(57)【要約】【課題】半田接合性と絶縁性の確保を両立させることができる半田接合用ペーストおよび半田接合方法を提供することを目的とする。【解決手段】半田接合による電子部品実装時にバンプと回路電極との間に介在させて用いる金属粉入りのフラックスにおいて、半田濡れ性向上の目的で混入される金属粉８を、錫や亜鉛などの金属で形成されたコア金属８ａの表面を金や銀などの貴金属で形成された表面金属８ｂで覆った構成とする。半田接合のリフロー過程においては加熱により表面金属８ｂｇａコア金属８ａ中に拡散して固溶状態で取り込まれ、リフロー終了時には金属粉８の表面はコア金属８ａが酸化して形成され電気的に安定した酸化膜８ｃによって覆われる。これにより、リフロー後に金属粉８がマイグレーションを起こしやすい状態で残渣として残留することがなく、半田接合性と絶縁性の確保を両立させることができる。【選択図】図４
2006134982.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半田部が形成された第１の電極を第２の電極に半田付けする際に前記半田部と前記第２の電極の間に介在させる半田接合用ペーストであって、
樹脂成分より成る液状の基剤と、前記半田部の表面に生成した酸化膜を除去する作用を有する活性成分と、コア金属およびこのコア金属の表面を覆う表面金属を有する金属粉とを含み、前記表面金属は前記半田部を形成する半田に対する濡れ性のよい金属にて形成され、前記コア金属はリフローによる加熱により前記表面金属を固溶して内部に取り込むことが可能な金属にて形成されていることを特徴とする半田接合用ペースト。
【請求項２】
前記コア金属は、錫、亜鉛、鉛、インジウムのいずれかを含み、前記表面金属は、金または銀のいずれかを含むことを特徴とする請求項２記載の半田接合用ペースト。
【請求項３】
半田部が形成された第１の電極を第２の電極に半田接合する半田接合方法であって、
樹脂成分より成る液状の基剤と、前記半田部の表面に生成した酸化膜を除去する作用を有する活性成分と、コア金属およびこのコア金属の表面を覆う表面金属を有する金属粉とを含む半田接合用ペーストを前記半田部もしくは前記第２の電極の少なくとも一方に塗布する第１の工程と、前記第１の電極と第２の電極を位置合わせすることにより前記半田接合用ペーストを前記半田部と第２の電極との間に介在させる第２の工程と、加熱によって前記半田を溶融させて前記金属粉の表面伝いに濡れ拡がらせることにより溶融した半田を前記第１の電極と第２の電極とに接触させるとともに、前記表面金属を前記コア金属の内部に拡散させて取り込む第３の工程と、第３の工程の後に前記溶融した半田を固化させる第４の工程とを含むことを特徴とする半田付方法。
【請求項４】
前記コア金属は、錫、亜鉛、鉛、インジウムのいずれかを含み、前記表面金属は、金または銀のいずれかを含むことを特徴とする請求項４記載の半田接合方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半田接合に用いられる半田接合用ペーストおよびこの半田接合用ペーストを用いた半田接合方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子部品を基板へ実装する際の接合方法として、従来より半田接合が広く用いられている。半田付けの形態としては、電子部品に設けられた接合用電極としての金属バンプを半田によって形成する方法や、基板の電極表面に半田層を形成する半田プリコートなど各種の方法が用いられる。近年環境保護の観点から、上述の半田付けにおいて有害な鉛をほとんど含まないいわゆる鉛フリー半田が採用されるようになっている。
【０００３】
