(57)【要約】【課題】  ダイボンディング工程において、実装基板と半導体チップとの位置精度が高いという角錐コレットの利点を損なうことなく、パーティクルの影響を低減する。【解決手段】  本発明では、例えばダイシング工程で多段カットを行って半導体チップの側面を階段状に形成することで、ダイボンディング工程で半導体チップを吸着する時に、半導体チップの側面における、素子形成面との境界よりも裏面側にコレットを当接させる。このため、パーティクルの発生箇所となるコレットと半導体チップとの接触部分が素子形成面から離れるので、パーティクルの影響を低減できる。また、この方法は角錐コレットを用いても可能なので、実装基板と半導体チップとの位置精度が高いという角錐コレットの利点も活かすことができる。【選択図】      図１
2006351848.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口した両端の一方を介して、真空源に接続される吸引孔と、
前記吸引孔の他方の開口に連接して形成され、前記真空源の吸引作用によって半導体チップを吸着する吸着用開口部と
を備え、
前記真空源による吸着時には、前記吸着用開口部の内面は、前記半導体チップの素子形成面と裏面とを繋ぐ側面における、前記素子形成面よりも前記裏面側に当接する
ことを特徴とするコレット。
【請求項２】
請求項１に記載のコレットにおいて、
前記吸着用開口部は、その開口の縁側が折曲されており、
その折曲箇所から、前記吸着用開口部の縁までの部分は、前記半導体チップの前記側面に沿った枠状に形成されており、
角錐コレットである
ことを特徴とするコレット。
【請求項３】
請求項２に記載のコレットにおいて、
前記吸着用開口部の内側には、前記半導体チップを吸着するときに前記素子形成面の中央部に対向する対向壁が形成されており、
前記吸着用開口部の縁部分と、前記対向壁との間は、その少なくとも一部が空間として前記吸引孔に繋がっている
ことを特徴とするコレット。
【請求項４】
請求項３に記載のコレットにおいて、
前記真空源による吸引方向に直交する面方向において、前記対向壁は、前記素子形成面における素子形成領域よりも、面積が大きく、
前記対向壁上には、前記半導体チップが吸着される側に突出した、枠状の突起が形成されており、
前記突起は、前記半導体チップの吸着時に、前記素子形成面における前記素子形成領域以外の領域に対向または接触する位置に形成されている
ことを特徴とするコレット。
【請求項５】
開口した両端の一方を介して、真空源に接続される吸引孔と、
前記吸引孔の他方の開口に連接して形成され、前記真空源の吸引作用によって半導体チップを吸着する吸着用開口部と
を備え、
前記吸着用開口部の内側には、前記半導体チップを吸着するときに前記半導体チップの素子形成面の中央部に対向する対向壁が形成されており、
前記吸着用開口部の縁部分と、前記対向壁との間は、その少なくとも一部が空間として前記吸引孔に繋がっている
ことを特徴とする角錐コレット。
【請求項６】
半導体チップが載置されるステージと、前記半導体チップに当接されるコレットを含むダイボンドヘッドと、前記ダイボンドヘッドの動作を制御することで前記半導体チップを前記コレットに吸着させる制御部とを有するダイボンディング装置において、
前記コレットは、請求項１〜請求項４のいずれかに記載のコレット、または、請求項５に記載の角錐コレットである
ことを特徴とするダイボンディング装置。
【請求項７】
コレットの吸引孔の一方の開口に接続された真空源の吸引作用により、前記吸引孔の他方の開口に連接して形成された吸着用開口部に半導体チップを吸着させるダイボンディング方法において、
前記半導体チップの素子形成面と裏面とを繋ぐ側面における、前記素子形成面よりも前記裏面側に、前記吸着用開口部の内面を当接させる
ことを特徴とするダイボンディング方法。
【請求項８】
請求項７に記載のダイボンディング方法において、
ステップカットにより前記側面が階段状に形成された前記半導体チップを、前記コレットにより吸着する
ことを特徴とするダイボンディング方法。
【請求項９】
請求項７に記載のダイボンディング方法において、
前記側面において前記素子形成面から離れた位置にベベルカットによる斜面が形成された前記半導体チップを、前記吸着用開口部の内面が前記斜面に面接触するように吸着する
ことを特徴とするダイボンディング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップをパッケージ等に搭載するためのダイボンディング方法、ダイボンディングに用いられるダイボンディング装置、及びダイボンディング装置の一部品であるコレットに関する。
【背景技術】
【０００２】
固体撮像素子では、解像度を向上するため、単位画素サイズを縮小して画素数を増大することが要望されている。単位画素サイズが小さくなれば、良品として許容される欠陥のサイズも小さくなる。そして、欠陥画素を生じさせる要因の１つとして、実装工程で発塵する微粒子（以下、パーティクルという）の付着が挙げられる。以下、固体撮像素子の実装工程の一従来例を説明しながら、パーティクルが発生して付着する過程を説明する。
【０００３】
製造工程において、不純物拡散などの半導体プロセスが終了したウェハは、検査工程に送られる。検査工程では、感度や固定パターンノイズ等についての検査が行われ、ウェハの状態で良品か否かが判定される。検査工程後のウェハは、ダイシングされて、ダイシングテープ上に貼り付いた状態で個々の半導体チップに分割された後、必要であればエキスパンドされて、ダイボンディング工程に送られる。
【０００４】
ダイボンディング工程では、ダイボンディング装置（例えば特許文献１参照）のステージにウェハが載置される。そして、検査工程で合格したチップのみをダイボンディング装置によりピックアップして、パッケージ基板やＣＯＢ（Chip On Board）基板等の実装基板に接着する。ここでのピックアップとは、ダイボンディング装置のコレットを半導体チップに当接し、コレット内の吸引孔を介して真空吸引することにより、コレットに半導体チップを吸着させるものである。このダイボンディング工程の後、ワイヤーボンダにより、半導体チップのパッドを実装基板の外部端子に結線後、封止用ガラス等によりチップを封止する。
【０００５】
