(57)【要約】【課題】アドレス放電が安定であり、低電圧駆動が可能な高画質のプラズマディスプレイパネルを提供する。【解決手段】少なくとも表示電極（６）と誘電体層（７）とを有する前面板（１）と背面板（２）とを対向配置して放電空間（１４）を形成し、放電空間（１４）に放電ガスを充填したプラズマディスプレイパネルであって、誘電体層（７）上に珪素）あるいはアルミニウムの少なくとも一つの元素が添加された酸化マグネシウム）からなる保護層（８）を設け、かつ、放電ガスが少なくともキセノンと水素とを含み、保護層（８）の珪素あるいはアルミニウムの濃度が３０ｐｐｍ以上５００００ｐｐｍ以下であり、かつ、水素の濃度が１００００ｐｐｍ以下である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも電極と誘電体層とを有する前面板と背面板とを対向配置して放電空間を形成し、前記放電空間に放電ガスを充填したプラズマディスプレイパネルであって、前記誘電体層上に珪素あるいはアルミニウムの少なくとも一つの元素が添加された酸化マグネシウムからなる保護層を設け、かつ、前記放電ガスが少なくともキセノンと水素とを含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記保護層の前記珪素あるいは前記アルミニウムの濃度が３０ｐｐｍ以上５００００ｐｐｍ以下であり、かつ、前記水素の濃度が１００００ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前記保護層の前記珪素と前記アルミニウムの濃度の合計が１００ｐｐｍ以上５００００ｐｐｍ以下であり、かつ、前記水素の濃度が１０００ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記キセノンの濃度が５％以上３０％以下であることを特徴とする請求項２または請求項３に記載のプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示デバイス等に用いるプラズマディスプレイパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと呼ぶ）は、基本的には、前面板と背面板とで構成されている。前面板は、ガラス基板と、その一方の主面上に形成されたストライプ状の透明電極とバス電極とで構成される表示電極と、表示電極を覆ってコンデンサとしての働きをする誘電体ガラス層と、誘電体層上に形成された酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる保護層とで構成されている。
【０００３】
ガラス基板としては、大面積化が容易で平坦性にも優れたフロート法により製造されたガラス基板を用いている。表示電極は、薄膜プロセスにより形成した透明電極上に導電性を確保するための銀（Ａｇ）材料を含むペーストを所定のパターンで形成し、その後、焼成することによりバス電極を形成している。そして透明電極とバス電極とより構成された表示電極を覆うように誘電体ペーストを塗布し焼成することにより誘電体層を形成している。最後に誘電体層上にＭｇＯからなる保護層を薄膜プロセスを用いて形成している。
【０００４】
一方、背面板は、ガラス基板と、その一方の主面上に形成されたストライプ状のアドレス電極と、アドレス電極を覆う誘電体層と、誘電体層上に形成された隔壁と、各隔壁間に形成された赤色、緑色および青色それぞれに発光する蛍光体層とで構成されている。
【０００５】
前面板と背面板とはその電極形成面側を対向させて気密封着し、隔壁によって仕切られた放電空間にネオン（Ｎｅ）−キセノン（Ｘｅ）などの放電ガスを４００Ｔｏｒｒ〜６００Ｔｏｒｒの圧力で封入している。ＰＤＰは、表示電極に映像信号電圧を選択的に印加することによってガス放電を発生させ、その放電によって発生した紫外線が各色蛍光体層を励起して赤色、緑色、青色の発光をさせている。このようにしてカラー画像表示を実現している例が開示されている（例えば、非特許文献１参照）。
