(57)【要約】【課題】  現実の発光点の形状又は大きさに対して良好なデブリ除去を実現し、安定してＸ線（例えば、ＥＵＶ光）を効率的に発生させることができるデブリ除去装置、及びそれを有するＸ線発生装置並びに露光装置を提供する。【解決手段】  プラズマを発生し、当該プラズマからＸ線を発生させるＸ線光源の前記Ｘ線の発光点で発生したデブリが光学系に到達することを防止するデブリ除去装置であって、前記デブリを吸着する複数の吸着面を含む吸着部を有し、当該吸着部は同一点を頂点とする複数の円錐を、前記同一点を中心とする球で切り出した形状を有し、前記複数の円錐のうち任意の隣接する２つの円錐の前記頂点からの広がり角の差は前記２つの円錐の内側の円錐の広がり角よりも大きいことを特徴とする。【選択図】          図１
2006107933.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマを発生し、当該プラズマからＸ線を発生させるＸ線光源の前記Ｘ線の発光点で発生したデブリが光学系に到達することを防止するデブリ除去装置であって、
前記デブリを吸着する複数の吸着面を含む吸着部を有し、当該吸着部は同一点を頂点とする複数の円錐を、前記同一点を中心とする球で切り出した形状を有し、
前記複数の円錐のうち任意の隣接する２つの円錐の前記頂点からの広がり角の差は前記２つの円錐の内側の円錐の広がり角よりも大きいことを特徴とするデブリ除去装置。
【請求項２】
前記複数の吸着面は、前記広がり角が増加するにつれて前記同一点方向に増加する長さを有することを特徴とする請求項１記載のデブリ除去装置。
【請求項３】
前記吸着部は、前記球と当該球よりも小さい楕円体で切り出した形状を有し、前記楕円体の中心は前記球の前記中心と一致し、前記楕円体の長軸方向は前記複数の円錐の高さ方向と一致することを特徴とする請求項１記載のデブリ除去装置。
【請求項４】
プラズマを生成し、当該プラズマから放射されるＸ線を取り出すＸ線発生装置であって、
前記プラズマを生成する手段と、
前記Ｘ線を導光する光学系と、
前記Ｘ線の発光点で発生したデブリが前記光学系に到達することを防止するデブリ除去装置であって、前記デブリを吸着する複数の吸着面を含む吸着部を有し、当該吸着部は同一点を頂点とする複数の円錐を球で切り出した形状を有し、前記複数の円錐を、前記同一点を含む前記円錐の高さ方向から見ると、前記複数の円錐のうち任意の隣接する２つの円錐のそれぞれに対応する円の半径の差は内側の円錐に対応する円の半径よりも大きいことを特徴とするＸ線発生装置。
【請求項５】
前記プラズマ生成手段は、電極にガスを流して放電することを特徴とする請求項４記載のＸ線発生装置。
【請求項６】
前記Ｘ線は、２０ｎｍ以下の波長を有することを特徴とする請求項４記載のＸ線発生装置。
【請求項７】
前記プラズマ発光点はほぼ断面楕円形状を有し、当該楕円形状の長軸方向は前記複数の円錐の高さ方向とほぼ一致することを特徴とする請求項４記載のＸ線発生装置。
【請求項８】
請求項４乃至７のうちいずれか一項記載のＸ線発生装置と、
パターンを有するレチクルを、前記Ｘ線発生装置が発生した前記Ｘ線により照明する照明光学系と、
前記照明光学系により照明された前記レチクルのパターンを被露光体に投影する投影光学系とを有することを特徴とする露光装置。
【請求項９】
前記照明光学系は、斜入射ミラーを含むことを特徴とする請求項８記載の露光装置。
【請求項１０】
請求項８又は９記載の露光装置を用いて被露光体を露光するステップと、
露光された前記被露光体を現像するステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｘ線や極端紫外線（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）光を発生するＸ線発生装置及びそれを有する露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィー（焼き付け）技術を用いて半導体メモリや論理回路などの微細な半導体素子を製造する際に、レチクル（又はマスク）に描画された回路パターンを投影光学系によってウェハ等に投影して回路パターンを転写する投影露光装置が従来から使用されている。
【０００３】
