(57)【要約】【課題】  従来の可変光減衰器においては、減衰率が大きくなるとともに、偏波依存損失（ＰＤＬ）が急激に増加して、信号光の波形歪が生ずるなどの問題があった。また、減衰率が大きい動作領域での、ＰＤＬを低減することが必要とされていた。【解決手段】  減衰率の増加に伴い、ＰＤＬが非線形に増加する可変光減衰器を基本可変光減衰器要素として縦属接続した多段型可変光減衰器とすることにより、各可変光減衰器をＰＤＬが小さい領域で使用することによって、全体の減衰率を所望の減衰率となるようにすることを特徴とする。マッハツェンダ干渉計型可変光減衰器を基本可変光減衰器要素とすることにより、集積化小型化が可能である。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力光の信号強度を調整して出力光を出力する可変光減衰器において、
前記入力光の信号強度に対する前記出力光の信号光の減衰率ｘと前記減衰率における偏波依存損失（ＰＤＬ）ｙとの関係ｙ＝ｆ（ｘ）が、ｆ（ｘ）＞Ｎ・ｆ（ｘ／Ｎ）の条件を満たす基本可変光減衰器要素であって、
光学的に縦続接続されたＮ個（Ｎは２以上の整数）の前記基本可変光減衰器要素を備えたことを特徴とする多段接続型可変光減衰器。
【請求項２】
前記基本可変光減衰器要素の少なくとも１つは、
平面基板上に構成された２つのアーム導波路と、
前記２つのアーム導波路を光学的に結合させる２つの結合器と、
前記２つのアーム導波路のうちの１つのアーム導波路上の信号光の位相を変化させる位相制御器と、
を備えたマッハツェンダ干渉計型可変光減衰器であることを特徴とする請求項１に記載の多段型可変光減衰器。
【請求項３】
前記マッハツェンダ干渉計型可変光減衰器の前記２つのアーム導波路の光路長差は、前記入力光信号の波長の２分の１であることを特徴とする請求項２に記載の多段型可変光減衰器。
【請求項４】
前記マッハツェンダ干渉計型可変光減衰器の短いほうのアーム導波路上に、前記位相制御器を備えたことを特徴とする請求項３に記載の多段型可変光減衰器。
【請求項５】
前記マッハツェンダ干渉計型可変光減衰器のクロスポートを光学的に縦続接続したことを特徴とする請求項３または請求項４に記載の多段型可変光減衰器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光信号の強度を調整するための可変光減衰器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の光ネットワークにおいては、光強度をダイナミックに変化させる可変光減衰器の役割が重要になっている。例えば、ＷＤＭ（Wavelength Division Multiplexing）通信においては、波長多重化をした信号光の受信レベルの調整や、波長信号を分岐挿入する場合の利得を平坦化するなどのために、光強度を調節する可変光減衰器が使用される。すなわち、ＷＤＭ通信システムの長距離の光信号伝送において、光増幅器の利得偏差などにより信号光の調整レベルに誤差が生じ、信号光レベルのばらつきが生じ得る。ＷＤＭ光通信システムにおいては、これらのばらつきが原因となって、光信号のレベルが低い場合にはＳＮ比の劣化、レベルが高ければ非線形現象などにより、信号光の劣化が発生してしまう。この信号光の劣化を防止するために、可変光減衰器が使用される。
【０００３】
