(57)【要約】【課題】アクチュエータ・アセンブリを提供すること。【解決手段】アクチュエータ・アセンブリは、磁石アセンブリによって発生された磁場中において可動で位置決め可能なコイルを含み、コイル及び磁石のそれぞれは、実質的に片側の面だけが、他方と対面する。第１の自由度で力を発生するために、磁場が電流の方向に対してほぼ直角になるように磁場を形成するための、磁化された磁場整形用要素が設けられる。したがって、磁極によってコイルを取り囲む必要がないので、コイルは、容易に取り付けることができる。【選択図】図３Ａ
2006121081.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターン形成装置から基板上にパターンを転送するように構成されたリソグラフィ装置において、
パターン形成装置又は前記基板を位置決めするように構成されたアクチュエータ・アセンブリであって、
磁場を発生するように構成された複数の磁石を含む第１のアクチュエータ部分と、
前記磁場中で位置決め可能であり、前記磁場を貫通する第２の方向に電流を流すように構成された導電体を含む第２のアクチュエータ部分とを含み、
前記第１のアクチュエータ部分が、前記第２のアクチュエータ部分に対して可動で位置決め可能である、アクチュエータ・アセンブリを含み、
前記磁場が、整形されて、前記電流の前記第２の方向に対してほぼ直角である第１の方向で前記導電体の位置に少なくとも存在し、それによって前記第１及び第２の方向によって画定された平面に対してほぼ直角である第１の自由度で、前記導電体上に力を発生し、
その磁石すべてを含む前記第１のアクチュエータ部分及び前記第２のアクチュエータ部分が、可動であり、前記第１の方向に互いから離れる、リソグラフィ装置。
【請求項２】
前記アクチュエータ・アセンブリが、前記磁場を整形するように構成された、磁化された磁場整形用要素を含む、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記磁化された磁場整形用要素が、前記第１のアクチュエータ部分中に配列される、請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記磁化された磁場整形用要素が、前記第２のアクチュエータ部分中に配列される、請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
各前記第１及び第２のアクチュエータ部分が、他のアクチュエータ部分に実質的に片側の面だけで対面し、
前記面が、前記第１の方向に対してほぼ直角に延在する、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
放射線ビームを調整するように構成された照明部と、
前記パターン形成装置を支持するように構成された支持構造部と、
前記パターン形成装置から前記基板上にパターンを投射するように構成された投射システムと、
前記基板を保持するように構成された基板テーブルとをさらに含む、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記複数の磁石が、前記第１の方向に前記第２のアクチュエータ部分から前記第１のアクチュエータ部分を隔置するために、前記第１のアクチュエータ部分中に配列される、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
アクチュエータ・アセンブリであって、
磁場を発生するように構成された複数の磁石を含む第１のアクチュエータ部分と、
前記磁場中で位置決め可能であり、前記磁場を貫通する第２の方向で電流を流すように構成された導電体を含む第２のアクチュエータ部分とを含み、
前記第１のアクチュエータ部分が、前記第２のアクチュエータ部分に対して可動で位置決め可能であり、
前記磁場が、整形されて、前記電流の前記第２の方向に対してほぼ直角である第１の方向で前記導電体の位置に少なくとも存在し、それによって前記第１及び第２の方向によって画定された平面に対してほぼ直角である第１の自由度で、前記導電体上に力を発生し、
その磁石すべてを含む前記第１のアクチュエータ部分及び前記第２のアクチュエータ部分が、可動であり、前記第１の方向に互いから離れる、アクチュエータ・アセンブリ。
【請求項９】
前記アクチュエータ・アセンブリが、前記磁場を整形するように構成された、磁化された磁場整形用要素を含む、請求項８に記載のアクチュエータ・アセンブリ。
【請求項１０】
各前記第１及び第２のアクチュエータ部分が、他のアクチュエータ部分に対して実質的に片側の面だけで対面し、
前記面が、前記第１の方向に対してほぼ直角に延在する、請求項８に記載のアクチュエータ・アセンブリ。
【請求項１１】
前記導電体が、コイルの一部分を形成する、請求項８に記載のアクチュエータ・アセンブリ。
