(57)【要約】【課題】  帯域反射型発振回路において、共振回路に対する特性調整方法によれば、発振周波数を調整することが可能であるが、発振回路の出力特性や変調幅を調整することには向かず、増幅回路に対する特性調整方法では、出力信号が大きく減衰したり、負荷変動に対する特性変動が大きくなったりすることがあった。【解決手段】  高周波発振回路１００において、共振回路１と増幅回路２を接続するＦＥＴ９のドレイン端側に特性調整用のオープンスタブ１４を設けて、トリミングまたは誘電体チップの付加を行う。ＦＥＴ９のソース端側から出力端子１３の間で、インピーダンス変化がないため、出力信号が大きく減衰したり、負荷変動に対する特性変動が生じたりすることなく、負荷変動特性が安定した状態で発振周波数特性、出力特性、および変調幅特性が調整可能になる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定位置に共振器が結合されたマイクロストリップラインの端部に電界効果型トランジスタのゲートが接続され、該電界効果型トランジスタのドレインにドレインバイアス電圧が印加され、前記電界効果型トランジスタのソース側から出力信号を取り出すようにした高周波発振回路において、
前記電界効果型トランジスタのドレインに、開放端付近をトリミング可能にした特性調整用のオープンスタブを設けたことを特徴とする高周波発振回路。
【請求項２】
前記特性調整用のオープンスタブの開放端または開放端付近に誘電体チップを配置した請求項１に記載の高周波発振回路。
【請求項３】
請求項１または２に記載の高周波発振回路と、該高周波発振回路の出力信号を送信する手段とを備えた高周波機器。
【請求項４】
所定位置に共振器が結合されたマイクロストリップラインの端部に電界効果型トランジスタのゲートが接続され、該電界効果型トランジスタのドレインにドレインバイアス電圧が印加され、前記電界効果型トランジスタのソース側から出力信号を取り出すようにした高周波発振回路の特性調整方法であって、
前記電界効果型トランジスタのドレインに、先端を開放した特性調整用のオープンスタブを設け、該特性調整用のオープンスタブの開放端付近のトリミングにより、または前記特性調整用のオープンスタブの開放端もしくは開放端付近への誘電体チップの配置により発振回路特性を調整することを特徴とする高周波発振回路の特性調整方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、高周波発振回路、高周波機器、および高周波機器の特性調整方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、マイクロ波帯における平面回路型の発振回路として用いられてきた帯域反射型の発振回路を図７に示す。図７は、マイクロストリップライン７の所定位置に誘電体共振器３を結合させ、そのマイクロストリップライン７の端部に電界効果型トランジスタ９（以下、ＦＥＴと称する。）を接続し、帯域反射型の発振回路１００を構成している。このような帯域反射型発振回路の設計においては、所定の発振回路特性（発振周波数特性、発振出力特性、負荷変動特性および変調幅特性）を得られるように発振回路１００は設計されるが、実際にはＦＥＴ９の特性ばらつき、調整用オープンスタブ１４を含む回路パターン全体の寸法ばらつき、ＦＥＴ９の各パッドと基板上のパッド間を接続するワイヤー長のばらつき等があるので、必ずしも設計どおりの発振回路特性が得られない。
【０００３】
所望する発振回路特性を得るためには、共振回路１と、増幅回路2との間の位相条件と振幅条件とを、発振回路の発振条件を満たすように調整をしなければならないが、そのような特性調整方法として、共振回路１を調整する方法と、増幅回路2を調整する方法とがあり、共振回路１を調整する方法として特許文献１〜３が開示されている。
【０００４】
