(57)【要約】      （修正有）【課題】磁気記録媒体に同時に水平記録と垂直記録を応用できる方法の提供。【解決手段】磁気記録媒体は順に基板とメッキされる底層と、緩衝層と、磁性記録層とを備えてなり、底層はその厚さを変更することにより記録媒体の磁性パラメータを同調することができる。製法は、（ａ）基板を提供するステップと、（ｂ）基板上に特定厚さ範囲を具備して記録媒体の磁気性質を同調する同調層を形成するステップと、（ｃ）同調層上に緩衝層を形成するステップと、（ｄ）緩衝層上に記録層を形成するステップとを備えてなる。磁気記録媒体の基板と記録層との間に配置される底層の厚さ変化を利用して磁気記録媒体の磁性及び磁気記録層の結晶優先方位を同調すると共に、底層厚さの変化により得られた磁気記録の優先方位、易磁化方向、抗磁力、磁気異方性及びヒステリシス曲線の角形比の性質を同調し、磁気記録媒体に垂直および／又は平行膜層表面の磁性を具備させる。【選択図】図１
2006351162.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板、
前記基板上に順にメッキされる底層、
前記底層上に位置する緩衝層および
前記緩衝層上に位置し磁性材料により組成された記録層とからなり、
ここで、該底層はその厚さを変更することにより記録媒体の磁性パラメータを同調させるものである磁気記録媒体。
【請求項２】
前記底層は第１の金属、第１の合金、第１の化合物、第１の酸化物及び第１の金属塩からなる群の中より一つ選ばれ、前記底層を構成する第１の金属は鉄（Fe）、コバルト（Co）、ニッケル（Ni）、白金（Pt）、銀（Ag）、金（Au）、クロム（Cr）、パラジウム（Pd）、銅（Cu）、タングステン（w）、チタン（Ti）、タンタル（Ta）、ニオブ（Nb）、マンガン（Mn）、ルテニウム（Ru）及びモリブデン（Mo）等からなる群より一つ選ばれ、前記底層を構成する第１の合金は第１の金属−非金属合金、第１の金属−金属合金、第１の金属-半導体合金及び第１の金属−半金属合金からなる群の中より一つ選ばれ、前記第１の金属−金属合金はクロム基合金であり、前期クロム基合金はクロム・ルテニウム（CrRu）合金、クロム・モリブデン（CrMo）合金、クロム・タングステン（CrW）合金及びクロム・タンタル（CrTa）合金等からなる群の中より一つ選ばれ、前記底層を構成する前記第１の酸化物は、酸化マグネシウム（MgO）及び酸化ニッケル（NiO）の中のいずれか一つであり、前記底層を構成する前記金属塩は塩化ナトリウム（NaCl）であり、及び／又は前記底層の厚さは0.5〜200ナノメータである請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記磁性パラメータは前記磁気記録媒体の優先方位、抗磁力、磁気アンアイソトロピー（磁気異方性）及びヒステリシス曲線の角形比からなる群より選ばれ、前記緩衝層は第２の金属、第２の合金、第２の化合物、第２の酸化物及び第２の金属塩からなる群の中の一つより選ばれ、前記緩衝層を構成する第２の金属は鉄（Fe）、コバルト（Co）、ニッケル（Ni）、白金（Pt）、銀（Ag）、金（Au）、クロム（Cr）、パラジウム（Pd）、銅（Cu）、タングステン（w）、チタン（Ti）、タンタル（Ta）、ニオブ（Nb）、マンガン（Mn）、ルテニウム（Ru）及びモリブデン（Mo）等からなる群の中より一つ選ばれ、前記緩衝層を構成する第２の合金は第２の金属−非金属合金、第２の金属−金属合金、第２の金属−半導体合金及び第２の金属−半金属合金からなる群の中より一つ選ばれ、前記第２の金属−金属合金はクロム基合金であり、前記クロム基合金はクロム・ルテニウム（ＣｒＲｕ）、クロム・モリブデン（ＣｒＭｏ）合金、クロム・タンクステン（ＣｒＷ）合金、及びクロム・タンタル（ＣｒＴａ）合金等からなる群の中より一つ選ばれ、前記緩衝層を構成する前記第２の酸化物は酸化マグネシウム（ＭｇＯ）及び酸化ニッケル（ＮｉＯ）の中のいずれか一つであり、及び／又は前記緩衝層を構成する前記第２の金属塩は塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）である請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
