(57)【要約】【課題】  半導体素子のＲＢＳＯＡ耐量試験のスループットを向上し、かつ不良素子の発見のためのコストを低下できる半導体素子の試験方法を提供する。【解決手段】  試験対象半導体素子のサンプルから、ＲＢＳＯＡ耐量を保証するＲＢＳＯＡ耐量試験の代替として行うアバランシェ耐量試験の合否判断の規格値を決定する。決定された規格値をアバランシェ耐量試験の合否判断の規格値として行ったウエーハ上の試験対象半導体素子のアバランシェ耐量試験の合否判断結果を、その試験対象半導体素子のＲＢＳＯＡ耐量の試験での合否判断結果とする。ウエーハテスタにより試験可能なアバランシェ耐量試験を、ウエーハテスタによる試験が困難なＲＢＳＯＡ耐量試験の代替として行い、従来、モジュール状態組立後に行っていたＲＢＳＯＡ耐量試験をチップ状態で実施可能とした。【選択図】        図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
試験対象半導体素子のサンプルからＲＢＳＯＡ耐量試験の代替として行うアバランシェ耐量試験の合否判断の規格値を決定し、この規格値をアバランシェ耐量試験の合否判断の規格値として行った試験対象半導体素子のアバランシェ耐量試験の合否判断結果をその試験対象半導体素子のＲＢＳＯＡ耐量の試験での合否判断結果とすることを特徴とする半導体素子の試験方法。
【請求項２】
前記試験対象半導体素子のサンプルにつき、アバランシェ耐量試験を行ってアバランシェ耐量データを取得すると共にＲＢＳＯＡ耐量試験を行ってＲＢＳＯＡ耐量データを取得し、両データからＲＢＳＯＡ耐量とアバランシェ耐量の相関データを取得し、この相関データから、前記ＲＢＳＯＡ耐量試験の代替として行うアバランシェ耐量試験の合否判断の規格値が決定されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の試験方法。
【請求項３】
前記試験対象半導体素子のサンプルにつき、ＲＢＳＯＡ耐量試験を行って、ＲＢＳＯＡ耐量の異常品をスクリーニング可能かつ正常品の破壊に至らないとされるＲＢＳＯＡ耐量の規格値を決定し、この決定された規格値を合否判断の規格値としてＲＢＳＯＡ耐量試験を行ってＲＢＳＯＡ耐量の正常品のスクリーニングを行い、このスクリーニングにより得られた前記ＲＢＳＯＡ耐量の正常品に対してアバランシェ耐量試験を行い、その正常品分布の下限値以下であって下限値近傍領域内の値が前記ＲＢＳＯＡ耐量試験の代替として行うアバランシェ耐量試験の合否判断の規格値として決定されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子の試験方法。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体素子の試験方法において用いられる、ＲＢＳＯＡ耐量試験の代替として行うアバランシェ耐量試験の合否判断の規格値を、
試験対象半導体素子のサンプルにつき、アバランシェ耐量試験を行ってアバランシェ耐量データを取得すると共にＲＢＳＯＡ耐量試験を行ってＲＢＳＯＡ耐量データを取得し、両データからＲＢＳＯＡ耐量とアバランシェ耐量の相関データを取得し、この相関データから決定したことを特徴とする規格値決定方法。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体素子の試験方法において用いられる、ＲＢＳＯＡ耐量試験の代替として行うアバランシェ耐量試験の合否判断の規格値を、
試験対象半導体素子のサンプルにつき、ＲＢＳＯＡ耐量試験を行って、ＲＢＳＯＡ耐量の異常品をスクリーニング可能かつ正常品の破壊に至らないとされるＲＢＳＯＡ耐量の規格値を決定し、この決定された規格値を合否判断の規格値としてＲＢＳＯＡ耐量試験を行ってＲＢＳＯＡ耐量の正常品のスクリーニングを行い、このスクリーニングにより得られた前記ＲＢＳＯＡ耐量の正常品に対してアバランシェ耐量試験を行い、その正常品分布の
