(57)【要約】【課題】アンダーフィル樹脂の流れ出しを効果的に防止することのできる配線基板への半導体チップ実装構造を提供する。【解決手段】配線基板のチップ搭載エリア１４内に半導体チップ３０がフリップチップ接続して搭載され、該半導体チップ３０とチップ搭載エリア１４との間の隙間にアンダーフィル樹脂３２が充填され、該アンダーフィル樹脂３２が半導体チップ３０側壁部を這い上がってフィレット部３４が形成されると共に、保護レジスト層１８上に流れ出たアンダーフィル樹脂３２が枠状樹脂ダム２０によって堰き止められていることを特徴とする。【選択図】      図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップがフリップチップ接続によって搭載されるチップ搭載エリアを囲んで保護レジスト層が設けられ、前記チップ搭載エリア内に、金属パッドが所要パターンで露出して形成された配線基板において、
前記搭載される半導体チップとチップ搭載エリアとの対向面間に生じる隙間にアンダーフィル樹脂が充填される場合の、該アンダーフィル樹脂の外方への流れ出しを防止するための枠状樹脂ダムが、前記保護レジスト層上であって、前記チップ搭載エリアを囲む保護レジスト層の内端エッジ部から所要距離外方に離れた位置に形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
搭載される半導体チップと前記チップ搭載部を囲む保護レジスト層の内端エッジ部との間に、アンダーフィル樹脂が浸入可能な隙間が形成されていることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
搭載される半導体チップの外壁と前記枠状樹脂ダム内壁との間が、少なくともアンダーフィル樹脂を注入するディスペンサーのノズルが移動可能な空間が形成される距離だけ離れていることを特徴とする請求項１または２記載の配線基板。
【請求項４】
前記金属パッドの表面にはんだ薄層が形成されていることを特徴とする請求項１〜３いずれか１項記載の配線基板。
【請求項５】
請求項４記載の配線基板のチップ搭載エリア内に半導体チップがフリップチップ接続して搭載され、
該半導体チップとチップ搭載エリアとの隙間にアンダーフィル樹脂が充填され、該アンダーフィル樹脂が半導体チップ側壁部を這い上がってフィレット部が形成されると共に、保護レジスト層上に流れ出たアンダーフィル樹脂が枠状樹脂ダムによって堰き止められていることを特徴とする配線基板への半導体チップ実装構造。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は配線基板および配線基板への半導体チップ実装構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
今後市場成長の見込める次世代携帯電話、デジタルカメラ等はさらなる高付加価値化が求められている。この高付加価値化を実現するためには半導体パッケージ（配線基板）の高密度化、小型化、軽量化が必須となる。
この配線基板の高密度化、小型化、軽量化のために、アッセンブリ技術において、半導体チップのフリップチップ接続構造を採用することが有効な手段である。
半導体チップのフリップチップ接続においては、チップ搭載エリア周辺の配線パターンの保護のために、チップ搭載エリアを囲むようにして、配線パターンを覆う保護レジスト層が設けられる。保護レジスト層はまた、半導体チップとチップ搭載エリアとの間の隙間に充填するアンダーフィル樹脂の流れ出し防止にも寄与している。
【０００３】
【特許文献１】
特開平１１−１１１８９４号（図１、図２）
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、半導体チップとチップ搭載エリアとの間の隙間に充填される上記アンダーフィル樹脂は、５０μｍ程度のきわめて小さな隙間に毛細管現象によって浸透させるものであるため、低粘性の樹脂が用いられる。
このため、量が多くなると、チップ搭載エリアよりも外方、すなわち、保護レジスト層上にも流れ出す可能性がある。
従来においては、アンダーフィル樹脂の多少の流れ出しは、見栄えを多少損ねる程度であるため無視できたが、半導体チップそのものが小型化し、半導体チップ、その他の電子部品の搭載密度が高くなってくると、このアンダーフィル樹脂の流れ出しが、周辺のチップや電子部品に悪影響をもたらすおそれがでてきた。
【０００５】
そこで、本発明は上記課題を解決すべくなされたものであり、その目的とするところは、アンダーフィル樹脂の流れ出しを効果的に防止することのできる配線基板および配線基板への半導体チップ実装構造を提供するにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記課題を解決するために次の構成を有する。
