(57)【要約】      （修正有）【課題】プラズマ生成のための高周波給電において伝送損失や発熱を少なくして給電効率を大幅に向上させ、整合器の小容量化ないし小型化を図り、チャンバ側の設計の自由度を高めること。【解決手段】高周波給電部３０は、高周波電源３２、整合器３４、給電線３６およびインピーダンス変換器３８を有する。インピーダンス変換器３８は、リアクタンス素子たとえばコンデンサ４８,５０,５４とコイル５２とで構成され、サセプタ１４の直近に設置または取付された筐体４６内に設けられている。インピーダンス変換器３８は、整合器３４からみた負荷インピーダンスをサセプタ側の実際のインピーダンスよりも高いインピーダンスに変成または変換するものであり、好ましくは給電線３６の特性インピーダンスと整合をとる整合回路網として構成される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理が行なわれるチャンバの中または外に配置される高周波電極にプラズマ生成用の高周波を給電する高周波給電装置であって、
前記高周波を出力する高周波電源と、
前記高周波電源からみた負荷インピーダンスを前記高周波電源側のインピーダンスに整合させる整合器と、
前記電極に近接または一体化して設けられ、前記整合器からみた負荷インピーダンスを前記電極側の実際のインピーダンスよりも高いインピーダンスに変換するインピーダンス変換器と、
前記整合器の出力端子から前記インピーダンス変換器の入力端子まで前記高周波を伝送する伝送線路と
を有する高周波給電装置。
【請求項２】
前記インピーダンス変換器が、少なくとも１個のコンデンサと少なくとも１個のコイルとを含む請求項１に記載の高周波給電装置。
【請求項３】
前記インピーダンス変換器が、前記電極側の実際のインピーダンスを前記伝送線路の特性インピーダンスに整合させる整合回路網として構成される請求項１または請求項２に記載の高周波給電装置。
【請求項４】
前記整合器が、少なくとも１個の可変コンデンサと前記可変コンデンサのキャパシタンスを調整するための調整機構とを含む請求項１〜３のいずれか一項に記載の高周波給電装置。
【請求項５】
前記伝送線路が同軸ケーブルからなる請求項１〜４のいずれか一項に記載の高周波給電装置。
【請求項６】
被処理基板にプラズマ処理を施すための減圧された空間を与えるチャンバと、
プラズマ生成のために前記チャンバの中または内に配置された高周波電極と、
前記チャンバ内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、
プラズマ生成用の高周波を出力する高周波電源と、
前記高周波電源からみた負荷インピーダンスを前記高周波電源側のインピーダンスに整合させる整合器と、
前記電極に近接または一体化して設けられ、前記整合器からみた負荷インピーダンスを前記電極側の実際のインピーダンスよりも高いインピーダンスに変換するインピーダンス変換器と、
前記整合器の出力端子から前記インピーダンス変換器の入力端子まで前記高周波を伝送する伝送線路と
を有するプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記インピーダンス変換器が、少なくとも１個のコンデンサと少なくとも１個のコイルとを含む請求項６に記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記インピーダンス変換器が、前記電極側の実際のインピーダンスを前記伝送線路の特性インピーダンスに整合させる整合回路網として構成される請求項６または請求項７に記載のプラズマ装置。
【請求項９】
前記整合器が、少なくとも１個の可変コンデンサと前記可変コンデンサのキャパシタンスを調整するための調整機構とを含む請求項６〜８のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】
前記伝送線路が同軸ケーブルからなる請求項６〜９のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１１】
前記処理容器内に前記高周波電極と対向電極とを平行に配置してなる請求項６〜１０のいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１２】
前記高周波電極の上に前記被処理基板が載置され、前記対向電極に前記高周波電極に向けて前記処理ガスを吐出するための通孔が設けられる請求項１１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１３】
