(57)【要約】【課題】送信時の高出力化ならびに回路の小形化を実現することができる送受信回路を得る。【解決手段】送信回路２１と受信回路２３との間に、送信信号を出力すると共に受信信号を入力する高周波入出力端子２２が設けられると共に、送信回路２１と受信回路２３を送受分離する機能を有する送受信回路であって、前記高周波入出力端子２２と前記受信回路２３を結ぶ高周波信号線路上に単極単投スイッチ２８を装荷し、前記単極単投スイッチ２８をＯＮ／ＯＦＦすることにより送受切り替えを行う。【選択図】図１
2006081073.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送信回路と受信回路との間に、送信信号を出力すると共に受信信号を入力する高周波入出力端子が設けられると共に、前記送信回路と前記受信回路を送受分離する機能を有する送受信回路であって、
前記高周波入出力端子と前記受信回路を結ぶ高周波信号線路上に単極単投スイッチを装荷し、前記単極単投スイッチをＯＮ／ＯＦＦすることにより送受切り替えを行う
ことを特徴とする送受信回路。
【請求項２】
送信回路と受信回路との間に、送信信号を出力すると共に受信信号を入力する高周波入出力端子が設けられると共に、前記送信回路と前記受信回路を送受分離する機能を有する送受信回路であって、
前記送信回路と前記高周波入出力端子との間と、前記受信回路と前記高周波入出力端子との間とに、直流阻止容量をそれぞれ装荷した
ことを特徴とする送受信回路。
【請求項３】
送信回路と受信回路との間に、送信信号を出力すると共に受信信号を入力する高周波入出力端子が設けられると共に、前記送信回路と前記受信回路を送受分離する機能を有する送受信回路であって、
前記送信回路と、前記送信回路と受信回路との接続点との間に直流阻止容量を設け、かつ前記送信回路と受信回路との接続点と、前記高周波入出力端子との間に直流阻止容量を設けた
ことを特徴とする送受信回路。
【請求項４】
請求項２または３に記載の送受信回路において、
前記受信回路を構成する最前段トランジスタの入力側に半導体ダイオードを装荷し、当該半導体ダイオードのアノードを接地すると共にカソードを前記最前段トランジスタのベース電極に接続した
ことを特徴とする送受信回路。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載の送受信回路において、
前記送信回路は、出力側直流電源をＯＮ／ＯＦＦすることにより送信モードと受信モードの切り替えを行う
ことを特徴とする送受信回路。
【請求項６】
請求項１から４のいずれか１項に記載の送受信回路において、
前記送信回路は、入力側直流電源をＯＮ／ＯＦＦすることにより送信モードと受信モードの切り替えを行う
ことを特徴とする送受信回路。
【請求項７】
請求項１から４のいずれか１項に記載の送受信回路において、
前記送信回路は、入力側直流電源及び出力側直流電源をＯＮ／ＯＦＦすることにより送信モードと受信モードの切り替えを行う
ことを特徴とする送受信回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、送信回路と受信回路を分離する機能を有する回路によって構成される送受信回路に関するもので、特に、衛星通信、地上波マイクロ波通信、移動体通信等に用いて好適なものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、送信回路と受信回路を分離する機能を有するＭＯＳＦＥＴ等の半導体素子を用いて構成するＳＰＳＴ（Single Pole Single Throw：単極単投）スイッチを送信側及び受信側に装荷することによって、良好なアイソレーション特性を有する送受信回路がある（例えば、非特許文献１参照）。
【０００３】
すなわち、この送受信回路は、送信信号出力端子とアンテナ端子としての高周波入出力端子との間にＭＯＳＦＥＴを装荷すると共に、高周波入出力端子と受信信号入力端子との間にＭＯＳＦＥＴを装荷し、受信信号入力端子側に接続されたＭＯＳＦＥＴのゲート端子と送受切り替え電源との間に抵抗を介してインバータアンプを設けると共に、送信信号出力端子側に接続されたＭＯＳＦＥＴのゲート端子と送受切り替え電源との間に抵抗を介してバッファアンプを設けることで構成されている。なお、高周波入出力端子は抵抗を介してグランド端子に接続される。
【０００４】
