(57)【要約】【課題】輝尽性蛍光体層の蒸着開始前に浮遊物が支持体上に付着することを防止して、高鮮鋭な放射線画像変換パネルを製造する放射線画像変換パネルの製造装置及び放射線画像変換パネルの製造方法を提供する。【解決手段】真空容器３と、真空容器３内に設けられ、支持体２に蒸着させる輝尽性蛍光体を収容するるつぼ１０，１０と、るつぼ１０，１０に対向し支持体２を支持する支持体ホルダ４と、るつぼ１０，１０の開口を覆う被覆位置からるつぼ１０，１０からの輝尽性蛍光体の蒸発を妨げない退避位置まで移動可能なシャッタ板１２を備える蒸発源シャッタ１１，１１と、支持体ホルダ４に支持された支持体２の表面を覆う被覆位置から支持体２にかからない退避位置まで移動可能なシャッタ板７を備える支持体シャッタ９と、を備える。【選択図】図１
2006177702.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空容器と、
前記真空容器内に設けられ、支持体に蒸着させる蒸発材料を収容する蒸発源と、
前記蒸発源に対向し支持体を支持する支持体ホルダと、
前記蒸発源の開口を覆う被覆位置から前記蒸発源からの前記蒸発材料の蒸発を妨げない退避位置まで移動可能なシャッタ板を備える蒸発源シャッタと、
前記支持体ホルダに支持された前記支持体の表面を覆う被覆位置から前記支持体を露出させる退避位置まで移動可能なシャッタ板を備える支持体シャッタと、
を備えることを特徴とする放射線画像変換パネルの製造装置。
【請求項２】
前記支持体シャッタは、前記シャッタ板を巻き取る巻き取り機構を備えたことを特徴とする請求項１に記載の放射線画像変換パネルの製造装置。
【請求項３】
前記支持体シャッタは、前記シャッタ板を前記支持体の表面を覆う被覆位置から前記支持体を露出させる退避位置まで案内するガイドレールを備えたことを特徴とする請求項１に記載の放射線画像変換パネルの製造装置。
【請求項４】
真空容器内において、蒸発源から蒸発する蒸発材料を支持体に蒸着させる蒸着工程と、
蒸発源シャッタのシャッタ板を、前記蒸発源の開口を覆う被覆位置から前記蒸発源からの前記蒸発材料の蒸発を妨げない退避位置まで移動させる蒸発源シャッタ移動工程と、
支持体ホルダのシャッタ板を、前記支持体の表面を覆う被覆位置から前記支持体を露出させる退避位置まで移動させる支持体シャッタ移動工程と、
を備えることを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線画像変換パネルの製造装置及び放射線画像変換パネルの製造方法に係り、特に、表面に輝尽性蛍光体層が形成された放射線画像変換パネルの製造装置及びこの放射線画像変換パネルの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、銀塩を使用しないで放射線画像を得る方法として、支持体上に輝尽性蛍光体層を形成した放射線画像変換パネルが開発されている。
【０００３】
放射線画像変換パネルは、被写体を透過した放射線を輝尽性蛍光体層に吸収させ、被写体各部の放射線透過密度に対応する放射線エネルギーを蓄積することができる。その後、可視光線、赤外線などの電磁波（励起光）によって輝尽性蛍光体を時系列的に励起することにより、輝尽性蛍光体中に蓄積されている放射線エネルギーを輝尽発光光として放出させる。そしてこの光の強弱による信号を、例えば光電変換して電気信号とし、ハロゲン化銀写真感光材料などの記録材料、ＣＲＴなどの表示装置上に可視像として再生することができるものである。
【０００４】
輝尽性蛍光体層が形成された放射線画像変換パネルを高感度かつ高鮮鋭なものとするためには、支持体上に輝尽性蛍光体層を柱状結晶化させることが必要であるが、近年、ＣｓＢｒなどのハロゲン化アルカリを母体とする輝尽性蛍光体層を蒸着法により形成すると非常に高感度の放射線画像変換パネルが得られることが報告されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