前記緩衝層の厚さは0.2〜80ナノメータであり、前記記録層の厚さは3〜100ナノメータであり、前記記録層の飽和磁化量は100〜1500emu/cm3であり、前記磁気記録層第１の材料及び第２の材料の合金材料により組成されてなり、前記合金材料は多結晶質合金材料又は単結晶質合金材料であり、前記第１の材料は鉄（Fe）及びコバルト（Co）の中から一つ選ばれ、前記第２の材料は白金（Pt）及びパラジウム（Pd）の中から一つ選ばれ、前記第１の材料の原子組成比は30%〜70%であり、特に40%〜60%が好適であり、前記合金材料は更に少なくとも第３の材料を包含してなり、及び／又は前記第３の材料は銀（Ag）、金（Au）、クロム（Cr）、銅（Cu）、タングステン（W）、チタン（Ti）、タンタル（Ta）、ニオブ（Nb）、マンガン（Mn）、モリブデン（Mo）、ジルコニウム（Zr）、バナジウム（V）、炭素（C）、硼素（B）、亜鉛（Zn）、ルテニウム（Ru）、燐（P）及び窒素（N）からなる群の中より一つ選ばれる請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
基板と前記基板上に位置して記録媒体の磁気記録性を同調する同調層と、前記同調層上に位置する緩衝層と記録層とを備えてなるチューナブル磁気記録媒体。
【請求項６】
前記同調層は金属、合金、化合物、酸化物及び第１の金属塩等からなる群の中より一つ選ばれ、前記同調層を構成する前記金属は鉄（Fe）、コバルト（Co）、ニッケル（Ni）、白金（Pt）、銀（Ag）、金（Au）、クロム（Cr）、パラジウム（Pd）、銅（Cu）、タングステン（W）、チタン（Ti）、タンタル（Ta）、ニオブ（Nb）、マンガン（Mn）、ルテニウム（Ru）及びモリブデン（Mo）等からなる群の中より一つ選ばれ、前記同調層を構成する前記合金は金属−非金属合金、金属−金属合金、金属−半導体合金及び金属−半金属合金からなる群の中より一つ選ばれ、前記金属−金属合金はクロム基合金であり、前記クロム基合金はクロム・ルテニウム（CrRu）合金、クロム・モリブデン（CrMo）合金、クロム・タングステン（CrW）及びクロム・タンタル（CrTa）合金等からなる群の中より一つ選ばれ、前記同調層を構成する前記酸化物は、酸化マグネシウム（MgO）及び酸化ニッケル（NiO）の中のいずれか一つであり、前記金属塩は塩化ナトリウム（NaCl）であり、前記同調層の厚さは0.5〜200ナノメータであり、前記磁気記録性質は磁気記録媒体の優先方位、抗磁力、磁気異方性及びヒステリシス曲線の角形比からなる群より選ばれ、前記抗磁力は1000〜25,000 Oeであり、及び／又は前記ヒステリシス曲線角形比は0.5〜１である請求項５記載のチューナブル磁気記録媒体。
【請求項７】
（ａ）基本を提供するステップと
（ｂ）前記基板上に、特定厚さ範囲を具備して前記チューナブル記録媒体の磁気記録性質を同調する同調層を形成するステップと
（ｃ）前記同調層上に緩衝層を形成するステップと
（ｄ）前記緩衝層上に記録層を形成するステップと
を備えてなるチューナブル磁気記録媒体の製作方法。
【請求項８】
前記ステップ（ｂ）は、スパッタリング方式を利用して第１の温度20〜800℃で前記同調層を形成してなり、前期第１の温度の好適な温度は300〜350℃であり前記ステップ（ｃ）はスパッタリング方式を利用して第２の温度25〜800℃で前記緩衝層を形成してなり、前記第２の温度の好適な温度は300〜350℃であり、前記ステップ（ｄ）はスパッタリング方式を利用して第３の温度100〜800℃で前記磁気記録層を形成してなり、及び／又は前記第３の温度の好適な温度は250〜450℃である請求項７記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は記録媒体及びその製作方法に関し、特に磁気記録媒体及びその製作方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録媒体は記録媒体のヒステリシス特性を利用してデータを記録及び再現する技術であって、記録媒体の磁化方向の変化により、デジタルデータ“１”及び“０”を代表して記憶される。
磁気記録媒体の記録方式はその記録ビットのマグネチック・モーメント方向に基づいて水平記録方式と垂直記録方式との２種に分けられ、水平記録方式が常用されている。この水平記録方式において記録ビットのマグネチック・モーメントはフィルム面上に水平に存在しているが、もし記録密度を上げて記録ビットのサイズを縮小しようとすると、消磁場の増加を来し、マグネチック・モーメントの不安定現象が発生する。この場合、書き込まれたデータはその熱安定性が比較的劣るために容易に消失し、超高記録密度の需要に供することができない。
【０００３】
垂直記録方式は記録媒体において記録ビットのマグネチック・モーメントがフィルム面に垂直となり記録ビットが縮小すると、記録粒子が柱状構造を形成するので、その消磁場が比較的小さくなり、粒子の縮小時にもたらすマグネチック・モーメントの不安定の状況を克服でき、記録されたデータを完全に留める。