この送受信回路において、受信時に、受信信号入力端子側に接続されたＭＯＳＦＥＴのゲート電極に正の電圧を印加し短絡状態となるように送受切り替え電源を設定すると、その場合、送信側にはインバータアンプを介しているため、送信信号出力端子側に接続されたＭＯＳＦＥＴのゲート電極には０Ｖが印加され開放状態となる。従って、アンテナ端子としての高周波入出力端子からの入力信号は、送信系の影響なく受信信号入力端子に入力される。
【０００５】
一方、送信時には、送信信号出力端子側に接続されたＭＯＳＦＥＴのゲート電極に正の電圧を印加し短絡状態となるように送受切り替え電源を設定すると、その場合、受信側のＭＯＳＦＥＴのゲート電極には０Ｖが印加され開放状態となる。従って、送信信号出力端子からの送信信号は受信系の影響なく高周波入出力端子に出力される。
【０００６】
従って、上述した従来の送受信回路によれば、送受分離する機能を有するＭＯＳＦＥＴから構成されるＳＰＳＴスイッチを受信側及び送信側に装荷することによって、受信時においても送信時においても良好なアイソレーション特性を実現することができる。
【０００７】
【非特許文献１】"A CMOS Power Amplifer With Power Control and T/R Switch for2.45-GHZ Bluetooth/ISM Band Applications" Pradeep B. Khannur, 2003年、IEEE、Radio Frequency Integrated Circuits Symposium P.147、Fig.6
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上述した従来例に係る送受分離する機能を有する回路を用いた送受信回路は、送信側にＳＰＳＴスイッチとしてのＭＯＳＦＥＴが装荷されているため、送信出力が低下してしまうという問題点があった。また、例えばＭＯＳＦＥＴの代わりに半導体ダイオードを用いた場合にも同様の問題点は生じる。
【０００９】
さらに、ＭＯＳＦＥＴと抵抗をそれぞれ２個ずつ用いる必要があるため、送受信回路をより小形化する上での妨げになるという問題点があった。
【００１０】
この発明は上記のような問題点を解決するためになされたもので、送信時の高出力化ならびに回路の小形化を実現することができる送受信回路を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この発明に係る送受信回路は、送信回路と受信回路との間に、送信信号を出力すると共に受信信号を入力する高周波入出力端子が設けられると共に、前記送信回路と前記受信回路を送受分離する機能を有する送受信回路であって、前記高周波入出力端子と前記受信回路を結ぶ高周波信号線路上に単極単投スイッチを装荷し、前記単極単投スイッチをＯＮ／ＯＦＦすることにより送受切り替えを行うことを特徴とする。
【００１２】
また、前記送信回路と前記高周波入出力端子との間と、前記受信回路と前記高周波入出力端子との間とに、直流阻止容量をそれぞれ装荷したことを特徴とする。
【００１３】
さらに、前記送信回路と前記高周波入出力端子との間の送信時の高周波信号線路上にのみ直流阻止容量を装荷したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
この発明によれば、単極単投スイッチが送信回路と高周波入出力端子を結ぶ高周波信号線路上に含まれることはなく、送信時の高出力化ならびに回路の小形化を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１に係る送受信回路の構成を示す回路図である。図１に示す送受信回路は、送信回路２１と受信回路２３とを送受分離する機能を有するＳＰＳＴスイッチ２８を備えたもので、このＳＰＳＴスイッチ２８は、送信回路２１と高周波入出力端子２２を結ぶ高周波信号線路上に含まれないよう設けられている。
【００１６】
ここで、送信回路２１は、出力側直流電源２４と、入力側直流電源２５と、出力側直流電源２４に抵抗を介してコレクタが接続され、入力側直流電源２５に抵抗を介してベースが接続され、グランドにエミッタが接続されたトランジスタで構成され、直流阻止容量を介して多段接続された複数の増幅器とを備えている。
【００１７】