【０００６】
また、画像表示をさせるには、１フレームの画像を複数のサブフィールド（ＳＦ）に分割することによって階調表現をする方式が用いられている。この方式では、放電を制御するため１ＳＦを初期化期間、アドレス期間、維持期間、消去期間に分割している。点灯する画素を選択するためのアドレス期間でのアドレス放電を安定に行う技術として、保護層のＭｇＯに数１００ｐｐｍから数％の珪素（Ｓｉ）やアルミニウム（Ａｌ）元素を添加し、保護層の電子放出特性を改善する例が開示されている（例えば、特許文献１、特許文献２、特許文献３参照）。
【０００７】
また、初期化期間の放電に対する波形を一般的な矩形パルスに変えて緩勾配にし、各放電セルの形状ばらつきや蛍光体の帯電状態の違いによるアドレス放電電圧のばらつきを抑える例が開示されている(例えば、特許文献４、非特許文献２参照)。
【非特許文献１】内池平樹、御子柴茂生共著、「プラズマディスプレイのすべて」、（株）工業調査会、１９９７年５月１日、ｐ７９−ｐ８０
【非特許文献２】「ＰＤＰにおける各部材別特性および最新の開発事例」、株式会社情報機構２００４年３月２６日、ｐ２１６−ｐ２１８
【特許文献１】特開平１０−３３４８０９号公報
【特許文献２】特開２００３−１３２８０１号公報
【特許文献３】特開２００４−１０３２７３号公報
【特許文献４】特開２０００−２６７６２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、近年は、ハイビジョンをはじめとする高精細、高階調でしかも低消費電力の画像表示装置に対する期待が高まっている。特に、近年期待されているフルスペックの４２インチクラスのハイビジョンテレビでは、画素数が１９２０×１１２５であり、各所放電セルのセルピッチは０．１５ｍｍ×０．４８ｍｍと小さくなっている。このような高精細のＰＤＰにおいては、輝度と効率の低下が特に顕在化するという課題が発生する。
【０００９】
そこで、ＰＤＰ内の放電ガス中のＸｅ濃度を、従来に比べて高い５％以上に設定したり、井桁状の隔壁を使用したりすることで輝度と効率の向上を図る施策が取られている。しかし、高輝度化のためにＰＤＰ内の放電ガス中のＸｅ濃度を５％以上にする場合や、井桁状の隔壁を使用する場合には、駆動電圧が大幅に上昇しアドレス放電がより不安定になり、高品質の画像が得られないという課題が発生する。また、Ｘｅ濃度が増加すると、Ｘｅイオンの量も増大し、ＭｇＯがスパッタされやすくなり保護層の寿命が短くなるという課題も発生する。
【００１０】
一般に、駆動電圧が上昇して放電が不安定になる課題に対して、ＭｇＯにＳｉやＡｌ元素を添加してＭｇＯからの電子放出量を増大させる方法がある。しかしながら、ＭｇＯのみの保護層よりも駆動電圧は若干低下するものの、アドレス期間が相対的に長い高精細のＰＤＰでは、アドレス放電の安定を図ることができないという課題がある。
【００１１】
特に、Ｘｅ濃度を５％以上に高めた高精細のＰＤＰにおいて、アドレス走査の高速化とアドレス放電の安定化、低電圧化を目的としてＭｇＯにＳｉやＡｌを添加すると次のような課題が発生する。すなわち、初期化放電において誘電体層上に帯電した壁電荷を利用した駆動方法で点灯させようとすると、駆動電圧は従来のＭｇＯ保護層の場合よりは低くなるが、ＭｇＯ保護層からの電子放出特性が富むため、初期化放電で形成された壁電荷までもが消失されて点灯不具合（アドレスミス）が発生し、画質が低下するという課題があった。
【００１２】
また、アドレス放電の安定化とアドレス電圧の低減を目的として緩勾配の電圧波形を用いる場合では、点灯不具合（アドレスミス）の発生がより顕著になるという課題がある。
【００１３】
