(57)【要約】【課題】  パタン計測の自動化を図れるパタン計測方法を提供することである。【解決手段】  パタン計測方法は、パタンを備えた基板を用意するステップＳ１と、前記パターンに係るパタンデータを入力データに用いたシミュレーションに基づいて、前記基板上の被計測箇所を抽出するステップＳ４と、前記抽出した前記被計測箇所の物理量を計測するための情報を生成するステップＳ６と、前記抽出した前記被計測箇所を前記情報に基づいて計測手段により計測するステップＳ１０とを含む。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パタンを備えた基板を用意する工程と、
前記パタンに係るパタンデータを入力データに用いたシミュレーションに基づいて、前記基板上の被計測箇所を抽出する工程と、
前記被計測箇所の物理量を計測手段により計測するための計測情報を生成する工程と、
前記被計測箇所を前記計測情報に基づいて前記計測手段により計測する工程と
を含むことを特徴とするパタン計測方法。
【請求項２】
前記被計測箇所の物理量は、前記パタンの寸法または面積であることを特徴とする請求項１に記載のパタン計測方法。
【請求項３】
前記被計測箇所の物理量を計測するための計測情報は、前記被計測箇所がスペース部であるか否かに係る情報、前記被計測箇所を前記計測手段により計測するときの計測方向に係る情報、および、前記被計測箇所を前記計測手段により計測するときの計測範囲に係る情報であることを特徴とする請求項１または２に記載のパタン計測方法。
【請求項４】
前記被計測箇所を前記計測情報に基づいて前記計測手段により計測する工程は、前記被計測箇所の最小寸法、最大寸法、平均寸法および面積の少なくとも一つを計測する工程を含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載のパタン計測方法。
【請求項５】
前記パタンデータを入力データに用いたシミュレーションに基づいて、前記基板上の被計測箇所を抽出する工程は、
前記パタンデータを入力データに用いて前記基板上に形成されるパタンをシミュレーションにより予測する工程と、
前記パタンデータに対応した前記基板上に形成される設計パタンの物理量と前記予測したパタンの物理量とを比較し、該物理量の相違が一定以上の箇所を前記被計測箇所として抽出する工程と
を含むことを特徴とする請求項１ないし４のいずれ１項に記載のパタン計測方法。
【請求項６】
前記パタンデータを入力データに用いたシミュレーションに基づいて、前記基板上の被計測箇所を抽出する工程は、
前記パタンデータを入力データに用いて前記基板上に形成されるパタンをシミュレーションにより予測する工程と、
前記パタンデータに対応した前記基板上に形成される設計パタンの物理量と前記予測したパタンの物理量とを一方向に沿って比較し、該物理量の相違が一定以上の箇所を前記被計測箇所として抽出する工程とを含み、
前記被計測箇所の物理量を前記計測手段により計測するための計測情報を生成する工程は、
前記被計測箇所を前記計測手段により計測するときの計測方向に係る情報として、前記一方向に係る情報を取得する工程と、
前記被計測箇所を前記計測手段により計測するときの計測範囲に係る情報として、前記一方向に対して垂直な方向に係る情報を取得する工程と
を含むことを特徴とする請求項１，２または４に記載のパタン計測方法。
【請求項７】
前記フォトマスクの前記パタンデータは、光近接効果補正およびプロセス近接効果補正の少なくとも一方が施されたデータであることを特徴とする請求項１ないし６のいずれ１項に記載のパタン計測方法。
【請求項８】
パタンを備えた基板上の被計測箇所を抽出する抽出手段であって、前記パタンに係るパタンデータを入力データに用いたシミュレーションに基づいて、前記被計測箇所を抽出する抽出手段と、
前記被計測箇所の物理量を計測するための計測情報を生成する生成手段と、
前記被計測箇所を前記計測情報に基づいて計測する計測手段と
を具備してなることを特徴とするパタン計測装置。
【請求項９】
請求項１ないし７のいずれか１項に記載のパタン計測方法により、パタンを備えた基板を計測し、前記基板の合否を判定する工程と、
前記基板の合否を判定する工程において、合格と判定した場合には、前記パタンに係るパタンデータを最終的なパタンデータとする工程と、
前記基板の良否を判定する工程において、不合格と判定した場合には、前記基板の合否を判定する工程において合格と判定されるまで、前記パタンデータを更新する工程と
