(57)【要約】【課題】  検体との接触による検体の損傷を防止できるプローブユニット、その製造方法及び検体とプローブユニットの基板との接触による検体の損傷を防止できる電子デバイスの検査方法を提供する。【解決手段】  基板と、前記基板上に形成され、検体の電極に接触する接触部を有する導線と、前記基板より前記検体を傷つけにくい絶縁体からなり前記接触部と前記基板との間に形成されている絶縁層と、を備える。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成され、検体の電極に接触する接触部を有する導線と、
前記基板より前記検体を傷つけにくい絶縁体からなり前記接触部と前記基板との間に形成されている絶縁層と、
を備えることを特徴とするプローブユニット。
【請求項２】
前記絶縁層は、前記接触部と前記基板との間にのみ形成されていることを特徴とする請求項１に記載のプローブユニット。
【請求項３】
前記基板は凹部を有し、
前記絶縁層は、前記凹部内に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のプローブユニット。
【請求項４】
前記絶縁体は、樹脂又は微粒子分散樹脂であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のプローブユニット。
【請求項５】
前記絶縁体は、無機塩類であることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のプローブユニット。
【請求項６】
前記基板は無機材料で形成されていることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載のプローブユニット。
【請求項７】
基板上に形成された導線の前記基板より検体を傷つけにくい絶縁体からなる絶縁層上に形成されている部位を前記検体の電極に接触させた状態で前記導線から前記検体に検査信号を入力する入力段階と、
前記絶縁層と前記検体の前記電極との接触を検出する検出段階と、
を含むことを特徴とする電子デバイスの検査方法。
【請求項８】
前記入力段階と同時又は前記入力段階の後に前記検体の出力を検査する検査段階をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の電子デバイスの検査方法。
【請求項９】
前記入力段階において、無機材料からなる前記基板上に形成された前記導線を前記検体の前記電極に接触させることを特徴とする請求項７又は８に記載の電子デバイスの検査方法。
【請求項１０】
基板上に前記基板より検体を傷つけにくい絶縁体で絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記絶縁層上にリソグラフィにより導線を形成する導線形成工程と、
を含むことを特徴とするプローブユニットの製造方法。
【請求項１１】
前記絶縁層形成工程において、熱硬化性又は光硬化性のレジスト層を前記基板上に形成し前記レジスト層をフローさせた後に硬化させることにより前記絶縁層を形成することを特徴とする請求項１０に記載のプローブユニットの製造方法。
【請求項１２】
前記基板に凹部を形成する凹部形成工程をさらに含み、
前記絶縁層形成工程において、前記凹部に樹脂を充填することにより前記絶縁層を形成することを特徴とする請求項１０に記載のプローブユニットの製造方法。
【請求項１３】
前記基板に凹部を形成する凹部形成工程をさらに含み、
前記絶縁層形成工程において、前記凹部に無機塩類粉体を充填することにより前記絶縁層を形成することを特徴とする請求項１０に記載のプローブユニットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプローブユニット、その製造方法及び電子デバイスの検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、複数の導線が絶縁フィルム上に形成され、導線の先端を検体の電極に接触させるプローブユニットが開示されている。しかしながら、このようなプローブユニットでは、絶縁フィルムの剛性は低いため、プローブユニットをオーバードライブさせても検体の電極に導線を大きな接触圧で接触させることができない。また絶縁フィルムは熱により変形しやすく、絶縁フィルムが変形すると複数の導線と検体の電極との接触圧がばらつくという問題がある。
【０００３】
