(57)【要約】【課題】電気的部品に対して電気的接触を行うためのバンプ及びプローブカードを正確かつ高速に形成すること。【解決手段】検査に用いる電気信号を伝達する複数の導電体１２と、複数の導電体の各々の上に形成され電気部品と機械的に接触されるバンプ１８とを有する。バンプ１８は、導電体に融着した下方部分と、バンプの先端に近づくにつれて断面の面積が小さくなる先細の形状に型押成形された上方部分とを有する。バンプを電気部品に押圧する弾性体を更に有する。弾性体により電気部品の方向へ押圧されるフレキシブルな基板５４を更に有する。複数の導電体１２のそれぞれは、基板に接着された裏面と、バンプが設けられた表面とを有する。バンプ１８の表面は上方部分の硬度より大きい硬度を有する高硬度物質でメッキする。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気部品に対して電気的接触を行うためのバンプを導電体の上に形成するバンプ形成方法において、前記バンプと実質的に同じ材料を有する導電物質を前記導電体の上に融着させる融着工程と、前記導電体の上に融着した前記導電物質を、所定の形状の窪みを有するバンプ成形型により所望の形状に型押成形する成形工程とを備えたことを特徴とするバンプ形成方法。
【請求項２】
前記所望の形状は、前記バンプの先端に近づくにつれて断面の面積が小さくなる先細の形状であることを特徴とする請求項１に記載のバンプ形成方法。
【請求項３】
前記先細の形状は、円錐形状であることを特徴とする請求項２に記載のバンプ形成方法。
【請求項４】
前記成形工程において、前記導電体と前記バンプ成形型に設けられた前記窪みの周辺部分との最近接距離が前記窪みの深さの１／２より大きいことを特徴とする請求項１に記載のバンプ形成方法。
【請求項５】
前記成形工程に於いて使用する前記バンプ成形型は、前記導電物質の残余の拡幅を抑制する、前記窪みの深さより浅い凹部を前記窪みの周辺部分に有することを特徴とする請求項１に記載のバンプ形成方法。
【請求項６】
前記成形工程において成形された前記バンプの表面に前記導電物質より大きい硬度を有する高硬度物質でメッキするメッキ工程を更に備えたことを特徴とする請求項１に記載のバンプ形成方法。
【請求項７】
前記高硬度物質が、ニッケル及びパラジウムニッケルのいずれかであることを特徴とする請求項６に記載のバンプ形成方法。
【請求項８】
前記メッキ工程によりメッキされた前記バンプの表面に、更に金メッキしたことを特徴とする請求項６に記載のバンプ形成方法。
【請求項９】
前記融着工程は、前記導電物質を有するワイヤの先端部分を放電加工により融解する融解工程と、前記融解工程により融解した前記先端部分を前記導電体に当接させる当接工程と、前記先端部分が前記導電体に当接した状態で前記ワイヤを所定の時間停止させ前記先端部分を前記導電体に融着させる停止工程と、前記ワイヤを前記導電体から引き離すことにより前記先端部分を前記導電体部に残して切断する切断工程とを有することを特徴とする請求項１に記載のバンプ形成方法。
【請求項１０】
前記融着工程は、前記導電物質を含むボール状物質を、前記導電体の上に吸引搬送する搬送工程と、前記搬送工程により搬送された前記ボール状物質をリフローにより融解する融解工程と、前記融解工程により融解した前記ボール状物質を冷やして凝固させる工程とを有することを特徴とする請求項１に記載のバンプ形成方法。
【請求項１１】
電気部品に対して電気的接触を行うために導電体上に形成されたバンプであって、前記導電体に融着した下方部分と、前記バンプの先端に近づくにつれて断面の面積が小さくなる先細の形状に形押成形された上方部分とを備えたことを特徴とするバンプ。
【請求項１２】
前記先細の形状が円錐形状であることを特徴とする請求項１１に記載のバンプ。
【請求項１３】
前記形押成形されている前記上方部分の長さが、少なくとも２０μｍ以上であることを特徴とする請求項１１に記載のバンプ。
【請求項１４】
表面が、前記上方部分の硬度より大きい硬度を有する高硬度物質でメッキされていることを特徴とする請求項１１に記載のバンプ。
