(57)【要約】【課題】  半導体デバイスの表面で構成部品が空間的に上下に重なる場合でも、上側の部品に影響されず、下側の部品の撮像と検査を行なう。【解決手段】  半導体デバイス１の被撮像面に対向する対物レンズ系５と、この対物レンズ系５と撮像素子４との間に配置された結像レンズ系６とを備え、対物レンズ系５のＦ値を１．５以下として、被撮像面を撮影し検査する。  また、被撮像面に対向する対物レンズ系５と、この対物レンズ系５と撮像面４ａとの間に配置された結像レンズ系６とを備え、前記結像レンズ系６が焦点距離の異なる複数のレンズ６ａ，６ｂを有し、所望の倍率に応じて光軸の所定の位置に前記複数のレンズのうち所定のレンズを配置し、他のレンズを光軸から退避させ、被撮像面を撮影し検査する。【選択図】      図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスの表面を撮像して検査する撮像検査装置であって、少なくとも撮像素子と、被撮像面に対向する対物レンズ系と、この対物レンズ系と前記撮像素子との間に配置された結像レンズ系とを備え、前記対物レンズ系のＦ値を、当該半導体デバイス表面を焦点面としてその上方のワイヤの画像ぼけが当該ワイヤ直径の５倍以上になるＦ値以下としたことを特徴とする撮像検査装置。
【請求項２】
前記対物レンズ系のＦ値を、半導体デバイス表面を焦点面としてその上方のワイヤの画像ぼけが当該ワイヤ直径の５倍以上になるF値以下とし、かつ、当該半導体デバイス表面のボンディングパッド上のボール上面の画像ぼけが当該ボンディングパッドの幅の半分と当該ボール半径との差の２倍以下になるF値以上としたことを特徴とする撮像検査装置。
【請求項３】
半導体デバイスの表面を撮像して検査する撮像検査装置であって、少なくとも撮像素子と、被撮像面に対向する対物レンズ系と、この対物レンズ系と前記撮像素子との間に配置された結像レンズ系とを備え、前記対物レンズ系のＦ値を１．５以下としたことを特徴とする撮像検査装置。
【請求項４】
前記対物レンズ系のＦ値を１．５以下でかつ１．０以上としたことを特徴とする請求項３記載の撮像検査装置。
【請求項５】
前記被撮像面を同軸照明する照明手段を備えたことを特徴とする請求項３又は４記載の撮像検査装置。
【請求項６】
半導体デバイスの表面を撮像して検査する撮像検査方法であって、被撮像面を同軸照明し、被撮像面に対向する対物レンズ系のＦ値を１．５以下にして被撮像面を撮像するようにしたことを特徴とする撮像検査方法。
【請求項７】
前記半導体デバイスの表面に一定高さ離れて配線が配置され、前記配線直下の前記デバイス表面を撮像することを特徴とする請求項６記載の撮像検査方法。
【請求項８】
半導体デバイスの表面を撮像して検査する撮像検査装置であって、少なくとも被撮像面に対向する対物レンズ系と、この対物レンズ系と撮像面との間に配置された結像レンズ系とを備え、前記結像レンズ系が焦点距離の異なる複数のレンズを有し、所望の倍率に応じて光軸の所定の位置に前記複数のレンズのうち所定のレンズを配置し、他のレンズを光軸から退避させる手段を有することを特徴とする撮像検査装置。
【請求項９】
半導体デバイスの表面を撮像して検査する撮像検査方法であって、被撮像面に対向する対物レンズ系と撮像面との間に配置する結像レンズ系として、焦点距離の異なる複数のレンズから所望の倍率に応じて光軸の所定の位置に所定のレンズを配置し、他のレンズを光軸から退避させて被撮像面を撮像することを特徴とする撮像検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体デバイスの被撮像面を撮像して検査する撮像検査装置および方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造工程においては、チップ主面のボンディングパッドやボール等を形状あるいはその配置を検査する必要がある。特開平５−１６０２３０号公報（文献１）には、ボールの形状の検査方法とそれに用いる装置が開示されている。
この文献１の００２４〜００２５段落には、低照射角度リング状照明器によって、低い照射角度からの照明を用いることによって、半導体チップ主面からの反射光の対物レンズへの入射を極力少なくした上で、更に、光学系の絞りを開放して焦点深度（被写界深度）を浅くすることにより、撮影対象物でないワイヤからの反射光をぼけた画像にし、撮影対象であるボールのみを明るく映し出す方法が開示されている。