１Tb/in2以上の高記録密度の目標を達成するために、磁気記録媒体は高抗磁力（Hc）、高飽和磁化量（Ms）、極めて高いマグネットクリスタリン・アンアイソトロピー（磁気異方性）定数（Ku）、小グレーン・サイズ、及び良好な抗腐蝕性の特性を具備しなければならない。グレーン・サイズが10ナノメータまでに縮小すると、垂直記録媒体が水平記録媒体よりも超常磁性の問題を克服できるので、水平記録方式に比べて垂直記録方式がより磁気記録媒体の記録密度を効果的に上げることができる。しかしながら、該分野の技術上の困難なために磁気ヘッド・磁極の設計、磁気ヘッドと磁気ディスクとの間の距離等の問題を克服するのが容易でなく、垂直記録方式の磁気媒体がずっと商業化できない所以となっている。
したがって従来はやはり水平記録方式を主要なハード・ディスク記録方式としている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の磁気記録媒体が同時に水平記録及び垂直記録に応用できない問題を克服するために、出願人により鋭意試験と研究とを重ねた結果、ついに「チューナブル磁気記録媒体及びその製作方法」を発明した。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
即ち、本発明の課題を解決するための手段は、磁気記録媒体における基板と記録層との間に適当な底層及び緩衝層を配置し、底層の厚さの変化を利用して該磁気記録媒体の磁性及び磁気記録層の結晶優先方位を調整すると共に、本発明の方法を利用して、底層厚さの変化により得られた磁気記録媒体の優先方位、易磁化方向、抗磁力、磁気異方性及びヒステリシス曲線の角形比等の性質を同調し、磁気記録媒体に垂直又は平行膜層表面の磁性を具備させることにある。
【０００６】
本発明により提供される磁気記録媒体は、基板と該基板上に順にメッキされる底層と、該底層上に位置する緩衝層と、該緩衝層上に位置し、磁性材料により組成された記録層とを備えてなり、その中該底層はその厚さを変更することにより該磁気記録媒体の磁性パラメータを同調することができる。
【０００７】
上記本発明の磁気記録媒体において、該底層は第１の金属、第１の合金、第１の化合物、第１の酸化物及び第１の金属塩からなる群の中より一つ選ばれる。
上記底層を構成する第１の金属は鉄（Fe）、コバルト（Co）、ニッケル（Ni）、白金（Pt）、銀（Ag）、金（Au）、クロム（Cr）、パラジウム（Pd）、銅（Cu）、タングステン（W）、チタン（Ti）、タンタル（Ta）、ニオブ（Nb）、マンガン（Mn）、ルテニウム（Ru）及びモリブデン（Mo）等からなる群より一つ選ばれる。
【０００８】
上記底層を構成する第１の合金は第１の金属−非金属合金、第１の金属−金属合金、第１の金属−半導体合金及び第１の金属−半金属合金からなる群の中より一つ選ばれる。
上記第１の合金において、該第１の金属−金属合金はクロム基合金である。
上記クロム基合金は、クロム・ルテニウム（CrRu）合金、クロム・モリブデン（CrMo）合金、クロム・タングステン（CrW）合金及びクロム・タンタル（CrTa）合金等からなる群の中より一つ選ばれる。
【０００９】
上記底層において、該第１の酸化物は酸化マグネシウム（MgO）及び酸化ニッケル（NiO）の中のいずれか一つである。
上記底層において、該金属塩は塩化ナトリウム（NaCl）である。
上記底層の厚さは0.5〜200ナノメータである。
上記本発明の磁気記録媒体において、該磁性パラメータは磁気記録媒体の優先方位（Preferred Orientation）、抗磁力（Coercivity）、磁気異方性及びヒステリシス曲線の角形比からなる群より選ばれる。
【００１０】
また上記本発明の磁気記録媒体において、該緩衝層は第２の金属、第２の合金、第２の化合物、第２の酸化物及び第２の金属塩等からなる群の中から一つ選ばれる。
上記緩衝層において、該第２の金属は鉄（Fe）、コバルト（Co）、ニッケル（Ni）、白金（Pt）、銀（Ag）、金（Au）、クロム（Cr）、パラジウム（Pd）、銅（Cu）、タングステン（W）、チタン（Ti）、タンタル（Ta）、ニオブ（Nb）、マンガン（Mn）、ルテニウム（Ru）及びモリブデン（Mo）等からなる群の中より一つ選ばれる。
また上記緩衝層において、該第２の合金は第２の金属−非金属合金、第２の金属−金属合金、第２の金属−半導体合金及び第２の金属−半金属合金からなる群の中より一つ選ばれる。
上記第２の合金において、該第２の金属−金属合金はクロム基合金である。
上記クロム基合金はクロム・ルテニウム（CrRu）合金、クロム・モリブデン（CrMo）合金、クロム・タングステン（CrW）合金及びクロム・タンタル（CrTa）合金等からなる群の中より一つ選ばれる。
上記緩衝層において、該第２の酸化物は酸化マグネシウム（MgO）及び酸化ニッケル（NiO）の中のいずれか一つである。
また上記緩衝層において、該第２の金属塩は塩化ナトリウム（NaCl）である。
