段とを備え、第１および第２電極の対向面は水平に対して所定の角度をなすようにそれぞれ傾斜し、ガス供給手段は、第１電極側からプラズマ生成空間にガスを供給する第１供給部と、第２電極側からプラズマ生成空間にガスを供給する第２供給部を有し、第１および第２供給部は第１および第２電極の対向面の傾斜方向に沿って互いに隣接するように並んだ複数のガス供給口をそれぞれ有することを特徴とする大気圧プラズマ処理装置を提供するものである。
【発明の効果】
【０００９】
この発明によれば、プラズマ生成空間を規定する第１および第２電極の対向面が水平に対して所定の角度をなすように傾斜し、第１および第２電極側からプラズマ生成空間にそれぞれガスを供給する第１および第２供給部は、第１および第２電極の対向面の傾斜方向に沿って互いに隣接するように並んだ複数のガス供給口をそれぞれ有するので、空気と異なる比重を有するガスを用いた場合であっても、ガスは第１および第２電極の対向面の傾斜方向に並んだ複数のガス供給口から分散してプラズマ生成空間に供給されることとなり、傾斜したプラズマ生成空間におけるガス濃度が均一化され、傾斜したプラズマ生成空間内に均一な大気圧プラズマを生成することができる。
これにより、水平に対して傾斜した状態にある被処理物に対してプラズマ処理を行うことが可能となり、特に、撓みが懸念される大型の被処理物に対して好適に利用できる大気圧プラズマ処理装置を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
この発明による大気圧プラズマ処理装置は、常圧用の反応部と、反応部内に互いに所定の間隔を空けて対向するように配置されプラズマ生成空間を規定する一対の第１電極および第２電極と、プラズマ生成空間にガスを供給するガス供給手段と、前記空間からガスを排出するガス排出手段とを備え、第１および第２電極の対向面は水平に対して所定の角度をなすようにそれぞれ傾斜し、ガス供給手段は、第１電極側からプラズマ生成空間にガスを供給する第１供給部と、第２電極側からプラズマ生成空間にガスを供給する第２供給部を有し、第１および第２供給部は第１および第２電極の対向面の傾斜方向に沿って互いに隣接するように並んだ複数のガス供給口をそれぞれ有することを特徴とする。
【００１１】
この発明による大気圧プラズマ処理装置において、常圧とは、大気圧又は大気圧の近傍の圧力を意味する。反応部は、一対の第１および第２電極を収容し被処理物を常圧の圧力下でプラズマ処理できるものであればよく、その構成は特に限定されないが、具体例としては、例えば、アルミニウムやステンレスなどで形成された金属製の容器が挙げられる。
一対の第１および第２電極は、導電体で形成されていればよく、その構成は特に限定されないが、具体例としては、例えば、アルミニウム、銅、または真鍮などで形成されたものが挙げられる。
なお、第１電極および第２電極のうち少なくとも被処理物と対向する面は、プロセスガス、プラズマ中で生成された活性種、反応後の生成物などによって表面が侵されないように固体の誘電体で被覆されることが好ましい。
誘電体としては、耐熱性、耐電圧性、耐プラズマ性、耐ガス性に優れた絶縁性材料で形成されていればよく、その材質は特に限定されないが、具体例としては、例えば、高純度アルミナ、窒化アルミ、または窒化珪素などが挙げられる。
ガス排出手段としては、プラズマ生成空間からガスを排出できるものであればよく、その構成は特に限定されないが、具体例としては、例えば、排気ポンプと排気ポンプに接続されプラズマ生成空間に通ずる排出路とから構成されるものが挙げられる。
【００１２】
この発明による大気圧プラズマ処理装置において、第１および第２電極はそれらの対向面の傾斜方向を長手方向とする細長い形状を有し、ガス排出手段は第１および第２電極の一端側の近傍に設けられ、ガス供給手段は、第１および第２電極の他端側から第１および第２電極の対向面の傾斜方向に向かってプラズマ生成空間にガスを噴出する第３供給部を備えることが好ましい。
このような構成によれば、プラズマ生成空間に供給されるガスの比重に応じて第３供給部から適宜ガスを噴出させることにより、プラズマ生成空間内におけるガス濃度のより一層の均一化を図ることができる。
【００１３】