【０００３】
【特許文献１】特開平５−１６０２３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
最近の半導体パッケージの動向として、チップ積層化、ワイヤボンディングパッドのピッチ縮小化の流れが強まっている。その結果、チップ表面のボールの上空でワイヤが交差するようなパッケージが増えており、ワイヤの下方に位置する検査対象（ボール）を検査する際に、上方よりカメラで画像を撮像すると上空のワイヤが同時に撮像されてしまい、検査が困難であった。
【０００５】
また、ワイヤボンディングパッドのピッチが縮小化されていることにより、ボールとワイヤボンディングパッドの相対的な位置ずれによる不良の問題も深刻になってきており、ボールを検査する際に、ボールの形状の検査だけでなく、ボールとボンディングパッドの相対的な位置関係も同時に検査することが求められる。
【０００６】
ボールとボンディングパッドとの相対的な位置関係を検査するためには、明視野照明を用いて、ボールからの反射光と、チップ主面からの反射光がともに対物レンズに入射するようにして、ボールの画像とチップ主面の画像の相対的な位置ずれを測定するのが最も有効である。しかし、明視野照明を用いる場合、上方にあるワイヤからの反射光が対物レンズに入射しないようにするのは難しいため、撮影対象物でない上方のワイヤからの反射光について、撮影に重大な支障を及ぼさないようにする対策が同時に求められる。
【０００７】
撮影対象（ボール）と撮影障害物（上方ワイヤ）との間に段差（光軸方向の位置ずれ）がある場合、文献１の００２４〜００２５段落に開示があるように、撮像面の被写界深度を浅くする事で、撮影障害物からの反射光をぼけた画像にし、撮影対象のみを鮮明に映し出す事が可能となる。しかしながら、撮影対象物がボールとチップ主面の両方であるとする場合には、撮影対象物の表面に光軸方向の段差が生じる。撮影対象物の表面に段差がある場合には、被写界深度を浅くするに従って、撮影対象物表面からの反射光による画像のぼけが大きくなる。
【０００８】
この画像のボケについて図１及び図２を参照して説明する。図１はボールａ、ワイヤｂ及びパッドｃの関係を示す上面図である。図示するように、ボールａとパッドｃとの境界をＱ点とし、図面左方向への位置をＰ点、右方向への位置をＲ点とする。
図２は図１の構造を撮像した画像の明度プロファイルを示す。横軸は境界点Ｑから左右方向への距離、縦軸は画像の明度を示し、明度Ｍａはボールａの明度、明度Ｍｃはパッドｃの明度、画像Ｍｍは両者の中央値の明度である。
【０００９】
画像Ａは画像ぼけがない場合を示している。画像Ｂでは画像ボケが生じ、境界点Ｑから左方へ距離Ｂ１、右方へＢ２の距離の間で明度が変化しており、この領域がぼけ領域となる。画像Ｃではさらに画像ボケが生じ、境界点Ｑから左方へ距離Ｃ１、右方へＣ２の距離の間がぼけ領域となる。
【００１０】
いま、画像の明度Ｍａ、Ｍｃの中央値Ｍｍからプラス・マイナスΔＭの明度範囲を境界判定の閾値の誤差範囲とすれば、図示するように、境界判定の誤差範囲は画像Ｂの場合はプラス・マイナスΔＢ、画像Ｃの場合はプラス・マイナスΔＣの大きさとなる。このように画像ぼけが大きくなると境界線がぼけ、境界点の判別誤差が大きくなる。
【００１１】
撮影対象（ボール）と撮影障害物（上方ワイヤ）との間に段差（光軸方向の位置ずれ）がある場合、文献１の００２４〜００２５段落に開示があるように、撮像面の被写界深度を浅くする事で、撮影障害物からの反射光をぼけた画像にし、撮影対象のみを鮮明に映し出す事が可能となる。しかしながら、撮影対象物がボールとチップ主面の両方であるとする場合には、撮影対象物の表面に光軸方向の段差が生じる。撮影対象物の表面に段差がある場合には、被写界深度を浅くするに従って、撮影対象物表面からの反射光による画像のぼけが大きくなる。
【００１２】
上述のように、チップ表面の検査では、上方にある撮影障害物（ワイヤ）からの反射光をぼけた画像にするとともに、下方にある撮影対象物のボールとチップ主面の両方をできるだけ鮮明に映し出すことが必要となる。
