(57)【要約】【目的】  モールディング材料の使用量を減少させて、メモリーカードの製造コストを低減するメモリーカード構造とその製造方法を提供する。【解決手段】  このメモリーカード構造は、基板と、多数個の電子パッケージデバイスと、モールディング材料と、プラスチック成形材料とを含み、メモリーカードを製造する時、基板を提供するものであって、基板が多数個の外部接点および多数個の内部接点を有して、多数個の外部接点が多数個の内部接点に電気接続されるステップと、多数個の電子パッケージデバイスを表面実装方式により、それぞれ多数個の内部接点に電気接続するステップと、モールディングを行うものであって、モールディング材料により多数個の電子パッケージデバイスおよび対応する多数個の内部接点を被覆するステップと、射出成形を行うものであって、プラスチック成形材料によりモールディング材料および基板を被覆するとともに、前記した多数個の外部接点を露出させるステップとを含む。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも多数個の外部接点および多数個の内部接点を有して、前記した多数個の外部接点が前記した多数個の内部接点に電気接続する基板と、
前記基板表面に配置されるとともに、それぞれ前記した多数個の内部接点に電気接続する多数個の電子パッケージデバイスと、
前記した多数個の電子パッケージデバイスおよび対応する前記した多数個の内部接点を被覆するモールディング材料と、
前記モールディング材料および前記基板を被覆するとともに、前記した多数個の外部接点を露出させるプラスチック成形材料と
を含むメモリーカード構造。
【請求項２】
上記メモリーカード構造が、安全デジタルメモリーカードを含むものである請求項１記載のメモリーカード構造。
【請求項３】
上記した多数個の電子パッケージデバイスが、メモリーパッケージデバイスを含むものである請求項１記載のメモリーカード構造。
【請求項４】
上記した多数個の電子パッケージデバイスが、受動素子を含むものである請求項１記載のメモリーカード構造。
【請求項５】
上記した多数個の電子パッケージデバイスのパッケージ形態が、リードフレーム型パッケージを含むものである請求項１記載のメモリーカード構造。
【請求項６】
上記した多数個の電子パッケージデバイスのパッケージ形態が、ボールグリッドアレイ式パッケージを含むものである請求項１記載のメモリーカード構造。
【請求項７】
上記した多数個の電子パッケージデバイスが、表面実装技術方式により上記した多数個の内部接点に電気接続されるものである請求項１記載のメモリーカード構造。
【請求項８】
上記モールディング材料が、エポキシ樹脂を含むものである請求項１記載のメモリーカード構造。
【請求項９】
上記モールディング材料が、ポリイミドを含むものである請求項１記載のメモリーカード構造。
【請求項１０】
上記プラスチック成形材料が、ポリカーボネイト（ＰＣ）、ポリスチレン（ＰＳ）およびアクリロニトリル−ブタジエン−スチレン（ＡＢＳ）樹脂からなるグループより選択されるものである請求項１記載のメモリーカード構造。
【請求項１１】
基板を提供するものであって、前記基板が少なくとも多数個の外部接点および多数個の内部接点を有して、前記した多数個の外部接点が前記した多数個の内部接点に電気接続されるステップと、
多数個の電子パッケージデバイスを表面実装技術方式により、それぞれ前記した多数個の内部接点に電気接続するステップと、
モールディングを行うものであって、モールディング材料により前記した多数個の電子パッケージデバイスおよび対応する前記した多数個の内部接点を被覆するステップと、
射出成形を行うものであって、プラスチック成形材料により前記モールディング材料および前記基板を被覆するとともに、前記した多数個の外部接点を露出させるステップと
を含むメモリーカード製造方法。
【請求項１２】
上記した射出成形を行うステップを完了した後に、その外形が安全デジタルメモリーカード規格に適合するものである請求項１１記載のメモリーカード製造方法。
【請求項１３】
上記したモールディングを行うステップが、トランスファーモールディング（transfer molding）を含むものである請求項１１記載のメモリーカード製造方法。
【請求項１４】
上記したモールディングを行うステップが、ディスペンシング（dispensing）を含むものである請求項１１記載のメモリーカード製造方法。
【請求項１５】
上記したモールディングを行うステップ中、上記モールディング材料の被覆する面積が上記基板の一部分の面積だけを覆うものである請求項１１記載のメモリーカード製造方法。
【請求項１６】
上記した多数個の電子パッケージデバイスが、メモリーパッケージデバイスを含むものである請求項１１記載のメモリーカード製造方法。
