(57)【要約】【課題】  導波管・平面線路変換器においてショートブロックの寸法精度や取付け精度による影響を低減する。【解決手段】  変換基板２００にはバイアホール２３０が設けられており、これらバイアホール２３０に囲まれた領域が導波路を形成している。変換基板２００の上面に配接されるショートブロック１００は多層基板１１０を備え、その上面には導体パターン１２０が形成されている。多層基板１１０には変換基板２００におけるバイアホール２３０の延長線上に配されるバイアホール１３０が設けられており、これらバイアホール１３０に囲まれた領域が導波路を形成している。変換基板２００の下面に配接される筐体３００は金属製の筐体であり、変換基板２００における導波路に接続する導波管３１０が形成される。【選択図】      図１
2006121540.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導波管を有する筐体と、
一主面側において高周波信号を伝搬する信号線を有するとともに他主面側において開口部により前記導波管に接続するグランド板を有する変換基板であって、前記開口部の周辺において前記グランド板に接続して前記開口部における高周波を遮蔽する第１のバイアホールを複数設けた変換基板と、
前記変換基板の前記一主面側に配接されて前記変換基板に対抗する面側に導体パターンを有するショート基板であって、前記第１のバイアホールと前記導体パターンとを接続する第２のバイアホールを設けたショート基板と
を具備することを特徴とする導波管・平面線路変換器。
【請求項２】
前記ショート基板は、多層基板により形成されることを特徴とする請求項１記載の導波管・平面線路変換器。
【請求項３】
前記ショート基板は、セラミック多層基板により形成されることを特徴とする請求項２記載の導波管・平面線路変換器。
【請求項４】
前記ショート基板は、比誘電率が略７以上であることを特徴とする請求項２記載の導波管・平面線路変換器。
【請求項５】
前記ショート基板は、低温焼成セラミック基板により形成されることを特徴とする請求項４記載の導波管・平面線路変換器。
【請求項６】
前記変換基板および前記ショート基板が多層基板により一体成型されることを特徴とする請求項１記載の導波管・平面線路変換器。
【請求項７】
前記ショート基板において、前記第２のバイアホールに代えて内壁面に導体層が形成された貫通孔が形成されることを特徴とする請求項１記載の導波管・平面線路変換器。
【請求項８】
一主面側において高周波信号を伝搬する信号線を有するとともに他主面側において開口部により平面アンテナに接続可能なグランド板を有する変換基板であって、前記開口部の周辺において前記グランド板に接続する第１のバイアホールを複数設けた変換基板と、
前記変換基板の前記一主面側に配接されて前記変換基板に対抗する面側に導体パターンを有するショート基板であって、前記第１のバイアホールと前記導体パターンとを接続する第２のバイアホールを設けたショート基板と
を具備することを特徴とする導波管・平面線路変換器。
【請求項９】
前記ショート基板は、多層基板により形成されることを特徴とする請求項８記載の導波管・平面線路変換器。
【請求項１０】
前記変換基板および前記ショート基板が多層基板により一体成型されることを特徴とする請求項８記載の導波管・平面線路変換器。
【請求項１１】
導波路を有する導波基板と、
一主面側において高周波信号を伝搬する信号線を有するとともに他主面側において開口部により前記導波路に接続するグランド板を有する変換基板であって、前記開口部の周辺において前記グランド板に接続して前記開口部における高周波を遮蔽する第１のバイアホールを複数設けた変換基板と、
前記変換基板の前記一主面側に配接されて前記変換基板に対抗する面側に導体パターンを有するショート基板であって、前記第１のバイアホールと前記導体パターンとを接続する第２のバイアホールを設けたショート基板とを具備し、
前記導波基板は、前記導波路の周囲に設けられて前記導波路における高周波を遮蔽する複数の第３のバイアホールを有する
ことを特徴とする導波管・平面線路変換器。
【請求項１２】
前記ショート基板は、多層基板により形成されることを特徴とする請求項１１記載の導波管・平面線路変換器。
【請求項１３】
前記変換基板および前記ショート基板が多層基板により一体成型されることを特徴とする請求項１１記載の導波管・平面線路変換器。
【請求項１４】
前記導波基板と、前記変換基板と、前記ショート基板とが多層基板により一体成型されることを特徴とする請求項１１記載の導波管・平面線路変換器。
【請求項１５】