本発明は、高精細、高輝度のＰＤＰにおいて、動作電圧が低く長期間安定した駆動を実現できるＰＤＰを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記した課題を解決するために、本発明のＰＤＰは、少なくとも電極と誘電体層とを有する前面板と背面板とを対向配置して放電空間を形成し、前記放電空間に放電ガスを充填したＰＤＰであって、前記誘電体層上に珪素（Ｓｉ）あるいはアルミニウム（Ａｌ）の少なくとも一つの元素が添加された酸化マグネシウム（Ｍｇ）からなる保護層を設け、かつ、前記放電ガスが少なくともキセノン（Ｘｅ）と水素（Ｈ２）とを含んでいる。
【００１５】
このような構成によれば、アドレス放電の点灯不具合（アドレスミス）の発生がなくて、高輝度表示で動作電圧が低く、しかも長期間安定した駆動を実現できるＰＤＰを実現することができる。
【００１６】
さらに、保護層の珪素あるいはアルミニウムの濃度が３０ｐｐｍ以上５００００ｐｐｍ以下であり、かつ、水素の濃度が１００００ｐｐｍ以下であることが望ましい。このような構成によれば、動作電圧の低電圧化とアドレス放電の安定性を両立させることが可能となる。
【００１７】
さらに、保護層の珪素とアルミニウムの濃度の合計が１００ｐｐｍ以上５００００ｐｐｍ以下であり、かつ、水素の濃度が１００００ｐｐｍ以下であることが望ましい。このような構成によれば、動作電圧の低電圧化とアドレス放電の安定性を両立させることが可能となる。
【００１８】
さらに、キセノンの濃度が５％以上３０％以下であること望ましい。このような構成によれば、発光効率を増加させて高輝度のＰＤＰを実現することができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、アドレス放電の点灯不具合（アドレスミス）の発生がなくて、高輝度表示で動作電圧が低く、しかも長期間安定した駆動を実現できるＰＤＰを実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態におけるＰＤＰについて図面を用いて説明する。
【００２１】
（実施の形態）
図１は本発明の実施の形態におけるＰＤＰの主要構成を示す断面斜視図である。また、図２は図１の２−２断面図である。図１に示すように、ＰＤＰは、放電空間が形成されるように互いに対向配置した前面板１と背面板２とにより構成される。
【００２２】
まず、前面板１について説明する。前面ガラス基板３の背面板２側の面上に、ストライプ状の走査電極４と維持電極５とを面放電ギャップを挟んで配列し、表示電極６を形成している。すなわち表示電極６は、平行配置された走査電極４と維持電極５とが対をなして形成されている。走査電極４および維持電極５は、酸化インジウム（ＩＴＯ）や酸化スズ（ＳｎＯ２）などの透明導電性材料によって形成された透明電極４ａ、５ａと、その上に形成された透明電極４ａ、４ｂよりも幅が狭く、導電性に優れたバス電極４ｂ、５ｂとで構成されている。バス電極４ｂ、５ｂは、例えばＡｇ厚膜（厚み：２μｍ〜１０μｍ）、Ａｌ薄膜（厚み：０．１μｍ〜１μｍ）またはクロム／銅／クロム（Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ）積層薄膜（厚み：０．１μｍ〜１μｍ）などのいずれかで構成される。
【００２３】
表示電極６を形成した前面ガラス基板３上に、表示電極６を覆うように、例えば、ＰｂＯ−ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＺｎＯ−ＢａＯ系のガラス組成を有する誘電体ガラス材料からなる誘電体層７を形成し、さらに誘電体層７上の全域にわたって保護層８が積層形成されている。保護層８としては、ＭｇＯを主成分とする薄膜によって形成されている。ここで、保護層８は、例えば、Ｓｉ、Ａｌの少なくとも一つが３０ｐｐｍ〜５００００ｐｐｍ添加されたＭｇＯを主成分とするものである。
【００２４】
