(57)【要約】【課題】  高品質であって、かつ生産効率が高い薄膜形成が可能なスパッタリング装置及び電気光学装置の製造方法を提供する。【解決手段】  基板上に、スパッタリング用ターゲットを用いて薄膜形成させるスパッタリング装置であって、バッファー槽を備え、当該バッファー槽の周囲に、少なくともスパッタリング用真空槽と、アッシング用真空槽と、を配置するとともに、バッファー槽を介して、各真空槽へ基板を移送するための移送手段を備えたスパッタリング装置とし、それを用いて電気光学装置を製造する。【選択図】  図１
2006089824.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、スパッタリング用ターゲットを用いて薄膜形成させるためのスパッタリング
装置において、
バッファー槽を備えて、当該バッファー槽の周囲に、少なくともスパッタリング用真空
槽と、アッシング用真空槽と、を配置するとともに、前記バッファー槽を介して、各真空
槽へ基板を移送するための移送手段を備えることを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項２】
前記スパッタリング用真空槽が、ＤＣスパッタリング用真空槽及びＲＦスパッタリング
用真空槽、あるいはいずれか一方であることを特徴とする請求項１に記載のスパッタリン
グ装置。
【請求項３】
前記アッシング用真空槽の真空度を、前記バッファー槽の真空度よりも高真空とするこ
とを特徴とする請求項１又は２に記載のスパッタリング装置。
【請求項４】
前記バッファー槽の真空度を、前記スパッタリング用真空槽の真空度よりも高真空とす
ることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のスパッタリング装置。
【請求項５】
前記バッファー槽、スパッタリング用真空槽、及びアッシング用真空槽において、各槽
内温度を所定値に保持するための温度調整機構を備えることを特徴とする請求項１〜４の
いずれか一項に記載のスパッタリング装置。
【請求項６】
前記バッファー槽の周囲に、基板搬入室を、前記バッファー槽とは独立して備えること
を特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載のスパッタリング装置。
【請求項７】
前記スパッタリング用真空槽、及びアッシング用真空槽が、それぞれ複数室に区分され
ており、それぞれ独立的にバッファー槽の周囲に配置されていることを特徴とする請求項
１〜６のいずれか一項に記載のスパッタリング装置。
【請求項８】
バッファー槽を備えて、当該バッファー槽の周囲に、少なくともスパッタリング用真空
槽と、アッシング用真空槽と、を配置するとともに、前記バッファー槽を介して、各真空
槽へ基板を移送するための移送手段を備えたスパッタリング装置を用いた電気光学装置の
製造方法であって、
前記アッシング用真空槽において、前記基板をアッシング処理する工程と、
前記バッファー槽を介して、アッシング処理した基板を、前記スパッタリング用真空槽
に移送する工程と、
前記スパッタリング用真空槽において、前記基板上に薄膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
前記スパッタリング用真空槽がＤＣスパッタリング用真空槽であって、当該ＤＣスパッ
タリング用真空槽において、前記基板上に、導電性無機酸化膜を形成することを特徴とす
る請求項８に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
前記アッシング用真空槽において、前記基板上に形成してあるカラーフィルタをアッシ
ングすることを特徴とする請求項８又は９に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
前記スパッタリング装置として、前記バッファー槽の周囲にＲＦスパッタリング用真空
槽がさらに配置してあるスパッタリング装置を用いるとともに、当該ＲＦスパッタリング
用真空槽において、前記アッシング処理した基板の表面に、電気絶縁性無機酸化膜を形成
することを特徴とする請求項９又は１０に記載の電気光学装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スパッタリング装置及び電気光学装置の製造方法に関する。より詳細には、
高品質であって、かつ生産効率が高い薄膜形成が可能なスパッタリング装置及びそれを用
いた電気光学装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、スパッタリング法や真空蒸着法によって、インジウム、亜鉛又は錫などの無機酸
化物を主成分とした薄膜が、基板上に透明導電膜として形成されており、電気光学装置の
透明電極として広く利用されている。そして、基板上に、カラーフィルタ等の有機膜が存
在する場合、あるいはこのような有機膜が存在しない場合であっても、基板に対する透明
導電膜の密着性を向上させるために、透明導電膜を形成する前に、プラズマアッシング処
理が行なわれている。
【０００３】
より具体的には、図１０に示すように、減圧状態に排気可能な容器５０１の内壁５０２
に、薄膜形成材料としての蒸発源５０３と、プラズマアッシング処理のためのプラズマ生
成電極５０４と、を備えるとともに、薄膜形成中に基板５０６を保持した状態で回転させ
るための回転部材５０７を内側に備えたスパッタリング装置５００が知られている。
また、図１１に示すように、減圧状態に排気可能な容器６０１の内部に、蒸発源６０２
、基材保持機構６０３、及びプラズマ生成電極６４１をそれぞれ少なくとも一つずつ備え
、蒸発源６０２は蒸発材料保持具６２３を備え、かつ蒸発材料保持具６２３の表面の少な
くとも一部と、減圧雰囲気に排気可能な容器６０１との間及びアース６０５との間の直流
電気抵抗を所定値以上とした蒸着装置６００も提案されている（例えば、特許文献１参照
）。
【０００４】
さらに、図１２に示すように、中央に設置されたセパレーションチャンバ７０１と、該
セパレーションチャンバ７０１の周囲に設置されたロードチャンバ７０２、２つの高融点
金属スパッタリング用の第１及び第２のスパッタチャンバ７０３及び７０４、Ａｌ合金ス
パッタリング用の第３のスパッタチャンバ７０５、高周波（ＲＦ）放電によりプラズマエ
ッチング（スパッタエッチング）を行なうＲＦエッチングチャンバ７０６を有するマルチ
チャンバ方式のスパッタリング装置７００であって、これらプロセス用チャンバー７０３
、７０４、７０５、７０６に加えてランプアニールチャンバ７０７が設けてあるスパッタ
リング装置７００が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【特許文献１】特開平１０−２６５９４６号公報（特許請求の範囲、図１）
【特許文献２】特開平８−２８８２１９１０号公報（特許請求の範囲、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、図１０に示すスパッタリング装置５００の場合も、図１１に示す蒸着装
