(57)【要約】【課題】本発明の目的は、特性に優れる無機物膜を形成し得る成膜方法、かかる成膜方法により形成された無機物膜、この無機物膜を備える電子部品および電子機器を提供すること。【解決手段】本発明の成膜方法は、基材５上に、無機物膜８の構成材料である膜材料８１’と膜材料以外の部分とで構成される化合物を膜材料前駆体８０として用いて、化学的気相成膜法により無機物膜８を形成する成膜方法であり、膜材料前駆体８０を収納した収納部７と、基材５とを空間を介して対向させた状態で、膜材料前駆体８０をガス状またはミスト状として、基材５に向かって供給し、前記空間において、ガス状またはミスト状の膜材料前駆体８１を加熱して、基材５に到達する前に、その少なくとも一部を熱分解させて、膜材料以外の部分を分解・除去することにより、膜材料８１’を前記基材に到達させて無機物膜８を形成させるものである。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に、無機物膜の構成材料である膜材料と膜材料以外の部分とで構成される化合物を膜材料前駆体として用いて、化学的気相成膜法により無機物膜を形成する成膜方法であって、
前記膜材料前駆体を収納した収納部と、前記基材とを空間を介して対向させた状態で、前記膜材料前駆体をガス状またはミスト状として、前記基材に向かって供給し、
前記空間において、前記ガス状またはミスト状の膜材料前駆体を加熱して、前記基材に到達する前に、その少なくとも一部を熱分解させて、前記膜材料以外の部分を分解・除去することにより、前記膜材料を前記基材に到達させて前記無機物膜を形成することを特徴とする成膜方法。
【請求項２】
前記膜材料前駆体を熱分解させることにより、前記膜材料は、ラジカルまたはその集合体の状態で前記基材に到達する請求項１に記載の成膜方法。
【請求項３】
前記ガス状の膜材料前駆体は、前記収納部に収納された前記膜材料前駆体を加熱することにより生成される請求項１または２に記載の成膜方法。
【請求項４】
前記ミスト状の膜材料前駆体は、前記収納部に収納された前記膜材料前駆体に超音波を付与することにより生成される請求項１または２に記載の成膜方法。
【請求項５】
前記ガス状またはミスト状の膜材料前駆体は、前記空間に、加熱したガスを供給することにより加熱される請求項１ないし４のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項６】
前記加熱したガスは、前記基材に対してほぼ平行な流れを形成するように供給される請求項５に記載の成膜方法。
【請求項７】
前記加熱したガスは、酸素ガス、窒素ガスおよび不活性ガスのうちの少なくとも１種である請求項５または６に記載の成膜方法。
【請求項８】
前記ガス状またはミスト状の膜材料前駆体を加熱する温度は、２００〜２０００℃である請求項１ないし７のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項９】
前記収納部と前記基材との離間距離は、５０〜３００ｍｍである請求項１ないし８のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項１０】
前記無機物膜を形成する際の雰囲気の圧力は、１０Ｐａ以下である請求項１ないし９のいずれかに記載の成膜方法。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれかに記載の成膜方法により成膜されたことを特徴とする無機物膜。
【請求項１２】
請求項１１に記載の無機物膜を備えることを特徴とする電子部品。
【請求項１３】
請求項１２に記載の電子部品を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜方法、無機物膜、電子部品および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、無機物膜の形成には、無機物膜を構成する膜材料を蒸発によって気化させた後に、この気化した膜材料を基材上に堆積させる物理的気相成長法（ＰＶＤ法）や、前記膜材料の前駆体を気化させたものを、基材表面および／またはその付近で化学反応させて膜材料として、基材上に堆積させる化学的気相成長法（ＣＶＤ法）が、広く利用されている。
このようなＰＶＤ法の代表的な手法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法等が挙げられ、ＣＶＤ法の代表的な手法としては、例えば、有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）等が挙げられる。
【０００３】
ところが、真空蒸着法では、高い沸点を有する（蒸気圧が低い）膜材料を用いた場合には、膜材料を蒸発させるのに高エネルギーを要し、コストが高くなる。また、基材の構成材料等によっては、基材を傷めてしまう等の問題が生じる（例えば、特許文献１参照。）。
また、スパッタリング法では、膜材料（固体）にプラズマを衝突させて、膜材料の原子、分子または小さい原子集合体を固体表面からたたき出させる際に、これら固体からたたき出された膜材料がプラズマによりダメージを受ける。その結果、得られる無機物膜の特性の低下を招く等の問題が生じる（例えば、特許文献２参照。）。
さらに、ＭＯＣＶＤ方法では、気化した膜材料の前駆体が、基材表面で化学反応により膜材料となり、基材上に無機物膜が形成される際に、この化学反応で生成される不純物が無機物膜に混入する。その結果、得られる無機物膜の特性の低下を招く等の問題が生じる（例えば、特許文献３参照。）。
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−３２４９６６号公報
【特許文献２】特開平６−８４０９０４号公報
【特許文献３】特開２００２−３３３９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、特性に優れる無機物膜を形成し得る成膜方法、かかる成膜方法により形成された無機物膜、この無機物膜を備える電子部品および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の成膜方法は、基材上に、無機物膜の構成材料である膜材料と膜材料以外の部分とで構成される化合物を膜材料前駆体として用いて、化学的気相成膜法により無機物膜を形成する成膜方法であって、
