(57)【要約】  【課題】  多層配線構造を有する半導体装置において、機械的ストレス又は熱的ストレスに起因する層間絶縁膜のクラック又は剥離を確実に防止する。  【解決手段】  半導体基板（図示省略）のチップ領域１０１におけるコーナー部（チップコーナー部）を含む外周部にはシールリング１０２が設けられていると共に、チップ領域１０１におけるシールリング１０２よりも内側にはメッシュ状（格子状）にレイアウトされた第１のダミー配線１０３ａ及び第２のダミー配線１０３ｂが設けられている。第１のダミー配線１０３ａと第２のダミー配線１０３ｂとによってチップ強度強化用構造体が構成される。第２のダミー配線１０３ｂは、第１のダミー配線１０３ａに対して斜め方向（例えば４５°方向）に交差する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上の層間絶縁膜中に積層された複数の配線層を有する半導体装置であって、
前記半導体基板のチップ領域の外周部に設けられたシールリングと、
前記チップ領域における前記シールリングよりも内側に設けられたチップ強度強化用構造体とを備え、
前記チップ強度強化用構造体は、格子状に配置された第１の配線と、前記第１の配線に対して斜め方向に交差する第２の配線とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第１の配線と前記第２の配線との交差角度は４５°であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の半導体装置において、
前記第１の配線と前記第２の配線とは少なくとも１つの同一の配線層に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の半導体装置において、
前記第１の配線と前記第２の配線とは互いに異なる配線層に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置において、
一の配線層に設けられた前記第１の配線又は前記第２の配線と、他の配線層に設けられた前記第１の配線又は前記第２の配線とは少なくとも１つのビアを介して接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記チップ強度強化用構造体は、前記チップ領域のコーナー部に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記チップ強度強化用構造体は、前記チップ領域におけるコーナー部以外の他の部分に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体装置において、
前記チップ強度強化用構造体は、前記チップ領域における前記コーナー部以外の外周部に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項７に記載の半導体装置において、
前記チップ強度強化用構造体は、前記チップ領域における前記コーナー部以外の中央部に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、低誘電率誘電体材料などからなる層間絶縁膜、つまり、ヤング率、硬度及び界面密着性が低く且つ熱膨張率が高い層間絶縁膜を用いた多層配線構造を有する半導体装置において機械的ストレス又は熱的ストレスに起因する層間絶縁膜のクラック又は剥離を防止する配線（チップ強度強化用構造体）に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
デジタル化社会が進むにつれ、半導体装置の高機能化・高速化の要望が強まっている。この要望に応えるための半導体装置の大規模高集積化に伴い、配線の多層化さらには配線の微細化が進んでいる。また、近年、配線の微細化に起因して生じる寄生容量を抑制して半導体装置を高速化するために、従来のシリコン酸化膜やシリコン窒化膜などの酸化物誘電体と比べてより誘電率の低い低誘電率誘電体材料（ Low-k材料）が層間絶縁膜に用いられるようになってきている。
【特許文献１】特開２００３−２４３４０１号公報
【特許文献２】特開２００４−１５３０１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
低誘電率材料には、従来の酸化物誘電体と比較して、ヤング率、硬度及び界面密着性が低く且つ熱膨張率が高いという物理的特性の著しい違いが存在する。このため、低誘電率誘電体材料を用いた半導体装置においては、ワイヤーボンディング時におけるパッド下側の層間絶縁膜界面での剥離若しくはクラックの発生、又は封止後の熱応力に起因するチップコーナー部での剥離若しくはクラックの発生等が問題となっている。このような層間絶縁膜のクラックや剥離は配線間のリークや断線を引き起こし、半導体装置に致命的ダメージを及ぼす。
【０００４】
図１５は、従来の半導体装置におけるチップコーナー部（集積回路を構成する配線の存在しない領域）及びその近傍の平面図である。また、図１６は、図１５における XVI−XVI 線の断面図である。尚、図１５においては、絶縁膜の図示を省略している。
【０００５】
図１５及び図１６に示すように、１においては、絶縁膜の図示を省略している。
【０００６】
図１５及び図１６に示すように、半導体基板（図示省略）となるウェハ上に複数のチップ領域１１が設けられていると共に、各チップ領域１１におけるコーナー部（チップコーナー部）を含む外周部にはシールリング１２が設けられている。また、チップ領域１１におけるシールリング１２よりも内側にはメッシュ状（格子状）にレイアウトされたダミー配線（チップ強度強化用構造体）１３が設けられている。尚、シールリング１２は、低誘電率膜１４と絶縁膜１５とが交互に積層されてなる層間絶縁膜を上下に貫通するように設けられていると共に、ダミー配線１３は、当該層間絶縁膜中に積層された複数の配線層のそれぞれに配置されている。また、シールリング１２及びダミー配線１３はそれぞれバリア材料１７とそれにより囲まれた配線材料１８とから構成されている。
【０００７】
ところが、各配線層には同一のメッシュ状のダミー配線１３が設けられているので、図１６に示すように、ダミー配線１３に対して斜め方向から外部応力１６が加わった場合、ダミー配線１３と低誘電率膜１４との接触面積が小さい当該斜め方向において、剥がれやクラックが発生しやすくなる。この問題は、一般に、ダミー配線１３と低誘電率膜１４との密着性と比べて、低誘電率膜１４と絶縁膜１５との密着性が劣ることによって生じる。
