(57)【要約】【課題】  高アスペクトのプローブを形成するとともに、これらプローブを狭ピッチで形成することができるマイクロプローブの製造方法を提供する。【解決手段】  基板３と、基板３の上に形成された所定形状の配線１３と、配線１３の上に形成された所定金属からなるプローブ１９とを有するマイクロプローブ１の製造方法であって、基板３の上に所定形状の配線１３を形成する電鋳準備工程と、配線１３の上に電鋳によりプローブ１９を電鋳する電鋳工程と、を有することを特徴とする。【選択図】  図５
2006234511.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板の上に形成された所定形状の配線と、該配線の上に形成された所定金属からなるプローブとを有するマイクロプローブの製造方法であって、
前記基板の上に所定形状の配線を形成する電鋳準備工程と、
前記配線の上に電鋳により前記プローブを電鋳する電鋳工程と、
を有するマイクロプローブの製造方法。
【請求項２】
前記電鋳準備工程が、前記基板の一方の面に導電膜を形成する導電膜形成工程と、前記導電膜の一部を除去して前記配線を形成する形状形成工程と、を有する請求項１記載のマイクロプローブの製造方法。
【請求項３】
前記電鋳準備工程が、前記配線と略同一の形状からなる配線形成孔を有するマスクを形成するマスク形成工程と、前記マスクの上から導電膜を形成する導電膜形成工程と、前記マスクを除去するマスク除去工程と、を有する請求項１記載のマイクロプローブの製造方法。
【請求項４】
前記電鋳工程が、前記配線上の前記プローブが形成される位置に、前記プローブと略同一形状の電鋳物形成用孔を有するフォトレジスト層を形成するフォトレジスト層形成工程と、前記電鋳物形成用孔に所定金属を電鋳してプローブを形成するプローブ形成工程と、前記フォトレジスト層を除去するフォトレジスト層除去工程と、を有する請求項１から３のいずれかに記載のマイクロプローブの製造方法。
【請求項５】
前記電鋳工程後に、前記プローブの先端を電解研磨する先鋭化工程を有する請求項１から４のいずれかに記載のマイクロプローブの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロプローブの製造方法およびマイクロプローブに関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、試料表面のナノメートルオーダの微小な形状を観察する顕微鏡として、走査型プローブ顕微鏡（Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｐｒｏｂｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）が知られている。特に、走査プローブとして探針（プローブ）を先端に設けたカンチレバを用いる原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ  Ｆｏｒｃｅ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＡＦＭ）が知られている。
【０００３】
これら原子間力顕微鏡などのプローブ顕微鏡に用いられるプローブとしては、シリコンやシリコンナイトライド（窒化シリコン）から形成されたものが広く用いられている。
このプローブは、シリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）ウエハを用いて、フォトリソグラフィープロセスにより、カンチレバ部と一体にその先端に形成されている（例えば、非特許文献１参照。）。
【０００４】
また、シリコン半導体装置の製造工程においては、ウエハ上に多数のＬＳＩ素子を含む回路が形成された後に、回路と電気的に接続された所定のパッドにプローブを接触させ、回路の基本的な電気特性を検査するウエハ検査工程がある。
この検査工程では、上記パッドの配置レイアウトと略同一のレイアウトに配置された多数のプローブを備えるプローブカードが、ウエハの検査治具として用いられている。
上述のプローブカードとしては、タングステン等からなる細い線材をプローブとして用いたものが一般的に知られている（例えば、特許文献１および２参照。）。
