(57)【要約】【課題】  基板や解析機器に関する技術的な理解を必要とせず、故障箇所の特定精度を向上させ、効率的な原因特定を図ることができる基板解析装置を提供する。【解決手段】  プリント基板上の電流または電圧に対応する変位情報を測定する測定手段２１、測定情報及び測定パラメータ情報を記録する記録手段２２、複数の測定情報を比較して違いを抽出する比較手段２３、記録した結果や比較した結果を可視化する表示手段２４、測定／記録／比較の動作を指定する操作手段２５、測定パラメータ情報を設定するパラメータ手段２６を備えた基板解析装置。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリント基板上の電流または電圧に対応する変位情報を測定する測定手段と、測定情報及び測定パラメータ情報を記録する記録手段と、複数の測定情報を比較して違いを抽出する比較手段と、記録した結果や比較した結果を可視化する表示手段と、測定、記録または比較の動作を指定する操作手段と、測定パラメータ情報を設定するパラメータ手段とを備えたことを特徴とする基板解析装置。
【請求項２】
請求項１記載の基板解析装置において、前記測定手段は、予め登録された測定パラメータにより変位情報を測定する第１の変位情報測定手段を有し、前記比較手段は、一定の測定パラメータによる同一条件で、正常基板と不良基板の変位情報を比較することにより、正確に不良基板の不良箇所を特定することを特徴とする基板解析装置。
【請求項３】
請求項２記載の基板解析装置において、前記記録手段は、測定基準点を測定パラメータとして記録する第１のパラメータ記録手段を有し、前記測定手段は、登録された測定基準点に位置を合わせて変位情報を測定する第２の変位情報測定手段を有し、前記比較手段は、測定位置を統一して変位情報を比較する第１の変位情報比較手段を有することを特徴とする基板解析装置。
【請求項４】
請求項２記載の基板解析装置において、前記記録手段は、変位情報を測定する際の拡大率を測定パラメータとして記録する第２のパラメータ記録手段を有し、前記測定手段は、登録された拡大率により変位情報を測定する第３の変位情報測定手段を有し、前記比較手段は、拡大率を統一して変位情報を比較する第２の変位情報比較手段を有することを特徴とする基板解析装置。
【請求項５】
請求項２記載の基板解析装置において、前記記録手段は、変位情報を測定する際の測定レベルを測定パラメータとして記録する第３のパラメータ記録手段を有し、前記測定手段は、登録された測定レベルにより変位情報を測定する第４の変位情報測定手段を有し、前記比較手段は、測定レベルを統一して変位情報を比較する第３の変位情報比較手段を有することを特徴とする基板解析装置。
【請求項６】
請求項２記載の基板解析装置において、前記記録手段は、変位情報を測定する際の測定タイミングを測定パラメータとして記録する第４のパラメータ記録手段を有し、前記測定手段は、登録された測定タイミングにより変位情報を測定する第５の変位情報測定手段を有し、前記比較手段は、測定タイミングを統一して変位情報を比較する第４の変位情報比較手段を有することを特徴とする基板解析装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント基板の故障解析を行う基板解析装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
不良または故障した基板の故障箇所を特定するには、基板についての技術的な理解が必要なだけでなく、解析機器の扱いにも精通している必要がある。また、不良事例に関する知識が無いと、故障箇所の特定に多大な時間を費やすことも少なくない。
そこで、基板や解析機器に関する技術的な理解を必要とせずに、基板を解析するための技術が種種提案されている。
例えば、特許文献１には、半導体について赤外線により異常発熱箇所を不良箇所として発見する解析方法が開示されている。
又、例えば特許文献２には、半導体のパターンについて赤外線により、オープン／ショート欠陥を発見する検査装置が開示されている。
【特許文献１】特開平６−２９５９４７号公報
【特許文献２】特許第２９２５８８２号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
特許文献１には、半導体について赤外線により異常発熱箇所を不良箇所として発見する解析方法が開示されているが、良品と比較することにより故障箇所特定する方法ではなく故障箇所特定の精度に問題がある。
