(57)【要約】【課題】電気機械結合係数の低下を防止して、挿入損失の改善を図った弾性表面波素子、かかる弾性表面波素子を備える電子デバイスおよび電子機器を提供すること。【解決手段】本発明の弾性表面波素子１は、主として圧電材料で構成された圧電体層４と、この圧電体層４上に設けられ、バスバー（基部）５２、６２と、これに接続され、所定間隔で併設された複数の電極指５１、６１とを備える一対の櫛歯電極で構成されたＩＤＴ５、６と、バスバー５２、６２に接続された端子（電気接続部）８１〜８４と、圧電体層４のＩＤＴ５、６と反対側の面に接触して設けられ、主として導電性材料および／または半導体材料で構成された下地層３とを有する。この弾性表面波素子１では、下地層３が、平面視で少なくとも各電極指５１、６１と重なる領域と、端子８１〜８４と重なる領域とに分離して設けられている。【選択図】図１
2006121356.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主として圧電材料で構成された圧電体層と、
該圧電体層上に設けられ、基部と、該基部に接続され、所定間隔で併設された複数の電極指とを備える櫛歯電極と、
該櫛歯電極の前記基部に接続された電気接続部と、
前記圧電体層の前記櫛歯電極と反対側の面に接触して設けられ、主として導電性材料および／または半導体材料で構成された下地層とを有する弾性表面波素子であって、
前記下地層が、平面視で少なくとも前記各電極指と重なり、かつ、前記電気接続部と重ならない領域に設けられていることを特徴とする弾性表面波素子。
【請求項２】
主として圧電材料で構成された圧電体層と、
該圧電体層上に設けられ、基部と、該基部に接続され、所定間隔で併設された複数の電極指とを備える櫛歯電極と、
該櫛歯電極の前記基部に接続された電気接続部と、
前記圧電体層の前記櫛歯電極と反対側の面に接触して設けられ、主として導電性材料および／または半導体材料で構成された下地層とを有する弾性表面波素子であって、
前記下地層が、平面視で少なくとも前記各電極指と重なる領域と、前記電気接続部と重なる領域とに分離して設けられていることを特徴とする弾性表面波素子。
【請求項３】
前記電気接続部と前記下地層との間には、前記圧電体層が介在している請求項２に記載の弾性表面波素子。
【請求項４】
前記下地層は、平面視で前記基部の全部または大半の部分と重ならないように設けられている請求項１ないし３のいずれかに記載の弾性表面波素子。
【請求項５】
平面視で前記基部の全部または大半の部分と重なる領域の下地層が、他の領域の下地層と分離して設けられている請求項１ないし３のいずれかに記載の弾性表面波素子。
【請求項６】
前記下地層は、アルミニウム、クロム、金、モリブデン、タンタル、タングステン、チタン、酸化ケイ素を主成分とするガラス類、シリコンおよび石英のうちの少なくとも１種を主材料として構成されている請求項５に記載の弾性表面波素子。
【請求項７】
前記下地層の平均厚さは、１〜２０μｍである請求項１ないし６のいずれかに記載の弾性表面波素子。
【請求項８】
前記圧電体層は、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ニオブ酸カリウムおよびチタン酸ジルコン酸鉛のうちの少なくとも１種を主材料として構成されている請求項１ないし７のいずれかに記載の弾性表面波素子。
【請求項９】
前記圧電体層の平均厚さは、前記圧電体層において励振される弾性表面波の波長の２倍以下である請求項１ないし８のいずれかに記載の弾性表面波素子。
【請求項１０】
前記櫛歯電極の平面視での面積をＡ［μｍ２］とし、前記電気接続部の平面視での面積をＢ［μｍ２］としたとき、Ａ／Ｂが０．５〜５なる関係を満足する請求項１ないし９のいずれかに記載の弾性表面波素子。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれかに記載の弾性表面波素子を備えることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１２】
請求項１ないし１０のいずれかに記載の弾性表面波素子を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１３】
請求項１１に記載の電子デバイスを備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波素子、電子デバイスおよび電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
通信分野におけるキーデバイスの一つとして、弾性表面波素子（Suface Accoustic Wave Device：ＳＡＷデバイス）がある。
