(57)【要約】【課題】III−Ｖ族化合物半導体層の層厚を目標値に一致させることができる半導体層の層厚制御方法を提供する。【解決手段】有機金属気相成長装置を用いて、ＡｌとＧａとＡｓとを含む材料ガスをｎ−ＧａＡｓ基板１１に供給することにより、光反射層２１をｎ−ＧａＡｓ基板１１上に形成する。このとき、材料ガスによってサセプタ１の中央部に堆積する堆積物の量を求め、堆積物の量に応じて、材料ガスのIII族元素の供給量を変更する。【選択図】図１Ａ
2006134966.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機金属気相成長装置を用いて、III族元素およびＶ族元素を含む材料ガスを基板に供給することにより、上記基板上にIII−Ｖ族化合物半導体層を形成する際に、上記材料ガスによって上記基板よりも上流側の部材に堆積した堆積物の量を求める工程と、
上記求められた堆積物の量に応じて、上記III族元素の供給量を変更する工程と
を備えることを特徴とすることを特徴とする半導体層の層厚制御方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体層の層厚制御方法において、
上記部材への堆積物の量が第１の量に達した後、上記堆積物の量が上記第１の量に達する前における上記III族元素の供給量よりも、上記堆積物の量が上記第１の量に達した後における上記III族元素の供給量が少なくなるように、上記III族元素の供給量を変更することを特徴とする半導体層の層厚制御方法。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体層の層厚制御方法において、
上記部材への堆積物の量が上記第１の量に達した後、上記部材への堆積物の量が第２の量に達すると、上記堆積物の量が上記第２の量に達する前における上記III族元素の供給量よりも、上記堆積物の量が上記第２の量に達した後における上記III族元素の供給量が少なくなるように、上記III族元素の供給量を変更することを特徴とする半導体層の層厚制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体層の層厚制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、化合物半導体を用いた電子デバイス、発光デバイスが様々な用途に用いられている。特に、可視光域で発光するＬＥＤ（発光ダイオード）が注目されており、屋内外の表示デバイスとして普及している。
【０００３】
可視光域で発光するＬＥＤとしては、ＡｌＧａＩｎＰ系材料で構成されたＬＥＤが知られており、例えば特許第３３７６８０９号公報（特許文献１）に記載された構成の有機金属気相成長装置で量産されるものがある。
【０００４】
図１Ａに、上記特許文献１の有機金属気相成長装置に類似する従来の有機金属気相成長装置の要部の模式断面図を示す。また、図２に、上記従来の有機金属気相成長装置のサセプタの模式平面図を示す。
【０００５】
上記従来の有機金属気相成長装置では、図１Ａに示すように、ｎ−ＧａＡｓ基板１１を搭載するカーボン製のサセプタ１がチャンバ５内に配置され、サセプタ１の中央部の上方に材料ガス導入口２が設けられ、サセプタ１の下方にＩＲ（赤外）ランプなどの加熱機構３が設置されている。また、上記基板１１は、図１Ｂに示すように、サセプタ１上に同心円状に配置されたカーボン製のディスク４（図１Ａでは図示を省略）の上に置かれており、材料ガス導入口２からチャンバ５内に吹き出したガスはサセプタ１の中央部上から径方向外側に向かって流れる。
【０００６】
詳述はしないが、上記従来の有機金属気相成長装置には、ディスク４を公転かつ自転させることができる機構が設けられている。