を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項１０】
コンピュータに、パタンを備えた基板に係るデータを読み込ませる手順と、
前記パタンに係るパタンデータを入力データに用いたシミュレーションに基づいて、前記基板上の被計測箇所を抽出させる手順と、
前記被計測箇所の物理量を計測手段により計測するための計測情報を生成させる手順と、
前記被計測箇所を前記計測情報に基づいて前記計測手段により計測させる手順とを実行させるためのプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ等の基板上に形成されたパタンのパタン計測方法、パタン計測装置、フォトマスクの製造方法およびプログラムに関する
【背景技術】
【０００２】
近年の半導体製造技術の進歩は非常に目覚ましく、最小加工寸法７０ｎｍサイズの半導体デバイスが量産されている。半導体デバイスの微細化は、マスクプロセス技術、光リソグラフィ技術およびエッチング技術等の微細パタン形成技術の飛躍的な進歩により、実現されている。
【０００３】
パタンサイズが十分大きい時代には、ウエハ上に形成したい集積回路のパタンの平面形状をそのままマスクパタンの設計パタンとして描き、その設計パタンに忠実なマスクパタンを作成し、そのマスクパタンを投影光学系によってウエハ上に転写し、下地をエッチングすることによって、ほぼ設計パタン通りのパタンをウエハ上に形成できていた。
【０００４】
しかし、半導体デバイスの微細化が進み、集積回路の高集積化が進むにつれて、各プロセスでパタンを忠実に形成することが困難になってきており、最終的な仕上り寸法が設計パタン通りにならないという問題が生じてきている。
【０００５】
上記問題の大きな原因の一つとして、微細加工を達成するために最も重要なリソグラフィおよびエッチングプロセスにおいては、形成したいパタンの周辺に配置された他のパタンのレイアウト配置が、その形成したいパタンの寸法精度に大きな影響を与えることである。
【０００６】
そこで、これらの影響を回避するために開発されたのが、光近接効果補正（ＯＰＣ：Optical Proximity Correction）やプロセス近接効果補正（ＰＰＣ：Process Proximity Correction ）というマスク補正技術である。
【０００７】
上記マスク補正技術は、加工後の寸法が設計パタン（所望値）になるようにあらかじめ補助パタンを付加する、パタンの幅を太めたり細めたりするといったものである（特許文献１，２、非特許文献１）。これにより、設計者が描いた集積回路パタンをウエハ上に形成することが可能になる。
【０００８】
上記マスク補正技術を用いる場合、補正の正しさを検証する技術が必要となる。正しさを評価するための最も有効な方法としては、実際に作成されたウエハ上のパタンを計測することがあげられる。
【０００９】
その際には、技術者（ユーザー）が危険そうな箇所（危険箇所）を指定し、危険箇所に対応した集積回路パタン図面中の箇所を探し、さらに該箇所に対応したウエハ上のパタンを計測する、あるいは、シミュレーションにより危険箇所を求め、危険箇所に対応した集積回路パタン図面中の箇所を技術者が探し、さらに該箇所に対応したウエハ上のパタンを計測する。
【００１０】
一歩進んで、集積回路パタンの設計データの座標値を元に計測箇所まではたどり着くシステムが開発されつつあるが、計測箇所での測定の詳細設定（該当箇所がライン部か、スペース部か、どの方向に沿って寸法（ＣＤ）を測定するかなど）は、依然として技術者の手が必要である。
【００１１】
このように従来の検証技術は、技術者の手が必要であり、自動化は実現されていない。
【特許文献１】特開平０９−３１９０６７号公報
【特許文献２】特願２００３−１０７６６４
【非特許文献１】SPIE Vol.2322 (1994) 374(Large Area Optical Proximity Correction using Pattern Based Correction, D.M.Newmark et. al
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、パタン計測の自動化を図れるパタン計測方法、パタン計測装置、フォトマスクの製造方法およびプログラムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
【００１４】