特許文献１には、共振器に結合するマイクロストリップラインの一端に備えた先端開放の調整用オープンスタブに対して、トリミングまたは、半田溶着を行うことによって共振回路の位相条件を変更し、発振周波数特性の調整を行う方法が開示されている。
【０００５】
特許文献２には、誘電体共振器を備えた高周波モジュールにおいて、マイクロストリップラインやＦＥＴなどの回路を載せた基板の一部を削除したり、その基板に誘電体部材を付加したりして共振回路の位相条件を変更し、発振周波数特性の調整を行う方法が開示されている。
【０００６】
特許文献３には、共振器に結合するマイクロストリップラインを、誘電体のテープで覆うことによって共振回路の位相条件を変更し、発振周波数特性の調整を行う方法が開示されている。
【０００７】
上述のような共振回路に対する特性調整方法によれば、発振周波数特性を調整することが可能である。しかし、これらの調整方法は、共振回路の調整方法であったために発振周波数にかかわる特性の調整には適していたが、発振回路の出力特性や変調幅特性や負荷変動特性を調整することには適さなかった。そこで、出力特性や変調幅特性や負荷変動特性をも調整する方法として、増幅回路に対する特性調整方法が、特許文献４に開示されている。
【０００８】
特許文献４では、図７のＦＥＴ９のソース側回路に設けられた、オープンスタブ１０を調整用オープンスタブとして用いている。この調整用オープンスタブ１０をトリミングすること、または、面積を増やすことでオープンスタブ１０のインピーダンスを操作し、オープンスタブ１０からＦＥＴ９のソース端への反射波の位相条件と振幅条件とを変更する。これにより、発振回路１００の特性が調整される。
【特許文献１】特開平１１−２０２５３９号公報
【特許文献２】特開平１１−１６３６０７号公報
【特許文献３】特開平０９−２３８００２号公報
【特許文献４】特開平０６−３１８８１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、前記の増幅回路に対する特性調整方法では、調整用オープンスタブが出力端子とＦＥＴのソース端との間に接続されている。そして、そのオープンスタブが調整されることで、オープンスタブの入力反射係数（Ｓ１１）が変わり、発振回路の発振周波数が調整される。しかし発振周波数特性が調整される一方、負荷変動による特性変動が大きくなり、場合によっては出力に減衰が生じてしまったり、変調幅が大きく低下したりするという問題があり、負荷変動特性を安定させたまま発振周波数特性以外の出力特性および変調幅特性といった特性を同時に満足させるような調整をすることができなかった。
【００１０】
そこで、本発明の目的は負荷変動特性を安定させた状態で所定の発振出力特性および変調幅特性を満足させる高周波発振回路を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
（１）  この発明の高周波発振回路は、所定位置に共振器が結合されたマイクロストリップラインの端部にＦＥＴのゲートを接続し、前記ＦＥＴのドレインにドレインバイアス電圧を印加し、前記ＦＥＴのソース側から出力信号を取り出すようにしており、さらに前記ＦＥＴのドレインに、開放端付近をトリミング可能にした特性調整用のオープンスタブを設けたことを特徴としている。
【００１２】
この構成に対して、ＦＥＴのドレイン側の回路に設けた調整用オープンスタブをトリミングすることで、ＦＥＴのドレイン端に位相遷移を起こし、発振回路の発振条件の調整を行う。
【００１３】
（２）  また、この発明の高周波発振回路は、前記ＦＥＴのドレインに、開放端付近に誘電体チップを配置した特性調整用のオープンスタブを備えたことを特徴としている。
【００１４】
この構成に対して、ＦＥＴのドレイン側の回路に設けた調整用オープンスタブに対して、誘電体チップを付加することで、ＦＥＴのドレイン端に位相遷移または、それとともに振幅変化を起こし、発振回路の発振条件の調整を行う。