一方、複数の導線が無機材料等からなる高剛性の基板上に形成されたプローブユニットが知られている。このようなプローブユニットによると、基板の剛性が高い場合、オーバードライブにより検体の電極に導線を大きな接触圧で接触させることができる。また無機材料からなる基板は熱により変形しにくいため、温度の高い環境下においても複数の導線の電極との接触圧がばらつくことがない。ところが、導線の摩耗により基板が検体に接触するようになると、検体の電極に導線を適正な接触圧で接触させられなくなる。このときプローブユニットのプローブの摩耗による寿命は尽きる。しかしながら、上述したプローブユニットでは、基板が検体と接触することで連続して検体の不良が検出されることにより初めてプローブユニットの寿命が尽きたことが判明する。そのためプローブユニットの寿命が尽きたことが判明した時点で、高剛性の基板によりいくつかの検体を損傷させてしまうという問題がある。
【特許文献１】特開平８−２５４５４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであって、検体との接触による検体の損傷を防止できるプローブユニット、その製造方法及び検体とプローブユニットの基板との接触による検体の損傷を防止できる電子デバイスの検査方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
（１）上記目的を達成するためのプローブユニットは、基板と、前記基板上に形成され、検体の電極に接触する接触部を有する導線と、前記基板より前記検体を傷つけにくい絶縁体からなり前記接触部と前記基板との間に形成されている絶縁層と、を備える。
基板より検体を傷つけにくい絶縁体からなる絶縁層が導線の接触部と基板との間に形成されているため、導線が摩耗しても基板が検体に接触する前に絶縁層が検体に接触する。プローブユニットの導線が摩耗して絶縁層が検体に接触すると、その後に検体の不良が連続して検出されるため、プローブユニットの寿命が尽きたことが判明する。本発明のプローブユニットでは、絶縁層が検体に接触すると導線の摩耗により寿命が尽きたことが判明するため、基板が検体に接触することで検体が損傷することを防止できる。
【０００６】
（２）前記絶縁層は、前記接触部と前記基板との間にのみ形成されていてもよい。
【０００７】
（３）前記基板は凹部を有してもよい。そして前記絶縁層は前記凹部内に形成されてもよい。
絶縁層は基板の凹部内に形成されているため、絶縁層を凹部の底面と側面とに固定することができ、絶縁層が基板から剥離することを防止することができる。
【０００８】
（４）前記絶縁体は樹脂又は微粒子分散樹脂でもよい。
【０００９】
（５）前記絶縁体は無機塩類でもよい。
【００１０】
（６）前記基板は無機材料で形成されていてもよい。
【００１１】
（７）上記目的を達成するための電子デバイスの検査方法は、基板上に形成された導線の前記基板より検体を傷つけにくい絶縁体からなる絶縁層上に形成されている部位を前記検体の電極に接触させた状態で前記導線から前記検体に検査信号を入力する入力段階と、前記絶縁層と前記検体の前記電極との接触を検出する検出段階と、を含む。
【００１２】
（８）前記入力段階と同時又は前記入力段階の後に前記検体の出力を検査する検査段階をさらに含んでもよい。
【００１３】
（９）前記入力段階において、無機材料からなる前記基板上に形成された前記導線を前記検体の前記電極に接触させてもよい。
【００１４】
（１０）上記目的を達成するためのプローブユニットの製造方法は、基板上に前記基板より検体を傷つけにくい絶縁体で絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記絶縁層上にリソグラフィにより導線を形成する導線形成工程と、を含む。
【００１５】
（１１）前記絶縁層形成工程において、熱硬化性又は光硬化性のレジスト層を前記基板上に形成し前記レジスト層をリフローさせた後に硬化させることにより前記絶縁層を形成してもよい。
熱硬化性又は光硬化性のレジスト層をリフローさせた後に硬化させることにより絶縁層を形成するため、絶縁層の縁部に生ずる段差はなだらかになる。絶縁層の縁部の段差がなだらかな場合、絶縁層の上に成膜される導線の膜厚を均一にすることができ、また微細な導線を正確にパターニングすることができる。
【００１６】
（１２）前記基板に凹部を形成する凹部形成工程をさらに含んでもよい。そして前記絶縁層形成工程において、前記凹部に樹脂を充填することにより前記絶縁層を形成してもよい。
【００１７】
（１３）前記基板に凹部を形成する凹部形成工程をさらに含んでもよい。そして前記絶縁層形成工程において、前記凹部に無機塩類粉体を充填することにより前記絶縁層を形成してもよい。
【００１８】
尚、本明細書において、「・・・上に形成する」とは、技術上の阻害要因がない限りにおいて、「・・・上に直に形成する」ことと、「・・・上に中間物を介して形成する」ことの両方を含む意味とする。
