(57)【要約】【課題】  スルーホールなどの孔部を有する基材を用いた配線基板を製造するにあたって、配線の電気抵抗を低減でき、かつ低コスト化を図ることができ、しかも基材に対する接合強度に優れた配線を形成できる配線基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】  （Ａ）基材１表面および孔部２内面に、イオン交換基を導入する工程、（Ｂ）イオン交換基が導入された基材１表面および孔部２内面を金属イオン含有液で処理し、基材１表面および孔部２内面に金属イオンを導入する工程、（Ｃ）金属イオンが導入された基材１表面および孔部２内面に光触媒を導入する工程、（Ｄ）光触媒が導入された基材１表面および孔部２内面に電磁線を照射して、基材１表面および孔部２内面に前記金属からなる金属層３、５、６を形成する工程、を含み、工程（Ａ）において、少なくとも孔部２内面を粗面化する。【選択図】    図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
孔部を有する基材の表面に、配線をなす金属層が形成された配線基板を製造する方法であって、
（Ａ）前記基材表面および孔部内面に、イオン交換基を導入する工程、
（Ｂ）イオン交換基が導入された基材表面および孔部内面を金属イオン含有液で処理し、前記基材表面および孔部内面に金属イオンを導入する工程、
（Ｃ）金属イオンが導入された基材表面および孔部内面に光触媒を導入する工程、
（Ｄ）光触媒が導入された基材表面および孔部内面に電磁線を照射して、該基材表面および孔部内面に前記金属からなる金属層を形成する工程、を含み、
前記工程（Ａ）において、少なくとも孔部内面を粗面化することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記工程（Ａ）において、孔部内面の中心線平均粗さＲａを、０．３μｍ以上４．０μｍ以下とすることを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記孔部は、内径が中心軸方向に漸次大きくなるように形成され、
前記工程（Ｄ）において、基材に対し、孔部の内径が大きい側から電磁線を照射することを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記孔部に向けて突出する凸部を有する反射材を、基材の一方の面側に配置し、
前記工程（Ｄ）において、他方の面側から基材に電磁線を照射することを特徴とする請求項１〜３のうちいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のうちいずれか１項に記載の製造方法によって製造されたものであることを特徴とする配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線が多層化された多層配線基板などの配線基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年では、電子機器の軽量化、薄型化、小型化が要求されている。このため、半導体チップやその関連部品の小型化、端子の設置ピッチ狭小化に対応して、配線基板にも実装面積の縮小や配線の高密度化が進んでいる。また、情報関連機器では、信号周波数の広帯域化に対応して、部品間を連結する配線の短距離化が求められており、この要望を満たすために、配線基板における配線の多層化技術が重要になっている。
【０００３】
多層配線基板では、多層化された各配線を電気的に接続するために、基材にスルーホール、ビアホールなどの孔部を形成し、その内面に層間導通のための金属層を形成する。
例えば、基材の両面に配線を備えた両面配線基板を製造するには、基材に孔部（スルーホール）を形成し、その内面にメッキ法により金属層を形成し、この金属層を介して基材両面の配線を互いに接続する。
また、ビルトアップ法により多層配線基板を製造する際にも、メッキ法により孔部（ビアホール）内面に金属層を形成する方法がとられる。
メッキ法による金属層の形成では、層間導通における導電性を高めることができるという利点はあるが、工程が複雑となるため、コストが高く、それが多層配線基板の用途が制限される要因となっていた。
【０００４】
