(57)【要約】【課題】  オフセット電圧だけでなくニー電圧も十分に低減して、電力増幅器として用いた場合の動作効率を向上させることができる半導体装置を得る。【解決手段】  ｎ型ＧａＡｓからなる第１のコレクタ層と、第１のコレクタ層上に形成され、１０１８ｃｍ―３以上の濃度にドーピングされたｎ型ＩｎＧａＰからなる第２のコレクタ層と、第２のコレクタ層上に形成されたｐ型ＧａＡｓからなるベース層と、ベース層上に形成されたｎ型ＩｎＧａＰからなるエミッタ層とを有する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型ＧａＡｓからなる第１のコレクタ層と、
前記第１のコレクタ層上に形成され、１０１８ｃｍ―３以上の濃度にドーピングされたｎ型ＩｎＧａＰからなる第２のコレクタ層と、
前記第２のコレクタ層上に形成されたｐ型ＧａＡｓからなるベース層と、
前記ベース層上に形成されたｎ型ＩｎＧａＰからなるエミッタ層とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ｎ型ＧａＡｓからなる第１のコレクタ層と、
前記第１のコレクタ層上に形成された、膜厚が数十Å以下のｎ型ＩｎＧａＰからなる第２のコレクタ層と、
前記第２のコレクタ層上に形成されたｐ型ＧａＡｓからなるベース層と、
前記ベース層上に形成されたｎ型ＩｎＧａＰからなるエミッタ層とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
ｎ型ＧａＡｓからなる第１のコレクタ層と、
前記第１のコレクタ層上に形成されたｎ型ＩｎＧａＰからなる第２のコレクタ層と、
前記第２のコレクタ層上に形成された、膜厚が数十〜１００Åのアンドープ又はｎ型のＧａＡｓからなるスペーサと、
前記スペーサ上に形成されたｐ型ＧａＡｓからなるベース層と、
前記ベース層上に形成されたｎ型ＩｎＧａＰからなるエミッタ層とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
ｎ型ＧａＡｓからなる第１のコレクタ層と、
前記第１のコレクタ層上に形成された第２のコレクタ層と、
前記第２のコレクタ層上に形成されたｐ型ＧａＡｓからなるベース層と、
前記ベース層上に形成されたｎ型ＩｎＧａＰからなるエミッタ層とを有し、
前記第２のコレクタ層は、１０１８ｃｍ―３以上の濃度にドーピングされたｎ型のＡｌＧａＡｓ層と、前記ＡｌＧａＡｓ層上に形成されＡｌ組成を連続的に変化させた膜厚が３００Å以上のＡｌＧａＡｓ組成変調層とからなることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
ｎ型ＧａＡｓからなる第１のコレクタ層と、
前記第１のコレクタ層上に形成されたｎ型ＩｎＧａＰからなる第２のコレクタ層と、
前記第２のコレクタ層上に形成されたｐ型Ａｌ０．１８ＧａＡｓからなるベース層と、
前記ベース層上に形成されたｎ型ＩｎＧａＰからなるエミッタ層とを有することを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダブルへテロ接合バイポーラトランジスタ（ＤＨＢＴ）等の半導体装置に関し、特に、ニー電圧の増大を抑制することで電力増幅器に用いたときの動作効率を改善することができる半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置について図１７を用いて説明する。この半導体装置は、ＩｎＧａＰ系のＤＨＢＴである。そして、ｎ＋型ＧａＡｓからなるコレクタコンタクト層１１の一部の表面上にｎ型電極１２が形成され、他の表面上にｎ型ＧａＡｓからなる第１のコレクタ層１３が形成され、その上に順に、膜厚が数百Åのｎ型ＩｎＧａＰからなる第２のコレクタ層１４、ｐ型ＧａＡｓからなるベース層１５が形成されている。このベース層１５の一部の表面上にｐ型電極１６が形成され、他の表面上に順に、膜厚が数百Åのｎ型ＩｎＧａＰからなるエミッタ層１７、ｎ型ＧａＡｓからなるエミッタコンタクト層１８が形成されている。また、エミッタコンタクト層１８の表面上にｎ型電極１９が形成されている。