上記緩衝層の厚さは0.2〜80ナノメータである。
【００１１】
上記本発明の磁気記録媒体において、該磁気記録層は第１の材料及び第２の材料の合金材料により組成されてなる。
上記磁気記録層において、該合金材料は多結晶質合金材料又は単結晶質合金材料である。
また上記磁気記録層において、該第１の材料は鉄（Fe）、コバルト（Co）の中から一つ選ばれる。
また上記磁気記録層において、該第２の材料は白金（Pt）及びパラジウム（Pd）の中から一つ選ばれる。
上記第１の材料の原子組成比例は30%〜70%であり、特に40%〜60%が好適である。
上記磁気記録層において、該合金材料は更に少なくとも第３の材料を包含する。
上記第３の材料は、銀（Ag）、金（Au）、クロム（Cr）、銅（Cu）、タングステン（W）、チタン（Ti）、タンタル（Ta）、ニオブ（Nb）、マンガン（Mn）、モリブデン（Mo）、ジルコニウム（Zr）、バナジウム（V）、炭素（C）、硼素（B）、亜鉛（Zn）、ルテニウム（Ru）、鄰（P）及び窒素（N）等からなる群の中から一つ選ばれる。
上記記録層の厚さは3〜100ナノメータである。
また上記記録層の飽和磁化量は100〜1500emu/cm3である。
【００１２】
本発明により提供されるチューナブル（tunable）磁気記録媒体は基板と、該基板上に位置して該記録媒体の磁気記録性を同調する同調層と、該同調層上に位置する緩衝層と、記録層とを備えてなる。
上記本発明のチューナブル磁気記録媒体において、該同調層は金属、合金、化合物、酸化物及び第１の金属塩等からなる群の中より一つ選ばれる。
【００１３】
上記同調層において、該金属は鉄（Fe）、コバルト（Co）、ニッケル（Ni）、白金（Pt）、銀（Ag）、金（Au）、クロム（Cr）、パラジウム（Pd）、銅（Cu）、タングステン（W）、チタン（Ti）、タンタル（Ta）、ニオブ（Nb）、マンガン（Mn）、ルテニウム（Ru）及びモリブデン（Mo）等からなる群の中より一つ選ばれる。
また上記同調層において、該合金は金属−非金属合金、金属−金属合金、金属−半導体合金及び金属−半金属合金からなる群の中より一つ選ばれる。
上記合金において該金属−金属合金はクロム基合金である。
上記クロム基合金はクロム・ルテニウム（CrRu）合金、クロム・モリブデン（CrMo）合金、クロム・タングステン（CrW）及びクロム・タンタル（CrTa）合金等からなる群の中より一つ選ばれる。
上記同調層において、該酸化物は酸化マグネシウム（MgO）及び酸化ニッケル（NiO）の中のいずれか一つであり、
上記同調層の厚さは0.5〜200ナノメータである。
また上記同調層において該磁気記録性質は磁気記録媒体の優先方位、抗磁力、磁気異方性及びヒステリシス曲線の角形比からなる群より選ばれる。
上記磁気記録性質において該抗磁力は1000〜25000 Oeである。
また上記磁気記録性質において、該ヒステリシス曲線角形比は0.5〜1である。
【００１４】
更には本発明により提供されるチューナブル磁気記録媒体の製法方法は（ａ）基板を提供するステップと、（ｂ）該基板上に特定の厚さ範囲の厚さを具備して該チューナブル記録媒体の磁気記録性質を同調する同調層を形成するステップと、（ｃ）該同調層上に緩衝層を形成するステップと、（ｄ）該緩衝層上に記録層を形成するステップとを備えてなる。
上記製作方法において、該ステップ（ｂ）はスパッタリング方式を利用して第１の温度20〜800℃で該同調層を形成する。
上記第１の温度の好適な温度は300〜350℃である。
上記製作方法において、ステップ（ｃ）はスパッタリング方式を利用して第２の温度25〜800℃で該緩衝層を形成する。
上記第２の温度の好適な温度は300〜350℃である。
上記製作方法において、該ステップ（ｄ）はスパッタリング方式を利用して第３の温度100〜800℃で該磁気記録層を形成する。
上記第３の温度の好適な温度は250〜450℃である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下添付図面を参照しながら実施の形態を説明する。
先ず本発明のチューナブル磁気記録媒体の製作方法を説明する。
図１は本発明のチューナブル磁気記録媒体の製作フローを示す。先ずステップ11に示すように基板を準備する。次にステップ12に示すように該基板上に特定厚さ範囲を有する底層（即ち同調層）を形成する。次にステップ13に示すように該同調層上に緩衝層を形成する。最後にステップ14に示すように該緩衝層上に記録層を形成し本発明のチューナブル磁気記録媒体の製作方法を完成する。
【００１６】
本発明においては、自己設計した水冷式高真空スパッタリング系統を利用してスパッタリング方式でそれぞれ第１の温度20〜800℃と第２の温度25〜800℃とで該同調層及び該緩衝層をメッキして製作する。このほかに同様にスパッタリング方式を利用して第３の温度100〜800℃で該記録層を形成する。