【０００８】
前記に鑑み、本発明は、ヤング率、硬度及び界面密着性が低く且つ熱膨張率が高い低誘電率誘電体材料などからなる層間絶縁膜を用いた多層配線構造を有する半導体装置において、機械的ストレス又は熱的ストレスに起因する層間絶縁膜のクラック又は剥離を確実に防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記の目的を達成するために、本願発明者らは、ヤング率、硬度及び界面密着性が低く且つ熱膨張率が高い低誘電率誘電体材料などからなる層間絶縁膜を用いた多層配線構造を有する半導体装置において、層間絶縁膜のクラック又は剥離が発生しやすいチップコーナー部や配線面積率（ある領域の面積に対する当該領域に配置されている配線の占有面積の比率）の低い特定箇所に、メッシュ状の配線に加えて、当該配線と斜めに交差する他の配線（例えば当該配線のパターンを４５°回転させたパターンを持つ他の配線）を設けることを着想した。
【００１０】
すなわち、本発明に係る半導体装置は、半導体基板上の層間絶縁膜中に積層された複数の配線層を有する半導体装置であって、前記半導体基板のチップ領域の外周部に設けられたシールリングと、前記チップ領域における前記シールリングよりも内側に設けられたチップ強度強化用構造体とを備え、前記チップ強度強化用構造体は、格子状に配置された第１の配線と、前記第１の配線に対して斜め方向に交差する第２の配線とを有する。
【００１１】
本発明の半導体装置によると、例えば第１の配線に対して斜め方向から外部応力が加わったとしても、当該斜め方向において、密着性の高い領域となる第２の配線と層間絶縁膜との接触領域の面積を確保できる。このため、層間絶縁膜として、ヤング率、硬度及び界面密着性が低く且つ熱膨張率が高い低誘電率誘電体材料等を用いる場合にも、機械的ストレス又は熱的ストレスに起因する層間絶縁膜のクラック又は剥離を確実に防止することができる。
【００１２】
本発明の半導体装置において、前記第１の配線と前記第２の配線との交差角度は４５°であってもよい。
【００１３】
本発明の半導体装置において、前記第１の配線と前記第２の配線とは、少なくとも１つの同一の配線層に設けられていてもよいし、又は互いに異なる配線層に設けられていてもよい。
【００１４】
本発明の半導体装置において、一の配線層に設けられた前記第１の配線又は前記第２の配線と、他の配線層に設けられた前記第１の配線又は前記第２の配線とが少なくとも１つのビアを介して接続されていると、層間絶縁膜のクラック又は剥離をより確実に防止することができる。
【００１５】
本発明の半導体装置において、前記チップ強度強化用構造体は、前記チップ領域のコーナー部に設けられていてもよいし、又は前記チップ領域におけるコーナー部以外の他の部分に設けられていてもよい。後者の場合、前記チップ強度強化用構造体は、前記チップ領域における前記コーナー部以外の外周部に設けられていてもよいし、又は前記チップ領域における前記コーナー部以外の中央部に設けられていてもよい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によると、チップ強度強化用構造体が、格子状の第１の配線と、当該第１の配線に対して斜め方向に交差する第２の配線とを有するため、低誘電率誘電体材料等からなる層間絶縁膜に機械的ストレス又は熱的ストレスが様々な方向から加わった場合にも、層間絶縁膜のクラック又は剥離を確実に防止し、それにより不良の発生を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置について、図面を参照しながら説明する。尚、本実施形態の半導体装置は、例えばシリコン基板等の半導体基板上の層間絶縁膜中に積層された複数の配線層（多層配線）を有する半導体装置である。
【００１８】
図１は、本実施形態の半導体装置におけるチップコーナー部（集積回路を構成する配線や素子の存在しない領域）及びその近傍の平面図である。また、図２は、図１におけるII−II線の断面図である。尚、図１においては、絶縁膜の図示を省略している。
【００１９】
図１及び図２に示すように、半導体基板（図示省略）となるウェハ上に複数のチップ領域（ダイシング後に個片の半導体チップとなる領域：以下同じ）１０１が設けられていると共に、各チップ領域１０１におけるコーナー部（チップコーナー部）を含む外周部にはシールリング１０２が設けられている。また、チップ領域１０１におけるシールリング１０２よりも内側にはメッシュ状（格子状）にレイアウトされた第１のダミー配線１０３ａ及び第２のダミー配線１０３ｂが設けられている。本実施形態では、第１のダミー配線１０３ａと第２のダミー配線１０３ｂとによってチップ強度強化用構造体が構成される。本願において、ダミー配線とは、半導体集積回路に含まれない配線、つまりデバイスの電気的特性に関係のない配線を意味する。
【００２０】
尚、シールリング１０２は、低誘電率膜１０４と絶縁膜１０５とが交互に積層されてなる層間絶縁膜を上下に貫通するように設けられたラインビア（ビア幅でライン状に延びる壁構造）の積層体からなる。
【００２１】
また、第１のダミー配線１０３ａ及び第２のダミー配線１０３ｂは、当該層間絶縁膜中に積層された複数の配線層のそれぞれに配置されている。すなわち、第１のダミー配線１０３ａと第２のダミー配線１０３ｂとは同一の配線層に設けられており、互いに接続されている。また、各配線層において、第２のダミー配線１０３ｂは、第１のダミー配線１０３ａに対して斜め方向（例えば４５°方向）に交差する。言い換えると、第２のダミー配線１０３ｂのメッシュ状のパターンレイアウトは、第１のダミー配線１０３ａのメッシュ状のパターンレイアウトを４５°回転させたものになっている。具体的には、第１のダミー配線１０３ａは、第１の方向及びそれに対して垂直に（９０°で）交差する第２の方向に延びている。また、第２のダミー配線１０３ｂは、第１又は第２の方向に対して４５°で交差する第３の方向及びそれに対して垂直に（９０°で）交差する第４の方向（第４の方向も第１又は第２の方向に対して４５°で交差する）に延びている。
【００２２】
また、シールリング１０２並びに第１のダミー配線１０３ａ及び第２のダミー配線１０３ｂはそれぞれバリア材料１１１とそれにより囲まれた配線材料（例えばＣｕ）１１２とから構成されている。
【００２３】
また、低誘電率膜１０４は例えばＳｉＯＣ等からなる低誘電率膜であり、絶縁膜１０５は例えばＣｕの拡散を防止するＳｉＮ又はＳｉＣＮ等からなる絶縁膜である。