鉛フリー半田は従来用いられていた鉛系半田とは成分組成が大きく異なるため、半田接合過程において用いられるフラックスについても、従来一般に用いられていたものをそのまま使用することができない。すなわち従来のフラックスでは活性作用が不足し、半田表面の酸化膜除去が不十分で良好な半田濡れ性が確保され難い。このような半田濡れ性が劣る半田を対象として、フラックス成分中に銀など半田濡れ性に優れた金属より成る金属粉を混入した組成のフラックスが提案されている（例えば特許文献１参照）。このようなフラックスを使用することにより、リフロー過程において溶融した半田をフラックス中の金属粉の表面に沿って濡れ拡がらせ、溶融した半田を接合対象の電極まで導くことができる。
【特許文献１】特開２０００−３１２１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら上記特許文献例に示すフラックスには、金属粉の含有割合によっては以下のような不具合を生じる場合があった。近年は半田接合後にフラックス成分除去のための洗浄を省略した無洗浄工法が主流となっていることから、リフロー後にはフラックス分は半田接合部の周囲に残渣として付着したまま残留し、フラックス中に含有された金属粉も半田接合部の周囲に残留する。
【０００５】
このとき、金属粉の残留量が多い場合には、マイグレーションによる絶縁不良を生じるおそれがある。そしてこの絶縁不良を防止するために金属粉の含有量を少なくすると、リフロー時に金属粉によって溶融半田を導く効果が低下し、半田接合性の低下を招く。このように、金属粉を含有したフラックスなどの従来の半田接合用ペーストには、半田接合性の維持と絶縁性の確保とを両立させることが難しいという問題点があった。
【０００６】
そこで本発明は、半田接合性と絶縁性の確保を両立させることができる半田接合用ペーストおよび半田接合方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の半田接合用ペーストは、半田部が形成された第１の電極を第２の電極に半田付けする際に前記半田部と前記第２の電極の間に介在させる半田接合用ペーストであって、樹脂成分より成る液状の基剤と、前記半田部の表面に生成した酸化膜を除去する作用を有する活性成分と、コア金属およびこのコア金属の表面を覆う表面金属を有する金属粉とを含み、前記表面金属は前記半田部を形成する半田に対する濡れ性のよい金属にて形成され、前記コア金属はリフローによる加熱により前記表面金属を固溶して内部に取り込むことが可能な金属にて形成されている。
【０００８】
本発明の半田接合方法は、半田部が形成された第１の電極を第２の電極に半田接合する半田接合方法であって、樹脂成分より成る液状の基剤と、前記半田部の表面に生成した酸化膜を除去する作用を有する活性成分と、コア金属およびこのコア金属の表面を覆う表面金属を有する金属粉とを含む半田接合用ペーストを前記半田部もしくは前記第２の電極の少なくとも一方に塗布する第１の工程と、前記第１の電極と第２の電極を位置合わせすることにより前記半田接合用ペーストを前記半田部と第２の電極との間に介在させる第２の工程と、加熱によって前記半田を溶融させて前記金属粉の表面伝いに濡れ拡がらせることにより溶融した半田を前記第１の電極と第２の電極とに接触させるとともに、前記表面金属を前記コア金属の内部に拡散させて取り込む第３の工程と、第３の工程の後に前記溶融した半田を固化させる第４の工程とを含む。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、リフロー時において溶融半田を導く効果を目的として混入される金属粉を、コア金属と、このコア金属の表面を覆う表面金属とで構成し、表面金属は半田との濡れ性のよい金属にて形成し、コア金属はリフローによる加熱により表面金属を内部に取り込むことが可能な金属にて形成することにより、リフロー後に金属粉がマイグレーションを起こしやすい状態で残渣として残留することがなく、半田接合性と絶縁性の確保を両立させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