配線を形成する方法としてはサブトラクティブ法が一般的であるが、この方法では、基材全面に金属層を形成した後、パターニングに際して、金属層の不要部分を除去するため、材料の無駄が多くコストがかさむ。特に、銅を用いる場合には、除去した銅を無害化するための廃液処理を適切に行わなければならないため、製造工程が複雑となり、コストダウンが難しいという問題がある。
配線を形成する方法としては、必要な部分のみをメッキ法により形成するフルアディティブ法がある。この方法では、コストを抑えることができるものの、基材に対する配線の接合強度が不十分になりやすいという問題がある。
【０００５】
近年では、配線を形成する方法として、ダイレクトメタライゼーション法と呼ばれる方法が提案されている（特許文献１を参照）。
この方法では、光触媒を用いた還元反応を利用するため、配線を効率よく低コストで形成でき、さらには基材と配線の接合強度を高めることが可能である。
しかしながら、ダイレクトメタライゼーション方法を用いて、スルーホール、ビアホールなどの孔部を有する基材に配線を形成する場合には、孔部内面に十分な厚さの金属層を形成するのが難しいため、配線間の電気抵抗が大きくなる。
このため、孔部内面には、メッキ法などを用いて金属層を形成することが必要となり、製造コストがかさむという不都合があった。
【特許文献１】特開２００２−２４１９５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記事情に基づいてなされたもので、スルーホールなどの孔部を有する基材を用いた配線基板を製造するにあたって、配線の電気抵抗を低減でき、かつ低コスト化を図ることができ、しかも基材に対する接合強度に優れた配線を形成できる配線基板およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の請求項１に係る配線基板の製造方法は、孔部を有する基材の表面に、配線をなす金属層が形成された配線基板を製造する方法であって、（Ａ）前記基材表面および孔部内面に、イオン交換基を導入する工程、（Ｂ）イオン交換基が導入された基材表面および孔部内面を金属イオン含有液で処理し、前記基材表面および孔部内面に金属イオンを導入する工程、（Ｃ）金属イオンが導入された基材表面および孔部内面に光触媒を導入する工程、（Ｄ）光触媒が導入された基材表面および孔部内面に電磁線を照射して、該基材表面および孔部内面に前記金属からなる金属層を形成する工程、を含み、前記工程（Ａ）において、少なくとも孔部内面を粗面化することを特徴とする。
本発明の請求項２に係る配線基板の製造方法は、請求項１において、前記工程（Ａ）において、孔部内面の中心線平均粗さＲａを、０．３μｍ以上４．０μｍ以下とすることを特徴とする。
本発明の請求項３に係る配線基板の製造方法は、請求項１または２に記載において、前記孔部が、内径が中心軸方向に漸次大きくなるように形成され、前記工程（Ｄ）において、基材に対し、孔部の内径が大きい側から電磁線を照射することを特徴とする。
本発明の請求項４に係る配線基板の製造方法は、請求項１〜３のうちいずれか１項において、前記孔部に向けて突出する凸部を有する反射材を、基材の一方の面側に配置し、前記工程（Ｄ）において、他方の面側から基材に電磁線を照射することを特徴とする。
本発明の請求項５に係る配線基板は、請求項１〜４のうちいずれか１項に記載の製造方法によって製造されたものであることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明に係る配線基板の製造方法では、工程（Ａ）において孔部の内面を粗面化するので、工程（Ｄ）において、孔部の内面に、十分な厚みをもつ均一な金属層を形成することができる。従って、基材の一方および他方の面に形成された配線間の電気抵抗を低減することができる。
また、ダイレクトメタライゼーション法によって金属層を形成するので、基材に対する接合強度に優れた配線を形成することができる。
さらには、孔部の内面に、十分な厚みをもつ均一な金属層を形成することができるため、メッキ法を併用する必要がなく、コストの点でも有利である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明に係る配線基板の製造方法の第１の例を説明する。
図１に示すように、絶縁性材料からなる板状の基材１を用意する。基材１には、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ＬＣＰ（液晶ポリマー）樹脂、ガラスエポキシなどが使用できる。
