(57)【要約】【課題】  矩形パターン描画において、描画装置をコンパクトにし、描画精度を保ち且つ描画速度の向上を図る。【解決手段】  光学パターンである矩形パターン光を感光材料に露光転写した投影パターン３２の横寸法、縦寸法を（ｌ、ｗ）とすると、Ｘ軸ステージを駆動し軸鎖線で示すような光学パターン３２ａがＸ軸にｌ×ｃｏｓ（△θ）移動する。更に、Ｙ軸ステージを駆動しＹ軸にｌ×ｓｉｎ（△θ）だけ移動補正する。そして、光源をフラッシュさせて光学パターンを転写露光し投影パターン３４を形成する。同様に、点線で示すような光学パターン３２ｂがＹ軸にｗ×ｃｏｓ（△θ）移動し、更に、Ｘ軸のｗ×ｓｉｎ（△θ）移動補正をし、光源をフラッシュし光学パターンを転写露光し投影パターン３５を形成する。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被描画基板上にパターンを露光描画する描画装置であって、
露光光を発生する光源と、
前記露光光から矩形パターン光を形成する矩形パターン光形成手段と、
前記矩形パターン光を前記描画基板に導く光学系と、
前記被描画基板を載置し、Ｘ軸方向及びＸ軸方向に垂直なＹ軸方向に移動可能なステージを含む被描画基板移動手段と、
前記矩形パターン光の一辺と前記Ｘ軸あるいはＹ軸との間に生じた角度誤差（△θ）を検知する角度誤差検出手段と、
前記パターンの露光描画時において、前記ステージをＸ軸方向とＹ軸方向に移動させて、前記角度誤差補正を行う角度補正手段と、
を備えたことを特徴とする描画装置。
【請求項２】
前記角度誤差検出手段は、前記ステージ表面に設置された前記矩形パターン光の撮像部を有することを特徴とする請求項１に記載の描画装置。
【請求項３】
前記矩形パターン光形成手段は、前記直交した端辺をもつ寸法可変のアパーチャを有することを特徴とする請求項１又は２に記載の描画装置。
【請求項４】
前記矩形パターン光形成手段は、複数の矩形のミラーを選択的に駆動して前記露光光をパターン変調するマルチミラーを有することを特徴とする請求項１又は２に記載の描画装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光露光により、フォトマスク、シャドーマスク、フラットディスプレイパネル、リードフレームなどの被描画基板上の感光材にパターン描画する描画装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の可変アパーチャを用いる描画装置は、図７に示すように、平行な１組のＸブレード１０１、それを駆動するモータ１０２、平行な１組のＹブレード１０３、それを駆動するモータ１０４、上記２組のブレード１０１，１０３からなる矩形状のアパーチャ１０５を有するアパーチャ部１００と、このアパーチャ部１００の下方に設けられ、アパーチャ部１００の光軸を中心としてモータ１０６で回転させる回転機構１０７と、アパーチャ部１００のアパーチャ１０５をキセノンフラッシュランプ等の光源１０８でフラッシュし、結像レンズ１０９により感光材料１１０に露光する光学系と、感光材料１１０を載置し移動させるＸＹステージ１１１とを具備して成り、さらに各部の動作をレーザ測定する測定器や全体を制御するコンピュータ、制御手段等を具備している。
【０００３】
このような構成の描画装置において、フラッシュされた光源１０８からの光はアパーチャ部１００を照射し、アパーチャ部１００のアパーチャ１０５を透過した光が結像レンズ１０９を経て感光材料１１０を露光するようになっている。ここで、矩形状のアパーチャ１０５はモータ１０２，１０４によりその大きさが可変であり、矩形状の光学パターンである矩形パターン光の露光転写がなされる。また、感光材料１１０はＸＹステージ１１１上に載置されており、ＸＹステージ１１１はモータ（図示せず）によってＸＹステップ駆動されるようになっている。そして、上記可変な光学パターンは、回転機構１０７により、光源１０８と結像レンズ１０９間の光軸を中心とし角度（θ）で回転され、ＸＹステージ１１１のＸＹステップ駆動により、光学パターン転写が繰り返し行われて、感光材料１１０上に所望のパターンが描画される。
【０００４】
