(57)【要約】【課題】表示品位の向上したアクティブマトリクス型表示装置を提供する。【解決手段】アクティブマトリクス型表示装置は、基板上の表示領域にマトリクス状に配置された複数の画素部ＰＸを備えている。各画素部は、表示素子１６と、表示素子に流れる発光電流を制御する駆動トランジスタ２２と、駆動トランジスタの制御端子に接続され、駆動トランジスタの導通、非導通を制御するスイッチ２４と、表示素子の抵抗値よりも小さな抵抗値を有し、表示素子に並列に接続された抵抗要素３０と、を有している。【選択図】図５
2006284913.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示素子と、前記表示素子に流れる発光電流を制御する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタの制御端子に接続され、駆動トランジスタの導通、非導通を制御するスイッチと、前記表示素子の抵抗値よりも小さな抵抗値を有し、前記表示素子に並列に接続された抵抗要素と、をそれぞれ含み、基板上の表示領域にマトリクス状に配置された複数の画素部と、
前記画素部の列毎に接続された複数の映像信号配線と、
前記画素部の行毎に接続された複数の走査配線と、
を備えたアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項２】
前記抵抗要素は、前記表示素子に並列に接続された抵抗素子を含んでいる請求項１に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項３】
前記抵抗要素は、前記駆動トランジスタと前記表示素子との間に接続された制御端子を有し、前記表示素子に並列に接続されたトランジスタを含んでいる請求項１に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項４】
前記抵抗要素は、前記トランジスタに直列に接続された抵抗素子を含んでいる請求項３に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項５】
前記抵抗要素は、前記駆動トランジスタと表示素子との間に接続された第１端子、第２端子、および制御端子を有し、第１端子と制御端子とが短絡したトランジスタを含んでいる請求項１に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項６】
前記抵抗要素は、前記トランジスタに直列に接続された抵抗素子を含んでいる請求項５に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項７】
前記抵抗要素は、前記表示素子に並列に接続された抵抗回路を含み、前記抵抗回路は、並列に接続された第１定電流源および第２定電流源と、  
前記第１および第２定電流源に直列に接続された第３定電流源と、  
前記第１定電流源および第３定電流源にそれぞれ接続された第１端子および第２端子と、前記表示素子と駆動トランジスタとの間に接続された制御端子とを有しているとともに、前記第１端子および制御端子が短絡した第１トランジスタと、  
前記第２定電流源および第３定電流源にそれぞれ接続された第１端子および第２端子と電圧電源に接続された制御端子とを有しているとともに、前記第１端子および制御端子が短絡した第２トランジスタと、を備えている請求項１に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項８】
前記駆動トランジスタは薄膜トランジスタにより形成され、前記第１および第２トランジスタは、前記駆動トランジスタと同一導電型の薄膜トランジスタにより形成されている請求項７に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項９】
前記各画素回路は、電圧電源間に前記表示素子および駆動トランジスタと直列に接続された出力スイッチと、前記駆動トランジスタの第１端子と制御端子との間の電位を保持する保持容量と、画素部の選択および非選択を制御する画素スイッチと、を有し、前記駆動トランジスタの第２端子は前記画素スイッチを介して前記映像信号配線に接続される請求項１に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１０】
前記トランジスタおよび前記駆動トランジスタは、半導体層にポリシリコンを用いた薄膜トランジスタで構成されている請求項１、３ないし５のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項１１】
