(57)【要約】【課題】  所望の突出プロファイルを得ることができ、しかも素子形成面上の端子電極数を最小限とすることができる薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気ディスクドライブ装置を提供する。【解決手段】  基板上に積層されたＭＲ読出しヘッド素子と、ＭＲ読出しヘッド素子上に積層されており、レジスト層を有するインダクティブ書込みヘッド素子と、磁気記録媒体に対向する端面を突出させるための少なくとも２つの抵抗発熱体とを備えており、少なくとも２つの抵抗発熱体のうちの少なくとも１つの抵抗発熱体がレジスト層より反基板側に位置していると共に少なくとも２つの抵抗発熱体のうちの他の少なくとも１つの抵抗発熱体がレジスト層より基板側に位置しており、少なくとも２つの抵抗発熱体が互いに並列又は直列接続されており、他の少なくとも１つの抵抗発熱体に印加される電力が少なくとも１つの抵抗発熱体に印加される電力より大きい。【選択図】  図８
2006351115.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に積層された磁気抵抗効果読出しヘッド素子と、該磁気抵抗効果読出しヘッド素子上に積層されており、レジスト層を有するインダクティブ書込みヘッド素子と、磁気記録媒体に対向する端面を突出させるための少なくとも２つの抵抗発熱体とを備えており、該少なくとも２つの抵抗発熱体のうちの少なくとも１つの抵抗発熱体が前記レジスト層より基板側に位置していると共に該少なくとも２つの抵抗発熱体のうちの他の少なくとも１つの抵抗発熱体が前記レジスト層より反基板側に位置しており、前記少なくとも２つの抵抗発熱体が互いに直列又は並列接続されており、前記少なくとも１つの抵抗発熱体に印加される電力が前記他の少なくとも１つの抵抗発熱体に印加される電力より大きいことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記少なくとも２つの抵抗発熱体が互いに直列接続されている場合は、前記少なくとも１つの抵抗発熱体の抵抗値が前記他の少なくとも１つの抵抗発熱体の抵抗値より大きいことを特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記少なくとも２つの抵抗発熱体が互いに並列接続されている場合は、前記少なくとも１つの抵抗発熱体の抵抗値が前記他の少なくとも１つの抵抗発熱体の抵抗値より小さいことを特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記少なくとも１つの抵抗発熱体に印加される電力が前記他の少なくとも１つの抵抗発熱体に印加される電力の約９倍であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記少なくとも１つの抵抗発熱体が、前記磁気抵抗効果読出しヘッド素子の下部シールド層と前記基板との間に設けられた第１の抵抗発熱体からなることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
前記少なくとも１つの抵抗発熱体が、前記磁気抵抗効果読出しヘッド素子の上部シールド層と前記インダクティブ書込みヘッド素子の下部磁極層との間に設けられた第１の抵抗発熱体からなることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
前記少なくとも１つの抵抗発熱体が、前記インダクティブ書込みヘッド素子の下部磁極層上に設けられた第１の抵抗発熱体からなることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
前記インダクティブ書込みヘッド素子が、面内磁気記録型インダクティブ書込みヘッド素子であることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】
前記少なくとも１つの抵抗発熱体が、前記磁気抵抗効果読出しヘッド素子の上部シールド層と前記インダクティブ書込みヘッド素子の主磁極層との間に設けられた第１の抵抗発熱体からなることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの抵抗発熱体が、前記磁気抵抗効果読出しヘッド素子の上部シールド層と、該磁気抵抗効果読出しヘッド素子及び前記インダクティブ書込みヘッド素子間の素子間シールド層との間に設けられた第１の抵抗発熱体からなることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１１】
前記少なくとも１つの抵抗発熱体が、前記磁気抵抗効果読出しヘッド素子及び前記インダクティブ書込みヘッド素子間の素子間シールド層上に設けられた第１の抵抗発熱体からなることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの抵抗発熱体が、前記インダクティブ書込みヘッド素子の主磁極層上に設けられた第１の抵抗発熱体からなることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１３】
前記インダクティブ書込みヘッド素子が、垂直磁気記録型インダクティブ書込みヘッド素子であることを特徴とする請求項１から５及び９から１２のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１４】
前記インダクティブ書込みヘッド素子を覆う保護膜をさらに備えており、前記他の少なくとも１つの抵抗発熱体が前記保護膜内に設けられた第２の抵抗発熱体からなることを特徴とする請求項１から１３のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１５】
請求項１から１４のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドと、該薄膜磁気ヘッドを支持する支持体とを備えたことを特徴とする磁気ヘッドアセンブリ。
【請求項１６】
請求項１５に記載の磁気ヘッドアセンブリを少なくとも１つ備えたことを特徴とする磁気ディスクドライブ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気ディスクドライブ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）装置に設けられている薄膜磁気ヘッド（磁気ヘッドスライダ）は、信号の書込み又は読出しに際し、回転する磁気ディスク上において流体力学的に所定の間隙（浮上量）をもって浮上する。薄膜磁気ヘッドは、この浮上状態においてインダクティブ書込みヘッド素子から発生する磁界により磁気ディスクに書込みを行い、磁気抵抗効果（ＭＲ）読出しヘッド素子により磁気ディスクからの信号磁界を感受して読出しを行う。この際のこれら磁気ヘッド素子と磁気ディスク表面との磁気的な実効距離がマグネティックスペーシングとなる。
【０００３】
近年のＨＤＤ装置の大容量小型化に伴う高記録密度化に対応して、薄膜磁気ヘッドのトラック幅はより減少する傾向にある。このトラック幅減少による書込み及び読出し能力の低下を回避するために、マグネティックスペーシングは、１０ｎｍ程度と小さな値に設定されている。このような微小値をとるマグネティックスペーシングを精度良く制御する方法として、ヘッド素子近傍又はヘッド素子内に発熱体を設けてＴＰＴＰ（Ｔｈｅｒｍａｌ Ｐｏｌｅ Ｔｉｐ Ｐｒｏｔｒｕｓｉｏｎ）現象を積極的に利用することにより、個々の薄膜磁気ヘッドの浮上量のばらつきを調整する方法は公知である（例えば、特許文献１〜４）。
【０００４】
特に、特許文献２〜４においては、２つのヒータをインダクティブ書込みヘッド素子及びＭＲ読出しヘッド素子の部分にそれぞれ設けることが記載されている。
【０００５】
【特許文献１】米国特許第５，９９１，１１３号明細書
【特許文献２】特表ＷＯ２００２／０３７４８０号公報
【特許文献３】特開２００３−１６８２７４号公報
【特許文献４】特開２００３−２７２３３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、これら特許文献２〜４には、２つのヒータの両方又はその一方のみを駆動させるという開示はあるものの、両方のヒータを駆動した際の個々の発熱量を互いに異ならせるという思想は全く開示されていない。しかも、これら２つのヒータは別々の配線によって駆動回路にそれぞれ接続されている。
【０００７】
従って、このような従来の薄膜磁気ヘッドでは、磁気ディスクに対向する端面を動作目的や環境温度に対応する所望の突出プロファイルに制御することは困難であり、また、ヒータ数に応じた数の端子電極を磁気ヘッドスライダに増設する必要があるので、素子形成面のスペース上の制約から実現することが難しい。
【０００８】
従って、本発明の目的は、所望の突出プロファイルを得ることができ、しかも素子形成面上の端子電極数を最小限とすることができる薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気ディスクドライブ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明によれば、基板上に積層されたＭＲ読出しヘッド素子と、ＭＲ読出しヘッド素子上に積層されており、レジスト層を有するインダクティブ書込みヘッド素子と、磁気記録媒体に対向する端面を突出させるための少なくとも２つの抵抗発熱体とを備えており、少なくとも２つの抵抗発熱体のうちの少なくとも１つの抵抗発熱体がレジスト層より基板側に位置していると共に少なくとも２つの抵抗発熱体のうちの他の少なくとも１つの抵抗発熱体がレジスト層より反基板側に位置しており、少なくとも２つの抵抗発熱体が互いに直列又は並列接続されており、少なくとも１つの抵抗発熱体に印加される電力が他の少なくとも１つの抵抗発熱体に印加される電力より大きい薄膜磁気ヘッドが提供される。
【００１０】