前記膜材料前駆体を収納した収納部と、前記基材とを空間を介して対向させた状態で、前記膜材料前駆体をガス状またはミスト状として、前記基材に向かって供給し、
前記空間において、前記ガス状またはミスト状の膜材料前駆体を加熱して、前記基材に到達する前に、その少なくとも一部を熱分解させて、前記膜材料以外の部分を分解・除去することにより、前記膜材料を前記基材に到達させて前記無機物膜を形成することを特徴とする。
これにより、不純物の混入が防止または抑制された無機物膜、すなわち特性に優れた無機物膜を形成することができる。
【０００７】
本発明の成膜方法では、前記膜材料前駆体を熱分解させることにより、前記膜材料は、ラジカルまたはその集合体の状態で前記基材に到達することが好ましい。
このような状態の膜材料は、高エネルギーすなわち高い反応性を有するものであることから、基材上において集合物を形成する際に、より高密度（緻密）に凝集することとなる。その結果、得られる無機物膜がより緻密なものとなり、無機物膜の特性をより向上させることができる。
【０００８】
本発明の成膜方法では、前記ガス状の膜材料前駆体は、前記収納部に収納された前記膜材料前駆体を加熱することにより生成されることが好ましい。
これにより、比較的容易かつ確実にガス状の膜材料前駆体を生成させることができる。
本発明の成膜方法では、前記ミスト状の膜材料前駆体は、前記収納部に収納された前記膜材料前駆体に超音波を付与することにより生成されることが好ましい。
これにより、チャンバー内の減圧状態を維持しつつ、より微細な粒径の液滴の状態となった膜材料前駆体を生成することができる。その結果、加熱による膜材料前駆体への熱の伝達がより確実なものとなり、膜材料前駆体の熱分解を迅速に行うことができる。
【０００９】
本発明の成膜方法では、前記ガス状またはミスト状の膜材料前駆体は、前記空間に、加熱したガスを供給することにより加熱されることが好ましい。
これにより、比較的容易かつ確実に膜材料前駆体を、膜材料と膜材料以外の部分とに熱分解することができる。
本発明の成膜方法では、前記加熱したガスは、前記基材に対してほぼ平行な流れを形成するように供給されることが好ましい。
これにより、熱ガスが基材に直接吹きかかるのを好適に防止することができる。その結果、基材の温度が不本意に上昇するのを防止して、基材の変質・劣化を好適に阻止することができる。
【００１０】
本発明の成膜方法では、前記加熱したガスは、酸素ガス、窒素ガスおよび不活性ガスのうちの少なくとも１種であることが好ましい。
これにより、例えば、熱ガスとして、それぞれ、酸素ガス、窒素ガスおよびこれらの混合ガスを用いる場合には、無機物膜として、それぞれ酸化物膜、窒化物膜および酸窒化物膜を得ることができる。
【００１１】
本発明の成膜方法では、前記ガス状またはミスト状の膜材料前駆体を加熱する温度は、２００〜２０００℃であることが好ましい。
これにより、膜材料前駆体を確実に熱分解させて、さらには、ラジカルまたはラジカルの集合体の状態の膜材料を生成させることができる。
本発明の成膜方法では、前記収納部と前記基材との離間距離は、５０〜３００ｍｍであることが好ましい。
これにより、ラジカルまたはラジカルの集合体の状態で膜材料を基材に供給することができる。
【００１２】
本発明の成膜方法では、前記無機物膜を形成する際の雰囲気の圧力は、１０Ｐａ以下であることが好ましい。
これにより、収納部から供給されるガス状またはミスト状の膜材料前駆体を、指向性をもって基材に向かって供給することができる。その結果、無機物膜を一定方向に成長させることができることから、無機物膜の膜厚をより均一なものとすることができる。
【００１３】
本発明の無機物膜は、本発明の成膜方法により成膜されたことを特徴とする。
これにより、成膜精度（信頼性）の高い無機物膜が得られる。
本発明の電子部品は、本発明の無機物膜を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子部品が得られる。
本発明の電子機器は、本発明の電子部品を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の成膜方法、無機物膜、電子部品および電子機器を添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
まず、本発明の成膜方法を、所定パターンの無機物膜を形成するのに適用した場合について説明する。
【００１５】
＜成膜方法＞
図１および図２は、それぞれ、本発明の成膜方法を説明するための模式的な図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。なお、図２では、基材５は、図１の基材５と上下逆転している。
図１および図２に示す成膜方法は、基材５上にマスク６を形成するマスク形成工程と、マスク６の開口部６１内に、無機物膜８を形成する膜形成工程と、マスク６を除去するマスク除去工程とを有する。以下、各工程について、順次説明する。
【００１６】
［１］マスク形成工程
まず、基材５を用意する（図１（ａ）参照。）。
この基材５は、いかなる材料で構成されたものであってもよいが、例えば、石英ガラス、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、各種低誘電率材料（いわゆる、ｌｏｗ−Ｋ材）等の各種絶縁材料（誘電体）や、シリコン（例えば、アモルファスシリコン、多結晶シリコン等）、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、インジウムオキサイド（ＩＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、アンチモンティンオキサイド（ＡＴＯ）、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ等の導電性材料で構成されたものを用いることができる。
【００１７】
また、基材５は、無機物８を形成した後、除去（分離）されるものであってもよく、無機物８と一体的に使用されるものであってもよい。
次に、この基材５上に所定パターンのマスク６、すなわち、形成すべき無機物膜８に対応する形状の開口部６１を有するマスク６を形成する。
