(57)【要約】【課題】  浮遊容量を小さくして高周波特性を向上させることが可能な積層型コモンモードフィルタを提供すること。【解決手段】  第１の導体２２は、スパイラル形状を呈し、第１の端子電極に接続される。第２の導体２３は、第１の導体２２の内側端部に対応する位置から第２の端子電極まで伸びて当該第２の端子電極に接続されると共に、第１の導体２２よりもインダクタンス値が低い。第３の導体３２は、スパイラル形状を呈し、第３の端子電極に接続される。第４の導体３３は、第３の導体３２の内側端部に対応する位置から第４の端子電極まで伸びて当該第２の端子電極に接続されると共に、第３の導体３２よりもインダクタンス値が低い。第２及び第４の導体２３，３３が、積層方向において第１の導体２２と第３の導体３２との間に位置すると共に、互いに異なる絶縁体１１，１２間及び絶縁体１２，１３間に位置する。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の絶縁体が積層された積層体と、
前記積層体に形成された第１〜第４の端子電極と、
前記積層体内に配されると共に、互いに電気的に接続される第１及び第２の導体を含む第１のコイルと、
前記積層体内に配されると共に、互いに電気的に接続される第３及び第４の導体を含む第２のコイルと、を備え、
前記第１の導体は、スパイラル形状を呈すると共に、外側端部が前記第１の端子電極に接続され、
前記第２の導体は、前記第１の導体の内側端部に対応する位置から前記第２の端子電極まで伸びて当該第２の端子電極に接続されると共に、前記第１の導体よりもインダクタンス値が低く、
前記第３の導体は、スパイラル形状を呈すると共に、外側端部が前記第３の端子電極に接続され、
前記第４の導体は、前記第３の導体の内側端部に対応する位置から前記第４の端子電極まで伸びて当該第４の端子電極に接続されると共に、前記第３の導体よりもインダクタンス値が低く、
前記第２及び第４の導体は、前記複数の絶縁体の積層方向において前記第１の導体と前記第３の導体との間に位置すると共に、前記複数の絶縁体のうち互いに異なる絶縁体間に位置することを特徴とする積層型コモンモードフィルタ。
【請求項２】
前記第１の導体の内側端部と前記第３の導体の内側端部とは、前記積層方向から見てずれて位置していることを特徴とする請求項１に記載の積層型コモンモードフィルタ。
【請求項３】
前記第１の導体と前記第３の導体との前記積層方向での間隔が、２０μｍ以上に設定されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の積層型コモンモードフィルタ。
【請求項４】
前記複数の絶縁体のうち、前記第１の導体から前記第３の導体までの間に位置する絶縁体が非磁性体であり、残りの絶縁体が磁性体であることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の積層型コモンモードフィルタ。
【請求項５】
前記積層体は、前記第１〜第４の導体を囲むように位置する第１の部分と、当該第１の部分を前記積層方向で挟むように位置する第２の部分とを含んでおり、
前記複数の絶縁体のうち、前記第１の部分に含まれる絶縁体が非磁性体であり、残りの絶縁体が磁性体であることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の積層型コモンモードフィルタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層型コモンモードフィルタに関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の積層型コモンモードフィルタとして、複数の絶縁体が積層された積層体と、積層体に形成された第１〜第４の端子電極と、積層体内に配されると共に、互いに電気的に接続される第１及び第２の導体を含む第１のコイルと、積層体内に配されると共に、互いに電気的に接続される第３及び第４の導体を含む第２のコイルと、を備えるものが知られている（例えば、特許文献１を参照）。
【０００３】
