(57)【要約】【課題】キャリア内に付着したパーティクルやキャリア内のウェハに付着したパーティクルを効果的に除去できる処理システム及び処理方法を提供する。【解決手段】基板Ｗを処理する処理部と，複数枚の基板Ｗを収納する収納容器Ｃを載置する載置台４０とを備え，収納容器Ｃは，収納容器Ｃ内の基板Ｗを略水平にして上下に並べる状態，かつ，収納容器Ｃに基板Ｗを搬入出させるための開口２０を収納容器Ｃの側方に向けた状態で載置されるようにした。開口２０の外側には，ガスを供給する複数のガス供給口７３を設けた。各ガス供給口７３は，収納容器Ｃ内の各基板Ｗ同士の間に向かって略水平方向にガスを供給する方向に指向させた。【選択図】  図１０
2006351868.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理システムであって，
基板を処理する処理部と，複数枚の基板を収納する収納容器を載置する載置台とを備え，
前記収納容器は，前記収納容器内の基板を略水平にして上下に並べる状態，かつ，前記収納容器に基板を搬入出させるための開口を前記収納容器の側方に向けた状態で載置され，
前記開口の外側に，ガスを供給する複数のガス供給口を設け，
各ガス供給口は，前記収納容器内の各基板同士の間に向かって略水平方向にガスを供給する方向に指向していることを特徴とする，処理システム。
【請求項２】
前記ガス供給口は，前記開口の幅方向において前記開口の両側に設けられたことを特徴とする，請求項１に記載の処理システム。
【請求項３】
前記ガス供給口から供給されるガスの供給方向を可変としたことを特徴とする，請求項１又は２に記載の処理システム。
【請求項４】
前記開口の外側に，前記収納容器内の雰囲気を吸引する吸引口を設けたことを特徴とする，請求項１〜３のいずれかに記載の処理システム。
【請求項５】
前記開口を閉塞する閉塞部材と，前記閉塞部材を前記開口に対して相対的に昇降させる閉塞部材昇降機構とを設け，
前記吸引口は，前記閉塞部材より高い位置に配置されながら，前記閉塞部材に追従して昇降可能であることを特徴とする，請求項４に記載の処理システム。
【請求項６】
前記ガスは不活性ガスであることを特徴とする，請求項１〜５のいずれかに記載の処理システム。
【請求項７】
前記ガスはイオン化されていることを特徴とする，請求項１〜６のいずれかに記載の処理システム。
【請求項８】
基板を処理する方法であって，
基板を収納した収納容器を，前記収納容器内の基板を略水平にした状態，かつ，前記収納容器の開口を前記収納容器の側方に向けた状態で載置し，
前記開口の外側から前記収納容器内に向かってガスを供給し，前記略水平に収納された基板の上面及び／又は下面に沿って前記ガスを流し，前記開口と対向する前記収納容器の奥部側において前記基板の下方に流れたガスを，前記開口の外側に排出させ，
前記開口を介して基板を前記収納容器から搬出し，
前記収納容器から搬出した基板に所定の処理を施すことを特徴とする，処理方法。
【請求項９】
基板を処理する方法であって，
基板に所定の処理を施し，
前記所定の処理を施した基板を，収納容器の側方に設けられた開口を介して前記収納容器内に略水平に収納し，
前記開口の外側から前記収納容器内に向かってガスを供給し，前記略水平に収納された基板の上面及び／又は下面に沿って前記ガスを流し，前記開口と対向する前記収納容器の奥部側において前記基板の下方に流れたガスを，前記開口の外側に排出させることを特徴とする，処理方法。
【請求項１０】
前記収納容器に，複数枚の基板を上下に並べて収納し，
前記ガスを前記収納容器に収納された各基板同士の間にそれぞれ供給することを特徴とする，請求項８又は９に記載の処理システム。
【請求項１１】
前記ガスの供給方向を変化させながら前記ガスを供給することを特徴とする，請求項８〜１０のいずれかに記載の処理方法。
【請求項１２】
前記ガスを前記開口の幅方向において前記開口の両側から供給し，
前記開口の両側からのガスの供給方向を交互に変化させることを特徴とする，請求項１１に記載の処理方法。
【請求項１３】
前記収納容器内の雰囲気を，前記開口の外側に設けた吸引口によって吸引することを特徴とする，請求項８〜１２のいずれかに記載の処理方法。
【請求項１４】
前記開口を閉塞する閉塞部材を前記開口に対して相対的に下降させながら，前記ガスを供給し，
前記吸引口を，前記閉塞部材より高い位置に配置し，前記閉塞部材に追従させて下降させながら，前記吸引口による吸引を行うことを特徴とする，請求項１３に記載の処理方法。
【請求項１５】
前記ガスは不活性ガスであることを特徴とする，請求項８〜１４のいずれかに記載の処理方法。
【請求項１６】
前記ガスはイオン化されていることを特徴とする，請求項８〜１５のいずれかに記載の処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，基板を処理する処理システム及び処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばＬＳＩ等の半導体デバイスの製造プロセスにおいては，半導体ウェハ（以下，「ウェハ」という）に対して洗浄処理，熱処理等の各種の処理を施す処理システムが用いられている。一般的に，かかる処理システムは，複数枚のウェハを互いに略平行な姿勢で並べて収納するキャリアを載置する載置台と，基板処理装置を備えた処理部と，キャリア載置部と処理部との間でウェハを搬送する基板搬送装置を有する基板搬送部とを備えている（例えば，特許文献１，２参照）。ウェハはキャリア内に収納された状態で処理システムに搬送される。キャリアは，内部のウェハを略水平にした姿勢で，また，蓋体によって閉塞された開口を基板搬送部の側壁に設けたゲートに向けた状態で，載置台に載置される。キャリアが載置されると，キャリアの開口から蓋体が外されて開口が開かれるとともに，ゲートからシャッターが外されてゲートが開かれる。そして，基板搬送装置によってキャリアから開口及びゲートを介してウェハが搬出され，処理部に搬送される。また，処理部で所定の処理が施されたウェハは，基板搬送装置によって処理部から搬出され，開口及びゲートを介してキャリア内に搬入されるようになっている。
【０００３】
ところで，上記キャリア内には，例えば前の工程において侵入した粒子状の汚染物質（パーティクル）や気体状の汚染物質等が溜まっていることがあり，未処理のウェハを取り出す際，キャリアの開口を開いたときに，キャリア内の汚染物質が処理システム内に侵入して，処理システム内を汚染するおそれがあった。この問題を解決するため，従来，キャリア内の雰囲気を置換するための様々な構成が提案されている（例えば，特許文献２，３参照）。
【０００４】
かかる構成の一例としては，基板搬送部のゲート近傍に，キャリアの内部空間にガスを供給するガス供給機構を設け，載置台に，キャリアの内部空間を排気可能な排気路を設けた構成が提案されている（例えば特許文献２参照）。この構成では，ガス供給機構から噴射されたガスが，流速を落とした状態で，ゲート及び開口を介してキャリア内に供給される。そして，キャリアの下面に設けられた排気口，及び，載置台に設けられた排気路を介して，キャリア内の雰囲気が排気されるようになっている。
【０００５】
他の例としては，キャリアの内部空間に空気を給気する給気ノズル，及び，キャリアの内部空間を排気する排気孔を，キャリア内に設けた構成が提案されている（例えば特許文献３参照）。この構成では，例えばキャリアを載置台に載置したときに，給気ノズル，排気孔に外部の給気路，排気路がそれぞれ連結され，給気ノズルから給気されたガスがキャリアの内部空間に供給され，内部空間の雰囲気が排気孔に排気されるようになっている。