前記対向電極の上に前記被処理基板が載置され、前記高周波電極に前記対向の電極に向けて前記処理ガスを吐出するための通孔が設けられる請求項１１に記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被処理基板にプラズマ処理を施すためのプラズマ処理装置技術に係わり、特にプラズマ生成用の高周波を給電する高周波給電装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスやＦＰＤ（Flat Panel Display）の製造プロセスには、プラズマを利用してエッチング、堆積、酸化、スパッタリング等の処理を行うプラズマ処理装置が多く使われている。一般に、プラズマ処理装置では、処理容器またはチャンバの中または外に高周波電極を配置して高周波給電部より該高周波電極に高周波を給電する。高周波給電部は、高周波を出力する高周波電源だけでなく、負荷側（電極、プラズマ、チャンバ）のインピーダンスと高周波電源側のインピーダンスとの間で整合をとるための整合器を備えるのが通例である。
【０００３】
図３に、従来のプラズマ処理装置における高周波給電部の構成を示す。減圧可能に構成されたチャンバ１００の中に上部電極１０２と下部電極１０４が平行に配置され、載置台を兼ねる下部電極１０４の上に被処理基板たとえば半導体ウエハＷが載置される。この構成例では、下部電極１０４が高周波電極であり、これに高周波給電部１０６からの高周波が給電される。上部電極１０２は対向電極であり、チャンバ１００を介してグランド電位に接続される。チャンバ１００内の空間、特に上部電極１０２と下部電極１０４との間の空間には、処理ガス供給源（図示せず）より所定の処理ガスが供給されるようになっている。チャンバ１００の底部には排気口１０８が設けられ、この排気口１０８に排気管１１０を介して排気装置１１２が接続される。チャンバ１００の側壁には、基板Ｗを出し入れするための開閉可能な基板搬入出口（図示せず）が設けられている。
【０００４】
高周波給電部１０６は、高周波電源１１４、整合器１１６および給電棒１１８を有する。高周波電源１１４は、所定のパワーで所定周波数たとえば１３．５６ＭＨｚの高周波を出力する。整合器１１６は、たとえば２つの可変コンデンサ１２０，１２２と１つのコイル１２４とからなるＬ型回路を有し、さらには両コンデンサ１２０，１２２のキャパシタンスをそれぞれ可変制御するための電圧・電流センサ１２６（図５）やコントローラおよびアクチエータ（図示せず）等も備えており、いわゆるマッチングボックスとして構成されている。給電棒１１８は同軸管からなり、一端が整合器１１６の出力端子に接続され、他端が下部電極１０４の裏面に接続されている。ここで、伝送線路に給電棒を用いるのは、伝送インピーダンスを極力小さくするためである。
【０００５】
図４に、高周波給電部１０６の給電作用を示す。高周波給電部１０６よりチャンバ１００内の下部電極１０４に高周波が給電されると、上部電極１０２と下部電極１０４との間の空間に処理ガスのプラズマＰＺが生成される。高周波給電部１０６からみると、下部電極１０４、プラズマＰＺ、上部電極１０２およびチャンバ１００が直列接続の一体的な負荷（以下、「チャンバ負荷」と称する。）を形成する。高周波電源１１４と整合器１１６との間では高周波の一次電流ｉ1が流れ、整合器１１６とチャンバ負荷との間では高周波の二次電流ｉ2が流れる。
【０００６】
ここで、高周波電源１１４の出力電力をＰ（Ｗ）とすると、整合器１１６のマッチングにより規定値たとえば５０Ωで高周波電源１１４側との整合がとられるため、一次電流ｉ1（Ａ）は下記の式（１）で表される。
ｉ1＝（Ｐ／５０）1/2      ‥‥‥‥（１）
【０００７】
一方、チャンバ負荷のインピーダンスをｒL（Ω）、二次側の伝送インピーダンス（主に給電棒１１８の抵抗成分）をｒS（Ω）とすると、二次電流ｉ2（Ａ）は下記の式（２）で表される。
ｉ2＝{Ｐ／（ｒL＋ｒS）}1/2  ‥‥‥‥（２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
一般のプラズマ処理装置では、チャンバ負荷が５Ω以下であり、３００ｍｍ径ウエハ用やＦＰＤ用の大口径チャンバでは数Ωあるいは１Ω以下である。従来は、このような低インピーダンスのチャンバ負荷に大きな二次電流ｉ2で高周波を給電しており、電力損失が多く、プラズマ生成のための電力供給効率が低いという問題があった。