【００１５】
（３）  また、この発明の高周波機器は、前述のいずれかの高周波発振回路と、高周波発振回路の出力信号を送信する手段とを備えたことを特徴としている。
【００１６】
この構成に対して、前述のようにＦＥＴのドレイン側の回路に設けた調整用オープンスタブをトリミングすること、または、調整用オープンスタブへ誘電体チップを付加することで、ＦＥＴのドレイン端に位相遷移または、それとともに振幅変化を起こし、発振回路の発振条件の調整を行う。
【００１７】
（４）  また、この発明の高周波発振回路の特性調整方法は、所定位置に共振器が結合されたマイクロストリップラインの端部に電界効果型トランジスタのゲートが接続され、該電界効果型トランジスタのドレインにドレインバイアス電圧が印加され、前記電界効果型トランジスタのソース側から出力信号を取り出すようにした高周波発振回路に対して行われる。この特性調整方法は、ＦＥＴのドレインに、先端を開放した特性調整用のオープンスタブを設け、該特性調整用のオープンスタブの開放端付近をトリミングすることにより、または、誘電体チップを配置することにより、発振回路特性を調整することを特徴としている。
【００１８】
この特性調整方法により、ＦＥＴのドレイン側の回路に設けた調整用オープンスタブのインピーダンスを変えることで、ＦＥＴのドレイン端における位相遷移または、それとともに振幅変化とを起こし、発振回路の発振条件の調整を行う。
【発明の効果】
【００１９】
（１）  この発明による高周波発振回路はＦＥＴのドレイン端に特性調整用のオープンスタブを備えているために、ＦＥＴのドレイン端が等価的に略接地状態にあり、ドレイン接地型増幅回路となっている。このオープンスタブの開放端付近のトリミングにより、調整用オープンスタブの電気長を短縮するため、発振回路は発振条件の一つである位相条件が調整前と異なる。また、等価的な接地状態と比べ電位をもつようになるため、発振回路の発振条件のもう一つである振幅条件も調整前と異なる。
【００２０】
発振条件の変化により、発振周波数特性も変わり、調整用オープンスタブのトリミングの場合には発振周波数は上昇する。このとき、最適な発振条件が、調整前の周波数よりも高周波数側にある場合には、良好な発振回路特性をもった高周波発振回路を得ることができる。
【００２１】
（２）  また、この発明による高周波発振回路は、ＦＥＴのドレイン端に、開放端付近に誘電体チップを配置した特性調整用のオープンスタブを備えたことで、調整用オープンスタブが等価的に延長されたことと略同様になる。この作用は、上述の調整用オープンスタブのトリミングとは逆方向の作用なので、誘電体チップを付加した調整用オープンスタブを備えた発振回路の場合には調整前と比べ発振周波数特性が下降する。そのために、最適な発振条件が、調整前の周波数よりも低周波数側にある場合には、良好な発振回路特性をもった高周波発振回路を得ることができる。
【００２２】
（３）  また、この発明による高周波機器は、装荷された高周波回路のＦＥＴドレイン端に、トリミングおよび、または誘電体チップの付加を行った調整用オープンスタブを備えているために、位相条件と振幅条件が調整前とは異なる。そのために、調整用オープンスタブの等価的な電気長が伸縮されたことと略同様に作用し、最適な発振条件の発振周波数に発振周波数を設定でき、良好な発振回路特性をもった高周波機器を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
第１の実施形態に係る高周波発振回路について、図１〜図３を基に説明する。
【００２４】
