(57)【要約】      （修正有）【課題】検査対象が直径８インチ以上の大面積のウエハや被検査電極のピッチが極めて小さい回路装置であっても、バーンイン試験において温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれを確実に防止することができるシート状プローブを提供する。【解決手段】絶縁層と、前記絶縁層の面方向に互いに離間して配置され、さらに前記絶縁層の厚み方向に貫通して伸びる複数の電極構造体を備えた接点膜を有し、前記電極構造体の各々は、前記絶縁層の表面に露出し、さらに前記絶縁層の表面から突出する表面電極部と、前記絶縁層の裏面に露出する裏面電極部と、前記表面電極部の基端から連続して前記絶縁層をその厚み方向に貫通して伸び、前記裏面電極部に連結された短絡部とよりなるとともに、前記短絡部の上端部分と前記表面電極部の基端部分との径が異なるよう肩部が設けられ、前記接点膜は、貫通孔が形成された金属フレーム板の貫通孔の周縁部に支持される。【選択図】図３
2006234826.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、
前記絶縁層の面方向に互いに離間して配置され、さらに前記絶縁層の厚み方向に貫通して伸びる複数の電極構造体を備えた接点膜を有し、
前記電極構造体の各々は、
前記絶縁層の表面に露出し、さらに前記絶縁層の表面から突出する表面電極部と、
前記絶縁層の裏面に露出する裏面電極部と、
前記表面電極部の基端から連続して前記絶縁層をその厚み方向に貫通して伸び、前記裏面電極部に連結された短絡部とよりなるとともに、
前記短絡部の上端部分と前記表面電極部の基端部分との径が異なるよう肩部が設けられ、
前記接点膜は、
貫通孔が形成された金属フレーム板の貫通孔の周縁部に支持され、
前記金属フレーム板の外周縁に前記絶縁層とは離間してリング状の支持部材が設けられているシート状プローブであって、
前記絶縁層の熱線膨張係数をＨ１とし、
前記金属フレーム板の熱線膨張係数をＨ２とし、
前記リング状の支持部材の熱線膨張係数をＨ３としたとき、下記の条件（１）〜（３）、すなわち、
条件（１）：Ｈ１＝０．８×１０-5〜８×１０-5／Ｋ
条件（２）：Ｈ２／Ｈ１＜１
条件（３）：Ｈ３／Ｈ１＜１
を満足することを特徴とするシート状プローブ。
【請求項２】
前記肩部に、前記絶縁層の面方向の外方に伸びる保持部が設けられていることを特徴とする請求項１に記載のシート状プローブ。
【請求項３】
前記肩部に設けられた前記保持部が、前記絶縁層内に埋没状態となるように、前記電極構造体が設けられていることを特徴とする請求項２に記載のシート状プローブ。
【請求項４】
前記肩部に設けられた前記保持部が、前記絶縁層の表面と略同一となるように、前記電極構造体が設けられていることを特徴とする請求項２に記載のシート状プローブ。
【請求項５】
前記肩部に設けられた前記保持部が、前記絶縁層内に一部埋没となるように、前記電極構造体が設けられていることを特徴とする請求項２に記載のシート状プローブ。
【請求項６】
前記金属フレーム板の熱線膨張係数をＨ２と、前記リング状の支持部材の熱線膨張係数をＨ３が、下記の条件（４）、すなわち、
条件（４）：Ｈ３／Ｈ２＝０．０２〜５０
を満足することを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載のシート状プローブ。
【請求項７】
前記金属フレーム板の熱線膨張係数Ｈ２が、下記の条件（５）、すなわち、
条件（５）：Ｈ２＝−１×１０-7〜３×１０-5／Ｋ
を満足することを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載のシート状プローブ。
【請求項８】
前記リング状の支持部材の熱線膨張係数Ｈ３が、下記の条件（６）、すなわち、
条件（６）：Ｈ３＝−１×１０-7〜３×１０-5／Ｋ
を満足することを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載のシート状プローブ。
【請求項９】
前記金属フレーム板が、
複数の貫通孔が形成され、これらの各貫通孔に前記接点膜が支持されていることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載のシート状プローブ。
【請求項１０】
前記リング状の支持部材が、
検査装置本体の検査電極が設けられた側に形成された位置合わせ部に係合することにより、検査装置の検査電極と絶縁層に形成された電極構造体が位置合わせされるように構成されていることを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載のシート状プローブ。
【請求項１１】
前記シート状プローブが、
ウエハに形成された複数の集積回路について、集積回路の電気検査をウエハの状態で行うために用いられるものであることを特徴とする請求項１から１０のいずれかに記載のシート状プローブ。
【請求項１２】
検査対象である回路装置の被検査電極に対応する検査電極が表面に形成された検査用回路基板と、
この検査用回路基板上に配置される異方導電性コネクターと、
この異方導電性コネクター上に配置される請求項１から１１のいずれかに記載のシート状プローブとを備えることを特徴とするプローブカード。
【請求項１３】
請求項１２に記載のプローブカードを備えることを特徴とする回路装置の検査装置。
【請求項１４】
複数の集積回路が形成されたウエハの各集積回路を、請求項１２に記載のプローブカードを介してテスターに電気的に接続し、各集積回路の電気検査を行うことを特徴とするウエハの検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路装置の電気検査に用いられるシート状プローブ、およびプローブカード、ならびにウエハの検査方法に関し、さらに詳しくは、例えばウエハに形成された複数の集積回路の電気検査をウエハの状態で行うために用いられるシート状プローブ、およびプローブカード、ならびにウエハの検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、多数の集積回路が形成されたウエハや、半導体素子などの電子部品などの回路装置の電気検査では、被検査回路装置の被検査電極のパターンに従って配置された検査用電極を有するプローブ装置が用いられている。
【０００３】
従来から、このような装置としてピンもしくはブレードからなる検査用電極（検査プローブ）が配列されたプローブ装置が使用されている。
被検査回路装置が多数の集積回路が形成されたウエハである場合、ウエハ検査用のプローブ装置を作製するためには、非常に多数の検査プローブを配列することが必要となるので、プローブ装置は高価になる。
【０００４】
また、被検査電極のピッチが小さい場合には、プローブ装置を作製すること自体が困難になる。
さらにウエハには一般に反りが生じており、その反りの状態も製品（ウエハ）ごとに異なるため、各ウエハの多数の被検査電極に対して、プローブ装置の検査プローブのそれぞれを安定にかつ確実に接触させることは実際上困難である。
【０００５】
このような問題に対応するため、一面に被検査電極のパターンに従って複数の検査用電極が形成された検査用回路基板の一面上に異方導電性シートを配置し、この異方導電性シート上に、絶縁シートにその厚さ方向に貫通して延びる複数の電極構造体が配列されたシート状プローブを配置したプローブカードが、特許文献１（特開２００１−１５５６５号公報）および特許文献２（特開２００２−１８４８２１号公報）に提案されている。
【０００６】
このプローブカードのシート状プローブ１００は図３３に示したように、ポリイミドなどの樹脂からなる柔軟な円形の絶縁シート１０４を有し、この絶縁シート１０４には、その厚さ方向に延びる複数の電極構造体１０２が被検査回路装置の被検査電極のパターンに従って配置されている。
【０００７】
また絶縁シート１０４の周縁部には、絶縁シート１０４の熱膨張を制御するなどの目的で、例えばセラミックスからなるリング状の支持部材１０６が設けられている。
この支持部材１０６は、絶縁シート１０４の面方向の熱膨張を制御し、バーンイン試験において温度変化による電極構造体１０２と被検査電極との位置ずれを防止するためのものである。
【０００８】
さらに各電極構造体１０２は、絶縁シート１０４の表面に露出する突起状の表面電極部１０８と、絶縁シート１０４の裏面に露出する板状の裏面電極部１１０とが、絶縁シート１０４をその厚さ方向に貫通して延びる短絡部１１２を介して一体に連結された構造になっている。
【特許文献１】特開２００１−１５５６５号公報
【特許文献２】特開２００２−１８４８２１号公報
【特許文献３】特許第２８２８４１０号公報
【特許文献４】特開２００２−７６０７４号公報
【特許文献５】特願２００４−１３１７６４号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、このようなシート状プローブには以下のような問題がある。
例えば直径８インチ以上のウエハでは、５０００個または１００００個以上の被検査電極が形成されており、これらの被検査電極のピッチは３００μｍ以下であり、微細な場合は１６０μｍ以下である。
【００１０】
このようなウエハの検査を行うためのシート状プローブとしては、ウエハに対応した大面積を有し、５０００個または１００００個以上の電極構造体が３００μｍ以下のピッチで配置されたものが必要となる。
【００１１】
しかしウエハを構成する材料の例であるシリコンの線熱膨張係数は、３．３×１０-6／Ｋ程度であり、一方シート状プローブの絶縁シートを構成する材料の例であるポリイミドの線熱膨張係数は、４．５×１０-5／Ｋ程度である。
【００１２】
従って、例えば２５℃においてそれぞれ直径が８インチ（２０ｃｍ）のウエハ、シート状プローブの各々を２５℃から１２５℃まで加熱した場合には、理論上ウエハの直径の変化は６６μｍにすぎないことになるが、シート状プローブの絶縁シートの直径の変化は９００μｍに達し、両者の熱膨張の差は８３４μｍとなる。
【００１３】
このように、ウエハとシート状プローブの絶縁シートとの間で面方向の熱膨張の絶対量に大きな差が生じると、絶縁シートの周縁部をウエハの線熱膨張係数と同等の線熱膨張係数を有する支持部材によって固定しても、バーンイン試験の際に温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれを確実に防止することが困難であるため、良好な電気的接続状態を安定に維持することができない。
【００１４】
また、検査対象が小型の回路装置であっても、隣接する被検査電極間の離間距離が５０μｍ以下である場合には、バーンイン試験の際に温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれを確実に防止することは困難であるため、良好な電気的接続状態を安定に維持することができない。
【００１５】
このような問題点に対して特許文献３（特許第２８２８４１０号公報）では、図３４に示したように、絶縁シート２０４に張力を作用させた状態でリング状の支持部材２０６に固定することにより、絶縁シート２０４の熱膨張を緩和する方法、すなわちリング状の支持部材２０６の熱膨張率Ａと、絶縁シート２０４の熱膨張率Ｂを同一の熱膨張率に制御する方法が提案されている。
【００１６】
しかしながらこの方法では、絶縁シート２０４の全ての面方向について張力を均一に作用させることは極めて困難である。
また電極構造体２０２を形成することによって絶縁シート２０４に作用する張力のバランスが変化し、その結果、絶縁シート２０４は熱膨張について異方性を有するようになる。
【００１７】
このため、面方向の一方向の熱膨張を抑制することは可能であっても、この一方向と交差する他方向の熱膨張を抑制することはできず、結局、温度変化による電極構造体２０２と被検査電極との位置ずれを防止することができない。
【００１８】
また、絶縁シート２０４に張力を作用させた状態で支持部材２０６に固定するためには、加熱下において絶縁シート２０４を支持部材２０６に接着するという煩雑な工程が必要となるため、製造コストの増大を招くという問題がある。
【００１９】
このため特許文献４（特開２００２−７６０７４号公報）においては、絶縁性フィルムと導電層とを積層した構造の積層フィルムを、所定の温度でセラミックリング上に張力を持たせて張り付け、この積層フィルムにバンプホールを形成して電気メッキを行い、バンプホール内にメッキを成長させ表面電極部を形成するとともに導電層を選択的にエッチングして、裏面電極部を形成して電極構造体を形成している。
【００２０】
そして、絶縁性フィルムを選択的にエッチングして、電極構造体の部分を避けてリング状に残しパターンを形成している。
なお絶縁性フィルムの張力は、セラミックリングの元に戻ろうとする復元力に比べ非常に弱いものである。
【００２１】
このため、電極構造体を形成することによって熱膨張について異方性を有する原因である絶縁シートに作用する張力バランスを変化させ、さらに絶縁性フィルム上に残しパターンを形成することによって、セラミックリングの復元力に対抗させている。
【００２２】
また本出願人は、特許文献５（特願２００４−１３１７６４号）において、検査対象が直径８インチ以上の大面積のウエハや被検査電極のピッチが極めて小さい回路装置であっても、バーンイン試験において良好な電気的接続状態を安定に維持することができるプローブカードおよびその製造方法を既に提案している。
【００２３】
すなわち特許文献５（特願２００４−１３１７６４号）では、図３５（ａ）に示したように、フレーム板形成用金属板３０２と、このフレーム板形成用金属板３０２上に一体的に積層された絶縁層形成用樹脂シート３０４とを有する積層体３０６を用意し、この積層体３０６の絶縁層形成用樹脂シート３０４に貫通孔３０８を形成している。
【００２４】
さらに図３５（ｂ）に示したように、積層体３０６に対してメッキ処理を施すことにより絶縁層形成用樹脂シート３０４の貫通孔３０８内に、フレーム板形成用金属板３０２に連結された短絡部３１０と、短絡部３１０に連結された表面電極部３１２を形成している。
【００２５】
そして図３５（ｃ）に示したように、フレーム板形成用金属板３０２をエッチング処理することにより、貫通孔３１４が形成された金属フレーム板３１６を形成し、フレーム板形成用金属板３０２の一部によって、短絡部３１０に連結された裏面電極部３１８を形成している。
【００２６】
これにより、表面に露出する表面電極部３１２と裏面に露出する裏面電極部３１８を有する電極構造体３２０とが、柔軟な樹脂よりなる絶縁層３２２に保持されてなる接点膜３２４と、この接点膜３２４を支持する金属フレーム板３１６とから構成されるシート状プローブ３００が得られるものである。
【００２７】
このような特許文献５（特願２００４−１３１７６４号）のシート状プローブ３００では、絶縁層３２２の面方向の熱膨張が金属フレーム板３１６によって確実に規制されるので、検査対象が例えば直径８インチ以上の大面積のウエハや被検査電極のピッチが極めて小さい回路装置であっても、バーンイン試験において温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれが確実に防止され、良好な電気的接続状態が安定に維持されるものである。
【００２８】
