(57)【要約】【課題】  探針が試料表面に接している位置に照射光を確実に導き、光導電効果による抵抗率の変化を簡便に測定することのできる、小型化された４探針プローブヘッドを提供する。【解決手段】  光照射で生じる光導電効果による電気抵抗変化を４探針プローブ法で測定する４探針プローブヘッド（１０）であって、直線状に並ぶ４本の探針（１３）と、探針を保持する探針保持部（１１）とを有し、前記探針は、前記探針保持部の一端側で、端部に沿って配置される。【選択図】  図１
2006258774.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光照射で生じる光導電効果による電気抵抗変化を４探針プローブ法で測定する４探針プローブヘッドであって、
直線状に並ぶ４本の探針と、
前記探針を保持する探針保持部と、
を有し、前記探針は、前記探針保持部の一端側で、端部に沿って配置されることを特徴とする４探針プローブヘッド。
【請求項２】
光照射で生じる光導電効果による電気抵抗変化を４探針プローブ法で測定する４探針プローブヘッドであって、
直線状に並ぶ４本の探針と、
前記探針を保持する探針保持部と、
照射端が前記探針の近傍に位置するように前記探針保持部に固定される光ファイバと
を有することを特徴とする４探針プローブヘッド。
【請求項３】
所定の間隙を介して前記探針保持部の上方に位置し、前記探針と被測定面との間の接触圧力を調整する圧力調整部
をさらに有することを特徴とする請求項１または２に記載の４探針プローブヘッド。
【請求項４】
半導体試料表面への光照射により生じる電気抵抗変化を、請求項１または２に記載の４探針プローブヘッドを用いて測定し、
前記測定結果に基づき、目的とする半導体の特性評価に当該試料を用いることの適否を判断する
ことを特徴とする半導体特性の評価方法。
【請求項５】
半導体試料表面への光照射により生じる電気抵抗変化を、請求項１または２に記載の４探針プローブヘッドを用いて測定し、
前記測定結果に基づき、二次イオン質量分析での帯電補正条件の最適化を行なう
ことを特徴とする半導体特性の評価方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体表面への光照射による半導体表面の電気抵抗変化を簡便に測定することのできる４探針プローブヘッドと、これを用いた半導体特性の評価に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体に光を照射すると、光のエネルギを吸収して価電子帯の電子が伝導帯へ励起され、同時に、価電子帯に正孔が生じて導電性が増大する。この現象は、光導電効果と呼ばれている。一般に、光導電量は照射光の強さに比例するが、試料固有のエネルギ準位や複雑な再結合過程にも依存する。そのため、光の強さと光導電量との関係は、個々の試料ごとに評価する必要がある。
【０００３】
従来、光導電量の計測は、所定の形状に加工した試料の両端面に電極（端子）を形成し、別の２端子を試料上面に接触させ、上面から光を照射して２端子間に生じる光導電流を測定していた（４端子法）。しかし、微電流を測定するため、高感度になるような形状の工夫や、増幅器の設置、電極の接触電位差を低減させるなどの検討が必要となる。また、光の照射面積が局所的な場合は、キャリアの寿命から、試料を適度なサイズに加工する必要もある。
【０００４】
一方、光導電流評価として、４探針プローブ法による抵抗率測定も知られている。一般的な４探針プローブ法は、１ｍｍ程度の間隔で直線状に並べた４本のプローブ（探針）を被測定部材に接触させ、外側の２本の探針の間に一定の電流Ｉを流し、内側の２本の探針で、電圧降下Ｖを測定して、抵抗値Ｒ＝Ｖ／Ｉを算出する方法である。
【０００５】