このように蒸着法により輝尽性蛍光体層を形成して放射線画像変換パネルを製造する製造装置としては、従来より、図４に示すような製造装置が知られている。すなわち、従来の製造装置は、真空容器２０を備えており、この真空容器２０の内部の上方に支持体２１を保持する支持体ホルダ２２を設け、真空容器２０の内部の底面付近に輝尽性蛍光体を加熱し蒸気を蒸発領域２３に発生させる蒸発源２４，２４を備えている。このような放射線画像変換パネルの製造装置は、支持体ホルダ２２を回転させる支持体回転機構２５を備えており、この支持体回転機構２５によって支持体ホルダ２２に支持された支持体２１を回転させながら蒸発源２４，２４から発生した蒸気を支持体２１の表面に蒸着させることによって支持体２１の上に輝尽性蛍光体層を形成するようになっている。
【特許文献１】特開２００１−２４９１９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
高感度かつ高鮮鋭の放射線画像変換パネルを形成するためには、輝尽性蛍光体を支持体に均一に蒸着させて、支持体上に形成される輝尽性蛍光体の柱状結晶を均一にすることが必要とされる。
【０００７】
しかしながら、前記真空容器内にはＣｓＢｒ：Ｅｕ粉塵、各種有機物、繊維状異物等が浮遊しており、輝尽性蛍光体層の蒸着開始前にこうした浮遊物が支持体の上に付着することが起こり得る。そして、支持体上にこのような浮遊物が付着した状態で輝尽性蛍光体層の蒸着を行うと、浮遊物が付着しているところでは輝尽性蛍光体の柱状結晶が付着物の上にその付着物を頂点としてほぼ円錐形状に成長し、その結果支持体の上に形成される輝尽性蛍光体層の表面に突起状の異常成長が発生する。
【０００８】
放射線画像変換パネルを用いて放射線画像を得る場合には、放射線画像変換パネルに放射線を曝射した後に輝尽性蛍光体層の表面を半導体レーザ等の輝尽励起光で走査することにより放射線画像を得るが、輝尽性蛍光体層に突起状の異常成長が発生している場合、このような放射線画像変換パネルを放射線画像撮影に用いると、輝尽励起光がこの突起状に異常成長した柱状結晶によって散乱されて、放射線画像上に画像情報を持たない、いわゆる画像欠点が発生する。このような画像欠点がある場合には、放射線画像を用いた診断等を行う際に悪影響を及ぼすという問題がある。
【０００９】
そこで、本発明は以上のような課題を解決すべくなされたものであり、輝尽性蛍光体層の蒸着開始前に浮遊物が支持体上に付着することを防止して、高鮮鋭な放射線画像変換パネルを製造する放射線画像変換パネルの製造装置及び放射線画像変換パネルの製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
このような問題を解決するため、請求項１に記載されている発明は、真空容器と、
前記真空容器内に設けられ、支持体に蒸着させる蒸発材料を収容する蒸発源と、
前記蒸発源に対向し支持体を支持する支持体ホルダと、
前記蒸発源の開口を覆う被覆位置から前記蒸発源からの前記蒸発材料の蒸発を妨げない退避位置まで移動可能なシャッタ板を備える蒸発源シャッタと、
前記支持体ホルダに支持された前記支持体の表面を覆う被覆位置から前記支持体を露出させる退避位置まで移動可能なシャッタ板を備える支持体シャッタと、
を備えることを特徴としている。
【００１１】
このような構成を有する請求項１に記載の発明は、非蒸着時には、蒸発源の開口を蒸発源シャッタのシャッタ板で覆うとともに支持体の表面を支持体シャッタのシャッタ板で覆うようになっており、蒸着時には、両シャッタがともに開となる。これによって、支持体に浮遊物等が付着するのを防止しうるとともに蒸発源から発生し真空容器内に蒸散した蒸発材料を支持体ホルダに支持された支持体の表面に蒸着させ、輝尽性蛍光体層を形成するようになっている。
【００１２】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の放射線画像変換パネルの製造装置において、前記支持体シャッタは、前記シャッタ板を巻き取る巻き取り機構を備えたことを特徴としている。
【００１３】
したがって、請求項２に記載の発明では、巻き取り機構によりシャッタ板を巻き取ることによって、支持体シャッタのシャッタ板が支持体の表面を覆う被覆位置から支持体を露出させる退避位置まで移動できるようになっている。
