(57)【要約】【課題】レーザー光により情報の記録、再生、記録および再生、さらに消去を行う光記録媒体の保護膜を形成するための異常放電発生の少ないスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】モル％で、酸化亜鉛：１０〜３０％、酸化ガリウム：１〜１５％、酸化インジウム：１〜１５％、二酸化珪素：１〜５％を含有し、さらに必要に応じて酸化アルミニウム：０．０５〜２％を含有し、残部：硫化亜鉛および不可避不純物からなる組成、並びに素地中に最大粒径：１５μｍ以下かつ平均粒径:０．５〜３μｍの範囲内にある二酸化珪素が分散している光記録媒体の保護膜形成用スパッタリングターゲット。【選択図】                なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
モル％で、酸化亜鉛：１０〜３０％、酸化ガリウム：１〜１５％、酸化インジウム：１〜１５％、二酸化珪素：１〜５％を含有し、残部：硫化亜鉛および不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする光記録媒体の保護膜形成用スパッタリングターゲット。
【請求項２】
モル％で、酸化亜鉛：１０〜３０％、酸化ガリウム：１〜１５％、酸化インジウム：１〜１５％、二酸化珪素：１〜５％を含有し、残部：硫化亜鉛および不可避不純物からなる組成、並びに二酸化珪素は最大粒径：１５μｍ以下でかつ平均粒径:０．５〜３μｍの範囲内にある微細粒子として素地中に分散している組織を有することを特徴とする光記録媒体の保護膜形成用スパッタリングターゲット。
【請求項３】
モル％で、酸化亜鉛：１０〜３０％、酸化ガリウム：１〜１５％、酸化インジウム：１〜１５％、二酸化珪素：１〜５％、酸化アルミニウム：０．０５〜２％を含有し、残部：硫化亜鉛および不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする光記録媒体の保護膜形成用スパッタリングターゲット。
【請求項４】
モル％で、酸化亜鉛：１０〜３０％、酸化ガリウム：１〜１５％、酸化インジウム：１〜１５％、二酸化珪素：１〜５％、酸化アルミニウム：０．０５〜２％を含有し、残部：硫化亜鉛および不可避不純物からなる組成、並びに酸化アルミニウムは酸化亜鉛に固溶した状態で含まれており、さらに二酸化珪素は最大粒径：１５μｍ以下でかつ平均粒径:０．５〜３μｍの範囲内にある微細粒子として素地中に分散している組織を有することを特徴とする光記録媒体の保護膜形成用スパッタリングターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、レーザー光により情報の記録、再生、記録および再生、並びに消去を行う光記録媒体の保護膜を形成するための異常放電発生の少ないスパッタリングターゲット（以下、ターゲットと云う）に関するものであり、そのターゲットを用いてＡｇまたはＡｇ合金反射膜を硫化し変色し反射率を低下させることの少ない光記録媒体の保護膜を提供するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、上記の光ディスクなどの光記録媒体を構成する保護膜（下部保護膜および上部保護膜を含む。以下、同じ）はスパッタリングにより形成することが知られており、例えば、特許文献１には、質量％で、二酸化けい素（ＳｉＯ2）：４〜２０％、酸化亜鉛（ＺｎＯ）：２０〜３５％を含有し、さらに必要に応じて、Ａｌ2Ｏ3、Ｇａ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、およびＮｂ2Ｏ５のうちの１種または２種以上：０．５〜５％を含有し、残部が硫化亜鉛（ＺｎＳ）からなるホットプレス焼結体で構成した光記録媒体保護層形成用ターゲットが知られている。この光記録媒体保護層形成用ターゲットは、高出力スパッタ条件でスパッタリングを行っても割れが発生することがない優れた耐割損性を有するターゲットであるとされている。
【０００３】
