(57)【要約】【課題】  ミリ波あるいはマイクロ波帯モジュールにおける導波管アンテナとモジュールとの結合を高精度に行なう。【解決手段】  導波管ガイド６をガイド孔に位置合わせしながらＲＦプローブ基板１をセラミック・パッケージ７に取り付け、導電性接着剤を使用してこれを固着する。続いて、セラミック・パッケージ７の下面から突出した導波管ガイド６をガイド孔に位置合わせしながら回路基板８へ取り付け、セラミック・パッケージ７の裏面に形成された回路パターンを導波管ガイド６回りに回転させながら、回路基板８上のパターンに位置合わせした後、鉛フリー半田で加熱溶着する。【選択図】  図４
2006304113.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロストリップ・ラインから導波管線路への変換を行なうＲＦプローブ基板であって、
誘電体基板と、
前記誘電体基板の下面に形成された、導波管開口を持つグランドと、
前記誘電体基板に、導波管の径に応じた環状に形設された複数のスルーホールにより前記グランドに通じるアース・パターンと、
前記誘電体基板の上面に形成された、一端が導波管内に挿入されているマイクロストリップ・ラインと、
前記誘電体基板の下面で、その孔周縁と前記アース・パターン内方のエッジとを位置合わして接着された導波管ガイドと、
を具備することを特徴とするＲＦプローブ基板。
【請求項２】
前記誘電体基板の上面で前記アース・パターンに合わせて取り付けられた短絡板キャップをさらに備える、
ことを特徴とする請求項１に記載のＲＦプローブ基板。
【請求項３】
導波管開口を備え、前記導波管ガイドに案内されて該導波管開口に位置合わせしながら請求項１に記載のＲＦプローブ基板を取り付けるとともに、前記マイクロストリップ・ラインの他端とボンディング・ワイヤを介して接続された半導体素子を搭載し、これらＲＦプローブ基板及び半導体素子を含む回路コンポーネントを封入したことを特徴とするパッケージ。
【請求項４】
導波管開口を備え、前記導波管ガイドに案内されて該導波管開口に位置合わせしながら請求項３に記載のパッケージを実装したことを特徴とする配線基板。
【請求項５】
前記誘電体基板は、活性領域が形成された半導体素子の上面に前記マイクロストリップ・ライン及び前記スルーホールを配設したＲＦ−ＭＭＩＣ（モノリシック・ミリメートル波集積回路）である、
ことを特徴とする請求項１に記載のＲＦプローブ基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板を表面実装する配線基板に係り、特に、高周波素子などを収容する回路モジュールを実装する配線基板に関する。
【０００２】
さらに詳しくは、本発明は、ミリ波あるいはマイクロ波帯モジュールにおける導波管アンテナとモジュールとの結合を高精度に行なうＲＦプローブ基板に係り、特に、マイクロストリップから導波管まで管内に凹凸が発生する実装要因を取り除き、損失なく伝送できるＲＦプローブ基板に関する。
【背景技術】
【０００３】
近年、無線ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ  Ａｒｅａ  Ｎｅｔｗｏｒｋ）を始めとする情報伝送技術の発展に伴い、ミリ波帯あるいはマイクロ波帯で動作する半導体素子、すなわち高周波半導体素子技術の開発が盛んになってきている。
【０００４】
この種の回路実装技術では、高周波素子が収納された回路基板あるいはパッケージと、外部電気回路に設けられた導波管とをいかに簡単で且つ小型な構造で接続するかが重要な要素技術として位置付けられている。とりわけ、伝送損失の最も小さい導波管が形成された外部電気回路と、高周波素子を搭載した回路基板あるいはパッケージとをいかに接続するかが大きな問題である。
【０００５】
マイクロ波やミリ波領域において装置の最初の空間電波に接する部位であるアンテナとモジュールは送信・受信の要となる。かかるアンテナとモジュール内で、最初にアンテナと接触するマイクロストリップ・ラインとを結合するためのマイクロ波又はミリ波−導波管変換部分の良否は、装置雑音や出力特性に直接影響を与える。
