(57)【要約】【課題】  静電気による実装部品の破壊を有効に防止することのできる配線回路基板を提供すること。【解決手段】  導体層４と、導体層４に隣接するカバー絶縁層５と、カバー絶縁層５が開口されることにより露出する導体層４からなる端子部６とを備える回路付サスペンション基板１に、端子部６の周縁部１４に導電性ポリマー層７を形成し、かつ、その導電性ポリマー層７と接触するように、カバー絶縁層５の表面に酸化金属層８を形成する。この回路付サスペンション基板１によれば、静電気破壊に対して敏感な磁気ヘッドなどの電子部品も、高い接続信頼性での実装を達成することができる。【選択図】    図１
2006134421.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体層と、前記導体層に隣接する絶縁層と、前記絶縁層が開口されることにより露出する導体層からなる端子部とを備える配線回路基板であって、
前記端子部の表面の周縁部に形成された導電性ポリマー層と、
前記導電性ポリマー層と接触するように、前記絶縁層の表面に形成された酸化金属層とを備えていることを特徴とする、配線回路基板。
【請求項２】
導体層と、前記導体層に隣接する絶縁層と、前記絶縁層が開口されることにより露出する導体層からなる端子部とを備える配線回路基板であって、
前記端子部の表面の周縁部に形成され、１０６〜１０８Ω／□の表面抵抗値を有する導電性ポリマー層と、
前記導電性ポリマー層と接触するように、前記絶縁層の表面に形成され、１０８〜１０１１Ω／□の表面抵抗値を有する酸化金属層とを備えることを特徴とする、配線回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板、詳しくは、電気機器や電子機器に用いられる配線回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線回路基板は、例えば、銅箔などの導体層の片面または両面に、ポリイミド樹脂などの絶縁層が積層されることにより形成されており、各種の電気機器や電子機器に広く用いられている。
このような配線回路基板に、電子部品を実装する場合には、その実装工程において、静電気により実装部品が破壊されることがある。
【０００３】
そのため、フレキシブル回路基板において、絶縁層の表面に、蒸着法、スパッタリング法、無電解めっき法などにより金属層を形成して、絶縁層の静電気のアースまたは低減を図ることが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
一方、このような配線回路基板では、絶縁層を開口して、導体層を露出させることにより、その導体層の露出部分を、電子部品を実装するための端子部としている。
【特許文献１】特開平８−１５３９４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、このような端子部を備える配線回路基板に、電子部品を実装する場合には、その実装工程において、端子部にもわずかな静電気が帯電する。とくに近年、高記録密度化された磁気ヘッドを、配線回路基板とサスペンションとが一体化した、回路付サスペンション基板に実装する場合には、上記したわずかな端子部の静電気により、磁気ヘッドが破壊されるという不具合がある。
【０００５】
また、特許文献１に記載の方法では、絶縁層の静電気を除去することはできるが、このような端子部に帯電したわずかな静電気を除去することは、困難である。
本発明の目的は、静電気による実装部品の破壊を有効に防止することのできる配線回路基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の目的を達成するために、本発明の配線回路基板は、導体層と、前記導体層に隣接する絶縁層と、前記絶縁層が開口されることにより露出する導体層からなる端子部とを備える配線回路基板であって、前記端子部の表面の周縁部に形成された導電性ポリマー層と、前記導電性ポリマー層と接触するように、前記絶縁層の表面に形成された酸化金属層とを備えていることを特徴としている。
