(57)【要約】【課題】吸収膜で変換された熱の伝導方向に温接点自体が存在しないためサーモパイル出力が低であった。  また、熱電対及び温接点が存在しない部分の吸収膜に入射した赤外線の利用効率が低く、サーモパイル出力が低であった。さらにダイヤフラム寸法大のため歩留まり低であり、また、ダイヤフラム端からの距離に起因する出力差が大であった。さらには、隣接する検出域も出力が発生するクロストーク劣化が生じていた。【解決手段】吸収膜下に位置する温接点を分散配置する。さらには、分散配置した温接点と電気的接続を有さないパターンを熱電対材料の何れか一方で形成し、吸収膜下に設ける。さらには、吸収膜間に冷接点を有すヒートシンクをプラズマエッチングで形成し、吸収膜下の温接点を分散配置乃至は分散配置した温接点と電気的接続が無いパターンを熱電対材料の何れか一方で形成する。【選択図】図１
2006058229.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二種の物質で構成された熱電対でダイヤフラム上に温接点を形成し、周囲ヒートシンク部上に冷接点を形成し、熱電対、冷接点及び温接点上に絶縁保護膜を設け且つ温接点上に吸収膜を設置した複数の検出域を有すサーモパイルにおいて、吸収膜下に位置する温接点を分散配置したことを特徴とするサーモパイル。
【請求項２】
分散配置した温接点と電気的接続を有さないパターンを熱電対材料の何れか一方で形成し、吸収膜下に設けたことを特徴とする請求項１のサーモパイル。
【請求項３】
温接点上に吸収膜を設置した複数の検出域間にプラズマエッチングにて形成したヒートシンクを設け、検出域間のヒートシンク上にも冷接点を設けたことを特徴とする請求項１乃至は請求項２のサーモパイル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物体の赤外線を電気信号に変換し検出する検出域を複数有すサーモパイルに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
サーモパイルは、二種の物質で構成された熱電対でダイヤフラム上に温接点を形成し、周囲ヒートシンク部上に冷接点を形成し、熱電対、冷接点及び温接点上に絶縁保護膜を設け且つ温接点上に吸収膜を設置し検出域とするチップ構成を採る。
検出域である吸収膜に入射した赤外線は熱に変換され温接点の温度上昇を生じ、各熱電対材料のゼーベック定数に比例した電圧が発生する。また、この電圧は、熱電対本数、ダイヤフラム端からの吸収膜距離、吸収膜面積の寄与も受け、これらが大になると電圧も大となる。
サーモパイルチップは例えばＴＯ−５等のステムにエポキシ系接着剤等でダイボンディングされ、ステムに設けられたリードとチップ周囲ヒートシンク部設けたパッド等をボンディングワイヤーで電気的結線後、ステムと入射窓を設けた缶とを溶接される。これにより、赤外線量に比例した電圧を出力とするサーモパイルが完成となる。
【０００３】
３行３列の検出域を有するものの一例として特開２００２−２０２１９５号に記されているように、複数の検出域を有すサーモパイルも上記と同一の周囲ヒートシンク部上に冷接点を形成し、熱電対、冷接点及び温接点上に絶縁保護膜を設け且つ温接点上に吸収膜を設置し検出域とするチップ構成を採っている。周囲８ヶの吸収膜に対応する冷接点は、吸収膜と相対するヒートシンク上に設けられ、中央1ヶの吸収膜に対応する冷接点は、上述冷接点群の間に設けられている。また、中央１ヶの吸収膜に対応する熱電対は各吸収膜間のダイヤフラム上に配置されている。
【０００４】
