(57)【要約】      （修正有）【課題】選択セルの選択性を向上し，ＭＲＡＭの書き込み動作を安定化する技術を提供する。【解決手段】ＭＲＡＭは，複数の書き込みワード線３と複数のビット線５とが交差する位置のそれぞれに設けられた複数のメモリセル２と，複数のメモリセル２のそれぞれに対応して設けられた複数の積層フェリ構造体３０とを備えている。書き込み動作時，選択の書き込みワード線に流れる書き込み電流Ｉｘと選択のビット線５に流れる書き込み電流Ｉｙとにより選択セルに対応する積層フェリ構造体３０に印加の合成磁場Ｈｘｙと，合成磁場Ｈｘｙにより選択磁性体構造体に誘起の磁化Ｍｘｙと，書き込み電流Ｉｘにより第１非選択セルに対応する積層フェリ構造体３０に印加の磁場Ｈｙと，磁場Ｈｙにより非選択セルに対応する積層フェリ構造体３０に誘起の磁化Ｍｙとは，Ｍｘｙ／Ｈｘｙ≠Ｍｙ／Ｈｙを満足する。【選択図】  図２
2006134363.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１方向に延伸するように設けられた複数の第１信号線と，前記第１方向に実質的に垂直な第２方向に延伸するように設けられた複数の第２信号線と，
記憶されるデータに応じて磁化方向が反転される自発磁化を有する磁気抵抗素子をそれぞれに含み，前記複数の第１信号線と前記複数の第２信号線とが交差する位置のそれぞれに設けられた複数のメモリセルと，
前記複数のメモリセルのそれぞれに対応して設けられ，誘起される磁化によって，対応する前記メモリセルに含まれる前記磁気抵抗素子に磁場を印加する複数の磁性体構造体
とを備え，
前記複数のメモリセルのうち，前記複数の第１信号線のうちから選択された第１選択信号線と，前記複数の第２信号線のうちから選択された第２選択信号線とが交差する交点に対応して設けられているメモリセルを選択セルとし，
前記複数の磁性体構造体のうち，前記選択セルに対応する磁性体構造体を選択磁性体構造体とし，
前記第１選択信号線が交差する前記複数のメモリセルのうち，前記選択セル以外のメモリセルを，第１非選択セルとし，
前記複数の磁性体構造体のうち，前記第１非選択セルに対応する磁性体構造体を，第１非選択磁性体構造体としたとき，
書き込み動作のときに前記第１選択信号線に流れる第１書き込み電流と，前記書き込み動作のときに前記第２選択信号線に流れる第２書き込み電流とによって前記選択磁性体構造体に印加される合成磁場Ｈｘｙと，前記合成磁場Ｈｘｙにより前記選択磁性体構造体に誘起される磁化Ｍｘｙと，前記書き込み動作のときに，前記第１書き込み電流によって前記第１非選択磁性体構造体に印加される磁場Ｈｙと，前記磁場Ｈｙにより前記第１非選択磁性体構造体に誘起される磁化Ｍｙとは，下記関係：
Ｍｘｙ／Ｈｘｙ≠Ｍｙ／Ｈｙ，
を満足する
磁気ランダムアクセスメモリ。
【請求項２】
請求項１に記載の磁気ランダムアクセスメモリにおいて，
前記第２選択信号線が交差する前記複数のメモリセルのうち，前記選択セル以外のメモリセルを，第２非選択セルとし，
前記複数の磁性体構造体のうち，前記第２非選択セルに対応する磁性体構造体を第２非選択磁性体構造体としたとき，
前記合成磁場Ｈｘｙと，前記磁化Ｍｘｙと，前記書き込み動作のときに，前記第２書き込み電流によって前記第２非選択磁性体構造体に印加される磁場Ｈｘと，前記磁場Ｈｘにより前記第２非選択磁性体構造体に誘起される磁化Ｍｘとは，
下記関係：
Ｍｘｙ／Ｈｘｙ≠Ｍｘ／Ｈｘ，
を満足する
磁気ランダムアクセスメモリ。
【請求項３】
請求項１に記載の磁気ランダムアクセスメモリにおいて，
前記複数の磁性体構造体は，前記第１書き込み電流と前記第２書き込み電流とによって前記選択セルに含まれる前記磁気抵抗素子に印加される磁場と，前記第１書き込み電流によって前記第１非選択セルに含まれる前記磁気抵抗素子に印加される磁場とが強化されるような方向に前記磁化Ｍｘｙと前記磁場Ｍｙとが誘起されるような位置に配置され，
前記磁場Ｈｙ，前記合成磁場Ｈｘｙ，前記磁化Ｍｙ，及び前記磁化Ｍｘｙは，
Ｍｘｙ／Ｈｘｙ＞Ｍｙ／Ｈｙ，
を満足する
磁気ランダムアクセスメモリ。
【請求項４】
請求項１に記載の磁気ランダムアクセスメモリにおいて，
前記第１信号線と前記第２信号線とは，前記複数の磁性体構造体と前記複数のメモリセルとの間に位置し，
前記磁場Ｈｙ，前記合成磁場Ｈｘｙ，前記磁化Ｍｙ，及び前記磁化Ｍｘｙは，
Ｍｘｙ／Ｈｘｙ＞Ｍｙ／Ｈｙ，
を満足する
磁気ランダムアクセスメモリ。
【請求項５】
請求項４に記載の磁気ランダムアクセスメモリにおいて，
前記第２選択信号線が交差する前記複数のメモリセルのうち，前記選択セル以外のメモリセルを，第２非選択セルとし，
前記複数の磁性体構造体のうち，前記第２非選択セルに対応するものを第２非選択磁性体構造体としたとき，
前記合成磁場Ｈｘｙと，前記磁化Ｍｘｙと，前記書き込み動作のときに前記第２書き込み電流によって前記第２非選択磁性体構造体に印加される磁場Ｈｘと，前記磁場Ｈｘにより前記第２非選択磁性体構造体に誘起される磁化Ｍｘとは，
Ｍｘｙ／Ｈｘｙ＞Ｍｘ／Ｈｘ，
を満足する
磁気ランダムアクセスメモリ。
【請求項６】
請求項１に記載の磁気ランダムアクセスメモリにおいて，
前記複数の磁性体構造体は，前記第１書き込み電流と前記第２書き込み電流とによって前記選択セルに含まれる前記磁気抵抗素子に印加される磁場と，前記第１書き込み電流によって前記第１非選択セルに含まれる前記磁気抵抗素子に印加される磁場とが弱められるような方向に前記磁化Ｍｘｙと前記磁場Ｍｙとが誘起されるような位置に配置され，
前記磁場Ｈｙ，前記合成磁場Ｈｘｙ，前記磁化Ｍｙ，及び前記磁化Ｍｘｙは，
Ｍｘｙ／Ｈｘｙ＜Ｍｙ／Ｈｙ，
を満足する
磁気ランダムアクセスメモリ。
【請求項７】
請求項１に記載の磁気ランダムアクセスメモリにおいて，
前記複数の磁性体構造体と前記複数のメモリセルとは，前記第１信号線と前記第２信号線との間に位置し，
前記磁場Ｈｙ，前記合成磁場Ｈｘｙ，前記磁化Ｍｙ，及び前記磁化Ｍｘｙは，
Ｍｘｙ／Ｈｘｙ＜Ｍｙ／Ｈｙ，
を満足する
磁気ランダムアクセスメモリ。
【請求項８】
請求項７に記載の磁気ランダムアクセスメモリにおいて，
前記第２選択信号線が交差する前記複数のメモリセルのうち，前記選択セル以外のメモリセルを，第２非選択セルとし，
前記複数の磁性体構造体のうち，前記第２非選択セルに対応するものを第２非選択磁選択構造体としたとき，
前記合成磁場Ｈｘｙと，前記磁化Ｍｘｙと，前記書き込み動作のときに，前記第２書き込み電流によって前記第２非選択磁選択構造体に印加される磁場Ｈｘと，前記磁場Ｈｘにより前記第２非選択磁選択構造体に誘起される磁化Ｍｘとは，
Ｍｘｙ／Ｈｘｙ＜Ｍｘ／Ｈｘ，
を満足する
磁気ランダムアクセスメモリ。
【請求項９】
請求項１から請求項８に記載の磁気ランダムアクセスメモリにおいて，
前記複数の磁性体構造体のそれぞれは，強磁性体で形成される第１磁性層と，強磁性体で形成される第２磁性層と，前記第１磁性層と第２磁性層との間に介設され，前記第１磁性層と第２磁性層とが反強磁性的に結合するような膜厚を有する非磁性層を含む積層フェリ構造体である
磁気ランダムアクセスメモリ。
【請求項１０】
請求項９に記載の磁気ランダムアクセスメモリにおいて，
前記積層フェリ構造体の全体としての磁気モーメントは，前記積層フェリ構造体に外部磁場が印加されないとき，実質的に０である
磁気ランダムアクセスメモリ。
【請求項１１】
請求項３又は請求項４に記載の磁気ランダムアクセスメモリにおいて，
前記複数の磁性体構造体のそれぞれは，強磁性体で形成される第１磁性層と，強磁性体で形成される第２磁性層と，前記第１磁性層と第２磁性層との間に介設され，前記第１磁性層と第２磁性層とが反強磁性的に結合するような膜厚を有する非磁性層を含む積層フェリ構造体であり，
前記合成磁場Ｈｘｙは，前記合成磁場Ｈｘｙの方向における前記積層フェリ構造体の閾値磁場Ｈｔｘｙよりも大きく，
前記磁場Ｈｙは，前記磁場Ｈｙの方向における前記積層フェリ構造体の閾値磁場Ｈｔｙよりも小さい
磁気ランダムアクセスメモリ。
【請求項１２】
請求項５に記載の磁気ランダムアクセスメモリにおいて，
前記複数の磁性体構造体のそれぞれは，強磁性体で形成される第１磁性層と，強磁性体で形成される第２磁性層と，前記第１磁性層と第２磁性層との間に介設され，前記第１磁性層と第２磁性層とが反強磁性的に結合するような膜厚を有する非磁性層を含む積層フェリ構造体であり，
前記合成磁場Ｈｘｙは，前記合成磁場Ｈｘｙの方向における前記積層フェリ構造体の閾値磁場Ｈｔｘｙよりも大きく，
前記磁場Ｈｘは，前記磁場Ｈｘの方向における前記積層フェリ構造体の閾値磁場Ｈｔｘよりも小さく，
前記磁場Ｈｙは，前記磁場Ｈｙの方向における前記積層フェリ構造体の閾値磁場Ｈｔｙよりも小さい
磁気ランダムアクセスメモリ。
【請求項１３】
請求項１２に記載の磁気ランダムアクセスメモリにおいて，
前記磁気抵抗素子には，前記磁気抵抗素子が有する自発磁化の方向が，前記第１方向に実質的に一致するように異方性が与えられ，
前記積層フェリ構造体には，前記第１磁性層と前記第２磁性層とが有する自発磁化の方向が，前記第１方向と垂直でない第３方向に向くように異方性が与えられた
磁気ランダムアクセスメモリ。
【請求項１４】
請求項１３に記載の磁気ランダムアクセスメモリにおいて，
前記前記第１方向と前記第３方向とがなす角は，実質的に，４５°である
磁気ランダムアクセスメモリ。
【請求項１５】
請求項１３に記載の磁気ランダムアクセスメモリにおいて，
前記合成磁場Ｈｘｙの方向は，前記第３方向に対して実質的に垂直である
磁気ランダムアクセスメモリ。
【請求項１６】
請求項６又は請求項７に記載の磁気ランダムアクセスメモリにおいて，
前記複数の磁性体構造体のそれぞれは，強磁性体で形成される第１磁性層と，強磁性体で形成される第２磁性層と，前記第１磁性層と第２磁性層との間に介設され，前記第１磁性層と第２磁性層とが反強磁性的に結合するような膜厚を有する非磁性層を含む積層フェリ構造体であり，
前記合成磁場Ｈｘｙは，前記合成磁場Ｈｘｙの方向における前記積層フェリ構造体の閾値磁場Ｈｔｘｙよりも小さく，
前記磁場Ｈｙは，前記磁場Ｈｙの方向における前記積層フェリ構造体の閾値磁場Ｈｔｙよりも大きい
磁気ランダムアクセスメモリ。
【請求項１７】
請求項１６に記載の磁気ランダムアクセスメモリにおいて，
前記磁気抵抗素子には，前記磁気抵抗素子が有する自発磁化の方向が，前記第１方向に実質的に一致するように異方性が与えられ，
前記積層フェリ構造体には，前記第１磁性層と前記第２磁性層とが有する自発磁化の方向が前記第１方向に実質的に一致するように異方性が与えられた
磁気ランダムアクセスメモリ。
【請求項１８】
請求項８に記載の磁気ランダムアクセスメモリにおいて，
前記複数の磁性体構造体のそれぞれは，強磁性体で形成される第１磁性層と，強磁性体で形成される第２磁性層と，前記第１磁性層と第２磁性層との間に介設され，前記第１磁性層と第２磁性層とが反強磁性的に結合するような膜厚を有する非磁性層を含む積層フェリ構造体であり，
前記合成磁場Ｈｘｙは，前記合成磁場Ｈｘｙの方向における前記積層フェリ構造体の閾値磁場Ｈｔｘｙよりも小さく，
前記磁場Ｈｘは，前記磁場Ｈｘの方向における前記積層フェリ構造体の閾値磁場Ｈｔｘよりも大きく，
前記磁場Ｈｙは，前記磁場Ｈｙの方向における前記積層フェリ構造体の閾値磁場Ｈｔｙよりも大きい
磁気ランダムアクセスメモリ。
【請求項１９】
請求項１８に記載の磁気ランダムアクセスメモリにおいて，
前記磁気抵抗素子には，前記磁気抵抗素子が有する自発磁化の方向が，前記第１方向に実質的に一致するように異方性が与えられ，
前記積層フェリ構造体には，前記第１磁性層と前記第２磁性層とが有する自発磁化の方向が，前記第１方向と垂直でない第３方向に向くように異方性が与えられた
磁気ランダムアクセスメモリ。
【請求項２０】
請求項１９に記載の磁気ランダムアクセスメモリにおいて，
前記前記第１方向と前記第３方向とがなす角は，実質的に，４５°である
磁気ランダムアクセスメモリ。
【請求項２１】
請求項１９に記載の磁気ランダムアクセスメモリにおいて，
前記合成磁場Ｈｘｙの方向は，前記第３方向と実質的に同一である
磁気ランダムアクセスメモリ。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）に関する。本発明は，特に，ＭＲＡＭの書き込み動作時のメモリセルの選択性を向上するための技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
磁気ランダムアクセスメモリ（Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ：以下、「ＭＲＡＭ」という。）は，高速書き込みが可能であり，且つ，大きな書き換え回数を有する不揮発性メモリとして注目を集めている。
