(57)【要約】【課題】探針の尖鋭さを保持しながら、表面の不純物を除去し、探針先端の性状を再現性良く作製することを可能にした探針、探針製造方法及び探針製造装置を提供すること。【解決手段】金属素材を真空中又は不活性ガス雰囲気中で加熱する工程と、前記加熱後、前記金属素材を針状体に加工する工程と、前記針状体を還元性雰囲気中において加熱することにより、針状体表面の不純物を除去する工程と、前記不純物の除去後、前記針状体に吸着又は拡散している還元性元素を除去する工程とからなることを特徴とする探針製造方法である。【選択図】図1
2006170967.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属素材を真空中又は不活性ガス雰囲気中で加熱する工程と、前記加熱後、前記金属素材を針状体に加工する工程と、前記針状体を還元性雰囲気中において加熱して、前記針状体表面の不純物を除去する工程と、前記不純物の除去後、前記針状体を真空中で加熱することにより、前記針状体に吸着又は拡散している還元性元素を除去する工程とからなることを特徴とする探針製造方法。
【請求項２】
前記金属素材を真空中又は不活性ガス雰囲気中で加熱する工程は、前記金属素材を真空中又は不活性ガス雰囲気中において1200℃以上で加熱することであることを特徴とする請求項1に記載の探針製造方法。
【請求項３】
前記金属素材を真空中又は不活性ガス雰囲気中で加熱する工程は、前記金属素材を真空中又は不活性ガス雰囲気中において直接通電によって1200℃以上で加熱することであることを特徴とする請求項1に記載の探針製造方法。
【請求項４】
前記針状体を還元性雰囲気中において加熱して、前記針状体表面の不純物を除去する工程は、前記針状体を0.01Torr以上の水素分圧を持つ雰囲気中において800℃以上で加熱することであることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか1つの請求項に記載の探針製造方法。
【請求項５】
前記不純物の除去後、前記針状体を真空中で加熱することにより、前記針状体に吸着又は拡散している還元性元素を除去する工程は、前記不純物の除去後、前記針状体を真空中において600℃以上で加熱することであることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1つの請求項に記載の探針製造方法。  
【請求項６】
金属素材を真空中又は不活性ガス雰囲気中で加熱する加熱手段と、前記加熱後、前記金属素材を針状体に加工する針状体加工手段と、前記針状体を還元性雰囲気中において加熱して、前記針状体表面の不純物を除去する不純物除去手段と、前記不純物の除去後、前記針状体に吸着又は拡散している還元性元素を除去する還元性元素除去手段とから構成されていることを特徴とする探針製造装置。
【請求項７】
前記加熱手段は、前記金属素材を真空中又は不活性ガス雰囲気中において1200℃以上で加熱する手段から構成されていることを特徴とする請求項６に記載の探針製造装置。
【請求項８】
前記加熱手段は、前記金属素材を真空中又は不活性ガス雰囲気中において直接通電によって1200℃以上で加熱する手段から構成されていることを特徴とする請求項6に記載の探針製造装置。
【請求項９】
前記不純物除去手段は、前記針状体を0.01Torr以上の水素分圧を持つ雰囲気中において800℃以上で加熱する手段から構成されていることを特徴とする請求項6乃至請求項8のいずれか1つの請求項に記載の探針製造装置。
【請求項１０】
前記還元性元素除去手段は、前記不純物の除去後、前記針状体を真空中において600℃以上で加熱する手段から構成されていることを特徴とする請求項6乃至請求項9のいずれか1つの請求項に記載の探針製造装置。
【請求項１１】
真空中又は不活性ガス雰囲気中で加熱して得られた探針作製用金属素材。
【請求項１２】
前記真空中又は不活性ガス雰囲気中における加熱は、真空中又は不活性ガス雰囲気中において1200℃以上で加熱することであることを特徴とする請求項11に記載の金属素材。
【請求項１３】
真空中又は不活性ガス雰囲気中で加熱して得られた金属素材を素材として用いたことを特徴とする探針。
【請求項１４】
金属素材を真空中又は不活性ガス雰囲気中で加熱後、針状体に加工して還元性雰囲気中において加熱して表面の不純物を除去し、更に前記針状体を真空中で加熱することにより吸着又は拡散している還元性元素を除去したことを特徴とする探針。
【請求項１５】
