(57)【要約】【課題】  高出力の窒化物系半導体レーザ素子の信頼性を改善する。【解決手段】  窒化物系半導体レーザ素子（１０）は、基板（１０１）上の窒化物系半導体積層構造（１０２−１０９）を含み、この半導体積層構造に形成されたリッジストライプ（１１０）によってその半導体積層構造内にストライプ状導波路が生じ、そのリッジストライプ（１１０）が安定化ジルコニア（１１１）または部分安定化ジルコニア（１１１）により埋め込まれていることを特徴としている。【選択図】        図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の窒化物系半導体積層構造を含み、この半導体積層構造に形成されたリッジストライプによってその半導体積層構造内にストライプ状導波路が生じる窒化物系半導体レーザ素子であって、前記リッジストライプが安定化ジルコニアまたは部分安定化ジルコニアにより埋め込まれていることを特徴とする窒化物系半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記ストライプ状導波路を概略垂直に切る２つのミラー面をさらに含み、前記ミラー面の一方に少なくとも１層の低反射膜が形成され、この低反射膜の少なくとも１層が安定化ジルコニアまたは部分安定化ジルコニアにより形成されていることを特徴とする請求項１に記載の窒化物系半導体レーザ素子。
【請求項３】
前記ストライプ状導波路を概略垂直に切る２つのミラー面をさらに含み、前記ミラー面の一方に少なくとも２層の高反射膜が形成され、この高反射膜の少なくとも１層が安定化ジルコニアまたは部分安定化ジルコニアにより形成されていることを特徴とする請求項１に記載の窒化物系半導体レーザ素子。
【請求項４】
前記安定化ジルコニアまたは前記部分安定化ジルコニアは、アルカリ土類金属の酸化物、希土類元素の酸化物、およびアルミナから選択される少なくとも一種を安定化剤として含むことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の窒化物系半導体レーザ素子。
【請求項５】
前記安定化ジルコニアまたは前記部分安定化ジルコニアは、イットリア、マグネシア、セリア、およびカルシアから選択される少なくとも一種を安定化剤として含むことを特徴とする請求項４に記載の窒化物系半導体レーザ素子。
【請求項６】
前記安定化ジルコニアは、７ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下の安定化剤を含むことを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の窒化物系半導体レーザ素子。
【請求項７】
前記部分安定化ジルコニアは、１ｍｏｌ％以上７ｍｏｌ％未満の安定化剤を含むことを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の窒化物系半導体レーザ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体レーザ素子に関し、特に、高出力化に適した窒化物系半導体レーザ素子の信頼性向上に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
Ａｌ、Ｇａ、およびＩｎなどのＩＩＩ族元素と、Ｖ族元素であるＮとの化合物である窒化物系半導体は、そのバンド構造や化学的安定性の観点から発光素子やパワーデバイス用の半導体材料として期待され、その応用が試みられてきた。特に、次世代の光学情報記録装置用の光源として、青色光を発する窒化物系半導体レーザ素子を作製する試みが盛んに行われている。
【０００３】
これら窒化物系半導体レーザ素子に関して、近年では素子構造とプロセスの両面から改善が進み、低出力駆動においては素子寿命に関する信頼性の問題はほぼ解決されたものと考えられる。しかしながら、光学情報記録再生装置においては、書込／読出のさらなる高速化のために光源としてのレーザ素子の高出力化が求められており、安定に高出力が可能で信頼性の高い素子の開発が望まれている。図７は、高出力が可能な従来の窒化物系半導体レーザ素子の一例を模式的断面図で示している（信学技報、ｖｏｌ．１０３，Ｎｏ．３４５，（２００３），ｐｐ．６７〜７２参照）。
【０００４】