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−２７３０５８号公報
【特許文献２】特開２００４−２２６７４号公報
【特許文献３】特開２００３−１６８７２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら，従来の処理システムにあっては，キャリア内のウェハやキャリアの内壁に付着したパーティクルを除去することが難しかった。特にパーティクルは帯電して静電気力によりウェハやキャリアに付着していることが多く，ウェハやキャリアから除去し難い問題があった。
【０００８】
また，上述した構成のようにキャリアに給気ノズルや排気孔を設けたり，給気ノズルや排気孔を開閉するための弁機構を設けたりすると，キャリアの構造が複雑になり，加工に手間を要する問題があった。さらに，処理システムに用いられる総てのキャリアに給気ノズル，排気孔等を設ける必要があり，コストが高くなる問題があった。
【０００９】
本発明の目的は，キャリア内に付着したパーティクルやキャリア内のウェハに付着したパーティクルを効果的に除去できる処理システム及び処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため，本発明によれば，基板を処理する処理システムであって，基板を処理する処理部と，複数枚の基板を収納する収納容器を載置する載置台とを備え，前記収納容器は，前記収納容器内の基板を略水平にして上下に並べる状態，かつ，前記収納容器に基板を搬入出させるための開口を前記収納容器の側方に向けた状態で載置され，前記開口の外側に，ガスを供給する複数のガス供給口を設け，各ガス供給口は，前記収納容器内の各基板同士の間に向かって略水平方向にガスを供給する方向に指向していることを特徴とする，処理システムが提供される。ここで収納容器とは，例えばキャリアである。かかる処理システムによれば，収納容器内の基板の上面や下面に付着したパーティクルをガスによって好適に吹き飛ばし除去することができる。
【００１１】
前記ガス供給口は，前記開口の幅方向において前記開口の両側に設けても良く，前記ガス供給口から供給されるガスの供給方向は可変としても良い。
【００１２】
また，前記開口の外側に，前記収納容器内の雰囲気を吸引する吸引口を設けても良い。さらに，前記開口を閉塞する閉塞部材と，前記閉塞部材を前記開口に対して相対的に昇降させる閉塞部材昇降機構とを設け，前記吸引口は，前記閉塞部材より高い位置に配置されながら，前記閉塞部材に追従して昇降可能な構成としても良い。前記ガスは不活性ガスであっても良く，イオン化されたものとしても良い。
【００１３】
また，本発明によれば，基板を処理する方法であって，基板を収納した収納容器を，前記収納容器内の基板を略水平にした状態，かつ，前記収納容器の開口を前記収納容器の側方に向けた状態で載置し，前記開口の外側から前記収納容器内に向かってガスを供給し，前記略水平に収納された基板の上面及び／又は下面に沿って前記ガスを流し，前記開口と対向する前記収納容器の奥部側において前記基板の下方に流れたガスを，前記開口の外側に排出させ，前記開口を介して基板を前記収納容器から搬出し，前記収納容器から搬出した基板に所定の処理を施すことを特徴とする，処理方法が提供される。
【００１４】
さらに，本発明によれば，基板を処理する方法であって，基板に所定の処理を施し，前記所定の処理を施した基板を，収納容器の側方に設けられた開口を介して前記収納容器内に略水平に収納し，前記開口の外側から前記収納容器内に向かってガスを供給し，前記略水平に収納された基板の上面及び／又は下面に沿って前記ガスを流し，前記開口と対向する前記収納容器の奥部側において前記基板の下方に流れたガスを，前記開口の外側に排出させることを特徴とする，処理方法が提供される。
【００１５】
前記収納容器には，複数枚の基板を上下に並べて収納し，前記ガスを前記収納容器に収納された各基板同士の間にそれぞれ供給するようにしても良い。さらに，前記ガスの供給方向を変化させながら前記ガスを供給するようにしても良い。前記ガスを前記開口の幅方向において前記開口の両側から供給するようにし，前記開口の両側からのガスの供給方向を交互に変化させるようにしても良い。
【００１６】
前記収納容器内の雰囲気は，前記開口の外側に設けた吸引口によって吸引するようにしても良い。さらに，前記開口を閉塞する閉塞部材を前記開口に対して相対的に下降させながら，前記ガスを供給し，前記吸引口を，前記閉塞部材より高い位置に配置し，前記閉塞部材に追従させて下降させながら，前記吸引口による吸引を行うようにしても良い。前記ガスは不活性ガスであっても良く，イオン化されたものでも良い。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば，収納容器内の基板の上面や下面に沿ったガスの流れを形成することにより，基板の上面や下面に付着したパーティクルを押し流して除去したり，収納容器内のパーティクルを排出したりすることができる。また，収納容器内の雰囲気をガス供給口から供給したガスの雰囲気に置換することができる。パーティクル除去機能や収納容器内の雰囲気を置換する機能のために収納容器に面倒な加工を施す必要は無く，収納容器の加工コストの低減を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下，本発明の好ましい実施の形態を，基板の一例としてのウェハに対して洗浄処理を行う処理システムに基づいて説明する。図１は，本実施の形態にかかる処理システム１の平面図であり，図２はその側面図である。図３は，後述する処理部３のＸ−Ｚ面（略鉛直面）に沿った縦断面図である。図１及び図２に示すように，処理システム１は，外部から処理システム１に対してキャリアＣを搬入出するための搬入出部２と，ウェハＷに洗浄処理を施す処理部３とを備えている。
【００１９】
搬入出部２は，複数枚，例えば２５枚のウェハＷを収納可能な収納容器であるキャリアＣを載置するキャリア載置部１０，及び，キャリア載置部１０と処理部３との間に設けられた基板搬送部１２を備えている。キャリア載置部１０，基板搬送部１２，処理部３は，Ｘ軸方向（略水平方向）においてこの順に並ぶように設けられている。キャリア載置部１０と基板搬送部１２とは，Ｘ−Ｚ面に沿って立設された境界壁部１５によって仕切られている。
【００２０】
ウェハＷは例えば略円形の薄板状をなし，複数枚がキャリアＣ内に収納された状態で，処理システム１の外部からキャリア載置部１０に一括して搬入される。図４に示すように，キャリアＣは，一側部（図４においては前面）が開口２０になっている箱状のキャリア本体２１と，開口２０を密閉可能な蓋体２２とを備えている。開口２０は略長方形状をなし，蓋体２２は開口２０とほぼ同じ大きさの略長方形板状をなす。この蓋体２２を開口２０内に挿入し，開口２０を閉塞することにより，キャリア本体２１の内部空間Ｓを密閉状態にすることができる。なお，蓋体２２には，蓋体２２を開口２０に固定するための図示しないロック機構が備えられている。
【００２１】