【請求項１２】
第２の導電体が、第２の自由度で力を発生するために設けられる、請求項８に記載のアクチュエータ・アセンブリ。
【請求項１３】
前記第１のアクチュエータ部分及び前記第２のアクチュエータ部分の第１の方が、前記第１のアクチュエータ部分及び前記第２のアクチュエータ部分の第２の方より上にほぼ縦方向で配置され、
前記第１のアクチュエータ部分及び前記第２のアクチュエータ部分の前記第２の方が、支持構造部によって支持され、
前記磁場整形用要素が、前記第１のアクチュエータ部分及び前記第２のアクチュエータ部分の前記第１の方を支持するための垂直重力補償力を発生するように構成される、請求項９に記載のアクチュエータ・アセンブリ。
【請求項１４】
前記磁化された磁場整形用要素が、ハルバッハ磁石である、請求項９に記載のアクチュエータ・アセンブリ。
【請求項１５】
前記アクチュエータ・アセンブリに、他の構造との不要な磁気相互作用を防止するように構成された磁場シールド用材料が設けられる、請求項８に記載のアクチュエータ・アセンブリ。
【請求項１６】
前記磁場シールド用材料が、前記第１のアクチュエータ部分の磁石と導電体の間に配置され、
前記導電体が、不要な力の発生を防止するために、電流を流すように構成される、請求項１５に記載のアクチュエータ・アセンブリ。
【請求項１７】
前記アクチュエータ・アセンブリが、比較的短い距離にわたって移動するように構成され、
前記第１又は第２のアクチュエータ部分が、比較的長い距離にわたって移動するように構成された第２のアクチュエータ・アセンブリによって支持される、請求項８に記載のアクチュエータ・アセンブリ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アクチュエータ・アセンブリ及びそのようなアクチュエータ・アセンブリを含むリソグラフィ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、基板上に、すなわち通常、基板の対象部分上に所望のパターンを適用する機械である。リソグラフィ装置は、たとえば集積回路（ＩＣ）の製造中に使用することができる。その場合、パターン形成装置は、或いはマスク又はレチクルとして呼ばれるが、これを使用して、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを発生することができる。このパターンは、基板（たとえば、シリコン・ウェハ）上の対象部分（たとえば、１つ又はいくつかのダイの部分を含む）上に転送することができる。パターンの転送は、通常、基板上に設けられた放射感応材料（レジスト）の層上に転写することによって行われる。一般に、１つの基板は、連続的にパターン形成される隣接した対象部分のネットワークを含む。
【０００３】
従来のリソグラフィ装置は、いわゆるステッパと、いわゆるスキャナとを含み、ステッパでは、一度にパターン全体を対象部分上に照射することによって、各対象部分が露光され、スキャナでは、放射線ビームによって所与の方向（「走査」方向）にパターンを走査して、各対象部分が照射され、一方それと同期して、基板が、この走査方向と平行に又は逆平行に走査される。パターンを基板にインプリントすることによって、パターン形成装置から基板へパターンを転写することも可能である。
【０００４】
走査又はステッピングのために、パターン形成装置及び／又は基板は、移動が可能なように支持されることが必要である。従来のリソグラフィ装置では、パターン形成支持部及び／又は基板テーブルは、第１及び第２のアクチュエータ部分を含むアクチュエータ・アセンブリによって支持される。従来のアクチュエータ・アセンブリでは、第１のアクチュエータ部分は、磁石間のギャップ中に磁場を発生するために、２つの磁石を含む。第２のアクチュエータ部分は、コイルを含み、そのコイルは、磁場中にコイルを配置するように、磁石間のギャップ中に配置される。したがって、第１のアクチュエータ部分の磁石が、第２のアクチュエータ部分のコイルに対向する側に配置される。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
第１のアクチュエータ部分の磁石が、第２のアクチュエータ部分の対向する側に位置するので、アクチュエータ・アセンブリを組み立てて取り付けることが、困難になる恐れがある。アクチュエータ・アセンブリが、機能不全を起こした場合、検査、修理又は交換のために、アクチュエータ・アセンブリを分解する、すなわち少なくとも１つのアクチュエータ部分を取り外す必要が生じることがある。その後、アセンブリを再び組み立てて取り付けなければならない。アクチュエータ・アセンブリが、リソグラフィ装置の多数の他の部品に囲まれて、したがって作業スペースが限定されるので、リソグラフィ装置中でアクチュエータ・アセンブリを分解し組み立てることは、最初の組み立て及び取り付けよりさらに煩雑である。容易にアクセスし、検査して迅速に修理するために、したがって、不都合なほどにアクチュエータ・アセンブリのまわりに余分なスペースを設けるように、リソグラフィ装置を設計する必要がある場合がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の実施例は、アクチュエータ・アセンブリを含み、それは、組み立て分解及び取り付け取り外しが容易である。