【０００６】
従来から行なわれている結合法では、高周波信号回路モジュールの入出力がマイクロストリップ・ライン系で配線されているという関係から、直接導波管アンテナへの変換がとられている。
【０００７】
図７には、高周波パッケージと導波管を搭載した配線基板の断面構成（従来例）を示している。図示の配線基板の上面には、高周波半導体素子などの回路モジュールを封止したセラミック・パッケージが搭載され、また、配線基板の下面には、セラミック・パッケージ及び配線基板に穿設された導波管開口に位置合わせして導波管が取り付けられている。
【０００８】
セラミック・パッケージ上には、高周波半導体素子やＲＦプローブなど複数の素子が搭載され、蓋材によって外界から隠蔽されている。高周波素子の入出力は、ＲＦプローブ上に形成されたマイクロストリップ・ラインとボンディング・ワイヤを介して接続されている。また、ＲＦプローブは、アルミナなどでできた誘電体基板と、この誘電体基板を貫通する多数のスルーホールと、誘電体基板の下面に形成されたグランドからなる。また、ＲＦプローブの上面には、外部の電波を遮断するとともに内部で発生した電波を反射して導波管内部に導くために、メタル製の短絡板キャップとしての中蓋が、スルーホール・パターン（アース・パターン）に合わせて取り付けられる。
【０００９】
図示の構造では、部品点数の多さから工程が多くなり、しかも、ミリ波若しくはマイクロ波の領域であるため部品間の位置精度がそのまま導波管内壁の精度となり、伝送特性の良否に大きく影響する。
【００１０】
図７に示した基板構造をとる場合、その組立・製作は、（１）マイクロストリップ・ライン及び導波管変換器のセラミック・パッケージへの取り付け、（２）セラミック・パッケージと配線基板との取り付け、（３）配線基板と導波管との取り付け、という３段の取り付け作業を経て行なわれ、各々の取り付け時には、ＲＦプローブに穿設されたスルーホールを基準にした位置合わせ操作を行なわなければならない。言い換えれば、ＲＦプローブ基板とセラミック・パッケージの貼り合わせ精度と、セラミック・パッケージと接続部材としての配線基板の取り付け精度、及び配線基板と導波管の結合精度がＲＦプローブから導波管路内壁の凹凸として累積される。特に、（２）と（３）の作業では、封止した後のセラミック・パッケージ内にあるＲＦプローブのスルーホールを位置合わせの基準にしなければならず、作業を一層困難にしている。
【００１１】
このように実装組立の場合、都合３度の精密な位置合わせ作業が含まれることにより、工程の難易度を大きくし、各々の作業精度が導波管路の直進性を妨げ、高周波での伝送効率を悪化させる原因となっている。実装組立の段階で複数の精密な位置合わせ作業が必要であると、組立工数、製品歩留まりに悪影響を与え、量産移行に大きな障害となる。
【００１２】
例えば、図８に示すように、高周波素子を搭載したセラミック誘電体基板表面に形成された信号伝送線路と導波管との信号の伝送を行なう接続部を備えた配線基板において、導波管との接続を低損失で低反射にて反りの発生なく行なう接続構造について提案がなされている（例えば、特許文献１を参照のこと）。この場合、ＲＦプローブがセラミック・パッケージと一体化されているため、ＲＦプローブ基板とセラミック・パッケージの貼り合わせ精度の問題は解消される。しかしながら、以降のセラミック・パッケージと接続部材としての配線基板の取り付けと、配線基板と導波管の結合という作業は残されている。これらの作業は封止した後のセラミック・パッケージ内にあるＲＦプローブのスルーホールを位置合わせの基準にしなければならず、作業は依然困難なままである。また、セラミック・パッケージ材はＬＴＣＣ（（Ｌｏｗ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃｓ）などの比較的低温焼結のセラミックが使用されるため、ＲＦプローブ基板上に形成されるマイクロストリップ・ラインの精度が悪く、高周波特性も良好とは言い難い。
