(57)【要約】【課題】  ＴＦＴアレイ検査装置の二次電子検出器のオフセット調整及びゲイン調整にようする時間を短縮すること。【解決手段】電子線発生手段２から電子線をＴＦＴ基板に照射し、電子線照射により発生する二次電子の強度を二次電子検出器３で検出し、二次電子強度によってＴＦＴ基板のアレイを検査するＴＦＴ基板アレイ検査装置であり、ＴＦＴ基板を搬送する基板搬送手段と、二次電子検出器の信号強度のオフセット量を調整するオフセット調整手段４ａと、二次電子検出器の信号強度のゲインを調整するゲイン調整手段４ｂと、オフセット調整手段、電子線照射、及びゲイン調整手段を制御する制御手段５とを備える。制御手段は、基板搬送手段によるＴＦＴ基板の搬送位置に基づいて、オフセット調整手段、電子線照射、及びゲイン調整手段の順に駆動する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子線発生手段から電子線をＴＦＴ基板に照射し、当該電子線照射により発生する二次電子の強度を二次電子検出器で検出し、当該二次電子強度によってＴＦＴ基板のアレイを検査するＴＦＴ基板アレイ検査装置において、
前記ＴＦＴ基板を搬送する基板搬送手段と、
前記二次電子検出器の信号強度のオフセット量を調整するオフセット調整手段と、
前記二次電子検出器の信号強度のゲインを調整するゲイン調整手段と、
前記基板搬送手段によるＴＦＴ基板の搬送位置に基づいて、前記オフセット調整手段、電子線照射、及びゲイン調整手段を順に制御する制御手段とを備える
ことを特徴とする、ＴＦＴアレイ検査装置。
【請求項２】
前記制御手段は、
前記基板搬送手段の搬送位置が電子線の照射位置をＴＦＴ基板外とする位置であるとき、電子線照射をオフ状態とし前記オフセット調整手段を起動することを特徴とする、請求項１に記載のＴＦＴアレイ検査装置。
【請求項３】
前記オフセット調整手段は、前記二次電子検出器に印加する電圧を調整して二次電子検出器の出力信号を零とすることを特徴とする、請求項１又は２に記載のＴＦＴアレイ検査装置。
【請求項４】
前記制御手段は、
前記基板搬送手段の搬送位置が電子線の照射位置をＴＦＴ基板内とする位置であるとき、電子線照射をオン状態とし前記ゲイン調整手段を起動することを特徴とする、請求項１に記載のＴＦＴアレイ検査装置。
【請求項５】
前記ゲイン調整手段は、前記二次電子検出器に印加する電圧を調整して基準信号と二次電子検出器の出力信号との出力差を零とすることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれかに記載のＴＦＴアレイ検査装置。
【請求項６】
電子線発生手段と二次電子検出器とを組として複数組み備え、
当該複数の二次電子検出器の内の一つの出力信号を、他の二次電子検出器のゲインを調整するゲイン調整手段に対する基準信号とすることを特徴とする、請求項５に記載のＴＦＴアレイ検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＴＦＴ基板等の基板上に形成されたアレイを検査するアレイ検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＴＦＴアレイ検査装置は、欠陥検出用信号パターンでＴＦＴ基板を駆動し、その結果ＴＦＴ基板に発生するＩＴＯ電位を電子線照射により発生する二次電子の強度で検出し、アレイ全体の良否を判定している。
【０００３】
検査時間を短縮するために、複数配置した電子線発生源（電子銃）により電子線を二次元で走査し、各電子線発生源に組み込んだ二次電子検出器（光電子倍増管）によって二次電子を検出し、検出信号を二次電子検出器の後段に設けた信号増幅器で増幅した後Ａ／Ｄ変換器によりデジタル信号に変換し、専用アルゴリズムでデジタル信号処理することによって欠陥検出を行っている。
【０００４】
一つの電子銃による検出信号は、他の電子銃による検出信号と共に組み合わせて画像形成され、ＴＦＴ基板一枚分のデータが生成される。
【０００５】