【０００３】
図２６は，米国特許公報（Ｎｏ．５，６４０，３４３）に開示されている，典型的なＭＲＡＭを示す。典型的なＭＲＡＭは，メモリセル１０１が行列に配列されたメモリセルアレイを含む。メモリセル１０１は，ｘ軸方向（ワード線方向）に延設されているワード線１０２と，ｙ軸方向（ビット線方向）に延設されているビット線１０３との間に介設される。
【０００４】
各メモリセル１０１は，図２７に示されているように，強磁性体で形成されたピン層１０４及びフリー層１０５と，ピン層１０４とフリー層１０５との間に介設された非磁性のスペーサ層１０６とにより構成される磁気抵抗素子（スピンバルブ）とを含む。メモリセル１０１に所望のバイアスを印加するために，ピン層１０４は，ダイオード１０７に接合されることがある。非磁性のスペーサ層１０６が極めて薄い絶縁体である場合，該磁気抵抗素子は，ＭＴＪ（Magnetic Tunnel Junction）と呼ばれることがある。強磁性体で形成されるピン層１０４とフリー層１０５とは，いずれも，自発磁化（残留磁化）を有する。ピン層１０４の自発磁化は，＋ｘ方向に固定され，フリー層１０５の自発磁化は，＋ｘ方向または−ｘ方向に自在に反転可能である。フリー層１０５には，異方性が与えられ，その自発磁化がｘ軸方向に向きやすいように形成されている。
【０００５】
メモリセル１０１は，１ビットのデータを，フリー層１０５の自発磁化の方向として記憶する。メモリセル１０１は，ピン層１０４の自発磁化とフリー層１０５の自発磁化とが平行である”平行”状態と，ピン層１０４の自発磁化とフリー層１０５の自発磁化とが反平行である”反平行”状態の２つの状態を取り得る。メモリセル１０１は，”平行”状態と，”反平行”状態とのうちの一方を”０”に，他方を”１”に対応付けることにより，１ビットのデータを記憶する。
【０００６】
メモリセル１０１からのデータの読み出しは，磁気抵抗効果によるメモリセル１０１の抵抗の変化を検知することによって行われる。ピン層１０４及びフリー層１０５の自発磁化の方向は，磁気抵抗効果により，メモリセル１０１の抵抗に影響を及ぼす。ピン層１０４とフリー層１０５との自発磁化の向きが平行である場合には，メモリセル１０１の抵抗は，第１値Ｒとなり（図２７（ｂ）），反平行である場合には，メモリセル１０１の抵抗は，第２値Ｒ＋ΔＲになる（図２７（ａ））。ゆえに，メモリセル１０１の抵抗を検知することにより，選択セルに記憶されているデータを検知することができる。
【０００７】
メモリセル１０１のうちの所望の選択セルへのデータの書き込みは，以下の過程によって行われる。図２６を参照して，ワード線１０２のうち，選択セルを交差するワード線が，選択ワード線として選ばれ，ビット線１０３のうち，選択セルを交差するビット線が，選択ビット線として選ばれる。選択ワード線と選択ビット線とに電流が流され，選択ワード線が発生する磁場と，選択ビット線が発生する磁場との合成磁場により，選択セルのフリー層１０５の自発磁化が，所望の向きに向けられる。
【０００８】
選択ビット線が発生する磁場と選択ワード線が発生する磁場とは，その役割が異なっている。選択ビット線が発生する磁場は，選択セルのフリー層１０５の自発磁化の向きを決定する。ｙ軸方向に延伸する選択ビット線に電流が流れると，＋ｘ方向又は−ｘ方向に磁場が発生し，該磁場により，選択セルのフリー層１０５の自発磁化の向きは，＋ｘ方向又は−ｘ方向に反転される。選択ビット線が交差しないメモリセル１０１には，フリー層１０５の自発磁化を反転させる向きの磁場が印加されず，従って，選択ビット線が交差しないフリー層１０５の自発磁化の向きは保存される。
【０００９】
一方，選択ワード線が発生する磁場は，選択セルのフリー層１０５の自発磁化の反転を容易化する役割を果たす。選択ワード線が発生する磁場の向きは，＋ｙ方向又は−ｙ方向であり，フリー層１０５の自発磁化が向き得る方向と垂直な方向であるから，選択ワード線が発生する磁場は，直接的に，フリー層１０５の自発磁化の向きを決定するものではない。しかし，フリー層１０５を構成する強磁性体は，自発磁化の方向と垂直な方向への磁場の印加により，該自発磁化が反転しやすくなるという性質を有している。選択ワード線が発生する磁場は，フリー層１０５の自発磁化と垂直な方向であり，従って，選択セルのフリー層１０５の抗磁力を小さくする。
【００１０】
一方，選択ビット線が交差するメモリセル１０１のうち，選択されない非選択セル（ビット線選択ワード線非選択セル）には，選択ワード線が発生する磁場は印加されないから，非選択セルのフリー層１０５の抗磁力は小さくならない。これは，選択セルと非選択セルとで，フリー層１０５の抗磁力に差があることを意味する。選択セルと非選択セルとの抗磁力の差は，選択セルに選択的にデータを書き込むことを可能にする。
【００１１】
図２８は，以上に説明された，選択セルへの選択的なデータ書き込みの原理を示すグラフである。フリー層１０５の抗磁力は，アステロイドカーブ（磁化反転磁場曲線）と呼ばれる特性を示す。アステロイドカーブの外側の領域にある磁場を印加することは，該磁場が抗磁力を超え，従って，フリー層１０５の自発磁化が反転されることを意味する。図２８のアステロイドカーブは，選択ビット線と選択ワード線とによってｘ軸及びｙ軸の両方に４５°の方向を向く合成磁場がフリー層１０５に印加されると，フリー層１０５の自発磁化は最も容易に反転されることを示している。
【００１２】
選択ビット線と選択ワード線とに流れる電流は，選択ビット線と選択ワード線とがそれぞれ発生する磁場の合成磁場が，アステロイドカーブの外側の領域にあり，且つ，選択ビット線と選択ワード線とのそれぞれが単独で発生する磁場が，アステロイドカーブの外側の領域にあるように選択される。選択ビット線と選択ワード線とに流れる電流をこのように選択することにより，選択セルに選択的にデータを書き込むことが可能である。
【００１３】
上述されたＭＲＡＭのデータの書き込み動作における技術的課題の一つは，消費電力である。上述のように，ＭＲＡＭのデータの書き込みは，電流によって発生する磁界を用いて自発磁化を反転することによって行われるため，比較的に大きな電流が必要である。この大きな電流は，ＭＲＡＭのデータの書き込み動作時の消費電力を増大させる。
【００１４】
データの書き込み動作時の消費電力を減少するためのＭＲＡＭが，公開特許公報（特開２００１−２７３７６０号公報）に開示されている。当該ＭＲＡＭは，書き込みを行う電流線の上面，或いは，下面に高透磁率材料からなる高透磁率層を備えている。該高透磁率層は，電流線が発生する磁場をメモリセルに集中させ，データの書き込み時の消費電力を効果的に抑制する。
【００１５】
データの書き込み動作時の消費電力を減少するための他のＭＲＡＭが，公開特許公報（特開２００２−１１０９３８号公報）に開示されている。この公報に記載のＭＲＡＭは，ワード線の上面及び側面と，ビット線の底面及び側面とに磁性膜を備えている。該磁性膜は，高飽和磁化ソフト磁性材料，又は，金属−非金属ナノグラニュラ材料で形成される。該磁性膜は，磁場をメモリセルに有効に作用させ，データの書き込み時の消費電力を効果的に抑制する。
【００１６】
ＭＲＡＭのデータの書き込み動作における他の技術的課題は，選択セルの選択性である。既述のように，ＭＲＡＭでは，選択ビット線と選択ワード線とに流れる書き込み電流の大きさをフリー層のアステロイドカーブの形状に合わせて最適に選択することにより，選択セルへの選択的な書き込みが実現されている。従って，選択ビット線と選択ワード線とに流れる書き込み電流と，フリー層のアステロイドカーブとは，高精度に調整される必要がある。しかし，製造工程のバラツキやＭＲＡＭの使用環境の変化に起因して，選択ビット線と選択ワード線とに流れる書き込み電流やアステロイドカーブがある程度変動することは避け難い。この変動は，選択セルの選択性を劣化させ，データの書き込み時に，所望でないデータを非選択セルに書き込むような誤動作を発生させることがある。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は，選択セルの選択性を向上し，ＭＲＡＭの書き込み動作を安定化することにある。
【００１８】
【課題を解決するための手段】
以下に，［発明の実施の形態］で使用される番号・符号を用いて，課題を解決するための手段を説明する。これらの番号・符号は，［特許請求の範囲］の記載と［発明の実施の形態］の記載との対応関係を明らかにするために付加されている。但し，付加された番号・符号は，［特許請求の範囲］に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。
【００１９】
本発明による磁気ランダムアクセスメモリは，第１方向（ｘ軸方向）に延伸するように設けられた複数の第１信号線（３，４３）と，第１方向（ｘ軸方向）に実質的に垂直な第２方向（ｙ軸方向）に延伸するように設けられた複数の第２信号線（５，４４）と，記憶されるデータに応じて磁化方向が反転される自発磁化を有する磁気抵抗素子（７，４５）をそれぞれに含み，前記複数の第１信号線（３，４３）と前記複数の第２信号線（５，４４）とが交差する位置のそれぞれに設けられた複数のメモリセル（２，４２）と，前記複数のメモリセル（２，４２）のそれぞれに対応して設けられ，誘起される磁化によって，対応する前記メモリセル（２，４２）に含まれる前記磁気抵抗素子（７，４５）に磁場を印加する複数の磁性体構造体（３０，５５）とを備えている。前記複数のメモリセル（２，４２）のうち，前記複数の第１信号線（３，４３）のうちから選択された第１選択信号線と前記複数の第２信号線（５，４４）のうちから選択された第２選択信号線とが交差する交点に対応して設けられているメモリセル（２，４２）を選択セルと定義し，前記複数の磁性体構造体（３０，５５）のうち，前記選択セルに対応する磁性体構造体を選択磁性体構造体と定義し，前記第１選択信号線が交差する前記複数のメモリセル（２，４２）のうち，前記選択セル以外のメモリセル（２，４２）を，第１非選択セルと定義し，前記複数の磁性体構造体（３０，５５）のうち，前記第１非選択セルに対応する磁性体構造体を，第１非選択磁性体構造体としたとき，書き込み動作のときに前記第１選択信号線に流れる第１書き込み電流（Ｉｘ）と，前記書き込み動作のときに前記第２選択信号線に流れる第２書き込み電流（Ｉｙ）とによって前記選択磁性体構造体に印加される合成磁場Ｈｘｙと，前記合成磁場Ｈｘｙにより前記選択磁性体構造体に誘起される磁化Ｍｘｙと，前記書き込み動作のときに，前記第１書き込み電流（Ｉｘ）によって前記第１非選択磁性体構造体に印加される磁場Ｈｙと，前記磁場Ｈｙにより前記第１非選択磁性体構造体に誘起される磁化Ｍｙとは，下記関係：
Ｍｘｙ／Ｈｘｙ≠Ｍｙ／Ｈｙ，
を満足する。この関係を満足することにより，前記選択磁性体構造体が選択セルに印加する磁場と，前記第１非選択磁選択構造体が前記第１非選択セルに印加する磁場との差が増大される。これにより，選択セルに含まれる磁気抵抗素子に印加される磁場と，第１非選択セルに含まれる磁気抵抗素子に印加される磁場との差が増大され，第１非選択セルに対する選択セルの選択性が向上する。
【００２０】
前記第２選択信号線が交差する前記複数のメモリセル（２，４２）のうち，前記選択セル以外のメモリセルを，第２非選択セルとし，前記複数の磁性体構造体（３０，５５）のうち，前記第２非選択セルに対応するものを第２非選択磁選択構造体としたとき，前記合成磁場Ｈｘｙと，前記磁化Ｍｘｙと，前記書き込み動作のときに，前記第２書き込み電流（Ｉｙ）によって前記第２非選択磁選択構造体に印加される磁場Ｈｘと，前記磁場Ｈｘにより前記第２非選択磁性体構造体に誘起される磁化Ｍｘとは，下記関係：
Ｍｘｙ／Ｈｘｙ≠Ｍｘ／Ｈｘ，
を満足することが好ましい。これにより，選択セルに含まれる磁気抵抗素子に印加される磁場と，第２非選択セルに含まれる磁気抵抗素子に印加される磁場との差が増大され，第２非選択セルに対する選択セルの選択性が向上する。
【００２１】
より具体的には，前記複数の磁性体構造体（３０，５５）が，前記第１書き込み電流（Ｉｘ）と前記第２書き込み電流（Ｉｙ）とによって前記選択セルに含まれる前記磁気抵抗素子（７，４５）に印加される磁場と，前記第１書き込み電流（Ｉｘ）によって前記第１非選択セルに含まれる前記磁気抵抗素子（７，４５）に印加される磁場とが強化されるような方向に前記磁化Ｍｘｙと前記磁場Ｍｙとが誘起されるような位置に配置される場合，前記磁場Ｈｙ，前記合成磁場Ｈｘｙ，前記磁化Ｍｙ，及び前記磁化Ｍｘｙは，
Ｍｘｙ／Ｈｘｙ＞Ｍｙ／Ｈｙ，
を満足することが好ましい。これにより，選択セルに含まれる磁気抵抗素子に印加される磁場は，第１非選択セルに含まれる磁気抵抗素子に印加される磁場と比較して，選択的に顕著に強化され，第１非選択セルに対する選択セルの選択性が向上する。