【００２４】
本実施形態によると、層間絶縁膜のクラックや剥離が発生しやすいチップコーナー部に、前述の第１のダミー配線１０３ａ及び第２のダミー配線１０３ｂからなる本実施形態のチップ強度強化用構造体が配置されている。従って、例えば第１のダミー配線１０３ａに対して斜め方向（例えば図１のII−II線方向つまり図２の左右方向）から外部応力が加わったとしても、図２に示すように、当該斜め方向において、密着性の高い領域となる第２のダミー配線１０３ｂと層間絶縁膜（具体的には低誘電率膜１０４及び拡散防止絶縁膜１０５）との接触領域の面積を確保できる。このため、層間絶縁膜として、ヤング率、硬度及び界面密着性が低く且つ熱膨張率が高い低誘電率誘電体材料等を用いる場合にも、機械的ストレス又は熱的ストレスに起因する層間絶縁膜のクラック又は剥離を確実に防止でき、それにより不良の発生を防止することができる。
【００２５】
尚、第１の実施形態において、第１のダミー配線１０３ａ及び第２のダミー配線１０３ｂをチップコーナー部に配置したが、これに代えて、又はこれに加えて、膜剥がれ等の発生しやすい他の領域（例えば配線や素子等のパターンがない領域）、又は配線面積率の低い他の特定箇所等に配置してもよい。
【００２６】
また、第１の実施形態において、第１のダミー配線１０３ａ及び第２のダミー配線１０３ｂをシールリング１０２と接続してもよいし、又は接続しなくてもよい。
【００２７】
また、第１の実施形態において、第１のダミー配線１０３ａと第２のダミー配線１０３ｂとの交差角度は４５°に限られない（但し９０°を除く）ことは言うまでもない。しかし、色々な方向からのストレスを考慮した場合、第１のダミー配線１０３ａと第２のダミー配線１０３ｂとの交差角度は２０°以上で且つ７０°以下であることが好ましい。
【００２８】
また、第１の実施形態において、２種類のメッシュ状ダミー配線を用いてチップ強度強化用構造体を構成したが、これに代えて、互いに斜め方向に交差する３種類以上のメッシュ状ダミー配線を用いてチップ強度強化用構造体を構成してもよい。
【００２９】
また、第１の実施形態において、第１のダミー配線１０３ａ及び第２のダミー配線１０３ｂのそれぞれの幅を太くするほど、また、各ダミー配線１０３ａ及び１０３ｂのメッシュを高密度化するほど（配線数を増やすほど）、配線面積率が増大して前述の不良発生防止効果が向上する。
【００３０】
また、第１の実施形態において、第１のダミー配線１０３ａ及び第２のダミー配線１０３ｂに代えて、当該各ダミー配線と同様にレイアウトされており且つ信号線又は電源線として使用される配線を用いてもよい。
【００３１】
（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置について、図面を参照しながら説明する。尚、本実施形態の半導体装置は、例えばシリコン基板等の半導体基板上の層間絶縁膜中に積層された複数の配線層（多層配線）を有する半導体装置である。
【００３２】
図３は、本実施形態の半導体装置におけるチップコーナー部（集積回路を構成する配線や素子の存在しない領域）及びその近傍の平面図である。また、図４は、図３におけるIV−IV線の断面図である。尚、図３においては、絶縁膜の図示を省略している。
【００３３】
図３及び図４に示すように、半導体基板（図示省略）となるウェハ上に複数のチップ領域２０１が設けられていると共に、各チップ領域２０１におけるコーナー部（チップコーナー部）を含む外周部にはシールリング２０２が設けられている。また、チップ領域２０１におけるシールリング２０２よりも内側にはメッシュ状（格子状）にレイアウトされた第１のダミー配線２０３ａ及び第２のダミー配線２０３ｂが設けられている。本実施形態では、第１のダミー配線２０３ａと第２のダミー配線２０３ｂとによってチップ強度強化用構造体が構成される。
【００３４】
尚、シールリング２０２は、低誘電率膜２０４と絶縁膜２０５とが交互に積層されてなる層間絶縁膜を上下に貫通するように設けられたラインビアの積層体からなる。
【００３５】
また、第１のダミー配線２０３ａ及び第２のダミー配線２０３ｂは、当該層間絶縁膜中に積層された複数の配線層に交互に配置されている。すなわち、第１のダミー配線２０３ａと第２のダミー配線２０３ｂとは互いに異なる配線層に設けられている。また、第２のダミー配線２０３ｂは、第１のダミー配線２０３ａに対して斜め方向（例えば４５°方向）に交差する。言い換えると、第２のダミー配線２０３ｂのメッシュ状のパターンレイアウトは、第１のダミー配線２０３ａのメッシュ状のパターンレイアウトを４５°回転させたものになっている。具体的には、第１のダミー配線２０３ａは、第１の方向及びそれに対して垂直に（９０°で）交差する第２の方向に延びている。また、第２のダミー配線２０３ｂは、第１又は第２の方向に対して４５°で交差する第３の方向及びそれに対して垂直に（９０°で）交差する第４の方向（第４の方向も第１又は第２の方向に対して４５°で交差する）に延びている。
【００３６】
また、シールリング２０２並びに第１のダミー配線２０３ａ及び第２のダミー配線２０３ｂはそれぞれバリア材料２１１とそれにより囲まれた配線材料（例えばＣｕ）２１２とから構成されている。
【００３７】
また、低誘電率膜２０４は例えばＳｉＯＣ等からなる低誘電率膜であり、絶縁膜２０５は例えばＣｕの拡散を防止するＳｉＮ又はＳｉＣＮ等からなる絶縁膜である。
【００３８】
本実施形態によると、層間絶縁膜のクラックや剥離が発生しやすいチップコーナー部に、前述の第１のダミー配線２０３ａ及び第２のダミー配線２０３ｂからなる本実施形態のチップ強度強化用構造体が配置されている。従って、例えば第１のダミー配線２０３ａに対して斜め方向（例えば図３のIV−IV線方向つまり図４の左右方向）から外部応力が加わったとしても、図４に示すように、当該斜め方向において、密着性の高い領域となる第２のダミー配線２０３ｂと層間絶縁膜（具体的には低誘電率膜２０４及び拡散防止絶縁膜２０５）との接触領域の面積を確保できる。このため、層間絶縁膜として、ヤング率、硬度及び界面密着性が低く且つ熱膨張率が高い低誘電率誘電体材料等を用いる場合にも、機械的ストレス又は熱的ストレスに起因する層間絶縁膜のクラック又は剥離を確実に防止でき、それにより不良の発生を防止することができる。
【００３９】
