(57)【要約】【課題】  従来の限界を超えたデューティーソレノイドバルブの長寿命化が実現できるソレノイドバルブ制御装置を提供する。【解決手段】  デューティ駆動のオン期間初期段階の過励磁期間には、ソレノイドバルブのコイル６に電源電圧に応じた過励磁電圧を印加し、デューティ駆動のオン期間の残りの保持期間には、コイル６に過励磁電圧よりも低い保持電圧を印加するソレノイドバルブ制御装置において、過励磁期間にチョッパ制御を実効することによって、過励磁電圧の実効値を低下させる制御回路２１を設ける。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソレノイドバルブをデューティ駆動するソレノイドバルブ制御装置であって、デューティ駆動のオン期間初期段階の過励磁期間には、ソレノイドバルブのコイルに電源電圧に応じた過励磁電圧を印加し、デューティ駆動のオン期間の残りの保持期間には、前記コイルに過励磁電圧よりも低い保持電圧を印加するソレノイドバルブ制御装置において、
前記過励磁期間にチョッパ制御を実行することによって、前記過励磁電圧の実効値を低下させる過励磁電圧制御手段を設けたことを特徴とするソレノイド駆動装置。
【請求項２】
前記過励磁電圧制御手段は、電源電圧が予め設定された基準値を超える場合に、前記チョッパ制御を実行して前記過励磁電圧の実効値を低下させることを特徴とする請求項１に記載のソレノイドバルブ制御装置。
【請求項３】
前記過励磁電圧制御手段は、電源電圧が高い程、前記チョッパ制御のデューティ比を低下させ、前記過励磁電圧の実効値を低下させる割合を増加させることを特徴とする請求項１又は２に記載のソレノイドバルブ制御装置。
【請求項４】
前記過励磁電圧制御手段は、ソレノイドバルブに流れる油の温度が予め設定された基準値を超える場合に、前記チョッパ制御を実行して前記過励磁電圧の実効値を低下させることを特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載のソレノイドバルブ制御装置。
【請求項５】
前記過励磁電圧制御手段は、ソレノイドバルブに流れる油の温度が高い程、前記チョッパ制御のデューティ比を低下させ、前記過励磁電圧の実効値を低下させる割合を増加させることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載のソレノイドバルブ制御装置。
【請求項６】
ソレノイドバルブに流れる油の温度が増加するのに応じて、前記過励磁期間を減少方向に変化させる過励磁期間制御手段を備えたことを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載のソレノイドバルブ制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、いわゆるデューティーソレノイドバルブの制御装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、自動車の自動変速機では、油圧を制御するためにソレノイドバルブ（電磁弁）が用いられるが、このようなソレノイドバルブとしては、従来、例えば特許文献１に記載されているようなデューティーソレノイドバルブ（デューティ駆動されることによって、流体の圧力を制御するもの）が知られている。
そして、このソレノイドバルブの制御においては、特許文献１に記載されているように、デューティ駆動のオン期間初期段階の過励磁期間には、コイルに電源電圧に応じた過励磁電圧（例えば、車両バッテリの出力電圧、通常は１３Ｖ程度）を印加し、デューティ駆動のオン期間の残りの保持期間には、前記コイルに電源電圧よりも低い保持電圧（例えば２〜３Ｖ）を印加することが行われている。これは、消費電力と自己発熱を低く抑えつつ、応答性を高めるためである。