以上の各工程内で発塵して、パーティクルがチップ上に付着、或いは、封止用ガラスの内側に取り込まれると、画素欠陥、または、移動欠陥が生じてしまう。特にダイボンディング工程では、コレットによりチップを吸引把持（以下、吸着という）するので、コレットとチップとの接触によってチップの一部が削れて細かい屑（パーティクル）が生じることは原理的に避けにくい。従って、欠陥領域のサイズを小さくする、或いは、欠陥画素数を少なくするためには、実装工程、特にダイボンディング工程におけるパーティクル対策が重要となる。
【０００６】
図１３は、従来のダイボンディング工程において金属製の角錐コレット１０により半導体チップ１２がピックアップされる様子を示す断面模式図である。図１３（ａ）は通常のシングルカットにより側面が平面に形成された半導体チップの場合を示し、図１３（ｂ）は、ベベルカットにより素子形成面に隣接する斜面が形成された半導体チップの場合を示す。なお、本明細書での角錐コレットとは、断面が吸引方向に平行になるように横断した場合に、半導体チップに当接されるコレットの先端の断面形状が三角形のものを指す。図１３（ａ）における矢印１４は、半導体チップ１２と角錐コレット１０との接触により発塵するパーティクルが飛び散る方向を示し、矢印１６は、角錐コレット１０が吸着する際の気流の方向を示す。図１３（ｂ）についても同様である。
【０００７】
図１３（ａ）、（ｂ）から分かるように、吸着時における角錐コレット１０と半導体チップとの接触状態は、ステップカットでは半導体チップにおける素子形成面と側面との境界で線接触になり、ベベルカットでは面接触になる。従って、ベベルカットの方がチップが欠けて発塵するおそれが少ない。しかし、ステップカット、ベベルカットのどちらの場合にも、パーティクルの発生箇所である角錐コレット１０と半導体チップ１２との接触部分は、半導体チップ１２の素子形成面に近い。さらに、吸着時の気流は、半導体チップ１２の素子形成面の外縁から中心部に向けてのパーティクルの拡散を増長させる。そのようにしてパーティクルが、半導体チップの素子形成面における画素上に付着すれば、欠陥画素を生じさせてしまう。
【０００８】
そこで、コレットとチップとの接触による発塵を低減する方法として、平コレットを使用する方法が知られている。平コレットの先端は、吸着時に半導体チップの素子形成面に面接触するように平坦に形成されている。即ち、平コレットを使用する場合、図１３（ｂ）のように半導体チップの素子形成面に隣接した斜面が形成されていなくても、平コレットと半導体チップとが面接触になるので、両者が線接触になる場合よりも、チップが欠けにくい。また、ラバー製の平コレットを用いれば、金属製のものと比べて素材としての弾力性に富むので、チップとの接触時にチップが欠けて発塵するおそれが少ない。
【０００９】
しかし、平コレットは、角錐コレットと比較して、ピックアップした半導体チップを実装基板に貼り付ける際の半導体チップと実装基板との位置合わせの精度が低い。具体的には、角錐コレットの場合、角錐コレット自体が、吸引方向を軸とした対称な形状であり、吸着時において半導体チップの両面の延在方向は、角錐コレットの吸引孔の中心軸に対してほぼ垂直になる。従って、図１３（ａ）に示すように、半導体チップ１２の外縁が角錐コレット１０に当接したときに、図の左側における半導体チップ１２の外縁と角錐コレット１０の外縁との幅Ｗ１は、反対側における幅Ｗ２と同じになる。このため、ピックアップしたときに、角錐コレット１０の吸引孔の中心軸と、半導体チップ１２の中心とが一致し易く、位置合わせが容易になる。
【００１０】
一方、平コレットの場合、その先端は、半導体チップの素子形成面における、外縁よりやや内側に当接される。即ち、半導体チップの外縁が平コレットに当接されるわけではないので、ピックアップしたときに、平コレットの吸引孔の中心軸と、半導体チップの中心とが一致するとは限らず、位置合わせの精度が劣る。例えば金属製角錐コレットでは、チップサイズにも依存するが位置精度として±５０μｍ以下に抑えられるのに対し、ラバー製平コレットでは、それが±１００μｍ以上となる。
【００１１】
従って、実装基板と半導体チップとの位置精度が要求される場合には、従来技術では角錐コレットが最も適しており、さらに、コレットの剛性を考慮して金属製のものを使用するのが一般的である。コレットが軟らかい素材であれば、吸着時の吸引力によってコレットの先端が弾性限界内で若干変形して、若干の位置ずれが生じやすくなるからである。特にハイエンドユーザ向けの一眼レフタイプのデジタルカメラでは、ダイボンディング工程で角錐コレットを使用するメリットが大きい。
【００１２】
これは、そのようなタイプのデジタルカメラでは、カメラへの部組み精度を極めて高くすることが要求され、固体撮像素子とレンズ系との光軸調整が極めて高精度に要求されるからである。具体的には、レンズ系と固体撮像素子との光軸調整は、固体撮像素子のチップが貼付された実装基板と、レンズ系との位置調整によってなされる。このとき、固体撮像素子のチップと実装基板との位置精度が緩いと、レンズ系と実装基板との位置調整のための調整しろが多くなって加工コストが増大するが、チップと実装基板との位置精度が高ければ、カメラ部組みコストを低減できる。
【特許文献１】特開２００３−２１８１３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
上述のように、従来の角錐コレットでは、チップとの接触部から発塵したパーティクルがチップ表面に付着することが避けられない。また、コレットとチップとの接触による発塵を低減する方法として、ゴム製平コレットを使用する方法があるが、ダイボンディングする際の位置精度が劣るという欠点がある。このため、ダイボンディング工程において、実装基板と半導体チップとの位置精度が高いという角錐コレットの利点を維持しつつ、パーティクルの影響を低減することが要望されていた。近年、一眼レフカメラについても急速にデジタル化が進み、大型固体撮像素子のニーズが高まると予想されるが、チップサイズに比例して、製造の歩留りが低下することが一般に知られている。従って、欠陥画素数を少なくすることで製造の歩留まりの低下を防ぐためにも、ダイボンディング工程におけるパーティクル対策は重要である。
【００１４】
