(57)【要約】【課題】  ＡｌＮバッファ層より下層に挿入するＡｌＧａＮバッファ層の存在により、あるいはこれに加えたＧａＮバッファ層の成長条件により、半導体エピタキシャルウェハの反りを低減し、以て短ゲート、低オーミック抵抗のデバイスを容易に作製可能な半導体エピタキシャルウェハを得る。【解決手段】  基板１０上に、ＡｌxＧａ1-xＮ（ただし０．３ ≦ｘ≦０．７）からなり膜厚が０．０７〜０．１５μｍの第一バッファ層１と、この第一バッファ層上に形成したＡｌＮからなる第二バッファ層２と、この第二バッファ層上に二次元方向成長したＧａＮ、ＡｌＧａＮ又はＩｎＧａＮのいずれかからなる第三バッファ層３とを備え、この第三バッファ層３上に、窒化物混晶をチャネル層とする窒化ガリウム系の電子デバイス構造３０を設けた構成とする。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、ＡｌxＧａ1-xＮ（ただし０．３ ≦ｘ≦０．７）からなり膜厚が約０．０７〜０．１５μｍの第一バッファ層と、この第一バッファ層上に形成したＡｌＮからなる第二バッファ層とを含むバッファ層を少なくとも備え、
このバッファ層上に、窒化物混晶をチャネル層とする窒化ガリウム系電子デバイス構造を設けたことを特徴とする半導体エピタキシャルウェハ。
【請求項２】
基板上に、ＡｌxＧａ1-xＮ（ただし０．３ ≦ｘ≦０．７）からなり膜厚が０．０７〜０．１５μｍの第一バッファ層と、この第一バッファ層上に形成したＡｌＮからなる第二バッファ層と、この第二バッファ層上に二次元方向成長したＧａＮ、ＡｌＧａＮ又はＩｎＧａＮのいずれかからなる第三バッファ層とを備え、
この第三バッファ層上に、窒化物混晶をチャネル層とする窒化ガリウム系電子デバイス構造を設けたことを特徴とする半導体エピタキシャルウェハ。
【請求項３】
請求項２記載の半導体エピタキシャルウェハにおいて、
上記ＡｌxＧａ1-xＮからなる第一バッファ層の混晶比ｘが約０．５であり、膜厚が約０．１μｍであることを特徴とする半導体エピタキシャルウェハ。
【請求項４】
請求項２又は３記載の半導体エピタキシャルウェハにおいて、
上記第三バッファ層が、成長時圧力約１３３３２Ｐａ（１００Ｔｏｒｒ）以下で二次元方向成長を促進させたＧａＮからなることを特徴とする半導体エピタキシャルウェハ。
【請求項５】
請求項２〜４のいずれかに記載の半導体エピタキシャルウェハにおいて、
上記第三バッファ層が、成長時温度１０６０℃以上で二次元方向成長を促進させたＧａＮからなることを特徴とする半導体エピタキシャルウェハ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、化合物半導体エピタキシャルウェハ、特にＧａＮをチャネル層に持つ高周波電子デバイスを実現するのに適した半導体エピタキシャルウェハに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、およびこれらの混晶を最適な構造で積層成長させたIII−Ｖ族窒化物系の半導体エピタキシャルウェハは、すでに青色ＬＥＤ用結晶として市場に出回っており、さらには青色ＬＤや紫外ＬＥＤ用エピタキシャルウェハなども開発されつつある。しかし高出力トランジスタの需要に伴い、光デバイスだけでなく電子デバイスとしても期待されるようになってきている。そのため近年、ＧａＮ−ＨＥＭＴ（Ｈｉｇｈ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｏｂｉｌｉｔｙ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：高電子移動度トランジスタ）の開発が各研究機関でさかんに行われている。
【０００３】
通常、これら光・電子デバイス用の半導体エピタキシャルウェハにおける窒化ガリウム（ＧａＮ）の成長は、サファイアやＳｉＣの基板上に、有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ法）などにより行われるが、良質なＧａＮの薄膜を成長するのは比較的困難である。その原因として、