【００１３】
また、図９に示すように、誘電体基板の他方の表面に信号伝送線路の終端と対峙する位置にスロット孔が形成されたグランド層を形成し、グランド層のスロット孔形成表面に第１の誘電体部を介して導体を設け、さらに導体表面に第２の誘電体部を形成して、基板表面に形成された信号伝送線路と導波管との信号の伝送を行なう配線基板について提案がなされている（例えば、特許文献２を参照のこと）。この場合、スロット孔による電磁結合型であるがＲＦプローブ部とセラミック・パッケージ及び接続部材としての配線基板がパッケージ一体型になっており、導波管と導波管結合部の誘電体に挿入してグランドを接着するだけでよく、実装方法が簡便である。しかしながら、パッケージの製造過程での位置合わせ精度や、パターン印刷の精度がそのまま高周波特性に影響を与えるのは、図８に示した構成例と同様である。特に、セラミック・パッケージとして全体が大きい部品となるため、セラミック成形時の伸縮などの製造条件の設定が難しくなる。
【００１４】
【特許文献１】特開２００１−２６７８１４号公報
【特許文献２】特開２００１−２８４９１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明の目的は、ミリ波あるいはマイクロ波帯モジュールにおける導波管アンテナとモジュールとの結合を高精度に行なうことができる、優れたＲＦプローブ基板を提供することにある。
【００１６】
本発明のさらなる目的は、マイクロストリップから導波管まで管内に凹凸が発生する実装要因を取り除き、損失なく伝送することができる、優れたＲＦプローブ基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明は、上記課題を参酌してなされたものであり、マイクロストリップ・ラインから導波管線路への変換を行なうＲＦプローブ基板であって、
誘電体基板と、
前記誘電体基板の下面に形成された、導波管開口を持つグランドと、
前記誘電体基板に、導波管の径に応じた環状に形設された複数のスルーホールにより前記グランドに通じるアース・パターンと、
前記誘電体基板の上面に形成された、一端が導波管内に挿入されているマイクロストリップ・ラインと、
前記誘電体基板の下面で、その孔周縁と前記アース・パターン内方のエッジとを精密に位置合わして接着された導波管ガイドと、
を具備することを特徴とするＲＦプローブ基板である。
【００１８】
マイクロ波やミリ波領域において装置の最初の空間電波に接する部位であるアンテナとモジュールは送信や受信の要となる。かかるアンテナとモジュール内で、最初にアンテナと接触するマイクロストリップ・ラインとを結合するためのマイクロ波又はミリ波−導波管変換部分の良否は、装置雑音や出力特性に直接影響を与える。
【００１９】
従来から行なわれている結合法では、高周波信号回路モジュールの入出力がマイクロストリップ・ライン系で配線されているという関係から、直接導波管アンテナへの変換がとられている。この場合、部品点数の多さから工程が多くなり、しかも、ミリ波若しくはマイクロ波の領域であるため部品間の位置精度がそのまま導波管内壁の精度となり、伝送特性の良否に大きく影響するという問題がある。具体的には、ＲＦプローブ基板とセラミック・パッケージの貼り合わせ精度と、セラミック・パッケージと接続部材としての配線基板の取り付け精度、及び配線基板と導波管の結合精度がＲＦプローブから導波管路内壁の凹凸として累積される。
【００２０】
そこで、本発明に係るＲＦプローブ基板では、導波管アンテナとモジュールとの結合を行なう際に、導波管ガイドを配線基板構造に組み込んでいる。この導波管ガイドは、マイロストリップ・ラインが配線された誘電体基板と導波管アンテナが結合される導波管開口部とをモジュール内部より開口部まで誘導可能な構造をなしている。したがって、導波管ガイドとＲＦプローブ部の誘電体基板との接着作業の１回の位置出しあるいはこれらを一体化することにより、以降は精密な位置出し作業なしで組立が可能となる。