【００１７】
本発明は特定厚さの底層を該チューナブル磁気記録媒体の同調層として利用することにより、該磁気記録媒体の結晶優先方位（Preferred Orientation）、抗磁力（Coercivity）、磁気異方性及びヒステリシス曲線角形比等の性質を同調する。該底層は白金（Pt）、銀（Ag）、金（Au）、クロム（Cr）、パラジウム（Pd）、銅（Cu）、鉄（Fe）、タングステン（W）、チタン（Ti）、タンタル（Ta）、ニオブ（Nb）、マンガン（Mn）又はモリブデン（Mo）等の金属、又は参加マグネシウム（MgO）及び酸化ニッケル（NiO）等の酸化物、もしくは塩化ナトリウムによりより構成され、その厚さは0.5〜200ナノメータである。
また本発明のチューナブル磁気記録媒体において該底層は白金（Pt）、銀（Ag）、金（Au）、クロム（Cr）、パラジウム（Pd）、銅（Cu）、鉄（Fe）、タングステン（W）、チタン（Ti）、タンタル（Ta）、ニオブ（Nb）、マンガン（Mn）又はモリブデン（Mo）等の金属より構成され、その厚さは0.2〜80ナノメータである。
【００１８】
本発明に使用される記録層は少なくとも第１の材料及び第２の材料により組成された多結晶合金材料又は単結晶合金材料により構成される。その中該第１の材料は鉄（Fe）、コバルト（Co）であり、それが占める原子組成比例は30％〜70％、特に40％〜60％の範囲が好適である。そして第２の材料は白金（Pt）又はパラジウム（Pd）である。この他に、該記録層も第３の材料、例えば銀（Ag）、金（Au）クロム（Cr）、銅（Cu）、タングステン（W）、チタン（Ti）、タンタル（Ta）、亜鉛（Zn）、鄰（P）又は窒素（N）等からなる。該記録層の好適な厚さは3〜100ナノメータであり、且つその飽和磁化量は100〜1500emu/cm3である。
【００１９】
以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明する。実施例では、珪素基板またはガラス基板（Corning7059系列）を本発明のチューブナル磁気記録媒体の基板材料とし、且つクロム（Cr）層を底層（同調層）とし、そして鉄白金（FePt）層を記録材料として使用する。
【００２０】
先ずアセトン及び無水アルコールで基板を洗浄し、きれいに洗ってから該基板をスパッタリング系統の真空チャンバー中に置き、基板が大気に暴露した時に基板上に付着した水蒸気、酸素ガス、窒素ガス等を効果的に除去するために、フィルムメッキを行う前に無線周波数（RF）方式を利用して基板の表面に対してプレ・スパッタリングの清潔工作を進行する。基板のプレ・スパッタリングのステップを以下に示す：
（１）基板をスパッタリング系統の付属チャンバー体中に置き、10-7Torr以下の真空に予め排気する；
（２）アルゴン・ガスを該付属チャンバー体中に注入してアルゴン・ガスの圧力を10mTorrに維持する；
（３）無線周波数発生器を開き、出力パワーを20Wに調整して、アルゴン・ガスで基板の表面に対してクリーニングを進行する；
（４）クリーニングを完成した基板をスパッタリング系統真空チャンバー体中に送る；及び
（５）継続的に真空チャンバー体に対して真空に30〜60分間吸気し、圧力が5×10-9Torrに降下すればフィルムのスパッタリングを開始する。
【００２１】
次に既にクリーニングした基板の上に所要のフィルム層序でスパッタリングする。そのスパッタリングステップを以下に示す：
（１）基板を350℃まで加熱し、温度を20分間維持して均等に熱を受けさせる；
（２）アルゴン・ガスを導入してアルゴン・ガスの圧力を5mTorrに維持する；
（３）アルゴン・ガスの圧力が安定すれば、クロム（Cr）ターゲットを利用して不同厚さ（0〜110nm）のクロム底層を該基板上にスパッタリングする（そのスパッタリング条件はＤＣパワー100W、バイアス200V、載置台回転速度5mTorrである）；
（４）クロム・ターゲットの遮板及びＤＣパワーをクローズすると共に、アルゴン・ガス圧力を10mTorrまでに調整して基板温度を350℃に維持する；
（５）アルゴン・ガス圧力が安定すれば、白金（Pt）ターゲットを利用して厚さ２ナノメータの白金緩衝層を該クロム底層上にスパッタリングする；
（６）白金ターゲットの遮板及びＤＣパワーをクローズすると共に、基板の温度を450℃に調整して、アルゴン・ガス圧力を10mTorrに維持する；
（７）アルゴン・ガス圧力が安定すれば、鉄（Fe）ターゲット及び白金（Pt）ターゲットを利用して鉄白金（FePt）層（厚さ20nm）を該白金緩衝上にスパッタリングし、本発明のチューナブル磁気記録媒体を形成する；
