(57)【要約】【課題】放熱ビアによる熱伝達効率を低下させることなく、ＲＦモジュールの小型化を実現することのできる技術を提供する。【解決手段】複数枚の絶縁体板２ａ１〜２ａ５を積層して構成されるＲＦモジュール１の積層基板２において、積層基板２の部品搭載面から裏面へ貫通する放熱ビア１２を最下層の絶縁体板２ａ１に形成された複数個の小径ビア１２ａからなる第１ビア部分と最下層の絶縁体板２ａ１を除いた他の４枚の絶縁体板２ａ２〜２ａ５にそれぞれ形成された大径ビア１２ｂを連続して繋げてなる第２ビア部分とによって構成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数枚の絶縁体板を積層して構成される積層基板と、前記積層基板の部品搭載面から裏面へ貫通する放熱ビアと、前記放熱ビアに充填された導電性材料とを有する半導体装置であって、
前記放熱ビアは、最下層の第１絶縁体板に形成された第１ビア部分と前記第１ビア部分の上に位置する１枚以上積層された第２絶縁体板に形成された第２ビア部分とからなり、前記第１ビア部分は相対的に径の小さい複数個の第１ビアにより構成され、前記第２ビア部分は前記第２絶縁体板にそれぞれ形成された相対的に径の大きい第２ビアが連続して繋がった１個のビアにより構成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
複数枚の絶縁体板を積層して構成される積層基板と、前記積層基板の上層に位置する所定の絶縁体板に形成されたキャビティと、前記キャビティの底面から前記積層基板の裏面へ貫通する放熱ビアと、前記放熱ビアに充填された導電性材料とを有する半導体装置であって、
前記放熱ビアは、最下層の第１絶縁体板に形成された第１ビア部分と前記第１ビア部分の上に位置する１枚以上積層された第２絶縁体板に形成された第２ビア部分とからなり、前記第１ビア部分は相対的に径の小さい複数個の第１ビアにより構成され、前記第２ビア部分は前記第２絶縁体板にそれぞれ形成された相対的に径の大きい第２ビアが連続して繋がった１個のビアにより構成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２記載の半導体装置において、前記第１絶縁体板に形成された前記第１ビア部分と前記第２絶縁体板に形成された前記第２ビア部分との間、または２枚以上積層された前記第２絶縁体板に形成された前記第２ビア部分の中間に、互いの前記第１ビアおよび前記第２ビアを繋いで、前記第１ビア部分が形成された絶縁体板が配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法；
（ａ）その表面に導電性材料からなる配線が形成され、その内部に導電性材料が充填された相対的に径の小さい第１ビアが複数個形成された第１絶縁体板を用意する工程、
（ｂ）その表面に導電性材料からなる配線が形成され、その内部に相対的に径の大きい第２ビアが１個形成された第２絶縁体板を用意する工程、
（ｃ）前記第１絶縁体板を最下層に配置し、最下層に配置した前記第１絶縁体板の上に１枚以上の前記第２絶縁体板を積層して、前記第１絶縁体板に形成された前記第１ビアと１枚以上の前記第２絶縁体板にそれぞれ形成された前記第２ビアとを繋げる工程、
（ｄ）前記工程（ｃ）において繋げた１枚以上の前記第２絶縁体板にそれぞれ形成された前記第２ビアの内部に導電性材料を充填する工程。
【請求項５】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法；
（ａ）その表面に導電性材料からなる配線が形成され、その内部に導電性材料が充填された相対的に径の小さい第１ビアが複数個形成された第１絶縁体板を用意する工程、
（ｂ）その表面に導電性材料からなる配線が形成され、その内部に相対的に径の大きい第２ビアが１個形成された第２絶縁体板を用意する工程、
（ｃ）その表面に導電性材料からなる配線が形成され、その内部にキャビティが形成された第３絶縁体板を用意する工程、
（ｄ）前記第１絶縁体板を最下層に配置し、最下層に配置した前記第１絶縁体板の上に１枚以上の前記第２絶縁体板を積層して、前記第１絶縁体板に形成された前記第１ビアと１枚以上の前記第２絶縁体板にそれぞれ形成された前記第２ビアとを繋げる工程、