前記表示素子は、対向する電極間に有機発光層を備えた自己発光素子である請求項１ないし１０のいずれか１項に記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アクティブマトリクス型表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、薄型、軽量、低消費電力の特徴を活かして、液晶表示装置に代表される平面表示装置の需要が急速に伸びている。中でも、オン画素とオフ画素とを電気的に分離し、かつオン画素への映像信号を保持する機能を有する画素スイッチを各画素に設けたアクティブマトリクス型表示装置は、隣接画素間でのクロストークのない良好な表示品位が得られることから、携帯情報機器を始め、種々のディスプレイに利用されるようになってきた。
【０００３】
このような平面型のアクティブマトリクス型表示装置として、自己発光素子を用いた有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）表示装置が注目され、盛んに研究開発が行われている。この有機ＥＬ表示装置は、薄型軽量化の妨げとなるバックライトを必要とせず、高速な応答性から動画再生に適し、さらに低温で輝度低下しないために寒冷地でも使用できるという特徴を備えている。
【０００４】
有機ＥＬ表示装置は、各画素に表示素子としての有機ＥＬ素子と、表示素子へ駆動電流を供給する画素回路とを含み、表示素子の発光輝度を制御することにより表示動作を行なう。このような有機ＥＬ表示装置として、電流信号により画素回路への画像情報を供給する方式が知られている（例えば、特許文献１）。
【０００５】
上記有機ＥＬ表示装置の画素回路は、例えば、有機ＥＬ素子に直列に接続された駆動トランジスタおよび出力スイッチ、駆動トランジスタのゲート−ドレイン間に接続され映像信号を取り込むスイッチトランジスタ等を備えている。これらの駆動トランジスタ、出力スイッチ、スイッチトランジスタは、例えば、薄膜トランジスタにより構成されている。
【特許文献１】米国特許第６，３７３，４５４  Ｂ１号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記のように画素回路に用いられる薄膜トランジスタは、アーリー効果やキンク効果により、本来電流値が一定になる飽和領域でも電流値が一定せず、上昇する。その上昇率は、薄膜トランジスタを製造する際に生じるプロセスの変動に応じて変動する。また、上昇率は、薄膜トランジスタを流れる電流値が小さいほど大きくなる。そのため、例えば、Ｐチャネル薄膜トランジスタを駆動トランジスタに用いた回路構成では、画面の輝度を小さくするほど、すなわち、駆動トランジスタに流れる電流を小さくするほど、有機ＥＬ素子に供給される発光電流のバラツキが大きくなる。その結果、表示に不具合を生じ、表示品位が低下する。
【０００７】
また、従来の回路構成、動作タイミングで表示装置を動作させると、信号入力電流と、画面の輝度との関係は線形に近似される。しかし、この場合、人間の目は高輝度よりも低輝度をより視認するため、低輝度の画像を表示する際、不自然な画像に見えてしまう問題がある。  
本発明は、上記課題に鑑みなされたもので、その目的は、表示品位の向上したアクティブマトリクス型表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を達成するため、この発明の態様に係るアクティブマトリクス型表示装置は、表示素子と、前記表示素子に流れる発光電流を制御する駆動トランジスタと、トランジスタにより形成され前記駆動トランジスタのゲートに接続される第１スイッチと、前記表示素子の抵抗値よりも小さな抵抗値を有し、前記第１スイッチのゲートに直列に接続されているとともに前記表示素子に並列に接続された抵抗要素と、を含み、基板上の表示領域にマトリクス状に配置された複数の画素部と、前記画素部の列毎に接続された複数の映像信号配線と、前記画素部の行毎に接続された複数の走査配線と、を備えている。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、駆動トランジスタに大きな電流を流して発光動作を行うことができ、駆動トランジスタの特性に影響されることなく良好な表示が可能なアクティブマトリクス型表示装置を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下図面を参照しながら、この発明の第１の実施形態として、有機ＥＬ表示装置を例にとり詳細に説明する。  
