(57)【要約】      （修正有）【課題】電極被覆率低下を防止し、安定的に半導体光素子を作製する方法を提供する。【解決手段】リッジ型光導波路と電極パッドを形成する有機樹脂の厚膜領域との間にあり且つ前記電極パッドを形成する領域の下部に、その一部を埋め込まれるごとく配置された、前記リッジ型光導波路とは別体のメサストライプ構造体を配した半導体光装置である。即ち、リッジ型光導波路脇の有機樹脂埋込み部を独立させ、厚膜化パターンをその独立した有機樹脂埋込み部に対し数μｍずらして形成する。この構造では、従来の有機樹脂内でエッチングを停止する方法と比べ、下地の絶縁膜をエッチング停止層として用いることで、十分なエッチング選択比が得られる。従って、電極被覆性に対して安定的な製造歩留り、及び高信頼性素子が得られる。【選択図】図７Ｈ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、前記半導体基板上に、活性領域を有するリッジ型光導波路と、前記リッジ型光導波路の両側部に配置された低誘電率材料層と、電極パッドを形成する領域と、前記リッジ型光導波路の一方の端部より電極パッドを形成する領域に導出する導電体層と、前記リッジ型光導波路と前記電極パッドを形成する領域との間にあって且つ前記電極パッドを形成する領域の下部に、その一部を埋め込まれるごとく配置されたメサストライプ構造体とを少なくとも有することを特徴とする半導体光装置。
【請求項２】
半導体基板上に、更に変調器部を集積化して有することを特徴とする請求項１に記載の半導体光装置。
【請求項３】
前記低誘電率材料層は、ポリイミド樹脂層であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体光装置。
【請求項４】
前記電極パッドを形成する領域の下部に、その一部を埋め込まれるごとく配置された前記メサストライプ構造体において、前記メサストライプ構造体の上面が絶縁膜で覆われていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体光装置。
【請求項５】
半導体基板上に、活性層領域を構成する多層膜を形成する工程、
前記多層膜上に、クラッド層を有する半導体層を形成する工程、
前記クラッド層を有する半導体層を、レーザ発振部に相当する第１のメサストライプ構造体と、これに近接して配置された第２のメサストライプ構造体に加工する工程、
これまでの工程で準備した当該半導体基板上に絶縁膜を形成する工程、
有機樹脂層を形成する工程、
前記第１のメサストライプ構造体上の絶縁膜を除去し、更に前記第２のメサストライプ構造体上の絶縁膜上のその端部に重複する領域を含んで、前記有機樹脂層の厚膜部を形成する工程、
前記露出された第１のメサストライプ構造体と前記有機樹脂層の厚膜部に延在する導電層を形成する工程、を有することを特徴とする半導体光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、メサストライプ構造を有する半導体光装置、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の光通信システムの高速伝送化、高機能化に対応して、超高速動作で応答する半導体レーザが求められている。超高速動作を達成するためには、素子の低容量化が必須である。この為、電極パッド（ＰＡＤ）部分の絶縁膜の厚膜化や、又、特にリッジ型構造においては、メサストライプ導波路脇を低誘電率材料であるポリイミドなどの樹脂で埋込み、厚膜化構造をとるといった手法がある。特に、後者のポリイミド樹脂を用いた厚膜化構造では、現在主流である１０Ｇｂｉｔ／ｓ伝送に関しては勿論のこと、将来主力となりうる４０Ｇｂｉｔ／ｓ以上の伝送レートに対応した半導体光素子に対しても、その高機能化が容易となる。ポリイミド樹脂を用いた半導体光素子の例としては、例えば、ＩＥＩＣＥ  ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ  ｏｎ  ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ（電子通信学会英文論文誌）ＶＯＬ．Ｅ８８−Ｃ  Ｎｏ．５、ＭＡＹ  ２００５に見られる（非特許文献１）。
【０００３】
