(57)【要約】      （修正有）【課題】基板保持手段に載置された基板の位置ずれ状態を検出し、歩留まり低下を抑制することのできる基板処理装置及び基板処理方法を得る。また、所定量以上の位置ずれが生じた場合にも基板がモジュールの壁面等に衝突することのない基板処理装置及び基板処理方法を得る。【解決手段】複数のモジュール間または前記モジュール内において基板を枚葉式に搬送する基板搬送手段と、その動作制御を行う制御手段７０とを具備する基板処理装置であって、前記基板搬送手段は、前記基板が正しい位置に載置された際に該基板と重なるように基板保持手段５２の複数個所に設けられ、基準電位に対する静電容量がそれぞれ検出される複数のセンサＳ１〜Ｓ３とを備え、前記制御手段７０は、前記複数のセンサＳ１〜Ｓ３からの検出結果に基づき前記基板の位置ずれ状態を検出する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対し枚葉式に処理を行う複数のモジュール間または前記モジュール内において基板を搬送する基板搬送手段と、前記基板搬送手段の動作制御を行う制御手段とを具備する基板処理装置であって、
前記基板搬送手段は、前記基板を保持する基板保持手段と、前記基板が正しい位置に載置された際に該基板と重なるように前記基板保持手段の複数個所に設けられ、基準電位に対する静電容量がそれぞれ検出される複数のセンサとを備え、
前記制御手段は、前記複数のセンサからの検出結果に基づき前記基板の位置ずれ状態を検出することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記複数のセンサにおける静電容量の比率と前記基板の位置ずれ量との関係を記録した参照テーブルを記憶した記憶手段を備え、
前記複数のセンサからの検出結果の情報と、前記記憶手段に記憶された参照テーブルの情報とを比較し、基板の位置ずれ量を検出することを特徴とする請求項１に記載された基板処理装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記基板保持手段に載置された基板が所定の位置ずれ量で位置ずれしていることを検出すると、他の基板搬送手段により前記基板を保持させると共に該基板の位置ずれを補正させ、前記基板保持手段に載置させることを特徴とする請求項２に記載された基板処理装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記基板保持手段に載置された基板が所定の位置ずれ量で位置ずれしていることを検出すると、前記基板搬送手段の動作を停止させ、モジュール位置を示すユニット番号の表示と、警告音の発生及び／または警告灯の点灯を行わせることを特徴とする請求項２に記載された基板処理装置。
【請求項５】
前記センサは、樹脂素材に電極を取り付けたものにより形成されることを特徴とする請求項１に記載された基板処理装置。
【請求項６】
基板に対し枚葉式に処理を行う複数のモジュール間または前記モジュール内における基板の搬送制御を行う基板処理方法であって、
前記基板を保持する第一の基板保持手段の複数個所に設けられ、夫々の基準電位に対する静電容量が検出される複数のセンサから、前記基板が載置された状態での静電容量を検出するステップと、
前記複数のセンサからの検出結果に基づき前記基板の位置ずれ状態を検出するステップとを実行することを特徴とする基板処理方法。
【請求項７】
前記基板の位置ずれ状態を検出するステップにおいて、
前記複数のセンサにおける静電容量の比率と前記基板の位置ずれ量との関係を記録した参照テーブルと、前記複数のセンサからの検出結果の情報とを比較するステップと、
前記比較した結果に基づいて、基板の位置ずれ量を検出するステップとを実行することを特徴とする請求項６に記載された基板処理方法。
【請求項８】
前記基板の位置ずれ状態を検出するステップにおいて、前記第一の基板保持手段に載置された基板が所定の位置ずれ量で位置ずれしていることが検出されると、
第二の基板保持手段に前記基板を保持させるステップと、
前記第二の基板保持手段に前記所定の位置ずれ量を補正させるステップと、
前記基板を前記第一の基板保持手段に載置させるステップとを実行させることを特徴とする請求項７に記載された基板処理方法。
【請求項９】
前記基板の位置ずれ状態を検出するステップにおいて、前記第一の基板保持手段に載置された基板が所定の位置ずれ量で位置ずれしていることが検出されると、
