(57)【要約】【課題】  表示部のトランジスタの動作速度を増加させ、かつこのトランジスタを駆動するａ−Ｓｉ ＴＦＴ用の動作寿命が従来に比較して長いドライバ回路，シフトレジスタ、またこのシフトレジスタを用いた液晶駆動回路を提供する。【解決手段】  本発明のドライバ回路は、しきい値電圧を制御するバックゲートが設けられており、ゲートに印加された電圧に対応して、ドレインから入力される電圧をソースから出力信号として出力するトランジスタが設けられている。【選択図】    図１
2006174294.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
しきい値電圧を制御するバックゲートが設けられており、ゲートに印加された電圧に対応して、ドレインから入力される電圧をソースから出力信号として出力するトランジスタが設けられたことを特徴とするドライバ回路。
【請求項２】
前記バックゲートに、しきい値が変動した電圧と同極性の制御電圧を印加する制御回路が設けられていることを特徴とする請求項１記載のドライバ回路。
【請求項３】
前記トランジスタがｎチャンネル型である場合、前記バックゲートに印加する制御電圧が正の電圧であることを特徴とする請求項２に記載のドライバ回路。
【請求項４】
前記制御回路が前記トランジスタと同様な構造のダミートランジスタを有しており、該ダミートランジスタの出力電圧から、前記制御電圧を生成することを特徴とする請求項２または請求項３に記載のドライバ回路。
【請求項５】
縦続接続された複数のステージを有し、入力データを位相の異なる複数のクロックによりシフトし、該入力データが入力されると出力トランジスタのドレインに入力されるクロックを、位相シフトクロックとしてソースから出力し、出力信号のシフト動作を行うシフトレジスタであり、
請求項１から請求項４のいずれかに記載のドライバ回路を、前記出力トランジスタに用い、制御回路が複数のステージに対して共通に設けられていることを特徴とするシフトレジスタ。
【請求項６】
本発明のシフトレジスタは、ｎ段目のステージに対して、ｎ−１段目の位相シフトクロックをシフトデータとして入力させ、該トランジスタのソースから主力されるｎ段目の位相シフトクロックを用い、該ソースとゲートとの間に介挿されたコンデンサにより、前記出力トランジスタのゲート電圧を昇圧することを特徴とする請求項５記載のシフトレジスタ。
【請求項７】
請求項５または請求項６に記載のシフトレジスタが、走査線及び信号線が交差してなるアクティブマトリクス回路の走査駆動信号を生成させるために用いられていることを特徴とする液晶駆動回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、たとえば、液晶ディスプレイ等の液晶表示装置に設置して走査駆動信号を与えるシフトレジスタ及びそれを用いた液晶駆動回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、コンピュータ及び携帯電話の表示装置等に用いられている、アクティブマトリクス型の液晶表示装置においては、映像信号線（列配線）と走査駆動信号線（行配線）がマトリクス状に設けられており、これら配線の交点に各画素の液晶を駆動する薄膜トランジスタ等のスイッチング素子が設けられている。
そして、複数の走査駆動信号線に、これら信号線を順次走査して一つの走査駆動信号線上の全てのスイッチング素子を一時的に導通状態（オン状態）にする走査駆動信号が与えられ、映像信号線にたいしては、走査駆動信号線に同期して映像信号が供給される。
ここで、複数の走査駆動信号線に対して、順次供給する動作を行うのがシフトレジスタである。
【０００３】
図６に示すように、表示部において、行配線及び列配線がマトリクス上に複数設けられており、この行配線及び列配線の交差部に、液晶への電圧印加を制御するスイッチング素子（トランジスタ）と、制御される液晶部とにより構成される液晶素子が配置された、アクティブマトリクス回路となっている。