さらに特許文献２には、硫化亜鉛を主成分とし、さらに酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛から選択した１種以上の導電性酸化物：１〜５０モル％、さらに酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化ジルコニウム、酸化ゲルマニウム、酸化アンチモン、酸化ニオブから選択した１種以上の酸化物を導電性酸化物に対して質量換算で０．０１〜２０％含有し、さらに酸化アルミニウム、酸化ホウ素、酸化燐、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物の内の１種以上を二酸化珪素に対する質量比で０．１％以上含有する二酸化珪素を主成分としたガラス形成酸化物：１〜３０モル％含有したターゲットが記載されている。ここで二酸化珪素をガラス形成酸化物として添加する理由は、二酸化珪素を単独で添加すると異常放電の起点となり易いが、二酸化珪素をガラス形成酸化物として含有させると異常放電がなくなるからであるとされている。
【特許文献１】特開２００１−９８３６１号公報
【特許文献２】特開２００３−２４２６８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
近年の光記録媒体の高速記録化に伴い、光記録媒体の反射膜として熱伝導率が高くかつ反射率が高い特性を必要とすることから、Ａｇ膜が使用されてきている。しかし、Ａｇは硫黄による酸化（硫化）により変色しやすく、そのために反射率が低下しやすい特性を有しており、ＺｎＳを主成分とする保護膜がＡｇ反射膜に接して形成されている光記録媒体は高温高湿環境下に置かれるとＡｇ反射膜は硫黄により腐食され、Ａｇ反射膜の反射率が低下する。かかるＡｇ反射膜の硫化による変色とそれに伴う反射率の低下を防止すべく反射膜を耐硫化性に優れた各種Ａｇ合金膜からなる反射膜が提案されているが、十分に満足できるものではなかった。
【０００５】
さらに、従来の二酸化珪素を主成分としたガラス形成酸化物粉末を添加した混合粉末をホットプレスしてターゲットを作製すると、二酸化珪素を主成分としたガラス形成酸化物粉末は軟化し易いから、特に密度を高める目的で高温高圧でホットプレスすると、ガラス形成酸化物は軟化してターゲットの断面組織において扁平状に変形し、スパッタ中にターゲットに割れが発生したり、異常放電を発生したりする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
そこで、本発明者らは上述の観点から高温高湿環境下に置かれてもＡｇまたはＡｇ合金からなる反射膜が硫化して反射率が低下するのを防止すべく、さらにスパッタ中にターゲットの割れが発生したり異常放電が発生したりすることのない光記録媒体保護膜形成用のターゲットを得るべく研究を行った。その結果、
（イ）前記硫化に伴うＡｇまたはＡｇ合金反射膜の反射率の低下は、スパッタ中にＺｎＳが一部乖離して硫黄（Ｓ）が遊離することが原因であり、こうした遊離したＳによる硫化を防止するには、酸化亜鉛：１０〜３０％と、酸化ガリウム：１〜１５％、酸化インジウム：１〜１５％を共に含むことが有効であること、
（ロ）前記スパッタ中にターゲットの割れが発生したり異常放電が発生したりすること防止するためには、二酸化珪素は、ガラス形成酸化物として含まれるよりも、微細な二酸化ケイ素粉末として含まれる方が異常放電の発生が少ないこと、その微細な二酸化ケイ素粉末の含有量は従来の含有量よりも少量の１〜５モル％であること、その粒径は最大粒径：１５μｍ以下でかつ平均粒径：０．５〜３μｍの範囲内にあることが好ましい、などの研究結果が得られたのである。
【０００７】
この発明は、かかる研究結果に基づいて成されたものであって、
（１）モル％で、酸化亜鉛：１０〜３０％、酸化ガリウム：１〜１５％、酸化インジウム：１〜１５％、二酸化珪素：１〜５％を含有し、残部：硫化亜鉛および不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体の保護膜形成用スパッタリングターゲット、