図７の窒化物系半導体レーザ素子５０においては、ｎ型ＧａＮ基板５０１上に、ｎ型ＧａＮからなる下部コンタクト層５０２、ｎ型ＧａＮとｎ型ＡｌＧａＮとの超格子構造からなる下部クラッド層５０３、ｎ型ＧａＮからなる下部ガイド層５０４、ＩｎＧａＮからなる多重量子井戸活性層５０５、ｐ型ＡｌＧａＮからなる電子オーバーフロー防止層５０６、ｐ型ＧａＮからなる上部ガイド層５０７、ｐ型ＧａＮとｐ型ＡｌＧａＮとの超格子構造からなる上部クラッド層５０８、およびｐ型ＧａＮからなる上部コンタクト層５０９が、この順で有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）によって形成されている。
【０００５】
そして、このレーザ素子５０では、上部クラッド層５０８の上部領域と上部コンタクト層５０９とを含む直線状のリッジストライプ５１０が形成されていて、このリッジストライプの両脇をＺｒＯ2の埋め込み層５１１で埋め込むことによって、活性層５０５に平行方向にステップ状の屈折率分布が作り付けられ、その屈折率分布によって水平横モードの光閉じ込めが生じ得る。誘電体の埋め込み層５１１は電流狭窄層の役割をも果たし、リッジストライプ５１０の頂面のみから電力を供給することができる。外部から素子へ電力を供給するためには、リッジストライプ５１０の頂面上および誘電体層５１１上にｐ型用電極５１２が堆積され、またｎ型ＧａＮ基板５０１の下面上にｎ型用電極５１３が堆積されている。
【０００６】
窒化物系半導体レーザ素子５０の共振器端面は劈開により形成され、最後にリッジストライプと平行に分割されることによって、レーザ素子チップが得られている。
【０００７】
このような窒化物系半導体レーザ素子５０では、リッジストライプ５１０近傍におけるステップ状屈折率分布によって光閉じ込めを生じ、２００ｍＷという高出力まで安定した水平横モードでの発振が得られている。
【非特許文献１】信学技報、ｖｏｌ．１０３，Ｎｏ．３４５，（２００３），ｐｐ．６７〜７２
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
高出力レーザ素子を光ピックアップに用いる場合、素子自身の消費電力もさることながら、省スペース化などの影響を受けることも考えられ、素子の動作環境は厳しくなる一方である。特に心配されるのは、レーザ素子のオン／オフの繰り返しや出力変調に伴う大きな熱サイクルである。熱サイクルが素子に加わる場合には、その熱サイクルの高温時に相当する一定温度で素子を駆動させる場合よりも、素子にかかるストレスが大きくなる。また、高出力動作が可能なレーザ素子を作製するプロセス中の熱サイクルによるストレスが素子に及ぼす影響も無視できない。これらの実使用上のストレスが多い状況での高出力レーザ素子の信頼性に関しては、現在のところでは十分な信頼性を有する素子が得られていない。
【０００９】
本発明者の考えによれば、レーザ素子の作製プロセスやレーザ素子が組み込まれる光ピックアップの設計を工夫することもさることながら、レーザ素子そのものに関してこれらのストレスを考慮した設計を行うべきであり、実使用条件での種々のストレスを受けても高い信頼性を維持し得るレーザ素子構造を提案することによって、安価で信頼性の高い光関連機器を提供することができる。
【００１０】
本発明は上述の先行技術における事情に鑑みてなされたものであり、特に、高出力の窒化物系半導体レーザ素子の信頼性向上を目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明による窒化物系半導体レーザ素子は、基板上の窒化物系半導体積層構造を含み、この半導体積層構造に形成されたリッジストライプによってその半導体積層構造内にストライプ状導波路が生じ、そのリッジストライプが安定化ジルコニアまたは部分安定化ジルコニアにより埋め込まれていることを特徴としている。
【００１２】
なお、窒化物系半導体レーザ素子はストライプ状導波路を概略垂直に切る２つのミラー面をさらに含み、これらのミラー面の一方に少なくとも１層の低反射膜が形成され、この低反射膜の少なくとも１層が安定化ジルコニアまたは部分安定化ジルコニアにより形成されていることが好ましい。また、それら２つのミラー面の一方に少なくとも２層の高反射膜が形成され、この高反射膜の少なくとも１層が安定化ジルコニアまたは部分安定化ジルコニアにより形成されることも好ましい。
【００１３】
安定化ジルコニアまたは部分安定化ジルコニアは、アルカリ土類金属の酸化物、希土類元素の酸化物、およびアルミナから選択される少なくとも一種を安定化剤として含むことが好ましい。より具体的には、安定化ジルコニアまたは部分安定化ジルコニアは、イットリア、マグネシア、セリア、およびカルシアから選択される少なくとも一種を安定化剤として含むことが好ましい。