ゲートドライバ（シフトレジスタ）が行配線（走査線）を時系列に所定の電圧を印加させてオン状態とし、列配線のドライバがこのタイミングに同期させてソースに所定の電圧を印加（信号線により印加）することにより、液晶の光学状態を変更させて、液晶表示装置を駆動することとなる。
【０００４】
そして、液晶素子を駆動させるため、図６において、ゲートドライバを薄膜トランジスタにより製造することが行われている（例えば、特許文献１参照）。
このとき、行配線に電圧を印加するゲートドライバを高速に動作させ、かつ十分な電流量を行配線に供給させることが必要となる。
ここで、ゲートドライバは、図７に示すように、複数のＳＲ（シフトレジスタ）ステージの段数を有するシフトレジスタから構成されている。
【０００５】
そして、各ＳＲステージが図８に示す構成となっており、このＳＲステージが図７に示すように、カスケード接続され、クロックＣ（Ｃ1，Ｃ2），スタートパルスＳＴＰに対応して、出力端子ＯＵＴ（ＯＵＴn-1，ＯＵＴn，ＯＵＴn+1，ＯＵＴn+2）から、ＳＲステーにｎ−１に入力される入力スキャンパルスを順次シフトさせ、位相シフトクロック（本実施形態においてはＧout1〜ＧoutN）を各ＳＲステージ（本実施形態のステージ１〜Ｎに対応）が行配線を駆動する駆動パルスとして印加し、液晶素子の薄膜トランジスタのゲートに所定の電圧を印加するゲートドライバとしての機能を果たしている。
【０００６】
ここで、図９の駆動波形を示す波形図において、図８におけるノードＰ１に、駆動パルス（位相シフトクロック）出力前後において、出力トランジスタ１６（本実施形態の出力トランジスタＭ１に対応）が十分にオン状態（オン抵抗の十分低い状態）となるゲート電圧Ｖgs（ゲート−ソース電圧）が印加されるように、シフトレジスタは設計されている。
【０００７】
【特許文献１】特開平０８−８７８９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
図８から判るように、ノードＰ１にはクロックＣ１によるノード１３の電圧上昇に伴う、ブートストラップ効果により、入力電圧（実際はトランジスタのしきい値を除算した値）より高い電圧となり、出力ＯＵＴｎの出力電圧のＨＩＧＨ電圧（波高値）を、クロックＣ１のＨＩＧＨ電圧まで上昇させることが可能となる。
【０００９】
しかしながら、上記トランジスタとして、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）で形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が用いられており、このａ−Ｓｉ ＴＦＴは、ゲートに係る電圧に対応したストレスにより、図１０に示すように、製造時の閾値電圧ＶthaがＶthbへシフトし、出力する電流量がＩonaからＩonbへ低下し、時間経過に従って徐々にスイッチとしての機能を果たさなくなり、十分に表示部のトランジスタを駆動することができなくなるという欠点がある。
【００１０】
すなわち、ａ−Ｓｉ ＴＦＴは、ゲート電極に対して印加される駆動電圧自体がストレスとなり、この駆動電圧の値が動作寿命の長さに影響を与え、駆動電圧が高くなるほど、動作寿命が短くなる。
一方、ａ−Ｓｉ ＴＦＴのゲートに所定の電圧を印加しないと、電流が十分流すことができず、表示部のトランジスタの高速な駆動を実現できない。
【００１１】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、表示部のトランジスタの動作速度を増加させ、かつこのトランジスタを駆動するａ−Ｓｉ ＴＦＴ用の動作寿命が従来に比較して長いドライバ回路，シフトレジスタ、またこのシフトレジスタを用いた液晶駆動回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明のドライバ回路は、しきい値電圧を制御するバックゲートが設けられており、ゲートに印加された電圧に対応して、ドレインから入力される電圧をソースから出力信号として出力するトランジスタが設けられている。