次に本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。図１，図２は本発明の一実施の形態の電子部品実装の工程説明図、図３は本発明の一実施の形態の半田接合用ペーストを用いた半田接合過程の説明図、図４は本発明の一実施の形態の半田接合用ペーストに混入される金属粉の断面図、図５は本発明の一実施の形態の電子部品実装における半田接合用ペーストの供給方法の説明図である。
【００１１】
まず図１，図２を参照して、本発明の半田接合用ペーストを用いた半田接合による電子部品実装について説明する。この電子部品実装においては、上面に回路電極２（第２の電極）が形成された基板１に、電子部品４を半田接合により実装する。図１（ａ）において電子部品４は、上面に部品実装部５が設けられた樹脂基板４ａの下面に外部接続用電極４ｂ（第１の電極）を設け、さらに外部接続用電極４ｂに半田部としてのバンプ６を形成した構成となっている。バンプ６は、微細粒状の半田ボールを外部接続用電極４ｂに半田接合して形成される。なお半田とは、低融点の金属（例えば錫）または複数種類の金属の合金（例えば銀・錫合金）をいい、ここではこれらの金属や合金中に鉛をほとんど含まない鉛フリー半田を半田材質として用いている。
【００１２】
部品実装部５は、樹脂基板４ａの上面に実装された半導体素子（図示省略）を樹脂封止して形成されている。この樹脂封止工程においては、溶融状態の高温の樹脂をモールドキャビティに注入し、樹脂を熱硬化させて樹脂モールドを形成した後、樹脂モールドをモールドキャビティから取り外して大気中で冷却する。この冷却過程においては、基板２と樹脂モールドの熱膨張係数の違いにより樹脂基板４ａの上面側の部品実装部５が樹脂基板４ａよりも大きく収縮するため、電子部品４全体は樹脂基板４ａの端部が部品実装部５側に反りを生じる形で変形する。
【００１３】
このため、電子部品４の下面側に形成された複数のバンプ６のうち、外縁部に位置するバンプ６＊の下端部は、内側に位置するバンプ６の下端部よりも反り変形による変位ｄ１だけ上方に位置している。したがって、各バンプ６の下端部の高さは同一平面上にはなく、後述するように電子部品４を基板に搭載した状態において、バンプ６＊と回路電極との間には隙間が生じる傾向にある。
【００１４】
バンプ６には、以下に説明する半田接合用ペーストであるフラックス３が転写により塗布される。すなわち電子部品４をフラックス３の塗膜が形成された転写テーブル７上に対して昇降させることにより、図１（ｂ）に示すようにバンプ６の下端部にはフラックス３が転写塗布される。フラックス３は、電子部品４を以下に説明する基板１へ実装するための半田接合において、半田接合性を向上させるためにバンプ６と回路電極２の間に介在させて用いられるものである。
【００１５】
ここでフラックス３の組成について説明する。フラックス３は、ロジンなどの樹脂成分を溶剤に溶解した粘度の高い液状の基剤に、添加成分として活性剤と金属粉８とを混合したものである。活性剤は、バンプ６の表面に生成した半田の酸化膜を除去する目的で添加されるものであり、このような酸化膜除去能力を有する有機酸などが用いられる。なおここでは活性剤として半田接合後の洗浄を必要としない低活性のものが用いられる。
【００１６】
金属粉８としては、図４（ａ）に示すように、中核体となるコア金属８ａとコア金属８ａの表面を覆う表面金属８ｂとを有する構成のものが用いられる。この構成においては、錫（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、鉛（Ｐｂ）、インジウム（Ｉｎ）からコア金属７ａとして用いられる金属種を選択し、この金属種によって薄片状の金属箔を形成する。そしてこの金属箔の表面に、表面金属８ｂの被膜を電気メッキなどの方法で形成する。
【００１７】