図１に示すように、有機ＥＬ表示装置は、例えば、１０型以上の大型アクティブマトリクス型表示装置として構成され、有機ＥＬパネル１０および有機ＥＬパネル１０を制御するコントローラ１２を備えている。
【００１１】
有機ＥＬパネル１０は、ガラス板等の光透過性を有する絶縁基板８、この絶縁基板上にマトリクス状に配列され表示領域１１を構成したｍ×ｎ個の表示画素ＰＸ、表示画素の行毎に接続されているとともにそれぞれ独立してｍ本ずつ設けられた第１走査線Ｓｇａ（１〜ｍ）および第２走査線Ｓｇｂ（１〜ｍ）、表示画素ＰＸの列毎に接続されたｎ本の映像信号配線Ｘ（１〜ｎ）、第１、第２走査線Ｓｇａ（１〜ｍ）、Ｓｇｂ（１〜ｍ）を表示画素の行毎に順次駆動する走査線駆動回路１４ａ、１４ｂ、および複数の映像信号配線Ｘ（１〜ｎ）を駆動する信号線駆動回路１５を備えている。走査線駆動回路１４ａ、１４ｂおよび信号線駆動回路１５は、表示領域１１の外側で絶縁基板８上に一体的に形成されている。
【００１２】
画素部として機能する各表示画素ＰＸは、対向電極間に光活性層を備えた表示素子と、この表示素子に発光電流を供給する画素回路１８とを含んでいる。表示素子は、例えば自己発光素子であり、本実施形態では、光活性層として少なくとも有機発光層を備えた有機ＥＬ素子１６を用いている。
【００１３】
図２に表示画素ＰＸの等価回路を示す。画素回路１８は電流信号からなる映像信号に応じて有機ＥＬ素子１６の発光を制御する電流信号方式の画素回路であり、画素スイッチ２０、駆動トランジスタ２２、第１スイッチ２４、第２スイッチ２６、およびキャパシタとしての保持容量Ｃｓを備えている。画素スイッチ２０、駆動トランジスタ２２、第１スイッチ２４、第２スイッチ２６は、ここでは同一導電型、例えばＰチャネル型の薄膜トランジスタにより構成されている。本実施形態において、画素スイッチ２０、駆動トランジスタ２２、第１スイッチ２４、第２スイッチ２６をそれぞれ構成した薄膜トランジスタは全て同一工程、同一層構造で形成され、半導体層にポリシリコンを用いたトップゲート構造の薄膜トランジスタである。画素スイッチ２０、駆動トランジスタ２２、第１スイッチ２４、第２スイッチ２６の各々は、第１端子、第２端子、および制御端子を有し、本実施形態では、これらは、第１端子、第２端子、および制御端子をそれぞれソース、ドレイン、ゲートとしている。
【００１４】
駆動トランジスタ２２は、第１電圧電源線Ｖｄｄ１と基準電圧電源線Ｖｓｓとの間で有機ＥＬ素子１６と直列に接続され、映像信号に応じた電流量を有機ＥＬ素子に出力する。基準電圧電源線Ｖｓｓおよび第１電圧電源線Ｖｄｄ１は、例えば、−９Ｖおよび＋６Ｖの電位にそれぞれ設定される。保持容量Ｃｓは、駆動トランジスタ２２のソース、ゲート間に接続され、映像信号により決定される駆動トランジスタ２２のゲート制御電位を保持する。画素スイッチ２０は対応する映像信号配線Ｘ（１〜ｎ）と駆動トランジスタ２２のドレインとの間に接続され、そのゲートは対応する第１走査線Ｓｇａ（１〜ｍ）に接続されている。画素スイッチ２０は、第１走査線Ｓｇａ（１〜ｍ）から供給される制御信号Ｓａ（１〜ｍ）に応答して、対応する映像信号配線Ｘ（１〜ｎ）から映像信号を取り込む。
【００１５】
第１スイッチ２４は、駆動トランジスタ２２のドレイン、ゲート間に接続され、そのゲートは、第１走査線Ｓｇａ（１〜ｍ）に接続されている。第１スイッチ２４は、第１走査線Ｓｇａ（１〜ｍ）からの制御信号Ｓａ（１〜ｍ）に応じてオン（導通状態）、オフ（非導通状態）され、駆動トランジスタ２２のゲート、ドレイン間の接続、非接続を制御するとともに、保持容量Ｃｓからの電流リークを規制する。
【００１６】
出力スイッチとして機能する第２スイッチ２６は、駆動トランジスタ２２のドレインと有機ＥＬ素子１６の一方の電極、ここでは陽極、との間に接続され、そのゲートは第２走査線Ｓｇｂ（１〜ｍ）に接続されている。第２スイッチ２６は、第２走査線Ｓｇｂ（１〜ｍ）からの制御信号Ｓｂ（１〜ｍ）によりオン、オフ制御され、駆動トランジスタ２２と有機ＥＬ素子１６との接続、非接続を制御する。
【００１７】
図３を参照して、駆動トランジスタ２２および有機ＥＬ素子１６の構成を詳細に説明する。  
