(57)【要約】【課題】キャリアに搬入する前のウェハやキャリアから搬出したウェハからパーティクルを効果的に除去できる処理システム及び処理方法を提供する。【解決手段】基板Ｗを処理する処理システムに，基板Ｗを処理する処理部と，複数枚の基板Ｗを収納する収納容器Ｃを載置する載置台４０と，基板Ｗを略水平な姿勢で保持し，前記収納容器Ｃの開口２０を介して収納容器Ｃ内に対して基板Ｗを搬入出させる基板搬送装置６０とを備えた。そして，基板搬送装置６０によって保持された基板Ｗに対して，開口２０側から開口２０の外側に向かう方向にガスを供給するガス供給口７３を設けた。【選択図】  図９
2006351864.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理システムであって，
基板を処理する処理部と，複数枚の基板を収納する収納容器を載置する載置台と，基板を略水平な姿勢で保持し，前記収納容器の開口を介して前記収納容器内に対して基板を搬入出させる基板搬送装置とを備え，
前記基板搬送装置によって保持された基板に対して，前記開口側から前記開口の外側に向かう方向にガスを供給するガス供給口を設けたことを特徴とする，処理システム。
【請求項２】
前記ガス供給口は，前記開口の幅方向において前記開口の両側に設けられたことを特徴とする，請求項１に記載の処理システム。
【請求項３】
前記ガス供給口は，上下に複数並べて設けられたことを特徴とする，請求項１又は２に記載の処理システム。
【請求項４】
前記ガス供給口は，前記開口の幅方向に複数並べて設けられたことを特徴とする，請求項１に記載の処理システム。
【請求項５】
前記ガス供給口は，前記開口に対して相対的に昇降可能であることを特徴とする，請求項１，２又は４に記載の処理システム。
【請求項６】
前記ガス供給口は，前記開口側から外側に向かうに従い下方に向かう方向に前記ガスを供給することを特徴とする，請求項１〜５のいずれかに記載の処理システム。
【請求項７】
前記ガスは不活性ガスであることを特徴とする，請求項１〜６のいずれかに記載の処理システム。
【請求項８】
前記ガスはイオン化されていることを特徴とする，請求項１〜７のいずれかに記載の処理システム。
【請求項９】
前記ガスの供給方向を可変としたことを特徴とする，請求項１〜８のいずれかに記載の処理システム。
【請求項１０】
前記収納容器内に第二のガスを供給する第二のガス供給口を設けたことを特徴とする，請求項１〜９のいずれかに記載の処理システム。
【請求項１１】
前記収納容器内の雰囲気を吸引する吸引口を設けたことを特徴とする，請求項１〜１０のいずれかに記載の処理システム。
【請求項１２】
基板を処理する方法であって，
基板に所定の処理を施し，
前記所定の処理を施した基板を略水平に保持し，開口を介して収納容器内に搬入する際に，前記開口側から前記開口の外側に向かってガスを供給し，前記略水平に保持された基板に対して前記ガスを供給することを特徴とする，処理方法。
【請求項１３】
基板を処理する方法であって，
収納容器内に収納された基板を略水平に保持し，開口を介して前記収納容器内から搬出させる際に，前記開口側から前記開口の外側に向かってガスを供給し，前記略水平に保持された基板に対して前記ガスを供給し，
前記収容容器から搬出した基板に所定の処理を施すことを特徴とする，処理方法。
【請求項１４】
前記ガスは，前記開口の幅方向において前記開口の両側から供給されることを特徴とする，請求項１２又は１３に記載の処理方法。
【請求項１５】
前記ガスを供給するガス供給口の高さを調節し，前記略水平に保持された基板の上面に対して前記ガス供給口を近接させ，前記ガスを供給することを特徴とする，請求項１２又は１３に記載の処理方法。
【請求項１６】
前記ガスは，前記開口側から外側に向かうに従い下方に向かう方向に供給されることを特徴とする，請求項１２〜１５のいずれかに記載の処理方法。
【請求項１７】
前記ガスは不活性ガスであることを特徴とする，請求項１２〜１６のいずれかに記載の処理方法。
【請求項１８】
前記ガスはイオン化されていることを特徴とする，請求項１２〜１７のいずれかに記載の処理方法。
【請求項１９】
前記ガスの供給方向を変化させることを特徴とする，請求項１２〜１８のいずれかに記載の処理方法。
【請求項２０】
前記収納容器内に第二のガスを供給する工程を有することを特徴とする，請求項１２〜１９のいずれかに記載の処理方法。
【請求項２１】
前記収納容器内の雰囲気を吸引することを特徴とする，請求項１２〜２０のいずれかに記載の処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，基板を処理する処理システム及び処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばＬＳＩ等の半導体デバイスの製造プロセスにおいては，半導体デバイスがその表面に形成される半導体ウェハ（以下，「ウェハ」という）に対して洗浄処理，熱処理等の各種の処理を施す処理システムが用いられている。一般的に，かかる処理システムは，複数枚のウェハを略水平に並べて収納するキャリアを載置するキャリア載置部と，基板処理装置を備えた処理部と，キャリア載置部と処理部との間でウェハを搬送する基板搬送装置とを備えており，基板搬送装置によってキャリア内のウェハを略水平な姿勢のまま保持して搬出させ，処理部に搬送するようになっている。また，処理部で所定の処理が施されたウェハは，基板搬送装置によって処理部から搬出され，略水平な姿勢で保持されながらキャリア内に収納されるようになっている（例えば，特許文献１，２参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−２７３０５８号公報
【特許文献２】特開２００４−２２６７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら，今後さらに微細化される半導体デバイスの製造プロセスにおいては，処理済みのウェハを処理部からキャリアに戻す間にウェハの上面に落下するパーティクルによるウェハの汚染や，ウェハと共に持ち込まれるパーティクルによるキャリア内の汚染を低減することが要求される。特に，ウェハの洗浄を行う処理システムにおいては，洗浄処理後にウェハが汚染されると，洗浄処理の信頼性の低下の要因となる。また，キャリアから搬出された未処理のウェハにパーティクルが付着すると，処理部内にウェハと共にパーティクルが持ち込まれ，処理部の清浄度が低下する心配がある。
【０００５】
また，基板搬送部にＦＦＵ（ファンフィルターユニット）等を設け，ダウンフローを形成することで，パーティクルが舞い上がることを防止し，ウェハへのパーティクルの付着を抑制する方法も考えられるが，パーティクルは帯電して静電気力により付着していることが多く，ウェハから吹き飛ばし難い問題があった。
【０００６】
