(57)【要約】【課題】  放熱性を高めることで、半導体素子の良好な動作を可能とする、電気光学装置、及びその製造方法を提供する。【解決手段】  半導体素子１３が設けられた素子基板１０と、素子基板１０に対向配置された透光性基板２０と、を備えた電気光学装置１である。そして、素子基板１０は、金属基板１０ａ上に半導体素子１３が設けられて構成されたものである。この素子基板１３は、透光性基板２０側と反対側の面に、フィン形状の放熱部１１を備えている。また、金属基板１０ａは、透光性基板２０の熱膨張係数と略同じとするような材料から構成されている。透光性基板２０は、ガラスからなり、金属基板１０ａを形成する材料が、インバー合金である。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子が設けられた素子基板と、
前記素子基板に対向配置された透光性基板と、を備え、
前記素子基板は、金属基板上に半導体素子が設けられて構成されたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記素子基板は、前記透光性基板側と反対側の面に、フィン形状の放熱部を備えていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記金属基板は、前記透光性基板の熱膨張係数と略同じとするような材料から構成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記透光性基板は、ガラスであることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記金属基板を形成する材料が、インバー合金であることを特徴とする請求項３又は４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
半導体素子を第１の基板上に形成した後、該半導体素子を前記第１の基板から剥離するとともに、前記半導体素子を金属基板上に転写して素子基板とする工程と、
前記素子基板と対向させるようにして、該素子基板と透光性基板とを貼り合わせる工程と、を備えたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
低温ポリシリコンにおける製造プロセスにより、半導体素子を金属基板上に形成して素子基板とする工程と、
前記素子基板と、該素子基板と対向させるようにし、透光性基板を貼り合わせる工程と、を備えたことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、プロジェクタ装置やプロジェクションテレビ等には液晶装置（電気光学装置）が多く用いられている。この液晶装置としては、背面からの光（バックライト）を透過して画像を表示する透過型液晶装置と、外部からの光を取り込んだ後、反射させて画像を表示する反射型液晶装置とがある。
【０００３】
ところで、前記反射型液晶装置としては、製造を容易とするためにシリコン基板上に、シリコンからなるトランジスタ（半導体素子）を形成した後、このシリコン基板と外部からの光を透過する透光性基板とを対向させ、前記シリコン基板と前記透光性基板との間に液晶層を封止するようにして、２つの基板を貼り合わせたＬＣＯＳ（Liquid Qrystal On Silicon）が知られている。しかしながら、例えば鮮明な画像を表示するために強度の強い光を取り込んだ場合、シリコン基板は光を吸収して放熱性が悪く、非常に高温となってしまう。すると、シリコン基板上に形成されているトランジスタが正常に駆動できなくなったり、熱応力によって透光性基板の境界面で光が複屈折して、画像表示の品質が低下する。さらに、熱膨張係数の高いシリコン基板と、シリコン基板に比べて熱膨張係数の低い透光性基板との間で熱膨張率の差が生じて、液晶層のセルギャップが変化し、画像品質を劣化させるおそれがあった。
そこで、前記反射型液晶装置を、接着材を介して放熱性の高い部材に固着することで、放熱性の向上を図った技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００４−４３９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、反射型液晶装置（電気光学装置）自体は、従来と同様に放熱性の低いシリコン基板（素子基板）から構成されており、また、接着剤を介して放熱性の高い部材に固着されているので、放熱性を十分に向上させることが難しかった。そして、依然として、前述した基板間での熱膨張率の違いから、画像品質が劣化するおそれがあった。
