(57)【要約】【課題】  基板を確実に保持すると共に、膜厚分布の不均衡を抑制する。【解決手段】  真空成膜装置１６は、基板１８を保持するための静電チャック３４と、静電チャック３４に基板１８を吸着させる吸着室３２ｂ、及び吸着室３２ｂに隣接して設けられ基板１８に対して成膜する成膜室３２ａを有する真空チャンバ３２と、Ｘ軸方向に静電チャック３４を水平に移動させると共に、成膜室３２ａでＹ軸方向に静電チャック３４を水平に移動させるアーム部材３６と、を備える。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持するための静電チャックと、
前記静電チャックに前記基板を吸着させる吸着室、及び前記吸着室と隣接して設けられ前記基板に対して成膜する成膜室を有する真空チャンバと、
前記吸着室と前記成膜室とを結ぶ第１の方向に前記静電チャックを水平に移動させると共に、前記成膜室において前記第１の方向と異なる方向に前記静電チャックを水平に移動させる移動手段と、
を備えることを特徴とする真空成膜装置。
【請求項２】
前記移動手段は、前記真空チャンバの側壁に気密に挿通され前記第１の方向に延び前記静電チャックに接続されたアーム部材を有し、
前記アーム部材は、長手方向に移動可能であると共に、長手方向と異なる方向に水平に移動可能であることを特徴とする請求項１に記載の真空成膜装置。
【請求項３】
前記アーム部材は筒状をなし、
前記静電チャックは、該静電チャックの電圧導入部を被覆する被覆室を有し、
前記アーム部材は前記被覆室に接続されて、前記被覆室内と前記真空チャンバ外とが前記アーム部材を介して連通されていることを特徴とする請求項２に記載の真空成膜装置。
【請求項４】
前記静電チャックの電圧導入部と前記真空チャンバ外とを連通する筒部材を備えることを特徴とする請求項１に記載の真空成膜装置。
【請求項５】
前記筒部材は可撓性を有することを特徴とする請求項４に記載の真空成膜装置。
【請求項６】
前記静電チャックは、前記基板を冷却するための冷却機構を一体的に有することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の真空成膜装置。
【請求項７】
前記真空チャンバは、前記成膜室を挟んで前記吸着室とは反対側に隣接して設けられ前記静電チャックを退避させる退避室を有することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の真空成膜装置。
【請求項８】
前記吸着室及び前記退避室は前記成膜室の上側部に設けられており、前記静電チャックは吸着面を下向きにして支持されていることを特徴とする請求項７に記載の真空成膜装置。
【請求項９】
前記静電チャックを支持し移動をガイドするガイド機構を備えることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の真空成膜装置。
【請求項１０】
真空チャンバ内で静電チャックに保持された基板に成膜する方法であって、
前記真空チャンバ内における成膜材料の堆積分布に基づいて、該成膜材料の累積堆積量が前記基板上の各位置で略均一になるように、水平方向に前記静電チャックを移動させることを特徴とする真空成膜方法。
【請求項１１】
前記静電チャックとの間で前記基板を挟むように金属マスクを配置し、前記基板と前記金属マスクとを同時に吸着することを特徴とする請求項１０に記載の真空成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に成膜するための真空成膜装置及び真空成膜方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
真空チャンバ内において基板に成膜する装置として、イオンプレーティング装置、蒸着装置、スパッタリング装置、及びＣＶＤ装置等の種々の装置がある。例えば特許文献１には、これら成膜装置のうちイオンプレーティング装置の一形態が開示されている。