マスク６は、例えば、フォトリソグラフィー法、電解めっき法、浸漬めっき法、無電解めっき法等の液相成長法（湿式めっき法）、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的気相成長法、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ法等の化学的気相成長法（ＣＶＤ法）等により形成することができる。
【００１８】
これらの中でも、マスク６の形成には、フォトリソグラフィー法を用いるのが好ましい。フォトリソグラフィー法によれば、大掛かりな設備を必要とせず、微細なパターン（形状）のマスク６を容易かつ確実に形成することができる。
フォトリソグラフィー法によりマスク６を形成する場合には、まず、基材５上に、レジスト材料６’を塗布（供給）する（図１（ｂ）参照。）。
【００１９】
レジスト材料６’を塗布する方法としては、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット法、マイクロコンタクトプリンティング法等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００２０】
次に、無機物膜８の形状に対応するフォトマスクを介して、レジスト材料６’を露光した後、現像液で現像する。これにより、無機物膜８に対応する形状に開口部６１を有するマスク６が得られる（図１（ｃ）参照。）。
なお、フォトリソグラフィー法において用いるレジスト材料は、ネガ型のレジスト材料およびポジ型のレジスト材料のいずれであってもよい。
【００２１】
マスク６の平均厚さは、特に限定されないが、０．０５〜１５μｍであるのが好ましく、０．２〜１０μｍであるのがより好ましい。マスク６の平均厚さが前記下限値未満であると、マスク６にピンホールが発生し易くなる傾向を示し、また、マスク６の上に無機物膜８の材料が完全に覆ってしまい、マスクとして機能しなくなる可能性がある。一方、マスク６の平均厚さが前記上限値を超えると、マスク６の各部位における膜厚のバラツキが大きくなる傾向を示す。また、マスク６の内部応力が高くなり、結果として、マスク６と基材５との密着性が低下したり、クラックが発生し易くなる。
また、マスク６は透明であることが好ましい。これにより、基材５との密着状態を外部から視認することが可能となる。
【００２２】
［２］膜形成工程
次に、マスク６の開口部６１内に無機物膜８を形成する。
ここで、通常、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）では、無機物膜の構成材料である膜材料と膜材料以外の部分とで構成される化合物を膜材料前駆体として用いて、所定圧力のチャンバーに設けられた基材を加熱しつつ、膜材料前駆体をガス化させて導入する。これにより、ガス化した膜材料前駆体が基材上に付着した後、表面拡散運動する。そして、この膜材料前駆体同士が接触すると、基材が加熱さていることにより、この熱をうけて、膜材料前駆体が反応する。そして、この膜材料前駆体の反応により生成される膜材料が堆積することにより、基材上に無機物膜が形成される。
このように、ＣＶＤ法においては、基材上で膜材料前駆体同士が反応した膜材料により無機物膜が形成されることから、膜材料以外の部分による反応生成物が無機物膜中に、不純物として混入しやすくなる。その結果、無機物膜の特性が低下するという問題が生じる。
【００２３】
そこで、本発明者は、前述したような問題点に鑑み、鋭意検討を重ねた結果、膜材料前駆体を基材に到達する前に加熱して、基材に膜材料前駆体が付着していない状態で、例えば、膜材料と膜材料以外の部分とに、熱分解させることにより、不要部分を気化等させて、基材上に膜材料を優先的に到達させ得ることを見出した。これにより、不要部分（不純物）の混入を防止または抑制して膜材料を基材上に堆積させることができる。その結果、不純物の混入量の少ない無機物膜を形成できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００２４】
すなわち、本発明は、膜材料前駆体８０を収納した収納部７と、基材５とを空間を介して対向させた状態で、膜材料前駆体８０をガス状またはミスト状として、基材５に向かって供給し、空間において、ガス状またはミスト状の膜材料前駆体８１を加熱して、基材５に到達する前に、その少なくとも一部を熱分解させて、膜材料以外の部分を分解・除去することにより、膜材料８１’を基材５に到達させて無機物膜８を形成することを特徴とする。
これにより、不純物の混入が防止または抑制された無機物膜８、すなわち特性に優れた無機物膜８を形成することができる。
【００２５】
以下、無機物膜８を形成する方法の一例について説明する。
［２−Ａ］  まず、無機物膜８の構成材料である膜材料８１’と膜材料以外の部分とで構成される化合物を膜材料前駆体８０として用い、膜材料前駆体８０を収納した収納部７とマスク６が形成された基材５とを空間を介して対向させた状態で、チャンバー内に設置する。
膜材料前駆体８０としては、特に限定されないが、例えば、アルコキシド、錯体、ハロゲン化物およびアルキル金属等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００２６】
なお、アルコキシドとしては、例えば、メトキシド、エトキシド、ブトキシドおよびプロポキシド等を用いることができる。
錯体としては、例えば、ジイソブチリルメタナト錯体、１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタンジオナト錯体、１，１，１−トリフルオロ−５，５−ジメチル−２，４−ヘキサンジオナト錯体および１，１，１−トリフルオロ−４−イミノ−２−ペンタネオナト錯体等を用いることができる。
【００２７】
ハロゲン化物としては、例えば、塩化物やフッ化物等を用いることができる。
また、チャンバー内（無機物膜８を形成する際）の雰囲気の圧力は、できるだけ低くするのがよく、特に限定されないが、１０Ｐａ以下であるのが好ましく、１〜１０Ｐａ程度であるのがより好ましい。これにより、次工程［２−Ｂ］において、収納部７から供給されるガス状またはミスト状の膜材料前駆体８１を、指向性をもって基材５に向かって供給することができる。その結果として、無機物膜８を一定方向に成長させることができることから、無機物膜８の膜厚をより均一なものとすることができる。
【００２８】