図１は、本発明を用いた高周波発振回路の回路図である。図１に示すように、ＦＥＴ９のゲート端を、一方端が抵抗８を通じて接地されたマイクロストリップラインからなる線路７に接続している。この線路７の所定位置には、誘電体共振器３を結合させている。また、この誘電体共振器３には一方端を開放させた線路２０を結合させている。線路２０と接地との間には可変容量ダイオード４を接続し、制御電圧入力端子６と線路２０との間に抵抗５を接続している。
【００２５】
このように可変容量ダイオード４を装荷した線路２０を誘電体共振器３に結合させることによって、制御電圧入力端子への制御電圧に応じて、共振回路１の共振周波数を可変とし、そのことによって発振周波数を変調可能としている。
【００２６】
ＦＥＴ９のソースは、結合線路１１のうちの一方の線路を介して接地している。この結合線路１１の他方の線路は線路長が略λ／４の線路（λは発振周波数における線路上での１波長）であり、その線路と出力端子１３との間にアッテネータ１２を設けている。そしてＦＥＴ９のソースにオープンスタブ１０を接続している。
【００２７】
ＦＥＴ９のドレインとドレインバイアス端子１９との間には、線路長が略λ／４の線路１５、線路長が略λ／４のオープンスタブ１６、抵抗１７を接続している。また、ドレインバイアス端子１９はコンデンサ１８を介して接地している。これらの回路部分によってドレインバイアス回路を構成している。そして、ＦＥＴ９のドレインに線路長が略λ／４の調整用オープンスタブ１４を接続している。
【００２８】
この図１に示した高周波発振回路は、共振回路１と増幅回路２とからなる。共振回路１の線路７を伝搬する誘電体共振器の共振周波数の信号波は、誘電体共振器３が結合する位置で全反射し、その信号波が増幅回路２で増幅され、共振回路１側へ戻される。すなわち帯域反射型の発振回路として動作する。
【００２９】
増幅回路２において、ＦＥＴ９のドレインに、線路長が略λ／４の調整用オープンスタブ１４が接続されているため、発振周波数においてドレインは等価的に接地されている。したがって、この増幅回路２はドレイン接地型の増幅回路として作用する。ＦＥＴ９のソースにはオープンスタブ１０が接続されているので、ＦＥＴ９により増幅されてソースから出力されようとする信号の一部がオープンスタブ１０で反射し、ＦＥＴ９のゲート・ソース間の帰還容量を介してＦＥＴ９のゲートおよび共振回路１へ帰還される。また、ＦＥＴ９のソースからの出力信号は、結合線路１１およびアッテネータ１２を介して出力端子１３から出力される。
【００３０】
ＦＥＴ９のドレインに接続されている線路１５とオープンスタブ１６はいずれも線路長が略λ／４であるので、ＦＥＴ９のドレインと線路１５との接続点は等価的に略開放状態となる。そのため、前記ドレインバイアス回路はＦＥＴ９のドレインに直流バイアス電圧を供給するが発振動作には影響を与えない。なお、ドレインバイアス回路においてコンデンサ１８は、ドレインバイアス端子１９に印加されるドレインバイアス電圧に重畳される高周波ノイズ成分をシャントする。
【００３１】
さて、以上のように構成した高周波発振回路において、ＦＥＴ９のドレインに設けた調整用オープンスタブ１４の作用は、この高周波発振回路１００が発振動作するために必要な二つの発振条件である位相条件と振幅条件に関わってくる。すなわち、この調整用オープンスタブ１４の線路長によってＦＥＴ９のドレイン端の位相が変化するので、ドレインの電位が等価的な接地（０位相）からずれる。そのため、位相条件が変化し、発振条件を満足する位相（発振周波数）が変化することにより発振周波数変調幅特性が変化する。また、上記ＦＥＴ９のドレイン端の位相が変化することにより、所望の周波数でドレインと接地との間に等価的なリアクタンス成分が介在したりしなかったりする。このようにドレインが等価的な接地からずれて電位をもつと、ドレイン接地型増幅回路２のＦＥＴ９におけるゲート側の反射波が増減し、振幅条件が変化するので、発振出力特性が変化する。
【００３２】