しかしながら、特許文献４（特開２００２−７６０７４号公報）および特許文献５（特願２００４−１３１７６４号）のいずれの場合であっても、絶縁層３２２と、金属フレーム板３１６と、リング状の支持部材（図示せず）との間の熱膨張率については、何ら考慮されていないものである。
【００２９】
従って絶縁層３２２と、金属フレーム板３１６と、リング状の支持部材（図示せず）の形成材料が、例えば、
（１）  絶縁層３２２が、ポリイミド系樹脂、液晶ポリマーなどの柔軟性を有する樹脂から構成され、
（２）  金属フレーム板３１６が、４２合金、インバー、コバールなどの鉄−ニッケル合金鋼から構成され、
（３）  リング状の支持部材（図示せず）が、アルミナ、炭化珪素、窒化珪素などのセラミックス材料から構成され、
ている場合には、これらの異なる材料の間の熱膨張率を適切な範囲に選択しないと、バーンイン試験の際に温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれを確実に防止することが困難となり、良好な電気的接続状態を安定に維持することができない。
【００３０】
さらに図３６（ａ）に示したように検査対象のウエハ４００は、空気環境下にて長時間放置された場合や、製造工程や検査工程において高温条件下にさらされた場合、図３６（ｂ）に示したように被検査電極４０２の表面に酸化膜４０４が形成されることがある。
【００３１】
そして、図３７（ａ）に示したように、特許文献５（特願２００４−１３１７６４号）に示されるような球形の表面電極部３１２からなる電極構造体３２０を備えたシート状プローブ３００においては、図３７（ｂ）に示したように、ウエハ４００の表面に形成された酸化膜４０４を破るのが困難であり、ウエハ４００の被検査電極４０２とシート状プローブ３００の電極構造体３２０の電気的接続が困難となる場合があった。
【００３２】
そのため、図３８（ａ）および図３８（ｂ）に示したように、ウエハ４００の被検査電極４０２の表面に形成された酸化膜４０４を接触時に破って、ウエハ４００の被検査電極４０２とシート状プローブ５００の電極構造体５０４が電気的な接続が容易に達成できるように、シート状プローブ５００に形成された電極構造体５０４の表面電極部５０２の先端部形状を、角錐や円錐台することが考えられる。
【００３３】
このような円錐台電極は、表面電極部５０２における被検査電極４０２との接触する部分の面積が球状電極の場合より小さいため、同一荷重を加えた場合、単位面積当たりに加えられる荷重量が大きく酸化膜４０４を破るのが容易になる。
【００３４】
現在、ウエハ検査時に加えられる荷重は、１被検査電極当たり計算して「８ｇ／電極」となっている。
例えば、球状電極の場合の接触部分の面積がｂとして、円錐台電極の場合の接触部分の面積が０．５ｂなるとすれば、酸化膜４０４を破るための接触時の単位面積当たりの荷重で考えると、円錐台電極での「８ｇ／電極」の荷重は、球状電極での「１６ｇ／電極」の荷重に相当する。
【００３５】
そのため、円錐台電極で酸化膜４０４が形成された被検査電極４０２を有するウエハ４００を検査する場合、検査時に必要な荷重の合計は、円錐台電極の方が小さい圧力で達成できるため、ウエハ検査装置の加圧機構の小型化が達成でき、さらに小さな圧力にて検査できることは、異方導電性コネクターの繰り返し使用耐久性の向上をもたらし、結果的に検査コストの低減をもたらすこととなる。
【００３６】
しかしながら図３９（ａ）および図３９（ｂ）に示したように、シート状プローブ５００に形成された電極構造体５０４の表面電極部５０２の先端部形状を角錐や円錐台とした場合、ウエハ４００の被検査電極４０２と接触できる電極構造体５０４の先端部の寸法が、表面電極部の形状が球状の電極構造体３２０の場合よりも小さくなる。
【００３７】
このような場合において、シート状プローブの電極構造体が距離Ａの位置ズレを生ずると、球状の電極構造体３２０では被検査電極と電気的接続が可能であるが、円錐台の電極構造体５０４では被検査電極４０２と接触できず電気的接続が不可となる。
そのため、円錐台電極または角錐台電極を備えたシート状プローブは、電極構造体５０４の位置ズレ許容量が小さい。
【００３８】
このため、バーンイン試験の際に温度変化による電極構造体５０４と被検査電極４０２との位置ずれによる接続不良が表面電極部の形状が球状の場合よりも生じやすくなり、良好な電気的接続状態を安定に達成することが困難となりやすい。
【００３９】
従って絶縁層３２２と、金属フレーム板３１６と、リング状の支持部材（図示せず）の異なる材料間の熱膨張率の適切な範囲の選択が、バーンイン試験の際に温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれを確実に防止して、良好な電気的接続状態を安定に維持するために、より重要となる。
【００４０】
本発明は、このような現状に鑑み、検査対象が直径８インチ以上の大面積のウエハや被検査電極のピッチが極めて小さい回路装置であっても、バーンイン試験において温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれを確実に防止し、これにより良好な電気的接続状態を安定に維持することができるシート状プローブを提供することを目的とする。
【００４１】
また本発明は、検査対象が直径８インチ以上の大面積のウエハや被検査電極のピッチが極めて小さい回路装置であっても、バーンイン試験において良好な電気的接続状態を安定に維持することができるプローブカード、およびこれを備えた回路装置の検査装置ならびにウエハ検査方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００４２】
本発明は、前述したような従来技術における課題及び目的を達成するために発明されたものであって、
本発明のシート状プローブは、
絶縁層と、
前記絶縁層の面方向に互いに離間して配置され、さらに前記絶縁層の厚み方向に貫通して伸びる複数の電極構造体を備えた接点膜を有し、
前記電極構造体の各々は、
前記絶縁層の表面に露出し、さらに前記絶縁層の表面から突出する表面電極部と、
前記絶縁層の裏面に露出する裏面電極部と、
前記表面電極部の基端から連続して前記絶縁層をその厚み方向に貫通して伸び、前記裏面電極部に連結された短絡部とよりなるとともに、
前記短絡部の上端部分と前記表面電極部の基端部分との径が異なるよう肩部が設けられ、
前記接点膜は、
貫通孔が形成された金属フレーム板の貫通孔の周縁部に支持され、
前記金属フレーム板の外周縁に前記絶縁層とは離間してリング状の支持部材が設けられているシート状プローブであって、
前記絶縁層の熱線膨張係数をＨ１とし、
前記金属フレーム板の熱線膨張係数をＨ２とし、
前記リング状の支持部材の熱線膨張係数をＨ３としたとき、下記の条件（１）〜（３）、すなわち、
条件（１）：Ｈ１＝０．８×１０-5〜８×１０-5／Ｋ
条件（２）：Ｈ２／Ｈ１＜１
条件（３）：Ｈ３／Ｈ１＜１
を満足することを特徴とする。
【００４３】
また、本発明のシート状プローブは、
前記金属フレーム板の熱線膨張係数をＨ２と、前記リング状の支持部材の熱線膨張係数をＨ３が、下記の条件（４）、すなわち、
条件（４）：Ｈ３／Ｈ２＝０．０２〜５０
を満足することを特徴とする。
【００４４】
このようなシート状プローブによれば、金属フレーム板の貫通孔に接点膜を支持しているので、貫通孔に配置される接点膜の面積を小さくすることができる。
例えば、検査対象である回路装置の被検査電極が形成された電極領域に対応して、複数の貫通孔を形成した金属フレーム板を用いれば、これらの各貫通孔に配置され、その周縁部で支持されるそれぞれの接点膜の面積を大幅に小さくすることができる。
【００４５】
このような面積の小さい接点膜は、その絶縁層の面方向の熱膨張の絶対量が小さいため、絶縁層の熱膨張を金属フレーム板によって確実に規制することが可能となる。
また、絶縁層の熱線膨張係数Ｈ１と、金属フレーム板の熱線膨張係数Ｈ２と、リング状の支持部材の熱線膨張係数Ｈ３とを、上記のような条件（１）〜（４）を満足するようにこれらの部材の間の熱膨張率を設定することによって、これら部材の熱膨張率の相違による影響、すなわち温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれを抑えることができる。
【００４６】
従って、検査対象が例えば直径８インチ以上の大面積のウエハや被検査電極のピッチが極めて小さい回路装置であっても、バーンイン試験の際に温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれが確実に防止されるため、良好な電気的接続状態を安定して維持することができる。
【００４７】
また、肩部を設けることにより、電極構造体の表面電極部を小さくすることができるとともに、肩部より下方の短絡部部分を大径とすることによって、貫通孔と電極構造体との接触面積が増大し、貫通孔より電極構造体が抜け落ちることを防止することができる。
【００４８】
また、本発明のシート状プローブは、
前記金属フレーム板の熱線膨張係数Ｈ２が、下記の条件（５）、すなわち、
条件（５）：Ｈ２＝−１×１０-7〜３×１０-5／Ｋ
を満足することを特徴とする。
【００４９】
このように、金属フレーム板の熱線膨張係数Ｈ２を、上記のような条件（５）を満足するように、これらの部材間の熱膨張率を設定することによって、絶縁層と、金属フレーム板と、リング状の支持部材の熱膨張率の相違による影響、すなわち温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれをさらに抑えることができる。
【００５０】
また、本発明のシート状プローブは、
前記リング状の支持部材の熱線膨張係数Ｈ３が、下記の条件（６）、すなわち、
条件（６）：Ｈ３＝−１×１０-7〜３×１０-5／Ｋ
を満足することを特徴とする。
【００５１】
このように、リング状の支持部材の熱線膨張係数Ｈ３を、上記のような条件（６）を満足するように、これらの部材の間の熱膨張率を設定することによって、絶縁層と、金属フレーム板と、リング状の支持部材の熱膨張率の相違による影響、すなわち温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれをさらに抑えることができる。
【００５２】
また、本発明のシート状プローブは、
前記肩部に、前記絶縁層の面方向の外方に伸びる保持部が設けられていることを特徴とする
このように肩部に保持部が設けられていれば、電極構造体が不意に抜落してしまうことを防止することができる。
【００５３】
また、本発明のシート状プローブは、
前記肩部に設けられた前記保持部が、前記絶縁層内に埋没状態となるように、前記電極構造体が設けられていることを特徴とする。
【００５４】
このように構成することによって、電極構造体と貫通孔との接触面積を確保することにより、電極構造体が貫通孔より脱落してしまうことを防止することができる。
また、本発明のシート状プローブは、
前記肩部に設けられた前記保持部が、前記絶縁層の表面と略同一となるように、前記電極構造体が設けられていることを特徴とする。
【００５５】
このように肩部に設けられた保持部が絶縁層の表面と略同一となるように電極構造体が設けられていても、肩部より下方の短絡部を大径とすれば、貫通孔と電極構造体との接触面積を十分確保することができ、電極構造体が貫通孔より脱落してしまうことを防止することができる。
【００５６】
また、本発明のシート状プローブは、
前記肩部に設けられた前記保持部が、前記絶縁層内に一部埋没となるように、前記電極構造体が設けられていることを特徴とする。
【００５７】
このように肩部に設けられた保持部が絶縁層に一部埋没となるように電極構造体が設けられていても、肩部より下方の短絡部を大径とすれば、貫通孔と電極構造体との接触面積を十分確保することができ、電極構造体が貫通孔より脱落してしまうことを防止することができる。
【００５８】
また、本発明のシート状プローブは、
前記金属フレーム板が、
複数の貫通孔が形成され、これらの各貫通孔に前記接点膜が支持されていることを特徴とする。
【００５９】
このように構成することによって、金属フレーム板には、検査対象である回路装置の被検査電極が形成された電極領域に対応して複数の貫通孔が形成されており、これらの貫通孔の各々に配置される接点膜は面積の小さいものでよく、面積の小さい接点膜は、その絶縁層の面方向の熱膨張の絶対量が小さいため絶縁層の熱膨張を金属フレーム板によって確実に規制することが可能となる。
【００６０】
従って、検査対象が例えば直径８インチ以上の大面積のウエハや被検査電極のピッチが極めて小さい回路装置であっても、バーンイン試験において温度変化による電極構造体と
被検査電極との位置ずれが確実に防止され、その結果良好な電気的接続状態を安定して維持することができる。
【００６１】
また、本発明のシート状プローブは、
前記リング状の支持部材が、
検査装置本体の検査電極が設けられた側に形成された位置合わせ部に係合することにより、検査装置の検査電極と絶縁層に形成された電極構造体が位置合わせされるように構成されていることを特徴とする。
【００６２】
このように構成することにより、シート状プローブの検査装置本体への着脱が容易であり、しかもその位置を確実に固定することができ、位置ずれが確実に防止され、その結果良好な電気的接続状態を安定して維持することができる。
【００６３】
また、本発明のシート状プローブは、
前記シート状プローブが、
ウエハに形成された複数の集積回路について、集積回路の電気検査をウエハの状態で行うために用いられるものであることを特徴とする。
【００６４】
このように本発明のシート状プローブは、ウエハに形成された複数の集積回路について、集積回路の電気検査をウエハの状態で行うために好適に用いることができる。
また、本発明のプローブカードは、
検査対象である回路装置の被検査電極に対応する検査電極が表面に形成された検査用回路基板と、
この検査用回路基板上に配置される異方導電性コネクターと、
この異方導電性コネクター上に配置される上記のいずれかに記載のシート状プローブとを備えることを特徴とする。
【００６５】
また、本発明の回路装置の検査装置は、
上記のプローブカードを備えることを特徴とする。
また、本発明のウエハの検査方法は、
複数の集積回路が形成されたウエハの各集積回路を、上記のプローブカードを介してテスターに電気的に接続し、各集積回路の電気検査を行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【００６６】
本発明のシート状プローブによれば、金属フレーム板の貫通孔に接点膜を支持しているので、貫通孔に配置される接点膜の面積を小さくすることができる。
例えば、検査対象である回路装置の被検査電極が形成された電極領域に対応して複数の貫通孔を形成した金属フレーム板を用いれば、これらの各貫通孔に配置され、その周縁部で支持されるそれぞれの接点膜の面積を大幅に小さくすることができる。
【００６７】
このような面積の小さい接点膜は、その絶縁層の面方向の熱膨張の絶対量が小さいため、絶縁層の熱膨張を金属フレーム板によって確実に規制することが可能となる。
また絶縁層の熱線膨張係数Ｈ１と、金属フレーム板の熱線膨張係数Ｈ２と、リング状の支持部材の熱線膨張係数Ｈ３とを、上記のような条件（１）〜（４）を満足するように、これらの部材間の熱膨張率を設定することによって、これらの部材の熱膨張率の相違による影響、すなわち温度変化による電極構造体と被検査電極との位置ずれを抑えることができる。
【００６８】