少なくとも１つの抵抗発熱体がインダクティブ書込みヘッド素子のレジスト層より基板側（積層方向で下方側）に位置していると共に他の少なくとも１つの抵抗発熱体がこのレジスト層より反基板側（積層方向で上方側）に位置しており、少なくとも１つの抵抗発熱体に印加される電力が他の少なくとも１つの抵抗発熱体に印加される電力より大きく設定されている。インダクティブ書込みヘッド素子のレジスト層より上方には、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等の保護膜が設けられているため、この部分の熱伝導率は低く、熱膨張効率（印加される電力に対する熱膨張量又は突出量の比率）が高い。一方、インダクティブ書込みヘッド素子のレジスト層より下方には、ＭＲ読出しヘッド素子等の磁性体や基板等が設けられているため、この部分の熱伝導率は高く、熱膨張効率が低い。従って、後者の部分に設けられる抵抗発熱体に、より大きな電力を印加することによって、レジスト層より下方の部分の突出量を増やし、所望の突出プロファイルが得られるようにしているのである。所望の突出プロファイルとは、具体的には、保護膜部分の突出量が最も大きいがＭＲ読出しヘッド素子やインダクティブ書込みヘッド素子部分も素早く突出し、マグネティックスペーシングが小さくなるプロファイルである。しかも、これら複数の抵抗発熱体を互いに直列又は並列接続することにより、磁気ヘッドスライダの素子形成面に形成される端子電極の数を最小限とすることができる。
【００１１】
なお、本明細書において、「下部」又は「下方」とは、基準となる層よりも基板側にある構成要素又は部分を意味しており、「上部」又は「上方」とは、基準となる層よりも反基板側にある構成要素又は部分を意味している。
【００１２】
このように複数の抵抗発熱体を互いに直列又は並列接続しつつ印加電力を異ならせるためには、抵抗発熱体の抵抗値を互いに異ならせれば良い。抵抗値を異ならせるには、同じ形状及び同じ膜厚であるが、電気伝導度（抵抗率）の異なる材料で構成するか、同じ膜厚及び同じ材料であるが、形状、例えば長さや幅、を異ならせて構成するか、又は同じ形状及び同じ材料であるが、膜厚を異ならせて構成すれば良い。
【００１３】
少なくとも２つの抵抗発熱体が互いに直列接続されている場合は、少なくとも１つの抵抗発熱体の抵抗値が他の少なくとも１つの抵抗発熱体の抵抗値より大きくし、少なくとも２つの抵抗発熱体が互いに並列接続されている場合は、少なくとも１つの抵抗発熱体の抵抗値が他の少なくとも１つの抵抗発熱体の抵抗値より小さくする。
【００１４】
少なくとも１つの抵抗発熱体に印加される電力が他の少なくとも１つの抵抗発熱体に印加される電力の約９倍であるかもしれない。
【００１５】
少なくとも１つの抵抗発熱体が、ＭＲ読出しヘッド素子の下部シールド層と基板との間に設けられた第１の抵抗発熱体からなることも好ましい。
【００１６】
少なくとも１つの抵抗発熱体が、ＭＲ読出しヘッド素子の上部シールド層とインダクティブ書込みヘッド素子の下部磁極層との間に設けられた第１の抵抗発熱体からなることが好ましい。
【００１７】
少なくとも１つの抵抗発熱体が、インダクティブ書込みヘッド素子の下部磁極層上に設けられた第１の抵抗発熱体からなることも好ましい。
【００１８】
インダクティブ書込みヘッド素子が、面内（水平）磁気記録型インダクティブ書込みヘッド素子であることが好ましい。
【００１９】
少なくとも１つの抵抗発熱体が、ＭＲ読出しヘッド素子の上部シールド層とインダクティブ書込みヘッド素子の主磁極層との間に設けられた第１の抵抗発熱体からなることも好ましい。
【００２０】
少なくとも１つの抵抗発熱体が、ＭＲ読出しヘッド素子の上部シールド層と、ＭＲ読出しヘッド素子及びインダクティブ書込みヘッド素子間の素子間シールド層との間に設けられた第１の抵抗発熱体からなることも好ましい。
【００２１】
少なくとも１つの抵抗発熱体が、ＭＲ読出しヘッド素子及びインダクティブ書込みヘッド素子間の素子間シールド層上に設けられた第１の抵抗発熱体からなることも好ましい。
【００２２】
少なくとも１つの抵抗発熱体が、インダクティブ書込みヘッド素子の主磁極層上に設けられた第１の抵抗発熱体からなることも好ましい。
【００２３】
インダクティブ書込みヘッド素子が、垂直磁気記録型インダクティブ書込みヘッド素子であることも好ましい。
【００２４】
インダクティブ書込みヘッド素子を覆う保護膜をさらに備えており、他の少なくとも１つの抵抗発熱体がこの保護膜内に設けられた第２の抵抗発熱体からなることも好ましい。
【００２５】
本発明によれば、さらに、上述した薄膜磁気ヘッドと、薄膜磁気ヘッドを支持する支持体とを備えた磁気ヘッドアセンブリが提供される。ここで、磁気ヘッドアセンブリとは、磁気ヘッド素子を備えた薄膜磁気ヘッド（磁気ヘッドスライダ）とその支持機構とを機械的、電気的に組み立てたアセンブリである。具体例を挙げると、磁気ヘッドスライダとサスペンションとのアセンブリの場合にはヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）と称され、磁気ヘッドスライダとこれを支持するサスペンション及び支持アームのアセンブリの場合にはヘッドアームアセンブリ（ＨＡＡ）と称され、ＨＡＡが複数積み重ねられる場合にはヘッドスタックアセンブリ（ＨＳＡ）と称されることが多い。
【００２６】
本発明によれば、さらにまた、上述の磁気ヘッドアセンブリを少なくとも１つ備えた磁気ディスクドライブ装置が提供される。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、レジスト層より下方の部分の突出量を増やし、所望の突出プロファイルが得られると共に、磁気ヘッドスライダの素子形成面に形成される端子電極の数を最小限とすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
図１は本発明の一実施形態として、磁気ディスクドライブ装置の要部の構成を概略的に示す斜視図であり、図２は図１のＨＧＡの一構成例を示す斜視図であり、図３は図２のＨＧＡの先端部に装着されている薄膜磁気ヘッド（磁気ヘッドスライダ）を示す斜視図であり、図４は図３の磁気ヘッドスライダの磁気ヘッド素子部分をスライダ基板の素子形成面側から見た平面図ある。
【００２９】
図１において、１０はスピンドルモータ１１の回転軸の回りを回転する複数の磁気ディスク、１２は薄膜磁気ヘッド（磁気ヘッドスライダ）をトラック上に位置決めするためのアセンブリキャリッジ装置、１３は薄膜磁気ヘッドの読み書き動作及び発熱動作を制御するための記録再生及び電流制御回路をそれぞれ示している。
【００３０】
アセンブリキャリッジ装置１２には、複数の駆動アーム１４が設けられている。これら駆動アーム１４は、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）１５によってピボットベアリング軸１６を中心にして角揺動可能であり、この軸１６に沿った方向にスタックされている。各駆動アーム１４の先端部には、ＨＧＡ１７が取り付けられている。各ＨＧＡ１７には、磁気ヘッドスライダ２１が、各磁気ディスク１０の表面に対向するように設けられている。磁気ディスクドライブ装置に、単数の磁気ディスク１０、駆動アーム１４及びＨＧＡ１７を設けるようにしても良い。
【００３１】
図２に示すように、ＨＧＡ１７は、サスペンション２０の先端部に、磁気ヘッド素子を有する薄膜磁気ヘッド（磁気ヘッドスライダ）２１を固着し、さらにその磁気ヘッドスライダ２１の端子電極に配線部材２５の一端を電気的に接続して構成される。
【００３２】
サスペンション２０は、磁気ヘッドスライダ２１に印加される荷重を発生するロードビーム２２と、このロードビーム２２上に固着され支持された弾性を有するフレクシャ２３と、ロードビーム２２の基部に設けられたベースプレート２４と、フレクシャ２３及びロードビーム２２上に設けられておりリード導体及びその両端に電気的に接続された接続パッドからなる配線部材２５とから主として構成されている。
【００３３】
本発明の磁気ヘッドアセンブリにおけるサスペンションの構造は、以上述べたＨＧＡの構造に限定されるものではないことは明らかである。なお、図示されていないが、サスペンション２０の途中にヘッド駆動用ＩＣチップを装着してもよい。
【００３４】
図３及び図４に示すように、本実施形態における磁気ヘッドスライダ２１は、互いに積層されたＭＲ読出しヘッド素子３０及びインダクティブ書込みヘッド素子３１からなる磁気ヘッド素子３２と、これらＭＲ読出しヘッド素子３０及びインダクティブ書込みヘッド素子３１にそれぞれ接続された４つの信号端子電極３３及び３４と、図３には示されていない２つの抵抗発熱体用の２つの駆動端子電極３５とを、磁気ヘッドスライダの浮上面（ＡＢＳ）３６を底面とした際の１つの側面である素子形成面３７上に備えている。２つの抵抗発熱体は互いに直列接続されており、その両端が２つの駆動端子電極３５に接続されている。なお、これらの端子電極の位置は、図３の形態に限定されるものではない。また、図３において端子電極は６つであるが、抵抗発熱体の一方の端を１つの駆動端子電極に接続し、他方の端をスライダ基板に接地して５つの端子電極とした形態であっても良い。
【００３５】
図５は本実施形態における磁気ヘッドスライダの構造を概略的に示す断面図であり、図４のＶ−Ｖ線断面を示している。図６は図３の磁気ヘッドスライダの磁気ヘッド素子部分及び抵抗発熱体部分の概略的な構成を示しており、（Ａ）は素子形成面側から見た図、（Ｂ）はＡＢＳ側から見た図である。なお、図を簡略化するため、図６（Ａ）におけるインダクティブヘッド素子のコイルは楕円で表されている。
【００３６】
これらの図において、５０は例えばアルティック（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）等から形成されたスライダ基板であり、このスライダ基板５０には、磁気ディスク表面に対向するＡＢＳ３６が形成されている。磁気ヘッドスライダ２１は、動作中、回転する磁気ディスク表面上を所定の浮上量で流体力学的に浮上する。このスライダ基板５０の素子形成面３７上に、ＭＲ読出しヘッド素子５１、第１の抵抗発熱体５２、インダクティブ書込みヘッド素子５３及び第２の抵抗発熱体５４が順次積層され、インダクティブ書込みヘッド素子５３の上に第２の抵抗発熱体５４を覆うように保護膜（オーバーコート膜）５５が形成されている。
【００３７】
スライダ基板５０上には、例えばＡｌ２Ｏ３等からなる厚さ０.０５〜１０μｍ程度の絶縁層５６が形成されており、この絶縁層５６上にＭＲ読出しヘッド素子５１が形成されている。
【００３８】
ＭＲ読出しヘッド素子５１は、ＭＲ積層体５１ａと、この積層体を挟む上下位置に配置されている下部シールド層５１ｂ及び上部シールド層５１ｃとを含んでいる。下部シールド層５１ｂ及び上部シールド層５１ｃは、各々が例えばＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ又はＦｅＺｒＮ等からなり、厚さは０.３〜３μｍ程度である。
【００３９】
