(57)【要約】【課題】  １画素を複数のサブドット領域に分割してなる液晶表示装置における表示不良の発生を効果的に防止でき、広視野角かつ高コントラストの高画質表示を実現できる液晶表示装置を提供する。【解決手段】  本発明の液晶表示装置は、一対の基板１０，２５間に液晶層５０を挟持してなる液晶表示装置であって、前記液晶層５０が、初期配向が垂直配向を呈する負の誘電異方性を有する液晶を含み、前記一対の基板の液晶層５０側に、液晶を駆動するための画素電極３１と対向電極９とがそれぞれ形成され、上基板２５が、複数の島状部３１ａ〜３１ｃと、該島状部３１ａ〜３１ｃ間を電気的に接続する連結部３９，３９とを有する画素電極３１と、前記連結部３９，３９と平面的に重畳配置された遮光部３３ａ、３３ｂとを具備した構成となっている。【選択図】        図３
2006058737.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板間に液晶層を挟持してなる液晶表示装置であって、
前記液晶層が、初期配向が垂直配向を呈する負の誘電異方性を有する液晶を含み、
前記一対の基板の液晶層側に、液晶を駆動するための電極がそれぞれ形成され、
少なくとも一方の基板側の前記電極が、複数の島状部と、該島状部間を電気的に接続する連結部とを有しており、
前記連結部に平面的に重畳配置された遮光手段を具備したことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記島状部を有する電極と、前記遮光手段とが、同一の基板に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記一対の基板のいずれかが、前記電極に接続されたスイッチング素子と、該スイッチング素子に接続された信号配線とを具備した素子基板であり、
前記遮光手段が、前記素子基板に設けられるとともに、前記スイッチング素子又は信号配線の構成材料と同一の材料によって形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記一対の基板のいずれかが、平面的に配列された複数の着色部を遮光部材により区画してなるカラーフィルタを具備したカラーフィルタ基板であり、
前記遮光手段が、前記カラーフィルタ基板に設けられるとともに、前記着色部を平面的に区画する遮光部材と同一の材料によって形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
１つのドット領域内に透過表示を行う透過表示領域と、反射表示を行う反射表示領域とが設けられるとともに、前記両領域における液晶層厚が、当該ドット領域内に設けられた液晶層厚調整層によって互いに異ならされていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記透過表示領域と反射表示領域との間に、液晶層厚が連続的に変化する傾斜領域が形成されており、
前記傾斜領域と平面的に重なる位置に、前記遮光手段が配されていることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記一対の基板のいずれかに、前記液晶層に入射した外光を反射させる反射層が設けられており、前記遮光手段が、前記反射層と同一の材料によって形成されていることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記島状部を有する電極と液晶層を挟んで対向する電極に、電圧印加時の液晶の配向を規制する配向制御手段が設けられていることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記配向制御手段が、前記電極上に形成された誘電体突起、又は当該電極を一部切り欠いてなる電極開口部であることを特徴とする請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか１項に記載の液晶表示装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置及び電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の半透過反射型液晶装置には、透過表示での視角が狭いという課題があった。これは、視差が生じないよう液晶セルの内面に半透過反射板を設けている関係で、観察者側に備えた１枚の偏光板だけで反射表示を行わなければならないという制約があり、光学設計の自由度が小さいためである。そこで、この課題を解決するために、Jisakiらは、下記の非特許文献１において、垂直配向液晶を用いる新しい液晶表示装置を提案した。その特徴は、以下の３つである。
（１）誘電異方性が負の液晶を基板に垂直に配向させ、電圧印加によってこれを倒す「ＶＡ（Vertical Alignment）モード」を採用している点。
（２）透過表示領域と反射表示領域の液晶層厚（セルギャップ）が異なる「マルチギャップ構造」を採用している点。
（３）透過表示領域を正八角形とし、この領域内で液晶が全方向に倒れるように対向基板上の透過表示領域の中央に突起を設けている点。すなわち、「配向分割（マルチドメイン）構造」を採用している点。
また、上記の文献では、液晶の倒れる方向を制御する配向制御手段として突起を用いているが、その他、電極にスリットを設けることにより電界を歪ませ、この電界の歪みで液晶の倒れる方向を制御することも知られている。
【０００３】
さらに、透過型液晶装置においても垂直配向モードを採用したものが知られている。具体的には、例えば１画素を複数のサブピクセルに分割し、各サブピクセルの中央に位置する対向基板に凸部を設けることで１画素をマルチドメイン化し、広視野角を実現する方法である（例えば、特許文献１参照）。その特徴は、以下の通りである。
（１）１画素を複数のサブピクセルに分割している点。
（２）サブピクセルの形状が回転対称（例えば、略円形、略四角形、略星形など）である点。
（３）（２）の形状に加えて、開口部の中心またはサブピクセルの中心に凸部を設けることで中心から放射状に液晶分子を配向させ、配向規制力を向上させている点。
（４）カイラル剤を添加することで液晶分子の捩れる方向を規定し、配向不良に起因するざらざらとしたしみ状のむらを防止している点。
【特許文献１】特開２００２−２０２５１１号公報
【非特許文献１】"Development of transflective LCD for high contrast and wide viewing angle by using homeotropic alignment", M.Jisaki et al., Asia Display/IDW'01, p.133-136(2001)
