(57)【要約】【課題】異なる厚さの保護膜を有する微粒子や異なる大きさの微粒子を用意することなく、微粒子間の距離または微粒子の大きさを制御することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】まず、保護膜１７で覆われた複数の微粒子１８を、隣接する微粒子１８間の保護膜１７同士が接する状態で基板１１上に配列し、固定化する工程を行う。次に、基板１１上に微粒子１８を固定化した状態で、微粒子１８のエッチングを行い、エッチング後の微粒子１８’間の距離Ｄまたは微粒子１８’の粒径Ｌ’を制御する工程を行う。続いて、エッチング後の微粒子１８’を覆う保護膜１７と有機半導体分子２０とを置換して有機半導体分子２０を微粒子１８’と結合させることで、微粒子１８’が有機半導体分子２０によって連結されたチャネル層２１を形成する工程を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
保護膜で覆われた複数の微粒子を、隣接する微粒子間の前記保護膜同士が接する状態で基板上に配列し、固定化する第１工程と、
前記基板上に前記微粒子を固定化した状態で、前記微粒子のエッチングを行い、当該微粒子間の距離または当該微粒子の大きさを制御する第２工程と、
前記エッチング後の前記微粒子を覆う前記保護膜と有機半導体分子とを置換して、当該有機半導体分子を前記微粒子と結合させることで、当該微粒子が当該有機半導体分子によって連結された結合体層を形成する第３工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記第３工程の後に、前記第１工程から前記第３工程までを繰り返して行うことで、前記結合体層を複数積層させる
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２工程では、前記エッチングの処理雰囲気下に、前記保護膜の構成成分を含有させる
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、微粒子と有機半導体分子との結合体層によって導電路が形成されている半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor;以下、ＴＦＴと略記する）は、電子回路、特にディスプレイなどのアクティブマトリックス回路におけるスイッチング素子として広く用いられている。
【０００３】
そして、ＴＦＴの特性指標である移動度を向上させるために、導体または半導体からなる微粒子と、この微粒子と結合した有機半導体分子とによってネットワーク型の導電路を形成し、この導電路の導電性を電界によって制御できるように構成した半導体装置およびその製造方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−８８０９０号公報
【０００５】
特許文献１に記載された半導体装置では、低い移動度の原因となる分子間の電子移動が導電路に含まれず、しかも有機半導体分子内の電子移動は、分子骨格に沿って形成された共役系を通じて行われるので、高い移動度が期待されている。
【０００６】
上述したような半導体装置の製造方法について、図２を用いて説明する。ここでは、ボトムゲート・ボトムコンタクト型の半導体装置の例について説明する。まず、図２（ａ）に示すように、基板１１上に金を蒸着してゲート電極１２を形成する。次に、ゲート電極１２上に、二酸化ケイ素からなるゲート絶縁膜１３を形成する。続いて、ゲート絶縁膜１３上に、他の部分をマスクで覆う状態で、金を蒸着し、ソース電極１４およびドレイン電極１５を形成する。
【０００７】
続いて、図２（ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜１３上のチャネル層を形成する領域の表面に、後工程で形成する微粒子の接着層として、シラノール誘導体からなる接着分子１６の層を形成する。
【０００８】