キャリア本体２１には，開口２０の周囲に沿って略長方形の枠状に形成されたフランジ部２３が設けられている。内部空間Ｓを挟んで対向する両側部２１ａ，２１ｂ（図４においては開口２０側からみて左側部及び右側部）の各内側壁には，ウェハＷの周縁部を保持するためのスロット２５が，複数個，例えば２５個ずつ設けられている。各内側壁において，各スロット２５は，開口２０側から奥部２１ｅ側に向かって直線状に延びる溝状に設けられており，また，互いに略平行に，所定間隔を空けて並べて設けられている。ウェハＷは，開口２０を介して内部空間Ｓに対し搬入出され，ウェハＷの周縁部は，両内側壁に設けられた一対のスロット２５にそれぞれ開口２０側から挿入出される。そして，ウェハＷの両側が一対のスロット２５によって保持された状態で，内部空間Ｓに収納されるようになっている。従って，各スロット２５にそれぞれウェハＷを一枚ずつ挿入することで，内部空間Ｓには，２５枚までの複数枚のウェハＷを，互いに略平行な姿勢で，所定の間隔を空けて並列に並べた状態で収納することができる。
【００２２】
キャリア本体２１において，内部空間Ｓを挟んで開口２０と対向する奥部２１ｅは，閉塞されている。なお，各スロット２５に収納されたウェハＷの周縁部と奥部２１ｅの内側面との間には，それぞれ隙間が形成されるようになっている。
【００２３】
図１及び図２に示すように，キャリア載置部１０には，所定数，例えば３個までのキャリアＣをＹ軸方向（Ｘ軸方向に対して略垂直な略水平方向）に一列に並べて載置可能なキャリア載置台４０が設けられている。また，境界壁部１５には，所定数，例えば３個のゲート４１が，Ｙ軸方向に並べて設けられている。各ゲート４１は，キャリア載置部１０側と基板搬送部１２側とに連通しており，キャリアＣの蓋体２２より僅かに大きく，また，フランジ部２３よりも小さい略長方形状に開口されている。かかる構成において，各キャリアＣは，キャリアＣ内のウェハＷを略水平にし，開口２０及びゲート４１の高さ方向（Ｚ軸方向，略鉛直方向）に上下に並べた状態で，また，フランジ部２３をゲート４１の外周囲に沿って境界壁部１５の側面に密着させた状態で，キャリア載置台４０の上面に載置される。開口２０及び蓋体２２はキャリアＣの側方に向けられ，ゲート４１の内側に対面するように配置される。
【００２４】
また，ゲート４１を基板搬送部１２側から閉塞するシャッター４２が，各ゲート４１に対してそれぞれ設けられている。各シャッター４２は，図５に示すように，一側面が開口された箱体状をなし，その開口はゲート４１より僅かに大きく形成されている。そして，開口の周縁部４２ｂ全体を，ゲート４１の外周囲に沿って境界壁部１５の側面（基板搬送部１２側の面）に密着させた状態で，ゲート４１を閉塞するようになっている。図６に示すように，各シャッター４２は，シャッター移動機構４３の駆動により，それぞれＸ軸方向及びＺ軸方向に移動することができる。なお，各シャッター４２の内側には，キャリアＣの蓋体２２のロック状態とアンロック状態とを切り換えて蓋体２２を開閉させる蓋体開閉機構５０が備えられており，蓋体開閉機構５０によって蓋体２２を保持してＸ軸方向に移動させ，開口２０を開閉することで，開口２０とゲート４１を連通させたり遮断させたりすることができる。さらに，ゲート４１を介して蓋体２２を基板搬送部１２内に移動させ，シャッター４２，蓋体開閉機構５０及び蓋体２２をゲート４１の下方に一体的に移動させることにより，開口２０，ゲート４１を介してウェハＷをキャリア本体２１の内部空間Ｓと基板搬送部１２との間で移動させることができる状態になる。また，シャッター４２には，後述する吸引ノズル８７が取り付けられている。
【００２５】
図１及び図２に示すように，基板搬送部１２内には，ウェハＷを搬送する基板搬送装置６０が配設されている。基板搬送装置６０は，本体６１と，一枚のウェハＷを略水平な姿勢で保持可能な搬送アーム６２とを備えている。本体６１は，Ｙ軸方向に水平移動，Ｚ軸方向に上下移動可能であり，かつ，Ｘ―Ｙ平面内（θ方向）で回転自在に構成されている。搬送アーム６２は，略水平方向に向けられた略平板状をなし，本体６１によって本体６１の上方に支持されており，本体６１に対して相対的にＸ−Ｙ平面内でスライド自在になっている。
【００２６】
図７に示すように，搬送アーム６２上面の先端側には先端部材６５が設けられており，先端部材６５の基端側に沿って，先端部材６５より低い段部６６が設けられている。搬送アーム６２上面の基端側には，段部６６とほぼ同じ高さの段部６７が設けられている。ウェハＷは，下面周縁部の対向する２箇所の部分が段部６６，６７にそれぞれ載せられ，端面が先端部材６５に当接させられた状態で，搬送アーム６２の上面側に保持される。また，搬送アーム６２は，先端側をゲート４１側に向けてＸ軸方向に移動することで，図８に示すように，開放状態の各ゲート４１，キャリアＣの開口２０を介して，キャリア載置台４０に載置されたキャリア本体２１の内部空間Ｓに対し進退することができる。また搬送アーム６２は，内部空間Ｓに収納されたウェハＷ同士の間の隙間に進入可能で，任意の高さに保持されたウェハＷを下方から持ち上げて保持することができる。
【００２７】
かかる基板搬送装置６０は，本体６１をＹ軸方向とＺ軸方向とに適宜移動させることにより，各ゲート４１，また，後述する処理部３に設けられた各受け渡しユニット１０１Ａ，１０１Ｂにアクセス可能な位置に，搬送アーム６２を移動させることができる。そして，搬送アーム６２によって保持したウェハＷを，キャリア載置部１０側から処理部３側へ，逆に，処理部３側からキャリア載置部１０側へ搬送できる。
【００２８】
図２に示すように，基板搬送部１２の天井部には，基板搬送部１２内に清浄なガスのダウンフローを供給するファンフィルターユニット（ＦＦＵ）７０が備えられている。ＦＦＵ７０から供給されるガスは，例えば空気，窒素（Ｎ２）ガス等の不活性ガス等である。また，図示はしないが，基板搬送部１２の底部には，基板搬送部１２内の雰囲気を排気する排気路が接続されている。
【００２９】
図１に示すように，基板搬送部１２内において，各ゲート４１及びシャッター４２の左右両側には，キャリアＣの内部空間Ｓに向かってガスを供給するための一対のガス供給機構７１Ａ，７１Ｂがそれぞれ設けられている。
【００３０】
ガス供給機構７１Ａ，７１Ｂは，Ｘ−Ｚ平面を中心として互いにほぼ対称な構造を有している。図９に示すように，各ガス供給機構７１Ａ，７１Ｂは，長さ方向をＺ軸方向に向けて立設された略円筒状の筒体７２と，各筒体７２の外周面に並べて設けられ，例えば窒素ガス等の不活性ガスを吐出するガス供給口７３を有する複数のノズル７４とをそれぞれ備えている。
【００３１】
各ガス供給機構７１Ａ，７１Ｂの筒体７２は，ゲート４１の外側において，基板搬送装置６０側から見てゲート４１の左右両側にそれぞれ備えられている。各筒体７２の上端部は閉塞されており，筒体７２の下端部には，筒体７２の内部空間に連通するガス供給管８１が接続されている。ガス供給管８１は，基板搬送部１２の外部に設けられたガス供給源８２に接続されている。そして，このガス供給管８１の内部流路，及び，筒体７２の内部空間によって，ガス供給源８２から供給されたガスをガス供給口７３に供給するガス供給路８３が構成されている。なお，各ガス供給機構７１Ａ，７１Ｂのガス供給管８１は，途中で合流してガス供給源８２に接続されており，この合流部分に，開閉弁８４が介設されている。開閉弁８４は，コントローラ８５の制御命令によって開閉される。開閉弁８４を開くと，各ガス供給機構７１Ａ，７１Ｂのガス供給路８３を介して，各ガス供給機構７１Ａ，７１Ｂの総てのガス供給口７３から一斉にガスが吐出されるようになっている。なお，ガス供給源８２から各ガス供給口７３に供給されるガスは，例えば窒素ガス等の不活性ガスであり，十分に清浄化されている。