また、本実施形態によると、第１のダミー配線２０３ａと第２のダミー配線２０３ｂとが互いに異なる配線層に設けられているため、各配線層での極度な配線面積率の増加に起因する不良の発生を防ぐことができる。具体的には、例えば第１の実施形態のように、第１のダミー配線１０３ａと第２のダミー配線１０３ｂとを同一の配線層に配置した場合、配線面積率が増大する結果、配線がディッシング形状になる危険性が高くなる。ディッシングが生じた場合、露光マージンが低下してシールリング１０２のビア部にパターン形成不良が起こる。それに対して、第２の実施形態では、第１のダミー配線２０３ａと第２のダミー配線２０３ｂとが互いに異なる配線層に設けられているため、各配線層での極度な配線面積率の増加を防止でき、それによってディッシングに起因する不良の発生を防止することができる。
【００４０】
尚、第２の実施形態において、第１のダミー配線２０３ａ及び第２のダミー配線２０３ｂをチップコーナー部に配置したが、これに代えて、又はこれに加えて、膜剥がれ等の発生しやすい他の領域（例えば配線や素子等のパターンがない領域）、又は配線面積率の低い他の特定箇所等に配置してもよい。
【００４１】
また、第２の実施形態において、第１のダミー配線２０３ａ及び第２のダミー配線２０３ｂをシールリング２０２と接続してもよいし、又は接続しなくてもよい。
【００４２】
また、第２の実施形態において、第１のダミー配線２０３ａと第２のダミー配線２０３ｂとの交差角度は４５°に限られない（但し９０°を除く）ことは言うまでもない。しかし、色々な方向からのストレスを考慮した場合、第１のダミー配線２０３ａと第２のダミー配線２０３ｂとの交差角度は２０°以上で且つ７０°以下であることが好ましい。
【００４３】
また、第２の実施形態において、２種類のメッシュ状ダミー配線を用いてチップ強度強化用構造体を構成したが、これに代えて、互いに斜め方向に交差する３種類以上のメッシュ状ダミー配線を用いてチップ強度強化用構造体を構成してもよい。
【００４４】
また、第２の実施形態において、第１のダミー配線２０３ａ及び第２のダミー配線２０３ｂのそれぞれの幅を太くするほど、また、各ダミー配線２０３ａ及び２０３ｂのメッシュを高密度化するほど（配線数を増やすほど）、配線面積率が増大して前述の不良発生防止効果が向上する。
【００４５】
また、第２の実施形態において、第１のダミー配線２０３ａ及び第２のダミー配線２０３ｂに代えて、当該各ダミー配線と同様にレイアウトされており且つ信号線又は電源線として使用される配線を用いてもよい。
【００４６】
（第３の実施形態）
以下、本発明の第３の実施形態に係る半導体装置について、図面を参照しながら説明する。尚、本実施形態の半導体装置は、例えばシリコン基板等の半導体基板上の層間絶縁膜中に積層された複数の配線層（多層配線）を有する半導体装置である。
【００４７】
図５は、本実施形態の半導体装置におけるチップコーナー部（集積回路を構成する配線や素子の存在しない領域）及びその近傍の平面図である。また、図６は、図５におけるVI−VI線の断面図である。尚、図５においては、絶縁膜の図示を省略している。
【００４８】
図５及び図６に示すように、半導体基板（図示省略）となるウェハ上に複数のチップ領域３０１が設けられていると共に、各チップ領域３０１におけるコーナー部（チップコーナー部）を含む外周部にはシールリング３０２が設けられている。また、チップ領域３０１におけるシールリング３０２よりも内側にはメッシュ状（格子状）にレイアウトされた第１のダミー配線３０３ａ及び第２のダミー配線３０３ｂが設けられている。
【００４９】
尚、シールリング３０２は、低誘電率膜３０４と絶縁膜３０５とが交互に積層されてなる層間絶縁膜を上下に貫通するように設けられたラインビアの積層体からなる。
【００５０】
また、第１のダミー配線３０３ａ及び第２のダミー配線３０３ｂは、当該層間絶縁膜中に積層された複数の配線層に交互に配置されている。すなわち、第１のダミー配線３０３ａと第２のダミー配線３０３ｂとは互いに異なる配線層に設けられている。また、第２のダミー配線３０３ｂは、第１のダミー配線３０３ａに対して斜め方向（例えば４５°方向）に交差する。言い換えると、第２のダミー配線３０３ｂのメッシュ状のパターンレイアウトは、第１のダミー配線３０３ａのメッシュ状のパターンレイアウトを４５°回転させたものになっている。具体的には、第１のダミー配線３０３ａは、第１の方向及びそれに対して垂直に（９０°で）交差する第２の方向に延びている。また、第２のダミー配線３０３ｂは、第１又は第２の方向に対して４５°で交差する第３の方向及びそれに対して垂直に（９０°で）交差する第４の方向（第４の方向も第１又は第２の方向に対して４５°で交差する）に延びている。
【００５１】
さらに、一の配線層に設けられた第１のダミー配線３０３ａのメッシュの交点と、該一の配線層の上層又は下層に位置する他の配線層に設けられた第２のダミー配線３０３ｂのメッシュの交点とはビア３０６によって接続されている。すなわち、本実施形態では、第１のダミー配線３０３ａと第２のダミー配線３０３ｂとビア３０６とによってチップ強度強化用構造体が構成される。
【００５２】
また、シールリング３０２、第１のダミー配線３０３ａ、第２のダミー配線３０３ｂ及びビア３０６はそれぞれバリア材料３１１とそれにより囲まれた配線材料（例えばＣｕ）３１２とから構成されている。
【００５３】
また、低誘電率膜３０４は例えばＳｉＯＣ等からなる低誘電率膜であり、絶縁膜３０５は例えばＣｕの拡散を防止するＳｉＮ又はＳｉＣＮ等からなる絶縁膜である。
【００５４】
本実施形態によると、層間絶縁膜のクラックや剥離が発生しやすいチップコーナー部に、前述の第１のダミー配線３０３ａ及び第２のダミー配線３０３ｂからなる本実施形態のチップ強度強化用構造体が配置されている。従って、例えば第１のダミー配線３０３ａに対して斜め方向（例えば図５のVI−VI線方向つまり図６の左右方向）から外部応力が加わったとしても、図６に示すように、当該斜め方向において、密着性の高い領域となる第２のダミー配線３０３ｂと層間絶縁膜（具体的には低誘電率膜３０４及び拡散防止絶縁膜３０５）との接触領域の面積を確保できる。このため、層間絶縁膜として、ヤング率、硬度及び界面密着性が低く且つ熱膨張率が高い低誘電率誘電体材料等を用いる場合にも、機械的ストレス又は熱的ストレスに起因する層間絶縁膜のクラック又は剥離を確実に防止でき、それにより不良の発生を防止することができる。また、上下に隣り合う配線層間において、第１のダミー配線３０３ａのメッシュの交点と第２のダミー配線３０３ｂのメッシュの交点とがビア３０６によって接続されていることによって、前述の不良発生防止効果をより向上させることができる。