（２）モル％で、酸化亜鉛：１０〜３０％、酸化ガリウム：１〜１５％、酸化インジウム：１〜１５％、二酸化珪素：１〜５％を含有し、残部：硫化亜鉛および不可避不純物からなる組成、並びに二酸化珪素は最大粒径：１５μｍ以下でかつ平均粒径:０．５〜３μｍの範囲内にある微細粒子として素地中に分散している組織を有する光記録媒体の保護膜形成用スパッタリングターゲット、に特徴を有するものである。
本発明者らはさらに研究を行った結果、前記（１）または（２）記載の光記録媒体の保護膜形成用スパッタリングターゲットにさらに酸化アルミニウムを０．０５〜２モル％含有させることによりターゲット自体の導電性をさらに高め、特に直流スパッタに際して異常放電の抑制効果をさらに発揮すること、この酸化アルミニウムは酸化亜鉛に固溶した導電性酸化物の状態でターゲットに含まれることが一層好ましいこと、などの研究結果が得られたのである。
この発明は、かかる研究結果に基づいてなされたものであって、
（３）モル％で、酸化亜鉛：１０〜３０％、酸化ガリウム：１〜１５％、酸化インジウム：１〜１５％、二酸化珪素：１〜５％、酸化アルミニウム：０．０５〜２％を含有し、残部：硫化亜鉛および不可避不純物からなる組成を有する光記録媒体の保護膜形成用スパッタリングターゲット、
（４）モル％で、酸化亜鉛：１０〜３０％、酸化ガリウム：１〜１５％、酸化インジウム：１〜１５％、二酸化珪素：１〜５％、酸化アルミニウム：０．０５〜２％を含有し、残部：硫化亜鉛および不可避不純物からなる組成、並びに酸化アルミニウムは酸化亜鉛に固溶した状態で含まれており、さらに二酸化珪素は最大粒径：１５μｍ以下でかつ平均粒径:０．５〜３μｍの範囲内にある微細粒子として素地中に分散している組織を有する光記録媒体の保護膜形成用スパッタリングターゲット、に特徴を有するものである。
【０００８】
前記（１）〜（２）記載の光記録媒体の保護膜形成用スパッタリングターゲットを製造するには、原料粉末として、平均粒径：１〜３μｍの酸化亜鉛粉末、平均粒径：１〜３μｍの酸化ガリウム粉末、平均粒径：１〜３μｍの酸化インジウム粉末、最大粒径：１５μｍ以下かつ平均粒径:０．５〜３μｍの範囲内にある二酸化珪素粉末、平均粒径：３〜８μｍの硫化亜鉛粉末を用意し、これら原料粉末を、モル％で、酸化亜鉛粉末：１０〜３０％、酸化ガリウム粉末：１〜１５％、酸化インジウム粉末：１〜１５％、二酸化珪素粉末：１〜５％を含有し、残部：硫化亜鉛粉末からなる配合組成となるように配合し混合して混合粉末を作製し、この混合粉末をホットプレスすることにより製造することができる。
【０００９】
前記（３）〜（４）記載の光記録媒体の保護膜形成用スパッタリングターゲットを製造するには、原料粉末として、モル％で、酸化アルミニウムを０．５〜２％を含有する平均粒径：０．２〜１μｍの導電性酸化亜鉛粉末、平均粒径：１〜３μｍの酸化ガリウム粉末、平均粒径：２〜３μｍの酸化インジウム粉末、最大粒径：１５μｍ以下かつ平均粒径:０．５〜３μｍの範囲内にある二酸化珪素粉末、平均粒径：３〜５μｍの硫化亜鉛粉末を用意し、これら原料粉末を、モル％で、導電性酸化亜鉛粉末：１０〜３０％、酸化ガリウム粉末：１〜１５％、酸化インジウム粉末：１〜１５％、二酸化珪素粉末：１〜５％を含有し、残部：硫化亜鉛粉末からなる配合組成となるように配合し混合して混合粉末を作製し、この混合粉末をホットプレスすることにより製造することができる。
【００１０】
この発明の光記録媒体保護膜形成用ターゲットの成分組成を上記の通りに限定した理由を説明する。
【００１１】
（ａ）酸化亜鉛
酸化亜鉛は、硫化亜鉛とともにスパッタされ混合膜となると、スパッタ中にＺｎＳの乖離から発生する遊離したＳの拡散を抑制し、ＳとＡｇとの反応を抑制してＡｇまたはＡｇ合金反射膜の硫化を抑制する作用を有し、さらに酸化亜鉛は真空または還元性雰囲気において容易に酸素欠損を生じ、電子を放出することにより導電性を付与する役割があり、高周波スパッタのみならず直流スパッタにも適用することを可能とし、さらにスパッタ中の成膜速度を高くすることができる作用を有するが、その含有量が１０モル％未満では前記Ｓの拡散防止効果および導電性の付与効果がなく、一方、３０モル％を越えて含有すると酸素欠損のムラが生じ、直流スパッタにおいて異常放電が生じ易くなるので好ましくない。したがって、酸化亜鉛の含有量を１０〜３０モル％に定めた。酸化亜鉛の含有量の一層好ましい範囲は２０〜２５モル％である。