【請求項１５】
前記高硬度物質が、ニッケル及びパラジウムニッケルのいずれかであることを特徴とする請求項１４に記載のバンプ。
【請求項１６】
前記高硬度物質によるメッキの表面に、更に金メッキされたことを特徴とする請求項１４に記載のバンプ。
【請求項１７】
電気部品に対して電気的に接触し、前記電気部品の電気的特性を検査するために用いるプローブカードであって、前記検査に用いる電気信号を伝達する複数の導電体と、前記複数の導電体の各々の上に形成されたバンプであって、前記電気部品と機械的に接触されるバンプとを備え、当該バンプは、前記導電体に融着した下方部分と、前記バンプの先端に近づくにつれて断面の面積が小さくなる先細の形状に形押成形された上方部分とを有することを特徴とするプローブカード。
【請求項１８】
前記バンプを前記電気部品に押圧する弾性体を更に備えることを特徴とする請求項１７に記載のプローブカード。
【請求項１９】
前記弾性体により前記電気部品の方向へ押圧されるフレキシブルな基板を更に備え、前記複数の導電体のそれぞれが、前記基板に接着された裏面と、前記バンプが設けられた表面とを有することを特徴とする請求項１８に記載のプローブカード。
【請求項２０】
前記弾性体は、導電性の金属でありかつ前記複数の導電体毎に独立に設けられていることを特徴とする請求項１８に記載のプローブカード。
【請求項２１】
前記複数の導電体のそれぞれは、当該導電体に対応して設けられた前記弾性体と一体に形成された金属であることを特徴とする請求項２０に記載のプローブカード。
【請求項２２】
前記先細の形状が、円錐形状であることを特徴とする請求項１７に記載のプローブカード。
【請求項２３】
前記複数の導電体の各々の上に形成されたバンプの高さが、実質的に同一に型押成形されていることを特徴とする請求項１７に記載のプローブカード。
【請求項２４】
前記バンプの前記上方部分の長さが、少なくとも２０μｍ以上であることを特徴とする請求項１７に記載のプローブカード。
【請求項２５】
前記バンプの表面が前記上方部分の硬度より大きい硬度を有する高硬度物質でメッキされていることを特徴とする請求項１７に記載のプローブカード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気部品に対して電気的接触を行うバンプ、当該バンプを導電体の上に形成したプローブカード、及び前記バンプの形成方法に関する。特に本発明は、導電物質を導電体に融着して形成されたプローブカード及びバンプに関する。
【背景技術】
【０００２】
日経マイクロデバイス１９９６年２月号には、電気部品に対して電気的接触を行うためのバンプ形状の例が示されている。このようなバンプを形成する為には、従来、エッチング、メッキ等の方法が用いられていた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながらエッチングによる方法では、生成できるバンプの形状が著しく制限されている。またバンプの寸法安定性が悪く、加工時間も長く、さらに製造コストが高く、このため大量生産に向かない。またメッキによるバンプ形成方法では、外周が丸いバンプしか製造することができない。
【０００４】
一方、吸引器具により半田ボールを移転してバンプを形成する方法が、Ｍ＆Ｅ（工業調査会）１９９７年９月号に開示されている(Ｐ１６８−Ｐ１６９)。しかしながら、本方法では半田を融着させるときにバンプ形状が丸くなり、電気的部品に対して所望の接触を行うことができない。
【０００５】
大久保その他による日本特許公報２６９１８７５（１９９７年１２月１７日発行、出願は１９９６年８月３０日に公開）は、ワイヤの先端を融解して形成したボールを用いてバンプを生成する方法を開示している。また、ワイヤの先端を融解してワイヤの先端にボールを生成する工程は、日本半導体製造装置協会の半導体製造装置用語辞典（１９９７年１１月２０日発行第４版）に開示されている（Ｐ２９０）。しかしながらこの特許公報に記載された方法は、ワイヤの先端を切断するために多くの工程を必要とする。また複数のバンプを形成する場合には、各バンプの先端高さが均一にならないという技術的課題を有する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
