(57)【要約】【課題】  ネマチック相の高い上限温度、低いネマチック相の下限温度、小さな粘度、適切な光学異方性、低いしきい値電圧、および大きな比抵抗の特性において、複数の特性を充足する液晶組成物を提供する。【解決手段】  第一成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第二成分として式（２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第三成分として式（３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第四成分として式（４）および式（５）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有する液晶組成物。2006089703.tif 000031Ｒ１はアルキルであり；Ｒ２はアルケニルであり；Ｒ３はアルキルまたはアルケニルであり；Ａ１およびＡ２は例えば１，４−フェニレンであり；Ｚ１、Ｚ２およびＺ３は例えば単結合であり；Ｙ１およびＹ２は例えばフッ素である。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第二成分として式（２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第三成分として式（３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第四成分として式（４）および式（５）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有する液晶組成物。
2006089703.tif 000024
式において、Ｒ１はアルキルであり；Ｒ２はアルケニルであり；Ｒ３はアルキルまたはアルケニルであり；Ａ１は１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンであり；Ａ２は１，４−フェニレンまたは２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレンであり；Ｚ１は単結合または−ＣＯＯ−であり；Ｚ２は単結合または−（ＣＨ２）２−であり；Ｚ３は単結合、−ＣＯＯ−または−ＣＦ２Ｏ−であり；Ｙ１はアルキル、フッ素、塩素、または−ＯＣＦ３であり；そして、Ｙ２はフッ素または−ＯＣＦ３である。
【請求項２】
第四成分が式（４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である、請求項１に記載の液晶組成物。
【請求項３】
第一成分を５〜３０重量％の範囲で、第二成分を２０〜５５重量％の範囲で、第三成分を１０〜５５重量％の範囲で、および第四成分を５〜４０重量％の範囲で含有する、請求項１または２に記載の液晶組成物。
【請求項４】
第一成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第二成分として式（２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第三成分として式（３−１）および式（３−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第四成分として式（４−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有する液晶組成物。
2006089703.tif 000025
式において、Ｒ１はアルキルであり；Ｒ２はアルケニルであり；Ｒ３はアルキルまたはアルケニルであり；Ａ１は１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンであり；Ａ２は１，４−フェニレンまたは２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレンであり；Ｚ５は単結合または−ＣＦ２Ｏ−であり；そして、Ｙ３はフッ素または塩素である。
【請求項５】
第三成分が式（３−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である、請求項４に記載の液晶組成物。
【請求項６】
第三成分が式（３−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（３−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である、請求項４に記載の液晶組成物。
【請求項７】
第一成分を５〜３０重量％の範囲で、第二成分を２０〜５５重量％の範囲で、第三成分を１０〜５５重量％の範囲で、および第四成分を５〜４０重量％の範囲で含有する、請求項４〜６のいずれか１項に記載の液晶組成物。
【請求項８】
第一成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第二成分として式（２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第三成分として式（３−１）および式（３−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第四成分として式（４−１−１）および式（４−１−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有する液晶組成物。
2006089703.tif 000026
式において、Ｒ１はアルキルであり；Ｒ２はアルケニルであり；Ｒ３はアルキルまたはアルケニルであり；Ａ１は１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンであり；そして、Ｙ３はフッ素または塩素である。
【請求項９】
第三成分が式（３−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である、請求項８に記載の液晶組成物。
【請求項１０】
第三成分が式（３−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（３−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である、請求項８に記載の液晶組成物。
【請求項１１】
第四成分が式（４−１−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である、請求項８〜１０のいずれか１項に記載の液晶組成物。
【請求項１２】
第四成分が式（４−１−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および式（４−１−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である、請求項８〜１０のいずれか１項に記載の液晶組成物。
【請求項１３】
第一成分を５〜３０重量％の範囲で、第二成分を２０〜５５重量％の範囲で、第三成分を１０〜５５重量％の範囲で、および第四成分を５〜４０重量％の範囲で含有する、請求項８〜１２のいずれか１項に記載の液晶組成物。
【請求項１４】
第五成分として式（６）、式（７）および式（８）で表される化合物の群から選択される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物をさらに含有する請求項１〜１３のいずれか１項に記載の液晶組成物。
2006089703.tif 000027
式において、Ｒ１はアルキルであり；Ｒ３はアルキルまたはアルケニルであり；Ｒ４はアルキルまたはアルコキシメチルであり；Ａ１は１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンであり；Ａ３は１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレンまたは２−フルオロ−１，４−フェニレンであり；Ａ４は１，４−フェニレンまたは２−フルオロ−１，４−フェニレンであり；Ｚ１は単結合または−ＣＯＯ−であり；Ｚ２は単結合または−（ＣＨ２）２−であり；Ｚ４は単結合、−（ＣＨ２）２−、−ＣＯＯ−、または−ＣＦ２Ｏ−であり；Ｘ１は水素またはフッ素であり；そして、Ｙ２はフッ素または−ＯＣＦ３である。
【請求項１５】
第五成分として式（６−１）、式（７−１）および式（８−１）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する請求項１〜１３のいずれか１項に記載の液晶組成物。
2006089703.tif 000028
式において、Ｒ１およびＲ５は独立してアルキルであり；そして、Ｚ５は単結合または−ＣＦ２Ｏ−である。
【請求項１６】
第五成分が１〜３０重量％の範囲である請求項１４または１５のいずれか１項に記載の液晶組成物。
【請求項１７】
酸化防止剤をさらに含有する請求項１〜１６のいずれか１項に記載の液晶組成物。
【請求項１８】
酸化防止剤が式（９）で表される化合物である請求項１７に記載の液晶組成物。
2006089703.tif 000029
【請求項１９】
酸化防止剤が式（１２）で表される化合物である請求項１７に記載の液晶組成物。
2006089703.tif 000030
ここでｎは、２〜９の整数である。
【請求項２０】
液晶性化合物の全重量に基づいて、酸化防止剤が５０〜６００ｐｐｍの範囲である請求項１７〜１９に記載の液晶組成物。
【請求項２１】
請求項１〜２０のいずれか１項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主としてＡＭ（active matrix）素子に適する液晶組成物およびこの組成物を含有するＡＭ素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示素子において、液晶の動作モードに基づいた分類は、ＰＣ（phase change）、ＴＮ（twisted nematic）、ＳＴＮ（super twisted nematic）、ＯＣＢ（optically compensated bend）、ＩＰＳ（in-plane switching）、ＶＡ（vertical alignment）などである。素子の駆動方式に基づいた分類は、ＰＭ（passive matrix）とＡＭ（active matrix）である。ＰＭはスタティック（static）とマルチプレックス（multiplex）などに分類され、ＡＭはＴＦＴ（thin film transistor）、ＭＩＭ（metal insulator metal）などに分類される。ＴＦＴの分類は非晶質シリコン（amorphous silicon）および多結晶シリコン（polycrystal silicon）である。後者は製造工程によって高温型と低温型とに分類される。光源に基づいた分類は、自然光を利用する反射型、バックライトを利用する透過型、そして自然光とバックライトの両方を利用する半透過型である。
【０００３】
これらの素子は適切な特性を有する液晶組成物を含有する。良好な一般的特性を有するＡＭ素子を得るには組成物の一般的特性を向上させる。２つの一般的特性における関連を下記の表１にまとめた。組成物の一般的特性を市販されているＡＭ素子に基づいてさらに説明する。ネマチック相の温度範囲は、素子の使用できる温度範囲に関連する。ネマチック相の好ましい上限温度は７０℃以上であり、そしてネマチック相の好ましい下限温度は−２０℃以下である。組成物の粘度は素子の応答時間に関連する。素子で動画を表示するためには短い応答時間が好ましい。したがって、組成物における小さな粘度が好ましい。低い温度における小さな粘度はより好ましい。
【０００４】
2006089703.tif 000002
【０００５】
組成物の光学異方性は、素子のコントラスト比に関連する。素子におけるコントラスト比を最大にするために、組成物の光学異方性（Δｎ）と素子のセルギャップ（ｄ）との積（Δｎ・ｄ）を約０．４５μｍに設計する。したがって、組成物における光学異方性は主に０．０８〜０．１２の範囲である。組成物における低いしきい値電圧は素子における小さな消費電力と大きなコントラスト比に寄与する。したがって、低いしきい値電圧が好ましい。組成物における大きな比抵抗は、素子における大きな電圧保持率と大きなコントラスト比に寄与する。したがって、初期段階において室温だけではなく高い温度でも大きな比抵抗を有する組成物が好ましい。長時間使用したあと、室温だけではなく高い温度でも大きな比抵抗を有する組成物が好ましい。
【０００６】
望ましいＡＭ素子は、使用できる温度範囲が広い、応答時間が短い、コントラスト比が大きい、などの特性を有する。１ミリ秒でもより短い応答時間が望ましい。したがって、ネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、小さな粘度、低いしきい値電圧、大きな比抵抗などの特性を有する組成物が特に望まれる。従来の組成物および素子は、次の特許文献に開示されている。
【０００７】
【特許文献１】特開平９−５９６２３号公報
【特許文献２】特開平９−７１７７９号公報
【特許文献３】特開平１１−２９７７１号公報(US6,045,878A)
【特許文献４】特開２００１−２８８４７０号公報(US6,572,938B2)
【特許文献５】特開２００２−２８５１５７号公報(US6,682,784B2)
【特許文献６】特開２００３−２３８９６０号公報
【特許文献７】特開２００４−１４９６９１号公報(US2004/0089844A1)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明の目的は、ネマチック相の高い上限温度、低いネマチック相の下限温度、小さな粘度、適切な光学異方性、低いしきい値電圧、および大きな比抵抗の特性において、複数の特性を充足する液晶組成物を提供することである。この目的は、複数の特性に関して適切なバランスを有する液晶組成物を提供することでもある。この目的は、この組成物を含有する液晶表示素子を提供することでもある。この目的は、小さな粘度、０．０８〜０．１２の光学異方性および低いしきい値電圧を有する組成物を含有し、そして短い応答時間および大きな電圧保持率を有するＡＭ素子を提供することでもある。なかでも重要な目的は素子の短い応答時間である。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、第一成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第二成分として式（２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第三成分として式（３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第四成分として式（４）および式（５）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有する液晶組成物、およびこの組成物を含有する液晶表示素子である。