すなわち、本発明に係る配線基板は、半導体チップがフリップチップ接続によって搭載されるチップ搭載エリアを囲んで保護レジスト層が設けられ、前記チップ搭載エリア内に、金属パッドが所要パターンで露出して形成された配線基板において、前記搭載される半導体チップとチップ搭載エリアとの対向面間に生じる隙間にアンダーフィル樹脂が充填される場合の、該アンダーフィル樹脂の外方への流れ出しを防止するための枠状樹脂ダムが、前記保護レジスト層上であって、前記チップ搭載エリアを囲む保護レジスト層の内端エッジ部から所要距離外方に離れた位置に形成されていることを特徴とする。
【０００７】
搭載される半導体チップと前記チップ搭載部を囲む保護レジスト層の内端エッジ部との間に、アンダーフィル樹脂が浸入可能な隙間が形成されていることを特徴とする。
また、搭載される半導体チップの外壁と前記枠状樹脂ダム内壁との間が、少なくともアンダーフィル樹脂を注入するディスペンサーのノズルが移動可能な空間が形成される距離だけ離れていることを特徴とする。
また、前記金属パッドの表面にはんだ薄層が形成されていることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明に係る配線基板への半導体チップの実装構造は、上記配線基板のチップ搭載エリア内に半導体チップがフリップチップ接続して搭載され、該半導体チップとチップ搭載エリアとの隙間にアンダーフィル樹脂が充填され、該アンダーフィル樹脂が半導体チップ側壁部を這い上がってフィレット部が形成されると共に、保護レジスト層上に流れ出たアンダーフィル樹脂が枠状樹脂ダムによって堰き止められていることを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。
図１〜図７に配線基板にベアチップを実装するまでの一連の製造工程例を示す。
この製造工程の説明と併せて、配線基板の構造、半導体チップの実装構造を説明する。
図１は、多層の（プリント）配線基板１０の説明図であり、この配線基板１０は樹脂基板１２を用いた公知の方法によって製造されるものであって、その製造工程の説明は省略する。
１４はチップ搭載エリアであり、半導体チップがフリップチップ接続によって搭載される部位である。チップ搭載エリア１４には、半導体チップと電気的に接続される金属パッド１６が所要電極パターンで形成されている。
【００１０】
チップ搭載エリア１４を囲んで保護レジスト層１８が設けられている。
保護レジスト層１８は、チップ搭載エリア１４周辺の配線パターン（図示せず）を覆って形成され、配線パターンを保護するものである。この保護レジスト層１８は、レジストをスクリーン印刷によって所要パターンに印刷して形成してもよいし、感光性レジストを塗布して、感光、現像して所要のパターンに形成してもよい。
【００１１】
次に図２に示すように、保護レジスト層１８上に、保護レジスト層１８の内端エッジ部から所要距離ｍだけ外方に離れた位置に枠状樹脂ダム２０を形成する（請求項１の配線基板）。
この枠状樹脂ダム２０は、搭載される半導体チップとチップ搭載エリア１４との対向面間に生じる隙間にアンダーフィル樹脂が充填される場合の、該アンダーフィル樹脂の外方への流れ出しを防止するためのものである。
この枠状樹脂ダム２０は、やはりレジストをスクリーン印刷して形成してもよいし、感光性レジストを塗布し、露光、現像して形成してもよい。
【００１２】
図３〜図６は、スーパージャフィット法により、金属パッド１６上にはんだ薄層を形成する工程を示す。
このスーパージャフィット法は、特開平７−７２４４号公報等に示されるように公知の方法である。
すなわち、まず、同公報に示されるように、粘着性付与化合物（イミダゾール系化合物など）の溶液に基板１２を浸漬処理、または基板１２に該粘着性付与化合物の溶液を塗布することにより、金属露出部である金属パッド１６上に薄い接着剤層２２を形成する（図３）。
【００１３】
次いで、図４に示すように、錫―銀合金等からなる小径のはんだ粉末２４を基板１２上に散布する。
次に、エアーガン（図示せず）等により高圧エアーを基板１２上に吹き付け、金属パッド１６、その他の露出している金属部分（金属パッド１６に接続する配線部分など）以外に付着している余分なはんだ粉末２４を除去する（図５）。
なお、高圧エアーでなく、純水をスプレーノズル（図示せず）により基板１２上に噴霧して余分なはんだ粉末２４を除去するようにしてもよい。純水を噴霧することにより、はんだ粉末が粉塵として飛散するのを防止できる。
【００１４】
基板１２上には、金属パッド１６以外の樹脂表面上にも、静電気その他の粘着力により、付着力は強くないが余分なはんだ粉末２４が付着している。この余分なはんだ粉末２４を高圧エアー等により除去するのである。金属パッド１６上に付着しているはんだ粉末２４は、接着剤層２２の強い粘着力によって金属パッド１６表面上に強く付着していることから、高圧エアー等によっては除去されない。
【００１５】
次いで、基板１２を加熱炉（図示せず）内に収容して加熱し、はんだ粉末２４をリフローして、金属パッド１６上にはんだ薄層２６をプリコーティングすることができる（請求項４の配線基板、図６）。