次に背面板２について説明する。背面ガラス基板９の前面板１側の面上に、複数のアドレス電極１０がストライプ状に形成されている。さらにアドレス電極１０を覆うように誘電体層１１が形成されている。誘電体層１１上には、例えばストライプ状の隔壁１２がアドレス電極１０の間に位置するように配設されている。隔壁１２と誘電体層１１とで形成されるストライプ状の凹部には、正帯電性の（Ｙ、Ｇｄ）ＢＯ３：Ｅｕや、Ｙ２Ｏ３：Ｅｕからなる赤色蛍光体層１３Ｒ、負帯電性のＺｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎや正帯電性の（Ｙ，Ｇｄ）ＢＯ３：Ｔｂからなる緑色蛍光体層１３Ｇおよび正帯電性のＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕからなる青色蛍光体層１３Ｂがセルピッチ０．１６ｍｍ（４２インチのＨＤ−ＴＶの場合）で規則的に配置して形成されている。
【００２５】
このような構成の前面板１と背面板２とを、図１に示すように、アドレス電極１０と表示電極６とが直交するように対向して配置させ、隔壁１２および各色蛍光体層１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂで構成されたストライプ状凹部と、保護層８とで囲まれた放電空間１４を形成する。前面板１および背面板２の外周縁部を封着ガラスで封止するとともに、放電空間１４に放電ガスを充填してＰＤＰを完成させている。したがって、表示電極６とアドレス電極１０とが交差する領域が、画像表示にかかわる放電セルを形成している。なお、放電空間１４には、放電ガスが４００Ｔｏｒｒ〜６００Ｔｏｒｒ程度の圧力で充填されている。
【００２６】
ＰＤＰは、各放電セルにおいて発生する放電によって短波長の紫外線（波長約１４７ｎｍ）が発生し、この紫外線により各色蛍光体層１３Ｒ、１３Ｇ、１３Ｂが励起発光することにより画像表示を行うことができる。
【００２７】
本発明の実施の形態では、放電空間１４に充填されるガスとしては、ヘリウム（Ｈｅ）、Ｎｅ、アルゴン（Ａｒ）の中から選ばれる少なくとも一つと、Ｘｅと、Ｈ２とを含み、Ｘｅの濃度を５％以上としている。一方、Ｈ２の濃度は、３０ｐｐｍ〜１００００ｐｐｍのものを用いているが、より好ましくは、５０ｐｐｍ〜１０００ｐｐｍの範囲としている。
【００２８】
放電ガスのＸｅ濃度を高くすることで高輝度化を実現することができるが、Ｘｅの濃度を高めると放電電圧が上昇するため、回路部品やＰＤＰの構造に対して高耐電圧対策が必要となり、消費電力の上昇、部品コストの上昇などの原因となる。
【００２９】
しかしながら、本発明の実施の形態におけるＰＤＰでは、Ｘｅ濃度を５％以上に高め、さらにＨ２を３０ｐｐｍ〜１００００ｐｐｍ加えた放電ガスと、ＳｉやＡｌを添加したＭｇＯの保護層８とを組み合わせている。その結果、高輝度化を実現しつつ、アドレス放電の安定化と放電電圧の上昇を抑制することを可能としている。本発明の実施の形態において、アドレス放電を安定化させるとともに、放電電圧が上昇するのを抑制できる理由としては以下のように推測される。
【００３０】
すなわち、従来の技術のように、単にＭｇＯの保護層にＳｉ、Ａｌを添加した場合では、放電中に保護層の表面がスパッタされた時に保護層中のＳｉ、Ａｌが分離し、ＭｇＯのみが再度、ＭｇＯの保護層の表面に再付着するため、保護層表面のＳｉ、Ａｌの濃度が結果的に減少する。そのため、長期にわたってのＳｉ、Ａｌを添加することによる電子放出効果がなくなってしまうと考えられる。
【００３１】
しかしながら、本発明の実施の形態のように、放電ガス中に適量のＨ２が存在すると、保護層８のＳｉ、Ａｌのスパッタを抑制する効果が働き、常にＭｇＯ中のＳｉ、Ａｌの量が一定で安定な状態になっていると推定される。これらの理由としては、水素原子Ｈはその原子半径がＭｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｏのそれよりも小さく、しかも軽いために、放電空間中やＭｇＯ結晶格子中を比較的すばやく移動することができる。そのため、ＭｇＯ結晶中に取り込まれたＨ２がバッファとなってＳｉ、ＡｌのＭｇＯからの分離を抑制していると考えられる。さらに、Ｈ２の添加によって壁電荷の消失が抑制されていると考えられる。
