(57)【要約】【課題】  遮光膜加工時に、遮光膜の上面に形成されるレジスト膜が、遮光膜から剥離することを確実に防止できる固体撮像装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】  少なくとも２種の膜が積層された遮光膜１０を備える固体撮像装置において、遮光膜１０がフッ素成分を含んだ金属を主成分とした膜からなる第２の遮光膜１２上に、フッ素成分を含まない金属を主成分とした膜からなる第３の遮光膜１３を備えた構成を採用する。これにより、遮光膜１０を加工する際に遮光膜１０上に形成されるレジスト膜と遮光膜１０との間の密着力が低下することを防止することができ、遮光膜１０の良好な加工が可能になるともに、歩留まりを向上させることができる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２層の膜が積層された遮光膜を備える固体撮像装置において、
前記遮光膜が、フッ素成分を含んだ金属を主成分とした下層膜と、当該下層膜を被覆するとともに、スパッタ法または化学気相成長法により形成されたフッ素成分を含まない金属を主成分とした上層膜とを備えた固体撮像装置。
【請求項２】
前記下層膜が、化学気相成長法により形成されたタングステンを主成分とした膜である請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
受光部以外の領域を被覆する、少なくとも２層の膜が積層された遮光膜を備える固体撮像装置の製造方法において、
フッ素成分を含んだ金属を主成分とし、前記受光部および当該受光部以外の遮光領域を被覆する下層膜を形成する工程と、
フッ素成分を含まない金属を主成分とし、前記下層膜を被覆する上層膜をスパッタ法または化学気相成長法により形成する工程と、
前記上層膜上にレジスト膜を形成するとともに、当該レジスト膜の前記受光部に対応する部分を選択的に除去したレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクとして、前記上層膜および前記下層膜をエッチングし、前記遮光膜を形成する工程と
を有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項４】
前記下層膜が、化学気相成長法により形成されたタングステンを主成分とした膜である請求項３に記載の固体撮像装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は固体撮像装置およびその製造方法に関し、特に、受光部以外の領域への光の入射を防止する遮光膜に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
通常、固体撮像装置には、受光部以外の領域に光が入射しないように、遮光性の高いタングステン膜からなる遮光膜が形成される。以下に、タングステン膜からなる遮光膜を備える従来の固体撮像装置について、図面を参照しながら説明する。なお、図７は、当該遮光膜を備える従来の固体撮像装置の断面構造を示した図である。
【０００３】
図７に示すように上記従来の固体撮像装置は、シリコンからなる半導体基板３０１の表面から入射した光に基づいて信号電荷を生成する受光部３０２を備える。半導体基板３０１の表面にはシリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜３０３が設けられ、ゲート絶縁膜３０３の上面には、受光部３０２で生成された信号電荷の読み出し、並びに、当該信号電荷の外部への転送を制御するドープドポリシリコンからなる転送電極３０５が設けられる。そして、当該転送電極３０５の上面には、当該転送電極３０５を被覆するシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜３０４が設けられ、転送電極３０５は、ゲート絶縁膜３０３および層間絶縁膜３０４に挟み込まれる。
【０００４】
さらに、半導体基板３０１上には、転送電極３０５等の受光部３０２以外の領域に光が入射することを防止する遮光膜３１０が設けられる。
【０００５】
以下で、遮光膜３１０の形成工程について詳細に説明する。図８および図９は、遮光膜３１０の形成過程の各工程における固体撮像装置の１素子部分の断面構造を示した図である。
