(57)【要約】【課題】大型の撮像装置において、長時間蓄積動作をしたり、連続撮影を繰り返したりすると、撮像素子内部回路や撮像素子外部の周辺回路が発熱し、近接する撮像素子の一部が部分的に温度上昇する。このため撮像画像は画面内の温度差による暗電流差によって、輝度ムラや色ムラ、画素欠陥ムラといった画質の低下を招いてしまう。【解決手段】  ブロック毎の（単位面積あたりの）欠陥画素数を求めることでブロック毎の温度を測定し、各ブロックの温度に応じて各ブロック毎に撮像素子の出力を補正する。ブロック毎に欠陥画素の出力レベルを求めることでブロック毎の温度を測定し、各ブロックの温度に応じて各ブロック毎に撮像素子の出力を補正する。ブロック毎に温度を測定することで各ブロックの温度に応じた暗電流レベルを求め、各ブロック毎に撮像素子の出力を補正する。【選択図】        図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像素子の画素部を複数のブロックに分割し、前記ブロック毎に欠陥画素の個数を求める手段と、前記欠陥画素の個数から前記撮像素子のブロック毎の温度に変換する第１のテーブルを有し、前記第１のテーブル手段により求めた温度に応じて、前記撮像素子の出力値を前記ブロック毎に補正するようにしたことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
撮像素子の画素部を複数のブロックに分割し、前記ブロック毎に欠陥画素のアドレスと出力レベルを記憶する手段と、前記欠陥画素の出力レベルから前記撮像素子のブロック毎の温度に変換する第２のテーブル手段を有し、前記第２のテーブル手段により求めた温度に応じて、前記撮像素子の出力値を前記ブロック毎に補正するようにしたことを特徴とする撮像装置。
【請求項３】
前記補正は、前記撮像素子の暗電流に起因する欠陥画素の補正であることを特徴とする、請求項１又は２記載の撮像装置。
【請求項４】
前記変換された温度を前記撮像素子の暗電流レベルに変換する第３のテーブル手段と、前記第３のテーブル手段から前記ブロック毎に暗電流レベルを求める手段を有し、前記第３のテーブル手段より求めた暗電流レベルに応じて、前記撮像素子の出力値を前記ブロック毎に補正するようにしたことを特徴とする請求項１又は２記載の撮像装置。
【請求項５】
前記補正は、前記撮像素子の暗電流に起因する輝度ムラまたは色ムラ補正であることを特徴とする、請求項４記載の撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＣＣＤやＣＭＯＳイメージセンサ等の撮像素子を用いた撮像装置に関するもので、特に撮像された画像の画質の向上に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
デジタルカメラやビデオカメラ等の撮像装置においては、撮像素子としてＣＣＤやＣＭＯＳイメージセンサを使用するのが一般的である。
【０００３】
前記撮像素子の特性として、画素毎のフォトダイオードの暗電流バラツキによる固定パターンノイズや暗電流に起因した欠陥画素などがあり、これらが撮像された画像の画質を低下させていることはよく知られている。
【０００４】
暗電流は一般的に８℃の温度上昇で２倍に増加すると言われており、上記フォトダイオードの暗電流バラツキによる固定パターンノイズや暗電流に起因した欠陥画素は温度特性を持つことになり、高温ほど固定パターンノイズや欠陥画素が増加することも広く知られている。
【０００５】
前記のように、温度特性を持つフォトダイオードの暗電流による固定パターンノイズを低減させる方法として、特許文献１では、あらかじめ所定温度範囲毎に固定パターンノイズを記憶すると共に撮像素子の温度を検出し、検出温度に対応してあらかじめ記憶された固定パターンノイズを読み出し、実際の撮像画像信号から減算することで、固定パターンノイズを補正する技術が開示されている。