【００１４】
安定化ジルコニアは、７ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下の安定化剤を含み得る。他方、部分安定化ジルコニアは、１ｍｏｌ％以上７ｍｏｌ％未満の安定化剤を含み得る。
【発明の効果】
【００１５】
以上のような本発明によれば、レーザ素子に熱サイクルが加わったとしても、電流リークや光学特性の劣化などを引き起こす危険性の小さい高出力の窒化物系半導体レーザ素子を提供することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
（改善の余地が大きい構造領域の調査）
まず本発明者は、図７に示されているような従来のレーザ構造中において、熱サイクルなどのストレスに対してレーザ素子のどの部分を強化することが可能かを検討した。その結果、光閉じ込めに重要な役割を果たす窒化物系半導体からなる積層構造およびリッジによる導波路形状については変更できる余地が現在のところ小さいものの、リッジを埋め込む誘電体層やミラー端面のコーティングについては、材料の変更によって容易にストレスに対する強化が期待できることが判った。
【００１７】
（素子の具体的な形成方法）
上記の調査に基づいて作製される窒化物系半導体レーザ素子について、以下において説明する。図１（ａ）の模式的な断面図に示された作製工程において、本発明の窒化物系半導体レーザ素子は複数の窒化物系半導体層１０２−１０９を含み、それらの層は一般によく知られたＭＯＣＶＤ条件下においてｎ型ＧａＮ基板１０１上に順次のエピタキシャル成長によって堆積される。なお、本願の各図において、同一の参照符合は同一部分または相当部分を表している。
【００１８】
（エピ成長による各層の形成）
より具体的には、ｎ型ＧａＮ基板１０１の一主面上に、厚さ０．１〜１０μｍ（たとえば４μｍ）のｎ型ＧａＮ下部コンタクト層１０２、厚さ０．５〜３．０μｍ（たとえば０．１μｍ）のｎ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ下部クラッド層１０３、厚さ０〜０．２μｍ（たとえば０．１μｍ）のｎ型ＧａＮ下部ガイド層１０４、Ｉｎx1Ｇａ1-x1Ｎの量子井戸層とＩｎx2Ｇａ1-x2Ｎ障壁層（但しｘ１＞ｘ２）の交互積層構造からなる多重量子井戸層構造を有する活性層１０５、ｐ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ｎからなる蒸発防止層１０６、厚さ０〜０．２μｍ（たとえば０．１μｍ）のｐ型ＧａＮ上部ガイド層１０７、ｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ上部クラッド層１０８、およびｐ型ＧａＮ上部コンタクト層１０９を順に積層する。
【００１９】
ここで、基板１０１としては、窒化物系半導体層を積層できるものであれば、ｎ型ＧａＮのみならず、サファイア、ＳｉＣなどをも使用し得る。下部クラッド層１０３としては、ｎ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎのみならず、ｎ型ＧａＮとｎ型ＡｌＧａＮとの超格子構造や、互いに組成の異なった幾つかのＡｌＧａＮ層を組み合わせるなど、所望の光学特性に合うものを使用すればよい。下部ガイド層１０４または上部ガイド層１０７としては、ｎ型またはｐ型のＧａＮの他に、ｎ型またはｐ型のＩｎＧａＮやＡｌＧａＮを使用してもよく、設計上必要なければ省略されてもよい。活性層１０５に関しては、波長約４０５ｎｍの光を放射するように組成と構造を設定すればよい。蒸発防止層１０６は、活性層１０５の成長後に上部クラッド層１０８の成長までの間に活性層の劣化を防止する役割を果たせるものであれば、ｐ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ｎ以外のものであってもよい。上部クラッド層１０８としても、下部クラッド層と同様に、ｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎのみならず、ｐ型ＧａＮとｐ型ＡｌＧａＮとの超格子構造や、互いに組成の異なった幾つかのＡｌＧａＮ層の組み合せなどのように、所望の光学特性に合うものを使用すればよい。上部コンタクト層１０９としては、ｐ型ＧａＮのみならず、ｐ型のＩｎＧａＮ、ＧａＩｎＮＡｓ、ＧａＩｎＮＰなどを用いてもよい。
