(57)【要約】【課題】    青色半導体レーザーで記録再生可能な３５０〜５３０ｎｍの波長領域に良好な光吸収特性を有し、かつ、熱分解挙動及び溶媒に対する溶解性に優れたジメチン化合物及び該化合物を用いた光学記録媒体を提供。【解決手段】    一般式〔Ａ〕または一般式〔Ｂ〕で表されるジメチン化合物であり、光学記録媒体の記録層に該ジメチン化合物を少なくとも１種含有させる。2006089646.tif 000090（式中、環Ａｒは芳香族炭化水素環または芳香族複素環を表し、Ｒ１〜Ｒ１０は、直鎖もしくは分岐鎖を有するアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基等を表し、一般式〔Ａ〕のＲ５及びＲ６、並びに、一般式〔Ｂ〕のＲ３及びＲ８は、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、スルホ基も置換可能であり、Ｑはアニオン成分を表す。）【選択図】    なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式〔Ａ〕または一般式〔Ｂ〕で表されるジメチン化合物。
【化１】
2006089646.tif 000088
（式中、環Ａｒは芳香族炭化水素環または芳香族複素環を表し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９及びＲ１０は各々独立して、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、スルホ基、直鎖もしくは分岐鎖を有するアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロ環、アシル基またはアルコキシカルボニル基を表し、Ｒ５及びＲ６は各々独立して、直鎖または分岐鎖を有するアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロ環、アシル基またはアルコキシカルボニル基を表し、Ｑは同一または異なっていてもよいアニオン成分を表す。）
【化２】
2006089646.tif 000089
（式中、環Ａｒは芳香族炭化水素環または芳香族複素環を表し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ９及びＲ１０は各々独立して、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、スルホ基、直鎖または分岐鎖を有するアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロ環、アシル基またはアルコキシカルボニル基を表し、Ｒ３及びＲ８は各々独立して、直鎖または分岐鎖を有するアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロ環、アシル基またはアルコキシカルボニル基を表し、Ｑは同一または異なっていてもよいアニオン成分を表す。）
【請求項２】
一般式〔Ａ〕または一般式〔Ｂ〕で表されるジメチン化合物において、環Ａｒがベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、５員環もしくは６員環の芳香族複素環であることを特徴とする請求項１に記載のジメチン化合物。
【請求項３】
基板上に、レーザー光による情報の書き込み及び／または読みとりが可能な記録層が形成された光学記録媒体において、該記録層が請求項１または請求項２のいずれか１項に記載のジメチン化合物を少なくとも１種含有することを特徴とする光学記録媒体。
【請求項４】
波長３５０ｎｍ〜５３０ｎｍの波長領域から選ばれたレーザー光により情報の記録及び／または再生することを特徴とする請求項３に記載の光学記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はジメチン化合物及び該化合物を用いた光学記録媒体に関するものであり、より詳しくは波長３５０ｎｍ〜５３０ｎｍの記録光、特に４０５ｎｍの青色レーザー光を用いて情報を記録及び／または再生するのに適した追記型の光学記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、光学的に情報の記録・再生を行う記録媒体としては、光磁気記録媒体、相変化記録媒体、カルコゲン酸化物などが提案されているが、これらの中でもレーザーにより一回限りの情報の記録が可能な追記型の光学記録媒体として、ＣＤ−Ｒがコスト的に安価でかつ製造プロセスも容易であることから量産化され広く用いられている。
【０００３】
上記ＣＤ−Ｒの記録再生には、従来、近赤外域レーザーの波長（通常は７８０ｎｍ）が用いられているが、近年、短波長（６８０ｎｍ）の赤色半導体レーザーを用いる高密度の有機色素系光学記録媒体（ＤＶＤ−Ｒ）も開発され、実用化されている。さらに、より短波長（３５０〜５３０ｎｍ）を有する青色半導体レーザーを用いた高密度の記録再生が可能な光学記録媒体が要望されている。
【０００４】
ところで、一般的な追記型光学記録媒体は、透明な円盤状基板上に、順次、有機色素からなる記録層、金や銀などの金属からなる光反射層及び樹脂製の保護層を積層させて構成される。情報の書き込み（記録）時は、記録層にレーザー光を照射して行われ、記録層がその光を吸収して局所的に温度上昇し、物理的あるいは化学的変化（例えば、ピットの生成）が生じ、その光学的な特性変化を利用して、情報が記録される。一方、情報の読み取り（再生）もまた記録用レーザーと同じ波長の再生用レーザーを照射することにより行われ、記録層の光学的特性が変化した部位（記録部分）と変化しない部位（未記録部分）との反射率の違いを検出することにより情報が再生される。良好なピットを形成・検出するためには、記録層に使用される色素が、使用するレーザー光の波長において良好な吸光度を示すことが要求される。
【０００５】