下限値以下であって下限値近傍領域内から決定したことを特徴とする規格値決定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子の試験、特にＩＧＢＴのＲＢＳＯＡ耐量の評価に好適な半導体素子の試験方法、及びその試験方法において用いられる規格値を決定するための規格値決定方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＲＢＳＯＡ（Reverse Biased Safe Operating Area：逆バイアス安全動作領域）は、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor：絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）のターンオフに伴うコレクタ−エミッタ間電圧とコレクタ電流の非破壊動作範囲を表し、この範囲が広いほど逆バイアスに対する非破壊性能が高い。
そこで従来から、ＲＢＳＯＡ耐量を向上する技術が提案されている。これによれば、オン電圧やスイッチング損失等の特性を低下させることなくＲＢＳＯＡ耐量を向上することができるという利点がある（特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２２８１７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら上記従来技術では、ＲＢＳＯＡ耐量を評価する試験方法については何ら配慮されてなく、次のような問題があった。
すなわち、ＩＧＢＴの逆バイアスに対する非破壊性能はＲＢＳＯＡ耐量試験により検証され、これによりＲＢＳＯＡ耐量が保証されるが、この試験に当たっては、ＩＧＢＴには例えば数百Ｖの電圧（定格電圧）の印加、数百Ａ（定格電流の２倍）の通電の必要がある。ＲＢＳＯＡ耐量は実使用状態に近い試験条件での破壊耐量であり、特に電流については定格電流の２倍程度を保証するのが通例となっているからである。
一方、一般的な半導体素子（チップ）の試験に用いられるウエーハテスタ、チップテスタ等（以下、ウエーハテスタ等と記す。）ではプローブの制限から数十Ａ程度の電流しか流すことができない。このため、ＲＢＳＯＡ耐量を保証するための試験においては半導体素子をモジュール状態に組み立てた後にカーブトレーサなどを用いて行う必要がある。
しかし、モジュール状態の組立後に試験を行う方法では、そのスループットが数分／台となり、チップ状態で行うウエーハテストにおける数秒／台に比べて極めて低い。また、不良素子（ＲＢＳＯＡ耐量を保証できない素子：異常品）をモジュール状態で発見した場合は、チップ状態で発見した場合と比べ、モジュール組立コストが余計にかかっている分だけコストの損失が多くなることから、不良素子の発見のためのコストが極めて高くなった。
【０００５】
本発明は、上記のような実情に鑑みなされたもので、ＲＢＳＯＡ耐量試験のスループットを大幅に向上し、また、不良素子の発見のためのコストを大幅に低下できる半導体素子の試験方法及びその試験方法において合否判断を行うための規格値決定方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、特許請求の範囲の請求項１に記載の半導体素子の試験方法は、試験対象半導体素子のサンプルからＲＢＳＯＡ耐量試験の代替として行うアバランシェ耐量試験の合否判断の規格値を決定し、この規格値をアバランシェ耐量試験の合否判断の規格値として行った試験対象半導体素子のアバランシェ耐量試験の合否判断結果をその試験対象半導体素子のＲＢＳＯＡ耐量の試験での合否判断結果とすることを特徴とする。
特許請求の範囲の請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記試験対象半導体素子のサンプルにつき、アバランシェ耐量試験を行ってアバランシェ耐量データを取得すると共にＲＢＳＯＡ耐量試験を行ってＲＢＳＯＡ耐量データを取得し、両データからＲＢＳＯＡ耐量とアバランシェ耐量の相関データを取得し、この相関データから、前記ＲＢＳＯＡ耐量試験の代替として行うアバランシェ耐量試験の合否判断の規格値が決定されていることを特徴とする。
