(57)【要約】【課題】  Ｃｕ−Ｆｅ−Ｐ系銅合金において、高強度、高導電性及び曲げ加工性などの特性を維持しながら、プレス打抜き加工等のせん断加工性を向上させる。具体的には、切断面のせん断率（せん断面の面積／切断面全体の面積）が小さい銅合金を得る。【解決手段】  Ｆｅ：０．０１〜０．５質量％、Ｐ：０．０１〜０．３質量％、及びＭｇ，Ｓｉ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ａｌのうちの少なくとも１種の元素を０．００１〜０．１質量％を含有し、ＦｅとＰとの質量比であるＦｅ／Ｐが０．５〜６．０であり、残部Ｃｕ及び不可避不純物からなる銅合金。銅合金組織中にＭｇ，Ｓｉ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ａｌのうちの少なくとも１種の酸化物を主体とする粒子が含まれ、そのうち長径が０．１μｍ以上の粒子の分布密度が０．１〜１００個／１００μｍ２であり、かつ長径が１０μｍを越える粒子の分布密度が０．００１個／１００μｍ２以下である。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｆｅ：０．０１〜０．５質量％、Ｐ：０．０１〜０．３質量％、及びＭｇ，Ｓｉ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ａｌのうちの少なくとも１種の元素を０．００１〜０．１質量％を含有し、ＦｅとＰとの質量比であるＦｅ／Ｐが０．５〜６．０であり、残部Ｃｕ及び不可避不純物からなり、銅合金組織中にＭｇ，Ｓｉ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ａｌのうちの少なくとも１種の酸化物を主体とする粒子が含まれ、そのうち長径が０．１μｍ以上の粒子の分布密度が０．１〜１００個／１００μｍ２であり、かつ長径が１０μｍを越える粒子の分布密度が０．００１個／１００μｍ２以下であることを特徴とする高強度高導電性銅合金。
【請求項２】
前記銅合金が、さらにＺｎ：０．００５〜０．５質量％を含有することを特徴とする請求項１に記載された高強度高導電性銅合金。
【請求項３】
前記銅合金が、さらにＳｎ：０．００１〜０．５質量％を含有することを特徴とする請求項１又は２に記載された高強度高導電性銅合金。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードフレーム、端子、コネクタなどの電気・電子部品に用いられる高強度・高導電性銅合金に関し、特に、プレス打抜き加工等のせん断加工性に優れた高強度・高導電性銅合金に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、上記のような各種電気・電子部品には、一般に高強度・高導電性及び曲げ加工性などの特徴を具備することが要求されることから、これらの特性を有するＣｕ−Ｆｅ−Ｐ系等の銅合金が多く用いられている。例えば、Ｃ１９２１０合金（Ｆｅ：０．０５〜０．１５質量％、Ｐ：０．０２５〜０．０４０質量％）は、銅合金の中でも、強度、導電性に優れていることから、標準的な合金として多く使用されている。
【０００３】
最近の各種電気・電子機器の軽薄短小化に伴い、それに用いられる電気・電子部品はますますその小型化が求められている。例えば、ＩＣ等の半導体素子に用いられるリードフレームでは、小型化のためにリード幅やリード間距離の縮小及びその寸法精度の向上が強く求められている。このように小型化した部品を寸法精度よく打抜き加工できる技術や材料の要求は、端子、コネクタなどの電気・電子部品においても同様である。さらには、プレス打抜き加工の生産性向上のために、打抜き加工に用いられる金型の磨耗が少なく金型寿命を延長できる材料が強く求められている。
【０００４】
