(57)【要約】【課題】  被加工物の表面に存在する突起のピッチ以下のスポット径に設定したガスクラスターイオンビームであっても、被加工物表面の突起を除去して形状創成を行えるようにする。【解決手段】  ソース部１は、中性ビームであるガスクラスターイオンビーム１０を生成する。タングステンフィラメント６は、ガスクラスターイオンビーム１０をイオン化させて自由曲面成形型１２の表面に向かって照射させる。Ｘ軸ステージ１４、Ｙ軸ステージ１５、及び揺動ステージ１３は、ガスクラスターイオンビーム１０が照射される自由曲面成形型１２の表面位置を移動させる。制御部１００は、自由曲面成形型１２の表面位置に応じてガスクラスターイオンビーム１０の加速電圧若しくはソースガス流量を制御する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物の表面位置に対して照射するガスクラスターイオンビームの制御方法において、生成されたガスクラスターイオンビームの加速電圧を制御して、被加工物の表面の形状創成及び研磨を行うことを特徴とする超精密研磨方法。
【請求項２】
被加工物の表面位置に対して照射するガスクラスターイオンビームの制御方法において、生成されたガスクラスターイオンビームのソースガス流量を制御して、被加工物の表面の形状創成及び研磨を行うことを特徴とする超精密研磨方法。
【請求項３】
被加工物の表面形状と被加工物の目標形状との形状差、及びガスクラスターイオンビームの加速電圧に対するスパッタリング深さのデータに基づいて、被加工物の表面位置に対するガスクラスターイオンビームの加速電圧を算出する工程と、
算出された加速電圧に基づいて、ガスクラスターイオンビームの加速電圧を被加工物の表面位置に応じて変化させることにより被加工物の表面形状及び研磨を行う工程と、
を含むことを特徴とする超精密研磨方法。
【請求項４】
被加工物の表面形状と被加工物の目標形状との形状差、及びガスクラスターイオンビームのソースガス流量に対するスパッタリング深さのデータに基づいて、被加工物の表面位置に対するガスクラスターイオンビームのソースガス流量を算出する工程と、
算出されたソースガス流量に基づいて、ガスクラスターイオンビームのソースガス流量を被加工物の表面位置に応じて変化させることにより被加工物の表面形状及び研磨を行う工程と、
を含むことを特徴とする超精密研磨方法。
【請求項５】
前記ガスクラスターイオンビームの照射方向は、前記被加工物の表面に対して垂直であることを特徴とする請求項１から４のうちのいずれか一項に記載の超精密研磨方法。
【請求項６】
前記ガスクラスターイオンビームの照射方向と前記被加工物の表面とが常に垂直になるように、当該ガスクラスターイオンビームを照射する照射手段と当該被加工物とを相対的に揺動させることを特徴とする請求項１から４のうちのいずれか一項に記載の超精密研磨方法。
【請求項７】
ガスクラスターイオンビームを被加工物の表面に向かって照射させる照射手段と、
前記照射手段と前記被加工物とを相対的に移動させて前記ガスクラスターイオンビームが照射される当該被加工物の表面位置を変化させる移動手段と、
前記被加工物の表面位置に応じて前記ガスクラスターイオンビームの加速電圧若しくはソースガス流量を制御する制御手段と、
を具備することを特徴とする超精密研磨装置。
【請求項８】
ガラスクラスターイオンビームを被加工物の表面に向かって照射させる照射手段と、
前記照射手段と前記被加工物とを相対的に移動させて前記ガスクラスターイオンビームが照射される当該被加工物の表面位置を変化させる移動手段と、
前記被加工物の表面形状と当該被加工物の目標形状との形状差、及び前記ガスクラスターイオンビームの加速電圧に対するスパッタリング深さのデータに基づいて、当該被加工物の表面位置に対して照射する当該ガスクラスターイオンビームの加速電圧を算出する算出手段と、
前記算出手段で算出された加速電圧に基づいて前記移動手段を制御して、前記ガスクラスターイオンビームの加速電圧を前記被加工物の表面位置によって変化させる制御手段と、
を具備することを特徴とする超精密研磨装置。
【請求項９】
ガラスクラスターイオンビームを被加工物の表面に向かって照射させる照射手段と、
前記照射手段と前記被加工物とを相対的に移動させて前記ガスクラスターイオンビームが照射される当該被加工物の表面位置を変化させる移動手段と、
前記被加工物の表面形状と当該被加工物の目標形状との形状差、及び前記ガスクラスターイオンビームのソースガス流量に対するスパッタリング深さのデータに基づいて、当該被加工物の表面位置に対する当該ガスクラスターイオンビームのソースガス流量を算出する算出手段と、
