(57)【要約】【課題】所望な光学特性のレーザー光Ｌを安定して発生する。【解決手段】レーザーダイオード１１により発生されたレーザー光Ｌ１を光学薄膜体３１が、反射光Ｒ１と透過光Ｔ１として出射する。ここでは、光学薄膜体３１は、光の波長に応じて異なった割合で、その反射光Ｒ１と透過光Ｔ１とを出射する。そして、光学薄膜体３１から出射された透過光Ｔ１を光検出部４１が検出し、その光検出部４１により検出された光の強度に基づいて、制御部５１が半導体発光装置１の動作を制御する。【選択図】図１
2006351857.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を発生する半導体発光素子と、
光を反射または透過する割合が光の波長に応じて異なるように形成されており、前記半導体発光素子により発生された光を、反射光と透過光との少なくとも一方として出射する光学薄膜体と、
前記光学薄膜体から出射された前記反射光と前記透過光との少なくとも一方を検出する光検出部と、
前記光検出部により検出された光の強度に基づいて、当該半導体発光装置の動作を制御する制御部と
を有する
半導体発光装置。
【請求項２】
前記半導体発光素子により発生された光を、透過光と反射光とに分割する光分割部
を有し、
前記光学薄膜体は、前記光分割部によって分割された反射光と透過光とのいずれか一方が入射される
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記光分割部は、前記半導体発光素子により発生された光を、光強度が互いに異なるように透過光と反射光とに分割し、当該分割した前記反射光と前記透過光とのうち、光強度が小さい方を前記光学薄膜体に出射し、光強度が大きい方を前記被照射体に出射する
請求項２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記半導体発光素子の温度を調整する温度調整部
を有し、
前記制御部は、前記光検出部により検出された光の強度に基づいて、前記温度調整部の動作を制御する
請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記光検出部により検出された光の強度に基づいて、前記半導体発光素子の温度を算出する温度算出部
を有し、
前記制御部は、前記温度算出部により算出された前記半導体発光素子の温度が、予め設定された基準値以外の値の際には、前記半導体発光素子の動作を停止させる
請求項１に記載の半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光装置に関し、特に、半導体発光素子が発生する光を被照射体へ照射する半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体発光装置は、レーザーダイオードなどの半導体発光素子を備え、その半導体発光素子が発生する光を、被照射体へ照射する。半導体発光装置は、さまざまな用途において利用されている。たとえば、半導体発光装置は、いわゆるレーザーカプラとして利用されており、光ディスクにレーザー光を照射することによって、光ディスクに記憶された情報を読み取る（たとえば、特許文献１参照）。また、半導体発光装置は、液晶パネルに光を照射するバックライトとして利用されている。その他に、半導体発光装置は、たとえば、光通信や、レーザープリンタなどの光源として利用されている。
【０００３】
半導体発光装置においては、半導体発光素子から発生される光の波長が、半導体発光素子の温度によって変化することが知られている。このため、半導体発光装置は、半導体発光素子が所定の温度になるようにペルチェ素子などの冷却素子で冷却し調整することによって、所望の波長の光を発生させている。ここでは、たとえば、温度センサを用いて半導体発光素子の温度を測定し、その測定される温度が所定の温度になるように、冷却素子を制御して駆動している（たとえば、特許文献２参照）。また、その他に、グレーディングを用いて光の波長を直接的に測定し、その測定される光の波長が所定の波長になるように、冷却素子を制御して半導体発光素子の温度を調整している（たとえば、特許文献３参照）。
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−１５０３２３号公報
【特許文献２】特開２００４−８７５４３号公報
【特許文献３】特開平１１−２９５１５３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、前者のように、温度センサによって測定される半導体発光素子の温度に基づいて半導体発光素子の温度を調整する場合においては、半導体発光素子の発光部位についての温度を直接的に測定することは困難であるために、高精度に温度を制御することができず、所望な波長の光を被照射体へ照射することが容易ではなかった。また、後者のように、グレーディングを用いて測定される半導体発光素子の光の波長に基づいて半導体素子の温度を調整する場合においては、多数の光学部材が必要であるために、装置が大型化すると共に、コストダウンが困難になる場合があった。
【０００６】
このように、半導体発光装置においては、所望な光学特性の光を安定して発生することが困難な場合があった。
【０００７】
したがって、本発明の目的は、所望な光学特性の光を安定して発生することが容易に可能な半導体発光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために本発明にかかる半導体発光装置は、光を発生する半導体発光素子と、光を反射または透過する割合が光の波長に応じて異なるように形成されており、前記半導体発光素子により発生された光を、反射光と透過光との少なくとも一方として出射する光学薄膜体と、前記光学薄膜体から出射された前記反射光と前記透過光との少なくとも一方を検出する光検出部と、前記光検出部により検出された光の強度に基づいて、当該半導体発光装置の動作を制御する制御部とを有する。
【０００９】