【００３２】
各ガス供給口７３は例えば略円形をなし，各ノズル７４の先端に開口している。これら複数個，例えば２６個のガス供給口７３は，開口２０及びゲート４１の幅方向（Ｙ軸方向）において左右両側近傍に，Ｚ軸方向に沿って上下に一直線上に並ぶように，また所定間隔を空けて配列されている。ガス供給口７３同士の間の間隔は，例えばキャリア本体２１内のスロット２５同士の間の間隔，即ち，キャリア本体２１内に収納されたウェハＷ同士の間の間隔とほぼ同じであれば良い。
【００３３】
また，各ノズル７４及びガス供給口７３は，ゲート４１及び開口２０側に向いた面に沿って設けられており，ゲート４１及び開口２０の外側（基板搬送部１２側）からキャリア本体２１の内部空間Ｓに向かう方向，かつ，略水平方向にガスを供給する方向に指向している。基板搬送装置６０側から見てゲート４１の左方に設けられたガス供給機構７１Ａの各ガス供給口７３は，開口２０の外側から内部空間Ｓ側に向かうに従い基板搬送装置６０側から見て右方に向かうように傾斜した方向にガスを供給し，基板搬送装置６０側から見てゲート４１の右方に設けられたガス供給機構７１Ｂの各ガス供給口７３は，開口２０の外側から内部空間Ｓ側に向かうに従い基板搬送装置６０側から見て左方に向かうように傾斜した方向にガスを供給する。また，ガス供給機構７１Ａの各ガス供給口７３のガスの供給方向と，ガス供給機構７１Ｂの各ガス供給口７３のガスの供給方向とは，Ｘ−Ｚ面を中心として互いにほぼ対称な方向になっている。
【００３４】
また，図１０に示すように，最も上方に設けられたガス供給口７３は，最も上方に設けられたスロット２５とキャリア本体２１の上側部２１ｃの内側面との間の高さに開口しており，最も上方に収納されたウェハＷとキャリア本体２１の上側部（図１０においては天井部）２１ｃとの間にガスを供給する方向に指向している。その下の各ガス供給口７３は，スロット２５同士の間の高さにそれぞれ一つずつ対応するように開口しており，各スロット２５に収納されたウェハＷ同士の間の隙間にガスを供給する方向に指向している。最も下方に設けられたガス供給口７３は，最も下方に設けられたスロット２５とキャリア本体２１の下側部（底部）２１ｄとの間の高さの開口しており，最も下方に収納されたウェハＷと側部２１ｄとの間にガスを供給する方向に指向している。従って，いずれの高さのスロット２５に挿入されたウェハＷに対しても，ウェハＷの上下の空間にガス供給口７３からガスが供給され，ウェハＷの上面及び下面に沿ってガスが流れるような配置になっている。
【００３５】
開口２０及びゲート４１の外側において，ガス供給機構７１Ａ，７１Ｂの間には，内部空間Ｓから雰囲気を強制的に吸引する吸引口８７ａを備えた吸引ノズル８７が設けられている。図６に示すように，この吸引ノズル８７は，例えばシャッター４２の外面に取り付けられており，シャッター移動機構４３の駆動により，シャッター４２と一体的に移動させられ，開口２０及びゲート４１に対して相対的に昇降する。また，吸引ノズル８７は，上方に向かって立設されており，シャッター４２の上縁部より高い位置において，吸引ノズル８７の上端部が開口２０側に向かって折り曲げられている。この吸引ノズル８７の折り曲げられた先端部分の開放端が，吸引口８７ａになっている。
【００３６】
図９に示すように，吸引口８７ａは，例えば開口２０及びゲート４１の幅方向に沿った細長い長方形状に開口されている。一方，吸引ノズル８７の下端部は，吸引路８８等を介して，基板搬送部１２の外部に設けられた例えばポンプ，イジェクターなどの吸引機構８９に接続されている。
【００３７】
図１に示すように，処理部３には，中心部に配置された主ウェハ搬送機構９１の周りに，受け渡しユニット群９２，洗浄ユニット群９３，加熱・冷却ユニット群９４，及び，制御・ユーティリティユニット群９５が配置されている。
【００３８】
図３に示すように，主ウェハ搬送機構９１は，ウェハＷをそれぞれ略水平な姿勢で一枚ずつ保持する３本の搬送アーム９１ａ，９１ｂ，９１ｃを備えている。これらの搬送アーム９１ａ〜９１ｃを後述する受け渡しユニット１０１Ａ，１０１Ｂ，基板洗浄ユニット１１０Ａ〜１１０Ｄ，冷却ユニット１１１，加熱ユニット１１２Ａ〜１１２Ｃに対して選択的にアクセスさせ，各ユニットに対しウェハＷの搬入出を行えるようになっている。
【００３９】
受け渡しユニット群９２は，基板搬送部１２と主ウェハ搬送機構９１との間に配置され，受け渡しユニット１０１Ａ，１０１Ｂが，下からこの順に積み重ねられた構成になっている。
【００４０】
洗浄ユニット群９３は，主ウェハ搬送機構９１の左側方に配置されており，２台の基板洗浄ユニット１１０Ａ，１１０Ｂが下段にＸ軸方向に並べて配設され，その上段に２台の基板洗浄ユニット１１０Ｃ，１１０Ｄが，Ｘ軸方向に並べて配設された構成になっている。各基板洗浄ユニット１１０Ａ〜１１０Ｄは，例えばウェハＷを略水平に保持し，ウェハＷの上面に洗浄液を供給して洗浄する構成になっている。
【００４１】
加熱・冷却ユニット群９４は，主ウェハ搬送機構９１を挟んで受け渡しユニット群９２の反対側に配置され，冷却ユニット１１１，加熱ユニット１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃが下からこの順に積み重ねられた構成になっている。
【００４２】
図１に示すように，制御・ユーティリティユニット群９５には，処理システム１の電源である電装ユニット１２１と，処理システム１内の各種装置の動作の制御を行う機械制御ユニット１２２と，基板洗浄ユニット１１０Ａ〜１１０Ｄに送液する所定の洗浄用薬液を貯蔵する薬液貯蔵ユニット１２３とが配設されている。
【００４３】
処理部３の天井部には，処理部３内に清浄なガスをダウンフローするＦＦＵ１７０が配設されている。ＦＦＵ１７０から供給されるガスは，例えば空気，窒素ガス等の不活性ガス等である。
【００４４】
次に，以上のように構成された処理システム１を用いたウェハＷの処理工程について説明する。先ず，未だ処理システム１における処理が施されていない複数枚のウェハＷが収納されたキャリアＣが，図示しないキャリア搬送装置によって処理システム１の外部から搬送され，キャリア載置部１０に載置される。キャリア載置部１０には，この未処理のウェハＷを収納したキャリアＣと，処理済のウェハＷを収納するための空のキャリアＣ’が載置される。なお，キャリアＣ（Ｃ’）をキャリア載置台４０に載置するとき，そのキャリアＣ（Ｃ’）に対応するゲート４１は，シャッター４２によって基板搬送部１２側から閉塞させられた状態にしておく。また，キャリアＣ（Ｃ’）は，蓋体２２によって開口２０が閉塞された状態になっている。なお，ゲート４１がシャッター４２によって閉塞されている状態では，図６において二点鎖線で示したように，吸引ノズル８７は，吸引口８７ａが開口２０及びゲート４１より上方に配置された状態で待機させられている。また，吸引機構８９の吸引は停止させられている。
【００４５】
キャリア載置台４０上に載置されたキャリアＣ内のウェハＷは，各スロット２５に１枚ずつ収容され，上下に並んだ状態で収納されている。キャリアＣを載置したら，蓋体開閉機構５０によって蓋体２２をアンロック状態として開口２０から外し，シャッター移動機構４３の駆動により，シャッター４２及び蓋体２２をゲート４１の下方に移動させる。こうしてシャッター４２をゲート４１より下方の待機位置に下降させ，開口２０とゲート４１とを互いに連通させたとき，図６において実線で示したように，基板搬送部１２において，吸引口８７ａは，最も下方に設けられたガス供給口７５よりも低い高さに設けられ，かつ，開口２０の下縁部及びゲート４１の下縁部に近接した位置に，開口２０及びゲート４１に対向するように配置される。
