(57)【要約】【課題】半田ブリッジ現象を防止することができると共に、回路部品と回路パターンとの電磁気的干渉を防止することのできる回路部品搭載装置を提供することにある。【解決手段】本発明の回路部品搭載装置は、樹脂基板１０と、ビア６と、樹脂基板１０の主面のうちビア６が露出する部分を覆い、Ｃｕ層およびＮｉ層からなるベースメタルパターン８と、ベースメタルパターン８の上に設けられ、Ｃｕ層、Ｎｉ層およびＡｕ層からなるメッキパターン９と、銅メッキパターン９の上に設けられ、本体部３ａと電極部３ｂとからなる回路部品３と、銅メッキパターン９と回路部品３とを接着させる半田４と、回路部品３および半田４を覆う絶縁性封止樹脂２とを備えている。【選択図】図１
2006121056.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一部の上に設けられた２つの導体部材と、
前記２つの導体部材の上に亘って設けられ、前記２つの導体部材にそれぞれ接する２つの電極と前記２つの電極に挟まれる本体部とを有する回路部品と、
前記導体部材と前記回路部品とを接着する半田と、
前記基板と前記回路部品との間の領域のうち前記２つの導体部材に挟まれる領域を充填する絶縁体とを備え、
前記導体部材の高さは、前記絶縁体の粒子の平均粒径の３倍以上である、回路部品搭載装置。
【請求項２】
前記導体部材の高さは３０μｍ以上である、請求項１に記載の回路部品搭載装置。
【請求項３】
前記導体部材は、２回以上のメッキにより作成された、請求項１に記載の回路部品搭載装置。
【請求項４】
前記導体部材は、ワイヤーボンディング法により形成されたボールを含む、請求項１に記載の回路部品搭載装置。
【請求項５】
前記基板の他部の上には、導体からなる回路パターンが設けられている、請求項１に記載の回路部品搭載装置。
【請求項６】
基板の一部の上に設けられた２つの導体部材と、
前記２つの導体部材の上に亘って設けられ、前記２つの導体部材にそれぞれ接する２つの電極と前記２つの電極に挟まれる本体部とを有する回路部品と、
前記導体部材と前記回路部品とを接着する半田と、
前記基板の他部の上に設けられた導体からなる回路パターンとを備え、
前記導体部材の高さは、前記回路パターンの高さよりも高い、回路部品搭載装置。
【請求項７】
前記導体部材の高さは３０μｍ以上である、請求項６に記載の回路部品搭載装置。
【請求項８】
前記導体部材は、２回以上のメッキにより作成された、請求項６に記載の回路部品搭載装置。
【請求項９】
前記導体部材は、ワイヤーボンディング法により形成されたボールを含む、請求項６に記載の回路部品搭載装置。
【請求項１０】
前記基板と前記回路部品との間の領域のうち前記２つの導体部材に挟まれる領域を充填する樹脂をさらに備えている、請求項６に記載の回路部品搭載装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に回路部品が搭載される回路部品搭載装置に関するものであり、特に、基板の上に導体部材が設けられ、導体部材と回路部品とが半田によって接着される回路部品搭載装置の構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、回路部品を高集積化して搭載する回路部品搭載装置の開発が行われているが、生産性の効率化といったコストメリット等の理由から、回路部品を絶縁性の封止樹脂で覆った構造が主流となってきている。回路部品は半田を接着剤として用いて実装した後にセット基板へ搭載するが、搭載の際のリフロー時に、半田が溶解し回路部品の電極間をショートさせる半田ブリッジ現象が問題となっている。この現象は、回路部品と基板表面との間に数ミクロンの隙間が存在し、その隙間には封止樹脂が充分に充填されないため、回路部品搭載装置をセット基板へ搭載する時に溶解した半田が体積膨張の圧力により隙間を走って電極間をショートさせるものである。図７（ａ）は、従来の回路部品搭載装置の構造を示す断面図である。図７（ａ）に示すように、従来の回路部品搭載装置は、樹脂基板１０１と、樹脂基板１０１を貫通するビアホールに導電性樹脂が充填されたビア１０６と、樹脂基板１０１の主面のうちビア１０６が露出する部分を覆う電極１０５と、電極１０５の上に設けられ、本体部１０３ａと電極部１０３ｂとからなる回路部品１０３と、電極１０５と回路部品１０３とを接着させる半田１０４と、回路部品１０３および半田１０４を覆う絶縁性封止樹脂１０２と、樹脂基板１０１の裏面上のうちビア１０６が露出する部分を覆う電極１１１とを備えている。