【００１４】
さらに、請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の放射線画像変換パネルの製造装置において、前記支持体シャッタは、前記シャッタ板を前記支持体の表面を覆う被覆位置から前記支持体を露出させる退避位置まで案内するガイドレールを備えたことを特徴としている。
【００１５】
このように、請求項３に記載の発明は、ガイドレールに沿ってシャッタ板が案内されることにより、支持体シャッタのシャッタ板が支持体の表面を覆う被覆位置から支持体を露出させる退避位置まで移動ことができるようになっている。
【００１６】
請求項４に記載されている発明は、真空容器内において、蒸発源から蒸発する蒸発材料を支持体に蒸着させる蒸着工程と、
蒸発源シャッタのシャッタ板を、前記蒸発源の開口を覆う被覆位置から前記蒸発源からの前記蒸発材料の蒸発を妨げない退避位置まで移動させる蒸発源シャッタ移動工程と、
支持体ホルダのシャッタ板を、前記支持体の表面を覆う被覆位置から前記支持体を露出させる退避位置まで移動させる支持体シャッタ移動工程と、
を備えることを特徴としている。
【００１７】
このような構成を有する請求項４に記載の発明は、蒸発源シャッタのシャッタ板を、非蒸着時には前記蒸発源の開口を覆う被覆位置に位置し、蒸着時には退避位置に位置するように移動させるとともに、支持体ホルダのシャッタ板を、非蒸着時には前記支持体の表面を覆う被覆位置に位置し、蒸着時には退避位置に位置するように移動させる。そして、両シャッタがともに開となった状態で蒸発源から蒸発する蒸発材料を支持体に蒸着させ、輝尽性蛍光体層を形成するようになっている。
【発明の効果】
【００１８】
請求項１に記載された発明によれば、蒸発源の開口を覆う蒸発源シャッタの他に支持体の表面を覆う支持体シャッタを備えているので、るつぼ内の蒸発材料が溶融して蒸着に適した状態になるまで支持体をシャッタで覆っておくことができる。これにより、蒸着前に支持体の上に真空容器内部の浮遊物等が付着するのを防止することができ、付着した浮遊物を核として輝尽性蛍光体の結晶が突起状に異常成長することがない。したがって、画像欠点のない高鮮鋭な放射線画像変換パネルを製造することができるという効果を奏する。
【００１９】
請求項２に記載された発明によれば、巻き取り機構によってシャッタ板を巻き取る構成であるため、蒸着前には支持体の上に真空容器内部の浮遊物等が付着するのを防止することができるとともに、蒸着時には場所を取ることなくシャッタ板を退避させることができるという効果を奏する。
【００２０】
請求項３に記載された発明によれば、ガイドレールに沿ってシャッタ板を移動させるため、簡易な構成によって蒸着前には支持体の上に真空容器内部の浮遊物等が付着するのを防止することができるとともに、蒸着時には場所を取ることなくシャッタ板を退避させることができるという効果を奏する。
【００２１】
請求項４に記載された発明によれば、非蒸着時には、蒸発源シャッタによって蒸発源の開口を覆う他、支持体シャッタによって支持体の表面を覆うため、るつぼ内の蒸発材料が溶融して蒸着に適した状態になり蒸着を開始する前において支持体の上に真空容器の内部の浮遊物等が付着するのを防止することができ、付着した浮遊物を核として輝尽性蛍光体の結晶が突起状に異常成長することがない。したがって、画像欠点のない高鮮鋭な放射線画像変換パネルを製造することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、図１及び図２を参照しつつ、本発明に係る放射線画像変換パネルの製造装置及び放射線画像変換パネルの製造方法の一実施形態について説明する。
【００２３】
本実施の形態において、放射線画像変換パネルの製造装置１は、シート状の支持体２の表面に真空蒸着によって輝尽性蛍光体層を形成し放射線画像変換パネルを製造するものであり、図１に示すように、真空容器３を備えている。真空容器３には、図示しない真空ポンプが接続されており、この真空ポンプが内部の排気を行うことにより、真空容器３の真空状態が保たれるようになっている。
【００２４】
真空容器３の内部の上面付近には、支持体２を保持する支持体ホルダ４が備えられている。