【０００４】
(i) 基板との格子定数差による薄膜結晶の表面状態の劣化、および転移の増大、
【０００５】
(ii)  熱膨張係数差によるウェハの反りおよびクラックの発生、
の２つが挙げられる。
【０００６】
上記(i) の問題は、成長条件を選び、数μｍ程度の厚さを成長することによって解決が可能である。しかし膜厚が厚くなることによって上記(ii) の問題が顕著になる。また上記(ii) の問題はウェハが大口径化するほど深刻になる。
【０００７】
この問題を解決するために、様々な歪み緩和バッファー層構造が提案されているが、バッファー層形成→窒化物薄膜成長と一つの装置内で一括して行える利点から、通常はＡｌＮ（窒化アルミニウム）を第一のバッファー層として基板上に成長した後、必要とするＧａＮ（窒化ガリウム）のバッファー層構造を成長する方法がとられている。
【０００８】
図８に従来のＨＥＭＴ用半導体エピタキシャルウェハの構造を示す。
【０００９】
サファイア基板１０の上に、バッファ層２０として、数十ｎｍ程度のＡｌＮのバッファ層（低温堆積層）１２と厚いＧａＮのバッファ層１３を成長し、さらにその上に窒化物混晶をチャネル層とする窒化ガリウム系の電子デバイス構造３０を形成している。ここではＧａＮをチャネル層４とし、ＡｌＧａＮをキャリア供給層５とする高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）構造を形成している。 
【００１０】
図９は、上記した従来の成長条件とエピタキシャルウェハ構造を用いてＭＯＶＰＥ法により成長した、直径約１０．１６ｃｍ（４インチ）径のＨＥＭＴ用半導体エピタキシャルウェハの反りを示したものである。反りを示す指標として、ここではＢＯＷ（ウェハ周辺を基準にしたウェハ中心の相対位置で反りを評価する数値、小さいほど反りは小さい）が用いられており、従来のＨＥＭＴ用半導体エピタキシャルウェハの反りはＢＯＷで４７μｍと非常に大きな数値を示している。
【００１１】
このように４インチ径の半導体エピタキシャルウェハで４０μｍを大きく超える反りが発生している場合、このままでは高周波電子デバイスに必要な短ゲート長を実現するためのリソグラフィーや、良好なオーミック電極を得るための熱処理を行うことが困難である。
【００１２】
なお、上記した高周波電子デバイスのバッファ層を構成する技術として、従来、次のものが知られている。
（Ａ）特開２００４−０４８０７６号公報（特許文献１）
【００１３】
この特許文献１の特開２００４−０４８０７６号公報は、基板上に単結晶成長温度よりも低い低温で形成された第一バッファ層と、単結晶成長温度で形成され、第一バッファ層に接するＧａ及びＩｎを含まない窒化物からなる層を有する第二バッファ層とをこの順に備える半導体素子を開示している。この第一バッファ層は、具体的には厚さ約２．５ｎｍのＡｌＮ膜と、厚さ約２．５ｎｍのＧａＮ膜とを、交互に４周期積層した積層膜からなる。また第二バッファ層は厚さ約０．１μｍのＡｌＮ膜から構成される。
（Ｂ）特開２００３−２１８１２７号公報（特許文献２）
【００１４】
この特許文献２の特開２００３−２１８１２７号公報では、ＳｉＣ基板上へ、二次元核成長したＡｌＮ層を設け、このＡｌＮ層上に、ＧａＮバッファ層を成長し、このＧａＮバッファ層上に、窒化物混晶をチャネル層とする窒化ガリウム系電界効果トランジスタ構造を設けた電界効果トランジスタ用エピタキシャルウェハを開示している。 これは、基板とＧａＮ系化合物半導体の線膨張係数の差から、室温においてウェハに大きな反りが発生するとの前提に立ち、エピタキシャル層の膜厚を薄くすることで、基板反りの問題を解決する技術を開示するものでもある。
（Ｃ）特開２００３−２１８１２８号公報（特許文献３）
【００１５】