【０００３】
この特許文献１に開示のイオンプレーティング装置は、冷却手段が一体的に設けられた静電チャックを備えており、この静電チャックでワークを確実に保持すると共に効率的な冷却を図っている。
【特許文献１】特開２００４−２１８０５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記特許文献１に開示のイオンプレーティング装置では、基板の保持及び冷却については十分な考慮がなされているが、膜厚分布の不均衡の抑制については十分な考慮がなされていなかった。
【０００５】
本発明は、上記した事情に鑑みてなされたものであり、基板を確実に保持すると共に、膜厚分布の不均衡を抑制することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る真空成膜装置は、基板を保持するための静電チャックと、静電チャックに基板を吸着させる吸着室、及び吸着室に隣接して設けられ基板に対して成膜する成膜室を有する真空チャンバと、吸着室と成膜室とを結ぶ第１の方向に静電チャックを水平に移動させると共に、成膜室で第１の方向と異なる方向に静電チャックを水平に移動させる移動手段と、を備えることを特徴とする。
【０００７】
この成膜装置によれば、静電チャックにより基板を確実に保持することができる。また、移動手段により静電チャックを第１の方向及びこれと異なる方向に水平に移動させることで、膜厚分布の不均衡を抑制することができる。
【０００８】
本発明に係る真空成膜装置では、移動手段は、真空チャンバの側壁に気密に挿通され第１の方向に延び静電チャックに接続されたアーム部材を有し、アーム部材は、長手方向に移動可能であると共に、長手方向と異なる方向に水平に移動可能であることを特徴としてもよい。このようにすれば、アーム部材を長手方向に移動させることで第１の方向に静電チャックを水平に移動させることができる。また、アーム部材を長手方向と異なる方向に水平に移動させることで、成膜室で第１の方向と異なる方向に静電チャックを水平に移動させることができる。
【０００９】
本発明に係る真空成膜装置では、アーム部材は筒状をなし、静電チャックは、静電チャックの電圧導入部を被覆する被覆室を有し、アーム部材は被覆室に接続されて、被覆室内と真空チャンバ外とがアーム部材を介して連通されていることを特徴としてもよい。このようにすれば、電圧導入部が大気圧下に置かれるため、放電を防ぐための端子の絶縁距離を小さくすることができ、曳いては装置の大型化を防ぐことができる。
【００１０】
本発明に係る真空成膜装置では、静電チャックの電圧導入部と真空チャンバ外とを連通する筒部材を備えることを特徴としてもよい。このとき、筒部材は可撓性を有することを特徴としてもよい。このようにすれば、電圧導入部が大気圧下に置かれるため、放電を防ぐための端子の絶縁距離を小さくすることができ、曳いては装置の大型化を防ぐことができる。また、筒部材が可撓性を有することで、静電チャックの移動に容易に追随することができる。
【００１１】
本発明に係る真空成膜装置では、静電チャックは、基板を冷却するための冷却機構を一体的に有することを特徴としてもよい。このようにすれば、冷却機構により基板の温度上昇を信頼性高く抑制することができる。
【００１２】
本発明に係る真空成膜装置では、真空チャンバは、成膜室を挟んで吸着室とは反対側に隣接して設けられ静電チャックを退避させる退避室を有することを特徴としてもよい。このようにすれば、退避室をも利用して静電チャックを移動させることで、膜厚分布の不均衡をより一層抑制することができる。
【００１３】