【０００６】
暗電流に起因した欠陥画素についても、欠陥画素のアドレスを記憶し、その周囲の画素情報を元に欠陥画素情報を補間する技術が知られており、特許文献１と同様にあらかじめ所定温度範囲毎に欠陥画素のアドレスを記憶することで、欠陥画素を補正することも考えられる。
【０００７】
また、実際の撮像動作直前または直後に、撮像素子全体を遮光した状態で撮像動作行うことで、暗電流成分のみの撮像画像を得て、実際の撮像画像信号から減算するようにすることで、温度変化分を含んだ暗電流による固定パターンノイズや暗電流に起因した欠陥画素による画質の低下を低減させる技術が知られている（実ダーク減算による補正）。
【０００８】
その他に特許文献２において、撮像素子のオプティカルブラック領域の平均値により撮像素子の周囲温度を検知して、固定パターンノイズを抑圧する方法も開示されている。
【特許文献１】特開平１−１４７９７３公報
【特許文献２】特開平２００１−１７４３２９公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら特許文献２では、撮像素子全体が一様な温度変化をしたときは非常に有効であるが、例えば３０秒程度の長時間蓄積動作を継続したり、連続撮影を繰り返したりすると、撮像素子内部回路や撮像素子外部の周辺回路のが発熱し、近接する撮像素子の一部が部分的に温度上昇してしまい、撮像素子内で温度が高い部分と温度が低い部分で暗電流の差が出るため、適切に固定パターンノイズを低減させる事が出来ない。また、このときの撮像画像は画面内の暗電流差によって、輝度ムラや色ムラといった画質の低下を招いてしまう。
【００１０】
更に、上記のように撮像素子内で温度差がある場合、特許文献１のように画面全体を所定温度範囲毎の欠陥画素アドレスにより補正すると、補正過多や補正不足な部分が生じてしまう。欠陥画素補正は周囲画素情報からの補間により行う場合が多いため、補正過多な場合は微細なパターンを撮像した時、そのパターンの再現性が劣化することも良く知られている。また、補正不足の場合は画面のノイズ感が増して画質の劣化を招いてしまう。
【００１１】
近年、撮像素子の多画素化が進むと共に、撮像素子自体のチップサイズも大きくなってきている。特に高画質を求められるデジタルスティルカメラ等の撮像装置には、銀塩カメラの３５ｍｍフィルムの画面サイズと同等のチップサイズを有するものもあり、このような大型撮像素子では、前記輝度ムラや色ムラ及び欠陥画素の問題が特に顕著になる。
【００１２】
また、実ダーク減算による補正方式では１シーンで２回の撮像動作を行うため、１シーンの撮影時間が２倍になり、ビデオカメラのフレームレートやデジタルスティルカメラの連写性能を大きく低下させることになる。
【００１３】
本発明の目的は、上記問題点を解決させるために、撮像素子の画素部温度を測定することで、撮像素子の部分的な温度上昇時にも、フレームレートや連写性能を保ちながら、画像の輝度ムラや色ムラ及び欠陥画素の部分的な増加などにより画質の低下しない撮像装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記のように長時間の蓄積動作を継続したり、連続撮影を繰り返したりすることで撮像素子内の温度差がある場合においても、輝度ムラや色ムラ及び欠陥画素の補正を良好に行うために、撮像素子の画素部を複数のブロックに分割し、前記ブロック毎に欠陥画素の個数を求める手段と、前記欠陥画素の個数から前記撮像素子のブロック毎の温度に変換する第１のテーブルを有し、前記第１のテーブル手段により求めた温度に応じて、前記撮像素子の出力値を前記ブロック毎に補正する、すなわちブロック毎の（単位面積あたりの）欠陥画素数を求めることでブロック毎の温度を測定し、各ブロックの温度に応じて各ブロック毎に撮像素子の出力を補正することで、撮像素子の部分的な温度上昇時にも、画質の低下しない撮像装置を提供できるようにする。