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記従来技術文献に記載の技術によれば、上記の構成（上下に配置したスリット、突起による斜め電界、もしくは突起形状からのプレチルトによる配向制御）を採用することによりマルチドメイン化することで広視野角ディスプレイを実現できる。しかしこれらの構成には原理的に以下の問題点がある。すなわち、１画素を複数のサブピクセルに分割する場合、液晶を挟持して設けられる電極の一方を複数の円形状電極や四角形状電極に分割し、それらを互いに連結した構造が採用されるが、係る電極構造では、上記円形状電極や四角形状電極の領域内では放射状に液晶分子を配向させることができるものの、それらの連結部では液晶分子を一定の方向に倒すことができず、ディスクリネーションの核が発生する。この連結部は表示の明るさにほとんど寄与しない上、隣接するサブピクセルの配向が不安定である場合には、その影響を受けて配向が安定し難くなり、それにより応答速度の低下や残像などの表示不良を引き起こすことがある。
【０００５】
本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み成されたものであって、１画素を複数のサブドット領域に分割してなる垂直配向モードの液晶表示装置における表示不良の発生を効果的に防止でき、広視野角かつ高コントラストの高画質表示を実現できる液晶表示装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記課題を解決するために、一対の基板間に液晶層を挟持してなる液晶表示装置であって、前記液晶層が、初期配向が垂直配向を呈する負の誘電異方性を有する液晶を含み、前記一対の基板の液晶層側に、液晶を駆動するための電極がそれぞれ形成され、少なくとも一方の基板側の前記電極が、複数の島状部と、該島状部間を電気的に接続する連結部とを有しており、前記連結部に平面的に重畳配置された遮光手段を具備したことを特徴とする液晶表示装置を提供する。
この構成によれば、前記電極の連結部と平面的に重なる位置に遮光手段を設けているので、当該連結部近傍での液晶分子の配向乱れに起因する残像や、光漏れによるコントラスト低下を効果的に防止することができる。したがって本発明によれば、広視野角かつ高コントラストの高画質表示を得ることができる。
【０００７】
本発明の液晶表示装置では、前記島状部を有する電極と、前記遮光手段とが、同一の基板に設けられていることが好ましい。このような構成とすることで、前記電極の連結部と、前記遮光手段とを高精度に位置合わせすることが可能になり、連結部近傍での液晶分子の配向乱れに起因する画質低下を効果的に防止できる。また、遮光手段の平面寸法は、連結部に対する位置合わせ精度を考慮して連結部よりやや大きく形成されるが、この構成によれば、両者の位置合わせ精度が高くなるので、遮光手段の平面寸法を小さくすることもでき、もって画素の開口率を向上させることができる。これにより、明るい表示を得られる液晶表示装置とすることができる。
【０００８】
本発明の液晶表示装置では、前記一対の基板のいずれかが、前記電極に接続されたスイッチング素子と、該スイッチング素子に接続された信号配線とを具備した素子基板であり、前記遮光手段が、前記素子基板に設けられるとともに、前記スイッチング素子又は信号配線の構成材料と同一の材料によって形成されている構成とすることができる。
このような構成とすることで、スイッチング素子の形成工程で前記遮光手段を同時に形成できるようになるので、従来に比して工程の負荷を増大させることなく表示コントラストの向上を実現できる。
【０００９】
本発明の液晶表示装置では、前記一対の基板のいずれかが、平面的に配列された複数の着色部を遮光部材により区画してなるカラーフィルタを具備したカラーフィルタ基板であり、前記遮光手段が、前記カラーフィルタ基板に設けられるとともに、前記着色部を平面的に区画する遮光部材と同一の材料によって形成されている構成とすることもできる。
このような構成とすることで、前記遮光手段を、カラーフィルタに含まれる遮光部材と同工程で形成できるようになるので、カラーフィルタを具備した構成においても工程の負荷を増大させることなく高コントラストのカラー表示が得られる液晶表示装置を実現できる。
【００１０】
本発明の液晶表示装置では、１つのドット領域内に透過表示を行う透過表示領域と、反射表示を行う反射表示領域とが設けられるとともに、前記両領域における液晶層厚が、当該ドット領域内に設けられた液晶層厚調整層によって互いに異ならされている構成とすることもできる。
すなわち本発明は、マルチギャップ方式の半透過反射型液晶表示装置にも適用することができる。この構成によれば、マルチギャップ方式により反射表示と透過表示の双方で良好な表示が得られるのに加え、前記遮光手段によって漏れ光によるコントラスト低下を効果的に防止できるので、高コントラスト、広視野角の反射表示及び透過表示が可能な液晶表示装置を提供することができる。
【００１１】
本発明の液晶表示装置では、前記透過表示領域と反射表示領域との間に、液晶層厚が連続的に変化する傾斜領域が形成されており、前記傾斜領域と平面的に重なる位置に、前記遮光手段が配されている構成とすることもできる。
この構成によれば、前記傾斜領域で液晶分子が斜方配向されることに起因する漏れ光を、遮光手段によって良好に防止でき、高コントラストの半透過反射型液晶表示装置を提供することができる。
【００１２】
本発明の液晶表示装置では、前記一対の基板のいずれかに、前記液晶層に入射した外光を反射させる反射層が設けられており、前記遮光手段が、前記反射層と同一の材料によって形成されている構成とすることができる。すなわち、前記遮光手段が、光反射機能を具備している構成とすることもできる。
例えば半透過反射型液晶表示装置においては、透過表示領域を構成する電極の連結部に対応する遮光手段を、反射表示領域に設けられる反射層と同一層に形成した構成が適用できる。このように遮光手段に光反射機能を持たせておけば、透過表示時にはパネル背面側から入射する照明光を良好に遮断して表示コントラスト向上に寄与し、反射表示時には、外光の反射率を高めて表示輝度の向上に寄与し得る遮光手段を具備した液晶表示装置を実現できる。
【００１３】
本発明の液晶表示装置では、前記島状部を有する電極と液晶層を挟んで対向する電極に、電圧印加時の液晶の配向を規制する配向制御手段が設けられていることが好ましい。前記配向制御手段が、前記電極上に形成された誘電体突起物、又は当該電極を一部切り欠いてなる電極開口部である構成とすることができる。このような配向制御手段を設けることで、電極の島状部に対応する領域内での液晶分子の配向制御をより良好なものとすることができ、広視野角で応答性にも優れた液晶表示装置を提供することができる。
【００１４】
本発明の液晶表示装置では、前記配向制御手段と前記液晶層を介して対向する電極が、当該液晶表示装置の１ドット領域内に、平面視で略円形状、略楕円形状、又は略多角形状の部位を有するものであってもよい。