【０００７】
図２に、上記従来の有機金属気相成長装置で作られるＬＥＤの模式断面図を示す。
【０００８】
上記ＬＥＤは、ｎ−ＧａＡｓ基板１１上に、光反射層２１、ｎ−ＡｌＩｎＰクラッド層１２（厚さ０．７５μｍ、Ｓｉドープ：５×１０17ｃｍ-3）、（Ａ１xＧａ1-x）yＩｎ1-yＰ活性層１３（厚さ０．５μｍ）、ｐ−ＡｌＩｎＰクラッド層１４（厚さ０．７５μｍ、Ｚｎドープ：５×１０17ｃｍ-3）、ｐ−ＡｌＧａＡｓ電流拡散層１５（厚さ６μｍ、Ｚｎドープ：３×１０18ｃｍ-3）がこの順で積層されている。
【０００９】
上記光反射層２１は、ｎ−ＡｌＡｓ層（厚さ０．０５μｍ、Ｓｉドープ：５×１０17ｃｍ-3）と、ｎ−ＡｌＧａＡｓ層（厚さ０．０５μｍ、Ｓｉドープ：５×１０17ｃｍ-3）との１０ペアで構成されている。また、上記ｎ−ＡｌＡｓ層とｎ−ＡｌＧａＡｓ層とは交互に積層されている。
【００１０】
上記光反射層２１から電流拡散層１５までのトータル厚は９μｍである。
【００１１】
上記ＬＥＤの層は、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）、ＴＭＩ（トリメチルインジウム）、ＤＥＺ（ジエチルジンク）などの有機金属とＡｓＨ3（アルシン）、ＰＨ3（ホスフィン）などのハイドライドガスを用いて成長される。その際、上記光反射層２１の反射波長、すなわち光反射層２１の層厚はＴＭＧおよびＴＭＡの供給流量で決まる。
【００１２】
例えば発光波長５７０ｎｍのＬＥＤの最適反射波長５７０ｎｍを得る場合、光反射層２１の成長条件は条件出しの結果、下記となった。
【００１３】
（１）ＡｌＡｓ層の成長条件
ＴＭＡ：バブリング流量１６８.０ｃｃｍ、恒温槽制御圧力０.１Ｍｐａ、制御温度２０.０℃
ＡｓＨ3：４００ｃｃｍ
成長時間：９１.５秒×１０回
（２）ＡｌＧａＡｓ層の成長条件
ＴＭＧ：バブリング流量１２.６ｃｃｍ、恒温槽制御圧力０.１Ｍｐａ、制御温度１５.０℃
ＴＭＡ：バブリング流量９３.２ｃｃｍ、恒温槽制御圧力０.１Ｍｐａ、制御温度２０.０℃
ＡｓＨ3：４００ｃｃｍ
成長時間：９０.７秒×１０回
【００１４】
しかしながら、上記条件で反射波長５７０ｎｍが得られるのは、図１Ａ，図１Ｂの従来の有機金属気相成長装置を用いて基板上換算でトータル成膜厚が２５μｍ以上１７０μｍ以下の間だけである。つまり、一度も成膜に用いられていないサセプタ１を用いて図２のＬＥＤを繰り返し形成して行く場合、４回目〜１９回目に作製したＬＥＤだけが反射波長５７０ｎｍとなる。例えば、全く成膜を行っていないサセプタ１を用いて作製したＬＥＤ、つまり、１回目に作製したＬＥＤは、反射波長が５４０ｎｍとなってねらいから３０ｎｍも短くなる。また、上記トータル成膜厚が２０７μｍとなるＬＥＤは、反射波長が６００ｎｍとなってねらいから３０ｎｍ長くなった。
【００１５】
反射波長がねらいの５７０ｎｍより１０ｎｍずれると、ＬＥＤの光度は１０％低下する。したがって、反射波長の制御性は、ねらいの反射波長に対して−５ｎｍ以上＋５ｎｍ以下であることが必要で、願わくば、ねらいの反射波長に対して−２．５ｎｍ以上＋２．５ｎｍ以下であることが望まれている。
【００１６】
反射波長が５４０ｎｍになったＬＥＤの光反射層２１の層厚を測定したところ、通常の場合（５７０ｎｍが得られる場合）より５％程度薄いことが判明した。反射波長が６００ｎｍになったＬＥＤの光反射層２１の層厚を測定したところ、通常の場合（５７０ｎｍが得られる場合）より５％程度厚いことが判明した。
【００１７】