さらなる多行多列、例えば４行４列の検出域を持つサーモパイルでも同様構成となっており、ＴＯ−５ステムに収納する場合、例えばサーモパイルチップ外形は角２．９ミリメートル、ダイヤフラムサイズ角２．１６ミリメートルが選定されている。このダイヤフラム内に一例として角０．２８ミリメートルの吸収膜が１６ヶ配列され、吸収膜下には１組当たり０．０３ミリメートルの寸法の熱電対と長０．０４５ミリメートル、幅０．０２３ミリメートルの温接点が設けられている。ダイヤフラム四隅部吸収膜下には１７ヶの温接点が設けられ、ダイヤフラム辺部８ヶ所の吸収膜下には１５ヶの温接点が配置され、ダイヤフラム中央部４ヶ所の吸収膜下には１４ヶの温接点が設けられている。吸収膜位置は、サーモパイルが測定すべき領域により定まり、例えばダイヤフラム中央部４ヶ所の吸収膜間隔は０．２２ミリメートル、その他の吸収膜間隔は０．２８ミリメートルに設定される。
【０００５】
周囲ヒートシンク部には、温接点と同一寸法の冷接点がダイヤフラム端より０．０４５ミリメートルの位置に配置され、また各検出域からの出力信号取り出しパッドが設けられている。これらパッドはステムリード等とのワイヤーボンディングを容易にするため、サーモパイルチップの２辺に集中されている。また、同一目的で各検出域の負電圧出力端子は統合され１ヶの共通パッドとなっている。
図７に上記４行４列の検出域を持つサーモパイルの斜視概念図を示し、図８に図７Ｘ−Ｘ’軸方向断面概念図を示す。これら図は明瞭化を目的とする概念図である。
【特許文献１】特開２００２−２０２１９５号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
複数の検出域を有すサーモパイルの場合、前述特開２００２−２０２１９５号に示されているように、配列される熱電対本数が小となり、単一検出域サーモパイルと吸収膜面積が同一であっても、出力が低となる。これは、単一検出域サーモパイルの場合は、吸収膜全周囲にヒートシンクが存在するため、冷接点が設置可となる地域が吸収膜全周囲に存在するが、複数の検出域を有すサーモパイルの場合、冷接点設置可地域が限定されるためである。例えば、背景技術の項で述べた吸収膜角０．２８ミリメートル、熱電対１組当たり０．０３ミリメートル、接点長０．０４５ミリメートル、接点幅０．０２３ミリメートルとした場合、単一検出域サーモパイルの場合、配列される熱電対本数は２８本となる。しかし、背景技術の項で述べた４行４列の検出域を持つサーモパイルの場合、最大に配列できる四隅部吸収膜においても熱電対本数は１７本に留まる。
熱電対数を増とするには、吸収膜面積大とすることが考えられるが、吸収膜面積を大とするとチップ自体が大となり、収納すべきＴＯ−５等ステムに格納されないという不具合が生じる。
即ち、本発明はチップ寸法を変える事無く、出力を大とすることを目的とするものである。
【０００７】
サーモパイル吸収膜に入射した赤外線は熱に変換され、この熱は等方的に伝導する。例えば背景技術の項で記した図７のＸ−Ｘ’軸、Ｙ−Ｙ’軸交点に入射し変換された熱のうち、Ｙ方向及びＸ方向に伝導にしたものは、温接点の温度上昇を発生させ、出力が生じる。しかし、Ｘ’方向及びＹ’方向に伝導したものは、温接点自体が存在しないため出力に寄与しない。即ち、従来技術では吸収膜で変換された熱の利用効率が低であった。
【０００８】
また、吸収膜吸収率は１．０未満の値となり、必ず一部の赤外線は吸収膜を透過する。熱電対及び温接点が無い部分である背景技術の項で記した図７のＸ−Ｘ’軸、Ｙ−Ｙ’軸交点に入射した赤外線の一部は吸収膜・絶縁保護膜・ダイヤフラムを透過してしまい、温接点温度上昇に寄与することができない。即ち従来技術では吸収膜に入射した赤外線の利用効率が低であった。
【０００９】
さらに、従来技術には上述出力低という欠点以外に以下課題を有していた。
