(57)【要約】【課題】スパッタターゲットに使用することができ、スパッタして薄膜を形成することができる、多重成分の酸化物を含有する合金を提供する。【解決手段】基板201、及び基板201上に形成されたデータ記録薄膜層206を含む磁気記録媒体である。上記データ記録薄膜層206は、コバルト(Co)、白金(Pt)、及び多重成分の酸化物で構成される。この多重成分の酸化物は、-0.03eV未満の還元電位、及び0.25nm未満の原子半径を有した陽イオンを有している。さらに、上記多重成分の酸化物は、反磁性、常磁性、又は10-6m3/kg未満の透磁率を有する磁性を帯びている。また、上記多重成分の酸化物は、5.0を越える誘電率を持っている。さらに、スパッタターゲットは、クロム(Cr)及び／又はホウ素(B)を含んで構成される。【選択図】図１
2006299400.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コバルト(Co)、白金(Pt)及び多重成分の酸化物で構成されたスパッタターゲットであって、
前記多重成分の酸化物は、-0.03eV未満の還元電位及び0.25nm未満の原子半径を有した陽イオンを有し、かつ反磁性、常磁性、又は10-6m3/Kg未満の透磁率を有する磁性を帯びるものであることを特徴とするスパッタターゲット。
【請求項２】
前記多重成分の酸化物は、5.0を越える誘電率を有していることを特徴とする請求項１記載のスパッタターゲット。
【請求項３】
更に、クロム(Cr)を含んで構成されたことを特徴とする請求項１記載のスパッタターゲット。
【請求項４】
更に、ホウ素(B)を含んで構成されたことを特徴とする請求項１記載のスパッタターゲット。
【請求項５】
前記多重成分の酸化物は、X1、X2及び酸素(O)から構成されたものであって、この場合にX1とX2は、タンタル(Ta)、アルミニウム(Al)、ニオブ(Nb)、ハフニウム(Hf)、ジルコニウム(Zr)、チタン(Ti)、スズ(Sn)、ランタン(La)、タングステン(W)、コバルト(Co)、イットリウム(Y)、クロム(Cr)、セリウム(Ce)、ユーロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、バナジウム(V)、サマリウム(Sm)、プラセオジム(Pr)、マグネシウム(Mg)、マンガン(Mn)、イリジウム(Ir)、レニウム(Re)、ニッケル(Ni)から成る群から選択された成分であることを特徴とする請求項１記載のスパッタターゲット。
【請求項６】
前記多重成分の酸化物は、X1、X2及び酸素(O)から構成されたものであって、この場合にX1とX2は、ケイ素(Si)、アルミニウム(Al)、ニオブ(Nb)、ハフニウム(Hf)、ジルコニウム(Zr)、チタン(Ti)、スズ(Sn)、ランタン(La)、タングステン(W)、コバルト(Co)、イットリウム(Y)、クロム(Cr)、セリウム(Ce)、ユーロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、バナジウム(V)、サマリウム(Sm)、プラセオジム(Pr)、マグネシウム(Mg)、マンガン(Mn)、イリジウム(Ir)、レニウム(Re)、ニッケル(Ni)から成る群から選択された成分であることを特徴とする請求項１記載のスパッタターゲット。
【請求項７】
前記多重成分の酸化物は、更に、X3を含んで構成されたものであって、この場合、X3は、アルミニウム(Al)、ニオブ(Nb)、ハフニウム(Hf)、ジルコニウム(Zr)、チタン(Ti)、スズ(Sn)、ランタン(La)、タングステン(W)、コバルト(Co)、イットリウム(Y)、クロム(Cr)、セリウム(Ce)、ユーロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、バナジウム(V)、サマリウム(Sm)、プラセオジム(Pr)、マグネシウム(Mg)、マンガン(Mn)、イリジウム(Ir)、レニウム(Re)、ニッケル(Ni)から成る群から選択された成分であることを特徴とする請求項５記載のスパッタターゲット。
【請求項８】
前記多重成分の酸化物は、更に、X3を含んで構成されたものであって、この場合、X3は、アルミニウム(Al)、ニオブ(Nb)、ハフニウム(Hf)、ジルコニウム(Zr)、チタン(Ti)、スズ(Sn)、ランタン(La)、タングステン(W)、コバルト(Co)、イットリウム(Y)、クロム(Cr)、セリウム(Ce)、ユーロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、バナジウム(V)、サマリウム(Sm)、プラセオジム(Pr)、マグネシウム(Mg)、マンガン(Mn)、イリジウム(Ir)、レニウム(Re)、ニッケル(Ni)から成る群から選択された成分であることを特徴とする請求項６記載のスパッタターゲット。
【請求項９】
前記多重成分の酸化物は、X1、X2及び酸素(O)から構成されたものであって、この場合にX1とX2は、ケイ素(Si)、タンタル(Ta)、アルミニウム(Al)、ニオブ(Nb)、ハフニウム(Hf)、ジルコニウム(Zr)、チタン(Ti)、スズ(Sn)、ランタン(La)、タングステン(W)、コバルト(Co)、イットリウム(Y)、クロム(Cr)、セリウム(Ce)、ユーロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、バナジウム(V)、サマリウム(Sm)、プラセオジム(Pr)、マグネシウム(Mg)、マンガン(Mn)、イリジウム(Ir)、レニウム(Re)、ニッケル(Ni)から成る群から選択された成分であることを特徴とする請求項１記載のスパッタターゲット。
【請求項１０】
基板と、
前記基板上に形成されたデータ記録薄膜層と、
を含んで構成された磁気記録媒体であって、
前記データ記録薄膜層は、コバルト(Co)、白金(Pt)、及び多重成分の酸化物で構成され、
前記多重成分の酸化物は、-0.03eV未満の還元電位、及び0.25nm未満の原子半径を有した陽イオンを有し、反磁性、常磁性、又は10-6m3/kg未満の透磁率を有する磁性を帯びるものであることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項１１】
前記データ記録薄膜層は、更にクロム(Cr)を含んでいることを特徴とする請求項１０記載の磁気記録媒体。
【請求項１２】
前記データ記録薄膜層は、更に、ボロン(B)を含んでいることを特徴とする請求項１０記載の磁気記録媒体。
【請求項１３】
前記多重成分の酸化物は、X1、X2及び酸素(O)から構成されたものであって、この場合、X1とX2は、ケイ素(Si)、アルミニウム(Al)、タンタル(Ta)、ニオブ(Nb)、ハフニウム(Hf)、ジルコニウム(Zr)、チタン(Ti)、スズ(Sn)、ランタン(La)、タングステン(W)、コバルト(Co)、イットリウム(Y)、クロム(Cr)、セリウム(Ce)、ユーロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、バナジウム(V)、サマリウム(Sm)、プラセオジム(Pr)、マグネシウム(Mg)、マンガン(Mn)、イリジウム(Ir)、レニウム(Re)、ニッケル(Ni)から成る群から選択された成分であることを特徴とする請求項１０記載の磁気記録媒体。
