(57)【要約】【課題】  水素を含むガスが導入されたチャンバを短時間に減圧可能な方法、及び当該方法に好適な処理装置を提供することを目的としている。【解決手段】  本発明の一実施形態に係る方法は、水素を含むガスが導入されたチャンバを減圧する方法であって、（１）チャンバ内、又はチャンバとポンプとを連通する接続部の内部に、チャンバの外部から水蒸気を供給する工程と、（２）チャンバの内部をポンプによって減圧する工程と、を含んでいる。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
水素を含むガスが導入されたチャンバを減圧する方法であって、
前記チャンバ内、又は前記チャンバとポンプとを連通する接続部の内部に、前記チャンバの外部から水蒸気を供給する工程と、
前記ポンプによって前記チャンバの内部を減圧する工程と、
を含む方法。
【請求項２】
ポンプが接続されたチャンバ内に水素を含むガスを供給する工程と、
前記チャンバ内、又は前記チャンバと前記ポンプとを連通する接続部の内部に、前記チャンバの外部から水蒸気を供給する工程と、
前記ポンプによって前記チャンバの内部を減圧する工程と、
を含む方法。
【請求項３】
前記ガスを供給する前記工程、前記水蒸気を供給する前記工程、及び前記チャンバの内部を減圧する前記工程が行なわれた後に、前記水蒸気を供給する前記工程を行なわずに、前記ガスを供給する前記工程と前記チャンバの内部を減圧する前記工程とが行なわれる、
請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記水蒸気は、前記水素が前記チャンバ内に供給される前に供給される、請求項１〜３の何れか一項記載の方法。
【請求項５】
前記水蒸気は、前記水素が前記チャンバ内に供給された後に供給される、請求項１〜３の何れか一項記載の方法。
【請求項６】
前記チャンバの内部を減圧する工程において、前記ポンプによって前記チャンバ内の圧力を０．１３ＫＰａ以下に減圧する、請求項１〜５の何れか一項記載の方法。
【請求項７】
前記ポンプとして、ターボ分子ポンプ又はクライオポンプが用いられる、請求項１〜６の何れか一項記載の方法。
【請求項８】
チャンバと、
前記チャンバに接続された高真空ポンプと、
前記チャンバ内に水素ガスを供給する水素ガス供給部と、
前記チャンバの外部から、前記チャンバ内、又は前記チャンバと前記高真空ポンプとを連通する接続部の内部に水蒸気を供給する水蒸気供給部と、
を備える処理装置。
【請求項９】
前記高真空ポンプは、前記チャンバ内の圧力を０．１３ＫＰａ以下に減圧可能なポンプである、請求項８記載の処理装置。
【請求項１０】
前記高真空ポンプは、ターボ分子ポンプ又はクライオポンプである、請求項８又は９記載の処理装置。
【請求項１１】
前記水素ガス供給部から前記水素を供給するタイミング、及び前記水蒸気供給部から前記水蒸気を供給するタイミングを制御する制御手段を更に備える、請求項８〜１０の何れか一項記載の処理装置
【請求項１２】
前記制御手段は、前記水素ガス供給部から前記チャンバ内に前記水素を供給させる前に、前記水蒸気供給部から前記水蒸気を供給させる、請求項１１記載の処理装置。
【請求項１３】
前記制御手段は、前記水素ガス供給部から前記チャンバ内に前記水素を供給させた後に、前記水蒸気供給部から前記水蒸気を供給させる、請求項１１記載の処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、水素を含むガスが導入されたチャンバを減圧する方法、及びこの方法に好適な処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