この発明による大気圧プラズマ処理装置において、導入部は被処理物の導入と搬出を許容する導入口と搬出口を有し、ガス供給手段は、第１電極側から導入口に向かってガスを噴出する第４供給部と、第２電極側から導入口に向かってガスを噴出する第５供給部と、第１電極側から搬出口に向かってガスを噴出する第６供給部と、第２電極側から搬出口に向かってガスを噴出する第７供給部を備えることが好ましい。
このような構成によれば、第４、第５、第６および第７供給部からそれぞれガスを噴出させることにより、導入口および搬出口からプラズマ生成空間に外気が混入することを防止できると共に、プラズマ生成空間に供給されたガスが導入口および搬出口から流出することを防止できる。
【００１４】
この発明による大気圧プラズマ処理装置において、第１および第２供給部の各ガス供給口は、第１および第２電極の対向面の傾斜方向に沿った幅が２００ｍｍ以下であることが好ましい。
というのは、各ガス供給口の幅を小さく設定するほど、より多くのガス供給口を設けることができ、ガスをより緻密に分散させて供給できるようになるので、傾いたプラズマ生成空間におけるガス濃度の分布がより一層均一なものとなるからである。
【００１５】
２００ｍｍという値は、ガスを複数のガス供給口から分散させて供給することにより、傾いたプラズマ生成空間におけるガス濃度の均一化を図るという目的を達成するうえで、一定の目安となる値である。各ガス供給口の幅を２００ｍｍを越える値に設定すると、形成できるガス供給口の数が自ずと制限され、前記した目的を達成するうえであまり好ましくない。
一方、各ガス供給口の幅を極めて小さい値に設定し多くのガス供給口を形成すると、ガス濃度の均一化を図るうえでは好ましいが、後に説明するガス供給配管の数が増え、装置のコスト的観点からはあまり好ましくない。
【００１６】
この発明による大気圧プラズマ処理装置において、第１および第２供給部は、ガス供給口の各々に通ずる複数のガス供給配管をそれぞれ有し、各ガス供給配管はその一部にガスの流量を調整するガス流量調整機構が設けられていることが好ましい。
このような構成によれば、ガス供給口毎に供給されるガスの流量を調整できるので、傾いたプラズマ生成空間におけるガス濃度の均一化を測る上でより緻密なガス供給制御が可能となる。
【００１７】
この発明による大気圧プラズマ処理装置において、ガス供給手段によって供給されるガスは、少なくとも水素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、炭酸ガス、ＣＦ４およびＳＦ６のいずれかを含んでもよい。
【００１８】
以下、図面に示す実施例に基づいてこの発明を詳細に説明する。
【実施例】
【００１９】
実施例
図１および図２に基づいて、この発明の実施例によるプラズマプロセス装置について説明する。
図１は、実施例による大気圧プラズマ処理装置の正面図、図２は図１に示される大気圧プラズマ処理装置の左側面図、図３は図１に示される大気圧プラズマ処理装置の右側面図、図４は図１のＡ−Ａ矢視断面図、図５は図２のＢ−Ｂ矢視断面図である。
【００２０】
装置構成
図１〜５に示されるように、実施例１による大気圧プラズマ処理装置１０は、概して、平板状の被処理物Ｓの導入と搬出を許容する導入口１１と搬出口１２がそれぞれ形成された常圧用の反応容器（反応部）１３と、反応容器１３内に互いに所定の間隔を空けて対向するように配置されプラズマ生成空間Ｐを規定する一対の第１電極１４および第２電極１５と、プラズマ生成空間Ｐ内にガスを供給するガス供給手段１６と、プラズマ生成空間Ｐからガスを排出するガス排出手段１７とを備えている。
第１および第２電極１４，１５の対向面は水平に対して所定の角度θをなすようにそれぞれ傾斜し、ガス供給手段１６は、第１電極１４側からプラズマ生成空間Ｐにガスを供給する第１供給部１８と、第２電極１５側からプラズマ生成空間Ｐにガスを供給する第２供給部１９とを有し、第１および第２供給部１８，１９は第１および第２電極１４，１５の対向面の傾斜方向に沿って互いに隣接するように並んだ複数のガス供給口２０をそれぞれ有している。
【００２１】
以下、図１〜５に基づいてより詳細に説明する。