【００２０】
（リッジストライプの形成）
図１（ａ）に続く作製工程を表す図１（ｂ）を参照して、フォト工程を利用して幅１〜３μｍ（たとえば１．８μｍ）のストライプ状レジスト１１４を形成する。さらに続いて、図２（ａ）を参照して、ＳｉＣｌ4やＣｌ2ガスによる反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）などにより、上部クラッド層１０８と上部コンタクト層１０９を含むリッジストライプ１１０を形成し、光の導波が可能なストライプ状導波路を形成する。この時、エッチングは、上部クラッド層１０８の下面から層厚方向に−０．２μｍ〜０．２μｍの位置でストップするのが好ましい。なお、層厚方向は、上部クラッド層１０８の上方向を正とする。エッチングを正の位置でストップすれば、半導体レーザの発振閾値は上昇する傾向があるが、電流・光出力特性におけるキンクレベルが向上する利点が得られる。他方、エッチングを負の位置でストップすれば、キンクレベルは下がるが、発振閾値は低下する利点が得られる。しかしながら、エッチングを−０．２μｍの位置よりも小さく、または０．２μｍの位置よりも大きくすれば、放射されるレーザ光のファーフィールドパターン（ＦＦＰ）などの光学特性に悪影響を及ぼすので好ましくない。
【００２１】
なお、図１（ｂ）のフォト工程前に電極金属の少なくとも一部を形成してもよい。この場合、図４（ａ）の模式的な断面図に示されているように、エピ成長による各半導体層１０２−１０９の形成直後に、たとえばＰｄやＮｉなどを主成分とする第一の電極金属層１１２ａを真空蒸着などにより形成する。続いて図４（ｂ）を参照して、ストライプ状レジスト１１４下以外の領域において、イオンエッチングやウェットエッチングによって第一電極金属層１１２ａを除去し、続いて窒化物系半導体層１０９、１０８をエッチングすればよい。
【００２２】
また、ストライプ状レジスト１１４の替わりに、ストライプ状の誘電体膜を形成してもよい。この場合、図５（ａ）の模式的な断面図に示されているように、エピ成長による各半導体層１０２−１０９の形成直後に、ＳｉＯ2などのマスク材１１５をスパッタリングや真空蒸着などにより形成する。続いて図５（ｂ）を参照して、ストライプ状のレジスト（図示せず）を形成してマスク材１１５をエッチングし、さらにはそのマスク材１１５をエッチング保護膜として窒化物系半導体層１０９、１０８をエッチングすればよい。なお、マスク材１１５の形成前に、電極金属の少なくとも一部を形成してもよいことは言うまでもない。
【００２３】
（埋め込み層の形成）
図２（ａ）に続く作製工程を表す図２（ｂ）を参照して、リッジストライプ１１０の形成が終わったウェハ上に厚さ０．１μｍ〜０．３μｍ（たとえば０．１５μｍ）の埋め込み層１１１を成膜し、リッジ１１０を埋め込む。ここで、埋め込み層１１１としては、アルカリ土類金属や希土類元素の酸化物がＺｒＯ2に対して数ｍｏｌ％〜数十ｍｏｌ％程度の濃度で安定化剤として添加された安定化ジルコニア（ＦＳＺ）を用いることが好ましい。
【００２４】
ＦＳＺとしては、イットリア（Ｙ2Ｏ3）、カルシア（ＣａＯ）、マグネシア（ＭｇＯ）、セリア（ＣｅＯ）などを安定化剤として添加したものが代表的であるが、アルカリ土類金属や希土類元素の酸化物以外でもアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）などのようにＩＩＩ族金属元素の酸化物を添加したものも知られている。ＦＳＺでは、１０００℃付近におけるＺｒＯ2の結晶変態に伴う割れを防止できることが知られており、ＺｒＯ2結晶の熱的安定性が向上する。また、ＺｒＯ2の線熱膨張係数は１０．５×１０-6／Ｋであり、ＧａＮのａ軸方向の５．６×１０-6／Ｋに比して２倍程度に大きいが、たとえばＹ2Ｏ3を添加した安定化ジルコニア（ＹＳＺ）ではその熱膨張係数をＧａＮの値にほぼ等しくすることも可能である（日本コンピュータ化学会２００２年春季年会予稿集、１Ｐ１６など参照）。すなわち、ＦＳＺを利用すれば、大きな熱サイクルによってリッジストライプ部１１０にかかる応力や、それに伴う誘電体層１１１の剥れなどを予防することが可能となる。
【００２５】