特許文献１には、有機色素を含む記録層を有する光学記録媒体において、記録層側から波長５３０ｎｍ以下のレーザー光を照射することにより、情報の記録及び再生を行う記録再生方法が開示されている。また、光学記録媒体において用いられる具体的な有機色素としては、シアニン系色素（特許文献２）、ピリドンアゾ骨格を有する色素（特許文献３）、ジシアノビニルフェニル骨格を有する色素（特許文献４）、クマリン化合物（特許文献５）、アゾ金属キレート色素（特許文献６）、ナフタロシアニン化合物等が提案されている。
【０００６】
一般に、光学記録媒体の記録層に適した色素としては、使用するレーザー光の波長において良好な吸光度を示すと同時に、熱分解挙動が良好であること、溶媒に対する溶解性が要求され、上記色素では一長一短があり、これらの特性を十分に満足する色素が要望されていた。
【０００７】
【特許文献１】特開平１１−０５３７５８号公報
【特許文献２】特開平４−０７４６９０号公報
【特許文献３】特開平１１−３３４２０４号公報
【特許文献４】特開平１１−３３４２０６号公報
【特許文献５】特開２０００−０４３４２３号公報
【特許文献６】特開２００１−１５８８６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、青色半導体レーザーで記録再生可能な３５０〜５３０ｎｍの波長領域に良好な光吸収特性を有し、かつ、熱分解挙動及び溶媒に対する溶解性に優れたジメチン化合物及び該化合物を用いた光学記録媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、鋭意検討を行った結果、特定のジメチン化合物が３５０〜５３０ｎｍの波長領域に良好な光吸収を有し、かつ、熱分解挙動及び溶媒に対する溶解性に優れ、光学記録媒体の記録層として有用であることを見いだし、本発明を完成するに至った。
【００１０】
すなわち、本発明は、下記一般式〔Ａ〕または一般式〔Ｂ〕で表されるジメチン化合物である。
【００１１】
【化１】
2006089646.tif 000002
【００１２】
一般式〔Ａ〕中、環Ａｒは芳香族炭化水素環または芳香族複素環を表し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９及びＲ１０は各々独立して、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、スルホ基、直鎖もしくは分岐鎖を有するアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロ環、アシル基、またはアルコキシカルボニル基を表し、Ｒ５及びＲ６は各々独立して、直鎖または分岐鎖を有するアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロ環、アシル基またはアルコキシカルボニル基を表し、Ｑは同一または異なっていてもよいアニオン成分を表す。
【００１３】
【化２】
2006089646.tif 000003
【００１４】
一般式〔Ｂ〕中、環Ａｒは芳香族炭化水素環または芳香族複素環を表し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ９及びＲ１０は各々独立して、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、スルホ基、直鎖または分岐鎖を有するアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロ環、アシル基、またはアルコキシカルボニル基を示し、Ｒ３及びＲ８は各々独立して、直鎖または分岐鎖を有するアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロ環、アシル基またはアルコキシカルボニル基を表し、Ｑは同一または異なっていてもよいアニオン成分を表す。
【００１５】
また、本発明は、上記一般式〔Ａ〕または一般式〔Ｂ〕で表されるジメチン化合物において、環Ａｒがベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、５員環もしくは６員環の芳香族複素環であることを特徴とするジメチン化合物である。
【００１６】
また、本発明は、基板上に、レーザーによる情報の書き込み及び／または読みとりが可能な記録層が形成された光学記録媒体において、該記録層が上記ジメチン化合物を少なくとも１種含有することを特徴とする光学記録媒体である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明のジメチン化合物について詳細に説明する。
【００１８】
本発明のジメチン化合物は、上記一般式〔Ａ〕または一般式〔Ｂ〕で表される化合物である。
【００１９】
一般式〔Ａ〕において、環Ａｒは芳香族炭化水素環または芳香族複素環を表し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９及びＲ１０は各々独立して、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、スルホ基、直鎖もしくは分岐鎖を有するアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロ環、アシル基、またはアルコキシカルボニル基を示し、Ｒ５及びＲ６は各々独立して、直鎖または分岐鎖を有するアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロ環、アシル基またはアルコキシカルボニル基を示し、Ｑは同一または異なっていてもよいアニオン成分を示す。なお、環Ａｒは、他の置換基を有していてもよい。
【００２０】