【０００７】
また、本発明の配線回路基板は、導体層と、前記導体層に隣接する絶縁層と、前記絶縁層が開口されることにより露出する導体層からなる端子部とを備える配線回路基板であって、前記端子部の表面の周縁部に形成され、１０６〜１０８Ω／□の表面抵抗値を有する導電性ポリマー層と、前記導電性ポリマー層と接触するように、前記絶縁層の表面に形成され、１０８〜１０１１Ω／□の表面抵抗値を有する酸化金属層とを備えることを特徴としている。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の配線回路基板によれば、静電気による破壊を有効に防止しながら、実装部品を実装することができる。
そのため、静電気破壊に対して敏感な電子部品も、高い接続信頼性での実装を達成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明の配線回路基板は、片面フレキシブル配線回路基板、両面フレキシブル配線回路基板、多層フレキシブル配線回路基板、回路付サスペンション基板など、種々の公知の配線回路基板が含まれる。以下、図１〜図５を参照して、本発明の配線回路基板の一実施形態として、回路付サスペンション基板について説明する。
図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態としての回路付サスペンション基板の端子部の断面図、図２は、その拡大図、図３は、図１に示す回路付サスペンション基板の端子部の平面図である。
【００１０】
この回路付サスペンション基板１は、図１に示すように、金属支持層としての支持基板２と、支持基板２の上に形成され、絶縁体からなるベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の上に所定の回路パターンとして形成され、導体からなる導体層４と、導体層４を被覆するように、ベース絶縁層３の上に形成され、絶縁体からなるカバー絶縁層５とを備えている。
【００１１】
支持基板２は、金属であれば、特に制限されないが、例えば、ステンレス箔、銅箔、アルミニウム箔、銅−ベリリウム箔、リン青銅箔、４２アロイ箔などが用いられる。支持基板２の厚みは、例えば、５〜１００μｍ、好ましくは１０〜５０μｍである。
ベース絶縁層３は、絶縁体であれば、特に制限されないが、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などが用いられ、好ましくは、ポリイミド樹脂が用いられる。ベース絶縁層３の厚みは、例えば、５〜５０μｍ、好ましくは、１０〜３０μｍである。
【００１２】
導体層４は、導体であれば、特に制限されないが、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはこれらの合金などが用いられ、好ましくは、銅が用いられる。導体層４の厚みは、例えば、３〜５０μｍ、好ましくは、５〜２０μｍである。
カバー絶縁層５は、絶縁体であれば、特に制限されないが、例えば、ベース絶縁層３と同様の絶縁体が用いられ、好ましくは、ポリイミド樹脂が用いられる。カバー絶縁層５の厚みは、例えば、３〜５０μｍ、好ましくは、３〜３０μｍである。
【００１３】
そして、この回路付サスペンション基板１には、カバー絶縁層５を開口させて、導体層４を露出させることにより、その導体層４の露出部分として端子部６が形成されている。この端子部６は、特に制限されないが、例えば、矩形状、円形状などに形成される。端子部６の形状が、矩形状である場合（図３参照）には、例えば、その一辺が５０〜３０００μｍであり、円形状の場合には、例えば、その直径が５０〜３０００μｍである。また、端子部６は、互いに所定間隔を隔てて複数（４つ）設けられている。各端子部６間の間隔は、例えば、１０〜５００μｍであり、また、各端子部６の幅（各端子部６の隣接方向（以下、幅方向という。）の長さ）は、例えば、１０〜２００μｍである。