これにより、本発明のドライバ回路は、しきい値電圧のシフトを、バックゲートに印加することにより、しきい値の変動を補償し、所定のゲート電圧を与えることにより、次段の回路に必要な電圧及び電流を供給することができ、トランジスタの劣化を抑制することが可能となるため、ドライバ回路の動作可能な期間を、従来の回路に比較して延ばすことができる。
【００１３】
また、本発明のドライバ回路は、前記バックゲートに、しきい値が変動した電圧と同極性の制御電圧を印加する制御回路が設けられている。
さらに、本発明のドライバ回路は、前記トランジスタがｎチャンネル型である場合、前記バックゲートに印加する制御電圧が正の電圧である。
これにより、本発明のドライバ回路は、しきい値電圧のシフトした極性に対し、同極性の電圧をバックゲートに印加することにより、しきい値のシフトを補償することができ、すなわち、ゲートに印加されるゲート電圧によるストレスから、プラス方向にシフトしたしきい値電圧を、バックゲートに同極性のプラスの電圧を印加することにより、シフトしたしきい値をマイナス方向に調整することができるため、シフトしたしきい値に対応してゲート電圧を増加させて、さらに過剰なストレスを与えることなく、トランジスタのシフトしたしきい値を補償することにより、トランジスタの劣化を抑制することが可能となえい、ドライバ回路の動作可能な期間を、従来の回路に比較して延ばすことができる。
【００１４】
また、本発明のドライバ回路は、前記制御回路が前記トランジスタと同様な構造のダミートランジスタを有しており、該ダミートランジスタの出力電圧から、前記制御電圧を生成する。
これにより、本発明のドライバ回路は、前記バックゲートに印加する電圧、すなわちフィードバックする電圧を前記トランジスタと同様の形状で作成され、ダミーのラインを駆動するしきい値変動検出用のトランジスタの出力から得るため、各トランジスタのしきい値変動に対応したバックゲートを与えることができ、かつ、しきい値変動検出用のトランジスタがダミーのラインを駆動させるため、表示に影響を与え得ることなく、しきい値制御を行うことができる。
【００１５】
本発明のシフトレジスタは、上記ドライバ回路のいずれかの構成を出力トランジスタの構成に用いた、縦続接続された複数のステージを有し、入力データを位相の異なる複数のクロックによりシフトし、該入力データが入力されると出力トランジスタのドレインに入力されるクロックを、位相シフトクロックとしてソースから出力し、出力信号のシフト動作を行うシフトレジスタであり、出力トランジスタのバックゲートに印加する電圧の制御回路が複数のステージに対して共通に設けられている。
また、本発明のシフトレジスタは、ｎ段目のステージに対して、ｎ−１段目の位相シフトクロックをシフトデータとして入力させ、該トランジスタのソースから主力されるｎ段目の位相シフトクロックを用い、該ソースとゲートとの間に介挿されたコンデンサにより、前記出力トランジスタのゲート電圧を昇圧する。
これにより、本発明のシフトレジスタは、上述した動作寿命が従来例に比較して向上したドライバ回路を使用するため、回路自体の動作寿命を延ばすことが可能である。
【００１６】
本発明の液晶駆動回路は、上記いずれかのシフトレジスタが、走査線及び信号線が交差してなるアクティブマトリクス回路の走査駆動信号を生成させるために用いられている。
これにより、本発明の液晶駆動回路は、上述した動作寿命が従来例に比較して向上したシフトレジスタを使用するため、回路自体の動作寿命を延ばすことが可能である。
【発明の効果】
【００１７】