前記導波基板において、前記第３のバイアホールに代えて内壁面に導体層が形成された貫通孔が形成されることを特徴とする請求項１１記載の導波管・平面線路変換器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導波管・平面線路変換器に関し、特にマイクロ波やミリ波等の高周波について導波管と平面線路との間で伝送信号の変換を行う導波管・平面線路変換器に関する。
【背景技術】
【０００２】
送受信機においては、高周波回路から送出される高周波信号を平面線路モードから導波管モードに変換してアンテナに出力し、もしくは、アンテナで受信した高周波信号を導波管モードから平面線路モードに変換して高周波回路に入力するために、導波管・平面線路変換器が用いられる。
【０００３】
図１０は従来の導波管・平面線路変換器を模式的に示した部分断面斜視図であり、図１１は従来の導波管・平面線路変換器の組立状態におけるＩＩ−ＩＩ線部分断面図である。この導波管・平面線路変換器は、変換基板２００と、筐体３００と、ショートブロック９００とから構成されている。変換基板２００の下面に配接される筐体３００は金属製の筐体であり、貫通孔からなる導波管３１０が形成されている。また、変換基板２００の上面に配接されるショートブロック９００は金属製の蓋である。
【０００４】
変換基板２００には複数のバイアホール２３０が設けられており、これらバイアホール２３０に囲まれた領域が導波路を形成している。変換基板２００の上面には、その導波路にパッチ部２１１が突出するように信号線２１０が配接されている。変換基板２００の下面には、筐体３００の導波管３１０に対応する開口部を除いてグランド板２８０が形成されている。
【０００５】
ショートブロック９００は電波を反射させるものであり、ショートブロック９００の底面部がバイアホール２３０の上面と接続されるようになっている。また、ショートブロック９００の一側面には信号線２１０とショートしないように切り欠き９１０が形成されている。また、ショートブロック９００の内面とパッチ部２１１との距離は、略λ／４（ただし、λは高周波の波長）に設定されている。
【０００６】
このような導波管・平面線路変換器において、筐体３００の下面には、外部からの高周波を受信して導波管３１０に出力したり、導波管３１０から伝送してきた高周波を外部に放射するための（図示しない）平面アンテナが配設される。そして、平面アンテナによって受信された高周波信号は、導波管３１０内を伝播してショートブロック９００の内面に到達して反射され、パッチ部２１１を介して高周波の導波管モードから平面線路モードに変換される。一方、信号線２１０における高周波信号は、パッチ部２１１において平面線路モードから導波管モードに変換された後、導波管３１０内へ放射されて平面アンテナに伝達される（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００４−９６２０６号公報（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述の従来技術では、ショートブロックとして金属製の蓋が用いられており、このショートブロックの内面とパッチ部との距離は略λ／４に設定されている。そのため、例えば６０ＧＨｚ帯のように高い周波数帯を想定すると、ショートブロックおよびパッチ部の設置位置の誤差やショートブロックの寸法精度が、導波管・平面線路変換器としての特性に大きな影響を及ぼすことになる。
【０００８】
そこで、本発明では、導波管・平面線路変換器において、ショートブロックとして多層基板を用いることにより、ショートブロックの寸法精度や取付け精度による影響を低減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その第１の側面は、導波管を有する筐体と、一主面側において高周波信号を伝搬する信号線を有するとともに他主面側において開口部により上記導波管に接続するグランド板を有する変換基板であって、上記開口部の周辺において上記グランド板に接続して上記開口部における高周波を遮蔽する第１のバイアホールを複数設けた変換基板と、上記変換基板の上記一主面側に配接されて上記変換基板に対抗する面側に導体パターンを有するショート基板であって、上記第１のバイアホールと上記導体パターンとを接続する第２のバイアホールを設けたショート基板とを具備することを特徴とする導波管・平面線路変換器である。これにより、ショートブロックの寸法精度や取付け精度による影響を低減させるという作用をもたらす。また、導波管・平面線路変換器の軽量化、小型化ならびに組立工程の簡略化という作用をもたらす。
【００１０】