【００１４】
そして、この回路付サスペンション基板１は、図１に示すように、さらに、導電性ポリマー層７と、酸化金属層８とを備えている。
導電性ポリマー層７は、図３に示すように、端子部６の周縁部１４に形成されている。より具体的には、導電性ポリマー層７は、図２に示すように、端子部６の表面の周縁部分（カバー絶縁層５の開口部分の内周側面を含む。以下、「端子部側周縁部１７」とする。）と、カバー絶縁層５の表面における端子部６の周縁部分（以下、「カバー絶縁層側周縁部１８」とする。）とを含む部分に、一体的に形成されている。
【００１５】
導電性ポリマー層７は、導電性を有するポリマーであれば、特に制限されないが、例えば、電子共役系ポリマーなどが用いられる。より具体的には、例えば、ピロール、チオフェン、アニリン、インドール、フランまたはこれらの誘導体、例えば、３−メチルチオフェン、Ｎ−メチルインドール、３−メチルインドール、３−メチルフランなどの重合体またはこれらの共重合体などが用いられる。
【００１６】
また、導電性ポリマー層７の表面抵抗値は、好ましくは、１０６〜１０８Ω／□の範囲に設定される。導電性ポリマー層７の表面抵抗値が１０８Ω／□より大きい場合には、端子部６に帯電した静電気を、酸化金属層８に逃がして除去することができない場合がある。一方、１０６Ω／□より小さい場合には、酸化金属層８にわずかに残留した静電気が、大きな電流となって端子部６に流れ込み、磁気ヘッドなどの電子部品の静電気による破壊を生じる場合がある。
【００１７】
また、導電性ポリマー層７の厚みｄは、特に制限されないが、例えば、２０〜５００ｎｍの範囲に設定される。また、導電性ポリマー層７の幅（すなわち、幅方向における端子部側周縁部１７の端面１０とカバー絶縁層側周縁部１８の端面９との間の長さ）Ｌは、例えば、１０〜１００μｍの範囲に設定される。
酸化金属層８は、図３に示すように、カバー絶縁層５をほぼ被覆するように、カバー絶縁層５の開口部分（つまり端子部６の表面）および導電性ポリマー層７の形成部分を除く、カバー絶縁層５の表面に形成されている。
【００１８】
より具体的には、酸化金属層８は、図２に示すように、カバー絶縁層５の表面に、導電性ポリマー層７のカバー絶縁層側周縁部１８の端面９と、その端面１６が接触するように形成されている。これによって、端子部６に帯電した静電気を、導電性ポリマー層７から酸化金属層８を介して除電することができる。
また、酸化金属層８は、酸化金属であれば、特に制限されないが、例えば、酸化クロム、酸化ニッケル、酸化銅、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化インジウム、酸化アルミニウム、酸化亜鉛などが用いられる。好ましくは、酸化クロムが用いられる。酸化クロムは、高温高湿下においても変化が少なく、安定した表面抵抗値を得ることができる。また、酸化金属層８の酸化度合いは、酸化金属層８の厚み方向全体が同じ度合いで均一に酸化されていてもよく、酸化金属層８の最表面の酸化度合いが最も高く、酸化金属層８の厚み方向内方にいくに従って酸化度合いが低下するように酸化されていてもよい。
【００１９】
また、酸化金属層８の表面抵抗値は、好ましくは、１０８〜１０１１Ω／□の範囲に設定される。表面抵抗値が１０１１Ω／□より大きい場合には、酸化金属層８において、わずかに発生した端子部６の静電気が導電性ポリマー層７に到達しても、その静電気を除去することが困難となり、磁気ヘッドなどの電子部品の実装時に、電子部品の静電気による破壊を生じる場合がある。一方、表面抵抗値が１０８Ω／□より小さい場合には、端子部６の静電気が導電性ポリマー層７に到達すれば、その静電気を除去することはできるが、酸化金属層８にわずかに残留した静電気が、導電性ポリマー層７を介して大きな電流となって端子部６に流れ込み、磁気ヘッドなどの電子部品の静電気による破壊を生じる場合がある。