他方、埋め込み層１１１として、上述の添加剤を減らした部分安定化ジルコニア（ＰＳＺ）を用いることもできる。部分安定化ジルコニアは、ＦＳＺと比較すれば高温での割れ防止という点では劣るが、金属と同等の靭性を持つことが知られており、プロセス中のウェハ曲げやマウント時の応力負荷に対しても柔軟であるので、電流リークなどの特性劣化を防止し得ることが期待できる。また、レーザ動作中などに熱ストレスがかかる環境においても、ＰＳＺ層は柔軟であるので剥れや割れを起こす危険性が小さい。このようなＰＳＺの柔軟性は、ＦＳＺにはない大きな特徴である。
【００２６】
安定化剤の添加量に関しては、たとえば安定化剤Ｙ2Ｏ3を例に取れば、ＦＳＺを得るためにはＺｒＯ2に対して７ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下の範囲で添加するのが好ましく、ＰＳＺを得るためにはＺｒＯ2に対して１ｍｏｌ％以上７ｍｏｌ％未満の範囲で添加することが好ましい。Ｙ2Ｏ3以外の安定化剤については、添加すべき量の範囲がこれと若干異なる場合があるが、ＦＳＺまたはＰＳＺを形成するために一般に知られた量で添加すればよい。
【００２７】
埋め込み層１１１の形成方法としては、種々のスパッタリングやＣＶＤを用いることができる。また、基体材料となるＺｒＯ2に含まれる酸素原子の５％〜５０％程度が、窒素原子で置換されてもよい。埋め込み層１１１の形成をスパッタリングで行う場合、スパッタリングガスにＮ2を添加することによって膜の平坦性が向上して信頼性を高めることができ、成膜速度も向上するのでコストを削減することができる。また、埋め込み層１１１にＮ2を添加することによってその屈折率の調整を行うことができるので、スパッタリング以外の成膜法で埋め込み層１１１が形成される場合でも、Ｎ2添加によってレーザ素子の設計の自由度を高めることが可能となる。
【００２８】
（電極の形成）
図２（ｂ）に続く作製工程を表す図２（ｃ）を参照して、埋め込み層１１１の形成終了後、レジスト１１４を溶剤によりリフトオフして、リッジストライプ１１０の頂面を露出させる。なお、リッジストライプの形成時にＳｉＯ2などのマスク層を用いた場合、そのリフトオフはＢＨＦ（バッファードフッ酸）溶液などで行うことが可能である。
【００２９】
続いて、Ｎｉ／ＡｕやＰｄ／Ｍｏ／Ａｕなどをこの順に埋め込み層１１１の上から真空蒸着などにより成膜し、ｐ型用電極１１２を形成する。前述のように、リッジストライプ形成前に第一の金属電極１１２ａを形成した場合には、外部から素子へ電力を供給するためのパッド電極としてＭｏ／ＡｕやＷ／Ａｕなどを成膜すればよい。
【００３０】
なお、埋め込み層１１１と、電極層１１２またはパッド電極層との間の密着性に問題がある場合には、埋め込み層１１１と電極層との間に密着層を挿入してもよい。埋め込み層１１１の形成後に続いて密着層を形成して、その後にリフトオフを行えば、埋め込み層と電極層との間に密着層を含む構造を容易に作製することができる。
【００３１】
ｐ型用電極１１２の形成後に、ウェハの裏面を研磨や研削することによって厚みを１００〜２００μｍ（たとえば１３０μｍ）程度に減少させ、そのウエハ裏面にＨｆ／ＡｌやＴｉ／Ａｌをこの順に真空蒸着などで成膜してｎ型用電極１１３を形成する。また、マウントを容易にするために、ｎ型用電極１１３上にＡｕなどのパッド層を設けてもよい。
【００３２】
（ミラー面の作製）
次に、図３の模式的な断面図を参照して、リッジストライプ１１０にほぼ垂直な面（図３の紙面）に平行な劈開によって、幅５００〜８００μｍ（たとえば６５０μｍ）のレーザバーの複数個がウェハから分割され、この劈開によってレーザ素子のミラー面が形成される。前述の研磨や研削によってウェハの厚みが薄くなっているので、劈開は容易に行うことができる。劈開を行うためには、スクライブ／ブレーク法やレーザスクライブによる活断などを用いることができる。他方、レーザ素子のミラー面は、エッチングなどによって形成することもできる。
【００３３】
続いて、レーザバーのリア側（光反射側）に、２層以上の積層体からなる高反射膜（図示せず）を形成する。この時、反射膜の少なくとも１層をＦＳＺまたはＰＳＺを用いて形成することが好ましい。また、レーザバーのフロント側（光放射側）には１層以上の積層体からなる低反射膜（図示せず）を形成して、レーザ光を共振器のフロント側から取り出せるようにする。この低反射膜についても、ＦＳＺまたはＰＳＺを用いることができる。
【００３４】