また、この第１の側面において、上記ショート基板は多層基板により形成されるようにすることができる。このとき、セラミック多層基板や比誘電率が略７以上である基板により形成されるようにすることが望ましい。特に、低温焼成セラミック基板によれば焼成時の収縮制御が容易であり、位置精度に優れるという利点が得られる。
【００１１】
また、この第１の側面において、上記変換基板および上記ショート基板は多層基板により一体成型されることができる。これにより、ショート基板と変換基板基板との取付けを不要とし、ショート基板の取付け精度による影響を排除することができる。
【００１２】
また、この第１の側面において、上記第２のバイアホールに代えて内壁面に導体層が形成された貫通孔を設けるようにしてもよい。これにより、ショート基板における高周波の漏れを阻止することができ、伝送特性の低下を抑制するという作用をもたらす。
【００１３】
また、本発明の第２の側面は、一主面側において高周波信号を伝搬する信号線を有するとともに他主面側において開口部により平面アンテナに接続可能なグランド板を有する変換基板であって、上記開口部の周辺において上記グランド板に接続する第１のバイアホールを複数設けた変換基板と、上記変換基板の上記一主面側に配接されて上記変換基板に対抗する面側に導体パターンを有するショート基板であって、上記第１のバイアホールと上記導体パターンとを接続する第２のバイアホールを設けたショート基板とを具備することを特徴とする導波管・平面線路変換器である。これにより、変換基板と平面アンテナとを金属製の筐体を介さずに直接接続してメカ部品を不要とし、軽量化ならびに小型化させるという作用をもたらす。また、部品点数を減らすことにより、組立工程を簡略化させるという作用をもたらす。
【００１４】
また、この第２の側面において、上記ショート基板が多層基板により形成されるようにすることができる点や、上記変換基板および上記ショート基板が多層基板により一体成型されてもよい点は本発明の第１の側面における場合と同様である。
【００１５】
また、本発明の第３の側面は、導波路を有する導波基板と、一主面側において高周波信号を伝搬する信号線を有するとともに他主面側において開口部により上記導波路に接続するグランド板を有する変換基板であって、上記開口部の周辺において上記グランド板に接続して上記開口部における高周波を遮蔽する第１のバイアホールを複数設けた変換基板と、上記変換基板の上記一主面側に配接されて上記変換基板に対抗する面側に導体パターンを有するショート基板であって、上記第１のバイアホールと上記導体パターンとを接続する第２のバイアホールを設けたショート基板とを具備し、上記導波基板は、上記導波路の周囲に設けられて上記導波路における高周波を遮蔽する複数の第３のバイアホールを有することを特徴とする導波管・平面線路変換器である。これにより、筐体に代えて多層基板を用いてメカ部品を不要とし、軽量化ならびに小型化させるという作用をもたらす。また、部品点数を減らすことにより、組立工程を簡略化させるという作用をもたらす。
【００１６】
また、この第３の側面において、上記ショート基板が多層基板により形成されるようにすることができる点や、上記変換基板および上記ショート基板が多層基板により一体成型されてもよい点は本発明の第１の側面における場合と同様である。この第３の側面においては、上記変換基板および上記ショート基板だけでなく、上記導波基板をも多層基板により一体成型されてもよい。これにより、部品点数を減らして、組立工程の簡略化させるという作用をもたらす。
【００１７】
また、この第３の側面において、上記第３のバイアホールに代えて内壁面に導体層が形成された貫通孔を設けるようにしてもよい。これにより、導波基板における高周波の漏れを阻止することができ、伝送特性の低下を抑制するという作用をもたらす。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、導波管・平面線路変換器において、ショートブロックとして多層基板を用いることにより、ショートブロックの寸法精度や取付け精度による影響を低減するという優れた効果を奏し得る。さらに、ショートブロックおよび変換基板を多層基板により一体成型することにより、より高い取付け精度を実現するという優れた効果を奏し得る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
次に本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００２０】
図１は本発明の第１の実施の形態における導波管・平面線路変換器の要部を模式的に示した部分分解断面図であり、図２は本発明の第１の実施の形態における導波管・平面線路変換器の要部を模式的に示した組立状態における部分断面図である。なお、断面個所は図１０に示した従来の導波管・平面線路変換器と同様である。