【０００７】
本発明の実施例によれば、パターン形成装置から基板上にパターンを転送するように構成されており、パターン形成装置及び基板のうちの少なくとも１つが、アクチュエータ・アセンブリによって移動可能に支持され、アクチュエータ・アセンブリは、第２のアクチュエータ部分に対して可動で位置決め可能な第１のアクチュエータ部分を含み、第１のアクチュエータ部分は、磁場を発生するための複数の磁石を含み、第２のアクチュエータ部分は、磁場を貫通する第２の方向で電流を伝導するために、磁場中に位置決め可能な導電体を含み、磁場は、電流の第２の方向に対してほぼ直角である第１の方向で、少なくとも導電体の位置において存在するように形作られ、それによって第１及び第２の方向によって画定された面に対して直角な第１の自由度で導電体上に力を発生し、その磁石すべてを含む第１のアクチュエータ部分及び第２のアクチュエータ部分は移動可能であり、第１の方向に互いから離れる、リソグラフィ装置が提供される。
【０００８】
本発明の実施例によれば、第２のアクチュエータ部分に対して可動で位置決め可能な第１のアクチュエータ部分を含んでおり、第１のアクチュエータ部分は、磁場を発生するための複数の磁石を含み、第２のアクチュエータ部分は、磁場を貫通する第２の方向で電流を伝導するために、磁場中で位置決め可能な導電体を含み、磁場は、電流の第２の方向に対してほぼ直角な第１の方向で、少なくとも導電体の位置において存在するように形作られ、それによって第１及び第２の方向によって画定された面に対して直角である第１の自由度で導電体上に力を発生し、その磁石すべてを含む第１のアクチュエータ部分及び第２のアクチュエータ部分は移動可能であり、第１の方向に互いから離れる、アクチュエータ・アセンブリが提供される。
【０００９】
ここで、本発明の実施例について、例としてだけで添付の概略図面を参照して述べる。図面では、対応する参照記号は、対応する構成要素を表す。
【００１０】
図１に、本発明の一実施例によるリソグラフィ装置を概略的に示す。この装置は、放射線ビームＢ（たとえば、ＵＶ放射線）を調整するように構成された照明システム（照明器）ＩＬと、パターン形成装置（たとえば、マスク）ＭＡを支持するように構築されており、いくつかのパラメータに従ってパターン形成装置を正確に位置決めするように構成された第１の位置決め器ＰＭに接続された、支持構造部（たとえば、マスク・テーブル）ＭＴと、基板（たとえば、レジスト被覆ウェハ）Ｗを保持しており、いくつかのパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２の位置決め器ＰＷに接続された、基板テーブル（たとえばウェハ・テーブル）ＷＴとを含む。装置は、パターン形成装置ＭＡによって放射線ビームＢに付与されたパターンを、基板Ｗの対象部分Ｃ（たとえば、１つ又は複数のダイを含む）上に投射するように構成された投射システム（たとえば、屈折投射レンズ・システム）ＰＳも含む。
【００１１】
照明システムは、放射線を誘導し整形し又は制御するために、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気又は他のタイプの光学的構成要素やそれらのすべての組み合わせなど、様々なタイプの光学的構成要素を含むことができる。
【００１２】
支持構造部は、パターン形成装置の重量を支持、すなわち担う。それは、パターン形成装置の方向、リソグラフィ装置のデザイン、及びたとえばパターン形成装置が真空環境下で保持されるかどうかなど、他の条件に依存する形で、パターン形成装置を保持する。支持構造部は、パターン形成装置を保持するために、機械的、真空、静電気や他のクランプ技術を使用することができる。支持構造部は、たとえばフレームやテーブルとすることができ、それは、必要に応じて固定又は可動でもよい。支持構造部は、パターン形成装置が、たとえば投射システムに対して所望の位置にあることを保証することができる。本明細書において、用語「レチクル」又は「マスク」のどのような使用も、より一般的な用語「パターン形成装置」と同義であると見なすことができる。
【００１３】