【００２５】
支持体２は、その表面に輝尽性蛍光体層を蒸着させるものであり、一般に各種のガラス、高分子材料、金属などが用いられるが、本実施形態においては、特に樹脂などの高分子材料又はアルミニウムシート、鉄シート、銅シートなどの金属シートが好適に適用される。また、支持体２の厚さは一般に８０μｍ〜５０００μｍであり、取り扱い上の点から８０μｍ〜３０００μｍであることが好ましい。
【００２６】
支持体ホルダ４には、支持体２を真空容器３の底面に対して水平方向に回転させる支持体回転機構５が設けられている。支持体回転機構５は、支持体ホルダ４を支持すると共に支持体ホルダ４を回転させる回転軸６と、真空容器３の外に配置されて回転軸６の駆動源となるモータ（図示せず）とから構成されている。なお、支持体ホルダ４及びこれに支持された支持体２を回転させる構成はここに例示したものに限定されず、他の構成によって回転するものとしてもよい。
【００２７】
なお、支持体ホルダ４には、支持体２を加熱するヒータ等の加熱手段（図示せず）を備えることが好ましい。ヒータ等によって支持体２を加熱することにより、支持体２の支持体ホルダ４に対する密着性を強化したり、輝尽性蛍光体層の膜質調整を行うことが可能となる。また、支持体２の表面の吸着物を離脱・除去し、支持体２の表面と輝尽性蛍光体との間に不純物層が発生することを防止することができる。また、加熱手段はヒータに限定されず、ヒータに替えて温媒又は熱媒を循環させるための機構（図示せず）を有していてもよい。この場合には、蒸着時の基板温度を５０〜１５０℃といった比較的低温に保持して蒸着する場合に適している。
【００２８】
支持体ホルダ４の下方一端には、例えば、支持体の表面積と同じかそれ以上の表面積を有するシャッタ板７とシャッタ板７を巻き取る巻き取り機構８とを備える支持体シャッタ９が設けられている。シャッタ板７は、例えば、巻き取り機構８の長手方向に沿って延在する複数の短冊状の板状部材（図示せず）からなり、隣り合う短冊状の板状部材が互いにヒンジ結合されたものである。巻き取り機構８は、シャッタ板７の一端が係止される回転軸（図示せず）を備えており、回転軸は図示しない駆動源によって正逆両方向に回転可能となっている。巻き取り機構８の回転軸が回転することにより、シャッタ板７が順次巻き取り機構８の中に巻き取られ、支持体２の表面全体を覆う被覆位置から支持体２を露出させる退避位置まで移動可能となっている。
【００２９】
また、真空容器３の内部の底面付近には、輝尽性蛍光体を蒸気として蒸着させる蒸発源として金属製のるつぼ１０が２つ配設されている。このるつぼ１０，１０には、蒸着により支持体２の表面に輝尽性蛍光体層を形成する蒸発材料として輝尽性蛍光体（図示せず）が収容されており、るつぼ１０，１０は支持体ホルダ４に支持される支持体２に対向する側に図示しない開口を有している。
【００３０】
るつぼ１０，１０は、例えば、アルミナ等によって形成されており、るつぼ１０，１０の周面にはヒータ（図示せず）が巻きつけられている。るつぼ１０，１０は、例えば、ヒータが抵抗加熱によって発熱することによって加熱され、これにより、るつぼ１０，１０の内部の輝尽性蛍光体を溶融させて、真空容器３の内部に蒸気を発生させるようになっている。蒸気は、例えば、図１に示すような蒸発領域１３に拡散して支持板２に蒸着するようになっている。なお、るつぼ１０，１０の構成は、ここに例示したものに限定されず、例えば、るつぼ１０，１０自体に直接誘導電流を生じさせて加熱することができる高周波発振コイルを設け、高周波誘導加熱方式によりるつぼ１０，１０内の原料を溶融させるようにしてもよい。また、るつぼ１０，１０を形成する材料はここに例示したものに限定されない。例えば、高融点金属等を用いてもよい。さらに、蒸発源として、各種形状の真空蒸着用ボートを用いて原料を溶融させるようにしてもよい。
【００３１】
なお、支持体２とるつぼ１０，１０との間隔は、１００ｍｍ〜１５００ｍｍに設置するのが好ましい。
【００３２】