図１〜５に示されるように、実施例１による大気圧プラズマ処理装置１０は、ガラス基板などの平板状の被処理物Ｓが導入される導入口１１と被処理物Ｓが搬出される搬出口１２が形成されたアルミニウム製の反応容器１３と、反応容器１３内に配置され被処理物Ｓの導入を許容するように互いに所定の間隔を空けて対向する細長い第１電極１４および第２電極１５と、第１電極１４に装着され第１電極１４の両脇からガスを供給する第１供給部１８と、第２電極１５に装着され第２電極１５の両脇からガスを供給する第２供給部１９と、反応容器１３の下部に接続され、プラズマ生成空間Ｐの下側からガスを供給する第３供給部２１と、反応容器１３の上部に接続されプラズマ生成空間Ｐの上側からガスを排出するガス排出手段１７と、反応容器１３の導入口１１に装着され第１および第２電極側１４，１５から導入口１１に向かってそれぞれガスを噴出する第４および第５供給部２２，２３と、反応容器１３の搬出口１２に装着され第１および第２電極側１４，１５から搬出口１２に向かってそれぞれガスを噴出する第６および第７供給部２４，２５と、第１および第２電極１４，１５に高周波電力を供給する高周波電源２６とから主に構成されている。
【００２２】
反応容器１３は、反応容器１３を所望の傾斜角θで固定できる支持台２７に装着され、水平に対して傾いた状態にある被処理物Ｓの導入を許容する傾斜角θの導入口１１と、被処理物Ｓの搬出を許容する傾斜角θの搬出口１２とを有している。
反応容器１３内に所定の間隔を空けて対向するように配置されるアルミニウム製の第１および第２電極１４，１５は細長い直方体状の形状を有し、第１および第２電極１４，１５によって挟まれた空間がプラズマ生成空間Ｐとなる。第１および第２電極１４，１５の対向面は耐プラズマ性を考慮してセラミクス（アルミナ９９．５％）からなる誘電体２８で被覆され、導入口１１および搬出口１２と同様に水平に対して傾斜角θで傾斜している。
これにより、プラズマ生成空間Ｐは、水平に対して傾斜角θで傾斜し、傾いた状態で搬送される被処理物Ｓはプラズマ生成空間Ｐを通過する際にプラズマ処理が施される。
【００２３】
被処理物Ｐは、その下端と係合する駆動ローラ２９と、被処理物Ｓの裏面側に接する複数の従動ローラ３０によって傾斜した状態のまま搬送される。
傾斜したプラズマ生成空間Ｐにガスを供給するための第１および第２供給部１８，１９は、隔壁部３１によって仕切られ第１および第２電極の両脇に第１および第２電極１４，１５の長手方向に沿って互いに隣接するように並んだ複数のガス供給路３２と、外部から各ガス供給路に接続されたガス供給配管３３とから主に構成されている。
各ガス供給配管３３はガス供給路３２に接続される手前の位置にガス流量調整器３４が設けられ、ガス供給配管毎にガス流量の調整が行えるように構成されている。
各ガス供給配管３３から供給されたガスは、各ガス供給路３２の端に形成されたガス供給口２０からプラズマ生成空間Ｐに供給される。なお、ガス供給路３２は耐プラズマ性を考慮してセラミクス（アルミナ９９．５％）で形成されている。
【００２４】
第３供給部２１は、反応容器１３の下側に設けられ、プラズマ生成空間Ｐの下側から上側へ向かってガスを噴出する。第３供給部２１は、空気より比重の重いガスが第１および第２供給部１８，１９から供給された場合に、プラズマ生成空間Ｐの下側にガス濃度の濃い雰囲気が形成され、滞留することを防止するための補助的作用を行うもので、第３供給部２１からガスを噴出させることによりプラズマ生成空間Ｐ内のガスをガス排出手段１７が設けられた上側へ向かわせる。
【００２５】
つまり、この実施例では、アルゴン、クリプトン、キセノン、炭酸ガス、ＣＦ４、ＳＦ６などの空気より比重の重いガスを使用することを想定して第３供給部２１を反応容器１３の下側に、ガス排出手段１７を反応容器１３の上側にそれぞれ設けているが、水素、ヘリウム、ネオンなどの空気より比重の軽いガスを使用する場合には、第３供給部２１を上側に、ガス排出手段１７を下側にそれぞれ設けるとよい。
なお、供給されるガスが、上記したガスの混合ガスであって、混合ガスのうち空気と比重の大きく異なるガスの比率が全体量に対して少量であれば、該ガスは主となるガスの流れにのって拡散するので、ガス濃度が不均一となる状態は形成されにくい。
したがって、このような混合ガスが用いられる場合には、主となるガスの比重に応じて第３供給部２１とガス排出手段１７の上下設定を決めればよい。