置６００の場合も、それぞれプラズマアッシング処理と、薄膜形成とを同一容器内で行な
うために、プラズマアッシング処理によって発生したアッシングカスが基材表面や薄膜表
面に付着して、電気絶縁性の異物となりやすいという問題が見られた。
また、プラズマアッシング処理と、薄膜形成とを同一容器内で行なうために、一旦、不
良品が発生した場合、同一バッチの多量の基板を廃棄しなければならず、経済的に極めて
不利であった。
さらに、プラズマアッシング処理と、薄膜形成とを同一容器内で行なうために、複数処
理を同時実施することができずに、蒸着装置が大型化したり、複雑化したりするという問
題も見られた。
一方、図１２に示すスパッタリング装置７００の場合は、半導体処理装置の一部であっ
て、特に、高融点金属膜やＡｌを含む金属膜等のスパッタリング処理を行なうターゲット
の種類に応じて、ＲＦエッチングチャンバが分かれていたものの、カラーフィルタ等の有
機膜についてのアッシング処理については、何ら言及されていなかった。
【０００６】
そこで、本発明の発明者らは鋭意検討した結果、スパッタリング装置において、バッフ
ァー槽を備えて、当該バッファー槽の周囲にスパッタリング用真空槽と、アッシング用真
空槽と、を別個に配置して、比較的小ロットでスパッタリング処理することにより、アッ
シングカスの付着問題や、不良品が発生した場合の基板の廃棄問題や、スパッタリング装
置の大型化や複雑化問題を解決できることを見出した。
すなわち、本発明によれば、高品質であって、かつ生産効率が高い薄膜形成が可能なス
パッタリング装置及び電気光学装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のスパッタリング装置によれば、基板上に、スパッタリング用ターゲットを用い
て薄膜形成させるためのスパッタリング装置であって、バッファー槽を備えて、当該バッ
ファー槽の周囲に、少なくともスパッタリング用真空槽と、アッシング用真空槽と、を配
置するとともに、バッファー槽を介して、各真空槽へ基板を移送するための移送手段を備
えることにより、上述した問題点を解決することができる。
すなわち、このようにスパッタリング用真空槽と、アッシング用真空槽とを、バッファ
ー槽を介して、独立的に設けることにより、生成するアッシングカスの影響を効果的に排
除し、スパッタリング用真空槽において、高品質の薄膜形成が可能となる。また、このよ
うに中心位置にバッファー槽を設けることにより、スパッタリング用真空槽と、アッシン
グ用真空槽の配置が容易になって、スパッタリング装置の小型化に資するとともに、複数
真空処理を同時実施することができるため、薄膜形成の生産効率化を図ることもできる。
【０００８】
また、本発明のスパッタリング装置を構成するにあたり、スパッタリング用真空槽が、
ＤＣスパッタリング用真空槽及びＲＦスパッタリング用真空槽、あるいはいずれか一方で
あることが好ましい。
このようなスパッタリング用真空槽を設けることにより、ＩＴＯやＩＺＯ等の導電性無
機酸化膜や、絶縁材料等の薄膜を効率よく形成することが可能となる。
【０００９】
また、本発明のスパッタリング装置を構成するにあたり、アッシング用真空槽の真空度
（Ｓ１）を、バッファー槽の真空度（Ｓ２）よりも高真空とすることが好ましい。
このように真空度を調整することにより、アッシング用真空槽で発生したアッシングカ
スのバッファー槽への進入を効果的に防止することができる。
【００１０】
また、本発明のスパッタリング装置を構成するにあたり、バッファー槽の真空度を、ス
パッタリング用真空槽の真空度よりも高真空とすることが好ましい。
このように真空度を調整することにより、アッシングカスのＤＣスパッタリング用真空
槽へのさらなる進入を防止することができる。
【００１１】
また、本発明のスパッタリング装置を構成するにあたり、バッファー槽、スパッタリン
グ用真空槽、及びアッシング用真空槽において、各槽内温度を所定値に保持するための温
度調整機構を備えることが好ましい。
このように温度調整機構を備えることにより、アッシング処理、及びスパッタリング処
理の効率化を図ることができるとともに、形成した薄膜の密着性や均一性を向上させるこ
とができる。
【００１２】
また、本発明のスパッタリング装置を構成するにあたり、バッファー槽の周囲に、基板
搬入室を、バッファー槽とは独立して備えることが好ましい。
このように構成することにより、装置全体としての使い勝手や生産効率のさらなる向上
を図ることができる。
【００１３】
また、本発明のスパッタリング装置を構成するにあたり、スパッタリング用真空槽、及
びアッシング用真空槽が、それぞれ複数室に区分されており、それぞれ独立的にバッファ
ー槽の周囲に配置されていることが好ましい。
このように構成することにより、複数工程の同時実施や保守点検が容易になって、生産
効率のさらなる向上を図ることができる。
【００１４】
また、本発明の別の態様は、バッファー槽を備えて、当該バッファー槽の周囲に、少な
くともスパッタリング用真空槽と、アッシング用真空槽と、を配置するとともに、バッフ
ァー槽を介して、各真空槽へ基板を移送するための移送手段を備えたスパッタリング装置
を用いた電気光学装置の製造方法であって、
アッシング用真空槽において、基板をアッシング処理する工程と、
バッファー槽を介して、アッシング処理した基板を、スパッタリング用真空槽に移送す
る工程と、
スパッタリング用真空槽において、基板上に薄膜を形成する工程と、
を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法である。
すなわち、このように特定のスパッタリング装置を用いて薄膜の形成を実施することに
より、アッシング処理を実施した場合であっても、アッシングカス等の影響を排除して、
高品質であって、かつ生産効率が高い薄膜を備えた電気光学装置を効果的に得ることがで
きる。
また、このように特定のスパッタリング装置を用いて薄膜の形成を実施することにより
、比較的小ロットで電気光学装置を生産できるため、仮に、アッシングカスの付着問題や
、不良品が発生した場合であっても、ロット内の少数の基板を廃棄するだけで済み、材料
ロス等を極めて少なくすることができる。
【００１５】
また、本発明の電気光学装置の製造方法を実施するにあたり、スパッタリング用真空槽
がＤＣスパッタリング用真空槽であって、当該ＤＣスパッタリング用真空槽において、基
板上に、導電性無機酸化膜を形成することが好ましい。
このように導電性無機酸化膜を形成することにより、アッシングカス等の影響を排除し
て、電気光学装置に使用される透明電極等を、高品質であって、かつ高い生産効率で形成
することができる。
【００１６】
また、本発明の電気光学装置の製造方法を実施するにあたり、アッシング用真空槽にお
いて、基板上に形成してあるカラーフィルタをアッシング処理することが好ましい。
このようにアッシング処理を実施することにより、カラーフィルタと、その上に形成さ