各るつぼ１０，１０の上方には、るつぼ１０，１０から支持体２に至る空間を遮断するるつぼシャッタ１１，１１がそれぞれ設けられている。各るつぼシャッタ１１，１１は、るつぼ１０，１０の開口よりも広い表面積を有しるつぼ１０，１０から蒸発する蒸気の蒸発領域１３を遮ることのできる大きさに形成されたシャッタ板１２，１２を備えており、シャッタ板１２，１２は、例えば、図示しない駆動源により、ガイドレール（図示せず）に沿ってるつぼ１０，１０から蒸発する蒸気の上昇、拡散を妨げる被覆位置から蒸気の上昇、拡散を妨げない退避位置まで移動可能となっている。このように、るつぼシャッタ１１，１１を設けることにより、輝尽性蛍光体の表面に付着した目的物以外の物質が蒸着の初期段階で蒸発し、支持体２に付着するのを防ぐことができる。なお、るつぼシャッタ１１，１１の構成及びるつぼシャッタ１１，１１を移動させる機構はここに例示したものに限定されない。
【００３３】
ここで、本実施形態に使用される蒸発材料について説明する。本実施形態における蒸発材料は、蛍光体若しくはその原料を含むものであり、下記の一般式（１）で表される輝尽性蛍光体を使用することが好ましい。
【００３４】
一般式（１）
Ｍ1Ｘ・ａＭ2Ｘ'2・ｂＭ3Ｘ"3：ｅＡ
［式中、Ｍ1はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓの各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属原子であり、Ｍ2はＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉの各原子から選ばれる少なくとも１種の二価金属原子であり、Ｍ3はＳｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎの各原子から選ばれる少なくとも１種の三価金属原子であり、Ｘ、Ｘ'、Ｘ"はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩの各原子から選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子であり、ＡはＥｕ、Ｔｂ、Ｉｎ、Ｃｅ、Ｔｍ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｙｂ、Ｅｒ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｍ、Ｙ、Ｔｌ、Ｎａ、Ａｇ、Ｃｕ及びＭｇの各原子から選ばれる少なくとも１種の金属原子であり、また、ａ、ｂ、ｅはそれぞれ０≦ａ＜０．５、０≦ｂ＜０．５、０＜ｅ＜１．０の範囲の数値を表す。］
【００３５】
上記一般式（１）で表される輝尽性蛍光体において、Ｍ1は、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ及びＣｓ等の各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ金属原子を表し、中でもＲｂ及びＣｓの各原子から選ばれる少なくとも１種のアルカリ土類金属原子が好ましく、さらに好ましくはＣｓ原子である。
【００３６】
Ｍ2は、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｃｕ及びＮｉ等の各原子から選ばれる少なくとも１種の二価の金属原子を表すが、中でも好ましく用いられるのは、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａ等の各原子から選ばれる二価の金属原子である。
【００３７】
Ｍ3は、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎ等の各原子から選ばれる少なくとも１種の三価の金属原子を表すが、中でも好ましく用いられるのはＹ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ａｌ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｇａ及びＩｎ等の各原子から選ばれる三価の金属原子である。
【００３８】
