(57)【要約】【課題】真空蒸着法を用いて空隙率が非常に低く、結晶性材料の有する耐環境性を維持し、波長１６０ｎｍ以下での光学特性が良好で、かつＦ２レーザ耐久性能を向上させた薄膜を形成させることができるＦ２レーザ用光学素子の成膜方法を提供すること。【解決手段】この成膜方法は、蒸発させた材料の薄膜を蒸着によって基材表面に成膜する成膜方法であって、結晶性材料を蒸発させるステップと、非結晶性材料を蒸発させるステップと、蒸発させる結晶性材料の質量と蒸発させる非結晶性材料の質量との質量比を調整するステップとを有している。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
蒸発させた材料の薄膜を蒸着によって基材表面に成膜する成膜方法であって、
結晶性材料を蒸発させるステップと、
非結晶性材料を蒸発させるステップと、
前記蒸発させる結晶性材料の質量と前記蒸発させる非結晶性材料の質量との質量比を調整するステップとを有することを特徴とする成膜方法。
【請求項２】
前記結晶性材料を蒸発させるステップと前記非結晶性材料を蒸発させるステップとを同時に行うことを特徴とする請求項１に記載の成膜方法。
【請求項３】
前記蒸発させる非結晶性材料の質量を前記蒸発させる結晶性材料の質量の１０％から２０％の範囲で調整することを特徴とする請求項１に記載の成膜方法。
【請求項４】
前記結晶性材料が、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ化リチウム、フッ化ランタン、フッ化ガドリニウム、又はフッ化ネオジウムのうち少なくともいずれか１であることを特徴とする請求項１に記載の成膜方法。
【請求項５】
前記非結晶性材料が、フッ化アルミニウムであることを特徴とする請求項１に記載の成膜方法。
【請求項６】
請求項１から請求項５のうちいずれか１項に記載の成膜方法によって、基材表面に薄膜が形成された光学素子。
【請求項７】
光源からの光でレチクルを照明する照明光学系と、
前記レチクルのパターンを基板上に投影する投影光学系とを備えた露光装置であって、
前記照明光学系又は前記投影光学系の少なくともいずれか一方が請求項６に記載の光学素子を有することを特徴とする露光装置。
【請求項８】
請求項７に記載の露光装置によって基板を露光する工程と、
露光された前記基板に所定のプロセスを行う工程とを有するデバイスの製造方法。
【請求項９】
蒸発させた材料の薄膜を蒸着によって基材表面に成膜する成膜装置であって、
結晶性材料を蒸発させる結晶性材料加熱機構と、
非結晶性材料を蒸発させる非結晶性材料加熱機構と、
前記蒸発させる結晶性材料の質量と前記蒸発させる非結晶性材料の質量との質量比を調整する調整機構とを有することを特徴とする成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に光学素子等の基材表面に薄膜を形成する成膜方法に係り、特に、半導体露光装置に用いられるレンズ、ミラー等の光学素子表面に、小さい空隙率と高い耐環境性を有するとともに波長１６０ｎｍ以下での光学特性が良好でＦ２レーザ光に適用可能な薄膜を形成する成膜方法に関する。本発明は、表面に薄膜が成膜された光学素子、その光学素子を用いた半導体露光装置、及びデバイス製造方法に好適である。
【背景技術】
【０００２】
従来から広い分野で利用されている薄膜形成法（成膜方法）に真空蒸着法がある（例えば特許文献１参照）。真空蒸着法における成膜の過程は、大きく（１）薄膜の形成物質の核を形成する過程と（２）薄膜の形成物質を成長させる過程との２つに分けることができる。
【０００３】
（１）の核形成過程は、蒸発源から出た蒸着材料原子が基材と衝突し、基材に吸着された蒸着材料原子が基材面上を表面拡散し、蒸着材料原子同士が２次元衝突を起こしてクラスタを形成し、クラスタが基材面上でさらに成長し安定核が形成される過程である。