上述した光信号の強度を調整する可変光減衰器としては、現在、導波路型／ＭＥＭＳ(Micro Electro Mechanical System) 型／バルク（磁気光学）型など多くのものが市販されている。特に、熱光学効果を用いた石英系平面光導波型可変光減衰器（Planar Lightwave Circuit-Variable Optical Attenuator：ＰＬＣ−ＶＯＡ）は、アレイ導波路格子合分波器を代表とする他の回路と集積が可能であり、多くの需要が見込まれている。また、上述のＰＬＣ−ＶＯＡは多チャネル化が比較的容易であり、この点からも集積化した可変光減衰器を構成するのに好適である。ＰＬＣ−ＶＯＡについては、例えば、下記の非特許文献に詳細が記載されている。
【０００４】
【非特許文献１】T.Kawai 他、Electronics Letters、Vol34、No.3、 pp.264-265、 1998年。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、このＰＬＣ−ＶＯＡにおいては、図１０を参照して後述するように、減衰率とともに増加する偏波依存損失（Polarization Dependent Loss ：ＰＤＬ）の問題があり、この偏波依存損失が信号品質を劣化させることが大きな課題となっている。ここで、減衰率とは、ある状態のＶＯＡの損失から、ＶＯＡを駆動した際に最小となる損失を差し引いたものを示す。
【０００６】
図８は、従来の可変光減衰器の一例であるマッハツェンダ干渉計を用いた可変光減衰器（ＭＺＩ型ＶＯＡ）の概略図である。本可変光減衰器は、２本のアーム導波路８０１ａ、８０１ｂからなる光導波路８０１、３ｄＢ方向性結合器８０２、８０５、薄膜ヒータ８０４、配線８０３から構成されている。また、光導波路８０１は、入力導波路端８０６ａ、８０６ｂ、出力導波路端８０７ａ、８０７ｂを有している。光導波路８０１のコアとクラッドの比屈折率差は、いずれも０．７５％で、コアのサイズは７×７ミクロンとして作製されている。
【０００７】
ここで、図８を用いてマッハツェンダ干渉計を用いた可変光減衰器（ＭＺＩ型ＶＯＡ）の動作原理を説明する。図８に示した可変光減衰器は、２本のアーム導波路８０１ａ、８０１ｂが、半波長の光路長差を有した非対称ＭＺＩから構成されている。
【０００８】
薄膜ヒータ８０４は、その両端に配線８０３が接続されており、配線８０３に通電することにより、短いアーム導波路８０１ａの薄膜ヒータ８０４で覆われた部分が、局所的に過熱される。薄膜ヒータ８０４が無通電のときは、二本のアーム導波路８０１ａ、８０１ｂを伝搬する光の光路長差は、信号光波長の２分の１である。このとき公知の干渉原理により、入力導波路端８０６ａから入った信号光は出力導波路端８０７ａに伝搬し、出力導波路端８０７ｂへは伝搬しない。
【０００９】
次に、薄膜ヒータ８０４へ通電をすると、薄膜ヒータ８０４からの発熱によって、薄膜ヒータ８０４直下のアーム導波路８０１ａが温められる。その結果、熱光学効果によって、短いアーム導波路８０１ａの光路長が長くなる。従って、二本のアーム導波路８０１ａ、８０１ｂの光路長差は減少する。この熱光学効果によって、４分の１相当分の光路長の変化が発生すると、二本のアーム導波路８０１ａ、８０１ｂの光路長差は信号光波長の４分の１となり、入力導波路端８０６ａから入った信号光のうち５０％が出力導波路端８０７ｂへ伝搬する。
【００１０】
薄膜ヒータ８０４をさらに通電して、短いアーム導波路８０１ａの光路長を信号光波長の２分の１相当分変化させると、二本のアーム導波路８０１ａ、８０１ｂの光路長差は“ゼロ”となり、入力導波路端８０６ａから入った全ての信号光が出力導波路端８０７ｂへ伝搬する。
【００１１】