背景技術の項で述べた４行４列サーモパイルには、ダイヤフラム自体が角２．１６ミリメートルと大であり、作製時応力バランス不適等により破損してしまい歩留まり低という欠点があった。
さらには、中央部に配置した吸収膜と四隅部配置吸収膜とのダイヤフラム端からの距離が大きく異なるため、ダイヤフラム端からの距離に起因する出力差が大となるという欠点を有していた。
さらに、吸収膜間に配置した熱電対による熱伝導が本来熱絶縁物質で構成されているダイヤフラムの熱伝導性を向上させてしまい、隣接する検出域も出力が発生するクロストーク劣化が生じていた。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
熱電対でダイヤフラム上に温接点を、周囲ヒートシンク部上に冷接点を形成し、温接点上に吸収膜を設置した検出域において、吸収膜下に位置する温接点を分散配置する。
さらには、分散配置した温接点と電気的接続を有さないパターンを熱電対材料の何れか一方で形成し、吸収膜下に設ける。
さらには、温接点上に吸収膜を設置した複数の検出域間にプラズマエッチングにて形成したヒートシンクを設け、検出域間のヒートシンク上にも冷接点を設け、吸収膜下に位置する温接点を分散配置させ、乃至は分散配置した温接点と電気的接続を有さないパターンを熱電対材料の何れか一方で形成し、吸収膜下に設ける。
【発明の効果】
【００１１】
吸収膜に入射し変換された熱の伝導方向に温接点を分散配置することは、チップ寸法を変える事無く且つ工程手順変更全く無しで容易に行われ、結果、吸収膜で変換された熱の利用効率がアップし、サーモパイル出力が増となる。
また、熱電対及び温接点が無い部分に、これらと電気的接続無いパターンを設けることは、チップ寸法を変える事無く且つ工程手順変更全く無しで容易に行われ、同部を従来透過していた赤外線が都合２回吸収膜を通過することとなり、結果、吸収膜の吸収効率がアップし、サーモパイル出力が増となる。
さらには、吸収膜間にプラズマエッチングにて形成したヒートシンクを設けることにより、ダイヤフラム自体が小となるので、応力バランス不適等に対する歩留まりが向上する。
同時に、全ての吸収膜においてダイヤフラム端からの距離は均一となるので、ダイヤフラム端からの距離に起因する出力差は無しとなる。
さらに、各吸収膜間に熱容量を持つヒートシンクを設けることにより、隣接する吸収膜への熱伝導量減じ、クロストークは向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
サーモパイルチップは基板材上にダイヤフラム構成膜形成した後、熱電対パターン、絶縁保護膜、吸収膜の順で作製され、最後に裏面よりエッチングしダイヤフラムを作製する。
熱電対パターンは成膜・露光・エッチングの半導体工程手法を使用して作製され、温接点・冷接点の位置は予め作製したフォトマスクにより定まる。即ち、熱電対パターン作製用フォトマスクにて温接点を分散配置設計とすれば、吸収膜下の温接点が分散して位置する。
また、同様に熱電対パターン作製用フォトマスクにて分散配置した温接点と電気的接続無いパターンを設ける設計とすると、分散配置した温接点と電気的接続無いパターンが熱電対材料の何れかで作製される。
さらに、プラズマエッチング加工は、予め作製したフォトマスク通りの保護パターンを設けた後実施する。このフォトマスクを各吸収膜間にヒートシンクが位置する保護パターン設計とすれば、検出域間及びチップ周囲部にヒートシンクが作製される。また、冷接点位置・温接点位置は熱電対パターン作製用フォトマスクで定まる。熱電対パターン作製用フォトマスクにて温接点を分散配置設計し、冷接点をヒートシンク上に配置する設計とすると、ヒートシンク上に冷接点が位置し、吸収膜下の温接点が分散して位置する。