水素を含むプロセスガスによる基板の処理については種々の処理が知られている。例えば、チャンバ内に収容された基板上の銅表面の酸化膜を、水素を用いた還元によって除去する処理が知られている（例えば、特許文献１及び特許文献２）。この水素は、基板の処理の後にチャンバ内からポンプによって排気される。
【特許文献１】特開２００１−２６２３７８号公報
【特許文献２】特開平１１−６７７６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、上述したように水素を含むプロセスガスを排気し、例えば、０．１３ＫＰａ（１Ｔｏｒｒ）以下の所定の圧力にチャンバの内部を減圧する処理には、長時間を要する。本発明者は、その原因がチャンバ内の残留水素にあることを見出している。
【０００４】
そこで、本発明は、水素を含むガスが導入されたチャンバを短時間に減圧可能な方法、及び当該方法に好適な処理装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一側面に係る方法は、水素を含むガスが導入されたチャンバを減圧する方法であって、チャンバ内、又はチャンバとポンプとを連通する接続部の内部に、チャンバの外部から水蒸気を供給す工程と、ポンプによってチャンバの内部を減圧する工程とを含んでいる。
【０００６】
また、本発明の一側面に係る方法は、ポンプが接続されたチャンバ内に水素を含むガスを供給する工程と、チャンバ内、又はチャンバとポンプとを連通する接続部の内部に、チャンバの外部から水蒸気を供給する工程と、ポンプによってチャンバの内部を減圧する工程と、を含んでいる。
【０００７】
以上の本発明の方法によれば、水素を含むガスが導入されたチャンバを短時間に減圧することが可能である。
【０００８】
上記本発明の方法では、ガスを供給する上記工程、水蒸気を供給する上記工程、及びチャンバの内部を減圧する上記工程が行なわれた後に、水蒸気を供給する上記工程を行なわずに、ガスを供給する上記工程とチャンバの内部を減圧する上記工程とが行なわれてもよい。
【０００９】
本発明によれば、水蒸気が一旦供給されると、ガスの供給及びチャンバの減圧が所定回数繰り返されても、チャンバを短時間に減圧することが可能である。すなわち、排気効率が高められるという効果が持続される。
【００１０】
上記本発明の方法において、水蒸気が水素の供給と同時に供給されてもよい。また、水蒸気が、水素の供給前、或いは供給後に供給されてもよい。すなわち、水蒸気は水素を含むプロセスガスの供給と同時、その前、又は後に供給されてもよい。
【００１１】
上述の本発明の方法は、ポンプによってチャンバ内の圧力を０．１３ＫＰａ（１Ｔｏｒｒ）以下、特に０．１３×１０−２ＫＰａ（１×１０−２Ｔｏｒｒ）の圧力に減圧させるために採用されることが好適である。かかるポンプとしては、例えば、ターボ分子ポンプ又はクライオポンプを用いることができる。この方法によれば、分子の相互作用による排気が困難になった低圧下においても、チャンバ内の減圧を効率的に行なうことが可能である。
【００１２】
本発明の別の一側面に係る処理装置は、チャンバと、チャンバに接続された高真空ポンプと、チャンバ内に水素を供給する水素ガス供給部と、チャンバの外部からチャンバ内、又はチャンバと高真空ポンプとを連通する接続部の内部に水蒸気を供給する水蒸気供給部とを備えている。
【００１３】
この処理装置によれば、水素を含むガスが導入されたチャンバの減圧のために、水蒸気をチャンバ内又は接続部の内部に供給することが可能である。したがって、この処理装置は、本発明の方法に好適に用いられる。
【００１４】
本発明の処理装置において、高真空ポンプは、チャンバ内の圧力を０．１３ＫＰａ以下に減圧可能なポンプであることが好適である。かかるポンプとしては、ターボ分子ポンプ又はクライオポンプを用いることができる。
【００１５】