加熱炉内で加熱して、はんだ粉末２４をリフローさせる際、金属パッド１６に接続している配線部分（図示せず）に付着しているはんだ粉末も溶融するが、この配線部分は微細で面積が小さいことから、当該配線部分上の溶融はんだは、金属パッド１６上の溶融はんだの表面張力によって引っ張られ、金属パッド１６上に集積してはんだ薄層２６に形成される。
【００１６】
なお、保護レジスト層１８が大きく後退して、金属パッド１６に接続する配線部分が長く露出すると、該配線部分が微細であるとしても、トータルの面積は大きくなって、該配線部分上で溶融したはんだに、金属パッド１６上の溶融はんだの表面張力が及ばなくなり、該配線部分にはんだが残ってしまうので、保護レジスト層１８の開口部（チップ搭載エリア）はあまり大きくならないようにする。
【００１７】
そのための目安として、保護レジスト層１８の開口部の大きさは、図７に示すように、搭載される半導体チップ３０とチップ搭載部１４を囲む保護レジスト層１８の内端エッジ部との間に、少なくとも、アンダーフィル樹脂３２が浸入可能な隙間ｎ（２００μｍ程度）が形成されように、必要最小限の大きさとするようにするとよい。
【００１８】
なお、上記実施の形態では、枠状樹脂ダム２０を、はんだ薄層２６を形成する前の段階で形成したが、図６に示す、はんだ薄層２６を形成した後の工程で形成するようにしてもよい。
【００１９】
上記のように、はんだ薄層２６を形成した後、端子上に金バンプを形成した半導体チップ（ベアチップ）３０を常法によりフリップチップ接続して搭載することができる（図７）。
また、半導体チップ３０とチップ搭載エリア１４との対向面間に生じる隙間にエポキシ樹脂等の比較的低粘性のアンダーフィル樹脂３２を充填する。
【００２０】
このアンダーフィル樹脂３２の注入は、ディスペンサーのノズル（図示せず）を、半導体チップ３０の一辺に沿わせて移動させることにより行う。アンダーフィル樹脂３２は、隙間ｎから、半導体チップ３０とチップ搭載エリア１４との対向面間に生じる隙間に毛細管現象により浸透し、該隙間を埋める。
【００２１】
枠状樹脂ダム２０は、半導体チップの搭載密度を高くするため、小型化するためには、半導体チップ３０に接近させて設けるのがよいが、例えば、枠状樹脂ダム２０の内端エッジ部を保護レジスト層１８の内端エッジ部と一致させるなど、枠状樹脂ダム２０を半導体チップ３０にあまり接近させて形成すると、間隙ｎの長さが短くなって、アンダーフィル樹脂３２が浸透しにくくなる。また、ディスペンサーのノズルが入らなくなり、該ノズルを半導体チップ３０の一辺に沿って移動させられなくなる。
【００２２】
そこで、枠状樹脂ダム２０は、保護レジスト層１８上であって、保護レジスト層１８の内端エッジ部から所要距離外方に離れた位置、具体的には、搭載される半導体チップ３０の外壁と枠状樹脂ダム２０内壁との間（間隔ｐ）が、少なくともアンダーフィル樹脂３２を注入するディスペンサーのノズルが移動可能な空間が形成される距離だけ離れるようにするとよい（図７）。
【００２３】
上記隙間に充填されたアンダーフィル樹脂３２は低粘性であって、外方に流れ出しやすいが、図７に示すように、枠状樹脂ダム２０によって堰き止められ、かつ、該アンダーフィル樹脂３２が半導体チップ３０側壁部を這い上がってフィレット部３４が形成される。このフィレット部３４が形成されることによって、半導体チップ３０が強固に接合されるのである（請求項５の実装構造）。
【００２４】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、アンダーフィル樹脂の流れ出しを効果的に防止することのできる配線基板および配線基板への半導体チップ実装構造を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】チップ搭載部を示す配線基板の説明図である。
【図２】枠状樹脂ダムを形成した配線基板の説明図である。
【図３】金属パッド上に接着剤層を形成した状態の説明図である。
【図４】基板上にはんだ粉末を散布した状態の説明図である。
【図５】余分なはんだ粉末を除去した状態の説明図である。
【図６】金属パッド上にはんだ薄層をプリコーティングした状態の説明図である。
【図７】半導体チップを搭載し、アンダーフィル樹脂を充填した状態の実装構造を示す説明図である。
【符号の説明】
１０  配線基板
１２  基板
１４  チップ搭載エリア
１６  金属パッド
１８  保護レジスト層
２０  枠状樹脂ダム
２２  接着剤層
２４  はんだ粉末
２６  はんだ薄層
３０  半導体チップ
３２  アンダーフィル樹脂
３４  フィレット部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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