更に、特許文献１に記載された積層型コモンモードフィルタには、以下の構成が記載されている。第１の導体は、スパイラル形状を呈すると共に、外側端部が第１の端子電極に接続されている。第２の導体は、第１の導体の内側端部に対応する位置から第２の端子電極まで伸びて当該第２の端子電極に接続されると共に、第１の導体よりもインダクタンス値が低い。第３の導体は、スパイラル形状を呈すると共に、外側端部が第３の端子電極に接続されている。第４の導体は、第３の導体の内側端部に対応する位置から第４の端子電極まで伸びて当該第４の端子電極に接続されると共に、第３の導体よりもインダクタンス値が低い。第２及び第４の導体は、複数の絶縁体の積層方向（以下、場合によっては、単に「積層方向」と称する。）において第１の導体と第３の導体との間に位置すると共に、複数の絶縁体のうち同じ絶縁体間に位置している。
【特許文献１】特開平８−２０３７３７号公報（特許第３６０１６１９号公報）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載された積層型コモンモードフィルタでは、第１及び第３の導体はスパイラル状とされるため、第１及び第３の導体におけるコイル面積は比較的大きなものなる。このため、第１の導体と第３の導体とを複数の絶縁体の積層方向において近づけて位置させると、第１の導体と第３の導体との間に発生する浮遊容量が大きくなってしまう。浮遊容量が大きくなると、低い周波数にて共振が起こり、結果的に高周波特性が低下することとなる。
【０００５】
本発明は、浮遊容量を小さくして高周波特性を向上させることが可能な積層型コモンモードフィルタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る積層型コモンモードフィルタは、複数の絶縁体が積層された積層体と、積層体に形成された第１〜第４の端子電極と、積層体内に配されると共に、互いに電気的に接続される第１及び第２の導体を含む第１のコイルと、積層体内に配されると共に、互いに電気的に接続される第３及び第４の導体を含む第２のコイルと、を備え、第１の導体は、スパイラル形状を呈すると共に、外側端部が第１の端子電極に接続され、第２の導体は、第１の導体の内側端部に対応する位置から第２の端子電極まで伸びて当該第２の端子電極に接続されると共に、第１の導体よりもインダクタンス値が低く、第３の導体は、スパイラル形状を呈すると共に、外側端部が第３の端子電極に接続され、第４の導体は、第３の導体の内側端部に対応する位置から第４の端子電極まで伸びて当該第４の端子電極に接続されると共に、第３の導体よりもインダクタンス値が低く、第２及び第４の導体は、複数の絶縁体の積層方向において第１の導体と第３の導体との間に位置すると共に、複数の絶縁体のうち互いに異なる絶縁体間に位置することを特徴とする。
【０００７】
本発明に係る積層型コモンモードフィルタでは、第２及び第４の導体が、複数の絶縁体の積層方向において第１の導体と第３の導体との間に位置すると共に、複数の絶縁体のうち互いに異なる絶縁体間に位置するので、第１の導体と第３の導体との積層方向での間隔が比較的大きなものとなる。特許文献１に記載された積層型コモンモードフィルタに比して、第１の導体と第３の導体との積層方向での間隔は、第２の導体と第４の導体との間に位置する絶縁体の厚み分だけ大きくなる。これにより、第１の導体と第３の導体との間に発生する浮遊容量を小さくでき、高周波特性を向上することができる。
【０００８】
好ましくは、第１の導体の内側端部と第３の導体の内側端部とは、積層方向から見てずれて位置している。この場合、第１のコイル（第１の導体及び第２の導体）と第２のコイル（第３の導体及び第４の導体）とにおける、積層方向から見て重なり合う領域の面積が少なくなり、第１のコイルと第２のコイルとの間に発生する浮遊容量を小さくすることができる。この結果、高周波特性をより一層向上することができる。
【０００９】
好ましくは、第１の導体と第３の導体との積層方向での間隔が、２０μｍ以上に設定されている。この場合、第１の導体と第３の導体との間に発生する浮遊容量を約３．４ｐＦ以下にできる。