【００３２】
放電ガス中のＸｅ濃度が５％以上と高くなると、放電中のＸｅイオンの濃度も上昇してスパッタ率が大きくなり、ＭｇＯ中のＳｉ、Ａｌの分離がより激しくなる。したがって、Ｘｅ濃度の高い放電ガス中では、放電の安定性を保ち、壁電荷の消失を抑えるためには放電ガスとしてＨ２を入れることが非常に有効であると考えられる。
【００３３】
本発明の実施の形態では、ＭｇＯ中へのＳｉ、Ａｌの添加量、放電ガス中のＸｅ、Ｈ２濃度を変えた場合のＰＤＰを作成しその性能を評価した。その結果を表１に示す。
【００３４】
【表１】
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【００３５】
表１には、作成したＰＤＰの保護層の条件と放電ガスの条件に対する点灯評価の結果を示す。なお、ＰＤＰ１、２、５、１４、１５は本発明の実施の形態と比較するための比較例であり、ＰＤＰ３、４、６〜１３が本発明の実施の形態におけるＰＤＰである。表１において、本発明の実施の形態としては、ＭｇＯ中のＳｉ、Ａｌの濃度を３０ｐｐｍ〜５００００ｐｐｍ、放電ガス中のＨ２の濃度を３０ｐｐｍ〜１００００ｐｐｍとし、Ｘｅ濃度を５％〜５０％としてＮｅをバランスの放電ガスとした。また、これらのＰＤＰを図３に示す緩勾配の初期化波形を用いた駆動波形で点灯させ、アドレス放電での放電安定性（アドレスミス）を確認するとともに、壁電荷を安定に保持する目的の電圧（図３におけるＶｓ）である走査パルス電圧を評価した。なお、ＰＤＰ１、２、５、１４におけるＨ２濃度が５ｐｐｍ未満の検出限界以下とは、積極的に放電ガス中にＨ２を添加していないということである。
【００３６】
アドレスミスが生じると、本来点灯すべき画素が放電しなくなるため画質劣化を引き起こす原因となる。アドレス放電の安定性に対する表１の評価の基準は、◎印はアドレス放電が非常に安定で表示画面にちらつきがまったくない状態、○印はアドレス放電が安定で表示画面のちらつきが通常の視聴では問題にならない状態、△印はアドレス放電が若干不安定で放電ミスが時々起こる状態としている。また、アドレス時には壁電荷保持に必要な電圧Ｖｓは小さい方が好ましい。一般に、電圧Ｖｓが１５０Ｖ以上に高くなると、その電圧に対応した汎用で入手可能なＩＣが少なくなる。また、１５０Ｖ以上の耐圧を備えたＩＣを使用したとしても、駆動電圧が高くなるためにＩＣの発熱量が大きくなり、誤放電も起きやすくなる。したがって、電圧Ｖｓは小さい方が好ましく、望ましくは８０Ｖ以下が好ましい。
【００３７】
表１の結果から、ＭｇＯ中にＳｉやＡｌを添加したＰＤＰ２、３、４、５、６〜１４では、ＳｉやＡｌを３０ｐｐｍ以上添加することによってアドレスミスの発生が明らかに改善されていることが判る。しかしながら、一方で、表１中のＨ２濃度が検出限界以下で、ＭｇＯにＳｉやＡｌを添加しただけのＰＤＰ２、５、１４では、電圧Ｖｓが高くなり、さらに、ＰＤＰ２、５の結果よりＳｉやＡｌの濃度が高くなるに従いアドレス放電は安定しやすくなるが、さらに電圧Ｖｓが高くなる傾向となる。また、Ｓｉ、Ａｌをまったく添加していないＰＤＰ１、１５では、アドレス放電が安定せず、しかも電圧Ｖｓも若干高くなっていることが判る。また、ＰＤＰ１１〜１３に示すように、ＭｇＯにＡｌとＳｉを同時に添加しても良く、その場合にはそれぞれの濃度の合計が１００ｐｐｍ以上で５００００ｐｐｍであれば同様の効果を得ることが可能となる。
【００３８】
以上のことから、アドレス放電の安定性と、電荷保持に必要な電圧Ｖｓが８０Ｖ以下の二点を同時に満たすパネルは、本発明の実施の形態であるパネル３、４、６〜１３であることが判る。
【００３９】