すなわち、上記目的を達成するために、本発明に係るパタン計測方法は、パタンを備えた基板を用意する工程と、前記パタンに係るパタンデータを入力データに用いたシミュレーションに基づいて、前記基板上の被計測箇所を抽出する工程と、前記被計測箇所の物理量を計測手段により計測するための計測情報を生成する工程と、前記被計測箇所を前記計測情報に基づいて前記計測手段により計測する工程とを含むことを特徴とする。
【００１５】
本発明に係るパタン計測装置は、パタンを備えた基板上の被計測箇所を抽出する抽出手段であって、前記パタンに係るパタンデータを入力データに用いたシミュレーションに基づいて、前記被計測箇所を抽出する抽出手段と、前記被計測箇所の物理量を計測するための計測情報を生成する生成手段と、前記被計測箇所を前記計測情報に基づいて計測する計測手段とを具備してなることを特徴とする。
【００１６】
本発明に係るフォトマスクの製造方法は、本発明に係るパタン計測方法により、パタンを備えた基板を計測し、前記基板の合否を判定する工程と、前記基板の合否を判定する工程において、合格と判定した場合には、前記パタンに係る前記パタンに係るパタンデータを最終的なパタンデータとする工程と、前記基板の良否を判定する工程において、不合格と判定した場合には、前記基板の合否を判定する工程において合格と判定されるまで、前記パタンに係るパタンデータを更新する工程とを含むことを特徴とする。
【００１７】
本発明に係るプログラムは、コンピュータに、パタンを備えた基板に係るデータを読み込ませる手順と、前記パタンに係るパタンデータを入力データに用いたシミュレーションに基づいて、前記基板上の被計測箇所を抽出させる手順と、前記被計測箇所の物理量を計測手段により計測するための計測情報を生成させる手順と、前記被計測箇所を前記計測情報に基づいて前記計測手段により計測させる手順とを実行させるためのものである。
【００１８】
本発明の上記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記載および添付図面によって明らかになるであろう。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、パタン計測の自動化を図れるパタン計測方法、パタン計測装置、フォトマスクの製造方法およびプログラムを実現できるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。
【００２１】
図１は、本発明の一実施形態に係るマスク補正の検証工程を含むフォトマスクの製造方法を示すフローチャートである。
【００２２】
上記マスク補正の検証工程は、パタンを備えた基板上の被計測箇所（危険箇所）を計測装置（計測手段）により計測（観測）する工程と、上記被計測箇所を上記計測装置により計測するときに利用する計測情報を生成する工程とを含む。
【００２３】
上記基板は、例えば、Ｓｉウエハ（半導体ウェハ）や、ガラス基板（絶縁性基板）である。上記パタンは、集積回路パタンである。該集積回路パタンは、例えば、ＤＲＡＭ等の半導体メモリの周辺回路パタンである。また、上記パタンは、フォトマスクを用いて形成されたパタンあるいは電子ビーム描画を用いて形成されたパタン（直接描画パタン）である。
【００２４】
以下、本実施形態のフォトマスクの製造方法の詳細について説明する。
【００２５】
まず、基板上に形成される集積回路パタンに係るデータ（集積回路パタンデータ）が、用意される（ステップＳ１）。集積回路パタンデータはあらかじめ生成されている場合もあるし、あるいは、あらためて生成する場合もある。
【００２６】
次に、上記集積回路パタンデータに対してマスク補正が施され（ステップＳ２）、上記集積回路パタンデータとマスク補正に係るデータとを含むデータ（マスク補正後データ）が生成される（ステップＳ３）。上記マスク補正は、例えば、光近接効果補正（ＯＰＣ）およびプロセス近接効果補正（ＰＰＣ）の少なくとも一方である。
【００２７】
次に、被計測箇所（検証の対象となる箇所）を抽出するためのシミュレーションが行われる（ステップＳ４）。上記シミュレーションは、マスク補正後データ（パタンデータ）を入力データに用いた周知のシミュレーションである。例えば、マスク補正後データと設計データ（＝設計者が処理基板上で所望する形状・寸法を有するパタンのデータ（理想パタンデータ））とを比較し、両者の相違が一定以上の箇所（危険箇所）を抽出するという方法が一般的である。
【００２８】