本発明に係る真空成膜装置では、吸着室及び退避室は成膜室の上側部に設けられており、静電チャックは吸着面を下向きにして支持されていることを特徴としてもよい。このようにすれば、吸着室、退避室、及び成膜室の間で静電チャックを移動させながら、成膜室の下部から成膜材料を飛散させて、静電チャックに下向きに保持された基板に成膜させることができる。
【００１４】
本発明に係る真空成膜装置では、静電チャックを支持し移動をガイドするガイド機構を備えることを特徴としてもよい。このようにすれば、ガイド機構により静電チャックを所望の方向に確実に移動させることができる。
【００１５】
本発明に係る真空成膜方法は、真空チャンバ内で静電チャックに保持された基板に成膜する方法である。この方法は、真空チャンバ内における成膜材料の堆積分布に基づいて、成膜材料の累積堆積量が基板上の各位置で略均一になるように、水平方向に静電チャックを移動させることを特徴とする。
【００１６】
このように、静電チャックにより基板を確実に保持した状態で、真空チャンバ内における成膜材料の堆積分布に基づいて、成膜材料の累積堆積量が基板上の各位置で略均一になるように、水平方向に静電チャックを移動させることで、膜厚分布の不均衡を抑制することができる。
【００１７】
本発明に係る真空成膜方法では、静電チャックとの間で基板を挟むように金属マスクを配置し、基板と金属マスクとを同時に吸着することを特徴としてもよい。このようにすれば、ジャンセン・ラーベック力を利用して、他の保持手段を用いることなく、静電チャックにより基板と金属マスクとを強固に保持することができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、基板を確実に保持すると共に、膜厚分布の不均衡を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
（第１実施形態）
【００２０】
図１は、第１実施形態に係るの真空成膜システムの構成を示す側断面図である。なお、図１には、説明を容易にする為にＸＹＺ直交座標系も示されている。
【００２１】
本実施形態の真空成膜システム１０は、ロードロック・アンロードロックチャンバ（ＬＣ／ＵＬＣ）１２と、ロボットチャンバ１４と、真空成膜装置１６とを備える、いわゆるクラスター式の成膜システムである。これらＬＣ／ＵＬＣ１２、ロボットチャンバ１４、及び真空成膜装置１６はＸ軸方向に隣接して設けられている。
【００２２】
ＬＣ／ＵＬＣ１２は、減圧及び大気開放可能であって、複数のガラス基板１８を収容する。ロボットチャンバ１４は、ＬＣ／ＵＬＣ１２と真空成膜装置１６との間でガラス基板１８を搬送する搬送ロボット２０を有している。搬送ロボット２０は、ロボットアーム２２によりＬＣ／ＵＬＣ１２から成膜前のガラス基板１８をピックアップし、真空成膜装置１６の基板ホルダ２４上にガラス基板１８を載置する。或いは、搬送ロボット２０は、ロボットアーム２２により真空成膜装置１６の基板ホルダ２４上に載置された成膜後のガラス基板１８をピックアップし、ＬＣ／ＵＬＣ１２に搬送する。なお、ＬＣ／ＵＬＣ１２とロボットチャンバ１４との間、及びロボットチャンバ１４と真空成膜装置１６との間には、開閉可能なゲートＧを含む仕切壁２６，２８が設けられている。また、ＬＣ／ＵＬＣ１２には、更にガラス基板１８の搬入搬出を行うための開閉可能なゲートＧを含む壁部３０が設けられている。
【００２３】
真空成膜装置１６は、真空チャンバ３２と、静電チャック３４と、静電チャック３４を移動させるアーム部材３６と、基板ホルダ２４と、を有している。真空成膜装置１６は、いわゆるイオンプレーティング法を用いた成膜装置である。
【００２４】