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−１８４５４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上述したソレノイドバルブでは、デューティ駆動の周期（例えば、５０Ｈｚ）で内部のプランジャが進退運動を繰り返しており、通常このプランジャは作動する度にシムと呼ばれる薄い部材（固定側のコアとプランジャ側との間に磁気ギャップを形成する非磁性体）に衝突している。このため、このシムの磨耗限界がソレノイドバルブの寿命を決定付けており、車両の自動変速機に使用されるライン圧調整用などのソレノイドバルブでは、従来、車両の走行距離で１５万Ｋｍ〜２０万Ｋｍ程度の寿命であり、寿命がきた都度ソレノイドバルブを交換しており、寿命向上が望まれていた。
そこで本発明は、従来の限界を超えたデューティーソレノイドバルブの長寿命化が実現できるソレノイドバルブ制御装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本願のソレノイドバルブ制御装置は、ソレノイドバルブをデューティ駆動するソレノイドバルブ制御装置であって、デューティ駆動のオン期間初期段階の過励磁期間には、ソレノイドバルブのコイルに電源電圧に応じた過励磁電圧を印加し、デューティ駆動のオン期間の残りの保持期間には、前記コイルに過励磁電圧よりも低い保持電圧を印加するソレノイドバルブ制御装置において、
前記過励磁期間にチョッパ制御を実行することによって、前記過励磁電圧の実効値を低下させる過励磁電圧制御手段を設けたことを特徴とする。
そして、本願発明のより好ましい態様としては、請求項２に記載のように、前記過励磁電圧制御手段が、電源電圧が予め設定された基準値を超える場合に、前記チョッパ制御を実行して前記過励磁電圧の実効値を低下させる態様であってもよい。
また、請求項３に記載のように、前記過励磁電圧制御手段が、電源電圧が高い程、前記チョッパ制御のデューティ比を低下させ、前記過励磁電圧の実効値を低下させる割合を増加させる態様でもよい。
【０００６】
また、請求項４に記載のように、前記前記過励磁電圧制御手段が、ソレノイドバルブに流れる油の温度が予め設定された基準値を超える場合に、前記チョッパ制御を実行して前記過励磁電圧の実効値を低下させる態様でもよい。
また、請求項５に記載のように、前記過励磁電圧制御手段が、ソレノイドバルブに流れる油の温度が高い程、前記チョッパ制御のデューティ比を低下させ、前記過励磁電圧の実効値を低下させる割合を増加させる態様でもよい。
また、請求項６に記載のように、ソレノイドバルブに流れる油の温度が増加するのに応じて、前記過励磁期間を減少方向に変化させる過励磁期間制御手段を備えた態様でもよい。
【発明の効果】
【０００７】
本願のソレノイドバルブ制御装置では、過励磁電圧制御手段が、過励磁期間にチョッパ制御を実行することによって、過励磁電圧の実効値を低下させる。このため、この過励磁電圧制御手段の機能によって、プランジャ速度を必要最小限近くの低い値とし、部材（例えば前記シム）の磨耗を抑制して、ソレノイドバルブの寿命を格段に向上させることができる。
【０００８】
なお、従来のソレノイドバルブの制御装置では、過励磁期間において、常に電源電圧に応じた高電圧をソレノイドに印加していた。このため、電源電圧（例えば、車両のバッテリの出力電圧）が極端に低下している、或いはソレノイドバルブを流れる油の温度が非常に低い（油の粘度が相当高い）などの特別な事情がある場合を除いて、ソレノイドバルブ作動時のプランジャの速度が常に過剰であり、プランジャ作動時の衝突による部材（例えば前記シム）の磨耗が相当激しかった。