【００２２】
前記第１信号線（３，４３）と前記第２信号線（５，４４）とが，前記複数の磁性体構造体（３０，５５）と前記複数のメモリセル（２，４２）との間に位置する場合，前記複数の磁性体構造体（３０，５５）は，前記選択セルに含まれる前記磁気抵抗素子（７，４５）に印加される磁場と，前記第１非選択セルに含まれる前記磁気抵抗素子（７，４５）に印加される磁場とを強化するから，前記磁場Ｈｙ，前記合成磁場Ｈｘｙ，前記磁化Ｍｙ，及び前記磁化Ｍｘｙは，上述の通り，
Ｍｘｙ／Ｈｘｙ＞Ｍｙ／Ｈｙ，
を満足することが好ましい。
【００２３】
この場合，前記合成磁場Ｈｘｙと，前記磁化Ｍｘｙと，前記書き込み動作のときに前記第２書き込み電流（Ｉｙ）によって第２非選択磁選択構造体に印加される磁場Ｈｘと，前記磁場Ｈｘにより第２非選択磁選択構造体に誘起される磁化Ｍｘとは，
Ｍｘｙ／Ｈｘｙ＞Ｍｘ／Ｈｘ，
を満足することが好ましい。これにより，選択セルに含まれる磁気抵抗素子に印加される磁場は，第２非選択セルに含まれる磁気抵抗素子に印加される磁場と比較して，選択的に顕著に強化され，選択セルの選択性が一層に向上する。
【００２４】
また，前記第１書き込み電流（Ｉｘ）と前記第２書き込み電流（Ｉｙ）とによって前記選択セルに含まれる前記磁気抵抗素子（４５）に印加される磁場と，前記第１書き込み電流（Ｉｘ）によって前記第１非選択セルに含まれる前記磁気抵抗素子（４５）に印加される磁場とが弱められるような方向に前記磁化Ｍｘｙと前記磁場Ｍｙとが誘起されるような位置に前記複数の磁性体構造体（５５）が配置される場合には，前記磁場Ｈｙ，前記合成磁場Ｈｘｙ，前記磁化Ｍｙ，及び前記磁化Ｍｘｙは，
Ｍｘｙ／Ｈｘｙ＜Ｍｙ／Ｈｙ，
を満足することが好ましい。これにより，第１非選択セルに含まれる磁気抵抗素子（４５）に印加される磁場は，選択セルに含まれる磁気抵抗素子（４５）に印加される磁場と比較して，選択的に顕著に弱められ，第１非選択セルに対する選択セルの選択性が向上する。
【００２５】
前記複数の磁性体構造体（５５）と前記複数のメモリセル（４２）とが前記第１信号線（４３）と前記第２信号線（４４）との間に位置する場合，磁性体構造体（５５）は，前記選択セルに含まれる前記磁気抵抗素子（４５）に印加される磁場と，前記第１書き込み電流（Ｉｘ）によって前記第１非選択セルに含まれる前記磁気抵抗素子（４５）に印加される磁場とを弱めるから，前記磁場Ｈｙ，前記合成磁場Ｈｘｙ，前記磁化Ｍｙ，及び前記磁化Ｍｘｙは，
Ｍｘｙ／Ｈｘｙ＜Ｍｙ／Ｈｙ，
を満足することが好ましい。
【００２６】
この場合，前記合成磁場Ｈｘｙと，前記磁化Ｍｘｙと，前記書き込み動作のときに，前記第２書き込み電流（Ｉｙ）によって前記第２非選択磁選択構造体に印加される磁場Ｈｘと，前記磁場Ｈｘにより前記第２非選択磁選択構造体に誘起される磁化Ｍｘとは，
Ｍｘｙ／Ｈｘｙ＜Ｍｘ／Ｈｘ，
を満足することが好ましい。これにより，第２非選択セルに含まれる磁気抵抗素子（４５）に印加される磁場は，選択セルに含まれる磁気抵抗素子（４５）に印加される磁場と比較して顕著に弱められ，選択セルの選択性が一層に向上する。
【００２７】
前記複数の磁性体構造体（３０，５５）のそれぞれは，強磁性体で形成される第１磁性層（３１）と，強磁性体で形成される第２磁性層（３３）と，前記第１磁性層（３１）と第２磁性層（３３）との間に介設され，第１磁性層（３１）と第２磁性層（３３）とが反強磁性的に結合するような膜厚を有する非磁性層（３２）を含む積層フェリ構造体（３０，５５）であることが好ましい。このとき，積層フェリ構造体（３０，５５）の全体としての磁気モーメントは，前記積層フェリ構造体（３０，５５）に外部磁場が印加されないとき，実質的に０である，即ち，積層フェリ構造体（３０，５５）の全体としての残留磁化は，実質的に０であることが好ましい。積層フェリ構造体（３０，５５）の全体としての残留磁化は，実質的に０であることは，磁気抵抗素子（７，４５）にオフセット磁場が発生することを抑制し，ＭＲＡＭの動作を効果的に安定化する。
【００２８】
前記複数の磁性体構造体（３０，５５）が積層フェリ構造体（３０，５５）である場合，前記合成磁場Ｈｘｙを前記合成磁場Ｈｘｙの方向における前記積層フェリ構造体（３０，５５）の閾値磁場Ｈｔｘｙよりも大きくし， 前記磁場Ｈｙを，前記磁場Ｈｙの方向における前記積層フェリ構造体（３０，５５）の閾値磁場Ｈｔｙよりも小さくすることにより，
Ｍｘｙ／Ｈｘｙ＞Ｍｙ／Ｈｙ，
を満足させるＭＲＡＭが実現される。
【００２９】
更に，前記複数の磁性体構造体（３０，５５）が積層フェリ構造体（３０，５５）である場合，前記合成磁場Ｈｘｙを，前記合成磁場Ｈｘｙの方向における前記積層フェリ構造体（３０，５５）の閾値磁場Ｈｔｘｙよりも大きくし，前記磁場Ｈｘを，前記磁場Ｈｘの方向における前記積層フェリ構造体（３０，５５）の閾値磁場Ｈｔｘよりも小さくし，前記磁場Ｈｙを，前記磁場Ｈｙの方向における前記積層フェリ構造体（３０，５５）の閾値磁場Ｈｔｙよりも小さくすることにより，
Ｍｘｙ／Ｈｘｙ＞Ｍｘ／Ｈｘ，
Ｍｘｙ／Ｈｘｙ＞Ｍｙ／Ｈｙ，
を満足するＭＲＡＭが実現される。
【００３０】
この場合，前記磁気抵抗素子（７，４５）には，前記磁気抵抗素子（７，４５）が有する自発磁化の方向が，前記第１方向（ｘ軸方向）に実質的に一致するように異方性が与えられ，積層フェリ構造体（３０，５５）には，前記第１磁性層（３１）と前記第２磁性層（３３）とが有する自発磁化の方向が，前記第１方向（ｘ軸方向）と垂直でない第３方向に向くように異方性が与えられることが好適である。このような磁気抵抗素子（７，４５）及び積層フェリ構造体（３０，５５）は，第１書き込み電流（Ｉｘ）及び第２書き込み電流（Ｉｘ）を，前記合成磁場Ｈｘｙが前記合成磁場Ｈｘｙの方向における前記積層フェリ構造体（３０，５５）の閾値磁場Ｈｔｘｙよりも大きく，前記磁場Ｈｘが前記磁場Ｈｘの方向における前記積層フェリ構造体（３０，５５）の閾値磁場Ｈｔｘよりも小さく，且つ，前記磁場Ｈｙが前記磁場Ｈｙの方向における前記積層フェリ構造体（３０，５５）の閾値磁場Ｈｔｙより小さくなるように選択することを容易にする。
【００３１】
前記第１方向（ｘ軸方向）と前記第３方向とがなす角は，実質的に，４５°であることが好ましい。
【００３２】
前記合成磁場Ｈｘｙの方向は，前記第３方向に対して実質的に垂直であることが好ましい。前記第３方向に対して実質的に垂直な方向は，積層フェリ構造体（３０，５５）の困難軸方向に一致するから，前記合成磁場Ｈｘｙの方向は，前記第３方向に対して実質的に垂直であるとき，前記合成磁場Ｈｘｙの方向における閾値磁場Ｈｔｘｙは，実質的に０になる。従って，前記合成磁場Ｈｘｙが，前記合成磁場Ｈｘｙの方向における前記積層フェリ構造体（３０，５５）の閾値磁場Ｈｔｘｙよりも大きくなることが保証される。更に，前記磁場Ｈｘと前記磁場Ｈｙとの方向は，積層フェリ構造体（３０，５５）の容易軸方向に一致するから，閾値磁場Ｈｔｘと閾値磁場Ｈｔｘとが最大になる。従って，前記磁場Ｈｘ及び前記磁場Ｈｙを，それぞれ，閾値磁場Ｈｔｘ及び閾値磁場Ｈｔｘよりも小さくすることが容易になる。
【００３３】
更に，前記複数の磁性体構造体（５５）が積層フェリ構造体（５５）である場合，前記合成磁場Ｈｘｙを，前記合成磁場Ｈｘｙの方向における前記積層フェリ構造体（５５）の閾値磁場Ｈｔｘｙよりも小さく，前記磁場Ｈｙを，前記磁場Ｈｙの方向における前記積層フェリ構造体（５５）の閾値磁場Ｈｔｙよりも大きくすることにより，
Ｍｘｙ／Ｈｘｙ＜Ｍｙ／Ｈｙ，
を満足させるＭＲＡＭが実現される。
【００３４】
この場合，磁気抵抗素子（４５）には，前記磁気抵抗素子（４５）が有する自発磁化の方向が，前記第１方向（ｘ軸方向）に実質的に一致するように異方性が与えられ，積層フェリ構造体（５５）には，前記第１磁性層（３１）と前記第２磁性層（３３）とが有する自発磁化の方向が前記第１方向（ｘ軸方向）に実質的に一致するように異方性が与えられることが好ましい。磁気抵抗素子（４５）には，製造工程の間に，第１方向に自発分極を向けるための磁場の印加がなされる。このとき，磁気抵抗素子（４５）と積層フェリ構造体（５５）とに与えられる異方性の方向が一致することにより，磁気抵抗素子（４５）の自発分極の向きをそろえる磁場の印加により，積層フェリ構造体（５５）にも所望の異方性が与えられ，好適な積層フェリ構造体（５５）の特性を得ることを可能にする。
【００３５】
前記複数の磁性体構造体（３０，５５）のそれぞれが，積層フェリ構造体（３０，５５）である場合，前記合成磁場Ｈｘｙを，前記合成磁場Ｈｘｙの方向における前記積層フェリ構造体（３０，５５）の閾値磁場Ｈｔｘｙよりも小さく，前記磁場Ｈｘを，前記磁場Ｈｘの方向における前記積層フェリ構造体（３０，５５）の閾値磁場Ｈｔｘよりも大きく，且つ，前記磁場Ｈｙを，前記磁場Ｈｙの方向における前記積層フェリ構造体（３０，５５）の閾値磁場Ｈｔｙよりも大きくすることにより，
Ｍｘｙ／Ｈｘｙ＜Ｍｘ／Ｈｘ，
Ｍｘｙ／Ｈｘｙ＜Ｍｙ／Ｈｙ，
を満足させるＭＲＡＭが実現される。
【００３６】
この場合，前記磁気抵抗素子（４５）には，前記磁気抵抗素子（４５）が有する自発磁化の方向が，前記第１方向（ｘ軸方向）に実質的に一致するように異方性が与えられ，前記積層フェリ構造体（５５）には，前記第１磁性層（３１）と前記第２磁性層（３３）とが有する自発磁化の方向が，前記第１方向（ｘ軸方向）と垂直でない第３方向に向くように異方性が与えられることが好ましい。これは，前記合成磁場Ｈｘｙを，閾値磁場Ｈｔｘｙよりも小さく，前記磁場Ｈｘを，閾値磁場Ｈｔｘよりも大きく，且つ，前記磁場Ｈｙを，閾値磁場Ｈｔｙよりも大きくすることを容易にする。第１書き込み電流（Ｉｘ）及び第２書き込み電流（Ｉｙ）を，条件：
Ｍｘｙ／Ｈｘｙ＜Ｍｘ／Ｈｘ，
Ｍｘｙ／Ｈｘｙ＜Ｍｙ／Ｈｙ，
を満足させるように選択することが容易になる。
【００３７】
前記第１方向（ｘ軸方向）と前記第３方向とがなす角は，実質的に，４５°であることが好適である。
【００３８】
また，前記合成磁場Ｈｘｙの方向は，前記第３方向と実質的に同一であることが好適である。前記第３方向は，積層フェリ構造体（３０，５５）の容易軸方向であるから，前記合成磁場Ｈｘｙの方向は，前記合成磁場Ｈｘｙの方向における閾値磁場Ｈｔｘｙは，最大になる。従って，前記合成磁場Ｈｘｙの方向を，前記第３方向と実質的に同一にすることにより，前記合成磁場Ｈｘｙが，前記合成磁場Ｈｘｙの方向における前記積層フェリ構造体（３０，５５）の閾値磁場Ｈｔｘｙより小さくすることが容易になる。更に，前記磁場Ｈｘと前記磁場Ｈｙとの方向は，積層フェリ構造体（３０，５５）の困難軸方向に一致するから，閾値磁場Ｈｔｘと閾値磁場Ｈｔｘとが実質的に０になる。従って，前記磁場Ｈｘ及び前記磁場Ｈｙが，それぞれ，閾値磁場Ｈｔｘ及び閾値磁場Ｈｔｘよりも大きくなることが保証される。ゆえに，第１書き込み電流（Ｉｘ）及び第２書き込み電流（Ｉｙ）を，条件：
Ｍｘｙ／Ｈｘｙ＜Ｍｘ／Ｈｘ，
Ｍｘｙ／Ｈｘｙ＜Ｍｙ／Ｈｙ，
を満足するように選択することが容易になる。
【００３９】
【発明の実施の形態】
以下，添付図面を参照しながら，本発明によるＭＲＡＭの実施の一形態を説明する。
【００４０】
（実施の第１形態）
実施の第１形態のＭＲＡＭは，図１に示されているように，メモリセル２が行列に配置されたメモリセルアレイ１を備えている。メモリセルアレイ１には，ｘ軸方向に延伸する書き込みワード線３と，書き込みワード線３に平行して設けられた読み出しワード線４と，ｙ軸方向に延伸するビット線５とが配設されている。ｘ軸方向とｙ軸方向とは，実質的に垂直である。本明細書において，ｘ軸方向は，ｘ軸の正の方向（＋ｘ方向）と，ｘ軸の負の方向（−ｘ方向）との両方を含み，ｙ軸方向は，ｙ軸の正の方向（＋ｙ方向）と，ｙ軸の負の方向（−ｙ方向）との両方を含む意味で使用されていることに留意されたい。メモリセル２は，書き込みワード線３とビット線５とが交差する交点にそれぞれ対応して設けられる。
【００４１】
メモリセル２は，ＭＯＳトランジスタ６と磁気抵抗素子（スピンバルブ）７とを含む。ＭＯＳトランジスタ６は，磁気抵抗素子７と接地端子１４との間に介設されている。ＭＯＳトランジスタ６は，読み出し動作時に，磁気抵抗素子７を接地端子１４に接続するために使用される。磁気抵抗素子７は，反転可能な自発磁化を有しており，その自発磁化の方向に応じてデータを保持する。磁気抵抗素子７は，ＭＯＳトランジスタ６とビット線５の間に介設されている。磁気抵抗素子７の構造の詳細は，後述される。
【００４２】
書き込みワード線３は，書き込みＸセレクタ８に接続されている。書き込みＸセレクタ８は，書き込み動作時に，書き込みワード線３のうちから選択書き込みワード線を選択する。書き込みＸセレクタ８は，Ｘ側電流源回路９に接続されている。Ｘ側電流源回路９は，書き込み電流Ｉｘを生成し，生成した書き込み電流Ｉｘを書き込みＸセレクタ８を介して選択書き込みワード線に供給する。
