(57)【要約】      （修正有）【課題】  小型薄型化を実現することができ、高密度実装のニーズに応えることが可能である半導体パッケージを提供する。【解決手段】  外部端子２が形成された半導体チップ３と、半導体チップ３の外部端子２の形成面側に設けられると共に、外部端子２の形成領域に対応する領域に開口部７を有するボール保持材５と、外部端子２に略垂直に設けられた金細線６と、ボール保持材５の開口部７の周辺領域及び開口部７の側壁に成膜されたＣｕ膜９と、開口部７を閉塞すると共に金細線６と電気的に接続されたはんだバンプ８を備える。【選択図】    図１
2006351886.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部端子が形成された半導体チップと、
該半導体チップの前記外部端子の形成面側に設けられ、前記外部端子の形成領域に対応する領域に開口部を有する絶縁材料から成る絶縁部材と、
少なくとも前記絶縁部材表面の前記開口部の周辺領域に形成された導電膜と、
前記外部端子に略垂直に設けられた導電材料から成る接続部材と、
前記開口部を閉塞すると共に、前記接続部材と電気的に接続されたバンプとを備える
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記導電膜は、前記絶縁部材表面の前記開口部の周辺領域及び前記開口部の側壁に形成された
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体チップと前記絶縁部材は、前記半導体チップ若しくは前記絶縁部材の所定領域に塗布された接着材料を介して貼り合わせられた
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
外部端子を有する半導体チップの表面に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜のうち、前記外部端子の形成領域に対応する領域に開口部を形成する工程と、
少なくとも前記絶縁膜表面の前記開口部の周辺領域に導電膜を形成する工程と、
前記外部端子と略垂直に導電材料から成る接続部材を形成する工程と、
前記開口部を閉塞すると共に、前記接続部材と電気的に接続されたバンプを形成する工程とを備える
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置及びその製造方法に関する。詳しくは、小型薄型化を実現する半導体装置及びその製造方法に係るものである。
【背景技術】
【０００２】
昨今の各種電化製品は小型化、薄型化、高機能化が要求され、こうしたニーズに応えるため、電子部品の実装、特に半導体装置の高密度実装の必要性が高まっており、従来のプラスチックパッケージに替わり、高密度実装の１つとしてＣＳＰ（チップサイズパッケージ）系パッケージが採用されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
以下、図面を参酌しながらＣＳＰ系パッケージ構造を有する半導体装置について説明する。
図５（ａ）は従来のＣＳＰ系パッケージの一例である半導体装置を説明するための模式的な断面図であり、ここで示す半導体装置１０１は、半導体チップ１０２がインターポーザー基板１０３の表面に形成されたソルダーレジスト（図示せず）上にダイボンド材１０４を介して接着されている。また、半導体チップ上の外部端子１０５はＡｕワイヤー１０６でインターポーザー基板の半導体チップの搭載領域の周辺領域に形成されたＡｕパッド１０７と接続され、Ａｕパッドは半導体チップ搭載側の配線パターン（図示せず）に接続され、半導体チップ搭載側の配線パターンはビアにより実装基板側の配線パターン（図示せず）に接続され、実装基板側の配線パターンは実装基板側接続端子１０８と接続され、この実装基板側接続端子と半田バンプ１０９が接続されている。なお、半導体チップ、Ａｕワイヤー及び半導体チップ側の配線パターンがモールド樹脂１１０によって完全に被覆されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−３３２６４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記した従来の半導体装置の構造では、半導体チップ上の外部端子と接続されたＡｕワイヤーを一度上方に立ち上げた後にＡｕパッドと接続するために、図５（ａ）中符合Ａで示すＡｕワイヤーを立ち上げるために必要な高さ分だけ半導体チップの高さよりも半導体装置の高さは大きくなってしまう。
【０００６】
また、半導体チップ上の外部端子と接続するＡｕパッドが半導体チップの搭載領域の周辺領域に形成されているために、図５（ａ）中符合Ｂで示すＡｕパッドを形成するために必要な領域分だけ半導体チップの大きさよりも半導体装置は大きくなってしまう。
【０００７】