以上説明したように、本発明によれば、ドライバ回路における駆動用のトランジスタのしきい値電圧のシフト（変動）を、バックゲートを設けて、これに所定の調整電圧を印加することにより、しきい値電圧をほぼ一定値となるように補償するため、ゲート電圧を変更せずに次段の回路に必要なほぼ最低限の電圧及び電流として供給できる電圧値として印加することが可能となり、かつゲート電圧を過剰に増加させずに、不必要なストレスを抑制することも可能となり、トランジスタの動作寿命を、従来の回路に比較して、延ばすことができるという効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明は、液晶表示装置の基板にａ−Ｓｉ等により形成された、シフトレジスタの各ステージであるレジスタセルにおいて、液晶素子を駆動する走査駆動信号である位相シフトクロックＧoutを出力する出力トランジスタに対し、バックゲートが設けられており、ゲート電圧のストレスによりシフトしたしきい値電圧を、上記バックゲートにシフト方向と同極性の制御電圧を印加して、しきい値電圧をシフトと逆極性に調整させ、ストレスにより経時変化によりしきい値電圧が変化したとしても、ゲートに印加するゲート電圧から見て、しきい値電圧を見かけ上において、一定となるように補償する補償手段が設けられている。
【００１９】
このため、本発明は、従来例の出力トランジスタのように、経時変化によりシフトしたしきい値電圧に対応させ、ゲート電圧を増加させるという構成に比較して、ゲート電圧を上昇させて過剰なストレスを出力トランジスタに与える必要が無くなり、より以上のしきい値電圧のシフトを抑制して、しきい値変動を抑制し、ドライバ回路の動作寿命、すなわちシフトレジスタの動作寿命を延ばす技術に関している。
【００２０】
すなわち、本発明のシフトレジスタの各ステージにおいて、ｎ段目のステージｎの出力トランジスタ（Ｍ1）のドレインに入力されるクロックの電圧を、ｎ−１段目のステージｎ−１から出力する位相シフトクロックＧout(n-1)の電圧により、ｎ段目のステージｎの出力トランジスタ（Ｍ1）がオンされ、ソースに出力される電圧により、ゲート−ソース間に設けられた第１のコンデンサがゲート電圧を所定の電圧値に昇圧する。
ここで、上記出力トランジスタＭ1にバックゲートを設け、しきい値変動検出用のトランジスタＭsの出力する電圧に基づき、補償手段が生成する制御電圧を上記バックゲートに対して印加し、しきい値電圧が見かけ上、一定となるように補償する構成となっている。
【００２１】
＜第１の実施形態＞
以下、本発明の第１の実施形態による、図６の液晶表示装置におけるゲートドライバ（液晶駆動回路の構成要素）に用いられるシフトレジスタを図面を参照して説明する。図１は上記第１の実施形態によるシフトレジスタの構成例を示すブロック図である。
この図において、シフトレジスタ１００は、ステージ（レジスタセル）１，２，３，…，ｎ，ｎ−１が複数縦続して接続された構成となっており、クロックジェネレータＣＧから入力される複数相、例えば２相のクロック（ＣＫ１及びＣＫ２）により入力データ（入力スキャンパルス）をシフトさせる。
【００２２】
また、シフトレジスタ１００は、入力データが入力された各ステージにおいて、このステージに入力される相のクロックに同期させ、各ステージから順次、位相シフトクロックＧout1，Ｇout2，Ｇout3，…，ＧoutN各々を、端子Ｍout1，Ｍout2，Ｍout3，…，ＭoutNに対してそれぞれ出力する。以下、ｎは１≦ｎ≦Ｎの範囲の整数である。
また、図１において、ステージ１に入力されるスタート信号ＳＴＰのパルスは、クロックＣＫ１に対してクロックＣＫ２と同一のタイミングで、クロックジェネレータＣＧから出力される。
【００２３】
ここで、各ステージ（２〜Ｓ）は、２相のクロック（ＣＫ１，ＣＫ２）のいずれかのクロックが位相順に入力され、順次シフトされる入力データが自身に達したときに、入力されているクロックに同期して、出力データ（位相シフトクロックＧout1〜ＧoutN）を出力する。
例えば、図１において、ステージ１が位相シフトクロックＧout1を出力し、ステージ２が位相シフトクロックＧout2を出力し、ステージ３が位相シフトクロックＧout3を出力し、ステージ４が位相シフトクロックＧout4を出力する。