欠陥検出では、信号強度に基づいてＴＦＴ基板の画像データを生成することで行われるため、複数設定される電子線発生源（電子銃）及び二次電子検出器は同一の判定基準である必要がある。そのため、従来、電子線発生源（電子銃）及び二次電子検出器はゲインやオフセットをほぼ同じとなるように手動で調整を行っている。
【０００６】
図７は、電子銃の手動による調整を説明するためのフローチャートである。図７において、電子銃による電子線照射をオフとし（Ｓ２１，Ｓ２２）、各電子銃の二次電子検出器（光電倍増管）の信号強度をオフセット調整によって同一に設定し（Ｓ２３）、次に、同一試料を同一の電子線強度で照射し（Ｓ２４，２５）、各二次電子検出器（光電倍増管）の信号強度が同一となるように、ゲインを調整する（Ｓ２６，２７）。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記した手動によるオフセット調整やゲイン調整では調整自体に長い時間を要するという問題がある。
【０００８】
また、これらの調整を手動に代えてコンピュータで自動的に行うことも考えられるが、信号強度の測定と、測定結果のフィードバックに基づいて行うオフセットやゲインの調整とを、測定結果が所定値となるまで繰り返す必要があり、処理には時間を要するため、製造ラインで実施した場合、検査時間を引きのばすという問題がある。
【０００９】
そこで、本発明は上記課題を解決し、ＴＦＴアレイ検査装置の二次電子検出器のオフセット調整及びゲイン調整に要する時間を短縮することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を解決するために、本発明は、電子線発生手段から電子線をＴＦＴ基板に照射し、当該電子線照射により発生する二次電子の強度を二次電子検出器で検出し、当該二次電子強度によってＴＦＴ基板のアレイを検査するＴＦＴ基板アレイ検査装置において、ＴＦＴ基板を搬送する基板搬送手段と、二次電子検出器の信号強度のオフセット量を調整するオフセット調整手段と、二次電子検出器の信号強度のゲインを調整するゲイン調整手段と、オフセット調整手段、電子線照射、及びゲイン調整手段を制御する制御手段とを備えた構成とする。
【００１１】
この構成において、制御手段は、基板搬送手段によるＴＦＴ基板の搬送位置に基づいて、オフセット調整手段、電子線照射、及びゲイン調整手段の順に駆動することによって、通常の検査時間の範囲内で二次電子検出器のオフセット調整とゲイン調整を自動で行うと共に、オフセット調整及びゲイン調整時間を特別に設けることなく実施できる。
【００１２】
制御手段によるＴＦＴ基板の搬送位置に基づく駆動制御において、第一に、搬送位置が電子線の照射位置をＴＦＴ基板外とする位置であるときは、電子線照射をオフ状態としてオフセット調整手段を起動し、第二に、搬送位置が電子線の照射位置をＴＦＴ基板内とする位置であるときは、電子線照射をオン状態としてゲイン調整手段を起動する。このように、制御手段はＴＦＴ基板の搬送位置に基づいて、オフセット調整手段、電子線照射、及びゲイン調整手段の駆動順で行う。
【００１３】
オフセット調整手段は、二次電子検出器に印加する電圧を調整して二次電子検出器の出力信号を零とするように二次電子検出器のオフセットを調整する。
【００１４】
また、ゲイン調整手段は、二次電子検出器に印加する電圧を調整して基準信号と二次電子検出器の出力信号との出力差を零とするように二次電子検出器のゲインを調整する。
【００１５】
ゲイン調整は、二次電子検出器にアナログ処理を帰還するアナログフィードバック制御により行うことで、調整時間をμ秒オーダーとすることができ、ＴＦＴアレイ検査装置の検査処理の処理時間と比較した場合、調整時間の遅延をほぼ零として扱うことができる。
【００１６】
また、電子線発生手段と二次電子検出器とを組として複数組み備えた構成において、複数の二次電子検出器の内の一つの出力信号を、他の二次電子検出器のゲインを調整するゲイン調整手段に対する基準信号とする。
【００１７】
ゲイン調整に用いる二次電子検出器の検出信号は、電子線が感度校正用標準サンプルを照射した際に検出することができる。例えば、感度校正用標準サンプルは、搬送装置のステージやプローバ上に設ける他、ステージ自体あるいはプローバ自体を用いることができる。
【００１８】