従って、検査対象が例えば直径８インチ以上の大面積のウエハや被検査電極のピッチが極めて小さい回路装置であっても、バーンイン試験の際に温度変化による電極構造体と被
検査電極との位置ずれが確実に防止されるため、良好な電気的接続状態を安定して維持することができる。
【００６９】
また、肩部を設けることにより、電極構造体の表面電極部を小さくすることができるとともに、肩部より下方の短絡部部分を大径とすることによって、貫通孔と電極構造体との接触面積が増大し、貫通孔より電極構造体が抜け落ちることを防止することができる。
【００７０】
さらに、絶縁層に一部または全部が埋没した保持部を設けることにより、バーンイン試験等において繰り返し試験を行った場合においても、保持部の変形が抑制され、保持部が絶縁層より剥離することが抑制される。
【００７１】
これにより電極構造体の絶縁層からの脱落を更に抑制でき、シート状プローブの耐久性が更に高いものとなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００７２】
以下、本発明の実施の形態（実施例）を図面に基づいてより詳細に説明する。
なお、添付した各図面は説明用のものであり、その各部の具体的なサイズ、形状などは本明細書の記載、および従来技術に基づいて当業者に理解されるところによる。
１．シート状プローブについて：
図１は、本発明のシート状プローブの実施例を示した図であり、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）はＸ−Ｘ線による断面図、図２は、図１のシート状プローブの接点膜を拡大して示した平面図、図３は、図２のＸ−Ｘ線による部分断面図である。
【００７３】
本実施形態のシート状プローブは、複数の集積回路が形成された８インチなどのウエハについて、各集積回路の電気検査をウエハの状態で行うために用いられる。
このシート状プローブ１０は、図１（ａ）および図２に示したように、被検査対象であるウエハ上の各集積回路に対応する各位置に貫通孔１２が形成された金属フレーム板２５を有し、この貫通孔１２内には接点膜９が配置されている。また接点膜９は、金属フレーム板２５の貫通孔１２の縁部に、支持部２４で支持されている。
【００７４】
さらに図１（ｂ）および図３に示したように、この支持部２４では樹脂製の絶縁層１８が金属フレーム板２５上に支持されている。
また接点膜９は、柔軟な絶縁層１８に電極構造体１５が貫通形成された構造になっている。
【００７５】
すなわち、絶縁層１８の厚さ方向に延びる複数の電極構造体１５が、検査対象であるウエハの被検査電極に対応するパターンに従って絶縁層１８の面方向に互いに離間して配置されている。
【００７６】
このような電極構造体１５は図３に示したように、絶縁層１８の表面に露出する突起状の表面電極部１５ａと、絶縁層１８の裏面に露出する板状の裏面電極部１５ｂと、絶縁層１８の厚さ方向に貫通して延びる短絡部１５ｃとが一体化した構造になっている。
【００７７】
さらに短絡部１５ｃの上端部分と表面電極部１５ａの基端部分との間には、短絡部１５ｃの上端部分と表面電極部１５ａの基端部分との径が異なるように肩部１５ｄが設けられている。
【００７８】
この肩部１５ｄには、絶縁層１８の面方向の外方に伸びる保持部１５ｅが設けられており、保持部１５ｅは絶縁層１８内に埋没状態となっている。
なお、本実施例において肩部１５ｄには保持部１５ｅが形成されているが、この保持部
１５ｅは必須のものではなく、後に説明する本発明の他の実施例のように保持部のない状態でもよいものである。
【００７９】
さらに肩部１５ｄは、保持部１５ｅがない状態において絶縁層１８内に埋没状態であっても、また絶縁層１８の表面と略同一となるような状態であってもよく、特に限定されないものである。
【００８０】
また、このようなシート状プローブ１０は、周縁部に剛性を有する平板リング状の支持部材２が設けられている。
＜金属フレーム板＞
金属フレーム板２５は、線熱膨張係数が３×１０-5／Ｋ以下のものを用いることが好ましく、より好ましくは−１×１０-7〜１×１０-5／Ｋ、特に好ましくは−１×１０-6〜８×１０-6／Ｋである。
【００８１】
また金属フレーム板２５を構成する材料の具体例としては、インバーなどのインバー型合金、エリンバーなどのエリンバー型合金、スーパーインバー、コバール、４２合金などの合金または合金鋼、モリブデン、モリブデン合金または合金鋼が挙げられる。
【００８２】
さらに金属フレーム板２５の厚みは、３〜１５０μｍであることが好ましく、より好ましくは５〜１００μｍである。
この厚みが過小である場合には、シート状プローブ１０を支持する金属フレーム板２５として必要な強度が得られないことがある。
【００８３】
一方、この厚みが過大である場合には、後述する製造方法において、エッチング処理によって第２裏面側金属層１７Ａより金属フレーム板２５と裏面電極部１５ｂに分離することが困難となることがある。
【００８４】
なお図１に示した実施例では、図４（ａ）に示したように被検査対象であるウエハ上の各集積回路に対応する各位置に、複数個の貫通孔１２が形成された金属フレーム板２５を形成し、これらの貫通孔１２にそれぞれ絶縁層１８を互いに隔離するように形成している。
【００８５】
しかしながら、図５に示したように（図５（ａ）は平面図、図５（ｂ）はＸ−Ｘ線による断面図である）、絶縁層１８を一体化し、連続した１つの支持部２４としてもよく、図６に示したように（図６（ａ）は平面図、図６（ｂ）はＸ−Ｘ線による断面図である）、絶縁層１８を複数の接点膜９を含むように分割し（同図では４分割）、複数の接点膜９について連続した支持部２４を形成するようにしてもよい。
【００８６】
さらに、図４（ｂ）に示したように、中央に一つ大径の貫通孔１２を形成したリング形状の金属フレーム板２５を形成し、図７に示したように（図７（ａ）は平面図、図７（ｂ）はＸ−Ｘ線による断面図である）、この貫通孔１２に絶縁層１８を一体化し、連続した１つの支持部２４として、この絶縁層１８に被検査対象であるウエハ上の各集積回路に対応する各位置に複数個の電極構造体１５を形成するようにすることも可能である。
【００８７】
このように金属製の金属フレーム板２５から構成されることによって、使用する際に必要な機械的強度が得られ、繰り返し使用に対しても耐久性が高くなる。
また、金属フレーム板２５の厚さは３〜１５０μｍであることが好ましく、より好ましくは５〜１００μｍである。
【００８８】
この厚さが過小である場合には、接点膜９を支持する金属フレーム板２５として必要な
強度が得られないことがある。
このような範囲に金属フレーム板２５の厚さを設定することによって、絶縁層１８、金属フレーム板２５、リング状の支持部材２の熱膨張率の相違による影響、すなわち温度変化による電極構造体１５と被検査電極との位置ずれをさらに抑えることができる。
【００８９】
＜絶縁層＞
絶縁層１８としては、柔軟性を有する樹脂膜が用いられる。
絶縁層１８の形成材料としては、電気的絶縁性を有する樹脂材料であれば特に限定されるものではないが、例えばポリイミド系樹脂、液晶ポリマー、およびこれらの複合材料を用いることができる。
【００９０】
また、ポリイミドにより絶縁層１８を形成する場合は、熱硬化性のポリイミド、熱可塑性のポリイミド、感光性のポリイミド、ポリイミド前駆体を溶媒に希釈したポリイミドのワニス、溶液などを用いて形成することが好ましい。
【００９１】
さらに絶縁層１８の厚さは、良好な柔軟性を得る点などから５〜１５０μｍであることが好ましく、より好ましくは７〜１００μｍ、さらに好ましくは１０〜５０μｍである。
＜電極構造体＞
電極構造体１５の材料としては、例えばニッケル、鉄、銅、金、銀、パラジウム、鉄、コバルト、タングステン、ロジウム、またはこれらの合金もしくは合金鋼などが挙げられる。
【００９２】
また電極構造体１５は、全体を単一の金属もしくは合金で形成してもよく、２種以上の金属もしくは合金を積層して形成してもよい。
さらに表面に酸化膜が形成された被検査電極について電気検査を行う場合には、シート状プローブ１０の電極構造体１５と被検査電極を接触させ、電極構造体１５の表面電極部１５ａにより被検査電極の表面の酸化膜を破壊して電極構造体１５と被検査電極との電気的接続を行うことが必要である。
【００９３】
このため電極構造体１５の表面電極部１５ａは、酸化膜を容易に破壊することかできる程度の硬度を有していることが望ましい。
このような表面電極部１５ａを得るために、表面電極部１５ａを形成する金属中に硬度の高い粉末物質を含有させることができる。
【００９４】
このような粉末物質としては、例えばダイヤモンド粉末、窒化シリコン、炭化シリコン、セラミックス、ガラスを挙げることができる。
これらの非導電性の粉末物質を適量含有させることにより電極構造体１５の導電性を損なうことなく、電極構造体１５の表面電極部１５ａにより被検査電極の表面に形成された酸化膜を破壊することができる。
【００９５】
また、被検査電極の表面の酸化膜を容易に破壊するために、電極構造体１５の表面電極部１５ａの形状を鋭利な突起状とするとよく、また表面電極部１５ａの表面に微細な凹凸を形成してもよい。
【００９６】
このように、表面電極部１５ａの形状は必要に応じて適宜の形状としてよいものである。
また１つの接点膜９には、ウエハ上の集積回路の被検査電極の数にもよるが、例えば数十個以上の電極構造体１５が形成される。
【００９７】
まず表面電極部１５ａは、先端の径Ｒ１から基端部の径Ｒ２に従って径が広くなる円錐
台形状で絶縁層１８Ａの表面から突出している。
次いで、短絡部１５ｃは、表面電極部１５ａの基端部の径Ｒ２より若干広い径で、先端の径Ｒ３を有し、さらに基端部の径Ｒ４に従って径が広くなる円錐台形状である。
【００９８】
また、短絡部１５ｃの基端部には、矩形で径Ｒ５を有する裏面電極部１５ｂが設けられている。この裏面電極部１５ｂは、絶縁層１８Ａから突出して形成されている。
さらに、表面電極部１５ａの基端部と短絡部１５ｃの基端部との間には、径の大きさの差異により肩部１５ｄが形成されている。
【００９９】
この肩部１５ｄの上には、絶縁層１８Ａの面方向の外方に伸びる矩形状の保持部１５ｅが設けられている。
さらに、形状が矩形の保持部１５ｅが、肩部１５ｄ上に形成されている。保持部１５ｅの径Ｒ６は、短絡部１５ｃの先端の径Ｒ３よりも広い径で設けられている。
【０１００】
なお、上記の説明において、裏面電極部１５ｂおよび保持部１５ｅは矩形であるため、縦横の寸法のうち短手方向の寸法を、それぞれ径Ｒ５、Ｒ６として説明している。
このように、表面電極部１５ａから裏面電極部１５ｂに至る径Ｒ１からＲ５は、表面電極部１５ａの先端の径Ｒ１から基端部の径Ｒ２、さらに短絡部１５ｃの先端の径Ｒ３から基端部の径Ｒ４、裏面電極部１５ｂの径Ｒ５の順に大径となり、次の関係を満たしている。
Ｒ１＜Ｒ２＜Ｒ３＜Ｒ４＜Ｒ５
また、保持部１５ｅの径Ｒ６は、好ましくは次の関係を満たしている。
Ｒ３＜Ｒ６＜Ｒ５
このような、電極構造体１５が、絶縁層１８Ａの上下に貫通するとともに、一定の配置ピッチＰで形成されている。
【０１０１】
なお、上記の説明では、裏面電極部１５ｂを矩形状で説明したが、その他の形状、例えば円形状、楕円形状などとすることももちろん可能である。
＜支持部材＞
支持部材２の材料としては、インバー、スーパーインバーなどのインバー型合金、エリンバーなどのエリンバー型合金、コバール、４２アロイなどの低熱膨張金属材料、アルミナ、炭化珪素、窒化珪素などのセラミックス材料が挙げられる。
【０１０２】
また、支持部材２の厚さとしては、好ましくは２ｍｍ以上であるのが望ましい。
このような範囲にリング状の支持部材２の厚さを設定することによって、金属フレーム板２５と支持部材２の熱膨張率の相違による影響、すなわち温度変化による電極構造体１５と被検査電極との位置ずれをさらに抑えることができる。
【０１０３】
このような支持部材２の剛性でシート状プローブ１０を支持することで、後述のプローブカードにおいて、例えば支持部材２に形成した孔とプローブカードに設けられたガイドピンとを係合させること、あるいは支持部材２とプローブカード周縁部に設けられた周状の段差部とを嵌め合わせることにより、シート状プローブ１０の接点膜９に設けられた電極構造体１５を、被検査物の被検査電極や異方導電性コネクターの導電部と容易に位置合わせすることができる。
【０１０４】
さらに、繰り返し検査に使用する場合においても、被検査物への張り付きや電極構造体１５の所定位置からの位置ずれを確実に防止できる。
＜被覆膜＞
電極構造体１５の裏面電極部１５ｂには必須ではないが被覆膜（図示せず）が備えられても良い。
【０１０５】
なお、被覆膜（図示せず）は、例えば裏面電極部１５ｂの材料が化学的に安定していない場合や導電性が不十分な場合に設けると良い。
材質としては化学的に安定な金、銀、パラジウム、ロジウムなどの高導電性金属を用いることができる。
【０１０６】
また、電極構造体１５の表面電極部１５ａにも金属被覆膜を形成することができ、例えは被検査電極が半田材料より形成されている場合には、この半田材料が拡散することを防止する点から、銀、パラジウム、ロジウムなどの耐拡散性金属で表面電極部１５ａを被覆することが望ましい。
【０１０７】
ところで本発明のシート状プローブ１０では、これらの絶縁層１８、金属フレーム板２５、リング状の支持部材２との熱線膨張係数を、下記のような条件に制御することによって、温度変化による電極構造体１５と被検査電極との位置ずれを抑えるようになっている。
【０１０８】
本発明のシート状プローブ１０では、
絶縁層１８の熱線膨張係数をＨ１とし、
金属フレーム板２５の熱線膨張係数をＨ２とし、
リング状の支持部材２の熱線膨張係数をＨ３としたとき、下記の条件（１）〜（３）、すなわち、
条件（１）：Ｈ１＝０．８×１０-5〜８×１０-5／Ｋ
条件（２）：Ｈ２／Ｈ１＜１
条件（３）：Ｈ３／Ｈ１＜１
を満足するように設定している。
【０１０９】
さらに本発明のシート状プローブ１０は、金属フレーム板２５の熱線膨張係数をＨ２と、リング状の支持部材２の熱線膨張係数をＨ３が、下記の条件（４）、すなわち、
条件（４）：Ｈ３／Ｈ２＝０．０２〜５０
を満足するように設定している。
【０１１０】
このような条件を満足するように、絶縁層１８、金属フレーム板２５、リング状の支持部材２の材料の組み合わせを適切に選択することによって、温度変化による電極構造体１５と被検査電極との位置ずれを抑えることができる。
【０１１１】
なお、このような絶縁層１８、金属フレーム板２５、リング状の支持部材２の材料の組み合わせは、上記の条件（１）〜（４）を満足するものであれば良く、特に限定されるものではない。
【０１１２】
このような組み合わせとしては、例えば以下の熱線膨張係数を有する材料、すなわち、(ａ)絶縁層１８  Ｈ１：
ポリイミド＝約５×１０-5／Ｋ
(ｂ)金属フレーム板２５  Ｈ２：
４２アロイ＝約５×１０-6／Ｋ
インバー合金＝１．２×１０-6／Ｋ
エリンバー合金＝８×１０-6／Ｋ
コバール合金＝５×１０-5／Ｋ
ステンレス不変鋼＝±０．１×１０-6／Ｋ
(ｃ)支持部材２  Ｈ３：
窒化ケイ素＝３．５×１０-6／Ｋ
炭化ケイ素＝４×１０-6／Ｋ
インバー合金＝１．２×１０-6／Ｋ
ステンレス不変鋼＝±０．１×１０-6／Ｋ
から選択することができる。
【０１１３】
このようにして、絶縁層１８の熱線膨張係数Ｈ１と、金属フレーム板２５の熱線膨張係数Ｈ２と、リング状の支持部材２の熱線膨張係数Ｈ３とを、上記のような条件（１）〜（４）を満足するように、これらの部材間の熱膨張率を設定することによって、これら部材の熱膨張率の相違による影響、すなわち温度変化による電極構造体１５と被検査電極との位置ずれを抑えることができる。