【００４６】
次に，各ガス供給機構７１Ａ，７１Ｂによるガスの供給を開始させるとともに，吸引機構８９を作動させ，吸引口８７ａによる吸引を開始させる。開口２０及びゲート４１の外側に設けられた各ガス供給機構７１Ａ，７１Ｂのガス供給口７３から供給されたガスは，図１０に示すように，開口２０及びゲート４１を介して内部空間Ｓ内に流入し，最も上方に収納されたウェハＷとキャリア本体２１の上側部２１ｃとの間，各ウェハＷ同士の間の隙間，最も下方に収納されたウェハＷとキャリア本体２１の下側部２１ｄとの間にそれぞれ流れ込む。各ウェハＷの上方及び下方において，ガスは開口２０側から奥部２１ｅに向かって，ウェハＷの上面及び下面に沿って流れる。こうしてウェハＷの上面及び下面に供給されたガスは，ガス供給口７３から連続的に供給されるガスに押されることにより，また，吸引機構８９の吸引力により，吸引口８７ａ側に向かって流れる。即ち，奥部２１ｅ側において，ウェハＷの上面側から，ウェハＷの奥部側の周縁部と奥部２１ｅの内側面との間の隙間を介して，ウェハＷの下方に向かい，さらに，その下の各ウェハＷの周縁部と奥部２１ｅの内側面との間の各隙間に沿って下降して，キャリア本体２１の底部となっている側部２１ｄまで下降する。その後，最も下方のスロット２５に収納されたウェハＷの下方において，奥部２１ｅ側から側部２１ｄに沿って開口２０側に流れ，開口２０及びゲート４１を介して内部空間Ｓから排出され，開口２０及びゲート４１の下端部外側に設けられた吸引口８７ａに吸引される。吸引口８７ａに吸引された雰囲気は，吸引ノズル８７，吸引路８８，吸引機構８９内を通過して，処理システム１の外部に排出される。
【００４７】
このように，各ウェハＷの上面及び下面に沿ったガスの横向きの流れが形成されることにより，ウェハＷの上面や下面にパーティクルが付着していても，パーティクルはガスによって吹き飛ばされ，ガスと共に押し流される。従って，内部空間Ｓ内のウェハＷを清浄にすることができる。また，キャリア本体２１の内面に沿ったガスの流れも形成されるので，キャリア本体２１の内面に付着したパーティクルも，ガスによって吹き飛ばされ除去される。従って，キャリア本体２１の内面も清浄にできる。
【００４８】
また，内部空間Ｓに溜まっていた気体状汚染物質を排出できる。さらに，内部空間Ｓの雰囲気をガス供給口７３から供給されるガスの雰囲気に置換できる。即ち，内部空間Ｓをガスによってパージできる。例えば窒素等の不活性ガスによってパージすれば，内部空間Ｓにおいてウェハに自然酸化膜が発生することを防止できる。従って，ウェハＷの品質が低下することを防止できる。
【００４９】
なお，開口２０の左右両側に配置されたガス供給口７３によって，内部空間Ｓ内のウェハＷの両側からガスを均等に供給することで，ウェハＷの上面及び下面全体にガスが供給されやすくなり，ウェハＷ全体からパーティクルを効率良く除去できる。さらに，ウェハＷ同士の間の雰囲気を効率良く押し出すことができる。開口２０を介してウェハＷを内部空間Ｓから搬出又は内部空間Ｓに搬入する際は，ガス供給機構７１Ａ，７１Ｂが邪魔にならず，ウェハＷの搬入出を円滑に行うことができる。
【００５０】
また，吸引口８７ａによって内部空間Ｓを強制排気することにより，内部空間Ｓ内のガスの流れを確実に形成しやすくなる。さらに，内部空間Ｓ内のガスの流速が速くなり，ウェハＷやキャリア本体２１に付着したパーティクルをより効果的に吹き飛ばし，かつ，内部空間Ｓ内の雰囲気をより効果的に排出させ，内部空間Ｓ内の汚染物質（気体状汚染物質，パーティクル等）や雰囲気を効率的に回収することができる。また，内部空間Ｓから汚染物質や雰囲気を吸引して積極的に回収することにより，内部空間Ｓから排出された汚染物質や雰囲気が基板搬送部１２内に漏れ出したり拡散したりすることを防止できる。
【００５１】
各ガス供給口７３から供給されるガスの供給流量は，内部空間Ｓ内の気流が好適に形成されるように適宜設定すれば良い。例えば，最も上方に設けられたガス供給口７３の供給流量を最も多くし，下方に設けられたガス供給口７３ほど次第に供給流量が少なくなるように設定しても良い。
【００５２】
こうして，キャリアＣの内部空間Ｓにガスを供給したら，基板搬送装置６０の搬送アーム６２を，ゲート４１及び開口２０内に通過させて，キャリアＣの内部空間Ｓ内に進入させ，内部空間Ｓ内のウェハＷの下方に進入させる。そして，搬送アーム６２を上昇させ，一枚のウェハＷを搬送アーム６２の上面に載せて保持したら，搬送アーム６２をＸ軸方向に後退させ，ウェハＷの周縁部を両側のスロット２５内で後退させるようにしながら，ウェハＷを移動させる。こうして，一枚のウェハＷが基板搬送装置６０によってスロット２５から抜き出されて，内部空間Ｓから開口２０及びゲート４１を介して搬出される。
【００５３】
キャリアＣから搬出されたウェハＷは，基板搬送装置６０によって搬送され，図３に示す下段の受け渡しユニット１０１Ａに搬入され，主ウェハ搬送機構９１によって受け渡しユニット１０１Ａから取り出された後，基板洗浄ユニット１１０Ａ〜１１０Ｄのいずれかに搬送される。そして，基板洗浄ユニット１１０Ａ〜１１０Ｄにおいて洗浄処理が行われる。ここで，ウェハＷはガスの供給によりパーティクルの付着が少ない清浄な状態にされている。従って，ウェハＷに付着したパーティクルにより処理部３が汚染されることを抑制できる。
【００５４】
洗浄処理後，ウェハＷは主ウェハ搬送機構９１によって基板洗浄ユニット１１０Ａ〜１１０Ｄから搬出させられ，加熱ユニット１１２Ａ〜１１２Ｃのいずれかに搬入され，加熱による乾燥処理が施される。その後，必要に応じて冷却ユニット１１１にて冷却される。
【００５５】
乾燥処理又は冷却処理終了後，ウェハＷは加熱ユニット１１２Ａ（１１２Ｂ，１１２Ｃ）又は冷却ユニット１１１から搬出され，受け渡しユニット１０１Ｂに受け渡される。そして，基板搬送装置６０の搬送アーム６２によって受け渡しユニット１０１Ｂから取り出される。こうして，処理部３にて所定の処理が行われた処理済みのウェハＷが，略水平な姿勢のまま，搬送アーム６２の上面に保持され，基板搬送部１２内に搬送される。
【００５６】
基板搬送部１２内において，ウェハＷは空のキャリアＣ’の載置位置に対応する右側のゲート４１の前に搬送される。キャリアＣ’の蓋体２２とシャッター４２が開口２０及びゲート４１から外された状態において，ウェハＷを保持した搬送アーム６２をゲート４１及び開口２０内に通過させ，ウェハＷの周縁部を両側のスロット２５内に沿ってそれぞれ進入させるようにしつつ，ウェハＷを内部空間Ｓに搬入する。ウェハＷを内部空間Ｓに収納したら，搬送アーム６２を下降させ，両側のスロット２５に受け渡す。そして，搬送アーム６２をウェハＷの下方において後退させ，開口２０及びゲート４１を介して，基板搬送部１２内に戻す。
【００５７】