しかし本発明によれば、過励磁電圧制御手段の機能によって、過励磁電圧の実効値を、必要最小限の値（ソレノイドバルブの最低作動電圧近くの電圧、例えば９Ｖ程度）に積極的に低下させることができる。これにより、通常時でも、プランジャ速度を必要最小限近くの値とし、プランジャが衝突する部材（例えば前記シム）の磨耗を格段に抑制することができる。
【０００９】
また、請求項２に記載のように、電源電圧が予め設定された基準値を超える場合に、前記チョッパ制御が実行される構成であると、次のような利点がある。即ち、電源電圧が低い場合（最低作動電圧近くの電圧以下である場合）にまで前記チョッパ制御が行われて、ソレノイドバルブが電圧不足で適正に作動しなくなる不具合、を回避することができる。
また、請求項３に記載のように、電源電圧が高い程、前記チョッパ制御のデューティ比を低下させ、前記過励磁電圧の実効値を低下させる割合を増加させる構成であると、次のような利点がある。即ち、電源電圧の変動があっても、この電源電圧の変動による影響を打ち消すように前記チョッパ制御のデューティ比を変化させ、プランジャ速度を例えば適度な略一定の値に保持することができて、前記部材の磨耗を常に抑制しつつ、ソレノイドバルブの作動の信頼性や応答性を常に確保できる。
【００１０】
また、請求項４に記載のように、ソレノイドバルブに流れる油の温度が予め設定された基準値を超える場合に、前記チョッパ制御を実行して前記過励磁電圧の実効値を低下させる構成であると、次のような利点がある。即ち、油温が低い場合（最低作動電圧よりも十分高い電圧を印加しないとソレノイドバルブが適正に作動しないような場合）にまで前記チョッパ制御が行われて、ソレノイドバルブの応答性が低下してしまうことを回避することができる。
また、請求項５に記載のように、ソレノイドバルブに流れる油の温度が高い程、前記チョッパ制御のデューティ比を低下させ、前記過励磁電圧の実効値を低下させる割合を増加させる構成であると、次のような利点がある。即ち、油温の変動による油の粘度変化があっても、この変動による影響を打ち消すように前記チョッパ制御のデューティ比を変化させ、プランジャ速度を例えば適度な略一定の値に保持することができて、前記部材の磨耗を常に抑制しつつ、ソレノイドバルブの作動の応答性を常に確保できる。
また、請求項６に記載のように、ソレノイドバルブに流れる油の温度が増加するのに応じて、前記過励磁期間を減少方向に変化させる構成であると、次のような利点がある。即ち、油温変化があっても、前記過励磁期間を油温変化に応じた必要最小限の長さに維持し、プランジャの吸引不良を防止しつつ、消費電力を常に必要最小限に維持できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態例を図面に基づいて説明する。
（第１形態例）
まず第１形態例を説明する。
図１（ａ）は、本例のソレノイドバルブ制御装置の回路構成を示す回路図、図１（ｂ）は、同制御装置の動作を説明するタイミングチャート、図２（ａ）は、同制御装置の動作を従来の制御（通常制御）と比較して説明するためのタイミングチャート、図２（ｂ）は、車両のバッテリ電圧（電源電圧）に対するチョッパ制御のデューティ比を示す図である。また図３は、ソレノイドバルブの具体例であるソレノイドバルブ１を示す断面図であり、図４（ａ）は、このソレノイドバルブ１の要部を示す部分拡大断面図であり、図４（ｂ）は、このソレノイドバルブ１の模式図である。なお、図３は後述するプランジャ３が下降している状態を示し、図４（ａ）は後述するプランジャ３が上昇している状態を示している。
【００１２】
まず、ソレノイドバルブ１の構造を説明する。