ＭＲ積層体５１ａは、面内通電（ＣＩＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｉｎ Ｐｌａｉｎ））−巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）多層膜、垂直通電（ＣＰＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ ｔｏ Ｐｌａｉｎ））−ＧＭＲ多層膜、又はトンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ）多層膜からなり、非常に高い感度で磁気ディスクからの信号磁界を感受する。下部及び上部シールド層５１ｂ及び５１ｃは、ＭＲ積層体５１ａが雑音となる外部磁界を受けることを防止する。
【００４０】
ＭＲ積層体５１ａがＣＩＰ-ＧＭＲ多層膜である場合、下部及び上部シールド層５１ｂ及び５１ｃの各々とＭＲ積層体５１ａとの間に、絶縁用の下部シールドギャップ層５１ｄ及び上部シールドギャップ層５１ｅがそれぞれ設けられる。さらに、ＭＲ積層体５１ａにセンス電流を供給して再生出力を取り出すためのＭＲリード導体層５１ｆが設けられる。一方、ＭＲ積層体５１ａがＣＰＰ-ＧＭＲ多層膜又はＴＭＲ多層膜を含む場合、下部及び上部シールド層５１ｂ及び５１ｃはそれぞれ下部及び上部電極としても機能する。なお、ＭＲ積層体５１ａは、例えばＴＭＲ多層膜であれば、磁化固定層、トンネルバリア層及び磁化自由層が順次積層された積層構造となる。
【００４１】
ＭＲ読出しヘッド素子５１の上部シールド層５１ｃ上には、例えばＡｌ２Ｏ３等からなる厚さ０.１〜２.０μｍ程度の絶縁層５７が形成されている。この絶縁層５７上にインダクティブ書込みヘッド素子５３が形成されている。
【００４２】
インダクティブ書込みヘッド素子５３は、本実施形態においては、面内磁気記録型インダクティブ書込みヘッド素子であり、下部磁極層５３ａ、ギャップ層５３ｂ、コイル層５３ｃ、コイル層５３ｃを絶縁するためのレジスト層からなる第１及び第２のコイル絶縁層５３ｄ及び５３ｅ、並びに上部磁極層５３ｆを含んでいる。下部磁極層５３ａは、例えばＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ又はＦｅＺｒＮ等からなっており、厚さは０.３〜３μｍ程度である。この下部磁極層５３ａ上に、例えばＡｌ２Ｏ３又はＤＬＣ等からなる厚さ０.０１〜０.５μｍ程度のギャップ層５３ｂが形成されており、さらにギャップ層５３ｂ上に、例えば熱硬化されたレジスト層からなる厚さ０.１〜５μｍ程度の第１のコイル絶縁層５３ｄが形成されている。この第１のコイル絶縁層５３ｄ上に、例えばＣｕ等からなる厚さ０.５〜３μｍ程度のコイル層５３ｃが形成されており、さらに、このコイル層５３ｃを覆うように、例えば熱硬化されたレジスト層からなる厚さ０.１〜５μｍ程度の第２のコイル絶縁層５３ｅが形成されている。この第２のコイル絶縁層５３ｅを覆うように、例えばＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ又はＦｅＺｒＮ等からなる厚さ０.５〜５μｍ程度の上部磁極層５３ｆが形成されている。コイル層５３ｃは、１層でも２層以上でも良く、また、ヘリカルコイルでも良い。
【００４３】
下部磁極層５３ａ及び上部磁極層５３ｆは、コイル層５３ｃによって誘導された磁束の通路となっており、それらのＡＢＳ側の端部からの漏洩磁界によって面内磁気記録用の磁気ディスクに書込みが行なわれる。
【００４４】
なお、ＭＲ読出しヘッド素子５１及びインダクティブ書込みヘッド素子５３の磁気ディスク側の端面には、ＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）等による極薄のコーティング膜が形成されている。
【００４５】
インダクティブ書込みヘッド素子５３の上には、例えばＡｌ２Ｏ３等からなる保護膜５５が形成されている。
【００４６】
本実施形態においては、ＭＲ読出しヘッド素子５１の上部シールド層５１ｃとインダクティブ書込みヘッド素子５３の下部磁極層５３ａとの間に、絶縁層５７によって絶縁された第１の抵抗発熱体５２が形成されている。さらに、インダクティブ書込みヘッド素子５３の上方の保護膜５５内に、第２の抵抗発熱体５４が形成されている。
【００４７】
第１の抵抗発熱体５２及び／又は及び第２の抵抗発熱体５４は、例えば、図６（Ａ）に示すように、ストリップの中央部がＡＢＳ３６から離れる方向にコ字状に曲がったパターンを有するものであっても良いし、その他の形状、例えば、１ターン又はマルチターンの、丸でも角でもヘリカルのコイル形状でもあっても良い。ストリップ形状の場合、例えば、０.１〜５μｍ程度の厚さと、０.１〜２０.０μｍ程度のトラック幅方向の幅を有しており、例えば、ＮｉＣｕを含む材料から形成される。ここで、ＮｉＣｕにおけるＮｉの含有割合は、例えば、約１５〜約６０原子％であり、好ましくは２５〜４５原子％である。また、このＮｉＣｕに対する添加物として、Ｔａ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｓｉ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ及びＨｆのうち、少なくとも１つの元素が含まれていてもよい。これらの添加物の含有割合は、５原子％以下であることが好ましい。また、第１の抵抗発熱体５２及び／又は及び第２の抵抗発熱体５４を、例えば、ＮｉＣｒを含む材料で形成しても良い。この場合、ＮｉＣｒにおけるＮｉの含有割合は、例えば、約５５〜約９０原子％であり、好ましくは７０〜８５原子％である。また、このＮｉＣｒに対する添加物として、Ｔａ、Ａｌ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｓｉ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ及びＨｆのうち、少なくとも１つの元素が含まれていてもよい。これらの添加物の含有割合は、５原子％以下であることが好ましい。さらに、第１の抵抗発熱体５２及び／又は及び第２の抵抗発熱体５４を、例えば、Ｔａ単体又はＴａを含む材料から形成しても良い。ここで、Ｔａに対する添加物として、Ａｌ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｓｉ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｚｒ及びＨｆのうち、少なくとも１つの元素が含まれていてもよい。これらの添加物の含有割合は、５原子％以下であることが好ましい。
【００４８】
第１の抵抗発熱体５２は第２の抵抗発熱体５４より抵抗値が大きな値、ここでは約９倍に設定されている。ただし、この９倍という数値に必ずしも限定されるものではなく、第１の抵抗発熱体５２の抵抗値が第２の抵抗発熱体５４の抵抗値より大きければ良い。このように抵抗値を異ならせるためには、同じ形状及び同じ膜厚であるが、電気伝導度（抵抗率）の異なる材料で構成するか、同じ膜厚及び同じ材料であるが、形状、例えば長さや幅、を異ならせて構成するか、又は同じ形状及び同じ材料であるが、膜厚を異ならせて構成すれば良い。
【００４９】
これら第１及び第２の抵抗発熱体５２及び５４は、リード導体５８によって２つの駆動端子電極３５間に互いに直列に接続されている。リード導体５８は、Ｃｕ等の良導体から形成されているが、第１及び第２の抵抗発熱体５２及び５４と同じ材料で形成されても良い。
【００５０】
第１及び第２の抵抗発熱体５２及び５４を流れる電流によって、ジュール熱が発生し、これらを取り囲む絶縁層５７及び保護膜５５が自ら膨張してＭＲ読出しヘッド素子５１及びインダクティブ書込みヘッド素子５３部分並びに保護膜５５部分を所望の突出プロファイルで磁気ディスク方向に突出させる。
【００５１】
図７は、図１に示したＨＤＤの記録再生及び電流制御回路１３の回路構成を示すブロック図である。
【００５２】
同図において、７０は記録再生回路、７１は電流制御回路、７２はＣＰＵをそれぞれ示している。記録再生回路７０は、記録再生チャネル７０ａと、プリアンプ部７０ｂとを有している。電流制御回路７１は、レジスタ７１ａと、Ｄ／Ａ変換器７１ｂと、電流制御部７１ｃとを有している。
【００５３】
記録再生チャネル７０ａから出力される記録データは、プリアンプ部７０ｂに供給される。プリアンプ部７０ｂは、ＣＰＵ７２から出力された記録制御信号をライトゲート７０ｂ１で受け取り、この記録制御信号が書込み動作を指示するときのみ、記録データに従った書込み電流をインダクティブ書込みヘッド素子５３のコイル層５３ｃに流し、これによって磁気ディスク上に記録が行なわれる。
【００５４】
また、ＣＰＵ７２から出力されてリードゲート７０ｂ２で受け取られた再生制御信号が読み出し動作を指示するときのみ、プリアンプ部７０ｂからＭＲ読出しヘッド素子５１のＭＲ積層体５１ａにセンス電流が流れる。ＭＲ読出しヘッド素子５１から出力され、出力安定化のためのオートゲインコントローラ（ＡＧＣ）７０ｂ３を介してプリアンプ部７０ｂに入力された再生信号は、増幅復調されて再生データとなり、記録再生チャネル７０ａに送られる。
【００５５】
電流制御回路７１の電流制御部７１ｃは、記録再生チャネル７０ａから出力される抵抗発熱体ＯＮ／ＯＦＦ信号と、ＣＰＵ７２からレジスタ７１ａ及びＤ／Ａ変換器７１ｂを介して出力される電流値制御信号とを受け取る。この抵抗発熱体ＯＮ／ＯＦＦ信号がオン動作指示である場合、互いに直列接続された第１及び第２の抵抗発熱体５２及び５４に駆動電流が流れる。その電流値は、電流値制御信号に応じた値に制御される。
【００５６】
このように、記録再生回路７０とは独立して、電流制御回路７１を設けることによって、より多様な通電モードを用いることが可能となる。さらに、ＣＰＵ７２は、電流制御回路７１と記録再生回路７０とを制御しているので、読出し及び／又は書込み動作とタイミングを合わせて第１及び第２の抵抗発熱体５２及び５４へ通電することが可能となる。
【００５７】
記録再生及び電流制御回路１３の回路構成は、図７に示したものに限定されるものでないことは明らかである。記録再生制御信号以外の信号で書込み及び読出し動作を特定してもよい。
【００５８】