（８）スパッタリングが完成した後、鉄（Fe）ターゲット及び白金（Pt）ターゲットの遮板及びＤＣパワーをクローズして、アルゴン・ガス圧力10mTorr下でスパッタリング系統の石英加熱灯をクローズし、フィルムが真空チャンバー体中で100℃以下に冷却してから得られたチューナブル磁気記録媒体を取出し、外気と接触した時に高温酸化現象が発生しないようにする。
【００２２】
図２は本発明の方法を利用して製作されたチューナブル磁気記録媒体の断面見取図である。この図に示すように、該チューナブル磁気記録媒体は、珪素基板又はガラス基板（Corning7059系統）20を備え、該基板20上には順に底層21と緩衝層22と記録層23とが備えてあり、この実施例では、該底層21はクロム（Cr）層、該緩衝22白金（Pt）層、そして該記録層23は鉄白金（FePt）合金により構成された磁気記録層である。
【実施例１】
【００２３】
本発明のチューナブル磁気記録媒体の製作ステップに基づいて、記録層／緩衝層／底層がそれぞれFePt/Pt/Crである磁気記録媒体を製作した。その中、記録層（FePt層）の厚さは20nm、緩衝層（Pt層）の厚さは２nm、底層（Cr層）の厚さは０nmである。該磁気記録媒体が呈するヒステリシス曲線を図３ａに示す。
【実施例２】
【００２４】
本発明のチューナブル磁気記録媒体の製作ステップに基づいて、記録層／緩衝層／底層がそれぞれFePt/Pt/Crである磁気記録媒体を製作した。その中、記録層（FePt層）の厚さは20nm、緩衝層（Pt層）の厚さは２nm、底層（Cr層）の厚さは10nmである。該磁気記録媒体が呈するヒステリシス曲線を図３ｂに示す。
【実施例３】
【００２５】
本発明のチューナブル磁気記録媒体の製作ステップに基づいて、記録層／緩衝層／底層がそれぞれFePt/Pt/Crである磁気記録媒体を製作した。その中、記録層（FePt層）の厚さは20nm、緩衝層（Pt層）の厚さは２nm、底層（Cr層）の厚さは20nmである。該磁気記録媒体が呈するヒステリシス曲線を図３ｃに示す。
【実施例４】
【００２６】
本発明のチューナブル磁気記録媒体の製作ステップに基づいて、記録層／緩衝層／底層がそれぞれFePt/Pt/Crである磁気記録媒体を製作した。その中、記録層（FePt層）の厚さは20nm、緩衝層（Pt層）の厚さは２nm、底層（Cr層）の厚さは30nmである。該磁気記録媒体が呈するヒステリシス曲線を図３ｄに示す。
【実施例５】
【００２７】
本発明のチューナブル磁気記録媒体の製作ステップに基づいて、記録層／緩衝層／底層がそれぞれFePt/Pt/Crである磁気記録媒体を製作した。その中、記録層（FePt層）の厚さは20nm、緩衝層（Pt層）の厚さは２nm、底層（Cr層）の厚さは50nmである。該磁気記録媒体が呈するヒステリシス曲線を図３ｅに示す。
【実施例６】
【００２８】
本発明のチューナブル磁気記録媒体の製作ステップに基づいて、記録層／緩衝層／底層がそれぞれFePt/Pt/Crである磁気記録媒体を製作した。その中、記録層（FePt層）の厚さは20nm、緩衝層（Pt層）の厚さは２nm、底層（Cr層）の厚さは70nmである。該磁気記録媒体が呈するヒステリシス曲線を図３ｆに示す。
【実施例７】
【００２９】
本発明のチューナブル磁気記録媒体の製作ステップに基づいて、記録層／緩衝層／底層がそれぞれFePt/Pt/Crである磁気記録媒体を製作した。その中、記録層（FePt層）の厚さは20nm、緩衝層（Pt層）の厚さは２nm、底層（Cr層）の厚さは90nmである。該磁気記録媒体が呈するヒステリシス曲線を図３ｇに示す。
【実施例８】
【００３０】
本発明のチューナブル磁気記録媒体の製作ステップに基づいて、記録層／緩衝層／底層がそれぞれFePt/Pt/Crである磁気記録媒体を製作した。その中、記録層（FePt層）の厚さは20nm、緩衝層（Pt層）の厚さは２nm、底層（Cr層）の厚さは110nmである。該磁気記録媒体が呈するヒステリシス曲線を図３ｈに示す。
【００３１】
図３ａないし図３ｈはそれぞれ上記実施例（１）ないし実施例（８）のチューナブル磁気記録媒体のヒステリシス曲線関係図であり、各図における縦軸は該記録媒体磁化量M(emu/cm3)を示し、そして横軸は該磁気記録媒体に印加する印加磁界サイズH(KOe)である。各図において符号−■−は水平方向（//）の磁性を示し、符号−○−は垂直方向（⊥）の磁性を示す。図から分るように、クロム底層が20nmよりも薄い場合、該磁気記録媒体の水平角形比（S//）はその垂直角形比（S⊥）よりも大きいので、該磁気記録媒体は図３ａ及び図３ｂに示すように水平方向の磁性を呈する。反対にクロム底層の厚さが20nm以上の場合、該磁気記録媒体の水平角形比（Ｓ//）は垂直角形比（S⊥）よりも小さくなり、この場合該磁気記録媒体が垂直フィルム面方向の磁性を示すと共にクロム底層厚さの増加に従い、該磁気記録媒体の垂直角形比（S⊥）は図３ｃないし図３ｈに示すように次第に１に接近する。