【００４３】
読み出しワード線４は，読み出しＸセレクタ１０に接続されている。読み出しＸセレクタ１０は，読み出し動作時に読み出しワード線４のうちから選択読み出しワード線を選択し，選択読み出しワード線を”Ｈｉｇｈ”電位にする。選択読み出しワード線に接続されているＭＯＳトランジスタ６は活性化され，活性化されたＭＯＳトランジスタ６は，磁気抵抗素子７を接地端子１４に接続する。磁気抵抗素子７が接地端子１４に電気的に接続されている状態で，ビット線５に電圧が印加されると，磁気抵抗素子７に検知電流が流れる。該検知電流から，磁気抵抗素子７の抵抗が検知され，該抵抗から，メモリセル２のデータが判別される。
【００４４】
ビット線５は，Ｙセレクタ１１に接続されている。Ｙセレクタ１１は，書き込み動作時，及び読み出し動作時に，複数のビット線５のうちから選択ビット線を選択する。Ｙセレクタ１１は，Ｙ側電流源回路１２とセンスアンプ１３とに接続されている。Ｙ側電流源回路１２は，書き込み電流Ｉｙを生成し，選択ビット線に書き込み電流Ｉｙを供給する。センスアンプ１３は，読み出し動作時に選択ビット線に接続され，磁気抵抗素子７を流れる電流からメモリセル２に記憶されているデータを判別する。
【００４５】
図２は，メモリセル２の構造を示す断面図である。ＭＯＳトランジスタ６は，半導体基板２１の表面部に形成される。ＭＯＳトランジスタ６のソース６ａは，コンタクト２２を介して，接地電位を有する接地線２３に接続されている。接地線２３は，既述の接地端子１４として使用される。ＭＯＳトランジスタ６のゲート６ｂは，既述の読み出しワード線４として使用される。ＭＯＳトランジスタ６のドレイン６ｃは，コンタクト２４を介して，ｙ軸方向に延伸する引き出し配線層２５に接続されている。磁気抵抗素子７は，引き出し配線層２５の上に形成される。
【００４６】
図３は，磁気抵抗素子７の構造を詳細に示す拡大断面図である。磁気抵抗素子７は，ピン層２６と絶縁バリア２７とフリー層２８とを含む。ピン層２６は，引き出し配線層２５の上に形成され，絶縁バリア層２７は，ピン層２６の上に形成され，フリー層２８は，絶縁バリア層２７の上に形成される。ピン層２６とフリー層２８とは，いずれも強磁性体で形成され，それぞれに自発磁化を有している。ピン層２６の自発磁化は，＋ｘ方向に固定されている。フリー層２８の自発磁化は，反転可能であり，＋ｘ方向と−ｘ方向との２つの方向を向くことができる。メモリセル２に記憶されるデータは，フリー層２８の自発磁化の方向として記憶される。ピン層２６とフリー層２８との間に介設される絶縁バリア２７は，絶縁体で形成される。絶縁バリア２７の膜厚は，膜厚方向（ｚ軸方向）にトンネル電流が流れる程度に薄い。
【００４７】
図６は，メモリセル２の上面図である。図６に示されているように，磁気抵抗素子７は，半導体基板２１に垂直な方向からみたとき，実質的に楕円形である。磁気抵抗素子７の長軸は，ｘ軸方向に平行である。このような構造は，磁気抵抗素子７に，ピン層２６及びフリー層２７の自発磁化の方向がｘ軸方向になるような異方性を与える。
【００４８】
図２に示されているように，磁気抵抗素子７は，コンタクト２９を介してビット線５に接続される。既述の通り，ビット線５は，ｙ軸方向に延伸するように設けられている。
【００４９】
ビット線５の上面側には，書き込みワード線３が形成されている。ビット線５と書き込みワード線３とは，層間絶縁膜によって分離される。既述の通り，書き込みワード線３は，ｘ軸方向に延伸するように設けられている。
【００５０】
書き込みワード線３の上には，積層フェリ構造体３０が形成されている。積層フェリ構造体３０は，メモリセル２に一対一に対応して設けられる。後述されるように，積層フェリ構造体３０のそれぞれは，それが対応するメモリセル２に含まれる磁気抵抗素子７に印加される磁場を強める作用をする。
【００５１】
図４は，積層フェリ構造体３０の構造を示している。積層フェリ構造体３０は，積層フェリ構造を有しており，図４（ａ）に示されているように，第１磁性層３１と，非磁性スペーサ層３２と，第２磁性層３３とを含む。第１磁性層３１と第２磁性層３３とは，いずれも，強磁性体で形成され，第１磁性層３１と第２磁性層３３との間に介設される非磁性スペーサ層３２は，非磁性体で形成される。
【００５２】
図６に示されているように，積層フェリ構造体３０は，半導体基板２１に垂直な方向からみたとき，実質的に円形であり，積層フェリ構造体３０は，ｘ−ｙ平面内において等方的な形状を有している。このような構造は，積層フェリ構造体３０の磁場−磁化特性をｘ−ｙ平面内において等方的にする。
【００５３】
図４（ａ）を参照して，積層フェリ構造体３０の非磁性スペーサ層３２の膜厚ｔは，第１磁性層３１と第２磁性層３３とが反強磁性的に結合するように定められる。従って，積層フェリ構造体３０に磁場が印加されてない状態では，図４（ｃ）に示されているように，第１磁性層３１と第３磁性層３３とは，互いに逆の方向の自発分極を有しており，この状態では，積層フェリ構造体３０全体の磁化は実質的に０である。即ち，積層フェリ構造体３０に磁場が印加されてない状態において，積層フェリ構造体３０は，実質的に，磁気モーメントを有しない。
【００５４】
第１磁性層３１と第２磁性層３３とが反強磁性的に結合し，積層フェリ構造体３０が全体として磁気モーメントを有しないことは，磁気抵抗素子７のオフセット磁場を小さくする点で好ましい。積層フェリ構造体３０が全体として磁気モーメントを有する場合，磁気モーメントが発生する磁場が磁気抵抗素子７に印加される。従って，選択書き込みワード線及び選択ビット線に書き込み電流Ｉｘ，Ｉｙが印加されていない状態でも，磁気抵抗素子７には，該磁気モーメントが発生する磁場が印加される。この磁場は，磁気抵抗素子７のフリー層２８の自発磁化が反転される反転磁場（抗磁力）を非対称化し，磁気抵抗素子７がオフセット磁場を有する原因となる。磁気抵抗素子７におけるオフセット磁場の存在は，書き込み電流Ｉｘ及びＩｙを増大し，メモリセル２の動作余裕を減少させる点で好ましくない。積層フェリ構造体３０が磁気モーメントを有しないことは，磁気抵抗素子７におけるオフセット磁場の発生を効果的に防止する。
【００５５】
図５は，第１磁性層３１と第２磁性層３３との間の結合係数を示すグラフである。結合係数は，第１磁性層３１と第２磁性層３３とが反強磁性的に結合する場合に正であるように定義されている。非磁性スペーサ層３２の膜厚ｔが０に極めて近い場合，第１磁性層３１と第２磁性層３３との間の結合係数は，負であり，第１磁性層３１と第２磁性層３３とが強磁性的に結合する強磁性領域にある。膜厚ｔが０から増加すると，ある膜厚で結合係数は正になり，第１磁性層３１と第２磁性層３３とは，反強磁性的に結合するようになる。更に，結合係数は，ある膜厚で極大値をとる。更に膜厚が増加されると，結合係数は，減衰しながら振動する。非磁性スペーサ層３２の膜厚ｔは，第１磁性層３１と第２磁性層３３との間の結合係数が正であるように定められる。非磁性スペーサ層３２の膜厚ｔのバラツキに対して，第１磁性層３１と第２磁性層３３との間の反強磁性的な結合が安定であるように，非磁性スペーサ層３２の膜厚ｔは，実質的に，結合係数が極大となるように膜厚を定めることが好適である。
【００５６】
図４（ｂ）は，好適な積層フェリ構造体３０の構造を示している。好適な積層フェリ構造体３０では，第１磁性層３１は，ＮｉＦｅ層３１ａとＣｏＦｅ層３１ｂとを含み，第２磁性層３３は，ＣｏＦｅ層３３ａとＮｉＦｅ層３３ｂとを含む。非磁性スペーサ層３２は，Ｒｕ層で形成される。ＮｉＦｅ層３１ａの上には，ＣｏＦｅ層３１ｂが形成され，ＣｏＦｅ層３１ｂの上には，Ｒｕ層３２が形成される。Ｒｕ層３２の上には，ＣｏＦｅ層３３ａが形成され，ＣｏＦｅ層３３ａの上には，ＮｉＦｅ層３３ｂが形成される。
【００５７】
このような積層フェリ構造体３０の構造は，積層フェリ構造体３０の特性の調節が容易であり，従って設計が容易という利点を有している。積層フェリ構造体３０の磁化の大きさは，ＮｉＦｅ層３１ａとＮｉＦｅ層３３ｂとの厚さによって独立的に決定できる。更に，第１磁性層３１と第２磁性層３３との間の結合定数はＲｕ層３２の厚さによって独立に決定できる。このように，積層フェリ構造体３０は，その特性を，ＮｉＦｅ層３１ａ，ＮｉＦｅ層３３ｂ及びＲｕ層３２の厚さによって自在に決定できる。
【００５８】
図７は，このような構造を有する積層フェリ構造体３０の磁場−磁化特性を示す。図７（ｂ）は，積層フェリ構造体３０の理想的な磁場−磁化特性を示す。積層フェリ構造体３０の磁場−磁化特性は，閾値磁場Ｈｔより外部磁場が大きい領域と，小さい領域とで，その振る舞いが異なる。閾値磁場Ｈｔとは，第１磁性層３１と第２磁性層３３との間の反強磁性的な結合が実質的に完全に崩れる磁場である。
【００５９】
積層フェリ構造体３０の全体の磁化Ｍは，理想的には，外部磁場Ｈが閾値磁場Ｈｔ未満であるとき極めて小さい。磁化Ｍは，閾値磁場Ｈｔにおいて不連続的に増加し，外部磁場Ｈが閾値磁場Ｈｔを超える領域では，磁化Ｍは外部磁場Ｈに対して線形的に増加する。積層フェリ構造体３０が，かかる磁場−磁化特性を示すのは，閾値磁場Ｈｔ未満では，第１磁性層３１と第２磁性層３３との間の反強磁性的な結合によって磁化Ｍが小さい一方，外部磁場Ｈが閾値磁場Ｈｔを超えると第１磁性層３１と第２磁性層３３との間の反強磁性結合が強磁性的結合に変化し，積層フェリ構造体３０に外部磁場にほぼ比例した磁化Ｍが発生するためである。
【００６０】
しかし，現実には，積層フェリ構造体３０は，しばしば，図７（ａ）に示されているような特性を示す。即ち，積層フェリ構造体３０は，外部磁場Ｈが閾値磁場Ｈｔ未満の領域において，磁場Ｈに対して磁化Ｍが非線形的に増加する，下に凸の磁場−磁化特性を示し，外部磁場Ｈが閾値磁場Ｈｔを超える領域では，積層フェリ構造体３０の磁化Ｍは，磁場Ｈに対して線形的に増加する磁場−磁化特性を示す。特に，図６に示されているような等方的な形状を有する積層フェリ構造体３０は，内部に小さな磁区を有しているため，この磁区が発生する磁化により，閾値磁場Ｈｔ未満の領域において図７（ａ）に示すような非線形的な特性を示す傾向が強い。
【００６１】
図７（ａ），図７（ｂ）のいずれの場合であっても，閾値磁場Ｈｔを境界として，積層フェリ構造体３０の磁場−磁化特性は，その振る舞いが変わる。後述されるように，このような積層フェリ構造体３０の磁場−磁化特性は，メモリセル２の選択性の向上において重要な役割を果たす。
【００６２】
閾値磁場Ｈｔの調節は，第１磁性層３１と第２磁性層３３との間の結合係数を調節することにより調節可能である。以下では，磁場の大きさが閾値磁場Ｈｔ未満である領域を非線形磁化領域と呼び，磁場の大きさが閾値磁場Ｈｔを超える領域を線形磁化領域と呼ぶ。非線型磁化領域の任意の磁場ＨＮＬと，線形磁化領域の任意の磁場ＨＬとを積層フェリ構造体３０にそれぞれ印加したときに，積層フェリ構造体３０に誘起される磁化ＭＮＬと磁化ＭＬとは，下記関係を満足する：
ＭＬ／ＨＬ＞ＭＮＬ／ＨＮＬ．          …（１）
式（１）は，線形磁化領域における実効的な磁化率χＬ（＝ＭＬ／ＨＬ）が，非線形磁化領域における実効的な磁化率χＮＬ（＝ＭＮＬ／ＨＮＬ）よりも大きいことを意味している。
【００６３】
実施の第１形態のＭＲＡＭでは，上述の特性を有する積層フェリ構造体３０の作用により，書き込み先である選択セルの磁気抵抗素子７に印加される磁場が選択的に大きく増加され，これにより選択セルの選択性が向上されている。以下，その詳細が説明される。
【００６４】
図１を参照して，実施の第１形態のＭＲＡＭの書き込み動作は，選択セルの選択で開始される。書き込みＸセレクタ８により，書き込みワード線３のうちから選択書き込みワード線が選択され，Ｙセレクタ１１により，ビット線５のうちから選択ビット線が選択される。メモリセル２のうち，選択書き込みワード線と選択ビット線との両方が交差するメモリセルが，選択セルとして選択される。以下では，メモリセル２のうち，選択ビット線は交差するが，選択書き込みワード線は交差しない非選択セルは，ビット線選択ワード線非選択セルと記載され，選択書き込みワード線は交差するが，選択ビット線は交差しない非選択セルは，ワード線選択ビット線非選択セルと記載される。
【００６５】
選択書き込みワード線と選択ビット線の選択の後，選択書き込みワード線には，Ｘ側電流源回路９によって書き込み電流Ｉｘが＋ｘ方向に流れ，選択ビット線には，Ｙ側電流源回路１２によって，書き込み電流Ｉｙが＋ｙ方向，又は−ｙ方向に流れる。書き込み電流Ｉｙの向きは，選択セルに書き込まれるデータに応じて定められる。流れる
【００６６】