前記真空中又は不活性ガス雰囲気中における加熱は、真空中又は不活性ガス雰囲気中において1200℃以上で加熱することであることを特徴とする請求項13乃至請求項14に記載の探針。
【請求項１６】
前記針状体の還元性雰囲気中における加熱は、前記針状体を0.01Torr以上の水素分圧を持つ雰囲気中において800℃以上で加熱することであることを特徴とする請求項14乃至請求項15のいずれか1つの請求項に記載の探針。
【請求項１７】
前記針状体の真空中における加熱は、前記針状体を真空中において600℃以上で加熱することであることを特徴とする請求項14乃至請求項16のいずれか1つの請求項に記載の探針。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、走査プローブ顕微鏡(Scanning Probe Microscopy: SPM)、走査型トンネル顕微鏡(Scanning Tunneling Microscopy: STM)、原子間力顕微鏡(Atomic Force Microscopy: AFM)、電界イオン顕微鏡(Field Ion Microscopy: FIM)、電界放射顕微鏡(Field Emission Microscopy: FEM)等に使用される探針（tip, probe tip）の製造方法、探針製造装置及び探針に関する。
【背景技術】
【０００２】
走査型トンネル顕微鏡(STM)は、数Åという高い空間分解能を持ち、条件によっては原子一つ一つを分解して観察することが可能である顕微鏡である。これは、バイアス電圧を印加した探針を導体試料表面に数nmの距離まで近づけ、このとき流れるトンネル電流を利用して観察するものである。この探針には、曲率半径が数nm〜数十nm程度であるような極めて鋭い先端をもつ金属探針を用いる。この素材には、基本的に導体でありさえすればその種類は問わないが、主にタングステン（W）,モリブデン（Mo）,白金（Pt）,イリジウム（Ir）,ロジウム（Rh）といった高融点金属を用いる場合が多い。これらの金属棒を、一般的には、図３に概略を示した電解研磨法や機械研磨法を用いて探針形状に加工する。なお、図３に示す電解研磨法は、金属棒を電解液に浸し、陰極との間に電圧を加え、その結果、水面近くの部分が溶け出すことにより、くびれて徐々に細くなり、最後に切れて上下の部分に別れ、探針形状を形成するものである。
【非特許文献１】T. T. Tsong, “Atom-probefield ion microscopy”, Cambridge University Press, p.110, (1999)
【非特許文献２】小島勇夫, 倉橋正保, 表面科学,9,621, (1988)
【非特許文献３】越川孝範、表面科学,17,553, (1996)）。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
走査型トンネル顕微鏡(STM)は、これまで、その高い空間分解能を生かした表面観察・表面計測・ナノ加工のための強力な手法として広く研究目的に用いられてきた。しかしながら、未だ産業用ナノ計測・ナノ加工法として工業的に用いられた例はない。その理由の一つは、この手法により得られる結果の再現性に問題があるからである。
【０００４】
この手法では、鋭利な先端形状を持つ金属探針を利用する。再現性の良い結果を得るためには、この探針先端の尖鋭さを保持しながら、表面を清浄に作製することが不可欠であるが、これまでの探針では、これは不可能であった。ここで、再現性とは、同じ観察・加工過程を繰り返したときに、再び、同じ結果を得ることを言う。
【０００５】
以下にその理由について詳述する。走査型トンネル顕微鏡（STM）には、曲率半径が数nm〜数十nm程度であるような、極めて鋭い先端をもつ金属探針を用いる。この素材には、基本的に導体でありさえすればその種類は問わないが、主にタングステン（W）,モリブデン（Mo）,白金（Pt）,イリジウム（Ir）,ロジウム（Rh）といった高融点金属を用いる場合が多い。
【０００６】
これらの金属棒を、一般的には、図3に概略を示したように電解研磨法や機械研磨法を用いて探針形状に加工し、その後以下に述べるような処理を施した後、探針として用いている。研磨直後の探針表面は、顕微鏡を用いた観察実験において良好な空間分解能や安定性を得ようとする場合、不純物の無い清浄な金属表面が露出していることが望ましいが、図4(ａ)に示すように、酸素(O)や炭素(C)を主とする不純物で汚染されている場合が多い。探針表面が不純物で汚染されていると、観察又は加工中にこれらの不純物が根元部分から探針先端に移動し、探針先端の状態が変化することにより、顕微鏡としての動作が不安定化する。