ＳＡＷデバイスとは、圧電材料を利用し、高周波信号を表面弾性波に変換し、再度高周波信号に変換する過程で、特定の周波数が選び出される現象を利用した素子であり、携帯電話に代表される移動体通信機器や、その他、各種センサ、タッチパネル等の通信機器に適用される。
このＳＡＷデバイスとして、基材上に金属膜、圧電膜、金属材料で構成されたＩＤＴ（Interdigital Tranceducer）を順次積層した構成のものが知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
かかる構成のＳＡＷデバイスは、圧電膜を金属膜とＩＤＴで挟持する構造をとることで、良好な電気機械結合係数が得られることがある。
ＳＡＷデバイスでは、圧電膜に弾性表面波を励起するとき、ＩＤＴを通して電気的エネルギーと機械的エネルギー（振動エネルギー）の変換を行うが、このときの変換効率をあらわしたものが電気機械結合係数である。
【０００４】
そして、この電気機械結合係数が大きいほど、損失の少ない良好なＳＡＷデバイスが得られることが知られている。
また、前記構成のＳＡＷデバイスでは、圧電膜上にＩＤＴと外部配線とを接続するための端子（電気接続部）が設けられている。
ところが、圧電膜を構成する圧電材料は、誘電材料でもため、不要な部分（例えば端子等）の部分においてコンデンサが形成されてしまう。そして、当該部分における容量が影響を及ぼし、電気機械結合係数の低下が生じるという問題がある。
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−２２４１７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、電気機械結合係数の低下を防止して、挿入損失の改善を図った弾性表面波素子、かかる弾性表面波素子を備える電子デバイスおよび電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の弾性表面波素子は、主として圧電材料で構成された圧電体層と、
該圧電体層上に設けられ、基部と、該基部に接続され、所定間隔で併設された複数の電極指とを備える櫛歯電極と、
該櫛歯電極の前記基部に接続された電気接続部と、
前記圧電体層の前記櫛歯電極と反対側の面に接触して設けられ、主として導電性材料および／または半導体材料で構成された下地層とを有する弾性表面波素子であって、
前記下地層が、平面視で少なくとも前記各電極指と重なり、かつ、前記電気接続部と重ならない領域に設けられていることを特徴とする。
これにより、電気機械結合係数の低下を防止して、挿入損失の改善を図った弾性表面波素子が得られる。
【０００８】
本発明の弾性表面波素子は、主として圧電材料で構成された圧電体層と、
該圧電体層上に設けられ、基部と、該基部に接続され、所定間隔で併設された複数の電極指とを備える櫛歯電極と、
該櫛歯電極の前記基部に接続された電気接続部と、
前記圧電体層の前記櫛歯電極と反対側の面に接触して設けられ、主として導電性材料および／または半導体材料で構成された下地層とを有する弾性表面波素子であって、
前記下地層が、平面視で少なくとも前記各電極指と重なる領域と、前記電気接続部と重なる領域とに分離して設けられていることを特徴とする。
これにより、電気機械結合係数の低下を防止して、挿入損失の改善を図った弾性表面波素子が得られる。
【０００９】
本発明の弾性表面波素子では、前記電気接続部と前記下地層との間には、前記圧電体層が介在していることが好ましい。
これにより、櫛歯電極と電気接続部との間に段差が生じるのを防止することができる。このため、櫛歯電極と電気接続部との間において断線等が生じるのをより確実に防止することができ、弾性表面波素子の特性の低下を防止することができる。
【００１０】
本発明の弾性表面波素子では、前記下地層は、平面視で前記基部の全部または大半の部分と重ならないように設けられていることが好ましい。
これにより、弾性表面波の励振（発生）に要する実効容量以外に生じる不要な容量（静電容量）をより確実に低下させることができる。これにより、弾性表面波素子の電気機械結合の低下をより確実に防止して、挿入損失のさらなる改善を図ることができる。
【００１１】
本発明の弾性表面波素子では、平面視で前記基部の全部または大半の部分と重なる領域の下地層が、他の領域の下地層と分離して設けられていることが好ましい。
これにより、弾性表面波の励振（発生）に要する実効容量以外に生じる不要な容量（静電容量）をより確実に低下させることができる。これにより、弾性表面波素子の電気機械結合の低下をより確実に防止して、挿入損失のさらなる改善を図ることができる。
【００１２】