本発明の目的は、ダイボンディング工程において、実装基板と半導体チップとの位置精度が高いという角錐コレットの利点を損なうことなく、パーティクルの影響を低減する技術を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明のコレットは、開口した両端の一方を介して真空源に接続される吸引孔と、吸引孔の他方の開口に連接して形成され、真空源の吸引作用によって半導体チップを吸着する吸着用開口部とを有する。
本発明のコレットの一形態は、「真空源による吸着時に、吸着用開口部の内面が、半導体チップの素子形成面と裏面とを繋ぐ側面における、素子形成面よりも裏面側に当接する」ことを特徴とする。この形態のコレットは、角錐コレットとして構成し、以下の第１、第２の構成を加えると好ましい。第１に、吸着用開口部は、その開口の縁側が折曲されている。第２に、その折曲箇所から、吸着用開口部の縁までの部分は、半導体チップの側面に沿った枠状に形成されている。より好ましくは、上記第１、第２の構成に加え、以下の第３、第４の構成を加えるとよい。第３に、吸着用開口部の内側には、半導体チップを吸着するときに素子形成面の中央部に対向する対向壁が形成されている。第４に、吸着用開口部の縁部分と、対向壁との間は、その少なくとも一部が空間として吸引孔に繋がっている。さらに好ましくは、上記第１〜第４の構成に加え、以下の第５〜第７の構成を加えるとよい。第５に、真空源による吸引方向に直交する面方向において、対向壁は、素子形成面における素子形成領域よりも、面積が大きい。第６に、対向壁上には、半導体チップが吸着される側に突出した、枠状の突起が形成されている。第７に、突起は、半導体チップの吸着時に、素子形成面における素子形成領域以外の領域に対向または接触する位置に形成されている。
【００１６】
本発明のコレットの別の形態は、角錐コレットであって、以下の２点を主な特徴とする。第１に、吸着用開口部の内側には、半導体チップを吸着するときに半導体チップの素子形成面の中央部に対向する対向壁が形成されている。第２に、吸着用開口部の縁部分と、対向壁との間は、その少なくとも一部が空間として吸引孔に繋がっている。
本発明のダイボンディング装置は、半導体チップが載置されるステージと、半導体チップに当接されるコレットを含むダイボンドヘッドと、ダイボンドヘッドの動作を制御することで半導体チップをコレットに吸着させる制御部とを有する。本発明のダイボンディング装置は、そのコレットが、上述した本発明のコレットまたは角錐コレットであることを特徴とする。
【００１７】
本発明のダイボンディング方法は、コレットの吸引孔の一方の開口に接続された真空源の吸引作用により、吸引孔の他方の開口に連接して形成された吸着用開口部に半導体チップを吸着させるものである。本発明のダイボンディング方法は、半導体チップの素子形成面と裏面とを繋ぐ側面における、素子形成面よりも裏面側に、吸着用開口部の内面を当接させることを特徴とする。このダイボンディング方法では、ステップカットにより側面が階段状に形成された半導体チップを、コレットにより吸着してもよい。また、好ましくは、側面において素子形成面から離れた位置にベベルカットによる斜面が形成された半導体チップを、吸着用開口部の内面が前記斜面に面接触するように吸着するとよい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明では、例えばダイシング工程で多段カットを行って半導体チップの側面を階段状に形成することで、ダイボンディング工程で半導体チップを吸着する時に、半導体チップの側面における、素子形成面よりも裏面側にコレットを当接させる。このため、パーティクルの発生箇所となる、コレットと半導体チップとの接触部分が素子形成面から離れるので、パーティクルの影響を低減できる。また、この方法は角錐コレットを用いても可能なので、実装基板と半導体チップとの位置精度が高いという角錐コレットの利点も活かすことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、各図において同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
＜第１の実施形態＞
図１は、本発明の第１の実施形態におけるダイボンディング装置の概略構成を示すブロック図である。図に示すように、ダイボンディング装置２０は、制御部２４と、画像処理装置２６と、マガジンＩＮ３０と、コンベア３２と、スポッティング部３４と、ダイボンドステージ３６と、ウェハステージ４０と、ダイボンドヘッド４４と、位置決めステージ４６と、マガジンＯＵＴ４８と、真空源５２と、加圧源５４とを有する。
【００２０】
画像処理装置２６は、ダイボンドヘッド４４により半導体チップをピックアップして実装基板の所定位置に貼り付ける一連の動作を映像化し、制御部２４に伝達する。制御部２４は、伝達される映像等に基づいてダイボンドヘッド４４の動作を制御し、半導体チップと実装基板との位置合わせを高精度に行う。また、制御部２４は、ダイボンドヘッド４４の動作や、マガジンＩＮ３０からマガジンＯＵＴ４８までの実装基板の移動、半導体チップを吸着する際の真空源５２と加圧源５４の切り替えなどを制御する。
【００２１】
図２は、ウェハステージ４０の斜視図である。この例では、ダイボンディング装置２０は複数のウェハステージ４０を有し、各ウェハステージ４０上には、個々の半導体チップ６０ｓに分割されたウェハ５８が固定される。各半導体チップ６０ｓは、コレット支持軸（図示せず）を介してダイボンドヘッド４４に固定された角錐コレット６４により、吸着される。角錐コレット６４は、吸引孔６５の部分のみ刳り貫かれた平板部６６の一方の面には円筒状の構造が一体形成され、平板部６６の他方の面には四角い枠状の把持部６７が一体形成された構造である。ここでいう「円筒状の構造」とは、吸引孔６５の外壁である。また、平板部６６と把持部６７とを合わせた部分は、吸着時において半導体チップ６０ｓ側に開口した構造となっており、本発明で言う「吸着用開口部」に対応する（詳細構造は図３参照）。ダイボンディング装置２０の機能は、角錐コレット６４の把持部６７の長さ（詳細は後述）を除き、従来と同様である。
【００２２】