【００５５】
また、本実施形態によると、第１のダミー配線３０３ａと第２のダミー配線３０３ｂとが互いに異なる配線層に設けられているため、各配線層での極度な配線面積率の増加に起因する不良を防ぐことができる。具体的には、例えば第１の実施形態のように、第１のダミー配線１０３ａと第２のダミー配線１０３ｂとを同一の配線層に配置した場合、配線面積率が増大する結果、配線がディッシング形状になる危険性が高くなる。ディッシングが生じた場合、露光マージンが低下してシールリング１０２のビア部にパターン形成不良が起こる。それに対して、第２の実施形態では、第１のダミー配線２０３ａと第２のダミー配線２０３ｂとが互いに異なる配線層に設けられているため、各配線層での極度な配線面積率の増加を防止でき、それによってディッシングに起因する不良の発生を防止することができる。
【００５６】
尚、第３の実施形態において、第１のダミー配線３０３ａ及び第２のダミー配線３０３ｂをチップコーナー部に配置したが、これに代えて、又はこれに加えて、膜剥がれ等の発生しやすい他の領域（例えば配線や素子等のパターンがない領域）、又は配線面積率の低い他の特定箇所等に配置してもよい。
【００５７】
また、第３の実施形態において、第１のダミー配線３０３ａ及び第２のダミー配線３０３ｂをシールリング３０２と接続してもよいし、又は接続しなくてもよい。
【００５８】
また、第３の実施形態において、第１のダミー配線３０３ａと第２のダミー配線３０３ｂとの交差角度は４５°に限られない（但し９０°を除く）ことは言うまでもない。しかし、色々な方向からのストレスを考慮した場合、第１のダミー配線３０３ａと第２のダミー配線３０３ｂとの交差角度は２０°以上で且つ７０°以下であることが好ましい。
【００５９】
また、第３の実施形態において、２種類のメッシュ状ダミー配線を用いてチップ強度強化用構造体を構成したが、これに代えて、互いに斜め方向に交差する３種類以上のメッシュ状ダミー配線を用いてチップ強度強化用構造体を構成してもよい。
【００６０】
また、第３の実施形態において、第１のダミー配線３０３ａのメッシュの交点と第２のダミー配線３０３ｂのメッシュの交点とを接続するビアの数は１つに限られない。すなわち、各交点同士を複数のビアによって接続してもよい。また、第１のダミー配線３０３ａ及び第２のダミー配線３０３ｂのメッシュの交点の中にビアが設けられないものがあってもよい。
【００６１】
また、第３の実施形態において、第１のダミー配線３０３ａと第２のダミー配線３０３ｂとを互いに異なる配線層に設けたが、これに代えて、第１のダミー配線３０３ａと第２のダミー配線３０３ｂとを複数の同一配線層に設けてもよい。この場合、一の配線層に設けられた第１のダミー配線３０３ａ及び第２のダミー配線３０３ｂのメッシュの交点と、該一の配線層の上層又は下層に位置する他の配線層に設けられた第１のダミー配線３０３ａ及び第２のダミー配線３０３ｂのメッシュの交点とを１つ又は複数のビア３０６によって接続する。
【００６２】
また、第３の実施形態において、第１のダミー配線３０３ａ及び第２のダミー配線３０３ｂのそれぞれの幅を太くするほど、また、各ダミー配線３０３ａ及び３０３ｂのメッシュを高密度化するほど（配線数を増やすほど）、配線面積率が増大して前述の不良発生防止効果が向上する。
【００６３】
また、第３の実施形態において、第１のダミー配線３０３ａ及び第２のダミー配線３０３ｂに代えて、当該各ダミー配線と同様にレイアウトされており且つ信号線又は電源線として使用される配線を用いてもよい。
【００６４】
（第４の実施形態）
以下、本発明の第４の実施形態に係る半導体装置について、図面を参照しながら説明する。尚、本実施形態の半導体装置は、例えばシリコン基板等の半導体基板上の層間絶縁膜中に積層された複数の配線層（多層配線）を有する半導体装置である。
【００６５】
図７は、本実施形態の半導体装置におけるチップコーナー部（集積回路を構成する配線や素子の存在しない領域）及びその近傍の平面図である。尚、図７においては、絶縁膜の図示を省略している。
【００６６】
図７に示すように、半導体基板（図示省略）となるウェハ上に複数のチップ領域４０１が設けられていると共に、各チップ領域４０１におけるコーナー部（チップコーナー部）を含む外周部にはシールリング４０２が設けられている。また、チップ領域４０１におけるシールリング４０２よりも内側にはメッシュ状（格子状）にレイアウトされた第１のダミー配線４０３ａ及び第２のダミー配線４０３ｂが設けられている。本実施形態では、第１のダミー配線４０３ａと第２のダミー配線４０３ｂとによってチップ強度強化用構造体が構成される。
【００６７】
尚、シールリング４０２は、低誘電率膜（例えばＳｉＯＣ等からなる低誘電率膜）と絶縁膜（例えばＣｕの拡散を防止するＳｉＮ又はＳｉＣＮ等からなる絶縁膜）とが交互に積層されてなる層間絶縁膜を上下に貫通するように設けられたラインビアの積層体から構成されている。
【００６８】
また、第１のダミー配線４０３ａ及び第２のダミー配線４０３ｂは、当該層間絶縁膜中に積層された複数の配線層のそれぞれに配置されている。すなわち、第１のダミー配線４０３ａと第２のダミー配線４０３ｂとは同一の配線層に設けられており、互いに接続されている。また、各配線層において、第２のダミー配線４０３ｂは、第１のダミー配線４０３ａに対して斜め方向（例えば４５°方向）に交差する。言い換えると、第２のダミー配線４０３ｂのメッシュ状のパターンレイアウトは、第１のダミー配線４０３ａのメッシュ状のパターンレイアウトを４５°回転させたものになっている。具体的には、第１のダミー配線４０３ａは、第１の方向及びそれに対して垂直に（９０°で）交差する第２の方向に延びている。また、第２のダミー配線４０３ｂは、第１又は第２の方向に対して４５°で交差する第３の方向及びそれに対して垂直に（９０°で）交差する第４の方向（第４の方向も第１又は第２の方向に対して４５°で交差する）に延びている。
【００６９】
本実施形態の特徴は、第１のダミー配線４０３ａと第２のダミー配線４０３ｂとからなるチップ強度強化用構造体がチップコーナー部のみに設けられていることである。
【００７０】
本実施形態によると、層間絶縁膜のクラックや剥離が発生しやすいチップコーナー部に、前述の第１のダミー配線４０３ａ及び第２のダミー配線４０３ｂからなる本実施形態のチップ強度強化用構造体が配置されている。従って、例えば第１のダミー配線４０３ａに対して斜め方向から外部応力が加わったとしても、当該斜め方向において、密着性の高い領域となる第２のダミー配線４０３ｂと層間絶縁膜との接触領域の面積を確保できる。このため、層間絶縁膜として、ヤング率、硬度及び界面密着性が低く且つ熱膨張率が高い低誘電率誘電体材料等を用いる場合にも、機械的ストレス又は熱的ストレスに起因する層間絶縁膜のクラック又は剥離を確実に防止でき、それにより不良の発生を防止することができる。