［２−Ｂ］  次に、収納部７に収納した膜材料前駆体８０をガス状またはミスト状として、基材５に向かって供給する（図２（ａ）参照）。
ここで、膜材料前駆体８０をガス状またはミスト状とするかの選択は、用いる膜材料前駆体８０の種類に応じて適宜選択するようにする。
膜材料前駆体８０は、手間およびコスト面等を考慮すると、大掛かりな装置等を必要としないことから、通常、ガス状とされるが、例えば、膜材料前駆体８０が膜材料８１’と膜材料以外の部分とに熱分解する温度が、膜材料前駆体８０が気化する温度よりも低い場合には、ミスト状にするのが好ましい。これにより、収納部７において、膜材料前駆体８０が熱分解を起こし、膜材料８１’と膜材料以外の部分とに熱分解するのを好適に防止することができる。
【００２９】
膜材料前駆体８０をミスト状とする方法としては、例えば、膜材料前駆体８０に超音波を付与する方法（超音波法）、膜材料前駆体８０を噴霧する方法（噴霧法）等が挙げられるが、これらの中でも、超音波法を用いるのが好ましい。超音波法によれば、チャンバー内の減圧状態を維持しつつ、より微細な粒径の液滴の状態となった膜材料前駆体８１を生成することができる。その結果、加熱による膜材料前駆体８１への熱の伝達がより確実なものとなり、膜材料前駆体８１の熱分解を迅速に行うことができる。
【００３０】
超音波法によりミスト状の膜材料前駆体８１を生成させる場合には、超音波の周波数を、収納部７に収納された膜材料前駆体８０の粘度、比重等に応じて適宜設定する。
具体的には、超音波の周波数は、１〜１×１０４ｋＨｚ程度であるのが好ましく、１０〜１×１０２ｋＨｚ程度であるのがより好ましい。これにより、収納部７の膜材料前駆体８０を確実にミスト状にして、基材５に供給することができる。
なお、膜材料前駆体８０として、常温で固体のもの（固形物）を用いる場合、膜材料前駆体８０を溶液または分散液とし、これらの液体をミスト状にして用いるようにしてもよい。これにより、膜材料前駆体８０を容易かつ確実にミスト状にすることができる。
【００３１】
膜材料前駆体８０を溶解または分散させる液体（溶媒または分散媒）としては、例えば、水、メタノール、エタノール、ｎ−またはｉ−プロパノール、ｎ−、ｓ−またはｔ−ブタノールのような単価アルコール類、エチレングリコール、トリメチレングリコールのようなグリコール類（多価アルコール類）、アセトン、メチルエチルケトン、ジエチルケトン、アセチルアセトン、イソホロンのようなケトン類、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルのようなエステル類、メトキシエタノール、エトキシエタノールのようなエーテルアルコール類、ジオキサン、テトラヒドロフラン、１−エトキシ−１，１，２，２，３，３，４，４，４−ノナフルオロブタン（Ｃ４Ｆ９ＯＣ２Ｈ５）のようなエーテル類、キシレン、トリメチルベンゼンのような芳香族炭化水素類、酸アミド類等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３２】
また、この場合、溶液および分散液中における膜材料前駆体８０の含有量は、１〜４０ｗｔ％程度であるのが好ましく、１０〜３０ｗｔ％程度であるのがより好ましい。膜材料前駆体８０の含有量が少な過ぎると、基材５への供給量が少なくなり、無機物膜８の形成に時間を要するおそれがある。一方、膜材料前駆体８０の含有量が多過ぎると、膜材料前駆体８０が液体中で析出したり、膜材料前駆体８０の液体中での分散性が低下して、液体の調製や基材５への供給が困難となり、均一な無機物膜８が形成されないおそれがある。
【００３３】
一方、膜材料前駆体８１をガス状とする場合、収納部７に収納された膜材料前駆体８０を、例えば加熱することにより生成させることができる。これにより、比較的容易かつ確実にガス状の膜材料前駆体８１を生成することができる。
膜材料前駆体８０を加熱する方法としては、例えば、ヒーターにより加熱する方法、マイクロ波の照射により加熱する方法、レーザー光の照射により加熱する方法、赤外線の照射により加熱する方法等により行うことができる。
なお、膜材料前駆体８０を加熱する温度は、膜材料前駆体８０が気化し、かつ、熱分解しない温度に設定される。
【００３４】
［２−Ｃ］  次に、収納部７と基材５との空間において、膜材料前駆体８１を加熱して、基材５に到達する前に、その少なくとも一部を熱分解させて、膜材料以外の部分を分解・除去することにより、膜材料８１’を基材５に到達させて無機物膜８を形成する（図２（ｂ）参照。）。
このとき、膜材料以外の部分は、加熱により、例えば、気化等することにより除去される。その結果、基材５に膜材料８１’が優先的に到達することとなり、膜材料以外の部分の混入を防止または抑制して、膜材料８１’を凝集（集合）させることができる。
【００３５】
これにより、本発明によれば、膜材料以外の部分の混入が防止または抑制された無機物膜８、すなわち特性に優れた無機物膜８を形成することができる。
また、本発明によれば、収納部７と基材５との空間で膜材料前駆体８１を加熱して、基材５に無機物膜８を形成することから、基材５を加熱することを要せずに無機物膜８を形成できる。このため、比較的耐熱性の低い材料で構成された基材５、例えば、樹脂製の基材５に対しても、基材５の変質・劣化を好適に防止して、無機物膜８を形成することができる。
【００３６】
ここで、膜材料８１’の状態としては、例えば、ラジカル、原子、分子、イオンおよびこれらの集合体等が挙げられるが、特に、ラジカルまたはラジカルの集合体であるのが好ましい。このような状態の膜材料８１’は、高エネルギーすなわち高い反応性を有するものであることから、基材５において集合物を形成する際に、より高密度（緻密）に凝集することとなる。その結果、得られる無機物膜８がより緻密なものとなり、無機物膜８の特性をより向上させることができる。
【００３７】
このような膜材料８１’をラジカルまたはラジカルの集合体の状態で基材５に到達させるためには、収納部７と基材５との距離と膜材料前駆体８１を加熱する温度とを調整することにより行うことができる。
収納部７と基材５との離間距離は、離れている方がよく、特に限定されないが、５０〜３００ｍｍ程度であるのが好ましく、１００〜２００ｍｍ程度であるのがより好ましい。離間距離が短すぎると、基材５が加熱され、基材５の構成材料等によっては、基材５が変質・劣化するおそれがある。また、離間距離を長くしすぎると、基材５に到達する際に、ラジカルまたはラジカルの集合体の状態の膜材料８１’が減少するおそれがあり、好ましくない。