しかし、上記のような高強度・高導電性銅合金（例えばＣ１９２１０合金）は、高導電性（導電率：９０％ＩＡＣＳ程度）を確保するために、異種元素の添加を極力抑えた純銅に近い組成を有することから、延性に富むという特徴を有している。しかし、打抜き加工の場合にはこのことが逆に作用してせん断率（切断面におけるせん断面の面積比率）が大きくなるため、リード幅やリード間距離の縮小及び寸法精度の向上を目的に、打抜き金型のクリアランスを縮小すると、「だれ」や「ばり」が発生しやすくなり、逆に寸法精度の低下を招くという不具合が生じる場合があった。また、打抜き加工時のせん断率が大きいために、材料と金型との接触時間が長くなり、そのため金型磨耗が大きくなり、金型寿命が短くなる等の不具合が発生する場合もあった。
【０００５】
上記のような不具合が発生した場合には、Ｃ１９４００合金（Ｆｅ：２．１〜２．６％、Ｐ：０．０１５〜０．１５％。Ｚｎ：０．０５〜０．２０％）やＣ５０７１５合金（Ｆｅ：０．０５〜０．１５％、Ｐ：０．０２５〜０．０４０％、Ｓｎ：１．５〜２．５％）等の異種元素量の多い材料への変更等で対応する場合があった。これらの合金はＣ１９２１０合金に比べて異種元素量が多いため延性が小さく、その結果、打抜き加工時のせん断率が小さくなり、リード幅やリード間距離の縮小や寸法精度の向上及び金型摩耗の減少には対応できる。しかし、その反面、異種元素量が多いことから必然的に導電率の大幅低下（Ｃ１９４００合金：導電率６５％ＩＡＣＳ程度，Ｃ１９２１０合金：導電率３５％ＩＡＣＳ程度）は避けられなかった。
【０００６】
以上のような状況から、Ｃｕ−Ｆｅ−Ｐ系銅合金のせん断加工性を改善するために、下記特許文献１，２に示す提案がなされている。しかし、下記特許文献１では、Ｓｎを比較的高濃度で添加しているためせん断加工性は向上するが、必然的に導電率の低下が生じる。また、下記特許文献２は、高導電率を確保した状態でせん断加工性を向上しようする提案であるが、そのためにＰｂの添加を容認している。確かにＰｂはせん断加工性を有効に向上できる元素であるが、環境面からは望ましくない。
そのほか、下記特許文献３〜７に示すように、種々の提案がなされている。しかし、これらについても、特許文献３，４，７ではせん断率を下げる作用は不十分と推測され、特許文献５では析出物を粗大に成長させる工程が複雑でコスト高となり、特許文献６ではせん断率を下げるには比較的多量の合金成分を添加する必要があり同じくコスト高となる。
【０００７】
【特許文献１】特開昭６２−１６４８４３号公報
【特許文献２】特開平２−２０９４４１号公報
【特許文献３】特開昭６２−９６６３０号公報
【特許文献４】特開平６−３３１７０号公報
【特許文献５】特開平１０−１３０７５５号公報
【特許文献６】特開平１１−２５６２５５号公報
【特許文献７】特開２０００−３２８１５８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従って、本発明は、リードフレーム、端子、コネクタなどの電気・電子部品に用いられるＣｕ−Ｆｅ−Ｐ系銅合金において、高強度、高導電性及び曲げ加工性などの特性を維持しながら、そのプレス打抜き加工等のせん断加工性を向上させることを目的とする。具体的には、打抜き加工を行った場合のせん断率が小さい高強度・高導電性銅合金を提供することを目的とする。また、このような銅合金を低コストで提供することも本発明の目的の１つである。なお、本発明においてせん断率とは、切断面におけるせん断面の面積比率を意味する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る高強度高導電性銅合金は、Ｆｅ：０．０１〜０．５質量％、Ｐ：０．０１〜０．３質量％、及びＭｇ，Ｓｉ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ａｌのうちの少なくとも１種の元素を０．００１〜０．１質量％を含有し、ＦｅとＰとの質量比であるＦｅ／Ｐが０．５〜６．０であり、残部Ｃｕ及び不可避不純物からなり、銅合金組織中にＭｇ，Ｓｉ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ａｌのうちの少なくとも１種の酸化物を主体とする粒子が含まれ、そのうち長径が０．１μｍ以上の粒子の分布密度が０．１〜１００個／１００μｍ２であり、かつ長径が１０μｍを越える粒子の分布密度が、０．