(57)【要約】【課題】高記録密度および薄型化が図られるとともに十分な剛性が確保されて、安定した記録再生特性を得ることのできる金属薄膜型磁気記録媒体を提供する。【解決手段】長尺状の非磁性支持体１の両面に金属、半金属及び合金、並びにこれらの酸化物及び複合物から選ばれた材料からなる強化層２ａ，２ｂを有し、さらに一方の面の強化層２ａ上に強磁性金属薄膜からなる磁性層３を備え、他方の面の強化層２ｂ上にバックコート層５を備える金属薄膜型磁気記録媒体１００であって、強化層２ａ，２ｂの合計膜厚と該強化層２ａ，２ｂを構成する材料のヤング率とを乗じて得られる強化係数が２２７００Ｐａ・ｍ以上であり、バックコート層５側の強化層２ｂの膜厚を磁性層３及び磁性層３側の強化層２ａの合計膜厚で除して得られるＢ／Ｍ比が０．２５以上、２．２２以下であることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
長尺状の非磁性支持体の両面に金属、半金属及び合金、並びにこれらの酸化物及び複合物から選ばれた材料からなる強化層を有し、さらに一方の面の強化層上に強磁性金属薄膜からなる磁性層を備え、他方の面の強化層上にバックコート層を備える金属薄膜型磁気記録媒体であって、
前記強化層の合計膜厚と該強化層を構成する材料のヤング率とを乗じて得られる強化係数が２２７００Ｐａ・ｍ以上であり、
前記バックコート層側の強化層の膜厚を前記磁性層及び該磁性層側の強化層の合計膜厚で除して得られるＢ／Ｍ比が０．２５以上、２．２２以下であることを特徴とする金属薄膜型磁気記録媒体。
【請求項２】
長尺状の非磁性支持体の一方の主面上に半金属及び合金、並びにこれらの酸化物及び複合物から選ばれた材料からなる強化層を備え、他方の主面上に強磁性金属薄膜からなる磁性層を備える金属薄膜型磁気記録媒体において、
前記強化層の膜厚と該強化層を構成する材料のヤング率とを乗じて得られる強化係数が２２７００Ｐａ・ｍ以上であり、
前記強化層の膜厚を前記磁性層の膜厚で除して得られるＢ／Ｍ比が０．２５以上、２．２２以下であることを特徴とする金属薄膜型磁気記録媒体。
【請求項３】
前記非磁性支持体の厚みは、２μｍ以上、５μｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の金属薄膜型磁気記録媒体。
【請求項４】
前記磁性層の膜厚は、２０ｎｍ以上、９０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の金属薄膜型磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属薄膜型磁気記録媒体に係わり、特に磁気記録媒体の機械強度を向上させることを目的として長尺状の非磁性支持体上に強化層を設けた、長時間記録用のビデオテープ、あるいは大容量のテープストリーマとして好適な高密度磁気記録用の薄物金属薄膜型磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、オーディオテープ、ビデオテープ等の磁気記録テープとしては、非磁性支持体上に、酸化物磁性粉末あるいは合金磁性粉末等の磁性粉末を、塩化ビニル-酢酸ビニル共重合体、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂、ポリウレタン樹脂等の各種結合剤中に分散させて作製した磁性塗料を塗布し、乾燥させることにより得られる、いわゆる塗布型の磁気記録媒体が広く知られている。
【０００３】
これに対し、近年の高密度記録化への要求の高まりと共に、Ｃｏ-Ｎｉ系合金、Ｃｏ-Ｃｒ系合金、Ｃｏ-Ｏ等の金属磁性材料を、メッキや真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の真空薄膜形成技術によって、直接非磁性支持体上に、あるいは極めて薄層の接着層を介して磁性層を形成する、いわゆる金属薄膜型磁気記録媒体が提案されている。
【０００４】
さらに、電磁変換特性を向上させ、より大きな出力を得ることができるようにするために、磁性層を斜めに蒸着するいわゆる斜方蒸着によって形成する方法が提案され、この方法によって磁性層が形成された磁気記録媒体は、ハイバンド８ｍｍビデオテープレコーダ、デジタルビデオテープレコーダー用の蒸着テープとして実用化されている。
【０００５】
このような金属薄膜型磁気記録媒体は、保磁力や角形比に優れ、また、磁性層を極めて薄層に形成できることから、短波長領域での電磁変換特性に優れ、また、記録減磁や再生時の厚み損失が著しく小さく、更には塗布型の磁気記録媒体と異なり、磁性層中に非磁性材料であるバインダーが混入されないので、強磁性金属粒子の充填密度を高めることができる等、種々の利点を有している。
【０００６】
また上述の金属薄膜型磁気記録媒体においては、耐久性や走行性等を向上させるために、磁性層上に保護層を形成したり、磁性層形成面とは反対側の主面に、バックコート層を形成したりすることが通常行われている。
【０００７】
金属薄膜型磁気記録媒体においては、高密度記録化に対応してスペーシングロスの低減化を図るために、表面が一層平滑化される方向にある。
しかし、磁性層の表面が平滑になると、磁気ヘッドに対する接触面積が大きくなるため、摩擦力が増大し、磁性層に生じるせん断応力が大きくなる。このような厳しい摺動条件から磁性層を保護するために、磁性層上には、保護層を形成することが重要である。
【０００８】
また、バックコート層は、非磁性支持体表面の誘電率を下げ、帯電による走行不良を防止したり、非磁性支持体の耐久性を向上させ、走行中のヘッドとの摩擦による傷の発生から保護したり、磁気テープ間の摩擦から保護したりする機能を有するものである。
【０００９】