本発明の目的は，キャリアに搬入する前のウェハやキャリアから搬出したウェハからパーティクルを効果的に除去できる処理システム及び処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため，本発明によれば，基板を処理する処理システムであって，基板を処理する処理部と，複数枚の基板を収納する収納容器を載置する載置台と，基板を略水平な姿勢で保持し，前記収納容器の開口を介して前記収納容器内に対して基板を搬入出させる基板搬送装置とを備え，前記基板搬送装置によって保持された基板に対して，前記開口側から前記開口の外側に向かう方向にガスを供給するガス供給口を設けたことを特徴とする，処理システムが提供される。ここで，収納容器とは例えばキャリアである。かかる処理システムによれば，基板を収納容器に搬入出する際に，基板の上面に付着したパーティクルをガスの気流によって吹き飛ばして除去することができる。
【０００８】
前記ガス供給口は，前記開口の幅方向において前記開口の両側に設けても良く，上下に複数並べて設けても良い。また，前記ガス供給口は，前記開口の幅方向に複数並べて設けても良い。さらに，前記ガス供給口は，前記開口に対して相対的に昇降可能にしても良い。また，前記ガス供給口は，前記開口側から外側に向かうに従い下方に向かう方向に前記ガスを供給するようにしても良い。
【０００９】
前記ガスは不活性ガスであっても良い。前記ガスはイオン化されたものであっても良い。
【００１０】
また，前記ガスの供給方向を可変としても良い。前記収納容器内に第二のガスを供給する第二のガス供給口を設けても良い。前記収納容器内の雰囲気を吸引する吸引口を設けても良い。
【００１１】
さらに，本発明によれば，基板を処理する方法であって，基板に所定の処理を施し，前記所定の処理を施した基板を略水平に保持し，開口を介して収納容器内に搬入する際に，前記開口側から前記開口の外側に向かってガスを供給し，前記略水平に保持された基板に対して前記ガスを供給することを特徴とする，処理方法が提供される。
【００１２】
また，本発明によれば，基板を処理する方法であって，収納容器内に収納された基板を略水平に保持し，開口を介して前記収納容器内から搬出させる際に，前記開口側から前記開口の外側に向かってガスを供給し，前記略水平に保持された基板に対して前記ガスを供給し，前記収容容器から搬出した基板に所定の処理を施すことを特徴とする，処理方法が提供される。
【００１３】
前記ガスは，前記開口の幅方向において前記開口の両側から供給されることとしても良い。また，前記ガスを供給するガス供給口の高さを調節し，前記略水平に保持された基板の上面に対して前記ガス供給口を近接させ，前記ガスを供給するようにしても良い。前記ガスは，前記開口側から外側に向かうに従い下方に向かう方向に供給されることとしても良い。
【００１４】
前記ガスは不活性ガスであっても良い。前記ガスはイオン化されていることとしても良い。
【００１５】
さらに，前記ガスの供給方向を変化させても良い。前記収納容器内に第二のガスを供給する工程を有するとしても良い。また，前記収納容器内の雰囲気を吸引するようにしても良い。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば，処理済みの基板を収納容器に搬入する際にガスを供給し，基板の上面に沿ったガスの気流を形成することにより，基板の上面にパーティクルが付着していても，そのパーティクルをガスの気流によって吹き飛ばして除去することができる。従って，パーティクルが基板に付着して収納容器内に持ち込まれることを防止でき，収納容器内の清浄度が低下すること，及び，収納容器内に収納された処理済みの基板にパーティクルが付着することを防止できる。開口側から外側に向かってガスを供給することにより，パーティクルが収納容器に侵入することを防止できる。また，処理前の基板を収納容器から搬出する際にガスを供給し，基板の上面に沿ったガスの気流を形成することにより，基板の上面にパーティクルが付着していても，そのパーティクルをガスによって吹き飛ばして除去することができる。従って，パーティクルが基板に付着して処理部内に持ち込まれることを防止でき，処理部の清浄度が低下することを防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下，本発明の好ましい実施の形態を，基板の一例としてのウェハに対して洗浄処理を行う処理システムに基づいて説明する。図１は，本実施の形態にかかる処理システム１の平面図であり，図２はその側面図である。図３は，後述する処理部３のＸ−Ｚ面（略鉛直面）に沿った縦断面図である。図１及び図２に示すように，処理システム１は，外部から処理システム１に対して収納容器としてのキャリアＣを搬入出するための搬入出部２と，ウェハＷに洗浄処理を施す処理部３とを備えている。
【００１８】
搬入出部２は，複数枚，例えば２５枚のウェハＷを収納可能な容器であるキャリアＣを載置するキャリア載置部１０，及び，キャリア載置部１０と処理部３との間に設けられた基板搬送部１２を備えている。キャリア載置部１０，基板搬送部１２，処理部３は，Ｘ軸方向（略水平方向）においてこの順に並ぶように設けられている。キャリア載置部１０と基板搬送部１２とは，Ｘ−Ｚ面に沿って立設された境界壁部１５によって仕切られている。
【００１９】
ウェハＷは例えば略円形の薄板状をなし，複数枚がキャリアＣ内に収納された状態で，処理システム１の外部からキャリア載置部１０に一括して搬入される。図４に示すように，キャリアＣは，一側部（図４においては前面）が開口２０になっている箱状のキャリア本体２１と，開口２０を密閉可能な蓋体２２とを備えている。開口２０は略長方形状をなし，蓋体２２は開口２０とほぼ同じ大きさの略長方形板状をなす。この蓋体２２を開口２０内に挿入し，開口２０を閉塞することにより，キャリア本体２１の内部空間Ｓを密閉状態にすることができる。なお，蓋体２２には，蓋体２２を開口２０に固定するための図示しないロック機構が備えられている。
【００２０】
キャリア本体２１には，開口２０の周囲に沿って略長方形の枠状に形成されたフランジ部２３が設けられている。内部空間Ｓを挟んで対向する両側部２１ａ，２１ｂ（図４においては開口２０側からみて左側部及び右側部）の各内側壁には，ウェハＷの周縁部を保持するためのスロット２５が，複数個，例えば２５個ずつ設けられている。各内側壁において，各スロット２５は，開口２０側から他側部側に向かって直線状に延びる溝状に設けられており，また，互いに略平行に，所定間隔を空けて並べて設けられている。ウェハＷは，開口２０を介して内部空間Ｓに対し搬入出され，ウェハＷの周縁部は，両内側壁に設けられた一対のスロット２５にそれぞれ開口２０側から挿入出される。そして，ウェハＷの両側が一対のスロット２５によって保持された状態で，内部空間Ｓに収納されるようになっている。従って，各スロット２５にそれぞれウェハＷを一枚ずつ挿入することで，内部空間Ｓには，２５枚までの複数枚のウェハＷを，互いに略平行な姿勢で，所定の間隔を空けて並列に並べた状態で収納することができる。
【００２１】