輝尽性蛍光体の輝尽発光輝度向上の観点から、Ｘ、Ｘ'及びＸ"はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＩの各原子から選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子を表すが、Ｆ、Ｃｌ及びＢｒから選ばれる少なくとも１種のハロゲン原子が好ましく、中でも好ましく用いられるのは、Ｂｒ原子である。
【００３９】
また、一般式（１）において、ａ値は０≦ａ＜０．５、ｂ値は０≦ｂ＜０．５、ｅ値は０＜ｅ≦１．０の範囲の数値を示し、特にｂは０≦ｂ≦１０-2 の範囲の数値を示すことが好ましい。
【００４０】
また、この中でも特に、下記一般式（２）で表される蛍光体若しくはその原料を含むことが好ましい。
【００４１】
一般式（２）
ＣｓＢｒ：ｅＥｕ
【００４２】
ここで、ｅ値は０．０００１＜ｅ≦１．０の範囲の数値を示す。
【００４３】
ここで、輝尽性蛍光体層は互いに独立した細長い柱状結晶構造を有しており、個々の径及び形状が揃った柱状結晶１４であることが好ましい。そして、支持体２の表面が平板である場合には、柱状結晶１４がほぼ等しい径及び形状で支持体２の表面全体に均一に成長し、輝尽性蛍光体層の表面は柱状結晶１４が整列した概略平面構造となる。しかし、支持体２の表面に付着物１５がある場合には、図２に示すように、柱状結晶１４はこの付着物１５を核とし、付着物１５との接点を頂点としてほぼ円錐形状に成長し、最終的に形成された輝尽性蛍光体層の表面において突起状異常成長１６として発生する。このような突起状異常成長１６が現れている輝尽性蛍光体層からなる放射線画像変換パネルを放射線画像撮影に用いると、輝尽励起光を照射した際、輝尽励起光がこの突起状異常成長１６によって散乱されて、放射線画像上に画像情報を持たない、いわゆる画像欠点が発生し、高精度の診断画像を得ることができない。そこで、全体に均一な輝尽性蛍光体層を形成して高精度の診断画像を得ることのできる放射線画像変換パネルを製造するためには、輝尽性蛍光体の蒸気が蒸着する前に支持体２の表面に付着物１５が付着しないようにすることが必要となる。
【００４４】
次に、前記放射線画像変換パネルの製造装置１を用いた本発明に係る放射線画像変換パネルの製造方法について説明する。
【００４５】
前記放射線画像変換パネルの製造装置１を用いて支持体２に輝尽性蛍光体層を形成するには、まず、支持体ホルダ４に支持体２を取付ける。
【００４６】
そして、まず、るつぼ１０，１０に輝尽性蛍光体を充填するとともにヒータによってるつぼ１０，１０を加熱し、るつぼ１０，１０の内部に収容された輝尽性蛍光体を融点に達するまで加熱する。次に、真空ポンプによって真空容器３の内部を真空排気する。なお、この際、Ａｒガス、Ｎｅガス等の不活性ガスを導入してもよい。この間、支持体シャッタ９のシャッタ板７及びるつぼシャッタ１１，１１のシャッタ板１２，１２はともに被覆位置に位置し、蒸着に適した状態になる前に支持体２に浮遊物等が付着することがないようになっている。
【００４７】
その後、真空容器３が蒸着可能な真空度に達し、かつ、るつぼ１０，１０の内部に収容された輝尽性蛍光体が蒸着に適した温度まで加熱されたら、支持体回転機構５により支持体ホルダ４をるつぼ１０，１０に対して水平方向に回転させる。そして、まず、支持体シャッタ９の巻き取り機構８でシャッタ板７を巻き取ることによってシャッタ板７を支持板２の表面を露出させる所定の退避位置まで移動させ、その直後に、るつぼシャッタ１１，１１のシャッタ板１２，１２をるつぼ１０，１０の開口を露出させる所定の退避位置まで移動する。このように支持体シャッタ９のシャッタ板７が退避位置に移動した直後にるつぼシャッタ１１，１１のシャッタ板１２，１２を退避位置に移動させることによって、蒸着開始前に支持体２に浮遊物等が付着することを防止するとともに、るつぼ１０，１０から発生する蒸気を無駄なく支持体２に蒸着させることができる。
【００４８】
なお、支持体シャッタ９のシャッタ板７及びるつぼシャッタ１１，１１のシャッタ板１２，１２を退避位置にするタイミングは、製造装置１によって自動的に制御されるようにしてもよいし、ユーザ等が真空容器３の真空度、るつぼ１０，１０内の輝尽性蛍光体の加熱具合等を見ながら手動によりタイミングを合わせて開閉動作を行うようにしてもよい。