レーザ加工、ドリル加工などによって、基材１にスルーホールである孔部２を形成する。レーザ加工には、ＣＯ２レーザ、ＹＡＧレーザ等を用いることができる。図示例では、孔部２の内面は基材１の表面に対しほぼ垂直に形成されている。
次に、以下に示す工程によって、基材１の表面および孔部２の内面に、ダイレクトメタライゼーション法により金属層を形成する。
【００１０】
（Ａ）イオン交換基の導入
基材１の表面および孔部２の内面２ａに、イオン交換基を導入する。イオン交換基としては、カルボキシ基、水酸基、カルボニル基、アミノ基、イミノ基、シアノ基、ニトロ基が好ましい。
イオン交換基を導入する方法としては、イオン交換基導入剤処理が好ましい。
【００１１】
イオン交換基導入剤処理は、基材１にイオン交換基導入剤を接触させることにより行われる。例えば、基材１をイオン交換基導入剤の水溶液に浸漬する方法や、イオン交換基導入剤の水溶液を基材１に塗布する方法が可能である。
イオン交換基導入剤としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア等のアルカリ；硫酸、塩酸、硝酸、酢酸、ギ酸、クエン酸、乳酸等の酸が好ましい。このほか、各種酸化剤も使用できる。なかでも特に、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、硫酸が好ましい。
例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどのアルカリを用いる場合には、カルボキシ基、水酸基、カルボニル基などが導入される。
【００１２】
図２に示すように、イオン交換基導入剤処理に際しては、イオン交換基導入剤溶液の濃度、処理時間、温度などの条件を調整することによって、孔部２の内面２ａが十分に粗面化されるようにする。
例えば、イオン交換基導入剤として、水酸化カリウム、水酸化ナトリウムなどのアルカリの溶液を用いる場合には、その濃度が低すぎれば粗面化が不十分になるため、十分な厚さをもつ金属層が得られない。このため、アルカリ溶液の濃度は０．０１ｍｏｌ／Ｌ以上、好ましくは０．１ｍｏｌ／Ｌ以上がよい。また、濃度が高すぎる場合には粗面化が過剰となり金属層が不均一になるため、アルカリ溶液の濃度は５ｍｏｌ／Ｌ以下、好ましくは１ｍｏｌ／Ｌ以下がよい。
処理温度は、低すぎれば粗面化が不十分となり、十分な厚さをもつ金属層が得られないため、２５℃以上が好ましく、４０℃以上がさらに好ましい。
処理時間は、短すぎれば十分な厚さをもつ金属層が得られないため、５分以上、例えば５〜１０分がよい。
【００１３】
イオン交換基を導入する方法としては、プラズマ処理を採用することもできる。プラズマ処理では、プラズマ処理装置を用い、例えば、酸素、アルゴン、二酸化炭素、窒素などの存在下で、減圧または常圧条件でプラズマを発生させ、基材１に作用させる。これによって、基材１の表面および孔部２の内面２ａでは、構成元素の一部が脱離したり、分岐・架橋したり、不飽和化されるため、イオン交換基が導入される。
例えば、酸素含有ガスの存在下でプラズマ処理を行う場合には、カルボキシ基、水酸基、カルボニル基などの含酸素官能基が導入される。
プラズマ処理を採用する場合に、孔部２の内面２ａを粗面化するには、例えば、放電電流３０〜２００ｍＡ、圧力０．１〜０．３Ｐａ、処理時間１〜３０分が好ましい。
【００１４】
工程（Ａ）では、孔部２の内面２ａの中心線平均粗さＲａ（ＪＩＳ  Ｂ０６０１−１９８２に準拠）を、０．３μｍ以上とするのが好ましい。中心線平均粗さＲａは、０．５μｍ以上がより好ましく、１μｍを越える値とするのがさらに好ましい。
中心線平均粗さＲａを上記範囲とすることによって、内面２ａに十分な厚さの金属層を形成し、その電気抵抗を抑えることができる。
中心線平均粗さＲａは、４．０μｍ以下が好ましい。中心線平均粗さＲａをこの範囲とすることによって、均一な金属層を形成することができ、その電気抵抗を抑えることができる。
【００１５】
（Ｂ）金属イオンの導入
イオン交換基が導入された基材１の表面および孔部２の内面２ａを金属イオン含有液で処理することによって、金属イオンを導入する。