放電ガスへのＨ２の添加がない場合に、ＭｇＯへのＳｉ、Ａｌの添加量を増やすと電圧Ｖｓが増加する理由は以下のメカニズムによると考えられる。このメカニズムを図３、図４を用いて説明する。図３はＰＤＰの駆動波形を示す図であり、図４は図３の駆動波形の所定のタイミングにおける壁電荷の様子を示す図である。すなわち、図３において、緩勾配の電圧波形で初期化を行った時の図３中に示すタイミング（ａ）〜（ｄ）の放電セル内の帯電（壁電荷）の様子が図４Ａ〜図４ｄに示す状態となる。タイミング（ａ）から（ｂ）にかけては緩勾配の電圧波形による微弱放電により、放電セル内の電極間が放電開始電圧に近い状態になるように壁電荷を蓄積した状態にされる。すなわち、図４Ａに示すようにタイミング（ａ）では走査電極４に正の電圧が印加されるため、走査電極４側の誘電体層７上に負の電荷が蓄積される。一方、相対的にその他の電極の誘電体層７や蛍光体層１３上には正の壁電荷が蓄積される。また、図４Ｂに示すようにタイミング（ｂ）ではタイミング（ａ）で蓄積された壁電荷が、外部からの電圧供給が弱くなるため電極間に印加される電界強度が放電開始電圧に近いままで、ある程度壁電荷が中和された状態に調整される。したがって、各電極間には依然として放電開始電圧に相当する電界が放電空間に印加された状態となる。この状態が初期化期間の終了時の状態である。
【００４０】
次に、維持期間に点灯する放電セルを選択するためのアドレス期間のタイミング（ｃ）を図４Ｃ、タイミング（ｄ）を図４Ｄを用いて説明する。該当する放電セルのアドレス放電のタイミング（ｄ）以外の期間であるタイミング（ｃ）においては、初期化期間で蓄積した壁電荷を安定的に保持する目的の走査パルス電圧である電圧Ｖｓを走査電極４に印加する。すなわち、この電圧Ｖｓは壁電荷による各電極間の電界を弱める極性の電圧ともなる。そして、アドレス時は電圧Ｖｓの印加を停止して、再び放電セル内の電極間の電界を放電開始電圧に近い状態のタイミング（ｂ）の状態に戻す。これによって、画像に同期させて電極間の放電開始電圧を上回るようにアドレス電極１０に正の電圧を印加し、強放電を発生させてセル選択を行う。この際、緩勾配の電圧波形による初期化駆動は、壁電荷による電界が放電開始電圧近くにある状態からの放電となるため、従来のパルス波形の初期化波形に比べ、アドレスに印加する電圧を大幅に低電圧化することが可能となる。そして、この放電セル選択のアドレス放電をすべての走査電極４を順次走査することで、マトリックス配置された電極構成によりＰＤＰ全面のすべての画素での放電セル選択が可能となる。
【００４１】
しかしながら、緩勾配の電圧波形で形成した壁電荷を利用した駆動方法では、特に初期化期間で形成した壁電荷を保持する必要があるため、壁電荷の安定保持と電子放出特性の向上とは相反する特性となる。すなわち電子放出特性が向上したＭｇＯの保護層８においては、蓄積した電子を放電空間中に放出しやすく、安定的に壁電荷を保持するのが困難になる。そのため、走査電極４の誘電体層７上に形成した壁電荷を安定に保持するには電圧Ｖｓが上昇する。
【００４２】
ここで、表１中のＰＤＰ２〜１４に示すようにＳｉやＡｌの添加量を３０ｐｐｍ以上とすることによって、ＰＤＰ１、１５などの添加物がない場合よりもアドレス放電の安定性が向上した理由は、ＳｉやＡｌを多く添加することでＭｇＯ中に浅い不純物準位が形成されて電子の供給源となり、電子放出特性が向上したためと考えられる。しかしながら、表１中のＰＤＰ３、４、６〜１３のように、ＭｇＯにＳｉやＡｌを３０ｐｐｍ以上添加し、かつ、放電ガスにＨ２を３０ｐｐｍ以上添加することにより電子放出特性の向上と安定な壁電荷保持の両立が可能であることが判る。その要因としては、Ｈ２の添加によって放電セル内の放電開始電圧が低下することから、図３のタイミング（ｂ）、すなわち図４Ｂの状態において、壁電荷の正極と負極をひきつける引力が小さくなるように壁電荷の中和が抑制されたためと考えられる。
【００４３】