【００２４】
すなわち、シフトレジスタ１００において、スタート信号ＳＴＰに同期して、ステージ１に入力される入力データ（入力スキャンパルス）を、上記２層のクロックにより順次シフトさせ、入力データの入力された各ステージが、このステージに入力されるクロックに同期させ、接続された端子Ｍout1〜ＭoutNを介して、位相シフトクロックＧout1〜ＧoutNを駆動信号として液晶素子へ出力する。
スタート信号ＳＴＰは、ステージ１からステージＳまで、入力データが順次シフトされるシフト期間の開始時点に、ステージ１に入力される。
【００２５】
ステージ１にはクロックＳＴＰが入力され、ステージ２にはクロックＣＫ1が入力され、ステージ３にはクロックＣＫ2が入力され、ステージ４にはクロックＣＫ1が入力され、…、ステージｎにはクロックＣＫｍが入力される。（ここで、ｍは、「ｎ＋１」を「２」で除算して割り切れた場合、すなわち、ｎが２の倍数でない場合に「２」となり、一方、割り切れない場合、すなわちｎが２の倍数である場合「１」となる。ステージ１はスタート信号ＳＴＰを用いるため、２≦ｎ≦Ｎである。また、ステージＳには、ステージＮと異なる、クロックＣＫ1またはクロックＣＫ2いずれかのクロックが入力される。例えば、図１ではＮは２の倍数となっている。）
【００２６】
ステージＳはしきい値変動検出用のステージであり、他のステージ１からステージＮまでと同様に、ダミーライン（図６の液晶表示装置におけるダミーの行配線）へ供給する位相シフトクロックＧoutsを、端子Ｍoutsから出力している。
この位相シフトクロックＧoutsの電圧Ｖsをサンプル＆ホールド回路ＳＨにてホールドし、この電圧Ｖsが一定の電圧となるよう、オペアンプＵ１から制御電圧Ｖsubが各ステージのバックゲートに印加される。
しきい値制御回路１０１は、サンプル＆ホールド回路ＳＨの保持している電圧Ｖsを入力して、所定の差動増幅演算を行い、各ステージにおける出力トランジスタＭ１のバックゲートに印加する制御電圧Ｖsubを出力する。
【００２７】
ここで、しきい値調整回路１０１においては、回路自体がオペアンプＵ1，抵抗Ｒ1，Ｒ2からなる差動増幅回路であり、この抵抗Ｒ１，Ｒ2の抵抗値比と、（＋）の入力端子に印加される電圧Ｖ1とが、制御電圧Ｖsubがしきい値電圧のシフト量を補償して、常に電圧Ｖsが一定電圧として出力されるよう、差動増幅演算を行い、初期の電圧値に電圧Ｖsを調整する制御電圧Ｖsubを出力する数値に設定されている。
【００２８】
すなわち、しきい値調整回路１０１は、しきい値のシフトによる電圧Ｖsの変化分（初期値および変化後の電圧との差分である差分電圧）に対し、この電圧Ｖsの変化方向と逆極性で、絶対値で差分電圧と同様な電圧値が変化させる（電圧Ｖsを初期値に戻す様に）数値として、制御電圧Ｖsubを各トランジスタのバックゲートに供給する。
また、しきい値調整回路１０１において、しきい値電圧を調整する制御電圧Ｖsub（例えば、Ｖsub1〜Ｖsubn，Ｖsubs）が出力される値に、抵抗Ｒ１，Ｒ2の抵抗値比と、（＋）の入力端子に印加される電圧Ｖ1が設定されている。
【００２９】
ここで、上記制御電圧Ｖsubと、このＶsubを印加した際のしきい値電圧の変化量との関係、及び抵抗Ｒ１及びＲ２，電圧Ｖ１の値は、電圧Ｖsの変化量がどの程度のしきい値電圧の変化に対応するかの関係を実験等により求めた、それぞれの対応を示すテーブルに基づいて設計する。
したがって、電圧Ｖsの変化に対して、どの程度の制御電圧Ｖsubを印加すれば、初期の電圧Ｖsを出力していたしきい値に高い精度で調整できるかが明確に判り、このＶs及びＶsubの対応関係により、抵抗Ｒ1の抵抗値ｒ1，抵抗Ｒ2の抵抗値ｒ2，電圧値Ｖ1の各数値が決定されることになる。
【００３０】
サンプル＆ホールド回路ＳＨは、クロックＣＫ１またはクロックＣＫ２のいずれかのタイミング、第１の実施形態においてはステージＮが位相シフトクロックＧoutNを出力する次のタイミングのクロックにて、ステージＳの出力する位相シフトクロックＧoutsの電圧Ｖsの電圧値をサンプリングしてホールドし、このホールドした電圧Ｖsを、しきい値調整回路１０１へ出力する。