【００２０】
また、酸化金属層８の厚みは、上記した表面抵抗値を得るために、例えば、１〜２０ｎｍの範囲に設定される。
なお、この回路付サスペンション基板１において、磁気ヘッドなどの電子部品の実装時には、導電性ポリマー層７が形成された端子部６の上に、パッド部２０が形成される。パッド部２０は、ニッケルや金などの導体からなり、端子部６と、磁気ヘッドなどの電子部品（図示せず）とを、電気的に接続する。
【００２１】
次に、この回路付サスペンション基板１の製造方法について図４を参照して、説明する。
まず、図４（ａ）において、回路付サスペンション基板１を用意する。この回路付サスペンション基板１は、ステンレス箔からなる支持基板２の上に、感光性ポリアミド酸樹脂を含む溶液を塗布し、露光および現像することにより所定のパターンを形成した後、これを加熱硬化させて、ポリイミド樹脂からなるベース絶縁層３を形成する。次いで、このベース絶縁層３の上に、セミアディティブ法やサブトラクティブ法などの公知のパターンニング法によって、導体層４を所定の回路パターンとして形成した後、その導体層４を含むベース絶縁層３の上に、感光性ポリアミド酸樹脂を含む溶液を塗布し、露光および現像により所定のパターンを形成した後、これを加熱硬化させて、ポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層５を形成することにより、得ることができる。
【００２２】
なお、各端子部６は、例えば、カバー絶縁層５を形成するときに、感光性ポリアミド酸樹脂を、導体層４における端子部６を形成する部分が露出されるようにパターン化することにより、形成することができる。
次に、図４（ｂ）に示すように、カバー絶縁層５の表面全面および端子部６の表面全面に、酸化金属層８を形成する。
【００２３】
酸化金属層８を形成する第１の方法としては、金属をターゲットとして、スパッタリングにより、カバー絶縁層５の表面全面および端子部６の表面全面に金属薄膜を形成し、次いで、この金属薄膜を加熱により酸化して、酸化金属層８を形成する方法が挙げられる。
また、酸化金属層８を形成する第２の方法として、金属をターゲットとして、反応性スパッタリングにより、カバー絶縁層５の表面全面および端子部６の表面全面に、酸化金属層８を形成する方法が挙げられる。
【００２４】
また、酸化金属層８を形成する第３の方法として、酸化金属をターゲットとして、スパッタリングにより、カバー絶縁層５の表面全面および端子部６の表面全面に、酸化金属層８を形成する方法が挙げられる。
次に、酸化金属層８を形成する第１の方法について、詳述する。
第１の方法では、まず、金属をターゲットとして、スパッタリングにより、カバー絶縁層５の表面全面および端子部６の表面全面に、金属薄膜を形成する。
【００２５】
ターゲットとされる金属としては、特に制限されないが、例えば、クロム、ニッケル、銅、チタン、アルミニウム、タンタル、鉛、亜鉛、ジルコニウム、ガリウム、インジウムおよびこれらの合金などが用いられる。好ましくは、クロムが用いられる。クロムの酸化皮膜は、高温高湿下においても変化の少ない、安定した表面抵抗値を得ることができる。
スパッタリングには、例えば、図５に示すスパッタリング装置が用いられる。すなわち、図５に示すように、このスパッタリング装置では、真空チャンバー２１内に、ターゲット２２（金属薄膜を形成するための金属）およびアース電極２３が所定の間隔を隔てて対向配置されている。ターゲット２２には、電源２４が接続されるとともに、プラズマエミッションモニター２５が、ターゲット２２に対してプラズマ発光可能に配置されている。なお、電源２４は、特に制限されないが、パルス電源、直流電源（ＤＣ）、交流電源（ＲＦ）などが用いられる。