【０００５】
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、放熱性を高めることで、半導体素子の良好な動作を可能とする、電気光学装置、及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の電気光学装置においては、半導体素子が設けられた素子基板と、前記素子基板に対向配置された透光性基板と、を備え、前記素子基板は、金属基板上に半導体素子が設けられて構成されたことを特徴とする。
【０００７】
本発明の電気光学装置を、例えば反射型液晶装置に適用した場合、素子基板側に光反射部を設けることで、外部からの光は透光性基板から素子基板へと照射され、素子基板によって反射される。すると、光を反射する素子基板側には、光によって熱が生じるようになる。このとき、前記素子基板は放熱性の良い金属基板から構成されているので、従来の反射型液晶装置のように、放熱性の悪いシリコン基板から構成されたものに比べて、外部からの光によって生じた熱を基板外部へ効率的に放熱するようになる。
よって、電気光学装置における素子基板が高温となることを防止することで、この素子基板上に設けられた半導体素子は常に良好に動作するようになる。
したがって、電気光学装置は、半導体素子が良好に動作することで、信頼性の高いものとなる。
【０００８】
前記電気光学装置においては、前記素子基板は、前記透光性基板側と反対側の面に、フィン形状の放熱部を備えていることが好ましい。
このようにすれば、フィン形状の放熱部を備えたことで、素子基板と外部（空気）との接触面積を大きく取ることができる。よって、前記素子基板における放熱性をより向上することができる。
【０００９】
前記電気光学装置において、前記金属基板は、前記透光性基板の熱膨張係数と略同じとするような材料から構成されていることが好ましい。
このようにすれば、金属基板から構成される素子基板と透光性基板との間での熱膨張係数が略同じとなるので、熱膨張係数の違いによる熱応力が発生することが無くなる。よって、この電気光学装置が、前述した反射型液晶装置である場合、前記基板間に液晶層を設けた場合に、液晶層のセルギャップの変化を防止して、良好な画像を表示することができる。
【００１０】
前記電気光学装置において、前記透光性基板は、ガラスであることが好ましい。
このようにすれば、透光性基板にガラスを用いることで、透明度が高く光透光性が高いものとなり、さらに透光性基板の熱膨張係数が低くなる。また、前記素子基板に、例えば後述する熱膨張係数が小さいインバー合金を用いることで、透光性基板と素子基板との間の熱膨張係数を略同じとすることができる。
【００１１】
前記電気光学装置において、前記金属基板を形成する材料が、インバー合金であることが好ましい。
ここで、一般に熱膨張係数が小さい、インバー合金を用いて素子基板を形成することで、例えばインバー合金の種類を変更して、透光性基板（ガラス）の熱膨張係数と略同じ金属基板を形成することができる。よって、この電気光学装置が、例えば前述した反射型液晶装置である場合、基板間の熱膨張係数に違いがないので、熱応力が発生することが無い。したがって、電気光学装置は、前記基板間に設けられる液晶層のセルギャップの変化を防止し、良好な画像を表示することができる。
【００１２】
本発明の電気光学装置の製造方法においては、半導体素子を第１の基板上に形成した後、該半導体素子を前記第１の基板から剥離するとともに、前記半導体素子を金属基板上に転写して素子基板とする工程と、前記素子基板と対向させるようにして、該素子基板と透光性基板とを貼り合わせる工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１３】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、半導体素子を金属基板上に転写することで、金属基板上にシリコン層を設けることなく、金属基板上に半導体素子を形成している。よって、金属基板上にシリコン層を直接形成することがないので、例えば半導体装置形成時の熱によって、金属基板とシリコン層との間で汚染が生じることを防止するようになる。
また、形成された電気光学装置を、前述したような反射型液晶装置に適用した場合、前記素子基板が、放熱性の良い金属基板から構成されているので、外部からの光によって生じる熱を基板外部へと効率的に放熱するようになる。