【００３２】
図４は本発明の上記実施例に基づいて、該チューブナル磁気記録媒体における底層の厚さとその角形比（Ｓ//、S⊥）との関係及び該クロム底層の厚さとその垂直方向の抗磁力（Hc⊥）との関係を示す図である。図中、横軸はクロム底層の厚さを示し、そして両側縦軸はそれぞれ該磁気記録媒体の角形比（Squareness、S=Mr/Ms）及び抗磁力（Coercivity、Hc）サイズを示す。図４において符号−△−は該チューナブル磁気記録媒体の抗磁力（Hc⊥）を示し、符号−■−及び符号−○−はそれぞれ該チューナブル磁気記録媒体の水平角形比（Ｓ//）及び垂直角形比（S⊥）を示す。
【００３３】
図４に示すように該チューナブル磁気媒体におけるクロム底層の厚さが10nmの場合、該磁気記録媒体は水平磁性を呈し、その水平角形比（Ｓ//）は0.9となる；そしてクロム底層の厚さが20nmに達した場合、その垂直角形比（S⊥）は0.9以下に達し、この時該磁気記録媒体に垂直方向の磁性が現われ、しかる後クロム底層の厚さの増加に従い、該磁気記録媒体の水平角形比（S//）が徐々に降下する；その中クロム底層の厚さが110nmに達すると、該磁気記録媒体の水平角形比は僅かに約0.15となり該磁気記録媒体の水平磁気異方性が底層の厚さの増加について抑制される。
【００３４】
この他に図４から判断され得るように該磁気記録媒体の垂直フィルム面抗磁力（Hc⊥）はクロム底層の厚さの変化に従って変更され、クロム底層の厚さが70nmの場合、該磁気記録媒体は最高の垂直フィルム面抗磁力（Hc⊥）を有し、その値は約3600 Oeである。クロム底層の厚さが70nmよりも薄い場合、垂直フィルム面抗磁力はクロム底層の厚さの増加につれて増加される。そしてクロム底層の厚さが70nmよりも厚い場合、垂直フィルム面抗磁力サイズの大きさはクロム底層の厚さの増加につれて降下し、クロム底層の厚さが110nmに達すると、その垂直フィルム面抗磁力（Hc⊥）は2000 Oeよりも低くなる。
【００３５】
図５は本発明の上記実施例の磁気記録媒体におけるFePt/Pt/Crフィルムの微細構造とクロム底層厚さとの関係を示すX-線回折スペクトログラムである。この図５に示すようにクロム底層を添加していない時は、スペクトログラム中にはLIoFePt（111）相の回折ピークしかなく、FePt層は下方のPt(111)層のエピタキシに沿って形成されるので、図５におけるスペクトログラムＡに示すように単結晶FePt（111）の性質を呈する。けれどもクロム底層を添加すると、LIoFePt（111）の回折ピークは直ちに消失し、その他のLIoFePt相の回折ピークに転化する。また図５におけるスペクトログラムＢに示すように底層の厚さが10nmである場合、極小のLIoFePt（001）しか形成されないが、そのLIoFePt（200）は非常に顕著であり、LIoFePt相の易磁化軸[001]がフィルム面上に存在していることを表わし、FePt/Pt/Crフィルム層が水平方向の磁性を呈する。また図５におけるスペクトログラムＣに示すように、クロム底層の厚さが20nmである時LIoFePt（200）の構造が消失して高角度の（002）方位に転ずると同時に（001）の回折ピーク強度を強化し、LIoFePt（001）方位の易磁化軸[001]がフィルム面に垂直するので該FePt/Pt/Crフィルム層はフィルム面に垂直する磁気異方性を有する。クロム底層の厚さが次第に増加するにつれて、クロム（200）の結晶性は益々よくなり、これにより図５におけるスペクトログラムＤ、Ｅ及びＦに示すようにLIoFePt（001）の強度を増強する。この時、該FePt/Pt/Crフィルム層は垂直磁気異方性を現わす。
【００３６】
図６は本発明の上記実施例の磁気記録媒体におけるFePt/Pt/Crフィルム垂直磁気異方性の由来を説明するFePt/Pt/Crフィルムのエピタキシ見取図である。図（ａ）はbccCr（002）面であり、その結晶格子定数は2.88Å、そしてCr（002）面の対角線方向（110）長さは4.08Åである。図（ｂ）はPt（001）面であり、その結晶格子定数は3.92Åである。図（ｃ）はFePt（001）面であり、その結晶格子定数は3.86Åである。その原子堆積方式の平面図は図（ｄ）に示され、そしてフィルム層構造見取図は図（ｅ）に示される。また図（ｂ）および図（c）上方の矢印方向はCr、Pt及びFePt結晶格子の[100]及び[110]方向である。