【非特許文献１】Ｈｉｒｏｓｈｉ Ｔａｋａｈａｓｈｉ， Ｋａｚｕｎｏｒｉ Ａｎｄｏ，Ｙｏｓｈｉｄａ Ｓｈｉｒａｋａｗａｂｅ， Ｓｅｌｆ−ｓｅｎｓｉｎｇ ｐｉｅｚｏｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ｃａｎｔｉｌｅｖｅｒ ａｎｄ ｉｔｓ ｍａｇｎｅｔｉｃ ｆｏｒｃｅｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ， Ｕｌｔｒａｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ９１， ２００２， ｐ６３−ｐ７２
【特許文献１】特開２０００−８８８８４号公報
【特許文献２】特開２００２−２２７７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述の非特許文献１には、シリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）ウエハを用いて、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）プロセス等により、カンチレバ部の先端にプローブを形成する技術が開示されている。
この技術においては、製作プロセス上の制約により、プローブの形状は根本部分の径が大きく、先端が尖っている錐状になる。そのため、アスペクト比（（プローブの高さ）／（プローブの根本部分の径））の高いプローブの形成が困難になるという問題があった。
このようなアスペクト比の低いプローブを原子間力顕微鏡などに用いると、例えば、略垂直な面を有する表面形状を観察する際に、錐状のプローブの側面が上記略垂直な面と接触してしまい、正確な表面形状が観察できないという問題があった。
【０００６】
さらに、このようなプローブを上記のプローブカードに用いる場合には、シリコンのプローブには検査を行なうのに十分な導電性がないため、プローブ上に別途測定用として配線を形成する必要があり、製造工程が増えるという問題があった。
また、このようなプローブを上記のプローブカードに用いると、プローブ形状が錐状であってプローブの根本部が干渉することから、プローブのピッチ間隔が制限されるため、その配置レイアウトに制限が課せられ検査を行なえなくなる恐れがあった。
【０００７】
また、ウエハ検査を行なうためにパッドとプローブとを接触させる際に、ウエハの保持治具などとプローブカードの付属装置などとの干渉を避けるため、プローブを高くしてウエハとプローブカードとの間隔を広くすることが要求されているが、プローブの高さに比例してプローブのピッチ間隔も広くなるという問題があった。
【０００８】
また、エッチングプロセス等によりプローブを形成する方法では、外乱の影響を受けやすいため、プローブの形成が容易でないという問題があった。
【０００９】
上述の特許文献１および２においては、タングステン等からなる細い線材をプローブとして用い、多数のプローブをパッドの配置レイアウトに合わせて一本ずつ接合固定したプローブカードが開示されている。
このプローブカードのプローブの形成は機械加工あるいは手作業で行なわれており、形成できるプローブ数に限界があった。
また、プローブカードへのプローブの接合も手作業によるため、プローブの先端間の距離（以下、ピッチと表記する。）は、約４０μｍから約５０μｍ程度が限界であり、高集積化、微細化が進む半導体やＬＣＤデバイス（液晶表示デバイス）などに対応するのが困難になっていた。
【００１０】
例えば、３２０×２４０ピクセルの解像度を有するＱＶＧＡ（Ｑｕａｒｔｅｒ Ｖｉｄｅｏ Ｇｒａｐｈｉｃｓ Ａｒｒａｙ）サイズのＬＣＤデバイスにおいては、上述のパッドの間隔が２０μｍ以下のものが実用化されようとしており、ピッチが約４０μｍから約５０μｍ程度のプローブカードでは上記ＬＣＤデバイスの検査を行なえないという問題があった。