【００１５】
撮像素子の画素部を複数のブロックに分割し、前記ブロック毎に欠陥画素のアドレスと出力レベルを記憶する手段と、前記欠陥画素の出力レベルから前記撮像素子のブロック毎の温度に変換する第２のテーブル手段を有し、前記第２のテーブル手段により求めた温度に応じて、前記撮像素子の出力値を前記ブロック毎に補正する、すなわちブロック毎に欠陥画素の出力レベルを求めることでブロック毎の温度を測定し、各ブロックの温度に応じて各ブロック毎に撮像素子の出力を補正することで、撮像素子の部分的な温度上昇時にも、画質の低下しない撮像装置を提供できるようにする。
【００１６】
また、前記撮像素子の出力の補正として、欠陥画素の補正を各ブロックの温度に応じて各ブロック毎に行うことで、欠陥画素の部分的な増加などによる画質の低下が無い撮像装置を提供できるようにする。
【００１７】
前記変換された温度を前記撮像素子の暗電流レベルに変換する第３のテーブル手段と、前記第３のテーブル手段から前記ブロック毎に暗電流レベルを求める手段を有し、前記第３のテーブル手段より求めた暗電流レベルに応じて、前記撮像素子の出力値を前記ブロック毎に補正する、すなわちブロック毎に温度を測定することで各ブロックの温度に応じた暗電流レベルを求め、各ブロック毎に撮像素子の出力を補正することで、撮像素子の部分的な温度上昇時にも、画質の低下しない撮像装置を提供できるようにする。
【００１８】
また、前記撮像素子の出力の補正として、前記撮像素子の暗電流に起因する輝度ムラまたは色ムラを補正することで、画像の輝度ムラや色ムラによる画質の低下が無い撮像装置を提供できるようにする。
【発明の効果】
【００１９】
ブロック毎の（単位面積あたりの）欠陥画素数を求めることでブロック毎の温度を測定し、各ブロックの温度に応じて各ブロック毎に撮像素子の出力を補正することで、撮像素子の部分的な温度上昇時にも、画質の低下しない撮像装置を提供できるようにする。
【００２０】
ブロック毎に欠陥画素の出力レベルを求めることでブロック毎の温度を測定し、各ブロックの温度に応じて各ブロック毎に撮像素子の出力を補正することで、撮像素子の部分的な温度上昇時にも、画質の低下しない撮像装置を提供できるようにする。
【００２１】
また、前記撮像素子の出力の補正として、欠陥画素の補正を各ブロックの温度に応じて各ブロック毎に行うことで、欠陥画素の部分的な増加などによる画質の低下が無い撮像装置を提供できるようにする。
【００２２】
ブロック毎に温度を測定することで各ブロックの温度に応じた暗電流レベルを求め、各ブロック毎に撮像素子の出力を補正することで、撮像素子の部分的な温度上昇時にも、画質の低下しない撮像装置を提供できるようにする。
【００２３】
また、前記撮像素子の出力の補正として、前記撮像素子の暗電流に起因する輝度ムラまたは色ムラを補正することで、画像の輝度ムラや色ムラによる画質の低下が無い撮像装置を提供できるようにする。
【００２４】
更に上記補正を行いながら、フレームレートや連写性能を犠牲にすることがないので、撮影者のストレスの少ない撮像装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下本発明を実施するための最良の形態を、実施例により詳しく説明する。
【実施例１】
【００２６】
図１は本発明の実施例におけるＣＭＯＳ型エリアセンサの画素部回路である。
【００２７】
同図において、画素内にはフォトダイオード１、転送スイッチ２、リセットスイッチ３、画素アンプ１０、行選択スイッチ６が設けてあり、転送スイッチ２のゲートは垂直走査回路１４からのΦＴＸ（ｎ，ｎ＋１）に接続され、リセットスイッチ３のゲートは垂直走査回路１４からのΦＲＥＳ（ｎ，ｎ＋１）に接続され、行選択スイッチ６のゲートは垂直走査回路１４からのΦＳＥＬ（ｎ，ｎ＋１）に接続されている。
【００２８】