【００３８】
また、膜材料前駆体８１を加熱する温度は、できるだけ高い方がよく、特に限定されないが、２００〜２０００℃程度に設定されているのが好ましく、７００〜１０００℃程度に設定されているのがより好ましい。膜材料前駆体８１を加熱する温度が低すぎると、ラジカルまたはラジカルの集合体の状態の膜材料８１’が発生しないおそれ、さらには、膜材料前駆体８１が熱分解しないおそれがあり、好ましくない。また、加熱する温度を高くしすぎると、基材５が不本意に加熱して、変質・劣化するおそれがある。
【００３９】
膜材料前駆体８１を加熱する方法としては、例えば、収納部７と基材５との空間に加熱したガス（以下、「熱ガス」という。）を供給する方法、収納部７と基材５との空間に網目状のヒーターを設置することにより加熱する方法、収納部７と基材５との空間に赤外線のようなエネルギー線を照射する方法等のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、熱ガスを供給する方法を用いるのが特に好ましい。かかる方法によれば、比較的容易かつ確実に膜材料前駆体８１を、膜材料８１’と膜材料以外の部分とに熱分解することができる。
【００４０】
以下では、膜材料前駆体８１を加熱する方法として、熱ガスを供給する方法を用いる場合を代表に説明する。
熱ガスの流量は、チャンバー内の減圧状態が維持されるように調整すればよく、特に限定されないが、５〜８００ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、２０〜５００ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、収納部７と基材５との空間に供給された膜材料前駆体８１を目的とする温度により確実に加熱することができる。
【００４１】
熱ガスは、収納部７と基材５との空間に任意の方向から供給可能であるが、基材５に対してほぼ平行な流れを形成するように供給されるのが好ましい。これにより、熱ガスが基材５に直接吹きかかるのを好適に防止することができる。その結果、基材５の温度が不本意に上昇するのを防止して、基材５の変質・劣化を好適に阻止することができる。
また、供給する熱ガスの種類は、形成する無機物膜８の種類に応じて適宜選択すればよく、各種のガスが用いられるが、例えば、酸素ガス、窒素ガスおよび不活性ガスのうちの少なくとも１種を用いるのが好ましい。例えば、熱ガスとして、それぞれ、酸素ガス、窒素ガスおよびこれらの混合ガスを用いる場合には、無機物膜８として、それぞれ酸化物膜、窒化物膜および酸窒化物膜が得られる。
【００４２】
また、熱ガスとして不活性ガスを用いる場合には、不活性ガスに水素ガスを混入するようにしてもよい。これにより、水素ガスによる還元作用が発揮されて、無機物膜８をより高品位なものとすることができる。
そして、選択する膜材料前駆体８０の種類や熱ガスの種類に応じて、無機物膜８として、例えば、Ｗ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｔｉ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｔ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｂａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｆｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｐｂ、Ｎｂ、Ｚｎ、これらのものを含む複合物（合金等）、酸化物材料、窒化物材料、酸窒化物材料および炭化物材料等で構成される膜が形成される。
【００４３】
［３］マスク除去工程
次に、マスク６を除去する（図２（ｃ）参照。）。これにより、所定パターンの無機物膜（本発明の膜）８が得られる（形成される）。
マスク６の除去は、マスク６の種類に応じて適宜選択すればよく、例えば、酸素プラズマやオゾンによる大気圧下または減圧下でのアッシング、紫外線の照射、Ｎｅ−Ｈｅレーザー、Ａｒレーザー、ＣＯ２レーザー、ルビーレーザー、半導体レーザー、ＹＡＧレーザー、ガラスレーザー、ＹＶＯ４レーザー、エキシマレーザー等の各種レーザーの照射、マスク６を溶解または分解し得る溶剤との接触（例えば浸漬）等により行うことができる。
【００４４】
例えば、マスク６がフォトリソグラフィー法により形成されたもの、すなわち、レジスト材料で構成されたものである場合、マスク６の除去は、これを溶解または分解し得る溶剤と接触させることにより行うのが好適である。かかる方法によれば、大掛かりな設備を必要とせず、容易にマスク６を除去することができる。
なお、本実施形態では、所定パターンの無機物膜８を形成する方法として、基材上に予めマスクを形成した後に、無機物膜前駆体を供給する方法について説明したが、所定パターンの無機物膜８は、基材のほぼ全面に無機物膜を形成した後に、マスクを用いて、無機物膜の不要な部分を除去する方法により形成してもよい。
また、本発明の成膜方法は、必要に応じて、１または２以上の任意の目的の工程を追加することもできる。
【００４５】
＜電子部品＞
このような無機物膜８は、例えば、スイッチング素子（薄膜トランジスタ）、配線基板、半導体部品、表示パネル、発光素子等の各種電子部品に適用することができる。
以下では、本発明の電子部品を薄膜トランジスタ（特に、有機薄膜トランジスタ）に適用した場合を代表に説明する。
【００４６】
図３は、本発明の電子部品を適用した薄膜トランジスタの実施形態を示す図であり、（ａ）は縦断面図、（ｂ）は平面図である。なお、以下では、図３（ａ）中の上側を「上」、下側を「下」として説明する。
図３に示す薄膜トランジスタ１００は、基板（基材）２０上に設けられており、ソース電極３０およびドレイン電極４０と、有機半導体層（有機層）５０と、ゲート絶縁層６０と、ゲート電極７０とが、この順で基板２０側から積層されて構成されている。
【００４７】
具体的には、薄膜トランジスタ１００は、基板２０上に、ソース電極３０およびドレイン電極４０が分離して設けられ、これら電極３０、４０を覆うように有機半導体層５０が設けられている。さらに有機半導体層５０上には、ゲート絶縁層６０が設けられ、さらにこの上に、少なくともソース電極３０とドレイン電極４０の間の領域に重なるようにゲート電極７０が設けられている。