【０１１４】
また本発明のシート状プローブ１０では、金属フレーム板２５の熱線膨張係数Ｈ２が、下記の条件（５）、すなわち、
条件（５）：Ｈ２＝−１×１０-7〜３×１０-5／Ｋを満足するように設定するのが好ましい。
【０１１５】
このように金属フレーム板２５の熱線膨張係数Ｈ２を、上記のような条件（５）を満足するように、これらの部材間の熱膨張率を設定することによって、絶縁層１８、金属フレーム板２５、リング状の支持部材２の熱膨張率の相違による影響、すなわち温度変化による電極構造体１５と被検査電極との位置ずれをさらに抑えることができる。
【０１１６】
また本発明のシート状プローブ１０では、リング状の支持部材２の熱線膨張係数Ｈ３が、下記の条件（６）、すなわち、
条件（６）：Ｈ３＝−１×１０-7〜３×１０-5／Ｋを満足するように設定するのが好ましい。
【０１１７】
このようにリング状の支持部材２の熱線膨張係数Ｈ３を、上記のような条件（６）を満足するように、これらの部材間の熱膨張率を設定することによって、絶縁層１８、金属フレーム板２５、リング状の支持部材２の熱膨張率の相違による影響、すなわち温度変化による電極構造体１５と被検査電極との位置ずれをさらに抑えることができる。
【０１１８】
このようなシート状プローブ１０によれば、金属フレーム板２５の貫通孔１２に接点膜９を支持しているので、貫通孔１２に配置される接点膜９の面積を小さくすることができる。
【０１１９】
例えば、検査対象である回路装置の被検査電極が形成された電極領域に対応して、複数の貫通孔１２を形成した金属フレーム板２５を用いれば、これらの各貫通孔１２に配置され、その周縁部で支持されるそれぞれの接点膜９の面積を大幅に小さくすることができる。
【０１２０】
このような面積の小さい接点膜９は、その絶縁層１８の面方向の熱膨張の絶対量が小さいため、絶縁層１８の熱膨張を金属フレーム板２５によって確実に規制することが可能となる。
【０１２１】
従って、検査対象が例えば直径８インチ以上の大面積のウエハや被検査電極のピッチが極めて小さい回路装置であっても、バーンイン試験の際に温度変化による電極構造体１５と被検査電極との位置ずれが確実に防止されるため、良好な電気的接続状態を安定して維持することができる。
２．シート状プローブの製造方法について：
以下、本発明のシート状プローブ１０の第１の実施例の製造方法について説明する。
【０１２２】
図８（ａ）に示したように、絶縁性シート１１Ａと、この絶縁性シート１１Ａの表面に形成された表面側金属層１６Ａと、絶縁性シート１１Ａの裏面に形成された第１裏面側金属層１９Ａとよりなる積層体１０Ａを用意する。
【０１２３】
絶縁性シート１１Ａは、絶縁性シート１１Ａの厚みと第１裏面側金属層１９Ａの厚みとの合計の厚みが、形成すべき電極構造体１５における表面電極部１５ａの突出高さと同等となるものとされる。
【０１２４】
また、絶縁性シート１１Ａを構成する材料としては、絶縁性を有する柔軟なものであれば特に限定されるものではなく、例えばポリイミド樹脂、液晶ポリマー、ポリエステル、フッ素系樹脂などからなる樹脂シート、繊維を編んだクロスに上記の樹脂を含浸したシートなどを用いることができる。
【０１２５】
このうち、表面電極部１５ａを形成するための貫通孔をエッチングにより容易に形成することができる点で、エッチング可能な材料よりなることが好ましく、特にポリイミドが好ましい。
【０１２６】
また、絶縁性シート１１Ａの厚みは、絶縁性シート１１Ａが柔軟なものであれば特に限定されるものではないが、好ましくは１０〜５０μｍ、より好ましくは１０〜２５μｍである。
【０１２７】
このような積層体１０Ａは、例えば一般に市販されている両面に銅よりなる金属層が積層された積層ポリイミドシートを用いることができる。
このような積層体１０Ａに対し、図８（ｂ）に示したように、その表面側金属層１６Ａの表面全体に保護フィルム４０Ａを積層すると共に、第１裏面側金属層１９Ａの表面に、形成すべき電極構造体１５のパターンに対応するパターンに従って複数のパターン孔１２Ｈが形成されたエッチング用のレジスト膜１２Ａを形成する。
【０１２８】
ここで、レジスト膜１２Ａを形成する材料としては、エッチング用のフォトレジストとして使用されている種々のものを用いることができる。
次いで、第１裏面側金属層１９Ａに対し、レジスト膜１２Ａのパターン孔１２Ｈを介して露出した部分にエッチング処理を施してその部分を除去することにより、図８（ｃ）に示したように、第１裏面側金属層１９Ａに、それぞれレジスト膜１２Ａのパターン孔１２Ｈに連通する複数のパターン孔１９Ｈが形成される。
【０１２９】
その後、絶縁性シート１１Ａに対し、レジスト膜１２Ａの各パターン孔１２Ｈおよび第１裏面側金属層１９Ａの各パターン孔１９Ｈを介して露出した部分に、エッチング処理を施して、その部分を除去することにより、図９（ａ）に示したように、絶縁性シート１１Ａに、それぞれ第１裏面側金属層１９Ａのパターン孔１９Ｈに連通する、絶縁性シート１１Ａの裏面から表面に向かうに従って小径となるテーパ状の複数の貫通孔１１Ｈが形成される。
【０１３０】
これにより、積層体１０Ａの裏面に、それぞれ第１裏面側金属層１９Ａのパターン孔１９Ｈ、絶縁性シート１１Ａの貫通孔１１Ｈが連通されてなる複数の表面電極部形成用凹所１０Ｋが形成される。
【０１３１】
以上において、第１裏面側金属層１９Ａをエッチング処理するためのエッチング剤としては、これらの金属層を構成する材料に応じて適宜選択され、これらの金属層が例えば銅よりなるものである場合には、塩化第二鉄水溶液を用いることができる。
【０１３２】
また、絶縁性シート１１Ａをエッチング処理するためのエッチング液としては、アミン系エッチング液、ヒドラジン系水溶液や水酸化カリウム水溶液等を用いることができ、エッチング処理条件を選択することにより、絶縁性シート１１Ａに、裏面から表面に向かうに従って小径となるテーパ状の貫通孔１１Ｈを形成することができる。
【０１３３】
さらにその後、図９（ｂ）に示したように、表面電極部形成用凹所１０Ｋが形成された積層体１０Ａからレジスト膜１２Ａを除去する。
そして、図９（ｃ）に示したように、積層体１０Ａの第１裏面側金属層１９Ａの上から、表面電極部形成用凹所１０Ｋを覆うようにレジストパターン１４を形成する。
【０１３４】
さらに、図１０（ａ）に示したように、この積層体１０Ａの第１裏面側金属層１９Ａのレジストパターン１４以外の露出した部分をエッチング処理することにより、大部分を除去する。
【０１３５】
そして、図９（ｃ）の工程時に使用したレジストパターン１４を除去することにより、図１０（ｂ）に示したように、積層体１０Ａの第１裏面側金属層１９Ａが貫通孔１１Ｈの周縁部、一部残存した状態とする。
【０１３６】
さらに、図１０（ｃ）に示したように、積層体１０Ａに設けられた表面電極部形成用凹所１０Ｋの上から、絶縁層１８と第２裏面側金属層１７Ａを形成することにより、積層体１０Ｂを形成する。
【０１３７】
この状態において、表面電極部形成用凹所１０Ｋは、絶縁層１８に塞がれており空洞状態となっている。
そして、図１１（ａ）に示したように、この積層体１０Ｂの第２裏面側金属層１７Ａの表面に、形成すべき電極構造体１５のパターンに対応するパターンに従って複数のパターン孔２８Ｈが形成されたエッチング用のレジスト膜２８Ａを形成する。
【０１３８】
さらに、第２裏面側金属層１７Ａに対し、レジスト膜２８Ａのパターン孔２８Ｈを介して露出した部分にエッチング処理を施してその部分を除去することにより、図１１（ｂ）に示したように、第２裏面側金属層１７Ａに、それぞれレジスト膜２８Ａのパターン孔２８Ｈに連通する複数のパターン孔１７Ｈが形成される。
【０１３９】
そして、図１１（ｃ）に示したように、絶縁層１８にエッチング処理を行うことにより貫通孔１８Ｈを形成する。これにより、貫通孔１８Ｈと先に形成した貫通孔１１Ｈとが連通し、電極構造体形成用の開口部１５Ｈが形成される。
【０１４０】
そして、第２裏面側金属層１７Ａからレジスト膜２８Ａを除去し、図１２（ａ）に示したように、新たに第２裏面側金属層１７Ａの表面に、それぞれ第２裏面側金属層１７Ａのパターン孔１７Ｈに連通するパターン孔を有するレジスト膜２８Ｂを形成した。
【０１４１】
さらに、図１２（ｂ）に示したように、表面側金属層１６Ａを共通電極として、電極構造体形成用の開口部１５Ｈに電気メッキを行い、表面電極部、短絡部、裏面電極部を一括した電極構造体部分２２を形成する。
【０１４２】
そして、積層体１０Ｂよりレジスト膜２８Ｂを除去し、図１２（ｃ）に示したように、新たに第２裏面側金属層１７Ａの上からエッチング用のレジスト膜２９Ａを形成する。
さらに、図１３（ａ）に示したように、第２裏面側金属層１７Ａのレジスト膜２９Ａのパターン孔２９Ｈを介して露出した部分にエッチング処理を施してその部分を除去するこ
とにより、第２裏面側金属層１７Ａを金属フレーム板部分と電極構造体とに分離する。
【０１４３】
そして、図１３（ｂ）に示したように、レジスト膜２９Ａを除去し、積層体１０Ｂの裏面側に新たに保護用のレジスト膜３４Ａを形成する。
さらに、図１３（ｃ）に示したように、表面側金属層１６Ａの表面全体に積層された保護フィルム４０Ａを剥離し、表面側金属層１６Ａをエッチング処理を施して除去する。
【０１４４】
そして、図１４（ａ）に示したように、絶縁性シート１１Ａにエッチング処理を施してその厚みを薄くし、表面電極部１５ａを突出させる。この際、絶縁性シート１１Ａは薄肉化させるが、全てを除去せず一部を残した状態とする。
【０１４５】
これにより、薄肉化して残存した絶縁性シート１１Ａによって、一部残存した第１裏面側金属層１９Ａが絶縁性シート１１Ａおよび絶縁層１８Ａ内に埋没した状態が維持される。
【０１４６】
そのため、第１裏面側金属層１９Ａの残部は、絶縁層１８の表面に露出してはいないものである。
さらに、図１４（ｂ）に示したように積層体１０Ｂの裏面側に設けられた保護用のレジスト膜３４Ａを除去する。
【０１４７】
そして、図１４（ｃ）に示したように、絶縁性シート１１Ａと絶縁層１８Ａの一部を露出させるようレジスト膜２９を積層体１０Ｂの上面に形成する。
さらに、図１５（ａ）に示したように、この状態で絶縁性シート１１Ａと絶縁層１８Ａをエッチング処理をすることにより、第２裏面側金属層１７Ａの一部が露出される。
【０１４８】
そして、絶縁性シート１１Ａの表面よりレジスト膜２９を除去することにより、図１５（ｂ）に示したように、保持部１５ｅが絶縁層１８Ａに埋没状態となっているとともに、保持部１５ｅの表面が絶縁性シート１１Ａで覆われたシート状プローブ１０が得られる。
【０１４９】
次に、本発明のシート状プローブ１０の第２の実施例の製造方法について説明する。
図１６（ａ）から図１７（ｃ）に示した実施例は、基本的には先に説明したシート状プローブの製造方法と同じであるが、相違点としては、図１５（ｂ）に示したように、保持部１５ｅが絶縁性シート１１Ａと絶縁層１８Ａの間に埋没した状態ではなく、絶縁性シート１１Ａを全て除去することにより、絶縁層１８Ａと保持部１５ｅとが面一の状態となっている点である。
【０１５０】
この実施例では、図８（ａ）から図１３（ｂ）までの工程は第１の実施例と同様であるため、同様の工程についてはその詳細な説明を省略する。
図１６（ａ）に示したように、図１３（ｃ）と同様に、電極構造体形成用の開口部１５Ｈに電気メッキを行い、表面電極部、短絡部、裏面電極部を一括した電極構造体部分２２を形成するとともに、第２裏面側金属層１７Ａにより、電極構造体の裏面電極部１５ｂを形成し、積層体１０Ｂの裏面側に新たに保護用のレジスト膜３４Ａを形成する。
【０１５１】
さらに、表面側金属層１６Ａの表面全体に積層された保護フィルム４０Ａを剥離し、表面側金属層１６Ａをエッチング処理を施して除去した状態にする。
そして、図１６（ｂ）に示したように、絶縁性シート１１Ａにエッチング処理を施して絶縁性シート１１Ａ全部を除去する。
【０１５２】
これによって、表面電極部１５ａを突出させるとともに、絶縁層１８Ａと保持部１５ｅとが面一の状態となる。
さらに、図１６（ｃ）に示したように積層体１０Ｂの裏面側に設けられた保護用のレジスト膜３４Ａを除去する。
【０１５３】
そして、図１７（ａ）に示したように、絶縁性シート１１Ａと絶縁層１８Ａの一部を露出させるようレジスト膜２９を積層体１０Ｂの上面に形成する。
さらに、図１７（ｂ）に示したように、この状態で絶縁性シート１１Ａと絶縁層１８Ａをエッチング処理をすることにより、第２裏面側金属層１７Ａの一部が露出される。
【０１５４】
そして、絶縁性シート１１Ａの表面よりレジスト膜２９を除去することにより、図１７（ｃ）に示したように、絶縁層１８Ａと保持部１５ｅとが面一の状態となったシート状プローブ１０が得られる。
【０１５５】
次に、本発明のシート状プローブ１０の第３の実施例の製造方法について説明する。
図１８（ａ）から図１９（ｃ）に示した実施例は、基本的には先に説明したシート状プローブの製造方法と同じであるが、相違点としては、図１５（ｂ）に示したように、保持部１５ｅが絶縁性シート１１Ａと絶縁層１８Ａの間に埋没した状態ではなく、絶縁性シート１１Ａを全て除去するとともに、絶縁層１８Ａの一部を除去することにより、保持部１５ｅが絶縁層１８Ａ内に一部埋没状態となっている点である。
【０１５６】
この実施例では、図８（ａ）から図１３（ｂ）までの工程は同様であるため、同様の工程についてはその詳細な説明を省略する。
図１８（ａ）に示したように、図１３（ｃ）と同様に、電極構造体形成用の開口部１５Ｈに電気メッキを行い、表面電極部、短絡部、裏面電極部を一括した電極構造体部分２２を形成するとともに、第２裏面側金属層１７Ａにより、電極構造体の裏面電極部１５ｂを形成し、積層体１０Ｂの裏面側に新たに保護用のレジスト膜３４Ａを形成する。
【０１５７】
さらに、表面側金属層１６Ａの表面全体に積層された保護フィルム４０Ａを剥離し、表面側金属層１６Ａをエッチング処理を施して除去した状態にする。
そして、図１８（ｂ）に示したように、絶縁性シート１１Ａにエッチング処理を施して絶縁性シート１１Ａ全部を除去するとともに、絶縁層１８Ａの一部をさらにエッチング処理を施して除去することにより、表面電極部１５ａを突出させ、保持部１５ｅが絶縁層１８Ａ内に一部埋没した状態となる。
【０１５８】
さらに、図１８（ｃ）に示したように積層体１０Ｂの裏面側に設けられた保護用のレジスト膜３４Ａを除去する。
そして、図１９（ａ）に示したように、絶縁性シート１１Ａと絶縁層１８Ａの一部を露出させるようレジスト膜２９を積層体１０Ｂの上面に形成する。
【０１５９】
さらに、図１９（ｂ）に示したように、この状態で絶縁性シート１１Ａと絶縁層１８Ａをエッチング処理をすることにより、第２裏面側金属層１７Ａの一部が露出される。
そして、絶縁性シート１１Ａの表面よりレジスト膜２９を除去することにより、図１９（ｃ）に示したように、保持部１５ｅが絶縁層１８Ａ内に一部埋没状態となったシート状プローブ１０が得られる。
【０１６０】
次に、本発明のシート状プローブ１０の第４の実施例の製造方法について説明する。
図２０（ａ）から図２５（ｂ）に示した実施例は、基本的には先に説明したシート状プローブの製造方法と同じであるが、相違点としては、図１０（ａ）に示したような部分的に残っている第１裏面側金属層１９Ａがないことである。
【０１６１】
この実施例では、図８（ａ）から図９（ａ）までの工程は同様であるため、同様の工程
についてはその詳細な説明を省略する。