４探針プローブ法では、従来の４端子法の問題点である接触電位差を低減でき、試料の加工も不要になる。４探針プローブ法で、たとえば、シリコンウェーハの抵抗率、ウェーハ表面に形成したエピタキシャル成長膜の抵抗率、不純物拡散層のシート抵抗などを測定し、測定結果を、半導体製造装置のプロセス条件にフィードバックすることができる。
【０００６】
４探針プローブ法で、局所的な光照射による抵抗率変化を測定するには、探針の接触点に光を照射する必要がある。
【０００７】
たとえば、４探針プローブ法ではないが、スキャニングミラーを有するプローブで被検面からの反射光を検出する光走査プローブ装置では、光源から照射される光を、光ファイバでプローブ先端に導き、制御装置で、スキャニングミラーを駆動している（たとえば、特許文献１参照。）。
【０００８】
４端子プローブ法について言えば、最近の半導体装置の高密度化や高性能化に伴って、原子層膜厚、分子層膜厚での薄膜評価も必要になってきており、ミクロスコピックな４探針プローブ法も提案されている（たとえば、非特許文献１参照。）。
【０００９】
ミクロスコピック４探針プローブ法では、４本のプローブのそれぞれを独立して駆動制御して、プローブ間の距離（間隔）を、１μｍ程度にまで接近させることができる。したがって、試料の最表面や、表面空間電荷層での局所的な抵抗値を測定できるが、複雑で大がかりな駆動機構を必要とする。
【００１０】
光照射下での電子−正孔対の生成による光導電流を計測するときに、光の強さと、個々の試料条件での光導電流の関係を評価する電気的な計測手段として、４探針プローブ法による抵抗率の測定は有用である。そこで、大がかりな駆動機構を必要とせずに、簡便に光照射による抵抗率の変化を測定することのできる４探針プローブ装置が望まれる。
【００１１】
小型化されたハンディタイプのプローブヘッド（測定器）で、市販されているものもあるが、市販のシート抵抗測定器や抵抗率測定器は、光照射を意識していないため、探針の長さが短い。また、探針を固定する固定台のサイズも大きいため、試料表面でプローブの先端が接触している位置に、外部から光を照射することができない。
【特許文献１】特開２００１−１５３８０６号公報
【非特許文献１】長谷川修司他、「ミクロな４端子プローブによる表面電気伝導の測定」、表面化学Vol. 23, No. 12, pp. 740-752, 2002
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
そこで、探針（プローブ）が試料表面に接している位置に照射光を確実に導き、光導電効果による抵抗率の変化を簡便に測定することのできる、小型化された４探針プローブヘッドを提供することを課題とする。
【００１３】
また、このような簡易な４探針プローブヘッドを用いた半導体特性の評価方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するために、探針の取り付け位置や、長さ、保持方法を最適化することで、照射光を、試料表面の探針の接触位置に導くことのできる、小型化されたハンディタイプの４探針プローブヘッドを実現する。
【００１５】
また、探針を保持する探針保持部に光ファイバを取り付けて、両者を一体化することで、照射光を、試料表面の探針の接触位置に確実に導くことのできる、小型化されたハンディタイプの４探針プローブヘッドを実現する。
【００１６】
具体的には、第１の側面では、光照射で生じる光導電効果による電気抵抗変化を４探針プローブ法で測定する４探針プローブヘッドは、
（ａ）直線状に並ぶ４本の探針と、
（ｂ）前記探針を保持する探針保持部と、
を有し、探針は、探針保持部の一端側で、端部に沿って配置されることを特徴とする。
【００１７】
このような構成の４探針プローブヘッドでは、探針取り付け位置が端部にあるため、探針が被測定面と接触する位置に、ほぼ垂直な角度から水平まで、広い範囲で光照射することが可能になる。