次いで、ドデシルアミンからなる保護膜１７で覆われた状態の金からなる微粒子１８の分散液を用意し、接着分子１６が形成された状態の基板１１を、この分散液に浸漬させる。これにより、上記接着分子１６と微粒子１８とが結合し、ゲート絶縁膜１３上に、保護膜１７で覆われた状態の微粒子１８が配列し、固定化された微粒子層１９が形成される。この際、隣接する微粒子１８間の保護膜１７同士は接する状態となる。これにより、微粒子１８間の距離Ｄ’は保護膜１７の膜厚の略２倍となる。
【０００９】
次いで、４，４’−ビフェニルジチオールからなる有機半導体分子２０を有機溶剤で溶解した溶液に、微粒子層１９が形成された状態の基板１１を浸漬する。これにより、保護膜１７を構成するドデシルアミンと有機半導体分子２０を構成する４，４’−ビフェニルジチオールとが置換され、末端のチオール基によって４，４’−ビフェニルジチオールが金からなる微粒子１８に結合する。これにより、有機半導体分子２０によって微粒子１８が２次元ネットワーク状に連結されたチャネル層２１が形成される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかし、上述した製造方法では、有機半導体分子２０による微粒子１８のネットワーク化を高効率で達成するために、図２（ｂ）を用いて説明したように、有機半導体分子２０で置換する前に微粒子１８間の距離Ｄ’を有機半導体分子２０の長さにほぼ一致させておく必要がある。このため、有機半導体分子２０の分子長に応じて保護膜１７の厚さの異なる微粒子１８を用意しなければならなかった。
【００１１】
また、有機半導体分子２０が非常に大きな分子長を持つ場合、それに伴って保護膜１７の膜厚を厚くするため、保護膜１７と有機半導体分子２０の置換反応の際、有機半導体分子２０が微粒子１８の表面に到達し難い。このため、保護膜１７と有機半導体分子２０との置換がスムーズに行われず、生産性が悪くなる。また、保護膜１７が有機半導体分子２０と置換されずに残存し、伝導パスが十分に形成されない場合には、半導体装置の性能が悪くなる、という問題がある。
【００１２】
さらに、微粒子１８の大きさの異なる半導体装置を製造する場合には、それぞれに応じて保護膜１７で覆われた状態の大きさの異なる微粒子１８を用意する必要がある。特に、粒径が２ｎｍ以下の微粒子１８を保護膜１７で覆う状態で調製することは難しい。
【００１３】
本発明は、かかる問題点を改善するために提案されたものであり、異なる厚さの保護膜を有する微粒子や異なる大きさの微粒子を用意することなく、微粒子間の距離または微粒子の大きさを制御することが可能な半導体装置の製造方法に関する。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上述の目的を達成するために、本発明の半導体装置の製造方法は、次のような工程を順次行うことを特徴としている。まず、第１工程では、保護膜で覆われた複数の微粒子を、隣接する微粒子間の保護膜同士が接する状態で基板上に配列し、固定化する工程を行う。次に、第２工程では、基板上に微粒子を固定化した状態で、微粒子のエッチングを行い、微粒子間の距離または微粒子の大きさを制御する工程を行う。次いで、エッチング後の微粒子を覆う保護膜と有機半導体分子とを置換して、有機半導体分子を微粒子と結合させることで、微粒子が有機半導体分子によって連結された結合体層を形成する工程を行う。
【００１５】
このような半導体装置の製造方法によれば、保護膜で覆われた微粒子を基板上に配列し、固定化した状態で微粒子のエッチングを行うことで微粒子間の距離を制御するため、従来のように、微粒子間の距離を調整するために、異なる厚さの保護膜を有する微粒子を用意しなくてもよい。
【００１６】
また、エッチングにより微粒子間の距離を制御するため、微粒子間の距離が大きい場合であっても、厚い保護膜で覆われた微粒子を用いて、保護膜と有機半導体分子とを置換しなくてもよく、保護膜を有機半導体分子に効率よく確実に置換することができる。
【００１７】