まず、ＦＥＴ９のドレイン端に設けた調整用オープンスタブのトリミングにより、高周波発振回路の発振周波数、変調幅、発振出力がそれぞれ所定値となるように調整する。調整により発振条件が最適化されると、負荷変動特性を安定させた状態で変調幅は広くなり、発振出力は大きくなり、これらの特性に対する一般的な要求を満足する。また、そのときの発振周波数特性はオープンスタブ調整量に応じて単調増加する関係にある。この発振条件が最適化された状態では、良好な変調幅特性を持つために、たとえば、共振回路１の可変容量ダイオード４への制御電圧によってある程度任意に発振周波数が調整できる。なお、この可変容量ダイオード４を用いた発振周波数特性の調整方法以外の発振周波数調整方法を用いて発振周波数特性を調整してもよい。
【００３３】
上記位相条件と振幅条件の変化が発振回路特性に与える影響について次に示す。
【００３４】
図２は、調整用オープンスタブ１４のトリミングにより、その線路長を変化させたときの調整用オープンスタブ１４のインピーダンス変化を表している。図２（ａ）は、調整用オープンスタブ１４をトリミングした状態を示す上面図であり、図２（ｂ）はその際のスミスチャートである。図中のそれぞれの符号は、トリミング位置と、それに対応するインピーダンスを示している。
【００３５】
この図２に示すように、調整用オープンスタブ１４のインピーダンスを非開放端側から見たＳ１１（Ｓパラメータの入力反射係数）で表すと、トリミング長の増加（調整用オープンスタブ１４の線路長の短縮化）に従い、調整用オープンスタブ１４のＳ１１は、スミスチャート（インピーダンスチャート）上の等抵抗曲線上を反時計回りに移動する。すなわち、トリミング長を増加する程、この調整用オープンスタブの開放端からの反射波の位相が進む。そのため、図１に示したＦＥＴ９のドレイン端の位相が進む。また、この位相の変化によりドレインの電位が等価的な接地からずれて電位をもつことにより振幅条件が変化する。この作用を利用して高周波発振回路の特性を調整する。
【００３６】
図３（ａ）〜図３（ｃ）は調整用オープンスタブ１４のトリミング長と発振回路特性との関係を示している。図３（ａ）は縦軸に発振周波数変動量を、横軸にトリミング長をとっている。図３（ｂ）は縦軸に変調幅変動量を、横軸にトリミング長をとっている。図３（ｃ）は縦軸に発振出力変動量を、横軸にトリミング長をとっている。
【００３７】
調整用オープンスタブ１４の線路長が短くなる程、ＦＥＴ９のドレイン端が等価的に接地状態となる発振周波数が高くなるので、図３（ａ）に示すように、トリミング長を増加する程、発振周波数は上昇する。
【００３８】
また、図３（ｃ）に示すように、調整用オープンスタブ１４のある線路長で発振出力は最大となり、それより長くなっても、短くなっても発振出力は低下する。これは、調整用オープンスタブ１４の線路長が適正な長さからずれる程、発振回路の発振条件が、最適な位相条件と振幅条件からずれるために、図１に示した増幅回路２の増幅率が低下し、発振出力も低下するためである。
【００３９】
同様に、図３（ｂ）に示すように、調整用オープンスタブ１４のある線路長で変調幅は最大となり、それより長くなっても、短くなっても変調幅は低下する。これは、調整用オープンスタブ１４の線路長が適正な長さからずれる程、発振回路の発振条件が、最適な位相条件と振幅条件からずれるために、可変容量ダイオード４へ印加する制御電圧の変化に対する発振周波数の変化率が低下するためである。
【００４０】
なお、図３においては負荷変動特性を示していないが、この負荷変動特性に関しては調整用オープンスタブ１４の線路長により発振条件を調整しているため、ＦＥＴのソース側から出力端子(負荷側)のインピーダンス変化がない。そのために、発振特性を調整用オープンスタブ１４の線路長で適切な長さに設定した場合でも、ＦＥＴのソース側から出力端子１３間のインピーダンスの変化がないため、負荷変動特性を劣化させることなく安定した発振特性を得ることができる。