ＴＦＴ基板の搬送位置は、ＴＦＴ基板が搬送される座標位置から求めることができ、ＴＦＴ基板の搬送手段の搬送ステージのアドレスカウンタで取得することができる。
【００１９】
制御手段は、その各駆動の開始のタイミングを搬送ステージのアドレスカウンタに基づいて行うことにより、位置ずれによる不具合を抑制することができる。
【００２０】
本発明のＴＦＴアレイ検査装置によれば、二次電子検出器のオフセット調整、及びゲイン調整による感度調整をＴＦＴ基板の検査中に行うことができる。例えば、ＴＦＴアレイを検査する際に、電子線発生手段及び二次電子検出器がＴＦＴ基板を走査する前の段階においてプローバ上を移動する間にオフセット調整及びゲイン調整を行うことができる。
【００２１】
したがって、従来のように、オフセット調整及びゲイン調整の操作とＴＦＴアレイ検査の操作とをそれぞれ独立して個別に行う場合では、検査時間と調整時間とがそれぞれ別に必要とするが、本発明によればＴＦＴアレイの検査中に行うことができるため、調整のための時間を短縮することができる。  
【発明の効果】
【００２２】
本発明のＴＦＴアレイ検査装置によれば、ＴＦＴアレイ検査装置の二次電子検出器のオフセット調整及びゲイン調整に要する時間を短縮することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の実施の形態について図を参照しながら詳細に説明する。
【００２４】
図１は、本発明のＴＦＴアレイ検査装置の概略構成を説明するためのブロック図である。なお、ここでは、電子線発生手段（電子銃）と二次電子検出器との組み合わせの個数を１０個とした場合について示しているが、電子線発生手段（電子銃）と二次電子検出器の個数は１０個に限らず、ＴＦＴ基板の大きさ、ＴＦＴアレイ内に設定されるＴＦＴ基板の枚数、電子線発生手段の走査（スキャン）幅等の各種条件に基づいて任意の個数に設定することができる。
【００２５】
ＴＦＴアレイ検査装置１は、欠陥検出用信号パターンでＴＦＴ基板（図示していない）を駆動し、その結果ＴＦＴ基板に発生するＩＴＯ電位を電子線発生手段２からの電子線照射により発生する二次電子の強度で検出し、検出信号に基づいてＴＦＴアレイ全体の良否を判定する。
【００２６】
図１に示すＴＦＴアレイ検査装置１は、電子線発生部（電子銃）２（2-1〜2-10）と二次電子検出器３（3-1〜3-10）と調整手段４（4-1〜4-10）と制御手段５とを備える。なお、各電子線発生部（2-1〜2-10）と二次電子検出器（3-1〜3-10）と調整手段（4-1〜4-10）はいずれも共通の構成である。
【００２７】
二次電子検出器３は、光電子倍増管（以下ＰＭＴという）とプリアンプとで構成される。ＰＭＴは検出して二次電子を増幅して電流に変えて出力する。この二次電子の増幅率は負電圧を印加することで変えることができる。ＰＭＴに印加する負電圧は図中の調整部４内に備える電圧発生部４ｄから得ることができる。
【００２８】
ここで、ＰＭＴの増幅率は、個々の装置の個体差によってばらつきがあり、同一の負電圧を印加した場合であっても、同じ増幅率が得られるとは限らない。
【００２９】
ＴＦＴ基板に照射する電子線の強度は、全ての電子線発生部（2-1〜2-10）について同一に設定されるため、検出信号の強度を全ての二次電子検出器（3-1〜3-10）で揃えるには、各ＰＭＴの感度を調整する必要がある。調整手段４は、二次電子検出器２のＰＭＴの感度を調整するためにゲイン調整部４ｂを備える。
【００３０】
感度の調整には、全ての二次電子検出器２において共通する信号レベルを得る必要があるため、標準サンプルを用意し、この標準サンプルに各電子線発生部２から電子線を照射し、この標準サンプルから得られる二次電子の信号強度を用いてゲイン調整を行って感度を調整する。
【００３１】
標準サンプルは、ＴＦＴアレイを搬送する搬送部のステージ上あるいはＴＦＴアレイを保持するプローバ上に配置する他、ステージ自体あるいはプローバ自体の表面を標準サンプルとして使用することもできる。
【００３２】