本発明にかかる半導体発光装置においては、半導体発光素子により発生された光を光学薄膜体が反射光と透過光との少なくとも一方として出射する。ここでは、光学薄膜体は、光の波長に応じて異なった割合で、反射光と透過光との少なくとも一方を出射する。そして、その光学薄膜体から出射された反射光と透過光との少なくとも一方を光検出部が検出し、その光検出部により検出された光の強度に基づいて、当該半導体発光装置の動作を制御部が制御する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明は、所望な光学特性の光を安定して発生することが容易に可能な半導体発光装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明にかかる実施形態の一例について説明する。
【００１２】
＜実施形態１＞
図１は、本発明にかかる実施形態１において、半導体発光装置１の構成を示す構成図である。
【００１３】
図１に示すように、本実施形態の半導体発光装置１は、レーザーダイオード１１と、ハーフミラー２１と、光学薄膜体３１と、光検出部４１と、制御部５１と、ペルチェ素子６１とを有する。
【００１４】
半導体発光装置１の各部について、順次、説明する。
【００１５】
レーザーダイオード１１は、たとえば、ｎ−ＡｌＧａＡｓ層とｐ−ＡｌＧａＡｓ層の２つのクラッド層でＧａＡｓ層の活性層を挟み込んだダブルヘテロ構造のレーザーチップ（図示なし）を有し、そのレーザーチップに電流が供給されることによって照射部位１２からレーザー光Ｌを発生し、被照射体ＯＪへ照射する。
【００１６】
ハーフミラー２１は、図１に示すように、レーザーダイオード１１からのレーザー光Ｌが入射される入射面２２が、レーザーダイオード１１の照射部位１２に対面するように配置されている。また、ハーフミラー２１は、レーザーダイオード１１からのレーザー光Ｌの光軸に対して、入射面２２が、たとえば、４５°の角度で傾くように配置されている。そして、ハーフミラー２１は、レーザーダイオード１１から照射されるレーザー光Ｌを受け、透過光Ｔ１と反射光Ｒ１とに分割する。本実施形態においては、ハーフミラー２１は、レーザーダイオード１１からのレーザー光Ｌを、光強度が互いに異なるように透過光Ｔ１と反射光Ｒ１とに分割し、その分割した透過光Ｔ１と反射光Ｒ１とのうち、光強度が小さい方を光学薄膜体３１に出射し、光強度が大きい方を被照射体ＯＪに出射する。たとえば、ハーフミラー２１は、レーザーダイオード１１からのレーザー光Ｌの１０％を入射面２２で反射することによって反射光Ｒ１を光学薄膜体３１に出射する。そして、ハーフミラー２１は、レーザーダイオード１１からのレーザー光Ｌを入射面２２から透過することによって、レーザーダイオード１１からのレーザー光Ｌの９０％の透過光Ｔ１を被照射体ＯＪに出射する。
【００１７】
光学薄膜体３１は、光を反射または透過する割合が光の波長に応じて異なるように形成されている。
【００１８】
図２は、本実施形態において、光学薄膜体３１の断面を示す断面図である。また、図３は、本実施形態において、光学薄膜体３１に入射される光の波長λ（ｎｍ）と、光学薄膜体３１から透過する光透過率Ｔ（％）との関係を示す図である。なお、図３においては、ｐ波の場合についての光透過率Ｔ（％）を示す。
【００１９】
図２に示すように、本実施形態の光学薄膜体３１は、ガラス基板３１１と、第１の二酸化チタン層３２１と、第１の二酸化シリコン層３３１と、第２の二酸化チタン層３２２と、第２の二酸化シリコン層３３２と、第３の二酸化チタン層３２３と、第３の二酸化シリコン層３３３と、第４の二酸化チタン層３２４と、第４の二酸化シリコン層３３４と、第５の二酸化チタン層３２５とからなる。ここで、ガラス基板３１１は、屈折率が１．５２であり、厚さが１０００ｎｍになるように形成されている。第１の二酸化チタン層３２１は、屈折率が２．４であり、３２ｎｍの厚さでガラス基板３１１の上に積層されている。そして、第１の二酸化シリコン層３３１は、屈折率が１．４６であり、１０３ｎｍの厚さで第１の二酸化チタン層３２１の上に積層されている。そして、厚さ６３ｎｍの第２の二酸化チタン層３２２、厚さ１０３ｎｍの第２の二酸化シリコン層３３２、厚さ６３ｎｍの第３の二酸化チタン層３２３、厚さ１０３ｎｍの第３の二酸化シリコン層３３３、厚さ６３ｎｍの第４の二酸化チタン層３２４、厚さ１０３ｎｍの第４の二酸化シリコン層３３４、厚さ３２ｎｍの第５の二酸化チタン層３２５が、順次、積層されている。そして、この本実施形態の光学薄膜体３１は、第５の二酸化チタン層３２５の表面からガラス基板３１１へ透過する光の割合である光透過率が、図３に示すように、光の波長に応じて異なっている。
【００２０】
また、光学薄膜体３１は、図１に示すように、ハーフミラー２１からの反射光Ｒ１が入射される入射面３２が、ハーフミラー２１からの反射光Ｒ１の光軸に対して、たとえば、４５°の角度で傾くように配置されている。そして、光学薄膜体３１は、レーザーダイオード１１により発生されたレーザー光Ｌをハーフミラー２１からの反射光Ｒ１として受け、反射光Ｒ２と透過光Ｔ２とに分割し出射する。
【００２１】
本実施形態においては、光学薄膜体３１は、その分割した透過光Ｔ２を光検出部４１へ出射する。ここでは、光学薄膜体３１は、ハーフミラー２１からの反射光Ｒ１の波長λに応じて異なった光強度の透過光Ｔ２を光検出部４１へ出射する。たとえば、図３に示すように、光学薄膜体３１は、波長λが６２０ｎｍの場合には、ハーフミラー２１からの反射光Ｒ１の３５％を入射面３２から透過することによって、透過光Ｔ２として光検出部４１に出射する。そして、この場合には、光学薄膜体３１は、ハーフミラー２１からの反射光Ｒ１の６５％を入射面３２から反射し、反射光Ｒ２として出射する。また、たとえば、図３に示すように、光学薄膜体３１は、波長λが６８０ｎｍの場合には、ハーフミラー２１からの反射光Ｒ１の９０％を入射面３２から透過することによって、透過光Ｔ２として光検出部４１に出射する。そして、この場合には、光学薄膜体３１は、ハーフミラー２１からの反射光Ｒ１の１０％を入射面３２から反射し、反射光Ｒ２として出射する。
【００２２】
光検出部４１は、光学薄膜体３１から出射された透過光Ｔ２を検出する。光検出部４１は、フォトダイオードを含み、光学薄膜体３１から出射された透過光Ｔ２をフォトダイオードで受け、その光学薄膜体３１から出射された透過光Ｔ２の強度に応じた電気信号を制御部５１へ出力する。
【００２３】