図１及び図２に示すように，キャリア載置部１０には，所定数，例えば３個までのキャリアＣをＹ軸方向（Ｘ軸方向に対して略垂直な略水平方向）に一列に並べて載置可能なキャリア載置台４０が設けられている。また，境界壁部１５には，所定数，例えば３個のゲート４１が，Ｙ軸方向に並べて設けられている。各ゲート４１は，キャリア載置部１０側と基板搬送部１２側とに連通しており，キャリアＣの蓋体２２より僅かに大きく，また，フランジ部２３よりも小さい略長方形状に開口されている。かかる構成において，各キャリアＣは，キャリアＣ内のウェハＷを略水平にし，開口２０及びゲート４１の高さ方向（Ｚ軸方向，略鉛直方向）に上下に並べた状態で，また，フランジ部２３をゲート４１の外周囲に沿って境界壁部１５の側面に密着させた状態で，キャリア載置台４０の上面に載置される。蓋体２２はゲート４１の内側に対面するように配置される。
【００２２】
また，ゲート４１を基板搬送部１２側から閉塞するシャッター４２が，各ゲート４１に対してそれぞれ設けられている。各シャッター４２は，一側面が開口された箱体状をなし，図５に示すように，その開口はゲート４１より僅かに大きく形成されている。そして，開口の周縁部４２ｂ全体を，ゲート４１の外周囲に沿って境界壁部１５の側面（基板搬送部１２側の面）に密着させた状態で，ゲート４１を閉塞するようになっている。各シャッター４２は，シャッター移動機構４３（図２参照）の駆動により，それぞれＸ軸方向及びＺ軸方向に移動することができる。なお，図５に示すように，各シャッター４２の内側には，キャリアＣの蓋体２２のロック状態とアンロック状態とを切り換えて蓋体２２を開閉させる蓋体開閉機構５０が備えられており，蓋体開閉機構５０によって蓋体２２を保持してＸ軸方向に移動させ，開口２０を開閉することで，開口２０とゲート４１を連通させたり遮断させたりすることができる。さらに，ゲート４１を介して蓋体２２を基板搬送部１２内に移動させ，シャッター４２，蓋体開閉機構５０及び蓋体２２をゲート４１の下方に一体的に移動させることにより，開口２０，ゲート４１を介してウェハＷをキャリア本体２１の内部空間Ｓと基板搬送部１２との間で移動させることができる状態になる。
【００２３】
図１及び図２に示すように，基板搬送部１２内には，ウェハＷを搬送する基板搬送装置６０が配設されている。基板搬送装置６０は，本体６１と，一枚のウェハＷを略水平な姿勢で保持可能な搬送アーム６２とを備えている。本体６１は，Ｙ軸方向に水平移動，Ｚ軸方向に上下移動可能であり，かつ，Ｘ―Ｙ平面内（θ方向）で回転自在に構成されている。搬送アーム６２は，略水平方向に向けられた略平板状をなし，本体６１によって本体６１の上方に支持されており，本体６１に対して相対的にＸ−Ｙ平面内でスライド自在になっている。
【００２４】
図６に示すように，搬送アーム６２の上面の先端側には先端部材６５が設けられており，先端部材６５の基端側に沿って，先端部材６５より低い段部６６が設けられている。搬送アーム６２の上面の基端側には，段部６６とほぼ同じ高さの段部６７が設けられている。ウェハＷは，下面周縁部の対向する２箇所の部分が段部６６，６７にそれぞれ載せられ，端面が先端部材６５に当接させられた状態で，搬送アーム６２の上面側に保持されるようになっている。また，搬送アーム６２は，先端側をゲート４１側に向けてＸ軸方向に移動することで，図７に示すように，開放状態の各ゲート４１，キャリアＣの開口２０を介して，キャリア載置台４０に載置されたキャリア本体２１の内部空間Ｓに対して進退することができる。また，搬送アーム６２は，内部空間Ｓに収納されたウェハＷ同士の間の隙間に進入可能であり，任意の高さに保持されたウェハＷを下方から持ち上げて保持することができる。
【００２５】
かかる基板搬送装置６０は，本体６１をＹ軸方向とＺ軸方向とに適宜移動させることにより，各ゲート４１，また，後述する処理部３に設けられた各受け渡しユニット１０１Ａ，１０１Ｂにアクセス可能な位置に，搬送アーム６２を移動させることができる。そして，搬送アーム６２によって保持したウェハＷを，キャリア載置部１０側から処理部３側へ，逆に，処理部３側からキャリア載置部１０側へ搬送できる。
【００２６】
図２に示すように，基板搬送部１２の天井部には，基板搬送部１２内に清浄なガスをダウンフローを供給するダウンフロー供給装置としてのファンフィルターユニット（ＦＦＵ）７０が備えられている。ＦＦＵ７０から供給されるガスは，例えば空気，窒素（Ｎ２）ガス等の不活性ガス等である。また，図示はしないが，基板搬送部１２の底部には，基板搬送部１２内の雰囲気を排気する排気路が接続されている。
【００２７】
図１に示すように，基板搬送部１２内において，各ゲート４１及びシャッター４２の左右両側には，キャリア本体２１に搬入されるウェハＷにガスの流れを供給するための一対のガス供給機構７１Ａ，７１Ｂがそれぞれ設けられている。
【００２８】
ガス供給機構７１Ａ，７１Ｂは，Ｘ−Ｚ平面を中心として互いにほぼ対称な構造を有している。図８に示すように，各ガス供給機構７１Ａ，７１Ｂは，長さ方向をＺ軸方向に向けて立設された略円筒状の筒体７２と，各筒体７２の外周面に並べて設けられ，例えば窒素ガス等の不活性ガスを吐出するガス供給口７３を有する複数のノズル７４とをそれぞれ備えている。
【００２９】
各ガス供給機構７１Ａ，７１Ｂの筒体７２は，開口２０及びゲート４１の外側において，基板搬送装置６０側から見てゲート４１の左右両側にそれぞれ備えられている。各筒体７２の上端部は閉塞されており，筒体７２の下端部には，筒体７２の内部空間に連通するガス供給管８１が接続されている。ガス供給管８１は，基板搬送部１２の外部に設けられたガス供給源８２に接続されている。そして，このガス供給管８１の内部流路，及び，筒体７２の内部空間によって，ガス供給源８２から供給されたガスをガス供給口７３に供給するガス供給路８３が構成されている。なお，各ガス供給機構７１Ａ，７１Ｂのガス供給管８１は，途中で合流してガス供給源８２に接続されており，この合流部分に，開閉弁８４が介設されている。開閉弁８４は，コントローラ８５の制御命令によって開閉される。開閉弁８４を開くと，各ガス供給機構７１Ａ，７１Ｂのガス供給路８３を介して，各ガス供給機構７１Ａ，７１Ｂの総てのガス供給口７３から一斉にガスが吐出されるようになっている。なお，ガス供給源８２から各ガス供給口７３に供給されるガスは，例えば窒素ガス等の不活性ガスであり，十分に清浄化されている。
【００３０】
各ガス供給口７３は例えば略円形をなし，各ノズル７４の先端に開口している。そして，複数個，例えば２５個のガス供給口７３が，開口２０及びゲート４１の幅方向（Ｙ軸方向）において左右両側近傍に，Ｚ軸方向に沿って上下に一直線上に並ぶように，また，所定間隔を空けて配列されている。ガス供給口７３同士の間の間隔は，例えばキャリア本体２１内のスロット２５同士の間の間隔，即ち，キャリア本体２１内に収納されたウェハＷ同士の間の間隔とほぼ同じであれば良い。
【００３１】
また，各ノズル７４及びガス供給口７３は，平面視において，開口２０とは反対側の外側に向いた面に沿って設けられており，キャリア載置部１０に載置されたキャリア本体２１の開口２０側から開口２０の外側（基板搬送部１２側）に向かう方向にガスを吐出する。基板搬送装置６０側から見てゲート４１の左方に設けられたガス供給機構７１Ａの各ガス供給口７３は，開口２０側から外側に向かうに従い基板搬送装置６０側から見て右方かつ下方に向かうように傾斜した方向にガスを供給し，基板搬送装置６０側から見てゲート４１の右方に設けられたガス供給機構７１Ｂの各ガス供給口７３は，開口２０側から外側に向かうに従い基板搬送装置６０側から見て左方かつ下方に向かうように傾斜した方向にガスを供給する。また，ガス供給機構７１Ａの各ガス供給口７３のガスの供給方向と，ガス供給機構７１Ｂの各ガス供給口７３のガスの供給方向とは，Ｘ−Ｚ面を中心として互いにほぼ対称な方向になっている。