【０００９】
たとえば、上記の例で、チャンバ負荷のインピーダンスＲLを１Ωとし、高周波電源１１４の出力電力Ｐを５０００Ｗ、二次側伝送インピーダンスｒSを０．５Ωとすると、上記の式（１），（２）からｉ1＝１０Ａ、ｉ2＝５８Ａである。ｒSによる損失（ｒS×ｉ22）は１６８２Ｗであり、チャンバ負荷で消費される電力（ｒL×ｉ22）は３３６４Ｗである。つまり、整合器１１６を用いているにも拘わらず、高周波給電部１０６より出力される電力の約２／３しかチャンバ１００内に給電されず、残りの約１／３は伝送回路や伝送線路で無駄な抵抗発熱つまり損失となる。
【００１０】
さらに、二次電流ｉ2が大きいため、整合器１１６では、可変コンデンサ１２０，１２２やインダクタンスコイル１２４が電流容量の大きな大型サイズのものとなり、それに伴ってアクチエータ等の可変調整機構も大型化し、マッチングボックス全体が嵩張る。また、そのような大型の整合器１１６は、チャンバ１００の直近に設置ないし取付けするのが難しいだけでなく、チャンバ１００から離しすぎるとそのぶん給電棒１１８が長くなり（それによってｒSが大きくなり）、給電効率が一層低下する。つまり、配置の自由度が小さいという不利点もある。
【００１１】
プラズマ処理装置は、チャンバの口径が大きくなるにつれて、チャンバ構造がハイパワー化し、チャンバ負荷のインピーダンスは益々低くなっている。上記のような従来の高周波給電方式ではチャンバの大口径化に対応することはできない。
【００１２】
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑みてなされたもので、伝送損失や発熱を少なくして給電効率を大幅に向上させる高周波給電装置およびプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【００１３】
本発明の別の目的は、一般にマッチングボックスとして構成される整合器の小容量化ないし小型化を図るとともに、整合器の配置の自由度を高める高周波給電装置およびプラズマ処理装置を提供することにある。
【００１４】
本発明の他の目的は、チャンバ側の高周波生成機構を任意のインピーダンスで設計・製作できるようにした高周波給電装置およびプラズマ処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記の目的を達成するために、本発明の高周波給電装置は、プラズマ処理が行なわれるチャンバの中または外に配置される高周波電極にプラズマ生成用の高周波を給電する高周波給電装置であって、前記高周波を出力する高周波電源と、前記高周波電源からみた負荷インピーダンスを前記高周波電源側のインピーダンスに整合させる整合器と、前記電極に近接または一体化して設けられ、前記整合器からみた負荷インピーダンスを前記電極側の実際のインピーダンスよりも高いインピーダンスに変換するインピーダンス変換器と、前記整合器の出力端子から前記インピーダンス変換器の入力端子まで前記高周波を伝送する伝送線路とを有する。
【００１６】
また、本発明のプラズマ処理装置は、被処理基板にプラズマ処理を施すための減圧された空間を与えるチャンバと、前記チャンバの中または内に配置された高周波電極と、前記チャンバ内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、プラズマ生成用の高周波を出力する高周波電源と、前記高周波電源からみた負荷インピーダンスを前記高周波電源側のインピーダンスに整合させる整合器と、前記電極に近接または一体化して設けられ、前記整合器からみた負荷インピーダンスを前記電極側の実際のインピーダンスよりも高いインピーダンスに変換するインピーダンス変換器と、前記整合器の出力端子から前記インピーダンス変換器の入力端子まで前記高周波を伝送するとを有する。
【００１７】
本発明では、高周波電極の直近に設けられたインピーダンス変換器の変成機能により、整合器の二次側における高周波伝送を高インピーダンス給電とすることが可能であり、伝送損失を低減し整合器の電流容量を小さくすることができるうえ、チャンバ側の高周波生成機構を任意のインピーダンス、特に可及的に低いインピーダンスにすることができる。
【００１８】