図２を参照して，＋ｘ方向に流れる書き込み電流Ｉｘにより，ワード線選択ビット線非選択セルの磁気抵抗素子７には，＋ｙ方向の磁場Ｈ１ｙが印加される。更に，＋ｙ方向（又は−ｙ方向）に流れる書き込み電流Ｉｙにより，ビット線選択ワード線非選択セルの磁気抵抗素子７には，−ｘ方向（又は＋ｘ方向）の磁場Ｈ１ｘが印加される。更に，選択セルの磁気抵抗素子７には，上述の磁場Ｈ１ｘと磁場Ｈ１ｙとの合成磁場Ｈ１ｘｙが印加される。
【００６７】
書き込みワード線３とビット線５とが，積層フェリ構造体３０と磁気抵抗素子７との間に位置する場合，上述の積層フェリ構造体３０は，書き込み電流Ｉｘ及び書き込み電流Ｉｙが流されたときにワード線選択ビット線非選択セル，ビット線選択ワード線非選択セル，及び選択セルの磁気抵抗素子７に印加される磁場を強める作用を有する。例えば，図９を参照して，ワード線選択ビット線非選択セルについて考察する。
【００６８】
選択書き込みワード線に＋ｘ方向に流れる書き込み電流Ｉｘは，図９に示されているように，ワード線選択ビット線非選択セルの磁気抵抗素子７に，＋ｙ方向の磁場Ｈ１ｙを印加する。更に，書き込み電流Ｉｘは，ワード線選択ビット線非選択セルに対応して設けられた積層フェリ構造体３０に−ｙ方向の磁場Ｈ２ｙを印加する。磁場Ｈ２ｙの印加により，積層フェリ構造体３０には，−ｙ方向に磁場Ｍｙが誘起される。積層フェリ構造体３０に誘起される磁化Ｍｙは，ワード線選択ビット線非選択セルの磁気抵抗素子７に磁場Ｈ３ｙを印加する。選択書き込みワード線が磁気抵抗素子７と積層フェリ構造体３０との間に位置する場合，磁場Ｈ３ｙは磁場Ｈ１ｙと同じく＋ｙ方向である。従って，積層フェリ構造体３０は，選択書き込みワード線に書き込み電流Ｉｘが流されたときに，ワード線選択ビット線非選択セルの磁気抵抗素子７に印加される磁場を強める作用がある。
【００６９】
同様の考察により，ビット線選択ワード線非選択セル，及び選択セルにそれぞれ対応して設けられる積層フェリ構造体３０は，該ビット線選択ワード線非選択セル，及び該選択セルの磁気抵抗素子７に印加される磁場を強める作用があることは明らかである。
【００７０】
このように，積層フェリ構造体３０は，磁気抵抗素子７に印加される磁場を強化する作用を有するが，実施の第１形態のＭＲＡＭでは，上述された積層フェリ構造体３０の磁場−磁化特性を利用して，選択セルに含まれる磁気抵抗素子７に印加される磁場が，選択的に顕著に強められる。このような動作は，選択セルの選択性を効果的に高める。以下では，積層フェリ構造体３０の磁場−磁化特性を利用した，選択セルの選択性の向上の詳細が説明される。
【００７１】
以下の説明において，図８（ａ）に示されているように，選択書き込みワード線及び選択ビット線にそれぞれ流れる書き込み電流Ｉｘ，Ｉｙにより，選択セルに対応する積層フェリ構造体３０に印加される磁場をＨ２ｘｙとする。更に，図８（ｂ）に示されているように，選択ビット線に流れる書き込み電流Ｉｙにより，ビット線選択ワード線非選択セルに対応する積層フェリ構造体３０に印加される磁場をＨ２ｘとする。更に，図８（ｃ）に示されているように，選択書き込みワード線に流れる書き込み電流Ｉｘにより，ワード線選択ビット線非選択セルに対応する積層フェリ構造体３０に印加される磁場をＨ２ｙとする。磁場Ｈ２ｘｙは，磁場Ｈ２ｘと磁場Ｈ２ｙとの合成磁場である。
【００７２】
選択セルの選択性の向上は，書き込み電流Ｉｘ，Ｉｙ，及び閾値磁場Ｈｔを，図８に示されているように，以下の条件：
Ｈ２ｘｙ＞Ｈｔ，
Ｈ２ｘ＜Ｈｔ，          …（２）
Ｈ２ｙ＜Ｈｔ，
を満足するように選択することによって達成されている。即ち，書き込み電流Ｉｘ，Ｉｙは，選択セルに対応する積層フェリ構造体３０に印加される合成磁場Ｈ２ｘｙが線形磁化領域にあり，ビット線選択ワード線非選択セル及びワード線選択ビット線非選択セルにそれぞれ対応する積層フェリ構造体３０に印加される磁場Ｈ２ｘ，及び磁場Ｈ２ｙが非線型領域にあるように選択される。
【００７３】
磁場Ｈ２ｘｙが線形磁化領域にあり，且つ，磁場Ｈ２ｘ，及び磁場Ｈ２ｙが非線型領域にあるから，式（１）を参照して，
Ｍｘｙ／Ｈ２ｘｙ＞Ｍｘ／Ｈ２ｘ，
Ｍｘｙ／Ｈ２ｘｙ＞Ｍｙ／Ｈ２ｙ．          …（３）
ここで，Ｍｘｙは，磁場Ｈ２ｘｙを印加したときに選択セルに対応する積層フェリ構造体３０に誘起される磁化であり，Ｍｘは，磁場Ｈ２ｘ  ビット線選択ワード線非選択セルに対応する積層フェリ構造体３０に誘起される磁化であり，Ｍｙは，磁場Ｈ２ｙワード線選択ビット線非選択セルに対応する積層フェリ構造体３０に誘起される磁化である。
【００７４】
式（３）は，選択セルに対応する積層フェリ構造体３０の実効的な磁化率χｘｙ（＝Ｍｘｙ／Ｈ２ｘｙ）が，ビット線選択ワード線非選択セル及びワード線選択ビット線非選択セルに対応する積層フェリ構造体３０の実効的な磁化率χｘ（＝Ｍｘ／Ｈ２ｘ），χｙ（＝Ｍｙ／Ｈ２ｙ）と異なり，大きいことを意味している。
【００７５】
積層フェリ構造体３０が磁気抵抗素子７に印加する磁場は，積層フェリ構造体３０に誘起される磁化の大きさに比例するから，式（３）から，下記式：
Ｈ３ｘｙ／Ｈ２ｘｙ＞Ｈ３ｘ／Ｈ２ｘ，
Ｈ３ｘｙ／Ｈ２ｘｙ＞Ｈ３ｙ／Ｈ２ｙ，        …（４）
即ち，
Ｈ３ｘｙ／Ｈ３ｘ＞Ｈ２ｘｙ／Ｈ２ｘ，
Ｈ３ｘｙ／Ｈ３ｙ＞Ｈ２ｘｙ／Ｈ２ｙ．        …（４）’
が得られる。ここで，Ｈ３ｘｙは，選択セルに対応する積層フェリ構造体３０が，選択セルの磁気抵抗素子７に印加する磁場であり，Ｈ３ｘは，ビット線選択ワード線非選択セルに対応する積層フェリ構造体３０が該ビット線選択ワード線非選択セルの磁気抵抗素子７に印加する磁場であり，Ｈ３ｙは，ワード線選択ビット線非選択セルに対応する積層フェリ構造体３０が該ワード線選択ビット線非選択セルの磁気抵抗素子７に印加する磁場である。
【００７６】
式（４）’は，選択セルに含まれる磁気抵抗素子７に印加される磁場は，ワード線選択ビット線非選択セル及び該ビット線選択ワード線非選択セルに含まれる磁気抵抗素子７に比べて，顕著に強化されることを意味している。例えば，磁場Ｈ２ｘと磁場Ｈ２ｙとの大きさが等しく，従って，磁場Ｈ３ｘと磁場Ｈ３ｙとが等しい場合を考える。磁場Ｈ２ｘと磁場Ｈ２ｙとの合成磁場である磁場Ｈ２ｘｙは，磁場Ｈ２ｘ（Ｈ２ｙ）の√２倍である。一方，式（４）’から，
Ｈ３ｘｙ＞√２Ｈ３ｘ（√２Ｈ３ｙ），          …（５）
である。即ち，選択セルに対応する積層フェリ構造体３０が，選択セルの磁気抵抗素子７に印加する磁場Ｈ３ｘｙは，ワード線選択ビット線非選択セル（及びビット線選択ワード線非選択セル）に対応する積層フェリ構造体３０が，ワード線選択ビット線非選択セルに含まれる磁気抵抗素子７に印加する磁場Ｈ３ｘの√２倍よりも大きい。
【００７７】
式（５）は，選択セルに含まれる磁気抵抗素子７に印加される磁場は，ワード線選択ビット線非選択セル及びビット線選択ワード線非選択セルに含まれる磁気抵抗素子７に印加される磁場に比較して，顕著に強化されることを意味している（図１０参照）。選択セルに含まれる磁気抵抗素子７に印加される磁場が選択的に顕著に強化されることにより，選択セルの選択性が向上されている。
【００７８】
このように実施の第１形態では，選択セルに含まれる磁気抵抗素子７に印加される磁場は，ワード線選択ビット線非選択セル及びビット線選択ワード線非選択セルに含まれる磁気抵抗素子７と比較して，選択的に顕著に強化される。選択セルに含まれる磁気抵抗素子７に印加される磁場が，選択的に強化されることにより，選択セルの選択性が効果的に向上されている。
【００７９】
本実施の形態において，積層フェリ構造体３０の代わりに，反強磁性体膜で形成された磁性体構造体をメモリセル２のそれぞれに対応して設けることによっても，理論的には同様の効果が得られるはずである。但し，現実的には，反強磁性体の閾値磁場Ｈｔが極めて大きいため，選択セルに対応する磁性体構造体に印加される合成磁場Ｈ２ｘｙを，閾値磁場Ｈｔよりも大きくすることは困難である。積層フェリ構造体３０の使用は，上述の作用による選択セルの選択性の向上を現実に可能にする点で好ましい。
【００８０】
（実施の第２形態）
図１１は，本発明によるＭＲＡＭの実施の第２形態を示す。実施の第２形態のＭＲＡＭは，メモリセルにトランジスタが含まれない，所謂，クロスポイントセルアレイを含む構成を有する。
【００８１】
実施の第２形態のＭＲＡＭは，メモリセル４２が行列に配置されたクロスポイントセルアレイ４１を備えている。クロスポイントセルアレイ４１には，ｘ軸方向に延伸するワード線４３と，ｙ軸方向に延伸するビット線４４とが配設されている。メモリセル２は，ワード線４３とビット線４４とが交差する交点にそれぞれ対応して設けられる。
【００８２】
メモリセル４２は，磁気抵抗素子４５を含む。磁気抵抗素子４５は，反転可能な自発磁化を有しており，その自発磁化の方向に応じてデータを保持する。磁気抵抗素子４５のそれぞれは，一のワード線４３とビット線４４の間に介設されている。
【００８３】
ワード線４３は，Ｘセレクタ４６に接続されている。Ｘセレクタ４６は，書き込み動作時，及び読み出し動作時に，ワード線４３のうちから選択ワード線を選択する。Ｘセレクタ４６は，Ｘ側電流源回路４７に接続されている。Ｘ側電流源回路４７は，書き込み電流Ｉｘを生成して，選択書き込みワード線に供給する。
【００８４】
ビット線４４は，Ｙセレクタ４８に接続されている。Ｙセレクタ４８は，書き込み動作時，及び読み出し動作時に，複数のビット線４４のうちから選択ビット線を選択する。Ｙセレクタ４８は，Ｙ側電流源回路４９とセンスアンプ５０とに接続されている。Ｙ側電流源回路４９は，書き込み電流Ｉｙを生成し，生成した書き込み電流Ｉｙを選択ビット線に供給する。センスアンプ５０は，読み出し動作時に選択ビット線に接続され，磁気抵抗素子４５を流れる電流からメモリセル４２に記憶されているデータを判別する。
【００８５】
図１２は，メモリセル４２の構造を示す断面図である。基板５１の上に，層間絶縁膜５２が形成される。層間絶縁膜５２の上には，ビット線４４が形成される。既述の通り，ビット線４４は，ｙ軸方向に延伸する。ビット線４４は，コンタクト５３を介して，各メモリセル４２の磁気抵抗素子４５に接続される。
【００８６】
磁気抵抗素子４５は，図３に示されている磁気抵抗素子７と同一の断面構造を有している。即ち，磁気抵抗素子４５は，＋ｘ方向に固定された自発磁化を有するピン層２６と，＋ｘ方向及び−ｘ方向に反転可能な自発磁化を有するフリー層２７と，ピン層２７とフリー層２７との間に介設されている絶縁バリア２８を備えている。
【００８７】
図１３に示されているように，磁気抵抗素子４５は，基板５１に垂直な方向からみたとき，実質的に楕円形である。磁気抵抗素子４５の長軸は，ｘ軸方向に平行である。このような構造は，磁気抵抗素子４５に，ピン層２６及びフリー層２７の自発磁化の方向がｘ軸方向になるような異方性を与える。
【００８８】
図１２に示されているように，磁気抵抗素子４５は，コンタクト５４を介して，積層フェリ構造体５５に接続されている。積層フェリ構造体５５は，コンタクト５６を介して，ワード線４３に接続されている。既述の通り，ワード線４３は，ｘ軸方向に延設されている。
【００８９】
積層フェリ構造体５５は，図４（ａ），（ｂ）に示されている積層フェリ構造体３０と同一の断面構造を有している。積層フェリ構造体５５は，第１磁性層３１と，第２磁性層３３と，第１磁性層３１と第２磁性層３３との間に介設されている非磁性スペーサ層３２とを含む。非磁性スペーサ層３２の膜厚は，第１磁性層３１と第２磁性層３３とが反強磁性的に結合するように選択される。
【００９０】
但し，図１３に示されているように，積層フェリ構造体５５の平面構造は，積層フェリ構造体３０の平面構造と異なる。積層フェリ構造体５５は，基板５１に垂直な方向からみたとき，実質的に楕円形であり，積層フェリ構造体５５の長軸は，ｘ軸方向に平行である。
【００９１】
積層フェリ構造体５５の形状の異方性は，積層フェリ構造体５５の磁場−磁化特性に異方性を与える。積層フェリ構造体５５の形状の異方性は，積層フェリ構造体５５の第１磁性層３１と第２磁性層３３とがそれぞれに有する自発磁化の方向をｘ軸方向に向きやすくし，ｙ軸方向には向きにくくする。但し，第１磁性層３１と第２磁性層３３とは，反強磁性的に結合されているため，第１磁性層３１と第２磁性層３３との自発磁化は，互いに反平行（anti-parallel）である。自発磁化が向きやすい方向は，容易軸方向と呼ばれ，自発磁化が向きにくい方向は，困難軸方向と呼ばれる。実施の第２形態では，容易軸方向は，ｘ軸方向であり，困難軸方向は，ｙ軸方向である。
【００９２】
図１４（ａ）〜（ｃ）は，積層フェリ構造体５５の磁場−磁化特性を示す。図１４（ａ）に示されているように，困難軸方向（ｙ軸方向）に外部磁場Ｈｈａｒｄが印加される場合，積層フェリ構造体５５は，外部磁場Ｈｈａｒｄに対して線形的な磁場−磁化特性を示す。
【００９３】