一般式〔Ｂ〕において、環Ａｒは芳香族炭化水素環または芳香族複素環基を示し、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ９及びＲ１０は各々独立して、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、スルホ基、直鎖または分岐鎖を有するアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロ環、アシル基、またはアルコキシカルボニル基を表し、Ｒ３及びＲ８は各々独立して、直鎖または分岐鎖を有するアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロ環、アシル基またはアルコキシカルボニル基を表し、Ｑは同一または異なっていてもよいアニオン成分を表す。なお、環Ａｒは、他の置換基を有していてもよい。
【００２１】
一般式〔Ａ〕及び一般式〔Ｂ〕における、環Ａｒは芳香族炭化水素環または芳香族複素環を表し、具体的には、置換基を有していてもよいベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フルオレン環、フェナントレン環、ピレン環、フラン環、ピロール環、チオフェン環、カルバゾール環、ピリジン環、キノリン環、イソキノリン環、アクリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、フェナジン環、イミダゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、チアジアゾール環、オキサジアゾール環などがあげられ、好ましくはベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フルオレン環、カルバゾール環である。
【００２２】
芳香族炭化水素環及び芳香族複素環の置換基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、スルホ基、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘプチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等の炭素数１〜１８の直鎖または分岐鎖を有するアルキル基、該アルキル基に対応する炭素数１〜１８の直鎖または分岐鎖を有するアルコキシ基、アルコキシカルボニル基及びハロゲン化アルキル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基等の炭素数３〜１８の環状アルキル基、ビニル基、プロペニル基、ヘキセニル基等の炭素数２〜１８の直鎖または分岐鎖を有するアルケニル基、フェニル基、トリル基、キシリル基等のアリール基、２−チエニル基、２−ピリジル基等の複素環があげられる。
【００２３】
一般式〔Ａ〕におけるＲ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０及び一般式〔Ｂ〕におけるＲ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ９、Ｒ１０は各々独立して、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、シアノ基、ニトロ基、スルホ基、または置換されていてもよい直鎖または分岐鎖を有するアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロ環、アシル基、またはアルコキシカルボニル基を表す。
【００２４】
一般式〔Ａ〕におけるＲ５、Ｒ６及び一般式〔Ｂ〕におけるＲ３、Ｒ８は各々独立して、置換されていてもよい直鎖または分岐鎖を有するアルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロ環、アシル基、もしくはアルコキシカルボニル基を表す。
【００２５】
上記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等があげられ、好ましくはフッ素原子である。
【００２６】
アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘプチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等の炭素数１〜１８の直鎖または分岐鎖を有するアルキル基があげられ、好ましくは炭素数１〜９である。
【００２７】
アルケニル基としては、例えば、ビニル、アリル、１−プロペニル、２−ペンテニル、１，３−ブタジエニル、２−オクテニル、３−ドデセニル基等の炭素数１〜１８の直鎖または分岐鎖を有するアルケニル基があげられ、好ましくは炭素数３〜９である。
【００２８】
アルコキシ基としては、例えば、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、２ーメトキシエトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、オクチルオキシ、デシルオキシ基、メトキシメチル基、メトキシエチル基、メトキシプロピル基、メトキシブチル基、メトキシヘキシル基、メトキシオクチル基、エトキシエチル基、エトキシエチル基、エトキシプロピル基、エトキシブチル基、エトキシヘキシル基、エトキシオクチル基、プロポキシメチル基、プロポキシプロピル基、プロポキシヘキシル基、ブトキシエチル基等の炭素数１〜１８の直鎖または分岐鎖を有するアルコキシ基があげられ、好ましくは炭素数３〜９である。
【００２９】
アリール基としては、例えば、フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、クメニル基、ナフチル基などの炭素数６〜１８のアリール基があげられ、好ましくは炭素数６〜１２である。
【００３０】
ヘテロ環としては、例えば、フラン環、ピロール環、チオフェン環、カルバゾール環、ピリジン環、キノリン環、イソキノリン環、アクリジン環、ピリミジン環、ピラジン環、フェナジン環、イミダゾール環、トリアゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、チアジアゾール環、オキサジアゾール環等があげられる。
【００３１】