【００２６】
また、アース電極２３は、接地されるとともに、その表面に基板２６が設置されている。（ここで、基板２６は、図１に示す回路付サスペンション基板１であって、その端子部６を含むカバー絶縁層５側が、ターゲット２２と対向するような状態で設置される。）
そして、真空チャンバー２１内に、アルゴンなどの不活性ガスを導入ガスとして導入し、電源２４から電力を印加して、プラズマエミッションモニター２５にて、プラズマの発光強度を一定に保持しながら、ターゲット２２を所定時間スパッタリングする。これによって、カバー絶縁層５の表面全面および端子部６の表面全面に、金属薄膜が形成される（図４（ｂ）参照）。
【００２７】
なお、このような金属をターゲットとするスパッタリングのスパッタリング条件の一例を下記に示す。
到達真空度：１．３３×１０−５〜１．３３×１０−２Ｐａ
導入ガス流量（アルゴン）：１．２×１０−３〜５．０×１０−３ｍ３／ｈ
動作圧（導入ガス導入後の真空度）：１．３３×１０−２〜１．３３Ｐａ
アース電極温度：１０〜１００℃電力：１００〜５００Ｗ
スパッタリング時間：１秒〜１５分
次いで、形成された金属薄膜を加熱により酸化して、酸化金属層８を形成する。
【００２８】
金属薄膜１０を加熱により酸化するには、特に制限されず、例えば、加熱炉などを用いて大気中で加熱する。加熱温度は、例えば、５０〜４００℃、好ましくは、１００〜２５０℃であり、加熱時間は、例えば、１分〜１２時間である。これによって、図４（ｂ）に示すように、カバー絶縁層５の表面全面および端子部６の表面全面に、酸化金属層８が形成される。なお、この酸化金属層８は、最表面の酸化度合いが最も高く、その最表面から厚み方向内方へいくに従って、酸化度合いが低下するように酸化されている。
【００２９】
次に、酸化金属層８を形成する第２の方法について詳述する。
第２の方法では、金属をターゲットとして、反応性スパッタリングにより、カバー絶縁層５の表面全面および端子部６の表面全面に、酸化金属層８を形成する。
ターゲットとされる金属としては、特に制限されないが、例えば、第１の方法と同様の金属が用いられる。好ましくは、クロムが用いられる。クロムの酸化皮膜は、高温高湿下においても変化の少ない、安定した表面抵抗値を得ることができる。
【００３０】
反応性スパッタリングでは、上記した図５に示すスパッタリング装置において、真空チャンバー２１内に酸素を含む導入ガスを導入する以外は、上記のスパッタリング法と同様の方法が用いられる。
より具体的には、ターゲット２２として、上記した酸化金属層８を形成するための金属を配置するとともに、基板２６として、各端子部６を含むカバー絶縁層５側が、ターゲット２２と対向するように、回路付サスペンション基板１を配置する。
【００３１】
そして、真空チャンバー２１内に、酸素を必須としてアルゴンや窒素が任意の割合で混合された反応性ガス（例えば、Ａｒ／Ｏ２混合ガス、Ｎ２／Ｏ２混合ガス）を導入ガスとして導入し、電源２４から電力を印加して、プラズマエミッションモニター２５にて、プラズマの発光強度を一定に保持しながら、ターゲット２２を所定時間スパッタリングする。
【００３２】
これによって、図４（ｂ）に示すように、カバー絶縁層５の表面全面および端子部６の表面全面に、酸化金属層８が形成される。なお、この酸化金属層８は、厚み方向全体が同じ度合いで均一に酸化されている。
なお、このような金属をターゲットとする反応性スパッタリングのスパッタリング条件の一例を下記に示す。
到達真空度：１．３３×１０−５〜１．３３×１０−２Ｐａ
導入ガス流量：Ａｒ／Ｏ２混合ガスの場合
Ａｒ：１．２×１０−３〜２．４×１０−３ｍ３／ｈ
Ｏ２ ：６×１０−５〜３０×１０−５ｍ３／ｈ
Ｎ２ ／Ｏ２混合ガスの場合
Ｎ２ ：１．２×１０−３〜２．４×１０−３ｍ３／ｈ
Ｏ２ ：６×１０−５〜３０×１０−５ｍ３／ｈ