例えば、図２のパタンの場合、点線の丸で囲った領域が被計測箇所となる。図２において、１１は設計データに対応したパタン（設計パタン）、１２はマスク補正後データを用いたシミュレーションにて得られたパタン（シミュレーションパタン）を示している。
【００２９】
本実施形態は、パタン計測を自動で行うことを想定しているが、パタン計測工程中において、技術者（ユーザー）に対して被計測箇所を呈示する工程を含んでいても構わない。例えば、図３または図４に示すようなマークＭ１，Ｍ２で被計測箇所を技術者（ユーザー）に対して呈示しても構わない。図３では、片側差分に対応する箇所がマークＭ１で表示されている。図４では、スペース間に対応する箇所をＭ２で表示されている。
【００３０】
マークの代わりに、座標で危険箇所を表示することも可能である。この場合、危険箇所の中心に対応した座標、あるいは、危険箇所の範囲に対応した座標が表示される。
【００３１】
ステップＳ４において、被計測箇所を抽出する際の基準としては、以下のものがあげられる。
【００３２】
（１）シミュレーションの結果、例えば、デザインで許容される最小寸法の８０％以下となる箇所（最小寸法が１００ｎｍであれば８０ｎｍ以下になる箇所）を抽出する。
【００３３】
（２）片側差分がデザインで許容される最小寸法の１０％以上（最小寸法が１００ｎｍであれば１０ｎｍ以上）の箇所を抽出する。
【００３４】
（３）着目箇所での設計データ寸法（着目箇所寸法）の８０％以下となる箇所（着目箇所寸法が１００ｎｍであれば８０ｎｍ以下となる箇所、着目箇所寸法が２００ｎｍであれば１６０ｎｍ以下となる箇所）を抽出する。
【００３５】
（４）上記（１）〜（３）のうちの少なくとも二つ以上の組合せ。
【００３６】
次に、ステップＳ４において、被計測箇所が抽出されたか否かが判断される（ステップＳ５）。
【００３７】
被計測箇所が抽出されなかった場合には、後述するステップＳ７にて使用する検証用のフォトマスクを用いて集積回路パタンが製造される（ステップＳ１２）。
【００３８】
一方、被計測箇所が抽出された場合には、該被抽出箇所に対応した基板上のパタン箇所を計測装置により計測するときに利用される情報（計測情報）が生成される（ステップＳ６）。
【００３９】
ステップＳ６の構成を図５に示す。
【００４０】
まず、ステップＳ４にて抽出された被計測箇所が用意され（ステップＳ６−１）、該被計測箇所が非スペース部か、あるいはスペース部であるかが判断される（ステップＳ６−２）。
【００４１】
非スペース部は、抽出された被計測箇所のうち、スペース部以外の部分であり、代表的には、ライン部である。非スペース部／スペース部の判断は、デザインルールチェッカーなどを用いた周知の方法で行える。
【００４２】
ステップＳ６−２がある理由は、非スペース部とスペース部とでは、計測装置の出力に対して設定される閾値などが異なるからである。例えば、非スペース部を計測する場合、計測装置の出力がＡ１（閾値１）以上の部分が非スペース部と判断され、スペース部を計測する場合、計測装置の出力がＡ２（閾値２（＜閾値１））以下の部分がスペース部と判断される。
【００４３】
次に、被抽出箇所に対応した基板上のパタン箇所を計測装置により計測するときに、該パタン箇所を計測する方向に係る情報（計測方向情報）が取得される（ステップＳ６−３）。
【００４４】
計測方向情報の取得方法としては、例えば、以下に述べる方法があげられる。
【００４５】
（１）ステップＳ４のシミュレーションの情報を利用する方法。例えば、図６に示すように、被計測箇所の抽出を片側差分Ｄに基づいて行う場合、差分を取る方向と測定する方向は一致するため、差分を取る方向に係る情報を計測方向情報とする。
【００４６】
（２）垂直方向、水平方向（または斜め方向）の中で一番狭い方向を測定方向として採用する方法。例えば、図７に示すように、水平方向の寸法Ｈが垂直方法の寸法Ｖよりも短い場合、水平方向に係る情報を計測方向情報とする。
【００４７】
水平方向の寸法Ｈおよび垂直方法の寸法Ｖのどちらの方が短いかを判断する方法は、例えば、スペース部の場合であれば、図８に示すように、マークＭ２をそれぞれ水平方向と垂直方向に拡大し、先に設計パタン１１に接触する方向を短い方向と判断する。計測方向情報は、必要に応じて、例えば、図９に示すようなマークＭ３で表示しても構わない。
【００４８】
図１０、図１１に、図８、図９に対応する非スペース部（ライン部）に係る図を示しておく。この場合、計測方向情報は、ライン部の幅方向に係る情報となる。Ｍ４は被計測箇所を表すマーク、Ｍ５は計測方向情報を表すマークである。
【００４９】