【００２１】
この導波管・平面線路変換器は、変換基板２００と、筐体３００と、ショートブロック１００とを備えている。変換基板２００の上面に配接されるショートブロック１００は、多層基板１１０により形成される。また、変換基板２００の下面に配接される筐体３００は金属製の筐体であり、貫通孔からなる導波管３１０が形成されている。
【００２２】
変換基板２００には複数のバイアホール２３０が設けられており、これらバイアホール２３０に囲まれた領域が導波路を形成している。すなわち、バイアホール２３０は導波路における高周波を遮蔽するようになっている。変換基板２００の上面には信号線２１０が配接されており、その信号線２１０の一端部は導波路に突出するようになっている。また、変換基板２００の上面にはバイアホール２３０全体を覆うように導体パターン２２０が配置されている。
【００２３】
変換基板２００の下面には、筐体３００の導波管３１０に対応する開口部２９０を除いてグランド板２８０が形成されている。バイアホール２３０は変換基板２００の上面において導体パターン２２０と接続し、変換基板２００の下面においてグランド板２８０と接続するようになっている。
【００２４】
ショートブロック１００は電波を反射させるものである。このショートブロック１００は多層基板１１０を備え、その多層基板１１０の上面には導体パターン１２０が形成されている。多層基板１１０には変換基板２００におけるバイアホール２３０の延長線上に配されるバイアホール１３０が設けられており、これらバイアホール１３０に囲まれた領域が導波路を形成している。すなわち、バイアホール１３０は導波路における高周波を遮蔽するようになっている。バイアホール１３０は、ショートブロック１００の上面において導体パターン１２０に接続し、下面において変換基板２００における導体パターン２２０と接続する。
【００２５】
筐体３００下面には、（図示しない）平面アンテナが接続されるようになっている。この平面アンテナは、外部からの高周波を受信して導波管３１０に出力したり、導波管３１０から伝送してきた高周波を外部に放射するようになっている。そして、平面アンテナによって受信された高周波信号は、導波管３１０内を伝播してショートブロック１００の上面の導体パターン１２０に到達して短絡され、信号線２１０の一端部を介して高周波の導波管モードから平面線路モードに変換される。一方、信号線２１０における高周波信号は、その一端部において平面線路モードから導波管モードに変換された後、導波管３１０内へ放射されて平面アンテナに伝達される。
【００２６】
信号線２１０の一端部とショートブロック１００の上面の導体パターン１２０との距離は、略四分の一波長である。但し、本発明の実施の形態においては導波路が誘電体により埋められているため、波長短縮効果が生じる。この波長短縮効果が生じた際の波長λgは次式により近似される。
【数１】
2006121540.tif 000003
ここで、λoは時空間波長であり、εrは誘電体の比誘電率を表す。従って、多層基板１１０の材料として比誘電率の高い誘電体を用いた方が波長短縮効果が顕著になり、多層基板１１０の上面の導体パターン１２０までの距離を短くすることができる。
【００２７】
多層基板１１０の材料としては種々の誘電体を用いることができる。ここで、例えばポリイミド系樹脂では比誘電率は３．４程度である。一方、セラミックであれば比誘電率はポリイミドよりも高く、例えば７以上の値を示す。従って、多層基板１１０の材料としては、ポリイミドよりもセラミックの方が導波管・平面線路変換器を小型化することができて望ましい。
【００２８】
また、セラミックは誘電正接が低いため、高周波領域においても分子レベルの摩擦抵抗による発熱が生じ難く、エネルギーの損失が少ない。特に、低温焼成セラミック基板（ＬＴＣＣ：Low Temperature Co-fired Ceramics）であれば焼成時の収縮制御が容易であり、位置精度に優れるという利点がある。このＬＴＣＣはアルミナにガラス系材質を加えることにより９００℃以下の低温で焼成することを可能にしたセラミック多層技術である。
【００２９】
図３は、本発明の第１の実施の形態における導波管・平面線路変換器の要部を模式的に示した分解平面図の一例である。この例では、筐体３００における導波管３１０の上面から見た形状が矩形であり、これに合わせてショートブロック１００の多層基板１１０におけるバイアホール１３０および変換基板２００におけるバイアホール２３０は矩形状に配置されている。これらバイアホール１３０および２３０は導波管３１０の内壁面と同一面上に内接するように形成するのが望ましく、導波管３１０を囲むように所定間隔を保って形成される。また、導体パターン２２０の中央部は図のようにバイアホール２３０に沿って切り取られたようになっている。
