(57)【要約】【課題】半導体デバイスの表面の二次電子像と設計データの画像を画像合成して観察位置を決める方法では、荷電粒子ビーム装置の倍率精度が位置特定精度に影響を与える課題があった。【解決手段】第１の画面１２と第２の画面１３のどちらか一方の画面で所望位置を指示し、第１の画面１２の座標系と前記第２の画面１３の座標系が相互変換するための変換関数を用いて他方の画面で対応する位置を特定することで、前記どちらか一方の画面で指示した所望位置に対応する他方の画面での位置を特定できる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料の電子データを第１の記憶手段に取り込み記憶する工程と、
記憶した前記試料の電子データの中で所望の観察または加工位置を含む部分の画像を第１の画面に表示する工程と、
前記第１の画面上で第１の位置をポインティングデバイスで指示し、第２の記憶手段に記憶する工程と、
前記所望の観察または加工位置を観察できるように前記試料を観察位置に移動させ、観察像を取得し、第３の記憶手段に前記観察像を記憶する工程と、
記憶した前記観察像を第２の画面に表示する工程と、
前記第２の記憶手段に記憶した第１の位置に対応する前記第２の画面上の位置をポインティングデバイスで指示し、第４の記憶手段に記憶する工程と、
前記第２の記憶手段に記憶した位置と前記第４の記憶手段に記憶した位置を用いて、前記第１の画面の座標系と前記第２の画面の座標系とを変換するための変換関数を算出する工程と、
前記第１の画面と前記第２の画面のどちらか一方の画面で第２の位置を指示する工程と、
前記変換関数により他方の画面で前記第２の位置に対応する位置を特定する工程を含むことを特徴とする観察または加工位置特定方法。
【請求項２】
前記第１の位置は複数の点であることを特徴とする請求項１に記載の観察または加工位置特定方法。
【請求項３】
前記第１の位置は複数の線であることを特徴とする請求項１に記載の観察または加工位置特定方法。
【請求項４】
前記第１の位置は１つ以上の領域であることを特徴とする請求項１に記載の観察または加工位置特定方法。
【請求項５】
前記第１の画面と前記第２の画面のどちらか一方の画面で第２の位置を指示する工程は、前記第１の画面で第２の位置を指示する工程であることを特徴とする請求項１に記載の観察または加工位置特定方法。
【請求項６】
前記第１の画面と前記第２の画面のどちらか一方の画面で第２の位置を指示する工程は、前記第２の画面で第２の位置を指示する工程であることを特徴とする請求項１に記載の観察または加工位置特定方法。
【請求項７】
前記第２の位置の指示、及び対応する位置の特定は、ポインティングデバイスを用いることを特徴とする請求項１に記載の観察または加工位置特定方法。
【請求項８】
前記観察像は、荷電粒子ビームを前記試料の表面に走査照射し、前記試料の表面から発生した二次荷電粒子を検出し、前記二次荷電粒子から取得した二次荷電粒子像であることを特徴とする請求項１に記載の観察または加工位置特定方法。
【請求項９】
前記観察像は、前記試料の光学顕微鏡像であることを特徴とする請求項１に記載の観察または加工位置特定方法。
【請求項１０】
前記観察像は、前記試料の走査プローブ顕微鏡像であることを特徴とする請求項１に記載の観察または加工位置特定方法。
【請求項１１】
前記電子データは、ＣＡＤデータであることを特徴とする請求項１に記載の観察または加工位置特定方法。
【請求項１２】
前記電子データは、レイアウト図面を電子化したデータであることを特徴とする請求項１に記載の観察または加工位置特定方法。
【請求項１３】
前記電子データは、光学顕微鏡像を電子化したデータであることを特徴とする請求項１に記載の観察または加工位置特定方法。
【請求項１４】
前記電子データは、二次荷電粒子像を電子化したデータであることを特徴とする請求項１に記載の観察または加工位置特定方法。
【請求項１５】
請求項８に記載の観察または加工位置特定方法で特定した位置に荷電粒子ビームを走査照射して加工する工程を含むことを特徴とする試料加工方法。
【請求項１６】
請求項１０に記載の観察または加工位置特定方法で特定した位置にプローブを走査して加工する工程を含むことを特徴とする試料加工方法。
【請求項１７】
試料の電子データを取り込み記憶する第１の記憶手段と、
記憶した前記試料の電子データの中で所望の観察または加工位置を含む部分の画像を表示する第１の画面と、