【０００４】
（２）の成長過程は、核形成過程で形成された安定核がさらに成長を続け、隣接する安定核と合体して３次元的な核を形成し、その３次元的な核が蒸着材料原子の増加とともに成長して合体し、やがて連続な薄膜になる過程である。
【０００５】
本発明者らは、Ｆ２レーザ用光学素子に求められる波長１６０ｎｍ以下における良好な光学特性を示す光学薄膜を成膜するために、種々の蒸着材料を使用し成膜を実施した。蒸着材料として、低屈折率材料にフッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化アルミニウム（ＡｌＦ３）を、高屈折率材料にフッ化ランタン（ＬａＦ３）、フッ化ガドリニウム（ＧｄＦ３）、フッ化ネオジウム（ＮｄＦ３）を使用した。ここで、フッ化アルミニウムを除くすべての蒸着材料は結晶性材料であり、フッ化アルミニウムは非結晶性材料である。成膜後、薄膜の光学特性を紫外分光光度計にて評価した。その結果、結晶性材料、非結晶性材料それぞれの光学薄膜はともに、波長１６０ｎｍ以下において良好な光学特性を示すことが確認された。
【０００６】
しかしながら、結晶性材料、非結晶性材料それぞれの光学薄膜に対してＦ２レーザ耐久試験（Ｆ２レーザを長時間照射して薄膜の光学特性が劣化する程度を計測する試験）を実施すると異なる現象が確認された。Ｆ２レーザ耐久試験を行うと、結晶性材料の光学薄膜の性能は著しく劣化し、波長１６０ｎｍ以下の光学特性が悪化した。しかし、非結晶性材料の光学薄膜の性能劣化は確認されず、波長１６０ｎｍ以下の光学特性の悪化も見られなかった。
【特許文献１】特開平０９−２５８００６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記の問題を解決するため、「薄膜表面」、「薄膜内部構造」、さらに「薄膜中に含まれる原子」の分析を実施した。ここで、「薄膜表面」の分析にはＡＦＭを、「薄膜内部構造」の分析には断面ＳＥＭを、そして、「薄膜中に含まれる原子」の分析には二次イオン質量分析（ＳＩＭＳ）を用いた。その結果、結晶性材料の薄膜と非結晶性材料の薄膜とでは、「薄膜の表面」、「薄膜内部構造」、そして、「薄膜中に含まれる原子」が異なることが確認された。これは、結晶性材料の薄膜と非結晶性材料の薄膜において、薄膜形成過程である薄膜の形成物質の「成長過程」が異なっているためと思われる。
【０００８】
まず、薄膜表面の分析結果において、結晶性材料の薄膜表面は薄膜形成物質が粒子状に形成されていて、粒子間において隙間があることが確認された。また、表面に微小な凹凸が多いことが確認された。非結晶性材料の薄膜表面は薄膜形成物質が粒子状に形成されておらず、隙間も表面凹凸もほとんどないことが確認された。
【０００９】
次に、薄膜内部構造の分析結果において、結晶性材料の薄膜内部構造は薄膜形成物質が柱状に成長していることが確認され、柱状間で隙間があることが確認された。また、非結晶性材料の薄膜内部構造は全体に渡って均一の状態であることが確認された。
【００１０】
ここで、薄膜表面の分析結果及び薄膜内部構造の分析結果と波長１５７ｎｍのＦ２レーザ耐久性能（Ｆ２レーザ耐久試験によって薄膜の光学特性が劣化せずに維持されている程度を示す指標）とを比較すると、Ｆ２レーザー耐久性能が低い薄膜は粒子間の隙間が多く表面の凹凸が多いこと（すなわち、空隙率が高いこと）が確認された。一方、Ｆ２レーザー耐久性能が高い薄膜（例えばフッ化アルミニウム等の非結晶性材料）は粒子間の隙間が少なく表面の凹凸が少ないこと（すなわち、空隙率が低いこと）が確認された。
【００１１】
さらに、薄膜中に含まれる原子に注目すると、Ｆ２レーザ耐久性能が低い薄膜は、薄膜中に水素原子や酸素原子が多く含まれていることが確認された。この現象は、空隙率が高い薄膜において顕著に検出されることが確認された。これらのことから、水素原子や酸素原子は、薄膜内部ではなく、薄膜の隙間に入り込んでいると考えられる。また、検出された水素原子は、水分子に起因しているものと考えられる。