また、請求項に記載された方法の各動作の順序は、技術上の阻害要因がない限り、記載順に限定されるものではなく、どのような順番で実行されてもよく、また同時に実行されてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態を、プローブユニットの構成、検査方法、製造方法の順に複数の実施例に基づいて説明する。各実施例において同一の符号が付された構成要素は、その符号が付された他の実施例の構成要素と対応する。
１．プローブユニットの構成
（プローブユニットの第一実施例）
図１は本発明のプローブユニットの第一実施例によるプローブユニット１の模式図である。（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＸ１−Ｘ１線による断面図である。
プローブユニット１は、液晶パネルやＩＣ（Integrated Circuit）等の検体の電気的特性を検査するための検査装置（以下、プローバという。）に装着されるものである。プローブユニット１は基板１０と絶縁層１２と複数のプローブ１４とを備えている。
基板１０は、セラミックス、ガラスセラミックス、ガラス、シリコン等の無機材料又は無機材料と有機材料の複合材、例えばガラス繊維強化エポキシ樹脂（ガラエポ基板）等で形成されている。
【００２０】
絶縁層１２は、基板１０より検体を傷つけにくい絶縁体で基板１０上に形成されている。そのため、検体の検査時に絶縁層１２が検体に接触しても、絶縁層１２で検体を損傷させたり、検体を短絡させることはない。詳細は検査方法の第一実施例において説明する。具体的には絶縁層１２は、フローされた後に熱硬化させたポジ型のレジストからなり、基板１０の一端１０ａに沿って延伸している。このように絶縁体をフローさせた後に熱硬化させることにより絶縁層１２を形成すると、絶縁層１２の縁部の段差をなだらかにすることができる。これにより絶縁層１２上に成膜されるプローブ１４の膜厚を均一にすることができ、また微細なプローブ１４を正確にパターニングすることができる。詳細は製造方法の第一実施例において説明する。そのため絶縁層１２は、ノボラック系のレジストなどのフローしやすい絶縁体で形成することが望ましい。しかし絶縁体は、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、フッ素系樹脂などの樹脂でもよいし、微粒子分散樹脂でもよいし、脆性の高い炭酸カルシウム等の無機塩類でもよい。また絶縁体は、紫外線などの特定波長の光で硬化する光硬化性の樹脂等でもよい。
【００２１】
導線としてのプローブ１４は、Ｎｉ等の金属、ＮｉＦｅ、ＮｉＭｎ、ＮｉＣｏ等の合金で基板１０上に形成されている。具体的にはプローブ１４は、基板１０の他端１０ｂ側から一端１０ａ側に延伸し絶縁層１２に乗り上げている。そのためプローブ１４の絶縁層１２に乗り上げている部分、すなわち基板１０との間に絶縁層１２が形成されている部分（以下、接触部という。）１５は、その他の部分よりも基板１０から離間する方向に突出している。プローブ１４の接触部１５は検体の検査において検体の電極に接触する。これによりプローブユニット１は検体と導通する（図３（Ａ）参照）。詳細は後述する検査方法の第一実施例において説明する。尚、プローブ１４は、図示しないフレキシブル・フラット・ケーブルを介してプローバと電気的に接続されている。
【００２２】
プローブ１４には、基板１０と反対側の表面にＡｕ、Ａｕ合金、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ等からなる表面層を形成してもよい。プローブ１４に表面層を形成することにより、プローブ１４の電気抵抗を低減できる。特に高周波の電気信号は表皮効果によって表面層を伝わるため、高周波の信号に対する導体損を効果的に低減することができる。また直線状のプローブ１４を例示したが、プローブ１４は蛇行又は屈曲していてもよい。また複数のプローブ１４は共通の基部から基板１０の一端１０ａ側に延伸していてもよい。
【００２３】
以上説明したプローブユニットの第一実施例では、絶縁層１２が基板１０の一部上に形成されたプローブユニット１を例示したが、基板１０の一面上に絶縁層１２を形成してもよい。
また、絶縁層１２が基板１０の一端１０ａに形成されたプローブユニット１を例示したが、絶縁層１２を基板１０の一端１０ａから離間させて形成してもよい。そのときは絶縁層１２を横断するようにプローブ１４を形成してもよい。
【００２４】
（プローブユニットの第二実施例）
図２は本発明のプローブユニットの第二実施例によるプローブユニット２の模式図である。（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のＸ２−Ｘ２線による断面図である。