前記算出手段で算出されたソースガス流量に基づいて前記移動手段を制御して、前記ガスクラスターイオンビームのソースガス流量を前記被加工物の表面位置によって変化させる制御手段と、
を具備することを特徴とする超精密研磨装置。
【請求項１０】
前記照射手段と前記被加工物とを相対的に揺動させて当該照射手段から照射される前記ガスクラスターイオンビームの照射方向と当該被加工物の表面とを常に垂直にする揺動手段を更に具備することを特徴とする請求項７から９のうちのいずれか一項に記載の超精密研磨装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、研磨技術に関し、特に、光学ガラス素子を成形するための成形型等の被加工物表面の研磨に好適な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
レンズ等の光学素子には自由曲面形状を有したガラスレンズやプラスチックレンズ等があり、これらを大量生産するためには成形型を使用したプレス成形や射出成形等が有力な加工手段となっている。
【０００３】
この加工手段において、成形型によって成形されたレンズの形状精度が悪いと、このレンズが組み込まれたカメラ等の光学機器に収差が発生してしまい、光学機器としての機能が低下する。また、成形型の面粗さが粗面の場合には、成形後のレンズの面粗さも粗面になるため、光学機器にフレアが発生してしまう。
【０００４】
このように、レンズの成形においてはレンズの加工精度が重要であるが、このレンズの加工精度を左右するのは、レンズに転写される成形型の表面の形状精度である。
この点に関し、例えば特許文献１では、成形型等の被加工物の表面にガスクラスターイオンビームを照射することによってその表面を超精密研磨する方法が開示されている。ガスクラスターイオンビームは被加工物に照射されることによる被加工物との衝突によって壊れ、その際に、クラスター構成原子または分子及び被加工物構成原子または分子と多体衝突が生じ、被加工物の表面に対して水平方向への運動が頼著となる。これにより、被加工物の表面における凸部が主に削られ、原子サイズでの平坦な超精密研磨が可能となるというものである。
【特許文献１】特許第３４５１１４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ガスクラスターイオンビームを構成する１個の原子半径は数Å（オングストローム）程度であるため、この原子が数百〜数千個集まったクラスターであってもクラスターサイズは数ｎｍ〜数十ｎｍレベルのサイズである。今、図９Ａに例示するように、被加工物の表面に存在する突起ＴのピッチＰがミリ単位である場合、太径である慣用のクラスターイオンビームを当該被加工物に一様に照射すると、図９ＡのＡ部の拡大図である図９Ｂに示すように、クラスターサイズ程度以下の極小面積では微小凸部が主に削られ、ビーム照射後の当該Ａ部の拡大図である図９Ｃのように、面粗さは向上する。しかし、表面全体に存在するミリ単位のピッチＰの突起Ｔについては依然として除去がされることがなく、目標形状に対して形状差を修正することができない。その結果、形状精度を向上させることができない。
【０００６】
本発明は上述した問題点に鑑みてなされたものであり、その解決しようとする課題は、被加工物の表面に存在する突起のピッチ以下のスポット径に設定したガスクラスターイオンビームであっても、被加工物表面の突起を除去して形状創成を行えるようにすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の態様のひとつである超精密研磨方法は、被加工物の表面位置に対して照射するガスクラスターイオンビームの制御方法において、生成されたガスクラスターイオンビームの加速電圧を制御して、被加工物の表面の形状創成及び研磨を行うことを特徴とするものであり、この特徴によって前述した課題を解決する。
【０００８】
また、本発明の別の態様のひとつである超精密研磨方法は、被加工物の表面位置に対して照射するガスクラスターイオンビームの制御方法において、生成されたガスクラスターイオンビームのソースガス流量を制御して、被加工物の表面の形状創成及び研磨を行うことを特徴とするものであり、この特徴によって前述した課題を解決する。
【０００９】
