(57)【要約】【課題】  磁気転写用マスター担体を作製するためのレジストパターンとして必要な均一性、厚さを備えたレジストパターンの作製方法を提供する。【解決手段】  磁気転写用マスター担体を作製するために、基板10上にスピンコート法によってレジスト液11を塗布し、形成されたレジスト膜12に電子ビームEBの照射によって微細パターンを描画し、現像してレジストパターン15を作製する方法であって、前記スピンコート法によって基板10にレジスト液11を塗布する際に、該レジスト液11の粘度ρ［ｍＰａ・ｓ］が１．５＜ρ＜２．０の範囲、スピン回転数：φ［ｒｐｍ］が５００＜φ＜３０００の範囲であり、現像後のレジスト膜厚：ｔ［ｎｍ］が９０＜ｔ＜１３５の範囲である。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気転写用マスター担体を作製するために、基板上にスピンコート法によってレジスト液を塗布し、形成されたレジスト膜に電子ビームの照射によって微細パターンを描画し、現像してレジストパターンを作製する方法であって、
前記スピンコート法によって基板にレジスト液を塗布する際に、該レジスト液の粘度：ρ［ｍＰａ・ｓ］が１．５＜ρ＜２．０の範囲、スピン回転数：φ［ｒｐｍ］が５００＜φ＜３０００の範囲であり、現像後のレジスト膜厚：ｔ［ｎｍ］が９０＜ｔ＜１３５の範囲であることを特徴とするレジストパターンの作製方法。
【請求項２】
前記レジスト膜厚ｔが、９０〜１１０ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載のレジストパターンの作製方法。
【請求項３】
前記レジスト膜厚ｔの膜厚変動が、±１ｎｍ以内であることを特徴とする請求項１に記載のレジストパターンの作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気転写用マスター担体を作製する際に、その凹凸パターンを形成するために基板に設けたレジストに対して電子ビームによってパターンを描画露光するレジストパターン作製方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、磁性体の微細凹凸パターンにより転写情報を担持した磁気転写用マスター担体と、転写を受ける磁気記録部を有するスレーブ媒体とを密着させた状態で、転写用磁界を印加してマスター担体に担持した情報（例えばサーボ信号）に対応する磁化パターンをスレーブ媒体に転写記録する磁気転写方法が知られている。
【０００３】
この磁気転写に使用されるマスター担体の作製方法としては、転写すべき情報に応じたレジストによる凹凸パターンが形成された原盤を基にして作製する、光ディスクスタンパー作製方法を応用した方法が考えられている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
一般に、光ディスクは、レーザや電子線などを光源とした光ディスク原盤記録装置を使用し、レジスト膜が塗設された原盤を露光し、現像することによって表面に情報ピットや溝などの凹凸パターンが形成された光ディスク原盤を用いて作製されるもので、レジストとして化学増幅型レジストを使用して電子線記録装置によりパターンを描画してレジスト原盤を作製する技術が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００１−２５６６４４号公報
【特許文献２】特開２００４−５８７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記のような磁気転写用マスター担体を得るためのレジストパターンを作製する場合には、そのレジストパターンの厚みは、そのまま磁気転写用マスター担体の凹凸高さとなるものであり、均一性が要求され、その管理が重要である。
【０００６】
つまり、磁気転写用レジストパターンとしては、薄くて均一なレジストパターンが必要であり、そのためには、レジスト膜そのものが薄くて均一な厚みに形成される必要がある。
【０００７】
本発明は上記事情に鑑み、磁気転写用マスター担体を作製するためのレジストパターンとして必要な均一性、厚さを備えたレジストパターンの作製方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のレジストパターンの作製方法は、磁気転写用マスター担体を作製するために、基板上にスピンコート法によってレジスト液を塗布し、形成されたレジスト膜に電子ビームの照射によって微細パターンを描画し、現像してレジストパターンを作製する方法であって、
前記スピンコート法によって基板にレジスト液を塗布する際に、該レジスト液の粘度：ρ［ｍＰａ・ｓ］が１．５＜ρ＜２．０の範囲、スピン回転数：φ［ｒｐｍ］が５００＜φ＜３０００の範囲であり、現像後のレジスト膜厚：ｔ［ｎｍ］が９０＜ｔ＜１３５の範囲であることを特徴とするものである。
【０００９】
前記レジスト膜厚ｔは、９０〜１１０ｎｍがより好ましく、さらに好ましくは９５〜１０５ｎｍである。
【００１０】