また、熱電対パターン作製用フォトマスクに分散配置した温接点と電気的接続無いパターンを熱電対材料の何れかで設ける設計とすると、同部が作製される。
【実施例１】
【００１３】
以下に本発明実施例として異方性エッチング法を使用したサーモパイルチップ作製手順例を記す。
基板材を一例として厚０．４ミリメートルのシリコンウェハーとし、シリコンウェハー上に酸化ケイ素、窒化シリコン等の例えば総厚０．００２ミリメートルの膜をＣＶＤ法等により形成する。これら膜がダイヤフラム構成膜となる。
【００１４】
熱電対は例えば一方をニクロム、他方をビスマスアンチモン等の異なるゼーベック定数を持つ二種の材料が用いられ、上記成膜したシリコンウェハー上に熱電対パターンを多数形成する。この時、成膜・露光・エッチング等の半導体工程手法を使用し、例えばニクロム幅０．００６ミリメートル、ビスマスアンチモン幅０．０１ミリメートル、両者の間隔を０．００７ミリメートルとする熱電対1組当たり０．０３ミリメートル、接点長０．０４５ミリメートル、接点幅０．０２３ミリメートルの微細パターンが形成される。露光工程には予めパターン設計したフォトマスクを用いる。
他の熱電対材料例として、一方をポリシリコン、他方をアルミニウムとしてもよい。
さらに、熱電対、冷接点及び温接点上に位置する絶縁保護膜として例えば、厚０．００２ミリメートルのポリイミド膜を全面コーティング後露光・エッチング等の半導体工程手法にて所定形状に加工する。
【００１５】
その後出力取り出し用パッドしてアルミニウム等のパッドを成膜・露光・エッチング等の半導体工程手法を用い設ける。このパッドは金ワイヤー、アルミニウムワイヤー等でワイヤーボンディング可能な例えば長０．１２ミリメートル幅０．１ミリメートル等のサイズに予め設定されている。また、パッド下地には、シリコンウェハーに対する付着強度大であるニクロムが予め設けられている。
続いて、例えば厚０．００１ミリメートル吸収膜を成膜・露光・エッチング等の半導体工程手法若しくは、印刷塗布等の手法で形成する。
続いて、シリコンウェハー裏面に保護パターン設けた後、水酸化カリウム等の異方性エッチング液を用いシリコンウェハー裏面よりエッチングし、ダイヤフラムを形成する。ダイヤフラム以外の部分は周囲ヒートシンク部となり、本工程によりサーモパイルチップが完成となる。裏面保護パターンは異方性エッチング液に耐性を有す窒化シリコン等が用いられ、裏面保護パターン形成時にも露光・エッチング等の半導体工程手法を用いる。
異方性エッチングの場合、シリコンの最密充填面である（１１１）面が露出するので、予めシリコンウェハーは（１００）面ウェハーが選定され、ダイヤフラム作製方向は〈１１０〉方向が選ばれる。
【００１６】
上記作製手順において、熱電対パターンの二種材料接点部が温接点及び冷接点となり、温接点の位置は露光時に使用するフォトマスクにより定まる。よって、温接点位置はフォトマスク設計時に自由に設定できるので、温接点を分散させた位置に配することは、吸収膜寸法及びサーモパイルチップ寸法変更無しで且つ工程手順変更無しで容易に行える。
即ち背景技術の項で述べたサーモパイルチップ外形角２．９ミリメートルに、ダイヤフラムサイズ角２．１６ミリメートルに角０．２８ミリメートルの吸収膜が１６ヶ配列された４行４列サーモパイルの例でも、チップ外形サイズ、吸収膜寸法を維持したまま、吸収膜下の温接点を分散配置することは容易に行える。
図１に吸収膜下に位置する温接点を分散配置した４行４列サーモパイルの斜視概念図を示し、図７に示したＸ−Ｘ’軸、Ｙ−Ｙ’軸交点と同一位置のＸ−Ｘ’軸方向断面概念図を図２に示す。これら図は明瞭化を目的とする概念図である。