図２０（ａ）に示したように、図８（ａ）から図９（ａ）までの工程を経た後、図９（ｂ）と同様にして、表面電極部形成用凹所１０Ｋが形成された状態にする。
【０１６２】
そして、図２０（ｂ）に示したように、第１裏面側金属層１９Ａをエッチング処理を施してその部分を除去する。
その後、図２０（ｃ）に示したように、積層体１０Ａの絶縁性シート１１Ａの下面に、積層シート１０Ｃの絶縁層１８Ａ側が、表面電極部形成用凹所１０Ｋ側となるように配置して、積層体１０Ｂを形成する。
【０１６３】
この状態において、貫通孔１１Ｈは、絶縁層１８に塞がれており空洞状態となっている。
そして、図２１（ａ）に示したように、この積層体１０Ｂの第２裏面側金属層１７Ａの表面に、形成すべき電極構造体１５のパターンに対応するパターンに従って複数のパターン孔２８Ｈが形成されたエッチング用のレジスト膜２８Ａを形成する。
【０１６４】
さらに、第２裏面側金属層１７Ａに対し、レジスト膜２８Ａのパターン孔２８Ｈを介して露出した部分にエッチング処理を施してその部分を除去することにより、図２１（ｂ）に示したように、第２裏面側金属層１７Ａに、それぞれレジスト膜２８Ａのパターン孔２８Ｈに連通する複数のパターン孔１７Ｈが形成される。
【０１６５】
そして、図２１（ｃ）に示したように、絶縁層１８にエッチング処理を行うことにより貫通孔１８Ｈを形成する。これにより、貫通孔１８Ｈと先に形成した貫通孔１１Ｈとが連通し、電極構造体形成用の開口部１５Ｈが形成される。
【０１６６】
そして、第２裏面側金属層１７Ａからレジスト膜２８Ａを除去し、図２２（ａ）に示したように、新たに第２裏面側金属層１７Ａの表面に、それぞれ第２裏面側金属層１７Ａのパターン孔１７Ｈに連通するパターン孔を有するレジスト膜２８Ｂを形成した。
【０１６７】
さらに、図２２（ｂ）に示したように、表面側金属層１６Ａを共通電極として、電極構造体形成用の開口部１５Ｈに電気メッキを行い、表面電極部、短絡部、裏面電極部を一括した電極構造体部分２２を形成する。
【０１６８】
そして、積層体１０Ｂよりレジスト膜２８Ｂを除去し、図２２（ｃ）に示したように、新たに第２裏面側金属層１７Ａの上からエッチング用のレジスト膜２９Ａを形成する。
さらに、図２３（ａ）に示したように、第２裏面側金属層１７Ａのレジスト膜２９Ａのパターン孔２９Ｈを介して露出した部分にエッチング処理を施してその部分を除去することにより、第２裏面側金属層１７Ａを金属フレーム板部分と電極構造体とに分離する。
【０１６９】
そして、図２３（ｂ）に示したように、レジスト膜２９Ａを除去し、積層体１０Ｂの裏面側に新たに保護用のレジスト膜３４Ａを形成する。
さらに、図２３（ｃ）に示したように、表面側金属層１６Ａの表面全体に積層された保護フィルム４０Ａを剥離し、表面側金属層１６Ａをエッチング処理を施してその部分を除去する。
【０１７０】
そして、図２４（ａ）に示したように、絶縁性シート１１Ａにエッチング処理を施してその厚みを薄くし、表面電極部１５ａを突出させる。この際、絶縁性シート１１Ａは薄肉化させるが、全てを除去せず一部を残した状態とする。
【０１７１】
これにより、薄肉化して残存した絶縁性シート１１Ａによって、短絡部１５ｃの上端部
分が絶縁性シート１１Ａおよび絶縁層１８Ａ内に埋没した状態が維持される。
さらに、図２４（ｂ）に示したように積層体１０Ｂの裏面側に設けられた保護用のレジスト膜３４Ａを除去する。
【０１７２】
そして、図２４（ｃ）に示したように、絶縁性シート１１Ａと絶縁層１８Ａの一部を露出させるようレジスト膜２９を積層体１０Ｂの上面に形成する。
さらに、図２５（ａ）に示したように、この状態で絶縁性シート１１Ａと絶縁層１８をエッチング処理することにより、第２裏面側金属層１７Ａの一部が露出される。
【０１７３】
そして、絶縁性シート１１Ａの表面よりレジスト膜２９を除去することにより、図２５（ｂ）に示したように、肩部１５ｄが絶縁層１８Ａに埋没状態となっているとともに、肩部１５ｄの表面が絶縁性シート１１Ａで覆われたシート状プローブ１０が得られる。
【０１７４】
次に、本発明のシート状プローブ１０の第５の実施例の製造方法について説明する。
図２６（ａ）から図２７（ｃ）に示した実施例は、基本的には先に説明したシート状プローブの製造方法と同じであるが、相違点としては、図１４（ｂ）に示したエッチング処理を施して厚みを薄くした絶縁性シート１１Ａを除去することにより、肩部と絶縁層との段差がない点である。
【０１７５】
この実施例では、上記の第４の実施例と、図２０（ａ）から図２３（ｂ）までの工程は同様であるため、同様の工程についてはその詳細な説明を省略する。
上記の第４の実施例と、図２０（ａ）から図２３（ｂ）までの工程を経ることによって、電極構造体形成用の開口部１５Ｈに電気メッキを行い、表面電極部、短絡部、裏面電極部を一括した電極構造体部分２２を形成し、第２裏面側金属層１７Ａを電極構造体に分離して、裏面電極部１５ｂを形成する。
【０１７６】
その後、図２６（ａ）に示したように、図２３（ｃ）と同様にして、表面側金属層１６Ａの表面全体に積層された保護フィルム４０Ａを剥離し、表面側金属層１６Ａをエッチング処理を施してその部分を除去する。
【０１７７】
その後、図２６（ｂ）に示したように、絶縁性シート１１Ａにエッチング処理を施して除去し、表面電極部１５ａを突出させる。この際、絶縁層１８の表面と表面電極部１５ａの端部が略同一となる所までエッチング処理を行う。
【０１７８】
さらに、図２６（ｃ）に示したように積層体１０Ｂの裏面側に設けられた保護用のレジスト膜３４Ａを除去する。
そして、図２７（ａ）に示したように、絶縁性シート１１Ａと絶縁層１８Ａの一部を露出させるようレジスト膜２９を積層体１０Ｂの上面に形成する。
【０１７９】
さらに、図２７（ｂ）に示したように、この状態で絶縁性シート１１Ａと絶縁層１８をエッチング処理することにより、第２裏面側金属層１７Ａの一部が露出される。
そして、絶縁性シート１１Ａの表面よりレジスト膜２９を除去することにより、図２７（ｃ）に示したように、絶縁層１８Ａと肩部１５ｄとが面一の状態となったシート状プローブ１０が得られる。
【０１８０】
なお、上記のいずれかの製造方法によって得られた、金属フレーム板との支持部で接点膜が支持されたシート状プローブ（図２８（ａ）参照）は、シート状プローブ１０の周縁部、すなわち金属フレーム板２５の外周縁に絶縁層とは離間して、例えば接着剤を介して、図２８（ｂ）に示したように剛性を有する平板リング状の支持部材２が設けられる。
３．プローブカードおよび回路装置の検査装置について：
図２９は、本発明の回路装置の検査装置およびそれに用いられるプローブカードの実施形態を示した断面図であり、図３０は、プローブカードの組み立て前後の状態を示した断面図、図３１は、プローブカードの要部の構成を示した断面図である。
【０１８１】
この検査装置は、複数の集積回路が形成されたウエハ６についてそれぞれの集積回路の電気検査をウエハ６の状態で行うために用いられる。この検査装置のプローブカード１は、検査用回路基板２０と、この検査用回路基板２０の表面に配置された異方導電性コネクター３０と、この異方導電性コネクター３０の表面に配置されたシート状プローブ１０とを備えている。
【０１８２】
検査用回路基板２０の表面には、検査対象であるウエハ６に形成された全ての集積回路の被検査電極のパターンに従って複数の検査用電極３２が形成されている。
検査用回路基板２０の基板材料としては、例えば、ガラス繊維補強型エポキシ樹脂、ガラス繊維補強型フェノール樹脂、ガラス繊維補強型ポリイミド樹脂、ガラス繊維補強型ビスマレイミドトリアジン樹脂などの複合樹脂基板材料、ガラス、二酸化珪素、アルミナなどのセラミックス基板材料、金属板をコア材としてエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などの樹脂を積層した積層基板材料が挙げられる。
【０１８３】
バーンイン試験に用いるためのプローブカード１は基板材料として、線熱膨張係数が３×１０-5／Ｋ以下、好ましくは１×１０-7〜１×１０-5／Ｋ、より好ましくは１×１０-6〜６×１０-6／Ｋであるものを用いることが望ましい。
【０１８４】
異方導電性コネクター３０は、図２９に示したように、複数の貫通孔が形成された円板状のフレーム板３１を備えている。
このフレーム板３１の貫通孔は、例えば検査対象であるウエハ６に形成された各集積回路に対応して形成されている。
【０１８５】
貫通孔の内部には、厚さ方向に導電性を有する異方導電性シート３５が、貫通孔の周辺部に支持された状態で隣接する異方導電性シート３５と互いに独立して配置される。
また、フレーム板３１には、シート状プローブ１０と検査用回路基板２０との位置決めを行うための位置決め孔（図示省略）が形成されている。
【０１８６】
フレーム板３１の厚さは材質によって異なるが、２０〜６００μｍであることが好ましく、より好ましくは４０〜４００μｍである。この厚さが２０μｍ未満である場合、異方導電性コネクター３０を使用する際に必要な強度が得られないことがあり、耐久性が低くなり易い。
【０１８７】
一方、厚さが６００μｍを超える場合、貫通孔に形成される異方導電性シート３５が過剰に厚くなり、接続用導電部の良好な導電性と、隣接する接続用導電部間における絶縁性が得られなくなることがある。
【０１８８】
フレーム板３１の貫通孔の面方向の形状と寸法は、検査対象であるウエハ６の被検査電極の寸法、ピッチとパターンに応じて設計される。
フレーム板３１の材料としては、フレーム板３１が容易に変形せず、その形状が安定に維持される程度の剛性を有するものが好ましく、具体的には金属材料、セラミックス材料、樹脂材料が挙げられる。
【０１８９】
金属材料としては、具体的には鉄、銅、ニッケル、チタン、アルミニウムなどの金属またはこれらを２種以上組み合わせた合金もしくは合金鋼が挙げられる。フレーム板３１を金属材料により形成する場合には、フレーム板３１の表面に絶縁性被膜が施されていても
よい。
【０１９０】
バーンイン試験に用いるためのプローブカード１では、フレーム板３１の材料として、線熱膨張係数が３×１０-5／Ｋ以下、好ましくは１×１０-7〜１×１０-5／Ｋ、より好ましくは１×１０-6〜８×１０-6／Ｋであるものを用いることが望ましい。
【０１９１】
このような材料の具体例としては、インバーなどのインバー型合金、エリンバーなどのエリンバー型合金、スーパーインバー、コバール、４２合金などの磁性金属の合金もしくは合金鋼が挙げられる。
【０１９２】
異方導電性シート３５は、図３１に示したように、厚さ方向に延びる複数の接続用の導電部３６と、それぞれの導電部３６を互いに絶縁する絶縁部３７とからなる。
導電部３６には、磁性を示した導電性粒子３６ａが厚さ方向に並ぶよう配向した状態で密に含有されている。また導電部３６は、異方導電性シート３５の両面から突出しており、両面に突出部３８が形成されている。
【０１９３】
異方導電性シート３５の厚さ（導電部３６が表面から突出している場合には導電部３６の厚さ）は、５０〜３０００μｍであることが好ましく、より好ましくは７０〜２５００μｍ、特に好ましくは１００〜２０００μｍである。この厚さが５０μｍ以上であれば、充分な強度を有する異方導電性シート３５が確実に得られる。
【０１９４】
また、この厚さが３０００μｍ以下であれば、所要の導電性特性を有する導電部３６が確実に得られる。
突出部３８の突出高さは、突出部３８の最短幅もしくは直径の１００％以下であることが好ましく、より好ましくは７０％以下である。
【０１９５】
このような突出高さを有する突出部３８を形成することにより、突出部３８が加圧された際に座屈することがなく導電性が確実に得られる。
異方導電性シート３５のフレーム板３１に支持された二股部分の一方の厚さは５〜６００μｍであることが好ましく、より好ましくは１０〜５００μｍ、特に好ましくは２０〜４００μｍである。
【０１９６】
また、図示したように異方導電性シート３５をフレーム板３１の両面側で二股状に支持する場合の他、フレーム板３１の片面のみで支持するようにしてもよい。
異方導電性シート３５を形成する弾性高分子物質としては、架橋構造を有する耐熱性の高分子物質が好ましい。
【０１９７】
このような架橋高分子物質を得るために用いることができる硬化性の高分子物質形成材料としては、例えばシリコーンゴム、ポリブタジエンゴム、天然ゴム、ポリイソプレンゴム、スチレン−ブタジエン共重合体ゴム、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体ゴムなどの共役ジエン系ゴムおよびこれらの水素添加物、スチレン−ブタジエン−ジエンブロック共重合体ゴム、スチレン−イソプレンブロック共重合体などのブロック共重合体ゴムおよびこれらの水素添加物、クロロプレンゴム、ウレタンゴム、ポリエステル系ゴム、エピクロルヒドリンゴム、エチレン−プロピレン共重合体ゴム、エチレン−プロピレン−ジエン共重合体ゴム、軟質液状エポキシゴムが挙げられる。中でも、成形加工性および電気特性の点からシリコーンゴムが好ましい。
【０１９８】
シリコーンゴムとしては、液状シリコーンゴムを架橋または縮合したものが好ましい。液状シリコーンゴムは、その粘度が歪速度１０-1ｓｅｃで１０5ポアズ以下であることが
好ましく、縮合型、付加型、ビニル基やヒドロキシル基を有するものなどを使用できる。
具体的には、例えば、ジメチルシリコーン生ゴム、メチルビニルシリコーン生ゴム、メチルフェニルビニルシリコーン生ゴムを挙げることができる。
【０１９９】
また、高分子物質形成材料中には硬化触媒を含有させることができる。
このような硬化触媒のとしては、例えば過酸化ベンゾイル、過酸化ビスジシクロベンゾイル、過酸化ジクミル、過酸化ジターシャリーブチルなどの有機過酸化物、脂肪酸アゾ化合物、ヒドロシリル化触媒が挙げられる。
【０２００】
硬化触媒の使用量は、高分子物質形成材料の種類、硬化触媒の種類、その他の硬化処理条件を考慮して適宜選択されるが、通常は高分子物質形成材料１００重量部に対して３〜１５重量部である。
【０２０１】
異方導電性シート３５の導電部３６に含有される導電性粒子３６ａとしては、磁性を示した粒子が好ましい。このような磁性を示した粒子としては、例えば鉄、ニッケル、コバルトなどの金属粒子もしくはこれらの合金粒子またはこれらの金属を含有する粒子が挙げられる。
【０２０２】
またこれらの粒子を芯粒子とし、この芯粒子の表面に金、銀、パラジウム、ロジウムなどの導電性が良好な金属をメッキした粒子、あるいは非磁性金属粒子、ガラスビーズなどの無機粒子またはポリマー粒子を芯粒子とし、この芯粒子の表面にニッケル、コバルトなどの導電性磁性体をメッキした粒子、あるいは芯粒子に導電性磁性体および導電性が良好な金属の両方を被覆した粒子も使用できる。
【０２０３】
中でもニッケル粒子を芯粒子とし、その表面に金や銀などの導電性が良好な金属のメッキを施したものが好ましい。芯粒子の表面への導電性金属の被覆は、例えば無電解メッキにより行うことができる。
【０２０４】
芯粒子の表面に導電性金属を被覆した導電性粒子は、良好な導電性を得る点から粒子表面の導電性金属の被覆率（芯粒子の表面積に対する導電性金属の被覆面積の割合）が４０％以上であることが好ましく、さらに好ましくは４５％以上、特に好ましくは４７〜９５％である。
【０２０５】
導電性金属の被覆量は、芯粒子の２．５〜５０重量％であることが好ましく、より好ましくは３〜４５重量％、さらに好ましくは３．５〜４０重量％、特に好ましくは５〜３０重量％である。
【０２０６】