ここで表面金属８ｂの金属種としては、バンプ６に用いられる半田の融点よりも高い融点を有し、しかも大気中で金属粉８の表面に酸化膜を生成しないものであって、さらにバンプ６を形成する半田に対する濡れ性がよく、バンプ６が溶融した流動状態の半田が表面に沿って濡れ拡がりやすい材質（例えば純度９０％以上の金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）などの貴金属）が選定される。そしてフラックス３への添加は、これらの金属粉８を１〜２０ｖｏｌ％の範囲の割合で基剤中に混合することにより行われる。
【００１８】
ここで、コア金属８ａと表面金属８ｂに用いられる金属種の組み合わせは、表面金属８ｂから内部のコア金属８ａへの拡散（図４（ｂ）参照）がリフロー過程における加熱によって容易に生じ、リフロー終了時において表面金属８ｂのコア金属中８ａへの拡散が完了してほとんどコア金属８ａ中に取り込まれるような拡散特性が実現される組み合わせが選択される。すなわちこの構成においては、表面金属８ｂは半田との濡れ性のよい金属にて形成され、コア金属８ａはリフローによる加熱により表面金属８ｂを固溶して内部に取り込むことが可能な金属にて形成されている。半田ペースト３に混入される金属粉としてこのような構成を採用することにより、無洗浄方式による半田接合において後述するような優れた効果を得る。
【００１９】
次いで図１（ｃ）に示すように、フラックス転写塗布後の電子部品４は基板１に実装される。電子部品４の基板１への実装は、加熱によりバンプ６を溶融させて回路電極２の上面に半田接合することにより行われ、これにより、それぞれの外部接続用電極４ｂが対応する回路電極２に電気的に接続されるとともに、電子部品４は溶融半田が固化して形成された半田接合部によって基板１に固着される。
【００２０】
この実装過程においては、電子部品４を基板１上に位置させ、バンプ６を回路電極２に位置合わせして、基板１に対して下降させる。そして、フラックス３が塗布されたバンプ６を回路電極２に着地させ、所定の押圧荷重によって押圧する。これにより、バンプ６のうち下端部が平均的な高さ位置にあるバンプ６は、バンプ高さに多少のばらつきがあっても高めのバンプ６が押圧力によって高さ方向に幾分つぶされることにより、下端部が回路電極２の上面に接触する。これに対し外縁部に位置するバンプ６＊は、他のバンプ６が幾分押しつぶされて電子部品４全体がその分だけ下降しても、なお下端部が回路電極２の表
面に接触せず、バンプ下面と回路電極２との間に隙間が生じた状態となる。
【００２１】
次に、バンプ６を溶融させて回路電極２に半田接合する半田接合過程について説明する。図１（ｃ）に示す部品搭載後の基板１は、リフロー炉に送られ加熱される。このとき図２（ａ）に示すように、下端部の高さが平均的な位置にある中央部付近のバンプ６については下端部が回路電極２に接触した状態で、また外縁部に位置するバンプ６＊については、下端部と回路電極２の間にフラックス３が介在した状態で、加熱が行われる。
【００２２】
そしてこの加熱により、バンプ６，６＊とも、回路電極２に半田接合されるが、このときの半田の挙動は、バンプ下端部が回路電極２に接触しているか否かによって異なったものとなる。すなわち図２（ｂ）に示すように、下端部が回路電極２に接触しているバンプ６では、バンプ６が加熱によって溶融すると、溶融状態の半田６ａは直ちに半田濡れ性のよい材質の回路電極２の表面に沿って良好に濡れ拡がり、外部接続用電極４ｂは回路電極２と半田６ａによって連結される。このとき、フラックス３中に含まれる活性剤によってバンプ６表面の酸化膜が除去される。
【００２３】
これに対し、バンプ６＊においては、回路電極２との間に隙間があることから、外部接続用電極４ｂと回路電極２の半田６ａによる連結は、図３に示すような過程を経て行われる。図３（ａ）は、リフロー過程における加熱開始時の状態を示している。ここでバンプ６＊の下端部と回路電極２の表面２ａとの間に介在するフラックス３中の金属粉８は、鱗片状のものを含んでいることから、ランダムな姿勢で多数存在する金属粉８によって、バンプ６＊の下端部と回路電極２の表面２ａとを結ぶ金属粉８のブリッジが、高い確率で形成される（図３（ａ）にて矢印ａで示す部分参照）。