高出力レーザ素子においては、そのパルス駆動を行うことから、共振器端部の近傍ではミラー面に非常に大きな熱サイクルが発生する。しかし、ミラー面の反射膜にＦＳＺやＰＳＺを用いれば、その反射膜の割れや剥がれが防止され得る。ここで、反射膜に使用し得るＦＳＺやＰＳＺは、埋め込み層の形成に関して述べたものと同様である。
【００３５】
（レーザチップ化）
ミラー面上に反射膜が形成されたレーザバーは、２００〜３００μｍ程度の幅でリッジストライプに平行にチップ分割され、これによって図３の窒化物系半導体レーザ素子１０が得られる。
【００３６】
図６の模式的な一部破断斜視図に示されているように、分割されたレーザチップ１０はステム１００ａ上にマウントされ、ｐ型用電極およびｎ型用電極がそれぞれワイヤ１００ｂ、１００ｃによって外部ヘ電気的に接続され、その後にキャップ１００ｄが施されて半導体レーザ装置１００となる。なお、図６では、キャップ１００ｄの内部を観察可能にするために、そのキャップの一部が破断除去されて示されている。
【００３７】
上述の本発明の実施形態ではレーザ素子を光ピックアップに使用する場合について説明されたが、本発明の効果は、他の目的で使用されるレーザ素子についても得ることが可能である。たとえば、照明用に用いられるブロードエリア半導体レーザ素子では、ＦＦＰなどの光学特性の制御に関する制約は弱いものの、その出力が非常に高い数Ｗ程度であるので、熱によるストレスが非常に大きくなる。したがって、ブロードエリア半導体レーザ素子のリッジ脇をＦＳＺまたはＰＳＺで埋め込めば、その信頼性の向上がより一層期待できる。ブロードエリア半導体レーザ素子の作製方法については、前述の実施形態におけるリッジストライプ幅を１０〜１００μｍ程度に広くすればよく、その他の作製条件は同様であるのでその詳細な説明は省略される。
【００３８】
また、前述の実施形態ではリッジ型の半導体レーザ素子を例として述べたが、リッジ型以外にもＢＨ（Ｂｕｒｉｅｄ  Ｈｅｔｅｒｏ）型やＲｉＳ（Ｒｉｄｇｅ  ｂｙ  Ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ  ｒｅ−ｇｒｏｗｔｈ）型などのレーザ素子に本発明を適用することも可能である。さらに、前述の実施形態におけるレーザ素子のｐ型とｎ型を反転して、ｎ型半導体積層側に導波路を形成してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
上述のように、本発明によれば、レーザ素子に熱サイクルが加わったとしても、電流リークや光学特性の劣化などを引き起こす危険性の小さい高出力の窒化物系半導体レーザ素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の一実施形態によるレーザ素子の作製工程を図解する模式的断面図である。
【図２】図１に続く作製工程を図解する模式的断面図である。
【図３】図１と図２の作製工程を経て得られるレーザ素子の模式的断面図である。
【図４】本発明の他の実施形態によるレーザ素子の作製工程を図解する模式的断面図である。
【図５】本発明のさらに他の実施形態によるレーザ素子の作製工程を図解する模式的断面図である。
【図６】本発明によって得られる窒化物系半導体レーザ装置の模式的な一部破断斜視図である。
【図７】従来技術による窒化物系半導体レーザ素子の模式的断面図である。
【符号の説明】
【００４１】
１０  窒化物系半導体レーザ素子、１００  窒化物系半導体レーザ装置、１００ａ  ステム、１００ｂ、１００ｃ  ワイヤ、１００ｄ  キャップ、１０１、５０１  基板、１０２、５０２  下部コンタクト層、１０３、５０３  下部クラッド層、１０４、５０４  下部ガイド層、１０５、５０５  多重量子井戸活性層、１０６、５０６  蒸発防止層、１０７、５０７  上部ガイド層、１０８、５０８  上部クラッド層、１０９、５０９  上部コンタクト層、１１０、５１０  リッジストライプ、１１１、５１１  埋め込み層、１１２、５１２  ｐ型用電極、１１３、５１３  ｎ型用電極。
【図１】
2006351566.tif 000003
【図２】
2006351566.tif 000004
【図３】
2006351566.tif 000005
【図４】
2006351566.tif 000006
【図５】
2006351566.tif 000007
【図６】
2006351566.tif 000008
【図７】
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