【請求項１４】
前記多重成分の酸化物は、更にX３を含んで構成されたものであって、この場合にX３は、ケイ素(Si)、アルミニウム(Al)、タンタル(Ta)、ニオブ(Nb)、ハフニウム(Hf)、ジルコニウム(Zr)、チタン(Ti)、スズ(Sn)、ランタン(La)、タングステン(W)、コバルト(Co)、イットリウム(Y)、クロム(Cr)、セリウム(Ce)、ユーロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、バナジウム(V)、サマリウム(Sm)、プラセオジム(Pr)、マグネシウム(Mg)、マンガン(Mn)、イリジウム(Ir)、レニウム(Re)、ニッケル(Ni)から成る群から選択された成分であることを特徴とする請求項１０記載の磁気記録媒体。
【請求項１５】
基板上の少なくとも第１のデータ記録薄膜層をスパッタターゲットからスパッタリングして形成するステップを含む磁気記録媒体の製造方法であって、
前記スパッタターゲットは、コバルト(Co)、白金(Pt)、及び多重成分の酸化物で構成され、
前記多重成分の酸化物は、-0.03eV未満の還元電位、及び0.25nm未満の原子半径を有した陽イオンを有し、かつ反磁性、常磁性又は10-6m3/kg未満の透磁率を有する磁性を帯びるものであることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１６】
コバルト(Co)、白金(Pt)、少なくとも１つの酸化物及び少なくとも１つの金属で構成されたスパッタターゲットであって、
前記少なくとも１つの酸化物及び少なくとも１つの金属は、スパッタリングされて多重成分の酸化物を形成し、この場合に該多重成分の酸化物が-0.03eV未満の還元電位及び0.25nm未満の原子半径を有した陽イオンを有し、反磁性、常磁性又は10-6m3/kg未満の透磁率を有する磁性を帯びるものであり、かつ5.0を越える誘電率を有していることを特徴とするスパッタターゲット。
【請求項１７】
更に、クロム(Cr)を含んで構成されたことを特徴とする請求項１６記載のスパッタターゲット。
【請求項１８】
更に、ホウ素(B)を含んで構成されたことを特徴とする請求項１６記載のスパッタターゲット。
【請求項１９】
前記少なくとも１つの酸化物は、更に、X1及び酸素(O)から構成されたものであって、この場合にX1は、ケイ素(Si)、アルミニウム(Al)、タンタル(Ta)、ニオブ(Nb)、ハフニウム(Hf)、ジルコニウム(Zr)、チタン(Ti)、スズ(Sn)、ランタン(La)、タングステン(W)、コバルト(Co)、イットリウム(Y)、クロム(Cr)、セリウム(Ce)、ユーロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、バナジウム(V)、サマリウム(Sm)、プラセオジム(Pr)、マグネシウム(Mg)、マンガン(Mn)、イリジウム(Ir)、レニウム(Re)、ニッケル(Ni)から成る群から選択された成分であることを特徴とする請求項１６記載のスパッタターゲット。
【請求項２０】
前記少なくとも１つの金属は、ケイ素(Si)、アルミニウム(Al)、タンタル(Ta)、ニオブ(Nb)、ハフニウム(Hf)、ジルコニウム(Zr)、チタン(Ti)、スズ(Sn)、ランタン(La)、タングステン(W)、コバルト(Co)、イットリウム(Y)、クロム(Cr)、セリウム(Ce)、ユーロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、バナジウム(V)、サマリウム(Sm)、プラセオジム(Pr)、マグネシウム(Mg)、マンガン(Mn)、イリジウム(Ir)、レニウム(Re)、ニッケル(Ni)から成る群から選択された成分であることを特徴とする請求項１６記載のスパッタターゲット。
【請求項２１】
前記少なくとも１つの酸化物は、更に、X1及び酸素(O)から構成されたものであって、
この場合にX1は、ケイ素(Si)、アルミニウム(Al)、タンタル(Ta)、ニオブ(Nb)、ハフニウム(Hf)、ジルコニウム(Zr)、チタン(Ti)、スズ(Sn)、ランタン(La)、タングステン(W)、コバルト(Co)、イットリウム(Y)、クロム(Cr)、セリウム(Ce)、ユーロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、バナジウム(V)、サマリウム(Sm)、プラセオジム(Pr)、マグネシウム(Mg)、マンガン(Mn)、イリジウム(Ir)、レニウム(Re)、ニッケル(Ni)から成る群から選択された成分であり、
前記少なくとも１つの金属は、ケイ素(Si)、アルミニウム(Al)、ニオブ(Nb)、ハフニウム(Hf)、ジルコニウム(Zr)、チタン(Ti)、スズ(Sn)、ランタン(La)、タングステン(W)、コバルト(Co)、イットリウム(Y)、クロム(Cr)、セリウム(Ce)、ユーロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、バナジウム(V)、サマリウム(Sm)、プラセオジム(Pr)、マグネシウム(Mg)、マンガン(Mn)、イリジウム(Ir)、レニウム(Re)、及びニッケル(Ni)から成る群から選択された成分であることを特徴とする請求項１６記載のスパッタターゲット。
【請求項２２】
前記少なくとも１つの酸化物は、更に、X1及び酸素(O)から構成されたものであって、
この場合、X1は、アルミニウム(Al)、タンタル(Ta)、ニオブ(Nb)、ハフニウム(Hf)、ジルコニウム(Zr)、チタン(Ti)、スズ(Sn)、ランタン(La)、タングステン(W)、コバルト(Co)、イットリウム(Y)、クロム(Cr)、セリウム(Ce)、ユーロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、バナジウム(V)、サマリウム(Sm)、プラセオジム(Pr)、マグネシウム(Mg)、マンガン(Mn)、イリジウム(Ir)、レニウム(Re)、又はニッケル(Ni)から成る群から選択された成分であり、
前記少なくとも１つの金属は、ケイ素(Si)、アルミニウム(Al)、タンタル(Ta)、ニオブ(Nb)、ハフニウム(Hf)、ジルコニウム(Zr)、チタン(Ti)、スズ(Sn)、ランタン(La)、タングステン(W)、コバルト(Co)、イットリウム(Y)、クロム(Cr)、セリウム(Ce)、ユーロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、バナジウム(V)、サマリウム(Sm)、プラセオジム(Pr)、マグネシウム(Mg)、マンガン(Mn)、イリジウム(Ir)、レニウム(Re)、又はニッケル(Ni)から成る群から選択された成分であることを特徴とする請求項１６記載のスパッタターゲット。