図３は、半導体チップ６０ｓの吸着時の角錐コレット６４の断面模式図であり、半導体チップ６０ｓは、２段階のステップカットにより側面が階段状に形成されたものである。このように、半導体チップ６０ｓの側面が階段状に切削されていることが本実施形態の特徴の１つである。ここで、図３に太線で示すように、半導体チップ６０ｓにおいて、素子形成面及び裏面以外の面を「側面」と定義する。半導体チップ６０ｓの側面は、半導体チップ６０ｓの厚さ方向に平行且つ素子形成面に隣接する側面Ｐａと、前記厚さ方向に平行且つ裏面に隣接する側面Ｐｃと、素子形成面に平行且つ側面Ｐａ、Ｐｃに隣接する側面Ｐｂとからなる。図に示すように、前記厚さ方向の側面Ｐａの幅を切込深さＷ３と定義し、側面Ｐｂの幅（側面Ｐａ−Ｐｃの間隔）を棚幅Ｗ４と定義する。
【００２３】
本実施形態の特徴の１つは、側面Ｐｂと側面Ｐｃとの境界に角錐コレット６４の先端を線接触させ、半導体チップ６０ｓを吸着することである。このため、接触箇所でパーティクルが発生して吸引孔６５側に真空吸引されても、側面Ｐａが障壁となるので、パーティクルは素子形成面には達しない。切込深さＷ３が長いほど、角錐コレット６４と半導体チップ６０ｓとの接触部で生じるパーティクルが吸引時の気流によって素子形成面に流れることが防止される。
【００２４】
従って、確実にその効果を得るためには、半導体チップ６０ｓ（例えばシリコン基板）が欠けて生じるパーティクルのサイズを考慮して、切込深さＷ３が１０μｍ以上であることが望ましい。但し、約３０μｍよりも長くしても効果の増大はそれ程見込まれないと考えられ、切込深さＷ３が長い分だけ、角錐コレット６４の把持部の長さを長くする必要がある。従って、切込深さＷ３は約３０μｍが望ましく、本実施形態では３０μｍにする。
【００２５】
棚幅Ｗ４は、１０μｍ以上が望ましい。これは、側面Ｐａ−Ｐｃの間隔があまり小さいと、側面Ｐｂと側面Ｐｃとの境界部に角錐コレット６４の先端を当接することが困難になるからである。図３のような階段状の側面形状は、刃幅の太いダイシングブレードでウェハ５８上のスクライブラインに沿ってウェハ５８の表面側のみを切削後、刃幅の細いダイシングブレードでウェハ５８の裏面まで切断することで形成できる。
【００２６】
ここで、棚幅Ｗ４を広くするために、より刃幅の太いダイシングブレードを用いることは、ウェハ５８上のスクライブラインを広くすることになり、結果として素子として使われない領域を増大させる。通常、スクライブラインの幅はなるべく狭く設計するので、棚幅Ｗ４は、広すぎても好ましくなく、約１０μｍ〜３０μｍが望ましい。この値は、ダイシングブレードの刃幅が太いもので例えば約１００μｍ前後であり、細いもので例えば約５０μｍ前後であることも考慮したものである。
【００２７】
なお、図中の間隔Ｗ５は、吸引の際に、半導体チップ６０ｓがあおりを受けずに角錐コレット６４に当接したときの、半導体チップ６０ｓの素子形成面と角錐コレット６４との間隔である。ここでの「あおりを受ける」とは、吸引の際、半導体チップ６０ｓの厚さ方向が吸引孔の中心軸方向に一致せず、半導体チップ６０ｓが斜めになることである。そのような場合にも、把持部６７の先端以外に半導体チップ６０ｓが当たらないようにするため、また、吸引力を確保するため、間隔Ｗ５は、３００μｍ以上であることが望ましく、１ｍｍあれば十分である。１ｍｍ以上に幅Ｗ５を広げても、角錐コレット６４自体が大型化してしまう。
【００２８】
角錐コレット６４は、平板部６６に対して枠状の把持部６７（図の点線内の部分）全体が半導体チップ６０ｓ側に垂直に折曲した構造である。把持部６７の先端面の中央に、半導体チップ６０ｓの側面Ｐｃ−Ｐｂ間境界を接触させるため、把持部６７は、側面Ｐｃに沿った形状であり、把持部６７の内縁のサイズは、側面Ｐｃの外周より小さく、把持部６７の外縁のサイズは、側面Ｐｃの外周より大きい。
【００２９】
即ち、角錐コレット６４は、半導体チップ６０ｓの素子形成面よりも１段裏面側に把持部６７を当接して半導体チップ６０ｓを把持するため、素子形成面に把持部を当接することを前提とした従来構造よりも、把持部６７の長さＬが長い。なお、角錐コレット６４は、本実施形態では一例としてＳＵＳ（Stainless Used Steel）等の剛性が高い金属で形成する。剛性が高い方が、角錐コレット６４自体が欠けてパーティクルが生じるおそれがなく、また、ダイボンディングの際の位置合わせの精度が高いからである。
【００３０】
図４は、上述の半導体チップ６０ｓとは側面形状が異なる半導体チップ６０ｂを吸着する際の角錐コレット６４の断面模式図である。半導体チップ６０ｂの側面において、素子形成面から離れた部分には、ベベルカットによる斜面が形成されている。具体的には、半導体チップ６０ｂの側面は、半導体チップ６０ｂの厚さ方向に平行且つ素子形成面に隣接する側面Ｐａ’と、前記厚さ方向に平行且つ裏面に隣接する側面Ｐｃ’と、側面Ｐａ’、Ｐｃ’に隣接する側面Ｐｂ’とからなる。図３の半導体チップ６０ｓの場合とは異なり、側面Ｐｂ’は、素子形成面に対し傾いている。図４の半導体チップ６０ｂの場合も、半導体チップ６０ｂの厚さ方向における側面Ｐａ’の幅を切込深さＷ３と定義し、側面Ｐｂ’の幅（側面Ｐａ’−Ｐｃ’の間隔）を棚幅Ｗ４と定義する。切込深さＷ３、棚幅Ｗ４、間隔Ｗ５は、図３の半導体チップ６０ｓの場合と同様でよい。
【００３１】
ここで、把持部６７は、その延在方向が吸引孔６５の中心軸方向（あおりがない場合の半導体チップ６０ｂの厚さ方向）に沿っており、その先端の横断面は三角状である。この把持部６７の先端の横断面の角度θ１は、半導体チップ６０ｂの厚さ方向に対する側面Ｐｂの傾き角度θ２と同じにすることが望ましい。これは、吸着の際、把持部６７の先端面と側面Ｐｂとを確実に面接触にするためである。θ２は、４０°〜５０°が望ましく、本実施形態では４５°にする。θ２が小さすぎると、側面Ｐａ’、Ｐｂ’、Ｐｃ’が同一平面に近くなって吸着しづらくなり、θ２が大きすぎると図３の半導体チップ６０ｓの場合に近くなり、把持部６７の先端面と側面Ｐｂ’とを面接触にしづらいからである。
【００３２】
図５は、第１の実施形態におけるダイシング方法を示す模式的工程断面図であり、（ａ）、（ｂ）は図３に示した半導体チップ６０ｓに対するダイシング工程を示し、（ｃ）〜（ｅ）は図４に示した半導体チップ６０ｂに対するダイシング工程を示す。以下、図１〜図５を用いながら、第１の実施形態における半導体チップ６０ｓ、６０ｂの実装工程を説明する。
【００３３】