駆動トランジスタ２２を構成したＰチャネル型の薄膜トランジスタは、絶縁基板８上に形成されたポリシリコンからなる半導体層５０を備え、この半導体層はソース領域５０ａ、ドレイン領域５０ｂ、およびソース、ドレイン領域間に位置したチャネル領域５０ｃを有している。半導体層５０に重ねてゲート絶縁膜５２が形成され、このゲート絶縁膜上にゲート電極Ｇが設けられチャネル領域５０ｃと対向している。ゲート電極Ｇに重ねて層間絶縁膜５４が形成され、この層間絶縁膜上にソース電極（ソース）Ｓおよびドレイン電極（ドレイン）Ｄが設けられている。ソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄは、それぞれ層間絶縁膜５４およびゲート絶縁膜５２に貫通形成されたコンタクトを介して半導体層５０のソース領域５０ａおよびドレイン領域５０ｂにそれぞれ接続されている。駆動トランジスタ２２のドレイン電極Ｄは、層間絶縁膜５４上に形成された配線を介して第２スイッチ２６に接続されている。なお、画素スイッチ２０、第１スイッチ２４、第２スイッチ２６を構成する各薄膜トランジスタも上記と同一の構造に形成されている。
【００１８】
層間絶縁膜５４上には映像信号配線Ｘを含む複数の配線が設けられている。また、層間絶縁膜５４上にはソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ、配線を覆って保護膜５６が形成されている。保護膜５６上には、親水膜５８、隔壁膜６０が順に積層されている。
【００１９】
有機ＥＬ素子１６は、ルミネセンス性有機化合物を含む有機発光層６４を陽極６２および陰極６６間に挟持した構造を有している。陽極６２は、ＩＴＯ（インジウム・ティン・オキサイド）等の透明電極材料から形成され、保護膜５６上に設けられている。親水膜５８および隔壁膜６０の内、陽極６２と対向した部分はエッチングにより除去されている。そして、陽極６２上に陽極バッファ層６３および有機発光層６４が形成され、更に、有機発光層６４および隔壁膜６０に重ねてバリウム・アルミ合金から成る陰極６６が積層されている。
【００２０】
このような構造の有機ＥＬ素子１６では、陽極６２から注入されたホールと、陰極６６から注入された電子とが有機発光層６４の内部で再結合したときに、有機発光層を構成する有機分子を励起して励起子を発生させる。この励起子が放射失活する過程で発光し、この光が有機発光層６４から透明な陽極６２および絶縁基板８を介して外部へ放出される。
【００２１】
ここで、陽極６２を第２スイッチ２６およびＰチャネル型の駆動トランジスタ２２を介して第１電圧電源線Ｖｄｄ１に接続し、陰極６６を基準電圧電源Ｖｓｓに接続する場合について説明したが、陰極６６を第２スイッチ２６のドレインを介して駆動トランジスタ２２のドレインに、陽極６２を基準電圧電源Ｖｓｓに接続してもよい。いずれの場合も光出射面側を透明導電材料で形成する必要があり、例えば陰極６６を光出射面側に配置する場合には、アルカリ土類金属、希土類金属を光透過性を有する程度に薄く形成することで達成できる。
【００２２】
図２に示すように、画素回路１８は、抵抗要素として機能するトランジスタ３０を備えている。トランジスタ３０は、例えば、Ｎチャネル型の薄膜トランジスタにより構成されている。この薄膜トランジスタは、半導体層にポリシリコンを用いたトップゲート構造の薄膜トランジスタとして構成されている。トランジスタ３０は、第１スイッチ２４のゲートに直列に接続されているとともに、有機ＥＬ素子１６に並列に接続されている。すなわち、トランジスタ３０は、第１端子、ここでは、ソースが第２電圧電源Ｖｄｄ２に接続され、第２端子、ここでは、ドレインが、第２スイッチ２６と有機ＥＬ素子１６との間に接続されている。また、ドランジスタ３０のドレインは制御端子であるゲートと短絡している。
【００２３】
トランジスタ３０の抵抗値は、有機ＥＬ素子１６の抵抗値に対して数分の１ないし数十分の１に設定されている。それにより、駆動トランジスタ２２から第２スイッチ２６を通して供給される発光電流は、有機ＥＬ素子１６とトランジスタ３０とに所定の比率で分配される。例えば、トランジスタ３０の抵抗値を有機ＥＬ素子１６の抵抗値に対して１０分の１に設定した場合、発光電流は、トランジスタ３０と有機ＥＬ素子とに対して１０対１の比率で分配される。
【００２４】
一方、図１に示すコントローラ１２は有機ＥＬパネル１０の外部に配置されたプリント回路基板上に形成され、走査線駆動回路１４ａ、１４ｂおよび信号線駆動回路１５を制御する。コントローラ１２は外部から供給されるデジタル映像信号および同期信号を受け取り、垂直走査タイミングを制御する垂直走査制御信号、および水平走査タイミングを制御する水平走査制御信号を同期信号に基づいて発生する。そして、コントローラ１２は、これら垂直走査制御信号および水平走査制御信号をそれぞれ走査線駆動回路１４ａ、１４ｂおよび信号線駆動回路１５に供給すると共に、水平および垂直走査タイミングに同期してデジタル映像信号を信号線駆動回路１５に供給する。