そこで本発明は、上記の課題を解決することのできるバンプ、プローブカード及び前記バンプの形成方法を提供することを目的とする。この目的は特許請求の範囲における独立項に記載の特徴の組み合わせにより達成される。また従属項は本発明の更なる有利な具体例を規定する。
【０００７】
即ち、本発明の第１の形態におけるプローブカードは、電気的部品の特性の検査に用いる電気信号を伝達する複数の導電体と、複数の導電体の各々の上に形成されたバンプであって電気部品と機械的に接触するバンプとを有する。バンプは、導電体に融着した下方部分と、バンプの先端に近づくにつれて断面の面積が小さくなる先細形状に型押成形された上方部分とを有する。バンプの上方部分の長さは、少なくとも２０μｍ以上であることが望ましい。また先細形状としては、例えば円錐形状とすることができる。
【０００８】
プローブカードには、バンプを電気部品に押圧する弾性体と、この弾性体により電気部品の方向へ押圧されるフレキシブルな基板を更に備えても良い。複数の導電体のそれぞれは、基板に接着された裏面とバンプが設けられた表面とを有する。他の実施形態としては、導電性の金属で構成した弾性体を導電体毎に独立に設けても良い。この場合は複数の導電体のそれぞれを、弾性体と一体に形成された金属としても良い。バンプを複数の導電体の各々の上に形成し、バンプの高さを実質的に同一に型押成形する。またバンプの表面を、導電性でバンプの上方部分の硬度より大きい硬度を有する高硬度物質でメッキする。複数の導電体の各々の上に形成されたバンプが電気部品と機械的に接触する。
【０００９】
また本電気部品接触用バンプの製造方法は、バンプを導電体の上に融着させる融着工程と、導電体の上に融着した導電物質をバンプ成形型により所望の形状に型押成形する成形工程とを有する。所望の形状としては、例えばバンプの先端に近づくにつれて断面の面積が小さくなる円錐形状等の先細の形状とすることが出来る。成形工程において、導電体とバンプ成形型に設けられた窪みの周辺部分との最近接距離は窪みの深さより小さいことが望ましい。成形したバンプの表面を前記導電物質より大きい硬度を有するニッケル、パラジウムニッケル等の高硬度物質でメッキし、更に金メッキすることにより、バンプの強度及び接触電気抵抗を下げることが出来る。
【００１０】
さらに、本発明の半導体接触用バンプ形成方法では、導電物質を有するワイヤの先端部分を放電加工により融解し、融解した先端部分を導電体に当接させる。先端部分が導電体に当接した状態でワイヤを所定の時間停止させ、ワイヤを導電体から引き離すことにより先端部分を切断する。導電物質を含むボール状物質を導電体の上に吸引搬送し、リフローにより融解してから凝固させてもよい。
【００１１】
なお上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群のサブコンビネーションも又発明となりうる。
【発明の効果】
【００１２】
上記説明から明らかなように、本発明によれば電気的部品に対して電気的接触を行うためのバンプ及びプローブカードを正確かつ高速に形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態はクレームにかかる発明を限定するものではなく、又実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【実施例１】
【００１４】
１．実施形態１
【００１５】
図１は、本実施形態におけるフレキシブル基板型プローブカードの断面図である。フレキシブル基板型プローブカードは、プリント基板５２、プリント基板５２の中央の開口部を片面側から覆う状態で装着されたフレキシブル基板５４、プリント基板５２の中央部の開口内でフレキシブル基板５４を押圧する弾性体５０、及びフレキシブル基板５４上の弾性体５０の反対側に設けられたバンプ２５を有する。弾性体５０がフレキシブル基板５４を押圧することにより、バンプ２５が電気部品に対して電気的に接触し、電気部品の電気的特性を検査することができる。