本明細書で使用する用語「パターン形成装置」は、放射線ビームにその断面においてパターンを付与し、それによって基板の対象部分中にパターンを生成するために、使用することができるどのような装置も呼ぶものとして、広く解釈すべきである。たとえば、パターンが位相シフトフィーチャ、又はいわゆるアシスト・フィーチャを含む場合、放射線ビームに付与されたパターンは、基板の対象部分中に所望のパターンと正確に対応しないことがあることに留意すべきである。一般に、放射線ビームに付与されたパターンは、集積回路など、対象部分中に生成されるデバイス中の個々の機能層と対応することになる。
【００１４】
パターン形成装置は、透過型又は反射型としてもよい。パターン形成装置の実施例には、マスク、プログラム可能ミラー・アレイ、及びプログラム可能ＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、バイナリー、交互位相シフト、及び減衰型位相シフトなどのマスク・タイプ、並びに様々なハイブリッド・マスクのタイプを含め、リソグラフィではよく知られている。プログラム可能ミラー・アレイの実施例は、小さなミラーのマトリックス構成を用いるものであって、各ミラーは、様々な方向に入射放射線ビームを反射するように、個々に傾斜させることができる。傾斜されたミラーによって、ミラー・マトリックスが反射した放射線ビーム中に、パターンが付与される。
【００１５】
本明細書で使用する用語「投射システム」は、使用されている露光用放射線に適した、或いは浸漬液又は真空状態の使用などの他の要因に適した、屈折、反射、反射屈折、磁気、電磁気、及び静電気の光学的システム、或いはそれらのすべての組み合わせを含め、どのようなタイプの投射システムも包含するものと、広く解釈すべきである。本明細書での用語「投射レンズ」の使用はすべて、より一般的な用語「投射システム」と同義であると考えることができる。
【００１６】
本明細書で表すように、装置は、透過タイプ（たとえば、透過型マスクを使用）のものである。或いは、装置は、反射タイプ（たとえば、上記で言及したタイプのプログラム可能ミラー・アレイ又は反射型マスクを使用）のものでもよい。
【００１７】
リソグラフィ装置は、２つ（デュアル・ステージ）以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスク・テーブル）を有したタイプのものでもよい。そのような「複数ステージ」の機械では、追加のテーブルは、並列に使用する、又は準備工程を１つ以上のテーブル上で実施し、その間１つ以上の他のテーブルが、露光のために使用されていてもよい。
【００１８】
リソグラフィ装置は、投射システムと基板の間のスペースを充填するために、少なくとも基板の一部分が、比較的高屈折率の液体、たとえば水で覆われることがあるタイプのものでもよい。浸漬液は、リソグラフィ装置中の他のスペース、たとえばマスクと投射システムの間に適用してもよい。浸漬技術は、投射システムの開口数を増加するものとして、この技術でよく知られている。本明細書で使用する用語「浸漬」は、基板などの構造を液体中に沈めなければならないことを意味するのではなく、むしろ、露光中、投射システムと基板の間に液体を置くことを単に意味する。
【００１９】
図１を参照すると、照明器ＩＬが、放射線源ＳＯから放射線ビームを受け取る。放射線源及びリソグラフィ装置は、たとえば放射線源が、エキシマ・レーザであるとき、別の実体としてもよい。そのような場合、放射線源は、リソグラフィ装置の一部分を形成すると見なされず、放射線ビームは、たとえば適切な誘導ミラー及び／又はビーム・エクスパンダーを含んだビーム転送システムＢＤの助けによって、放射線源ＳＯから照明器ＩＬへ送られる。他の場合、たとえば放射線源が水銀ランプのとき、放射線源は、リソグラフィ装置と一体とすることができる。放射線源ＳＯ及び照明器ＩＬは、必要ならビーム転送システムＢＤとともに、放射線システムと呼ばれることがある。
【００２０】
照明器ＩＬは、放射線ビームの角強度分布を調節するように構成された調節器ＡＤを含むことができる。一般に、照明器の瞳面中の強度分布の、少なくとも外側半径方向範囲及び／又は内側半径方向範囲（一般に、それぞれσ−アウター及びσ−インナーとして呼ばれる）を調節することができる。さらに、照明器ＩＬは、インテグレータＩＮやコンデンサＣＯなど、様々な他の構成要素を含むことができる。照明器を使用して、放射線ビームを、その断面において所望の一様性及び強度分布を有するように、調整することができる。
【００２１】