制御部５１は、たとえば、制御回路を含み、光検出部４１により検出された光の強度に基づいて、当該半導体発光装置１の動作を制御する。本実施形態においては、制御部５１は、光検出部４１により検出された光の強度に基づいて、ペルチェ素子６１がレーザーダイオード１１を冷却する動作を制御する。具体的には、制御部５１は、光学薄膜体３１から出射された透過光Ｔ２の強度に応じた電気信号を光検出部４１から電流値として受ける。そして、制御部５１は、その光検出部４１からの電流値と、予め設定され記憶している基準値との差分値を求める。その後、制御部５１は、その求めた差分値に応じた制御信号をペルチェ素子６１に出力して制御する。ここでは、光検出部４１から電流値と、予め設定され記憶している基準値との差分値に基づいて、レーザーダイオード１１の温度を所定温度に調整し、レーザーダイオード１１からのレーザー光Ｌの波長を所定波長にするように、制御部５１がペルチェ素子６１の冷却動作を制御する。たとえば、光検出部４１から電流値が基準値より小さい場合においては、レーザーダイオード１１の温度を上昇させて、レーザーダイオード１１からのレーザー光Ｌの波長が長くなるように、制御部５１は、ペルチェ素子６１を駆動する電流値を小さくする。一方で、光検出部４１から電流値が基準値より大きい場合においては、レーザーダイオード１１の温度を下げて、レーザーダイオード１１からのレーザー光Ｌの波長が短くなるように、制御部５１は、ペルチェ素子６１を駆動する電流値を大きくする。
【００２４】
ペルチェ素子６１は、ペルチェ効果により冷却を行う熱電冷却素子であり、冷却面がレーザーダイオード１１に接するように配置されている。そして、ペルチェ素子６１は、制御部５１からの制御信号に基づいて、レーザーダイオード１１を冷却する動作を実施する。
【００２５】
以下より、本実施形態の半導体発光装置１の動作について説明する。
【００２６】
図４は、本実施形態の半導体発光装置１の動作を示すフロー図である。
【００２７】
図４に示すように、まず、レーザーダイオード１１からレーザー光Ｌを発生する（Ｓ１１）。
【００２８】
ここでは、図１に示すように、レーザーダイオード１１のレーザーチップに電流を供給し、レーザーダイオード１１の照射部位１２からレーザー光Ｌを発生させる。
【００２９】
つぎに、図４に示すように、レーザー光Ｌを透過光Ｔ１と反射光Ｒ１とにハーフミラー２１が分割する（Ｓ２１）。
【００３０】
ここでは、レーザーダイオード１１からのレーザー光Ｌの１０％をハーフミラー２１が入射面２２で反射し、その反射光Ｒ１を光学薄膜体３１へ出射する。一方で、レーザーダイオード１１からのレーザー光Ｌの９０％をハーフミラー２１が入射面２２から透過し、その透過光Ｔ１を被照射体ＯＪに出射する。
【００３１】
つぎに、図４に示すように、ハーフミラー２１からの反射光Ｒ１を、反射光Ｒ２と透過光Ｔ２とに光学薄膜体３１が分割する（Ｓ３１）。
【００３２】
ここでは、ハーフミラー２１からの反射光Ｒ１の波長λに応じて異なった光強度の透過光Ｔ２を、光学薄膜体３１が光検出部４１へ出射する。また、これと共に、ハーフミラー２１からの反射光Ｒ１の波長λに応じて異なった光強度の反射光Ｒ２を、光学薄膜体３１が光検出部４１へ向かう方向と異なる方向へ出射する。
【００３３】
たとえば、図３に示すように、ハーフミラー２１からの反射光Ｒ１の波長λが６２０ｎｍの場合には、そのハーフミラー２１からの反射光Ｒ１の３５％を光学薄膜体３１が入射面３２から透過し、その透過した透過光Ｔ２を光検出部４１へ出射する。そして、この場合には、ハーフミラー２１からの反射光Ｒ１の６５％を光学薄膜体３１が入射面３２で反射し、その反射による反射光Ｒ２を出射する。また、たとえば、図３に示すように、ハーフミラー２１からの反射光Ｒ１の波長λが６８０ｎｍの場合には、そのハーフミラー２１からの反射光Ｒ１の９０％を光学薄膜体３１が入射面３２から透過し、その透過した透過光Ｔ２を光検出部４１へ出射する。そして、この場合には、ハーフミラー２１からの反射光Ｒ１の１０％を光学薄膜体３１が入射面３２で反射し、その反射による反射光Ｒ２を出射する。
【００３４】
つぎに、図４に示すように、光学薄膜体３１から出射された透過光Ｔ２を光検出部４１が検出する（Ｓ４１）。
【００３５】
ここでは、光学薄膜体３１から出射された透過光Ｔ２を、光検出部４１がフォトダイオードで受け、その光学薄膜体３１から出射された透過光Ｔ２の強度に応じた電気信号を制御部５１へ出力する。
【００３６】
図５は、本実施形態において、光検出部４１に入射される光の波長λ（ｎｍ）と、光検出部４１が出力する電流値Ｉ（Ａ）との関係を示す図である。
【００３７】
図５に示すように、光学薄膜体３１から出射された透過光Ｔ２の波長λが６２０ｎｍの場合には、光学薄膜体３１から出射された透過光Ｔ２を光検出部４１が受けて光電変換し、第１電流値Ｉ１に対応する電気信号を光検出部４１が制御部５１へ出力する。また、たとえば、図５に示すように、光学薄膜体３１から出射された透過光Ｔ２の波長λが６８０ｎｍの場合には、前述の波長λが６２０ｎｍの場合よりも光学薄膜体３１から出射される透過光Ｔ２の光強度が光学薄膜体３１によって大きくなるため、その第１電流値Ｉ１よりも大きな第２電流値Ｉ２に対応する電気信号を光検出部４１が制御部５１へ出力する。
【００３８】
つぎに、図４に示すように、光検出部４１により検出された光の強度に基づいて、レーザーダイオード１１の温度を制御部５１が制御する（Ｓ５１）。
【００３９】
ここでは、光検出部４１により検出された光の強度に基づいて、ペルチェ素子６１がレーザーダイオード１１を冷却する動作を、制御部５１が制御する。本実施形態においては、光学薄膜体３１から出射された透過光Ｔ２の強度に応じた電気信号を光検出部４１から電流値Ｉとして制御部５１が受ける。そして、光検出部４１からの電流値Ｉと、予め設定され記憶している基準値Ｉｓｔｄとの差分値を制御部５１が求めた後、その求めた差分値に応じた制御信号をペルチェ素子６１に出力して制御する。つまり、所望の波長の光を検出した際に光検出部４１にて得られる電流値を、基準値Ｉｓｔｄとして、制御部５１が予め記憶しており、その基準値Ｉｓｔｄと、光検出部４１からの電流値Ｉとの差分値に基づいて、制御部５１がペルチェ素子６１の冷却動作を制御し、レーザーダイオード１１の温度を所定温度に調整することで、レーザーダイオード１１からのレーザー光Ｌの波長を所定波長に調整する。
【００４０】