まず、半導体プロセス、及びウェハ状態での検査工程が終了したウェハ５８を、ダイシングテープ６８上に貼り付け、ウェハ５８の素子形成面側を上にして、ダイシング装置のダイシングステージ（図示せず）上に吸引等の方法により固定する。そして、ダイシングブレードと呼ばれる薄い円盤状の切断刃をウェハ５８の素子形成面のスクライブライン上で高速で回転させ、個々の半導体チップ６０ｓに分断する。
【００３４】
具体的には、図３に示した半導体チップ６０ｓの場合（ステップカットの場合）、刃幅が太め（例えば約１００μｍ）であって刃先が平坦に加工されたダイシングブレードにより、ウェハ５８上のスクライブラインに沿って、ウェハ５８の表面（素子形成面）のみを凹状に切削する。このとき、切込深さが約３０μｍになるようにする。図５（ａ）は、この状態を示す。次に、刃幅が細め（例えば約５０μｍ）のダイシングブレードにより、先に切削したラインの中央に沿って、ウェハ５８の裏面まで切断する。これにより、ウェハ５８は、ダイシングテープ６８上で個々の半導体チップ６０ｓに分断される。図５（ｂ）は、この状態を示す。
【００３５】
一方、図４に示した半導体チップ６０ｂの場合（ベベルカットを含む場合）、図５（ｃ）に示す刃幅が太め（例えば約１００μｍ）のベベルカット用のダイシングブレード７０と、刃幅が細め（例えば約５０μｍ）のダイシングブレードとを用いる。具体的にはまず、ベベルカット用のダイシングブレード７０により、ウェハ５８上のスクライブラインに沿って、ウェハ５８の表面のみを切削する。このとき、切削部分は、ウェハ５８の厚さ方向に平行な面（ウェハ５８表面側）と、ウェハ５８の厚さ方向に対し斜めの面（ウェハ５８の内部側）とからなる。そして、ウェハ５８の厚さ方向に沿った面の幅（切込深さＷ３）が約３０μｍになるように切削する。図５（ｄ）は、この状態を示す。次に、刃幅が細め（例えば約５０μｍ）のダイシングブレードにより、先に切削したラインの中央に沿って、ウェハ５８の裏面まで切断する。図５（ｅ）は、この状態を示す。
【００３６】
なお、ステップカットの場合も、ベベルカットの場合も、１段目には刃幅が太い方のダイシングブレードが配置され、２段目には刃幅が細い方のダイシングブレードが配置されたデュアルダイサーを用いれば、工程時間を短縮できる。また、切断時には、切断により生じる摩擦熱を抑制し、且つ、切断屑を洗い流すため、切断部及びダイシングブレードに純水を噴きつける。
【００３７】
次に、上記ダイシング工程の後、必要であればエキスパンドしてから、（ダイシングテープ６８上に貼り付いた状態の）ウェハ５８をダイボンディング工程に送る。ダイボンディング工程では、実装基板（パッケージ基板やＣＯＢ基板等、図示せず）を図１のマガジンＩＮ３０に搭載し、コンベア３２によってスポッティング部３４に送る。スポッティング部３４では、実装基板の所定部位に接着剤を塗布する。接着剤が塗布された実装基板は、ダイボンドステージ３６に送られる。
【００３８】
そして、ウェハ５８を（ダイシングテープ６８上に各チップが貼り付いた状態で、必要であればエキスパンドしてから）、ウェハステージ４０上に固定する（図２参照）。そして、ダイボンドヘッド４４を介して角錐コレット６４の吸引孔６５に繋がった真空源５２の吸引力により、検査工程で合格した半導体チップ６０ｓ（６０ｂ）を、１つずつ、角錐コレット６４により吸着する。このとき、半導体チップ６０ｓの場合は図３に示すように側面Ｐｂと側面Ｐｃとの境界に角錐コレット６４の先端を線接触させ、半導体チップ６０ｂの場合は図４に示すように側面Ｐｂ’に角錐コレット６４の先端を面接触させる。次に、把持された半導体チップ６０ｓ（６０ｂ）を、位置決めステージ４６上に載置することで正しい位置に合わせてから、ダイボンドヘッド４４により再度吸着し、ダイボンドステージ３６上に移動する。
【００３９】
次に、半導体チップ６０ｓ（６０ｂ）を把持した角錐コレット６４を、ダイボンドヘッド４４によって所定位置に移動し、既に接着剤が塗布された実装基板上に半導体チップ６０ｓ（６０ｂ）を押し当てて、これを脱離させる。これにより、実装基板上の所定位置に半導体チップ６０ｓ（６０ｂ）が接着される。ダイボンディングが終了した実装基板は、コンベア３２を介してマガジンＯＵＴ４８に移動される。以上のダイボンディング工程の後、ワイヤーボンダにより、半導体チップ６０ｓ（６０ｂ）のパッドを実装基板の外部端子に結線後、封止用ガラス等によりチップを封止する。以上が実装工程の説明である。
【００４０】
このように第１の実施形態では、ダイシング工程で２段カットを行い、半導体チップ６０ｓ（６０ｂ）の側面を階段状に形成する。これにより、半導体チップ６０ｓの場合（ステップカットの場合）は図３に示すように、１段目のカットで切り込んだ最深部、即ち、１段目と２段目との段差部分である側面Ｐｂと側面Ｐｃとの境界に角錐コレット６４の先端を線接触させ、半導体チップ６０ｓを吸着する。従って、パーティクルの発生箇所となる半導体チップ６０ｓと角錐コレット６４との接触部は、半導体チップ６０ｓの素子形成面から離れた位置になる。このため、パーティクルが発生して、吸引孔６５側に真空吸引されても、切込深さＷ３の幅を有する側面Ｐａにより遮られ、半導体チップ６０ｓの素子形成面には達しない。従って、ダイボンディング工程において、実装基板と半導体チップとの位置精度が高いという角錐コレットの利点を損なうことなく、パーティクルの影響を低減できる。
【００４１】
半導体チップ６０ｂの場合（ベベルカットの場合）も同様に、切込深さＷ３の幅を有する側面Ｐａ’によりパーティクルが半導体チップ６０ｂの素子形成面には達することは防止される。この場合、図４に示したように、半導体チップ６０ｂと角錐コレット６４の先端とは側面Ｐｂ’上において面接触となるので、パーティクルの発生量が少なく、パーティクルの影響はさらに低減される。以上のように、角錐コレット６４の把持部６７の長さＬを切込深さＷ３の分だけ従来よりも長くしたことを除き、従来のダイボンディング装置の構成を殆ど変更せずに、ダイボンディング工程でのパーティクルの影響を低減できる。
【００４２】
＜第２の実施形態＞
第２の実施形態のダイボンディング装置は、角錐コレットの構造の違いを除き、第１の実施形態と同様である。また、ダイシング工程やダイボンディング工程の手順も第１の実施形態と同様なので、角錐コレットの構造について説明する。図６は、本実施形態の角錐コレット８０の構造を示し、（ａ）は吸引方向に見た平面模式図であり、（ｂ）は（ａ）のＸ１−Ｘ２間の断面模式図であり、（ｃ）は（ａ）のＸ３−Ｘ４間の断面模式図である。なお、図６（ｂ）、（ｃ）の断面模式図は、前述の半導体チップ６０ｓを吸着しているときの断面である。また、本実施形態においても、半導体チップ６０ｓの側面Ｐｂと側面Ｐｃとの境界に角錐コレット８０の先端を線接触させ、半導体チップ６０ｓを吸着する。