こうしたポリイミド厚膜化構造は、通例次のような工程を取っている。所望の基板に結晶成長によりレーザ発振のための活性層及びクラッド層を形成した後、これらの諸層をエッチング加工により、光導波路となるメサストライプを形成する。そして、表面保護膜となる表面保護膜を形成した後で、半導体メサ部側面及び底面を5μｍ程度のポリイミド層で埋込み、厚膜となる以外の部分をフォトリソエッチング加工により平坦化する。
【０００４】
【非特許文献１】ＩＥＩＣＥ  ＴＲＡＮＳＡＣＴＩＯＮＳ  ｏｎ  ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ（電子通信学会英文論文誌）ＶＯＬ．Ｅ８８−Ｃ  Ｎｏ．５、ＭＡＹ  ２００５
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、このようなリッジ型のポリイミド埋込み構造を作製する場合、次のような問題点があった。フォトレジストとポリイミド樹脂とが共に有機材料であることにより、互いにエッチング選択比が十分ない。この為、露光照度やコンタクトギャップ等の露光装置の条件が最適でない場合や、ドライエッチ装置における反応ガス混合比などの条件が最適でない場合に、エッチング加工後のポリイミド厚膜化部のエッジ形状が不安定となる。このことに起因して、その後の電極形成工程で電極被覆率低下、断線を引き起こすなどしばしば問題を発生していた。その詳細は後述される。
【０００６】
本発明は、光素子品質及びウェハ歩留に影響を及ぼす電極被覆率低下を防止し、安定的に半導体光素子を作製すること、又、その製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明者らは、前記表面保護膜膜である下地の絶縁膜をエッチング停止層として用いる構造並びにその製造方法を提供する。より具体的な方策は、装置の活性領域を含むところの前記メサストライプ脇の厚膜化有機樹脂の埋込み部分を、メサストライプ導波路から連続しているパターンではなく、独立したパターンで形成することであり、更に、この有機樹脂埋込み部分の厚膜化のためのフォトレジストパターンを有機樹脂埋込み部から数μｍ程度ずらして形成するものである。従って、ＰＡＤが形成される厚膜化された埋込み部は、この埋め込み部を構成する有機樹脂層のエッジ部の下層に前記第２のメサストライプが存在する構成となる。尚、前記有機樹脂としてはポリイミド樹脂が代表的なものである。以下、このポリイミド樹脂をもって説明する。
【０００８】
この構造により、有機樹脂層のエッジ部に発生し勝ちな、有機樹脂層のノッチ形成を防止することが出来る。こうして、厚膜化部のポリイミド層の形状をテーパ化形状に制御することができ、電極被覆性も良好となり安定的な製造品質の確保が可能となる。
【０００９】
本発明の主な形態の骨子を列挙すれば、次の通りである。
【００１０】
第１の形態は、半導体基板と、前記半導体基板上に、活性領域を有するリッジ型光導波路と、前記リッジ型光導波路の両側部に配置された低誘電率材料層と、電極パッドを形成する領域と、前記リッジ型光導波路の一方の端部より電極パッドを形成する領域に導出する導電体層と、前記リッジ型光導波路と前記電極パッドを形成する領域との間にあって且つ前記電極パッドを形成する領域の下部に、その一部を埋め込まれるごとく配置されたメサストライプ構造体とを少なくとも有することを特徴とする半導体光装置である。
【００１１】
第２の形態は、半導体基板上に、変調器部と、リッジ型光導波路を有する半導体レーザ部とを有し、前記リッジ型光導波路を有する半導体レーザ部が、第１の形態に説明した構成を有するものである。変調器部がリッジ型光導波路を有して構成される形態は実用上有用である。
【００１２】
更に、本発明は半導体光素子が複数、集積された形態に適用可能なことはいうまでもない。
【００１３】
又、前記電極パッドを形成する領域の下部に、その一部を埋め込まれるごとく配置された前記メサストライプ構造体において、前記メサストライプ構造体の上面が絶縁膜、代表的にはＳｉＯ２層で覆われている形態は、実用上極めて有用である。即ち、レーザ部のリッジ型光導波路とは別体に設けるメサストライプ構造体の電気的特性への影響を排除すること、並びに前述したように、電極パッド部を形成する有機樹脂層へのノッチ形成を防止する。
【００１４】
本発明の半導体光装置の代表的な製造方法は次の通りである。
【００１５】