【００２１】
このように作業が単純化された結果として、組立所要時間を削減し、製品歩留まりの向上が期待されるとともに製造原価を下げることができるので、その量産性への寄与は大きい。
【００２２】
また、導波管ガイドを使用することによって、マイクロストリップ・ラインから導波管変換器に至る構造を改善し、マイクロストリップから導波管まで管内に凹凸が発生する実装要因を取り除くことができる。すなわち、組立実装の際には、仕上がり状態が特性に影響することがなくなるので、組立実装の効率並びに組立歩留まり向上を図ることができる。
【００２３】
また、効率よく安定してマイクロストリップ・ラインとアンテナ間の信号伝送が行なわれるので、本発明を適用して構成されるマイクロ波又はミリ波通信用回路モジュールによれば、電波伝送効率が向上する。
【００２４】
本発明によれば、導波管開口を備えたセラミック又はメタル製の基板上に、導波管ガイドに案内されて導波管開口に位置合わせしながらＲＦプローブ基板を取り付けることができる。そして、このパッケージ上で近隣に搭載されたＭＭＩＣ（モノリシック・ミリメートル波集積回路）の入出力端子とＲＦプローブ基板のマイクロストリップ・ラインの他端とをボンディング・ワイヤを介して接続した後、これらＲＦプローブ基板及び半導体素子を含む回路コンポーネントを封入して、セラミック又はメタルのパッケージを構成することができる。
【００２５】
さらにこのようなパッケージを、導波管開口を備えた配線基板上に、導波管ガイドに案内されて導波管開口に位置合わせしながら取り付けて、装置を構成することができる。
【００２６】
また、ＲＦ−ＭＭＩＣ（モノリシック・ミリメートル波集積回路）を直接誘電体基板として本発明に係るＲＦプローブを実装することもできる。この場合、活性領域が形成された半導体素子の上面には、マイクロストリップ・ラインが配線技術によって形成されるとともに、複数のスルーホールが環状に配設される。そして、この半導体素子の上面にはスルーホール・パターンに合わせて短絡板キャップを取り付けるとともに、その下面にはアース・パターン内方のエッジとを位置合わせして導波管ガイドを取り付ける。このようなＲＦプローブ基板は、半導体素子の集積化の進化に適合したものである。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、ミリ波あるいはマイクロ波帯モジュールにおける導波管アンテナとモジュールとの結合を高精度に行なうことができる、優れたＲＦプローブ基板を提供することができる。
【００２８】
また、本発明によれば、マイクロストリップから導波管まで管内に凹凸が発生する実装要因を取り除き、損失なく伝送することができる、優れたＲＦプローブ基板を提供することができる。
【００２９】
本発明によれば、導波管ガイドを用いることによって、マイクロストリップ・ラインから導波管変換器に至る構造を改善し、マイクロストリップから導波管まで管内に凹凸が発生する実装要因を取り除くことができる。すなわち、本発明に係る導波管アンテナとモジュールとの結合方法によれば、組立実装の際、仕上がり状態が特性に影響することがないので、効率よく安定してマイクロストリップ・ラインとアンテナ間の信号伝送が行なわれる。したがって、本発明を適用して構成されるマイクロ波又はミリ波通信用回路モジュールによれば、損失なく伝達できるので伝送効率が向上する。
【００３０】
また、本発明によれば、導波管アンテナとモジュールとの結合の際に、導波管ガイドを使用することによって、組立作業の難しさがなくなる。すなわち、導波管ガイドとＲＦプローブ部の誘電体基板との接着作業の１回の位置出しあるいはこれらを一体化することにより、以降は精密な位置出し作業なしで組立が可能となる。
【００３１】