真空チャンバ３２は、ガラス基板１８に成膜する成膜室３２ａと、静電チャック３４にガラス基板１８を吸着させる吸着室３２ｂと、静電チャック３４を退避させる退避室３２ｃとを有している。成膜室３２ａには、成膜材料を蒸発させる蒸発部３５が設けられている。蒸発部３５は、図示しない陽極部を含み、成膜室３２ａの側壁に設けられたプラズマ源３８からのプラズマＰを吸引する。これにより、図示しないハースに保持されたＩＴＯなどの成膜材料が加熱され、蒸発して成膜材料粒子が成膜室３２ａ内に飛散する。成膜室３２ａ内に飛散した成膜材料粒子は、プラズマＰによりイオン化され、成膜室３２ａの上方（Ｚ軸正方向）へ移動し、ガラス基板１８に付着する。なお、成膜室３２ａ内にはシャッター４０が設けられており、成膜材料粒子の上方への移動を阻止できるようになっている。
【００２５】
吸着室３２ｂは、成膜室３２ａの上側部にＸ軸方向に隣接して設けられている。この吸着室３２ｂには、基板ホルダ２４が設けられている。基板ホルダ２４は、ガラス基板１８を載置するための載置台４２と、載置台４２の下部に設けられた軸部４４とを有している。この基板ホルダ２４は、軸部４４を介して上下方向に移動可能に設けられている。退避室３２ｃは、成膜室３２ａを挟んで吸着室３２ｂとは反対側にＸ軸方向に隣接して設けられている。
【００２６】
静電チャック３４は、図２に示すように、吸着部４６と冷却部（冷却機構）４８を有している。吸着部４６は、セラミックや樹脂などの誘電体から形成されており、電極５０が内蔵されている。
【００２７】
冷却部４８は、アルミなどの伝熱性の高い材料から形成されており、内部に冷媒を循環させるための流路５２が設けられている。この冷却部４８は、吸着部４６に一体的に設けられている。冷却部４８上には、電圧を印加するための電圧導入部５４が設けられている。電圧導入部５４と吸着部４６の電極５０とは、冷却部４８を貫く配線を通して接続されている。そして、冷却部４８の上部には、電圧導入部５４を気密に覆うようにして被覆室５６が設けられている。これにより、被覆室５６内と真空チャンバ３２内とが隔絶されている。
【００２８】
アーム部材３６は、筒状の部材であってＸ軸方向（第1の方向）に延びており、退避室３２ｃの側壁に挿通されている。アーム部材３６は、静電チャック３４の被覆室５６と接続されており、これにより被覆室５６内と真空チャンバ３２外とがアーム部材３６を介して連通されている。なお、このアーム部材３６を通して、電圧導入部５４への配線５８や冷却部４８への冷媒の供給ライン６０が引き出されている。
【００２９】
アーム部材３６が挿通される被覆室３２ｃの側壁の外側には、ベローズ６２が設けられて気密にされている。ベローズ６２の一端は、被覆室３２ｃの側壁に接続されており、他端は、アーム部材３６を支持する筒状のサポート６３に接続されている。アーム部材３６が挿通されるサポート６３の孔には、ガスケット６５が設けられて、気密にされている。このサポート６３及びベローズ６２を通して、アーム部材３６がＸ軸方向に移動可能になっている。
【００３０】
真空チャンバ３２のＸ軸方向に延びる両側壁の内側には、図３に示すように、ガイド溝（ガイド機構）６４が設けられている。静電チャック３４の側壁には、このガイド溝６４に案内される突起６６が設けられている。従って、この突起６６がガイド溝６４に係合しながらＸ軸方向にスライドすることで、静電チャック３４の支持と移動がなされる。
【００３１】
また、サポート６３の近傍には、アーム部材３６をＹ軸方向に移動させるための駆動装置６８が設けられている。駆動装置６８は、フランジ７０に支持されている。サポート６３は、被覆室３２ｃの側壁の外側に設けられたスライド台６７上を、Ｙ軸方向にスライド可能になっている。従って、この駆動装置６８によりサポート６３を押し引きして、アーム部材３６をＹ軸方向に移動させることで、静電チャック３４がＹ軸方向に移動される。なお、スライド台６７は、ベローズ６２の長さを固定する機能も有している。
【００３２】
次に、上記した真空成膜システム１０を用いた本実施形態に係る真空成膜方法について説明する。
【００３３】