本発明の好適な一態様によれば、インピーダンス変換器がリアクタンス素子からなり、たとえば少なくとも１個のコンデンサと少なくとも１個のコイルとを含む。これらのリアクタンス素子は、リアクタンス調整機構を要しない固定コンデンサ、固定インダクタでよい。これにより、嵩張らず、高周波電極の直近に容易に設置できる。
【００１９】
また、好適な一態様によれば、インピーダンス変換器が、電極側の実際のインピーダンスを伝送線路の特性インピーダンスに整合させる整合回路網として構成される。かかるインピーダンス変換器の整合作用により、高周波を最大電力で電極側の負荷に給電することができる。
【００２０】
また、好適な一態様によれば、整合器が、少なくとも１個の可変コンデンサとこの可変コンデンサのキャパシタンスを調整するための調整機構とを含む。本発明によれば、伝送線路の損失が少ないため、伝送線路を同軸ケーブルで任意の長さに選定することが可能であり、整合器を任意の位置に配置することができる。
【００２１】
本発明のプラズマ処理装置の好適な一態様によれば、チャンバ内に高周波電極と対向電極とが平行に配置される。この場合、高周波電極の上に被処理基板が載置され、対向電極に高周波電極に向けて処理ガスを吐出するための通孔が設けられてよい。あるいは、対向電極の上に被処理基板が載置され、高周波電極側に対向電極に向けて処理ガスを吐出するための通孔が設けられてもよい。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の高周波給電装置またはプラズマ処理装置によれば、伝送損失や発熱を少なくしてプラズマ生成のための給電効率を大幅に向上させることができる。また、給電ラインに設けられる整合器の小容量化ないし小型化を図れるとともに、整合器の配置の自由度を増やすことができ、チャンバ側の高周波生成機構を任意のインピーダンスで設計・製作することもできる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、図１〜図３を参照して本発明の好適な実施の形態を説明する。
【００２４】
図１に、本発明の一実施形態におけるプラズマ処理装置の要部の構成を示す。このプラズマ処理装置は、容量結合型の平行平板プラズマ処理装置として構成されており、たとえば内壁がアルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニウムからなる円筒形の処理容器またはチャンバ１０を有している。チャンバ１０は保安接地されている。
【００２５】
チャンバ１０の底部には円筒状の絶縁部材１２を介してたとえばアルミニウムからなるサセプタ１４が設けられている。このサセプタ１４は下部電極を構成し、この上に被処理基板たとえば半導体ウエハＷが載置される。また、サセプタ１４は高周波電極でもあり、これに本実施形態の高周波給電部３０よりプラズマ生成のための高周波が給電される。高周波給電部３０の構成および作用は後に詳述する。
【００２６】
サセプタ１４の上方には、このサセプタと平行に対向して上部電極１６が設けられている。この上部電極１６は、シャワーヘッドとして構成されており、サセプタ１４上の基板Ｗに向けて処理ガスを吐出するための多数の通孔１６ａとガスバッファ室１６ｂを有している。シャワーヘッド１６のガス導入口１６ｃには処理ガス供給部１８からのガス供給配管２０が接続されている。
【００２７】
チャンバ１０の底部には排気口２２が設けられ、この排気口２２に排気管２４を介して排気装置２６が接続されている。排気装置２６は、ターボ分子ポンプなどの真空ポンプを有しており、チャンバ１０内の処理空間を所望の真空度まで減圧できるようになっている。また、チャンバ１０の側壁には基板Ｗを出し入れするための開閉機構たとえばゲートバルブ付きの基板出入り口（図示せず）が設けられている。
【００２８】
このプラズマ処理装置において、サセプタ１４上の基板Ｗにプラズマ処理を施すときは、処理ガス供給部１８より所望の処理ガスを所定の流量でチャンバ１０内に導入し、排気装置２６によりチャンバ１０内の圧力を設定値にする。さらに、高周波給電部３０より所定周波数の高周波を所定のパワーでサセプタ（下部電極１４）に給電する。上部電極（シャワーヘッド）１６の通孔１６ａより吐出された処理ガスは下部および上部電極１４，１６間のグロー放電中でプラズマ化し、このプラズマで生成されるラジカルやイオン等によって基板Ｗの主面（上面）にエッチングあるいは堆積等のプラズマ処理が施される。
【００２９】