【請求項２３】
コバルト(Co)、白金(Pt)、及び少なくとも第１、第２酸化物とから構成されたスパッタターゲットであって、
前記第１と第２酸化物は、スパッタされて多重成分の酸化物を形成し、この場合に該多重成分の酸化物が-0.03eV未満の還元電位、及び0.25nm未満の原子半径を有した陽イオンを有し、反磁性、常磁性又は10-6m3/kg未満の透磁率を有する磁性を帯びるものであり、かつ5.0を越える誘電率を有していることを特徴とするスパッタターゲット。
【請求項２４】
さらに、クロム(Cr)を含んで構成されたことを特徴とする請求項２３記載のスパッタターゲット。
【請求項２５】
さらに、ホウ素(B)を含んで構成されたことを特徴とする請求項２３記載のスパッタターゲット。
【請求項２６】
前記第１酸化物は、更に、X1及び酸素(O)から構成されたものであって、この場合にX1は、ケイ素(Si)、アルミニウム(Al)、タンタル(Ta)、ニオブ(Nb)、ハフニウム(Hf)、ジルコニウム(Zr)、チタン(Ti)、スズ(Sn)、ランタン(La)、タングステン(W)、コバルト(Co)、イットリウム(Y)、クロム(Cr)、セリウム(Ce)、ユーロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、バナジウム(V)、サマリウム(Sm)、プラセオジム(Pr)、マグネシウム(Mg)、マンガン(Mn)、イリジウム(Ir)、レニウム(Re)、ニッケル(Ni)から成る群から選択された成分であることを特徴とする請求項２３記載のスパッタターゲット。
【請求項２７】
前記第２酸化物は、更に、X２及び酸素(O)から構成されたものであって、この場合にX２は、ケイ素(Si)、アルミニウム(Al)、タンタル(Ta)、ニオブ(Nb)、ハフニウム(Hf)、ジルコニウム(Zr)、チタン(Ti)、スズ(Sn)、ランタン(La)、タングステン(W)、コバルト(Co)、イットリウム(Y)、クロム(Cr)、セリウム(Ce)、ユーロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、バナジウム(V)、サマリウム(Sm)、プラセオジム(Pr)、マグネシウム(Mg)、マンガン(Mn)、イリジウム(Ir)、レニウム(Re)、ニッケル(Ni)から成る群から選択された成分であることを特徴とする請求項２３記載のスパッタターゲット。
【請求項２８】
コバルト(Co)、白金(Pt)、及び少なくとも第１、第２金属とから構成されたスパッタターゲットであって、
前記第１と第２金属は、反応性スパッタされて多重成分の酸化物を形成し、この場合、該多重成分の酸化物が-0.03eV未満の還元電位、及び0.25nm未満の原子半径を有した陽イオンを有し、反磁性、常磁性、又は10-6m3/kg未満の透磁率を有する磁性を帯びるものであり、且つ5.0を越える誘電率を有していることを特徴とするスパッタターゲット。
【請求項２９】
更に、クロム(Cr)を含んで構成されたことを特徴とする請求項２８記載のスパッタターゲット。
【請求項３０】
更に、ホウ素(B)を含んで構成されたことを特徴とする請求項２８記載のスパッタターゲット。
【請求項３１】
前記第１金属は、ケイ素(Si)、アルミニウム(Al)、タンタル(Ta)、ニオブ(Nb)、ハフニウム(Hf)、ジルコニウム(Zr)、チタン(Ti)、スズ(Sn)、ランタン(La)、タングステン(W)、コバルト(Co)、イットリウム(Y)、クロム(Cr)、セリウム(Ce)、ユーロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、バナジウム(V)、サマリウム(Sm)、プラセオジム(Pr)、マグネシウム(Mg)、マンガン(Mn)、イリジウム(Ir)、レニウム(Re)、ニッケル(Ni)から成る群から選択された成分であることを特徴とする請求項２８記載のスパッタターゲット。
【請求項３２】
前記第２金属は、ケイ素(Si)、アルミニウム(Al)、タンタル(Ta)、ニオブ(Nb)、ハフニウム(Hf)、ジルコニウム(Zr)、チタン(Ti)、スズ(Sn)、ランタン(La)、タングステン(W)、コバルト(Co)、イットリウム(Y)、クロム(Cr)、セリウム(Ce)、ユーロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、バナジウム(V)、サマリウム(Sm)、プラセオジム(Pr)、マグネシウム(Mg)、マンガン(Mn)、イリジウム(Ir)、レニウム(Re)、ニッケル(Ni)から成る群から選択された成分であることを特徴とする請求項２８記載のスパッタターゲット。
【請求項３３】
基板上の少なくとも第１のデータ記録薄膜層をスパッタターゲットからスパッタリングして形成するステップを含む磁気記録媒体の製造方法であって、
前記スパッタターゲットは、コバルト(Co)、白金(Pt)、少なくとも１つの酸化物及び少なくとも１つの金属で構成され、
前記少なくとも１つの酸化物と少なくとも１つの金属とは、多重成分の酸化物を形成し、この場合に該多重成分の酸化物が-0.03eV未満の還元電位、及び0.25nm未満の原子半径を有した陽イオンを有し、かつ反磁性、常磁性、又は10-6m3/kg未満の透磁率を有する磁性を帯びるものであることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３４】
基板上に少なくとも第１のデータ記録薄膜層をスパッタターゲットからスパッタリングして形成するステップを含む磁気記録媒体の製造方法であって、
前記スパッタターゲットは、コバルト(Co)、白金(Pt)、並びに少なくとも第１及び第２酸化物で構成され、
前記少なくとも第１及び第２酸化物は、多重成分の酸化物を形成し、この場合、該多重成分の酸化物が-0.03eV未満の還元電位、及び0.25nm未満の原子半径を有した陽イオンを有し、かつ反磁性、常磁性、又は10-6m3/kg未満の透磁率を有する磁性を帯びるものであることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３５】
基板上に少なくとも第１のデータ記録薄膜層をスパッタターゲットから酸素(O)がある状態で反応性スパッタリング処理をして形成するステップを含む磁気記録媒体の製造方法であって、
前記スパッタターゲットは、コバルト(Co)、白金(Pt)、及び少なくとも第１、第２金属とで構成され、
前記第１と第２金属は、反応性スパッタされて多重成分の酸化物を形成し、この場合、該多重成分の酸化物が-0.03eV未満の還元電位、及び0.25nm未満の原子半径を有した陽イオンを有し、かつ反磁性、常磁性、又は10-6m3/kg未満の透磁率を有する磁性を帯びるものであることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スパッタターゲットに関し、特に、改善された冶金特性を備えた多重成分の酸化物を含有する合金組成からなるスパッタターゲットを用いてスパッタされた磁気データ記録用の薄膜に関する。