基板２０には、その一側端２０ｃから他側端２０ｄまで延伸する凹部２１が一端２０ａに形成されている。基板２０は、凹部２１を有していることを除いて、第一実施例に係る基板１０と実質的に同一である。尚、凹部２１のプローブ２４の長手方向の幅が凹部２１のプローブ２４の配列方向の幅より短い溝状の凹部２１を例示したが、凹部２１の形状はこれに限定されるものではない。例えば凹部２１は、そのプローブ２４の長手方向の幅がそのプローブ２４の配列方向の幅より長く形成してもよい。
【００２５】
絶縁層２２は基板２０より検体を傷つけにくい絶縁体で凹部２１内に形成されている。具体的には絶縁層２２は、凹部２１を埋没させ、基板２０の凹部２１が形成されている側の表面と平坦になるように成形されている。また絶縁体は、例えばレジスト材料、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、フッ素系樹脂などの樹脂、炭酸カルシウム等の無機塩類である。
【００２６】
導線としてのプローブ２４は、基板２０の他端２０ｂ側から絶縁層２２上まで延伸している。プローブ２４の長手方向の絶縁層２２側の一端（以下、接触部という。）２５は、検体の検査において検体の電極に接触する。これによりプローブユニット２は検体と導通する（図４（Ａ）参照）。詳細は後述する検査方法の第二実施例において説明する。プローブ２４は、第一実施例に係るプローブ１４と同様に、例えばＮｉ等の金属、ＮｉＦｅ等の合金で形成されている。尚、プローブ２４には、第一実施例と同様の表面層を形成してもよい。
【００２７】
２．検査方法
（検査方法の第一実施例）
図３は、本発明の検査方法の第一実施例による検査方法を説明するための模式図である。（Ａ）はプローブ１４の摩耗による寿命が尽きていない状態を表し、（Ｂ）はプローブ１４の摩耗による寿命が尽きた状態を表している。第一実施例による検査方法では、プローブユニットの第一実施例によるプローブユニット１を用いて検体を検査する。
【００２８】
図３（Ａ）に示すようにプローブユニット１は、プローブ１４を検体５０に対向させた姿勢でプローバに取付けられる。尚、基板１０の一端１０ａが他端１０ｂよりも検体５０側に位置するように検体５０に対して傾いた姿勢でプローバに取付けられているプローブユニット１を例示した。しかし、プローブ１４の接触部１５は他の部分よりも基板１０から離間するように検体５０側に突出しているため、プローブユニット１は基板１０が検体５０に対して平行な姿勢でプローバに取付けられてもよい。このような姿勢でプローバにプローブユニット１を取付けたとしても、後述するように検体５０の電極５２にプローブ１４の接触部１５を接触させることができる。
【００２９】
はじめにプローバは、プローブ１４と検体５０の電極５２が一対一で対応するように、プローブユニット１を検体５０に対して相対的に移動させる。プローバにより検体５０がプローブユニット１に接近すると、プローブ１４の摩耗による寿命が尽きていない場合、図３（Ａ）に示すようにプローブ１４の接触部１５が検体５０の電極５２に接触する。プローバは、この状態でプローブ１４を介して検体５０に検査信号を入力する。この段階が請求項に記載の「入力段階」に相当する。
そしてプローバは検体５０の電気的特性を検査する。具体的には、例えば検体５０が液晶パネルの場合、検査信号に応じて発光する液晶パネルの画素のパターンを目視等により検査する。この段階が請求項に記載の「検査段階」に相当する。
尚、検査段階では、プローバがプローブ１４を介して検体５０の出力信号を受信することにより、検体５０の電気的特性を検査してもよい。また、上述した入力段階と検査段階は、例えば導通検査のように同時に行ってもよい。逆に検査段階を切り離し、入力の有無のみを、検体５０を介することなく、別に備えるデバイス、センサ等により確認してもよい。例えば検体５０が液晶パネルのドライバＩＣの場合、出力される信号の階調パターンを検査してもよい。
【００３０】
ここで、図３（Ｂ）に示すようにプローブ１４の摩耗による寿命が尽きている場合、プローバにより検体５０がプローブユニット１に接近すると、絶縁層１２が検体５０の電極５２に接触する。この状態では、プローブ１４は検体５０の電極５２に適正に接触できなくなるため、複数の検体５０に同様の不良が連続して検出される。より具体的には、例えば検体５０が液晶パネルの場合、特定画素が消灯したり、特定画素の点灯が不安定になる。これにより、プローブユニット１のプローブ１４の摩耗による寿命が尽きたことが判明する。プローブユニット１の寿命が尽きたか否かの判断は、検査結果に基づいてオペレータが行ってもよいし、プローバが検査結果に基づいて自動的に行ってもよい。この段階が請求項に記載の「検出段階」に相当する。