本発明者は、独自に検討したこのような課題に基づき、撮影障害物である上方ワイヤからの反射光を十分にぼけさせ、かつ、撮影対象物であるボールとチップ主面双方からの反射光を、許容ぼけの範囲内に納めることができる対物レンズ系の最適なＦ値を検討し、本発明に至った物である。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
この発明に係る半導体デバイスの撮像検査装置および方法は、被撮像面に対向する対物レンズ系と、この対物レンズ系と前記撮像素子との間に配置された結像レンズ系とを備え、前記対物レンズ系のＦ値を、当該半導体デバイス表面を焦点面としてその上方のワイヤの画像ぼけが当該ワイヤ直径の５倍以上になるＦ値以下としたものである。
【００１４】
この発明に係る半導体デバイスの撮像検査装置および方法は、被撮像面に対向する対物レンズ系と、この対物レンズ系と撮像素子との間に配置された結像レンズ系とを備え、前記対物レンズ系のＦ値を１．５以下としたものである。
【００１５】
また、この発明に係る半導体デバイスの他の撮像検査装置および方法は、少なくとも被撮像面に対向する対物レンズ系と、この対物レンズ系と撮像面との間に配置された結像レンズ系とを備え、前記結像レンズ系が焦点距離の異なる複数のレンズを有し、所望の倍率に応じて光軸の所定の位置に前記複数のレンズのうち所定のレンズを配置し、他のレンズを光軸から退避させるものである。この発明のその他の特徴はさらに以下に説明する。
【発明の効果】
【００１６】
この発明によれば、半導体デバイスの表面で構成部品が空間的に上下に重なる場合でも、上側の部品に影響されず、下側の部品の撮像と検査を行える。特に下側部品が複数あって、一定の高低差があっても、複数の下側部品の撮像と検査を行なうことができる。
具体例としては、半導体チップとリードフレームとを結線するワイヤボンド工程の後に、ワイヤが下側部品のボンディングパッドおよびボールと交差していても、そのボンディングパッドおよびボールの形状および位置関係などを撮像検査することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
実施の形態１．
図３は半導体デバイスのチップ上面図の一例であり、図４は図３のような半導体デバイスで、上方のワイヤが下方のボールの上空を横切る部分の断面図を示す。この図４に示すような構造部分が、この発明の実施の形態において検査対象の一例とするものである。
【００１８】
図３或いは図４の積層チップ型の半導体デバイス１は、下チップ２の上に上チップ３を積層したものである。下チップ２は表面のボンディングパッド２ｃにボール２ａが形成され、このボール２ｃに接続されたワイヤ２ｂを有している。また、上チップ３は表面のボンディングパッド３ｃにボール３ａが形成され、これに接続されたワイヤ３ｂを有している。上下チップ２，３のチップ厚をｔ、ボンディングパッド２ｃ、３ｃのパッド幅をＷＰ、ボール２ａ，３ａのボール径をｄｂ、ボール高さをｈｂ、ワイヤ径をｄｗ、上下チップ２，３のチップ表面からのワイヤ高さをｈｗで示している。また、下チップ２の表面から上チップ３のワイヤ３ｂの中心までの高さをＨで示している。
【００１９】
下ワイヤ２ｂは下チップ２とリード端子（図の外に位置する）とを結線するワイヤである。下ボール２ａはワイヤボンディングによって下チップ２と下ワイヤ２ｂとを接合する際に形成されるボールであり、本実施の形態で撮像対象物とする。
上ワイヤ３ｂは上チップ３と他のリード端子（図の外に位置する）とを結線するワイヤであり、下ボール２ａの垂直上方を横切る位置にある。
【００２０】
本実施の形態では、このような半導体デバイス１の表面ないし被撮像面を検査対象の一例とし、特に上ワイヤ３ｂの直下に位置する下ボンディングパッド２ｃ及び下ボール２ａの撮像と検査を行う例について説明する。
【００２１】
ここで図４に示した半導体素デバイス１では、通常ワイヤ径ｄｗはφ20〜30μm、ボール径ｄｂはφ50〜120μm、チップ厚ｔは50〜400μm、ワイヤ高さｈｗは80〜400μm、ボール高さｈｂは20〜50μm程度である。
そして、以下では、ディメンジョンを次のとおりとして検討する。
ボンディングパッド幅ＷＰ：55μm、
ワイヤ直径ｄｗ：25μm、
ボール直径ｄｂ：45μm、
ボール高さｈｂ：15μm、