本発明の処理装置は、水素ガス供給部から水素を供給するタイミング、及び水蒸気供給部から水蒸気を供給するタイミングを制御する制御手段を更に備えることができる。この構成によれば、制御手段によって水素及び水蒸気の供給のタイミングを自動制御することが可能である。
【００１６】
制御手段は、水素ガス供給部からチャンバ内に水素を供給させる前に、水蒸気供給部から水蒸気を供給させることが可能である。また、制御手段は、水素ガス供給部からチャンバ内に水素を供給させた後に、水蒸気供給部から水蒸気を供給させてもよい。また、制御手段は、水素ガス供給部からの水素の供給、水蒸気供給部から水蒸気の供給を同時に行なわせてもよい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、水素を含むガスが導入されたチャンバを短時間に減圧可能な方法、及び当該方法に好適な処理装置が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図面を参照して本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。また、以下、Ｓｉウェハ上の銅表面の酸化膜（ＣｕＯ）を水素（Ｈ２）を含むプロセスガスを用いた還元によって除去する処理装置、及びこの処理装置によるチャンバ内の減圧方法について説明する。しかしながら、本発明は、以下の実施形態に限られるものではなく、水素を含むガスが導入されたチャンバの減圧を要する装置であれば、如何なる装置にも適用可能である。
【００１９】
図１は、本発明の実施の形態に係る処理装置の構成を示す図である。図１に示す処理装置１０は、チャンバ１２、プロセスガス供給部１４、水蒸気供給部１６、ベントガス供給部１８、高真空ポンプ２０、ドライポンプ２２、及び制御部２４を備えている。
【００２０】
チャンバ１２は、容器本体１２ａと、蓋体１２ｂとを有している。容器本体１２ａには、ウェハＷを出し入れするための開口１２ｃが設けられている。蓋体１２ｂは、この開口１２ｃを開閉するためのものであり、容器本体１２ａに取り付けられている。
【００２１】
容器本体１２ａの内部には、ウェハＷを搭載するためのペデスタル３０が設けられている。このペデスタル３０の上面には、ウェハＷを吸着するための静電チャック３２が設けられている。また、ペデスタル３０の内部には、ウェハＷを加熱するためのヒータＨが設けられている。なお、ヒータＨへの電流は、制御部２４によって制御されており、これによってウェハＷの温度制御が可能になっている。
【００２２】
また、容器本体１２ａには、開口１２ｄが設けられている。この開口１２ｄは、プロセスガス供給部１４からプロセスガスを供給するための開口である。
【００２３】
プロセスガス供給部１４は、第１の供給部（水素ガス供給部）４０及び第２の供給部４２を有している。第１の供給部４０は、チャンバ１２の内部に水素ガスを供給するためのものである。この水素ガスは、ウェハＷ上の銅表面の酸化膜を還元によって除去するために供給される。
【００２４】
第１の供給部４０は、Ｈ２供給源４０ａ、弁４０ｂ、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）４０ｃ、及び弁４０ｄを有している。Ｈ２供給源４０ａは、水素ガスの供給源であり、弁４０ｂ、ＭＦＣ４０ｃ、及び弁４０ｄを介して開口１２ｄに接続されている。弁４０ｂ及び弁４０ｄはそれぞれ、Ｈ２供給源４０ａからの水素ガスの供給を制御する。ＭＦＣ４０ｃは、Ｈ２供給源４０ａからの水素ガスの流量を調整する。
【００２５】
弁４０ｂ、ＭＦＣ４０ｃ、及び弁４０ｄは、制御部２４に接続されている。弁４０ｂ及び４０ｄの開閉、並びにＭＦＣ４０ｃを通過するＨ２ガスの流量は、制御部２４からの電気信号に基づいて制御される。
【００２６】