【００４９】
支持体シャッタ９が退避位置にある状態でるつぼシャッタ１１，１１を退避位置に移動させることにより、加熱されたるつぼ１０，１０から輝尽性蛍光体が蒸発し、蒸気が真空容器３の内部の蒸発領域１３に拡散して回転する支持体２の表面に均一に蒸着し、輝尽性蛍光体層が形成される。なお、蒸着は、輝尽性蛍光体層が所望の厚さに成長するまで行うが、この輝尽性蛍光体層は、１０μｍ〜２０００μｍの膜厚に形成されることが好ましく、さらには、５０μｍ〜１０００μｍの膜厚に形成されることが好ましい。
【００５０】
以上の放射線画像変換パネルの製造装置１又は放射線画像変換パネルの製造方法によれば、るつぼシャッタ１１，１１の他に支持体２の全面を覆うことのできる支持体シャッタ９を設けて、るつぼシャッタ１１，１１のシャッタ板１２，１２が退避位置に移動する直前に前記支持体シャッタ９のシャッタ板７を退避位置に移動させるので、輝尽性蛍光体が蒸着に適した状態になる前に支持体２に浮遊物等が付着することを確実に防止することができる。
【００５１】
したがって、輝尽性蛍光体の柱状結晶１４を支持体２の上に均一に成長させることができ、輝度及び鮮鋭性にばらつきのない輝尽性蛍光体層を形成することが可能となる。これにより、画像欠点のない高精度の放射線画像変換パネルを製造することが可能となる。
【００５２】
また、本実施形態においては、支持体シャッタ９は、シャッタ板７とシャッタ板７を巻き取る巻き取り機構８とを備え、巻き取り機構８によってシャッタ板７が被覆位置から退避位置まで移動するものとしたが、支持体シャッタ９の構成はここに例示したものに限定されない。
【００５３】
例えば、図３に示すように、支持体シャッタ１７として支持体２の表面積よりも大きく形成されたシャッタ板１８と、真空容器３の内側両側壁に設けられシャッタ板１８を支持体２と平行する位置から真空容器３の側壁と平行する位置まで案内するガイドレール（図示せず）とを備えるようにしてもよい。この場合、非蒸着時にはシャッタ板１８はガイドレールに支持されて支持体２の表面全体を覆う被覆位置に位置し、蒸着時にはシャッタ板１８はガイドレールに沿って真空容器３の側壁と平行となる退避位置まで退避することにより支持体２を露出させるようになっている。また、例えば、支持体の表面のほぼ半分を覆う大きさに形成されたシャッタ板を設け、各シャッタ板を回転自在に支持する回転軸を設けて、各シャッタ板が回転軸を支点として水平方向に回転することにより支持体の中央付近で２つのシャッタ板が重なり合い、支持体の表面全体が覆われるようにしてもよい。
【００５４】
なお、本実施形態では、支持体シャッタ９を開とした直後にるつぼシャッタ１１，１１を開とするようにしたが、支持体シャッタ９を開とした直後にるつぼシャッタ１１，１１を開とするタイミングはこれに限定されない。例えば、支持体シャッタ９とるつぼシャッタ１１，１１とを同時に開としてもよいし、るつぼシャッタ１１，１１を開としてから支持体シャッタ９を開としてもよい。
【００５５】
さらに、本実施形態では、製造装置１は蒸発源としてるつぼ１０を２つ備えるものとしたが、るつぼ１０の数はこれに限定されず、例えば、１個のみとしてもよいし、３個以上設けてもよい。
【００５６】
その他、本発明が上記実施の形態に限らず適宜変更可能であるのは勿論である。
【実施例】
【００５７】
次に、本発明にかかる放射線画像変換パネルの製造装置及び放射線画像変換パネルの製造方法について、実施例を挙げて具体的に説明する。なお、本発明の実施態様はこれらに限定されるものではない。
[実施例１]
【００５８】
本実施例においては、図１に示す放射線画像変換パネルの製造装置を使用して支持体の片面に輝尽性蛍光体（ＣｓＢｒ：０．０００１Ｅｕ）を蒸着させ、輝尽性蛍光体層を形成した。なお、蒸発源としては、抵抗加熱式のるつぼを用い、支持体としては０．５ｍｍ厚のＡｌ板（１００ｍｍ×１００ｍｍ）を使用した。また、支持体とるつぼとの間の距離は６０ｃｍとした。また、支持体から２ｃｍ離れた下方に、支持体の表面全体を覆うことが可能なシャッタ板とシャッタ板を巻き取る巻き取り機構を備える支持板シャッタを配した。