半導体基板上に、活性層領域を構成する多層膜を形成する工程、前記多層膜上に、クラッド層を有する半導体層を形成する工程、前記クラッド層を有する半導体層を、レーザ発振部に相当する第１のメサストライプ構造体と、これに近接して配置された第２のメサストライプ構造体に加工する工程、これまでの工程で準備した当該半導体基板上に絶縁膜を形成する工程、有機樹脂層を形成する工程、前記第１のメサストライプ構造体上の絶縁膜を除去し、更に前記第２のメサストライプ構造体上の絶縁膜上のその端部に重複する領域を含んで、前記有機樹脂層の厚膜部を形成する工程、前記露出された第１のメサストライプ構造体と前記有機樹脂層の厚膜部に延在する導電層を形成する工程、を有するものである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、安定的な製造歩留を確保することができる。厚膜化有機樹脂の埋込み構造において、電極被覆率低下や電極断線の現象を引き起こすことないからである。又、このように作製したリッジ型半導体光素子は、従来の製造方法と比べて信頼性の観点からも高品質化が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
＜実施の形態１＞
本発明との比較を容易となす為、先ず、従来の代表的な製造工程を説明する。
【００１８】
［比較例］
図1に、従来のリッジ型ポリイミド埋込み構造を有する電界吸収型（ＥＡ：Ｅｌｅｃｔｏ―Ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ）変調器集積型ＤＦＢ（ＤＦＢ：Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ ＦｅｅｄＢａｃｋ）レーザの斜視図、図２にその上面図を示す。図３Ｈに図２の線Ａ−Ａ’に沿った断面図を示す。図において、変調器領域をＥＡ、レーザ発振部をＬＤと表示した。尚、図３Ａより図３Ｈは、製造工程順の装置の断面図である。図４は従来の問題点を示す断面図である。
【００１９】
ＩｎＰ基板１の所望個所に、ＩｎＧａＡｓＰ活性層及びＳＣＨ層、又は回折格子層を有する多層構造８を有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）により形成する（図３Ａ）。干渉露光装置又はＥＢ描画装置などを用いたフォトリソエッチングプロセスにより、前記多層構造８の上部に約２００ｎｍ周期、深さ約３０ｎｍの回折格子を形成する。この後で、ｐ型ＩｎＰクラッド層９とコンタクト層１１をエピタキシャル成長する。この多層膜の成長後、フォトリソエッチング工程によりメサストライプマスクを形成する。このメサストライプマスクを用いて、コンタクト層１１の所望部分を残して、他の領域をＨ２ＳＯ４系エッチャントで除去する。ｐ型ＩｎＰクラッド層９をＨＣｌ系のエッチャントでエッチングし、必要なメサストライプ１４を形成する（図３Ｂ）。Ｃｌ系のエッチャントは、ＩｎＰと多層構造８の構成材料であるＩｎＧａＡｓＰとのエッチング選択比が１００以上と十分にあることから、エッチングは活性層または回折格子層上部で停止する。この為、結晶方位で決定される構造的に安定的なメサストライプ導波路１４を形成することができる。又、メサストライプマスクを形成する際に、ＥＡ（Ｅｌｅｃｔｏ―Ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ）部のメサ脇にレジストが形成されないようなホトマスクを用いることで、エッチング後に約３０μｍ幅のポリイミド埋込み部５を有することが可能となる。その後ＬＤ（Ｌａｓｅｒ  Ｄｉｏｄｅ）部とＥＡ部を電気的に分離するアイソレーション溝１５をエッチングにより形成した（図１、図２を参酌）後、表面保護膜となる約５００ｎｍのＳｉＯ２膜２を熱ＣＶＤ法によりウェハ全面に形成する（図３Ｃ）。
【００２０】
スピンコータにより、低誘電率材料であるポリイミド樹脂をメサストライプ導波路１４脇及びＥＡ部ポリイミド埋込み部に約５μｍ塗布し、ポリイミド内の溶媒を揮発させるために３５０℃までウェハを加熱しポリイミド樹脂５を硬化させる（図３Ｄ）。
【００２１】
厚膜となるポリイミド埋込み部５を、所望形状のフォトレジストマスク１３により覆い、メサトップのＳｉＯ２膜２が露出するまで、ドライエッチング装置にて約２μｍのポリイミドをエッチングし平坦化する（図３Ｅ）。
【００２２】