【０００６】
図８（ａ）に示すように、上述の層間絶縁膜３０４の形成が完了すると、図８（ｂ）に示すように、層間絶縁膜３０４上に、タングステン膜からなる第１の遮光膜３１１がスパッタ法により成膜される。さらに、図８（ｃ）に示すように、当該第１の遮光膜３１１上に、タングステン膜からなる第２の遮光膜３１２（膜厚約２００ｎｍ）が化学気相成長法（以下、ＣＶＤ法と記す。）により成膜される（例えば、特許文献１参照）。
【０００７】
ここで、第１の遮光膜３１１は、第２の遮光膜３１２を形成するために設けられる膜である。ＣＶＤ法により成膜される膜は、段差被覆性に優れるため遮光膜として非常に好適である。しかしながら、ＣＶＤ法により成膜されるタングステン膜はシリコン酸化膜との密着力が極めて低いため、シリコン酸化膜からなる層間絶縁膜３０４上に直接堆積することはできない。このため、ＣＶＤ法により成膜される第２の遮光膜３１２の密着性を高めるための下地膜として、上記第１の遮光膜３１１がスパッタ法により成膜される。
【０００８】
以上のようにして、第２の遮光膜３１２の成膜が完了すると、図９（ａ）に示すように、塗布等によりフォトレジスト膜３１５が第２の遮光膜３１２上に形成される。そして、公知のフォトリソグラフィ法により、受光部３０２に対応する位置のフォトレジスト膜３１５が選択的に除去されたレジストパターンが形成される。
【０００９】
続いて、当該レジストパターンをマスクとして、第２の遮光膜３１２および第１の遮光膜３１１が順にエッチングされ、図９（ｂ）に示すように、受光部３０２に光を入射させるための開口部３０９が遮光膜３１０に形成される。
【００１０】
さらに、図７に示すように、半導体基板３０１の上面には、上述の転送電極３０５および遮光膜３１０の形成に伴って生じた段差を埋めて表面を平坦化する平坦化膜３０６が設けられる。また、当該平坦化膜３０６の上面に受光部３０２への入射光を所定の波長帯域に分光するカラーフィルタ３０７が設けられる。そして、カラーフィルタ３０７の上面には、入射光を受光部３０２に集光するオンチップマイクロレンズ３０８が、受光部３０２と対応する位置に設けられている。なお、平坦化膜３０６、カラーフィルタ３０７、およびオンチップマイクロレンズ３０８の材質には、透光性を有するアクリル樹脂等が一般に使用されている。
【特許文献１】特開平１１−１１１９５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
近年、カメラの小型化および画素数の増加に伴う画素サイズの縮小が進み、固体撮像装置の製造においても、フォトリソグラフィに使用される露光光源は、従来の水銀ランプ等から、より波長の短いＫｒＦやＡｒＦ等のエキシマレーザに移行している。
【００１２】
これにともない、フォトリソグラフィに使用されるフォトレジストも、感光性の有機化合物を主成分とし、光化学反応により現像液への溶解性を変化させる従来のレジストから、フォトレジストに含有させた光酸発生剤に酸性物質を発生させ、この酸性物質を触媒としてレジストの現像液への溶解性を変化させる、いわゆる化学増幅型レジストに移行している。
【００１３】
一般に、フォトレジストを塗布する場合、前処理としてフォトレジストの被塗布面に対してＨＭＤＳ（Hexamethyle Disilazane）処理が行われる。このＨＭＤＳ処理では、噴霧されたＨＭＤＳが被塗布面に存在する親水性の物質（水酸基等）を、親油性の物質に置換することで、被処理面を親油性に改質する。これにより、フォトレジストの被塗布面に対する密着性を向上させることができる。
【００１４】
一方、固体撮像装置において、遮光膜３１０であるタングステン膜を形成する材料には、通常、六フッ化タングステンが使用される。しかしながら、六フッ化タングステンにはフッ素成分が含まれているため、このフッ素成分が原因となってタングステン膜内にフッ素が結合され、タングステン膜表面にフッ素が存在する部分が形成される。このようなフッ素が存在する被処理面にＨＭＤＳ処理を行った場合、フッ素は疎水性であるため除去されることはなく、さらに、フッ素は疎油性であるために被処理面の親油性を低下させてしまう。この結果、上述の開口部３０９を形成するためにタングステン膜上に塗布されたフォトレジストの密着力が低下してしまう。
【００１５】