投影露光装置で転写できる最小の寸法（解像度）は、露光に用いる光の波長に比例するため、最近では紫外線光よりも更に波長が短い、波長１０ｎｍ乃至１５ｎｍ程度の極端紫外線（ＥＵＶ）光を用いた投影露光装置（以下、「ＥＵＶ露光装置」と称する。）が開発されている。ＥＵＶ露光装置は、レーザー光をターゲット材に照射してプラズマを発生させてＥＵＶ光線を発生させるレーザープラズマ光源や、電極にガスを流して放電することによってプラズマを発生させてＥＵＶ光を発生させる放電型プラズマ光源を、光源として典型的に使用する（例えば、特許文献１及び特許文献２参照。）。
【０００４】
しかし、レーザープラズマ光源は、ＥＵＶ光と共にターゲット材からデブリと呼ばれる飛散粒子を発生させてしまう。また、ターゲット材を供給する供給機構からもデブリが放出される。更に、放電型プラズマ光源でも電極材からデブリが飛散する。デブリは、照明光学系の光学素子を汚染、損傷し、反射率の低下を引き起こして照度ムラやスループットの低下をもたらす。そこで、発光点とミラーとの間にデブリを除去するデブリフィルターが配置される（例えば、特許文献３及び４）。
【０００５】
デブリフィルターは、プラズマ発光点を等方的にＥＵＶ光を発光する点光源と擬制し、典型的に、当該点光源を中心とする中空の球状金属体から構成される。球状金属体にはＥＵＶ光が通過する複数の貫通穴が球の中心から放射方向に形成され、貫通孔内面にはアルミなどからなる薄板状のデブリ付着部が設けられている。デブリは、満たされたヘリウム等のガス分子とランダムに衝突し運動方向が曲げられ、金属体の壁面やデブリ付着部に付着、蓄積する。一方、ＥＵＶは貫通孔を通過して次段の照明光学系に導光される（例えば、特許文献５、６を参照のこと）。
【特許文献１】特開２００２−１７４７００号公報
【特許文献２】特開２００４−２２６２４４号公報
【特許文献３】特開２００３−１４２２９６号公報
【特許文献４】特開２００３−２２９５０号公報
【特許文献５】米国特許６，３５９，９６９号明細書
【特許文献６】米国特許６，７５３，９４１号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、実際のプラズマ発光点は点光源ではなく、回転楕円体形状や十分な大きさの球形状を有する。このため、プラズマ発光点には、球状金属体の中心からずれた発光位置が存在し、かかる発光位置から等方的に発光するＥＵＶ光は金属体の内面で遮光されてしまい、光量及びスループットの低下を招く。
【０００７】
そこで、本発明は、現実の発光点の形状又は大きさに対して良好なデブリ除去を実現し、安定してＸ線（例えば、ＥＵＶ光）を効率的に発生させることができるデブリ除去装置、及びそれを有するＸ線発生装置並びに露光装置を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一側面としてのデブリ除去装置は、プラズマを発生し、当該プラズマからＸ線を発生させるＸ線光源の前記Ｘ線の発光点で発生したデブリが光学系に到達することを防止するデブリ除去装置であって、前記デブリを吸着する複数の吸着面を含む吸着部を有し、当該吸着部は同一点を頂点とする複数の円錐を、前記同一点を中心とする球で切り出した形状を有し、前記複数の円錐のうち任意の隣接する２つの円錐の前記頂点からの広がり角の差は前記２つの円錐の内側の円錐の広がり角よりも大きいことを特徴とする。
【０００９】
本発明の別の側面としてのＸ線発生装置は、プラズマを生成し、当該プラズマから放射されるＸ線を取り出すＸ線発生装置であって、前記プラズマを生成する手段と、前記Ｘ線を導光する光学系と、上述のデブリ除去装置とを有する。
【００１０】
本発明の更に別の側面としての露光装置は、上述のＸ線発生装置と、パターンを有するレチクルを、前記Ｘ線発生装置が発生した前記Ｘ線により照明する照明光学系と、前記照明光学系により照明された前記レチクルのパターンを被露光体に投影する投影光学系とを有することを特徴とする。
【００１１】
本発明の更に別の側面としてのデバイス製造方法は、上述の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、露光された前記被処理体に所定のプロセスを行うステップとを有することを特徴とする。
【００１２】