さらに、微粒子の大きさをエッチングにより制御するため、異なる大きさの微粒子を用意しなくてもよい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、微粒子間の距離または微粒子の大きさを制御するために、異なる厚さの保護膜で覆われた微粒子や異なる大きさの微粒子を用意しなくてもよいことから、低コスト化を実現できる。また、微粒子間の距離が大きい場合であっても、保護膜を有機半導体分子に効率よく確実に置換することができるため、半導体装置の生産性が向上するとともに、保護膜の残存による半導体装置の性能の悪化を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態を詳細に説明する。ここでは、本発明に係る半導体装置の製造方法の一例として、ボトムゲート・ボトムコンタクト型の絶縁ゲート型電界効果トランジスタの作製方法を例にとり、図１を用いて説明する。
【００２０】
まず、図１（ａ）に示すように、公知の方法を用いて、基板１１上にゲート電極１２、ゲート絶縁膜１３、ソース電極１４およびドレイン電極１５を形成する。
【００２１】
基板１１としては酸化ケイ素系材料（ＳｉＯx、ＳｉＮyなど）、酸化アルミニウム、金属酸化物などの絶縁体、あるいは、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、などの有機高分子、あるいは雲母を用いる。半導体や金属表面に上記の絶縁体膜が形成されたものを用いてもよい。基板表面は平滑であるほうがよいが、微粒子層の電気伝導性に影響を与えない程度のラフネスがあっても構わない。
【００２２】
上述した基板１１上に、例えば真空蒸着法により、金（Ａｕ）を蒸着し、ゲート電極１２を形成する。ゲート電極１２の材料としては、金（Ａｕ）以外に、白金、銀、パラジウム、アルミニウム、銅などの金属（これら金属の微粒子を含む導電性ペーストを含む）やまたはそれらによる合金、ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)/ポリ(4-スチレンスルホナート)(PEDOT/PSS)などの導電性高分子を用いることができる。ゲート電極１２の形成は、用いる電極材料によって異なるが、化学的気相成長（Chemical Vapor Deposition(ＣＶＤ)）法、スクリーン印刷法、インクジェット法などを用いる。必要に応じてフォトリソグラフィー法、シャドウマスク法などと組み合わせてもよい。
【００２３】
続いて、ゲート電極１２上に酸化ケイ素（ＳｉＯx）からなるゲート絶縁膜１３を形成する。ゲート絶縁膜１３の材料としては、例えば、酸化ケイ素、ポリメチルメタクリレート、スピンオンガラス、窒化ケイ素、金属酸化物高誘電絶縁膜などやこれらを組み合わせたものを用いることができる。ゲート絶縁膜１３の形成は、熱酸化法、ＣＶＤ法、スピンコーティング法、スパッタ法、浸漬法、キャスティング法により形成する。
【００２４】
次いで、ゲート絶縁膜１３上に、例えば真空蒸着法により、他の部分をマスクした状態で金（Ａｕ）を蒸着して、ソース電極１４およびドレイン電極１５を形成する。ソース電極１４およびドレイン電極１５の材料としては、ゲート電極１２と同様の材料を用いることができる。また、電極パターンの形成は、用いる電極材料によって異なるが、ＣＶＤ法、スクリーン印刷法、インクジェット法などを用いる。必要に応じてフォトリソグラフィー法、シャドウマスク法などと組み合わせてもよい。
【００２５】
次に、図１（ｂ）に示すように、ゲート絶縁膜１３上のチャネル層を形成する領域の表面に、後工程で形成する微粒子を１層分だけ固定する接着層として、シラノール誘導体からなる接着分子１６の層を形成する。この接着層の形成にはシラノール誘導体の蒸気に上記領域の表面を接触させる、あるいは、シラノール誘導体の溶液に上記基板１１を浸漬するといった方法を用いる。なお、ここでは、接着層を形成することとしたが、微粒子とゲート絶縁膜１３との親和性がよい場合には、特に接着層を形成しなくてもよい。
【００２６】
次いで、保護膜１７で覆われた例えば金からなる球形の微粒子１８をトルエンまたはクロロフォルム等に分散させた分散液（濃度数ｍＭ）を用意する。
【００２７】