前記基板搬送手段の動作を停止させるステップと、
モジュール位置を示すユニット番号の表示と、警告音の発生及び／または警告灯の点灯を行わせるステップとを実行させることを特徴とする請求項７に記載された基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体ウエハやＬＣＤ基板（液晶ディスプレイ用ガラス基板）等の基板に対しレジスト液の塗布処理や、露光後の現像処理等を行う基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスやＬＣＤ基板の製造プロセスにおいては、被処理体である基板に所定の膜を成膜した後、処理液であるフォトレジスト（以下、レジストと呼ぶ）を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィ技術により回路パターンを形成する。このフォトリソグラフィ技術では、基板は、主な工程として、洗浄処理→脱水ベーク→アドヒージョン（疎水化）処理→レジスト塗布→プリベーク→露光→現像前ベーク→現像→ポストベークという一連の処理を経てレジスト層に所定の回路パターンを形成する。
このような処理は、一般にレジストの塗布や現像を行う塗布現像装置に、露光装置を接続したレジストパターン形成装置を用いて行われる。尚、このような装置については、例えば特許文献１に開示されている。
【０００３】
ところで、この一連の処理工程の中では、各基板はロボットアームにより各処理を行うモジュール間を搬送される。この基板の受け取りや受け渡しを円滑に行うためには、各アームの進退のタイミングを正確に制御する必要があるため、従来では、基板を搬送する各アームが、基板を保持しているか否かを検出するセンサを備えている。
尚、基板が載置されるアームにセンサを設けた構成については、例えば特許文献２に開示されている。
【特許文献１】特開２００４−１９３５９７号公報
【特許文献２】特開平９−１４８４１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
今日、前記基板検知センサの設置やアームの材質改善、アームを動作させるアクチュエータの性能向上等により、各モジュールに対する基板の搬入搬出作業の速度が向上している。しかしながら、その搬入搬出作業の速度向上に伴い、基板がアーム上に載置されたときの位置ずれや、基板をアームからモジュールに引き渡したときに発生するエアベアリング現象による基板のすべりによる位置ずれが大きな問題となってきている。
【０００５】
しかしながら、前記したように特許文献２に示される装置にあっては、従来からの基板検知センサにより基板の有無を検知することはできるものの、基板が位置ずれしたときの正確な位置ずれ量は検知することができず、基板がずれたままモジュールへの載置が行われるという問題があった。即ち、位置がずれたまま基板がモジュールに載置された場合には、熱処理において基板の処理面に対して不均一な処理が施され、歩留まり低下の原因となっていた。例えば、レジスト塗布後ベークであれば、溶媒蒸発の違いによる膜厚ムラの発生が生じ、また、露光後ポストエクスポージャベークであれば、化学増幅型レジストの酸発生の違いからパターン不良が発生していた。
また、所定量以上の位置ずれが生ずると、基板がモジュールの壁面等に衝突するおそれがあった。
【０００６】
本発明は、前記したような事情の下になされたものであり、基板に対し枚葉式に処理を行う複数のモジュール間またはモジュール内における基板搬送を制御する基板処理装置において、基板を保持する基板保持手段に載置された基板の位置ずれ状態を検出し、前述した不良発生による歩留まり低下を抑制することのできる基板処理装置及び基板処理方法を提供することを目的とする。また、所定量以上の位置ずれが生じた場合にも基板がモジュールの壁面等に衝突することのない基板処理装置及び基板処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記した課題を解決するために、本発明に係る基板処理装置は、基板に対し枚葉式に処理を行う複数のモジュール間または前記モジュール内において基板を搬送する基板搬送手段と、前記基板搬送手段の動作制御を行う制御手段とを具備する基板処理装置であって、前記基板搬送手段は、前記基板を保持する基板保持手段と、前記基板が正しい位置に載置された際に該基板と重なるように前記基板保持手段の複数個所に設けられ、基準電位に対する静電容量がそれぞれ検出される複数のセンサとを備え、前記制御手段は、前記複数のセンサからの検出結果に基づき前記基板の位置ずれ状態を検出することに特徴を有する。