【００２６】
また、この実施例では、上述のとおり、下側に第３供給部２１、上側にガス排出手段１７をそれぞれ１つずつ設けているが、上下両方に第３供給部２１とガス排出手段１７をそれぞれ設け、用いるガスの比重に応じて、第３供給部２１とガス排出手段１７を選択的に作動させることができるように構成してもよい。
【００２７】
第４および第５供給部２２，２３は、反応容器１３の導入口１１の第１および第２電極１４，１５側にそれぞれ設けられ、第１および第２電極１４，１５側から導入口１１に向けてガスを噴出する。これにより、導入口１１からプラズマ生成空間Ｐに外気が混入することを防止できる共に、プラズマ生成空間Ｐ内のガスが導入口１１から流出することを防止できる。
一方、第６および第７供給部２４，２５は、反応容器１３の搬出口１２の第１および第２電極１４，１５側にそれぞれ設けられ、第１および第２電極１４，１５側から搬出口１２に向けてガスを噴出する。これにより搬出口１２からプラズマ生成空間Ｐに外気が混入することを防止できる共に、プラズマ生成空間Ｐ内のガスが搬出口１２から外部に流出することを防止できる。
なお、第４、第５、第６および第７ガス供給部２２，２３，２４，２５は、第１および第２ガス供給部１８，１９と同様に、複数のガス供給口３５と、複数のガス供給配管３６とから主に構成されている。
【００２８】
プラズマ生成空間Ｐに第１供給部１８および第２供給部１９からガスが供給され、３０ｋＨｚの高周波電源２６から第１および第２電極１４，１５に高周波電力が投入されると、プラズマ生成空間Ｐに大気圧プラズマが生成され、被処理物Ｓに対して洗浄、成膜、エッチング、アッシングまたは表面改質などの所望のプラズマ処理が行われる。
【００２９】
比較例
実施例による大気圧プラズマ処理装置との比較に用いるため、比較例としての大気圧プラズマ処理装置を作製した。
図６に示されるように、比較例による大気圧プラズマ処理装置１００は、第１および第２供給部１１８，１１９が、実施例による大気圧プラズマ処理装置１０（図１〜５参照）のように、隔壁部３１によって隔てられた複数のガス供給路３２を備えず、また、第３供給部２１が設けられていない点のみが、実施例の大気圧プラズマ処理装置１０と異なる。それ以外の構成は実施例による大気圧プラズマ処理装置１０と同様の構成を有する。
【００３０】
以下、実施例に係る大気圧プラズマ処理装置１０と、比較例の大気圧プラズマ処理装置１００を用いて行った試験例について説明する。
【００３１】
試験例１
実施例の大気圧プラズマ処理装置１０を以下の条件で放電させ、プラズマを生成させた。
【００３２】
第１電極と第２電極の長手方向の長さ（Ｌ）：１５８０ｍｍ
第１電極と第２電極の幅（Ｗ１）：２３ｍｍ
第１電極と第２電極の対向間隔（Ｇ）：５ｍｍ
ガス供給配管：１／４インチ配管
ガス供給口の寸法（Ｈ）×（Ｗ２）：１ｍｍ×１９０ｍｍ
ガス供給口の数：３２（第１電極側８箇所×２列、第２電極側８箇所×２列）
隔壁部の幅（Ｗ３）：１ｍｍ
第１供給部から供給されるガス：ヘリウム２０ｓｌｍ、窒素３２０ｓｃｃｍ、酸素８０ｓｃｃｍ（流量調整なし）
第２供給部から供給されるガス：（第１供給部と同じ）（流量調整なし）
ガス排出手段：排気口（φ１ｍｍ）×４
印加電圧：１０ｋＶ
【００３３】
放電させた結果、図２および図３に示す傾斜角θが９°の時点で下方側のプラズマが不安定となり、４５°を越えた時点で上方側が異常放電となった。
【００３４】
試験例２
試験例２の条件に付け加えて、各ガス供給配管３３のガス流量調整器３４により、流量調整を行いつつ放電させた結果、傾斜角θが５７°となったあたりで下方側のプラズマが不安定となり、７０°を越えた時点で上方側が異常放電となった。
【００３５】
試験例３
試験例２の条件に付け加えて、第３供給部２１からもガスを供給すると共に、総ガス流量を一定とし、傾斜角θの変化に応じて流量比を以下の範囲で変化させた。
【００３６】
第１供給部から供給されるガス：ヘリウム８〜１６ｓｌｍ、窒素１２８〜２５６ｓｃｃｍ、酸素３２〜６４ｓｃｃｍ
第２供給部から供給されるガス：（第１供給部と同じ）
第３供給部から供給されるガス：ヘリウム８〜２４ｓｌｍ、窒素１２８〜３８４ｓｃｃｍ、酸素３２〜９６ｓｃｃｍ
【００３７】