この問題は、上述の化学増幅型レジストを使用した場合には、原材料の特性と、形成するレジストパターンが微細になる（フォトレジストの接触面積が小さくなる）こととが相乗して顕著に現れるようになり、例えば、図１０に示すように、レジストパターンの一部Ｘが剥離することもある。このようなレジストパターンの剥離が発生すると、本来形成されるべき遮光膜Ｙが上述のエッチングにより除去されてしまい、素子としては不良となる。すなわち、製造歩留まりを著しく低下させる原因になっている。
【００１６】
本発明は、上記従来の事情に基づいて提案されたものであって、遮光膜の上面に形成されるレジスト膜が、遮光膜から剥離することを確実に防止できる固体撮像装置およびその製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記課題を解決するため、少なくとも２種の膜が積層された遮光膜を備える固体撮像装置において、前記遮光膜が、フッ素成分を含んだ金属を主成分とした下層膜と、当該下層膜を被覆するとともに、スパッタ法または化学気相成長法により形成されたフッ素成分を含まない金属を主成分とした上層膜とを備える構成を採用している。
【００１８】
ここで、フッ素成分を含んだ金属を主成分とした下層膜は、特に限定されるものではないが、例えば、化学気相成長法により形成されたタングステン膜等である。
【００１９】
また、本発明の固体撮像素子の製造方法は、基板に形成された受光部以外の領域への光の入射を防止する、少なくとも２種の膜が積層された遮光膜を備える固体撮像装置の製造方法を前提としている。すなわち、本発明の固体撮像素子の製造方法は、まず、フッ素成分を含んだ金属を主成分とし、前記受光部および遮光領域を被覆する下層膜を形成する。また、フッ素成分を含まない金属を主成分とし、前記下層膜を被覆する上層膜をスパッタ法または化学気相成長法により形成する。そして、前記上層膜上にレジスト膜を形成するとともに、当該レジスト膜の前記受光部に対応する部分を選択的に除去したレジストパターンを形成する。この後、当該レジストパターンをマスクとして、前記上層膜と前記下層膜とをエッチングし、前記遮光膜を形成する。
【発明の効果】
【００２０】
以上のように本発明によれば、フッ素成分を含まない金属を主成分とした上層膜上に、化学増幅系レジストを塗布してレジストパターンを形成することが可能となる。このため、露光・現像後にレジストパターンが剥離することがなく、遮光膜の加工を良好に行うことができるとともに、歩留まりを向上させることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
（第１の実施形態）
以下に、本発明を適用した固体撮像装置の第１の実施形態について、図１を参照しながら説明する。図１は、本実施の形態に係る固体撮像装置の１素子部分の断面構造を示した図である。
【００２２】
本実施の形態に係る固体撮像装置は、上述した従来の固体撮像装置と同様に、シリコンからなる半導体基板１に、入射光に応じた信号電荷を生成する受光部２が形成されるとともに、半導体基板１の上面に、ＣＶＤ法等により成膜されたシリコン酸化膜等からなるゲート絶縁膜３が形成されている。
【００２３】
また、ゲート絶縁膜３上に、ＣＶＤ法等によりドープドポリシリコンを堆積し、公知のフォトリソグラフィ処理およびドライエッチング処理を行うことにより形成された転送電極５を備える点、並びに、ゲート絶縁膜３および転送電極５上に、ＣＶＤ法等により成膜されたシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜４を備える点においても、上記従来の固体撮像装置と同様である。
【００２４】
さて、本実施の形態では、層間絶縁膜４上に、以下のようにして遮光膜１０を形成する。ここで、図２および図３は、固体撮像装置が製造されるときの各工程における当該固体撮像装置の断面構造を示した図である。
【００２５】
すなわち、上述のようにして、半導体基板１上に、ゲート絶縁膜３、転送電極５、層間絶縁膜４が形成された後（図２（ａ））、図２（ｂ）に示すように、金属を主成分とした第１の遮光膜１１を層間絶縁膜４上にスパッタ法により堆積する。ここで、第１の遮光膜１１の膜厚は１０〜２００ｎｍであることが好ましい。これは、１０ｎｍより小さいと、転送電極５により形成された段差の側面に十分に被覆できない可能性が高くなるからであり、また、２００ｎｍより大きいと遮光膜１１全体として必要以上の遮光性が得られることになるからである。