（ｅ）前記工程（ｃ）において繋げた１枚以上の前記第２絶縁体板にそれぞれ形成された前記第２ビアの内部に導電性材料を充填する工程、
（ｆ）前記工程（ｅ）の後、前記第２ビアの内部に充填した前記導電性材料の上に前記第３絶縁体板の前記キャビティが位置するように、前記第１絶縁体板および１枚以上の前記第２絶縁体板の上に、さらに、１枚以上の前記第３絶縁板を積層する工程。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造技術に関し、特に、ＲＦ（Radio Frequency）モジュールおよびその製造に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話等のような移動通信機器では、例えば電力増幅器（Power Amplifier）またはアンテナスイッチ等が形成された表面実装型の半導体チップと、コンデンサまたはレジスタ等が形成された表面実装型のチップ部品とが、同一基板上に搭載された構造のＲＦモジュールを採用している。近年では、ＲＦモジュールの小型化や高機能化に対する要求から、例えば、セラミックを基板材料とし、内部配線に銀（Ａｇ）などの低融点材料を用いた種々の多層基板が提案されている（例えば非特許文献１、２参照。）。
【非特許文献１】“低温焼成セラミック基板”、［online］、［平成１７年５月２５日検索］、インターネット＜URL : http://www.murata.co.jp/catalog/n20j.pdf＞
【非特許文献２】“ＬＴＣＣ多層基板”、［online］、［平成１７年５月２５日検索］、インターネット＜URL : http://www.koaproducts.com/catalogue/klc.htm＞
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ＲＦモジュールは、複数枚の絶縁体板を積層して一体化した多層配線構造を有する積層基板を採用しており、その部品搭載面には、能動素子が形成された半導体チップ、受動素子が形成された単体または集積チップ等の表面実装部品が搭載される。通常、半導体チップの裏面電極は、積層基板の部品搭載面から裏面へ貫通して形成された複数の放熱ビア内の導電性材料を通じて積層基板の裏面に形成された電極と電気的かつ熱的に接合される。この裏面電極には基準電位、例えば接地電位が供給される。また、半導体チップの動作時に発生した熱は、半導体チップの裏面から放熱ビアを通じて裏面電極に伝わり放散されるようになっている。
【０００４】
ところで、ＲＦモジュールのさらなる小型化や高機能化に対する要求から、積層基板内部の配線密度はより高くなっており、その結果、放熱ビアの幅およびスペースを狭くする必要が生じている。放熱ビアは半導体チップの熱を放散させるためには必要であり、これにより半導体チップの動作時の温度上昇が抑えられて、特性劣化を抑制することができる。しかし、放熱ビアの幅を狭くすると熱の伝達経路が狭くなり、熱抵抗が増加するという問題が生じる。また、放熱ビアのスペースは、他の配線等を入れることができない無駄なスペースではあるが、狭いスペースの加工が難しいため、スペースを狭くすると積層基板の製造歩留まりが低下するなどの問題が生じる。
【０００５】
本発明の目的は、放熱ビアによる熱伝達効率を低下させることなく、ＲＦモジュールの小型化を実現することのできる技術を提供することにある。
【０００６】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【０００８】
本発明は、複数枚の絶縁体板を積層して構成されるＲＦモジュールの積層基板において、積層基板の部品搭載面から裏面へ貫通する放熱ビアは、最下層の第１絶縁体板に形成された第１ビア部分と第１ビア部分の上に位置する１枚以上積層された第２絶縁体板に形成された第２ビア部分とからなり、第１ビア部分は相対的に径の小さい複数個の第１ビアにより構成され、第２ビア部分は第２絶縁体板にそれぞれ形成された相対的に径の大きい第２ビアが連続して繋がった１個のビアにより構成されている。
【０００９】