【００１０】
2006089703.tif 000003
式において、Ｒ１はアルキルであり；Ｒ２はアルケニルであり；Ｒ３はアルキルまたはアルケニルであり；Ａ１は１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンであり；Ａ２は１，４−フェニレンまたは２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレンであり；Ｚ１は単結合または−ＣＯＯ−であり；Ｚ２は単結合または−（ＣＨ２）２−であり；Ｚ３は単結合、−ＣＯＯ−または−ＣＦ２Ｏ−であり；Ｙ１はアルキル、フッ素、塩素または−ＯＣＦ３であり；そして、Ｙ２はフッ素または−ＯＣＦ３である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の組成物は、ネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、小さな粘度、適切な光学異方性、低いしきい値電圧、および大きな比抵抗の特性において、複数の特性を充足した。この組成物は、複数の特性に関して適切なバランスを有した。本発明の素子は、この組成物を含有する。小さな粘度、０．０８〜０．１２の光学異方性および低いしきい値電圧を有する組成物を含有する素子は、短い応答時間および大きな電圧保持率を有し、そしてＡＭ素子に適した。特に短い応答時間を有した。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
この明細書における用語の使い方は次のとおりである。本発明の液晶組成物または本発明の液晶表示素子をそれぞれ「組成物」または「素子」と略すことがある。液晶表示素子は液晶表示パネルおよび液晶表示モジュールの総称である。液晶組成物の主成分は液晶性化合物である。この液晶性化合物は、２５℃でネマチック相、２５℃でスメクチック相などの液晶相を有する化合物および２５℃で液晶相を有さないが組成物の成分として有用な化合物の総称である。光学活性な化合物は液晶性化合物に含まれない。式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を「化合物（１）」と略すことがある。他の式に関する化合物も同様に略すことがある。
【００１３】
ネマチック相の上限温度を「上限温度」と略すことがある。ネマチック相の下限温度を「下限温度」と略すことがある。「比抵抗が大きい」は、組成物が初期段階において室温だけではなく高い温度でも大きな比抵抗を有し、そしてそして長時間使用したあと室温だけではなく高い温度でも大きな比抵抗を有することを意味する。「電圧保持率が大きい」は、素子が初期段階において室温だけではなく高い温度でも大きな電圧保持率を有し、そして長時間使用したあと室温だけではなく高い温度でも大きな電圧保持率を有することを意味する。光学異方性などの特性を説明するときは、実施例に記載した方法で測定した値を用いる。成分または液晶性化合物の割合（百分率）は、液晶性化合物の全重量に基づいた重量百分率（重量％）である。
【００１４】
本発明は下記の項のように記載される。
１．  第一成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第二成分として式（２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第三成分として式（３）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第四成分として式（４）および式（５）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有する液晶組成物。
2006089703.tif 000004
式において、Ｒ１はアルキルであり；Ｒ２はアルケニルであり；Ｒ３はアルキルまたはアルケニルであり；Ａ１は１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンであり；Ａ２は１，４−フェニレンまたは２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレンであり；Ｚ１は単結合または−ＣＯＯ−であり；Ｚ２は単結合または−（ＣＨ２）２−であり；Ｚ３は単結合、−ＣＯＯ−または−ＣＦ２Ｏ−であり；Ｙ１はアルキル、フッ素、塩素、または−ＯＣＦ３であり；そして、Ｙ２はフッ素または−ＯＣＦ３である。
【００１５】
２．  第四成分が式（４）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である、項１に記載の液晶組成物。
３．  第一成分を５〜３０重量％の範囲で、第二成分を２０〜５５重量％の範囲で、第三成分を１０〜５５重量％の範囲で、および第四成分を５〜４０重量％の範囲で含有する、項１または２に記載の液晶組成物。
【００１６】
2006089703.tif 000005
４．  第一成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第二成分として式（２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第三成分として式（３−１）および式（３−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第四成分として式（４−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有する液晶組成物。
式において、Ｒ１はアルキルであり；Ｒ２はアルケニルであり；Ｒ３はアルキルまたはアルケニルであり；Ａ１は１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンであり；Ａ２は１，４−フェニレンまたは２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレンであり；Ｚ５は単結合または−ＣＦ２Ｏ−であり；そして、Ｙ３はフッ素または塩素である。
【００１７】
５．  第三成分が式（３−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である、項４に記載の液晶組成物。
６．  第三成分が式（３−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（３−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である、項４に記載の液晶組成物。
【００１８】
７．  第一成分を５〜３０重量％の範囲で、第二成分を２０〜５５重量％の範囲で、第三成分を１０〜５５重量％の範囲で、および第四成分を５〜４０重量％の範囲で含有する、項４〜６のいずれか１項に記載の液晶組成物。
【００１９】
８．  第一成分として式（１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第二成分として式（２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、第三成分として式（３−１）および式（３−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および第四成分として式（４−１−１）および式（４−１−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有する液晶組成物。
2006089703.tif 000006
式において、Ｒ１はアルキルであり；Ｒ２はアルケニルであり；Ｒ３はアルキルまたはアルケニルであり；Ａ１は１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンであり；そして、Ｙ３はフッ素または塩素である。
【００２０】
９．  第三成分が式（３−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である、項８に記載の液晶組成物。
１０．  第三成分が式（３−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物および式（３−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である、項８に記載の液晶組成物。
【００２１】
１１．  第四成分が式（４−１−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である、項８〜１０のいずれか１項に記載の液晶組成物。
１２．  第四成分が式（４−１−１）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物、および式（４−１−２）で表される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物である、項８〜１０のいずれか１項に記載の液晶組成物。
【００２２】
１３．  第一成分を５〜３０重量％の範囲で、第二成分を２０〜５５重量％の範囲で、第三成分を１０〜５５重量％の範囲で、および第四成分を５〜４０重量％の範囲で含有する、項８〜１２のいずれか１項に記載の液晶組成物。
【００２３】
１４．  第五成分として式（６）、式（７）および式（８）で表される化合物の群から選択される化合物の群から選択された少なくとも１つの化合物をさらに含有する項１〜１３のいずれか１項に記載の液晶組成物。
2006089703.tif 000007
式において、Ｒ１はアルキルであり；Ｒ３はアルキルまたはアルケニルであり；Ｒ４はアルキルまたはアルコキシメチルであり；Ａ１は１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンであり；Ａ３は１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレンまたは２−フルオロ−１，４−フェニレンであり；Ａ４は１，４−フェニレンまたは２−フルオロ−１，４−フェニレンであり；Ｚ１は単結合または−ＣＯＯ−であり；Ｚ２は単結合または−（ＣＨ２）２−であり；Ｚ４は単結合、−（ＣＨ２）２−、−ＣＯＯ−、または−ＣＦ２Ｏ−であり；Ｘ１は水素またはフッ素であり；そして、Ｙ２はフッ素または−ＯＣＦ３である。
【００２４】
１５．  第五成分として式（６−１）、式（７−１）および式（８−１）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する項１〜１３のいずれか１項に記載の液晶組成物。
2006089703.tif 000008
式において、Ｒ１およびＲ５は独立してアルキルであり；そして、Ｚ５は単結合または−ＣＦ２Ｏ−である。
【００２５】
１６．  第五成分が１〜３０重量％の範囲である項１４または１５のいずれか１項に記載の液晶組成物。
１７．  酸化防止剤をさらに含有する項１〜１６のいずれか１項に記載の液晶組成物。
【００２６】
１８．  酸化防止剤が式（９）で表される化合物である項１７に記載の液晶組成物。
2006089703.tif 000009
１９．酸化防止剤が式（１２）で表される化合物である項１７に記載の液晶組成物。
2006089703.tif 000010
ここでｎは、２〜９の整数である。
【００２７】
２０．  液晶性化合物の全重量に基づいて、酸化防止剤が５０〜６００ｐｐｍの範囲である項１７〜１９に記載の液晶組成物。
２１．  項１〜２０のいずれか１項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。
【００２８】
本発明は、次の項も含む。１）光学異方性が０．０８〜０．１２の範囲である上記の組成物、２）上限温度が７０℃以上であり、そして下限温度が−２０℃以下である上記の組成物、３）光学活性な化合物をさらに含有する上記の組成物、４）上記の組成物を含有するＡＭ素子、５）上記の組成物を含有し、そしてＴＮ、ＯＣＢ、またはＩＰＳのモードを有する素子、６）上記組成物を含有する透過型の素子、７）上記の組成物を、ネマチック相を有する組成物としての使用、８）上記組成物に光学活性な化合物を添加することによって光学活性な組成物としての使用。
【００２９】
本発明の目的は上に記載したとおりである。なかでも重要な目的は素子の短い応答時間である。応答時間を短くするためには小さな粘度を有する組成物が好ましい。そこで、化合物（２）を必須成分として選択した。化合物（２）はアルケニルとアルキルを有するビシクロヘキサンであり、そしてその粘度は小さい。２つのアルキルを有するビシクロヘキサンは化合物（２）に類似する。この類似化合物は、化合物（２）と同程度の小さな粘度を有し、素子の応答時間を短くする効果がある。組成物におけるこの類似化合物の大きな割合は短い応答時間の目的には好ましい。しかし、大きな割合は組成物の下限温度を上げてしまう。我々は、化合物（２）が下限温度を上げる作用が小さいという性質を有することを見い出した。この性質を利用することによって、化合物（２）はその類似化合物に比較して、より大きな割合で組成物に混合できる。この知見が発明のポイントの１つである。
【００３０】
組成物の粘度を下げるためには、化合物（２）の大きな割合が好ましい。しかし、大きな割合は組成物の下限温度を上げてしまう。この現象を防ぐためには、化合物（１）が効果的であることも見い出した。化合物（１）の粘度は小さいのであるから、化合物（１）と化合物（２）との組み合わせは、組成物における小さな粘度の目的には極めて効果的である。これらが本発明のもう一つのポイントである。