【００４３】
図６（ｂ）に示すように、角錐コレット８０は、吸引孔８２の外壁８４が平板部８６の一方の面に一体形成され、把持部８８が平板部８６の他方の面に一体形成された構造である。吸引孔８２の外壁８４は、断面が四角いが、円筒状でもよい。そして、平板部８６と把持部８８とで覆われる開口内には、平板部８６と間隔Ｗ６を空けて対向壁９０が形成されている。対向壁９０と平板部８６との間隔Ｗ６は、吸引力を確保するため、１ｍｍ以上が望ましく、本実施形態では１ｍｍである。間隔Ｗ６は、広すぎても角錐コレット８０が大型化するので好ましくなく、１ｍｍあれば十分と考えられる。
【００４４】
また、対向壁９０は、角錐コレット８０が半導体チップ６０ｓを吸着するときに、半導体チップ６０ｓとの間隔Ｗ７が約１ｍｍとなる位置に形成されている。間隔Ｗ７は、前述の間隔Ｗ５と同様の理由で、約３００μｍ〜１ｍｍが望ましい。半導体チップ６０ｓの吸着時において、吸引孔８２の中心軸に直交する面方向に見れば、対向壁９０の面積は、半導体チップ６０ｓの素子形成領域９２の面積より広い。素子形成領域９２は、画素やトランジスタなどが形成された活性領域であり、パッドなどの端子は含まない。対向壁９０と把持部８８との間隔Ｗ８は、吸引力を確保するため、１ｍｍ以上が望ましく、本実施形態では１ｍｍである。なお、間隔Ｗ８が広すぎると、対向壁９０を素子形成領域９２全体に対向させる広さにできないので、望ましくない。
【００４５】
図６（ａ）に示す４箇所の連結部９４は、図６（ｃ）と比較すれば分かるように、対向壁９０と把持部８８とが繋がっている部分である。これら連結部９４を除いて、対向壁９０は把持部８８及び平板部８６から離れている。このため、対向壁９０と把持部８８との間の領域のみ、即ち、半導体チップ６０ｓの側面Ｐａに沿った領域の上方のみが、空間である吸い込み口（図６（ａ）において点で塗り潰した領域）として吸引孔８２に繋がっている。このため、吸着時の気流の方向は、図６（ｂ）に矢印で示すように、半導体チップ６０ｓの素子形成領域９２の上部を通らない。従って、角錐コレット８０と半導体チップ６０ｓとの接触部で生じるパーティクルは、第１の実施形態の構造よりも素子形成面に到達しにくい。さらに、万が一素子形成面側にパーティクルが流れ込んでも、対向壁９０と把持部８８との間の吸い込み口から真空吸引され、素子形成領域９２上には付着しない。従って、製造工程の歩留りを向上できる。
【００４６】
図７は、（前述のベベルカットされた）半導体チップ６０ｂを吸着しているときの角錐コレット８０の断面模式図であり、図６（ａ）のＸ１−Ｘ２間断面に対応する。この場合も、半導体チップ６０ｂの側面Ｐｂ’に角錐コレット８０の先端を面接触させ、半導体チップ６０ｂを吸着するので、半導体チップ６０ｓの場合（ステップカットの場合）よりもパーティクルの発生量が少なくなる。従って、素子形成領域９２上にパーティクルが流れ込むおそれはさらに小さくなる。
【００４７】
この効果のみを考えればベベルカットの方がステップカットよりも優れているが、工程管理が容易という点ではステップカットの方が優れている。これは、ベベルカットを行うためには通常は専用の高価なダイシングブレードを使用するが、ダイシングブレードは使用により磨耗し、磨耗の程度が大きくなれば、図４に示したような所定の傾き角θ２の側面Ｐｂ’を形成できなくなるからである。
【００４８】
＜第３の実施形態＞
第３の実施形態は、ダイボンディング装置の角錐コレットの対向壁上に突起を形成することを除いて第２の実施形態と同様なので、重複する説明を省略し、角錐コレットの構造について説明する。図８は、第３の実施形態の角錐コレット１００の構造を示し、（ａ）は吸引方向に見た平面模式図であり、（ｂ）は（ａ）のＸ５−Ｘ６間の断面模式図であり、（ｃ）は（ａ）のＸ７−Ｘ８間の断面模式図である。なお、図８（ｂ）、（ｃ）の断面模式図は、半導体チップ６０ｓを吸着しているときの断面である。また、本実施形態においても、半導体チップ６０ｓの側面Ｐｂと側面Ｐｃとの境界に角錐コレット８０の先端を線接触させ、半導体チップ６０ｓを吸着する。
【００４９】
図８（ｂ）に示すように、対向壁９０上には、半導体チップ６０ｓを吸着するときに素子形成領域９２と所定の間隔Ｗ９があく位置に、突起１０４が形成されている。本実施形態では、半導体チップ６０ｓが吸着されるとき、突起１０４は半導体チップ６０ｓの素子形成面に面接触する。従って、突起１０４の高さは、第２の実施形態において半導体チップ６０ｓを吸着するときの対向壁９０と半導体チップ６０ｓとの間隔Ｗ７に等しい。
【００５０】
図８（ａ）に右下がりの斜線領域で示すように、突起１０４は、平面的に見れば四角い枠状に形成されている。これは、突起１０４と素子形成領域９２との間隔Ｗ９が一定になるように、素子形成領域９２の外縁に沿う形状にするものである。突起１０４と素子形成領域９２との間隔Ｗ９は、１００μｍ以上が望ましく、本実施形態では１００μｍにする。これは、半導体チップ６０ｓを吸着する際に、半導体チップ６０ｓがあおりを受けても、素子形成領域９２に突起１０４が当たらないことを確実にするためである。なお、間隔Ｗ９を広くとりすぎると、吸い込み口となる対向壁９０と把持部８８との間隔Ｗ８が狭くなるので、十分な吸引力を確保できない。
【００５１】
突起１０４の先端は半導体チップ６０ｓに面接触するように平坦に加工されており、その先端面の幅を図８（ｂ）に示すようにＷ１０とする。幅Ｗ１０は、約１ｍｍ以上が望ましく、本実施形態では１ｍｍにする。１ｍｍ以下の幅だと、加工精度の点から平坦にすることが難しくなると考えられるからである。また、幅Ｗ１０を広くとりすぎると、上述と同様に間隔Ｗ８が狭くなって十分な吸引力を確保できない。
【００５２】
本実施形態では、半導体チップ６０ｓが吸着されるとき、突起１０４は半導体チップ６０ｓの素子形成面に面接触するので、突起１０４は柔らかい素材で形成した方がよい。その場合、角錐コレット１００における突起１０４以外の部分は、ＳＵＳ等の剛性が高い素材で形成し、突起１０４は、ゴム、ＰＦＡ（パー・フルオロ・アルコキシ樹脂）、ＰＥＥＫ材（ポリ・エーテル・エーテル・ケトン）等の弾力性を有する素材で形成すればよい。或いは、突起１０４も含めて角錐コレット１００全体をＰＦＡやＰＥＥＫ材で形成してもよい。反対に、ダイボンディングの際の位置精度を最優先する場合、突起１０４は、角錐コレット１００の他の部分と共に例えばＳＵＳ（Stainless Used Steel）等の剛性が高い素材で一体形成すればよい。