なお、高密度実装を実現するために、図５（ｂ）で示す様に、半導体チップ上の外部端子と実装基板１１１とを半田バンプを介して直接フェイスダウンで電気的に接続し、半導体チップと実装基板の間にアンダーフィル材１１２を充填するといったフリップチップ技術も提案されている。しかし、フリップチップ技術は未だ技術的に安定していないために歩留りが低いと共に、半導体チップと実装基板との接続が圧着であるために接続性が不充分である。また、フリップチップ技術による実装基板への実装は一般的に困難である。
【０００８】
本発明は以上の点に鑑みて創案されたものであって、小型薄型化を実現することができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するために、本発明に係る半導体装置は、外部端子が形成された半導体チップと、該半導体チップの前記外部端子の形成面側に設けられ、前記外部端子の形成領域に対応する領域に開口部を有する絶縁材料から成る絶縁部材と、少なくとも前記絶縁部材表面の前記開口部の周辺領域に形成された導電膜と、前記外部端子に略垂直に設けられた導電材料から成る接続部材と、前記開口部を閉塞すると共に、前記接続部材と電気的に接続されたバンプとを備えている。
【００１０】
ここで、絶縁部材表面の開口部の周辺領域に形成された導電膜によって、絶縁部材とバンプとの接着性が向上し、開口部を閉塞するバンプを安定して形成することができる。即ち、一般に絶縁部材とバンプとの接着性は弱いために、絶縁部材上にバンプを形成しようとしても、バンプの形成位置の制御は困難である。これに対して、絶縁部材表面に導電膜を形成することによって、絶縁部材とバンプとの接着性が向上し、バンプの形成位置の制御性が向上し、開口部を閉塞するバンプを安定して形成することができるのである。
【００１１】
また、外部端子に略垂直に設けられた導電材料から成る接続部材によって、半導体チップ上の外部端子とバンプとの電気的接続が容易になる。即ち、接続部材を形成しない場合には、外部端子とバンプとを直接接続することが不可欠であり、バンプを開口部の奥まで入り込ませる必要があるために、バンプと外部端子の電気的接続を確保することが困難である。これに対して、接続部材を形成した場合には、接続部材とバンプを接続することによってバンプと外部端子との電気的接続を確保することができ、必ずしもバンプを開口部の奥まで入り込ませる必要がなく、バンプと外部端子の電気的接続の確保が容易になる。
【００１２】
また、上記の目的を達成するために、本発明に係る半導体装置の製造方法は、外部端子を有する半導体チップの表面に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜のうち、前記外部端子の形成領域に対応する領域に開口部を形成する工程と、少なくとも前記絶縁膜表面の前記開口部の周辺領域に導電膜を形成する工程と、前記外部端子と略垂直に導電材料から成る接続部材を形成する工程と、前記開口部を閉塞すると共に、前記接続部材と電気的に接続されたバンプを形成する工程とを備えている。
【００１３】
ここで、絶縁膜表面の開口部の周辺領域に導電膜を形成することによって、絶縁膜とバンプとの接着性が向上し、開口部を閉塞するバンプを安定して形成することができる。
また、外部端子と略垂直に導電材料から成る接続部材を形成することによって、半導体チップ上の外部端子とバンプとの電気的接続が容易になる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明を適用した半導体装置及びその製造方法で得られる半導体装置では、外部端子からバンプまでを最短距離で接続しているために半導体装置の小型薄型化が実現する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明し、本発明の理解に供する。
図１は本発明を適用した半導体装置の一例を説明するための模式的な断面図及び斜視図であり、ここで示す半導体装置１は、外部端子２が形成された半導体チップ３と、半導体チップの外部端子の形成面にフィルムタイプやペーストタイプの接着材４で貼り合わせられた絶縁材料（例えばポリイミド材料）から成る厚みが７０μｍ程度のボール保持材５と、外部端子からはんだバンプ側に外部端子に略垂直に接続された長さが５０μｍ程度の金細線６と、この金細線と電気的に接続されると共に、後述するボール保持材に形成された開口部７を閉塞する直径が約３００μｍ程度のはんだバンプ８から構成されている。
なお、ボール保持材の厚さ（ここでは７０μｍ）よりも金細線の長さ（ここでは５０μｍ）を短くすることによって、はんだボールの搭載時にはんだボールが金細線に接触して浮き上がることを防止することができる。
【００１６】
上記したボール保持材には、外部端子の形成領域に対応する領域に直径が約１５０μｍ程度の開口部７が形成されており、図１中符合ａで示すボール保持材のはんだボールの形成面の開口部の周辺領域及び開口部の側壁には導電膜（例えば、Ｃｕ膜）９が成膜されている。
【００１７】