具体的には、光検出部４１から電流値Ｉが基準値Ｉｓｔｄより小さい第１電流値Ｉ１の場合（Ｉ＜Ｉｓｔｄ）においては、図４に示すように、ペルチェ素子６１を駆動する電流値Ｉｐを小さくする（Ｓ６１）。
【００４１】
これにより、基準温度になるようにレーザーダイオード１１の温度が上昇し、レーザーダイオード１１からのレーザー光Ｌの波長が長くなって、所望の波長に調整される。
【００４２】
また、光検出部４１から電流値Ｉが基準値Ｉｓｔｄより大きな第２電流値Ｉ２の場合（Ｉ＞Ｉｓｔｄ）においては、図４に示すように、ペルチェ素子６１を駆動する電流値Ｉｐを大きくする（Ｓ６２）。
【００４３】
これにより、基準温度になるようにレーザーダイオード１１の温度が下降し、レーザーダイオード１１からのレーザー光Ｌの波長が短くなって、所望の波長に調整される。
【００４４】
また、光検出部４１から電流値Ｉが基準値Ｉｓｔｄと同じ場合（Ｉ＝Ｉｓｔｄ）においては、図４に示すように、ペルチェ素子６１を駆動する電流値Ｉｐを一定値に維持する（Ｓ６３）。
【００４５】
これにより、基準温度になるようにレーザーダイオード１１の温度が保持され、レーザーダイオード１１からのレーザー光Ｌの波長が、一定な所望の波長になるように調整される。
【００４６】
以上のように、本実施形態においては、レーザーダイオード１１により発生されたレーザー光Ｌを、光学薄膜体３１が反射光Ｒ２と透過光Ｔ２として出射する。光学薄膜体３１においては、反射光Ｒ２と透過光Ｔ２とのそれぞれが、光の波長に応じて割合が異なるように放たれる。そして、その光学薄膜体３１から出射された透過光Ｔ２を光検出部４１が検出する。そして、ペルチェ素子６１がレーザーダイオード１１を冷却する動作を、その光検出部４１により検出された光の強度に基づいて制御部５１が制御し、レーザーダイオード１１からの照射されるレーザー光Ｌの波長を所望の波長に調整する。したがって、本実施形態は、所望な光学特性のレーザー光Ｌを安定して発生することが容易にできる。
【００４７】
また、本実施形態においては、レーザーダイオード１１により発生されたレーザー光Ｌを、ハーフミラー２１が透過光Ｔ１と反射光Ｒ１とに互いの光強度が異なるように分割している。そして、ハーフミラー２１は、その分割した透過光Ｔ１と反射光Ｒ１とのうち、光強度が小さい反射光Ｒ１を光学薄膜体３１に出射すると共に、光強度が大きい透過光Ｔ１を被照射体ＯＪに出射している。このため、本実施形態は、レーザーダイオード１１により発生されたレーザー光Ｌを効率的に利用可能である。
【００４８】
＜実施形態２＞
図６は、本発明にかかる実施形態２において、半導体発光装置１０１の構成を示す構成図である。
【００４９】
図６に示すように、本実施形態の半導体発光装置１０１は、基板１０２と、サブマウント１０３と、第１プリズム１０４と、第２プリズム１０５と、レーザーダイオード１１１と、ハーフミラー１２１と、光学薄膜体１３１と、第１光検出部１４１と、第２光検出部１４２と、第３光検出部１４３と、温度制御部１５１と、レーザーダイオード制御部１５２と、ペルチェ素子１６１とを有する。本実施形態の半導体発光装置１０１は、いわゆるレーザーカプラであり、被照射体ＯＪである光ディスクにレーザー光を照射することによって、光ディスクに記憶された情報を読み取り、データ信号として出力する。
【００５０】
本実施形態の半導体発光装置１０１の各部について、順次、説明する。
【００５１】
基板１０２は、たとえば、シリコンからなる半導体基板であり、図６に示すように、主面に、第１光検出部１４１と第２光検出部１４２と第３光検出部１４３とが形成されている。そして、基板１０２は、サブマウント１０３が主面の上に配置され、そのサブマウント１０３を挟むように、第１プリズム１０４と第２プリズム１０５とが、主面の上に配置されている。
【００５２】
サブマウント１０３は、図６に示すように、基板１０２の主面に配置されている。サブマウント１０３は、基板１０２の主面から間隔を隔てるように、レーザーダイオード１１１を載置面でマウントする。たとえば、サブマウント１０３の載置面には電極層（図示なし）が形成されており、半田材料などの導電性接着材料によってレーザーダイオード１１１の電極（図示なし）と導電するように、サブマウント１０３が載置面でレーザーダイオード１１１を固定している。
【００５３】
第１プリズム１０４は、図６に示すように、基板１０２に形成された第３光検出部１４３を覆うように、基板１０２の主面上に配置されている。また、第１プリズム１０４は、レーザーダイオード１１１の第１照射部位１１２ａから照射される第１レーザー光Ｌ１の光軸に対して、入射面１０４ａが、たとえば、４５°の角度で傾くように形成されている。そして、第１プリズム１０４は、その入射面１０４ａにハーフミラー１２１が設置されており、そのハーフミラー１２１からの透過光Ｔ１１を、第２光検出部１４２へ出射する。
【００５４】
第２プリズム１０５は、図６に示すように、基板１０２に形成された第１光検出部１４１を覆うように、基板１０２の主面上に配置されている。また、第２プリズム１０５は、レーザーダイオード１１１の第２照射部位１１２ｂから照射される第２レーザー光Ｌ２の光軸に対して、入射面１０５ａが、たとえば、４５°の角度で傾くように形成されている。そして、第２プリズム１０４は、その入射面１０５ａに光学薄膜体１３１が設置されており、その光学薄膜体１３１からの透過光Ｔ２１を、第１光検出部１４１へ出射する。
【００５５】
レーザーダイオード１１１は、図６に示すように、基板１０２の主面から間隔を隔てるように、サブマウント１０３の載置面でマウントされている。また、レーザーダイオード１１１は、実施形態１と同様な層構成で形成されており、本実施形態においては、第１照射部位１１２ａから第１レーザー光Ｌ１を照射すると共に、第２照射部位１１２ｂから第２レーザー光Ｌ２を照射するように形成されている。ここでは、レーザーダイオード１１１は、第１照射部位１１２ａから第１プリズム１０４の側へ第１レーザー光Ｌ１を照射する。そして、レーザーダイオード１１１は、第２照射部位１１２ｂから、第１照射部位１１２ａが照射する方向と異なる方向の第２プリズム１０５の側へ第２レーザー光Ｌ２を照射する。
【００５６】