また、上記サセプタ１の中央部（基板１１のガス上流側部）に堆積した堆積物の表面を削り取って組成分析を行ったところ、１回目に作製したＬＥＤでは、Ａｓの量に対するＧａとＡｌとの合計量の比が、４回目に作製したＬＥＤの同様の分析値と比べて１.５倍程度大きいことが分かった。この分析の結果より、上記サセプタ１の中央部でＡｌとＧａとが予想以上に消費されたため、成膜内のＡｌとＧａとの取り込みが減り、光反射層２１の層厚が薄くなり、反射波長が短くなったものと判断した。
【００１８】
また、上記トータル成膜厚が２００μｍ以上の成膜の行っている場合は、Ａｓの量に対するＧａとＡｌとの合計量の比が、４回目に作製したＬＥＤの同様の比に比べて０.７５倍程度小さいことが分かり、サセプタ１の中央部でＡｌとＧａとが蒸発して基板１１へ供給されたため、成膜内のＡｌとＧａの取り込み量が増え層厚が厚くなり反射波長が長くなったものと判断した。
【００１９】
なお、上記トータル成膜厚が２５μｍ以上１６０μｍ以下では、サセプタ１の中央部での堆積物のＡｓの量に対するＧａとＡｌとの合計量の比は、４回目に作製したＬＥＤの同様の比とほぼ等しかった。
【００２０】
すなわち、上記従来の有機金属気相成長装置では、トータル成膜厚が２００μｍに達した時点で、サセプタ１を一度も成膜に用いられていないものに交換した後、成膜を再開するという運用を行うが、常時、トータル成膜厚が２５μｍに達するまでと、１７０μｍを超えた後とでは、反射波長がねらいよりずれてＬＥＤの光度が低下するという問題があった。
【特許文献１】特許第３３７６８０９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】
そこで、本発明の課題は、III−Ｖ族化合物半導体層の層厚を目標値に一致させることができる半導体層の層厚制御方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
上記課題を解決するため、本発明の半導体層の層厚制御方法は、
有機金属気相成長装置を用いて、III族元素およびＶ族元素を含む材料ガスを基板に供給することにより、上記基板上にIII−Ｖ族化合物半導体層を形成する際に、上記材料ガスによって上記基板よりも上流側の部材に堆積した堆積物の量を求める工程と、
上記求められた堆積物の量に応じて、上記III族元素の供給量を変更する工程と
を備えることを特徴とすることを特徴とする。
【００２３】
上記構成の半導体層の層厚制御方法によれば、有機金属気相成長装置を用いて、III族元素およびＶ族元素を含む材料ガスを基板に供給することにより、基板上にIII−Ｖ族化合物半導体層を形成する。このとき、上記材料ガスによって基板よりも上流側の部材に堆積した堆積物の量を求める。そして、その求められた堆積物の量に応じて、III族元素の供給量を変更することにより、III−Ｖ族化合物半導体層の層厚を目標値に一致させることができる。
【００２４】
一実施形態の半導体層の層厚制御方法は、上記部材への堆積物の量が第１の量に達した後、上記堆積物の量が上記第１の量に達する前における上記III族元素の供給量よりも、上記堆積物の量が上記第１の量に達した後における上記III族元素の供給量が少なくなるように、上記III族元素の供給量を変更する。
【００２５】
一実施形態の半導体層の層厚制御方法は、上記部材への堆積物の量が上記第１の量に達した後、上記部材への堆積物の量が第２の量に達すると、上記堆積物の量が上記第２の量に達する前における上記III族元素の供給量よりも、上記堆積物の量が上記第２の量に達した後における上記III族元素の供給量が少なくなるように、上記III族元素の供給量を変更する。