第２の供給部４２は、プロセスガスに含めるべき他のガスを供給するためのものである。このガスとしては、例えば、シラン（ＳｉＨ４）等を用いることができる。第２の供給部４２は、ガス供給源４２ａ、弁４２ｂ、ＭＦＣ４２ｃ、及び弁４２ｄを有している。
【００２７】
ガス供給源４２ａは、プロセスガスに含めるべきＨ２以外のガスの供給源である。ガス供給源４２ａは、弁４２ｂ、ＭＦＣ４２ｃ、及び弁４２ｄを介して、開口１２ｄに接続されている。弁４２ｂ、ＭＦＣ４２ｃ、及び弁４２ｄは、第１の供給系４０における対応の要素と同様に、制御部２４からの電気信号によって制御される。
【００２８】
この処理装置１０においては、容器本体１２ａの開口１２ｄに、水蒸気供給部１６が更に接続されている。この水蒸気供給部１６は、チャンバ１２の内部に、水蒸気を供給するためのものである。水蒸気供給部１６は、Ｈ２Ｏ供給源１６ａ、弁１６ｂ、ＭＦＣ１６ｃ、及び弁１６ｄを有している。
【００２９】
Ｈ２Ｏ供給源１６ａは、水蒸気の供給源であり、純水をその内部に収容している。このＨ２Ｏ供給源１６ａは、弁１６ｂ、ＭＦＣ１６ｃ、及び弁１６ｄを介して、開口１２ｄに接続されている。弁１６ｂ及び弁１６ｄは、水蒸気の供給を制御するためのものであり、ＭＦＣ１６ｃは、水蒸気の流量を調整するためのものである。
【００３０】
弁１６ｂ、ＭＦＣ１６ｃ、及び弁１６ｄは、制御部２４に接続されている。弁１６ｂ及び弁１６ｄの開閉、及びＭＦＣ１６を通過する水蒸気の流量は、制御部２４からの電気信号によって制御される。
【００３１】
なお、チャンバ１２の内部は、ウェハＷの処理のために減圧される。したがって、Ｈ２Ｏ供給源１６ａがチャンバ１２の内部と連通されると、当該Ｈ２Ｏ供給源１６ａの純水は水蒸気としてチャンバ１２の内部に供給される。
【００３２】
チャンバ１２の容器本体１２ａには、開口１２ｅが更に設けられている。チャンバ１２の内部には、この開口１２ｅに接続されたベントガス供給部１８からベントガスが供給される。このベントガスは、チャンバ１２内の水素の排気時に用いることのできる分子量の大きい不活性ガスである。
【００３３】
本実施の形態においては、ベントガス供給部１８は、Ａｒガス供給部４４とＮ２ガス供給部４６を有している。Ａｒガス供給部４４は、Ａｒガスをチャンバ１２内に供給するためのものである。Ａｒガス供給部４４は、Ａｒガスの供給源であるＡｒガス供給源４４ａ、弁４４ｂ、ＭＦＣ４４ｃ、及び弁４４ｄを有している。弁４４ｂ及び弁４４ｄの開閉、ＭＦＣ４４ｃを通貨するＡｒガスの流量は、制御部２４からの電気信号によって制御される。
【００３４】
同様に、Ｎ２ガス供給部４６は、Ｎ２ガスをチャンバ１２内に供給するためのものである。Ｎ２ガス供給部４６は、Ｎ２ガスの供給源であるＮ２ガス供給源４６ａ、弁４６ｂ、ＭＦＣ４６ｃ、及び弁４６ｄを有している。弁４６ｂ及び弁４６ｄの開閉、ＭＦＣ４６ｃを通過するＮ２ガスの流量は、制御部２４からの電気信号によって制御される。
【００３５】
チャンバ１２の容器本体１２ａには、開口１２ｆが更に設けられている。この開口１２ｆは、チャンバ１２の内部に供給されたプロセスガスを排気するためのものである。この開口１２ｆの開閉のために、チャンバ１２にはゲート弁Ｇが設けられている。このゲート弁Ｇは、制御部２４によって制御されている。また、開口１２ｆは接続部５０を介して高真空ポンプ２０に接続されている。なお、接続部５０としては、チャンバ１２と高真空ポンプ２０とを接続する配管、或いは、容器本体１２ａに連続する空間を提供し且つ配管を介して高真空ポンプに接続される容器等が例示される。
【００３６】
高真空ポンプ２０は、チャンバ１２の内部を０．１３ｋＰａ（１Ｔｏｒｒ）以下に減圧するためのポンプである。処理装置１０における高真空ポンプ２０としては、ターボ分子ポンプ、或いはクライオポンプが採用される。