【００３０】
図４は、本発明の第１の実施の形態における導波管・平面線路変換器の要部を模式的に示した分解平面図の他の例である。この例では、筐体３００における導波管３１０の上面から見た形状が円形であり、これに合わせてショートブロック１００の多層基板１１０におけるバイアホール１３０および変換基板２００におけるバイアホール２３０は円形状に配置されている。また、導体パターン２２０の中央部は図のようにバイアホール２３０に沿って切り取られたようになっている。
【００３１】
このように、本発明の第１の実施の形態における導波管・平面線路変換器によれば、ショートブロック１００が多層基板１１０にバイアホール１３０を配して構成されるため、波長短縮効果による小型化を実現することができる。この効果は比誘電率の高いセラミック等において特に顕著になる。また、ショートブロックとして金属蓋を用いないことにより、メカ部品の使用を回避し、ショートブロックの寸法精度や取付け精度による影響を低減することができる。また、導波管・平面線路変換器の軽量化、小型化ならびに組立工程の簡略化を図ることができる。
【００３２】
図５は本発明の第２の実施の形態における導波管・平面線路変換器の要部を模式的に示した組立状態における部分断面図である。なお、断面個所は第１の実施の形態における導波管・平面線路変換器と同様であり、第１の実施の形態における導波管・平面線路変換器と同一機能を有する構成部分については同一符号を付し、ここではその説明を省略することとする。
【００３３】
第１の実施の形態における導波管・平面線路変換器では変換基板２００と（図示しない）平面アンテナとが筐体３００を介して接続されるようになっているのに対し、この第２の実施の形態における導波管・平面線路変換器では変換基板２００が平面アンテナ４００に直接接続されるようになっている点で相違する。
【００３４】
平面アンテナ４００は、変換基板２００におけるバイアホール２３０の延長線上に配されるバイアホール４３０を備える。変換基板２００と平面アンテナ４００との間には、バイアホール２３０および４３０により形成される導波路に対応する開口部２９０を除いてグランド板２８０が形成されている。
【００３５】
また、平面アンテナ４００の下面にはバイアホール４３０全体を覆うように導体パターン４２０が配置されている。すなわち、バイアホール４３０は平面アンテナ４００の上面においてグランド板２８０に接続し、平面アンテナ４００の下面において導体パターン４２０に接続する。さらに、平面アンテナ４００の下面には電波の放出や受信を行うための矩形状または円形状のアンテナパターン４１０が配置され、その終端部が導波路に配置される。
【００３６】
このように、本発明の第２の実施の形態における導波管・平面線路変換器によれば、変換基板２００と平面アンテナ４００とを金属製の筐体を介さずに直接接続することにより、メカ部品を不要とし、軽量化ならびに小型化を図ることができる。また、部品点数を減らすことにより、組立工程の簡略化を図ることができる。
【００３７】
図６は本発明の第３の実施の形態における導波管・平面線路変換器の要部を模式的に示した組立状態における部分断面図である。なお、断面個所は第１の実施の形態における導波管・平面線路変換器と同様であり、第１の実施の形態における導波管・平面線路変換器と同一機能を有する構成部分については同一符号を付し、ここではその説明を省略することとする。
【００３８】
第１の実施の形態における導波管・平面線路変換器では導波管３１０を備える金属製の筐体３００が用いられているのに対し、この第３の実施の形態における導波管・平面線路変換器では筐体３００に代えて多層基板３２０が用いられる。
【００３９】
多層基板３２０には変換基板２００におけるバイアホール２３０の延長線上に配されるバイアホール３３０が設けられており、これらバイアホール３３０に囲まれた領域が導波路を形成している。すなわち、バイアホール３３０は導波路における高周波を遮蔽するようになっている。バイアホール３３０は、多層基板３２０の上面においてグランド板２８０と接続する。
【００４０】
この多層基板３２０の材料としては多層基板１１０と同様に、種々の誘電体を用いることができる。比誘電率の高さや誘電正接の低さを考慮すると、ポリイミドよりもセラミックの方が望ましい。また、特に、低温焼成セラミック基板（ＬＴＣＣ）は位置精度に優れる点で好適である。
【００４１】