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の半導体層の層厚制御方法によって、成膜厚に応じてIII族材料の供給量を増減することで良好な層厚制御ができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の半導体層の層厚制御方法を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００２８】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態に係る半導体層の層厚制御方法について説明する。この半導体層の層厚制御方法は、図１Ａ，図１Ｂの有機金属気相成長装置で行うものとする。また、上記半導体層の層厚制御方法を用いて作製するＬＥＤの構造は図２のＬＥＤと同一である。
【００２９】
すなわち、上記半導体層の層厚制御方法は、III族元素の一例としてのＡｌと、III族元素の一例としてのＧａと、Ｖ族元素の一例としてのＡｓとを含む材料ガスを、基板の一例としてのｎ−ＧａＡｓ基板１１に供給することにより、III−Ｖ族化合物半導体層の一例としての光反射層２１を基板１１上に形成する際に行っている。
【００３０】
以下、本実施形態における光反射層２１の成長条件について詳述する。
【００３１】
上述のように、部材の一例としてのサセプタ１の中央部（基板１１のガス上流側部）に堆積物が無い場合は、反射波長がねらい（目標値＝５７０ｎｍ）よりも３０ｎｍ短くなった。つまり、１回目に作製したＬＥＤの反射波長は５４０ｎｍとなった。この後、同一条件で作製したＬＥＤ、つまり、２回目に作製したＬＥＤでは、反射波長が５６０ｎｍとなり、反射波長におけるねらいからのずれは１０ｎｍとなり、１回目よりは改善された。３回目に作製したＬＥＤの反射波長は５６５.０ｎｍであり、ねらいに対するずれは５ｎｍとわずかであった。このような傾向を考慮して、１回目、２回目、３回目に作製されるＬＥＤにおける光反射層２１の成長時間を、下記表１に示すように、４回目以降に作製されるＬＥＤにおける光反射層２１の成長時間よりも長くする。これにより、１〜３回目に作製されるＬＥＤにおけるＴＭＧおよびＴＭＡの供給量が、４回目以降に作製されるＬＥＤにおけるＴＭＧおよびＴＭＡの供給量より多くなる。その結果、１〜３回目に作製される全てのＬＥＤの反射波長を５６８ｎｍ〜５７２ｎｍの範囲内に入れることができる。
【００３２】
【表１】
2006134966.tif 000003
【００３３】
上記光反射層２１の成長時におけるＴＭＧの制御圧力は、１〜３回目および４回目以降に作製されるＬＥＤにおいて同一で０.１Ｍｐａとする。また、上記光反射層２１の成長時におけるＴＭＡの制御圧力は、１〜３回目および４回目以降に作製されるＬＥＤにおいて同一で０.１Ｍｐａとする。
【００３４】
上記光反射層２１の成長時におけるＴＭＧの恒温槽温度は、１〜３回目および４回目以降に作製されるＬＥＤにおいて同一で１５.０℃とする。また、上記光反射層２１の成長時におけるＴＭＡの恒温槽温度は、１〜３回目および４回目以降に作製されるＬＥＤにおいて同一で２０.０℃とする。
【００３５】
上記光反射層２１の成長時におけるＡｓＨ3流量は、１〜３回目および４回目以降に作製されるＬＥＤにおいて同一で４００ｃｃｍとする。
【００３６】
上記表１から分かるように、１回目、２回目、３回目と後に行くにしたがって、光反射層２１の成長時間が減少するように調節することで、サセプタ１の中央部への堆積物の厚みが増して第１の量の一例としての約２５μｍに達するまでの間の層厚制御（＝反射波長制御）が成功する。
【００３７】
（第２実施形態）
本発明の第１実施形態に係る半導体層の層厚制御方法について説明する。この半導体層の層厚制御方法は、図１Ａ，図１Ｂの有機金属気相成長装置で行うものとする。また、上記半導体層の層厚制御方法を用いて作製されるＬＥＤの構造は図２のＬＥＤと同一である。
【００３８】