温接点を分散配置した本実施例４行４列サーモパイルに７０℃黒体の波長スペクトラムを持つ赤外線を入射させた時のＸ−Ｘ’軸、Ｙ−Ｙ’軸交点部検出域出力は、背景技術の項で述べた４行４列サーモパイルの同部出力の１．１１倍となっており、本発明により、出力増となることを確認した。
【００１７】
さらに、分散配置した温接点と電気的接続無いように、例えば０．０１ミリメートルとの距離で熱電対材料の何れかでパターンを形成することは、熱電対パターン作製用フォトマスクに予め同部を設けておけば、吸収膜寸法及びサーモパイルチップ寸法変更無しで且つ工程手順変更無しで容易に行える。即ち背景技術の項で述べたサーモパイルチップ外形角２．９ミリメートルに、ダイヤフラムサイズ角２．１６ミリメートルに角０．２８ミリメートルの吸収膜が１６ヶ配列された４行４列サーモパイルの例でも、チップ外形サイズ、吸収膜寸法を維持したまま、吸収膜下の温接点を分散配置し、分散配置した温接点と電気的接続無い例えばニクロムパターンを形成することは容易に行える。
【００１８】
この新規付加したパターンで反射された赤外線は再びポリイミド等の絶縁性保護膜を透過した後、吸収膜を通過することになり、都合２回通過となる。従って、同部で吸収される赤外線量は増となる。
図３に吸収膜下に分散配置した温接点と電気的接続を有さないパターンを熱電対材料の何れか一方で形成した４行４列サーモパイルの斜視概念図を示し、図７に示したＸ−Ｘ’軸、Ｙ−Ｙ’軸交点と同一位置のＸ−Ｘ’軸方向断面概念図を図４に示す。これら図は明瞭化を目的とする概念図である。
分散配置した温接点と電気的接続無いパターンを付加した本実施例４行４列サーモパイルに７０℃黒体の波長スペクトラムを持つ赤外線を入射させた時のＸ−Ｘ’軸、Ｙ−Ｙ’軸交点部検出域出力は、背景技術の項で述べた４行４列サーモパイルの同部出力の１．１７倍となっており、本発明により、出力増となることを確認した。
【実施例２】
【００１９】
以下に本発明の他の実施例としてプラズマエッチング法を使用したサーモパイルチップ作製手順例を記す。
【００２０】
異方性エッチング法を使用したサーモパイルチップ作製手順例で述べたように、ダイヤフラム作製工程は最終工程であり、プラズマエッチング法にても、最終工程でダイヤフラムを作製する。即ち、基板材をシリコンウェハーとし、ＣＶＤ法等により形成された酸化ケイ素、窒化シリコン等のダイヤフラム構成膜、一方をニクロム、他方をビスマスアンチモン等とする熱電対パターン、ポリイミド等の絶縁保護膜、吸収膜は異方性エッチング法と同一手順・手法で作製される。
その後、裏面保護パターンをフォトレジスト等で露光等の半導体工程手法で形成し、フッ化炭素系ガスを用い、高密度プラズマエッチング装置等でプラズマエッチングしダイヤフラムを作製する。この時フッ化炭素系ガスは、横方向エッチングスピード低で垂直なエッチングが可能な構成のガスが選定される。
【００２１】
予め裏面保護パターンを温接点上に吸収膜を設置した複数の検出域間及びチップ周囲部に設定しておくと、ヒートシンクが吸収膜間及びチップ周囲に形成される。これにより、各吸収膜周囲に例えば距離０．０７５ミリメートルの位置にヒートシンクが配列され、背景技術の項で述べた吸収膜サイズ０．２８ミリメートルの場合ダイヤフラムサイズは角０．４３ミリメートルとなる。熱電対パターンフォトマスクに於ける冷接点位置設定により、ヒートシンク上に冷接点が位置することとなる。
背景技術の項で述べた吸収膜サイズ０．２８ミリメートル、中央部４ヶ所の吸収膜間隔０．２２ミリメートルの場合ヒートシンク幅０．０７ミリメートルとなり、０．０４５ミリメートルの長さを持つ接点をこの上に設けることは、ダイヤフラム端より０．０４５ミリメートルの地点に位置することより不可である。吸収膜間隔０．２８ミリメートルに対しては、ヒートシンク幅０．１３ミリメートルとなり冷接点を設けることができる。よって、背景技術の項で記載した例の場合、各吸収膜に対し周囲２辺のヒートシンク上に冷接点が配置され、各吸収膜には１６本の熱電対が配列される。