【０００３】
図７（ｂ）は、従来の回路部品搭載装置のうち電極１０５の構造を詳細に示す断面図である。図７（ｂ）に示すように、従来の電極１０５は、ビア１０６（図７（ａ）に示す）の上を覆う厚さ１０〜４０μｍのＣｕ層１２１と、Ｃｕ層１２１の上に設けられた厚さ６μｍのＮｉ層１２２と、Ｎｉ層１２２の上に設けられた厚さ０．５μｍのＡｕ層１２３とから構成されている。
【０００４】
この構造では、回路部品１０３の本体部１０３ａの両端部に設けられた２つの電極部１０３ｂが、樹脂基板１０１の主面上に設けられた２つの電極１０５の上にそれぞれ搭載されている。そして、本体部１０３ａの下に位置する領域、つまり２つの電極１０５の間に位置する領域には空間１０７が生じている。半田１０４は、電極部１０３ｂと電極１０５との間を接着しているため、空間１０７に入り込みやすい状態にある。
【０００５】
半田ブリッジ現象への対策としては、回路部品１０３と樹脂基板１０１との間の空間１０７を大きくして、そこに絶縁性封止樹脂１０２を充填させてやることで、半田の流れを止める方法がある。この方法として、空間１０７の両端にある程度の高さを有するソルダーレジスト（図示せず）を設置して、ソルダーレジストによって回路部品１０３を支えることにより空間１０７の高さを高くして封止樹脂を流し込む方法が提案されている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００４−１０３９９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、回路部品搭載装置の小型化に伴い、回路部品の小型化も行われてきており、例えば０．６ｍｍ×０．３ｍｍサイズの回路部品１０３では、電極１０５同士の間隔が０．２５ｍｍ程度となっている。通常、ソルダーレジストの設計ルールでは、最小幅および最隣接間距離ともに０．１ｍｍ程度であるため、電極１０５同士の間の空間１０７の幅が０．２５ｍｍである場合に、空間１０７の両端にソルダーレジストを十分な厚みで形成することは困難である。したがって、このように小型の回路部品１０３を用いた場合にも確実に空間１０７を形成する手段が必要である。
【０００７】
また、回路部品搭載装置の小型化に伴い、装置に搭載する回路部品１０３の高集積化が行われているために、樹脂基板１０１の上にそれぞれ設置される回路部品１０３と回路パターン（図示せず）との電磁界的な干渉が装置の電気特性を劣化させるという不具合が生じている。この改善手段としては、回路部品１０３と回路パターンとの間にシールドとなる壁を設置するといった方法があるが、これらの方法は高集積化の妨げとなる。
【０００８】
本発明の目的は、半田ブリッジ現象を防止することができると共に、回路部品と回路パターンとの電磁界的干渉を防止することのできる回路部品搭載装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明における第１の回路部品搭載装置は、基板の一部の上に設けられた２つの導体部材と、前記２つの導体部材の上に亘って設けられ、前記２つの導体部材にそれぞれ接する２つの電極と前記２つの電極に挟まれる本体部とを有する回路部品と、前記導体部材と前記回路部品とを接着する半田と、前記基板と前記回路部品との間の領域のうち前記２つの導体部材に挟まれる領域を充填する絶縁体とを備え、前記導体部材の高さは、前記絶縁体の粒子の平均粒径の３倍以上である。
【００１０】
これにより、基板と回路部品との間の領域のうち２つの導体部材に挟まれる空間が、絶縁膜によって充填されやすくなる。したがって、回路部品が基板上に搭載された後にリフローが行われても、再溶解した半田が前記空間に流れ出ることがなくなる。これにより、導体部材同士がショートする半田ブリッジ現象を防止することができる。また、回路部品の高さが高くなることから、グラウンドからの影響によって回路部品の電気特性が変動するのを抑制することができる。