本実施形態において、重要なポイントは、第１の抵抗発熱体５２の抵抗値が第２の抵抗発熱体５４の抵抗値より大きな値、ここでは約９倍の抵抗値に設定されている点にある。即ち、ＭＲ読出しヘッド素子５１の上部シールド層５１ｃとインダクティブ書込みヘッド素子５３の下部磁極層５３ａとの間に設けられた第１の抵抗発熱体５２と、インダクティブ書込みヘッド素子５３の上方の保護膜５５内に設けられた第２の抵抗発熱体５４とが互いに直列接続されており、かつ、第１の抵抗発熱体５２の抵抗値が第２の抵抗発熱体５４の抵抗値より大きな値、例えば約９倍の抵抗値となっている。これにより、第１の抵抗発熱体５２には第２の抵抗発熱体５４より大きな電力、例えば約９倍の電力が印加されることとなる。ただし、この９倍という数値に必ずしも限定されるものではない。
【００５９】
第２の抵抗発熱体５４が設けられている保護膜５５は、Ａｌ２Ｏ３等で形成されているため、この部分の熱伝導率は低く、熱膨張効率（印加される電力に対する熱膨張量又は突出量の比率）が高い。一方、第１の抵抗発熱体５２が設けられているＭＲ読出しヘッド素子５１及びインダクティブ書込みヘッド素子５３部分は、磁性体層やスライダ基板等が設けられているため、この部分の熱伝導率は高く、熱膨張効率が低い。また、第２の抵抗発熱体５４はインダクティブ書込みヘッド素子５３のレジスト層５３ｅ及び５３ｆより上方に位置しており、第１の抵抗発熱体５２はインダクティブ書込みヘッド素子５３のレジスト層５３ｅ及び５３ｆより下方に位置している。レジスト層は熱伝導率が非常に低く、この部分で熱の伝導がほぼ遮断されると考えられる。
【００６０】
従って、本実施形態のごとく、第１の抵抗発熱体５２に、より大きな電力、例えば第２の抵抗発熱体５４の約９倍の電力を印加することによって、レジスト層より下方の部分の発熱量を増大させて突出量を増やし、所望の突出プロファイルが得られるようにしている。ただし、この９倍という数値に必ずしも限定されるものではなく、第１の抵抗発熱体５２の抵抗値が第２の抵抗発熱体５４の抵抗値より大きければ良い。
【００６１】
図８は２つの従来技術及び本実施形態の薄膜磁気ヘッドにおける突出プロファイル特性を説明する図である。同図（Ａ）の横軸はスライダ基板の表面からの距離（μｍ）を表しており各位置は同図（Ｂ）に断面図の各位置に対応している。また、同図（Ａ）の縦軸は１００ｍＷの電力を印加した際の突出量（ｎｍ）を表している。従来技術１は本実施形態における第１の抵抗発熱体５２の位置にのみ発熱抵抗体を設け、この１つの抵抗発熱体に１００ｍＷの電力を印加した場合、従来技術２は本実施形態における第２の抵抗発熱体５４の位置にのみ発熱抵抗体を設け、この１つの抵抗発熱体に１００ｍＷの電力を印加した場合である。前述の説明の通り、本実施形態では、第２の抵抗発熱体５４の抵抗値の約９倍の抵抗値を有する第１の抵抗発熱体５２と、この第２の抵抗発熱体５４とを直列接続し、その両端に１００ｍＷの電力を印加している。
【００６２】
同図（Ａ）から分かるように、従来技術１の構成では、ＭＲ読出しヘッド素子及びインダクティブ書込みヘッド素子の部分が最も突出量が大きいため、この部分が磁気ディスク表面に衝突し損傷を受ける可能性が高く、信頼性が低い。一方、従来技術２の構成では、保護膜の部分のみが著しく突出し、ＭＲ読出しヘッド素子及びインダクティブ書込みヘッド素子の部分の突出量が少ないため、マグネティックスペーシングを小さくすることができない。これに対して、本実施形態によれば、所望の突出プロファイルが得られるので、マグネティックスペーシングを小さくしつつ素子部分が磁気ディスクに衝突して損傷を受けて信頼性を損なうような不都合を防止することができる。即ち、本実施形態によれば、保護膜部分の突出量が最も大きくなるので磁気ディスク表面にたとえ衝突してもこの部分であるから素子部分が損傷を受けることはなく、しかも、保護膜部分の突出量が従来技術２ほどは大きい値とならずかつＭＲ読出しヘッド素子やインダクティブ書込みヘッド素子部分も従来技術１と同等に突出するので、マグネティックスペーシングを小さくすることができる。
【００６３】
図９及び図１０は、従来技術１、従来技術２及び本実施形態とそれぞれ同様の構造であるがＭＲ読出しヘッド素子及びインダクティブ書込みヘッド素子の位置等が異なる薄膜磁気ヘッドにおける突出プロファイル特性を説明する図である。これらの図において、横軸はスライダ基板の表面からの距離（μｍ）を表しており、縦軸は最大値が一致するように規格化した突出量（ｎｍ）をそれぞれ表している。図８と同様に、従来技術１は本実施形態における第１の抵抗発熱体５２の位置にのみ発熱抵抗体を設けた場合、従来技術２は本実施形態における第２の抵抗発熱体５４の位置にのみ発熱抵抗体を設けた場合である。図９及び図１０の本実施形態の特性において、第１の抵抗発熱体に印加される電力が第２の抵抗発熱体に印加される電力の約９倍となっている。
【００６４】
これらの図によっても、本実施形態によれば、保護膜部分の突出量が最も大きくなるがその量はさほどではなく、しかも、ＭＲ読出しヘッド素子やインダクティブ書込みヘッド素子部分も充分に突出するので、信頼性を確保しつつマグネティックスペーシングを小さくできることが分かる。
【００６５】
さらに、本実施形態によれば、第１及び第２の抵抗発熱体５２及び５４を互いに直列接続しているので、磁気ヘッドスライダ２１の素子形成面３７に形成される駆動端子電極３５の数を２つ又は１つと最小限にすることができる。
【００６６】
図１１は、図１の実施形態の変更態様におけるＨＤＤの記録再生及び電流制御回路の回路構成を示すブロック図である。
【００６７】
本変更態様においては、第１の抵抗発熱体１１２は第２の抵抗発熱体１１４より抵抗値が小さな値、例えば約１／９倍に設定されている。さらに、これら第１及び第２の抵抗発熱体１１２及び１１４は、２つの駆動端子電極３５間に互いに並列に接続されている。本変更態様におけるその他の構成は、図１に関連して述べた実施形態の場合と全く同様である。従って、図１１において、図７に示すものと同様の構成要素には同じ参照番号が付されている。
【００６８】
第１の抵抗発熱体１１２及び第２の抵抗発熱体１１４が互いに並列接続されているため、本変更態様においても、第１の抵抗発熱体１１２には第２の抵抗発熱体１１４より大きな電力、ここでは約９倍の電力が印加されることとなる。ただし、この９倍という数値に必ずしも限定されるものではなく、第１の抵抗発熱体１１２の抵抗値が第２の抵抗発熱体１１４の抵抗値より大きければ良い。
【００６９】
このように、第１の抵抗発熱体１１２に、より大きな電力、例えば第２の抵抗発熱体１１４の約９倍の電力を印加することによって、レジスト層より下方の部分の発熱量を増大させて突出量を増やし、所望の突出プロファイルが得られることとなる。
【００７０】
図１２は本発明の他の実施形態における磁気ヘッドスライダの構造を概略的に示す断面図である。
【００７１】
本実施形態においては、第１の抵抗発熱体１２２の形成位置が図１の実施形態の場合と異なっているが、本実施形態におけるその他の構成は、図１に関連して述べた実施形態の場合と全く同様である。従って、図１２において、図５に示すものと同様の構成要素には同じ参照番号が付されている。
【００７２】
図１２において、５０は例えばアルティック（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）等から形成されたスライダ基板であり、このスライダ基板５０には、磁気ディスク表面に対向するＡＢＳ３６が形成されている。磁気ヘッドスライダ２１は、動作中、回転する磁気ディスク表面上を所定の浮上量で流体力学的に浮上する。このスライダ基板５０の素子形成面３７上に、ＭＲ読出しヘッド素子５１、第１の抵抗発熱体１２２、インダクティブ書込みヘッド素子１２３及び第２の抵抗発熱体５４が順次積層され、インダクティブ書込みヘッド素子１２３の上に第２の抵抗発熱体５４を覆うように保護膜（オーバーコート膜）５５が形成されている。
【００７３】
スライダ基板５０上には、例えばＡｌ２Ｏ３等からなる厚さ０.０５〜１０μｍ程度の絶縁層５６が形成されており、この絶縁層５６上にＭＲ読出しヘッド素子５１が形成されている。
【００７４】
ＭＲ読出しヘッド素子５１は、ＭＲ積層体５１ａと、この積層体を挟む上下位置に配置されている下部シールド層５１ｂ及び上部シールド層５１ｃとを含んでいる。下部シールド層５１ｂ及び上部シールド層５１ｃは、各々が例えばＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ又はＦｅＺｒＮ等からなり、厚さは０.３〜３μｍ程度である。
【００７５】
ＭＲ積層体５１ａは、ＣＩＰ−ＧＭＲ多層膜、ＣＰＰ−ＧＭＲ多層膜、又はＴＭＲ多層膜からなり、非常に高い感度で磁気ディスクからの信号磁界を感受する。下部及び上部シールド層５１ｂ及び５１ｃは、ＭＲ積層体５１ａが雑音となる外部磁界を受けることを防止する。
【００７６】
ＭＲ積層体５１ａがＣＩＰ-ＧＭＲ多層膜である場合、下部及び上部シールド層５１ｂ及び５１ｃの各々とＭＲ積層体５１ａとの間に、絶縁用の下部シールドギャップ層５１ｄ及び上部シールドギャップ層５１ｅがそれぞれ設けられる。さらに、ＭＲ積層体５１ａにセンス電流を供給して再生出力を取り出すためのＭＲリード導体層５１ｆが設けられる。一方、ＭＲ積層体５１ａがＣＰＰ−ＧＭＲ多層膜又はＴＭＲ多層膜を含む場合、下部及び上部シールド層５１ｂ及び５１ｃはそれぞれ下部及び上部電極としても機能する。なお、ＭＲ積層体５１ａは、例えばＴＭＲ多層膜であれば、磁化固定層、トンネルバリア層及び磁化自由層が順次積層された積層構造となる。
【００７７】
ＭＲ読出しヘッド素子５１の上部シールド層５１ｃ上には、例えばＡｌ２Ｏ３等からなる厚さ０.１〜２.０μｍ程度の絶縁層５７が形成されている。この絶縁層５７上にインダクティブ書込みヘッド素子１２３が形成されている。
【００７８】
インダクティブ書込みヘッド素子１２３は、本実施形態においては、面内磁気記録型インダクティブ書込みヘッド素子であり、下部磁極層１２３ａ、ギャップ層１２３ｂ、コイル層１２３ｃ、コイル層１２３ｃを絶縁するためのレジスト層からなる第１及び第２のコイル絶縁層１２３ｄ及び１２３ｅ、並びに上部磁極層１２３ｆを含んでいる。下部磁極層１２３ａは、例えばＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ又はＦｅＺｒＮ等からなっており、厚さは０.３〜３μｍ程度である。この下部磁極層１２３ａ上に、例えばＡｌ２Ｏ３又はＤＬＣ等からなる厚さ０.０１〜０.５μｍ程度のギャップ層１２３ｂが形成されており、さらにギャップ層１２３ｂ上に、例えば熱硬化されたレジスト層からなる厚さ０.１〜５μｍ程度の第１のコイル絶縁層１２３ｄが形成されている。この第１のコイル絶縁層１２３ｄ上に、例えばＣｕ等からなる厚さ０.５〜３μｍ程度のコイル層１２３ｃが形成されており、さらに、このコイル層１２３ｃを覆うように、例えば熱硬化されたレジスト層からなる厚さ０.１〜５μｍ程度の第２のコイル絶縁層１２３ｅが形成されている。この第２のコイル絶縁層１２３ｅを覆うように、例えばＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ又はＦｅＺｒＮ等からなる厚さ０.５〜５μｍ程度の上部磁極層１２３ｆが形成されている。コイル層１２３ｃは、１層でも２層以上でも良く、また、ヘリカルコイルでも良い。