【００１２】
水分子や酸素原子は、Ｆ２レーザを吸収する特性がある。この特性から、空隙率の高い薄膜においてＦ２レーザ耐久性能が低いのは、Ｆ２レーザを薄膜に照射した際に薄膜の隙間に存在している水分子や酸素原子がＦ２レーザを吸収し、Ｆ２レーザからエネルギを受け取り、受け取ったエネルギが、熱エネルギに変換され、この熱エネルギにより薄膜の特性が劣化することに起因すると考えられる。
【００１３】
このことから、薄膜の空隙率を低くすることにより、水分子や酸素原子が薄膜に侵入するのを防ぐことができ、Ｆ２レーザ耐久性能を向上させることができると推察される。そこで、結晶性材料を成膜した後に非結晶性材料であるフッ化アルミニウム薄膜を大気にさらされる最上層に成膜した。すると、成膜された薄膜のＦ２レーザ耐久性能が向上することが確認された。
【００１４】
しかしながら、非結晶性材料であるフッ化アルミニウム薄膜を大気にさらされる最上層に成膜した薄膜は、長期間放置することによってＦ２レーザ耐久性能が劣化することが確認された。これは、非結晶性材料であるフッ化アルミニウム薄膜の「吸湿すると薄膜が著しく変質する」という特性に起因していると考えられる。
【００１５】
本発明は上記の事情に鑑みて為されたもので、真空蒸着法を用いて空隙率が非常に低く、結晶性材料の有する耐環境性を維持し、波長１６０ｎｍ以下での光学特性が良好で、かつＦ２レーザ耐久性能を向上させた薄膜を形成させることができるＦ２レーザ用光学素子の成膜方法を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記の目的を達成するために、本発明の例示的側面としての成膜方法は、蒸発させた材料の薄膜を蒸着によって基材表面に成膜する成膜方法であって、結晶性材料を蒸発させるステップと、非結晶性材料を蒸発させるステップと、蒸発させる結晶性材料の質量と蒸発させる非結晶性材料の質量との質量比を調整するステップとを有することを特徴とする。
【００１７】
結晶性材料を蒸発させるステップと非結晶性材料を蒸発させるステップとを同時に行ってもよい。また、蒸発させる非結晶性材料の質量を蒸発させる結晶性材料の質量の１０％から２０％の範囲で調整することが望ましい。結晶性材料が、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ化リチウム、フッ化ランタン、フッ化ガドリニウム、又はフッ化ネオジウムのうち少なくともいずれか１であってもよい。非結晶性材料が、フッ化アルミニウムであってもよい。
【００１８】
本発明の他の例示的側面としての光学素子は、上記の成膜方法によって、基材表面に薄膜が形成されたことを特徴とする。
【００１９】
本発明のさらに他の例示的側面としての露光装置は、光源からの光でレチクルを照明する照明光学系と、レチクルのパターンを基板上に投影する投影光学系とを備えた露光装置であって、照明光学系又は投影光学系の少なくともいずれか一方が上記の光学素子を有することを特徴とする。
【００２０】
本発明のさらに他の例示的側面としてのデバイス製造方法は、上記の露光装置によって基板を露光する工程と、露光された基板に所定のプロセスを行う工程とを有することを特徴とする。
【００２１】
本発明のさらに他の例示的側面として成膜装置は、蒸発させた材料の薄膜を蒸着によって基材表面に成膜する成膜装置であって、結晶性材料を蒸発させる結晶性材料加熱機構と、非結晶性材料を蒸発させる非結晶性材料加熱機構と、蒸発させる結晶性材料の質量と蒸発させる非結晶性材料の質量との質量比を調整する調整機構とを有することを特徴とする。
【００２２】