ところで、ビデオテープレコーダに使用されるテープ状の磁気記録媒体では、磁気記録媒体が収納されるビデオカセットの小型化に伴い、より一層のコンパクト化と長時間記録化が望まれている。また、近年の情報量の増大化に伴い、テープストリーマ用の磁気記録媒体においても大容量化が望まれている。カセット１巻当たりの記録容量を向上させる手法としては、記録密度を向上させて磁気記録媒体上に記録できる情報量を増やす手法と、磁気記録媒体の厚みを薄くすることでカセット１巻あたりに巻くテープの量を増やす手法がある。とくに、後者の手法は記録フォーマットを変える必要が無いため、既存の磁気記録媒体フォーマットの高容量化に用いることが可能である。
【００１０】
磁気テープの厚みを薄くする手法としては、非磁性支持体である高分子フィルムを薄くする方法が最も有効である。従来の非磁性支持体（ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム）の厚みは、例えば、家庭用ビデオテープレコーダの８ｍｍテープ用途では７〜１０μｍ程度であり、コンピュータのデータバックアップ用のテープストリーマ用途では５〜７μｍ程度であったが、この厚みを５μｍ以下にすることが望まれていた。
【００１１】
しかしながら、非磁性支持体の剛性は、非磁性支持体のヤング率と厚さが関係しているが、非磁性支持体の厚さを薄くすると、非磁性支持体の剛性が著しく低下し、耐久性が劣化する傾向にあった。そして、このように耐久性が劣化した非磁性支持体を用いた磁気記録媒体は、ビデオテープレコーダまたはドライブでの走行時に変形しやすくなったり、シワや折れ等が発生しやすくなったりした。特に、テープ状の非磁性支持体の幅方向における剛性が著しく低下すると、この非磁性支持体を用いて磁気記録媒体を構成した場合に、磁気テープと磁気ヘッドとの当たりが悪くなり、結果的に再生出力の変動が生じてしまい、安定な記録再生特性が得られなかった。
【００１２】
そこで、非磁性支持体としてポリアミド（ＰＡ）フィルムを用いることが検討されている。ＰＡフィルムは、ＰＥＴフィルムに比べてヤング率と耐熱性が優れている特徴を有するため、非磁性支持体の厚さを従来よりも薄くすることが可能であり、ビデオカセットテープの長時間記録化、テープストリーマの大容量化に対応した磁気記録媒体として注目されている。
【００１３】
しかしながら、剛性は厚さの３乗に比例するため、例えば、支持体の厚さを半分にして同一の剛性を得るためには、非磁性支持体の材料のヤング率は８倍でなければならない。従って、単に非磁性支持体の材質を変更しただけでは、機械的強度が不十分であった。
【００１４】
また、ＰＡフィルムは、従来用いられていたＰＥＴフィルムや、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルムに比べて高価であり、磁気テープの非磁性支持体材料として大量に生産販売することに適していない。
【００１５】
これを補うため、非磁性支持体である高分子フィルム上に真空薄膜形成技術により強化層を形成することで、磁気記録媒体の薄層化と適切な機械強度を保つ手法が提案されている（例えば、特許文献１，２参照。）。強化層は、同じ厚さの高分子フィルムよりも飛躍的に機械強度に優れており、わずかな厚みでも効果があり、結果として磁気記録媒体の薄層化が可能であった。
【００１６】
【特許文献１】特開２００２−３５８６２９号公報
【特許文献２】特開平１１−２８３２３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
しかしながら、最近記録密度の向上を目的とした、再生磁気ヘッドがインダクティブ型ヘッドから磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＭＲヘッド）、巨大磁気抵抗効果型磁気ヘッド（ＧＭＲヘッド）への変更に伴ってヘッドの飽和防止のために磁性層の膜厚を薄くする必要が生じている。例えば、蒸着テープを用いた商品ではインダクティブ型ヘッド使用の民生用ＤＶ用テープの磁性層は約２００ｎｍであったが、ＭＲヘッド使用のＭＭＶ用テープの磁性層は約５０ｎｍとなる。その結果、上記のような強化層を設けた磁気テープであっても耐久性が劣化してしまう場合があった。また、この場合、単に強化層を厚くすると記録再生特性に問題が生じることがあった。
【００１８】
本発明は、以上の従来技術における問題に鑑みてなされたものであり、更なる高記録密度および薄型化が図られるとともに十分な剛性が確保されて、安定した記録再生特性を得ることのできる金属薄膜型磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
前記課題を解決するために提供する本発明は、長尺状の非磁性支持体の両面に金属、半金属及び合金、並びにこれらの酸化物及び複合物から選ばれた材料からなる強化層を有し、さらに一方の面の強化層上に強磁性金属薄膜からなる磁性層を備え、他方の面の強化層上にバックコート層を備える金属薄膜型磁気記録媒体であって、前記強化層の合計膜厚と該強化層を構成する材料のヤング率とを乗じて得られる強化係数が２２７００Ｐａ・ｍ以上であり、前記バックコート層側の強化層の膜厚を前記磁性層及び該磁性層側の強化層の合計膜厚で除して得られるＢ／Ｍ比が０．２５以上、２．２２以下であることを特徴とする金属薄膜型磁気記録媒体である（請求項１）。
【００２０】
前記課題を解決するために提供する本発明は、長尺状の非磁性支持体の一方の主面上に半金属及び合金、並びにこれらの酸化物及び複合物から選ばれた材料からなる強化層を備え、他方の主面上に強磁性金属薄膜からなる磁性層を備える金属薄膜型磁気記録媒体において、前記強化層の膜厚と該強化層を構成する材料のヤング率とを乗じて得られる強化係数が２２７００Ｐａ・ｍ以上であり、前記強化層の膜厚を前記磁性層の膜厚で除して得られるＢ／Ｍ比が０．２５以上、２．２２以下であることを特徴とする金属薄膜型磁気記録媒体である（請求項２）。