ソレノイドバルブ１は、図３に示すように、外面を覆う筐体であるボディ２と、このボディ２の内部中心軸線上に上下動可能に配設されたプランジャ３と、このプランジャ３と同軸上であってプランジャ３の外周側に配設されたシリンダ４と、このシリンダ４の外周側に配設されたボビン５と、このボビン５の外周に巻かれたコイル６と、プランジャ３の上端に固定された可動側コア７（快削鋼などの磁性体よりなる可動側ヨーク）と、この可動側コア７の上方に配設された固定側コア８（快削鋼などの磁性体よりなる固定側ヨーク）と、この固定側コア８の下面側に配設された磁気ギャップ形成用のシム９（ステンレスなどの非磁性体よりなる薄板状部材）と、固定側コア８の中心軸線上に形成された貫通孔内に配置されてプランジャ３を下方に付勢するリターンバネ１０と、固定側コア８の前記貫通孔の上部にねじ込まれてリターンバネ１０の歪み量（即ち、付勢力）を調整するバネ調整ネジ１１と、ボディ２の下端に取り付けられるポート接続用部材１２と、コイル６を制御装置の回路に接続するための引出ケーブル１３とを備える。
【００１３】
ここで、シリンダ４は、下端部に流入側ポート４ａが形成され、側壁の比較的下部に流出側ポート４ｂが形成された円筒状の部材であり、ボディ２に対して固定状態に設けられている。プランジャ３は、すべり軸受１４を介して、このシリンダ４内に装着され、シリンダ４に対して（即ちボディ２に対して）上下に進退運動可能となっている。そして、プランジャ３の下端面は、プランジャ３が下降することによって、流入側ポート４ａの上面側を閉じることが可能な大きさ及び形状となっている。また、リターンバネ１０は、バネ調整ネジ１１の下面と、可動側コア７の上面との間に、押し縮められた状態で装填されている。
【００１４】
このため通常（油温などが適正範囲である場合）は、コイル６に最低作動電圧以上の電圧が印加されていない非作動状態では、リターンバネ１０の付勢力によって、プランジャ３が流入側ポート４ａを閉じる方向（この場合、下方向）に移動する。そして、コイル６に最低作動電圧以上の電圧が印加されると、コイル６、可動側コア７、固定側コア８よりなる電磁石の吸引力がリターンバネ１０の付勢力を上回り、プランジャ３が流入側ポート４ａを開ける方向（この場合、上方向）に移動し、可動側コア７がシム９に衝突して接合した状態（可動側コア７と固定側コア８にシム９が挟まれた状態）となる。
【００１５】
こうして、ソレノイドバルブ１は、デューティ駆動されることによって、デューティ駆動の周期（例えば、５０Ｈｚ）で内部のプランジャ３が進退運動（図の場合は、上下運動）を繰り返し、プランジャ３が電磁石に吸引される度にシム９に衝突している。このため、このシム９の磨耗限界がソレノイドバルブ１の寿命を決定付けることになる。なお、シム９の厚さを増やすことによって、寿命を増やすことは当然可能である。しかし、適度な磁気ギャップを形成するためには、あまりシム９の厚さを増やすことはできないため、この対策だけでは、それほど寿命を増やすことはできない。
【００１６】
また、ここで例示したソレノイドバルブ１は、車両用自動変速機のライン圧調整用などに用いられるものであり、ポート接続用部材１２を介して流入側ポート４ａに接続される油圧回路（図示しない油圧ポンプの元圧が供給される回路ライン）の圧力を元圧の範囲内で調整することができる。プランジャ３が上昇していて流入側ポート４ａが開いていると、上記油圧回路の油の一部が、図４に示すように流入側ポート４ａから流出側ポート４ｂに流れ出て、ボディ２に設けられたドレン孔２ａ（図３に示す）から油圧回路外に排出される。このため、プランジャ３が吸引されている作動割合（即ち、ディーティ駆動のデューティ比）を変化させると、流入側ポート４ａの圧力（即ち、上記油圧回路の圧力）がそれに応じて変化するからである。
【００１７】
次に、ソレノイドバルブ制御装置２０の構成を説明する。
本例のソレノイドバルブ制御装置２０は、ドロッピングレジスタ方式のものであり、図１（ａ）に示すように、マイクロコンピュータ（以下マイコンという）よりなる制御回路２１と、インテリジェントパワー素子２２，２３と、ドロッピングレジスタ２４と、フライホイールダイオード２５と、ＦＥＴ（電解効果型トランジスタ）２６とを備える。なお、制御回路２１は、本発明の過励磁電圧制御手段を構成している。