【０００３】
一般的に、ＩｎＧａＰ系のＨＢＴでは、エミッタ側に、濃度が３〜５×１０１７ｃｍ−３程度で層厚が３００〜５００Å程度のＩｎＧａＰ層が形成される。これに対し、従来のＤＨＢＴでは、このエミッタ側のＩｎＧａＰ層と同程度の不純物濃度・膜厚のＩｎＧａＰ層がコレクタ側に形成される（例えば、特許文献１参照）。即ち、ベース層を挟んでバンド構造を対称にしている。
【０００４】
図１８は、ＨＢＴと従来のＤＨＢＴのＩＶ特性を示す図である。上記構造により、エミッタ・べ一スとベ一ス・コレクタのダイオード特性が等しくなるため、通常のＩｎＧａＰ系のＨＢＴに比べてオフセット電圧が低減される。このため、当該半導体装置を電力増幅器として用いた場合に、負荷線がより低電圧側まで振れ、動作効率が向上する。
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−１２１７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来の半導体装置のバンド構造を図１９に示す。従来の半導体装置では、ベース・コレクタ間に生じるエネルギーギャップ△Ｅｃにより、電子の走行が阻害されるため、ベース電流が一定以上大きくなるとニー電圧が通常のＨＢＴと同等以上にまで増加する。このため、図１８に示すように、負荷線がニー電圧付近を通るように回路設計されている場合、動作効率の改善効果を得ることができない。
【０００７】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、その目的は、オフセット電圧だけでなくニー電圧も十分に低減して、電力増幅器として用いた場合の動作効率を向上させることができる半導体装置を得るものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る半導体装置は、ｎ型ＧａＡｓからなる第１のコレクタ層と、第１のコレクタ層上に形成され、１０１８ｃｍ―３以上の濃度にドーピングされたｎ型ＩｎＧａＰからなる第２のコレクタ層と、第２のコレクタ層上に形成されたｐ型ＧａＡｓからなるベース層と、ベース層上に形成されたｎ型ＩｎＧａＰからなるエミッタ層とを有する。本発明のその他の特徴は以下に明らかにする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明により、オフセット電圧だけでなくニー電圧も十分に低減して、電力増幅器として用いた場合の動作効率を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
実施の形態１．
本発明の実施の形態１に係る半導体装置について図１を用いて説明する。この半導体装置はＩｎＧａＰ系のＤＨＢＴである。そして、ｎ＋型ＧａＡｓからなるコレクタコンタクト層１１の一部の表面上にｎ型電極１２が形成され、他の表面上にｎ型ＧａＡｓからなる第１のコレクタ層１３が形成され、その上に順に、１０１８ｃｍ―３以上の濃度にドーピングされたｎ型ＩｎＧａＰからなる第２のコレクタ層２１、ｐ型ＧａＡｓからなるベース層１５が形成されている。このベース層１５の一部の表面上にｐ型電極１６が形成され、他の表面上に順に、膜厚が数百Åのｎ型ＩｎＧａＰからなるエミッタ層１７、ｎ型ＧａＡｓからなるエミッタコンタクト層１８が形成されている。また、エミッタコンタクト層１８の表面上にｎ型電極１９が形成されている。