まず、ＬＣ／ＵＬＣ１２の壁部３０のゲートＧを開いて、成膜前の複数のガラス基板１８を収容する。そして、壁部３０のゲートＧを閉じてから、ＬＣ／ＵＬＣ１２内を減圧する。一方、成膜室３２ａ内の蒸発部３５の図示しないハースにＩＴＯなどの成膜材料を装着し、真空チャンバ３２内を減圧して真空に保持する。このとき、シャッター４０は閉じた状態としておく。続いて、プラズマ源３８によりプラズマＰを生成し、蒸発部３５に向かって照射する。
【００３４】
このようにプラズマＰを蒸発部３５に向かって照射することで、プラズマＰが吸引され、図示しないハースに保持された成膜材料が徐々に加熱される。成膜材料が十分に加熱されると、成膜材料が昇華し、成膜材料粒子となって成膜室３２ａ内に飛散する。成膜室３２ａ内に飛散した成膜材料粒子は、成膜室３２ａ内をＺ軸の正方向に上昇する際、プラズマＰによって活性化されてイオン化され、ガラス基板１８に向けて飛翔する。
【００３５】
成膜材料粒子の昇華が安定したら、ガラス基板１８への成膜を開始する。まず、仕切壁２６のゲートＧを開け、搬送ロボット２０のロボットアーム２２によりＬＣ／ＵＬＣ１２から成膜前のガラス基板１８をピックアップし、仕切壁２６のゲートＧを閉じてから仕切壁２８のゲートＧを開け、吸着室３２ｂ内の基板ホルダ２４上にガラス基板１８を載置する。そして、仕切壁２８のゲートＧを閉じる。
【００３６】
次に、基板ホルダ２４を上昇させ、上方に位置する静電チャック３４の吸着面にガラス基板１８を当接させる。そして、電圧導入部５４を介して４００Ｖ〜７ｋＶの直流電圧を印加し、静電力によりガラス基板１８を吸着面に吸着させる。このとき、静電チャック３４との間でガラス基板１８を挟むように金属マスクＭを配置し、ガラス基板１８と金属マスクＭとを同時に吸着すると好ましい。このようにすれば、ジャンセン・ラーベック力を利用して、他の保持手段を用いることなく、静電チャック３４によりガラス基板１８と金属マスクＭとを強固に保持することができる。
【００３７】
静電チャック３４によりガラス基板１８を吸着したら、アーム部材２２をＸ軸方向に引いて、成膜室３２ａ内にガラス基板１８が位置するように静電チャック３４を移動させる。そして、シャッター４０を開いてガラス基板１８上に成膜する。
【００３８】
ここで、図４に示すように、蒸発部３５から蒸発した成膜材料の堆積量にはＸ軸方向についてバラツキがある（Ｙ軸方向についても同様である）。従って、一つの固定位置でガラス基板１８に成膜したのでは、膜圧分布の不均衡が大きくなる。そこで、本実施形態では、成膜室３２ａ内における成膜材料の堆積分布に基づいて、成膜材料の累積堆積量がガラス基板１８上の各位置で略均一になるように、アーム部材３６を移動させることでＸＹ方向に静電チャック３４を移動させる。これにより、膜厚分布の不均衡を抑制することができる。なお、静電チャック３４の移動の仕方は、ＸＹ方向についての成膜材料の堆積分布に基づいて、数値計算により予め求めることができる。
【００３９】
成膜が終了したら、アーム部材３６をＸ軸方向に押し込み、静電チャック３４を吸着室３２ｂ内に位置させる。そして、基板ホルダ２４を上昇させてガラス基板１８に当接させた後、静電チャック３４の吸着を停止し、ガラス基板１８を載置台４２上に載置させてから、基板ホルダ２４を下降させる。次に、仕切壁２８のゲートＧを開け、搬送ロボット２０のロボットアーム２２により基板ホルダ２４上に載置された成膜後のガラス基板１８をピックアップする。そして、仕切壁２８のゲートＧを閉じてから仕切壁２６のゲートＧを開け、ＬＣ／ＵＬＣ１２にガラス基板１８を搬送する。
【００４０】
次に、本実施形態の作用及び効果について説明する。
【００４１】
本実施形態では、静電チャック３４によりガラス基板１８を保持しているため、ガラス基板１８を確実に保持することができる。また、アーム部材３６を移動させることにより、静電チャック３４をＸ軸方向及びＹ軸方向に水平に移動させることができる。従って、成膜室３２ａ内における成膜材料の堆積分布に基づいて、成膜材料の累積堆積量がガラス基板１８上の各位置で略均一になるように、水平方向に静電チャック３４を移動させることで、膜厚分布の不均衡を抑制することができる。