よって、素子基板上に設けられた半導体素子が常に良好に動作するので、信頼性の高い電気光学装置を製造することができる。
【００１４】
本発明の電気光学装置の製造方法においては、低温ポリシリコンにおける製造プロセスにより、半導体素子を金属基板上に形成して素子基板とする工程と、前記素子基板と、該素子基板と対向させるようにし、透光性基板を貼り合わせる工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１５】
本発明の電気光学装置の製造方法によれば、低温ポリシリコンによって半導体素子を形成することで、高温工程を経ることよって発生する金属基板からシリコン層への汚染を防止している。よって、金属基板上に半導体素子を良好に形成することができる。
また、前述したように、放熱性の高い素子基板によって、半導体素子が常に良好に動作するので、信頼性の高い電気光学装置を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下に、本発明の電気光学装置、及びその製造方法における一実施形態について説明する。なお、電気光学装置とは、電気的作用によって発光するあるいは外部からの光の状態を変化させる電気光学素子を備えた装置一般をいい、自ら光を発するものと外部からの光の通過を制御するもの双方を含む。例えば、電気光学素子として、液晶装置、電気泳動粒子が分散した分散媒体を有する電気泳動素子、ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子、電界の印加により発生した電子を発光板に当てて発光させる電子放出素子を備えたアクティブマトリクス型の表示装置等をいう。また、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
本実施形態では、電気光学装置として反射型の液晶装置（以下、反射型液晶装置）における実施形態について説明する。
【００１７】
図１は、本実施形態の反射型液晶装置のおける側断面を示す図であり、図１中符号１は反射型液晶装置である。
図１に示すように、本実施形態の反射型液晶装置１は、ＴＦＴ（半導体素子）を備えた素子基板１０と、該素子基板１０に対向配置された透光性基板２０と、を備え、前記素子基板１０と前記透光性基板２０とが、シール材５２を介して対向するようにして貼り合わされ、このシール材５２に囲まれた領域内に液晶層５０が封入された構成からなるものである。そして、前記素子基板１０、及び透光性基板２０と前記液晶層５０とが接触するそれぞれの表面側には、図示しない配向膜が設けられている。
【００１８】
なお、前記反射型液晶装置１においては、使用する液晶の種類、すなわち、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）モード、垂直配向モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略するものとする。
【００１９】
前記透光性基板２０は、光を透過する材料からなるもので、例えばガラス（石英）基板から構成されている。このように、透光性基板２０にガラスを用いることで、透明度が高く光透光性が高いものとし、さらに透光性基板２０の熱膨張係数を低くしている。
前記透光性基板２０における前記素子基板側１０の面上には、例えばＩＴＯ等により形成される透明電極１９が設けられている。よって、後述するように、前記透光性基板２０に対して外部から出射された光は、透光性基板２０、及び透明電極１９を透過して、素子基板１０側で反射されるようになっている。
【００２０】
前記素子基板１０は、後述する転写工程によって金属基板１０ａ上にＴＦＴ１３を備えた構造となっている。そして、前記ＴＦＴ１３には、電気的に接続する画素電極９が設けられている。なお、前記ＴＦＴ１３と前記画素電極９との間には、後述する配線や絶縁膜等が設けられているが、図１中においては、簡略化のため図示を省略している。
そして、前記金属基板１０ａの材料として、インバー合金を用いている。
インバー合金は、その特徴として熱膨張係数が極めて小さい合金である。例えばＦｅ−３６％Ｎｉ合金を例にすると、ＳＵＳ３０４の約１／１０の熱膨張係数となっている。また、インバー合金は、オーステナイト組織が安定で、軟質かつ加工硬化が少なく、加工性に優れているといった特徴を備えている。
このようなインバー合金の種類を適宜変更することで、所望の熱膨張係数を有した金属基板１０ａを得ることができる。