このような構成とするならば、前記各形状の部位の辺端における電界の歪みによって、電圧印加時に各部位内で平面視略放射状の液晶ドメインを形成でき、全方位で高コントラストの表示が得られる液晶表示装置を提供することができる。
【００１５】
また係る構成においては、前記略円形状、略楕円形状、又は略多角形状の部位の平面視中央部に前記配向制御手段が配置されていることが好ましい。
このような構成とすれば、前記各形状の部位の中央部から略放射状に液晶分子が配向する液晶ドメインをドット領域内に形成でき、垂直配向液晶の配向不良によるしみ状のムラ等が生じるのを効果的に防止し、広い視角範囲で高コントラストの表示を得られる液晶表示装置を提供することができる。
【００１６】
次に本発明の液晶表示装置の製造方法は、一対の基板間に初期配向が垂直配向を呈する液晶層を挟持してなる液晶表示装置の製造方法であって、一方の前記基板上に、電極と、該電極に接続されたスイッチング素子と、該スイッチング素子に接続された信号配線とを形成する素子形成工程と、他方の前記基板上に少なくとも電極を形成する工程と、前記一対の基板のいずれかの電極を、複数の島状部と、該島状部間を接続する連結部とを有する平面形状にパターニングする工程と、を含み、前記素子形成工程にて、前記一対の基板を対向配置した状態で前記電極の連結部と平面的に重畳配置される遮光手段を、前記スイッチング素子又は信号配線の構成部材とともに形成することを特徴とする。
この製造方法によれば、前記遮光手段を前記スイッチング素子の形成工程において、スイッチング素子の構成部材とともに形成するので、工程の負荷を増大させることなく高コントラストの液晶表示装置を製造することができる。
【００１７】
次に本発明の液晶表示装置の製造方法は、一対の基板間に初期配向が垂直配向を呈する液晶層を挟持してなる液晶表示装置の製造方法であって、一方の前記基板上に、遮光部材により平面的に区画された複数の着色部を備えたカラーフィルタを形成するカラーフィルタ形成工程と、前記カラーフィルタ上に電極を形成する工程と、他方の前記基板上に少なくとも電極を形成する工程と、前記一対の基板のいずれかの電極を、複数の島状部と、該島状部間を接続する連結部とを有する平面形状にパターニングする工程と、を含み、前記カラーフィルタ形成工程にて、前記一対の基板を対向配置した状態で前記電極の連結部と平面的に重畳配置される遮光手段を、前記遮光部材とともに形成することを特徴とする。
この製造方法によれば、前記カラーフィルタ形成工程において、カラーフィルタを構成する遮光部材とともに前記遮光手段を形成するので、工程の負荷を増大させることなく高コントラストのカラー液晶表示装置を製造することができる。
【００１８】
次に、本発明の電子機器は、先に記載の本発明の液晶表示装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、表示不良がなく高画質で、また広視角表示が可能な表示部を具備した電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下本発明の実施の形態を、図面を参照しつつ説明するが、本発明の技術範囲は以下の実施形態に限定されるものではない。また以下で参照する各図面については、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、適宜縮尺を異ならせて表示している。
【００２０】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施の形態を図１〜図３を参照して説明する。
本実施の形態の液晶表示装置は、スイッチング素子として薄膜ダイオード（Thin FilmDiode, 以下、ＴＦＤと略記する）を用いたアクティブマトリクス型の液晶表示装置の例であり、特に透過表示を可能にした透過型液晶表示装置の例である。
【００２１】
図１は、本実施の形態の液晶表示装置１００についての等価回路を示している。この液晶表示装置１００は、走査線駆動回路１１０およびデータ線駆動回路１２０を含んでいる。液晶表示装置１００には、信号線、すなわち複数の走査線１３と、走査線１３と交差する複数のデータ線９とが設けられ、走査線１３は走査線駆動回路１１０により駆動され、データ線９はデータ線駆動回路１２０により駆動される。そして、走査線１３とデータ線９との交差点に対応して設けられた各ドット領域１５０において、走査線１３とデータ線９との間にＴＦＤ素子４０と液晶表示要素１６０（液晶層）とが直列に接続されている。
なお、図１では、ＴＦＤ素子４０が走査線１３側に接続され、液晶表示要素１６０がデータ線９側に接続されているが、これとは逆にＴＦＤ素子４０をデータ線９側に、液晶表示要素１６０を走査線１３側に接続されている構成としてもよい。
【００２２】
次に、図２は、液晶表示装置１００の電極構造を示す平面構成図である。図２に示すように、液晶表示装置１００では、図示上下方向に延びる走査線１３にＴＦＤ素子４０を介して接続された画素電極３１が平面視マトリクス状に配列形成されており、一方向（図示左右方向）に配列された一群の画素電極３１と平面的に重なるように短冊状の対向電極９（第２の電極）が設けられ、これらの対向電極９が平面視ストライプ状に配列されている。
上記対向電極９は上述したデータ線に相当し、走査線１３と交差する方向に延在している。本実施形態において、各画素電極３１が形成された個々の領域が１つのドット領域であり、マトリクス状に配置された各ドット領域毎にＴＦＤ素子４０が備えられ、ドット領域毎に表示制御が可能な構造になっている。
【００２３】
図２では簡易的に各画素電極３１を略矩形状に図示しているが、実際には後述するように３つの島状部とそれらを連結する連結部とを有している。ここで、ＴＦＤ素子４０は走査線１３と画素電極３１とを電気的に接続するスイッチング素子であって、ＴＦＤ素子４０は、タンタルを主成分とする第１電極と、タンタル酸化物を主成分とする絶縁膜と、クロムを主成分とする第２電極とを順に積層したＭＩＭ（Metal-Insulator-Metal）構造を具備して構成されている。そして、ＴＦＤ素子４０の第１電極が走査線１３に接続され、第２電極が画素電極３１に接続されている。
【００２４】
次に、図３に基づいて本実施の形態の液晶表示装置１００の画素構成について説明する。図３は液晶表示装置１００の１ドット領域を示す図である。本実施形態の液晶表示装置１００は、液晶層を挟持して対向する一対の基板を具備しており、図３（ａ）は当該ドット領域を構成する一方の基板（上基板２５）の平面構成図、（ｂ）は、（ａ）図のＡ−Ａ’線に沿う位置に対応する断面構成図、（ｃ）は、他方の基板（下基板１０）の平面構成図である。
なお、図３に示したドット領域Ｄにはカラーフィルタが図示されていないが、カラーフィルタを備えた構成とする場合、１つのドット領域Ｄに対応して３原色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）のうちの異なる色の１つの着色部を設けるとともに、一組（ＲＧＢ）の着色部に対応する３つのドット領域Ｄにより赤色光、緑色光、及び青色光を混色して任意の色光を出力可能な１つの画素領域を形成する構成が採用できる。