【００２１】
ここで、請求項１または２の発明において、前記非磁性支持体の厚みは、２μｍ以上、５μｍ以下であることが好ましい。
また、請求項１または２の発明において、前記磁性層の膜厚は、２０ｎｍ以上、９０ｎｍ以下であることが好ましい。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、磁性層の薄層化と非磁性支持体の薄層化を達成して、磁気記録媒体として単位体積当たりの記録密度の向上を図りつつ、磁気記録媒体として充分な剛性を付与することができ、走行安定性、磁気ヘッドとの接触性の向上が図られ、磁気記録媒体の形状を良好に維持することができる。
また、非磁性支持体の主面両面に強化層を形成したことによって、磁気記録媒体を構成する非磁性支持体を従来の安価な材料を使用しつつ、薄物化とした場合においても、高価な原料による非磁性支持体を用いることなく、機械的な強度を保持することができ、金属薄膜型磁気記録媒体の作製コストの低減化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下に、本発明に係る金属薄膜型磁気記録媒体の第１の実施の形態の構成について説明する。
図１は、本発明の金属薄膜型磁気記録媒体の概略断面図である。
金属薄膜型磁気記録媒体１００は、非磁性支持体１上の両面に、真空薄膜形成技術により形成した金属、半金属及び合金、並びにこれらの酸化物及び複合物から選ばれた材料からなる強化層２ａ，２ｂを有し、強化層２ａ上に強磁性金属あるいはその合金を用いて真空薄膜形成技術により形成したあるいはウェットコーティングプロセス技術により形成した磁性層３を有し、磁性層３形成面とは反対面側の強化層２ｂ上に、ウェットコーティングプロセス技術により形成したバックコート層５を有する。
【００２４】
ここで、強化層２ａ，２ｂ、磁性層３の膜厚をそれぞれｔ２ａ（ｎｍ）、ｔ２ｂ（ｎｍ）、ｔｍ（ｎｍ）とし、強化層２ａ，２ｂを構成する材料のヤング率をＥとすると、本発明の金属薄膜型磁気記録媒体ではつぎの関係式が成り立つ。
【００２５】
（ｔ２ａ＋ｔ２ｂ）×Ｅ  ≧  ２２７００Ｐａ・ｍ  ・・・  （１）
０．２５≦  ｔ２ｂ／（ｔ２ａ＋ｔｍ）  ≦２．２２      ・・・  （２）
【００２６】
なお、上記（１）式において強化層２ａ，２ｂの合計膜厚（ｔ２ａ＋ｔ２ｂ）と強化層２ａ，２ｂを構成する材料のヤング率Ｅとを乗じて得られるものを強化係数ｋと称し、上記（２）式においてバックコート層５側の強化層２ｂの膜厚ｔ２ｂを磁性層３及び該磁性層２側の強化層２ａの合計膜厚（ｔ２ａ＋ｔｍ）で除して得られるものをＢ／Ｍ比と称する。
【００２７】
また、本発明でいうヤング率Ｅには、強化層２ａ，２ｂを構成する材料からなるバルク材を測定した数値を用いるとよい。すなわち、該バルク材のたわみや伸びを測定して求められるヤング率でよい。
【００２８】
以下、本発明の金属薄膜型磁気記録媒体１００を構成する各層について、詳細に説明する。
【００２９】
非磁性支持体１は、長尺形状を呈しており、通常、磁気テープの基体として用いられている公知の材料をいずれも適用できる。例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリテトラメチレンテレフタレート、ポリ-１，４-シクロヘキシレンジメチレンテレフタレート、ポリエチレン２，６-ナフタリンジカルボキシレート、ポリエチレン-ｐ-オキシベンゾエート、ポリアミド（ＰＡ）等を挙げることができる。特に、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）が、材料の入手し易さや加工性の良好さの点から好適である。また、これらのポリエステルは、ホモポリエステルであっても、コポリエステルであってもよい。
【００３０】
従来の磁気テープでは、非磁性支持体を通常５〜１５μｍの厚さとして機械的な強度を保持し、走行安定性を確保しているが、非磁性支持体自体の強度を向上させる以外の方法によって、磁気記録媒体の走行時における機械的な強度が得られれば、非磁性支持体をさらに薄型にすることもできる。この観点から金属薄膜型磁気記録媒体１００においては、非磁性支持体１は５μｍ以下、例えば、４μｍとすることができる。
【００３１】
非磁性支持体１の曲げ剛性は、非磁性支持体１のヤング率、厚さにより算出することができる。更に非磁性支持体の両主面に各種材料による層を形成する場合には、非磁性支持体１の曲げ剛性と、形成する層の厚さと、ヤング率と、非磁性支持体１の厚さとから得られるパラメータを加味して算出することができる。
【００３２】
曲げ応力が非磁性支持体１に加わると、非磁性支持体１の一主面側は縮み、他の主面側は伸びることになるため、非磁性支持体１の伸び縮みを阻止することが、曲げ剛性を向上させることになる。このとき、最も外側に剛性の高い層を形成すること、更には非磁性支持体１の両主面の最も外側に剛性の高い層を形成することにより、高い曲げ剛性を得ることができる。
【００３３】
よって、曲げ剛性を向上させるためには、非磁性支持体１の両主面に剛性を付与するための層（強化層）を形成することが有効である。
例えば、厚さが４μｍ程度のポリエステル系フィルムを非磁性支持体１として用いる場合でも、構成材料を選択してヤング率を調節した強化層２ａ，２ｂを形成し、さらには該強化層２ａ，２ｂの厚さを制御してすることにより、剛性を高め、ポリアミドフィルムに匹敵する曲げ剛性を有する非磁性支持体とすることができる。
【００３４】