【００１８】
第２の側面では、光照射で生じる光導電効果による電気抵抗変化を４探針プローブ法で測定する４探針プローブヘッドは、
（ａ）直線状に並ぶ４本の探針と、
（ｂ）前記探針を保持する探針保持部と、
（ｃ）照射端が前記探針の近傍に位置するように前記探針保持部に固定される光ファイバと
を有する。
【００１９】
このような構成の４探針プローブヘッドは、光ファイバを探針の近傍に組み込むことによって、光照射部と４探針プローブを一体化し、抵抗率測定をさらに簡便に行うことができる。
【００２０】
第３の側面では、半導体特性の評価方法を提供する。半導体特性の評価方法は、
（ａ）半導体試料表面への光照射により生じる電気抵抗変化を、上述した第１の側面または第２の側面で提供される４探針プローブヘッドを用いて測定し、
（ｂ）前記測定結果に基づき、目的とする半導体の特性評価に当該試料を用いることの適否を判断する。
【００２１】
第４の側面では、さらに別の半導体特性の評価方法を提供する。この方法では、
（ａ）半導体試料表面への光照射により生じる電気抵抗変化を、上記第１の側面または第２の側面で提供される４探針プローブヘッドを用いて測定し、
（ｂ）前記測定結果に基づき、二次イオン質量分析での帯電補正条件の最適化を行なう。
【００２２】
これらの方法により、試料からあらかじめ簡便に取得した抵抗率変化またはＩ−Ｖ特性に基づいて、目的とする測定、評価に当該試料を用いることの適否を判断し、または、目的とする測定、評価での条件を最適に調整することが可能になる。この結果、半導体特性評価の効率が向上する。
【発明の効果】
【００２３】
探針の接触点に確実に光を照射して、光導電効果による抵抗率の変化を測定することのできる、小型化されたハンディタイプの４探針プローブヘッドが実現される。
【００２４】
半導体特性評価の効率が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下、添付図面を参照して、本発明の良好な実施形態を説明する。
【００２６】
図１〜図３は、本発明の第１実施形態に係る４探針プローブヘッド１０の構成例を示す図である。図１（ａ）は、４探針プローブヘッド１０の側面図、図１（ｂ）は、正面図である。
【００２７】
４探針プローブヘッド１０は、直線状に並んだ４本の探針１３と、探針１３を保持する探針保持部１１と、探針１３と被測定面との接触圧力を調整する圧力調整部１２とを有し、４本の探針１３は、探針保持部１１の一端側のエッジに沿って配置される。
【００２８】
４本の探針のうちの２本は測定電流印加用、２本は光照射による光導電効果に基づく抵抗率変化（電圧降下）の測定用の探針である。
【００２９】
探針保持部１１の底面から垂直に延びる探針１３の長さは、光照射時に光路が探針保持部１１の影にならないように、十分な長さを有し、たとえば２ｍｍ〜３ｍｍである。探針１３がシリコンウェーハ１と接触したときに、探針保持部１１の底面と、シリコンウェーハとの間に、十分な距離をとるとともに、探針１３を探針保持部のエッジ近傍に配置することで、探針１３とシリコンウェーハ１との接触部に対する光照射が容易かつ確実に行なわれる。
【００３０】
探針１３の間の間隔は、０．５ｍｍ〜数ｍｍ程度であり、端子１３が互いに接触しないように、シリコンウェーハ１と接触する先端部を除いて、絶縁被膜１４で覆われている。図１（ａ）に示す例では、探針１３のそれぞれに被膜１４を施しているが、端子１３の間隔が狭くなる場合は、一つの被膜１４で４本の探針１３を一体的に覆う構成としてもよい。
【００３１】
４本の探針１３を、探針保持部１１のエッジに沿って一列に並べ、かつ、探針１３の長さを適切に設定することによって、探針１３がシリコンウェーハ１に垂直に接触したときに、光照射をシリコンウェーハ１に対して、ほぼ０°〜９０°の角度で行なうことができる。すなわち、照射角調整レンジを広くとることができる。