【００１６】
図２は、図１のフレキシブル基板５４の底面図である。フレキシブル基板５４は、電気的特性の検査に用いる電気信号をバンプ２５へ伝達し、又はバンプ２５から受け取る複数の導電体１２を有する。誘電物質を含むワイヤ等を融解して導電体１２の上に融着する事により、バンプ２５を各導電体１２の先端部に１つづつ形成する。
【００１７】
図３Ａは、導電物質を有するワイヤ１３の先端部分を放電加工により融解する融解工程を示す。キャピラリ（ボンディングマシン）１６の先からワイヤ１３が少し出るようにして、ワイヤ１３をキャピラリ１６で掴む。ワイヤ１３は、金、アルミニウム又は銅材等の導電物質を有しており、ワイヤ１３と電気トーチ１４との間に放電により電子スパークを生じさせてワイヤ１３の先端を融解する。図３Ｂに示すように、融解したワイヤが表面張力により丸まり、ワイヤ１３の先端にボール１０が形成される。ボール１０が形成されると、電気トーチ１４はボール１０から引き離される。
【００１８】
図４Ａは、融解工程により融解したボール１０を導電体１２に当接させる当接工程を示す。キャピラリ１６が下降してボール１０が導電体１２に接触する。ボール１０が変形して形成されたバンプ基材１８を、キャピラリ１６の内側の凹部で支えつつ導電体１２に融着させる。バンプ基材１８を冷却して凝固させるために、バンプ基材１８が導電体１２に押しつけられた状態で、ワイヤ１３を所定の時間停止させる。
【００１９】
図４Ｂは、ワイヤ１３の先端部分に形成されたバンプ基材１８を切断する切断工程を示す。ワイヤ１３をフレキシブル基板５４の上に設けられた導電体１２から引き離す方向へ移動させることにより、バンプ基材１８を導電体１２に残してワイヤ１３から切断する。本図では、導電体１２から引き離す方向の一例として、キャピラリ１６で掴んだワイヤ１３を導電体１２の垂直上方に移動させるている。
【００２０】
図５Ａ〜５Ｃは、導電体１２に融着したバンプ基材１８を、窪み２１を有するバンプ成形型２０により型押成形する様子を示す。窪み２１の内周面が、バンプ基材１８を押圧してバンプ基材１８を整形する。またバンプ成形型２０は、窪み２１が導電体１２に近接しすぎることを防ぐために、窪み２１の深さより浅い凹部２２を窪み２１の周辺部分に有する。なおバンプ成形型２０は、変形を防止するためにＳＫ材又はそれと同等以上の硬度を持つ素材で製造することが望ましい。
【００２１】
図５Ｂに示すように、型押成形時にはバンプ基材１８の余剰部分が凹部２２内にはみ出す。バンプのはみ出し部分が凹部２２より更に外側にはみ出すと、隣接するバンプや導電体１２に接触するおそれがある。これを防ぐためには、導電体１２と窪み２１の周辺部分との最近接距離はある程度大きいことが望ましい。そこで導電体１２と窪み２１の周辺部分との最近接距離が窪み２１の深さの１／２より大きなるように、即ちバンプ基材１８の高さの１／３より大きくなるように凹部２２の深さを定める。更に好ましくは、導電体１２と窪み２１の周辺部分との最近接距離がバンプ基材１８の高さの４０パーセント以上となるように凹部２２の深さを定める。本実施形態では、バンプ基材１８の高さを４０ミクロンメートルとし、導電体１２と窪み２１の周辺部分との最近接距離を２０ミクロンメートル（μｍ）、即ちバンプ基材の高さの１／２とした。バンプ成形型２０がバンプ基材１８を成形するために、バンプ成形型２０を数１０ミリ秒程度バンプ基材１８に押し付けて停止する。
【００２２】
図５Ｃは、型押成形されたバンプ基材１８を示す。整形されたバンプ基材１８は、導電体１２に融着した下方部分２７と、バンプ２５の先端に近づくにつれて断面の面積が小さくなる先細の形状、例えば円錐形状に成形された上方部分２９とを有する。硬度を高めるために、成形されたバンプ基材１８の表面にバンプ基材１８より大きい硬度を有する高硬度物質１５でメッキする。高硬度物質１５としては、例えばニッケル又はパラジウムニッケルを用いることができる。電気的部品に対する電気的接触性を高めるために、高硬度物質１５によるメッキの表面に更に金メッキ２３を施す。これにより、メッキを施した上方部分２９の長さを少なくとも２０μｍ以上とする。