【００７９】
下部磁極層１２３ａ及び上部磁極層１２３ｆは、コイル層１２３ｃによって誘導された磁束の通路となっており、それらのＡＢＳ側の端部からの漏洩磁界によって面内磁気記録用の磁気ディスクに書込みが行なわれる。
【００８０】
なお、ＭＲ読出しヘッド素子５１及びインダクティブ書込みヘッド素子１２３の磁気ディスク側の端面には、ＤＬＣ等による極薄のコーティング膜が形成されている。
【００８１】
インダクティブ書込みヘッド素子１２３の上には、例えばＡｌ２Ｏ３等からなる保護膜５５が形成されている。
【００８２】
本実施形態においては、インダクティブ書込みヘッド素子１２３の下部磁極層１２３ａと第１のコイル絶縁層１２３ｄとの間に、この第１のコイル絶縁層１２３ｄ及びギャップ層１２３ｂによって絶縁された第１の抵抗発熱体１２２が形成されている。さらに、インダクティブ書込みヘッド素子１２３の上方の保護膜５５内に、第２の抵抗発熱体５４が形成されている。
【００８３】
第１の抵抗発熱体１２２及び／又は及び第２の抵抗発熱体５４の形状及び構成材料並びに変更態様等は、図１の実施形態の場合と同様である。
【００８４】
第１の抵抗発熱体１２２は第２の抵抗発熱体５４より抵抗値が大きな値、ここでは約９倍に設定されている。ただし、この９倍という数値に必ずしも限定されるものではなく、第１の抵抗発熱体１２２の抵抗値が第２の抵抗発熱体５４の抵抗値より大きければ良い。このように抵抗値を異ならせるためには、同じ形状及び同じ膜厚であるが、電気伝導度（抵抗率）の異なる材料で構成するか、同じ膜厚及び同じ材料であるが、形状、例えば長さや幅、を異ならせて構成するか、又は同じ形状及び同じ材料であるが、膜厚を異ならせて構成すれば良い。
【００８５】
これら第１及び第２の抵抗発熱体１２２及び５４は、２つの駆動端子電極３５間に互いに直列に接続されている。これら第１及び第２の抵抗発熱体１２２及び５４を流れる電流によって、ジュール熱が発生し、これらを取り囲む第１のコイル絶縁層１２３ｄ及びギャップ層１２３ｂ並びに保護膜５５が自ら膨張してＭＲ読出しヘッド素子５１及びインダクティブ書込みヘッド素子１２３部分並びに保護膜５５部分を所望の突出プロファイルで磁気ディスク方向に突出させる。
【００８６】
なお、本実施形態の変更態様として、図１１に示すように、第１の抵抗発熱体の抵抗値を第２の抵抗発熱体の抵抗値より小さな値とし、かつこれら第１の抵抗発熱体と第２の抵抗発熱体とを互いに並列接続しても良いことは明らかである。
【００８７】
図１３は本発明のさらに他の実施形態における磁気ヘッドスライダの構造を概略的に示す断面図である。
【００８８】
本実施形態においては、第１の抵抗発熱体１２２の形成位置が図１の実施形態の場合と異なっているが、本実施形態におけるその他の構成は、図１に関連して述べた実施形態の場合と全く同様である。従って、図１３において、図５に示すものと同様の構成要素には同じ参照番号が付されている。
【００８９】
図１３において、５０は例えばアルティック（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）等から形成されたスライダ基板であり、このスライダ基板５０には、磁気ディスク表面に対向するＡＢＳ３６が形成されている。磁気ヘッドスライダ２１は、動作中、回転する磁気ディスク表面上を所定の浮上量で流体力学的に浮上する。このスライダ基板５０の素子形成面３７上に、第１の抵抗発熱体１３２、ＭＲ読出しヘッド素子５１、インダクティブ書込みヘッド素子５３及び第２の抵抗発熱体５４が順次積層され、インダクティブ書込みヘッド素子５３の上に第２の抵抗発熱体５４を覆うように保護膜（オーバーコート膜）５５が形成されている。
【００９０】
スライダ基板５０上には、例えばＡｌ２Ｏ３等からなる厚さ０.０５〜１０μｍ程度の絶縁層１３６が形成されており、この絶縁層１３６上にＭＲ読出しヘッド素子５１が形成されている。
【００９１】
ＭＲ読出しヘッド素子５１は、ＭＲ積層体５１ａと、この積層体を挟む上下位置に配置されている下部シールド層５１ｂ及び上部シールド層５１ｃとを含んでいる。下部シールド層５１ｂ及び上部シールド層５１ｃは、各々が例えばＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ又はＦｅＺｒＮ等からなり、厚さは０.３〜３μｍ程度である。
【００９２】
ＭＲ積層体５１ａは、ＣＩＰ−ＧＭＲ多層膜、ＣＰＰ−ＧＭＲ多層膜、又はＴＭＲ多層膜からなり、非常に高い感度で磁気ディスクからの信号磁界を感受する。下部及び上部シールド層５１ｂ及び５１ｃは、ＭＲ積層体５１ａが雑音となる外部磁界を受けることを防止する。
【００９３】
ＭＲ積層体５１ａがＣＩＰ-ＧＭＲ多層膜である場合、下部及び上部シールド層５１ｂ及び５１ｃの各々とＭＲ積層体５１ａとの間に、絶縁用の下部シールドギャップ層５１ｄ及び上部シールドギャップ層５１ｅがそれぞれ設けられる。さらに、ＭＲ積層体５１ａにセンス電流を供給して再生出力を取り出すためのＭＲリード導体層５１ｆが設けられる。一方、ＭＲ積層体５１ａがＣＰＰ−ＧＭＲ多層膜又はＴＭＲ多層膜を含む場合、下部及び上部シールド層５１ｂ及び５１ｃはそれぞれ下部及び上部電極としても機能する。なお、ＭＲ積層体５１ａは、例えばＴＭＲ多層膜であれば、磁化固定層、トンネルバリア層及び磁化自由層が順次積層された積層構造となる。
【００９４】
ＭＲ読出しヘッド素子５１の上部シールド層５１ｃ上には、例えばＡｌ２Ｏ３等からなる厚さ０.１〜２.０μｍ程度の絶縁層５７が形成されている。この絶縁層５７上にインダクティブ書込みヘッド素子５３が形成されている。
【００９５】
インダクティブ書込みヘッド素子５３は、本実施形態においては、面内磁気記録型インダクティブ書込みヘッド素子であり、下部磁極層５３ａ、ギャップ層５３ｂ、コイル層５３ｃ、コイル層５３ｃを絶縁するためのレジスト層からなる第１及び第２のコイル絶縁層５３ｄ及び５３ｅ、並びに上部磁極層５３ｆを含んでいる。下部磁極層５３ａは、例えばＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ又はＦｅＺｒＮ等からなっており、厚さは０.３〜３μｍ程度である。この下部磁極層５３ａ上に、例えばＡｌ２Ｏ３又はＤＬＣ等からなる厚さ０.０１〜０.５μｍ程度のギャップ層５３ｂが形成されており、さらにギャップ層５３ｂ上に、例えば熱硬化されたレジスト層からなる厚さ０.１〜５μｍ程度の第１のコイル絶縁層５３ｄが形成されている。この第１のコイル絶縁層５３ｄ上に、例えばＣｕ等からなる厚さ０.５〜３μｍ程度のコイル層５３ｃが形成されており、さらに、このコイル層５３ｃを覆うように、例えば熱硬化されたレジスト層からなる厚さ０.１〜５μｍ程度の第２のコイル絶縁層５３ｅが形成されている。この第２のコイル絶縁層５３ｅを覆うように、例えばＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ又はＦｅＺｒＮ等からなる厚さ０.５〜５μｍ程度の上部磁極層５３ｆが形成されている。コイル層５３ｃは、１層でも２層以上でも良く、また、ヘリカルコイルでも良い。
【００９６】
下部磁極層５３ａ及び上部磁極層５３ｆは、コイル層５３ｃによって誘導された磁束の通路となっており、それらのＡＢＳ側の端部からの漏洩磁界によって面内磁気記録用の磁気ディスクに書込みが行なわれる。
【００９７】
なお、ＭＲ読出しヘッド素子５１及びインダクティブ書込みヘッド素子５３の磁気ディスク側の端面には、ＤＬＣ等による極薄のコーティング膜が形成されている。
【００９８】
インダクティブ書込みヘッド素子５３の上には、例えばＡｌ２Ｏ３等からなる保護膜５５が形成されている。
【００９９】
本実施形態においては、スライダ基板５０とＭＲ読出しヘッド素子５１との間の絶縁層１３６内に、この絶縁層１３６によって絶縁された第１の抵抗発熱体１３２が形成されている。さらに、インダクティブ書込みヘッド素子５３の上方の保護膜５５内に、第２の抵抗発熱体５４が形成されている。
【０１００】
第１の抵抗発熱体１３２及び／又は及び第２の抵抗発熱体５４の形状及び構成材料並びに変更態様等は、図１の実施形態の場合と同様である。
【０１０１】
第１の抵抗発熱体１３２は第２の抵抗発熱体５４より抵抗値が大きな値、ここでは約９倍に設定されている。ただし、この９倍という数値に必ずしも限定されるものではなく、第１の抵抗発熱体１３２の抵抗値が第２の抵抗発熱体５４の抵抗値より大きければ良い。このように抵抗値を異ならせるためには、同じ形状及び同じ膜厚であるが、電気伝導度（抵抗率）の異なる材料で構成するか、同じ膜厚及び同じ材料であるが、形状、例えば長さや幅、を異ならせて構成するか、又は同じ形状及び同じ材料であるが、膜厚を異ならせて構成すれば良い。
【０１０２】
これら第１及び第２の抵抗発熱体１３２及び５４は、２つの駆動端子電極３５間に互いに直列に接続されている。これら第１及び第２の抵抗発熱体１３２及び５４を流れる電流によって、ジュール熱が発生し、これらを取り囲む絶縁層１３６及び保護膜５５が自ら膨張してＭＲ読出しヘッド素子５１及びインダクティブ書込みヘッド素子５３部分並びに保護膜５５部分を所望の突出プロファイルで磁気ディスク方向に突出させる。
【０１０３】
なお、本実施形態の変更態様として、図１１に示すように、第１の抵抗発熱体の抵抗値を第２の抵抗発熱体の抵抗値より小さな値とし、かつこれら第１の抵抗発熱体と第２の抵抗発熱体とを互いに並列接続しても良いことは明らかである。
【０１０４】
図１４は本発明のまたさらに他の実施形態における磁気ヘッドスライダの構造を概略的に示す断面図である。
【０１０５】
本実施形態においては、インダクティブ書込みヘッド素子の構造が図１の実施形態の場合と異なっているが、本実施形態におけるその他の構成は、図１に関連して述べた実施形態の場合と全く同様である。従って、図１４において、図５に示すものと同様の構成要素には同じ参照番号が付されている。
【０１０６】