【００３２】
また，最も上方に設けられたガス供給口７３は，最も上方に設けられたスロット２５よりも僅かに上方の高さに開口しており，その下の各ガス供給口７３は，Ｚ軸方向において，スロット２５同士の間の高さにそれぞれ一つずつ対応するように開口している。即ち，いずれの高さのスロット２５に挿入されるウェハＷに対しても，また，いずれの高さのスロット２５から搬出されるウェハＷに対しても，ウェハＷの上方のガス供給口７３からガスを供給できるような配置になっている。さらに，ガス供給機構７１Ａの各ガス供給口７３とガス供給機構７１Ｂの各ガス供給口７３とは，それぞれ一対ずつ互いに同じ高さに配置されている。そして，いずれの高さのスロット２５に挿入されるウェハＷに対しても，また，いずれの高さのスロット２５から搬出されるウェハＷに対しても，ガス供給機構７１Ａのガス供給口７３とガス供給機構７１Ｂのガス供給口７３とがそれぞれ一つずつ，ウェハＷの上面から見てほぼ同じ高さに近接配置されるようになっている。
【００３３】
かかる構成において，図９に示すように，搬送アーム６２によってウェハＷを保持し，開口２０及びゲート４１を介してキャリアＣの内部空間Ｓに搬入する際，各ガス供給機構７１Ａ，７１Ｂのガス供給口７３からガスを供給すると，開口２０及びゲート４１の外側において，搬入されるウェハＷの上面に沿って，開口２０側から外側に向かうガスの気流が形成される。このように，開口２０及びゲート４１の直前においてウェハＷの上面にガスを供給することにより，ウェハＷの上面からパーティクルを吹き飛ばして除去し，ウェハＷを清浄にした状態で内部空間Ｓに収納することができる。なお，開口２０の左右両側にガス供給口７３を配置し，搬入されるウェハＷの両側からガスを均等に供給することで，ウェハＷの上面全体にガスを供給させやすくなり，ウェハＷの上面全体からパーティクルを効率良く除去することができる。また，各ガス供給口７３から供給されるガスの流速は，ＦＦＵ７０から供給されるダウンフローの流速より速くなるように設定しても良い。そうすれば，ガスの気流によってダウンフローを押し流し，ウェハＷの上面に沿った横向きの気流を確実に形成することができる。
【００３４】
図１に示すように，処理部３には，中心部に配置された主ウェハ搬送機構９１の周りに，受け渡しユニット群９２，洗浄ユニット群９３，加熱・冷却ユニット群９４，及び，制御・ユーティリティユニット群９５が配置されている。
【００３５】
図３に示すように，主ウェハ搬送機構９１は，ウェハＷをそれぞれ略水平な姿勢で一枚ずつ保持する３本の搬送アーム９１ａ，９１ｂ，９１ｃを備えている。これらの搬送アーム９１ａ〜９１ｃを後述する受け渡しユニット１０１Ａ，１０１Ｂ，基板洗浄ユニット１１０Ａ〜１１０Ｄ，冷却ユニット１１１，加熱ユニット１１２Ａ〜１１２Ｃに対して選択的にアクセスさせ，各ユニットに対しウェハＷの搬入出を行えるようになっている。
【００３６】
受け渡しユニット群９２は，基板搬送部１２と主ウェハ搬送機構９１との間に配置され，受け渡しユニット１０１Ａ，１０１Ｂが，下からこの順に積み重ねられた構成になっている。
【００３７】
洗浄ユニット群９３は，主ウェハ搬送機構９１の左側方に配置されており，２台の基板洗浄ユニット１１０Ａ，１１０Ｂが下段にＸ軸方向に並べて配設され，その上段に２台の基板洗浄ユニット１１０Ｃ，１１０Ｄが，Ｘ軸方向に並べて配設された構成になっている。各基板洗浄ユニット１１０Ａ〜１１０Ｄは，例えばウェハＷを略水平に保持し，ウェハＷの上面に洗浄液を供給して洗浄する構成になっている。
【００３８】
加熱・冷却ユニット群９４は，主ウェハ搬送機構９１を挟んで受け渡しユニット群９２の反対側に配置され，冷却ユニット１１１，加熱ユニット１１２Ａ，１１２Ｂ，１１２Ｃが下からこの順に積み重ねられた構成になっている。
【００３９】
図１に示すように，制御・ユーティリティユニット群９５には，処理システム１の電源である電装ユニット１２１と，処理システム１内の各種装置の動作の制御を行う機械制御ユニット１２２と，基板洗浄ユニット１１０Ａ〜１１０Ｄに送液する所定の洗浄用薬液を貯蔵する薬液貯蔵ユニット１２３とが配設されている。
【００４０】
処理部３の天井部には，処理部３内に清浄なガスをダウンフローするＦＦＵ１７０が配設されている。ＦＦＵ１７０から供給されるガスは，例えば空気，窒素ガス等の不活性ガス等である。
【００４１】
次に，以上のように構成された処理システム１を用いたウェハＷの処理工程について説明する。先ず，未だ処理システム１における処理が施されていない複数枚のウェハＷが収納されたキャリアＣが，図示しないキャリア搬送装置によって処理システム１の外部から搬送され，キャリア載置部１０に載置される。キャリア載置部１０には，この未処理のウェハＷを収納したキャリアＣと，処理済のウェハＷを収納するための空のキャリアＣ’が載置される。図１に示した例では，未処理のウェハＷを収納したキャリアＣは，キャリア載置台４０において，最も左側及び中央部の載置位置に載置される。また，処理済みのウェハＷを収納するためのキャリアＣ’は，最も右側の載置位置に載置される。
【００４２】
なお，キャリアＣ（Ｃ’）をキャリア載置台４０に載置するとき，そのキャリアＣ（Ｃ’）に対応するゲート４１は，シャッター４２によって基板搬送部１２側から閉塞させられた状態にしておく。また，キャリアＣ（Ｃ’）は，蓋体２２によって開口２０が閉塞された状態になっている。
【００４３】
キャリア載置台４０上に載置されたキャリアＣ内のウェハＷは，各スロット２５に１枚ずつ収容されており，また，開口２０及びゲート４１の高さ方向に並んだ状態で収納されている。キャリアＣを載置したら，蓋体２２を開口２０から外し，シャッター移動機構４３の駆動により，図７に示すように，シャッター４２，蓋体開閉機構５０及び蓋体２２をゲート４１の下方に移動させる。
【００４４】
こうして，開口２０とゲート４１とを互いに連通させた状態にしたら，基板搬送装置６０の搬送アーム６２を，ゲート４１及び開口２０内に通過させて，キャリアＣの内部空間Ｓ内に進入させ，内部空間Ｓ内のウェハＷの下方に進入させる。そして，搬送アーム６２を上昇させ，一枚のウェハＷを搬送アーム６２の上面に載せて保持したら，搬送アーム６２をＸ軸方向に後退させ，ウェハＷの周縁部を両側のスロット２５内で後退させるようにしながら，ウェハＷを移動させる。こうして，一枚のウェハＷが基板搬送装置６０によってスロット２５から抜き出されて，内部空間Ｓから開口２０及びゲート４１を介して搬出される。
【００４５】
キャリアＣから搬出されたウェハＷは，略水平な姿勢のまま，基板搬送装置６０によって搬送され，図３に示す下段の受け渡しユニット１０１Ａに搬入され，主ウェハ搬送機構９１によって受け渡しユニット１０１Ａから取り出された後，基板洗浄ユニット１１０Ａ〜１１０Ｄのいずれかに搬送される。そして，基板洗浄ユニット１１０Ａ〜１１０Ｄのいずれかにおいて洗浄処理が行われる。