動作圧（導入ガス導入後の真空度）：１．３３×１０−２〜１．３３Ｐａ
アース電極温度：１０〜１００℃
電力：１００〜５００Ｗ
スパッタリング時間：３秒〜１５分
次に、酸化金属層８を形成する第３の方法について詳述する。
【００３３】
第３の方法では、酸化金属をターゲットとして、スパッタリングにより、カバー絶縁層５の表面全面および端子部６の表面全面に、酸化金属層８を形成する。
ターゲットとされる酸化金属としては、特に制限されないが、例えば、酸化クロム、酸化ジルコニウム、酸化ケイ素、酸化錫、酸化チタン、酸化マグネシウム、酸化アルミニウムおよびこれらの合金などが用いられる。好ましくは、酸化クロムが用いられる。酸化クロムの皮膜は、高温高湿下においても変化の少ない、安定した表面抵抗値を得ることができる。
【００３４】
酸化金属のスパッタリングでは、上記した図５に示すスパッタリング装置において、ターゲット２２として酸化金属を用い、電源２４に交流電源（ＲＦ）を用いる以外は、第１の方法のスパッタリング法と同様の方法が用いられる。
より具体的には、ターゲット２２として、図５に示すように、上記した酸化金属層８を形成するための酸化金属を配置するとともに、基板２６として、各端子部６を含むカバー絶縁層５側がターゲット２２と対向するように、回路付サスペンション基板１を設置する。電源２４は、交流電源（ＲＦ）が用いられる。そして、真空チャンバー２１内に、アルゴンなどの不活性ガスを導入ガスとして導入し、電源２４から電力を印加して、プラズマエミッションモニター２５にて、プラズマの発光強度を一定に保持しながら、ターゲット２２を所定時間スパッタリングする。
【００３５】
これによって、図４（ｂ）に示すように、カバー絶縁層５の表面全面および端子部６の表面全面に、酸化金属層８が形成される。なお、この酸化金属層８は、厚み方向全体が同じ度合いで均一に酸化されている。
なお、このような酸化金属をターゲットとするスパッタリングのスパッタリング条件の一例を下記に示す。
到達真空度：１．３３×１０−５〜１．３３×１０−２Ｐａ
導入ガス流量（アルゴン）：１．２×１０−３〜５．０×１０−３ｍ３／ｈ
動作圧（導入ガス導入後の真空度）：１．３３×１０−２〜１．３３Ｐａ
アース電極温度：１０〜１００℃電力：ＲＦ１００〜５００Ｗ
スパッタリング時間：１秒〜１５分
次いで、図４（ｃ）に示すように、カバー絶縁層５の表面全面および端子部６の表面全面に形成された酸化金属層８のうち、カバー絶縁層側周縁部１８（図２参照）を除くカバー絶縁層５に形成された酸化金属層８が残存するように、端子部６の表面および端子部６の周縁部１４（図２参照）に形成された酸化金属層８を除去する。
【００３６】
端子部６の表面および端子部６の周縁部１４に形成された酸化金属層８の除去は、特に制限されず、例えば、エッチング法が用いられる。
エッチング法では、カバー絶縁層側周縁部１８を除くカバー絶縁層５に形成された酸化金属層８の上に、エッチングレジストを設けて、端子部６および端子部６の周縁部１４に形成されている酸化金属層７を、エッチング液を用いて除去した後、そのエッチングレジストを剥離により除去する。
【００３７】
次に、図４（ｄ）に示すように、端子部６の周縁部１４に導電性ポリマー層７を形成する。
導電性ポリマー層７は、上記したモノマーおよび重合開始剤を含むモノマー溶液に回路付サスペンション基板１を浸漬して、端子部６の周縁部１４のみに選択的にそのモノマー溶液を付着させた後、モノマーを重合させることにより形成される。モノマーを重合させるには、特に制限されないが、例えば、ラジカル重合法が用いられる。また、ラジカル重合法に用いられる重合開始剤としては、例えば、ペルオキソ二硫酸カリウム、ペルオキソ二硫酸ナトリウム、ペルオキソ二硫酸アンモニウムなどの酸化性重合開始剤が用いられる。また、モノマー溶液の溶媒としては、例えば、水、アルコール類などが用いられる。また、モノマー溶液のモノマー濃度は、例えば、０．００５〜１ｍｏｌ／Ｌであり、重合開始剤濃度が、例えば、０．００１〜０．０５ｍｏｌ／Ｌである。また、モノマーの重合においては、重合温度が、例えば、０〜２０℃であり、重合時間が、例えば、１〜２０分である。
