(57)【要約】【課題】  極端紫外線下での使用において長期間にわたって良好な反射特性を示す光学素子を提供すること。【解決手段】  上部層３２の耐酸化性金属と多層膜２０の表面層との間に拡散防止層として機能する下部層３１を設けている。この下部層３１は、ＭｏＳｉ２を主成分として含有するものであり、このＭｏＳｉ２が緻密な阻止層となって、上部層３２を構成するルテニウム、ロジウム、白金、金等の耐酸化性金属が多層膜２０表層へ拡散することを効果的に防止する。このようにＭｏＳｉ２を主成分とする下部層３１は、上部層３２を通過した水分や酸素が多層膜２０に侵入することを阻止する機能も有し、耐酸化性の観点でも優れたものとなっている。すなわち、下部層３１は、上部層３２と協働して、水分や酸素が多層膜２０に侵入することを、反射特性の劣化を抑えつつより確実に防ぐことができる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持用の基板と、
前記基板上に支持されるとともに、極端紫外線を反射する多層膜と、
前記多層膜の最表層上に設けられ、ＭｏＳｉ２を含有する下部層と、当該下部層上に設けられる上部層とを含む複合保護層と、
を備える光学素子。
【請求項２】
前記上部層は、耐酸化性を有することを特徴とする請求項１記載の光学素子。
【請求項３】
前記上部層は、触媒作用性を有することを特徴とする請求項１記載の光学素子。
【請求項４】
極端紫外光を発生させる光源と、
前記光源からの極端紫外光を転写用のマスクに導く照明光学系と、
前記マスクのパターン像を感応基板上に形成する投影光学系とを備え、
前記マスク、前記照明光学系及び前記投影光学系のうち少なくともいずれか１つが請求項１から請求項３のいずれか一項記載の光学素子を含むことを特徴とする投影露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、極端紫外線等に対して用いられる反射型の光学素子及びこれを用いた投影露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路の微細化に伴い、光の回折限界によって達成される光学系の解像度を向上させるために、従来の紫外線に代えてこれより短い波長（１１〜１４ｎｍ）となる極端紫外線を用いた露光技術が開発されている。これにより約５〜７０ｎｍのパターンサイズの露光が可能になるものと期待されているが、この領域の物質の屈折率は１に近いため、従来のように透過屈折型の光学素子を使用できず、反射型の光学素子が使用される。投影露光装置に用いられるマスクもまた、透過率確保の観点から、通常反射型の光学素子となる。この際、上記光学素子において高い反射率を達成するために、使用波長域において屈折率の高い物質と屈折率の低い物質とを基板上に交互に積層させて反射面を形成することが一般的である（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００３−１４８９３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
投影露光装置内において、極端紫外線下で上述のような光学素子が使用される場合、環境は真空であるが、光学素子の周囲から酸素及び水分を完全に排除することができない。一方、極端紫外線は非常に大きなエネルギーをもつ。この際、酸素及び水分などと光学素子表面の物質とが極端紫外線に照射されることで酸化反応を起こしてしまう。このような酸化が徐々に進むと、光学素子の反射特性が徐々に劣化してしまい、安定した性能を発揮させることができなくなる。よって、光学素子延いては投影露光装置の寿命が短くなるという問題が生じる。
【０００４】
そこで、本発明は、極端紫外線等での使用において長期間にわたって良好な反射特性を示す光学素子を提供することを目的とする。
【０００５】
また、本発明は、上記のような光学素子を極端紫外線用の投影光学系等として組み込んだ投影露光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、第１の発明に係る光学素子は、（ａ）支持用の基板と、（ｂ）基板上に支持されるとともに、極端紫外線を反射する多層膜と、（ｃ）多層膜の最表層上に設けられ、ＭｏＳｉ２を含有する下部層と、当該下部層上に設けられる上部層とを含む複合保護層とを備える。以上の光学素子において、多層膜は、例えば、極端紫外線領域における真空の屈折率に対する屈折率差が大きい物質からなるＭｏ層と、屈折率差が小さい物質からなるＳｉ層とを基板上に積層してなる。
【０００７】