【００４６】
洗浄処理後，ウェハＷは主ウェハ搬送機構９１によって基板洗浄ユニット１１０Ａ〜１１０Ｄから搬出させられ，加熱ユニット１１２Ａ〜１１２Ｃのいずれかに搬入され，加熱による乾燥処理が施される。その後，必要に応じて冷却ユニット１１１にて冷却される。
【００４７】
乾燥処理又は冷却処理終了後，ウェハＷは加熱ユニット１１２Ａ（１１２Ｂ，１１２Ｃ）又は冷却ユニット１１１から搬出され，受け渡しユニット１０１Ｂに受け渡される。そして，基板搬送装置６０の搬送アーム６２によって受け渡しユニット１０１Ｂから取り出される。こうして，処理部３にて所定の処理が行われた処理済みのウェハＷが，略水平な姿勢のまま搬送アーム６２の上面に保持され，基板搬送部１２内に搬送される。
【００４８】
基板搬送部１２内において，ウェハＷは空のキャリアＣ’が載置された位置に対応する右側のゲート４１の前に搬送される。ここで，キャリアＣ’の蓋体２２は，蓋体開閉機構５０によって開口２０から外されており，シャッター４２及び蓋体開閉機構５０と共に，ゲート４１の下方に待機させられている。そして，図９に示すように，キャリアＣ’の開口２０とゲート４１が互いに連通した状態になっている。また，各ガス供給機構７１Ａ，７１Ｂのガス供給口７３からそれぞれガスを供給する。
【００４９】
かかる状態において，ウェハＷを保持した搬送アーム６２を，先端側がゲート４１に対向するように向け，ゲート４１の前方からゲート４１に向かってＸ軸方向に移動させ，ゲート４１及び開口２０内に通過させて，キャリア本体２１の内部空間Ｓに進入させる。ウェハＷは，ガス供給機構７１Ａのガス供給口７３とガス供給機構７１Ｂのガス供給口７３との間を通過して，ゲート４１及び開口２０内に進入させられる。このように搬送アーム６２に保持されたウェハＷを水平移動させてキャリア本体２１内に搬入する間，開口２０及びゲート４１の外側において，ウェハＷの上面には，ウェハＷより上方において左右に配置されたガス供給口７３から供給されたガスが，斜め上方から供給される。ウェハＷの上面に供給されたガスは，ウェハＷの上面に沿って外側に，即ち，Ｙ軸方向から見て搬送アーム６２及びウェハＷの移動方向（搬入方向）とは逆方向に向かって流れていく。こうして，キャリア本体２１へ搬入中のウェハＷの上面にガスの流れが形成されることにより，ウェハＷの上面にパーティクルが付着していても，パーティクルはウェハＷの上面に沿ったガスの気流によって横向きに吹き飛ばされ，ウェハＷの上面から除去される。
【００５０】
また，基板搬送部１２内において，キャリアＣ’への搬入中にウェハＷの上方からパーティクルが落下してきた場合も，かかるパーティクルは搬入中のウェハＷの上面に付着する前に，ウェハＷの上方において，ガス供給口７３から供給されるガスの横向きのエアーカーテン状の気流によって吹き飛ばされ，ウェハＷの上方から外れた位置に離れていく。従って，基板搬送部１２内の雰囲気中に存在するパーティクルが，内部空間Ｓへの搬入中にウェハＷの上面に付着することを防止できる。
【００５１】
なお，ウェハＷの上面から吹き飛ばされたパーティクルや，ウェハＷの上方から落下してきたパーティクル，基板搬送部１２内のパーティクル等は，ウェハＷの搬入方向とは逆方向に，即ち，開口２０から外側に離隔する方向に吹き飛ばされるので，開口２０を介して内部空間Ｓ内に侵入するおそれはない。従って，内部空間Ｓにパーティクルが侵入して内部空間Ｓ内のウェハＷに付着することを防止できる。また，ウェハＷの上面から吹き飛ばされたパーティクル，ウェハＷの上方から外れた位置に飛ばされたパーティクル等は，ウェハＷの外側において，ＦＦＵ７０から供給されるダウンフローによって，ウェハＷの下方に落下させられる。そして，図示しない排気路によって，基板搬送部１２内から排出される。従って，ウェハＷにパーティクルが付着することを防止できる。
【００５２】
また，ガス供給口７３から供給するガスを例えば窒素ガス等の不活性ガスとし，ウェハＷの上面を不活性ガスの気流によって覆うことにより，ウェハＷの上面に酸化性雰囲気が接触することを防止できる。これにより，内部空間Ｓへの搬入中のウェハＷの上面（例えば半導体デバイスが形成される表面）において自然酸化膜の発生が進行することを防止できる。従って，ウェハＷの品質が低下することを防止できる。
【００５３】
こうして，開口２２及びゲート４１の近傍において，ガス供給口７３から供給されるガスによってパーティクルをウェハＷの移動方向とは反対方向に向かって吹き飛ばしながら，搬送アーム６２を移動させ，ウェハＷの周縁部を両側のスロット２５内に沿ってそれぞれ進入させるようにしつつ，ウェハＷを内部空間Ｓに搬入する。ウェハＷを内部空間Ｓに収納したら，搬送アーム６２を下降させ，ウェハＷの下面から離隔させ，ウェハＷの周縁部を両側のスロット２５に受け渡すようにする。そして，搬送アーム６２をウェハＷの下方において後退させ，開口２０及びゲート４１を介して，基板搬送部１２内に戻す。
【００５４】
なお，ウェハＷをキャリア本体２１に受け渡した後，搬送アーム６２をキャリア本体２１から退出させる際も，ガス供給口７３からガスを供給するようにすれば，搬送アーム６２の上面に対して斜め上方からガスを吹き付けることで，搬送アーム６２の上面にパーティクルが付着していても，そのパーティクルを吹き飛ばして除去することができる。キャリア本体２１からの退出中に搬送アーム６２の上方からパーティクルが落下してきた場合も，かかるパーティクルは搬送アーム６２に付着する前に，搬送アーム６２の上方においてガス供給口７３から供給されるガスの流れによって吹き飛ばされるので，搬送アーム６２の上面に付着することを防止できる。搬送アーム６２の上面から除去されたパーティクルや搬送アーム６２の上方から落下してきたパーティクル等は，開口２０から外側に離隔する方向に吹き飛ばされるので，開口２０を介して内部空間Ｓに侵入するおそれはなく，内部空間ＳでウェハＷに付着するおそれもない。
【００５５】
以上のようにして，キャリアＣ内の未処理のウェハＷを一枚ずつ処理部３に受け渡し，また，処理済みのウェハＷを一枚ずつキャリアＣ’内に収納していく。そして，２５枚の処理済みのウェハＷがキャリアＣ’の内部空間Ｓ内に収納されたら，蓋体２２によってキャリアＣ’の開口２０を閉じ，蓋体開閉機構５０の作動によりロック状態にする。その後，キャリアＣ’は図示しないキャリア搬送装置によってキャリア載置部１０から搬出され，次工程の処理システム等に搬送される。以上のようにして，処理システム１における一連の工程が終了する。
【００５６】