れる透明電極等との間の密着性や、基板と、カラーフィルタ上に形成される透明電極等と
の間の密着性について、それぞれ向上させることができる。
【００１７】
また、本発明の電気光学装置の製造方法を実施するにあたり、スパッタリング装置とし
て、バッファー槽の周囲にＲＦスパッタリング用真空槽がさらに配置してあるスパッタリ
ング装置を用いるとともに、当該ＲＦスパッタリング用真空槽において、アッシング処理
した基板の表面に、電気絶縁性無機酸化膜を形成することが好ましい。
このように電気絶縁性無機酸化膜を形成することにより、カラーフィルタと、その上に
形成される透明電極等との間の密着性や、基板と、カラーフィルタ上に形成される透明電
極等との間の密着性について、それぞれさらに向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図面を参照して、本発明のスパッタリング装置及び電気光学装置の製造方法に関
する実施形態について具体的に説明する。
ただし、かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するも
のではなく、本発明の範囲内で任意に変更することが可能である。
【００１９】
［第１実施形態］
第１実施形態は、基板上に、スパッタリング用ターゲットを用いて薄膜形成させるスパ
ッタリング装置において、バッファー槽を設けて、当該バッファー槽の周囲に、少なくと
もスパッタリング用真空槽と、アッシング用真空槽と、を配置するとともに、バッファー
槽を介して、各真空槽へ基板を移送するための移送手段を備えたスパッタリング装置であ
る。
以下、第１実施形態のスパッタリング装置について、スパッタリング用真空槽として、
ＤＣスパッタリング用真空槽、及びＲＦスパッタリング用真空槽を備えたスパッタリング
装置を例に採って説明する。ただし、スパッタリング用真空槽は、ＤＣスパッタリング用
真空槽及びＲＦスパッタリング用真空槽をともに備える必要はなく、いずれか一方のスパ
ッタリング真空槽のみであっても構わない。
【００２０】
１．全体概要
図１に示すように、第１実施形態のスパッタリング装置４００は、基板上に、スパッタ
リング用ターゲットを用いて薄膜形成させるスパッタリング装置であって、バッファー槽
４５０を設けて、当該バッファー槽４５０の周囲に、スパッタリング用真空槽としてのＤ
Ｃスパッタリング用真空槽４４０ａ、及びＲＦスパッタリング用真空槽４３０ａと、アッ
シング用真空槽４２０ａと、を配置するとともに、バッファー槽４５０を介して、各真空
槽へ基板を移送するための移送手段４６０を備えている。
すなわち、このようにＤＣスパッタリング用真空槽４４０ａと、ＲＦスパッタリング用
真空槽４３０ａと、アッシング用真空槽４２０ａとを、バッファー槽４５０を介して、そ
の周囲に独立的に設けることにより、アッシング用真空槽４２０ａにおいて生成するアッ
シングカスの影響を効果的に排除し、スパッタリング用真空槽４３０ａ、４４０ａにおい
て、高品質の薄膜形成が可能となる。
また、このようにスパッタリング用真空槽４３０ａ、４４０ａと、アッシング用真空槽
４２０ａとの間の中心位置にバッファー槽４５０を設けることにより、スパッタリング用
真空槽４３０ａ、４４０ａと、アッシング用真空槽４２０ａの配置やその間における基板
の移送が容易になって、スパッタリング装置４００の小型化に資することができる。
さらに、スパッタリング用真空槽４３０ａ、４４０ａと、アッシング用真空槽４２０ａ
とにおいて、それぞれの処理を同時実施することができるため、薄膜形成の生産効率化を
図ることもできる。
なお、ＤＣスパッタリング用真空槽４４０ａ、アッシング用真空槽４２０ａ、ＲＦスパ
ッタリング用真空槽４３０ａ、バッファー槽４５０、及び後述する基板搬入室４１０とも
、それぞれ所定圧力に制御するために、各真空槽ごとに、真空槽（真空チャンバー）４１
０、４２０ａ、４３０ａ、４４０ａ、４５０と、真空ポンプＰ１〜Ｐ５、Ｐ１´〜Ｐ４´
と、真空計Ｇ１〜Ｇ４、Ｇ１´〜Ｇ４´と、ガス配管Ｌ１〜Ｌ４、Ｌ１´〜Ｌ４´とを有
しているとともに、各真空槽の区切りには、シャッター機構やバルブ機構Ａ１〜Ａ４が取
り付けられている。
【００２１】
また、スパッタリング装置を構成するにあたり、図１に示すように、後述するＤＣスパ
ッタリング用真空槽４４０ａ、アッシング用真空槽４２０ａ、及びＲＦスパッタリング用
真空槽４３０ａが、それぞれ複数室に区分されており、それぞれ独立的にバッファー槽の
周囲に配置されていることが好ましい。
この理由は、各真空槽をこのように構成することにより、複数同時処理が可能になって
、生産効率化のさらなる向上を図ることができるためである。
また、このように構成することにより、一部の真空槽等において不具合が生じた場合で
あっても、薄膜形成を中止することなく、平行配置された他の真空槽等を利用して、その
まま薄膜形成を続行することができるためである。
なお、図１に示すスパッタリング装置４００の例では、ＤＣスパッタリング用真空槽４
４０ａ、アッシング用真空槽４２０ａ、及びＲＦスパッタリング用真空槽４３０ａが、そ
れぞれ２室から構成されているが、それぞれ３室以上であっても良く、あるいは、他の処
理よりも成膜時間がかかるＲＦスパッタリング用真空槽のみ、２槽以上の真空槽とするこ
とも好ましい。
【００２２】
２．ＤＣスパッタリング用真空槽
また、ＤＣスパッタリング用真空槽は、グロー放電により生成したプラズマによって、
ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）やＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）等のターゲット（蒸
発源）からスパッタ粒子を叩きだし、基板上に、ＩＴＯやＩＺＯ等の導電性無機酸化膜を
形成するための表面処理装置である。
したがって、ＩＴＯ等の薄膜が形成できる限り、ＤＣスパッタリング用真空槽の態様は
特に制限されるものではないが、例えば、図２に示すように、アルゴン等のスパッタガス
を導入するための真空槽４４０ａと、当該真空槽４４０ａの内で、負電位に保持されたカ
ソード４４２に取り付けられたターゲット４４１上にプラズマ（電離ガス分子）を発生さ
せるためのスパッタマグネット４４３と、スパッタマグネット４４３に所定電圧を印加す
るためのＤＣ電源４４４と、を備えたＤＣマグネトロンスパッタリング装置４４０である
ことが好ましい。
【００２３】
また、図示しないものの、ＤＣスパッタリング用真空槽は、基板と、ターゲットとの距
離をプロセス中に変化させる可変機構を備えることが好ましい。
この理由は、成膜プロセス中において、基板と、ターゲットとの距離をプロセス中に周
期的に変えながら成膜することで、ターゲットと、基板との距離が比較的短い場合や、ス
パッタ速度が速めに変化した場合であっても、優れたカバレッジ性が得られるためである
。
【００２４】
また、バッファー槽の真空度（Ｓ２）を、ＤＣスパッタリング用真空槽の真空度（Ｓ３