再び、フォトリソグラフィを用いたエッチングにて、メサストライプの上部にあるＳｉＯ２膜２を除去し、コンタクト層９相当の個所４０を開口する（図３Ｆ）。ＥＢ蒸着法によりＴｉ／Ｐｔ／Ａｕで構成される厚さ０．５μｍ程度のｐ側電極４を蒸着する（図３Ｇ）。イオンミリング法によりＬＤ部のｐ電極３及びＥＡ部ｐ電極４をパターニングし、後に素子搭載する際にワイヤボンディングする電極ＰＡＤ部１６を設ける。
【００２３】
研磨工程にて、厚さ１００μｍまで半導体基板１裏面側を研磨し、同様にＥＢ蒸着法でｎ電極６蒸着後、アロイ工程を経てウェハ工程を終える（図３Ｈ）。
【００２４】
［本発明の実施の形態］
次に本発明の構造と製造方法を説明する。図５に本実施例のリッジ型ポリイミド埋込み構造を有するＥＡ変調器集積型ＤＦＢレーザの斜視図、図６にその上面図を示す。又、図７Ｈに図６のＢ−Ｂ’断面図を示す。図７Ａより図７Ｈは、本発明に関わるポリイミド厚膜化の製造方法を工程順に示した装置の主要部の断面図である。
【００２５】
ＩｎＰ基板１の所望個所に、ＩｎＧａＡｓＰ活性層及びＳＣＨ層、又は回折格子層を有する多層構造８を有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）により形成する（図７Ａ）。干渉露光装置又はＥＢ描画装置などを用いたフォトリソグラフィによるエッチングプロセスにより、前記多層構造８の上部に約２００ｎｍ周期、深さ約３０ｎｍの回折格子を形成する。この後で、ｐ型ＩｎＰクラッド層９とコンタクト層１１をエピタキシャル成長する。これまでの工程は、これまでのそれと同様である。
【００２６】
この多層膜の成長後、フォトリソエッチング工程によりメサストライプマスクを形成する。この場合、メサストライプの形成は、少なくとも、活性領域に相当する第１のメサストライプ１４と、これに並置され且つＰＡＤ形成部に隣接して第２のメサストライプ４１とを形成する（図７Ｂ）。本発明においては、この第２のメサストライプ４１を形成することがわけても重要である。
【００２７】
その後ＬＤ（Ｌａｓｅｒ  Ｄｉｏｄｅ）部とＥＡ部を電気的に分離するアイソレーション溝１５をエッチングにより形成した（図１、図２を参酌）後、表面保護膜となる約５００ｎｍのＳｉＯ２膜２を熱ＣＶＤ法によりウェハ全面に形成する（図７Ｃ）。
【００２８】
スピンコータにより、低誘電率材料であるポリイミド樹脂をメサストライプ導波路１４脇及びＥＡ部ポリイミド埋込み部５に約５μｍ塗布し、ポリイミド内の溶媒を揮発させるために３５０℃までウェハを加熱しポリイミド樹脂を硬化させる（図７Ｄ）。
【００２９】
厚膜となるポリイミド埋込み部５を、所望形状のフォトレジストマスク１３により覆い、メサトップのＳｉＯ２膜２が露出するまで、ドライエッチング装置にて約２μｍのポリイミドをエッチングし平坦化する（図７Ｅ）。
【００３０】
再び、フォトリソグラフィを用いたエッチングにて、メサストライプの上部にあるＳｉＯ２膜２を除去し、コンタクト層９相当の個所４０を開口する（図７Ｆ）。ＥＢ蒸着法によりＴｉ／Ｐｔ／Ａｕで構成される厚さ０．５μｍ程度のｐ側電極４を蒸着する（図７Ｆ）。イオンミリング法によりＬＤ部のｐ電極３及びＥＡ部ｐ電極４をパターニングし、後に素子搭載する際にワイヤボンディングする電極ＰＡＤ部１６を設ける（図７Ｇ）。
【００３１】
研磨工程にて、厚さ１００μｍまで半導体基板１裏面側を研磨し、同様にＥＢ蒸着法でｎ電極６蒸着後、アロイ工程を経てウェハ工程を終える（図７Ｈ）。
【００３２】
後工程では、素子長５００μｍとなるようにバー状に劈開する。そして、この両劈開面に反射保護膜７を形成した後、チップ状にメサストライプ導波路方向に劈開することで素子分離する。
【００３３】
従来の方法では、フォトレジストとポリイミド樹脂はともに有機材料で、互いに同等のエッチングレートを持つことから、前述の図３Ｆの工程において、露光照度やコンタクトギャップ等の露光装置の条件が最適でない場合にレジスト形状を反映して、厚膜部１７のポリイミド樹脂層のエッジ部形状１８がテーパ形状とならず垂直形状となることがしばしば発生した。この状況を図４に示す。又、ドライエッチ装置条件が最適でない場合に、プラズマ密度が大きくなるポリイミドエッジ部において発生するノッチ１２の影響で、厚膜部のポリイミド形状が不安定となることがあった。このノッチ１２も図４に例示される。これらの現象によりポリイミド厚膜部１７のエッジ部において電極被覆率が低下し、電極断線現象を引き起こす要因となっていた。