【００３７】
高真空ポンプ２０は、ドライポンプ２２、所謂粗引真空ポンプに接続されている。ドライポンプ２２は、チャンバ１２の内部を１Ｔｏｒｒ以下の圧力に減圧するためのポンプであり、容器本体１２ａに設けられた開口１２ｇに弁５２を介して接続されている。なお、弁５２の開閉は、制御部２４によって制御されている。
【００３８】
かかる構成の処理装置１０は、制御部２４による自動制御が可能である。制御部２４は、ＣＰＵ（中央処理装置）、メモリ、入力装置といったハードウェアを有するコンピュータである。制御部２４は、入力装置を用いて入力されたレシピにしたがって、処理装置１０のヒータＨの温度、弁の開閉及び開閉量、ＭＦＣを通過するガスの流量、水素ガス及び水蒸気ガスの供給タイミング等を制御する。
【００３９】
以下、この処理装置１０におけるチャンバ１２内の減圧方法について説明する。図２は、本発明のチャンバ内の水素を排気する方法の実施形態に係るフローチャートである。
【００４０】
図２に示すように、本方法においては、チャンバ１２内のペデスタル３０上にウェハＷが搭載された後に、チャンバ１２内のプロセス前排気工程が実施される（ステップＳ０１）。このプロセス前排気工程では、まず弁５２が開かれ、チャンバ１２の内部が所定の圧力になるまでドライポンプ２２によって排気が行なわれ、所定の圧力に到達後、弁５２が閉じられる。そして、ゲート弁Ｇが完全に開かれ、高真空ポンプ２０及びドライポンプ２２によるチャンバ１２の内部の排気が所定時間行なわれる。また、同時に、ヒータＨが所定の温度に制御される。
【００４１】
次いで、プロセスガスの供給及び水蒸気の供給工程が実行される（ステップＳ０２）。この工程では、プロセスガス供給部１４からチャンバ１２内に所定流量の水素ガスが所定時間供給される。また、同時に、水蒸気供給部１６からチャンバ１２内に所定流量の水蒸気が所定時間供給される。この工程においては、ゲート弁Ｇを開ける量を調整しつつ、高真空ポンプ２０及びドライポンプ２２を動作させることによって、チャンバ１２の内部の気圧が所定の圧力に制御される。なお、プロセスガスとして、水素ガスに加えてシラン等のガスが供給されてもよい。また、水蒸気とともにベントガス供給部１８からベントガスが供給されてもよい。
【００４２】
次いで、減圧工程が実行される（ステップＳ０３）。この減圧工程では、ゲート弁Ｇが完全に開かれ、高真空ポンプ２０及びドライポンプ２２によってチャンバ１２内の内部の排気が所定時間行なわれる。
【００４３】
以上の工程によって、水素を含むプロセスガスが導入されたチャンバ１２内の減圧が短時間に行なわれる。
【００４４】
以下、本方法の実施例について説明する。この実施例における各工程の条件（レシピ）は、以下の通りである。
【００４５】
すなわち、プロセス前排気工程（ステップＳ０１）においては、まず弁５２を開いた状態で、チャンバ１２の内部が所定の圧力になるまでドライポンプ２２を動作させ、所定の圧力に到達後、弁５２を閉じた。そして、１５秒間、ゲート弁Ｇを完全に開いた状態で、高真空ポンプ２０及びドライポンプ２２を動作させた。また、本工程においては、ヒータＨの温度を２００℃、水素ガス流量及び水蒸気流量を０ｓｃｃｍ（ｍｌ／ｍｉｎ）とした。
【００４６】
続くプロセスガスの供給及び水蒸気の供給工程（ステップＳ０２）においては、まず、３３秒間、チャンバ１２内の圧力を０．０１３ｋＰａ（１００ｍＴｏｒｒ）、ヒータＨの温度を２００℃、水素ガス流量を３００ｓｃｃｍ、水蒸気の流量を３ｓｃｃｍとした。次に、本工程において、３秒間、チャンバ１２内の圧力を０．０３３ｋＰａ（２５０ｍＴｏｒｒ）、ヒータＨの温度を２００℃、水素ガスの流量を５００ｓｃｃｍ、水蒸気の流量を５ｓｃｃｍとした。次に、本工程において、３０秒の間、チャンバ１２内の圧力を０．０６０ｋＰａ（４５０ｍＴｏｒｒ）、ヒータＨの温度を２００℃、水素ガス流量を９００ｓｃｃｍ、水蒸気の流量を９ｓｃｃｍとした。