）よりも高真空とすることが好ましい。
この理由は、このようにバッファー槽の真空度（Ｓ２）を考慮して、ＤＣスパッタリン
グ用真空槽の真空度（Ｓ３）を調整することにより、アッシング用真空槽で発生したアッ
シングカスが、バッファー槽を介してＤＣスパッタリング用真空槽へ進入することを効果
的に防止することができるためである。
したがって、通常、ＤＣスパッタリング用真空槽の真空度（Ｓ３）を１×１０-3〜１×
１０-10Ｔｏｒｒ（１×１０-1〜１×１０-8Ｐａ、以下、換算を省略する場合がある。）
の範囲内の値とすることがより好ましく、１×１０-4×１０-9Ｔｏｒｒの範囲内の値とす
ることがさらに好ましい。
【００２５】
また、ＤＣスパッタリング用真空槽において、図１及び図２に示すように、槽内温度を
所定値に保持するための温度調整機構４４０ｂを備えることが好ましい。
この理由は、このように温度調整機構として、例えば、ヒータや加熱ランプ、あるいは
熱交換装置を備えることにより、ＤＣスパッタリング処理の効率化を図ることができると
ともに、形成した薄膜の密着性や均一性を向上させることができるためである。
なお、ＤＣスパッタリング用真空槽における有機膜、例えば、カラ−フィルタの熱分解
を防止するために、ＤＣスパッタリング用真空槽の温度を、後述するアッシング用真空槽
の温度よりも若干低めとすることが好ましい。より具体的には、ＤＣスパッタリング用真
空槽の温度を１２０〜２５０℃の範囲内の値とすることが好ましく、１５０〜２４０℃の
範囲内の値とすることがより好ましく、１８０〜２３０℃の範囲内の値とすることがさら
に好ましい。
【００２６】
３．アッシング用真空槽
また、アッシング用真空槽は、基板上に形成されたカラーフィルタ等の有機膜の表面を
アッシング処理して、無機膜を形成した場合であっても密着性を高めるための装置である
。
かかるアッシング処理の機構は特に制限されるものではないが、例えば、図３に示すよ
うに、処理容器４２１の載置台４２４に載置された被処理体１３の表面に形成されている
レジスト膜１０７をプラズマによりアッシングするプラズマアッシング装置４２０におい
て、プラズマの発生エネルギを供給するために載置台４２４に対向する位置に高周波電源
４２８に接続されたアンテナ部材４２９を設けた構成とすることが好ましい。
この理由は、このようなアッシング用真空槽であれば、処理容器の天井部に渦巻状に設
けたアンテナ部材に高周波電圧を印加することにより電波が発生し、この電波によりプラ
ズマ放電が励起されて処理ガスが活性化され、多数の原子ラジカルを発生させることがで
きるためである。したがって、このようなアッシング用真空槽であれば、プラズマ放電励
起によって生ずる活性種の量もかなり多くなり、アッシングレートを高めることが可能と
なる。
【００２７】
また、アッシング用真空槽の真空度（Ｓ１）を、バッファー槽の真空度（Ｓ２）よりも
高真空とすることが好ましい。
この理由は、このようにバッファー槽の真空度（Ｓ２）を考慮して、アッシング用真空
槽の真空度（Ｓ１）を調整することにより、アッシング用真空槽で発生したアッシングカ
スのバッファー槽への進入、ひいてはＤＣスパッタリング用真空槽への進入を効果的に防
止することができるためである。
したがって、具体的に、アッシング用真空槽の真空度（Ｓ１）を１×１０-4〜１×１０
-11Ｔｏｒｒ（１×１０-2〜１×１０-9Ｐａ）の範囲内の値とすることがより好ましく、
１×１０-5〜１×１０-10Ｔｏｒｒの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
【００２８】
また、アッシング用真空槽において、図１及び図３に示すように、槽内温度を所定値に
保持するための温度調整機構４２０ｂを備えることが好ましい。
この理由は、このように温度調整機構として、例えば、ヒータや加熱ランプ、あるいは
熱交換装置を備えることにより、アッシング処理の効率化を図ることができるとともに、
基板に対する有機膜の密着性や均一性を向上させることができるためである。
なお、より具体的には、このような温度調整機構を用いて、アッシング用真空槽の温度
を１３０〜２６０℃の範囲内の値とすることが好ましく、１６０〜２５０℃の範囲内の値
とすることがより好ましく、１９０〜２４０℃の範囲内の値とすることがさらに好ましい
。
【００２９】
４．ＲＦスパッタリング用真空槽
また、ＲＦスパッタリング用真空槽は、高周波（ＲＦ）放電によりにより生成したプラ
ズマによって、ＳｉＯ2（二酸化ケイ素化合物）等のターゲット（蒸発源）からスパッタ
粒子を叩きだし、基板上に、ＳｉＯ2等の電気絶縁性無機酸化膜を形成するための表面処
理装置である。
したがって、ＳｉＯ2等の薄膜が形成できる限り、ＲＦスパッタリング用真空槽の態様
は特に制限されるものではないが、例えば、図４に示すように、アルゴン等のスパッタガ
スを導入するための真空槽４３０ａと、当該真空槽４３０ａ内で、負電位に保持されたカ
ソード４３２に取り付けられたターゲット４３１上にプラズマ（電離ガス分子）を発生さ
せるためのスパッタマグネット４３３と、スパッタマグネット４３３に所定交流電圧を印
加するためのＲＦ電源４３４と、を備えたＲＦマグネトロンスパッタリング装置４３０で
あることが好ましい。
【００３０】
また、ＲＦスパッタリング用真空槽４３０ａの真空度（Ｓ４）を、バッファー槽４５０
の清浄度を考慮して定めることが好ましい。
すなわち、バッファー槽４５０においてアッシングカス等が比較的多量に存在し、バッ
ファー槽４５０の清浄度が低い場合には、ＲＦスパッタリング用真空槽４３０ａの真空度
（Ｓ４）をバッファー槽４５０の真空度（Ｓ２）よりも低真空として、アッシングカスが
ＲＦスパッタリング用真空槽４３０ａへ進入するのを防止することが好ましい。
一方、バッファー槽４５０においてアッシングカス等がほとんど存在せず、バッファー
槽４５０の清浄度が高い場合には、ＲＦスパッタリング用真空槽４３０ａの真空度（Ｓ４
）をバッファー槽４５０の真空度（Ｓ２）よりも高真空にして、スパッタの残留ガス等が
、バッファー槽４５０へ、逆に進入するのを防止することが好ましい。
なお、通常は、ＲＦスパッタリング用真空槽の真空度（Ｓ４）を１×１０-3〜１×１０
-10Ｔｏｒｒ（１×１０-1〜１×１０-8Ｐａ）の範囲内の値とすることがより好ましく、
１×１０-4〜１×１０-9Ｔｏｒｒの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
【００３１】
また、図４に示すように、ＲＦスパッタリング用真空槽４３０ａにおいて、槽内温度を
所定値に保持するための温度調整機構４３０ｂを備えることが好ましい。
この理由は、このように温度調整機構として、例えば、ヒータや加熱ランプ、あるいは
熱交換装置を備えることにより、ＲＦスパッタリング処理の効率化を図ることができると
ともに、形成した薄膜の密着性や均一性を向上させることができるためである。
なお、ＲＦスパッタリング用真空槽における有機膜の熱分解等を防止するために、ＲＦ