このように構成することにより、モジュールで処理を行う前に基板の位置ずれを検出することができ、位置ずれの状態で処理されることを未然に防ぐことができるため、歩留まりの低下を抑制することができる。
【０００８】
また、前記制御手段は、前記複数のセンサにおける静電容量の比率と前記基板の位置ずれ量との関係を記録した参照テーブルを記憶した記憶手段を備え、前記複数のセンサからの検出結果の情報と、前記記憶手段に記憶された参照テーブルの情報とを比較し、基板の位置ずれ量を検出することが望ましい。
このように構成することにより、即時に位置ずれ量が求められ、位置ずれしている場合には、その情報を位置ずれ補正の対応に利用することができ、或いは、基板搬送装置の動作を停止させるか否かの判断に用いることができる。
【０００９】
また、前記制御手段は、前記基板保持手段に載置された基板が所定の位置ずれ量で位置ずれしていることを検出すると、他の基板搬送手段により前記基板を保持させると共に該基板の位置ずれを補正させ、前記基板保持手段に載置させることが望ましい。
このように構成することにより、人的作業によらずに基板の位置ずれを直すことが可能となり、効率的に位置ずれの補正作業を行うことができる。
尚、前記センサは、樹脂素材に電極を取り付けたものにより形成されることが好ましい。
【００１０】
また、前記制御手段は、前記基板保持手段に載置された基板が所定の位置ずれ量で位置ずれしていることを検出すると、前記基板搬送手段の動作を停止させ、モジュール位置を示すユニット番号の表示と、警告音の発生及び／または警告灯の点灯を行わせることが望ましい。
このように構成することにより、基板が位置ずれしているために、モジュールの壁面等に基板が衝突するといった問題を解決することができる。
【００１１】
また、前記した課題を解決するために、本発明に係る基板処理方法は、基板に対し枚葉式に処理を行う複数のモジュール間または前記モジュール内における基板の搬送制御を行う基板処理方法であって、前記基板を保持する第一の基板保持手段の複数個所に設けられ、夫々の基準電位に対する静電容量が検出される複数のセンサから、前記基板が載置された状態での静電容量を検出するステップと、前記複数のセンサからの検出結果に基づき前記基板の位置ずれ状態を検出するステップとを実行することに特徴を有する。
このような方法によれば、モジュールで処理を行う前に基板の位置ずれを検出することができ、位置ずれの状態で処理されることを未然に防ぐことができるため、歩留まりの低下を抑制することができる。
【００１２】
また、前記基板の位置ずれ状態を検出するステップにおいて、前記複数のセンサにおける静電容量の比率と前記基板の位置ずれ量との関係を記録した参照テーブルと、前記複数のセンサからの検出結果の情報とを比較するステップと、前記比較した結果に基づいて、基板の位置ずれ量を検出するステップとを実行することが望ましい。
このようにすることにより、即時に位置ずれ量が求められ、位置ずれしている場合には、その情報を位置ずれ補正の対応に利用することができ、或いは、基板搬送装置の動作を停止させるか否かの判断に用いることができる。
【００１３】
また、前記基板の位置ずれ状態を検出するステップにおいて、前記第一の基板保持手段に載置された基板が所定の位置ずれ量で位置ずれしていることが検出されると、第二の基板保持手段に前記基板を保持させるステップと、前記第二の基板保持手段に前記所定の位置ずれ量を補正させるステップと、前記基板を前記第一の基板保持手段に載置させるステップとを実行させることが望ましい。
このようにすることにより、人的作業によらずに基板の位置ずれを直すことが可能となり、効率的に位置ずれの補正作業を行うことができる。
【００１４】
また、前記基板の位置ずれ状態を検出するステップにおいて、前記第一の基板保持手段に載置された基板が所定の位置ずれ量で位置ずれしていることが検出されると、前記基板搬送手段の動作を停止させるステップと、モジュール位置を示すユニット番号の表示と、警告音の発生及び／または警告灯の点灯を行わせるステップとを実行させることが望ましい。