【００３１】
以上説明した検査方法の第一実施例によると、基板１０より検体５０を傷つけにくい絶縁体で形成されている絶縁層１２が検体５０に接触することにより、プローブユニット１のプローブ１４の摩耗による寿命が尽きたことが判明するため、基板１０が検体５０に接触することで検体５０が損傷することを防止できる。
【００３２】
（検査方法の第二実施例）
図４は、本発明の検査方法の第二実施例による検査方法を説明するための模式図である。（Ａ）はプローブ２４の摩耗による寿命が尽きていない状態を表し、（Ｂ）はプローブ２４の摩耗による寿命が尽きた状態を表している。第二実施例による検査方法では、プローブユニットの第二実施例によるプローブユニット２を用いて検体を検査する。
図４（Ａ）に示すようにプローブユニット２は、プローブ２４側を検体５０に対向させ、プローブ２４の絶縁層２２側の一端２４ａが他端２４ｂより検体５０側に位置するように検体５０に対して傾いた姿勢でプローバに取付けられる。
【００３３】
プローバは、検査方法の第一実施例と同様に検体５０の電極５２にプローブ２４の接触部２５が接触させて、検体５０の電気的特性を検査する。
ここで、図４（Ｂ）に示すようにプローブ２４の摩耗による寿命が尽きている場合、プローバにより検体５０がプローブユニット２に接近すると、絶縁層２２が検体５０の電極５２に接触する。これにより検査方法の第一実施例と同様にして、プローブユニット２のプローブ２４の摩耗による寿命が尽きたことが判明する。
【００３４】
以上説明した検査方法の第二実施例によると、基板２０より検体５０を傷つけにくい絶縁体で形成されている絶縁層２２が検体５０に接触することにより、プローブユニット２のプローブ２４の摩耗による寿命が尽きたことが判明するため、基板２０が検体５０に接触することで検体５０が損傷することを防止できる。
【００３５】
３．プローブユニットの製造方法
（製造方法の第一実施例）
図５は、本発明の製造方法の第一実施例による製造方法を説明するための模式図である。（Ａ１）から（Ａ４）は平面図である。（Ｂ１）から（Ｂ４）は、それぞれ（Ａ１）から（Ａ４）のＸ３−Ｘ３線による断面図である。第一実施例による製造方法は、プローブユニットの第一実施例によるプローブユニット１の製造方法である。
【００３６】
はじめに、基板１０より検体を傷つけにくい絶縁体で基板１０上に絶縁層１２を形成する。具体的には以下のプロセスで形成する。まず基板１０上にノボラック系のレジスト等の感光性樹脂塗料を塗布し、感光性樹脂塗料に対して所定形状のマスクを用いた露光現像処理を施す。これにより所定形状の樹脂層１１２を形成する（図５（Ａ１）、（Ｂ１）参照）。次に樹脂層１１２を硬化させることにより、絶縁層１２を基板１０上に形成する。より具体的には、感光性樹脂塗料がノボラック系のレジストである場合、例えば１３０度で３０分、２２０度で３０分のベーク処理を施す。これにより、樹脂層１１２としてのレジスト層はフローされた後に硬化する（図５（Ａ２）、（Ｂ２）参照）。このように絶縁体をフローさせた後に硬化させることにより絶縁層１２を形成すると、プローブユニットの実施例において説明したように絶縁層１２の縁部の段差をなだらかにすることができる。尚、光硬化性の感光性樹脂塗料を使用して、所定波長の光を樹脂層１１２に照射することにより樹脂層１１２を硬化させてもよい。また絶縁体は微粒子分散樹脂でもよい。この工程が請求項に記載の「絶縁層形成工程」に相当する。
【００３７】
次に、絶縁層１２を横断するプローブ１４を基板１０上に形成する（図５（Ａ３）、（Ｂ３）参照）。具体的には以下のプロセスで形成する。まず基板１０上および絶縁層１２上にシード層をスパッタ等で形成する。シード層はＮｉ、ＮｉＦｅ等である。尚、シード層は基板１０上および絶縁層１２上にＮｉ等の金属、ＮｉＦｅ等の合金を蒸着して形成してもよい。また絶縁層１２を形成する前に、シード層が基板１０から剥がれることを防止する密着層をスパッタ等で基板１０上に形成してもよい。次にシード層上にレジストを塗布してレジスト膜を形成する。次に所定形状のマスクを配置してレジスト膜に対して露光現像処理を施し、不要なレジスト膜を除去する。これによりプローブ１４を形成するための開口部がレジスト膜に形成される。次にレジスト膜の開口部内に電解メッキでプローブ１４を形成する。次にレジスト膜を除去し、プローブ１４から露出するシード層をミリング等により除去する。尚、レジスト膜はＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）等のレジスト剥離液で除去してもよいし、アッシングにより除去してもよい。ここで、上述したように絶縁層１２の縁部の段差はなだらかに成形されているため、プローブ１４の膜厚を均一にすることができ、また微細なプローブ１４を正確にパターニングすることができる。この工程が請求項に記載の「導線形成工程」に相当する。