一方において、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル系フィルムを、５μｍを越える厚さとすると、強化層２ａ，２ｂによる曲げ剛性を向上させる効果は少なくなる。これは、一般に、厚さの３乗に比例することから、ポリエステル系フィルムすなわち非磁性支持体１が厚くなると、非磁性支持体１自体の剛性そのものが向上し、強化層２ａ，２ｂによる剛性の向上率が相対的に減少してしまうためである。
【００３５】
また、２μｍ未満の厚さのポリエステル系フィルムは、基本的に、フィルム自体の曲げ剛性が低すぎるため、強化層２ａ，２ｂによる剛性の向上が加味されていても、金属薄膜型磁気記録媒体１００を構成する非磁性支持体としての実用的に充分な剛性が得られない。
上述したことから、本発明の金属薄膜型磁気記録媒体１００を構成する非磁性支持体１の厚さは、２〜５μｍであることが好適である。
【００３６】
強化層２ａ，２ｂは、非磁性支持体１の主面の両側に、真空薄膜形成技術により成膜されるものであり、金属、半金属及び合金並びにこれらの酸化物及び複合物から選ばれた材料により形成される。
【００３７】
強化層２ａ，２ｂを構成する材料は、Ａｌの他、Ｃｕ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｎｉ，Ａｇ，Ｃｏ，Ｆｅ，Ｍｎ等の金属、Ｓｉ，Ｇｅ，Ａｓ，Ｓｃ，Ｓｂ等の半金属、及びそれらの酸化物を適用できる。また、これらの金属及び半金属の合金としては、Ｆｅ-Ｃｏ，Ｆｅ-Ｎｉ，Ｃｏ-Ｎｉ，Ｆｅ-Ｃｕ，Ｃｏ-Ｃｕ，Ｃｏ-Ａｕ，Ｃｏ-Ｙ，Ｃｏ-Ｌａ，Ｃｏ-Ｐｒ，Ｃｏ-Ｇｄ，Ｃｏ-Ｓｍ，Ｃｏ-Ｐｔ，Ｎｉ-Ｃｕ，Ｍｎ-Ｂｉ，Ｍｎ-Ｓｂ，Ｍｎ-Ａｌ，Ｆｅ-Ｃｒ，Ｃｏ-Ｃｒ，Ｎｉ-Ｃｒ，Ｆｅ-Ｃｏ-Ｃｒ，Ｎｉ-Ｃｏ-Ｃｒ等が挙げられ、これらの金属、半金属及び合金の酸化物は、例えば蒸着時に酸素ガスを導入することで容易に得られる。また、これらの金属、半金属及び合金の複合物としては、Ｆｅ-Ｓｉ-Ｏ，Ｓｉ-Ｃ，Ｓｉ-Ｎ，Ｃｕ-Ａｌ-Ｏ，Ｓｉ-Ｎ-Ｏ，Ｓｉ-Ｃ-Ｏ等が挙げられる。
【００３８】
強化層２ａ，２ｂの膜厚は、上記関係式（１）、（２）を満たすように設定する。すなわち、強化層２ａ，２ｂを構成する材料を選択し、該材料のヤング率Ｅ及び磁性層３の膜厚ｔｍから上式（１）、（２）を満足する範囲で、強化層２ａ，２ｂの膜厚ｔ２ａ、ｔ２ｂを設定する。このとき生産性等を鑑みると、２０〜２００ｎｍの厚さに形成することが好ましい。
【００３９】
図２に、金属薄膜型磁気記録媒体１００の強化層２ａ，２ｂを成膜する蒸着装置１０の一例の概略図を示す。
この蒸着装置１０においては、排気口２１、２２から排気されて真空状態となされた真空室１１内に、送りロール１３と巻取りロール１４とが設けられており、これらの間に非磁性支持体１が順次走行するようになされている。
【００４０】
これら送りロール１３と巻取りロール１４との間において、上記非磁性支持体１が走行する途中には、冷却キャン１５が設けられている。この冷却キャン１５には、冷却装置（図示せず）が設けられ、周面を走行する非磁性支持体１の温度上昇による熱変形等を抑制している。
【００４１】
非磁性支持体１は、送りロール１３から順次送り出され、さらに冷却キャン１５周面を通過して巻き取りロール１４に巻き取られていくようになされている。
なお、ガイドロール１６および１７により非磁性支持体１には、所定のテンションがかけられ、円滑に走行するようになされている。
【００４２】
真空室１１内には、冷却キャン１５の下方にルツボ１８が設けられており、ルツボ内には、成膜材料１９が充填されている。一方、真空室１１の側壁部には、ルツボ１８内に充填された成膜材料１９を加熱蒸発させるための電子銃２０が設けられている。この電子銃２０は、これより放出される電子線Ｂが、ルツボ内１８内の成膜材料１９に照射されるような位置に配置されている。そして、この電子線Ｂの照射によって蒸発した成膜材料１９が非磁性支持体１の表面に被着して、強化層２ａまたは強化層２ｂの形成がなされる。
【００４３】
強化層２ａ，２ｂは、上記真空蒸着法の他、成膜材料の蒸発を放電中で行うイオンプレーティング法や、アルゴンを主成分とする雰囲気中でグロー放電を起こして生じたアルゴンイオンでターゲット表面の原子をたたき出すスパッタ法等、いわゆるＰＶＤ技術によって形成することができる。また、ウェットコーティングプロセス技術により形成することもできる。
【００４４】
磁性層３は、強化層２ａ上に強磁性金属材料を直接被着することによって形成することができるが、この強磁性金属材料としては、従来公知の金属、合金をいずれも使用することができる。例えば、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の強磁性金属、ＣｏＮｉ，ＦｅＣｏ，ＦｅＣｏＮｉ，ＦｅＣｕ，ＣｏＣｕ，ＣｏＡｕ，ＣｏＰｔ，ＭｎＢｉ，ＭｎＡｌ，ＦｅＣｒ，ＣｏＣｒ，ＮｉＣｒ，ＦｅＣｏＣｒ，ＣｏＮｉＣｒ，ＦｅＣｏＮｉＣｒ等の強磁性合金が挙げられる。また、磁性層３は、上記強磁性金属材料の単層膜であっても多層膜であってもよい。
【００４５】
さらには、強化層２ａと磁性層３との間や、多層膜とした場合の金属磁性薄膜間には、各層間の付着力の向上や保磁力の制御等のため、Ｃｒ等により中間層を形成してもよい。
また、磁性層３の表面近傍は、耐蝕性等を向上させるために酸化物となっていてもよい。
【００４６】
磁性層３の膜厚は、２０ｎｍ以上、９０ｎｍ以下であることが好ましく、再生磁気ヘッド（ＭＲヘッド、ＧＭＲヘッド）に応じて設定するとよい。
【００４７】
また、磁性層３は、図２に示した蒸着装置で成膜するとよい。この場合、ツルボ１８内に成膜材料１９に代えて、上記強磁性金属材料を充填する。そして、この電子線Ｂの照射によって蒸発した強磁性金属材料が非磁性支持体１の強化層２ａ表面に被着して、磁性層３の形成がなされる。
【００４８】