導電性粒子３６ａの粒子径は、１〜５００μｍであることが好ましく、より好ましくは２〜４００μｍ、さらに好ましくは５〜３００μｍ、特に好ましくは１０〜１５０μｍである。
【０２０７】
また、導電性粒子３６ａの粒子径分布（Ｄｗ／Ｄｎ）は、１〜１０であることが好ましく、より好ましくは１〜７、さらに好ましくは１〜５、特に好ましくは１〜４である。
このような条件を満足する導電性粒子３６ａを用いることにより、異方導電性シート３５の加圧変形が容易であるとともに、導電部３６において各導電性粒子３６ａ間に充分な電気的接触が得られる。
【０２０８】
また導電性粒子３６ａの形状は、高分子物質形成材料中に容易に分散させることができる点で、球状、星形状、あるいは１次粒子が凝集した２次粒子による塊形状が好ましい。
また、導電性粒子３６ａの表面をシランカップリング剤などのカップリング剤で処理してもよい。これにより、導電性粒子３６ａと弾性高分子物質との接着性が高くなり、得ら
れる弾性異方導電膜５０の繰り返し使用における耐久性が高くなる。
【０２０９】
導電部３６の導電性粒子３６ａの含有割合は、体積分率で１０〜６０％、好ましくは１５〜５０％が好ましい。この割合が１０％未満の場合、充分に電気抵抗値の小さい導電部３６が得られないことがある。
【０２１０】
一方この割合が６０％を超える場合、得られる導電部３６が脆弱になり易く、必要な弾性が得られないことがある。
高分子物質形成材料中には、必要に応じて、通常のシリカ粉、コロイダルシリカ、エアロゲルシリカ、アルミナなどの無機充填材を含有させることができる。このような無機充填材を含有させることにより、成形材料のチキソトロピー性が確保されその粘度が高くなる。さらに導電性粒子３６ａの分散安定性が向上するとともに、硬化処理されて得られる異方導電性シート３５の強度が高くなる。
【０２１１】
異方導電性コネクター３０は、例えば特開２００２−３３４７３２号公報に記載されている方法により製造することができる。
プローブカード１の検査用回路基板２０の裏面には、図２９および図３０に示したように、プローブカード１を下方に加圧する加圧板３が設けられ、プローブカード１の下方には、検査対象であるウエハ６が載置されるウエハ載置台４が設けられている。
【０２１２】
加圧板３とウエハ載置台４のそれぞれには、加熱器５が接続されている。
シート状プローブ１０のリング状の支持部材２は図２９に示したように、加圧板３に設けられた周状の嵌合用段差部に嵌め込まれる。また異方導電性コネクター３０の位置決め孔には、ガイドピン５０が挿通される。
【０２１３】
これにより異方導電性コネクター３０は、異方導電性シート３５のそれぞれの導電部３６が検査用回路基板２０のそれぞれの検査電極２１に対接するように配置され、この異方導電性コネクター３０の表面に、シート状プローブ１０がそれぞれの電極構造体１５が異方導電性コネクター３０の異方導電性シート３５の各導電部３６に対接するよう配置され、この状態で三者が固定される。
【０２１４】
ウエハ載置台４には検査対象であるウエハ６が載置され、加圧板３によりプローブカード１を下方に加圧することにより、シート状プローブ１０の電極構造体１５の各表面電極部１５ａがウエハ６の各被検査電極７に加圧接触する。
【０２１５】
この状態では、異方導電性コネクター３０の異方導電性シート３５の各導電部３６は、検査用回路基板２０の検査電極２１とシート状プローブ１０の電極構造体１５の裏面電極部１５ａとにより挟圧されて厚さ方向に圧縮されている。
【０２１６】
これにより、導電部３６にはその厚さ方向に導電路が形成され、ウエハ６の被検査電極７と検査用回路基板２０の検査電極２１とが電気的に接続される。その後、加熱器５によってウエハ載置台４と加圧板３を介してウエハ６が所定の温度に加熱され、この状態で、ウエハ６に形成された複数の集積回路のそれぞれについて電気的検査が行われる。
【０２１７】
このウエハ検査装置によれば、ウエハ６が例えば直径８インチ以上の大面積であり、かつ被検査電極７のピッチが極めて小さい場合であっても、バーンイン試験においてウエハ６に対する良好な電気的接続状態を安定に維持することができ、ウエハ６の複数の集積回路のそれぞれについて所要の電気検査を確実に実行することができる。
【０２１８】
なお本実施形態では、プローブカード１の検査電極がウエハ６に形成された全ての集積
回路の被検査電極に対して接続され一括して電気検査が行われるが、ウエハ６に形成された全ての集積回路の中から選択された複数の集積回路の被検査電極７に対してプローブカード１の検査電極を接続して、選択領域ごとに検査するようにしてもよい。
【０２１９】
選択される集積回路の数は、ウエハ６のサイズ、ウエハ６に形成された集積回路の数、各集積回路の被検査電極７の数などを考慮して適宜選択されるが、例えば１６個、３２個、６４個、１２８個である。
【０２２０】
また異方導電性シート３５には、被検査電極７のパターンに対応するパターンに従って形成された導電部３６の他に、被検査電極７に電気的に接続されない非接続用の導電部３６が形成されていてもよい。
【０２２１】
また、本発明のプローブカード１および回路装置の検査装置は、ウエハ検査用の他、半導体チップ、ＢＧＡ、ＣＳＰなどのパッケージＬＳＩ、ＭＣＭなどの半導体集積回路装置などに形成された回路を検査するための構成としてもよい。
【実施例】
【０２２２】
以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
Ａ．試験用ウエハの作製について：
直径８インチのシリコン製のウエハ６上に、それぞれの寸法が８ｍｍ×８ｍｍである正方形の集積回路Ｌを合計で３９３個形成した。
【０２２３】
ウエハ６に形成された各集積回路Ｌは、その中央に被検査電極領域を有し、この被検査電極領域には、それぞれ縦方向の寸法が２００μｍで横方向の寸法が７０μｍである矩形の４０個の被検査電極７が１２０μｍのピッチで横方向に一列に配列されている。
【０２２４】
また、このウエハ６全体の被検査電極７の総数は１５７２０個であり、全ての被検査電極７は互いに電気的に絶縁されている。
以下、このウエハを「試験用ウエハＷ１」という。
【０２２５】
また、全ての被検査電極７を互いに電気的に絶縁することに代えて、集積回路Ｌの４０個の被検査電極７のうち、最も外側の被検査電極７から数えて１個おきに２個ずつを互いに電気的に接続したこと以外は、上記試験用ウエハＷ１と同様の構成である３９３個の集積回路Ｌをウエハ６上に形成した。
【０２２６】
以下、このウエハを「試験用ウエハＷ２」という。
Ｂ．シート状プローブの作製について：
（実施例１）
ポリイミドシート（東レ・デュポン（株）「カプトン」登録商標  ポリイミドフィルム
品種１００ＥＮ  両面に厚み８μｍの銅層を有する）を加工して、直径が２０ｃｍで厚みが２５μｍのポリイミドシートの両面にそれぞれ直径が２０ｃｍで厚みが８μｍの銅よりなる金属層が積層された積層ポリイミドシート（以下、「積層体１０Ａ」という。）を用意した（図８（ａ）参照）。
【０２２７】
積層体１０Ａは、厚みが２５μｍのポリイミドシートよりなる絶縁性シート１１Ａの一面に厚みが８μｍの銅よりなる第１裏面側金属層１９Ａを有し、他面に厚みが８μｍの銅よりなる表面側金属層１６Ａを有するものである。
【０２２８】
上記の積層体１０Ａに対し、厚みが２５μｍのポリエチレンテレフタレートよりなる保
護シールによって表面側金属層１６Ａの表面全面に保護フィルム４０Ａを形成すると共に、第１裏面側金属層１９Ａの裏面全面に、試験用ウエハＷ１に形成された被検査電極７のパターンに対応するパターンに従って直径が５０μｍの円形の２６１１６個のパターン孔１２Ｈが形成されたレジスト膜１２Ａを形成した（図８（ｂ）参照）。
【０２２９】
ここで、レジスト膜１２Ａの形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって８０ｍＪの紫外線を照射することにより行い、現像処理は、１％水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に４０秒間浸漬する操作を２回繰り返すことによって行った。
【０２３０】
次いで、第１裏面側金属層１９Ａに対し、塩化第二鉄系エッチング液を用い、５０℃、３０秒間の条件でエッチング処理を施すことにより、レジスト膜１２Ａのパターン孔１２Ｈに連通する２６１１６個のパターン孔１９Ｈを形成した（図８（ｃ）参照）。
【０２３１】
その後、絶縁性シート１１Ａに対し、アミン系ポリイミドエッチング液（東レエンジニアリング株式会社製、「ＴＰＥ−３０００」）を用い、８０℃、１０分間の条件でエッチング処理を施すことにより、絶縁性シート１１Ａに、それぞれ第１裏面側金属層１９Ａのパターン孔１９Ｈに連通する２６１１６個の貫通孔１１Ｈを形成した（図９（ａ）参照）。
【０２３２】
この貫通孔１１Ｈの各々は、絶縁性シート１１Ａの裏面から表面に向かうに従って小径となるテーパ状のものであって、裏面側の開口径が５０μｍ、表面側の開口径が２０μｍ（平均値）のものであった。
【０２３３】
次いで、積層体１０Ａを４５℃の水酸化ナトリウム溶液に２分間浸漬させることにより、積層体１０Ａからレジスト膜１２Ａを除去した（図９（ｂ）参照）。
その後、積層体１０Ａに対し、厚みが１０μｍのドライフィルムレジスト（日立化成：フォテック  ＲＹ−３２１０）によって、第１裏面側金属層１９Ａの貫通孔１１Ｈを覆うように寸法が１６０μｍ×７０μｍの矩形のレジストパターン１４を形成した（図９（ｃ）参照）。
【０２３４】
なお、レジストパターン１４の形成において、露光処理は、高圧水銀灯によって８０ｍＪの紫外線を照射することにより行い、現像処理は１％水酸化ナトリウム水溶液よりなる現像剤に４０秒間浸漬する操作を２回繰り返すことによって行った。
【０２３５】
さらに、その後、絶縁性シート１１Ａに対し、塩化第二鉄系エッチング液を用い、５０℃、３０秒間の条件でエッチング処理を施すことにより、第１裏面側金属層１９Ａの大部分を除去した（図１０（ａ）参照）。
【０２３６】
そして、積層体１０Ａを４５℃の水酸化ナトリウム溶液に２分間浸漬させることにより、積層体１０Ａからレジストパターン１４を除去した（図１０（ｂ）参照）。
さらに、積層体１０Ａに設けられた絶縁性シート１１Ａの上から、直径が２０．４ｃｍで厚みが２５μｍの熱可塑性ポリイミドフィルム（新日鐵化学（株）商品名「エスパネックス」）からなる絶縁層１８を積層し、この絶縁層１８の上に直径が２２ｃｍで厚みが１０μｍの４２アロイよりなる金属シートを積層し、１６５℃、４０ｋｇｆ／ｃｍ2で１時
間の条件で加熱プレスを行って積層体１０Ｂを形成した（図１０（ｃ）参照）。
【０２３７】
この状態において、貫通孔１１Ｈは、絶縁層１８に塞がれており空洞状態となっている。
そして、この積層体１０Ｂの第２裏面側金属層１７Ａの表面に、形成すべき電極構造体１５のパターンに対応するパターンに従って直径が８０μｍの円形の２６１１６個のパタ
ーン孔２８Ｈが形成された厚み１０μｍのレジスト膜２８Ａを形成した（図１１（ａ）参照）。
【０２３８】
次いで、第２裏面側金属層１７Ａに対し、塩化第二鉄系エッチング液を用い、５０℃、３０秒間の条件でエッチング処理を施すことにより、レジスト膜２８Ａのパターン孔２８Ｈに連通する２６１１６個のパターン孔１７Ｈを形成した（図１１（ｂ）参照）。
【０２３９】
その後、絶縁層１８に対し、アミン系ポリイミドエッチング液（東レエンジニアリング株式会社製、「ＴＰＥ−３０００」）を用い、８０℃、１０分間の条件でエッチング処理を施すことにより、絶縁層１８に、それぞれ第２裏面側金属層１７Ａのパターン孔１７Ｈに連通する２６１１６個の貫通孔１８Ｈを形成した（図１１（ｃ）参照）。
【０２４０】
そして、貫通孔１８Ｈが形成された積層体１０Ｂを、４５℃の水酸化ナトリウム溶液に２分間浸漬させることにより、積層体１０Ｂからレジスト膜２８Ａを除去した。
その後、新たに第２裏面側金属層１７Ａの表面に、それぞれ第２裏面側金属層１７Ａのパターン孔１７Ｈに連通する、寸法が８０μｍ×１５０μｍのパターン孔を有するレジスト膜２８Ｂを形成した（図１２（ａ）参照）。
【０２４１】
これにより、貫通孔１８Ｈと先に形成した貫通孔１１Ｈとが連通し、電極構造体形成用の開口部１５Ｈが形成された。
次いで、積層体１０Ｂをスルファミン酸ニッケルを含有するメッキ浴中に浸漬し、積層体１０Ｂに対し、表面側金属層１６Ａを電極として、電解メッキ処理を施して電極構造体形成用の開口部１５Ｈ内に金属を充填することにより、表面電極部、短絡部、裏面電極部を一括した電極構造体部分２２を形成した（図１２（ｂ）参照）。
【０２４２】
次いで、電極構造体部分２２が形成された積層体１０Ｂを、４５℃の水酸化ナトリウム溶液に２分間浸漬させることにより、積層体１０Ｂからレジスト膜２８Ｂを除去した。その後、新たに第２裏面側金属層１７Ａの上からエッチング用のレジスト膜２９Ａを形成した（図１２（ｃ）参照）。
【０２４３】
さらに、第２裏面側金属層１７Ａに対し、塩化第二鉄系エッチング液を用い、５０℃、３０秒間の条件でエッチング処理を施すことにより、第２裏面側金属層１７Ａを金属フレーム板部分と電極構造体とに分離した（図１３（ａ）参照）。
【０２４４】
そして、レジスト膜２９Ａを除去し、積層体１０Ｂの裏面側に新たに保護用のレジスト膜３４Ａを形成する。
積層体１０Ｂを４５℃の水酸化ナトリウム溶液に２分間浸漬させることにより、積層体１０Ｂからレジスト膜２９Ａを除去し、積層体１０Ｂの裏面側に新たに保護用のレジスト膜３４Ａを形成した（図１３（ｂ）参照）。
【０２４５】
さらに、表面側金属層１６Ａの表面全体に積層された保護フィルム４０Ａを剥離し、この積層体１０Ｂの表面側金属層１６Ａに対し、塩化第二鉄系エッチング液を用い、５０℃、３０秒間の条件でエッチング処理を施すことにより除去した（図１３（ｃ）参照）。
【０２４６】
その後、絶縁性シート１１Ａに対し、アミン系ポリイミドエッチング液（東レエンジニアリング株式会社製、「ＴＰＥ−３０００」）を用い、８０℃、６分間の条件でエッチング処理を施すことにより、絶縁性シート１１Ａの表面部分を除去し、絶縁性シートの厚みを２５μｍから５μｍとし、表面電極部１５ａを突出させた（図１４（ａ）参照）。
【０２４７】
さらに、積層体１０Ｂを４５℃の水酸化ナトリウム溶液に２分間浸漬させることにより
、積層体１０Ｂからレジスト膜３４Ａを除去した（図１４（ｂ）参照）。
そして、積層体１０Ｂの表面電極部１５ａおよび絶縁性シート１１Ａを覆うように厚みが２５μｍのドライフィルムレジストによりレジスト膜を形成し、接点膜となるべき部分を覆うように、パターニングされたレジスト膜２９を形成した（図１４（ｃ）参照）。
【０２４８】
レジスト膜２９の各々は、横方向４６００μｍで縦方向２０００μｍである。
この状態で、アミン系ポリイミドエッチング液（東レエンジニアリング株式会社製、「ＴＰＥ−３０００」）を用い、８０℃、１０分間の条件でエッチング処理を施すことにより、金属フレーム板２５の各々の貫通孔に電極構造体１５が形成された接点膜を備えた積層体１０Ｃを得た（図１５（ａ）参照）。
【０２４９】
そして、積層体１０Ｃを４５℃の水酸化ナトリウム水溶液に２分間浸漬することにより、レジスト膜２９を除去した（図１５（ｂ）参照）。
そして、シート状プローブ１０の周縁部、すなわち金属フレーム板２５の外周縁に絶縁層１８とは離間してシリコーン系熱硬化性接着剤（信越化学製：品名１３００Ｔ）を塗布し、１５０℃に保持した状態でシリコーン系熱硬化性接着剤が塗布された部分に、外径が２２０ｍｍ、内径が２０５ｍｍで厚さ２ｍｍの窒化シリコンよりなるリング状の支持部材２を配置した。