【００２５】
信号線駆動回路１５は水平走査制御信号の制御により各水平走査期間において順次得られる映像信号をアナログ形式に変換して映像信号電流ＩＡ（１〜ｎ）とし、複数の映像信号配線Ｘ（１〜ｎ）に並列的に供給する。映像信号電流ＩＡ（１〜ｎ）の電流量は、上述したトランジスタ３０の抵抗値と有機ＥＬ素子１６の抵抗値との比率、および有機ＥＬ素子１６に供給する発光電流に応じて決められる。例えば、トランジスタ３０および有機ＥＬ素子１６の抵抗値の比率を１対１０とした場合、映像信号電流ＩＡ（１〜ｎ）は有機ＥＬ素子１６に所望の発光電流を供給するのに必要な電流量の１１倍に相当する電流量に設定される。
【００２６】
走査線駆動回路１４ａ、１４ｂは、シフトレジスタ、出力バッファ等を含み、外部から供給される水平走査スタートパルスを順次次段に転送し、出力バッファを介して各行の表示画素ＰＸに２種類の制御信号、すなわち、制御信号Ｓａ（１〜ｍ）、Ｓｂ（１〜ｍ）を供給する。これにより、各第１、第２走査線Ｓｇａ（１〜ｍ）、Ｓｇｂ（１〜ｍ）は、互いに異なる１水平走査期間において、それぞれ制御信号Ｓａ（１〜ｍ）、制御信号Ｓｂ（１〜ｍ）により駆動される。
【００２７】
図４に走査線駆動回路１４ａ、１４ｂのタイミングチャートを示す。走査線駆動回路１４ａ、１４ｂは、例えば、スタート信号（ＳＴＶ１、ＳＴＶ２）とクロック（ＣＫＶ１、ＣＫＶ２）とから各水平走査期間に対応した１水平走査期間の幅（Ｔｗ−Ｓｔａｒｔａ）のパルスを生成し、そのパルスを制御信号Ｓａ（１〜ｍ）および制御信号Ｓｂ（１〜ｍ）として出力する。
【００２８】
画素回路１８の動作は、映像信号書込み動作および発光動作に分けられる。図２に示すように、例えば、１行目の表示画素ＰＸの制御信号Ｓａ１が画素スイッチ２０および第１スイッチ２４をオン状態とするレベル（オン電位）、ここではローレベル、制御信号Ｓｂ１が第２スイッチ２６をオフ状態とするレベル（オフ電位）、ここではハイレベルとなる。これにより、画素スイッチ２０および第１スイッチ２４がオン（導通状態）、第２スイッチ２６がオフ（非導通状態）に切換えられ、映像信号書込み動作が開始される。
【００２９】
映像信号書込み期間において、信号線駆動回路１５から対応する映像信号配線Ｘ（１〜ｎ）に供給された映像信号電流ＩＡ（１〜ｎ）、例えば、映像信号電流ＩＡ１は画素スイッチ２０を介して、選択された表示画素ＰＸに供給される。
【００３０】
表示画素ＰＸにおいて、画素スイッチ２０および第１スイッチ２４はオン状態にあり、取り込まれた映像信号電流ＩＡ１は駆動トランジスタ２２に供給され駆動トランジスタ２２を書き込み状態とする。これにより、第１電圧電源線Ｖｄｄ１から駆動トランジスタ２２を通して映像信号配線Ｘ１に書き込み電流が流れ、映像信号電流ＩＡ１の電流量に対応した駆動トランジスタ２２のゲート、ソース間電位が保持容量Ｃｓに書き込まれる。
【００３１】
次に、制御信号Ｓａ１がハイレベル（オフ電位）となり、画素スイッチ２０および第１スイッチ２４がオフとなる。これにより、映像信号書込み動作が終了する。続いて、制御信号Ｓｂ１がローレベルとなり、第２スイッチ２６がオンとなる。これにより、発光動作が開始する。図５に示すように、発光期間において、駆動トランジスタ２２は、保持容量Ｃｓに書き込まれたゲート制御電圧により導通状態に維持され、第１電圧電源線Ｖｄｄ１から映像信号電流ＩＡ１に対応した電流量の発光電流を第２スイッチ２６側へ供給する。この発光電流は、第２スイッチ２６を通った後、有機ＥＬ素子１６とトランジスタ３０とに所定の比率で分配され供給される。分配の比率は、トランジスタ３０および有機ＥＬ素子１６の抵抗値の比率によって決められ、ここでは、発光電流は、例えば１：１０の比率で有機ＥＬ素子１６とトランジスタ３０とに分配される。有機ＥＬ素子１６には、駆動トランジスタ２２側から供給された発光電流に対し１／１０の発光電流が供給される。これにより有機ＥＬ素子１６が発光し、発光動作が開始される。そして、有機ＥＬ素子１６は、１フレーム期間後に、再び制御信号Ｓｂ１がオフ電位となるまで発光状態を維持する。
【００３２】