つまり、薄膜ヒータ８０４へ通電する電力を制御し、二本のアーム導波路８０１ａ、８０１ｂの光路長差を、ゼロから信号光波長の２分の１相当までの値で変化させることによって、出力導波路８０７ｂへ伝搬する光強度を所望の値に設定することができる。すなわち、可変光減衰器として動作する。尚、本ＭＺＩ型ＶＯＡにおいては、通常、入力導波路端８０６ｂ、出力導波路端８０７ａは使用されない。また、入力導波路端８０６ａに対して、出力導波路端８０７ｂは、クロスポートと呼ばれる。
【００１２】
図９は、入力導波路端８０６ａから出力導波路端８０７ｂ（入力導波路端８０６ａに対するクロスポート）へ伝搬する光に関して、減衰率のヒータ加熱による位相変化量依存性を示している。上述の説明の通り、位相変化量が２分の１波長すなわち、Π（＝３．１４）ラジアンの時に、減衰率はほぼ０となっている。すなわち、ヒータを駆動することによって発生する位相変化量が大きくなるにつれて、減衰率が変化し、可変光減衰器として動作していることがわかる。
【００１３】
図１０は、偏波依存損失の減衰率依存性を示す。ここで、偏波依存損失（以下、ＰＤＬとする）は、偏光の変化に関連して変化する損失のことであり、一般に、信号光の偏光状態に依存して変化する、挿入損失の最大値と最小値の差として表現される。光ネットワーク内の偏光状態は、例えば、光ファイバーに加えられた圧力からファイバーの動きなどの多くのパラメータの影響を受ける。ＰＤＬは、可能な偏光状態を偏光コントローラで変えた場合に、挿入損失の変動をモニタすることで測定される値である。
【００１４】
図１０の場合には、波長（1550ｎｍ）において、全ての偏光状態の光を可変光減衰器に入射したときの、その損失の 最大値と最小値の差をＰＤＬとしている。図１０からわかるように、減衰率が大きくなるとともにＰＤＬが増大しており、その変化は急峻に増大している。
【００１５】
先にも述べたように、ＰＤＬが大きくなると、光の偏波状態により、可変光減衰器の減衰量が変動するため、パルス歪が発生し、信号品質の劣化につながる。ＰＤＬは、偏波モード分散（（Polarization Mode dispersion：ＰＭＤ）とともに、ランダムなパルス歪やパルス広がり、光信号対雑音比のランダムな変動を引き起こし、高速長距離光通信の大きな問題となる。
【００１６】
さらに、光通信における伝送路設計においては、伝送路の損失等が最悪の条件を想定して、伝送路設計を行うのが一般的である。このような場合、上述の最悪ケースは、現実にはあまり起こりえない。従って、可変光減衰器を伝送路中に組み込んだ場合には、可変光減衰器において信号光を「減衰させた状態」で使用する頻度が高くなる。このような条件の下では、可変光減衰器の減衰率が大きい状態での、ＰＤＬを抑える事が重要となる。
【００１７】
本発明は、上述したＰＤＬを抑制した小型の可変光減衰器を提供することを目的としている。特に可変光減衰器の減衰率とＰＤＬの関係に着目して、減衰率の大きい領域でのＰＤＬの改善を実現する。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明は、このような目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、入力光の信号強度を調整して出力光を出力する可変光減衰器において、前記入力光の信号強度に対する前記出力光の信号光の減衰率ｘと前記減衰率における偏波依存損失（ＰＤＬ）ｙとの関係ｙ＝ｆ（ｘ）が、ｆ（ｘ）＞Ｎ・ｆ（ｘ／Ｎ）の条件を満たす基本可変光減衰器要素であって、光学的に縦続接続されたＮ個（Ｎは２以上の整数）の前記基本可変光減衰器要素を備えたことを特徴とする。