このように作業が単純化された結果として、多能工化が図れ手番短縮が図れる。また、組立所要時間を削減し、製品歩留まりの向上が期待されるとともに製造原価を下げることができるので、その量産性への寄与は大きい。また、自動化に対応することが可能となり生産性が向上することから、当該通信用回路モジュールの製品化を促進することができる。
【００３２】
また、本発明に係る導波管ガイドの構造を用いれば、半導体素子を誘電体基板としてそれに含まれるマイクロストリップ・ラインと外部アンテナ間を容易に結合することが可能となり、装置の小型化に貢献することができる。
【００３３】
また、本発明に係る導波管ガイドの構造は、パッケージがセラミックでも金属でも対応することができる。
【００３４】
本発明のさらに他の目的、特徴や利点は、後述する本発明の実施形態や添付する図面に基づくより詳細な説明によって明らかになるであろう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について詳解する。
【００３６】
マイクロ波やミリ波領域において装置の最初の空間電波に接する部位であるアンテナとモジュールは送信や受信の要となる。かかるアンテナとモジュール内で、最初にアンテナと接触するマイクロストリップ・ラインとを結合するためのマイクロ波又はミリ波−導波管変換部分の良否は、装置雑音と出力特性に直接影響を与える。
【００３７】
従来から行なわれている結合法では、高周波信号回路モジュールの入出力がマイクロストリップ・ライン系で配線されているという関係から、直接導波管アンテナへの変換がとられている。そこで、本発明では、導波管アンテナとモジュールとの結合を行なう際に、導波管ガイドを配線基板構造に組み込んでいる。この導波管ガイドは、マイロストリップ・ラインが配線された誘電体基板と導波管アンテナが結合される導波管開口部とをモジュール内部より開口部まで誘導可能な構造をなしており、電波伝送効率を向上し且つ組立実装の効率並びに組立歩留まり向上を図ることができる。
【００３８】
図１には、導波管ガイドを使用したＲＦプローブの断面構造を示している。
【００３９】
セラミックなどからなる誘電体基板１の表面にはマイクロストリップ・ライン２が形成されている。また、マイクロストリップ・ライン２の先端部分をほぼ中心にして、誘電体基板１を貫通する多数のスルーホール３が環状に形成されている。そして、これらスルーホール３内は埋め込まれ、誘電体基板１の裏側に形成されたグランド４すなわち接地面につながっている。各スルーホール３は互いの間隔は信号波長λの１／４以下となるよう複数配列されて環状のスルーホール・パターン（アース・パターン）を構成している。このアース・パターンの環の径は、誘電体基板１の裏面側に取り付けられる導波管の径に応じて決定される。また、グランド４には導波管開口が形成されている。
【００４０】
また、誘電体基板１の表面と裏面はスルーホール３の基板１内側を通して接続され、外部に向かって全面がパターンニングされメタライズした後、Ｎｉ−Ａｕメッキ処理が施されている。但し、上面の一部はマイクロストリップ・ライン２との交差を回避するため、マイクロストリップ・ライン２と交差する両端でスルーホール・パターンが適正に分離されている（図２を参照のこと）。
【００４１】
導波管ガイド６は、誘電体基板１の裏面で、スルーホール３内方のエッジと導波管ガイド６の孔周縁とを精密に位置合わせして接着されている。導波管ガイド６は、セラミック・パッケージ及び配線基板に形成された導波管開口に適合する外径を持ち、マイロストリップ・ライン２が配線された誘電体基板１と導波管アンテナが結合される導波管開口部とをモジュール内部より開口部まで誘導可能な構造をなしている。
【００４２】
また、実装時に、誘電体基板１上面には、金属製のキャップ５がマイクロストリップ・ラインを覆うように取り付けられている（図３を参照のこと）。このキャップ５は、誘電体基板１の裏面からスルーホール３を経て形成されている基板表面のアース・パターンと接着される。
【００４３】