チップ主面から上ワイヤ中心までの高さＨ：150μm。
【００２２】
図５は、本実施の形態における、半導体デバイスの被撮像面を撮像して検査する撮像検査装置の概略構成を示す図である。この実施の形態の撮像検査装置は、少なくとも撮像素子４と、半導体デバイス１の被撮像面に対向する対物レンズ系５と、この対物レンズ系５と撮像素子４との間に配置された結像レンズ系６とを備えている。また、図示しないが、半導体デバイス１を波長400〜700ｎｍの可視光をもった同軸照明により明視野で同軸照明する照明手段を備えている。
【００２３】
撮像素子４はＣＣＤカメラやラインカメラ等からなる。対物レンズ系５は、撮像対象側に位置する光学レンズ等の結像素子からなる。
【００２４】
ところで、対物レンズ系、結像レンズ系を含むレンズ系の材質や形状、および光源からの波長などによって、レンズ系のＦ値が決まる。特に、撮像対象物から対物レンズ系に入射した光の全てが結像レンズ系によって結像される光学設計の場合には、対物レンズ系のＦ値によって、レンズ系全体のＦ値が決定される。レンズ系のＦ値と許容ぼけによって、被写界深度が決まる。本実施例においては、十分な口径比を得るために、撮像対象物から対物レンズ系に入射した光の全てが結像レンズ系によって結像される光学設計のため、対物レンズ系のＦ値と許容ぼけによって、被写界深度が求められる。なお、それぞれのレンズ系は、複数枚のレンズによって構成される場合もある。
【００２５】
ここでＦ値及びぼけ量について説明しておく。図６に示す撮像系において、対物レンズの有効開口直径をΦ、対物レンズからの焦点距離をＬとすると、Ｆ値＝Φ／Ｌ、すなわち、Ｆ値は対物レンズの有効開口直径を対物レンズから焦点までの距離（焦点距離）で割った値と定義される。
また、図７に示す撮像系において、上方ワイヤの高さにおける錯乱円の直径をΔΦ、その焦点からの距離をΔＬとすると、Ｆ値はΔΦ／ΔＬである。このとき、ぼけ量＝ΔΦ／２、すなわちぼけ量は錯乱円の半径と定義される。
【００２６】
さて、撮影障害物である上方ワイヤについては、その画像が本来のワイヤ直径の５倍以上にぼけるＦ値の範囲を選択するのが好ましい。すなわち、上方ワイヤ位置におけるぼけ（＝錯乱円の半径）はワイヤ直径ｄｗの２倍以上になるＦ値の範囲を選択するのが好ましい。
（１）上方ワイヤのぼけ実施例：
焦点面＝チップ主面
上方ワイヤの焦点面からの距離（ワイヤ高さＨ）＝１５０μｍ
ワイヤ直径（ｄｗ）＝２５μｍ
好ましい錯乱円の半径≧ワイヤ直径（ｄｗ）×２＝５０μｍ
錯乱円の半径×２＝焦点面からの距離／Ｆ値
より計算すると、
好ましいＦ値Ｍａｘ≦１．５となる。
【００２７】
次に、撮影対象物であるチップ主面とボールについては、焦点面をチップ主面に合わせた場合に、ボールの画像ぼけが、ボールとボンディングパッド端部との距離に対して、ある程度の範囲内に収まっている事が好ましい。本発明者は検討の結果、ボールの画像ぼけが、ボールとボンディングパッド端部との距離に対して、最大でも２倍以下、より好ましくは１．５倍以下に収まっていることにより、ボールのボンディングパッドに対する位置ずれを十分な精度で判定することができることを見出した。
【００２８】
ここでいうボールとボンディングパッド端部との距離とは、ボールがボンディングパッドの中心に配置された場合を仮定し、ボール半径と（パッド幅／２）との差によって求められる値を、ボールとボンディングパッド端部との標準距離と定義する。
【００２９】
次の実施例において、ボールの焦点面から離れた上面における画像ぼけが、ボールとボンディングパッド端部との標準距離に対して、２倍以下に収まる条件で計算すると、好ましいＦ値Ｍｉｎは以下のようになる。
（２）ボール上面のぼけ実施例：
焦点面＝チップ主面
ボール上面の焦点面からの距離（ボール高さｈｂ）＝１５μｍ
ボール直径ｄｂ＝４５μｍ
ボンディングパッド幅ＷＰ＝５５μｍ
好ましい錯乱円の半径≦（ＷＰ−ｄｂ）×（１／２）×２＝１０μｍ
好ましいＦ値Ｍｉｎ≧０．７５となる。
【００３０】
次の実施例において、ボールの焦点面から離れた上面における画像ぼけが、ボールとボンディングパッド端部との標準距離に対して、１．５倍以下に収まる条件で計算すると、より好ましいＦ値Ｍｉｎは以下のようになる。
（３）ボール上面のぼけ実施例：
焦点面＝チップ主面