光電変換は該フォトダイオード１でおこなわれ、光量電荷の蓄積期間中は転送スイッチ２はオフ状態であり、画素アンプを構成するソースフォロアのゲートにはこのフォトダイオード１で光電変換された電荷は転送されない。該画素アンプを構成するソースフォロアのゲート１１は、蓄積開始前に該リセットスイッチ３がオンし、適当な電圧に初期化されている。すなわちこれがダークレベルとなる。次に又は同時に行選択スイッチ６がオンになると、負荷電流源７と該画素アンプ１０で構成されるソースフォロア回路が動作状態になり、ここで該転送スイッチ２をオンさせることで該フォトダイオード１に蓄積されていた電荷は、該画素アンプを構成するソースフォロアのゲートに転送される。ここで４はリセット電源、５はソースフォロアを駆動する電源である。
【００２９】
ここで、選択行の出力が垂直出力線１３上に発生する。この出力は転送ゲート１５ａ，１５ｂを介して、信号蓄積部１５に蓄積される。信号蓄積部１５に一時記憶された出力は水平走査回路１６によって順次出力アンプ部へ読み出される。
【００３０】
図２が図１のＣＭＯＳ型エリアセンサの動作タイミング図である。全画素リセット期間Ｔ１のタイミングで、ΦＴＸ（ｎ），ΦＴＸ（ｎ＋１）がアクティブになり、全画素の該フォトダイオード１の電荷は、該転送スイッチ２を介して該ソースフォロアのゲートに転送され、該フォトダイオード１はリセットされる。この状態はフォトダイオード１のカソード電荷がソースフォロアのゲートに移って平均化された状態であるが、ソースフォロアのゲートのキャパシタ９の容量成分を大きくすることで、フォトダイオード１のカソードをリセットしたレベルと同様になる。
【００３１】
この時、対象画像の光量を導光する不図示のメカシャッターは開いており時間Ｔ１の終了と同時に、全画素同時に蓄積を開始する。該メカシャッターはＴ３の期間を開いたままで、この間がフォトダイオード１の蓄積期間となる。
【００３２】
Ｔ３の時間経過後、Ｔ４のタイミングでメカシャッターは閉じ、該フォトダイオード１の光電荷の蓄積が終了する。この状態では該フォトダイオード１に電荷が蓄積されている。次に各ライン毎に読み出しがスタートする。すなわち、Ｎ−１行目を読み出してからＮ行目を読み出す。
【００３３】
時間Ｔ５の期間ΦＳＥＬ（ｎ）がアクティブになり該行選択スイッチ６がオンし、ｎ行目につながっている全ての画素の該画素アンプ１０で構成される。
【００３４】
ソースフォロア回路が動作状態になる。ここで、該画素アンプ１０で構成されるソースフォロアのゲートはＴ２期間でΦＲＥＳ（ｎ）がアクティブになり、リセットスイッチ３がオンとなり、該ソースフォロアのゲート１１は初期化される。すなわち、該垂直出力線１３にはこのダークレベルの信号が出力される。
【００３５】
次にΦＴＮ（ｎ）がアクティブになり、転送ゲート１５ｂがオンし、該信号蓄積部１５に保持される。この動作は、Ｎ行につながっている全ての画素に対して同時並列に実行される。ダークレベルの該信号蓄積部１５の転送が終了した時点で、該ホトダイオード１に蓄積されていた信号電荷をΦＴＸ（ｎ）をアクティブとすることで、転送スイッチ２をオンとし、該画素アンプ１０で構成されるソースフォロアのゲート１１に転送する。この時、該画素アンプ１０で構成されるソースフォロアのゲート１１は転送されてきた信号電荷に見合う分だけリセットレベルから電位が変動し信号レベルが確定する。
【００３６】
ここで、ΦＴＳがアクティブになり、転送ゲート１５ａがオンし、信号レベルが該信号蓄積部１５に保持される。この動作は、Ｎ行につながっている全ての画素に対して同時並列に実行される。ここで該信号蓄積部１５には、Ｎ行につながっている全ての画素のダークレベルと信号レベルを保持しており、各画素間でのダークレベルと信号レベルの差をとることでソースフォロアのスレシホールド電圧Ｖｔｈバラツキによる固定パターンノイズ（ＦＰＮ）や該リセットスイッチ３がリセット時に発生するＫＴＣノイズをキャンセルし、Ｓ／Ｎの高いノイズ成分を除去された信号が得られる。ここで、フォトダイオード１を光学的に遮光した画素からの出力は、フォトダイオード１の表面欠陥等から生じる暗電流成分のみとなる。