かかる処理システム１によれば，処理済みのウェハＷをキャリアＣ’の内部空間Ｓに搬入する際に，ウェハＷの上面に沿ったガスの気流が形成されるようにしながら，ウェハＷを移動させることにより，ウェハＷの上面にパーティクルが付着していても，そのパーティクルを気流によって吹き飛ばしてウェハＷから除去することができる。また，内部空間Ｓへの搬入中のウェハＷの上面にパーティクルが落下して付着することを防止できる。従って，パーティクルがウェハＷと共にキャリアＣ’の内部空間Ｓに持ち込まれることを防止でき，内部空間Ｓの清浄度が低下すること，及び，内部空間Ｓ内の処理済みのウェハＷにパーティクルが付着してウェハが汚染されることを防止できる。即ち，洗浄処理の信頼性を高め，ウェハＷの品質を高く維持することができる。パーティクルの付着が少ない清浄なウェハＷとキャリアＣ’を次工程へ搬送することができ，次工程のシステム等にパーティクルが持ち込まれることを防止でき，次工程の処理を確実に施すことができる。
【００５７】
以上，本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明はかかる実施形態に限定されない。例えば，以上の実施形態では，キャリアＣ’内に処理済みのウェハＷを搬入する際に，搬入されるウェハＷの上面に対してガスを供給することとしたが，キャリアＣから未処理のウェハＷを搬出する際にも，ガス供給口７３からガスを供給し，開口２０及びゲート４１の外側において，搬送アーム６２に保持されたウェハＷの上面に対して，開口２０側から開口２０の外側に向かうガスを供給するようにしても良い。そうすれば，ウェハＷを搬出させながら，ウェハＷの上面に付着したパーティクルをウェハＷの上面に沿ったガスの気流によって除去することができ，処理部３内にウェハＷと共に持ち込まれるパーティクルの量を減少させることができる。従って，処理部３の清浄度が低下することを防止できる。
【００５８】
さらに，ウェハＷを内部空間Ｓから取り出す前，搬送アーム６２を内部空間Ｓに進入させる際も，ガス供給口７３からガスを供給すれば，搬送アーム６２の上面にパーティクルが付着していても，そのパーティクルを吹き飛ばすことができ，また，内部空間Ｓへの進入中に搬送アーム６２の上方からパーティクルが落下してきた場合も，かかるパーティクルは搬送アーム６２の上方においてガス供給口７３から供給されるガスの流れによって吹き飛ばされるので，搬送アーム６２の上面にパーティクルが付着することを防止できる。そして，搬送アーム６２に付着したパーティクルを低減した状態で，内部空間Ｓに進入させることにより，搬送アーム６２からウェハＷにパーティクルが転写することを防止できる。
【００５９】
また，各ガス供給機構７１Ａ，７１Ｂのガス供給口７３からのガス供給は，キャリアＣに対してウェハＷを搬入出するときのみ行い，ウェハＷを搬入出するとき以外は停止させても良いが，キャリアＣに対してウェハＷを搬入出するとき以外にも，ゲート４１及び開口２０を開いている間，各ガス供給口７３からのガス供給を継続させるようにしても良い。そうすれば，ゲート４１及び開口２０の外側に，ゲート４１及び開口２０から外側に離隔するに従い下方に向かう気流によるエアーカーテンが常に形成された状態にすることにより，基板搬送部１２内の雰囲気やパーティクルがキャリアＣの内部空間Ｓ内に侵入することを防止できる。従って，内部空間Ｓ内を清浄に維持し，内部空間Ｓ内のウェハＷにパーティクルが付着することを防止できる。また，基板搬送部１２内の雰囲気がキャリアＣの内部空間Ｓ内に侵入することを防止することにより，ウェハＷに基板搬送部１２内の酸化性雰囲気が接触することを防止できる。例えばキャリアＣの内部空間Ｓが窒素ガス等の不活性ガス雰囲気によってパージされている場合，そのパージされた状態を維持することができるので，内部空間Ｓで自然酸化膜の発生が進行することを防止できる。従って，ウェハＷの品質低下を防止できる。
【００６０】
以上の実施形態では，各ガス供給機構７１Ａ，７１Ｂの総てのガス供給口７３から一斉にガスが供給される構成としたが，ウェハＷが収納又は搬出されるスロット２５の位置に応じて，ガスを供給するガス供給口７３を選択的に切り換えても良い。例えば，ウェハＷが収納又は搬出されるスロット２５の位置に対して上方において最も近い位置に配置されたガス供給口７３のみからガスを供給するようにしても良い。このようにすれば，ガスの供給流量を低減し，省コストを図ることができる。また，各ガス供給口７３から供給されるガスの供給流量は，個別に調節可能にしても良い。
【００６１】
各ガス供給機構７１Ａ，７１Ｂの筒体７２は，開口２０及びゲート４１に対して相対的に移動可能な構成としても良い。例えば，蓋体２２及びシャッター４２によって開口２０及びゲート４１を開閉するときは，各ガス供給機構７１Ａ，７１Ｂの筒体７２をシャッター４２及びゲート４１から離隔した位置に待機させ，ウェハＷをキャリア本体２１に搬入するときや，キャリア本体２１から搬出させるときは，各ガス供給機構７１Ａ，７１Ｂの筒体７２をウェハＷの移動位置に向かって近づけ，各ガス供給口７３から供給されるガスが搬入又は搬出されるウェハＷの上面に接触しやすいように配置しても良い。
【００６２】
各ガス供給機構７１Ａ，７１Ｂのガス供給口７３から供給されるガスの供給方向は，可変としても良い。例えば図１０に示すように，筒体７２をＺ軸方向の中心軸を回転中心として回転可能に構成し，各ノズル７４及びガス供給口７３が筒体７２と一体的に回転するようにしても良い。これにより，平面視における各ガス供給口７３からのガスの供給方向を変化させることができる。そうすれば，ガスをウェハＷの上面全体に満遍なく吹き付けることができ，上面に付着したパーティクルを好適に吹き飛ばすことができる。
【００６３】
ガス供給口７３の配置は，開口２０及びゲート４１の外側において開口２０の両側に上下に複数並べる形態には限定されない。例えばガス供給口を開口２０及びゲート４１の幅方向に沿って複数並べて設け，さらに，開口２０に対して上下に昇降可能な構成にしても良い。例えば図１１に示すように，各ゲート４１の外側に，前述したガス供給機構７１Ａ，７１Ｂに代えて，Ｙ軸方向に並べられたガス供給口を有するガス供給機構２００を設ける。ガス供給機構２００は，長さ方向をＹ軸方向に向けて備えられた略円筒状の筒体２０１と，筒体２０１をＺ軸方向に昇降させる筒体昇降機構２０２とを備えている。
【００６４】
図１１に示すように，筒体２０１には，開口２０とは反対側の外側に向いた外周面に，例えば窒素ガスなどの不活性ガスを吐出するガス供給口２０３を有するノズル２０４が，筒体２０１の長さ方向に沿って複数個，例えば５個並べて設けられている。各ガス供給口２０３は例えば略円形をなし，各ノズル２０４の先端に開口している。そして，複数個のガス供給口２０３が，ゲート４１の近傍において，開口２０及びゲート４１の幅方向に沿って一直線上に並ぶように，即ち，互いに同じ高さに並ぶように配列されており，また，所定間隔を空けて配列されている。各ガス供給口２０３は，キャリア載置部１０に載置されたキャリア本体２１の開口２０側から開口２０の外側（基板搬送部１２側）に向かう方向に，ガスを吐出する。平面視においてはＸ軸方向に沿ってガスを吐出し，側面視においては開口２０側から外側に向かうに従い（Ｘ軸方向に向かうに従い）下方に向かうように傾斜した方向にガスを吐出する。さらに，ガス供給口２０３は，開口２０及びゲート４１の幅方向全体に渡って分布させられるように配置されており，開口２０の外側においてガス供給口２０３の下方に位置するウェハＷの上面全体に満遍なくガスを供給できるようになっている。
【００６５】