本発明においては、光学素子が、多層膜を有する反射型の素子であり、極端紫外線等に対して良好な反射特性を有する。また、本発明においては、ＭｏＳｉ２を含有する下部層と、当該下部層上に設けられる上部層とを含む複合保護層が最表層上に設けられる。この場合、上部層は、光学素子の周囲に存在する物質すなわち投影露光装置内において真空中に残留する化学物質等から多層膜を保護する役割等を有し、ＭｏＳｉ２を含有する下部層は、上部層の組成物等（例えば、上部層中の金属等）が多層膜側に拡散することや、多層膜の組成物が上部層に拡散することを防止する拡散防止の役割を主に有する。さらに、後者のＭｏＳｉ２を含有する下部層については、耐酸化性すなわち水や酸素などによる多層膜等の酸化反応を抑制する性質も有する。以上により、光学素子の表面及びその近傍における酸化、組成変化等に起因する反射率低下を防止でき、結果として、光学素子全体の反射特性を長期間良好に保つことができる。なお、以上の「複合保護層」は、極端紫外線を所望の程度に透過させるべく十分に薄いか光吸収性が低いものとする。
【０００８】
また、第２の発明に係る光学素子では、第１の発明に係る光学素子において、上部層が耐酸化性を有する。すなわち、上部層は耐酸化性物質で形成されている。この場合、上部層がバリアとなって、例えば、周囲に残留する水や酸素などが光学素子の表面で酸化反応を起こすことを抑制し、さらに、酸素及び水分等が光学素子内部に侵入し多層膜を酸化することを抑制する。例えば、上部層が金属及び酸化物の少なくとも一方を含有する場合、耐酸化性を有する金属や耐酸化性を有する酸化物によって、多層膜を周囲に残留する水や酸素などから保護することができる。また、上部層が、ルテニウム、ロジウム、白金、金、銀、及びニオブからなる群から選ばれる少なくとも１種を主成分として含む場合、これらは、いずれも良好な耐酸化性を有するので、投影露光装置内の酸素・水分による上述の酸化作用を抑制する上部層の作製が可能である。また、上部層が、二酸化珪素、酸化ニオブ、二酸化ニオブ、五酸化二ニオブ、酸化クロム、三酸化二クロム、三酸化クロム、二酸化ジルコニウム、及び二酸化モリブデンからなる群から選ばれる少なくとも１種を主成分として含む場合、上記酸化物は、比較的安定しており耐酸化性を有するので、投影露光装置内の酸素・水分による上述の酸化作用を抑制する上部層の作製が可能である。
【０００９】
また、第３の発明に係る光学素子では、第１の発明に係る光学素子において、上部層が触媒作用性を有する。この場合、光学素子の周囲に存在する有機物中に含まれる炭素を、正触媒作用によって二酸化炭素等のガスに効率的に変換することができるので、光学素子表面にカーボン膜が生成されることを抑制できる。
【００１０】
例えば、上部層が、ニッケル、パラジウム、白金、銀、ロジウム、及びルテニウムからなる群から選ばれる少なくとも１種を主成分として含む場合、これらは、いずれも良好な触媒作用性を有するので、光学素子周辺に供給される有機物中の炭素を二酸化炭素に変換することができる。
【００１１】
また、第４の発明に係る投影露光装置は、（ａ）極端紫外光を発生させる光源と、（ｂ）光源からの極端紫外光を転写用のマスクに導く照明光学系と、（ｃ）マスクのパターン像を感応基板上に形成する投影光学系とを備え、（ｄ）マスク、照明光学系及び投影光学系のうち少なくともいずれか１つが上記第１〜３発明に係る光学素子を含む。
【００１２】
上記投影露光装置では、上述したいずれかの光学素子を用いることにより、装置内において、当該光学素子の表面及びその近傍における酸化、カーボン膜生成、組成変化等によって光学素子の反射率が低下することを抑制できるので、光学素子の反射特性を長期間にわたって維持することができ、光学素子延いては投影露光装置が長寿命となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
〔第１実施形態〕
図１は、第１実施形態に係る光学素子の構造を示す断面図である。本実施形態の光学素子４０は、例えば凹面反射鏡であり、多層膜構造を支持する基板１０と、反射用の多層膜２０と、表層となる複合保護層３０とを有する。このうち、複合保護層３０は、後述するように、下部層３１と上部層３２とを積層したもので２重構造の薄膜になっている。
【００１４】
基板１０は、例えば合成石英ガラスや低膨張ガラスを加工することによって形成されたものであり、その上面１０ａは、所定精度の鏡面に研磨されている。上面１０ａは、図示のような凹面とすることもできるが、光学素子４０の用途に応じて凸面、平面、多面その他の形状とすることができる。
【００１５】