上記金属としては、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｃｒ、Ａｇ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄのうち１または２以上が好ましい。なかでも、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔのうち１または２以上が好適であり、最も好ましいのはＣｕである。
金属イオン含有液は、導入される金属イオンを含む溶液であればよい。例えば、上記金属の硫酸塩、塩化物、または硝酸塩の水溶液を使用できる。
基材１の表面および孔部２の内面２ａを金属イオン含有液で処理するには、基材１を金属イオン含有液に接触させればよい。例えば、基材１を金属イオン含有液に浸漬する方法や、金属イオン含有液を基材１に塗布する方法が可能である。
この工程では、上記金属イオンが、イオン交換反応によりイオン交換基に導入される。
【００１６】
（Ｃ）光触媒の導入
金属イオンが導入された基材１の表面および孔部２の内面２ａに光触媒を導入する。
光触媒は、電磁線の照射を受けることによって励起状態になり、上記金属イオンにエネルギーを与え、金属イオンを還元して金属にする反応を促進する作用をもつ。
光触媒としては、例えばＴｉＯ２、Ｐｔ／ＴｉＯ２、ＳｒＴｉＯ３、Ｐｔ−ＲｕＯ２／ＴｉＯ２、Ｐｄ／ＴｉＯ２、Ｆｅ２Ｏ３／ＴｉＯ２のうち１または２以上使用でき、なかでも特に、ＴｉＯ２が好ましい。
光触媒を導入するには、光触媒の溶液、コロイド液または懸濁液（以下、光触媒含有液という）に、基材１を接触させればよい。例えば、基材１を光触媒含有液に浸漬する方法や、光触媒含有液を基材１に塗布する方法が可能である。
【００１７】
（Ｄ）電磁線照射
図３（ａ）に矢印で示すように、電磁線を、フォトマスク４を介して基材１の上面に照射する。図示例では、基材１に対しほぼ垂直な方向に電磁線が照射される。この際、電磁線が孔部２内にも入射されるようにする。
電磁線としては、光触媒を励起状態にし、そのエネルギーを金属イオンに与え、金属イオンを還元して金属とすることができるものが用いられる。特に、紫外線が好ましい。
電磁線の照射によって、照射部分に上記金属が析出し、基材１の表面に金属層３が形成される。
電磁線は、所定のパターンを有するフォトマスク４を介して照射されるため、基材１表面に、金属層３からなる配線を形成することができる。
【００１８】
図３（ｂ）に示すように、孔部２の内面２ａは粗面化されているため、孔部２内に入射した電磁線は内面２ａで乱反射し、内面２ａ全体に照射される。
このため、内面２ａには、高強度の電磁線が照射され、十分な厚みをもつ均一な金属層５が形成される。
【００１９】
図４に示すように、基材１の下面にもフォトマスク４を介して電磁線を照射し、配線をなす金属層６を形成する。この際、孔部２にも電磁線が入射するようにするのが好ましい。
次いで、基材１を酸溶液（例えば１％硝酸）に浸漬し、金属層３、５、６以外の部分に導入された金属イオンを除去する。
これによって、基材１の両面にそれぞれ金属層５、６が形成され、これら金属層５、６が、孔部２内の金属層３により接続された両面配線基板１１を得る。
【００２０】
上記製造方法では、工程（Ａ）において孔部２の内面２ａを粗面化するので、工程（Ｄ）において、孔部２の内面２ａに、十分な厚みをもつ均一な金属層５を形成することができる。
従って、基材１の一方および他方の面に形成された配線である金属層３、６間の電気抵抗を低減することができる。
また、ダイレクトメタライゼーション法によって金属層３、５、６を形成するので、基材１に対する接合強度に優れた配線（金属層３、５、６）を形成することができる。
さらには、孔部２の内面２ａに、十分な厚みをもつ均一な金属層５を形成することができるため、メッキ法を併用する必要がなく、コストの点でも有利である。
【００２１】
本発明では、工程（Ｄ）において電磁線を照射するに先だって、次に示す工程（Ｅ）を行うこともできる。
（Ｅ）還元剤の導入
工程（Ｃ）を経た基材１の表面および孔部２の内面２ａに還元剤を導入する。
還元剤としては、水素化ホウ素ナトリウム、ジメチルアミンボラン（ＤＭＡＢ）、トリメチルアミンボラン（ＴＭＡＢ）、ヒドラジン、ホルムアルデヒド、ギ酸などが使用できる。還元剤を導入するには、基材１を還元剤の水溶液に接触させればよい。
還元剤の導入によって、工程（Ｄ）において金属の析出を促進し、十分な厚みをもつ金属層５を形成することができる。
【００２２】