【００３２】
探針１３は、たとえばベリリウム銅など、耐酸化性や可撓性にすぐれた材料で形成されている。
【００３３】
図２（ａ）および図２（ｂ）は、図１の４探針プローブヘッド１０で用いられる探針保持部１１の構成例を示す。図２（ａ）の上面図および図２（ｂ）の正面図に示す例では、探針保持部１１は直方体の形状を有し、探針１３を通すために上面から底面まで貫通する探針用の穴２１と、ネジ１５を通すために貫通するネジ穴２２を有する。
【００３４】
探針１３は、探針用の穴２１の内部で上下に摺動可能なように、半固定の状態で保持されている。このため、探針保持部１１の材料としては、絶縁性が高く、かつ摩擦力の小さいテフロン（登録商標）（登録商標）などを用いる。
【００３５】
４つの探針用の穴２１は、探針保持部１１の長手方向の一辺に沿って、エッジ近傍に一列に並んでいる。この位置で探針１３を保持することによって、探針１３とシリコンウェーハ１の表面との接触点に対する光照射を、容易にすることができる。
【００３６】
探針保持部１１の長手方向の両端側には、ネジ１５を受けるネジ穴２２が形成されている。
【００３７】
探針保持部１１の上方には、圧力調整部１２が位置し、探針保持部１１に半固定状態で保持された探針１３がシリコンウェーハ１の表面に接触した際に、接触点に適切な加重をかける。
【００３８】
図３（ａ）および図３（ｂ）は、図１の４探針プローブヘッド１０で用いられる圧力調整部１２の構成例を示す。図３（ａ）の上面図および図３（ｂ）の正面図に示す例では、圧力調整部１２は、直方体の形状を有し、底面に放射状に延びる４本の溝３３を有する。４本の溝３３の開始位置は、４本の探針１３が直線状に並ぶ位置に一致する。探針１３は、探針保持部１１を貫通して圧力調整部１２の底面に達したところで、Ｌ字型に屈曲し、放射状に広がる溝３３に案内されて、それぞれが互いに離れるにように配置される。これにより、電圧印加、電流測定のための端子の接触を防止する。
【００３９】
圧力調整部１２は、たとえば、シリコンゴムや天然ゴムのように、絶縁性に優れた弾性部材を用いる。圧力調整部１２は、探針保持部１１との間に間隙を有するように、ネジ１５によって探針保持部１１に結合されている。これにより、４本の探針１３とシリコンウェーハ１が接触したときに、接触点に均等かつ弾力的に圧力をかけることができる。
【００４０】
探針保持部１１や圧力調整部１２の形状は、直方体に限られず、円筒形、楕円筒など、任意の形状をとることができる。
【００４１】
図４〜図６は、本発明の第２実施形態に係る４探針プローブヘッド５０の構成例を示す図である。第２実施形態では、光照射用の光ファイバを導入し、光ファイバの照射端が、探針の基部近傍に位置するように、４探針プローブヘッド５０に組み込む。
【００４２】
図４（ａ）は、４探針プローブヘッド５０の側面図、図４（ｂ）は正面図である。４探針プローブヘッド５０は、直線状に並んだ４本の探針１３と、探針１３を保持する探針保持部５１と、探針１３と被測定面との接触圧力を調整する圧力調整部５２と、光照射用のファイバ５５とを有し、光ファイバ５５は、探針１３とシリコンウェーハ１の接触点を照射するように、探針保持部５１に固定される。
【００４３】
第２実施形態では、光ファイバ５５が探針１３の近傍まで導入されるので、探針１３の位置は特に問わないが、図４の例では、直線状に並ぶ４本の探針１３は、探針保持部５１のほぼ中央部に位置する。また、光照射角の範囲を考慮する必要がないので、探針１３の長さも任意であり、探針１３の強度、シリコンウェーハ１に接触したときの安定性、探針保持部５１とシリコンウェーハ１が接触しないだけの空間等を考慮して、適切に設定することができる。
【００４４】
４本の探針のうちの２本は測定電流印加用の端子、別の２本は光照射による光導電効果に基づく抵抗率変化（電圧降下）の検出用端子である。