スパッタリング用真空槽の温度を、前述したアッシング用真空槽の温度よりも若干低めと
することが好ましい。より具体的には、ＲＦスパッタリング用真空槽の温度を１２０〜２
５０℃の範囲内の値とすることが好ましく、１５０〜２４０℃の範囲内の値とすることが
より好ましく、１８０〜２３０℃の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
【００３２】
５．バッファー槽
また、バッファー槽４５０は、図１に示すように、アッシング後にＤＣスパッタリング
する場合や、ＲＦスパッタリングした後にＤＣスパッタリングする場合に、その中間部屋
として、基板を出し入れするための真空装置である。
そして、アッシング後にＤＣスパッタリングする場合や、ＲＦスパッタリングした後に
ＤＣスパッタリングする場合であっても、かかるバッファー槽４５０を介することによっ
て、基板上のアッシングカスやスパッタの残留ガスを除去することができる。すなわち、
かかるバッファー槽４５０を設けることによって、最終的なＤＣスパッタリング処理によ
る成膜特性を向上させることができる。
ここで、通常、バッファー槽の真空度（Ｓ２）を１×１０-3〜１×１０-10Ｔｏｒｒの
範囲内の値とすることが好ましく、１×１０-4〜１×１０-9Ｔｏｒｒの範囲内の値とする
ことがより好ましい。
ただし、前述したように、アッシング用真空槽４２０ａからのアッシングカスの進入や
、ＲＦスパッタリング用真空槽４３０ａからのスパッタの残留ガスの進入を防止すべく、
バッファー槽４５０の真空度（Ｓ２）を、アッシング用真空槽の真空度（Ｓ１）やＲＦス
パッタリング用真空槽４３０ａの真空度（Ｓ４）、あるいはＤＣスパッタリング用真空槽
４４０ａの真空度（Ｓ３）との関係を考慮して、具体的に定めることも好ましい。
【００３３】
６．移送手段
また、移送手段４６０は、図１に示すように、バッファー槽４５０を含めて、アッシン
グ後にＤＣスパッタリングする場合や、ＲＦスパッタリングした後にＤＣスパッタリング
する場合に、基板を出し入れするための装置である。
したがって、かかる移送手段としては特に制限されるものではないが、例えば、ロボッ
トアーム、搬送ローラ、コンベヤベルト、コンベヤチェーン、台車、レール等が具体的に
挙げられる。
なお、参考のため、図５（ａ）に、移送手段により、矢印で示される方向に搬送される
基板１３を側面方向から眺めた状態を示し、図５（ｂ）に、移送手段として搬送ローラ４
６２を用いて、真空槽内を搬送される基板１３を進行方向から眺めた状態を示す。
すなわち、図５（ａ）に示すように、例えば、アルミニウムからなる搬送冶具４６１に
、小ロットである４枚の基板１３を垂直方向に貼付し、その状態で台車４６５を駆動源と
して、矢印で示される方向に搬送するものである。
また、図５（ｂ）に示すように、搬送冶具４６１が過度に傾斜せず、鉛直方向に正確に
保持されるように、搬送冶具４６１の上部には、磁石４６１ｂが取り付けられている。そ
して、真空槽の外部に取り付けた磁石４６１ａによって、搬送冶具４６１の傾斜が制御さ
れている。したがって、真空槽内でのスパッタリング処理や、温度調整も精度良く実施す
ることができる。
【００３４】
７．基板搬入室
また、基板搬入室は、基板をスパッタリング装置内に、バッファー槽を介して出し入れ
するための装置である。
したがって、基板搬入室は、バッファー槽の一部として兼用することもできるが、図１
に示すように、かかる基板搬入室４１０を、バッファー槽４５０の周囲に、バッファー槽
４５０とは独立して備えることが好ましい。
この理由は、このように構成することにより、スパッタリング装置全体としての使い勝
手や生産効率のさらなる向上を図ることができるためである。
すなわち、従来は、基板搬入室が直接的にスパッタリング装置に備えてあったため、基
板搬入室から基板を取り出すたびに、スパッタリング装置内の真空度を大気レベルまで戻
さなければならなかった。したがって、その後、スパッタリング装置にて成膜する際に、
装置内を再び１×１０-8Ｔｏｒｒ台まで真空引きしなければならず、装置内を超高真空に
するまでの時間、即ち真空待ち時間が必要となっていた。このため、スパッタリング処理
にかかる時間が長くなり、スループットの向上に限界が生じるという不都合が見られた。
そこで、本発明においては、小型の基板搬入室を設けて、バッファー槽４５０の真空度
やひいては他の真空槽の迅速調整を容易にしたものである。
【００３５】
８．動作
次いで、図１に示すスパッタリング装置の動作、すなわち、スパッタリング装置を用い
た薄膜の形成方法について、具体的に説明する。
（１）基板の搬入及びバッファー槽への移動
まず、基板搬入室４１０を介して、基板１３をスパッタリング装置４００内に挿入する
。その際、基板搬入室４１０と、バッファー槽４５０との間のシャッターＡ１は閉じてお
き、基板搬入室の圧力は大気圧とするものの、バッファー槽４５０の真空度は所定値、例
えば、１×１０-4〜１×１０-9Ｔｏｒｒの範囲内の値とする。
次いで、基板搬入室に連結された真空ポンプを作動させて、例えば、１×１０-4Ｔｏｒ
ｒの低真空状態とする。その際、基板搬入室は小部屋であるため、かかる低真空状態とす
る際の所要時間としては、６０秒以内の短時間ですむ。
次いで、基板搬入室４１０と、バッファー槽４５０との間のシャッターＡ１を開くとと
もに、移送手段４６０により、基板搬入室４１０から基板１３を、バッファー槽４５０に
移動させる。その際、バッファー槽４５０の真空度は、基板搬入室４１０の真空度の影響
を受けるものの、基板搬入室４１０がバッファー槽４５０と比較して小部屋とすることに
より、その影響を少なくすることができる。そして、バッファー槽４５０に連結された真
空ポンプＰ５を作動させて、例えば、１×１０-6Ｔｏｒｒの真空状態とする。その場合、
バッファー槽４５０は既に所定の真空度であって、基板搬入室４１０の影響も少ないため
、かかる真空状態とする際の所要時間としては、６０秒以内の短時間ですむ。
【００３６】
（２）アッシング装置への移動及びアッシング処理
次いで、アッシング装置４２０と、バッファー槽４５０との間のシャッターＡ２を開く
とともに、移送手段４６０により、例えば、１×１０-6Ｔｏｒｒの真空状態のバッファー
槽４５０から基板１３を、１×１０-6Ｔｏｒｒの真空状態に保持されているアッシング装
置４２０に移動させる。
したがって、アッシング装置４２０を、例えば、１×１０-6Ｔｏｒｒの真空状態から１
×１０-7Ｔｏｒｒの高真空状態とする際の所要時間としては、６０秒以内の短時間ですむ
。
次いで、アッシング装置４２０が所定の高真空状態となるとともに、所定温度であるこ
とを確認した後、アッシング処理を行なう。その際、アッシング装置４２０は、後工程の
ＲＦスパッタリング装置４３０やＤＣスパッタリング装置４４０とは別の真空槽であるた
め、アッシングカスが生じたとしても、当該アッシングカスのスパッタリングの際におけ
る影響を容易に抑制することができる。
次いで、アッシング処理をした基板１３を移送するために、アッシング装置４２０と、