ハーフミラー１２１は、図６に示すように、第１プリズム１０４の入射面１０４ａに設置されており、レーザーダイオード１１１の第１照射部位１１２ａからの第１レーザー光Ｌ１の光軸に対して、たとえば、４５°の角度で入射面１２２が傾いている。そして、ハーフミラー１２１は、レーザーダイオード１１１の第１照射部位１１２ａから照射される第１レーザー光Ｌ１を受け、透過光Ｔ１１と反射光Ｒ１１とに分割する。本実施形態においては、ハーフミラー１２１は、レーザーダイオード１１１からの第１レーザー光Ｌ１を、光強度が互いに異なるように透過光Ｔ１１と反射光Ｒ１１とに分割し、その分割した透過光Ｔ１１と反射光Ｒ１１とのうち、光強度が小さい方を第２光検出部１４２に出射し、光強度が大きい方を被照射体ＯＪに出射する。たとえば、ハーフミラー１２１は、レーザーダイオード１１１からのレーザー光Ｌの９５％を入射面１２２で反射することによって反射光Ｒ１１を被照射体ＯＪに出射する。そして、ハーフミラー１２１は、レーザーダイオード１１１からの第１レーザー光Ｌ１を入射面１２２から透過させることによって、その第１レーザー光Ｌの５％の透過光Ｔ１１を、第１プリズム１０４を介して、第２光検出部１４２に出射する。
【００５７】
光学薄膜体１３１は、実施形態１と同様に、図２に示すような構成で形成されており、図３に示すように、光を反射または透過する割合が光の波長に応じて異なる。そして、光学薄膜体１３１は、図６に示すように、第２プリズム１０５の入射面１０５ａに設置されており、レーザーダイオード１１１の第２照射部位１１２ｂからの第２レーザー光Ｌ２の光軸に対して、たとえば、４５°の角度で入射面１３２が傾くように配置されている。そして、光学薄膜体１３１は、レーザーダイオード１１１の第２照射部位１１２ｂから照射される第２レーザー光Ｌ２を受け、透過光Ｔ２１と反射光Ｒ２１とに分割する。本実施形態においては、光学薄膜体１３１は、その分割した透過光Ｔ２１を第１光検出部１４１へ出射する。ここでは、光学薄膜体１３１は、レーザーダイオード１１１の第２照射部位１１２ｂから照射される第２レーザー光Ｌ２の波長λに応じて異なった光強度の透過光Ｔ２１を第１光検出部１４１へ出射する。
【００５８】
第１光検出部１４１は、図６に示すように、基板１０２に形成されている。第１光検出部１４１は、基板１０２に形成されたフォトダイオードを含み、光学薄膜体１３１から出射された透過光Ｔ２１を、第２プリズム１０５を介してフォトダイオードで受ける。そして、第１光検出部１４１は、その光学薄膜体１３１から出射された透過光Ｔ２１の強度に応じた電気信号を温度制御部１５１へ出力する。
【００５９】
第２光検出部１４２は、図６に示すように、基板１０２に形成されている。第２光検出部１４２は、基板１０２に形成されたフォトダイオードを含み、ハーフミラー１２１から出射された透過光Ｔ１１を、第１プリズム１０４を介してフォトダイオードで受ける。そして、第２光検出部１４２は、そのハーフミラー１２１から出射された透過光Ｔ１１の強度に応じた電気信号をレーザーダイオード制御部１５２へ出力する。
【００６０】
第３光検出部１４３は、図６に示すように、基板１０２に形成されている。第３光検出部１４３は、基板１０２に形成されたフォトダイオードを含み、被照射体ＯＪである光ディスクから出射される光（図示なし）を、第１プリズム１０４を介してフォトダイオードで受ける。そして、第３光検出部１４３は、その光を電気信号に変換してデータ信号を生成し、データ処理部（図示なし）へ出力する。
【００６１】
温度制御部１５１は、制御回路を含み、第１光検出部１４１により検出された光の強度に基づいて、ペルチェ素子１６１がレーザーダイオード１１１を冷却する動作を制御する。具体的には、温度制御部１５１は、光学薄膜体１３１から出射された透過光Ｔ２１の強度に応じた電気信号を第１光検出部１４１から電流値として受ける。そして、温度制御部１５１は、その第１光検出部１４１からの電流値と、予め設定され記憶している基準値との差分値を求める。その後、温度制御部１５１は、その求めた差分値に応じた制御信号をペルチェ素子１６１に出力して制御する。ここでは、第１光検出部１４１から電流値と、予め設定され記憶している基準値との差分値に基づいて、レーザーダイオード１１１の温度を所定温度に調整し、レーザーダイオード１１１からのレーザー光Ｌの波長を所定波長にするように、温度制御部１５１がペルチェ素子１６１の冷却動作を制御する。
【００６２】
レーザーダイオード制御部１５２は、制御回路を含み、第２光検出部１４２により検出された光の強度に基づいて、レーザーダイオード１１１の動作を制御する。具体的には、レーザーダイオード制御部１５２は、ハーフミラー１２１から出射された透過光Ｔ１１の強度に応じた電気信号を第２光検出部１４２から電流値として受ける。そして、レーザーダイオード制御部１５２は、その第２光検出部１４１からの電流値と、予め設定され記憶している基準値との差分値を求める。その後、レーザーダイオード制御部１５２は、その求めた差分値に応じた制御信号をレーザーダイオード１１１に出力して制御する。ここでは、レーザーダイオード１１１からの第１レーザー光Ｌ１の強度が所定の強度になるように、レーザーダイオード制御部１５２がレーザーダイオード１１１の動作を制御する。
【００６３】
ペルチェ素子１６１は、基板１０２の主面に対して反対側の面に冷却面が接するように配置されている。そして、ペルチェ素子１６１は、温度制御部１５１からの制御信号に基づいて、レーザーダイオード１１１を冷却する動作を実施する。
【００６４】
以下より、本実施形態の半導体発光装置１０１の動作について説明する。
【００６５】
本実施形態においては、レーザーダイオード１１１が第１レーザー光Ｌ１と第２レーザー光Ｌ２とを同時に照射する。
【００６６】
まず、レーザーダイオード１１１から照射される第１レーザー光Ｌ１についての動作について説明する。
【００６７】
図６に示すように、第１レーザー光Ｌ１は、レーザーダイオード１１１の第１照射部位１１２ａから第１プリズム１０４の側へ照射される。ここでは、レーザーダイオード１１１のレーザーチップに電流を供給されることによって、第２照射部位１１２ｂから第２レーザー光Ｌ２が照射されると共に、第１照射部位１１２ａから第１レーザー光Ｌ１が照射される。
【００６８】