【００１２】
（ｂ）酸化インジウム
酸化インジウムは、酸化亜鉛とともに含有させると、スパッタ中にＺｎＳの乖離から発生する遊離したＳの拡散をより抑制し、ＳとＡｇとの反応をより抑制することによりＡｇまたはＡｇ合金反射膜の硫化をより抑制するとともに、保護膜のアモルファス安定性に効果があるが、その含有量が１モル％未満では前記の効果が得られず、一方、１５モル％を越えて含有すると密度ムラが生じ易くなるので好ましくない。したがって、酸化インジウムの含有量を１〜１５モル％に定めた。酸化インジウムの含有量の一層好ましい範囲は４〜８モル％である。
【００１３】
（ｂ）酸化ガリウム
酸化ガリウムは酸化インジウムと同様に酸化亜鉛とともに含有させることでスパッタ中にＺｎＳの乖離から発生する遊離したＳの拡散を抑制し、ＳとＡｇとの反応を抑制することによりＡｇまたはＡｇ合金反射膜の硫化を抑制し、さらに酸化亜鉛との界面にて固溶体を形成してターゲットの耐スパッタ割れ性を向上させる作用を有するが、その含有量が１モル％未満では前記のいずれの効果も発揮できず、一方、１５モル％を越えて含有すると密度ムラが生じ易くなるので好ましくない。したがって、酸化ガリウムの含有量を１〜１５モル％に定めた。酸化ガリウムの含有量の一層好ましい範囲は４〜８モル％である。
【００１４】
（ｃ）二酸化珪素
二酸化珪素は、硫化亜鉛との混合膜となることにより保護膜のアモルファス安定性を向上させる作用があるが、その含有量が１モル％未満では前記のいずれの効果も発揮できず、一方、５モル％を越えて含有するとスパッタ中の異常放電が多くなり易くなるので好ましくない。したがって、二酸化ケイ素の含有量を１〜５モル％に定めた。二酸化ケイ素の含有量の一層好ましい範囲は２．０〜３．５モル％である。
【００１５】
また、二酸化珪素は、ターゲットの組織においてその粒径が異常放電に大きく影響を及ぼし、素地中に均一分散している二酸化ケイ素粒は微細であるほど異常放電の発生が少なくなる。したがって、素地中に均一分散している二酸化ケイ素粒は最大粒径が１５μｍ以下でかつ平均粒径が０．５〜３μｍの範囲内にあることが好ましい。その理由は、ターゲット素地中に１５μｍを越える大きな二酸化珪素粒があると異常放電が発生し易くなるので好ましくなく、また、素地中に均一分散している二酸化珪素粒の平均粒径が０．５μｍ未満のターゲットを作製しようとすると原料粉末として０．５μｍ未満の微細な二酸化珪素粉末を使用する必要があり、かかる微細な二酸化珪素粉末を使用してターゲットを製造しようとすると、その製造時に粉末同士が凝集し、大きな凝集塊となってターゲット素地中に分散するようになり、この大きな凝集塊が素地中に分散しているターゲットはスパッタに際してかえって異常放電が発生し易くなるからである。また、素地中に均一分散している二酸化珪素粒の平均粒径が３μｍを越えるようになると、微小なノジュールが発生し易くなり、異常放電の起点となりやすいので好ましくないからである。
【００１６】
（ｄ）酸化アルミニウム
酸化アルミニウムは、ターゲット自身の導電性を高め、特に直流スパッタに際して異常放電の抑制効果をさらに発揮するので必要に応じて添加するが、その含有量は０．０５モル％未満では十分な異常放電抑制効果を発揮することができず、一方、２モル％を越えて含有すると、保護膜の光学特性が損なわれるようになるので好ましくない。したがって、酸化アルミニウムの含有量は０．０５〜２モル％に定めた。
なお、酸化アルミニウムは、酸化亜鉛に固溶することにより導電性酸化物となることから、酸化アルミニウムは酸化亜鉛に固溶した導電性酸化物の状態でターゲットに含有されていることが特に直流スパッタに際して一層好ましい。
【発明の効果】