【００２４】
ここでブリッジとは、金属粉８が相互に近接した状態で連続的に一繋がりとなって存在する状態をいう。そして近接した状態とは、１つの金属粉８の表面を濡らして覆っている流動状態の半田が表面張力によってある厚みを形成するときに、その半田厚みの表面が隣接する他の金属粉８に接触するような間隔で複数の金属粉８が存在する状態をいう。
【００２５】
すなわち、多数の金属粉８がこのような近接状態で連続して存在することにより、一繋がりの一方側の金属粉８に接触した半田は、半田濡れ性のよい金属を含む金属粉８の表面を包み込んで濡れ拡がることによって、順次隣接する金属粉８に接触する。そしてこの濡れ拡がりによる半田の流動が一繋がりの他方側まで連続して生じることにより、これらの一繋がりの金属粉８は、図３（ｂ）に示すように、バンプ６＊の下端部と回路電極２の表面２ａとを結んで半田を流動させるブリッジとして機能する。
【００２６】
このとき、金属粉８を構成する表面金属８ｂの材質として通常用いられる半田の融点よりも融点が高い金や銀などの貴金属を用いていることから、半田の融点よりもさらに高温に加熱された場合においても、表面金属８ｂは確実に固体状態で存在する。すなわち、フラックス３中に半田粒子を含有させたクリーム半田を用いる半田接合方法では、リフロー時の加熱によってクリーム半田中の半田粒子も同時に溶融してしまい、隙間内で溶融半田を橋渡しするブリッジ機能が得られないのに対し、本実施の形態のフラックス３では、上述のブリッジ機能を確実に果たすことができる。
【００２７】
そして、フラックス３に用いられる金属粉８は、高価な金や銀などの貴金属を安価なコア金属８ａの表面を覆う表面金属８ｂとして用いるようにしていることから、従来の金属粉入りフラックスにおいて高価な貴金属をそのまま粉体で用いる方法と比較して、大幅なコスト低減が可能となっている。なお、コア金属８ａとして選択可能な金属種と銀との合金より成る半田（例えばＳｎ−Ａｇ系半田）が既に存在するが、このような半田と本実施の形態における金属粉８とは、金属粉８によって奏される作用効果の面から明確に区別さ
れるべきである。
【００２８】
ここで、金属粉８の形状として、前述の金属を鱗片状に加工したものを用いることにより、鱗片形状の長手方向を隙間の橋渡し方向に向けた姿勢で存在する金属粉８によってブリッジを形成し易くなり、比較的低い含有率で効率よくブリッジを形成することができる。そしてこのようなブリッジを伝って半田６ａが電極表面２ａに一旦到達すると、流動状態の半田６ａは半田濡れ性の良好な電極表面２ａにそって濡れ拡がる。この半田６ａの濡れ拡がりにより、電極表面２ａ近傍のフラックス３は外側に押しのけられ、当初回路電極２との間に隙間を生じていたバンプ６＊においても、外部接続用電極４ｂは半田６ａによって回路電極２と全面的に連結される。
【００２９】
この場合においても、フラックス３中に含まれる活性剤によって接合性が向上するが、前述のブリッジ形成効果により、バンプ表面の酸化膜が部分的にのみ除去されている場合においても良好な半田接合性が確保されるため、フラックス３中に含まれる活性剤には強い活性作用は要求されない。換言すれば金属粉８の添加により、活性作用が弱い低活性フラックスの使用が可能となっており、半田接合後にフラックス３が残留した状態においても回路電極２が活性成分によって腐食される度合が低い。したがって後述する金属粉８の特性による絶縁性向上効果と相俟って、半田接合後にフラックス除去のための洗浄を行わない無洗浄工法においても、十分な信頼性を確保することができる。
【００３０】
図３（ｃ）は、リフロー工程における所定の加熱サイクルを終了して、冷却された状態を示している。すなわち、バンプ６が溶融した半田６ａが冷却によって固化することにより、外部接続用電極４ｂと回路電極２とを半田接合により連結する半田接合部１６が形成される。この半田接合部１６の電極表面２ａ近傍には、半田付け過程において半田中に取り込まれた金属粉８が合金状態あるいは固溶状態で存在している。そして電極表面２ａや回路電極２の周囲には、フラックス３から溶剤成分が蒸発した後の残渣（樹脂成分や活性剤）３ａが、半田接合部１６中に取り込まれなかった金属粉８とともに残留する。