図１４において、５０は例えばアルティック（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）等から形成されたスライダ基板であり、このスライダ基板５０には、磁気ディスク表面に対向するＡＢＳ３６が形成されている。磁気ヘッドスライダ２１は、動作中、回転する磁気ディスク表面上を所定の浮上量で流体力学的に浮上する。このスライダ基板５０の素子形成面３７上に、ＭＲ読出しヘッド素子５１、第１の抵抗発熱体１４２、インダクティブ書込みヘッド素子１４３及び第２の抵抗発熱体５４が順次積層され、インダクティブ書込みヘッド素子１４３の上に第２の抵抗発熱体５４を覆うように保護膜（オーバーコート膜）５５が形成されている。
【０１０７】
スライダ基板５０上には、例えばＡｌ２Ｏ３等からなる厚さ０.０５〜１０μｍ程度の絶縁層５６が形成されており、この絶縁層５６上にＭＲ読出しヘッド素子５１が形成されている。
【０１０８】
ＭＲ読出しヘッド素子５１は、ＭＲ積層体５１ａと、この積層体を挟む上下位置に配置されている下部シールド層５１ｂ及び上部シールド層５１ｃとを含んでいる。下部シールド層５１ｂ及び上部シールド層５１ｃは、各々が例えばＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ又はＦｅＺｒＮ等からなり、厚さは０.３〜３μｍ程度である。
【０１０９】
ＭＲ積層体５１ａは、ＣＩＰ−ＧＭＲ多層膜、ＣＰＰ−ＧＭＲ多層膜、又はＴＭＲ多層膜からなり、非常に高い感度で磁気ディスクからの信号磁界を感受する。下部及び上部シールド層５１ｂ及び５１ｃは、ＭＲ積層体５１ａが雑音となる外部磁界を受けることを防止する。
【０１１０】
ＭＲ積層体５１ａがＣＩＰ-ＧＭＲ多層膜である場合、下部及び上部シールド層５１ｂ及び５１ｃの各々とＭＲ積層体５１ａとの間に、絶縁用の下部シールドギャップ層５１ｄ及び上部シールドギャップ層５１ｅがそれぞれ設けられる。さらに、ＭＲ積層体５１ａにセンス電流を供給して再生出力を取り出すためのＭＲリード導体層５１ｆが設けられる。一方、ＭＲ積層体５１ａがＣＰＰ−ＧＭＲ多層膜又はＴＭＲ多層膜を含む場合、下部及び上部シールド層５１ｂ及び５１ｃはそれぞれ下部及び上部電極としても機能する。なお、ＭＲ積層体５１ａは、例えばＴＭＲ多層膜であれば、磁化固定層、トンネルバリア層及び磁化自由層が順次積層された積層構造となる。
【０１１１】
ＭＲ読出しヘッド素子５１の上部シールド層５１ｃ上には、例えばＡｌ２Ｏ３等からなる厚さ０.１〜２.０μｍ程度の絶縁層１４７が形成されている。この絶縁層１４７上に例えばＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ又はＦｅＺｒＮ等からなる素子間シールド層１４８が形成されており、その上に例えばＡｌ２Ｏ３等からなる厚さ０.１〜５.０μｍ程度の絶縁層１４９を介してインダクティブ書込みヘッド素子１４３が形成されている。
【０１１２】
インダクティブ書込みヘッド素子１４３は、本実施形態においては、垂直磁気記録型インダクティブ書込みヘッド素子であり、主磁極層１４３ａ、補助磁極層１４３ｂ及びコイル層１４３ｃを含んでいる。主磁極層１４３ａは、例えばＮｉ、Ｆｅ及びＣｏのうちいずれか２つ若しくは３つからなる合金、又はこれらを主成分として所定の元素が添加された合金等からなる厚さ０.０１〜０.５μｍ程度の主磁極主要層１４３ａ１と、例えばＮｉ、Ｆｅ及びＣｏのうちいずれか２つ若しくは３つからなる合金、又はこれらを主成分として所定の元素が添加された合金等からなる厚さ０.１〜３μｍ程度の主磁極補助層１４３ａ２とから構成されている。この主磁極層１４３ａは、コイル層１４３ｃによって誘導された磁束を、書込みがなされる磁気ディスクの垂直磁気記録層まで収束させながら導くための磁路である。主磁極補助層１４３ａ上には、例えばＡｌ２Ｏ３又はＤＬＣ等からなる厚さ０.００１〜０.５μｍ程度のギャップ層１４３ｄが形成されており、さらにギャップ層１４３ｄ上に、例えば熱硬化されたレジスト層からなる厚さ０.１〜５μｍ程度の第１のコイル絶縁層１４３ｅが形成されている。この第１のコイル絶縁層１４３ｅ上に、例えばＣｕ等からなる厚さ０.５〜３μｍ程度のコイル層１４３ｃが形成されており、さらに、このコイル層１４３ｃを覆うように、例えば熱硬化されたレジスト層からなる厚さ０.１〜５μｍ程度の第２のコイル絶縁層１４３ｆが形成されている。第２のコイル絶縁層１４３ｆを覆うように、例えばＮｉ、Ｆｅ及びＣｏのうちいずれか２つ若しくは３つからなる合金、又はこれらを主成分として所定の元素が添加された合金等からなる厚さ約０.１〜０．５μｍ程度の補助磁極層１４３ｂが形成されている。コイル層１４３ｃは、１層でも２層以上でも良く、また、ヘリカルコイルでも良い。また、絶縁層１４９中に反対方向に電流を流すコイルを持ったダブルコイル構造としても良い。
【０１１３】
主磁極層１４３ａの磁気ディスクに対向する端面における層厚方向の長さ（厚さ）は、その主磁極主要層１４３ａ１のみの層厚に相当しており小さくなっており、これによって、高記録密度化に対応した微細な書込み磁界を発生させることができる。また、補助磁極層１４３ｂの磁気ディスクに対向する端部は、この補助磁極層１４３ｂの他の部分よりも層断面が広いトレーリングシールド部１４３ｂ１となっている。トレーリングシールド部１４３ｂ１を設けることによって、このトレーリングシールド部１４３ｂ１と主磁極層１４３ａとの間において磁界勾配がより急峻になり、信号出力のジッタが小さくなって読み出し時のエラーレートを小さくすることができる。
【０１１４】
なお、ＭＲ読出しヘッド素子５１及びインダクティブ書込みヘッド素子１４３の磁気ディスク側の端面には、ＤＬＣ等による極薄のコーティング膜が形成されている。
【０１１５】
インダクティブ書込みヘッド素子１４３の上には、例えばＡｌ２Ｏ３等からなる保護膜５５が形成されている。
【０１１６】
本実施形態においては、ＭＲ読出しヘッド素子５１の上部シールド層５１ｃと素子間シールド層１４８との間に、絶縁層１４７によって絶縁された第１の抵抗発熱体１４２が形成されている。さらに、インダクティブ書込みヘッド素子１４３の上方の保護膜５５内に、第２の抵抗発熱体５４が形成されている。
【０１１７】
第１の抵抗発熱体１４２及び／又は及び第２の抵抗発熱体５４の形状及び構成材料並びに変更態様等は、図１の実施形態の場合と同様である。
【０１１８】
第１の抵抗発熱体１４２は第２の抵抗発熱体５４より抵抗値が大きな値、ここでは約９倍に設定されている。ただし、この９倍という数値に必ずしも限定されるものではなく、第１の抵抗発熱体１４２の抵抗値が第２の抵抗発熱体５４の抵抗値より大きければ良い。このように抵抗値を異ならせるためには、同じ形状及び同じ膜厚であるが、電気伝導度（抵抗率）の異なる材料で構成するか、同じ膜厚及び同じ材料であるが、形状、例えば長さや幅、を異ならせて構成するか、又は同じ形状及び同じ材料であるが、膜厚を異ならせて構成すれば良い。
【０１１９】
これら第１及び第２の抵抗発熱体１４２及び５４は、２つの駆動端子電極３５間に互いに直列に接続されている。これら第１及び第２の抵抗発熱体１４２及び５４を流れる電流によって、ジュール熱が発生し、これらを取り囲む絶縁層１４７及び保護膜５５が自ら膨張してＭＲ読出しヘッド素子５１及びインダクティブ書込みヘッド素子１４３部分並びに保護膜５５部分を所望の突出プロファイルで磁気ディスク方向に突出させる。
【０１２０】
なお、本実施形態の変更態様として、図１１に示すように、第１の抵抗発熱体の抵抗値を第２の抵抗発熱体の抵抗値より小さな値とし、かつこれら第１の抵抗発熱体と第２の抵抗発熱体とを互いに並列接続しても良いことは明らかである。
【０１２１】
図１５及び図１６は、従来技術１、従来技術２及び本実施形態とそれぞれ同様の構造であるがＭＲ読出しヘッド素子及びインダクティブ書込みヘッド素子の位置等が異なる薄膜磁気ヘッドにおける突出プロファイル特性を説明する図である。これらの図において、横軸はスライダ基板の表面からの距離（μｍ）を表しており、縦軸は最大値が一致するように規格化した突出量（ｎｍ）をそれぞれ表している。従来技術１は本実施形態における第１の抵抗発熱体１４２の位置にのみ発熱抵抗体を設けた場合、従来技術２は本実施形態における第２の抵抗発熱体５４の位置にのみ発熱抵抗体を設けた場合である。図１５の本実施形態の特性において、第１の抵抗発熱体に印加される電力が第２の抵抗発熱体に印加される電力の約９倍となっており、一方、図１６の本実施形態の特性において、第１の抵抗発熱体に印加される電力が第２の抵抗発熱体に印加される電力の約８倍となっている。
【０１２２】
これらの図から明らかのように、本実施形態によれば、保護膜部分の突出量が最も大きくなるがその量はさほどではなく、しかも、ＭＲ読出しヘッド素子やインダクティブ書込みヘッド素子部分も充分に突出するので、信頼性を確保しつつマグネティックスペーシングを小さくすることができる。
【０１２３】
さらに、本実施形態によれば、第１及び第２の抵抗発熱体１４２及び５４を互いに直列接続しているので、磁気ヘッドスライダ２１の素子形成面３７に形成される駆動端子電極３５の数を２つ又は１つと最小限にすることができる。
【０１２４】
図１７は本発明のさらに他の実施形態における磁気ヘッドスライダの構造を概略的に示す断面図である。
【０１２５】
本実施形態においては、第１の抵抗発熱体１７２の形成位置が図１４の実施形態の場合と異なっているが、本実施形態におけるその他の構成は、図１４に関連して述べた実施形態の場合と全く同様である。従って、図１７において、図１４に示すものと同様の構成要素には同じ参照番号が付されている。
【０１２６】
図１７において、５０は例えばアルティック（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）等から形成されたスライダ基板であり、このスライダ基板５０には、磁気ディスク表面に対向するＡＢＳ３６が形成されている。磁気ヘッドスライダ２１は、動作中、回転する磁気ディスク表面上を所定の浮上量で流体力学的に浮上する。このスライダ基板５０の素子形成面３７上に、ＭＲ読出しヘッド素子５１、第１の抵抗発熱体１７２、インダクティブ書込みヘッド素子１４３及び第２の抵抗発熱体５４が順次積層され、インダクティブ書込みヘッド素子１４３の上に第２の抵抗発熱体５４を覆うように保護膜（オーバーコート膜）５５が形成されている。
【０１２７】
スライダ基板５０上には、例えばＡｌ２Ｏ３等からなる厚さ０.０５〜１０μｍ程度の絶縁層５６が形成されており、この絶縁層５６上にＭＲ読出しヘッド素子５１が形成されている。
【０１２８】