上記のように構成された有機ＥＬ表示装置によれば、有機ＥＬ素子１６に並列に接続されたトランジスタ３０は、有機ＥＬ素子の発光時、有機ＥＬ素子に供給される発光電流に応じて抵抗値が変化する可変抵抗成分として機能する。画素回路１８の駆動トランジスタ２２を通して供給される発光電流は、有機ＥＬ素子１６とトランジスタ３０との抵抗値の比率に応じて、有機ＥＬ素子とトランジスタ３０とに分配して供給される。そのため、駆動トランジスタ２２に流れる電流を、有機ＥＬ素子１６に供給される発光電流の数倍ないし数十倍にすることができる。駆動トランジスタ２２を構成している薄膜トランジスタのアーリー効果やキンク効果に起因する電流上昇率のバラツキは、トランジスタを流れる電流が大きいほど小さい。そのため、本実施形態のように、駆動トランジスタ２２に流れる電流を有機ＥＬ素子１６に供給される発光電流の数倍ないし数十倍と大きくすることにより、駆動トランジスタ２２の電流上昇率のバラツキを抑制し、有機ＥＬ素子に対してバラツキのない発光電流を供給することができる。その結果、表示画素ＰＸ間の輝度のバラツキを抑制し、表示品位の向上した良好な画像表示が可能となる。
【００３３】
また、トランジスタ３０の抵抗値は、供給される発光電流が大きいほど小さくなり、入力電流に対して二次曲線に沿って変化する。そのため、供給される発光電流と画面輝度との関係は、線形とならず、二次曲線となり、自然で高品位な画質を実現することができる。更に、本実施形態によれば、映像信号配線Ｘ（１〜ｎ）に供給する映像信号電流を従来に比べて数倍ないし数十倍に大きくすることができる。そのため、低階調表示の場合でも、映像信号配線Ｘ（１〜ｎ）の配線容量に起因する映像信号書き込み不足を防止し、表示不良、スジムラ、ざらつき感の視認を解消し、高品位の画像表示を行うことができる。
【００３４】
次に、図６を参照して、この発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置について説明する。  
第２の実施形態によれば、表示画素ＰＸを構成している画素回路１８は、抵抗要素として、トランジスタ３０に加えて抵抗素子３２を備えている。抵抗素子３２は、トランジスタ３０のソースと第２電圧電源Ｖｄｄ２との間に接続されている。抵抗素子３２は、例えば、不純物が注入されたライトリー・ドープド・ドレイン（ＬＤＤ）型のポリシリコンにより形成されている。
【００３５】
第２の実施形態において、有機ＥＬ表示装置の他の構成は前述した第１の実施形態と同一であり、同一の部分には同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略する。  
上記構成の第２の実施形態によれば、前述した第１の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。また、抵抗要素としてトランジスタ３０および抵抗素子３２を用いることにより、有機ＥＬ素子１６に並列に接続された抵抗要素における抵抗値の選択範囲を拡大することが可能となり、駆動トランジスタ２２を流れる電流の大きさをより自由に設定可能となる。
【００３６】
図７に示すように、この発明の第３の実施形態によれば、表示画素ＰＸを構成している画素回路１８は、抵抗要素として、トランジスタに代えて抵抗素子３２を備えている。抵抗素子３２は、その一端が第２スイッチ２６と有機ＥＬ素子１６との間に接続され、他端が第２電圧電源Ｖｄｄ２に接続されている。抵抗素子３２は、例えば、不純物が注入されたライトリー・ドープド・ドレイン（ＬＤＤ）型のポリシリコンにより形成されている。
【００３７】
第３の実施形態において、有機ＥＬ表示装置の他の構成は前述した第１の実施形態と同一であり、同一の部分には同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略する。上記構成の第３の実施形態によれば、前述した第１の実施形態と同様に、駆動トランジスタ２２に流れる電流を有機ＥＬ素子１６に供給される発光電流の数倍ないし数十倍と大きくすることができ、駆動トランジスタ２２の電流上昇率のバラツキを抑制し、有機ＥＬ素子に対してバラツキのない発光電流を供給することができる。これにより、表示画素ＰＸ間の輝度のバラツキを抑制し、表示品位の向上した良好な画像表示が可能となる。
【００３８】
次に、図８を参照して、この発明の第４の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置について説明する。表示画素ＰＸを構成している画素回路１８は、抵抗要素として、Ｎチャンネル型の薄膜トランジスタからなるトランジスタ３０を備えている。トランジスタ３０は有機ＥＬ素子１６に並列に接続されている。すなわち、トランジスタ３０のソースは第２電圧電源Ｖｄｄ２に接続され、ドレインは、第２スイッチ２６と有機ＥＬ素子との間に接続されている。前述した第１の実施形態において、抵抗要素として機能するトランジスタ３０は、そのドレインとゲートとが短絡して設けられているが、第３の実施形態によれば、トランジスタ３０のゲートは、駆動トランジスタ２２のドレインと第２スイッチ２６のソースとの間に接続されている。