【００１０】
好ましくは、複数の絶縁体のうち、第１の導体から第３の導体までの間に位置する絶縁体が非磁性体であり、残りの絶縁体が磁性体である。この場合、ディファレンシャルモードのインピーダンスが低減されることとなり、高周波数帯域に対応可能な積層型コモンモードフィルタを得ることができる。
【００１１】
また、好ましくは、積層体は、第１〜第４の導体を囲むように位置する第１の部分と、当該第１の部分を積層方向で挟むように位置する第２の部分とを含んでおり、複数の絶縁体のうち、第１の部分に含まれる絶縁体が非磁性体であり、残りの絶縁体が磁性体である。この場合、ディファレンシャルモードのインピーダンスがより一層低減されることとなり、更に高周波数帯域に対応可能な積層型コモンモードフィルタを得ることができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、浮遊容量を小さくして高周波特性を向上させることが可能な積層型コモンモードフィルタを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。また、説明中、「上」及び「下」なる語を使用することがあるが、これは各図の上下方向に対応したものである。
【００１４】
図１〜図３を参照して、本実施形態に係る積層型コモンモードフィルタＣＦの構成を説明する。図１は、本実施形態に係る積層型コモンモードフィルタを示す斜視図である。図２は、本実施形態に係る積層型コモンモードフィルタの断面構成を説明するための模式図である。図３は、本実施形態に係る積層型コモンモードフィルタに含まれる、素体を分解して示した構成図である。
【００１５】
積層型コモンモードフィルタＣＦは、図１〜図３に示されるように、直方体形状の素体１と、第１及び第２のコイル２１，３１と、素体１の側面に形成された第１〜第４の端子電極３〜６とを備えている。第１及び第２のコイル２１，３１は、素体１内に配されている。第１のコイル２１は、第１の端子電極３と第２の端子電極４とに電気的に接続される。第２のコイル３１は、第３の端子電極５と第４の端子電極６とに電気的に接続される。第１のコイル２１と、第２のコイル３１とは、互いに磁気結合する。
【００１６】
素体１は、図３に示すように、複数（本実施形態においては、９層）の絶縁体１１〜１９が積層されることにより構成される積層体である。実際の積層型コモンモードフィルタＣＦは、絶縁体１１〜１９間の境界が視認できない程度に一体化されている。絶縁体１１〜１９は、グリーンシートが焼成されることにより、構成される。
【００１７】
第１のコイル２１は、第１の導体２２と、第２の導体２３とを有する。第１の導体２２は、絶縁体１１上に位置する。第１の導体２２は、スパイラル形状を呈している。第１の導体２２の外側端部は、素体１の側面まで引き出されて当該側面に露出しており、第１の端子電極３に接続される。第１の導体２２の外側端部は、引き出し導体として機能する。
【００１８】
絶縁体１１における第１の導体２２の内側端部に対応する位置には、絶縁体１１を厚み方向に貫通するスルーホール導体４１が形成されている。第１の導体２２は、その内側端部においてスルーホール導体４１に電気的に接続されている。
【００１９】
第２の導体２３は、絶縁体１２上に位置している。これにより、第１の導体２２と、第２の導体２３とは、異なる層に位置することとなる。第２の導体２３の一端部は、素体１の側面（第１の導体２２の外側端部が引き出される側面に対向する側面）まで引き出されて当該側面に露出しており、第２の端子電極４に接続される。第２の導体２３の他端部は、スルーホール導体４１が形成された位置、すなわち第１の導体２２の内側端部に対応する位置まで伸びている。第２の導体２３は、第１の導体２２よりも線路長が短く、インダクタンス値が低い。第２の導体２３の一端部は、引き出し導体として機能する。
【００２０】
第２の導体２３の他端部は、絶縁体１１，１２が積層された状態でスルーホール導体４１と電気的に接続される。これにより、第１の導体２２及び第２の導体２３は、相互に電気的に接続され、第１のコイル２１を構成することとなる。