また、本発明の更なる別の態様のひとつである超精密研磨方法は、被加工物の表面形状と被加工物の目標形状との形状差、及びガスクラスターイオンビームの加速電圧に対するスパッタリング深さのデータに基づいて、被加工物の表面位置に対するガスクラスターイオンビームの加速電圧を算出する工程と、算出された加速電圧に基づいて、ガスクラスターイオンビームの加速電圧を被加工物の表面位置に応じて変化させることにより被加工物の表面形状及び研磨を行う工程と、を含むことを特徴とするものであり、この特徴によって前述した課題を解決する。
【００１０】
また、本発明の更なる別の態様のひとつである超精密研磨方法は、被加工物の表面形状と被加工物の目標形状との形状差、及びガスクラスターイオンビームのソースガス流量に対するスパッタリング深さのデータに基づいて、被加工物の表面位置に対するガスクラスターイオンビームのソースガス流量を算出する工程と、算出されたソースガス流量に基づいて、ガスクラスターイオンビームのソースガス流量を被加工物の表面位置に応じて変化させることにより被加工物の表面形状及び研磨を行う工程と、を含むことを特徴とするものであり、この特徴によって前述した課題を解決する。
【００１１】
なお、上述した本発明に係る超精密研磨方法において、ガスクラスターイオンビームの照射方向は、被加工物の表面に対して垂直にすることが望ましい。
また、前述した本発明に係る超精密研磨方法において、ガスクラスターイオンビームの照射方向と被加工物の表面とが常に垂直になるように、当該ガスクラスターイオンビームを照射する照射手段と当該被加工物とを相対的に揺動させるようにしてもよい。
【００１２】
また、本発明の更なる別の態様のひとつである超精密研磨装置は、ガスクラスターイオンビームを被加工物の表面に向かって照射させる照射手段と、当該照射手段と当該被加工物とを相対的に移動させて当該ガスクラスターイオンビームが照射される当該被加工物の表面位置を変化させる移動手段と、当該被加工物の表面位置に応じて当該ガスクラスターイオンビームの加速電圧若しくはソースガス流量を制御する制御手段と、を具備することを特徴とするものであり、この特徴によって前述した課題を解決する。
【００１３】
また、本発明の更なる別の態様のひとつである超精密研磨装置は、ガラスクラスターイオンビームを被加工物の表面に向かって照射させる照射手段と、当該照射手段と当該被加工物とを相対的に移動させて当該ガスクラスターイオンビームが照射される当該被加工物の表面位置を変化させる移動手段と、当該被加工物の表面形状と当該被加工物の目標形状との形状差、及び当該ガスクラスターイオンビームの加速電圧に対するスパッタリング深さのデータに基づいて、当該被加工物の表面位置に対して照射する当該ガスクラスターイオンビームの加速電圧を算出する算出手段と、当該算出手段で算出された加速電圧に基づいて当該移動手段を制御して、当該ガスクラスターイオンビームの加速電圧を当該被加工物の表面位置によって変化させる制御手段と、を具備することを特徴とするものであり、この特徴によって前述した課題を解決する。
【００１４】
また、本発明の更なる別の態様のひとつである超精密研磨装置は、ガラスクラスターイオンビームを被加工物の表面に向かって照射させる照射手段と、当該照射手段と当該被加工物とを相対的に移動させて当該ガスクラスターイオンビームが照射される当該被加工物の表面位置を変化させる移動手段と、当該被加工物の表面形状と当該被加工物の目標形状との形状差、及び当該ガスクラスターイオンビームのソースガス流量に対するスパッタリング深さのデータに基づいて、当該被加工物の表面位置に対する当該ガスクラスターイオンビームのソースガス流量を算出する算出手段と、当該算出手段で算出されたソースガス流量に基づいて当該移動手段を制御して、当該ガスクラスターイオンビームのソースガス流量を当該被加工物の表面位置によって変化させる制御手段と、を具備することを特徴とするものであり、この特徴によって前述した課題を解決する。
【００１５】
なお、上述した本発明に係る超精密研磨装置において、照射手段と被加工物とを相対的に揺動させて当該照射手段から照射されるガスクラスターイオンビームの照射方向と当該被加工物の表面とを常に垂直にする揺動手段を更に具備することが望ましい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明は、上述のようにすることにより、被加工物の表面に存在する突起のピッチ以下のスポット径に設定したガスクラスターイオンビームであっても、被加工物表面の突起を除去して形状創成を行えるようになるという効果を奏する。従って、成形型の形状精度の高精度化と面粗さの向上が図れ、後工程のレンズ等のプレス成形において、収差およびフレアの無い光学ガラス素子等を提供することができるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。なお、以下の説明において、同一の部材には同一の符号を付して対応させている。