アシル基としては、例えば、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、イソバレリル基等の炭素数２〜１８の直鎖または分岐鎖を有するアシル基があげられ、好ましくは炭素数３〜９である。
【００３２】
アルコキシカルボニル基としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、２ーメトキシエトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ウンデシルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、ヘキサデシルオキシカルボニル基、オクタデシルオキシカルボニル基等の炭素数１〜１８の直鎖または分岐鎖を有するアルコキシカルボニル基があげられ、好ましくは炭素数１〜８である。
【００３３】
また、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基、ヘテロ環、アシル基、もしくはアルコキシカルボニル基は、その一部が置換基で置換されていてもよく、該置換基としては、例えば、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、ヨード基などのハロゲン基、メトキシ基、トリフルオロメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、フェノキシ基、ベンジルオキシ基、ナフトキシ基などのエーテル基、フェニル基、ビフェニリル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｏ−クメニル基、ｍ−クメニル基、ｐ−クメニル基、キシリル基、メシチル基、ナフチル基などの芳香族炭化水素基、２−ピリジル基、２−キノリル基、２−テトラヒドロピラニル基、２，２−ジメチル−１，３−ジオキソラン−４−イル基、１，３−ジオキソラン−２−イル基、３，５−ジメチル−イソオキサゾール−４−イル基、３−ピペリジニル基、ピペリジノ基、モルホリノ基、１−ピペラジニル基、ピロリジン−１−イル基、１−メチル−２−ピロリジニル基、２−ベンゾイミダゾリル基、５−ウラシル基、ベンゾトリアゾール−１−イル基などの複素環基、メトキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、アセトキシ基、トリフルオロアセトキシ基、ベンゾイルオキシ基などのエステル基、さらには、カルボキシ基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、スルホ基、スルホニル基、アミド基などの酸素、硫黄または窒素を含む特性基があげられる。
【００３４】
一般式〔Ａ〕及び一般式〔Ｂ〕で示されるジメチン化合物は、例えば、下式〔Ｃ〕で表されるジアルデヒド基を有する環Ａｒと活性メチル基を有するピリジン化合物の第四級アンモニウム塩とを縮合反応させることにより得られる。
【００３５】
【化３】
2006089646.tif 000004
【００３６】
一般式〔Ｃ〕中、環Ａｒは一般式〔Ａ〕または一般式〔Ｂ〕で表される環Ａｒに対応する。
【００３７】
以下に、本発明におけるジメチン化合物のカチオン成分の好ましい具体例として、化合物（１）〜（８２）をあげるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００３８】
【化４．１】
2006089646.tif 000005
【００３９】
【化４．２】
2006089646.tif 000006
【００４０】
【化４．３】
2006089646.tif 000007
【００４１】
【化４．４】
2006089646.tif 000008
【００４２】
【化４．５】
2006089646.tif 000009
【００４３】
【化４．６】
2006089646.tif 000010
【００４４】
【化４．７】
2006089646.tif 000011
【００４５】
【化４．８】
2006089646.tif 000012
【００４６】
【化４．９】
2006089646.tif 000013
【００４７】
【化４．１０】
2006089646.tif 000014
【００４８】
【化４．１１】
2006089646.tif 000015
【００４９】
【化４．１２】
2006089646.tif 000016
【００５０】
【化４．１３】
2006089646.tif 000017
【００５１】
【化４．１４】
2006089646.tif 000018
【００５２】
【化４．１５】
2006089646.tif 000019
【００５３】
【化４．１６】
2006089646.tif 000020
【００５４】
【化４．１７】
2006089646.tif 000021
【００５５】
【化４．１８】
2006089646.tif 000022
【００５６】
【化４．１９】
2006089646.tif 000023
【００５７】
【化４．２０】
2006089646.tif 000024
【００５８】
【化４．２１】
2006089646.tif 000025
【００５９】
【化４．２２】
2006089646.tif 000026
【００６０】
【化４．２３】
2006089646.tif 000027
【００６１】
【化４．２４】
2006089646.tif 000028
【００６２】
【化４．２５】
2006089646.tif 000029
【００６３】
【化４．２６】
2006089646.tif 000030
【００６４】
【化４．２７】
2006089646.tif 000031
【００６５】
【化４．２８】
2006089646.tif 000032
【００６６】
【化４．２９】
2006089646.tif 000033
【００６７】
【化４．３０】
2006089646.tif 000034
【００６８】
【化４．３１】