一方，図１４（ｂ）に示されているように，容易軸方向（ｘ軸方向）に外部磁場Ｈｅａｓｙが印加される場合，積層フェリ構造体５５は，外部磁場Ｈｅａｓｙが閾値磁場Ｈｔを超えるか否かに応じて，異なる振る舞いを示す。外部磁場Ｈｅａｓｙが閾値磁場Ｈｔ未満である場合，積層フェリ構造体５５の内部の反強磁性的な結合が壊れないために磁化が誘起されにくく，積層フェリ構造体５５の磁場は実質的に０になる。一方，閾値磁場Ｈｔにおいて積層フェリ構造体５５の磁化は不連続的に増加し，外部磁場Ｈｅａｓｙが閾値磁場Ｈｔを超えている領域では，積層フェリ構造体５５の磁化は，外部磁場Ｈｅａｓｙに対して線形的に増加する。
【００９４】
図１４（ｂ）は，積層フェリ構造体５５の理想的な特性を示している。しかし，積層フェリ構造体５５の異方性を高くすることにより，このような理想的な特性に近い特性を積層フェリ構造体５５に与えることが可能である。
【００９５】
困難軸方向と容易軸方向との間の方向（中間方向）に，外部磁場Ｈｍｉｄが印加される場合，図１４（ｃ）に示されているように，積層フェリ構造体５５は，図１４（ａ）と図１４（ｂ）とに示されている磁場−磁化特性とが折衷された磁場−磁化特性を示す。中間方向に閾値磁場Ｈｔより小さい外部磁場Ｈｍｉｄが印加される場合，積層フェリ構造体５５は，微少に，且つ，外部磁場Ｈｍｉｄに対して線形的に磁化が誘起される。閾値磁場Ｈｔｍｉｄにおいて，積層フェリ構造体５５の磁化は，不連続的に増大し，外部磁場Ｈｍｉｄが閾値磁場Ｈｔｍｉｄを超えている領域では，積層フェリ構造体５５の磁化は，外部磁場Ｈｍｉｄに対して線形的に増加する。閾値磁場Ｈｔｍｉｄを超えている領域における積層フェリ構造体５５の磁化の増加率は，閾値磁場Ｈｔｍｉｄ未満の領域における積層フェリ構造体５５の磁化の増加率よりも大きい。
【００９６】
中間方向の磁場−磁化特性の閾値磁場Ｈｔは，容易軸方向の磁場−磁化特性の閾値磁場Ｈｔよりも小さくなる。中間方向の磁場−磁化特性の閾値磁場Ｈｔは，外部磁場の方向が，容易軸方向から離れるほど小さくなる。従って，外部磁場Ｈｍｉｄに対する閾値磁場Ｈｔの軌跡（Ｈｔ曲線）は，図１６（ａ）〜（ｃ）に示されているような形状になる。
【００９７】
実施の第１形態と同様に，磁場が閾値磁場Ｈｔよりも大きい領域が，線形磁化領域と定義され，磁場が閾値磁場Ｈｔよりも小さい領域が，非線形磁化領域と定義される。但し，困難軸方向に磁場が印加される場合には，磁場の大きさに関わらず磁化が磁場に対して線形的に増加するから，困難軸方向についての閾値磁場Ｈｔは，０であるとされる。即ち，困難軸方向については，任意の大きさの磁場が線形磁化領域にある。
【００９８】
実施の第２形態では，上述の特性を有する積層フェリ構造体５５の作用により，選択セルの選択性が向上されている。以下，その詳細が説明される。
【００９９】
図１１を参照して，実施の第２形態のＭＲＡＭの書き込み動作は，選択セルの選択で開始される。Ｘセレクタ４６により，ワード線４３のうちから選択ワード線が選択され，Ｙセレクタ４８により，ビット線４４のうちから選択ビット線が選択される。メモリセル４２のうち，選択ワード線と選択ビット線との両方が交差するメモリセルが，選択セルとして選択される。実施の第１形態と同様に，メモリセル４２のうち，選択ビット線は交差するが，選択ワード線は交差しない非選択セルは，ビット線選択ワード線非選択セルと記載され，選択ワード線は交差するが，選択ビット線は交差しない非選択セルは，ワード線選択ビット線非選択セルと記載される。
【０１００】
選択ワード線と選択ビット線の選択の後，選択ワード線には，Ｘ側電流源回路４７によって書き込み電流Ｉｘが＋ｘ方向に流され，選択ビット線には，Ｙ側電流源回路４９によって書き込み電流Ｉｙが＋ｙ方向，又は−ｙ方向に流される。書き込み電流Ｉｙの向きは，選択セルに書き込まれるデータに応じて定められる。
【０１０１】
図１２を参照して，＋ｘ方向に流れる書き込み電流Ｉｘにより，ワード線選択ビット線非選択セルの磁気抵抗素子４５には，＋ｙ方向の磁場Ｈ１ｙが印加される。更に，＋ｙ方向（又は−ｙ方向）に流れる書き込み電流Ｉｙにより，ビット線選択ワード線非選択セルの磁気抵抗素子４５には，−ｘ方向（又は＋ｘ方向）の磁場Ｈ１ｘが印加される。更に，選択セルの磁気抵抗素子４５には，上述の磁場Ｈ１ｘと磁場Ｈ１ｙとの合成磁場Ｈ１ｘｙが印加される。
【０１０２】
磁気抵抗素子４５と積層フェリ構造体５５とが，ワード線４３とビット線４４との間に位置するため，積層フェリ構造体５５は，書き込み電流Ｉｘ及び書き込み電Ｉｙが流されたときにワード線選択ビット線非選択セル，ビット線選択ワード線非選択セル，及び選択セルの磁気抵抗素子４５に印加される磁場を弱める作用を有する。例えば，図１５を参照して，ワード線選択ビット線非選択セルについて考察する。
【０１０３】
選択ワード線に＋ｘ方向に流れる書き込み電流Ｉｘは，図１５に示されているように，ワード線選択ビット線非選択セルの磁気抵抗素子４５に，＋ｙ方向の磁場Ｈ１ｙを印加する。更に，書き込み電流Ｉｘは，ワード線選択ビット線非選択セルに対応して設けられた積層フェリ構造体５５に＋ｙ方向の磁場Ｈ２ｙを印加する。磁場Ｈ２ｙの印加により，積層フェリ構造体５５には，＋ｙ方向に磁場Ｍｙが誘起される。積層フェリ構造体５５に誘起される磁化Ｍｙは，ワード線選択ビット線非選択セルの磁気抵抗素子４５に磁場Ｈ３ｙを印加する。磁気抵抗素子４５と積層フェリ構造体５５とが，選択ワード線の同一の側に位置する場合，磁場Ｈ３ｙは磁場Ｈ１ｙと反対の−ｙ方向である。従って，積層フェリ構造体５５は，選択ワード線に書き込み電流Ｉｘが流されたときに，ワード線選択ビット線非選択セルの磁気抵抗素子４５に印加される磁場を弱める作用がある。
【０１０４】
同様の考察により，ビット線選択ワード線非選択セル，及び選択セルにそれぞれ対応して設けられる積層フェリ構造体５５が，該ビット線選択ワード線非選択セル，及び該選択セルの磁気抵抗素子４５に印加される磁場を弱める作用を有することが理解される。
【０１０５】
実施の第２形態のＭＲＡＭでは，上述された積層フェリ構造体５５の磁場−磁化特性を利用して，ワード線選択ビット線非選択セルに含まれる磁気抵抗素子４５に印加される磁場が，選択セルに含まれる磁気抵抗素子４５に印加される磁場と比較して，顕著に弱められる。このような動作は，ワード線選択ビット線非選択セルに対する選択セルの選択性を効果的に高める。以下では，積層フェリ構造体５５の磁場−磁化特性を利用した，選択セルの選択性の向上の詳細が説明される。
【０１０６】
図１４（ａ）〜（ｃ）を参照して，実施の第２形態では，選択セルに対応する積層フェリ構造体５５と，ワード線選択ビット線非選択セルに対応する積層フェリ構造体５５と，ビット線選択ワード線非選択セルに対応する積層フェリ構造体５５とは，互いに異なる磁場−磁化特性を有している。
【０１０７】
選択セルに対応する積層フェリ構造体５５には，選択ビット線に流れる書き込み電流Ｉｙによって生成されるｘ軸方向（容易軸方向）の磁場Ｈ２ｘと，選択ワード線に流れる書き込み電流Ｉｘによって生成されるｙ軸方向（困難軸方向）の磁場Ｈ２ｙとの合成磁場Ｈ２ｘｙが印加される。従って，選択セルに対応する積層フェリ構造体５５には，中間方向に磁場が印加されることになる。ゆえに，選択セルに対応する積層フェリ構造体５５は，図１４（ｃ）に示された磁場−磁化特性を有する。
【０１０８】
一方，ワード線選択ビット線非選択セルに対応する積層フェリ構造体５５には，ｙ軸方向（困難軸方向）の磁場Ｈ２ｙのみが印加されるから，ワード線選択ビット線非選択セルに対応する積層フェリ構造体５５は，図１４（ａ）に示された磁場−磁化特性を有する。
【０１０９】
更に，ビット線選択ワード線非選択セルに対応する積層フェリ構造体５５には，ｘ軸方向（容易軸方向）の磁場Ｈ２ｘのみが印加されるから，ビット線選択ワード線非選択セルに対応する積層フェリ構造体５５は，図１４（ｂ）に示された磁場−磁化特性を有する。
【０１１０】
かかる特性を積層フェリ構造体５５が有する場合，書き込み電流Ｉｘ，Ｉｙの大きさを，下記条件を満足するように定めることにより，ワード線選択ビット線非選択セルに対応する積層フェリ構造体５５のみに大きな磁化を誘起させることが可能である。
Ｈ２ｘ＜Ｈｔｅａｓｙ，              …（６−１）
Ｈ２ｘｙ＜Ｈｔｍｉｄ．              …（６−２）
ここで，Ｈｔｅａｓｙは，容易軸方向についての閾値であり，Ｈｔｍｉｄは，合成磁場Ｈ２ｘｙの方向（中間方向）についての閾値である。
【０１１１】
ワード線選択ビット線非選択セルに対応する積層フェリ構造体５５には，困難軸方向（ｙ軸方向）に磁場Ｈ２ｙが印加される。即ち，図１６（ｂ）に示されているように，磁場Ｈ２ｙは，線形磁化領域にある。従って，図１４（ａ）から理解されるように，ワード線選択ビット線非選択セルに対応する積層フェリ構造体５５には，磁場Ｈ２ｙに対して線形的に増加する磁化Ｍｙが誘起される。
【０１１２】
一方，式（６−１）に示されているように，ビット線選択ワード線非選択セルに対応する積層フェリ構造体５５には，閾値磁場Ｈｔｅａｓｙより小さい磁場Ｈ２ｘが容易軸方向（ｘ軸方向）に印加される。即ち，図１６（ｃ）に示されているように，磁場Ｈ２ｘは，非線形磁化領域にある。従って，図１４（ｂ）から理解されるように，選択セルに対応する積層フェリ構造体５５に誘起される磁化Ｍｘは，極めて小さい。
【０１１３】
更に，式（６−２）に示されているように，選択セルに対応する積層フェリ構造体５５には，閾値磁場Ｈｔｍｉｄより小さい磁場Ｈ２ｘｙが中間方向に印加される。即ち，図１６（ａ）に示されているように，磁場Ｈ２ｘｙは，非線形磁化領域にある。従って，選択セルに対応する積層フェリ構造体５５に誘起される磁化Ｍｘｙは，極めて小さい。
【０１１４】
以上の考察から，式（６−１），（６−２）を満足することにより，下記式：
Ｍｙ／Ｈ２ｙ≫Ｍｘ／Ｈ２ｘ（≒０），
Ｍｙ／Ｈ２ｙ≫Ｍｘｙ／Ｈ２ｘｙ（≒０），      …（７）
が成立することが理解される。式（７）は，ワード線選択ビット線非選択セルに対応する積層フェリ構造体５５の実効的な磁化率χｙ（＝Ｍｙ／Ｈ２ｙ）が，選択セル及びビット線選択ワード線非選択セルに対応する積層フェリ構造体５５の実効的な磁化率χｘｙ（＝Ｍｘｙ／Ｈ２ｘｙ），χｘ（＝Ｍｘ／Ｈ２ｘ）より，顕著に大きいことを意味している。
【０１１５】
積層フェリ構造体５５が磁気抵抗素子４５に印加する磁場は，積層フェリ構造体５５に誘起される磁化の大きさに比例するから，式（７）は，ワード線選択ビット線非選択セルに対応する積層フェリ構造体５５は，選択セル及びビット線選択ワード線非選択セルに対応する積層フェリ構造体５５よりも顕著に大きな磁場を磁気抵抗素子４５に印加することを意味している。
【０１１６】
既述のように，積層フェリ構造体５５により磁気抵抗素子４５に印加される磁場は，書き込み電流Ｉｘ，Ｉｙにより磁気抵抗素子４５に印加される磁場を弱める方向に働くから，図１７に示されているように，ワード線選択ビット線非選択セルに含まれる磁気抵抗素子４５に印加される磁場ＨＵＳ１は，選択セルに含まれる磁気抵抗素子４５に印加される磁場ＨＳよりも顕著に弱められる。これにより，ワード線選択ビット線非選択セルに対する選択セルの選択性が効果的に向上されている。但し，上記の選択性の向上の原理から理解されるように，実施の第２形態のＭＲＡＭでは，ビット線選択ワード線非選択セルに対する選択セルの選択性は，向上されない。
【０１１７】
以上に説明されているように，実施の第２形態のＭＲＡＭでは，ワード線選択ビット線非選択セルに含まれる磁気抵抗素子４５に印加される磁場が，選択セルに含まれる磁気抵抗素子４５に印加される磁場に比べて，顕著に弱められる。これにより，ワード線選択ビット線非選択セルに対する選択セルの選択性が向上されている。
【０１１８】
実施の第２形態において，積層フェリ構造体５５の長軸をｙ軸方向に平行にすることにより，ビット線選択ワード線非選択セルに対する選択セルの選択性の変わりに，ワード線選択ビット線非選択セルに対する選択セルの選択性を向上することも可能である。
【０１１９】
但し，本実施の形態のように，積層フェリ構造体５５の長軸をｘ軸方向に平行にすることが好ましい。上述されているように，磁気抵抗素子４５のピン層２６とフリー層２８との自発磁化は，ｘ軸方向に向けられる。ピン層２６とフリー層２８との自発磁化をｘ軸方向に向けるのは，ＭＲＡＭの製造工程の途中で，外部磁場をｘ軸方向に印加することによって行われる。ｘ軸方向への外部磁場の印加は，積層フェリ構造体５５にｘ軸方向の異方性を与え，積層フェリ構造体５５の容易軸方向の磁場−磁化特性を，図１４（ｂ）に示されている理想的な特性に近づける。これは，ワード線選択ビット線非選択セルに対する選択セルの選択性を向上する上で極めて好適である。
【０１２０】
（実施の第３形態）