【００４８】
この薄膜トランジスタ１００では、有機半導体層５０のうち、ソース電極３０とドレイン電極４０との間の領域が、キャリアが移動するチャネル領域５１０となっている。以下、このチャネル領域５１０において、キャリアの移動方向の長さ、すなわちソース電極３０とドレイン電極４０との間の距離をチャネル長Ｌ、チャネル長Ｌ方向と直交する方向の長さをチャネル幅Ｗと言う。
このような薄膜トランジスタ１００は、ソース電極３０およびドレイン電極４０が、ゲート絶縁層６０を介してゲート電極７０よりも基板２０側に設けられた構成の薄膜トランジスタ、すなわち、トップゲート構造の薄膜トランジスタである。
以下、薄膜トランジスタ１００を構成する各部について、順次説明する。
【００４９】
基板２０は、薄膜トランジスタ１００を構成する各層（各部）を支持するものである。基板２０には、例えば、ガラス基板、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）等で構成されるプラスチック基板（樹脂基板）、石英基板、シリコン基板、ガリウム砒素基板等を用いることができる。薄膜トランジスタ１００に可撓性を付与する場合には、基板２０には、樹脂基板が選択される。
【００５０】
この基板２０上には、下地層が設けられていてもよい。下地層としては、例えば、基板２０表面からのイオンの拡散を防止する目的、ソース電極３０およびドレイン電極４０と、基板２０との密着性（接合性）を向上させる目的等により設けられる。
下地層の構成材料としては、特に限定されないが、基板２０にガラス基板を用いる場合には、酸化珪素（ＳｉＯ２）、窒化珪素（ＳｉＮ）等が好適に用いられる。
【００５１】
基板２０上には、ソース電極３０およびドレイン電極４０が、チャネル長Ｌ方向に沿って、所定距離離間して並設されている。
これらのソース電極３０、ドレイン電極４０、および、後述するゲート電極７０に、本発明の成膜方法により金属膜（無機物膜８）を形成したものを適用することができる。
ソース電極３０およびドレイン電極４０の厚さ（平均）は、特に限定されないが、それぞれ、３０〜３００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。本発明の成膜方法によれば、このように薄い膜厚の電極を寸法精度よく形成することができる。
【００５２】
ソース電極３０とドレイン電極４０との間の距離（離間距離）、すなわち、チャネル長Ｌは、２〜３０μｍ程度であるのが好ましく、５〜２０μｍ程度であるのがより好ましい。チャネル長Ｌを前記下限値より小さくすると、得られた薄膜トランジスタ１００同士でチャネル長に誤差が生じ、特性（トランジスタ特性）がばらつくおそれがある。一方、チャネル長Ｌを前記上限値より大きくすると、しきい電圧の絶対値が大きくなるとともに、ドレイン電流の値が小さくなり、薄膜トランジスタ１００の特性が不十分となるおそれがある。
【００５３】
チャネル幅Ｗは、０．１〜５ｍｍ程度であるのが好ましく、０．５〜３ｍｍ程度であるのがより好ましい。チャネル幅Ｗを前記下限値より小さくすると、ドレイン電流の値が小さくなり、薄膜トランジスタ１００の特性が不十分となるおそれがある。一方、チャネル幅Ｗを前記上限値より大きくすると、薄膜トランジスタ１００が大型化してしまうとともに、寄生容量の増大や、ゲート絶縁層６０を介したゲート電極７０へのリーク電流の増大を招くおそれがある。
【００５４】
また、基板２０上には、ソース電極３０およびドレイン電極４０を覆うように、有機半導体層５０が設けられている。
有機半導体層５０は、有機半導体材料（半導体的な電気伝導を示す有機材料）を主材料として構成されている。
この有機半導体層５０は、少なくともチャネル領域５１０においてチャネル長Ｌ方向とほぼ平行となるように配向しているのが好ましい。これにより、チャネル領域５１０におけるキャリア移動度が高いものとなり、その結果、薄膜トランジスタ１００は、その作動速度がより速いものとなる。
【００５５】
有機半導体材料としては、例えば、ナフタレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン、フタロシアニン、ペリレン、ヒドラゾン、トリフェニルメタン、ジフェニルメタン、スチルベン、アリールビニル、ピラゾリン、トリフェニルアミン、トリアリールアミン、オリゴチオフェン、フタロシアニンまたはこれらの誘導体のような低分子の有機半導体材料や、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリチニレンビニレン、ポリアリールアミン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂、フルオレン−ビチオフェン共重合体、フルオレン−アリールアミン共重合体またはこれらの誘導体のような高分子の有機半導体材料（共役系高分子材料）が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、特に、高分子の有機半導体材料（共役系高分子材料）を主とするものを用いるのが好ましい。共役系高分子材料は、その特有な電子雲の広がりにより、キャリアの移動能が特に高い。
【００５６】
高分子の有機半導体材料は、簡易な方法で成膜することができるとともに、比較的容易に配向させることができる。また、このうち、空気中で酸化され難く、安定であること等の理由から、高分子の有機半導体材料（共役系高分子材料）としては、フルオレン−ビチオフェン共重合体、ポリアリールアミンまたはこれらの誘導体のうちの少なくとも１種を主成分とするものを用いるのが特に好ましい。
【００５７】
また、高分子の有機半導体材料を主材料として構成される有機半導体層５０は、薄型化・軽量化が可能であり、可撓性にも優れるため、フレキシブルディスプレイのスイッチング素子等として用いられる薄膜トランジスタへの適用に適している。
有機半導体層５０の厚さ（平均）は、０．１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１〜５００ｎｍ程度であるのがより好ましく、１０〜１００ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。
【００５８】