【００４５】
第２実施形態においても、端子１３が互いに接触しないように、シリコンウェーハ１と接触する先端部を除いて、端子１３を絶縁被膜１４で覆っている。端子１３の間隔が狭くなる場合は、一つの被膜１４で４本の探針１３を一体的に覆う構成としてもよい。
【００４６】
光ファイバ５５の照射端が、探針１３の近傍に位置するように光ファイバ５５を組み込むことで、光照射と４探針測定を一体化して、抵抗率の測定をさらに簡便化できる。
【００４７】
図５（ａ）および図５（ｂ）は、図４の４探針プローブヘッド５０で用いられる探針保持部５１の構成例を示す。図５（ａ）の上面図および図５（ｂ）の正面図に示す例では、探針保持部５１は直方体の形状を有し、その中央部に、探針１３を通すための穴２１が一列に形成されている。探針保持部５１の長手方向に沿った両端には、ネジ１５を通すために貫通するネジ穴２２を有する。さらに、一列に並ぶ探針用の穴２１の近傍に、光ファイバ固定用の穴２５を有する。光ファイバ５５をファイバ固定用の穴２５に挿入し、その照射端が、探針保持部５１の底面でシリコンウェーハ１に対向するように固定して、４探針プローブヘッド５０に組み込む。
【００４８】
探針用の穴２１と、光ファイバ固定用の穴２５の位置は、図５に示す例に限定されず、４本の探針１３がシリコンウェーハ１と接触する点を光ファイバ５５で照射できる任意の位置に形成できる。
【００４９】
探針保持部５１は、絶縁性が高く、かつ摩擦力の小さい材料、たとえばテフロン（登録商標）（登録商標）などで形成される。
【００５０】
このような構成の探針保持部５１の上方には、圧力調整部５２が位置し、探針保持部５１に半固定状態で保持される探針１３がシリコンウェーハ１の表面に接触した際に、接触点に適切な加重をかける。
【００５１】
図６は、第２実施形態の４探針プローブヘッド５０で用いられる圧力調整部５２の構成例を示す。図６（ａ）の上面図および図６（ｂ）の正面に示す例では、圧力調整部５２は、直方体の形状を有し、光ファイバ固定用の穴３５を有する。また、その底面に、光ファイバ固定用穴３５の近傍から放射状に延びる４本の溝３３を有する。探針１３は、探針保持部５１を貫通して圧力調整部５２の底面に達したところで、Ｌ字型に屈曲し、放射状に広がる溝３３に案内されて、それぞれが互いに離れるにように配置される。これにより、電圧印加、電流測定のための端子の接触を防止する。
【００５２】
圧力調整部１２は、たとえば、シリコンゴムや天然ゴムのように、絶縁性に優れた弾性部材を用いる。第１実施形態と同様に、圧力調整部５２は、探針保持部５１との間に間隙を有するように、ネジ１５によって探針保持部１１に結合されている。これにより、４本の探針１３とシリコンウェーハ１が接触したときに、接触点に均等かつ弾力的に圧力をかけることができる。
【００５３】
探針保持部５１や圧力調整部５２の形状は、直方体に限られず、円筒形、楕円筒など、任意の形状をとることができる。
【００５４】
第１実施形態の４探針プローブヘッド１０や、第２実施形態の４探針プローブヘッド５０を、たとえば、ペン型、シリンダ型、マウス型、箱型など、手に持ちやすい形状のボディに取り付けて、小型プローブ装置を形成することができる。
【００５５】
図７は、第１実施形態の４探針プローブヘッド１０を取り付けた小型プローブ装置７０の構成例を示す。小型プローブ装置７０は、４探針プローブヘッド１０と、プローブヘッド１０を支持するボディ７１と、光照射部７３を有する。光照射部７３は、たとえばボディ７１と４探針プローブヘッド１０の結合部近傍の外壁に、その照射面の角度が調整可能となるように設けられる。
【００５６】
あるいは、図示はしないが、たとえばレーザ光源を、伸縮自在のアームにより位置調整が可能な状態で、結合部近傍に取り付ける構成としてもよい。これにより、図１（ａ）の照射角調整レンジ内で、自由に照射角を調整することができる。