多層膜２０は、屈折率が異なる２種類の物質を基板１０上に例えば交互に積層することによって形成した数層から数百層の薄膜からなる反射膜である。この多層膜２０は、反射鏡である光学素子４０の反射率を高めるために、吸収の少ない物質を多数積層したものであるとともに、それぞれの反射波の位相が合うように光干渉理論に基づいて各層の膜厚を調整したものである。つまり、投影露光装置内で使用される極端紫外線の波長領域に対して、比較的屈折率の小さい薄膜層Ｌ１と、比較的屈折率の大きい薄膜層Ｌ２とを、基板１０上に、反射波の位相が合うよう所定の膜厚で交互もしくは任意順序に積層させることで多層膜２０が形成されている。この多層膜２０を構成する２種類の薄膜層Ｌ１、Ｌ２は、それぞれモリブデン層及びシリコン層とすることができる。なお、薄膜層Ｌ１、Ｌ２の積層の順序、最上層をいずれの薄膜層とするかといった条件は、光学素子４０の用途に応じて適宜変更することができる。また、薄膜層Ｌ１、Ｌ２の材料は、モリブデンとシリコンとの組み合わせに限るものではない。例えば、モリブデン、ルテニウム、ロジウム等の物質と、シリコン、ベリリウム、四ホウ化炭素（Ｂ４Ｃ）等の物質とを適宜組み合わせることによって多層膜２０を作製することもできる。
【００１６】
なお、多層膜２０において、薄膜層Ｌ１と薄膜層Ｌ２との間にさらに拡散防止膜（不図示）を設けることもできる。多層膜２０を形成する薄膜層Ｌ１、Ｌ２として、特に金属やシリコン等を用いた場合には、薄膜層Ｌ１と薄膜層Ｌ２との境界付近においておのおのを形成する材料同士が混ざり合い、界面が曖昧になりやすい。これにより、反射特性が影響を受け、光学素子４０の反射率が下がってしまうことがある。そこで、界面を明瞭化するために、多層膜２０の形成にあたって、薄膜層Ｌ１と薄膜層Ｌ２との間にさらに拡散防止膜を設ける。材料としては、例えばＢ４ＣやＣ、炭化モリブデン（ＭｏＣ）、二酸化モリブデン（ＭｏＯ２）等が用いられる。このように界面を明確化することにより、光学素子４０の反射特性が向上する。
【００１７】
複合保護層３０は、多層膜２０全面を覆うことによって多層膜２０を保護するものであり、多層膜２０の最表層上に設けられる下部層３１と、下部層３１上に設けられて光学素子４０の最表面とされる上部層３２とを有する。
【００１８】
このうち、下部層３１は、モリブデン及びシリコンの化合物であるＭｏＳｉ２又はこれを主成分とする材料によって下部層３１を形成されている。すなわち、下部層３１は、多層膜２０を構成する物質の化合物を主に含有する材料で形成されている。この下部層３１は、上部層３２を構成する成分の多層膜２０への拡散防止層としての役割を果たす。また、下部層３１は、耐酸化性を有し、上部層３２を通過した水や酸素などによる多層膜２０の酸化反応を抑制する性質も有する。
【００１９】
なお、下部層３１を構成する拡散防止材料として、上述のＭｏＳｉ２の他に、シリコン、ホウ素等の非金属元素の酸化物、ホウ化物、珪化物、炭化物、窒化物、フッ化物、及びベリリウム化合物や、Ｓｒ，Ｂａ，Ｓｃ，Ｙ，Ｌａ，Ｃａ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔｃ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｂｅ，Ｇａ，Ｄｙ，Ｈｆ，Ｒｅ，Ｆｅ，Ｔｈ，Ｒｂ等の各種金属の酸化物、ホウ化物、珪化物、炭化物、窒化物、フッ化物、及びベリリウム化合物を用いることができる。
【００２０】
具体的には、下部層３１を構成する拡散防止材料として、ＳｉＯ２，ＳｉＯ，Ｂ２Ｏ３等の非金属酸化物が使用可能である。また、ＮｂＯ，ＮｂＯ２，Ｎｂ２Ｏ５，ＣｒＯ，Ｃｒ２Ｏ３，ＣｒＯ３，Ａｌ２Ｏ３，ＺｒＯ２，Ｓｃ２Ｏ３，Ｔｂ２Ｏ３，ＰｄＯ，Ｐｄ２Ｏ３，ＰｄＯ４，ＲｕＯ２，ＲｕＯ３，ＲｕＯ４，Ｒｈ２Ｏ３，ＲｈＯ２，ＴｉＯ，Ｔｉ２Ｏ３，ＴｉＯ２，ＭｏＯ，Ｍｏ２Ｏ３，ＭｏＯ２，Ｍｏ２Ｏ５，ＶＯ，Ｖ２Ｏ３，ＶＯ２，Ｖ２Ｏ５等の金属酸化物が使用可能である。さらに、ＢａＯ，ＢｅＯ，Ｂｅ２Ｏ，ＣａＯ，Ｅｕ２Ｏ３，Ｇｄ２Ｏ３，Ｌａ２Ｏ３，Ｍｏ４Ｏ１１，Ｍｏ８Ｏ２３，ＭｏＯ３，Ｍｏ９Ｏ２４，ＮｄＯ，Ｎｄ２Ｏ３，ＰｒＯ１．７７８，ＰｒＯ１．８３３，ＰｒＯ１．８，ＰｒＯ１．８１８，Ｓｍ２Ｏ３，ＳｒＯ，Ｔｉ３Ｏ２，Ｔｉ２Ｏ，Ｔｉ３Ｏ，Ｔｉ１−ｘＯ，ＴｉｎＯ２ｎ−１（ｎ＝２−９），ＶＯ１．７６，ＶＯ１．５７，ＶＯ１．８０，ＶＯ１．８４，ＶＯ１．８６，Ｖ６Ｏ１３，Ｖ８Ｏ，Ｖ４Ｏ，Ｖ２Ｏ，Ｖ３Ｏ５，Ｖ４Ｏ７，Ｖ５Ｏ９，Ｖ７Ｏ１３，Ｖ６Ｏ１３，Ｙ２Ｏ３，ＺｒＯ２−ｘ等の金属酸化物も使用可能である。
【００２１】
下部層３１を構成する拡散防止材料として、ＳｉＢｘ，ＳｉＢ６，ＳｉＢ３等の非金属ホウ化物が使用可能である。また、ＢｅＢ２，ＣａＢ６，ＳｃＢ２，ＳｃＢ１２，ＧｄＢ６，ＴｉＢ２，ＺｒＢ２，ＴａＢ２，Ｃｒ４Ｂ，ＣｒＢ，Ｃｒ３Ｂ４，ＣｒＢ２，Ｍｏ２Ｂ５，Ｗ２Ｂ３，Ｗ２Ｂ５，ＺｒＢ１２，ＧａＢ６，ＳｒＢ６，ＮｂＢ，Ｎｂ３Ｂ４，ＮｂＢ２等の金属ホウ化物が使用可能である。さらに、ＢｅＢ１２，ＢｅＢ９，ＢｅＢ６，ＢｅＢ４，Ｂｅ２Ｂ，Ｂｅ４Ｂ，ＥｕＢ６，ＧｄＢ２，Ｇｄ２Ｂ５，ＧｄＢ４，ＧｄＢ６６，Ｍｏ２Ｂ，ＭｏＢ，Ｍｏ３Ｂ２，ＭｏＢ２，ＭｏＢ４，Ｎｂ３Ｂ２，Ｎｄ２Ｂ５，ＮｄＢ４，ＮｄＢ６，ＮｄＢ６６，Ｐｒ２Ｂ５，ＰｒＢ４，ＰｒＢ６，ＲｈＢ１．１，Ｒｈ７Ｂ３，ＲｕＢ，Ｒｕ７Ｂ３，Ｒｕ２Ｂ３，ＲｕＢ２，Ｓｍ２Ｂ５，ＳｍＢ４，ＳｍＢ６，ＳｍＢ６６，ＴｂＢ２，ＴｂＢ４，ＴｂＢ６，ＴｂＢ１２，ＴｂＢ６６，ＴｉＢ，Ｔｉ３Ｂ４，Ｖ３Ｂ２，ＶＢ，Ｖ５Ｂ６，Ｖ３Ｂ４，Ｖ２Ｂ３，ＶＢ２等の金属ホウ化物も使用可能である。