すなわち、上記半導体層の層厚制御方法は、III族元素の一例としてのＡｌと、III族元素の一例としてのＧａと、Ｖ族元素の一例としてのＡｓとを含む材料ガスを、基板の一例としてのｎ−ＧａＡｓ基板１１に供給することにより、III−Ｖ族化合物半導体層の一例としての光反射層２１を基板１１上に形成する際に行っている。
【００３９】
以下、本実施形態における光反射層２１の成長条件について詳述する。
【００４０】
上記第１実施形態では光反射層２１の成長時間を調節することで、光反射層２１の層厚を制御したが、本実施形態では、下表２に示すように、光反射層２１の成長時間は変えずに、ＡｌおよびＧａの供給量を変えることで、光反射層２１の層厚を制御する。
【００４１】
【表２】
2006134966.tif 000004
【００４２】
上記光反射層２１の成長時におけるＴＭＧの制御圧力は、１〜３回目および４回目以降に作製されるＬＥＤにおいて同一で０.１Ｍｐａとする。また、上記光反射層２１の成長時におけるＴＭＡの制御圧力は、１〜３回目および４回目以降に作製されるＬＥＤにおいて同一で０.１Ｍｐａとする。
【００４３】
上記光反射層２１の成長時におけるＴＭＧの恒温槽温度は、１〜３回目および４回目以降に作製されるＬＥＤにおいて同一で１５.０℃とする。また、上記光反射層２１の成長時におけるＴＭＡの恒温槽温度は、１〜３回目および４回目以降に作製されるＬＥＤにおいて同一で２０.０℃とする。
【００４４】
上記光反射層２１の成長時におけるＡｓＨ3流量は、１〜３回目および４回目以降に作製されるＬＥＤにおいて同一で４００ｃｃｍとする。
【００４５】
上記表２から分かるように、１回目、２回目、３回目と後に行くにしたがって、ＡｌおよびＧａの供給量が減少するように調節することで、サセプタ１の中央部への堆積物の厚みが増し、第１の量の一例としての約２５μｍに達するまでの間の層厚制御（＝反射波長制御）が成功する。
【００４６】
（実施の形態３）
本発明の第３実施形態に係る半導体層の層厚制御方法について説明する。この半導体層の層厚制御方法は、図１Ａ，図１Ｂの有機金属気相成長装置で行うものとする。また、上記半導体層の層厚制御方法を用いて作製されるＬＥＤの構造は図２のＬＥＤと同一である。
【００４７】
すなわち、上記半導体層の層厚制御方法は、III族元素の一例としてのＡｌと、III族元素の一例としてのＧａと、Ｖ族元素の一例としてのＡｓとを含む材料ガスを、基板の一例としてのｎ−ＧａＡｓ基板１１に供給することにより、III−Ｖ族化合物半導体層の一例としての光反射層２１を基板１１上に形成する際に行っている。
【００４８】
以下、本実施形態における光反射層２１の成長条件について詳述する。
【００４９】
上述のように、基板上換算でトータル成膜厚が２０７μｍとなるときに作製されるＬＥＤは、反射波長がねらい（目標値＝５７０ｎｍ）より３０ｎｍ長くなった。つまり、上記トータル成膜厚が２０７μｍとなるときに作製されるＬＥＤの反射波長は６００ｎｍとなった。このような傾向は、トータル成膜厚が１７０μｍを越えた当たりから生じている。具体的には、上記トータル成膜厚が１７１μｍとなるときに作製されるＬＥＤの反射波長は５７３ｎｍであり、トータル成膜厚が１８０μｍとなるときに作製されるＬＥＤの反射波長は５７７ｎｍであり、トータル成膜厚が１８９μｍとなるときに作製されるＬＥＤの反射波長は５８２ｎｍであり、トータル成膜厚が１９８μｍとなるときに作製されるＬＥＤの反射波長は５８９ｎｍであり、トータル成膜厚が２０７μｍとなるときに作製されるＬＥＤの反射波長は６００ｎｍである。
【００５０】