バッファー槽４５０との間のシャッターＡ２を開くが、その際に、アッシング装置４２０
の真空度を、バッファー槽４５０の真空度よりも低く設定しておくことが好ましい。
この理由は、アッシング装置４２０においてアッシングカスが生じたとしても、当該ア
ッシングカスが、アッシング装置４２０からバッファー槽４５０へ流出するのを効果的に
防止するためである。
【００３７】
（３）ＲＦスパッタリング装置への移動及びＲＦスパッタリング処理
次いで、移送手段４６０により、アッシング装置４２０から基板１３をバッファー槽４
５０に戻した後、ＲＦスパッタリング装置４３０内に移動させて、所定真空度及び所定温
度に保持されていることを確認した後、ＲＦスパッタリング装置４３０により、例えば、
電気絶縁性無機酸化物層を形成する。
なお、アッシングカスの後工程であるＲＦスパッタリング装置等への進入をさらに抑制
するため、例えば、３０秒以内の間、アッシング処理した基板１３をバッファー槽４５０
において保持することも好ましい。
次いで、次工程に進むためには、ＲＦスパッタリング装置４３０と、バッファー槽４５
０との間のシャッターＡ３を開いて、移送手段４６０により、ＲＦスパッタリング装置４
３０から基板１３をバッファー槽４５０に戻すが、その際に、バッファー槽４５０の清浄
度を考慮することが好ましい。
例えば、バッファー槽４５０の清浄度が比較的低い場合には、ＲＦスパッタリング装置
４３０の真空度を、バッファー槽４５０の真空度よりも低く設定しておくことが好ましい
。
したがって、ＲＦスパッタリング装置４３０にアッシングカスが一部進入している場合
や、スパッタリングガスが一部残留している場合であっても、当該アッシングカスやスパ
ッタリングガスが、バッファー槽４５０へ流出するのを効果的に防止することができる。
【００３８】
（４）ＤＣスパッタリング装置への移動及びＤＣスパッタリング処理
次いで、ＤＣスパッタリング装置４４０と、バッファー槽４５０との間のシャッターＡ
４を開いて、バッファー槽４５０から、アッシング処理及びＲＦスパッタリング処理をし
た基板１３を、ＤＣスパッタリング装置４４０へと移送する。
その際に、ＤＣスパッタリング装置４４０の真空度を、バッファー槽４５０の真空度よ
りも低く設定しておくことが好ましい。この理由は、バッファー槽４５０において、アッ
シングカス等が一部存在していたとしても、当該アッシングカスが、ＤＣスパッタリング
装置４４０へ流入するのを効果的に防止するためである。
そして、ＤＣスパッタリング装置４４０が、所定真空度及び所定温度に保持されている
ことを確認した後、ＤＣスパッタリング装置４４０により、アッシング処理及びＲＦスパ
ッタリング処理をした基板１３に対して、例えば、導電性無機酸化物層を形成する。
すなわち、ＤＣスパッタリング処理を実施するにあたり、例えば、１×１０-8Ｔｏｒｒ
の超高真空に保持された真空槽の中に、不活性ガスのＡｒを導入し、１×１０-3Ｔｏｒｒ
の真空状態とした後、プラズマ放電により生じたＡｒ+ イオンを、負電位に保持されたカ
ソードに取り付けられたターゲットに衝突させて導電性無機酸化物層を形成する。
なお、このようにＤＣスパッタリング用真空槽４４０ａと、アッシング用真空槽４２０
ａとを、バッファー槽４５０を介して、独立的に設けてあることにより、生成するアッシ
ングカスの影響を効果的に排除し、ＤＣスパッタリング用真空槽４４０ａにおいて、高品
質の薄膜形成が可能となる。また、このように中心位置にバッファー槽４５０を設けるこ
とにより、ＤＣスパッタリング用真空槽４４０ａと、アッシング用真空槽４２０ａの配置
が容易になって、スパッタリング装置４００の小型化に資するとともに、複数真空処理を
同時実施することができるため、薄膜形成の生産効率化を図ることもできる。
【００３９】
（５）基板のバッファー槽への移動及び取り出し
次いで、ＤＣスパッタリング装置４４０と、バッファー槽４５０との間のシャッターＡ
４を開いて、移送手段４６０により、ＤＣスパッタリング装置４４０から基板１３をバッ
ファー槽４５０に一旦戻す。そして、基板搬入室４１０の真空度を所定値、例えば、１×
１０-4〜１×１０-9Ｔｏｒｒの範囲内の値に保持した状態で、基板搬入室４１０と、バッ
ファー槽４５０との間のシャッターＡ１を開く。したがって、バッファー槽４５０の真空
度に影響を与えることなく、基板搬入室４１０と、バッファー槽４５０との間が連通し、
移送手段４６０により、ＤＣスパッタリング処理した基板１３を、基板搬入室４１０に移
送することができる。
最後に、基板搬入室４１０と、バッファー槽４５０との間のシャッターＡ１は閉じると
ともに、基板搬入室４１０に設けてある真空バルブＶ１、Ｖ１´を開き大気圧とする。よ
って、ＤＣスパッタリング処理した基板１３を、容易に外部に取り出すことができる。
【００４０】
［第２実施形態］
第２実施形態は、シール材を介して対向配置される第１の基板及び第２の基板と、当該
第１の基板及び第２の基板の間に狭持された電気光学的物質と、を含む電気光学装置の製
造方法である。
そして、電気光学装置の製造方法を実施するにあたり、基板上に、スパッタリング用タ
ーゲットを用いて薄膜形成させるスパッタリング装置であって、バッファー槽を設けて、
当該バッファー槽の周囲に、少なくともスパッタリング用真空槽と、アッシング用真空槽
と、を配置するとともに、バッファー槽を介して、各真空槽へ基板を移送するための移送
手段を備えたスパッタリング装置を用いることを特徴とする。
以下、図６〜図７を適宜参照しながら、本発明の第２実施形態に係る電気光学装置の製
造方法について、カラーフィルタ基板（第１の基板）及び素子基板（第２の基板）を用い
た液晶表示装置１０の製造方法を例に採って説明する。なお、図６は、第２実施形態に係
る製造方法により得られる液晶表示装置の一部を構成する液晶パネル２００を示す概略斜
視図であり、図７は、かかる液晶パネル２００の模式的な概略断面図である。
【００４１】
１．液晶表示装置の基本構造
まず、図６〜図７を参照して、本発明の第２実施形態に係る電気光学装置の製造方法に
よって製造可能な液晶表示装置の基本構造、例えば、セル構造や配線、あるいは位相差板
及び偏光板について具体的に説明する。
すなわち、図６に示される液晶パネル２００は、アクティブマトリクス型構造を有する
液晶パネル２００であって、図示しないもののバックライトやフロントライト等の照明装
置やケース体などを、必要に応じて、適宜取付けることにより、液晶表示装置を構成する
。
なお、本実施形態においては二端子型非線形素子のＴＦＤ素子を備えたアクティブマト
リクス型構造を有する液晶パネルを例にとって説明するが、言うまでもなく、三端子型非
線形素子のＴＦＴ素子を備えたアクティブマトリクス型構造を有する液晶パネルや、パッ
シブマトリクス型構造を有する液晶パネルにも適用することができる。
【００４２】
（１）セル構造
図６に示すように、液晶パネル２００は、ガラス板や合成樹脂板等を基体（第１のガラ
ス基板）１３とする第１の電気光学装置用基板（カラーフィルタ基板）１２と、これに対