【００２６】
また、第１の遮光膜１１は、例えばタングステンをマグネトロンスパッタで堆積することで形成することができる。この場合、堆積条件は、例えば、アルゴンガス圧が３〜５ｍＴｏｒｒ、アルゴンガス流量が１００ｓｃｃｍ、基板温度が２００℃、ＤＣマグネトロンパワーが１０００Ｗである。
【００２７】
第１の遮光膜１１の堆積が完了すると、図２（ｃ）に示すように、第１の遮光膜１１上に、金属を主成分とした第２の遮光膜１２（下層膜）をＣＶＤ法により堆積する。ここで、第２の遮光膜１２の膜厚は１０〜３００ｎｍであることが好ましい。これは、１０ｎｍより小さいと、転送電極５により形成された段差の側面を十分に被覆できない可能性が高くなるからであり、また、３００ｎｍより大きいと遮光膜１１全体として必要以上の遮光性が得られることになるからである。第２の遮光膜１２がタングステン膜の場合は２００ｎｍ前後の膜厚で十分かつ最適な性能が得られる。
【００２８】
また、このときの堆積条件は、例えば、温度４５０度、六フッ化タングステン流量８０〜１５０ｓｃｃｍ、水素流量２０００ｓｃｃｍ、圧力１０〜１００Ｔｏｒｒとすればよい。なお、このようにＣＶＤ法によりタングステン膜を堆積した場合、上述のように、第２の遮光膜１２には、タングステン膜の原材料である六フッ化タングステンに含まれるフッ素成分が含まれることになる。
【００２９】
第２の遮光膜１２の堆積が完了すると、図２（ｄ）に示すように、第２の遮光膜１２上に、フッ素成分を含まない金属を主成分とした膜である第３の遮光膜１３（上層膜）をスパッタ法で形成する。第３の遮光膜１３は、例えば、チタニウムをマグネトロンスパッタで堆積することにより形成することができる。この場合、堆積条件は、アルゴンガス圧が１〜１０ｍＴｏｒｒ、アルゴンガス流量が１０〜１００ｓｃｃｍ、基板温度が１００〜２００℃、ＤＣマグネトロンパワーが５００〜１００００Ｗである。また、第３の遮光膜の膜厚は、１〜２００ｎｍであることが好ましい。これは、１ｎｍより小さいと、後述の効果が得られなくなるからであり、また、２００ｎｍより大きいと遮光膜１１全体として必要以上の遮光性が得られることになるからである。
【００３０】
続いて、図３（ｅ）に示すように、受光部２の上に開口を有するフォトレジスト膜１５を第３の遮光膜１３上に形成する。具体的には、第３の遮光膜１３にＨＭＤＳ処理を行った後、化学増幅型レジストからなるフォトレジストを塗布する。そして、公知のフォトリソグラフィ法を用いて受光部２に対応する位置のフォトレジスト膜１５を除去することでレジストパターンを形成する。
【００３１】
フォトレジスト膜１５の形成が完了した後、図３（ｆ）に示すように、フォトレジスト膜１５をマスクとして、第１の遮光膜１１、第２の遮光膜１２および第３の遮光膜１３をエッチング除去し、開口部９を形成する。具体的には、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching）等のエッチングガスを用いた異方性ドライエッチング処理を行う。この場合、エッチング条件は、エッチングガスの流量を４０ｓｃｃｍとし、酸素の流量を４ｓｃｃｍである。当該エッチングが完了すると、図３（ｇ）に示すように、アッシング処理等により、フォトレジスト膜１５を除去する。
【００３２】
上述のように、本実施の形態では、第３の遮光膜１３が、フッ素成分を含まない金属を主成分とした膜であるため、フォトレジスト膜１５は、フッ素成分を含んだ第２の遮光膜１２の影響を受けることがない。すなわち、フォトレジストと遮光膜１０との密着力の低下を抑制することができる。したがって、露光・現像時にレジスト膜が剥離することがなく、遮光膜１０を良好に加工することが可能となる。
【００３３】
以上のようにして、遮光膜１０が形成された半導体基板１上には、遮光膜１０および転送電極５により形成された段差を平坦化するためのアクリル樹脂等からなる平坦化膜６をＣＶＤ法等により堆積する。なお、当該平坦化膜６の表面は、公知のエッチバック法等により平坦化される。
【００３４】