本発明の更なる目的又はその他の特徴は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施例によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、現実の発光点の形状又は大きさに対して良好なデブリ除去を実現し、安定してＸ線（例えば、ＥＵＶ光）を効率的に発生させることができるデブリ除去装置、及びそれを有するＸ線発生装置並びに露光装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。図１は、光軸を横方向から見たデブリ除去装置の断面図であり、図２は光軸方向（光軸は紙面手前から奥に向かう）から見た平面図である。図１において１は後述するＸ線発生装置（ＥＵＶ光源）において発生させたプラズマ発光点である。２はデブリフィルター（又はデブリ除去装置）であり、左半分に２点鎖線で示される仮想ミラー４にＥＵＶ光を反射して、投影光学系側に送る機能を有する。デブリフィルター２は、プラズマ発光点１からのデブリを吸収するアルミニウムなどからなる薄板円盤状のデブリ付着部材（又は吸着部）３から構成される。なお、デブリフィルター２を表す点線は、後述するように、デブリ付着部材３の切り出しを説明するために記載されており、実際のデブリフィルター２はデブリ付着部材３とその図示しない支持機構から構成され、点線で示す部分に対応する部材が存在するわけではない。
【００１５】
デブリ付着部材３は、デブリを吸着する複数の吸着面から構成され、デブリ付着部材３は原点Ｏを頂点とする複数の円錐を、原点Ｏを中心とする２つの異なる半径の球で切り出した形状を有する。なお、図１は、デブリ付着部材３を支持する機構を省略している。デブリ付着部材３は原点Ｏを頂点とする複数の円錐面の一部とし、原点Ｏを中心とする２つの異なる半径の球で切り出すのは、従来は、ＥＵＶ光が原点Ｏの一点から等方的に放射すると擬制し、デブリ付着部材３の吸着面をＥＵＶ光を遮らないように原点Ｏから等方的に放射するＥＵＶ光と平行又はほぼ平行にするためである。しかし、実際には、図１に示すように、ＥＵＶ光を発生するプラズマ発光点１は一定の広がりを有し、原点Ｏから離れたＸ部及びＹ部から発生して等方的に広がるＥＵＶ光は従来のデブリ付着部材の配置では遮光されるおそれがある。そこで、本実施例では、デブリ付着部材３を構成する複数の円錐のうち任意の隣接する２つの円錐の原点Ｏからの広がり角の差は２つの円錐の内側の円錐の広がり角よりも大きいように構成した。例えば、広がり角の差Ｍ２−Ｍ１はＭ１よりも大きいなどである。図１及び図２の光軸方向は円錐の高さ方向に一致する。
【００１６】
換言すれば、本実施例は、プラズマ発光点１の形状が点光源ではなく回転楕円体の場合、ＥＵＶ光がデブリ付着部材３に遮光されずに、つまり、光量低下を招くことなくミラー４に導光するために、出射光と回転楕円体の長軸との角度が小さい場所の壁間距離を狭く、角度が大きくなるにしたがって壁間距離を大きくしている。また、プラズマ発光点１の回転楕円体の長軸と光軸をほぼ一致させている。図１において円弧距離Ａ＜Ｂ＜Ｃ＜Ｄの時（図２においては、ａ＜ｂ＜ｃ＜ｄの時）、回転楕円体のもっとも中心から離れている点であるＸ部及びＹ部から射出したＥＵＶ光はデブリ付着部材３に遮光されずに所定の光量を維持することができる。
【実施例１】
【００１７】
図３に示すように、真空容器内におかれたターゲット材であるキセノンに高強度のパルスレーザー光を照射し高温のプラズマを発生させた。光源サイズは約φ２（ｍｍ）、長さ５ｍｍの回転楕円体である。デブリフィルター２は直径約６０ｍｍで内部は直径約４０ｍｍの中空部分がある球体に相当し、ほぼ中央にプラズマ発光点１が設置される。デブリフィルター２の穴の深さ（即ち、デブリ付着部材３の原点Ｏ方向の長さ）は１０ｍｍである。デブリフィルター２はレーザー光やターゲットノズル、ミラーへの光線をけらないような位置に設置された架台によって固定させる。なお、架台表面には水冷管が設けられており高温となるフィルターの冷却を行う。
【００１８】
次に、デブリ付着部材３の隣接する吸着面の広がり角は、Ａゾーン（光軸面よりの角度片側１０〜３０°）は角度２°おき、Ｂゾーン（光軸面よりの角度片側３０〜４５°）、Ｃゾーン（光軸面より角度片側４５〜６０°）は２．５°おき、Ｄゾーン（光軸面よりの角度片側６０〜８０°）は４°おきとした。これにより、従来全ての角度が等間隔、例えば、２°おきであるデブリフィルターに比べて遮光されるＥＵＶ光が減少し、デブリフィルターを通過するＥＵＶ光の光量は約２割が増加した。
【実施例２】
【００１９】
本実施例では、広がり角が大きい領域におけるデブリ付着部材３のデブリ除去機能を強化するために複数の吸着面は、広がり角が増加するにつれて原点Ｏ方向に増加する長さを有するようにした。即ち、図４に示すように、角度２°おきの部分を穴深さ（即ち、デブリ付着部材３の原点Ｏ方向の長さ）６〜８ｍｍの範囲に、角度２．５°おきの部分の穴深さを１０〜１２ｍｍの範囲に、角度４°おきの部分の穴深さを１４〜１６ｍｍとした。つまり、角度と穴深さの比をほぼ一定に保つようにした。これにより場所によるデブリ除去の効果が不均一となることを防止することができた。