【００１１】
従来のＤＨＢＴではエミッタ側のＩｎＧａＰ層と同程度の不純物濃度のＩｎＧａＰ層がコレクタ側に形成されていたが、実施の形態１に係る半導体装置では、コレクタ側に１０１８ｃｍ―３以上の濃度にドーピングされたＩｎＧａＰ層が形成されている。
【００１２】
図１に示す半導体装置のバンド構造を図２に示す。図２に示すように、従来のＤＨＢＴと比べてコレクタ側に伸びている空乏層のバンドの傾きが大きくなる。このため、△Ｅｃは変化しないが、実効的に電子に対する障壁は小さくなり、ニー電圧が低減される。
【００１３】
ここで、コレクタ側のＩｎＧａＰ層の不純物濃度が異なるＤＨＢＴのＩＶ特性を図３に示す。Ａは不純物濃度が７×１０１６ｃｍ−３のＤＨＢＴ、Ｂは不純物濃度が５×１０１７ｃｍ−３のＤＨＢＴ、Ｃは不純物濃度が２×１０１８ｃｍ−３のＤＨＢＴ、ＤはＩｎＧａＰ系のＨＢＴである。ただし、何れの場合も、ｎ型ＩｎＧａＰからなるエミッタ層の不純濃度は５×１０１７ｃｍ−３である。この実験結果から、第２のコレクタ層の不純物濃度が５×１０１７ｃｍ−３以下の場合はニー電流を十分に低減できないが、２×１０１８ｃｍ−３の場合はニー電圧を大幅に低減できることが分かる。また、オフセット電圧も良好である。
【００１４】
実施の形態２．
本発明の実施の形態２に係る半導体装置について図４を用いて説明する。この半導体装置はＩｎＧａＰ系のＤＨＢＴである。そして、ｎ＋型ＧａＡｓからなるコレクタコンタクト層１１の一部の表面上にｎ型電極１２が形成され、他の表面上にｎ型ＧａＡｓからなる第１のコレクタ層１３が形成され、その上に順に、膜厚が数十Å以下のｎ型ＩｎＧａＰからなる第２のコレクタ層２２、ｐ型ＧａＡｓからなるベース層１５が形成されている。このベース層１５の一部の表面上にｐ型電極１６が形成され、他の表面上に順に、膜厚が数百Åのｎ型ＩｎＧａＰからなるエミッタ層１７、ｎ型ＧａＡｓからなるエミッタコンタクト層１８が形成されている。また、エミッタコンタクト層１８の表面上にｎ型電極１９が形成されている。
【００１５】
従来のＤＨＢＴではエミッタ側のＩｎＧａＰ層と同程度の膜厚が数百ÅのＩｎＧａＰ層がコレクタ側に形成されていたが、実施の形態２に係る半導体装置では、コレクタ側に膜厚が数十Å以下のｎ型ＩｎＧａＰ層が形成されている。
【００１６】
図４に示す半導体装置のバンド構造を図５に示す。コレクタ側のＩｎＧａＰ層の膜厚が数百Åの場合には、△Ｅｃが約０．１〜０．２ｅＶ、ΔＥｖが約０．３ｅＶとなる。なお、△Ｅｃの値に幅があるのはＩｎＧａＰ層の結晶成長条件に依って変化するためである。一方、コレクタ側のＩｎＧａＰ層が無くなれば、当然△Ｅｃと△Ｅｖも消失する。
【００１７】
これらの中間の状態として、コレクタ側のＩｎＧａＰ層の膜厚を薄くしていくと△Ｅｃと△Ｅｖは共に小さくなり、ある値以下になると、△Ｅｖは値を持つが、△Ｅｃは消失するか又はべ一スから走行する電子に対する障壁として働かない程度に小さくなる。△Ｅｖは存在するのでオフセット電圧は低減され、ニー電圧もオフセット電圧が低減されただけ減少する。
【００１８】
ここで、コレクタ側のＩｎＧａＰ層の膜厚が異なるＤＨＢＴのＩＶ特性を図６に示す。Ａは膜厚が３００ÅのＤＨＢＴ、Ｂは膜厚が２００ÅのＤＨＢＴ、Ｃは膜厚が１００ÅのＤＨＢＴ、ＤはＩｎＧａＰ系のＨＢＴである。この結果から、第２のコレクタ層の膜厚を小さくするほどニー電圧を低減でき、十分にニー電圧を低減するには第２のコレクタ層の膜厚を数十Å以下にすればよいことが分かる。また、オフセット電圧も良好である。
【００１９】