次に、被抽出箇所に対応した基板上のパタン箇所を計測装置により計測するときに、該パタン箇所を計測する範囲に係る情報（計測範囲情報）が取得される（ステップＳ６−４）。
【００５０】
計測範囲情報の取得方法としては、例えば、以下に述べる方法が考えられる。
【００５１】
すなわち、設計パタンとシミュレーションパタンとの差が片側差分の場合であれば、図１２に示すように、片側差分が設定値（基準値）以上となる領域Ｒ１あるいは計測方向に対して垂直な方向Ｄ１に係る情報が計測範囲情報として取得される。方向Ｄ１は、上から下に向かう方向、または、下から上に向かう方向を示している。
【００５２】
また、設計パタンとシミュレーションパタンとの差がスペース間距離の場合であれば、図１３に示すように、スペース間距離が設定値（基準値）以下となる領域Ｒ２あるいは計測方向に対して垂直な方向Ｄ１に係る情報が計測範囲情報として取得される。
【００５３】
以上述べた計測方向情報および計測範囲情報は、非スペース部、スペース部毎に取得され、これらの非スペース部およびスペース部の計測方向情報および計測範囲情報を含む情報が、被計測箇所の計測情報となる（ステップＳ６−５）。
【００５４】
なお、上記非スペース部およびスペース部の計測方向情報および計測範囲情報は、必要に応じて、図１４に示すように、一つの図面上にそれぞれ別のマークＭ６，Ｍ７で表示しても構わない。マークＭ６は非スペース部（ライン部）の計測方向情報および計測範囲情報を示すマークである。マークＭ６では、計測方向情報は矢印で示され、計測範囲情報は矩形で囲まれた範囲で示されている。同様に、マークＭ７はスペース部の計測方向情報および計測範囲情報を示すマークであり、計測方向情報は矢印で示され、計測範囲情報は矩形で囲まれた範囲で示されている。
【００５５】
上記計測範囲情報で決まる範囲内の基板上のパタン箇所（被計測箇所）について、その平均寸法、最小寸法、最大寸法および面積の少なくとも一つが、上記計測方向情報で決まる方向に沿って、計測装置で計測されることになる。
【００５６】
一方、ステップＳ３にてマスク補正後データが生成された後、該マスク補正後データを用いて検証用フォトマスクの製造が行われて（ステップＳ７）、検証用フォトマスクが用意され（ステップＳ８）、さらに該検証用フォトマスクのパタンが基板上のレジストに転写され、該レジストをマスクにして基板が加工（エッチング）される（ステップＳ９）。その結果、基板上にパタンが形成される。
【００５７】
なお、電子ビーム描画を用いて基板上に集積回路パタンを形成する場合は、ステップＳ７，Ｓ８は省略される。
【００５８】
次に、上記被抽出箇所に対応した基板上のパタン箇所が、周知の計測装置（例えばＳＥＭ）により計測される（ステップＳ１０）。このとき、ステップＳ６にて生成された計測情報が利用される。したがって、基板上の計測するべき箇所をどのような方向から計測するか、さらにどの範囲まで計測するかの指示は自動で行われる。すなわち、パタン計測の自動化を図れるパタン計測方法を実現できる。
【００５９】
上記自動化の方法としては、例えば、上記計測装置内に上記計測情報が入力され、計測装置自身で測定方向および測定範囲を決まる方法や、あるいは上記計測装置を制御する制御装置が別に用意され、該制御装置内に上記計測情報が入力され、上記制御装置で上記計測装置の測定方向および測定範囲を決まる方法などがある。
【００６０】
次に、ステップＳ１０の計測結果に基づいて、基板上のパタンの不良か否かの判断（合否判定）が行われる（ステップＳ１１）。
【００６１】
上記判断の結果、基板上のパタンが合格（良）と判断された場合には、ステップＳ７にて使用した検証用のフォトマスクを用いて集積回路パタンが製造される（ステップＳ１２）。
【００６２】
一方、ステップＳ１１の判断の結果、基板上のパタンが不合格（不良）と判断された場合には、ステップＳ１、ステップＳ２またはステップＳ３に戻って、ステップＳ４〜Ｓ１０が行われ、ステップＳ１１の判断が行われる。これらの一連のステップは、ステップＳ１１で、基板上のパタンが合格と判断されるまで行われる。
【００６３】
ここで、基板上のパタンの合否判定（ステップＳ１１）を自動で行っても構わない。ステップＳ１１を自動化することで、フォトマスクを効率よく、さらには低コストで製造することが可能となる。
【００６４】