００１個／１００μｍ２以下であることを特徴とする。長径が１０μｍを越える粒子の分布密度は、０個／１００μｍ２であることが望ましい。上記銅合金は、さらにＺｎ：０．００５〜０．５質量％及び／又はＳｎ：０．００１〜０．５質量％を含有することもできる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、リードフレーム、端子、コネクタなどの電気・電子部品に用いられるＣｕ−Ｆｅ−Ｐ系銅合金において、高強度、高導電性及び曲げ加工性などの特性を維持しながら、そのプレス打抜き加工等のせん断加工性を向上（せん断率を低下）させることができる。せん断加工性が向上することにより、「だれ」や「ばり」が発生しにくく、小型化した部品でも寸法精度よく打抜き加工ができるようになる。また、打抜き金型の磨耗が少なくなり、金型寿命を延長することができ、その生産性の向上にも寄与するという利点を有する。
また、本発明の銅合金は合金成分が少なく、溶解鋳造後の圧延及び熱処理等は通常の方法で行うことができ、特に複雑な工程を要しないため、低コストで製造できる利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明に係る銅合金において、その組成及び組織を上記のように限定した理由を以下に説明する。
（Ｆｅ：０．０１〜０．５質量％）
Ｆｅは、銅合金中に、微細な析出物粒子として析出して、強度や耐熱性を向上させるのに必要な元素である。０．０１％未満の含有では微細な析出物粒子が不足するため、高強度化などの効果を有効に発揮させるには、０．０１％以上の含有が必要である。但し、０．５％を超えて過剰に含有させると、高導電率化が達成できない。また、高導電率化のために、析出物粒子の析出量を増やそうとすると、析出粒子の粗大化を招き、却って、微細な析出物粒子が不足する。このため、強度が低下し、高強度化と高導電率化が両立できない。従って、Ｆｅの含有量は０．０１〜０．５質量％の範囲とする。なお、さらに高導電率を追求するためには、Ｆｅの含有量は０．２５質量％以下とすることがより好ましい。
【００１２】
（Ｐ：０．０１〜０．３質量％）
Ｐは、脱酸作用を有するほか、上記Ｆｅと析出物を形成して、銅合金の強度や耐熱性を向上させるのに必要な元素である。０．０１％未満の含有では微細な析出物粒子が不足するため、高強度化などの効果を有効に発揮させるには、０．０１％以上の含有が必要である。但し、０．３％を超えて過剰に含有させると、導電率が低下し、高導電率化が達成できない。また、熱間加工性も低下する。従って、Ｐの含有量は０．０１〜０．３質量％の範囲とする。なお、さらに高導電率を追求するためには、Ｐの含有量は０．１５質量％以下とすることがより好ましい。
【００１３】
（Ｆｅ／Ｐ：０．５〜６．０）
微細な析出物粒子を有効に析出させ、高強度化と高導電率化を実現するためには、ＦｅとＰの個々の含有範囲だけではなく、ＦｅとＰとの質量比（Ｆｅ／Ｐ）も併せて規定する必要がある。Ｆｅ／Ｐが０．５未満では、Ｐが過剰となって、銅マトリックスの中に固溶して、導電率が低下し、高導電率化が達成できない。一方、Ｆｅ／Ｐが６．０を超えた場合、逆にＦｅが過剰となって、単体のＦｅ粒子として粗大に生成するため、強度が低下する。従って、Ｆｅ／Ｐは０．５〜６．０の範囲とする。なお、さらに高導電率を追求するためには、Ｆｅ／Ｐは２．０〜４．０の範囲とすることがより好ましい。
【００１４】
（Ｍｇ，Ｓｉ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ａｌのうちの少なくとも１種の元素：０．００１〜０．１質量％）