【００２０】
本実施例では、図４に示すように、デブリ付着部材３は、球と球よりも小さい回転楕円体で切り出した形状を有し、楕円体の中心は球の中心Ｏと一致し、楕円体の長軸方向は前記複数の円錐の高さ方向と一致している。
【実施例３】
【００２１】
真空に保たれた電極内部の中空部分にキセノンガスを充填した後、放電により高温のプラズマを発生させた。光源サイズは約φ４（ｍｍ）、長さ２０ｍｍの回転楕円体である。デブリフィルターの外径はφ１００であり内径φ８０広がり角度は６０°とした。図５においてデブリ付着部材である隣り合う壁と壁の距離はＡゾーン（光軸面よりの角度片側０〜１０°）は角度１°おき、Ｂゾーン（光軸面よりの角度片側１０〜３０°）は角度２°おき、Ｃゾーン（光軸面よりの角度片側３０〜６０°）は角度３°おきとした。これにより従来全て２°おきであったデブリフィルターに比べ、デブリフィルターを通過するＥＵＶ光の光量は約３割が増加した。
【実施例４】
【００２２】
以下、図６を参照して、本実施例のデブリ除去装置を有するＸ線発生装置及びそれを有する露光装置１００について説明する。ここで、図６は、露光装置１００の構成を示す概略ブロック図である。
【００２３】
露光装置１００は、露光用の照明光としてＥＵＶ光（例えば、波長１３．４ｎｍ）を用いて、例えば、ステップ・アンド・スキャン方式やステップ・アンド・リピート方式でレチクル１２０に形成された回路パターンを被処理体１４０に露光する投影露光装置である。露光装置１００は、サブミクロンやクオーターミクロン以下のリソグラフィー工程に好適であり、以下、本実施形態ではステップ・アンド・スキャン方式の露光装置（「スキャナー」とも呼ばれる。）を例に説明する。ここで、「ステップ・アンド・スキャン方式」とは、レチクルに対してウェハを連続的にスキャン（走査）してレチクルパターンをウェハに露光すると共に、１ショットの露光終了後ウェハをステップ移動して、次の露光領域に移動する露光方法である。「ステップ・アンド・リピート方式」は、ウェハの一括露光ごとにウェハをステップ移動して次のショットの露光領域に移動する露光方法である。
【００２４】
露光装置１００は、照明装置１１０と、レチクル１２０を載置するレチクルステージ１２５と、投影光学系１３０と、被処理体１４０を載置するウェハステージ１４５と、アライメント検出機構１５０と、フォーカス位置検出機構１６０とを有する。
【００２５】
照明装置１１０は、投影光学系１３０の円弧状の視野に対する円弧状のＥＵＶ光（例えば、波長１３．４ｎｍ）によりレチクル１２０を照明する照明装置であって、ＥＵＶ光源１１２と、照明光学系１１４とを有する。
【００２６】
本実施例のＥＵＶ光源１１２は、ターゲットにレーザー光ＬＬを照射してプラズマ１を生成し、かかるプラズマ１から放射されるＥＵＶ光を取り出すレーザープラズマ光源である。ＥＵＶ光源１１２は、レーザー光ＬＬを照射するレーザー光源部１０と、レーザー光ＬＬをターゲットに導光する光学系２０と、ＥＵＶ光を導光する光学系３２と、ターゲットＴを供給するターゲット供給装置４０とを有する。
【００２７】
レーザー光源部１０から射出されたレーザー光ＬＬは、光学系２０を介して集光され、ターゲットＴに照射される。ターゲットＴは、銅、錫、アルミニウム等の他の金属でもよく、また、Ｘｅのガス、液滴、クラスタでもよい。例えば、ターゲットＴはＸｅ液滴として、ターゲット供給装置４０からレーザー光源部１０のレーザー光ＬＬの発光に同期して断続的に供給される。レーザー光ＬＬからのエネルギーによって、ターゲットＴから高温、高密度のプラズマ１が生成され、プラズマ１からＥＵＶ光が発光される。ＥＵＶ光は、集光ミラー３２により集められ、後段の照明光学系１１４へ供給される。
【００２８】
光学系２０は、レンズ、ミラー、平行平板ガラスなどから構成され、真空チャンバーＶＣの真空隔壁の一部も兼ねている。レーザー光ＬＬを真空チャンバーＶＣに透過するレーザー導入窓２４も光学系２０に含まれる。光学系２０は、大気中又は真空中に設置されている。光学系２０は、ＥＵＶ光を効率よく取り出すために、レーザー光ＬＬをターゲット上でプラズマ１の生成に必要、且つ、十分なスポットサイズ及びエネルギー密度となるようにする機能を有する。
【００２９】