平坦化膜６の形成が完了すると、アクリル樹脂等により構成されるカラーフィルタ７を当該平坦化膜６上に形成する。カラーフィルタ７の形成が完了すると、アクリル樹脂等からなるオンチップマイクロレンズ８を、カラーフィルタ７上の上記受光部２に対応する位置に形成する。これにより、図１に示す固体撮像装置が完成する。
【００３５】
以上のように、本実施形態によれば、フッ素成分が含まれている金属を主成分とした膜上にフッ素成分を含まない金属を主成分とした膜を形成するので、露光・現像時にレジスト剥離が発生することを抑制することができるため、歩留まりを向上することが可能となる。
【００３６】
（第２の実施形態）
次に、本発明を適用した固体撮像装置の第２の実施形態について、図４を参照しながら説明する。図４は、本実施の形態に係る固体撮像装置の１素子の断面構造を示した図である。本実施の形態は、上述のスパッタ法により形成していた第３の遮光膜１３を、ＣＶＤ法により形成する点で第１の実施の形態と異なっている。
【００３７】
以下では、第１の実施の形態と相違する点について説明する。ここで、図５および図６は、固体撮像装置が製造されるときの各工程における当該固体撮像装置の断面構造を示した図である。なお、図面において、上記第１の実施の形態と同様の機能を奏する部位には、同一の符号を付している。
【００３８】
まず、第１の実施の形態と同様にして、半導体基板１上に、ゲート絶縁膜３、転送電極５、層間絶縁膜４が形成された後（図５（ａ））、図５（ｂ）に示すように、例えば、タングステン膜からなる金属を主成分とした第１の遮光膜１１を層間絶縁膜４上にスパッタ法により堆積する。
【００３９】
第１の遮光膜１１の堆積が完了すると、図５（ｃ）に示すように、第１の遮光膜１１を被覆する金属を主成分とした第２の遮光膜１２（下層膜）をＣＶＤ法により堆積する。ここで、第２の遮光膜１２は、第１の実施の形態と同様に、タングステン膜を使用することができる。なお、第２の遮光膜１２の膜厚、および、堆積条件は、第１の実施の形態と同一でよい。ここで、当該第２の遮光膜１２には、上述のようにフッ素成分が含まれることになる。
【００４０】
さて、第２の遮光膜１２上には、第１の実施の形態と同様に、フッ素成分を含まない金属を主成分とした膜である第３の遮光膜（上層膜）が形成されるが、本実施の形態では当該第３の遮光膜２３を、ＣＶＤ法により形成している。
【００４１】
図５（ｄ）に示すように、ＣＶＤ法により堆積される第３の遮光膜２３は、スパッタ法により堆積される膜に比べて段差被覆性がよく、均一な膜厚で堆積させることが可能である。このため、第３の遮光膜２３の薄膜化が可能となる。ここで、第３の遮光膜２３としては、例えば、テトラジメチルアミノチタンを原材料とした窒化チタニウム膜等を採用することができる。この場合、堆積条件は、圧力が１〜１０Ｔｏｒｒ、基板温度が４００〜５００℃、ヘリウム流量が５００ｓｃｃｍ、窒素流量が３００ｓｃｃｍである。なお、第３の遮光膜２３の膜厚は、１〜２００ｎｍであることが好ましい。
【００４２】
このように、本実施の形態では、第３の遮光膜１３が、フッ素成分を含まない金属を主成分とした膜であるため、第１の実施の形態と同様に、これらの遮光膜１０を加工する際に、第３の遮光膜２３上に形成されるフォトレジスト膜１５は、フッ素成分を含んだ膜（第２の遮光膜１２）の影響を受けることがない。したがって、フォトレジスト膜１５と遮光膜１０との密着力の低下を抑制することができる。このため、露光・現像時にレジスト膜が剥離することがなく、遮光膜１０を良好に加工することが可能となる。
【００４３】
なお、図６（ａ）に示すレジストパターンを形成する工程、図６（ｂ）に示す遮光膜１０に開口部９を形成する工程、および図６（ｃ）に示すフォトレジスト膜１５を除去する工程は、第１の実施の形態と同一であるのでここでの説明は省略する。また、これらの工程の後に、平坦化膜６を形成する工程、カラーフィルタ７を形成する工程、および、オンチップマイクロレンズ８を形成する工程を経て、図４に示す固体撮像装置が完成する点も第１の実施の形態で説明したとおりである。
【００４４】
以上説明したように、本実施の形態によれば、遮光膜１０の加工を良好に行うことができるので、歩留まりを向上することができる。
【００４５】