このようにすることにより、基板が位置ずれしているために、モジュールの壁面等に基板が衝突するといった問題を解決することができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、基板に対し枚葉式に処理を行う複数のモジュール間またはモジュール内における基板搬送を制御する基板処理装置において、基板を保持する基板保持手段に載置された基板の位置ずれ状態を検出し、歩留まり低下を抑制することのできる基板処理装置及び基板処理方法を得ることができる。また、所定量以上の位置ずれが生じた場合にも基板がモジュールの壁面等に衝突することのない基板処理装置及び基板処理方法を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。図１乃至図３は本発明の基板処理装置及び基板処理方法が適用される塗布現像装置の全体構成を示す図であり、図１はその平面図、図２は正面図、図３は背面図である。
【００１７】
この塗布現像装置１は、図示するようにカセットステーション１０と、塗布現像工程の中で被処理基板である半導体ウエハ（以下ウエハと称呼する）Ｗに対し、１枚ずつ所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニット（モジュール）を所定位置に多段配置してなる処理ステーション１１と、この処理ステーション１１と隣接して設けられる露光装置（図示せず）との間でウエハＷを受け渡しするためのインターフェース部１２とを一体に接続した構成を有している。
【００１８】
カセットステーション１０は、ウエハＷをウエハカセットＣＲに複数枚例えば２５枚単位で収容し、このウエハカセットＣＲを外部からシステムに搬入又はシステムから搬出したり、ウエハカセットＣＲに対してウエハＷを搬入・搬出したりするための装置である。カセットステーション１０では、図１に示すように、カセット載置台２０上の突起２０ａの位置に複数個例えば４個までのウエハカセットＣＲがそれぞれのウエハ出入口を処理ステーション１１側に向けてＸ方向一列に載置され、カセット配列方向（Ｘ方向）及びウエハカセットＣＲ内に収納されたウエハのウエハ配列方向（Ｚ方向）に移動可能なウエハ搬送体２１が各ウエハカセットＣＲに選択的にアクセスするようになっている。さらに、このウエハ搬送体２１は、θ方向に回転可能に構成されており、後述するように処理ステーション１１側の第３の組Ｇ３の多段ユニット部に属するアライメントユニット（ＡＬＩＭ）及びイクステンションユニット（ＥＸＴ）にもアクセスできるようになっている。
【００１９】
処理ステーション１１では、図１に示すように、中心部に垂直搬送型の主ウエハ搬送機構２２が設けられ、その周りに全ての処理ユニットが１組または複数の組に亘って多段に配置されている。この例では、５組（Ｇ１,Ｇ２,Ｇ３,Ｇ４,Ｇ５）の多段配置構成であり、第１及び第２の組Ｇ１,Ｇ２の多段ユニットはシステム正面（図１において手前）側に並置され、第３の組Ｇ３の多段ユニットはカセットステーション１０に隣接して配置され、第４の組Ｇ４の多段ユニットはインターフェース部１２に隣接して配置され、第５の組Ｇ５の多段ユニットは背部側に配置されている。なお第５の組Ｇ５は、主ウエハ搬送機構２２のメンテナンスのためにレール２５に沿って移動可能に構成されている。
【００２０】
また、主ウエハ搬送機構２２は、図３に示すように、筒状支持体２２ｃの内側に、ロボットアーム２２ｂを有するウエハ搬送装置２２ａを上下方向（Ｚ方向）に昇降自在に装備している。筒状支持体２２ｃはモータ（図示せず）の回転軸に接続されており、このモータの回転駆動力によって、前記回転軸を中心としてウエハ搬送装置２２ａと一体に回転し、それによりこのウエハ搬送装置２２ａは、θ方向に回転自在となっている。
【００２１】
図２に示すように、第１の組Ｇ１では、カップＣＰ内でウエハＷをスピンチャックに載せて所定の処理を行う２台のスピンナ型処理ユニット、例えばレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）及び現像処理ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。第２の組Ｇ２でも、２台のスピンナ型処理ユニット、例えばレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）及び現像処理ユニット（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。レジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）ではレジスト液の排液が機構的にもメンテナンスの上でも面倒であることから、このように下段に配置するのが好ましい。しかし、必要に応じて上段に配置することも可能である。