【００３１】
図２（ｃ）は、このようにして外部接続用電極４ｂと回路電極２を連結する半田接合部１６が全ての外部接続用電極４ｂと回路電極２について形成され、回路電極２の周辺に上述の金属粉８を含む残渣３ａが残留付着した状態を示している。このように、半田接合の対象となる外部接続用電極４ｂと回路電極２の組み合わせにおいて、外縁部に位置していたバンプ６＊については下端部と回路電極２の間に隙間が生じていた場合にあっても、本実施の形態に示す半田接合用ペーストとしてのフラックス３および半田接合方法を適用することにより、良好な半田接合性を確保することが可能となっている。
【００３２】
ここで上述のリフロー工程における金属粉８の変化について説明する。各金属粉８においては、加熱が継続されることにより図４（ｂ）に示すように、表面金属８ｂがコア金属８ａ中に拡散により徐々に取り込まれる。なおコア金属８ａの金属種および加熱温度によっては、表面金属８ｂは液相のコア金属８ａに拡散する場合と、固相のコア金属７ａに拡散する場合とが存在するが、いずれの場合も表面金属８ｂは徐々にコア金属８ａ中に取り込まれる。そして表面金属８ｂが完全に取り込まれコア金属８ａの表面が露呈されることにより、図４（ｃ）に示すように、金属粉８の表面にはコア金属８ａが加熱により酸化した酸化膜８ｃが形成される。そしてこの酸化膜８ｃは、以下に説明するように、半田接合後の絶縁性を向上させるという効果を有する。
【００３３】
半田接合工程後にフラックス除去のための洗浄を行わない無洗浄工法においては、図２（ｃ）に示す残渣３ａや金属粉８はそのまま回路電極２の周囲に残留する。金や銀などの金属をそのまま半田ペーストに混入する金属粉として用いた場合には、残留量によっては回路電極間を電気的に腐食させて絶縁性を低下させるマイグレーションが発生するおそれ
がある。このため、従来は絶縁性の確保を勘案して金属粉の配合割合を低く抑える必要があり、この結果リフロー工程において溶融半田を導く半田濡れ性向上効果が十分に実現されない事態が生じていた。
【００３４】
これに対し、上記構成の金属粉８を用いることにより、半田接合工程後に金属粉８が回路電極２の周囲に相当量残留した場合にあっても、金属粉８の表面は電気的に安定な酸化膜８ｃに覆われていることから、マイグレーションの発生がなく、良好な絶縁性が確保される。したがって上記構成の金属粉８を用いることにより、半田ペースト中に十分な量の金属粉を混入することによって半田接合性を向上させるとともに、半田接合後の絶縁性を確保して実装信頼性を向上させることが可能となっている。
【００３５】
換言すれば、上述構成の金属粉８を用いることにより、半田接合性と絶縁性のいずれにも優れた無洗浄タイプのフラックス３が実現される。すなわち硬度が高くてバンプがつぶれにくい鉛フリー半田によってバンプが形成された電子部品を対象とする場合において、電子部品のそり変形やバンプサイズのばらつきなどによってバンプと基板の回路電極との間に隙間が生じている状態においても、バンプが回路電極と正常に半田付けされない実装不良の発生を有効に防止することができるとともに、半田付け後のフラックス除去のための洗浄を省略した無洗浄工法を採用する場合にあっても、良好な絶縁性を確保することができる。
【００３６】
上述の電子部品実装における半田接合方法は、半田部としてのバンプ６が形成された外部接続用電極４ｂを回路電極２に半田接合する半田接合方法であって、前述構成のフラックス３をバンプ６もしくは回路電極２の少なくとも一方に塗布する第１の工程と、バンプ６と回路電極２を位置合わせすることによりフラックス３をバンプ６と回路電極２との間に介在させる第２の工程と、加熱によってバンプ６を溶融させて金属粉８の表面伝いに濡れ拡がらせることにより溶融した半田を回路電極２に接触させるとともに、金属粉８の表面金属８ｂをコア金属８ａの内部に拡散させて取り込む第３の工程と、第３の工程の後に溶融した半田を固化させる第４の工程とを含む形態となっている。