このように、本発明の第３の実施の形態における導波管・平面線路変換器によれば、筐体３００に代えて、バイアホール３３０を備えた多層基板３２０を用いることにより、メカ部品を不要とし、軽量化ならびに小型化を図ることができる。また、部品点数を減らすことにより、組立工程の簡略化を図ることができる。さらに、変換基板２００と多層基板３２０とを同一の多層基板により一体成型することが可能となり、さらに部品点数を減らして、組立工程の簡略化を図ることができる。
【００４２】
図７は本発明の第４の実施の形態における導波管・平面線路変換器の要部を模式的に示した組立状態における部分断面図である。なお、断面個所は第３の実施の形態における導波管・平面線路変換器と同様であり、第３の実施の形態における導波管・平面線路変換器と同一機能を有する構成部分については同一符号を付し、ここではその説明を省略することとする。
【００４３】
第３の実施の形態における導波管・平面線路変換器では多層基板３２０における導波路を形成するためにバイアホール３３０が用いられているのに対し、この第４の実施の形態における導波管・平面線路変換器では多層基板３２０においてバイアホール３３０に代えて内壁面に導体層３４０が施された貫通孔が形成される。この導体層３４０としては、例えば金属メッキ層が設けられる。
【００４４】
導体層３４０は、変換基板２００におけるバイアホール２３０と接続されるようになっている。導体層３４０に囲まれた貫通孔とバイアホール２３０とにより、高周波を遮蔽する導波路が形成される。
【００４５】
このように、本発明の第４の実施の形態における導波管・平面線路変換器によれば、導体層３４０に囲まれた貫通孔が多層基板３２０における導波路として機能するため、多層基板３２０における高周波の漏れを阻止することができ、伝送特性の低下を抑制することができる。
【００４６】
図８は本発明の第５の実施の形態における導波管・平面線路変換器の要部を模式的に示した組立状態における部分断面図である。なお、断面個所は第１の実施の形態における導波管・平面線路変換器と同様であり、第１の実施の形態における導波管・平面線路変換器と同一機能を有する構成部分については同一符号を付し、ここではその説明を省略することとする。
【００４７】
第１の実施の形態における導波管・平面線路変換器では多層基板１１０における導波路を形成するためにバイアホール１３０が用いられているのに対し、この第５の実施の形態における導波管・平面線路変換器では多層基板１１０においてバイアホール１３０に代えて内壁面に導体層１４０が施された貫通孔が形成される。この導体層１４０としては、例えば金属メッキ層が設けられる。
【００４８】
導体層１４０は、変換基板２００におけるバイアホール２３０と接続されるようになっている。導体層１４０に囲まれた貫通孔とバイアホール２３０とにより、高周波を遮蔽する導波路が形成される。
【００４９】
このように、本発明の第５の実施の形態における導波管・平面線路変換器によれば、導体層１４０に囲まれた貫通孔が多層基板１１０における導波路として機能するため、多層基板１１０における高周波の漏れを阻止することができ、伝送特性の低下を抑制することができる。
【００５０】
図９は本発明の第６の実施の形態における導波管・平面線路変換器の要部を模式的に示した組立状態における部分断面図である。なお、断面個所は第３の実施の形態における導波管・平面線路変換器と同様であり、第３の実施の形態における導波管・平面線路変換器と同一機能を有する構成部分については同一符号を付し、ここではその説明を省略することとする。
【００５１】
第３の実施の形態における導波管・平面線路変換器ではショートブロック１００として変換基板２００とは独立した多層基板１１０を配接しているのに対し、この第６の実施の形態における導波管・平面線路変換器では多層基板１１０と変換基板２００とが同一の多層基板として一体成型される。
【００５２】
この一体成型される多層基板の材料としては第１の実施の形態における多層基板１１０と同様に、種々の誘電体を用いることができる。比誘電率の高さや誘電正接低さを考慮すると、ポリイミドよりもセラミックの方が望ましい。また、特に、低温焼成セラミック基板（ＬＴＣＣ）は位置精度に優れる点で好適である。
【００５３】
また、多層基板１１０および変換基板２００に加えて、さらに多層基板３２０をも同一の多層基板として一体成型するようにしてもよい。これにより、導波管・平面線路変換器の要部全体が一つの多層基板として提供されるようになる。
【００５４】