【００１９】
請求項２に記載の発明は、前記基本可変光減衰器要素の少なくとも１つは、平面基板上に構成された２つのアーム導波路と、前記２つのアーム導波路を光学的に結合させる２つの結合器と、前記２つのアーム導波路のうちの１つのアーム導波路上の信号光の位相を変化させる位相制御器と、を備えたマッハツェンダ干渉計型可変光減衰器であることを特徴とする。
【００２０】
請求項３に記載の発明は、前記マッハツェンダ干渉計型可変光減衰器の前記２つのアーム導波路の光路長差は、前記入力光信号の波長の２分の１であることを特徴とする。
【００２１】
請求項４に記載の発明は、前記マッハツェンダ干渉計型可変光減衰器の短いほうのアーム導波路上に、前記位相制御器を備えたことを特徴とする。
【００２２】
請求項５に記載の発明は、前記マッハツェンダ干渉計型可変光減衰器のクロスポートを光学的に縦続接続したことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２３】
以上説明したように、本発明を用いることによってＰＤＬを抑制した可変光減衰器を実現できる。減衰率が大きな動作領域でも、低いＰＤＬを実現ができる。さらに、マッハツェンダ干渉計のＰＬＣ−ＶＯＡで構成することで、他の回路と集積化が容易で小型化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【００２５】
以下では、光導波路としてシリコン基板上に形成された石英系光導波路を例にとって説明する。これは、この組み合わせが安定で信頼性に優れた光導波路デバイスを作製するのに適しているからである。しかしながら、本発明はこの組み合わせに限定されるものではなく、シリコンまたは石英ガラスまたはソーダガラスなどの基板上に、石英系光導波路またはシリコン酸化窒化膜（ＳｉＯＮ）などの光導波路またはＰＭＭＡなどの有機系光導波路などを用いたものでももちろん構わない。
【００２６】
本発明は、複数の従来型の可変光減衰器を基本可変光減衰器要素として、縦属に接続した構成となっている。すなわち、例えば、従来技術として説明した非対称ＭＺＩを縦属に接続した構成となっており、それぞれの、非対称ＭＺＩにおいて動作する減衰率の領域を、ＰＤＬが低い領域にすることにより、全体として、所望の減衰率においてＰＤＬの低減を実現している。
【００２７】
［実施例１］
図１は、本発明の第一の実施例として作製した二段型可変光減衰器の概略図である。本光減衰器は、二つのＭＺＩ型ＶＯＡを基本可変光減衰器要素として、直列に配置した構成になっており、第一段目のＭＺＩ型ＶＯＡ１０８ａは半波長の光路長差を有した非対称ＭＺＩのクロスポート、第二段目のＭＺＩ型ＶＯＡ１０８ｂは半波長の光路長差を有した非対称ＭＺＩのクロスポートを利用する。
【００２８】
本光減衰器は、より詳細には、光導波路１０１、３ｄＢ方向性結合器１０２ａ、１０２ｂ、１０５ａ、１０５ｂは、配線１０３ａ、１０３ｂ、薄膜ヒータ１０４ａ、１０４ｂ、入力導波路端１０６、出力導波路端１０７から構成されている。配線１０３ａ、１０３ｂはそれぞれ薄膜ヒータ１０４ａ、１０４ｂの両端に接続されている。外部より配線１０３ａ、１０３ｂへ電源が接続されて、薄膜ヒータ１０４ａ、１０４ｂが発熱する。各ＭＺＩ型ＶＯＡにおける光減衰器として動作は、従来のものと同様であり、説明は省略する。
【００２９】
図２は、本実施例のＭＺＩ型ＶＯＡ単体（言い換えれば、一段型可変光減衰器）に関するＰＤＬの減衰率依存性である。ここで、ＰＤＬを低減する方法について説明する。測定値を三次関数でフィッティングすれば下式の近似式が得られる。