ＭＲ読出しヘッド素子５１は、ＭＲ積層体５１ａと、この積層体を挟む上下位置に配置されている下部シールド層５１ｂ及び上部シールド層５１ｃとを含んでいる。下部シールド層５１ｂ及び上部シールド層５１ｃは、各々が例えばＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ又はＦｅＺｒＮ等からなり、厚さは０.３〜３μｍ程度である。
【０１２９】
ＭＲ積層体５１ａは、ＣＩＰ−ＧＭＲ多層膜、ＣＰＰ−ＧＭＲ多層膜、又はＴＭＲ多層膜からなり、非常に高い感度で磁気ディスクからの信号磁界を感受する。下部及び上部シールド層５１ｂ及び５１ｃは、ＭＲ積層体５１ａが雑音となる外部磁界を受けることを防止する。
【０１３０】
ＭＲ積層体５１ａがＣＩＰ-ＧＭＲ多層膜である場合、下部及び上部シールド層５１ｂ及び５１ｃの各々とＭＲ積層体５１ａとの間に、絶縁用の下部シールドギャップ層５１ｄ及び上部シールドギャップ層５１ｅがそれぞれ設けられる。さらに、ＭＲ積層体５１ａにセンス電流を供給して再生出力を取り出すためのＭＲリード導体層５１ｆが設けられる。一方、ＭＲ積層体５１ａがＣＰＰ−ＧＭＲ多層膜又はＴＭＲ多層膜を含む場合、下部及び上部シールド層５１ｂ及び５１ｃはそれぞれ下部及び上部電極としても機能する。なお、ＭＲ積層体５１ａは、例えばＴＭＲ多層膜であれば、磁化固定層、トンネルバリア層及び磁化自由層が順次積層された積層構造となる。
【０１３１】
ＭＲ読出しヘッド素子５１の上部シールド層５１ｃ上には、例えばＡｌ２Ｏ３等からなる厚さ０.１〜２.０μｍ程度の絶縁層１７７が形成されている。この絶縁層１７７上に例えばＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ又はＦｅＺｒＮ等からなる素子間シールド層１４８が形成されており、その上に例えばＡｌ２Ｏ３等からなる厚さ０.１〜５.０μｍ程度の絶縁層１７９を介してインダクティブ書込みヘッド素子１４３が形成されている。
【０１３２】
インダクティブ書込みヘッド素子１４３は、本実施形態においては、垂直磁気記録型インダクティブ書込みヘッド素子であり、主磁極層１４３ａ、補助磁極層１４３ｂ及びコイル層１４３ｃを含んでいる。主磁極層１４３ａは、例えばＮｉ、Ｆｅ及びＣｏのうちいずれか２つ若しくは３つからなる合金、又はこれらを主成分として所定の元素が添加された合金等からなる厚さ０.０１〜０.５μｍ程度の主磁極主要層１４３ａ１と、例えばＮｉ、Ｆｅ及びＣｏのうちいずれか２つ若しくは３つからなる合金、又はこれらを主成分として所定の元素が添加された合金等からなる厚さ０.１〜３μｍ程度の主磁極補助層１４３ａ２とから構成されている。この主磁極層１４３ａは、コイル層１４３ｃによって誘導された磁束を、書込みがなされる磁気ディスクの垂直磁気記録層まで収束させながら導くための磁路である。主磁極補助層１４３ａ上には、例えばＡｌ２Ｏ３又はＤＬＣ等からなる厚さ０.００１〜０.５μｍ程度のギャップ層１４３ｄが形成されており、さらにギャップ層１４３ｄ上に、例えば熱硬化されたレジスト層からなる厚さ０.１〜５μｍ程度の第１のコイル絶縁層１４３ｅが形成されている。この第１のコイル絶縁層１４３ｅ上に、例えばＣｕ等からなる厚さ０.５〜３μｍ程度のコイル層１４３ｃが形成されており、さらに、このコイル層１４３ｃを覆うように、例えば熱硬化されたレジスト層からなる厚さ０.１〜５μｍ程度の第２のコイル絶縁層１４３ｆが形成されている。第２のコイル絶縁層１４３ｆを覆うように、例えばＮｉ、Ｆｅ及びＣｏのうちいずれか２つ若しくは３つからなる合金、又はこれらを主成分として所定の元素が添加された合金等からなる厚さ約０.１〜０．５μｍ程度の補助磁極層１４３ｂが形成されている。コイル層１４３ｃは、１層でも２層以上でも良く、また、ヘリカルコイルでも良い。また、絶縁層１４９中に反対方向に電流を流すコイルを持ったダブルコイル構造としても良い。
【０１３３】
主磁極層１４３ａの磁気ディスクに対向する端面における層厚方向の長さ（厚さ）は、その主磁極主要層１４３ａ１のみの層厚に相当しており小さくなっており、これによって、高記録密度化に対応した微細な書込み磁界を発生させることができる。また、補助磁極層１４３ｂの磁気ディスクに対向する端部は、この補助磁極層１４３ｂの他の部分よりも層断面が広いトレーリングシールド部１４３ｂ１となっている。トレーリングシールド部１４３ｂ１を設けることによって、このトレーリングシールド部１４３ｂ１と主磁極層１４３ａとの間において磁界勾配がより急峻になり、信号出力のジッタが小さくなって読み出し時のエラーレートを小さくすることができる。
【０１３４】
なお、ＭＲ読出しヘッド素子５１及びインダクティブ書込みヘッド素子１４３の磁気ディスク側の端面には、ＤＬＣ等による極薄のコーティング膜が形成されている。
【０１３５】
インダクティブ書込みヘッド素子１４３の上には、例えばＡｌ２Ｏ３等からなる保護膜５５が形成されている。
【０１３６】
本実施形態においては、素子間シールド層１４８とインダクティブ書込みヘッド素子１４３の主磁極層１４３ａとの間に、絶縁層１７９によって絶縁された第１の抵抗発熱体１７２が形成されている。さらに、インダクティブ書込みヘッド素子１４３の上方の保護膜５５内に、第２の抵抗発熱体５４が形成されている。
【０１３７】
第１の抵抗発熱体１７２及び／又は及び第２の抵抗発熱体５４の形状及び構成材料並びに変更態様等は、図１４の実施形態の場合と同様である。
【０１３８】
第１の抵抗発熱体１７２は第２の抵抗発熱体５４より抵抗値が大きな値、ここでは約９倍に設定されている。ただし、この９倍という数値に必ずしも限定されるものではなく、第１の抵抗発熱体１７２の抵抗値が第２の抵抗発熱体５４の抵抗値より大きければ良い。このように抵抗値を異ならせるためには、同じ形状及び同じ膜厚であるが、電気伝導度（抵抗率）の異なる材料で構成するか、同じ膜厚及び同じ材料であるが、形状、例えば長さや幅、を異ならせて構成するか、又は同じ形状及び同じ材料であるが、膜厚を異ならせて構成すれば良い。
【０１３９】
これら第１及び第２の抵抗発熱体１７２及び５４は、２つの駆動端子電極３５間に互いに直列に接続されている。これら第１及び第２の抵抗発熱体１７２及び５４を流れる電流によって、ジュール熱が発生し、これらを取り囲む絶縁層１４９及び保護膜５５が自ら膨張してＭＲ読出しヘッド素子５１及びインダクティブ書込みヘッド素子１４３部分並びに保護膜５５部分を所望の突出プロファイルで磁気ディスク方向に突出させる。
【０１４０】
なお、本実施形態の変更態様として、図１１に示すように、第１の抵抗発熱体の抵抗値を第２の抵抗発熱体の抵抗値より小さな値とし、かつこれら第１の抵抗発熱体と第２の抵抗発熱体とを互いに並列接続しても良いことは明らかである。
【０１４１】
図１８は本発明のまたさらに他の実施形態における磁気ヘッドスライダの構造を概略的に示す断面図である。
【０１４２】
本実施形態においては、第１の抵抗発熱体１８２の形成位置が図１４の実施形態の場合と異なっているが、本実施形態におけるその他の構成は、図１４に関連して述べた実施形態の場合と全く同様である。従って、図１８において、図１４に示すものと同様の構成要素には同じ参照番号が付されている。
【０１４３】
図１８において、５０は例えばアルティック（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）等から形成されたスライダ基板であり、このスライダ基板５０には、磁気ディスク表面に対向するＡＢＳ３６が形成されている。磁気ヘッドスライダ２１は、動作中、回転する磁気ディスク表面上を所定の浮上量で流体力学的に浮上する。このスライダ基板５０の素子形成面３７上に、第１の抵抗発熱体１８２、ＭＲ読出しヘッド素子５１、インダクティブ書込みヘッド素子１４３及び第２の抵抗発熱体５４が順次積層され、インダクティブ書込みヘッド素子１４３の上に第２の抵抗発熱体５４を覆うように保護膜（オーバーコート膜）５５が形成されている。
【０１４４】
スライダ基板５０上には、例えばＡｌ２Ｏ３等からなる厚さ０.０５〜１０μｍ程度の絶縁層１８６が形成されており、この絶縁層１８６上にＭＲ読出しヘッド素子５１が形成されている。
【０１４５】
ＭＲ読出しヘッド素子５１は、ＭＲ積層体５１ａと、この積層体を挟む上下位置に配置されている下部シールド層５１ｂ及び上部シールド層５１ｃとを含んでいる。下部シールド層５１ｂ及び上部シールド層５１ｃは、各々が例えばＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ又はＦｅＺｒＮ等からなり、厚さは０.３〜３μｍ程度である。
【０１４６】
ＭＲ積層体５１ａは、ＣＩＰ−ＧＭＲ多層膜、ＣＰＰ−ＧＭＲ多層膜、又はＴＭＲ多層膜からなり、非常に高い感度で磁気ディスクからの信号磁界を感受する。下部及び上部シールド層５１ｂ及び５１ｃは、ＭＲ積層体５１ａが雑音となる外部磁界を受けることを防止する。
【０１４７】
ＭＲ積層体５１ａがＣＩＰ-ＧＭＲ多層膜である場合、下部及び上部シールド層５１ｂ及び５１ｃの各々とＭＲ積層体５１ａとの間に、絶縁用の下部シールドギャップ層５１ｄ及び上部シールドギャップ層５１ｅがそれぞれ設けられる。さらに、ＭＲ積層体５１ａにセンス電流を供給して再生出力を取り出すためのＭＲリード導体層５１ｆが設けられる。一方、ＭＲ積層体５１ａがＣＰＰ−ＧＭＲ多層膜又はＴＭＲ多層膜を含む場合、下部及び上部シールド層５１ｂ及び５１ｃはそれぞれ下部及び上部電極としても機能する。なお、ＭＲ積層体５１ａは、例えばＴＭＲ多層膜であれば、磁化固定層、トンネルバリア層及び磁化自由層が順次積層された積層構造となる。
【０１４８】
ＭＲ読出しヘッド素子５１の上部シールド層５１ｃ上には、例えばＡｌ２Ｏ３等からなる厚さ０.１〜２.０μｍ程度の絶縁層１８７が形成されている。この絶縁層１８７上に例えばＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ又はＦｅＺｒＮ等からなる素子間シールド層１４８が形成されており、その上に例えばＡｌ２Ｏ３等からなる厚さ０.１〜５.０μｍ程度の絶縁層１４９を介してインダクティブ書込みヘッド素子１４３が形成されている。
【０１４９】