【００３８】
なお、このようなモノマー溶液の浸漬において、金属からなる支持基板２および酸化金属層８には、モノマー溶液が付着されず、絶縁体からなるカバー絶縁層５にのみ、モノマー溶液が選択的に付着される。そのため、これによって、導電性ポリマー層７が、端子部６の周縁部１４に選択的に形成される。
その後、図示しないが、支持基板２をエッチングにより外形加工することによって、導電性ポリマー層７および酸化金属層８が形成された回路付サスペンション基板１を得る。
【００３９】
そして、このような回路付サスペンション基板１では、端子部６の周縁部１４に導電性ポリマー層７が形成され、その導電性ポリマー層７に接触するように、カバー絶縁層５の表面に酸化金属層８が形成されているので、端子部６にわずかに帯電した静電気を導電性ポリマー層７から酸化金属層８を介して除去することができ、これによって静電気による磁気ヘッドなどの電子部品の破壊を有効に防止することができる。その結果、この回路付サスペンション基板１によれば、静電気破壊に対して敏感な磁気ヘッドなどの電子部品も、高い接続信頼性での実装を達成することができる。
【実施例】
【００４０】
以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されるものではない。
実施例１
幅２５０ｍｍの長尺ステンレス箔（厚み２０μｍ）からなる支持基板の上に、感光性ポリアミド酸樹脂を含む溶液を塗布し、露光および現像により所定のパターンを形成した後、これを加熱硬化させて、ポリイミド樹脂からなるベース絶縁層（厚み１０μｍ）を形成した。次いで、このベース絶縁層の上に、セミアディティブ法によって、導体層（厚み１５μｍ）を所定の配線回路パターンとして形成した後、その導体層を含むベース絶縁層の上に、感光性ポリアミド酸樹脂を含む溶液を塗布し、露光および現像により所定のパターンを形成した後、これを加熱硬化させて、ポリイミド樹脂からなるカバー絶縁層（厚み３μｍ）を形成した。なお、カバー絶縁層の形成と同時に複数の端子部を形成した。これによって、回路付サスペンション基板を得た（図４（ａ）参照）。各端子部の形状は、正方形であり、１辺の長さは、１０００μｍであった。
【００４１】
次いで、カバー絶縁層の表面全面および端子部の表面全面に、下記の条件でスパッタリングすることによって、クロム薄膜からなる金属薄膜を形成した。
ターゲット：Ｃｒ
到達真空度：１×１０−３Ｐａ
導入ガス流量（アルゴン）：４．３８×１０−３ｍ３／ｈ
動作圧（導入ガス導入後の真空度）：０．１６Ｐａ
アース電極温度：２０℃
電力：ＤＣ１４０Ｗ（直流電源）
スパッタリング時間：４秒
クロム薄膜の厚み：１ｎｍ
次いで、１２５℃、１２時間、大気中で加熱することにより、その表面が酸化クロムとなるように酸化して、酸化金属層を形成した（図４（ｂ）参照）。なお、酸化金属層の形成はＥＳＣＡにて確認した。また、酸化金属層の表面抵抗値は、１×１０９Ω／□であった。
【００４２】
次いで、端子部およびその周縁部以外に、エッチングレジストを形成し、エッチング液として、フェリシアン化カリウムおよび水酸化ナトリウムの混合水溶液を用いて、端子部およびその周縁部の酸化金属層をエッチングにより除去した（図４（ｄ）参照）。なお、除去されたカバー絶縁層側周縁部の幅方向における長さは、５０μｍであった。
