(57)【要約】【課題】  減光率が高いときも所望の発光輝度を得ることができる有機ＥＬ表示装置を提供する。【解決手段】  有機ＥＬパネル１は、マトリクス状に設けられた画素Ｐを有する。制御手段８は、画素Ｐの減光率を調整する。制御手段８は、減光率をデューティー比によって調整するＰＷＭ回路８ａを有する。画素Ｐは、１個の第一のサブピクセルＥ１２，Ｅ２２，Ｅ３２・・・と、第一のサブピクセルＥ１２，Ｅ２２，Ｅ３２・・・の両隣に配置された２個の第二のサブピクセルＥ１１，Ｅ１３，Ｅ２１，Ｅ２３，Ｅ３１，Ｅ３３・・・とからなる。制御手段８は、減光率が所定値以上のとき、第二のサブピクセルＥ１１，Ｅ１３，Ｅ２１，Ｅ２３，Ｅ３１，Ｅ３３・・・を非発光状態にする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に設けられた画素を有する有機ＥＬパネルと、前記画素の減光率を調整する制御手段と、を有する有機ＥＬ表示装置であって、
前記画素は、第一のサブピクセル及び第二のサブピクセルを有すると共に、
前記制御手段は、前記減光率が所定値以上のとき、前記第二のサブピクセルを非発光状態にすることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
複数の走査ライン及び複数のドライブラインを備え、マトリクス状に設けられた画素を有するドットマトリクス型の有機ＥＬパネルと、
前記走査ラインを第一電位または第二電位に接続自在とする走査スイッチ手段と、
前記ドライブラインを駆動電流源またはオフ電位に接続自在とするドライブスイッチ手段と、
前記走査スイッチ手段によって前記走査ラインを前記第一電位に接続させ前記走査ラインを順次選択し、前記ドライブスイッチ手段の接続状態を制御すると共に、前記画素の減光率を調整する制御手段と、
を有する有機ＥＬ表示装置であって、
前記画素は、第一のサブピクセル及び第二のサブピクセルを有すると共に、
前記制御手段は、前記減光率が所定値以上のとき、前記第二のサブピクセルに対応する前記ドライブスイッチ手段を前記オフ電位に接続し、前記第二のサブピクセルを非発光状態にすることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記画素は、１個の前記第一のサブピクセルと、前記第一のサブピクセルの両隣に配置された２個の前記第二のサブピクセルと、からなることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記減光率をデューティー比によって調整するＰＷＭ回路を有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の陽極ライン及び複数の陰極ラインを有するドットマトリクス型の有機ＥＬパネルを有する有機ＥＬ表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ドットマトリクス型の有機ＥＬパネルが種々提案されており、例えば特許文献１に開示されている。有機ＥＬパネルは、透光性基板上にＩＴＯ等の導電性透明膜からなる複数の陽極ライン（以下、ドライブラインと記す）をストライプ状に形成し、このドライブラインの背面に有機層を形成し、この有機層の背面にアルミニウム等の金属蒸着膜からなる複数の陰極ライン（以下、走査ラインと記す）をドライブラインに直交するように形成したものである。有機ＥＬパネルは、液晶ディスプレイに代わる低消費電力，高表示品質及び薄型化が可能なディスプレイとして注目されている。
【特許文献１】特開２００３−２３４１８１号公報
【０００３】
図６は、画素Ｐをマトリクス状に配置した有機ＥＬパネル１０１を示すものである。有機ＥＬパネル１０１は、ガラス基板１０２上に積層体１０３を形成したものである。積層体１０３は、ドライブライン１０４，絶縁層１０５，有機層１０６，走査ライン１０７，陰極端子部１０８からなるものである。陰極端子部１０８は、コンタクトホール１０５ａで走査ライン１０７と電気的に接続されている。
【０００４】