ｙ＝0.00011x３−0.00203x２＋0.03273x＋0.07268（ｘは減衰率、ｙはＰＤＬ）（１）
式（１）より、二段直列に接続した際のＰＤＬの減衰率依存性は下式の通り予測できる。
【００３０】
【数１】
2006234887.tif 000003
【００３１】
図３は、式（１）と式（２）を同一グラフ内に記したものである。図３からわかるように、式（１）と式（２）とを比較すれば、減衰率１６ｄＢ以上の領域においては、二段型可変光減衰器の方のＰＤＬが低くなると予測される。
【００３２】
図４は、本実施例で作製した二段型可変光減衰器について、ＰＤＬの減衰率依存性の特性測定結果を示す。減衰率２５ｄＢにおけるＰＤＬは、二段型可変光減衰器が約０．８ｄＢ、１段型可変光減衰器が１．３ｄＢであり、図３における計算結果とほぼ一致しており、同じ減衰率において、ＰＤＬを低減することができる。
【００３３】
つまり、個別の可変光減衰器について、減衰率とＰＤＬの関係をｙ＝ｆ（ｘ）（ｘは減衰率、ｙはＰＤＬ）としたとき、使用する減衰率ｘにおいてｆ（ｘ）＞２ｆ（ｘ／２）となる場合に、二段化した構成とすることでＰＤＬ抑制の効果が得られる。すなわち、基本となる可変光減衰器の減衰率とＰＤＬの関係が、直線的な比例関係ではなく、図２や図６に示された（一段の）可変光減衰器のＰＤＬの減衰率依存性の特性のように、減衰率が大きい領域で急速にＰＤＬが増加するような場合に、本発明の効果が得られる。
【００３４】
これを拡張すれば、「個別の可変光減衰器について、減衰率とＰＤＬの関係をｙ＝ｆ（ｘ）（ｘは減衰率、ｙはＰＤＬ）としたとき、可変光減衰器として使用する減衰率においてｆ（ｘ）＞Ｎｆ（ｘ／Ｎ）（Ｎは２以上の整数）となる場合に、可変光減衰器をＮ段化することでＰＤＬ抑制の効果が得られる」と言うことができる。
【００３５】
従って、上述したような減衰率とＰＤＬの関係を有する可変光減衰器の場合には、平面光回路を用いたＭＺＩ型ＶＯＡに限らず、ＭＥＭＳ型／バルク（磁気光学）型など他の可変光減衰器においても、上の条件を満足するかぎり同様な効果が得られる。
【００３６】
本実施例においては、ＭＺＩ型ＶＯＡは半波長の光路長差を有した非対称ＭＺＩのクロスポートを用いた。これは、このＭＺＩ型ＶＯＡの構成が最もＰＤＬを低減できる構成であったためである。すなわち、いわゆる対称ＭＺＩ型ＶＯＡや、光路差長が半波長以外の非対称ＭＺＩ型ＶＯＡでは、基本的なＰＤＬの値がより大きい。このため、ＭＺＩ型ＶＯＡは半波長の光路長差を有した非対称ＭＺＩのクロスポートを用いるのが最適である。また、この構成では、ヒータによって熱光学効果を加えない初期状態の減衰率が、無限大（∞）相当になり大きな減衰率を有する。従って、初期状態の減衰率を無限大（∞）以外の値に変えたい場合は、対称ＭＺＩなど他の光路長差を有したＭＺＩを用いることになる。このような場合においても、同様なＰＤＬ抑制効果が得られる。
【００３７】
また、本実施例の場合には、各々のＭＺＩ型ＶＯＡは、同一の構成のものを縦属接続しているが、これに限定されるわけではなく、異なる構成のＶＯＡを縦属接続した場合でも、本発明の効果が得られる。すなわち、異なるタイプのＶＯＡであっても、各々のＶＯＡのＰＤＬ特性が、減衰率が大きくなるにつれて急速に劣化するような場合であれば、これらの異なるタイプの可変光減衰器を縦属接続することでも、ＰＤＬを低減する効果がある。
【００３８】