実施の第３形態のＭＲＡＭは，図１８及び図１９に示されているように，磁気抵抗素子４５と積層フェリ構造体５５の配置が変更される。図１８に示されているように，メモリセル４２の断面構造において，磁気抵抗素子４５と積層フェリ構造体５５との位置が交換される。更に，図１９に示されているように，平面構造において実質的に楕円形である積層フェリ構造体５５の長軸は，ｘ軸に対して角θだけ傾けられる。θは，典型的には，４５°である。実施の第３形態のＭＲＡＭの他の部分の構造は，実施の第２形態と同一である。実施の第３形態のＭＲＡＭの等価回路は，図１１に示されている実施の第２形態のＭＲＡＭの等価回路と同一である。
【０１２１】
図２０に示されているように，積層フェリ構造体５５がｘ軸に対してθだけ傾けられていることにより，積層フェリ構造体５５の容易軸方向及び困難軸方向も角θだけ傾けられる。積層フェリ構造体５５の容易軸方向は，＋ｘ方向に対して角θをなす方向であり，積層フェリ構造体５５の困難軸方向は，＋ｙ方向に対して角θをなす方向である。ここで，図２０に示されているＨｘは，＋ｘ方向の磁場であり，Ｈｙは，＋ｙ方向の磁場であり，Ｈｅａｓｙは，容易軸方向の磁場であり，Ｈｈａｒｄは，困難軸方向の磁場である。積層フェリ構造体５５は，容易軸方向に磁場が印加されたとき，閾値磁場Ｈｔが最も大きくなり，困難軸方向に磁場が印加されたとき，閾値磁場Ｈｔは，実質的に０である。実施の第２形態と同様，積層フェリ構造体５５は，図１４（ａ）〜（ｃ）に示されているように容易軸方向，困難軸方向，及び中間方向に対して異なる磁場−磁化特性を示す。
【０１２２】
このような積層フェリ構造体５５の特性を利用して，実施の第３形態のＭＲＡＭの書き込み動作では，ワード線選択ビット線非選択セルとビット線選択ワード線非選択セルとの両方に対する選択セルの選択性が向上される。
【０１２３】
実施の第３形態のＭＲＡＭでは，下記のいずれかの条件を満たすように，選択ワード線及び選択ビット線に，それぞれ書き込み電流Ｉｘ，及びＩｙが流される。
（ａ）選択ワード線には，＋ｘ方向の書き込み電流Ｉｘが流され，選択ビット線には，＋ｙ方向の書き込み電流Ｉｙが流される。
（ｂ）選択ワード線には，−ｘ方向の書き込み電流Ｉｘが流され，選択ビット線には，−ｙ方向の書き込み電流Ｉｙが流される。
条件（ａ），（ｂ）のいずれが選択されるかは，書き込まれるデータに応じて決定される。本実施の形態では，選択セルに”０”を書き込む場合に，条件（ａ）が選択され，選択セルに”１”を書き込む場合に，条件（ｂ）が選択されるとする。
【０１２４】
書き込み電流Ｉｘ及び書き込み電流Ｉｙが流れることにより，ワード線選択ビット線非選択セル，ビット線選択ワード線非選択セル，及び選択セルに含まれる磁気抵抗素子４５には，磁場が印加される。
【０１２５】
実施の第２形態で考察されているように，磁気抵抗素子４５と積層フェリ構造体５５とが，ワード線４３とビット線４４との間に位置するため，積層フェリ構造体５５は，書き込み電流Ｉｘ及び書き込み電Ｉｙが流されたときにワード線選択ビット線非選択セル，ビット線選択ワード線非選択セル，及び選択セルの磁気抵抗素子４５に印加される磁場を弱める作用を有する。
【０１２６】
実施の第３形態のＭＲＡＭでは，上述された積層フェリ構造体５５の磁場−磁化特性を利用して，ワード線選択ビット線非選択セル及びビット線選択ワード線非選択セルに含まれる磁気抵抗素子４５に印加される磁場が，選択セルに含まれる磁気抵抗素子４５に印加される磁場に比べて，顕著に弱められる。このような動作は，ワード線選択ビット線非選択セル及びビット線選択ワード線非選択セルの両方に対する選択セルの選択性を効果的に高める。以下では，積層フェリ構造体５５の磁場−磁化特性を利用した，選択セルの選択性の向上の詳細が説明される。
【０１２７】
以下では，選択セルに”０”を書き込む場合について考察される。選択セルに”０”を書き込む場合には，＋ｘ方向の書き込み電流Ｉｘにより，ワード線選択ビット線非選択セルに対応する積層フェリ構造体５５に，＋ｙ方向に磁場Ｈ２ｙが印加される。図２０（ｂ）に示されているように，磁場Ｈ２ｙは，容易軸方向と困難軸方向の間の中間方向を向く。
【０１２８】
更に，＋ｙ方向の書き込み電流Ｉｙにより，ビット線選択ワード線非選択セルに対応する積層フェリ構造体５５は，＋ｘ方向に磁場Ｈ２ｘが印加される。図２０（ｃ）に示されているように，磁場Ｈ２ｘは，容易軸方向と困難軸方向の間の中間方向を向く。
【０１２９】
選択セルに対応する積層フェリ構造体５５には，＋ｘ方向の磁場Ｈ２ｘと＋ｙ方向の磁場Ｈ２ｙの合成磁場Ｈ２ｘｙが印加される。書き込み電流Ｉｘと書き込み電流Ｉｙの大きさは，選択セルに対応する磁気抵抗素子５５に印加される合成磁場Ｈ２ｘｙの方向と，磁気抵抗素子５５の容易軸方向とが実質的に一致するように，即ち，合成磁場Ｈ２ｘｙが，実質的に，ｘ軸方向と角θをなす方向に向くように決定される。
【０１３０】
このように書き込み電流Ｉｘと書き込み電流Ｉｙの大きさが決定される場合，図２０（ａ）に示されているように，選択セルに対応する積層フェリ構造体５５には容易軸方向に向く合成磁場Ｈ２ｘｙが印加される。従って，選択セルに対応する積層フェリ構造体５５は，図１４（ｂ）に示された磁場−磁化特性を示す。
【０１３１】
一方，ワード線選択ビット線非選択セルに対応する積層フェリ構造体５５には，中間方向の磁場Ｈ２ｙのみが印加される。従って，ワード線選択ビット線非選択セルに対応する積層フェリ構造体５５は，図１４（ｃ）に示された磁場−磁化特性を示す。
【０１３２】
同様に，ビット線選択ワード線非選択セルに対応する積層フェリ構造体５５には，中間方向の磁場Ｈ２ｘのみが印加される。従って，ビット線選択ワード線非選択セルに対応する積層フェリ構造体５５は，図１４（ｃ）に示された磁場−磁化特性を示す。
【０１３３】
このとき，選択セルの選択性を向上するために，書き込み電流Ｉｘと書き込み電流Ｉｙとは，下記条件を満足するように決定される。
Ｈ２ｘ＞Ｈｔｘ，                    …（８−１）
Ｈ２ｙ＞Ｈｔｙ，                    …（８−２）
Ｈ２ｘｙ＜Ｈｔｅａｓｙ．                …（８−３）
ここで，Ｈｔｅａｓｙは，容易軸方向についての閾値であり，Ｈｔｘは，磁場Ｈ２ｘの方向（中間方向）についての閾値であり，Ｈｔｙは，磁場Ｈ２ｙの方向（中間方向）についての閾値である。合成磁場Ｈ２ｘｙの大きさは，磁場Ｈ２ｘ及び磁場Ｈ２ｙの大きさより大きいが，容易軸方向についての閾値磁場Ｈｔｅａｓｙは，中間方向についての閾値磁場Ｈｔｘ，Ｈｔｙよりも大きいため，式（８−１）〜（８−３）を満足するように書き込み電流Ｉｘと書き込み電流Ｉｙとを決定することは可能である。
【０１３４】
式（８−１）によれば，ビット線選択ワード線非選択セルに対応する積層フェリ構造体５５には，閾値磁場Ｈｔｘより大きい磁場Ｈ２ｘが中間方向に印加される。即ち，図２０（ｃ）に示されているように，磁場Ｈ２ｘは，線形磁化領域にある。従って，図１４（ｃ）から理解されるように，ビット線選択ワード線非選択セルに対応する積層フェリ構造体５５には，磁場Ｈ２ｘに対して線形的に増加する磁化Ｍｘが生成される。
【０１３５】
同様に，式（８−２）によれば，ワード線選択ビット線非選択セルに対応する積層フェリ構造体５５には，閾値磁場Ｈｔｙより大きい磁場Ｈ２ｙが中間方向に印加される。即ち，図２０（ｂ）に示されているように，磁場Ｈ２ｘは，線形磁化領域にある。従って，図１４（ｃ）から理解されるように，ワード線選択ビット線非選択セルに対応する積層フェリ構造体５５には，磁場Ｈ２ｙに対して線形的に増加する磁化Ｍｙが誘起される。
【０１３６】
一方，式（８−３）に示されているように，選択セルに対応する積層フェリ構造体５５には，閾値磁場Ｈｔｅａｘｙより小さい合成磁場Ｈ２ｘｙが容易軸方向に印加される。即ち，図２０（ａ）に示されているように，合成磁場Ｈ２ｘｙは，非線型磁化領域にある。従って，選択セルに対応する積層フェリ構造体５５に誘起される磁化Ｍｘｙは，極めて小さい。
【０１３７】
以上の考察から，式（８−１）〜（８−３）を満足することにより，下記式：
Ｍｘ／Ｈ２ｘ≫Ｍｘｙ／Ｈ２ｘｙ（≒０），
Ｍｙ／Ｈ２ｙ≫Ｍｘｙ／Ｈ２ｘｙ（≒０），      …（９）
が成立することが理解される。式（９）は，ビット線選択ワード線非選択セルとワード線選択ビット線非選択セルとにそれぞれ対応する積層フェリ構造体５５の実効的な磁化率χｘ（＝Ｍｘ／Ｈ２ｘ），χｙ（＝Ｍｙ／Ｈ２ｙ）が，選択セルに対応する積層フェリ構造体５５の実効的な磁化率χｘｙ（＝Ｍｘｙ／Ｈ２ｘｙ）よりも顕著に大きいことを意味している。
【０１３８】
積層フェリ構造体５５が磁気抵抗素子４５に印加する磁場は，積層フェリ構造体５５に誘起される磁化の大きさに比例するから，式（９）は，ビット線選択ワード線非選択セルとワード線選択ビット線非選択セルとにそれぞれ対応する積層フェリ構造体５５は，選択セルに対応する積層フェリ構造体５５よりも顕著に大きな磁場を磁気抵抗素子４５に印加することを意味している。
【０１３９】
既述のように，積層フェリ構造体５５により磁気抵抗素子４５に印加される磁場は，書き込み電流Ｉｘ，Ｉｙにより磁気抵抗素子４５に印加される磁場を弱める方向に働くから，図２１（ａ）に示されているように，ワード線選択ビット線非選択セルに含まれる磁気抵抗素子４５に印加される磁場ＨＵＳ１と，ビット線選択ワード線非選択セルに含まれる磁気抵抗素子４５に印加される磁場ＨＵＳ２とは，選択セルに含まれる磁気抵抗素子４５に印加される磁場ＨＳに比べて，顕著に弱められる。
【０１４０】
選択セルに”０”を書き込む場合についても，選択セルに”０”を書き込む場合と同様の考察により，図２１（ｂ）に示されているように，ワード線選択ビット線非選択セルに含まれる磁気抵抗素子４５に印加される磁場ＨＵＳ１と，ビット線選択ワード線非選択セルに含まれる磁気抵抗素子４５に印加される磁場ＨＵＳ２とは，選択セルに含まれる磁気抵抗素子４５に印加される磁場ＨＳに比べて，顕著に弱められることが理解される。
【０１４１】
以上に説明されているように，実施の第３形態では，ワード線選択ビット線非選択セルに含まれる磁気抵抗素子４５に印加される磁場ＨＵＳ１と，ビット線選択ワード線非選択セルに含まれる磁気抵抗素子４５に印加される磁場ＨＵＳ２とが，選択セルに含まれる磁気抵抗素子４５に印加される磁場ＨＳに比べて，顕著に弱められる。これにより，選択セルの選択性が効果的に向上されている。
【０１４２】
実施の第３形態において，選択セルに対応する積層フェリ構造体５５に印加される合成磁場Ｈ２ｘｙの方向は，容易軸方向に完全に一致することを要求されない。合成磁場Ｈ２ｘｙの方向は，中間方向に向くことも可能である。但し，合成磁場Ｈ２ｘｙの方向は，磁場Ｈ２ｘ及び磁場Ｈ２ｙの方向よりも，容易軸方向に近いことが要求される。更に，合成磁場Ｈ２ｘｙは，式（８−３）の代わりに，
Ｈ２ｘｙ＜Ｈｔｘｙ，            …（８−３）’
を満足することが要求される。ここで，Ｈｔｘｙは，あ，は合成磁場Ｈ２ｘｙの方向における積層フェリ構造体５５の閾値である。式（８−３）は，合成磁場Ｈ２ｘｙが非線型磁化領域にあり，従って，選択セルに対応する積層フェリ構造体５５に誘起される磁化Ｍｘｙが小さいことを意味している。
【０１４３】
（実施の第４形態）
図２２は，実施の第４形態のＭＲＡＭの断面構造を示す。実施の第４形態のＭＲＡＭは，実施の第１形態と同様に，各メモリセル２にＭＯＳトランジスタ６が設けられた構造を有しており，実施の第４形態のＭＲＡＭの等価回路は，図１に示されている実施の第１形態のＭＲＡＭと同一である。
【０１４４】
実施の第４形態のＭＲＡＭと実施の第１形態のＭＲＡＭとの違いは，図２に示された実施の第１形態のＭＲＡＭの積層フェリ構造体３０が，実施の第２形態及び第３形態の積層フェリ構造体５５に置換されている点にある。実施の第１形態の積層フェリ構造体３０がｘｙ平面において等方的な特性を有しているのに対し，実施の第４形態で使用される積層フェリ構造体５５は，図２３に示されているように，ｘｙ平面において実質的に楕円形であり，ｘｙ平面において異方的な特性を有している。実施の第３形態と同様に，積層フェリ構造体５５の長軸は，ｘ軸に対して角θだけ傾けられている。θは，典型的には，４５°である。積層フェリ構造体５５がｘ軸に対してθだけ傾けられていることにより，積層フェリ構造体５５の容易軸方向及び困難軸方向も角θだけ傾けられる。積層フェリ構造体５５の容易軸方向は，＋ｘ方向に対して角θをなす方向であり，積層フェリ構造体５５の困難軸方向は，＋ｙ方向に対して角θをなす方向である。
【０１４５】
実施の第４形態のＭＲＡＭでは，積層フェリ構造体５５の特性を利用して，選択セルの磁気抵抗素子７に印加される磁場が選択的に強化され，これにより，選択セルの選択性が向上される。以下，その詳細が説明される。
【０１４６】