本発明の弾性表面波素子では、前記下地層は、アルミニウム、クロム、金、モリブデン、タンタル、タングステン、チタン、酸化ケイ素を主成分とするガラス類、シリコンおよび石英のうちの少なくとも１種を主材料として構成されていることが好ましい。
このような材料で下地層を構成することにより、弾性表面波素子の電気機械結合係数を特に高いものとすることができる。
【００１３】
本発明の弾性表面波素子では、前記下地層の平均厚さは、１〜２０μｍであることが好ましい。
これにより、弾性表面波素子の電気機械結合係数を十分に高めることができる。
本発明の弾性表面波素子では、前記圧電体層は、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ニオブ酸カリウムおよびチタン酸ジルコン酸鉛のうちの少なくとも１種を主材料として構成されていることが好ましい。
このような材料で圧電体層を構成することにより、高い周波数の弾性表面波を励振させることができ、かつ、温度特性に優れた弾性表面波素子が得られる。
【００１４】
本発明の弾性表面波素子では、前記圧電体層の平均厚さは、前記圧電体層において励振される弾性表面波の波長の２倍以下であることが好ましい。
これにより、弾性表面波を確実に励振させることができるとともに、下地層を設ける効果が十分に発揮されるようになる。
本発明の弾性表面波素子では、前記櫛歯電極の平面視での面積をＡ［μｍ２］とし、前記電気接続部の平面視での面積をＢ［μｍ２］としたとき、Ａ／Ｂが０．５〜５なる関係を満足することが好ましい。
このように、電気接続部の平面視での面積が、櫛歯電極の平面視での面積に対して大きく設定される弾性表面波素子に対して、本発明を適用するのが特に有効である。
【００１５】
本発明の弾性表面波素子では、前記櫛歯電極の上面に、該櫛歯電極とほぼ等しいパターンで絶縁保護膜が設けられていることが好ましい。
これにより、入出力効率をより向上させることができる。
本発明の弾性表面波素子では、前記絶縁保護膜は、各前記櫛歯電極の側面に存在しないことが好ましい。
これにより、入出力効率をさらに向上させることができる。
【００１６】
本発明の弾性表面波素子では、前記絶縁保護膜は、酸化シリコン、窒化シリコンおよび酸化アルミニウムのうちの少なくとも１種を主材料として構成されていることが好ましい。
かかる材料で絶縁保護膜を構成することにより、絶縁保護膜を容易に形成することができるとともに、絶縁保護膜を絶縁性に優れるものとすることもできる。
本発明の弾性表面波素子では、前記絶縁保護膜の平均厚さは、１０〜１０００ｎｍであることが好ましい。
これにより、質量の増大に伴う弾性表面波の発信周波数の低下を防止または抑制しつつ、十分な絶縁性が発揮される。
【００１７】
本発明の電子デバイスは、本発明の弾性表面波素子を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子デバイスが得られる。
本発明の電子機器は、本発明の弾性表面波素子を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
本発明の電子機器は、本発明の電子デバイスを備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の弾性表面波素子、弾性表面波素子の製造方法および電子機器の好適な実施形態について説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の弾性表面波素子の第１実施形態を示す平面図、図２は、図１中のＡ−Ａ線断面図、図３は、図１に示す弾性表面波素子の製造工程を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００１９】
各図に示す弾性表面波素子１は、トランスバーサル型構造の弾性表面波素子であり、基板２と、基板２上に順に積層された下地層３および圧電体層４と、圧電体層４上に設けられた入力用のＩＤＴ５および出力用のＩＤＴ６と、各ＩＤＴ５、６の上面に設けられた絶縁保護膜７とを有している。
また、圧電体層４上には、各ＩＤＴ５、６の端部に接続された端子（電気接続部）８１〜８４が設けられている。
【００２０】
基板２の構成材料としては、例えば、Ｓｉ、ＧａＳｉ、ＳｉＧｅ、ＧａＡｓ、ＳＴＣ、ＩｎＰのような各種半導体材料、各種ガラス材料、各種セラミックス材料、ポリイミド、ポリカーボネートのような各種樹脂材料等が挙げられる。
基板２の平均厚さは、特に限定されないが、０．０５〜１ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１〜０．８ｍｍ程度であるのがより好ましい。
【００２１】