なお、本実施例では、外部端子のみに対応する領域に開口部が形成されているが、即ち、外部端子と略同一の大きさの開口部が形成されているが、開口部の大きさは必ずしも外部端子と略同一である必要は無く、外部端子よりも大きな開口部が形成されても良い。即ち、外部端子の形成領域及びその周辺領域に対応する領域に開口部が形成されても良い。
【００１８】
ここで、ボール保持材とはんだボールとの接着性を向上させるためには、はんだボールの形成面の開口部の周辺領域のみに導電膜を成膜すれば充分であり、必ずしも開口部の側壁には導電膜を成膜する必要は無い。但し、開口部の側壁に導電膜を成膜することによって、はんだボールの溶融時に開口部内にはんだを引き込むことができ、ボイドの発生を抑制することができるために、導電膜ははんだボールの形成面の開口部の周辺領域のみならず、開口部の側壁にも形成された方が好ましい。
【００１９】
具体的には、開口部の側壁に導電膜が形成されていない場合には、ボール保持材とはんだとの塗れ性が悪く、はんだボールの溶融時に開口部内に充分にはんだボールを引き込むことができずに、図４（ａ）で示す様に、開口部の奥にボイドｂが発生することが考えられるが、開口部の側壁に導電膜が形成された場合には、ボール保持材とはんだとの塗れ性が向上し、はんだボールの溶融時に開口部内に充分にはんだボールを引き込むことができ、図４（ｂ）で示す様に、ボイドの発生を抑制することができる。従って、開口部の側壁にも導電膜が形成された方が好ましい。
【００２０】
また、半導体チップとボール保持材を接着する接着材は、半導体チップとボール保持材を接着することができれば充分であり、ボール保持材のうち開口部が形成されていない領域（以下、「開口部の非形成領域」と称する。）の全面に塗布しても構わないが、半導体チップとボール保持材を接着するのに必要最低限の領域のみに塗布した方が好ましい。
即ち、図４（ｃ）で示す様に、接着材が開口部の非形成領域の全面に塗布された場合には、開口部内にはんだボールを引き込む際に開口部内の空気の逃げ場がないために、ボイドが発生することが考えられるが、図４（ｄ）で示す様に、接着材が半導体チップとボール保持材を接着するのに必要最低限の領域のみに塗布された場合には、開口部内にはんだボールを引き込む際に開口部内の空気が半導体チップとボール保持材との間隙に逃げ場を有することとなり、ボイドの発生を抑制できると考えられる。なお、本実施例では、開口部と外部端子の大きさを略同一としているが、開口部内の空気が半導体チップとボール保持材との間隙に逃げ込むことができる程度の隙間はあると考えられる。
【００２１】
以下、上記の様に構成された半導体装置の製造方法について説明する。即ち、本発明を適用した半導体装置の製造方法を説明する。なお、以下ではボール保持材の表面のみに導電膜を形成する場合及びボール保持材の表面及び開口部の側壁に導電膜を形成する場合について説明を行う。
【００２２】
本発明を適用した半導体装置の製造方法の一例では、先ず、ドリルやレーザ等を用いてボール保持材に開口部を形成する。なお、開口部は、半導体チップ上の外部端子の形成領域及びその周辺領域に対応する領域に形成する（図２（ａ）参照。）。
【００２３】
次に、ボール保持材の開口部周辺の所定領域（ボール保持材と半導体チップとを接着するのに必要最低限の領域）若しくは半導体チップのボール保持材の開口部周辺の所定領域に対応する領域に接着材を塗布し、半導体チップとボール保持材を重ね合わせることによって、半導体チップの外部端子の形成面側にボール保持材を貼り合わせる（図２（ｂ）参照。）。なお、ここで用いる接着剤は半導体チップとボール保持材を接着することができるのであれば、フィルム状接着材であってもペースト状接着材であっても構わない。
【００２４】
続いて、ボール保持材が貼り合わせられた半導体チップを反転させ、無電解めっき法を用いて、ボール保持材の開口部の周辺領域及び開口部の側壁にＣｕめっき層を成膜する（図２（ｃ）参照。）。
【００２５】
なお、本実施例ではボール保持材の開口部の周辺領域及び開口部の側壁に導電膜を形成する場合を例に挙げて説明を行っているために、即ち、開口部の側壁にも導電膜を形成する必要があるために、ボール保持材に開口部を形成した後に導電膜を形成しているが、ボール保持材の開口部の周辺領域のみに導電膜を形成する場合、即ち、開口部の側壁に導電膜を形成しない場合には、ボール保持材に開口部を形成する前に導電膜を形成しても良い。
具体的には、無電解めっき法や圧着法によりボール保持材の表面全体に導電膜を形成した後に、汎用のエッチング技術を用いて導電膜のエッチング除去を行うことによって、ボール保持材に形成される開口部の周辺領域に予め導電膜を形成し、その後、開口部を形成しても良い。
【００２６】
次に、汎用のワイヤーボンディング技術を用いて、外部端子に略垂直に金細線（ボンディングワイヤー）を接続する（図２（ｄ）参照。）。
【００２７】