実施の形態３．
本発明の実施の形態３に係る半導体装置について図７を用いて説明する。この半導体装置はＩｎＧａＰ系のＤＨＢＴである。そして、ｎ＋型ＧａＡｓからなるコレクタコンタクト層１１の一部の表面上にｎ型電極１２が形成され、他の表面上にｎ型ＧａＡｓからなる第１のコレクタ層１３が形成され、その上に順に、ｎ型ＩｎＧａＰからなる第２のコレクタ層１４、膜厚が数十〜１００Åのアンドープ又はｎ型のＧａＡｓからなるスペーサ２３、ｐ型ＧａＡｓからなるベース層１５が形成されている。このベース層１５の一部の表面上にｐ型電極１６が形成され、他の表面上に順に、膜厚が数百Åのｎ型ＩｎＧａＰからなるエミッタ層１７、ｎ型ＧａＡｓからなるエミッタコンタクト層１８が形成されている。また、エミッタコンタクト層１８の表面上にｎ型電極１９が形成されている。
【００２０】
従来のＤＨＢＴでは第２のコレクタ層１４上に直接にベース層１５が接合されていたが、実施の形態３に係る半導体装置では、両者の間に膜厚が数十〜１００Åのアンドープ又はｎ型のＧａＡｓからなるスペーサ２３が挿入されている。
【００２１】
図７に示す半導体装置のバンド構造を図８に示す。第２のコレクタ層１４とスペーサ２３の間に△Ｅｃが生じているが、この電子に対する障壁はスペーサ２３の膜厚だけベース層から離れた位置にある。そして、ベース層１５から見ると障壁はバンドの曲がりに応じて引き下げられている。スペーサ２３の膜厚を大きくするほど障壁は引き下がるが、大きくしすぎると△Ｅｖも正孔に対する障壁として機能しなくなり、ホモ接合と同じになってオフセット電圧低減の効果が得られなくなる。従って、△Ｅｃが電子の障壁とならずに△Ｅｖが正孔への障壁として機能を失わないようにスペーサのＧａＡｓ層厚を最適にするとニー電圧とオフセット電圧の両方を低減することができる。
【００２２】
ここで、不純物濃度が異なるＧａＡｓ層をスペーサに用いたＤＨＢＴのＩＶ特性を図９に示す。Ａは膜厚が５０ÅでアンドープのＧａＡｓ層をスペーサに用いたＤＨＢＴ、Ｂは膜厚が５０Åで不純物濃度が２×１０１８ｃｍ−３のｎ型ＧａＡｓ層をスペーサに用いたＤＨＢＴ、Ｃは膜厚が５０Åで不純物濃度が３×１０１８ｃｍ−３のｎ型ＧａＡｓ層をスペーサに用いたＤＨＢＴ、Ｄは従来のＤＨＢＴである。この結果から、ndopeのＧａＡｓ層をスペーサに用いると従来のＤＨＢＴに比べてニー電圧が大幅に低減され、不純物濃度が２×１０１８ｃｍ−３のＧａＡｓ層をスペーサに用いると更にニー電圧が低減されることが分かる。しかし、不純物濃度が３×１０１８ｃｍ−３のＧａＡｓ層をスペーサに用いると、ニー電圧は更に低減するが、オフセット電圧が逆に増大し始めることが分かる。
【００２３】
また、膜厚が異なるＧａＡｓ層をスペーサに用いたＤＨＢＴのＩＶ特性を図１０に示す。Ａは膜厚が５０ÅでアンドープのＧａＡｓ層をスペーサに用いたＤＨＢＴ、Ｂは膜厚が１００ÅでアンドープのＧａＡｓ層をスペーサに用いたＤＨＢＴ、Ｃは膜厚が２００ÅでアンドープのＧａＡｓ層をスペーサに用いたＤＨＢＴ、ＤはＩｎＧａＰ系のＨＢＴである。この結果から、スペーサの膜厚が５０Åや１００Åの場合はオフセット電圧とニー電圧が共によく低減されることが分かる。しかし、スペーサの膜厚が２００Åになるとオフセット電圧が大幅に高くなりニー電圧も高くなる。ただし、コレクタ電流の最大値は低下していないのでΔＥｃの引き下げ効果が損なわれたわけではない。
【００２４】
実施の形態４．