本発明の他の目的及び更なる特徴は、以下、添付図面を参照して説明される実施形態により明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、真空蒸着装置を用いて、結晶性材料を蒸発させて薄膜を形成する際に、結晶性材料の蒸発量と非結晶性材料の蒸発量とをコントロールしつつ非結晶性材料と結晶性材料とをともに蒸発させて薄膜を形成することにより、空隙率が非常に低い光学薄膜を成膜することが可能となる。これにより、結晶性材料の有する耐環境性を維持し、波長１６０ｎｍ以下における光学特性が良好で、かつＦ２レーザ耐久性能を向上させた薄膜を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
発明者らが本発明を着想するに至った背景として、以下の検討を行ったことが挙げられる。すなわち、非結晶性材料であるフッ化アルミニウム薄膜を成膜する際に、耐環境性を有した結晶性材料の薄膜を同時に成膜することを検討した。まず、結晶性材料に低屈折率材料を使用した。この検討の結果、非結晶性材料と結晶性材料の比率を調整することで、薄膜の空隙率が低く、耐環境性を有し、波長１６０ｎｍ以下での光学特性が良好でかつＦ２レーザ耐久性を有した薄膜を形成することができた。ここで、結晶性材料として用いた低屈折率材料は、非結晶性材料であるフッ化アルミニウム薄膜と略同様の光学特性を有しており、屈折率変化は殆ど見られなかった。
【００２５】
一方、結晶性材料を高屈折率材料に変更して同様の検討を行った。この検討の結果、非結晶性材料と結晶性材料の比率を調整することで、薄膜の空隙率が低く、耐環境性を有し、波長１６０ｎｍ以下での光学特性が良好でかつＦ２レーザ耐久性を有した薄膜を形成することができた。ここで、フッ化アルミニウム含有量の変化が屈折率の変化に影響する度合いを高屈折材料と低屈折率材料とで比較すると、高屈折率材料の方が大きいことが確認された。これは、結晶性材料の高屈折率材料は、非結晶性材料であるフッ化アルミニウム薄膜と屈折率が大きく異なるため、フッ化アルミニウム含有量が屈折率変化に大きく影響するためと考えられる。
【００２６】
上記の検討を踏まえ、本発明は以下の事項を要旨とする。すなわち、真空蒸着法において、結晶性材料と非結晶性材料とを同時に蒸発することができるように蒸発源を３ヶ所以上設けている。このとき、蒸発源は、非結晶性材料の蒸発源として１ヶ所、低屈折率結晶性材料の蒸発源として１ヶ所、高屈折率結晶性材料の蒸発源として１ヶ所、の少なくとも３ヶ所以上配置する。蒸発源の加熱方法は、全て統一することが望ましい。したがって、抵抗加熱蒸着法を採用した際には、蒸発源を加熱する機構は全て抵抗加熱蒸発源とすることが望ましい。また、同様に、電子ビーム蒸着方法においては、蒸発源を加熱する機構は全て電子ビーム蒸発源とすることが望ましい。
【００２７】
次に、薄膜中の結晶性材料と非結晶性材料との配分比率について検討する。表1に非結晶性材料であるフッ化アルミニウムの配分比率を変化させて成膜した薄膜の各評価結果をまとめた。その結果、配分比率は結晶性材料に非結晶性材料が１０〜２０％の範囲で含まれていることが望ましい。
【００２８】
【表１】
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特に、結晶性材料に対して非結晶性材料が１０％含有されている場合が最も望ましい。これは、高屈折率薄膜の所定波長（１５７ｎｍ）の光に対する屈折率と低屈折率薄膜の所定波長の光に対する屈折率との差分が、結晶性材料に非結晶性材料が１０％含有されている場合に最も大きくなることが確認されたためである。高屈折率薄膜の屈折率と低屈折率薄膜の屈折率との差分が大きくなることにより、より最適な光学薄膜設計が可能となる。
【００２９】
また、結晶性材料に対して非結晶性材料が２０％を超えて含有されている状態では、Ｆ２レーザ耐久性能は良いものの、耐環境性が悪くなることが確認された。一方、結晶性材料に対する非結晶性材料の含有率が１０％未満の場合はＦ２レーザー耐久性能も耐環境性も悪化することが確認された。