【００２２】
下部層３１を構成する拡散防止材料として、ＢａＳｉ２，ＬａＳｉ２，ＤｙＳｉ２，ＺｒＳｉ，ＺｒＳｉ２，ＨｆＳｉ２，ＣｒＳｉ２，ＭｎＳｉ２，ＲｅＳｉ２，ＦｅＳｉ２，ＰｄＳｉ，ＴｈＳｉ２，ＣａＳｉ，Ｃａ２Ｓｉ，ＣａＳｉ２，Ｖ２Ｓｉ，ＶＳｉ２，ＲｕＳｉ，ＲｈＳｉ２，ＴｂＳｉ２等の金属珪化物が使用可能である。さらに、ＢａＳｉ，Ｍｏ３Ｓｉ，Ｍｏ５Ｓｉ３，Ｎｂ５Ｓｉ３，ＮｂＳｉ２，Ｐｄ３Ｓｉ，Ｐｄ２Ｓｉ，Ｐｄ９Ｓｉ４，Ｒｕ２Ｓｉ，Ｒｕ２Ｓｉ３，Ｓｒ２Ｓｉ，ＳｒＳｉ２，ＳｒＳｉ，ＴｉＳｉ，Ｔｉ３Ｓｉ，Ｔｉ５Ｓｉ３，Ｔｉ３Ｓｉ，Ｔｉ５Ｓｉ４，ＴｉＳｉ２，Ｔｉ６Ｓｉ５，Ｖ３Ｓｉ，Ｖ５Ｓｉ３，Ｖ６Ｓｉ５，Ｙ５Ｓｉ３，Ｙ５Ｓｉ４，ＹＳｉ，Ｙ３Ｓｉ５，Ｚｒ２Ｓｉ，Ｚｒ４Ｓｉ，Ｚｒ５Ｓｉ３，Ｚｒ３Ｓｉ２，Ｚｒ５Ｓｉ４等の金属珪化物も使用可能である。
【００２３】
下部層３１を構成する拡散防止材料として、ＳｉＣ，Ｂ４Ｃ等の非金属炭化物が使用可能である。さらに、ＬａＣ２，Ｂｅ２Ｃ，Ｍｏ２Ｃ，ＭｏＣ，ＶＣ，Ｖ４Ｃ３，Ｖ５Ｃ，ＴｉＣ，ＺｒＣ等の金属炭化物が使用可能である。さらに、Ｅｕ４Ｃ２，Ｅｕ２Ｃ３，ＥｕＣ２，ＥｕＣ６，Ｇｄ２Ｃ，Ｇｄ４Ｃ２，Ｇｄ２Ｃ３，ＧｄＣ２，Ｌａ２Ｃ３，ＭｏＣ１−ｘ，Ｎｂ２Ｃ，ＮｂＣ，Ｎｄ２Ｃ３，ＮｄＣ２，Ｓｃ２Ｃ，Ｓｃ４Ｃ３，Ｓｃ１３Ｃ１０，Ｓｃ１５Ｃ１９，Ｓｍ３Ｃ，Ｓｍ２Ｃ３，ＳｍＣ２，Ｔｂ４Ｃ２，Ｔｂ２Ｃ，Ｔｂ２Ｃ３，ＴｂＣ２，Ｔｉ２Ｃ，Ｖ２Ｃ，Ｖ４Ｃ３−ｘ，Ｖ６Ｃ５，Ｖ８Ｃ７，Ｙ２Ｃ，Ｙ４Ｃ２，Ｙ１５Ｃ１９，Ｙ２Ｃ３，ＹＣ２等の金属炭化物も使用可能である。
【００２４】
下部層３１を構成する拡散防止材料として、ＳｉＮ，Ｓｉ２Ｎ３，Ｓｉ３Ｎ４，ＢＮ，ＢＮ２等の非金属窒化物が使用可能である。さらに、ＹＮ，Ｃａ３Ｎ２，ＳｃＮ，ＺｒＮ，Ｚｒ３Ｎ２，Ｓｒ３Ｎ２，ＴｉＮ，Ｔｉ３Ｎ４，ＮｂＮ，ＮｄＮ，Ｂｅ３Ｎ２，Ｂａ３Ｎ２，ＶＮ，ＭｏＮ，Ｍｏ２Ｎ，ＬａＮ，ＡｌＮ等の金属窒化物が使用可能である。さらに、Ｎｂ２Ｎ，Ｔｉ２Ｎ，Ｖ２Ｎ１−ｘ，ＶＮ１−ｘ，Ｖ３２Ｎ２８等の金属窒化物も使用可能である。
【００２５】
下部層３１を構成する拡散防止材料として、ＳｒＦ２，ＮｉＦ２，ＹＦ３等のフッ化物が使用可能である。
【００２６】
下部層３１を構成する拡散防止材料として、ＢａＢｅ１３，ＣａＢｅ１３，ＥｕＢｅ１３，ＧｄＢｅ１３，ＬａＢｅ１３，Ｍｏ３Ｂｅ，ＭｏＢｅ２，ＭｏＢｅ１２，ＮｂＢｅ１２，Ｎｂ２Ｂｅ１７，ＮｂＢｅ３，ＮｂＢｅ２，Ｎｂ３Ｂｅ２，ＮｄＢｅ１３，ＰｄＢｅ１２，ＰｄＢｅ５，Ｐｄ２Ｂｅ，Ｐｄ３Ｂｅ，ＰｄＢｅ，Ｐｄ３Ｂｅ２，Ｐｄ４Ｂｅ３，ＰｒＢｅ１３，Ｒｕ３Ｂｅ１７，Ｒｕ３Ｂｅ１０，ＲｕＢｅ２，Ｒｕ２Ｂｅ３，ＳｃＢｅ５，Ｓｃ２Ｂｅ１７，ＳｃＢｅ１３，ＳｍＢｅ１３，ＳｒＢｅ１３，ＴｂＢｅ１３，ＴｉＢｅ２，ＴｉＢｅ３，Ｔｉ２Ｂｅ１７，ＴｉＢｅ１２，ＶＢｅ１２，ＶＢｅ２，ＹＢｅ１３，ＺｒＢｅ１３，Ｚｒ２Ｂｅ１７，ＺｒＢｅ５，ＺｒＢｅ２等のベリリウム化合物が使用可能である。
【００２７】
上部層３２は、耐酸化性金属又はこれを含む材料で形成される。より具体的には、この上部層３２は、ルテニウム、ロジウム、白金及び金からなる群から選ばれる少なくとも１種を主成分として含む。これにより、上部層３２は、酸化防止膜としての役割を果たす。既に説明したように、上部層３２と多層膜２０との間に挿入された下部層３１は、上部層３２を構成する成分金属の多層膜２０への拡散防止膜としての機能を果たしている。これにより、光学素子４０の最表面である上部層３２の耐酸化性の劣化を防ぐことができ、光学素子４０の反射特性を長期にわたって維持することができる。
【００２８】
以下、複合保護層３０の機能についてより詳しく説明する。本実施形態では、上部層３２の材料として、耐酸化性を示す金属であるルテニウム、ロジウム、白金及び金を挙げている。これらの耐酸化性金属を含有する上部層３２を光学素子４０の最表面に形成することで、光学素子４０周辺から供給され酸化の原因となる水や酸素の侵入を防ぎ、光学素子４０の極端紫外線照射下での耐酸化性を向上させることができる。仮に、下部層３１を設けず、これらの金属をＳｉ層とＭｏ層とが交互に積層された極端紫外線用の多層膜２０の表面上に直接積層した場合、ルテニウム、ロジウム、白金、金等が多層膜２０中に徐々に拡散してしまい、上部層３２の金属組成比が低下してしまう。これに伴い、上部層３２の耐酸化性が劣化する。また、拡散が多くなると多層膜２０の反射特性も劣化してしまう。
【００２９】