図１５に、本実施形態のマスク補正の検証方法を含むフォトマスクの製造方法を実施するための装置を模式的に示す。図１６に、該装置の被計測箇所の計測情報の生成機構６の構成を示す。図１５中の各機構２，４，６，７，９，１０，１２は、それぞれ、図１のステップＳ２，Ｓ４，Ｓ６，Ｓ７，Ｓ９，Ｓ１０，Ｓ１２の処理に対応した動作を行う。同様に、図１６中の各機構６−２，６−３，６−４は、それぞれ、図５のステップＳ６−２，Ｓ６−３，Ｓ６−４の処理に対応した動作を行う。
【００６５】
図１の実施形態のフォトマスクの製造方法中のステップのうち、ステップＳ４，Ｓ５，Ｓ６，Ｓ１０を含む方法は、実施形態のパタン計測方法を示している。図１５の実施形態の装置中の機構のうち、機構４，５，６，１０を含む装置は、実施形態のパタン計測装置を示している。
【００６６】
また、以上述べた本実施形態のフォトマスクの製造方法およびパタン計測方法は、プログラムとしても実施できる。
【００６７】
すなわち、本実施形態のフォトマスクの製造方法に係るプログラムは、図１のステップＳ１−Ｓ１２（手順）をコンピュータに実行させるためのものである。さらに、本実施形態のパタン計測方法に係るプログラムは、図１のステップＳ４，Ｓ５，Ｓ６，Ｓ１０（手順）をコンピュータに実行させるためのものである。さらに、本発明は、上記プログラムが記録された記録媒体としても実施することができる。
【００６８】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、ステップＳ４のシミュレーションとして、以下のようなシミュレーションを行っても構わない。
【００６９】
すなわち、図１７に示すように、設計パタン１１上の辺上に複数の離散的な点（シミュレーションポイント）Ｐを設定し、各点Ｐ毎における設計パタン１１とシミュレーションパタン１２との差と設定値（基準値）とを比較して、各点Ｐ毎に計測するべき点か否かを判断する。計測するべき点と判断された点のみを含む範囲が被計測範囲となる。この場合も、計測方向情報および計測範囲情報は、必要に応じて、図１８に示すように、図面上にマークＭ８で表示しても構わない。マークＭ８では、計測方向情報は点線の矢印で、計測範囲情報は実線の矢印で示される。これらの矢印は分かりやすいように矩形で囲まれている。
【００７０】
また、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。さらに、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらにまた、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【００７１】
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施できる。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明の一実施形態に係るマスク補正の検証工程を含むフォトマスクの製造方法を示すフローチャート。
【図２】パタン中の被計測箇所を示す図。
【図３】被計測箇所を示すマーク。
【図４】被計測箇所を示す他のマーク。
【図５】ステップＳ６の構成を示す図。
【図６】計測方向情報の取得方法を説明するための図。
【図７】他の計測方向情報の取得方法を説明するための図。
【図８】スペース部の水平方向の寸法および垂直方法の寸法のどちらの方が短いかを判断する方法を示す図。
【図９】スペース部の計測方向情報を示すマーク。
【図１０】非スペース部の水平方向の寸法および垂直方法の寸法のどちらの方が短いかを判断する方法を示す図。
【図１１】非スペース部の計測方向情報を示すマーク。
【図１２】片側差分の場合の計測範囲情報の取得方法を説明するための図。
【図１３】スペース間距離の場合計測範囲情報の取得方法を説明するための図。
【図１４】非スペース部およびスペース部の計測方向情報および計測範囲情報を示すマーク。
【図１５】本実施形態のマスク補正の検証方法を含むフォトマスクの製造方法を実施するための装置を模式的に示す図。
【図１６】図１５の装置の被計測箇所の計測情報の生成機構の構成を示す図。
【図１７】図１のステップＳ４の変形例を説明するための図。
【図１８】変形例の計測方向情報および計測範囲情報のマークを示す図。
【符号の説明】
【００７３】
４…被計測箇所の抽出機構、６…被計測箇所の計測情報の生成機構、１０…パタン計測機構。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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