このように、上記トータル成膜厚が１７０μｍを越えると、反射波長はねらいに対してずれて、このずれ量はトータル成膜厚が増加するに伴って大きくなっている。このような傾向を考慮して、トータル成膜厚が１７１μｍ以上となるときに作製されるＬＥＤの光反射層２１の成長時間を、下表３に示すように、トータル成膜厚が１７０μｍ以下となるときに作製されるＬＥＤの光反射層２１の成長時間よりも短くする。これにより、上記トータル成膜厚が１７１μｍ以上となるときに作製されるＬＥＤの光反射層２１の成長時におけるＴＭＧおよびＴＭＡの供給量が、下表３に示すように、トータル成膜厚が１７０μｍ以下となるときに作製されるＬＥＤの光反射層２１の成長時のＴＭＧおよびＴＭＡの供給量よりも少なくなる。その結果、上記トータル成膜厚が１７１μｍ以上となるときに作製される全てのＬＥＤの反射波長を５６８ｎｍ〜５７２ｎｍの範囲内に入れることができる。
【００５１】
【表３】
2006134966.tif 000005
【００５２】
上記光反射層２１の成長時におけるＴＭＧの制御圧力は、トータル成膜厚が１７０μｍ以下および１７１μｍ以上となるときに作製されるＬＥＤにおいて同一で０.１Ｍｐａとする。また、上記光反射層２１の成長時におけるＴＭＡの制御圧力は、トータル成膜厚が１７０μｍ以下および１７１μｍ以上となるときに作製されるＬＥＤにおいて同一で０.１Ｍｐａとする。
【００５３】
上記光反射層２１の成長時におけるＴＭＧの恒温槽温度は、トータル成膜厚が１７０μｍ以下および１７１μｍ以上となるときに作製されるＬＥＤにおいて同一で１５.０℃とする。また、上記光反射層２１の成長時におけるＴＭＡの恒温槽温度は、トータル成膜厚が１７０μｍ以下および１７１μｍ以上となるときに作製されるＬＥＤにおいて同一で２０.０℃とする。
【００５４】
上記光反射層２１の成長時におけるＡｓＨ3流量は、トータル成膜厚が１７０μｍ以下および１７１μｍ以上となるときに作製されるＬＥＤにおいて同一で４００ｃｃｍとする。
【００５５】
上記表３から分かるように、トータル成膜厚が増えるにしたがって、光反射層２１の成長時間が短くなるように調節することで、サセプタ１の中央部への堆積物の厚みが増して第２の量の一例としての約１７０μｍに達した後の層厚制御（＝反射波長制御）が成功した。
【００５６】
（第４実施形態）
本発明の第４実施形態に係る半導体層の層厚制御方法について説明する。この半導体層の層厚制御方法は、図１Ａ，図１Ｂの有機金属気相成長装置で行うものとする。また、上記半導体層の層厚制御方法を用いて作製されるＬＥＤの構造は図２のＬＥＤと同一である。
【００５７】
すなわち、上記半導体層の層厚制御方法は、III族元素の一例としてのＡｌと、III族元素の一例としてのＧａと、Ｖ族元素の一例としてのＡｓとを含む材料ガスを、基板の一例としてのｎ−ＧａＡｓ基板１１に供給することにより、III−Ｖ族化合物半導体層の一例としての光反射層２１を基板１１上に形成する際に行っている。
【００５８】
以下、本実施形態における光反射層２１の成長条件について詳述する。
【００５９】
上記第３実施形態では、光反射層２１の成長時間を調節することで、光反射層２１の層厚を制御したが、本実施形態では、下表２に示すように、光反射層２１の成長時間は変えずに、ＡｌおよびＧａの供給量を変えることで、光反射層２１の層厚を制御する。
【００６０】
【表４】
2006134966.tif 000006
【００６１】
上記光反射層２１の成長時におけるＴＭＧの制御圧力は、トータル成膜厚が１７０μｍ以下および１７１μｍ以上となるときに作製されるＬＥＤにおいて同一で０.１Ｍｐａとする。また、上記光反射層２１の成長時におけるＴＭＡの制御圧力は、トータル成膜厚が１７０μｍ以下および１７１μｍ以上となるときに作製されるＬＥＤにおいて同一で０.１Ｍｐａとする。
【００６２】