【００１１】
本発明における第１の回路部品搭載装置において、前記導体部材の高さは３０μｍ以上であることが好ましい。
【００１２】
本発明における第１の回路部品搭載装置において、前記導体部材は、２回以上のメッキにより作成されていてもよい。
【００１３】
本発明における第１の回路部品搭載装置において、前記導体部材は、ワイヤーボンディング法により形成されたボールを含んでいてもよい。ワイヤーボンディング法により形成したボールを導体部材として用いると、２つの導体部材間の距離は５０μｍ程度まで縮めることができる。したがって、例えば０．４ｍｍ×０．２ｍｍサイズといった小型の回路部品を搭載する際にも本発明を適用できるようになる。また、特に、基板としてセラミック基板を用いた場合には、焼成が必要となるため、基板上に分厚いメッキを形成しにくい。したがって、ワイヤーボンディングを用いる方法が特に有効となる。
【００１４】
本発明における第１の回路部品搭載装置において、前記基板の他部の上には、導体からなる回路パターンが設けられていてもよい。この場合には、従来よりも回路部品と回路パターンとが離間する距離が長くなるため、これら２つの間の電磁界的干渉を低減することができる。言い換えると、回路部品と回路パターンとの距離を上下方向で稼げるため、平面方向の距離は従来よりも短くてすむ。これにより、素子の小型化が可能である。
【００１５】
本発明における第２の回路部品搭載装置は、基板の一部の上に設けられた２つの導体部材と、前記２つの導体部材の上に亘って設けられ、前記２つの導体部材にそれぞれ接する２つの電極と前記２つの電極に挟まれる本体部とを有する回路部品と、前記導体部材と前記回路部品とを接着する半田と、前記基板の他部の上に設けられた導体からなる回路パターンとを備え、前記導体部材の高さは、前記回路パターンの高さよりも高い。
【００１６】
通常、導体部材と回路パターンとは、同工程のメッキにより作成されるため、導体部材と回路パターンとの膜厚は同じになる。しかしながら、本発明の第２の回路部品搭載装置は、導体部材の高さを高くするために、２度以上のメッキを行うか、またはワイヤーボンディング法を用いて導体部材を形成している。したがって、導体部材の高さは回路パターンよりも高くなる。
【００１７】
このような構造を有することにより、基板と回路部品との間の領域のうち２つの導体部材に挟まれる空間が、絶縁膜によって充填されやすくなる。したがって、回路部品が基板上に搭載された後にリフローが行われても、再溶解した半田が前記空間に流れ出ることがなくなる。これにより、導体部材同士がショートする半田ブリッジ現象を防止することができる。また、回路部品の高さが高くなることから、グラウンドからの影響による回路部品の電気特性の変動を低減することができる。
【００１８】
また、従来よりも回路部品と回路パターンとが離間する距離が長くなるため、これら２つの間の電磁界的干渉を低減することができる。言い換えると、回路部品と回路パターンとの距離を上下方向で稼げるため、平面方向の距離は従来よりも短くてすむ。これにより、素子の小型化が可能である。
【００１９】
本発明の第２の回路部品搭載装置において、前記基板と前記回路部品との間の領域のうち前記２つの導体部材に挟まれる領域を充填する樹脂をさらに備えていてもよい。
【００２０】
本発明の第２の回路部品搭載装置において、前記導体部材の高さは３０μｍ以上であることが好ましい。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、半田ブリッジ現象を防止することができるため、回路部品搭載装置の信頼性を向上させることができる。さらに、回路部品の電気特性の変動を低減することができると共に、近接する回路パターンとの間の電磁界的干渉を低減させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下に、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００２３】