【０２５０】
さらに、金属フレーム板２５と支持部材２とを加圧しながら１８０℃で２時間保持することにより、本発明に係るシート状プローブ１０を製造した。
以上においてドライフィルムレジストとしては、とくに記載しなかった部分においては日立化成製のＨ−Ｋ３５０を使用した。
【０２５１】
得られたシート状プローブ１０の仕様は以下の通りである。
金属フレーム板２５は直径２２ｃｍ、厚さ１０μｍの円板状で、材質が４２アロイである。
【０２５２】
金属フレーム板２５の貫通孔１２の数は３９３個で、それぞれの横方向の寸法が６４００μｍで、縦方向の寸法が３２０μｍである。３９３個の接点膜９のそれぞれの絶縁層１８は、材質がポリイミドで、その寸法は横方向７．５ｍｍ、縦方向７．５ｍｍ、厚さ１２．５μｍである。
【０２５３】
接点膜９のそれぞれの電極構造体１５は、その数が４０個（合計１５７２０個）で、横方向に１２０μｍのピッチで一列に並ぶよう配置されている。
得られたシート状プローブ１０は、絶縁層１８Ａの厚みｄが２５μｍ、電極構造体１５の表面電極部１５ａの形状が円錐台状で、その先端の径Ｒ１が２０μｍ、その基端の径Ｒ２が６０μｍ、その絶縁性シート１１の表面からの突出高さｔ１が２０μｍである。
【０２５４】
保持部１５ｅは形状が矩形で、寸法は横幅が７０μｍ、縦幅が１６０μｍ、厚みｔ２が８μｍである。
短絡部１５ｃは、形状が円錐台状で、その表面側の一端の径Ｒ３が６０μｍ、裏面側の他端の径Ｒ４が８０μｍである。
【０２５５】
裏面電極部１５ｂの形状が矩形で、その寸法は横幅が８０μｍ、縦幅が１５０μｍ、厚みｔ３が２０μｍである。
短絡部１５ｃの上端部分の外径が６０μｍで、表面電極部１５ａの基端部分の外径が５０μｍで、径が１０μｍ異なって肩部１５ｄが設けられている。
【０２５６】
絶縁層１８の厚みＨは３０μｍであり、保持部１５ｅの上部に５μｍの絶縁性シート１
１からなる絶縁層が存在する。
電極構造体１５の配置ピッチＰは１２０μｍである。
【０２５７】
また、熱線膨張係数は、以下の通りである。
絶縁層１８            Ｈ１：ポリイミド＝約５×１０-5／Ｋ
金属フレーム板２５  Ｈ２：４２アロイ＝約５×１０-6／Ｋ
支持部材２            Ｈ３：窒化ケイ素＝３．５×１０-6／Ｋ
実施例１における各条件の計算値
条件（１）：Ｈ１＝５×１０-5／Ｋ
条件（２）：Ｈ２／Ｈ１＝（５×１０-6）／（５×１０-5）＝０．１
条件（３）：Ｈ３／Ｈ１＝（３．５×１０-6）／（５×１０-5）＝０．０７
条件（４）：Ｈ３／Ｈ２＝（３．５×１０-6）／（５×１０-6）＝０．７
このようにして、合計で４枚のシート状プローブを製造した。
【０２５８】
これらのシート状プローブを「シート状プローブＩ１」〜「シート状プローブＩ４」とする。
（実施例２）
実施例１において、図１４（ａ）に示した積層体１０Ｂの絶縁性シート１１Ａに対してのエッチング処理条件を、アミン系ポリイミドエッチング液（東レエンジニアリング株式会社製、「ＴＰＥ−３０００」）を用いて８０℃、８分間に変更し、絶縁性シート１１Ａと絶縁層１８の界面までエッチングを進めて絶縁性シート１１Ａを除去したこと以外は実施例１と同様にてしてシート状プローブを得た。
【０２５９】
得られたシート状プローブ１０は、絶縁層１８Ａの厚みｄが２５μｍ、電極構造体１５の表面電極部１５ａの形状が円錐台状で、その先端の径Ｒ１が２０μｍ、その基端の径Ｒ２が６０μｍ、その絶縁層１８の表面からの突出高さｔ１が２５μｍである。
【０２６０】
保持部１５ｅは形状が矩形で、寸法は横幅が７０μｍ、縦幅が１６０μｍ、厚みｔ２が８μｍである。
短絡部１５ｃは、形状が円錐台状で、その表面側の一端の径Ｒ３が６０μｍ、裏面側の他端の径Ｒ４が８０μｍである。
【０２６１】
裏面電極部１５ｂの形状が矩形で、その寸法は横幅が８０μｍ、縦幅が１５０μｍ、厚みｔ３が２０μｍである。
短絡部１５ｃの上端部分の外径が６０μｍで、表面電極部１５ａの基端部分の外径が５０μｍで、径が１０μｍ異なって肩部１５ｄが設けられている。
【０２６２】
絶縁層１８の厚みＨは２５μｍであり、保持部１５ｅの表面と絶縁層１８の表面が略同一面となっている。電極構造体１５の配置ピッチＰは１２０μｍである。
これらのシート状プローブを「シート状プローブＪ１」〜「シート状プローブＪ４」とする。
【０２６３】
（実施例３）
実施例１において、図１４（ａ）に示した積層体１０Ｂの絶縁性シート１１Ａに対してのエッチング処理条件を、アミン系ポリイミドエッチング液（東レエンジニアリング株式会社製、「ＴＰＥ−３０００」）を用いて８０℃、１０分間に変更し、絶縁性シート１１Ａを除去して更にエッチングを進めて絶縁層１８の表面部分の一部を除去したこと以外は実施例１と同様にてしてシート状プローブを得た。
【０２６４】
得られたシート状プローブ１０は、絶縁層１８Ａの厚みｄが２５μｍ、電極構造体１５
の表面電極部１５ａの形状が円錐台状で、その先端の径Ｒ１が２０μｍ、その基端の径Ｒ２が６０μｍ、その絶縁層１８の表面からの突出高さｔ１が約３０μｍである。
【０２６５】
保持部１５ｅは形状が矩形で、寸法は横幅が７０μｍ、縦幅が１６０μｍ、厚みｔ２が８μｍである。
短絡部１５ｃは、形状が円錐台状で、その表面側の一端の径Ｒ３が６０μｍ、裏面側の他端の径Ｒ４が８０μｍである。
【０２６６】
裏面電極部１５ｂの形状が矩形で、その寸法は横幅が８０μｍ、縦幅が１５０μｍ、、厚みｔ３が２０μｍである。
短絡部１５ｃの上端部分の外径が６０μｍで、表面電極部１５ａの基端部分の外径が５０μｍで、径が１０μｍ異なって肩部１５ｄが設けられている。
【０２６７】
絶縁層１８の厚みＨは約２０μｍであり、保持部１５ｅはその全厚ｔ２＝８μｍのうち、厚み約５μｍが絶縁層１８より露出しており、厚み約３μｍが絶縁層に埋設された状態であった。電極構造体１５の配置ピッチＰは１２０μｍである。
【０２６８】
これらのシート状プローブを「シート状プローブＫ１」〜「シート状プローブＫ４」とする。
（実施例４）
実施例１において図９（ｃ）に示した積層体１０Ａよりレジスト膜１２Ａを除去した後、レジストパターン１４を形成せずに、塩化第二鉄系エッチング液でエッチング処理を行い第１裏面側金属層１９Ａをすべて除去して保持部を形成しなかったこと以外は実施例１と同様にしてシート状プローブを得た。
【０２６９】
得られたシート状プローブは保持部が存在しないこと以外は実施例１と同様のものである。
これらのシート状プローブを「シート状プローブＬ１」〜「シート状プローブＬ４」とする。
【０２７０】
（比較例１）
図３２（ａ）に示すような表面側金属層７２、第２裏面側金属層７４、第１裏面側金属層７６を有し、絶縁性シート７８、絶縁層８０よりなる積層体７０を用意した。
【０２７１】
積層体７０は、厚さ４μｍの銅よりなる表面側金属層７２と、厚さ１２．５μｍのポリイミドよりなる絶縁層８０と、厚さ４μｍの銅よりなる第１裏面側金属層７６と、厚さ３７．５μｍのポリイミドよりなる絶縁層８０と、厚さ１０μｍの４２アロイよりなる第２裏面側金属層７４と、から構成されたものである。
【０２７２】
この積層体７０に対して、特開２００４−１７２５８９号に記載された方法に従い、第２裏面側金属層７４側に直径９０μｍのパターン孔を形成し、順次に絶縁層８０、第１裏面側金属層７６、絶縁性シート７８に連続する貫通孔を形成し、貫通孔の底面に表面側金属層７２を露出させた。
【０２７３】
これにより、短絡部と表面電極部を一括して形成する電極構造体形成用凹所８２を作成した（図３２（ｂ）参照）。
次いで、積層体７０をスルファミン酸ニッケルを含有するメッキ浴中に浸漬し、積層体７０に対し、表面側金属層７２を電極として、電解メッキ処理を施して各電極構造体形成用凹所８２に金属を充填した（図３２（ｃ）参照）。
【０２７４】
次いで、表面側金属層７２を除去し、絶縁性シート７８をエッチングにより除去した（図３２（ｄ）参照）。
次いで、第１裏面側金属層７６にエッチングを行い保持部８４を形成し、第２裏面側金属層７４にエッチングを行いその一部を除去することにより裏面電極部８６と支持部８８を形成し、絶縁層８０にエッチングを行い絶縁層８０を各々の接点膜に分割した（図３２（ｅ）参照）。
【０２７５】
その後、外径が２２ｃｍ、内径が２０．５ｃｍで厚みが２ｍｍのリング状の窒化シリコンよりなる支持板の表面に、シアノアクリレート系接着剤（東亞合成（株）製：品名  アロンアルファ（登録商標）品番：♯２００）を滴下して接着層を形成し、これに接点膜を形成した積層体７０を積層し、２５℃で３０分保持することにより、接着層を硬化させてシート状プローブを製造した。
【０２７６】
得られたシート状プローブは、絶縁層の厚みｄが３７．５μｍ、電極構造体の表面電極部の形状が円錐台状で、その基端の径が３７μｍ、その先端の径が１３μｍ（平均値）であり、その突出高さが１２．５μｍ、保持部８４は横幅が６０μｍ、縦幅が２００μｍで厚みが４μｍ、短絡部の形状が円錐台状で、その表面側の一端の径が３７μｍ、裏面側の他端の径が９０μｍ、裏面電極部の形状が矩形の平板状で、その横幅が９０μｍ、縦幅が２００μｍ、厚みが２０μｍのものである。
【０２７７】
このようにして、合計で４枚のシート状プローブを製造した。
これらのシート状プローブを「シート状プローブＭ１」〜「シート状プローブＭ４」とする。
【０２７８】
（比較例２）
比較例１において積層体７０を、厚さ４μｍの銅よりなる表面側金属層７２と、厚さ１７．５μｍのポリイミドよりなる絶縁性シート７８と、厚さ４μｍの銅よりなる第１裏面側金属層７６と、厚さ４８μｍのポリイミドよりなる絶縁層８０と、厚さ１０μｍの４２アロイよりなる第２裏面側金属層７４とに変更した。
【０２７９】
さらに、比較例１と同様にして電極構造体形成用凹所８２を形成して、積層体７０をスルファミン酸ニッケルを含有するメッキ浴中に浸漬し、積層体７０に対し、表面側金属層７２を電極として、電解メッキ処理を施して各電極構造体形成用凹所８２内に金属の充填を試みた。
【０２８０】
しかしながら、電極構造体形成用凹所８２内に金属の充填はほとんど行われなかった。
また、積層体７０の電極構造体形成用凹所８２を観察したところ、その底部に表面側金属層７２がほとんど露出していなかった。
Ｃ．異方導電性コネクターの作製について：
＜磁性芯粒子の調製＞
市販のニッケル粒子（Ｗｅｓｔａｉｍ社製、「ＦＣ１０００」）を用い、以下のようにして磁性芯粒子を調製した。
【０２８１】
日清エンジニアリング株式会社製の空気分級機「ターボクラシファイア  ＴＣ−１５Ｎ」によって、ニッケル粒子０．５ｋｇを捕集した。
得られたニッケル粒子は、数平均粒子径が７．４μｍ、粒子径の変動係数が２７％、ＢＥＴ比表面積が０．４６×１０3ｍ2／ｋｇ、飽和磁化が０．６Ｗｂ／ｍ2であった。
【０２８２】
このニッケル粒子を「磁性芯粒子［Ａ］」とする。
＜導電性粒子の調製＞
粉末メッキ装置の処理槽内に、磁性芯粒子［Ａ］１００ｇを投入し、さらに、０．３２Ｎの塩酸水溶液２Ｌを加えて攪拌し、磁性芯粒子［Ａ］を含有するスラリーを得て、これより導電性粒子を調製した。
【０２８３】
この導電性粒子を、９０℃に設定された乾燥機によって乾燥処理し、導電性粒子を得た。
得られた導電性粒子は、数平均粒子径が７．３μｍ、ＢＥＴ比表面積が０．３８×１０3ｍ2／ｋｇ、（被覆層を形成する金の質量）／（磁性芯粒子［Ａ］の質量）の値が０．３であった。
【０２８４】
この導電性粒子を「導電性粒子（ａ）」とする。
＜フレーム板の作製＞
下記の条件により、上記の試験用ウエハＷ１の各被検査電極領域に対応して形成された３９３個の異方導電膜配置用の貫通孔を有する直径８インチのフレーム板３１を作製した。
【０２８５】
このフレーム板３１の材質はコバール（線熱膨張係数５×１０-6／Ｋ）で、その厚さは６０μｍである。
各貫通孔は、その横方向の寸法が５４００μｍで縦方向の寸法が３２０μｍである。
【０２８６】
縦方向に隣接する異方導電膜配置用孔の間の中央位置には、円形の空気流入孔が形成されており、その直径は１０００μｍである。
＜成形材料の調製＞
付加型液状シリコーンゴム１００重量部に、導電性粒子［ａ］３０重量部を添加して混合し、その後、減圧による脱泡処理を施すことにより、成形材料を調製した。
【０２８７】
以上において、使用した付加型液状シリコーンゴムは、それぞれ粘度が２５０Ｐａ・ｓであるＡ液とＢ液よりなる二液型のものであって、その硬化物の圧縮永久歪みが５％、デュロメーターＡ硬度が３２、引裂強度が２５ｋＮ／ｍのものである。
【０２８８】
なお、付加型液状シリコーンゴムおよびその硬化物の特性は以下のようにして測定されたものである。
（ａ）付加型液状シリコーンゴムの粘度は、Ｂ型粘度計により２３±２℃における値を測定した。
（ｂ）シリコーンゴム硬化物の圧縮永久歪みは次のようにして測定した。
【０２８９】
二液型の付加型液状シリコーンゴムのＡ液とＢ液とを等量となる割合で攪拌混合した。
次いで、この混合物を金型に流し込み、この混合物に対して減圧による脱泡処理を行った後、１２０℃、３０分間の条件で硬化処理を行うことにより、厚さが１２．７ｍｍ、直径が２９ｍｍのシリコーンゴム硬化物よりなる円柱体を作製し、この円柱体に対して２００℃、４時間の条件でポストキュアを行った。
【０２９０】
このようにして得られた円柱体を試験片として用い、ＪＩＳ  Ｋ  ６２４９に準拠して１５０±２℃における圧縮永久歪みを測定した。
（ｃ）シリコーンゴム硬化物の引裂強度は、次のようにして測定した。
【０２９１】
上記（ｂ）と同様の条件で付加型液状シリコーンゴムの硬化処理とポストキュアを行うことにより、厚さが２．５ｍｍのシートを作製した。このシートから打ち抜きによってクレセント形の試験片を作製し、ＪＩＳ  Ｋ  ６２４９に準拠して２３±２℃における引裂強度を測定した。
（ｄ）デュロメーターＡ硬度は、上記（ｃ）と同様にして作製されたシートを５枚重ね合わせ、得られた積重体を試験片として用い、ＪＩＳ  Ｋ  ６２４９に準拠して２３±２℃における値を測定した。
【０２９２】
＜異方導電性コネクターの作製＞
上記で作製したフレーム板３１と、上記で調製した成形材料を用い、特開２００２−３２４６００号公報に記載された方法に従って、フレーム板３１にそれぞれの貫通孔内に配置され、その周辺部に固定されて支持された３９３個の異方導電性シート３５を形成することにより異方導電性コネクター３０を製造した。
【０２９３】
なお成形材料層の硬化処理は、電磁石によって厚さ方向に２Ｔの磁場を作用させながら１００℃、１時間の条件で行った。
得られた異方導電性シート３５について具体的に説明すると、異方導電性シート３５の各々は横方向の寸法が７０００μｍ、縦方向の寸法が１２００μｍであり、４０個の導電部３６が絶縁部３７によって互いに絶縁された状態で１２０μｍのピッチで横方向に一列に配列されている。
【０２９４】
また導電部３６の各々は、横方向の寸法が４０μｍ、縦方向の寸法が２００μｍ、厚さが１５０μｍ、突出部３８の突出高さが２５μｍ、絶縁部３７の厚さが１００μｍである。
【０２９５】
また、横方向において最も外側に位置する導電部３６とフレーム板３１との間には、非接続用の導電部が配置されている。
非接続用の導電部の各々は、横方向の寸法が６０μｍ、縦方向の寸法が２００μｍ、厚さが１５０μｍである。
【０２９６】
さらに、異方導電性シート３５の各々の被支持部の厚さ（二股部分の一方の厚さ）は２０μｍである。
また、各異方導電性シート３５の導電部３６中の導電性粒子３６ａの含有割合を調べたところ、全ての導電部３６について体積分率で約２５％であった。