同様に、受信回路２３は、出力側直流電源２６と、入力側直流電源２７と、出力側直流電源２６に抵抗を介してコレクタが接続され、入力側直流電源２７に抵抗を介してベースが接続され、グランドにエミッタが接続されたトランジスタで構成され、直流阻止容量を介して多段接続された複数の増幅器とを備えている。
【００１８】
次に動作について説明する。図１に示す送受信回路において、高周波信号を送信するモードでは、送信回路２１を構成する出力側直流電源２４及び入力側直流電源２５を共にオン状態とし、送信回路２１から出力された高周波信号を高周波入出力端子２２から出力させる。その場合、ＳＰＳＴスイッチ２８はオフ状態とする。
【００１９】
この場合、高周波信号が通過する高周波信号線路上には、例えばＳＰＳＴスイッチ２８のような送受分離する機能を有する回路を含まないため、送信回路２１から出力された電力を大きく低下させることなく高周波入出力端子２２に出力させることが可能である。
【００２０】
次に、図１に示す送受信回路において、高周波信号を受信するモードでは、受信回路２３を構成する出力側直流電源２６及び入力側直流電源２７を共にオン状態とし、高周波入出力端子２２から入力された高周波信号を受信回路２３に入力させる。その場合、ＳＰＳＴスイッチ２８はオン状態とする。
【００２１】
また、この場合、送信回路２１を構成する出力側直流電源２４はオフ状態とする。送信回路２１をオフ状態とし、受信系からみた送信回路２１のインピーダンスを高め、良好なアイソレーション特性を実現することができる。
【００２２】
従って、実施の形態１に係る送受信回路によれば、高周波入出力端子２２と受信回路２３を結ぶ高周波信号線路上にＳＰＳＴスイッチ２８を装荷し、ＳＰＳＴスイッチ２８をＯＮ／ＯＦＦすることにより送受切り替えを行うようにして、ＳＰＳＴスイッチ２８が送信回路２１と高周波入出力端子２２を結ぶ高周波信号線路上に含まれないようにしたので、送信時の高出力化を実現することができる。
【００２３】
また、実施の形態１に係る送受信回路においては、送受分離する機能を有する回路はＳＰＳＴスイッチ２８の一つであるので、小形化を実現することができる。
【００２４】
また、実施の形態１に係る送受信回路においては、受信時には送信回路２１を構成する出力側直流電源２４をオフ状態とすることによって、送信回路２１をオフ状態とし、高周波入出力端子２２から送信回路２１への高周波信号の漏れを抑制することができる。
【００２５】
さらに、実施の形態１に係る送受信回路においては、受信時には送信回路２１を構成する出力側直流電源２４をオフ状態とすることによって、低消費電流化を実現することができる。
【００２６】
なお、図１においては、送信回路２１を構成する出力側直流電源２４と入力側直流電源２５は増幅器全段に共通になっているが、共通でなくてもよい。その場合、受信時には少なくとも最終段増幅器の出力側直流電源をオフ状態とする。
【００２７】
同様に、受信回路２３を構成する出力側直流電源２６と入力側直流電源２７は増幅器全段に共通になっているが、共通でなくてもよい。
【００２８】
なお、送信時には、受信回路２３を出力側直流電源２６と入力側直流電源２７はオフ状態でもよいし、オン状態でもよい。
【００２９】
また、図１における直流阻止容量は、送信部と、送信と受信が共通化された後の線路に装荷されているが、装荷位置はこれに限らなく、送信部と、受信部と、送信と受信が共通化された後の線路のいずれか２箇所以上に装荷されればよい。
【００３０】
次に、図１に示す実施の形態１に係る送受信回路のＳＰＳＴスイッチ２８の構成例について説明する。図２は、ＳＰＳＴスイッチ２８の第１の構成例を示す回路図である。図２に示す第１の構成例でなるＳＰＳＴスイッチ２８は、ＭＯＳＦＥＴ３１と、ＭＯＳＦＥＴ３１のゲート電極に接続された抵抗３２及びこの抵抗３２を介して接続された送受切り替え電源３３と、ＭＯＳＦＥＴ３１の受信信号入力端子３５側に接続された抵抗３６と、抵抗３６とＭＯＳＦＥＴ３１の送信信号出力端子３４との接続点とグランドとの間に設けられた抵抗３７とを備えて構成される。
【００３１】
図２に示すＳＰＳＴスイッチ２８の第１の構成例において、受信時には送受切り替え電源３３をオン状態にする。その場合、ＭＯＳＦＥＴ３１がオン状態となり、送信信号出力端子３４側から入力される高周波信号を受信信号入力端子３５側に出力することができる。
【００３２】
送信時には送受切り替え電源３３をオフ状態にする。その場合、ＭＯＳＦＥＴ３１がオフ状態となり、送信信号は送信信号出力端子３４に入力されることはない。