【００３７】
この信号を該水平走査回路１６によって、該信号蓄積部１５に蓄積されたダークレベルと信号レベルの差信号を水平走査し、時系列的に、Ｔ７のタイミングで出力される。これでＮ行の出力は終了である。同様に、ΦＳＥＬ（ｎ＋１），ΦＲＥＳ（ｎ＋１），ΦＴＸ（ｎ＋１），ΦＴＮ，ΦＴＳを図２に示す様にＮ行目と同様に駆動することで、Ｎ＋１行目の信号を読み出すことができる。
【００３８】
図３は、図１のＣＭＯＳ型エリアセンサのチップ２０を模式的に示したものである。ここで２０ａはエリアセンサのうち有効画素部分を示し、２０ｂは画素部表面を遮光したＯＢ画素部分である。
【００３９】
また、同図は図１のＣＭＯＳ型エリアセンサから出力された画像も示しており、周囲環境温度２０℃、蓄積時間０．１秒時の条件で、均一輝度面を若干アンダーに露光された状態の画像である。センサ蓄積中は図２に示す信号蓄積部１５の信号を増幅し出力するためのアンプである不図示の出力アンプ部を駆動しつづけているものの、蓄積時間が０．１秒と短いため、図２に示す信号蓄積部１５の信号を増幅し出力するためのアンプである不図示の出力アンプ部の発熱はほとんどなく、このとき画面内の温度はほぼ２０℃一定で輝度ムラや色ムラは無く、有効部２０ａの中で暗電流に起因した欠陥画素がホワイトスポットとして示されている。
【００４０】
図４は、図３と同じ周囲環境温度２０℃であるが、蓄積時間が３０秒の時の出力画像で、蓄積時間中に図２に示す信号蓄積部１５の信号を増幅し出力するためのアンプである不図示の出力アンプ部を駆動し続けていることで、図２に示す信号蓄積部１５の信号を増幅し出力するためのアンプである不図示の出力アンプ部が発熱している様子を示したものである。
【００４１】
図２に示す信号蓄積部１５の信号を増幅し出力するためのアンプである不図示の出力アンプ部近傍の画面左上は周囲環境温度２０℃に対して温度が高いため暗電流が増加し、画面輝度レベルが見かけ上高く、輝度ムラや色ムラになると共に暗電流に起因した欠陥画素数が多い。
【００４２】
一方画面右下ほど周囲環境温度２０℃に近く、画面左上に比べ暗電流が少なく輝度レベルが低いと共に欠陥画素数も少ない。すなわち画面全体をａ〜ｆまでのブロックに６分割した場合、ａ部の輝度レベル、欠陥画素数とｆ部の輝度レベル、欠陥画素数に大きな差が生じている。
【００４３】
図５は、図１のＣＭＯＳ型エリアセンサ全体を遮光した状態で、蓄積時間０．１秒で周囲環境温度が変化したときの条件下の画像である。このときの画像は図３の説明と同様に、図２に示す信号蓄積部１５の信号を増幅し出力するためのアンプである不図示の出力アンプ部の発熱の影響を受けないため周囲環境温度＝エリアセンサ画素部温度であり、画面内で出力レベルのムラが無く、周囲環境温度に応じた暗電流に起因した欠陥画素がホワイトスポットとして示されている。暗電流に起因した欠陥画素であるため、ホワイトスポットのレベルや個数は高温になるほど増加している。
【００４４】
図６は、図５の説明を更に具体的に説明しており、同図においてエリアセンサ画素部温度に対応する各ブロックのホワイトスポット個数とそのブロック内の代表されるホワイトスポットのレベルをテーブルにしたものである。
【００４５】
ここでは、画面全体の平均出力レベルに対して、所定レベルを超えた値を出力する画素をホワイトスポットと定義し、例えば画面全体の平均出力レベルが１００ｍＶで、所定レベルを１０ｍＶとすると、１１０ｍＶ以上の値を出力する画素をホワイトスポットとしている。また、代表ホワイトスポットレベルとは、前記定義されたホワイトスポットのうち、最大値を示すホワイトスポットのレベルであり、画面全体の平均出力レベルを減算した値と定義する。このとき、同一ブロックの代表ホワイトスポットのアドレスは固定であるものとし、そのアドレスもテーブルに記載されているものとする。