【００３１】
組成物における化合物（２）の割合と下限温度との関係を表２にまとめる。参考のために、組成物における化合物（２）の類似化合物の割合と下限温度との関係も示した。母液晶Ｂに試料の化合物を混合し、−２０℃で３０日間保管したあと、液晶相の変化を観察した。詳しい実験方法は、実施例の項に記載した。表２において、○はネマチック相のままであったことを意味し、×はネマチック相から結晶（またはスメクチック相）に転移したことを意味する。化合物（２）を２０重量％の割合で含有する組成物はネマチック相のままであった。この組成物の下限温度は−２０℃以下である。類似化合物を１０重量％の割合で含有する組成物はネマチック相のままであった。この組成物の下限温度は−２０℃以下である。しかし、類似化合物を１５重量％の割合で含有する組成物は、結晶（またはスメクチック相）に転移した。この組成物の下限温度は−２０℃より高い。この結果から化合物（２）は、その類似化合物に比較して、より大きな割合で混合できることが分かる。
【００３２】
2006089703.tif 000011
【００３３】
このような知見を基に、上限温度が高い化合物（３）、大きな誘電率異方性を有する化合物（４）、大きな誘電率異方性を有する化合物（５）などをさらに組み合わせた。その結果、高い上限温度、低い下限温度、小さな粘度、短い応答時間、適切な光学異方性、低いしきい値電圧などの特性に関して適切なバランスを有する組成物を得ることができた。
【００３４】
本発明の組成物を次の順で説明する。第一に、組成物における成分化合物の構成を説明する。第二に、成分化合物の主要な特性、およびこの化合物が組成物に及ぼす主要な効果を説明する。第三に、成分化合物の好ましい割合およびその根拠を説明する。第四に、成分化合物の好ましい形態を説明する。第五に、成分化合物の具体的な例を示す。第六に、成分化合物の合成法を説明する。最後に、組成物の用途を説明する。
【００３５】
第一に、組成物における成分化合物の構成を説明する。本発明の組成物は組成物Ａと組成物Ｂに分類される。組成物Ａはその他の化合物をさらに含有してもよい。「その他の化合物」は、液晶性化合物、添加物、不純物などである。この液晶性化合物は化合物（１）〜化合物（８）とは異なる。この液晶性化合物は、特性を調整する目的で組成物に混合される。この添加物は光学活性な化合物、色素、酸化防止剤などである。液晶のらせん構造を誘起してねじれ角を与える目的で光学活性な化合物が組成物に混合される。ＧＨ（Guest host）モードの素子に適合させるために色素が組成物に混合される。大気中での加熱による比抵抗の低下を防止するため、または、素子を長時間使用したあと、室温だけではなく高い温度でも大きな電圧保持率を有するために、酸化防止剤が組成物に混合される。酸化防止剤は、式（９）で表される化合物などである。不純物は化合物の製造工程などにおいて混入した化合物などである。
【００３６】
組成物Ｂは、実質的に化合物（１）〜化合物（５）、または化合物（１）〜化合物（８）から選択された化合物のみからなる。「実質的に」は、これら化合物（１）〜化合物（８）と異なる液晶性化合物を組成物が含有しないことを意味する。「実質的に」は、添加物、不純物などを組成物がさらに含有してもよいことも意味する。組成物Ｂは組成物Ａに比較して成分の数が少ない。組成物Ｂはコストの観点から組成物Ａよりも好ましい。その他の液晶性化合物を混合することによって物性をさらに調整できるので、組成物Ａは組成物Ｂよりも好ましい。
【００３７】
化合物（１）〜化合物（８）とは異なる液晶性化合物の例は、シアノ基を有する化合物である。この化合物は式（１０−１）〜式（１０−３）のような部分構造を有する。このような液晶性化合物はＩＰＳなどのモードを有する素子に用いる組成物には含有されてもよい。しかし、この化合物は組成物の比抵抗を下げる。このためＡＭ−ＴＦＴ素子などに用いる組成物に、この化合物を含有させることは好ましくない。光学活性な化合物の例は式（１１−１）〜式（１１−４）である。
【００３８】
2006089703.tif 000012
【００３９】
第二に、成分である化合物の主要な特性、および化合物が組成物に及ぼす主要な効果を説明する。成分化合物の主要な特性を本発明の目的に従って表３にまとめる。表３の記号において、Ｌは大きいまたは高い、Ｍは中程度の、そしてＳは小さいまたは低いを意味する。０は誘電率異方性がほぼゼロである（または極めて小さい）ことを意味する。
【００４０】
2006089703.tif 000013
【００４１】
この組成物の特徴は、化合物（１）〜化合物（５）を組み合わせた点にある。化合物（１）は組成物の下限温度を下げる効果が大きい。化合物（２）は、組成物の粘度を下げる効果が大きい。化合物（３）は、組成物の上限温度を上げる効果が大きい。化合物（４）または化合物（５）は、組成物の誘電率異方性を上げる効果が大きい。表４に代表的な成分化合物の誘電率異方性をまとめる。表４から、素子を駆動させるための低いしきい値電圧は、化合物（４）または化合物（５）に主に依存していることが分かる。化合物の名称は表５の表記法に基づいて表す。
【００４２】
2006089703.tif 000014
【００４３】
成分化合物が組成物に及ぼす主要な効果は次のとおりである。化合物（１）は、組成物の上限温度を下げ、粘度を下げ、光学異方性を下げ、そしてしきい値電圧を上げる。化合物（１）を混合することにより、下限温度の上昇を防ぐことができる。化合物（２）は、組成物の上限温度を下げ、粘度を特に下げ、光学異方性を下げ、そしてしきい値電圧を上げる。化合物（３）は、上限温度を上げ、粘度を下げ、光学異方性を上げ、そしてしきい値電圧を上げる。化合物（４）または化合物（５）は、組成物の上限温度を下げ、粘度を上げ、光学異方性を上げ、しきい値電圧を下げる。組成物の特性を調整する場合、化合物（６）、化合物（７）および／または化合物（８）を混合する。化合物（６）は、光学異方性を小すると同時にしきい値電圧を下げる。
【００４４】
化合物（３）は化合物（３−１）および化合物（３−２）を含む。化合物（３−１）は粘度を特に下げる。化合物（３−２）は下限温度を特に下げる。化合物（４）は化合物（４−１）を含み、この化合物（４−１）は化合物（４−１−１）および化合物（４−１−２）を含む。化合物（４−１−１）は、しきい値電圧を下げると同時に粘度を下げる。化合物（４−１−２）は、しきい値電圧を特に下げる。化合物（７）は、上限温度を上げると同時にしきい値電圧を下げる。化合物（８）は、上限温度を特に上げる。化合物（６）は化合物（６−１）を含み、化合物（７）は化合物（７−１）を含み、そして化合物（８）は化合物（８−１）を含む。
【００４５】
第三に、成分である化合物の好ましい割合およびその理由を説明する。第一成分の好ましい割合は、下限温度の上昇を防ぐために５重量％以上であり、上限温度を上げるために３０重量％以下である。さらに好ましい割合は５〜２０重量％である。この上限の割合は、さらに低い下限温度、そしてさらに高い上限温度を有する組成物に適する。
【００４６】
第二成分の好ましい割合は、組成物の粘度を下げるために２０重量％以上であり、下限温度をより低くするために５５重量％以下である。さらに好ましい割合は２６〜５０重量％である。この下限の割合は、さらに小さな粘度、そして小さな光学異方性を有する組成物に適する。この上限の割合は、さらに低い下限温度を有する組成物に適する。
【００４７】
第三成分の好ましい割合は、組成物の上限温度を上げるために１０重量％以上であり、下限温度をより低くするために５５重量％以下である。さらに好ましい割合は１５〜４５重量％である。この下限の割合は、さらに高い上限温度を有する組成物に適する。この上限の割合は、さらに低い上限温度を有する組成物に適する。
【００４８】
第四成分の好ましい割合は、組成物のしきい値電圧を下げるために５重量％以上であり、下限温度をより低くするために４０重量％以下である。さらに好ましい割合は１０〜３０重量％である。この下限の割合は、さらに低いしきい値電圧を有する組成物に適する。この上限の割合は、さらに小さな粘度を有する組成物に適する。
【００４９】
第五成分をさらに混合する場合について説明する。第五成分の好ましい割合は、組成物の上限温度、しきい値電圧または光学異方性を調整するために１重量％以上であり、下限温度をより下げるために３０重量％以下である。さらに好ましい割合は、１〜２０重量％である。この上限の割合は、さらに低い下限温度を有する組成物、またはさらに小さな粘度を有する組成物に適する。
【００５０】
大気中での加熱による比抵抗の低下を防止するため、または、素子を長時間使用したあと、室温だけではなく高い温度でも大きな電圧保持率を有するために、組成物に酸化防止剤を添加する方法がある。組成物に酸化防止剤を添加する場合、酸化防止剤の好ましい添加量は、効果を発揮させるために５０ｐｐｍ以上、組成物の上限温度を高くするため、または下限温度を低くするために６００ｐｐｍ以下である。さらに好ましくは、１００ｐｐｍから３００ｐｐｍである。この添加量は液晶性化合物の全重量に基づいた割合である。
【００５１】
上記組成物Ａにおいて、化合物（１）〜化合物（５）、または化合物（１）〜化合物（８）が組成物中に占める割合は、本発明の良好な特性を得るために７０重量％以上が好ましい。さらに好ましくは、９０重量％以上である。
【００５２】
第四に、成分である化合物の好ましい形態を説明する。成分である化合物の化学式において、Ｒ１の記号を複数の化合物に用いた。これらの化合物において、Ｒ１の意味は同一であってもよいし、または異なってもよい。例えば、化合物（１）のＲ１がエチルであり、化合物（２）のＲ１がエチルであるケースがある。化合物（１）のＲ１がエチルであり、化合物（２）のＲ１がプロピルであるケースもある。このルールは、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ４、Ｚ５、Ｘ１、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３またはｎの記号についても適用する。
【００５３】
好ましいＲ１およびＲ５は独立して炭素数１〜１０のアルキルである。好ましいＲ２は炭素数２〜１０のアルケニルである。好ましいＲ３は炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルである。好ましいＲ４は炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルコキシメチルである。好ましいＹ１は、炭素数１〜１０のアルキル、フッ素、塩素または−ＯＣＦ３である。
【００５４】
好ましいアルキルは、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、またはオクチルである。化合物の液晶相および粘度を考慮すると、さらに好ましいアルキルは、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、またはヘプチルである。但し、組成物の粘度をさらに下げる、および下限温度をさらに低くするという観点で、化合物（１）において、好ましいアルキルはプロピル、ペンチル、またはヘプチルであり、さらに好ましいアルキルはプロピル、ペンチルであり、特に好ましいアルキルはプロピルである。
【００５５】
好ましいアルケニルは、ビニル、１−プロペニル、２−プロペニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ブテニル、１−ペンテニル、２−ペンテニル、３−ペンテニル、４−ペンテニル、１−ヘキセニル、２−ヘキセニル、３−ヘキセニル、４−ヘキセニル、または５−ヘキセニルである。化合物の液晶相および粘度を考慮すると、さらに好ましいアルケニルは、ビニル、１−プロペニル、３−ブテニル、または３−ペンテニルである。これらのアルケニルにおける−ＣＨ＝ＣＨ−の好ましい立体配置は、二重結合の位置に依存する。１−プロペニル、１−ブテニル、１−ペンテニル、１−ヘキセニル、３−ペンテニル、３−ヘキセニルのようなアルケニルにおいてはトランスが好ましい。２−ブテニル、２−ペンテニル、２−ヘキセニルのようなアルケニルにおいてはシスが好ましい。これら二重結合の位置は、化合物の液晶相、粘度などを考慮した結果である。
【００５６】
好ましいアルコキシメチルは、メトキシメチル、エトキシメチル、プロポキシメチル、ブトキシメチル、またはペンチルオキシメチルである。化合物の液晶相および粘度を考慮すると、さらに好ましいアルコキシメチルは、メトキシメチルである。
これらのアルキル、アルケニルおよびアルコキシメチルにおいては、化合物の粘度を考慮して、それぞれ直鎖状が好ましい。
【００５７】
Ａ１は１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンである。Ａ２は１，４−フェニレンまたは２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレンである。Ａ３は１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレンまたは２−フルオロ−１，４−フェニレンである、Ａ４は１，４−フェニレンまたは２−フルオロ−１，４−フェニレンである。１，４−シクロヘキシレンに関する立体配置は、化合物の液晶相を考慮すると、シスよりもトランスが好ましい。２，６−ジフルオロ−１，４−フェニレンのフルオロ基は化合物の誘電率異方性を上げるように、右側に位置するのが好ましい。例えば、化合物（４−１−２）などを参照。２−フルオロ−１，４−フェニレンのフルオロ基は、組成物の下限温度を低くできるように、右側に位置するのが好ましい。例えば、化合物（８−１−４）などを参照。
【００５８】
Ｚ１は単結合または−ＣＯＯ−である。化合物の粘度などを考慮すると、好ましいＺ１は単結合である。Ｚ２は単結合または−（ＣＨ２）２−である。化合物の粘度などを考慮すると、好ましいＺ２は単結合である。Ｚ３は単結合、−ＣＯＯ−または−ＣＦ２Ｏ−である。化合物の粘度を考慮すると好ましいＺ３は単結合であり、化合物の誘電率異方性を考慮すると好ましいＺ３は−ＣＦ２Ｏ−である。Ｚ４は単結合、−（ＣＨ２）２−、−ＣＯＯ−または−ＣＦ２Ｏ−である。化合物の粘度を考慮すると好ましいＺ４は単結合であり、化合物の誘電率異方性を考慮すると好ましいＺ４は−ＣＦ２Ｏ−である。Ｚ５は単結合または−ＣＦ２Ｏ−である。化合物の粘度を考慮すると好ましいＺ５は単結合であり、化合物の誘電率異方性を考慮すると好ましいＺ５は−ＣＦ２Ｏ−である。Ｚ１、Ｚ２、Ｚ３、Ｚ４、およびＺ５において、結合基の向きは固定されている。−ＣＯＯ−は、化合物（３−２−４）などを参照。−ＣＦ２Ｏ−は、化合物（４−１−２）などを参照。