プラズマ１からはＥＵＶ光だけでなく、ターゲットからのデブリ、銅などのデブリ及びターゲット供給機構４０からのデブリが発生する。発生したデブリは、このままでは、集光ミラー３２に徐々に付着、堆積して光量の低下をもたらす。そこで、図１乃至図４に示すデブリフィルター２が発光点１と集光ミラー３２との間に配置される。デブリフィルター２は集光ミラー３２のデブリによる損傷を低減及び除去しているので、ＥＵＶ光の安定的な発生に寄与する。また、現実のデブリフィルター２は、プラズマ発光点の形状又は大きさに対してデブリ除去を行うのでＥＵＶ光の遮光が低減する。このため、ＥＵＶ光源１１２は、ＥＵＶ光を効率的に（即ち、より光量の高く）発生させることができ、スループットの向上に資する。
【００３０】
照明光学系１１４は、集光ミラー１１４ａ、オプティカルインテグレーター１１４ｂから構成される。集光ミラー１１４ａは、レーザープラズマからほぼ等方的に放射されるＥＵＶ光を集める役割を果たす。オプティカルインテグレーター１１４ｂは、レチクル１２０を均一に所定の開口数で照明する役割を持っている。
照明光学系１１４は多層膜ミラーを使用しても斜入射全反射ミラーを使用してもよい。
【００３１】
レチクル１２０は、反射型レチクルで、その上には転写されるべき回路パターン（又は像）が形成され、レチクルステージ１２５に支持及び駆動されている。レチクル１２０から発せられた回折光は、投影光学系１３０で反射されて被処理体１４０上に投影される。レチクル１２０と被処理体１４０とは、光学的に共役の関係に配置される。露光装置１００は、ステップ・アンド・スキャン方式の露光装置であるため、レチクル１２０と被処理体１４０を走査することによりレチクル１２０のパターンを被処理体１４０上に縮小投影する。
【００３２】
レチクルステージ１２５は、レチクル１２０を支持して図示しない移動機構に接続されている。レチクルステージ１２５は、当業界周知のいかなる構造をも適用することができる。図示しない移動機構は、リニアモーターなどで構成され、少なくともＸ方向にレチクルステージ１２５を駆動することでレチクル１２０を移動することができる。露光装置１００は、レチクル１２０と被処理体１４０を同期した状態で走査する。
【００３３】
投影光学系１３０は、複数の反射ミラー（即ち、多層膜ミラー）１３０ａを用いて、レチクル１２０面上のパターンを像面である被処理体１４０上に縮小投影する。複数のミラー１３０ａの枚数は、４枚乃至６枚程度である。少ない枚数のミラーで広い露光領域を実現するには、光軸から一定の距離だけ離れた細い円弧状の領域（リングフィールド）だけを用いて、レチクル１２０と被処理体１４０を同時に走査して広い面積を転写する。投影光学系１３０の開口数（ＮＡ）は、０．２乃至０．３程度である。
【００３４】
被処理体１４０は、本実施形態ではウェハであるが、液晶基板その他の被処理体を広く含む。被処理体１４０には、フォトレジストが塗布されている。
【００３５】
ウェハステージ１４５は、ウェハチャック１４５ａによって被処理体１４０を支持する。ウェハステージ１４５は、例えば、リニアモーターを利用してＸＹＺ方向に被処理体１４０を移動する。レチクル１２０と被処理体１４０は同期して走査される。また、レチクルステージ１２５の位置とウェハステージ１４５の位置は、例えば、レーザー干渉計などにより監視され、両者は一定の速度比率で駆動される。
【００３６】
アライメント検出機構１５０は、レチクル１２０の位置と投影光学系１３０の光軸との位置関係、及び、被処理体１４０の位置と投影光学系１３０の光軸との位置関係を計測し、レチクル１２０の投影像が被処理体１４０の所定の位置に一致するようにレチクルステージ１２５及びウェハステージ１４５の位置と角度を設定する。
【００３７】
フォーカス位置検出機構１６０は、被処理体１４０面でフォーカス位置を計測し、ウェハステージ１４５の位置及び角度を制御することによって、露光中、常時被処理体１４０面を投影光学系１３０による結像位置に保つ。
【００３８】
露光において、照明装置１１０から射出されたＥＵＶ光はレチクル１２０を照明し、投影光学系１３０によりレチクル１２０面上のパターンを被処理体１４０面上に結像する。本実施形態において、像面は円弧状（リング状）の像面となり、レチクル１２０と被処理体１４０を縮小倍率比の速度比で走査することにより、レチクル１２０の全面を露光する。露光装置１００に用いられる照明装置１１０が有するＥＵＶ光源１１２は、良好なデブリ除去を実現し、安定してＥＵＶ光を効率的に発生させることができるため、高いスループットで経済性よくデバイス（半導体素子、ＬＣＤ素子、撮像素子（ＣＣＤなど）、薄膜磁気ヘッドなど）を提供することができる。