【００１１】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、高アスペクトのプローブを形成するとともに、これらプローブを狭ピッチで形成することができるマイクロプローブの製造方法およびその製造方法で製造されたマイクロプローブを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明は、以下の手段を提供する。
本発明は、基板と、該基板の上に形成された所定形状の配線と、該配線の上に形成された所定金属からなるプローブとを有するマイクロプローブの製造方法であって、前記基板の上に所定形状の配線を形成する電鋳準備工程と、前記配線の上に電鋳により前記プローブを電鋳する電鋳工程と、を有するマイクロプローブの製造方法を提供する。
【００１３】
本発明によれば、電鋳工程において、プローブを配線の上に電鋳して形成するため、上述の特許文献１のエッチングプロセス等を用いて形成されたプローブよりもじん性が高く、アスペクト比の高いプローブを形成することができる。また、電鋳によりプローブを形成するため、外乱の影響を受けにくく容易にプローブを製造することができる。
また、上述の特許文献２および３の細い線材を束ねたプローブと比較して、より狭いピッチ間隔で配列されたプローブを形成することができる。
【００１４】
基板の上に配線を形成し、その配線を用いて所定金属からなるプローブを電鋳により形成するため、プローブ自体が導電性を備え、プローブと配線とが電気的に接続されている。そのため、別途工程を追加することなく、電気的特性を測定可能なプローブを製造することができる。
【００１５】
また、基板の上に配線を形成し、その配線を用いてプローブを電鋳により形成するため、プローブ形成に基板の材質が影響を与えることがない。そのため、基板に用いる材質の制限がなく、使用用途により適した材質を基板として用いることができる。
プローブは電鋳が可能な所定金属から形成されるため、電鋳が可能な金属であって、使用用途に適した材質をプローブとして用いることができる。
【００１６】
また、上記発明においては、前記電鋳準備工程が、前記基板の一方の面に導電膜を形成する導電膜形成工程と、前記導電膜の一部を除去して前記配線を形成する形状形成工程と、を有することが望ましい。
本発明によれば、基板の一方の面に導電膜を形成し、その導電膜の一部を除去することにより、基板の上に所定形状の配線を形成することができる。
【００１７】
さらに、上記発明においては、前記電鋳準備工程が、前記所定形状の配線と略同一の形状を有する配線形成孔が形成されたマスクを形成するマスク形成工程と、前記マスクの上から導電膜を形成する導電膜形成工程と、前記マスクを除去するマスク除去工程と、を有することが望ましい。
本発明によれば、基板の上に配線形成孔が形成されたマスクを形成し、マスクの上から導電層を形成するため、基板の上に所定形状の配線を形成できる。また、マスクの上に形成された余分な導電層は、マスクの除去の際にマスクと一緒に除去される。
配線形成孔が形成されたマスクを用いて配線を形成するため、複数の配線を同時に形成することができる。
【００１８】
さらに、上記発明においては、前記電鋳工程が、前記配線上の前記プローブが形成される位置に、前記プローブと略同一形状の電鋳物形成用孔を有するフォトレジスト層を形成するフォトレジスト層形成工程と、前記電鋳物形成用孔に所定金属を電鋳してプローブを形成するプローブ形成工程と、前記フォトレジスト層を除去するフォトレジスト層除去工程と、を有することが望ましい。
本発明によれば、フォトレジスト層に形成された電鋳物形成用孔内に所定金属を電鋳してプローブを形成するため、よりアスペクト比の高いプローブを形成することができる。
また、例えば、複数の電鋳物形成用孔が形成されたフォトレジスト層を形成することにより、同時に複数の高アスペクト比のプローブを形成することができる。
【００１９】
上記発明においては、前記電鋳工程が、前記配線上に前記プローブと略同一形状、かつ、配置が略同一の電鋳物形成用孔を有するフォトレジスト層を形成するフォトレジスト層形成工程と、前記電鋳物形成用孔に所定金属を電鋳してプローブを形成するプローブ形成工程と、前記フォトレジスト層を除去する型除去工程と、を有することが望ましい。
【００２０】