前記第１の画面上でポインティングデバイスが指示した第１の位置を記憶する第２の記憶手段と、
前記所望の観察または加工位置を観察できるように前記試料を観察位置に移動させる試料台制御手段と、
前記試料の観察像を記憶する第３の記憶手段と、
記憶された前記観察像を表示する第２の画面と、
前記第２の記憶手段に記憶した第１の位置に対応する前記第２の画面上の位置を記憶する第４の記憶手段と、
前記第２の記憶手段に記憶した位置と前記第４の記憶手段に記憶した位置を用いて、前記第１の画面の座標系と前記第２の画面の座標系とを変換するための変換関数を算出する第１の計算手段と、
前記第１の画面と前記第２の画面のどちらか一方の画面で第２の位置を指示し、前記変換関数により他方の画面で前記第２の位置に対応する位置を算出する第２の計算手段を備えたことを特徴とする観察または加工位置特定装置。
【請求項１８】
請求項１７に記載の観察または加工位置特定装置で、前記所望位置の指示、及び対応する位置の特定は、ポインティングデバイスを表示させる第３の計算手段を備えたことを特徴とする観察または加工位置特定装置。
【請求項１９】
請求項１７または１８に記載の位置特定装置で、前記算出した位置に荷電粒子ビームを走査照射する制御手段を備えたことを特徴とする試料加工装置。
【請求項２０】
試料の光学顕微鏡像で所望の加工位置に加工枠を指示する工程と、
前記加工枠周辺にレーザーを照射してマークを形成する工程と、
前記加工枠と前記マークを含む光学顕微鏡像を記憶する工程と、
記憶した光学顕微鏡像を第１の画面に表示して、前記マークの位置をポインティングデバイスで指示し第２の記憶手段に記憶する工程と、
荷電粒子ビームを前記加工枠と前記マークを含む領域に走査照射して、二次電子像を取得し、第３の記憶手段に記憶する工程と、
取得した二次電子像を第２の画面に表示する工程と、
前記第２の画面でマークの位置をポインティングデバイスで指示し第４の記憶手段に記憶する工程と、
前記第２の記憶手段に記憶した位置と前記第４の記憶手段に記憶した位置を用いて、前記第１の画面の座標系と前記第２の画面の座標系とを変換するための変換関数を算出する工程と、
算出した前記変換係数を用いて、前記第１の画面に表示された加工枠に対応する前記第２の画面の加工枠を表示させる工程と、
前記第２の画面の加工枠に荷電粒子ビームを走査照射してエッチング加工することを特徴とする試料加工方法。
【請求項２１】
請求項１９に記載の試料加工装置と、レーザービームを試料に照射できるレーザー照射系を備えた光学顕微鏡を備えたことを特徴とする試料加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、試料の電子データで指示した位置について、試料の観察像で対応する位置を特定する観察または加工位置特定方法および装置ならびに試料加工方法および装置を行う方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
走査荷電粒子顕微鏡や光学顕微鏡などで試料の観察または加工を行う方法として、他の観察装置で得られた観察像や試料のレイアウト図面、または、半導体デバイスなどの試料では、試料のＣＡＤデータを用いて所望の観察または加工位置を指示し、走査荷電粒子顕微鏡や光学顕微鏡などで観察または加工を行うことがある。
【０００３】
例えば、荷電粒子ビーム装置で試料の観察を行う場合、荷電粒子ビームを試料に走査照射して得られる二次電子像は、主に試料表面の段差に起因した像である。従って、表面が平坦な試料の観察や多層構造からなる試料の下層にある部分は二次電子像に表示できない。そこで、層構造を有する半導体デバイスの観察方法として、半導体デバイスの設計データを用いて、半導体デバイスの表面の二次電子像と設計データの画像を画像合成し、合成した画像で観察位置を決める方法が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００４】
また、層構造を有する半導体デバイスの加工方法として、加工位置の近傍にマークを形成し、マークと加工位置の相対距離を光学顕微鏡により測定し、測定結果とマークの位置を参照して加工位置を指示し、集束イオンビームで加工する方法が開示されている（例えば、特許文献２参照。）。
【特許文献１】特開平９−１４７７８０号公報