【００５９】
第五に、成分である化合物の具体的な例を示す。下記の好ましい化合物において、Ｒ１およびＲ５は独立して炭素数１〜１０のアルキルであり、Ｒ２は炭素数２〜１０のアルケニルであり、Ｒ３は炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルである。Ｒ６は炭素数２〜１０のアルキルである。さらに好ましいアルキルおよびアルケニルは、すでに記載したとおりである。これらの好ましい化合物において１，４−シクロヘキシレンに関する立体配置は、化合物の液晶相を考慮すると、シスよりもトランスが好ましい。
【００６０】
組成物の粘度をさらに下げる、および下限温度をさらに低くするという観点で、化合物（１）において、好ましいアルキルは、プロピル、ペンチル、またはヘプチルである。さらに好ましいアルキルはプロピルまたはペンチルであり、特に好ましいアルキルはプロピルである。粘度および液晶相を考慮すると、化合物（２）において、Ｒ１およびＲ２の組み合わせが次のような場合が好ましい。Ｒ１がプロピルでＲ２がビニル、Ｒ１がブチルでＲ２がビニル、Ｒ１がペンチルでＲ２がビニル、およびＲ１がプロピルでＲ２が１−プロペニルである化合物が好ましい。
【００６１】
好ましい化合物（３）は、化合物（３−１−１）〜化合物（３−２−５）である。好ましい化合物（４）は、化合物（４−１−１）〜化合物（４−１−６）である。好ましい化合物（５）は、化合物（５−１−１）〜化合物（５−１−４）である。好ましい化合物（６）は、化合物（６−１−１）〜化合物（６−１−１２）である。好ましい化合物（７）は、化合物（７−１−１）および化合物（７−１−２）である。好ましい化合物（８）は、化合物（８−１−１）〜化合物（８−１−５）である。これら化合物のＲ３において、製造コストを安くできるという観点で、アルキルがさらに好ましい。
【００６２】
組成物の粘度を小さく、または下限温度をさらに低くするという観点で、さらに好ましい化合物（３）は、化合物（３−１−１）、化合物（３−１−２）、化合物（３−２−１）、化合物（３−２−２）、および化合物（３−２−５）である。組成物の粘度を小さく、またはしきい値電圧を小さくという観点で、さらに好ましい化合物（４）は、化合物（４−１−１）、化合物（４−１−２）、化合物（４−１−５）、および化合物（４−１−６）である。組成物の粘度をさらに小さく、またはしきい値電圧をさらに小さくという観点で、特に好ましい化合物（４）は、化合物（４−１−１）および化合物（４−１−２）である。組成物の粘度を小さく、またはしきい値電圧を小さくという観点で、さらに好ましい化合物（５）は、化合物（５−１−３）および化合物（５−１−４）である。組成物の粘度を下げ、しきい値電圧を低くするという観点で、さらに好ましい化合物（６）は、化合物（６−１−８）および化合物（６−１−１２）である。これら化合物のＲ３において、製造コストを安くできるという観点で、アルキルがさらに好ましい。さらに粘度をさげるという観点で、さらに好ましい化合物（７）は、化合物（７−１−１）である。組成物の光学異方性を大きくという観点で、さらに好ましい化合物（８）は、化合物（８−１−４）である。
【００６３】
さらに好ましい化合物（３）において、化合物（３−１−１）および化合物（３−１−２）は、化合物（３−１）の好ましい化合物でもある。さらに好ましい化合物（３）において、化合物（３−２−１）、化合物（３−２−２）および化合物（３−２−５）は、化合物（３−２）の好ましい化合物でもある。さらに好ましい化合物（４）および特に好ましい化合物（４）は、それぞれ化合物（４−１）の好ましい化合物およびさらに好ましい化合物でもある。さらに好ましい化合物（６）のＲ３がアルキルである時は、化合物（６−１）において、好ましい化合物でもある。さらに好ましい化合物（７）は、化合物（７−１）において、好ましい化合物でもある。さらに好ましい化合物（８）は、化合物（８−１）において、好ましい化合物でもある。
【００６４】
2006089703.tif 000015
【００６５】
2006089703.tif 000016
【００６６】
2006089703.tif 000017
【００６７】
2006089703.tif 000018
【００６８】
組成物に酸化防止剤を添加する場合、好ましい酸化防止剤は、化合物（９）または化合物（１２）である。
2006089703.tif 000019
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ここでｎは、２〜９の整数である。好ましいｎは、３、５、７、９である。さらに好ましいｎは７である。化合物（９）は、揮発性が大きいので、大気中での加熱による比抵抗の低下を防止するときに有効である。化合物（１２）のｎが７であるときの化合物は、揮発性が小さいので、素子を長時間使用しあと、室温だけではなく高い温度でも電圧保持率を大きくするときに有効である。
【００６９】
第六に、成分である化合物の合成法を説明する。これらの化合物は既知の方法によって合成できる。合成法を例示する。化合物（１）は、特開昭５８−１２６８２３号公報に記載された方法で合成する。化合物（２）は、特開昭６１−２７９２８号公報に記載された方法で合成する。化合物（３−１−１）は、特開昭５７−１６５３２８号公報に記載された方法で合成する。化合物（３−２−２）は、特開昭５７−１１４５３１号公報に記載された方法で合成する。化合物（４−１−１）は、特開平２−２３３６２６号公報に記載された方法で合成する。化合物（４−１−２）および化合物（５−１−３）は、特開２０００−９５７１５号公報に記載された方法で合成する。化合物（６−１−８）は、特開平２−２３３６２６号公報に記載された方法で合成する。化合物（７−１−１）は、特開平２−２３３６２６号公報に記載された方法を修飾することによって合成する。化合物（８−１−４）は、特開平２−２３７９４９号公報に記載された方法で合成する。
【００７０】
合成法を記載しなかった化合物は、オーガニック・シンセシス（Organic Syntheses, John Wiley & Sons, Inc）、オーガニック・リアクションズ（Organic Reactions, John Wiley & Sons, Inc）、コンプリヘンシブ・オーガニック・シンセシス（Comprehensive Organic Synthesis, Pergamon Press）、新実験化学講座（丸善）などの成書に記載された方法によって合成できる。式（９）は、市販されている。この化合物は、例えばアルドリッチ（Aldrich）社から販売されている。式（１２）のｎが７である化合物などは、米国特許３６６０５０５号明細書に記載された方法によって合成できる。組成物は、このようにして得た化合物から公知の方法によって調製される。例えば、成分である化合物を混合し、加熱によって互いに溶解させる。
【００７１】
本発明の組成物は、主として−３０℃以下の下限温度、主として７０℃以上の上限温度、そして主として０．０８〜０．１２の光学異方性を有する。この組成物を含有する素子は大きな電圧保持率を有する。この組成物はＡＭ素子に適する。この組成物は透過型のＡＭ素子に特に適する。成分である化合物の割合を制御することによって、またはその他の液晶性化合物を混合することによって、０．０７〜０．１８の光学異方性を有する組成物、さらには０．０６〜０．２０の光学異方性を有する組成物を調製してもよい。
【００７２】
この組成物はＡＭ素子への使用が可能である。さらにＰＭ素子への使用も可能である。この組成物は、ＰＣ、ＴＮ、ＳＴＮ、ＥＣＢ、ＯＣＢ、ＩＰＳ、ＶＡなどのモードを有する素子への使用も可能である。ＴＮ、ＥＣＢ、ＯＣＢ、またはＩＰＳのモードを有する素子への使用は好ましい。これらの素子が反射型、透過型または半透過型であってもよい。透過型の素子への使用は好ましい。非結晶シリコン−ＴＦＴ素子または多結晶シリコン−ＴＦＴ素子への使用も可能である。この組成物をマイクロカプセル化して作製したＮＣＡＰ（nematic curvilinear aligned phase）素子や、組成物中に三次元の網目状高分子を形成させたＰＤ（polymer dispersed）素子、例えばＰＮ（polymer network）素子にも使用できる。
【実施例】
【００７３】
実施例により本発明を詳細に説明する。本発明は下記の実施例によって限定されない。比較例および実施例における化合物は、下記の表５の定義に基づいて記号により表した。
表５において、１，４−シクロヘキシレンに関する立体配置はトランスである。−ＣＨ＝ＣＨ−の結合基に関する立体配置はトランスである。実施例において記号の後にあるかっこ内の番号は好ましい化合物の番号に対応する。（−）の記号はその他の液晶性化合物を意味する。液晶性化合物の割合（百分率）は、液晶性化合物の全重量に基づいた重量百分率（重量％）である。最後に、組成物の特性値をまとめた。
【００７４】
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【００７５】
組成物は、液晶性化合物などの成分の重量を測定してから混合することによって調製される。したがって、成分の重量％を算出するのは容易である。しかし、組成物をガスクロマト分析することによって成分の割合を正確に算出するのは容易でない。補正係数が液晶性化合物の種類に依存するからである。幸いなことに補正係数はほぼ１である。さらに、成分化合物における１重量％の差異が組成物の特性に与える影響は小さい。したがって、本発明においてはガスクロマトグラフにおける成分ピークの面積比を成分化合物の重量％と見なすことができる。つまり、ガスクロマト分析の結果（ピークの面積比）は、補正することなしに液晶性化合物の重量％と等価であると考えてよいのである。
【００７６】
試料が組成物のときはそのまま測定し、得られた値を記載した。試料が化合物のとき、上限温度、光学異方性、粘度、および誘電率異方性の値は、次の方法により求めた。１５重量％の化合物および８５重量％の母液晶Ａを混合することによって試料を調製した。測定によって得られた値から外挿法よって化合物の特性値を算出した。外挿値＝（試料の測定値−０．８５×母液晶Ａの測定値）／０．１５。この割合で結晶（またはスメクチック相）が２５℃で析出するときは、化合物と母液晶Ａの割合を１０重量％：９０重量％、５重量％：９５重量％、１重量％：９９重量％の順に変更した。この外挿法によって化合物に関する上限温度、光学異方性、粘度、および誘電率異方性の値を求めた。
【００７７】
母液晶Ａの組成は下記のとおりである。
2006089703.tif 000022
【００７８】
試料が化合物のとき、下限温度の値は次の方法により求めた。試料と母液晶Ｂとを混合して組成物を調製した。試料の割合は、１重量％、３重量％、５重量％、１０重量％、１５重量、または２０重量％である。この組成物をガラス瓶に入れ、−２０℃のフリーザー中に３０日間保管したあと、ネマチック相のままであったか、それとも結晶（またはスメクチィック相）に転移したかを観察した。
【００７９】
母液晶Ｂの組成は下記のとおりである。
2006089703.tif 000023
【００８０】
特性値の測定は下記の方法にしたがった。それらの多くは、日本電子機械工業会規格（Standard of Electric Industries Association of Japan）ＥＩＡＪ・ＥＤ−２５２１Ａに記載された方法、またはこれを修飾した方法である。測定に用いたＴＮ素子には、ＴＦＴを取り付けなかった。
【００８１】
ネマチック相の上限温度（ＮＩ；℃）：偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレートに試料を置き、１℃／分の速度で加熱した。試料の一部がネマチック相から等方性液体に変化したときの温度を測定した。ネマチック相の上限温度を「上限温度」と略すことがある。
【００８２】
ネマチック相の下限温度（ＴＣ；℃）：ネマチック相を有する試料をガラス瓶に入れ、０℃、−１０℃、−２０℃、−３０℃、および−４０℃のフリーザー中に１０日間保管したあと、液晶相を観察した。例えば、試料が−２０℃ではネマチック相のままであり、−３０℃では結晶（またはスメクチック相）に変化したとき、ＴＣを≦−２０℃と記載した。ネマチック相の下限温度を「下限温度」と略すことがある。
【００８３】
粘度（η；２０℃で測定；ｍＰａ・ｓ）：測定にはＥ型粘度計を用いた。
【００８４】
光学異方性（屈折率異方性；Δｎ；２５℃で測定）：測定は、波長５８９ｎｍの光を用い、接眼鏡に偏光板を取り付けたアッベ屈折計により行なった。主プリズムの表面を一方向にラビングしたあと、試料を主プリズムに滴下した。屈折率ｎ‖は偏光の方向がラビングの方向と平行であるときに測定した。屈折率ｎ⊥は偏光の方向がラビングの方向と垂直であるときに測定した。光学異方性の値は、Δｎ＝ｎ‖−ｎ⊥、の式から計算した。
【００８５】
誘電率異方性（Δε；２５℃で測定）：２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が９μｍであり、そしてツイスト角が８０度であるＴＮ素子に試料を入れた。この素子にサイン波（１０Ｖ、１ｋＨｚ）を印加し、２秒後に液晶分子の長軸方向における誘電率（ε‖）を測定した。この素子にサイン波（０．５Ｖ、１ｋＨｚ）を印加し、２秒後に液晶分子の短軸方向における誘電率（ε⊥）を測定した。誘電率異方性の値は、Δε＝ε‖−ε⊥、の式から計算した。
【００８６】
しきい値電圧（Ｖｔｈ；２５℃で測定；Ｖ）：測定には大塚電子株式会社製のＬＣＤ５１００型輝度計を用いた。光源はハロゲンランプである。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が５．０μｍであり、ツイスト角が８０度であるノーマリーホワイトモード（normally white mode）のＴＮ素子に試料を入れた。この素子に印加する電圧（３２Ｈｚ、矩形波）は０Ｖから１０Ｖまで０．０２Ｖずつ段階的に増加させた。この際に、素子に垂直方向から光を照射し、素子を透過した光量を測定した。この光量が最大になったときが透過率１００％であり、この光量が最小であったときが透過率０％である電圧−透過率曲線を作成した。しきい値電圧は透過率が９０％になったときの電圧である。