特許請求の範囲の請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記試験対象半導体素子のサンプルにつき、ＲＢＳＯＡ耐量試験を行って、ＲＢＳＯＡ耐量の異常品をスクリーニング可能かつ正常品の破壊に至らないとされるＲＢＳＯＡ耐量の規格値を決定し、この決定された規格値を合否判断の規格値としてＲＢＳＯＡ耐量試験を行ってＲＢＳＯＡ耐量の正常品のスクリーニングを行い、このスクリーニングにより得られた前記ＲＢＳＯＡ耐量の正常品に対してアバランシェ耐量試験を行い、その正常品分布の下限値以下であって下限値近傍領域内の値が前記ＲＢＳＯＡ耐量試験の代替として行うアバランシェ耐量試験の合否判断の規格値として決定されていることを特徴とする。
特許請求の範囲の請求項４に記載の規格値決定方法は、請求項１に記載の半導体素子の試験方法において用いられる、ＲＢＳＯＡ耐量試験の代替として行うアバランシェ耐量試験の合否判断の規格値を、試験対象半導体素子のサンプルにつき、アバランシェ耐量試験を行ってアバランシェ耐量データを取得すると共にＲＢＳＯＡ耐量試験を行ってＲＢＳＯＡ耐量データを取得し、両データからＲＢＳＯＡ耐量とアバランシェ耐量の相関データを取得し、この相関データから決定したことを特徴とする。
特許請求の範囲の請求項５に記載の規格値決定方法は、請求項１に記載の半導体素子の試験方法において用いられる、ＲＢＳＯＡ耐量試験の代替として行うアバランシェ耐量試験の合否判断の規格値を、試験対象半導体素子のサンプルにつき、ＲＢＳＯＡ耐量試験を行って、ＲＢＳＯＡ耐量の異常品をスクリーニング可能かつ正常品の破壊に至らないとされるＲＢＳＯＡ耐量の規格値を決定し、この決定された規格値を合否判断の規格値としてＲＢＳＯＡ耐量試験を行ってＲＢＳＯＡ耐量の正常品のスクリーニングを行い、このスクリーニングにより得られた前記ＲＢＳＯＡ耐量の正常品に対してアバランシェ耐量試験を行い、その正常品分布の下限値以下であって下限値近傍領域内から決定したことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
特許請求の範囲の請求項１に記載の発明によれば、ウエーハテスタ等により試験可能なアバランシェ耐量試験を、ウエーハテスタ等による試験が困難なＲＢＳＯＡ耐量試験の代替として行えるので、従来、モジュール状態組立後に行っていたＲＢＳＯＡ耐量試験をチップ状態で行うことができるようになる。したがって、ＲＢＳＯＡ耐量試験のスループットを大幅に向上でき、また、不良素子の発見のためのコストを大幅に低下させることができる。
特許請求の範囲の請求項２に記載の発明によれば、具体的に決定された規格値を用いて半導体素子の試験を行える。
特許請求の範囲の請求項３に記載の発明によれば、請求項２に記載の発明とは別の規格値を用いて半導体素子の試験を行える。試験に用いる規格値の選択の自由度を広げることができる。具体的には、種々の条件に応じて何れかの規格値を任意に選択して半導体素子の試験を行える。
特許請求の範囲の請求項４に記載の発明によれば、請求項１に記載の半導体素子の試験方法において用いられる、ＲＢＳＯＡ耐量試験の代替として行うアバランシェ耐量試験の合否判断の規格値を具体的に決定できる。
特許請求の範囲の請求項５に記載の発明によれば、請求項１に記載の半導体素子の試験方法において用いられる、ＲＢＳＯＡ耐量試験の代替として行うアバランシェ耐量試験の合否判断の規格値を請求項４に記載の発明とは別の方法で決定でき、規格値決定方法の選択の自由度を広げることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、本発明の実施の形態を説明するが、それに先立ち、ＲＢＳＯＡ耐量及びアバランシェ耐量について述べ、続いて本発明の概要を説明する。
まずＲＢＳＯＡ耐量について説明すると、このＲＢＳＯＡ耐量は、ＩＧＢＴについて保証すべき耐量の一つである。これは、ＩＧＢＴのターンオフ時（電流及び電圧が最大値となる時）に、電圧をある値に固定した場合、ＩＧＢＴを破壊させずにどれだけの電流を流せるかを評価する試験により測定される耐量である。通例、定格電流の２倍程度を保証している。
またアバランシェ耐量は、ＩＧＢＴのターンオフ時にインダクタンスに蓄えられているエネルギをＩＧＢＴに印加し、素子が破壊するエネルギを評価する試験により測定される耐量である。