以上のようにして，キャリアＣ内の未処理のウェハＷを一枚ずつ処理部３に受け渡し，また，処理済みのウェハＷを一枚ずつキャリアＣ’内に収納していく。なお，処理済みのウェハＷを収納する容器は，右側のキャリアＣ’でなくても良く，例えば処理システム１に搬入された際に収納されていたキャリアと同一のキャリアＣでも良い。こうして２５枚の処理済みのウェハＷがキャリアＣ’（Ｃ）の内部空間Ｓ内に収納されたら，蓋体２２によってキャリアＣ’（Ｃ）の開口２０を閉じ，ロック状態にする。その後，キャリアＣ’（Ｃ）は図示しないキャリア搬送装置によってキャリア載置部１０から処理システムの外部に搬出され，次工程の処理システム等に搬送される。以上のようにして，処理システム１における一連の工程が終了する。
【００５８】
かかる処理システム１によれば，キャリアＣの開口２０側から内部空間Ｓに向かってガスを供給し，内部空間Ｓ内の各ウェハＷの上面及び下面に沿ったガスの流れを形成することにより，ウェハＷの上面や下面に付着したパーティクルや内部空間Ｓ内に溜まっていたパーティクルを吹き飛ばし，押し流して排出することができる。従って，パーティクルを除去してウェハＷを清浄にすることができる。ひいては，処理部３内にウェハＷと共に持ち込まれるパーティクルの量を低減できる。従って，処理部３の清浄度が低下することを防止して，洗浄処理等を確実に施すことができる。また，内部空間Ｓに例えば窒素等の不活性ガスを供給しながら排気することにより，キャリアＣの内部空間Ｓを不活性ガス雰囲気の状態にすることができる。さらに，キャリアＣに面倒な加工を施す必要が無く，簡単な構造のままで，内部空間Ｓ内のパーティクルの除去やパージを行うことができる。従って，キャリアＣの加工コストの低減を図ることができる。
【００５９】
以上，本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明はかかる実施形態に限定されない。例えば，以上の実施形態では，キャリアＣの開口２０を開口させた後，ウェハＷの搬出を開始する前に，内部空間Ｓにガスを供給することとしたが，ウェハＷの搬出を開始してからも，各ガス供給口７３からキャリアＣの内部空間Ｓにガスを供給しても良い。そうすれば，内部空間Ｓに収納されているウェハＷをさらに清浄にできる。また，搬送アーム６２によってウェハＷを内部空間Ｓから搬出させながらガスを供給すれば，搬出中のウェハＷに付着したパーティクルを好適に吹き飛ばすことができる。さらに，搬送アーム６２にもガスの流れを接触させ，搬送アーム６２に付着したパーティクルを吹き飛ばし，搬送アーム６２を清浄にすることができる。また，内部空間Ｓに搬送アーム６２を進入させながらガスを供給するようにしても良い。この場合も，搬送アーム６２に付着したパーティクルを吹き飛ばし，搬送アーム６２を清浄にすることができる。
【００６０】
また，ゲート４１及び開口２０を開いている間，各ガス供給口７３から内部空間Ｓに窒素等の不活性ガスを供給すれば，基板搬送部１２内の雰囲気やパーティクルがゲート４１及び開口２０を介してキャリアＣの内部空間Ｓ内に侵入することを防止でき，もし侵入したとしても，すぐに内部空間Ｓから排出させることができる。従って，内部空間Ｓ内を清浄に維持し，内部空間Ｓ内のウェハＷやキャリアＣの内壁にパーティクルが付着することを防止できる。さらに，基板搬送部１２内の酸化性雰囲気がキャリアＣの内部空間Ｓ内に侵入することを防止して，内部空間Ｓ内を窒素等の不活性ガス雰囲気に維持できる。即ち，内部空間Ｓ内のウェハＷに酸化性雰囲気が接触することを防止でき，内部空間Ｓで待機中のウェハＷにおいて自然酸化膜の発生が進行することを防止できる。
【００６１】
以上の実施形態では，未処理のウェハＷを収納したキャリアＣの内部空間Ｓにガスを供給するとしたが，処理済みのウェハＷを収納したキャリアＣ’（Ｃ）の内部空間Ｓにガスを供給して，図１０に示したキャリアＣ内におけるガスの流れとほぼ同様の経路に沿ったガスの流れを形成し，キャリアＣ’（Ｃ）の内部空間Ｓ内の汚染物質，雰囲気，ガスなどを排出させるようにしても良い。そうすれば，例えば洗浄処理後の搬送経路において，キャリアＣ’（Ｃ）に搬入するまでにウェハＷに付着してしまったパーティクルを，内部空間Ｓにおいてガスの気流によって吹き飛ばして除去し，ウェハＷを清浄にできる。従って，洗浄処理の信頼性を高めることができる。また，ガスとして例えば窒素等の不活性ガスを供給することにより，キャリアＣ’（Ｃ）の内部空間Ｓを不活性ガス雰囲気にすれば，処理済みのウェハＷの表面で自然酸化膜の発生が進行することを防止できる。キャリアＣ’（Ｃ）の内部空間Ｓから汚染物質や酸化性雰囲気を除去した状態で開口２０を閉塞することにより，キャリアＣ’（Ｃ）内のウェハＷが汚染されることを防止できる。
【００６２】
また，ウェハＷを搬入する前における空のキャリアＣ’（又は，総てのウェハＷを搬出した後の空のキャリアＣ）の内部空間Ｓにガスを供給するようにしても良い。そうすれば，キャリア本体２１内を確実に清浄にできる。清浄度の高いキャリアＣ’（Ｃ）にウェハＷを収納でき，キャリアＣ’（Ｃ）からパーティクルが転写してウェハＷが汚染されることを防止できる。また，ガス供給口７３から供給されるガスが例えば窒素等の不活性ガスである場合は，予め不活性ガス雰囲気にした状態のキャリアＣ’（Ｃ）の内部空間Ｓに処理済みのウェハＷを収納でき，内部空間Ｓに収納されたウェハＷに自然酸化膜が発生することを抑制できる。
【００６３】
また，キャリアＣ’（Ｃ）へのウェハＷの搬入を開始してからも，ガス供給口７３から窒素等の不活性ガスの供給を行っても良い。そうすれば，キャリアＣ’（Ｃ）の内部空間Ｓや内部空間Ｓに収納されたウェハＷにガスを供給し清浄にすることで，後に搬入されるウェハＷに，内部空間Ｓや既に収納されているウェハＷからパーティクルが転写して付着することを防止できる。また，基板搬送部１２内の酸化性雰囲気がキャリアＣ’（Ｃ）の内部空間Ｓ内に侵入することを防止して，内部空間Ｓ内を不活性ガス雰囲気に維持できる。即ち，内部空間Ｓ内に収納された処理済みのウェハＷに酸化性雰囲気が接触することを防止でき，自然酸化膜の発生が進行することを防止できる。また，搬送アーム６２によってウェハＷを内部空間Ｓに搬入させながらガスを供給すれば，搬入中のウェハＷからパーティクルを好適に吹き飛ばすことができ，搬送アーム６２にもガスの流れを接触させ，搬送アーム６２に付着したパーティクルを吹き飛ばし，搬送アーム６２を清浄にすることができる。また，ウェハＷを収納した後，搬送アーム６２を退出移動させながら，搬送アーム６２にガスを供給しても良い。
【００６４】
以上の実施形態では，吸引口８７ａを開口２０の下縁部近傍に配置して吸引することとしたが，吸引口８７ａを任意の高さに配置して吸引するようにしても良い。例えばウェハＷ同士の間の隙間から吸引を行うようにしても良い。
【００６５】
また，例えば図１１に示すように，キャリアＣの開口２０及びゲート４１から外した蓋体２２及びシャッター４２を下降させる間，ガス供給口７３からガスを供給し，かつ，吸引口８７ａを蓋体２２及びシャッター４２の下降に追従させて下降させながら，吸引を行うようにしても良い。この図１１に示した実施形態において，開口を閉塞するための閉塞部材とは，キャリアＣの蓋体２２及びそのキャリアＣに対応するゲート４１のシャッター４２である。閉塞部材を昇降させる閉塞部材昇降機構とは，シャッター移動機構４３である。
【００６６】