【００３４】
これに対し、本実施例は第１のメサストライプ導波路１４の脇のポリイミド埋込み部５を連続したパターンではなく、幅３μｍ程度を介して、第２のメサストライプ４１を独立に形成し、ポリイミド厚膜部分１９のエッジ１８が表面保護膜であるＳｉＯ２膜２の直上にくるような構造をとる。
【００３５】
ポリイミドエッチング装置においては通常Ｏ２系ガスが反応ガスとして用いられ、レジストとポリイミドのエッチングレートは同等であるが、フォトレジストとＳｉＯ２膜ではエッチング選択比は１０以上と十分にあることから、ＳｉＯ２膜がポリイミドエッチング停止層１０として働き、従来構造で発生していたようなポリイミド樹脂層のエッジ部１８にノッチ１２（図４を参酌）は発生せず、安定的なポリイミド厚膜化構造１９を形成することができる。また、メサストライプ導波路１４の脇にもう一つの第２のメサストライプ４１が形成されることになるが、第２のメサストライプ４１の有するコンタクト層１１の上部は表面保護膜であるＳｉＯ２膜２で被覆されているため電流注入されることなく、特性にも影響を与えるものではない。このように、本発明によれば、これまでの構成に基づくフォトレジストとポリイミド樹脂の場合に比べて、フォトレジストと絶縁膜材料とではエッチング選択比を十分稼ぐことができる。又、ドライエッチ条件が最適でない場合にしばしば発生するポリイミドエッジ部のノッチ形成を防止することができる。
【００３６】
本実施例により作製した構造により、ポリイミド厚膜化部分での電極の被覆率低下を完全に防止でき、半導体レーザの製造歩留りを飛躍的に向上させることができた。
【００３７】
＜実施の形態２＞
図８に、第２の実施例であるリッジ導波路型半導体レーザの斜視図である。本発明のポリイミド埋込み構造を直接変調型のリッジ導波路型半導体レーザに適用した例を示す。半導体レーザは通例のＡｌ系材料を用いた。半導体基板２１上に活性層領域を構成する半導体多層膜構造２８が形成される。実施例１と同様に多層膜構造の上部に回折格子が形成された。更に、この上部にクラッド層２９及びコンタクト層３１が形成される。この例では、発光領域を構成する第１のストライプ３１の両側に、厚膜化された有機樹脂層を形成する為の第２のストライプ３２、３３が配置されている。半導体積層体の上部はＳｉＯ２膜２２の保護膜で覆われ、レーザのｐ型電極２３、並びに半導体基板２１の裏面にはレーザのｐ型電極２６が形成されている。前記厚膜化構造の上部に電極パッド（ＰＡＤ）３３が形成される。尚、ここで、符号２２はＳｉＯ２膜、符号２５の領域は有機樹脂層が埋め込まれた領域である。
【００３８】
この第２のストライプの形成方法は前述の実施の形態１と同様である。実施例１と同様な方法で、ＨＣｌ系の選択ウェットエッチングでメサストライプ導波路３１を形成する際に、ポリイミド埋込み部２５を５μｍ離れたストライプ脇に独立して形成する。ポリイミド樹脂を塗布し、３５０℃までの加熱で硬化した。この後、フォトレジストマスクをポリイミドエッチング停止層３０となるＳｉＯ２膜に重なるように形成し、厚膜化以外の部分をドライエッチにより平坦化する。前述したように、ポリイミド樹脂とＳｉＯ２膜はドライエッチでの選択比が１０以上と十分にあることから、ポリイミド樹脂による厚膜化構造のエッジ部の形状に対して、安定なテーパ化形状を得ることができる。
【００３９】
本実施例により作製した構造により、電極被覆率に対して高品質な半導体レーザを高歩留りで作製することができる。
【００４０】
本発明において、表面保護膜の材料として、ＳｉＮやＳｉＯＮ等の、有機樹脂とエッチング速度を異にする絶縁膜を用いてもかまわない。また、本実施例では熱ＣＶＤ法により形成したＳｉＯ２膜をポリイミドエッチング停止層１０として用いたが、プラズマＣＶＤ法やＥＣＲ法など異なる手法で形成した絶縁膜を用いても適用できることはいうまでもない。
【００４１】
＜実施の形態３＞
実施の形態３はポリイミド厚膜化構造を有する半導体レーザ、ＥＡ変調器などの半導体光素子が複数集積した場合である。この場合も、前述の実施の形態１〜２と同様のプロセスで製造することができる。
【００４２】
近年インターネットの普及により光通信の伝送容量増大の需要が急増している。本発明は、このような要求を満たすポリイミド埋込み型半導体光素子において、高品質な信頼性及び安定な素子製造歩留の確保に関わるものであり、ＥＡ変調器集積半導体レーザ、直接変調型半導体レーザなどに利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】図１は、従来のポリイミド埋込み構造を有するリッジ型ＥＡ変調器集積レーザの斜視図である。