各画素Ｐを夫々オン／オフさせることで有機ＥＬパネル１に文字や図形を表示させる制御部（図示しない）は、ＰＷＭ（Pulse Width Modulation）回路を有しており、このＰＷＭ回路により、各画素Ｐの減光率を調整している。例えば、減光率が０％のときは、ドライブライン１０４に印加するパルス状の駆動電圧のデューティー比を１００％にし（図７（ａ）参照）、減光率が９０％のときは、駆動電圧のデューティー比を１０％にする（図８（ａ）参照）。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、ドライブライン１０４に駆動電圧が印加されてから、所定時間ｔが経過しないと、発光輝度が所定値に達しないため、画素Ｐを微弱発光させる場合（即ち、減光率が高い場合）、画素Ｐの発光輝度を所望の発光輝度に調整することができないという問題があった。例えば、減光率が９０％のとき、ドライブライン４に駆動電圧が印加されてから所定時間ｔが経過する前に、駆動電圧がオフされるため、発光輝度が１０％よりも小さくなる虞があった。なお、図７（ａ）及び図８（ａ）は、駆動電圧の波形を示すものであり、図７（ｂ）及び図８（ｂ）は、発光輝度を示すものである。
本発明は、この問題に鑑みなされたものであり、減光率が高いときも所望の発光輝度を得ることができる有機ＥＬ表示装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、請求項１に記載したように、マトリクス状に設けられた画素Ｐを有する有機ＥＬパネル１と、前記画素Ｐの減光率を調整する制御手段８と、を有する有機ＥＬ表示装置であって、前記画素Ｐは、第一のサブピクセルＥ１２，Ｅ２２，Ｅ３２・・・及び第二のサブピクセルＥ１１，Ｅ１３，Ｅ２１，Ｅ２３，Ｅ３１，Ｅ３３・・・を有すると共に、前記制御手段８は、前記減光率が所定値以上のとき、前記第二のサブピクセルＥ１１，Ｅ１３，Ｅ２１，Ｅ２３，Ｅ３１，Ｅ３３・・・を非発光状態にするものである。
【０００７】
また、本発明は、請求項２に記載したように、複数の走査ラインＳ１〜Ｓｍ及び複数のドライブラインＤ１〜Ｄｎを備え、マトリクス状に設けられた画素Ｐを有するドットマトリクス型の有機ＥＬパネル１と、前記走査ラインＳ１〜Ｓｍを第一電位または第二電位に接続自在とする走査スイッチ手段２１〜２ｍと、前記ドライブラインＤ１〜Ｄｎを駆動電流源７０またはオフ電位に接続自在とするドライブスイッチ手段７１〜７ｎと、前記走査スイッチ手段２１〜２ｍによって前記走査ラインＳ１〜Ｓｍを前記第一電位に接続させ前記走査ラインＳ１〜Ｓｍを順次選択し、前記ドライブスイッチ手段７１〜７ｎの接続状態を制御すると共に、前記画素Ｐの減光率を調整する制御手段８と、を有する有機ＥＬ表示装置であって、前記画素Ｐは、第一のサブピクセルＥ１２，Ｅ２２，Ｅ３２・・・及び第二のサブピクセルＥ１１，Ｅ１３，Ｅ２１，Ｅ２３，Ｅ３１，Ｅ３３・・・を有すると共に、前記制御手段８は、前記減光率が所定値以上のとき、前記第二のサブピクセルＥ１１，Ｅ１３，Ｅ２１，Ｅ２３，Ｅ３１，Ｅ３３・・・に対応する前記ドライブスイッチ手段７１〜７ｎを前記オフ電位に接続し、前記第二のサブピクセルＥ１１，Ｅ１３，Ｅ２１，Ｅ２３，Ｅ３１，Ｅ３３・・・を非発光状態にするものである。
【０００８】
また、本発明は、請求項３に記載したように、前記画素Ｐは、１個の前記第一のサブピクセルＥ１２，Ｅ２２，Ｅ３２・・・と、前記第一のサブピクセルＥ１２，Ｅ２２，Ｅ３２・・・の両隣に配置された２個の前記第二のサブピクセルＥ１１，Ｅ１３，Ｅ２１，Ｅ２３，Ｅ３１，Ｅ３３・・・と、からなるものである。
【０００９】
また、本発明は、請求項４に記載したように、前記制御手段８は、前記減光率をデューティー比によって調整するＰＷＭ回路８ａを有するものである。
【発明の効果】
【００１０】