そして、レーザーダイオード１１１の第１照射部位１１２ａから照射される第１レーザー光Ｌ１をハーフミラー１２１が受け、透過光Ｔ１１と反射光Ｒ１１とに分割する。ここでは、レーザーダイオード１１１からのレーザー光Ｌの９５％をハーフミラー１２１が入射面１２２で反射することによって反射光Ｒ１１を被照射体ＯＪに出射する。そして、レーザーダイオード１１からの第１レーザー光Ｌ１をハーフミラー１２１が入射面１２２から透過させることによって、その第１レーザー光Ｌの５％の透過光Ｔ１１を、第１プリズム１０４を介して、第２光検出部１４２に出射する。
【００６９】
その後、ハーフミラー１２１から出射された透過光Ｔ１１を、第２光検出部１４２が第１プリズム１０４を介して受け、その透過光Ｔ１１の強度に応じた電気信号をレーザーダイオード制御部１５２へ出力する。
【００７０】
一方で、ハーフミラー１２１から被照射体ＯＪである光ディスクへ出射された反射光Ｒ１１は、被照射体ＯＪで反射される。そして、被照射体ＯＪである光ディスクから反射される光（図示なし）を第３光検出部１４３が第１プリズム１０４を介して受け、その光を電気信号に変換してデータ信号を生成し、データ処理部（図示なし）へ出力する。
【００７１】
レーザーダイオード１１１から照射される第２レーザー光Ｌ２についての動作について説明する。
【００７２】
図７は、本実施形態の半導体発光装置１０１において、レーザーダイオード１１１から照射される第２レーザー光Ｌ２についての動作を示すフロー図である。
【００７３】
図７に示すように、まず、レーザーダイオード１１１から第２レーザー光Ｌ２を発生する（Ｓ１１１）。
【００７４】
ここでは、前述したように、図６に示すように、レーザーダイオード１１１のレーザーチップに電流を供給することによって、レーザーダイオード１１１の第１照射部位１１２ａから第１レーザー光Ｌ１が照射されると共に、第２照射部位１１２ｂから第２レーザー光Ｌ２が照射される。
【００７５】
つぎに、図７に示すように、レーザーダイオード１１１からの第２レーザー光Ｌ２を、反射光Ｒ２１と透過光Ｔ２１とに光学薄膜体１３１が分割する（Ｓ１３１）。
【００７６】
ここでは、レーザーダイオード１１１からの第２レーザー光Ｌ２の波長λに応じて異なった光強度の透過光Ｔ２１を、光学薄膜体１３１が第１光検出部１４１へ出射する。また、これと共に、レーザーダイオード１１１からの第２レーザー光Ｌ２の波長λに応じて異なった光強度の反射光Ｒ２１を、光学薄膜体１３１が第１光検出部１４１へ向かう方向と異なる方向へ出射する。
【００７７】
たとえば、実施形態１と同様に、図３に示すように、レーザーダイオード１１１からの第２レーザー光Ｌ２の波長λが６２０ｎｍの場合には、その第２レーザー光Ｌ２の３５％を光学薄膜体１３１が入射面１３２から透過し、その透過した透過光Ｔ２１を第１光検出部１４１へ出射する。そして、この場合には、第２レーザー光Ｌ２の６５％を光学薄膜体１３１が入射面１３２で反射し、その反射による反射光Ｒ２１を出射する。
【００７８】
つぎに、図７に示すように、光学薄膜体１３１から出射された透過光Ｔ２１を第１光検出部１４１が検出する（Ｓ１４１）。
【００７９】
ここでは、光学薄膜体１３１から出射された透過光Ｔ２１を、第１光検出部１４１がフォトダイオードで受け、その光学薄膜体１３１から出射された透過光Ｔ２１の強度に応じた電気信号を温度制御部１５１へ出力する。
【００８０】
たとえば、実施形態１と同様に、図５に示すように、光学薄膜体１３１から出射された透過光Ｔ２１の波長λが６２０ｎｍの場合には、光学薄膜体１３１から出射された透過光Ｔ２１を第１光検出部１４１が受けて光電変換し、第１電流値Ｉ１に対応する電気信号を第１光検出部１４１が温度制御部１５１へ出力する。
【００８１】
つぎに、図７に示すように、第１光検出部１４１により検出された光の強度に基づいて、レーザーダイオード１１１の温度を温度制御部１５１が制御する（Ｓ１５１）。
【００８２】
ここでは、第１光検出部１４１により検出された光の強度に基づいて、ペルチェ素子１６１がレーザーダイオード１１１を冷却する動作を、温度制御部１５１が制御する。本実施形態においては、実施形態１と同様に、光学薄膜体１３１から出射された透過光Ｔ２１の強度に応じた電気信号を第１光検出部１４１から電流値Ｉとして温度制御部１５１が受ける。そして、第１光検出部１４１からの電流値Ｉと、予め設定され記憶している基準値Ｉｓｔｄとの差分値を温度制御部１５１が求めた後、その求めた差分値に応じた制御信号をペルチェ素子１６１に出力して制御する。
【００８３】
具体的には、第１光検出部１４１から電流値Ｉが基準値Ｉｓｔｄより小さい第１電流値Ｉ１の場合（Ｉ＜Ｉｓｔｄ）においては、図７に示すように、ペルチェ素子１６１を駆動する電流値Ｉｐを小さくする（Ｓ１６１）。
【００８４】
これにより、基準温度になるようにレーザーダイオード１１１の温度が上昇し、レーザーダイオード１１１からの第１レーザー光Ｌ１および第２レーザー光Ｌ２の波長が長くなって、所望の波長に調整される。
【００８５】
また、第１光検出部１４１から電流値Ｉが基準値Ｉｓｔｄより大きな第２電流値Ｉ２の場合（Ｉ＞Ｉｓｔｄ）においては、図７に示すように、ペルチェ素子１６１を駆動する電流値Ｉｐを大きくする（Ｓ１６２）。
【００８６】
これにより、基準温度になるようにレーザーダイオード１１１の温度が下降し、レーザーダイオード１１１からの第１レーザー光Ｌ１と第２レーザー光Ｌ２の波長が短くなって、所望の波長に調整される。
【００８７】
また、第１光検出部１４１から電流値Ｉが基準値Ｉｓｔｄと同じ場合（Ｉ＝Ｉｓｔｄ）においては、図７に示すように、ペルチェ素子１６１を駆動する電流値Ｉｐを一定値に維持する（Ｓ１６３）。
【００８８】
これにより、基準温度になるようにレーザーダイオード１１１の温度が保持され、レーザーダイオード１１１からの第１レーザー光Ｌ１と第２レーザー光Ｌ２の波長が、一定な所望の波長になるように調整される。
【００８９】
以上のように、本実施形態においては、レーザーダイオード１１１により発生された第２レーザー光Ｌ２を、光学薄膜体１３１が反射光Ｒ２１と透過光Ｔ２１とに分割して出射する。光学薄膜体１３１においては、反射光Ｒ２１と透過光Ｔ２１とのそれぞれが、光の波長に応じて割合が異なるように放たれる。そして、その光学薄膜体１３１から出射された透過光Ｔ２１を第１光検出部１４１が検出する。そして、ペルチェ素子１６１がレーザーダイオード１１１を冷却する動作を、その第１光検出部１４１により検出された光の強度に基づいて温度制御部１５１が制御し、レーザーダイオード１１１からの照射される第１レーザー光Ｌ１および第２レーザー光Ｌ２の波長を所望の波長に調整する。したがって、本実施形態は、実施形態１と同様に、所望な光学特性のレーザー光を安定して発生することが容易にできる。