【００２３】
図６は、図５に示したバンプ成形型２０の凹部２２の他の形態を示す。バンプ成形型２０に支持体２４を設けることにより、窪み２１の周辺部と導電体１２との間に所定の距離を確保する。この支持体２４は、窪み２１毎に設けても複数の窪み２１に対して１つ設けても良い。支持体２４により、窪み２１の周囲に凹部２２が確保され、窪み２１をはみ出したバンプ基材１８が隣接するバンプ基材１８又は導電体１２と接触することを防ぐことができる。
【００２４】
図７は、バンプ２５をフレキシブル基板５４上に格子状に成形する場合の型押し工程を示す。まずフレキシブル基板５４上に導電体１２を格子状に設け、それぞれの導電体１２の上にバンプ基材１８を融着させる。次に、窪み２１を格子状に設けたバンプ成形型２０を、バンプ基材１８に押し付けることにより、バンプ基材１８を所望の形状に整形する。
【００２５】
図８は、図７に示す成形工程により成形された格子状のバンプ２５を示す。バンプ成形型２０に設けられた窪み２１により、円錐形状のバンプ２５が成形される。本実施形態によれば、格子状に配置されたバンプ基材１８を単一のバンプ成形型２０により一度に型押しするので、バンプの高さを均一にすることができる。
【００２６】
２．実施形態２
【００２７】
実施形態１では、ワイヤ１３の先端部を融着させてバンプ基材１８を成形した。本実施形態では、導電物質を含むボール状の物質を予め製造し、これを導電体１２の上に融着させることによりバンプ基材１８を成形する。９Ａ及び９Ｂは、導電物質を含むボール状物質３０を格納した容器３４、及び吸着器具３２の斜視図である。ボール状物質３０は、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等の塑性加工することのできる導電材料で製造する。このボール状物質３０を吸着器具３２により吸引し、台５６の上に吸引搬送する。台５６には、位置決め用の案内棒４８が設けられており、案内棒４８に対応する案内穴を有するフレキシブル基板５４が、案内棒４８により位置決めされて台５６の上に設置される。吸着器具３２にも同様に案内穴４６が設けられており、案内穴４６に案内棒４８が挿入されることにより、台５６に対して吸着器具３２が位置決めされる。
【００２８】
図１０Ａは、図９Ａに示した容器３４及び吸着器具３２を横方向から見た断面図である。吸着器具３２の下面には吸着穴３１が設けられており、吸着器具３２が矢印方向に向かって下降すると各吸着穴３１にボール状物質３０が１つづつ吸引される。図１０Ｂは、ボール状物質３０を吸着器具３２の吸着穴３１に吸着させた状態を示す。吸着穴３１は、導電体１２上のバンプの形成位置に対応する位置に予め設けられている。
【００２９】
図１０Ｃは、ボール状物質３０を吸着器具３２の吸着穴３１に吸着させてフレキシブル基板５４に対向する位置へ搬送する工程を示す。位置決め用の案内穴４６の位置を案内棒４８に合わせる。フレキシブル基板５４の上面には導電体１２が設けられている。ボール状物質３０を導電体１２に融着したときに良好な電気伝導度及び機械的強度が得られるように、導電体１２の上面には半田ペースト又はフラックス等の導電接着剤３６を予め散布しておく。
【００３０】
図１０Ｄは、ボール状物質３０を導電体１２の上に設置する工程を示す。ボール状物質３０を導電体１２の上に設置した後、ボール状物質３０をリフローにより融解し、凝固させて導電体１２の上面に融着させる。融着したバンプ基材を実施形態１と同様にバンプ成形型２０で型押して先細のバンプを成形する。型押工程は実施形態１と同様なので説明を省略する。
【００３１】
本実施形態によれば、多数のボール状物質３０を一度に導電体１２の上に配置することができるので、形成するバンプの数が多い場合に、実施形態１よりも早くバンプを形成することができる。
【００３２】
３．実施形態３
【００３３】