【００４１】
次に、第２の実施形態に係る高周波発振回路について、図４・図５を基に説明する。
【００４２】
第１の実施形態では、調整用オープンスタブをトリミングすることによって高周波発振回路の特性を調整したが、この第２の実施形態では、調整用オープンスタブの開放端または開放端付近に誘電体チップを配置することによって特性調整を行う。
【００４３】
図４は、調整用オープンスタブに様々な誘電体チップを張付けた状態を示す上面図であり、図５（ａ）は誘電体チップの大きさを変えた場合のスミスチャートであり、図５（ｂ）は誘電体チップの比誘電率を変えた場合のスミスチャートである。
【００４４】
図４（ａ）〜（ｄ）は、比誘電率εｒが２４である誘電体チップ２１の大きさを変えた例を表している。（ｂ）はサイズが０．５ｍｍ×０．５ｍｍ×０．３ｍｍの誘電体チップ２１を、（ｃ）はサイズが１．０ｍｍ×１．０ｍｍ×０．３ｍｍの誘電体チップ２１を、（ｄ）はサイズが１．５ｍｍ×１．５ｍｍ×０．３ｍｍの誘電体チップ２１をそれぞれ貼り付けた例である。また、（ｅ）〜（ｇ）は、誘電体チップ２１のサイズを０．５ｍｍ×０．５ｍｍ×０．３ｍｍで一定とし、その比誘電率を変えた場合を表している。（ｅ）は比誘電率εｒが１、（ｆ）は比誘電率εｒが２４、（ｇ）は比誘電率εｒが１００の場合をそれぞれあらわしている。
【００４５】
図５（ａ）に示すように、調整用オープンスタブ１４のインピーダンスを非開放端側から見たＳ１１（Ｓパラメータの入力反射係数）で表すと、誘電体チップが大きくなるに従い、調整用オープンスタブ１４のＳ１１は、スミスチャート（インピーダンスチャート）上の略等抵抗曲線上を時計回りに移動する。すなわち、付加する誘電体チップの面積が増大する程、この調整用オープンスタブの開放端からの反射波の位相が遅れる。そのため、図１に示したＦＥＴ９のドレイン端の位相が遅れる。
【００４６】
また、図５（ｂ）に示すように、調整用オープンスタブ１４の比誘電率が大きくなるに従い、調整用オープンスタブ１４のＳ１１は、スミスチャート（インピーダンスチャート）上の等抵抗曲線上を時計回りに移動する。すなわち、付加する誘電体チップの比誘電率が増大する程、この調整用オープンスタブの開放端からの反射波の位相が遅れる。そのため、図１に示したＦＥＴ９のドレイン端の位相が遅れる。
【００４７】
誘電体チップ２１のサイズを一定にしたまま、その比誘電率を変化させた場合には、線路長が一定であるので、Ｓ１１はスミスチャート上の等抵抗曲線上を正確に移動するが、誘電体チップのサイズを変化させた場合には、等価的な線路長が変化し、且つ誘電体チップでの信号（波）の減衰もあるので。図５（ａ）に示したようにＳ１１の軌跡は等抵抗曲線上から少しずれる。
【００４８】
このようなインピーダンスの変化により、ＦＥＴ９のドレイン端の位相が遅れるだけでなく、ＦＥＴ９のドレイン端の電位が等価的な接地からずれて電位をもつことにより振幅条件が変化する。この作用を利用して高周波発振回路の特性を調整する。
【００４９】
第１の実施形態で示したように、調整用オープンスタブのトリミングによれば図３に示したように、発振周波数は上昇方向に変化し、変調幅と発振出力は最適値で最大となり、それからずれる程低下する傾向を示したが、この第２の実施形態では、付加する誘電体チップのサイズを大きくする程、または比誘電率を高める程、発振周波数は下降方向に変化し、変調幅と発振出力は最適値で最大となり、それからずれる程低下する。したがって、第１の実施形態の場合と同様にして高周波発振回路の特性調整が可能となる。
【００５０】
また、調整用オープンスタブのトリミングと、調整用オープンスタブの開放端または開放端付近への誘電体チップの配置とは、ＦＥＴ９のドレイン端の位相調整に対して逆方向に作用するので、上記トリミングと上記誘電体チップの配置とを組み合わせて調整を行ってもよい。例えば、調整用オープンスタブのトリミングを行い過ぎて、調整過多になってしまった場合には、それに見合った誘電体チップを配置することによって、変調幅と発振出力が最大となるように調整してもよい。