Ｍｇ，Ｓｉ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ａｌは、いずれも溶解鋳造時に溶銅中のＯ（酸素）と反応して酸化物を主体とする粒子となり銅合金組織中に分散したり、熱間圧延中に母材中の溶存Ｏ（酸素）と反応して酸化物を主体とする粒子として生成し、プレス打抜き性を向上させる効果を有する。これらの酸化物を主体とする粒子が銅合金組織中に分散されていると、せん断加工時に受ける応力でのミクロクラックの発生源となり、効果的にせん断加工性を向上させることができる。すなわち、破断しやくなり、せん断率が小さくなる。Ｍｇ，Ｓｉ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ａｌの量は、０．００１％未満では酸化物を主体とする粒子の生成個数が不足するため、プレス打抜き性向上効果を有効に発揮させるには０．００１％以上の含有が必要である。ただし、０．１質量％を越えて過剰に含有させると、溶銅中のＯ（酸素）と反応せずに固溶状態となる元素量が増加し、導電率を低下させるという不具合を生じる。従って、Ｍｇ，Ｓｉ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ａｌの含有量は０．００１〜０．１質量％とする。
【００１５】
（Ｚｎ：０．００５〜０．５質量％）
Ｚｎは電子部品の接合に用いられるはんだや、電気接点の信頼性確保に用いられるＳｎめっきの耐熱密着性を改善し、熱剥離を抑制するのに有効な元素である。このような効果を有効に発揮させるには、０．００５％以上含有することが好ましい。しかし、０．５％を超えて過剰に含有すると、却ってはんだや溶融Ｓｎの濡れ広がり性を劣化させるのだけでなく、導電率を低下させる。従って、Ｚｎは０．００５〜０．５質量％の範囲で、選択的に含有させる。なお、さらに高導電率を追求するためには、Ｚｎの含有量は０．２質量％以下とすることがより好ましい。
【００１６】
（Ｓｎ：０．００１〜０．５質量％）
Ｓｎは、銅合金の強度とせん断加工性の向上に寄与する。このような効果を有効に発揮させるには、０．００１％以上含有することが好ましい。しかし、０．５％を超えて過剰に含有すると、導電率を大きく低下させる。従って、Ｓｎは０．００１〜０．５質量％の範囲で、選択的に含有させる。なお、さらに高導電率を追求するためには、Ｓｎの含有量は０．２質量％以下とすることがより好ましい。
【００１７】
その他の、例えば、Ｎｉ，Ｃｏ，Ｍｎなどの元素は不純物元素であり、粗大な晶・析出物が生成し易くなるほか、導電率の低下も引き起こし易くなる。従って、総量で０．５質量％以下、さらに０．１質量％以下の極力少ない含有量に抑えることが好ましい。このほか、銅合金中に微量に含まれているＢ、Ｃ、Ｎａ、Ｓ、Ｃａ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｂｉ、ＭＭ（ミッシュメタル）等の元素も、導電率の低下を引き起こし易くなるので、これらの総量で０．１質量％以下の極力少ない含有量に抑えることが好ましい。特に、Ａｓ、Ｃｄ、Ｐｂは環境面において有害な元素であることから、それぞれ単独で０．００５％以下とすることが好ましく、さらには０．００１％以下とすることがより好ましい。
【００１８】
（銅合金組織条件）
本発明で言うＭｇ，Ｓｉ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ａｌの酸化物を主体とする粒子とは、銅合金材料の断面組織をＳＥＭ観察（倍率：１０００〜１００００倍程度）した際に容易に確認できる程度の大きさの粒子であり、Ｍｇ−Ｏ，Ｓｉ−Ｏ，Ｃｒ−Ｏ，Ｔｉ−Ｏ，Ｚｒ−Ｏ，Ａｌ−Ｏを主体とした化合物であり、これらに合金成分中のＰや不可避不純物であるＳなどが加わって複合化合物となる場合もあるが、本発明では、これらを含めて酸化物を主体とする粒子とする。
このような酸化物を主体とする粒子は、銅合金の製造に際し、例えば、溶解鋳造時に溶銅中のＯ（酸素）と反応して銅合金組織中に分散したり、熱間圧延中に母材中の溶存酸素と反応して生成する場合などがある。
【００１９】
本発明では、このような酸化物を主体とする粒子の内、その粒径（長径）が０．１μｍ以上の粒子が、銅合金板材の断面観察において０．１〜１００個／１００μｍ２の分布密度で分散し、かつ粒径が１０μｍを越える粒子が、０．００１個／１００μｍ２以下の分布密度に抑えられていることを特徴とする。なお、酸化物を主体とする粒子は真円とならないことが多いことから、ここで言う粒径は粒子の長径とする。
【００２０】