【００３７】
なお上述の例では、フラックス３を塗布する工程において、バンプ６にフラックス３を転写して塗布する例を示しているが、これ以外にも各種の方法を用いることができる。例えば図５（ａ）に示すように、ディスペンサ９によってフラックス３を吐出させることにより、回路電極２へ供給するようにしてもよい。また、図５（ｂ）に示すように、転写ピン１０によってフラックス３を回路電極２上に転写により供給するようにしてもよい。
【００３８】
さらには、図５（ｃ）に示すように、スクリーン印刷によって回路電極２上にフラックス３を印刷するようにしてもよい。すなわち基板１上に回路電極２に対応したパターン孔１１ａが設けられたマスクプレート１１を装着し、スキージ１２によってパターン孔１１ａ内にフラックス３を充填して回路電極２の表面に印刷する。
【００３９】
なお上記実施の形態においては、第１の電極が電子部品４に形成された外部接続用電極４ｂであり、半田部が外部接続用電極４ｂに形成されたバンプ６であり、バンプ６を第２の電極である回路電極２に半田接合する例について説明したが、本発明は上記例には限定されず、例えば第１の電極が基板に形成された回路電極であり、半田部が回路電極に形成された半田プリコートであるような場合にも本発明を適用することができる。
【００４０】
さらに、本実施の形態に示すフラックス３に半田粒子を混入させて、半田ペーストとして用いる場合においても、前述構成の金属粉８をフラックス３中に混入することにより、同様の効果を得ることができる。この場合には、リフロー過程において金属粉８は、半田ペースト中に分散状態で存在する半田粒子が溶融する際に、溶融半田を凝集させるための
核として機能する。
【００４１】
すなわち金属粉８の表面は半田の濡れ性が良好であることから、金属粉８に接触した溶融半田は金属粉８の表面を濡らしながら表面張力によって金属粉の表面伝いに移動し、やがて溶融半田は１つのまとまりとなって金属粉８を包み込む。この溶融半田の凝集効果により、鉛フリー半田のように濡れ性に劣る半田を用いる場合にあっても、良好な半田接合性を確保することができる。この半田濡れ性向上効果とともに、前述例と同様に半田接合後には金属粉８の表面にはコア金属が酸化した電気的に安定な酸化膜が生成されていることにより、半田接合後のマイグレーションの発生を防止して良好な絶縁性が確保される。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明の半田接合用ペーストによれば、接合不良や絶縁性の低下を招くことなく高品質の半田接合部を得ることができるという効果を有し、電子部品を鉛フリー半田によって基板に半田接合する半田接合方法に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の一実施の形態の電子部品実装の工程説明図
【図２】本発明の一実施の形態の電子部品実装の工程説明図
【図３】本発明の一実施の形態の半田接合用ペーストを用いた半田接合過程の説明図
【図４】本発明の一実施の形態の半田接合用ペーストに混入される金属粉の断面図
【図５】本発明の一実施の形態の電子部品実装における半田接合用ペーストの供給方法の説明図
【符号の説明】
【００４４】
１  基板
２  回路電極
３  フラックス
４  電子部品
４ｂ  外部接続用電極
６、６＊  バンプ
８  金属粉
８ａ  コア金属
８ｂ  表面金属
【図１】
2006134982.tif 000003
【図２】
2006134982.tif 000004
【図３】
2006134982.tif 000005
【図４】
2006134982.tif 000006
【図５】
2006134982.tif 000007