【００２５】
本実施の形態の液晶表示装置１００は、図３（ｂ）に示すように、下基板１０とこれに対向配置された上基板２５（素子基板）との間に、初期配向状態が垂直配向状態を呈し、誘電異方性が負の液晶材料からなる液晶層５０が挟持された構成を備える。
上基板２５は、図３（ａ）に示すように、走査線１３と、走査線１３の延在方向（図示左右方向）に沿って配された画素電極３１と、走査線１３と画素電極３１とを接続する平面視鈎状の配線部１３ａと、平面視矩形状の２つの遮光部３３ａ、３３ｂとを備えて構成されている。
【００２６】
画素電極３１は、図３（ａ）に示すように、走査線１３に沿って配列された３つの島状部３１ａ，３１ｂ，３１ｃと、隣接する島状部間を連結する連結部３９，３９とからなる。本実施形態では、このように複数の島状部を１つのドット領域Ｄ内に設けることで、各島状部３１ａ、３１ｂ、３１ｃに対応する領域にそれぞれ概略同形状の液晶ドメインを形成するようになっている。つまり、１ドット領域内に分割形成された３つのサブドット領域Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３を備えた構成となっている。
通常、３色カラーフィルタを備えた液晶表示装置では、１つのドット領域の縦横比が約３：１となるので、本実施形態のように、１つのドット領域Ｄに３つのサブドット領域Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３を設ける構成とするならば、１つのサブドット領域の形状を略円形状や略正多角形状とすることができ、視野角の対称性を良好なものとすることができる。前記サブドット領域Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３（島状部３１ａ，３１ｂ，３１ｃ）の形状は、図３では角部を丸めた略正方形状であるが、これに限らず、例えば円形状、楕円形状、その他の多角形状のものとすることができる。また係る島状部３１ａ〜３１ｃは、換言すれば、ドット領域Ｄの周縁部に、画素電極を切り欠いた電極スリットを設けた結果形成されたものということができる。
【００２７】
配線部１３ａは、走査線１３側から画素電極３１側へ鈎状に延びて形成され、上記島状部３１ｃの中央部と平面的に重なる位置にて平面視円形状に拡径され、当該位置に画素電極３１との導電接続構造を成すコンタクト部３３ｃを有している。
また図示は省略しているが、前記コンタクト部３３ｃと反対側の配線部１３ａの端部、すなわち信号線１３との交点部分には、ＴＦＤ素子４０が設けられている。本実施形態において、走査線１３は、例えばタンタルにより形成され、その表面にタンタル酸化物の絶縁膜が形成されたものとすることができ、鈎状の配線部１３ａを例えばクロムにより形成するとともに、前記絶縁膜を介して走査線１３に交差するように配置すれば、当該交点部分に前記ＴＦＤ素子４０を形成することができる。
【００２８】
図３（ｂ）に示す断面構造をみると、ガラスや石英等の透光性の基板本体１０Ａ上に、配線部１３ａ及びコンタクト部３３ｃ、並びに遮光部３３ａ，３３ｂが形成されており、これらを覆って例えば酸化シリコンや樹脂材料からなる層間絶縁膜７１が形成されている。層間絶縁膜７１上に、例えばＩＴＯ（インジウム錫酸化物）からなる画素電極３１が形成され、層間絶縁膜７１を貫通してコンタクト部３３ｃに達するコンタクトホールを介してコンタクト部３３ｃと画素電極３１とが電気的に接続される結果、配線部１３ａ（ＴＦＤ素子４０）と画素電極３１とが電気的に接続されている。また画素電極３１上には、図示は省略したが、ポリイミド膜等からなる垂直配向膜が設けられており、液晶層５０の初期配向状態を垂直配向に維持する機能を奏する。この配向膜はラビング処理等の配向処理を施されていないものである。
【００２９】
また、図３（ａ）に示した遮光部３３ａは島状部３１ａ（サブドット領域Ｓ１）と島状部３１ｂ（サブドット領域Ｓ２）との連結部３９を平面的に覆う位置に配されており、他方の遮光部３３ｂは島状部３１ｂ（サブドット領域Ｓ２）と島状部３１ｃ（サブドット領域Ｓ３）との連結部３９を平面的に覆うように配置されている。これらの遮光部３３ａ、３３ｂは、図３（ｂ）に示すように、上記配線部１３ａと同層に同一材質を用いて形成されている。
【００３０】
一方、下基板１０は、石英、ガラス等の透光性材料からなる基板本体１０Ａを主体としてなり、基板本体１０Ａの内面側（液晶層５０側）には、ＩＴＯ等の透光性導電材料からなる対向電極９が形成されており、対向電極９上には絶縁性の樹脂材料等からなる略円錐形状の誘電体突起７３，７４，７５が液晶層５０側へ突出して設けられている。また図示は省略したが、対向電極９及び誘電体突起７３〜７５を覆うようにポリイミド等の垂直配向膜が形成されている。なお、図３（ｃ）に示す対向電極９は、実際には紙面上下方向に延びるストライプ状を成して形成されており、（ａ）図の上下方向に並ぶ複数のドット領域に共通の電極として機能する。
【００３１】
誘電体突起７３〜７５は、垂直配向モードの液晶層５０を構成する液晶分子の電圧印加時における配向方向を制御する配向制御手段を成すものであり、対向電極９上に所定の間隔で配列され、パネルを平面視したときに、サブドット領域Ｓ１〜Ｓ３のそれぞれ中央部に配置されている。また、画素電極３１とＴＦＤ素子４０との導電接続部たるコンタクト部３３ｃと、誘電体突起７５とは、平面的に重なるように配置されており、本実施形態では、遮光機能を具備したコンタクト部３３ｃが誘電体突起７５の形成領域を覆って形成されている。
【００３２】
下基板１０の外面側（液晶層５０と反対側）に、位相差板１８と偏光板１９とが基板本体１０Ａ側から順に配設されており、上基板２５の外面側には、位相差板１６と偏光板１７とが基板本体２５Ａ側から順に配設されている。さらに、下基板１０の外側には、透過表示用光源となるバックライト（照明手段）１５が設けられている。
【００３３】
本実施の形態の液晶表示装置１００では、各サブドット領域Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３の中央部にあたる下基板１０の内面に配向制御手段たる誘電体突起７３〜７５が設けられているので、誘電体突起７３〜７５の表面で液晶分子が傾斜して配向する（誘電体突起表面に対して垂直に配向する）。したがって電圧印加時に各サブドット領域Ｓ１〜Ｓ３では、誘電体突起を中心として放射状に液晶分子を配向させることができ、また上基板２５側では、島状部３３ａ〜３３ｃの辺端部における電界の歪みによって、それらの辺端に直交する向きに液晶分子を配向させることができる。そして、これらの配向規制力によって、各サブドット領域Ｓ１〜Ｓ３の領域内で、その中央部から略放射状に液晶分子を配向させることができ、全方位で高コントラストの表示を得られるようになっている。