【背景技術】
【０００２】
DCマグネトロンスパッタリングのプロセスは、例えば、半導体を被覆し、及び／又は磁気記録媒体の表面にフィルムを形成する等、厚みを正確に制御して、原子分率の狭い許容差内で薄膜材料を基板上に成膜する様々な分野において広く使用されている。１つの共通した形態では、ターゲットの背面に磁石を配置することによって、長円形の磁界がスパッタターゲットに適用される。これにより、電子がスパッタターゲット近くで捕捉され、アルゴンイオンの生成が改善されてスパッタレートが増加する。このプラズマ内のイオンは、スパッタターゲットの表面に衝突して、スパッタターゲット表面から原子を放出させる。陰極のスパッタターゲットと、それによって覆われるべき陽極の基板との間の電圧差によって、放出された原子は基板の表面に付着して所要のフィルムを形成する。
【０００３】
反応性スパッタリングプロセスにおいては、真空チャンバが化学反応性ガス雰囲気で部分的に満たされ、ターゲットからスパッタされる材料が混合ガス中の反応性の種と化学的に反応して、フィルムを形成する化合物を形成する。
【０００４】
従来の磁気記録媒体の製造においては、複数のスパッタターゲットによって薄膜の複数の層が基板上に順次にスパッタされるが、このとき、各スパッタターゲットは、各異なる材料から成り、その結果、薄膜の「スタック」が成膜されるのである。図３は、従来の磁気記録媒体の代表的な薄膜スタックを示す。スタックの基部は、非磁性基板101である。それは、代表的には、アルミニウムあるいはガラスである。最初に成膜する層であるシード層102は、より上の層の粒状組織の形や配向を決める。そして、一般に、NiP又はNiAlで構成される。次に、１乃至３つの個別の層からなる非磁性の下層104が成膜される。この場合、上記下層は、代表的なものとしてCrMoあるいはCrTiのようなクロム基の合金である。１つ又は２つの個別の層からなる中間層105が下層104上に形成される。この中間層105は、コバルト基であり、弱い磁性を有するものである。磁気記録層106が中間層105の上に成膜される。この場合、上記磁気記録層は、２つ又は３つの個別の層を含んでいてもよい。また、カーボン潤滑剤層108が磁性層106を覆って形成される。
【０００５】
磁気記録媒体の単位面積当たりに記録できるデータ量は、冶金特性及びデータ記録層の組成に直接関係し、また同様にデータ記録層をスパッタして形成するためのスパッタターゲット材料に関係する。データ記録容量を継続的に増大させて行くためには、従来の水平磁気記録（以下「ＬＭＲ」と記載する）に対立するもので、垂直磁気記録（以下「ＰＭＲ」と記載する）として知られている技術が磁気データ記録装置産業にとって最も有望で最も効率的な技術であった。ＰＭＲを使用すれば、ビットは、磁気記録媒体の面に垂直に記録される。これにより、より小さなビットサイズでより大きな保磁力の実現を可能にする。その結果、ＰＭＲは、ディスクの飽和保磁力を増加させ、ディスクの信号振幅を増強して、記録文書データの優れた保存性を確保するものと期待される。
【０００６】
媒体における低ノイズ性能と高い熱安定性とを達成するための鍵は、大きな垂直磁気異方性、即ちKuと相まってよく分離された微小粒子構造を提供することである。さらに、酸素を含有するCoCrPt又はCoPtを基にした媒体は、酸素が豊富な粒界相を介して粒子間のより良好な分離性を提供するだけでなく、媒体のエピタキシャル成長を妨げずに上記Kuの劣化を抑止する。金属への固体溶解度をほとんど保持していない酸化物は、よく粒界領域へ沈殿する。粒子の微細構造的、磁気的かつ電気的な分離は、僅少なクロストークと高い信号対雑音比（以下「ＳＮ比」と記載）を備えた離散的な磁区を実現する際の主要なパラメーターである。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
これらの所望の特性を達成するための従来の方法は、媒体用途としてSiO2、Y2O3、Al2O3、TiO2、Ta2O5、Nb2O5のような単一成分の酸化物を使用することである。この方法は、良好に分離された粒状組織を実現することにおいては、著しい改善をもたらし、また構成要素がCoPtCrO、CoPtCr-SiO2、CoPtTa2O5のような要素形態の酸素含有磁気媒体において大きなKu値を提供した。しかしながら、これらの酸化物は、ＰＭＲ媒体内においては、ＳＮ比や熱安定性に関して最良の粒状媒体性能を実現するに至っていない。
【０００８】
したがって、磁気データの記録層に高密度の粒状組織を持つ磁気記録媒体を提供して信号対雑音比を改善し、又データ記録の潜在能力を増加させることが強く要望されているのである。特に、スパッタターゲットに使用することができ、スパッタリングによって薄膜を形成することができる、多重成分の酸化物含有合金を提供することが要望されている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、スパッタターゲットに関し、特に、改善された冶金学的特性を備えた複数成分の酸化物を含有する合金組成からなるスパッタターゲットを用いてスパッタされた磁気データを記録する薄膜に関する。
【００１０】
第１の形態によれば、本発明は、スパッタターゲットであり、この場合、スパッタターゲットが、コバルト(Co)、白金(Pt)、及び多重成分の酸化物で構成される。この多重成分の酸化物は、-0.03eV未満の還元電位、及び0.25nm未満の原子半径を有した陽イオンを有している。さらに、上記多重成分の酸化物は、反磁性、常磁性又は10-6m3/kg未満の透磁率を有する磁性を帯びている。
【００１１】
上記多重成分の酸化物を含有する合金組成の使用は、磁気媒体中における異なって構成する酸化物の酸化物特性の変調を通して、微細構造の粒子間の磁気的及び電気的分離を向上させる。特定の金属酸化物は、SiO2/Al2O3等のような既知の酸化物と共に使用されて、磁性粒子を閉じ込める多重成分の絶縁酸化物のマトリックスを形成し、上記目的に使用される。
【００１２】
上記多重成分の酸化物は、5.0を越える誘電率を持っている。さらに、スパッタターゲットは、クロム(Cr)及び／又はホウ素(B)で構成される。
【００１３】
さらに、第１の態様では、上記多重成分の酸化物は、X1、X2及び酸素(O)から構成されたものであって、この場合、X1とX2はタンタル(Ta)、アルミニウム(Al)、ニオブ(Nb)、ハフニウム(Hf)、ジルコニウム(Zr)、チタン(Ti)、スズ(Sn)、ランタン(La)、タングステン(W)、コバルト(Co)、イットリウム(Y)、クロム(Cr)、セリウム(Ce)、ユーロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、バナジウム(V)、サマリウム(Sm)、プラセオジム(Pr)、マグネシウム(Mg)、マンガン(Mn)、イリジウム(Ir)、レニウム(Re)、及びニッケル(Ni)から成る群から選択された成分である。さらに、上記多重成分の酸化物は、X3を含んでおり、この場合、X3は、アルミニウム(Al)、ニオブ(Nb)、ハフニウム(Hf)、ジルコニウム(Zr)、チタン(Ti)、スズ(Sn)、ランタン(La)、タングステン(W)、コバルト(Co)、イットリウム(Y)、クロム(Cr)、セリウム(Ce)、ユーロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、バナジウム(V)、サマリウム(Sm)、プラセオジム(Pr)、マグネシウム(Mg)、マンガン(Mn)、イリジウム(Ir)、レニウム(Re)、及びニッケル(Ni)から成る群から選択された成分である。