本発明は、複数枚の絶縁体板からなるＲＦモジュールの積層基板の製造方法において、その表面に導電性材料からなる配線が形成され、その内部に導電性材料が充填された相対的に径の小さい複数個の第１ビアが形成された第１絶縁体板と、その表面に導電性材料からなる配線が形成され、その内部に相対的に径の大きい１個の第２ビアが形成された第２絶縁体板とを用意し、第１絶縁体板を最下層として、その上に１枚以上の第２絶縁体板を積層して、第１絶縁体板に形成された第１ビアと１枚以上の第２絶縁体板にそれぞれ形成された第２ビアとを繋げた後、繋がった第２ビアの内部に導電性材料を充填する。
【発明の効果】
【００１０】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００１１】
放熱ビアによる熱伝達効率を低下させることなく、ＲＦモジュールの小型化を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本実施の形態においては、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。さらに、本実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、本実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００１３】
また、本実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００１４】
（実施の形態１）
本発明の実施の形態１によるＲＦモジュールを図１および図２を用いて説明する。図１は、ＲＦモジュールの構成図の一例、図２は、放熱ビアが形成された積層基板の一部を拡大した上面図の一例である。
【００１５】
図１に示すように、ＲＦモジュール１は、複数枚（本実施の形態１では５枚を例示）の絶縁体板２ａ１〜２ａ５、例えばセラミック板を積層して一体化した多層配線構造の積層基板２を採用している。積層基板２の部品搭載面には導体、例えば銅（Ｃｕ）または銀からなる基板側端子３および配線等が形成されており、その裏面には導体、例えば銅または銀からなる電極４，４Ｇが形成されている。さらに、図１には、積層基板２の部品搭載面に搭載される表面実装部品として、能動素子が形成された半導体チップ５と受動素子が形成されたチップ部品６とを例示しており、これら表面実装部品は絶縁性の樹脂７によって覆われて保護されている。
【００１６】
半導体チップ５は、例えば電界効果トランジスタであり、半導体チップ５の主面に形成された複数の外部用端子（図示は省略）は、これに対応する積層基板２の基板側端子３と接合材９により接続されている。ここでは、接合材９に金（Ａｕ）の細線からなるワイヤボンディングを用いている。
【００１７】
半導体チップ５の裏面電極１０は、積層基板２の部品搭載面から裏面へ絶縁体板を貫通して形成された放熱ビア１２の内部に充填された導電性材料１３、例えば銅または銀を通じて積層基板２の裏面に形成された電極４Ｇと電気的かつ熱的に接合されている。接合には、ダイボンド材として半田１１を用いている。この電極４Ｇには基準電位（例えば接地電位ＧＮＤで０Ｖ程度）が供給される。すなわち、積層基板２の裏面の電極４Ｇに供給された基準電位は放熱ビア１２の内部に充填された導電性材料１３を通じて半導体チップ５の裏面に供給されるようになっている。また、逆に半導体チップ５の動作時に発生した熱は、半導体チップ５の裏面から放熱ビア１２の内に充填された導電性材料１３を通じて積層基板２の裏面に形成された電極４Ｇに伝わり放散されるようになっている。
【００１８】
この放熱ビア１２は、最下層の絶縁体板（第１絶縁体板）２ａ１に形成された第１ビア部分と、最下層の絶縁体板２ａ１を除いた他の４枚の絶縁体板（第２絶縁体板）２ａ２〜２ａ５に形成された第２ビア部分とからなり、第１ビア部分は、所定の間隔を設けて形成された複数個の小径ビア（相対的に径の小さい第１ビア）１２ａにより構成され、第２形状部分は、複数個の小径ビア１２ａと隣接する小径ビア１２ａ間のスペースとを合わせた面積よりも大きい大径ビア（相対的に径の大きい第２ビア）１２ｂがそれぞれ４枚の絶縁体板２ａ２〜２ａ５に形成され、これらが連続して繋がって構成されている。さらに、最下層の絶縁体板２ａ１に形成された複数個の小径ビア１２ａの内部に充填された導電性材料１３ａと４枚の絶縁体板２ａ２〜２ａ５にそれぞれ形成された大径ビア１２ｂが繋がってなる１個のビアの内部に充填された導電性材料１３ｂとは電気的に接続されている。
【００１９】