このような描画装置においては、所望のパターンを露光可能な微小な矩形に分割したパターンデータが磁気テープの記録媒体で与えられ、その一つ一つの矩形データ毎にＸＹステージ１１１の位置（Ｘ、Ｙ）、アパーチャ１０５のサイズ（Ｌ、W）及び角度（θ）についての位置決めとその補正を行ない、全てが所定の誤差範囲内になった時に光源１０８をフラッシュして露光するフラッシュ動作を繰返し、所望のパターンを感光材料１１０上に描画するようになっている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特許第２７０８１７４号公報（第１−２頁、第１１図）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述したような描画装置では、フラッシュ毎に閉ループ制御でＸ、Ｙ、Ｌ、Ｗ、θの５軸位置決め補正を行なっている。そして、全軸、特にＸ、Ｙ、θがほぼ停止状態にならないとフラッシュ条件が満たされないため、全体の操作時間がかかる欠点がある。また、Ｘ、Ｙ、θなど１つの軸の位置決め補正を行なう時の振動、慣性力が他軸に影響を与えて位置決め補正に時間がかかり、シャドーマスクなどの大型基板用の描画装置ではＸＹステージも大型となるため、高速、高精度の位置決め補正が困難である等の問題が有り、露光動作そして描画速度の高速化は困難であった。
【０００６】
本発明の目的は、上記の問題あるいは課題に着目してなされ、描画装置をコンパクトにし、Ｘ、Ｙステージの位置決めと補正を所定の精度に保ち、かつ描画速度の向上を図った描画装置およびパターン描画方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するために、本発明の描画装置は、被描画基板上にパターンを露光描画する描画装置であって、露光光を発生する光源と、前記露光光から矩形パターン光を形成する矩形パターン光形成手段と、前記矩形パターン光を前記描画基板に導く光学系と、
前記被描画基板を載置し、Ｘ軸方向及びＸ軸方向に垂直なＹ軸方向に移動可能なステージを含む被描画基板移動手段と、前記矩形パターン光の一辺と前記Ｘ軸あるいはＹ軸との間に生じた角度誤差（△θ）を検知する角度誤差検出手段と、前記パターンの露光描画時において、前記ステージをＸ軸方向とＹ軸方向に移動させて、前記角度誤差補正を行う角度補正手段と、を備える構成になっている。
【０００８】
この構成により、描画装置において矩形パターン光形成手段と被描画基板移動手段との間の角度を調整するためのメカニカルな回転機構を取り付ける必要がなくなる。このために、描画装置がコンパクトで軽量な構造になると共に、描画装置の調整あるいはメンテナンスが非常に簡便になる。また、パターン描画において上記角度の位置決めと角度誤差補正は全く不要になり、パターン描画の更なる高速化が可能になる。
【０００９】
ここで、前記角度誤差検出手段は、前記ステージ表面に設置された前記矩形パターン光（矩形の光学パターン）の撮像部を備えるようにすると好ましい。
【００１０】
また、前記矩形パターン光形成手段は、前記互いに直交した端辺をもつ寸法可変のアパーチャを有する構成にすると好ましい。あるいは、前記矩形パターン光形成手段は、複数の矩形のミラーを選択的に駆動して前記露光光をパターン変調するマルチミラーを有する構成にすると好ましい。
【００１１】
このような構成により、寸法の異なる種々の矩形パターン光を生成し、前記種々の寸法のうち適切な大きさになる矩形パターン光を選択して、感光材料に対して露光転写を行えるようになり、所望の描画パターンが高速に形成できるようになる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明により、可変な矩形パターン光の露光転写によるパターンの描画装置において、光学パターンである矩形パターン光の角度調整をするためのメカニカルな回転機構が不要になり、従来の描画装置に比べて、本発明の描画装置はコンパクトで簡便な構造になる。また、本発明では、上記回転機構を用いた光学パターンの回転ずれ補正は不要で、感光材料上での光学パターンの位置決めとその補正に必要な操作時間が大幅に短縮し、所望パターンの描画が大幅に高速化する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態に係る描画装置について図面を参照して詳細に説明する。なお、描画装置の基本構造を、可変アパーチャ形成部、描画光学系、描画基板移動機構、制御系に分けて説明する。