走査型トンネル顕微鏡(STM)の観察・加工対象は、原子サイズであるため、極めてわずかな量の不純物による汚染が深刻な問題をもたらす。
【０００７】
図5(a)はタングステン（W）ワイヤー(太さ0.3mm)を2N-NaOH水溶液中で数分間電解研磨した後の表面に付着した不純物を測定したオージェ電子スペクトルである。電解研磨後の表面にはタングステン（W）,炭素（C）,カルシュム（Ca）,酸素（O）のピークが確認される。これらの不純物は主に金属酸化物や炭化水素化合物であり、これらは電解研磨過程およびその後のハンドリング中に試料表面に付着したものと考えられる。
【０００８】
これらの不純物は真空中で約1000℃程度に加熱することで除去可能といわれている。そこで、この試料を超高真空中において965℃・60分の条件で加熱処理した後に得たオージェ電子スペクトルを図5(b)に示す。このスペクトルでは、炭素（C）のピークが見られなくなっているものの、依然酸素（O）のピークが残っており、また、カルシュム（Ca）のピークは大きくなった。一方、図5(a)には見られなかった、硫黄（S）に起因するピークが明瞭に観測されるようになった。この硫黄（S）はタングステン（W）バルク中に不純物として含まれているものであり、真空加熱時に表面偏析したものである(J. Vac. Sci. Technol. 7, S91 (1971))。表面偏析した硫黄（S）は硫化物を形成していると考えられるが、硫化物は極めて安定であるため加熱により表面から除去するためには1200℃以上の高温が必要となる。この結果から、超高真空中において965℃までの温度範囲で加熱しただけでは、不純物を除去できないことが明らかである。
【０００９】
表面の不純物を取り除くためには、(a)高電界中において探針先端の原子を電界蒸発させる方法、(b)スパッタリング等の方法によって探針先端を物理的に削る方法、(c)真空中や不活性ガス中で高温に加熱し、蒸発脱離させる方法、など様々な方法が行われている。しかしながら、(a)や(b)のような方法を用いた場合、図4(b)に示すように、先端の曲率半径が大きくなり尖鋭さが失われてしまうことや、図4(c)に示すように、極先端の不純物は取り除かれるが根元部分にはそれが残るため残留不純物が観察に悪影響を及ぼすという問題を生じる。一方、(c)の方法を用いた場合、不純物を完全に取り除くためには1200℃以上の極めて高い温度が必要であるが、探針をその温度まで加熱することは困難である場合が多い。一方、電子衝撃加熱法のように、1200℃以上の十分に高い温度を達成できる方法もあるが、加熱されるのが先端部分のみであり根元の不純物が除去できないことや、温度コントロールが難しく、探針自体を融かしてしまうといった問題がある。
【００１０】
本発明の目的は、探針の尖鋭さを保持しながら、表面の不純物を除去し、探針先端の性状を再現性良く作製することを可能にした探針製造方法、探針製造装置及び探針を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、上記の問題を解決するために、下記の手段を採用した。
第1の手段は、金属素材を真空中又は不活性ガス雰囲気中で加熱する工程と、前記加熱後、前記金属素材を針状体に加工する工程と、前記針状体を還元性雰囲気中において加熱して、前記針状体表面の不純物を除去する工程と、前記不純物の除去後、前記針状体を真空中で加熱することにより、前記針状体に吸着又は拡散している還元性元素を除去する工程とからなることを特徴とする探針製造方法。
【００１２】
第2の手段は、第1の手段において、前記金属素材を真空中又は不活性ガス雰囲気中で加熱する工程は、前記金属素材を真空中又は不活性ガス雰囲気中において1200℃以上で加熱することであることを特徴とする探針製造方法である。
【００１３】
第3の手段は、第1の手段において、前記金属素材を真空中又は不活性ガス雰囲気中で加熱する工程は、前記金属素材を真空中又は不活性ガス雰囲気中において直接通電によって1200℃以上で加熱することであることを特徴とする探針製造方法である。
【００１４】
第4の手段は、第1の手段乃至第3の手段のいずれか1つの手段において、前記針状体を還元性雰囲気中において加熱して、前記針状体表面の不純物を除去する工程は、前記針状体を0.01Torr以上の水素分圧を持つ雰囲気中において800℃以上で加熱することであることを特徴とする探針製造方法である。