図２には、８個の小径ビア１２ａを例示しているが、これに限定されないことは言うまでもない。すなわち、小径ビア１２ａは、半導体チップ５で発生した熱を積層基板２の裏面に形成された電極４Ｇへ効率よく放散させることのできる数および径を有することが一つの条件となるが、小径ビア１２ａには熱の伝達効率のよい導電性材料１３ａが埋め込まれることから、小径ビア１２ａを絶縁体板２ａ１に形成する際の最小加工寸法を除いては任意に条件を設定することが可能である。すなわち、所定の領域内に２つ以上の小径ビア１２ａが形成され、その径および隣接する小径ビア１２ａ間のスペースは最小加工寸法を考慮して任意に設定することができる。
【００２０】
積層基板２の部品搭載面に搭載されるチップ部品６は、例えばコンデンサ、インダクタまたはレジスタ等の受動素子である。チップ部品６は、その裏面を積層基板２の部品搭載面に対向させて積層基板２上に搭載されており、例えばチップ部品６の両端に形成された接続端子が半田を介して積層基板２の部品搭載面に形成された基板側端子３と半田接続されている。
【００２１】
積層基板２の内部には、絶縁体板２ａ１〜２ａ５をそれぞれ貫通するビア１４が形成され、ビア１４の内部に充填された導電性材料１５および各々の絶縁体板２ａ１〜２ａ５の表面に形成された配線を介して、例えば半導体チップ５とチップ部品６、チップ部品６同士またはチップ部品６と積層基板２の裏面に形成された電極４とが電気的に接続されている。
【００２２】
このように、本実施の形態１によれば、最下層の絶縁体板２ａ１を除いた他の４枚の絶縁体板２ａ２〜２ａ５に大径ビア１２ｂを形成し、これらを連続して繋げてなる１個のビアを放熱ビア１２の一部に用いることにより、半導体チップ５で発生した熱を放散する熱伝達経路を拡大して、熱抵抗の低減を図ることができる。さらに、最下層の絶縁体板２ａ１に形成される小径ビア１２ｂの数およびその径、ならびに隣接する小径ビア１２ｂ間のスペースは、熱伝達および電気伝達を阻害しない範囲で、最小加工寸法を考慮した任意の設定ができることから、相対的に狭い領域に放熱ビア１２を形成することができる。これらのことから、放熱ビア１２による熱伝達効率を低下させることなく、ＲＦモジュール１の小型化を実現することができる。さらに、放熱ビア１２による熱伝達効率が良好であることから、ＲＦモジュールの動作時の温度上昇が抑えられて、動作時のＲＦモジュールの特性劣化が抑えられるという効果もある。
【００２３】
なお、本実施の形態１では、最下層の絶縁体板２ａ１に形成された複数個の小径ビア１２ａからなる第１ビア部分と、その他の４枚の絶縁体板２ａ２〜２ａ５にそれぞれ形成した大径ビア１２ｂが連続して繋がってなる第２ビア部分とによって放熱ビア１２を構成したが、最下層の絶縁体板２ａ１にも１個の大径ビア１２ｂを形成して、５枚の絶縁体板２ａ１〜２ａ５にそれぞれ大径ビア１２ｂを形成し、これらを繋げることによって放熱ビア１２を構成することも可能ではある。しかし、後述するように、繋がった大径ビア１２ｂの内部に導電性材料を埋め込む際のストッパ部がなくなるため、少なくとも最下層の絶縁体板２ａ１には、導電性材料１３ａが充填された複数個の小径ビア１２ａからなる第１ビア部分を有する絶縁体板を用いるのが好ましい。また、逆に、最下層の絶縁体板２ａ１のみを第１ビア部分を有する絶縁体板とする必要はなく、下層の２枚の絶縁体板２ａ１，２ａ２または３枚の絶縁体板２ａ１〜２ａ３を複数個の小径ビア１２ａからなる第１ビア部分を有する絶縁体板とすることも可能である。しかし、第１ビア部分が多くなると熱の伝達経路が狭くなり、本発明の効果が充分に得られなくなることが推測される。従って、他の条件によっては、これに限定されるものではないが、下層の２枚の絶縁体板２ａ１，２ａ２を第１ビア部分を有する絶縁体板とするのが適切であり、最下層の絶縁体板２ａ１を第１ビア部分を有する絶縁体板とするのが好適であると考えられる。
【００２４】
また、本実施の形態１では、５枚の絶縁体板２ａ１〜２ａ５によって積層基板２を構成しているが、これに限定されないことは言うまでもない。２〜４枚または６枚以上の絶縁体板によって積層基板２を構成することは可能であり、この場合も、前述したように、最下層の絶縁体板２ａ１は複数個の小径ビア１２ａからなる第１ビア部分を有する絶縁体板とすることが好ましいと考えられる。
【００２５】