（第１の実施形態）
図１（ａ）は、第１の実施形態の回路部品搭載装置の構造を示す断面図である。図１（ａ）に示すように、本実施形態の回路部品搭載装置は、樹脂基板（または多層樹脂基板）１０と、樹脂基板１０を貫通するビアホールに導電性樹脂が充填されたビア６と、樹脂基板１０の主面のうちビア６が露出する部分を覆うベースメタルパターン８と、ベースメタルパターン８の上に設けられた銅メッキパターン９と、銅メッキパターン９の上に設けられ、本体部３ａと電極部３ｂとからなる回路部品３と、銅メッキパターン９と回路部品３とを接着させる半田４と、回路部品３および半田４を覆う絶縁性封止樹脂２と、樹脂基板１０の裏面上のうちビアホールが露出する部分を覆う電極１１とを備えている。回路部品３のサイズは、例えば０．６ｍｍ×０．３ｍｍサイズであり、この場合に２つのベースメタルパターン８の間にできる領域７の幅は０．２５ｍｍ程度となる。なお、絶縁性封止樹脂２としては、例えば、フィラー粒径の平均粒径が２０μｍであり、最大粒径が６０μｍのものを用いる。
【００２４】
図１（ｂ）は、ベースメタルパターン８と銅メッキパターン９との詳細な構成を示す断面図である。図１（ｂ）に示すように、ベースメタルパターン８は、ビア６（図１（ａ）に示す）の上を覆う厚さ８〜４０μｍのＣｕ層２１と、Ｃｕ層の上に設けられた厚さ６μｍのＮｉ層２２とから構成されている。銅メッキパターン９は、ベースメタルパターン８のＮｉ層２２の上に設けられた４０μｍの厚さのＣｕ層２３と、Ｃｕ層２３の上に設けられた厚さ６μｍのＮｉ層２４と、Ｎｉ層２４の上に設けられた厚さ０．５μｍのＡｕ層２５とから構成されている。
【００２５】
図１（ｂ）に示す構造は、次の方法によって作成する。まず、無電解Ｃｕメッキを行うことにより、ビア６（図１（ａ）に示す）の上にＣｕ層２１を形成した後、電解Ｎｉメッキを行うことにより、Ｃｕ層２１の上にＮｉ層２２を形成する。続いて、さらに無電解Ｃｕメッキを行い、その後不必要な部分をエッチングにより除去することにより、Ｃｕ層２３を形成する。このエッチングの際に、Ｎｉ層２２は、その下に位置するＣｕ層２１がエッチングされるのを防ぐ役割を果たす。その後、Ｃｕ層２３の上にＮｉ層２４を形成し、Ｎｉ層２４の上にＡｕ層２５を形成する。Ｎｉ層２４は、Ａｕ層２５のＡｕがＣｕ層２３に拡散するのを防止する役割を果たす。
【００２６】
なお、ベースメタルパターン８および銅メッキパターン９の材質としては、回路部品３の実装に支障が無い限りどのような導体材料を用いてもよい。また、上述の説明では、ベースメタルパターン８におけるＣｕメッキ層がＣｕ層２１の１層であって、銅メッキパターン９におけるＣｕメッキ層がＣｕ層２３の１層である場合を例とした。しかしながら、図２（ａ）に示すように、銅メッキパターン９が２回以上のＣｕメッキにより形成されていてもよい。この場合には、銅メッキパターン９は、厚さ１０〜４０μｍの第１Ｃｕ層３０と、厚さ６μｍの第１Ｎｉ層３１と、厚さ１０〜４０μｍの第２Ｃｕ層３２と、厚さ６μｍの第２Ｎｉ層３３と、厚さ０．５μｍのＡｕ層３４とが、この順で積層された構成となる。なお、銅メッキパターン９が３回以上のＣｕメッキにより形成される構造の図示は省略するが、この場合には、Ｃｕ層とＮｉ層とが交互に積層され、最上層にＡｕ層が配置する構造となる。このように銅メッキパターン９におけるＣｕメッキ層を増やすことにより、銅メッキパターン９の膜厚を厚くすることができる。低周波（８００ＭＨｚ程度より低い周波数）の回路部品３を搭載する場合には、樹脂基板１０と回路部品３との間の距離を大きくとることにより、図６に示すような銅メッキパターンにより形成される回路パターン１５のＤＣロスを低減することができる。したがって、低周波の回路部品搭載装置を形成する場合には、銅メッキパターン９の厚みを厚くすると特に有用である。
【００２７】