なお、有機半導体層５０は、ソース電極３０およびドレイン電極４０を覆うように設けられる構成のものに限定されず、少なくともソース電極３０とドレイン電極４０との間の領域（チャネル領域５１０）に設けられていればよい。
有機半導体層５０上には、ゲート絶縁層６０が設けられている。
このゲート絶縁層６０は、ソース電極３０およびドレイン電極４０に対してゲート電極７０を絶縁するものである。
【００５９】
ゲート絶縁層６０は、主として有機材料（特に有機高分子材料）で構成されているのが好ましい。有機高分子材料を主材料とするゲート絶縁層６０は、その形成が容易であるとともに、有機半導体層５０との密着性の向上を図ることもできる。
このような有機高分子材料としては、例えば、ポリスチレン、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリビニルフェニレン、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のようなアクリル系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）のようなフッ素系樹脂、ポリビニルフェノールあるいはノボラック樹脂のようなフェノール系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン、ポリブテンなどのオレフィン系樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００６０】
ゲート絶縁層６０の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１０〜５０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１００〜１０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。ゲート絶縁層６０の厚さを前記範囲とすることにより、ソース電極３０およびドレイン電極４０とゲート電極７０とを確実に絶縁しつつ、薄膜トランジスタ１００が大型化すること（特に、厚さが増大すること）を防止することができる。
【００６１】
なお、ゲート絶縁層６０は、単層構成のものに限定されず、複数層の積層構成のものであってもよい。
また、ゲート絶縁層６０の構成材料には、例えば、ＳｉＯ２等の無機絶縁材料を用いることもできる。ポリシリケート、ポリシロキサン、ポリシラザンのような溶液を塗布して、塗布膜を酸素、または水蒸気の存在下で加熱することによって、溶液材料からＳｉＯ２を得ることができる。また、金属アルコキシド溶液を塗布した後、これを酸素雰囲気で加熱することによって無機絶縁材料を得る（ゾルゲル法として知られる）ことができる。
【００６２】
ゲート絶縁層６０上には、ゲート電極７０が設けられている。
ゲート電極７０の厚さ（平均）は、特に限定されないが、０．１〜５０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１〜５０００ｎｍ程度であるのがより好ましく、１０〜５０００ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。
以上のような薄膜トランジスタ１００は、ゲート電極７０に印加する電圧を変化させることにより、ソース電極３０とドレイン電極４０との間に流れる電流量が制御される。
【００６３】
すなわち、ゲート電極７０に電圧が印加されていないＯＦＦ状態では、ソース電極３０とドレイン電極４０との間に電圧を印加しても、有機半導体層５０中にほとんどキャリアが存在しないため、微少な電流しか流れない。一方、ゲート電極７０に電圧が印加されているＯＮ状態では、有機半導体層５０のゲート絶縁層６０に面した部分に電荷が誘起され、チャネル領域５１０にキャリアの流路が形成される。この状態でソース電極３０とドレイン電極４０との間に電圧を印加すると、チャネル領域５１０を通って電流が流れる。
【００６４】
＜電子機器＞
本発明の電子部品は、各種電子機器に用いることができる。
図４は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
【００６５】
本発明の電子部品は、例えば、表示部の各画素の切り替えを行うスイッチング素子、本体部１１０４と表示ユニット１１０６とを接続するための可撓性配線基板等として内蔵されている。
図５は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【００６６】
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示部を備えている。
本発明の電子部品は、例えば、表示部の各画素の切り替えを行うスイッチング素子、データを保存するための半導体部品（各種メモリ）、回路基板等として内蔵されている。
図６は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
【００６７】
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
【００６８】
ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。
【００６９】
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
【００７０】
本発明の電子部品は、例えば、表示部の各画素の切り替えを行うスイッチング素子、ＣＣＤの撮像信号を保存するための半導体部品（各種メモリ）、回路基板１３０８等として内蔵されている。
なお、本発明の電子機器は、図４のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図５の携帯電話機、図６のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。
【００７１】
以上、本発明の成膜方法、無機物膜、電子部品および電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【実施例】
【００７２】
次に、本発明の具体的な実施例について説明する。
１．膜の形成
（実施例１）
まず、石英ガラス基板（基材）を用意し、純水を用いて洗浄した。