【００３３】
図３は、ＳＰＳＴスイッチ２８の第２の構成例を示す回路図である。図３に示す第２の構成例でなるＳＰＳＴスイッチ２８は、ＭＯＳＦＥＴ４１と、ＭＯＳＦＥＴ４１のゲート電極に接続された抵抗４２及びこの抵抗４２を介して接続された送受切り替え電源４３と、構成要素４６〜５１でなるインバータ回路とを備えて構成され、インバータ回路としては、ＭＯＳＦＥＴ４１の送信信号出力端子４４側及び受信信号入力端子４５側にそれぞれ接続された抵抗４６及び４７と、直流電源５０とグランドとの間に設けられたｐＭＯＳＦＥＴ４８とｎＭＯＳＦＥＴ４９とでなる相補型ＭＯＳＦＥＴとを備え、ｐＭＯＳＦＥＴ４８とｎＭＯＳＦＥＴ４９のゲート電極は共通接続されて抵抗５１を介して送受切り替え電源４３に接続され、ｐＭＯＳＦＥＴ４８とｎＭＯＳＦＥＴ４９のドレイン電極接続点は、抵抗４６と４７との接続点に接続されている。
【００３４】
図３に示すＳＰＳＴスイッチ２８の第１の構成例において、受信時には送受切り替え電源４３をオン状態にする。その場合、ＭＯＳＦＥＴ４１がオン状態となり、送信信号出力端子４４側から入力される高周波信号を受信信号入力端子４５側に出力することができる。
【００３５】
送信時には送受切り替え電源４３をオフ状態にする。その場合、ＭＯＳＦＥＴ４１がオフ状態となり、送信信号は受信信号入力端子４４に入力されることはない。
【００３６】
なお、実施の形態１に示すＳＰＳＴスイッチは、例えば図２に示す回路で構成されても良いし、例えば図３に示す回路で構成されてもよい。また、図２、図３以外の構成でも構わない。
【００３７】
実施の形態２．
この発明の実施の形態２に係る送受信回路においても、図１に示す実施の形態１に係る送受信回路と同様な構成を備える。上述した実施の形態１に係る送受信回路においては、高周波信号の送信モードで、送信回路を構成する出力側直流電源２４及び入力側直流電源２５を共にオン状態とし、高周波信号の受信モードで、送信回路を構成する出力側直流電源２４をオフ状態としたが、この実施の形態２では、他の形態による高周波信号の送受信切り替えについて説明する。
【００３８】
次に動作について説明する。送信時には実施の形態１と同様に動作する。すなわち、図１に示す送受信回路において、高周波信号を送信するモードでは、送信回路２１を構成する出力側直流電源２４及び入力側直流電源２５を共にオン状態とし、送信回路２１から出力された高周波信号を高周波入出力端子２２から出力させる。その場合、ＳＰＳＴスイッチ２８はオフ状態とする。
【００３９】
この場合、高周波信号が通過する高周波信号線路上には、例えばＳＰＳＴスイッチ２８のような送受分離する機能を有する回路を含まないため、送信回路２１から出力された電力を大きく低下させることなく高周波入出力端子２２に出力させることが可能である。
【００４０】
次に、図１に示す送受信回路において、高周波信号を受信するモードでは、受信回路２３を構成する出力側直流電源２６及び入力側直流電源２７を共にオン状態とし、高周波入出力端子２２から入力された高周波信号を受信回路２３に入力させる。その場合、ＳＰＳＴスイッチ２８はオン状態とする。
【００４１】
また、この場合、送信回路２１を構成する入力側直流電源２５はオフ状態とする。送信回路２１をオフ状態とし、受信系からみた送信回路２１のインピーダンスを高め、良好なアイソレーション特性を実現することができる。
【００４２】
従って、実施の形態２に係る送受信回路によれば、実施の形態１と同様に、ＳＰＳＴスイッチ２８が送信回路２１と高周波入出力端子２２を結ぶ高周波信号線路上に含まれないために、送信時の高出力化を実現することができる。
【００４３】
また、実施の形態２による送受信回路においては、送受分離する機能を有する回路はＳＰＳＴスイッチ２８の一つであるので、小形化を実現することができる。
【００４４】
また、実施の形態２による送受信回路においては、受信時には送信回路２１を構成する入力側直流電源２５をオフ状態とすることによって受信回路２３からみた送信回路２１のインピーダンスを高め、良好なアイソレーション特性を実現し、高周波入出力端子２２から送信回路２１への高周波信号の漏れを抑制することができる。
【００４５】
さらに、実施の形態２による送受信回路においては、受信時には送信回路２１を構成する入力側直流電源２５をオフ状態とすることによって、低消費電流化を実現することができる。