【請求項１７】
上記した多数個の電子パッケージデバイスが、受動素子を含むものである請求項１１記載のメモリーカード製造方法。
【請求項１８】
上記した多数個の電子パッケージデバイスのパッケージ形態が、リードフレーム型パッケージを含むものである請求項１１記載のメモリーカード構造。
【請求項１９】
上記した多数個の電子パッケージデバイスのパッケージ形態が、ボールグリッドアレイ式パッケージを含むものである請求項１１記載のメモリーカード構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、メモリー装置構造とその製造方法に関し、特に、メモリーカード構造とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年来、電子集積回路技術および材料の進歩には目覚ましいものがあり、そのチップ体積は日増しに縮小されているが、その機能は日増しに強化されており、応用の広範さは及ばざる所なしと言うことができ、これによって電子集積回路を利用して生産される製品は、おしなべて軽薄短小の形態へ向かっており、電子辞書、デジタルカメラおよび各種デジタル製品などなど…枚挙にいとまがない。しかも、チップパッケージ技術は日増しに成熟しているので、市場には、すでに厚さが相当に薄いカード中にシングルチップまたはマルチチップをパッケージしたものが存在し、チップ内に大容量のデジタルデータを保存できる特性によって、磁気記録媒体の体積よりも更に小さい差し替え式のメモリーを形成するまでになっている。このような電子媒体をメモリーカードと総称している。
【０００３】
図１は、従来技術にかかるメモリーカード構造を示しており、中華民国（台湾）専利公告第５５６９０８号は、図１に示したようなメモリーカード１００を開示している。このメモリーカード１００は、主要に、基板１１０と、多数個の電子パッケージデバイス１２０と、モールディング材料１３０とから構成される。そのうち、基板１１０は、少なくとも多数個の外部接点１１２および多数個の内部接点１１４を有し、外部接点１１２と内部接点１１４とは、貫通孔１１８を介して電気接続を行っている。各貫通孔１１８内部には、充填体１１６が充填されて、外部の湿気が進入することを防止し、電子パッケージデバイス１２０が基板１１０表面に配置されて、それぞれ内部接点１１４に電気接続される。また、モールディング材料１３０が基板１１０上表面全体を被覆して、電子パッケージデバイス１２０および対応する内部接点１１４を保護している。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
図１に示すように、従来技術にかかるメモリーカード１００のモールディング材料１３０は、基板１１０上表面全体を被覆しており、モールディング材料１３０の販売価格が比較的高いため、メモリーカード１００のコストもそれにつれて高くなり、それに各貫通孔１１８内部に充填される充填体１１６が工程を複雑なものとして、コストをさらに上昇させる。従って、モールディング材料１３０の使用量をいかに減少させるかが考慮に値する問題となる。
【０００５】
そこで、この発明の目的は、モールディング材料の使用量を減少させて、メモリーカードの製造コストを低減するメモリーカード構造を提供することにある。この発明の別な目的は、モールディング材料の使用量を減少させて、メモリーカードの製造コストを低減するメモリーカード製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決し、所望の目的を達成するために、この発明にかかるメモリーカード構造は、少なくとも多数個の外部接点および多数個の内部接点を有して、多数個の外部接点が多数個の内部接点に電気接続する基板と、基板表面に配置されるとともに、それぞれ多数個の内部接点に電気接続する多数個の電子パッケージデバイスと、多数個の電子パッケージデバイスおよび対応する多数個の内部接点を被覆するモールディング材料と、モールディング材料および基板を被覆するとともに、多数個の外部接点を露出させるプラスチック成形材料とを含むものから構成される。
【０００７】
この発明にかかる好適な実施形態において、メモリーカード構造は、例えば、安全デジタルメモリーカードである。また、電子パッケージデバイスは、メモリーパッケージデバイスまたは受動素子とすることができ、電子パッケージデバイスのパッケージ形態をリードフレーム型パッケージまたはボールグリッドアレイ式パッケージとすることができる。さらに、電子パッケージデバイスは、表面実装技術（Surface Mounted Technology = SMT）方式により内部接点に電気接続することができる。
【０００８】