この微粒子１８としては、金、銀、白金、銅、パラジウムなどの金属、硫化カドミウム、セレン化カドミウム、シリコンなどの半導体またはそれらの合金、酸化ケイ素（ＳｉＯx）、酸化アルミニウム、ポリスチレンなどの絶縁体のいずれを用いてもよい。これらの材料から構成されるコア・シェル型構造を有する微粒子１８を用いることもできる。ただし、微粒子１８に絶縁体を用いた場合には、後工程で微粒子１８と結合させる有機半導体分子には、導電性の比較的高いものを用いることとする。また、ここでは、球形の微粒子１８を用いることとするが、形状は特に限定されるものではなく、例えば四面体、立方体、直方体、円柱、円錐等であってもよい。
【００２８】
また、保護膜１７は、鎖状の絶縁性有機分子で構成されており、アルキルアミンやアルカンチオール等が挙げられる。ここでは、例えばドデシルアミンにより保護膜１７が構成されており、ドデシルアミンのアミノ基が金からなる微粒子１８と結合していることとする。
【００２９】
そして、上述した分散液に、接着分子１６が形成された状態の基板１１を数分間から数時間浸漬した後、溶媒を蒸発させる。これにより、上記接着分子１６と微粒子１８とが結合し、ゲート絶縁膜１３上に、保護膜１７で覆われた状態の微粒子１８が配列し、固定化された微粒子層１９が形成される。この際、隣接する微粒子１８間の保護膜１７同士は接する状態となる。その後、洗浄処理を行うことで、接着層１６に固定されていない余剰の微粒子１８は除去される。ここで、微粒子１８の配列状態としては六方最密充填様に２次元規則配列していることが望ましい。
【００３０】
ここで、隣接する微粒子１８の中心間の距離は、微粒子１８の粒径Ｌと保護膜１７の膜厚Ａにより、２Ａ＋Ｌで示される。そして、微粒子１８は接着分子１６に固定されていることから、この微粒子１８の中心間距離は、後述するエッチング後の微粒子間でも変動しない。ここで、エッチング後の微粒子の粒径をＬ’、微粒子間の距離をＤとした場合、下記式（１）のような関係が成立する。このとき、エッチング後の微粒子の粒径Ｌ’は、微粒子１８の粒径Ｌより小さく、エッチング後の微粒子間の距離Ｄは、保護膜１７の膜厚Ａの２倍値よりも大きくなる。
【数１】
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【００３１】
したがって、微粒子１８の粒径Ｌと保護膜１７の膜厚Ａは、最終的に得たいエッチング後の微粒子間の距離Ｄおよび粒径Ｌ’が得られるように、上記式（１）を満たすように設定される。具体的には、保護膜１７で覆われた状態の微粒子１８は粒子径が１２ｎｍ以下のコロイド粒子で構成されており、微粒子１８の粒径Ｌは３ｎｍ〜１０ｎｍ、保護膜１７は０.５ｎｍ〜２ｎｍの膜厚であることとする。
【００３２】
上記微粒子層１９の形成方法としては、上述したような浸漬法の他に、キャスト法、ラングミュア−ブロジェット（ＬＢ）法、またはスタンプ法などにより形成することが可能である。
【００３３】
キャスト法では、保護膜１７で覆われた微粒子１８をトルエンやクロロフォルム等の溶媒に分散させた分散液を接着分子１６が形成された状態の基板１１上に滴下し、徐々に溶媒を蒸発させて微粒子層１９を形成する。この際、微粒子層１９が一層だけ形成されるように、分散液の濃度を予め調整しておく。
【００３４】
ＬＢ法では、静置した水面上に、保護膜１７で覆われた微粒子１８をトルエンやクロロフォルム等の溶媒に分散させた分散液を展開し、微粒子層１９を形成する。次に水面下降法などにより、接着分子１６が形成された状態の基板１１上に微粒子層１９を転写する。
【００３５】
スタンプ法では、固体表面や水面にキャスト法やＬＢ法で形成した微粒子層１９を一度ポリジメチルシロキサンなどの表面に転写し、それをスタンプのように接着分子１６が形成された基板１１上に押し付けて微粒子層１９を形成する。
【００３６】
次に、図１（ｃ）に示すように、基板１１上に微粒子１８を固定化した状態で、個々の微粒子１８のエッチングを行う。ここでは、例えばウェットエッチングにより微粒子１８のエッチングを行うこととする。この場合は、微粒子層１９が形成された基板１１を微粒子１８の構成材料のエッチング液に浸漬する、または、このエッチング液を微粒子１８を配列形成した基板１１にスプレーし、微粒子１８をエッチングする。これにより、エッチング液が保護膜１７を浸透して微粒子１８に到達し、微粒子１８のみがエッチングされる。この際、エッチング液の濃度や浸漬時間、温度を制御することで、所望の微粒子間の距離Ｄまたは微粒子の大きさ（粒径Ｌ’）になるまでエッチングを行う。