【００２１】
本実施形態では、前記金属基板１０ａを構成する前記インバー合金として、前記透光性基板２０におけるガラスの熱膨張係数（０．５×１０−６／ｋ）と略同じとするような材料、例えばＮｉ：Ｃｏ：Ｆｅ＝３２％：５％：６３％からなるスーパーインバー（三菱マテリアル社）を用いた。このスーパーインバーは、金属素材の中で最低の熱膨張係数を示す合金で、１．０×１０−６／Ｋ以下の低熱膨張係数を示し、前述したガラスの熱膨張係数と略同じとすることができる。
よって、反射型液晶装置１は、素子基板１０と透光性基板２０との間での熱膨張係数を略同じとすることで、熱膨張係数の違いによる熱応力が発生することを防止するようにしている。
【００２２】
なお、前記素子基板１０には、反射型液晶装置１の各画素領域毎に前記画素電極９が設けられている。この画像領域には、複数の走査線と、走査線に対して交差する方向に延びる複数のデータ線と、各走査線と並列に延びる容量線とがそれぞれ配線されており、走査線とデータ線とで囲まれた領域で構成されている。
前記各画素領域には、前記画素電極９と、この画素電極９に電気的に接続する画素スイッチング素子としての、前記ＴＦＴ１３とが形成されている。また、前記素子基板１０には、反射型液晶装置１として機能する際に、外部からの光を反射させるための図示しない反射部が設けられている。ここで、例えばＡｌによって前記画素電極９を形成することで、前記画素電極９自体を反射画素部として利用するようにしてもよい。また、前記素子基板１０側に、別途反射部として反射板等を形成するようにしてもよい。
【００２３】
前記素子基板１０は、前記透光性基板２０側と反対側の面に、フィン形状の放熱部１１を備えている。前記放熱部１１は、前記素子基板１０と同じインバー合金からなるもので、後述するように前記素子基板１０における放熱性を向上させるように機能するものである。ここで、前記放熱部１１は、素子基板１０に、例えばインジウム等のろう材を介して接続されていてもよいし、前記素子基板１０に一体に形成されるようにしても良い。
前記素子基板１０が前記放熱部１１を備えることで、前記素子基板１０と外部（空気）との接触面積を大きくし、反射型液晶装置１における放熱性を向上するようになっている。
【００２４】
次に、前記反射型液晶装置１をプロジェクタに用いることで、スクリーン上に映像を表示する際について説明する。
反射型液晶装置１は、素子基板１０上に設けられた走査線から供給される走査信号によりＴＦＴ１３をスイッチングすることで、データ線から供給される画像信号を所定のタイミングで画素電極９に入力する。そして、前記画素電極９と、液晶層５０を挟持して対向する透明電極１９と、の間で画像信号を保持する。
このようにして、反射型液晶装置１は透光性基板２０側から入射した外部からの光を、前記素子基板１０側に設けた反射部（図示略）によって反射させるとともに、前記の保持された画像信号に基づき液晶層５０によって変調し、表示光（映像）としてスクリーン上に投影する。
【００２５】
ところで、透光性基板２０から素子基板１０へと照射された光を反射した素子基板１０は、この光によって加熱されて熱を生じるようになる。このとき、反射型液晶装置１は、前記素子基板１０は放熱性の良い金属基板から構成されているので、従来の反射型液晶装置のように、放熱性の悪いシリコン基板から構成されたものに比べて、外部からの光によって生じた熱を基板外部へと効率的に放熱するようになる。また、本実施形態における素子基板１０は、前記放熱部１１を備えているので、外部（空気）との接触面積が大きくなり、より効率的に放熱を行うことができる。
よって、前記素子基板１０が外部からの光によって高温になることを防止し、この素子基板１０上に設けられたＴＦＴ１３を常に良好に動作することができる。
【００２６】
また、インバー合金から構成される素子基板１０と、ガラスからなる透光性基板２０との間で、熱膨張係数が略同じであり、熱膨張係数の違いによる熱応力の発生を防止している。よって、反射型液晶装置１は、熱応力による液晶層５０のセルギャップ（隙間）が変化することが無いので、良好な画像を表示することができる。
したがって、本実施形態における反射型液晶装置１は、ＴＦＴ１３を良好に動作させることで、安定した画像信号を画素電極９に入力し、映像のムラや表示品位の低下を防止した信頼性の高いものとなる。
【００２７】
（電気光学装置の製造方法）
次に、本発明の電気光学装置の製造方法について、前記反射型液晶装置１を製造する工程について図面を用いて説明する。