この発明の好適な実施形態にかかるメモリーカード構造において、モールディング材料は、例えば、エポキシ樹脂またはポリイミドすることができる。そして、プラスチック成形材料は、例えば、ポリカーボネイト（ＰＣ）、ポリスチレン（ＰＳ）およびアクリロニトリル−ブタジエン−スチレン（ＡＢＳ）樹脂からなるグループ、あるいは他の適切な汎用型エンジニアリングプラスチックより選択されるものとすることができる。
【０００９】
この発明にかかるメモリーカード製造方法は、基板を提供するものであって、基板が少なくとも多数個の外部接点および多数個の内部接点を有して、多数個の外部接点が多数個の内部接点に電気接続されるステップと、多数個の電子パッケージデバイスを表面実装方式により、それぞれ多数個の内部接点に電気接続するステップと、モールディングを行うものであって、モールディング材料により多数個の電子パッケージデバイスおよび対応する多数個の内部接点を被覆するステップと、射出成形を行うものであって、プラスチック成形材料によりモールディング材料および基板を被覆するとともに、前記した多数個の外部接点を露出させるステップとを含むものから構成される。
【００１０】
この発明にかかるメモリーカード製造方法において、射出成形ステップが完了した後、メモリーカードの外形が例えば安全デジタルメモリーカード規格に適合したものとなる。また、モールディングステップの方法は、例えば、トランスファーモールディング（transfer molding）またはディスペンシング（dispensing）とすることができる。さらに、モールディングステップ中、モールディング材料が被覆する面積は、基板の一部分の面積だけである。
【００１１】
この発明にかかるメモリーカード製造方法において、電子パッケージデバイスは、例えば、メモリーパッケージデバイスまたは受動素子とすることができる。また、電子パッケージデバイスのパッケージ形態をリードフレーム型パッケージあるいはボールグリッドアレイ式パッケージとすることができる。
【００１２】
この発明は、モールディング材料を採用して電子パッケージデバイスおよび対応する内部接点を被覆し、プラスチック成形材料を利用してモールディング材料および基板を被覆するとともに、外部接点を露出させているので、この発明は、モールディング材料の使用量全体を減少させることができることから、メモリーカードの製造コストを低減すると同時に、メモリーカード全体の構造強度を増大させることができる。
【発明の効果】
【００１３】
上記構成により、この発明にかかるメモリーカード構造とその製造方法は、モールディング材料を採用して電子パッケージデバイスおよび対応する内部接点を被覆する、つまり基板の一部分の面積だけを被覆してから、次に、射出成形を利用してプラスチック成形材料により電子パッケージデバイスおよび基板を被覆するとともに、外部接点を露出させる。また、電子パッケージデバイスは、表面実装技術によって、それぞれ内部接点に電気接続される。従って、この発明は、下記する利点を有する。
(a) モールディング材料の被覆する面積は、基板の一部分の面積だけであるから、モールディング材料の使用量を減少させることができ、生産コストを低減させる。
(b)モールディングステップ完了後に、プラスチック成形材料により他の部材と一体的に射出成形するので、構造上の強度を向上させる。
(c)電子パッケージデバイスは、表面実装技術により、それぞれ内部接点に電気接続されるので、メモリーカードの製造コストを低減できると同時に、メモリーカードの歩留まりならびに信頼性を向上させる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、この発明にかかる好適な実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１５】
図２は、この発明の好適な実施形態にかかるメモリーカードを示す要部断面図である。図２において、このメモリーカード２００は、主要に、基板２１０と、多数個の電子パッケージデバイス２２０と、モールディング材料２３０と、プラスチック成形材料２４０とから構成される。そのうち、基板２１０は、少なくとも多数個の外部接点２１２および多数個の内部接点２１４を有し、外部接点２１２と多数個の内部接点２１４とは、例えば基板２１０中の貫通孔（図示せず）を介して電気接続されている。電子パッケージデバイス２２０が基板２１０表面に配置されるとともに、それぞれ内部接点２１４に電気接続されるが、電子パッケージデバイス２２０には、メモリーパッケージデバイス２２２および受動素子２２４が含まれる。この実施形態中、電子パッケージデバイス２２０のパッケージ形態をボールグリッドアレイ（Ball Grid Array = BGA）式パッケージ、リードフレーム型パッケージ（Leadframe Type Package = LTP）または他の適切なパッケージ形態とすることができる。