このような酸化物を主体とする粒子の粒径（長径）が０．１μｍ未満の場合は、せん断加工時に受ける応力でのミクロクラックの発生源となる効果が小さく、有効にせん断加工性を向上させることができない。従って、本発明では酸化物を主体とする粒子の粒径（長径）の下限を０．１μｍ以上と規定する。
また、酸化物を主体とする粒子のうち粒径が０．１μｍ以上の粒子の分布密度が０．１個／１００μｍ２未満では、効果を発揮すべき粒子の数が不足し、有効にせん断加工性を向上させることができない。一方、粒径が０．１μｍ以上の粒子の分布密度が１００個／１００μｍ２を越える場合は、せん断加工性の向上効果が飽和するとともに、曲げ加工性を阻害する要因となる。従って、本発明では、酸化物を主体とする粒子のうち粒径が０．１μｍ以上の粒子の分布密度を、０．１〜１００個／１００μｍ２と規定する。
【００２１】
一方、酸化物を主体とする粒子の粒径が１０μｍを越える場合は、ミクロクラックの発生源とはなるものの、その他の特性としての曲げ加工性を阻害する要因となる。従って、酸化物を主体とする粒子のうち粒径が１０μｍを越える粒子は存在しないことが望ましく、存在する場合でもその分布密度は０．００１個／１００μｍ２以下に制限される。
なお、本発明においては、酸化物を主体とする粒子のうち、その粒径（長径）が０．１μｍ以上である粒子の分布密度を規定しているが、この規定を満足すれば、粒径が０．１μｍ未満の酸化物を主体とする粒子が、適宜銅合金組織中に存在することは許容される。
【００２２】
本発明で言う酸化物を主体とする粒子の粒径（長径）とは、銅合金材料の断面組織を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）等で観察した際に認められる、酸化物を主体とする粒子の最大直径のことであり、その分布密度とはＳＥＭ等による観察（倍率：１０００〜１００００倍程度）で計測された個数を、１００μｍ２当りの測定個数として平均化したものであり、勿論複数視野を観察して平均化することがより好ましい。
【００２３】
（製造方法）
次に、銅合金組織を上記本発明規定の組織とするための、好ましい製造条件について以下に説明する。ここにおいて、上記した、Ｍｇ，Ｓｉ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ａｌの酸化物を主体とする粒子の内、粒径が０．１μｍ以上の粒子が０．１〜１００個／１００μｍ２であり、かつ粒径が１０μｍを越える粒子が０．００１個／１００μｍ２以下の分布密度で分散した形態となるよう制御するには、製造に当って下記の条件で溶解鋳造を行うことが有効である。
【００２４】
前記の通り、本発明における酸化物を主体とする粒子は、溶解鋳造時に溶銅中のＯ（酸素）と反応して銅合金組織中に分散する化合物相が主体となる。このような化合物相を適度な大きさで均一に分散させるためには、酸化物の母体となる成分（Ｍｇ，Ｓｉ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ａｌ）を添加する前の溶銅中のＯ（酸素）量を、２０〜１００ｐｐｍ程度に制御する。通常、銅合金の溶解鋳造は、溶銅中のＯ（酸素）量を極力少ない状態（２０ｐｐｍ未満）に保ち、添加成分が酸化消耗しないように行うが、本発明では酸化物を主体とする粒子を生成するため、適度なＯ（酸素）量を保った状態で酸化物の母体となる成分（Ｍｇ，Ｓｉ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ａｌ）を添加することが有効となる。酸化物の母体となる成分（Ｍｇ，Ｓｉ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ａｌ）を添加する前の溶銅中のＯ（酸素）量が２０ｐｐｍ未満では、効果を発揮すべき酸化物を主体とする粒子の数が不足し、有効にせん断加工性を向上させることができない。また、溶銅中のＯ（酸素）量が１００ｐｐｍを越える場合は、酸化物を主体とする粒子の粒径が１０μｍを越えるものが生成したり、粒径が０．１μｍ以上の酸化物を主体とする粒子の分布密度が１００個／１００μｍ２を越える状況が生じ、曲げ加工性を阻害する要因となるためである。