【００１５】
第5の手段は、第1の手段乃至第4の手段のいずれか1つの手段において、前記不純物の除去後、前記針状体を真空中で加熱することにより、前記針状体に吸着又は拡散している還元性元素を除去する工程は、前記不純物の除去後、前記針状体を真空中において600℃以上で加熱することであることを特徴とする探針製造方法である。  
【００１６】
第6の手段は、金属素材を真空中又は不活性ガス雰囲気中で加熱する加熱手段と、前記加熱後、前記金属素材を針状体に加工する針状体加工手段と、前記針状体を還元性雰囲気中において加熱して、前記針状体表面の不純物を除去する不純物除去手段と、前記不純物の除去後、前記針状体に吸着又は拡散している還元性元素を除去する還元性元素除去手段とから構成されていることを特徴とする探針製造装置である。
【００１７】
第7の手段は、第6の手段において、前記加熱手段は、前記金属素材を真空中又は不活性ガス雰囲気中において1200℃以上で加熱する手段から構成されていることを特徴とする記載の探針製造装置である。
【００１８】
第8の手段は、第6の手段において、前記加熱手段は、前記金属素材を真空中又は不活性ガス雰囲気中において直接通電によって1200℃以上で加熱する手段から構成されていることを特徴とする探針製造装置である。
【００１９】
第9の手段は、第6の手段乃至第8の手段のいずれか1つの手段において、前記不純物除去手段は、前記針状体を0.01Torr以上の水素分圧を持つ雰囲気中において800℃以上で加熱する手段から構成されていることを特徴とする探針製造装置である。
【００２０】
第10の手段は、第6の手段乃至第9の手段のいずれか1つの手段において、前記還元性元素除去手段は、前記不純物の除去後、前記針状体を真空中において600℃以上で加熱する手段から構成されていることを特徴とする探針製造装置である。
【００２１】
第11の手段は、真空中又は不活性ガス雰囲気中で加熱することによって不純物を除去したことを特徴とする探針作製用金属素材である。
【００２２】
第12の手段は、第11の手段において、前記真空中又は不活性ガス雰囲気中における加熱は、真空中又は不活性ガス雰囲気中において1200℃以上で加熱することであることを特徴とする探針用金属素材である。
【００２３】
第13の手段は、真空中又は不活性ガス雰囲気中で加熱して得られた金属素材を素材として用いたことを特徴とする探針である。
【００２４】
第14の手段は、金属素材を真空中又は不活性ガス雰囲気中で加熱後、針状体に加工して還元性雰囲気中において加熱して表面の不純物を除去し、更に前記針状体を真空中で加熱することにより吸着又は拡散している還元性元素を除去したことを特徴とする探針である。
【００２５】
第15の手段は、第13乃至第14の手段において、前記真空中又は不活性ガス雰囲気中における加熱は、真空中又は不活性ガス雰囲気中において1200℃以上で加熱することであることを特徴とする探針である。
【００２６】
第16の手段は、第14の手段乃至第15の手段のいずれか1つの手段において、前記針状体の還元性雰囲気中における加熱は、前記針状体を0.01Torr以上の水素分圧を持つ雰囲気中において800℃以上で加熱することであることを特徴とする探針である。
【００２７】
第17の手段は、第14の手段乃至第16の手段のいずれか1つの手段において、前記針状体の真空中における加熱は、前記針状体を真空中において600℃以上で加熱することであることを特徴とする探針である。
【発明の効果】
【００２８】
請求項1に記載の発明によれば、探針先端形状を損なうような高温加熱を行うことなく、探針全体の表面を、探針素材である金属が露出しかつ不純物が存在しない極めて清浄な状態にすることができる。
【００２９】
請求項2に記載の発明によれば、探針作製に用いる金属素材中に含まれる微量な硫黄を除去することができ、探針形状に加工後、表面の不純物を除去する際に、硫化物が表面に形成されるのを防ぐことができる。
【００３０】
請求項3に記載の発明によれば、前記金属素材中に含まれる微量な硫黄の除去を行う際に、金属素材を効率よく簡便に低コストで加熱することができる。
【００３１】
請求項4に記載の発明によれば、金属素材を針状体に加工する際に、針状体表面に付着した酸化物や炭化水素等の不純物を、探針先端形状を損なうような高温加熱を行うことなく、完全に除去することができる。
【００３２】