また、ＣＶＤ法によって形成された金属を主成分とした膜は、スパッタ法により形成された金属を主成分とした膜に比べ、段差被覆性が良い。このことからフッ素成分を含まれている金属を主成分とした膜の全面にフッ素成分を含まない金属を主成分とした膜を堆積させたい場合、ＣＶＤ法により体積された膜はスパッタ法により堆積された膜より、膜の厚みを薄くすることが可能となる。
【００４６】
このため、遮光膜１０および平坦化膜６を薄くすることが可能となり、オンチップマイクロレンズ８等の光学系部品と受光部２との距離を短くすることができる。このため、固体撮像装置の感度および集光性を向上させるという効果も得ることができる。
【００４７】
なお、上記第１および第２の実施形態では、フッ素成分を含む金属を主成分とした下層膜を、遮光膜に多用されているタングステン膜として説明したが、当該下層膜の材料はこれに限られるものではない。すなわち、タングステン膜以外のフッ素を含んだ金属や金属化合物膜であっても当然に、同様の効果を得ることができる。
【００４８】
また、上記各実施の形態では、フッ素を含まない金属を主成分とした上層膜としてチタニウム膜または、窒化チタニウム膜を使用したが、上層膜の材料も当該物質に限られるものではない。すなわち、当該上層膜の材料は、フッ素成分を含まない金属を主成分とする膜であればよく、例えば、タングステン以外の金属膜（例えば、チタニウム、モリブデン、タンタル等）や金属シリサイドあるいは金属と他の化合物からなる膜等、適宜、選択することが可能である。
【００４９】
さらに、第１および第２の実施形態において例示した、固体撮像装置の遮光膜１０より上方の構造は、図示された構造に限るものではなく、固体撮像装置として機能する任意の構造を採用できることは勿論である。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明に係る遮光膜の構造および遮光膜の製造方法は、遮光膜を良好に形成することが可能となるため、固体撮像装置の遮光膜として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る固体撮像装置の断面図。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を示す断面図。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を示す断面図。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る固体撮像装置の断面図。
【図５】本発明の第２の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を示す断面図。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る固体撮像装置の製造方法を示す断面図。
【図７】従来の固体撮像装置の断面図。
【図８】従来の固体撮像装置の製造方法を示す断面図。
【図９】従来の固体撮像装置の製造方法を示す断面図。
【図１０】レジスト剥離を示す断面図。
【符号の説明】
【００５２】
１  半導体基板
２  受光部
３  ゲート絶縁膜
４  層間絶縁膜
５  転送電極
６  平坦化膜
７  カラーフィルタ
８  オンチップマイクロレンズ
９  開口部
１０  遮光膜
１１  第１の遮光膜
１２  第２の遮光膜
１３  第３の遮光膜
１５  フォトレジスト膜
２３  第３の遮光膜
３０１  半導体基板
３０２  受光部
３０３  ゲート絶縁膜
３０４  層間絶縁膜
３０５  転送電極
３０６  平坦化膜
３０７  カラーフィルタ
３０８  オンチップマイクロレンズ
３０９  開口部
３１０  遮光膜
３１１  第１の遮光膜
３１２  第２の遮光膜
３１５  フォトレジスト膜
【図１】
2006134953.tif 000003
【図２】
2006134953.tif 000004
【図３】
2006134953.tif 000005
【図４】
2006134953.tif 000006
【図５】
2006134953.tif 000007
【図６】
2006134953.tif 000008
【図７】
2006134953.tif 000009
【図８】
2006134953.tif 000010
【図９】
2006134953.tif 000011
【図１０】
2006134953.tif 000012