【特許文献２】特開平１０−３０３１９９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、半導体デバイスの表面の二次電子像と設計データの画像を画像合成して観察位置を決める方法では、画像合成するために二次電子像の倍率と設計データの倍率を一致させる必要があった。その際、荷電粒子ビーム装置の倍率精度が位置特定精度に影響を与えてしまい、精度良く観察位置を特定することは困難であった。また、画像合成するため時間がかかっていた。
【０００６】
また、被加工位置の近傍にマークを形成し、マークと被加工位置の相対距離を光学顕微鏡により測定し、測定結果から被加工位置を特定する方法では、光学顕微鏡で測定する相対距離に基づいて被加工位置を決めるため、光学顕微鏡の測定精度が加工位置特定精度に影響を与えてしまい、精度良く加工位置を特定することは困難であった。
【０００７】
本発明は、このような従来の方法および装置が有していた問題を解決しようとするものであり、精度良く簡便に観察または加工の位置を特定することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
そして、本発明は上記目的を達成するために、本発明は以下の手段を提供している。
【０００９】
本発明の観察または加工位置特定方法は、試料の電子データを第１の記憶手段に取り込み記憶する工程と、記憶した前記試料の電子データの中で所望の観察または加工位置を含む部分の画像を第１の画面に表示する工程と、前記第１の画面上で第１の位置をポインティングデバイスで指示し、第２の記憶手段に記憶する工程と、前記所望の観察または加工位置を観察できるように前記試料を観察位置に移動させ、観察像を取得し、第３の記憶手段に前記観察像を記憶する工程と、記憶した前記観察像を第２の画面に表示する工程と、前記第２の記憶手段に記憶した第１の位置に対応する前記第２の画面上の位置をポインティングデバイスで指示し、第４の記憶手段に記憶する工程と、前記第２の記憶手段に記憶した位置と前記第４の記憶手段に記憶した位置を用いて、前記第１の画面の座標系と前記第２の画面の座標系とを変換するための変換関数を算出する工程と、前記第１の画面と前記第２の画面のどちらか一方の画面で第２の位置を指示する工程と、前記変換関数により他方の画面で前記第２の位置に対応する位置を特定する工程を含むことを特徴としたもののことである。
【００１０】
また、第２の課題解決手段は、前記第１の位置は複数の点であることを特徴とする第１の課題解決手段に記載の観察または加工位置特定方法を用いることである。
【００１１】
また、第３の課題解決手段は、前記第１の位置は複数の線であることを特徴とする第１の課題解決手段に記載の観察または加工位置特定方法を用いることである。
【００１２】
また、第４の課題解決手段は、前記第１の位置は１つ以上の領域であることを特徴とする第１の課題解決手段に記載の観察または加工位置特定方法を用いることである。
【００１３】
また、第５の課題解決手段は、前記第１の画面と前記第２の画面のどちらか一方の画面で第２の位置を指示する工程は、前記第１の画面で第２の位置を指示する工程であることを特徴とする第１の課題解決手段に記載の観察または加工位置特定方法を用いることである。
【００１４】
また、第６の課題解決手段は、前記第１の画面と前記第２の画面のどちらか一方の画面で第２の位置を指示する工程は、前記第２の画面で第２の位置を指示する工程であることを特徴とする第１の課題解決手段に記載の観察または加工位置特定方法を用いることである。
【００１５】
また、第７の課題解決手段は、前記第２の位置の指示、及び対応する位置の特定は、ポインティングデバイスを用いることを特徴とする第１の課題解決手段に記載の観察または加工位置特定方法を用いることである。
【００１６】
また、第８の課題解決手段は、前記観察像は、荷電粒子ビームを前記試料の表面に走査照射し、前記試料の表面から発生した二次荷電粒子を検出し、前記二次荷電粒子から取得した二次荷電粒子像であることを特徴とする第１の課題解決手段に記載の観察または加工位置特定方法を用いることである。
【００１７】
また、第９の課題解決手段は、前記観察像は、前記試料の光学顕微鏡像であることを特徴とする第１の課題解決手段に記載の観察または加工位置特定方法を用いることである。
【００１８】
また、第１０の課題解決手段は、前記観察像は、前記試料の走査プローブ顕微鏡像であることを特徴とする第１の課題解決手段に記載の観察または加工位置特定方法を用いることである。
【００１９】