ボール上面の焦点面からの距離（ボール高さｈｂ）＝１５μｍ
ボール直径ｄｂ＝４５μｍ
ボンディングパッド幅ＷＰ＝５５μｍ
好ましい錯乱円の半径≦（ＷＰ−ｄｂ）×３／４＝７．５μｍ
より好ましいＦ値Ｍｉｎ≧１となる。
【００３１】
以上の実施例（１）〜（３）をまとめると次のとおりである。
（１）Ｆ値Ｍａｘ≦１．５
（２）Ｆ値Ｍｉｎ≧０．７５
（３）Ｆ値Ｍｉｎ≧１
したがって、１．５≧Ｆ値Ｍａｘ、Ｆ値Ｍｉｎ≧１≧０．７５となる。
【００３２】
以上のことから、上方にある撮影障害物（ワイヤ）からの反射光をぼけた画像にして障害がないようにするとともに、下方にある撮影対象物のボールとチップ主面の両方を検査できるように映し出すために、望ましいＦ値の範囲は、１．５≧Ｆ値≧０．７５であり、さらに望ましくは１．５≧Ｆ値≧１となる。
【００３３】
また、画像処理系および光学系の能力を十分に発揮するためには、ボール上面におけるぼけ量は画像分解能に対して適切な範囲に抑えるのが好ましく、例えば、ぼけ量は画像分解能の５倍以下に抑えるのが好ましい。
（４）ボール上面のぼけ実施例：
焦点面＝チップ主面
ボール上面の焦点面からの距離（ボール高さｈｂ）＝１５μｍ
画像分解能＝２μｍ
許容ぼけ量≦２×５＝１０μｍ
好ましいＦ値Ｍｉｎ≧１５／（１０×２）＝０．７５となる。
これは、上記の実施例（２）と結果が一致している。
【００３４】
図８は実際にチップ表面を撮像した撮像画像を示す。図９および図１０は比較のための撮像画像を示す。図８はＦ値＝1.4、図９はＦ値＝1.8、図１０はＦ値＝2.8であり、図８では上ワイヤの影響を実質的に受けていない画像が得られ、図９、図１０では上ワイヤの影響を受けていることがわかる。
【００３５】
以上のように、本実施の形態では、上下に重なったワイヤ３ｂと下ボンディングパッド２ｃ及び下ボール２ａの高低差が150μm以上の場合、F値を1.5以下に設計された対物レンズ系５を用いることにより、波長400〜700ｎｍの可視光をもった同軸照明による明視野照明を用いた場合でも、上ワイヤ３ｂの影響を十分に軽減したうえで下ボンディングパッド２ｃ及び下ボール２ａの画像を得ることが可能となった。
【００３６】
本実施の形態では、下ボールを検査する場合を例としたが、ステッチボンド側、中間のワイヤなど他の部分を撮像する場合についても同様である。
【００３７】
また、本実施の形態では、撮影障害物である上方ワイヤの画像が、ワイヤ直径の５倍以上にぼけるF値を選択するという発明の概念に基づいて、特定のディメンジョンを適用して検討した結果求められた好ましいF値Maxの例について開示しているが、発明の実施の形態としては上記に限るものではない。上述の発明の概念に基づいて、別のディメンジョンの半導体装置を検査する工程に適用することも勿論可能である。別のディメンジョンの半導体装置の検査工程について、上記発明の概念に基づいて検討した結果、好ましいF値Maxが、本実施の形態に開示された好ましいF値Maxと異なる場合もありうる。
【００３８】
また、ボール上面における画像ぼけが、ボールとボンディングパッド端部との標準距離の２倍以下、より好ましくは１．５倍以下に収まるF値を選択する、という発明の概念についても同様であり、発明の適用の対象は、本実施の形態に開示される特定のディメンジョンの場合に限るものではなく、別のディメンジョンの半導体装置を検査する工程に適用することも勿論可能であり、別のディメンジョンにおいては、好ましいF値Minが、本実施の形態に開示された好ましいF値Minと異なる場合もありうる。
【００３９】
以上のように、本発明は、半導体デバイス表面ないしチップ表面のボンディングパッドとその上のボールなどの被撮像面を、その上空を横切るワイヤなどの撮影障害物の影響を十分に軽減した撮像しようとする際に、被撮像面に対向する対物レンズ系のＦ値を、当該半導体デバイス表面を焦点面としてその上方のワイヤの画像ぼけが当該ワイヤ直径の５倍以上になるF値以下を選択するものである。
また、被撮像面に、半導体デバイス表面のボンディングパッドとその上のボールのように段差がある場合に、ボール上面の画像ぼけが当該ボンディングパッドの幅の半分と当該ボール半径との差の２倍以下になるF値以上を選択するものである。
【００４０】
実施の形態２．