放射線ビームＢは、支持構造部（たとえば、マスク・テーブルＭＴ）上に保持されたパターン形成装置（たとえば、マスクＭＡ）上に入射し、パターン形成装置によってパターン形成される。マスクＭＡを横切った後、放射線ビームＢは、投射システムＰＳを通過し、投射システムＰＳは、基板Ｗの対象部分Ｃ上にそのビームを合焦する。第２の位置決め器ＰＷ及び位置センサＩＦ（たとえば、干渉計、リニア・エンコーダや容量性センサ）の助けによって、たとえば放射線ビームＢの経路中に様々な対象部分Ｃを配置するために、基板テーブルＷＴを正確に移動することができる。同様に、たとえばマスク・ライブラリから機械的に取り出した後又は走査中、第１の位置決め器ＰＭ及び他の位置センサ（図１中に明示していない）を使用して、放射線ビームＢの経路に対してマスクＭＡを正確に配置することができる。一般に、マスク・テーブルの移動は、長行程モジュール（粗い位置決め用）及び短行程モジュール（細かい位置決め用）の助けによって実現することができ、それらは、第１の位置決め器ＰＭの一部を形成する。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、長行程モジュール及び短行程モジュールを使用して実現することができ、それらは、第２の位置決め器ＰＷの一部を形成する。ステッパの場合（スキャナとは反対に）、マスク・テーブルＭＴは、短行程アクチュエータだけに接続してもよく、又は固定してもよい。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスク位置合わせマークＭ１、Ｍ２及び基板位置合わせマークＰ１、Ｐ２を使用して、位置合わせすることができる。この図に示す基板位置合わせマークは、専用の対象部分を占めるが、それらは、対象部分間のスペース中に位置決めすることができる（これらは、スクライブ・レーン位置合わせマークとして知られる）。同様に、２以上のダイがマスクＭＡ上に設けられたような状況下では、マスク位置合わせマークは、ダイ間に配置してもよい。
【００２２】
述べてきた装置は、少なくとも１つの以下のモードで使用することができる。
【００２３】
ステップ・モード：
マスク・テーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に保たれ、その間放射線ビームに付与されたパターン全体が、対象部分Ｃ上に１回で投射される（すなわち、１回の静的露光）。次に、基板テーブルＷＴは、異なる対象部分Ｃを露光することができるように、Ｘ及び／又はＹ方向にシフトされる。ステップ・モードでは、露光フィールドの最大サイズによって、１回の静的露光で写像される対象部分Ｃのサイズが限定される。
【００２４】
走査モード：
マスク・テーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴは、同期して走査され、その間放射線ビームに付与されたパターンが、対象部分Ｃ上に投射される（すなわち、１回の動的露光）。マスク・テーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、倍率（縮小率）及び投射システムＰＳのイメージ反転特性によって決定することができる。走査モードでは、露光フィールドの最大サイズによって、１回の動的露光での対象部分の幅（非走査方向）が限定され、一方走査運動の距離によって、対象部分の高さ（走査方向）が決定される。
【００２５】
他のモード：
マスク・テーブルＭＴは、基本的に静止状態に保たれてプログラム可能パターン形成装置を保持し、基板テーブルＷＴは、放射線ビームに付与されたパターンが、対象部分Ｃ上に投射されている間、移動又は走査される。このモードでは、一般に、パルス化された放射線源が使用され、プログラム可能パターン形成装置が、基板テーブルＷＴの移動の後毎に、又は走査中の連続した放射線パルスの間の中で、必要に応じて更新される。動作のこのモードは、上記で言及したタイプのプログラム可能ミラー・アレイなどのプログラム可能パターン形成装置を利用した、マスク使用しないリソグラフィに容易に適用することができる。
【００２６】
上記に述べた使用モードについての組み合わせ及び／又は変更、或いはまったく異なる使用モードも、用いることができる。
【００２７】
図２Ａに、パターン支持部又は基板テーブルを移動するための、従来のアクチュエータ・アセンブリ２を概略的に示す。アクチュエータ・アセンブリは、ほぼＣ字型の第１のアクチュエータ部分４を含み、その２つのアームを参照番号４Ａ及び４Ｂで示してある。アーム４Ａ及び４Ｂは、図２Ａに示していない形で互いに接続される。各アーム４Ａ、４Ｂには、それぞれ２つの磁石１０、８が設けられていて、それによって磁石８、１０の各ペア間に、基本的に磁石８、１０のそれぞれの中に描かれた矢印の方向に、磁場が発生する。
【００２８】
Ｃ字型の第１のアクチュエータ部分の２つのアーム４Ａと４Ｂの間に、第２のアクチュエータ部分６が配置される。第２のアクチュエータ部分６には、コイル１２が設けられ、そのコイルの第１のブランチ及び第２のブランチが、磁石８と１０の間の磁場中に配置される。コイル１２中に電流１４を発生することができる。磁場は、磁化された磁場整形用要素１８、たとえばハルバッハ磁石によって、誘導され局部的に強化されうる。