次に、チャンバー内に、石英ガラス基板と、ヘキサエトキシタングステン（膜材料前駆体）の酢酸エチル溶液を収納した収納部とを対向させた状態で設置して、チャンバー内を減圧状態とした。
【００７３】
・溶液中の膜材料前駆体の含有量      ：５ｗｔ％
・石英ガラス基板と収納部との離間距離：１２５ｍｍ
・チャンバー内の圧力                ：１Ｐａ
次に、収納部の膜材料前駆体に周波数が４０ｋＨｚの超音波を付与することにより、ミスト状として膜材料前駆体を収納部と石英ガラス基板との間に供給する。
【００７４】
この状態で、加熱したアルゴンガス（熱ガス）を石英ガラス基板に対して平行となるように収納部と石英ガラス基板との間に供給した。
・熱ガスの温度                  ：２５０℃
・熱ガスの流量                  ：１００ｓｃｃｍ
・石英ガラス基板の温度          ：５０℃
・膜材料前駆体の供給（成膜）時間：１０分
これにより、石英ガラス基板上にＷ膜を得た。
【００７５】
（実施例２）
膜材料前駆体と膜材料前駆体を溶解する溶媒とを、それぞれ、表１のように変更した以外は、前記実施例１と同様にした。
これにより、石英ガラス基板上にＣｕ膜を得た。
（実施例３）
膜材料前駆体、膜材料前駆体を溶解する溶媒、熱ガスの温度および石英ガラス基板の温度を、それぞれ、表１のように変更した以外は、前記実施例１と同様にした。
これにより、石英ガラス基板上にＰｔ膜を得た。
【００７６】
（実施例４）
膜材料前駆体、膜材料前駆体を溶解する溶媒、熱ガスの温度および石英ガラス基板の温度を、それぞれ、表１のように変更した以外は、前記実施例１と同様にした。
これにより、石英ガラス基板上にＰｄ膜を得た。
（実施例５）
膜材料前駆体、膜材料前駆体を溶解する溶媒、熱ガスの温度および石英ガラス基板の温度を、それぞれ、表１のように変更した以外は、前記実施例１と同様にした。
これにより、石英ガラス基板上にＡｌ膜を得た。
【００７７】
（比較例１）
前記実施例１で用いた膜材料前駆体と膜材料前駆体を溶解する溶媒とを用い、膜材料前駆体のキャリアガスとしてアルゴンガスを用いてＭＯＣＶＤ法により、以下の成膜条件で石英ガラス基板上にＷ膜を形成した。
・キャリアガスの流量  ：１００ｓｃｃｍ
・石英ガラス基板の温度：２５０℃
・チャンバー内の圧力  ：１Ｐａ
・成膜時間            ：１５分
【００７８】
（比較例２）
前記実施例２で用いた膜材料前駆体と膜材料前駆体を溶解する溶媒とを用い、前記比較例１と同様の成膜条件でＭＯＣＶＤ法により、石英ガラス基板上にＣｕ膜を形成した。
（比較例３）
前記実施例３で用いた膜材料前駆体と膜材料前駆体を溶解する溶媒とを用い、石英ガラス基板の温度を３００℃とした以外は、前記比較例１と同様の成膜条件でＭＯＣＶＤ法により、石英ガラス基板上にＰｔ膜を形成した。
【００７９】
（比較例４）
前記実施例３で用いた膜材料前駆体と膜材料前駆体を溶解する溶媒とを用い、石英ガラス基板の温度を３００℃とした以外は、前記比較例１と同様の成膜条件でＭＯＣＶＤ法により、石英ガラス基板上にＰｄ膜を形成した。
（比較例５）
前記実施例３で用いた膜材料前駆体と膜材料前駆体を溶解する溶媒とを用い、前記比較例１と同様の成膜条件でＭＯＣＶＤ法により、石英ガラス基板上にＡｌ膜を形成した。
【００８０】
２．評価
各実施例および各比較例で形成した金属膜（無機物膜）について、それぞれ比抵抗率を測定し、それぞれ、１０個の平均値を求めた。
その結果を、表１に示す。
【００８１】
【表１】
2006016668.tif 000003
【００８２】
表１に示すように、各実施例の金属膜は、対応する各比較例に対して、比抵抗率が低く、導電性に優れるものであった。
また、各実施例および各比較例で形成した金属膜について、二次イオン質量分析法によりそれぞれの金属膜を構成する構成材料の分析を行った。これにより、金属膜に混入している不純物（膜材料以外の部分）の含有率を求めた。その結果、各実施例の金属膜は、対応する各比較例に対して、いずれも不純物の含有率が低く抑えられていた。
また、各実施例および各比較例で用いた金属の他、各種膜材料について同様の実験を行ったが、各実施例の無機物膜は、対応する各比較例に対して、比抵抗率および不純物の含有率ともに優れる結果が得られた。
【図面の簡単な説明】
【００８３】
【図１】本発明の成膜方法を説明するための模式的な図（縦断面図）である。
【図２】本発明の成膜方法を説明するための模式的な図（縦断面図）である。
【図３】本発明の電子部品を適用した薄膜トランジスタの実施形態を示す図であり、（ａ）は縦断面図、（ｂ）は平面図である。
【図４】本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図５】本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
【図６】本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００８４】
５……基材  ６……マスク  ６’……レジスト材料  ６１……開口部  ７……収納部  ８……無機物膜  ８０……膜材料前駆体  ８１……ガス状またはミスト状の膜材料前駆体  ８１’……膜材料  １００‥‥薄膜トランジスタ  ２０‥‥基板  ３０‥‥ソース電極  ４０‥‥ドレイン電極  ５０‥‥有機半導体層  ５１０‥‥チャネル領域  ６０‥‥ゲート絶縁層  ７０‥‥ゲート電極  １１００……パーソナルコンピュータ  １１０２……キーボード  １１０４……本体部  １１０６……表示ユニット  １２００……携帯電話機  １２０２……操作ボタン  １２０４……受話口  １２０６……送話口  １３００‥‥ディジタルスチルカメラ  １３０２‥‥ケース（ボディー）  １３０４‥‥受光ユニット  １３０６‥‥シャッタボタン  １３０８‥‥回路基板  １３１２‥‥ビデオ信号出力端子  １３１４‥‥データ通信用の入出力端子  １４３０‥‥テレビモニタ  １４４０‥‥パーソナルコンピュータ
【図１】
2006016668.tif 000004
【図２】
2006016668.tif 000005
【図３】
2006016668.tif 000006
【図４】
2006016668.tif 000007
【図５】
2006016668.tif 000008
【図６】
2006016668.tif 000009