【００３８】
最後に、基板１０と絶縁層１２とプローブ１４とを整形する（図５（Ａ４）、（Ｂ４）参照）。具体的には基板１０と絶縁層１２とプローブ１４とをダイサー等で切断することにより、これらの二次元形状を整える。より具体的には、基板１０及びプローブ１４の絶縁層１２が形成されている部位で基板１０とプローブ１４とを絶縁層１２とともにプローブ１４の配列方向に切断する。成形後の基板１０と絶縁層１２とプローブ１４とが、それぞれプローブユニットの第一実施例によるプローブユニット１の基板１０と絶縁層１２とプローブ１４とに相当する。尚、基板１０と絶縁層１２とプローブ１４の整形方法は、切削加工、レーザ加工などでもよい。
【００３９】
以上説明したように、プローブユニットの第一実施例によるプローブユニット１を製造することができる。
尚、樹脂材料に上述したパターニングをしないで絶縁層１２を形成すれば、プローブユニットの第一実施例において説明した基板１０の一面上に絶縁層１２が形成されているプローブユニットを形成することができる。
【００４０】
（製造方法の第二実施例）
図６は、本発明の製造方法の第二実施例による製造方法を説明するための模式図である。（Ａ１）から（Ａ４）は平面図である。（Ｂ１）から（Ｂ４）は、それぞれ（Ａ１）から（Ａ４）のＸ４−Ｘ４線による断面図である。第二実施例による製造方法は、プローブユニットの第二実施例によるプローブユニット２の製造方法である。
【００４１】
はじめに、基板２０に凹部２１を形成する（図６（Ａ１）、（Ｂ１）参照）。具体的には板状の基板２０に対して、切削加工、研削加工、化学エッチング加工、ドライエッチング加工、サンドブラスト加工、ホーニング加工、レーザ加工等を施すことによって溝状の凹部２１を形成する。尚、セラミックで基板２０を形成する場合は、凹部２１を有する形状に成形した後に焼成してもよい。また金属で基板２０を形成する場合は、鋳型で成形して鋳造してもよい。またシリコン製の基板２０に凹部２１を形成する場合は、異方性エッチング加工で板状の基板２０に凹部２１を形成してもよい。この工程が請求項に記載の「凹部形成工程」に相当する。
【００４２】
次に、基板２０より検体を傷つけにくい絶縁体で基板２０の凹部２１内に絶縁層２２を形成する（図６（Ａ２）、（Ｂ２）参照）。具体的には凹部２１内に絶縁体としての熱硬化性樹脂を充填し、ベーク処理により凹部２１内に充填した樹脂を硬化させる。より具体的には、絶縁体がエポキシ系樹脂の場合は、凹部２１内に充填したエポキシ系樹脂を例えば１５０度のベーク処理により硬化させる。そして基板２０の凹部２１が形成されている側の表面と絶縁層２２とが平坦になるように、基板２０と絶縁層２２とを研磨する。尚、絶縁体は炭酸カルシウム等の無機塩類でもよい。その場合は、凹部２１内に充填した無機塩類に対してプレス処理を施す。そして基板２０の凹部２１が形成されている側の表面とプレス処理後の無機塩類とが平坦になるように、基板２０と無機塩類を研磨する。また上述した研磨工程は、硬化後の絶縁層２２表面の平坦度や絶縁層２２の基板２０に対する平坦度に応じて省略してもよい。
【００４３】
次に、製造方法の第一実施例と同様にして、絶縁層２２を横断するプローブ２４を基板２０上に形成する。最後に、製造方法の第一実施例と同様にして、基板２０と絶縁層２２とプローブ２４とを整形する。
以上説明したように、プローブユニットの第二実施例によるプローブユニット２を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】プローブユニットの第一実施例によるプローブユニットの模式図。
【図２】プローブユニットの第二実施例によるプローブユニットの模式図。
【図３】検査方法の第一実施例による検査方法を説明するための模式図。
【図４】検査方法の第二実施例による検査方法を説明するための模式図。
【図５】製造方法の第一実施例による製造方法を説明するための模式図。
【図６】製造方法の第二実施例による製造方法を説明するための模式図。
【符号の説明】
【００４５】
１、２  プローブユニット、１０、２０  基板、１２、２２  絶縁層、１４、２４  プローブ（導線）、１５、２５  接触部、２１  凹部、５０  検体、５２  電極
【図１】
2006284221.tif 000003
【図２】
2006284221.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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