したがって、このような最表面である上部層３２中の耐酸化性金属の拡散、組成比低下を防ぐために、本実施形態では、上部層３２の耐酸化性金属と多層膜２０の表面層との間に拡散防止層として機能する下部層３１を設けている。この下部層３１は、ＭｏＳｉ２を主成分として含有するものであり、このＭｏＳｉ２が緻密な阻止層となって、上部層３２を構成するルテニウム、ロジウム、白金、金等の耐酸化性金属が多層膜２０表層へ拡散することを効果的に抑制する。このようにＭｏＳｉ２を主成分とする下部層３１は、上部層３２を通過した水分や酸素が多層膜２０に侵入することを阻止する機能も有し、耐酸化性の観点でも優れたものとなっている。すなわち、下部層３１は、上部層３２と協働して、水分や酸素が多層膜２０に侵入することを、反射特性の劣化を抑えつつより確実に防止することができる。なお、ＭｏＳｉ２を主成分とする下部層３１については、多層膜２０の最表層を構成する成分が上部層３２へ拡散することを防止する外側への拡散防止層としての役割も期待される。
【００３０】
下部層３１の製造方法は、表面荒さを悪くせず緻密な膜ができれば蒸着、スパッタ法など成膜手法を問わない。表面荒さを悪くせず緻密な膜を形成するのを助けるため、当該膜すなわち下部層３１と多層膜２０の表面層との間に別の材料を成膜しても構わない。
【００３１】
上部層３２の製造方法も、表面荒さを悪くせず緻密な膜ができれば蒸着、スパッタ法など成膜手法を問わない。
【００３２】
なお、本実施形態において、上部層３２は、ルテニウム、ロジウム、白金、金等の耐酸化性金属によって形成されるとしたが、当該耐酸化性金属は、これらに限られない。この他にも、例えば、銀、ニオブ、パラジウム、オスミウム、イリジウム等を主成分として含む金属材料で上部層３２を形成しても、耐酸化性に関して同様の効果が期待される。
【００３３】
また、複合保護層３０の形成において、耐酸化性を最大限に利用するためには、緻密な膜形成に必要な膜厚、酸素・水分の拡散が十分に遅くなる膜厚、つまり、大きな膜厚が望まれる。しかし、極端紫外線は各構成物質により少なからず吸収される場合が多く、上部層３２の厚みは例えば２〜５ｎｍ程度となる。また、下部層３１の厚みも２〜５ｎｍ程度となる。具体的な厚みは、光学素子４０に対して望まれる反射特性に応じて適宜決定される。
【００３４】
以上説明した第１実施形態の光学素子４０において、複合保護層３０を構成する下部層３１及び上部層３２の作製に用いられる各成分は、上記例示の材料に限定されるものではない。すなわち、例示した材料以外に微量の成分を添加したものであっても所期の効果が得られるものであればよい。
【００３５】
また、以上の光学素子４０では、耐酸化性金属によって上部層３２を形成したが、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）等の触媒作用性金属によって上部層３２を形成することもできる。これらの触媒作用性金属を含有する上部層３２を形成することで、光学素子４０の表面やその近傍に供給される有機物中の炭素を二酸化炭素に変換することができる。よって、光学素子４０表面にカーボン膜が徐々に堆積される光ＣＶＤ現象の発生を抑制でき、多層膜２０の反射率がカーボン膜の堆積に伴って低下することを防止できる。なお、以上の触媒作用性金属のうち、白金、ルテニウム、ロジウム、及びパラジウムは、上述のように耐酸化性金属と見ることもでき、複合保護層３０内部に水分や酸素が侵入することを防止する役割も有する。
【００３６】
また、上述のニッケル、パラジウム、白金、銀、ロジウム、ルテニウム等の触媒作用性金属に代えて、酸化チタン（ＴｉＯ２）等の触媒作用性化合物を用いることもできる。
【００３７】
〔第２実施形態〕
図２は、第２実施形態に係る光学素子の構造を示す断面図である。本実施形態の光学素子１４０は、図１に示す第１実施形態の光学素子４０を変形したものであり、同一の部分には同一の符号を付して重複した説明を省略する。また、特に説明しない部分については第１実施形態と同様であるものとする。
【００３８】
本実施形態の光学素子１４０の場合、複合保護層１３０を構成する上部層１３２が、耐酸化性を有する酸化物又はこれを含む材料で形成され、酸化防止膜としての役割を果たす。より具体的に説明すると、この上部層１３２は、二酸化珪素（ＳｉＯ２）、酸化ニオブ（ＮｂＯ）、二酸化ニオブ（ＮｂＯ２）、五酸化二ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）、酸化クロム（ＣｒＯ）、三酸化二クロム（Ｃｒ２Ｏ３）、三酸化クロム（ＣｒＯ３）、二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、及び二酸化モリブデン（ＭｏＯ２）からなる群から選ばれる少なくとも１種を主成分として含む。以上のような耐酸化性の酸化物からなる上部層１３２は、化学的に比較的安定しており、水や酸素の内部への侵入を阻止する。よって、耐酸化性の酸化物を含有する上部層１３２を光学素子１４０の最表面に形成することで、光学素子１４０周辺から供給され酸化の原因となる水や酸素の侵入を防ぎ、光学素子１４０の極端紫外線照射下での耐酸化性を向上させることができる。