筒体２０１は，ゲート４１の左側に設置された筒体昇降機構２０２によって左端部が支持されており，右側の先端部が閉塞されている。また，左端部には，筒体２０１の内部空間に連通するガス供給管２１１が接続されている。ガス供給管２１１は，基板搬送部１２の外部に設けられたガス供給源２１２に接続されている。そして，このガス供給管２１１の内部流路，及び，筒体２０１の内部空間によって，ガス供給源２１２から供給されたガスを流通させるガス供給路２１３が構成されている。ガス供給管２１１には，開閉弁２１４が介設されている。開閉弁２１４は，コントローラ２１５の制御命令によって開閉される。この開閉弁２１４を開くと，ガス供給路２１３を介して総てのガス供給口２０３から一斉にガスが吐出されるようになっている。なお，各ガス供給源２１２から供給されるガスは，例えば窒素ガス等の不活性ガスであり，十分に清浄化されている。
【００６６】
かかる構成においては，筒体昇降機構２０２の作動により筒体２０１を昇降させることにより，各ガス供給口２０３をゲート４１及び開口２０に対して相対的に昇降させ，各ガス供給口２０３の高さを調節できる。図１２に示すように，開口２０及びゲート４１が蓋体２２及びシャッター４２によって夫々閉塞されている状態では，筒体２０１及びノズル２０４は，シャッター４２の上方においてシャッター４２に干渉しない位置に待機させられ，下降できないようになっている。図１３に示すように，蓋体２２及びシャッター４２を外してゲート４１の下方に下降させると，筒体昇降機構２０２の作動により筒体２０１及びノズル２０４を下降させることができ，キャリアＣに対して搬入出されるウェハＷの上面に各ガス供給口２０３を近接させることができる。これにより，いずれの高さのスロット２５に挿入出されるウェハＷに対しても，ウェハＷの上方からガスを効果的に供給できる。
【００６７】
以上の実施形態では，各ガス供給口７３，２０３から供給されるガスは不活性ガスとしたが，かかるものには限定されず，例えば空気等であっても良い。また，各ガス供給口７３，２０３から供給されるガスは，イオン化（帯電）させても良い。この場合，静電気により帯電しているパーティクルに対して，各ガス供給口７３，２０３から供給されるイオン化された状態のガスを吹き付けることにより，パーティクルを除電できる。従って，静電気力によってウェハＷに付着しているパーティクルをウェハＷから除去しやすくなる。例えば前述した各ノズル７４又は２０４に，ガスをイオン化させるイオン化機能を備え，ガスがノズル７４，２０４を通過する際にイオン化された後，ガス供給口７３又は２０３から供給されるような構成にしても良い。
【００６８】
以上の実施形態では，キャリア載置台４０に載置されたキャリアＣ’（Ｃ）の開口２０の外側において，ガス供給口７２（２０３）からガスを供給する構成を説明したが，かかるキャリアＣ’（Ｃ）の内部空間Ｓにガスを供給する第二のガス供給口を設けても良い。例えば図１４に示すように，開口２０及びゲート４１の外側において，ゲート４１の左側に前述したガス供給機構７１Ａと，第二のガス供給機構２２１Ａを備え，ゲート４１の右側に，前述したガス供給機構７１Ｂと，第二のガス供給機構７１Ｂを備えても良い。図１４において，各ガス供給機構２２１Ａ，２２１Ｂは，長さ方向をＺ軸方向に向けて立設された略円筒状の筒体２２２と，各筒体２２２の外周面に並べて設けられ，第二のガス供給口２２３を有する複数のノズル２２４とをそれぞれ備えている。各ガス供給機構２２１Ａ，２２１Ｂの筒体２２２は，基板搬送装置６０側から見て各ゲート４１の左右両側にそれぞれ備えられ，また，各ガス供給機構７１Ａ，７１Ｂよりゲート４１及び開口２０側において，各ガス供給機構７１Ａ，７１Ｂの筒体７２に沿って隣接させるようにしてそれぞれ設置されている。各筒体２２２の内部空間には図示しないガス供給管が接続されており，そのガス供給管，筒体２２２内を介してガスが供給されると，各ガス供給機構２２１Ａ，２２１Ｂの総てのガス供給口２２３から一斉に第二のガスが吐出されるようになっている。
【００６９】
各ガス供給口２２３は例えば略円形をなし，各ノズル２２４の先端に開口している。また，複数個，例えば２６個のガス供給口２２３が，開口２０及びゲート４１の左右両側近傍において上下に一直線上に並ぶように，かつ所定間隔を空けて配列されている。各ノズル２２４及びガス供給口７３は，筒体２２２においてゲート４１及び開口２０側に向いた面に沿って設けられており，ゲート４１及び開口２０の外側から内部空間Ｓに向かう方向，かつ，略水平方向にガスを供給する方向に指向している。基板搬送装置６０側から見てゲート４１の右方に設けられたガス供給口２２３は，開口２０の外側から内部空間Ｓ側に向かうに従い基板搬送装置６０側から見て左方に向かう傾斜した方向にガスを供給する。基板搬送装置６０側から見てゲート４１の左方に設けられたガス供給口２２３は，開口２０の外側から内部空間Ｓ側に向かうに従い基板搬送装置６０側から見て右方に向かう傾斜した方向にガスを供給する。なお，上下に並ぶガス供給口２２３同士の間の間隔は，例えばキャリア本体２１内のスロット２５同士の間の間隔，即ち，キャリア本体２１内に収納されたウェハＷ同士の間の間隔とほぼ同じであれば良い。最も上方に設けられたガス供給口２２３は，キャリア載置台４０に載置されたキャリアＣ’（Ｃ）において最も上方に設けられたスロット２５と上側部２１ｃとの間にガスを供給するように指向し，その下の各ガス供給口２２３は，各スロット２５に収納されたウェハＷ同士の間の隙間にガスを供給するようにそれぞれ指向し，最も下方に設けられたガス供給口２２３は，最も下方に設けられたスロット２５と側部２１ｄとの間にガスを供給するように指向していることが好ましい。即ち，キャリア載置台４０に載置されたキャリアＣ’（Ｃ）においていずれの高さのスロット２５に挿入されたウェハＷに対しても，各ウェハＷの上下の空間にガスを供給できるような配置にすることが好ましい。
【００７０】
かかる構成においては，図１５に示すように，キャリア載置台４０に載置されたキャリアＣ’（Ｃ）の内部空間Ｓに複数のウェハＷを収納させた状態で，各ガス供給機構２２１Ａ，２２１Ｂによるガスの供給を行うと，各ガス供給口２２３から供給されたガスは，開口２０及びゲート４１を介して内部空間Ｓ内に流入し，最も上方に収納されたウェハＷとキャリア本体２１の上側部２１ｃとの間，各ウェハＷ同士の間の隙間，最も下方に収納されたウェハＷとキャリア本体２１の下側部２１ｄとの間にそれぞれ流れ込む。各ウェハＷの上方及び下方に供給されたガスは，例えば開口２０側から，開口２０と内部空間Ｓを挟んで対向するキャリアＣ’（Ｃ）の奥部２１ｅに向かって，ウェハＷの上面及び下面に沿って流れる。このように，各ウェハＷの上面及び下面に沿ったガスの横向きの流れが形成されることにより，ウェハＷの上面や下面にパーティクルが付着していても，パーティクルはガスによって吹き飛ばされ，ガスと共に押し流される。従って，内部空間Ｓ内のウェハＷを清浄にすることができる。また，キャリア本体２１の内面に沿ったガスの流れも形成されるので，キャリア本体２１の内面に付着したパーティクルも，ガスによって吹き飛ばされ除去される。従って，キャリア本体２１の内面も清浄にできる。特に，各ガス供給口２２３は内部空間Ｓ内のウェハＷ同士の間の高さに配置されているので，各ウェハＷ同士の間の隙間に向かってガス供給口２２３を向け，各隙間にそれぞれガスを流入させることができる。従って，各ウェハＷの両面にガスを供給し，パーティクルを好適に吹き飛ばすことができる。また，ガス供給口２２３から供給されるガスによって内部空間Ｓ内の雰囲気を開口２０の外側に押し出すことにより，内部空間Ｓに溜まっていた気体状汚染物質やパーティクルを内部空間Ｓ内の雰囲気と共にキャリアＣ’（Ｃ）の外に排出させたり，内部空間Ｓ内の雰囲気を各ガス供給口２２３から供給されたガスの雰囲気にしたりすることも可能である。特に，ガス供給口２２３から供給されるガスを窒素ガス等の不活性ガスにすれば，内部空間Ｓ内を不活性ガス雰囲気の状態にすることができ，内部空間Ｓに収納されたウェハＷに酸化性雰囲気が接触することを防止できる。従って，内部空間Ｓに収納されたウェハＷに自然酸化膜が発生することを防止できる。