図１は、本発明に係る超精密研磨方法に使用するガスクラスターイオンビーム加工装置の構成を示している。
【００１８】
図１において、ガスクラスターイオンビーム加工装置（以下、「本装置」と称することとする）はソース部１、差動排気部２、及びイオン化部３の３つのチャンバーによって構成されている。イオンビーム照射前の準備として、これらのチャンバー内から不純物ガス、水、酸素及び窒素等を極力排除する必要があるので、これらのチャンバー内は、不図示のポンプにより所望の真空度まで減圧されるようになっている。
【００１９】
ソース部１の内部には、ノズル部４及びスキマー５が配置されている。
ノズル４には不図示のガスボンベから０．６〜１．０ＭＰａ程度の高圧ガスが供給される。このガスとしては、例えばアルゴンガス，酸素ガス，窒素ガス，ＳＦ6 （六フッ化硫黄）ガス，ヘリウムガスの他、炭酸ガスあるいはこれらの２種以上を混合したガスを用いることができる。このような高圧ガスが超音速でノズル４から噴出する瞬間の断熱膨張によってガスクラスターイオンが生成され、次に、スキマー５を通過することによって密度の高いガスクラスターイオンビームが取り出せる。
【００２０】
差動排気部２には、ガスクラスターイオンビーム１０を開閉するシャッター１８が配設されている。ソース部１を出たときのガスクラスターイオンビーム１０は中性ビームであるが、差動排気部２を経てイオン化部３に入ると、イオン化部３内のタングステンフィラメント６の熱電子の衝突によってイオン化される。
【００２１】
以上のガスクラスターイオンを生成するノズル４と、熱電子の衝突によってイオン化を行うタングステンフィラメント６とで照射手段を構成している。
次に、ガスクラスターイオンビーム１０は加速電極７によって加速される。このとき、慣用のガスクラスターイオンビーム１０の径は数〜数十ｍｍ程度あるので、グランド電極８の形状の変更、及び第三電極９とグランド電極８との間の距離の変更を行って、ガスクラスターイオンビーム１０の径を安定して細く絞ることのできる最適条件に設定する。
【００２２】
更に、これらの下流側には、アパーチャ１１が配設されている。アパーチャ１１は、ガスクラスターイオンビーム１０を所望のスポット径とするものである。アパーチャ１１は板材に穴を開けるだけの簡単な構造であり、数μｍ〜数十ｍｍまでスポット径を任意に且つ高精度に設定することができる。
【００２３】
アパーチャ１１の下流側には被加工物としての自由曲面成形型１２があり、その表面がガスクラスターイオンビーム１０の入射方向に対して垂直になるように配置される。
自由曲面成形型１２は、ガスクラスターイオンビーム１０の入射方向と垂直なＸ軸ステージ１４に搭載されている。Ｘ軸ステージ１４は図１の紙面に対して前後方向に移動可能である。また、Ｘ軸ステージ１４はＹ軸ステージ１５に搭載されている。Ｙ軸ステージ１５は紙面に対して上下方向に移動可能である。Ｙ軸ステージ１５はブラケット１６に固定されており、このブラケット１６は回転自在な揺動ステージ１３に搭載されている。揺動ステージ１３は本装置のベース１７に固設されている。
【００２４】
Ｘ軸ステージ１４、Ｙ軸ステージ１５及び揺動ステージ１３には不図示のサーボモータあるいはステッピングモータが搭載されており、制御手段としての制御部１００により制御自在となっている。
【００２５】
以上のＸ軸ステージ１４、Ｙ軸ステージ１５、及び揺動ステージ１３とで移動手段を構成している。
自由曲面成形型１２の近傍には電流計測部１９が配設されている。ガスクラスターイオンビーム１０が照射されると電流が流れ、その電流値はケーブル２０を介して電流計２１にて計測される。
【００２６】
電流計測部１９の詳細について図２を参照しながら説明する。電流計測部１９の外周部には中空のセラミックス等の絶縁体２３が配設されており、その中心部に円柱の導電体２２が勘合されている。導電体２２からは電流を通すためのケーブル２０が接続されている。なお、導電体２２の径は、設定されたアパーチャ１１の径と同等にすることが望ましい。
【００２７】