高周波給電部３０は、高周波電源３２、整合器３４、給電線３６およびインピーダンス変換器３８を有する。高周波電源３２は、所望のパワーで所定周波数たとえば１３．５６ＭＨｚの高周波を出力する。整合器３４は、マッチングボックスとして構成されており、たとえば２つの可変コンデンサ４０，４２と１つのコイル４４とからなるπ型回路を有するのに加えて、両コンデンサ４０，４２のキャパシタンスをそれぞれ可変制御するための電圧・電流センサ４５（図２）やコントローラおよびアクチエータ（図示せず）等も備えている。給電線３６は同軸ケーブルからなり、一端が整合器３４の出力端子に接続され、他端がインピーダンス変換器３８の入力端子に接続されている。なお、高周波電源３２と整合器３４との間の信号伝送路３５にも、同軸ケーブル等の給電線を用いてよい。
【００３０】
インピーダンス変換器３８は、リアクタンス素子だけで、つまりコンデンサ４４，４６、４８とコイル５０とで構成され、サセプタ１４の直近に設置または取付された筐体４６内に設けられている。より詳細には、給電線３６の終端とグランド電位との間にコンデンサ４８，５０が並列接続され、給電線３６の終端とサセプタ１４との間にコイル５２とコンデンサ５４とが直列接続され、全体としてＬ型回路に構成されている。筐体４６は導電板からなり、チャンバ１０を通じてグランド電位に接続されている。各コンデンサ４８，５０、５４は固定コンデンサで、コイル５２は固定インダクタであり、インピーダンス変換器３８にリアクタンス調整機構は設けられていない。
【００３１】
インピーダンス変換器３８は、整合器３４からみた負荷インピーダンスをサセプタ側の実際のインピーダンスよりも高いインピーダンス（変成インピーダンス）に変換するものであり、好ましくは給電線３６の特性インピーダンスと整合をとる整合回路網として構成される。
【００３２】
図２に、高周波給電部３０の給電作用を示す。高周波給電部３０よりチャンバ１０内のサセプタ（下部電極）１４に高周波が給電されると、上部電極１６とサセプタ（下部電極）１４との間の空間に処理ガスのプラズマＰＺが生成される。高周波給電部３０からみて、サセプタ１４、プラズマＰＺ、上部電極１６およびチャンバ１０は直列接続された一体的な負荷つまりチャンバ負荷を形成する。高周波電源３２と整合器３４との間では高周波の一次電流Ｉ1が流れ、整合器３４とインピーダンス変換器３８との間では高周波の二次電流Ｉ2が流れる。
【００３３】
ここで、高周波電源３２の出力電力をＰ（Ｗ）とすると、整合器３４のマッチングにより規定値たとえば５０Ωで高周波電源３２側との整合がとられるため、一次電流Ｉ1（Ａ）は下記の式（３）で表される。
Ｉ1＝（Ｐ／５０）1/2      ‥‥‥‥（３）
【００３４】
一方、インピーダンス変換器３８の変成インピーダンスをＲL（Ω）、二次側の伝送インピーダンス（主に給電線３６の抵抗成分）をＲS（Ω）とすると、二次電流Ｉ2（Ａ）は下記の式（４）で表される。
Ｉ2＝{Ｐ／（ＲL＋ＲS）}1/2  ‥‥‥‥（４）
【００３５】
上記のように、インピーダンス変換器３８を整合回路網に構成した場合は、変成インピーダンスＲLは規定値の５０Ωであり、上記の式（４）は下記の式（５）になる。
Ｉ2＝{Ｐ／（５０＋ＲS）}1/2  ‥‥‥‥（５）
【００３６】
たとえば、高周波電源３２の出力電力Ｐが５０００Ｗ、二次側伝送インピーダンスＲSが０．５Ωであるときは、上記の式（３），（５）からＩ1＝１０Ａ、Ｉ2＝９．９５Ａである。また、二次側伝送インピーダンスＲSによる損失（ＲS×Ｉ22）は４９．５Ｗであり、インピーダンス変換器３８に供給される電力（ＲL×Ｉ22）は４９５０Ｗである。インピーダンス変換器３８はリアクタンス素子で構成され、しかもサセプタ１４の直近に位置しているため、インピーダンス変換器３８内およびサセプタ１４までの伝送路の損失は無視できるほど小さい。これにより、インピーダンス変換器３８に入力される電力（４９５０Ｗ）の殆どがそのままチャンバ負荷に供給される。その結果、高周波給電部３２より出力される高周波電力の約９０％がチャンバ１０内のプラズマ生成に供される。伝送損失は約１０％にすぎない。
【００３７】
このように、チャンバ負荷の低インピーダンスがインピーダンス変換器３８で高インピーダンスに変成され、高周波電源３２からの高周波電力が高い伝送効率でチャンバ負荷に供給される。このことにより、チャンバ負荷の低インピーダンス化、つまりチャンバの大口径化やハイパワー化に向けて各部（チャンバ１０、サセプタ１４、上部電極１６等）を自由に設計できる。本発明によれば、チャンバの大口径化に容易に対応することができる。
【００３８】