有機ＥＬパネルの画素を第一のサブピクセル及び第二のサブピクセルで構成すると共に、減光率が所定値以上のとき、第二のサブピクセルを非発光状態にすることによって、第一のサブピクセルのデューティー比が比較的高くなるため、所望の発光輝度で画素を微弱発光させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、添付の図面に基づいて、本発明の一実施形態について説明する。有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬパネル１と、陰極駆動回路２と、陽極駆動回路７と、制御部８（制御手段）と、リセット回路５とから構成されている。
【００１２】
有機ＥＬパネル１は、画素Ｐがマトリクス状に配設されてなるものであり、単色発光（例えば白色発光）するものである。各画素Ｐは、３個のサブピクセルＥ１１〜Ｅｍｎから構成されるものであり、第一のサブピクセルＥ１２，Ｅ２２，Ｅ３２・・・Ｅｍ２，Ｅ１５，Ｅ２５，Ｅ３５・・・Ｅｍ５・・・と、第二のサブピクセルＥ１１，Ｅ１３，Ｅ２１，Ｅ２３，Ｅ３１，Ｅ３３・・・Ｅｍ１，Ｅｍ３，Ｅ１４，Ｅ１６，Ｅ２４，Ｅ２６，Ｅ３４，Ｅ３６・・・Ｅｍ４，Ｅｍ６・・・と、を備えている（図１参照）。
【００１３】
サブピクセルＥ１１〜Ｅｍｎは、縦方向に複数設けられた走査ラインＳ１〜Ｓｍと、走査ラインＳ１〜Ｓｍと直交するように横方向に複数設けられたドライブラインＤ１〜Ｄｎとの交差箇所に設けられている（図２参照）。サブピクセルＥ１１〜Ｅｍｎは、並列配置されたダイオード及びコンデンサからなる等価回路で表される（図３参照）。ただし、図面が煩雑になることを防ぐため、図２においてはサブピクセルＥ１１〜Ｅｍｎをダイオードのみで図示している。
【００１４】
陰極駆動回路２は、各走査ラインＳ１〜Ｓｍに対応する複数の走査スイッチ２１〜２ｍ（走査スイッチ手段）を備えている。各走査スイッチ２１〜２ｍは、走査ラインＳ１〜Ｓｍをアース電位（第一電位）に接続する第一のトランジスタＴｒ１と、走査ラインＳ１〜Ｓｍを非選択電位Ｖｂ（第二電位）に接続させる第二のトランジスタＴｒ２と、からなるものである（図４参照）。第一のトランジスタＴｒ１はＮチャンネル型トランジスタであり、第二のトランジスタＴｒ２はＰチャンネル型トランジスタである。なお、図２においては、図面が煩雑になることを防ぐため、各走査スイッチ２１〜２ｍについては、第一のトランジスタＴｒ１及び第二のトランジスタＴｒ２の一方を図示している。
【００１５】
第一のトランジスタＴｒ１及び第二のトランジスタＴｒ２は、夫々、ゲートＧａ，Ｇｂと、ソースＳａ，Ｓｂと、ドレインＳａ，Ｓｂと、を有している。第一のトランジスタＴｒ１のソースＳａはアース電位に接続され、ドレインＤａは走査ラインＳ１〜Ｓｍに接続されている。第一のトランジスタＴｒ１は、ゲートＧａから入力される駆動信号に基づいて、選択する走査ラインＳ１〜Ｓｍをアース電位に接続する。第二のトランジスタＴｒ２のソースＤｂは非選択電位Ｖｂに接続され、ドレインＤｂは走査ラインＳ１〜Ｓｍに接続されている。第二のトランジスタＴｒ２は、ゲートＧｂから入力される駆動信号に基づいて、選択されない走査ラインＳ１〜Ｓｍを非選択電位Ｖｂに接続する。走査ラインＳ１〜Ｓｍは、走査スイッチ２１〜２ｍによって順次選択状態にされる。
【００１６】
リセット回路５は、各ドライブラインＤ１〜Ｄｎに夫々接続された複数のリセットスイッチ５０からなるものである。リセットスイッチ５０は、走査スイッチ２１〜２ｍによって任意の走査ラインＳ１〜Ｓｍが選択されてから次の走査ラインＳ１〜Ｓｍが選択される間に、ドライブラインＤ１〜Ｄｎをアース電位に接続することにより、サブピクセルＥ１１〜Ｅｍｎに充電された電荷を放電させるものである。
【００１７】
陽極駆動回路７は、各ドライブラインＤ１〜Ｄｎに対応して個々に駆動電流を供給する定電流源７０（駆動電流源）と、制御部８からの制御信号に基づいて各ドライブラインＤ１〜Ｄｎを選択的に定電流源７０またはアース電位（オフ電位）に接続可能なドライブスイッチ７１〜７ｎを有している。
【００１８】