このように、本発明の第６の実施の形態における導波管・平面線路変換器によれば、多層基板１１０と変換基板２００とを同一の多層基板として一体成型することにより、ショートブロック１００と変換基板２００との取付けを不要とし、ショートブロックの取付け精度による影響を排除することができる。また、さらに多層基板３２０をも同一の多層基板として一体成型することにより、部品点数を減らして、組立工程の簡略化を図ることができる。
【００５５】
なお、本発明の実施の形態は本発明を具現化するための一例を示したものであり、以下に示すように特許請求の範囲における発明特定事項とそれぞれ対応関係を有するが、これに限定されるものではなく本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変形を施すことができる。
【００５６】
すなわち、請求項１において、筐体は例えば筐体３００に対応する。また、変換基板は例えば変換基板２００に対応する。また、ショート基板は例えば多層基板１１０に対応する。また、第１のバイアホールは例えばバイアホール２３０に対応する。また、第２のバイアホールは例えばバイアホール１３０に対応する。
【００５７】
また、請求項７において、導体層は例えば導体層１４０に対応する。
【００５８】
また、請求項８において、平面アンテナは例えば平面アンテナ４００に対応する。また、変換基板は例えば変換基板２００に対応する。また、ショート基板は例えば多層基板１１０に対応する。また、第１のバイアホールは例えばバイアホール２３０に対応する。また、第２のバイアホールは例えばバイアホール１３０に対応する。
【００５９】
また、請求項１１において、導波基板は例えば多層基板３２０に対応する。また、変換基板は例えば変換基板２００に対応する。また、ショート基板は例えば多層基板１１０に対応する。また、第１のバイアホールは例えばバイアホール２３０に対応する。また、第２のバイアホールは例えばバイアホール１３０に対応する。また、第３のバイアホールは例えばバイアホール３３０に対応する。
【００６０】
また、請求項１５において、導体層は例えば導体層３４０に対応する。
【産業上の利用可能性】
【００６１】
本発明の活用例として、例えば送受信機において扱われるマイクロ波やミリ波等の高周波について導波管と平面線路との間で伝送信号の変換を行う際に本発明を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の第１の実施の形態における導波管・平面線路変換器の要部を模式的に示した部分分解断面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態における導波管・平面線路変換器の要部を模式的に示した組立状態における部分断面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態における導波管・平面線路変換器の要部を模式的に示した分解平面図の一例である。
【図４】本発明の第１の実施の形態における導波管・平面線路変換器の要部を模式的に示した分解平面図の他の例である。
【図５】本発明の第２の実施の形態における導波管・平面線路変換器の要部を模式的に示した組立状態における部分断面図である。
【図６】本発明の第３の実施の形態における導波管・平面線路変換器の要部を模式的に示した組立状態における部分断面図である。
【図７】本発明の第４の実施の形態における導波管・平面線路変換器の要部を模式的に示した組立状態における部分断面図である。
【図８】本発明の第５の実施の形態における導波管・平面線路変換器の要部を模式的に示した組立状態における部分断面図である。
【図９】本発明の第６の実施の形態における導波管・平面線路変換器の要部を模式的に示した組立状態における部分断面図である。
【図１０】従来の導波管・平面線路変換器を模式的に示した部分断面斜視図である。
【図１１】従来の導波管・平面線路変換器の組立状態におけるＩＩ−ＩＩ線部分断面図である。
【符号の説明】
【００６３】
１００  ショートブロック
１１０  多層基板
１２０  導体パターン
１３０  バイアホール
１４０  導体層
２００  変換基板
２１０  信号線
２１１  パッチ部
２２０  導体パターン
２３０  バイアホール
２８０  グランド板
２９０  開口部
３００  筐体
３１０  導波管
３２０  多層基板
３３０  バイアホール
３４０  導体層
４００  平面アンテナ
４１０  アンテナパターン
４２０  導体パターン
４３０  バイアホール
９００  ショートブロック
９１０  切り欠き
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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