【００７１】
また、本実施形態によると、第１のダミー配線４０３ａと第２のダミー配線４０３ｂとからなるチップ強度強化用構造体がチップコーナー部のみに設けられているため、ダミー配線の配置領域の面積を小さくすることできる。
【００７２】
尚、第４の実施形態において、第１のダミー配線４０３ａと第２のダミー配線４０３ｂとを互いに異なる配線層に設けてもよい。また、一の配線層に設けられた第１のダミー配線４０３ａ又は第２のダミー配線４０３ｂのメッシュの交点と、該一の配線層の上層又は下層に位置する他の配線層に設けられた第１のダミー配線４０３ａ又は第２のダミー配線４０３ｂのメッシュの交点とを少なくとも１つのビアを介して接続してもよい。
【００７３】
また、第４の実施形態において、第１のダミー配線４０３ａ及び第２のダミー配線４０３ｂをチップコーナー部に配置したが、これに代えて、又はこれに加えて、膜剥がれ等の発生しやすい他の領域（例えば配線や素子等のパターンがない領域）、又は配線面積率の低い他の特定箇所等に配置してもよい。
【００７４】
また、第４の実施形態において、第１のダミー配線４０３ａ及び第２のダミー配線４０３ｂをシールリング４０２と接続してもよいし、又は接続しなくてもよい。
【００７５】
また、第４の実施形態において、第１のダミー配線４０３ａと第２のダミー配線４０３ｂとの交差角度は４５°に限られない（但し９０°を除く）ことは言うまでもない。しかし、色々な方向からのストレスを考慮した場合、第１のダミー配線４０３ａと第２のダミー配線４０３ｂとの交差角度は２０°以上で且つ７０°以下であることが好ましい。
【００７６】
また、第４の実施形態において、２種類のメッシュ状ダミー配線を用いてチップ強度強化用構造体を構成したが、これに代えて、互いに斜め方向に交差する３種類以上のメッシュ状ダミー配線を用いてチップ強度強化用構造体を構成してもよい。
【００７７】
また、第４の実施形態において、第１のダミー配線４０３ａ及び第２のダミー配線４０３ｂのそれぞれの幅を太くするほど、また、各ダミー配線４０３ａ及び４０３ｂのメッシュを高密度化するほど（配線数を増やすほど）、配線面積率が増大して前述の不良発生防止効果が向上する。
【００７８】
また、第４の実施形態において、第１のダミー配線４０３ａ及び第２のダミー配線４０３ｂに代えて、当該各ダミー配線と同様にレイアウトされており且つ信号線又は電源線として使用される配線を用いてもよい。
【００７９】
（第５の実施形態）
以下、本発明の第５の実施形態に係る半導体装置について、図面を参照しながら説明する。尚、本実施形態の半導体装置は、例えばシリコン基板等の半導体基板上の層間絶縁膜中に積層された複数の配線層（多層配線）を有する半導体装置である。
【００８０】
図８は、本実施形態の半導体装置におけるチップコーナー部（集積回路を構成する配線や素子の存在しない領域）及びその近傍の平面図である。尚、図８においては、絶縁膜の図示を省略している。
【００８１】
図８に示すように、半導体基板（図示省略）となるウェハ上に複数のチップ領域５０１が設けられていると共に、各チップ領域５０１におけるコーナー部（チップコーナー部）を含む外周部にはシールリング５０２が設けられている。また、チップ領域５０１におけるシールリング５０２よりも内側にはメッシュ状（格子状）にレイアウトされた第１のダミー配線５０３ａ及び第２のダミー配線５０３ｂが設けられている。本実施形態では、第１のダミー配線５０３ａと第２のダミー配線５０３ｂとによってチップ強度強化用構造体が構成される。
【００８２】
尚、シールリング５０２は、低誘電率膜（例えばＳｉＯＣ等からなる低誘電率膜）と絶縁膜（例えばＣｕの拡散を防止するＳｉＮ又はＳｉＣＮ等からなる絶縁膜）とが交互に積層されてなる層間絶縁膜を上下に貫通するように設けられたラインビアの積層体から構成されている。
【００８３】
また、第１のダミー配線５０３ａ及び第２のダミー配線５０３ｂは、当該層間絶縁膜中に積層された複数の配線層のそれぞれに配置されている。すなわち、第１のダミー配線５０３ａと第２のダミー配線５０３ｂとは同一の配線層に設けられており、互いに接続されている。また、各配線層において、第２のダミー配線５０３ｂは、第１のダミー配線５０３ａに対して斜め方向（例えば４５°方向）に交差する。言い換えると、第２のダミー配線５０３ｂのメッシュ状のパターンレイアウトは、第１のダミー配線５０３ａのメッシュ状のパターンレイアウトを４５°回転させたものになっている。具体的には、第１のダミー配線５０３ａは、第１の方向及びそれに対して垂直に（９０°で）交差する第２の方向に延びている。また、第２のダミー配線５０３ｂは、第１又は第２の方向に対して４５°で交差する第３の方向及びそれに対して垂直に（９０°で）交差する第４の方向（第４の方向も第１又は第２の方向に対して４５°で交差する）に延びている。
【００８４】
本実施形態によると、層間絶縁膜のクラックや剥離が発生しやすいチップ領域５０１の外周部に、前述の第１のダミー配線５０３ａ及び第２のダミー配線５０３ｂからなる本実施形態のチップ強度強化用構造体が配置されている。従って、例えば第１のダミー配線５０３ａに対して斜め方向から外部応力が加わったとしても、当該斜め方向において、密着性の高い領域となる第２のダミー配線５０３ｂと層間絶縁膜との接触領域の面積を確保できる。このため、層間絶縁膜として、ヤング率、硬度及び界面密着性が低く且つ熱膨張率が高い低誘電率誘電体材料等を用いる場合にも、機械的ストレス又は熱的ストレスに起因する層間絶縁膜のクラック又は剥離を確実に防止でき、それにより不良の発生を防止することができる。
【００８５】
また、本実施形態によると、第１のダミー配線５０３ａと第２のダミー配線５０３ｂとからなるチップ強度強化用構造体がチップコーナー部を除くチップ領域５０１の外周部に設けられているため、チップコーナー部には、他の配線、識別マーク又はアライメントマーク等を配置することができる。
【００８６】
尚、第５の実施形態において、第１のダミー配線５０３ａと第２のダミー配線５０３ｂとを互いに異なる配線層に設けてもよい。また、一の配線層に設けられた第１のダミー配線５０３ａ又は第２のダミー配線５０３ｂのメッシュの交点と、該一の配線層の上層又は下層に位置する他の配線層に設けられた第１のダミー配線５０３ａ又は第２のダミー配線５０３ｂのメッシュの交点とを少なくとも１つのビアを介して接続してもよい。