本発明によれば、フォトレジスト層に形成された電鋳物形成用孔内に所定金属を電鋳してプローブを形成するため、よりアスペクト比の高いプローブを形成することができる。
また、例えば、複数の電鋳物形成用孔が形成されたフォトレジスト層を形成することにより、同時に複数の高アスペクト比のプローブを形成することができる。
【００２１】
上記発明においては、前記電鋳工程後に、前記プローブの先端を電解研磨する先鋭化工程を有することが望ましい。
本発明によれば、電解研磨によりプローブの先端を先鋭化するため、上述の特許文献１のエッチングプロセス等を用いて形成されるプローブと比較して、容易にその先端を先鋭化できる。
つまり、エッチングプロセス等を用いてプローブ先端が一点に集中する形状にエッチングするためには種々の条件を調整する必要があるが、電界研磨を用いる方法ではそのような必要がなく容易に先鋭化できる。
また、上述の特許文献２および３の細い線材を用いたプローブと比較して、容易にその先端を先鋭化できるとともに、複数のプローブを同時に、同じ条件下で先鋭化することができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明のマイクロプローブの製造方法によれば、電鋳工程においてプローブを配線の上に電鋳して形成するため高アスペクトのプローブを形成するとともに、これらプローブを狭ピッチで形成することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
〔マイクロプローブの製造方法〕
この発明の一実施形態に係るマイクロプローブの製造方法について、図１から図９を参照して説明する。
図１および図２は、本発明の一実施形態に係るマイクロプローブの製造方法の概略を説明するプロセス図である。
【００２４】
まず、図１（ａ）に示すように、基板３の一方の面全体に導電層５を形成する（導電膜形成工程）。
基板３としては絶縁性を有するものが好ましく、例えば、樹脂や、半導体や、ガラスなどを例示できる。さらには、金属などの導電性を有する基板表面に絶縁処理を施したものであってもよい。導電層５としては、導電性を有する各種金属を用いることができ、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）など例示できる。
【００２５】
次に、図１（ｂ）に示すように、導電層５上にフォトレジスト層（マスク）７Ａを全面に形成する。そして、後述する電鋳用配線のパターンが形成されたフォトマスク（図示せず）をフォトレジスト層７Ａ上に配置して、紫外線等を照射し露光する。露光されたフォトレジスト層７Ａを現像し、図１（ｃ）に示すように、電鋳用配線が形成される領域にのみフォトレジスト層７Ａが残るように、配線形成孔１１が形成される。
フォトレジスト層７Ａに配線形成孔１１を形成した後に、図１（ｄ）に示すように、配線形成孔１１により露出した領域の導電層５をエッチングする。その後、図２（ｅ）に示すように、フォトレジスト層７Ａを除去することにより電鋳用配線（配線）１３が形成される（形状形成工程、電鋳準備工程）。
なお、上述のように、フォトレジスト層７Ａに紫外線等を照射し現像することにより配線形成孔１１を形成してもよいし、電子ビーム（ＥＢ）を用いてフォトレジスト層７Ａに直接描画し配線形成孔１１を形成してもよい。
【００２６】
フォトレジストとしては、紫外線や、電子ビームや、レーザなどの照射により露光が行なわれるものを用いることができ、紫外線等が照射された部分のパターンが残るネガ型タイプを用いてもよいし、紫外線等が照射された部分が後の現像処理によって除去されるポジ型タイプを用いてもよい。具体的には、ＳＵ−８や、ＰＭＭＡ（ポリメチルポリメタクリレート）や、感光性ポリイミドや、環化イソプレン系感光樹脂や、ノボラック系感光樹脂などを例示できる。
【００２７】
図３は、図２（ｅ）の電鋳用配線の構成を説明する斜視図である。
電鋳用配線１３は、図３に示すように、基板３の上に形成された共通配線部１３ａと、後述するプローブが形成される電鋳物形成部１３ｂと、共通配線部１３ａおよび電鋳物形成部１３ｂを電気的に接続する接続部１３ｃとから構成されている。
【００２８】
図４は、図２（ｇ）の電鋳物形成用孔の構成、配置を説明する斜視図である。