【００１４】
さらに、第２の態様では、上記多重成分の酸化物は、X1、X2及び酸素(O)から構成されたものであって、この場合、X1とX2がケイ素(Si)、アルミニウム(Al)、ニオブ(Nb)、ハフニウム(Hf)、ジルコニウム(Zr)、チタン(Ti)、スズ(Sn)、ランタン(La)、タングステン(W)、コバルト(Co)、イットリウム(Y)、クロム(Cr)、セリウム(Ce)、ユーロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、バナジウム(V)、サマリウム(Sm)、プラセオジム(Pr)、マグネシウム(Mg)、マンガン(Mn)、イリジウム(Ir)、レニウム(Re)、及びニッケル(Ni)から成る群から選択された成分である。さらに、上記多重成分の酸化物は、X3を含んでおり、この場合、X3は、アルミニウム(Al)、ニオブ(Nb)、ハフニウム(Hf)、ジルコニウム(Zr)、チタン(Ti)、スズ(Sn)、ランタン(La)、タングステン(W)、コバルト(Co)、イットリウム(Y)、クロム(Cr)、セリウム(Ce)、ユーロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、バナジウム(V)、サマリウム(Sm)、プラセオジム(Pr)、マグネシウム(Mg)、マンガン(Mn)、イリジウム(Ir)、レニウム(Re)、及びニッケル(Ni)から成る群から選択された成分である。
【００１５】
さらに、第３の態様では、上記多重成分の酸化物は、X1、X2及び酸素(O)から構成されたものであって、この場合、X1とX2がケイ素(Si)、タンタル(Ta)、アルミニウム(Al)、ニオブ(Nb)、ハフニウム(Hf)、ジルコニウム(Zr)、チタン(Ti)、スズ(Sn)、ランタン(La)、タングステン(W)、コバルト(Co)、イットリウム(Y)、クロム(Cr)、セリウム(Ce)、ユーロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、バナジウム(V)、サマリウム(Sm)、プラセオジム(Pr)、マグネシウム(Mg)、マンガン(Mn)、イリジウム(Ir)、レニウム(Re)、及びニッケル(Ni)から成る群から選択された成分である。
【００１６】
第２の形態によれば、本発明は、基板、及び基板上に形成されたデータ記録薄膜層を含む磁気記録媒体である。上記データ記録薄膜層は、コバルト(Co)、白金(Pt)、及び多重成分の酸化物で構成される。この多重成分の酸化物は、-0.03eV未満の還元電位、及び0.25nm未満の原子半径を有した陽イオンを有している。さらに、上記多重成分の酸化物は、反磁性、常磁性又は10-6m3/kg未満の透磁率を有する磁性を帯びている。
【００１７】
第３の形態によれば、本発明は、スパッタターゲットをスパッタして、基板上に少なくとも最初のデータ記録薄膜層を形成するステップを含む磁気記録媒体の製造方法である。スパッタターゲットは、コバルト(Co)、白金(Pt)、及び多重成分の酸化物で構成される。上記多重成分の酸化物は、-0.03eV未満の還元電位、及び0.25nm未満の原子半径を有した陽イオンを有している。さらに、上記多重成分の酸化物は、反磁性、常磁性又は10-6m3/kg未満の透磁率を有する磁性を帯びている。
【００１８】
第４の形態によれば、本発明はスパッタターゲットであって、この場合、スパッタターゲットが、コバルト(Co)、白金(Pt)、少なくとも１つの酸化物及び少なくとも１つの金属で構成されている。スパッタターゲットがスパッタリング処理に付されるとき、上記少なくとも１つの酸化物及び少なくとも１つの金属は、多重成分の酸化物を形成する。ここでは、この多重成分の酸化物は、-0.03eV未満の還元電位、及び0.25nm未満の原子半径を有する陽イオンを有する。さらに、上記多重成分の酸化物は、反磁性、常磁性、又は10-6m3/kg未満の透磁率を有する磁性を帯びており、又多重成分の酸化物は、5.0を越える誘電率を持っている。
【００１９】
第５の形態によれば、本発明は、スパッタターゲットであって、この場合、スパッタターゲットは、コバルト(Co)、白金(Pt)、並びに少なくとも第１及び第２酸化物で構成されている。上記スパッタターゲットがスパッタリング処理に付されるとき、第１及び第２酸化物が多重成分の酸化物を形成する。ここで、この多重成分の酸化物は、-0.03eV未満の還元電位及び0.25nm未満の原子半径を有した陽イオンを有する。さらに、多重成分の酸化物は、反磁性、常磁性、又は10-6m3/kg未満の透磁率を有する磁性を帯びており、また多重成分の酸化物は、5.0を越える誘電率を有している。
【００２０】
第６の形態によれば、本発明は、スパッタターゲットであって、この場合、スパッタターゲットが、コバルト(Co)、白金(Pt)、並びに少なくとも第１及び第２金属で構成されている。上記スパッタターゲットが反応性のスパッタリング処理に付されたとき、第１及び第２金属が多重成分の酸化物を形成する。ここで、この多重成分の酸化物は、-0.03eV未満の還元電位、及び0.25nm未満の原子半径を有した陽イオンを有する。さらに、上記多重成分の酸化物は、反磁性、常磁性、又は10-6m3/kg未満の透磁率を有する磁性を帯びており、又多重成分の酸化物は、5.0を越える誘電率を有している。
【００２１】
第７の形態によれば、本発明は、基板上に少なくとも第１のデータ記録薄膜層をスパッタターゲットからスパッタ処理して形成するステップを含む磁気記録媒体を製造する方法である。上記スパッタターゲットは、コバルト(Co)、白金(Pt)、少なくとも１つの酸化物、及び少なくとも１つの金属で構成されている。この場合、上記少なくとも１つの酸化物及び少なくとも１つの金属が多重成分の酸化物を形成し、この多重成分の酸化物は、-0.03eV未満の還元電位、及び0.25nm未満の原子半径を有した陽イオンを有し、また該多重成分の酸化物は、反磁性、常磁性、又は10-6m3/kg未満の透磁率を有する磁性を帯びている。
【００２２】
第８の形態によれば、本発明は、基板上の少なくとも第１のデータ記録薄膜層をスパッタターゲットからスパッタ処理して形成するステップを含む磁気記録媒体を製造する方法である。上記スパッタターゲットは、コバルト(Co)、白金(Pt)、並びに少なくとも第１及び第２酸化物で構成されており、この場合、少なくとも第１及び第２酸化物が多重成分の酸化物を形成する。この多重成分の酸化物は、-0.03eV未満の還元電位、及び0.25nm未満の原子半径を有した陽イオンを有する。また、上記多重成分の酸化物は、反磁性、常磁性、又は10-6m3/kg未満の透磁率有する磁性を帯びている。