本発明の実施の形態４に係る半導体装置について図１１を用いて説明する。この半導体装置はＩｎＧａＰ系のＤＨＢＴである。そして、ｎ＋型ＧａＡｓからなるコレクタコンタクト層１１の一部の表面上にｎ型電極１２が形成され、他の表面上にｎ型ＧａＡｓからなる第１のコレクタ層１３が形成され、その上に順に、第２のコレクタ層であるｎ型のＡｌＧａＡｓ層２４及びＡｌ組成を連続的に変化させたｎ型のＡ１ＧａＡｓ組成変調層２５、ｐ型ＧａＡｓからなるベース層１５が形成されている。このベース層１５の一部の表面上にｐ型電極１６が形成され、他の表面上に順に、膜厚が数百Åのｎ型ＩｎＧａＰからなるエミッタ層１７、ｎ型ＧａＡｓからなるエミッタコンタクト層１８が形成されている。また、エミッタコンタクト層１８の表面上にｎ型電極１９が形成されている。そして、ＡｌＧａＡｓ層２４は、１０１８ｃｍ―３以上の濃度にドーピングされ、Ａ１ＧａＡｓ組成変調層２５は膜厚が３００Å以上である。
【００２５】
従来のＤＨＢＴではベース・コレクタのヘテロ接合にＧａＡｓ／ＩｎＧａＰ接合を用いていたが、本実施の形態に係る半導体装置ではＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ接合を用いている。この接合において、ＡｌＧａＡｓのＡｌ組成を連続的に変化させたＡｌＧａＡｓ組成変調層２５を設けることで、図１２に示すように、ＧａＡｓからなるベース層１５とＡｌＧａＡｓ層２４を緩やかに繋ぐことができる。
【００２６】
ただし、ＡｌＧａＡｓ組成変調層２５が薄すぎるとＧａＡｓ層とＡｌＧａＡｓ層を滑らかに繋ぐことができず、Ｅｃ側にエネルギー障壁が生じてしまう。逆に、ＧａＡｓ組成変調層が厚すぎるとＥｖ側に正孔に対するエネルギー障壁ができなくなり、オフセット電圧が高くなってしまう。また、ＡｌＧａＡｓ層のＡｌ組成比を高くするとバンドギャップが大きくなり△Ｅｖと△Ｅｃも大きくなる。△Ｅｖが大きくなるのでオフセット電圧の低減には有利だが、△Ｅｃが大きくなるのでニー電圧の低減には不利となる。ＡｌＧａＡｓ層２４のＡｌ組成比の低い場合はこの逆である。そこで、ＡｌＧａＡｓ組成変調層２５の膜厚とＡｌＧａＡｓ層２４のＡｌ組成比を最適なものとすることでオフセット電圧とニー電圧の低減が可能である。
【００２７】
ここで、ＡｌＧａＡｓ組成変調層の膜厚が異なるＤＨＢＴのＩＶ特性を図１３に示す。Ａは膜厚が１００ÅのＡｌＧａＡｓ組成変調層を用いたＤＨＢＴ、Ｂは膜厚が２００ÅのＡｌＧａＡｓ組成変調層を用いたＤＨＢＴ、Ｃは膜厚が３００ÅのＡｌＧａＡｓ組成変調層を用いたＤＨＢＴ、ＤはＩｎＧａＰ系のＤＨＢＴ、ＥはＩｎＧａＰ系のＨＢＴである。ただし、ＡｌＧａＡｓ層及びＡｌＧａＡｓ組成変調層の不純物濃度は５×１０１７ｃｍ−３であり、ＡｌＧａＡｓ層の膜厚は２００Åである。この結果から、ＡｌＧａＡｓ組成変調層の膜厚は３００Å以上必要であることが分かる。
【００２８】
また、ＡｌＧａＡｓ層の不純物濃度が異なるＤＨＢＴのＩＶ特性を図１４に示す。Ａは不純物濃度が１×１０１８ｃｍ―３のＤＨＢＴ、Ｂは不純物濃度が２×１０１８ｃｍ―３のＤＨＢＴ、Ｃは不純物濃度が３×１０１８ｃｍ―３のＤＨＢＴ、ＤはＧａＩｎＰ系のＨＢＴである。ただし、ＡｌＧａＡｓ層のＡｌ組成比は０．２、ＡｌＧａＡｓ組成変調層の膜厚は３００Åである。なお、ＡｌＧａＡｓ層のＡｌ組成比が０．３の場合は、ＡｌＧａＡｓ層の不純物濃度は５×１０１７ｃｍ−３が上限であるが、Ａｌ組成比が０．２以下であれば３×１０１８ｃｍ―３までのドーピングが可能である。この結果から、十分にニー電圧を低減するには、ＡｌＧａＡｓ層のＡｌ組成比を０．２に下げ、１０１８ｃｍ−３オーダーの高濃度にドーピングする必要があることが分かる。
【００２９】
実施の形態５．