【００３９】
次に、図７及び図８を参照して、露光装置１００を利用したデバイス製造方法の実施例を説明する。図７は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造を例に説明する。ステップ１（回路設計）では、デバイスの回路設計を行う。ステップ２（レチクル製作）では、設計した回路パターンを形成したレチクルを製作する。ステップ３（ウェハ製造）では、シリコンなどの材料を用いてウェハを製造する。ステップ４（ウェハプロセス）は、前工程と呼ばれ、レチクルとウェハを用いてリソグラフィー技術によってウェハ上に実際の回路を形成する。ステップ５（組み立て）は、後工程と呼ばれ、ステップ４によって作成されたウェハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）では、ステップ５で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ１）される。
【００４０】
図８は、ステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ１１（酸化）では、ウェハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウェハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）では、ウェハ上に電極を蒸着などによって形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）では、ウェハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）では、ウェハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では、露光装置１００によってレチクルの回路パターンをウェハに露光する。ステップ１１（現像）では、露光したウェハを現像する。ステップ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによってウェハ上に多重に回路パターンが形成される。本実施形態のデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。このように、露光装置１００を使用するデバイス製造方法、並びに結果物としてのデバイスも本発明の一側面を構成する。
【００４１】
以上、本発明の好ましい実施例について説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。例えば、露光装置１００は、図５に示す放電型プラズマ光源を適用することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の一側面としてのデブリフィルターの概略断面図である。
【図２】図１に示すデブリフィルターの概略平面図である。
【図３】本発明の第１の実施例のデブリフィルターの構成を示す概略断面図である。
【図４】本発明の第２の実施例のデブリフィルターの構成を示す概略断面図である。
【図５】本発明の第３の実施例のデブリフィルターの構成を示す概略断面図である。
【図６】本発明の一側面としての露光装置の概略ブロック図である。
【図７】デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。
【図８】図７に示すステップ４のウェハプロセスの詳細なフローチャートである。
【符号の説明】
【００４３】
２                          デブリフィルター
３                          デブリ付着部材
１１２                      ＥＵＶ光源
１００                      露光装置
【図１】
2006107933.tif 000003
【図２】
2006107933.tif 000004
【図３】
2006107933.tif 000005
【図４】
2006107933.tif 000006
【図５】
2006107933.tif 000007
【図６】
2006107933.tif 000008
【図７】
2006107933.tif 000009
【図８】
2006107933.tif 000010