【００５７】
光照射部７３は、図示しないＯＮ／ＯＦＦボタンなどにより、ＯＮ／ＯＦＦ切り換えされる。
【００５８】
ボディ７１の内部には、４本の探針１３のうちの２本の探針に測定電流を印加するための電流源（不図示）、他の２本の探針１３により検知された電圧降下を検出する検出部（不図示）、電圧降下から抵抗率の変化を算出する演算部（不図示）等が設定されている。算出された抵抗率の変化は、表示部７２に表示される。もっとも、電流源や、演算回路、表示部などは、別装置として構成してもよく、ケーブルなどにより小型プローブ装置１０と接続してもよい。
【００５９】
図示はしないが、第２実施形態の４探針プローブヘッドをボディに取り付けてもよい。この場合、光源をボディの内部に設置して、光ファイバ５５を探針の根元まで導いてもよいし、光源を電流源や演算回路とともに別部材としてもよい。
【００６０】
実際の測定時には、ユーザは、ボディ７１を手で持って、光照射部７３による光照射下で、探針１３をシリコンウェーハ１に対して垂直に接触させる。たとえば、光照射部７３４０５ｎｍの波長の光を照射する場合は、数十ｎｍという浅い拡散層に対応する領域での抵抗率の変化を測定することができる。
【００６１】
光照射部７３は、異なる波長の光を切り換え可能に照射できる構成とするのが望ましい。たとえば、波長１９３ｎｍの照射光に切り換えることで、より表層近くの抵抗率の変化を測定することができる。
【００６２】
第１実施形態および第２実施形態に示す４探針プローブヘッドや、図７の小型プローブ装置は、目的とする半導体特性の測定、評価（たとえば二次イオン質量分析など）に先立つ基礎データの収集に用いることができる。収集された基礎データは、目的とする半導体特性評価に、当該サンプルを用いることの適否や、微小帯電補正条件の最適化に利用することができる。
【００６３】
たとえば、目的とする測定、評価に先立って、小型プローブ装置７０を用いてサンプルウェーハ上で、そのサンプルのＩ−Ｖ特性データを簡便に取得する。取得したＩ−Ｖ曲線が、正常なカーブを描いていない場合、すなわち光照射による表面領域での抵抗変化が不規則である場合は、サンプルの表面バンド構造が複雑である等の理由により、目的とする分析（二次イオン質量分析など）のサンプルとしては不適切である旨を、あらかじめ判断することができる。
【００６４】
また、二次イオン質量分析では、試料表面のチャージアップを回避して、生の表面状態でデータを得るために、電子銃で低エネルギのイオンビームを照射して帯電補正を行っている。このとき、あらかじめサンプルウェーハ上で表面電位分布の均一性（あるいは不均一性）を取得しておくことにより、電子銃での帯電補正の条件（照射タイミング、イオンエネルギなど）を最適化することができる。
【００６５】
最後に、以上の説明に関して、以下の付記を開示する。
（付記１）  光照射で生じる光導電効果による電気抵抗変化を４探針プローブ法で測定する４探針プローブヘッドであって、
直線状に並ぶ４本の探針と、
前記探針を保持する探針保持部と、
を有し、前記探針は、前記探針保持部の一端側で、端部に沿って配置されることを特徴とする４探針プローブヘッド。
（付記２）  光照射で生じる光導電効果による電気抵抗変化を４探針プローブ法で測定する４探針プローブヘッドであって、
直線状に並ぶ４本の探針と、
前記探針を保持する探針保持部と、
照射端が前記探針の近傍に位置するように前記探針保持部に固定される光ファイバと
を有することを特徴とする４探針プローブヘッド。
（付記３）  前記探針は、前記探針保持部を貫通し、半固定状態で保持されることを特徴とする付記１または２に記載の４探針プローブヘッド。
（付記４）  所定の間隙を介して前記探針保持部の上方に位置し、前記探針と被測定面との間の接触圧力を調整する圧力調整部