なお、誘電体突起７３〜７５の近傍においては、電圧印加時に液晶と誘電体突起との誘電率の差異に起因する電界の歪みが生じ、係る電界の歪みに起因する配向規制力によっても誘電体突起を中心とする放射状に液晶分子が配向される。
【００３４】
そして本実施形態では、島状部３１ａ〜３１ｃをそれぞれ電気的に接続している連結部３９，３９と平面的に重なる位置に、遮光部３３ａ、３３ｂが設けられているので、これらの連結部３９，３９における液晶分子の配向乱れに起因する光が観察者側へ射出されるのを防止でき、もって残像やコントラストの低下を防止できるようになっている。
【００３５】
また画素電極３１と導電接続される配線部１３ａのコンタクト部３３ｃが、下基板１０の誘電体突起７５を平面的に覆うように配設されているので、誘電体突起７５表面で液晶分子が斜方配向することに起因する漏れ光を効果的に遮断できる。また島状部３１ｃの中央部には、前記コンタクト部３３ｃに達するコンタクトホール７２が設けられているため、コンタクトホール７２に起因する凹部が画素電極３１表面に形成されることがある。このような凹部は、表面に垂直配向膜が形成されていれば液晶分子を傾斜して配向させるので、電圧印加時の液晶の応答性を高める作用を奏するが、同時にディスクリネーションの核ともなるものである。しかし本実施形態では、コンタクトホール７２の形成領域に対応してコンタクト部３３ｃが設けられているので、この凹部に起因する漏れ光が観察者に視認されることはない。
【００３６】
特に本実施の形態の場合、遮光部３３ａ、３３ｂが、ＴＦＤ素子４０から延びる配線部１３ａと同一の工程により形成できるので、製造プロセスの複雑化や、工数の増加を伴うことなく表示コントラストを向上させることができる。また本実施形態の場合、遮光部３３ａ、３３ｂは、画素電極３１と同一の基板（上基板２５）に設けられているので、遮光部３３ａ、３３ｂと画素電極３１とを高精度に位置合わせすることができ、遮光部３３ａ、３３ｂによるコントラスト向上作用をより良好なものとすることができる。また遮光部３３ａ、３３ｂの平面寸法は、画素電極３１の連結部に対する位置合わせ精度を考慮して設定されるが、本実施形態では、上記の如く両者を高精度に位置合わせできるため、遮光部３３ａ、３３ｂの平面寸法を必要以上に大きくする必要が無く、画素開口率を維持でき、明るい表示を得られるという利点がある。
【００３７】
さらに、先に記載のように遮光部３３ａ、３３ｂ及びコンタクト部３３ｃは、配線部１３ａと同様のクロムからなるものとされているので、上基板２５側から遮光部３３ａ、３３ｂ、ないしコンタクト部３３ｃに外光が入射した場合にも、上記クロム膜は低反射性の金属膜であるため、液晶表示装置の視認性を低下させることがない。
【００３８】
＜第１実施形態の変形例＞
上記実施の形態では、液晶表示装置１００として透過型の液晶表示装置を構成した場合について説明したが、本発明に係る液晶表示装置は、図４又は図５に示すような半透過反射型、あるいは反射型の液晶表示装置として構成することもできる。
【００３９】
［半透過反射型液晶表示装置］
まず、半透過反射型の液晶表示装置とした実施形態について図４を参照しつつ説明するが、図４に示す構成要素のうち、図１から図３の液晶表示装置１００と共通の構成要素については同一の符号を付して説明を省略する。また図４（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ先の実施形態における図３（ａ）〜（ｃ）に相当する図面である。
【００４０】
図４に示す液晶表示装置１００Ａは、液晶層５０を挟持して対向配置された上基板２５と下基板１０とを備え、下基板１０の外面側にバックライト１５が配設された構成を備えている。上基板２５の構成は先の液晶表示装置１００と共通であるが、下基板１０の構成が一部異なっている。すなわち、基板本体１０Ａの内面側に、アルミニウムや銀などの光反射性の金属膜からなる反射層７７と、アクリル樹脂等の樹脂材料からなる液晶層厚調整層７６とが形成されており、液晶層厚調整層７６上に乗り上げるように対向電極９が形成されている。
【００４１】
反射層７７及び液晶層厚調整層７６は、ドット領域Ｄ内に部分的に形成されている。より詳細には、反射層７７及び液晶層厚調整層７６は上基板２５側の画素電極３１のうち、島状部３１ｃ（サブドット領域Ｓ３）に対応する領域に形成されており、液晶層厚調整層７６の膜厚によって反射層７７の形成領域における液晶層５０の層厚（セルギャップ）が、他の領域（サブドット領域Ｓ１，Ｓ２）における液晶層厚よりも薄くなっている。すなわち、本実施形態の液晶表示装置１００Ａは、マルチギャップ方式の半透過反射型液晶表示装置であり、反射層７７の形成領域に含まれるサブドット領域Ｓ３が反射表示領域とされ、残るサブドット領域Ｓ１及びＳ２が透過表示領域とされている。液晶層厚調整層７６の膜厚により調整される液晶層５０の層厚は、反射表示領域で例えば１．５μｍ程度であり、透過表示領域で例えば３μｍ程度である。
【００４２】
対向電極９上には、垂直配向液晶の配向制御手段を成す誘電体突起７３〜７５が設けられており、これらの誘電体突起は、図３に示した液晶表示装置と同様、画素電極３１の各島状部３１ａ〜３１ｃの中央部と対向する位置に設けられている。そして、上記各島状部３１ａ〜３１ｃをそれぞれ接続する連結部３９，３９と平面的に重なる位置に、遮光部３３ａ、３３ｂがそれぞれ設けられている。したがって、液晶表示装置１００Ａにおいても、画素電極３１の連結部３９，３９近傍での液晶分子の配向乱れに起因する漏れ光が、観察者側へ射出されるのを遮光部３３ａ、３３ｂによって防止でき、高コントラストの透過表示及び反射表示を得られるようになっている。
【００４３】
また、上記液晶層厚調整層７６に起因する段差を成す透過表示領域と反射表示領域との境界領域には、図４（ｂ）に示すように斜面部７６ｓが形成されているが、本実施形態の液晶表示装置では、係る斜面部７６ｓが、島状部３１ｂと島状部３１ｃとを接続している連結部３９と平面的に重なるように配されており、したがって遮光部３３ｂと斜面部７６ｓとが平面的に重なって配置されている。このような構造を採用することで、斜面部７６ｓでの液晶分子の配向状態に起因する漏れ光をも遮光部３３ｂにより遮光でき、高コントラストの表示を得られるようになっている。
【００４４】
また上記半透過反射型の構成において、反射層７７は、液晶層厚調整層７６の上側（液晶層側）に形成することもでき、この場合、反射表示における表示光が液晶層厚調整層を透過しないので、表示光の減衰や色付きを低減できるという利点がある。さらにこの構成では、反射層７７を対向電極９の一部として用いることもできる。
反射層７７又はその液晶層側には、反射層７７で反射された光を散乱させる手段を設けることが好ましい。具体的には、反射層７７の表面に微細な凹凸形状を付与したり、光散乱機能を有する光学素子を設けることで散乱機能を付与できる。この光散乱手段を設けることで、反射表示時における外光の正反射を防止でき、良好な視認性を得られる。