【００１４】
図１は、本発明の描画装置を模式的に示す図である。本発明の矩形パターン光形成手段となる可変アパーチャ形成部１０は、固定ステージ１１、固定ステージ１１上に取り付けられたモータ１２，１２ａ、これらのモータ１２，１２ａでそれぞれ一方向（Ｘ方向）のみに駆動するボールネジ１３，１３ａ、これらのボールネジ１３，１３ａ上で直進運動するナット１４，１４ａ、これらのナット１４，１４ａにそれぞれ固定した１組のＸブレード１５，１５ａを有し、上記１組のＸブレード１５，１５ａは、固定ステージ１１上でＸ方向にのみ直進運動するように設けられている。全く同様にして、Ｘ方向に対して垂直方向にのみ直進運動するように１組のＹブレード（図示せず）が固定ステージ１１上に取り付けられている。そして、ＸブレードとＹブレードとで矩形状の可変アパーチャ１６が形成される。
【００１５】
描画光学系は、上記可変アパーチャ１６を照射露光する露光光であるキセノンランプ等の光源１７、上記可変アパーチャ１６で生成された光学パターンを被描画基板である感光材料２０の表面に結像させる投影レンズ１８等で構成される。
【００１６】
そして、被描画基板移動手段となる描画基板移動機構１９は、上記感光材料２０を載置し、基台２１に対してＸ軸方向及びＹ軸方向に移動可能なＸＹステージ２２を有している。ＸＹステージ２２の縁端部には、撮像部２３が取り付けられている。この撮像部２３はＣＣＤを含む固体撮像素子から成り、可変アパーチャ形成部１０と描画基板移動機構１９との相対的な位置関係、特に可変アパーチャ１６のＸ、Ｙ軸方向と上記ＸＹステージ２２のＸ軸方向あるいはＹ軸方向との角度誤差（△θ）を認識する機構になっており、角度誤差検出手段の一部を構成している。
【００１７】
制御系２４は、上記可変アパーチャ形成部１０、描画光学系、描画基板移動機構１９を一括制御する機構となっており、描画装置の各部の動作および位置を測定する測定器、制御手段、全体を制御するＣＰＵ、メモリ、大容量高速記憶装置、入出力インタフェース等を具備している。図２に示すように、この制御系２４の主要部は、ＣＰＵ、メモリ、大容量高速記憶装置等を有する制御部２５、そのデータ入力部としての撮像処理部２６と描画データ処理部２７を有し、その出力部としてのＸＹステージ制御部２８、アパーチャ制御部２９、露光制御部３０を有する構成となる。
【００１８】
制御部２５のＣＰＵは、制御プログラムを実行して各部を制御し、前述した可変アパーチャ形成部１０、描画光学系と描画基板移動機構１９を同期して駆動させる。角度誤差検出手段の一部となる撮像処理部２６は、ＸＹステージ２２上に載置した撮像部２３からの矩形パターン１６のイメージ像を信号として受け、可変アパーチャ１６と描画基板移動機構１９との位置関係、特に角度関係を算出処理し、算出データを制御部２５に送信する。描画データ処理部２７は、記録媒体に記憶され、所望のパターンを露光可能な微小な矩形に分割したパターンデータを、Ｘ、Ｙ位置（座標）、アパーチャサイズＬ、Ｗと共に制御部２５に転送する。そして、後で詳述するが、制御部２５を通してこれらの一つ一つの矩形データ毎にＸ、Ｙ軸ステージの位置（Ｘ、Ｙ）、アパーチャのサイズ（Ｌ、W）についての位置決めとその補正を、角度補正手段となるＸＹステージ制御部２８およびアパーチャ制御部２９がそれぞれ行ない、全てが所定の誤差範囲内になった時に、露光制御部３０が、光源１７をフラッシュして露光するフラッシュ動作を繰返し、所望のパターンを感光材料２０上に形成する。
【００１９】
このような構成の描画装置の動作について以下に説明する。
図１に示した露光源１７からの光は可変アパーチャ形成部１０を照射し、可変アパーチャ１６を透過した光がその光学パターンを形成し投影レンズ１８を経て感光材料２０に矩形パターンを結像する。ここで、可変アパーチャ１６はモータ１２，１２ａによりその大きさが矩形のままで変えられ、矩形の光学パターンの露光転写が感光材料２０になされる。そして、感光材料２０を載置するＸＹステージ２２は、モータ（図示せず）によってそれぞれ互いに直交するＹ方向とＸ方向へ直線運動するようにステップ駆動される。この駆動により光学パターンの露光転写は繰り返してなされ、所望のパターンが感光材料２０上に描画される。この繰り返し露光転写においては、可変アパーチャ１６のサイズすなわち光学パターンのサイズは適宜に変えられる。