実施の第４形態のＭＲＡＭのデータの書き込みは，実施の第１形態と同様に，選択書き込みワード線に書き込み電流Ｉｘを，選択ビット線に書き込み電流Ｉｙを流すことによって行われる。書き込み電流Ｉｘ，書き込み電流Ｉｙを流すことにより，選択セル，ワード線選択ビット線非選択セル，及びビット線選択ワード線非選択セルに含まれる磁気抵抗素子７には，磁場が印加される。
【０１４７】
書き込み電流Ｉｘ及び書き込み電流Ｉｙを流すことにより，積層フェリ構造体５５には磁場が印加され，磁化が誘起される。実施の第４形態のＭＲＡＭでは，実施の第１形態と同様に，書き込みワード線３とビット線５とが積層フェリ構造体５５と磁気抵抗素子７との間に位置するから，積層フェリ構造体５５に誘起される磁化は，磁気抵抗素子７に印加される磁場を強化する役割を果たす。
【０１４８】
図２４（ａ）は，選択セルに対応する積層フェリ構造体５５に印加される合成磁場Ｈ２ｘｙを示し，図２４（ｂ）は，ビット線選択ワード線非選択セルに対応する積層フェリ構造体５５に印加される磁場Ｈ２ｘを示し，図２４（ｃ）は，ビット線選択ワード線非選択セルに対応する積層フェリ構造体５５に印加される磁場Ｈ２ｙを示している。合成磁場Ｈ２ｘｙは，磁場Ｈ２ｘと磁場Ｈ２ｙとの合成磁場である。
【０１４９】
図２４（ａ）に示されているように，書き込み電流Ｉｘと書き込み電流Ｉｙとの大きさは，選択セルに対応する積層フェリ構造体５５に印加される合成磁場Ｈ２ｘｙが積層フェリ構造体５５の困難軸方向に実質的に一致するように定められている。困難軸方向では閾値磁場Ｈｔは０であるから，合成磁場Ｈ２ｘｙは，線形磁化領域にある。選択セルに対応する積層フェリ構造体５５は，図１４（ａ）に示されている磁化−磁場特性を示し，選択セルに対応する積層フェリ構造体５５には，合成磁場Ｈ２ｘｙによって比較的に大きな磁化Ｍｘｙが誘起される。
【０１５０】
更に，書き込み電流Ｉｘと書き込み電流Ｉｙとの大きさは，ビット線選択ワード線非選択セルに対応する積層フェリ構造体５５に印加される磁場Ｈ２ｘと，ビット線選択ワード線非選択セルに対応する積層フェリ構造体５５に印加される磁場Ｈ２ｙとが下記条件：
Ｈ２ｘ＜Ｈｔｘ，                    …（１０−１）
Ｈ２ｙ＜Ｈｔｙ，                    …（１０−２）
を満足するように選択される。ここで，Ｈｔｘは，磁場Ｈ２ｘの方向（中間方向）についての閾値であり，Ｈｔｙは，磁場Ｈ２ｙの方向（中間方向）についての閾値である。
【０１５１】
式（１０−１）によれば，ビット線選択ワード線非選択セルに対応する積層フェリ構造体５５には，閾値磁場Ｈｔｘより小さい磁場Ｈ２ｘが中間方向に印加される。即ち，図２４（ｂ）に示されているように，磁場Ｈ２ｘは，非線形磁化領域にある。従って，図１４（ｃ）から理解されるように，ビット線選択ワード線非選択セルに対応する積層フェリ構造体５５に誘起される磁化Ｍｘは，極めて小さい。
【０１５２】
同様に，式（１０−２）によれば，ワード線選択ビット線非選択セルに対応する積層フェリ構造体５５には，閾値磁場Ｈｔｙより小さい磁場Ｈ２ｙが中間方向に印加される。即ち，図２４（ｃ）に示されているように，磁場Ｈ２ｙは，非線形磁化領域にある。従って，図１４（ｃ）から理解されるように，ワード線選択ビット線非選択セルに対応する積層フェリ構造体５５に誘起される磁化Ｍｙは，極めて小さい。
【０１５３】
以上の考察から，式（１０−１），（１０−２）を満足することにより，下記式：
Ｍｘｙ／Ｈ２ｘｙ≫Ｍｘ／Ｈ２ｘ（≒０），
Ｍｘｙ／Ｈ２ｘｙ≫Ｍｙ／Ｈ２ｙ（≒０），      …（１１）
が成立することが理解される。式（１１）は，選択セルに対応する積層フェリ構造体５５の実効的な磁化率χｘｙ（＝Ｍｘｙ／Ｈ２ｘｙ）が，ビット線選択ワード線非選択セルとワード線選択ビット線非選択セルとにそれぞれ対応する積層フェリ構造体５５の実効的な磁化率χｘ（＝Ｍｘ／Ｈ２ｘ），χｙ（＝Ｍｙ／Ｈ２ｙ）よりも顕著に大きいことを意味している。
【０１５４】
積層フェリ構造体５５が磁気抵抗素子７に印加する磁場は，積層フェリ構造体５５に誘起される磁化の大きさに比例するから，式（１１）は，選択セルに対応する積層フェリ構造体５５は，ビット線選択ワード線非選択セルとワード線選択ビット線非選択セルとにそれぞれ対応する積層フェリ構造体５５よりも，顕著に大きな磁場を磁気抵抗素子７に印加することを意味している。
【０１５５】
既述のように，積層フェリ構造体５５により磁気抵抗素子７に印加される磁場は，書き込み電流Ｉｘ，Ｉｙにより磁気抵抗素子７に印加される磁場を強める方向に生成される。従って，図２４に示されているように，選択セルに含まれる磁気抵抗素子７に印加される磁場ＨＳは，ワード線選択ビット線非選択セルに含まれる磁気抵抗素子７に印加される磁場ＨＵＳ１とビット線選択ワード線非選択セルに含まれる磁気抵抗素子７に印加される磁場ＨＵＳ２とに比べて，顕著に強化される。これにより，選択セルの選択性が効果的に向上されている。
【０１５６】
【発明の効果】
本発明により，選択セルの選択性を向上し，ＭＲＡＭの書き込み動作を安定化する技術が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は，本発明による実施の第１形態のＭＲＡＭの等価回路を示す。
【図２】図２は，実施の第１形態のＭＲＡＭのメモリセルの断面図である。
【図３】図３は，磁気抵抗素子７を示す。
【図４】図４は，積層フェリ構造体３０を示す。
【図５】図５は，第１磁性層３１と第２磁性層３３との間の結合定数を示す。
【図６】図６は，磁気抵抗素子７と積層フェリ構造体３０との構造を示す平面図である。
【図７】図７は，積層フェリ構造体３０の特性を示す。
【図８】図８（ａ）は，選択セルに対応する積層フェリ構造体３０に印加される合成磁場Ｈ２ｘｙを示し，図８（ｂ）は，ビット線選択ワード線非選択セルに対応する積層フェリ構造体３０に印加される磁場Ｈ２ｘを示し，図８（ｃ）は，ワード線選択ビット線非選択セルに対応する積層フェリ構造体３０に印加される合成磁場Ｈ２ｙを示す。
【図９】図９は，磁気抵抗素子７に作用する磁場Ｈ１ｙ，Ｈ２ｙ，及びＨ３ｙを示す。
【図１０】図１０は，選択セルに含まれる磁気抵抗素子７に印加される磁場ＨＳと，ワード線選択ビット線非選択セル，及びビット線選択ワード線非選択セルに含まれる磁気抵抗素子７に印加される磁場ＨＵＳを示す。
【図１１】図１１は，本発明による実施の第２形態のＭＲＡＭの等価回路を示す。
【図１２】図１２は，実施の第２形態のＭＲＡＭのメモリセルの断面図である。
【図１３】図１３は，実施の第２形態における磁気抵抗素子４５と積層フェリ構造体５５との配置を示す平面図である。
【図１４】図１４（ａ）は，積層フェリ構造体５５の困難軸方向の磁場−磁化特性を示し，図１４（ｂ）は，積層フェリ構造体５５の容易軸方向の磁場−磁化特性を示し，図１４（ｃ）は，積層フェリ構造体５５の中間方向の磁場−磁化特性を示す。
【図１５】図１５は，磁気抵抗素子４５に作用する磁場Ｈ１ｙ，Ｈ２ｙ，及びＨ３ｙを示す。
【図１６】図１６（ａ）は，選択セルに対応する積層フェリ構造体５５に印加される合成磁場Ｈ２ｘｙを示し，図１６（ｂ）は，ワード線選択ビット線非選択セルに対応する積層フェリ構造体５５に印加される磁場Ｈ２ｙを示し，図１６（ｃ）は，ビット線選択ワード線非選択セルに対応する積層フェリ構造体５５に印加される合成磁場Ｈ２ｘを示す。
【図１７】図１７は，選択セルに含まれる磁気抵抗素子４５に印加される磁場ＨＳと，ワード線選択ビット線非選択セルに含まれる磁気抵抗素子４５に印加される磁場ＨＵＳ１と，ビット線選択ワード線非選択セルに含まれる磁気抵抗素子４５に印加される磁場ＨＵＳ２とを示す。
【図１８】図１８は，実施の第３形態のＭＲＡＭのメモリセル４２の断面図である。
【図１９】図１９は，実施の第３形態における磁気抵抗素子４５と積層フェリ構造体５５との配置を示す。
【図２０】図２０（ａ）は，実施の第３形態において，選択セルに対応する積層フェリ構造体５５に印加される合成磁場Ｈ２ｘｙを示し，図２０（ｂ）は，ワード線選択ビット線非選択セルに対応する積層フェリ構造体５５に印加される合成磁場Ｈ２ｙを示し，図２０（ｃ）は，ビット線選択ワード線非選択セルに対応する積層フェリ構造体５５に印加される合成磁場Ｈ２ｘを示す。
【図２１】図２１（ａ）は，”０”書き込み時に，選択セルに含まれる磁気抵抗素子４５に印加される磁場ＨＳと，ワード線選択ビット線非選択セルに含まれる磁気抵抗素子４５に印加される磁場ＨＵＳ１と，ビット線選択ワード線非選択セルに含まれる磁気抵抗素子４５に印加される磁場ＨＵＳ２とを示し，図２１（ｂ）は，”１”書き込み時に，選択セルに含まれる磁気抵抗素子４５に印加される磁場ＨＳと，ワード線選択ビット線非選択セルに含まれる磁気抵抗素子４５に印加される磁場ＨＵＳ１と，ビット線選択ワード線非選択セルに含まれる磁気抵抗素子４５に印加される磁場ＨＵＳ２とを示す。
【図２２】図２２は，実施の第４形態のＭＲＡＭのメモリセル２の断面図である。
【図２３】図２３は，実施の第４形態における磁気抵抗素子７と積層フェリ構造体５５との配置を示す平面図である。
【図２４】図２４（ａ）は，実施の第４形態において，選択セルに対応する積層フェリ構造体５５に印加される合成磁場Ｈ２ｘｙを示し，図２３（ｂ）は，ビット線選択ワード線非選択セルに対応する積層フェリ構造体５５に印加される合成磁場Ｈ２ｘを示し，図２３（ｃ）は，ワード線選択ビット線非選択セルに対応する積層フェリ構造体５５に印加される合成磁場Ｈ２ｙを示す。
【図２５】図２５は，実施の第４形態において，選択セルに含まれる磁気抵抗素子７に印加される磁場ＨＳと，ワード線選択ビット線非選択セルに含まれる磁気抵抗素子７に印加される磁場ＨＵＳ１と，ビット線選択ワード線非選択セルに含まれる磁気抵抗素子７に印加される磁場ＨＵＳ２とを示す。
【図２６】図２６は，従来のＭＲＡＭを示す。
【図２７】図２７は，従来のＭＲＡＭのメモリセルの構造を示す断面図である。
【図２８】図２８は，従来のＭＲＡＭの選択セルへの書き込みの原理を示す説明図である。
【符号の説明】
１：メモリセルアレイ
２：メモリセル
３：書き込みワード線
４：読み出しワード線
５：ビット線
６：ＭＯＳトランジスタ
７：磁気抵抗素子
８：書き込みＸセレクタ
９：Ｘ側電流源回路
１０：読み出しＸセレクタ
１１：Ｙセレクタ
１２：Ｙ側電流源回路
１３：センスアンプ
１４：接地端子
２１：基板
２２：コンタクト
２３：接地線
２４：コンタクト
２５：引き出し配線層
２６：ピン層
２７：絶縁バリア
２８：フリー層
２９：コンタクト
３０：積層フェリ構造体
３１：第１磁性層
３１ａ：ＮｉＦｅ層
３１ｂ：ＣｏＦｅ層
３２：非磁性スペーサ層（Ｒｕ層）
３３：第２磁性層
３３ａ：ＣｏＦｅ層
３３ｂ：ＮｉＦｅ層
４１：クロスポイントセルアレイ
４２：メモリセル
４３：ワード線
４４：ビット線
４５：磁気抵抗素子
４６：Ｘセレクタ
４７：Ｘ側電流源回路
４８：Ｙセレクタ
４９：Ｙ側電流源回路
５０：センスアンプ
５１：基板
５２：層間絶縁膜
５３，５４：コンタクト
５５：積層フェリ構造体
５６〜５８：コンタクト
【図１】
2006134363.tif 000003
【図２】
2006134363.tif 000004
【図３】
2006134363.tif 000005
【図４】
2006134363.tif 000006
【図５】
2006134363.tif 000007
【図６】
2006134363.tif 000008
【図７】
2006134363.tif 000009
【図８】
2006134363.tif 000010
【図９】
2006134363.tif 000011
【図１０】
2006134363.tif 000012
【図１１】
2006134363.tif 000013
【図１２】
2006134363.tif 000014
【図１３】
2006134363.tif 000015
【図１４】
2006134363.tif 000016
【図１５】
2006134363.tif 000017
【図１６】
2006134363.tif 000018
【図１７】
2006134363.tif 000019
【図１８】
2006134363.tif 000020
【図１９】
2006134363.tif 000021
【図２０】
2006134363.tif 000022
【図２１】
2006134363.tif 000023
【図２２】
2006134363.tif 000024
【図２３】
2006134363.tif 000025
【図２４】
2006134363.tif 000026
【図２５】
2006134363.tif 000027
【図２６】
2006134363.tif 000028
【図２７】
2006134363.tif 000029
【図２８】
2006134363.tif 000030