上記の説明から分るように本発明の磁気記録媒体において、クロム底層の（002）面の対角線方向[110]長さと白金層の（001）[100]との間の不適合程度（misfit）は約4.1％であるので、白金層はクロム底層の（002）面に沿って（001）の方位に成長する；そして白金層の(001)[100]と鉄白金層の(001)[100]との間の不適合程度は約1.6％であるので、鉄白金層は白金層の（001）に沿って（001）の方位に成長する。これは従来の鉄白金系記録層の磁気記録媒体に比べて本発明のチューナブル磁気記録媒体は適当な厚さのクロム底層を同調層として利用すれば、その上方に形成された鉄白金層をクロム底層の（002）面に沿って成長させることができ、これにより（001）優先方位を有する垂直異方性記録層が形成される。この他に、もしクロム底層の厚さが20nm以下であればCr(002)面の結晶方位が不明瞭であるために該底層上にメッキした白金緩衝層に（001）面の方位を失わさせ、これにより鉄白金層の易磁化軸が平行フィルム面の方向に傾いて配列され、水平磁気異方性を得る。従ってクロム底層の厚さを変改することにより、該磁気記録媒体の易磁化方向を垂直又は平行フィルム面方向に飽和磁化量サイズ（100〜1500emu/cm3）、抗磁力サイズ（1000〜25,000 Oe）、磁気異方性及びヒステリシス曲線の角形比（0.5〜1）等の磁性を同調することができる。これは従来の磁気記録媒体では到底達成できない特別な優位点である。
【００３７】
以上の説明を総合すれば、本発明は確かに新規性、進歩性及び産業実用性を具備し、発展価値を有する。
上記実施の形態、特に実施例は本発明をより具体的に理解させるために説明したもので、本発明の技術的思想は決してこれら説明に限定されず、添付クレームの範囲を逸脱しない限り当業者による単純な設計変更、付加、修飾はいずれも本発明の技術的範囲に属する。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明のチューナブル磁気記録媒体の製作フロー・チャート図
【図２】本発明の方法を利用して製造されたチューナブル磁気記録媒体の断面見取図
【図３ａ】本発明の実施例（１）の磁気記録媒体のヒステリシス曲線図
【図３ｂ】本発明の実施例（２）の磁気記録媒体のヒステリシス曲線図
【図３ｃ】本発明の実施例（３）の磁気記録媒体のヒステリシス曲線図
【図３ｄ】本発明の実施例（４）の磁気記録媒体のヒステリシス曲線図
【図３ｅ】本発明の実施例（５）の磁気記録媒体のヒステリシス曲線図
【図３ｆ】本発明の実施例（６）の磁気記録媒体のヒステリシス曲線図
【図３ｇ】本発明の実施例（７）の磁気記録媒体のヒステリシス曲線図
【図３ｈ】本発明の実施例（８）の磁気記録媒体のヒステリシス曲線図
【図４】本発明の実施例（１）ないし実施例（８）に基づいて、該磁気記録媒体におけるクロム底層の厚さとその角形比（Ｓ//、S⊥）との関係、及び該クロム底層の厚さとその抗磁力（Hc⊥）との関係を説明する図
【図５】本発明の上記実施例の磁気記録媒体におけるFePt/Pt/Crフィルム層順序の微構造と、クロム底層の厚さとの関係を説明するＸ−線回折スペクトログラム
【図６】本発明の磁気記録媒体中のFePt/Pt/Crフィルム層間のエピタキシ関係を説明するFePt/Pt/Crフィルム層順序界面間の原子配列見取図
【符号の説明】
【００３９】
11、12、13、14    ステップ
20    基板
21    底層
22    緩衝層
23    記録層
Ａ、B、C、D、E、F    Ｘ−線回折スペクトログラム
【図１】
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【図２】
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【図３ａ】
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【図３ｂ】
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【図３ｃ】
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【図３ｄ】
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【図３ｅ】
2006351162.tif 000009
【図３ｆ】
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【図３ｇ】
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【図３ｈ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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