【００２３】
第９の形態によれば、本発明は、基板上の少なくとも最初のデータ記録薄膜層をスパッタターゲットから有酸素(O)状態で反応性スパッタリング処理をして形成するステップを含む磁気記録媒体を製造する方法である。上記スパッタターゲットは、コバルト(Co)、白金(Pt)、並びに少なくとも第１及び第２金属で構成されており、この場合、少なくとも第１及び第２金属が多重成分の酸化物を形成する。この多重成分の酸化物は、-0.03eV未満の還元電位、及び0.25nm未満の原子半径を有した陽イオンを有する。また、上記多重成分の酸化物は反磁性、常磁性、10-6m3/kg未満の透磁率を有する磁性を帯びている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の好ましい実施形態について、その一部分を構成する添付図面を参照して説明する。なお、ここで理解すべきことは、本発明を実施できる特定の実施形態について図示しているだけで、他の実施形態を使用してもよく、また、本発明の範囲から逸脱しなければ変更してもよいことはいうまでもない。
【００２５】
本発明は、磁気データの記録層を稠密な粒状組織として信号対雑音比を改善し、潜在的なデータ記録容量を増加した磁気記録媒体を提供する。更に、本発明は、スパッタターゲットに使用することができ、スパッタリング処理により薄膜を形成することができる多重成分の酸化物含有合金を提供する。
【００２６】
図１は、薄膜スタックを示しており、そのうちの磁気データの記録層は、本発明の第１の実施形態による改善された多重成分の酸化物を含有するスパッタターゲット合金組成からなるスパッタターゲットを用いてスパッタリング処理で形成される。簡単にいえば、磁気記録媒体は、基板、及び基板上に形成されるデータ記録薄膜層を含んでいる。データ記録薄膜層は、コバルト(Co)、白金(Pt)、及び多重成分の酸化物からなる。この多重成分の酸化物は、-0.03eV未満の還元電位、及び0.25nm未満の原子半径を有した陽イオンを有する。さらに、上記多重成分の酸化物は、反磁性、常磁性、又は10-6m3/Kg未満の透磁率を有する磁性を帯びている。
【００２７】
磁気記録媒体200は、より詳細には、基板201、及び基板201上に形成されたデータを記録する薄膜層、つまりデータ記録薄膜層206を含んでいる。データ記録薄膜層206は、コバルト(Co)、白金(Pt)、及び多重成分の酸化物からなる。この多重成分の酸化物は、-0.03eV未満の還元電位、及び0.25nm未満の原子半径を有した陽イオンを有している。さらに、上記多重成分の酸化物は、反磁性、常磁性、又は10-6m3/Kg未満の透磁率を有する磁性を帯びている。
【００２８】
上述したように、磁気記録媒体200は、シード層202、非磁性の下層204、中間層205、及びカーボン潤滑層208等の他の薄膜層を含むことができる。なお、これらの層のいくつか、又は全部を省略した実施形態としてもよい。
【００２９】
多重成分の酸化物を含有する合金組成の使用は、磁気媒体中に異なって構成する酸化物の特性の変調を通して、微細構造の粒子間の磁気的及び電気的絶縁を向上させる。特定の金属酸化物は、SiO2/Al2O3等のような既知の酸化物と共に使用されたとき、磁性粒子を閉じ込める多重成分の絶縁酸化物のマトリックスを形成し、上記目的に使用される。
【００３０】
多重成分の酸化物は、5.0を越える誘電率を有する。さらに、スパッタターゲットは、クロム(Cr)及び／又はホウ素(B)を含んで構成される。ホウ素のような追加成分は、ＬＭＲ媒体中の粒子間距離を大きくするために長く使用されてきた。誘電率は、5.0を超える若しくは5.0未満であってもよく、並びに／又はクロム及び／若しくはホウ素は省略されてもよい。
【００３１】
データ記録薄膜層206は、ＰＭＲ用途として特に適している。金属酸化膜において使用される成分の選択は、いくつかの基準に従う。ここで、補償（compensating）・補強（reinforcing）特性の異なる酸化物を使用すれば、垂直磁気媒体のSN比及び熱安定性に関する最良の粒状媒体性能を実現する。
【００３２】
より詳細には、ＰＭＲが高記録密度を達成するためには、上記データ記録薄膜層は、高い熱安定性及び低い媒体雑音性能を備えた材料で構成される必要がある。絶縁物のマトリックス中に磁区が閉じ込められた状態でCoCrPt又はCoPtベースの合金を含んでいる粒状の磁気媒体は、大きな結晶磁気異方性により熱擾乱が抑えられ、粒子サイズの減少によりＳＮ比特性が向上される。しかしながら、粒状の磁気媒体の微粒子化が磁気双極子の安定性限界に接近するにつれ、各粒子がバルク内の隣接する粒子によって磁気的な影響を受けることがないように、十分な粒子間分離を有した材料を開発することはますます重要になる。
【００３３】
ＰＭＲに関し、結晶粒微細化及び分離のための要件がＬＭＲよりはるかに厳しい場合では、粒状媒体の粒界に酸素が含まれることにより、よりよい磁気特性が得られることが観察された。この場合、反応性スパッタリングを遂行すること及び／又はSiO2、Al2O3、Ta2O5あるいはNb2O5等のような単一の酸化物を含有するターゲットを使用することにより酸素を組み入れることが有益となる。さらに、本発明は、多重成分の酸化物を含んでいるスパッタターゲットを使用することにより、磁気媒体の酸素に富んだ結晶粒界領域が有する利点をより向上させるのである。この目的は、特定の基準に従って選択された多重成分の酸化物を含有するスパッタターゲットを使用して、磁気媒体に組み入れられた多重成分の酸化物マトリックスの酸化傾向、グラス化傾向、及び磁気誘電特性等と関連した他の酸化物特性を変調させることによって達成される。
【００３４】
金属の固溶体を稀にしか形成しない酸化物は、CoCrPtあるいはCoPtベースの粒状媒体の結晶粒界領域に入り込み、それによって、磁性粒子の微細構造の偏析を増大させる特有の傾向を持っている。これらの酸化物は、酸素を含有したCoCrPt又はCoPtベースの薄膜媒体のエピタキシャル成長を妨げることは無く、したがって、Kuの低下を抑制する。
【００３５】
粒界の酸素含有量を多くするために薄膜磁気媒体に反応性スパッタリングを通じて、及びCoCrPtとCoPtと共に単一の酸化物の使用により導入された酸素は、酸素を含有する媒体の上述した効果により、ＰＭＲ媒体により良好な磁気的特性を与える。また一方、酸化物を含有するターゲットを使用して製造された酸素を含有した粒状の磁気媒体は、反応性スパッタリングを通じて組み入れられた酸素を含有する媒体よりも優れた磁気特性を呈した。
【００３６】