【００３１】
次に、図２を参照して図１のシフトレジスタにおけるステージの構成を説明する。図２はステージの回路構成を示す概念図である（他のステージも入力される信号が異なるが構成はこのステージと同様である）。
ここで、Ｍ1が出力トランジスタであり、ゲートにトランジスタＭ2のドレインが接続されており、ドレインにクロックＣＫm+1が入力され、ソースが端子Ｍoutnへ接続されている。
【００３２】
トランジスタＭ2は、ソースが接地され、ドレインが上記出力トランジスタＭ1のゲートに接続されており、ゲートに次々段であるｎ＋２段目のステージｎ＋２における出力端子Ｍout(n+2)に接続され、すなわち、ゲートに次々段のステージｎ＋１の出力である位相シフトクロックＧout(n+2)が入力される。
ダイオードＤ1は、前段のステージｎ−１の位相シフトクロックＧout(n-1)を入力する入力回路であり、端子Ｉ1にアノードが接続され、出力トランジスタＭ1のゲートにカソードが接続（接続点Ａにて接続）されている。
このダイオードＤ1は、図２の様にトランジスタで構成しても良く、この場合アノードとしてゲートとドレインとを接続した端子を用い、カソードとしてソースを用いる。
【００３３】
コンデンサＣ1は、ダイオードＤ1のカソードに一端が接続され、出力トランジスタＭ1のソースに他端が接続され、すなわちダイオードＤ1のカソードと出力トランジスタＭ1のソースとの間に介挿されている。
これにより、出力トランジスタＭ１のゲートに入力されるゲート電圧は、ダイオードＤ１から前段の位相シフトクロックとして入力され、出力トランジスタＭ１がオン状態となりクロック（ＣＫ１またはＣＫ２）がドレインから入力されることにより、ソースの電圧が接地電位からクロックの波高値まで上昇する。
【００３４】
すなわち、出力トランジスタＭ１のゲートに入力されるゲート電圧は、コンデンサＣ１により昇圧されて、ダイオードＤ１から入力された電圧に対し、クロックの波高値の電圧が加算された電圧値となり、出力トランジスタＭ１のオン抵抗を低下させる。
トランジスタＭ3は、ソースが接地され、ドレインが上記出力トランジスタＭ1のソースに接続され、ゲートに所定の制御信号、例えば、次段であるｎ＋１段目のステージｎ＋１における出力端子Ｍout(n+1)に接続されており、制御信号として  位相シフトクロックＧout(n+1)が入力される。
【００３５】
また、本実施形態におけるトランジスタ各々、すなわち、出力トランジスタＭ1，トランジスタＭ2，Ｍ3（及び後に説明するＭ1a，Ｍ1b）は全てｎチャネルＦＥＴ（電界効果トランジスタ）である。
ここで、各ステージのシフトレジスタの動作としては、図８の従来例と同様に、シフトレジスタ１００の初段のステージ１に入力される入力スキャンパルスを、クロックＣＫ１，ＣＫ２により順次各ステージをシフトさせ、位相シフトクロックＧout1〜ＧoutNを出力するように動作するのみなので説明を省略する。
【００３６】
次に、図３を参照して、図２における出力トランジスタＭ1の構造の説明を行う。図３は、出力トランジスタＭ1に設けたバックゲートの構成を説明する、出力トランジスタＭ1の断面構造を示す概念図である。
基板２００の上面にゲート電極２０３のパターンが形成されており、このゲート電極２０３のパターン上部にゲート絶縁膜２０５が形成されている。
【００３７】
上記ゲート絶縁膜２０５の上部において、上記ゲート絶縁膜２０５と対向する位置に、半導体膜２０６のパターンが形成され、この半導体膜２０６のパターンの両端の上部にソース及びドレインとなる不純物半導体膜２０７が形成されている。
そして、上記ソース及びドレインに対して、各々ソース電極２０３，ドレイン電極２０２のパターンが各々所定の導電体により形成される。
【００３８】