請求項5に記載の発明によれば、針状体表面の酸化物や炭化水素等の不純物を除去する際に針状体に吸着または拡散した還元性元素を、探針先端形状を損なうような高温加熱を行うことなく、簡便かつ完全に取り除くことができる。
【００３３】
請求項6に記載の発明によれば、探針全体に探針素材である金属の表面が露出し、不純物が存在しない極めて清浄な表面をもつ探針を、探針先端形状を損なうような高温加熱を行うことなく、製造することができる。
【００３４】
請求項7に記載の発明によれば、探針形状に加工後、表面に付着した酸化物や炭化水素等の不純物を除去する際に、表面に硫化物が形成されないような探針用金属素材を製造することができる。
【００３５】
請求項8に記載の発明によれば、前記金属素材中に含まれる微量な硫黄を除去した探針用金属素材を効率よく簡便に低コストで製造することができる。
【００３６】
請求項9に記載の発明によれば、探針表面に酸化物や炭化水素等の不純物が付着していない探針を、探針先端形状を損なうような高温加熱を行うことなく、製造することができる。
【００３７】
請求項10に記載の発明によれば、針状体表面の不純物を除去する際に針状体表面に吸着した還元性元素を除去した極めて清浄な表面を持つ探針を、探針先端形状を損なうような高温加熱を行うことなく、製造することができる。
【００３８】
請求項11記載の発明によれば、加熱しても硫黄が探針表面に偏析しない探針を作製することが可能となる。
【００３９】
請求項12記載の発明によれば、金属素材中の硫黄成分を効率よく除去することができ、加熱しても硫黄が探針表面に偏析しない探針を作製することが可能となる。
【００４０】
請求項13に記載の発明によれば、探針を加熱しても硫黄が探針表面に偏析しないため、探針先端が硫化物で汚染されることが無い。このため、これを用いることにより、探針加熱後も安定したSTM測定を行うことができる。
【００４１】
請求項14に記載の発明によれば、探針先端形状を損なうような高温加熱を行うことなく探針全体に極めて清浄な金属表面を露出させることができるため、高空間分解能でかつ安定したSTM測定を行うことができる。
【００４２】
請求項15に記載の発明によれば、探針が、不純物として硫黄を含まないため、これを加熱したとしても表面に硫化物が形成されない。このため、加熱後も安定したＳＴＭ測定を行うことができる。
【００４３】
請求項16に記載の発明によれば、探針表面が酸化物や炭化水素等の不純物が付着していない状態であり、かつ、還元性元素が吸着した状態であるため、新たに不純物が吸着しにくい。したがって、比較的低温で清浄化が可能な探針となる。
【００４４】
請求項17に記載の発明によれば、探針先端形状を損なうような高温加熱を行うことなく探針全体に極めて清浄な金属表面を露出させることができるため、高空間分解能でかつ安定したSTM測定を行うことができる。
【００４５】
さらに本発明によれば、探針全体を清浄な金属が露出した状態にすることが可能となり、その結果、探針先端の状態が常に一定となるため、良好な空間分解能や、産業目的に利用するために十分な観察・計測・加工作業において安定して用いることが期待される。さらには、これら観察・計測・加工過程において生じる現象のメカニズムを解明するために重要な効果をもつ。
また、本発明は、走査型トンネル顕微鏡(STM)のみならず、原子間力顕微鏡（AFM）をはじめとする走査プローブ顕微鏡（SPM）に用いるカンチレバーの先端清浄化、さらに電界イオン顕微鏡（FIM）, 電界放射顕微鏡（FEM）といった針形状の試料を用いる顕微鏡における試料の清浄化方法として応用可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４６】
本発明の一実施形態を図1及び図2を用いて説明する。
金属探針の表面に付着している不純物は、主に金属酸化物や炭化水素化合物であるので、これらの不純物は、真空中で約1000℃以上に加熱することにより除去することが可能である。しかしながらこの際、先に指摘したタングステン（W）,モリブデン（Mo）,白金（Pt）,イリジウム（Ir）,ロジウム（Rh）等の金属中に共通に含まれる不純物である硫黄(S)が表面に偏析し、表面に硫化物が形成されてしまう。この硫化物は極めて安定であるため、これを加熱により表面から除去するためには1200℃以上の高温で加熱する必要がある。
【００４７】
以下に、金属酸化物、炭化水素化合物、そして硫化物といった不純物の除去を可能にした本発明に係る探針製造方法及び探針製造装置について説明する。