【００２１】
第２のコイル３１は、第３の導体３２と、第４の導体３３とを有する。第３の導体３２は、絶縁体１４上に位置する。第３の導体３２は、スパイラル形状を呈している。第３の導体３２の外側端部は、素体１の側面（第１の導体２２の外側端部が引き出される側面）まで引き出されて当該側面に露出しており、第３の端子電極５に接続される。第３の導体３２の外側端部は、引き出し導体として機能する。
【００２２】
絶縁体１３における第３の導体３２の内側端部に対応する位置には、絶縁体１３を厚み方向に貫通するスルーホール導体４３が形成されている。スルーホール導体４３は、絶縁体１３，１４が積層された状態で第３の導体３２の内側端部と電気的に接続される。
【００２３】
第４の導体３３は、絶縁体１３上に位置している。これにより、第３の導体３２と、第４の導体３３とは、異なる層に位置することとなる。第４の導体３３の一端部は、素体１の側面（第１及び第３の導体２２，３２の外側端部が引き出される側面に対向する側面）まで引き出されて当該側面に露出しており、第４の端子電極６に接続される。第４の導体３３の他端部は、スルーホール導体４３が形成された位置、すなわち第３の導体３２の内側端部に対応する位置まで伸びている。第４の導体３３は、第３の導体３２よりも線路長が短く、インダクタンス値が低い。第４の導体３３の一端部は、引き出し導体として機能する。
【００２４】
第４の導体３３の他端部は、その一端部においてスルーホール導体４３に電気的に接続されている。これにより、第３の導体３２及び第４の導体３３は、相互に電気的に接続され、第２のコイル３１を構成することとなる。
【００２５】
第１の導体２２と第３の導体３２とは、当該各導体２２，３２におけるスパイラル状の部分の殆どが絶縁体１１〜１９の積層方向（以下、単に「積層方向」と称する。）から見て互いに重なるように伸びている。本実施形態では、第１の導体２２の内側端部と第３の導体３２の内側端部とは、積層方向から見て同じ位置となっている。
【００２６】
積層型コモンモードフィルタＣＦは、上述したように、第１の導体２２は絶縁体１１上に位置し、第２の導体２３は絶縁体１２上に位置し、第４の導体３３は絶縁体１３上に位置し、第３の導体３２は絶縁体１４上に位置している。したがって、第２の導体２３及び第４の導体３３は、積層方向において第１の導体２２と第３の導体３２との間に位置することとなる。また、第２の導体２３は絶縁体１１と絶縁体１２との間に位置し、第４の導体３３は絶縁体１２と絶縁体１３との間に位置し、第２の導体２３と第４の導体３３とは、互いに異なる絶縁体１１，１２間及び絶縁体１２，１３間に位置することとなる。
【００２７】
第１の導体２２と第３の導体３２との間には、３層の絶縁体１１，１２，１３が存在する。これにより、第１の導体２２と第３の導体３２とは、積層方向に見て、３層の絶縁体１１，１２，１３の厚みに対応する間隔Ｇ１を有して配置されることとなる。第１の導体２２と第３の導体３２との間隔Ｇ１は、第１のコイル２１と第２の３１とが磁気結合し得る長さに設定される。第１の導体２２と第３の導体３２との間隔Ｇ１は、８０μｍ以下に設定されることが好ましい。第１の導体２２と第３の導体３２との間隔Ｇ１が８０μｍより大きくなると、第１のコイル２１と第２の３１との磁気結合が弱くなり、コモンモードフィルタとしての特性を確保できなくなるためである。
【００２８】
第２の導体２３と第４の導体３３との間には、１層の絶縁体１２が存在する。これにより、第２の導体２３と第４の導体３３とは、積層方向に見て、１層の絶縁体１２の厚みに対応する間隔Ｇ２を有して配置されることとなる。
【００２９】
絶縁体１５〜１７は、絶縁体１１の上に位置しており、第１の導体２２を保護するためのベース層として機能する。絶縁体１８，１９は、絶縁体１４の下に位置している。絶縁体１５〜１９は、素体１の厚みを所定の寸法に調整するためのものでもある。絶縁体１５〜１７の数は３層に限られるものではなく、１層でも２層でもよく、また４層以上であってもよい。絶縁体１８，１９も、２層に限られることなく、積層しなくてもよい。