この特許文献３の特開２００３−２１８１２８号公報も、基板とＧａＮ系化合物半導体の線膨張係数の差から、室温においてウェハに大きな反りが発生するとの前提に立ち、エピタキシャル層の膜厚を薄くすることで、基板反りの問題を解決する技術を開示したものである。しかし、この特許文献３では、ＧａＮバッファ層の下に、ＡｌＮ低温堆積層ではなくＩｎＧａＮ低温堆積層を用いることにより、ＧａＮ電界効果トランジスタ構造のエピタキシャル層の総膜厚を１μｍ以下にして、反り量を２０μｍ以下に抑える。 デバイスプロセスに影響を与えない反り量は２０μｍ以下であると言われており、そのためのエピタキシャル層の膜厚は１μｍ以下にしなくてはならない、との考え方による。 
【００１６】
【特許文献１】特開２００４−０４８０７６号公報（段落番号００１３、００３８、図１）
【特許文献２】特開２００３−２１８１２７号公報（段落番号０００３、００１０、０００３６、図２）
【特許文献３】特開２００３−２１８１２８号公報（段落番号０００３、０００６、００３１、図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
しかしながら、特許文献１には反りに関する記載はない。すなわち、ＡｌＮ層より下層に挿入する層（ＡｌＧａＮ層）の混晶比や膜厚と反りとの関係については開示がなく、主として第一バッファ層がＡｌＮ膜とＧａＮ膜の周期構造を持つ場合を中心に説明されている。
【００１８】
また特許文献２、３は、共に、基板とＧａＮ系化合物半導体の線膨張係数の差から、室温においてウェハに大きな反りが発生するとの前提に立ち、エピタキシャル層の膜厚を薄くすることで、基板反りの問題を解決する技術である。ＡｌＮ層より下層に挿入する層（ＡｌＧａＮ層）やＧａＮバッファ層の成長条件を特定して反りを低減する技術を開示したものではない。
【００１９】
電界効果型トランジスタでは、ゲート長を短く、ソース・ドレイン抵抗を小さくすることが高周波特性向上に有効であると知られている。このためには、より短ゲートを実現するための微細なリソグラフィーや、ソース・ドレイン電極を熱アロイ処理して抵抗を下げるプロセスが不可欠である。
【００２０】
しかし、図８及び図９で説明した如く、従来の大きく反ったＧａＮ系の半導体エピタキシャルウェハでは、焦点深度の浅い微細なリソグラフィーや均一な裏面接触を要求する熱処理を適用することが困難であった。
【００２１】
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、ＡｌＮバッファ層より下層に挿入するＡｌＧａＮバッファ層の存在により、あるいはこれに加えたＧａＮバッファ層の成長条件により、半導体エピタキシャルウェハの反りを低減し、以て短ゲート、低オーミック抵抗のデバイスを容易に作製可能な半導体エピタキシャルウェハを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
上記目的を達成するため、本発明は、次のように構成したものである。
【００２３】
請求項１の発明に係る半導体エピタキシャルウェハは、基板上に、ＡｌxＧａ1-xＮ（ただし０．３ ≦ｘ≦０．７）からなり膜厚が約０．０７〜０．１５μｍの第一バッファ層と、この第一バッファ層上に形成したＡｌＮからなる第二バッファ層とを含むバッファ層を少なくとも備え、このバッファ層上に、窒化物混晶をチャネル層とする窒化ガリウム系電子デバイス構造を設けたことを特徴とする。
【００２４】
請求項２の発明に係る半導体エピタキシャルウェハは、基板上に、ＡｌxＧａ1-xＮ（ただし０．３ ≦ｘ≦０．７）からなり膜厚が０．０７〜０．１５μｍの第一バッファ層と、この第一バッファ層上に形成したＡｌＮからなる第二バッファ層と、この第二バッファ層上に二次元方向成長したＧａＮ、ＡｌＧａＮ又はＩｎＧａＮのいずれかからなる第三バッファ層とを備え、この第三バッファ層上に、窒化物混晶をチャネル層とする窒化ガリウム系電子デバイス構造を設けたことを特徴とする。
【００２５】
請求項３の発明は、請求項２記載の半導体エピタキシャルウェハにおいて、上記ＡｌxＧａ1-xＮからなる第一バッファ層の混晶比ｘが約０．５であり、膜厚が約０．１μｍであることを特徴とする。
【００２６】
請求項４の発明は、請求項２又は３記載の半導体エピタキシャルウェハにおいて、上記第三バッファ層が、成長時圧力約１３３３２Ｐａ（１００Ｔｏｒｒ）以下で二次元方向成長を促進させたＧａＮからなることを特徴とする。