【００３９】
一方、上部層１３２と多層膜２０との間に挿入された下部層３１は、ＭｏＳｉ２又はこれを主成分とするものであり、上部層１３２を構成する成分の多層膜２０への拡散防止膜としての機能を果たしている。また、下部層３１は、耐酸化性を有し、上部層１３２を通過した水や酸素などによる多層膜２０の酸化反応を抑制する性質も有する。これにより、光学素子１４０の最表面として設けた上部層１３２の耐酸化性の劣化を防ぐことができ、光学素子１４０の反射特性を長期にわたって維持することができる。なお、この下部層３１については、多層膜２０の最表層を構成する成分が上部層３２へ拡散することを防止する拡散防止層としての役割が期待される。
【００４０】
上部層１３２の製造方法は、表面荒さを悪くせず緻密な膜ができれば蒸着、スパッタ法など成膜手法を問わない。
【００４１】
なお、本実施形態において、上部層１３２は、二酸化珪素、酸化ニオブ、二酸化ニオブ、五酸化二ニオブ、酸化クロム、三酸化二クロム、三酸化クロム、二酸化ジルコニウム、二酸化モリブデン等の耐酸化性の酸化物によって形成されるとしたが、当該耐酸化性の酸化物は、これらに限られない。この他にも、例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、二酸化ルテニウム（ＲｕＯ２）、三酸化ルテニウム（ＲｕＯ３）、四酸化ルテニウム（ＲｕＯ４）、三酸化二ロジウム（Ｒｈ２Ｏ３）、二酸化ロジウム（ＲｈＯ２）等を主成分として含む金属材料で上部層１３２を形成しても、耐酸化性に関して同様の効果が期待される。
【００４２】
なお、上部層１３２を構成する耐酸化性物質として、上述の二酸化珪素等の他に、単体のホウ素を用いることができる。
【００４３】
また、シリコン、ホウ素等の非金属元素の酸化物、ホウ化物、珪化物、炭化物、窒化物、フッ化物、及びベリリウム化合物や、Ｂｅ，Ｃａ，Ｓｃ，Ｇｄ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｚｒ，Ｇａ，Ｓｒ，Ｎｂ，Ｂａ，Ｌａ，Ｄｙ，Ｈｆ，Ｍｎ，Ｒｅ，Ｆｅ，Ｐｄ，Ｔｈ，Ｖ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｔｂ，Ｙ，Ｎｄ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｅｕ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｒｂ等の各種金属の酸化物、ホウ化物、珪化物、炭化物、窒化物、フッ化物、及びベリリウム化合物を用いることができる。
【００４４】
具体的には、上部層１３２を構成する耐酸化性物質として、ＳｉＯ，Ｂ２Ｏ３等の非金属酸化物が使用可能である。また、Ｓｃ２Ｏ３，Ｔｂ２Ｏ３，ＰｄＯ，Ｐｄ２Ｏ３，ＰｄＯ４，ＴｉＯ，Ｔｉ２Ｏ３，ＴｉＯ２，ＭｏＯ，Ｍｏ２Ｏ３，Ｍｏ２Ｏ５，ＶＯ，Ｖ２Ｏ３，ＶＯ２，Ｖ２Ｏ５等の金属酸化物が使用可能である。さらに、ＢａＯ，ＢｅＯ，Ｂｅ２Ｏ，ＣａＯ，Ｅｕ２Ｏ３，Ｇｄ２Ｏ３，Ｌａ２Ｏ３，Ｍｏ４Ｏ１１，Ｍｏ８Ｏ２３，ＭｏＯ３，Ｍｏ９Ｏ２４，ＮｄＯ，Ｎｄ２Ｏ３，ＰｒＯ１．７７８，ＰｒＯ１．８３３，ＰｒＯ１．８，ＰｒＯ１．８１８，Ｓｍ２Ｏ３，ＳｒＯ，Ｔｉ３Ｏ２，Ｔｉ２Ｏ，Ｔｉ３Ｏ，Ｔｉ１−ｘＯ，ＴｉｎＯ２ｎ−１（ｎ＝２−９），ＶＯ１．７６，ＶＯ１．５７，ＶＯ１．８０，ＶＯ１．８４，ＶＯ１．８６，Ｖ６Ｏ１３，Ｖ８Ｏ，Ｖ４Ｏ，Ｖ２Ｏ，Ｖ３Ｏ５，Ｖ４Ｏ７，Ｖ５Ｏ９，Ｖ７Ｏ１３，Ｖ６Ｏ１３，Ｙ２Ｏ３，ＺｒＯ２−ｘ等の金属酸化物も使用可能である。
【００４５】
上部層１３２を構成する耐酸化性物質として、ＳｉＢ３，ＳｉＢ６，ＳｉＢｘ等の非金属ホウ化物が使用可能である。また、ＢｅＢ２，ＣａＢ６，ＳｃＢ２，ＳｃＢ１２，ＧｄＢ６，ＴｉＢ２，ＺｒＢ２，ＴａＢ２，Ｃｒ４Ｂ，ＣｒＢ，Ｃｒ３Ｂ４，ＣｒＢ２，Ｍｏ２Ｂ５，Ｗ２Ｂ３，Ｗ２Ｂ５，ＺｒＢ１２，ＧａＢ６，ＳｒＢ６，ＮｂＢ，Ｎｂ３Ｂ４，ＮｂＢ２等の金属ホウ化物が使用可能である。また、ＢｅＢ１２，ＢｅＢ９，ＢｅＢ６，ＢｅＢ４，Ｂｅ２Ｂ，Ｂｅ４Ｂ，ＥｕＢ６，ＧｄＢ２，Ｇｄ２Ｂ５，ＧｄＢ４，ＧｄＢ６６，Ｍｏ２Ｂ，ＭｏＢ，Ｍｏ３Ｂ２，ＭｏＢ２，ＭｏＢ４，Ｎｂ３Ｂ２，Ｎｄ２Ｂ５，ＮｄＢ４，ＮｄＢ６，ＮｄＢ６６，Ｐｒ２Ｂ５，ＰｒＢ４，ＰｒＢ６，ＲｈＢ１．１，Ｒｈ７Ｂ３，ＲｕＢ，Ｒｕ７Ｂ３，Ｒｕ２Ｂ３，ＲｕＢ２，Ｓｍ２Ｂ５，ＳｍＢ４，ＳｍＢ６，ＳｍＢ６６，ＴｂＢ２，ＴｂＢ４，ＴｂＢ６，ＴｂＢ１２，ＴｂＢ６６，ＴｉＢ，Ｔｉ３Ｂ４，Ｖ３Ｂ２，ＶＢ，Ｖ５Ｂ６，Ｖ３Ｂ４，Ｖ２Ｂ３，ＶＢ２等の金属ホウ化物も使用可能である。
【００４６】