【００４６】
なお、図１においては、送信回路２１を構成する出力側直流電源２４と入力側直流電源２５は全段共通になっているが、共通でなくてもよい。その場合、受信時には少なくとも最終段増幅器の入力側直流電源２５をオフ状態とする。
【００４７】
また、図１においては、受信回路２３を構成する出力側直流電源２６と入力側直流電源２７は全段共通になっているが、共通でなくてもよい。
【００４８】
また、送信時には、受信回路２３を構成する出力側直流電源２６と入力側直流電源２７はオフ状態でもよいし、オン状態でもよい。
【００４９】
また、図１における直流阻止容量の装荷位置はこれに限らない。送信部と、受信部と、送信と受信が共通化された後の線路のいずれか２箇所以上に装荷されればよい。
【００５０】
さらに、実施の形態２に示すＳＰＳＴスイッチ２８は、例えば図２に示す回路で構成されても良いし、例えば図３に示す回路で構成されてもよい。また、図２、図３以外の構成でも構わない。
【００５１】
実施の形態３．
この発明の実施の形態３に係る送受信回路においても、図１に示す実施の形態１に係る送受信回路と同様な構成を備える。上述した実施の形態１及びに係る送受信回路においては、高周波信号の送信モードで、送信回路を構成する出力側直流電源２４及び入力側直流電源２５を共にオン状態とし、高周波信号の受信モードで、実施の形態１では、送信回路を構成する出力側直流電源２４をオフ状態とし、実施の形態２では、入力側直流電源２５をオフ状態としたが、この実施の形態３では、これらとは異なる他の形態による高周波信号の送受信切り替えについて説明する。
【００５２】
次に動作について説明する。送信時には実施の形態１と同様に動作する。すなわち、図１に示す送受信回路において、高周波信号を送信するモードでは、送信回路２１を構成する出力側直流電源２４及び入力側直流電源２５を共にオン状態とし、送信回路２１から出力された高周波信号を高周波入出力端子２２から出力させる。その場合、ＳＰＳＴスイッチ２８はオフ状態とする。
【００５３】
この場合、高周波信号が通過する高周波信号線路上には、例えばＳＰＳＴスイッチ２８のような送受分離する機能を有する回路を含まないため、送信回路２１から出力された電力を大きく低下させることなく高周波入出力端子２２に出力させることが可能である。
【００５４】
次に、図１に示す送受信回路において、高周波信号を受信するモードでは、受信回路２３を構成する出力側直流電源２６及び入力側直流電源２７を共にオン状態とし、高周波入出力端子２２から入力された高周波信号を受信回路２３に入力させる。その場合、ＳＰＳＴスイッチ２８はオン状態とする。
【００５５】
また、送信回路２１を構成する出力側直流電源２４及び入力側直流電源２５はオフ状態とする。送信回路２１をオフ状態とし、受信系からみた送信回路２１のインピーダンスを高め、良好なアイソレーション特性を実現することができる。
【００５６】
従って、実施の形態３に係る送受信回路によれば、実施の形態１及び２と同様に、ＳＰＳＴスイッチ２８が送信回路２１と高周波入出力端子２２を結ぶ高周波信号線路上に含まれないために、送信時の高出力化を実現することができる。
【００５７】
また、実施の形態３による送受信回路においては、送受分離する機能を有する回路はＳＰＳＴスイッチ２８の一つであるので、小形化を実現することができる。
【００５８】
また、実施の形態３による送受信回路においては、受信時には送信回路２１を構成する出力側直流電源２４及び入力側直流電源２５を共にオフ状態とすることによって、受信回路か２３らみた送信回路２１のインピーダンスを高め、良好なアイソレーション特性を実現し、高周波入出力端子２２から送信回路２１への高周波信号の漏れを抑制することができる。
【００５９】
さらに、実施の形態３による送受信回路においては、受信時には送信回路２１を構成する出力側直流電源２４及び入力側直流電源２５をオフ状態とすることによって、低消費電流化を実現することができる。
【００６０】
なお、図１においては、送信回路２１を構成する出力側直流電源２４と入力側直流電源２５は全段共通になっているが、共通でなくてもよい。その場合、受信時には少なくとも最終段増幅器の入力側直流電源２５をオフ状態とする。
【００６１】
また、図１においては、受信回路２３を構成する出力側直流電源２６と入力側直流電源２７は全段共通になっているが、共通でなくてもよい。
【００６２】