【００２２】
異方性エッチング法を使用したサーモパイルチップ作製手順例で記したように温接点の位置は熱電対パターン作製工程露光時に使用するフォトマスクにより定まる。よって、温接点位置はフォトマスク設計時に自由に設定できるので、温接点を分散させた位置に配することは、吸収膜寸法及びサーモパイルチップ寸法変更無しで且つ工程手順変更無しで容易に行える。
さらに、分散配置した温接点と電気的接続無いように、例えば０．０１ミリメートルとの距離で熱電対材料の何れかでパターンを形成することは、熱電対パターン作製用フォトマスクに予め同部を設けておけば、吸収膜寸法及びサーモパイルチップ寸法変更無しで且つ工程手順変更無しで容易に行える。
【００２３】
よって、背景技術の項で述べたサーモパイルチップ外形角２．９ミリメートルに角０．２８ミリメートルの吸収膜が１６ヶ配列された４行４列サーモパイルの例でも、チップ外形サイズ、吸収膜寸法を維持したまま、吸収膜間に冷接点を有すヒートシンクを設け、吸収膜下の温接点を分散配置すること及び分散配置した温接点と電気的接続無いように、例えば０．０１ミリメートルとの距離でニクロム等熱電対材料の何れかでパターンを形成することは容易に行える。
【００２４】
また、背景技術の項で述べたサーモパイルチップのダイヤフラム寸法角２．１６ミリメートルは、吸収膜間にヒートシンクを設けることにより、角０．４３ミリメートルと従来の概ね１／５となり、ダイヤフラム作製時の応力バランス不適等によるダイヤフラム破損は減じる。
また、角０．２８ミリメートルの吸収膜１６ヶ全てが角０．４３ミリメートルのダイヤフラム内に位置することになるので、ダイヤフラム端からの距離は全て同一となり、ダイヤフラム端からの距離に起因する出力差は無しとなる。
ダイヤフラム構成膜及びポリイミド等絶縁保護膜の総厚は各厚０．００２ミリメートルであるので、０．００４ミリメートルとなる。これに対しシリコンウェハー厚は１００倍の０，４ミリメートルである。本実施例における中央部４ヶ所の吸収膜間隔のヒートシンクは幅０．０７ミリメートルであり、これは、ダイヤフラム構成膜及びポリイミド等絶縁保護膜に比較し十分熱容量大となるので、隣接する吸収膜への熱伝導量減じ、クロストークは向上する。
【００２５】
図５に吸収膜間に冷接点を有すヒートシンクを設け、吸収膜下に分散配置した温接点作製し、電気的接続を有さないパターンを熱電対材料の何れか一方で形成した４行４列サーモパイルの斜視概念図を示し、図７に示したＸ−Ｘ’軸、Ｙ−Ｙ’軸交点と同一位置のＸ−Ｘ’軸方向断面概念図を図６に示す。これら図は明瞭化を目的とする概念図である。
【００２６】
吸収膜間に冷接点を有すヒートシンクを設け、温接点を分散配置した本実施例４行４列サーモパイルに７０℃黒体の波長スペクトラムを持つ赤外線を入射させた時のＸ−Ｘ’軸、Ｙ−Ｙ’軸交点部検出域出力は、背景技術の項で述べた４行４列サーモパイルの同部出力の１．１３倍となっており、本発明により、出力増となることを確認した。
また、吸収膜間に冷接点を有すヒートシンクを設け、温接点を分散配置し、温接点と電気的接続無いパターンを付加した本実施例４行４列サーモパイルに７０℃黒体の波長スペクトラムを持つ赤外線を入射させた時のＸ−Ｘ’軸、Ｙ−Ｙ’軸交点部検出域出力は、背景技術の項で述べた４行４列サーモパイルの同部出力の１．１９倍となっており、本発明により、出力増となることを確認した。
上記出力値が実施例１の項で述べた出力倍率と異なるのは、本実施例では、各吸収膜に対し周囲２辺のヒートシンク上に冷接点が配置され、熱電対本数が１４本から１６本に増となったこと及びダイヤフラム端から吸収膜端までの距離が０．６９ミリメートルから０．０７５ミリメートルに減になったことによるものである。