本発明の実施の形態５に係る半導体装置について図１５を用いて説明する。この半導体装置はＩｎＧａＰ系のＤＨＢＴである。そして、ｎ＋型ＧａＡｓからなるコレクタコンタクト層１１の一部の表面上にｎ型電極１２が形成され、他の表面上にｎ型ＧａＡｓからなる第１のコレクタ層１３が形成され、その上に順に、膜厚が数百Åのｎ型ＩｎＧａＰからなる第２のコレクタ層１４、ｐ型Ａｌ０．１８ＧａＡｓからなるベース層２６が形成されている。このベース層２６の一部の表面上にｐ型電極１６が形成され、他の表面上に順に、膜厚が数百Åのｎ型ＩｎＧａＰからなるエミッタ層１７、ｎ型ＧａＡｓからなるエミッタコンタクト層１８が形成されている。また、エミッタコンタクト層１８の表面上にｎ型電極１９が形成されている。
【００３０】
従来のＤＨＢＴではベース層としてｐ型ＧａＡｓを用いるが、本実施の形態に係る半導体装置では、替わりにＡ１組成比が０．１８のｐ型Ａｌ０．１８ＧａＡｓを用いる。図１５に示す半導体装置のバンド構造を図１６に示す。図示のように、ｐ型Ａｌ０．１８ＧａＡｓ／ＩｎＧａＰのヘテロ接合では△Ｅｃがほぼ０ｅＶとなる。このため、電子に対する障壁が存在しないのでオフセット電圧を低減しつつ、ニー電圧も下げることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の実施の形態１に係る半導体装置を示す断面図である。
【図２】図１に示す半導体装置のバンド構造を示す図である。
【図３】コレクタ側のＩｎＧａＰ層の不純物濃度が異なるＤＨＢＴのＩＶ特性を示す図である。
【図４】本発明の実施の形態２に係る半導体装置を示す断面図である。
【図５】図４に示す半導体装置のバンド構造を示す図である。
【図６】コレクタ側のＩｎＧａＰ層の膜厚が異なるＤＨＢＴのＩＶ特性を示す図である。
【図７】本発明の実施の形態３に係る半導体装置を示す断面図である。
【図８】図７に示す半導体装置のバンド構造を示す図である。
【図９】不純物濃度が異なるＧａＡｓ層をスペーサに用いたＤＨＢＴのＩＶ特性を示す図である。
【図１０】膜厚が異なるＧａＡｓ層をスペーサに用いたＤＨＢＴのＩＶ特性を示す図である。
【図１１】本発明の実施の形態４に係る半導体装置を示す断面図である。
【図１２】図１１に示す半導体装置のバンド構造を示す図である。
【図１３】ＡｌＧａＡｓ組成変調層の膜厚が異なるＤＨＢＴのＩＶ特性を示す図である。
【図１４】ＡｌＧａＡｓ層の不純物濃度が異なるＤＨＢＴのＩＶ特性を示す図である。
【図１５】本発明の実施の形態５に係る半導体装置を示す断面図である。
【図１６】図１３に示す半導体装置のバンド構造を示す図である。
【図１７】従来の半導体装置を示す断面図である。
【図１８】ＨＢＴと従来のＤＨＢＴのＩＶ特性を示す図である。
【図１９】従来の半導体装置のバンド構造を示す図である。
【符号の説明】
【００３２】
１３  第１のコレクタ層（ｎ型ＧａＡｓ）
１４  第２のコレクタ層（ｎ型ＩｎＧａＰ）
１５  ベース層（ｐ型ＧａＡｓ）
１７  エミッタ層（ｎ型ＩｎＧａＰ）
２１  第２のコレクタ層（１０１８ｃｍ―３以上の濃度にドーピングされたｎ型ＩｎＧａＰ）
２２  第２のコレクタ層（膜厚が数十Å以下のｎ型ＩｎＧａＰ）
２３  スペーサ（アンドープ又はｎ型のＧａＡｓ）
２４  ＡｌＧａＡｓ層
２５  ＡｌＧａＡｓ組成変調層
２６  ベース層（ｐ型Ａｌ０．１８ＧａＡｓ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
2006351752.tif 000015
【図１４】
2006351752.tif 000016
【図１５】
2006351752.tif 000017
【図１６】
2006351752.tif 000018
【図１７】
2006351752.tif 000019
【図１８】
2006351752.tif 000020
【図１９】
2006351752.tif 000021