【００２７】
請求項５の発明は、請求項２〜４のいずれかに記載の半導体エピタキシャルウェハにおいて、上記第三バッファ層が、成長時温度１０６０℃以上で二次元方向成長を促進させたＧａＮからなることを特徴とする。
【００２８】
＜発明の要点＞
本発明の要点は、バッファ層の構造、成長条件を調整することによって半導体エピタキシャルウェハの反りを小さくすることにある。
【００２９】
本発明に係る半導体エピタキシャルウェハの典型的な構成は、図１に示すように、サファイア基板１０上に、ＡｌxＧａ1-xＮ（ただし０．３≦ｘ≦０．７、好ましくはｘ＝約０．５）からなり膜厚が０．０７〜０．１５μｍ、好ましくは約０．１μｍの第一バッファ層１と、この上に形成したＡｌＮからなる第二バッファ層２と、この上に二次元方向成長したＧａＮからなる第三バッファ層３からなる三層構造のバッファ層２０を備え、この三層構造のバッファ層２０上に、窒化物混晶をチャネル層とする窒化ガリウム系の電子デバイス構造３０として、ＧａＮからなるチャネル層４とＡｌＧａＮからなるキャリア供給層５を設けた構成である。
【００３０】
上記数値限定の根拠を次に示す。
【００３１】
図３は、サファイア基板１０上に、ＧａＮ層／ＡｌＮ層／ＡｌＧａＮ層の三層構造のバッファ層２０を介して、窒化ガリウム系の電子デバイス構造３０を設けた半導体エピタキシャルウェハにおけるＡｌＧａＮ層（第一バッファ層）の層厚とエピタキシャルウェハの反りの関係を示したものである。
【００３２】
この反りの評価サンプルには、ＡｌＧａＮ層（第一バッファ層）の上に、第二バッファ層として厚さ０．４μｍのＡｌＮ層及び第三バッファ層として厚さ２μｍのｕｎ−ＧａＮ層を設け、またその上の電子デバイス構造３０としてＧａＮチャネル層及びＡｌＧａＮキャリア供給層からなるＨＥＭＴ構造を形成した半導体エピタキシャルウェハのサンプルを用いた。
【００３３】
ここで、ＡｌＧａＮ層（第一バッファ層）におけるＡｌxＧａ1-xＮの混晶比ｘをｘ＝０．５と固定して、厚さを０〜０．２５μｍの範囲で変化させた場合に、反りがどのように変化するかを示したのが図３である。
【００３４】
図３において、ＡｌＧａＮ層（第一バッファ層）の膜厚を０μｍとしたとき、つまり従来条件では反りのＢＯＷ値が４７μｍと非常に大きな数値を示し、膜厚が増加するにつれてＢＯＷ値が低下し、膜厚０．１０μｍでＢＯＷ値が最小の３５μｍとなり、その後膜厚が増加するにつれて再びＢＯＷ値が増加する。そして膜厚が０．０７〜０．１５μｍの範囲で、ＢＯＷ値が４０．０μｍ未満となり、従来に較べ反りが小さくなる。よって、ＡｌＧａＮ層（第一バッファ層）の膜厚の適正値は０．０７〜０．１５μｍの範囲であり、最適値は約０．１μｍである。
【００３５】
また、ＡｌxＧａ1-xＮの混晶比ｘに対するＢＯＷの依存性を示したものが図４である。すなわち、図４は、第一バッファ層のＡｌxＧａ1-xＮの混晶比（Ａｌ組成比）ｘをｘ＝０〜０．９の範囲で変化させた場合に、ウェハの反りがどのように変化するのかを示したものである。図４から分かるように、混晶比ｘがｘ＝０．３〜０．７の範囲内であれば、ＢＯＷの値が４０μｍ未満となり、反りが小さくなる。特にｘ＝０．５のときは、ＢＯＷの値は最小の３５μｍとなり、反りが最小となる。従って、混晶比ｘに対しても適正値が存在し、それはｘ＝０．３〜０．７の範囲であり、最適値はｘ＝０．５である。なお、図３はＡｌxＧａ1-xＮの混晶比ｘを最適値の０．５に固定して得たグラフである。
【００３６】
次に、本発明においては、上記第３バッファ層が、成長時圧力約１３３３２Ｐａ（１００Ｔｏｒｒ）以下、成長時温度１０６０℃以上という成長条件で、２次元方向成長を促進させたＧａＮからなり、これにより反りの減少を図る。この根拠について次に示す。
【００３７】
図５はＧａＮ層（第三バッファ層）の成長圧力に対する反り（ＢＯＷ）の依存性を示したものである。図から、成長圧力を約１３３３２Ｐａ（１００Ｔｏｒｒ）以下にすることによって、反りのＢＯＷ値が更に減少することが分かる。これは低成長圧力での成長でＧａＮ層（第三バッファ層）の二次元成長が促進され、ＧａＮ／ＡｌＮ界面に転位が導入されたことにより、反りの原因となる歪みが緩和された結果であると考えられる。