そして、層間絶縁膜２０８がソース電極２０３，ドレイン電極２０２等の上部に形成され、この層間絶縁膜２０８の上部の、ゲート電極２０１に対向する位置にバックゲート電極２０４を形成する。
このバックゲート電極２０４に対して、所定の制御電圧Ｖsubを印加することにより、出力トランジスタＭ1のしきい値を調整することができる。
例えば、上記バックゲート電極２０４に、層間絶縁膜２０８の厚さ等にもよるが、ソース電極２０３に印加されている電圧に対して、数Ｖ〜数十Ｖの正の電圧を印加することで、出力トランジスタＭ1のしきい値を数Ｖ分、負の方向へシフトさせることができる。
【００３９】
次に、図４を用いて、本発明の第１の実施形態によるシフトレジスタの動作について、説明する。図２は第１の実施形態によるシフトレジスタにおけるしきい値調整回路１０１の動作を示す波形図である。
シフトレジスタ１００の各ステージは、図４に示す様に、クロックＣＫ１及びＣＫ２にそれぞれ同期し、入力データをシフトさせ、位相シフトクロックＧout1，Ｇout2，Ｇout3，…，ＧoutNを順次出力する。
【００４０】
しかしながら、時間が経過することにより、各ステージの出力トランジスタＭ1は、ゲート印加されるゲート電圧のストレスにより、しきい値電圧が徐々に増加していき、出力する電圧及び電流が低下することとなる。
図４において、点Ａはサンプル・ホールド回路ＳＨの出力端子であり、点Ｂはしきい値調整回路１０１の出力端子、すなわち制御電圧Ｖsubが出力される端子である。
【００４１】
しきい値変動検出用のステージＳにおいても、他のステージ１からステージＮまでと同様に、出力トランジスタＭ1のしきい値が増加し、端子Ｍoutsから出力される位相シフトクロックＧoutsの電圧Ｖsが低下する。
そのため、時刻ｔ1，ｔ2，ｔ3，…の各時刻において、サンプル＆ホールド回路ＳＨは、位相シフトクロックＧoutsの出力されるタイミングに同期して、この電圧Ｖsをサンプリングする。
そして、しきい値調整回路１０１は、サンプル＆ホールド回路ＳＨから出力される電圧Ｖsに基づき、制御電圧Ｖsubを印加して、電圧Ｖsが初期の値近傍に調整されるよう制御する。
【００４２】
ここで、しきい値調整回路１０１は、オペアンプＵ1aの（−）入力端子に印加されている電圧Ｖ1は、位相シフトクロックＧoutsの初期の電圧Ｖsが入力されているとき、制御電圧ＶsubがトランジスタＭ1のソース電圧と同様の電圧として出力する。
一方、しきい値調整回路１０１は、出力トランジスタＭ１のしきい値が変化（＋方向に）すると、位相シフトクロックＧoutsの電圧Ｖsが低下し、電圧Ｖ1に比較して低くなるので、差動増幅回路が差分電圧Ｖ1−Ｖsを増幅し、変化したしきい値を−方向へ、変化させる制御電圧Ｖsubを生成する。すなわち、差動増幅回路はＶsub＝（ｒ2／ｒ1）・（Ｖs−Ｖ1）を生成する。
【００４３】
また、上記制御電圧Ｖsubと、この制御電圧Ｖsubを印加した際のしきい値電圧の変化量との関係は実験により予め求められ、かつ電圧Ｖsの変化量がどの程度のしきい値電圧の変化に対応するかの関係も実験により予め求められている。
したがって、電圧Ｖsの変化に対して、どの程度の制御電圧Ｖsubを印加すれば、初期の電圧Ｖsを出力していたしきい値に調整できるかを示す、Ｖs及びＶsubの対応関係が予め求められているため、この対応関係から抵抗Ｒ1の抵抗値ｒ1，抵抗Ｒ2の抵抗値ｒ2，電圧値Ｖ1の各数値が設計され、設定されている。
【００４４】
＜第２の実施形態＞
次に、図５を参照して本発明の第２の実施形態によるシフトレジスタの説明を行う。図５は本発明のシフトレジスタ（図１と同様）の構成例を示すブロック図である。
第１の実施形態と異なる点は、第２の実施形態がしきい値変動検出用のステージＳに変えて、検出用の出力トランジスタＭ1bを設けている点である。
また、上述した点以外、第２の実施形態は、図１に示される第１の実施形態の回路と、その構成及び動作が同様である。
【００４５】