【００２５】
より具体的には、木炭被覆下で銅を溶解した後、Ｆｅ及びＰを添加することにより、溶銅中のＯ（酸素）濃度を２０〜１００ｐｐｍに制御し、その状態で酸化物の母体となる成分（Ｍｇ，Ｓｉ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ａｌ）を添加する。また、酸化物の母体となる成分の添加及び鋳造までの工程において、当該成分を添加する際に、あくまで溶銅中のＯと反応させるべく、溶銅中に押し込むこと（溶銅上に浮遊すると大気中のＯと反応し、粗大な酸化物粒子が生成するため）、及び当該成分を添加した後は、５分以上静置（緩やかな攪拌は可）した後、溶銅表面のノロ（酸化物層）を巻き込まないように鋳造することが重要である。５分以上の静置は、粗大な酸化物粒子を溶銅表面に浮上させ、適度な大きさの酸化物を主体とする粒子を分散させる効果がある。
【００２６】
上記溶解鋳造後の製造工程については大きく変えることは不要で、常法と同じ工程で製造できる。即ち、上記の方法で製作した鋳塊を加熱または均質化熱処理した後に熱間圧延し、熱延後の板を水冷する。その後、中延べと言われる一次冷間圧延を行い、焼鈍、洗浄後、更に仕上げ（最終）冷間圧延を行って、製品板厚の銅合金板などとする。
【実施例】
【００２７】
以下に本発明の実施例を説明する。表１に示す各組成の銅合金を鋳造して銅合金板を製造し、各特性を評価した。
【００２８】
【表１】
2006200014.tif 000002
【００２９】
具体的な銅合金板の製造方法としては、クリプトル炉にて木炭被覆下で溶銅を製作し、Ｆｅ及びＰを添加した後、各種成分を添加してブックモールドに鋳造し、厚さが５０ｍｍ、幅が７０ｍｍ、長さが２００ｍｍの鋳塊を得た。なお、各種成分を添加する際には、溶銅中のＯ（酸素）濃度が２０〜１００ｐｐｍの範囲内になるようにした。また、各種成分の添加に際しては溶銅中に押し込み、添加後は５分以上の静置を行った。
そして、各鋳塊を面削後、９００℃の温度で熱間圧延し厚さが１５ｍｍで水冷した。その後、この圧延板表面を面削して酸化スケールを除去した後、冷間圧延→焼鈍→冷間圧延を行い、厚さが０．１５ｍｍの銅合金板を得た。
【００３０】
このようにして得た銅合金板に対して、各例とも、銅合金板から試料を切り出し、断面組織観察により、酸化物を主体とする粒子の粒径（長径）と分布密度（個／１００μｍ２）の測定、引張強さ、硬さ、導電率の測定、及びせん断加工性（せん断率）と曲げ加工性の調査を行った。これらの結果を表２に示す。
【００３１】
組織観察は前記した測定方法により、銅合金組織を２０００倍の走査型電子顕微鏡で観察した際の、粒径（長径）が０．１μｍ以上である粒子の個数を任意の３視野で測定し、その結果を平均化することにより分布密度（個／１００μｍ２）を算出した。
引張試験は、圧延方向に平行に切り出したＪＩＳ−５号試験片を作成して行なった。硬さ試験は、マイクロビッカース硬度計にて、０．５ｋｇの荷重を加えて行なった。
導電率は、ミーリングにより、幅１０ｍｍ×長さ３００ｍｍの短冊状の試験片を加工し、ダブルブリッジ式抵抗測定装置により電気抵抗を測定し、平均断面積法により算出した。
【００３２】
せん断率は、打ち抜きプレス（クリアランス：５％）により、図１に示すように、幅１ｍｍ×長さ１０ｍｍのリードを、長さ方向が銅合金板１の圧延方向に対し垂直に向くように打抜き、打抜き穴２の中心を長さ方向に沿って切断し（切断箇所を破線３で示す）、打抜き穴２の切断面を矢印４の方向から観察し、光学式マイクロスコープを用いた切断面の表面写真から画像解析で求めた。せん断率は切断面におけるせん断面の面積比率（せん断面の面積／切断面の面積）であり、切断面の面積は銅合金板の板厚０．１５ｍｍ×測定幅０．５ｍｍとし、せん断面の面積は測定幅０．５ｍｍの範囲内のせん断面の面積とした。１試料につき穴を３箇所打ち抜き、各穴で３箇所ずつ測定し（合計９箇所）、その平均値を求めた。
【００３３】