この標準サンプルからの信号検出は、搬送装置上において標準サンプルが配置された座標位置を予め登録しておき、ステージの移動に伴ってその座標位置データを取得し、座標位置データから電子線発生部及び二次電子検出器が登録された標準サンプルの設置位置に移動したことを検知し、標準サンプルの電子線を照射し二次電子を検出することで行うことができる。
【００３３】
上記した標準サンプルを用いて二次電子を検出することによって、各二次電子検出器間で比較する検出信号を取得することができる。これら検出信号を用いて複数の二次電子検出器の感度調整を行うには、各二次電子検出器の間において基準となる検出信号が必要である。
【００３４】
本発明の感度調整では、複数の二次電子検出器の中から基準とする二次電子検出器を設定し、設定した二次電子検出器の検出信号の強度を基準強度と、他の二次電子検出器の検出信号の強度がこの基準強度と同じとなるようにゲインを調整する。
【００３５】
また、二次電子検出器２のＰＭＴについて感度調整を行う前に、検出信号が零のときの信号レベルを設定する必要がある。
【００３６】
調整手段４は、二次電子検出器２の検出信号が零のときの信号レベルを合わせるためにオフセット調整部４ａを備える。
【００３７】
零レベルを合わせるオフセット調整では、全ての二次電子検出器２において電子線発生部からの電子線の照射をオフ状態とし、この電子線がオフ状態において取得される二次電子の信号強度が零となるように調整を行う。電子線照射のオフ状態は、例えば、電子線発生部のフィラメントをオン状態とする他、ターゲットに電子線が照射されないよう電子線の照射方向を制御する等により、二次電子検出器２に二次電子に入射しないようにすることで行うことができる。
【００３８】
このオフセット調整は、前記したゲイン調整と同様に、搬送装置上においてオフセット調整を行う座標位置を予め登録しておき、ステージの移動に伴ってその座標位置データを取得し、座標位置データからオフセット調整が設定された位置に移動したことを検知し、電子線発生部からの電子線照射をオフ状態とし、このとき二次電子検出器が検出する信号強度に基づいて行う。
【００３９】
上記した機能を達成するために、調整部４は、各二次電子検出器３のＰＭＴへの負電圧を印加する電圧発生部４ｄと、基準強度と個々のＰＭＴの検出強度を比較する差動アンプ４ｃと、全てのＰＭＴの検出強度が基準強度と同一強度となるように電圧発生部４ｄのゲインを調整してフィードバック制御を行うゲイン調整部４ｂを備え、さらに、全ての二次電子検出器２の零レベルを合わせるオフセット調整部４ａを備える。
【００４０】
また、本発明のＴＦＴアレイ検査装置１は、上記した調整部４のオフセット調整及びゲイン調整の調整動作を行わせるためのトリガ信号を出力する構成として、制御部５、エンコーダ６、及びアドレスカウンタ７を備える。
【００４１】
エンコーダ６は、ＴＦＴアレイを搬送する搬送部（図示していない）のステージを軸駆動するモータの回転状態を検出する。ステージＸ軸モータ用エンコーダ６XはＸ軸モータ用の回転を検出し、ステージＹ軸モータ用エンコーダ６YはＸ軸モータ用の回転を検出する。各エンコーダ６で取得されたエンコーダパルスは、アドレスカウンタ７X，７Yを計数してステージ座標を制御部５に出力する。ステージ座標により、基板搬送部（図示していない）のステージの搬送位置を知ることができる。
【００４２】
制御部５はシーケンスコントローラの機能を有し、ステージ座標のデータを元にして動作制御を行う。例えば、ホストコンピュータにより予めステージ座標とオフセット調整、電子線照射、ゲイン調整等の各処理とを登録しておき、アドレスカウンタ７から入力したステージ座標が登録したステージ座標に達すると、これら処理を行わせるトリガ信号を出力して、オフセット調整部４ａ、電子線発生部２、ゲイン調整部４ｂを順に駆動する。なお、制御部５の機能は、アドレスカウンタ７内、あるいは調整部４内に設ける構成としてもよい。
【００４３】
以下、図２のフローチャート、図３の信号図、図４、図５の動作説明図を用いて本発明のＴＦＴアレイ検査の動作例を説明する。
【００４４】
基板１０にプローバ２０を設置し（図４（ａ））、ホストコンピュータは、ＴＦＴアレイの検査開始（Ｓ１）に伴って、各電子線発生部２に対して予め登録されている設定パターンをプリセットする。設定パターンとしては、例えば電子線発生部のフィラメントに供給する電圧、電流等がある（Ｓ２）。