【００４６】
図６のテーブルのように、温度上昇と共にホワイトスポットの数は増加し、代表ホワイトスポットレベルは約２倍／８℃の温度係数で変化することが一般的に知られている。
【００４７】
図６のようなテーブルがあれば、各ブロックのホワイトスポットの数または代表ホワイトスポットレベルを測定することで、以下のように各ブロック毎にエリアセンサの温度を測定することが出来る。
【００４８】
ホワイトスポットの数によって温度を測定する例
ａ部のホワイトスポット数＝８０個⇒ａ部の温度＝３６℃
代表ホワイトスポットレベルによって温度を測定する例
ｂ部の代表ホワイトスポットレベル＝６０ｍＶ⇒ｂ部の温度＝２８℃
【００４９】
ここでエリアセンサには個々のバラツキがあるため、図６のテーブルは、エリアセンサ毎に作成する必要があり、エリアセンサ製造過程やカメラなどの製造過程で各温度条件下で画像を取得して作成すればよい。
【００５０】
但し、代表ホワイトスポットのレベルについては、ある特定の基準温度下において代表ホワイトスポットレベルを測定し、２倍／８℃の温度係数をもらせたテーブルを作成しても実害は無い。
【００５１】
次に、図７のテーブルを説明する。このテーブルはエリアセンサの周囲環境温度が変化したときの、蓄積時間０．１秒のときの正常画素の暗電流出力を示している。正常画素の暗電流出力にもエリアセンサ個々のバラツキがあるため、このテーブルもエリアセンサ毎に取得する必要があるが、ある特定の温度下において暗電流出力を測定し、２倍／８℃の温度係数をもらせたテーブルを作成しても実害は無い。
【００５２】
図７のテーブルを具体的に説明すると、
２０℃の時の暗電流出力は２ｍＶ／ｓであり撮影条件が３０ｓであった場合
２ｍＶ／ｓ×３０ｓ＝６０ｍＶ
となり、エリアセンサ出力は６０ｍＶのオフセットを持った出力となる。
【００５３】
つまり、実際に被写体を撮影したエリアセンサの信号から、このオフセット値を各ブロック毎の全画素から減算することで正常画素の暗電流補正が可能である。
【００５４】
図８は、図４のような画像の輝度ムラや色ムラの補正を、カメラの動作として説明するフローチャートである。
【００５５】
ステップ１０１で不図示のスイッチＯＮ動作により撮影動作が始まる。ステップ１０２で、被写体を撮影するためにエリアセンサ２０の表面を遮光している不図示のシャッタを開く。
【００５６】
その後ステップ１０３で、エリアセンサ２０の蓄積を３０秒行った後、ステップ１０４前記シャッタを閉じ、ステップ１０５で蓄積した信号を読み出すと共に、不図示の一時メモリに記憶する。ここで記憶された画像は、３０秒という長時間露光による回路の発熱などにより図４のような輝度ムラや色ムラの多い画像となる。
【００５７】
続いてステップ１０６では、ステップ１０２〜１０５で得られた画像出力に対して補正を行うための画像を取得することを目的として、前記シャッタが閉じた状態でエリアセンサ２０の蓄積を０．１秒間行い、ステップ１０７で蓄積した信号を読み出すと共に、前記一時メモリの異なるアドレスに記憶する。
【００５８】
ステップ１０８では、ステップ１０６〜１０７で取得した０．１秒蓄積画像のホワイトスポット数または代表ホワイトスポットレベルを求め、更に図６のテーブルと対比させて、ａ〜ｆの各ブロック毎に現在のエリアセンサ温度を求める。
【００５９】
先に説明した通り、ホワイトスポット数は、画面全体の平均出力レベル＋１０ｍＶ以上を出力する画素をカウントし、代表ホワイトスポットレベルは、図６のテーブルに記載された代表ホワイトスポットアドレスの画素出力から画面全体の平均出力レベルを減算した値とする。
【００６０】
ステップ１０９では、ステップ１０８で求めた各ブロック毎の温度と図７のテーブルとを対比させ、更にステップ１０３で実行した蓄積時間３０秒から、各ブロック毎の正常画素の暗電流補正値を求める。