上記光反射層２１の成長時におけるＴＭＧの恒温槽温度は、トータル成膜厚が１７０μｍ以下および１７１μｍ以上となるときに作製されるＬＥＤにおいて同一で１５.０℃とする。また、上記光反射層２１の成長時におけるＴＭＡの恒温槽温度は、トータル成膜厚が１７０μｍ以下および１７１μｍ以上となるときに作製されるＬＥＤにおいて同一で２０.０℃とする。
【００６３】
上記光反射層２１の成長時におけるＡｓＨ3流量は、トータル成膜厚が１７０μｍ以下および１７１μｍ以上となるときに作製されるＬＥＤにおいて同一で４００ｃｃｍとする。
【００６４】
上記表４から分かるように、トータル成膜厚が増えるにしたがって、ＡｌおよびＧａの供給量が減少するように調節することで、サセプタ１の中央部への堆積物の厚みが増して第２の量の一例としての約１７０μｍに達した後の層厚制御（＝反射波長制御）が成功した。
【００６５】
上記堆積物の厚みが第１，第２の量よりも少ない場合と、堆積物の厚みが第１，第２の量よりも多い場合とを比較したときに、基板上に堆積するＡｌおよびＧａの量が異なる現象は、図１Ａに示すような縦型の有機金属気相成長装置のみで生じるのではない。例えば、図３に示すような横型の有機金属気相成長装置（図１Ａの有機金属気相成長装置の部分と同じ機能を持つ部分は、図１Ａの有機金属気相成長装置の部分の参照番号と同じ参照番号を付けている）においても、材料ガスが分解することによって基板よりも上流側で堆積物が堆積するものであれば、その現象は生じる。反射波長の短波長化が収まるトータル成膜厚と、長波長化が始まるトータル成膜厚が、図１Ａのような縦型の有機金属気相成長装置と図２のような横型の有機金属気相成長装置とでは異なるだけである。
【００６６】
言うまでもないが、図３に示すような横型の有機金属気相成長装置でも第１〜第４実施形態の半導体層の層厚制御方法を行うことができる。
【００６７】
上記第１〜第４実施形態の半導体層の層厚制御方法を用いて、ＡｌＡｓ層とＡｌＧａＡｓ層とからなる光反射層２１を成長させたが、ＡｌＧａＩｎＰ層とＡｌＩｎＰ層とからなる光反射層を成長させてもよい。
【００６８】
本発明では、基板よりも上流側の部材に堆積した堆積物の量は、例えば、基板上のトータル成膜厚に基づいて、堆積物の厚みと基板上のトータル成膜厚との関係を示す予め測定して作成されたテーブルを用いて求めてもよい。
【００６９】
また、本発明では、基板よりも上流側の部材に堆積した堆積物の量は、上記第１〜第４実施形態のように間接的に求めてもよいし、直接的に求めてもよい。つまり、上記堆積物の量は、基板上のトータル成膜厚を換算して求めてもよいし、直接測定してもよい。
【００７０】
また、本発明の半導体層の層厚制御方法は、例えばＡｌＧａＡｓ系材料やＡｌＧａＩｎＰ系材料等で光反射層の成長に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１Ａ】図１Ａは従来の有機金属気相成長装置の要部の模式断面図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは上記従来の有機金属気相成長装置のサセプタの模式平面図である。
【図２】図２は従来のＬＥＤの模式断面図である。
【図３】図３は他の有機金属気相成長装置の要部の模式断面図である。
【符号の説明】
【００７２】
１    サセプタ
２    ガス導入口
３    加熱機構
４    ディスク
１１  ｎ−ＧａＡｓ基板
１２  ｎ−ＡｌＩｎＰクラッド層
１３  活性層
１４  ｐ−ＡｌＩｎＰクラッド層
１５  ｐ−ＡｌＧａＡｓ電流拡散層
２１  光反射層
【図１Ａ】
2006134966.tif 000007
【図１Ｂ】
2006134966.tif 000008
【図２】
2006134966.tif 000009
【図３】
2006134966.tif 000010