下記説明において、ＲＢＳＯＡ耐量、アバランシェ耐量を評価する各試験（ＲＢＳＯＡ耐量試験、アバランシェ耐量試験）に用いられた回路は、何れもこの種の試験において通常用いられるものである。
【０００９】
まず、本実験用に特別に準備した試験対象ＩＧＢＴのサンプル（チップ）について、本発明者が行ったＲＢＳＯＡ耐量試験及びアバランシェ耐量試験における各不良率（異常品の出ている確率）、並びにアバランシェ耐量試験でスクリーニングした後のＲＢＳＯＡ不良率は、前２者が共に数％（ほぼ同値）、後者がほぼ０％であった。
なお、アバランシェ耐量試験でスクリーニングした後のＲＢＳＯＡ不良率ほぼ０％は、図１に示すように、アバランシェ耐量試験において定アバランシェストレスを印加してアバランシェ耐量異常品をスクリーニングした後の、残余のサンプルについてのＲＢＳＯＡ不良率である。
【００１０】
上記各不良率によれば、
（１）ＲＢＳＯＡ耐量試験での不良率とアバランシェ耐量試験での不良率がほぼ同程度であること、
（２）アバランシェ耐量試験でアバランシェ耐量異常品をスクリーニングした後ではＲＢＳＯＡ異常品は存在していないこと、
が分かる。
そしてこの（１），（２）から、本発明者は、
（３）ＲＢＳＯＡ耐量とアバランシェ耐量に相関があること、
（４）ＲＢＳＯＡ耐量異常品（ＲＢＳＯＡ耐量の低いＩＧＢＴ）はアバランシェ耐量試験によりスクリーニングできること、
を新たに見い出した。
【００１１】
ＲＢＳＯＡ耐量とアバランシェ耐量は、いずれもボディ拡散層の形成不均一、ゲート酸化膜の局所的な薄膜化等で電流が不均一に流れるという要素によって低下する。正常品では、それぞれ異なる破壊メカニズムを示し、破壊に至るエネルギも異なるが、ＲＢＳＯＡ耐量異常品とアバランシェ耐量異常品の異常要因は同様となる。そこで本発明者は、ＲＢＳＯＡ耐量異常品をアバランシェ耐量試験によりスクリーニングすることが可能になると考え、本発明を実現するに至った。
上述したように、ＲＢＳＯＡ耐量試験は大電流を流す試験であり、現状のウエーハテスタ等を用いた全数試験が困難であり、素子をモジュール状態に組み立てた後に試験を行う必要があった。しかし、ウエーハテスタ等を用いて試験可能なアバランシェ耐量試験をＲＢＳＯＡ耐量試験の代替として行うことができれば、ＲＢＳＯＡ耐量を保証するための試験を高いスループットで行うことができ、また、不良素子の発見のためのコストを大幅に低下できる。
上掲（３），（４）を新たに見い出したことによれば、ＲＢＳＯＡ耐量異常品をスクリーニングするためのアバランシェ耐量試験の合否判断の規格値を決定し、この規格値でアバランシェ耐量試験を行えば、スループットを大幅に向上し、不良素子の発見のためのコストを大幅に低下可能なＲＢＳＯＡ耐量試験が実現できるという結論に至った。
【００１２】
以下、上掲（３），（４）に基づき、ＲＢＳＯＡ耐量異常品をスクリーニングするための、換言すればＲＢＳＯＡ耐量を保証するためのアバランシェ耐量の合否判断規格値の決定方法を説明する。
まず第１例として、ＲＢＳＯＡ耐量とアバランシェ耐量の相関関係からアバランシェ耐量の合否判断の規格値を決定する方法について説明する。
この第１例は、まず、ウエーハ上の隣接するチップ（ＩＧＢＴ素子）につき、それぞれＲＢＳＯＡ耐量とアバランシェ耐量を測定してＲＢＳＯＡ耐量−アバランシェ耐量相関グラフ（相関データ）を作成し、次に、このグラフから所望のＲＢＳＯＡ耐量を保証できるアバランシェ耐量を読み取り、これをアバランシェ耐量の合否判断の規格値とする方法である。
【００１３】
以下、図２〜図４を参照して第１例の詳細を述べる。
ＲＢＳＯＡ耐量やアバランシェ耐量の測定後のチップは、その測定により破壊されるので、特定の１つのチップについてＲＢＳＯＡ耐量とアバランシェ耐量の両方の測定は不可能である。一方、ウエーハ上における素子特性にはウエーハ面内依存性が存在するので、図２に示すウエーハ３１上の隣接するチップ３２，３２の特性はそれぞれ同程度であると考えられる。