また、基板２は、複数の層の積層体で構成されたものでもよく、この場合、各層は、前述したような材料で構成することができる。
下地層３は、圧電体層４のＩＤＴ５、６と反対側の面に接触して設けられている。この下地層３は、主として導電性材料および／または半導体材料で構成されている。
下地層３を設けることにより、弾性表面波素子１は、その電気機械結合係数がより高いものとなり、挿入損失が低下（入出力効率が向上）する。
【００２２】
また、下地層３の構成材料を適宜設定することにより、圧電体層４において励振される（生じる）弾性表面波の特性を所望のものに設定することも可能となる。
このような下地層３の構成材料としては、各種のものを用いることができるが、特に、アルミニウム、クロム、金、モリブデン、タンタル、タングステン、チタン、酸化ケイ素を主成分とするガラス類、シリコンおよび石英のうちの少なくとも１種を主とするものが好ましい。このような材料で下地層３を構成することにより、弾性表面波素子１の電気機械結合係数を特に高いものとすることができる。
【００２３】
下地層３の平均厚さは、特に限定されないが、１〜２０μｍ程度であるのが好ましく、３〜１０μｍ程度であるのがより好ましく、３〜５μｍ程度であるのがさらに好ましい。下地層３が薄過ぎると、その構成材料等によっては、弾性表面波素子１の電気機械結合係数を高める効果が十分に得られないおそれがあり、一方、下地層３の厚さを前記上限値を超えて厚くしても、それ以上の効果の増大が期待できない。
【００２４】
また、下地層３は、単層構成のもののみならず、目的とする弾性表面波の特性に応じて、複数の層の積層体で構成することもできる。
圧電体層４は、主として圧電材料で構成されている。
この圧電材料としては、例えば、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ニオブ酸カリウム、チタン酸ジルコン酸鉛（PZT）、チタン酸バリウム、その他、各種のものが挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、特に、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、ニオブ酸カリウムおよびチタン酸ジルコン酸鉛のうちの少なくとも１種を主とするものが好ましい。このような材料で圧電体層４を構成することにより、高い周波数の弾性表面波を励振させることができ、かつ、温度特性に優れた弾性表面波素子１が得られる。
【００２５】
圧電体層４の平均厚さは、その構成材料等によっても若干異なり、特に限定されないが、圧電体層４において励振される弾性表面波の波長の２倍以下であるのが好ましく、０．０１〜１倍程度であるのがより好ましい。圧電体層４の平均厚さの具体的な値は、０．０１〜５μｍ程度であるのが好ましく、０．１〜２μｍ程度であるのがより好ましい。圧電体層４が薄過ぎると、圧電体層４において弾性表面波を励振させることが困難となるおそれがあり、一方、圧電体層４が厚過ぎると、下地層３を設ける効果が十分に発揮されないおそれがある。
【００２６】
ＩＤＴ（入力側電極）５は、圧電体層４に電圧を印加して、圧電体層４に弾性表面波を励振させる機能を有するものであり、一方、ＩＤＴ（出力側電極）６は、圧電体層４を伝搬する弾性表面波を検出し、弾性表面波を電気信号に変換して外部に出力する機能を有するものである。
ＩＤＴ５に駆動電圧が入力されると、圧電体層４において弾性表面波が励振され、例えば、フィルタリング機能による特定の周波数帯域の電気信号が、ＩＤＴ６から出力される。
各ＩＤＴ５、６は、それぞれ、バスバー（基部）５２、６２と、バスバー５２、６２に接続され、所定間隔で併設された複数の電極指５１、６１とを備える一対の櫛歯電極で構成されている。各櫛歯電極の電極指５１、６１の幅、間隔、厚さ等を調整することにより、弾性表面波の発振周波数等の特性を所望のものに設定することができる。
【００２７】
また、各ＩＤＴ５、６の各バスバー５２、６２には、それぞれ端子８１〜８４が接続（電気的に接続）されている。
各ＩＤＴ５、６、各端子８１〜８４の構成材料としては、それぞれ、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｙ、Ｐｂ、Ｓｃ、Ｃｒまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて（例えば積層体として）用いることができる。
【００２８】
絶縁保護膜７は、各ＩＤＴ５、６の表面（上面）に異物が付着するのを防止し、異物を介した電極指５１、６１間のショートを防ぐ機能を有するものである。
この絶縁保護膜７は、各ＩＤＴ５、６を覆うように設けてもよいが、好ましくは図２に示すように、各ＩＤＴ（櫛歯電極）５、６の上面に、これらとほぼ等しいパターンで形成される。