また、前記レジスト膜厚ｔの膜厚変動は、±１ｎｍ以内が好ましい。なおここで、膜厚変動は３σ（標準偏差の３倍値）で表すものとする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明のレジストパターン作製方法は、磁気転写用マスター担体を作製するために、基板上にスピンコート法によってレジスト液を塗布し、形成されたレジスト膜に電子ビームの照射によって微細パターンを描画し、現像してレジストパターンを作製するために、前記スピンコート法によって基板にレジスト液を塗布する際に、該レジスト液の粘度：ρ［ｍＰａ・ｓ］が１．５＜ρ＜２．０の範囲、スピン回転数：φ［ｒｐｍ］が５００＜φ＜３０００の範囲であり、現像後のレジスト膜厚：ｔ［ｎｍ］が９０＜ｔ＜１３５の範囲であることにより、所望の厚みを有するレジスト膜を均一な厚さで形成し、その膜厚が凹凸パターンの高さとなることで品質の高い磁気転写用マスター担体を作製することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態を図面を用いて詳細に説明する。本発明の磁気転写用マスター担体のレジストパターンの作製方法についで説明する。図１は、その磁気転写用マスター担体の原盤を作製する過程でのレジストパターン作製工程を示す模式図である。なお、ここで描画パターンは、マスター担体の基板に形成すべき凹凸パターンに応じたパターンである。
【００１３】
本実施の形態におけるレジストパターンの作製方法について説明する。まず、図１(ａ)に示すように、基板１０上にスピンコート法により電子線用のレジスト液１１を塗布する。基板１０は、例えばシリコン、ガラスあるいは石英からなる円形板であり、この基板１０をスピンコーター２の回転台２１にセットする。回転台２１は、そのスピン軸２２が不図示の回転駆動機構に連係されて、一方向に所定のスピン回転数φ［ｒｐｍ］で回転される。そして、回転する基板１０上に、ノズル２３から所定粘度ρ［ｍＰａ・ｓ］のレジスト液１１を滴下供給する。滴下されたレジスト液１１は、基板１０の回転速度に応じて該基板１０上を流動して広がり、全面に均等な厚さで塗布される。
【００１４】
なお、上記スピンコーター２の回転台２１の周囲には不図示のカバーが設置され、余剰に供給され基板１０の端部より外周に流れ出したレジスト液１１を受け、その飛散を防止するようになっている。
【００１５】
上記のように、レジスト液１１が塗布された基板１０は必要に応じて加熱（ベーク）されて、レジスト液１１の溶剤が揮発され、図１(ｂ)に示すように、所定厚みのレジスト膜１２が基板１０の表面に形成されてなる。
【００１６】
そして、上記スピンコート法によって基板１０にレジスト液１１を塗布する際に、該レジスト液１１の粘度：ρ［ｍＰａ・ｓ］が１．５＜ρ＜２．０の範囲であり、回転台２１すなわち基板１０のスピン回転数：φ［ｒｐｍ］が５００＜φ＜３０００の範囲である。これにより、後述の露光現像後のレジスト膜１２の膜厚：ｔ［ｎｍ］が９０＜ｔ＜１３５の範囲、より好ましく９０〜１１０ｎｍの範囲、さらに好ましくは９５〜１０５ｎｍの範囲となるように、上記レジスト液１１の粘度：ρ［ｍＰａ・ｓ］およびスピン回転数：φ［ｒｐｍ］が、上記範囲で適正値に設定される。
【００１７】
また、前記レジスト膜１２の膜厚ｔの膜厚変動３σは、±１ｎｍ以内が好ましい。
【００１８】
次に、図１(ｂ)に示すように、基板１０の表面に形成された所定膜厚のレジスト膜１２に対し、電子ビーム描画装置３によって所定のパターンを描画露光する。
【００１９】
この電子ビーム描画装置３は、レジスト膜１２を有する基板１０を支持する回転ステージ３１を備え、この回転ステージ３１は不図示の移動機構によりＡ方向に回転されると共に、半径方向（Ｙ方向）に移動可能となっている。また、図示してないが、電子銃より出射された電子ビームＥＢを基板１０の半径方向（Ｙ方向）およびそれと直交する方向（周方向）へ偏向させる偏向手段を備え、上記回転ステージ３１すなわち基板１０をＡ方向に回転させながら、例えばサーボ信号等の転写情報に対応して変調した電子ビームＥＢを走査させることにより、円周状トラック１６に所望のパターン１５を描画露光する。
【００２０】
次に、図１(ｃ)に示すように、露光後のレジスト膜１２を現像処理して、例えば露光部のレジスト膜１２を選択除去して、基板１０に所望のパターン１５がレジスト膜１２によって凹凸状に作製されたレジストパターンを作製してなる。
【００２１】
このレジストパターンを有する基板１０が磁気転写用マスター担体の原盤となり、これに電鋳を施すことなどで、上記レジストパターンの凹凸形状が複製された凹凸パターンをを有するＮｉ基板を作製し、その上に磁性層を被覆して磁気転写用マスター担体が作製される。
【００２２】
上記の電子線用のレジスト液１１としては、一般的な電子線用レジストを用いる以外に、化学増幅型レジストと呼ばれるレジスト材料を用いるのが好適である。この材料は、露光感度が高く、単位面積当たりの電子線の照射量が少なく露光できるもので、電子線記録装置への負担も少なく、また、記録線速（描画速度）を高めることができる。この化学増幅型レジストは、電子線が照射された部分に酸が発生し、露光後の熱処理（ベーク）によって、発生した酸を触媒として、レジスト反応が進行する特性を有する。露光部に発生した酸はベーク時に露光部から周辺部に拡散していき、レジスト反応を行うことで増幅される。その粘度は、溶剤量等によって上記範囲に調整される。