また、前述した図１および図２では、放熱ビア１２の第２ビア部分を構成する大径ビア１２ｂの開口面積を半導体チップ５の面積よりも大きいとした。しかし、放熱ビア１２の寸法に制約がある場合は、例えば図３に示すように、上記大径ビア１２ｂの開口面積を半導体チップ５の面積よりも小さくしてもよく、これによって、効果が著しく劣るものではない。
【００２６】
次に、本発明の実施の形態１による前述した積層基板２の製造工程の一例を図４〜図６を用いて工程順に説明する。
【００２７】
まず、図４に示すように、各々の絶縁体板２ａ１〜２ａ５を用意する。最下層となる絶縁体板２ａ１の表面には導電性材料からなる配線１６が形成され、その裏面には電極４，４Ｇが形成され、その内部には導電性材料１３ａが充填された小径ビア１２ａおよび導電性材料１５が充填されたビア１４が形成されている。最下層となる絶縁体板２ａ１以外の４枚の絶縁体板２ａ２〜２ａ５の表面には導電性材料からなる配線１６が形成され、その内部には大径ビア１２ｂおよび導電性材料１５が充填されたビア１４が形成されている。
【００２８】
次に、図５に示すように、絶縁体板２ａ１を最下層として、これら５枚の絶縁体板２ａ１〜２ａ５を順次積層し、最下層の絶縁体板２ａ１に形成され、導電性材料１３ａが充填された小径ビア１２ａと４枚の絶縁体板２ａ２〜２ａ５のそれぞれに形成された大径ビア１２ｂとを繋げる。続いて、図６に示すように、最下層の絶縁体板２ａ１をストッパとして、４枚の絶縁体板２ａ２〜２ａ５のそれぞれに形成された大径ビア１２ｂが連続して繋がってなる１個のビアの内部に導電性材料１３ｂを充填する。その後、焼結することにより、積層基板２が製造される。
【００２９】
（実施の形態２）
本発明の実施の形態２によるＲＦモジュールの構成図の一例を図７に示す。
【００３０】
本実施の形態２のＲＦモジュール２１では、前述した実施の形態１によるＲＦモジュール１の積層基板２にさらに２枚の絶縁体板（第３絶縁体板）２ａ６，２ａ７を追加し、追加した２枚の絶縁体板２ａ６，２ａ７に半導体チップ５を搭載するキャビティ２２が形成されている。その他の構造については、ＲＦモジュール１とほぼ同一である。
【００３１】
ＲＦモジュール２１は、７枚の絶縁体板２ａ１〜２ａ７を積層して一体化した多層配線構造の積層基板２３を採用している。このうち、上層の２枚の絶縁体板２ａ６，２ａ７にキャビティ２２が形成され、キャビティ２２に半導体チップ５が搭載されている。さらに、キャビティ２２の下には、絶縁体板２ａ１〜２ａ５を貫通して形成された放熱ビア１２が形成され、半導体チップ５の裏面電極１０は、放熱ビア１２の内部に充填された導電性材料１３を通じて積層基板２の裏面に形成された電極４Ｇと電気的かつ熱的に接合されている。半導体チップ５の主面に形成された複数の外部用端子（図示せず）は、これに対応する積層基板２３の基板側端子３と接合材９により接続されている。
【００３２】
次に、本発明の実施の形態２による前述した積層基板２３の製造工程の一例を図８〜図１０を用いて工程順に説明する。
【００３３】
まず、図８に示すように、各々の絶縁体板２ａ１〜２ａ７を用意する。最下層となる絶縁体板２ａ１の表面には導電性材料からなる配線１６が形成され、その裏面には電極４，４Ｇが形成され、その内部には導電性材料１３ａが充填された小径ビア１２ａおよび導電性材料１５が充填されたビア１４が形成されている。中間層となる４枚の絶縁体板２ａ２〜２ａ５の表面には導電性材料からなる配線１６が形成され、その内部には大径ビア１２ｂおよび導電性材料５が充填されたビア１４が形成されている。上層となる２枚の絶縁体板２ａ６，２ａ７の表面には導電性材料からなる配線１６が形成され、その内部にはキャビティ２２および導電性材料１５が充填されたビア１４が形成されている。
【００３４】
次に、図９に示すように、絶縁体板２ａ１を最下層として、放熱ビア１２が形成される５枚の絶縁体板２ａ１〜２ａ５を順次積層し、最下層の絶縁体板２ａ１に形成され、導電性材料１３ａが充填された小径ビア１２ａと４枚の絶縁体板２ａ２〜２ａ５のそれぞれに形成された大径ビア１２ｂとを繋げる。続いて。最下層の絶縁体板２ａ１をストッパとして、４枚の絶縁体板２ａ２〜２ａ５のそれぞれに形成された大径ビア１２ｂが連続して繋がってなる１個のビアの内部に導電性材料１３ｂを充填する。さらに、図１０に示すように、積層された５枚の絶縁体板２ａ１〜２ａ５の上に、さらに絶縁体板２ａ６，２ａ７を順次積層した後、焼結することにより、積層基板２３が製造される。