【００３０】
結晶性材料と非結晶性材料との最適な配分比率は、結晶性材料の薄膜成長過程に関連していると考えられる。まず、結晶性材料のみの薄膜成長過程に注目する。結晶性材料の薄膜は、高屈折率材料、低屈折率材料を問わず（２）の成長過程において柱状構造で成長し、かつ、略円柱状で成長していることが薄膜表面分析結果及び薄膜内部構造分析結果より確認された。薄膜が円柱状で成長した場合、表面に形成される隙間は表面積の約９％となる。したがって、柱状構造に成長する結晶性材料の薄膜において、薄膜成長時に形成される隙間を埋めるだけでも、約９％の非結晶材料が必要となる。このことから、今回の検討結果における結晶性材料と非結晶性材料との最適な配分比率、すなわち結晶性材料に対する非結晶性材料の含有率が１０％以上であることは妥当な数値と考えられる。
【００３１】
［実施の形態１］
以下、本発明の実施の形態１に係る成膜方法について図面を用いて説明する。図１は、本発明の実施の形態１に係る成膜方法を実現する成膜装置Ｐの概略構成図である。図中の符号１は真空蒸着チャンバである。真空蒸着チャンバ1には、基材加熱用のヒータ２の他に、チャンバベーキング専用ヒータ（不図示）をつけておくことが望ましい。真空蒸着チャンバ１内を大気から真空に減圧した直後、チャンバベーキングを３００℃以上の温度で実施することにより、真空蒸着チャンバ１内の水分子を積極的に排出することができる。また、成膜中においてもチャンバベーキング専用ヒータを用いてヒータ２の設定温度前後でチャンバを加熱しておくことが望ましい。
【００３２】
図中の符号２はヒータである。ヒータ２は基材加熱用のヒータであり、基材３を効率良く均一に加熱できるように設置する必要がある。図中の符号３は成膜対象としての基材である。例えばレンズ等の光学素子基板がこの基材３に相当する。成膜前に基材３を洗浄し、基材３表面を清浄な状態にしておく必要がある。
【００３３】
図中の符号４は基材回転ホルダである。基板回転ホルダ４に載せる基材３の個数は基材３の大きさに依存する。また、基材回転ホルダ４の回転方法は、基材３が小さい場合は基材３を遊星回転させる方法が一般的である。一方、基材３が大きい場合は基材３を自公転させる方法が一般的である。
【００３４】
図中の符号５，６は水晶振動子である。特に、蒸着材料８を使用する場合に水晶振動子５を使用し、蒸着材料９を使用する場合に水晶振動子６を使用する。水晶振動子は蒸発源ごとに設置する必要がある。水晶振動子５を真空蒸着チャンバ1に配置する際には、蒸着材料９が蒸発した場合に水晶振動子５に到達せず、かつ、蒸着材料８の基材３への蒸発方向に重ならない位置に設置する必要がある。同様に、水晶振動子６を真空蒸着チャンバ1に配置する際には、蒸着材料８が蒸発した場合に水晶振動子６に到達せず、かつ、蒸着材料９の基材３への蒸発方向に重ならない位置に設置する必要がある。
【００３５】
図中の符号７は拡散防止板である。拡散防止板７は、同時に複数個の蒸発源１０から蒸着材料を蒸発させた際に、蒸着材料が互いに他の蒸発源付近に拡散してくるのを防止するためのものである。これにより、成膜中に蒸発源１０に異なる蒸着材料が混入するのを防止することができる。
【００３６】
図中の符号１３は拡散防止板７によって部分的に拡散防止され、蒸着材料８の蒸発範囲１１が補正された補正後の蒸着範囲を示している。同様に符号１４は拡散防止板７によって部分的に拡散防止され、蒸着材料９の蒸発範囲１２が補正された補正後の蒸着範囲を示している。拡散防止板７は、補正後の蒸着範囲１３，１４がそれぞれ基材３の両端をカバーするように調整して配置されている。
【００３７】
次に、この成膜装置Ｐの蒸着源１０近傍についてさらに詳細に説明する。
【００３８】