また、冷却キャン１５とルツボ１８との間であって、冷却キャン１５の近傍には、シャッター２３が、冷却キャン１５の周面を走行する非磁性支持体１の所定領域を覆う形で配置されており、このシャッター２３により、蒸発した強磁性金属材料が非磁性支持体１に対して所定の入射角度範囲で斜めに蒸着するようになされている。
【００４９】
さらに、磁性層３の蒸着に際し、真空室１１の側壁部を貫通して設けられている酸素ガス導入管２４により、非磁性支持体１の表面に酸素ガスが供給されるようになされ、磁性層３の磁気特性、耐久性、および耐候性の向上を図っている。
【００５０】
磁性層３の上には、通常、良好な耐蝕性および走行耐久性を確保するために保護層４が形成されて成る。
保護層４を形成する材料としては、金属磁性薄膜用の保護層として、一般に使用されている従来公知の材料をいずれも適用することができる。例えばカーボン、ＣｒＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、ＢＮ、Ｃｏ酸化物、ＭｇＯ、ＳｉＯ2 、Ｓｉ3Ｏ4 、ＳｉＮX 、ＳｉＣ、ＳｉＮX -ＳｉＯ2 、ＺｒＯ2 、ＴｉＯ2 、ＴｉＣ、ＭｏＳ等を挙げることができる。これらの単層膜であってもよいし、多層膜であってもよい。特に、カーボンを基材とした保護層４は、耐久性、耐蝕性および生産性に優れている。
【００５１】
保護層４は、厚く形成し過ぎると、スペーシングによる損失が増加し、薄過ぎると、耐磨耗性および耐蝕性が劣化してしまうので、４〜１２ｎｍ程度の厚さに形成することが望ましい。
【００５２】
保護層４は、公知の真空成膜技術により形成することができ、例えば、図３に示すプラズマＣＶＤ連続膜形成装置３００を用いて、ＣＶＤ法によって形成することができる。
【００５３】
図３に示すプラズマＣＶＤ連続膜形成装置３００は、排気系３３０から排気されて真空状態となされた真空室３３１内に送りロール３３３と、巻き取りロール３３４とが設けられ、非磁性支持体１上に強化層２ａ，２ｂ及び磁性層３が形成された被処理体３４０は送りロール３３３から順次送り出され、円筒状の回転可能な対向電極用キャン３３５の周面を通過し、巻き取りロール３３４に巻き取られていくようになされている。なお、送りロール３３３と対向電極用キャン３３５との間、および対向電極３３５と巻き取りロール３３４との間には、それぞれガイドロール３３６が配置され、被処理体３４０に所定のテンションをかけ、被処理体３４０が円滑に走行するようになされている。
【００５４】
また、対向電極用キャン３３５の下方には、例えばパイレックス(登録商標)ガラス、プラスチック等よりなる反応管３３７が設けられている。
また、反応管３３７の内には該反応管３３７の底部を貫通して一方の端部が挿入され、他方の端部が真空室３３１外に導出されたガス導入管３４１が設けられ、この放電ガス導入口３４１から成膜用ガスが反応管３３７内に導入されるようになされている。
また、反応管３３７内には、金属メッシュ等よりなる放電電極３３８が組み込まれている。この放電電極３３８には、外部に配設された電源３３９により所定の電位、例えば５００〜２０００Ｖの電圧が印加されるようになされている。
【００５５】
上述した構成のプラズマＣＶＤ連続膜形成装置３００においては、電極３３８に電圧が印加されることで、電極３３８と対向電極用キャン３３５との間にグロー放電が生じる。そして、反応管３３７内に導入された成膜用ガスは、生じたグロー放電によって分解し、被処理体３４０上に被着される。
【００５６】
成膜用ガスとして炭素化合物ガスを導入し、本ＣＶＤ法によりプラズマ中で分解して成膜すると、耐磨耗性、耐蝕性、表面被覆率に優れ、平滑な表面形状と高い誘電率をもつダイヤモンドライクカーボンと呼ばれる硬質カーボンを、１０ｎｍ以下の厚さに安定して成膜することができる。
【００５７】
この場合、炭素化合物としては、炭化水素系、ケトン系、アルコール系等、従来公知の材料をいずれも使用することができる。また、プラズマ中で分解するために、高周波のバイアス電圧を用いる。また、プラズマ精製時には、炭素化合物の分解を促進するためのガスとして、Ａｒ，Ｈ2 等が導入されていてもよい。
【００５８】
その他、ダイヤモンドライクカーボンの膜硬度、耐蝕性の向上を図るため、カーボンが窒素、フッ素と反応した状態であってもよく、ダイヤモンドライクカーボン膜は単層であっても多層であってもよい。また、プラズマ生成時に、炭素化合物の他、Ｎ2 、ＣＨＦ3 、ＣＨ2Ｆ2 等のガスを単独あるいは適宜混合した状態で成膜することもできる。
【００５９】
また、保護層４は、図４に示すマグネトロンスパッタ装置４００を適用して成膜してもよい。
図４に示すマグネトロンスパッタ装置４００においては、真空ポンプ４３２によって真空状態となされたチャンバー４３１内に、供給ロール４３９と、巻き取りロール４４０とが設けられ、これら供給ロール４３９と巻き取りロール４４０に、非磁性支持体１上に強化層２ａ，２ｂ及び磁性層３が形成された被処理体４５０が順次走行するようになされている。
これら供給ロール４３９から巻き取りロール４４０に被処理体４５０が走行する途中には、円筒状の回転可能な対向電極用の冷却キャン４３５が設けられている。
【００６０】
なお、供給ロール４３９と冷却キャン４３５との間、および冷却キャン４３５と巻き取りロール４４０との間には、それぞれガイドロール４４１が配置され、被処理体４５０に所定のテンションをかけ、被処理体４５０が円滑に走行するようになされている。
【００６１】
また、チャンバー４３１内には、冷却キャン４３５と対向する位置には、ターゲット４３６が設けられている。
ターゲット４３６は、保護層４の材料となるものであり、例えば、カーボンが用いられる。
【００６２】
これらターゲット４３６は、カソード電極を構成するバッキングプレート４３７に支持されている。