【００１６】
図２において、モールディング材料２３０は、電子パッケージデバイス２２０ならびに対応する内部接点２１４を被覆するが、モールディング材料２３０は、例えば、エポキシ樹脂またはポリイミドとすることができる。また、プラスチック成形材料２４０は、モールディング材料２３０および基板２１０を被覆するとともに、外部接点２１２を露出させるが、プラスチック成形材料２４０は、例えば、ポリカーボネイト（ＰＣ）、ポリスチレン（ＰＳ）およびアクリロニトリル−ブタジエン−スチレン（ＡＢＳ）樹脂からなるグループ、あるいは他の適切な汎用型エンジニアリングプラスチックより選択されるものとすることができる。
【００１７】
図３（ａ）〜図３（ｃ）は、図２のメモリーカードの製造方法を示している。図３（ａ）において、先ず、基板２１０を提供するが、基板２１０には、少なくとも多数個の外部接点２１２および多数個の内部接点２１４を備えており、そのうち、外部接点２１２と内部接点２１４とが電気接続されている。次に、図３（ｂ）において、電子パッケージデバイス２２０（例えば、メモリーパッケージデバイス２２２または受動素子２２４とする）は、表面実装技術（Surface Mounted Technology = SMT）の方法により、それぞれ内部接点２１４に電気接続される。
【００１８】
図３（ｃ）において、モールディングステップを行うが、モールディング材料２３０によって電子パッケージデバイス２２０および対応する内部接点２１４を被覆し、かつモールディング材料２３０の被覆する面積は、基板２１０の一部分の面積だけである。このモールディングステップの方法には、トランスファーモールディングまたはディスペンシングが含まれる。その後、図２を同時に参照されたいが、モールディングステップ完了後に射出成形ステップを行い、プラスチック成形材料によりモールディング材料２３０および基板２１０を被覆するとともに、外部接点２１２を露出させる。
【００１９】
射出成形ステップ完了後、このメモリーカード２００の外形は、例えば、安全デジタルメモリーカード（Secure Digital Memory Card）規格に適合するものであり、この規格は、日本企業の東芝（Toshiba）および松下（Panasonic）が１９９７年に共同で制定したものである。但し、この実施形態のメモリーカード２００の外形は、また、その他の種類の規格にも適合するよう製作することができ、例えば、ＣＦメモリーカード（Compact Flash Memory Card）、ＭＳメモリーカード（Memory Stick Card）、ＭＳ  Ｄｕｏメモリーカード（Memory Sick Duo）、ＳＭメモリーカード（SmartMedia〔登録商標〕Card）、ｘＤメモリーカード（xD Picture Card）、ＭＭＣメモリーカード（Multi Media Card）、ＲＳ  ＭＭＣメモリーカード（Reduced Size Multi Media Card）、Ｍｉｎｉ  ＳＤメモリーカード（Mini Secure Digital Card）、μメモリーカード（μ Card）、ＲＳμメモリーカード（Reduced Sizeμ Card）…などその他の類似機能の小型メモリーカードがそうである。
【００２０】
以上のごとく、この発明を好適な実施例により開示したが、もとより、この発明を限定するためのものではなく、当業者であれば容易に理解できるように、この発明の技術思想の範囲内において、適当な変更ならびに修正が当然なされうるものであるから、その特許権保護の範囲は、特許請求の範囲および、それと均等な領域を基準として定めなければならない。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】従来技術にかかるメモリーカード構造を示す要部断面図である。
【図２】この発明の好適な実施形態にかかるメモリーカード構造を示す要部断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、図２のメモリーカードの製造方法を示す要部断面図である。
【符号の説明】
【００２２】
２００  メモリーカード
２１０  基板
２１２  外部接点
２１４  内部接点
２２０  電子パッケージデバイス
２２２  メモリーパッケージデバイス
２２４  受動素子
２３０  モールディング材料
２４０  プラスチック成形材料
【図１】
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【図２】
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【図３】
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