電鋳用配線１３が形成されたら、次に、図２（ｆ）に示すように、基板３および電鋳用配線１３の上に厚膜のフォトレジスト層７Ｂを形成する。
そして、後述するプローブのパターンが形成されたフォトマスク（図示せず）をフォトレジスト層７Ｂ上に配置して、紫外線等を照射し露光する。露光されたフォトレジスト層７Ｂを現像し、図２（ｇ）および図４に示すように、フォトレジスト層７Ｂにプローブのパターンを有する電鋳物形成用孔１７が形成される（フォトレジスト層形成工程）。
【００２９】
電鋳物形成用孔１７はフォトレジスト層７Ｂに略円柱状に形成された孔であり、フォトレジスト層７Ｂの露光・現像により形成されるため、高アスペクト比の孔として形成することができる。
また、電鋳物形成用孔１７は、電鋳用配線１３の電鋳物形成部１３ｂの一部領域が露出するように形成されている。
【００３０】
なお、本実施形態においては、略円柱状に形成された電鋳物形成用孔１７に適用して説明したが、電鋳物形成用孔１７は、略円柱状に形成されたものに限らず、その他さまざまな断面形状を有する柱形状に形成されても構わない。
【００３１】
次に、図２（ｈ）に示すように、電鋳物形成用孔１７に電鋳物（プローブ１９）が電鋳（エレクトロフォーミング）される（プローブ形成工程）。具体的には、電鋳用配線１３は直流電源の陰極と電気的に接続され、電鋳物形成用孔１７により露出した電鋳物形成部１３ｂにプローブ１９が電鋳される。そのため、露出した電鋳物形成部１３ｂにのみプローブ１９が電鋳され、他のフォトレジスト層７Ｂ上にはプローブ１９は電鋳されない。
【００３２】
図５は、図２（ｉ）のプローブの構成、配置を説明する斜視図である。
プローブ１９が電鋳されると、次にプローブ１９の先端が研磨され、その高さがそろえられる。そして、図２（ｉ）に示すように、フォトレジスト層７Ｂが剥離され（フォトレジスト層除去工程）、プローブ１９の形成が完了する（電鋳工程）。
プローブ１９を形成する材料としては電鋳可能な材料を用いることが好ましく、ニッケル（Ｎｉ）や、アルミニウム（Ａｌ）や、金（Ａｕ）や、銅（Ｃｕ）や、ロジウム（Ｒｈ）や、パラジウム（Ｐｄ）や、タングステン（Ｗ）などを例示できる。
【００３３】
図６は、プローブの先鋭化工程を説明する図である。図７は、プローブの先端の電界研磨を説明する図である。
次に、プローブ１９の先端を先鋭化する先鋭工程が行なわれる。
本実施形態においては、プローブ１９が電鋳された工程（電鋳工程）の直後に先鋭工程を行なう例に適用して説明するが、先鋭工程は電鋳工程の後であればよく、その順序を特に限定するものでない。
【００３４】
まず、図６に示すように、基板３上にフォトレジスト層７Ｃが形成される。フォトレジスト層７Ｃの膜厚は、プローブ１９の先端部がフォトレジスト層７Ｃから突出する程度の膜厚が望ましい。
なお、上述のように、基板３の上にフォトレジスト層７Ｃを形成してもよいし、フォトレジスト層７Ｃの代わりに樹脂層を形成してもよく、後述する電界研磨の際に、基板３上の配線や、プローブ１９の根本部などを保護できるものであればよい。
【００３５】
そして、図７に示すように、突出したプローブ１９の先端部に対して電解研磨が行なわれる。
プローブ１９がプローブ１９を形成する金属に対応した酸などの薬液に浸され、測定用回路などを介して電界が印加される。すると、プローブ１９先端の先端面と側面との稜線部１９ａに電界が集中して稜線部１９ａが集中的に研磨され、プローブ１９の先端部は略円錐状に一点に集中するように先鋭化される。
【００３６】
なお、上述のように先鋭工程を行なってプローブ１９の先端を先鋭化してもよいし、使用用途により先鋭化の必要がなければ、先鋭工程を行なわなくてもよい。
【００３７】
図８は、図５の各プローブが電気的に独立した状態の構成を説明する斜視図である。
基板３上に複数のプローブ１９が形成された後には、図８に示すように、電鋳用配線１３の共通配線部１３ａの一部が切断され、各プローブ１９が電気的に独立される。
具体的には、図１（ｂ）から図１（ｄ）に示した工程と同様に、基板３上にフォトレジスト層が形成され、フォトレジスト層を介して紫外線等を照射することでフォトレジスト層を露光する。そして、フォトレジスト層を現像して共通配線部１３ａの切断箇所を露出させる。露出させた共通配線部１３ａをエッチングすることにより切断し、各プローブを電気的に独立させる。その後、フォトレジスト層を剥離することにより、図８に示す状態となる。