かかる実施形態においては，キャリア載置台４０に未処理のウェハＷを収納したキャリアＣが載置され，蓋体２２がシャッター４２の蓋体開閉機構５０によって保持され，図１１に示すように，蓋体２２とシャッター４２が一体的に下降し始めると，ガス供給口７３からのガス供給が開始される。また，吸引口８７ａが開口２０及びゲート４１に対向する高さに下降させられつつ，吸引が開始される。各ガス供給口７３から供給されたガスのうち，シャッター４２の上縁部より上方に位置するガス供給口７３から供給されたガスは，シャッター４２の上縁部より上方において開口された部分から，ゲート４１及び開口２０を介して内部空間Ｓに流入する。そして，吸引口８７ａより上方の高さに位置するウェハＷの上面及び下面に沿って奥部２１ｅ側に流れ，吸引口８７ａの高さに位置するウェハＷの間の隙間から，開口２０側に流れ，吸引口８７ａによって吸引，排出される。吸引口８７ａは，シャッター４２の下降に追従して下降しながら，シャッター４２より高い位置において，内部空間Ｓ内の雰囲気を吸引する。こうして，ガス供給口７３からガスを供給しつつ，吸引口８７ａによる吸引を行いながら，シャッター４２，蓋体２２及び吸引ノズル８７を下降させ，開口２０及びゲート４１を完全に開口させる。このようにすると，内部空間Ｓ内の汚染物質を効率的に回収できる。また，基板搬送部１２に汚染物質が流出する前に速やかに回収でき，基板搬送部１２に汚染物質が流出することを確実に防止できる。
【００６７】
また，開口２０及びゲート４１を完全に開口させず，上方から一部分だけを開口させ，ウェハＷを上方から一枚ずつ搬出させる都度，シャッター４２，蓋体２２及び吸引ノズル８７を下降させていくようにしても良い。この場合，未だ搬出されないウェハＷを収納した内部空間Ｓの下部分をシャッター４２及び蓋体２２によって覆うことにより，シャッター４２によって覆われた下部分から汚染物質が基板搬送部１２に流出することを防止できる。
【００６８】
なお，このように吸引ノズル８７をシャッター４２に取り付けた場合，吸引ノズル昇降機構を別途設ける必要が無く，省スペースを図ることができる。また，シャッター４２の移動に合わせて吸引ノズル昇降機構の駆動を制御する必要が無く，制御が簡単になる。また，吸引ノズル８７はシャッター４２に取り付けなくても良い。例えば図１２に示すように，吸引ノズル８７を昇降させる吸引ノズル昇降機構１８０を別途設け，吸引ノズル昇降機構１８０の駆動により吸引口８７ａを昇降させるようにしても良い。この場合，シャッター移動機構４３と吸引ノズル昇降機構１８０の駆動を制御する制御部（図示せず）を設け，制御部の命令により，吸引口８７ａがシャッター４２の下降に同期して下降移動するように制御しながら，吸引を行うようにしても良い。
【００６９】
以上の実施形態では，吸引ノズル８７はシャッター４２と一体的に昇降可能，又は吸引ノズル昇降機構１８０の駆動によって昇降可能としたが，勿論，開口２０及びゲート４１に対して固定させて設けても良い。例えば図９及び図１０に示したように，開口２０及びゲート４１の外側下方に吸引ノズル８７を立設させ，吸引ノズル８７の上端部に設けられた吸引口８７ａが，開口２０及びゲート４１の外側において，開口２０及びゲート４１の下縁部に向かって開口させられた状態で固定設置しても良い。
【００７０】
各ガス供給機構７１Ａ，７１Ｂの筒体７２は，開口２０及びゲート４１に対して相対的に移動可能な構成としても良い。例えば，蓋体２２及びシャッター４２によって開口２０及びゲート４１を開閉するときは，各ガス供給機構７１Ａ，７１Ｂの筒体７２をシャッター４２及びゲート４１から離隔した位置に待機させ，蓋体２２及びシャッター４２を開口２０及びゲート４１の下方に移動させてガス供給口７３からガスを供給するときは，各ガス供給機構７１Ａ，７１Ｂの筒体７２を開口２０及びゲート４１に対向する近傍の位置に近づけ，各ガス供給口７３から供給されるガスが内部空間Ｓに流入しやすい配置にしても良い。
【００７１】
各ガス供給機構７１Ａ，７１Ｂのガス供給口７３から供給されるガスの供給方向は，可変としても良い。例えば図１３に示すように，ガス供給機構７１Ａにおいて，筒体７２の上端部及び下端部をＺ軸方向の中心軸を回転中心として回転可能にベアリング等を介して支持する支持部材１９１，１９２を，例えば境界壁部１５に対して固定させて設置する。また，筒体７２の下端部近傍に，モータ１９３の駆動によりＺ軸方向の中心軸を回転中心として回転する駆動プーリ１９４を設け，この駆動プーリ１９４と筒体７２の下端部とに巻回させられたタイミングベルト１９５を設ける。即ち，モータ１９３の駆動により駆動プーリ１９４を回転させ，タイミングベルト１９５を周動させることにより，筒体７２が回転し，各ノズル７４の向きが平面視において変化し，ガス供給口７３から吐出されるガスの向きが変化するようになっている。なお，モータ１９３の回転方向は可変となっており，筒体７２を平面視において時計方向にも反時計方向にも回転させることができ，ガスの供給方向を繰り返し往復させて変化させることもできる。ガス供給機構７１Ｂも，ガス供給機構７１Ａと同様の構成を有し，支持部材１９１，１９２，モータ１９３，駆動プーリ１９４，タイミングベルト１９５を備えており，ガスの供給方向を変化させることができる。従って，ガス供給機構７１Ａのガス供給方向とガス供給機構７１Ｂのガス供給方向とは，互いに独立して変化させることができるようになっている。以上のような構成により，各ガス供給口７３からのガスの供給方向を変化させながらガスを供給することにより，ウェハＷの上面や下面全体にガスを満遍なく供給することができ，ウェハＷの上面や下面全体からパーティクルを好適に吹き飛ばすことができる。
【００７２】
例えば，蓋体２２及びシャッター４２を下降させながらガス供給を行う場合（図１１参照）は，開口２０及びゲート４１を完全に開口させるまでは，各ガス供給口７３からのガス供給方向は変化させず一定方向とし，その後，開口２０及びゲート４１を完全に開口させたら，各筒体７２の回転を開始させ，各ガス供給口７３からのガス供給方向を変化させるようにしても良い。これにより，内部空間Ｓ内の汚染物質を確実に排出することができる。
【００７３】
また，ガス供給機構７１Ａのガス供給口７３からのガス供給と，ガス供給機構７１Ｂのガス供給口７３からのガス供給とは，同時に行っても良いが，一方を停止させている間，他方から供給するように，交互に行っても良い。また，ガス供給機構７１Ａのガス供給口７３からのガスの供給方向と，ガス供給機構７１Ｂのガス供給口７３からのガスの供給方向とは，同時に変化させず，一方を一定方向にさせている間，他方を変化させるように，交互に変化させても良い。そうすれば，ガス供給機構７１Ａから供給されたガスとガス供給機構７１Ｂから供給されたガスとが互いに衝突して気流が乱れることを防止でき，気流が円滑に形成され，パーティクルがキャリアＣ（Ｃ’）の内部空間Ｓから円滑かつ効率的に排出され易くなる。例えば図１４に示すように，先ず右側のガス供給機構７１Ｂからのガスの供給方向を一定方向に維持し，その間，他方のガス供給機構７１Ａにおいて筒体７２を回転させて供給方向を変化させながらガスを供給し，その後，ガス供給機構７１Ａの筒体７２の回転を停止させて供給方向を一定にし，他方のガス供給機構７１Ｂにおいて筒体７２の回転を開始させ，供給方向を変化させながらガスを供給すれば良い。
【００７４】
また，図１５に示すように，ガス供給口７３を開口２０とは逆の外側に向け，開口２０側から開口２０の外側に向かう方向にガスを供給するようにしても良い。そうすれば，開口２０の外側において，ゲート４１及び開口２０を介して内部空間Ｓから搬出される未処理のウェハＷ，内部空間Ｓに搬入される処理済みのウェハＷ，ウェハＷを保持した搬送アーム６２，内部空間Ｓから退出する搬送アーム６２，内部空間Ｓに進入する搬送アーム６２に対してガスを供給し，ウェハＷや搬送アーム６２に沿って開口２０側から外側に向かう横向きのガスの流れを形成することができる。従って，ウェハＷや搬送アーム６２に付着したパーティクルをガスによって開口２０の外側に吹き飛ばし，除去することができる。