図２及び３は、成膜装置Ｐの動作を説明するための図であって、図２は、抵抗加熱蒸着法に適用した場合における成膜装置Ｐの蒸発源１０付近を基材３側から見た図であり、図３は、抵抗加熱蒸着法に適用した場合における蒸発源１０のうちの１ヶ所を側方から見た図である。
【００３９】
この成膜装置Ｐには、図２に示すように４つの蒸発源１０ａ〜１０ｄが配置されている。非結晶性材料加熱機構としての蒸発源１０ａは非結晶性材料であるフッ化アルミニウム用の蒸発源であり、蒸発源１０ｂは高屈折率結晶性材料用の蒸発源であり、蒸発源１０ｃは低屈折率結晶性材料用の蒸発源であり、蒸発源１０ｄは予備の蒸発源である。
【００４０】
図中の符号１５は自動給材装置である。自動給材装置１５は抵抗加熱ボート１７に蒸着材料を供給する装置である。この自動給材装置１５により、真空蒸着チャンバ１の真空を維持した状態で抵抗加熱ボート１７に蒸着材料を供給することができる。
【００４１】
図中の符号１６は調整機構としてのシャッターである。シャッター１６は成膜開始の際に直ちに開き、成膜終了と同時に閉じる。今回のように、２つの蒸発源を同時に使用する場合は、双方のシャッター１６の開閉のタイミングを合わせる必要がある。
【００４２】
図中の符号２０は回転駆動装置である。この回転駆動装置２０は抵抗加熱ボート１７を自動給材装置１６の位置に配置した状態で蒸着材料を供給した後、成膜位置である蒸発源まで移動させるために必要な装置である。このとき、回転駆動装置２０には、抵抗加熱ボート１７を２つ以上設置することが望ましい。これは、成膜前蒸着材料追加時間の短縮の効果と複数個の抵抗加熱ボートを使用することによる抵抗加熱ボートの長寿命化の効果とを奏する。
【００４３】
回転駆動装置２０に抵抗加熱ボート１７を複数個配置するため、成膜時に蒸発源から蒸発した蒸着材料が、他の抵抗加熱ボートに混入する可能性が考えられる。これを防止するために、回転駆動装置２０に配置した抵抗加熱ボート１７を完全に覆うことができる防着板１８を設置する。ただし、防着板１８は成膜位置及び自動供給装置位置においては開放しておく必要がある。
【００４４】
図中の符号２１は電流供給装置である。この電流供給装置２１は、抵抗加熱ボート１７を成膜位置において加熱するために必要な電流を供給するものである。回転駆動装置２０によって抵抗加熱ボート１７を回転させるため、抵抗加熱ボート１７が成膜位置まで移動した後に電流供給が行えるように、電極１９と電流供給装置２１との間には電流供給シャフト２２を設け、電流供給シャフト２２には昇降機能を持たせる必要がある。なお、本実施の形態においては抵抗加熱蒸着法を例として説明したが、蒸発源の加熱機構を電子ビームに置き換えることにより電子ビーム蒸着法を用いることも可能である。
【００４５】
［実施の形態２］
図４は、本発明の実施の形態２に係る露光装置を概略的に示した図である。この露光装置Ｓは、露光原版としてのレチクル５１上の回路パターンを被処理体としてのウエハ５２上に露光するためのものである。この露光装置Ｓは、例えば波長１９３ｎｍのレーザ光源５３からの光をレチクル５１上に導く照明光学系５４、レチクル５１上の回路パターン像をウエハ５２上に投影する投影光学系５５を有して構成される。
【００４６】
照明光学系５４は光学素子としてのレンズ５４ａを有している。投影光学系５５も光学素子としてのレンズ５５ａを有している。これらのレンズ５４ａ，５５ａの表面には、上述の実施の形態１に係る成膜方法によって成膜された薄膜が形成されている。したがって、レンズ５４ａ，５５ａのＦ２レーザー耐久性能も耐環境性も良好で、かつ光学性能も良好であるので露光装置Ｓは高精度に露光を行うことができる。
【００４７】
［実施の形態３］