【００２０】
ここで、本発明の描画装置では、可変アパーチャ１６とＸＹステージ２２間の角度誤差（△θ）の補正が感光材料２０への露光転写前に行なわれている。図３は、可変アパーチャ形成部１０と描画基板移動機構１９の相対的な位置関係および可変アパーチャ１６とＸＹ軸ステージ２２の角度誤差（△θ）を計測する方法を示すもので、図３（ａ）は感光材料２０を載置したXＹ軸ステージ２２の平面図であり、図３（ｂ）は感光材料２０上に投影されるパターンである。そして、図４は光学パターンの繰り返し転写における位置決めとその補正を示す感光材料２０の描画パターン平面図である。
【００２１】
（ａ）先ず、図３に示すように、感光材料２０をＸＹステージ２２の決められた所定位置に載置し固定する。
【００２２】
（ｂ）次に、図１の可変アパーチャ１６の初期化を行う前の操作として、図２のＸＹステージ制御部２８により、描画基板移動機構１９のＸYステージ２２を駆動し、描画基板移動機構１９を所定の初期位置に移動させる。
【００２３】
（ｃ）そして、可変アパーチャ１６の初期化の操作を行う。そこで、図２の露光制御部３０により図１の光源１７をフラッシュさせ可変アパーチャ１６の光学パターンを生成し、投影レンズ１８を通して、図３（ａ）に示すように投影パターン３２を撮像部２３に撮像させる。ここで、投影パターン３２は、図３（ｂ）に示すように、矩形状であり横寸法がｌで縦寸法がｗである。この寸法は、元の可変アパーチャ１６の寸法（Ｌ、Ｗ）と等倍率か一定割合で縮小したものである。上記撮像部２３は、ＣＣＤ等の固体撮像素子から成り、投影パターン３２の全体イメージを検知しそれを信号として、図２の撮像処理部２６に伝達する。この撮像処理部２６において、投影パターン３２の全体イメージよりその原点３３の座標位置を求め基準点として設定する。また、投影パターン３２の寸法ｌ、ｗ、矩形の辺の方向等を算出する。
【００２４】
（ｄ）次に、描画基板移動機構１９のＸＹステージ２２を駆動し所定の距離だけ移動させて、再度、光源１７をフラッシュさせ同一の可変アパーチャ１６の光学パターンを生成し、投影レンズ１８を通して投影パターン３２ａあるいは投影パターン３２ｂを撮像部２３に撮像させる。そして、上述したのと同じように、撮像処理部２６において投影パターン３２ａあるいは投影パターン３２ｂのイメージを分析し、図３に示すように、Ｘ軸方向に対する投影アパーチャ３２の傾斜する角度誤差（△θ）を算出する。あるいは、Ｙ軸方向に対する投影アパーチャ３２の傾斜する角度誤差（△θ）を算出する。なお、上述したようにＸ方向とＹ方向はメカニカルに直交するように形成されており、上記角度誤差（△θ）は同一値である。
【００２５】
（ｅ）次に、可変アパーチャ１６から生成した光学パターンで感光材料２０表面にパターン描画を行っていく。そこで、初めに、感光材料２０表面の（Ｘ、Ｙ）座標を上述した基準点に基づき設定する。そして、図４に示すように感光材料２０の所定の座標位置に投影パターン３２を形成する。この投影パターン３２は、上述したのと同様に光源１７をフラッシュさせ可変アパーチャ１６の光学パターンを生成し、投影レンズ１８を通して光学パターンを転写露光し形成する。
【００２６】
（ｆ）続いて、可変アパーチャ１６で生成する光学パターンの感光材料２０上での位置決めを行いその補正をした後に光学パターンを感光材料２０表面に露光転写する。上述したように投影パターン３２の寸法を（ｌ、ｗ）とすると、Ｘ方向の位置決めのために、ＸＹステージ２２を駆動させＸ方向に−ｌ×ｃｏｓ（△θ）だけ移動させると、図４の矢印に示すように、感光材料２０上では鎖線で示すような光学パターン３２ａが最初のパターン３２に対してＸ方向にｌ×ｃｏｓ（△θ）移動する。更に、ＸＹステージ２２を駆動させＹ方向にｌ×ｓｉｎ（△θ）だけ移動補正して位置決め補正をすると、図４の矢印に示すように、上記の転写する光学パターン３２ａはＹ方向に−ｌ×ｓｉｎ（△θ）移動する。そして、再度、光源１７をフラッシュさせて上記光学パターンを転写露光し投影パターン３４を形成する。このＸ，Ｙ方向の移動は、同時に行うようにしてもよい。
【００２７】