2006089646.tif 000035
【００６９】
【化４．３２】
2006089646.tif 000036
【００７０】
【化４．３３】
2006089646.tif 000037
【００７１】
【化４．３４】
2006089646.tif 000038
【００７２】
【化４．３５】
2006089646.tif 000039
【００７３】
【化４．３６】
2006089646.tif 000040
【００７４】
【化４．３７】
2006089646.tif 000041
【００７５】
【化４．３８】
2006089646.tif 000042
【００７６】
【化４．３９】
2006089646.tif 000043
【００７７】
【化４．４０】
2006089646.tif 000044
【００７８】
【化４．４１】
2006089646.tif 000045
【００７９】
【化４．４２】
2006089646.tif 000046
【００８０】
【化４．４３】
2006089646.tif 000047
【００８１】
【化４．４４】
2006089646.tif 000048
【００８２】
【化４．４５】
2006089646.tif 000049
【００８３】
【化４．４６】
2006089646.tif 000050
【００８４】
【化４．４７】
2006089646.tif 000051
【００８５】
【化４．４８】
2006089646.tif 000052
【００８６】
【化４．４９】
2006089646.tif 000053
【００８７】
【化４．５０】
2006089646.tif 000054
【００８８】
【化４．５１】
2006089646.tif 000055
【００８９】
【化４．５２】
2006089646.tif 000056
【００９０】
【化４．５３】
2006089646.tif 000057
【００９１】
【化４．５４】
2006089646.tif 000058
【００９２】
【化４．５５】
2006089646.tif 000059
【００９３】
【化４．５６】
2006089646.tif 000060
【００９４】
【化４．５７】
2006089646.tif 000061
【００９５】
【化４．５８】
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【００９６】
【化４．５９】
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【００９７】
【化４．６０】
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【００９８】
【化４．６１】
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【００９９】
【化４．６２】
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【０１００】
【化４．６３】
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【０１０１】
【化４．６４】
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【０１０２】
【化４．６５】
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【０１０３】
【化４．６６】
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【０１０４】
【化４．６７】
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【０１０５】
【化４．６８】
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【０１０６】
【化４．６９】
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【０１０７】
【化４．７０】
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【０１０８】
【化４．７１】
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【０１０９】
【化４．７２】
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【０１１０】
【化４．７３】
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【０１１１】
【化４．７４】
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【０１１２】
【化４．７５】
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【０１１３】
【化４．７６】
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【０１１４】
【化４．７７】
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【０１１５】
【化４．７８】
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【０１１６】
【化４．７９】
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【０１１７】
【化４．８０】
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【０１１８】
【化４．８１】
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【０１１９】
【化４．８２】