向配置され、同様にガラス板や合成樹脂板等を基体（第２のガラス基板）２７とする第２
の電気光学装置用基板（素子基板）１４とが、接着剤等のシール材２３０を介して貼り合
わせられている。そして、カラーフィルタ基板１２と、素子基板１４とが形成する空間で
あって、シール材２３０の内側部分に対して、開口部２３０ａを介して液晶材料を注入し
た後、封止材２３１にて封止されてなるセル構造を備えている。
すなわち、図７に具体的に示すように、カラーフィルタ基板１２と素子基板１４との間
に液晶材料２３２が充填されるとともに、密封されている。
【００４３】
（２）配線
また、図６に示すように、第２のガラス基板２７の内面（第１のガラス基板１３に対向
する表面）上に、複数のマトリクス状の画素電極（第２の電極パターン）２０を形成し、
第１のガラス基板１３の内面（第２のガラス基板２７に対向する表面）上には、複数のス
トライプ状の走査電極（第１の電極パターン）１９が形成されている。また、画素電極２
０は、データ線２９に対して接続されている。さらに、もう一方の走査電極１９を、第２
のガラス基板２７上の電気配線２８に対して、導電性粒子を含むシール材２３０を介して
導電接続されている。
また、画素電極２０と、走査電極１９とが平面的に重なる領域がマトリクス状に配列さ
れて多数の画素を構成し、これら多数の画素の配列が、全体として液晶表示領域Ａを構成
している。
【００４４】
また、図６に示すように、第２のガラス基板２７は、第１のガラス基板１３の外形より
も外側に張り出してなる基板張出部１４Ｔを有し、この基板張出部１４Ｔ上には、データ
線２９、電気配線２８及び、独立して形成された複数の配線パターンからなる入力端子部
（外部接続用端子）２１９が形成されている。そして、基板張出部１４Ｔ上には、これら
データ線２９、電気配線２８及び入力端子部（外部接続用端子）２１９に対して導電接続
されるように、液晶駆動回路等を内蔵した半導体素子（ＩＣ）２６１が実装されている。
なお、基板張出部１４Ｔの端部には、入力端子部(外部接続用端子)２１９に電気接続さ
れて、半導体素子（ＩＣ）２６１を外部から駆動できるように、フレキシブル配線基板１
１０がさらに実装されていることが好ましい。
【００４５】
（３）位相差板及び偏光板
また、図６に示される液晶パネル２００において、図７に具体的に示すように、第１の
ガラス基板１３の所定位置に、鮮明な画像表示が認識できるように、位相差板（１／４波
長板）２５０及び偏光板２５１が配置されている。
そして、第２のガラス基板２７の外面においても、位相差板（１／４波長板）２４０及
び偏光板２４１が配置されている。
【００４６】
２．カラーフィルタ基板（第１の基板）
（１）基本的構成
一方、カラーフィルタ基板１２は、図７に具体的に示すように、基本的に、第１のガラ
ス基板１３と、着色層１６と、遮光層１８と、走査電極（第１の電極パターン）１９と、
から構成してある。
また、カラーフィルタ基板１２において、反射機能が必要な場合、例えば、携帯電話等
に使用される半透過反射型の液晶表示装置においては、ガラス基板１３と、着色層１６と
の間に、反射層（半透過反射板）２１２が設けてある。
さらに、カラーフィルタ基板１２において、画素毎に着色層１６が形成され、その上を
アクリル樹脂やエポキシ樹脂などの透明樹脂からなる平坦化層（表面保護層あるいはオー
バーコート層）２１５により、被覆してある。すなわち、このようにして着色層１６及び
平坦化層（表面保護層）２１５からカラーフィルタが形成されることになる。
なお、図示しないものの、カラーフィルタ上に、電気絶縁性を向上させるための電気絶
縁層を設けることも好ましい。
【００４７】
（２）着色層
また、図６に示す着色層１６は、通常、透明樹脂中に顔料や染料等の着色材を分散させ
て所定の色調を呈するものである。したがって、着色層の色調の一例としては、原色系フ
ィルタとしてＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の組合せからなるものがあるが、これ
に限定されるものではなく、Ｙ（イエロー）、Ｍ（マゼンダ）、Ｃ（シアン）等の補色系
や、その他の種々の色調で形成することができる。
また、かかる着色層は、通常、基板表面上に顔料や染料等の着色材を含む感光性樹脂か
らなる着色レジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術（エッチング法）によって不要部
分を欠落させることによって、所定のカラーパターンを有する着色層を形成することがで
きる。そして、複数の色調の着色層を形成する場合には上記工程を繰り返すことにより形
成される。
なお、着色層の配列パターンとしては、ストライプ配列を採用することが多いが、この
ストライプ配列の他に、斜めモザイク配列や、デルタ配列等の種々のパターン形状を採用
することができる。
【００４８】
（３）遮光層
また、図７に具体的に示すように、画素毎に形成された着色層１６の間の画素間領域に
、遮光層（ブラックマトリクス、あるいはブラックマスクと称する場合もある。）１８を
形成する。
このような遮光層１８としては、例えば、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の着色
材を共に樹脂その他の基材中に分散させたものや、黒色の顔料や染料等の着色材を樹脂そ
の他の基材中に分散させたものなどを用いることができる。また、カーボン等の黒色材料
を使用しなくとも優れた遮蔽効果を得ることができることから、加色法を利用して、Ｒ（
赤）層、Ｇ（緑）層、Ｂ（青）層からなる三層構造の遮光層とすることも好ましい。
【００４９】
（４）反射層
また、図７に具体的に示すように、第１のガラス基板１３の表面には、反射層２１２が
形成されている。この反射層２１２は、具体的に、アルミニウム、アルミニウム合金、ク
ロム、クロム合金、銀、銀合金などからなる金属薄膜と、から構成されている。また、反
射層２１２には、画素毎に、反射面を有する反射部２１２ｒと、開口部２１２ａとが設け
られている。
【００５０】
（５）第１の電極パターン（走査電極）
また、図６及び図７に具体的に示すように、平坦化層２１５の上に、ＩＴＯ（インジウ
ムスズ酸化物）等の透明導電体からなる走査電極（第１の電極パターン）１９が形成され
ている。かかる走査電極（第１の電極パターン）１９は、複数の透明電極を並列させて、
ストライプ状に構成してある。
ここで、第１実施形態で説明したアッシング装置付きスパッタリング装置を用いて、着
色層１６や平坦化層２１５等からなるカラーフィルタが形成された第１のガラス基板１３
に対して所定のアッシング処理を実施した後に、ＤＣスパッタリング真空槽において、第
１の電極パターン（走査電極）１９を、高品質で、かつ高い生産効率で形成することがで
きる。
【００５１】
（６）配向膜（第１の配向膜）
また、図７に具体的に示すように、第１の電極パターン（走査電極）１９の上には、ポ
リイミド樹脂等からなる第１の配向膜２１７が形成されている。このように配向膜２１７