【００９０】
＜実施形態３＞
図８は、本発明にかかる実施形態３において、半導体発光装置２０１の構成を示す構成図である。
【００９１】
図８に示すように、本実施形態の半導体発光装置２０１は、実施形態２に対して、サブマウント１０３がＬＯＰ１０３ａに置換されていると共に、第２プリズム１０５が設置されず、光学薄膜体１３１と第１光検出部１４１との位置が異なっている。この点を除き、本実施形態は、実施形態２と同様である。したがって、重複する個所については、説明を省略する。
【００９２】
ＬＯＰ１０３ａは、図８に示すように、基板１０２の主面に配置されている。ＬＯＰ１０３ａは、基板１０２の主面から間隔を隔てるように、レーザーダイオード１１１を載置面で支持する。たとえば、ＬＯＰ１０３ａの載置面には電極層（図示なし）が形成されており、導電性接着材料によってレーザーダイオード１１１の電極（図示なし）と導電するように、ＬＯＰ１０３ａが載置面でレーザーダイオード１１１を固定している。また、ＬＯＰ１０３ａは、図８に示すように、主面に、第１光検出部１４１が形成されている。そして、ＬＯＰ１０３ａには、第１光検出部１４１を被覆するように、光学薄膜体１３１が設置されている。
【００９３】
光学薄膜体１３１は、図８に示すように、ＬＯＰ１０３ａに配置されている。ここでは、光学薄膜体１３１は、レーザーダイオード１１１の第２照射部位１１２ｂに入射面１３２が対応するように配置されている。また、これと共に、光学薄膜体１３１は、第２照射部位１１２ｂからの第２レーザー光Ｌ２の光軸に入射面１３２が沿うように配置されている。そして、光学薄膜体１３１は、レーザーダイオード１１１の第２照射部位１１２ｂから照射される第２レーザー光Ｌ２において光学薄膜体１３１側へ放射される光を入射面１３２で受けて、第１光検出部１４１へ透過する。ここでは、光学薄膜体１３１は、第２レーザー光Ｌ２の波長λに応じて異なった光強度の透過光を、第１光検出部１４１へ出射する。
【００９４】
第１光検出部１４１は、図８に示すように、ＬＯＰ１０３ａに形成されている。第１光検出部１４１は、ＬＯＰ１０３ａに形成されたフォトダイオードを含み、光学薄膜体１３１を透過した透過光を受けて、その透過光の強度に応じた電気信号を温度制御部１５１へ出力する。
【００９５】
以下より、本実施形態の半導体発光装置２０１の動作について説明する。
【００９６】
本実施形態においては、レーザーダイオード１１１からの第２レーザー光Ｌ２を光学薄膜体１３１が透過し、第１光検出部１４１へ出射する。ここでは、実施形態２と同様に、レーザーダイオード１１１からの第２レーザー光Ｌ２の波長λに応じて異なった光強度の透過光Ｔ２１を、光学薄膜体１３１が第１光検出部１４１へ出射する。
【００９７】
そして、実施形態２と同様に、光学薄膜体１３１から出射された透過光を、第１光検出部１４１がフォトダイオードで受け、その光学薄膜体１３１から出射された透過光の強度に応じた電気信号を温度制御部１５１へ出力する。その後、実施形態２と同様に、第１光検出部１４１により検出された光の強度に基づいて、ペルチェ素子１６１がレーザーダイオード１１１を冷却する動作を、温度制御部１５１が制御する。
【００９８】
以上のように、本実施形態においては、レーザーダイオード１１１により発生された第２レーザー光Ｌ２を、光学薄膜体１３１が受け、第１光検出部１４１へ透過させる。光学薄膜体１３１においては、入射された光の波長に応じて割合が異なるように、透過光が出射される。そして、その光学薄膜体１３１から出射された透過光Ｔ２１を第１光検出部１４１が検出する。そして、ペルチェ素子１６１がレーザーダイオード１１１を冷却する動作を、その第１光検出部１４１により検出された光の強度に基づいて温度制御部１５１が制御し、レーザーダイオード１１１からの照射される第１レーザー光Ｌ１および第２レーザー光Ｌ２の波長を所望の波長に調整する。したがって、本実施形態は、実施形態２と同様に、所望な光学特性のレーザー光を安定して発生することが容易にできる。
【００９９】
＜実施形態４＞
図９は、本発明にかかる実施形態４において、半導体発光装置３０１の構成を示す構成図である。
【０１００】
図９に示すように、本実施形態の半導体発光装置３０１は、実施形態２と異なり、温度算出部１５３を含む。この点を除き、本実施形態は、実施形態２と同様である。したがって、重複する個所については、説明を省略する。
【０１０１】
温度算出部１５３は、たとえば、コンピュータであり、第１光検出部１４１により検出された透過光Ｔ２１の強度に基づいて、レーザーダイオード１１１の温度を算出する。温度算出部１５３は、検出する透過光Ｔ２１の強度に応じて第１光検出部１４１から出力される電流値と、その電流値に対応する温度との関係をデータベースとして記憶しており、そのデータベースを用いて、第１光検出部１４１から出力される電流値から、温度を求める。
【０１０２】
そして、レーザーダイオード制御部１５２は、温度算出部１５３により算出されたレーザーダイオード１１１の温度に基づいて、レーザーダイオード１１１の動作を制御する。具体的には、レーザーダイオード制御部１５２は、温度算出部１５３により算出されたレーザーダイオード１１１の温度が、予め設定された基準値以外の値の際には、レーザーダイオード１１１の動作を停止させる。
【０１０３】
以上のように、本実施形態においては、第１光検出部１４１により検出された光の強度に基づいて、レーザーダイオード１１１の温度を温度算出部１５３が算出する。そして、レーザーダイオード制御部１５２は、その温度算出部１５３により算出されたレーザーダイオード１１１の温度が、予め設定された基準値以外の値の際には、レーザーダイオード１１１の動作を停止させる。したがって、本実施形態は、装置が過剰な温度になることを防止可能であるため、所望な光学特性のレーザー光を安定して発生することが容易にできる。
【０１０４】