上述したように、マイクロストリップ２と導波管ガイド４が結合された構造によると、マイクロストリップ２からの信号はその先端部より誘電体基板１を通して下方の導波管開口部へ損失なく伝達することができる。また、マイクロストリップ２の先端部より上方に向かった信号は、適正な高さＨに設定されたキャップ５の天井部分で反射され、誘電体基板１を通して導波管開口部へ伝達される。このような動作は、アンテナに入ってくる信号の場合も可逆であり、アンテナへの信号は導波管ガイド６に誘導され、キャップ５での反射効果も相俟ってマイクロストリップ２先端部分に捉えられ、マイクロストリップ・ライン２を伝ってモジュール内部の最初の半導体素子の入力部に伝達される。
【００４４】
図４には、本実施形態に係るＲＦプローブを使用したモジュールの取付構造の断面を示している。
【００４５】
図１の状態に示したＲＦプローブ基板１の上面には、複数のスルーホール３のなすアース・パターンに位置合わせして金属キャップ５が取り付けられる。セラミック製のパッケージ７には、導波管ガイド６を貫挿させるガイド孔が穿設されており、導波管ガイド６に案内されてガイド孔に位置合わせしながらＲＦプローブ基板１を取り付け、Ａｕ−Ｓｎなどの導電性接着剤を使用してこれを固着する。
【００４６】
そして、このパッケージ７上で近隣に搭載されたＭＭＩＣ（モノリシック・ミリメートル波集積回路）９の入出力端子とＲＦプローブ基板１のマイクロストリップ・ライン２の他端とをボンディング・ワイヤを介して接続した後、これらＲＦプローブ基板１及び半導体素子９を含む回路コンポーネントをモジュール蓋体１０で封入して、セラミック・パッケージ７のモジュールが完成する。
【００４７】
このようにＲＦプローブ基板１をセラミック・パッケージ７に取り付ける作業は精密に位置出しして合わせる必要もなく、導波管ガイド６をパッケージ７のガイド孔に入れ固着するだけでよい単純作業となる。
【００４８】
続いて、セラミック・パッケージ７を回路基板８へ取り付ける作業となる。回路基板８には、導波管ガイド６を貫挿させるガイド孔が穿設されており、ＲＦプローブ基板１を搭載したセラミック・パッケージ７の下面から突出している導波管ガイド６に案内されてガイド孔に位置合わせしながら当該パッケージを回路基板８へ取り付ける。そして、セラミック・パッケージ７の裏面に形成された回路パターン（図示しない）を導波管ガイド６回りに回転させながら、回路基板８上のパターンに位置合わせした後、鉛フリー半田などにて加熱溶着する。
【００４９】
このようにセラミック・パッケージ７を回路基板８に取り付ける作業では、各部品同士の機械的ずれは各部品製作時の公差で必ず発生すると思われるが、導波管ガイド６内に影響することは皆無とすることができる。
【００５０】
図５には、本実施形態に係るＲＦプローブ基板をメタル・パッケージに搭載した応用例を示している。
【００５１】
図１の状態に示したＲＦプローブ基板１の上面には、複数のスルーホール３のなすアース・パターンに位置合わせして金属キャップ５が取り付けられる。金属製のパッケージ１１には、導波管ガイド６を貫挿させるガイド孔が穿設されており、導波管ガイド６に案内されてガイド孔に位置合わせしながらＲＦプローブ基板１を取り付け、Ａｕ−Ｓｎなどの導電性接着剤を使用してこれを固着する。
【００５２】
そして、このパッケージ１１上で近隣に搭載されたＭＭＩＣ（モノリシック・ミリメートル波集積回路）９の入出力端子とＲＦプローブ基板１のマイクロストリップ・ライン２の他端とをボンディング・ワイヤを介して接続した後、これらＲＦプローブ基板１及び半導体素子９を含む回路コンポーネントをモジュール蓋体１０で封入して、メタル・パッケージ１１のモジュールが完成する。
【００５３】
このようにＲＦプローブ基板１をメタル・パッケージ１１に取り付ける作業は精密に位置出しして合わせる必要もなく、導波管ガイド６をパッケージ１１のガイド孔に入れ固着するだけでよい単純作業となる。
【００５４】