また、送信時には、受信回路２３を出力側直流電源２６と入力側直流電源２７はオフ状態でもよいし、オン状態でもよい。
【００６３】
また、図１における直流阻止容量の装荷位置はこれに限らない。送信部と、受信部と、送信と受信が共通化された後の線路のいずれか２箇所以上に装荷されればよい。
【００６４】
さらに、実施の形態３に示すＳＰＳＴスイッチ２８は、例えば図２に示す回路で構成されても良いし、例えば図３に示す回路で構成されてもよい。また、図２、図３以外の構成でも構わない。
【００６５】
実施の形態４．
図４は、この発明の実施の形態４に係る送受信回路の構成を示す回路図である。図４に示す実施の形態４に係る構成において、図１に示す実施の形態１と同一部分は同一符号を付してその説明は省略する。この図４に示す実施の形態４においては、図１に示す実施の形態１のＳＰＳＴスイッチ２８の代わりに、送信回路２１と受信回路２３を送受分離する機能を果たすものとして、送信回路２１と高周波入出力端子２２との間に直流阻止容量６６を装荷すると共に、受信回路２３と高周波入出力端子２２との間に直流阻止容量６７を装荷している。
【００６６】
次に動作について説明する。図４に示す送受信回路において、高周波信号を送信するモードでは、実施の形態３と同様に、送信回路２１を構成する出力側直流電源２４及び入力側直流電源２５を共にオン状態とし、送信回路２１から出力される高周波信号を直流阻止容量６６を介して高周波入出力端子２２から出力させる。
【００６７】
この場合、受信回路２３を構成する出力側直流電源２６と入力側直流電源２７の一方または両方をオフ状態とすることにより、良好なアイソレーション特性を実現する。
【００６８】
また、高周波信号が通過する高周波信号線路上に、例えばＳＰＳＴスイッチのような送受分離する機能を有する回路を含まないため、送信回路２１から出力された電力を大きく低下させることなく高周波入出力端子２２に出力させることが可能である。
【００６９】
また、図４に示す送受信回路において、高周波信号を受信するモードでは、実施の形態３と同様に、受信回路２３を構成する出力側直流電源２６及び入力側直流電源２７を共にオン状態とし、高周波入出力端子２２から入力された高周波信号を直流阻止容量６７を介して受信回路２３に入力させる。
【００７０】
この場合、送信回路２１を構成する出力側直流電源２４と入力側直流電源２５の一方または両方はオフ状態とすることにより、良好なアイソレーション特性を実現する。
【００７１】
また、高周波信号が通過する高周波信号線路上に、例えばＳＰＳＴスイッチのような送受分離する機能を有する回路を含まないため、高周波入出力端子２２から入力された電力を低下させることなく受信回路２３に入力することが可能である。
【００７２】
従って、実施の形態４に係る送受信回路によれば、送信回路２１と高周波入出力端子２２を結ぶ高周波信号線路上に送受分離する機能を有する回路を含まないために、送信時の高出力化を実現することができる。
【００７３】
また、この実施の形態４による送受信回路においては、受信回路２３と高周波入出力端子２２を結ぶ高周波信号線路上に送受分離する機能を有する回路を含まないために、受信時の低雑音化を実現することができる。
【００７４】
また、この実施の形態４による送受信回路においては、送受分離する機能を有する回路を含まないので、小形化を実現することができる。
【００７５】
なお、図４においては、送信回路２１を構成する出力側直流電源２４と入力側直流電源２５は全段共通になっているが、共通でなくてもよい。その場合、受信時には少なくとも送信回路２１の最終段増幅器の入力側直流電源２５と出力側直流電源２４の一方または両方をオフ状態とする。また、送信時には少なくとも受信回路２３の最前段増幅器の入力側直流電源２５と出力側直流電源２４の一方または両方をオフ状態とする。
【００７６】
また、図４においては、受信回路２３を構成する出力側直流電源２６と入力側直流電源２７は全段共通になっているが、共通でなくてもよい。その場合、送信時には少なくとも受信回路２３の最前段増幅器の入力側直流電源２７と出力側直流電源２６の一方または両方をオフ状態とする。
【００７７】
また、送信回路２１の送信モードと受信モードとの切り替えは、実施の形態１と同様に、出力側直流電源２４をＯＮ／ＯＦＦすることにより行うこともでき、実施の形態２と同様に、入力側直流電源２５をＯＮ／ＯＦＦすることにより行うこともできる。