【００８７】
また、第５の実施形態において、第１のダミー配線５０３ａ及び第２のダミー配線５０３ｂをチップ領域５０１の外周部に配置したが、これに代えて、又はこれに加えて、膜剥がれ等の発生しやすい他の領域（例えば配線や素子等のパターンがない領域）、又は配線面積率の低い他の特定箇所等に配置してもよい。
【００８８】
また、第５の実施形態において、第１のダミー配線５０３ａ及び第２のダミー配線５０３ｂをシールリング５０２と接続してもよいし、又は接続しなくてもよい。
【００８９】
また、第５の実施形態において、第１のダミー配線５０３ａと第２のダミー配線５０３ｂとの交差角度は４５°に限られない（但し９０°を除く）ことは言うまでもない。しかし、色々な方向からのストレスを考慮した場合、第１のダミー配線５０３ａと第２のダミー配線５０３ｂとの交差角度は２０°以上で且つ７０°以下であることが好ましい。
【００９０】
また、第５の実施形態において、２種類のメッシュ状ダミー配線を用いてチップ強度強化用構造体を構成したが、これに代えて、互いに斜め方向に交差する３種類以上のメッシュ状ダミー配線を用いてチップ強度強化用構造体を構成してもよい。
【００９１】
また、第５の実施形態において、第１のダミー配線５０３ａ及び第２のダミー配線５０３ｂのそれぞれの幅を太くするほど、また、各ダミー配線５０３ａ及び５０３ｂのメッシュを高密度化するほど（配線数を増やすほど）、配線面積率が増大して前述の不良発生防止効果が向上する。
【００９２】
また、第５の実施形態において、第１のダミー配線５０３ａ及び第２のダミー配線５０３ｂに代えて、当該各ダミー配線と同様にレイアウトされており且つ信号線又は電源線として使用される配線を用いてもよい。
【００９３】
（第６の実施形態）
以下、本発明の第６の実施形態に係る半導体装置について、図面を参照しながら説明する。尚、本実施形態の半導体装置は、例えばシリコン基板等の半導体基板上の層間絶縁膜中に積層された複数の配線層（多層配線）を有する半導体装置である。
【００９４】
図９は、本実施形態の半導体装置におけるチップ領域の中央部（外周部を除く部分）の平面図である。尚、図９においては、絶縁膜の図示を省略している。
【００９５】
図９に示すように、半導体基板（図示省略）となるウェハ上に複数のチップ領域６０１が設けられていると共に、各チップ領域６０１における中央部（集積回路を構成する配線や素子の存在しない領域）には、メッシュ状（格子状）にレイアウトされた第１のダミー配線６０３ａ及び第２のダミー配線６０３ｂが設けられている。本実施形態では、第１のダミー配線６０３ａと第２のダミー配線６０３ｂとによってチップ強度強化用構造体が構成される。また、図示は省略しているが、チップ領域６０１の外周部にはシールリングが設けられている。
【００９６】
尚、前記のシールリングは、低誘電率膜（例えばＳｉＯＣ等からなる低誘電率膜）と絶縁膜（例えばＣｕの拡散を防止するＳｉＮ又はＳｉＣＮ等からなる絶縁膜）とが交互に積層されてなる層間絶縁膜を上下に貫通するように設けられたラインビアの積層体から構成されている。
【００９７】
また、第１のダミー配線６０３ａ及び第２のダミー配線６０３ｂは、当該層間絶縁膜中に積層された複数の配線層のそれぞれに配置されている。すなわち、第１のダミー配線６０３ａと第２のダミー配線６０３ｂとは同一の配線層に設けられており、互いに接続されている。また、各配線層において、第２のダミー配線６０３ｂは、第１のダミー配線６０３ａに対して斜め方向（例えば４５°方向）に交差する。言い換えると、第２のダミー配線６０３ｂのメッシュ状のパターンレイアウトは、第１のダミー配線６０３ａのメッシュ状のパターンレイアウトを４５°回転させたものになっている。具体的には、第１のダミー配線６０３ａは、第１の方向及びそれに対して垂直に（９０°で）交差する第２の方向に延びている。また、第２のダミー配線６０３ｂは、第１又は第２の方向に対して４５°で交差する第３の方向及びそれに対して垂直に（９０°で）交差する第４の方向（第４の方向も第１又は第２の方向に対して４５°で交差する）に延びている。
【００９８】
本実施形態によると、層間絶縁膜のクラックや剥離が発生しやすいチップ領域６０１の中央部（配線面積率の低い特定箇所）に、前述の第１のダミー配線６０３ａ及び第２のダミー配線６０３ｂからなる本実施形態のチップ強度強化用構造体が配置されている。従って、例えば第１のダミー配線６０３ａに対して斜め方向から外部応力が加わったとしても、当該斜め方向において、密着性の高い領域となる第２のダミー配線６０３ｂと層間絶縁膜との接触領域の面積を確保できる。このため、層間絶縁膜として、ヤング率、硬度及び界面密着性が低く且つ熱膨張率が高い低誘電率誘電体材料等を用いる場合にも、機械的ストレス又は熱的ストレスに起因する層間絶縁膜のクラック又は剥離を確実に防止でき、それにより不良の発生を防止することができる。
【００９９】
また、本実施形態によると、第１のダミー配線６０３ａと第２のダミー配線６０３ｂとからなるチップ強度強化用構造体が、チップ領域６０１における外周部以外の中央部に設けられているため、チップ強度をより向上させることができる。
【０１００】
尚、第６の実施形態において、第１のダミー配線６０３ａと第２のダミー配線６０３ｂとを互いに異なる配線層に設けてもよい。また、一の配線層に設けられた第１のダミー配線６０３ａ又は第２のダミー配線６０３ｂのメッシュの交点と、該一の配線層の上層又は下層に位置する他の配線層に設けられた第１のダミー配線６０３ａ又は第２のダミー配線６０３ｂのメッシュの交点とを少なくとも１つのビアを介して接続してもよい。
【０１０１】
また、第６の実施形態において、第１のダミー配線６０３ａ及び第２のダミー配線６０３ｂをチップ領域６０１の外周部に配置したが、これに代えて、又はこれに加えて、膜剥がれ等の発生しやすい他の領域（例えば配線や素子等のパターンがない領域）、又は配線面積率の低い他の特定箇所等に配置してもよい。
【０１０２】
また、第６の実施形態において、第１のダミー配線６０３ａ及び第２のダミー配線６０３ｂをシールリング６０２と接続してもよいし、又は接続しなくてもよい。
【０１０３】