【００３８】
なお、上述のように、フォトレジスト層を露光・現像することにより共通配線部１３ａの切断箇所を露出させてもよいし、電子ビーム（ＥＢ）による直接描画で共通配線部１３ａの切断箇所を露出させてもよい。
また、上述のように、フォトレジスト層の形成とそれに続くエッチングにより共通配線部１３ａを切断してもよいし、レーザにより共通配線部１３ａを切断してもよいし、ダイヤモンドブレードなどによるダイシングで共通配線部１３ａを切断してもよい。
【００３９】
各プローブ１９を電気的に独立させた次に、使用用途に応じた回路、例えば測定用回路が基板３上に形成され、マイクロプローブ１が完成する。
具体的には、基板３上にフォトレジスト層が形成され、フォトマスクを介して紫外線等を照射することでフォトレジスト層を露光する。そして、フォトレジスト層を現像して基板３の測定用回路の形成箇所を露出させる。その後、電気導電材料からなる導電層をフォトレジスト層上からスパッタ法や蒸着法などを用いて形成し、フォトレジスト層を剥離して測定用回路が形成される。
【００４０】
図９は、スルーホールを用いた測定用回路の形成方法説明する図である。
なお、測定用回路２１は、上述のように、基板３のプローブ１９が形成された面にのみ形成されていてもよいし、図９（ｂ）に示すように、基板３にスルーホール２３を形成し、スルーホール２３を介してプローブ１９が形成された面と反対の面にも形成されていてもよい。
スルーホール２３は、図９（ａ）に示すように、貫通孔を形成することにより形成され、その形成方法としてはフォトリソグラフィー工程を利用した基板３（シリコン）エッチングや、レーザによる穴あけ、Ｄ−ＲＩＥ（Ｄｅｅｐ  Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）などを例示できる。
形成されたスルーホール２３には、図９（ｂ）に示すように、導電物質２５が埋め込まれ、埋め込んだ導電物質２５により基板３の一方の面に形成された測定用回路と他方の面に形成された測定用回路とを電気的に接続している。
【００４１】
上記の構成によれば、電鋳工程において、電鋳物形成用孔１７内にプローブ１９を電鋳して形成するため、上述の特許文献１のエッチングプロセス等を用いて形成されたプローブよりもアスペクト比の高いプローブ（例えば、プローブ径対プローブ高さが１：１０のプローブ）を、複数同時に、かつ狭ピッチに配置して形成することができる。
これは、電鋳物形成用孔１７が、フォトレジスト層７Ｂに紫外線等を照射・露光し、現像することにより形成され、容易にアスペクト比の高い電鋳物形成用孔１７を複数同時に、かつ狭ピッチに配置して形成することができるからである。
【００４２】
電鋳によりプローブ１９を形成するため、エッチングプロセス等のように外乱の影響を受けにくく容易にプローブ１９を製造することができるとともに、じん性が高いプローブ１９を製造することができる。
【００４３】
基板３の上に電鋳用配線１３を形成し、電鋳用配線１３を用いて所定金属からなるプローブ１９を電鋳により形成するため、プローブ１９自体が導電性を備え、プローブ１９と電鋳用配線１３とが電気的に接続されている。そのため、別途工程を追加することなく、電気的特性を測定可能なプローブ１９を製造することができる。
【００４４】
また、基板３の上に電鋳用配線１３を形成し、電鋳用配線１３を用いてプローブ１９を電鋳により形成するため、プローブ１９形成に基板３の材質が影響を与えることがない。そのため、基板３に用いる材質の制限がなく、使用用途により適した材質を基板３として用いることができる。
プローブ１９は電鋳が可能な所定金属から形成されるため、電鋳が可能な金属であって、使用用途に適した材質をプローブ１９として用いることができる。
【００４５】
電解研磨によりプローブ１９の先端を先鋭化するため、上述の特許文献１のエッチングプロセス等を用いて形成されるプローブと比較して、容易にその先端を先鋭化できる。つまり、エッチングプロセス等を用いてプローブ先端が一点に集中する形状にエッチングするためには種々の条件を調整する必要があるが、電界研磨を用いる方法ではそのような必要がなく容易に先鋭化できる。