【００２７】
サーモパイルにおいて、対象となる検出域のみに赤外線を入射させた時の出力をＶ０とし、隣接した検出域のみに赤外線を入射させた時の対象検出域出力をＶ１とした時、Ｖ１／Ｖ０値が小であれば、クロストーク良となる。
吸収膜間に冷接点を有すヒートシンクを設け、温接点を分散配置した本実施例４行４列サーモパイルのＸ−Ｘ’軸、Ｙ−Ｙ’軸交点部検出域におけるＶ１／Ｖ０値は０．０４であり、背景技術の項で述べた４行４列サーモパイルの同部のＶ１／Ｖ０値は０．２７であり、本発明により、クロストーク改良されていることを確認した。ここで、入射させた赤外線は出力測定と同じく、７０℃黒体の波長スペクトラムを持つ赤外線である。
さらに、吸収膜間に冷接点を有すヒートシンクを設け、温接点を分散配置し、温接点と電気的接続無いパターンを付加した本実施例４行４列サーモパイルのＸ−Ｘ’軸、Ｙ−Ｙ’軸交点部検出域におけるＶ１／Ｖ０値も０．０４であり、本発明により、クロストーク改良されていることを確認した。
【００２８】
ここで、異方性エッチング法にて、吸収膜間のヒートシンクを作製すると、異方性エッチング露出面（１１１）とダイヤフラム形成面（１００）が５４．７度の角度をなすため、厚０．４ミリメートルの場合、斜面部距離として０．２８３ミリメートル要し、裏面保護パターン幅０．０１ミリメートルとしても、ヒートシンク幅０．５７６ミリメートル要すこととなり、背景技術の項で記した吸収膜間隔０．２２ミリメートル乃至は０．２８ミリメートルより大となり作製手法として不適である。
【００２９】
尚、上述２ヶ実施例は、４行４列サーモパイルを例として記述しているが、例えば１行８列、３行３列、５行７列等他の異なる検出域配置のサーモパイルに対しても本発明は適用できる。また、単一検出域サーモパイルについても適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】吸収膜下に位置する温接点を分散配置した本発明実施例の４行４列サーモパイルを示す斜視概念図である。
【図２】図１のＸ−Ｘ’軸方向断面概念図である。
【図３】吸収膜下に分散配置した温接点と電気的接続を有さないパターンを熱電対材料の何れか一方で形成した本発明実施例の４行４列サーモパイルを示す斜視概念図である。
【図４】図３のＸ−Ｘ’軸方向断面概念図である。
【図５】吸収膜間に冷接点を有すヒートシンクを設け、吸収膜下に分散配置した温接点作製し、電気的接続を有さないパターンを熱電対材料の何れか一方で形成した４行４列サーモパイルの斜視概念図である。
【図６】図５のＸ−Ｘ’軸方向断面概念図である。
【図７】従来技術の４行４列サーモパイルを示す斜視概念図である。
【図８】図７のＸ−Ｘ’軸方向断面概念図である。
【符号の説明】
【００３１】
１  温接点
２  冷接点
３  熱電対
４  ４ダイヤフラム構成膜
５  絶縁保護膜
６  吸収膜
７  パッド
８  ８負電圧出力共通パッド
９  周囲ヒートシンク
１０  温接点と電気的接続を有しないパターン
１１  吸収膜間ヒートシンク
【図１】
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【図２】
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【図３】
2006058229.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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