【００３７】
ここでは、微粒子１８が金で構成されることから、エッチング液としてはシアン化ナトリウム、シアン化カリウムなどを含むシアン系エッチング液、あるいはヨウ素とヨウ化アルカリを含むヨウ素系エッチング液、あるいは塩酸と硝酸を３：１の割合で含む王水系エッチング液を用いることができる。
【００３８】
この際、エッチング液に浸漬することにより保護膜１７が脱離し、基板１１上に固定された状態の微粒子１８が不安定な状態になることを避けるため、必要に応じてエッチング液に保護膜１７を構成する絶縁性有機分子を適当な濃度になるように混入させておくことが好ましい。これにより、エッチングにより保護膜１７が微粒子１８から脱離したとしても、保護膜１７を構成する絶縁性有機分子が微粒子１８に再結合されるため、微粒子１８が安定化する。
【００３９】
ここで、エッチング後の微粒子１８’間の距離Ｄは、後述する有機半導体分子の分子鎖長と同等となるように制御する。ここでは、距離Ｄが１ｎｍ〜１０ｎｍとなるように調整することとする。また、距離Ｄを規定することで、微粒子１８’の粒径Ｌも規定される。この際、微粒子１８’の粒径Ｌは、導体として維持される程度の粒径Ｌを有していればよく、例えば５ｎｍ程度となるようにすることが好ましい。
【００４０】
また、微粒子１８’の粒径Ｌ’を２ｎｍ以下とすることで、微粒子１８’が半導体化し、量子効果が期待できる。この場合には、微粒子１８’間を連結する有機半導体分子に微粒子１８’間の距離Ｄと同等の分子長を有する有機半導体分子を用いることで、微粒子１８’間を連結する。
【００４１】
次いで、エッチング後の基板１１を、水、メタノールまたはエタノール等の親水性の溶媒を用いて洗浄し、乾燥させる。
【００４２】
次に、図１（ｄ）に示すように、エッチングされた微粒子１８’間を有機半導体分子２０で結合してチャネル層（結合体層）２１を形成する。ここで、有機半導体分子２０として、両端に微粒子１８’と強く結合するような官能基を有する分子を用いる。例えば金微粒子を用いる場合、チオール基、アミノ基、イソシアノ基を有することが好ましい。両端の官能基は同一であっても異なっていてもよい。ここでは、有機半導体分子２０として、４，４’−ビフェニルジチオールを用いることとする。
【００４３】
この場合には、エッチング後の微粒子１８’が配列された基板１１を有機半導体分子２０の溶液に浸漬後、溶媒で洗浄し、その後溶媒を蒸発させる。また、基板１１を有機半導体分子２０の蒸気に一定時間曝すことで微粒子１８間を有機半導体分子２０で結合することも可能である。これにより、有機半導体分子２０によって微粒子１８が２次元ネットワーク状に連結されたチャネル層２１が形成される。その後、必要に応じて、基板１１全面にパッシベーションを行い、半導体装置を完成させる。
【００４４】
このような半導体装置の製造方法によれば、保護膜１７で覆われた微粒子１８を基板１１上に配列し、固定化して微粒子層１９を形成した後、微粒子１８のエッチングを行うことでエッチング後の微粒子１８’間の距離Ｄを制御する。このため、従来のように、微粒子１８間の距離ｄを調整するために、異なる厚さの保護膜１７を有する微粒子１８を用意しなくてもよい。さらに、微粒子１８の粒径Ｌ’もエッチングにより制御するため、異なる粒径の微粒子１８を用意しなくてもよい。このため、低コスト化を実現できる。
【００４５】
また、エッチングにより、チャネル層２１を構成する微粒子１８’間の距離Ｄを制御するため、微粒子１８間の距離Ｄが大きい場合であっても、厚い保護膜１７で覆われた微粒子１８を用いて、保護膜１７と有機半導体分子２０とを置換しなくてもよく、保護膜１７を有機半導体分子２０に効率よく確実に置換することができる。したがって、半導体装置の生産性を向上することができるとともに、保護膜１７の残存による半導体装置の性能の悪化を防止することができる。