【００８７】
電圧保持率（ＶＨＲ；２５℃と１００℃で測定；％）：測定に用いたＴＮ素子はポリイミド配向膜を有し、そして２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）は６μｍである。この素子は試料を入れたあと紫外線によって重合する接着剤で密閉した。このＴＮ素子にパルス電圧（５Ｖで６０マイクロ秒）を印加して充電した。減衰する電圧を高速電圧計で１６．７ミリ秒のあいだ測定し、単位周期における電圧曲線と横軸との間の面積Ａを求めた。面積Ｂは減衰しなかったときの面積である。電圧保持率は面積Ｂに対する面積Ａの百分率である。２５℃で測定して得られた電圧保持率をＶＨＲ−１で表した。１００℃で測定して得られた電圧保持率をＶＨＲ−２で表した。次に、このＴＮ素子を１００℃、２５０時間加熱した。ＶＨＲ−３は、加熱後の素子を２５℃で測定して得られた電圧保持率である。ＶＨＲ−４は、加熱後の素子を１００℃で測定して得られた電圧保持率である。ＶＨＲ−１およびＶＨＲ−２は、初期段階における評価に相当する。ＶＨＲ−３およびＶＨＲ−４は、素子を長時間使用した後の評価に相当する。
【００８８】
応答時間（τ；２５℃で測定；ミリ秒）：測定には大塚電子株式会社製のＬＣＤ５１００型輝度計を用いた。光源はハロゲンランプである。ローパス・フィルター（Low-pass filter）は５ｋＨｚに設定した。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が５．０μｍであり、ツイスト角が８０度であるノーマリーホワイトモード（normally white mode）のＴＮ素子に試料を入れた。この素子に矩形波（６０Ｈｚ、５Ｖ、０．５秒）を印加した。この際に、素子に垂直方向から光を照射し、素子を透過した光量を測定した。この光量が最大になったときが透過率１００％であり、この光量が最小であったときが透過率０％である。立ち上がり時間（τｒ：rise time）は、透過率が９０％から１０％に変化するのに要した時間である。立下がり時間（τｆ：fall time）は透過率１０％から９０％に変化するのに要した時間である。応答時間は、このようにして求めた立上がり時間と立下り時間との和である。
【００８９】
ガスクロマト分析：測定には島津製作所製のＧＣ−１４Ｂ型ガスクロマトグラフを用いた。キャリアーガスはヘリウム（２ｍｌ／分）である。試料気化室を２８０℃に、検出器（ＦＩＤ）を３００℃に設定した。成分化合物の分離には、Agilent Technologies Inc.製のキャピラリカラムＤＢ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ；固定液相はジメチルポリシロキサン；無極性）を用いた。このカラムは、２００℃で２分間保持したあと、５℃／分の割合で２８０℃まで昇温した。試料はアセトン溶液（０．１重量％）に調製したあと、その１μｌを試料気化室に注入した。記録計は島津製作所製のＣ−Ｒ５Ａ型Chromatopac、またはその同等品である。得られたガスクロマトグラムは、成分化合物に対応するピークの保持時間およびピークの面積を示した。
【００９０】
試料を希釈するための溶媒は、クロロホルム、ヘキサンなどを用いてもよい。成分化合物を分離するために、次のキャピラリカラムを用いてもよい。Agilent Technologies Inc.製のＨＰ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）、Restek Corporation製のＲｔｘ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）、SGE International Pty. Ltd製のＢＰ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）。化合物ピークの重なりを防ぐ目的で島津製作所製のキャピラリーカラムＣＢＰ１−Ｍ５０−０２５（長さ５０ｍ、内径０．２５ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）を用いてもよい。ガスクロマトグラムにおけるピークの面積比は成分化合物の割合に相当する。成分化合物の重量％は各ピークの面積比と完全には同一ではない。しかし、本発明においては、これらのキャピラリカラムを用いるときは、成分化合物の重量％は各ピークの面積比と同一であると見なしてよい。成分化合物における補正係数に大きな差異がないからである。
【００９１】
比較例１
特開平９−５９６２３号公報に開示されている組成物の中から実施例５を選んだ。理由は、この組成物が本発明の第二成分、第三成分および第四成分を含有し、そして最も短い応答時間を有するからである。この組成物の成分および特性は下記のとおりである。この組成物において、下限温度は高く、しきい値電圧は大きく、そして応答時間は長い。
Ｖ−ＨＨ−５                  １７．５％
Ｖ２−ＨＨ−３                １７．５％
Ｖ−ＨＨＢ−１                １０．５％
Ｖ２−ＨＨＢ−１              １０．５％
３−ＨＢ−Ｏ２                １４．０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ      １５．０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ      １５．０％
ＮＩ＝８１．３℃；Ｔｃ≦−１０℃；Δｎ＝０．０９１；η＝１３．２ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝２．３８Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．５％；ＶＨＲ−２＝９７．９％；τ＝１４．９ｍｓ．
【００９２】
比較例２
特開平９−７１７７９号公報に開示されている組成物の中から実施例５を選んだ。理由は、最も小さな粘度を有するからである。この組成物の成分および特性は下記のとおりである。この組成物において、粘度は大きく、しきい値電圧は大きく、そして応答時間は長い。
５−ＨＢ−ＣＬ                                  ８％
７−ＨＢ−ＣＬ                                  ５％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                      ６％
２−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                      ２％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                      ２％
３−ＨＨ−４                                  １１％
３−ＨＨ−５                                    ４％
３−ＨＨＢ−１                                  ８％
３−ＨＨＢ−Ｆ                                  ４％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ                          １０％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ                          １１％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ                          １１％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ                            ４％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ                            ５％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ                            ９％
ＮＩ＝９１．１℃；Ｔｃ≦−４０℃；Δｎ＝０．０８８；η＝１７．６ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝２．０８Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．４％；ＶＨＲ−２＝９７．５％；τ＝２１．３ｍｓ．
【００９３】
比較例３
特開平１１−２９７７１号公報（US6,045,878A）に開示されている組成物の中から実施例２を選んだ。理由は、この組成物が末端にＣＮ基を有する化合物を含有せず、本発明の第二成分および第四成分を含有し、そして最も小さい回転粘度を有するからである。この組成物の成分および特性は下記のとおりである。この組成物において、粘度は大きく、そして応答時間は長い。
Ｖ−ＨＨ−５                                  １７％
３−ＨＢ−Ｏ１                                  ８％
２−ＨＨＢ−ＯＣＦ３                            ６％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３                            ６％
４−ＨＨＢ−ＯＣＦ３                            ６％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ                            ６％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ                            ３％
２−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                        ９％
２−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                        ８％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                        ９％
２−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                      ６％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                      ８％
Ｖ−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ                            ８％
ＮＩ＝７３．６℃；Ｔｃ≦−３０℃；Δｎ＝０．０８２；η＝１５．８ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．４７Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．５％；ＶＨＲ−２＝９７．８％；τ＝１９．５ｍｓ．
【００９４】
比較例４
特開２００１−２８８４７０号公報(US6,572,938B2)に開示されている組成物の中から実施例９を選んだ。理由は、この組成物が本発明の第一成分、第二成分および第三成分を含有するからである。この組成物の成分および特性は下記のとおりである。この組成物において、組成物の下限温度は高く、光学異方性は小さく、粘度は大きく、そして応答時間は長い。
３−ＨＥＨ−３                                  ８％
４−ＨＥＨ−３                                  ８％
２−ＨＨＥＨ−３                                ３％
３−ＨＨＥＨ−３                                ３％
４−ＨＨＥＨ−３                                ３％
５−ＨＨＥＨ−３                                ３％
７−ＨＢ（Ｆ）−Ｆ                              ４％
５−ＨＢ−ＣＬ                                  ５％
３−ＨＥＢ−Ｆ                                  ５％
５−ＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                        ５％
３−ＨＨＢ−Ｆ                                  ５％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ）−Ｆ                          ４％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                        ４％
５−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                        ４％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                      ５％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３                            ３％