上部層１３２を構成する耐酸化性物質として、ＢａＳｉ２，ＬａＳｉ２，ＤｙＳｉ２，ＺｒＳｉ，ＺｒＳｉ２，ＨｆＳｉ２，ＣｒＳｉ２，ＭｏＳｉ２，ＭｎＳｉ２，ＲｅＳｉ２，ＦｅＳｉ２，ＰｄＳｉ，ＴｈＳｉ２，ＣａＳｉ，Ｃａ２Ｓｉ，ＣａＳｉ２，Ｖ２Ｓｉ，ＶＳｉ２，ＲｕＳｉ，ＲｈＳｉ２，ＴｂＳｉ２等の金属珪化物が使用可能である。また、ＢａＳｉ，Ｍｏ３Ｓｉ，Ｍｏ５Ｓｉ３，Ｎｂ５Ｓｉ３，ＮｂＳｉ２，Ｐｄ３Ｓｉ，Ｐｄ２Ｓｉ，Ｐｄ９Ｓｉ４，Ｒｕ２Ｓｉ，Ｒｕ２Ｓｉ３，Ｓｒ２Ｓｉ，ＳｒＳｉ２，ＳｒＳｉ，ＴｉＳｉ，Ｔｉ３Ｓｉ，Ｔｉ５Ｓｉ３，Ｔｉ３Ｓｉ，Ｔｉ５Ｓｉ４，ＴｉＳｉ２，Ｔｉ６Ｓｉ５，Ｖ３Ｓｉ，Ｖ５Ｓｉ３，Ｖ６Ｓｉ５，Ｙ５Ｓｉ３，Ｙ５Ｓｉ４，ＹＳｉ，Ｙ３Ｓｉ５，Ｚｒ２Ｓｉ，Ｚｒ４Ｓｉ，Ｚｒ５Ｓｉ３，Ｚｒ３Ｓｉ２，Ｚｒ５Ｓｉ４等の金属珪化物も使用可能である。
【００４７】
上部層１３２を構成する耐酸化性物質として、ＳｉＣ，Ｂ４Ｃ等の非金属炭化物が使用可能である。また、ＬａＣ２，Ｂｅ２Ｃ，Ｍｏ２Ｃ，ＭｏＣ，ＶＣ，Ｖ４Ｃ３，Ｖ５Ｃ，ＴｉＣ，ＺｒＣ等の金属炭化物が使用可能である。さらに、Ｅｕ４Ｃ２，Ｅｕ２Ｃ３，ＥｕＣ２，ＥｕＣ６，Ｇｄ２Ｃ，Ｇｄ４Ｃ２，Ｇｄ２Ｃ３，ＧｄＣ２，Ｌａ２Ｃ３，ＭｏＣ１−ｘ，Ｎｂ２Ｃ，ＮｂＣ，Ｎｄ２Ｃ３，ＮｄＣ２，Ｓｃ２Ｃ，Ｓｃ４Ｃ３，Ｓｃ１３Ｃ１０，Ｓｃ１５Ｃ１９，Ｓｍ３Ｃ，Ｓｍ２Ｃ３，ＳｍＣ２，Ｔｂ４Ｃ２，Ｔｂ２Ｃ，Ｔｂ２Ｃ３，ＴｂＣ２，Ｔｉ２Ｃ，Ｖ２Ｃ，Ｖ４Ｃ３−ｘ，Ｖ６Ｃ５，Ｖ８Ｃ７，Ｙ２Ｃ，Ｙ４Ｃ２，Ｙ１５Ｃ１９，Ｙ２Ｃ３，ＹＣ２等の金属炭化物も使用可能である。
【００４８】
上部層１３２を構成する耐酸化性物質として、ＳｉＮ，Ｓｉ２Ｎ３，Ｓｉ３Ｎ４，ＢＮ，ＢＮ２等の非金属窒化物が使用可能である。また、ＹＮ，Ｃａ３Ｎ２，ＳｃＮ，ＺｒＮ，Ｚｒ３Ｎ２，Ｓｒ３Ｎ２，ＴｉＮ，Ｔｉ３Ｎ４，ＮｂＮ，ＮｄＮ，Ｂｅ３Ｎ２，Ｂａ３Ｎ２，ＶＮ，ＭｏＮ，Ｍｏ２Ｎ，ＬａＮ，ＡｌＮ等の金属窒化物が使用可能である。さらに、Ｎｂ２Ｎ，Ｔｉ２Ｎ，Ｖ２Ｎ１−ｘ，ＶＮ１−ｘ，Ｖ３２Ｎ２８等の非金属窒化物も使用可能である。
【００４９】
上部層１３２を構成する耐酸化性物質として、ＳｒＦ２，ＮｉＦ２，ＹＦ３等の金属フッ化物が使用可能である。
【００５０】
上部層１３２を構成する耐酸化性物質として、ＢａＢｅ１３，ＣａＢｅ１３，ＥｕＢｅ１３，ＧｄＢｅ１３，ＬａＢｅ１３，Ｍｏ３Ｂｅ，ＭｏＢｅ２，ＭｏＢｅ１２，ＮｂＢｅ１２，Ｎｂ２Ｂｅ１７，ＮｂＢｅ３，ＮｂＢｅ２，Ｎｂ３Ｂｅ２，ＮｄＢｅ１３，ＰｄＢｅ１２，ＰｄＢｅ５，Ｐｄ２Ｂｅ，Ｐｄ３Ｂｅ，ＰｄＢｅ，Ｐｄ３Ｂｅ２，Ｐｄ４Ｂｅ３，ＰｒＢｅ１３，Ｒｕ３Ｂｅ１７，Ｒｕ３Ｂｅ１０，ＲｕＢｅ２，Ｒｕ２Ｂｅ３，ＳｃＢｅ５，Ｓｃ２Ｂｅ１７，ＳｃＢｅ１３，ＳｍＢｅ１３，ＳｒＢｅ１３，ＴｂＢｅ１３，ＴｉＢｅ２，ＴｉＢｅ３，Ｔｉ２Ｂｅ１７，ＴｉＢｅ１２，ＶＢｅ１２，ＶＢｅ２，ＹＢｅ１３，ＺｒＢｅ１３，Ｚｒ２Ｂｅ１７，ＺｒＢｅ５，ＺｒＢｅ２等の金属ベリリウム化合物が使用可能である。
【００５１】
また、複合保護層１３０の形成において、耐酸化性を最大限に利用するためには、緻密な膜形成に必要な膜厚、酸素・水分の拡散が十分に遅くなる膜厚、つまり、大きな膜厚が望まれる。しかし、極端紫外線は上部層１３２の酸化物により少なからず吸収される場合が多く、上部層１３２の厚みは例えば１〜３ｎｍ程度となる。また、下部層３１の厚みは２〜５ｎｍ程度となる。具体的な厚みは、光学素子１４０に対して望まれる反射特性に応じて適宜決定される。
【００５２】
その他、上部層１３２は、炭素Ｃ、炭化珪素（ＳｉＣ）、窒化珪素（ＳｉＮ）、窒化ホウ素（ＢＮ）等を主成分として含むものとすることもできる。
【００５３】
以上説明した第２実施形態の光学素子１４０において、複合保護層１３０を構成する下部層３１及び上部層１３２の作製に用いる各成分は、上記例示の材料に限定されるものではない。すなわち、例示した材料以外に微量の成分を添加したものであっても所期の効果が得られるものであればよい。
【００５４】
〔第３実施形態〕
図３は、第１及び第２実施形態の光学素子４０，１４０を光学部品として組み込んだ、第３実施形態に係る投影露光装置の構造を説明するための図である。
【００５５】
図３に示すように、この投影露光装置２００は、光学系として、極端紫外線（波長１１〜１４ｎｍ）を発生する光源装置５０と、極端紫外線の照明光によってマスクＭＡを照明する照明光学系６０と、マスクＭＡのパターン像を感応基板であるウエハＷＡに転写する投影光学系７０とを備え、機械機構として、マスクＭＡを支持するマスクステージ８１と、ウエハＷＡを支持するウエハステージ８２とを備える。
【００５６】