【００４５】
さらに、液晶層厚調整層７６を上基板２５側に設けた構成とすることもできる。また本実施形態では液晶層厚調整層７６及び反射層７７は、画素電極３１とＴＦＤ素子４０との導電接続部を有するサブドット領域Ｓ３に設けられているが、上記導電接続部が設けられていないサブドット領域Ｓ１あるいはＳ２に液晶層厚調整層７６及び反射層７７を設けた構成も採用できる。
【００４６】
なお、本実施形態ではマルチギャップ方式の半透過反射型液晶表示装置を例示して説明したが、本発明は、液晶層厚調整層７６を設けない構成の半透過反射型液晶表示装置にも問題なく適用でき、この場合にも、画素電極の連結部における漏れ光を防止することによってコントラストを向上させることができる。
【００４７】
［反射型液晶表示装置］
次に、図５を参照して、反射型の液晶表示装置とした実施形態について説明する。図５に示す構成要素のうち、図１から図３の液晶表示装置１００と共通の構成要素については同一の符号を付して説明を省略する。また図５（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ先の実施形態における図３（ａ）〜（ｃ）に相当する図面である。
【００４８】
図５に示す本実施形態の液晶表示装置１００Ｂは、液晶層５０を挟持して対向配置された上基板２５と下基板１０とを備えて構成されている。上基板２５の構成は先の液晶表示装置１００と共通であるが、下基板１０の構成が一部異なっている。すなわち、基板本体１０Ａの内面側に、アルミニウムや銀などの光反射性の金属膜からなる反射層７８が設けられ、反射層７８上に対向電極９が形成されている。また、基板本体１０Ａ外面側の位相差板や偏光板、及びパネル背面のバックライトは設けられていない。
【００４９】
上記構成を具備した液晶表示装置１００Ｂにおいても、画素電極３１の連結部３９，３９と平面的に重なる位置に遮光部３３ａ、３３ｂがそれぞれ設けられているので、当該連結部３９，３９における漏れ光を良好に遮光することができ、もって広視野角、高コントラストの反射表示を得られるようになっている。
【００５０】
（第２の実施形態）
次に、図６を参照して本発明の第２の実施形態について説明する。本実施形態の液晶表示装置は、図１から図３に示した液晶表示装置１００と同様、垂直配向モードの透過型液晶表示装置であり、図６に示す構成要素のうち、図１から図３の液晶表示装置１００と共通の構成要素については同一の符号を付して説明を省略する。また図６（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ先の実施形態における図３（ａ）〜（ｃ）に相当する図面である。
【００５１】
図６に示す液晶表示装置２００Ａは、液晶層５０を挟持して対向配置された上基板２５と下基板１０とを主体として構成されている。図６（ａ）に示すように、上基板２５は、図示左右方向に延びる走査線１３と、走査線１３に沿って長手に配置された平面視略矩形状の画素電極３１と、走査線１３から画素電極３１に延びる平面視鈎状の配線部１３ａとを備えて構成されている。画素電極３１は、平面視略矩形状の３つの島状部３１ａ、３１ｂ、３１ｃと、これらを接続する連結部３９，３９とからなる。前記配線部１３ａの先端部は前記画素電極３１の島状部３１ｃの中央部まで延設されるとともに、当該中央部で平面視円形状に拡径されてコンタクト部８９を成している。また、配線部１３ａと走査線１３との交点部分には図示略のＴＦＤ素子４０が設けられている。
【００５２】
図６（ｂ）に示す断面構造をみると、透光性の基板本体２５Ａの内面側（液晶層５０側）に、走査線１３ａ、コンタクト部８９等が形成され、走査線１３ａ等を覆って層間絶縁膜７１が形成されている。そして層間絶縁膜７１上に画素電極３１が形成されるとともに、層間絶縁膜７１に貫設されたコンタクトホール７２を介して画素電極３１とコンタクト部８９とが電気的に接続される結果、画素電極３１と配線部１３ａ（ＴＦＤ素子４０）とが電気的に接続されている。
【００５３】
一方、下基板１０は、図６（ｂ）及び図６（ｃ）に示すように、透光性の基板本体１０Ａの内面側に、平面視矩形状の遮光部８８ａ、８８ｂが形成され、これらの遮光部８８ａ、８８ｂを覆って対向電極９が形成されている。そしてこの対向電極９上に所定間隔で配列された略円錐状の誘電体突起７３〜７５が設けられている。上記遮光部８８ａ、８８ｂは、図６（ｂ）に示すように、画素電極３１の連結部３９，３９とそれぞれ平面的に重なって形成されている。
【００５４】
なお、上基板２５の外面側には、位相差板１６と偏光板１７とが基板本体２５Ａ側から順に積層されており、下基板１０の外面側には、位相差板１８と偏光板１９とが順に積層されている。また、下基板１０の外側に、照明手段たるバックライト１５が配設されている。さらに、図示は省略したが、上基板２５の画素電極３１を覆って垂直配向膜が形成されており、下基板１０の対向電極９及び誘電体突起７３〜７５を覆って垂直配向膜が形成されている。
【００５５】
上記構成を備えた液晶表示装置２００Ａでは、図６に示すように、平面視矩形状の遮光部８８ａ、８８ｂが、下基板１０側に設けられており、これらの遮光部８８ａ、８８ｂによってバックライト１５の照明光が一部遮断され、連結部３９，３９に対して照明光が入射しないようになっている。これにより、連結部３９，３９近傍での液晶分子の配向乱れに起因する光漏れを効果的に防止し、広視野角、高コントラストの表示を得られるようになっている。
【００５６】
また先の第１実施形態と同様、上基板２５のコンタクト部８９及びコンタクトホール７２と、下基板１０の誘電体突起７５とが平面的に重なって配置されているので、誘電体突起７５表面における液晶分子の斜方配向と、コンタクトホール７２に起因して形成される凹部における液晶分子の斜方配向とによって生じる光漏れを、これらと重なって配されたコンタクト部８９により遮光でき、配線部１３ａとの導電接続構造が形成されていることから他の島状部３１ａ、３１ｂに比して光漏れが生じやすい島状部３１ｃ中央部での漏れ光を効果的に防止することができるようになっている。
【００５７】
図６ではカラーフィルタは図示されていないが、液晶表示装置２００Ａはカラーフィルタを備えた構成とすることができる。通常、カラーフィルタは複雑な工程を経て形成される素子基板（上基板２５）側ではなく下基板１０側に形成される。この場合、例えば基板本体１０Ａ上に、画素電極３１に相当する平面寸法の着色部を配列形成するとともに、各着色部の間を遮光性の部材（ブラックマトリクス）により区画する。ブラックマトリクスは、黒色の樹脂膜や、複数の前記着色部を重畳して形成した樹脂膜、あるいは金属膜によって形成することができる。
【００５８】