また、図２（ｂ）に示すように、ベースメタルパターン８および銅メッキパターン９を設けるかわりに、１層のメッキパターン３８のみを形成してもよい。この場合には、メッキパターン３８は、例えば２０μｍの厚さのＣｕ層３５と、厚さ６μｍのＮｉ層３６と、厚さ０．５μｍのＡｕ層３７とがこの順で積層された構造となる。この場合には、１度のメッキでメッキパターン３８を形成することにより、膜厚のばらつきを小さくすることができる。膜厚のばらつきが小さくなると図６に示すような銅メッキパターンにより形成される回路パターン１５のインピーダンスのばらつきも抑制されるため、この構造は、インピーダンスの精度が必要な高周波（８００ＭＨｚ程度以上の周波数）の回路部品搭載装置を形成する場合に特に有用である。
【００２８】
本実施形態の回路部品搭載装置では、ベースメタルパターン８および銅メッキパターン９からなるメタルバンプを設けることにより、回路部品３と樹脂基板１０との間の領域７の高さを最大で１２０μｍ程度まで厚くしている。上述の説明では、フィラー粒径の平均粒径２０μｍであり、最大粒径が６０μｍの絶縁性封止樹脂２を用いているため、領域７はフィラーの平均粒径の６倍程度の高さを有している。領域７がフィラーの平均粒径の３倍以上の高さを有している場合、つまり、最大粒径以上の高さを有している場合には、領域７は絶縁性封止樹脂２によって十分に充填される。このように領域７が充填されることにより、本実施形態の回路部品搭載装置がセット基板に搭載された後にリフローが行われても、再溶解、膨張した半田が領域７に流れ出ることがなくなる。これにより、ベースメタルパターン８同士がショートする半田ブリッジ現象を防止することが可能となる。なお、モールドで使用される一般的な絶縁性封止樹脂２におけるフィラー粒径の平均粒径は１０μｍ以上であるため、領域７の高さは、平均粒径の３倍以上、つまり３０μｍ以上であることが好ましいといえる。
【００２９】
また、本実施形態では、回路部品３の高さが高くなることから、グラウンドからの影響によって回路部品３の電気特性が変動するのを抑制することができる。
【００３０】
本実施形態では、ベースメタルパターン８と銅メッキパターン９との合計膜厚が３０μｍ以上である場合に効果を得ることができる。これは、フィラーの最大粒径以上（平均粒径の３倍以上）であればよいこととによる。
【００３１】
（第２の実施の形態）
図３は、第２の実施形態の回路部品搭載装置の構造を示す断面図である。図３に示すように、本実施形態では、第１の実施形態で用いた樹脂基板１０（図１に示す）の代わりにセラミック基板（または多層セラミック基板）１２を用いている。そして、セラミック基板１２の上には、ペースト状態のＣｕ膜（図示せず）およびＮｉ膜（図示せず）を塗布した後に約８００〜１５００度の温度で焼成することにより形成された厚さ１５μｍ程度のベースメタルパターン８と、ベースメタルパターン８の上にワイヤーボンディングにより形成されたＡｕボール１３とが配置している。Ａｕボール１３の上には、本体部３ａと電極部３ｂとからなる回路部品３が搭載されている。それ以外の構造は第１の実施形態と同様であるので説明を省略する。
【００３２】
Ａｕボール１３は、ベースメタルパターン８が形成された後の基板をボンディングワイヤー装置（図示せず）に導入した後に、ワイヤーボンディングを２度行うことにより形成される。例えば、直径２５μｍのＡｕ線を用いてワイヤーボンディングを行ったときのＡｕボール１３の高さは約５０〜７５μｍとなる。なお、図３では、Ａｕボール１３につながるワイヤーを除去した状態を示しているが、必ずしも除去しなくてもよい。また、回路部品３の実装は、ベースメタルパターン８およびＡｕボールの上に半田ペーストを塗布し、半田ペーストの上に回路部品３を搭載して、リフローを行うことによりなされる。
【００３３】