次に、図５及び図６を参照して、上述の露光装置Ｓを利用したデバイスの製造方法の実施例を説明する。図５は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造を例に説明する。ステップ１０１（回路設計）ではデバイスの回路設計を行う。ステップ１０２（レチクル製作）では、設計した回路パターンを形成したレチクルを製作する。ステップ１０３（ウエハ製造）ではシリコンなどの材料を用いてウエハ（基板）を製造する。ステップ１０４（ウエハプロセス）は前工程と呼ばれ、レチクルとウエハを用いてリソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。ステップ１０５（組み立て）は後工程と呼ばれ、ステップ１０４によって作成されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ１０６（検査）では、ステップ１０５で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ１０７）される。
【００４８】
図６は、ステップ１０４のウエハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ１１１（酸化）ではウエハの表面を酸化させる。ステップ１１２（ＣＶＤ）では、ウエハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１１３（電極形成）では、ウエハ上に電極を蒸着などによって形成する。ステップ１１４（イオン打ち込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１１５（レジスト処理）ではウエハに感光剤を塗布する。ステップ１１６（露光）では、露光装置Ｓによってレチクルの回路パターンをウエハに露光する。ステップ１１７（現像）では、露光したウエハを現像する。ステップ１１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。本実施の形態の製造方法によれば従来よりも高品位かつ高集積度のデバイスを低コストに製造することができる。
【００４９】
以上、本発明の好ましい実施の形態を説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、その要旨の範囲内で様々な変形や変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の実施の形態１に係る成膜方法を実現するための成膜装置の概略構成図である。
【図２】図１に示す成膜装置の蒸発源近傍を基材側から見た上面図である。
【図３】図２に示す蒸発源のうちの１つを側方から見た側方図である。
【図４】本発明の実施の形態３に係る露光装置の全体構成を示す概略構成図である。
【図５】図４に示す露光装置によるデバイス製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図６】図９に示すステップ１０４の詳細なフローチャートである。
【符号の説明】
【００５１】
Ｐ：成膜装置
Ｓ：露光装置
１：真空蒸着チャンバ
２：基板加熱用ヒータ
３：基材
４：基材回転ホルダ
５，６：水晶振動子
７：拡散防止板
８：蒸着材料（非結晶性材料）
９：蒸着材料（結晶性材料）
１０：蒸着源
１０ａ：蒸着源（非結晶性材料加熱機構）
１０ｂ，１０ｃ：蒸着源（結晶性材料加熱機構）
１０ｄ：蒸着源
１１：補正前の蒸着材料８の蒸着範囲
１２：補正前の蒸着材料９の蒸着範囲
１３：補正後の蒸着材料８の蒸着範囲
１４：補正後の蒸着材料９の蒸着範囲
１５：自動給材装置
１６：シャッター（調整機構）
１７；抵抗加熱ボート
１８：防着板
１９：電極
２０：回転駆動装置
２１：電流供給装置
２２：電流供給シャフト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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