曲げ加工性は、伸銅協会標準ＪＢＭＡ−Ｔ３０７に規定されるＷ曲げ試験［Ｒ（曲げ半径）／ｔ（板厚）＝２，圧延方向に垂直方向）］を行い、曲げ部の表面観察により、５段階（Ａ：しわなし，Ｂ：しわ小，Ｃ：しわ大，Ｄ：割れ小，Ｅ：割れ大）で評価した。Ａ〜Ｃが合格レベルで、Ｄ〜Ｅは不合格レベルである。
【００３４】
【表２】
2006200014.tif 000003
【００３５】
表１及び表２に示す実施例のうち、Ｎｏ．１〜２０が本発明例であり、Ｎｏ．２１〜３２は比較例である。本実施例においては、いずれも基本成分であるＦｅは０．１質量％、Ｐは０．０３質量％として、その他の各種成分濃度を変化させた。
【００３６】
Ｎｏ．１〜３，４〜６，７〜９，１６〜１８は、それぞれＭｇ，Ｓｉ、Ｃｒ、Ａｌの成分濃度を変化させた場合の本発明例であるが、各成分の濃度が増加するとともに、粒径が０．１μｍ以上の各成分の酸化物を主体とする粒子の分布密度が増加し、それに伴ってプレス打抜きによるせん断率が低下し、せん断加工性が向上することが分かる。
また、各成分濃度の増加とともに導電率は低下するが、最も濃度の高い例（Ｎｏ．３，６，９，１８）においても、８０％ＩＡＣＳ程度の導電率を維持することが可能であり、Ｗ曲げ加工性もＣ評価で合格レベルを維持できた。
【００３７】
Ｎｏ．１０〜１２，１３〜１５は、それぞれＴｉ，Ｚｒの成分濃度を変化させた場合の本発明例であるが、上記と同様に、各成分の濃度が増加するとともに、粒径が０．１μｍ以上の各成分の酸化物を主体とする粒子の分布密度が増加し、それに伴ってプレス打抜きによるせん断率が低下し、せん断加工性が向上することが分かる。
また、最も濃度の高い例（Ｎｏ．１２，１５）においても、９０％ＩＡＣＳに近い導電率と、合格レベルのＷ曲げ加工性を維持できた。
【００３８】
Ｎｏ．１９，２０は、Ｎｏ．２（Ｍｇを０．０１質量％含有）をベースに、それぞれ選択元素としてのＺｎとＳｎを単独で０．１質量％添加した場合の本発明例である。Ｎｏ．１９のＺｎ添加材は、Ｎｏ．２に比べて若干の強度アップと導電率低下を生じる以外に大きな特性変化はなく、はんだやＳｎめっきの耐熱密着性を向上させる目的で適量を選択的に添加することに何ら問題はない。Ｎｏ．２０のＳｎ添加材は、Ｎｏ．２に比べて強度とせん断加工性の向上に有効であることから選択的に添加してよいが、その反面、導電率と曲げ加工性が低下しやすいことから、適量とすることが好ましい。
【００３９】
Ｎｏ．２１，２３，２５，２７，２９，３１は、それぞれＭｇ，Ｓｉ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ａｌの成分濃度が本発明の下限を下回り、各成分の酸化物を主体とする粒子の分布密度が本発明の下限を下回った場合の比較例であり、いずれも酸化物を主体とする粒子の分布密度が本発明の規定より小さいことにより、せん断率が大きく、せん断加工性に劣ることがわかる。
【００４０】
これに対して、Ｎｏ．２２，２４，２６，２８，３０，３２は、それぞれＭｇ，Ｓｉ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ａｌの成分濃度が本発明の上限を超え、かつそれぞれの酸化物を主体とする粒子の分布密度が本発明の上限を超えた場合の比較例であり、いずれもせん断率が低く、せん断加工性に優れることが認められるものの、Ｗ曲げ加工性についてはいずれもＤ評価で、不合格レベルとなることがわかる。また、成分濃度が高いため導電率も大幅に低下し、７０％ＩＡＣＳを下回るものも認められる。
なお、本発明例であるＮｏ．１〜２０及び比較例であるＮｏ．２１，２３，２５，２７，２９，３１では、１０μｍを越える粒径の酸化物を主体とする粒子の分布密度は０個／１００μｍ２であり、比較例であるＮｏ．２２，２４，２６，２８，３０，３２でも、０．００１個／１００μｍ２以下のごく低レベルであった。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】せん断率の測定方法を説明する図である。
【符号の説明】
【００４２】
１  銅合金板
２  打抜き穴
３  切断箇所
【図１】
2006200014.tif 000004