特許文献２には、半導体のパターンについて赤外線により、オープン／ショート欠陥を発見する検査装置が開示されているが、それ以外の不良を検出することはできない。
本発明は、基板や解析機器に関する技術的な理解を必要とせず、故障箇所の特定精度を向上させ、効率的な原因特定を図ることができる基板解析装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記目的を達成するために、請求項１記載の発明は、プリント基板上の電流または電圧に対応する変位情報を測定する測定手段と、測定情報及び測定パラメータ情報を記録する記録手段と、複数の測定情報を比較して違いを抽出する比較手段と、記録した結果や比較した結果を可視化する表示手段と、測定、記録または比較の動作を指定する操作手段と、測定パラメータ情報を設定するパラメータ手段とを備えた基板解析装置を最も主要な特徴とする。
請求項２記載の発明は、請求項１記載の基板解析装置において、前記測定手段は、予め登録された測定パラメータにより変位情報を測定する第１の変位情報測定手段を有し、前記比較手段は、一定の測定パラメータによる同一条件で、正常基板と不良基板の変位情報を比較することにより、正確に不良基板の不良箇所を特定する基板解析装置を主要な特徴とする。
請求項３記載の発明は、請求項２記載の基板解析装置において、前記記録手段は、測定基準点を測定パラメータとして記録する第１のパラメータ記録手段を有し、前記測定手段は、登録された測定基準点に位置を合わせて変位情報を測定する第２の変位情報測定手段を有し、前記比較手段は、測定位置を統一して変位情報を比較する第１の変位情報比較手段を有する基板解析装置を主要な特徴とする。
請求項４記載の発明は、請求項２記載の基板解析装置において、前記記録手段は、変位情報を測定する際の拡大率を測定パラメータとして記録する第２のパラメータ記録手段を有し、前記測定手段は、登録された拡大率により変位情報を測定する第３の変位情報測定手段を有し、前記比較手段は、拡大率を統一して変位情報を比較する第２の変位情報比較手段を有する基板解析装置を主要な特徴とする。
請求項５記載の発明は、請求項２記載の基板解析装置において、前記記録手段は、変位情報を測定する際の測定レベルを測定パラメータとして記録する第３のパラメータ記録手段を有し、前記測定手段は、登録された測定レベルにより変位情報を測定する第４の変位情報測定手段を有し、前記比較手段は、測定レベルを統一して変位情報を比較する第３の変位情報比較手段を有する基板解析装置を主要な特徴とする。
請求項６記載の発明は、請求項２記載の基板解析装置において、前記記録手段は、変位情報を測定する際の測定タイミングを測定パラメータとして記録する第４のパラメータ記録手段を有し、前記測定手段は、登録された測定タイミングにより変位情報を測定する第５の変位情報測定手段を有し、前記比較手段は、測定タイミングを統一して変位情報を比較する第４の変位情報比較手段を有する基板解析装置を主要な特徴とする。
【発明の効果】
【０００５】
本基板解析装置を用いて故障基板を解析することにより、基板の技術的な理解を必要とせず、故障箇所の特定を効率的に実施することができる。更に、同種類の複数基板の変位情報を測定する際に、測定パラメータをいちいち設定することなく、同じ条件で測定することにより、測定バラツキを最小限に抑えることが可能となる。
本基板解析装置を用いて不良または故障基板を解析することにより、基板の変位情報を比較する精度を向上させ、更に故障箇所特定の精度向上に繋げることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
まず、本発明の概要を述べる。プリント基板は、電源を供給することにより電流を消費し、一般的には電圧の変位で電気的動作が行われ、電圧の変位によって電流も変化することは、衆知の事実である。プリント基板が動作した際に電流を消費すると消費量によっては発熱の度合いが違ってくるため、プリント基板上の発熱の度合いを観察することにより、プリント基板上の消費電流を観測することができる。
つまり、電気的動作の違いは消費電流の違いを検出することで可能となり、更に消費電流の違いは発熱の違いを観測することにより可能となる。故障しているプリント基板は、電気的動作が正常基板と異なっていることがその原因であり、電気的動作を観測し、故障基板と正常基板との比較から故障箇所を特定するのが本基板解析装置である。
観測する方式としては、赤外線や電磁波がある。例えば、赤外線により、プリント基板全体面の温度分布を測定し視覚化する技術は、公知技術として確立されているが、本装置では視覚化した情報から故障箇所を特定するようにした。