【００３０】
続いて、積層型コモンモードフィルタＣＦの作製方法について説明する。
【００３１】
まず、絶縁体１１〜１３を構成することとなる非磁性体グリーンシートを用意する。非磁性体グリーンシートは、例えばＦｅ２Ｏ３とＺｎＯとＣｕＯとの混合粉を原料としたスラリーをフィルム上にドクターブレード法により塗布して形成したものを用いることができる。非磁性体グリーンシートの厚みは、例えば１８μｍ程度に設定することができる。Ｆｅ２Ｏ３とＺｎＯとＣｕＯとの混合粉の代わりに、誘電体材料（ＴｉＯ２とＣｕＯとＮｉＯとＭｎＣＯとの混合粉等）や、酸化物セラミック材料（Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、フォルステライト、ステアタイト、コージライト等、またはこれらの混合粉）を用いてもよい。
【００３２】
また、絶縁体１４〜１９を構成することとなる磁性体グリーンシートを用意する。磁性体グリーンシートは、例えばフェライト（例えば、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｍｇ系フェライト、Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト、又は、Ｎｉ−Ｃｕ系フェライト等）粉末を原料としたスラリーをフィルム上にドクターブレード法により塗布して形成したものを用いることができる。磁性体グリーンシートの厚みは、例えば２０μｍ程度である。
【００３３】
次に、絶縁体１１，１３を構成することとなる各非磁性体グリーンシートの所定の位置、すなわちスルーホール導体４１，４３を形成する予定位置に、レーザー加工等によってスルーホールを形成する。
【００３４】
次に、絶縁体１１〜１４を構成することとなる各グリーンシートに、第１〜第４の導体２２，２３，３２，３３に対応する導体パターンを形成する。各導体パターンは、例えば、銀もしくはニッケルを主成分とする導体ペースト（導電体材料）をスクリーン印刷した後、乾燥することによって形成される。各スルーホールには、各導体パターンを形成する際に、導体ペーストが充填されることとなる。
【００３５】
次に、各グリーンシートを順次積層して圧着し、チップ単位に切断した後に所定温度（例えば、８００〜９００度）にて焼成する。これにより、素体１が形成されることとなる。素体１は、例えば、完成後における長手方向の長さが１．２５ｍｍ、幅が１．０ｍｍ、高さが０．５ｍｍとなるようにする。第１〜第４の導体２２，２３，３２，３３の焼成後における幅は、例えば５０μｍ程度に設定される。第１〜第４の導体２２，２３，３２，３３の焼成後における厚みは、例えば１２μｍ程度に設定される。
【００３６】
次に、この素体１に第１〜第４の端子電極３〜６を形成する。これにより、積層型コモンモードフィルタＣＦが得られることとなる。第１〜第４の端子電極３〜６は、素体１の外面に銀、ニッケルもしくは銅を主成分とする電極ペーストを転写した後に所定温度（例えば、７００℃程度）にて焼き付け、更に電気めっきを施すことにより、形成される。電気めっきには、Ｃｕ／Ｎｉ／Ｓｎ、Ｎｉ／Ｓｎ、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｇ、又は、Ｎｉ／Ａｇ等を用いることができる。なお、積層型コモンモードフィルタＣＦのコモンモードインピーダンスは、例えば９０Ωに設定することができる。
【００３７】
以上のように、本実施形態においては、第２及び第４の導体２３，３３が、積層方向において第１の導体２２と第３の導体３２との間に位置すると共に、互いに異なる絶縁体１１，１２間及び絶縁体１２，１３間に位置するので、第１の導体２２と第３の導体３２との積層方向での間隔が比較的大きなものとなる。特許文献１に記載された積層型コモンモードフィルタに比して、第１の導体２２と第３の導体３２との積層方向での間隔は、第２の導体２３と第４の導体３３との間に位置する絶縁体１２の厚み分だけ大きくなる。これにより、第１の導体２２と第３の導体２３との間に発生する浮遊容量を小さくでき、積層型コモンモードフィルタＣＦの高周波特性を向上することができる。