まず、第1の工程として（又は加熱手段において）、図 1(a)に示すように、 金属素材を探針形状に加工する以前に、あらかじめ真空中または不活性ガス雰囲気中で1200℃以上に加熱し、金属素材中の硫黄成分を除去する。1200℃以上に加熱するためには、同図に示すように、金属素材に直接電流を流すことにより加熱する方法が最も簡便で効果的である。このとき、表面の金属酸化物や炭化水素化合物も同時に除去されるが、次に行う探針形状への形成過程においてこれらの不純物が再付着する。
【００４８】
次に、第2の工程として（又は針状体加工手段において）、図1(b)に示すように、電解研磨により金属素材を探針形状に加工する。
【００４９】
次に、第3の工程として（又は不純物除去手段において）、図1(c)に示すように、探針形状への加工後、金属針を還元性雰囲気中で加熱し、表面の酸化物および炭化物を還元除去する。例えば、0.01 Torr以上の水素分圧をもつ雰囲気中で800℃以上の温度に加熱する。探針を水素雰囲気中で加熱することにより、酸化物・炭化物の還元反応が生じ、水素が無い場合に比べ低い温度でこれら不純物を除去することができる。
【００５０】
次に、第4の工程として（又は還元性元素除去手段において）、図1(d)に示すように、不純物の除去後、探針を真空中で600℃以上に保持した状態で水素分圧を十分小さくすることにより、金属表面に吸着または金属中に拡散した還元性元素、例えば、水素を除去する。
【００５１】
以上の工程後（又は上記の各手段を用いることにより）、1000℃以下の加熱温度で探針先端を清浄化できることから、先端を融かすことなく清浄な金属表面を持つ尖鋭な探針を作製することが出来る。
【００５２】
ここで、従来の探針を製造する場合に比べて、本発明の探針製造方法及び探針製造装置によれば、表面が清浄な探針が得られることについて詳述する。
探針用金属素材として用いられるものとしては、1200℃以上の融点を有し、水素雰囲気中で加熱した場合に脆性破壊を起こさないものであれば何でもよく、ここでは、走査型トンネル顕微鏡(STM)用の探針として最もよく用いられるタングステン(W)を試料とした。
【００５３】
本発明において、図1(a)に示すように、タングステン(W)ワイヤー（太さ0.3mm）を超真空中で1500℃に加熱し、ステンレス製のホルダーにセットした。これを真空中に導入し、表面に付着した不純物をオージェ電子分光法により評価したときのオージェ電子スペクトルを図2(a)に示す。
【００５４】
図2(a)に示すように、約1500℃に加熱した試料表面には、わずかな量の酸素(O)が存在するものの、それ以外の不純物は検出されていない。すなわち、タングステン(W)中の硫黄(S)は完全に除去されていることが分る。
さらに、図2(b)に示すように、この試料を一度大気中に取り出して、電解研磨を施し、その後再び真空中に導入して、オージェ電子測定を行ったところ、不純物として酸素(O)が明瞭に捉えられており、電解研磨により酸素(O)が表面に付着したことがわかる。
さらに、図2(c)に示すように、この試料に対し、チェンバーを0.3 Torrの水素で満たして830℃，60分の加熱処理を行うと、タングステン(W)以外のピークは硫黄(S)も含めほぼノイズレベルにまで小さくなっており、十分に清浄なタングステン(W)表面が得られていることがわかる。すなわち、電解研磨前に約1500℃に加熱することでタングステン(W)中の硫黄(S)を除去することが可能であり、その後の水素中加熱過程において硫黄(S)が表面偏析することを防ぐことができ、結果として、清浄なタングステン(W)表面が得られることが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明に係る探針作製過程を示す図である。
【図２】本発明に係る探針の表面に付着した不純物を測定したオージェ電子スペクトルを示す図である。
【図３】電解研磨による探針形状の作製過程を示す図である。
【図４】従来技術に係る探針先端の形状を示す図である。
【図５】従来技術に係る探針の表面に付着した不純物を測定したオージェ電子スペクトルを示す図である。
【図１】
2006170967.tif 000003
【図２】
2006170967.tif 000004
【図３】
2006170967.tif 000005
【図４】
2006170967.tif 000006
【図５】
2006170967.tif 000007