【００１８】
ここで、インテリジェントパワー素子２２，２３は、制御回路２１から入力される制御信号（図１（ａ）に符号Ａ，Ｂで示す信号ラインの信号）がオンになると、電源電圧（例えば車両バッテリの出力電圧、例えば８〜１６Ｖ）に応じた電圧（例えば、電源電圧そのもの）を出力するものである。このうちインテリジェントパワー素子２３は、出力端子がコイル６の高電位側端子に直接接続され、過励磁期間にこのコイル６の高電位側端子に高電圧（過励磁電圧）を印加するためのものである。一方、インテリジェントパワー素子２２は、出力端子がコイル６の高電位側端子にドロッピングレジスタ２４を介して続され、保持期間にこのコイル６の高電位側端子に低電圧（保持電圧、例えば２〜３Ｖ）を印加するためのものである。
なお、ドロッピングレジスタ２４は、インテリジェントパワー素子２２の出力端子とコイル６の高電位側端子との間に接続された抵抗であり、この抵抗による電圧降下によって、保持期間の印加電圧（過励磁電圧よりも低い保持電圧）が生成される。
【００１９】
また、フライホイールダイオード２５は、コイル６に対して並列に接続されたダイオードであり、コイル６の印加電圧がオフされる際に発生する逆起電力を吸収するためのものである。
またＦＥＴ２６は、フライホイールダイオード２５に対して直列に、コイル６に対して並列に接続されたトランジスタであり、トランジスタ２７を介して制御回路２１により制御される。
【００２０】
次に制御回路２１は、図１（ｂ）や図２（ａ）に示すように、インテリジェントパワー素子２２，２３や、ＦＥＴ２６を制御する構成となっている。まず、信号ラインＡの信号（インテリジェントパワー素子２３の制御信号）については、過励磁期間においては例えば２ＫＨｚの周期でオンオフするチョッパ制御を実行し、保持期間においてはオフに保持する制御を実行する。また、信号ラインＢの信号（インテリジェントパワー素子２２の制御信号）については、過励磁期間と保持期間を含めたデューティ制御のオン期間に、単純にオンする制御を実行する。なお、このデューティ制御（ソレノイドバルブ１をデューティ駆動する制御）の周期は、例えば５０Ｈｚである。
【００２１】
そして、上記チョッパ制御は、過励磁電圧の実効値を、電源電圧に応じた電圧よりも低下させるためのものであり、そのデューティ比は、例えば図２（ｂ）に示すようなマップ（電源電圧であるバッテリ電圧とデューティ比との関係）に基づいて、電源電圧に応じて設定される。図２（ｂ）の場合、電源電圧が予め設定された基準値（１０Ｖ）以下であると、デューティ比は１００％とされ、上記チョッパ制御は実質的に実行されない（即ち、従来と同様の通常制御となる）。そして、電源電圧が基準値（１０Ｖ）を超える場合に、上記チョッパ制御が実行され、電源電圧が高い程、上記チョッパ制御のデューティ比が低下する。この場合、電源電圧が基準値（１０Ｖ）を超える範囲において、電源電圧と上記チョッパ制御のデューティ比は、逆比例の関係にあり、電源電圧が１６Ｖでは、上記チョッパ制御のデューティ比が５０％に設定される。
【００２２】
なお、車両の電源電圧であるバッテリ電圧は、通常１３.５Ｖ程度に維持されるが、充電状態等によって変動する。また、図２（ｂ）に示すような関係の場合、電源電圧１３.５Ｖに対して、コイル６の印加電圧（過励磁電圧）の実効値は、上記チョッパ制御によって９Ｖ程度となる。
また、上記チョッパ制御は、技術的にはデューティ制御と同義であるが、ソレノイドバルブ１をデューティ駆動するデューティ制御と区別するために、ここではチョッパ制御と呼ぶ。
また、上記チョッパ制御においては、例えば図２（ａ）の最下段に示す如く、過励磁期間における最初の１回目の周期だけは、電源電圧に無関係にデューティ比を１００％として、ソレノイドバルブ１の作動信頼性や応答性を高めるようにしてもよい。