図１１は、金属プローブ型のプローブカードを示す。実施形態１から２では、導電体１２はフレキシブル基板５４の上に設けられていたが、本実施形態では導電体１２がプリント基板５２の上に直接取り付けられている。本導電体１２は実施形態１又は２の導電体１２より厚く、曲げに対するバネ係数が大きい。このため導電体１２自体の弾性により、バンプ２５を電気部品に押し付けることができる。実施形態１又は２における導電体１２を本実施形態のように直接プリント基板５２に取り付けた場合でも、実施形態１又は２と同様の方法により導電体１２上にバンプ２５を形成することができる。
【００３４】
本実施例によれば、電気的部品に対して電気的接触を行うためのバンプ及びプローブカードを正確かつ高速に形成することができる。以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施形態に、多様な変更又は改良を加えることができることが当業者に明らかである。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれることが、添付のクレームの記載から明らかである。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】実施形態１における、フレキシブル基板を用いたプローブカードの縦断面図である。
【図２】図１に示すフレキシブル基板５４の底面図である。
【図３】導電物質を有するワイヤ１３の先端部分を放電加工により融解する融解工程を示す。
【図４】融解工程により融解したバンプ基材１８を導電体１２に当接させる当接工程と、ワイヤ１３を導電体１２から引き離すことによりバンプ基材１８を導電体１２に残して切断する切断工程を示す。
【図５】導電体１２の上面に融着したバンプ基材１８を、バンプ成形型２０により型押成形する状態を示す。型押成形及びメッキにより形成されたバンプ２５を示す。
【図６】他の形態のバンプ成形型２０で型押整形したバンプ基材１８を示す。
【図７】格子状に配置されたバンプ基材１８を成形する工程を示す。
【図８】図７に示した成形工程により格子状に成形されたバンプ２５を示す。
【図９】導電物質を含むボール状物質３０を、吸着器具３２により吸引搬送する工程を示す。
【図１０】ボール状物質３０を吸引する工程を横から見た断面図である。
【図１１】金属プローブ型のプローブカードを示す。
【符号の説明】
【００３６】
１０  ボール
１２  導電体
１３  ワイヤ
１４  電気トーチ
１５  高硬度物質
１６  キャピラリ（ボンディングマシン）
１８  バンプ基材
２０  バンプ成形型
２１  窪み
２２  凹部
２３  金メッキ
２４  支持体
２５  バンプ
２７  下方部分
２９  上方部分
３０  ボール状物資
３１  吸着穴
３２  吸着器具
３４  容器
３６  導電接着剤
４６  案内穴
４８  案内棒
５０  弾性体
５２  プリント基板
５４  フレキシブル基板
５６  台
【図１】
2006258826.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2006258826.tif 000007
【図６】
2006258826.tif 000008
【図７】
2006258826.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【手続補正書】
【提出日】平成18年7月7日(2006.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気部品に対して電気的接触を行うためのバンプを導電体の上に形成するバンプ形成方法において、前記バンプと実質的に同じ材料を有する導電物質を前記導電体の上に融着させる融着工程と、前記導電体の上に融着した前記導電物質を、所定の形状の窪みを有するバンプ成形型により所望の形状に型押成形する成形工程とを備えたことを特徴とするバンプ形成方法。
【請求項２】
前記所望の形状は、前記バンプの先端に近づくにつれて断面の面積が小さくなる先細の形状であることを特徴とする請求項１に記載のバンプ形成方法。
【請求項３】
前記先細の形状は、円錐形状であることを特徴とする請求項２に記載のバンプ形成方法。