さらに、本実施例では、第１のＭＺＩ型ＶＯＡ１０８ａと第２のＭＺＩ型ＶＯＡ１０８ｂは、直接、縦属接続され、２つのＶＯＡ間には何も介していない構成であるが、これに限定されない。すなわち、それぞれのＶＯＡのそれぞれの薄膜ヒータ１０４ａ、１０４ｂ対する制御がお互いに関連して行われる限り、上記の２つのＶＯＡの間に別の機能の回路を挿入する構成であってもかまわない。
【００３９】
本実施例においては従来の可変光減衰器に比べて、次の効果がある。
１．  二段のＶＯＡで信号光を遮断するため、遮断特性が一段構成の減衰器より向上する。
２．  減衰率が大きい領域で、ＰＤＬを改善することができる。従って、光伝送路中で実際に使用される頻度の高い、減衰率が大きい領域で、効果的にＰＤＬを低減することができる。すなわち、従来の１段の可変光減衰器の構成では、十分でなかったＰＤＬの低減が可能となる効果がある。
３．  広い可変範囲で、ＰＤＬの低い可変光減衰器が得られる。
【００４０】
［実施例２］
図５は、本発明の第二の実施例として作製した三段型可変光減衰器の概略図である。本可変光減衰器は、光導波路５０１、３ｄＢ方向性結合器５０２ａ、５０２ｂ、５０２ｃ、５０５ａ、５０５ｂ、５０５ｃ、配線５０３ａ、５０３ｂ、５０３ｃ、薄膜ヒータ５０４ａ、５０４ｂ、５０４ｃで構成されている。本可変光減衰器は、入力導波路端５０６、出力導波路端５０７を持ち、半波長の光路長差を有した３つの非対称ＭＺＩ５０８ａ、５０８ｂ、５０８ｃからなっている。
【００４１】
すなわち、ＭＺＩ型ＶＯＡを基本可変光減衰器要素として、三段直列に配置した構成になっており、第一段目のＭＺＩ型ＶＯＡ５０８ａは半波長の光路長差を有した非対称ＭＺＩのクロスポート、第二段目のＭＺＩ型ＶＯＡ５０８ｂは半波長の光路長差を有した非対称ＭＺＩのクロスポート、第三段目のＭＺＩ型ＶＯＡ５０８ｃは半波長の光路長差を有した非対称ＭＺＩのクロスポートを利用する。
【００４２】
ＭＺＩ型ＶＯＡ単体についてＰＤＬの減衰率依存性の実験結果を三次関数でフィッティングすれば下式の近似式が得られる。
ｙ＝0.00018x３−0.00272x２＋0.04503x＋0.07097（ｘは減衰率、ｙはＰＤＬ）（３）
式（３）より、三段直列に接続した際のＰＤＬの減衰率依存性は下式の通り予測できる。
【００４３】
【数２】
2006234887.tif 000004
【００４４】
従って、式（３）および式（４）によれば、減衰率１６ｄＢ以上では三段型の方がＰＤＬが低くなると予測される。
【００４５】
図６は、本実施例において作製した三段型可変光減衰器のＰＤＬの減衰率依存性の特性測定結果を示す。減衰率２５ｄＢにおけるＰＤＬは、三段型可変光減衰器が約１．１ｄＢ、一段型可変光減衰器が２．３ｄＢであり、ＰＤＬを下げることができる。
【００４６】
図７は、実際に作成した三段型可変光減衰器と二段型可変光減衰器について、ＰＤＬの減衰率依存性特性の比較を示している。２ｆ（ｘ／２）＞３ｆ（ｘ／３）となる領域が存在し、２５ｄＢ以上の減衰率の領域では、三段型可変光減衰器は二段型可変光減衰器よりもさらにＰＤＬが低減されていることがわかる。
【００４７】
本実施例においては、従来の可変光減衰器に比べて、次のような効果がある。
１．三段のＶＯＡで信号光を遮断するため、遮断特性がさらに向上する。
２．２ｆ（ｘ／２）＞３ｆ（ｘ／３）となる領域が存在し、２５ｄＢ以上の減衰率では、三段型は二段型よりもさらに低ＰＤＬである。
３．広い可変範囲で、ＰＤＬの低い可変光減衰器が得られる。
【００４８】