また、上述の特許文献２および３の細い線材を用いたプローブと比較して、容易にその先端を先鋭化できるとともに、複数のプローブを同時に、同じ条件下で先鋭化することができる。
【００４６】
なお、上述のように、基板３に導電層５を形成した後にフォトレジスト層７Ａを形成し、露光・現像により露出した導電層５をエッチングすることにより電鋳用配線１３を形成してもよいし、先に基板３上にフォトレジスト層７Ａを形成し、露光・現像により露出した基板３の表面に導電層５を形成することにより、電鋳用配線１３を形成してもよい。また、この際に、フォトレジスト層７Ａを露光・現像する代わりに電子ビーム（ＥＢ）により直接描画して基板３の表面を露出させても構わない。
【００４７】
〔ＡＦＭ用マイクロプローブの製造方法〕
この発明の一実施形態に係るＡＦＭ用マイクロプローブの製造方法について、図１０を参照して説明する。
図１０は、ＡＭＦ用マイクロプローブの構成の概略を説明する図である。
なお、上述のマイクロプローブ１の製造方法における構成要素と同一の構成要素には、同一の符号を付してその説明を省略する。
【００４８】
ＡＦＭ用マイクロプローブ１０１の製造工程は、基板３上にプローブ１９を形成し、測定用回路を形成する工程までは上述のマイクロプローブ１の製造工程と同様であるので、その説明を省略する。
基板３上に測定用回路まで形成されると、次に、図１０に示すように、各プローブ１９の間の基板３が切断され、プローブ１９を１本ずつ備えるＡＦＭ用マイクロプローブ１０１が形成される。
なお、切断された基板３は、ＡＦＭ用マイクロプローブ１０１として用いる際にはカンチレバ部として作用することとなる。
【００４９】
基板３の切断方法としては、エッチングを用いてもよいし、ダイシングを用いてもよいし、レーザ加工を用いてもよく、特に限定するものではない。
なお、上述のように、プローブ１９の先端が先鋭化されていてもよいし、使用用途により、先鋭化の必要がない場合には、プローブ１９を略円筒形状のままで用いてもよい。
【００５０】
上記の構成によれば、アスペクト比の高い（基板３からの高さが高い）プローブ１９を備えたＡＦＭ用マイクロプローブ１０１を製造できるため、測定対象と基板３（カンチレバ部）との間隔を広くすることができる。
そのため、測定対象がカンチレバ部により押圧された流体の影響を受けることを防止でき、測定対象を正確に測定することができる。
【００５１】
また、プローブ１９のアスペクト比が高いため、略垂直な面を有する表面形状（測定対象）を観察する際に、錐状のプローブを用いた場合の様に、その側面が上記略垂直な面と接触して正確な表面形状が観察できなくなることを防止できる。
【００５２】
〔プロービング用マイクロプローブの製造方法〕
この発明の一実施形態に係るプロービング用マイクロプローブの製造方法について、図１１および図１２を参照して説明する。
図１１は、プロービング用マイクロプローブの構成の概略を説明する図である。
なお、上述のマイクロプローブ１の製造方法における構成要素と同一の構成要素には、同一の符号を付してその説明を省略する。
【００５３】
プロービング用マイクロプローブ２０１の製造工程は、基板３上にプローブ１９を形成し、測定用回路を形成する工程までは上述のマイクロプローブ１の製造工程と同様であるので、その説明を省略する。
基板３上に測定用回路まで形成されると、次に、図１１に示すように、各プローブ１９の間の基板３に切れ目２０３を形成してカンチレバ部２０５を形成する。カンチレバ部２０５は、その先端部にプローブ１９が配置されるように形成されている。
切れ目２０３の形成方法としては、エッチングを用いてもよいし、ダイシングを用いてもよいし、レーザ加工を用いてもよく、特に限定するものではない。
【００５４】
次に、プロービング用マイクロプローブ２０１の作用について説明する。
図１２は、プロービング用マイクロプローブを用いたウエハに形成された回路等の検査を説明する模式図である。