【００２２】
また、図３に示すように、第３の組Ｇ３では、ウエハＷを載置台に載せて所定の処理を行うオーブン型の処理ユニット、例えば下から順にクーリングユニット（ＣＯＬ）、アドヒージョンユニット（ＡＤ）、アライメントユニット（ＡＬＩＭ）、イクステンションユニット（ＥＸＴ）、プリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）及びポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が重ねられている。第４の組Ｇ４でも、オーブン型の処理ユニット、例えば下から順にクーリングユニット（ＣＯＬ）が２段、イクステンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、イクステンションユニット（ＥＸＴ）、ポストエクスポージャベーキングユニット（ＰＥＢ）及びポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）が重ねられている。
尚、図３には示さないが、第５の組Ｇ５においても、第３の組Ｇ３及び第４の組Ｇ４と同様にオーブン型の処理ユニットが多段配置され、例えばクーリングユニット（ＣＯＬ）、プリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）、ポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）等が必要に応じて重ねられている。
【００２３】
このように処理温度の低いクーリングユニット（ＣＯＬ）、（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し、レジスト塗布後のベークであるプリベーキングユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）、露光後で現像前のベークであるポストエクスポージャベーク（ＰＥＢ）、及び現像後のベークであるポストベーキングユニット（ＰＯＢＡＫＥ）を上段に配置することで、ユニット間の熱的な相互干渉を少なくすることができる。しかし、ランダムな多段配置とすることも可能である。
【００２４】
また、インターフェース部１２は、奥行方向では処理ステーション１１と同じ寸法を有するが、幅方向では小さなサイズで設けられている。インターフェース部１２の正面部には可搬性のピックアップカセットＣＲと定置型のバッファカセットＢＲが２段に配置され、背面部には周辺露光装置２３が配設され、中央部にはロボットアーム２４ａを有するウエハ搬送体２４が設けられている。このウエハ搬送体２４は、Ｘ，Ｚ方向に移動して両カセットＣＲ，ＢＲ及び周辺露光装置２３にアクセスするようになっている。さらに、ウエハ搬送体２４は、θ方向に回転可能に構成され、処理ステーション１１側の第４の組Ｇ４の多段ユニット、及び隣接する露光装置側のウエハ受渡し台（図示せず）にもアクセスできるようになっている。
【００２５】
続いて、本発明の特徴に係る箇所の一例として、前記ポストエクスポージャベーキングユニット（ＰＥＢ）の詳細な説明を行う。このポストエクスポージャベーキングユニット（ＰＥＢ）は、露光後のウエハＷを加熱処理する加熱ユニットであって、加熱プレート及び加熱後のウエハＷの粗熱取りを行う冷却プレートを備えている。
【００２６】
図４は、例えば第４の組Ｇ４内に設けられるポストエクスポージャベーキングユニット（ＰＥＢ）の詳細構造を示す横断面図である。また図５は、ポストエクスポージャベーキングユニット（ＰＥＢ）の縦断面図である。図示するように、筐体４１の内部にはステージ４２が設けられ、このステージ４２の正面側には、ファン４３を介して連通する通気室４４が設けられている。通気室４４は、第４の組Ｇ４内を上下に貫通し、図示しない温調用エアーの供給部と接続する構成とされている。