【００４５】
基板搬送部のステージ駆動用のモータを駆動して、検査開始位置にステージを移動させる。ステージの移動位置は、エンコーダ６で検出されるエンコーダパルスをアドレスカウンタ７で計数して得られるステージ座標で取得することができる。図３（ａ）はステージＹ軸モータ用エンコーダ６Yが出力するエンコーダパルスの一例であり、基板搬送部によるステージの移動量を表している。図４（ｂ）は基板搬送開始時の状態を示している。（Ｓ３）。
【００４６】
制御部５はステージ座標を入力し、予め設定されたステージ座標に達したかを監視する。設定されたステージ座標は、オフセット調整部４ａ、電子線発生部２、ゲイン調整部４ｂに対して起動トリガ信号の出力タイミングと対応づけられ、入力したステージ座標が各設定ステージ座標に達する毎に、各部に起動トリガ信号を出力する。
【００４７】
はじめに、取得したステージ座標が、オフセット調整が設定された座標値に達すると（Ｓ４）、オフセット調整部４ｂに起動トリガ信号（図３（ｂ）参照）を出力する。
【００４８】
図４（ｃ）は基板がオフセット調整の座標位置に達した状態を示している。なお、図では、電子線発生部及び二次電子検出器はプローバ上にある場合を示しているが、プローバ上にない位置をオフセット座標としてもよい。
【００４９】
オフセット調整部４ｂは起動トリガ信号を受けて起動し、電圧発生部４ｄを制御して二次電子検出器３の出力電圧を“０Ｖ”に設定してオフセット調整を行う（Ｓ５）。
【００５０】
基板搬送部によるステージ移動により、取得したステージ座標が電子線を照射するように設定された座標値に達すると（Ｓ６）、電子線発生部２に起動トリガ信号を出力する。電子線発生部２は起動トリガ信号を受けて起動し、電子線照射をオン状態（図３（ｂ））とし、電子線照射により発生した二次電子が二次電子検出器に入射するよう設定する（Ｓ７）。
【００５１】
電子線照射をオン状態とした後、さらに基板搬送部によりステージを移動させ、取得したステージ座標が感度調整用に設定された座標値に達すると（Ｓ８）、調整部４に感度調整起動信号（図３（ｄ））を出力する（Ｓ９）。調整部４のゲイン調整部４ｂは、二次電子検出器３で検出した二次電子の検出強度に基づいてゲインを調整し、電圧発生部４ｄから出力する電圧を制御して感度調整を行う。図５（ａ）は感度調整の状態を示している。
【００５２】
この感度調整は、全ての二次電子検出器の感度を調整するために基準となる二次電子検出器を設定し、この基準として設定した二次電子検出器の検出強度に他の二次電子検出器の検出出力を合わせることで行う。
【００５３】
図１は、電子線発生部2-10を基準の二次電子検出器として設定した場合を示している。なお、基準とする二次電子検出器はホストコンピュータからの指令によって任意に設定することができる。
【００５４】
基準として設定された二次電子検出器2-10では、二次電子検出器3-10の出力を差動アンプ４ｃに入力し、差動アンプ４ｃの出力に基づいてゲイン調整部４ｂでゲイン調整し、電圧発生部４ｄから二次電子検出器3-10に印加する負電圧を発生する。差動アンプ４ｃの他方の入力には、二次電子検出器3-10の出力あるいは、予め設定しておいた基準電圧（図示していない）を入力する。
【００５５】
基準として設定された二次電子検出器3-10の検出信号は、他の二次電子検出器3-1〜3-9に対する基準信号として各調整部４の差動アンプ４ｃの一方の入力端に入力される（Ｓ１０）。他の二次電子検出器3-1〜3-9は、差動アンプ４ｃの一方の入力端に二次電子検出器3-10の検出信号を基準信号として入力し、他方の入力端に各二次電子検出器3-1〜3-の検出信号が入力される。差動アンプ４ｃは、検出信号と基準信号との差分を求めてゲイン調整部４ｂに出力する（Ｓ１１）。
【００５６】
各調整部4-1〜4-9のゲイン調整部４ｃは、各二次電子検出器3-1〜3-9の検出信号と基準信号との差分が０となるようにゲイン調整を行って、電圧発生部４ｄから二次電子検出器3-1〜3-9に印加する負電圧を発生し、各二次電子検出器3-1〜3-9の感度を調整する。これによって、二次電子検出器3-1〜3-9の感度は、基準として設定した二次電子検出器3-10の感度に合わせて調整が行われる（Ｓ１２）。