また、第１１の課題解決手段は、前記電子データは、ＣＡＤデータであることを特徴とする第１の課題解決手段に記載の観察または加工位置特定方法を用いることである。
【００２０】
また、第１２の課題解決手段は、前記電子データは、レイアウト図面を電子化したデータであることを特徴とする第１の課題解決手段に記載の観察または加工位置特定方法を用いることである。
【００２１】
また、第１３の課題解決手段は、前記電子データは、光学顕微鏡像を電子化したデータであることを特徴とする第１の課題解決手段に記載の観察または加工位置特定方法を用いることである。
【００２２】
また、第１４の課題解決手段は、前記電子データは、二次荷電粒子像を電子化したデータであることを特徴とする第１の課題解決手段に記載の観察または加工位置特定方法を用いることである。
【００２３】
また、第１５の課題解決手段は、第８の課題解決手段に記載の観察または加工位置特定方法で特定した位置に荷電粒子ビームを走査照射して加工する工程を含むことを特徴とする試料加工方法を用いることである。
【００２４】
また、第１６の課題解決手段は、第１０の課題解決手段に記載の観察または加工位置特定方法で特定した位置にプローブを走査して加工する工程を含むことを特徴とする試料加工方法を用いることである。
【００２５】
また、第１７の課題解決手段は、試料の電子データを取り込み記憶する第１の記憶手段と、記憶した前記試料の電子データの中で所望の観察または加工位置を含む部分の画像を表示する第１の画面と、前記第１の画面上でポインティングデバイスが指示した第１の位置を記憶する第２の記憶手段と、前記所望の観察または加工位置を観察できるように前記試料を観察位置に移動させる試料台制御手段と、前記試料の観察像を記憶する第３の記憶手段と、記憶された前記観察像を表示する第２の画面と、前記第２の記憶手段に記憶した第１の位置に対応する前記第２の画面上の位置を記憶する第４の記憶手段と、前記第２の記憶手段に記憶した位置と前記第４の記憶手段に記憶した位置を用いて、前記第１の画面の座標系と前記第２の画面の座標系とを変換するための変換関数を算出する第１の計算手段と、前記第１の画面と前記第２の画面のどちらか一方の画面で第２の位置を指示し、前記変換関数により他方の画面で前記第２の位置に対応する位置を算出する第２の計算手段を備えたことを特徴とする観察または加工位置特定装置を用いることである。
【００２６】
また、第１８の課題解決手段は、第１７の課題解決手段に記載の観察または加工位置特定装置で、前記所望位置の指示、及び対応する位置の特定は、ポインティングデバイスを表示させる第３の計算手段を備えたことを特徴とする観察または加工位置特定装置を用いることである。
【００２７】
また、第１９の課題解決手段は、第１７または１８の課題解決手段に記載の位置特定装置で、前記算出した位置に荷電粒子ビームを走査照射する制御手段を備えたことを特徴とする試料加工装置を用いることである。
【００２８】
また、第２０の課題解決手段は、試料の光学顕微鏡像で所望の加工位置に加工枠を指示する工程と、前記加工枠周辺にレーザーを照射してマークを形成する工程と、前記加工枠と前記マークを含む光学顕微鏡像を記憶する工程と、記憶した光学顕微鏡像を第１の画面に表示して、前記マークの位置をポインティングデバイスで指示し第２の記憶手段に記憶する工程と、荷電粒子ビームを前記加工枠と前記マークを含む領域に走査照射して、二次電子像を取得し、第３の記憶手段に記憶する工程と、取得した二次電子像を第２の画面に表示する工程と、前記第２の画面でマークの位置をポインティングデバイスで指示し第４の記憶手段に記憶する工程と、前記第２の記憶手段に記憶した位置と前記第４の記憶手段に記憶した位置を用いて、前記第１の画面の座標系と前記第２の画面の座標系とを変換するための変換関数を算出する工程と、算出した前記変換係数を用いて、前記第１の画面に表示された加工枠に対応する前記第２の画面の加工枠を表示させる工程と、前記第２の画面の加工枠に荷電粒子ビームを走査照射してエッチング加工することを特徴とする試料加工方法を用いることである。
【００２９】
また、第２１の課題解決手段は、第１９の課題解決手段に記載の試料加工装置と、レーザービームを試料に照射できるレーザー照射系を備えた光学顕微鏡を備えたことを特徴とする試料加工装置を用いることである。
【００３０】