【００３９】
第４の実施形態において、有機ＥＬ表示装置の他の構成は前述した第１の実施形態と同一であり、同一の部分には同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略する。  
上記構成の第４の実施形態によれば、前述した第１の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。また、トランジスタ３０のゲートは駆動トランジスタ２２のドレインと第２スイッチ２６のソースとの間に接続されているため、第２スイッチ２６の電圧降下分だけ、ゲート電圧が高くなり、その分、トランジスタ３０の抵抗値を第１の実施形態におけるトランジスタ３０よりも低くすることができる。その結果、駆動トランジスタ２２に流れる発光電流を一層大きくすることが可能となる。
【００４０】
図９に示す第５の実施形態のように、抵抗要素として、トランジスタ３０に加えて抵抗素子３２を設けても良い。抵抗素子３２は、トランジスタ３０のソースと第２電圧電源Ｖｄｄ２との間に接続されている。抵抗素子３２は、例えば、不純物が注入されたライトリー・ドープド・ドレイン（ＬＤＤ）型のポリシリコンにより形成されている。第５の実施形態において、有機ＥＬ表示装置の他の構成は前述した第４の実施形態と同一であり、同一の部分には同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略する。
【００４１】
次に、図１０を参照して、この発明の第６の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置について説明する。  
本実施形態によれば、表示画素ＰＸを構成している画素回路１８は、抵抗要素として、抵抗回路３４を備えている。抵抗回路３４は、第１および第２トランジスタ３６ａ、３６ｂ、並びに第１、第２、第３定電流源３８ａ、３８ｂ、３８ｃを有している。第１および第２トランジスタ３６ａ、３６ｂはＰチャネル型の薄膜トランジスタにより形成されている。また、第１および第２トランジスタ３６ａ、３６ｂの各々は、第１端子、第２端子、制御端子を有し、本実施形態では、第１端子、第２端子、制御端子をそれぞれソース、ドレイン、ゲートとしている。
【００４２】
第１および第２定電流源３８ａ、３８ｂはそれぞれ電圧電源線Ｖｄｄに接続され、それぞれＩ／２の電流を供給する。第３定電流源３８ｃは、基準電圧電源Ｖｓｓに接続され、Ｉの電流を供給する。第１トランジスタ３６ａは、ソースが第１定電流源３８ａに接続され、ドレインが第３定電流源３８ｃに接続されている。第１トランジスタ３６ａのゲートは、第２スイッチ２６と有機ＥＬ素子１６との間に接続されている。また、第１トランジスタ３６ａは、ドレインとゲートとが短絡し、導通状態に維持されている。
【００４３】
第２トランジスタ３６ｂは、ソースが第２定電流源３８ａに接続され、ドレインが第３定電流源３８ｃに接続されている。第２トランジスタ３６ｂのゲートは、第２電圧電源Ｖｄｄ２に接続されている。また、第２トランジスタ３６ｂは、ドレインとゲートとが短絡し、導通状態に維持されている。
【００４４】
上記のように構成された抵抗回路３４の抵抗値は、有機ＥＬ素子１６の抵抗値に対して数分の１ないし数十分の１に設定されている。画素回路１８の駆動トランジスタ２２を流れる発光電流は、第２スイッチ２６を通った後、有機ＥＬ素子１６と抵抗回路３４とに所定の比率で分配され供給される。分配の比率は、有機ＥＬ素子１６および抵抗回路３４の抵抗値の比率によって決められ、ここでは、発光電流は、例えば１：１０の比率で有機ＥＬ素子１６と抵抗回路３４とに分配され、有機ＥＬ素子１６には、駆動トランジスタ２２側から供給された発光電流に対し１／１０の発光電流が供給される。これにより有機ＥＬ素子１６が発光し、発光動作が開始される。
【００４５】
また、抵抗回路３４において、第１および第２定電流源３８ａ、３８ｂから供給された電流Ｉ／２はそれぞれ第１トランジスタ３６ａ、第２トランジスタ３６ｂを通って第３定電流源３８ｃに供給される。また、図１０（ｂ）に矢印で示すように、抵抗回路３４に分配された発光電流は、第１および第２トランジスタ３６ａ、３６ｂを順に流れ、第２電圧電源Ｖｄｄ２へ供給される。