各ガス供給配管３３の流量を調整しつつ放電させた結果、傾斜角θが０〜８９°の範囲で均一なプラズマを生成させることができた。
【００３８】
比較例による装置を用いた試験例
上述の比較例による大気圧プラズマ処理装置１００を以下の条件で放電させ、プラズマを生成させた。
【００３９】
第１電極と第２電極の長手方向の長さ：１５８０ｍｍ
第１電極と第２電極の幅：２３ｍｍ
第１電極と第２電極の対向間隔：５ｍｍ
ガス供給配管：１／４インチ配管
ガス供給口の寸法：１ｍｍ×１５４０ｍｍ
ガス供給口の数：４（第１電極側２つ、第２電極側２つ）
第１供給部から供給されるガス：ヘリウム２０ｓｌｍ、窒素３２０ｓｃｃｍ、酸素８０ｓｃｃｍ
第２供給部から供給されるガス：（第１供給部と同じ）
ガス排出手段：排気口（φ１ｍｍ）×４
印加電圧：１０ｋＶ
【００４０】
放電させた結果、傾斜角θが２°の時点で下方側のプラズマが不安定となり、傾斜角θが２０°を越えた時点で上方側が異常放電となった。
【００４１】
試験例４
実施例の大気圧プラズマ処理装置１０を以下の条件で放電させ、プラズマを生成させた。
【００４２】
第１電極と第２電極の長手方向の長さ（Ｌ）：１５８０ｍｍ
第１電極と第２電極の幅（Ｗ１）：２３ｍｍ
第１電極と第２電極の対向間隔（Ｇ）：４ｍｍ
ガス供給配管：１／４インチ配管
ガス供給口の寸法（Ｈ）×（Ｗ２）：１ｍｍ×１９０ｍｍ
ガス供給口の数：３２（第１電極側８箇所×２列、第２電極側８箇所×２列）
隔壁部の幅（Ｗ３）：１ｍｍ
第１供給部から供給されるガス：ヘリウム１０ｓｌｍ、窒素１０ｓｌｍ、ＣＦ４（四弗化メタン）１ｓｌｍ（流量調整あり）
第２供給部から供給されるガス：（第１供給部と同じ）（流量調整あり）
ガス排出手段：排気口（φ１ｍｍ）×４
印加電圧：１８ｋＶ
【００４３】
放電させた結果、傾斜角θが７５°の時点で下方側のプラズマが不安定となり、傾斜角θが８２℃を超えた時点で上方側が異常放電となった。
【００４４】
試験例５
試験例４の条件に付け加えて、第３供給部２１からもガスを供給すると共に、総ガス流量を一定とし、傾斜角θの変化に応じて流量比を以下の範囲で変化させた。
【００４５】
第１供給部から供給されるガス：ヘリウム６〜８ｓｌｍ、窒素６〜８ｓｌｍ、ＣＦ４（四弗化メタン）０．６〜０．８ｓｌｍ
第２供給部から供給されるガス：（第１供給部と同じ）
第３供給部から供給されるガス：ヘリウム４〜８ｓｌｍ、窒素４〜８ｓｌｍ、ＣＦ４（四弗化メタン）０．４〜０．８ｓｌｍ
【００４６】
各ガス供給配管３３の流量を調整しつつ放電させた結果、傾斜角θが０〜８９°の範囲で均一なプラズマを生成させることができた。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】この発明の実施例による大気圧プラズマ処理装置の正面図である。
【図２】図１に示される大気圧プラズマ処理装置の左側面図である。
【図３】図１に示される大気圧プラズマ処理装置の右側面図である。
【図４】図１のＡ−Ａ矢視断面図である。
【図５】図２のＢ−Ｂ矢視断面図である。
【図６】比較例による大気圧プラズマ処理装置の断面図である。
【符号の説明】
【００４８】
１０，１００・・・大気圧プラズマ処理装置
１１・・・導入口
１２・・・搬出口
１３・・・反応容器
１４・・・第１電極
１５・・・第２電極
１６・・・ガス供給手段
１７・・・ガス排出手段
１８，１１８・・・第１供給部
１９，１１９・・・第２供給部
２０，３５・・・ガス供給口
２１・・・第３供給部
２２・・・第４供給部
２３・・・第５供給部
２４・・・第６供給部
２５・・・第７供給部
２６・・・高周波電源
２７・・・支持台
２８・・・誘電体
２９・・・駆動ローラ
３０・・・従動ローラ
３１・・・隔壁部
３２・・・ガス供給路
３３，３６・・・ガス供給配管
３４・・・ガス流量調節器
Ｐ・・・プラズマ生成領域
Ｓ・・・被処理物
【図１】
2006351367.tif 000003
【図２】
2006351367.tif 000004
【図３】
2006351367.tif 000005
【図４】
2006351367.tif 000006
【図５】
2006351367.tif 000007
【図６】
2006351367.tif 000008