【００３８】
第２の導体２３と第４の導体３３との間にも浮遊容量は発生する。しかしながら、第１及び第３の導体２２，３２は第２及び第４の導体２３，３３よりも導体面積が極めて大きく、第１のコイル２１と第２のコイル３１の間に発生する浮遊容量は第１の導体２２と第３の導体２３との間に発生する浮遊容量が支配的になる。
【００３９】
ところで、本実施形態に係る積層型コモンモードフィルタＣＦでは、複数の絶縁体１１〜１９のうち、第１の導体２２から第３の導体３２までの間に位置する絶縁体１１〜１３が非磁性体であり、残りの絶縁体１４〜１９が磁性体である。第１の導体２２と第３の導体３２とは、磁性体にも接することとなる。これにより、ディファレンシャルモードのインピーダンスが低減されることとなり、高周波数帯域に対応可能なコモンモードフィルタを得ることができる。
【００４０】
本実施形態において、絶縁体１１〜１４，１７を非磁性体とし、絶縁体１５，１６，１８，１９を磁性体としてもよい。この場合、図４に示されるように、素体１における第１のコイル２１（第１及び第２の導体２２，２３）及び第２のコイル３１（第３及び第４の導体３２，３３）を囲むように位置する第１の部分１ａに含まれる絶縁体１１〜１４，１７は非磁性体であり、絶縁体１１〜１４，１７を積層方向で挟むように位置する第２の部分１ｂに含まれる絶縁体１５，１６，１８，１９は磁性体となる。すなわち、第１のコイル２１の各導体２２，２３と、第２のコイル３１の各導体３２，３３とは、非磁性体に接することとなる。第１の導体２２と第３の導体３２とは、磁性体に接することはない。この結果、ディファレンシャルモードのインピーダンスがより一層低減されることとなり、更に高周波数帯域に対応可能なコモンモードフィルタを得ることができる。
【００４１】
次に、図５及び図６を参照して、本実施形態に係る積層型コモンモードフィルタＣＦの変形例の構成を説明する。図５は、本実施形態に係る積層型コモンモードフィルタの変形例の断面構成を説明するための模式図である。図６は、本実施形態に係る積層型コモンモードフィルタの変形例に含まれる素体を分解して示した構成図である。変形例に係る積層型コモンモードフィルタＣＦは、第１〜第４の導体２２，２３，３２，３３の形状に関して上述した実施形態に係る積層型コモンモードフィルタＣＦと相違する。
【００４２】
変形例に係る積層型コモンモードフィルタＣＦは、図１に示された積層型コモンモードフィルタＣＦと同じく、素体１と、第１及び第２のコイル２１，３１と、第１〜第４の端子電極３〜６とを備えている。第１のコイル２１は、第１の導体２２と、第２の導体２３とを有する。第２のコイル３１は、第３の導体３２と、第４の導体３３とを有する。
【００４３】
本変形例では、第１の導体２２の内側端部と第３の導体３２の内側端部とは、積層方向から見てずれて位置している。すなわち、スルーホール導体４１の位置とスルーホール導体４３の位置とが積層方向から見てずれている。これにより、本変形例では、第１のコイル２１（第１の導体２２及び第２の導体２３）と第２のコイル３１（第３の導体３２及び第４の導体３３）とにおける、積層方向から見て重なり合う領域の面積が少なくなる。これにより、第１のコイル２１と第２のコイル３１との間に発生する浮遊容量を小さくすることができる。この結果、積層型コモンモードフィルタＣＦの高周波特性をより一層向上することができる。
【００４４】
ここで、第１の導体２２と第３の導体３２との積層方向での間隔Ｇ１と、第１の導体２２と第３の導体３２との間に発生する浮遊容量ＣＳとの関係について、説明する。
【００４５】
本発明者等は、間隔Ｇ１と、浮遊容量ＣＳとの関係を明らかにするために、以下のような実験をおこなった。すなわち、間隔Ｇ１が異なる積層型コモンモードフィルタのサンプルを５つ（サンプル１〜５）準備して、各サンプル１〜５の浮遊容量ＣＳを測定した。その測定結果を、図７の表に示す。各サンプル１〜５とも、検体数を６０個とし、コモンモードインピーダンスが９０Ωとなるように設計している。
【００４６】