なお、本発明では、必要に応じて、金属層３、５、６の表面にメッキ法により金属層を形成してもよい。これによって、金属層の電気抵抗をさらに抑えることができる。
【００２３】
次に、本発明の配線基板の製造方法の第２の例を説明する。
図５および図６に示すように、孔部１２（ビアホール）を有する基材１３を、両面配線基板１１の両面にそれぞれ積層した後、工程（Ａ）〜（Ｃ）に従って処理する。
次いで、工程（Ｄ）に従って基材１３に電磁線を照射し、その表面に金属層１４を形成するとともに、孔部１２の内面１２ａに金属層１５を形成する。これによって、多層配線基板１６が得られる。
【００２４】
次に、本発明の配線基板の製造方法の第３の例を説明する。
図７に示す基材２１は、孔部２２（スルーホール）の内径が、中心軸Ｘ方向に漸次大きくなるように形成されている。
基材２１の表面に対する孔部２２の内面２２ａの傾斜角度αは、大きすぎれば内面２２ａへの電磁線照射量が少なくなり、小さすぎれば、他の部品を実装できる基材２１の面積が減少するため、４５〜８５°が好ましい。
工程（Ｄ）においては、電磁線を孔部２２の内径が大きい側から（図中上方）から照射する。これによって、内面２２ａに効率よく電磁線を照射し、十分な厚さの金属層２３を形成することができる。
【００２５】
次に、本発明の配線基板の製造方法の第４の例を説明する。
図８に示すように、基材３１の表面に金属層３２が形成された配線基板３３上に、孔部３４（ビアホール）を有する基材３５を積層する。
孔部３４は、内径が中心軸Ｘ方向に漸次大きくなるように形成されている、内面３４ａの傾斜角度βは、図７に示す孔部２２の内面２２ａの傾斜角度αと同様に、４５〜８５°が好ましい。
工程（Ｄ）においては、電磁線を孔部３４の内径が大きい側から（図中上方）から照射する。これによって、内面３４ａに効率よく電磁線を照射し、十分な厚さの金属層を形成することができる。
【００２６】
次に、本発明の配線基板の製造方法の第５の例を説明する。
図９に示すように、この方法では、表面に凸部３６を有する反射材３７を使用する。
凸部３６は、電磁線を反射できる材料からなり、反射材３７上に基材１を設置したときに、孔部２に整合する位置に形成されている。凸部３６の形状は特に限定されず、円錐状、円柱状、半球状、角柱状、角錐状などとすることができる。
基材１を工程（Ａ）〜（Ｃ）に従って処理した後、工程（Ｄ）に先だって、基材１を反射材３７上に置く。これによって、基材１の一方の面側（下面側）に反射材３７が配置される。この際、凸部３６が孔部２内に向けて突出した状態とする。
次いで、工程（Ｄ）において、他方の面側（上面側）から電磁線を基材１に照射する。
電磁線の一部は、凸部３６に反射し、孔部２の内面２ａに照射される。このため、十分な厚さをもつ金属層５を形成することができる。
【実施例】
【００２７】
（実施例１）
ポリイミド樹脂フィルムからなる基材１に、ドリル加工により、スルーホールである孔部２（内径３００μｍ）を形成し、十分に水洗した。この段階で孔部２の内面２ａの中心線平均粗さＲａを測定したところ、０．２μｍであった。
（Ａ）イオン交換基の導入
基材１を水洗した後、カルボキシ基（ＣＯＯ−Ｎａ＋）を導入するため、１ｍｏｌ／Ｌの水酸化ナトリウム水溶液に５０℃にて５分間浸漬した。
この処理の後、中心線平均粗さＲａを測定したところ、０．６μｍであった。
（Ｂ）金属イオンの導入
基材１を水洗した後、０．０５ｍｏｌ／Ｌの硫酸銅水溶液に、２５℃にて５分間浸漬した。これによって、基材１の表面および孔部２の内面２ａに銅イオンを導入した。
（Ｃ）光触媒の導入  
基材１を水洗した後、０．５ｍｏｌ／ＬのＴｉＯ２コロイド液に２５℃にて１０分間浸漬した。これによって、基材１の表面および孔部２の内面２ａにＴｉＯ２を導入した。
（Ｅ）還元剤の導入
基材１を水洗した後、０．０５ｍｏｌ／Ｌの水素化ホウ素ナトリウム水溶液を基材１の表面および孔部２の内面２ａに塗布した。これによって、基材１の表面および孔部２の内面２ａに水素化ホウ素ナトリウムを導入した。
（Ｄ）電磁線照射
５００Ｗの高圧水銀ランプを用いて、紫外線を、フォトマスクを介して基材１に照射した。照射時の温度は２５℃、圧力は１気圧、照射時間は５分間とした。この際、紫外線が孔部２内にも照射されるようにした。
これによって、銅イオンを還元し、基材１の表面および孔部２の内面２ａに、銅からなる金属層３、５、６を形成した。
【００２８】