【００４２】
また、アーム部材３６は筒状をなし、被覆室５６内と真空チャンバ３２外とがアーム部材３６を介して連通されているため、電圧導入部５４を大気圧下に置くことができる。従って、放電を防ぐための端子の絶縁距離を小さくすることができ、曳いては装置の大型化を防ぐことができる。また、このアーム部材３６を通して配線５８や冷媒の供給ライン６０を引き出すことができるため、設計が容易になる。
【００４３】
また、静電チャック３４は、ガラス基板１８を冷却するための冷却部４８を一体的に有するため、ガラス基板１８の温度上昇を信頼性高く抑制することができる。
【００４４】
また、真空チャンバ３２は、成膜室３２ａを挟んで吸着室３２ｂとは反対側に隣接して設けられ静電チャック３４を退避させる退避室３２ｃを有するため、退避室３２ｃをも利用して静電チャック３４を移動させることで、膜厚分布の不均衡をより一層抑制することができる。
【００４５】
また、真空チャンバ３２内には静電チャック３４を支持し移動をガイドするガイド溝６４が設けられているため、静電チャック３４を所望の方向に確実に移動させることができる。
【００４６】
また、静電チャック３４との間でガラス基板１８を挟むように金属マスクＭを配置し、ガラス基板１８と金属マスクＭとを同時に吸着することで、ジャンセン・ラーベック力を利用して、他の保持手段を用いることなく、静電チャック３４によりガラス基板１８と金属マスクＭとを強固に保持することができる。
（第２実施形態）
【００４７】
次に、本発明の第２実施形態について説明する。なお、第１実施形態で説明した要素と同一の要素には同一の符号を附し、重複する説明を省略する。
【００４８】
上記した第１実施形態では、アーム部材３６をＸＹ方向に移動させることで、静電チャック３４をＸＹ方向に移動させていた。このとき、Ｙ軸方向への移動量はベローズ６２の長さに依存していた。しかしながら、成膜材料の堆積分布は極端に偏る場合も考えられる。すなわち、蒸発源３６から離れるに伴って、その位置での堆積量が著しく低下することも考えられる。このような場合は、Ｙ軸方向へも静電チャック３４を大きく移動させる必要がある。そこで本実施形態では、Ｘ軸方向及びＹ軸方向の双方とも、直線導入機を用いて静電チャック３４を移動させるようにしている。
【００４９】
すなわち、図５に示すように、真空成膜装置１６はＸ軸方向の移動用の直線導入機８０と、Ｙ軸方向の移動用の直線導入機８２を備えている。ここで、静電チャック３４はＸ軸方向及びＹ軸方向の双方に移動するものであるため、互いの動きを規制しないように、直線導入機８０，８２の導入端子８０ａ，８２ａの先端と静電チャック３４との接続は、図６（ａ）に示すような断面Ｃ字状のリニアガイド８４を用いて行われている。このリニアガイド８４の切り欠き部８４ａに、図６（ｂ）に示すような周溝８０ｂ，８２ｂを有する導入端子８０ａ，８２ａの先端が係合することにより、リニアガイド８４の長手方向への導入端子８０ａ，８２ａの移動は許容しつつ、これと直交する方向への導入端子８０ａ，８２ａの移動を規制している。
【００５０】
また、本実施形態では、静電チャック３４のＸ軸方向及びＹ軸方向の双方の移動を確実に案内するため、Ｘ軸方向に渡された一対のＸ軸レール８６と、Ｙ軸方向に渡された一対のＹ軸レール８８とを含むガイド機構が設けられている。Ｙ軸レール８８は、Ｘ軸レール８６に嵌合するコ字状の嵌合部９０を介して、Ｘ軸レール８６にガイドされながらＸ軸方向に移動可能である。静電チャック３４は、Ｙ軸レール８８に嵌合する環状の嵌合部９２を介して、Ｙ軸方向に移動可能である。従って、静電チャック３４は、Ｘ軸レール８６及びＹ軸レール８８にガイドされながら、ＸＹ方向に移動可能である。