【００２９】
弾性表面波は、材質が変化する部分において反射し易いが、前述したような構成とすることにより、弾性表面波が伝搬する経路上における材質の変化を、実質的に電極指５１、６１と圧電体層４との境界部のみとすることができ、弾性表面波の反射およびこの反射によるエネルギー損失を抑えることができる。その結果、弾性表面波素子１の挿入損失をより低下させる（入出力効率をより向上させる）ことができる。
特に、図示の構成のように、絶縁保護膜７が各ＩＤＴ５、６とほぼ等しいサイズとされ、それらの側面に存在しないことにより、前記効果がより向上する。
【００３０】
また、この場合、各ＩＤＴ５、６の側面に絶縁保護膜７が形成されていないが、異物による電極指５１、６１間のショートは、主に異物が電極指５１、６１の上面に付着することによって生じるので、側面に絶縁保護膜７が形成されていなくとも、各ＩＤＴ５、６の上面に絶縁保護膜７が存在することにより、電極指５１、６１間のショートを好適に防止することができる。
【００３１】
この絶縁保護膜７の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、五酸化タンタル、酸化モリブデン等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、これらの中でも、特に、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムのうちの少なくとも１種を主とするものが好ましい。かかる材料で絶縁保護膜７を構成することにより、絶縁保護膜７を容易に形成することができるとともに、絶縁保護膜７を絶縁性に優れるものとすることもできる。
このような絶縁保護膜７の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、３０〜３００ｎｍ程度であるのがより好ましい。絶縁保護膜７の厚さを前記範囲とすることにより、質量の増大に伴う弾性表面波の発信周波数の低下を防止または抑制しつつ、十分な絶縁性が発揮される。
【００３２】
また、本実施形態では、下地層３は、いずれも、平面視で各ＩＤＴ５、６の各電極指５１、６１と重なる領域に設けられた第１の下地層３１と、各ＩＤＴ５、６のバスバー５２、６２と重なる領域に設けられた第２の下地層３２１〜３２４と、各端子８１〜８４と重なる領域に設けられた第３の下地層３３１〜３３４とで構成されている。
第１の下地層３１は、各電極指５１、６１の大半の部分を包含するように設けられている。第２の下地層３２１〜３２４は、バスバー５２、６２の大半の部分および電極指５１、６１の一部を包含するように設けられている。また。第３の下地層３３１〜３３４は、端子８１〜８４およびバスバー５２、６２の一部を包含するように設けられている。
【００３３】
これらの第１の下地層３１、各第２の下地層３２１〜３２４、および、各第３の下地層３３１〜３３４は、互いに分離して設けられている。これにより、各下地層同士が導通するのを防止することができる。
その結果、各第２の下地層３２１〜３２４と各バスバー５２、６２との間に蓄積される容量（静電容量）および各第３の下地層３３１〜３３４と各端子８１〜８４との間に蓄積される容量（静電容量）が、弾性表面波の励振（発生）に要する実効容量に影響を与えるのを防止することができる。
これにより、弾性表面波素子１の電気機械結合の低下を防止して、挿入損失の改善を図ることができる。
【００３４】
また、１つの櫛歯電極の平面視での面積をＡ［μｍ２］とし、１つの端子８１〜８４の平面視での面積をＢ［μｍ２］としたとき、Ａ／Ｂが０．５〜５なる関係を満足するのが好ましく、１〜３．５なる関係を満足するのがより好ましい。このように、端子８１〜８４の平面視での面積が、櫛歯電極（ＩＤＴ５、６）の平面視での面積に対して大きく設定される弾性表面波素子１において、下地層３を前述したような構成とする効果が顕著に発揮される。
以上のような弾性表面波素子１は、次のようにして製造することができる。
図３は、図１および図２に示す弾性表面波素子の製造方法を説明するための図（断面図）である。
【００３５】
［１］  下地層形成工程
基板２上の所定の箇所に下地層３（第１の下地層３１、第２の下地層３２１〜３２４、第３の下地層３３１〜３３４）を形成する。
まず、図３（ａ）に示すように、基板２上に、導電性材料および／または半導体材料を主材料とする層３０を形成する。
【００３６】
この層３０の形成には、例えば、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、レーザーＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射、シート状部材の接合等を用いることができる。