【００７８】
実施の形態５．
図５は、この発明の実施の形態５に係る送受信回路の構成を示す回路図である。図５に示す実施の形態５に係る構成において、図１に示す実施の形態１と同一部分は同一符号を付してその説明は省略する。この図５に示す実施の形態５においては、図１に示す実施の形態１のＳＰＳＴスイッチ２８の代わりに、送信回路２１と高周波入出力端子２２との間の送信時の高周波信号線路上にのみ直流阻止容量７６と７７を装荷している。
【００７９】
次に動作について説明する。この実施の形態５において、送信時、受信時共に実施の形態４と同様に動作する。すなわち、図５に示す送受信回路において、高周波信号を送信するモードでは、実施の形態３と同様に、送信回路２１を構成する出力側直流電源２４及び入力側直流電源２５を共にオン状態とし、送信回路２１から出力される高周波信号を直流阻止容量７６及び７７を介して高周波入出力端子２２から出力させる。
【００８０】
この場合、受信回路２３を構成する出力側直流電源２６と入力側直流電源２７の一方または両方をオフ状態とすることにより、良好なアイソレーション特性を実現する。
【００８１】
また、高周波信号が通過する高周波信号線路上に、例えばＳＰＳＴスイッチのような送受分離する機能を有する回路を含まないため、送信回路２１から出力された電力を大きく低下させることなく高周波入出力端子２２に出力させることが可能である。
【００８２】
また、図５に示す送受信回路において、高周波信号を受信するモードでは、実施の形態３と同様に、受信回路２３を構成する出力側直流電源２６及び入力側直流電源２７を共にオン状態とし、高周波入出力端子２２から入力された高周波信号を直流阻止容量７７を介して受信回路２３に入力させる。
【００８３】
この場合、送信回路２１を構成する出力側直流電源２４と入力側直流電源２５の一方または両方はオフ状態とすることにより、良好なアイソレーション特性を実現する。
【００８４】
また、高周波信号が通過する高周波信号線路上に、例えばＳＰＳＴスイッチのような送受分離する機能を有する回路を含まないため、高周波入出力端子２２から入力された電力を低下させることなく受信回路２３に入力することが可能である。
【００８５】
従って、実施の形態５に係る送受信回路によれば、送信回路２１と高周波入出力端子２２を結ぶ高周波信号線路上に送受分離する機能を有する回路を含まないために、送信時の高出力化を実現することができると共に、実施の形態４と同様な効果を奏する。
【００８６】
さらに、直流阻止容量７６及び７７を共に送信時の高周波信号線路上に配置することによって、出力整合回路の調整を容易にする。
【００８７】
なお、図５においては、送信回路２１を構成する出力側直流電源２４と入力側直流電源２５は全段共通になっているが、共通でなくてもよい。その場合、受信時には少なくとも送信回路２１の最終段増幅器の入力側直流電源２５と出力側直流電源２４の一方または両方をオフ状態とする。
【００８８】
また、図５においては、受信回路２３を構成する出力側直流電源２６と入力側直流電源２７は全段共通になっているが、共通でなくてもよい。その場合、送信時には少なくとも受信回路２３の最前段増幅器の入力側直流電源２７と出力側直流電源２６の一方または両方をオフ状態とする。
【００８９】
また、送信回路２１の送信モードと受信モードとの切り替えは、実施の形態１と同様に、出力側直流電源２４をＯＮ／ＯＦＦすることにより行うこともでき、実施の形態２と同様に、入力側直流電源２５をＯＮ／ＯＦＦすることにより行うこともできる。
【００９０】
実施の形態６．
図６は、この発明の実施の形態６に係る送受信回路の構成を示す回路図である。図６に示す実施の形態６に係る構成において、図４に示す実施の形態４と同一部分は同一符号を付してその説明は省略する。この図６に示す実施の形態６においては、図４に示す実施の形態４の構成に対して、受信回路２１を構成する最前段トランジスタの入力側に半導体ダイオード９０を装荷し、半導体ダイオード９０のアノードを接地すると共にカソードを前記最前段トランジスタのベース電極に接続している。
【００９１】
次に動作について説明する。送信時、受信時共に発明の実施の形態４と同様に動作する。すなわち、図６に示す送受信回路において、高周波信号を送信するモードでは、実施の形態３と同様に、送信回路２１を構成する出力側直流電源２４及び入力側直流電源２５を共にオン状態とし、送信回路２１から出力される高周波信号を直流阻止容量７６及び７７を介して高周波入出力端子２２から出力させる。