その後、１Ｌガラス製ビーカーに、０．１ｍｏｌ／Ｌのペルオキソ二硫酸カリウム水溶液５００ｍＬを入れ、液温を２〜３℃に保持した後、０．２ｍｏｌ／Ｌのピロール水溶液１００ｍＬを加えて、液温を１５℃に保持して、モノマー水溶液を調製した。このモノマー水溶液に、上記により得られた回路付サスペンション基板を浸漬して、モノマー水溶液を１０分間攪拌した。その後、この回路付サスペンション基板を、モノマー水溶液から引き上げ、風乾させて溶媒を除去し、ピロールを重合させることにより、導電性ポリマー層を、端子部の周縁部に形成した。なお、この導電性ポリマー層の厚みは、３０ｎｍであり、幅は、７００μｍであり、その表面抵抗値は、１．５×１０６Ω／□であった。
【００４３】
その後、支持基板をエッチングにより外形加工することにより、酸化金属層および導電性ポリマー層を備えた回路付サスペンション基板を得た。
評価（静電気量測定）
得られた回路付サスペンション基板について、磁気ヘッド実装前の端子部の静電気（電荷）量を、クーロンメーター（春日電機（株）製、ＮＫ−１００１）用いて測定したところ、０ｎＱであった。
【００４４】
そして、この回路付サスペンション基板に、磁気ヘッドを実装したところ、磁気ヘッドが破壊されることなく、実装することができた。
比較例１
導電性ポリマー層を形成しなかった以外は、実施例１と同様にして、回路付サスペンション基板を得た。すなわち、この回路付サスペンション基板には、導電性ポリマー層を形成せず、酸化金属層のみを端子部の周縁部を除くカバー絶縁層の表面全面に形成した。
【００４５】
得られた回路付サスペンション基板について、磁気ヘッド実装前の端子部の静電気（電荷）量を、クーロンメーター（春日電機（株）製、ＮＫ−１００１）用いて測定したところ、０．１５ｎＱであった。
そして、この回路付サスペンション基板に、磁気ヘッドを実装したところ、磁気ヘッドの静電破壊が確認された。
【００４６】
比較例２
酸化金属層を形成せず、酸化金属層の形成部分にも導電性ポリマー層を形成した以外は、実施例１と同様にして、回路付サスペンション基板を得た。すなわち、この回路付サスペンション基板には、酸化金属層を形成せず、導電性ポリマー層のみを、カバー絶縁層の表面全体、および、端子部の周縁部に形成した。
【００４７】
得られた回路付サスペンション基板について、磁気ヘッド実装前の端子部の静電気（電荷）量を、クーロンメーター（春日電機（株）製、ＮＫ−１００１）用いて測定したところ、０ｎＱであった。
しかし、この回路付サスペンション基板に、磁気ヘッドを実装したところ、磁気ヘッドの静電破壊が確認された。この静電破壊は、導電性ポリマー層に残留したわずかな静電気（電荷）により、磁気ヘッド実装時に瞬間的に大きな電流が、導電性ポリマー層から磁気ヘッドに流れ込んだためと推測される。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の配線回路基板の一実施形態としての回路付サスペンション基板の端部の断面図である。
【図２】図１に示す回路付サスペンション基板の端子部の断面拡大図である。
【図３】図１に示す回路付サスペンション基板の端子部の平面図である。
【図４】図１に示す回路付サスペンション基板の製造方法を示す工程断面図であって、（ａ）は、端子部を備える回路付サスペンション基板を用意する工程、（ｂ）は、カバー絶縁層の表面全面および端子部の表面全面に、酸化金属層を形成する工程、（ｃ）は、端子部およびその周縁部に形成された酸化金属層を除去する工程、（ｄ）は、端子部の周縁部に導電性ポリマー層を形成する工程を示す。
【図５】スパッタリング装置の一実施形態を示す概略構成図である。
【符号の説明】
【００４９】
１      回路付サスペンション基板
４      導体層
５      カバー絶縁層
６      端子部
７      導電性ポリマー層
８      酸化金属層
１４    周縁部
【図１】
2006134421.tif 000003
【図２】
2006134421.tif 000004
【図３】
2006134421.tif 000005
【図４】
2006134421.tif 000006
【図５】
2006134421.tif 000007