また、第６の実施形態において、第１のダミー配線６０３ａと第２のダミー配線６０３ｂとの交差角度は４５°に限られない（但し９０°を除く）ことは言うまでもない。しかし、色々な方向からのストレスを考慮した場合、第１のダミー配線６０３ａと第２のダミー配線６０３ｂとの交差角度は２０°以上で且つ７０°以下であることが好ましい。
【０１０４】
また、第６の実施形態において、２種類のメッシュ状ダミー配線を用いてチップ強度強化用構造体を構成したが、これに代えて、互いに斜め方向に交差する３種類以上のメッシュ状ダミー配線を用いてチップ強度強化用構造体を構成してもよい。
【０１０５】
また、第６の実施形態において、第１のダミー配線６０３ａ及び第２のダミー配線６０３ｂのそれぞれの幅を太くするほど、また、各ダミー配線６０３ａ及び６０３ｂのメッシュを高密度化するほど（配線数を増やすほど）、配線面積率が増大して前述の不良発生防止効果が向上する。
【０１０６】
また、第６の実施形態において、第１のダミー配線６０３ａ及び第２のダミー配線６０３ｂに代えて、当該各ダミー配線と同様にレイアウトされており且つ信号線又は電源線として使用される配線を用いてもよい。
【０１０７】
（第１の実施形態の変形例）
以下、本発明の第１の実施形態の変形例に係る半導体装置について、図面を参照しながら説明する。尚、以下に説明する各変形例の半導体装置は、例えばシリコン基板等の半導体基板上の層間絶縁膜中に積層された複数の配線層（多層配線）を有する半導体装置である。
【０１０８】
図１０〜図１４は、第１の実施形態の変形例に係る半導体装置におけるチップコーナー部（集積回路を構成する配線や素子の存在しない領域）及びその近傍の平面図である。尚、図１０〜図１４においては、絶縁膜の図示を省略している。
【０１０９】
図１０及び図１１のそれぞれに示す変形例が第１の実施形態と異なっている点は、第１のダミー配線１０３ａ及び第２のダミー配線１０３ｂがシールリング１０２のコーナー部の近傍にしか設けられていないことである。これによって、ダミー配線の配置領域の面積を小さくすることできる。尚、図１０に示すように、第１のダミー配線１０３ａがＬ字形状を有していてもよい。また、図１０及び図１１に示すように、第２のダミー配線１０３ｂを一方向にしか設けなくてもよい。さらに、図１０及び図１１のそれぞれに示す変形例を第２又は第３の実施形態に適用できることは言うまでもない。
【０１１０】
図１２〜図１４のそれぞれに示す変形例が第１の実施形態と異なっている点は、第２のダミー配線１０３ｂが設けられていないことである。しかしながら、メッシュ状（格子状）にレイアウトされた第１のダミー配線１０３ａが、半導体基板（図示省略）のチップ領域１０１のコーナー部（チップコーナー部）に加えて、それ以外の外周部にも設けられているので、層間絶縁膜のクラック又は剥離を防止する効果が向上する。
【産業上の利用可能性】
【０１１１】
本発明は、多層配線構造を有する半導体装置におけるチップ強度強化用構造体に関し、低誘電率誘電体材料などからなる層間絶縁膜、つまり、ヤング率、硬度及び界面密着性が低く且つ熱膨張率が高い層間絶縁膜を用いた多層配線構造を有する半導体装置に適用した場合には、機械的ストレス又は熱的ストレスに起因する層間絶縁膜のクラック又は剥離を確実に防止できるという効果が得られ、非常に有用である。
【図面の簡単な説明】
【０１１２】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置におけるチップコーナー部及びその近傍の平面図である。
【図２】図２は、図１におけるII−II線の断面図である。
【図３】図３は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置におけるチップコーナー部及びその近傍の平面図である。
【図４】図４は、図３におけるIV−IV線の断面図である。
【図５】図５は、本発明の第３の実施形態に係る半導体装置におけるチップコーナー部及びその近傍の平面図である。
【図６】図６は、図５におけるVI−VI線の断面図である。
【図７】図７は、本発明の第４の実施形態に係る半導体装置におけるチップコーナー部及びその近傍の平面図である。
【図８】図８は、本発明の第５の実施形態に係る半導体装置におけるチップコーナー部及びその近傍の平面図である。
【図９】図９は、本発明の第６の実施形態に係る半導体装置におけるチップ領域の中央部の平面図である。
【図１０】図１０は、本発明の第１の実施形態の変形例に係る半導体装置におけるチップコーナー部及びその近傍の平面図である。
【図１１】図１１は、本発明の第１の実施形態の変形例に係る半導体装置におけるチップコーナー部及びその近傍の平面図である。
【図１２】図１２は、本発明の第１の実施形態の変形例に係る半導体装置におけるチップコーナー部及びその近傍の平面図である。
【図１３】図１３は、本発明の第１の実施形態の変形例に係る半導体装置におけるチップコーナー部及びその近傍の平面図である。
【図１４】図１４は、本発明の第１の実施形態の変形例に係る半導体装置におけるチップコーナー部及びその近傍の平面図である。
【図１５】図１５は、従来の半導体装置におけるチップコーナー部及びその近傍の平面図である。
【図１６】図１６は、図１５における XVI−XVI 線の断面図である。
【符号の説明】
【０１１３】
１０１    チップ領域
１０２    シールリング
１０３ａ  第１のダミー配線
１０３ｂ  第２のダミー配線
１０４    低誘電率膜
１０５    絶縁膜
１１１    バリア材料
１１２    配線材料
２０１    チップ領域
２０２    シールリング
２０３ａ  第１のダミー配線
２０３ｂ  第２のダミー配線
２０４    低誘電率膜
２０５    絶縁膜
２１１    バリア材料
２１２    配線材料
３０１    チップ領域
３０２    シールリング
３０３ａ  第１のダミー配線
３０３ｂ  第２のダミー配線
３０４    低誘電率膜
３０５    絶縁膜
３０６    ビア
３１１    バリア材料
３１２    配線材料
４０１    チップ領域
４０２    シールリング
４０３ａ  第１のダミー配線
４０３ｂ  第２のダミー配線
５０１    チップ領域
５０２    シールリング
５０３ａ  第１のダミー配線
５０３ｂ  第２のダミー配線
６０１    チップ領域
６０３ａ  第１のダミー配線
６０３ｂ  第２のダミー配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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