【００２９】
図２Ｂに、図２Ａの線Ｂ−Ｂを通る断面図を示す。コイル１２は、磁石１０によって発生された磁場１６中に配置される。磁場１６の方向は、コイル１２の各ブランチについて、互いに反対である。さらに、コイル１２の各ブランチを流れる電流１４の方向は、互いに反対である。したがって、コイル１２の各ブランチ中に発生する各力２０の方向は、電流１４が磁場１６を貫通しているので、同じである。これにより、コイル１２及び磁石１０、８は、発生する力２０によって、互いに対して移動することができる。
【００３０】
第１のアクチュエータ部分のアーム４Ａ、４Ｂ間の中に第２のアクチュエータ部分６が位置すると、リソグラフィ装置の組み立て及び／又は取り付けが複雑になり、さらにアクチュエータ・アセンブリが機能不全の場合、分解しその後再び組み立てることは、さらにより複雑になる恐れがある。さらに、対向した磁石が、かなりの引力を発生する恐れがあり、該引力は補償されることを必要としている。
【００３１】
重力を補償するために、第１のアクチュエータ部分４に対して第２のアクチュエータ部分６を位置決めするように構成され、取り付けの方向に依存した追加の駆動用装置（図示せず）を、アクチュエータ・アセンブリ２は、含む。これらの追加の駆動用装置のため、アクチュエータ・アセンブリの組み立てがさらにより複雑になり、追加の構成要素によってアクチュエータ・アセンブリが比較的高価なものになる。
【実施例】
【００３２】
図３Ａに、本発明の実施例によるアクチュエータ・アセンブリ２２を概略的に示す。アクチュエータ・アセンブリ２２は、第１のアクチュエータ部分２４と、第２のアクチュエータ部分２６とを含む。第１のアクチュエータ部分には、２つの磁石２８と、磁束を誘導し強化するために、その間にあるハルバッハ磁石など、磁化された磁場整形用要素３４Ａとが設けられる。磁石２８は、永久磁石でもよく、又はたとえば基本的に各磁石２８中に描かれた矢印の方向で磁場を発生する電磁石など、他のどのような種類の磁石でもよい。
【００３３】
第２のアクチュエータ部分２６には、２つのブランチを有したコイル３０が設けられる。電流３２が、コイル３０中で発生した場合、力が、磁石２８とコイル３０のブランチとの各ペア間で発生するように、各ブランチは、磁石２８が発生した磁場中に配置される。図２Ｂに関して説明したような力の発生と同様に力を発生させるために、磁束は、図２Ａの従来技術によるアクチュエータ・アセンブリ２中に発生した磁束と同様に、電流３２に対して直角の方向に向ける必要がある。図２Ａのアセンブリとは異なり、図３Ａに示す本発明の実施例では、第１のアクチュエータ部分２４及び第２のアクチュエータ部分２６は、他のアクチュエータ部分に面した、実質的に一側面だけを有している。したがって、第１のアクチュエータ部分２４が、その側面にほぼ直角の方向に複雑な操作を必要とせず、可動であり、第２のアクチュエータ部分２６から離れうる。
【００３４】
図３Ｂを参照すると、磁束３６は、磁化された磁場整形用要素３４Ｂを使用して整形することができる。磁化された磁場整形用要素３４Ｂは、図２Ａの従来技術によるアクチュエータ・アセンブリ中で磁石８と１０の間に発生した磁束と同様に、発生した磁束が、コイル３０のブランチ中により集中するように、磁束を誘導する。したがって、コイル３０の反対側には、磁石が不要であり、それゆえ第１のアクチュエータ部分をＣ字型の形状にする必要がない。したがって、従来技術のように、１つのアクチュエータ部分が、２つの対向した側面を有し、その側面のそれぞれが他のアクチュエータ部分と対面する代わりに、各アクチュエータ部分は、実質的に片側面だけが他のアクチュエータ部分に対向する。
【００３５】
図３Ｃに、本発明の実施例によるアクチュエータ・アセンブリ２２を示す。図３Ａに示す実施例とは異なり、磁化された磁場整形用要素３４Ｂは、第１のアクチュエータ部分２４上に設けられる。しかし、図３Ａの実施例は、本明細書に以下に図４に関して説明するように、好ましい場合がある。
【００３６】
図４に、３つの磁石４０、４２及び４４からの引力及び反力を使用して、正味の上向き力４８をどのようにして得られるかを示す。図４に、三角形の矢印で、磁束の方向を示す。囲まれた磁石４２が、磁石４０の上部から出て磁石４２の左側に入った磁束４６によって引き付けられる。磁石４２を出た磁束４６及び磁石４４の上部に入った磁束４６は、引力を発生する。磁石４０及び４４の底部で、磁束４６は、磁石４０と４２の間で、及び磁石４２と４４の間で反力を発生する。磁石４０の底部に入った磁束４６は、磁石４２の左側に入った磁束４６によって反発される。右側で磁石４２を出た磁束４６は、磁石４４の底部を出た磁束４６によって反発される。したがって、磁石４０、４２及び４４のこの構成によって、磁石４２の上部において上側への引力が起こり、底側において上側への反力が起こる。その結果得られた力４８は、図３Ａ及び図３Ｂの実施例で重力を補償するために、有利にも使用することができる。たとえば、図３Ａでは、磁化された磁場整形用要素３４Ｂは、図４に示す磁石４０及び４４の機能をもたらし、磁化された磁場整形用要素３４Ａ（図３Ａ）は、図４の磁石４２の機能を果たす。