【００５１】
次に、前述の高周波発振回路を備えた第３の実施形態に係る高周波機器について、図６に示す。図６はミリ波レーダモジュール１０１の回路図である。
【００５２】
高周波発振回路１００からの発振周波数はアイソレータ２８、カプラ２７、サーキュレータ２５を介してアンテナ２６から送信される、また受信電波は、アンテナ２６から受信され、サーキュレータ２５、ミキサ２２、ＬＮＡ２３を介して信号処理回路２４にて処理される。
【００５３】
図１において、信号処理回路２４は、マイクロプロセッサの制御により、電圧が三角波状に変化する制御信号を高周波発振回路１００へ出力する。その結果、高周波発振回路１００は、三角波状にＦＭ変調された発振信号を発生する。
【００５４】
高周波発振回路１００の発振信号は、アイソレータ２８、カプラ２７、サーキュレータ２５を介してアンテナ２６へ供給される。このアンテナ２６から放射されるミリ波信号を鋭いビームとして送信する。車両などの物標からの反射波がアンテナ２６へ入射されると、受信信号がサーキュレータ２５を介してミキサ２２へ導かれる。ミキサ２２は、この受信信号とカプラ２７からの送信信号の一部であるローカル信号とを入力して、その差の発振周波数信号であるビート信号を中間周波信号として出力する。ＬＮＡ２３は、その中間周波信号を増幅し、信号処理回路２４へ与える。この信号処理回路２４では、中間周波信号をディジタルデータ列変換するとともに、ＦＦＴ（高速フーリエ変換）処理して、ビート信号の発振周波数スペクトルを求める。そして、高周波発振回路１００へ与えた変調信号と中間周波信号との関係から、物標までの距離および相対速度を検知する。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の実施形態に係る高周波発振回路の回路図である。
【図２】本発明の実施形態に係る調整用オープンスタブにおいて、（ａ）はトリミング状態を示す上面図である。（ｂ）はインピーダンスを示すスミスチャートである。
【図３】本発明の実施形態に係る調整用オープンスタブのトリミングによる、高周波発振回路の特性を示す表である。（ａ）は発振周波数変動量を、（ｂ）変調幅変動量を、（ｃ）は発振出力変動量を示している。
【図４】本発明の実施形態に係る調整用オープンスタブへの、誘電体チップ付加の状態を示す上面図である。
【図５】本発明の実施形態に係る調整用オープンスタブへの、誘電体チップ付加の状態におけるスミスチャートである。
【図６】本発明の実施形態に係る高周波発振回路を備えた高周波機器の回路図である。
【図７】従来の高周波発振回路の回路図である。
【符号の説明】
【００５６】
１−共振回路
２−増幅回路
３−誘電体共振器
４−可変容量ダイオード
５−抵抗
６−制御電圧入力端子
７−線路
８−抵抗
９−電界効果型トランジスタ
１０−オープンスタブ
１１−結合線路
１２−アッテネータ
１３−出力端子
１４−調整用オープンスタブ
１５−線路
１６−オープンスタブ
１７−抵抗
１８−コンデンサ
１９−ドレインバイアス端子
２０−線路
２１−誘電体チップ
２２−ミキサ
２３−ＬＮＡ
２４−信号処理回路
２５−サーキュレータ
２６−アンテナ
２７−カプラ
２８−アイソレータ
１００−高周波発振回路
１０１−ミリ波レーダモジュール
【図１】
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【図２】
2006042010.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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