３Ｏ１−ＨＨＢ−ＯＣＦ３                        ３％
５−ＨＨＸＢ−ＯＣＦ３                          ５％
３−ＨＨＸＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３                    ５％
１Ｖ２−ＨＨ−３                                ５％
Ｖ２−ＨＨ−４                                  ５％
３−ＨＨＥＢＨ−３                              ５％
ＮＩ＝８７．０℃；Ｔｃ≦−２０℃；Δｎ＝０．０５７；η＝１７．５ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．９１Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．０％；ＶＨＲ−２＝９７．７％；τ＝２３．１ｍｓ．
【００９５】
比較例５
特開２００２−２８５１５７号公報(US6,682,784B2)に開示されている組成物の中から実施例５を選んだ。理由は、この組成物が本発明の第一成分、第二成分および第三成分を含有し、そして最も小さい粘度を有するからである。この組成物の成分および特性は下記のとおりである。この組成物において、組成物のしきい値電圧は大きく、粘度は大きく、そして応答時間は長い。
５−ＨＢ−ＣＬ                                  ５％
Ｖ−ＨＨ−５                                    ６％
３−ＨＥＢ（Ｆ）−Ｆ                          １０％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ）−Ｆ                        １８％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ）−Ｆ                        １０％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ                                ４％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ                            ９％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ                            ９％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ                            ９％
２−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ                            ８％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ                            ４％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ                            ８％
ＮＩ＝９１．７℃；Ｔｃ≦−３０℃；Δｎ＝０．０９３；η＝１５．４ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝２．４０Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．２％；ＶＨＲ−２＝９７．４％；τ＝１６．２ｍｓ．
【００９６】
比較例６
特開２００３−２３８９６０号公報に開示されている組成物の中から実施例６を選んだ。理由は、この組成物が本発明の第二成分を含有し、そして最も小さい粘度を有するからである。この組成物の成分および特性は下記のとおりである。この組成物において、組成物の光学異方性は小さく、粘度は大きく、そして応答時間は長い。
３−ＨＨ−ＣＦ３                                ３％
５−ＨＨ−ＣＦ３                                ５％
１Ｖ−ＨＨ−３                                  ５％
Ｖ−ＨＨ−５                                  １８％
２−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                      １０％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                      １２％
４−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                        ５％
５−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                        ５％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３                      ８％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３                    １０％
４−ＨＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３                      ４％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３                      ４％
２−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                      ５％
３−ＨＨＥＨ−３                                ３％
４−ＨＨＥＨ−３                                ３％
ＮＩ＝８２．２℃；Ｔｃ≦−４０℃；Δｎ＝０．０６７；η＝２３．６ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．５９Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．４％；ＶＨＲ−２＝９７．６％；τ＝３７．４ｍｓ．
【００９７】
比較例７
特開２００４−１４９６９１号公報(US2004/0089844A1)に開示されている組成物の中から実施例２を選んだ。理由は、この組成物が本発明の第二成分、第三成分、第四成分を含有しているからである。この組成物の成分および特性は下記のとおりである。この組成物において、組成物の粘度は大きく、そして応答時間は長い。
５−ＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                      １５％
３−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                        ３％
５−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                      １８％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ                            ８％
２−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                        ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                      １０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                      １５％
３−ＨＨ−４                                    ４％
Ｖ−ＨＨ−５                                    ５％
３−ＨＨＢ−１                                  ４％
３−ＨＨＢ−３                                  ３％
３−ＨＨＥＢＨ−３                              ５％
３−ＨＨＥＢＨ−４                              ５％
ＮＩ＝８１．５℃；Ｔｃ≦−３０℃；Δｎ＝０．０８０；η＝２９．６ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．１４Ｖ；ＶＨＲ−１＝９８．９％；ＶＨＲ−２＝９７．４％；τ＝６４．１ｍｓ．
【００９８】
実施例１
３−ＨＢ−ＣＬ                              （１）              １１％
Ｖ−ＨＨ−５                                （２）              １６％
１Ｖ−ＨＨ−３                              （２）              １３％
Ｖ−ＨＨＢ−１                              （３−１−２）      １９％
Ｖ２−ＨＨＢ−１                            （３−１−２）      １０％
２−ＨＢＢ−Ｆ                              （３−２−５）        ４％
３−ＨＢＢ−Ｆ                              （３−２−５）        ４％
５−ＨＢＢ−Ｆ                              （３−２−５）        ４％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ        （４−１−２）      １９％
ＮＩ＝７８．３℃；Ｔｃ≦−３０℃；Δｎ＝０．０９９；η＝１３．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．９５Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．５％；ＶＨＲ−２＝９７．７％；τ＝９．９ｍｓ．
【００９９】
実施例２
３−ＨＢ−ＣＬ                              （１）              １７％
Ｖ−ＨＨ−５                                （２）              １６％
１Ｖ−ＨＨ−３                              （２）              １２％
Ｖ−ＨＨＢ−１                              （３−１−２）      １９％
Ｖ２−ＨＨＢ−１                            （３−１−２）        ６％
２−ＨＨＢ−ＣＬ                            （３−２−２）        ４％
３−ＨＨＢ−ＣＬ                            （３−２−２）        ４％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ        （４−１−２）      １０％
３−ＨＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                  （６−１−１２）    １２％
ＮＩ＝７９．６℃；Ｔｃ≦−３０℃；Δｎ＝０．０８７；η＝１２．７ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．９９Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．６％；ＶＨＲ−２＝９７．４％；τ＝９．８ｍｓ．
【０１００】
実施例３
３−ＨＢ−ＣＬ                              （１）                ７％
Ｖ−ＨＨ−５                                （２）              １７％
Ｖ−ＨＨ−３                                （２）              １０％
Ｖ−ＨＨＢ−１                              （３−１−２）      １８％
Ｖ２−ＨＨＢ−１                            （３−１−２）        ８％
３−ＨＨＢ−ＣＬ                            （３−２−２）        ６％
５−ＨＨＢ−ＣＬ                            （３−２−２）        ３％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ        （４−１−２）      ２１％
２−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                    （６−１−８）      １０％
ＮＩ＝７６．２℃；Ｔｃ≦−３０℃；Δｎ＝０．０９０；η＝１３．０ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．５７Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．５％；ＶＨＲ−２＝９７．６％；τ＝１２．３ｍｓ．