そして、バッキングプレート４３７の裏面には、磁場を形成するマグネット４３８が配設されている。
【００６３】
このマグネトロンスパッタ装置４００において、保護層４を成膜する場合には、チャンバー４３１内を真空ポンプ４３２によって約１０-4Ｐａ程度に減圧した後、真空ポンプ４３２側に排気するバルブ４３３を調節して排気速度を制御する。一方においてガス導入管４３４からＡｒガスを導入して真空度を例えば約０．８Ｐａとする。
【００６４】
そして、ガス導入管４３４からＡｒガスを導入するとともに、冷却キャン４３５をアノード、バッキングプレート４３７をカソードとして、約３０００Ｖの電圧を印加し、約１．４Ａの電流が流れる状態を保持する。そして、この電圧の印加により、Ａｒガスがプラズマ化し、電離されたイオンがターゲット４３６に衝突することにより、それぞれの材料から原子がはじき出される。
【００６５】
このとき、バッキングプレート４３７の裏面に配置されたマグネット４３８により、ターゲット４３６近傍には、磁場が形成されるので、電離されたイオンは、ターゲット４３６の近傍に集中されることとなる。
【００６６】
そして、これらのターゲット４３６からはじき出された原子は、磁気テープロールから図示矢印方向に繰り出されて、冷却キャン４３５の外周面に沿って走行する被処理体４５０の磁性層３上に付着する。このようにして、保護層４が成膜された被処理体４５０は、巻き取りロール４４０に巻き取られる。
【００６７】
バックコート層５は、磁性面３を配してなる面とは逆側の強化層２ｂ上に走行安定性を付与する目的で形成されるものである。この材料としては、一般に使用されるものであれば如何なるものであってもよい。例えば、カーボン、CrO2、Al2O3、BN、Co酸化物、MgO、SiO2、Si3O4、SiN4、SiC、SiN4、SiO2、ZrO2、TiO2、TiC等が挙げられる。また、バックコート層５は、これらの単層膜であってもよいし多層膜であってもよい。さらに通常は有機バインダーとともに混合し、塗布することで成膜するものであるが、そのバインダーは如何なるものであってもよい。
【００６８】
また、本発明の金属薄膜型磁気記録媒体１００においては、磁性層２形成面側の最表層に、潤滑剤や防錆剤をコーティングして潤滑剤層６を形成することが望ましい。このとき、使用する潤滑剤は、磁気記録媒体の用途として一般に使用されるものであればいずれも使用することができる。特に、主骨格がフルオロカーボン系、アルキルアミン、アルキルエステル等が好適である。なお、この潤滑剤層はバックコート層５形成面側の最外層に形成してもよい。
【００６９】
つぎに、本発明に係る金属薄膜型磁気記録媒体の第２の実施の形態の構成について説明する。
図５は、本発明の金属薄膜型磁気記録媒体の概略断面図である。
金属薄膜型磁気記録媒体２００は、非磁性支持体１の一方の主面上に半金属及び合金、並びにこれらの酸化物及び複合物から選ばれた材料からなる強化層２ｂを備え、他方の主面上に強磁性金属薄膜からなる磁性層３を備える。すなわち、本発明は、図１に示す第１の実施の形態において強化層２ａの膜厚を０とした（強化層２ａを省略した）ものであり、それ以外は第１の実施の形態の構成と同じである。
また、本発明の金属薄膜型磁気記録媒体はつぎの関係式が成り立つことを要件とする。
【００７０】
ｔ２ｂ×Ｅ  ≧  ２２７００Ｐａ・ｍ    ・・・  （３）
０．２５≦  ｔ２ｂ／ｔｍ  ≦２．２２  ・・・  （４）
【００７１】
ここでは、上記（３）式において強化層２ｂの膜厚ｔ２ｂと強化層２ｂを構成する材料のヤング率Ｅとを乗じて得られるものが強化係数ｋであり、上記（４）式においてバックコート層５側の強化層２ｂの膜厚ｔ２ｂを磁性層３の膜厚ｔｍで除して得られるものがＢ／Ｍ比である。
【００７２】
なお、非磁性支持体１、強化層２ｂ、磁性層３、保護層４、バックコート層５、潤滑剤層６は第１の実施の形態と同じ構成でよく、その形成方法も同じでよい。
【実施例】
【００７３】
次に、本発明の金属薄膜型磁気記録媒体について、具体的に実施例および比較例を挙げて説明するが、本発明の金属薄膜型磁気記録媒体は、以下の例に限定されるものではない。
【００７４】
〔実施例１〕
非磁性支持体１として、厚みが４．５μｍで幅１５０ｍｍのＰＥＴフィルムを用意し、以下の条件で図１に示した金属薄膜型磁気記録媒体１００を作製した。
【００７５】
非磁性支持体１の主面の一方に、強化層２ａ（磁性層３側）を形成した。
強化層２ａは、図２に示した蒸着装置１０を用いて、真空蒸着法によって以下の蒸着条件で成膜した。成膜材料１９にはＣｕを使用した。
（蒸着条件）
・成膜材料：Ｃｕ１００ｗｔ％
・入射角      ：４５°〜１０°
・蒸着時真空度：２．０×１０-2Ｐａ
・強化層２ａ膜厚：１００ｎｍ
さらに、同じ条件で非磁性支持体１の反対面に強化層２ｂ（バックコート層側）を膜厚８０ｎｍで成膜した。
なお、強化層２ａ，２ｂの膜厚は、サンプルを可視光硬化性樹脂（Ｄ-８００）で包埋し、ミクロトーム法で断面試料を作製し、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で観察を行い測定したものである。
【００７６】
上記（１）式により強化係数ｋは、２３３６０Ｐａ・ｍであった。なお、Ｃｕのヤング率を１２．９８×１０１０Ｐａとした。
【００７７】
次に、図２に示した蒸着装置１０を用いて、以下の蒸着条件で強化層２ａ上に磁性層３を形成した。
（蒸着条件）
・金属磁性材料：Ｃｏ１００ｗｔ％
・入射角      ：４５°〜１０°
・導入ガス    ：酸素ガス
・酸素導入量  ：３．３×１０-6ｍ3 ／ｓｅｃ
・蒸着時真空度：２．０×１０-2Ｐａ
・磁性層３膜厚：５０ｎｍ
【００７８】
上記（２）式よりＢ／Ｍ比は、０．５３であった。