【００３７】
図３Ａ、図３Ｂを参照すると、第１のアクチュエータ部分２４は、２つの磁化された磁場整形用要素３４Ｂ間に配置される。第１のアクチュエータ部分２４が、図４に関して上記で説明したように、第２のアクチュエータ部分２６に対して所定の位置へ移動するのに役立つように、磁束３６が発生する。しかし、第１及び第２のアクチュエータ部分２４、２６が、互いに対して実質的に縦に位置する場合、第１のアクチュエータ部分２４上に働く引力を、打ち消すことができる。そのような場合、第１のアクチュエータ部分２４上に働く引力は、磁化された磁場整形用要素３４Ａ及び３４Ｂによって、少なくとも部分的に補償することができる。
【００３８】
図５Ａに、本発明の他の実施例によるアクチュエータ・アセンブリを示す。アクチュエータ・アセンブリ２２は、第１のアクチュエータ部分２４と、第２のアクチュエータ部分２６とを含む。第１のアクチュエータ部分２４は、２つの磁石２８と、磁化された磁場整形用要素３４とを含む。第２のアクチュエータ部分２６は、コイル３０と、磁場整形用要素３４とを含む。第１のアクチュエータ部分２４は、上記で述べたように、第２のアクチュエータ部分２６の上を浮かぶことができる。
【００３９】
図５Ａに示す本発明の実施例では、第２のアクチュエータ部分２６には、第２の電流５２を流すように構成された第２のコイル５０がさらに設けられる。ミューメタルなどのシールド用材料５４が、磁場をシールドするために、コイル５０の第１のブランチと第２のブランチの間に配置される。シールド用材料５４は、電流がコイル５０の下側のブランチを通って流れたとき、不要の力が発生されるのを防止する。さらに、シールド用材料５４は、磁石２８が発生した磁場が、他の近くにあるどのような構造によっても乱されないように、防止する。シールド用材料は、アクチュエータ・アセンブリ２２の他の位置にも、又はアクチュエータ・アセンブリ２２の周辺環境中にも存在してよい。
【００４０】
図５Ａのアクチュエータ・アセンブリ２２の働きは、図５Ｂ及び図５Ｃに関して述べられている。図５Ｃを参照すると、磁場３６が、磁石２８によって発生され、縦方向磁束が、コイル３０のブランチの領域中に存在するように、磁場整形用要素３４によって誘導される。図５Ｂに示し図２Ｂに関して上記したように、コイル３０を流れる電流３２を発生することによって、水平の力３８を発生することができる。水平に方向付けられた磁束が、上側のコイルのブランチの領域中に存在し、下側のコイルのブランチの領域中には、たとえばシールド用材料５４によって強制されて、磁束が存在しないように、第２のコイル５０が配置される。図５Ｄに示す本発明の他の実施例では、コイル５０の第２のブランチは、基本的に磁場３６の外側に配置してもよい。
【００４１】
コイル５０の上側のブランチの領域中の磁束の方向と、コイル５０のブランチを流れる電流５２の方向とのため、縦方向の力５６を発生することができる。したがって、この実施例では、第１のアクチュエータ部分２４及び第２のアクチュエータ部分２６は、互いに対して水平及び縦方向に移動するように制御することができる。
【００４２】
図５Ｃに示すように、磁束３６の方向（図５Ｃ）は、コイル３０が画定した平面より下の平面上で変化する。磁束方向の変化は、縦方向の力を発生するために、有利に使用することができる。図５Ｅに、平面上に第１及び第２のコイル５０、５１を含んだ本発明の他の実施例を示す。図５Ｅでは、第１のコイル５０は、第１のブランチ５０Ａ及び第２のブランチ５０Ｂを含み、第２のコイル５１は、第１のブランチ５１Ａ及び第２のブランチ５１Ｂを含む。第１のブランチ５０Ａ及び５１Ａは、磁束方向が、前記ブランチ５０Ａ及び５１Ａについて実質的に同一であるように、互いに隣り合って配置される。第２のブランチ５０Ｂ及び５１Ｂは、磁束方向が、前記ブランチ５０Ｂ及び５１Ｂについて、実質的に同一であり、第１のブランチ５０Ａ及び５１Ａの位置における磁束方向に対して実質的に反対であるように配置される。
【００４３】
第１のブランチ５０Ａ及び５１Ａをそれぞれ流れる電流５２、５３の方向は、実質的に同一である。同様に、第２のブランチ５０Ｂ及び５１Ｂをそれぞれ流れる電流５２、５３の方向は、実質的に同一であり、第１のブランチ５０Ａ及び５１Ａを流れる電流５２、５３の方向に対して実質的に反対である。図５Ｅに示す構成では、４つのブランチ５０Ａ、５０Ｂ、５１Ａ及び５１Ｂ中に発生される力は、すべて実質的に同じ方向であり、したがって第１のアクチュエータ部分２４及び第２のアクチュエータ部分２６を制御し、互いに対して縦方向に移動することが可能になる。