図１は解析対象となるプリント基板と本発明の実施の形態に係る基板解析装置の構成例を示す図である。
基板解析装置２は、プリント基板１上の電流または電圧に対応する変位情報を測定する測定部２１、測定した情報及び測定パラメータ情報を記録する記録部２２、複数の測定情報を比較して違いを抽出する比較部２３、記録した結果や比較した結果を可視化する表示部２４、測定／記録／比較等の動作を指定する操作部２５、測定パラメータ情報を設定するパラメータ部２６から構成される。
【０００７】
（実施例１）
電気的動作を観測し、故障基板と正常基板との比較から故障箇所を特定する基板解析装置である。観察する際には、故障基板と正常基板とについて、測定パラメータを同じ設定で行う必要がある。つまり、異なる設定で観測した場合は、正確な比較ができないことになる。
また、対象の基板によっては、物理的な大きさが異なり、更に電気的動作のレベルが異なるため正確な測定を行う為には基板毎に最適な値に測定パラメータを設定することが必要となる。
実施例１では、各種測定パラメータを本基板解析装置へ基板種毎に記録できるように構成すると共に、登録した基板毎の測定パラメータを、任意に呼び出すことによって、同じ条件で測定できる様にしたものである。
図２は本発明の基板解析装置の解析手順を示すフロー図である。測定パラメータを設定し（Ｓ１、Ｓ２）、正常基板をスキャンしてスキャン結果と測定パラメータを記録し（Ｓ３−１〜Ｓ５−１）、また不良基板をスキャンしてスキャン結果と測定パラメータを記録し（Ｓ３−２〜Ｓ５−２）、スキャン結果を比較し（Ｓ６）、異なる部分を抽出する（Ｓ７）。
（実施例２）
実施例１の測定パラメータとして、測定基準点を用意し、故障基板と正常基板の測定を、基準点を合わせて行い、故障基板と正常基板の測定結果について正確な比較を行うものである。
構成としては、図１と変わらないが、測定部２１は、基準点に合わせて測定する様に機能アップすることになる。
図３は基準点を用いた比較のイメージを示す図であり、（１）は従来例を、（２）は実施例２を示す。
【０００８】
（実施例３）
実施例１の測定パラメータとして、測定拡大率を用意し、故障基板と正常基板の測定を、倍率を合わせて行い、故障基板と正常基板の測定結果について正確な比較を行うものである。
構成としては、図１と変わらないが、測定部２１は、拡大率を合わせて測定する様に機能アップすることになる。
図４は拡大率を用いた比較のイメージを示す図であり、（１）は従来例を、（２）は実施例３を示す。
（実施例４）
実施例１の測定パラメータとして、測定レベルを用意し、故障基板と正常基板の測定を、測定レベルを合わせて行い、故障基板と正常基板の測定結果について正確な比較を行うものである。
構成としては、図１と変わらないが、測定部２１は、測定レベルを合わせて測定する様に機能アップすることになる。
図５は測定レベルを用いた比較のイメージを示す図であり、（１）は従来例を、（２）は実施例４を示す。
（実施例５）
実施例１の測定パラメータとして、測定タイミングを用意し、故障基板と正常基板の測定を、測定タイミングを合わせて行い、故障基板と正常基板の測定結果について正確な比較を行うものである。
構成としては、図１と変わらないが、測定部２１は、測定タイミングを合わせて測定する様に機能アップすることになる。
図６は測定タイミングを用いた比較のイメージを示す図であり、（１）は従来例を、（２）は実施例５を示す。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】解析対象となるプリント基板と本発明の実施の形態に係る基板解析装置の構成例を示す図である。
【図２】本発明の基板解析装置の解析手順を示すフロー図である。
【図３】基準点を用いた比較のイメージを示す図である。
【図４】拡大率を用いた比較のイメージを示す図である。
【図５】測定レベルを用いた比較のイメージを示す図である。
【図６】測定タイミングを用いた比較のイメージを示す図である。
【符号の説明】
【００１０】
１  プリント基板
２  基板解析装置
２１  測定部
２２  記録部
２３  比較部
２４  表示部
２５  操作部
２６  パラメータ部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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