（ｇ）図４において、投影パターン３５の形成も同様にして行う。すなわち、Ｙ方向の位置決めとして、ＸＹステージ２１を駆動させ最初のパターン３２に対してＹ方向に−ｗ×ｃｏｓ（△θ）だけ移動させると、図４の矢印に示すように、感光材料２０上では点線で示すような光学パターン３２ｂが最初のパターン３２に対してＹ方向にｗ×ｃｏｓ（△θ）移動する。更に、ＸＹステージ２２を駆動させ最初のパターン３２に対してＸ方向に−ｗ×ｓｉｎ（△θ）だけ移動補正し位置決め補正をすると、図４の矢印に示すように、転写する光学パターン３２ａは最初のパターン３２に対してＸ方向にｗ×ｓｉｎ（△θ）移動する。そこで、再度、光源１７をフラッシュさせて上記光学パターンを転写露光し投影パターン３５を形成する。この場合も、Ｘ，Ｙ方向の移動を同時に行うようにしてもよい。
【００２８】
このようにして、描画基板移動機構１９に対して生じた可変アパーチャ１６の角度誤差（△θ）をＸ方向およびＹ方向の位置決めに取り込み、可変アパーチャ１６で生じる光学パターンの露光転写を繰り返すことで、所望のパターン描画を感光材料２０表面上に行う。なお、上記の光学パターンの露光転写を繰り返すときには、光学パターンのサイズは可変アパーチャ１６のサイズを変えることで適宜に変えられる。
【００２９】
上記実施形態では、Ｘ（Ｙ）軸の移動量はｌ（ｗ）×ｃｏｓ（△θ）、それに伴うＹ（Ｘ）軸の移動量の補正はｌ（ｗ）×ｓｉｎ（△θ）としているが、上記移動量とそれに伴う補正においては、ｌあるいはｗ以下になる範囲にしてもよい。この場合の光学パターンの露光転写では、転写した隣接する投影パターンに重なり部分が生じるがパターン描画には問題は生じない。上記範囲において、上記移動量の補正は、ｔａｎ（△θ）×（上記移動量）の関係が成り立つように、光学パターンの露光転写を行うことになる。
【００３０】
従来の技術では、上述したように、角度（θ）補正をするための専用の駆動系が必要で装置の大型化につながっていた。上述した本発明の構成では、露光転写によるパターン描画において、パターン中に未露光領域が生じたり、描画パターンの周縁に不要なギザギザが生じたりすることは皆無になり、高精度のパターン描画ができる。
【００３１】
特に、本発明の構成により、描画装置において可変アパーチャ形成部１０あるいは描画基板移動機構１９に角度誤差（△θ）補正をするメカニカル機構を取り付ける必要がなくなる。このために、描画装置がコンパクトになると共に、描画装置の調整あるいはメンテナンスが非常に容易になる。
【００３２】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態に係る描画装置を図５，６に基づいて説明する。第２の実施形態は、第１の実施形態で説明した可変な光学パターンの形成方法を異にするものである。ここで、第１実施形態と同じものは同一符号で示し、説明を省略あるいは簡潔にする。
【００３３】
図５は、本発明の描画装置を模式的に示す断面図である。本実施形態の矩形パターン光形成手段は、主に、固定ステージ３６とこの固定ステージに取り付けられたマルチミラー３７とで構成される。ここで、マルチミラー３７は、各々が駆動可能な微小ミラー３８、３９がマトリクス状に配列されたデバイスであり、各々の微小ミラーが面露光源４０からの照射光を反射状態（微小ミラー３８が相当する）あるいは非反射状態（微小ミラー３９が相当する）に独立して駆動するものである。図５のマルチミラーは、説明を判り易くするために４×２個の微小ミラーからなるものを示すが、実際には、１２８０×７２０個のような多数の微小ミラーをマトリクス状に有するものが使用できる。
【００３４】
描画光学系は、上記マルチミラー３７を照射する露光源４０、上記マルチミラー３７で生成された光学パターンを感光材料２０表面に結像させる結像レンズ４１等で構成される。
【００３５】
このような構成の描画装置の動作について以下に説明する。図６は光学パターンの繰り返し転写における位置決めとその補正を示す感光材料２０の描画パターンの平面図である。図５に示した露光源４０からの光はマルチミラー３７を照射し、その反射光により光学パターンを生成し結像レンズ４１を経て感光材料２０に投影パターン４２を転写露光する。ここで、マルチミラー３７を構成する微小ミラー３８、３９は反射状態あるいは非反射状態になされて所望の光学パターンが生成される。そして、感光材料２０を載置するＸＹステージ２２は、それぞれ互いに直交するＹ方向とＸ方向へ直線運動するように駆動され、これらの駆動により、上記光学パターンの露光転写は繰り返してなされて所望のパターンが感光材料２０上に描画される。