【００１７】
この発明の光記録媒体保護膜形成用のターゲットは、スパッタに際したスパッタ中にターゲットが割れたり異常放電が発生したりすることのないので効率的に光記録媒体保護膜を作製することができ、また得られた光記録媒体保護膜はＡｇまたはＡｇ合金からなる反射膜が硫化して反射率が低下するのを防止することができるなど優れた効果を奏するものである。
【発明を実施するための最良の態様】
【００１８】
つぎに、この発明の光記録媒体保護膜形成用ターゲットを実施例により具体的に説明する。
【００１９】
原料粉末として、平均粒径：４．５μｍを有する純度：９９．９９％以上のＺｎＳ粉末、平均粒径：１．１μｍを有する純度：９９．９９％以上のＺｎＯ粉末、平均粒径：１．５μｍを有する純度：９９．９％以上のＧａ2Ｏ3粉末、平均粒径：０．８３μｍを有する純度：９９．９％以上のＩｎ2Ｏ3粉末を用意し、さらに最大粒径および平均粒径の異なる純度：９９．９９％以上のＳｉＯ2粉末を用意した。
【００２０】
さらにＺｎＯにＡｌ2Ｏ3が０．５モル％、１．０モル％および５モル％固溶した平均粒径がそれぞれ０．７３μｍ、０．７０μｍおよび０．６５μｍを有する導電性酸化亜鉛粉末を用意した。
実施例１
これら原料粉末を表１〜２に示される配合組成となるように秤量しヘンシェルミキサーで均一に混合した後、この混合粉末を黒鉛型に充填した状態で、ホットプレス装置に装入し、雰囲気：１×１０-2Ｔｏｒｒの真空雰囲気、温度：１１００℃、圧力：３０ＭＰａ、保持時間：３時間の条件で焼結してホットプレスすることにより、いずれも直径：１５４ｍｍ×厚さ：６ｍｍの寸法をもった表１〜２の配合組成と同じ成分組成を有する本発明ターゲット１〜１６および比較ターゲット１〜１０を作製し、これら本発明ターゲット１〜１６および比較ターゲット１〜１０の素地中に分散しているＳｉＯ2粒の最大粒径および平均粒径を測定し、その結果を表１〜２に示した。
【００２１】
本発明ターゲット１〜１６および比較ターゲット１〜１０の素地中に分散しているＳｉＯ2粒の最大粒径はターゲットの任意の１個所から１０ｍｍ角程度に切り出してサンプルを作製し、サンプルの断面を研磨したのち、走査型電子顕微鏡にて倍率：１０００倍で観察することにより視野内のＳｉＯ2粒の最大長さを実測し、その最大長さを最大粒径と定義して測定することにより求め、さらに本発明ターゲット１〜１６および比較ターゲット１〜１０の素地中に分散しているＳｉＯ2粒の平均粒径は、焼結前後において体積変化がないことから、原料としてのＳｉＯ2粉末の平均粒径をレーザー回折・散乱法にて測定することにより求めた。
【００２２】
得られた本発明ターゲット１〜１６および比較ターゲット１〜１０を無酸素銅製の水冷バッキングプレートにハンダ付けした状態で、直流マグネトロンスパッタリング装置に装着し、まず装置内を真空排気装置にて１×１０-6Ｔｏｒｒ以下に排気したのち、Ａｒガスを導入して装置内雰囲気を１．５×１０-3Ｔｏｒｒのスパッタガス圧とした。また、厚さ：０．６ｍｍのポリカーボネート基板をターゲットの間隔：７０ｍｍにて配置した。
【００２３】
かかる状態で本発明ターゲット１〜１６および比較ターゲット１〜１０を用い、直流電源にてスパッタ電力：１ｋＷを印加することにより前記ポリカーボネート基板表面に厚さ：５０ｎｍを有する光記録媒体保護膜を形成した保護膜成膜サンプルを作製した。この保護膜成膜サンプルの光記録媒体保護膜について、分光エリプソメーターを使用して波長：６５０ｎｍにおける屈折率を測定し、この測定結果を表１〜２に示すことにより光記録媒体保護膜の基本特性である屈折率を評価した。
【００２４】
また、スパッタ中の放電の安定性を評価するために、前記光記録媒体保護膜の形成条件にて５時間連続スパッタし、スパッタ中の異常放電回数を測定し、その結果を表１〜２に示した。
【００２５】