【００４４】
この本文中にＩＣ製造中のリソグラフィ装置の使用に関して、具体的に言及するが、本明細書で述べるリソグラフィ装置は、光集積システム、磁区メモリの誘導及び検出パターン、フラット・パネル表示装置、液晶表示装置（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造など、他の用途を有することを理解すべきである。そのような代替用途の文脈では、用語「ウェハ」又は「ダイ」の本明細書でのどのような使用も、それぞれより一般的な用語「基板」又は「対象部分」と同義であると見なすことができることを、当業者は、理解するはずである。本明細書で言及される基板は、露光前又はその後、たとえばトラック（通常、レジスト層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、測定ツール及び／又は検査ツール中で処理することができる。適用できる場合、本明細書での開示は、そのような及び他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、たとえば複数層のＩＣを生成するために、一度より多く処理することができ、したがって本明細書で使用する用語「基板」は、複数の処理された層をすでに含んだ基板をいうこともある。
【００４５】
光学的リソグラフィの文脈で本発明の実施例の使用について、上記で具体的に言及するが、本発明は、他の用途、たとえば転写リソグラフィで使用することができ、文脈が許す場合、光学的リソグラフィに限定されないことが、理解されるはずである。転写リソグラフィでは、パターン形成装置中のトポグラフィが、基板上に生成されるパターンを画定する。パターン形成装置のトポグラフィは、基板に塗布されたレジスト層中に押圧し、その基板上でレジストが、電磁気放射線、熱、圧力又はその組み合わせを加えることによって、硬化することができる。パターン形成装置は、レジストから取り外され、レジストが硬化後、その中にパターンが残される。
【００４６】
本明細書で使用する用語「放射線」及び「ビーム」は、紫外線（ＵＶ）（たとえば、波長が、３６５、２４８、１９３、１５７又は１２６ｎｍ、或いはほぼそれらの値の波長）、及び極紫外線（ＥＵＶ）（たとえば、波長が、５〜２０ｎｍの範囲内）、並びにイオン・ビームや電子ビームなどの粒子ビームを含め、すべてのタイプの電磁気放射線を包含する。
【００４７】
文脈が許す場合、用語「レンズ」は、屈折、反射、磁気、電磁気及び静電気の光学的要素を含め、様々なタイプの光学的要素のいずれか１つ又はその組み合わせをいうことができる。
【００４８】
本発明の具体的な実施例について、述べてきたが、本発明は、述べたようにではなく実施できることを、理解されるはずである。たとえば、本発明は、上記に開示した方法を記述した１つ又は複数のシーケンスの機械可読の命令を含んだコンピュータ・プログラム、又はそのようなコンピュータ・プログラムをその中に格納したデータ格納媒体（たとえば、半導体メモリ、磁気ディスクや光ディスク）の形を取ることができる。
【００４９】
上記の記述は、例示するもので、限定するようには企図されていない。したがって、変更が、特許請求の範囲に述べられた範囲を逸脱せず、説明した本発明に実施できることは、当業者に明らかなはずである。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の実施例によるリソグラフィ装置を示す図。
【図２Ａ】従来のアクチュエータ・アセンブリの概略側面図。
【図２Ｂ】図２Ａの従来のアクチュエータ・アセンブリの概略断面図。
【図３Ａ】本発明の実施例によるアクチュエータ・アセンブリの概略側面図。
【図３Ｂ】アクチュエータ・アセンブリ中で発生した磁場を示す、図３Ａの概略側面図。
【図３Ｃ】本発明の他の実施例によるアクチュエータ・アセンブリの概略側面図。
【図４】ハルバッハ磁石を使用して重力補正力を発生する原理を示す図。
【図５Ａ】本発明の実施例によるアクチュエータ・アセンブリの概略図。
【図５Ｂ】図５Ａの実施例の断面図。
【図５Ｃ】アクチュエータ・アセンブリ中に発生した磁場を概略的に示す、図５Ａの側面図。
【図５Ｄ】本発明の他の実施例によるアクチュエータ・アセンブリの概略側面図。
【図５Ｅ】本発明の実施例によるアクチュエータ・アセンブリの概略側面図。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
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【外国語明細書】
2006121081000001.pdf