を設けることにより、カラーフィルタ基板１２を液晶表示装置等に使用した場合に、電気
光学物質（液晶）の配向駆動を電圧印加によって容易に実施することができる。
【００５２】
３．素子基板（第２の基板）
（１）基本構造
図６及び図７に示すように、カラーフィルタ基板１２と対向するもう一方の素子基板（
第２の基板）１４は、基本的に、第２のガラス基板２７と、画素電極２０と、データ線２
９と、電気配線２８と、から構成してあり、図８に示すような、二端子型非線形素子のＴ
ＦＤ素子３１（３１ａ、３１ｂ）をスイッチング素子として備えている。
また、図７に具体的に示すように、画素電極２０上には、第１の基板１２における第１
の配向膜と同様のポリイミド樹脂等からなる第２の配向膜２２４が形成されている。
なお、上述したように、着色層が第１のガラス基板１３上に設けてあることを説明した
が、かかる着色層を、素子基板１４の第２のガラス基板２７上に設けることも可能である
。
【００５３】
（２）第２の電極パターン
また、素子基板１４には、図７に具体的に示すように、第２の電極パターンの一部であ
る画素電極２０が設けてある。かかる画素電極２０は、複数の透明電極をマトリクス状に
配置され構成されている。また、かかる画素電極２０は、シール材２３０の外側であって
、第２のガラス基板２７における基板張出し部１４Ｔまで延設され、端部が外部接続用端
子２１９となるデータ線２９に接続されている。
また、素子基板１４には、データ線２９と同様に、複数の金属膜を並列させたストライ
プ状に構成した電気配線２８を設けられている。かかる電気配線２８は、シール材２３０
の外側であって、第２のガラス基板２７における基板張出し部１４Ｔまで延設され、端部
が外部接続用端子２１９の一部とされている。また、かかる電気配線２８の端部のうち、
外部接続用端子２１９が設けられていない側の端部２８ａが、シール材２３０を介してカ
ラーフィルタ基板（第１の基板）１２上の走査電極（第１の電極パターン）１９と電気的
に導通されている。
なお、このような第２の電極パターンについても、第１の電極パターンと同様に、第１
実施形態で説明したアッシング装置付きスパッタリング装置を用いることにより、高品質
で、かつ高い生産効率で形成することができる。
【００５４】
４．応用例
本発明の応用例として、第２実施形態の電気光学装置の製造方法により得られた電気光
学装置を備えた電子機器について具体的に説明する。
まず、図９は、本実施形態の電子機器の全体構成を示す概略構成図である。この電子機
器は、液晶パネル３１０と、これを制御するための制御手段３３０とを有している。また
、図９中では、液晶パネル３１０を、パネル構造体３１０Ａと、半導体素子（ＩＣ）等で
構成される駆動回路３１０Ｂと、に概念的に分けて描いてある。また、制御手段３３０は
、表示情報出力源３３１と、表示処理回路３３２と、電源回路３３３と、タイミングジェ
ネレータ３３４とを有することが好ましい。
【００５５】
また、表示情報出力源３３１は、ＲＯＭ（Read Only Memory）やＲＡＭ（Random Acces
s Memory）等からなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスク等からなるストレー
ジユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレ
ータ３３４によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像
信号等の形で表示情報を表示情報処理回路３３２に供給するように構成されていることが
好ましい。
【００５６】
また、表示情報処理回路３３２は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ロ
ーテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種回路を備え、入力した
表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路３１０Ｂ
へ供給することが好ましい。さらに、駆動回路３１０Ｂは、走査線駆動回路、データ線駆
動回路及び検査回路を含むことが好ましい。また、電源回路３３３は、上述の各構成要素
にそれぞれ所定の電圧を供給する機能を有している。
そして、本実施形態の電子機器であれば、高品質であって、かつ生産効率が高い透明電
極を備えた液晶表示装置等を備えており、画像表示特性や経済性に優れた電子機器とする
ことができる。
すなわち、本発明のスパッタリング装置においては、バッファー槽の周囲にＤＣスパッ
タリング用真空槽と、アッシング用真空槽と、を別個に配置して、比較的小ロットでスパ
ッタリング処理することにより、アッシングカスの付着問題や、不良品が発生した場合の
基板の廃棄問題や、スパッタリング装置の大型化や複雑化問題を解決することができ、結
果として、高品質であって、かつ生産効率が高い透明電極を備えた液晶表示装置等を生産
することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明のスパッタリング装置を説明するために供する図である。
【図２】ＤＣスパッタリング装置の一例を説明するために供する図である。
【図３】アッシング処理の一例を説明するために供する図である。
【図４】ＲＦスパッタリング装置の一例を説明するために供する図である。
【図５】基板の搬送方法を説明するために供する図である。
【図６】液晶パネルの外観を示す概略斜視図である。
【図７】液晶パネルを模式的に示す概略断面図である。
【図８】（ａ）及び（ｂ）は、ＴＦＤ素子を説明するために供する図である。
【図９】電子機器の概略構成を示すブロック図である。
【図１０】従来のスパッタリング装置を説明するために供する図である。
【図１１】従来の蒸着装置を説明するために供する図である。
【図１２】従来のマルチチャンバ方式のスパッタリング装置を説明するために供する図である。
【符号の説明】
【００５８】
１０：電気光学装置（液晶表示装置）、１２：カラーフィルタ基板（第１の基板）、１３
：第１のガラス基板、１３ａ：基板の縁部、１４：素子基板（第２の基板）、２７：第２
のガラス基板、１９：走査電極（第１の電極パターン）、１９ａ：走査電極の端部、２６
：データ電極（第２の電極パターン）、２６ａ：データ電極の端部、２８・２９：電気配
線、２８ａ：電気配線の端部、３１：二端子型非線形素子（ＴＦＤ素子）、２００：液晶
パネル、２３０：シール材、２３０ａ：シール材の外縁、４００：スパッタリング装置、
４１０：基板搬入室、４２０：アッシング装置、４３０：ＲＦスパッタリング装置、４４
０：ＤＣスパッタリング装置、４５０バッファー槽、４６０：移送手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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