インダクティブ書込みヘッド素子１４３は、本実施形態においては、垂直磁気記録型インダクティブ書込みヘッド素子であり、主磁極層１４３ａ、補助磁極層１４３ｂ及びコイル層１４３ｃを含んでいる。主磁極層１４３ａは、例えばＮｉ、Ｆｅ及びＣｏのうちいずれか２つ若しくは３つからなる合金、又はこれらを主成分として所定の元素が添加された合金等からなる厚さ０.０１〜０.５μｍ程度の主磁極主要層１４３ａ１と、例えばＮｉ、Ｆｅ及びＣｏのうちいずれか２つ若しくは３つからなる合金、又はこれらを主成分として所定の元素が添加された合金等からなる厚さ０.１〜３μｍ程度の主磁極補助層１４３ａ２とから構成されている。この主磁極層１４３ａは、コイル層１４３ｃによって誘導された磁束を、書込みがなされる磁気ディスクの垂直磁気記録層まで収束させながら導くための磁路である。主磁極補助層１４３ａ上には、例えばＡｌ２Ｏ３又はＤＬＣ等からなる厚さ０.００１〜０.５μｍ程度のギャップ層１４３ｄが形成されており、さらにギャップ層１４３ｄ上に、例えば熱硬化されたレジスト層からなる厚さ０.１〜５μｍ程度の第１のコイル絶縁層１４３ｅが形成されている。この第１のコイル絶縁層１４３ｅ上に、例えばＣｕ等からなる厚さ０.５〜３μｍ程度のコイル層１４３ｃが形成されており、さらに、このコイル層１４３ｃを覆うように、例えば熱硬化されたレジスト層からなる厚さ０.１〜５μｍ程度の第２のコイル絶縁層１４３ｆが形成されている。第２のコイル絶縁層１４３ｆを覆うように、例えばＮｉ、Ｆｅ及びＣｏのうちいずれか２つ若しくは３つからなる合金、又はこれらを主成分として所定の元素が添加された合金等からなる厚さ約０.１〜０．５μｍ程度の補助磁極層１４３ｂが形成されている。コイル層１４３ｃは、１層でも２層以上でも良く、また、ヘリカルコイルでも良い。また、絶縁層１４９中に反対方向に電流を流すコイルを持ったダブルコイル構造としても良い。
【０１５０】
主磁極層１４３ａの磁気ディスクに対向する端面における層厚方向の長さ（厚さ）は、その主磁極主要層１４３ａ１のみの層厚に相当しており小さくなっており、これによって、高記録密度化に対応した微細な書込み磁界を発生させることができる。また、補助磁極層１４３ｂの磁気ディスクに対向する端部は、この補助磁極層１４３ｂの他の部分よりも層断面が広いトレーリングシールド部１４３ｂ１となっている。トレーリングシールド部１４３ｂ１を設けることによって、このトレーリングシールド部１４３ｂ１と主磁極層１４３ａとの間において磁界勾配がより急峻になり、信号出力のジッタが小さくなって読み出し時のエラーレートを小さくすることができる。
【０１５１】
なお、ＭＲ読出しヘッド素子５１及びインダクティブ書込みヘッド素子１４３の磁気ディスク側の端面には、ＤＬＣ等による極薄のコーティング膜が形成されている。
【０１５２】
インダクティブ書込みヘッド素子１４３の上には、例えばＡｌ２Ｏ３等からなる保護膜５５が形成されている。
【０１５３】
本実施形態においては、スライダ基板５０とＭＲ読出しヘッド素子５１との間の絶縁層１８６内に、この絶縁層１８６によって絶縁された第１の抵抗発熱体１８２が形成されている。さらに、インダクティブ書込みヘッド素子１４３の上方の保護膜５５内に、第２の抵抗発熱体５４が形成されている。
【０１５４】
第１の抵抗発熱体１８２及び／又は及び第２の抵抗発熱体５４の形状及び構成材料並びに変更態様等は、図１４の実施形態の場合と同様である。
【０１５５】
第１の抵抗発熱体１８２は第２の抵抗発熱体５４より抵抗値が大きな値、ここでは約９倍に設定されている。ただし、この９倍という数値に必ずしも限定されるものではなく、第１の抵抗発熱体１８２の抵抗値が第２の抵抗発熱体５４の抵抗値より大きければ良い。このように抵抗値を異ならせるためには、同じ形状及び同じ膜厚であるが、電気伝導度（抵抗率）の異なる材料で構成するか、同じ膜厚及び同じ材料であるが、形状、例えば長さや幅、を異ならせて構成するか、又は同じ形状及び同じ材料であるが、膜厚を異ならせて構成すれば良い。
【０１５６】
これら第１及び第２の抵抗発熱体１８２及び５４は、２つの駆動端子電極３５間に互いに直列に接続されている。これら第１及び第２の抵抗発熱体１８２及び５４を流れる電流によって、ジュール熱が発生し、これらを取り囲む絶縁層１８６及び保護膜５５が自ら膨張してＭＲ読出しヘッド素子５１及びインダクティブ書込みヘッド素子１４３部分並びに保護膜５５部分を所望の突出プロファイルで磁気ディスク方向に突出させる。
【０１５７】
なお、本実施形態の変更態様として、図１１に示すように、第１の抵抗発熱体の抵抗値を第２の抵抗発熱体の抵抗値より小さな値とし、かつこれら第１の抵抗発熱体と第２の抵抗発熱体とを互いに並列接続しても良いことは明らかである。
【０１５８】
以上の実施形態では、第１の抵抗発熱体を、ＭＲ読出しヘッド素子の上部シールド層とインダクティブ書込みヘッド素子の下部磁極層との間、インダクティブ書込みヘッド素子の下部磁極層と第１のコイル絶縁層との間、スライダ基板とＭＲ読出しヘッド素子との間、ＭＲ読出しヘッド素子の上部シールド層と素子間シールド層との間、又は素子間シールド層とインダクティブ書込みヘッド素子の主磁極層との間に形成し、第２の抵抗発熱体を、インダクティブ書込みヘッド素子の上方の保護膜内に形成しているが、本発明において、これら第１及び第２の抵抗発熱体の位置はこれら実施形態の位置に限定されるものではなく、第１の抵抗発熱体をインダクティブ書込みヘッド素子のレジスト層より基板側に設け、第２の抵抗発熱体をこのレジスト層より反基板側に設ければ良い。例えば、第１の抵抗発熱体を、ＭＲ読出しヘッド素子の上部シールド層とインダクティブ書込みヘッド素子の主磁極層との間、又はインダクティブ書込みヘッド素子の主磁極層の上に設けても良い。また、１つの第１の抵抗発熱体の代わりに複数の第１の抵抗発熱体群、１つの第２の抵抗発熱体の代わりに複数の第２の抵抗発熱体群を設けても良い。この場合、第１の抵抗発熱体群の発熱重心がインダクティブ書込みヘッド素子のレジスト層より基板側となるように、複数の第２の抵抗発熱体群の発熱重心がこのレジスト層より反基板側となるようにそれぞれ配置する。
【０１５９】
以上述べた実施形態は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
【図面の簡単な説明】
【０１６０】
【図１】本発明の一実施形態として、磁気ディスクドライブ装置の要部の構成を概略的に示す斜視図である。
【図２】図１におけるＨＧＡの一構成例を示す斜視図である。
【図３】図２のＨＧＡの先端部に装着されている薄膜磁気ヘッドを示す斜視図である。
【図４】図３の磁気ヘッドスライダの磁気ヘッド素子部分をスライダ基板の素子形成面側から見た平面図ある。
【図５】図１の実施形態における磁気ヘッドスライダの構造を概略的に示す断面図であり、図４のＶ−Ｖ線断面を示している。
【図６】図３の磁気ヘッドスライダの磁気ヘッド素子部分及び抵抗発熱体部分の概略的な構成を示す図である。
【図７】図１に示したＨＤＤの記録再生及び電流制御回路の回路構成を示すブロック図である。
【図８】２つの従来技術及び図１の実施形態の薄膜磁気ヘッドにおける突出プロファイル特性を説明する図である。
【図９】従来技術１、従来技術２及び図１の実施形態とそれぞれ同様の構造であるがＭＲ読出しヘッド素子及びインダクティブ書込みヘッド素子の位置等が異なる薄膜磁気ヘッドにおける突出プロファイル特性を説明する図である。
【図１０】従来技術１、従来技術２及び図１の実施形態とそれぞれ同様の構造であるがＭＲ読出しヘッド素子及びインダクティブ書込みヘッド素子の位置等が異なる薄膜磁気ヘッドにおける突出プロファイル特性を説明する図である。
【図１１】図１の実施形態の変更態様におけるＨＤＤの記録再生及び電流制御回路の回路構成を示すブロック図である。
【図１２】本発明の他の実施形態における磁気ヘッドスライダの構造を概略的に示す断面図である。
【図１３】本発明のさらに他の実施形態における磁気ヘッドスライダの構造を概略的に示す断面図である。
【図１４】本発明のまたさらに他の実施形態における磁気ヘッドスライダの構造を概略的に示す断面図である。
【図１５】従来技術１、従来技術２及び図１４の実施形態とそれぞれ同様の構造であるがＭＲ読出しヘッド素子及びインダクティブ書込みヘッド素子の位置等が異なる薄膜磁気ヘッドにおける突出プロファイル特性を説明する図である。
【図１６】従来技術１、従来技術２及び図１４の実施形態とそれぞれ同様の構造であるがＭＲ読出しヘッド素子及びインダクティブ書込みヘッド素子の位置等が異なる薄膜磁気ヘッドにおける突出プロファイル特性を説明する図である。
【図１７】本発明のさらに他の実施形態における磁気ヘッドスライダの構造を概略的に示す断面図である。
【図１８】本発明のまたさらに他の実施形態における磁気ヘッドスライダの構造を概略的に示す断面図である。
【符号の説明】
【０１６１】
１０  磁気ディスク
１１  スピンドルモータ
１２  アセンブリキャリッジ装置
１３  記録再生回路
１４  駆動アーム
１５  ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）
１６  ピボットベアリング軸
１７  ＨＧＡ
２０  サスペンション
２１  磁気ヘッドスライダ
２２  ロードビーム
２３  フレクシャ
２４  ベースプレート
２５  配線部材
３０  ＭＲ読出しヘッド素子
３１  インダクティブ書込みヘッド素子
３２  磁気ヘッド素子
３３、３４  信号端子電極
３５  駆動端子電極
３６  ＡＢＳ
３７  素子形成面
５０  スライダ基板
５１  ＭＲ読出しヘッド素子
５１ａ  ＭＲ積層体
５１ｂ  下部シールド層
５１ｃ  上部シールド層
５１ｄ  下部シールドギャップ層
５１ｅ  上部シールドギャップ層
５１ｆ  ＭＲリード導体層
５２、１１２、１２２、１３２、１４２、１７２、１８２  第１の抵抗発熱体
５３、１２３、１４３  インダクティブ書込みヘッド素子
５３ａ、１２３ａ  下部磁極層
５３ｂ、１２３ｂ、１４３ｄ  ギャップ層
５３ｃ、１２３ｃ、１４３ｃ  コイル層
５３ｄ、１２３ｄ、１４３ｅ  第１のコイル絶縁層
５３ｅ、１２３ｅ、１４３ｆ  第２のコイル絶縁層
５３ｆ、１２３ｆ  上部磁極層
５４、１１４  第２の抵抗発熱体
５５  保護膜（オーバーコート膜）
５６、５７、１３６、１４７、１４９、１７７、１７９、１８６、１８７  絶縁層
５８  リード導体
７０  記録再生回路
７０ａ  記録再生チャネル
７０ｂ  プリアンプ部
７０ｂ１  ライトゲート
７０ｂ２  リードゲート
７０ｂ３  オートゲインコントローラ（ＡＧＣ）
７１  電流制御回路
７１ａ  レジスタ
７１ｂ  Ｄ／Ａ変換器
７１ｃ  電流制御部
７２  ＣＰＵ
１４３ａ  主磁極層
１４３ａ１  主磁極主要層
１４３ａ２  主磁極補助層
１４３ｂ  補助磁極層
１４３ｂ１  トレーリングシールド部
１４８  素子間シールド層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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