【００７１】
なお，このように第二のガス供給口２２３から内部空間Ｓにガスを供給する工程は，例えばキャリアＣをキャリア載置台４０に載置して開口２０及びゲート４１を開口させた後，キャリアＣから未処理のウェハＷを搬出する前に行ったり，あるいは，キャリアＣ’に処理済みのウェハＷを収納した後，キャリアＣ’の開口２０を閉塞する前に行ったりしても良いが，その他のタイミング，例えば，キャリアＣ’にウェハＷを搬入する前に行っても良い。この場合，ウェハＷが搬入される前の空のキャリア本体２１内を清浄にし，搬入されたウェハＷにパーティクルが転写することを防止できる。また，かかる工程は，例えばウェハＷを搬出した後の空のキャリアＣに対して行っても良い。
【００７２】
各ガス供給口２２３から供給されるガスは，イオン化（帯電）させても良い。この場合，静電気により帯電しているパーティクルに対してイオン化された状態のガスを吹き付けることにより，パーティクルを除電できる。従って，静電気力によってキャリア本体２１の内面や内部空間Ｓ内のウェハＷに付着しているパーティクルを，キャリア本体２１の内面やウェハＷから除去しやすくなる。
【００７３】
また，キャリア載置台４０に載置されたキャリアＣ’（Ｃ）の内部空間Ｓの雰囲気を吸引する吸引口２３０を備えても良い。図１５において，吸引口２３０は，基板搬送部１２において，開口２０及びゲート４１に対向する位置に設けられている。また，吸引口２３０は，例えばポンプ，イジェクター等の吸引器２３１に接続された吸引ノズル２３２の先端部に開口しており，吸引器２３１の作動により吸引力が発生し，吸引口２３０から強制的に吸引が行われるようになっている。かかる構成においては，開口２０及びゲート４１を開いた状態で，内部空間Ｓ内の雰囲気を吸引口２３０によって吸引でき，開口２０及びゲート４１を介して内部空間Ｓから排出させることができる。これにより，内部空間Ｓ内のパーティクルや気体状汚染物質を吸引口２３０によって吸引して除去することができる。特に，キャリアＣ’（Ｃ）の内部空間Ｓに第二のガスを供給する工程において，ガス供給口２２３からガスを供給しながら吸引を行うようにすれば，内部空間Ｓ内のパーティクルや気体状汚染物質を効率的かつ確実に排出させることができる。
【００７４】
以上の実施形態では，最も左側又は中央に載置されるキャリアＣ，Ｃから未処理のウェハＷを搬出して処理部３に搬送し，処理部３で所定の処理を施した処理済のウェハＷは，最も右側に載置されているキャリアＣ’に搬入することとしたが，かかる形態には限定されず，キャリアＣ，Ｃ’は任意の位置に載置することができる。また，例えば，処理済みのウェハＷを処理システム１に搬入された際に収納されていたキャリアと同一のキャリアＣに戻すようにしても良い。
【００７５】
また，処理部３の構成は実施の形態に示した洗浄を行うものに限定されない。本発明は，ウェハＷに対して洗浄以外の他の処理，例えば成膜処理等を行うシステムに適用することもできる。
【００７６】
本発明における基板はシリコンウェハに限定されるものではなく，任意の基板，例えばＬＣＤ用のガラス基板，フォトマスク基板，ＣＤ基板等であっても良い。従って，基板の形状も略円板形状に限定されるものではなく，任意の形状，例えば略長方形板状などであっても良い。
【００７７】
以上，本発明の好適な実施形態について説明したが，本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において，各種の変更例または修正例に想到しうることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【００７８】
本発明は，例えば基板の処理を行う処理システム，及び，基板の処理方法に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１】本実施の形態にかかる処理システムの構成を示す概略平面図である。
【図２】処理システムの構成を説明する概略側面図である。
【図３】処理部の構成を説明する概略縦断面図である。
【図４】キャリアの概略斜視図である。
【図５】ゲートに対するキャリアとシャッターの配置を説明する概略横断面図である。
【図６】搬送アームの平面図である。
【図７】搬送アームの構成及び動作を説明する概略側面図である。
【図８】ガス供給機構の構成を説明する概略斜視図である。
【図９】ガス供給機構から供給されるガスの流れを示した概略側面図である。
【図１０】ガス供給口からのガスの供給方向を可変とした実施形態にかかる概略横断面図である。
【図１１】横方向に並べたガス供給口を有するガス供給機構の構成を示した概略斜視図である。
【図１２】キャリアの開口及びゲートをそれぞれ蓋体及びシャッターによって閉塞した状態におけるガス供給機構の位置を示した概略側面図である。
【図１３】横方向に並べたガス供給口を有するガス供給機構から供給されるガスの流れを示した概略側面図である。
【図１４】第二のガス供給機構を備えた実施形態を説明する概略斜視図である。
【図１５】第二のガス供給機構と吸引口を備えた実施形態を説明する概略縦断面図である。
【符号の説明】
【００８０】
Ｃ（Ｃ’）  キャリア
Ｓ      内部空間
Ｗ      ウェハ
１      処理システム
３      処理部
２０    開口
２１    キャリア本体
２５    スロット
４１    ゲート
６０    基板搬送装置
６２    搬送アーム
７１Ａ，７１Ｂ  ガス供給機構
７２    筒体
７３    ガス供給口
【図１】
2006351864.tif 000003
【図２】
2006351864.tif 000004
【図３】
2006351864.tif 000005
【図４】
2006351864.tif 000006
【図５】
2006351864.tif 000007
【図６】
2006351864.tif 000008
【図７】
2006351864.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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