【００４７】
続く減圧工程（ステップＳ０３）においては、１０秒間、ゲート弁Ｇを完全に開いた状態で、高真空ポンプ２０及びドライポンプ２２を動作させ、ヒータＨの温度を２００℃、水素ガスの流量及び水蒸気の流量をともに０ｓｃｃｍ（ｍｌ／ｍｉｎ）とした。
【００４８】
以上の条件で行なった実施例によるチャンバ１２内の圧力を図３に示す。また、比較例に係るチャンバ１２内の圧力を図４に示す。この比較例は、水蒸気の供給がない以外、本実施例と同条件での処理を行なった。なお、図３、及び図４において、横軸はウェハの処理枚数であり、左縦軸はチャンバ１２内の圧力をｋＰａを単位として表記したものであり、右縦軸はチャンバ１２内の圧力をＴｏｒｒを単位として表記したものである。また、処理前のプロットは、プロセス前排気工程（ステップＳ０１）後の圧力を示しており、処理後のプロットは減圧工程（ステップＳ０３）後の圧力を示している。
【００４９】
図４に示すように、水蒸気が供給されなかった場合には、１０秒間の減圧工程後のチャンバ１２内の圧力は、約０．１３×１０−４ｋＰａ（１×１０−４Ｔｏｒｒ）であった。これに対して、図３に示すように、水蒸気を供給する本方法によれば、１０秒間の減圧工程後のチャンバ１２内の圧力は、約０．１３×１０−６ｋＰａ（１×１０−６Ｔｏｒｒ）であった。
【００５０】
ここで、図４に示す１枚目のウェハの処理前の圧力は、数十分以上の充分に長い排気工程を経たチャンバ１２内の圧力である。したがって、水蒸気を供給しない場合には、０．１３×１０−６ｋＰａ（１×１０−６Ｔｏｒｒ）以下の圧力にチャンバ１２内を減圧する処理に、長時間を要することが図４から明らかである。換言すれば、チャンバ１２の内部を０．１３×１０−６ｋＰａ（１×１０−６Ｔｏｒｒ）以下の高い真空度にすることは本来可能ではあるが、水素を含むプロセスガスがチャンバ１２に供給されると、当該チャンバ１２の内部を高い真空度へ短時間に復帰することが困難になる。
【００５１】
一方、図３に示すように、水蒸気を供給する本方法によれば、１０秒という短時間でチャンバ１２内の圧力を０．１３×１０−６ｋＰａ（１×１０−６Ｔｏｒｒ）という低圧に減圧することが可能である。また、本方法によれば、ウェハの処理枚数によらず、０．１３×１０−６ｋＰａ（１×１０−６Ｔｏｒｒ）という一定の圧力にチャンバ１２内の圧力を減圧することが可能である。
【００５２】
なお、本方法によってチャンバ１２内の減圧を短時間で行なうことができる理由は以下のように推測される。すなわち、単体の状態の水素は、分子量が小さく、その排気に時間を要する。特に、高真空下、即ちターボポンプ等の高真空ポンプ２０による排気が必要な領域では分子同士の相互作用がなくなり、水素の排気が困難になる。
【００５３】
一方、水蒸気をチャンバ１２内に導入すると、水蒸気と水素が結合して水素の分子量が見かけ上大きくなり、水素の排気効率が改善されるものと推測される。また、水分子群では、電気陰性度の高い酸素原子群と、原子最外核に一個の電子をもち電気的に不安定になっている水素原子群と、電子雲とが一体となり、結合分離を繰り返している。したがって、水蒸気をチャンバ１２内に導入するとプロセスガスの残留水素が、水分子群の分離結合のサイクルに取り込まれて、水蒸気とクラスタを形成する。その結果、高真空ポンプによる水素の排気効率が改善されるものと推測される。
【００５４】
なお、本発明は上記した本実施形態に限定されることなく種々の変形が可能である。図５は、本発明の他の実施形態にかかる処理装置の構成を示す図である。図５に示す処理装置１０Ｂは、水蒸気供給部１６がチャンバ１２と高真空ポンプ２０とを接続する接続部５０に接続されている点において、図１に示す処理装置１０と異なっており、他の点においては処理装置１０と同様である。すなわち、この処理装置１０Ｂのように、チャンバ１２の内部ではなく、接続部５０の内部に水蒸気が供給されてもよい。