図２は、反射型液晶装置１を製造する工程を示す工程説明図である。
本発明の反射型液晶装置１の製造方法は、ＴＦＴ（半導体素子）１３を基礎基板（第１の基板）上に形成した後、該ＴＦＴ１３を前記基礎基板から剥離するとともに、前記ＴＦＴ１３を金属基板１０ａ上に転写して素子基板１０を形成する工程と、前記素子基板１０と対向させるようにして、該素子基板１０と透光性基板２０とを貼り合わせる工程と備えている。なお、有機ＥＬ装置１の製造工程は、各工程を上述の順に行ってもよいが、各工程の順を適宜変更してもよいし、後述する各工程内の手順を適宜変更してもよい。
また、本実施の形態においては、ＳＵＦＴＬＡ（Surface Free Technology by Laser Ablation）（登録商標）の技術を用いてＴＦＴの転写を行っている。なお、ＴＦＴなどの転写に用いる技術として、他の公知の技術を採用してもよい。
【００２８】
（基礎基板準備工程）
まず、基礎基板（第１の基板）４０上にＴＦＴ１３を設ける工程について説明する。
この工程では、まず、図２（ａ）に示すように基礎基板４０の上にアモルファスＳｉ層４１を形成し、アモルファスＳｉ層４１の上に複数のＴＦＴ１３を配列させて形成している。ＴＦＴ１３は、所定の間隔を開けて配列されている。前記ＴＦＴ１３は、薄膜トランジスタ等であって、前記ＴＦＴ１３には、後述する転写工程の後、画素電極９と電気的に接続するための配線（図示せず）等が形成される。このような配線としては、例えばＡｌなどの導電性の高い金属材料を用いることができ、その形成としては蒸着法やスパッタ法を用いることができる。すなわち、前記ＴＦＴ１３とは、薄膜トランジスタ、及びこれに接続される配線等を含んだものとする。
【００２９】
なお、ＴＦＴ１３における具体的な製造方法は、高温プロセスを含む公知の技術が採用されるので、説明を省略し、基礎基板４０とアモルファスＳｉ層４１について説明する。
前記基礎基板４０は、本工程からＴＦＴ基板および有機ＥＬ基板の貼り合わせ工程までの間に用いられる部材であり、有機ＥＬ装置１の構成要素ではない。具体的には、１０００℃程度に耐える石英ガラス等の透光性耐熱基板が好ましいが、石英ガラスの他、ソーダガラス、コーニング７０５９、日本電気ガラスＯＡ−２等の耐熱性ガラス等も使用可能である。
【００３０】
アモルファスＳｉ層４１は、レーザ光等の照射光によりアモルファスＳｉ層４１内またはその界面において剥離が生ずるものである。アモルファスＳｉ層４１の組成は、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）であり、この非晶質シリコン中に水素（Ｈ）が含有されている。水素が含有されていると、レーザ光の照射により、水素（気体）が発生することにより剥離層２に内圧が発生し、これにより層内剥離または界面剥離が促進される。水素の含有量は２ａｔ％程度以上であることが好ましく、２ａｔ％〜２０ａｔ％であることがさらに好ましい。
なお、アモルファスＳｉ層４１は、その作用が、レーザ光などの照射光により層内剥離または界面剥離を起こすものなので、上述した組成以外にも、光エネルギーによりアブレーション（ａｂｌａｔｉｏｎ）等を生じさせて、層内剥離または界面剥離を起こす材料でもよいし、光エネルギーにより含有成分を気化させて発生した気体により剥離を起こさせるものでもよいし、組成する材料自身が気化し、発生した気体により層内剥離または界面剥離を起こさせる材料でもよい。
例えば、酸化ケイ素もしくはケイ酸化合物、窒化ケイ素、窒化アルミ、窒化チタン等の窒化セラミックス、有機高分子材料（光の照射によりこれらの原子間結合が切断されるもの）、金属、例えば、Ａｌ、Ｌｉ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｎｄ、Ｐｒ、ＧｄもしくはＳｍ、又はこれらのうち少なくとも一種を含む合金が挙げられる。
【００３１】
アモルファスＳｉ層４１の形成方法としては、ＣＶＤ法、特に低圧ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法を用いることができる。