【００４６】
なお、上記実施形態では、ウェットエッチングにより微粒子１８のエッチングを行うこととしたが、ドライエッチングを用いてもよい。この場合には、真空チャンバー内に保護膜１７で覆われた微粒子１８を配列形成した基板１１を導入した後、真空チャンバー内に例えば窒素と酸素からなるエッチングガスを導入し、高周波やマイクロ波によってエッチングガスをプラズマ化する。ここで、ドライエッチング方法としては、基板ホルダーに配置した電極に高周波電力を印加することで、プラズマ中でイオンを加速して基板に衝撃させる反応性イオンエッチング、あるいは、基板に電圧を印加せずにプラズマ中で発生したラジカルによって微粒子をエッチングするプラズマエッチングのいずれの方法を用いることが可能である。
【００４７】
上記プラズマ化されたガスにより、基板１１上に微粒子１８が固定化された状態で、微粒子１８がエッチングされる。この際、エッチングガスの導入量、エッチング時間、電圧などのエッチング条件を制御することによって、エッチング後の微粒子１８’間の距離Ｄおよび微粒子１８’の粒径Ｌ’を調整する。この際、上記エッチング条件を、微粒子１８の下層のゲート絶縁膜１３がプラズマガスにより損傷を受けないように調整する。また、反応によって生成された物質は排気とともに真空チャンバー外に排出される。
【００４８】
ここで、ウェットエッチングの場合と同様に、保護膜１７を構成する成分をエッチング処理雰囲気に含有させてもよい。ただし、ドライエッチングよりもウェットエッチングにより微粒子１８をエッチングする方が、プラズマガスによるゲート絶縁膜１３への損傷を気にしなくてよく、汎用性が高い点でも、好ましい。
【００４９】
また、上記実施形態では、微粒子１８’と有機半導体分子２０とで構成されたチャネル層２１を１層のみ形成する例について説明したが、上記チャネル層２１を複数積層する場合であっても、本発明は適用可能である。この場合には、チャネル層２１を形成した後、図１（ｂ）〜図１（ｄ）を用いて説明した工程を繰り返して行う。
【００５０】
具体的には、チャネル層２１が形成された状態の基板１１を、保護膜１７で覆われた微粒子１８の分散液に再び浸漬させる。この際、チャネル層２１の表面には有機半導体分子２０を構成する４，４’−ビフェニルジチオールの未反応のチオール基が多数残っているため、チャネル層２１の表面は微粒子１８に対して強い結合力を有している。これにより、１層目のチャネル層２１の表面に微粒子１８が結合して固定され、保護膜で覆われた微粒子が配列形成された２層目の微粒子層が形成される。続いて、この状態の基板１１にウェットエッチングを行うことで、エッチング後の微粒子間の距離および微粒子の粒径を調整する。その後、有機半導体分子の溶液に浸漬させることで、４，４’−ビフェニルジチオールによって微粒子が連結された２層目のチャネル層が形成される。
【００５１】
これにより、２層目の微粒子は４，４’−ビフェニルジチオールによって１層目の微粒子１８’と連結されるとともに２層目の同じ微粒子と連結した１層目の微粒子１８’同士は２層目のこの微粒子を介して連結されることになり、連結は三次元的なものになる。
【００５２】
さらに上記実施形態では、ボトムゲート・ボトムコンタクト型の半導体装置の製造方法を例にとって説明したが、本発明はこれに限定されることなく、ボトムゲート・トップコンタクト型、トップゲート・ボトムコンタクト型、またはトップゲート・トップコンタクト型の半導体装置であっても適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】本発明に係る半導体装置の製造方法の実施の形態を説明するための製造工程断面図である。
【図２】従来の半導体装置の製造方法を説明するための製造工程断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１１…基板、１７…保護膜、１８，１８’…微粒子、２０…有機半導体分子、２１…チャネル層
【図１】
2006351660.tif 000004
【図２】
2006351660.tif 000005