整合器３４においては、二次電流Ｉ2が一次電流Ｉ1と同程度であるため、リアクタンス素子４０，４２，４４を電流容量の小さい小型のものにすることが可能であり、それに伴ってリアクタンス調整機構の所要動力を軽減し、マッチングボックスの小型化を実現できる。さらには、電流容量の小型化により、整合器３４内の損失や発熱を低減することもできる。
【００３９】
また、二次電流Ｉ2が小さくて給電線３６の伝送損失が少ないため、給電線３６を長くして引き回してもよく、整合器３４を任意の場所に設置することができる。一方で、インピーダンス変換器３８は、固定リアクタンス素子だけで構成され、アクタンス調整機構を備えないため、嵩張らず、サセプタ１４の直近に容易に設置または取付けできる。
【００４０】
なお、インピーダンス変換器３８は、２ポートのリアクティブ・コンバータまたはリアクティブ・インバータとして、図示のようなＬ型回路に限らず、Ｔ型回路やπ型回路等でも構成可能であり、所望の変成条件ないし整合条件を満たすように各リアクタンス素子４０，４２，４４のリアクタンスを選定すればよい。
【００４１】
具体的には、図３に示すように、スミスチャートを使用することができる。図３において、Ａ点はインピーダンス変換器３８の入力端つまり給電線３６の終端に対応している。給電線３６の特性インピーダンス（５０Ω）で基準化しているため、チャート上でＡ点のインピーダンスは「＋１」である。この入力端の５０Ωは、並列に挿入された入力段のコンデンサ４８，５０により低インピーダンスに変換される。チャート上では、Ａ点からＢ点に移動する。ここで、Ｂ点は、コンデンサ４８，５０のキャパシタンスの値に応じて曲線Ｃ1，Ｃ1'上で移動する。次に、直列に挿入されたコイル５２によって虚数部がキャンセルされ、チャート上ではＢ点からＣ点に移動する。ここで、Ｃ点は、コイル５２のインダクタンスの値に応じて曲線Ｌ1上で移動する。最終段のコンデンサ５４は、負荷の虚数分をキャンセルする（共振させる）ためのものであり、これによってチャート上ではＣ点からＤ点に移動する。Ｄ点は、コンデンサ５４のキャパシタンスの値に応じて曲線Ｃ2上で移動する。
【００４２】
以上、一実施形態について説明したが、本発明の技術思想の範囲内で種々の変形が可能である。たとえば、インピーダンス変換器３８にリアクタンス可変の素子たとえば可変コンデンサを設けることも可能であり、インピーダンス変換器３８の一部または全部をサセプタ１４に一体化して形成または設置することも可能である。給電線３６は任意の信号伝送路たとえば給電棒に置き換えてもよい。整合器３４の回路構成や調整機構も任意のものでよい。上記した実施形態は容量結合型の平行平板プラズマ処理装置に係り、サセプタ（下部電極）１４だけに高周波を印加した。しかし、本発明は、上部電極１６にだけ高周波を印加する高周波方式や上部電極と下部電極の双方に異なる周波数の高周波を印加する高周波方式にも適用可能であり、高周波電極をチャンバの外に設けるヘリコン波プラズマ方式やＥＣＲプラズマ方式等のプラズマ処理装置にも適用可能である。本発明における被処理基板は半導体ウエハに限らず、ＦＰＤ用の各種基板や、フォトマスク、ＣＤ基板、プリント基板等も可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の一実施形態によるプラズマ処理装置の主要な構成を示す図である。
【図２】実施形態における高周波給電部の作用を説明するための図である。
【図３】実施形態で用いるスミスチャートを示す図である。
【図４】従来のプラズマ処理装置の主要な構成を示す図である。
【図５】従来の高周波給電部の作用を説明するための図である。
【符号の説明】
【００４４】
１０    チャンバ
１４    サセプタ（下部電極）
１６    上部電極（シャワーヘッド）
１８    処理ガス供給部
３０    高周波給電部
３２    高周波電源
３４    整合器
３６    給電線
３８    インピーダンス変換器
４０，４２    可変コンデンサ
４４    コイル
４８，５０    固定コンデンサ
５２    コイル
５４    固定コンデンサ
【図１】
2006134606.tif 000003
【図２】
2006134606.tif 000004
【図３】
2006134606.tif 000005
【図４】
2006134606.tif 000006
【図５】
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