【００２７】
筐体４１における左右の側壁４５のうち、ステージ４２を挟む部分には、前方側にウエハＷの搬入出を行うための開口部４０（４０ａ、４０ｂ）が形成され、背面側には冷媒流路４６、通気口４７が上下に貫通して形成されている。開口部４０（４０ａ、４０ｂ）はシャッタ５０により開閉自在とされており、主ウエハ搬送機構２２のアーム２２ｂは開口部４０ａを介して、ウエハ搬送体２４のアーム２４ａは開口部４０ｂを介して夫々筐体４１内にアクセスできるようになっている。また、通気口４７はファン４８を介して筐体４１内と連通する構成となされている。
【００２８】
ステージ４２の上面には、その前方側に冷却アーム５が、後方側にヒータ６１を備えた加熱プレート６が夫々設けられている。冷却アーム５は、基板搬送手段としても機能し、筐体４１内に開口部４０（４０ａ、４０ｂ）を介して進入してくる主ウエハ搬送機構２２またはウエハ搬送体２４と、加熱プレート６との間でウエハＷの受け渡しを行うと共に、搬送時においては加熱されたウエハＷを粗冷却する（粗熱取りを行う）役割を有するものである。このため図５に示すように脚部５１がステージ４２に設けられるガイド手段４９（図４参照）に沿ってＹ方向に進退可能に構成されており、これにより第一の基板保持手段としての冷却プレート５２が開口部４０（４０ａ、４０ｂ）の側方位置から加熱プレート６１の上方位置まで移動できるようになっている。また、冷却プレート５２の裏面側には、例えば温度調節水を流すための図示しない冷却流路が設けられている。
【００２９】
また、ステージ４２における主ウエハ搬送機構２２またはウエハ搬送体２４と、冷却プレート５２との間のウエハＷの受け渡し位置、及び加熱プレート６と冷却プレート５２との間のウエハＷの受け渡し位置の夫々には、孔部５３を介して突没するように支持ピン５４が３本ずつ設けられている。冷却プレート５２には、これら支持ピン５４が上昇したときに当該冷却プレート５２を突き抜けてウエハＷを持ち上げることができるようにスリット５５が形成されている。
【００３０】
また、図４に示すように冷却プレート５２の上面には、複数（図では３つ）の静電容量センサＳ１〜Ｓ３が設けられている。これら各センサは全て同形状に形成され、冷却プレート５２上にウエハＷが正しく載置されるとウエハＷが全センサと重なる位置に設けられている。さらに厳密には、ウエハＷが正しく載置されると全センサにおける静電容量の比率が等しくなる位置（夫々のセンサでウエハＷに覆われる面積が同じとなる位置）であって、位置ずれして載置されると、各センサにおける静電容量の比率が異なる位置（夫々のセンサでウエハＷに覆われる面積が異なる位置）に設置される。
【００３１】
ここで図６は、静電容量センサＳ１〜Ｓ３に係る制御系の構成を示すブロック図である。各センサＳ１〜Ｓ３は、例えばテフロン（登録商標）樹脂等により形成されたセンサ本体６１に電極６２を取り付けた構成とされる。各電極６２は、制御部７０の静電容量検出手段７１に同軸ケーブルにより接続される。尚、図示しないが、基準電位（グランド電位等）は例えばモジュール本体のフレーム等の電位が適用される。即ち、冷却プレート５２上にウエハＷが載置されると、各静電容量センサＳ１〜Ｓ３における静電容量が変化するため、その基準電位（グランド電位等）に対する微小な静電容量値（例えば数ｆＦ〜数十ｆＦ）を前記静電容量検出手段７１が検出するようになされている。
【００３２】
図６に示す制御手段７０は、塗布現像装置１の全体制御を行う手段である。即ち、冷却プレート５２を有する基板搬送手段としての冷却アーム５の動作制御も制御手段７０により行われる。また、図示するように、制御手段７０において、静電容量検出手段７１は、演算処理を行うＣＰＵ（中央処理装置）７２に接続されている。即ち、前記の静電容量検出手段７１により検出された各センサＳ１〜Ｓ３における静電容量値の情報はＣＰＵ７２に送られるように構成されている。
【００３３】