そこで、隣接するチップ３２，３２につき、一方はＲＢＳＯＡ耐量を、他方はアバランシェ耐量を測定することとすれば、それらの測定結果は隣接するチップ３２，３２の位置における特定の１つのチップのＲＢＳＯＡ耐量及びアバランシェ耐量の測定結果であるとみることができる。
したがって、ウエーハ３１上の隣接するチップ３２，３２を用いて各別にＲＢＳＯＡ耐量とアバランシェ耐量を測定し、その値をその箇所での１つのチップのＲＢＳＯＡ耐量及びアバランシェ耐量であるとして相関データを取得し、ＲＢＳＯＡ耐量−アバランシェ耐量相関グラフを作成する。
図３は、上記ウエーハ３１上の隣接するチップ３２，３２の多数組について、上述した手順でそれぞれＲＢＳＯＡ耐量とアバランシェ耐量を測定し、両耐量についての相関データを取得し、作成されたＲＢＳＯＡ耐量−アバランシェ耐量相関グラフ（直線４１）を模式的に示す図である。図中の領域４２は、相関分布の範囲の概略を示す。
【００１４】
図４は、試験対象ＩＧＢＴのサンプル（チップ）について、上述したと同様の手順でＲＢＳＯＡ耐量試験及びアバランシェ耐量試験を実際に行い、得られたＲＢＳＯＡ耐量−アバランシェ耐量相関の例を示すグラフ（直線５１）である。
この直線５１は、ＲＢＳＯＡ耐量からアバランシェ耐量を一義的に得られるグラフであり、一例として、ｘ軸方向にＲＢＳＯＡ耐量を、ｙ軸方向にアバランシェ耐量をとった図４に示すｘｙ座標系において、ｙ＝０．００９３ｘ−４．９４６６を示し、この場合の相関係数は０．８１３４であった。なお、一般的な例と同じく、ＲＢＳＯＡ耐量試験は高温＝１５０℃の環境下で、アバランシェ耐量試験は室温＝２５℃の環境下で行った。
第１例では、この図４に示すグラフから、所望のＲＢＳＯＡ耐量を保証できるアバランシェ耐量を読み取り、これをアバランシェ耐量の合否判断の規格値（ＲＢＳＯＡ耐量試験の代替として行うアバランシェ耐量試験の合否判断の規格値）として決定する。例えばＲＢＳＯＡ耐量６００Ａを保証すべき場合、図４に示す直線５１によれば、対応するアバランシェ耐量（合否判断の規格値）は０．６３Ｊ程度となる。
そこで、上述と同様に設計、作成された出荷用のウエーハ上の個々のチップ（試験対象ＩＧＢＴ素子単体）につき、それぞれ上記アバランシェ耐量０．６３Ｊを合否判断の規格値として用い、評価すればＲＢＳＯＡ耐量６００Ａを保証する試験が行われたことになる。つまり、チップ状態で行うウエーハテスト等によってＲＢＳＯＡ耐量を保証する試験が可能となり、ＲＢＳＯＡ耐量試験のスループットを大幅に向上でき、また、不良素子の発見のためのコストも大幅に低下できる。
【００１５】
次に第２例について説明する。
第２例は、ＲＢＳＯＡ耐量正常品のアバランシェ耐量分布からアバランシェ耐量の合否判断の規格値を決定する方法である。
この第２例は、まず、ウエーハ上の多数のチップ（ＩＧＢＴ素子）の中から複数のチップをサンプル（第１サンプル群）として用いてアバランシェ耐量試験を行い、アバランシェ耐量分布を得る（図５参照）。後に行うチップの特性の分布が正常品と異常品とに明確に区分けできることを確認するためである。
次に、上記アバランシェ耐量分布を得たチップとは別の複数のチップをサンプル群（第２サンプル群）として用いてＲＢＳＯＡ耐量試験を行い、ＲＢＳＯＡ耐量が正常とみなし得るサンプルのＲＢＳＯＡ耐量測定結果から、ＲＢＳＯＡ耐量の異常品を確実にスクリーニングでき、かつ正常品のＲＢＳＯＡ耐量破壊に至らないであろうとされる規格値を決定する。
次に、上記第１，第２サンプル群とは別の複数のチップをサンプル群（第３サンプル群）として用い、この第３サンプル群に対して、上記第２サンプル群を用いて決定した上記規格値を合否判断の規格値としてＲＢＳＯＡ耐量試験を行い、正常品のスクリーニングを行う。
そして、このスクリーニングにより得られた正常品に対してアバランシェ耐量試験を行い、その正常品分布の下限値を、ＲＢＳＯＡ耐量を保証するアバランシェ耐量試験の合否判断の規格値とする。なお上記下限値は、厳格な意味での（実際の）下限値とする必要はなく、上記第１サンプル群を用いて区分けされた正常品と異常品との分布の境界領域の中央値（図５参照）を考慮し、大凡この中央値よりも正常品側の値であれば実際の下限値より低い値であってもよい。つまり、下限値以下であって下限値近傍領域内の値であればよい。