本実施形態では、厚さ１５μｍ程度のベースメタルパターン８と高さ５０〜７０μｍのＡｕボール１３とを設けることにより、回路部品３とセラミック基板１２との間に形成される空間の高さが約６５〜８５μｍとなる。通常、モールドで使用される絶縁性封止樹脂２のフィラー粒径は平均粒径２０μｍであって、最大粒径は６０μｍであるため、領域７はフィラーの平均粒径の３〜４倍程度の高さを有している。領域７がフィラーの平均粒径の３倍以上の高さを有している場合、つまり、最大粒径以上の高さを有している場合には、領域７は絶縁性封止樹脂２によって十分に充填される。このように領域７が充填されることにより、本実施形態の回路部品搭載装置がセット基板に搭載された後にリフローが行われても、再溶解、膨張した半田が領域７に流れ出ることがなくなる。これにより、ベースメタルパターン８同士がショートする半田ブリッジ現象を防止することが可能となる。なお、フィラー粒径の平均粒径および最大粒径にはばらつきがあるため、本実施形態では、ベースメタルパターン８とＡｕボール１３との合計膜厚が６０μｍ以上１４０μｍ以下である場合に効果を得ることができる。
【００３４】
また、ワイヤーボンディング法により形成したＡｕボール１３を用いた場合には、２つのＡｕボール１３の間の距離は５０μｍ程度まで縮めることができる。したがって、本実施形態では、例えば回路部品３が０．４ｍｍ×０．２ｍｍサイズのといった小型である場合に特に有効である。また、基板としてセラミック基板１２を用いた場合には、焼成が必要となるため、セラミック基板１２の上に分厚いメッキを形成しにくい。したがって、このような場合にはワイヤーボンディング法を用いる方法が特に有効となる。
【００３５】
なお、Ａｕボール１３を複数個設けることにより、回路部品３の実装をより安定化することができる。
【００３６】
（第３の実施の形態）
図４は、第３の実施形態の回路部品搭載装置の構造を示す断面図である。図４に示すように、本実施形態のうち第１の実施形態と異なるのは、樹脂基板１０の裏面上にＧＮＤパターン１４が形成されている点である。それ以外の構造は第１の実施形態と同様であるので説明を省略する。
【００３７】
本実施形態の構造では、回路部品３を樹脂基板１０の上面から高く形成することができるため、回路部品３が樹脂基板１０の誘電率や層厚みのばらつきの影響を受けにくくなる。これにより、回路部品３の電気特性を変動しにくくすることができる。
【００３８】
図５は、回路部品３が薄膜コイルである場合に、薄膜コイルのインダクタ値が回路部品３と樹脂基板１０との距離によって変動する様子を示すグラフ図である。図５に示すグラフにおいて、横軸は、樹脂基板１０からの回路部品３の高さを示し、縦軸は回路部品３に設けられた薄膜コイルのインダクタ値を示している。また、グラフ中で、三角の点を結んで示されるプロファイルは０．６×０．３ｍｍのサイズの薄膜コイルで測定した結果を示し、四角の点を結んで示されるプロファイルは１．０×０．５ｍｍのサイズの薄膜コイルで測定した結果を示している。なお、図示は省略するが、薄膜コイルのコイルパターンは回路部品３の上面に設けられており、回路部品３の厚さは０．２ｍｍ〜０．３５ｍｍ程度である。また、インダクタ値としては周波数が１ＧＨｚのときの値を測定した。
【００３９】
図５に示すように、いずれのサイズの薄膜コイルにおいても、樹脂基板１０からの回路部品３の高さが高くなるほどインダクタ値の変動が穏やかになっており、１００μｍ以上の高さの場合では変動が十分に穏やかになっている。第１の実施形態や本実施形態では、２層のＣｕ層（図１（ｂ）に示すＣｕ層２１, ２４）を設けているが、これを３層以上にすればさらにインダクタ値の変動を穏やかにすることができる。
【００４０】
また、回路部品３に薄膜コイル以外のものを形成した場合にも、従来と比較して回路部品３の電気特性を変動しにくいものとすることができる。したがって、シミュレーション結果と実測値との相関関係を算出しやすくなるため、シミュレーション結果からより高い精度で実測値を想定することができるようになる。
【００４１】
なお、本実施形態では、第１の実施形態のようにベースメタルパターン８と銅メッキパターン９とを設ける場合の構造について説明したが、第２の実施形態のようにベースメタルパターン８とＡｕボール１３とを設けた構造においても同様の効果を得ることができる。
【００４２】
（第４の実施形態）