【０２９７】
このようにして、合計で１２枚の異方導電性コネクターを製造した。
これらの異方導電性コネクターを「異方導電性コネクターＣ１」〜「異方導電性コネクターＣ２０」とする。
Ｄ．検査用回路基板の作製について：
基板材料としてアルミナセラミックス（線熱膨張係数４．８×１０-6／Ｋ）を用い、試験用ウエハＷ１の被検査電極のパターン従って、検査用電極３２が形成された検査用回路基板２０を作製した。
【０２９８】
この検査用回路基板２０は、全体の寸法が３０ｃｍ×３０ｃｍの矩形であり、その検査用電極は横方向の寸法が６０μｍで縦方向の寸法が２００μｍである。
得られた検査用回路基板を「検査用回路基板Ｔ１」とする。
Ｅ．シート状プローブの評価について：
＜試験１（隣接する電極構造体間の絶縁性）＞
シート状プローブＩ１、Ｉ２、Ｊ１、Ｊ２、Ｋ１、Ｋ２、Ｌ１、Ｌ２、Ｍ１、Ｍ２の各々について、以下のようにして隣接する電極構造体間の絶縁性の評価を行った。
【０２９９】
室温（２５℃）下において、試験用ウエハＷ１を試験台に配置しこの試験用ウエハＷ１の表面上に、図３０に示したようにシート状プローブ１０をその表面電極部１５ａの各々が試験用ウエハＷ１の被検査電極７上に位置するよう位置合わせして配置し、このシート
状プローブ１０上に異方導電性コネクター３０をその導電部３６の各々がシート状プローブ１０の裏面電極部１５ｂ上に位置するよう位置合わせして配置した。
【０３００】
そして、この異方導電性コネクター３０上に、検査用回路基板Ｔ１をその検査電極２１の各々が、異方導電性コネクター３０の導電部３６上に位置するよう位置合わせして配置した。
【０３０１】
さらに検査用回路基板Ｔ１を、下方に１２５ｋｇの荷重（電極構造体１個当たりに加わる荷重が平均で約８ｇで加圧した。なお、異方導電性コネクター３０としては下記表１に示したものを使用した。
【０３０２】
そして、検査用回路基板Ｔ１の１５７２０個の検査電極２１の各々に、順次電圧を印加するとともに、電圧が印加された検査電極２１と他の検査電極２１との間の電気抵抗をシート状プローブ１０の電極構造体１５間の電気抵抗（以下、「絶縁抵抗」という。）として測定し、全測定点における絶縁抵抗が１０ＭΩ以下である測定点の割合（以下、「絶縁不良割合」という。）を求めた。
【０３０３】
なお絶縁抵抗が１０ＭΩ以下である場合には、実際上、ウエハ６に形成された集積回路の電気的検査に使用することが困難である。
試験の結果を表１に示した。
【０３０４】
【表１】
2006234826.tif 000003
【０３０５】
＜試験２（電極構造体の接続安定性）＞
シート状プローブＩ３、Ｉ４、Ｊ３、Ｊ４、Ｋ３、Ｋ４、Ｌ３、Ｌ４、Ｍ３、Ｍ４について、以下のようにして被検査電極に対する電極構造体の接続安定性の評価を行った。
【０３０６】
室温（２５℃）下において、試験用ウエハＷ２を電熱ヒーターを備えた試験台に配置し、この試験用ウエハＷ２の表面に、シート状プローブ１０をその表面電極部１５ａの各々が試験用ウエハＷ２の被検査電極７上に位置するように位置合わせして配置した。
【０３０７】
また、このシート状プローブ１０上に、異方導電性コネクター３０をその導電部３６の各々がシート状プローブ１０の裏面電極部１５ｂ上に位置するよう位置合わせして配置した。
【０３０８】
そしてこの異方導電性コネクター３０上に、検査用回路基板Ｔ１をその検査電極２１の各々が異方導電性コネクター３０の導電部３６上に位置するよう位置合わせして配置した。
【０３０９】
さらに検査用回路基板Ｔ１を下方に、１２５ｋｇの荷重（電極構造体１個当たりに加わる荷重が平均で約８ｇ）で加圧した。なお、異方導電性コネクター３０としては下記の表２に示したものを使用した。
【０３１０】
そして、検査用回路基板Ｔ１の１５７２０個の検査電極２１について、シート状プローブ１０と、異方導電性コネクター３０と、試験用ウエハＷ２を介して互いに電気的に接続された２個の検査電極２１間の電気抵抗を順次測定した。
【０３１１】
そして、測定された電気抵抗値の２分の１の値を検査用回路基板Ｔ１の検査電極２１と試験用ウエハＷ２の被検査電極７との間の電気抵抗（以下、「導通抵抗」という。）として記録し、全測定点における導通抵抗が１Ω以上である測定点の割合（以下、「接続不良割合」という。）を求めた。
【０３１２】
この操作を「操作（１）」とする。
次いで検査用回路基板Ｔ１に対する加圧を解除し、その後、試験台を１２５℃に昇温した。さらに、その温度が安定するまで放置し、その後、検査用回路基板Ｔ１を下方に１２５ｋｇの荷重（電極構造体１個当たりに加わる荷重が平均で約８ｇ）で加圧し、上記操作（１）と同様にして接続不良割合を求めた。
【０３１３】
この操作を「操作（２）」とする。
次いで、検査用回路基板Ｔ１に対する加圧を解除し、その後、試験台を室温（２５℃）まで冷却した。
【０３１４】
この操作を「操作（３）」とする。
そして、上記の操作（１）、操作（２）および操作（３）を１サイクルとして、合計で１００サイクル連続して行った。
【０３１５】
また、１サイクルに要する時間は約１．５時間であった。
なお導通抵抗が１Ω以上である場合には、実際上、ウエハに形成された集積回路の電気的検査に使用することが困難である。
【０３１６】
試験の結果を表２に示した。
また、試験２が終了した後、シート状プローブＩ３、Ｉ４、Ｊ３、Ｊ４、Ｋ３、Ｋ４、Ｌ３、Ｌ４の各々の電極構造体および保持部の状態を、実体顕微鏡を用いて目視にて観察した。
【０３１７】
シート状プローブＩ３、Ｉ４、Ｊ３、Ｊ４、Ｋ３、Ｋ４、Ｌ３、Ｌ４については、いずれの電極構造体も絶縁層から脱落しておらず、高い耐久性を有することが確認された。
保持部については、実施例１に係るシート状プローブＩ３、Ｉ４については、いずれの電極構造体の保持部も変形を生じておらず、保持部の密着性が極めて良好であった。
【０３１８】
シート状プローブＪ３、Ｊ４、Ｋ３、Ｋ４の保持部については、実施例２に係るシート状プローブＪ３、Ｊ４については約１０個の電極構造体の保持部が変形して絶縁膜より剥離し、まくれ上がっており、実施例３に係るシート状プローブＫ３、Ｋ４については約３０個の保持部が変形して絶縁膜より剥離してまくれ上がっていた。
【０３１９】
これに対し、シート状プローブＭ３については、１５７２０個の電極構造体のうち、約２００個の電極構造体が絶縁膜から脱落しており、またシート状プローブＭ４については、約１５０個の電極構造体が絶縁膜から脱落していた。
【０３２０】
保持部については、シート状プローブＭ３、Ｍ４とも全体の５％以上（１０００個以上）の電極構造体において、保持部が変形して絶縁膜より剥離してまくれ上がっていた。
【０３２１】
【表２】
2006234826.tif 000004
【図面の簡単な説明】
【０３２２】
【図１】図１は、本発明のシート状プローブの実施例を示した図であり、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＸ−Ｘ線による断面図である。
【図２】図２は、図１のシート状プローブの接点膜を拡大して示した平面図である。
【図３】図３は、図２のＸ−Ｘ線による部分断面図である。
【図４】図４は、シート状プローブの金属フレーム板の形状を説明する平面図である。
【図５】図５は、本発明のシート状プローブの別の実施例を示した図であり、図５（ａ）は平面図、図５（ｂ）は図５（ａ）のＸ−Ｘ線による断面図である。
【図６】図６は、本発明のシート状プローブの別の実施例を示した図であり、図６（ａ）は平面図、図６（ｂ）は図６（ａ）のＸ−Ｘ線による断面図である。
【図７】図７は、本発明のシート状プローブの別の実施例を示した図であり、図７（ａ）は平面図、図７（ｂ）は図７（ａ）のＸ−Ｘ線による断面図である。
【図８】図８は、シート状プローブの製造方法を説明する断面図である。
【図９】図９は、シート状プローブの製造方法を説明する断面図である。
【図１０】図１０は、シート状プローブの製造方法を説明する断面図である。
【図１１】図１１は、シート状プローブの製造方法を説明する断面図である。
【図１２】図１２は、シート状プローブの製造方法を説明する断面図である。
【図１３】図１３は、シート状プローブの製造方法を説明する断面図である。
【図１４】図１４は、シート状プローブの製造方法を説明する断面図である。
【図１５】図１５は、シート状プローブの製造方法を説明する断面図である。
【図１６】図１６は、シート状プローブの他の製造方法を説明する断面図である。
【図１７】図１７は、シート状プローブの他の製造方法を説明する断面図である。
【図１８】図１８は、シート状プローブの他の製造方法を説明する断面図である。
【図１９】図１９は、シート状プローブの他の製造方法を説明する断面図である。
【図２０】図２０は、シート状プローブの他の製造方法を説明する断面図である。
【図２１】図２１は、シート状プローブの他の製造方法を説明する断面図である。
【図２２】図２２は、シート状プローブの他の製造方法を説明する断面図である。
【図２３】図２３は、シート状プローブの他の製造方法を説明する断面図である。
【図２４】図２４は、シート状プローブの他の製造方法を説明する断面図である。
【図２５】図２５は、シート状プローブの他の製造方法を説明する断面図である。
【図２６】図２６は、シート状プローブの他の製造方法を説明する断面図である。
【図２７】図２７は、シート状プローブの他の製造方法を説明する断面図である。
【図２８】図２８は、シート状プローブに金属フレーム板の取り付け方法を説明する断面図である。
【図２９】図２９は、本発明の回路装置の検査装置およびそれに用いられるプローブカードの実施例を示した断面図である。
【図３０】図３０は、図２９のプローブカードにおける組み立て前後の各状態を示した断面図である。
【図３１】図３１は、図２９のプローブカードの要部構成を示した断面図である。
【図３２】図３２は、比較例におけるシート状プローブの製造方法を説明する断面図である。
【図３３】図３３は、従来のシート状プローブの断面図である。
【図３４】図３４は、従来のシート状プローブの断面図である。
【図３５】図３５は、従来のシート状プローブの製造方法の概略を示した断面図である。
【図３６】図３６は、ウエハの被検査電極に酸化膜が形成される状況を説明する概略断面図である。
【図３７】図３７は、従来のシート状プローブをウエハの被検査電極に接触させた状態を説明する概略断面図である。
【図３８】図３８は、従来のシート状プローブをウエハの被検査電極に接触させた状態を説明する概略断面図である。
【図３９】図３９は、従来のシート状プローブの電極構造体とウエハの被検査電極との位置ずれについて説明する概略断面図である。
【符号の説明】
【０３２３】
１・・・プローブカード
２・・・支持部材
３・・・加圧板
４・・・ウエハ載置台
５・・・加熱器
６・・・ウエハ
７・・・検査用電極
９・・・接点膜
１０・・・シート状プローブ
１０Ａ・・積層体
１０Ｂ・・積層体
１０Ｃ・・積層体
１０Ｋ・・表面電極部形成用凹所
１１Ａ・・絶縁性シート
１１Ｈ・・貫通孔
１２・・・貫通孔
１２Ａ・・レジスト膜
１２Ｈ・・パターン孔
１４・・・レジストパターン
１５・・・電極構造体
１５ａ・・表面電極部
１５ｂ・・裏面電極部
１５ｃ・・短絡部
１５ｄ・・肩部
１５ｅ・・保持部
１５Ｈ・・開口部
１６Ａ・・表面側金属層
１７Ａ・・第２裏面側金属層
１７Ｈ・・パターン孔
１８・・・絶縁層
１８Ａ・・絶縁層
１８Ｈ・・貫通孔
１９Ａ・・第１裏面側金属層
１９Ｈ・・パターン孔
２０・・・検査用回路基板
２１・・・検査電極
２２・・・電極構造体部分
２４・・・支持部
２５・・・金属フレーム板
２８Ａ・・レジスト膜
２８Ｂ・・レジスト膜
２８Ｈ・・パターン孔
２９Ａ・・レジスト膜
２９Ｈ・・パターン孔
３０・・・異方導電性コネクター
３１・・・フレーム板
３２・・・検査用電極
３４Ａ・・レジスト膜
３５・・・異方導電性シート
３６・・・導電部
３６ａ・・導電性粒子
３７・・・絶縁部
３８・・・突出部
４０Ａ・・保護フィルム
５０・・・ガイドピン
７０・・・積層体
７２・・・表面側金属層
７４・・・裏面側金属層
７６・・・裏面側金属層
７８・・・絶縁性シート
８０・・・絶縁層
８２・・・電極構造体形成用凹所
８４・・・保持部
８６・・・裏面電極部
８８・・・支持部
１００・・・シート状プローブ
１０２・・・電極構造体
１０４・・・絶縁シート
１０６・・・支持部材
１０８・・・表面電極部
１１０・・・裏面電極部
１１２・・・短絡部
２０２・・・電極構造体
２０４・・・絶縁シート
２０６・・・支持部材
３００・・・シート状プローブ
３０２・・・フレーム板形成用金属板
３０４・・・絶縁層形成用樹脂シート
３０６・・・積層体
３０８・・・貫通孔
３１０・・・短絡部
３１２・・・表面電極部
３１４・・・貫通孔
３１６・・・金属フレーム板
３１８・・・裏面電極部
３２０・・・電極構造体
３２２・・・絶縁層
３２４・・・接点膜
４００・・・ウエハ
４０２・・・被検査電極
４０４・・・酸化膜
５００・・・シート状プローブ
５０２・・・表面電極部
５０４・・・電極構造体
【図１】
2006234826.tif 000005
【図２】
2006234826.tif 000006
【図３】
2006234826.tif 000007
【図４】
2006234826.tif 000008
【図５】
2006234826.tif 000009
【図６】
2006234826.tif 000010
【図７】
2006234826.tif 000011
【図８】
2006234826.tif 000012
【図９】
2006234826.tif 000013
【図１０】
2006234826.tif 000014
【図１１】
2006234826.tif 000015
【図１２】
2006234826.tif 000016
【図１３】
2006234826.tif 000017
【図１４】
2006234826.tif 000018
【図１５】
2006234826.tif 000019
【図１６】
2006234826.tif 000020
【図１７】
2006234826.tif 000021
【図１８】
2006234826.tif 000022
【図１９】
2006234826.tif 000023
【図２０】
2006234826.tif 000024
【図２１】
2006234826.tif 000025
【図２２】
2006234826.tif 000026
【図２３】
2006234826.tif 000027
【図２４】
2006234826.tif 000028
【図２５】
2006234826.tif 000029
【図２６】
2006234826.tif 000030
【図２７】
2006234826.tif 000031
【図２８】
2006234826.tif 000032
【図２９】
2006234826.tif 000033
【図３０】
2006234826.tif 000034
【図３１】
2006234826.tif 000035
【図３２】
2006234826.tif 000036
【図３３】
2006234826.tif 000037
【図３４】
2006234826.tif 000038
【図３５】
2006234826.tif 000039
【図３６】
2006234826.tif 000040
【図３７】
2006234826.tif 000041
【図３８】
2006234826.tif 000042
【図３９】
2006234826.tif 000043