制御部８は、表示コントローラからなるものであり、例えば車両の走行情報を各種センサにより入力すると、所定の演算処理を行い車速やエンジン回転数、残燃料等の各種情報を有機ＥＬパネル１で表示させるべく、陰極駆動回路２と陽極駆動回路７とに制御信号を夫々出力し、サブピクセルＥ１１〜Ｅｍｎを発光させるために必要な走査ラインＳ１〜Ｓｍ及びドライブラインＤ１〜Ｄｎに対応した走査スイッチ２１〜２ｍ及びドライブスイッチ７１〜７ｎを選択的にオン／オフさせることで有機ＥＬパネル１に情報を表示させるものである。
【００１９】
制御部８はＰＷＭ回路８ａを有しており、このＰＷＭ回路８ａでデューティー比を変えることによって、減光率を調整している。制御部８は、減光率が約６７％以上のとき、ドライブスイッチ７１，７３・・・をアース電位に接続させ、第二のサブピクセルＥ１１，Ｅ１３，Ｅ２１，Ｅ２３，Ｅ３１，Ｅ３３・・・のデューティー比を０％にして、第二のサブピクセルＥ１１，Ｅ１３，Ｅ２１，Ｅ２３，Ｅ３１，Ｅ３３・・・を非発光状態にさせる。
【００２０】
次に、画素Ｐにおける減光率の調整について、サブピクセルＥ２１（第二のサブピクセル），サブピクセルＥ２３（第一のサブピクセル），サブピクセルＥ２４（第二のサブピクセル）からなる画素Ｐを一例として、図５に基づいて説明する。
【００２１】
減光率が０％のとき、サブピクセルＥ１１，Ｅ１２，Ｅ１３のデューティー比は各々１００％である（図５（ａ）参照）。減光率が約６７％のとき、サブピクセルＥ１１，Ｅ１３のデューティー比は０％であり、サブピクセルＥ１２のデューティー比は約１００％である（図５（ｂ）参照）。減光率が９０％のとき、サブピクセルＥ１１，Ｅ１３のデューティー比は０％であり、サブピクセルＥ１２のデューティー比は約３３％である（図５（ｃ）参照）。減光率が約６７％以上のとき、ドライブスイッチ７２は、定電流源７０に接続されるが、ドライブスイッチ７１，７３は、アース電位に接続されたままであり、サブピクセルＥ１１，Ｅ１３は発光しない。
【００２２】
本実施形態では、画素Ｐを３個のサブピクセルＥ１１〜Ｅｍｎ、即ち、第一のサブピクセルＥ１２，Ｅ２２，Ｅ３２・・・と、この第一のサブピクセルＥ１２，Ｅ２２，Ｅ３２・・・の両隣に配置された２個の第二のサブピクセルＥ１１，Ｅ１３，Ｅ２１，Ｅ２３，Ｅ３１，Ｅ３３・・・で構成し、減光率が所定値以上のとき、第二のサブピクセルＥ１１，Ｅ１３，Ｅ２１，Ｅ２３，Ｅ３１，Ｅ３３・・・のデューティー比を０％にすることによって、第一のサブピクセルＥ１２，Ｅ２２，Ｅ３２・・・のデューティー比が比較的高くても所望の発光輝度を得ることができ、画素Ｐを微弱発光させることができる。
【００２３】
なお、本発明は、本実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能であり、例えば、画素Ｐを２個のサブピクセルで構成しても良い。また、第一のサブピクセルと第二のサブピクセルの発光面積は同じでなくとも良く、例えば、第二のサブピクセルの発光面積を第一の発光面積よりも小さくしても良い、
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の実施形態を示す有機ＥＬパネルの拡大図。
【図２】同上実施形態を示す有機ＥＬ表示装置の構成図。
【図３】同上従来形態を示す画素の等価回路の説明図。
【図４】同上実施形態を示す走査スイッチの説明図。
【図５】同上実施形態を示す駆動電圧の波形図。
【図６】従来例を示す有機ＥＬパネルの正面図。
【図７】同上従来例を示す駆動電圧と発光輝度の波形図。
【図８】同上従来例を示す駆動電圧と発光輝度の波形図。
【符号の説明】
【００２５】
１  有機ＥＬパネル
Ｓ１〜Ｓｍ  走査ライン
Ｄ１〜Ｄｎ  ドライブライン
２１〜２ｍ  走査スイッチ（走査スイッチ手段）
７１〜７ｎ  ドライブスイッチ（ドライブスイッチ手段）
８  制御部（制御手段）
８ａ  ＰＷＭ回路
７０  駆動電流源（定電流源）
Ｐ  画素
Ｅ１１〜Ｅｍｎ  サブピクセル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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