金属酸化膜は、酸化傾向、金属陽イオンの拡散性、酸化物のガラス化傾向及びそれらの磁気・誘電特性を基準にして粒状の磁気媒体用のスパッタターゲットに使用するために選ばれる。特に、上記酸化物は、合金の主な磁性成分であるコバルト(Co)より高い酸化電位の陽イオンを有している。したがって、還元電位は、-0.03eV未満である。そのため、上記酸化物の陽イオンは、合金中の他の金属成分より高い酸化傾向がある。以下の表１は、異なるさまざまな陽イオンの還元電位を示している。
【００３７】
【表１】
2006299400.tif 000003
【００３８】
さらに、上記酸化物は、磁性合金中の粒界へ容易に拡散し得る大きさの原子半径を有した陽イオンを有しており、それは、0.25nm未満である。表２は、そのような原子半径を有した幾つか異なる金属を表示したものである。
【００３９】
【表２】
2006299400.tif 000004
【００４０】
さらに、上記酸化物は、負の透磁率を有する反磁性、常磁性、あるいは自然界において10-6m3/kg未満のわずかに正の透磁率を有する非常に弱い磁性を帯びるものであり、磁気媒体における磁区の磁気的干渉を最小にしている。表３は、異なる金属酸化膜の磁気的特性を表示している。
【００４１】
【表３】
2006299400.tif 000005
【００４２】
上記酸化物のマトリックスは、高い絶縁性を有して磁性粒子間の電気的導通を阻止している。絶縁性を有しないか、又は絶縁性の弱い粒界による電気の漏れ通路があると、電気を導通させ、マグネトロンスパッタリング中に印加される磁界との相互作用により、ターゲットのスパッタ性能だけでなく媒体の磁気特性に悪影響を及ぼす。したがって、上記酸化物の比誘電率は、十分に高くして適当な絶縁性を有して磁性粒子を閉じ込める酸化物マトリックスを形成する。上記の表３は、異なる金属酸化膜の誘電率を示している。
【００４３】
多重成分の酸化物マトリックスの誘電率の方が単一成分の酸化物の誘電率より十分に高いものとするため、酸化物は、全体的に最高誘電率を得るような所定の割合で使用される。
【００４４】
上記酸化物マトリックスは、アモルファスであり、磁性粒子間における異なる成分種の相互拡散は、他の違った結晶構造マトリックスにおけるエネルギー的に好まれる粒界拡散があることから容易には起きない。この特性が、相互拡散と界面反応の副産物として中間反応の化合物の生成及び金属間化合物の生成を防ぐことにより、より良好な粒子間の微細構造及び化学的カプセル化をもたらすことになる。SiO2、GeO2、P2O5又は同様の酸化物等のガラス形成酸化物は、中間物又はAl2O3，ZrO2，HfO2，Ta2O5又はその他同種のもののような条件付きでガラスを形成するものと結合して使用されると、高い結晶化温度を有するアモルファスの多重成分の酸化物相を形成する。酸化物又はガラス組成によりなじむ酸化物の組合せ物は、本発明に係る磁気媒体に含まれる。
【００４５】
上記提案された基準に準拠して選択された異なる酸化物を最適比率で含有する多重成分の酸化物ターゲットを使用すると、多重成分の酸化物マトリックスにおける異なる酸化物のそれぞれの長所を実現することになる。多重成分の酸化物を使用する利点は、２つ以上の異なる酸化物を使用するアモルファスあるいは結晶質相の誘電率、機械的性質及び安定性の改良を含む様々な用途で実現される。したがって、磁気媒体の薄膜を堆積させるために多重成分の酸化物を含有するスパッタターゲットを使用すると、ＰＭＲ用の粒状磁気媒体の磁気特性に著しい改善をもたらす。
【００４６】
さらに、上記多重成分の酸化物は、X1、X2及び酸素(O)から構成されたものであって、この場合、X1とX2がケイ素(Si)、タンタル(Ta)、アルミニウム(Al)、ニオブ(Nb)、ハフニウム(Hf)、ジルコニウム(Zr)、チタン(Ti)、スズ(Sn)、ランタン(La)、タングステン(W)、コバルト(Co)、イットリウム (Y)、クロム(Cr)、セリウム(Ce)、ユーロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、バナジウム(V)、サマリウム(Sm)、プラセオジム(Pr)、マグネシウム(Mg)、マンガン(Mn)、イリジウム(Ir)、レニウム(Re)、及びニッケル(Ni)から成る群から選択された成分である。さらに、上記多重成分の酸化物は、X3を含んで構成され、この場合、X3は、ケイ素(Si)、アルミニウム(Al)、タンタル(Ta)、ニオブ(Nb)、ハフニウム(Hf)、ジルコニウム(Zr)、チタン(Ti)、スズ(Sn)、ランタン(La)、タングステン(W)、コバルト(Co)、イットリウム(Y)、クロム(Cr)、セリウム(Ce)、ユーロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、バナジウム(V)、サマリウム(Sm)、プラセオジム(Pr)、マグネシウム(Mg)、マンガン(Mn)、イリジウム(Ir)、レニウム(Re)、及びニッケル(Ni)から成る群から選択される。なお、X3成分は、省略されてもよい。
【００４７】
図２は、本発明の第２の実施形態による、磁気記録媒体を製造する方法を示すフローチャートである。先ず、プロセスが開始される(ステップS300)。次に、少なくとも１つの最初のデータ記録薄膜層がスパッタターゲットから基板上にスパッタされる(ステップS301)。そして、プロセスが終了する(ステップS302)。
【００４８】
第１の態様によれば、スパッタターゲットは、コバルト(Co)、白金(Pt)、及び多重成分の酸化物で構成される。第２の別の態様によれば、スパッタターゲットは、コバルト(Co)、白金(Pt)、少なくとも１つの酸化物及び少なくとも１つの金属で構成され、この場合は、少なくとも１つの酸化物及び少なくとも１つの金属が、多重成分の酸化物を成す。第３の他の態様によれば、スパッタターゲットは、コバルト(Co)、白金(Pt)、並びに少なくとも第１及び第２の酸化物を含んで構成され、この場合、少なくとも第１及び第２の酸化物が、多重成分の酸化物を成す。第４の更に他の態様によれば、データ記録薄膜層は、反応性スパッタにより形成されたものであり、また、スパッタリングターゲットは、コバルト(Co)、白金(Pt)及び少なくとも第１、第２の金属で構成されたものである。ここで、前記第１、第２の金属は、多重成分の酸化物を成す。
【００４９】
上記多重成分の酸化物は、-0.03eV未満の還元電位、及び0.25nm未満の原子半径の陽イオンを有する。さらに、多重成分の酸化物は、反磁性、常磁性又は10-6m3/Kg未満の透磁率を有する磁性を帯びている。
【００５０】
本発明は、上記多重成分の酸化物を含有するスパッタターゲットを使用して磁性膜を形成するために、特にＰＭＲ用途で使用することができる。ここで、結晶粒微細化及び分離のための要件は、ＳＮ比の劣化を最小にし、且つより大きなKuを実現するためには相当に厳しいものとなる。さらに、汎用の水平記録媒体においても、結晶粒微細化と絶縁用の多重成分の酸化物マトリックスが本質的に有する特性の利益を得て磁気特性を向上させることができる場合がある。
【００５１】