本実施例では、ＭＺＩ型ＶＯＡは半波長の光路長差を有した非対称ＭＺＩのクロスポートを用いた。これは、実施例１の場合と同様に、この構成が最もＰＤＬを下げることができる構成であったためである。この構成では、ヒータに光熱効果を加えない初期の減衰率が無限大（∞）相当になり大きな減衰率を有する。従って、初期の減衰率をこれ以外の値に変えたい場合は、対称ＭＺＩなど他の光路長差を有したＭＺＩを用いることになる。これらの場合においても同様なＰＤＬ抑制効果が得られる。
【００４９】
また、実施例１において述べたように、本実施例においても同一構成の可変光減衰器を縦属接続しているが、異なるタイプの可変光減衰器を組み合わせて構成しても、同様なＰＤＬ改善効果が得られる。従って、本実施例のように同一構成の可変光減衰器の組み合わせに限定されるものではない。
【００５０】
さらに、本実施例では、第１のＭＺＩ型ＶＯＡ５０８ａ、第２のＭＺＩ型ＶＯＡ５０８ｂおよび第３のＭＺＩ型ＶＯＡ５０８ｃは、直接縦属接続され、３つのＭＺＩ型ＶＯＡ間には何も介さない構成であるが、これに限定されない。すなわち、ＶＯＡのそれぞれの薄膜ヒータ５０４ａ、５０４ｂ、５０４ｃに対する制御がお互いに関連して行われる限り、上記の３つのＶＯＡの間に別の機能の回路を挿入する構成であってもかまわない。
【００５１】
実施例１、実施例２における可変光減衰器では、平面光導波路型のいわゆるＰＬＣ回路構成のＭＺＩ型ＶＯＡによって実現できるため、小型化に適し、他のＰＬＣ回路との集積化も容易である。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】第一の実施例の二段型可変光減衰器の概略図である。
【図２】一段型可変光減衰器に関するＰＤＬの減衰率依存性の実測値を示す図である。
【図３】ＰＤＬの減衰率依存性（計算値）を示す図である。
【図４】二段型可変光減衰器に関するＰＤＬの減衰率依存性の実測値を示す図である。
【図５】第二の実施例の二段型可変光減衰器の概略図を示す図である。
【図６】ＰＤＬの減衰率依存性（三段および一段型可変光減衰器）を示す図である。
【図７】ＰＤＬの減衰率依存性（三段および二段型可変光減衰器）を示す図である。
【図８】従来のマッハツェンダ干渉計を用いた可変光減衰器の概略図である。
【図９】従来のマッハツェンダ干渉計を用いた可変光減衰器について、減衰率とヒータ過熱による位相変化量の関係を示す図である。
【図１０】従来のマッハツェンダ干渉計を用いた可変光減衰器について、ＰＤＬの減衰率依存性を示す図である。
【符号の説明】
【００５３】
１０１、１０１ａ、１０１ｂ、５０１，８０１  光導波路
１０２ａ−１０２ｂ、１０５ａ−１０５ｂ、５０２ａ−５０２ｃ、５０５ａ−５０５ｃ，８０２、８０５  ３ｄＢ方向性結合器
１０３ａ−１０３ｂ、５０３ａ−５０３ｃ、８０３  配線
１０４ａ−１０４ｂ、５０４ａ−５０４ｃ、８０４  薄膜ヒータ
１０６、５０６、８０６ａ−８０６ｂ  入力導波路端
１０７、５０７、８０７ａ−８０７ｂ  出力導波路端
１０８ａ−１０８ｂ、５０８ａ−５０８ｃ  半波長の光路長差を有した非対称ＭＺＩ構成
【図１】
2006234887.tif 000005
【図２】
2006234887.tif 000006
【図３】
2006234887.tif 000007
【図４】
2006234887.tif 000008
【図５】
2006234887.tif 000009
【図６】
2006234887.tif 000010
【図７】
2006234887.tif 000011
【図８】
2006234887.tif 000012
【図９】
2006234887.tif 000013
【図１０】
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