なお、上記の実施形態において、半導体発光装置１，１０１，１０２，１０３は、本発明の半導体発光装置に相当する。また、上記の実施形態のレーザーダイオード１１，１１１は、本発明の半導体発光素子に相当する。また、上記の実施形態のハーフミラー２１，１２１は、本発明の光分割部に相当する。また、上記の実施形態の光学薄膜体３１，１３１は、本発明の光学薄膜体に相当する。また、上記の実施形態の光検出部４１，第１光検出部１４１は、本発明の光検出部に相当する。また、上記の実施形態の制御部５１、温度制御部１５１，レーザーダイオード制御部１５２は、本発明の制御部に相当する。また、上記の実施形態のペルチェ素子６１，１６１は、本発明の温度調整部に相当する。また、上記の実施形態の温度算出部１５３は、本発明の温度算出部に相当する。
【０１０５】
また、本発明の実施に際しては、上記の実施形態に限定されるものではなく、種々の変形形態を採用することができる。
【０１０６】
たとえば、上記の実施形態においては、光学薄膜体を透過した透過光を光検出部が検出する場合について示しているが、これに限定されない。たとえば、光学薄膜体を反射した反射光を光検出部が検出するように適用してもよい。
【０１０７】
また、たとえば、上記の実施形態においては、レーザーカプラなどとして用いる場合について示しているが、これに限定されない。たとえば、ディスプレイなど他の用途に適用してもよい。具体的には、カラー液晶パネルなどの画像表示部に光を照射するバックライトなどの発光装置について適用してもよい。この場合には、たとえば、上述した光学薄膜体を介して、光検出部により検出されたバックライトの光の強度の値と、予め設定された基準値との差分値に基づいて、画像表示部による光の変調動作を制御部が制御する。具体的には、画像表示部を駆動するＲＧＢ信号を補正する色度調整用の補正係数を、この差分値に基づいて算出する。そして、補正係数で補正したＲＧＢ信号を制御部が画像表示部へ出力して、所望な画像を表示させる。
【０１０８】
また、たとえば、上記の実施形態においては、半導体発光素子からの光の光軸に対して光学薄膜体の入射面を所定の角度で傾けるように配置させている場合について示しているが、これに限定されない。たとえば、半導体発光素子からの光の光軸に対して光学薄膜体の入射面が垂直になるように配置してもよい。
【０１０９】
図１０は、垂直入射に対応した本変形例の光学薄膜体２３１の断面を示す断面図である。また、図１１は、光学薄膜体２３１に入射される光の波長λ（ｎｍ）と、この光学薄膜体２３１から透過する光透過率Ｔ（％）との関係を示す図である。
【０１１０】
図１０に示すように、本変形例の光学薄膜体２３１は、ガラス基板４１１と、第１の二酸化チタン層４２１と、第１の二酸化シリコン層４３１と、第２の二酸化チタン層４２２と、第２の二酸化シリコン層４３２と、第３の二酸化チタン層４２３と、第３の二酸化シリコン層４３３と、第４の二酸化チタン層４２４と、第４の二酸化シリコン層４３４と、第５の二酸化チタン層４２５とからなる。ここで、ガラス基板４１１は、屈折率が１．５２であり、厚さが１０００ｎｍになるように形成されている。第１の二酸化チタン層４２１は、屈折率が２．４であり、２９ｎｍの厚さでガラス基板４１１の上に積層されている。そして、第１の二酸化シリコン層４３１は、屈折率が２．４であり、９４ｎｍの厚さで第１の二酸化チタン層３２１の上に積層されている。そして、厚さ５７ｎｍの第２の二酸化チタン層４２２、厚さ９４ｎｍの第２の二酸化シリコン層４３２、厚さ５７ｎｍの第３の二酸化チタン層４２３、厚さ９４ｎｍの第３の二酸化シリコン層４３３、厚さ５７ｎｍの第４の二酸化チタン層４２４、厚さ９４ｎｍの第４の二酸化シリコン層４３４、厚さ２９ｎｍの第５の二酸化チタン層４２５が、順次、積層されている。そして、この本実施形態の光学薄膜体３１は、第５の二酸化チタン層４２５の表面からガラス基板４１１へ透過する光の割合である光透過率が、図１１に示すように、光の波長に応じて異なる。
【図面の簡単な説明】
【０１１１】
【図１】図１は、本発明にかかる実施形態１において、半導体発光装置１の構成を示す構成図である。
【図２】図２は、本発明にかかる実施形態１において、光学薄膜体３１の断面を示す断面図である。
【図３】図３は、本発明にかかる実施形態１において、光学薄膜体３１に入射される光の波長λ（ｎｍ）と、光学薄膜体３１から透過する光透過率Ｔ（％）との関係を示す図である。
【図４】図４は、本発明にかかる実施形態１において、半導体発光装置１の動作を示すフロー図である。
【図５】図５は、本発明にかかる実施形態１において、光検出部４１に入射される光の波長λ（ｎｍ）と、光検出部４１が出力する電流値Ｉ（Ａ）との関係を示す図である。
【図６】図６は、本発明にかかる実施形態２において、半導体発光装置１０１の構成を示す構成図である。
【図７】図７は、本発明にかかる実施形態２の半導体発光装置１０１において、レーザーダイオード１１１から照射される第２レーザー光Ｌ２についての動作を示すフロー図である。
【図８】図８は、本発明にかかる実施形態３において、半導体発光装置２０１の構成を示す構成図である。
【図９】図９は、本発明にかかる実施形態４において、半導体発光装置３０１の構成を示す構成図である。
【図１０】図１０は、垂直入射に対応した本変形例の光学薄膜体２３１の断面を示す断面図である。
【図１１】図１１は、光学薄膜体２３１に入射される光の波長λ（ｎｍ）と、この光学薄膜体２３１から透過する光透過率Ｔ（％）との関係を示す図である。
【符号の説明】
【０１１２】
１，１０１，２０１，３０１…半導体発光装置（半導体発光装置）、
１１，１１１…レーザーダイオード（半導体発光素子）、
２１，１２１…ハーフミラー（光分割部）、
３１，１３１…光学薄膜体、
４１…光検出部（光検出部）、
５１…制御部（制御部）、
６１，１６１…ペルチェ素子（温度調整部）、
１０２…基板、
１０３…サブマウント、
１０３ａ…ＬＯＰ、
１０４…第１プリズム、
１０５…第２プリズム、
１４１…第１光検出部（光検出部）、
１４２…第２光検出部、
１４３…第３光検出部、
１５１…温度制御部（制御部）、
１５２…レーザーダイオード制御部（制御部）、
１５３…温度算出部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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