まず、前記輝尽性蛍光体を蒸着材料として各るつぼに充填するとともに、支持体ホルダに支持体を支持させた。
続いて、製造装置の真空容器の内部を一旦排気し、Ａｒガスを導入して０．１Ｐａに真空度を調整した後、支持体ホルダを回転させながら図示しない加熱ランプによって支持体を加熱し、その温度を１００℃に保持した。
次いで、まず各るつぼを加熱して内部に収容されている輝尽性蛍光体を溶融させ、その後、支持体シャッタのシャッタ板を退避位置まで退避させた。
続いて各るつぼに設けられたるつぼシャッタのシャッタ板を退避位置まで退避させて真空容器内の蒸発領域に蒸気を発生させ、蒸着を３０分間行った後るつぼシャッタを閉じて各るつぼからの蒸発を終了した。これにより、膜厚４００μから成る実施例１の放射線画像変換パネルを製造した。
[実施例２]
【００５９】
本実施例においては、図３に示す放射線画像変換パネルの製造装置を使用して支持体の片面に輝尽性蛍光体（ＣｓＢｒ：０．０００１Ｅｕ）を蒸着させ、輝尽性蛍光体層を形成し、膜厚４００μから成る放射線画像変換パネルを製造した。なお、製造装置の構成は、支持体シャッタが巻き取り機構を備えておらずガイドレールに沿って支持体の表面を覆う位置から支持体の表面にかからない退避位置まで退避するシャッタ板を備えていること以外は、実施例１と同様であり、また、その他の各条件についても実施例１と同様である。
なお、本実施例に用いた製造装置は、実施例１に用いた製造装置よりも支持体シャッタのシャッタ板を移動させる機構が単純であるため、シャッタ板の退避時に発生する粉塵等の発生は実施例１よりは少なかった。
[比較例]
【００６０】
支持体の側にシャッタを設けないこと以外は、実施例１及び実施例２と同様の構成の製造装置を用い、実施例１及び実施例２と同様の条件において膜厚４００μから成る放射線画像変換パネルを製造した。
【００６１】
以上のようにして得られた各放射線画像変換パネルについて、輝尽性蛍光体層の表面に照明光をあてることにより輝尽性蛍光体層の表面に発生した突起状の異常成長物（図２参照）の大きさ、個数の計測を行った。
【表１】
2006177702.tif 000003
【００６２】
以上、表１に示すように、支持体側に巻き取り機構を備えた支持体シャッタを設けた実施例１の場合には、輝尽性蛍光体層の表面に発生する５０μｍ以上の大きさの突起状異常成長は１ｍｍ２あたりに２個計測され、支持体側にガイドの沿って移動可能なシャッタ板を備えた支持体シャッタを設けた実施例２の場合には、輝尽性蛍光体層の表面に発生する５０μｍ以上の大きさの突起状異常成長は１ｍｍ２あたりに１個計測された。これに対して、比較例のように支持体側にシャッタを設けない場合には、輝尽性蛍光体層の表面に発生する５０μｍ以上の大きさの突起状異常成長は１ｍｍ２あたりに１８個計測された。
【００６３】
この結果から、るつぼシャッタを開けて輝尽性蛍光体の蒸着を開始するまでシャッタ板によって支持体を覆った場合には、支持体に浮遊物等が付着することを防止することができ、輝尽性蛍光体層の表面に発生する５０μｍ以上の大きさの突起状異常成長の発生を抑えて高精度の放射線画像変換パネルを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明に係る放射線画像変換パネルの製造装置の一実施形態の概略構成を模式的に示した側面図である。
【図２】輝尽性蛍光体層の柱状結晶及び輝尽性蛍光体層の表面に発生する突起状異常成長の模式図である。
【図３】本発明に係る放射線画像変換パネルの製造装置の一実施形態の変形例の概略構成を模式的に示した側面図である。
【図４】従来の放射線画像変換パネルの製造装置の一例の概略構成を模式的に示した側面図である。
【符号の説明】
【００６５】
１  放射線画像変換パネルの製造装置
２  支持体
３  真空容器
４  支持体ホルダ
９  支持体シャッタ
１０  るつぼ
１１  るつぼシャッタ
１３  蒸発領域
【図１】
2006177702.tif 000004
【図２】
2006177702.tif 000005
【図３】
2006177702.tif 000006
【図４】
2006177702.tif 000007