をさらに有することを特徴とする付記１または２に記載の４探針プローブヘッド。
（付記５）  前記圧力調整部は、底面に前記探針を案内する放射状の溝を有することを特徴とする付記４に記載の４探針プローブヘッド。
（付記６）  前記探針は、前記探針保持部を貫通し、前記圧力調整部の底面でＬ字型に屈曲することを特徴とする付記４に記載の４探針プローブヘッド。
（付記７）  前記圧力調整部は、弾性素材で形成されることを特徴とする付記４に記載の探針プローブヘッド。
（付記８）  前記探針は、前記探針と被測定面との接触点に照射スポットが形成されるに足りる長さを有することを特徴とする付記１に記載の４探針プローブヘッド。
（付記９）  前記探針保持部は、前記光ファイバを固定する固定穴を有することを特徴とする付記２に記載の４探針プローブヘッド。
（付記１０）  付記１に記載の４探針プローブヘッドと、
前記４探針プローブヘッドを支持するボディと、
前記４探針プローブヘッドの探針と被測定面との接触点に照射スポットが形成されるように前記ボディに取り付けられる光照射部と
を備える小型プローブ装置。
（付記１１）  付記２に記載の４探針プローブヘッドと、
前記４探針プローブヘッドを支持するボディと、
前記４探針プローブヘッドの光ファイバに接続される光源と
を備える小型プローブ装置。
（付記１２）  半導体試料表面への光照射により生じる電気抵抗変化を、付記１または２に記載の４探針プローブヘッドを用いて測定し、
前記測定結果に基づき、目的とする半導体の特性評価に当該試料を用いることの適否を判断する
ことを特徴とする半導体特性の評価方法。
（付記１３）  半導体試料表面への光照射により生じる電気抵抗変化を、付記１または２に記載の４探針プローブヘッドを用いて測定し、
前記測定結果に基づき、二次イオン質量分析での帯電補正条件の最適化を行なう
ことを特徴とする半導体特性の評価方法。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本発明の第１実施形態に係る４探針プローブヘッドの構成例を示す図であり、図１（ａ）は側面図、図１（ｂ）は正面図である。
【図２】図１の４探針プローブヘッドで用いられる固定部の構成例を示す図であり、図２（ａ）は上面図、図２（ｂ）は正面図である。
【図３】図１の４探針ブローブヘッドで用いられる圧力調整部の構成例を示す図であり、図３（ａ）は上面図、図３（ｂ）は正面図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係る４探針プローブヘッドの構成例を示す図であり、図４（ａ）は側面図、図４（ｂ）は正面図である。
【図５】図４の４探針プローブヘッドで用いられる固定部の構成例を示す図であり、図５（ａ）は上面図、図５（ｂ）は正面図である。
【図６】図４の４探針ブローブヘッドで用いられる圧力調整部の構成例を示す図であり、図６（ａ）は上面図、図６（ｂ）は正面図である。
【図７】図１の４探針プローブヘッドを備えた小型プローブ装置の概略図である。
【符号の説明】
【００６７】
１０、５０  ４探針プローブヘッド  
１１、５１  探針保持部
１２、５２  圧力調整部
１３  探針
１４  被膜
１５  ネジ
５５  光ファイバ
７０  小型プローブ装置
２１  第１保護層
２２  第２保護層
２３  第３保護層
４１  下地層
４２  反強磁性層
４３  ピンド（固定）層
４４  非磁性（スペーサ）層
４５  フリー層
５０  磁気ディスク装置
６０  磁気ヘッド
６５  再生ヘッド素子（磁気センサ）
６６  記録ヘッド素子
７０  小型プローブ装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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