図１１および図１２は、この発明の実施の形態２における、半導体デバイスの表面ないし被撮像面を撮像して検査する撮像検査装置の概略構成を示す図である。図１１は高倍率時のレンズ配置、図１２は低倍率時のレンズ配置を示している。この実施の形態の撮像検査装置は、少なくとも半導体デバイス１の被撮像面に対向する対物レンズ系５と、この対物レンズ系４と撮像面４ａとの間に配置される結像レンズ系６とを備えている。また、図示しないが、半導体デバイス１を明視野で同軸照明する照明手段を備えている。
【００４１】
撮像面４ａに映される倍率は対物レンズ系５の焦点距離ｆ１と結像レンズ系６の焦点距離ｆ２によって決まる。対物レンズ系５としては、対物レンズ系から撮像面４ａ側へはテレセントリック系となるレンズ系を使用する。また、結像レンズ系６としては、焦点距離の違う結像レンズ６ａ，６ｂを複数枚、たとえば高倍率レンズ６ａ（焦点距離ｆ２’）と低倍率レンズ６ｂ（焦点距離ｆ２’’）を備えておき、必要な倍率に応じて段階的に倍率を切り替えることができるようにした。
【００４２】
高倍率による検査が必要なときは図１１のように光軸上に高倍率レンズ６ａを配置させ、低倍率レンズ６ｂを退避させる。低倍率による検査の場合は、その逆に図１２に示すように、高倍率レンズ６ａを退避させ、低倍率レンズ６ｂを光軸上に配置する。
低倍率で広範囲な検査を実施したい場合には低倍率レンズ、高倍率で狭範囲な検査を実施したい場合には高倍率レンズを用いるというように、検査対象の必要精度によって倍率を切り替えることで適切なレンズを選ぶことができ検査速度を最適化できる。また、各倍率でレンズの収差等を補正する校正データを持たせることで、切り替え後もスムースに検査を行うことができる。なお、結像レンズ系６ｂのレンズの枚数は２枚と限らず、適当な枚数であってよい。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】半導体デバイスのチップ表面のボール部分の上面図である。
【図２】チップ表面の撮像画像の明度プロファイルを示す図である。
【図３】この発明の実施の形態において検査対象の一例とする、半導体デバイスのチップ上面図である。
【図４】この発明の実施の形態において検査対象の一例とする、半導体デバイスの断面図である。
【図５】この発明の実施の形態１における、半導体デバイスの被撮像面を撮像して検査する撮像検査装置の概略構成を示す図である。
【図６】撮像系のF値を説明するための図である。
【図７】撮像系のぼけ量を説明するための図である。
【図８】この発明の実施の形態１による、半導体デバイスの被撮像面の撮像画像を示す。
【図９】比較のための撮像画像を示す。
【図１０】比較のための他の撮像画像を示す。
【図１１】この発明の実施の形態２における、半導体デバイスの被撮像面を撮像して検査する撮像検査装置の概略構成を示す図であり、高倍率時のレンズ配置を示す。
【図１２】この発明の実施の形態２における、半導体デバイスの被撮像面を撮像して検査する撮像検査装置の概略構成を示す図であり、低倍率時のレンズ配置を示す。
【符号の説明】
【００４４】
１  半導体デバイス、  ２  下チップ、  ２ａ  ボール、  ２ｂ  ワイヤ、  ３  上チップ、  ３ａ  ボール、  ３ｂ  ワイヤ、  ４  撮像素子、  ４ａ  撮像面、  ５  対物レンズ系、  ６  結像レンズ系、  ６ａ、６ｂ  結像レンズ。
【図１】
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【図２】
2006177730.tif 000004
【図３】
2006177730.tif 000005
【図４】
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【図５】
2006177730.tif 000007
【図６】
2006177730.tif 000008
【図７】
2006177730.tif 000009
【図８】
2006177730.tif 000010
【図９】
2006177730.tif 000011
【図１０】
2006177730.tif 000012
【図１１】
2006177730.tif 000013
【図１２】
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