【００９２】
この場合、受信回路２３を構成する出力側直流電源２６と入力側直流電源２７の一方または両方をオフ状態とすることにより、良好なアイソレーション特性を実現する。
【００９３】
また、高周波信号が通過する高周波信号線路上に、例えばＳＰＳＴスイッチのような送受分離する機能を有する回路を含まないため、送信回路２１から出力された電力を大きく低下させることなく高周波入出力端子２２に出力させることが可能である。
【００９４】
また、図６に示す送受信回路において、高周波信号を受信するモードでは、実施の形態３と同様に、受信回路２３を構成する出力側直流電源２６及び入力側直流電源２７を共にオン状態とし、高周波入出力端子２２から入力された高周波信号を直流阻止容量７７を介して受信回路２３に入力させる。
【００９５】
この場合、送信回路２１を構成する出力側直流電源２４と入力側直流電源２５の一方または両方はオフ状態とすることにより、良好なアイソレーション特性を実現する。
【００９６】
また、高周波信号が通過する高周波信号線路上に、例えばＳＰＳＴスイッチのような送受分離する機能を有する回路を含まないため、高周波入出力端子２２から入力された電力を低下させることなく受信回路２３に入力することが可能である。
【００９７】
従って、実施の形態６に係る送受信回路によれば、送信回路２１と高周波入出力端子２２を結ぶ高周波信号線路上に送受分離する機能を有する回路を含まないために、送信時の高出力化を実現することができると共に、実施の形態４と同様な効果を奏する。
【００９８】
また、送信時に送信回路２１から高い平均電力が出力された場合、大きな負の瞬時電力が生じ半導体ダイオード９０がオン状態となることがある。これにより、受信回路２３を構成する最前段トランジスタに過電力を印加させない保護ダイオードとしての役割を実現することが可能となる。
【００９９】
さらに、半導体ダイオードを高周波信号線路と並列に装荷することによって、送信時の高出力電力により受信回路２３を構成する最前段トランジスタに過電力が印加されることを抑制することが可能となる。
【０１００】
なお、図６における直流阻止容量の装荷位置はこれに限らない。
【０１０１】
また、送信回路２１の送信モードと受信モードとの切り替えは、実施の形態１と同様に、出力側直流電源２４をＯＮ／ＯＦＦすることにより行うこともでき、実施の形態２と同様に、入力側直流電源２５をＯＮ／ＯＦＦすることにより行うこともできる。
【０１０２】
さらに、この実施の形態６では、図４に示す実施の形態４の構成に対して、受信回路２１を構成する最前段トランジスタの入力側に半導体ダイオード９０を装荷したが、図５に示す実施の形態５の構成に適用することもでき、受信回路２１を構成する最前段トランジスタの入力側に半導体ダイオード９０を装荷して、実施の形態６と同様な効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０１０３】
【図１】この発明の実施の形態１〜３に係る送受信回路の構成を示す回路図である。
【図２】図１に示すＳＰＳＴスイッチ２８の第１の構成例を示す回路図である。
【図３】図１に示すＳＰＳＴスイッチ２８の第２の構成例を示す回路図である。
【図４】この発明の実施の形態４に係る送受信回路の構成を示す回路図である。
【図５】この発明の実施の形態５に係る送受信回路の構成を示す回路図である。
【図６】この発明の実施の形態６に係る送受信回路の構成を示す回路図である。
【符号の説明】
【０１０４】
２１  送信回路、２２  高周波入出力端子、２３  受信回路、２４  出力側直流電源、２５  入力側直流電源、２６  出力側直流電源、２７  入力側直流電源、２８  ＳＰＳＴスイッチ、６６，６７  直流阻止容量、７６，７７  直流阻止容量、９０  半導体ダイオード。
【図１】
2006081073.tif 000003
【図２】
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【図３】
2006081073.tif 000005
【図４】
2006081073.tif 000006
【図５】
2006081073.tif 000007
【図６】
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