【００３５】
（実施の形態３）
本発明の実施の形態３による放熱ビアが形成された積層基板の一部を拡大した断面図の一例を図１１に示す。
【００３６】
前述した実施の形態１、２では、放熱ビア１２を最下層の絶縁体板２ａ１に形成された複数個の小径ビア１２ａからなる第１ビア部分と、その他の４枚の絶縁体板２ａ２〜２ａ５にそれぞれ形成された大径ビア１２ｂが連続して繋がってなる第２ビア部分とによって構成したが、本実施の形態３による放熱ビア３１は、複数個の小径ビア１２ａからなる第１ビア部分を、最下層に加えて中間層にも配置した構成をとっている。特に、配線等のパターンに制約がある場合において、このような配置構成は有効であり、大径ビア１２ｂを連続して繋げて１個のビアを配置することによる熱の伝達経路の拡大と、中間層に複数個の小径ビア１２ａを配置することによるパターン形成の自由度の向上とを実現することができる。
【００３７】
図１１には、積層基板３２を５枚の絶縁体板２ａ１〜２ａ５で構成し、最下層の絶縁体板２ａ１および下から４層目の絶縁体板２ａ４を複数個の小径ビア１２ａが形成された絶縁体板とし、下から２層目の絶縁体板２ａ２、下から３層目の絶縁体板２ａ３および最上層の絶縁体板２ａ５を大径ビア１２ｂが形成された絶縁体板とした放熱ビアが例示されている。
【００３８】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００３９】
例えば、本実施の形態では、本発明をＲＦモジュールに適用した場合について説明したが、積層基板を使用し、放熱のためにビアを用いるモジュールに適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
本発明は、ＲＦモジュール等のような積層基板を有する半導体装置に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の実施の形態１によるＲＦモジュールの構成図の一例である。
【図２】本発明の実施の形態１による放熱ビアが形成された積層基板の一部を拡大した上面図の一例である。
【図３】本発明の実施の形態１による放熱ビアが形成された積層基板の一部を拡大した断面図の他の例である。
【図４】本発明の実施の形態１による積層基板の製造工程の一例を示す概略図である。
【図５】本発明の実施の形態１による積層基板の製造工程の一例を示す概略図である。
【図６】本発明の実施の形態１による積層基板の製造工程の一例を示す概略図である。
【図７】本発明の実施の形態２によるＲＦモジュールの構成図の一例である。
【図８】本発明の実施の形態２による積層基板の製造工程の一例を示す概略図である。
【図９】本発明の実施の形態２による積層基板の製造工程の一例を示す概略図である。
【図１０】本発明の実施の形態２による積層基板の製造工程の一例を示す概略図である。
【図１１】本発明の実施の形態２による放熱ビアが形成された積層基板の一部を拡大した断面図の一例である。
【符号の説明】
【００４２】
１  ＲＦモジュール
２  積層基板
２ａ１〜２ａ７  絶縁体板
３  基板側端子
４，４Ｇ  電極
５  半導体チップ
６  チップ部品
７  樹脂
９  接合材
１０  裏面電極
１１  半田
１２  放熱ビア
１２ａ  小径ビア
１２ｂ  大径ビア
１３，１３ａ，１３ｂ  導電性材料
１４  ビア
１５  導電性材料
１６  配線
２１  ＲＦモジュール
２２  キャビティ
２３  積層基板
３２  積層基板
【図１】
2006351738.tif 000003
【図２】
2006351738.tif 000004
【図３】
2006351738.tif 000005
【図４】
2006351738.tif 000006
【図５】
2006351738.tif 000007
【図６】
2006351738.tif 000008
【図７】
2006351738.tif 000009
【図８】
2006351738.tif 000010
【図９】
2006351738.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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