【００２３】
次に制御回路２１は、図１（ｂ）の最下段に示すように、ＦＥＴ２６を制御する。即ち、過励磁期間と保持期間を含めたデューティ制御のオン期間に、ＦＥＴ２６をオンしてフライホイールダイオード２５を効かす制御を実行する。また、上記デューティ制御のオフ期間には、ソレノイドバルブ１の作動応答性を向上させるため、ＦＥＴ２６をオフしてフライホイールダイオード２５を無効とする。
【００２４】
以上説明した制御装置であると、ソレノイドバルブ１のコイル６に印加される電圧（図１（ａ）において符号Ｃで示すコイル６の高電位側端子の電圧）は、図１（ｂ）の３段目や、図２（ａ）の２段目及び３段目に示すような波形となり、過励磁期間の印加電圧（過励磁電圧）の実効値は、前述のチョッパ制御によって通常は電源電圧よりも低い値に調整される。
このため、ソレノイドバルブ１の作動時（プランジャ３の吸引時）のプランジャ３の速度は、常に必要最低限の低い値に保持される。このため、シム９の磨耗を抑制して、ソレノイドバルブ１の寿命を格段に向上させることができる。
【００２５】
なお、従来のソレノイドバルブの制御装置では、図２（ａ）の１段目に示すように、過励磁期間において、常に電源電圧に応じた高電圧をソレノイドに印加していた。このため、電源電圧（例えば、車両のバッテリ電圧）が低下している、或いはソレノイドバルブを流れる油の温度が非常に低い（油の粘度が相当高い）などの特別な事情がある場合を除いて、ソレノイドバルブ作動時のプランジャの速度が常に過剰であり、プランジャ作動時の衝突による部材（例えばシム９）の磨耗が相当激しかった。
しかし本例によれば、上記チョッパ制御によって、過励磁電圧の実効値を、必要最小限の値（ソレノイドバルブの最低作動電圧近くの電圧、例えば９Ｖ程度）に積極的に低下させることができる。これにより、通常時でも、プランジャ速度を必要最小限近くの値とし、シム９の磨耗を格段に抑制することができる。
【００２６】
なお、発明者らの実験によれば、上述したソレノイドバルブ１のようなバルブ（車両用自動変速機のライン圧調整用などに用いられるもの）の場合、過励磁電圧が１３．５Ｖであるとプランジャ速度は１ｍ／ｓ程度であるが、過励磁電圧が９Ｖであるとプランジャ速度は０．６〜０．７ｍ／ｓ程度に低下することが分かっている。そして、シム９の磨耗限界（ソレノイドバルブの寿命）が、プランジャの衝突エネルギと衝突回数の積で決まると仮定すると、プランジャ速度が０．６〜０．７ｍ／ｓ程度に低下することによって、寿命が車両走行距離で４０万Ｋｍ程度に伸びることが分かっている。
【００２７】
また本例（図２（ｂ）に示す制御例）では、電源電圧が予め設定された基準値１０Ｖを超える場合にのみ、前記チョッパ制御が実行される構成であるため、次のような利点がある。即ち、電源電圧が低い場合（最低作動電圧近くの電圧以下である場合）にまで前記チョッパ制御が行われて、ソレノイドバルブ１が電圧不足で応答性が低下してしまうことを回避することができる。
【００２８】
また本例（図２（ｂ）に示す制御例）では、電源電圧が高い程、前記チョッパ制御のデューティ比を低下させ、前記過励磁電圧の実効値を低下させる割合を増加させる構成であるため、次のような利点がある。即ち、電源電圧の変動があっても、この電源電圧の変動による影響を打ち消すように前記チョッパ制御のデューティ比を変化させ、プランジャ速度を例えば適度な略一定の値に保持することができて、シム９の磨耗を常に抑制しつつ、ソレノイドバルブ１の作動の応答性を常に確保できる。
【００２９】
（第２形態例）
次に第２形態例を説明する。
図５（ａ）は、本例のソレノイドバルブ制御装置の回路構成を示す回路図、図５（ｂ）は、同制御装置の動作を説明するタイミングチャートである。なお、ソレノイドバルブの構成は第１形態例と同じであるので、説明を省略する。また、第１形態例の制御装置と同様の構成要素には、同符号を使用して重複する説明を省略する。