トランジスタＭ1bのドレインには、他のステージの出力トランスタＭ1のドレインに入力されるクロック（ＣＫ１，ＣＫ２）の波高値における電圧と同様の電圧値が供給されて、ゲートにクロックＣＫ４（例えば、ＣＫ１，ＣＫ２のいずれかと同様のタイミングあるいは全く異なるタイミング）が、クロックジェネレータＣＧから印加され、ソースが所定の抵抗値ｒ3の抵抗Ｒ3を介して接地されている。
【００４６】
出力トランジスタＭ1bのソースから出力される電圧Ｖsは、第１の実施形態における電圧Ｖsと同様に用いられている。
すなわち、図５におけるしきい値調整回路１０１においても、第１の実施形態と同様に、電圧Ｖsの変化に対して、どの程度の制御電圧Ｖsubを印加すれば、初期の電圧Ｖsを出力していたしきい値に調整できるかを示す、Ｖs及びＶsubの対応関係から、抵抗Ｒ1の抵抗値ｒ1，抵抗Ｒ2の抵抗値ｒ2，電圧値Ｖ1の各数値が設計されている。
【００４７】
また、第２の実施形態は、第１の実施形態の効果に加えて、ダミーのステージＳ及びダミーの行配線を形成する必要がないため、シフトレジスタにダミーの行配線を駆動させる必要が無くなり、実質的に表示に必要な周期にてシフト動作を行うことができるようになり、回路全体の形成面積を小さくでき、抵抗Ｒ３の抵抗値ｒ３を調整することにより、消費電力を低下させることが可能となる。
【００４８】
さらに、第２の実施形態は、出力トランジスタＭ1bのゲートに印加するクロックＣＫ４をクロックＣＫ１またはＣＫ２を分周したクロックを用いることにより、頻繁にサンプル＆ホールド回路ＳＨ及びしきい値調整回路１０１を駆動することがなくなるため、消費電力を低減させることが可能となる。
実質的に、クロックＣＫ１及びＣＫ２の周期により大きくしきい値の変動があるわけではなく、経時変化のより長い期間にて、電圧Ｖsのサンプリングを行うことにより、十分、電圧Ｖｓの変動に追随して調整することができる。
【００４９】
また、本発明の第１及び第２の実施形態によるドライバ回路を有するシフトレジスタを、図６に示す液晶表示装置の表示部における液晶素子のトランジスタを駆動する液晶駆動回路（ゲートドライバ）に用いることにより、液晶表示装置の駆動回路、すなわち、液晶表示装置の動作寿命を延ばすことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の第１の実施形態によるシフトレジスタの構成例を示すブロック図である。
【図２】シフトレジスタを構成するステージの回路の構成例を示す概念図である。
【図３】図２における出力トランジスタＭ1の断面構造を示す概念図である。
【図４】本発明の第１の実施形態によるシフトレジスタの動作例を説明する波形図である。
【図５】本発明の第２の実施形態によるシフトレジスタの構成例を示すブロック図である。
【図６】液晶表示装置の構成を示す概念図である。
【図７】従来例によるシフトレジスタの構成を示すブロック図である。
【図８】図７の各ステージであるステージの回路構成を示す概念図である。
【図９】図６のシフトレジスタの動作例を示す波形図である。
【図１０】ＦＥＴのＶgs（ゲート−ソース電圧）とＩds（ドレイン電流）との対応を
【符号の説明】
【００５１】
１，２，３，Ｎ，Ｓ…ステージ
１００…シフトレジスタ
１０１…しきい値調整回路
２００…基板
２０１…ゲート電極
２０２…ドレイン電極
２０３…ソース電極
２０４…バックゲート電極
２０５…ゲート絶縁膜
２０６…半導体膜
２０７…不純物半導体膜
２０８…層間絶縁膜
Ｃ１…コンデンサ
ＣＧ…クロックジェネレータ
Ｄ１…ダイオード
Ｍ1，Ｍ1b…出力トランジスタ
Ｍ２，Ｍ３…トランジスタ
Ｕ1…オペアンプ
Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３…抵抗
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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