【００３８】
これを更に推し進めるために、ＧａＮ層（第三バッファ層）の成長温度に対する反り（ＢＯＷ）の依存性（成長温度が高いほど二次元成長が促進されるのは一般的に良く知られている）を調査したものが、図６である。ＧａＮ層（第三バッファ層）の成長温度を１０６０℃以上とすると、反りのＢＯＷ値が小さくなる傾向が現れる。ただし、ＧａＮ層（第三バッファ層）の成長温度が１０９０℃を超えた場合には、半導体エピタキシャルウェハの表面を鏡面とすることが出来なかった。よって、上記第３バッファ層の成長時温度は１０６０℃以上、好ましくは１０６０℃以上１０９０℃以下の範囲が良いことが分かる。
【発明の効果】
【００３９】
本発明によれば、第二バッファ層のＡｌＮ層より下層に第一バッファ層のＡｌＧａＮ層を挿入し、そのＡｌxＧａ1-xＮの混晶比ｘを０．３〜０．７とし、膜厚を約０．０７〜０．１５μｍの範囲に特定したので、半導体エピタキシャルウェハの反りを低減し、以て短ゲート、低オーミック抵抗のデバイスを容易に作製可能な半導体エピタキシャルウェハを提供することができる。
【００４０】
また、本発明によれば、上記に加えて、第三バッファ層を、成長時圧力約１３３３２Ｐａ（１００Ｔｏｒｒ）以下、成長時温度１０６０℃以上という成長条件で、２次元方向成長を促進させたＧａＮからなる構成としたので、これにより更に反りの減少が図られる。
【００４１】
よって、本発明により、反りの小さな半導体エピタキシャルウェハ、ひいては高周波特性に優れたデバイスを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４２】
以下、本発明を図示の実施例に基づいて説明する。
【００４３】
この実施例に係るＨＥＭＴ用半導体エピタキシャルウェハは、図１に示すように、直径約１０．１６ｃｍ（４インチ）のサファイア基板１０上に、ＡｌxＧａ1-xＮ（ｘ＝約０．５）からなり膜厚が約０．１μｍの第一バッファ層１と、その上に形成したＡｌＮからなる第二バッファ層２と、その上に二次元方向成長したＧａＮからなる第三バッファ層３からなる三層構造のバッファ層２０を備え、この三層構造のバッファ層２０上に、ＨＥＭＴの電子デバイス構造３０として、ＧａＮからなるチャネル層４とＡｌＧａＮからなるキャリア供給層５を設けた構成である。
【００４４】
このＨＥＭＴ用半導体エピタキシャルウェハの各エピタキシャル層は、ＭＯＶＰＥ法を用いて、次のようにして成長した。すなわち、成長の際に用いた原料は、ガリウム原料としてはＴＭＧを用い、アルミニウム原料としてはＴＭＡを用い、窒素原料としてはアンモニアガスを用いた。また、キャリアガスとしては水素を用い、ｎ型ドーパントとしては、モノシランを用いた。
【００４５】
エピタキシャル成長は、ウェハの成長面を上向きとするフェイスアップのヒータ加熱減圧炉を用いて、ＧａＮの第三バッファ層３以外の成長では、炉内の圧力を約１３３３２Ｐａ（１００Ｔｏｒｒ）に設定して行った。
【００４６】
成長温度は、バッファ層２０については、ＡｌＧａＮの第一バッファ層１を５２０℃で、ＡｌＮの第二バッファ層２を１１００℃で、ＧａＮの第三バッファ層３を１０８０℃（最適化後）で成長した。また、その上の電子デバイス構造３０については、ＧａＮのチャネル層４およびＡｌＧａＮのキャリア供給層５をそれぞれ１０４０℃で成長した。
【００４７】
また膜厚は、バッファ層２０については、ＡｌＧａＮの第一バッファ層１を０．１μｍ、ＡｌＮの第二バッファ層２を０．４μｍ、ＧａＮの第三バッファ層３を０．５μｍとした。またその上の電子デバイス構造３０については、ＧａＮのチャネル層４を１．５μｍ、ＡｌＧａＮのキャリア供給層５を３０ｎｍ（０．０３μｍ）とした。
【００４８】