【００７５】
かかる構成においては，例えば開口２０を開いた後，ウェハＷを搬出する前は，ガス供給口７３を開口２０側に向け，内部空間Ｓ内にガスの流れが形成されるようにし，ウェハＷを内部空間Ｓから搬出する間は，ガス供給口７３を開口２０の外側に向け，開口２０の外側においてウェハＷや搬送アーム６２に沿ったガスの流れが形成されるように，ガス供給口７３の向きを切り換えても良い。また，例えば処理済みのウェハＷをキャリアＣ’（Ｃ）の内部空間Ｓに搬入する間は，ガス供給口７３を開口２０の外側に向け，開口２０の外側においてウェハＷや搬送アーム６２に沿ったガスの流れが形成されるようにし，ウェハＷを収納した後，開口２０を閉塞する前に，ガス供給口７３を開口２０側に向け，内部空間Ｓ内にガスの流れが形成されるように切り換えても良い。このように，開口２０の外側において処理済みのウェハＷにガスを供給すれば，パーティクルが付着したまま内部空間Ｓに収納されることを防止でき，キャリアＣ’（Ｃ）内の汚染を確実に防止できる。
【００７６】
また，例えばゲート４１及び開口２０を開いている間，各ガス供給口７３の向きを変え，開口２０側から開口２０の外側に向かってガスを供給し続けるようにすれば，基板搬送部１２内の雰囲気やパーティクルがキャリアＣ（Ｃ’）の内部空間Ｓ内に侵入することを防止できる。
【００７７】
各ガス供給口７３から供給されるガスの供給流量は可変としても良い。例えば，各ガス供給機構７１Ａ，７１Ｂのガス供給路８３に流量調整弁を介設しても良い。そして，内部空間Ｓに収納されているウェハＷの枚数，ウェハＷ間のピッチ，ガスの供給方向などに応じて，供給流量を適宜調節するようにしても良い。また，例えば，蓋体２２及びシャッター４２を下降させながらガス供給及び吸引を行う場合（図１１参照）は，開口２０及びゲート４１に対して蓋体２２及びシャッター４２を下降させるに従い，各ガス供給口７３から供給されるガスの供給流量を次第に増加させ，開口２０及びゲート４１を完全に開口させたときに，ガスの供給流量を最大にするようにしても良い。そうすれば，ガスが内部空間Ｓ内で流れる空間の体積に応じて，汚染物質の排出に十分な量のガスを供給することができ，汚染物質を内部空間Ｓから確実に排出することができる。また，吸引機構８９の吸引力を調整可能とし，吸引口８７ａに吸引される流量を可変としても良い。
【００７８】
以上の実施形態では，ガス供給口７３は開口２０及びゲート４１の外側において開口２０及びゲート４１の両側に上下に並べて配置することとしたが，ガス供給口７３の配置はかかるものに限定されず，例えば開口２０及びゲート４１の片側だけに配置しても良い。また，ガス供給口７３の個数や，キャリアＣ，Ｃ’内に収納されるウェハＷの枚数も，実施の形態に示した数には限定されず，任意の数にすることができる。
【００７９】
以上の実施形態では，未処理のウェハＷを収納したキャリアＣ，Ｃは，キャリア載置台４０の最も左側又は中央に載置され，キャリア載置台４０の最も右側には空のキャリアＣ’が載置されるとしたが，かかる形態には限定されず，キャリアＣ，Ｃ’は任意の位置に載置することができる。また，キャリアＣ，Ｃ’を載置する個数も，実施の形態に示した数には限定されない。
【００８０】
以上の実施形態では，キャリアＣ，Ｃ’の内部空間Ｓに対して各ガス供給口７３から供給されるガスは不活性ガスとしたが，かかるものには限定されない。また，キャリアＣ，Ｃ’の内部空間Ｓに対して各ガス供給口７３から供給されるガスは，イオン化（帯電）させても良い。この場合，静電気により帯電しているパーティクルに対して，各ガス供給口７３から供給されるイオン化された状態のガスを吹き付けることにより，パーティクルを除電できる。従って，静電気力によってウェハＷ，キャリア本体２１，搬送アーム６２に付着しているパーティクルをウェハＷ，キャリア本体２１，搬送アーム６２から除去しやすくなる。例えば前述した各ノズル７４に，ガスをイオン化させるイオン化機能を備え，ガスがノズル７４を通過する際にイオン化された後，ガス供給口７３から供給されるような構成にしても良い。
【００８１】
処理部３の構成は実施の形態に示した洗浄を行うものに限定されない。本発明は，ウェハＷに対して洗浄以外の他の処理，例えば成膜処理等を行うシステムに適用することもできる。
【００８２】
本発明における基板はシリコンウェハに限定されるものではなく，任意の基板，例えばＬＣＤ用のガラス基板，フォトマスク基板，ＣＤ基板等であっても良い。従って，基板の形状も略円板形状に限定されるものではなく，任意の形状，例えば略長方形板状などであっても良い。
【００８３】
以上，本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において，各種の変更例または修正例に想到しうることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【００８４】
本発明は，例えば基板の処理を行う処理システム，及び，基板の処理方法に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】本実施の形態にかかる処理システムの構成を説明する概略平面図である。
【図２】処理システムの構成を説明する概略側面図である。
【図３】処理部の構成を説明する概略縦断面図である。
【図４】キャリアの概略斜視図である。
【図５】ゲートに対するキャリアとシャッターの配置を説明する概略横断面図である。
【図６】吸引ノズルとシャッターの動作を説明する概略側面図である。
【図７】搬送アームの平面図である。
【図８】搬送アームの構成及び動作を説明する概略側面図である。
【図９】ガス供給機構の構成を説明する概略斜視図である。
【図１０】ガス供給機構から供給されるガスの流れを示した概略縦断面図である。
【図１１】シャッターを下降させながら吸引を行う方法を説明する概略側面図である。
【図１２】ノズル昇降機構を備えた実施形態にかかる概略側面図である。
【図１３】ガス供給口からのガスの供給方向を可変とした実施形態にかかる概略斜視図である。
【図１４】一方のガス供給機構からのガスの供給方向を一定とし，他方のガス供給機構のガス供給方向を変化させる状態を示した概略横断面図である。
【図１５】ガス供給口からのガスの供給方向を開口側から外側に向かう方向にした状態を説明する概略側面図である。
【符号の説明】
【００８６】
Ｃ（Ｃ’）  キャリア
Ｓ      内部空間
Ｗ      ウェハ
１      処理システム
３      処理部
２０    開口
２１    キャリア本体
２５    スロット
４１    ゲート
６０    基板搬送装置
６２    搬送アーム
７１Ａ，７１Ｂ  ガス供給機構
７２    筒体
７３    ガス供給口
８７ａ  吸引口
【図１】
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【図２】
2006351868.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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