【０１０１】
実施例４
３−ＨＢ−ＣＬ                              （１）              １０％
Ｖ−ＨＨ−５                                （２）              ２０％
１Ｖ−ＨＨ−３                              （２）              １０％
Ｖ−ＨＨＢ−１                              （３−１−２）      １６％
Ｖ２−ＨＨＢ−１                            （３−１−２）        ５％
２−ＨＢＢ−Ｆ                              （３−２−５）        ３％
３−ＨＢＢ−Ｆ                              （３−２−５）        ３％
５−ＨＢＢ−Ｆ                              （３−２−５）        ３％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                    （４−１−１）        ５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ        （４−１−２）      ２２％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                  （７−１−１）        ３％
ＮＩ＝７１．４℃；Ｔｃ≦−３０℃；Δｎ＝０．０９９；η＝１３．１ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．６５Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．５％；ＶＨＲ−２＝９７．５％；τ＝１１．７ｍｓ．
【０１０２】
実施例５
３−ＨＢ−ＣＬ                              （１）              １４％
Ｖ−ＨＨ−５                                （２）              ３２％
３−ＨＨＢ−１                              （３−１−１）        ３％
３−ＨＨＢ−３                              （３−１−１）        ３％
３−ＨＨＢ−Ｆ                              （３−２−１）        ３％
２−ＨＨＢ−ＣＬ                            （３−２−２）        ５％
３−ＨＨＢ−ＣＬ                            （３−２−２）        ５％
５−ＨＨＢ−ＣＬ                            （３−２−２）        ５％
２−ＨＢＢ−Ｆ                              （３−２−５）        ３％
３−ＨＢＢ−Ｆ                              （３−２−５）        ３％
５−ＨＢＢ−Ｆ                              （３−２−５）        ３％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ        （４−１−２）      １６％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２                      （８−１−４）        ５％
ＮＩ＝７８．４℃；Ｔｃ≦−３０℃；Δｎ＝０．０９９；η＝１３．３ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．９６Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．３％；ＶＨＲ−２＝９７．４％；τ＝１１．１ｍｓ．
【０１０３】
実施例６
３−ＨＢ−ＣＬ                              （１）                ６％
Ｖ−ＨＨ−３                                （２）              ３９％
１Ｖ−ＨＨ−３                              （２）                ６％
Ｖ−ＨＨＢ−１                              （３−１−２）        ５％
２−ＨＢＢ−Ｆ                              （３−２−５）        ５％
３−ＨＢＢ−Ｆ                              （３−２−５）        ５％
５−ＨＢＢ−Ｆ                              （３−２−５）        ５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ        （４−１−２）      ２０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２                      （８−１−４）        ５％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３                      （８−１−４）        ４％
ＮＩ＝７１．３℃；Ｔｃ≦−３０℃；Δｎ＝０．０９９；η＝９．４ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．８２Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．４％；ＶＨＲ−２＝９７．３％；τ＝９．９ｍｓ．
【０１０４】
実施例７
３−ＨＢ−ＣＬ                              （１）              １５％
Ｖ−ＨＨ−３                                （２）              ３５％
Ｖ−ＨＨＢ−１                              （３−１−２）        ３％
２−ＨＢＢ−Ｆ                              （３−２−５）        ５％
３−ＨＢＢ−Ｆ                              （３−２−５）        ５％
５−ＨＢＢ−Ｆ                              （３−２−５）        ５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ        （４−１−２）      １８％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２                      （８−１−４）        ７％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３                      （８−１−４）        ７％
ＮＩ＝７１．０℃；Ｔｃ≦−３０℃；Δｎ＝０．１１０；η＝１０．８ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．８９Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．５％；ＶＨＲ−２＝９７．２％；τ＝９．８ｍｓ．
【０１０５】
実施例８
３−ＨＢ−ＣＬ                              （１）                ７％
１Ｖ−ＨＨ−３                              （２）              １０％
Ｖ−ＨＨ−５                                （２）              ２３％
Ｖ−ＨＨＢ−１                              （３−１−２）      １４％
Ｖ２−ＨＨＢ−１                            （３−１−２）        ６％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                    （４−１−１）        ８％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ        （４−１−２）      １６％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                    （６−１−８）      １０％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                  （７−１−１）        ６％
ＮＩ＝８０．４℃；Ｔｃ≦−３０℃；Δｎ＝０．０９３；η＝１２．２ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．６２Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．６％；ＶＨＲ−２＝９７．７％；τ＝１２．３ｍｓ．
【０１０６】
実施例９
３−ＨＢ−ＣＬ                              （１）                ８％
１Ｖ−ＨＨ−３                              （２）              １０％
Ｖ−ＨＨ−５                                （２）              ２０％
Ｖ−ＨＨＢ−１                              （３−１−２）      １３％
Ｖ２−ＨＨＢ−１                            （３−１−２）        ６％
３−ＨＢＢ−Ｆ                              （３−２−５）        ４％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                    （４−１−１）        ８％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ        （４−１−２）      １５％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                    （６−１−８）      １０％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                  （７−１−１）        ６％
ＮＩ＝８１．３℃；Ｔｃ≦−３０℃；Δｎ＝０．０９６；η＝１１．７ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．７４Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．６％；ＶＨＲ−２＝９７．４％；τ＝１１．８ｍｓ．
【０１０７】
実施例１０
３−ＨＢ−ＣＬ                              （１）                ７％
Ｖ−ＨＨ−５                                （２）              ２０％
１Ｖ−ＨＨ−３                              （２）              １３％
Ｖ−ＨＨＢ−１                              （３−１−２）      １８％
Ｖ２−ＨＨＢ−１                            （３−１−２）        ６％
３−ＨＨＢ−ＣＬ                            （３−２−２）        ５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ        （４−１−２）      ２１％
２−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                    （６−１−８）        ５％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                  （７−１−１）        ５％
この組成物に酸化防止剤である化合物（９）を１００ｐｐｍ添加した。その時の特性は次のとおりであった。ＮＩ＝８２．５℃；Ｔｃ≦−３０℃；Δｎ＝０．０９５；η＝１３．７ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．７１Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．５％；ＶＨＲ−２＝９７．３％；τ＝１１．９ｍｓ．
【０１０８】
実施例１１
３−ＨＢ−ＣＬ                              （１）              １１％
Ｖ−ＨＨ−５                                （２）              １６％
１Ｖ−ＨＨ−３                              （２）              １３％
Ｖ−ＨＨＢ−１                              （３−１−２）      １９％
Ｖ２−ＨＨＢ−１                            （３−１−２）      １０％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３                        （３−２−３）        ２％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ                            （３−２−４）        ２％