【００１６】
以下、図５〜図７を参照して第２例の詳細を述べる。
上述したように、まずウエーハ上の多数のチップ（ＩＧＢＴ素子）の中から複数のチップをサンプル（第１サンプル群）として用いてアバランシェ耐量試験を行い、アバランシェ耐量分布を得て、このアバランシェ耐量分布が正常品と異常品の分布に分かれることを確認する（図５参照）。なお、第２例においては、第１例の説明に用いた素子とは定格が異なる素子のサンプルを用いている。
次に、上記アバランシェ耐量分布を得たチップとは別の第２サンプル群に対してＲＢＳＯＡ耐量試験を行い、ＲＢＳＯＡ耐量が正常とされるサンプルのＲＢＳＯＡ耐量測定結果から、ＲＢＳＯＡ耐量の異常品を間違いなくスクリーニングできると共に、正常品のＲＢＳＯＡ耐量破壊に至らないとされる規格値を決定する。
次に、第１，第２サンプル群とは別の複数の第３サンプル群に対して、上記第２サンプル群を用いて決定した規格値を合否判断の規格値としてＲＢＳＯＡ耐量試験を行い、正常品のスクリーニングを行う。一例を挙げれば、試験対象ＩＧＢＴチップのサンプル５個（第２サンプル群）についての試験済みのＲＢＳＯＡ耐量平均値は８５１Ａであったので、上記合否判断の規格値を８００Ａとし、この８００Ａで正常品のスクリーニングを行った。この際の異常品の破壊耐量（ＲＢＳＯＡ耐量）は３００Ａ程度であった（図６参照）。
そして、このスクリーニングにより得られた正常品に対してアバランシェ耐量試験を行い、その正常品分布の下限値を、ＲＢＳＯＡ耐量を保証するアバランシェ耐量試験の合否判断の規格値とする。なお上記下限値は、厳格な意味での（実際の）下限値とする必要はなく、上記第１サンプル群を用いて区分けされた正常品と異常品との分布の境界領域の中央値（図５参照）を考慮し、大凡この中央値よりも正常品側の値であれば実際の下限値より低い値であってもよい。
次に、上記８００Ａでのスクリーニングの結果、得られたＲＢＳＯＡ耐量の正常品に対してアバランシェ耐量試験を行い、その正常品についてアバランシェ耐量分布を得る。そして、この分布の下限値を、ＲＢＳＯＡ耐量を保証するアバランシェ耐量試験（ＲＢＳＯＡ耐量試験の代替として行うアバランシェ耐量試験）の合否判断の規格値とする。サンプルとして用いたＩＧＢＴチップでは、ＲＢＳＯＡ耐量正常品のアバランシェ耐量分布の下限値が１.５Ｊとなったため、上記合否判断の規格値は１.５Ｊとされた（図７参照）。
そこで、上述と同様に設計、作成された出荷用のウエーハ上の個々のチップ（試験対象ＩＧＢＴ素子単体）につき、それぞれ上記アバランシェ耐量１．５Ｊを合否判断の規格値として用い、評価すればＲＢＳＯＡ耐量８００Ａを保証する試験が行われたことになる。つまり、チップ状態で行うウエーハテスト等によってＲＢＳＯＡ耐量を保証する試験が可能となって、ＲＢＳＯＡ耐量試験のスループットを大幅に向上でき、また、不良素子の発見のためのコストも大幅に低下できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１中のアバランシェ耐量試験でスクリーニングした後のＲＢＳＯＡ不良率を説明するための図である。
【図２】本発明方法の第１例を説明するためのウエーハを一部切欠いて示す平面図である。
【図３】同じく第１例を説明するためのＲＢＳＯＡ耐量−アバランシェ耐量相関グラフを模式的に示す図である。
【図４】サンプルについて実際に試験を行って得られたＲＢＳＯＡ耐量−アバランシェ耐量相関の例を示すグラフである。
【図５】本発明方法の第２例を説明するためのアバランシェ耐量分布図である。
【図６】同じく第２例を説明するためのＲＢＳＯＡ耐量分布図である。
【図７】ＲＢＳＯＡ耐量正常品のアバランシェ耐量分布に対する合否判断の規格値の決定値を示すアバランシェ耐量分布図である。
【符号の説明】
【００１８】
３１：ウエーハ、３２：チップ、４１，５１：直線（ＲＢＳＯＡ耐量−アバランシェ耐量相関グラフ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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