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【０１２０】
一般式〔Ａ〕及び一般式〔Ｂ〕において、Ｑは同一または異なっていてもよいアニオン成分を表し、Ｂｒ−、Ｉ−、ＣｌＯ４−、ＡｓＦ６−、ＢＦ４−、ＳｂＦ６−、ＣＦ３ＳＯ３−、Ｃ２Ｆ５ＳＯ３−、（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ−、（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）２Ｎ−、（ＣＦ３ＳＯ２）３Ｃ−または（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）３Ｃ−があげられる。
【０１２１】
本発明の光学記録媒体は、基板上に前記本発明における一般式〔Ａ〕または一般式〔Ｂ〕で表されるジメチン化合物を少なくとも１種含有する記録層を有し、異なる２種以上のジメチン化合物を含有させてもよい。
【０１２２】
一般式〔Ａ〕または一般式〔Ｂ〕で表されるジメチン化合物は、３５０ｎｍ〜５３０ｎｍという短い波長領域に、レーザー光による記録再生に適した強度の吸収を有しているため、短波長レーザーによる記録再生用光学記録媒体に使用する化合物として極めて有用である。
【０１２３】
本発明の光学記録媒体の好ましい構成としては、一定のトラックピッチのプレグルーブが形成された円盤状基板上に、順次、記録層、光反射層及び保護層を形成させた構成、該基板上に、順次、光反射層、記録層及び保護層を形成させた構成、または、一定のトラックピッチのプレグルーブが形成された透明な円盤状基板上に、順次、記録層及び光反射層が形成されてなる２枚の積層体を、記録層が各々内向するように接合させた構成などがあげられる。以下に、本発明の光学記録媒体について詳細に説明する。
【０１２４】
本発明の光学記録媒体における基板の材質は、従来の光学記録媒体の基板として用いられている各種の材料から任意に選択することができる。基板材料としては、例えばガラス、ポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、塩化ビニル共重合体等の塩化ビニル系樹脂、エポキシ樹脂、アモルファスポリオレフィン樹脂及びポリエステル樹脂などをあげることができ、上記材料の中では、耐湿性、寸法安定性及び価格などの点から射出成型ポリカーボネートが好ましい。樹脂基板または樹脂層の表面に記録層を形成させるが、上記樹脂基板または樹脂層上には、記録再生光の案内溝やピットを具備させてもよく、案内溝がスパイラル状の場合、この溝ピッチが０．５〜１．２μｍ程度であることが好ましい。
【０１２５】
記録層の形成は、真空蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法等の気相法やドクターブレード法、キャスト法、スピンコート法、浸漬法等の液相法など従来公知の薄膜形成方法によって行うことができるが、量産性、コスト面からスピンコート法が好ましい。
【０１２６】
液相法の溶媒としては、基板を侵さない溶媒であればよく、特に限定されない。例えば、酢酸ブチル、乳酸エチル、セロソルブアセテートなどのエステル；メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトンなどのケトン；ジクロルメタン、１，２−ジクロルエタン、クロロホルムなどの塩素化炭化水素；ジメチルホルムアミドなどのアミド；メチルシクロヘキサンなどの炭化水素；ジブチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどのエーテル；エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、ジアセトンアルコールなどのアルコール；２，２，３，３−テトラフルオロプロパノールなどのフッ素系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどのグリコールエーテル類などをあげることができる。上記溶媒は使用する化合物の溶解性を考慮して単独で、または２種以上を組み合わせて使用することができる。
【０１２７】
記録層の厚みは、通常２０〜５００ｎｍの範囲であり、好ましくは３０〜３００ｎｍの範囲であり、より好ましくは５０〜１５０ｎｍの範囲である。
【０１２８】
また、記録層は、記録層の耐光性を向上させるために、一重項酸素クエンチャーが用いられる。一重項クエンチャーとして、アセチルアセトナートキレート、ビスフェニルジチオール、サリチルアルデヒドオキシム、ビスジチオ−α-ジケトン等の遷移金属キレート錯体や、芳香族ニトロソ化合物、アミニウム化合物、イミニウム化合物、ビスイミニウム化合物等があげられる。これらの成分の使用量はジメチン化合物の量に対して、通常０．１〜５０質量％の範囲であり、好ましくは３〜４０質量％の範囲である。
【０１２９】
記録層の上には、光反射層を形成してもよく、その厚みは好ましくは、５０〜３００ｎｍの範囲である。光反射層の材料としては、再生光の波長で反射率の十分高いもの、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔａ、及びＰｄの金属を単独あるいは合金にして用いることが可能である。これらの中でも、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇは反射率が高く反射層の材料として好適である。反射層は、例えば、上記光反射性物質を蒸着、スパッタリングまたはイオンプレーティングすることにより基板もしくは記録層の上に形成される。光反射層の厚みは、通常１０〜３００ｎｍの範囲であり、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲である。
【０１３０】