さらに制御手段７０には、半導体メモリやハードディスク等による記憶手段７３が設けられ、そこにウエハＷの位置ずれ状態を判定するための判定プログラム７３ａと、静電容量検出手段７１で検出されたデータを比較するためのテーブルデータが記録された参照テーブル７３ｂとが記憶されている。尚、図７は、参照テーブル７３ｂを模式的に示したイメージ図である。図７に示すように、参照テーブル７３ｂは、予め、実験等により得られたデータから作成され、各センサＳ１〜Ｓ３における静電容量の比率と、ウエハＷのＸ、Ｙ方向の位置ずれ量との関係が記録されている。即ち、このテーブルは、各センサと基板（ウエハＷ）との基準座標となる位置に対して、どの程度ずれているかを示している。例えば、参照テーブル７３ｂのＲｏｗ１は位置ずれがないことを示し、Ｒｏｗ２はセンサＳ３方向へ所定量ずれていることを示し、Ｒｏｗ３はセンサＳ２方向へ所定量ずれていることを示している。
また、ＣＰＵ７２は、主ウエハ搬送機構２２のアーム２２ｂまたはウエハ搬送体２４のアーム２４ａ（第二の基板保持手段）を駆動する機械制御手段７４の動作制御を行うようになされている。
【００３４】
次に、静電容量センサＳ１〜Ｓ３の検出結果に基づく制御系の動作について、図８のフロー図に基づいて説明する。
先ず、塗布現像装置１の稼働中においては判定プログラム７３ａが起動され、プログラム実行状態となされる（図８のステップＳＴ１）。
そして、ポストエクスポージャベーキングユニット（ＰＥＢ）での加熱処理を行うために筐体４１内に開口部４０（４０ａ、４０ｂ）を介して主ウエハ搬送機構２２またはウエハ搬送体２４のアーム２２ｂ、２４ａがウエハＷを保持して進入し、上昇した状態の支持ピン５４上にウエハを載置する。次いでウエハＷを載置した状態の支持ピン５４は下降し、冷却プレート５２上にウエハＷが載置された状態になされる（図８のステップＳＴ２）。
【００３５】
冷却プレート５２上にウエハＷが載置されると、各センサＳ１〜Ｓ３における静電容量値が静電容量検出手段７１により検出され、ＣＰＵ７２に検出結果が供給される（図８のステップＳＴ３）。
ＣＰＵ７２では、各センサＳ１〜Ｓ３での検出結果と、記憶手段７３の参照テーブル７３ｂとを比較演算し、ウエハＷの位置ずれ量を算出する（図８のステップＳＴ４）。
【００３６】
ここで、ステップＳＴ４において算出された位置ずれ量が第一の許容範囲内であれば、基板の受け渡しやプロセスへの影響がないため、通常の処理が実行される（図８のステップＳＴ５）。
一方、位置ずれ量が第一の許容範囲を超え（図８のステップＳＴ５）、さらに第二の許容範囲以上の位置ずれ量であった場合には（図８のステップＳＴ６）、制御手段７０は冷却アーム５の動作を完全に停止させ、図示しないオペレーションディスプレイへ加熱ユニット番号を表示させ、警告音の発生及び／または図示しない警告灯の点灯を行わせる（図８のステップＳＴ７）。これにより、操作者はウエハ載置の異常を知ることができ、その対応を即座に行うことができる。
【００３７】
一方、ステップＳＴ６において、第二の許容範囲以上のずれがなかった場合には、制御手段７０は、それがシステム内の基板搬送ロボットアーム（基板搬送手段）により補正可能か否かをそのときの状況に従い判断する（図８のステップＳＴ８）。ここでシステム内の基板搬送ロボットアームにより補正できないと判断されると、制御手段７０は冷却アーム５の動作を完全に停止させ、オペレーションディスプレイへ加熱ユニット番号を表示させ、警告音の発生及び／または図示しない警告灯の点灯を行わせる（図８のステップＳＴ７）。
ステップＳＴ８において、システム内の基板搬送ロボットアームにより補正できると判断されると、制御手段７０は冷却アーム５による基板搬送動作を一時停止させて搬送アームとの受け渡し位置に戻し、アーム２２ｂまたは、アーム２４ａによりウエハＷを再度載置し直すように機械制御手段７４を制御する（図８のステップＳＴ９）。
【００３８】
即ち、この場合、ウエハＷの所定の位置ずれ量が検出されると、冷却プレート５２の下方から支持ピン５４を上昇させ、再度ウエハＷを持ちあげさせる。そして、アーム２２ｂまたは、アーム２４ａによりウエハＷを再度受け取らせ、搬送アームに設けられている落とし込み式の調芯を行い、センターを合わせて位置ずれ量を補正させ、再度支持ピン５４上にウエハＷを載置させる。
このようにして冷却プレート５２上へのウエハＷの位置ずれが無くなるまでステップＳＴ５、ＳＴ６の動作が行われる。
【００３９】
以上のように、本実施の形態によれば、第一の基板保持手段である冷却プレート５２に載置されるウエハＷの位置ずれ状態を検出することができ、所定の位置ずれが検出された場合には、第二の基板保持手段であるアーム２２ｂまたはアーム２４ａにより、位置ずれを補正し、ウエハＷを再度載置し直すことができる。