上記第１の課題解決手段による作用は次の通りである。前記第１の画面と前記第２の画面のどちらか一方の画面で第２の位置を指示し、前記変換関数により他方の画面で前記第２の位置に対応する位置を特定することで、前記どちらか一方の画面で指示した前記第２の位置に対応する他方の画面での位置を特定することができる。
【００３１】
上記第７の課題解決手段による作用は次の通りである。前記所望位置の指示、及び対応する位置の特定は、ポインティングデバイスを用いることで、前記第１の画面と前記第２の画面のどちらか一方の画面で第２の位置をポインティングデバイスで指示すると、他方の画面で対応する位置を指示するポインティングデバイスを表示することができる。
【００３２】
上記第１５の課題解決手段による作用は次の通りである。第８の課題解決手段のいずれかに記載の観察または加工位置特定方法で特定した位置に荷電粒子ビームを走査照射して加工することで、前記第１の画面と前記第２の画面のどちらか一方の画面で指示した所望加工位置に対応する他方の画面での加工位置を加工できる。
【発明の効果】
【００３３】
上述したように本発明の観察または加工位置特定方法および装置ならびに試料加工方法および装置によれば、試料の電子データの中で所望の観察または加工位置を含む部分の画像の座標系と観察像の座標系が変換するための変換関数を算出することで、どちらか一方の像で所望観察または加工位置を指示し、前記変換関数により他方の像で対応する位置を特定することができるので、荷電粒子ビーム装置や光学顕微鏡装置または走査プローブ顕微鏡装置の倍率精度や測定精度に依存することなく精度良くかつ簡便に観察や加工の位置を特定することができる。
【００３４】
また、上記の観察または加工位置特定方法で所望位置の指示、及び対応する位置の特定に、ポインティングデバイスを用いることで、精度良くかつ簡便に観察や加工の位置を特定することができる。
【００３５】
さらに、上記の観察または加工位置特定方法で特定した位置を荷電粒子ビームで加工することができるので、精度良くかつ簡便に加工位置を特定し荷電粒子ビームで加工することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下に本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。
【００３７】
層構造を有する半導体デバイスについて、ＣＡＤデータを用いて位置を特定する方法について、図１、図２、および図３を参照して説明する。
【００３８】
図１は本発明の実施形態を示す電子ビーム装置の概略図である。図３の本発明の実施形態を示すフローチャートに従い説明する。まず、試料５の電子データとしてＣＡＤデータを第１の記憶手段１０に取り込み記憶する。次に、記憶した試料５の電子データで所望の観察位置を含む部分の画像を第１の画面１２に表示する。図２は本発明の実施形態を示す試料模式図で、図２(a)は第１の画面１２に表示するＣＡＤデータの画像である。１９ａ、１９ｂは表面の配線、２０は下層の配線である。次にポインティングデバイスとしてマウスカーソル２２を用いて、図２（ａ）で第１の位置として位置２１ａ，２１ｂ，２１ｃの３点をマウスカーソル２２で指示し、指示した第１の位置を第２の記憶手段１１に記憶する。ただし、位置２１ａ，２１ｂ，２１ｃの３点は同一直線上に並ばないようにする。ここで、マウスカーソルで指示する位置は、上記のように複数の点の代わりに、複数の線や領域など複数の点の集合となるものであれば良い。つまり、第１の画面１２の座標系を他の画面の座標系に変換するための変換係数を求める際に必要となる第１の画面１２の座標情報となるものであれば良い。次に、電子発生源１で発生した電子２aを電子光学系３で細く絞り電子ビーム２ｂを形成し、試料台制御手段７によって観察位置に移動した試料台６上に設置された試料５に走査照射する。電子ビーム２を試料５に照射することで発生する二次電子４は二次電子検出器８で検出される。検出された二次電子から得られる試料５の観察像を記憶する第３の記憶手段１４に記憶する。記憶した二次電子像を第２の画面１３に表示する。また、図２(ｂ)は第２の画面１３に表示する試料５表面の二次電子像である。二次電子像は主に表面の段差に起因する像となるため、図２（ａ）のＣＡＤデータでは下層の配線２０が表示されているが、図２（ｂ）の二次電子像では表示できない。ここで、図１では第１の画面１２と第２の画面１３は、別々の表示装置の画面として記載しているが、同一の表示装置に第１の画面と第２の画面を表示しても良い。