次いで、不要な銅イオンを除去するため、基材１を１％硝酸に２５℃にて１分間浸漬した。
これによって、基材１の両面に、幅５０μｍの配線をなす金属層３、６が形成され、孔部２の内面２ａに金属層３が形成された両面配線基板１１を得た。
孔部２の内面２ａに形成された金属層５を含む部分の比抵抗を測定したところ、８×１０−６Ωｃｍであり、電気抵抗が十分に小さいことがわかった。
【００２９】
両面配線基板１１をピール強度試験（ＪＩＳ  Ｃ６４７１に準拠）に供し、引き剥がし強さ（ピール強度）（ＪＩＳ  Ｃ５０１６  ８．１．６に準拠）を算出した。ピール強度を測定しやすくするため、測定に先だって、金属層３、５、６上に、無電解メッキにより銅からなる金属層（厚さ７μｍ）を形成した。
基材１に対する金属層３、６のピール強度は１２Ｎ／ｃｍであり、金属層３、６は基材１に十分な強度で接合していることが明らかになった。
【００３０】
（実施例２）
イオン交換基を導入する工程（Ａ）において、水酸化ナトリウム水溶液の濃度を０．０５ｍｏｌ／Ｌとし、処理温度を２５℃とすること以外は、実施例１と同様にして両面配線基板１１を得た。
工程（Ａ）後の孔部２の内面２ａの中心線平均粗さＲａは、０．２５μｍであった。
両面配線基板１１のピール強度は１２Ｎ／ｃｍであり、金属層３、６は基材１に十分な強度で接合していることがわかった。
比抵抗は６×１０−５Ωｃｍであり、実施例１に比べて大きかった。これは、孔部２の内面２ａの粗さが小さかったため金属層５が薄くなったことが原因と考えられる。
【００３１】
（実施例３）
イオン交換基を導入する工程（Ａ）において、処理時間を１５分間とすること以外は、実施例１と同様にして両面配線基板１１を得た。
工程（Ａ）後の孔部２の内面２ａの中心線平均粗さＲａは、５μｍであった。
両面配線基板１１のピール強度は１２Ｎ／ｃｍであり、金属層３、６は基材１に十分な強度で接合していることがわかった。
比抵抗は９×１０−５Ωｃｍであり、実施例１に比べて大きかった。これは、孔部２の内面２ａの粗さが大きかったため金属層５の均一性が低くなったことが原因と考えられる。
【００３２】
（実施例４）
イオン交換基を導入する工程（Ａ）において、水酸化ナトリウム水溶液の濃度を０．１ｍｏｌ／Ｌとし、処理温度を２５℃とすること以外は、実施例１と同様にして両面配線基板１１を得た。
工程（Ａ）後の孔部２の内面２ａの中心線平均粗さＲａは、０．３μｍであった。
両面配線基板１１のピール強度は１２Ｎ／ｃｍであり、金属層３、６は基材１に十分な強度で接合していることがわかった。
比抵抗は１×１０−５Ωｃｍであり、電気抵抗が十分に小さいことがわかった。
【００３３】
（実施例５）
イオン交換基を導入する工程（Ａ）において、処理時間を１０分間とすること以外は、実施例１と同様にして両面配線基板１１を得た。
工程（Ａ）後の孔部２の内面２ａの中心線平均粗さＲａは、４μｍであった。
両面配線基板１１のピール強度は１２Ｎ／ｃｍであり、金属層３、６は基材１に十分な強度で接合していることがわかった。
比抵抗は１×１０−５Ωｃｍであり、電気抵抗が十分に小さいことがわかった。
【００３４】
（比較例１）
イオン交換基を導入する工程（Ａ）において、水酸化ナトリウム水溶液の濃度を０．０１ｍｏｌ／Ｌとし、処理温度を２５℃とすること以外は、実施例１と同様にして両面配線基板１１を得た。
工程（Ａ）後の孔部２の内面２ａの中心線平均粗さＲａは、０．１μｍであった。
両面配線基板１１のピール強度は１２Ｎ／ｃｍであり、金属層３、６は基材１に十分な強度で接合していることがわかった。
比抵抗は８×１０−４Ωｃｍであり、非常に大きかった。これは、孔部２の内面２ａがほとんど粗面化されていないため金属層５が部分的に薄くなったことが原因であると考えられる。
試験結果を表１および図１０に示す。
【００３５】
【表１】
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【００３６】
表１および図１０より、イオン交換基を導入する工程（Ａ）において、孔部２の内面２ａを粗面化することによって、電気抵抗が低く、かつ基材に対する接合強度に優れた金属層を形成しうることがわかる。
【００３７】
（実施例６）
工程（Ａ）において実施例２と同様の条件を採用し、内面２ａの中心線平均粗さＲａを０．２５μｍとした。