【００５３】
第３の実施形態では、半導体チップ６０ｓを吸着するとき、素子形成領域９２は、突起１０４と対向壁９０とにより密閉される。従って、把持部８８と半導体チップ６０ｓとの接触部で生じるパーティクルが素子形成領域９２に流れ込む経路を完全に遮断するため、ダイボンディング工程での素子形成領域９２へのパーティクル付着の危険をほぼ０％にできる。この結果、封止用ガラス等により半導体チップ６０ｓを封止する直前における、素子の洗浄工程の負荷を低減できる。或いは、封止直前の洗浄工程の廃止による工程短縮も可能である。
【００５４】
今後、固体撮像素子の受光面積拡大、高画素化、画素縮小化が進み、実装時に許容されるパーティクルの規格がさらに厳しくなっても、本実施形態の手法を用いれば、十分に対応可能である。また、角錐コレット１００に半導体チップ６０ｓが吸着される際に、突起１０４により半導体チップ６０ｓのあおりが抑制されるという効果もある。即ち、ダイボンディングの際の半導体チップ６０ｓと実装基板との位置合わせの精度はさらに向上する。
【００５５】
図９は、ベベルカットされた半導体チップ６０ｂ’を吸着しているときの角錐コレット１００の断面模式図であり、図８（ａ）のＸ５−Ｘ６間断面に対応する。半導体チップ６０ｂ’の側面は、図４に示した半導体チップ６０ｂの側面と同様に、側面Ｐａ”、Ｐｂ”、Ｐｃ”からなり、側面Ｐｂ”が斜面であり、側面Ｐａ”、Ｐｃ”が半導体チップ６０ｂ’の厚さ方向に平行である。
【００５６】
半導体チップ６０ｂ’の場合、図８に示した半導体チップ６０ｓと切込深さＷ３’（側面Ｐａ”の幅）を同じにすると、吸着時の素子形成面の位置が、半導体チップ６０ｓの場合よりも、吸引方向に沿って対向壁９０側にずれる。理由を説明すると、半導体チップ６０ｓも、半導体チップ６０ｂ’も、把持部８８の先端面の中央が側面Ｐｃ−Ｐｂ間境界（または側面Ｐｃ”−Ｐｂ”間境界）に接触する点で共通である。半導体チップ６０ｓの場合、側面Ｐａ−Ｐｂ間境界の位置と、側面Ｐｃ−Ｐｂ境界の位置とは、吸引方向に見れば同じ高さになるが、半導体チップ６０ｂ’の場合、側面Ｐｂ”が斜めになっている分、側面Ｐａ”−Ｐｂ”間境界の位置が、側面Ｐｃ”−Ｐｂ”間境界の位置よりも、対向壁９０側にずれるからである。
【００５７】
従って、半導体チップ６０ｂ’では、切込深さＷ３’を半導体チップ６０ｓよりも若干浅くし、吸着時に素子形成面が突起１０４の先端面にちょうど接触する位置になるようにする。この形態においても、半導体チップ６０ｂ’の側面Ｐｂ”に角錐コレット１００の先端を面接触させ、半導体チップ６０ｂ’を吸着するので、半導体チップ６０ｓの場合（ステップカットの場合）よりもパーティクルの発生量が少なくなる。従って、素子形成領域９２上にパーティクルが流れ込むおそれはさらに小さくなる。
【００５８】
なお、第３の実施形態では、対向壁９０の外縁よりもやや内側に沿って突起１０４を形成しているが、対向壁９０の外縁に沿って突起１０４を形成してもよい。また、第３の実施形態では、図８（ａ）に示すように半導体チップ６０ｓの素子形成領域９２を完全に包囲する枠状に突起１０４を形成する。パーティクルの影響を低減する効果の点ではその方が望ましい。しかし、突起１０４の一部に隙間を設けるとしても、本実施形態よりは劣るが十分な効果が得られ、本発明の範囲内である。
【００５９】
また、半導体チップ６０ｓが吸着されるときに、突起１０４が半導体チップ６０ｓに面接触するように形成するが、両者の接触による発塵の可能性が全くないとは言い切れない。従って、半導体チップ６０ｓが吸着されるときに、突起１０４と半導体チップ６０ｓとの間隔があくように、突起１０４の高さを図８の場合よりも若干短くしてもよい。その場合にも、突起１０４が物理的な障壁となって、素子形成領域９２上にパーティクルが流れ込むことを抑制するので、十分な効果が得られる。
【００６０】
＜第４の実施形態＞
第４の実施形態は、半導体チップの側面を階段状に形成しない点で第１〜第３の実施形態とは異なるが、第３の実施形態と同様のダイボンディング装置を用いる。図１０は、第４の実施形態において、通常のシングルカットによりダイシングされた半導体チップ６０ｎを吸着しているときの角錐コレット１２０の断面模式図であり、第３の実施形態の図８（ａ）のＸ５−Ｘ６間の断面に相応する。
【００６１】
角錐コレット１２０は、把持部１２８の形状のみが第３の実施形態の角錐コレット１００とは異なる。即ち、吸着時において、半導体チップ６０ｎの側面と素子形成面との境界が、把持部１２８に線接触する形状に把持部１２８は形成されている。また、吸着時において、突起１０４の先端面は、半導体チップ６０ｎの素子形成面における、素子形成領域９２から間隔Ｗ９だけ離れた位置で面接触する。
【００６２】
この形態は、発塵箇所となる半導体チップ６０ｎと角錐コレット１２０との接触部が素子形成面から離れない点で第３の実施形態よりは劣るものの、素子形成領域９２が突起１０４や対向壁９０に覆われているので、前述した本発明の効果は十分に得られる。また、多段カットを行う必要がなく、従来と同様のダイシング工程を適用できるという利点がある。
【００６３】
図１１は、ベベルカットされた半導体チップ６０ｍを吸着しているときの角錐コレット１２０の断面模式図である。この場合のベベルカットは、半導体チップ６０ｍの素子形成面に隣接して斜面を形成するものであり、半導体チップ６０ｍの側面は、この斜面と、半導体チップ６０の厚さ方向に沿った面の２面からなる。この形態では、半導体チップ６０ｍの斜面に把持部１２８を面接触させ、半導体チップ６０ｍを吸着するので、図１０のステップカットの場合よりもパーティクルの発生量が少なくなる。この形態も、第３の実施形態よりは劣るものの、素子形成領域９２が突起１０４や対向壁９０に覆われているので、本発明の効果は十分に得られる。
【００６４】