そして、このように液晶表示装置２００Ａをカラーフィルタを具備した構成とする場合に、基板本体１０Ａ上の遮光部材、すなわち上記ブラックマトリクスと遮光部８８ａ、８８ｂとを同一工程で形成することとすれば、工程の複雑化や工数の増加を伴うことなく、表示の高コントラスト化を実現することができる。
【００５９】
＜第２実施形態の変形例＞
次に、図７を参照して第２実施形態の変形例について説明する。図７に示す液晶表示装置２００Ｂは、図６に示した形態の液晶表示装置と同様、下基板１０側に遮光部８８ａ、８８ｂを備えているが、液晶層５０を挟んで対向する電極の構成が先の実施形態と異なっている。
なお、本実施形態の液晶表示装置も、先の液晶表示装置２００Ａと同様、垂直配向モードの透過型液晶表示装置であり、図７に示す構成要素のうち、図６の液晶表示装置２００Ａと共通の構成要素については同一の符号を付して説明を省略する。また図７（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ先の実施形態における図６（ａ）〜（ｃ）に相当する図面である。
【００６０】
図７に示す液晶表示装置２００Ｂは、液晶層５０を挟持して対向配置された上基板２５と下基板１０とを主体として構成されている。図７（ａ）に示すように、上基板２５は、図示左右方向に延びる走査線１３と、走査線１３に沿って長手に配置された平面視略矩形状の画素電極３１と、走査線１３から画素電極３１側に延びる配線部１３ａと、所定の間隔で画素電極３１上に配列形成された誘電体突起８３〜８５とを備えて構成されている。これらの誘電体突起８３〜８５は、先の実施形態に係る誘電体突起７３〜７５と同様、垂直配向モードの液晶の電圧印加時の配向状態を制御する配向制御手段として機能するものである。
【００６１】
図示は省略しているが、走査線１３と配線部１３ａとの交点部にＴＦＤ素子４０が形成されている。またこのＴＦＤ素子４０側から図示上側へ延びる配線部１３ａの先端部には、拡径部位が設けられ、後述の画素電極３１と導電接続されるコンタクト部１３ｃを形成している。図７（ｂ）に示すように、これら走査線１３及び配線部１３ａを覆って層間絶縁膜７１が形成されており、層間絶縁膜７１上に画素電極３１が形成されている。画素電極３１の一短辺端（右側辺端）からは、図示右側へ突出して延出部８６が形成され、その先端部に拡幅部３１ｄが設けられており、前記層間絶縁膜７１を貫通して配線部１３ａのコンタクト部１３ｃに達するコンタクトホール８１を介して、前記拡幅部３１ｄとコンタクト部１３ｃとが電気的に接続される結果、配線部１３ａ（ＴＦＤ素子４０）と、画素電極３１とが電気的に接続されている。
【００６２】
一方、下基板１０は、図７（ｂ）及び図７（ｃ）に示すように、透光性の基板本体１０Ａの内面側に、所定間隔で配列された平面視矩形状の遮光部８８ａ、８８ｂと、対向電極７９とを備えて構成されている。前記遮光部８８ａ、８８ｂは、遮光性を具備した金属膜や樹脂膜をパターニングすることで形成できる。
対向電極７９は、ＩＴＯ等の透光性導電材料を用いて形成され、図示のドット領域Ｄ内に３つの平面視略矩形状の島状部７９ａ、７９ｂ、７９ｃを有している。これらの島状部７９ａ〜７９ｃは図示左右方向に延びる連結部７９ｒ、７９ｒを介して互いに電気的に接続されている。また各島状部７９ａ〜７９ｃから図示上下方向に延出された連結部７９ｄ…は、図示のドット領域と隣接するドット領域に設けられた島状部に接続されている。したがって対向電極７９は、全体として、上基板２５の走査線１３と直交する方向（（ｃ）図上下方向）に延びる平面視略ストライプ状を成して形成されている。
【００６３】
このように対向電極７９がドット領域Ｄ内で複数の島状部７９ａ〜７９ｃに概略分割された構造を有しており、これらの島状部７９ａ〜７９ｃの中央部に、上基板２５の前記誘電体突起８３〜８５が各々対向配置されているので、本液晶表示装置２００Ｂは、電圧印加時に液晶分子を各島状部７９ａ〜７９ｃの中央部から略放射状に配向させることができるようになっている。すなわち、液晶表示装置２００では、各島状部７９ａ〜７９ｃの平面領域に対応して放射状の液晶ドメインを形成する３つのサブドット領域Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３が、１つのドット領域Ｄを形成する構成となっている。
【００６４】
なお、上基板２５の外面側には、位相差板１６と偏光板１７とが基板本体２５Ａ側から順に積層されており、下基板１０の外面側には、位相差板１８と偏光板１９とが順に積層されている。また、下基板１０の外側に、照明手段たるバックライト１５が配設されている。さらに、図示は省略したが、上基板２５の画素電極３１及び誘電体突起８３〜８５を覆って垂直配向膜が形成されており、下基板１０の対向電極７９上にも垂直配向膜が形成されている。
【００６５】
上記構成を備えた液晶表示装置２００Ｂでは、図７（ｃ）に示すように上記遮光部８８ａ、８８ｂが、それぞれ島状部７９ａ〜７９ｃを接続する連結部７９ｒ、７９ｒと平面的に重なって配置されている。したがって本例の液晶表示装置２００Ｂにおいても、３つの島状部７９ａ〜７９ｃを接続している連結部７９ｒ、７９ｒ近傍での液晶分子の配向乱れに起因する漏れ光を効果的に防止でき、広視野角、高コントラストの表示を得ることができるようになっている。
【００６６】
なお、図７では対向電極７９の島状部７９ａ〜７９ｃを図示左右方向に接続する連結部７９ｒ、７９ｒに対応する領域のみに遮光部８８ａ、８８ｂを設けた構成としたが、島状部７９ａ〜７９ｃを隣接するドット領域の島状部と図７（ｃ）上下方向に連結する連結部７９ｄ…に対応する領域に遮光部を設けてもよいのは勿論である。またさらに、上基板２５の画素電極３１から図示右側へ突設された延出部８６と平面的に重なる位置にもさらに遮光部を設けてもよいのは勿論である。
【００６７】
また、図７ではカラーフィルタは図示されていないが、液晶表示装置２００Ｂをカラーフィルタを備えた構成とするならば、図６に示した液晶表示装置２００Ａと同様に、カラーフィルタに含まれる遮光部材（ブラックマトリクス）と同一の工程で、遮光部８８ａ、８８ｂを形成することが可能であり、工程の複雑化や工数の増加を伴うことなく、表示の高コントラスト化を実現することができる。
【００６８】
（第３の実施形態）
次に、図８を参照して本発明の第３の実施形態について説明する。本実施形態の液晶表示装置は、図４に示した液晶表示装置１００Ｂと同様の基本構成を具備した垂直配向モードの半透過反射型液晶表示装置である。したがって、図８に示す構成要素のうち、図４に記載の液晶表示装置１００Ａと共通の構成要素については同一の符号を付して説明を省略する。また図８（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ先の実施形態における図４（ａ）〜（ｃ）に相当する図面である。
【００６９】
図８に示す液晶表示装置３００は、液晶層５０を挟持して対向配置された上基板２５と下基板１０とを備え、下基板１０の外面側にバックライト１５が配設された構成を備えており、下基板１０の内面側に、アルミニウムや銀などの光反射性の金属膜からなる反射層７７ａが部分的に形成されていることで、１つのドット領域で反射表示と透過表示の双方を行えるようになっている。