なお、アモルファスＳｉ層４１を他の材料から形成する場合には、均一な厚みでアモルファスＳｉ層４１を形成可能な方法であればよく、アモルファスＳｉ層４１の組成や厚み等の諸条件に応じて適宜選択することが可能である。例えば、ＣＶＤ（ＭＯＣＣＶＤ、低圧ＣＶＤ、ＥＣＲ−ＣＶＤ含む）法、蒸着、分子線蒸着（ＭＢ）、スパッタリング法、イオンドーピング法、ＰＶＤ法等の各種気相成膜法、電気メッキ、浸漬メッキ（ディッピング）、無電解メッキ法等の各種メッキ法、ラングミュア・プロジェット（ＬＢ）法、スピンコート法、スプレーコート法、ロールコート法等の塗布法、各種印刷法、転写法、インクジェット法、粉末ジェット法等を用いることができる。さらに、これらのうち２種以上の方法を組み合わせてもよい。また、アモルファスＳｉ層４１をゾル−ゲル（ｓｏｌ−ｇｅｌ）法によりセラミックを用いて成膜する場合や、有機高分子材料で構成する場合には、塗布法、特にスピンコートにより成膜するのが好ましい。
このようにして、アモルファスＳｉ層４１上にＴＦＴ１３を形成した後、図２（ａ）に示すように、前記ＴＦＴ１３の上面（金属基板１０ａに転写される面）側にのみ、金属基板１０ａと接着するための接着層１４をパターニング等により選択的に形成する。
【００３２】
（ＴＦＴ転写工程）
次に、基礎基板４０上に形成されたＴＦＴ１３を被転写体に転写する工程について説明する。
本発明では、被転写体として、放熱性の高い金属基板１０ａを用いている。すなわち、ＴＦＴ１３を金属基板１０ａに転写することで、素子基板１０を形成することでＴＦＴ転写工程が完了となる。
【００３３】
始めに、被転写体としての前記金属基板１０ａを用意する。
ここで、ＴＦＴ１３が転写される側の金属基板１０ａ面上には、図示しない、例えばＳｉＯ２等の絶縁膜が形成されている。また、この絶縁膜の膜厚は、金属基板１０ａとＴＦＴ１３との間での絶縁性を保ちつつ、前述した素子基板１０における放熱性に影響を与えない程度の厚さとなっている。
【００３４】
このような金属基板１０ａの材料としては、熱膨張係数が極めて小さく、オーステナイト組織が安定で、軟質かつ加工硬化が少なく、加工性に優れたインバー合金を用いる。
本実施形態では、透光性基板２０を構成するガラス（石英）の熱膨張係数（０．５×１０−６／Ｋ）と略同じになるようなインバー合金を用いている。具体的には、前述したスーパーインバー（三菱マテリアル社）を用いた。
【００３５】
そして、前記金属基板１０ａと前記基礎基板４０とを貼り合わせる。そして、前記接着層１４を加熱して、金属基板１０ａと前記ＴＦＴ１３とが前記接着層１４を介して接着された状態とする。
その後、図２（ｂ）に示すように、ＴＦＴ１３と接触しているアモルファスＳｉ層４１に対して局所的に、かつ、基礎基板４０の裏面側（ＴＦＴ非形成面）から、レーザ光ＬＡを照射する。このとき、温度条件としては５５０℃以下でレーザ照射を行うことが好ましい。これにより、アモルファスＳｉ層４１の原子や分子の結合が弱まり、また、アモルファスＳｉ層４１内の水素が分子化し、結晶の結合から分離され、即ち、ＴＦＴ１３と基礎基板４０との結合力が完全になくなり、レーザ光ＬＡが照射された部分のＴＦＴ１３を容易に取り外すことが可能となる。
【００３６】
このように、放熱性の良い金属基板１０ａによって素子基板１０を構成し、外部からの光によって素子基板１０に生じる熱を効率的に基板外部へと放熱することができる。また、前記金属基板１０ａにおける一方の面、透光性基板２０と貼り合わされる面と反対側の面が、フィン形状の放熱部１１を有している。
前記素子基板１０が前記放熱部１１を備えることで、素子基板１０と外部（空気）との接触面積が大きくなり、前記素子基板１０における放熱性をより向上することができる。なお、前記放熱部１１は、金属基板１０ａ上にＴＦＴ１３を転写することで素子基板１０を形成した後、インジウム等のろう材等を介して放熱部１１を別途、素子基板１０に設けるようにしてもよい。
また、前述したように、インバー合金からなる金属基板１０ａを用いているので、反射型液晶装置１を構成する素子基板１０と透光性基板２０との間での熱膨張係数が略同じとすることで、熱膨張係数の違いによる熱応力が発生することが無くことができる。よって、この反射型液晶装置１が、前記基板１０，２０間に設けられる液晶層５０のセルギャップ（隙間）の変化を防止することができる。
【００３７】
そして、図２（ｃ）に示すように、基礎基板４０と金属基板１０ａとを引き離すことにより、基礎基板４０上からＴＦＴ１３が除去されるとともに、このＴＦＴ１３は金属基板１０ａに転写された状態となる。
【００３８】
このように、本実施形態における電気光学装置の製造方法では、前述したＳＵＦＴＬＡ工程によって、ＴＦＴ１３を金属基板１０ａ上に転写しているので、金属基板１０ａ上にシリコン層を設けることなく、金属基板１０ａ上にＴＦＴ１３を形成できる。よって、金属基板１０ａ上にシリコン層を形成しないので、金属基板１０ａとシリコン層との間で汚染が防止して、素子基板１０を形成できる。