なお、図１０、図１１のどちらの形態においても、突起１０４の高さを低くして、突起１０４と半導体チップ６０ｎ、６０ｍの素子形成面とが、吸着時に対向する（接触しない）ようにしてもよい。また、図１０、図１１のどちらの形態においても、突起１０４を形成しなくてもよい。その場合、本実施形態よりは効果が劣るものの、対向壁９０によって、吸引孔８２に繋がった吸い込み口が半導体チップ６０ｎ、６０ｍの外縁側のみに形成された構造となっているので、従来よりはパーティクルの影響が低減される。
【００６５】
＜本発明の補足事項＞
なお、第１の実施形態では、ステップカット及びベベルカットの際に、刃幅が太い方のダイシングブレードによりウェハ５８の表面側のみを切削した後、刃幅が細い方のダイシングブレードによりウェハ５８の裏面まで切削する例を述べた。本発明はかかる実施形態に限定されるものではなく、刃幅が細い方で裏面まで切断してから、刃幅が太い方で表面のみを切削してもよい。
【００６６】
第１〜第３の実施形態では、ステップカットされた半導体チップ６０ｓに対し角錐コレット６４、８０、１００を用いる例を述べたが、本発明はかかる実施形態に限定されるものではない。側面Ｐｂの幅（棚幅Ｗ４）を充分広く確保でき、ダイボンディングの際の半導体チップ６０ｓと実装基板との位置精度が緩くても許される場合には、平コレットを使用し、平コレットの先端を側面Ｐｂに面接触させて半導体チップ６０ｓを吸着してもよい。特にゴム製の平コレットを用いれば、パーティクルの発生量が少なくなり、半導体チップ６０ｓの素子形成面への付着がさらに低減される。
【００６７】
第１〜第４の実施形態では、吸引孔（６５、８２）の外壁が平板部（６６、８６）に対して突出している構造の角錐コレット（６４、８０、１００、１２０）を説明したが、吸引孔の外壁が平板部に対し突出していない構造でも、本発明の技術思想の範囲内である。図１２（ａ）は、そのような構造の角錐コレット１４０の断面模式図であり、第１の実施形態の角錐コレット６４において吸引孔の外壁部分を突出させない構造に対応する。
【００６８】
上記の角錐コレット１４０の場合、例えば、略円筒状の接続部材１５０を別途用意し、接続部材１５０の一端側をねじ１５２により角錐コレット１４０の平板部１４２に固定にし、接続部材１５０の他端側をダイボンドヘッド４４のヘッド部分に差し込むようにすれば、第１〜第４の実施形態と同様に半導体チップの吸着が可能である。図１２（ｂ）は、角錐コレット１４０に接続部材１５０がねじ止め固定された状態での、半導体チップ６０ｓの吸着時の断面模式図である。この例では、接続部材１５０は、円筒状の構造の一端側に、ねじ穴を含むリング状の構造が連接して形成された構造であり、角錐コレット１４０の平板部１４２にも、ねじ穴が形成されている。
【００６９】
また、第１〜第４の実施形態では、吸引孔（６５、８２）が１つのみある角錐コレット（６４、８０、１００、１２０）について説明したが、平板部に対し吸引孔を複数設ける構造でも、本発明は実施可能である。
【産業上の利用可能性】
【００７０】
以上詳述したように本発明は、ダイボンディング工程において大いに利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】本発明の第１の実施形態におけるダイボンディング装置の概略構成図である。
【図２】図１のダイボンディング装置におけるウェハステージの斜視図である。
【図３】角錐コレットと半導体チップの断面模式図であり、２段階のステップカットにより側面が階段状に形成された半導体チップの場合を示す。
【図４】角錐コレットと半導体チップの断面模式図であり、側面における、素子形成面から離れた位置にベベルカットにより斜面が形成された半導体チップの場合を示す。
【図５】第１の実施形態におけるダイシング方法を示す模式的工程断面図である。
【図６】第２の実施形態における角錐コレットの構造を示し、（ａ）は平面模式図であり、（ｂ）は（ａ）のＸ１−Ｘ２間の断面模式図であり、（ｃ）は（ａ）のＸ３−Ｘ４間の断面模式図である。
【図７】第２の実施形態において、ベベルカットされた半導体チップを吸着しているときの角錐コレットの断面模式図であり、図６（ａ）のＸ１−Ｘ２間に対応する。
【図８】第３の実施形態の角錐コレットの構造を示し、（ａ）は平面模式図であり、（ｂ）は（ａ）のＸ５−Ｘ６間の断面模式図であり、（ｃ）は（ａ）のＸ７−Ｘ８間の断面模式図である。
【図９】第３の実施形態において、ベベルカットされた半導体チップを吸着しているときの角錐コレットの断面模式図であり、図８（ａ）のＸ５−Ｘ６間に対応する。
【図１０】第４の実施形態において、通常のシングルカットによりダイシングされた半導体チップを吸着しているときの角錐コレットの断面模式図である。
【図１１】第４の実施形態において、ベベルカットされた半導体チップを吸着しているときの角錐コレットの断面模式図である。
【図１２】第１〜第４の実施形態の角錐コレットの変形例であって、吸引孔の外壁が突出していない構造の断面模式図である。
【図１３】従来のダイボンディング工程において角錐コレットにより半導体チップがピックアップされる様子を示す断面模式図である。
【符号の説明】
【００７２】
１０  角錐コレット，１２  半導体チップ，２０  ダイボンディング装置，
２４  制御部，３６  ダイボンドステージ，４０  ウェハステージ，
４４  ダイボンドヘッド，位置決めステージ４６，５２  真空源，５４  加圧源，
６０ｂ  半導体チップ，６０ｓ  半導体チップ，６４  角錐コレット，６５  吸引孔，
６７  把持部，８０  角錐コレット，８２  吸引孔，８８  把持部，９０  対向壁
１００  角錐コレット，１０４  突起，１２０  角錐コレット，１２８  把持部，
【図１】
2006351848.tif 000003
【図２】
2006351848.tif 000004
【図３】
2006351848.tif 000005
【図４】
2006351848.tif 000006
【図５】
2006351848.tif 000007
【図６】
2006351848.tif 000008
【図７】
2006351848.tif 000009
【図８】
2006351848.tif 000010
【図９】
2006351848.tif 000011
【図１０】
2006351848.tif 000012
【図１１】
2006351848.tif 000013
【図１２】
2006351848.tif 000014
【図１３】
2006351848.tif 000015