【００５１】
また、本実施形態では、図５及び図７に示すように、静電チャック３４の電圧導入部５４と真空チャンバ３２外とを連通する可撓性を有するチューブ（筒部材）９４が設けられている。これにより、静電チャック３４の移動に容易に追随するようになっている。このチューブ９４を通して、電圧導入部５４への配線５８や冷却部４８への冷媒の供給ライン６０が引き出されている。
【００５２】
次に、本実施形態の作用及び効果について説明する。
【００５３】
本実施形態でも、静電チャック３４によりガラス基板１８を保持しているため、ガラス基板１８を確実に保持することができる。また、直線導入機８０，８２により、静電チャック３４をＸ軸方向及びＹ軸方向に水平に移動させることができる。従って、成膜室３２ａ内における成膜材料の堆積分布に大きな偏りがある場合であっても、その堆積分布に基づいて、成膜材料の累積堆積量がガラス基板１８上の各位置で略均一になるように、水平方向に静電チャック３４を移動させることができる。その結果、膜厚分布の不均衡を抑制することができる。
【００５４】
また、真空チャンバ３２内には静電チャック３４を支持し移動をガイドするＸ軸レール８６及びＹ軸レール８８が設けられているため、静電チャック３４を所望の方向に確実に移動させることができる。
【００５５】
また、チューブ９４により電圧導入部５４が大気圧下に置かれるため、放電を防ぐための端子の絶縁距離を小さくすることができ、曳いては装置の大型化を防ぐことができる。また、チューブ９４が可撓性を有することで、静電チャック３４の移動に容易に追随することができる。また、チューブ９４を通して配線５８や冷媒の供給ライン６０を引き出すことができるため、設計が容易になる。
【００５６】
なお、本発明は上記した実施形態に限定されることなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態では、ガラス基板１８に対する成膜処理について説明したが、ガラス基板１８以外に、樹脂製基板やシリコンウェハなどの基板の成膜処理についても適用可能である。
【００５７】
また、上記実施形態では、プラズマを用いたイオンプレーティングによる成膜処理について説明したが、ＣＶＤ、スパッタリング、蒸着などによる成膜処理にも適用可能である。
【００５８】
また、上記実施形態では、静電チャック３４は吸着面を下向きにしていたが、吸着面を上向きにして移動させる成膜処理にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】第１実施形態に係る真空成膜システムを示す側断面図である。
【図２】真空成膜装置の静電チャックを示す側断面図である。
【図３】図２に示す真空成膜装置の真空チャンバ内を示す平面図である。
【図４】成膜室内の成膜材料の堆積分布を概略的に示すグラフである。
【図５】第２実施形態に係る真空成膜システムの真空成膜装置の真空チャンバ内を示す平面図である。
【図６】直線導入機の導入端子の先端部と静電チャックとの接続関係を説明するための図である。
【図７】図５に示す真空成膜装置の真空チャンバ内を示す側断面図である。
【符号の説明】
【００６０】
１０…真空成膜システム、１２…ＬＣ／ＵＬＣ、１４…ロボットチャンバ、１６…真空成膜装置、１８…ガラス基板、３２…真空チャンバ、３２ａ…成膜室、３２ｂ…吸着室、３２ｃ…退避室、３４…静電チャック、３６…アーム部材、３８…プラズマ源、４６…吸着部、４８…冷却部、５４…電圧導入部、５６…被覆室、６４…ガイド溝、８６…Ｘ軸レール、８８…Ｙ軸レール、９４…チューブ、Ｐ…プラズマ。
【図１】
2006299358.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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