メタル・パッケージ１１では、モジュール電極が上方より取り出されるため、回路基板はモジュール全体を取り囲むように実装され、全体を他の基板か回路基板の変形（図示しない）により装着される。
【００５５】
また、本発明の変形例として、ＲＦ−ＭＭＩＣ（モノリシック・ミリメートル波集積回路）を直接誘電体基板としてＲＦプローブを実装することもできる。図６にはその構成例を示している。
【００５６】
図示の通り、活性領域が形成された半導体素子の上面には、マイクロストリップ・ライン２が配線技術によって形成される。また、スルーホールとしての複数のＶＩＡホールが環状に配設される。そして、この半導体素子の上面にはスルーホール・パターンに合わせて短絡板キャップ５を取り付けるとともに、その下面にはアース・パターン内方のエッジとを位置合わせして導波管ガイド６を取り付ける。
【００５７】
このようなＲＦプローブ基板は、半導体素子の集積化の進化に適合したものである。
【００５８】
図６に示したように構成されるＲＦプローブは、図１に示した場合と同様に動作し、パッケージ・モジュールへの実装も同様に簡素化される。そして、図４及び図５において、ＲＦプローブの代わりに挿入して装置を構成することができる。したがって、半導体素子の多機能化による小型化の促進をさらに助長するのに要綱であると考えられる。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
以上、特定の実施形態を参照しながら、本発明について詳解してきた。しかしながら、本発明の要旨を逸脱しない範囲で当業者が該実施形態の修正や代用を成し得ることは自明である。すなわち、例示という形態で本発明を開示してきたのであり、本明細書の記載内容を限定的に解釈するべきではない。本発明の要旨を判断するためには、特許請求の範囲を参酌すべきである。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】図１は、導波管ガイドを使用したＲＦプローブの断面構造を示した図である。
【図２】図２は、高周波信号回路と導波管アンテナとの間で高周波信号の授受を行なうためのＲＦプローブ基板の構成例を示した図である。
【図３】図３は、図２に示したＲＦプローブ基板の断面構成例を示した図である。
【図４】図４は、本発明に係るＲＦプローブを使用したモジュールの取付構造の断面を示した図である。
【図５】図５は、本発明に係るＲＦプローブ基板をメタル・パッケージに搭載した応用例を示した図である。
【図６】図６は、ＲＦ−ＭＭＩＣ（モノリシック・ミリメートル波集積回路）を直接誘電体基板としてＲＦプローブを実装した応用例を示した図である。
【図７】図７は、高周波パッケージと導波管を搭載した配線基板の断面構成（従来例）を示した図である。
【図８】図８は、導波管との接続を低損失で低反射にて反りの発生なく行なう接続構造を採用した、高周波素子を搭載したセラミック誘電体基板を搭載した配線基板の断面構成（従来例）を示した図である。
【図９】図９は、グランド層のスロット孔形成表面に第１の誘電体部を介して導体を設け、さらに導体表面に第２の誘電体部を形成して、基板表面に形成された信号伝送線路と導波管との信号の伝送を行なう配線基板の断面構成（従来例）を示した図である。
【符号の説明】
【００６１】
１…誘電体基板
２…マイクロストリップ・ライン
３…スルーホール
４…グランド
５…キャップ
６…導波管ガイド
７…セラミック・パッケージ
８…回路基板
９…ＭＭＩＣ
１０…モジュール蓋体
１１…メタル・パッケージ
【図１】
2006304113.tif 000003
【図２】
2006304113.tif 000004
【図３】
2006304113.tif 000005
【図４】
2006304113.tif 000006
【図５】
2006304113.tif 000007
【図６】
2006304113.tif 000008
【図７】
2006304113.tif 000009
【図８】
2006304113.tif 000010
【図９】
2006304113.tif 000011