【００２３】
なお、前述のレジスト膜１２の膜厚ｔは、レジスト液１１の塗布直後の膜厚より乾燥に伴って低減して所定の膜厚となるものであり、例えば、レジスト液１１の塗布直後で膜厚が１１０ｎｍあった場合に、乾燥・溶剤揮発に伴い１００ｎｍ程度となる。この厚みが磁気転写用マスター担体における磁性層による凹凸パターンの凹凸高さになる。
【００２４】
また、スピンコート法によるレジスト液１１の塗布における流動特性には、前述のレジスト液粘度およびスピン回転数に加え、雰囲気の温度・湿度がサブファクターとして関与するものであり、膜圧の均一性、同じ膜厚を得るための再現性として、これらの条件も加味して塗布条件を設定する。
【００２５】
上記した実施形態での本発明のレジストパターン作製におけるレジスト膜１２の形成条件は、前述のように、レジスト液１１の粘度：ρ［ｍＰａ・ｓ］が１．５＜ρ＜２．０の範囲、スピン回転数：φ［ｒｐｍ］が５００＜φ＜３０００の範囲であり、現像後のレジスト膜厚：ｔ［ｎｍ］が９０〜１３５（好ましくは９０〜１１０ｎｍ、さらに好ましくは９５〜１０５ｎｍ）の範囲である。本発明では、実際の凹凸パターンの高さとなる現像後のレジスト膜厚を規定するものである。
【００２６】
上記作製条件における最適値の選定は、上記範囲におけるレジスト液１１の粘度の下限値、すなわち粘度ρが１．５［ｍＰａ・ｓ］以下では、スピンコート時に所望の膜厚を得ることができない。粘度の上限値、すなわち粘度ρが２．０［ｍＰａ・ｓ］以上では、粘度が高く、流動性が低く、基板の全面に均等に薄く展開せず、膜厚の均等性を得ることが困難となる。
【００２７】
磁気転写用レジストパターンとしては、薄くて均一なレジストパターンが必要であるが、そのためには、レジスト液の粘度とスピン回転数とが大きく影響し、粘度を低くすることおよび回転数を高くすることにより、膜厚が薄くなる傾向にあるが、その最適値を選定する必要がある。
【００２８】
このレジスト液の粘度とスピン回転数の組み合わせを適正値に選定することにより、磁気転写用レジストパターンを作製するための、所望の厚さのレジスト膜を得ることができる。
【００２９】
ここで、前述のレジスト膜の作製条件の実施例を示し、その特性を比較例と共に求めた実験結果を、図２〜図４に示す。
【００３０】
図２は、粘度が異なるレジスト液を塗布する際のスピン回転数に対するレジスト膜厚の変化を示すグラフである。レジスト液としては、ポジ型電子線レジスト（FEP-171：富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ株式会社製）を使用し、これを希釈液（FEPシンナー）で希釈して粘度調整したものである。図３は、レジスト液の希釈濃度と粘度の関係を示すグラフである。濃度％（希釈度）は、レジスト液Ｘｇ、希釈液Ｐｇとした際に、｛Ｘ／（Ｘ＋Ｐ）｝×１００であり、図３に示すように希釈濃度は粘度と略比例する。
【００３１】
図２から、基本的にレジスト液の粘度が高いと膜厚が大きく、粘度が低いほど膜厚が薄くなる傾向にあり、また、スピン回転数が高いほど膜厚が薄くなる傾向があることがわかった。なお、図２から、粘度ρが１．５＜ρ＜２．０、かつ、回転数φ[ｒｐｍ]が５００＜φ＜３０００の範囲で、粘度ρと回転数φの組み合わせを調整し、レジスト膜を作製することにより、所望の膜厚ｔ[ｎｍ]である９０＜ｔ＜１３５を得ることができることが明らかである。
【００３２】
次に、図４は、レジスト液の粘度に対し、それぞれ異なるスピン回転数でレジスト膜を塗布した際の、膜厚変動を３σ（標準偏差の３倍値）で示したものであり、３σが小さいほど膜厚変動が少ないことを示している。この図４から、レジスト液の粘度が高いほどスピン回転数の変化に対する膜厚変動が大きくなるもので、特にスピン回転数が低くなると膜厚変動が大きくなる傾向にあることがわかった。また、図４に示すように、粘度ρが１．５＜ρ＜２．０、かつ、回転数φ[ｒｐｍ]が５００＜φ＜３０００、の条件で作成することにより、膜厚変動３σを略１ｎｍ以下に抑制することができた。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明のレジストパターン作製方法の工程を示す模式図
【図２】膜厚テストの結果を示すグラフ
【図３】レジスト液希釈濃度と粘度との関係を示すグラフ
【図４】膜厚変動の測定結果を示すグラフ
【符号の説明】
【００３４】
10    基板
11    レジスト液
12    レジスト膜
２    スピンコーター
21    回転台
22    スピン軸
23    ノズル
３    電子ビーム描画装置
31    回転ステージ
EB    電子ビーム
【図１】
2006351053.tif 000003
【図２】
2006351053.tif 000004
【図３】
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【図４】
2006351053.tif 000006