本発明の第３の実施形態によれば、本発明は、スパッタターゲットであり、この場合、スパッタターゲットが、コバルト(Co)、白金(Pt)、及び多重成分の酸化物で構成される。多重成分の酸化物は、-0.03eV未満の還元電位及び0.25nm未満の原子半径を有した陽イオンを有する。さらに、多重成分の酸化物は、反磁性、常磁性又は10-6m3/Kg未満の透磁率を有する磁性を帯びている。
【００５２】
上記多重成分の酸化物は、5.0を越える誘電率を有している。さらに、スパッタターゲットは、クロム(Cr)及び／又はホウ素(B)で構成される。
【００５３】
さらに、第１の態様においては、上記多重成分の酸化物は、X1、X2及び酸素(O)から構成されたものであって、X1とX2がタンタル(Ta)、アルミニウム(Al)、ニオブ(Nb)、ハフニウム(Hf)、ジルコニウム(Zr)、チタン(Ti)、スズ(Sn)、ランタン(La)、タングステン(W)、コバルト(Co)、イットリウム(Y)、クロム(Cr)、セリウム(Ce)、ユーロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、バナジウム(V)、サマリウム(Sm)、プラセオジム(Pr)、マグネシウム(Mg)、マンガン(Mn)、イリジウム(Ir)、レニウム(Re）及びニッケル(Ni)から成る群から選択された成分である。さらに、上記多重成分の酸化物は、X3を含んで構成され、この場合、X3は、アルミニウム(Al)、ニオブ(Nb)、ハフニウム(Hf)、ジルコニウム(Zr)、チタン(Ti)、スズ(Sn)、ランタン(La)、タングステン(W)、コバルト(Co)、イットリウム(Y)、クロム(Cr)、セリウム(Ce)、ユーロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、バナジウム(V)、サマリウム(Sm)、プラセオジム(Pr)、マグネシウム(Mg)、マンガン(Mn)、イリジウム(Ir)、レニウム(Re)、及びニッケル(Ni)から成る群から選択された成分である。
【００５４】
さらに、第２の態様においては、上記多重成分の酸化物は、X1、X2及び酸素(O)から構成されたものであって、この場合、X1とX2は、ケイ素(Si)、アルミニウム(Al)、ニオブ(Nb)、ハフニウム(Hf)、ジルコニウム(Zr)、チタン(Ti)、スズ(Sn)、ランタン(La)、タングステン(W)、コバルト(Co)、イットリウム(Y)、クロム(Cr)、セリウム(Ce)、ユーロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、バナジウム(V)、サマリウム(Sm)、プラセオジム(Pr)、マグネシウム(Mg)、マンガン(Mn)、イリジウム(Ir)、レニウム(Re)、及びニッケル(Ni)から成る群から選択された成分である。さらに、上記多重成分の酸化物は、X3を含んで構成され、この場合、X3は、アルミニウム(Al)、ニオブ(Nb)、ハフニウム(Hf)、ジルコニウム(Zr)、チタン(Ti)、スズ(Sn)、ランタン(La)、タングステン(W)、コバルト(Co)、イットリウム(Y)、クロム(Cr)、セリウム(Ce)、ユーロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、バナジウム(V)、サマリウム(Sm)、プラセオジム(Pr)、マグネシウム(Mg)、マンガン(Mn)、イリジウム(Ir)、レニウム(Re)、及びニッケル(Ni)から成る群から選択された成分である。
【００５５】
さらに、第３の態様においては、上記多重成分の酸化物は、X1、X2及び酸素(O)から構成されたものであって、この場合、X1とX2は、ケイ素(Si)、タンタル(Ta)、アルミニウム(Al)、ニオブ(Nb)、ハフニウム(Hf)、ジルコニウム(Zr)、チタン(Ti)、スズ(Sn)、ランタン(La)、タングステン(W)、コバルト(Co)、イットリウム(Y)、クロム(Cr)、セリウム(Ce)、ユーロピウム(Eu)、ガドリニウム(Gd)、バナジウム(V)、サマリウム(Sm)、プラセオジム(Pr)、マグネシウム(Mg)、マンガン(Mn)、イリジウム(Ir)、レニウム(Re)、及びニッケル(Ni)から成る群から選択された成分である。
【００５６】
本発明の第４の実施形態によれば、本発明は、スパッタターゲットであり、この場合、スパッタターゲットは、コバルト(Co)、白金(Pt)、少なくとも１つの酸化物及び少なくとも１つの金属で構成される。上記スパッタターゲットがスパッタされるとき、少なくとも１つの酸化物及び少なくとも１つの金属が多重成分の酸化物を形成する。ここで、この多重成分の酸化物は、-0.03eV未満の還元電位、及び0.25nm未満の原子半径を有した陽イオンを有する。また、上記多重成分の酸化物は、反磁性、常磁性又は10-6m3/Kg未満の透磁率を有する磁性を帯びており、5.0を越える誘電率を有する。
【００５７】
本発明の第５の実施形態によれば、本発明は、スパッタターゲットであり、この場合、上記スパッタターゲットは、コバルト(Co)、白金(Pt)、並びに少なくとも第１及び第２の酸化物で構成される。上記スパッタターゲットがスパッタされるとき、上記第１及び第２の酸化物は、多重成分の酸化物を形成する。ここで、この多重成分の酸化物は、-0.03eV未満の還元電位、及び0.25nm未満の原子半径を有した陽イオンを有する。さらに、上記多重成分の酸化物は、反磁性、常磁性又は10-6m3/Kg未満の透磁率を有する磁性を帯びていて、5.0を越える誘電率を有する。
【００５８】
本発明の第６の実施形態によれば、本発明は、スパッタターゲットであり、この場合、上記スパッタターゲットは、コバルト(Co)、白金(Pt)、及び少なくとも第１、第２の金属で構成される。スパッタターゲットがスパッタリング処理されたとき、上記第１、第２の金属は、多重成分の酸化物を形成する。ここで、この多重成分の酸化物は、-0.03eV未満の還元電位、及び0.25nm未満の原子半径を有した陽イオンを有する。さらに、上記多重成分の酸化物は、反磁性、常磁性、10-6m3/Kg未満の透磁率を有する磁性を帯び、5.0を越える誘電率を有する。
【００５９】
本発明を説明上の実施形態に基づいて記載したが、上述の特定の実施形態に制限されず、発明の技術的思想及び特許請求の範囲から逸脱しない範囲で、種々の変更をすることは可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の一実施形態による改善された多重成分の酸化物を含有するスパッタターゲット合金組成で構成されたスパッタターゲットによってスパッタ形成された磁気データ記録層の薄膜スタックを示す。
【図２】本発明の他の実施形態による磁気記録媒体を製造する方法を示すフローチャートである。
【図３】従来の磁気記録媒体の代表的な薄膜スタックを示す。
【符号の説明】
【００６１】
201…基板
202…シード層
204…非磁性の下層
205…中間層
206…データ記録薄膜層
208…カーボン潤滑層
【図１】
2006299400.tif 000006
【図２】
2006299400.tif 000007
【図３】
2006299400.tif 000008