反射層の上に形成される保護層の材料としては、反射層を外力から保護するものであれば特に限定されない。具体的には、有機系材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、電子線硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等をあげられ、また、無機系材料としては、ＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＭｇＦ２、ＳｎＯ２等があげられる。
【０１３１】
熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂を用いた保護層は、該樹脂を適当な溶剤に溶解した塗布液を、記録層または光反射層を形成させた基板表面に塗布し、乾燥することによって形成することができる。
【０１３２】
ＵＶ硬化性樹脂を用いた保護層は、該樹脂単独もしくは適当な溶剤に溶解した塗布液を、記録層または光反射層を形成させた基板表面に塗布し、ＵＶ光を照射して硬化させることによって形成することができる。ＵＶ硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレートなどのアクリレート系樹脂を用いることができる。これらの材料は単独ないしは混合して用いてもよいし、１層または多層膜を形成させてもよい。
【０１３３】
保護層の形成方法としては、記録層と同様にスピンコート法やキャスト法等の塗布法やスパッタ法や化学蒸着法等の方法が用いられるが、これらの中でもスピンコート法が好ましい。保護層の膜厚は、一般に０．１〜１００μｍの範囲であるが、３〜３０μｍが好ましい。
【０１３４】
本発明の光学記録媒体で使用されるレーザー光は、高密度記録が可能な短い波長領域が選ばれるが、好ましくは３５０〜４３０ｎｍの発振波長を有する青紫色半導体レーザー光が、より好ましくは３９０〜４１５ｎｍの発振波長を有する青紫色半導体レーザー光が用いられる。
【０１３５】
本発明の光学記録媒体への記録は、基板の両面または片面に設けられた記録層に０．４〜０．６μｍ程度に集束させたレーザー光を照射することにより行われる。レーザー光の照射された部分には、レーザー光エネルギーの吸収による、分解、発熱、溶解等の記録層の熱的変形が起こり、光学特性が変化し、記録ピットが形成される。記録された情報は、再生用レーザー光を照射させて、記録層の光学的特性が変化した部位（記録部分）と変化しない部位（未記録部分）との反射率の違いを検出することにより再生される。
【実施例】
【０１３６】
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれら実施例によって限定されるものではない。なお、実施例中、「部」は「質量部」を表す。
【０１３７】
実施例１
カチオン成分が前記化学式（２）で表され、アニオン成分が２ＣＦ３ＳＯ３−であるジメチン化合物を以下の手順で合成した。
【０１３８】
ジアルデヒド基を有する環Ａｒとして、ベンゼン−１，４−ジカルバルデヒド５．１部とエタノール１５０部とを還流冷却器及び攪拌機のついたフラスコに入れて混合し、触媒としてピペリジン０．２部を加えて混合した。これにピリジン化合物の第四級アンモニウム塩として、１−n−ブチル−４−メチルピリジニウムトリフルオロスルホン酸２３．３部を添加した。添加後、５時間加熱還流を行い、反応させた。反応終了後室温まで冷却し、結晶をろ別し、イソプロパノールで再結晶することにより、実施例１のジメチン化合物１６．１部（収率６１％）を得た。
【０１３９】
得られたジメチン化合物をアセトンに溶解し、溶液のＵＶ−ｖｉｓ吸収スペクトル測定（（株）日立ハイテクノロジーズ、Ｕ−３５００）を測定した結果、最大吸収波長（λｍａｘ）３９２ｎｍ、モル吸光係数（ε）５．１５×１０４Ｍ−１ｃｍ−１であった。また、元素分析（ヤナコ分析工業（株）、ＣＨＮコーダーＭＴ−３）の結果、理論値Ｃ５１．７２、Ｈ４．９２、Ｎ４．０２％に対して、実測値Ｃ５１．５８、Ｈ４．９０、Ｎ３．８１％であった。示差熱分析（セイコーインスツルメンツ（株）、ＴＧ／ＤＴＡ６３００）の結果、分解点４０２℃であった。
【０１４０】
また、得られたジメチン化合物を２，２，３，３，−テトラフルオロ−１−プロパノール（以下、「ＴＦＰ」と略記する。）に溶解し、１０ｇ／Ｌ溶液とした。該溶液を直径１２ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの射出型ポリカーボネート樹脂基板上に滴下し、スピンコート法により成膜した。塗布後、１００℃、３０分間乾燥した。この塗布膜の最大吸収波長λmaxは３８５ｎｍであった。結果を表１に示す。
【０１４１】
実施例２
カチオン成分が前記化学式（３）で表され、アニオン成分が２（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ−であるジメチン化合物を以下の手順で合成した。
【０１４２】
ジアルデヒド基を有する環Ａｒとして、２，３，５，６−テトラフルオロベンゼン−１，４−ジカルバルデヒド３．０部とエタノール１００部とを還流冷却器及び攪拌機のついたフラスコに入れて混合し、触媒としてピペリジン０．１部を加えて混合した。これにピリジン化合物の第四級アンモニウム塩として、１−（２−メトキシメチル）−４−メチルピリジニウムビス（トリフルオロメチルスルホニル）イミド１２．３部を添加した。添加後、３時間加熱還流を行い、反応させた。反応終了後室温まで冷却し、結晶をろ別し、イソプロパノールで再結晶することにより、実施例２のジメチン化合物１１．３部（収率７５％）を得た。また、実施例１と同様にして物性評価を行った結果、アセトン溶液のＵＶ−Ｖｉｓ吸収スペクトルは最大吸収波長３８０ｎｍ、モル吸光係数６．５８×１０４Ｍ−１ｃｍ−１であった。また、元素分析の結果、理論値Ｃ３３．４１、Ｈ２．２０、Ｎ５．５７％に対して、実測値Ｃ３３．１９、Ｈ２．０８、Ｎ５．７１％であった。示差熱分析の結果、分解点４３６℃であった。
【０１４３】