したがって、従来のように位置ずれが生じたまま加熱プレート６にウエハＷが載置されるといった不具合が生じないため、歩留まり低下を抑制することができる。
また、位置ずれ量が大きく、所定量以上である場合には、冷却プレート５２を移動させる冷却アーム５の動作を停止させ、警告を発することにより、モジュール壁等に対するウエハの衝突を回避することができる。
【００４０】
尚、前記実施の形態においては、ポストエクスポージャベーキングユニット（ＰＥＢ）内の冷却プレート５２に各センサＳ１〜Ｓ３が設けられる構成としたが、本発明に係る基板処理装置にあっては、その形態に限定されるものではない。即ち、ウエハ等の基板を搬送する手段であって、基板が載置されるロボットアーム等の部材であれば、センサの設置部材として好適に適用することができる。例えば、図１〜図３に示した塗布現像装置１においては、ポストエクスポージャベーキングユニット（ＰＥＢ）の冷却プレート５２の他に、主ウエハ搬送機構２２またはウエハ搬送体２４のアーム２２ｂ、２４ａやウエハ搬送体２１のアーム等にもセンサを設けるようにしてもよい。
或いは、ポストエクスポージャベーキングユニット（ＰＥＢ）以外にも、例えばレジスト塗布処理ユニット（ＣＯＴ）や現像処理ユニット（ＤＥＶ）等のモジュールに対しても、本発明の基板処理装置の構成を広く適用することができる。
【００４１】
また、特にポストエクスポージャベーキングユニット（ＰＥＢ）は、ウエハに与えた熱履歴管理が厳密に求められるため、ウエハの載置位置が重要視される。このため、例えば図９に示すように、前述の図４に示したセンサＳ１〜Ｓ３に加え、ウエハＷが載置されるべき正しい位置のウエハ外縁にさらに複数のセンサ（Ｓ４〜Ｓ６）を設けるようにしてもよい。このように構成すれば、ウエハＷの載置位置がずれると、ウエハＷがセンサＳ４〜Ｓ６のいずれかの上に重なり、その静電容量の変化が検出される。これにより、さらに高精度にウエハＷの位置ずれ量を検出することができる。
【００４２】
また、前記実施の形態においては、被処理基板として半導体ウエハを例としたが、本発明における基板は、半導体ウエハに限らず、ＬＣＤ基板、ＣＤ基板、ガラス基板、フォトマスク、プリント基板等も可能である。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
本発明は、半導体ウエハ等の基板を処理するレジストパターン形成装置等に適用でき、半導体製造業界、電子デバイス製造業界等において好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】図１は、本発明の基板処理装置及び基板処理方法が適用される塗布現像装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図２は、図１の塗布現像装置の正面図である。
【図３】図３は、図１の塗布現像装置の背面図である。
【図４】図４は、ポストエクスポージャベーキングユニット（ＰＥＢ）の詳細構造を示す横断面図である。
【図５】図５は、図４のポストエクスポージャベーキングユニット（ＰＥＢ）の縦断面図である。
【図６】図６は、静電容量センサに係る制御系の構成を示すブロック図である。
【図７】図７は、参照テーブルを模式的に示したイメージ図である。
【図８】図８は、静電容量センサの検出結果に基づく制御系の動作を示すフロー図である。
【図９】図９は、ポストエクスポージャベーキングユニット（ＰＥＢ）の他の形態を示す横断面図である。
【符号の説明】
【００４５】
１          塗布現像装置
５          冷却アーム（基板搬送手段）
２２ｂ      ロボットアーム（第二の基板保持手段）
２４ａ      ロボットアーム（第二の基板保持手段）
５２        冷却プレート（第一の基板保持手段）
７０        制御手段
７１        静電容量検出手段
７２        ＣＰＵ
７３        記憶手段
７３ａ      判定プログラム
７３ｂ      参照テーブル
７４        機械制御手段
Ｓ１〜Ｓ６  静電容量センサ（センサ）
Ｗ          ウエハ（基板）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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