【００６１】
ステップ１１０では、ステップ１０２〜１０５で取得した蓄積時間３０秒の画像から、ステップ１０９で求めた暗電流補正値を、各ブロック毎の全画素から減算することにより画像の輝度ムラや色ムラを補正する。
【００６２】
ステップ１１１では、ステップ１１０で補正した蓄積時間３０秒の画像を、外部メモリに記憶させ、ステップ１１２で一連の動作を終了する。
【００６３】
ここで重要なことは、ステップ１０６でシャッタが閉じた状態でのエリアセンサの蓄積時間が０．１秒であり、ステップ１０３で被写体を撮影するための蓄積時間３０秒に対して無視できるくらいに短い蓄積時間である。このことからステップ１０１〜ステップ１１２までを実行するのに、被写体撮影のための蓄積時間３０秒とほぼ同じくらいの時間しか要しないため、連写性能を保つことができる。
【００６４】
また、ステップ１０９〜１１０では、各ブロックの正常画素の暗電流分を補正しているが、ホワイトスポットとして出力されている欠陥画素の補正を同時に行っても良い。
【００６５】
具体的には、図６のテーブルにホワイトスポット数と共にそのアドレスを記憶しておく。ステップ１０８で各ブロックの温度が求められているので、図６のテーブルから各ブロックの温度に対応したホワイトスポット数とそのアドレスがわかる。そのアドレスの画素を欠陥画素として、周辺画素出力値により公知の補間をすることで欠陥画素補正が出来る。
【００６６】
以上の例では、ＣＭＯＳ型エリアセンサについて述べているが、ＣＣＤ型をはじめ他の構造のエリアセンサに適用しても良い。また、エリアセンサに限定されるものではなく、ラインセンサ、特に複数のラインセンサを有するセンサにおいても同様に適用できるものである。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の実施例におけるＣＭＯＳ型エリアセンサの画素部回路図
【図２】図１のＣＭＯＳ型エリアセンサの動作タイミング図
【図３】図１のＣＭＯＳ型エリアセンサの０．１秒蓄積時のチップ模式図
【図４】図１のＣＭＯＳ型エリアセンサの３０秒蓄積時のチップ模式図
【図５】図１のＣＭＯＳ型エリアセンサの周囲環境温度が変化した条件下の画像図
【図６】図１のＣＭＯＳ型エリアセンサに関する第１と第２のテーブル
【図７】図１のＣＭＯＳ型エリアセンサに関する第３のテーブル
【図８】本発明の撮像装置の動作を説明するフローチャート図
【符号の説明】
【００６８】
１  フォトダイオード
２  転送スイッチ
３  リセットスイッチ
４  リセット電源
５  ソースフォロアを駆動する電源
６  行選択スイッチ
７  負荷電流源
９  ソースフォロアのゲートのキャパシタ
１０  画素アンプ
１１  ソースフォロアのゲート
１３  垂直出力線
１４  垂直走査回路
１５  信号蓄積部
１５ａ、１５ｂ  転送ゲート
１６  水平走査回路
２０、３０  ＣＭＯＳ型エリアセンサのチップ
２０ａ、３０ａ  ＣＭＯＳ型エリアセンサの有効部
２０ｂ、３０ｂ  ＣＭＯＳ型エリアセンサの遮光画素（ＯＢ）部
【図１】
2006121292.tif 000003
【図２】
2006121292.tif 000004
【図６】
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【図７】
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【図８】
2006121292.tif 000007
【図３】
2006121292.tif 000008
【図４】
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【図５】
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