【００５７】
ゲイン調整では、各電子線発生部2-1〜2-10は電子線を標準サンプルに照射し、二次電子検出器3-1〜3-10は標準サンプル８から放出された二次電子を検出する。標準サンプル８はステージ上やプローバ上に設ける他、ステージ自体やプローバ自体の表面を用いる構成とすることができる。図５（ｂ）は、標準サンプル８をプローバフレーム面２１上に配置した状態を示している。
【００５８】
さらに基板搬送部によりステージを移動させ、取得したステージ座標が標準サンプル領域からはずれた座標値に達すると（Ｓ１３）、感度調整起動信号の出力を停止し（Ｓ１４）、このときに得られている調整値をホールドして、次回更新されるまで保持する（Ｓ１５）。
【００５９】
上記手順により、全ての電子線発生部及び二次電子検出器は、ほぼ同一の信号強度が得られるように、オフセット調整及びゲイン調整が行われる。
【００６０】
ＴＦＴアレイの検査は、ステージの移動と二次電子のスキャンを組み合わせることで電子線を基板面１１上で走査させ、二次電子を検出することで行う。図５（ｃ）は検査動作の状態を示している。
【００６１】
図６は、調整部４の一構成例を説明するための図である。図６に示す構成例において、調整部４は、オフセット調整部４ａと差動アンプ部４ｃとゲイン調整部４ｂを備える。
【００６２】
オフセット調整部４ａは、差動増幅器を構成するオペアンプに一方に入力端に二次電子検出器のＰＭＴの出力信号を入力し、他方の入力端に積分器及びスイッチを介して差動増幅器の出力を入力する構成とする。オフセット動作を行わない場合にはスイッチを開いてＰＭＴの出力信号を出力し、オフセット動作を行う場合にはスイッチを閉じることによってＰＭＴの出力信号をオフセットした信号を出力する。
【００６３】
差動アンプ部４ｃは、ゲイン調整時にスイッチを開放して、ＰＭＴからの出力信号と基準信号入力との差を積分して出力する。
【００６４】
また、ゲイン調整部４ｂは、スイッチ及びフィルタ回路を介して差動アンプ部４ｃの出力信号を入力する加算器を備える。加算器ではホストコンピュータから設定される設定値を加算することができる。
【００６５】
上記したように、本発明のＴＦＴアレイ検査装置では、オフセット調整やゲイン調整を、基板面上に電子線を走査してＴＦＴ基板から検出信号を取得する一連の動作と付随して行うことができるため、オフセット調整やゲイン調整のために独立した個別の操作を行うことなく短時間で行うことができる。
【産業上の利用可能性】
【００６６】
本発明のアレイ検査は、液晶アレイ基板や有機ＥＬアレイ基板の検査等に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明のＴＦＴアレイ検査装置の概略構成を説明するためのブロック図である。
【図２】本発明のＴＦＴアレイ検査の動作例を説明するためのフローチャートである。
【図３】本発明のＴＦＴアレイ検査の動作例を説明するための信号図である。
【図４】本発明のＴＦＴアレイ検査の動作例を説明するための動作説明図である。
【図５】本発明のＴＦＴアレイ検査の動作例を説明するための動作説明図である。
【図６】本発明の調整部の一構成例を説明するための図である。
【図７】電子銃の手動による調整を説明するためのフローチャートである。
【符号の説明】
【００６８】
１…ＴＦＴアレイ検査装置、２,2-1〜2-10…電子線発生部、３，3-1〜3-10…二次電子検出器、４，4-1〜4-10…調整部、４ａ…オフセット調整部、４ｂ…ゲイン調整部、４ｃ…差動アンプ部、４ｄ…電圧発生部、５…制御部、６…エンコーダ、７…アドレスカウンタ、８…標準サンプル、１０…基板、１１…基板面、２０…プローバ、２１…プローバフレーム面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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