２−ＨＢＢ−Ｆ                              （３−２−５）        ４％
３−ＨＢＢ−Ｆ                              （３−２−５）        ４％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ        （４−１−２）      １３％
３−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ        （４−１−６）        ３％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３      （５−１−４）        ３％
ＮＩ＝７９．８℃；Ｔｃ≦−３０℃；Δｎ＝０．０９６；η＝１２．６ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．９９Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．４％；ＶＨＲ−２＝９７．４％；τ＝９．７ｍｓ．
【０１０９】
実施例１２
３−ＨＢ−ＣＬ                              （１）                ７％
１Ｖ−ＨＨ−３                              （２）              １０％
Ｖ−ＨＨ−５                                （２）              ２３％
Ｖ−ＨＨＢ−１                              （３−１−２）      １４％
Ｖ２−ＨＨＢ−１                            （３−１−２）        ６％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                    （４−１−１）        ４％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ        （４−１−２）      １６％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                  （４−１−３）        ２％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                  （４−１−４）        ２％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                    （６−１−８）        ５％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                  （６−１−９）        ３％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                  （６−１−１０）      ２％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                  （７−１−１）        ３％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                （７−１−２）        ３％
ＮＩ＝８０．８℃；Ｔｃ≦−３０℃；Δｎ＝０．０９３；η＝１２．８ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．６８Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．３％；ＶＨＲ−２＝９７．８％；τ＝１１．３ｍｓ．
【０１１０】
実施例１３
３−ＨＢ−ＣＬ                              （１）              １５％
Ｖ−ＨＨ−３                                （２）              ３５％
Ｖ−ＨＨＢ−１                              （３−１−２）        ３％
２−ＨＢＢ−Ｆ                              （３−２−５）        ５％
３−ＨＢＢ−Ｆ                              （３−２−５）        ５％
５−ＨＢＢ−Ｆ                              （３−２−５）        ５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ        （４−１−２）      １８％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−５                        （８−１−２）        ２％
５−ＨＢ（Ｆ）ＢＨ−３                      （８−１−３）        ３％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２                      （８−１−４）        ７％
３−ＨＨＥＢＨ−４                          （８−１−５）        ２％
ＮＩ＝７１．２℃；Ｔｃ≦−３０℃；Δｎ＝０．１０４；η＝１１．１ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．８８Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．６％；ＶＨＲ−２＝９７．４％；τ＝１０．１ｍｓ．
【０１１１】
実施例１４
３−ＨＢ−ＣＬ                              （１）                ７％
１Ｖ−ＨＨ−３                              （２）              １０％
Ｖ−ＨＨ−５                                （２）              ２３％
Ｖ−ＨＨＢ−１                              （３−１−２）      １４％
Ｖ２−ＨＨＢ−１                            （３−１−２）        ６％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                    （４−１−１）        ８％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ        （４−１−２）      １６％
Ｖ−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ                        （６−１−１）        ３％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−ＯＣＦ３                  （６−１−２）        ２％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                  （６−１−１１）      ５％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                  （７−１−１）        ６％
ＮＩ＝８２．７℃；Ｔｃ≦−３０℃；Δｎ＝０．０９４；η＝１１．７ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．６７Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．５％；ＶＨＲ−２＝９７．３％；τ＝１０．４ｍｓ．
【０１１２】
実施例１５
３−ＨＢ−ＣＬ                              （１）              １１％
Ｖ−ＨＨ−５                                （２）              １６％
１Ｖ−ＨＨ−３                              （２）              １３％
Ｖ−ＨＨＢ−１                              （３−１−２）      １７％
Ｖ２−ＨＨＢ−１                            （３−１−２）      １０％
２−ＨＢＢ−Ｆ                              （３−２−５）        ４％
３−ＨＢＢ−Ｆ                              （３−２−５）        ４％
５−ＨＢＢ−Ｆ                              （３−２−５）        ４％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ        （４−１−２）      １９％
ＶＦＦ−ＨＨＢ−１                          （−）                ２％
ＮＩ＝７８．５℃；Ｔｃ≦−３０℃；Δｎ＝０．０９９；η＝１３．２ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．９４Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．６％；ＶＨＲ−２＝９７．４％；τ＝１０．２ｍｓ．
【０１１３】
実施例１６
３−ＨＢ−ＣＬ                              （１）              １０％
Ｖ−ＨＨ−５                                （２）              ２０％
１Ｖ−ＨＨ−３                              （２）              １０％
Ｖ−ＨＨＢ−１                              （３−１−２）      １４％
Ｖ２−ＨＨＢ−１                            （３−１−２）        ５％
２−ＨＢＢ−Ｆ                              （３−２−５）        ３％
３−ＨＢＢ−Ｆ                              （３−２−５）        ３％
５−ＨＢＢ−Ｆ                              （３−２−５）        ３％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                    （４−１−１）        ５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ        （４−１−２）      ２２％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                  （７−１−１）        ３％
ＶＦＦ−ＨＨＢ−１                          （−）                ２％
ＮＩ＝７１．６℃；Ｔｃ≦−３０℃；Δｎ＝０．１０１；η＝１３．３ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．６７Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．５％；ＶＨＲ−２＝９７．３％；τ＝１１．８ｍｓ．
【０１１４】
実施例１７
３−ＨＢ−ＣＬ                              （１）              １７％
Ｖ−ＨＨ−５                                （２）              １６％
１Ｖ−ＨＨ−３                              （２）              １２％
Ｖ−ＨＨＢ−１                              （３−１−２）      １９％
Ｖ２−ＨＨＢ−１                            （３−１−２）        ６％
２−ＨＨＢ−ＣＬ                            （３−２−２）        ４％
３−ＨＨＢ−ＣＬ                            （３−２−２）        ４％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ        （４−１−２）      １０％
３−ＨＨＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ                  （６−１−１２）    １２％
この組成物に、式（１２）のｎが７である化合物を２００ｐｐｍ添加した。このときの組成物の特性は次のとおりであった。ＮＩ＝７９．６℃；Ｔｃ≦−３０℃；Δｎ＝０．０８７；η＝１２．７ｍＰａ・ｓ；Ｖｔｈ＝１．９９Ｖ；ＶＨＲ−１＝９９．６％；ＶＨＲ−２＝９７．４％；τ＝９．８ｍｓ．
【０１１５】
組成物における化合物（１）と化合物（２）を組み合わせた効果については、比較例１と実施例１〜１７を比較すれば分かる。比較例１の組成物は、化合物（２）を多量に含むが、化合物（１）を含まない。比較例１の組成物は下限温度が高かった。化合物（１）と化合物（２）を混合すれば、本願実施例１〜１７のように、組成物の下限温度は低くなった。