図６は、第４の実施形態の回路部品搭載装置の構造を示す斜視図である。図６に示すように、本実施形態の樹脂基板１０の上には、回路部品３の側方に信号線などの回路パターン１５が形成されている。この回路パターン１５は、回路部品３を搭載しているベースメタルパターン８と同時に形成されている。つまり、樹脂基板１０の上にＣｕ層およびＮｉ層をメッキ時に同時にパターニングを行うことにより、ベースメタルパターン８と回路パターン１５とを同時に形成する。回路部品３は、ベースメタルパターン８および銅メッキパターン９の上に搭載されているため、回路部品３の高さは回路パターン１５の上面の高さよりも高くなる。なお、回路部品３の搭載方法は、第１の実施形態で述べたのと同様の方法であるため、その説明は省略する。
【００４３】
従来の一般的な方法では、回路部品を搭載する導体部材と回路パターンとは同工程のメッキにより作成されるため、導体部材と回路パターンとの膜厚は同じになる。しかしながら、本実施形態では、回路部品３の高さを高くするために、ベースメタルパターン８の上に銅メッキパターン９を形成している。そのため、回路部品３の搭載される高さは回路パターン１５の厚みよりも厚くなる。
【００４４】
本実施形態では、回路部品３は、ベースメタルパターン８および銅メッキパターン９によって嵩上げされている。つまり、回路部品３と回路パターン１５とが離間する距離が長くなるため、回路部品３と回路パターン１５との電磁界的干渉を低減することができる。言い換えると、回路部品３と回路パターン１５との距離を上下方向で稼げるため、平面方向の距離は従来よりも短くてすむ。これにより、装置の小型化が可能である。
【００４５】
なお、本実施形態の構造においても、第１の実施形態で述べた効果と同様の効果を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本発明は、近年激しさを増すモジュールの小型化を実現する際に必ず問題となる半田ブリッジ現象を解決することができる点、さらに、高密度実装を行ったときに問題となる電磁界的干渉を解決することができる点で、産業上の利用可能性は高い。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】（ａ）は、第１の実施形態の回路部品搭載装置の構造を示す断面図であり、（ｂ）は、ベースメタルパターン８と銅メッキパターン９との詳細な構成を示す断面図である。
【図２】（ａ）は、銅メッキパターンが２回以上のＣｕメッキにより形成されている場合の構造を示す断面図であり、（ｂ）は、１回のＣｕメッキによりメッキパターンを形成する場合の構造を示す断面図である。
【図３】第２の実施形態の回路部品搭載装置の構造を示す断面図である。
【図４】第３の実施形態の回路部品搭載装置の構造を示す断面図である。
【図５】回路部品３が薄膜コイルである場合に、薄膜コイルのインダクタ値が回路部品３と樹脂基板１０との距離によって変動する様子を示すグラフ図である。
【図６】第４の実施形態の回路部品搭載装置の構造を示す斜視図である。
【図７】（ａ）は、従来の回路部品搭載装置の構造を示す断面図であり、（ｂ）は、従来の回路部品搭載装置のうち電極の構造を詳細に示す断面図である。
【符号の説明】
【００４８】
２      絶縁性封止樹脂
３      回路部品
３ａ    本体部
３ｂ    電極部
４      半田
５      ベースメタルパターン
６      ビア
７      領域
８      ベースメタルパターン
９      銅メッキパターン
１０      樹脂基板
１１      電極
１２      セラミック基板
１３      Ａｕボール
１４      ＧＮＤパターン
２１      Ｃｕ層
２２      Ｎｉ層
２３      Ｃｕ層
２４      Ｎｉ層
２５      Ａｕ層
３０      第１Ｃｕ層
３１      第１Ｎｉ層
３２      第２Ｃｕ層
３３      第２Ｎｉ層
３４      Ａｕ層
３５      Ｃｕ層
３６      Ｎｉ層
３７      Ａｕ層
３８      メッキパターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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