検査対象であるＬＳＩ素子等を含む回路（図示せず）が形成されたウエハ２０３には、図１２に示すように、他の回路や付属する装置などと電気的に接続するため、または回路の検査のために、回路と電気的に接続されたパッド２０５が形成されている。
【００５５】
プロービング用マイクロプローブ２０１は、ウエハ２０３のパッド２０５が形成された面に対して、プローブ１９が形成された面が対向するように配置される。
そして、プローブ１９とパッド２０５とを直接接触させて電気的に接続し、プロービング用マイクロプローブ２０１を介して上記回路の電気的特性を検査する。
【００５６】
なお、図１２においては、図１１の切れ目２０３が形成されていないプロービング用マイクロプローブ２０１を示して説明しているが、切れ目２０３が形成されていてもいなくても、上記回路の電気的特性の検査に影響を与えることはない。
ただし、切れ目２０３を入れることによりカンチレバ部２０５を形成することにより、パッド２０５のウエハ２０３面からの高さのばらつきを吸収することができ、上記回路の電気的特性の検査を行ないやすくできる。
【００５７】
なお、図１２においては、略円柱状のプローブ１９を備えたプロービング用マイクロプローブ２０１を示して説明しているが、先端を先鋭化したプローブ１９であっても構わない。プローブ１９の先端形状は、パッド２０５の大きさ、配置間隔等に基づいて決めることができる。具体的には、プローブ１９とパッド２０５とを接触させた際に、プローブ１９が他の部分の短絡しなければプローブ１９は略円柱状のままでよく、他の部分と短絡するならば、先端を先鋭化して短絡を防止する必要がある。
【００５８】
上記の構成によれば、高アスペクト比のプローブ１９を用いることにより、プローブ１９を、例えば約１０μｍから約２０μｍの狭ピッチで配置することができる。
そのため、例えば、３２０×２４０ピクセルの解像度を有するＱＶＧＡサイズのＬＣＤデバイスのように上記パッドの間隔が２０μｍ以下のものであっても検査を行うことができる。
また、基板３からの高さが高いプローブ１９を用いることにより、ウエハ２０３とプロービング用マイクロプローブ２０１とを間隔を広くし、ウエハ２０３の保持治具等とプロービング用マイクロプローブ２０１の付属装置等との干渉を避けることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】本発明の一実施形態に係るマイクロプローブの製造方法の概略を説明するプロセス図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るマイクロプローブの製造方法の概略を説明するプロセス図である。
【図３】図２（ｅ）の電鋳用配線の構成を説明する斜視図である。
【図４】図２（ｇ）の電鋳物形成用孔の構成、配置を説明する斜視図である。
【図５】図２（ｉ）のプローブの構成、配置を説明する斜視図である。
【図６】プローブの先鋭化工程を説明する図である。
【図７】プローブの先端の電界研磨を説明する図である。
【図８】図５の各プローブが電気的に独立した状態の構成を説明する斜視図である。
【図９】スルーホールを用いた測定用回路の形成方法説明する図である。
【図１０】本発明の一実施形態に係るＡＭＦ用マイクロプローブの構成の概略を説明する図である。
【図１１】本発明の一実施形態に係るプロービング用マイクロプローブの構成の概略を説明する図である。
【図１２】図１１のプロービング用マイクロプローブを用いたウエハに形成された回路等の検査を説明する模式図である。
【符号の説明】
【００６０】
１  マイクロプローブ
３  基板
５  導電層
１１  配線形成孔
１３  電鋳用配線（配線）
７Ａ  フォトレジスト層（マスク）
７Ｂ  フォトレジスト層
１７  電鋳物形成用孔
１９  プローブ
１０１  ＡＦＭ用マイクロプローブ
２０１  プロービング用マイクロプローブ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2006234511.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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