また、得られたジメチン化合物をＴＦＰに溶解し、２０ｇ／Ｌ溶液とした。この溶液を直径１２ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの射出型ポリカーボネート樹脂基板上に滴下し、スピンコート法により成膜した。塗布後、１００℃、３０分間乾燥した。この塗布膜の最大吸収波長は３７６ｎｍであった。結果を表１に示す。
【０１４４】
実施例３
カチオン成分が前記化学式（２３）で表され、アニオン成分が２I−であるジメチン化合物を以下の手順で合成した。
【０１４５】
ジアルデヒド基を有する環Ａｒとして、ナフタレン−１，５−ジカルバルデヒド１．９部とエタノール８０部とを還流冷却器及び攪拌機のついたフラスコに入れて混合し、触媒としてピペリジン０．０８部を加えて混合した。これにピリジン化合物の第四級アンモニウム塩として、１−ｎ−ヘキシル−４−メチルピリジニウムビスアイオダイド６．４部を添加した。添加後、７時間加熱還流を行い、反応させた。反応終了後室温まで冷却し、結晶をろ別し、エタノールで再結晶することにより、実施例３のジメチン化合物４．２部（収率５６％）を得た。また、実施例１と同様にして物性評価を行った結果、アセトン溶液のＵＶ−Ｖｉｓ吸収スペクトルは最大吸収波長３９４ｎｍ、モル吸光係数８．４６×１０４Ｍ−１ｃｍ−１であった。また、元素分析の結果、理論値Ｃ５７．００、Ｈ５．８５、Ｎ３．６９％に対して、実測値Ｃ５６．８１、Ｈ５．７９、Ｎ３．８３％であった。示差熱分析の結果、分解点３９７℃であった。
【０１４６】
また、得られたジメチン化合物をＴＦＰに溶解し、１０ｇ／Ｌ溶液とした。該溶液を直径１２ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの射出型ポリカーボネート樹脂基板上に滴下し、スピンコート法により成膜した。塗布後、１００℃、３０分間乾燥した。この塗布膜の最大吸収波長は３８５ｎｍであった。結果を表１に示す。
【０１４７】
実施例４
カチオン成分が前記化学式（３４）で表され、アニオン成分が２ＳｂＦ６−であるジメチン化合物を以下の手順で合成した。
【０１４８】
ジアルデヒド基を有する環Ａｒとして、９，９−ジプロピル−９Ｈ−フルオレン−２，７−ジカルバルデヒド１２．２部とエタノール１２０部とを還流冷却器及び攪拌機のついたフラスコに入れて混合し、触媒としてピロリジン０．２部を加えて混合した。これにピリジン化合物の第四級アンモニウム塩として、１−（３，３，３−トリフルオロプロピル）−４−メチルピリジニウム６フッ化アンチモン酸６．３部を添加した。添加後、２時間加熱還流を行い、反応させた。反応終了後室温まで冷却し、結晶をろ別し、エタノールで再結晶することにより、実施例４のジメチン化合物４．０部（収率４９％）を得た。また、実施例１と同様にして物性評価を行った結果、アセトン溶液のＵＶ−Ｖｉｓ吸収スペクトルは最大吸収波長３９７ｎｍ、モル吸光係数７．８４×１０４Ｍ−１ｃｍ−１であった。また、元素分析の結果、理論値Ｃ４１．７４、Ｈ３．５９、Ｎ２．５０％に対して、実測値Ｃ４１．９９、Ｈ３．７３、Ｎ２．５３％であった。示差熱分析の結果、分解点４０８℃であった。
【０１４９】
また、得られたジメチン化合物をＴＦＰに溶解し、３０ｇ／Ｌ溶液とした。この溶液を直径１２ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの射出型ポリカーボネート樹脂基板上に滴下し、スピンコート法により成膜した。塗布後、１００℃、３０分間乾燥した。この塗布膜の最大吸収波長は３９０ｎｍであった。結果を表１に示す。
【０１５０】
実施例５
カチオン成分が前記化学式（４６）で表され、アニオン成分が２Ｂｒ−であるジメチン化合物を以下の手順で合成した。
【０１５１】
ジアルデヒド基を有する環Ａｒとして、９，（３，３，３−トリフルオロプロピル）−９Ｈ−カルバゾール−２，７−ジカルバルデヒド４．５部とエタノール１５０部とを還流冷却器及び攪拌機のついたフラスコに入れて混合し、触媒としてピロリジン０．３部を加えて混合した。これにピリジン化合物の第四級アンモニウム塩として、１−ｎ−ペンチル−４−メチルピリジニウムブロマイド７．０部を添加した。添加後、５時間加熱還流を行い、反応させた。反応終了後室温まで冷却し、結晶をろ別し、２−プロパノールで再結晶することにより、実施例５のジメチン化合物７．２部（収率６７％）を得た。また、実施例１と同様にして物性評価を行った結果、アセトン溶液のＵＶ−Ｖｉｓ吸収スペクトルは最大吸収波長３９４ｎｍ、モル吸光係数８．４９×１０４Ｍ−１ｃｍ−１であった。また、元素分析の結果、理論値Ｃ６０．７１、Ｈ５．７５、Ｎ５．４５％に対して、実測値Ｃ６０．５７、Ｈ５．５１、Ｎ５．６６％であった。示差熱分析の結果、分解点３７９℃であった。
【０１５２】
また、得られたジメチン化合物をＴＦＰに溶解し、１５ｇ／Ｌ溶液とした。該溶液を直径１２ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの射出型ポリカーボネート樹脂基板上に滴下し、スピンコート法により成膜した。塗布後、１００℃、３０分間乾燥した。この塗布膜の最大吸収波長は３８６ｎｍであった。結果を表１に示す。
【０１５３】
【表１】
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【０１５４】
表１に示すように、本発明の実施例１〜５のジメチン化合物は３５０〜５３０ｎｍの波長領域に光吸収を有し、かつ、高い吸光係数を有していることがわかる。
【産業上の利用可能性】
【０１５５】
本発明は、特定のジメチン化合物が３５０〜５３０ｎｍの波長領域に光吸収を有し、かつ、大きな吸光係数を有することを見出し、記録層を形成する光学記録媒体として好適である。
【図面の簡単な説明】
【０１５６】
【図１】実施例１の溶液のＵＶ−Ｖｉｓ吸収スペクトル
【図２】実施例１の塗布膜のＵＶ−Ｖｉｓ吸収スペクトル
【図１】
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【図２】
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