次に、層３０上に、例えば、下地層３の形状に対応する形状のレジスト層を形成して、このレジスト層をマスクに用いて、図３（ｂ）に示すように、層３０の不要部分を除去する。
この層３０の除去には、例えば、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）、プラズマエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチングのようなドライエッチング、ウェットエッチング等を用いることができる。
【００３７】
［２］  圧電体層形成工程
次に、レジスト層を除去した後、図３（ｃ）に示すように、下地層３を覆うようにして、圧電体層４を形成する。
圧電体層４の形成は、前記工程［１］における層３０の形成と同様にして行うことができる。
【００３８】
［３］  ＩＤＴおよび絶縁保護膜形成工程
まず、図３（ｄ）に示すように、圧電体層４上に、導電性材料層５０および絶縁性材料層７０を順次形成する。
導電性材料層５０および絶縁性材料層７０の形成は、前記工程［１］における層３０の形成と同様にして行うことができる。
【００３９】
次に、絶縁性材料層７０上に、各端子８１〜８４の形状に対応する形状の開口部を有するレジスト層を形成して、このレジスト層をマスクに用いて、図３（ｅ）に示すように、絶縁性材料層７０の不要部分を除去する。
次に、レジスト層一端除去した後、再度、各ＩＤＴ５、６および各端子８１〜８４の形状に対応する形状のレジスト層を形成して、このレジスト層をマスクに用いて、図３（ｆ）に示すように、導電性材料層５０および絶縁性材料層７０の不要部分を除去する。
導電性材料層５０および絶縁性材料層７０の除去は、前記工程［１］における層３０の除去と同様にして行うことができる。
これにより、図１および図２に示すような形状のＩＤＴ５、６および絶縁保護膜７が形成され、本発明の弾性表面波素子１が得られる。
【００４０】
このような弾性表面波素子１では、各端子８１〜８４と下地層３（各第３の下地層３３１〜３３４）との間に圧電体層４が介在する。これにより、各ＩＤＴ５、６と各端子８１〜８４との間に段差が生じるのを防止することができる。このため、各ＩＤＴ５、６と各端子８１〜８４との間において断線等が生じるのをより確実に防止することができ、弾性表面波素子１の特性の低下を防止することができる。
【００４１】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の弾性表面波素子の第２実施形態について説明する。
図４は、本発明の弾性表面波素子の第２実施形態を示す平面図である。
以下、第２実施形態の弾性表面波素子について説明するが、前記第１実施形態の弾性表面波素子との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【００４２】
第２実施形態では、下地層の構成が異なり、それ以外は、前記第１実施形態と同様である。
すなわち、図４に示す弾性表面波素子１は、第２の下地層３２１〜３２４が省略され、下地層３は、平面視でバスバー５２、６２の大半の部分と重ならないように設けられている。
このような構成により、弾性表面波の励振（発生）に要する実効容量に、不要な容量（静電容量）が影響を与えるのをより確実に防止することができる。これにより、弾性表面波素子１の電気機械結合の低下をより確実に防止して、挿入損失のさらなる改善を図ることができる。
【００４３】
＜第３実施形態＞
次に、本発明の弾性表面波素子の第３実施形態について説明する。
図５は、本発明の弾性表面波素子の第３実施形態を示す平面図、図６は、図５中のＢ−Ｂ線断面図である。なお、以下の説明では、図６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００４４】
以下、第３実施形態の弾性表面波素子について説明するが、前記第１実施形態の弾性表面波素子との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第３実施形態では、下地層の構成および圧電体層の構成が異なり、それ以外は、前記第１実施形態と同様である。
すなわち、図５および図６に示す弾性表面波素子１は、各端子８１〜８４に対応する領域の下地層３（各第３の下地層３３１〜３３４）および圧電体層４がそれぞれ省略され、各端子８１〜８４が基板２上に直接設けられている。
このような構成により、弾性表面波の励振（発生）に要する実効容量に、不要な容量（静電容量）が影響を与えるのをより確実に防止することができる。これにより、弾性表面波素子１の電気機械結合の低下をより確実に防止して、挿入損失のさらなる改善を図ることができる。