【請求項４】
前記成形工程において、前記導電体と前記バンプ成形型に設けられた前記窪みの周辺部分との最近接距離が前記窪みの深さの１／２より大きいことを特徴とする請求項１に記載のバンプ形成方法。
【請求項５】
前記成形工程に於いて使用する前記バンプ成形型は、前記導電物質の残余の拡幅を抑制する、前記窪みの深さより浅い凹部を前記窪みの周辺部分に有することを特徴とする請求項１に記載のバンプ形成方法。
【請求項６】
前記成形工程において成形された前記バンプの表面に前記導電物質より大きい硬度を有する高硬度物質でメッキするメッキ工程を更に備えたことを特徴とする請求項１に記載のバンプ形成方法。
【請求項７】
前記高硬度物質が、ニッケル及びパラジウムニッケルのいずれかであることを特徴とする請求項６に記載のバンプ形成方法。
【請求項８】
前記メッキ工程によりメッキされた前記バンプの表面に、更に金メッキしたことを特徴とする請求項６に記載のバンプ形成方法。
【請求項９】
前記融着工程は、前記導電物質を有するワイヤの先端部分を放電加工により融解する融解工程と、前記融解工程により融解した前記先端部分を前記導電体に当接させる当接工程と、前記先端部分が前記導電体に当接した状態で前記ワイヤを所定の時間停止させ前記先端部分を前記導電体に融着させる停止工程と、前記ワイヤを前記導電体から引き離すことにより前記先端部分を前記導電体部に残して切断する切断工程とを有することを特徴とする請求項１に記載のバンプ形成方法。
【請求項１０】
前記融着工程は、前記導電物質を含むボール状物質を、前記導電体の上に吸引搬送する搬送工程と、前記搬送工程により搬送された前記ボール状物質をリフローにより融解する融解工程と、前記融解工程により融解した前記ボール状物質を冷やして凝固させる工程とを有することを特徴とする請求項１に記載のバンプ形成方法。
【請求項１１】
電気部品に対して電気的接触を行うために導電体上に形成されたバンプであって、前記導電体に融着した下方部分と、前記バンプの先端に近づくにつれて断面の面積が小さくなる先細の形状に形押成形された上方部分とを備えたことを特徴とするバンプ。
【請求項１２】
前記先細の形状が円錐形状であることを特徴とする請求項１１に記載のバンプ。
【請求項１３】
前記形押成形されている前記上方部分の長さが、少なくとも２０μｍ以上であることを特徴とする請求項１１に記載のバンプ。
【請求項１４】
表面が、前記上方部分の硬度より大きい硬度を有する高硬度物質でメッキされていることを特徴とする請求項１１に記載のバンプ。
【請求項１５】
前記高硬度物質が、ニッケル及びパラジウムニッケルのいずれかであることを特徴とする請求項１４に記載のバンプ。
【請求項１６】
前記高硬度物質によるメッキの表面に、更に金メッキされたことを特徴とする請求項１４に記載のバンプ。
【請求項１７】
電気部品に対して電気的に接触し、前記電気部品の電気的特性を検査するために用いるプローブカードであって、前記検査に用いる電気信号を伝達する複数の導電体と、前記複数の導電体の各々の上に形成されたバンプであって、前記電気部品と機械的に接触されるバンプとを備え、当該バンプは、前記導電体に融着した下方部分と、前記バンプの先端に近づくにつれて断面の面積が小さくなる先細の形状に形押成形された上方部分とを有することを特徴とするプローブカード。
【請求項１８】
前記バンプを前記電気部品に押圧する弾性体を更に備えることを特徴とする請求項１７に記載のプローブカード。
【請求項１９】
前記弾性体により前記電気部品の方向へ押圧されるフレキシブルな基板を更に備え、前記複数の導電体のそれぞれが、前記基板に接着された裏面と、前記バンプが設けられた表面とを有することを特徴とする請求項１８に記載のプローブカード。
【請求項２０】
前記弾性体は、導電性の金属でありかつ前記複数の導電体毎に独立に設けられていることを特徴とする請求項１８に記載のプローブカード。
【請求項２１】
前記複数の導電体のそれぞれは、当該導電体に対応して設けられた前記弾性体と一体に形成された金属であることを特徴とする請求項２０に記載のプローブカード。