本例の制御装置は、図５（ａ）に示すように、チョッパ制御によって保持電圧を生成するタイプであり、第１形態例の回路構成（図１（ａ））において、ドロッピングレジスタ２４とインテリジェントパワー素子２２を削除した構成となっている。
【００３０】
そして、本例の制御装置は、次のような制御機能を有する制御回路３１を備える。
即ち、制御回路３１は、インテリジェントパワー素子２３の制御信号について、過励磁期間においては第１形態例と同様の過励磁電圧をコイル６に印加するためのチョッパ制御（例えば図２（ｂ）に示すデューティ比でのチョッパ制御）を実行し、保持期間においては保持電圧（２〜３Ｖ）をコイル６に印加するためのチョッパ制御を実行する。
【００３１】
以上説明した制御装置であると、ソレノイドバルブ１のコイル６に印加される電圧は、図５（ｂ）の２段目及び３段目に示すような波形となり、過励磁期間の印加電圧（過励磁電圧）の実効値は、前述のチョッパ制御によって通常は電源電圧よりも低い値に調整される。このため、本例でも第１形態例と同様の効果が得られる。
なお、保持期間においてチョッパ制御を行い保持電圧を生成する構成は、従来も知られているが、この場合も過励磁期間においてはチョッパ制御は行われておらず、図５（ｂ）の１段目に示すような制御が、通常制御として実行されていた。これに対して本例は、過励磁期間も保持期間も例えば２ＫＨｚの周期でチョッパ制御が実行され、過励磁期間におけるチョッパ制御のデューティ比は例えば図２（ｂ）に示すマップに基づいて設定され、保持期間におけるチョッパ制御のデューティ比は保持電圧を生成する値に設定される。なお、保持期間におけるチョッパ制御のデューティ比についても、電源電圧に応じて変化させるようにして、保持電圧をなるべく最適な一定値に維持する態様としてもよい。
【００３２】
（第３形態例）
次に第３形態例を説明する。
図６は、本例のソレノイドバルブ制御装置の過励磁に関する設定処理を示すフローチャートである。なお本例は、過励磁に関する制御機能に特徴を有し、他の構成は第１形態例又は第２形態例と同じであるので、その特徴部分以外の説明を省略する。
本例の制御装置では、制御回路２１又は３１が、図６に示す設定処理を実行する機能を有する。以下この処理を説明する。
【００３３】
まずステップＳ１で、ソレノイドバルブ１に流れる油の温度（油温Ｔ）が予め設定された基準値（例えば−１０℃）以下であるか否かを判定し、基準値以下ならステップＳ２に進み、基準値を超える場合にはステップＳ３に進む。
そしてステップＳ２では、過励磁時間（過励磁期間の長さ）を例えば５ｍｓに設定し、ステップＳ３では、過励磁時間を例えば３ｍｓに設定する。
ステップＳ２、Ｓ３を経ると、ステップＳ４に進み、油温Ｔが予め設定された第２の基準値（例えば−５℃）以下であるか否かを判定し、この基準値以下ならステップＳ５に進み、この基準値を超える場合にはステップＳ６に進む。
そしてステップＳ５では、過励磁期間におけるチョッパ制御を電源電圧に無関係に行わない設定を実行し、ステップＳ６では、過励磁期間におけるチョッパ制御を電源電圧に応じて行う設定を実行する。具体的には、ステップＳ５では、例えば図２（ｂ）に示すようなチョッパ制御のマップとして、デューテュ比が常に１００％のマップを設定する。またステップＳ６では、例えば図２（ｂ）に示すマップを設定する。
そして、これらステップＳ５、Ｓ６を経ると、一連の処理を終了する。
【００３４】
なお、以上のステップＳ１〜Ｓ６の処理は、所定の周期（例えば、油温のサンプリング周期）で適宜実行される。
また、ステップＳ１〜Ｓ３では、過励磁時間を油温Ｔに応じて２段階に変化させているが、油温Ｔの増加に応じて過励磁時間が多段階に又は連続的に減少させる態様としてもよい。