【図２】図１に示すリッジ型ＥＡ変調器集積レーザの上面図である。
【図３Ａ】図３Ａは、従来構造の装置を製造工程順に示した装置の断面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、従来構造の装置を製造工程順に示した装置の断面図である。
【図３Ｃ】図３Ｃは、従来構造の装置を製造工程順に示した装置の断面図である。
【図３Ｄ】図３Ｄは、従来構造の装置を製造工程順に示した装置の断面図である。
【図３Ｅ】図３Ｅは、従来構造の装置を製造工程順に示した装置の断面図である。
【図３Ｆ】図３Ｆは、従来構造の装置を製造工程順に示した装置の断面図である。
【図３Ｇ】図３Ｇは、従来構造の装置を製造工程順に示した装置の断面図である。
【図３Ｈ】図３Ｈは、従来構造の装置を製造工程順に示した装置の断面図である。
【図４】図４は、従来例の問題点を例示する断面図である。
【図５】図５は、本発明の第１実施例を示す、ポリイミド埋込み構造を有するリッジ型ＥＡ変調器集積レーザの斜視図である。
【図６】図６は、図５に示すリッジ型ＥＡ変調器集積レーザの上面図である。
【図７Ａ】図７Ａは、本発明に係る装置を製造工程順に示した装置の断面図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、本発明に係る装置を製造工程順に示した装置の断面図である。
【図７Ｃ】図７Ｃは、本発明に係る装置を製造工程順に示した装置の断面図である。
【図７Ｄ】図７Ｄは、本発明に係る装置を製造工程順に示した装置の断面図である。
【図７Ｅ】図７Ｅは、本発明に係る装置を製造工程順に示した装置の断面図である。
【図７Ｆ】図７Ｆは、本発明に係る装置を製造工程順に示した装置の断面図である。
【図７Ｇ】図７Ｇは、本発明に係る装置を製造工程順に示した装置の断面図である。
【図７Ｈ】図７Ｈは、本発明に係る装置を製造工程順に示した装置の断面図である。
【図８】図８は、本発明の第２実施例を示す、ポリイミド埋込み構造を有する直接変調型半導体レーザの斜視図である。
【符号の説明】
【００４４】
１：半導体基板、２：絶縁膜（代表例：ＳｉＯ２膜）、３：ＬＤ部のｐ型電極、４：ＥＡ部のｐ型電極、５：有機樹脂による埋込み部、６：ｎ型電極、７：反射保護膜、８：活性層、９：ｐ型ＩｎＰクラッド層、１０：エッチング停止層、１１：コンタクト層、１２：ドライエッチングで発生するノッチ、１３：フォトレジストマスク、１４：メサストライプ導波路（第１のメサストライプ）、１５：アイソレーション溝、１６、電極パッド（ＰＡＤ）、１７：厚膜部、１８：厚膜部のエッヂ、１９：厚膜化構造部、４０：開口、４１：第２のストライプ、２１：半導体基板、２２：絶縁膜（代表例：ＳｉＯ２膜）、２３：ｐ型電極、２５：有機樹脂による埋込み部、２６：ｎ型電極、２７：反射保護膜、２８：活性層領域の多層構造、２９：クラッド層、３０：エッチング停止層、３１：第１のメサストライプ、３２、３３：第２のメサストライプ。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図３Ｆ】
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【図３Ｇ】
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【図３Ｈ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図７Ｅ】
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【図７Ｆ】
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【図７Ｇ】
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【図７Ｈ】
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【図８】
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