サンプル１は、本実施形態の積層型コモンモードフィルタＣＦと同じ構成の積層型コモンモードフィルタを用いた。間隔Ｇ１は、約１４μｍに設定した。
【００４７】
サンプル２は、本実施形態の積層型コモンモードフィルタＣＦと同じ構成の積層型コモンモードフィルタを用いた。間隔Ｇ１は、約２０μｍに設定した。
【００４８】
サンプル３は、本実施形態の積層型コモンモードフィルタＣＦと同じ構成の積層型コモンモードフィルタを用いた。間隔Ｇ１は、約３０μｍに設定した。
【００４９】
サンプル４は、本実施形態の積層型コモンモードフィルタＣＦと同じ構成の積層型コモンモードフィルタを用いた。間隔Ｇ１は、約４０μｍに設定した。
【００５０】
サンプル５は、本実施形態の変形例の積層型コモンモードフィルタＣＦと同じ構成の積層型コモンモードフィルタを用いた。間隔Ｇ１は、約４１μｍに設定した。
【００５１】
図７に示される測定結果から分かるように、間隔Ｇ１を２０μｍ以上に設定することにより、浮遊容量ＣＳを約３．４ｐＦ以下にできることがわかる。
【００５２】
以上、本発明の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしもこれらの実施形態に限定されるものではない。
【００５３】
本実施形態及びその変形例では、第１の導体２２と第３の導体３２とをそれぞれ１層としているが、これに限られない。各コイル２１，３１のインピーダンスを大きくするために、第１及び第３の導体２２，３２を２層以上としてもよい。この場合、２層以上とされた第１及び第３の導体２２，３２は、スルーホール導体等を介して電気的に接続されることとなる。
【００５４】
第１及び第３の導体２２，３２は、引き出し導体として機能する部分を、別体に形成して、異なる層に位置させてもよい。この場合、第１及び第３の導体２２，３２と引き出し導体として機能する部分とは、スルーホール導体等を介して電気的に接続されることとなる。
【００５５】
第１の導体２２と第２の導体２３との間隔、第２の導体２３と第３の導体３２との間隔、及び、第３の導体３２と第４の導体３３との間隔は、１層の絶縁体の厚みに対応する間隔とされているが、これに限られない。各間隔を、２層以上の絶縁体の厚みに対応する間隔としてもよい。
【００５６】
本発明は、第１のコイル２１及び第２のコイル３１を複数組有する積層型コモンモードフィルタアレイにも適用することができる。また、本発明は、上述したグリーンシート積層技術により製造された積層型コモンモードフィルタアレイだけでなく、印刷技術や薄膜技術等により製造された積層型コモンモードフィルタアレイにも適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本実施形態に係る積層型コモンモードフィルタを示す斜視図である。
【図２】本実施形態に係る積層型コモンモードフィルタの断面構成を説明するための模式図である。
【図３】本実施形態に係る積層型コモンモードフィルタに含まれる、素体を分解して示した構成図である。
【図４】本実施形態に係る積層型コモンモードフィルタの断面構成を説明するための模式図である。
【図５】本実施形態に係る積層型コモンモードフィルタの変形例の断面構成を説明するための模式図である。
【図６】本実施形態に係る積層型コモンモードフィルタの変形例に含まれる素体を分解して示した構成図である。
【図７】第１の導体と第３の導体との積層方向での間隔と、第１の導体と第３の導体との間に発生する浮遊容量との関係を示す図表である。
【符号の説明】
【００５８】
ＣＦ…積層型コモンモードフィルタ、１…素体、１ａ…第１の部分、１ｂ…第２の部分、３〜６…第１〜第４の端子電極、１１〜１９…絶縁体、２１…第１のコイル、２２…第１の導体、２３…第２の導体、３１…第２のコイル、３２…第３の導体、３３…第４の導体、４１，４３…スルーホール導体。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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