続いて、第１の画面１２に表示した図２（ａ）のＣＡＤデータ画像の位置２１ａ，２１ｂ，２１ｃの３点に対応する第２の画面１３に表示した図２（ｂ）で対応する位置２１ａ，２１ｂ，２１ｃの３点をマウスカーソル２２で指示し、第２の画面１３で指示した位置を第４の記憶機構１５で記憶する。次に変換係数を算出する第１の計算手段１６にて、第１の画面１２で指示した第１の位置を記憶する第２の記憶手段１１と第２の画面で指示した位置を記憶する第４の記憶手段１５で記憶した位置を用いて、第１の画面１２の座標系と第１の画面１３の座標系が変換するための変換係数を算出する。次に、図２（ａ）で、マウスカーソル２２で第２の位置として所望の観察位置を指示する。すると、算出した変換係数より対応する位置を算出する第２の計算手段１７で、第１の画面１２に表示した図２（ａ）のＣＡＤデータ画像でマウスカーソル２２が指示した位置に対応する第２の画面１３に表示した図２（ｂ）の二次電子像での位置が算出される。そして、対応する位置にマウスカーソルを表示させる第３の計算手段１８により算出した位置にマウスカーソル２２を表示することができる。このように、第１の画面１２に表示した図２（ａ）のＣＡＤデータ画像で指定した位置に対応する第２の画面１３に表示した図２（ｂ）の二次電子像での位置を表示することができる。
【００３９】
上記のように本発明によれば電子ビーム装置の倍率精度による影響を受けることなく精度良く観察位置特定を行うことができる。また、図２（ｂ）で、マウスカーソル２２で所望位置を指示し、指示した位置に対応する図２（ａ）の位置を算出することもできる。つまり、第１の画面１２と第２の画面１３の間での位置の特定が簡便に、且つ、精度良く行うことができる。
【００４０】
次に、透明な保護膜を有する半導体デバイスについて、光学顕微鏡像を用いて位置を特定し加工する方法について、図４、図５および図６を参照して説明する。
【００４１】
図４（ａ）は本発明の実施形態を示す集束イオンビーム装置の概略図である。また、図４（ｂ）は本発明の実施形態を示すレーザービーム照射系を備えた光学顕微鏡装置の概略図である。レーザービーム照射系を備えた光学顕微鏡鏡筒２７から試料５表面にレーザービーム２６を照射することができる。また、レーザービーム照射系を備えた光学顕微鏡鏡筒２７で試料５の光学顕微鏡像を取得することもできる。図５は本発明の実施形態を示す試料模式図で、図５(ｂ)は図５（ａ）のＡ−Ａ断面図で、基板３０上に配線２８ａ、２８ｂが配置し、その上に透明な保護膜２９が堆積している。図６の本発明の実施形態を示すフローチャートに従い説明する。まず、レーザービーム照射系を備えた光学顕微鏡鏡筒２７で試料５の基板３０の表面に焦点を合わせた光学顕微鏡像図５（ａ）を取得し、所望の加工枠３１を設定する。続いて保護膜２９表面にレーザービーム２６を照射して、マーク３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄを作製する。次に、レーザービーム照射系を備えた光学顕微鏡鏡筒２７の焦点を保護膜２９の表面に合わせて観察する。図５（ｃ）は焦点を保護膜２９の表面に合わせて観察した光学顕微鏡像で、マーク３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄが保護膜２９上に作製されている。次に図５（ａ）で表示した加工枠３１を図５（ｃ）と合成し、図５（ｄ）のように加工枠３１とマーク３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄを表示した保護膜２９表面の合成画像を取得する。取得した合成画像を試料５の電子データ化して、試料５の電子データを記憶する第１の記憶手段１０に記憶する。次に、記憶した合成画像を第１の画面１２に表示する。続いて、図５（ｄ）でマーク３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄの４点をマウスカーソルで指示し、第１の画面１２で指示した位置を第２の記憶手段１１に記憶する。次に、イオン発生源２３で発生したイオン２４aをイオン光学系２５で細く絞りイオンビーム２２ｂを形成し、試料５に走査照射する。イオンビームの制御は制御手段９で行っている。イオンビーム２４ｂを試料５に照射することで発生する二次電子４は、二次電子検出器８で検出される。検出された二次電子から得られる試料の観察像を記憶する第３の記憶手段１４に記憶する。