【００４６】
第６の実施形態において、有機ＥＬ表示装置の他の構成は前述した第１の実施形態と同一であり、同一の部分には同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略する。  
上記構成の第６の実施形態によれば、前述した第１の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。また、画素回路１８を構成する駆動トランジスタ２２、第１、第２スイッチ２４、２６、画素スイッチ２０と同様に、抵抗回路３４の第１および第２トランジスタ３６ａ、３６ｂをＰチャネル型の薄膜トランジスタによって形成することが可能となる。この場合、第１および第２トランジスタ３６ａ、３６ｂを画素回路１８を構成する配線や他の薄膜トランジスタと同時に同一工程にて形成することできる。そのため、製造コストの削減を図ることができるとともに、それぞれ特性の近似したトランジスタを用いて画磯回路を構成することが可能となり、有機ＥＬ素子１６への発光電流のばらつきを低減することができる。また、外部回路との接続点数を削減することができ、機械的な信頼性を向上させることができる。
【００４７】
本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【００４８】
第１ないし第６の実施形態において、抵抗要素として機能するトランジスタ３０のドレインと第２スイッチ２６との間、あるいは、抵抗回路３４と第２スイッチ２６との間に更にスイッチを設け、このスイッチを走査線を介してオンオフ制御する構成としてもよい。この場合、例えば、高階調時はスイッチをオフ状態とし、トランジスタ３０あるいは抵抗回路３４を駆動トランジスタ２２と非接続状態とすることで、通常の発光電流とすることが可能となり、不所望な電力消費を低減することができる。
【００４９】
また、前述した実施形態において、薄膜トランジスタの半導体層は、ポリシリコンに限らず、アモルファスシリコンで構成することも可能である。表示画素を構成する自己発光素子は、有機ＥＬ素子に限定されず自己発光可能な様々な表示素子を適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】図１は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を概略的に示す平面図である。
【図２】図２は、前記有機ＥＬ表示装置における表示画素の等価回路を示す平面図である。
【図３】図３は、前記有機ＥＬ表示装置の駆動トランジスタおよび有機ＥＬ素子を示す断面図である。
【図４】図４は、前記有機ＥＬ表示装置の走査線駆動回路における供給信号のタイミングチャートである。
【図５】図５は、前記有機ＥＬ表示装置における表示画素の等価回路を示す平面図である。
【図６】図６は、この発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置における表示画素の等価回路を示す平面図である。
【図７】図７は、この発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置における表示画素の等価回路を示す平面図である。
【図８】図８は、この発明の第４の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置における表示画素の等価回路を示す平面図である。
【図９】図９は、この発明の第５の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置における表示画素の等価回路を示す平面図である。
【図１０】図１０は、この発明の第６の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置における表示画素の等価回路および抵抗回路を示す平面図である。
【符号の説明】
【００５１】
８…絶縁基板、  １０…有機ＥＬパネル、１２…コントローラ、
１４ａ、１４ｂ…走査線駆動回路、  １５…信号線駆動回路、  １６…有機ＥＬ素子、
１８…画素回路、  ２０…画素スイッチ、  ２２…駆動トランジスタ、
２４…第１スイッチ、  ２６…第２スイッチ、  ３０…トランジスタ、
３２…抵抗素子、  ３４…抵抗回路、
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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