なお、強化層２ａ，２ｂと磁性層３を成膜する順番は上記に限る必要はなく、たとえば、強化層２ａを成膜後、その上に磁性層３を成膜し、その後に磁性層３とは反対の非磁性支持体１主面に強化層２ｂを形成しても良い。
【００７９】
次に、磁性層３上に、保護層４を形成した。
保護層４としては、プラズマＣＶＤ法によって、以下の条件により、ダイヤモンド状カーボン層を形成した。
（保護層成膜条件）
・反応ガス    ：トルエン
・反応ガス圧  ：１０Ｐａ
・導入電力    ：直流（ＤＣ）１．５ｋＶ
・保護層４膜厚：１０ｎｍ
【００８０】
次に、磁性層３を配してなる面とは逆側の表層（強化層２ｂ）上に走行安定性を付与する目的でバックコート層５を形成した。ここでは、カーボンを有機バインダーとともに混合し、塗布することで厚み０．４μｍのバックコート層５を形成した。
【００８１】
次に、磁性層３形成面側およびバックコート層５形成面側の最外層それぞれにフルオロカーボンを主骨格とし、第３アミンにより変成してなる潤滑剤を塗布した。なお、フルオロカーボンとしては、ダイキン工業社製商品名「デムナム」を使用し、第３アミンとしてはジメチルデシルアミンを使用して塩構造をとるように合成した。
【００８２】
最後に、６．３５ｍｍ幅と８ｍｍ幅に裁断し、金属薄膜型磁気記録媒体のサンプルとした。
【００８３】
〔実施例２〜６〕
実施例１において、強化層２ａ，２ｂの膜厚をそれぞれ１００，１００ｎｍ（実施例２）、７５，１２５ｎｍ（実施例３）、５０，１２５ｎｍ（実施例４）、５０，１７５ｎｍ（実施例５）、１５０，５０ｎｍ（実施例６）とし、それ以外は実施例１と同じ条件でサンプルを作製した。
【００８４】
〔実施例７，８〕
実施例１において、強化層２ａ，２ｂの膜厚をそれぞれ０，１８０ｎｍ（実施例７）、０，２００ｎｍ（実施例８）とし（すなわち、図５に示す構成とし）、磁性層３の膜厚を９０ｎｍとして、それ以外は実施例１と同じ条件でサンプルを作製した。
【００８５】
〔実施例９，１０〕
実施例１において、強化層２ａ，２ｂを構成する材料をＡｌ（成膜材料１９をＡｌ１００ｗｔ％）とし、それぞれの膜厚を１００，３００ｎｍ（実施例９）、１５０，２５０ｎｍ（実施例１０）として、それ以外は実施例１と同じ条件でサンプルを作製した。なお、Ａｌのヤング率を７．０３×１０１０Ｐａとした。
【００８６】
〔比較例１，２〕
実施例１において、強化層２ａ，２ｂの膜厚をそれぞれ１００，５０ｎｍ（比較例１）、１８０，４０ｎｍ（比較例２）とし、それ以外は実施例１と同じ条件でサンプルを作製した。
【００８７】
〔比較例３〕
実施例１において、強化層２ａ，２ｂを省略し、それ以外は実施例１と同じ条件でサンプルを作製した。
【００８８】
〔比較例４，５〕
実施例１において、強化層２ａ，２ｂの膜厚をそれぞれ０，１００ｎｍ（比較例４）、０，２００ｎｍ（比較例５）とし、それ以外は実施例１と同じ条件でサンプルを作製した。
【００８９】
〔比較例６〜８〕
実施例１において、強化層２ａ，２ｂの膜厚をそれぞれ１００，０ｎｍ（比較例６）、２００，０ｎｍ（比較例７）、３００，０ｎｍ（比較例８）とし、それ以外は実施例１と同じ条件でサンプルを作製した。
【００９０】
〔比較例９〕
実施例１において、強化層２ａ，２ｂの膜厚を０，２５０ｎｍとし、磁性層３の膜厚を９０ｎｍとして、それ以外は実施例１と同じ条件でサンプルを作製した。
【００９１】
〔比較例１０〜１２〕
実施例１において、強化層２ａ，２ｂを構成する材料をＡｌ（成膜材料１９をＡｌ１００ｗｔ％）とし、それぞれの膜厚を７０，２５０ｎｍ（比較例１０）、１００，１７５ｎｍ（比較例１１）、２５０，５０ｎｍ（比較例１２）として、それ以外は実施例１と同じ条件でサンプルを作製した。
【００９２】
〔比較例１３，１４〕
実施例１０において、強化層２ａ，２ｂの膜厚をそれぞれ０，３００ｎｍ（比較例１３）、４００，０ｎｍ（比較例１４）とし、それ以外は実施例１０と同じ条件でサンプルを作製した。
【００９３】
〔比較例１５〕
実施例１０において、強化層２ａ，２ｂの膜厚を０，３５０ｎｍとし、磁性層３の膜厚を９０ｎｍとして、それ以外は実施例１０と同じ条件でサンプルを作製した。
【００９４】
〔参考例１，２〕
実施例１において、非磁性支持体１をＰＡフィルム（厚み４．５μｍ）とし、強化層２ａ，２ｂを省略し、磁性層３の膜厚をそれぞれ１００，５０ｎｍとして、それ以外は実施例１と同じ条件でサンプルを作製した。
【００９５】
上記のようにして作製したサンプルについて、以下に示す方法により測定を行い評価した。なお、ＲＦ当り特性及びエラーレートについては、ソニー株式会社製のＡＩＴドライブＳＤＸ-５００Ｃを改造した磁気記録媒体の実機において、６．３５ｍｍ幅のサンプルを収めたカセットを使って、特性評価を行った。
【００９６】
（１）カッピング
８ｍｍ幅のサンプルを磁性層３が上になるように静置した場合に、その断面形状として磁性層３側が凹（バックコート層５側が凸）となるように湾曲した状態をプラス（＋）カッピングと定義し、磁性層３側が凸（バックコート層５側が凹）となるように湾曲した状態をマイナス（−）カッピングと定義する。
カッピングの測定では、プラスカッピングの場合は凹部の底部と端部との高低差（ｍｍ）を、マイナスカッピングの場合は凸部の頂点と端部との高低差（ｍｍ）をカッピング量の絶対値とし、プラスカッピングの場合にはプラスの符号、マイナスカッピングの場合にはマイナスの符号を付けたものをカッピング量とした。
なお、カッピング評価として、測定されたカッピング量の絶対値が０．８未満であるものを評価良好とし、この範囲を外れるものを評価不良とした。
【００９７】
（２）曲げ剛性（ループスティフネス）
サンプルのテープ長手方向への曲げに対する強度を曲げ剛性として測定した。詳しくは、切り出した８ｍｍ幅のサンプルの両端を貼り合わせて円周４ｍｍのループを形成し、このループに対して押し込み０．５ｍｍでの反発力を曲げ剛性の指標として測定した。