【００５５】
図６及び図７は、水素を含むガスが導入されたチャンバを減圧する方法の他の実施形態に係るフローチャートである。図６及び図７に示す方法それぞれにおいては、水素ガスを含むプロセスガスを供給する工程と水蒸気を供給する工程が分離されている点において、図２に示す方法と異なっている。
【００５６】
すなわち、図６に示す方法では、水蒸気をチャンバ１２内に供給する工程（ステップＳ１２）の後、水素ガスを含むプロセスガスをチャンバ１２内に供給する工程（ステップＳ１３）が実施される。また、図７に示す方法では、水素ガスを含むプロセスガスをチャンバ１２内に供給する工程（ステップＳ２２）の後、チャンバ１２内に水蒸気を供給する工程が実施される（ステップＳ２３）。なお、プロセス前排気工程（ステップＳ１１、及びステップＳ２１）は図２のステップＳ０１と同様の工程であり、減圧工程（ステップＳ１４及びステップＳ２４）は図２のステップＳ０３と同様の工程である。
【００５７】
また、上述の実施の形態においては、水蒸気を供給する工程の後に、チャンバの内部を減圧する工程が実施されているが、減圧を先に開始して減圧中に水蒸気を供給してもよい。また、水蒸気の供給とチャンバの減圧とを同時に行なってもよい。
【００５８】
また、水蒸気が一旦供給された後には、交換した別のウェハＷの処理のためにプロセスガスを供給する上記工程と上記減圧工程とが、水蒸気を供給せずに実施されてもよい。すなわち、水蒸気が一旦供給されると、チャンバ１２内の水素の排気効率を高めるという効果が持続的に発揮される。これは、チャンバ１２の内部に残留又は付着等した水分子によるものと推測される。なお、本発明者が行なった実験によれば、水蒸気が一旦供給された後には、プロセスガスを供給する上記工程と上記減圧工程とを上記実施例と同条件で水蒸気を供給せずに、ウェハＷを交換しつつ１０回以上繰り返して行なうことが可能であった。
【００５９】
また、上述した処理装置は、水素ガスを含むプロセスガスによる還元によって銅の酸化膜を除去する装置であるが、本発明に係る処理装置は当該プロセスガスのプラズマによって酸化膜を除去するように構成されていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】図１は、本発明の実施の形態に係る処理装置の構成を示す図である。
【図２】図２は、水素を含むガスが導入されたチャンバを減圧する方法の実施形態に係るフローチャートである。
【図３】図３は、水蒸気を供給した場合のチャンバ内の圧力を示すグラフである。
【図４】図４は、水蒸気を供給しない場合のチャンバ内の圧力を示すグラフである。
【図５】図５は、他の実施の形態に係る処理装置の構成を示す図である。
【図６】図６は、水素を含むガスが導入されたチャンバを減圧する方法の他の実施形態に係るフローチャートである。
【図７】図７は、水素を含むガスが導入されたチャンバを減圧する方法の他の実施形態に係るフローチャートである。
【符号の説明】
【００６１】
１０…処理装置、１２…チャンバ、１２ａ…容器本体、１２ｂ…蓋体、１４…プロセスガス供給部、１６…水蒸気供給部、２０…高真空ポンプ、２２…ドライポンプ、２４…制御部、４０…第１の供給部（水素ガス供給部）。
【図１】
2006351960.tif 000003
【図２】
2006351960.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2006351960.tif 000007
【図６】
2006351960.tif 000008
【図７】
2006351960.tif 000009