上記構造を温度に着目して見た場合、サファイア基板１０上に、単結晶成長温度（約１０００〜１２００℃）よりも低い低温で形成されたＡｌＧａＮからなる第一バッファ層１と、単結晶成長温度で形成されたＡｌＮからなる第二バッファ層２と、前記第二バッファ層よりも低い単結晶成長温度で形成されたＧａＮからなる第三バッファ層３とを備え、この第三バッファ層上に、窒化物混晶をチャネル層とする窒化ガリウム系の電子デバイス構造３０として、ＧａＮからなるチャネル層４とＡｌＧａＮからなるキャリア供給層５を持つＨＥＭＴの電子デバイス構造を設けた構成となっている。
【００４９】
上記の如く構成されたＨＥＭＴ用半導体エピタキシャルウェハの反りを図７（ａ）に示す。本実施例では、ＢＯＷで２６μｍと反りの小さいＨＥＭＴ用半導体エピタキシャルウェハを得ることが出来た。
【００５０】
比較のため、図７（ｂ）に、従来の成長条件とエピタキシャルウェハ構造（図８）を用いてＭＯＶＰＥ法により成長した、直径約１０．１６ｃｍ（４インチ）径のＨＥＭＴ用半導体エピタキシャルウェハの反りを示す。従来のＨＥＭＴ用半導体エピタキシャルウェハでの反りはＢＯＷで４７μｍと非常に大きな数値であるのに対し、本実施例のＨＥＭＴ用半導体エピタキシャルウェハの反りは、ＢＯＷで２６μｍであり、非常に小さくすることが出来た。
【００５１】
この実施例に係るＧａＮ−ＨＥＭＴ用半導体エピタキシャルウェハのシート抵抗の面内分布測定値を、図２に示す。この測定値において平均値は４８７．０Ω／ｓｑ．であるが、最小値は４６６．５Ω／ｓｑ．、最大値は５０８．３Ω／ｓｑ．であり、面内のシート抵抗ばらつきが非常に小さく、工業的に有利であると言える。この良好な結果は、ウェハの反り量が少なくなった為であると考えられる。
【００５２】
上記実施例では、第三バッファ層の材質にＧａＮを用いたが、ＧａＮの他、ＡｌＧａＮ又はＩｎＧａＮを用いることもでき、これによっても上記実施例と同様の反りの低減効果を得ることができる。
【００５３】
上記実施例では、窒化ガリウム系の電子デバイス構造３０としてＨＥＭＴ構造を形成したが、チャネル構造はＦＥＴ（電界効果トランジスタ）であれば良く、ＨＥＭＴ構造に限られるものではない。また、チャネル層の材質には、ＧａＮの他に、ＩｎＧａＮまたはＡｌＧａＮを用いることもできる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の一実施例に係るＨＥＭＴ用半導体エピタキシャルウェハの構造を示す模式図である。
【図２】本発明の一実施例に係るＨＥＭＴ用半導体エピタキシャルウェハのシート抵抗マップである。
【図３】ＡｌＧａＮからなる第一バッファ層の層厚と反りの関係を示すグラフである。
【図４】ＡｌＧａＮからなる第一バッファ層のＡｌxＧａ1-xＮの混晶比ｘと反りの関係を示すグラフである。
【図５】ＧａＮからなる第三バッファ層の成長圧力と反りの関係を示すグラフである。
【図６】ＧａＮからなる第三バッファ層の成長温度と反りの関係を示すグラフである。
【図７】本発明のＨＥＭＴ用半導体エピタキシャルウェハの反り（ａ）を、従来のＨＥＭＴ用半導体エピタキシャルウェハの反り（ｂ）と比較して示した図である。
【図８】従来のＨＥＭＴ用半導体エピタキシャルウェハの構造を示す模式図である。
【図９】従来のＨＥＭＴ用半導体エピタキシャルウェハの反りを示す図である。
【符号の説明】
【００５５】
１  第一バッファ層
２  第二バッファ層
３  第三バッファ層
４  チャネル層
５  キャリア供給層
１０  サファイア基板
２０  バッファ層
３０  窒化ガリウム系電子デバイス構造
【図１】
2006351870.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
2006351870.tif 000006
【図５】
2006351870.tif 000007
【図６】
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【図８】
2006351870.tif 000009
【図７】
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【図９】
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