また、参考例１の曲げ剛性との比を曲げ剛性比として求めた。
【００９８】
（３）ＲＦ当り特性（ＡＩＴデッキ）
サンプルを走行させながらサンプルに記録波長０．５μｍの信号を記録した後、ヘッド再生によるＲＦ信号のエンベロープ特性についてオシロスコープでモニタした。ここでは、ＲＦ当り特性を正常なＲＦ信号の幅（Ａ）に対する劣化したＲＦ信号の幅（Ｂ）の比率とし、次式により算出した。なお、劣化したＲＦ信号の幅（Ｂ）はトラック長の入り口と出口のうち、いずれか悪い値を用いた。評価に当っては、ＲＦ当り特性９０％以上の場合を良好とした。
（ＲＦ当り特性）＝Ｂ／Ａ×１００（％）
【００９９】
（４）エラーレート（ＡＩＴデッキ）
サンプルを走行させ、ブロックエラーレートを測定した。
【０１００】
以上の結果を表１に示す。
【０１０１】
【表１】
2006134370.tif 000003
【０１０２】
参考例１，２において、ポリアミドフィルムの非磁性支持体の場合、磁性層３の厚みが１００ｎｍの場合では各特性に問題は見られないが、磁性層厚みを５０ｎｍに減少させると、そのことによる機械強度劣化によってＲＦ当り特性がとれず、エラーレートも悪化することがわかる。これと同様に、強化層がなく強度の弱いＰＥＴフィルムの非磁性支持体を使用した比較例３ではＲＦ当り特性が低く、エラーレートもよくない。
【０１０３】
これに対して、本発明による実施例１〜６の金属薄膜型磁気記録媒体は、強度の弱いＰＥＴフィルムの非磁性支持体を使用しても、強化層を非磁性支持体の両面に形成することによって、曲げ剛性、ＲＦ当り特性、エラーレートが改善している。
【０１０４】
比較例１では強化係数が小さいため、曲げ剛性が低く、ＲＦ当り特性が劣化し、エラーレートが悪くなっている。また、比較例２では強化係数は満足しているがＢ／Ｍ比が小さく適正範囲を外れているため、カッピング量が大きくなりＲＦ当り特性が悪くなった。
比較例４，５では、Ｂ／Ｍ比の増加に伴い、マイナスカッピングでそのカッピング量が大きくなり、比較例６〜８では、Ｂ／Ｍ比の減少に伴い、プラスカッピングでカッピング量が大きくなることがわかる。この中で、比較例４はＢ／Ｍ比は満足しているが、強化係数が小さく適正範囲を外れており、比較例１同様ＲＦ当り特性が劣化し、エラーレートが悪くなっている。また、比較例５，７，８は強化係数を満足しているが、Ｂ／Ｍ比が適正範囲を外れており、比較例２同様カッピング量が大きくなりＲＦ当り特性が悪くなった。
また、実施例７，８では、バックコート層側の強化層のみの場合でも、強化係数及びＢ/Ｍ比を所定の値にすれば、良好な特性を取ることができることが確認された。すなわち、磁性層３側の強化層２ａよりも、バックコート層５側の強化層２ｂの存在がＲＦ当り特性改善により効果的であることがわかる。しかしながら、比較例９のようにバックコート層側の強化層２ｂを厚くしすぎるとＢ／Ｍ比が過剰に大きくなり、適正範囲を外れてカッピングが悪くなる。
以上のことから、ＲＦ当り特性の劣化を防ぎ、カッピング量を適正な値にするには、強化係数とＢ／Ｍ比を所定の値にする必要がある。
【０１０５】
なお、実施例９，１０、比較例１０〜１５は、強化層をＡｌにした例である。ＡｌはＣｕよりも機械強度は弱いが、強化係数とＢ／Ｍ比を所定の値にすることで同様の効果を得ることができた。
【０１０６】
以上のように、本発明の金属薄膜型磁気記録媒体によれば、非磁性支持体の両面またはバックコート層側に適切な強化層を形成することにより、ＭＲヘッド用メディアのような薄層磁性層や機械強度の弱い安価なＰＥＴフィルムの非磁性支持体でも十分な機械強度を保つことができ、ＲＦ当り特性やエラーレートの悪化を改善し、大容量の高性能高信頼性磁気記録媒体を実現できることが確認された。
【図面の簡単な説明】
【０１０７】
【図１】本発明に係る金属薄膜型磁気記録媒体の第１の実施の形態における構成を示す断面図である。
【図２】本発明の金属薄膜型磁気記録媒体を構成する磁性層および強化層を作製するための蒸着装置の概略図である。
【図３】プラズマＣＶＤ連続膜形成装置の概略図である。
【図４】本発明の金属薄膜型磁気記録媒体を構成する強化層形成用のマグネトロンスパッタ装置の概略図である。
【図５】本発明に係る金属薄膜型磁気記録媒体の第２の実施の形態における構成を示す断面図である。
【符号の説明】
【０１０８】
１・・・非磁性支持体、２ａ，２ｂ・・・強化層、３・・・磁性層、４・・・保護層、５・・・バックコート層、１０・・・蒸着装置、１１・・・真空室、１３・・・送りロール、１４・・・巻き取りロール、１５・・・冷却キャン、１６，１７・・・ガイドロール、１８・・・ルツボ、１９・・・成膜材料、２０・・・電子銃、２１，２２・・・排気口、２３・・・シャッター、２４・・・酸素ガス導入管、１００，２００・・・金属薄膜型磁気記録媒体、３００・・・プラズマＣＶＤ連続膜形成装置、３３０・・・排気系、３３１・・・真空室、３３３・・・送りロール、３３４・・・巻き取りロール、３３５・・・対向電極、３３６・・・ガイドロール、３３７・・・反応管、３３８・・・電極、３３９・・・直流電源、３４０・・・被処理体、３４１・・・放電ガス導入口、４００・・・マグネトロンスパッタ装置、４３１・・・チャンバー、４３２・・・真空ポンプ、４３３・・・バルブ、４３５・・・冷却キャン、４３６，４６６・・・ターゲット、４３７，４６７・・・バッキングプレート、４３８，４６８・・・マグネット、４３９・・・供給ロール、４４０・・・巻き取りロール、４４１・・・ガイドロール、４５０・・・被処理体
【図１】
2006134370.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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