記憶した二次電子像を第２の画面１３に表示する。ここで、二次電子像は主に表面の段差に起因する像となるため、配線２８ａ、２８ｂは表示できない。次に表示した二次電子像でマーク３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄの４点をマウスカーソルで指示し、第２の画面で指示した位置を記憶する第４の記憶手段１５に記憶する。変換係数を算出する第１の計算手段１６にて、第１の画面１２で指示した位置を記憶する第２の記憶手段１１と第２の画面１３で指示した位置を記憶する第４の記憶手段１５で記憶した位置を用いて、第１の画面１２の座標系と第１の画面１３の座標系が変換するための変換係数を算出する。すると、算出した変換係数より対応する位置を算出する第２の計算手段１７で、第１の画面１２の合成画像である図５（ｄ）の加工枠３１に対応する第２の画面の二次電子像での加工枠の位置が算出され、第３の計算手段１８により第２の画面の二次電子像である図５（ｅ）に加工枠３１が表示される。図５（ｅ）は、保護膜２７表面の二次電子像で、マーク３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄと加工枠３１が表示されている。そして、加工枠３１に集束イオンビームを走査照射することで、エッチング加工を行うことができる。
【００４２】
このように、光学顕微鏡で指定した位置について、光学顕微鏡の測定精度の影響を受けることなく精度良くかつ簡便に加工位置特定を行い、加工することができる。
【００４３】
上記実施例ではポインティングデバイスとしてマウスカーソルを用いたが、入力手段としてマウス以外にキーボードなどで画面上の位置を指示する入力手段やカーソル以外に加工枠などの表示手段を用いても良い。
【００４４】
また、上記実施例では観察像を取得する手段として電子ビームや集束イオンビームなどの荷電粒子ビーム装置を用いたが、他に光学顕微鏡装置や走査プローブ顕微鏡装置を用いても良い。また、加工手段として集束イオンビーム装置を用いたが、他に走査プローブ顕微鏡を用いた掘削加工でも良い。
【００４５】
さらに、上記実施例では試料の電子データとしてＣＡＤデータと光学顕微鏡像を電子化したデータを用いたが、他にレイアウト図面を電子化したデータや二次荷電粒子像を電子化したデータでも良い。
【００４６】
また、上記実施例では半導体デバイスについて説明したが、本発明は様々な試料の観察または加工位置特定ならびに加工に効果を発揮するものである。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の実施形態を示す電子ビーム装置の概略図
【図２】本発明の実施形態を示す試料模式図  （ａ）ＣＡＤデータの画像  （ｂ）二次電子像
【図３】本発明の実施形態を示すフローチャート
【図４】（ａ）本発明の実施形態を示す集束イオンビーム装置の概略図  （ｂ）本発明の実施形態を示すレーザービーム照射系を備えた光学顕微鏡装置の概略図
【図５】本発明の実施形態を示す試料模式図  （ａ）Ａ−Ａ断面図  （ｂ）光学顕微鏡像  （ｃ）光学顕微鏡像  （ｄ）合成画像  （ｅ）二次電子像
【図６】本発明の実施形態を示すフローチャート
【符号の説明】
【００４８】
１  電子発生源
２ａ  電子
２ｂ  電子ビーム
３  電子光学系
４  二次電子
５  試料
６  試料台
７  試料台制御手段
８  二次電子検出器
９  制御手段
１０  第１の記憶手段
１１  第２の記憶手段
１２  第１の画面
１３  第２の画面
１４  第３の記憶手段
１５  第４の記憶手段
１６  第１の計算手段
１７  第２の計算手段
１８  第３の計算手段
１９ａ  表面の配線
１９ｂ  表面の配線
２０  下層の配線
２１ａ  位置
２１ｂ  位置
２１ｃ  位置
２２  マウスカーソル
２３  イオン発生源
２４ａ  イオン
２４ｂ  イオンビーム
２５  イオン光学系
２６  レーザービーム
２７  レーザービーム照射系を備えた光学顕微鏡鏡筒
２８ａ  配線
２８ｂ  配線
２９  保護膜
３０  基板
３１  加工枠
３２ａ  マーク
３２ｂ  マーク
３２ｃ  マーク
３２ｄ  マーク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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