その後、開口部を閉塞する様にはんだボールの搭載や、はんだペーストの印刷、吐出技術によりはんだを搭載し、リフロー炉にてはんだ材料を溶融させて金細線とはんだとを電気的に接続するはんだバンプを形成することによって、図１で示す様な半導体装置を得ることができる。
【００２８】
なお、上記では、組立工程を基礎として、個片化された半導体チップにボール保持材を貼り合わせることによって図１に示す半導体装置を製造する方法について説明を行ったが、以下、半導体チップを個片化する前のウェハの処理段階において図１に示す半導体装置を製造する方法について説明する。即ち、本発明を適用した半導体装置の製造方法の他の一例について説明する。
【００２９】
本発明を適用した半導体装置の製造方法の他の一例では、先ず、図３（ａ）で示す様に、複数の半導体チップが形成された半導体ウェハ１０の表面にポリイミド等の液状の絶縁材１１を塗布してボール保持材を形成した後に、レーザ等を用いて絶縁材に開口部を形成する。なお、開口部は、半導体チップ上の外部端子の形成領域及びその周辺領域に対応する領域に形成する（図３（ｂ）参照。）。
【００３０】
なお、本実施例では、半導体ウェハの表面に液状の絶縁材を塗布しているが、ボール保持材は絶縁材であれば良く、フィルムタイプの絶縁材を貼り合わせることによってボール保持材を形成しても良い。
【００３１】
次に、無電解めっき法を用いて、ボール保持材の開口部の周辺領域及び開口部の側壁にＣｕめっき層を成膜した後に（図３（ｃ）参照。）、汎用のワイヤーボンディング技術を用いて、外部端子に略垂直に金細線（ボンディングワイヤー）を接続する（図３（ｄ）参照。）。
【００３２】
続いて、開口部を閉塞する様にはんだボールの搭載や、はんだペーストの印刷、吐出技術によりはんだを搭載し、リフロー炉にてはんだ材料を溶融させて、金細線とはんだとを電気的に接続するはんだバンプを形成する（図３（ｅ）参照。）。その後、図３（ｆ）で示す様に、ダイシングブレードによって半導体ウェハを個片化することによって、図１で示す様な半導体装置を得ることができる。
【００３３】
上記した本発明を適用した半導体装置では、半導体チップに形成された外部端子からはんだバンプまでを最短距離で接続しているために、半導体装置の小型薄型化が実現する。
即ち、本発明を適用した半導体装置では、半導体チップの外部端子を下側（はんだバンプ側）に向けて、金細線を介して最短距離で外部端子とはんだバンプとを接続しているために、半導体チップの外部端子が上側（はんだバンプとは反対側）に向けられていた従来の半導体装置の様にボンディングワイヤーを一度上方に立ち上げた後にＵターンさせるといった接続方式を採用する必要がなく、ボンディングワイヤーを立ち上げるために必要だった高さ分だけ半導体装置の薄型化が実現できることとなる。
また、半導体チップの外部端子を下側に向けて、金細線を介して最短距離で外部端子とはんだバンプとを接続しているために、即ち、従来の半導体装置の様に、半導体チップの搭載領域の周辺領域にボンディングワイヤーの接続先であるＡｕパッドを形成し、このＡｕパッドから再配線を行って外部端子とはんだバンプとの電気的接続を確保するといった接続方式を採用していないために、半導体チップの周辺領域にＡｕパッドを形成するために必要だった領域分だけ半導体装置の小型化が実現できることとなる。
【００３４】
更に、半導体チップに形成された外部端子からはんだバンプまで最短距離で接続しているために、多くの材料を経由して接続を行っていた従来の半導体装置と比較して使用する材料の量を低減することができ、半導体装置の製造コストの低減を図ることができると共に、外部端子からはんだバンプまでの配線長が短くなるために、電気的特性の向上が期待できる。
【００３５】
また、フリップチップ実装を行う場合と同程度の厚さを実現しながら、半導体装置の下側にははんだバンプが形成されているために、従来の半導体装置と同様に実装基板に実装することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明を適用した半導体装置の一例を説明するための模式的な断面図及び斜視図である。
【図２】本発明を適用した半導体装置の製造方法の一例を説明するための模式的な断面図及び斜視図である。
【図３】本発明を適用した半導体装置の製造方法の他の一例を説明するための模式的な断面図及び斜視図である。
【図４】ボイドの発生を説明するための模式的な断面図である。
【図５】従来の半導体装置を説明するための模式的な断面図である。
【符号の説明】
【００３７】
１    半導体装置
２    外部端子
３    半導体チップ
４    接着材
５    ボール保持材
６    金細線
７    開口部
８    はんだバンプ
９    導電膜
１０    半導体ウェハ
１１    絶縁材
【図１】
2006351886.tif 000003
【図２】
2006351886.tif 000004
【図３】
2006351886.tif 000005
【図４】
2006351886.tif 000006
【図５】
2006351886.tif 000007