本装置に接続されている制御部１００は制御手段を構成するものであり、算出手段としての算出部１０２と、記憶部１０３とを有している。制御部１００は、予め作成しておいた制御プログラムに従い、Ｘ軸ステージ１４、Ｙ軸ステージ１５及び揺動ステージ１３を駆動させることができる。形状測定器１０１は測定手段を構成するものであり、自由曲面成形型１２の表面形状を測定して、その測定結果を表しているデータを制御部１００へ供給する。
【００２８】
次に、自由曲面成形型１２の加工を行う前に必要な準備作業について、図１、図３〜図７を参照しながら説明する。
まず、形状測定器１０１を用い、被加工物である自由曲面成形型１２の全面形状における表面位置に対する突起高さを測定する。
【００２９】
図３は、形状測定器１０１を用いて測定された突起高さの一例を示している。同図において、Ｂ部は高く、Ｃ部は低くなっている。測定の結果、Ｂ部の高さは約０．２μｍ、Ｃ部の高さは約０．０５μｍであったので、Ｂ部とＣ部の差は約０．１５μｍとなる。従って、形状精度はＰＶ（peak to valley）値で約０．１５μｍとなる。
【００３０】
このＰＶ値を小さくすることにより形状精度を向上させることができる。そして、予め記憶部１０３に記憶されている目標形状と、形状測定器１０１の測定結果により得られた突起高さ及び突起位置の点列データとを使用して制御プログラムを作成する。また、この測定結果によって突起の水平断面の面積が判明するので、この突起の面積よりも小さいアパーチャ１１を選定してガスクラスターイオンビーム１０のスポット径を設定する。
【００３１】
次に、照射位置が動かない状態のガスクラスターイオンビーム１０を、自由曲面形状を有する自由曲面成形型１２の基準位置に合わせる。具体的には、まず、シャッター１８を開いてガスクラスターイオンビーム１０を照射し、Ｘ軸ステージ１４及びＹ軸ステージ１５を移動させながら電流計測部１９に当たるように概略設定する。ここで、電流計測部１９にガスクラスターイオンビーム１０を照射すると電流計２１の電流値が大きくなっていくので、Ｘ軸ステージ１４及びＹ軸ステージ１５を微調整して電流値がピーク（最大）となる位置に設定する。このピーク値となる位置が自由曲面成形型１２の基準位置となる。
【００３２】
また、突起を除去するために必要な実験データをあらかじめ把握しておく必要がある。具体的には、照射ドーズ量（単位面積当たりのイオン注入量）を１×１０17（ｉｏｎｓ／ｃｍ2 ）に固定した状態で加速電圧を変化させたときの平面のサンプルに対する各々のビーム加工痕を取得し、そのときのスパッタリング深さ（ビーム加工痕の断面）を、干渉縞を利用した不図示の深さ測定器等を用いて測定する。このときに取得されるビーム加工痕の例を図４に示し、この図４の例における加速電圧に対するスパッタリング深さをプロットしたグラフを図５に示す。
【００３３】
また、この他の実験データとして、平面のサンプルに対してソースガス流量を変化させて各々のビーム加工痕を取得したときの、ソースガス流量に対するスパッタリング深さをプロットしたグラフを図６に示す。
【００３４】
以上のデータより、突起高さ分を除去する場合には、加速電圧あるいはソースガス流量に対するスパッタリング深さを設定し、図５あるいは図６のグラフに基づいて算出部１０２にてガスクラスターイオンビームの加速電圧若しくはソースガス流量を算出して照射条件を決定することにより可能となる。
【００３５】
研磨を行う加工方法の実際について図７及び図８を用いて説明する。
まず、ガスクラスターイオンビーム１０を、図７及び図８に示されている自由曲面成形型１２のＡ地点近傍に照射できるように、Ｘ軸ステージ１４及びＹ軸ステージ１５を移動する。その後、シャッター１８を開けてガスクラスターイオンビーム１０を照射する。
【００３６】
自由曲面成形型１２の形状創成を行うため、Ｘ軸のプラス方向にガスクラスターイオンビーム１０が走査されるようにＸ軸ステージ１４を移動させながらガスクラスターイオンビーム１０の照射を行う。このとき、上述したように、突起の高さと位置とが事前に分かっているので、ガスクラスターイオンビーム１０を照射する際は、突起を除去するのに必要な分だけの加速電圧を設定してガスクラスターイオンビーム１０を照射する。
【００３７】
次に、Ｘ軸方向の走査が完了すると、Ｙ軸のプラス方向にガスクラスターイオンビーム１０が走査されるようにＹ軸ステージ１５を移動させる。以降、図８に示すように、ガスクラスターイオンビーム１０が自由助面成形型表面１２ａに対してラスター走査を行うように、このサイクルを繰り返して行い、自由曲面成形型１２の全面の形状創成を行う。
【００３８】