図９に示すように、工程（Ｄ）において、表面にアルミニウムからなる凸部３６を有する反射材３７を使用して、基材１に紫外線を照射し、両面配線基板１１を得た。その他の条件は実施例１と同様にした。
両面配線基板１１のピール強度は１２Ｎ／ｃｍであり、金属層３、６は基材１に十分な強度で接合していることがわかった。
比抵抗は８×１０−６Ωｃｍであり、電気抵抗が十分に小さいことがわかった。
この結果より、凸部３６を有する反射材３７の使用により、孔部２の内面２ａに高い強度の紫外線を照射し、十分な厚みをもつ金属層５を形成することができたことがわかる。
【００３８】
（実施例７）
図７に示すように、内径が中心軸Ｘ方向に漸次大きくなる孔部２２を有する基材２１を使用して両面配線基板を作製した。孔部２２の内面２２ａの傾斜角度αは６０°とした。
工程（Ａ）においては、実施例２と同様に処理時間を１分間とし、内面２２ａの中心線平均粗さＲａを０．２５μｍとした。
工程（Ｄ）においては、紫外線を孔部２２の内径が大きい側から（図中上方）から照射した。その他の条件は実施例１と同様にした。
上記両面配線基板のピール強度は１２Ｎ／ｃｍであり、金属層は基材１に十分な強度で接合していることがわかった。
比抵抗は８×１０−６Ωｃｍであり、電気抵抗が十分に小さいことがわかった。
この結果より、内径が中心軸方向に漸次大きくなる孔部２２を有する基材２１を用いることによって、孔部２２の内面２２ａに十分な厚みをもつ金属膜２３を形成することができたことがわかる。
【００３９】
（実施例８）
図５および図６に示すように、ポリイミド樹脂フィルムからなる基材１３に、ＣＯ２レーザを用いて孔部１２（ビアホール）（内径１００μｍ）を形成し、この基材１３を、実施例１と同様にして作製した両面配線基板１１の両面にそれぞれ積層した。
この段階で孔部１２の内面１２ａの中心線平均粗さＲａを測定したところ、０．１μｍであった。
基材１３および両面配線基板１１を、工程（Ａ）〜（Ｄ）に従って処理した。工程（Ａ）〜（Ｄ）の条件は実施例１に準じた。これによって、基材１３の表面および孔部１２の内面１２ａに、銅からなる金属層１４、１５を形成した。
次いで、不要な銅イオンを除去するため、基材１３および両面配線基板１１を１％硝酸に２５℃にて１分間浸漬した。
これによって、多層配線基板１６を得た。
孔部１２の内面１２ａに形成された金属層１５を含む部分の比抵抗を測定したところ、６×１０−６Ωｃｍであり、電気抵抗が十分に小さいことがわかった。
多層配線基板１６において、基材１３に対する金属層１４のピール強度は１２Ｎ／ｃｍであり、金属層１４は基材１３に十分な強度で接合していることがわかった。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
本発明に係る配線基板の製造方法は、半導体基板上に表示デバイスやセンサデバイスが搭載されるプリント配線基板などの回路基板の製造に適用することができる。また、この製造方法により得られた配線基板は、表示デバイスやセンサデバイスが搭載されるプリント配線基板などの回路基板として好適である。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明に係る配線基板の製造方法の第１の例を示す工程図である。
【図２】前図に続く製造工程を示す工程図である。（ｂ）は、（ａ）に示す基材の要部拡大図である。
【図３】前図に続く製造工程を示す工程図である。（ｂ）は、（ａ）に示す基材の要部拡大図である。
【図４】前図に続く製造工程を示す工程図である。
【図５】本発明に係る配線基板の製造方法の第２の例を示す工程図である。
【図６】前図に続く製造工程を示す工程図である。
【図７】本発明に係る配線基板の製造方法の第３の例を示す説明図である。（ｂ）は、（ａ）に示す両面配線基板の要部拡大図である。
【図８】本発明に係る配線基板の製造方法の第４の例を示す説明図である。
【図９】本発明に係る配線基板の製造方法の第５の例を示す説明図である。
【図１０】試験結果を示すグラフである。
【符号の説明】
【００４２】
１、１３、２１、３１、３５…基板、２、１２、２２、３４…孔部、２ａ、１２ａ、２２ａ、３４ａ…内面、３、５、６、１４、１５…金属層、３６…凸部、３７…反射材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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