【００４５】
＜第４実施形態＞
次に、本発明の弾性表面波素子の第４実施形態について説明する。
図７は、本発明の弾性表面波素子の第４実施形態を示す平面図、図８は、図７中のＣ−Ｃ線断面図である。なお、以下の説明では、図８中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００４６】
以下、第４実施形態の弾性表面波素子について説明するが、前記第１および第３実施形態の弾性表面波素子との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第４実施形態では、下地層の構成および圧電体層の構成が異なり、それ以外は、前記第３実施形態と同様である。
【００４７】
すなわち、図５および図６に示す弾性表面波素子１は、第２の下地層３２１〜３２４が省略され、下地層３は、平面視で各バスバー５２、６２の全部および各端子８１〜８４と重ならないように設けられている。
さらに、本実施形態の弾性表面波素子１では、ＩＤＴ５とＩＤＴ６との間に対応する領域の下地層３（第１の下地層３１）および圧電体層４がそれぞれ省略され、基板２がＩＤＴ５、６側において露出している。
このような構成の弾性表面波素子１において、ＩＤＴ５により発振された弾性表面波は、基板２の表面を伝搬され、ＩＤＴ６において検出される。
【００４８】
本実施形態の構成の場合、各ＩＤＴ５、６の内側の端と、各ＩＤＴ５、６に対応する第１の下地層３１の内側の端との離間距離（図７および図８中、長さＸ）は、圧電体層４で励振される弾性表面波の波長をλとした場合、λ／４の整数倍とならないように設定するのが好ましい。これにより、各第１の下地層３１の内側の角部において、弾性表面波が反射するのを防止することができ、弾性表面波素子１の挿入損失の増大するのを防止することができる。
【００４９】
一方、ＩＤＴ５の外側の端と、ＩＤＴ５に対応する第１の下地層３１の外側の端との離間距離（図７および図８中、長さＹ）は、圧電体層４で励振される弾性表面波の波長をλとした場合、ほぼλ／４の整数倍となるように設定するのが好ましい。これにより、ＩＤＴ５に対応する第１の下地層３１の外側の角部において、弾性表面波を反射させることができるため、ＩＤＴ５からＩＤＴ６に向かってより効率よく弾性表面波を送出できるようになる。これにより、弾性表面波素子１の挿入損失の改善（低減）を図ることができる。
【００５０】
また、基板２として、光透過性を有する基板、すなわち、透明（無色透明、着色透明）または半透明の基板を用いることにより、図９に示すようなタッチパネル（本発明の電子デバイス）を構築することができる。
図９は、本発明の電子デバイスをタッチパネルに適用した場合の実施形態を示す平面図である。
【００５１】
図９に示すタッチパネル１０は、光透過性を有する基板２の表面に、弾性表面波素子１（一対のＩＤＴ５、６）が図９中上下方向および左右方向に沿って複数併設されている。
このようなタッチパネル１０は、基板２の表面が指等で触れられると、触れられた部分に対応する位置に設けられた弾性表面波素子１のＩＤＴ６で検出される弾性表面波が減衰する。この減衰を、基板２の上下方向および左右方向に設けられた弾性表面波素子１で検出することにより、基板２の触れられた位置が特定される。
さて、上述したような弾性表面波素子１は、各種の電子機器に適用することができ、得られる電子機器は、信頼性の高いものとなる。
【００５２】
以下、本発明の弾性表面波素子を備える電子機器について、図１０〜図１２に示す実施形態に基づき、詳細に説明する。
図１０は、本発明の弾性表面波素子を備える電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、アンテナ１１０１やキーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このようなパーソナルコンピュータ１１００には、フィルター、共振器、基準クロック等として機能する弾性表面波素子１が内蔵されている。
また、表示ユニット１１０６の表示部に、上述したようなタッチパネル１０を適用することができる。
【００５３】
図１１は、本発明の弾性表面波素子を備える電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、アンテナ１２０１、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部が配置されている。
このような携帯電話機１２００には、フィルター、共振器等として機能する弾性表面波素子１が内蔵されている。
また、表示部に、上述したようなタッチパネル１０を適用することができる。