次に、Ｎｄ：０．９質量％、Ｃｕ：１質量％、残部ＡｇからなるＡｇ合金ターゲットを用い、前記保護膜成膜サンプルの光記録媒体保護膜の上に膜厚：２００ｎｍのＡｇ合金反射膜を成膜することにより保護膜−反射膜成膜サンプルを作製し、この保護膜−反射膜成膜サンプルを温度：８０℃、湿度：８５％の高温高湿槽に３００時間保管し、ポリカーボネート基板側からＡｇ合金反射膜の変色状態を目視にて観察し、変色がない場合を〇、一部変色がある場合を△、変色ありの場合を×として、その結果を表１〜２に示した。
従来例１
原料粉末として、珪酸ガラス（SiO2−0.2％Al２O3−0.12％Na2O）粉末を用意し、SiO2粉末の代りに珪酸ガラス粉末を使用する以外は実施例１と同様にして従来ターゲット１を作製し、従来ターゲット１を使用して実施例１と同じ条件で従来光記録媒体保護膜を前記ポリカーボネート基板表面に形成することにより保護膜成膜サンプルを作製した。
【００２６】
この保護膜成膜サンプルの光記録媒体保護膜について、分光エリプソメーターを使用して波長：６５０ｎｍにおける屈折率を測定し、この測定結果を表２に示すことにより光記録媒体保護膜の基本特性である屈折率を評価した。
【００２７】
また、スパッタ中の放電の安定性を評価するために、前記光記録媒体保護膜の形成条件にて５時間連続スパッタし、スパッタ中の異常放電回数を測定し、その結果を表２に示した。
【００２８】
次に、Ｎｄ：０．９質量％、Ｃｕ：１質量％、残部ＡｇからなるＡｇ合金ターゲットを用い、前記保護膜成膜サンプルの保護膜の上に膜厚：２００ｎｍのＡｇ合金反射膜を成膜することにより保護膜−反射膜成膜サンプルを作製し、この保護膜−反射膜成膜サンプルを温度：８０℃、湿度：８５％の高温高湿槽に３００時間保管し、ポリカーボネート基板側からＡｇ合金反射膜の変色状態を目視にて観察し、変色がない場合を〇、一部変色がある場合を△、変色ありの場合を×として、その結果を表２に示した。
【００２９】
【表１】
2006299307.tif 000002
【００３０】
【表２】
2006299307.tif 000003
【００３１】
表１〜２に示される結果から、本発明ターゲット１〜１６で形成された保護膜は従来ターゲット１で形成した保護膜に比べてＡｇ合金反射膜を変色させることが少ないこと、さらに本発明ターゲット１〜１６は従来ターゲット１に比べてスパッタ中の異常放電回数が格段に少ないことから、本発明ターゲット１〜１６は従来ターゲット１に比べてパーティクル発生数が少なく、優れた保護膜を歩留良く形成することができることなどが解る。
実施例２
先に用意したＺｎＯにＡｌ2Ｏ3が０．５モル％、１．０モル％および５モル％固溶した平均粒径：１μｍを有する導電性酸化亜鉛粉末を表３に示される配合組成となるように配合し、混合して混合粉末を作製し、この混合粉末を実施例１と同じ条件で焼結してホットプレスすることにより表４に示される本発明ターゲット１７〜２０を作製し、本発明ターゲット１７〜２０をを使用して実施例１と同じ条件でポリカーボネート基板表面に形成することにより保護膜成膜サンプルを作製した。
【００３２】
この保護膜成膜サンプルを用い、分光エリプソメーターを使用して波長：６５０ｎｍにおける屈折率を測定し、この測定結果を表４に示すことにより光記録媒体保護膜の基本特性である屈折率を評価した。
【００３３】
その保護膜成膜サンプル作製のためのスパッタリング中に発生した異常放電回数を測定し、その結果を表４に示した。
【００３４】
次に、Ｎｄ：０．９質量％、Ｃｕ：１質量％、残部ＡｇからなるＡｇ合金ターゲットを用い、前記保護膜成膜サンプルの保護膜の上に膜厚：２００ｎｍのＡｇ合金反射膜を成膜することにより保護膜−反射膜成膜サンプルを作製し、この保護膜−反射膜成膜サンプルを温度：８０℃、湿度：８５％の高温高湿槽に３００時間保管し、ポリカーボネート基板側からＡｇ合金反射膜の変色状態を目視にて観察し、変色がない場合を〇、一部変色がある場合を△、変色ありの場合を×として、その結果を表４に示した。
【００３５】
【表３】
2006299307.tif 000004
【００３６】
【表４】
2006299307.tif 000005
【００３７】
表３〜４に示される結果から、さらにＡｌ2Ｏ3をＺｎＯに固溶した状態で含む本発明ターゲット１７〜２０は、一層異常放電回数が少なくなることがわかる。