なお、アドレス放電の安定化には、ＭｇＯに添加するＳｉの濃度が３０ｐｐｍを超えると効果が出始め、１００ｐｐｍ以上で特に効果が顕著になる。しかしながら、５００００ｐｐｍ以上にするとＭｇＯの結晶性が低下してアドレス放電が不安定になる。一方、Ａｌの濃度も３０ｐｐｍ以上で効果が現れ、５００００ｐｐｍ以上では同じく結晶性が悪化してアドレス放電が不安定になる。また、ＳｉとＡｌとの濃度の合計が１００ｐｐｍ以上５００００ｐｐｍ以下の場合にも同様の効果である。
【００４４】
さらに、添加するＨ２の濃度は３０ｐｐｍ〜１００００ｐｐｍで電圧Ｖｓを低減させる効果があるが、特に好ましくは５０ｐｐｍ〜１０００ｐｐｍでその効果が顕著である。
【００４５】
また、表１には放電ガスとしてＸｅの濃度を５％〜５０％とした例を示しているが、放電ガス中のＸｅ濃度を増加させると特に図３における維持期間での維持パルス電圧の上昇が顕著となる。そのため、表１に示すようにＸｅ濃度が５０％でもアドレス期間での走査電圧の上昇は抑制できるが、維持パルス電圧の上昇が大きくなるため、現実的にはＸｅ濃度としては５％〜３０％程度までとすることが望ましい。
【００４６】
以上のように、ＳｉあるいはＡｌが３０ｐｐｍ〜５００００ｐｐｍ添加されたＭｇＯを保護層とし、かつ、Ｈ２を放電ガス中に３０ｐｐｍ〜１００００ｐｐｍ添加することによって、アドレス放電の安定化と、壁電荷の保持に必要な走査パル電圧の低電圧化を同時に実現し、さらに保護層の耐スパッタ性も向上したＰＤＰとすることができる。
【００４７】
なお、以上の説明では、平面反射型といわれる構造のＰＤＰを用いて説明したが、対向型構造のＰＤＰやチューブアレイ型のＰＤＰ（Ｔ．Ｓｈｉｎｏｄａ  ｅｔ  ａｌ，“Ｎｅｗ  ａｐｐｒｏａｃｈ  ｆｏｒ  ｗａｌｌ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｗｉｔｈ  ｆｉｎｅ  ｔｕｂｅ  ａｒｒａｙｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ”、ＳＩＤ  Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ  ２００２）に対しても同様に適用でき、６０インチを超える大型ＰＤＰなどの低電力化に向けては一層有効な手段となる。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明のＰＤＰによれば、アドレス放電が安定で、かつ低電圧駆動を可能とする高輝度のＰＤＰを実現するため、高画質なプラズマディスプレイ装置に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の実施の形態におけるＰＤＰの主要構成を示す断面斜視図
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図
【図３】本発明の実施の形態におけるＰＤＰの駆動波形を示す図
【図４】（ａ）同ＰＤＰの初期化期間の駆動波形における壁電荷の様子を示す図、（ｂ）同ＰＤＰの初期化期間終了時の駆動波形における壁電荷の様子を示す図、（ｃ）同ＰＤＰのアドレス期間開始時の駆動波形における壁電荷の様子を示す図、（ｄ）同ＰＤＰのアドレス期間の駆動波形における壁電荷の様子を示す図
【符号の説明】
【００５０】
１    前面板
２    背面板
３    前面ガラス基板
４    走査電極
４ａ，５ａ    透明電極
４ｂ，５ｂ    バス電極
５    維持電極
６    表示電極
７，１１    誘電体層
８    保護層
９    背面ガラス基板
１０    アドレス電極
１２    隔壁
１３    蛍光体層
１３Ｒ    赤色蛍光体層
１３Ｇ    緑色蛍光体層
１３Ｂ    青色蛍光体層
１４    放電空間
【図１】
2006351521.tif 000004
【図２】
2006351521.tif 000005
【図３】
2006351521.tif 000006
【図４】
2006351521.tif 000007