【００３９】
次に、前記素子基板１０を反転し、従来の公知の方法のように、例えば図示しないＳｉＯ２等の絶縁膜を形成する。そして、この絶縁膜にコンタクトホール等を形成し、このコンタクトホールを介して、前記ＴＦＴ１３に接続するようにして画素電極９を形成する。
ここで、例えば前記画素電極９をＡｌ等によって形成することで、画素電極９自身が外部からの光を反射する反射板として利用できる。また、画素電極９上に反射板を別途設けたり、あるいは前記画素電極９がＩＴＯ等の透明材料から形成した場合には、画素電極９の下部に反射板を設けるようにしてもよい。このようにして、前記素子基板１０は、外部からの光を反射するようになる。
なお、前記素子基板１０上には、前記ＴＦＴ１３をスイッチングするための信号線、データ線などの駆動回路部等が公知の方法によって形成される。
このようにして、図２（ｄ）に示すように、金属基板１０ａ上にＴＦＴ１３を備えてなる素子基板１０が得られた。なお、前記ＴＦＴ１３と前記画素電極９との間には、前述した配線や絶縁膜等が設けられているが、図２（ｄ）中においては、簡略化のため図示を省略している。
【００４０】
前記実施形態では、前述したように、ＳＵＦＴＬＡ技術を用いて転写することで、金属基板１０ａ上にＴＦＴ１３を形成したが、低温ポリシリコンにおける製造プロセスにより、ＴＦＴを金属基板１０ａ上に形成して素子基板１０を形成するようにしてもよい。
この製造プロセスとしては、例えば金属基板１０ａ上にアモルファスシリコン膜を形成する。そして、エキシマレーザ（波長３０８ｎｍ）により５５０℃以下の温度で、金属基板１０ａ上のアモルファスシリコン膜を溶解して、冷却することで再度結晶化が起こりポリシリコン層が形成される。ポリシリコン層を形成した後、公知の方法によって、ＴＦＴを金属基板１０ａ上に形成することができる。このように、５５０℃以下の低温ポリシリコンにおける製造プロセスを用いることで、シリコンによる金属基板への汚染を防止することができる。よって、前述した実施形態と同様にして、放熱性の高い金属基板１０ａを備えた素子基板１０によって、ＴＦＴが常に良好に動作するので、信頼性の高い反射型液晶装置を製造することができる。
【００４１】
最後の工程として、金属基板１０ａ上にＴＦＴ１３を備えてなる前記素子基板１０と、公知の方法によって形成される透明電極１９を備えた前記透光性基板２０とを、対向させるようにして貼り合わせる。ここで、前記素子基板１０と前記透光性基板２０とは、図１に示したように、シール材５２を介して対向するようにして貼り合わされ、このシール材５２に囲まれた領域内には液晶層５０が封入されたものとなっている。
以上の製造工程により、反射型液晶装置１が完成となる。
【００４２】
本発明の反射型液晶装置１の製造方法によれば、ＴＦＴ１３を金属基板１０ａ上に転写しているので、金属基板１０ａ上にシリコン層を設けることなく、金属基板１０ａ上にＴＦＴ１３を形成できる。このように、金属基板１０ａ上にシリコン層を形成しないでの、金属基板１０ａとシリコン層との間で汚染を防止できる。
また、形成された反射型液晶装置１は、前記素子基板１０が放熱性の良い金属基板１０ａから構成されているので、外部からの光によって生じる熱を基板外部へと効率的に放熱し、素子基板１０上に設けられたＴＦＴ１３が常に良好に動作するので、映像のムラや表示品位の低下を防止した信頼性の高いものとなる。
【００４３】
なお、本発明は前述した実施形態に限定されることなく種々の変更が可能である。例えば、前記実施形態では反射型液晶装置について説明したが、電気光学装置として、ＤＬＰ（Digital Light Processing、TI社の商標）プロジェクタや、有機ＥＬ表示装置等に本発明を適応してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】反射型液晶装置を模式的に示す側断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）はＴＦＴの転写による素子基板形成工程の説明図である。
【符号の説明】
【００４５】
１…反射型液晶装置（電気光学装置）、１０…素子基板、１０ａ…金属基板、１１…放熱部、１３…ＴＦＴ（半導体素子）、２０…透光性基板
【図１】
2006258883.tif 000003
【図２】
2006258883.tif 000004