また、ステップＳ４〜Ｓ６では、油温によって過励磁期間のチョッパ制御を実行するか否かを切替えているが、油温Ｔの増加に応じて例えば上記チョッパ制御のマップを細かく変化させ、油温が高い程、同じ電源電圧に対するデューティ比が低下する方向に多段階に又は連続的に変化させる態様としてもよい。
【００３５】
本例では、ソレノイドバルブに流れる油の温度Ｔが予め設定された基準値（例えば−５℃）を超える場合にのみ、過励磁期間のチョッパ制御を実行して過励磁電圧の実効値を低下させる構成であるため、次のような利点がある。即ち、油温Ｔが低く油の粘度が高い場合（最低作動電圧よりも十分高い電圧を印加しないとソレノイドバルブ１が適正に作動しないような場合）にまで前記チョッパ制御が行われて、ソレノイドバルブ１が電圧不足で応答性が低下してしまうことを回避することができる。
なお、低温時は、油の粘度が高くなりプランジャを吸引し難くなるので、過励磁期間のチョッパ制御を行うとプランジャ吸引力が落ちすぎて、ソレノイドバルブ１の所定の動作が実現できなくなる。またその場合、プランジャの衝突速度が低下しているので、長寿命化のための過励磁期間のチョッパ制御は不要である。本例であると、このような状況では、上記チョッパ制御を実行しないため、上述したような効果が実現できる。
【００３６】
また本例では、ソレノイドバルブに流れる油の温度Ｔが増加するのに応じて、過励磁期間を減少方向に変化させる構成であるため、次のような利点がある。即ち、油温変化があっても、過励磁期間を油温変化に応じた必要最小限の長さに維持し、プランジャの吸引不良を防止しつつ、消費電力を常に必要最小限に維持できる。
また、ソレノイドバルブに流れる油の温度Ｔが高い程、前記チョッパ制御のデューティ比を低下させ、過励磁電圧の実効値を低下させる割合を増加させる態様である場合には、次のような利点がある。即ち、油温の変動による油の粘度変化があっても、この変動による影響を打ち消すように前記チョッパ制御のデューティ比を変化させ、プランジャ速度を例えば適度な略一定の値に保持することができて、シム９の磨耗を常に抑制しつつ、ソレノイドバルブ１の作動の応答性を常に確保できる。
【００３７】
なお、本発明は上述した形態例に限られず、各種の変形や応用があり得る。
例えば、上述した形態例における油温の基準値や電圧の具体例は、あくまで一例であって、油や電源の仕様等に応じて適宜設定すべきものであることは、いうまでもない。
また、上記形態例では、制御回路２１にＦＥＴ２６を用いたが、これには限定されず、駆動素子であればなんでもよい。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】（ａ）はソレノイドバルブ制御装置の回路構成を示す回路図、（ｂ）は同制御装置の動作を説明するタイミングチャートである。
【図２】（ａ）は同制御装置の動作を通常制御と比較して説明するタイミングチャート、（ｂ）はバッテリ電圧に対するチョッパ制御のデューティ比を示す図である。
【図３】ソレノイドバルブを示す断面図である。
【図４】（ａ）はソレノイドバルブの要部を示す部分拡大断面図であり、（ｂ）はソレノイドバルブの模式図である。
【図５】（ａ）は、第２形態例のソレノイドバルブ制御装置の回路構成を示す回路図、（ｂ）は同制御装置の動作を説明するタイミングチャートである。
【図６】第３形態例のソレノイドバルブ制御装置の過励磁に関する設定処理を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００３９】
６  コイル
２１、３１  制御回路（過励磁電圧制御手段、過励磁期間制御手段）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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