【００５４】
図１２は、本発明の弾性表面波素子を備える電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
【００５５】
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部は、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリ１３０８に転送・格納される。
【００５６】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示されるように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリ１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
このようなディジタルスチルカメラ１３００には、フィルター、共振器等として機能する弾性表面波素子１が内蔵されている。
また、表示部に、上述したようなタッチパネル１０を適用することができる。
【００５７】
なお、本発明の弾性表面波素子や電子デバイスを備える電子機器は、図１０のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図１１の携帯電話機、図１２のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンタ）、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ等に適用することができる。
【００５８】
以上、本発明の弾性表面波素子、電子デバイスおよび電子機器について、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
例えば、本発明の弾性表面波素子では、前記第１〜第４実施形態の構成のうちの任意の２以上を組み合わせることもできる。
また、本発明の弾性表面波素子には、反射器を設けるようにしてもよい。
また、本発明の弾性表面波素子には、温度特性を改善させる機能を有する温度補償膜が設けられていてもよい。
また、本発明の弾性表面波素子には、各種機能を有する半導体素子が複合化されていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の弾性表面波素子の第１実施形態を示す平面図である。
【図２】図１中のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】図１に示す弾性表面波素子の製造工程を説明するための図（縦断面図）である。
【図４】本発明の弾性表面波素子の第２実施形態を示す平面図である。
【図５】本発明の弾性表面波素子の第３実施形態を示す平面図である。
【図６】図５中のＢ−Ｂ線断面図である。
【図７】本発明の弾性表面波素子の第４実施形態を示す平面図である。
【図８】図７中のＣ−Ｃ線断面図である。
【図９】本発明の電子デバイスをタッチパネルに適用した場合の実施形態を示す平面図である。
【図１０】本発明の弾性表面波素子を備える電子機器（ノート型パーソナルコンピュータ）である。
【図１１】本発明の弾性表面波素子を備える電子機器（携帯電話機）である。
【図１２】本発明の弾性表面波素子を備える電子機器（ディジタルスチルカメラ）である。
【符号の説明】
【００６０】
１……弾性表面波素子  ２……基板  ３……下地層  ３１……第１の下地層  ３２１〜３２４……第２の下地層  ３３１〜３３４……第３の下地層  ４……圧電体層  ５、６……ＩＤＴ  ５１、６１……電極指  ５２、６２……バスバー  ７……絶縁保護膜  ８１〜８４……端子  １０……タッチパネル  ３０……層  ５０……導電性材料層  ７０……絶縁性材料層  １１００……パーソナルコンピュータ  １１０１……アンテナ  １１０２……キーボード  １１０４……本体部  １１０６……表示ユニット  １２００……携帯電話機  １２０１……アンテナ  １２０２……操作ボタン  １２０４……受話口  １２０６……送話口  １３００……ディジタルスチルカメラ  １３０２……ケース（ボディー）  １３０４……受光ユニット  １３０６……シャッタボタン  １３０８……メモリ  １３１２……ビデオ信号出力端子  １３１４……データ通信用の入出力端子  １４３０……テレビモニタ  １４４０……パーソナルコンピュータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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