【００３６】
図６に示すように、上述したように投影パターン４２の寸法を（Ｘ０  、Ｙ０  ）とすれば、投影パターン４２を転写露光した後の上記Ｘ軸ステージ２２の駆動において、上記（ｆ）工程に示したのと同様にして、Ｘ方向の位置決めのためにＸYステージ２２を駆動させＸ方向に−Ｘ０  ×ｃｏｓ（△θ）だけ移動させ、更に、ＸＹステージ２２を駆動させＹ方向にＸ０  ×ｓｉｎ（△θ）だけ移動補正した後に、露光源４０を照射させて別の光学パターンを転写露光し投影パターン４３を形成する。また、Ｙ方向の位置決めのためには、上記（ｇ）工程に示したのと全く同様にして、ＸＹステージ２２の駆動およびＸ方向の駆動を行い、光学パターンを感光材料２０上に転写露光する。そして、マルチミラー３７で生じる光学パターンの露光転写を繰り返すことで、所望のパターン描画を感光材料２０表面上に行う。
【００３７】
第２の実施形態では、マルチミラー３７を構成する各々の微小ミラーの反射状態（オン）および非反射状態（オフ）を、光学パターンの露光転写時に任意に変化させることで多種類の光学パターンを生成する。この各々の微小ミラーの反射状態および非反射状態の制御は、図２で示したアパーチャ制御部２９の代わりとなるマルチミラー制御部で行うようにする。なお、マルチミラー制御部では、パターンデータは分割された部分パターンで読み出し可能に格納されている。
【００３８】
第１の実施形態における可変アパーチャ１６はメカニカルな駆動を必要としているが、第２の実施形態の上記マルチミラー３７は、その多数の微小ミラーのオン／オフ駆動を電気的に同時に行うことができる。このために、第２の実施形態では、パターン描画において、第１の実施形態の場合よりもパターン描画が更に高速化する。なお、第１の実施形態で説明したのと同様の効果も生じる。
【００３９】
本発明は、上記の実施形態に限定されず、本発明の技術思想の範囲内において、実施形態は適宜に変更されうる。上述した実施形態では、矩形パターン光形成手段の構成部材の位置移動はなく固定され、被描画基板移動手段におけるＸ軸移動、Ｙ移動で角度補正を行う場合を示しているが、逆に矩形パターン光形成手段のＸ軸、Ｙ軸移動で上記角度補正ができる構造にしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の第１の実施形態における描画装置の概略構成図である。
【図２】本発明における描画装置の制御系の基本構成図である。
【図３】本発明における可変アパーチャの角度誤差（△θ）検知を説明するための平面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態におけるパターンの描画平面図である。
【図５】本発明の第２の実施形態における描画装置の概略構成図である。
【図６】本発明の第２の実施形態におけるパターンの描画平面図である。
【図７】従来の技術の可変アパーチャを用いる描画装置の斜視図である。
【符号の説明】
【００４１】
１０  可変アパーチャ形成部
１１，３６  固定ステージ
１２，１２ａ  モータ
１３，１３ａ  ボールネジ
１４，１４ａ  ナット
１５，１５ａ  Ｘブレード
１６  可変アパーチャ
１７  光源
１８  投影レンズ
１９  描画基板移動機構
２０  感光材料
２１  基台
２２  ＸＹステージ
２３  撮像部
２４  制御系
２５  制御部
２６  撮像処理部
２７  描画データ処理部
２８  ＸＹステージ制御部
２９  アパーチャ制御部（マルチミラー制御部）
３０  露光制御部
３２，３２ａ，３２ｂ，３４，３５，４２，４３  投影パターン
３７  マルチミラー
３８，３９  微小ミラー
４０  露光源
４１  結像レンズ
【図１】
2006258950.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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