なお、上述の方法は加速電圧を制御するものであるが、これと同様に、図６の実験データに基づき、ソースガス流量を制御するようにすることも可能である。また、制御手段としては、照射ドーズ量を変化させるために、照射時間を制御する手法もある。
【００３９】
以上のように、被加工物の表面位置に応じてガスクラスターイオンビームの加速電圧若しくはソースガス流量を制御することにより、被加工物の表面状態に応じた研磨を行うことができ、被加工物の形状創成及び表面の突起を除去することが可能となる。しかも、ガスクラスターイオンビームの加速電圧若しくはソースガス流量を予め算出しておき、被加工物の表面位置に応じたガスクラスターイオンビームの加速電圧若しくはソースガス流量の変化を算出された加速電圧若しくはソースガス流量に基づいて生じさせるので、被加工物の表面状態に応じた研磨を行うことができる。このため、高精度の研磨を行うことができる。
【００４０】
なお、上述した実施の形態では、形状創成を行うプロセスにおいて、ガスクラスターイオンビーム１０の加工原理を利用して、極小面積における面粗さを向上させることができる。すなわち、ガスクラスターイオンは原子あるいは分子が緩く結合された状態であるので、ガスクラスターイオンが被加工物である自由曲面成形型１２に垂直に衝突した場合には、ガスクラスターイオンが飛散すると共に、ガスクラスターイオンによりはじき飛ばされた自由曲面成形型１２の粒子が水平方向に飛散して堆積される。つまり、いわゆるラテラルスパッタリング効果の利用により、面粗さを向上させることができる。
【００４１】
ここで、揺動ステージ１３を駆動させて自由曲面成形型１２を揺動させ、ガスクラスターイオンビーム１０の照射方向と自由曲面成形型１２の表面とが常に垂直になるようにする。こうすることにより、自由曲面形状はもとより、凸形状、凹形状等の複雑な形状の表面に応じた研磨を行うことができる。
【００４２】
このように、上述した実施の形態によれば、事前に測定した自由曲面成形型１２の突起の高さ及び位置のデータに基づき、ガスクラスターイオンビーム１０の加工プロセスにより、突起を選択的に除去する。従って、自由曲面成形型１２の形状精度の向上を図ることができる。また、ガスクラスターイオンビーム加工の加工原理を用いることにより、極小面積における面租さを向上させることも可能となる。
【００４３】
その他、本発明は、上述した実施形態に限定されることなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の改良・変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】ガスクラスターイオンビーム加工装置の構成図である。
【図２】電流計測部の詳細を示す図である。
【図３】形状測定器による自由曲面成形型の測定結果の例を示す図である。
【図４】ビーム加工痕の例の鳥撒図である。
【図５】図４のビーム加工痕を得た場合における加速電圧に対するスパッタリング深さのグラフを示す図である。
【図６】ソースガス流量を変化させて各々のビーム加工痕を取得したときの、ソースガス流量に対するスパッタリング深さをプロットしたグラフを示す図である。
【図７】自由曲面成形型の斜視図  を示す図である。
【図８】自由曲面成形型の平面図  を示す図である。
【図９Ａ】被加工物の表面に存在する突起の一例の断面図である。
【図９Ｂ】図９Ａに示したＡ部の拡大図である。
【図９Ｃ】ビーム照射後のＡ部の拡大図である。
【符号の説明】
【００４５】
１  ソース部
２  差動排気部
３  イオン化部
４  ノズル
５  スキマー
６  タングステンフィラメント
７  加速電極
８  グランド電極
９  第三電極
１０  ガスクラスターイオンビーム
１１  アパーチャ
１２  自由曲面成形型
１２ａ  自由曲面成形型表面
１３  揺動ステージ
１４  Ｘ軸ステージ
１５  Ｙ軸ステージ
１６  ブラケット
１７  ベース
１８  シャッター
１９  電流計測部
２０  ケーブル
２１  電流計
２２  導電体
２３  絶縁体
１００  制御部
１０１  形状測定器
１０２  算出部
１０３  記憶部
【図１】
2006089844.tif 000003
【図２】
2006089844.tif 000004
【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図９Ｃ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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