光源装置５０は、プラズマ励起用のレーザ光を発生するレーザ光源５１と、ターゲット材料であるキセノン等のガスを筐体ＳＣ中に供給するチューブ５２とを備える。また、この光源装置５０には、コンデンサ５４やコリメータミラー５５が付設されている。チューブ５２の先端から出射されるキセノンに対しレーザ光源５１からのレーザ光を集光させることにより、その部分のターゲット材がプラズマ化して極端紫外線を発生する。コンデンサ５４は、チューブ５２の先端Ｓで発生した極端紫外線を集光する。コンデンサ５４を経た極端紫外線は、収束されつつ筐体ＳＣ外に射出し、コリメータミラー５５に入射する。なお、以上のようなレーザプラズマタイプの光源装置５０からの光源光に代えて、放電プラズマ光源、ＳＯＲ光源からの放射光等を使用することができる。
【００５７】
照明光学系６０は、反射型のオプティカルインテグレータ６１，６２、コンデンサミラー６３、偏向ミラー６４等により構成される。光源装置５０からの光源光を、オプティカルインテグレータ６１，６２によって照明光として均一化しつつコンデンサミラー６３によって集光し、偏向ミラー６４を介してマスクＭＡ上の所定領域（例えば帯状領域）に入射させる。これにより、マスクＭＡ上の所定領域を適当な波長の極端紫外線によって均一に照明することができる。
【００５８】
なお、極端紫外線の波長域で十分な透過率を有する物質は存在せず、マスクＭＡには透過型のマスクではなく反射型のマスクが使用されている。
【００５９】
投影光学系７０は、多数のミラー７１，７２，７３，７４で構成される縮小投影系である。マスクＭＡ上に形成されたパターン像である回路パターンは、投影光学系７０によってレジストが塗布されたウエハＷＡ上に結像してこのレジストに転写される。この場合、回路パターンが一度に投影される領域は、直線状又は円弧状のスリット領域であり、マスクＭＡとウエハＷＡとを同期して移動させる走査露光によって、例えばマスクＭＡ上に形成された矩形の回路パターンをウエハＷＡ上の矩形領域に無駄なく転写することができる。
【００６０】
以上の光源装置５０のうち極端紫外線の光路上に配置される部分と、照明光学系６０と、投影光学系７０とは、真空容器８４中に配置されており、露光光の減衰が防止されている。つまり、極端紫外線は大気に吸収されて減衰するが、装置全体を真空容器８４によって外部から遮断するとともに、極端紫外線の光路を所定の真空度（例えば、１．３×１０−３Ｐａ以下）に維持することで、極端紫外線の減衰すなわち転写像の輝度低下やコントラスト低下を防止している。
【００６１】
以上の投影露光装置において、極端紫外線の光路上に配置される光学素子５４，５５，６１，６２，６３，６４，７１，７２，７３，７４やマスクＭＡとして、図１等に例示される光学素子４０，１４０を用いる。この際、光学素子４０，１４０の光学面の形状は、凹面に限らず、平面、凸面、多面等組み込む場所によって適宜調整する。
【００６２】
以下、図３に示す投影露光装置の動作について説明する。この投影露光装置では、照明光学系６０からの照明光によってマスクＭＡが照明され、マスクＭＡのパターン像が投影光学系７０によってウエハＷＡ上に投影される。これにより、マスクＭＡのパターン像がウエハＷＡに転写される。
【００６３】
以上説明した投影露光装置では、高反射率で高精度に制御された光学素子５４，５５，６１，６２，６３，６４，７１，７２，７３，７４，ＭＡが用いられており、高精度の露光が可能になる。さらに、この投影露光装置では、光学素子５４，５５，６１，６２，６３，６４，７１，７２，７３，７４，ＭＡの表面すなわち光学面において酸化反応が抑制されているので、これら光学素子の反射特性が劣化するのを防ぎ、延いては投影露光装置の寿命を長くすることができる。
【００６４】
以上実施形態に即して本発明を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、露光光として極端紫外線を用いる投影露光装置について説明したが、露光光として極端紫外線以外の紫外線を用いる投影露光装置においても、図１等に示すような光学素子４０，１４０を組み込むことができ、光学素子の反射特性の劣化を抑制することができる。
【００６５】
また、投影露光装置以外にも、例えば、軟Ｘ線顕微鏡や、軟Ｘ線分析装置といった軟Ｘ線光学機器を含む様々な光学機器についても同様に図１等に示すような光学素子４０，１４０を組み込むことができる。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】第１実施形態に係る光学素子を説明する断面図である。
【図２】第２実施形態に係る光学素子を説明する断面図である。
【図３】第３実施形態に係る投影露光装置を説明する図である。
【符号の説明】
【００６７】
１０…基板、  ２０…多層膜、  ３０…複合保護層、  ３１…下部層、  ３２…上部層、  ４０…光学素子、  ５０…光源装置、  ６０…照明光学系、  ７０…投影光学系、  ８１…マスクステージ、  ８２…ウエハステージ、  Ｌ１，Ｌ２…薄膜層、  ＷＡ…ウエハ
【図１】
2006170911.tif 000003
【図２】
2006170911.tif 000004
【図３】
2006170911.tif 000005