【００７０】
上基板２５の構成は、図６に示した第２実施形態の液晶表示装置２００Ａと同様であり、３つの島状部３１ａ〜３１ｃと、それらを接続する連結部３９，３９とからなる画素電極３１を備えている。一方、下基板１０は、透光性の基板本体１０Ａの内面側に、反射層７７ａ及び遮光層７７ｂが、ドット領域Ｄ内で部分的に形成され、これらを覆って液晶層厚調整層７６が形成されている。反射層７７ａは、上基板２５に設けられた画素電極３１の島状部３１ｃと平面的に重なる位置に形成されており、遮光部７７ｂは、島状部３１ａと島状部３１ｂとを接続している連結部３９と平面的に重なる位置に設けられている。また、遮光部７７ｂは、上記反射層７７ａと同一層に同一材料を用いて形成されている。さらに本実施形態では、遮光部７７ｂ側の反射層７７ａの辺端が一部ドット領域中央部側へ延出されて遮光部７７ｃを形成しており、係る遮光部７７ｃによって前記島状部３１ｂ、３１ｃ間の連結部３９を、バックライト１５側からみて平面的に覆うようになっている。
【００７１】
液晶層厚調整層７６は、ドット領域内に厚さの異なる部位を有しており、具体的には、反射層７７ａの平面領域に対応する領域が、他の領域よりも液晶層５０側へ突出して形成されている。この液晶層厚調整層７６により、反射層７７ａの形成領域（反射表示領域）における液晶層厚が、他の領域（透過表示領域）における液晶層厚よりも薄くなるように形成されたマルチギャップ構造を実現している。液晶層厚調整層７６上には、図８（ｃ）の上下方向に延びる対向電極９が形成されており、対向電極９上であって、前記島状部３１ａ〜３１ｃのそれぞれの中央部と対向する位置に、誘電体突起７３〜７５が立設されている。
【００７２】
上記構成のもと、液晶表示装置３００は、各ドット領域Ｄが、画素電極３１の島状部３１ａ〜３１ｃに対応する平面領域を具備したサブドット領域Ｓ１〜Ｓ３により構成され、サブドット領域Ｓ１及びＳ２により透過表示を行い、残るサブドット領域Ｓ３により反射表示を行うようになっている。そして、各サブドット領域で電圧印加時に平面視略放射状の液晶ドメインを形成できることから広視野角の表示を得られ、また上記マルチギャップ構造により反射表示と透過表示の双方で良好なコントラストの表示が得られるようになっている。
【００７３】
さらに、上記構成の液晶表示装置３００によれば、画素電極３１の連結部３９，３９と平面的に重なる位置に、遮光部７７ｂ、７７ｃ、及び反射層７７ａの一部が配されているので、バックライト１５からの照明光が、前記連結部３９，３９の形成領域に対し入射しないことから、連結部３９，３９近傍での液晶分子の配向乱れに起因する漏れ光の発生を良好に防止でき、さらに表示の高コントラストを実現でき、高画質の反射表示及び透過表示を得られるようになっている。
【００７４】
また本実施形態では、遮光部７７ｂは、反射層７７ａと同一層に同一材料を用いて形成されているので、反射層７７ａと同一工程で形成することができ、したがって工程の負荷を増大させることなくコントラストの向上を図ることができる。また透過表示領域を構成する島状部３１ａ、３１ｂ間の連結部３９に対向する位置に遮光部７７ｂが設けられているが、この遮光部７７ｂは反射層７７ａと同様に光反射性を有しており、反射表示時の明るさ向上に寄与する。透過表示では、わずかな液晶の配向乱れも残像として視認されやすいが、反射表示では通常反射光を散乱させて表示を行うので、液晶の配向乱れが目立ちにくい。したがって、遮光部７７ｂによる反射光を表示に利用した場合には、連結部近傍での配向乱れよりも反射光による表示輝度の向上の方が大きく作用し、半透過反射型ないし反射型の液晶表示装置では表示品質の向上に有効な構成となる。
【００７５】
（電子機器）
次に、本発明の上記実施の形態の液晶表示装置を備えた電子機器の具体例について説明する。
図９は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図９において、符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は上記液晶表示装置を用いた表示部を示している。このような携帯電話等の電子機器の表示部に、上記実施の形態の液晶表示装置を用いた場合、広視野角かつ高コントラストの表示が可能な液晶表示部を備えた電子機器を実現することができる。
【００７６】
また本発明に係る液晶表示装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができるものである。
【００７７】
なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば上記実施の形態では、平面視が円形の誘電体突起を設けた例を示したが、配向制御手段たる誘電体突起の形状や寸法等については、上記実施の形態に限ることなく適宜変更が可能である。また、ＴＦＤをスイッチング素子としたアクティブマトリクス型液晶表示装置に本発明を適用した例を示したが、スイッチング素子としてＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置、コンタクトホールを持たないパッシブマトリクス型液晶表示装置などに本発明を適用することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】第１実施形態に係る液晶表示装置の等価回路図。
【図２】同、電極構造を示す平面構成図。
【図３】同、１ドット領域の構成を示す図。
【図４】同、半透過反射型の構成例における１ドット領域を示す図。
【図５】同、反射型の構成における１ドット領域を示す構成図。
【図６】第２実施形態に係る液晶表示装置の１ドット領域を示す構成図。
【図７】第２実施形態の変形例に係る液晶表示装置の１ドット領域を示す構成図。
【図８】第３実施形態に係る液晶表示装置の１ドット領域を示す構成図。
【図９】電子機器の一例を示す斜視構成図。
【符号の説明】
【００７９】
１００，１００Ａ，１００Ｂ，２００Ａ，２００Ｂ，３００  液晶表示装置、１０  下基板、１５  バックライト（照明手段）、２５  上基板、３１  画素電極、３１ａ〜３１ｃ  島状部、３３ａ，３３ｂ，８８ａ，８８ｂ  遮光部（遮光手段）、３９，７９ｒ  連結部、４０  ＴＦＤ素子（スイッチング素子）、７３〜７５，８３〜８５  誘電体突起（配向制御手段）、９，７９  対向電極、７６  液晶層厚調整層、７７，７７ａ，７８  反射層、７９ａ〜７９ｃ  島状部、Ｓ１〜Ｓ３  サブドット領域、Ｄ  ドット領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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